【事件の表示】
　特願２００４−　７２５９２「ディスク原盤製造方法、製造装置およびディスク原盤」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　９月２２日出願公開、特開２００５−２５８２８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１６年（２００４年）年３月１５日に出願された特願２００４−７２５９２号であって、平成２１年４月１０日付けで拒絶理由が通知され、同年６月１日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正がなされ、同年７月３１日付けで拒絶理由（最後）が通知され、同年９月３０日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正がなされ、同年１１月１６日付けで平成２１年９月３０日付けの手続補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２２年２月２２日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同日付けで手続補正がなされたものである。
　その後、平成２２年１２月１６日付けで当審から審尋をし、平成２３年２月９日付けで回答書が提出された。
　
第２　平成２２年２月２２日付けの手続補正についての補正の却下の決定について
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２２年２月２２日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正について
　平成２１年９月３０日付けの手続補正は原審において既に却下されているので、平成２１年６月２１日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１２に係る発明が、本件補正により、特許請求の範囲の請求項１ないし１１に係る発明に補正されたところ、その請求項６に係る発明については、平成２１年６月２１日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項７に記載の、
　
「【請求項７】
　単結晶シリコンからなる原盤と、
　上記原盤の一面に形成されたアモルファスシリコン層と、
　上記原盤の一面にアモルファスシリコン層を介して形成された無機レジスト層と
を備え、
　上記無機レジスト層に、少なくともミラー部と１または複数の階調を有するピットあるいはグルーブに対応する凹凸パターンとによって視認情報が形成された
ディスク原盤。」が　
　
「【請求項６】
　単結晶シリコンからなる原盤と、
　上記原盤の一面に形成されたアモルファスシリコン層と、
　上記原盤の一面に形成されたアモルファスシリコン層を介して形成された無機レジスト層とを備え、
　上記無機レジスト層に、少なくともミラー部と１または複数の階調を有するピットあるいはグルーブに対応する凹凸パターンとによって文字および／または数字の形状の視認情報が形成された
ディスク原盤。」と補正されたものである。
　
　そして、この補正は、視認情報に関して、「文字および／または数字の形状の」視認情報であることを特定して限定する補正事項からなり、特許請求の範囲のいわゆる限定的減縮を目的とする補正であるといえる。
　すなわち、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下、「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものを含む。
　
２　独立特許要件違反についての検討
　そこで、次に、本件補正後の特許請求の範囲の請求項６に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に違反しないか）について検討する。
　
（１）本願補正発明
　本願補正発明は、平成２２年２月２２日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項６に記載されている事項により特定されるものである。（上記「第２　平成２２年２月２２日付けの手続補正についての補正の却下の決定について」の「１　本件補正について」の記載参照。）
　
（２）引用例
ア　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００３−３１５９８８号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の事項が記載されている。（なお、下記「イ　引用例１に記載された発明の認定」において直接引用した記載に下線を付した。）
