【事件の表示】
　特願２００８−２４７２８５「フォトマスクブランク及びフォトマスク」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１２月１８日出願公開、特開２００８−３０４９５６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　　本件出願の手続の経緯は、概要次のとおりである。 
　　特許出願　　　　　　：平成２０年　９月２６日 
（特願２００５−２００３４０号を原出願とした分割出願）
（特許法第４１条に基づく優先権主張の日：平成１６年　７月９日）
　　拒絶理由通知（最初）：平成２１年　３月２４日（起案日） 
　　手続補正　　　　　　：平成２１年　６月　１日 
　　拒絶査定　　　　　　：平成２１年　６月１９日（起案日） 
　　拒絶査定不服審判請求：平成２１年　９月２４日 
　　手続補正　　　　　　：平成２１年　９月２４日 
　　審尋　　　　　　　　：平成２２年　８月　５日（起案日） 
　　回答書　　　　　　　：平成２２年１０月１２日 
　 
第２　平成２１年９月２４日付け手続補正についての補正の却下の決定 
〔補正却下の決定の結論〕 
　平成２１年９月２４日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 
　 
〔理由〕 
１　本件補正の目的 
　本件補正は、特許請求の範囲及び明細書を補正するものであって、その補正は、平成２１年６月１日付け手続補正により補正された請求項１の、 
「【請求項１】
　透光性基板上に遮光膜を有するフォトマスクブランクであって、
　前記フォトマスクブランクは、波長２００ｎｍ以下の露光光を露光光源とする露光装置に用いられるフォトマスクを製造するためのものであり、
　前記遮光膜は、ドライエッチングを用いてパターニングされて、前記透光性基板上にマスクパターンを形成する遮光膜であり、
　前記遮光膜は、遮光層と反射防止層とを有し、
　前記反射防止層が炭素を含み、反射防止層の炭素の含有量が５〜２０原子％であり、
　前記遮光膜の膜厚は９０ｎｍ以下であり、
　前記遮光膜全体に占める反射防止層の割合が０．４５以下であることを特徴とするフォトマスクブランク。」 
なる記載を、本件補正後の請求項１の、 
「【請求項１】
　透光性基板上に遮光膜を有するフォトマスクブランクであって、
　前記フォトマスクブランクは、波長２００ｎｍ以下の露光光を露光光源とする露光装置に用いられるフォトマスクを製造するためのものであり、
　前記遮光膜は、ドライエッチングを用いてパターニングされて、前記透光性基板上にマスクパターンを形成する遮光膜であり、
　前記遮光膜はクロムと、酸素及び／又は窒素とを含み、
　前記遮光膜は、遮光層と遮光膜の表層部に設けられた反射防止層とを有し、
　前記反射防止層が炭素を含み、反射防止層の炭素の含有量が１０〜２０原子％であり、
　前記遮光膜の膜厚は９０ｎｍ以下であり、
　前記遮光膜全体に占める前記反射防止層の割合が０．４５以下であることを特徴とするフォトマスクブランク。」 
という記載にすることを含むものである。
　　
　本件補正後の請求項１に係る当該補正は、平成２１年６月１日付け手続補正により補正された請求項１について、「遮光膜」の組成を限定すると共に、「反射防止層の炭素の含有量」を「１０〜２０原子％」と減縮するものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下単に「特許法第１７条の２」という。）第４項第２号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものである。 
　 
　そこで、本件補正後の請求項１に記載されている発明特定事項により特定される発明(以下「本件補正発明」という。)が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか否かについて、以下に検討する。 
　 
２　本件補正発明 
　本件補正発明は、上記「１」に記載したとおりのものである。 
　 
３　引用例 
　本願優先日前に頒布された刊行物である、特開２００３−３２２９５６号公報（公開日：平成１５年１１月１４日、出願人：ＨＯＹＡ株式会社、以下「引用例１」という。）には、以下の技術的事項の記載がある（下線は当審で付した。）。 
　　　
ａ．「【０００２】
【従来の技術】位相シフトマスクとしては、特許文献1に代表される所謂ハーフトーン型位相シフトマスクがある。このハーフトーン型位相シフトマスクは、半透光膜パターンにおいて、露光光の位相をシフトさせる機能と、該露光光を実質的に遮る機能とを兼ねるので構成が簡素で済むという特徴を有していた。ところが、
この種のハーフトーン型位相シフトマスクにあっては、縮小露光投影装置(ステッパ)のマスク(レチクル)として繰り返し使用
　　 
ｂ．「【００２４】本発明の第4の態様によれば、
透明基板上に、露光光に対して所定の透過率及び位相シフト量を有する半透光膜と、この半透光膜上に形成された遮光膜とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記遮光膜の最上層部分が、クロム、炭素、酸素、及び窒素を含有してなる反射率調整部とされ、前記遮光膜表面の反射率が、露光光の波長及び遮光膜パターンを形成するためのレーザ描画装置のレーザ光の波長の何れに対しても３０％以下である
