【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年4月18日(2011.4.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
行列配置した複数の画素と、対応する画素の列に沿って延在する列電極とを具え、
前記画素の各々が、複数の画像データ記憶キャパシタンスと、
前記列電極と前記複数の画像データ記憶キャパシタンスの各々との間に接続され、該画像データ記憶キャパシタンスの状態を読み出すとともに該画像データ記憶キャパシタンスの状態に対応して列電極を荷電する読出し回路とを有し、
前記複数の画像データ記憶キャパシタンスは、各々が１ビットのデータを表すとともに、複数のビットによってグレースケールレベルを指定することを特徴とするアクティブマトリックス表示装置。
【請求項２】
前記読出し回路が、前記画像データ記憶キャパシタンスに蓄積された電荷が読出し中に著しく放電されないような十分高い入力インピーダンスを有することを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリックス表示装置。
【請求項３】
行電極と、画素の対応する行に沿って延在する読出しラインとを有する請求項１又は２記載のアクティブマトリックス表示装置であって、
前記画素が、対応する行電極によって選択されたときに対応する列電極を前記データ記憶キャパシタンスに接続するスイッチを有し、
前記読み出し回路が、前記対応する列電極のキャパシタンスを読み出すために対応する読出しラインによって制御されること
を特徴とするアクティブマトリックス表示装置。
【請求項４】
前記画素が、画素表示素子を駆動する駆動回路を有し、その駆動回路が、前記画像データ記憶キャパシタンスに接続された入力部を有することを特徴とする請求項３記載のアクティブマトリックス表示装置。
【請求項５】
前記読出し回路が、駆動回路と、対応する読出しラインの制御の下で前記駆動回路の出力部を前記対応する列電極に接続するスイッチとを有することを特徴とする請求項４記載のアクティブマトリックス表示装置。
【請求項６】
各行に沿った複数の行電極を有し、
各行電極が、各画像データ記憶キャパシタをデータラインに接続するようスイッチを切り替え、
選択ラインが、前記データラインを対応する列電極に接続するようスイッチを制御し、前記読出し回路が、対応する読出しラインの制御の下でデータライン上のデータを対応する列電極に読み出すことを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリックス表示装置。
【請求項７】
画像データ記憶キャパシタの各々に接続した専用の読出し回路を有することを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリックス表示装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
ＡＭＬＣＤに対する他の既知のアプローチは、動的な１ビット／画素メモリとして（１ＴＦＴ／画素を有する）画素を用いることである。画素を列電極に接続する際に少ない電圧変化を検出することができるセンスアンプを列電極に追加することによって、画素の状態を検知することができる。この際、メモリの動的な性質によって要求されるように画素をリフレッシュすることができる。このアプローチに対する問題は、列電極で検知すべき信号の大きさは、列キャパシタンスに対する画素の比により決定されることであり、それは、予め決定された画素ピッチ及び解像度を有するＡＭＬＣＤにおいては非常に小さくなりうることである。他の問題は、ＡＭＬＣＤで用いられるＬＣ材料を駆動する際に材料の劣化を抑制するために極性が交互に切り換わる電圧を用いるのが一般的であるので、列を駆動するための精巧な外部検知及びリフレッシュ回路が必要とされることである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
したがって、読み出し回路はバッファとして機能し、その結果、画素内のダイナミック記憶素子として用いられるキャパシタンスを、列電極を介してリフレッシュすることができる。それに対して、画素内に組み込まれた読み出し回路を有さず、各列ラインの端部でのセンス回路を有する従来の構成においては、各画素内の小さな組み込みキャパシタンスは、列ラインのキャパシタンスにより埋没され非常に小さいものとなりうるキャパシタンスの変化の影響を、センス回路において検出することを非常に困難としうる。さらに、列ラインを読み出し回路とともに駆動することにより、電気的な雑音に対するアクティブマトリックスディスプレイの感度は、このような読み出し回路を有しない従来の構成に対して低減することができる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
各画素が、複数の画像データ記憶キャパシタンスを有してもよい。
例示として、各行に沿った複数の行電極を有し、各行電極が、各画像データ記憶キャパシタをデータラインに接続するようスイッチを切り換え、選択ラインが、前記データラインが対応する列電極を接続するようスイッチを制御し、前記読出し回路が、読出しラインの制御の下でデータライン上のデータを列電極に読み出してもよい。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
