【事件の表示】
　特願２００４−２６５４７１「電極構造体およびそれを具備する半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　５月１９日出願公開、特開２００５−１２９９０７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１６年９月１３日（パリ条約による優先権主張２００３年１０月２７日、大韓民国）の出願であって、平成２１年４月１０日付けで拒絶理由が通知され、同年９月１４日に手続補正がなされたが、同年１１月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２２年３月３１日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同時に手続補正がなされたものである。（以下、平成２２年３月３１日にされた手続補正を「本件補正」という。）
　
II．本件補正についての補正却下の決定
［Ｉ］補正却下の決定の結論
　本件補正を却下する。
　
［II］理由
１．本件補正の内容
　本件補正は、本願特許請求の範囲の請求項５を、
「【請求項５】
　活性層および前記活性層の一面に形成された正孔注入層を具備する半導体発光素子に使われる電極構造体において、
　前記活性層と対向するように前記正孔注入層の一面にメッシュ型に形成され、パラジウムよりなるコンタクトメタル構造体と、
　前記コンタクトメタル構造体上に形成され、銀よりなる反射層と、を含み、
　前記コンタクトメタル構造体の面積が前記反射層の面積に対比して４４％乃至１２５％の割合になることを特徴とする電極構造体。」
と補正することを含むものであって、本件補正前の請求項８の発明特定事項を限定するものであり、平成１８年法律第５５号による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであると認められるので、本件補正後の請求項５に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について独立特許要件の検討を行う。
　
２．独立特許要件の検討１
（１）先願１
　平成２１年４月１０日付けの拒絶理由に引用された、本願の優先日前の出願であって、本願の優先日後に出願公開された特願２００２−２２５２６８号（特開２００４−７１６５５号公報参照、以下「先願１」という。）の願書に最初に添付された明細書又は図面（以下「先願明細書１」という。）には、次の記載がある。
　
ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　ｎ型窒化物半導体とｐ型窒化物半導体を少なくとも有し、前記ｐ型窒化物半導体の所定の一部にｐ電極を備える発光素子において、
　前記ｐ電極は、前記ｐ型窒化物半導体に対して第２の部材よりも接触抵抗が低い第１の部材と、前記発光素子の光に対して第１の部材よりも反射率の高い第２の部材から少なくとも構成され、
　前記第１の部材と前記第２の部材から選択される一方の部材は、前記ｐ型窒化物半導体が露出した開口部を有し、
　前記第１の部材と前記第２の部材から選択される他の部材は、少なくとも前記開口部内に充填されていることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
　前記ｐ型窒化物半導体が露出した開口部を有する部材は、複数の開口部を有するメッシュ形状であり、少なくとも前記メッシュ形状の開口部内に他の部材が充填されていることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
　前記第１の部材は、Ｎｉ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄから選択された少なくとも１つの元素を含む構成であることを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
　前記第２の部材はＡｇを主とすることを特徴とする請求項１〜３いずれかに記載の発光素子。」
　
イ　「【００１６】
