【事件の表示】
　特許第５９７０７９６号発明「太陽電池基板用鋼箔およびその製造方法、並びに太陽電池基板、太陽電池およびその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５９７０７９６号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−１５〕について訂正することを認める。
　特許第５９７０７９６号の請求項１ないし５、７、８、１０ないし１５に係る特許を維持する。
　特許第５９７０７９６号の請求項６及び９に係る特許についての特許異議申立てを却下する。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本件特許第５９７０７９６号の請求項１−１５に係る特許についての出願は、平成２３年１２月１日に特許出願（国内優先権主張平成２２年１２月１０日）したものであって、平成２８年７月２２日付けでその特許権の設定登録がなされ、その後、その特許に対し、特許異議申立人岡林茂により特許異議の申立てがなされたものである。そして、その後の手続の経緯は以下のとおりである。  
　平成２９年　４月２８日：取消理由通知書（同年５月８日発送）  
　平成２９年　６月２６日：訂正請求書、意見書（特許権者提出）  
　平成２９年　７月　４日：訂正拒絶理由通知書（同年７月７日発送）  
　平成２９年　８月　２日：手続補正書（平成２９年６月２６日付け訂正請　　　　　　　　　　　　　求書の請求の理由の補正、特許権者提出）  
　　　　　　　　　　　　　意見書（特許権者提出）  
　平成２９年１０月　２日：取消理由通知書（決定の予告　同年１０月１０　　　　　　　　　　　　　日発送）
　平成２９年１１月２２日：訂正請求書、意見書（特許権者提出）
　平成２９年１２月　５日：訂正請求があった旨の通知書（同年１２月７日　　　　　　　　　　　　　発送）
　平成３０年　１月　５日：意見書（特許異議申立人提出）
 　 
第２　訂正の適否
１　訂正の内容
　平成２９年１１月２２日付けの訂正請求（以下「本件訂正請求」という。）は、特許請求の範囲を訂正後の請求項１〜１５について訂正することを求めるものであって、以下の訂正事項からなる。なお、上記訂正請求より先にした平成２９年６月２６日付けの訂正請求は、特許法第１２０条の５第７項の規定により、取り下げられたものとみなす。
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に
「質量％で、Ｃ：０．１２％以下、Ｓｉ：２．５％以下、Ｍｎ：１．０％以下、Ｓ：０．０３０％以下、Ｐ：０．０５０％以下、Ｃｒを７〜４０％を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物からなる成分組成を有し、
圧延方向に直角方向の引張強度が９３０ＭＰａ以上であり、
０〜１００℃における線膨張率が１２．０×１０−６／℃以下であることを特徴とする太陽電池基板用鋼箔。」
と記載されているのを、
「質量％で、Ｃ：０．１２％以下、Ｓｉ：２．５％以下、Ｍｎ：１．０％以下、Ｓ：０．０３０％以下、Ｐ：０．０５０％以下、Ｃｒを７〜４０％を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物からなる成分組成を有し、
圧延方向に直角方向の引張強度が
１０００
０〜１００℃における線膨張率が１２．０×１０−６／℃以下であ
り、厚さが２０〜２００μｍであ
に訂正する。
　上記訂正は、
（ア）引張強度が「９３０ＭＰａ以上」であったものを、「１０００ＭＰａ以上」にする訂正事項（以下「訂正事項１−１」という。）、
（イ）「厚さが２０〜２００μｍである」との発明特定事項を追加する訂正事項（以下「訂正事項１−２」という。）、
からなる。
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項２に
「質量％で、Ｃ：０．１２％以下、Ｓｉ：２．５％以下、Ｍｎ：１．０％以下、Ｓ：０．０３０％以下、Ｐ：０．０５０％以下、Ｃｒを７〜４０％を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物からなる成分組成を有し、
圧延方向に直角方向の引張強度が９３０ＭＰａ以上であり、ミクロ組織がフェライト組織を主体とする組織であることを特徴とする太陽電池基板用鋼箔。」
と記載されているのを、
「質量％で、Ｃ：０．１２％以下、Ｓｉ：２．５％以下、Ｍｎ：１．０％以下、Ｓ：０．０３０％以下、Ｐ：０．０５０％以下、Ｃｒを７〜４０％を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物からなる成分組成を有し、
圧延方向に直角方向の引張強度が
１０００
り、厚さが２０〜２００μｍであ
に訂正する。
　上記訂正は、
（ア）引張強度が「９３０ＭＰａ以上」であったものを、「１０００ＭＰａ以上」にする訂正事項（以下「訂正事項２−１」という。）、
（イ）「厚さが２０〜２００μｍである」との発明特定事項を追加する訂正事項（以下「訂正事項２−２」という。）、
からなる。
（３）訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項６を削除する。
　
（４）訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項７に
「請求項１〜６のいずれか一項に記載の太陽電池基板用鋼箔。」
と記載されているのを、
「請求項１〜
５
に訂正する。
　
（５）訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項８に
「請求項１〜７のいずれか一項に記載の太陽電池基板用鋼箔の製造方法であり、厚さ１ｍｍ以下の光輝焼鈍後または焼鈍し、酸洗後の鋼板を、圧下率５０％以上で冷間圧延することを特徴とする太陽電池基板用鋼箔の製造方法。」
と記載されているのを、
「請求項１〜
５、
７０
に訂正する。
（６）訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項９を削除する。
　
（７）訂正事項７
　特許請求の範囲の請求項１０に
「請求項８または９に記載の太陽電池基板用鋼箔の製造方法。」
と記載されているのを、
「請求項
８に
に訂正する。
（８）訂正事項８
　特許請求の範囲の請求項１１に
「請求項８〜１０のいずれか一項に記載の太陽電池基板用鋼箔の製造方法。」
と記載されているのを、
「請求項８
または１０
（９）訂正事項９
　特許請求の範囲の請求項１２に
「請求項１〜７のいずれか一項に記載の太陽電池基板用鋼箔を用いたことを特徴とする太陽電池基板。」
と記載されているのを、
「請求項１〜
５、
に訂正する。
　
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無、一群の請求項及び特許請求の範囲の拡張・変更の有無
（１）訂正事項１について
ア　訂正の目的
（ア）訂正事項１−１は、引張り強度の範囲を減縮する訂正であるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（イ）訂正事項１−２は、構成要件を直列的に付加する訂正であるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
イ　新規事項の有無
（ア）願書に添付した明細書には、「【０００８】本発明の太陽電池基板用鋼箔では、圧延方向に直角方向の引張強度が１０００ＭＰａ以上であったり、…であることが好ましい。」との記載があるから、訂正事項１−１は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてするものである。
（イ）願書に添付した明細書には、「【０００１】本発明は、太陽電池基板用鋼箔、特に、厚さ２０〜２００μｍの太陽電池基板用鋼箔に関する。」との記載があるから、訂正事項１−２は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてするものである。
ウ　特許請求の範囲の拡張・変更
　訂正事項１−１、１−２はいずれも、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（２）訂正事項２について
ア　訂正の目的
（ア）訂正事項２−１は、引張り強度の範囲を減縮する訂正であるから、特許請求の範囲の減縮を目的するものである。
（イ）訂正事項２−２は、構成要件を直列的に付加する訂正であるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
イ　新規事項の有無
（ア）願書に添付した明細書には、「【０００８】本発明の太陽電池基板用鋼箔では、圧延方向に直角方向の引張強度が１０００ＭＰａ以上であったり、…であることが好ましい。」との記載があるから、訂正事項２−１は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてするものである。
（イ）願書に添付した明細書には、「【０００１】本発明は、太陽電池基板用鋼箔、特に、厚さ２０〜２００μｍの太陽電池基板用鋼箔に関する。」との記載があるから、訂正事項２−２は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてするものである。
ウ　特許請求の範囲の拡張・変更
　訂正事項２−１、２−２はいずれも、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（３）訂正事項３について
　訂正事項３は、特許請求の範囲の請求項６を削除する訂正であるから、特許請求の範囲の減縮を目的するものである。そして、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（４）訂正事項４について
　訂正事項４は、訂正事項３で請求項６を削除することに伴って、引用する請求項から請求項６を削除する訂正であるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。そして、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（５）訂正事項５について
　訂正事項５は、訂正事項３で請求項６を削除することに伴って、引用する請求項から請求項６を削除する訂正であるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。そして、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない
（６）訂正事項６について
　訂正事項６は、特許請求の範囲の請求項９を削除する訂正であるから、特許請求の範囲の減縮を目的するものである。そして、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（７）訂正事項７について
　訂正事項７は、訂正事項６で請求項９を削除することに伴って、引用する請求項から請求項６を削除する訂正であるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。そして、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（８）訂正事項８について
　訂正事項８は、訂正事項６で請求項９を削除することに伴って、引用する請求項から請求項６を削除する訂正であるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。そして、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（９）訂正事項９について
　訂正事項９は、訂正事項３で請求項６を削除することに伴って、引用する請求項から請求項６を削除する訂正であるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。そして、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（１０）一群の請求項について
　訂正前の請求項１−１５は、一群の請求項であるところ、本件訂正請求は、一群の請求項ごとに請求するものである。
３　訂正のまとめ
　本件訂正請求に係る訂正事項１〜９は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号、第２号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ同条第４項、及び第９項で準用する第１２６条第４項〜第６項の規定に適合するので、訂正後の請求項［１〜１５］について訂正を認める。 
第３　本件発明
　本件訂正請求により訂正された請求項１〜５、７、８、９〜１５に係る発明（以下、その順に「本件発明１」等という。）は、その特許請求の範囲の請求項１〜５、７、８、９〜１５に記載された事項によ特定されるとおりのものである。なお、請求項６、９は、本件訂正請求により削除されている。
【請求項１】
　質量％で、Ｃ：０．１２％以下、Ｓｉ：２．５％以下、Ｍｎ：１．０％以下、Ｓ：０．０３０％以下、Ｐ：０．０５０％以下、Ｃｒを７〜４０％を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物からなる成分組成を有し、
圧延方向に直角方向の引張強度が１０００ＭＰａ以上であり、
０〜１００℃における線膨張率が１２．０×１０−６／℃以下であり、厚さが２０〜２００μｍであることを特徴とする太陽電池基板用鋼箔。
【請求項２】
　質量％で、Ｃ：０．１２％以下、Ｓｉ：２．５％以下、Ｍｎ：１．０％以下、Ｓ：０．０３０％以下、Ｐ：０．０５０％以下、Ｃｒを７〜４０％を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物からなる成分組成を有し、
圧延方向に直角方向の引張強度が１０００ＭＰａ以上であり、ミクロ組織がフェライト組織を主体とする組織であり、厚さが２０〜２００μｍであることを特徴とする太陽電池基板用鋼箔。
【請求項３】
　質量％で、さらに、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒのうちから選ばれる少なくとも一種を合計で１．０％以下含有することを特徴とする請求項１または２に記載の太陽電池基板用鋼箔。
【請求項４】
　質量％で、さらに、Ａｌ：０．２０％以下、Ｎ：０．０５％以下、Ｍｏ：０．０２〜４．０％のうちから選ばれる少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の太陽電池基板用鋼箔。
【請求項５】
　質量％で、さらに、Ｎｉ：１．０％以下、Ｃｕ：１．０％以下、Ｖ：１．０％以下、Ｗ：１．０％以下、Ｃａ：０．１％以下、Ｍｇ：０．１％以下、ＲＥＭ：０．１％以下、Ｂ：０．１％以下のうちから選ばれる少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の太陽電池基板用鋼箔。
【請求項６】
　（削除）
【請求項７】
　ミクロ組織が圧延組織のままであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の太陽電池基板用鋼箔。
【請求項８】
　請求項１〜５、７のいずれか一項に記載の太陽電池基板用鋼箔の製造方法であり、厚さ１ｍｍ以下の光輝焼鈍後または焼鈍し、酸洗後の鋼板を、圧下率７０％以上で冷間圧延することを特徴とする太陽電池基板用鋼箔の製造方法。
【請求項９】
　（削除）
【請求項１０】
　フェライト組織を有する光輝焼鈍後または焼鈍し、酸洗後の鋼板を用いることを特徴とする請求項８に記載の太陽電池基板用鋼箔の製造方法。
【請求項１１】
　冷間圧延後、不活性ガス雰囲気中で４００〜７００℃の熱処理を施すことを特徴とする請求項８または１０に記載の太陽電池基板用鋼箔の製造方法。
【請求項１２】
　請求項１〜５、７のいずれか一項に記載の太陽電池基板用鋼箔を用いたことを特徴とする太陽電池基板。
【請求項１３】
　請求項１２に記載の太陽電池基板を用いたことを特徴とする太陽電池。
【請求項１４】
　請求項１２に記載の太陽電池基板を用いてＲｏｌｌ−ｔｏ−Ｒｏｌｌ方式の連続プロセスにより製造することを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項１５】
　Ｒｏｌｌ−ｔｏ−Ｒｏｌｌ方式の連続プロセスが、クリーニング−バック電極スパッタリング−太陽電池処理−セレン化処理−バッファー層形成−トップ電極スパッタリング−電極形成−スリットの工程を含むことを特徴とする請求項１４に記載の太陽電池の製造方法。 
  
