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　特願２００１−５４２３７０「単一ウエハアニーリングオーブン」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　６月　７日国際公開、ＷＯ０１／４１１９５、平成１５年　５月　７日国内公表、特表２００３−５１５９４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１２年１１月２９日の出願（優先権主張：平成１１年１１月３０日：米国）であって，平成１８年９月７日付けで拒絶の理由が通知され，平成１９年３月１４日付けで手続補正がされ，平成１９年４月１９日付けで拒絶の理由が通知され，平成１９年８月８日付けで手続補正され，平成１９年１１月７日付けで最後の拒絶理由が通知され，平成２０年３月１３日付けで手続補正されたが，前記平成２０年３月１３日付けの手続補正書でした明細書又は図面についての補正は，平成２０年５月１２日付けの補正の却下の決定によって却下されるとともに，同日付けで拒絶査定されたので，平成２０年８月２０日付けで前記拒絶査定に対する不服審判を請求をするとともに，平成２０年９月１０日付けで手続補正をしたものである。
　
第２　平成２０年９月１０日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年９月１０日付けの手続補正を却下する。
　
［理　由］
１　本件手続補正の内容
　平成２０年９月１０日付けの手続補正（以下，「本件補正」という。）は，特許請求の範囲についてするものであって，補正前に，
「【請求項１】キャビティを画定する処理チャンバ内の処理期間中にウエハを加熱する装置において，
　その上方にウエハを受納するために前記キャビティ内に配設されている加熱プレート，
　前記加熱プレートに近接し且つ隣接して前記処理チャンバの上部部分にわたり並列に配置されている第１複数個の加熱要素であって，前記ウエハを第１複数個の加熱要素及び前記加熱プレートと直接接触すること無しに両者間に配置させる第１複数個の加熱要素，
　前記処理チャンバの底部部分にわたり並列に配置されている第２複数個の加熱要素，
を有している装置。」
とあったものを，補正後に，　
「【請求項１】キャビティを画定する処理チャンバ内の処理期間中にウエハを加熱する装置において，
　その上方にウエハを受納するために前記キャビティ内に配設されている加熱プレート，
　前記処理チャンバ内において前記処理チャンバの上部部分にわたり並列に配置されている第１複数個の加熱要素であって，前記ウエハを第１複数個の加熱要素及び前記加熱プレートと直接接触すること無しに両者間に配置させる第１複数個の加熱要素，
　前記処理チャンバ内で且つ前記処理チャンバの底部部分にわたり並列に配置されている第２複数個の加熱要素，
を有している装置。」
とする補正を含むものである。
　
２　補正の適否について
　すなわち，上記補正は，
（１）補正前の請求項１に記載の「前記加熱プレートに近接し且つ隣接して前記処理チャンバの上部部分にわたり並列に配置されている第１複数個の加熱要素」を，「前記処理チャンバ内において前記処理チャンバの上部部分にわたり並列に配置されている第１複数個の加熱要素」と補正し，
（２）補正前の請求項１に記載の「前記処理チャンバの底部部分にわたり並列に配置されている第２複数個の加熱要素」を，「前記処理チャンバ内で且つ前記処理チャンバの底部部分にわたり並列に配置されている第２複数個の加熱要素」と補正する事項を含むものである。
　
　そこで，上記補正事項を含む本件補正が，新規事項の追加に当たるかについて検討する。
　
ア　本願の補正後の請求項１に記載されている「処理チャンバ内」は，「内」という語の辞書的な意味，及び，平成２０年１０月２４日付けの手続補正書によって補正された審判請求書の請求の理由における「そのようなペルチェ素子を筐体１３０の内側の面に装着することは不可能であることは明らかである。何となれば，そのように筐体１３０の内側の面に装着した場合には，発熱と吸熱とが閉じられた空間である筐体１３０内部において同時的に発生し，筐体１３０内部の温度制御を行うことは不可能となることは明らかだからである。」，「しかしながら，この場合においても，配管２１０を筐体１３０の内側の面に固着させることについては全く記載されていない。」等の主張に照らして，本願の補正後の請求項１に記載されている「処理チャンバ内」は，「処理チャンバの内側の面によって囲まれた空間内」という領域を意味しているものと認められる。