図１において、表示画素１０の行列マトリックスアレイ（ＮｘＭ）を具える一般的に通常の形態のＡＭＬＣＤの簡単化された回路図を示す。表示素子はそれぞれ、液晶表示素子１８と、スイッチとして機能する関連のＴＦＴ１２とを有し、（Ｍ）行及び（N）列のアドレス電極１４，１６のセットを通じてアドレス指定される。ここでは、簡単のために数個の表示画素のみを示し、実際には、数百行及び数百列の画素とすることができる。各ＴＦＴ１２のドレインは、行アドレス電極と列アドレス電極の交差部の各々に隣接して配置した表示素子電極にそれぞれ接続され、同時に、表示画素１０の各行に関連した全てのＴＦＴのゲートを、同一行のアドレス電極１４に接続し、表示画素の各列に関連した全てのＴＦＴのソースを、同一列のアドレス電極１６に接続する。電極１４，１６、ＴＦＴ１２及び表示素子電極は全て、同一の絶縁基板例えばガラス上に載せ置かれ、種々の導電層、絶縁層及び半導体層の堆積及びホトリソグラフィックパターニングを含む既知の薄膜技術を用いて製造される。アレイの全ての表示素子に共通の連続的な透明電極を支持する第２のガラス基板（図示せず）が、基板２５から離間して配置され、二つの基板は、液晶材料が含まれる包囲されたスペースを規定するために画素アレイの周辺で互いにシールされる。各表示素子電極は、共通電極の重複部及びその間の液晶材料とともに光変調ＬＣ表示素子を規定する。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
本発明によるアクティブマトリックス表示装置の実施の形態、特に、ＡＭＬＣＤ及びアクティブマトリックスＬＥＤを説明する。これら実施の形態はそれぞれ、画素内のノードの一つのキャパシタンスに蓄積された電荷を用いる画素に統合されたダイナミックメモリを用いる。これら実施の形態の特徴は、読出し回路が画素に統合され、これによって、画素の状態を列電極に読み出すことができる。画素内でダイナミック記憶素子として用いられるキャパシタンスを、列電極を通じてリフレッシュすることができる。好適には、画素に統合された読出し回路は、高出力インピーダンスを有し、その結果、読出し回路は、読出し動作中さえも、記憶の際に用いられるキャパシタンスを放電しない。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
３例の画素形態を、図２，３，４に線図的に示す。これらの図に示したスイッチ５０は、図１の配置のスイッチング装置１２に相当し、同様にＴＦＴを具える。画素１０に含まれる読出し回路に５１を付す。各ケースにおいて、行電極１４に平行に延在するとともに各行の全ての画素１０によって共有される補助的な行電極５２を設ける。図２において、表示素子１８は、本来容量性（例えば、ＡＭＬＣＤのＬＣ）であり、それ自体ダイナミックメモリの記憶ノードとして用いられる。（典型的には、ＡＭＬＣＤにおいて、他の記憶キャパシタンスは、通常ＬＣに並列に追加され、これを図示しない。）行電極１４によって制御されるスイッチ５０が低インピーダンスを有するとき、電圧が列電極１６から表示素子１８に転送され、この電圧は、スイッチが高インピーダンス状態である間、表示素子のキャパシタンスに格納される。読出し回路５１は、表示素子１８と行電極１４との間に接続され、補助的な列電極５２によって制御される。読出し動作中、列電極１６は、表示素子の状態によって決定された電圧まで荷電される。読出し動作が行われると、列電極１６を通じて表示素子１８をリフレッシュすることができる。リフレッシュ動作は、読出し動作中に発生した信号を処理する、列駆動回路３５中の他の回路を伴うことができる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
一部のケースにおいて、これを、表示駆動回路５５の機能を読出し回路５と組み合わせることによって簡単にすることができる。この一例を図４の実施の形態に示す。この場合、個別の読出し回路が必要とされないが、その代わりに、第２スイッチ５８が、表示素子駆動回路５５の出力部と列電極１６との間に挿入され、この第２スイッチ５８の動作が、補助的な行電極５２を通じて制御される。第２スイッチ５８が低インピーダンス状態に切り替えられたときに読出し動作が開始され、そのとき、表示素子１８’を駆動する回路５５が、画素の状態に依存する電圧まで行電極１４を充電する。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
一般に、静止画像を表示する際、読出し及びリフレッシュ動作を１行で一度に実行する必要がある。しかしながら、表示アレイの領域（すなわち、複数行）が平坦な背景を有する場合、単一の読出し及びリフレッシュ動作でこの領域をリフレッシュすることができる。これによって、行電極１４に必要な複数の電圧遷移を減少することにより消費される電力を減少する。行反転中に駆動されるＡＭＬＣＤの場合において、平坦なフィールドを表示する領域に対する読出し及びリフレッシュ動作を、各極性に対して１回ずつの２回の読出し及びリフレッシュ動作によって行う。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
低電力モードで静止画像を表示する際、ＬＣが±Ｖｔｈ（「明」画素）又は±Ｖｓａｔ（「暗」画素）で駆動される。図６ｂからわかるように、表示素子電極の対応する電圧は、（ｉ）明画素に対して、奇数フィールドで＋ΔＶとなるとともに偶数フィールドでＶｃｏｌ−ΔＶとなり、暗画素に対して、奇数フィールドでＶｃｏｌ＋ΔＶとなるとともに偶数フィールドで−ΔＶとなる。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
図２と同一形態を有するとともにＡＭＬＣＤに適用される画素回路の第２の例を、図８に示す。この場合、ＴＦＴ （ｐ型及びｎ型の）Ｔ４及びＴ３によって構成されたインバータを用いて、読み出し動作中に画素の状態を検知して列電極１６に読み出し、これによって、読出し動作以前の列電極のプリチャージの要求を回避する。これは、画像に応じて及びフィールド反転とライン反転のうちのいずれが用いられるかに応じて列電極上の遷移の回数を減少できるという利点を有する。