第４　取消理由の概要  
 　訂正前の特許請求の範囲の請求項１−１５に係る発明（以下、その順に「本件特許発明１」等という。）に対して、平成２９年１０月２日付けで特許権者に通知した取消理由の概要は、以下のとおりである。 
  
１　本件特許発明１−１５は、優先権の利益を享受することはできない。 
  
２　本件特許発明１−１０は、当業者が、甲１発明及び周知の技術手段に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、本件特許発明１−１０の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。  
 　  
３　本件特許発明１、２、５、７、８、１０、１２−１４は、甲２発明と実質的に同一であるから、本件特許発明１、２、５、７、８、１０、１２−１４の特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものである。また、本件特許発明１−５、７、８、１０−１５に係る特許は、当業者が、甲２発明、甲１０に開示された技術事項、甲１２に開示された技術事項及び周知の技術手段に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、本件特許発明１−５、７、８、１０−１５の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
４　したがって、本件特許発明１−１５に係る特許は取り消すべきものである。  
 　 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記　 
 　　 
特許異議申立人が提出した証拠  
　甲第１号証：特開昭６３−１６９３３１号公報（以下「甲１」という。）
　甲第２号証：特開昭６３−１３８７８３号公報（以下「甲２」という。）
　甲第３号証：国際公開第２００５／０１４８７３号（以下「甲３」という。） 
　甲第４号証：特開２００１−８７８０２号公報（以下「甲４」という。）　甲第５号証：特開平１０−８２０００号公報（以下「甲５」という。）　　甲第６号証：特開２０１１−２０４７２３号公報（以下「甲６」という。）　 
　甲第７号証：特願２０１０−２７５６５３号優先権証明書（以下「甲７」という。）  
　甲第８号証：ＪＩＳハンドブック［１］鉄鋼Ｉ、日本規格協会、２００５、ｐ９８０（注：「［１］」は、丸数字の１である。）（以下「甲８」という。）  
　甲第９号証：ステンレス協会編、ステンレス鋼便覧（第３版）、日刊工業新聞社、１９９５年１月２４日　ｐ５２９ （以下「甲９」という。） 
　甲第１０号証：特開平５−１７１３６２号公報（以下「甲１０」という。）  
　甲第１１号証：特開２０１１−１２４５２６号公報（以下「甲１１」という。）  
　甲第１２号証：特開２００１−３３９０８１号公報（以下「甲１２」という。）　 
以下は、平成３０年１月５日付け意見書に添付して提出した参考資料。
　参考資料１：特開２００２−９４０９５号公報
　参考資料２：特開２０１１−１７６２８５号公報
　参考資料３：ステンレス協会編、ステンレス鋼便覧（第３版）、日刊工業　　　　　　　新聞社、１９９５年１月２４日　ｐ１７２
第５　優先権について　
　本件発明１は、「０〜１００℃における線膨張率が１２．０×１０−６／℃以下であ」ることを発明特定事項とし、本件発明２は「ミクロ組織がフェライト組織を主体とする組織であ」ることを発明特定事項とする。しかしながら、前記発明特定事項は、何れも、優先権の主張の基礎とされた出願（特願２０１０−２７５６５３号）の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（甲７参照。）に記載されていない。 
　そして、本件発明３−１５は、何れも、本件発明１又は本件発明２を、直接または間接に引用し、減縮する発明である。 
　したがって、請求項１−１５に係る発明は、何れも、優先権の利益を享受することはできない。 
  
