【事件の表示】
　特願２００５−３７４８２９「リソグラフィ装置およびデバイス製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　７月２０日出願公開、特開２００６−１９１０６０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
特許出願　　　　：平成１７年１２月２７日
（優先日　平成１６年１２月２８日　米国）
拒絶理由　　　　：平成２０年１２月　８日（起案日）
意見及び手続補正：平成２１年６月１６日
拒絶査定　　　　：平成２１年　８月１７日（起案日）
審判請求　　　　：平成２１年１２月１６日
手続補正　　　　：平成２１年１２月１６日
審尋　　　　　　：平成２２年１１月　４日（起案日）
回答　　　　　　：平成２３年　２月　７日
　
第２　補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２１年１２月１６日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正
　平成２１年１２月１６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は特許請求の範囲を以下のとおり補正するものである。
(1)　補正事項１
　本件補正前の請求項１の測定装置について「前記レンズ・アレーから独立しており，基盤の移動方向において前記レンズ・アレーの上流に位置する」との限定を加えて減縮する。
(2)　補正事項２
　本件補正前の請求項１４の「前記基盤が露光されている間に前記基盤と前記レンズ・アレーとの間隔距離を同時に測定する浮動状態で測定し」を「前記レンズ・アレーから独立しており基盤の移動方向において前記レンズ・アレーの上流に位置する測定装置を使用して，前記基盤が露光されている間に前記基盤と前記レンズ・アレーとの間隔距離を同時に測定する浮動状態で測定し」と限定して減縮する。
(3)　補正事項３
　請求項１２，１３，１６及び１７を削除するとともに，請求項１４及び１５を請求項１２及び１３に繰り上げる。
　
　そうしてみると，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下，単に「特許法第１７条の２」という。）第４項第１号に規定する請求項の削除及び同項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　そこで，本件補正後の請求項１ないし１３に係る発明について，特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか否か，すなわち，本件補正後発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かを以下で検討する。
　
２　本件補正後発明
　本件補正後の請求項１ないし１３に係る発明は，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された事項により特定される下記のとおりのものである（以下，それぞれ「本件補正後発明１」，「本件補正後発明２」，・・・，「本件補正後発明１３」という。）。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
【請求項１】
　放射ビームを調整するようになされた照射系と，
　パターン形成された放射ビームを形成するために放射ビームの横断面にパターンを与えることができる個々に制御可能な部材のアレーと，
　基盤を支持する基盤テーブルと，
　パターン形成された放射ビームを基盤のターゲット箇所に投影するようになされ，個々のレンズが放射ビームの異なる部分を伝達するように一平面内に配列されたレンズ・アレーを含む投影系と，
　前記基盤の一部と前記レンズ・アレーの一部との間隔距離を測定するようになされた測定装置と，
　前記測定装置による測定に基づいてレンズ・アレーの全体の位置と傾きとの少なくとも一方を調整するようになされた駆動システムとを含み，
　前記測定装置は，前記基盤が露光されている間に前記レンズ・アレーと前記基盤との間隔距離を同時に測定する浮動状態で測定し，
　前記測定装置は，前記レンズ・アレーから独立しており，基盤の移動方向において前記レンズ・アレーの上流に位置するリソグラフィ装置。
　
【請求項２】
　複数の測定装置があり，各測定装置は前記基盤の異なる部分と前記レンズ・アレーの異なる部分との間隔距離を測定する請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
　
【請求項３】
　三つの測定装置がある請求項２に記載されたリソグラフィ装置。
　
【請求項４】
　前記駆動システムが前記基盤の複数における位置を調整する請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
　
【請求項５】
　複数の測定装置があり，各測定装置は同じ駆動装置を有する請求項４に記載されたリソグラフィ装置。
　
【請求項６】
　複数の測定装置および複数の駆動装置があり，各測定装置からのデータは複数の前記駆動装置の制御に使用される請求項４に記載されたリソグラフィ装置。
