【事件の表示】
　特願２００１−３４９２３４「半導体薄膜の結晶化方法、半導体薄膜、及び、薄膜半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　５月２３日出願公開、特開２００３−１５１９０４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．　手続の経緯
　本願は，平成１３年１１月１４日の出願であって，平成１８年１１月８日付けの拒絶理由通知に対して，同年１２月１５日に手続補正書及び意見書が提出されたが，平成１９年２月６日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年３月８日に審判請求がされるとともに，手続補正書が提出され，その後当審において，平成２２年２月１８日付けで拒絶理由が通知され，これに対して同年４月２３日に意見書が提出されたものである。
　
２．本願発明について
（１）本願発明
　本願発明は，平成１９年３月８日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載から見て，その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるとおりのものであり，そのうち請求項１に係る発明は，特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるとおりのもの（以下「本願発明」という。）である。
「【請求項１】　絶縁性基板上に形成された少なくともＳｉを主成分とする非単結晶半導体薄膜にエネルギービームを照射して表面に対する優勢な結晶方位が〈１００〉方位である多結晶半導体薄膜を形成する工程，前記多結晶半導体薄膜に連続発振のレーザビームを前記多結晶半導体薄膜が完全溶融してラテラル結晶化が起こるより低いエネルギー或いは速い走査速度で照射して，前記多結晶半導体薄膜をラテラル結晶化が起こらない程度に溶融させることによって結晶方位が〈１００〉方位である結晶粒の割合が４０％以上でより大粒径の結晶化半導体薄膜を得る工程を備えたことを特徴とする半導体薄膜の結晶化方法。」
　
（２）刊行物に記載された発明
　ア　特開平９−２８３４４１号公報
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平９−２８３４４１号公報（以下「引用例１」という。）には，図１〜３とともに以下の記載がある。
（ア）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，半導体素子の製造方法に関し
（イ）
「【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明はこの課題を解決するために成され，絶縁基板上に半導体層及び電極層を形成する半導体素子の製造方法において，前記半導体層は，前記
絶縁基板上に形成された非晶質半導体膜にパルス励起レーザー照射を行うことにより，前記非晶質半導体膜を比較的粒径の小さな結晶粒からなる多結晶半導体膜にした後，連続励起レーザー照射を行うことにより前記結晶粒の粒径を大きくするとともに，結晶粒径の分布を均一にする
【００１７】これにより，
初めのパルスレーザーアニールにより，液相エピタキシャル成長を促して非晶質層中に結晶粒を生成させた後，続くＣＷレーザーアニールにより，パルスレーザーアニールで生成された微結晶粒からの固相エピタキシャル成長が促され，多結晶半導体膜の質を高める
（ウ）
「【００１８】
【発明の実施の形態】続いて，本発明の実施形態を，絶縁基板に多結晶シリコン膜を形成することにより，薄膜トランジスタを作成した液晶表示装置について説明する。図１から図１２に液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図を示す。まず図１において，
ソーダガラス等の基板（１０）上
モノシランＳｉＨ
4
