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【手続補正書】
【提出日】平成22年5月7日(2010.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電圧源から損失の多い負荷回路への電気エネルギの無損失伝送方法であって、前記直流電圧源は、高周波数広帯域線路を介して、前記損失の多い負荷回路へ給電する少なくとも１つの量子記憶セルに接続されており、電気エネルギはディラック関数に対応する電流パルスの形で前記直流電圧源から前記記憶セルへ伝送されて、ハイゼンベルグの不確定性関係に従った決定不能な仮想電圧降下を生じるようにされる方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、帯域幅コントローラが前記直流電圧源と前記量子記憶セル間に配置され、前記伝送は前記線路の前記周波数帯域幅を変えて制御されることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の方法であって、前記量子記憶セルは高周波広帯域線路を介してさらなる量子記憶セルに並列に配置され、かつ広帯域コントローラが、好ましくは、前記記憶セル間に配置されることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項記載の方法であって、さらなる量子記憶セルが前記直流電圧源として使用されることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項記載の方法であって、太陽電池またはホトダイオードが前記直流電圧源として使用されることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項記載の方法であって、量子記憶セルの方法で細長く平坦に設計される線路が前記高周波広帯域線路として使用されることを特徴とする方法。
【請求項７】
前記いずれか一項記載の方法であって、さらなる量子記憶セルおよび／または帯域幅コントローラが前記線路内に中間配置されることを特徴とする方法。
【請求項８】
前記いずれか一項記載の方法であって、前記高周波広帯域線路は９０ＭＨｚ以上の帯域幅を有することを特徴とする方法。
【請求項９】
前記いずれか一項記載の方法であって、電気的絶縁材料により互いに分離される化学的に強ダイポーラな結晶からなる記憶セルが前記量子記憶セルとして選択され、電気エネルギは仮想光子共振の効果により前記結晶内に蓄えられることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項９記載の方法であって、前記結晶はナノ粒子の形またはナノメータ厚さを有する層の形で存在することを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項９または１０記載の方法であって、前記結晶はルチル結晶変態内に存在し、好ましくは、ＴｉＯ２結晶として構成されることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項９、１０または１１記載の方法であって、前記結晶および前記絶縁材料は交互に重畳された層内に設けられることを特徴とする方法。
【請求項１３】
特に、請求項１から１２のいずれか一項記載の前記方法を実施する、直流電圧源から損失の多い負荷回路への電気エネルギの無損失伝送装置であって、前記直流電圧源は高周波広帯域線路を介して、損失の多い負荷回路へ給電する少なくとも１つの量子記憶セルに接続されており、前記電気エネルギが前記ディラック関数に対応する前記電流パルスの形で前記直流電圧源から前記記憶セルへ伝送されてハイゼンベルグの不確定性関係に従った決定不能な仮想電圧降下を生じるようにされていることを特徴とする装置。
【請求項１４】
請求項１３記載の装置であって、帯域幅コントローラが前記直流電圧源と前記量子記憶セル間に接続され、前記線路の前記周波数帯域幅を変えることにより前記伝送を制御できるようにされていることを特徴とする装置。
【請求項１５】
請求項１３または１４記載の装置であって、前記量子記憶セルは高周波広帯域線路を介してさらなる量子記憶セルに並列に配置され、広帯域コントローラが、好ましくは、前記量子記憶セル間に配置されることを特徴とする装置。
【請求項１６】
請求項１３から１５のいずれか一項記載の装置であって、さらなる量子記憶セルは前記直流電圧源として使用されることを特徴とする装置。
【請求項１７】
請求項１３から１５のいずれか一項記載の装置であって、太陽電池またはホトダイオードが前記直流電圧源として使用されることを特徴とする装置。
【請求項１８】
請求項１３から１７のいずれか一項記載の装置であって、前記高周波広帯域線路は量子記憶セルの方法で細長く平坦となるように設計されることを特徴とする装置。
【請求項１９】
前記いずれか一項記載の装置であって、さらなる量子記憶セルおよび／または帯域幅コントローラは前記線路の中間に配置されることを特徴とする装置。
【請求項２０】
前記いずれか一項記載の装置であって、前記高周波広帯域線路は９０ＭＨｚ以上の帯域幅を有することを特徴とする装置。
【請求項２１】
前記いずれか一項記載の装置であって、前記量子記憶セルは電気的絶縁材料により互いに分離された化学的に強ダイポーラな結晶からなり、仮想光子共振の効果により電気エネルギが蓄えられることを特徴とする装置。
【請求項２２】
請求項２１記載の装置であって、前記結晶はナノ粒子の形またはナノメートル厚さを有する層の形で存在することを特徴とする装置。
【請求項２３】
請求項２１または２２記載の装置であって、前記結晶はルチル結晶変態内に存在し、好ましくは、ＴｉＯ２結晶として構成されることを特徴とする装置。
【請求項２４】
請求項２１、２２または２３記載の装置であって、前記結晶および前記絶縁材料は交互に重畳された層内に存在することを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月14日(2011.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
血管新生疾患に関連した疾患を治療及び/又は予防するための抗血管新生活性を有する医薬であって、ピナセアエ（Pinaceae）属由来の針葉樹由来のテルペン（イソテルペノド）の複合体を含み、該テルペンはパーセント重量画分で以下の成分：
セスキテルペノイド（3〜6％）；
中性ジテルペノイド（11〜15％）；
ジテルペン酸（23〜28％）；
トリテルペン酸（8〜16％）；
不飽和及び飽和脂肪酸（0.1〜0.3％）；
フェノール化合物（0.1〜0.2％）；
残余であるモノテルペルペノイド
を含み、ここで、総テルペンに対する酢酸ボルニル含量が少なくとも10.0％である、医薬。
【請求項２】
前記疾患が、血管新生疾患に関連した多数の疾患；目の新血管新生；慢性及び急性の腎疾患におけるメサンギウム細胞増殖疾患；乾癬；進行性アテローム；動脈再狭窄；糖尿病；リウマチ様関節炎；慢性喘息；子宮内膜症；自己免疫疾患；並びに、動脈性又は移植後のアテローム性動脈硬化症からなる群より選択される、請求項１記載の医薬。
【請求項３】
血管新生疾患に関連した疾患を治療及び/又は予防するための抗血管新生活性を有する医薬を製造するための、ピナセアエ（Pinaceae）属由来の針葉樹由来のテルペン（イソテルペノド）の使用であって、該テルペンはパーセント重量画分で以下の成分：
