【事件の表示】
　特願２００４−３０８００６「太陽電池及び太陽電池の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月１６日出願公開、特開２００５−１５９３２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、平成１６年１０月２２日（優先権主張平成１５年１０月２７日）の出願であって、平成１８年１０月３１日付けの拒絶理由の通知に応答して平成１９年１月４日に手続補正がされるとともに意見書が提出され、平成２０年１１月１１日付けの拒絶理由の通知に応答して平成２１年１月１９日に意見書が提出されたが、同年１２月２８日付けで拒絶査定がされ、これに対して平成２２年４月５日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、これと同時に手続補正がされ、当審による平成２３年４月１５日付けの拒絶理由の通知に応答して平成２３年６月２０日に手続補正がされるとともに意見書が提出されたものである。 
 　 
第２　本願発明の認定　 
　本願の請求項１０に係る発明は、平成２３年６月２０日に補正された本願の請求項１０に記載された次のとおりのものと認める。 
「絶縁性基板上に、第１透明電極と、ｐｉｎ構造またはｎｉｐ構造の多結晶シリコン層と、第２透明電極とが少なくとも順次積層されてなる太陽電池であり、
　前記多結晶シリコン層は、ｐ型シリコン層またはｎ型シリコン層と、ｉ型シリコン層と、ｎ型シリコン層またはｐ型シリコン層とが順次積層されてなり、該ｉ型シリコン層の前記絶縁性基板側にあるｐ型シリコン層またはｎ型シリコン層が、前記ｉ型シリコン層を積層する前に熱処理装置に移され、不活性ガス雰囲気で熱処理されてなることを特徴とする太陽電池。」（以下「本願発明」という。） 
 　 
第３　引用発明の認定 
　当審による拒絶理由の通知で引用した特開平７−１１５２１５号公報（以下「引用例」という。）には、以下の記載（１）ないし（７）が、図とともにある。
（１）　「【請求項１】　基板上に酸化亜鉛薄膜層、非単結晶シリコン系半導体材料からなるｐｉｎ層（ｐ層、ｉ層、ｎ層）を積層してなる光起電力素子において、該酸化亜鉛薄膜層がｃ軸配向性を有する結晶性であり、表面に０．１〜１．０μｍの凹凸を有し、且つ該酸化亜鉛薄膜層はフッ素を含有し、該含有量が層厚方向に変化し、基板との界面で最小、ｐｉｎ層に向かって徐々に多くなっていることを特徴とする光起電力素子。」
　
（２）　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は非単結晶シリコン系半導体材料からなるｐｉｎ層を有する光起電力素子において、基板とｐｉｎ層との間に酸化亜鉛薄膜層があるものに関する。該光起電力素子は太陽電池、フォトダイオード、電子写真感光体、発光素子等に利用されるものである。」
　
（３）　「【００３３】以下、図面を参照しながら本発明を詳細に説明する。図１は本発明概念を説明するための光起電力素子の模式的説明図である。図１において、本発明の光起電力素子は基板１０１、表面に凹凸を有し、且つｃ軸配向性を有するＺｎＯ薄膜層１０２、非単結晶シリコン系半導体材料からなるｐｉｎ層１０３、透明電極１０４、集電電極１０５等から構成される。」
　　　
（４）　「【００３４】図１の光起電力素子では通常、透明電極１０４側から光を照射して用いるが、基板１０１の裏面側から光を照射して用いてもよい。その場合、基板１０１は光を透過する材料からなり、また透明電極１０４の代わりに金属材料からなる光反射層をｐｉｎ層上に形成してもよい。」
　
（５）　「【００３９】またＺｎＯ薄膜中で微量のフッ素は価電子制御剤として働くため、膜の導電率を向上させることができ、しかもＺｎＯ薄膜の光の透過率を損なうことがない。すなわち透明電極１０４側から光を照射する場合にはｐｉｎ層で吸収しきれなかった光を効率よく透過することができ、短絡電流を向上させることができる。また基板１０１の裏側から光を照射する場合には効率よく光をｐｉｎ層に導くものである。」
　