　　
ｃ．「【００３６】本発明の第14の態様によれば、第11乃至13の態様において、前記
露光光が２００[nm]以下の波長の光であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクが提供される。より具体的には、前記露光光としては、波長が１９３[nm]の光や、波長が１５７[nm]の光等を用いることができる
　　
ｄ．「【００４３】
【作用】
反射率調整部の構成元素として、クロム、炭素、酸素、及び窒素を選択した場合には、そのうち窒素の含有率と、遮光膜の反射率波長依存性とが相関関係を示す。また反射率調整部における窒素の含有率によって、遮光膜の反射率波長依存性を調整できるところ、該反射率波長依存性は、窒素の含有率によって極端に変化するのではなく、徐々に変化するから、遮光膜の反射率波長依存性を正確かつ容易に微調整できる
　　　　
ｅ．「【００４４】
【発明の実施の形態】図１は、実施の形態によるハーフトーン型位相シフトマスクブランクの構成を示す断面概略図である。
このハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、透光性を有する透明基板1と、この透明基板1上に形成された半透光膜2と、この半透光膜2上に形成された遮光膜3とを有してなる
【００４５】半透光膜2は、露光光に対して所定の透過率及び位相シフト量を有する。具体的には、半透光膜2は、露光光に対して３〜４０％の透過率及び略１８０°の位相シフト量を有するものである。
【００４６】
遮光膜3は、その膜厚方向に半透光膜2側の下地部3bと、この下地部3b上の反射率調整部3aとからなる。この遮光膜3は、半透光膜2と積層した場合に、露光光に対して充分な遮光性を発揮するように構成されている
【００４７】反射率調整部3aは、単独の層(膜)として形成するのが好ましいが、遮光膜3の全体又は一部を当該膜厚方向に向かって組成が連続的に変化するように構成する場合には、その連続膜の一部であってもよい。いずれの場合においても、遮光膜膜3における反射率調整部3aを除く部分が下地部3bとなる。
【００４８】反射率調整部3aは、クロム、炭素、酸素、及び窒素からなる。このうち酸素の含有率は２０原子％以上である。詳細には、反射率調整部3aは、クロムを２０〜５０原子％含有し、炭素を５〜２０原子％含有し、酸素を２０〜５０原子％含有し、かつ窒素を５〜４０原子％含有する。
【００４９】
下地部3bは、クロム等の金属を主成分とするものであり、薄い膜厚でありながら高い遮光機能を発揮させるため、酸素の含有率を１０原子％以下(ゼロを含む。)としている。これにより、反射率調整部3aの構成元素として、クロム炭素、酸素、及び窒素を採用しながら、遮光膜3全体の膜厚を６０[nm]以下にできる
【００５０】以下、このハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法と、該ハーフトーン型位相シフトマスクブランクを用いたハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法について具体的に説明する。」
　　　
ｆ．「【００５１】〔実施例1〕
・・・（中略）・・・
【００５５】以上までの工程で、実施例1によるハーフトーン型位相シフトマスクブランクを得た。
このハーフトーン型位相シフトマスクブランクでは、第１遮光膜31が下地部3bに相当し、第２遮光膜32が反射率調整部3aに相当する。そして、これら第１遮光膜31と第２遮光膜32とで遮光膜3を構成している
　・・・（中略）・・・
【００５７】次いで、ポジ型電子線レジスト膜4に対し、所望のパターンを電子線描画装置(ETEC社製;MEBES)によって電子線描画し、現像して第１レジストパターン41を形成した。そして、
この第１レジストパターン41をマスクにして、遮光膜3を、塩素と酸素を用いたドライエッチングによってパターニングすることにより、第１遮光膜パターン311、及び第２遮光膜パターン321を形成した
　　　
ｇ．「【００９２】〔実施例6〕
実施例1の変形例として、下地部3bたる第１遮光膜31、及び反射率調整部3aたる第２遮光膜32のみの構成を変えたハーフトーン型位相シフトマスクブランクを製造した
半透光膜2の上に、膜厚４００[Å]のＣｒＯＮからなる第１遮光膜31を形成した
【００９３】次いで、静止対向型スパッタリング装置にて、クロムターゲットを用い、不活性ガスとしてのＡｒガスと、原料ガスとしてのＮ2及びＣＯ2ガスと、の混合ガス雰囲気(Ａｒ流量＝２０[sccm]，Ｎ2流量＝３８[sccm]，ＣＯ2流量＝１５．７[sccm]、ガス圧＝０．１７５[Pa])中で、反応性スパッタリングを行うことにより、
第１遮光膜31の上に、膜厚１６５[Å]のＣｒＣＯＮからなる第２遮光膜32を形成した
これらの点以外は、実施例1と同様にして実施例6によるハーフトーン型位相シフトマスクブランクを得、それに上記と同様のパターニングを施して実施例6によるハーフトーン型位相シフトマスクを得た
【００９４】この実施例6における第１遮光膜31(下地部)、及び第２遮光膜32(反射率調整部)の成膜条件(各原料ガスの流量,スパッタパワー,成膜圧力)、膜種、及び膜厚を下記表3にまとめた。
【表３】
この表3に掲げるように、実施例6においては、