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、無機材料からなるレジスト材料及びこのレジスト材料を用いた微細加工方法に関し、特に紫外から可視光領域を露光源とする精度の高い微細加工が可能なレジスト材料及び微細加工方法に関する。」
　
「【００３０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用したレジスト材料及び微細加工方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００３１】本発明の
レジスト材料は、遷移金属の不完全酸化物である。
【００３２】例えば、遷移金属の酸化物として化学式ＭｏＯ３を例に挙げて説明する。化学式ＭｏＯ３の酸化状態を組成割合Ｍｏ１−ｘＯｘに換算すると、ｘ＝０．７５の場合が完全酸化物であるのに対して、０＜ｘ＜０．７５で表される場合に化学量論組成より酸素含有量が不足した不完全酸化物であるといえる。
【００３３】また、遷移金属では１つの元素が価数の異なる酸化物を形成可能なものがあるが、この場合には、遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成より実際の酸素含有量が不足している場合を本発明の範囲内とする。例えばＭｏは、先に述べた３価の酸化物（ＭｏＯ３）が最も安定であるが、その他に１価の酸化物（ＭｏＯ）も存在する。この場合には組成割合Ｍｏ１−ｘＯｘに換算すると、０＜ｘ＜０．５の範囲内であるとき化学量論組成より酸素含有量が不足した不完全酸化物であるといえる。なお、遷移金属酸化物の価数は、市販の分析装置で分析可能である。
【００３４】このような遷移金属の不完全酸化物は、紫外線又は可視光に対して吸収を示し、紫外線又は可視光を照射されることでその化学的性質が変化する。この結果、詳細は後に述べるが、
無機レジスト
【００３５】ところで、遷移金属の不完全酸化物は、酸化の度合いによってそのレジスト材料としての特性が変化するので、適宜最適な酸化の度合いを選択する。例えば、遷移金属の完全酸化物の化学量論組成より大幅に酸素含有量が少ない不完全酸化物では、露光工程で大きな照射パワーを要したり、現像処理に長時間を有したりする等の不都合を伴う。このため、遷移金属の完全酸化物の化学量論組成より僅かに酸素含有量が少ない不完全酸化物であることが好ましい。
【００３６】レジスト材料を構成する具体的な遷移金属としては、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ａｇ等が挙げられる。この中でも、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｂを用いることが好ましく、紫外線又は可視光により大きな化学的変化を得られるといった見地から特にＭｏ、Ｗを用いることが好ましい。」
　
「【００４７】［レジスト層露光工程］次に、レジスト層の成膜が終了した基板（以下、レジスト基板１と称する）を、図１に示される露光装置のターンテーブル１１にレジスト成膜面が上側に配置されるようにセットする。
【００４８】この露光装置は、レジスト層が露光される例えばレーザ光を発生するビーム発生源１２が設けられ、これよりのレーザ光が、コリメータレンズ１３、ビームスプリッタ１４及び対物レンズ１５を通じてレジスト基板１のレジスト層にフォーカシングされて照射する構成を有する。また、この露光装置は、レジスト基板１からの反射光をビームスプリッタ１４及び集光レンズ１６を介して分割フォトディテクタ１７上で結ぶ構成を有する。分割フォトディテクタ１７は、レジスト基板１からの反射光を検出し、この検出結果から得られるフォーカス誤差信号１８を生成し、フォーカスアクチュエータ１９に送る。フォーカスアクチュエータ１９は、対物レンズ１５の高さ方向の位置制御を行うものである。ターンテーブル１１には送り機構（図示は省略する。）が設けられており、レジスト基板１の露光位置を精度良く変えることができる。また、この露光装置においては、データ信号２０、反射光量信号２１、及びトラッキング誤差信号２２とに基づいて、レーザ駆動回路２３がビーム発生源１２を制御しながら露光又はフォーカシングを行う。さらに、ターンテーブル１１の中心軸にはスピンドルモータ制御系２４が設けられ、光学系の半径位置と所望の線速度とに基づいて、最適なスピンドル回転数を設定しスピンドルモータの制御を行う。」
　
「【００６３】また、露光感度の調整は、レジスト材料の組成を変化させる他に、基板材料を選択することや、基板に露光前処理を施すことによっても可能である。実際に、石英、シリコン、ガラス、及びプラスチック（ポリカーボネート）を基板として用いた場合の、基板種類の違いによる露光感度の違いを調べたところ、基板の種類により露光感度が異なり、具体的にはシリコン、石英、ガラス、プラスチックの順に感度が高いことが確認された。この順序は、熱伝導率の順に対応しており、熱伝導率が小さい基板ほど露光感度が良好となる結果であった。これは、熱伝導率が小さい基板ほど、露光時の温度上昇が著しいため、温度上昇に伴ってレジスト材料の化学的性質が大きく変化するためと考えられる