第６　引用する発明等 
１　甲１ 
（１）甲１の記載事項 
ア　「特許請求の範囲」の記載 
「（１）　重量％において、 
　Ｃ：０．１０％以下、 
　Ｓｉ：２．０％以下、 
　Ｍｎ：４．０％以下、 
　Ｐ：０．０４０％以下、 
　Ｓ：０．０３０％以下、 
　Ｎｉ：４．０％以下、 
　Ｃｒ：１０．０％以上で２０．０％以下、 
　Ｎ：０．１２％以下、 
　Ｏ：０．０２％以下、 
　Ｃｕ：４．０％以下、 
　を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物からなる鋼であって、且つ 
 ０．０１％≦Ｃ＋Ｎ≦０．２０％ 
 ０．５％≦Ｎｉ＋（Ｍｎ＋Ｃｕ）／３≦５．０％ 
 の関係を満足する鋼のスラブを製造し、これを熱間圧延して熱延鋼帯を製造する工程、 
　中間焼鈍無しの一回冷延によって製品板厚にまで冷間圧延して冷延鋼帯を製造する冷間圧延工程、そして、 
　得られた冷延鋼帯を連続熱処理炉に通板して、Ａｃ１点以上１１００℃以下のフェライト＋オーステナイトの二相域温度に１０分以内の保持のあと、最高加熱温度から１００℃までを平均冷却速度１℃／ｓｅｃ以上５００℃／ｓｅｃ以下で冷却する仕上熱処理を施す連続仕上熱処理工程、 
　からなる、ＨＶ２００以上の硬さを有し且つ延性に優れた高強度複相組織クロムステンレス鋼帯の製造法。」（１頁左下欄６行〜同欄右下欄１４行） 
　 
イ　「産業上の利用分野」の記載 
 「本発明は、延性に優れ強度および延性の面内異方性の小さい高強度複相組織クロムステンレス鋼帯の新規な工業的製造法に関し、高強度が必要とされ且つプレス成形などの加工が施される成形用素材としての高強度高延性ステンレス鋼帯の製造法を提供するものである。」（２頁左下欄６行〜同欄１１行） 
  
ウ　「この分野の背景」の記載 
 「クロムを主合金成分として含有するクロムステンレス鋼にはマルテンサイト系ステンレス鋼とフェライト系ステンレス鋼とがある。いずれも、クロムおよびニッケルを主合金成分として含有するオーステナイト系ステンレス鋼に比べて安価であり、そして強磁性を有し熱膨張係数が小さいなどの物性面でオーステナイト系ステンレス鋼には見られない特徴を有するので、単に経済的な理由のみならず特性面からクロムステンレス鋼に限定される用途も多い。特に近年の電子機器や精密機械部品などの分野では、その需要拡大にともなってクロムステンレス鋼板を使用する用途において加工成品の高機能化、小型化、一体化、高精度化並びに加工工程の簡略化に対する要求が益々厳しくなってきている。このために、ステンレス鋼本来の耐食性や上述のクロムステンレス鋼の特質に加えて、クロムステンレス鋼板の素材面では、一層の強度、加工性や精度が必要とされる。したがって、高強度と高延性という相反する特性を兼備したもの、素材鋼板時点での形状や板厚精度に優れたもの、加工後の形状精度に優れるといった諸特性を合わせもつクロムステンレス鋼板素材の出現が待たれている。」（２頁左下欄１３行〜同頁右下欄１６行） 
  
エ　「従来の技術」の記載 
 「一方、クロムステンレス鋼であるフェライト系ステンレス鋼板では熱処理による硬化があまり期待できないので、強度を上昇させる方法としては焼なまし後、さらに冷間で調質圧延を行って加工硬化による強度上昇を図ることが行われている。」（３頁左上欄１９行〜同頁右上欄３行） 
  
オ　「発明の詳述」の記載 
 「下記の第２表は、第１表の鋼Ｂの熱延板（熱延焼鈍および酸洗後の熱延板）を用いて、 
（ａ）、０．７ｍｍ厚まで中間焼鈍を行なうことなく冷間圧延し（冷間圧延率８０．６％）、この冷間圧延板を１０００℃に１分間均熱したあと、この温度から１００℃までを平均冷却速度２０℃／ｓｅｃで仕上熱処理した複相組織材、 
（ｂ）、前記の（ａ）の複相組織材と同等の強度を冷間圧延によって板厚０．７ｍｍの状態で付与した調質圧延材、 
　の各板の引張強さ（ｋｇｆ／ｍｍ２）および伸び（％）を圧延方向の値（Ｌ）、圧延方向に対して４５°方向の値（Ｄ）および圧延方向に対し９０°方向の値（Ｔ）を示したものである。」（７頁左下欄２０行〜同頁右下欄１３行） 
  
カ　「実施例」の記載 
 「第３表に示す化学成分を有する鋼を溶製してスラブを製造した。そしていずれも板厚３．６ｍｍに熱間圧延後、７８０℃×６時間加熱・炉冷の熱延板焼鈍を行い、酸洗のあと、中間焼鈍を施すことなく冷間圧延して板厚０．７ｍｍの冷延鋼帯とし（冷間圧延率８０．６％）、第４表に示した仕上熱処理条件のもとで連続熱処理炉にて連続仕上熱処理（ただし比較例Ｎｏ．４は箱型炉によるバッチ焼鈍処理）を施した。得られた鋼帯材料の特性を第４表に併記した。」（１０頁右上欄１８行〜同頁左下欄８行） 
　 
キ　「比較例Ｎｏ．５は、調質圧延材であり、本発明のものに比較して伸びが著しく低い。また引張強さに対する０、２％耐力の比、すなわち降伏比が高いと共に、０．２％耐力、引張強さ、伸びの異方性が大きい。したがって本発明法によって得られた鋼帯に比べて加工性並びに加工後の形状性に劣ることが明らかである。」（１２頁右上欄１２行〜同欄１８行） 
　 
ク　第３表、第４表は以下のとおりである。 
 
　 
（２）甲１発明 
　甲１に記載された比較例Ｎｏ．５に基づいて甲１発明を認定する。 
ア　上記（１）カの記載と第４表によれば、比較例Ｎｏ．５は、第３表の鋼Ｎｏ．１に示す化学成分を有する鋼を溶製してスラブを製造し、板厚３．６ｍｍに熱間圧延後、７８０℃×６時間加熱・炉冷の熱延板焼鈍を行い、酸洗のあと、中間焼鈍を施すことなく冷間圧延して板厚０．７ｍｍの冷延鋼帯（冷間圧延率８０．６％）とした鋼帯材料である。 
  
イ　してみると、甲１には、以下の発明が記載されている。 
 「Ｃ：０．０２５％、 
 Ｓｉ：０．３１％、 
 Ｍｎ：０．１６％、 
 Ｐ：０．０１５％、 
 Ｓ：０．００５％、 
 Ｎｉ：０．７０％、 
 Ｃｒ：１３．２１％、 
 Ｎ：０．０１７％、 
 Ａｌ＜０．００５％、 
 Ｏ：０．０１２％、 
 Ｃｕ：０．０６％、 
　を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物からなる鋼を溶製してスラブを製造し、板厚３．６ｍｍに熱間圧延後、７８０℃×６時間加熱・炉冷の熱延板焼鈍を行い、酸洗のあと、中間焼鈍を施すことなく冷間圧延して板厚０．７ｍｍの冷延鋼帯（冷間圧延率８０．６％）とした鋼帯材料であって、 
　連続仕上げ熱処理を実施していない調質圧延材であり、 
　マルテンサイト量が０％であり、 
　圧延方向に対し９０°方向の引張強さの値（Ｔ）が１０４．６ｋｇｆ／ｍｍ２である、 
　鋼帯材料、及び前記鋼帯材料の製造方法。」（以下「甲１発明」という。） 
  
