Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年1月4日(2011.1.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマプロセスシステムにおけるプラズマ境界特性を測定する方法であって、
（ａ）プラズマチャンバを有するプラズマプロセスシステムを用意し、
（ｂ）前記プラズマチャンバ内のプラズマ境界部近傍に配置した複数の電気的に浮遊しているセンサを備えるセンサアレイを設け、
（ｃ）プラズマプロセスに用いるために前記プラズマチャンバ内でプラズマを発生させ、
（ｄ）前記センサアレイを用いて前記プラズマの境界特性を測定することを備える前記方法。
【請求項２】
前記センサは、２つの電気的に浮遊しているラングミュアプローブである請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記センサアレイは、前記プラズマチャンバ内に含まれるチャンバライナに沿って配置される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記センサアレイは、前記プラズマチャンバ内に含まれる絶縁分離リングに沿って配置される請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記センサアレイは、前記プラズマチャンバ内に含まれる試料チャック周りに配置される請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記プラズマの前記境界特性は、リアルタイムに測定される請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記プラズマの前記測定した境界特性を用いて、前記プラズマのバルク特性を計算する請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記プラズマの前記測定した境界特性は、前記プラズマプロセスを制御するプロセスシステムコントローラに供給される請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記複数のセンサは、動的にパルス化されて、前記プラズマの境界特性を測定する請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記プラズマは、パルス化電力源を用いて発生させ、前記複数のセンサの動的パルスは、このパルス化電力源のパルスと同期する請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
プラズマプロセスシステムであって、
（ａ）プロセス用のプラズマを内部で発生させることができるプラズマチャンバと、
（ｂ）前記プラズマチャンバ内のプラズマ境界部近傍に配置された複数の電気的に浮遊しているセンサを備えるセンサアレイと、
（ｃ）前記プロセス用のプラズマの境界特性を測定するために、前記複数のセンサを刺激する回路とを備える前記システム。
【請求項１２】
前記センサは、デュアルフローティング・ラングミュアプローブである請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記センサアレイは、前記プラズマチャンバ内に含まれるチャンバライナに沿って配置される請求項１１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記センサアレイは、前記プラズマチャンバ内に含まれる絶縁分離リングに沿って配置される請求項１１に記載のシステム。
【請求項１５】
前記センサアレイは、前記プラズマチャンバ内に含まれる試料チャック周りに配置される請求項１１に記載のシステム。
【請求項１６】
前記複数のセンサを刺激する前記回路は、動的パルス回路である請求項１１に記載のシステム。
【請求項１７】
前記複数のセンサを刺激する前記回路は、多重回路である請求項１１に記載のシステム。
【請求項１８】
前記プラズマの測定した境界特性を記録して、プロセスシステムコントローラに前記プラズマの測定した境界特性を通信する回路をさらに備える請求項１１に記載のシステム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
プラズマ本体の境界部付近でのプラズマパラメータ、およびその空間的および時間的な変動についての知識は、プラズマベースのプロセスダイナミクスを理解するのに有用である。イオン電流束、荷電粒子密度、電子エネルギー（または見かけ上の電子温度）、およびイオンエネルギーなどのプラズマパラメータは、表面の改質、堆積、またはエッチングの速度や質に直接的に影響を及ぼすプラズマの物理的なパラメータである。本発明の一実施形態では、デュアルフローティング・ラングミュアプローブ（ＤＦＰ）を用いてプラズマの物理パラメータを収集する。ＤＦＰによって、電気的な共通電位または接地電位とは接続されずに電気的に浮遊できる２つの導電性プローブ間で、プラズマの電流電圧（Ｉ−Ｖ）特性の測定が可能になる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年9月22日(2011.9.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の試料におけるリポ蛋白ホスホリパーゼＡ２（Ｌｐ−ＰＬＡ２）酵素活性を測定するハイスループット法であって、
ｉ．標識された血小板活性化因子（ＰＡＦ）を含む溶液を調製する工程；
ｉｉ．複数の試料の各々を、マイクロタイタープレート上のウェルまたは微小遠心管にアリコートする工程；
ｉｉｉ．複数の組織試料の各々を、工程ｉにしたがって調製される溶液と接触させる工程；
ｉｖ．その第一の接触工程の溶液の各々をＰＡＦのシークエスター分子と接触させてＰＡＦ−シークエスター分子の複合体を形成する工程；
ｖ．該ＰＡＦ−シークエスター分子の複合体をトリクロロ酢酸（ＴＣＡ）を含む沈殿化溶液と接触させて沈殿物および上清を形成する工程；
ｖｉ．該マイクロタイタープレートまたは微小遠心管を１０℃未満で少なくとも５分間、少なくとも６，０００ｇで遠心分離することによって該ＰＡＦ−シークエスター分子の複合体を取り出す工程；および
ｖｉｉ．Ｌｐ−ＰＬＡ２活性を検出する工程
を含むハイスループット法であり、ここで、少なくとも１の試料がＬｐ−ＰＬＡ２阻害剤が投与されている動物から得られ、該ＰＡＦのシークエスター分子が、ウシ血清アルブミン（ＢＳＡ）またはヒト血清アルブミンである、ハイスループット法。
【請求項２】
少なくとも１の試料が、血清、細胞溶解物、組織溶解物、尿または血漿からなる群より選択される、請求項１記載の方法。
【請求項３】
標識されたＰＡＦが放射標識されている、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
工程ｉにしたがって調製される溶液中のＰＡＦの全濃度が、少なくとも２０μＭである、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
標識されたおよび標識されていないＰＡＦが緩衝溶液である、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
