【事件の表示】
　特願２００４−５１７５８２「材料処理ツールおよびセンサデータを使用して処理性能を予測するための方法およびシステム」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　１月　８日国際公開、ＷＯ２００４／００３９６９、平成１７年１０月２０日国内公表、特表２００５−５３１９２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００３年　６月２７日（パリ条約による優先権主張：２００２年　６月２８日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２０年　９月　４日付けで拒絶理由通知がなされ、平成２０年１１月１０日付けで特許請求の範囲について手続補正がなされ、平成２１年　８月　３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２１年１１月１１日付けで拒絶査定不服の審判請求がなされたものである。
　　　　　
２．本願発明
　本願の請求項１〜３９に係る発明は、平成２０年１１月１０日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜３９に記載された事項により特定されるとおりのものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものと認める。
　
「【請求項１】
　処理ツールと、
　ツールデータを測定するために前記処理ツールに結合された複数のセンサと、
　前記複数のセンサに結合され、前記ツールデータを受信するように構成され、前記ツールデータから予測される処理性能データを決定する処理性能予測モデルを使用し、前記予測される処理性能データをターゲット処理性能データと比較し、欠陥を検出するために前記比較を使用するように構成されている制御装置と、
　前記処理ツールの周囲に配設され、プラズマ密度を増加するように構成された磁場システムとを備える材料処理システム。」
　
３．引用刊行物記載の発明
（１）引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本願のパリ条約による優先権主張の日前である平成１０年　５月１５日に頒布された特開平１０−１２５６６０号公報（以下、「引用例」という。）には、「プラズマ処理装置、プロセスモニタ方法及び半導体装置の製造方法」（発明の名称）が記載され、図面とともに、以下の記載がある。
　
（引ア）「【００１１】本発明の目的は、プラズマ処理特性の変動や経時変化をリアルタイムで監視することができ、製造歩留り及び生産性を向上することが可能なプラズマ処理装置、プロセスモニタ方法及び半導体装置の製造方法を提供することにある。」
　
（引イ）「【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的は、プラズマ状態を反映する電気的信号を測定する信号サンプリング手段と、前記電気的信号の値とプラズマ処理特性とを関連づけるモデル式を記憶するモデル式記憶手段と、前記信号サンプリング手段により測定した前記電気信号の値を、前記モデル式記憶手段から読み出した前記モデル式に代入し、前記プラズマ処理特性の予測値を算出する演算手段と、前記プラズマ処理特性の前記予測値に基づいてプラズマの状態を診断する診断手段とを有することを特徴とするプラズマ処理装置によって達成される。このようにプラズマ処理装置を構成すれば、リアルタイムで測定した電気的信号をモデル式に代入することによってプラズマの状態を見積もることができるので、プラズマ処理特性が変化した場合にはオペレータが直ちにこれを知ることができる。したがって、不良ウェーハが大量に発生することを未然に防止することができる。また、モデル式では、電流、電圧、位相など、個々の電気的信号のパラメータを監視するのではなく、複数のパラメータのバランスをプラズマ処理特性等と関連づけて一度にまとめて監視することができるので、装置に異常が生じた場合の原因究明が容易となる。」
　
（引ウ）「【００１５】また、上記のプラズマ処理装置において、前記信号サンプリング手段は、前記電気的信号として、プラズマを発生するための高周波電力を印加する電極と整合器との間の電圧、電流、位相、インピーダンス又は自己バイアス電圧のうちの少なくとも一つを計測することが望ましい。また、上記のプラズマ処理装置において、前記プラズマ処理特性は、エッチング速度、エッチングの均一性、選択比又は加工形状であることが望ましい。」　