　図２に示すように、本実施の形態の発光素子は、例えば、サファイア基板１１上にＧａＮバッファ層１２、ノンドープＧａＮ層１３、ｎ型コンタクト層となるＳｉドープＧａＮ層１４、ｎ型クラッド層となるＳｉドープＧａＮ層１５、活性層となるＩｎＧａＮ層１６、ｐ型クラッド層となるＭｇドープＡｌＧａＮ層１７、ｐ型コンタクト層となるＭｇドープＧａＮ層１８が、順次積層された層構造を有する。」
　
ウ　「【００１８】
　…。本実施の形態では、図１に示すように、第１の部材２０ａがメッシュ形状であり、かつ第２の部材２０ｂがメッシュ形状の開口部内及び第１の部材２０ａ上面に形成されている。…」
　
エ　「【００２４】
　…、開口部の形状、大きさ、配置位置などは設計者側で任意に設定することができる。」
　
　上記イには、「活性層となるＩｎＧａＮ層１６」が記載されており、上記アの請求項１に係る発光素子は、ｎ型窒化物半導体とｐ型窒化物半導体の間に「活性層」を有するものと認められる。
　上記ウには、第１の部材をメッシュ形状とし、第２の部材をメッシュ形状の開口部内及び第１の部材上面に形成することが記載されている。
　上記アの請求項３には、第１の部材として、Ｐｄ、すなわちパラジウムが記載されている。
　上記アの請求項４には、第２の部材を銀とすることが記載されている。
　
　したがって、先願明細書１には、　
「活性層とｎ型窒化物半導体とｐ型窒化物半導体を少なくとも有する発光素子における前記ｐ型窒化物半導体の所定の一部に備えられたｐ電極であって、
　前記ｐ型窒化物半導体に対して第２の部材よりも接触抵抗が低いメッシュ形状のパラジウムでなる第１の部材と、
　前記発光素子の光に対して第１の部材よりも反射率の高い銀でなり、第１の部材の開口部内及び第１の部材上面に形成された第２の部材から少なくとも構成されたｐ電極。」（以下「先願発明１」という。）が記載されているものと認められる。
　
（２）対比
　本願補正発明と先願発明１を対比する。
　「ｐ型窒化物半導体」が「正孔注入層」であることは当業者に明らかな事項であり、先願発明１の「活性層」、「ｐ型窒化物半導体」、「発光素子」及び「ｐ電極」は、それぞれ、本願補正発明の「活性層」、「前記活性層の一面に形成された正孔注入層」、「半導体発光素子」及び「電極構造体」に相当する。
　先願発明１の「第１の部材」は、「前記ｐ型窒化物半導体に対して第２の部材よりも接触抵抗が低いメッシュ形状のパラジウムでなる」から、本願補正発明の「前記活性層と対向するように前記正孔注入層の一面にメッシュ型に形成され、パラジウムよりなるコンタクトメタル構造体」に相当する。
　先願発明１の「第２の部材」は、「前記発光素子の光に対して第１の部材よりも反射率の高い銀でなり、第１の部材の開口部内及び第１の部材上面に形成され」ているから、本願補正発明の「前記コンタクトメタル構造体上に形成され、銀よりなる反射層」に相当する。
　また、先願明細書１には、先願発明１の「第１の部材」の開口について、上記エのごとく「開口部の形状、大きさ、配置位置などは設計者側で任意に設定することができる」記載されているところであり、本願補正発明の「前記コンタクトメタル構造体の面積が前記反射層の面積に対比して４４％乃至１２５％の割合になる」との事項は、先願発明１を具体化するにあたって、設計者により採用される範囲内のものであり、先願発明１の第１の部材の開口に係る事項と格別相違するものとはいえない。
　以上のとおりであって、本願補正発明と先願発明１に格別の相違点は認められない。
　
（３）むすび
　したがって、本願補正発明は、先願発明１と同一であり、また、先願１の出願時において、本願の出願人と先願１の出願人が同一の者であるとも、また、本願補正発明の発明者と先願発明１の発明者が同一の者であるとも認められないから、特許法第２９条の２の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
３．独立特許要件の検討２
（１）先願２
　平成２１年４月１０日付けの拒絶理由に引用された、本願の優先日前の出願であって、本願の優先日後に出願公開された特願２００３−３４９４４５号（特開２００５−１１６７９４号公報参照、以下「先願２」という。）の願書に最初に添付された明細書又は図面（以下「先願明細書２」という。）には、次の記載がある。
　
ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】
  結晶基板の上面側に、窒化物半導体結晶からなる発光層を含む積層体が形成され、該積層体の最上層であるコンタクト層の上面にはオーミック電極が形成され、上下方向を反転させて行うフリップチップ実装によって結晶基板の裏面側から光を取り出す構造とされたフリップチップ実装型の窒化物半導体発光素子であって、
  前記オーミック電極は、細分化パターンにてコンタクト層の上面に形成された部分を有し、細分化されたオーミック電極同士の間に露出したコンタクト層上面には、発光層から発せられた光を反射し得る反射層が形成されていることを特徴とする、窒化物半導体発光素子。
　…。
【請求項８】
  オーミック電極がコンタクト層上面に細分化パターンにて形成された領域において、反射層が形成された部分の面積が、オーミック電極が形成された部分の面積と反射層が形成された部分の面積との総和に対して、４０〜８０％を占める請求項１〜７のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
　…
【請求項１１】
  コンタクト層がｐ型の窒化物系半導体結晶からなり、オーミック電極がロジウムまたはパラジウムからなり、反射層がアルミニウムからなることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。」
　
イ　「【００１７】
  オーミック電極の代表的な細分化パターンの例示は以下のとおりである。ただし、上記のとおり細分化パターンは無数に存在し、これら例示に限定されるものではない。
  図１の例はメッシュ状パターンであって、帯状を呈するオーミック電極Ｐ２２が縦横に配され、そのオーミック電極Ｐ２２同士の間に形成される格子状の領域が反射層形成部分となる。」
　
ウ　「【００２４】
  オーミック電極Ｐ２の材料は、コンタクト層４とオーミック接合し得る材料であればよい。オーミック接合とは、接合部に電圧を印加したときに、印加の方向によらず、接合部を流れる電流値が印加した電圧値に比例するような接合である。発光素子の制御を可能ならしめる点と、発光素子の低電圧動作の点からオーミック接合することが必要である。フリップチップ実装を考慮すれば、当然のことながら、オーミック電極自身も反射率が高い方がよいので、オーミック電極の材料は、好ましくは、ニッケル、白金、ロジウム、パラジウム等であり、好ましくはロジウムまたはパラジウム、最も好ましくはロジウムである。」
　
エ　「【００２５】
  反射層５の材料はオーミック電極Ｐ２よりも高反射率の材料であれば特に限定されず、金属材料または誘電体多層膜等が例示される。金属材料としては、銀、アルミニウム等が例示され、誘電体多層膜としては、ＴｉＯ２とＳｉＯ２とからなる多層膜、ＺｒＯ２とＳｉＯ２とからなる多層膜等が例示される。」
　
オ　「【００２６】
  上記のように細分化されたオーミック電極Ｐ２と反射層５とを形成する方法としては、従来公知の電極パターン形成方法等を適宜利用すればよい。オーミック電極Ｐ２と反射層５との形成順序も特に限定されるものではなく、図３（ａ）のようにオーミック電極Ｐ２を細分化パターンにてコンタクト層４の上面に形成して、その上を反射層５が覆うように形成してもよいし、…よい。」
　
　上記アの請求項８には、「反射層が形成された部分の面積が、オーミック電極が形成された部分の面積と反射層が形成された部分の面積との総和に対して、４０〜８０％を占める」と記載されている。
　上記アの請求項１１には、「コンタクト層がｐ型の窒化物系半導体結晶」からなると記載されている。
　上記イには、オーミック電極を「メッシュ状」とすることが記載されている。
　上記ウには、オーミック電極の材料として「パラジウム」が記載されている。
　上記エには、反射層の材料として「銀」が記載されている。
　上記オには、オーミック電極の上を反射層が覆うように形成することが記載されている。
　これらの点を踏まえて、上記アをみれば、先願明細書２には、
　
「結晶基板の上面側に、窒化物半導体結晶からなる発光層を含む積層体が形成され、該積層体の最上層であるｐ型の窒化物系半導体結晶からなるコンタクト層の上面にはオーミック電極が形成され、上下方向を反転させて行うフリップチップ実装によって結晶基板の裏面側から光を取り出す構造とされたフリップチップ実装型の窒化物半導体発光素子の電極構造であって、