　
イ　一方，本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下，「出願当初の明細書等」という。）には，以下の記載がある。
（当１）「【請求項２】請求項１において，更に，前記処理チャンバに近接して位置された複数個の加熱要素を有しており，前記加熱要素の各々から出力される熱エネルギが前記キャビティ内に実質的に等温環境を形成して前記処理チャンバを加熱することが可能である装置。」（特許請求の範囲）
　
（当２）「【請求項１１】半導体ウエハを迅速且つ一様にアニーリングするリアクタにおいて，
　キャビティを画定しているチャンバ，
　その上にウエハを受納する形態とされており前記キャビティ内に配設されており加熱源を有している導電性加熱部材，
　前記チャンバに近接して位置されている複数個の抵抗性加熱要素，
を有しており，前記抵抗性加熱要素の各々から出力される熱エネルギが前記キャビティ内に実質的に等温を与えるリアクタ。」（特許請求の範囲）
　
（当３）「本リアクタは，又，該チャンバに近接して位置させた複数個の抵抗性加熱要素を有している。該抵抗性加熱要素の各々から出力された熱エネルギは該キャビティ内に実質的に等温を与える。」（【０００８】）
　
（当４）「図２は本発明の１実施例に基づくリアクタチャンバ１００の簡単化した断面図である。・・・オプションとして，リアクタチャンバ１００近くのユーザ及び／又は装置を保護するために，該チャンバは断熱層１０６及び１０８を有することが可能である。該断熱層は例えばセラミックファイバ物質等の任意の適宜の断熱材から構成することが可能である。」（【００１３】）
　
（当５）「図２に示したように，リアクタチャンバ１００は処理チャンバ１１２を有しており，それは内部キャビティ (空洞)１１４を画定している。」（【００１４】）
　
（当６）「図５は本発明の別の実施例を示している。この別の実施例においては，複数個の加熱要素１４０が処理チャンバ１１２の上部部分及び底部部分を取囲んでいる。抵抗性加熱要素１４０は処理チャンバ１１２にわたって並列に配置させることが可能である。」（【００２３】）
　
ウ　また，本願の出願当初の明細書等の図５からは，符号１１２が付された処理チャンバの内側の面を取り囲む位置，すなわち，符号１１２が付された処理チャンバの内側の面の外側であって，前記処理チャンバに近接した位置に，加熱要素１４０が設けられていることを看取することができる。
　
エ　そうすると，本願の出願当初の明細書等からは，「処理チャンバに近接して位置された複数個の加熱要素」として，加熱要素１４０を，処理チャンバの内側の面を
取り囲む
外
　すなわち，「処理チャンバの上部部分にわたり並列に配置されている第１複数個の加熱要素」が「処理チャンバ内」にあることを規定する上記補正事項は，本願の出願当初の明細書等に記載されていない事項を特許請求しようとする補正であるといえる。
　また，「処理チャンバの上部部分にわたり並列に配置されている第１複数個の加熱要素」が「処理チャンバ内」にあることが，本願の出願当初の明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項であるとも認められない。
　よって，上記補正事項を含む本件補正は，本願の出願当初の明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術事項を導入したものと認められ，本願の出願当初の明細書等に記載された事項の範囲内においてしたものとはいえない。
　
　なお，審判請求人は，平成２０年１０月２４日付けの手続補正書によって補正された審判請求書の請求の理由において，「請求項１に関する上記補正は，平成２０年３月１３日付けの手続補正書において補正した請求項１における「キャビティ」を「処理チャンバ」と補正するものである。従って，補正の却下の決定における認定においても「加熱要素」は処理チャンバ内に配置されていることは記載されている，と認定されているので，請求項１に関する上記補正は，新規事項の追加には当たらず特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮に該当するものであることは明らかである。」と，補正の適法性を主張する。
　しかしながら，平成２０年５月１２日付けの補正の却下の決定には，「抵抗性加熱要素１４０（補正後の請求項１に係る発明の「加熱要素」に相当）は，処理チャンバ１１２
中
内
