【事件の表示】
　特願２００５−３４３８９０「セラミック基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１１月　２日出願公開、特開２００６−３０３４１９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１７年１１月２９日（優先権主張　平成１６年１２月３日、平成１７年３月２３日）に特許出願したものであって、平成２１年１月６日及び同年６月２５日に手続補正がなされたが、同年７月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年１１月４日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、これと同時に手続補正がなされたものである（以下、平成２１年１１月４日になされた補正を「本件補正」という。）。
　
 第２　本件補正についての却下の決定
１　結論
　本件補正を却下する。
　
２　理由
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲につき、補正前（平成２１年６月２５日になされた手続補正後のもの）の
「【請求項１】
　表面に金属層を備えたセラミック基板であって、
　前記金属層は、
　最外層の側に位置し銀からなる銀層と、前記セラミック基板の側に位置しニッケルからなるニッケル層と、該ニッケル層と前記銀層との間に位置する中間層とで構成され、
　前記銀層は、その層厚みが４μｍ超〜２０μｍとされており、
　前記ニッケル層は、その層厚みが３．０〜１１．０μｍとされており、
　前記中間層は、ニッケルより高い標準電極電位を有する金属としての金を含んだ層であって、その層厚みが前記ニッケル層および前記銀層の層厚みよりも薄い０．０３〜０．２０μｍとされている
　セラミック基板。
　　【請求項２】
　半導体素子を収納するためのセラミック基板であって、
　基板本体に形成され、前記半導体素子の収納用のキャビティと、
　該キャビティの壁面に金属層とを備え、
　該金属層は、
　最外層の側に位置し銀からなる銀層と、前記セラミック基板の側に位置しニッケルからなるニッケル層と、該ニッケル層と前記銀層との間に位置する中間層とで構成され、
　前記銀層は、その層厚みが４μｍ超〜２０μｍとされており、
　前記ニッケル層は、その層厚みが３．０〜１１．０μｍとされており、
　前記中間層は、ニッケルより高い標準電極電位を有する金属としての金を含んだ層であって、その層厚みが前記ニッケル層および前記銀層の層厚みよりも薄い０．０３〜０．２０μｍとされている
　セラミック基板。
　　【請求項３】
　前記キャビティに収納される前記半導体素子が発光素子である請求項２に記載のセラミック基板。
　　【請求項４】
　請求項１ないし請求項３いずれか記載のセラミック基板であって、
　前記金属層は、タングステンまたはモリブデンで構成されるメタライズ層を備え、該メタライズ層上に、前記ニッケル層と前記中間層と前記銀層とが順に配置される
　セラミック基板。
　　【請求項５】
　請求項１ないし請求項４いずれか記載のセラミック基板であって、
　前記金属層における前記ニッケル層と前記銀層との間に介在する前記中間層は、金からなる層とされているセラミック基板。」
を
「【請求項１】
　表面に金属層を備えたセラミック基板であって、
　前記金属層は、
　前記セラミック基板に搭載される発光素子と導通され、
　最外層の側に位置し銀からなる銀層と、前記セラミック基板の側に位置しニッケルからなるニッケル層と、該ニッケル層と前記銀層との間に位置する中間層とで構成され、
　前記銀層は、その層厚みが４μｍ超〜２０μｍとされており、
　前記ニッケル層は、その層厚みが３．０〜１１．０μｍとされており、
　前記中間層は、ニッケルより高い標準電極電位を有する金属としての金を含んだ層であって、その層厚みが前記ニッケル層および前記銀層の層厚みよりも薄い０．０３〜０．２０μｍとされている
　セラミック基板。
　　【請求項２】
　発光素子
　基板本体に形成され、前
記発光素子
　該キャビティ
の底面と壁
　前記キャビティの底面の前記金属層は前記発光素子と導通され、
　前記金
　最外層の側に位置し銀からなる銀層と、前記セラミック基板の側に位置しニッケルからなるニッケル層と、該ニッケル層と前記銀層との間に位置する中間層とで構成され、
　前記銀層は、その層厚みが４μｍ超〜２０μｍとされており、
　前記ニッケル層は、その層厚みが３．０〜１１．０μｍとされており、
　前記中間層は、ニッケルより高い標準電極電位を有する金属としての金を含んだ層であって、その層厚みが前記ニッケル層および前記銀層の層厚みよりも薄い０．０３〜０．２０μｍとされている
　セラミック基板。
　　【請求項３】
　請求項
１または請
項２い
　前記金属層は、タングステンまたはモリブデンで構成されるメタライズ層を備え、該メタライズ層上に、前記ニッケル層と前記中間層と前記銀層とが順に配置される
　セラミック基板。
　　【請求項４】
　請求項１ないし請求
項３い
　前記金属層における前記ニッケル層と前記銀層との間に介在する前記中間層は、金からなる層とされているセラミック基板。」
に補正する内容を含むものである。
　
（２）補正の目的
　上記補正の内容は、補正前の請求項１における金属層について「前記セラミック基板に搭載される発光素子と導通され」との限定を付加し、また、補正前の請求項２を削除して、補正前の請求項３を新たな請求項２としつつ、金属層について「該キャビティの壁面」に加えて「該キャビティの底面」にも備えるものとすると共に、「前記キャビティの底面の前記金属層は前記発光素子と導通され」との限定を付加するものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当すると認められる。