　
（引エ）「【００２５】本実施形態においてはプラズマ処理装置の代表的なものとしてプラズマエッチング装置を例に説明するが、本発明はプラズマを利用した他のプラズマ処理装置、例えばプラズマＣＶＤ装置等においても同様に適用することができる。始めに、本実施形態によるプラズマ処理装置の概略について図１及び図２を用いて説明する。
【００２６】プラズマ処理を行うための真空チャンバ１０内には、上部電極１２と下部電極１４とが互いに対向するように配置されている。下部電極１４上には、エッチングするウェーハ１６が載置される。上部電極１２と下部電極１４との間には、これら電極間にプラズマ１８を発生するための高周波電源２０が整合器２２を介して接続されている。真空チャンバ１０には、また、エッチングガスをチャンバ内に所定の流量で導入するための流量制御器２４、２６及びガス圧制御器２８が設けられている。また、高周波電源２０、流量制御器２４、２６、ガス圧制御器２８には、これらを制御するための装置制御用コンピュータ３０が接続されている。
【００２７】整合器２２と上部電極１２との間にはセンサが設けられており、計測器３２によって高周波電源２０からの出力の電圧、電流、インピーダンス、位相などを計測できるようになっている。また、フィルタ回路３４を介して電圧計３６によって上部電極１２で発生する自己バイアス電圧を計測できるようになっている。このようにして得られた計測値は、一定時間毎に自動的に解析用コンピュータ３８に読み込まれるようになっている。解析用コンピュータ３８は、解析結果をエッチング条件に反映できるように、装置制御用コンピュータ３０に接続されている。
【００２８】解析用コンピュータ３８は、図２に示すように、放電検出手段４０、電気的信号サンプリング手段４２、演算手段４４、終点検出手段４６、モデル式記憶手段４８、予測／診断／制御手段５０、アラーム手段５２とにより構成されている。放電検出手段４０は、計測器３２からの電気的信号（電圧、電流、位相、インピーダンスなど）のうち少なくとも１成分を選択し、それらの値と予め設定した値とを比較することによりエッチング処理時のプラズマ放電の発生を自動的に検知するものである。
【００２９】電気的信号サンプリング手段４２は、設定した一定の時間間隔で、電圧、電流、位相、インピーダンス、自己バイアス電圧等の高周波の電気的信号をリアルタイムでサンプリングするものである。終点検出手段４６は、放電検出手段４０及び高周波信号サンプリング手段４２から得られた情報をもとにして演算処理を行い、エッチングの終点を検出する手段である。
【００３０】モデル式記憶手段４８は、試用実験のデータを解析して得られた、装置制御パラメータからプラズマ処理特性を見積もるモデル式を記憶しておくものである。演算手段４４は、電気的信号サンプリング手段４２によってサンプリングした電気的信号の測定値をモデル式記憶手段４８に記憶されているモデル式に代入し、エッチング速度、エッチング均一性などのエッチング特性の予測値を算出し、また、終点検出手段４６によって得られた終点情報をもとにして、エッチング速度、エッチング均一性などのエッチング特性の実測値を算出するものである。
【００３１】予測／診断／制御手段５０は、演算手段４４により求められた予測値と実測値とを比較することにより、エッチング特性やプラズマ状態を予測し、診断し、或いはこれらの結果をもとにして後続の処理条件にフィードバックするものである。アラーム手段５２は、予測／診断／制御手段５０により得られた結果に応じて、オペレータに装置状態を知らせるものである。」
　
（引オ）「【００３５】次に、エッチング処理した試用ウェーハから得られるエッチング速度、均一性などのエッチング特性、並びにエッチング処理中に測定した前記電圧、電流、インピーダンス、位相、自己バイアス電圧などの各電気的信号の相関関係を、例えば重回帰分析によって解析し、線形項と交互作用項、または線形項と交互作用項と二次の項とを用いたモデル式で数式化する。この場合、補正済決定係数Ｒ2-adj.が０．８以上になる式が望ましく、しかも、電圧等のパラメータ数が少なく、且つできるだけ補正済決定係数Ｒ2-adj.が大きい数式を用いることが望ましい。