　すなわち，審査官の前記説示は，本願の出願当初の明細書等には，図５に記載されているように，抵抗性加熱要素１４０が，符号１１２が付されている処理チャンバを構成する部材の内側の面の外側であって，かつ，処理チャンバを構成する部材の外側の面の内側，すなわち，「処理チャンバ１１２中」に，埋設して配設されていることは記載されているが，抵抗性加熱要素１４０が，処理チャンバの内側の面によって囲まれた空間に相当する「キャビティ１１４内」に配置されていることについては記載されていないというものである。
　したがって，審判請求人の前記主張は前提を欠き採用することができない。
　
３　むすび
　したがって，本件補正は，平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　　　　　　　　　　　　　　　＜付記＞
　
　なお，仮に，上記補正が同法第１７条の２第３項に規定する新規事項の追加に該当しないとしても，下記のとおり，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
　すなわち，平成２０年９月１０日付の上記手続補正による補正は，限定的減縮を目的としたものとなるから，平成２０年９月１０日付の上記手続補正による補正後の請求項１に係る発明（以下，「本願補正発明１」という。）が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのか否かについて検討する。
　
（１）引用刊行物及びその摘記事項
　平成１９年１１月７日付けの拒絶理由通知書の拒絶の理由で引用した本願の出願前に頒布された下記の刊行物１には，次の事項が記載されている。
　
　刊行物１：特開平１０−１８９４２９号公報
　
＜刊行物１の摘記事項＞
（刊１ａ）「【請求項１】上面を昇温可能なホットプレート上に基板を支持して当該基板を加熱する基板加熱装置において，
　前記ホットプレートの少なくとも上方を覆う部材に，温度を調整可能な温調手段を設けたことを特徴とする基板加熱装置。
・・・
【請求項３】前記温調手段が設けられる部材が，基板加熱装置全体を収容する筐体である請求項１または２記載の基板加熱装置。」（特許請求の範囲）
　
（刊１ｂ）「【発明が解決しようとする課題】ところで，基板を各基板間において均一に加熱処理するためには，基板を加熱するためのホットプレート自身の設定温度を所望の温度に保つことが要求される他に，基板自身が加熱処理時に置かれる周辺の雰囲気温度も一定に保つ必要がある。」（【０００３】
　
（刊１ｃ）「以上のことからこの発明の基板加熱装置は，装置の立ち上げ時や加熱温度の設定変更が生じたような場合でも，基板が加熱処理時に置かれる周辺の雰囲気温度を素早く所望の定常状態の温度まで移行させることのできるようにすることを目的とする。」（【０００５】）
　
（刊１ｄ）「【発明の実施の形態】次に，本発明の実施の形態を実施例に基づき説明する。
Ａ．全体の構成：図１は，この発明の第１実施例に係わる基板加熱装置が配設された基板処理装置の全体構成を示す斜視図である。
　図示するように，この基板処理装置は，半導体ウエハ（以下，基板と呼ぶ）Ｗに対して，塗布処理，現像処理，加熱処理および冷却処理を行なうための装置であり，未処理基板や処理済み基板を保管するインデクサ部１と，基板Ｗに対して前記一連の処理を行なう基板処理部２とを有している」（【００１１】−【００１３】）
　
（刊１ｅ）「Ｂ．基板加熱装置の構成：次に，基板加熱装置としてのホットユニット１６の構成を説明する。図２は，ホットユニット１６の構成を示す説明図である。
　図示するように，ホットユニット１６の外側を構成する筐体３０の内部には，ヒータなどの加熱手段を内部に有して基板Ｗを所望の温度で加熱するためのホットプレート４０と，基板Ｗの熱処理時にホットプレート４０上に降下して保温のための半密閉空間を形成するホットプレートカバー６０とが設けられている。
　ホットプレート４０は，筐体３０外から搬入された基板Ｗを３点支持によって受け取るリフタピン４２と，このリフタピン４２から基板Ｗを受け取ってホットプレート４０上に支持するプロキシミティギャップ用ボール４４とを備える。各リフタピン４２は，図示を省略するアクチュエータによって昇降自在となっており，アクチュエータを動作させることにより基板Ｗを水平に保って昇降させることが可能になる。プロキシミティギャップ用ボール４４は，ホットプレート４０上に埋め込まれており，このプロキシミティギャップ用ボール４４の上端はホットプレート４０の表面から若干突出している。リフタピン４２の下降に伴って下降してきた基板Ｗをホットプレート４０上にホットプレート４０表面と平行になるように浮かして支持する。したがって，基板Ｗは，ホットプレート４０と直接接触することなくプロキシミティギャップ用ボール４４上に支持され，裏面の汚染が防止されるようになっている。」（【００１８】−【００２０】）