，あるいは，ジシランＳｉ
2
Ｈ
4
を材料ガスとした，４５０℃の減圧ＣＶＤ，あるいはプラズマＣＶＤにより，前記材料を分解して堆積することでアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）（１２ａ）を３００〜１０００Å，例えば，５００〜６００Åの厚さに積層する
【００１９】続いて図２で，
パルスレーザーアニールとして，エキシマレーザーアニール（ＥＬＡ）を用いて，ａ−Ｓｉの１回目の再結晶化を行って結晶粒を生成し，比較的粒径の小さいグレインからなるｐ−Ｓｉ膜（１２）を形成する
【００２０】図３で，可視光レーザー，
例えばＡｒレーザー等によるＣＷレーザーアニール（ＣＷＡ）を用いて２回目の再結晶化を行い，図２において形成されたｐ−Ｓｉ（１２）のグレインを更に大きくするとともに，全域にわたってグレイン径を均一化する
（エ）
「【００３０】本発明では，図２及び図３に示すように，
基板上（１０）に形成されたａ−Ｓｉ（１４ａ）の再結晶化アニールにおいて，まずパルスレーザーアニールにより，微結晶粒を生成しておき，次いで，ＣＷアニールを行って，微結晶からの固相エピタキシャル成長を促すことで，結晶粒を大きくするとともに，この結晶粒の大きさを全域にわたって均一にしている
【００３１】
【発明の効果】以上の説明から明らかな如く，本発明により，絶縁性基板上に半導体層を形成して半導体素子を製造する方法において，基板上に低温で成膜された非晶質半導体層をレーザーアニールにより再結晶化する際，まず，パルスレーザーアニールにより，微結晶粒を生成し，続いて，ＣＷレーザーアニールを行って，この微結晶粒よりエピタキシャル成長を促すことにより，大きく，かつ，均一な粒径を有した結晶粒からなる多結晶半導体層を形成することができた。これにより，基板上に形成された全ての半導体素子の動作特性が総じて良好になる。同一基板上に画素部のスイッチング素子と，周辺駆動回路部において論理演算を行う論理ゲートのいずれも良好な特性が得られ，表示品位が向上し，誤動作による表示不良が防止される。」
　
　上記の各記載から，引用例１には，次の発明が記載されているものと認められる。
「ソーダガラス等の基板（１０）上に形成されたアモルファスシリコン膜（１２ａ）に，パルス励起レーザー照射を行うことにより，比較的粒径の小さい微結晶粒からなる多結晶シリコン膜（１２）を形成し，次いで，前記多結晶シリコン膜（１２）に連続励起レーザー照射を行うことにより，前記微結晶粒からの固相エピタキシャル成長を促し，結晶粒を大きくするとともに，この結晶粒の大きさを全域にわたって均一なものとした多結晶シリコン膜（１２）を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。」
（以下「引用発明」という。）
　
　イ　特開平１０−４１２３４号公報
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１０−４１２３４号公報（以下「引用例２」という。）には，図１〜２とともに以下の記載がある。
（ア）
「【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するための本発明のシリコン薄膜の形成方法は，基体上に形成された非晶質若しくは多結晶のシリコン層に紫外線ビームをパルス状にて照射し，シリコン単結晶粒子群から成るシリコン薄膜を基体上に形成するシリコン薄膜の形成方法である。そして，矩形状の紫外線ビームの照射完了から次の矩形状の紫外線ビームの照射開始までの間における紫外線ビーム照射位置の移動量（Ｌ）を４０μｍ以下，好ましくは４μｍ以下とし，且つ，移動方向に沿って測った紫外線ビームの幅（Ｗ）に対する該移動量の割合（Ｒ＝Ｌ／Ｗ）を０．１乃至５％，好ましくは０．５％乃至２．５％とし，以て，基体上に格子状に配列した略矩形のシリコン単結晶粒子群から成り，シリコン単結晶粒子の基体の表面に対する選択方位が略〈１００〉方位であるシリコン薄膜を形成することを特徴とする。
