【事件の表示】
　特願２００４−３０９７４０「ディスプレイ装置の導線端子構造およびそれを形成する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　３月１６日出願公開、特開２００６−　７２２８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１６年１０月２５日（パリ条約による優先権主張　２００４年９月１日、アメリカ合衆国）に特許出願したものであって、平成２０年１月３０日付けで手続補正がなされたが、同年５月２６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月８日に拒絶査定不服審判の請求がなされた後、当審において、平成２２年２月２日付けで拒絶理由が通知され、同年６月９日付けで手続補正がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２２年６月９日付け手続補正後の特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
　
「基板上のディスプレイ領域とボンディング領域にまたがって形成される第三導電部材、
　前記基板と前記第三導電部材を覆う絶縁層、
　前記ディスプレイ領域にて前記絶縁層の上に形成され、前記絶縁層に形成された第一のコンタクトホールを介して前記第三導電部材に電気接続された第一導電部材、
　前記ボンディング領域にて前記絶縁層の上に形成され、前記絶縁層に形成された第二のコンタクトホールを介して前記第三導電部材に電気接続された第二導電部材、
　前記第一導電部材及び前記ディスプレイ領域上の前記第三導電部材を覆う平坦化層、および
　前記第二導電部材を覆うように伸びるが、前記平坦化層は覆わず、前記平坦化層からは分離した導電層を含む、
　ことを特徴とするディスプレイ装置の導線端子構造。」（以下「本願発明」という。）
　
３　刊行物の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００３−１６７２５８号公報（以下「引用刊行物」という。）には、以下の記載がある。
　
（１）「【請求項１】第１の基板と第２の基板に挟まれた液晶層とカラーフィルタ層とを有し、
前記第１の基板上には複数のゲート配線と、前記複数のゲート配線と交差しマトリクス状に配置された複数のドレイン配線と、前記ゲート配線と前記ドレイン配線との交点に対応して形成された薄膜トランジスタを有し、前記第１の基板と前記第２の基板がその外周部をシール材により接着され、少なくとも前記第１の基板と前記第２の基板の液晶層側の最表面に配向膜を有する液晶表示装置において、
前記第１の基板上において前記薄膜トランジスタと前記第１の基板に形成された配向膜との間に形成された有機膜を有し、該有機膜は前記シール材の領域で除去され、前記シール材は前記第１の基板の無機絶縁膜に対して接着され、かつ前記第２の基板の有機材料に対して接着されていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。」
　
（２）「【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の特徴を示す代表的な構造を、以下実施例により説明する。
【００１８】（実施例１）図1は本発明の一実施例の液晶表示装置に係る映像信号線（ドレイン線）側外周部の断面図、図２は液晶表示装置の画素部の平面図、図３は液晶表示装置の画素部の断面図、図４は液晶セルの平面構成図、図５は図４に示した表示パネルと外部回路を接続した状態を示す図である。ここで、図１は図４の平面構成図の１-１’として一点鎖線で示した切断線の断面図で、液晶セルの外周部における1本の映像信号（ドレイン）線側の端子配線Ｔｄにおける断面図である。
