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【手続補正書】
【提出日】平成23年7月28日(2011.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明アセンブリに取外し可能かつ弾性的に装着可能な光モジュールであって、
熱伝導性の照明アセンブリに熱的に結合可能な装着ベースと、
該装着ベースに装着されたＬＥＤ照明要素と、
前記装着ベースを前記照明モジュールに弾性的に結合できるように構成された１つまたはそれ以上の弾性装着構成要素であって、前記光モジュールが前記照明アセンブリに結合されているときに前記装着ベースに力を加えて前記装着ベースを照明アセンブリに弾性的に接触させ、それにより、前記装着ベースと前記照明アセンブリとが熱的に結合する弾性装着構成要素と、
を備えている光モジュール。
【請求項２】
前記１つまたはそれ以上の弾性装着構成要素が、
前記光モジュールの装着ベースに実質的に均一に及ぶ力で前記装着ベースを前記照明アセンブリに付勢することによって、前記光モジュールを前記照明アセンブリに結合する、請求項１に記載の照明モジュール。
【請求項３】
前記弾性装着構成要素が圧縮バネを含んでいる、請求項１に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記装着ベースが、前記照明要素からの熱を前記照明アセンブリに熱的に伝導するように、熱伝導材料で構成されている、請求項１に記載の光モジュール。
【請求項５】
さらに、
前記光モジュールと前記照明アセンブリとの結合において、前記照明アセンブリの電気接点に電気的に接続可能な電気接点を少なくとも１つ備えている、請求項１に記載の光モジュール。
【請求項６】
前記少なくとも１つの電気接点は、
前記光モジュールが前記照明アセンブリと結合している間、前記照明アセンブリの前記電気接点に回転して接続可能である、請求項５に記載の光モジュール。
【請求項７】
前記装着ベースが前記光モジュールに対して軸方向に可動であり、これにより、主要な熱が、前記装着ベースを介して前記ＬＥＤ照明要素から前記照明アセンブリに伝達される、請求項１に記載の光モジュール。
【請求項８】
熱伝導性の照明アセンブリと、
該照明アセンブリに取外し可能かつ弾性的に装着可能な光モジュールと、を備える照明ユニットであって、
前記光モジュールは、
装着ベース、
該装着にマウントされたＬＥＤ照明要素、および、
前記光モジュールが前記照明アセンブリに結合されたときに、該装着ベースが前記照明アセンブリに弾性的に接触するように前記装着ベースに力を加え、それにより前記装着ベースと前記照明アセンブリとが熱的に結合する１つまたはそれ以上の弾性装着構成要素、を有している、照明ユニット。
【請求項９】
前記照明アセンブリが、さらに、
前記光モジュールが前記照明アセンブリに装着されているときに電気的接続を定めるために、前記光モジュールの電気接点にリリース可能に結合される電気接点を有している、請求項８に記載のユニット。
【請求項１０】
前記光モジュールの前記電気接点が、該光モジュールが前記照明アセンブリと結合している間、前記照明アセンブリの前記電気接点に回転して接続可能である、請求項９に記載のユニット。
【請求項１１】
光モジュールを取外し可能に受ける照明アセンブリであって、
前記光モジュールを取外し可能に受けるように構成された筐体と、
該筐体を介して前記光モジュールと熱的に結合可能な細長い熱伝導コアと、
該コアの周りに装着され、該コアおよび前記筐体と熱接触するハウジングであって、前記光モジュールによって生成されて前記筐体および前記熱伝導コアを介して該ハウジングに伝達された熱を放散させるように構成され、熱放散表面を具備する多数の面積増大構造を介して熱を放散するハウジングと、
を備えている照明アセンブリ。
【請求項１２】
ＬＥＤ照明要素を有する光モジュールと、
略円筒状の凹みを有する照明器具であって、該凹みは、前記光モジュールが当該照明器具に結合されるときに該光モジュールの少なくとも一部を取外し可能に受け入れ、前記光モジュールの少なくとも一部は前記円筒状の凹みの内部に軸方向に導入される、照明器具と、
１つまたはそれ以上の弾性部材であって、前記光モジュールが取外し可能に前記照明器具に結合されるときに圧縮されて前記光モジュールの少なくとも一部に対して略軸方向の力を及ぼすように構成され、それにより、該光モジュールの少なくとも一部を弾性的に押して前記照明器具の表面に弾性接触させ、前記光モジュールの少なくとも一部を前記照明器具に熱的に結合させる、１つまたはそれ以上の弾性部材と、
を備えている照明アセンブリ。
【請求項１３】
前記１つまたはそれ以上の弾性部材が、前記モジュールに配置されている、請求項１２に記載の照明アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月28日(2011.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の波長（λ１）の励起放射光を生成および放射するよう作動できる少なくとも１つの励起源（５）；