　
（３）独立特許要件についての検討
　本件補正後の請求項２に係る発明 (以下「本願補正発明」という。)が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか否かについて、以下に検討する。
　
ア　刊行物の記載
（ア）原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先日前に頒布された刊行物である、特開２００４−２２８５４９号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに、以下の記載がある（下線は、審決で付した。以下同じ。）。
　
ａ　「【発明の属する技術分野】本発明は発光ダイオード等の発光素子を収容するための発光素子収納用パッケージおよび発光装置に関する。」
　
ｂ　「【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献１のパッケージによると、金属めっき層１６ｂの厚みを厚くすると、枠体１２の貫通穴１２ａ内に透明樹脂を充填して発光素子１３を封止する際に、その透明樹脂に熱を加えて硬化させると、透明樹脂と金属めっき層１６ｂおよび金属層１６ａとの間に熱膨張係数差に起因する熱応力が発生し、これが金属めっき層１６ｂを引き剥すように作用して金属めっき層１６ｂが金属層１６ａから剥れてしまうという問題点があった。
【００１２】
また、金属めっき層１６ｂの厚みを薄くすると、金属めっき層１６ｂの耐熱性や耐食性が低下し、透明樹脂との接合強度が低下してしまうとともに、金属層１６ａの高融点金属やセラミックスのガラス成分が金属めっき層１６ｂ上に拡散し、金属めっき層１６ｂの発光素子１３の光に対する反射率が低下してしまうという問題点を有していた。」
　
ｃ　「【００２１】
本発明のパッケージは、
上面に発光素子３を搭載するための搭載部１ａを有する平板状の基体１の上面に、発光素子３を収容するための貫通穴２ａを有する枠体２が搭載部１ａを囲繞するように接合されて成るものであって、貫通穴２ａの内面に、高融点金属を含有する金属層６ａおよびコバルトを含有する金属めっき層（６ｂ，６ｃ）が順次被着されている
　
ｄ　「【００２３】
本発明の
基体１は、酸化アルミニウム質焼結体，窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，ガラスセラミックス質焼結体等のセラミックスから成る略直方体であり、発光素子３を支持する支持体であり、その上面に発光素子３を搭載するための導体層から成る搭載部１ａを有している。
【００２４】
また、基体１は、
上面の搭載部１ａから下面にかけて導出するメタライズ配線導体４ａおよび搭載部１ａの周辺から下面にかけて導出するメタライズ配線導体４ｂが被着形成されている
搭載部１ａには発光ダイオード等の発光素子３が金−シリコン合金や銀−エポキシ樹脂等の導電性接合材により固着されるとともに、メタライズ配線導体４ｂには発光素子３の電極がボンディングワイヤ５を介して電気的に接続される
　
ｅ　「【００２６】
なお、搭載部１ａおよびメタライズ配線導体４ａ，４ｂの露出する表面にＮｉ，Ａｕ，Ａｇ等の耐蝕性に優れかつロウ材の濡れ性に優れる金属を１〜２０μｍ程度の厚みに被着させておくと、搭載部１ａおよびメタライズ配線導体４ａ，４ｂが酸化腐蝕するのを有効に防止できるとともに、搭載部１ａと発光素子３との接合およびメタライズ配線導体４ｂとボンディングワイヤ５との接合を強固にすることができる。従って、
搭載部１ａおよびメタライズ配線導体４ａ，４ｂの露出表面に、厚さ１〜１０μｍ程度のＮｉめっき層と厚さ０．１〜３μｍ程度のＡｕめっき層またはＡｇめっき層とを、電解めっき法や無電解めっき法により順次被着する
【００２７】
枠体２は、酸化アルミニウム質焼結体（アルミナセラミックス）等の基体１と同様の材質のものから成り
また、枠体２となるグリーンシートの貫通穴２ａの内面に、ＷやＭｏ等の高融点金属の粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得た導体ペーストを、従来周知のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗布しておくことによって、
貫通穴２ａの内面の略全面または所定位置に金属層６ａが被着形成される
【００２９】
この金属層６ａは、Ｗ１００重量部に対してＭｏが１〜５重量部含有されているのが好ましい。Ｍｏが１重量部未満の場合、アルミナ質焼結体（熱膨張係数約７．８×１０−６／℃）から成る枠体２と、Ｗ（熱膨張係数約４．６×１０−６／℃）およびＭｏ（熱膨張係数約５．７×１０−６／℃）からなる金属層６ａとの熱膨張係数差による熱応力が大きくなり、金属層６ａが枠体２の貫通穴２ａの内面より剥がれやすくなる傾向がある。５重量部を超えると、金属層６ａの枠体２に対する被着強度が劣化する傾向にある。
【００３０】
即ち、金属層６ａは、熱膨張係数が４．６×１０−６／℃程度のＷに、熱膨張係数が５．７×１０−６／℃程度とＷに比べてアルミナ質焼結体に熱膨張係数が近いＭｏを少量含有させることにより、熱膨張係数がアルミナ質焼結体に近似したものとなる。その結果、金属層６ａの枠体２に対する被着の信頼性が大幅に向上することとなる。
【００３１】
また、
金属層６ａ上にコバルトを含有したＮｉ
からなる第一の金属めっき層６ｂを被着している
第一の金属めっき層６ｂの厚みは２μｍ以下が好ましい
【００３２】
また、第一の金属めっき層６ｂを被着した後、非酸化雰囲気中７００℃以上で熱処理すると金属めっき層が緻密となり、金属層６ａと第一の金属めっき層６ｂとの密着性を高め、接合強度を向上させることができる。
【００３３】
そして、
第一の金属めっき層６ｂ上にコバルトを含有した