【００３６】次いで、このようにして求めたモデル式を、解析用コンピュータ３８のモデル式記憶手段４８に記憶しておき、後のデータ解析の際に参照できるようにしておく。なお、モデル式の算出には、解析用コンピュータ３８を用いてもよいし、その他の装置を用いてもよい。また、試用実験は、必ずしも実用ウェーハの処理毎に行う必要はない。」
　
（引カ）「【００４８】［プラズマ処理特性の予測値の算出（ステップＳ１２）］上述のようにして事前実験を予め行った後、実用ウェーハの処理を行う。実用ウェーハの処理過程においては、計測器３２、電圧計３６などにより、高周波電源２０と整合器２２との間の電圧、電流、位相、インピーダンス、自己バイアス電圧等の各電気的信号の値を一定の時間間隔で測定し、電気的信号サンプリング手段４２によって解析用コンピュータ３８に読み込む。
【００４９】次いで、このように測定した電気的信号データを、ステップＳ１１において求めたモデル式に代入し、プラズマ処理特性の予測値を算出する。具体的には、電気的信号サンプリング手段４２によって測定された実測データと、モデル式記憶手段４８に記憶されたモデル式とを演算手段４４に読み込み、演算手段４４によってプラズマ処理特性の予測値を算出する。
【００５０】ステップＳ１１の試用実験によれば、エッチング特性、均一性、選択比等のプラズマ処理特性は、上記モデル式に高周波の電気的信号データを代入することにより算出することができる。したがって、これらモデル式に、ステップＳ１２において検出した電気的信号の実測データを代入すれば、実用ウェーハの処理過程におけるプラズマ処理特性を予測することができる。」
　
（引キ）「【００６１】本実施形態によるプラズマ処理装置では、上記ステップにより得られたデータを用いて種々の診断を行うことができる。以下、実施例として種々のプロセスモニタ方法を列挙する。
［実施例１］ウェーハを１枚処理する毎に、リアルタイムで取得した電気的信号データの各成分の平均値を求め、このように求めた平均値をモデル式に代入してエッチング特性の予測値を求める。
【００６２】このように求めた予測値が予め設定した範囲内にあればエッチング処理が正常に行われたと判定し、次のウェーハのエッチング処理を継続する。一方、予測値が予め設定した範囲に入らない場合には、アラーム手段５２によってその旨を表示し、或いは警告を発することによりオペレータに知らせ、エッチング処理を停止するようにする。」
　
（引ク）「【００７２】また、予測値と実測値との差が急激に変化するような場合には、装置に何らかの異常が発生したものと判断することができる。この場合には、電気的信号と装置制御パラメータとの関係式から計算した電気的信号の基準値からの変動量を合わせて解析することにより、装置のどこに異常が発生したかを見積もることができる。」
　
（引ケ）「【００７８】また、実用ウェーハの処理時にリアルタイムでプラズマ状態を知ることができるので、例えば一枚のウェーハをプラズマ処理する毎にウェーハが適正に処理された良品であるか否かを自動的に監視することができ、不良品がでた場合には、直ちに処理を停止して原因を究明し、或いは、処理条件を自動又は手動で修正して処理を継続することができる。
【００７９】また、装置が異常である場合の原因究明も容易となり、プラズマ処理の信頼性が向上し、ひいては歩留りや生産性を向上することができる。本発明は、上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態のプラズマ装置では、下部電極が接地された平行平板型の電極構造を採用しているが、下部電極のみ、或いは下部電極にも高周波電力が印加される方式のプラズマ処理装置においても同様に適用することができる。この場合、電圧、電流などの電気的信号パラメータは、いずれか一方、或いは両方の電極付近で計測することができる。
【００８０】また、プラズマを発生する方式は、平行平板型に限られず、ＴＣＰ（Transformer Coupled Plasma）型、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）型、ヘリコン波型、マイクロ波励起型など各種の方式から選択することができる。」
　
　すなわち、引用例には、