（６）　「【００４５】本発明の光起電力素子ではｐ層またはｎ層、及びｉ層はＲＦプラズマＣＶＤ法（ＲＦＰＣＶＤ法）またはマイクロ波プラズマＣＶＤ法（ＭＷＰＣＶＤ法）を用いて形成するのが望ましい。（途中省略）さらにＭＷＰＣＶＤ法で形成すると良質な微結晶シリコン系半導体材料、またはバンドギャップの広い良質な非晶質シリコン系半導体材料を比較的容易に形成することができ、ドーピング層の形成方法として有効である。またｉ層はｐ層、ｎ層に比べて層厚が厚く、特に有効である。」
　
（７） 「【００８５】基板
基板は導電性材料、絶縁性材料の単体で構成されたものでもよく、または導電性材料、絶縁性材料からなる支持体上に薄膜層を形成したものであってもよい。」 
　
　上記（２）より、上記（１）における光起電力素子は、太陽電池等に利用されるものである。
　
　上記（３）及び（４）が参照する引用例の図１からは、基板１０１上に、ＺｎＯ薄膜層１０２と、ｐｉｎ層１０３と、透明電極１０４とが順次積層されていることが看取できる。
 　 
　上記（４）には、「基板１０１の裏面側から光を照射して用いてもよい。」とあるが、これは、上記（５）における「基板１０１の裏側から光を照射する場合」である。この場合、上記（５）より、基板１０１の裏側から照射される光は、ＺｎＯ薄膜を透過してｐｉｎ層に導かれる。
　
　上記（６）より、ｐ層、ｎ層、及びｉ層は、微結晶シリコン系半導体材料として形成されてもよい。 
　　 
　上記（７）より、基板は絶縁性材料で構成されたものでもよい。 
　
　してみると、引用例には、次の発明が記載されていると認めることができる。  
「絶縁性材料で構成された基板上に、酸化亜鉛薄膜層と、微結晶シリコン系半導体材料からなるｐｉｎ層（ｐ層、ｉ層、ｎ層）と、透明電極とを、順次積層してなる光起電力素子であって、
　前記基板の裏面側から照射した光が、前記酸化亜鉛薄膜層を透過してｐｉｎ層に導かれる、
　太陽電池等に利用される光起電力素子。」（以下「引用発明」という。）
　
第４　対比 
　引用発明と本願発明とを対比する。 
　引用発明の「絶縁性材料で構成された基板」、「微結晶シリコン系半導体材料からなるｐｉｎ層（ｐ層、ｉ層、ｎ層）」、「透明電極」及び「太陽電池等に利用される光起電力素子」は、それぞれ、本願発明の「絶縁性基板」、「ｐｉｎ構造またはｎｉｐ構造の多結晶シリコン層」、「第２透明電極」及び「太陽電池」に相当する。 
 　
  引用発明の「酸化亜鉛薄膜層」は、「絶縁性基板」の上にあり、かつ光を透過するのであるから、本願発明の「第１透明電極」に相当する。
　
　引用発明の「ｐｉｎ層」を構成する「ｐ層」、「ｉ層」及び「ｎ層」は、それぞれ、本願発明の「ｐ型シリコン層」、「ｉ型シリコン層」及び「ｎ型シリコン層」に相当する。
　
　してみれば、本願発明と引用発明とは、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点＞で相違する。 
＜一致点＞  
「絶縁性基板上に、第１透明電極と、ｐｉｎ構造またはｎｉｐ構造の多結晶シリコン層と、第２透明電極とが少なくとも順次積層されてなる太陽電池であり、
　前記多結晶シリコン層は、ｐ型シリコン層またはｎ型シリコン層と、ｉ型シリコン層と、ｎ型シリコン層またはｐ型シリコン層とが順次積層されてなる、太陽電池。」 
 　　 
＜相違点＞  
　本願発明は「ｉ型シリコン層の絶縁性基板側にあるｐ型シリコン層またはｎ型シリコン層が、前記ｉ型シリコン層を積層する前に熱処理装置に移され、不活性ガス雰囲気で熱処理されてなる」と特定されるのに対して、引用発明は該特定を有しない点。 
　
第５　判断  
＜相違点＞について検討する。 
（１）　太陽電池を製造する際に、ドーパント活性化のため、ｉ型シリコン層を積層する前のｐ型シリコン層またはｎ型シリコン層に熱処理を行うことは周知技術である。例えば、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００１−６８７０９号公報及び特開２００３−６９０５９号公報の以下の記載を参照されたい。 
 　 