【００１９】まず、画素部の構成について図２を用いて説明する。２本の映像信号線ＤＬとゲート配線ＧＬに囲まれた領域が画素を構成する。映像信号線ＤＬとゲート配線ＧＬを覆ってマトリクス状に共通電極ＣＰＴが構成されている。ＣＰＴは、金属材料で構成してもよい。また透明電極、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ等で構成することにより実質的な光透過領域の向上を図ることができる。本実施例では、例えばＩＴＯで構成した。ポリシリコン層ＰＳＩはコンタクトホールＣＮＴ１により映像信号線ＤＬと接続し、ゲート配線ＧＬから延在したゲート電極を越え、コンタクトホールＣＮＴ１によりソース電極ＳＭに接続されている。ソース電極ＳＭはさらに、コンタクトホールＣＮＴ２により画素電極ＳＰＴに接続されている。ＳＰＴは、金属材料で構成してもよい。また透明電極、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ等で構成することにより実質的な光透過領域の向上を図ることができる。本実施例では、例えばＩＴＯで構成した。すなわち本実施例ではＣＰＴとＳＰＴはＩＴＯにより同一レイヤで構成した。ゲート配線ＧＬと平行に共通配線ＣＬを有し、該ＣＬはコンタクトホールＣＮＴ１により共通金属電極ＣＭに接続され、さらにコンタクトホールＣＮＴ２により共通電極ＣＰＴに接続される。これにより、共通配線ＣＬから共通電極ＣＰＴへの共通電位が供給される。
【００２０】図３に画素部の断面構成を示す。図２の３−３’間の領域である。図では丸印を付けているが、これは図の見やすさの便宜のためである。本明細書中の他の部分でも、図中の切断部を示す丸印の表記は文章では省略した。
【００２１】３−３’間は、ドレイン配線ＤＬ〜ＴＦＴのポリシリコン層ＰＳＩ〜ソース電極ＳＭ〜画素電極ＳＰＴ〜主透過部〜共通電極ＣＰＴ〜共通金属電極ＣＭ〜共通配線ＣＬの断面となる。図３での左側はＴＦＴの断面に相当する。ドレイン配線ＤＬがＴＦＴの一方の電極としてのＰＳＩ（ｎ＋）層にＣＮＴ１により接続され、ソース電極ＳＭがＴＦＴの他方の電極としてのＰＳＩ（ｎ＋）層にＣＮＴ１により接続されている。ゲート配線層によりゲート電極ＧＬがゲート絶縁膜ＧＩ上に構成されたいわゆるＭＯＳ型ＴＦＴであり、図３の構造は特にトップゲート型あるいはプレーナー型と称される構造である。ただし、該構造に特に限定する物ではない。
【００２２】歪点約６７０℃の無アルカリガラス基板ＧＬＳ１上に膜厚５０ｎｍのＳｉＮ膜と膜厚１２０ｎｍのＳｉＯ２膜からなる下地絶縁膜ＵＬＳが形成されている。
【００２３】下地絶縁膜ＵＬＳ上にポリシリコン層ＰＳＩがあり、その上にＳｉＯ２からなるゲート絶縁膜ＧＩがある。ゲート絶縁膜ＧＩ上には前記ゲート電極があり、該ゲート電極を覆って層間絶縁膜ＩＬＩが構成されている。層間絶縁膜ＩＬＩ上には金属からなるドレイン配線ＤＬが構成され、例えばＴｉ／Ａｌ／Ｔｉのように３層金属膜よりなる。ドレイン配線ＤＬはゲート絶縁膜ＧＩ及び層間絶縁膜ＩＬＩに開けられた第1のコンタクトホールＣＮＴ１を通じて、低温ポリシリコンＰＳＩのリンを不純物としてドープされた高濃度ｎ型層ＰＳＩ（ｎ＋）に接続されている。該高濃度ｎ型層ＰＳＩ（ｎ＋）は導電性が高く、擬似的に配線部として働く。一方、ＭｏあるいはＭｏＷのような金属膜よりなるゲート配線ＧＬ下のＰＳＩはボロンを不純物としてドープされたｐ型層ＰＳＩ（ｐ）となっており、いわゆる半導体層として働き、ゲート配線ＧＬにＯＮ電位で導通状態、ＯＦＦ電位で非導通状態となるスイッチング動作を示す。
【００２４】ゲート配線ＧＬにオン電圧が印加された場合、ゲート配線ＧＬ下部でゲート絶縁膜ＧＩ下部であり、ボロンを不純物としてドープされたｐ型層ＰＳＩ（ｐ）のゲート絶縁膜ＧＩ界面のポテンシャルが反転してチャネル層が形成され、ｎ型化されＴＦＴにオン電流が流れ、結果的にソース電極ＳＭへ電流が流れ液晶容量が充電される。
【００２５】
上記ゲート配線ＧＬを覆うようにＳｉＯ２からなる層間絶縁膜ＩＬＩが形成され。さらにドレイン配線ＤＬの上層には膜厚２００ｎｍのＳｉＮからなる保護絶縁膜ＰＡＳと膜厚２μｍのアクリル系樹脂を主成分とする有機保護膜ＦＰＡＳにより被覆されている
・・・
【００３４】次に液晶パネルの概観の平面構造について説明する。図４は上下のガラス基板ＧＬＳ１、ＧＬＳ２を含む表示パネルのマトリクス（ＡＲ）周辺の要部平面を示す図である。このパネルの製造では、小さいサイズであればスループット向上のため１枚のガラス基板で複数個分のデバイスを同時に加工してから分割し、大きいサイズであれば製造設備の共用のためどの品種でも標準化された大きさのガラス基板を加工してから各品種に合ったサイズに小さくし、いずれの場合も一通りの工程を経てからガラスを切断する。