遮光膜3全体としての膜厚を６０[nm]以下と実施例1〜5に比べて薄膜化している
具体的には、実施例6による遮光膜3の膜厚は、４００＋１６５＝５６５[Å]、即ち５６．５[nm]である
【００９５】〔反射率カーブ〕実施例6で得られた各ハーフトーン型位相シフトマスクについて、上記各実施例と同様にして遮光膜3の反射率カーブを測定した。測定結果を図５に示す。同図中、符号Kは、下地部3bの反射率カーブを示し、符号Lは下地部3bと反射率調整部3aとの積層膜、即ち遮光膜3全体の反射率カーブを示す。図５に示すように、
実施例6による遮光膜3の反射率カーブLは、１９３[nm]〜３６５[nm]の波長範囲内における反射率の変化が１０％以内と反射率波長依存性が小さく、しかもこの波長範囲内では一貫して反射率が２０％以下となっており、遮光膜3が非常に好ましい反射率波長依存性を有している
【００９６】〔オージェ電子分光分析結果〕実施例6における第１遮光膜31(下地部)、及び第２遮光膜32(反射率調整部)の組成を、オージェ電子分光分析装置によって調べた。その結果を、下記表4に掲げる。
【表４】
この表4に掲げるように、
実施例6の遮光膜3では、下地部3bが酸素を含有しておらず、反射率調整部3aが酸素を２０原子％以上含有している。詳細には、反射率調整部3aは、クロムを３５原子％含有し、炭素を１０原子％含有し、酸素を４０原子％含有し、かつ窒素を１５原子％含有してなる
【００９７】〔ODカーブ〕実施例6で得られた各ハーフトーン型位相シフトマスクについて、遮光膜3の光学濃度を測定した。測定結果を図６に示す。同図は、同図は縦軸に光学濃度(OD)をとり、横軸に試験光の波長[nm]をとったODカーブを示す。即ち、ODカーブとは、光学濃度の波長依存性を表すグラフである。同図中、符号Mは下地部3bのODカーブを示し、符号Nは下地部3bと反射率調整部3aとの積層膜、即ち遮光膜3全体のODカーブを示す。
【００９８】図６に示すように、
実施例6による遮光膜3は、膜厚を６０[nm]以下、詳細には５６．５[nm]としたにも拘わらず、そのODカーブNは１９３[nm]〜３６５[nm]の波長範囲内において２以上の充分な光学濃度を示しているため、半透光膜と合せた場合に３以上の光学濃度を得ることができる
【００９９】反射率調整部3aとしてＣｒＣＯＮを採用しながら、その厚みを１６５[Å]とし、かつ遮光膜3全体の膜厚を６０[nm]以下にした場合には、図５に示すように、該遮光膜3が特に良好な反射率波長依存性を示す。また、このように、遮光膜3を薄くすると、該遮光膜3をパターニングするときの加工精度を向上できるという相乗効果も得られる。」
　　　 
〔引用例１に記載された発明〕　 
　これらの記載事項からして、引用例１には、 
「透光性を有する透明基板１上に形成された半透光膜２と、この半透光膜２上に形成された遮光膜３を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクであって、
　ハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、露光光として、２００[nm]以下の波長の光、より具体的には、波長が１９３[nm]の光や、波長が１５７[nm]の光等を用いることができるハーフトーン型位相シフトマスクを提供するためのものであり、この種のハーフトーン型位相シフトマスクは、縮小露光投影装置(ステッパ)のマスク(レチクル)として使用され、
　第１レジストパターン４１をマスクにして、遮光膜３を、塩素と酸素を用いたドライエッチングによってパターニングすることにより、第１遮光膜パターン３１１、及び第２遮光膜パターン３２１が形成され、
　遮光膜３は、ＣｒＮからなる下地部３ｂたる第１遮光膜３１と、ＣｒＣＯＮからなる反射率調整部３ａたる第２遮光膜３２とを有し、第２遮光膜３２は第１遮光膜３１の上に形成され、
　下地部３ｂは、クロム等の金属を主成分とするものであり、薄い膜厚でありながら高い遮光機能を発揮させるため、酸素の含有率を１０原子％以下(ゼロを含む。)としており、
　遮光膜表面の反射率が、露光光の波長及び遮光膜パターンを形成するためのレーザ描画装置のレーザ光の波長の何れに対しても３０％以下であり、
　反射率調整部３ａたる第２遮光膜３２の組成は、Ｃｒが３５原子％、Ｏが４０原子％、Ｎが１５原子％、Ｃが１０原子％であり、
　第１遮光膜３１は膜厚４００［Å］、第２遮光膜３２は膜厚１６５［Å］であり、
　遮光膜３の膜厚は、４００＋１６５＝５６５[Å]、即ち５６．５[nm]であるハーフトーン型位相シフトマスクブランク。」
の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている。 
　 
４　本件補正発明と引用発明１との対比 
　本件補正発明と引用発明１とを対比する。 
　 　
＜対応関係Ａ＞ 
　引用発明１の「透光性を有する透明基板１」、「遮光膜３」及び「ハーフトーン型位相シフトマスクブランク」、は、それぞれ本件補正発明の「透光性基板」、「遮光膜」及び「フォトマスクブランク」に相当する。 
　 　
＜対応関係Ｂ＞ 