Ａｕ等からなる第二の金属めっき層６ｃを被着している
第一の金属めっき層６ｃの厚みは３μｍ以下が好ましい
【００３４】
また、第一の金属めっき層６ｂと第二の金属めっき層６ｃの合計厚みは１〜５μｍ程度が好ましく、特に１．５〜４μｍ程度が好ましい。１μｍ未満であると、金属層６ａ中の高融点金属やセラミックス中のガラス等が第二の金属めっき層６ｃや反射層７上に拡散して出てしまい、反射率を低下させてしまうとともに、耐熱性や耐食性が低下し、第二の金属めっき層６ｃと反射層７との接合強度および反射層７と透明樹脂との接合強度が低下してしまう。また、５μｍを超えると、接合面における結合力が低下するために、第二の金属めっき層６ｃと反射層７との接合性が劣化し易くなる。
【００３５】
そして、
第二の金属めっき層６ｃ上には反射層７が被着される。反射層７としては、
Ａｇ
の金属めっき層を被着することがよく
、反射膜７として、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔを用いる場合は、その厚みを０．１〜３μｍ程度被着しているのが好ましい
　
ｆ　「【００４４】
【発明の効果】
本発明の発光素子収納用パッケージは、貫通穴の内面に高融点金属を含有する金属層およびコバルトを含有する金属めっき層が順次被着されていることから、コバルトを含有した金属めっき層は、高融点金属を含有する金属層に強固に被着されるとともに、
金属めっき層上にＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ等から成る反射層を被着する場合に反射層との接合強度を高くすることができる
【００４５】
本発明の発光素子収納用パッケージは、好ましくは金属めっき層はコバルトを含有する第一の金属めっき層およびその上に被着されたコバルトを含有する第二の金属めっき層から成り、第二の金属めっき層の上に発光素子が発光する光を反射する反射層が被着されていることから、コバルトを含有した第一の金属めっき層は高融点金属を含む金属層に強固に被着される。また、第一の金属めっき層上に第二の金属めっき層を被着するとともに金属めっき層が金属層に強固に被着されることから、金属めっき層を厚くすることができる。その結果、金属層中の高融点金属やセラミックス中のガラス等の成分が金属めっき層や反射層上へ拡散して出てくるのを有効に防止することができ、反射層の反射率を高く維持することができる。また、反射層上への上記拡散が防止できることから反射層と透明樹脂との接着を良好に保つことができる。」
　
（イ）本願優先日前に頒布された刊行物である、特開２００４−１１１９３７号公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに、以下の記載がある（下線は、審決で付した。）。
　
ａ　「【技術分野】
【０００１】
　本願発明は、各種デ−タを表示可能なディスプレイ、ラインセンサ−など各種センサーの光源やインジケータなどに利用される半導体装置に関し、特に高放熱性且つ発光光率に優れ、信頼性の高い半導体発光装置に関するものである。」
　
ｂ　「【００２１】
　［セラミックパッケージ］
本願発明に用いられる
セラミックパッケージとは、外部環境などからＬＥＤチップを保護するためにセラミック材料で形成されたものであり、凹部内にＬＥＤチップが配置されると共にＬＥＤチップと外部とを電気的に接続する部材が設けられたものである。
　
ｃ　「【００２５】
　［光反射部１０２］
光反射部１０２は、セラミックパッケージの主面側（発光観測面側）において、凹部を形成する内壁面の一部に対して設けられ、セラミックパッケージのセラミック素地部と直接接し第二の金属層の下地となる第一の金属層と、ＬＥＤチップから放出された光を反射させ効率よく外部に取り出すための反射機能を有する第二の金属層とを含む。
【００２６】
　（第一の金属層）
第一の金属層は、セラミックパッケージに直接接して形成されると共に第二の金属層を形成させる下地となるものである。したがって、セラミック焼成と同時に形成される第一の金属層は、セラミック形成時に溶融しないことが必要となる。このような第一の金属層に用いられる高融点金属としては、タングステン、クロム、チタン、コバルト、モリブデンやこれらの合金などが挙げられる。これらの金属粒子を樹脂ペーストに混合させグリーンシートの凹部内壁に塗布或いは印刷などしグリーンシートと共に焼成することによって第一の金属層を形成することができる。金属粒子の粒径を制御することによってセラミックや第一の金属層上に形成される第二の金属層さらには、その上に形成されるモールド部材との密着性をも制御することができる。第一の金属層に用いられる金属粒径によって、その上に形成される第二の金属層の表面粗さも制御することができる。そのため、第一の金属層に含有される金属粒子の粒径としては、０．３から１００μｍであることが好ましく、１から２０μｍがより好ましい。
【００２７】
　また、内壁面をスクリーン印刷する以外の反射導体層形成の方法としては、グリーンシートの開口部に完全に導体ペーストを流入し埋め込んだ後、内壁に導体層を残す範囲で開口部中心をレーザーで穴開けする方法を用いても良い。この場合、レーザー光源としては、炭酸ガスレーザー及びＹＡＧレーザー、エキシマレーザーなどが好適に挙げられる。さらに、第一の金属層は、必ずしも内壁の全面に形成させる必要はない。部分的に第一の金属層及び第二の金属層を形成させないことにより所望方向のみ光の反射をさせる。金属層が形成されていない部位は、セラミックを透過して光が広がったように見える。このように内壁に形成させる金属層を部分的に形成させることによって視野角を所望方向に広げることもできる。また、導体配線を構成する高融点金属含有の樹脂ペーストを内壁に塗布などすることにより光反射部を構成する第一の金属層として形成することもできる。