【００３５】図４は後者の例を示すもので、上下基板ＧＬＳ１、ＧＬＳ２の切断後を表している。いずれの場合も、完成状態では外部接続端子群Ｔｇ、Ｔｄが存在する（図で上辺）部分はそれらを露出するように上側基板ＧＬＳ２の大きさが下側基板ＧＬＳ１よりも内側に制限されている。端子群Ｔｇ、Ｔｄはそれぞれ後述するＴＦＴガラス基板ＧＬＳ１上で表示部ＡＲの左右に配置された低温ポリシリコンＴＦＴの走査回路ＧＳＣＬへ供給する電源及びタイミングデータに関する接続端子、表示領域ＡＲの上部でＴＦＴガラス基板ＧＬＳ１上に低温ポリシリコンＴＦＴのドレイン分割回路ＤＤＣへの映像データあるいは電源データを供給するための端子Ｔｄであり、引出配線部を集積回路チップＣＨＩが搭載されたテープキャリアパッケージＴＣＰ（図５）の単位に複数本まとめて配置されている。各群のマトリクス部からＴＦＴガラス基板上のドレイン分割回路ＤＤＣを経て外部接続端子部に至るまでの引出配線は、両端に近づくにつれ傾斜している。これは、パッケージＴＣＰの配列ピッチ及び各パッケージＴＣＰにおける接続端子ピッチに表示パネルのドレイン信号端子Ｔｄを合わせるためである。
【００３６】透明ガラス基板ＧＬＳ１、ＧＬＳ２の間にはその縁に沿って、液晶封入口ＩＮＪを除き、液晶ＬＣを封止するようにシールパターンＳＬが形成される。シール材は例えばエポキシ樹脂から成る。
【００３７】図３の断面構造で示した配向膜ＯＲＩ層は、シールパターンＳＬの内側に形成される。液晶ＬＣは液晶分子の向きを設定する下部配向膜ＯＲＩと上部配向膜ＯＲＩとの間でシールパターンＳＬで仕切られた領域に封入されている。
【００３８】この液晶表示装置は、ＧＬＳ１側、ＧＬＳ２側で別個に種々の層を積み重ね、シールパターンＳＬを基板ＧＬＳ２側に形成し、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１と上部透明ガラス基板ＧＬＳ２とを重ね合わせ、シール材ＳＬの開口部として設けられる封入口ＩＮＪから液晶ＬＣを注入し、その後該封入口をエポキシ樹脂などで封止し、上下基板を切断することによって組み立てられる。むろん液晶の注入は吸引法あるいは滴下法などによっても良い。
【００３９】図５は、図４に示した表示パネルに映像信号駆動ＩＣを搭載したＴＣＰとＴＦＴ基板ＧＬＳ１上に低温ポリシリコンＴＦＴで形成したドレイン分割回路ＤＤＣとの接続及びＴＦＴ基板ＧＬＳ１に低温ポリシリコンＴＦＴで形成した走査回路ＧＳＣＬと外部とを接続した状態を示す上面図である。
【００４０】ＴＣＰは駆動用ＩＣチップがテープ・オートメイティド・ボンディング法（ＴＡＢ）により実装されたテープキャリアパッケージ、ＰＣＢ１は上記ＴＣＰやコントロールＩＣであるＴＣＯＮ、その他電源用のアンプ、抵抗、コンデンサ等が実装された駆動回路基板である。ＣＪはパソコンなどからの信号や電源を導入するコネクタ接続部分である。
【００４１】上記のように、液晶表示装置の外周部はＴＦＴガラス基板上に外部回路との接続端子ＴｇあるいはＴｄが形成される領域である。またＴＦＴガラス基板とＣＦガラス基板とを接続させるシール材が形成された領域である。
【００４２】図１に図４の１−１’切断線での断面構造の一例を示し、特に外周部、すなわち有効表示領域外の領域を説明する。図１により図４のＴＦＴ液晶セルの接続端子Ｔｄ、シール領域、画面領域に対する断面構造の一例を説明する。
【００４３】ＧＬＳ１とＧＬＳ２はシール材ＳＥＬを介して組み合わされ、これらの間に液晶ＬＣが封入されている。シール材は上下のガラス基板の接着材の役割を果し、有機系材料を印刷あるいは塗布し、紫外線あるいは熱で硬化させる。
【００４４】ＧＬＳ１がＧＬＳ２から外側に突き出した領域には、外部回路のテープキャリアパッケージＴＣＰあるいはフレキシブルプリント基板ＦＰＣに最終的に接続される接続端子電極ＴＭが形成されている。接続端子電極ＴＭは、例えば図３の画素領域の断面構造での画素電極ＳＰＴに用いられているＩＴＯで構成する。ＩＴＯを初めとする透明導電体は、酸化物であるため酸化に対する安定性がほとんどの金属材料より高く、端子ＴＭのように水分にさらされる端子の腐食性を向上できる材料である。図1の右側の領域は画素領域へ向かう領域である。