「プラズマエッチング装置において、真空チャンバ１０内に、上部電極１２と下部電極１４とが互いに対向するように配置し、下部電極１４上には、エッチングするウェーハ１６を載置し、上部電極１２と下部電極１４との間には、これら電極間にプラズマ１８を発生するための高周波電源２０が整合器２２を介して接続され、整合器２２と上部電極１２との間にはセンサが設けられており、計測器３２によって高周波電源２０からの出力の電圧、電流、インピーダンス、位相などを計測し、フィルタ回路３４を介して電圧計３６によって上部電極１２で発生する自己バイアス電圧を計測し、電気的信号サンプリング手段４２は、設定した一定の時間間隔で、電圧、電流、位相、インピーダンス、自己バイアス電圧等の高周波の電気的信号をリアルタイムでサンプリングし、モデル式記憶手段４８は、試用実験のデータを解析して得られた、装置制御パラメータからプラズマ処理特性を見積もるモデル式を記憶しておくものであって、解析用コンピュータ３８の演算手段４４は、電気的信号サンプリング手段４２によってサンプリングした電気的信号の測定値をモデル式記憶手段４８に記憶されているモデル式に代入し、エッチング速度、エッチング均一性、選択比などのエッチング特性の予測値を算出して、ウェーハが適正に処理された良品であるか否かを監視するプラズマ処理装置。」（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　また、プラズマを発生する方式は、平行平板型に限られず、下部電極のみ、或いは下部電極にも高周波電力が印加される方式のプラズマ処理装置においても同様に適用することができ、ＴＣＰ（Transformer Coupled Plasma）型、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）型、ヘリコン波型、マイクロ波励起型など各種の方式から選択することができることも記載されている。
　
（２）周知例１
　本願のパリ条約による優先権主張の日前である平成１２年　６月１６日に頒布された特開２０００−１６４５７８号公報（以下、「周知例１」という。）には、「プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法」（発明の名称）が記載され、図面とともに、以下の記載がある。
　
（周１ア）「【００２２】第１の実施例を図１により説明する。
【００２３】処理室：１ａの中には対向電極：２ａ、２ｂ、ステージ電極：３、が対向して設けられており、処理室：１ａと各電極は絶縁材：４ａ、絶縁材：５により絶縁されるとともに、処理室：１ａとの接合部は真空シール構造となっている。処理室：１ａ内は図示しない処理ガス供給手段から設定流量の処理ガスを供給しながら図示しない排気制御機構により、処理室：１ａ内を真空に排気し、設定圧力に調整できる構造となっている。
【００２４】対向電極：２ａ、２ｂは絶縁材：４ｂにより相互に絶縁されており、対向電極：２ａには高周波電源：６ａ、対向電極：２ｂには高周波電源；６ｂが接続されている。高周波電源：６ａと高周波電源：６ｂは同じ周波数（本実施例では１００ＭHz）で位相がずれた高周波電圧を発生し、対向電極２ａ、２ｂに印加するようになっている。
【００２５】処理室：１ａはアースに接地されており、その外周にはコイル：８ａが設けれれ、処理室内に対向電極：２ａ，２ｂに直交する磁場を形成するようになっている。
【００２６】ステージ電極：３には処理基板：１０が裁置できる構造になっており、図示しない温度制御機構によりプラズマ処理中の処理基板：１０の温度を制御できるようになっている。また、ステージ電極：３には処理基板に入射するイオンのエネルギを制御するバイアス電源（２ＭHz）：７、が接続されている。
【００２７】次に本一実施例によるエッチング処理での動作例を説明する。
【００２８】ステージ電極：３に処理基板：１０を搬入し、載置する。図示しないエッチングガス供給源より設定流量のエッチングガス（弗化炭素系ガス）を供給し、処理室内の圧力が１Ｐａになるよう排気を制御する。処理基板には半導体デバイスの絶縁膜である酸化シリコン膜、シリコン膜が形成されている。この処理基板をステージ電極：３に静電的に吸着させるとともに、図示しないヘリウムガス供給源より基板とステージ電極：３の間にＨeガスを供給して、基板からステージ電極：３への熱抵抗を低減し、エッチング処理中の処理基板の温度上昇を防止する。