　引用発明１の「ハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、露光光として、２００[nm]以下の波長の光、より具体的には、波長が１９３[nm]の光や、波長が１５７[nm]の光等を用いることができるハーフトーン型位相シフトマスクを提供するためのものであり、この種のハーフトーン型位相シフトマスクは、縮小露光投影装置(ステッパ)のマスク(レチクル)として使用され」ることは、露光光は露光光源で生成されるという技術常識を踏まえると、本件補正発明の「フォトマスクブランクは、波長２００ｎｍ以下の露光光を露光光源とする露光装置に用いられるフォトマスクを製造するためのもの」であることに相当する。 
　　 
＜対応関係Ｃ＞ 
　引用発明１において、「遮光膜３」が、「第１レジストパターン４１をマスクにして、遮光膜３を、塩素と酸素を用いたドライエッチングによってパターニングすること」により「第１遮光膜パターン３１１、及び第２遮光膜パターン３２１」を形成するものであることは、本件補正発明の「遮光膜は、ドライエッチングを用いてパターニングされて、透光性基板上にマスクパターンを形成する遮光膜」であることに相当する。 
　　 
＜対応関係Ｄ＞ 
　引用発明１の「遮光膜３は、ＣｒＮからなる下地部３ｂたる第１遮光膜３１と、ＣｒＣＯＮからなる反射率調整部３ａたる第２遮光膜３２とを有」することは、本件補正発明の「遮光膜はクロムと、酸素及び／又は窒素とを含」むことに相当する。　 
　　　
＜対応関係Ｅ＞ 
　引用発明１の「下地部３ｂ」は、「薄い膜厚でありながら高い遮光機能を発揮」するものであるから、本件補正発明の「遮光層」に相当する。
　引用発明１の「反射率調整部３ａ」は、「遮光膜表面の反射率が、露光光の波長及び遮光膜パターンを形成するためのレーザ描画装置のレーザ光の波長の何れに対しても３０％以下」となる作用を奏するものであり、かつ、「ＣｒＮからなる下地部３ｂたる第１遮光膜３１と、ＣｒＣＯＮからなる反射率調整部３ａたる第２遮光膜３２」とについての「第２遮光膜３２は第１遮光膜３１の上に形成され」るという配置関係からして、本件補正発明の「遮光層の表層部に設けられた反射防止層」に相当する。
　　　　
＜対応関係Ｆ＞
　引用発明１の「反射率調整部３ａたる第２遮光膜３２の組成は・・・Ｃが１０原子％」であることは、本件補正発明の「前記反射防止層が炭素を含み、反射防止層の炭素の含有量が１０〜２０原子％」であることに相当する。
　　
＜対応関係Ｇ＞
　引用発明１の「遮光膜３の膜厚は、４００＋１６５＝５６５[Å]、即ち５６．５[nm]である」ことは、本件補正発明の「遮光膜の膜厚は９０ｎｍ以下であ」ることに相当する。
　　
＜対応関係Ｈ＞
　引用発明１において、「反射率調整部３ａたる第２遮光膜３２」が「膜厚１６５［Å］」であることからして、「遮光膜３」全体の膜厚５６５［Å］に占める「反射率調整部３ａ」の割合が１６５／５６５≒０．２９２となっていることは、本件補正発明の「遮光膜全体に占める反射防止層の割合が０．４５以下である」ことに相当する。
　　
　以上の対応関係からして、本件補正発明と引用発明１とは、 
「透光性基板上に遮光膜を有するフォトマスクブランクであって、
　前記フォトマスクブランクは、波長２００ｎｍ以下の露光光を露光光源とする露光装置に用いられるフォトマスクを製造するためのものであり、
　前記遮光膜は、ドライエッチングを用いてパターニングされて、前記透光性基板上にマスクパターンを形成する遮光膜であり、
　前記遮光膜はクロムと、酸素及び／又は窒素とを含み、
　前記遮光膜は、遮光層と遮光膜の表層部に設けられた反射防止層とを有し、
　前記反射防止層が炭素を含み、反射防止層の炭素の含有量が１０〜２０原子％であり、
　前記遮光膜の膜厚は９０ｎｍ以下であり、
　前記遮光膜全体に占める前記反射防止層の割合が０．４５以下であるフォトマスクブランク。」 
の点で一致し、特段の相違点が認められない。 
　 　　
　よって、本件補正発明は、引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の発明に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　　　　　 
６　本件補正についてのむすび 
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　 
第３　本願発明について 
１　本願発明 
　平成２１年９月２４日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲に記載された発明は、特許出願時の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。 
　 
「【請求項１】
　透光性基板上に遮光膜を有するフォトマスクブランクであって、
　前記フォトマスクブランクは、波長２００ｎｍ以下の露光光を露光光源とする露光装置に用いられるフォトマスクを製造するためのものであり、
　前記遮光膜は、ドライエッチングを用いてパターニングされて、前記透光性基板上にマスクパターンを形成する遮光膜であり、
　前記遮光膜は、遮光層と反射防止層とを有し、
　前記反射防止層が炭素を含み、反射防止層の炭素の含有量が５〜２０原子％であり、
　前記遮光膜の膜厚は９０ｎｍ以下であり、
　前記遮光膜全体に占める反射防止層の割合が０．４５以下であることを特徴とするフォトマスクブランク。」 
　 
３　引用例 