図４の端子配線Ｔｄは、図１においては、以下の電流経路を持つ配線の総称である。すなわち、端子電極ＴＭ、保護膜ＰＡＳ及び有機保護膜ＦＰＡＳ膜に開口したコンタクトホールＣＮＴ２を経て、図３のドレイン配線ＤＬと同一工程、材料で形成された金属配線（図１ではＤＬと記載）、層間絶縁膜ＩＬＩに開口された第1のコンタクトホールＣＮＴ１を経て、図３のゲート配線ＧＬと同一工程、材料で構成された金属材料（図１ではＧＬと記載）、そして再度、第1のコンタクトホールＣＮＴ１を経てドレイン配線ＤＬへ至る
・・・
【００５０】本実施例では、シール材ＳＥＬによる接着強度を向上させるために以下のような構造を導入した。
ガラス基板ＧＬＳ１上に有機保護膜ＦＰＡＳ及び保護膜ＰＡＳの積層膜に対する開口部ＣＮＴ２を形成する。この開口部の形成方法は図３での第２のコンタクトホールＣＮＴ２と同じである。前記外周部の開口部ＣＮＴ２の幅は少なくとも上下のガラス基板の接着強度を安定に保つ以上の幅とする。本実施例ではシール幅より開口部の幅を広く形成してある。シール材ＳＥＬは層間絶縁膜ＩＬＩと接しており、接着強度が極めて高くなっている。
【００５１】（３）の配線腐食防止に対しては、本実施例では配線腐食防止と（２）の接着強度増加を両立できる以下の構造を導入した。本実施例では、
ドレイン配線ＤＬの外部の端子ＴＭへの引出しを、シール材ＳＥＬより画素領域側で第１のコンタクトホールＣＮＴ１を介して一度ゲート配線ＧＬ層へ繋ぎ、少なくとも、シール材ＳＥＬ領域を通過した後に再度第１のコンタクトホールＣＮＴ１を経由して、ドレイン配線ＤＬと同一工程、材料で形成した金属材料領域を経て、第２のコンタクトホールＣＮＴ２により腐食に強いＩＴＯ等の酸化物透明導電体で形成した端子電極ＴＭに至る。すなわち、このようにドレイン配線ＤＬをゲート配線ＧＬと同一工程、材料で構成した配線へ一旦繋ぎ変えることで少なくともシール材ＳＥＬ領域の下部の金属配線はその上部を層間絶縁膜ＩＬＩで保護されているので腐食に対する耐性が保たれている。
【００５２】また、端子部ＴＭを一度ＤＬと同層の金属材料を経由してゲート配線材料と接続した理由は、例えばＧＬの材料としてＭｏあるいはＭｏＷのようなＦ系ガスのドライエッチングに対する選択比の小さい材料も適用を可能とするための汎用構造を目指したからである。上記のような選択比の小さい材料では、第２のコンタクトホールＣＮＴ２開口時にエッチングガスがＧＬにあたるとＧＬがエッチング除去されるので、該領域でＧＬの消失の危険がある。そこで、ドレイン配線ＤＬと同一材料に繋ぎ変えることでこのような懸念を払拭した。むろん、ドライエッチング耐性の高い材料では、ＴＭとＧＬ層を直接接続しても良い。
なお、ドレイン配線ＤＬの配線材料が厚い場合には、シール外領域でのＴＭと接触するＤＬを十分保護するため、有機保護膜ＦＰＡＳもＴＭ周囲に設けることが望ましい
【００５３】また、端子電極ＴＭが被覆される領域の下部の第１のコンタクトホールＣＮＴ１と第２のコンタクトホールはその開口部が重ならないように平面的に配置されている。これは、コンタクトホールＣＮＴ１とＣＮＴ２が重なることによる段差増大を回避し、ＴＭの段差低減によるＴＣＰとの接続抵抗の低減を図り、また十分な被覆形状の確保により端子電極ＴＭ下部のＤＬと同層の金属材料層の腐食を防止するためである。
【００５４】上記のような、外周部におけるシール材ＳＥＬと端子領域の構造により、シール材の接着強度が高く、端子配線の腐食のない液晶表示装置を提供できる。」
　
（３）「【００７０】（実施例２）図１２は実施例２におけるＴＦＴ液晶表示装置の外周部の断面図、図１３は実施例２におけるＴＦＴ液晶表示装置の画素部の断面図である。
実施例１に対する本実施例の構造上の特徴は、実施例１で形成されていたＳｉＮ膜によるＴＦＴの保護膜ＰＡＳが省略されている点にある
【００７１】ＳｉＮで形成された保護膜ＰＡＳを削除することにより、プラズマＣＶＤ法により膜厚３００ｎｍのＳｉＮ膜である保護膜ＰＡＳを形成工程、ＣＦ４を用いたリアクティブイオンエッチング法により加工した工程が省略できる。このため、ＴＦＴ液晶表示装置の製造工程を簡略化でき、コストの低減と工程短縮による歩留り向上が実現できる。