【００１４】本発明のシリコン薄膜は，基体上に格子状に配列した略矩形のシリコン単結晶粒子群から成り，シリコン単結晶粒子の基体の表面に対する選択方位は略〈１００〉方位であることを特徴とする。」
（イ）
「【００３０】尚、
シリコン単結晶粒子群を構成するシリコン単結晶粒子の内、３０％以上の数のシリコン単結晶粒子がシリコン単結晶粒子の基体の表面に対して略〈１００〉方位を有する場合に、シリコン単結晶粒子の基体の表面に対する選択方位が略〈１００〉方位であると規定する
（ウ）
「【００３２】
【実施例】以下，図面を参照して，好ましい実施例に基づき本発明を説明する。
【００３３】（実施例１）実施例１は，本発明のシリコン薄膜及びその形成方法に関する。実施例１においては，ＳｉＯ2から成る基体上に形成された非晶質のシリコン層に紫外線ビームをパルス状にて照射し，基体上にシリコン単結晶粒子群から成るシリコン薄膜を形成した。紫外線ビームの照射条件等を，以下の表１に示す。
【００３４】
【表１】
    紫外線ビーム：ＸｅＣｌエキシマレーザ（波長３０８ｎｍ）
        照射量  ：３２０ｍＪ／ｃｍ2        パルス幅：約２６ｎ秒
        周波数  ：約２００Ｈｚ
    ビーム形状  ：幅（Ｗ）４００μｍ×長さ１５０ｍｍの矩形形状
    移動量Ｌ    ：４μｍ
    移動量割合Ｒ：１％（＝４μｍ／４００μｍ×１００）
【００３５】具体的には，石英から成る基板１０の上に厚さ５０ｎｍのＳｉＮ膜１１を成膜し，次いで，その上に厚さ１００ｎｍのＳｉＯ2から成る基体１２を成膜した。その後，基体１２上に厚さ３０ｎｍの非晶質のシリコン層１３をＰＥＣＶＤ法にて成膜した。この状態を，図１の（Ａ）に模式的な一部断面図で示す。次いで，表１に示した条件にて，基体１２上に形成された非晶質のシリコン層１３に紫外線ビームをパルス状にて照射した。この状態を，図１の（Ｂ）に模式的な一部断面図で示す。尚，図１の（Ｂ）において，前回の紫外線ビームが照射されたシリコン層１３の領域を点線で表し，今回の紫外線ビームが照射されたシリコン層１３の領域を一点鎖線で表した。実施例１においては，移動量割合（Ｒ＝Ｌ／Ｗ）が１％であるが故に，或る位置における
非晶質のシリコン層１３は，１００回，パルス状の紫外線レーザに曝される
紫外線ビーム源を移動させてもよい
【００３６】得られたシリコン薄膜を透過型電子顕微鏡にて観察した結果を，図２の電子顕微鏡写真に示す。尚，透過型電子顕微鏡観察のための試料は，基板１０，ＳｉＮ膜１１及び基体１２を，ＨＦ／Ｈ2Ｏ＝１／２の混合液を用いてエッチングして得られたシリコン薄膜のみから成る。得られたシリコン薄膜は，略矩形のシリコン単結晶粒子群から成ることが図２から解る。
シリコン単結晶粒子の基体の表面に対する選択方位は略〈１００〉方位であった
　
　ウ　特開２００１−９３８５４号公報
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００１−９３８５４号公報（以下「引用例３」という。）には，図２とともに以下の記載がある。
（ア）
「【０００５】しかし，この方法では，均一なエネルギービームを走査方向（横方向）に照射することが困難であり，走査方向において結晶粒径の大きさが不均一になってしまうという問題があった（・・・）。また，多結晶シリコン膜では結晶粒径が大きい方が移動度を大きくすることができるので好ましいのに対し，この方法では，室温においてＥＬＡを行った場合，結晶粒径を例えば４００ｎｍ以上の十分な大きさにすることが難しいという問題もあった。更に，
結晶性シリコン膜とゲート絶縁膜（ＳｉＯ
２
）との界面では界面準位密度が小さい（１００）面の方がしきい値の制御性を高くすることができるので好ましい
（イ）