　前記オーミック電極は、メッシュ状の細分化パターンにてコンタクト層の上面に形成されたパラジウムであり、細分化されたオーミック電極同士の間に露出したコンタクト層上面には、発光層から発せられた光を反射し得る銀の反射層がオーミック電極の上を覆うように形成されており、反射層が形成された部分の面積が、オーミック電極が形成された部分の面積と反射層が形成された部分の面積との総和に対して、４０〜８０％を占める窒化物半導体発光素子の電極構造。」（以下「先願発明２」という。）が記載されているものと認められる。
　
（２）対比
　本願補正発明と先願発明２を対比する。
　「ｐ型の窒化物系半導体結晶からなるコンタクト層」が「正孔注入層」であることは当業者に明らかな事項であり、先願発明２の「発光層」、「コンタクト層」、「窒化物半導体発光素子」及び「電極構造」は、それぞれ、本願補正発明の「活性層」、「前記活性層の一面に形成された正孔注入層」、「半導体発光素子」及び「電極構造体」に相当する。
　先願発明２の「オーミック電極」は、「メッシュ状の細分化パターンにてコンタクト層の上面に形成されたパラジウム」であるから、本願補正発明の「前記活性層と対向するように前記正孔注入層の一面にメッシュ型に形成され、パラジウムよりなるコンタクトメタル構造体」に相当する。
　先願発明２の「反射層」は、「銀」であり、「オーミック電極の上を覆うように形成されて」いるから、本願補正発明の「前記コンタクトメタル構造体上に形成され、銀よりなる反射層」に相当する。
　先願発明２は、「反射層が形成された部分の面積が、オーミック電極が形成された部分の面積と反射層が形成された部分の面積との総和に対して、４０〜８０％を占める」ものであるから、この値として、例えば、５０％が採用されるものであり、このとき、オーミック電極が形成された部分の面積は、反射層が形成された部分の面積に対比して１００％の割合になるから、本願補正発明の「前記コンタクトメタル構造体の面積が前記反射層の面積に対比して４４％乃至１２５％の割合になる」との事項に一致する。
　なお、本願補正発明の「前記コンタクトメタル構造体の面積が前記反射層の面積に対比して４４％乃至１２５％の割合になる」との事項は、先願発明２の表現でいえば、「反射層が形成された部分の面積が、オーミック電極が形成された部分の面積と反射層が形成された部分の面積との総和に対して、（１００／（１００＋１２５））〜（１００／（１００＋４４））、すなわち４５〜６９％を占める」ということに外ならないから、先願発明２の「４０〜８０％」のうち「４５〜６９％」の部分を採用すれば、先願発明２と本願補正発明に相違はないのであって、先願発明２において「４５〜６９％」の範囲のものは、普通に採用されるものにすぎない。
　以上のとおりであって、本願補正発明と先願発明２に格別の相違点は認められない。
　
（３）むすび
　したがって、本願補正発明は、先願発明２と同一であり、また、先願２の出願時において、本願の出願人と先願２の出願人が同一の者であるとも、また、本願補正発明の発明者と先願発明２の発明者が同一の者であるとも認められないから、特許法第２９条の２の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。　　
　
４．むすび
　上記２．及び３．において検討したとおり、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２１年９月１４日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１４に記載される事項によって特定されるものであるところ、その請求項８に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「活性層および前記活性層の一面に形成された正孔注入層を具備する半導体発光素子に使われる電極構造体において、
　前記活性層と対向するように前記正孔注入層の一面に形成され、ニッケル、パラジウム、白金およびＩＴＯよりなる群から選択されたいずれか一つの物質を含むコンタクトメタル構造体と、