【００７２】上記構造変更を実現するには、層間絶縁膜ＩＬＩは実施例１のＳｉＯ２に対し、ＳｉＨ４とＮＨ３とＮ２の混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法で形成することが望ましい。これにより、図１３のポリシコンＰＳＩに水素を供給し結晶粒界のダングリングボンドを置換する役目を果していた実施例１の保護膜ＰＡＳの役割を層間絶縁膜が果すことができる。
【００７３】一方、外周部におけるシール材ＳＥＬの接着性は層間絶縁膜ＩＬＩ上に形成されている点で、実施例１と同様に高い状態を実現できる。また、端子部の腐食性は、端子電極ＴＭ下部のドレイン配線ＤＬ同一材料で構成されている金属材料は有機保護膜ＦＰＡＳで被覆されていることにより高いレベルに保たれている。」
　
（４）上記（１）ないし（３）を踏まえて図１２をみると、有機保護膜ＦＰＡＳの表面が平たんであること、有機保護膜ＦＰＡＳがシール材ＳＥＬの領域で除去されてシール幅より幅の広い開口部ＣＮＴ２が形成されること、シール材ＳＥＬの領域の下部には、ゲート配線ＧＬと同一工程、材料で構成された金属材料ＧＬからなる金属配線（以下、単に「金属配線ＧＬ」という。）が画素領域側と端子領域側にまたがって形成され、画素領域側及び端子領域側のそれぞれにおいて、層間絶縁膜ＩＬＩに開口された第１のコンタクトホールＣＮＴ１を介して層間絶縁膜ＩＬＩ上に形成されたドレイン配線ＤＬ又はドレイン配線ＤＬと同一工程、材料で形成された金属配線ＤＬ（以下、単に「金属配線ＤＬ」という。）につながり、金属配線ＤＬは、有機保護膜ＦＰＡＳ膜に開口したコンタクトホールＣＮＴ２を介して端子電極ＴＭにつながること、及び、層間絶縁膜ＩＬＩは金属配線ＧＬとガラス基板ＧＬＳ１を覆っていることがみてとれる。
　なお、図１２は、次のとおりである。
 　 
４　引用発明
（１）上記３（１）によれば、引用刊行物には、次の発明が記載されているものと認められる。
　
「第１の基板と第２の基板に挟まれた液晶層とカラーフィルタ層とを有し、前記第１の基板上には複数のゲート配線と、前記複数のゲート配線と交差しマトリクス状に配置された複数のドレイン配線と、前記ゲート配線と前記ドレイン配線との交点に対応して形成された薄膜トランジスタを有し、前記第１の基板と前記第２の基板がその外周部をシール材により接着され、少なくとも前記第１の基板と前記第２の基板の液晶層側の最表面に配向膜を有する液晶表示装置において、前記第１の基板上において前記薄膜トランジスタと前記第１の基板に形成された配向膜との間に形成された有機膜を有し、該有機膜は前記シール材の領域で除去され、前記シール材は前記第１の基板の無機絶縁膜に対して接着され、かつ前記第２の基板の有機材料に対して接着されているアクティブマトリクス型液晶表示装置。」
　
（２）上記３（２）ないし（４）によれば、上記（１）の発明は、実施例２として、以下の構成を備えるものと認められる。
　
　ア　ゲート配線ＧＬを覆うようにＳｉＯ２からなる層間絶縁膜ＩＬＩが形成され、さらにドレイン配線ＤＬはアクリル系樹脂を主成分とする有機保護膜ＦＰＡＳにより被覆されており、有機保護膜ＦＰＡＳの表面は平たんになっている。
　
　イ　有機保護膜ＦＰＡＳがシール材ＳＥＬの領域で除去されてシール幅より幅の広い開口部ＣＮＴ２が形成されてシール材ＳＥＬが層間絶縁膜ＩＬＩに接着される。
　
　ウ　シール材ＳＥＬの領域の下部には、金属配線ＧＬが画素領域側と端子領域側にまたがって形成され、画素領域側及び端子領域側のそれぞれにおいて、層間絶縁膜ＩＬＩに開口された第１のコンタクトホールＣＮＴ１を介して層間絶縁膜ＩＬＩ上に形成されたドレイン配線ＤＬ又は金属配線ＤＬにつながり、金属配線ＤＬは、有機保護膜ＦＰＡＳ膜に開口したコンタクトホールＣＮＴ２を介して端子電極ＴＭにつながり、層間絶縁膜ＩＬＩは金属配線ＧＬとガラス基板ＧＬＳ１を覆う。
　
（３）上記（２）における「ガラス基板ＧＬＳ１」、「有機保護膜ＦＰＡＳ」及び「ＳｉＯ２からなる層間絶縁膜ＩＬＩ」は、それぞれ、上記（１）の発明における「第１の基板」、「有機膜」及び「無機絶縁膜」に対応するものと認められる。
　
（４）以上によれば、引用刊行物には、次の発明が記載されているものと認められる。