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先日前に頒布された刊行物である、特開２００２−１９６４７５号公報（以下「引用例２」という。）には、以下の技術的事項の記載がある（下線は当審で付した。）。 
　　 
ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路及び高密度集積回路等の製造工程において使用されるフォトマスクブランクス及びフォトマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の高密度半導体集積回路、ＣＣＤ（電荷結合素子）やＬＣＤ（液晶表示素子）用のカラーフィルター、磁気ヘッド等の微細加工には、フォトマスクを使ったフォトリソグラフィー技術が用いられている
【０００３】
この微細加工には、石英ガラス、アルミノシリケートガラス等の透明な基板の上に一般的にはクロム膜からなる遮光膜をスパッタ又は真空蒸着等で形成したフォトマスクブランクスを用いて、この遮光膜に所定のパターンを形成したものをフォトマスクとして用いている
【０００４】この場合、クロム系の遮光膜は光反射率が大きく、被露光物である半導体基板で反射した光が投影レンズを通ってフォトマスクで反射し、再び半導体基板に戻ることを防止するため、遮光膜の表面、表面及び裏面に反射防止膜を通常形成している。
　・・・（中略）・・・
【０００６】しかし、高
密度半導体集積回路の微細化、高集積化にともない、フォトマスクブランクスの欠陥検査や回路パターン検査において、検出感度の高い検査が行われるようになり、遮光膜及び反射防止膜はより高い膜質の均一性が求められている
　　　
ｂ．「【００１０】即ち、本発明は、下記のフォトマスクブランクス及びフォトマスクを提供する。
請求項１：
露光光が透過する透明基板上に少なくとも一層の遮光性膜と少なくとも一層の反射防止膜を有するフォトマスクブランクスにおいて、上記透明基板と遮光膜又は反射防止膜との間にシード層を形成すると共に、このシード層を酸素、窒素及び炭素の少なくとも１種を含むクロムからなる材料で形成したことを特徴とするフォトマスクブランクス
請求項２：
上記遮光膜又は反射防止膜を酸素、窒素及び炭素の少なくとも１種を含むクロムからなる材料で形成したことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクブランクス
請求項３：上記シード層の厚さを０．５〜１０ｎｍとする請求項１又は２に記載のフォトマスクブランクス。
請求項４：上記フォトマスクブランクスの表面粗度（ＲＭＳ）を０．９ｎｍ以下とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のフォトマスクブランクス。
請求項５：請求項１乃至４のいずれか１項に記載のフォトマスクブランクスをリソグラフィ法によりパターン形成してなることを特徴とするフォトマスク。
【００１１】本発明のシード層を持ったマスクブランクス及びフォトマスクによれば、透明基板上のシード層が、遮光膜又は反射防止膜の成長核となり、シード層の上の遮光膜及び反射防止膜の成長が微細な粒状成長になり、結果として表面粗度の小さいフォトマスクブランクス及びフォトマスクを得ることができる。
【００１２】以下、本発明につき更に詳しく説明する。本発明のフォトマスクブランクスは、図１，３に示したように、
露光光が透過する透明基板１上に少なくとも一層の遮光膜２と少なくとも一層の反射防止膜４を有し
【００１３】この場合、図１に示したように、シード層の上に遮光膜が一層、反射防止膜が一層の３層構造の場合、基板上にシード層、このシード層の上に遮光膜、さらに
遮光膜の上に反射防止膜を順次形成することが好ましい
【００１４】また、図３に示したように、シード層の上に遮光膜が一層、反射防止膜が二層の４層構造のフォトマスクブランクスの場合、基板上にシード層、このシード層の上に第１の反射防止膜、この第１の反射防止膜の上に遮光膜、さらに遮光膜の上に第２の反射防止膜を順次形成することが好ましい。
【００１５】ここで、成膜に用いる基板としては特に制限されず、例えば、石英、アルミノシリケートガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム等が好ましい。
【００１６】本発明においては、この基板上にシード層を形成する。上記シード層としては、酸素、窒素、炭素を少なくとも１種含むクロムからなる材料が好適であり、例えば、クロム酸化物、クロム窒化物、クロム酸化窒化物、クロム酸化炭化物、クロム酸化窒化炭化物等が挙げられるが、特にクロム酸化炭化物、クロム酸化窒化炭化物が好ましい。
【００１７】この場合、シード層中のクロム量は、２５〜６０原子％、特に３０〜５０原子％とすることが好ましい。クロム酸化窒化物の場合、窒素量は２〜５０原子％、特に１０〜３０原子％、酸素量は５〜６０原子％、特に２０〜５０原子％が好ましく、クロム酸化炭化物の場合、炭素量は２〜５０原子％、特に５〜２５原子％、酸素量は５〜６０原子％、特に２０〜５０原子％が好ましい。また、クロム炭化窒化酸化物の場合、窒素量は２〜５０原子％、特に５〜２５原子％、炭素量２〜５０原子％、特に５〜２５原子％、酸素量は５〜６０原子％、特に２０〜５０原子％が好ましい。」
　　　
ｃ．「【００２５】また、