　
【請求項７】
　前記測定装置が，前記放射ビームで露光される位置にあるときに前記基盤と前記レンズ・アレーとの間隔距離を測定するように構成されている請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
　
【請求項８】
　前記基盤と前記レンズ・アレーとの間隔距離に関するデータを保存するようになされた保存部材をさらに含む請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
　
【請求項９】
　前記測定装置が無接触距離センサーである請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
　
【請求項１０】
　前記駆動システムが三つの自由度を有する請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
　
【請求項１１】
　前記駆動システムが前記測定装置の測定値に基づいて前記レンズ・アレーを曲げる請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
　
【請求項１２】
　基盤を準備し，
　照射系を使用して放射ビームを形成し，
　前記放射ビームの横断面にパターンを与えるために個々に制御可能な部材のアレーを使用し，
　各レンズが放射ビームの異なる部分を伝達するように一平面内に配列されているレンズ・アレーを少なくとも含む投影系を使用して基盤のターゲット箇所に前記パターン形成された放射ビームを投影し，
　前記レンズ・アレーから独立しており基盤の移動方向において前記レンズ・アレーの上流に位置する測定装置を使用して，前記基盤が露光されている間に前記基盤と前記レンズ・アレーとの間隔距離を同時に測定する浮動状態で測定し，
　前記測定した距離に基づいて前記レンズ・アレーの位置および（または）傾きを調整することを含むデバイス製造方法。
　
【請求項１３】
　前記基盤と前記レンズ・アレーとの間隔距離の前記検出，および前記レンズ・アレーの位置および（または）傾きの前記調整が基盤に対して同時に行われる請求項１２に記載されたデバイス製造方法。
　
３　３６条６項１号
(1)　本件補正後発明２
　本件補正後発明２の測定装置は，「前記レンズ・アレーから独立しており，基盤の移動方向において前記レンズ・アレーの上流に位置する」（請求項１）という構成と「前記基盤の異なる部分と前記レンズ・アレーの異なる部分との間隔距離を測定する」（請求項２）という構成の双方を備えるものとされている。
　しかしながら，発明の詳細な説明には，このような構成を備えた測定装置は記載されていない。
　すなわち，発明の詳細な説明の【００３２】ないし【００３９】には，【図２】及び【図３】とともに測定装置が「前記基盤の異なる部分と前記レンズ・アレーの異なる部分との間隔距離を測定する」実施態様が開示されているけれども，この実施態様は，測定装置がレンズ・アレーの異なる部分に固定されていることを前提とした構成であって，測定装置が「前記レンズ・アレーから独立しており，基盤の移動方向において前記レンズ・アレーの上流に位置する」構成に対応するものではない。
　また，発明の詳細な説明の【００４２】には，【図４】とともに測定装置が「前記レンズ・アレーから独立しており，基盤の移動方向において前記レンズ・アレーの上流に位置する」実施態様が開示されているけれども，この実施態様の測定装置は「前記基盤の異なる部分と前記レンズ・アレーの異なる部分との間隔距離を測定する」ものではない。
　
(2)　本件補正後発明３
　本件補正後発明３の測定装置は，「前記レンズ・アレーから独立しており，基盤の移動方向において前記レンズ・アレーの上流に位置する」（請求項１）という構成と「三つの測定装置がある」（請求項３）という構成の双方を備えるものとされている。
　しかしながら，発明の詳細な説明には，このような構成を備えた測定装置は記載されていない。
　すなわち，発明の詳細な説明の【００３２】ないし【００３９】には，【図２】及び【図３】とともに「三つの測定装置がある」実施態様が開示されているけれども，この実施態様は，測定装置１１が，もっぱら制御装置１３及びアクチュエータ１２とともにレンズ・アレーの三つの異なる部分に固定されていることを前提とした構成であって，測定装置が「前記レンズ・アレーから独立しており，基盤の移動方向において前記レンズ・アレーの上流に位置する」構成に対応するものではない。
　また，発明の詳細な説明の【００４２】には，【図４】とともに測定装置が「前記レンズ・アレーから独立しており，基盤の移動方向において前記レンズ・アレーの上流に位置する」実施態様が開示されているけれども，この実施態様の測定装置は，複数あるとしても三つあるべき構成に対応するものではない。
　
(3)　本件補正後発明５
　本件補正後発明５の測定装置は，「前記レンズ・アレーから独立しており，基盤の移動方向において前記レンズ・アレーの上流に位置する」（請求項１）という構成と「各測定装置は同じ駆動装置を有する」（請求項５）という構成の双方を備えるものとされている。
　しかしながら，発明の詳細な説明には，このような構成を備えた測定装置は記載されていない。