　前記コンタクトメタル構造体上に形成される反射層と、を含み、
　前記コンタクトメタル構造体の面積が前記反射層の面積に対比して４４％乃至１２５％の割合になることを特徴とする電極構造体。」
　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された特開２００２−１５１７３９号公報（以下「引用例」という。）には、次の記載がある。
　
ア　「【請求項１】  第２導電型を有し、発光部からの発光に対して透明な透明半導体層と、該透明半導体層の一方の面上に順次積層された第２導電型半導体層と第１導電型半導体層とからなり、ｐｎ接合構造の発光部を有する半導体層と、前記透明半導体層と反対側の第１導電型半導体層の表面の一部に分散して形成された、第１導電型半導体層とオーミック接触する第１の電極と、該第１の電極が形成された第１導電型半導体層の表面上に、第１導電型半導体層と第１の電極とを覆って形成された電流拡散層と、前記透明半導体層または第２導電型半導体層の第１導電型半導体層がある側の表面の一部に形成された、電流拡散層と電気的に分離され、かつ透明半導体層または第２導電型半導体層とオーミック接触する第２の電極とを備えたことを特徴とするフリップチップ型半導体発光素子。
【請求項２】  前記電流拡散層が、発光部からの発光を反射する反射層をなしていることを特徴とする請求項１に記載のフリップチップ型半導体発光素子。」
　
イ　「【００３０】第１の電極（分配電極）１５は、図１に示すように、発光面に均等に分散配置するのが好ましい。例えば、図１の様に複数の第１の電極１５を均等に配置する。あるいはまた、独立していない放射状、ドーナッツ状、螺旋状、額縁状、格子状、あるいは枝状の電極を発光面に均等に分散して配置しても良い。第１の電極を半導体層の表面に分散して形成するとは、発光素子の動作電流が素子の全面に広がるよう、電極を素子表面に偏り無く配置することをいう。第１の電極１５と発光面との接触抵抗は、電極とする金属の種類と接合させる半導体結晶の種類に依る組み合わせや第１の電極１５の面積によって異なり、第１の電極１５全体と半導体層１３との接触抵抗は、約５０Ω以下とするのが好ましい。第１の電極１５の面積が小さすぎると、接触抵抗が増大し発光素子の順方向電圧（Ｖｆ）が大きくなる不都合が生じる。従って、第１の電極１５の全体の面積は、発光面の面積の２％以上が好ましい。逆に第１の電極１５の面積があまり大きすぎると、発光部からの発光が第１の電極１５として形成された金属層により吸収されて外部に取り出せなくなり、発光強度が低下する。そのため第１の電極１５の面積は、発光面の面積の３０％以下とするのが望ましい。」
　
　上記アによれば、引用例には、　
「第２導電型半導体層と第１導電型半導体層とからなり、ｐｎ接合構造の発光部を有する半導体層と、第１導電型半導体層の表面の一部に分散して形成された、第１導電型半導体層とオーミック接触する第１の電極と、該第１の電極が形成された第１導電型半導体層の表面上に、第１導電型半導体層と第１の電極とを覆って形成された電流拡散層とを備えた半導体発光素子において、前記電流拡散層が、発光部からの発光を反射する反射層をなしている半導体発光素子。」が記載されているものと認められる。
　したがって、引用例には
「第２導電型半導体層と第１導電型半導体層とからなり、ｐｎ接合構造の発光部を有する半導体層を備えた半導体発光素子の電極構造であって、
　第１導電型半導体層の表面の一部に分散して形成された、第１導電型半導体層とオーミック接触する第１の電極と、
　該第１の電極が形成された第１導電型半導体層の表面上に、第１導電型半導体層と第１の電極とを覆って形成された、発光部からの発光を反射する反射層をなす電流拡散層と、を含む電極構造。」（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。　
　
３．対比
　本願発明と引用発明を対比する。
　引用発明の「ｐｎ接合構造の発光部」は、本願発明の「活性層」に相当する。
　本願発明の「正孔注入層」が半導体層であることは当業者に明らかであり、引用発明の「第１導電型半導体層」と本願発明の「正孔注入層」は、「活性層の一面に形成された半導体層」の点で一致する。