上記遮光膜及び反射防止膜としては、酸素、窒素、炭素の少なくとも１種を含むクロム系材料が好適であり、例えば、クロム酸化物、クロム窒化物、クロム酸化窒化物、クロム酸化炭化物、クロム酸化窒化炭化物等が挙げられるが、特にクロム酸化炭化物、クロム酸化窒化炭化物が好ましい。これらの組成としては、公知の組成とすることができる
【００２６】更に、
遮光膜の厚さは１０〜１５０ｎｍ、特に５０〜８０ｎｍであることが好ましく、反射防止膜の厚さは１０〜１００ｎｍ、特に２０〜４０ｎｍとすることが好ましい
　　　
ｄ．「【００２９】このようにして得られる本発明のフォトマスクブランクスをリソグラフィ法によりパターン形成することにより、図２，４に示したようなシード層と遮光膜と反射防止膜とからなる３層，４層構造のフォトマスクが得られる。
【００３０】具体的には、
本発明のフォトマスクブランクスを用いて図２に示したようなフォトマスクを製造する場合は、図５（Ａ）に示したように、透明基板１１の上にシード層１２、その上に遮光膜１３、遮光膜１３の上に反射防止膜１４を順次形成した後、反射防止膜１４の上にレジスト膜１５を形成し、図５（Ｂ）に示したように、レジスト膜１５をパターニングし、更に、図５（Ｃ）に示したように、シード層１２、遮光膜１３及び反射防止膜１４をドライエッチング又はウェットエッチングした後、図５（Ｄ）に示したように、レジスト膜１５を剥離する方法が採用され得る。この場合、レジスト膜の塗布、パターニング（露光、現像）、レジスト膜の除去は、公知の方法によって行うことができる
　　　
ｅ．「【００３２】
【実施例】以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明の実施例に制限されるものではない。
【００３３】［実施例１］６”の石英基板上に金属クロムターゲットを用いて、スパッタガスとしてＡｒ３２ｓｃｃｍ、反応性スパッタガスとしてＣＯ2  １．０ｓｃｃｍ、Ｎ2  １８ｓｃｃｍ流して、放電中のガス圧０．３Ｐａ、７．１ｗ／ｃｍ2、ＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮを３ｎｍのシード層として成膜した。このＣｒＣＯＮの膜組成をＥＳＣＡにより分析した結果、Ｃｒが４８原子％、Ｃが９原子％、Ｏが１７原子％、Ｎが２６原子％含まれていた。
【００３４】
このシード層（ＣｒＣＯＮ膜）上にＣｒをターゲットにして、Ａｒを３２ｓｃｃｍ、ＣＯ
2
を０．７ｓｃｃｍ、Ｎ
2
を１ｓｃｃｍ流して、放電中のガス圧０．３Ｐａ、６．６ｗ／ｃｍ
2
、ＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮを７０ｎｍ成膜した。このＣｒＣＯＮの膜組成をＥＳＣＡにより分析した結果、Ｃｒが６３原子％、Ｃが８原子％、Ｏが２０原子％、Ｎが９原子％含まれていた
【００３５】
更にこのＣｒＣＯＮ膜上にＣｒをターゲットにして、Ａｒを３２ｓｃｃｍ、ＣＯ
2
を１４ｓｃｃｍ、Ｎ
2
を１０ｓｃｃｍ流して、放電中のガス圧０．３Ｐａ、６．６ｗ／ｃｍ
2
、１２０℃、ＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮを２５ｎｍ成膜した。このＣｒＣＯＮの膜組成をＥＳＣＡにより分析した結果、Ｃｒが４２原子％、Ｃが５原子％、Ｏが４３原子％、Ｎが１０原子％含まれていた
　　　 
ｆ．「【００４５】
【発明の効果】本発明のシード層を持つフォトマスク及びマスクブランクスでは、透明基板上に形成したシード層の上に遮光膜及び反射防止膜を形成すると膜の成長が微細な粒状成長になり、表面粗度の小さいマスクブランクスを得ることができ、また欠陥検査及び回路パターン検査おいても高感度検出が可能となり、
高品質なフォトマスクブランクス及びフォトマスクが得られ、更なる半導体集積回路の微細化、高集積化に十分対応することができるものである
　　　
〔引用例２に記載された発明〕　 
　これらの記載事項からして、引用例２には、 
「露光光が透過する透明基板１１上にシード層１２と遮光膜１３と反射防止膜１４を形成したフォトマスクブランクスであって、
　ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の高密度半導体集積回路等の微細加工に用いられるフォトリソグラフィー技術では、フォトマスクブランクスを用いて、遮光膜１３に所定のパターンを形成したものをフォトマスクとして用いており、
フォトマスクブランクス及びフォトマスクは、更なる半導体集積回路の微細化、高集積化に十分対応することができるものであり、
　フォトマスクブランクスを用いてフォトマスクを製造する場合は、透明基板１１の上にシード層１２、その上に遮光膜１３、遮光膜１３の上に反射防止膜１４を順次形成した後、反射防止膜１４の上にレジスト膜１５を形成し、レジスト膜１５をパターニングし、更に、シード層１２、遮光膜１３及び反射防止膜１４をドライエッチング又はウェットエッチングした後、レジスト膜１５を剥離する方法が採用され、
　シード層１２はＣｒＣＯＮからなり、Ｃｒが４８原子％、Ｃが９原子％、Ｏが１７原子％、Ｎが２６原子％含まれており、
　遮光膜１３はＣｒＣＯＮからなり、Ｃｒが６３原子％、Ｃが８原子％、Ｏが２０原子％、Ｎが９原子％含まれており、
　反射防止層１４はＣｒＣＯＮからなり、Ｃｒが４２原子％、Ｃが５原子％、Ｏが４３原子％、Ｎが１０原子％含まれており、