「【００１９】図２は，本発明の一実施の形態に係る多結晶膜の製造方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法を工程順に表すものである。本実施の形態では，まず，図２（Ａ）に示したように，例えば，ガラスよりなる絶縁性の基板１１の一面に，積層方向の厚さ（以下，単に厚さと言う）が４０ｎｍの保護膜１２を介して，シリコン（Ｓｉ）よりなる非晶質膜１３を形成する。保護膜１２は非晶質膜１３（すなわち後の多結晶膜１４）がガラス製の基板１１により汚染されることを防止するためのものであり，例えば，化学気相成長法（ＣＶＤ；ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法またはスパッタリング法により，厚さ１０ｎｍの窒化ケイ素（ＳｉＮ）膜と，厚さ３０ｎｍの二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜とを基板１１の側からこの順に積層することにより形成する。
【００２０】非晶質膜１３は，例えば，ＣＶＤ法，プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ；Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法，またはスパッタ法により形成する。非晶質膜１３の厚さは，例えば，１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることが好ましく，１５ｎｍ以上７５０ｎｍ以下とすればより好ましい。後続の多結晶化工程において良好な多結晶膜１４を得ることができるからである。例えば，ここでは，４０ｎｍの厚さで非晶質膜１３を形成する。
【００２１】なお，非晶質膜１３をプラズマＣＶＤ法により形成する場合には非晶質膜１３に多量の水素が含有されてしまうので，非晶質膜１３を形成したのちに，例えば，４５０℃の温度で２時間加熱することにより，または紫外線による急速熱アニール（ＲＴＡ；Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）を行うことにより，水素を除去することが好ましい。
【００２２】次いで，図２（Ｂ）に示したように，例えば，
非晶質膜１３にパルス状の短波長エネルギービームＥを面ビームで照射して多結晶化し，多結晶膜１４を形成する
【００２３】このように面ビームを用いることにより，多結晶化する領域があまり大きくない場合（例えば６インチ以下）には，全領域を一括して多結晶化することが可能となる。また，多結晶化する領域が短波長エネルギービームＥの面積よりも大きい場合には，短波長エネルギービームＥを移動させて照射することにより多結晶化を行う。なお，本実施例では，画素部形成領域と周辺回路部形成領域とを一括して多結晶化してもよく，別々に多結晶化してもよい。
【００２４】短波長エネルギービームＥとしては例えばエキシマレーザビームが適当であり，より具体的には，
例えばＸ−ｒａｙ予備電離方式を用いてパルス周波数が１０Ｈｚ以上のＸｅＣｌエキシマレーザ（３０８ｎｍ）を発生させ，光学系装置を用いて例えば０．４ｃｍ×４０ｃｍの空間的に均一な面ビームに整形したのち，非晶質膜１３に照射する
【００２５】なお，短波長エネルギービームＥの照射に際しては，その照射回数であるパルスショット数を制御することにより，（１００）面が基板１１（具体的には基板１１の積層面）に対して平行な領域を有するように，すなわち（１００）面の方位が積層方向に一致する領域を有するようにすることが好ましい。また，
（１００）面が基板１１に対して平行な領域を優先的に有するようにすればより好ましい
　
　エ　特開平１０−２６１７９９号公報
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１０−２６１７９９号公報（以下「引用例４」という。）には，図１とともに以下の記載がある。
（ア）
「【００２１】尚、
シリコン単結晶粒子群を構成するシリコン単結晶粒子の内、３０％以上の数のシリコン単結晶粒子がシリコン単結晶粒子の絶縁膜の表面に対して略〈１００〉方位を有する場合に、シリコン単結晶粒子の絶縁膜の表面に対する選択方位が略〈１００〉方位であると規定する