　すなわち，発明の詳細な説明の【００３２】ないし【００３９】には，【図２】及び【図３】とともに「各測定装置は同じ駆動装置を有する」実施態様が開示されているけれども，この実施態様は，測定装置１１が，もっぱら制御装置１３及びアクチュエータ１２とともにレンズ・アレーに固定されていることを前提とした構成であって，測定装置が「前記レンズ・アレーから独立しており，基盤の移動方向において前記レンズ・アレーの上流に位置する」構成に対応するものではない。
　また，発明の詳細な説明の【００４２】には，【図４】とともに測定装置が「前記レンズ・アレーから独立しており，基盤の移動方向において前記レンズ・アレーの上流に位置する」実施態様が開示されているけれども，この実施態様は，「各測定装置は同じ駆動装置を有する」構成に対応するものではない。
　
４　２９条２項
(1)　引用例
　本願の優先日よりも前に頒布された刊行物である特表２００１−５００６２８号公報（以下「引用例」という。）には，各図とともに以下の事項が記載されている。
　
記載事項ア　
「
動作の基本原理
　図１は，タンデム走査型共焦顕微鏡として動作することができる本発明の簡単な実施形態を示している。このシステムは，低分解能，二重テレセントリック（telecentric）光投影システム１を含み，この光投影システム１はマイクロレンズアレイ２を光検出器アレイ３上にイメージし，各マイクロレンズ要素は対応する感光検出器要素上にイメージされる（例えば，マイクロレンズ４は検出器要素５上にイメージされる）。個々の各マイクロレンズは，サンプル表面６における，またはその付近の対応する焦点を，投影システムの開口ストップ７上にイメージするので，対応する検出器要素はマイクロレンズの焦点における小さいマイクロスポット全体の反射率を感知する（例えば，マイクロレンズ４は点８を投影開口７上にイメージするので，要素５が点８における反射率を感知する）。サンプルは，照明システム９から反射モードで照明される。マイクロスポットは，照明をビームスプリッタ１０を使用して光路内に合流させ，投影開口７及びマイクロレンズアレイ２を通過させることによって，選択的に照明される。
　マイクロレンズを通る投影開口の回折制限されたイメージがマイクロスポットを限定し，これらのマイクロスポットの大きさはマイクロレンズの開口寸法よりも少なくとも１桁は小さい。マイクロスポットのサイズは，マイクロレンズの回折点広げ機能に匹敵することが好ましい。従って，好ましい実施形態では，投影開口は共焦顕微鏡におけるピンホールと同一の機能を遂行する。このシステムと従来技術のタンデム走査型共焦顕微鏡との間の１つの相違は，単一の対物レンズを通してピンホールのアレイをイメージするのではなく，このシステムは単一の「ピンホール」（即ち，投影開口）を使用し，「対物レンズ」（マイクロレンズ）のアレイを通してイメージすることである。
　図２に示す実施形態は，図１の顕微鏡システムにに極めて類似しているが，リトグラフィプリンタとして機能できるようになっている。（図２並びに以後の図面では，図１に示した要素に対応する要素に対しては同一の番号を付してある。）このシステムも低解像力，二重テレセントリック投影システム１を含んでいるが，この実施形態では，投影システムはイメージ源１１をマイクロレンズアレイ２上に合焦させるように機能する。イメージ源は，光変調源要素（例えば，可変反射率のスポットまたはパッド）のアレイからなり，各源要素は対応するマイクロレンズ要素上にイメージされる。イメージ源は「ディジタル・マイクロミラー・デバイス」（即ちＤＭＤ，参照文献３）であることができ，各源要素は個々のマイクロミラー画素素子からなる。各マイクロレンズは，投影開口７を印刷表面１２上の対応するマイクロスポット上にイメージし，各源要素は対応するマイクロスポット上の露光レベルを制御する。イメージ源１１は，照明システム９からの照明をビームスプリッタ１３を使用して光路内に合流させることによって反射モードで照明される。
　このシステムは，Hugleらのマイクロレンズフォトリトグラフィ発明（参照文型４，５）とは２，３の点で異なっている。Hugleのシステムは，マイクロレンズアレイ全体のために単一の投影開口を使用（図２に示すように）しておらず，別々の平行光路を有するマイクロレンズユニットのアレイを備えている。また，Hugleのマイクロレンズは非走査型，広フィールドイメージングデバイスであり，各々はマイクロレンズ開口寸法に匹敵するサイズのイメージフィールドをカバーする。これに対して本発明は，瞬時イメージフィールド（即ち，マイクロスポット）の大きさがマイクロレンズ開口より少なくとも１桁は小さいマイクロレンズを用いて全フィールドカバレッジを達成するために走査技術を使用する。（共焦顕微鏡例の場合のように，リトグラフィシステムのマイクロスポットはマイクロレンズを通る投影開口の回折制限されたイメージによって限定され，サイズはマイクロレンズの回折点広げ機能に匹敵することが好ましい。）