セスキテルペノイド（3〜6％）；
中性ジテルペノイド（11〜15％）；
ジテルペン酸（23〜28％）；
トリテルペン酸（8〜16％）；
不飽和及び飽和脂肪酸（0.1〜0.3％）；
フェノール化合物（0.1〜0.2％）；
残余であるモノテルペルペノイド
を含み、ここで、総テルペンに対する酢酸ボルニル含量が少なくとも10.0％である、使用。
【請求項４】
前記疾患が、血管新生疾患に関連した多数の疾患；目の新血管新生；慢性及び急性の腎疾患におけるメサンギウム細胞増殖疾患；乾癬；進行性アテローム；動脈再狭窄；糖尿病；リウマチ様関節炎；慢性喘息；子宮内膜症；自己免疫疾患；並びに、動脈性又は移植後のアテローム性動脈硬化症からなる群より選択される、請求項３記載の使用。
【請求項５】
請求項１記載の医薬の医薬上有効量及び希釈剤を含む、血管新生疾患に関連した疾患を治療及び/又は予防するための抗血管新生活性を有する経口投与用のための医薬組成物。
【請求項６】
溶液、錠剤、ゼラチンカプセル剤、丸剤、シロップ、懸濁液、粉剤、エマルション、顆粒、ミクロスフェア又はナノスフェアである、請求項５記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記疾患が、血管新生疾患に関連した多数の疾患；目の新血管新生；慢性及び急性の腎疾患におけるメサンギウム細胞増殖疾患；乾癬；進行性アテローム；動脈再狭窄；糖尿病；リウマチ様関節炎；慢性喘息；子宮内膜症；自己免疫疾患；並びに、動脈性又は移植後のアテローム性動脈硬化症からなる群より選択される、請求項５又は６記載の医薬組成物。
【請求項８】
請求項１記載の医薬の20％油溶液を示す、血管新生調節疾患に関連した疾患を治療及び/又は予防するための経口投薬形態アビシリン。
【請求項９】
前記疾患が、血管新生疾患に関連した多数の疾患；目の新血管新生；慢性及び急性の腎疾患におけるメサンギウム細胞増殖疾患；乾癬；進行性アテローム；動脈再狭窄；糖尿病；リウマチ様関節炎；慢性喘息；子宮内膜症；自己免疫疾患；並びに、動脈性又は移植後のアテローム性動脈硬化症からなる群より選択される、請求項８記載の経口投薬形態アビシリン。
【請求項１０】
腫瘍性疾患を治療するための請求項８記載の経口投薬形態アビシリンであって、それが、腫瘍性疾患の治療を必要としている対象に経口的に投与される、経口投薬形態アビシリン。
【請求項１１】
80〜100 mg/kg体重の用量で毎日投与される、請求項１０記載の経口投薬形態アビシリン。
【請求項１２】
請求項８記載の経口投薬形態アビシリン及び抗腫瘍薬を含む、腫瘍性疾患のための組合せ医薬であって、該抗腫瘍薬が該経口投薬形態の経口投与と共に投与される、組合せ医薬。
【請求項１３】
前記抗腫瘍薬が、アルキル化剤である、請求項１２記載の組合せ医薬。
【請求項１４】
前記抗腫瘍薬が、シスプラチンである、請求項１２記載の組合せ医薬。
【請求項１５】
腫瘍細胞を請求項８記載の経口投薬形態アビシリンと接触させることを含む、アポトーシス様メカニズムによって、該腫瘍細胞に対する選択的細胞毒性効果を誘導し及び該腫瘍細胞を死滅させるためのインビトロ方法。
【請求項１６】
アビシリンの投薬量が1000 μg/mLである、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
請求項８記載の経口投薬形態アビシリンを含む抗腫瘍効果を誘導するための医薬組成物。
【請求項１８】
アビシリンの投薬量が２〜11日間で10〜100 mg/kg体重である、請求項１７記載の医薬組成物。
【請求項１９】
請求項８記載の経口投薬形態アビシリンを含む抗再発及び抗転移効果を誘導するための医薬組成物。
【請求項２０】
アビシリンの投薬量が80〜100 mg/kg体重である、請求項１９記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月25日(2011.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式
【化１】
2011514388.tif 000001
［式中、ｎは０又は１を表し、
一方の点線は二重結合を表し、かつ他方の点線は単結合を表し；
それぞれＲ1は、互いに独立して、水素原子を表すか又はメチル基又はエチル基を表し；かつ
少なくとも１つのＲ2基は、メチル基又はエチル基であり、かつ他のものは、水素原子であるか又はメチル基又はエチル基である］
で示され、Ｅ又はＺ配置の異性体、又はその混合物、又は光学活性体又はラセミ体の形の化合物の、付香成分としての使用。
【請求項２】
前記式（Ｉ）の化合物が、式
【化２】
2011514388.tif 000002
［式中、一方の点線は二重結合を表し、かつ他方の点線は単結合を表し；
それぞれＲ3は、互いに独立して、水素原子を表すか又はメチル基又はエチル基を表し；かつ
１つのＲ4基はメチル基又はエチル基であり、かつ他のＲ4基は水素原子であるか、又はメチル基又はエチル基である］
で示され、Ｅ又はＺ配置の異性体、又はその混合物、又は光学活性体又はラセミ体の形の化合物である、請求項１記載の使用。
【請求項３】
前記式（Ｉ）の化合物が、式
【化３】
2011514388.tif 000003
［式中、それぞれＲ3は、互いに独立して、水素原子を表すか又はメチル基又はエチル基を表し；かつ
１つのＲ4基はメチル基又はエチル基であり、かつ他のＲ4基は水素原子であるか、又はメチル基又はエチル基である］
で示され、Ｅ又はＺ配置の異性体、又はその混合物、又は光学活性体又はラセミ体の形の化合物である、請求項１記載の使用。
【請求項４】
前記式（Ｉ）の化合物が、Ｅ又はＺ配置の異性体又はその混合物の形の１−［２−メチル−３−ペンテニル］−シクロペンタノールである、請求項１記載の使用。
【請求項５】
ｉ）請求項１から４までのいずれか１項に定義された式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物；
ｉｉ）香料キャリヤー及び香料ベースからなる群から選択される少なくとも１つの成分；及び
ｉｉｉ）場合により少なくとも１つの香料補助剤
を含んでなる、付香成分。
【請求項６】
ｉ）請求項１から４までのいずれか１項に定義された式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物；及び
ｉｉ）消費者製品ベース
を含んでなる、付香された物品。
【請求項７】
消費者製品ベースが、固体洗剤又は液体洗剤、織物柔軟剤、香水、コロン又はアフターシェーブローション、付香せっけん、シャワー又はバスソルト、ムース、油又はゲル、衛生製品、ヘアケア製品、シャンプー、ボディケア製品、デオドラント又は制汗剤、エアフレッシュナー、化粧品、ファブリックリフレッシュナー、アイロンウォーター、紙、ワイプクロス又は漂白剤である、請求項６記載の付香された物品。
【請求項８】
式
【化４】
2011514388.tif 000004
［式中、ｎが０であり；
それぞれＲ1は、互いに独立して、水素原子を表すか又はメチル基又はエチル基を表し；かつ
少なくとも１つのＲ2基は、メチル基又はエチル基であり、かつ他のものは、水素原子であるか、又はメチル基又はエチル基を表す］
で示され、Ｅ又はＺ配置の異性体、又はその混合物、又は光学活性体又はラセミ体の形の化合物。