２　甲２ 
（１）甲２の記載事項 
ア　「産業上の利用分野」の記載 
 「本発明は、太陽電池基板用母板の製造方法に係り、特に太陽電池の受光面に供されるアモルファス層に対するすぐれた適合性を有する基板用母板の低コストでの製造方法に関し、太陽電池製造分野で利用される。」（１頁右下欄１０行〜同欄１５行） 
  
イ　「従来の技術」の記載 
 「従来基板材料として使用されて来たガラス系材料は、基板自体が光透過性を持つほか電池表面の保護の役割を同時に果すという利点があるものの、ガラスの宿命とも言える破損し易い欠点は遁れがたい上に、特に無アルカリである石英ガラスは高価であり、太陽電池製造に際してロール・ツウ・ロールの量産性の高い方式を採用できないという問題点がある。 
　これに対しステンレス鋼は機械的強度が高く、しかも強靭なため、０．８ｍｍ程度以下の薄い板を使うことができ、また可撓性を有することからコイル状の材料を用いた量産が可能であり、さらにアモルファス層が薄いため基板材に十分な可撓性があれば太陽電池としても曲面状に配置することが可能であるなど材料としてすぐれた特性を有している。」（１頁左下欄１７行〜同頁右下欄２０行） 
 「このような研磨方法では大面積の基板材製造が困難であり、まして太陽電池の大量生産方式とて有利と考えられているロール・ツウ・ロールの製造方式で必要となるコイル状基板材の製造はさらに困難となる。」（２頁左上欄１８行〜同頁右右欄３行） 
  
ウ　「作用」の記載 
 「また、冷間圧延で付与される素材の強度上昇は板厚０．２ｍｍ以下の極薄鋼板の場合とくに有利で面折れのしにくい極薄の太陽電池基板用母板を得ることができる。」（３頁左上欄９行〜同欄１３行） 
  
エ　作用の記載 
 「本発明方法で得られる太陽電池基板母板の表面はなだらかな凹凸面からなるため、一般に乳白色を呈しており、粗度に関しても、ＳＵＳ４３０の０．２ｍｍ冷延鋼板（冷延圧下率５０％）で、酸溶解量と最大粗さの関係を第１図に示すごとく、酸洗前の最大粗さ０．４μｍに対し、酸溶解とともに最大粗さは増大しており、従来の鏡面研磨型ステンレス基板の特性からは本発明方法によって太陽電池基板を製造できることは全く予想されない。」（３頁右上欄１８行〜同頁左下欄７行） 
  
オ　「実施例」の記載 
 「以下本発明の実施例について述べる。 
　ＳＵＳ４３０の厚み０．３ｍｍの焼鈍酸洗板とＳＵＳ３０４の厚み０．２ｍｍ光輝焼鈍板に０〜３０％の冷間圧延を加えたのち、前者は２０％硫酸、４０℃、後者は５％弗酸＋１５％硫酸、４０℃、の酸に浸漬し、表層５μｍまでの溶解を行った。 
　これらの鋼板を基板とするＩＴＯ／ｐｉｎ／ＳＳ型のａ−Ｓｉ太陽電池を製造し、その開放電圧で基板表面の微細傷に起因する短絡発生の有無を判定した。」（３頁左下欄９行〜同欄１９行） 
  
（２）甲２発明 
　上記（１）によれば、甲２には以下の発明が記載されている。 
 「ＳＵＳ４３０の組成を有し、 
　冷延圧下率５０％で０．２ｍｍに冷間圧延された、 
　太陽電池基板母板及び太陽電池簿板の製造方法。」（以下「甲２発明」という。） 
  
３　甲３ 
（１）甲３の記載事項 
ア　「請求の範囲」の記載 
 「１．Ｃ：０．１５質量％以下，Ｓｉ：１．０質量％以下，Ｍｎ：１．０質量％以下，Ｓ：０．００５質量％以下，Ｃｒ：１０〜２０質量％，Ｎｉ：０．５質量％以下，Ａ１：０．００１〜０．０５質量％，Ｆｅ：実質的に残部の組成で、 
　サイズ：１０μｍ以下のΑｌ２Ο３系及び／又はＡｌ２０３・ＭｇＯ系介在物が清浄度：０．０６以下で分散した加工フェライト組織をもつことを特徴とするステンレス鋼板の加工硬化材。　 
２．更にＭｏ：０．５〜２．０質量％，Ｃｕ：０．５〜３．０質量％，Ｎｂ：０．０５〜１．０質量％の１種又は２種以上を含む請求項１記載の加工硬化材。　 
３．０．２％耐力が５００〜９００Ｎ／ｍｍ２の範囲にある請求項１又は２記載の加工硬化材。」（１５頁２行〜同頁１１行） 
  
イ　「技術分野」の記載 
 「本発明は、強度，曲げ加工性に優れ、加工硬化でフェライト組織を高強度化したステンレス鋼加工硬化材に関する。」（１頁４行〜同頁５行） 
  
ウ　「背景技術」の記載 
 「ポータブル型のノートパソコンにみられるように、テレビ，パソコンに代表される家電製品やＯＡ機器用では軽量部材が要求されており、部材の薄肉化によって軽量化の要求に応えている。軽量化しても必要強度を確保する上で、圧延方向の０．２％耐力≧約５００Ｎ／ｍｍ２又はビッカース硬度ＨＶ≧約２００が目安とされている。」（１頁７行〜同頁１１行） 
  
エ　「発明の開示」の記載 
 「冷間加工率によって０．２％耐カを５００〜９００Ｎ／ｍｍ２の範囲に調整している。」（３頁２０行〜同頁２１行） 
  
オ　「発明を実施するための最良の形態」の記載 
 「ステンレス鋼板の強度は、冷間加工によってフェライト組織を加工硬化することにより付与され、要求レベルの０．２％耐カを達成するための特別な成分設計を必要としない。」（４頁１４行〜同頁１６行） 
 「加工率に応じ０．２％耐カを５００〜９００Ｎ／ｍｍ２の範囲，ビツカース硬さをＨＶ：２００〜３００の範囲で自在に調整できるため、成分設計を変更する必要なく要求レベルに応じて高強度化された素材が提供される。」（６頁１６行〜同頁１９行） 
  
カ　「実施例１」の記載 
 「ステンレス溶鋼をＳｉ脱酸し、表１の組成をもつステンレス鋼を用意した。表中、サンプルＳ−１は、熱延後の焼鈍でフェライト単層組織に再結晶させた後、圧延率２５％で冷間圧延した板厚１．８ｍｍのステンレス鋼板であり、加工フェラィト組織をもつ。」（６頁２５行〜同頁２８行） 
  
 「金属組織が異なる各サンプルから圧延方向（Ｌ方向），圧延方向に直交する方向（Ｃ方向）の二方向に沿ってＪＩＳ１３Ｂ号試験片を切り出し、引張試験で０．２％ 耐カ，伸びを測定した。各サンプルの０．２％耐カ，伸びを表２に対比する。」（７頁７行から同頁９行） 
  
  
（２）甲３に開示された技術事項 
　甲３には、フェライト単層組織のステンレス鋼において冷間圧延により高強度化すること、得られる強度として９００ＭＰａを超える引っ張り強度が技術事項として開示されている。 
　 
４　甲８ 
（１）甲８の記載事項 
  
（２）甲８に開示された技術事項 
　ＳＵＳ４０５の化学成分は、Ｃ：０．１２％以下、Ｓｉ：０．７５％以下、Ｍｎ：１．００％以下、Ｐ：０．０４０％以下、Ｓ：０．０３０％以下、Ｃｒ：１６．００〜１８．００％であることが、開示されている。 
　備考１には、「ＳＵＳ４４７Ｊ１及びＳＵＳＸＭ２７以外は、Ｎｉ０．６０％以下を含有しても良い。」と記載されているから、ＳＵＳ４３０はＮｉを０．６０％以下を含有しても良いことが開示されている。 
　ＳＵＳ４３０ＬＸは、Ｔｉ又はＮｂを０．１０〜１．００％含有することが記載されている。 
  