（イ）
「【００２２】この発明において，何故，矩形状の紫外線ビームの照射完了から次の矩形状の紫外線ビームの照射開始までの間における紫外線ビーム照射位置の移動量（Ｌ）を４０μm 以下とし，且つ，紫外線ビーム照射位置の移動方向に沿って測った紫外線ビームの幅（Ｗ）に対するかかる移動量の割合（Ｒ＝Ｌ／Ｗ）を０．１乃至５％とすることによって，絶縁膜上に格子状に配列した略矩形のシリコン単結晶粒子群からなり，シリコン単結晶粒子の絶縁膜の表面に対する選択方位が略〈１００〉であるシリコン薄膜が形成されるのか，不明な点が多い。しかしながら，非晶質若しくは多結晶のシリコン層の或る領域に，紫外線ビームを重ねながら且つずらしながらパルス状に照射し，しかも，紫外線ビームの形状を矩形状とすることによって（即ち，紫外線ビームの縁部におけるエネルギーの立ち上がりが極めてシャープな紫外線ビームを用いることによって），蓄熱的に或る種のＳｉの融点にちかい平衡的な温度状態と冷却（凝固）条件が成立するが故に，このようなシリコン単結晶粒子群が形成されると推定される。また，シリコン単結晶粒子の絶縁膜の表面に対する選択方位が略〈１００〉方位となる理由は，例えばＳｉＯ2 からなる絶縁膜に対するＳｉ表面のＳｉ／ＳｉＯ2 界面自由エネルギー最小の観点から，絶縁膜上に形成されるシリコン単結晶粒子の選択方位が略〈１００〉方位になると推定される。」
（ウ）
「【００２３】
【発明の実施の形態及び実施例】以下，図面を参照してこの発明の一実施例について説明する。図１（ａ）〜（ｃ）及び図２は，この発明の実施例による半導体装置の製造方法を示す平面図及び断面図であり，図１（ａ）は，この発明の実施例による半導体装置の製造方法を示す平面図であり，図１（ｂ）は，図１（ａ）に示す１ｂ−１ｂ線に沿った断面図であり，図１（ｃ）は，図１（ｂ）に次の工程を示す断面図である。図２は，図１（ｃ）の次の工程を示す断面図である。
【００２４】先ず，図１（ｂ）に示すように，シリコン基板（Ｓｉウエハ）１の表面上に厚さ５０nmの図示せぬＳｉＮ膜を成膜し，次いで，その上に厚さ１００nmのＳｉＯ2 からなる基体３を成膜する。これにより，シリコン基板（Ｓｉウエハ）１の表面上に基体３が形成された絶縁基板１０を形成する。
【００２５】この後，ＥＬＡ(Excimer Laser Anneal)を用いて，この絶縁基板１０の上に例えば厚さが６０nmの碁盤の目状の単結晶粒子群からなるシリコン薄膜（又はポリＳｉ膜）５を形成する。
【００２６】具体的には，絶縁基板１０の上に非晶質又は多結晶のシリコン層をＰＥＣＶＤ法によって成膜する。次に，このシリコン層に紫外線ビームをパルス状にて照射することにより，絶縁基板１０上にシリコン単結晶粒子群からなるシリコン薄膜５が形成される。紫外線ビームの照射条件等は以下の表１に示す。
【００２７】
                        （表１）
    紫外線ビーム：ＸｅＣｌエキシマレーザ（波長３０８nm）
        照射量  ：４００mJ／cm2 
        パルス幅：約２６ｎ秒
        周波数  ：約２００Ｈｚ
    ビーム形状  ：幅（Ｗ）４００μm ×長さ１５０mmの矩形形状
    移動量Ｌ    ：４μm 
    移動量割合Ｒ：１％（＝４μm ／４００μm ×１００）
【００２８】表１に示すように，移動量割合（Ｒ＝Ｌ／Ｗ）が１％であるが故に，或る位置における非晶質のシリコン層は，１００回，パルス状の紫外線レーザに曝される。また，図示せぬ紫外線ビーム源を固定し，絶縁基板１０を移動させることにより，
非晶質のシリコン層に紫外線ビームをパルス状にて照射する
【００２９】得られたシリコン薄膜５は，図１（ａ）に示すように，結晶粒が碁盤の目状に直交して配列し各々の粒が正方形に近い多結晶シリコン膜となった。各正方形の単結晶粒は（１００）面配向となっており，正方形の側面はいずれも平面方向に結晶方位〈２２０〉をとっており，正方形の一辺の長さは０．３μm 程度であった。尚，正方形の一辺の長さは０．１μm 以上であることが好ましい。