【請求項９】
式
【化５】
2011514388.tif 000005
［式中、一方の点線は二重結合を表し、かつ他方の点線は単結合を表し；
それぞれＲ3は、互いに独立して、水素原子を表すか又はメチル基又はエチル基を表し；かつ
１つのＲ4基は、メチル基又はエチル基であり、かつ他のＲ4基は、水素原子であるか、又はそれぞれＲ4は、互いに独立して、メチル基又はエチル基を表す］
で示され、Ｅ又はＺ配置の異性体、又はその混合物、又は光学活性体又はラセミ体の形の化合物である、請求項８記載の化合物。
【請求項１０】
請求項８記載の化合物としての、配置Ｅ又はＺの異性体又はその混合物の形の１−［２−メチル−３−ペンテニル］−シクロペンタノール。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月6日(2011.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
哺乳類における慢性神経性炎症を治療するための医薬組成物であって、治療上有効量の、オピオイドペプチド結合ドメイン、クロストリジウム毒素転位置ドメインおよびクロストリジウム毒素酵素ドメインを含む改変クロストリジウム毒素を含み、ここで、該医薬組成物の投与が炎症誘導性分子の放出を低下させ、それにより、慢性神経性炎症に関連する症状が軽減される、医薬組成物。
【請求項２】
改変クロストリジウム毒素が、一本のポリペプチドのアミノからカルボキシルへの直線状の順序で、1)クロストリジウム毒素酵素ドメイン、クロストリジウム毒素転位置ドメイン、オピオイドペプチド結合ドメイン、2)クロストリジウム毒素酵素ドメイン、オピオイドペプチド結合ドメイン、クロストリジウム毒素転位置ドメイン、3)オピオイドペプチド結合ドメイン、クロストリジウム毒素転位置ドメイン、およびクロストリジウム毒素酵素ドメイン、4)オピオイドペプチド結合ドメイン、クロストリジウム毒素酵素ドメイン、クロストリジウム毒素転位置ドメイン、5)クロストリジウム毒素転位置ドメイン、クロストリジウム毒素酵素ドメインおよびオピオイドペプチド結合ドメイン、または6)クロストリジウム毒素転位置ドメイン、オピオイドペプチド結合ドメイン およびクロストリジウム毒素酵素ドメインを含む請求項 1の医薬組成物。
【請求項３】
オピオイドペプチド結合ドメインが、エンケファリン、BAM22 ペプチド、エンドモルフィン、エンドルフィン、ダイノルフィン、ノシセプチンまたはヘモルフィンである請求項 1または２の医薬組成物。
【請求項４】
クロストリジウム毒素転位置ドメインが、BoNT/A 転位置ドメイン、BoNT/B 転位置ドメイン、BoNT/C1 転位置ドメイン、BoNT/D 転位置ドメイン、BoNT/E 転位置ドメイン、BoNT/F 転位置ドメイン、BoNT/G 転位置ドメイン、TeNT 転位置ドメイン、BaNT 転位置ドメイン、またはBuNT 転位置ドメインである請求項 1から３いずれかの医薬組成物。
【請求項５】
クロストリジウム毒素酵素ドメインが、BoNT/A 酵素ドメイン、BoNT/B 酵素ドメイン、BoNT/C1 酵素ドメイン、BoNT/D 酵素ドメイン、BoNT/E 酵素ドメイン、BoNT/F 酵素ドメイン、BoNT/G 酵素ドメイン、TeNT 酵素ドメイン、BaNT 酵素ドメイン、またはBuNT 酵素ドメインである請求項 1から４いずれかの医薬組成物。
【請求項６】
哺乳類における慢性神経性炎症を治療するための医薬組成物であって、治療上有効量の、オピオイドペプチド結合ドメイン、クロストリジウム毒素転位置ドメイン、クロストリジウム毒素酵素ドメイン、および外来性プロテアーゼ切断部位を含む改変クロストリジウム毒素を含み、ここで、該医薬組成物の投与が、炎症誘導性分子の放出を低下させ、それによって慢性神経性炎症に関連する症状が低減される、医薬組成物。
【請求項７】
改変クロストリジウム毒素が、一本のポリペプチドのアミノからカルボキシルへの直線状の順序で、 1)クロストリジウム毒素酵素ドメイン、外来性プロテアーゼ切断部位、クロストリジウム毒素転位置ドメイン、オピオイドペプチド結合ドメイン、2)クロストリジウム毒素酵素ドメイン、外来性プロテアーゼ切断部位、オピオイドペプチド結合ドメイン、クロストリジウム毒素転位置ドメイン、3)オピオイドペプチド結合ドメイン、クロストリジウム毒素転位置ドメイン、外来性プロテアーゼ切断部位およびクロストリジウム毒素酵素ドメイン、4)オピオイドペプチド結合ドメイン、クロストリジウム毒素酵素ドメイン、外来性プロテアーゼ切断部位、クロストリジウム毒素転位置ドメイン、5)クロストリジウム毒素転位置ドメイン、外来性プロテアーゼ切断部位、クロストリジウム毒素酵素ドメインおよびオピオイドペプチド結合ドメイン、または6)クロストリジウム毒素転位置ドメイン、外来性プロテアーゼ切断部位、オピオイドペプチド結合ドメイン およびクロストリジウム毒素酵素ドメインを含む請求項 6の医薬組成物。
【請求項８】
オピオイドペプチド結合ドメインが、エンケファリン、BAM22 ペプチド、エンドモルフィン、エンドルフィン、ダイノルフィン、ノシセプチンまたはヘモルフィンである請求項 6または７の医薬組成物。
【請求項９】
クロストリジウム毒素転位置ドメインが、 BoNT/A 転位置ドメイン、BoNT/B 転位置ドメイン、BoNT/C1 転位置ドメイン、BoNT/D 転位置ドメイン、BoNT/E 転位置ドメイン、BoNT/F 転位置ドメイン、BoNT/G 転位置ドメイン、TeNT 転位置ドメイン、BaNT 転位置ドメイン、またはBuNT 転位置ドメインである請求項 6から８いずれかの医薬組成物。
【請求項１０】
クロストリジウム毒素酵素ドメインが、BoNT/A 酵素ドメイン、BoNT/B 酵素ドメイン、BoNT/C1 酵素ドメイン、BoNT/D 酵素ドメイン、BoNT/E 酵素ドメイン、BoNT/F 酵素ドメイン、BoNT/G 酵素ドメイン、TeNT 酵素ドメイン、BaNT 酵素ドメイン、またはBuNT 酵素ドメインである請求項 6から９いずれかの医薬組成物。
【請求項１１】
外来性プロテアーゼ切断部位が、植物パパイン切断部位、昆虫パパイン切断部位、甲殻類パパイン切断部位、エンテロキナーゼ切断部位、ヒトライノウイルス 3C プロテアーゼ切断部位、ヒトエンテロウイルス 3C プロテアーゼ切断部位、タバコエッチウイルスプロテアーゼ切断部位、タバコ葉脈はん紋ウイルス切断部位、サブチリシン切断部位、ヒドロキシルアミン切断部位、またはカスパーゼ 3 切断部位である請求項 6から１０いずれかの医薬組成物。
【請求項１２】
必要とする哺乳類における慢性神経性炎症の治療用医薬の製造における改変クロストリジウム毒素の使用であって、改変クロストリジウム毒素が、オピオイドペプチド結合ドメイン、クロストリジウム毒素転位置ドメインおよびクロストリジウム毒素酵素ドメイン、および外来性プロテアーゼ切断部位を含み、治療上有効量の医薬の哺乳類への投与が炎症誘導性分子の放出を低下させ、それにより慢性神経性炎症に関連する症状が低減される使用。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月15日(2011.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイ（１０４）、基盤（１１４）及び熱伝達装置を含む集積回路（１０２）であって、
