【事件の表示】
　特願２００５−２１４０８６「リソグラフィ装置及びデバイス製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　２月２３日出願公開、特開２００６−　５４４５１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
特許出願　　　　：平成１７年　７月２５日
（優先日　平成１６年７月２６日　アメリカ合衆国）
拒絶理由　　　　：平成２０年　８月２１日（起案日）
意見及び手続補正：平成２０年１１月２６日
拒絶査定　　　　：平成２１年　６月１６日（起案日）
審判請求　　　　：平成２１年１０月２１日
手続補正　　　　：平成２１年１０月２１日
審尋　　　　　　：平成２２年１０月　５日（起案日）
回答書　　　　　：平成２３年　１月１２日
　
第２　補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２１年１０月２１日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　平成２１年１０月２１日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は特許請求の範囲の請求項１を以下のとおり補正することを含むものである。
(1)　補正事項１
　本件補正前の請求項１の「少なくとも１つの処理条件に対応する処理条件データが，前記基板の２つ以上の領域で異なり」を「前記基板の２つ以上の領域で少なくとも１つの処理条件が異なっており，かつ各処理条件ごとに，それぞれに対応した処理条件データがあらかじめ用意されており」と限定して減縮する。
(2)　補正事項２
　本件補正前の請求項１の「前記基板のターゲット部分に対応する処理条件データ」を「前記基板のターゲット部分の領域に対応する処理条件データ」と限定して減縮する。
　
　そうしてみると，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下，単に「特許法第１７条の２」という。）第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　そこで，本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正後発明」という。）について，特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか否か，すなわち，本件補正後発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かを以下で検討する。
　
２　本件補正後発明
　本件補正後発明は，下記のとおりのものである。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　放射ビームを供給する照明系と，
　前記ビームにパターンを付与する個々に制御可能な要素の配列と，
　パターンの付与されたビームを，基板のターゲット部分に投影する投影システムと，
　前記個々に制御可能な要素の配列を用いて形成されるパターンを，（ａ）前記基板に露光されるパターンに対応する所期のパターン・データ，及び（ｂ）前記基板の少なくとも１つの処理条件に対応する処理条件データを用いて制御する制御装置と，
　を有し，
　前記基板の２つ以上の領域で少なくとも１つの処理条件が異なっており，かつ各処理条件ごとに，それぞれに対応した処理条件データがあらかじめ用意されており，
　前記制御装置が，ターゲット部分を露光するために前記個々に制御可能な要素の配列にパターンを設定するとき，前記基板のターゲット部分の領域に対応する処理条件データを選択および使用するようになっているリソグラフィ装置。
　
３　引用例
　本願の優先日よりも前に頒布された刊行物である特開平１１−４５８５１号公報（拒絶理由通知の引用文献１，以下「引用例」という。）には，各図とともに以下の事項が記載されている。
　
記載事項ア　
「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は，露光方法及び半導体デバイスの製造方法に関し，詳しくは液晶ディスプレイ等の表示装置に任意のレチクルパターンを形成し得る露光装置による露光方法及び，そのような露光方法による半導体デバイスの製造方法に関するものである。」
　
記載事項イ　