　図３は，印刷及び顕微鏡イメージング機能を単一のデバイスに組合わせたリトグラフィシステムの変形である。この実施形態は，図２のシステムに類似しているが，印刷表面１２から反射した光が，ビームスプリッタ１３によって光路にスプリットされ，光検出器アレイ１４上に導かれる。（典型的なシステムは，露光にＵＶ波長を，イメージングにＨｅＮｅレーザ波長をのように２つの波長を使用する。）検出器は，印刷表面上の位置合わせマークを感知することができ，共焦イメージングの正確な深さ弁別を利用して表面を横切る合焦の高さの変動を感知することができる。閉ループサーボメカニズムは，位置情報を使用してレジストレーション位置合わせ及び／または合焦及び傾きを制御する。またサーボメカニズムは，アレイの周辺の付近に補償応力分布を印加することによって，印刷表面またはマイクロレンズアレイの何れかのゆがみひずみを補償することもできる。
　上述した各実施形態では，マイクロレンズの焦点アレイが完全ラスタイメージを追尾するように，サンプルまたは印刷表面が走査される。（代替として，マイクロレンズシステム自体を，固定されたサンプルまたは印刷表面に対して走査することができる。）
　図４−６は，使用することができる幾つかの代替走査パターンを示しており，双方向ラスタ走査（図４），連続線走査（図５），及びセグメント化走査，即ち「多重走査」（図６）を含んでいる。双方向ラスタ走査（図４）では，イメージ表面は方形または矩形セルのアレイに分割される。各セルの寸法はマイクロレンズの中心間間隔と一致し，表面は，各焦点１５が単一のセル１６をカバーするラスタ線のパターンで走査するように，双方向に走査される。連続線走査（図５）では，各焦点１７はイメージフィールド全体を横切って伸びる将に１つのラスタ線１８を走査する。マイクロレンズは，走査方向１９に対して小さい角度δだけ傾斜した行内に配列されているので，焦点は極めて近づいた（密に離間した）ラスタ線のパターン（即ち，ラスタ線周期drがマイクロレンズ中心間間隔dmよりも遥かに小さく，dr＝dmsinδになる）を辿る。セグメント化線走査（図６）は，各ラスタ線が異なる線焦点（例えば，２２及び２３）によって走査される複数のセグメント（例えば，２０及び２１）に分割されることを除いて類似している。」（１８ページ１７行ないし２１ページ７行）
　
記載事項イ　
「
投影及び照明光学系
　リトグラフィシステム（図２）に関して言えば，イメージ源１１は投影システム１の対物面を限定し，マイクロレンズアレイ２はそのイメージ面を限定する。個々のマイクロレンズの光軸が典型的には全て相互に平行であるので，一般的に投影システムは，イメージ側でテレセントリックであるべきである。もしＤＭＤのようなイメージ源を使用すれば，投影システムは対物側でもテレセントリックであるべきである。図２の構成は，投影開口７をイメージ側上の無限遠にイメージするために平行化レンズ５６を使用し，開口を対物側上の無限遠にイメージするためにも平行化レンズ５７を使用している。投影開口７を含む開口レンズ（またはレンズシステム）５８は，コリメータ５６及び５７と共にイメージ源１１をマイクロレンズアレイ２上にイメージするように機能する。（イメージ源及びマイクロレンズアレイは，コリメータが単独でこのイメージング機能を遂行するように位置決めすることはできるが，それでも収差制御のために０倍率の開口レンズ５８を必要としよう。）
　図２の照明システム９は，コリメータ６０，ビームスプリッタ１３，及び投影光学系によって投影開口７上にイメージされる照明開口５９を含んでいる。照明光学系を簡易化した代替設計構成を図１８に示す。このシステムでは，ビームスプリッタ１３は開口レンズ５８内に組み込まれ，投影開口７及び照明開口５９は共にビームスプリッタ表面上に直接形成されている。このシステムの長所は，ビームスプリッタが極めて小型であり，開口７及び５９が互いに自動的に位置合わせされるために光学的位置合わせが簡易化されることである。」（３４ページ１７行ないし３５ページ９行）
　
記載事項ウ　
「
位置決めフィードバック及び制御
　図３及び２１ａ，ｂに示す実施形態では，マイクロレンズアレイは光検出器アレイ１４と共に，閉ループウェーハ位置決めサーボメカニズムへフィードバックを供給する位置エンコーダとして動作する。（図２３のシステムのフォトマスクスキャナを制御するために，類似の型のシステムを使用することができる。）エンコーダデータは，ウェーハの横方向位置（Ｘ及びＹ，但し，Ｘは走査座標であり，Ｙは交差走査座標である），合焦（Ｚ），傾斜（即ち，Ｘ及びＹ軸を中心とする回転変位），及びθ（Z軸を中心とする回転）を含むことができる。更に，システムはウェーハとマイクロレンズアレイとの間の表面の反りの分布（即ち，Ｘ及びＹの関数としてのＺ）の測度を供給することができる。典型的には，位置エンコーダは露光波長とは異なるビューイング波長を使用するので，マイクロレンズアレイはエンコーダ波長のために特別に設計されたマイクロレンズ要素を含む必要はない。（原理的には，二重波長マイクロレンズを設計することはできる。例えば，ハイブリッド回折・屈折設計を使用することができる。しかしながら，このような設計を実現することは困難であり，性能に妥協が求められる。）エンコーダマイクロレンズ要素は，露光マイクロレンズの二次元アレイの線形アレイ縁取りとして，またはその中に散在させて形成することができる。」（４３ページ１７行ないし４４ページ５行）
　
記載事項エ　
「　Ｘ−Ｙ追尾または位置合わせのための位置決めエンコーダとしての機能に加えて，マイクロレンズアレイは，合焦エラーを測定するためにも機能することができる。合焦位置Ｚの関数としての各マイクロレンズの正規化共焦合焦応答Ｉ[Z]は次の形状を有している。