【００６４】露光前処理としては、基板とレジスト材料との間に中間層を形成する処理、熱処理、紫外線照射する処理などがある。とくに、
単結晶シリコンからなるシリコンウエハのように熱伝導率が大きい基板を用いる
中間層を構成する熱伝導率の低いものとして、アモルファスシリコン、
などが適している。
　
「【００７８】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例について、実験結果に基づいて説明す
る。
【００７９】＜実施例１＞実施例１では、レジスト材料としてＷの３価の不完全酸化物を用い、
光ディスク用レジスト原盤
　
イ　引用例１に記載された発明の認定
　上記記載から、引用例１には、
「単結晶シリコンからなる基板と、
基板とレジスト材料との間に形成されたアモスファスシリコンからなる中間層と、
遷移金属の不完全酸化物からなるレジスト材料（無機レジスト）と、
を備える光ディスク用レジスト原盤。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
ウ　平成２１年１１月１６日付けの補正の却下の決定において引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−１９７６５５号公報（以下、「周知例」という。）には、以下の事項が記載されている。（なお、下記「（４）当審の判断」において特に参照すべき記載に下線を付した。）
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＤ（コンパクトディスク）、ＤＶＤ（デジタルヴァーアサタイルディスク）等の、音楽、映像等の情報のデータの他に、
文字、記号（バーコードも含む）又は図形（画像を含む）が視認可能に表示されてなるディスク状記録媒体
　
「【００２４】次に、図２を参照して、対物レンズ９からの集束レーザ光によるガラス原盤５上のフォトレジスト層への信号の記録、即ち、ピット（光学的記録痕跡）の形成について説明する。図２Ａは、変調回路１２からのＥＦＭ信号の波形を示す。図２Ｂは、このＥＦＭ信号が、信号選択回路１０を通じて、光変調器７に供給された場合の、ガラス原盤５上のフォトレジスト層に記録されたピット（光学的記録痕跡）の形状を示す。この図２Ｂのピットの形状は、ＥＦＭ信号の“１”のパルスの時間幅に対応した長さを有し、幅の一定なピットである。
【００２５】図２Ｃは、疑似ＥＦＭ信号発生回路１３からのガラス原盤５の所定角度毎の疑似ＥＦＭ信号の波形を示す。ガラス原盤５上のフォトレジスト層上への集束レーザ光による２倍速記録の場合は、ガラス基盤５の１回転に付き、スピンドルモータ３からＡ個のスピンドルパルスが得られ、即ち、ガラス原盤５の所定角度、即ち、３６０°／Ａ毎に１個のスピンドルパルスが得られる。周波数逓倍器１７の逓倍比がｎの場合は、周波数逓倍器１７から、ガラス基盤５の１回転に付き、ｎＡ個のパルスが得られる。従って、図２Ｃの疑似ＥＦＭ信号の区間の時間は、ガラス原盤５の１回転に要する時間の１／ｎＡとなる。
【００２６】図２Ｄは、画像データ記憶装置１４から読出された４ビットの画像データ信号を１０進数で表したレベル０、１、２、３、…………、１４、１５を示し、ガラス原盤５の１回転に要する時間の１／ｎＡの時間毎、即ち、所定角度３６０°／ｎＡ毎に発生する。
【００２７】図２Ｅに、デジタル減衰器１６の出力信号を示す。このデジタル減衰器１６の出力信号は、ガラス原盤５の所定角度３６０°／Ａ毎の疑似ＥＦＭ信号のレベルが画像データ信号の０、１、２、３、……………………、１４、１５に応じたレベルとされる。
【００２８】図２Ｆは、光変調器７に、デジタル減衰器１６の出力信号が、信号選択回路１０を通じて供給される場合の、
ガラス原盤５上のフォトレジスト層に記録された所定角度３６０°／ｎＡ毎のピットの形状を示す。この図２Ｆのピットの形状は、画像データ信号が“１”のときの、疑似ＥＦＭ信号の“１”のパルスの時間幅に対応した長さ及び画像データ信号の値０、１、２、３、…………１４、１５に応じた幅を有するピットである。このピットによって、文字、記号（バーコードも含む）又は図形（画像を含む）が、ガラス原盤５上のフォトレジスト層に形成される。