【００２８】
　（第二の金属層）
本願発明の第二の金属層は、第一の金属層上に形成させるものであって、ＬＥＤチップから放出された光を効率よく外部に取り出すための反射機能を有するものである。このような第二の金属層は、第一の金属層上にメッキや蒸着などを利用して比較的簡単に形成させることができる。第二の金属層として具体的には、金、銀、白金、銅、アルミニウム、ニッケル、パラジウムやそれらの合金、それらの多層膜などＬＥＤチップから放出された光に対して９０％以上の反射率を有する金属が好適に挙げられる。
【００２９】
　第二の金属層は、セラミックパッケージ内に配線された導体配線パターンの表面処理と同時に形成させることもできる。即ち、セラミック パッケージに設けられた導体配線に半田接続性などを考慮してＮｉ／Ａｇ又はＮｉ／Ａｕを第二の金属層形成と同時にメッキさせる場合もある
凹部の底面に配されている導電配線の表面を第二の金属層にて被覆することによって、ＬＥＤチップの下方における光の損失を抑制することができる
　
ｄ　「【００８３】
　本実施例におけるセラミックパッケージは、
基板となるセラミック素地部２０２
開口方向に向かって広くなる形状を有するセラミック素地部２０４
基板となるセラミック素地部２０２は、スルーホールを有し、ＬＥＤチップ１０３に電力を供給するための導体配線１０５がパッケージの凹部底面からスルーロールを介して発光装置の実装面側に延在している。
セラミック素地部２０４は、開口方向に向かって広くなる形状となっており、パッケージの凹部を形成する内壁を有し、内壁に対して光反射部１０２が設けられている。
　
イ　引用発明
　上記ア（ア）によれば、引用例１には、次の発明が記載されているものと認められる。
「上面に発光素子３を搭載するための搭載部１ａを有する平板状の基体１の上面に、発光素子３を収容するための貫通穴２ａを有する枠体２が搭載部１ａを囲繞するように接合されて成る発光ダイオード等の発光素子を収容するための発光素子収納用パッケージであって、
基体１は、セラミックスからなる略直方体であり、発光素子３を支持する支持体であり、その上面に発光素子３を搭載するための導体層から成る搭載部１ａを有しており、
搭載部１ａから下面にかけて導出するメタライズ配線導体４ａおよび搭載部１ａの周辺から下面にかけて導出するメタライズ配線導体４ｂが被着形成されており、搭載部１ａおよびメタライズ配線導体４ａ，４ｂの露出表面は、厚さ１〜１０μｍ程度のＮｉめっき層と厚さ０．１〜３μｍ程度のＡｕめっき層またはＡｇめっき層とが電解めっき法や無電解めっき法により順次被着され、
搭載部１ａには発光ダイオード等の発光素子３が金−シリコン合金や銀−エポキシ樹脂等の導電性接合材により固着されるとともに、メタライズ配線導体４ｂには発光素子３の電極がボンディングワイヤ５を介して電気的に接続され、
枠体２は、基体１と同様の材質からなり、貫通穴２ａの内面の略全面または所定位置に金属層６ａが被着形成され、金属層６ａ上に５〜４０重量部のコバルトを含有するＮｉ，Ａｕ等からなる第一の金属めっき層６ｂが被着され、第一の金属めっき層６ｂ上に５〜４０重量部のコバルトを含有するＮｉ，Ａｕ等からなる第二の金属めっき層６ｃが被着され、第二の金属めっき層６ｃ上にＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ等の金属めっき層からなる反射層７が被着されている
発光素子収納用パッケージ。」（以下「引用発明」という。）
　
ウ　対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
（ア）引用発明では、「上面に発光素子３を搭載するための搭載部１ａを有する平板状の基体１の上面に、発光素子３を収容するための貫通穴２ａを有する枠体２が搭載部１ａを囲繞するように接合されて」おり、「基体１は、セラミックスからなる略直方体であ」り、「枠体２は、基体１と同様の材質からな」ることから、引用発明は、「発光素子を収納するためのセラミック基板であって、基板本体に形成され、前記発光素子の収納用のキャビティ」を備える点で、本願補正発明と一致する。
　
（イ）引用発明では、「基体１は、」「発光素子３を支持する支持体であり、その上面に発光素子３を搭載するための導体層から成る搭載部１ａを有しており、搭載部１ａから下面にかけて導出するメタライズ配線導体４ａおよび搭載部１ａの周辺から下面にかけて導出するメタライズ配線導体４ｂが被着形成されており、搭載部１ａには発光ダイオード等の発光素子３が金−シリコン合金や銀−エポキシ樹脂等の導電性接合材により固着されるとともに、メタライズ配線導体４ｂには発光素子３の電極がボンディングワイヤ５を介して電気的に接続され」、「枠体２は、」「貫通穴２ａの内面の略全面または所定位置に金属層６ａが被着形成され、金属層６ａ上に５〜４０重量部のコバルトを含有するＮｉ，Ａｕ等からなる第一の金属めっき層６ｂが被着され、第一の金属めっき層６ｂ上に５〜４０重量部のコバルトを含有するＮｉ，Ａｕ等からなる第二の金属めっき層６ｃが被着され、第二の金属めっき層６ｃ上にＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ等の金属めっき層からなる反射層７が被着されている」ことから、引用発明は、「該キャビティの底面と壁面に金属層とを備え」、「前記キャビティの底面の」「金属層は前記発光素子と導通され」る点、及び、キャビティの壁面に備えられた金属層が３層で構成される点で、本願補正発明と一致する。
　
（ウ）以上によれば、両者は、
「発光素子を収納するためのセラミック基板であって、
　基板本体に形成され、前記発光素子の収納用のキャビティと、
　該キャビティの底面と壁面に金属層とを備え、
　前記キャビティの底面の金属層は前記発光素子と導通され、
　前記キャビティの壁面に備えられた前記金属層は３層で構成される
