【事件の表示】
　特願２００４−５５６８６６「磁気ディスク装置、磁気抵抗効果素子及びそれらの製造方法、並びに磁気抵抗効果膜の形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　６月１７日国際公開、ＷＯ２００４／０５１６２９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、２００３年１１月２８日（優先権主張２００２年１２月５日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２０年１１月７日付けの拒絶理由通知に対する応答期間内の平成２１年１月１９日付けで手続補正がなされたが、同年２月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月２６日付けで拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　そして、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２１年１月１９日付けで手続補正された特許請求の範囲の記載からみて、その請求項１に記載された次のとおりのものと認める。　
　
「磁気抵抗効果素子を有する磁気ディスク装置であって、
　前記磁気抵抗効果素子に使用される磁気抵抗効果膜は
　反強磁性層、強磁性層、非磁性層、自由磁性層で構成され、
　反強磁性層と強磁性層との間に反強磁性反応層が設けられており、
　前記反強磁性反応層は酸素を含有し、かつ前記反強磁性層と同一金属を含有する金属化合物にて形成されていることを特徴とする磁気ディスク装置。」　
　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前である平成１２年１２月５日に頒布された刊行物である特開２０００−３４８９３５号公報（以下「引用例」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与した。）
　
（１）「【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、
強磁性（ＦＭ）層
反強磁性（ＡＦＭ）層
【０００８】また、本発明によれば、ＦＭ層とＡＦＭ層間に酸化物薄層を設けることにより熱的安定性を改善したスピンバルブセンサが提供される。
【０００９】更に本発明によれば、交換ピン止め磁場を増大させて改善したスピンバルブセンサが提供される。
【００１０】本発明によれば、スピンバルブセンサにおいてＦＭ層を形成する前にＡＦＭ層上に酸化物薄層を形成し、ＡＦＭ層とＦＭ層間の層間原子拡散を最小にする方法が提供される。
【００１１】本発明の上記利点及び他の利点については、当業者であれば、添付図面に関連して以下に記載される詳細な説明から明らかである。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１Ａ（従来技術）を参照すると、磁気記録ディスクドライブシステム１００が示されている。システム１００は、その上にディスクドライブモータ１０４を装着したハウジング１０２を有する。ディスクドライブモータ１０４は、その上に１個又はそれ以上の磁気記録ディスク１０８のような磁気記録ディスクを取り付けたハブ１０６を有する高速モータである。
【００１３】磁気記録ディスク１０８は、一般に始動状態における摩擦を最小にする潤滑剤で被覆されている。動作中は、回転する磁気記録ディスク１０８上の空気の膜が空気ベアリングスライダ１１０をディスク１０８の表面から持ち上げる。読取り／書込み変換器１１２は空気ベアリングスライダ１１０に装着されている。
【００１４】読取り／書込み変換器１１２は、従来の巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）又はスピンバブルセンサを備える。」
　
（２）「【００１８】次に図３を参照すると、本発明により形成された単一スピンバブルセンサ３００の断面が示されている。
スピンバブルセンサ３００は、反強磁性（ＡＦＭ）材料で形成されたピン止め層３０２を有する
酸化物薄膜３０３が、ＡＦＭ層３０２の上に配置されている。酸化物薄膜３０３の上には、磁性（ＦＭ）材料で形成されたピン層３０４が設けられている
【００１９】銅のような非磁性材料で形成された
非磁性スペーサ層３０６が、ピン層３０４の上に設けられている。非磁性スペーサ層３０６の上には、強磁性材料で形成されたフリー層３０８が設けられている
　