Ｉ[Z]＝sinc2[(4Z/λ)sin2[α/2]]
ここに，λは波長であり，sin[α]はマイクロレンズ開口数であり，そしてsinc[ｕ]＝sin[πｕ]/（πｕ）である（参照文献１の１１頁の式1.1）。例えば，図３０は，波長λ＝0.633μｍで動作している0.5ＮＡシステムの共焦応答を示している。曲線の半値全幅は2.1μｍである。合焦エラーは，合焦曲線に僅かな相対オフセットを有する２つの隣接するマイクロレンズの信号応答を比較することによって極めて正確に測定することができる。オフセットは，例えばマイクロレンズ内に設計することができる。図３１は，焦平面がそれぞれウェーハ表面１２の上及び下に距離ΔZだけ変位している２つの合焦センサマイクロレンズ８７及び８８を示している。」（４８ページ２７行ないし４９ページ１２行）
　
記載事項オ　
「　合焦位置を測定することに加えて，アレイ上の広く分離した位置に分布させた３つまたはそれ以上のＺ位置エンコーダからの出力を組合わせることによって，ウェーハとマイクロレンズアレイとの間の相対的な傾きを測定することができる。多数のＺセンサからの出力を組合わせることによって，アレイ全体にわたる完全Ｚ高さマッピングも行うことができる。このデータは，反りひずみを測定するために使用することができる。
　反り測定の一つのアプローチは，マイクロレンズアレイの先縁に沿う１行のＺセンサを使用してウェーハをアレイの下で走査させると，ウェーハの反りの分布がラスタ状にマップされる。しかしながら，この方法は，累積反りひずみを入手するためには分離して較正し，ウェーハの反りに追加しなければならないアレイ自体の固有の反りに関する情報は得られない。アレイの反りは，ある範囲の集束高さにわたる光学的平面（ＵＶ照明を用いた）上の露光マイクロレンズの合焦応答を測定することによって較正することができる。反りを測定するより簡単な，そしてより頑丈な方法は，先縁行と平行な，且つアレイ内に分散させた数行のＺセンサ要素を使用することであろう。分散したＺセンサを有するマイクロレンズレイアウトを図３４に示す。これは，Ｚセンサレンズ（ハッチした円で示す）か走査線に沿って分散されていることを除いて，図６の多重走査レイアウトに類似している。例えば，隣接する走査線８９及び９０は，アレイの先縁の２つまたはそれ以上のマイクロレンズ９２及び９３からなるＺセンサユニット９１によってカバーされる。これらの要素はエンコーダビューイング波長で動作するように設計されており，図３１におけるように，固定された合焦オフセットを有している。（理想的には，要素９２及び９３は同一の走査線をカバーするが，図３４においてはこれらは僅かにＹ方向に変位しているので，マイクロレンズを方形アレイに展開することができる。）このユニットには，ＵＶ露光レンズ９４及び９５，第２のＺセンサユニット９６，及び露光レンズ９７及び９８等が続く。（図３４においては，レンズの1/3がＺセンサ要素として示されているが，実際にはこの比は１％またはそれ以下に近くすることができる。）
　測定された反りによる合焦エラーは，アレイ内に反り分布の補償を導入することによって動的に補正することができる。補正用の反りは，マイクロレンズアレイの周辺に沿って応力分布を適用することによって（例えば，圧電変換器によって）生成される。極めて一般的な反り分布を，この方法によって導入することができる。アレイの内部には垂直力は存在せず，交座標Ｘ及びＹの関数としての誘起されたＺ変位δZ[X,Y]は，一般薄板平衡方程式によって表される。」（５０ページ１２行ないし５１ページ１６行）
　
記載事項カ　
「　図３５ａ，ｂは，マイクロレンズアレイの６軸微小位置決め制御プラス反り補償を行うシステムの上面図及び側断面図である。マイクロレンズは極めて薄い溶融シリカディスク上にエッチングされた表面レリーフパターンとして形成されており（図１５参照），このディスクは支持用溶融シリカスーパーストレート３９上に結合されている。スーパーストレートはディスク形状であり，若干のたわみ性を有するように充分に薄く，その底面はその周辺に僅かな，浅い傾斜を有していてディスクがたわんだ時にウェーハ間隙ができるようになっている。このスーパーストレートは垂直に分極された圧電パッド（例えば，１０１及び１０２）によって堅固なフランジ付き管状要素１００に取付けられている。圧電パッドは，スーパーストレートの周辺のＺ高さ分布を制御する。パッドは要素対にされて円周方向に配列されており，各対の要素（例えば，要素１０１及び１０２）は，スーパーストレートの周辺における表面勾配を制御するために，それらが反対方向に動作できる（例えば，一方が収縮し，他方が伸長する）ように半径方向に変位している。
　管状要素１００の外面は３つの平面を有しており，それらの上に圧電ずらし板（例えば，１０３）が結合されている。各板の外面は板ばね（例えば，１０４）に結合され，板ばねは支持用外側管１０５に取付けられている。各圧電板は，３つの板がＸ，Ｙ，及びθ微小位置決め制御を行うように作動させることができるように，水平に，且つ取付けられている板ばねに平行に分極されている。外側管１０５は，普通の顕微鏡合焦メカニズム（初期の粗合焦調整のために使用されるが，走査露光動作中，通常はロックされている）内に収容することができる。