　セラミック基板。」
である点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。
　
ａ　キャビティの壁面の金属層が、本願補正発明では、最外層の側に位置し銀からなる銀層と、前記セラミック基板の側に位置しニッケルからなるニッケル層と、該ニッケル層と前記銀層との間に位置しニッケルより高い標準電極電位を有する金属としての金を含んだ中間層とで構成されており、さらに、前記銀層は、その層厚みが４μｍ超〜２０μｍと限定されており、前記ニッケル層は、その層厚みが３．０〜１１．０μｍと限定されており、中間層は、その層厚みが前記ニッケル層および前記銀層の層厚みよりも薄い０．０３〜０．２０μｍと限定されているのに対して、引用発明では、最外層の側に位置する層をＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ等の層（反射層７）、セラミック基板（枠体２）側に位置している層を５〜４０重量部のコバルトを含有するＮｉ，Ａｕ等からなる層（第一の金属メッキ層６ｂ）、両者の間に位置する層を５〜４０重量部のコバルトを含有するＮｉ，Ａｕ等からなる層（第二の金属めっき層６ｃ）としており、銀、ニッケル、金の組み合わせに限られるものではなく、さらに、各層の層厚について、特定されるものではない点（以下「相違点１」という。）。
　
ｂ　キャビティの底面の金属層が、本願補正発明では、壁面の金属層と異なるものではないのに対して、引用発明では、そのようになっていない点（以下「相違点２」という。）。
　
エ　判断
（ア）相違点１について
ａ　引用発明において、第一及び第二の金属めっき層は、５〜４０重量部のコバルトを含有するものであるところ、本願明細書の発明の詳細な説明には、「ニッケル層は、ニッケルを主成分として構成されていればよく、ニッケル以外の金属を含んだニッケル系の合金層であっても良い。中間層は、ニッケルより高い標準電極電位を有する金属であって、銀とは異なる金属であることから、例えば、金や銅や、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔなどの白金系元素の金属を主成分として構成されていればよく、これら金属以外の金属を含んだ金系、銅系、白金族系の合金層であっても良い。銀層は、銀を主成分として構成されていればよく、銀以外の金属を含んだ銀系の合金層であっても良い。」及び「「主成分」とは、５０ｗｔ％以上含まれている成分のことを示す。」（いずれも０００８段）と記載されていることから、各層にコバルトが５〜４０重量部含有されているものも本願補正発明に含まれると認められる。
　
ｂ　引用発明での金属層の材料の選択肢はごく少数であって、キャビティの壁面及び底面に設けられる反射層の構成として、セラミック基板側からニッケル、金、銀の積層構造としたものが、特開２００３−３４７６００号公報の００４３段に記載されていることに照らせば、第一の金属めっき層としてＮｉを、第二の金属めっき層としてＡｕを、反射層としてＡｇを、それぞれ選択することは、当業者が適宜なし得る設計的事項である。
　
ｃ　また、引用発明における第一及び第二の金属めっき層、及び、反射層の層厚について、引用例１には、「第一の金属めっき層６ｂの厚みは２μｍ以下が好ましい。・・・厚みが２μｍを超えると、金属層６ａと第一の金属めっき層６ｂとの接合強度が低下し易くなる」（前記ア（ア）ｅ、００３１段参照。「・・・」は審決にて省略した部分。以下同じ。）、「第一の金属めっき層６ｃの厚みは３μｍ以下が好ましい。・・・厚みが３μｍを超えると、反射層７との接合強度が低下し易くなる。」（前記ア（ア）ｅ、００３３段参照。なお、「第一の金属めっき層６ｃ」は「第二の金属めっき層６ｃ」の誤記と推測される。）、「第二の金属めっき層６ｃ上には反射層７が被着される。反射層７としては、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ等の金属めっき層を被着することがよく、この場合貫通穴２ａに収容された発光素子３が発する光に対する反射率が８０％以上とするのが好ましい。・・・反射膜７として、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔを用いる場合は、その厚みを０．１〜３μｍ程度被着しているのが好ましい。」（前記ア（ア）ｅ、００３５段参照。）との記載があるが、これらの値は、単に好ましいとされる目安を示すにとどまるものであるから、引用発明における上記各層の層厚は、これらの値に限られることなく、接合強度、反射層の反射率、その他金属めっき層形成の際に通常考慮されるべき事項等を考慮して、当業者が、設計上適宜に定め得る事項というべきである。
　
ｄ　しかるところ、本願明細書の発明の詳細な説明の
「【００２０】
  それぞれの層厚は、ニッケルメッキ層３２が
０．５〜２０μｍ
望ましくは１．０〜１５．０μｍ、より望ましくは３．０〜１１．０μｍの範囲である
【００２１】
  金メッキ層３３の厚みを前記範囲としたのは、０．０３μｍ以下では、金メッキ層３３の厚みが薄すぎるため、期待する効果である密着強度の向上が期待できない。一方で、
０．２０μｍ
望ましくは、０．０３〜０．１０μｍの範囲
【００２２】
  銀メッキ層３４の厚みを前記範囲としたのは、銀メッキ層３４の厚みが３μｍ以下になると、例えばメッキムラにより、銀メッキが被着しない部分を生じるおそれがあり、一方、銀メッキ層３４の厚みが２０μｍを越えると、コスト高になるため、上記範囲とした。
望ましくは３μｍ超〜１５μｍ、３μｍ超〜１０μｍ、４μｍ超〜１０μｍ、より望ましくは６μｍ〜１０μｍの範囲