前記ダイから熱を吸収する熱伝導面（２０８）を有し、前記基盤上に配置され、前記熱伝導面と前記ダイとの間に間隙（１０６）を維持するように形状づけられた蓋（１０８）と、
前記蓋と前記熱伝導面との間の間隙に配置され、前記蓋と前記ダイとの間に熱伝導性接着剤を供給する熱界面材料（１１０）とを含む、集積回路。
【請求項２】
ダイ（１０４）、基盤（１１４）及び熱伝達装置を含む集積回路（１０２）であって、
前記ダイから熱を吸収する熱伝導面（２０８）及び複数のハードストップ（２０２）であって前記基盤上に配置され、前記熱伝導面と前記ダイとの間に間隙（１０６）を維持するように形状づけられた複数のハードストップを備える蓋（１０８）と、
前記蓋と前記熱伝導面との間の間隙に配置され、前記蓋と前記ダイとの間に熱伝導性接着剤を供給する第１の熱界面材料（１１０）と、
前記ダイとは前記熱伝導面の反対側で前記蓋に係合するヒートシンク（１１２）と、
前記蓋と前記ヒートシンクとの間に配置され、前記蓋と前記ヒートシンクとの間に熱伝導性接着剤を供給する第２の熱界面材料（１１０）とを含む、集積回路。
【請求項３】
ダイを有する集積回路を冷却する方法であって、
ハードストップを含む熱伝導蓋を前記集積回路の表面に第１の熱伝導性接着剤により固定すること、
ヒートシンクを前記熱伝導蓋に第２の熱伝導性接着剤により貼付することを含み、
前記ハードストップは前記熱伝導蓋と前記ダイとの間のボンドライン間隔を制限し、また前記第１の熱伝導性接着剤は酸化アルミニウムで満たされた室温加硫型シリコンを含む、集積回路を冷却する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月31日(2011.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの基板を結合させる方法であって、結合させる前に、該基板（１，３）の結合表面（７，９）上に気体流（１３）を供給し、該気体流（１３）は、該基板が接触するまで該２つの基板（１，３）の間に供給されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記２つの基板が半導体基板であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
気体流（１３）が層流であることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
気体流（１３）が該基板（１，３）の表面（７，９）に平行であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
気体流（１３，１３’）が室温から１００℃までの範囲の温度を有することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
気体流（１３，１３’）が、該２つの基板（１，３）の熱処理中に供給されることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
気体流（１３’）を加熱し、該熱処理の少なくとも一部が、加熱された気体流（１３’）を用いて実施されることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
該熱処理が、完全に、加熱された気体流（１３’）を用いて実施されることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
気体流（１３）が１０×１０-3Ｗ／ｍＫより良好な熱伝導率を有することを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
気体流（１３）が、窒素および／または不活性ガスを含むことを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記気体流がアルゴンを含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
気体流（１３）は、酸化性雰囲気、および／または乾燥環境中に供給されることを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記酸化性雰囲気が、空気すなわちＮ2中２０％Ｏ2であることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
２つの基板（１，３）を結合するための装置であって、該装置は、該２つの基板（１．３）の間に気体流（１３）を供給するための手段（２５ａ，２５ｂ）を含み、該手段（２５ａ，２５ｂ）は、通気システム（２５ａ）および／または吸引システム（２５ｂ）および／または１つまたは複数の気体注入口を含むことを特徴とする装置。
【請求項１５】
該手段（２５ａ，２５ｂ）は、該２つの基板の表面（７，９）に平行な気体流（１３）を供給することを特徴とする請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
該気体流を供給するための手段（２５ａ，２５ｂ）は、該気体流を加熱するための手段（２７）をさらに含むことを特徴とする請求項１４または１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記加熱するための手段（２７）は、該気体流を１００℃まで加熱するための手段であることを特徴とする請求項１６に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月13日(2011.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースステーションと複数のモバイルステーションとの間のマルチユーザ・マルチ入力・マルチ出力（ＭＵ−ＭＩＭＯ）をサポートするワイヤレス通信システムにおいて使用するベースステーションにおいて、
モバイルステーションから受信したセル間干渉情報に応答してモバイルステーションに対するＣＱＩを計算する形態とされているチャンネル品質インジケータ（ＣＱＩ）計算器、
ＣＱＩに応答してスケジューリング決定を行う形態とされているスケジューラ、
該スケジューリング決定に従ってデータをモバイルステーションへ送信する形態とされているＭＵ−ＭＩＭＯ送信機、
を有しているベースステーション。
【請求項２】
請求項１において、モバイルステーションから受信したセル間干渉情報に加えて、空間的サブチャンネルに対する使用スキーム情報及び等価チャンネルマトリクス情報を使用してＣＱＩ計算器にいおってＣＱＩが計算されるベースステーション。
【請求項３】
請求項２において、モバイルステーションから受信したセル間干渉情報が、モバイルステーションにおいて受信される信号に対する平均値及び標準偏差を有しているベースステーション。
【請求項４】
請求項３において、モバイルステーションから受信したセル間干渉情報が、コードブックからのインデックスを有しており、該インデックスがモバイルステーションにおける測定信号を表しているベースステーション。
【請求項５】
請求項１において、更に、コードブックを格納する形態とされているコードブックモジュールを有しているベースステーション。
【請求項６】
請求項５において、該コードブックモジュールが該コードブックをモバイルステーションに配布する形態とされているベースステーション。