５　甲９ 
（１）甲９の記載事項 
  
 「３．３．３　耐食性 
　中Ｃｒフェライト系ステンレス鋼は、一般耐久消費財として広く使用されており、耐食性の点では、特に中性塩化物環境での孔食、発銹、応力腐食割れなどに対する耐局部腐食性が重要である。これら中Ｃｒフェライト系ステンレス鋼の耐食性の面から見た改良の経緯をみると、１７Ｃｒ鋼であるＳＵＳ４３０をベースとして低Ｃ、低Ｎ化およびＮｂやＴｉを添加して耐粒界腐食性を改善し、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｉなどの添加およびＣｒ量増大による耐孔食性などの改善が図られ、用途に適した細かい改良が行われている。」 
  
（２）甲９に開示された技術事項 
　ＳＵＳ４３０の平均線膨張係数（１０−６℃）は１０．４（０〜１００℃）であることが開示されている。 
　また、ＮｂやＴｉを添加し、耐粒界腐食性を改善すること、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｉなどの添加により耐孔食性を改善することが開示されている。 
  
６　甲１０ 
（１）甲１０の記載事項 
ア　特許請求の範囲の記載 
 「【請求項１】　重量％でＣｒ：１０〜４０％，Ａｌ：１〜１０％を含有し、板厚が１５０μｍ以下、０．２％耐力が１２０ｋｇｆ／ｍｍ２以上２００ｋｇｆ／ｍｍ２以下、ばね限界値が５５ｋｇｆ／ｍｍ２以上１５０ｋｇｆ／ｍｍ２以下であることを特徴とする波付け加工用高強度ステンレス鋼箔。 
 【請求項２】　重量％でＣｒ：１０〜４０％，Ａｌ：１〜１０％を含有するステンレス鋼の波付け加工用箔の製造において、板厚０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下の箔圧延用素材板を焼鈍し、続いて冷間圧延工程において第一パスから最終パスまでの全圧下率を７５％以上とする冷間圧延をし、続いて８０℃以上５００℃以下の熱処理を行うことを特徴とする波付け加工用高強度ステンレス鋼箔の製造方法。」 
  
イ　「作用」の記載 
 「本発明のステンレス鋼箔およびその製造方法は、冷間圧延の全圧下率をアップして加工硬化したステンレス鋼箔に、次いで熱処理（時効熱処理）を行って強度を０．２耐力で１２０ｋｇｆ／ｍｍ２以上２００ｋｇｆ／ｍｍ２以下、ばね限界値が５５ｋｇｆ／ｍｍ２以上１５０ｋｇｆ／ｍｍ２以下にまで向上させ、強度不足に起因する加工時の延性破断を防止することにより箔の波付け加工性を格段に向上させることを特徴としている。」（【０００７】） 
 「Ａｌは本発明においては耐酸化性を確保する基本元素である。１％未満では耐酸化性が低下する。従って、Ａｌの含有量は１％以上、１０％以下とする。その他耐酸化性、靭性および強度などを向上させる成分元素を加えることができる。以下にその成分組成の作用と望ましい量を述べる。希土類元素のＹ，Ｌｎ（Lanthanoid：但し、ＬｎはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄの混合物），Ｌａ，Ｃｅはステンレス鋼と酸化皮膜との密着を強固にし耐酸化性を向上させるのみならず、箔としての寿命を著しく向上させる。Ｙ，Ｌｎ，Ｌａ，Ｃｅの１種または２種以上が総量で０．０１％未満の場合は効果が十分確保されなく、一方、１％を超えて含有する場合にはこれらの性質が飽和する上、非常に高価な元素であるため原料コストが著しく高いものになってしまう。従って、添加範囲は、Ｙ，Ｌｎ，Ｌａ，Ｃｅの１種または２種以上を総量で０．０１％以上、１％以下が望ましい。」（【００１０】） 
 「このような高強度ステンレス鋼箔の製造方法としては、冷間圧延によって加工硬化させる方法があり、冷間圧延を繰り返し、９０％を超える圧下率をとれば、０．２％耐力で１２０ｋｇｆ／ｍｍ２以上に強度を高めることができる。しかしながら、表２の比較例Ｎｏ２０，２４，２５に示すように０．２％耐力の向上だけでは波付け加工性には十分ではなく、ばね限界値の向上を図る必要があったが、限界値は冷間圧延だけではあまり向上しない。このため本発明では冷間圧延による加工硬化に加え、熱処理による時効硬化を施し、ばね限界値を高め、かつ高強度化により、満足すべき材料がえられた。その詳細を述べると、本発明の材料に付与する冷間圧延率は、冷間圧延によって箔を加工硬化させるのみならず、時効硬化を起こす転位密度にも影響し、圧下率が高い程転位密度が高くなり時効熱処理の効果が顕著となるため、十分高くとる必要があり、一方、時効硬化は冷間圧延によって生じた転位へ鋼中のＮ，Ｃが拡散、固着して起こるため、時効硬化のための加熱処理は十分高い温度で行う必要がある。表２に示す種々の圧下率、加熱処理温度において実験を行った結果、本発明において、全圧下率としては７５％以上、加熱処理温度としては８０℃以上が必要である。同時に、あまり高温での熱処理を行うと転位の回復がおこり、逆に素材が軟化するため、加熱処理温度は５００℃以下とする。加熱時間は高温加熱ほど短時間でよく例えば３００℃では３０秒以上でよい。加熱雰囲気は大気中でも良いが、真空中や不活性ガス等の無酸化雰囲気中で加熱することが望ましい。」（【００１３】） 
  
ウ　「実施例」の記載 
 「表１に実施例に用いた合金の化学成分を示し、表２に本発明例および比較例を示す。冷間圧延の供試材はいづれも、熱間圧延、熱処理および酸洗を行った材料である。」（【００１４】） 
  
（２）甲１０に開示された技術事項 
　甲１０には、高強度ステンレス鋼箔において、冷間圧延に加え、５００℃以下の熱処理を行って強度を向上させること、及びかかる熱処理の雰囲気として不活性ガス雰囲気中が望ましい旨が開示されている。 
  
７　甲１１ 
（１）甲１１の記載事項 
ア　「発明が解決しようとする課題」の記載 
 「本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、陽極酸化膜を有する絶縁層付金属基板を備えた太陽電池において、その製造工程において良好な光電変換効率を有する化合物半導体層の製造温度である５００℃以上の高温を経験しても、良好な絶縁特性と強度を維持することが可能な基板を備えた太陽電池およびその製造方法を提供することを目的とし、特に、電力系統連携が可能な大面積のモジュール構造太陽電池をロールツーロールで製造することができる基板を備えた太陽電池を提供するものである。」（【００１４】） 
  
イ　「発明を実施するための形態」の記載 
 「本実施形態の太陽電池１は、図１に示す絶縁層付金属基板１０の表面の陽極酸化膜１２上に、下部電極２０と化合物半導体からなる光電変換層３０とバッファ層４０と上部電極（透明電極）５０とが順次積層されてなるものである。」（【００６５】） 
 「光電変換層３０は、ＣｕＩｎＳｅ２（ＣＩＳ）、および／またはこれにＧａを固溶したＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２（ＣＩＧＳ）を含むことが特に好ましい。」（【００７０】） 
 「ＣＩＧＳ層の成膜方法としては、１）多源同時蒸着法（J.R.Tuttle et.al ,Mat.Res.Soc.Symp.Proc., Vol.426 (1996)p.143.およびH.Miyazaki, et.al, phys.stat.sol.(a),Vol.203（2006）p.2603.等）、２）セレン化法（T.Nakada et.al,, Solar Energy Materials and Solar Cells 35(1994)204-214.およびT.Nakada et.al,, Proc. of 10th European Photovoltaic Solar Energy Conference(1991)887-890.等）、３）スパッタ法（J.H.Ermer,et.al, Proc.18th IEEE Photovoltaic Specialists Conf.(1985)1655-1658.およびT.Nakada,et.al, Jpn.J.Appl.Phys.32(1993)L1169-L1172.等）、４）ハイブリッドスパッタ法（T.Nakada,et.al., Jpn.Appl.Phys.34(1995)4715-4721.等）、および５）メカノケミカルプロセス法（T.Wada et.al, Phys.stat.sol.(a), Vol.203（2006）p2593等）等が知られている。」（【００７２】） 
 「例えば、下部電極２０の材料としてＭｏを用いることができる。下部電極２０の厚みは１００ｎｍ以上であることが好ましく、０．４５〜１．０μｍであることがより好ましい。下部電極２０の成膜方法は特に制限されず、電子ビーム蒸着法やスパッタリング法等の気相成膜法が挙げられる。上部電極５０の主成分としては、ＺｎＯ，ＩＴＯ（インジウム錫酸化物），ＳｎＯ２，およびこれらの組合せが好ましい。」（【００７７】） 
  