との記載に照らせば、本願補正発明の「前記銀層は、その層厚みが４μｍ超〜２０μｍとされており、前記ニッケル層は、その層厚みが３．０〜１１．０μｍとされており、前記中間層は、・・・その層厚みが前記ニッケル層および前記銀層の層厚みよりも薄い０．０３〜０．２０μｍとされている」との構成は、単に望ましいとされる範囲を特定したにとどまるものであって、設計的事項の域を超える程の格別な技術的意義を生じるものとは認められない。
　
ｅ　したがって、引用発明において相違点１に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が設計的に適宜なし得る程度のことである。
　
（イ）相違点２について
ａ　上記ア（イ）によれば、引用例２には、凹部内にＬＥＤチップ（発光素子）が配置されるセラミックパッケージにおいて、光反射部１０２（本願補正発明の「キャビティ」の「壁面」の「金属層」に相当）及び導体配線１０５（本願補正発明の「キャビティの底面の」「金属層」に相当）を同時に同じ多層膜として形成する技術が記載されているものと認められる。
　
ｂ　上記引用発明と引用例２に記載の上記技術とは、いずれも発光素子を収納するためのセラミック基板に関するものであり、両者はめっきにより底面の金属層及び壁面の金属層を形成する点も共通するから、引用発明に引用例２に記載の上記技術を採用して、キャビティの底面の金属層を壁面の金属層と同じ構成とすることは、当業者が容易になし得ることである。
　
（ウ）本願補正発明が奏する効果について
　ニッケルと銀との間に金層を設けると密着性が向上することは本願優先日当時において周知の事項であったから（例えば、特開２００２−３４４２７８号公報の００１３段、特開２０００−３６６１９号公報の００３４段から００３６段参照。）、本願補正発明が奏する効果について、当業者の予想を超えた顕著なものということはできない。
　
オ　小括
　以上の検討によれば、本願補正発明は、引用発明及び引用例２に記載の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものというべきであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２１年６月２５日になされた手続補正後の明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項２に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものと認められる。
　
「半導体素子を収納するためのセラミック基板であって、
　基板本体に形成され、前記半導体素子の収納用のキャビティと、
　該キャビティの壁面に金属層とを備え、
　該金属層は、
　最外層の側に位置し銀からなる銀層と、前記セラミック基板の側に位置しニッケルからなるニッケル層と、該ニッケル層と前記銀層との間に位置する中間層とで構成され、
　前記銀層は、その層厚みが４μｍ超〜２０μｍとされており、
　前記ニッケル層は、その層厚みが３．０〜１１．０μｍとされており、
　前記中間層は、ニッケルより高い標準電極電位を有する金属としての金を含んだ層であって、その層厚みが前記ニッケル層および前記銀層の層厚みよりも薄い０．０３〜０．２０μｍとされている
　セラミック基板。」
　
　
２　特許法第２９条の２について
（１）先願明細書の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先日前の他の出願であって、その優先日後に出願公開された特願２００４−１３０９０１号（以下「先願」という。特開２００５−３１７５９６号公報参照。）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「先願明細書」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
ア　「【技術分野】
【０００１】
  本発明は、発光ダイオード等の発光素子を用いた表示装置等に用いられる、発光素子を収納するための発光素子収納用パッケージおよびその製造方法および発光装置および照明装置に関する。」
　
イ　「【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
  しかしながら、上記従来のパッケージにおいては、銀めっき層を下地であるニッケルめっき層上に被着する際に、銀めっき層とニッケルとの接着強度が弱いため、良好に銀めっき層を貫通穴１２ａの内周面に被着できず、発光素子の発光する光を外部に良好に放射できないという問題点を有していた。」
　
ウ　「【００１２】
  従って、本発明は上記従来技術の問題点を鑑み完成されたものであり、その目的は、発光素子１３の光を効率良く反射し、均一かつ良好に外部に放射することができるとともに、各部材との接合を強固なものにすることができる発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置を提供することにある。」
　
エ　「【００１８】
  
本発明の発光素子収納用パッケージは、上面に発光素子の搭載部を有する平板状の基体と、基体の上面に前記搭載部を取り囲むように接合された枠体と、基体の上面から側面または下面に導出された、露出した表面に金めっき層が形成された配線導体とを具備しており、枠体は、内周面に金めっき層と銀めっき層とが順次被着されてなる光反射層が形成されている
【００１９】
  また、枠体の内周面の下地としてのニッケルめっき層を形成した場合に、ニッケルめっき層上に金めっき層が被着しているので、貫通穴１２ａの内周面に被着されたニッケルめっき層のニッケルが金めっき処理中に金めっき浴中に溶出して、配線導体や搭載部の金めっき層上に被着したり、銀めっき処理前の搬送時の振動等により、ニッケルめっき層からニッケル粒子が剥がれて配線導体や搭載部の金めっき層上に付着したりして、発光素子の固着性の低下や、ボンディング性の低下を抑制することができる。」