　
（刊１ｆ）「次に，この発明の第２実施例について説明する。この発明の第２実施例は，第１実施例と比較して，ホットユニット１６の構成が相違し，ホットユニット１６を除く基板処理装置のその他の構成は同一である。図３は，この第２実施例のホットユニット１１６の構成を示す説明図である。
　図示するように，この第２実施例のホットユニット１１６は，第１実施例と同一のホットプレート４０とホットプレートカバー６０とを備える。なお，図中，第１実施例と同一の構成には第１実施例と同じ番号をつけた。この第２実施例のホットユニット１１６と第１実施例のホットユニット１６との相違する点は，ホットユニット１６の外側を構成する筐体１３０にある。
　この筐体１３０は，その外側の面に温度を調整可能な第２の温調部１３２が固着されている。第２の温調部１３２は，ホットプレートカバー６０に設けた温調部（以下，第１の温調部と呼ぶ）６６と同様のものであり，ペルチェ素子によって構成され，ペルチェ素子に供給する電流の方向を切り換えることにより，加熱も冷却も行なうことができる。この第２の温調部１３２も，図示しないコントローラによって制御された電流を受けることで温度が調整される。」（【００２７】−【００２９】）
　
（刊１ｇ）「なお，上記第２実施例では，温調手段としての第１および第２の温調部６６，１３２を，ホットプレートカバー６０と筐体１３０との両方に設けていたが，これに換えて，筐体１３０に第２の温調部１３２だけを設ける構成としてもよい。
　さらには，温調手段としての第１および第２の温調部６６，１３２を，ペルチェ素子により構成するのに替えて，温調水を流す配管により構成してもよい。図４は，温調部を温調水の配管２１０により構成した場合のホットプレートカバー２６０の平面図である。図示するように，ホットプレートカバー２６０の上面には，配管２１０が蛇行状に張り巡らされて固着されている。」（【００３２】−【００３３】）
　
（刊１ｈ）「なお，上記配管２１０を張り巡らせた構成では，ホットプレートカバー２６０の上面に配管２１０を固着した構成としたが，この構成に替えて，ホットプレートカバー２６０の裏面（即ち，ホットプレート側の面）に配管を固着する構成としてもよい。」（【００３６】）
　
（刊１ｉ）「以上，この発明の一実施例を詳述してきたが，この発明は，こうした実施例に何等限定されるものではなく，例えば，図４で示した配管２１０に替えてヒータ線を張り巡らすことで，基板Ｗを昇温制御する場合だけに対応した構成，あるいは，ホットプレート上に基板を浮かせて載置する構成に替えて，直接接触させて載置する構成等，この発明の要旨を逸脱しない範囲において種々なる態様にて実施することが可能である。」（【００３７】）
　
（刊１ｊ）図３は，第２実施例に係わる基板加熱装置としてのホットユニット１１６の構造を示す説明図であって，筐体１３０の上部部分及び下部部分を含む外側の面に第２の温調部１３２が設けられていること，および，半導体ウエハ（基板）Ｗが，ホットプレート４０及び第２の温調部１３２と直接接触すること無しに両者間に配置されていることを看取することができる。
　
（２）当審の判断
（２−１）刊行物１発明
　上記刊行物１の摘記事項（刊１ａ）−（刊１ｊ）をまとめると，刊行物１には，
「上面を昇温可能なホットプレート上に，ホットプレート上に埋め込まれたプロキシミティギャップ用ボールを介して，基板を，ホットプレートと直接接触することがないように支持して，当該基板を加熱する基板加熱装置において，
　基板加熱装置全体を収容する筐体には，上部部分及び下部部分を含む外側の面に第２の温調部が設けられている基板加熱装置」
に関する発明（以下，「刊行物１発明」という。）が記載されているといえる。
　
（２−２）対比・判断
　上記本願補正発明１と刊行物１発明とを対比すると，刊行物１発明の「基板加熱装置全体を収容する筐体」，「基板」，「ホットプレート」，「第２の温調部」は，本願補正発明１の「キャビティを画定する処理チャンバ」，「ウエハ」，「その上方にウエハを受納するために前記キャビティ内に配設されている加熱プレート」，「加熱要素」に相当する。
　
　そうすると，両者は，
　「キャビティを画定する処理チャンバ内の処理期間中にウエハを加熱する装置において，
　その上方にウエハを受納するために前記キャビティ内に配設されている加熱プレート，