「【０００２】露光装置に要求される基本的性能は，解像力，寸法精度，合わせ精度等に優れていることと，生産性ではスループット（処理能力）が大きいことが，重要である。従って，従来の露光装置では，多数のレチクルを交換しながら露光を行っており，スループットの向上には限界がある。
【０００３】このような課題を解消する露光装置として，レチクルパターンの書き換えが可能な液晶表示装を使用した露光装置が提案されている。この種の露光装置について，図８（各要素はブロックで示してある）を参照して説明すると，照明光学系４と，照明光学系４によって照明される透過型の液晶表示装置５と，液晶表示装置５に形成されたレチクルパターンを投影する投影光学系６と，ウエハが載置されるウエハステージ７と，ウエハステージ７をＸＹ方向に移動させるためのウエハステージ制御系８と，露光装置を制御するための制御装置９と，液晶表示装置５の表示内容を制御する表示制御装置１０と，ウエハをウエハステージに搬送させるウエハ搬送系１１とから構成されている。
【０００４】また，レチクルパターンを表示する液晶表示装置として，透過型液晶表示装置を用いた露光装置が，特開平９−１７７１９号公報に開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図８の露光装置では，表示制御装置１０により液晶表示装置５にレチクルパターンを形成して，照明光学系４により液晶表示装置５を照明して，レチクルパターンをウエハ上に焼き付けることが開示されている。複数の露光装置を使用して同一半導体デバイスを製造する場合，各装置固有の特性の差異や焼き付け精度が気圧等の気象条件でも号機間差が発生する。このような号機間差等のオフセット量，或いはウエハ自体のそりや製造工程で発生するウエハの熱処理で発生する熱膨張や段差等によるひずみ量を考慮する必要がある。従来の液晶表示装置を使用した露光装置は，このようなウエハに焼き付けられたパターンと設計値との誤差を考慮した装置ではなく，解像度や合わせ精度等の向上には改善の余地があった。
【０００６】本発明は，上記の課題に鑑みてなされたものであり，半導体デバイス等の製造に際して，レチクルパターンを任意に形成できるようにし，レチクルパターンが設計データから直接描画できるとともに，アライメント機構で計測されたひずみ量によりレチクルパターンを補正して露光する露光方法である。」
　
記載事項ウ　
「【００１７】【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態について，図面を参照して説明する。なお，各図において互いに同一あるいは相当する部材には同一符号を付与して，可能な限り重複した説明を省略する。
【００１８】図１は，本発明の一実施形態を説明するための装置の概要を示す図であり，図１（Ａ）は，装置の各構成部分をブロックで表示した図，（Ｂ）は実際の装置の側面（一部断面）図である。同図において，中央制御装置（ＣＰＵ）を含む制御装置１１と，制御装置１１に制御信号を入力する端末（入力部）１２と，２値化したレチクルパターン設計データを記憶するレチクルパターン記憶装置１３と，露光装置１４とを含む。露光装置１４には，水銀ランプやエキシマレーザなどの光源などを含む照明光学系１４ａと，レチクルパターンを投影する投影レンズを含む投影光学系１４ｂと，ウエハステージ１４ｃとを備え，照明光学系１４ａにより照明することでレチクルパターンを投影するとともに，任意のレチクルパターンが形成できるレチクルパターン表示装置１６と，アライメント（位置合わせ）機構１５とが備えられている。ここで，レチクルパターン設計データは，例えばＣＡＤ（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ  Ａｉｄｅｄ  Ｄｅｓｉｇｎ）データである。
【００１９】更に，制御装置１１は，デジタイザ１７によって変換して２値化した設計データを記憶した設計データ記憶装置１８とオンライン等により接続されている。デジタイザ１７は，パターンレイアウト図からマスクパターンを作成した後，２値化データに変換してレチクルパターン設計データを作成する装置であり，この設計データが設計データ記憶装置１８に記憶されている。制御装置１１は，レチクルパターンを形成する際に，設計データ記憶装置１８から設計データが入力できるようになされている。
【００２０】補正が必要でない場合は，レチクルパターン記憶装置１３からのデータを用いてレチクルパターンを表示装置１６に表示してもよいし，レチクルパターン記憶装置１３と設計データ記憶装置１８とを一体に構成してもよい。」
　
記載事項エ　