　
「第１の基板と第２の基板に挟まれた液晶層とカラーフィルタ層とを有し、前記第１の基板上には複数のゲート配線と、前記複数のゲート配線と交差しマトリクス状に配置された複数のドレイン配線と、前記ゲート配線と前記ドレイン配線との交点に対応して形成された薄膜トランジスタを有し、前記第１の基板と前記第２の基板がその外周部をシール材により接着され、少なくとも前記第１の基板と前記第２の基板の液晶層側の最表面に配向膜を有する液晶表示装置において、前記第１の基板上において前記薄膜トランジスタと前記第１の基板に形成された配向膜との間に形成された有機膜を有し、該有機膜は前記シール材の領域で除去され、前記シール材は前記第１の基板の無機絶縁膜に対して接着され、かつ前記第２の基板の有機材料に対して接着されているアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、前記第１の基板はガラス基板ＧＬＳ１であり、前記有機膜はアクリル系樹脂を主成分とする有機保護膜ＦＰＡＳであり、前記無機絶縁膜はＳｉＯ２からなる層間絶縁膜ＩＬＩであり、前記ゲート配線ＧＬを覆うように層間絶縁膜ＩＬＩが形成され、前記ドレイン配線ＤＬは前記有機保護膜ＦＰＡＳにより被覆され、該有機保護膜ＦＰＡＳの表面は平たんとなっており、該有機保護膜ＦＰＡＳが前記シール材ＳＥＬの領域で除去されてシール幅より幅の広い開口部ＣＮＴ２が形成されて前記シール材ＳＥＬが前記層間絶縁膜ＩＬＩに接着され、前記シール材ＳＥＬの領域の下部には、画素領域側と端子領域側にまたがって金属配線ＧＬが形成され、画素領域側及び端子領域側のそれぞれにおいて、前記層間絶縁膜ＩＬＩに開口された第１のコンタクトホールＣＮＴ１を介して前記層間絶縁膜ＩＬＩ上に形成された前記ドレイン配線ＤＬ又は金属配線ＤＬにつながり、該金属配線ＤＬは、前記有機保護膜ＦＰＡＳ膜に開口したコンタクトホールＣＮＴ２を介して端子電極ＴＭにつながり、前記層間絶縁膜ＩＬＩは前記金属配線ＧＬと前記ガラス基板ＧＬＳ１を覆う、アクティブマトリクス型液晶表示装置。」（以下「引用発明」という。）
　
５　対比
 　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「ガラス基板ＧＬＳ１」は、本願発明の「基板」に相当し、引用発明の「『画素領域側と端子領域側にまたがって』『形成され』た『金属配線ＧＬ』」は、本願発明の「基板上のディスプレイ領域とボンディング領域にまたがって形成される第三導電部材」に相当する。
 　 
（２）引用発明の「『前記金属配線ＧＬと前記ガラス基板ＧＬＳ１を覆う』『層間絶縁膜ＩＬＩ』」は、本願発明の「前記基板と前記第三導電部材を覆う絶縁層」に相当する。
　
（３）引用発明の「『画素領域側』において、『前記層間絶縁膜ＩＬＩに開口された第１のコンタクトホールＣＮＴ１を介して』『金属配線ＤＬ』につながる『層間絶縁膜ＩＬＩ上に形成された』『ドレイン配線ＤＬ』」は、本願発明の「前記ディスプレイ領域にて前記絶縁層の上に形成され、前記絶縁層に形成された第一のコンタクトホールを介して前記第三導電部材に電気接続された第一導電部材」に相当する。
 　 
（４）引用発明の「『端子領域側』において、『前記層間絶縁膜ＩＬＩに開口された第１のコンタクトホールＣＮＴ１を介して』『金属配線ＤＬ』につながる『層間絶縁膜ＩＬＩ上に形成された金属配線ＤＬ』」は、本願発明の「前記ボンディング領域にて前記絶縁層の上に形成され、前記絶縁層に形成された第二のコンタクトホールを介して前記第三導電部材に電気接続された第二導電部材」に相当する。
 　 
（５）引用発明の「『ドレイン配線ＤＬ』を『被覆』する『有機保護膜ＦＰＡＳ』」は、「シール材ＳＥＬの領域で除去され」るものであるから、「シール材ＳＥＬの領域」を境として画素領域側及び端子領域側のそれぞれに分けられるものと認められる。
　しかるところ、引用発明における、画素領域側の「有機保護膜ＦＰＡＳ」は、「ドレイン配線ＤＬ」とともに「ガラス基板ＧＬＳ１」を覆うものといえ、「有機保護膜ＦＰＡＳの表面は平たんとなって」いるから、画素領域側の「有機保護膜ＦＰＡＳ」は、本願発明の「前記第一導電部材及び前記ディスプレイ領域上の前記第三導電部材を覆う平坦化層」に相当する。
　