　前記処理チャンバの上部部分にわたり配置されている加熱要素であって，前記ウエハを前記処理チャンバの上部部分にわたり配置されている加熱要素及び前記加熱プレートと直接接触すること無しに両者間に配置させる，前記処理チャンバにおいて前記処理チャンバの上部部分にわたり配置されている加熱要素，
　前記処理チャンバの底部部分にわたり配置されている加熱要素，
を有している装置」
の発明である点で一致するものの，次の点で相違する。
　
　相違点１：本願補正発明１では，加熱要素が，処理チャンバ内に配置されているのに対して，刊行物１発明では，筐体の外側の面に配置されている点。
　
　相違点２：本願補正発明１では，加熱要素が，処理チャンバの上部部分及び底部部分にわたり並列に第１複数個及び第２複数個配置されているのに対して，刊行物１発明では，並列に複数個配置するとは明記されていない点。
　
　そこで，上記相違点１−２について検討する。
　
　相違点１について
　刊行物１の上記摘記（刊１ｈ）には「なお，上記配管２１０を張り巡らせた構成では，ホットプレートカバー２６０の上面に配管２１０を固着した構成としたが，この構成に替えて，ホットプレートカバー２６０の裏面（即ち，ホットプレート側の面）に配管を固着する構成としてもよい。」と記載されており，配管２１０を部材の上面に固着するか，裏面に固着するかは設計事項であると認められる。
　一方，刊行物１の上記摘記（刊１ｈ）において示されているのは，ホットプレートカバー２６０の上面の配管２１０についてであり，筐体の上面に設けた配管については言及はされていない。
　しかしながら，刊行物１に記載された発明において，配管２１０等の温調手段を設ける目的は，刊行物１の上記（刊１ｂ），（刊１ｃ）に記載されるように，基板自身が加熱処理時に置かれる周辺の雰囲気温度も一定に保つこと，及び，基板が加熱処理時に置かれる周辺の雰囲気温度を素早く所望の定常状態の温度まで移行させることにあり，刊行物１発明において，ホットプレートカバー，及び，筐体に配置した温調手段は，いずれもこの目的を達成するために存在するための部材である点でその機能を共通とするから，刊行物１の上記摘記（１ｈ）において示されている，配管２１０をホットプレートカバー２６０の裏面（即ち，ホットプレート側の面）に配管を固着する構成としてもよいとの技術思想に基づいて，筐体の外側の面に配置されている配管等の温調手段を筐体の内側の面に配置することは，当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　したがって，刊行物１発明において，相違点１について本願補正発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得たことと認められる。また，このような構成を採用したことによる効果は，当業者が予測する範囲内のものと認められる。
　
　審判請求人は，温調手段としてペルチェ素子を用いた場合の阻害事由を主張するが，少なくとも，温調手段として，刊行物１に記載された，温調水を流す配管，及び，ヒータ線を用いた場合には，審判請求人の主張する阻害事由は生じないから，審判請求人の前記主張は採用することができない。
　
　相違点２について
　刊行物１の上記摘記（刊１ｇ）に「配管２１０が蛇行状に張り巡らされて固着されている。」，（刊１ｉ）には「図４で示した配管２１０に替えてヒータ線を張り巡らす」と記載されているように，刊行物１には，配管あるいはヒータ線を，並列に複数個配置することは明記されていない。
　しかしながら，刊行物１の上記（刊１ｂ），（刊１ｃ）に記載されるように，刊行物１に記載された発明において，配管２１０等の温調手段を設ける目的は，基板自身が加熱処理時に置かれる周辺の雰囲気温度も一定に保つこと，及び，基板が加熱処理時に置かれる周辺の雰囲気温度を素早く所望の定常状態の温度まで移行させることにあると認められる。
　そして，所定の空間を加熱する場合に，並列に複数個の加熱要素を配置する構造は，下記の周知文献１−３にも記載されているように周知の構造であり，また，その加熱要素の個数は単なる設計事項と認められる。
　したがって，刊行物１発明において，加熱要素を，処理チャンバの上部部分及び底部部分にわたり並列に第１複数個及び第２複数個配置すること，すなわち，相違点２について，本願補正発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得たことと認められる。また，このような構成を採用したことによる効果は，当業者が予測する範囲内のものと認められる。
　
　周知文献１：特開平１１−３０７４６６号公報