緩衝溶液が、ＨＥＰＥＳ、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、およびエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）を含む、請求項５記載の方法。
【請求項７】
工程ｉにしたがって調製される溶液および試料が、少なくとも５秒間混合され、２１℃で少なくとも１分間インキュベートされる、請求項１ないし６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
接触工程のシークエスター分子が、外因性ウシ血清アルブミン（ＢＳＡ）である、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
ＢＳＡが１０℃未満である、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
ＢＳＡが４℃である、請求項８記載の方法。
【請求項１１】
ＢＳＡが５０ｍｇ／ｍＬの濃度である、請求項８または９記載の方法。
【請求項１２】
接触工程のシークエスター分子が、内因性ヒト血清アルブミンである、請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
ＴＣＡを含む沈殿化溶液が１０℃未満である、請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
遠心分離が４℃で１５分間実施される、請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
Ｌｐ−ＰＬＡ２活性がシンチレーションカウンティングによって測定される、請求項１ないし１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
全ＲＩカウントまたはブランクを測定するための少なくとも２つの容器に緩衝溶液をアリコートすることをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項１７】
容器が、微小遠心管またはマイクロタイタープレート上のウェルである、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
少なくとも１つのブランクを測定するための反応混合物をほぼ同容量および濃度の工程ｉにしたがって調製される溶液およびＢＳＡまたはヒト血清アルブミンと接触させ、少なくとも２つの全ＲＩカウントを測定するための反応混合物をほぼ同容量の工程ｉにしたがって調製される溶液およびＢＳＡまたはヒト血清アルブミンの置換溶液と接触させること、ここで、該置換溶液はＢＳＡまたはヒト血清アルブミンを含有しない；得られた各試料の上清部分、得られたブランクを測定するための反応混合物および得られた全ＲＩカウントを測定するための反応混合物を別々の容器にアリコートすること；および、その各アリコートにシンチレーションカクテルを接触させることをさらに含む、請求項１７記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
分光学的活性および蛍光性活性アッセイ（Ｃａｙｍａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｍｐａｎｙ、ＡｔｈｅｒｏＧｅｎｉｃｓ，Ｉｎｃ．およびＫａｒｌａｎ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ）を用いてヒト試料のＬｐ−ＰＬＡ２活性を測定した。Ｋｏｓａｋａら‘Ｃｌｉｎ  Ｃｈｅｍ  Ａｃｔａ’２９６（１−２）：１５１−６１（２０００）およびＫｏｓａｋａら‘Ｃｌｉｎ  Ｃｈｅｍ  Ａｃｔａ’３１２（１−２）：１７９−８３（２００１）も参照のこと。しかしながら、Ｌｐ−ＰＬＡ２阻害剤が存在する場合、特に動物から試料を得る前に阻害剤が該動物に投与される場合に、当該法は非感受性であり得る。本発明のアッセイは試料中のＬｐ−ＰＬＡ２阻害剤濃度とＬｐ−ＰＬＡ２活性との相関を実証した。阻害剤で処置した患者にて経時的に測定されたＬｐ−ＰＬＡ２活性は、阻害剤の薬物動態学的特性と相関関係にあった。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
本発明の別の態様において、接触工程のシークエスター分子は外因性ウシ血清アルブミンであるが、内因性ヒト血清アルブミンであってもよい。ＢＳＡの温度は約１０℃未満であってもよく、約４℃であってもよい。別の態様において、ＢＳＡは約５０ｍｇ／ｍＬの濃度である。さらなる別の態様において、シークエスター分子および試料は１０℃未満で少なくとも約１分間インキュベートされる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年8月3日(2011.8.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
電気通信サービス要因において、電気通信サービスの分類は、その大きな形態による。電気通信サービスは、異なったやり方で分類される。たとえば、電気通信サービスは、音声サービス、マルチメディアサービス、データサービス等として分類され、またはタイプAデバイスサービス、タイプBデバイスサービス等のように分類される。例えば、電気通信サービスは、以下のように分類できる。端末アクセスデバイスに従っての、IAD（統合されたアクセスデバイス）サービス、UMG（ユニバーサルメディアゲートウエイ）サービス、AMG（アクセスメディアゲートウエイ）サービス等である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
そこで、ネットワーキング環境は、サービスが提供されるネットワーキング環境を称する。例えば、サービスの提供に中央デバイスAが必要であるならば、端末デバイスBおよびC、ひいてはA、BおよびCが本件のサービス提供のためのネットワーキング環境を構築する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
プロトコルの種類は、例えば、ネットワーキング環境において端末デバイスと中央デバイスとの間の通信に用いられるプロトコルが、MGCP（メディアゲートウエイ制御プロトコル）であるか、H．２４８プロトコル等であるかを指示する。もちろん、SIP（マルチメディアセッション、またはコールを確立し、変更し、かつ終結させるアプリケーション層のプロトコルである、セッションイニシエーションプロトコル）、V５プロトコル等のような他のプロトコルもまた含まれる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
本発明の別の実施例において、前述の多数経路のツリー構造を拡張するような、特定のサービスをさらに考慮できる。すなわち、特定のサービス対象を、サービス管理領域における最終レベルのノードの下に付け加えることができ、例えば、端末アクセスデバイスノードを、最終レベルのノードの下に付け加えることができる。さらには、端末ユーザーノードもまた、個々の端末デバイスノードの下に付け加えることができる。前述したのと同様に、親ノードは、各々公共の構成属性に結び付けられ、かつ子ノード（デバイスノードまたは端末ユーザーノード）は各々、この公共の構成属性をその対応する親ノードから引継ぎ、それによって不必要な構成の繰り返しを避けることができる。さらには、そのようなやり方において、根ノードから最終レベルの子ノードまでの全サービスの提供および管理の階層は、非常に明確で管理しやすい。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