　シード層１２の厚さは０．５ｎｍから１０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは０．５ｎｍから５ｎｍであり、
　遮光膜１３の厚さは１０〜１５０ｎｍ、特に５０〜８０ｎｍであることが好ましく、
反射防止膜１４の厚さは１０〜１００ｎｍ、特に２０〜４０ｎｍとすることが好ましいフォトマスクブランクス。」
の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されている。 
　 　　
４　本願発明と引用発明２との対比 
　本願発明と引用発明２とを対比する。 
　 　　　　
＜対応関係Ａ＞ 
　引用発明２の「露光光が透過する透明基板１１」、「フォトマスクブランクス」、「遮光膜１３」及び「反射防止膜１４」は、それぞれ本願発明の「透光性基板」、「フォトマスクブランク」、「遮光層」及び「反射防止層」に相当する。 
　  
＜対応関係Ｂ＞ 
　引用発明２の「遮光膜１３」の上に「反射防止膜１４」を形成した２層を含む薄膜は、本願発明の「遮光層と反射防止層とを有」する「遮光膜」に相当する。
　　　　
＜対応関係Ｃ＞
　引用発明２の「ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の高密度半導体集積回路等の微細加工に用いられるフォトリソグラフィー技術では、フォトマスクブランクスを用いて、遮光膜１３に所定のパターンを形成したものをフォトマスクとして用いて」いることと、本願発明の「フォトマスクブランクは、波長２００ｎｍ以下の露光光を露光光源とする露光装置に用いられるフォトマスクを製造するためのもの」であることとは、フォトマスクは所定の波長の光源からの光を露光光とする露光装置で使用するという技術常識を踏まえると、「フォトマスクブランクは、所定の波長の露光光を露光光源とする露光装置に用いられるフォトマスクを製造するためのもの」である点で共通する。
　　 
＜対応関係Ｄ＞ 
　引用発明２の「フォトマスクブランクスを用いてフォトマスクを製造する場合は、透明基板１１の上にシード層１２、その上に遮光膜１３、遮光膜１３の上に反射防止膜１４を順次形成した後、反射防止膜１４の上にレジスト膜１５を形成し、レジスト膜１５をパターニングし、更に、シード層１２、遮光膜１３及び反射防止膜１４をドライエッチング・・・した後、レジスト膜１５を剥離する方法が採用され」ることによりパターン形成される遮光膜１３及び反射防止膜１４は、本願発明の「ドライエッチングを用いてパターニングされて、前記透光性基板上にマスクパターンを形成する遮光膜」に相当する。 
　　 
＜対応関係Ｅ＞ 
　引用発明２の「反射防止層１４はＣｒＣＯＮからなり、Ｃｒが４２原子％、Ｃが５原子％、Ｏが４３原子％、Ｎが１０原子％含まれて」いることは、本願発明の「反射防止層が炭素を含み、反射防止層の炭素の含有量が５〜２０原子％」であることに相当する。　 
　　　
＜対応関係Ｆ＞ 
　引用発明２の「遮光膜１３」の厚さの特に好ましい範囲「５０〜８０ｎｍ」と「反射防止層１４」の厚さの特に好ましい範囲「２０〜４０ｎｍ」とを合算すると、２つの薄膜の厚さの合算値の特に好ましい範囲は７０〜１２０ｎｍとなり、１２０ｎｍが上限となっていることと、本願発明の「遮光膜の膜厚は９０ｎｍ以下であ」ることとは、「遮光膜の膜厚は所定の厚さ以下」である点で共通する。
　　　
＜対応関係Ｇ＞
　引用発明２の「遮光膜１３の厚さ」は「特に５０〜８０ｎｍであることが好ましく」、「反射防止膜１４の厚さ」は「特に２０〜４０ｎｍとすることが好ましい」ということからすると、特に好ましいとされる範囲において、「反射防止膜１４の厚さ」が、「遮光膜１３」と「反射防止膜１４」からなる２層の薄膜の厚さに対する割合（「反射防止膜１４の厚さ」／「遮光膜１３」と「反射防止膜１４」からなる２層の薄膜の厚さ）は、最小で２０ｎｍ／（８０ｎｍ＋２０ｎｍ）＝０．２５、最大で４０ｎｍ／（５０ｎｍ＋４０ｎｍ）≒０．４４４となっている。
　そうすると、引用発明２で特に好ましいとされる範囲において、「反射防止膜１４の厚さ」が、「遮光膜１３」と「反射防止膜１４」からなる２層の薄膜の厚さに対する割合が最大で約０．４４４であることは、本願発明の「遮光膜全体に占める反射防止層の割合が０．４５以下である」ことに相当する。
　　
　以上の対応関係からして、本願発明と引用発明２とは、 
「透光性基板上に遮光膜を有するフォトマスクブランクであって、
　前記フォトマスクブランクは、所定の波長の露光光を露光光源とする露光装置に用いられるフォトマスクを製造するためのものであり、
　前記遮光膜は、ドライエッチングを用いてパターニングされて、透光性基板上にマスクパターンを形成する遮光膜であり、
　前記遮光膜は、遮光層と反射防止層とを有し、
　前記反射防止層が炭素を含み、反射防止層の炭素の含有量が５〜２０原子％であり、
　前記遮光膜の膜厚は所定の厚さ以下であり、
　前記遮光膜全体に占める反射防止層の割合が０．４５以下であるフォトマスクブランク。」 
の点で一致し、以下の各点で相違する。 
　　 
（相違点１）
　フォトマスクを製造する際の露光光の波長に関して、本願発明は「波長２００ｎｍ以下」としているのに対して、引用発明２はそのような限定をしていない点。
　　
（相違点２） 