（３）「【００２１】本発明は、ＡＦＭ層３０２とＦＭ層３０４（図３）間に酸化物薄層３０３を設けることにより、スピンバルブセンサ３００の熱的劣化を最小にする。酸化物薄層３０３は、約１〜５単原子層の厚さを有する。好適実施例では、酸化物薄層３０３は、酸素原子の直径の約１〜５倍の厚さを有する。酸化物薄層３０３は、ＡＦＭ層３０２とＦＭ層３０４間の層間原子拡散を最小にする物理的障壁として機能する。酸化物薄層３０３が、酸素原子の直径の１０倍以上の厚さを有する場合には、ＡＦＭ層３０２とＦＭ層３０４との相互作用即ち結合を分離させる虞があることに注意すべきである。この結合分離は、スピンバルブセンサ３００の重大な性能低下をもたらす虞がある。
【００２２】更に、酸化物薄層３０３は、３ｄ遷移金属間の磁気的相互作用を仲介する役目を果たす。ＡＦＭ層３０２及びＦＭ層３０４の双方が一般に３ｄ遷移金属で形成されるので、
酸化物薄層３０３の酸素原子は、ＡＦＭ層とＦＭ層間の結合を強化し、その結果交換ピン止め磁場が改善される。交換ピン止め磁場の改善は、スピンバルブセンサ３００の性能を改善する
【００２３】酸化物薄層３０３を有するスピンバルブセンサ３００は、従来のスピンバルブセンサの利点を保持しつつ、交換ピン止め磁場を強くすること、及び層間原子拡散に関連する問題を解消することの双方により、熱的劣化に関する心配を大幅に緩和する。
【００２４】本発明によるスピンバルブセンサ３００の製造において、ＡＦＭ層３０２は真空環境内で従来技術を用いて形成される。この真空環境は、約１．３３×１０-7Ｐａ（１×１０-9Ｔｏｒｒ）〜約１．３３×１０-6Ｐａ（１×１０-8Ｔｏｒｒ）間の圧力である。その後、
ＡＦＭ層３０２は所定の時間真空環境内に保持して、ＡＦＭ層３０２の上に酸化物薄層３０３が形成されるようにする
【００２５】次に、従来技術を用いて酸化物薄層３０３の上にＦＭ層３０４を形成する。その後、従来技術を用いてＦＭ層３０４の上に非磁性層３０６及びフリー層３０８を連続して形成し、それによりスピンバルブセンサ３００の形成が完了する。
【００２６】スピンバルブセンサにおいてＡＦＭ層とＦＭ層間に酸化物薄層を設けることにより、本発明によれば、スピンバルブセンサの熱的劣化が最小になる。さらに、
酸化物薄層は、ＡＦＭ層とＦＭ層間の結合を強化し、その結果交換ピン止め磁場が改善され、かつ従ってスピンバルブセンサの性能が改善される
　
　上記摘示事項及び図面の記載を総合勘案すると、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
　
「スピンバブルセンサであって、
　反強磁層（ＡＦＭ層）と、強磁性層（ＦＭ層）と、非磁性スペーサ層と、フリー層とからなり、
　反強磁性層と強磁性層との間に酸化物簿層を設けたスピンバブルセンサ。」
　
３．対比
　
　そこで、本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「反強磁層（ＡＦＭ層）」「強磁性層（ＦＭ層）」「非磁性スペーサ層」「フリー層」及び「スピンバブルセンサ」は、本願発明の「反強磁性層」「強磁性層」「非磁性層」「自由磁性層」及び「磁気抵抗効果素子」にそれぞれ相当するから、引用発明の「反強磁層」「強磁性層」「非磁性スペーサ層」及び「フリー層」は磁気抵抗効果膜を構成していることは明らかである。
（２）引用発明の「酸化物薄層」についてであるが、引用例には、「ＡＦＭ層３０２は所定の時間真空環境内に保持して、ＡＦＭ層３０２の上に酸化物薄層３０３が形成される」と記載され、該「酸化物薄層」はＡＦＭ層３０２を構成する金属が酸化されたものであることは明らかであるから、本願発明の「酸素を含有し、かつ前記反強磁性層と同一金属を含有する金属化合物にて形成されている」「反強磁性反応層」に相当している。
　
　そうすると、本願発明と引用発明とは、次の点で一致する。
　
＜一致点＞
「磁気抵抗効果素子であって、
　前記磁気抵抗効果素子に使用される磁気抵抗効果膜は
　反強磁性層、強磁性層、非磁性層、自由磁性層で構成され、
　反強磁性層と強磁性層との間に反強磁性反応層が設けられており、
　前記反強磁性反応層は酸素を含有し、かつ前記反強磁性層と同一金属を含有する金属化合物にて形成されている（磁気抵抗効果素子）。」の点。
　
　そして、次の点で相違する。
　
＜相違点＞
　本願発明は、磁気抵抗効果素子を有する「磁気ディスク装置」であるのに対し、引用発明は、「スピンバルブセンサ（磁気抵抗効果素子）」そのものである点。
　
．判断
　
　そこで、上記相違点について検討する。
　
　引用例には、スピンバルブセンサ（磁気抵抗効果素子）を読取り／書込み変換器に備えた磁気記録ディスクドライブシステム（磁気ディスク装置）が記載されており（段落【００１２】ないし【００１４】を参照）、引用発明のスピンバルブセンサ（磁気抵抗効果素子）を磁気ディスク装置に組み込むような構成とすることにより本願発明とすることは当業者が適宜なし得る程度のものである。
　
　そして、上記相違点を総合的に判断しても、本願発明が奏する効果は引用例から当業者が十分に予測できたものであって、格別なものとはいえない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論の通り審決する。