【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年11月7日(2011.11.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
例えば刊行物DE 10 2004 004 780 A1に記載されているように、活性層列の裏面側の電気的な接触のために誘電層がフォトリソグラフィにより構造化され、その結果誘電層には活性層の裏側に対する開口部が生じる。続けて金属層が被着され、この金属層は開口部を充填し、また開口部と相互に結合するので、活性層列は相互に導電的に接続されている裏面側のコンタクト位置を有する。金属層は例えば実質的にＡｕを含有し、且つ少なくとも１つのドーパント、例えばＺｎを含有する。金属層をアニールすることにより、ＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体材料へのドーパントの拡散が惹起される。つまりドーパントを適切に選択した場合には、ＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体材料における電荷キャリアが金属層との境界面において増加し、これにより実質的にオーム特性を備えた電気的なコンタクト位置が生じる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
本方法の有利な実施形態においては、裏面側のコンタクト位置が後続のステップにおいてアニールされる。導電性のコンタクト位置をアニールすることによって、コンタクト位置の金属材料に由来する原子を裏面側のＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体材料に拡散させることができる。裏面側のＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体材料を考慮して金属材料を適切に選択した場合には、裏面側のＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体材料に対する、実質的にオーム特性を備えた導電性のコンタクト位置を製造することができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
殊に有利には裏面側の導電性のコンタクト位置はレーザによりアニールされる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
これによって有利には、アニールの際に半導体チップの他の領域も高温に晒され、金属原子が所望でない領域にそれらの金属原子が拡散することが阻止される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
反射性の層列の金属層が例えば異なる種類の金属を包含し、それらのうち一方の金属の反射特性が他方のものよりも悪く、これらの金属がアニールプロセスの際に異なる拡散特性に基づき分離する場合には、反射特性の悪い方の金属の原子が局所的に堆積し、反射性の層列の反射性が低減する可能性がある。これに関する例として、ｐ型にドープされたＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体材料における反射性の層列が考えられ、この反射性の層列は誘電層と金属層を包含し、ここで金属層はＡｕおよびＺｎを含有する。Ａｕは可視光の赤色のスペクトル領域における電磁ビームに対して非常に良好な反射性を有する。これに対してＺｎはアニールの際にｐ型にドープされたＩＩＩ／Ｖ化合物半導体に拡散することに適しており、これにより導電性のコンタクト位置には十分なオーム特性が与えられる。反射性の層列の領域が高温に晒されると、Ｚｎ原子は誘電層との境界面に移動することもできる。しかしながらＺｎはＡｕとは異なり、殊に可視光の赤色領域における波長を有する電磁ビームに対する反射性が低いので、これによって赤色光に対する反射性層列のＱは低減される。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
さらに局所的でないアニールプロセスの場合には金属原子が活性層列に拡散する可能性がある。この活性層列において金属原子は通常の場合、光子の非放射性の再結合を促進し、また薄膜半導体チップの効率を低下させる妨害的なものである。通常の場合これを回避するために活性層列には非活性のＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体材料の非常に厚い層が被着される。本発明によればコンタクトがレーザにより局所的にアニールされるので、この非活性のＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体材料の厚さ、ひいては薄膜半導体チップの厚さを有利には低減することができる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
この方法は、請求項１に記載されている方法と同じ利点を提供する。さらにこの方法は、エネルギが局所的にＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体材料との境界面に供給され、それと同時にコンタクト位置の形成の際に金属原子をＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体材料に拡散させることができるので、通常の場合コンタクト位置をアニールする必要がないという利点を提供する。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
電磁ビームの形成に適しているＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体材料をベースとする薄膜半導体チップを製造するためのさらに別の方法は殊に以下のステップを有する：
−電磁ビームの形成に適しており、成長基板に対向する前面と成長基板とは反対側にある裏面とを有する活性層列を成長基板上に被着させるステップ、
−活性層列の裏面に対する、裏面側の導電性のコンタクト位置を形成する少なくとも１つの金属性の反射層を被着させるステップ、
−裏面側の導電性のコンタクト位置をレーザによりアニールするステップ、
−支持体を反射性の層列に被着させるステップ、
−成長基板を除去するステップ。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