サービスを統合管理および提供する方法であって、
複数種類のサービスについて管理領域を作成し、かつこの管理領域を複数レベルの管理サブ領域に分割し、
管理サブ領域のここのレベルに対して対応する基本構成情報を結び付け、
最終レベルの管理サブ領域と特定のサービス対象との間の相関関係を確立し、その特定のサービス対象は、その特定のサービス対象の属する管理サブ領域の個々のレベルにおける公共の構成情報を引き継いでおり、かつ
ユーザーの提供する最終レベルの管理サブ領域番号に従って対応するサービスを割り当てるステップを備えており、
最終レベルの管理サブ領域と特定のサービス対象との間の相関関係を確立するステップが、
最終レベルのサービス管理領域ノードの下に端末アクセスデバイスノードを確立し、
個々の端末デバイスノードの下に端末ユーザーノードを付け加えるステップを備え、
端末アクセスデバイスノードおよび端末ユーザーノードの各々が、それに対応する親ノードの公共の構成属性を引き継ぐ方法。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項８】
管理領域においてサービスを統合管理および提供する方法であって、その管理領域は、複数レベルの管理サブ領域に分割されており、その方法は、
管理サブ領域の個々のレベルに対して対応する基本構成情報を結び付け、
最終レベルの管理サブ領域と特定のサービス対象との間の相関関係を確立し、その特定のサービス対象は、その特定のサービス対象の属する管理サブ領域の個々のレベルにおける公共の構成情報を引き継いでおり、かつ
ユーザーの提供する最終レベルの管理サブ領域番号に従って対応するサービスを割り当てる
ステップを備えており、
最終レベルの管理サブ領域と特定のサービス対象との間の相関関係を確立するステップが、
最終レベルのサービス管理領域ノードの下に端末アクセスデバイスノードを確立し、
個々の端末デバイスノードの下に端末ユーザーノードを付け加えるステップを備え、
端末アクセスデバイスノードおよび端末ユーザーノードの各々が、それに対応する親ノードの公共の構成属性を引き継ぐ方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年2月17日(2011.2.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
ステップ１０５において、最小固有値を最大固有値で除算することによって画像の等方性を求めることができる。もしすべての固有値が等しければ、この等方性は１に等しい。即ち、構造テンソルが球形であり、完全に等方性であるなら、等方性測定値=１となる。その他の状況においては例外なく等方性測定値＜１となる。等方性が所定の閾値よりも大きい位置を選り出して生かすことによって等方性域を抽出する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年4月18日(2011.4.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性成分としてタンパク質を含む液体医薬組成物のための容器であって、不活性なフッ素化材料により被覆された閉鎖手段を含むことを特徴とし、ここで当該容器の内側表面が、シリコーンにより被覆されるガラスで作製される、容器。
【請求項２】
バイアル(vial)、予め充填されたシリンジ、アンプル、小瓶、チューブ、または自己注射器用カートリッジである、請求項１記載の容器。
【請求項３】
前記閉鎖手段がゴム物質から作製される、請求項１又は２項記載の容器。
【請求項４】
容器が、バイアル(vial)、アンプル、小瓶、又はチューブであり、そして前記閉鎖手段が停止器(stopper)である、請求項１乃至３のいずれか1項記載の容器。
【請求項５】
容器が予め充填されたシリンジ、又は自己注射器用カートリッジであり、そして前記閉鎖手段がプランジャーである、請求項１乃至３のいずれか1項記載の容器。
【請求項６】
活性成分としてのタンパク質を含み、そしてすぐに注射できる液体医薬組成物を含む、請求項１乃至５のいずれか1項記載の容器。
【請求項７】
前記不活性なフッ素化材料がテフロン（登録商標）(TEFLON（登録商標）)である、請求項６記載の容器。
【請求項８】
前記タンパク質がインターフェロンである、請求項６又は７のいずれか1項記載の容器。
【請求項９】
前記インターフェロンが、インターフェロンβである、請求項８記載の容器。
【請求項１０】
前記液体医薬組成物が静菌剤を含む、請求項６乃至９のいずれか1項記載の容器。
【請求項１１】
前記静菌剤がベンジルアルコールである、請求項１０記載の容器。
【請求項１２】
前記静菌剤が２〜９mg/mlの間の濃度で存在する、請求項１０又は１１のいずれか1項記載の容器。
【請求項１３】
前記医薬組成物が、30乃至100μg/mlのインターフェロンβ、等浸透圧剤、0.1乃至2mg/mlの界面活性剤、少なくとも0.12mg/mlの抗酸化剤、および液体生成物のpHを3.0と4.0との間で維持できる緩衝溶液を含む液体HSAフリー処方物(formulation)である、請求項６乃至１２のいずれか1項記載の容器。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか1項記載の容器を含む医薬品。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
表１
【表１】
2007502684.tif 000001
使用される材料：
非シリコン化カートリッジ(3mLのI型ボロシリケイト・ガラス製カートリッジ、Nuova OMPI)
、シリコン化カートリッジ(3mLのI型ボロシリケイト・ガラス製カートリッジ、Nuova OMPI)、
被覆プランジャー(Omniflex FM257/2、Helvoet Pharma(被覆材料がテフロン（登録商標）
(TEFLON（登録商標）)))、非被覆プランジャー(1)(FM257/5、Helvoet Pharma)である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月29日(2011.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鏡像異性的に純粋な(+)-1,4-ジヒドロ-7-[(3S,4S)-3-メトキシ-4-(メチルアミノ)-1-ピロリジニル]-4-オキソ-1-(2-チアゾリル)-1,8-ナフチリジン-3-カルボン酸とAra-Cとの組合せを含む、急性骨髄性白血病の治療において使用するための医薬組成物であって、該鏡像異性的に純粋な(+)-1,4-ジヒドロ-7-[(3S,4S)-3-メトキシ-4-(メチルアミノ)-1-ピロリジニル]-4-オキソ-1-(2-チアゾリル)-1,8-ナフチリジン-3-カルボン酸が約80mg/m2で投与され、かつ該Ara-Cが1日あたり約400mg/m2の合計量で投与される、前記医薬組成物。
【請求項２】