「【００２１】続いて，図２を参照して，本発明の一実施形態である露光方法について説明する。先ず，ステップＳ１において，ウエハステージに，レジストを塗布したウエハＷ（計測用のウエハ）を搬送して，露光装置のウエハステージに載置する。このウエハＷはウエハステージに搬送される前にオリフラ（オリエンテーションフラット）等を利用して方向姿勢を予め整える，いわゆるプリアライメントが行われている。
【００２２】次いで，ステップＳ２に進み，制御装置１１の指示によりレチクルパターン表示装置１６によりレチクルパターンアライメントマークを表示して，制御装置１１からの指示に従って照明光学系より，レチクルパターン表示装置１６を照明する。このようにすると，ウエハＷ上にレチクルパターンとレチクルパターンの所定位置に形成されたアライメントマークとが投影されて，レジストに潜像が作られる（Ｓ３）。このアライメントマーク（潜像）を，アライメント機構１５で計測する（Ｓ４）。したがって，レチクルパターンと投影パターンとのひずみ量が計測できることになる。このひずみ量の計測では，投影レンズが有する収差データと，ステージの直交度データを用いてもよい。
【００２３】続いてステップＳ５に進み，このひずみ量を，レチクルパターン設計データを修正するための補正量として，レチクルパターン設計データを補正する。レチクルパターン設計データに補正量を乗算や加算等して，補正したレチクルパターンのデータを作成する。また，各露光装置の号機間にオフセットが生じている場合は，各露光装置のオフセット量に基づいて，レチクルパターン設計データを修正する。
【００２４】さらにステップＳ６に進み，レチクルパターンの補正データを，レチクルパターン表示装置１６に入力してレチクルパターンを表示する。
【００２５】そしてステップＳ７に進み，計測用のウエハＷの代わりにプリアライメントされた製品用のウエハＷをステージ上に載置する。
【００２６】さらにステップＳ８に進み，製品ウエハＷの感光面に露光して，レチクルパターンを焼き付ける。
【００２７】次にステップＳ９に進み，全ての製品ウエハＷを処理したかを判断し，まだ処理すべきウエハＷが残っている場合は，ステップＳ７に戻り次のウエハＷをウエハステージ上に載置し，露光を繰り返す。
【００２８】ステップＳ９で，全てのウエハＷを処理したと判断した場合には，１層目の露光工程を終了したことになる（エンド）。
【００２９】このように，同一号機で一連の露光を行う場合には，１ロット複数枚のウエハの露光につきレチクルパターンの補正は一度でよい。
【００３０】ステップアップリピートを繰り返して一枚のウエハを焼き付ける露光方式では，ウエハの各フィールドをワンショット毎に焼き付ける際に，ウエハの熱処理工程後のそりや膨張等を補正するために，各フィールド毎に位置合わせのためのひずみ量を補正するようにしてもよい。言い換えれば，露光する一つ前のフィールドのひずみ量を補正しながらウエハのレチクルパターンを補正して，露光を行ってもよい。即ち，ステップＳ１〜Ｓ６までは，ワンショット毎に行ってもよい。
【００３１】以上の方法は，一括露光の場合にも走査露光の場合にも適用可能である。」
　
記載事項オ　
「【００３２】次に，図３を参照してウエハＷに２層目以降を露光する工程を説明する。ウエハＷに複数の層のパターンを投影露光するときには，各層のパターンを常に設計データを基準にして補正してもよいが，現実的には設計値とは多少の誤差をもって露光された第１層目を基準にして２層目以下を露光する方法をとった方が効率的である。図３はそのような方法を示したフロー図である。
【００３３】図３の方法の前提として，第２層目のレチクルパターンについても，試験用のウエハＷを用いて，図２のステップＳ１〜Ｓ５あるいはＳ６までの工程を済ませて，２層目を露光する号機のひずみ量を予め求めておく。
【００３４】図３中，既に１層目が露光されたウエハＷをプリアライメントしてウエハステージ上に搬送・載置する（ステップＳ２１）。
【００３５】次にステップＳ２２に進み，そのウエハＷ上に１層目のパターンと共に形成されているアライメントマークをアライメント機構によって測定する。１層目は図２に示される工程でレチクルパターンを補正して投影露光されているので，ほとんど誤差はないはずであるが，それでも生じ得る僅かな誤差を測定するものである。
【００３６】次のステップＳ２３でレチクルパターンのひずみ量に換算して，このようにして求められた補正量及び前述のように予め求めてあった号機間差のオフセット量に基づいて設計値のレチクルパターンのデータを補正して２層目のレチクルパターンを表示装置に表示する（ステップＳ２４）。