（周１）「ここで，本実施形態の特徴とするところは，チャンバー１内に設置された石英管２を恒温加熱する加熱手段を備えた点にある。具体的には，石英管２に対向するチャンバー１の壁内に所定のピッチで複数のコイルヒータ１２を埋め込み，これらのコイルヒータ１２からの加熱作用によって石英管２を恒温加熱する構成を採用している。
　また，各々のコイルヒータ１２には，図示せぬ装置制御系から引き出された電力供給線を接続し，これらの電力供給線を通して供給される電力レベルに応じてコイルヒータ１２全体の出力を装置制御系にて制御できる構成となっている。」（【００１７】−【００１８】）
　
　周知文献２：特開昭６４−９０５２５号公報
（周２）「（２）半導体ウェハを載置し，回転手段を有するウェハステージと，該ウェハステージ下部に設置した複数個の非接触温度計と，該ウェハステージ上部に並列に３個以上設置された棒状ヒーターと，該棒状ヒーターを左右対称に少なくとも３ゾーン以上に分け，各ゾーンのヒーター電流を前記非接触温度計によりコントロールする制御系とからなることを特徴とする半導体ウェハ加熱装置。」（特許請求の範囲）
　
　周知文献３：特開平３−１１６８２８号公報
（周３）「本発明の他の実施例の加熱用ランプの横断面図を第２３図に示す。線状のフィラメント５３が平面上をつづら折りになっている。
　本発明の他の実施例の加熱用ランプの横断面図を第２４図に示す。扁平な四角形ガラス管５２の中に線状のフィラメント５３をコイル状にしたものの群が独立に複数組で設けられている。本実施例によれば，複数組のフィラメント群の発熱量を独立に制御することができ，ウェハ温度が均一となるように発熱制御を行うことができる。なお，複数組のフィラメント群はすべて平行している場合の他に，２段で交直していると発熱制御の効果はさらに大きい。」（第９頁左上欄第６−１８行）
　
（３）むすび
　したがって，本願補正発明１は，上記刊行物１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２０年９月１０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１−１３に係る発明は，平成１９年８月８日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１−１３に記載されたとおりのものであるところ，その内，請求項１に係る発明（以下，「本願発明１」という。）は，次のとおりである。
　
　「【請求項１】キャビティを画定する処理チャンバ内の処理期間中にウエハを加熱する装置において，
　その上方にウエハを受納するために前記キャビティ内に配設されている加熱プレート，
　前記加熱プレートに近接し且つ隣接して前記処理チャンバの上部部分にわたり並列に配置されている第１複数個の加熱要素であって，前記ウエハを第１複数個の加熱要素及び前記加熱プレートと直接接触すること無しに両者間に配置させる第１複数個の加熱要素，
　前記処理チャンバの底部部分にわたり並列に配置されている第２複数個の加熱要素，
を有している装置。」
　
２　新規事項の追加について
　平成１９年８月８日付けの手続補正書により，特許請求の範囲の請求項１は，補正前の
「キャビティを画定する処理チャンバ内の処理期間中にウエハを加熱する装置において，
　その上方にウエハを受納するために前記キャビティ内に配設されている第１加熱プレート，
　前記第１加熱プレートに近接し且つ隣接して前記キャビティ内に配設されている第２加熱プレートであって，前記ウエハを前記第１及び第２加熱プレートと直接接触すること無しに両者間に配置させる第２加熱プレート，
　前記第１及び第２加熱プレートにわたって一様な温度分布を形成するために前記第１及び第２加熱プレートの周辺部に配設されている熱源，
を有している装置。」から，
「キャビティを画定する処理チャンバ内の処理期間中にウエハを加熱する装置において，
　その上方にウエハを受納するために前記キャビティ内に配設されている加熱プレート，
　前記加熱プレートに近接し且つ隣接して前記処理チャンバの上部部分にわたり並列に配置されている第１複数個の加熱要素であって，前記ウエハを第１複数個の加熱要素及び前記加熱プレートと直接接触すること無しに両者間に配置させる第１複数個の加熱要素，
　前記処理チャンバの底部部分にわたり並列に配置されている第２複数個の加熱要素，
を有している装置。」と補正された。
　
　そうすると，前記補正は，
　補正前に「第１加熱プレート」と「第２加熱プレート」との相互の関係が「近接し且つ隣接」するものであるという発明特定事項を，補正後に「加熱プレート」と「処理チャンバの上部部分にわたり並列に配置されている第１複数個の加熱要素」との相互の関係が「近接し且つ隣接」するものであると補正する事項を含むものである。