請求項１および４に記載されている方法とは異なり、この方法においては接触すべき活性層列の裏面と反射層との間に誘電層を設ける必要は無い。しかしながら、金属層と活性層列の裏面との間に固着を仲介するための層のような別の層を設けることも考えられる。この方法によれば、実質的にオーム特性を備えたコンタクト位置を得るために、裏面側の電気的なコンタクト位置がレーザを用いてアニールされる。この方法は、裏面側のコンタクト、殊に活性層列をアニールするために半導体チップ全体のアニールを回避することができるという利点を有する。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
さらには、半導体チップの局所的に限定された体積領域のみが高温に晒されるのでなく、例えばチップ全体が高温に晒される、前面側のコンタクトをアニールするための従来のアニールプロセスにおいては、活性層列と支持体との間の接合材料の温度耐性によりアニールのための温度が制限されるという問題が生じる。したがって従来のような局所的でないアニールプロセスにおいては、チップが通常の場合コンタクト部の形成にとって好ましい温度よりも低い温度に晒される。この問題を有利には、コンタクトを事後的にアニールする必要が無い場合に回避することができる。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
さらにはいずれの方法においても、先ず少なくとも１つの導電性のコンタクト位置を活性層列の前面側に被着することができ、このコンタクト位置が続けてレーザを用いてアニールされる。この実施形態においても、チップ全体がコンタクト位置をアニールするための温度に晒されることを有利には回避することができる。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
Ａｕは可視光の赤色の領域にある波長を有する電磁ビームに対する良好な反射特性を備えた材料である。Ｚｎはコンタクト位置のアニールの際に、ｐ型にドープされたリン化物ＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体材料に拡散し、またそこでは有利には孔が形成された状態においてタイプＩＩＩ型超格子の格子位置を有する。これによって電荷キャリア（正孔）の数が増加し、これにより通常の場合には電気的なコンタクト位置の特性が改善される。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
この場合においても、Ａｕはその良好な反射特性に基づき有利にはコンタクト位置のための材料として使用される。Ｇｅはコンタクトのアニールの際に同様にタイプＩＩＩ型超格子の格子位置を有するが、ＩＶ族元素としてタイプＩＩＩ型超格子の原子よりも多くの電子を担持するので、この領域内の電子の数は高まる。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５６】
十分なオーム特性を備えたコンタクト位置６を得るために、このコンタクト位置６が続けてアニールされる。このために例えばチップ全体が炉に入れられ、チップはこの炉において４５０℃の周囲温度に晒される。しかしながら有利には、コンタクト位置６はレーザにより局所的にアニールされる。レーザを用いる電気的なコンタクト位置６のアニールは刊行物DE 101413521に記載されており、したがってその開示内容は参照により本明細書に含まれるものとする。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５８】
活性層列１の前面側の電気的な接触のために、活性層列１の前面側１２には同様に金属材料から成る導電性のコンタクト位置６が被着される。活性層列１の前面１２がｎ型にドープされたリン化物ＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体材料、例えばＡｌＧａＩｎＰを含有する場合には、金属層５は実質的にＡｕおよびＧｅを含有する。前面１２がｎ型にドープされた窒化物ＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体材料、例えばＧａＩｎＮを含有する場合には、金属材料は有利にはＴｉ，ＡｌまたはＷを含有する。裏面側のコンタクト位置６のように前面側のコンタクト位置６も同様に殊に有利にはレーザを用いてアニールされる。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６４】
金属層５と活性層列１の裏面１１との間において電気的なコンタクト位置６の十分なオーム特性を得るために、図５ｂに概略的に示されているように、金属層５がレーザを用いてアニールされる。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２】
前記裏面側のコンタクト位置（６）をアニールする、請求項１記載の方法。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項３】
前記裏面側のコンタクト位置（６）をレーザによりアニールする、請求項２記載の方法。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項５】
電磁ビームの形成に適しているＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体材料をベースとする薄膜半導体チップの製造方法において、
−電磁ビームの形成に適しており、成長基板（２）に対向する前面（１２）と成長基板（２）とは反対側にある裏面（１１）とを有する活性層列（１）を成長基板（２）上に被着させるステップと、
−前記活性層列（１）の前記裏面（１１）に対する、裏面側の導電性のコンタクト位置（６）を形成する少なくとも１つの金属性の反射層（５）を被着させるステップと、
−前記裏面側の導電性のコンタクト位置（６）をレーザによりアニールするステップと、
−支持体（８）を前記反射性の層列（５１）に被着させるステップと、
−前記成長基板（２）を除去するステップとを有することを特徴とする、薄膜半導体チップの製造方法。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項７】
−前記活性層列（１）の前記前面（１２）に少なくとも１つの前面側の導電性のコンタクト位置（６）を被着させるステップと、
−前記前面側の導電性のコンタクト位置（６）をレーザによりアニールするステップとを有する、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。