【００３７】そしてウエハＷに２層目の露光をして（ステップＳ２５），処理すべきウエハＷを全て処理し終えたかを判断し（ステップＳ２６），まだウエハＷが残っている場合は，次の既に１層目が露光されたウエハＷをプリアライメントしてウエハステージ上に搬送・載置して（ステップＳ２７），露光動作（ステップＳ２５）を繰り返す。
【００３８】ステップＳ２６で，全てのウエハＷが処理されたと判断されると２層目の露光処理が完了したことになる（エンド）。
【００３９】図３の方法は，１，２層目が露光されたウエハＷに３層目以下を露光する際にも用いることができる。
【００４０】なお，ここではひずみとはレチクルパターンと投影パターンとの間の倍率のずれ，直交度の誤差，先行して形成されたパターンとの相対的ローテーションを指している。このひずみ量に基づく補正量によって，レチクルパターン記憶装置１３に書き込まれた設計データを演算処理して補正する。無論，これらのひずみの内の一つを補正し，他は補正量零の場合もある。
【００４１】一方，半導体デバイスの製造では，生産性を高めるために，多数の露光装置を使用して，同一露光工程を処理している。このような場合，各露光装置間の差，すなわち号機間差（オフセット）が発生する。同一露光工程では，共通のレチクルパターン設計データを用いて，レチクルパターンが形成されるので，号機間差に応じて，レチクルパターン設計データを補正する必要があり，このオフセット量を補正したレチクルパターンをレチクルパターン表示装置１６に表示して，露光工程を行う。
【００４２】このように本発明の露光方法は，アライメント機構１５により，ウエハ上の複数の点を計測して得られたひずみ量で，レチクルパターン表示装置１６のレチクルパターンを補正して，レチクルパターンと投影パターンとのひずみを解消して露光工程を行う。従って，従来露光装置に備えられていたレチクル交換機構が必要なくなるとともに，ガラス基板などによるレチクルのひずみを修正するために備えられたレチクルローティション及びレチクルスケーリング補正機構が必要なくなる。
【００４３】感応基板に形成されたパターンのひずみを測定する測定工程Ｓ２では，試験用のウエハに実際にレチクルパターン表示装置のパターンを投影露光してそのウエハに形成されたアライメントマークを観察してひずみを測定してもよいし，感応基板の露光面に相当する位置に形成された像を基準マークＦＭ（不図示）を利用して，あるいは基準マークの像を投影光学系を通してレチクルパターン表示装置のパターンに重ねて結像させ，それらを観察することにより，ひずみを測定してもよい。」
　
記載事項カ　
「【００６１】【発明の効果】以上のように本発明では，設計データに基づいてレチクルパターンを表示する表示手段を用いるので，レチクルパターンを任意に形成でき，レチクルパターンが設計データから直接描画できるとともに，ひずみを測定する工程で測定されたひずみに基づいて設計データを補正してレチクルパターンを表示する工程を備えるので，レチクルパターンの修正が容易に行え，正確かつ迅速な露光が可能となる。またこのような露光方法を用いるので，半導体デバイスの製造のスループットを高めることができる。」
　
　これら記載事項及び各図を考慮して引用例に記載された発明を分説して記載すると，下記のとおりとなる（以下，この発明を「引用発明」といい，また，分説された構成を「構成要件Ａ」などという。）。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
Ａ　中央制御装置を含む制御装置（１１）と，制御装置（１１）に制御信号を入力する端末（１２）と，２値化したレチクルパターン設計データを記憶するレチクルパターン記憶装置（１３）と，露光装置（１４）とを含み，
Ｂ　露光装置（１４）には，水銀ランプやエキシマレーザなどの光源などを含む照明光学系（１４ａ）と，レチクルパターンを投影する投影レンズを含む投影光学系（１４ｂ）と，ウエハステージ（１４ｃ）とを備え，照明光学系（１４ａ）により照明することでレチクルパターンを投影するとともに，任意のレチクルパターンが形成できるレチクルパターン表示装置（１６）と，アライメント機構（１５）とが備えられ，
Ｃ　計測用のウエハ（Ｗ）について，レチクルパターンと投影パターンとのひずみ量を計測し，ひずみ量の計測では，投影レンズが有する収差データと，ステージの直交度データを用いてもよく，
Ｄ　ひずみ量を，レチクルパターン設計データを修正するための補正量として，レチクルパターン設計データを補正し，レチクルパターン設計データに補正量を乗算や加算等して，補正したレチクルパターンのデータを作成し，各露光装置の号機間にオフセットが生じている場合は，各露光装置のオフセット量に基づいて，レチクルパターン設計データを修正し，