【００２９】対向電極：２ａ，２ｂに高周波電源：６ａ、６ｂより１００MHzの高周波電力を投入し、容量結合放電によりプラズマを形成される。この場合、電子の加速はシースとプラズマの界面のみで行われるため、電極間のプラズマの電子エネルギ分布はマクスウェル・ボルツマン分布に近い。
【００３０】対向電極に高周波電力を供給すると対向電極：２ｂとアース接続された処理室：１ａの間には高周波の電位差による電界Ｅが発生し、変位電流が流れ電磁波が放射される。磁場が形成されない条件では発生したプラズマにより、これらの電磁波は反射され、プラズマに与える影響は小さい。コイル：８ａに電流を流し、磁場Ｂを形成し、その磁場の強度を放射される電磁波の周波数に対し電子サイクロトロン共鳴を起こす条件（３５Ｇ）より強くすると電磁波はプラズマ中に進行しやすくなり、プラズマ中の電子に電磁波電界より効率よくエネルギが供給され、電子のエネルギを高めるごとができる。」
　
（周１イ）「【００５１】次に本一実施例における均一性制御について説明する。
【００５２】形成された磁場はコイル近傍の磁場強度が強く、中心部が弱くなる構成である。磁場に平行方向に放射された電磁波は磁場にそって進行し、電子サイクロトロン共鳴条件が形成された領域でプラズマ中の電子にエネルギが効率よく供給され、その部分のプラズマ密度が増加する。」
　
（３）周知例２
　本願のパリ条約による優先権主張の日前である平成　４年　２月　６日に頒布された特開平４−３６４８４号公報（以下、「周知例２」という。）には、「プラズマエッチング装置」（発明の名称）が記載され、図面とともに、以下の記載がある。
　
（周２ア）「第３図は本発明にかかるプラズマエツチング装置（II）の要部断面図を示しており、図中の記号２１、２２はリング状のコイル、２３は上部電極、２４は下部電極、２５はエツチングチャンバ、２６はウェハー、２８は反応ガス導入管、２９は排気口、Ｓは高周波電源である。第１図と同じく、リング状のコイル２１、２２によってウェハー２６に垂直な磁場（点線で示している）を印加しており、磁束密度はウェハーと同面積が均一であり、且つ、この磁場は一定周期（ω）で強度（磁束密度）を変化（Ｂ（ｔ）＝Ｂ０ｓｉｎωｔ）させている。
　そうすれば、同じく、その磁場Ｂのためにファラデーの電磁誘導によって磁場に垂直な方向に電場Ｅが生じ、電子は加速して円運動（ベータトロン運動）をする。このウェハーに平行に円運動する電子はガス分子と衝突し易くなり、低圧でも高密度にプラズマが発生する。しかも、その電子の円運動がウェハーに平行なために、ウェハー面に電子が衝突する確率が低くなって、ダメージを与え難くなり、第１図のプラズマエツチング装置と同様の効果が得られる。」（４頁右上欄下から３行〜左下欄下から３行）
　
４．対比
　本願の明細書には、以下の記載がある。
（本ア）「【０００２】
  本発明は材料処理に関し、より詳細には、処理速度および処理均一性を含む処理性能を予測するための、処理性能予測システムおよびその方法に関する。」
　
（本イ）「【００１１】
  本発明におけるこれらの、および他の利点は、添付の図面を参照して以下に詳細に説明される例示の実施形態からより明確になり、容易に理解されるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】・・・（略）・・・
【００１３】
  図１に描かれる例証される実施形態において、材料処理システム１は材料処理のためにプラズマを利用する。望ましくは、材料処理システム１はエッチングチャンバを備える。」
　
（本ウ）「【００２９】
  図３に図示されるように、材料処理システム１は磁場システム６０を含むことができる。例えば、磁場システム６０は、プラズマ密度を潜在的に増大し、および／または材料処理の均一性を改善するために、固定直流磁場か、または機械的または電気的のいずれかの回転直流磁場を含むことができる。更に、制御装置５５は、場の強度または回転速度を調整するために、磁場システム６０に結合されることができる。」
　
（本エ）【００３３】
  上述したように、処理性能予測システム１００は、複数のセンサ５０および制御装置５５を含み、センサ５０は処理ツール１０に結合され、制御装置５５はツールデータを受信するためにセンサ５０に結合される。制御装置５５は、センサ５０から受信されたツールデータを最適化し、ツールデータおよび処理性能データの間の関係（モデル）を決定し、欠陥検出および／または予測のために関係（モデル）を使用するために、少なくとも１つのアルゴリズムを実施することが更に可能である。」