　図３６は，好ましい実施形態における，上述した種々のフィードバック及び制御メカニズムを要約したシステムレベル概要図である。（実際のマイクロリトグラフィ露光ツールは，必ずしも図３６に示す要素の全てを必要としない。）図中，光路は太い実線で示されており，電子データまたは信号経路は細い実線で表されており，そして機械的制御リンケージは破線で示されている。「コントローラ」１０６は，１つまたはそれ以上のコンピュータ，ディジタルマイクロコントローラ，アナログ回路，またはこれらの要素の組合わせからなることができる。コントローラは，ウェーハ走査，ＤＭＤイメージフレーム生成，及び（オプションで）照明ビームスキャナ１０７を同期させ，また走査位置決めエラーを動的に補正するフィードバックループを制御する。光検出器信号は，走査中に動的な合焦，傾き，及び反り測定を行い，上述したモアレ技術による予備露光位置合わせのために高分解能Ｘ−Ｙ及びθ位置データも供給する。多分，モアレ信号は動的走査制御のために使用することもできるが，それは精Ｘ−Ｙ走査位置感知のためのステージエンコーダ１０８に頼る方がより実際的であろう。粗Ｘ−Ｙ走査の作動はステージ電動機１０９によって行われ，高分解能Ｘ−Ｙ走査位置決め，並びに合焦，傾き，及び反り補正はマイクロレンズアレイに結合されている圧電アクチュエータ１１０によって行われる。（圧電サーボメカニズムはそれ自体の位置エンコーダ１１１を有していよう。）精Ｘ−Ｙ走査制御も，オプションで，投影及び照明開口に結合されている機械的アクタチュエータ１１２及び１１３によって行われる。」（５２ページ１８行ないし５４ページ４行）
　
記載事項キ　
「８．印刷システムにおいて，
　対物面と，上記対物面と共役するイメージ面と，投影開口と呼ぶ制限用開口ストップとを有する光学投影システムを含み，
　マイクロレンズ開口アレイを限定する開口をそれぞれが有するマイクロレンズの平面アレイを含み，上記開口アレイは上記投影システムのイメージ面に位置決めされており，上記マイクロレンズはそれぞれ上記投影開口と共役する焦点を有していて焦点アレイを限定しており，
　上記マイクロレンズアレイと，上記焦点アレイに近接する印刷表面との間の相対運動を確立する走査メカニズムを含み，上記印刷表面に対して上記焦点が横切る経路は極めて接近して離間したラスタ線のセットからなり，
　光変調イメージ源要素のアレイからなるイメージ源を含み，上記イメージ源は上記投影システムの対物面に位置決めされており，上記投影システムは各イメージ源要素を対応するマイクロレンズ開口上にイメージして上記対応するマイクロレンズ焦点に近接する土記印刷表面上のマイクロスポット上の光レベルを制御するようになっており，
　上記印刷表面が走査されるにつれて上記イメージ源を制御するイメージ変調メカニズムを含み，それによって，上記印刷表面内に感光材料が位置決めされた時に，上記感光材料上に合成された高分解能ラスタイメージが記録されるようになっていることを特徴とする印刷システム。
　
９．上記感光材料は，平面基体上のフォトレジストである請求項８に記載の印刷システム。
　
１０．上記基体は，半導体ウェーハである請求項９に記載の印刷システム。
　
２８．光検出器及び位置フィードバック制御メカニズムを更に含み，
　上記マイクロレンズアレイ及び投影システムは，上記イメージ源からの光を上記印刷表面上に合焦させるだけではなく，上記印刷表面から反射した光エネルギからなる反射ビームを収集してそれを光検出器上に投影し，それによって上記マイクロレンズアレイと上記印刷表面との間の位置的関係に関する情報を与える検出器信号を発生するようになっており，
　上記位置的情報は，上記位置的関係を正確に制御するために上記フィードバック制御メカニズムによって使用されるようになっている請求項８に記載の印刷システム。
　
２９．上記投影システムの光路からの反射光を分離するために配置されているビームスプリッタを更に含み，上記印刷表面に投影された光及び上記反射光は，上記ビームスプリッタと上記印刷表面との間で同一の光路を通るようになっている請求項２８に記載の印刷システム。
　
３０．上記印刷表面は，２つの波長，または波長の狭いスペクトル範囲によって照明され，第１の波長は上記感光材料を露光し，第２の波長は上記検出器によって感知されて上記位置的情報を与えるようになっている請求項２９に記載の印刷システム。
　
３６．上記投影開口は，上記検出器信号が上記印刷表面に対する上記マイクロレンズアレイの合焦の高さの正確且つ精密な測度を与える合焦信号からなるように，上記マイクロレンズからの焦点が合っていない光を大きく減衰させ，上記合焦信号は，上記合焦の高さを正確に制御するために上記位置フィードバック制御メカニズムによって使用されるるようになっている請求項２８に記載の印刷システム。」（特許請求の範囲の８ないし１０，２８ないし３０及び３６）
　
　これら記載事項及び各図を考慮して，引用例に記載された発明を分説して記載すると，下記のとおりとなる（以下，この発明を「引用発明」といい，また，分説された構成を「構成要件Ａ」などという。）。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