【請求項７】
請求項１において、ＣＱＩ計算器が種々の使用スキームに対しモバイルステーションに関連するＣＱＩを計算し且つ計算されたＣＱＩに応答してスケジューリング決定を行うベースステーション。
【請求項８】
ベースステーションと複数のモバイルステーションとの間のマルチユーザ・マルチ入力・マルチ出力（ＭＵ−ＭＩＭＯ）をサポートするワイヤレス通信システムにおいて使用するモバイルステーションにおいて、
複数の入ってくる信号を受信し且つ測定する形態とされている信号受信・測定モジュール、
セル間干渉情報を決定する形態とされている干渉決定モジュール、
チャンネル品質インジケータ（ＣＱＩ）を計算する場合に使用するためにセル間干渉情報をベースステーションへ送信する形態とされている送信機、
を有しているモバイルステーション。
【請求項９】
請求項８において、該干渉決定モジュールが、受信信号に対する平均値及び標準偏差を計算する形態とされている干渉計算器を有しているモバイルステーション。
【請求項１０】
請求項８において、該干渉決定モジュールが、受信信号に応答してコードブックからのインデックスを選択する形態とされているインデックスセレクタを有しているモバイルステーション。
【請求項１１】
請求項１０において、該平均値及び標準偏差が、該インデックスがベースステーションへ送信される間隔よりも一層長い間隔でベースステーションへ送信されるモバイルステーション。
【請求項１２】
請求項１０において、更に、コードブックを格納する形態とされているコードブックモジュールを有しているモバイルステーション。
【請求項１３】
ワイヤレス通信システムにおいて使用可能なベースステーション用の方法において、
ベースステーションにおいて、
モバイルステーションから受信したセル間干渉情報を使用して該モバイルステーションに対するチャンネル品質インジケータ（ＣＱＩ）を計算し、
該ＣＱＩに応答してスケジューリング決定を行い、且つ
該スケジューリング決定に従って該モバイルステーションへデータを送信する、
ことを包含している方法。
【請求項１４】
請求項１３において、該ＣＱＩが、該モバイルステーションから受信した該セル間干渉情報に加えて、空間的サブステーションに対する利用スキーム情報及び等価チャンネルマトリクス情報を使用して、該ベースステーションにおいて計算される方法。
【請求項１５】
請求項１３において、更に、該ベースステーションにおいて、インデックスが該ベースステーションへ供給される間隔よりも一層長い間隔で該モバイルステーションから平均値及び標準偏差を受け取ることを包含している方法。
【請求項１６】
請求項１３において、更に、該ベースステーションにおいて、種々の利用スキームに対し該モバイルステーションに関連するＣＱＩを計算し、且つ該計算したＣＱＩに応答してスケジューリング決定を行う、ことを包含している方法。
【請求項１７】
ワイヤレス通信システムにおいて使用可能なモバイルステーション用の方法において、
モバイルステーションにおいて、
複数個の入ってくる信号を受信し且つ測定し、
セル間干渉情報を発生し、且つ
チャンネル品質インジケータ（ＣＱＩ）を計算する場合に使用するために、該セル間干渉情報を該ベースステーションへ送信する、
ことを包含している方法。
【請求項１８】
請求項１７において、セル間干渉情報を発生する場合に、受信信号に対して平均値及び標準偏差を計算する方法。
【請求項１９】
請求項１８において、セル間干渉情報を発生する場合に、受信信号に応答してコードブックからインデックスを選択する方法。
【請求項２０】
請求項１８において、該インデックスが該ベースステーションへ送信される間隔よりも一層長い間隔で、該平均値及標準偏差が該ベースステーションへ送信される方法。
【請求項２１】
請求項１乃至７の内のいずれかのベースステーションを包含しているシステム。
【請求項２２】
請求項８乃至１２の内のいずれかのモバイルステーションを包含しているシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月19日(2011.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
芯材（２）と芯材（２）を包囲する保護膜（４）とを備え、少なくとも碍子（１；１０）の一部（１５；１６）において、
芯材（２）と保護膜（４）との間に、碍子の電界に影響を及ぼす粒子を充填剤として含む電界制御膜（３）が配置されている複合碍子（１；１０）であって、電界制御膜（３）が層（３１，３２）を有し、該層（３１，３２）の長さに亘って、該電界に影響を及ぼす粒子の比率が異なることを特徴とする複合碍子。
【請求項２】
電界制御膜（３）が１つ又は２以上の層（３１，３２）からなり、個々の層（３１，３２）が異なる電界制御特性を持つことを特徴とする請求項１記載の複合碍子。
【請求項３】
電界制御膜（３）が１つの層（３１，３２）からなり、抵抗性又は容量性の粒子のみを充填剤として含むことを特徴とする請求項１又は２記載の複合碍子。
【請求項４】
電界制御膜（３）が少なくとも２つの層（３１，３２）からなり、該層（３１，３２）のうちの１つの層における抵抗性又は容量性の粒子の比率が他の層よりも高いことを特徴とする請求項１又は２記載の複合碍子。
【請求項５】
電界制御膜（３）が少なくとも２つの層（３１，３２）からなり、該層のうちの１つの層（３１）が抵抗性の粒子のみを含み、他の層（３２）が容量性の粒子のみを含むことを特徴とする請求項１又は２記載の複合碍子。
【請求項６】
電界制御膜が１つの層（３１，３２）からなり、抵抗性の粒子と容量性の粒子との混合物を含むことを特徴とする請求項１又は２記載の複合碍子。
【請求項７】
電界制御膜が少なくとも２つの層（３１，３２）からなり、１つの層が抵抗性の粒子と容量性の粒子との混合物を含み、他の層が抵抗性又は容量性の粒子のみを含むことを特徴とする請求項１又は２記載の複合碍子。
【請求項８】
１つの電界制御膜の複数の層（３１，３２）が互いに重なり合っている場合に、電界に対する作用に応じて、それらの層（３１，３２）の順序又は組成が交互に変化することを特徴とする請求項１又は７記載の複合碍子。
【請求項９】
容量性又は抵抗性の粒子の比率が、電界制御膜の個々の層（３１，３２）において、異なっていることを特徴とする請求項８記載の複合碍子。
【請求項１０】
電界制御膜（３）が、碍子（１０）の芯材（２）の長さに亘って、複数の個別の部分（１５）に形成されていることを特徴とする請求項１又は９記載の複合碍子。
【請求項１１】
個別の部分に分割され且つ少なくとも２つの層（３１，３２）からなる電界制御膜の場合に、膜のない部分との境界領域において、１つの層（３１，３２）が他の層よりも長く、その上又はその下にある他の層（３１，３２）を越えて更に膜のない部分にまで達していることを特徴とする請求項１０記載の複合碍子。
【請求項１２】
電界制御膜の個々の層（３１，３２）が、絶縁材料からなる層によって、互いに分離されていることを特徴とする請求項１又は１１記載の複合碍子。
【請求項１３】
１つの膜内の粒子の比率が、５０〜９０重量％であることを特徴とする請求項１乃至１２の１つに記載の複合碍子。
【請求項１４】
粒子の比率がパーコレーション閾値を上回っていることを特徴とする請求項１３記載の複合碍子。
【請求項１５】