Ｅ　レチクルパターンの補正データを，レチクルパターン表示装置（１６）に入力してレチクルパターンを表示し，
Ｆ　製品ウエハ（Ｗ）の感光面に露光して，レチクルパターンを焼き付け，
Ｇ　全ての製品ウエハ（Ｗ）を処理したかを判断し，まだ処理すべきウエハ（Ｗ）が残っている場合は，次のウエハ（Ｗ）をウエハステージ上に載置し，露光を繰り返し，
Ｈ　全てのウエハ（Ｗ）を処理したと判断した場合には，１層目の露光工程を終了し，
Ｉ　ステップアップリピートを繰り返して一枚のウエハを焼き付ける露光方式では，ウエハの各フィールドをワンショット毎に焼き付ける際に，ウエハの熱処理工程後のそりや膨張等を補正するために，各フィールド毎に位置合わせのためのひずみ量を補正するようにしてもよい，
Ｊ　装置。
　
４　対比
　本件補正後発明と引用発明を対比すると以下のとおりとなる。
(1)　照明系
　構成要件Ｂからみて，引用発明の「照明光学系（１４ａ）」と本件補正後発明の「照明系」は，「放射ビームを供給する照明系」の点で一致する。
(2)　個々に制御可能な要素の配列
　構成要件Ｂからみて，引用発明の「レチクルパターン表示装置（１６）」と本件補正後発明の「個々に制御可能な要素の配列」は，「前記ビームにパターンを付与する個々に制御可能な要素の配列」の点で一致する。
(3)　投影システム
　構成要件Ｂからみて，引用発明の「投影光学系（１４ｂ）」と本件補正後発明の「投影システム」は，「パターンの付与されたビームを，基板のターゲット部分に投影する投影システム」の点で一致する。
(4)　制御装置
　構成要件ＣないしＥからみて，引用発明の「レチクルパターン設計データ」と本件補正後発明の「所期のパターン・データ」は「前記基板に露光されるパターンに対応する所期のパターン・データ」の点で一致し，また，引用発明の「補正量（ひずみ量，オフセット量）」と本件補正後発明の「処理条件データ」は，「前記基板の少なくとも１つの処理条件に対応する処理条件データ」の点で一致する。そして，引用発明の「制御装置（１１）」と本件補正後発明の「制御装置」は，「前記個々に制御可能な要素の配列を用いて形成されるパターンを，（ａ）前記基板に露光されるパターンに対応する所期のパターン・データ，及び（ｂ）前記基板の少なくとも１つの処理条件に対応する処理条件データを用いて制御する制御装置」の点で一致する。
　また，引用発明の「制御装置（１１）」と本件補正後発明の「制御装置」は，「前記制御装置が，ターゲット部分を露光するために前記個々に制御可能な要素の配列にパターンを設定するとき，処理条件データを選択および使用するようになっている」点で共通する。
(5)　リソグラフィ装置
　引用発明の構成要件Ｊの「装置」は本件発明の「リソグラフィ装置」に相当する。
　
　そうしてみると，本件補正後発明と引用発明は，
「　放射ビームを供給する照明系と，
　前記ビームにパターンを付与する個々に制御可能な要素の配列と，
　パターンの付与されたビームを，基板のターゲット部分に投影する投影システムと，
　前記個々に制御可能な要素の配列を用いて形成されるパターンを，（ａ）前記基板に露光されるパターンに対応する所期のパターン・データ，及び（ｂ）前記基板の少なくとも１つの処理条件に対応する処理条件データを用いて制御する制御装置と，
　を有し，
　前記制御装置が，ターゲット部分を露光するために前記個々に制御可能な要素の配列にパターンを設定するとき，処理条件データを選択および使用するようになっているリソグラフィ装置。」
　の点で一致し，以下の点で相違する。
　
（相違点）
　本件補正後発明は，「前記基板の２つ以上の領域で少なくとも１つの処理条件が異なっており，かつ各処理条件ごとに，それぞれに対応した処理条件データがあらかじめ用意されており」，制御装置が，ターゲット部分を露光するために前記個々に制御可能な要素の配列にパターンを設定するとき「前記基板のターゲット部分の領域に対応する」処理条件データを選択および使用するようになっているのに対して，引用発明は，これが明らかではない点。
　
５　判断