　
オ　「【００２５】
  本発明の発光素子収納用パッケージを以下に詳細に説明する。図１（ａ）は、本発明のパッケージの実施の形態の一例を示す断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のパッケージにおける枠体の要部拡大断面図を示しており、１は基体、２は枠体であり、主としてこれらで発光素子３を収容するためのパッケージが構成されている。
【００２６】
  
本発明の発光素子収納用パッケージは、上面に発光素子３の搭載部１ａを有する平板状の基体１と、基体１の上面に搭載部１ａを取り囲むように接合された枠体２と、
枠体２は、内周面に金めっき層と銀めっき層とが順次被着されてなる光反射層６が形成されている
【００２７】
  
本発明の基体１は、
セラミックス
　
カ　「【００３０】
  また基体１は、その搭載部１ａから下面にかけて導出される、露出した表面に金めっき層が被着された配線導体４ａおよび搭載部１ａの周辺から下面にかけて導出される、露出した表面に金めっき層が被着された配線導体４ｂが被着形成されている。配線導体４ａ，４ｂは、例えば、タングステンやモリブデン等の金属粉末メタライズから成り、内部に収容する発光素子３を外部に電気的に接続するための導電路として機能する。そして、配線導体４ａの一部からなる搭載部１ａには発光ダイオード，半導体レーザ等の発光素子３が金−シリコン合金や銀−エポキシ樹脂等の導電性接合材により固着されるとともに、配線導体４ｂには発光素子３の電極がボンディングワイヤ５を介して電気的に接続される。また、発光素子３は、搭載部１ａおよび配線導体４ｂにフリップチップ実装されていても構わない。」
　
キ　「【００３２】
  
本発明の枠体２は、セラミックス
　
ク　「【００３６】
  そして、本発明においては、枠体２の貫通穴２ａの内周面に金めっき層６ｃと銀めっき層６ｄとが順次被着されてなる光反射層６が形成されている。これにより、銀めっき層６ｄと金めっき層６ｃの接着強度が強いため、銀めっき層６ｄを金めっき層６ｃに強固に被着することができるので、銀めっき層６ｄを枠体の内周面に強固に被着形成することができる。従って、発光素子３の光を高い反射率を有する銀めっき層６ｄ上で良好に反射して、外部に放射することができるようになる。
【００３７】
  また、
枠体２の内周面の下地としてのニッケルめっき層６ｂを形成した場合に、ニッケルめっき層６ｂ上に金めっき層６ｃが被着している
【００３８】
  このような光反射層６は、枠体２の貫通穴２ａの内周面上に形成されたタングステン、モリブデン等のメタライズから成るメタライズ層６ａ上に
１〜２０μｍ程度の厚みのニッケルめっき層６ｂ、０．０１〜３μｍ程度の金めっき層６ｃ、０．１〜４μｍ程度の銀めっき層６ｄを無電解めっき法または電解めっき法にて順次被着
【００３９】
  なお、金めっき層６ｃ上に被着形成される銀めっき層６ｄの厚みは、特に、
２μｍ以上であることが好ましい。これにより、銀めっき層６ｄの表面の凹凸を小さくすることができるとともに、銀めっき層６ｄの表面を光沢のあるものとして、発光素子の発光する光を反射しやすくすることができる
【００４０】
  また、貫通穴２ａの内周面の光反射層６の表面の算術平均粗さＲａは３μｍ以下が好ましい。３μｍを超えると、貫通穴２ａ内に収容される発光素子３が発光する光が散乱し、反射光を高い反射率で外部に均一に放射することが困難になる。」
　
（２）先願発明
　上記（１）アないしクによれば、先願明細書には、次の発明が記載されているものと認められる。
　
「上面に発光素子３の搭載部１ａを有する平板状の基体１と、基体１の上面に搭載部１ａを取り囲むように接合された枠体２とを備える発光素子収納用パッケージであって、
基体１及び枠体２は、セラミックスから成り、
枠体２は、内周面に１〜２０μｍ程度の厚みのニッケルめっき層６ｂ、０．０１〜３μｍ程度の金めっき層６ｃ、０．１〜４μｍ程度の銀めっき層６ｄを無電解めっき法または電解めっき法にて順次被着されている
発光素子収納用パッケージ。」（以下「先願発明」という。）
　
（３）対比
　本願発明と先願発明とを対比する。
　
ア　先願発明では、「上面に発光素子３の搭載部１ａを有する平板状の基体１と、基体１の上面に搭載部１ａを取り囲むように接合された枠体２とを備える発光素子収納用パッケージであって、基体１及び枠体２は、セラミックスから成」ることから、「半導体素子を収納するためのセラミック基板であって、基板本体に形成され、前記半導体素子の収納用のキャビティ」を備える点で、本願発明と一致する。
　
イ　先願発明の「ニッケルめっき層６ｂ」、「金めっき層６ｃ」及び「銀めっき層６ｄ」は、それぞれ本願発明の「ニッケルからなるニッケル層」、「金を含んだ層」及び「銀からなる銀層」に相当する。
　
ウ　先願発明では、「枠体２は、内周面に１〜２０μｍ程度の厚みのニッケルめっき層６ｂ、０．０１〜３μｍ程度の金めっき層６ｃ、０．１〜４μｍ程度の銀めっき層６ｄを無電解めっき法または電解めっき法にて順次被着されている」ことから、「該キャビティの壁面に金属層とを備え、該金属層は、最外層の側に位置し銀からなる銀層と、前記セラミック基板の側に位置しニッケルからなるニッケル層と、該ニッケル層と前記銀層との間に位置する中間層とで構成され」る点、及び、「前記中間層は、ニッケルより高い標準電極電位を有する金属としての金を含んだ層であ」る点で、本願発明と一致する。
　
エ　上記アないしウによれば、本願補正発明と先願発明とは、
「半導体素子を収納するためのセラミック基板であって、
　基板本体に形成され、前記半導体素子の収納用のキャビティと、
　該キャビティの壁面に金属層とを備え、
　該金属層は、
　最外層の側に位置し銀からなる銀層と、前記セラミック基板の側に位置しニッケルからなるニッケル層と、該ニッケル層と前記銀層との間に位置する中間層とで構成され、