【００３０】換言すれば，このシリコン薄膜５は略矩形のシリコン単結晶粒子群からなり，
シリコン単結晶粒子の基体（ＳｉＯ
2
 ）の表面に対する選択方位は略〈１００〉方位であった
　
　オ　特開２０００−２６０７０８号公報
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−２６０７０８号公報（以下「引用例５」という。）には以下の記載がある。
（ア）
「【００１１】下地保護膜上に半導体膜が化学気相堆積法（ＣＶＤ法）で高次シラン（ＳｉｎＨ２ｎ＋２：ｎ＝２，３，４）を原料気体の一種として堆積される。気相堆積法で形成された半導体膜は堆積直後には通常非晶質状態に有る。非晶質状態に有る薄膜は非晶質膜と呼ばれ，薄膜は多くの非晶質粒から，或いは非晶質粒と僅かな量の結晶粒から構成されて居る（M. Miyasaka, et al.: Jpn. J. Appl. Phys. vol.36 (1997) p.2049）。本願発明では斯様にして得られた
非晶質膜を第一工程で，固相にて結晶化して多結晶性半導体膜（固相成長多結晶膜）を得る。更に第二工程にて此の固相成長多結晶半導体膜の内で半導体膜の下部を除いた一部を溶融させ，溶融した半導体膜の冷却固化時に残留した下部を結晶源として半導体膜の再結晶化を進めて多結晶半導体膜（溶融結晶化膜）を得る
　
（３）対比
　本願発明と引用発明を比較する。
・引用発明の「ソーダガラス等の基板（１０）上に形成されたアモルファスシリコン膜（１２ａ）」は，本願発明の「絶縁性基板上に形成された少なくともＳｉを主成分とする非単結晶半導体薄膜」に相当する。
・引用発明の「パルス励起レーザー照射を行うことにより，比較的粒径の小さい微結晶粒からなる多結晶シリコン膜（１２）を形成」は，本願発明の「エネルギービームを照射して」「多結晶半導体薄膜を形成する工程」することに対応する。
・本願発明の「より大粒径の結晶化半導体薄膜」は，結晶粒により構成されているから，結晶粒が大きくなるとはいえ，多結晶半導体膜であることに変わりはない。それゆえ，引用発明の「前記多結晶シリコン膜（１２）に連続励起レーザー照射を行うことにより，前記微結晶粒からの固相エピタキシャル成長を促し，結晶粒を大きくするとともに，この結晶粒の大きさを全域にわたって均一なものとした多結晶シリコン膜（１２）を形成すること」は，本願発明の「前記多結晶半導体薄膜に連続発振のレーザビームを」「照射して，」「より大粒径の結晶化半導体薄膜を得る工程」に対応する。
・引用発明においては，「比較的粒径の小さい微結晶粒からなる多結晶シリコン膜（１２）」を，「結晶粒を大きくするとともに，この結晶粒の大きさを全域にわたって均一なものとした多結晶シリコン膜（１２）」とすることから，本願発明の「半導体薄膜の結晶化方法」に対応する。
　
　したがって，本願発明と引用発明とは，
「絶縁性基板上に形成された少なくともＳｉを主成分とする非単結晶半導体薄膜にエネルギービームを照射して多結晶半導体薄膜を形成する工程，前記多結晶半導体薄膜に連続発振のレーザビームを照射して，より大粒径の結晶化半導体薄膜を得る工程を備えたことを特徴とする半導体薄膜の結晶化方法。」
である点で一致する。
　
　一方，両者は以下の各点で相違する。
　
・相違点１
「非単結晶半導体薄膜にエネルギービームを照射して多結晶半導体薄膜を形成する工程」について，本願発明は，「表面に対する優勢な結晶方位が〈１００〉方位である多結晶半導体薄膜を形成」するのに対して，引用発明においては，「結晶方位」について何も限定がなされていない点。
・相違点２
「連続発振のレーザビームを照射して，より大粒径の結晶化半導体薄膜を得る工程」について，本願発明においては，「前記多結晶半導体薄膜が完全溶融してラテラル結晶化が起こるより低いエネルギー或いは速い走査速度で照射して，前記多結晶半導体薄膜をラテラル結晶化が起こらない程度に溶融させ」ているのに対して，引用発明においては，「ラテラル結晶化」が起こらない点で共通するものの，「微結晶粒からの固相エピタキシャル成長を促」すようになされている点。