【００２９】ガラス原盤５上のフォトレジスト層上に記録される文字、記号（バーコードも含む）又は図形（画像を含む）のデータは、情報データの記録される面と同じ面に記録される場合は、情報データの記録領域以外の領域（外周側、内周側又は中間領域）に記録されるが、情報データを記録しない面上に文字、記号（バーコードも含む）又は図形（画像を含む）のデータを記録する場合は、その記録領域の制限がない。尚、後者の場合を、製造されたディスク状記録媒体で説明すれば、このディスク状記録媒体として、表面の記録層の他に、その記録層より下層に他の記録層（下層の記録層）を設け、表面の記録層に文字、記号（バーコードも含む）又は図形（画像を含む）が、視認できるように形成される共に、下層の記録層に情報データのピット（光学的記録痕跡）が形成される。
【００３０】図３を参照して、図１及び図２について説明したカッティングマシーンによって得られた原盤によって製造された、本発明の実施の形態の光ディスク（ディスク状記録媒体）の一例を説明する。図３Ａに、、最終的にえられたディスク状記録媒体の記録面の情報データの記録領域以外の領域（外周側、内周側又は中間領域が可能であるが、この例では外周側である）に記録されている文字、記号（バーコードも含む）又は図形（画像を含む）を構成する画素の番号を示す。尚、図３Ａでは、文字、記号（バーコードも含む）又は図形（画像を含む）の記録領域のガラス原盤の半径方向の幅を拡大して示しているが、実際の文字等の記録領域の半径方向の幅は、情報データの記録領域の半径方向の幅に比べて遙に狭くなる。この画素は、円に近い螺旋状のトラックに沿って形成される。この場合は、１トラック毎に１００個の画素、５トラックで計５００個の画素が記録されるが、これは説明を容易にするために模式的に図示したものであって、例えば、コンパクトディスクの場合、画素の記録されるトラック数及びトラック毎の画素の数は、図３の図示の例より遙に大きな値となる。図３Ｂに、画像データ記憶装置１４に記憶される画素データの番号を示し、図３Ａの画素の番号と１対１に対応している。
【００３１】図３Ｃについて、製品としてのディスク（ディスク状記録媒体）を説明する。ＤＳはディスクを示し、ＣＨはディスクＤＳに表示された文字を示す。図３Ｃは、例えば、ディスクＤＳの表面にレーベル（図示を省略）が貼付又は印刷され、裏面に情報データが記録され、その裏面の情報データの記録領域以外の外周側の領域に、「Ｓ」の鏡文字ＣＨが記録され、ディスクＤＳの表面側でその正しい「Ｓ」の文字ＣＨが視認できる様子を図示している。
【００３２】ガラス原盤５上のフォトレジスト層上に、集束レーザ光によって記録される記録トラック上の画素データは、所定角度３６０°／ｎＡ毎に１個であるが、各記録トラックの１／ｎＡの長さは、その記録トラックの半径に比例するので、図３Ａの画素のトラックに沿った長さは、内周トラックから外周トラックに行くに従って、長くなる。
【００３３】そこで、表示すべき文字、記号又は図形の記録トラック上の画素の配列パターンが、記録トラックの半径に略反比例した画素の配列パターンに変換され、その変換された配列パターンの画素データからなる画像データが作られて、画像データ記憶装置１４に記憶される。勿論、かかる画像データを画像データ記憶装置１４内で作ることもできる。
【００３４】
最終的に得られるディスク状記録媒体には、各光学的記録痕跡（ピット）の幅が共に０を含む３段階以上（この具体例では１６段階）の幅のうちの任意の幅に設定された、ランダムパターンの複数個の光学的記録痕跡の所定角度３６０°／ｎＡ毎の群れからなる画素の、複数本の記録トラック上に亘る集合によって、視認可能な高解像度及び多段階（この例では１６段階）の階調度を有する文字、記号又は図形が表示される。
【００３５】上述のように、画像データ記憶装置１４から読み出される画像データのレベルは、例えば、１６段階となるので、ガラス原盤５上のフォトレジスト層には、写真に近いような画像をも記録することができる。又、画像データ記憶装置１４から画像データを読み出す読出しアドレスを、スピンドルモータ３からのスピンドルパルスを、周波数逓倍器１７によってｎ逓倍して得たクロックに基づいて生成するので、ディスク状記録媒体上に記録トラックに沿って形成する画素のトラック方向の長さを短くできるので、ディスク状記録媒体に高解像度の文字、記号（バーコードも含む）又は図形（画像を含む）を記録することができる。」
　
「【図２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
「【図３】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
（３）本願補正発明と引用発明との対比
ア　対比・一致点
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「単結晶シリコンからなる基板」、「基板とレジスト材料との間に形成されたアモスファスシリコンからなる中間層」、「遷移金属の不完全酸化物からなるレジスト材料（無機レジスト）」及び「光ディスク用レジスト原盤」が、それぞれ、本願補正発明の「単結晶シリコンからなる原盤」、「上記原盤の一面に形成されたアモルファスシリコン層」、「上記原盤の一面に形成されたアモルファスシリコン層を介して形成された無機レジスト層」及び「ディスク原盤」に相当するから、両者は、