前記急性骨髄性白血病が、骨髄芽球性白血病又は前骨髄球性白血病である、請求項1記載の組成物。
【請求項３】
前記急性骨髄性白血病が、再発性、不応性、又は従来の療法に耐性である、請求項1記載の組成物。
【請求項４】
前記再発性又は不応性の白血病が、新生急性骨髄球性白血病又は二次急性骨髄球性白血病である、請求項3記載の組成物。
【請求項５】
前記二次急性骨髄球性白血病が、療法関連急性骨髄球性白血病である、請求項4記載の組成物。
【請求項６】
第３の活性剤又は支持的ケア療法とともに投与される、請求項1記載の組成物。
【請求項７】
前記第３の活性剤が、癌抗原に特異的に結合する治療抗体、造血成長因子、サイトカイン、抗癌剤、抗生物質、cox-2阻害剤、免疫調節剤、免疫抑制剤、コルチコステロイド、又は薬理学的に活性なその変異体若しくは誘導体である、請求項6記載の組成物。
【請求項８】
前記第３の活性剤が、アルキル化剤、抗腫瘍性抗生物質、抗代謝剤、プラチナ配位錯体、トポイソメラーゼII阻害剤又は放射線である、請求項6記載の組成物。
【請求項９】
前記第３の活性剤が、エトポシド、ダウノマイシン、アクチノマイシンD、マイトマイシンC、シスプラチン、カルボプラチン、プレメトレキセド、メトトレキサート、5-Fu、ワートマニン、ゲルダナマイシン、ゲムシタビン又はこれらの組合せである、請求項6記載の組成物。
【請求項１０】
前記鏡像異性的に純粋な(+)-1,4-ジヒドロ-7-[(3S,4S)-3-メトキシ-4-(メチルアミノ)-1-ピロリジニル]-4-オキソ-1-(2-チアゾリル)-1,8-ナフチリジン-3-カルボン酸が、週2回投与される、請求項1記載の組成物。
【請求項１１】
前記鏡像異性的に純粋な(+)-1,4-ジヒドロ-7-[(3S,4S)-3-メトキシ-4-(メチルアミノ)-1-ピロリジニル]-4-オキソ-1-(2-チアゾリル)-1,8-ナフチリジン-3-カルボン酸が、週2回で2週間投与される、請求項10記載の組成物。
【請求項１２】
前記鏡像異性的に純粋な(+)-1,4-ジヒドロ-7-[(3S,4S)-3-メトキシ-4-(メチルアミノ)-1-ピロリジニル]-4-オキソ-1-(2-チアゾリル)-1,8-ナフチリジン-3-カルボン酸が、IV注射として投与される、請求項1〜11のいずれかに記載の組成物。
【請求項１３】
前記鏡像異性的に純粋な(+)-1,4-ジヒドロ-7-[(3S,4S)-3-メトキシ-4-(メチルアミノ)-1-ピロリジニル]-4-オキソ-1-(2-チアゾリル)-1,8-ナフチリジン-3-カルボン酸が週2回静脈内投与され、かつAra-Cが5日の治療サイクルにわたって継続的に静脈内投与される、請求項1〜11のいずれかに記載の組成物。
【請求項１４】
前記鏡像異性的に純粋な(+)-1,4-ジヒドロ-7-[(3S,4S)-3-メトキシ-4-(メチルアミノ)-1-ピロリジニル]-4-オキソ-1-(2-チアゾリル)-1,8-ナフチリジン-3-カルボン酸が、前記5日の治療サイクルの1日目及び4日目に投与される、請求項13記載の組成物。
【請求項１５】
前記治療サイクルが、少なくとも1回繰り返される、請求項14記載の組成物。
【請求項１６】
前記治療サイクルが、少なくとも2回繰り返される、請求項14記載の組成物。
【請求項１７】
前記治療サイクルが、少なくとも3回繰り返される、請求項14記載の組成物。
【請求項１８】
前記鏡像異性的に純粋な(+)-1,4-ジヒドロ-7-[(3S,4S)-3-メトキシ-4-(メチルアミノ)-1-ピロリジニル]-4-オキソ-1-(2-チアゾリル)-1,8-ナフチリジン-3-カルボン酸が、少なくとも1回のAra-C投与の開始後8〜16時間に、又は少なくとも1回のAra-C投与の開始前若しくは開始後24時間以内に投与される、請求項1〜17のいずれかに記載の組成物。
【請求項１９】
Ara-Cが、前記鏡像異性的に純粋な(+)-1,4-ジヒドロ-7-[(3S,4S)-3-メトキシ-4-(メチルアミノ)-1-ピロリジニル]-4-オキソ-1-(2-チアゾリル)-1,8-ナフチリジン-3-カルボン酸の投与の直後に投与される、請求項1〜17のいずれかに記載の組成物。
【請求項２０】
前記哺乳動物がヒトである、請求項1〜19のいずれかに記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月30日(2010.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式
【化１】
2009545628.tif 000001
（式中、Ｒは式
【化２】
2009545628.tif 000002
又は
【化３】
2009545628.tif 000003
の基を表し、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ２はＣ１〜Ｃ６の直鎖状又は分枝鎖状の、飽和又は不飽和炭化水素基を表す）の化合物。
【請求項２】
Ｒが式
【化４】
2009545628.tif 000004
（式中、Ｒ２は請求項１に規定されている）の基を表す、請求項１記載の化合物。
【請求項３】
３−［（２−メチル−３−フリル）チオ］ブタナール。
【請求項４】
組成物の形のフレーバリング成分であって、
ｉ）請求項１から３までのいずれか１項に規定された少なくとも１種の化合物（Ｉ）；
ｉｉ）フレーバー担体、フレーバーベースからなる群から選択された少なくとも１種の成分；及び
ｉｉｉ）場合により少なくとも１種のフレーバーアジュバントを含む、組成物の形のフレーバリング成分。
【請求項５】
３−［（２−メチル−３−フリル）チオ］ブタナールを含む、請求項４に記載のフレーバリング組成物。
【請求項６】
フレーバリングされた物品であって：
ｉ）フレーバリング成分として、請求項１から３までのいずれか１項に規定された、少なくとも１種の式（Ｉ）の化合物；及び
ｉｉ）食材又は口内ケア製品ベース、又は別の食用又は咀嚼用製品ベース
を含む、フレーバリングされた物品。
【請求項７】
ベーカリー製品又は製菓、チューイングガム、息清涼フィルム、すぐに加熱調理できる又はすぐに食べられる食品、飲料、スープ、グレービー又はソース製品、マヨネーズ、ピザ、肉調製物、チーズ調製物、肉又は魚用のマリネ又は被膜、肉又は魚に注入するための調製物、チップ、セイボリークラッカー、野菜調製物、スープキューブ、又は口内ケア製品の形である、請求項６記載のフレーバリングされた物品。
【請求項８】
製菓、即ち、ハードボイルドキャンデーの形で、又は乳製品、例えば牛乳、加熱調理された牛乳、キャラメル、カスタード、サバイヨン及びヨーグルトの形である、請求項６記載のフレーバリングされた物品。
【請求項９】
化合物（Ｉ）が３−［（２−メチル−３−フリル）チオ］ブタナールである、請求項６から８までのいずれか１項記載のフレーバリングされた物品。
【請求項１０】
フレーバリング組成物又はフレーバリングされた製品の味及び／又は感触を強化、改良又は改質する方法であって、請求項１から３までのいずれか１項に規定された式（Ｉ）の化合物をそれらに添加することを含む方法。
【請求項１１】
前記化合物（Ｉ）が組成物又は製品においてその場で
−  システイン及び／又はＮａＨＳから選択される硫黄含有化合物、砂糖及び式
【化５】
2009545628.tif 000005
又は
【化６】
2009545628.tif 000006
（式中、Ｒ１及びＲ２は式（Ｉ）中での意味と同じ意味を有する）