　遮光膜の膜厚に関して、本願発明は「９０ｎｍ以下」としているのに対して、引用発明２では、「遮光膜１３の厚さは１０〜１５０ｎｍ、特に５０〜８０ｎｍであることが好ましく、反射防止膜１４の厚さは１０〜１００ｎｍ、特に２０〜４０ｎｍとすることが好ましい」とされており、「遮光膜１３」と「反射防止膜１４」の厚さの合算値は、特に好ましい範囲が７０〜１２０ｎｍとなっている点。
　 
５　検討・判断 
　上記相違点について検討する。 
　 
（１）相違点１について
　フォトリソグラフィー技術の技術分野において、製造する半導体集積回路等の微細化、高集積化を進めるためには、露光光の波長を短くする必要があることは技術常識であり、微細化のために波長２００ｎｍ以下の露光光を露光光源とすることは周知の技術である。
　そして、引用発明２のフォトマスクブランクスは、「フォトマスクブランクス及びフォトマスクは、更なる半導体集積回路の微細化、高集積化に十分対応することができるもの」であり、半導体集積回路の微細化、高集積化への対応を目的としているから、引用発明２のフォトマスクブランクスを用いてフォトマスクを製造する際に、露光光の波長を短くすることは当業者であれば当然になすべきことに過ぎず、波長２００ｎｍ以下の露光光を露光光源とする周知の技術を採用することは、当業者にとって格別の創意を必要とすることではない。
　　
（２）相違点２について
　フォトリソグラフィー技術の技術分野において、フォトマスク作製の容易性、フォトマスクの寸法精度、遮光膜の膜応力の問題等の観点から、遮光膜の膜厚は遮光性を損なわない範囲で薄い方が好ましいことはよく知られている（例えば、特開平０５−２９７５７０号公報（段落【００１０】等）、特開２００１−３０８００２号公報（段落【００２４】等）、特開２００３−３２２９５６号公報（段落【００１９】等）、特開２００３−１９５４８３号公報（段落【０００３】〜【００６３】、特に【０００６】等）、特開２００３−１９５４７９号公報（段落【０００５】〜【００７９】、特に【０００９】等）を参照されたい。）。
　そうすると、引用発明２において、遮光膜をなるべく薄くすることは、当業者であれば容易に想到することである。例えば、「遮光膜１３」と「反射防止膜１４」の厚さの合算値について、特に好ましい範囲７０〜１２０ｎｍの内から、最小値である７０ｎｍのような小さな膜厚を採用することは、何ら創意を必要とすることではない。
　また、その目安として、膜厚に９０ｎｍという上限を設けることは格別のものではない。
　　　
（４）本願発明の作用効果
　本願発明が奏する作用効果は、引用発明２及び周知の技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　 
（５）まとめ
　よって、本願発明は、当業者が引用発明及び周知の技術に基いて容易に発明をすることができたものである。 
　 
６　むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。 
　 
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　 
　よって、結論のとおり審決する。
　　
〔付記〕
（１）請求人は、平成２２年１０月１２日付け回答書において、
「７．今回の前置報告書において、論理づけが変わり（主引例が変更され）ましたので、論理づけの変更（主引例の変更）に対し、より明確に区別するための補正の機会を賜りますようお願い申し上げます。また、本願発明１及び２は、上述の通り、特許法３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていると思料するものの、ご指摘を考慮し、より明確にする補正の機会を賜りますようお願い申し上げます。」
と主張している。
　しかし、補正の却下の決定の際、請求人が意見書を提出する機会及び補正をする機会を与える必要はなく、また、本願発明自体上記のとおり特許を受けることができないものであるから、当該主張は採用できない。
　さらに、請求人が提示した補正案を参酌しても引用発明１や引用発明２に対して進歩性を有するものとは認められない。
　したがって、請求人の上記主張及び補正案を勘案しても、本願は特許をすべきものであると認められない。
　
（２）上記補正の却下の決定の理由で述べたように、本件補正発明は引用例１に記載された発明であることが明らかであるため、補正の却下の決定の理由では、引用例２に記載された発明に対する進歩性等の判断はしていないが、本件補正発明は、引用発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、独立特許要件を満たしておらず、引用例１にかかわらず、本件補正は却下すべきものと認められる。
　第一に、本件補正によって追加された遮光膜の組成については、引用発明２と相違するものではない。第二に、引用発明２の反射防止膜１４の炭素の含有量を５原子％から１０原子％に変更することは、当業者にとって格別の創意を必要とすることではない。
　なお、炭素の含有量の点に関しては、本願明細書においても、１０原子％以上とすることに格別の技術的効果を記載しておらず、格別のものではないことは明らかである。また、請求人は、請求の理由において、炭素の含有量を変更するとフォトマスクブランクに必要な遮光性能が得られるか不明である等の主張をしているが、炭素の含有量を５原子％から１０原子％に変更したとしても極端な特性変化が奏されるとは考えられず、概略同様の特性を得られると推定されるから、当該主張は妥当ではない。