・相違点３
「連続発振のレーザビームを照射して，より大粒径の結晶化半導体薄膜を得る工程」において，本願発明では，「結晶方位が〈１００〉方位である結晶粒の割合が４０％以上」「の結晶化半導体薄膜を得」ているのに対して，引用発明では，そのような限定がなされていない点。
　
（４）検討
　上記各相違点について検討する。
　
・相違点１について
　引用例３に，多結晶シリコン膜について，「結晶性シリコン膜とゲート絶縁膜（ＳｉＯ２）との界面では界面準位密度が小さい（１００）面の方がしきい値の制御性を高くすることができるので好ましい」（段落【０００５】）と記載されているように，半導体素子を形成するにあたり，結晶性シリコン膜表面が（１００）面，すなわち「表面に対する」「結晶方位が〈１００〉方位である」ことが好ましいことは，従来より知られていたことである。
　また，引用例２に「非晶質のシリコン層１３は，１００回，パルス状の紫外線レーザに曝」されて「シリコン単結晶粒子の基体の表面に対する選択方位は略〈１００〉方位」となること，引用例３に「例えばＸ−ｒａｙ予備電離方式を用いてパルス周波数が１０Ｈｚ以上のＸｅＣｌエキシマレーザ（３０８ｎｍ）を発生させ，光学系装置を用いて例えば０．４ｃｍ×４０ｃｍの空間的に均一な面ビームに整形したのち，非晶質膜１３に照射」して「多結晶化」し，「（１００）面が基板１１に対して平行な領域を優先的に有するようにすること」，及び引用例４に「非晶質のシリコン層に紫外線ビームをパルス状にて照射する」ことで，「シリコン単結晶粒子の基体（ＳｉＯ2 ）の表面に対する選択方位は略〈１００〉方位」であるようにすることが，それぞれ記載されているように，非晶質膜にパルス励起レーザー照射を行うことにより，表面に対する優勢な面方位が〈１００〉である結晶粒からなる多結晶膜とすることは，従来より周知の技術である。
　ここで，引用発明においては，「多結晶シリコン膜（１２）に連続励起レーザー照射を行うことにより，前記微結晶粒からの固相エピタキシャル成長を促し，結晶粒を大きく」している。すなわち，連続励起レーザー照射前における微結晶粒が有する結晶方位を受けて結晶粒を大きくしている。それゆえ，前述の好ましい方位である「〈１００〉方位」が表面に出現するようにすべく，引用発明において「パルス励起レーザー照射を行うことにより，比較的粒径の小さい微結晶粒からなる多結晶シリコン膜（１２）を形成」する際に，前記周知技術を適用して，「表面に対する優勢な結晶方位が〈１００〉方位である多結晶半導体薄膜を形成」するようになすことは当業者が容易に想到できたことである。
・相違点２について
　引用例５には，「非晶質膜を第一工程で，固相にて結晶化して多結晶性半導体膜（固相成長多結晶膜）を得る。更に第二工程にて此の固相成長多結晶半導体膜の内で半導体膜の下部を除いた一部を溶融させ，溶融した半導体膜の冷却固化時に残留した下部を結晶源として半導体膜の再結晶化を進めて多結晶半導体膜（溶融結晶化膜）を得る。」と記載されている。ここで，「溶融した半導体膜の冷却固化時に残留した下部を結晶源として半導体膜の再結晶化を進め」ることにおいて，「残留した下部」には「多結晶性半導体膜」の結晶粒が存在することは明らかである。そうすると，引用例５の「溶融した半導体膜の冷却固化時に残留した下部を結晶源として半導体膜の再結晶化を進め」ることと，引用発明の「微結晶粒からの固相エピタキシャル成長」とは，既存の結晶粒からのエピタキシャル成長を行う点で共通するものといえる。
　一方，引用発明においては，「連続励起レーザー照射を行うことにより，前記微結晶粒からの固相エピタキシャル成長を促し，結晶粒を大きくするとともに，この結晶粒の大きさを全域にわたって均一なものとし」ているが，引用例１全体に記載を見ても，特に「固相エピタキシャル成長」とする必要がある旨の記載はなく，また「前記微結晶粒」を基に「結晶粒を大きくするとともに，この結晶粒の大きさを全域にわたって均一なものと」する際の成長方法を「固相エピタキシャル成長」に特定する必然性も見いだせない。