のアルデヒドを、前駆体として添加すること；及び
−  前記化合物（Ｉ）を形成させる温度及びｐＨ条件下で前記前駆体を反応させること
によって生成される、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
化合物（Ｉ）が３−［（２−メチル−３−フリル）チオ］ブタナールである、請求項１０記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月27日(2010.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
ヘッドホンにおいてユーザーに音声信号を送る方法であって、該方法は、
少なくとも２チャンネルの音声信号を送り、
各チャンネルに対して１つの左スピーカー及び１つの右スピーカーを含むヘッドホン装置であって、各左スピーカーは、該左スピーカーから左外耳道までの音響経路をそれぞれ有し、各右スピーカーは、該右スピーカーから右外耳道までの音響経路をそれぞれ有し、ある１つのチャンネルが中央チャンネルでない限り、チャンネルの左スピーカーの音響経路は、チャンネルの右スピーカーの音響経路と異なる長さを有するヘッドホン装置を提供し、そして、
各チャンネルの音声信号を、チャンネルで繋がっている対応する左右のスピーカーへ同時に送ることを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
第八の態様において、ヘッドホンにおいてユーザーへ音声信号を送る方法であって、該方法は、
少なくとも２チャンネルの音声信号を送り、
各チャンネルに対して１つの左スピーカー及び１つの右スピーカーを含むヘッドホン装置であって、各左スピーカーは、該左スピーカーから左外耳道までの音響経路をそれぞれ有し、各右スピーカーは、該右スピーカーから右外耳道までの音響経路をそれぞれ有し、ある１チャンネルが中央チャンネルでない限り、そのチャンネルの左スピーカーの音響経路は、右スピーカーの音響経路と異なる長さを有するヘッドホン装置を提供し、かつ、
各チャンネルの音声信号を、チャンネルで繋がっている対応する左右のスピーカーへ同時に送る方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月10日(2011.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音響波を生成するステップおよび導波管（１８）を通して音響波をガラス溶融物（１２）中に結合させるステップを含むガラス溶融物の混合方法であって、前記音響波が前記ガラス溶融物に対して前記ガラス溶融物中に音響流を生成するのに充分な音響出力を付与することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記ガラス溶融物内に結合された前記音響出力が少なくとも約５Ｗであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記音響波の周波数が約２０ＫＨｚ〜４０ＫＨｚの間にあることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記ガラス溶融物が、耐火金属容器（１４）に格納されていることを特徴とする請求項１から３いずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記導波管が、前記耐火金属容器の表面上でネジ込み式取付け部品（３２、３４）に対し物理的に結合されていることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ガラス溶融物に前記音響波を結合するステップに、前記ガラス溶融物と前記導波管を接触させるステップが含まれることを特徴とする請求項１から４いずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記音響波が定在波であることを特徴とする請求項１から６いずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
容器（１４）内のガラス溶融物に対し音響エネルギーを付与するための装置であって、音響波を生成するためのトランスデューサ（１６）および前記トランスデューサおよび前記ガラス溶融物に対し音響的に結合された導波管（１８）を備え、前記導波管（１８）が、前記音響波の周波数で前記導波管内において定在波を作り出しかつ前記ガラス溶融物（１２）中に音響流を生成するように構成されることを特徴とする装置。
【請求項９】
前記導波管（１８）が前記容器（１４）に対して物理的に結合されていることを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記音響波の周波数が２０ＫＨｚ〜４０ＫＨｚの間にあることを特徴とする請求項８または９に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月16日(2011.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボディと、
電圧が各電極対に印加される場合に、各電極対が表面近くの体積力を発生させるプラズマアクチュエータを形成するように、該ボディの表面に近接して設置される複数の電極対と、
各電極対に電圧を印加する電圧源であって、該複数の電極対の各々からの該表面近くの体積力の蓄積効果が、飛行機をホバリングさせる力を形成する、電圧源と
を含む、ホバリング超小型飛行機。
【請求項２】
ボディが円盤形状を有する、請求項１記載の飛行機。
【請求項３】
ボディが１５ｃｍ未満の外径を有する、請求項１記載の飛行機。
【請求項４】
電圧が各電極対に印加される場合に、各電極対が表面近くの体積力を発生させるプラズマアクチュエータを形成するように、ボディの表面に近接して設置される第２の複数の電極対であって、該第２の複数の電極対の各々からの該表面近くの体積力の蓄積効果が垂直方向の力を形成する、第２の複数の電極対をさらに含む、請求項１記載の飛行機。
【請求項５】
複数の電極対がボディの表面の内側部分に近接して設置される、請求項１記載の飛行機。
【請求項６】
第２の複数の電極対がボディの表面の外側部分に近接して設置され、
該ボディの表面の外側部分が飛行機から半径方向外側に向く、
請求項４記載の飛行機。
【請求項７】
周囲流の状態を測定するための一つまたは複数のセンサをさらに含む、請求項１記載の飛行機。
【請求項８】
円盤形状ボディが、中立の平衡状態にある飛行機への風荷重が最小値あるいは最小値近くになるような形状にされる、請求項２記載の飛行機。
【請求項９】
円盤形状ボディが１１ｃｍ未満の外径を有する、請求項２記載の飛行機。
【請求項１０】
ボディが５ｃｍ未満の高さを有する、請求項１記載の飛行機。
【請求項１１】
ボディが中空部分を含む、請求項１記載の飛行機。
【請求項１２】
ボディの中空部分は空気よりも軽い流体で満たされる、請求項１１記載の飛行機。
【請求項１３】
少なくとも２つの電極対が接地電極を共有する、請求項１記載の飛行機。
【請求項１４】
電圧源がボディ内に設置される、請求項１記載の飛行機。
【請求項１５】
各電極対が接地電極と露出電極とを含み、
該露出電極がボディの表面に設置される、
請求項１記載の飛行機。