少なくとも１つの源（５）を少なくとも一部において囲むように構成され、そこから遠隔に位置するシェード（４）および
シェードの少なくとも一部に備えられる少なくとも１つの蛍光体（１６）を含み、
蛍光体（１６）が入射励起放射光に応じて異なる波長の放射光を発する、
ライティングシステム（１、１８、２３、２５）。
【請求項２】
シェードが、励起エネルギが励起源からシェードへの少なくとも１センチメートルの距離を移動するように構成される、請求項１のライティングシステム。
【請求項３】
シェードの内側表面の少なくとも一部に備えられたもの；シェードの外側表面の少なくとも一部に備えられたもの；第１の蛍光体をシェードの内側表面の少なくとも一部に、および第２の蛍光体をシェードの外側表面の少なくとも一部に備えるもの；シェード（４）の少なくとも一部の内に組み入れられたもの、およびそれらの組み合わせからなる群より選択される、第１および第２の蛍光体をさらに含む、請求項１のライティングシステム。
【請求項４】
少なくとも１つの蛍光体に向かって励起放射光を反射するように構成される反射体（２１ａ）をさらに含む、請求項１のライティングシステム。
【請求項５】
励起源と熱的に連通するヒートシンク手段をさらに含む、請求項１のライティングシステム。
【請求項６】
周辺光の存在を検出するための光感知手段、および周辺光が所定の閾値を下回ると自動的にライティングシステムを切り替えるための回路手段（１１）をさらに含む、請求項１のライティングシステム。
【請求項７】
励起源を動作させるために電気的エネルギを生成するための太陽光発電手段（９）をさらに含む、請求項６のライティングシステム。
【請求項８】
第１の波長（λ１）の励起放射光を生成および放射するよう作動できる少なくとも１つの励起源（５）；
少なくとも１つの源（５）を少なくとも一部において囲むように構成され、そこから遠隔に位置するシェード（４）であって、かつ、少なくとも１つの蛍光体（１６）がシェードの少なくとも一部に備えられる、シェード（４）
を含むタイプの、ライティングシステム（１、１８、２３、２５）のためのシェード（４）。
【請求項９】
シェードが、励起エネルギが励起源からシェードへの少なくとも１センチメートルの距離を移動するように構成される、請求項８のシェード。
【請求項１０】
シェードの内側表面の少なくとも一部に備えられたもの；シェードの外側表面の少なくとも一部に備えられたもの；第１の蛍光体をシェードの内側表面の少なくとも一部に、および第２の蛍光体をシェードの外側表面の少なくとも一部に備えるもの；シェード（４）の内に組み入れられたもの；およびそれらの組み合わせからなる群より選択される、第１および第２の蛍光体をさらに含む、請求項８のシェード。
【請求項１１】
波長３５０から５００ｎｍの励起放射光を生成および放射するよう作動できる少なくとも１つの発光ダイオード（５）；
少なくとも１つの発光ダイオード（５）を少なくとも一部において囲むように構成され、そこから遠隔に位置するシェード（４）；
シェードの少なくとも一部に備えられた少なくとも１つの蛍光体（１６）であって、蛍光体（１６）が入射励起放射光に応じて異なる波長の放射光を発する、蛍光体（１６）；および
発光ダイオードを動作させるために電気的エネルギを生成するための太陽光発電手段（９）
を含む、ライティングシステム（１）。
【請求項１２】
周辺光の存在を検出するための光感知手段、および周辺光が所定の閾値を下回ると自動的にライティングシステムを切り替えるための回路手段（１１）をさらに含む、請求項１１のライティングシステム。
【請求項１３】
波長３５０から５００ｎｍの励起放射光を生成および放射するよう作動できる少なくとも１つの発光ダイオード（５）；
少なくとも１つの発光ダイオード（５）を少なくとも一部において囲むように構成され、そこから遠隔に位置するシェード（４）；
シェードの少なくとも一部に備えられた少なくとも１つの蛍光体（１６）であって、蛍光体（１６）が入射励起放射光に応じて異なる波長の放射光を発する、蛍光体（１６）；および
少なくとも１つの発光ダイオードと熱的に連通するヒートシンク手段
を含む、ライティングシステム。
【請求項１４】
シェードが、励起エネルギが励起源からシェードへの少なくとも１センチメートルの距離を移動するように構成される、請求項１３のライティングシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月4日(2011.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁ハウジングと、
前記ハウジングの内部に配置されたスタックを定めるべく相互接続された、各々が陰極と陽極を備える複数の燃料電池と、
前記ハウジングの外部に位置し、且つ、前記複数の燃料電池の少なくとも一部の前記陰極と前記陽極の間に結合されて、前記燃料電池間の相互接続の構成を可能とするバイパス回路と、を備える固体酸化物燃料電池。
【請求項２】
アクティブ制御素子に結合された中央制御装置を含み、前記バイパス回路が前記アクティブ制御素子を含むことを特徴とする請求項１に記載の固体酸化物燃料電池。