　それゆえ，引用発明において，「連続励起レーザー照射を行うことにより，」「結晶粒を大きくするとともに，この結晶粒の大きさを全域にわたって均一なものと」するにあたり，「前記微結晶粒からの固相エピタキシャル成長を促」すことに代えて，他の成長方法を採ることに何ら妨げはなく，引用発明において，「前記微結晶粒からの固相エピタキシャル成長を促」すことに代えて，前記引用例５に記載された「半導体膜の下部を除いた一部を溶融させ，溶融した半導体膜の冷却固化時に残留した下部を結晶源として半導体膜の再結晶化を進めて多結晶半導体膜（溶融結晶化膜）を得る」という技術を採用することは，当業者が適宜になし得たことである。その際，「半導体膜の下部を除いた一部を溶融させ」るように，照射させる連続励起レーザーのエネルギーあるいは走査速度を調節することは当然になされるべき事項であるから，相違点３に係る，「前記多結晶半導体薄膜が完全溶融してラテラル結晶化が起こるより低いエネルギー或いは速い走査速度で照射して，前記多結晶半導体薄膜をラテラル結晶化が起こらない程度に溶融させ」る構成を備えるようにすることは当業者が容易になし得たことである。
・相違点３について
　本願明細書において，「結晶方位が〈１００〉方位である結晶粒の割合が４０％以上」であることについては，【請求項４】，段落【００１９】，【００２４】，及び【００４０】の（付記６）にのみ記載され，単に望ましい実施例として例示されたものであって，「４０％以上」とすることについて臨界的意義を認めることはできない。
　ところで，前記「・相違点１について」において検討したとおり，引用発明において，好ましい方位である「〈１００〉方位」が表面に出現するようにすべく，引用発明において「パルス励起レーザー照射を行うことにより，比較的粒径の小さい微結晶粒からなる多結晶シリコン膜（１２）を形成」する際に，前記周知技術を適用して，「表面に対する優勢な結晶方位が〈１００〉方位である多結晶半導体薄膜を形成」するようになすことは当業者が容易に想到できたことである。ここで，「表面に対する優勢な結晶方位が〈１００〉方位である多結晶半導体薄膜」に対して，「連続発振のレーザビームを照射して，より大粒径の結晶化半導体薄膜を得る」工程において，個々の大粒径の結晶粒形成時に，その基となる多結晶半導体薄膜の「表面に対する優勢な結晶方位が〈１００〉」であることから，個々の大粒径の結晶粒形成時においても「表面に対する」「結晶方位が〈１００〉」のものが優勢となって形成されることは明らかである。そして，前記周知技術に関して，例えば引用例２及び４には，結晶粒のうち，表面に対する面方位が〈１００〉である結晶粒が３０％以上である多結晶半導体膜が想定されていることから，そのような多結晶半導体膜に対して「連続励起レーザー照射を」行って「結晶方位が〈１００〉方位である結晶粒の割合が４０％」を越える程度「の結晶化半導体薄膜を得」るようにすることは，当業者が適宜になし得たことである。
　
　上述のとおり，引用発明において，「絶縁性基板上に形成された少なくともＳｉを主成分とする非単結晶半導体薄膜にエネルギービームを照射して多結晶半導体薄膜を形成する工程」と「前記多結晶半導体薄膜に連続発振のレーザビームを照射して，より大粒径の結晶化半導体薄膜を得る工程」を通じて結晶化を行うという基本的構成を維持したまま，引用例２〜５に記載された技術を適用することに何ら困難はないものである。
　
（５）まとめ
　以上検討したとおり，本願発明は，引用例１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　
３．　むすび
　以上のとおりであるから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。