　
（本オ）「【００３５】
  表１：代表的なツールデータ
  更に、ダマシン処理の一部としてトレンチエッチングに関係する代表的な処理性能データの組は、トレンチ平均エッチングの深さ、およびトレンチエッチングの深さ範囲を含むことができる。平均エッチングの深さは例えば、基板上の複数の場所におけるトレンチエッチングの深さの空間平均を備えることができる。トレンチエッチングの深さ範囲は例えば、エッチングの深さのための平均値に関するデータ散布の、最小−最大範囲、分散、標準偏差、または二乗平均平方根（ｒｍｓ）を含むことができる。」
　
（本カ）「【００６４】
  図１７は、本発明の実施形態による処理性能予測モデルを使用して、材料処理システムのための欠陥状態を検出する方法のフロー図を表す。方法６００は、特定の処理のためのチャンバ状態を準備することによる、ステップ６１０より始まる。例えば、チャンバ設定は、処理される基板をロードすること、真空チャンバを底面圧にポンプダウンすること、処理ガスの流れを開始すること、チャンバ処理圧力を確立するために真空ポンプスロットルバルブを調整することを備える。ステップ６２０において、例えば、図２から５に関して論じたように、電極へのＲＦ電力の印加を介してプラズマは引き起こされ、それにより処理を開始する。ステップ６３０において、ツールデータの観測が記録される。ステップ６４０において、確立された処理性能予測モデルは、処理性能データを予測するために、観測されたツールデータと共に使用され、ツールデータは、例えばベクトル乗算（または行列乗算）を介して、記録されたツールデータを、１つ以上の相関データ（処理性能予測モデル）上に予想することを含む。ステップ６５０において、予測された処理性能データは、ターゲット処理性能データと比較される。比較は、予測された処理性能データおよびターゲット処理性能データの間の数字上の差異からの差異データ（図１３のΔを参照）、数字上の差異の二乗等を形成することを含んでよい。ステップ６６０において、差異データは閾値差異データと比較され、差異データが閾値差異データを超過する場合、欠陥は処理のために検出され、および／または予測され、また反対に、差異データが閾値差異データを超過しない場合、処理は許容範囲内で動作する。処理が許容範囲内で動作する場合、処理はステップ６７０に進むことができる。欠陥が検出または予測される場合、次いでオペレータがステップ６８０において通知されることができる。」
　
　上記（本イ）、（本エ）及び（本オ）の摘示事項からみて、本願発明の「処理ツール」とは、プラズマを用いたエッチングに用いられるチャンバを含むものと、解することができる。
　
　上記（本ア）及び（本オ）の摘示事項からみて、本願発明の「処理性能」とは、エッチングによって形成されたトレンチ等の深さに関する最小−最大範囲、分散、標準偏差、又は、二乗平均平方根（ｒｍｓ）を含むエッチングの処理能力、と解することができる。
　
　また、本願発明の「ターゲット処理性能データ」について、本願の明細書において特段の限定がなく、一般に、「ターゲット【target】標的。的まと。[株式会社岩波書店 広辞苑第六版]」であるから、上記（本ア）及び（本オ）の摘示事項も参照すると、「ターゲット処理性能データ」とは、目標とするエッチング深さに関する最小−最大範囲、分散、標準偏差、または二乗平均平方根（ｒｍｓ）を含む情報である、と解することができる。
　
　そして、上記（本カ）の摘示事項からみて、「欠陥」とは、予測された処理性能データ及びターゲット処理性能データの間の数字上の差異が閾値を超過した場合に検出されるものであるから、エッチング深さに関する最小−最大範囲、分散、標準偏差、または二乗平均平方根（ｒｍｓ）を含む情報に関して、予測されたものと、目標とするものとの差異が大きくなった場合に検出されるもの、と解することができる。
　