芯材（２）及び芯材（２）を包囲する保護膜（４）を有する複合碍子（１；１０）、特に請求項１乃至１４の１つに記載の複合碍子（１；１０）、を製造するための方法において、
碍子（１；１０）の芯材（２）の上に、少なくとも一部分（１５；１６）において、碍子の電界に影響を及ぼす粒子の比率が膜の長さに亘って変化するエラストマ材料からなる少なくとも１つの層（３１，３２）を備える電界制御膜（３）を形成すること、形成した電界制御膜（３）を有する芯材（２）の全体を保護膜（４）で覆うこと、及び、碍子（１；１０）にプラスチックの加硫のための熱処理（２７）を施すことを特徴とする方法。
【請求項１６】
電界に対して異なる作用を有する少なくとも２つの層（３１，３２）で電界制御膜（３）を形成することを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
碍子の芯材（２）の複数の部分（１５）に電界制御膜（３）を形成することを特徴とする請求項１５又は１６の１つに記載の方法。
【請求項１８】
電界制御膜（３）が個別の部分に分割され、かつ少なくとも２つの層（３１，３２）からなる場合に、膜のない部分との境界範囲において、１つの層（３１，３２）を、その上又はその下にある層（３１，３２）を越えて更に膜のない部分に到るまで形成することを特徴とする請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
碍子（１；１０）の電界に影響を及ぼす粒子の添加が、芯材（２）への電界制御膜（３）の層（３１，３２）形成時に、押出成形物に対して異なる量で行なわれることを特徴とする請求項１５乃至１８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月26日(2011.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記無線リンクの前記現在の状態は、使用される前記ネットワークにおける現在のトラフィック負荷をモニタすることにより評価されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月2日(2011.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非常に高純度のハロゲンシランを製造するために、工業的な純度のハロゲンシラン中にある周期表の第三主族の元素の含分を低減させる方法であって、以下の工程：
ａ）当該元素の化合物との錯体を形成するために、精製すべきハロゲンシランにトリフェニルメチルクロリドを加える工程、
ｂ）蒸留による錯体の除去によって非常に高純度のハロゲンシランを得る工程、
から成る、前記方法。
【請求項２】
錯体を形成するために、精製すべきハロゲンシランにトリフェニルメチルクロリドを加える工程（ａ）を、錯体化のための装置（２）内で行い、
工程（ｂ）で錯体を分離するために、該装置からハロゲンシランと錯体を少なくとも部分的に蒸留塔（３）に移す、
ことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程（ａ）及び（ｂ）が、冶金法シリコンの反応から出発して非常に高純度のハロゲンシランを製造するための連続的な方法に結合されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
ホウ素及び／又はアルミニウムの含分が低減されることを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
ホウ素及びアルミニウムの含分が低減されることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記ハロゲンシランが、クロロシランに相応することを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記ハロゲンシランが、テトラクロロシラン、及び／又はトリクロロシランに相応することを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
工業的な純度のハロゲンシラン中にある、トリフェニルメチルクロリドと錯体を形成する不純物の含分を測定することを特徴とする、請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
周期表の第三主族の元素の含分がそれぞれ、≦３０μ／ｋｇである非常に高純度のハロゲンシランが得られることを特徴とする、請求項１から８までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
非常に高純度のハロゲンシランを製造するために、工業的な純度のハロゲンシラン中にある周期表の第三主族の元素の含分を低減させるための装置（１）であって、
当該元素を含む化合物を錯体化するための少なくとも１つの装置（２）、及び
錯体化のための装置に配置された蒸留塔（３）
を含む、前記装置。
【請求項１１】
前記蒸留塔（３）が、錯体化のための少なくとも１つの装置（２）の下流に後接続されていることを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記蒸留塔に、吹き込み部、及び少なくとも１つの蒸留受け器が配置されていることを特徴とする、請求項１０又は１１に記載の装置。
【請求項１３】
錯体化のための装置（２）に、供給装置が配置されていることを特徴とする、請求項１０から１２までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項１４】
装置（１）が、冶金法シリコンを反応させるための反応器を含む全体の装置に組み込まれていることを特徴とする、請求項１０から１３までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項１５】
請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法を実施するための、請求項１０から１４までのいずれか１項に記載の装置の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月6日(2010.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１と第２のシールバーを含み、前記第１のシールバーが変形可能なシール面を有して成る対設された一対のシールバー。
【請求項２】
第１と第２のシールバーを含み、前記第１のシールバーが変形可能なシール面を有して成る対設された一対のシールバーであって、該一対のシールバーの間に第１と第２のウェブ状のシートとジッパーとが配設されるようにした対設された一対のシールバー。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年10月24日(2011.10.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの軸受ブロック（１２０）と、この少なくとも１つの軸受ブロック内に回転可能に軸受けされた、ストリップ（２００）を案内するローラ（１３０）と、ストリップを案内する際にローラに作用するローラ荷重を検出するための測定装置（１４０）を有し、測定装置（１４０）が、ストリップ（２００）を案内する際の軸受ブロック（１２０）の変形を検出するためのセンサ装置（１４２）と、センサ装置（１４２）によって検出された軸受ブロックの変形からローラ（１３０）に作用するローラ荷重を計算するための評価装置（１４４）と有する、金属ストリップの形態のストリップ（２００）を案内するための装置（１００）において、