（２）甲１１に開示された技術事項 
　甲１１には、太陽電池の製造方法として、ロールツーロールのプロセスであって、下部電極２０をスパッタリングする工程と、化合物半導体からなる光電変換層３０を形成する工程と、バッファ層４０を形成する工程と、上部電極（透明電極）５０を形成する工程が記載されていると言える。さらに、光電変換層３０（ＣＩＧＳ層）の成膜方法としては、セレン化法が周知である点も記載されている。 
  
８　甲１２ 
（１）甲１２の記載事項 
ア　「発明の実施の形態」の記載 
 「基体１１は、導電性を有する材料からなる。具体的には、基体１１は、金属を用いて形成でき、たとえば、ステンレス、またはデュラルミンなどのアルミニウム合金を用いて形成できる。基体１１は可撓性を有することが好ましい。可撓性を有する基体１１を用いた場合、基体１１をロール状にして連続的に太陽電池を形成できるため、生産が容易になる。」（【００３３】） 
  
イ　「実施例」の記載 
 「【００５４】まず、基体１１として、可撓性を有するステンレスシート（厚さ：１００μｍ）を準備した。次に、ステンレスシートの両面に、ディップ・コート法（浸漬法）によって、ＳｉＯ２層（第１および第２の絶縁層１２ａおよび１２ｂ）を形成した。次に、ＲＦスパッタリングによって、片面のＳｉＯ２層上にＭｏ層（導電層１３）を形成した。ＳｉＯ２層の厚さは０．５μｍとし、Ｍｏ層の厚さは０．４μｍとした。 
 【００５５】次に、以下に示す方法によって、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２層（光吸収層１４）を形成した。 
 【００５６】まず、Ｉｎ、Ｇａ、およびＳｅを電離真空計で圧力を制御しながらＭｏ層上に堆積させた。このとき、基板温度を３５０℃とした。堆積時において、Ｓｅの圧力を２．６６×１０−３Ｐａ（２×１０−５Ｔｏｒｒ）とし、Ｉｎの圧力を１．０６４×１０−４Ｐａ（８×１０−７Ｔｏｒｒ）とし、Ｇａの圧力を３．９９×１０−５Ｐａ（３×１０−７Ｔｏｒｒ）とした。その後、基板温度を６００℃に上げ、Ｓｅの圧力が２．６６×１０−３Ｐａ（２×１０−５Ｔｏｒｒ）、Ｃｕの圧力が３．９９×１０−５Ｐａ（３×１０−７Ｔｏｒｒ）となる条件で、ＳｅおよびＣｕを堆積させた。その後、基板温度を６００℃に保ったままＩｎ、Ｇａ、およびＳｅを堆積させた。このようにして、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２層を形成した。 
 【００５７】次に、化学浴析出法によって、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２層上にＣｄＳ層（第１の半導体層１５）を形成し、これによってｐｎ接合を形成した。次に、ＺｎＯ層（第２の半導体層１６）と、ＩＴＯ層（透明導電層１７）とをスパッタリング法で順次形成した。最後に、Ａｕからなる取り出し電極を形成した。このようにして、実施形態１の太陽電池を作製した。」 
  
（２）甲１２に開示された技術事項 
　甲１２には、太陽電池の製造方法として、基体１１をロール状にして連続的に太陽電池を形成するプロセスであって、ＲＦスパッタリングによってＭｏ層（導電層１３）を形成する工程と、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２層（光吸収層１４）を形成する工程と、ＣｄＳ層（第１の半導体層１５）を形成する工程と、ＩＴＯ層（透明導電層１７）をスパッタリング法で形成する工程と、Ａｕからなる取り出し電極を形成する工程を含む製造方法が記載されていると言える。 
  
第７　対比・判断 
１　本件発明１について 
（１）甲１発明を主引用発明とする新規性と進歩性について 
ア　本件発明１と甲１発明を対比する。 
（ア）本件発明１の「質量％で、Ｃ：０．１２％以下、Ｓｉ：２．５％以下、Ｍｎ：１．０％以下、Ｓ：０．０３０％以下、Ｐ：０．０５０％以下、Ｃｒを７〜４０％を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物からなる成分組成を有」することと、甲１発明の「Ｃ：０．０２５％、Ｓｉ：０．３１％、Ｍｎ：０．１６％、Ｐ：０．０１５％、Ｓ：０．００５％、Ｎｉ：０．７０％、Ｃｒ：１３．２１％、Ｎ：０．０１７％、Ａｌ＜０．００５％、Ｏ：０．０１２％、Ｃｕ：０．０６％を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物からなる」ことを対比すると、両者は、「質量％で、Ｃ：０．０２５％、Ｓｉ：０．３１％、Ｍｎ：０．１６％、Ｓ：０．００５％、Ｐ：０．０１５％、Ｃｒ：１３．２１％を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物からなる成分組成を有」する点で一致する。 
（イ）本件発明１の「圧延方向に直角方向の引張強度が１０００ＭＰａ以上であ」ることと、甲１発明の「圧延方向に対し９０°方向の引張強さの値（Ｔ）が１０４．６ｋｇｆ／ｍｍ２である」ことを対比する。 
　１ｋｇｆ／ｍｍ２が９．８１ＭＰａであることは技術常識であるから、１０４．６ｋｇｆ／ｍｍ２は、１０２６ＭＰａである。してみると、両者は、「圧延方向に直角方向の引張強度が１０２６ＭＰａであ」る点で一致する。
（ウ）本件発明１の「太陽電池基板用鋼箔」と、甲１発明の「板厚０．７ｍｍの…鋼帯材料」を対比すると、両者は「鋼箔」の点で一致する。 
（エ）以上によれば、両者は、 
「質量％で、Ｃ：０．０２５％、Ｓｉ：０．３１％、Ｍｎ：０．１６％、Ｓ：０．００５％、Ｐ：０．０１５％、Ｃｒ：１３．２１％を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物からなる成分組成を有し、 
　圧延方向に直角方向の引張強度が１０２６ＭＰａである鋼箔。」 
の点で一致し、以下の点で相違する。 
相違点１−１：０〜１００℃における線膨張率が、本件発明１では「１２．０×１０−６／℃以下」であるのに対し、甲１発明ではそのようなものなのか否か明らかでない点。 
相違点１−２：鋼箔が、本件発明１では「太陽電池基板用鋼箔」であるのに対し、甲１発明ではそのようなものなのか否か明らかでない点。
相違点１−５：鋼箔の厚さが、本件発明１では「２０〜２００μｍ」であるのに対し、甲１発明では、０．７ｍｍである点。 
  