【請求項１６】
各電極対が一つまたは複数の追加電極をさらに含み、
該電極対の該一つまたは複数の追加電極と接地電極との間に、対応する一つまたは複数の追加電圧が印加される場合に、該一つまたは複数の追加電極の各々が、表面近くの体積力を発生させるプラズマアクチュエータを形成する、
請求項１５記載の飛行機。
【請求項１７】
対応する一つまたは複数の追加電圧および電極対に印加される電圧が、ＲＦ電圧である、請求項１６記載の飛行機。
【請求項１８】
一つまたは複数の追加ＲＦ電圧がＲＦ電圧と位相がずれている、請求項１７記載の飛行機。
【請求項１９】
電極対および一つまたは複数の追加電極が不連続な円形電極の組の一部分を形成する、請求項１６記載の飛行機。
【請求項２０】
ボディが、貫通する開口を含む、請求項１記載の飛行機。
【請求項２１】
複数の電極対の各々からの表面近くの体積力の蓄積効果が、開口内に渦巻状の流体柱を形成する、請求項２０記載の飛行機。
【請求項２２】
複数の電極対がボディの表面の内側部分に近接して設置される、請求項２０記載の飛行機。
【請求項２３】
ボディの表面の内側部分が該ボディを貫通する開口に向いている、請求項２２記載の飛行機。
【請求項２４】
開口が３ｃｍより大きい直径を有する、請求項２０記載の飛行機。
【請求項２５】
電圧源がパルス電圧源である、請求項１記載の飛行機。
【請求項２６】
電圧源がＲＦ電圧源である、請求項１記載の飛行機。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月30日(2010.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージングシステムの実装先となる本体と、その焦点距離を複数通りに変更設定しうる撮影用レンズシステムを用い画像を撮影するシーン画像撮影システムと、イメージングシステムと１個又は複数個の撮影用レンズシステム視野内シーン構成部分との距離をシーン画像撮影システムを使用せずに計測するレンジファインダと、を備えるイメージングシステムを校正する方法であって、
第１焦点距離設定下の撮影用レンズシステムを用い第１視野に亘る第１校正画像を自動撮影するステップと、
第１校正画像内所定合焦度部分を認識するステップと、
イメージングシステムから第１校正画像内所定合焦度部分までの距離即ち第１校正画像撮影時距離をレンジファインダで計測するステップと、
複数通りの焦点距離設定と各少なくとも一通りのレンジファインダ計測距離との対応関係即ち焦点相関を、第１焦点距離及び第１校正画像撮影時距離に基づき画定するステップと、
撮影条件が成立しておりシーンの本番画像をシーン画像撮影システムで撮影すべきであることを検知したとき、イメージングシステムから撮影用レンズシステム視野内シーン構成部分までの距離即ち本番画像撮影時距離をレンジファインダで計測し、計測した本番画像撮影時距離及び画定した焦点相関に基づき本番画像撮影時焦点距離を決定して撮影用レンズシステムの焦点距離を設定するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
その視野内のシーンからくる光を画像センサ上に合焦可能且つその焦点距離をある範囲内で複数通りに亘り変更設定可能な撮影用レンズシステムを備えており、レンジファインダの実装先と同じ部材に実装されており、そのレンジファインダが、シーン画像撮影システムから撮影用レンズシステム視野内シーン構成部分までの距離をそのシーン画像撮影システムを使用せずに求めるシーン画像撮影システムを、校正する方法であって、
撮影用レンズシステムの焦点距離をその可変範囲内で画像毎に自動設定して一組の画像を撮影するステップと、
互いに異なる焦点距離設定下で撮影用レンズシステムを介し撮影された画像のなかから、撮影用レンズシステム視野内シーン構成部分に合焦している画像を認識し、認識した画像それぞれについて、シーン画像撮影システムからその画像内の所定合焦度部分までの距離をレンジファインダで計測するステップと、
各画像のレンジファインダ計測距離に対しその撮影時における撮影用レンズシステムの焦点距離設定を関連づけて焦点相関データとして保存することにより、焦点距離の可変範囲全体に亘る焦点距離設定対距離の関係を示す焦点相関を生成するステップと、
を有する方法。
【請求項３】
下記シーン画像撮影システム及びレンジファインダの実装先となる本体と、
その焦点距離を複数通りに変更設定しうる撮影用レンズシステムを用い画像を撮影するシーン画像撮影システムと、
撮影用レンズシステム視野内シーン構成部分までの距離を計測するレンジファインダと、
コントローラと、
を備え、そのコントローラが、
第１焦点距離設定下の撮影用レンズシステムを用い第１校正画像を自動撮影し、
第１校正画像内所定合焦度部分を認識し、
本イメージングシステムから第１校正画像内所定合焦度部分までの距離即ち第１校正画像撮影時距離を上記レンジファインダで計測し、
複数通りの焦点距離設定と各少なくとも一通りのレンジファインダ計測距離との対応関係即ち焦点相関を第１焦点距離及び第１校正画像撮影時距離に基づき画定し、更に、
撮影条件が成立しておりシーンの本番画像をシーン画像撮影システムで撮影すべきであることを検知したときに、本イメージングシステムから撮影用レンズシステム視野内シーン構成部分までの距離即ち本番画像撮影時距離をレンジファインダで計測し、計測した本番画像撮影時距離及び画定した焦点相関に基づき本番画像撮影時焦点距離を決定して撮影用レンズシステムの焦点距離を設定するイメージングシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月17日(2010.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンタクトレンズパッケージであって、
上面と、底面と、前記上面から底面に貫通する開口を画定する内壁面とを有する基材と、
前記開口を覆い前記基材の上面に取り外し可能に密封接合された第１のシートと、
前記開口を覆い前記基材の底面に密封接合され、前記第１のシート及び前記内壁面とともに密閉空所を画定する第２のシートと、
前記密閉空所内に収納されたコンタクトレンズ及び水和媒体と、
を有し、
前記基材が、前記内壁面上に設けられた非侵出性のバリア材を有するコンタクトレンズパッケージ。
【請求項２】
前記基材が、第１の部分と第２の部分とを有し、
前記第１の部分は、前記内壁面を画定するようになされ、前記バリア材によって形成されている請求項１に記載のコンタクトレンズパッケージ。
【請求項３】
前記第１の部分が、前記コンタクトレンズが前記密閉空所内に配置されたときに前記コンタクトレンズと前記第２の部分との間に密封バリア層を形成するようになされ、前記第２の部分は前記第１の部分と異なる材料で作られている請求項２に記載のコンタクトレンズパッケージ。
【請求項４】
前記非侵出性のバリア材がホモポリマーポリプロピレンを含んでなる請求項３に記載のコンタクトレンズパッケージ。
【請求項５】
前記前記第１の部分の前記密封バリア層が少なくとも５０ミクロン厚である、請求項４に記載のコンタクトレンズパッケージ。
【請求項６】
前記第１の部分の前記密封バリア層が７５ミクロン〜２５０ミクロン厚である、請求項４に記載のコンタクトレンズパッケージ。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年6月10日(2011.6.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５８】