　引用発明は，「ステップアップリピートを繰り返して一枚のウエハを焼き付ける露光方式では，ウエハの各フィールドをワンショット毎に焼き付ける際に，ウエハの熱処理工程後のそりや膨張等を補正するために，各フィールド毎に位置合わせのためのひずみ量を補正するようにしてもよい」（構成要件Ｉ）ものであるから，当業者がこの構成を具体化することは当業者における通常の創意工夫の範囲内の事項である。また，「ウエハの熱処理工程後のそりや膨張等」の程度がウエハの２つ以上の領域で異なることは当業者において自明である。そうしてみると，引用発明においてもウエハの２つ以上の領域における熱処理工程後のそりや膨張等に対応した補正量を用いて，各フィールドをワンショット毎に焼き付けるためにレチクルパターン表示装置（１６）に入力するときウエハの各フィールドに対応する補正量を選択及び使用することは，当業者が引用発明をステッパとして具体化するに際して容易にできることである。また，ステッパにおいて位置合わせのためのデータを予め用意しておくことは技術常識である（必要ならば，特開２０００−３５３６５７号公報，特開平５−３０４０７７号公報，特開平１０−２７０３４８号公報，特開平６−３４９７０５号公報，特開２０００−３２３３９９号公報，特開平９−２６６１６４号公報を参照。）。あるいは，引用発明は計測用のウエハ（Ｗ）から得られる補正量をその後の全ての製品ウエハ（Ｗ）の露光に利用するものであるから，引用発明においても，製品ウエハ（Ｗ）の補正量があらかじめ用意されていることは明かである。
　
　以上のとおりであるから，引用発明の構成を具体化して本件補正後発明のリソグラフィ装置を発明することは，当業者が容易にできることである。
　また，本件補正後発明の作用効果は，引用発明から当業者が予測できる範囲内のものである。
　
６　小括
　本件補正後発明は引用発明に基いて当業者が容易に発明することができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって，本件補正は特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから，同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明
１　本願発明
　平成２１年１０月２１日付けの手続補正は却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，平成２０年１１月２６日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される，下記のものである。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　放射ビームを供給する照明系と，
　前記ビームにパターンを付与する個々に制御可能な要素の配列と，
　パターンの付与されたビームを，基板のターゲット部分に投影する投影システムと，
　前記個々に制御可能な要素の配列を用いて形成されるパターンを，（ａ）前記基板に露光されるパターンに対応する所期のパターン・データ，及び（ｂ）前記基板の少なくとも１つの処理条件に対応する処理条件データを用いて制御する制御装置と，
　を有し，
　少なくとも１つの処理条件に対応する処理条件データが，前記基板の２つ以上の領域で異なり，
　前記制御装置が，ターゲット部分を露光するために前記個々に制御可能な要素の配列にパターンを設定するとき，前記基板のターゲット部分に対応する処理条件データを選択および使用するようになっているリソグラフィ装置。
　
２　引用発明
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は，「第２　補正の却下の決定」の「３　引用例」に記載したとおりである。
　
３　対比及び判断
　本願発明は，(1)本件補正後発明の「前記基板の２つ以上の領域で少なくとも１つの処理条件が異なっており，かつ各処理条件ごとに，それぞれに対応した処理条件データがあらかじめ用意されており」を「少なくとも１つの処理条件に対応する処理条件データが，前記基板の２つ以上の領域で異なり」と拡張し，(2)本件補正後発明の「前記基板のターゲット部分の領域に対応する処理条件データ」を「前記基板のターゲット部分に対応する処理条件データ」と拡張するものである。
　
　そうすると，本願発明の構成要件を全て含み，さらに他の構成要件を付加したものに相当する本件補正後発明が「第２　補正の却下の決定」で述べた理由により引用発明に基いて当業者が容易に発明することができたものであるから，本願発明も同様に，引用発明に基いて当業者が容易に発明することができたものである。
　
４　小括
　以上のとおり，本願発明は引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　結論
　したがって，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。