特開２００１−６８７０９号公報 
「【００１６】次に、前記裏電極２ｂ上に、１×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度の高濃度にドープされたｐ型の非単結晶Ｓｉ下地層３を形成する。具体的には、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法などの薄膜形成技術で膜厚２μｍ以下で形成する。この後、結晶化促進およびドーパント活性化率向上をはかるために、６００℃程度の熱処理を行ってもよい。この場合、前記ＴｉＮ膜２ｂが高耐熱性の拡散バリアとして機能するために、６００℃程度の比較的高温プロセスであっても、裏電極金属膜２ｂとＳｉ下地層３との反応を防止することができる。 
【００１７】次に、前記非単結晶Ｓｉ層３上にこれと同一導電型（すなわちｐ型）もしくはｉ型のＳｉ光活性層４となる多結晶あるいは微結晶Ｓｉ層を、ＣＶＤ法などで厚さ１μｍ〜３０μｍ程度に形成する。」 
 　 
特開２００３−６９０５９号公報 
「【００３１】次に、１Ｅ１９／ｃｍ3程度の高濃度にドープされたｐ型あるいはｎ型の非晶質、多結晶もしくは微結晶を含む非単結晶Ｓｉ下地層３を前記裏面電極２上に形成する。具体的には、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法等の薄膜形成技術で膜厚０．１μｍ以下に形成する。この後、結晶化促進およびドーパント活性化率向上を図るために熱処理を行ってもよい。 
【００３２】次に、前記非単結晶Ｓｉ層３上にこれと同一導電型もしくはｉ型の結晶質Ｓｉ層４になる多結晶あるいは微結晶Ｓｉ層を、ＣＶＤ法等で厚さ１μｍ〜１０μｍ程度に形成する。」 
 　 
　太陽電池の製造方法において、ドーパントを活性化することは一般的に望ましいことであるから、引用発明において、ｉ型シリコン層を積層する前のｐ型シリコン層またはｎ型シリコン層の積層に続けてドーパントを活性化すべく熱処理を行うことは、上記周知技術に基づいて、当業者が容易に想到し得たことである。 
 　 
（２）　太陽電池の製造過程で熱処理を行う場合に、半導体層を成膜する成膜室とは別の熱処理装置にて行うことは一般的になされていることである。
　例えば、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−２３６１０５号公報の図１には、成膜室２８０と加熱処理室２８２を備えた製造装置が記載され、同じく特開２００３−２７３１３５号公報には、成膜室３と熱処理室５を備えた製造装置が記載されている。
　また、熱処理装置内に反応を生じやすいなんらかの気体が存在すると、その気体が熱処理する対象物と望ましくない反応を生じることが予想されるから、この反応を防ぐべく、熱処理装置内に不活性ガスを導入し、不活性ガス雰囲気で熱処理することは、当業者が適宜採用し得ることである。例えば、引用例には以下の記載がある。 
 「【００５１】本発明の光起電力素子の作製は以下のように行われるものである。まず図２の堆積室２０１内に設置されたヒーター２０５に基板２０４を密着させ、堆積室内を１×１０-5Ｔｏｒｒ以下に十分に排気する。この排気にはターボ分子ポンプまたは油拡散ポンプまたはクライオポンプが適している。その後、Ａｒ等の不活性ガスを堆積室内に導入し、ヒーターのスイッチを入れ、基板を加熱する。」 
　以上のことから、引用発明において、周知技術に基づいて、ｉ型シリコン層を積層する前のｐ型シリコン層またはｎ型シリコン層の積層に続けてドーパントを活性化すべく熱処理を行う際に、熱処理装置に移し、不活性ガス雰囲気で熱処理することは、当業者が適宜なし得ることである。 
 　 
（３）　まとめ
　上記（１）及び（２）より、引用発明において、本願発明の相違点に係る構成を備えることは、周知技術に基づいて、当業者が容易に想到し得たことである。 
　また、該構成を備えることによる効果は、当業者が予想し得る程度のものである。
　　
第６　むすび
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。