図６は、エコーキャンセル処理及びノイズ低減処理を行うための処理プロセス６００を示すフローチャートである。この処理プロセスの例は、着呼が呼出信号を発動して、通信装置１００のスピーカ１３０又は１７０を通して呼出信号の出力又は再生を行ったとき、開始する（アクション６１０）。スピーカ１３０を通して呼出信号が再生されている間、エコーキャンセルモジュール２５０及びノイズ低減モジュール２６０のそれぞれ双方の起動と共に、マイクロホン１５０のスイッチがオンにされる（アクション６２０）。例えば、マイクロホン１５０は、ノイズ低減アルゴリズムによって用いられる、スピーカ１３０から受信した電気信号を送信して、ノイズ低減処理を開始する。マイクロホン１５０によって受信された信号のスペクトル成分は、次いで、エコーキャンセルモジュール２５０とノイズ低減モジュール２６０の双方によって分析する（アクション６３０）。受信され、分析された信号を用いて、エコーキャンセルパラメータはエコーキャンセルモジュール２５０により調整する（アクション６４０）。この処理はモジュール２６０においてノイズ低減パラメータを調整するステップによって行われる（アクション６５０）。例えば、エコーキャンセルのために、モジュール２５０においてフィルタステップサイズパラメータの調整及びフィルタ３２０への送信を行う（アクション６４０）。１つの実装例では、フィルタ３４０用のフィルタ係数の計算をノイズ低減モジュール２６０において、エコーキャンセルモジュール２５０から送信されたフィルタステップサイズパラメータに基づいて行うことができる。次いで、ノイズ低減モジュール２６０において計算されたフィルタ係数は、ノイズ低減を目的としてフィルタ３４０へ送信する（アクション６５０）。したがって、本例では、フィルタ３２０及び３４０におけるフィルタ係数は同一のものであってもよい。別の実装構成では、エコーキャンセルモジュール２５０とは独立に、ノイズ低減モジュール２６０においてフィルタステップサイズパラメータとフィルタ係数の少なくともいずれかを計算することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月16日(2010.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内燃機関用の大電力放電点火装置であって、
上端および下端を有しており、内側に空洞を定めており、外径および内径を備えていて、所定の誘電値を有する誘電体材料から形成されている絶縁体と、
前記絶縁体の前記内径の少なくとも一部分へと接合された第１の導体と、
前記絶縁体の前記外径の少なくとも一部分へと接合され、前記第１の導体および前記絶縁体とともに所定の容量値を有するキャパシタを形成する第２の導体と、
前記絶縁体の前記空洞に配置され、前記第１の導体へと接続され、前記絶縁体から延びる正電極チップを備えており、前記絶縁体の前記下端を封じるチップ・アセンブリと、
前記空洞に配置され、前記チップ・アセンブリへと接続される抵抗部材と、
前記抵抗部材へと組み合わせられ、前記絶縁体の前記上端を封じる電気コネクタと、
前記第２の導体へと取り付けられたシェルと、
を備え、
前記シェルは負電極を備え、前記負電極は、その上に形成されて、前記正電極チップから離間して位置するチップを備えることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記抵抗部材は、抵抗器およびばねアセンブリを備えることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記抵抗部材は、任意に炭素およびガラスの複合材料からなる、抵抗フリット材料を含み、
該装置は、任意に、前記空洞に配置され、前記チップ・アセンブリおよび前記抵抗フリット材料へと接続された第２のフリット材料をさらに備え、
前記第２のフリット材料は、好ましくは、銅合金を含んでおり、前記銅合金が前記絶縁体の前記下端を封じ、
前記抵抗フリット材料は、好ましくは、気密挿入部材によって前記第２のフリット材料と結合されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記正および負電極チップは、焼結されたレニウムおよびモリブデン材料からなり、
前記材料は、好ましくは、少なくとも約５０パーセントのレニウムおよび多くても約５０パーセントのモリブデンから形成され、又は、最も好ましくは、約７５パーセントのレニウムおよび約２５パーセントのモリブデンから形成されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記キャパシタは、約３０〜約１００ｐｆの範囲の所定の容量を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記チップ・アセンブリは、銀ペーストによって前記第１の導体へと取り付けられており、前記銀ペーストが、前記絶縁体の前記下端を封じることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項７】
内燃機関用の複合点火装置を形成するための方法であって、
内側に空洞を定めており、外径および内径を備えており、所定の誘電値を有する誘電体料から形成されている絶縁体を用意するステップと、
第１の導体を前記絶縁体の前記内径へと接合するステップと、
第２の導体を前記絶縁体の前記外径へと接合し、前記第１の導体、前記第２の導体、および前記絶縁体によって、所定の容量値を有するキャパシタを形成するステップと、
前記絶縁体の前記空洞に配置され、前記絶縁体から延びる正電極チップを備えるチップ・アセンブリを、前記第１の導体へと接続するステップと、
前記空洞に配置される抵抗部材を、前記チップ・アセンブリへと接続するステップと、
電気コネクタを前記抵抗部材と結合するステップと、
シェルを前記第２の導体へと取り付けるステップと、
を含み、
前記シェルは、負電極を含み、前記負電極はその上に形成されて前記正電極チップから離間して位置するチップを備えることを特徴とする方法。
【請求項８】
前記正電極を前記第１の導体と接合する前に、前記正電極を導電インクで被覆することをさらに含み、
前記導電インクは、好ましくは、貴金属または貴金属合金からなることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記シェルを前記第２の導体へと取り付けるステップは、前記シェルを前記絶縁体および前記第２の導体へと圧着するステップを含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の導体を前記絶縁体へと接合するステップおよび前記第２の導体を前記絶縁体へと接合するステップは、前記導体および前記絶縁体を所定時間にわたって所定温度に加熱することを含み、
前記所定温度は、好ましくは、摂氏約７５０℃〜約９００℃であり、
前記所定時間は、好ましくは、約１０分〜約６０分であることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記絶縁体は、アルミナ材料からなり、