その変形が測定される軸受ブロック（１２０）が、センサ装置（１４２）及び／又は評価装置（１４４）を収容するための空所（１２２）又は切欠きを備えることを特徴とする装置。
【請求項２】
センサ装置（１４２）が、超音波式センサ、渦電流式センサ、光ファイバ式距離センサ又はタッチプローブの形態で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
その変形を測定すべき軸受ブロック（１２０）が、適当な弱所（１２４）を備え、ストリップ（２００）を案内する際のその変形が、ローラ（１３０）に作用するローラ荷重を計算するためにセンサ装置（１４２）によって検出可能であることを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
弱所（１２４）が、スリットの形態で形成されており、このスリットが、ストリップを案内する際に変形するように、軸受ブロック（１２０）内で、ローラのネックを収容するための孔（１２１）の近傍に配設されていることを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項５】
距離センサ（１４２）が、ストリップを案内する際のスリットの変形を検出するために配設されていることを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項６】
軸受ブロックが、支持装置（１１０）に固定されており、その前に接続された鋳造装置から来る金属ストリップの形態のストリップを案内するために、装置（１００）がストランドガイド装置として形成され、支持装置（１１０）がセグメントフレームとして形成され、ローラ（１３０）がセグメントローラとして形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の装置。
【請求項７】
軸受ブロックが、支持装置（１１０）に固定されており、金属ストリップの形態のストリップ（２００）の案内及び圧延をするために、装置（１００）がロールスタンドとして形成され、支持装置（１１０）がハウジングとして形成され、ローラ（１３０）がワークロール又はバックアップロールとして形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の装置。
【請求項８】
装置（１００）が、ストリップ（２００）の一部を一時貯蔵するためのルーパとして形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
軸受ブロックが、適当な弱所を備え、ストリップを案内する際のその変形が、ローラに作用するローラ荷重を計算するためにセンサ装置によって簡単に検出可能である場合が有利である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
図２は、軸受ブロック１２０の横断面図を示す。そのネックを収容することによってローラ１３０を軸受けするための孔１２１が形成されている。軸受ブロック１２０は、ネジ継手１２８によって支持装置１１０に固定されている。軸受ブロック１２０は、スリットの形態の人工の弱所１２４を備える。更に、図２には、軸受ブロック１２０の空所１２２又は切欠き内に、センサ装置１４２とこれに付設された評価装置１４４を有する測定装置１４０が認められる（軸受ブロック１２０の空所１２２又は切欠き内には、センサ装置１４２と評価装置１４４のどちらか一方が収容されていてもよい）。センサ装置１４２は、負荷時、即ちストリップ２００を案内する際、の軸受ブロックの変形を検出するために使用される。評価装置１４４は、センサ装置１４２によって検出された軸受ブロックの変形から求められるローラ１３０に作用する負荷時のローラ荷重を計算するために使用される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
図３Ｂは、負荷により変形した軸受ブロックの例を誇張して示す。従って、ストランドガイド装置の弱所もしくはスリットの領域の軸受ブロックの変形は、最大許容ローラ荷重でも０．０２〜０．０３ｍｍに過ぎない。このオーダーの形状変化は、問題なく測定可能であり、その点で、ローラに作用するローラ荷重を計算するために十分な大きさの測定信号を可能にする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月28日(2011.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）０．３〜５．０質量％のフマル酸水素フェソテロジン、
（ｂ）５〜２５質量％のキシリトール、
（ｃ）２０〜４０質量％の、４５〜８０質量％のラクトース一水和物および５５〜２０質量％の微晶質セルロースを含む混合物、
（ｄ）２０〜６５質量％のヒドロキシプロピルメチルセルロース、
（ｅ）１〜５質量％のグリセロールジベヘナートおよび
（ｆ）１〜５質量％のタルク
を含む医薬組成物。
【請求項２】
（ａ）４．０ｍｇのフマル酸水素フェソテロジン、
（ｂ）３２〜４０ｍｇの平均粒径が０．００１〜０．３０ｍｍのキシリトール、
（ｃ）１１５〜１３０ｍｇの、４５〜８０質量％のラクトース一水和物および５５〜２０質量％の微晶質セルロースを含む混合物、
（ｄ）６５〜７５ｍｇの、水に溶解した場合（２質量％）の公称粘度が１００，０００ｍＰａ・ｓのヒドロキシプロピルメチルセルロース、
（ｅ）６５〜７５ｍｇの、水に溶解した場合（２質量％）の公称粘度が４，０００ｍＰａ・ｓのヒドロキシプロピルメチルセルロース、
（ｆ）８〜１２ｍｇのグリセロールジベヘナート、
（ｇ）７〜１０ｍｇのタルク、および
（ｈ）コーティング剤
を含む、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
（ａ）８．０ｍｇのフマル酸水素フェソテロジン、
（ｂ）６５〜８０ｍｇの平均粒径が０．００１〜０．３０ｍｍのキシリトール、
（ｃ）７０〜８５ｍｇの、４５〜８０質量％のラクトース一水和物および５５〜２０質量％の微晶質セルロースを含む混合物、
（ｄ）１１０〜１３０ｍｇの、水に溶解した場合（２質量％）の公称粘度が１００，０００ｍＰａ・ｓのヒドロキシプロピルメチルセルロース、
（ｅ）２０〜３０ｍｇの、水に溶解した場合（２質量％）の公称粘度が４，０００ｍＰａ・ｓのヒドロキシプロピルメチルセルロースＨＰＭＣ、
（ｆ）８〜１２ｍｇのグリセロールジベヘナート、
（ｇ）７〜１０ｍｇのタルク、および
（ｈ）コーティング剤
を含む、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項４】
過活動膀胱を治療するための、請求項１から３までのいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項５】
過活動膀胱が尿失禁、急迫性尿失禁、尿意切迫および／または尿意頻数の増加からなる群から選択される症状と関連付けられる、請求項４に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月30日(2010.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の式Ｉの化合物並びにその薬学的に許容される塩及び溶媒和化合物。