　しかしながら，本願の出願当初の明細書等には，「加熱プレート」と「処理チャンバの上部部分にわたり並列に配置されている第１複数個の加熱要素」との相互の関係が「近接し且つ隣接」するものであるとする記載はなく，また，このような相互の関係が，当業者によって，本願の出願当初の明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項の範囲内のものであるとも認められない。
　したがって，上記補正事項を含む平成１９年８月８日付けの手続補正は，平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
３　進歩性について
（１）引用刊行物及びその摘記事項
　平成１９年１１月７日付けの拒絶理由通知書の拒絶の理由に引用した本願の出願前に頒布された下記の刊行物１に記載されている事項は，上記「第２＜付記＞（１）引用刊行物及びその摘記事項」の項で指摘したとおりである。
　
　刊行物１：特開平１０−１８９４２９号公報
　
（２）当審の判断
（２−１）刊行物１発明
　上記刊行物１の摘記事項（刊１ａ）−（刊１ｊ）をまとめると，刊行物１には，
「上面を昇温可能なホットプレート上に，ホットプレート上に埋め込まれたプロキシミティギャップ用ボールを介して，基板を，ホットプレートと直接接触することがないように支持して，当該基板を加熱する基板加熱装置において，
　基板加熱装置全体を収容する筐体には，上部部分及び下部部分を含む外側の面に第２の温調部が設けられている基板加熱装置」
に関する発明（以下，「刊行物１発明」という。）が記載されているといえる。
　
（２−２）対比・判断
　上記本願発明１と刊行物１発明とを対比すると，両者は，
「キャビティを画定する処理チャンバ内の処理期間中にウエハを加熱する装置において，
　その上方にウエハを受納するために前記キャビティ内に配設されている加熱プレート，
　前記処理チャンバの上部部分にわたり配置されている加熱要素であって，前記ウエハを前記処理チャンバの上部部分にわたり配置されている加熱要素及び前記加熱プレートと直接接触すること無しに両者間に配置させる，前記処理チャンバにおいて前記処理チャンバの上部部分にわたり配置されている加熱要素，
　前記処理チャンバの底部部分にわたり配置されている加熱要素，
を有している装置」
の発明である点で一致するものの，次の点で相違する。
　
　相違点１：本願発明１では，「加熱プレート」と「処理チャンバの上部部分にわたり並列に配置されている第１複数個の加熱要素」との相互の関係が「近接し且つ隣接」するものであるのに対して，刊行物１には，このような関係が明記されていない点。
　
　相違点２：本願発明１では，加熱要素が，処理チャンバの上部部分及び底部部分にわたり並列に第１複数個及び第２複数個配置されているのに対して，刊行物１発明では，並列に複数個配置するとは明記されていない点。
　
　そこで，上記相違点１−２について検討する。
　
　相違点１について
　本願発明１において，「処理チャンバの上部部分にわたり並列に配置されている第１複数個の加熱要素」の技術的意義は，キャビティ内に実質的に等温を与えることにあると認められる。そして，本発明の１実施例を示した概略図であるとして示されている本願の図５には，加熱プレートを収納した，処理チャンバ１１２の上部部分を取り囲んで，抵抗性加熱要素１４０を処理チャンバ１１２にわたって並列に配置しているものが開示されている。
　してみれば，少なくとも，本願の図５に示された，加熱プレートを収納した，処理チャンバ１１２の上部部分を取り囲んで，抵抗性加熱要素１４０を処理チャンバ１１２にわたって並列に配置した構造の，加熱プレートと抵抗性加熱要素との相互の関係は「近接し且つ隣接」するものに含まれると認められる。
　一方，刊行物１の図３に示される，本願発明１の加熱プレートに相当する「ホットプレート」と，本願発明１の加熱要素に相当する「第２の温調部」の相互の関係は，上記本願の図５に示された，加熱プレートと抵抗性加熱要素との相互の関係と同じものであると認められる。
　してみれば，刊行物１発明の「ホットプレート」と「第２の温調部」の相互の関係は，「近接し且つ隣接」するものであると解されるから，上記相違点１は実質的なものとはいえない。