Ａ　照明システム（９）は，コリメータ（６０），ビームスプリッタ（１３），及び投影光学系によって投影開口（７）上にイメージされる照明開口（５９）を含み，
Ｂ　イメージ源（１１）は，照明システム（９）からの照明をビームスプリッタ（１３）を使用して光路内に合流させることによって反射モードで照明され，
Ｃ　イメージ源（１１）は，光変調源要素のアレイからなり，各源要素は対応するマイクロレンズ要素上にイメージされ，
Ｄ　イメージ源（１１）は「ディジタル・マイクロミラー・デバイス」（ＤＭＤ）であることができ，各源要素は個々のマイクロミラー画素素子からなり，
Ｅ　投影システム（１）はイメージ源（１１）をマイクロレンズアレイ（２）上に合焦させるように機能し，
Ｆ　各マイクロレンズは，投影開口（７）を印刷表面（１２）上の対応するマイクロスポット上にイメージし，
Ｇ　各源要素は対応するマイクロスポット上の露光レベルを制御するリトグラフィシステムであって，
Ｈ　印刷表面（１２）から反射した光が，ビームスプリッタ（１３）によって光路にスプリットされ，光検出器アレイ（１４）上に導かれ，
Ｉ　マイクロレンズアレイ（２）は，合焦エラーを測定するためにも機能することができ，
Ｊ　合焦エラーは，合焦曲線に僅かな相対オフセットを有する２つの隣接するマイクロレンズの信号応答を比較することによって極めて正確に測定することができ，
Ｋ　合焦位置を測定することに加えて，アレイ上の広く分離した位置に分布させた３つまたはそれ以上のＺ位置エンコーダからの出力を組合わせることによって，ウェーハとマイクロレンズアレイとの間の相対的な傾きを測定することができ，
Ｌ　マイクロレンズアレイ（２）の先縁に沿う１行のＺセンサを使用してウェーハをアレイの下で走査させると，ウェーハの反りの分布がラスタ状にマップされ，
Ｍ　測定された反りによる合焦エラーは，アレイ内に反り分布の補償を導入することによって動的に補正することができ，
Ｎ　コントローラ（１０６）は，ウェーハ走査及びＤＭＤイメージフレーム生成を同期させ，また走査位置決めエラーを動的に補正するフィードバックループを制御し，
Ｏ　光検出器信号は，走査中に動的な合焦，傾き，及び反り測定を行い，
Ｐ　高分解能Ｘ−Ｙ走査位置決め，並びに合焦，傾き，及び反り補正はマイクロレンズアレイに結合されている圧電アクチュエータ（１１０）によって行われ，
Ｑ　露光にＵＶ波長を，イメージングにＨｅＮｅレーザ波長を使用し，
Ｒ　印刷及び顕微鏡イメージング機能を単一のデバイスに組合わせたリトグラフィシステム。
　
(2)　対比
　本件補正後発明１と引用発明を対比すると以下のとおりとなる。
ア　照射系
　構成要件Ａから見て，引用発明の「照明システム（９）」と本件補正後発明１の「照射系」は，「放射ビームを調整するようになされた照射系」の点で一致する。
　
イ　個々に制御可能な部材のアレー
　構成要件ＢないしＤからみて，引用発明の「イメージ源（１１）」と本件補正後発明１の「個々に制御可能な部材のアレー」は，「パターン形成された放射ビームを形成するために放射ビームの横断面にパターンを与えることができる個々に制御可能な部材のアレー」の点で一致する。
　
ウ　基盤テーブル
　引用発明の露光（印刷）の対象である「ウェーハ」は本件補正後発明１の「基盤」の下位概念であるから，引用発明がウェハステージなどの「基盤を支持する基盤テーブル」を備えることは技術常識である。
　
エ　投影系
　構成要件Ｃ，Ｅ及びＦからみて，引用発明の「マイクロレンズアレイ（２）」は本件補正後発明１の「レンズ・アレー」に相当し，また，引用発明の「マイクロレンズアレイ（２）」と「投影システム（１）」を併せたものと本件補正後発明１の「投影系」は，「パターン形成された放射ビームを基盤のターゲット箇所に投影するようになされ，個々のレンズが放射ビームの異なる部分を伝達するように一平面内に配列されたレンズ・アレーを含む投影系」の点で一致する。
　
オ　測定装置
　構成要件ＨないしＱからみて，引用発明の「光検出器アレイ（１４）」を含む顕微鏡イメージングのための構成と本件補正後発明１の「測定装置」は，「前記基盤の一部と前記レンズ・アレーの一部との間隔距離を測定するようになされた測定装置」の点で一致するとともに，「前記基盤が露光されている間に前記レンズ・アレーと前記基盤との間隔距離を同時に測定する浮動状態で測定し」の構成を備える点でも一致する。
　
カ　駆動システム
　構成要件Ｎ及びＰからみて，引用発明の「コントローラ（１０６）」と「圧電アクチュエータ（１１０）」を併せてなるものと本件補正後発明１の「駆動システム」は，「前記測定装置による測定に基づいてレンズ・アレーの全体の位置と傾きとの少なくとも一方を調整するようになされた駆動システム」の点で一致する。
　
キ　リソグラフィ装置
　引用発明の「リトグラフィシステム」は本件補正後発明１の「リソグラフィ装置」に対応する。
　
　そうしてみると，本件補正後発明１と引用発明は，
「　放射ビームを調整するようになされた照射系と，
　パターン形成された放射ビームを形成するために放射ビームの横断面にパターンを与えることができる個々に制御可能な部材のアレーと，
　基盤を支持する基盤テーブルと，