イ　上記相違点について検討する 
（ア）相違点１−１について 
　本件特許明細書には、線膨張率に関し、以下の記載がある。 
 「【００３１】 
　さらに、ＳＵＳ３０４などの０〜１００℃における線膨脹率が１２．０×１０−６／℃を超える鋼箔を基板に使用すると、Ｃｕ（Ｉｎ１−ＸＧａＸ）Ｓｅ２薄膜(以後、ＣＩＧＳ薄膜と呼ぶ)が基板との線膨脹率の違いで、製造中に剥離する問題が発生する。したがって、０〜１００℃における線膨脹率は１２．０×１０−６／℃以下とすることが望ましい。０〜１００℃における線膨脹率を１２．０×１０−６／℃以下とするためには、ＳＵＳ４３０やＳＵＨ４０９Ｌなどのフェライト系ステンレス鋼、フェライト組織を有する９％Ｃｒ鋼などのフェライト組織を主体とする組織にすることが好ましい。フェライト組織を主体とする組織とは、フェライトの面積率が９５％以上であることを意味する。残部の組織は、オーステナイト組織、マルテンサイト組織の１種以上が、５％未満である。」 
 「【００３３】 
　また、０〜１００℃における線膨脹率が１２．０×１０−６／℃以下である鋼箔にするには、ＳＵＳ４３０やＳＵＨ４０９Ｌなどのフェライト系ステンレス鋼、フェライト組織を有する９％Ｃｒ鋼などのフェライト組織を有する光輝焼鈍後または焼鈍し、酸洗後の鋼板を用いればよい。」 
　上記記載によれば、「ＳＵＳ４３０やＳＵＨ４０９Ｌなどのフェライト系ステンレス鋼、フェライト組織を有する９％Ｃｒ鋼などのフェライト組織を有する光輝焼鈍後または焼鈍し、酸洗後の鋼板」を用いることにより、鋼箔の０〜１００℃における線膨脹率は１２．０×１０−６／℃以下である旨、理解できる。 
　一方、甲１発明は、Ｃｒを１３．２１％含み、マルテンサイト量が０％であるフェライト系ステンレス鋼であって、熱延板焼鈍、酸洗した冷延鋼帯である。そうすると、甲１には、０〜１００℃における線膨脹率が明記されていないものの、実質的に１２．０×１０−６／℃以下であるものと認められる。してみると、相違点１−１は実質的な相違点ではない。 
（イ）相違点１−２について 
　甲２には、上記「第６　２（１）イ」に記載されるように、太陽電池の基板材料としてステンレス鋼を用いることが記載されており、ステンレス鋼を太陽電池の基板材料として用いることは周知の技術事項である。そうすると、甲１発明の鋼帯材料を太陽電池の基板材料として用い、上記相違点１−２に係る本件発明１の発明特定事項となすことは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。 
（ウ）相違点１−５について
　甲１発明は、鋼帯材料の厚さが「０．７ｍｍ」で「圧延方向に対し９０°方向の引張強さの値（Ｔ）が１０４．６ｋｇｆ／ｍｍ２である」ところ、甲１には厚さを「２０〜２００μｍ」に薄くする旨の記載や示唆はない。また、一般に、鋼帯の厚さを薄くすれば、圧延方向に対し９０°方向の引張強さの値も小さくなるところ、甲１発明の鋼帯材料の厚さを「０．７ｍｍ」から「２０〜２００μｍ」に薄くれば、圧延方向に対し９０°方向の引張強さの値が１０４．６ｋｇｆ／ｍｍ２から小さくなるから、１０００ＭＰａ（１０１．９ｋｇｆ／ｍｍ２）以上であるとは認められない。
　そうすると、甲１発明において、鋼帯材料の厚さを「２０〜２００μｍ」にすることは、当業者が容易に想到しうるものとはいえない。
（エ）小括 
　上記のとおり、本件発明１は、当業者が、甲１発明と周知の技術事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。 
  
（２）甲２発明を主引用発明とする新規性と進歩性について 
ア　本件発明１と甲２発明を対比する。 
（ア）本件発明１の「質量％で、Ｃ：０．１２％以下、Ｓｉ：２．５％以下、Ｍｎ：１．０％以下、Ｓ：０．０３０％以下、Ｐ：０．０５０％以下、Ｃｒを７〜４０％を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物からなる成分組成を有」することと、甲２発明の「ＳＵＳ４３０の組成を有」することを対比する。 
　ＳＵＳ４３０の化学成分は、甲８（上記「第６　４（２）」参照。）によれば、Ｃ：０．１２％以下、Ｓｉ：０．７５％以下、Ｍｎ：１．００％以下、Ｐ：０．０４０％以下、Ｓ：０．０３０％以下、Ｃｒ：１６．００〜１８．００％である。してみると、両者は、「質量％で、Ｃ：０．１２％以下、Ｓｉ：０．７５％以下、Ｍｎ：１．０％以下、Ｓ：０．０３０％以下、Ｐ：０．０４０％以下、Ｃｒを１６〜１８％を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物からなる成分組成を有」する点で一致する。 
（イ）本件発明１の「厚さが２０〜２００μｍ」であることと、甲１発明の「０．２ｍｍ」に冷間圧延されることを対比すると、両者は「厚さが２００μｍ」である点で一致する。
（ウ）本件発明１の「太陽電池基板用鋼箔」と、甲２発明の「太陽電池基板母板」を対比する。 
　本件特許明細書には、「【０００５】本発明は、Ｒｏｌｌ−ｔｏ−Ｒｏｌｌ方式の連続プロセスに適用しても、座屈の起こりにくい太陽電池基板用鋼箔…を提供することを目的とする。」との記載があり、本件発明１の「太陽電池基板用鋼箔」は、Ｒｏｌｌ−ｔｏ−Ｒｏｌｌ方式に適用できる「太陽電池基板用鋼箔」である。 
　一方、甲２発明は、上記「第６　２（１）イ」に記載されるように、「ロール・ツウ・ロールの製造方式」の適用を想定した「太陽電池基板母板」である。 
　してみると、両者は相当関係にある。 
（エ）以上によれば、両者は、 
 「質量％で、Ｃ：０．１２％以下、Ｓｉ：０．７５％以下、Ｍｎ：１．０％以下、Ｓ：０．０３０％以下、Ｐ：０．０４０％以下、Ｃｒを１６〜１８％を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物からなる成分組成を有し、
　厚さが２００μｍである、
　太陽電池基板用鋼箔。」 
 の点で一致し、以下の点で一応相違する。 
相違点１−３：本件発明１は、「圧延方向に直角方向の引張強度が１０００ＭＰａ以上であ」るのに対し、甲２発明はそのようなものなのか否か明らかでない点。 
相違点１−４：本件発明１は、「０〜１００℃における線膨張率が１２．０×１０−６／℃以下である」のに対し、甲２発明は、そのようなものなのか否か明らかでない点。 
  
イ　上記相違点について検討する。 
（ア）相違点１−３について 
　フェライト組織を冷間圧延により高強度化することは甲３（上記「第６　３（２）」参照。）に開示されている。 
　また、本件特許明細書には以下の記載がある。 
 「【００３２】 
　２）太陽電池基板用鋼箔の製造方法 
　本発明である太陽電池基板用鋼箔は、Ｃｒを７〜４０質量%含み、厚さ１ｍｍ以下の光輝焼鈍後または焼鈍し、酸洗後の鋼板を、圧下率５０％以上で冷間圧延することによって製造できる。これは、図１に示すように、ＳＵＳ４３０などでは圧下率を５０％以上にすれば９３０ＭＰａ以上の引張強度が得られるためである。圧下率を７０％以上にすれば１０００ＭＰａ以上の引張強度が得られる。」 
　甲３の記載と上記記載によれば、ステンレス鋼ＳＵＳ４３０は、圧下率を５０％以上にすれば９３０ＭＰａ以上の引張強度が得られ、圧下率を７０％以上にすれば１０００ＭＰａ以上の引張強度が得られることが理解できる。甲２発明は、「ＳＵＳ４３０の組成を有し、冷延圧下率５０％で０．２ｍｍに冷間圧延」したものであるから、９３０ＭＰａ以上の引張強度を有するものと認められる。しかしながら、甲２には、「このステンレス鋼板は２０％以上の冷間圧延により製造された冷延鋼板であることが必要である」、「０〜３０％の冷間圧延」を加える旨の記載はあるものの、圧下率を７０％以上にする旨の記載はない。そして、甲２は、ステンレス表面の微細欠陥を酸溶解で取り除く技術を開示する刊行物であるところ、圧下率を７０％にする動機付けは認められない。してみると、甲２において、圧下率を７０％以上とし、圧延方向に直角方向の引張強度を１０００ＭＰａ以上として、上記相違点１−３に係る本件発明１の発明特定事項となすことは、当業者が容易に想到し得たものとはいえない。 
（イ）相違点１−４について 
　上記（１）イ（ア）で検討したとおり、本件特許明細書の記載によれば、「ＳＵＳ４３０やＳＵＨ４０９Ｌなどのフェライト系ステンレス鋼、フェライト組織を有する９％Ｃｒ鋼などのフェライト組織を有する光輝焼鈍後または焼鈍し、酸洗後の鋼板」を用いることで、鋼箔の０〜１００℃における線膨脹率は１２．０×１０−６／℃以下である旨、理解できる。甲２発明は、ＳＵＳ４３０の組成を有し、焼鈍酸洗板を用いること（「第６　２（１）オ」参照）が開示されているから、０〜１００℃における線膨脹率は１２．０×１０−６／℃以下であると認められる。してみると、相違点１−４は実質的な相違点ではない。 
（ウ）小括 
　以上によれば、本件発明１は、甲２発明と実質的に同一ではなく、また甲２発明に基づいて当業者が容易に発明できたものではない。 
  