　引用発明の「第１の電極」は、「第１導電型半導体層の表面の一部に分散して形成された、第１導電型半導体層とオーミック接触する」ものであるから、本願発明の「コンタクトメタル構造体」と、「前記活性層と対向するように前記半導体層の一面に形成されたコンタクトメタル構造体」の点で一致する。
　引用発明の「電流拡散層」は、「第１導電型半導体層と第１の電極とを覆って形成された、発光部からの発光を反射する反射層をなす」ものであるから、本願発明と同様の「前記コンタクトメタル構造体上に形成される反射層」であるといえる。
　したがって、両者は、
「活性層および前記活性層の一面に形成された半導体層を具備する半導体発光素子に使われる電極構造体において、
　前記活性層と対向するように前記半導体層の一面に形成されたコンタクトメタル構造体と、
　前記コンタクトメタル構造体上に形成される反射層と、を含む電極構造体。」の点で一致する。
　
　一方、両者は、次の点で相違する。
ａ．本願発明は、「前記半導体層」が「正孔注入層」であるのに対し、引用発明の「第１導電型半導体層」が「正孔注入層」であるか不明な点。
ｂ．本願発明は、「コンタクトメタル構造体」が「ニッケル、パラジウム、白金およびＩＴＯよりなる群から選択されたいずれか一つの物質を含む」ものであるのに対し、引用発明の「第１の電極」がこのようなものであるか不明な点。
ｃ．本願発明は、「前記コンタクトメタル構造体の面積が前記反射層の面積に対比して４４％乃至１２５％の割合」であるのに対し、引用発明の「第１の電極」の面積と「電流拡散層」の「反射層」の面積の割合がこのようなものであるか不明な点。　
　
４．相違点についての検討
　上記相違点ａについて検討するに、引用発明において、第１導電型半導体層としてｐ型半導体層を採用し得ることは当業者に明らかであり、ここで、ｐ型半導体層は「正孔注入層」に外ならないから、引用発明の「第１導電型半導体層」としてｐ型半導体層を採用して、上記相違点ａに係る本願発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易になし得たものと認められる。
　
　上記相違点ｂについて検討するに、引用発明の「第１の電極」は、「第１導電型半導体層とオーミック接触する」ものであるところ、ｐ型半導体層にオーミック接触する材料として、銀やパラジウムは周知であるから（例えば、原査定の拒絶理由に引用された特開平９−１２９９３１号公報段落【０００９】及び【００１３】の「ｐ型ＧａＮ層４Ａに、オーミックコンタクトさせる目的で、アニーリングしたｐ型電極５を接続している。」及び「ｐ型ＧａＮ層４ＡにはＮｉを蒸着して、…ｐ型電極５とする。」との記載、特開平１０−２５６１８４号公報段落【０００３】の「（オーミック接触）〜ニッケル（Ｎｉ）を用いる」の記載及び段落【００１１】の「オーミック層をなすパラジウム（Ｐｄ）層」の記載、特開２００１−３０８３８３号公報段落【０００９】の「Ｐｄ含有電極はオーミック性電極」の記載参照。）、引用発明における「第１導電型半導体層とオーミック接触する」「第１の電極」として、ニッケルやパラジウムを採用して、上記相違点ｂに係る本願発明の構成とすることに困難性は認められない。
　
　上記相違点ｃについて検討する。
　上記２．イに摘記したように、引用例の段落【００３０】には、「第１の電極１５の面積が小さすぎると、接触抵抗が増大し発光素子の順方向電圧（Ｖｆ）が大きくなる不都合が生じる。」、「逆に第１の電極１５の面積があまり大きすぎると、発光部からの発光が第１の電極１５として形成された金属層により吸収されて外部に取り出せなくなり、発光強度が低下する。」と記載されているところであり、引用発明において、「第１の電極」の面積と「電流拡散層」の「反射層」の面積の割合をどの程度にするかは、この順方向電圧と発光強度の観点から適宜決定すべき事項にすぎず、この割合を本願発明で規定する範囲のものとすることに格別の困難性は認められない。　
　
５．むすび
　以上のとおりであって、本願発明は、引用発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明できたものと認められるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。