　前記中間層は、ニッケルより高い標準電極電位を有する金属としての金を含んだ層である
　セラミック基板。」である点で一致し、下記の点で一応相違する（以下「相違点１’」という。）。
　
　本願発明では、前記銀層は、その層厚みが４μｍ超〜２０μｍとされており、前記ニッケル層は、その層厚みが３．０〜１１．０μｍとされており、且つ、金を含んだ層である中間層の層厚みが前記ニッケル層および前記銀層の層厚みよりも薄い０．０３〜０．２０μｍとされているのに対して、先願発明では、銀めっき層は、その層厚みが０．１〜４μｍ程度とされており、ニッケルめっき層は、その層厚みが１〜２０μｍ程度とされており、金めっき層は、その層厚みが０．０１〜３μｍ程度とされている点。
　
（４）判断
　相違点１’について検討する。
　先願発明における銀めっき層、ニッケルめっき層及び金めっき層の層厚について、先願明細書には、「このような光反射層６は、・・・メタライズ層６ａ上に１〜２０μｍ程度の厚みのニッケルめっき層６ｂ、０．０１〜３μｍ程度の金めっき層６ｃ、０．１〜４μｍ程度の銀めっき層６ｄを無電解めっき法または電解めっき法にて順次被着することで形成することができる。」（前記（１）ク、００３８段参照。）、及び、「金めっき層６ｃ上に被着形成される銀めっき層６ｄの厚みは、特に、２μｍ以上であることが好ましい。これにより、銀めっき層６ｄの表面の凹凸を小さくすることができるとともに、銀めっき層６ｄの表面を光沢のあるものとして、発光素子の発光する光を反射しやすくすることができる。」（前記（１）ク、００３９段参照。）との記載があるが、これらの値は、単なる目安を示すにとどまるものであるから、先願発明における上記各層の層厚は、これらの値に限られることなく、接着強度、反射層の反射率、その他金属めっき層形成の際に通常考慮されるべき事項等を考慮して、当業者は、設計上適宜に定め得る事項というべきである。
　
　しかるところ、前記第２，２（３）エ（ア）ｄで検討したとおり、本願発明の「前記銀層は、その層厚みが４μｍ超〜２０μｍとされており、前記ニッケル層は、その層厚みが３．０〜１１．０μｍとされており、前記中間層は、・・・その層厚みが前記ニッケル層および前記銀層の層厚みよりも薄い０．０３〜０．２０μｍとされている」（「・・・」は審決にて省略した部分。）との構成は、単に望ましいとされる範囲を特定したにとどまるものであって、設計的事項の域を超える程の格別な技術的意義を生じるものとは認められない。
　以上の検討によれば、相違点１’は、単なる設計的事項、すなわち、発明を実施するに際しての具体化手段の微差にとどまるものというべきであって、技術的思想、すなわち、発明としての相違となるものではなく、実質的な相違点とはいえないから、本願発明と先願発明とは実質的に同一である。
　
　
３　特許法第２９条２項について
（１）刊行物の記載
　原査定の拒絶理由に引用された、本願優先日前に頒布された刊行物である上記引用例１には、図面と共に、上記第２の２（３）ア（ア）で認定した記載がある。
　
（２）引用発明
　引用例１には、上記第２の２（３）イで認定した引用発明が記載されている。
　
（３）対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
　上記第２の２（３）ウ（ア）によれば、両者は、
「半導体素子を収納するためのセラミック基板であって、
　基板本体に形成され、前記半導体素子の収納用のキャビティと、
　該キャビティの壁面に金属層とを備え、
　前記金属層は３層で構成される
　セラミック基板。」
である点で一致し、以下の点で相違するものと認められる（以下「相違点１’’」という。）。
　
　キャビティの壁面の金属層が、本願発明では、最外層の側に位置し銀からなる銀層と、前記セラミック基板の側に位置しニッケルからなるニッケル層と、該ニッケル層と前記銀層との間に位置しニッケルより高い標準電極電位を有する金属としての金を含んだ中間層とで構成されており、さらに、前記銀層は、その層厚みが４μｍ超〜２０μｍと限定されており、前記ニッケル層は、その層厚みが３．０〜１１．０μｍと限定されており、中間層は、その層厚みが前記ニッケル層および前記銀層の層厚みよりも薄い０．０３〜０．２０μｍと限定されているのに対して、引用発明では、最外層の側に位置する層をＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ等の層（反射層７）、セラミック基板（枠体２）側に位置している層を５〜４０重量部のコバルトを含有するＮｉ，Ａｕ等からなる層（第一の金属メッキ層６ｂ）、両者の間に位置する層を５〜４０重量部のコバルトを含有するＮｉ，Ａｕ等からなる層（第二の金属めっき層６ｃ）としており、銀、ニッケル、金の組み合わせに限られるものではなく、さらに、各層の層厚について、特定されるものではない点。
　
（４）判断
ア　相違点１’’について
　相違点１’’は、上記第２の２（３）ウ（ウ）ａの相違点１と同内容であるから、上記第２の２（３）エ（ア）での検討と同様の理由により、引用発明において相違点１’’に係る本願発明の構成とすることは、当業者が設計的に適宜なし得る程度のことである。
　
イ　本願発明の効果について
　上記第２の２（３）エ（エ）での検討と同様の理由から、本願発明の効果は、当業者の予想を超えた顕著なものということはできない。
　
　したがって、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本願発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　
　また、本願発明は、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。