【手続補正書】
【提出日】平成23年2月28日(2011.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ壁を含むプラズマ処理チャンバを選択的にプレコーティングする装置であって、
第１のプレコートプラズマをぶつけるように構成され、第１のプラズマチャンバゾーンを画成するＲＦ電極から成る第１のセットと、
前記ＲＦ電極から成る第１のセットの周囲に配置された閉じ込めリングから成る第１のセットと、
閉じ込めリングから成る前記第１のセットと、チャンバ壁との間に配置された閉じ込めリングから成る第２のセットと、
第１のプレコートガスが供給され、ＲＦ電極から成る前記第１のセットに電圧が印加されたときに、前記第１のプラズマゾーンに第１のプレコート層を施すように構成されたガス供給システムと、
を備える装置。
【請求項２】
閉じ込めリングから成る前記第１のセットと、閉じ込めリングから成る前記第２のセットとの間に配置されたＲＦ電極から成る第２のセットであって、第２のプレコートプラズマをぶつけるように構成され、第２のプラズマチャンバゾーンを画成するＲＦ電極から成る前記第２のセットとをさらに備え、
前記ガス供給システムがさらに、第２のプレコートガスが供給され、ＲＦ電極から成る前記第２のセットに電圧が印加されたときに、前記第２のプラズマゾーンに第２のプレコート層を施すように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
ＲＦ電極から成る前記第１のセットは、容量結合されたＲＦ電極から成るセット及び誘導結合されたＲＦ電極から成るセットのうちの一方である、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
容量結合されたＲＦ電極から成る前記セットは、作動電極及び接地電極を含む、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記接地電極は、シリコンを含む材料で形成される、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
誘導結合されたＲＦ電極から成る前記セットは、石英バリアから成るセットによって前記第２のプレコートガスから保護される、請求項３に記載の装置。
【請求項７】
誘導結合されたＲＦ電極から成る前記セットが、誘導コイル及び接地電極を含む、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
ＲＦ電極から成る前記第２のセットは、容量結合されたＲＦ電極から成るセット及び誘導結合されたＲＦ電極から成るセットのうちの一方である、請求項２に記載の装置。
【請求項９】
容量結合されたＲＦ電極から成る前記セットは、作動電極及び接地電極を含む、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記接地電極は、シリコンを含む材料で形成される、請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
誘導結合されたＲＦ電極から成る前記セットは、石英バリアから成るセットによって、前記第２のプレコートガスから保護される、請求項８に記載の装置。
【請求項１２】
誘導結合されたＲＦ電極から成る前記セットが、誘導コイル及び接地電極を含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
閉じ込めリングから成る前記第１のセット及び閉じ込めリングから成る前記第２のセットのうち少なくとも一方は、移動可能に構成される、請求項２に記載の装置。
【請求項１４】
閉じ込めリングから成る前記第１のセット及び閉じ込めリングから成る前記第２のセットのうちの少なくとも一方は、石英を含む、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記第１のプレコートガスは、シリコン、アモルファスシリコン、窒化シリコン、炭化ケイ素及びＳｉＯ2のうちの１つを形成する、請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
前記第２のプレコートガスは、フッ素化炭化水素ガス、Ｃ4Ｆ6、Ｃ4Ｆ8、ＣＨ3Ｆ、ＳｉＨ4及びＯ2のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１７】
チャンバ壁を含むプラズマ処理チャンバを選択的にプレコーティングする装置であって、
第１のプレコートプラズマをぶつけるように構成され、第１のプラズマチャンバゾーンを画成するＲＦ電極から成る第１のセットと、
第２のプレコートプラズマをぶつけるように構成され、第２のプラズマチャンバゾーンを画成するＲＦ電極から成る第２のセットと、
ＲＦ電極から成る前記第１のセットと、ＲＦ電極から成る前記第２のセットとの間に配置された閉じ込めリングから成る第１のセットと、
ＲＦ電極から成る前記第２のセットと、前記チャンバ壁との間に配置された閉じ込めリングから成る第２のセットと、
第１のプレコートガスが供給され、ＲＦ電極から成る前記第１のセットに電圧が印加されたときに、前記第１のプラズマゾーンをプレコートするように構成されたガス供給システムであって、第２のプレコートガスが供給され、ＲＦ電極から成る前記第２のセットに電圧が印加されたときに、前記第２のプラズマゾーンをプレコートするようにさらに構成されたガス供給システムと、
を備える装置。
【請求項１８】
チャンバ壁を含むプラズマ処理チャンバを選択的にプレコーティングする方法であって、
第１のプラズマチャンバゾーンを画成するＲＦ電極から成る第１のセットを、第１のプレコートプラズマをぶつけるように構成することと、
第２のプラズマチャンバゾーンを画成するＲＦ電極から成る第２のセットを、第２のプレコートプラズマをぶつけるように構成することと、
ＲＦ電極から成る前記第１のセットと、ＲＦ電極から成る前記第２のセットとの間に、閉じ込めリングから成る第１のセットを構成することと、
ＲＦ電極から成る前記第２のセットと、前記チャンバ壁との間に、閉じ込めリングから成る第２のセットを構成することと、
第１のプレコートガスが供給され、ＲＦ電極から成る前記第１のセットに電圧が印加されたときに、前記第１のプラズマゾーンをプレコートするようにガス供給システムを構成することと、
第２のプレコートガスが供給され、ＲＦ電極から成る前記第２のセットに電圧が印加されたときに、前記第２のプラズマゾーンをプレコートするようにガス供給システムを構成することと、
を備える方法。
【請求項１９】
ＲＦ電極から成る前記第１のセットは、容量結合されたＲＦ電極から成るセット及び誘導結合されたＲＦ電極から成るセットのうちの一方である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
容量結合されたＲＦ電極から成る前記セットは、作動電極及び接地電極を含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記接地電極は、シリコンを含む材料で形成される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
誘導結合されたＲＦ電極から成る前記セットは、石英バリアから成るセットによって、前記第２のプレコートガスから保護される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
誘導結合されたＲＦ電極から成る前記セットは、誘導コイル及び接地電極を含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
ＲＦ電極から成る前記第２のセットは、容量結合されたＲＦ電極から成るセット及び誘導結合されたＲＦ電極から成るセットのうちの一方である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２５】
容量結合されたＲＦ電極から成る前記セットは、作動電極及び接地電極を含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記接地電極は、シリコンを含む材料で形成される、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
誘導結合されたＲＦ電極から成る前記セットは、石英バリアから成るセットによって、前記第２のプレコートガスから保護される、請求項２４に記載の方法。
【請求項２８】
誘導結合されたＲＦ電極から成る前記セットは、誘導コイル及び接地電極を含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記第１のプレコートガスは、シリコン、アモルファスシリコン、窒化シリコン、炭化ケイ素及びＳｉＯ2のうちの１つを形成する、請求項１８に記載の方法。
【請求項３０】
前記第２のプレコートガスは、フッ素化炭化水素ガス、Ｃ4Ｆ6、Ｃ4Ｆ8、ＣＨ3Ｆ、ＳｉＨ4及びＯ2のうちの少なくとも１つを含む、請求項１８に記載の方法。