２　本件発明２について 
（１）甲１発明を主引用発明とする新規性と進歩性について 
ア　本件発明２と甲１発明を対比する。 
（ア）上記１（１）ア（ア）〜（ウ）の対比は、本件発明２と甲１発明の対比に当て嵌まる。 
（イ）本件発明２の「ミクロ組織がフェライト組織を主体とする組織である」ことと、甲１発明の「マルテンサイト量が０％であ」ることを対比する。
　上記「第６　１（１）ウ」に記載されるように、「クロムを主合金成分として含有するクロムステンレス鋼にはマルテンサイト系ステンレス鋼とフェライト系ステンレス鋼とがある」ところ、甲１発明は、「マルテンサイト量が０％であ」る。してみると、甲１発明は、ミクロ組織がフェライト組織を主体とする組織であるといえるから、両者は相当関係にある。 
（ウ）してみると、両者は、 
 「質量％で、Ｃ：０．０２５％、Ｓｉ：０．３１％、Ｍｎ：０．１６％、Ｓ：０．００５％、Ｐ：０．０１５％、Ｃｒ：１３．２１％を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物からなる成分組成を有し、 
圧延方向に直角方向の引張強度が１０２６ＭＰａである鋼箔。」 
の点で一致し、以下の点で相違する。 
相違点２−１：鋼箔が、本件発明２では「太陽電池基板用鋼箔」であるのに対し、甲１発明ではそのようなものなのか否か明らかでない点。
相違点２−４：鋼箔の厚さが、本件発明２では「２０〜２００μｍ」であるのに対し、甲１発明では、０．７ｍｍである点。
  
イ　上記相違点について検討する。 
（ア）相違点２−１について
　上記「１（１）イ（イ）」と同様の理由により、甲１発明において、上記相違点２−１に係る本件発明２の発明特定事項となすことは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。
（イ）相違点２−４について
　上記「１（１）イ（ウ）」と同様の理由により、甲２発明において、鋼帯材料の厚さを「２０〜２００μｍ」にすることは、当業者が容易に想到しうるものとはいえない。
（ウ）小括 
　上記のとおり、本件発明２は、当業者が、甲１発明と周知の技術事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
  
（２）甲２発明を主引用発明とする新規性と進歩性について 
ア　本件発明２と甲２発明を対比する。 
（ア）上記１（２）ア（ア）、（イ）の対比は、本件発明２と甲２発明の対比に当て嵌まる。 
（イ）してみると、両者は、 
 「質量％で、Ｃ：０．１２％以下、Ｓｉ：０．７５％以下、Ｍｎ：１．０％以下、Ｓ：０．０３０％以下、Ｐ：０．０４０％以下、Ｃｒを１６〜１８％を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物からなる成分組成を有し、
　厚さが２００μｍである、
　太陽電池基板用鋼箔。」 
 の点で一致し、以下の点で一応相違する。 
 相違点２−２：本件発明２は、「圧延方向に直角方向の引張強度が１０００ＭＰａ以上であ」るのに対し、甲２発明はそのようなものなのか否か明らかでない点。 
 相違点２−３：本件発明２は、「ミクロ組織がフェライト組織を主体とする組織である」のに対し、甲２発明はそのようなものなのか否か明らかでない点。
  
イ　上記相違点について検討する。 
（ア）相違点２−２について 
　上記「１（２）イ（ア）」と同様の理由により、甲２発明において、鋼帯材料の「圧延方向に直角方向の引張強度が１０００ＭＰａ以上」にすることは、当業者が容易に想到しうるものとはいえない。
（イ）相違点２−３について 
　甲２発明の「ＳＵＳ４３０」は、フェライト系ステンレス鋼であり、「ミクロ組織がフェライト組織を主体とする組織である」といえる。してみると、相違点２−３は、実質的な相違点ではない。 
  
（ウ）小括 
　以上によれば、本件発明２は、甲２発明と実質的に同一ではなく、また、甲２発明に基づいて当業者が容易に発明できたものではない。
  
３　本件発明３−５、７、８、１０−１５について 
　本件発明３−５、７、８、１０−１５は、何れも本件発明１又は２を直接に、あるいは間接に引用し、本件発明１又は２を減縮する発明である。そうすると、本件発明１又は２同様の理由により、本件発明３−５、７、８、１０−１５は、甲１発明あるいは甲２発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでない。
  
第８　むすび 
　以上のとおり、請求項１−５、７、８、１０−１５に係る特許は、平成２９年１０月２日付けの取消理由取消理由及び特許異議申立書に記載された特許異議申立て理由によっては、取り消すことができない。
　また、他に請求項１−５、７、８、１０−１５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　そして、訂正により請求項６、９が削除されたため、請求項６、９に係る特許に対して、特許異議申立人岡林茂がした特許異議の申立てについては、対象となる請求項に係る特許が存在しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成３０年２月９日（２０１８．２．９）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　質量％で、Ｃ：０．１２％以下、Ｓｉ：２．５％以下、Ｍｎ：１．０％以下、Ｓ：０．０３０％以下、Ｐ：０．０５０％以下、Ｃｒを７〜４０％を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物からなる成分組成を有し、
圧延方向に直角方向の引張強度が
１０００
０〜１００℃における線膨張率が１２．０×１０−６／℃以下であ
り、厚さが２０〜２００μｍであ
　【請求項２】
　質量％で、Ｃ：０．１２％以下、Ｓｉ：２．５％以下、Ｍｎ：１．０％以下、Ｓ：０．０３０％以下、Ｐ：０．０５０％以下、Ｃｒを７〜４０％を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物からなる成分組成を有し、
圧延方向に直角方向の引張強度が
１０００
り、厚さが２０〜２００μｍであ
　【請求項３】
　質量％で、さらに、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒのうちから選ばれる少なくとも一種を合計で１．０％以下含有することを特徴とする請求項１または２に記載の太陽電池基板用鋼箔。
　【請求項４】
　質量％で、さらに、Ａｌ：０．２０％以下、Ｎ：０．０５％以下、Ｍｏ：０．０２〜４．０％のうちから選ばれる少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の太陽電池基板用鋼箔。
　【請求項５】
　質量％で、さらに、Ｎｉ：１．０％以下、Ｃｕ：１．０％以下、Ｖ：１．０％以下、Ｗ：１．０％以下、Ｃａ：０．１％以下、Ｍｇ：０．１％以下、ＲＥＭ：０．１％以下、Ｂ：０．１％以下のうちから選ばれる少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の太陽電池基板用鋼箔。
　【請求項６】
　
（削除）
　【請求項７】
　ミクロ組織が圧延組織のままであることを特徴とする請求項１〜
５
　【請求項８】
　請求項１〜
５、
７０
　【請求項９】
　
（削除）
　【請求項１０】
　フェライト組織を有する光輝焼鈍後または焼鈍し、酸洗後の鋼板を用いることを特徴とする請求項
８に
　【請求項１１】
　冷間圧延後、不活性ガス雰囲気中で４００〜７００℃の熱処理を施すことを特徴とする請求項８
または１０
　【請求項１２】
　請求項１〜
５、
　【請求項１３】
　請求項１２に記載の太陽電池基板を用いたことを特徴とする太陽電池。
　【請求項１４】
　請求項１２に記載の太陽電池基板を用いてＲｏｌｌ−ｔｏ−Ｒｏｌｌ方式の連続プロセスにより製造することを特徴とする太陽電池の製造方法。
　【請求項１５】
　Ｒｏｌｌ−ｔｏ−Ｒｏｌｌ方式の連続プロセスが、クリーニング−バック電極スパッタリング−太陽電池処理−セレン化処理−バッファー層形成−トップ電極スパッタリング−電極形成−スリットの工程を含むことを特徴とする請求項１４に記載の太陽電池の製造方法。