前記アルミナ材料は、好ましくは、約８８パーセント〜約９９パーセントの純アルミナからなることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記抵抗部材は、抵抗器およびばねアセンブリを備えることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
レニウムおよびモリブデンを焼結して焼結材料を形成することによって前記正電極チップおよび前記負電極チップを形成することをさらに含み、
前記材料は、好ましくは、少なくとも約５０パーセントのレニウムおよび多くても約５０パーセントのモリブデンから形成され、又は、最も好ましくは、約７５パーセントのレニウムおよび約２５パーセントのモリブデンから形成されることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
前記キャパシタは、約３０〜約１００ｐｆの範囲の所定容量を有することを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１５】
前記抵抗部材は、任意に炭素およびガラスの複合材料からなる、抵抗フリット材料を含み、
該方法は、任意に、前記空洞に配置され、前記チップ・アセンブリおよび前記抵抗フリット材料へと接続される第２のフリット材料を用意することをさらに含み、
前記第２のフリット材料は、好ましくは、銅合金を含んでおり、前記銅合金が前記絶縁体の前記下端を封じ、
該方法は、好ましくは、前記抵抗フリット材料および前記第２のフリット材料を圧縮することをさらに含み、
最も好ましくは、前記圧縮するステップは、前記抵抗フリット材料、前記第２のフリット材料、および前記絶縁体を所定の時間にわたって所定の温度に加熱した後に実行されることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月22日(2011.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層列を備えたＬＥＤ半導体基体（１）であって、
該半導体層列はノンコヒーレントな放射を生成するように設定されている量子構造（２）を含んでおり、該量子構造は少なくとも１つの量子層（３）および少なくとも１つのバリヤ層（４）を備え、前記半導体層列は、成長基板上にエピタキシャルに析出されており、
前記量子層（３）およびバリヤ層（４）には相互に反対の極性によって応力が加わっており、
前記半導体基体（１）は、前記成長基板が除去されて支持体（７０）上に配置されている、
ＬＥＤ半導体基体。
【請求項２】
当該ＬＥＤ半導体基体（１）は薄膜半導体基体として実現されている
請求項１記載のＬＥＤ半導体基体。
【請求項３】
前記量子層（３）は圧縮応力が加わっておりかつ前記バリヤ層（４）は引っ張り応力が加わっている
請求項１または２記載のＬＥＤ半導体基体。
【請求項４】
前記バリヤ層（４）の応力は前記量子層（３）の応力より絶対値でみて小さい
請求項１から３までのいずれか１項記載のＬＥＤ半導体基体。
【請求項５】
前記バリヤ層（４）の応力の値は、前記量子層（３）の応力の絶対値を含む、０．２以上０．６７以下である
請求項４記載のＬＥＤ半導体基体。
【請求項６】
前記バリヤ層（４）の厚さの、前記量子層（３）の厚さに対する比は１より大きいかまたは１に等しい
請求項１から５までのいずれか１項記載のＬＥＤ半導体基体。
【請求項７】
前記バリヤ層（４）の厚さは５ｎｍまたはそれ以上である
請求項１から６までのいずれか１項記載のＬＥＤ半導体基体。
【請求項８】
前記量子層（３）はＩｎｙＧａ１−ｙＡｓ、ただし０≦ｙ≦０．５、を含んでいる
請求項１から７までのいずれか１項記載のＬＥＤ半導体基体。
【請求項９】
前記応力が加わっているバリヤ層（４）はＡｌｙＧａ１−ｘＡｓ１−ｚＰｚ、ただし０．０１≦ｘ≦１、０．０１≦ｚ≦０．５、を含んでいる
請求項１から８までのいずれか１項記載のＬＥＤ半導体基体。
【請求項１０】
前記量子構造（２）は１つの別の量子層（３）および１つの別のバリヤ層（４）を有しておりかつこれら別の量子層（３）および別のバリヤ層（４）は同様に相互に反対の極性によって応力がかけられている
請求項１から９までのいずれか１項記載のＬＥＤ半導体基体。
【請求項１１】
前記別の量子層（３）および／または別のバリヤ層（４）は請求項３から９までのいずれか１項記載の特徴に従って実現されている
請求項１０記載のＬＥＤ半導体基体。
【請求項１２】
前記応力が加わっている量子層（３）および前記応力が加わっているバリヤ層（４）は前記量子構造において交番する順序で上下に配置されている
請求項１０または１１記載のＬＥＤ半導体基体。
【請求項１３】
前記量子構造（２）の平均応力は２０００ｐｐｍまたはそれ以下である
請求項１から１２までのいずれか１項記載のＬＥＤ半導体基体。
【請求項１４】
前記支持体（７０）は、前記半導体基体の機械的安定化のために用いられる
請求項１から１３までのいずれか１項記載のＬＥＤ半導体基体。
【請求項１５】
前記支持体（７０）は前記半導体基体（１）の成長基板とは異なっている
請求項１から１４までのいずれか１項記載のＬＥＤ半導体基体。
【請求項１６】
前記支持体（７０）と前記半導体基体（１）との間にミラー層（７２）が配置されている
請求項１４または１５記載のＬＥＤ半導体基体。
【請求項１７】
前記ミラー層（７２）は金属性に実現されている
請求項１６記載のＬＥＤ半導体基体。
【請求項１８】
前記量子構造（２）は、含む７５０ｎｍないし含む１０５０ｎｍの波長領域にあるピーク波長を有する放射を生成するように設定されている
請求項１から１７までのいずれか１項記載のＬＥＤ半導体基体。
【請求項１９】
前記量子構造は、該量子構造（２）によって生成される放射のスペクトルの半値幅が７０ｎｍまたはそれ以下であるように実現されている
請求項１から１８までのいずれか１項記載のＬＥＤ半導体基体。
【請求項２０】
前記量子構造（２）は、４つの量子層（３）またはそれ以上を有している
請求項１から１９までのいずれか１項記載のＬＥＤ半導体基体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
バリヤ層は例えば、ＡｌｙＧａ１−ｘＡｓ１−ｚＰｚ、ただし０≦ｘ≦１および０≦ｚ≦１、有利にはｚ≠０を含んでいることができる。また、０．０１≦ｘ≦１、有利には０．１≦ｘ≦０．６、特別有利には０．２≦ｘ≦０．４および／または０．０１≦ｚ≦０．５、有利には０．０３≦ｚ≦０．３、有利には０．０５≦ｚ≦０．２であってもよい。この形式の半導体層の真性格子定数は燐含有量が増えるに従って低下し、その際引っ張り応力のかかっているＡｌｙＧａ１−ｘＡｓ１−ｚＰｚ半導体の場合、析出方向における格子定数はラテラルな方向における格子定数より小さい。ＧａＡｓに関連して、引っ張り応力は燐含有量が増えるに従って増大するので、燐含有量の変化を介して、圧縮応力が加わっているＩｎｙＧａ１−ｙＡｓ含有の半導体層の応力をＡｌｙＧａ１−ｘＡｓ１−ｚＰｚ半導体層を用いて補償することができる。更に、ＡｌｙＧａ１−ｘＡｓ１−ｚＰｚ半導体層のバンドギャップをアルミニウム含有量を介して調整することができる。１つのＩｎｙＧａ１−ｙＡｓ量子層および２つのＡｌｙＧａ１−ｘＡｓ１−ｚＰｚバリヤ層を用いて形成されている量子井戸の場合、アルミニウム含有量を変えることで、量子井戸のエネルギー深度を簡単に調整することができる。