（６）本願発明の「前記第二導電部材を覆うように伸びるが、前記平坦化層は覆わず、前記平坦化層からは分離した導電層」に関し、本願明細書（平成２２年６月９日付け手続補正後のもの。以下同じ。）に、「あるいは、図６ｄに示されるように、導電層１２０は、一部の導電部材１０６の上にだけ形成されている。」（【００２８】）と記載されることに照らすと、本願発明の前記導電層は、第二導電部材の一部を覆っているものであってもよいと解される。
　しかるところ、引用発明は、「（端子領域側において、前記層間絶縁膜ＩＬＩ上に形成された）金属配線ＤＬは、前記有機保護膜ＦＰＡＳ膜に開口したコンタクトホールＣＮＴ２を介して端子電極ＴＭにつなが」るというものであって、「コンタクトホールＣＮＴ２」の位置において「端子電極ＴＭ」は「金属配線ＤＬ」を覆っている。
　そして、引用発明は、「有機保護膜ＦＰＡＳ」が「前記シール材ＳＥＬの領域で除去されて」「形成され」た「シール幅より幅の広い開口部ＣＮＴ２」において「前記シール材ＳＥＬが前記層間絶縁膜ＩＬＩに接着され」るものであって、該「端子電極ＴＭ」と画素領域側の「有機保護膜ＦＰＡＳ」との間には、「シール材ＳＥＬ」が存在するから、該「端子電極ＴＭ」は、画素領域側の前記「有機保護膜ＦＰＡＳ」からは分離されているといえる。
　よって、引用発明の「端子電極ＴＭ」は、本願発明の「前記第二導電部材を覆うように伸びるが、前記平坦化層は覆わず、前記平坦化層からは分離した導電層」に相当する。
　
（７）引用発明の「アクティブマトリクス型液晶表示装置」は、本願発明の「ディスプレイ装置」に相当し、引用発明の「該有機保護膜ＦＰＡＳが前記シール材ＳＥＬの領域で除去されてシール幅より幅の広い開口部ＣＮＴ２が形成されて前記シール材ＳＥＬが前記層間絶縁膜ＩＬＩに接着され、前記シール材ＳＥＬの領域の下部には、画素領域側と端子領域側にまたがって金属配線ＧＬが形成され、画素領域側及び端子領域側のそれぞれにおいて、前記層間絶縁膜ＩＬＩに開口された第１のコンタクトホールＣＮＴ１を介して前記層間絶縁膜ＩＬＩ上に形成された前記ドレイン配線ＤＬ又は金属配線ＤＬにつながり、該金属配線ＤＬは、前記有機保護膜ＦＰＡＳ膜に開口したコンタクトホールＣＮＴ２を介して端子電極ＴＭにつなが」るとの構成は、「導線端子構造」といえるものであるから、引用発明は、本願発明の「ディスプレイ装置の導線端子構造」との構成を備える。
 　 
（８）以上によれば、引用発明は本願発明の構成をすべて備えるものであって、相違するところはないものと認められる。
　
（９）請求人は、平成２２年６月９日付け意見書（以下、単に「意見書」という。）において、本願発明では、平坦化層が第一導電部材及びディスプレイ領域上の第三導電部材「のみ」を覆うとは限定されておらず、引用発明の有機保護膜ＦＰＡＳがシール部材のところで途切れることで、その外側の部分が平坦化層でなくなるということはなく、端子電極ＴＭが本願発明の平坦化層に相当する有機保護膜ＦＰＡＳを覆っているから、本願発明の「前記平坦化層は覆わず、前記平坦化層からは分離した導電層」を開示しない旨、及び、引用発明では、端子電極ＴＭが有機保護膜ＦＰＡＳに乗り上げていることにより、本願明細書で挙げた先行技術と同様にして、本願発明が解決しようとする課題が発生し得る旨主張する。
　しかし、本願発明では、平坦化層が第一導電部材及びディスプレイ領域上の第三導電部材「のみ」を覆うとは限定されないとしても、本願明細書及び図面において第二導電部材を平坦化層が覆うことは記載されていないのであるから、本願発明の「平坦化層」について、第二導電部材を覆うものであってもよいと解することはできない。
　そうであれば、引用発明の端子領域側の有機保護膜ＦＰＡＳについて、本願発明の「平坦化層」に相当するものということはできない。
　また、引用発明においては、端子領域側の有機保護膜ＦＰＡＳには、コンタクトホールＣＮＴ２が形成されて端子電極ＴＭが金属配線ＤＬとつながるようにされているのであって、本願明細書で挙げた先行技術のように、パターニングの際に、隣接する端子電極ＴＭ同士を短絡させるような不要な導電残部が残るようなエッジないし段差を形成する構成ではなく、本願発明が解決しようとする課題が発生し得ると解すべき根拠は認められない。