　また，仮に，刊行物１発明の「ホットプレート」と「第２の温調部」の相互の関係が，「近接し且つ隣接」するものに含まれなかったとしても，刊行物１の上記（刊１ｂ），（刊１ｃ）に記載されるように，刊行物１に記載された発明において，第２の温調部を設ける目的は，基板自身が加熱処理時に置かれる周辺の雰囲気温度も一定に保つこと，及び，基板が加熱処理時に置かれる周辺の雰囲気温度を素早く所望の定常状態の温度まで移行させることにあり，この点で本願発明１において加熱要素を設ける理由と一致するから，刊行物１発明において，上記目的を達成するために，「ホットプレート」と「第２の温調部」の相互の関係を，「近接し且つ隣接」するものとすることは，当業者が容易になし得たことと認められる。
　
　相違点２について
　刊行物１の上記摘記（刊１ｇ）に「配管２１０が蛇行状に張り巡らされて固着されている。」，（刊１ｉ）には「図４で示した配管２１０に替えてヒータ線を張り巡らす」と記載されているように，刊行物１には，配管あるいはヒータ線を，並列に複数個配置することは明記されていない。
　しかしながら，刊行物１の上記（刊１ｂ），（刊１ｃ）に記載されるように，刊行物１に記載された発明において，配管２１０等の温調手段を設ける目的は，基板自身が加熱処理時に置かれる周辺の雰囲気温度も一定に保つこと，及び，基板が加熱処理時に置かれる周辺の雰囲気温度を素早く所望の定常状態の温度まで移行させることにあると認められる。
　そして，所定の空間を加熱する場合に，並列に複数個の加熱要素を配置する構造は，下記の周知文献１−３にも記載されているように周知の構造であり，また，その加熱要素の個数は単なる設計事項と認められる。
　したがって，刊行物１発明において，加熱要素を，処理チャンバの上部部分及び底部部分にわたり並列に第１複数個及び第２複数個配置すること，すなわち，相違点２について，本願発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得たことと認められる。また，このような構成を採用したことによる効果は，当業者が予測する範囲内のものと認められる。
　
　周知文献１：特開平１１−３０７４６６号公報
（周１）「ここで，本実施形態の特徴とするところは，チャンバー１内に設置された石英管２を恒温加熱する加熱手段を備えた点にある。具体的には，石英管２に対向するチャンバー１の壁内に所定のピッチで複数のコイルヒータ１２を埋め込み，これらのコイルヒータ１２からの加熱作用によって石英管２を恒温加熱する構成を採用している。
　また，各々のコイルヒータ１２には，図示せぬ装置制御系から引き出された電力供給線を接続し，これらの電力供給線を通して供給される電力レベルに応じてコイルヒータ１２全体の出力を装置制御系にて制御できる構成となっている。」（【００１７】−【００１８】）
　
　周知文献２：特開昭６４−９０５２５号公報
（周２）「（２）半導体ウェハを載置し，回転手段を有するウェハステージと，該ウェハステージ下部に設置した複数個の非接触温度計と，該ウェハステージ上部に並列に３個以上設置された棒状ヒーターと，該棒状ヒーターを左右対称に少なくとも３ゾーン以上に分け，各ゾーンのヒーター電流を前記非接触温度計によりコントロールする制御系とからなることを特徴とする半導体ウェハ加熱装置。」（特許請求の範囲）
　
　周知文献３：特開平３−１１６８２８号公報
（周３）「本発明の他の実施例の加熱用ランプの横断面図を第２３図に示す。線状のフィラメント５３が平面上をつづら折りになっている。
　本発明の他の実施例の加熱用ランプの横断面図を第２４図に示す。扁平な四角形ガラス管５２の中に線状のフィラメント５３をコイル状にしたものの群が独立に複数組で設けられている。本実施例によれば，複数組のフィラメント群の発熱量を独立に制御することができ，ウェハ温度が均一となるように発熱制御を行うことができる。なお，複数組のフィラメント群はすべて平行している場合の他に，２段で交直していると発熱制御の効果はさらに大きい。」（第９頁左上欄第６−１８行）
　
　したがって，本願発明１は，刊行物１に記載された発明，及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび 
　以上のとおり，この出願は，平成１９年８月８日付けの手続補正が，平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしておらず，また，本願の請求項１に係る発明は，刊行物１に記載された発明，及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。したがって，本願の請求項２〜請求項８に係る発明については検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。