　パターン形成された放射ビームを基盤のターゲット箇所に投影するようになされ，個々のレンズが放射ビームの異なる部分を伝達するように一平面内に配列されたレンズ・アレーを含む投影系と，
　前記基盤の一部と前記レンズ・アレーの一部との間隔距離を測定するようになされた測定装置と，
　前記測定装置による測定に基づいてレンズ・アレーの全体の位置と傾きとの少なくとも一方を調整するようになされた駆動システムとを含み，
　前記測定装置は，前記基盤が露光されている間に前記レンズ・アレーと前記基盤との間隔距離を同時に測定する浮動状態で測定する，
　リソグラフィ装置。」
の点で一致し，以下の点で相違する。
　
（相違点）
　本件補正後発明１は，「前記測定装置は，前記レンズ・アレーから独立しており，基盤の移動方向において前記レンズ・アレーの上流に位置する」という構成を備えるのに対して，引用発明は，これとは異なる構成を備える点。
　
(3)　判断
　基盤の位置検出を光学顕微鏡で観察することによって行う方式として，投影光学系を介した光学系で検出するＴＴＬ（Through The Lens）方式と投影光学系とは独立に設けた顕微鏡系で検出を行うオフアクシス方式の２つがあることは，当業者における技術常識である。しかも，引用発明は走査露光を行う方式であるところ，走査露光を行う方式において，測定用顕微鏡を投影光学系の上流に独立させて位置させて基盤の位置検出を行うことは周知慣用されている（必要ならば，特開２００４−３６３５９０号公報，特開２００４−３０２０４３号公報，特開２００３−２８２４７７号公報，特開平６−２６０３９１号公報を参照。）。
　そうしてみると，引用発明の構成要件ＨないしＯの顕微鏡イメージングのための構成に替えて上述の周知慣用技術を採用して相違点に係る構成を備えたものとすることは，当業者における通常の創意工夫の範囲内の事項である。
　また，本件補正後発明１の効果は，引用発明から当業者が予測できる範囲を超えないものである。
　
５　小括
　以上のとおり，本件補正後発明２，３及び５は発明の詳細な説明に記載されたものではないから，本件補正後の特許請求の範囲の記載は特許法第３６条第６項第１号の規定に違反するものであり，特許出願の際独立して特許を受けることが出来ないものである。また，本件補正後発明１は，引用例に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　したがって，本件補正は特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから，同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明
１　本願発明
　平成２１年１２月１６日付けの手続補正は却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，下記のものである。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　放射ビームを調整するようになされた照射系と，
　パターン形成された放射ビームを形成するために放射ビームの横断面にパターンを与えることができる個々に制御可能な部材のアレーと，
　基盤を支持する基盤テーブルと，
　パターン形成された放射ビームを基盤のターゲット箇所に投影するようになされ，個々のレンズが放射ビームの異なる部分を伝達するように一平面内に配列されたレンズ・アレーを含む投影系と，
　前記基盤の一部と前記レンズ・アレーの一部との間隔距離を測定するようになされた測定装置と，
　前記測定装置による測定に基づいてレンズ・アレーの全体の位置と傾きとの少なくとも一方を調整するようになされた駆動システムとを含み，
　前記測定装置は，前記基盤が露光されている間に前記レンズ・アレーと前記基盤との間隔距離を同時に測定する浮動状態で測定するリソグラフィ装置。
　
２　引用発明
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は「第２　補正の却下の決定」の「４　２９条２項」の「(1)引用例」に記載したとおりである。
　
３　対比及び判断
　本願発明は，本件補正後発明１の測定装置について「前記レンズ・アレーから独立しており，基盤の移動方向において前記レンズ・アレーの上流に位置する」という構成，すなわち，「第２　補正の却下の決定」の「４　２９条２項」の「(2)　対比」に記載した相違点に係る構成を削除するものである。
　
　そうすると，本願発明の構成要件を全て含み，さらに他の構成要件を付加したものに相当する本件補正後発明１が「第２　補正の却下の決定」で述べた理由により引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり，しかも，本願発明が本件補正後発明１から相違点に係る構成を削除してなるものである点を考慮すると，本願発明は，引用発明と同一である。
　
４　小括
　以上のとおり，本願発明は引用例に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号の規定に違反するものであるから特許を受けることができない。
　
第４　総括
　したがって，その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。