　よって、請求人の上記各主張は採用できない。
　
６　小括
　以上の検討によれば、本願発明は、引用刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
７　付言
　本願発明は、前記２のとおりであって、第二導電部材を平坦化層が覆うか覆わないかについて特定されるものではないが、平坦化層について、「前記第一導電部材及び前記ディスプレイ領域上の前記第三導電部材を覆う」ものとされること、本願明細書及び図面において第二導電部材を平坦化層が覆うことは記載されていないことに照らすと、本願発明においては、第二導電部材を平坦化層が覆わないものと解する余地もあるので、かかる見地から、念のため、以下に検討して付言する。
　
（１）前記５（５）のとおり、引用発明の「『ドレイン配線ＤＬ』を『被覆』する『有機保護膜ＦＰＡＳ』」は、「シール材ＳＥＬの領域で除去」され、「シール材ＳＥＬの領域」を境として画素領域側及び端子領域側のそれぞれに分けられるものであって、前記５（６）のとおり、引用発明は、「（端子領域側において、前記層間絶縁膜ＩＬＩ上に形成された）金属配線ＤＬは、前記有機保護膜ＦＰＡＳ膜に開口したコンタクトホールＣＮＴ２を介して端子電極ＴＭにつなが」るというものであるから、引用発明の「（端子領域側において、前記層間絶縁膜ＩＬＩ上に形成された）金属配線ＤＬ」は、「コンタクトホールＣＮＴ２」が「開口した」部分を除いて前記「有機保護膜ＦＰＡＳ膜」に覆われているものといえる。
　
（２）そうすると、前記５での検討に照らして、本願発明と引用発明とは、
「本願発明は、第二導電部材を平坦化層が覆わないものであるのに対して、引用発明は、コンタクトホールＣＮＴ２が開口した部分を除いて金属配線ＤＬ（第二導電部材）を有機保護膜ＦＰＡＳ（平坦化層）が覆うものである点」（以下「相違点」という。）
で相違し、その余の点において一致するものと認められる。
　
（３）しかるところ、引用刊行物には、「なお、ドレイン配線ＤＬの配線材料が厚い場合には、シール外領域でのＴＭと接触するＤＬを十分保護するため、有機保護膜ＦＰＡＳもＴＭ周囲に設けることが望ましい。」（【００５２】、前記３（２）を参照。）、「また、端子部の腐食性は、端子電極ＴＭ下部のドレイン配線ＤＬ同一材料で構成されている金属材料は有機保護膜ＦＰＡＳで被覆されていることにより高いレベルに保たれている。」（【００７３】、前記３（３）を参照。）との記載がある。
　上記記載は、端子電極ＴＭ下部の金属配線ＤＬを高いレベルで保護するためには、金属配線ＤＬが有機保護膜ＦＰＡＳで被覆されるのが望ましいことをいうものであるが、このことは、金属配線ＤＬが有機保護膜ＦＰＡＳで被覆されることが必ずしも必要欠くべからざるものではないことを示唆するものといえる。
　してみると、引用発明において、金属配線ＤＬが有機保護膜ＦＰＡＳで覆われないようにし、これにより相違点に係る本願発明の構成とすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得る程度のことである。
　
（４）請求人は、意見書において、引用刊行物の「なお、ドレイン配線ＤＬの配線材料が厚い場合には、シール外領域でのＴＭと接触するＤＬを十分保護するため、有機保護膜ＦＰＡＳもＴＭ周辺に設けることが望ましい」との記載事項は、有機保護膜ＦＰＡＳ（の全体）を設けるか設けないかを論じているものである旨主張する。
　しかし、引用刊行物の【００５２】及び【００７３】の記載事項が、シール外領域における有機保護膜ＦＰＡＳの必要性を論じていることは、これらの記載自体から明らかであり、有機保護膜ＦＰＡＳ（の全体）を設けるか設けないかを論じている旨の請求人の上記主張には根拠がないから、採用できない。
　
（５）以上の検討によれば、本願発明を上記のとおり解したとしても、本願発明は、引用発明及び引用刊行物の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものというべきであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
８　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。