　一方、引用発明においては、真空チャンバ１０に設けられたセンサ及び計測器３２を用いて、上部電極１２を介して、電圧、電流、位相、インピーダンス、自己バイアス電圧等の電気的信号を得て、この電気的信号をモデル式に代入して、エッチング速度、エッチング均一性、選択比などのエッチング特性の予測値を算出し、この予測値があらかじめ設定した範囲内にあるかどうかを判断するものであり、例えば、エッチング均一性とは、一般に、エッチング深さについて、(最大値−最小値)／(最大値＋最小値)を指数として表されるもの（必要であれば、特開平６−２４４１５３号公報の段落【００３５】の「エッチング均一性は５点中の最大値と最小値より｛最大−最小｝／｛最大＋最小｝の計算で求めた値」という記載を参照されたい。）であることから、引用発明の「エッチング速度、エッチング均一性、選択比などのエッチング特性」とは、本願発明の「処理性能」に相当するものであって、引用発明においても、本願発明でいう「欠陥」を検出していると言うことができる。
　
　また、引用発明では、予測値が予め設定した範囲内にあるかどうかによって、エッチング処理が正常に行われたかどうかを判定しているのであるから、予測値を、あらかじめ設定した範囲内の値と比較していることは明らかである。
　
　また、整合器２２と上部電極１２との間に設けられた「センサ」、及び、フィルタ回路３４を介して上部電極１２で発生する自己バイアス電圧を計測する「電圧計３６」は、ともに、真空チャンバ１０の上部電極に結合して、それぞれ電気信号等を計測する手段であるから、いずれも本願発明の処理ツールに結合されたセンサであることは明らかであり、引用発明は、処理ツールに結合された複数のセンサを有しているものである。
　
　そして、引用発明では、電気的信号が解析用コンピュータ３８の演算手段４４によって処理されているのであるから、解析用コンピュータ３８は電気的信号を受信するように構成されていることは明らかである。
　
　したがって、引用発明の「真空チャンバ１０」、「解析用コンピュータ３８」、「エッチング速度、エッチング均一性、選択比などのエッチング特性」、「モデル式記憶手段４８に記憶されているモデル式」、「予測値」の「予め設定した範囲」、「電圧、電流、位相、インピーダンス、自己バイアス電圧等の高周波の電気的信号」、「予測値が予め設定した範囲」であるかどうかを判定すること、及び、「プラズマ処理装置」は、本願発明の「処理ツール」、「制御装置」、「処理性能」、「処理性能予測モデル」、「ターゲット処理性能データ」、「ツールデータ」、「欠陥を検出する」こと、及び、「材料処理システム」にそれぞれ相当する。
　
　よって、本願発明と引用発明とを比較すると、両者は、
「処理ツールと、
　ツールデータを測定するために前記処理ツールに結合された複数のセンサと、
　前記複数のセンサに結合され、前記ツールデータを受信するように構成され、前記ツールデータから予測される処理性能データを決定する処理性能予測モデルを使用し、前記予測される処理性能データをターゲット処理性能データと比較し、欠陥を検出するために前記比較を使用するように構成されている制御装置を有する材料処理システム」である点で一致し、以下の点で相違している。
　
　（相違点）
　本願発明では、「前記処理ツールの周囲に配設され、プラズマ密度を増加するように構成された磁場システム」を備えているのに対し、引用発明では、そのようになっていない点。　
　
５．当審の判断
　処理ツール（周知例１では、「処理室１ａ」、周知例２では、「エッチングチャンバ２５」が、相当する。）内の電極に高周波電圧を印加するとともに、処理ツールの周囲に配置して、プラズマ密度を増加するように構成した磁場システム（周知例１では、「コイル８ａ」、周知例２では、「コイル２１、２２」が、相当する。）を設けることは、周知例１、２に開示されているように周知である。
　そして、引用例には、プラズマを発生する方式は、どのようなものでも適用できることが記載されており、周知例１、２に開示されたような磁場システムを備えたプラズマ発生方式を採用できない根拠はないのであるから、引用発明において、「前記処理ツールの周囲に配設され、プラズマ密度を増加するように構成された磁場システム」を備えるようにすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
６．むすび　
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知例１、２に開示されたような周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。　
　よって結論のとおり審決する。