「単結晶シリコンからなる原盤と、
　上記原盤の一面に形成されたアモルファスシリコン層と、
　上記原盤の一面に形成されたアモルファスシリコン層を介して形成された無機レジスト層とを備えたディスク原盤。」
の発明である点で一致し、次の点で相違する。
　
イ　相違点
　本願補正発明が、「無機レジスト層に、少なくともミラー部と１または複数の階調を有するピットあるいはグルーブに対応する凹凸パターンとによって文字および／または数字の形状の視認情報が形成され」ているのに対して、引用発明はそのような限定がなされていない点。
　
（４）当審の判断
ア　上記相違点について検討する。
　周知例には、幅が０を含む３段階以上（具体例では１６段階）の任意の幅に設定された、ランダムパターンの複数個のピットからなる画素の、複数本の記録トラック上に亘る集合によって、視認可能な高解像度及び多段階（この例では１６段階）の階調度を有する文字、記号又は図形が、ディスク原盤上のフォトレジスト層に記録されたものが記載されている（周知例の【００２８】【００３４】【図２】【図３】参照）。
　上記周知例において、ピットの幅が０の箇所（すなわち、ピットが形成されていないところ）がミラー部であるといえることを踏まえると、ディスク原盤において、「レジスト層に、少なくともミラー部と１または複数の階調を有するピット（あるいはグルーブに対応する凹凸パターン）とによって文字および／または数字の形状の視認情報が形成され」ることは、周知例にも記載されている周知の技術であるといえる。
　文字等からなる視認情報を表示することは各種の光学ディスクにおける自明の課題であるといえるから、引用発明においても、当該課題解決の手法として、上記周知技術を適用し、上記相違点に係る本願補正発明の発明特定事項を得ることは当業者が容易に想到し得たことである。
　
イ　本願補正発明の奏する作用効果
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
ウ　まとめ
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
３　むすび
　したがって、本願補正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるということができないから、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
 第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２２年２月２２日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項７に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２１年６月１日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。（上記「第２　平成２２年２月２２日付けの手続補正についての補正の却下の決定について」の「１　本件補正について」の記載参照。）
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例の記載事項及び引用発明については、上記「第２　平成２２年２月２２日付けの手続補正についての補正の却下の決定について」の「２　独立特許要件違反についての検討」の「（２）引用例」に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　上記「第２　平成２１年９月２９日付けの手続補正についての補正の却下の決定について」の「１　本件補正について」に記載したように、本願発明に対して、視認情報が「文字および／または数字の形状の」視認情報であることを特定して限定したものが本願補正発明である。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、本願発明をさらに限定しものに相当する本願補正発明が、上記「第２　平成２２年２月２２日付けの手続補正についての補正の却下の決定について」の「２　独立特許要件違反についての検討」の「（３）本願補正発明と引用発明との対比」及び「（４）当審の判断」において記載したとおり、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様に、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明（本願の請求項７に係る発明）は、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。