【化１】
2009539822.tif 000001
式中、
Ｒ1はＨ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｆ、Ｍｅ、ＮＯ2又はＯＭｅであり、
Ｒ2はアルキル基であり、
Ｒ3は炭素原子数１〜４の直鎖又は枝分れアルキル鎖である。
【請求項２】
Ｒ1がパラ位のハロゲンであり、Ｒ2がメチル又はエチル基であり、Ｒ3の炭素原子数が１又は２である、請求項１記載の化合物。
【請求項３】
標識の合成方法であって、
（ａ）乾燥18Ｆを用意し、
（ｂ）次の式ＩＩの出発物質の溶液を用意し
【化２】
2009539822.tif 000002
（式中、
Ｒ1はＨ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｆ、Ｍｅ、ＮＯ2又はＯＭｅであり、
Ｒ2はアルキル基であり、
Ｒ3は炭素原子数１〜４の直鎖又は枝分れアルキル鎖であり、
Ｌは脱離基である。）、
（ｃ）出発物質の溶液を乾燥18Ｆに加えて、混合物を所定時間加熱し、
（ｄ）得られた式Ｉの化合物を回収する
ことを含む方法。
【請求項４】
Ｒ1がパラ位のハロゲンであり、Ｒ2がメチル又はエチル基であり、Ｒ3の炭素原子数が１又は２である、請求項３記載の方法。
【請求項５】
ＬがＴｓＯ、ＭｓＯ、Ｃｌ又はＢｒである、請求項３又は請求項４記載の方法。
【請求項６】
標識の合成が自動化装置で実施される、請求項３乃至請求項５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
次の式Ｉの化合物並びにその薬学的に許容される塩及び溶媒和化合物を含むＰＥＴ検査用キット。
【化３】
2009539822.tif 000003
式中、
Ｒ1はＨ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｆ、Ｍｅ、ＮＯ2又はＯＭｅであり、
Ｒ2はアルキル基であり、
Ｒ3は炭素原子数１〜４の直鎖又は枝分れアルキル鎖である。
【請求項８】
放射線防護剤、抗菌保存剤、ｐＨ調整剤又は賦形剤をさらに含む、請求項７記載のキット。
【請求項９】
前記放射線防護剤が、アスコルビン酸、パラアミノ安息香酸、ゲンチシン酸及びそれらの塩から選択される、請求項８記載のキット。
【請求項１０】
前記抗菌保存剤が、パラベン、ベンジルアルコール、フェノール、クレゾール、セトリミド及びチオメルサールから選択される、請求項８記載のキット。
【請求項１１】
前記ｐＨ調整剤が、薬学的に許容される緩衝液、薬学的に許容される塩基又はそれらの混合物である、請求項８記載のキット。
【請求項１２】
前記賦形剤が無機塩、水溶性の糖又は糖アルコールである、請求項８記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月14日(2010.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶質形態にある４−［２−（４−メチルフェニル−スルファニル）フェニル］ピペリジン
【化１】
2009539890.tif 000001
および薬学的に許容できるその塩である化合物Ｉ（ただし前記化合物は４−［２−（４−メチルフェニルスルファニル）フェニル］−ピペリジン塩酸付加塩ではないものとする）。
【請求項２】
ＨＢｒ付加塩である、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
ＸＰＲＤにおける約６．０８、１４．８１、１９．２６および２５．３８°２θのピークによって特徴付けられる、請求項２に記載の化合物。
【請求項４】
ＤＬ−乳酸付加塩である、請求項１に記載の化合物。
【請求項５】
ＸＲＰＤにおける約５．３０、８．１８、９．４４および１７．２４°２θのピークによって特徴付けられる、請求項４に記載の化合物。
【請求項６】
グルタル酸付加塩（１：１）である、請求項１に記載の化合物。
【請求項７】
ＸＲＰＤにおける約９．３９、１１．７０、１４．０５および１４．５８°２θのピークによって特徴付けられる、請求項６に記載の化合物。
【請求項８】
マロン酸付加塩（１：１）である、請求項１に記載の化合物。
【請求項９】
ＸＲＰＤにおける１０．７７°、１６．７０°、１９．９３°および２４．０１°２θ、または６．０８°、１０．１１°、１８．２５°および２０．２６°２θのピークによって特徴付けられる、請求項８に記載の化合物。
【請求項１０】
Ｌ−アスパラギン酸付加塩（１：１）またはＬ−アスパラギン酸付加塩水和物（１：１）である、請求項１に記載の化合物。
【請求項１１】
グルタミン酸付加塩（１：１）またはグルタミン酸付加塩一水和物である、請求項１に記載の化合物。
【請求項１２】
治療に使用するための請求項１〜１１のいずれかに記載の化合物。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれかに記載の化合物を薬学的に許容できる賦形剤と共に含む、医薬組成物。
【請求項１４】
慢性疼痛、部分応答者のうつ病、治療抵抗性うつ病、アルツハイマー病、認知障害、ＡＤＨＤ、メランコリー、ＰＴＳＤ、顔面紅潮、睡眠時無呼吸、アルコール、ニコチンもしくは炭水化物渇望、物質乱用、アルコールもしくは薬物乱用、嘔吐、摂食障害、ＩＢＳ、情動障害、うつ病、大うつ病性障害、産後うつ病、双極性障害、アルツハイマー病、精神病もしくはパーキンソン病に関連するうつ病、不安、全般性不安障害、社会不安障害、強迫性障害、パニック障害、パニック発作、恐怖症、社会恐怖症、広場恐怖症または腹圧性尿失禁から選択される疾患を処置するための医薬の製造における、請求項１〜１１のいずれかに記載の化合物の使用。
【請求項１５】
前記疾患が慢性疼痛である、請求項１４に記載の使用。
【請求項１６】
前記慢性疼痛が幻肢痛、神経因性疼痛、糖尿病性神経障害、帯状疱疹後神経痛（ＰＨＮ）、手根管症候群（ＣＴＳ）、ＨＩＶニューロパシー、複合性局所疼痛症候群（ＣＰＲＳ）、三叉神経痛／三叉神経神経痛／疼痛性チック、外科的介入（例えば術後鎮痛薬）、糖尿病性血管障害、膵島炎に関連する毛細血管抵抗または糖尿病症状、アンギナに関連する疼痛、月経に関連する疼痛、がんに関連する疼痛、歯痛、頭痛、片頭痛、緊張型頭痛、三叉神経痛、顎関節症候群、筋筋膜性疼痛筋傷害、線維筋痛症候群、骨関節痛（変形性関節症）、慢性関節リウマチ、熱傷に関連する外傷に起因する慢性関節リウマチおよび浮腫、変形性関節炎、骨粗鬆症、骨転移または未知の理由による捻挫または骨折骨痛、痛風、結合組織炎、筋筋膜性疼痛、胸郭出口症候群、上背部痛または下背部痛（背痛が全身性、局所性、または原発性脊椎疾患（神経根障害）に起因するもの）、骨盤痛、心臓性胸痛、非心臓性胸痛、脊髄傷害（ＳＣＩ）関連疼痛、中枢性卒中後痛、がん性ニューロパシー、ＡＩＤＳ疼痛、鎌状赤血球疼痛および老人性疼痛から選択される、請求項１５に記載の使用。
【請求項１７】
前記慢性疼痛が神経因性疼痛である、請求項１６に記載の使用。
【請求項１８】
前記神経因性疼痛がヒペルパシー、痛覚過敏、ニューロパシー、糖尿病性神経障害、神経炎、神経痛、知覚過敏、カウザルギー、および異痛から選択される、請求項１７に記載の使用。