【請求項３】
前記アクティブ制御素子が、精密比較器、精密基準器、及び、論理ドライバを備えていることを特徴とする請求項２に記載の固体酸化物燃料電池。
【請求項４】
前記アクティブ制御素子が、ＮＰＮトランジスタ、ＰＮＰトランジスタ、ＪＦＥＴトランジスタ、半導体の切り替え素子、スイッチ、磁場効果トランジスタ、ＭＯＳＦＥＴ、ダイオード、及び、外部のｐチャンネルＭＯＳＦＥＴから選択されることを特徴とする請求項２に記載の固体酸化物燃料電池。
【請求項５】
前記バイパス回路が受動的に駆動されるダイオードとして動作することを特徴とする請求項１に記載の固体酸化物燃料電池。
【請求項６】
前記バイパス回路がアクティブダイオードとして動作することを特徴とする請求項１に記載の固体酸化物燃料電池。
【請求項７】
前記スタックから欠陥のある燃料電池を分離するように前記燃料電池間の相互接続が構成されることを特徴とする請求項１に記載の固体酸化物燃料電池。
【請求項８】
前記スタックの電圧出力、前記スタックの電流出力、及び、前記スタックの電力出力の少なくとも１つを調整するように前記燃料電池間の相互接続が構成される、ことを特徴とする請求項１に記載の固体酸化物燃料電池。
【請求項９】
前記燃料電池の少なくとも一部が直列に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の固体酸化物燃料電池。
【請求項１０】
前記燃料電池の少なくとも一部が直列に接続され、この直接接続された当該燃料電池の少なくとも一部は、これとは別に直列接続された前記燃料電池の別の部分に並列に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の固体酸化物燃料電池。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月28日(2011.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノードおよびカソードを含み、かつそれらの間に有機層を有する有機電子デバイスであって、前記有機層が、順に、
導電性ポリマーとフッ素化酸ポリマーとを含むバッファ層；
正孔輸送層；
ドーパント材料とホスト材料とを含む光活性層；および
電子輸送層
であり、前記ドーパント材料および前記ホスト材料のうちの少なくとも一方が縮合多環芳香族化合物である有機電子デバイス。
【請求項２】
前記ドーパント材料および前記ホスト材料が両方とも縮合多環芳香族化合物である請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記ドーパント材料および前記ホスト材料の一方、または両方が、ペンタレン、インデン、ナフタレン、アズレン、ヘプタレン、ビフェニレン、ａｓ−インダセン、ｓ−インダセン、アセナフチレン、フルオレン、フェナレン、フェナントレン、アントラセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、アセアントリレン、トリフェニレン、ピレン、クリセン、テトラセン、プレイアデン、ピセン、ペリレン、ペンタフェン、ペンタセン、テトラフェニレン、ヘキサフェン、ヘキサセン、ルビセン、コロネン、トリナフチレン、ヘプタフェン、ヘプタセン、ピラントレン、オバレン、トルキセン、ジベンゾスベラン、およびそれらの組合せからなる群から選択されるコア構造を有する請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記コア構造が、アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、オキシアルキル、オキシアルケニル、オキシアルキニル、フッ素化アルキル、フッ素化アルケニル、フッ素化オキシアルキル、フッ素化オキシアルケニル、フッ素化オキシアルキニル、アリール、ヘテロアルキル、ヘテロアルケニル、ヘテロアルキニル、ヘテロアリール、−ＣＮ、−ＯＲ、−ＣＯ２Ｒ、−ＳＲ、−Ｎ（Ｒ）２、−Ｐ（Ｒ）２、−ＳＯＲ、−ＳＯ２Ｒ、−ＮＯ２、−Ｒ３−ＯＨ、−ＣＨ２−Ｃ６Ｈ５、−Ｒ３−Ｃ（Ｏ）Ｏ−Ｚ、−Ｒ３−Ｏ−Ｒ５、−Ｒ３−Ｏ−Ｒ４−Ｃ（Ｏ）Ｏ−Ｚ、−Ｒ３−Ｏ−Ｒ４−ＳＯ３Ｚ、および−Ｒ３−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｎ（Ｒ６）２から選択される少なくとも１つの置換基を有し；ここで、すべての「Ｒ」基が出現するごとに同じかまたは異なっており、
Ｒが、アルキルおよびアリールから選択され、
Ｒ３が、単結合またはアルキレン基であり、
Ｒ４が、アルキレン基であり、
Ｒ５が、アルキル基であり、
Ｒ６が、水素またはアルキル基であり、
Ｚが、Ｈ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｎ（Ｒ５）４またはＲ５である請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】
前記コア構造が、少なくとも１つのジアリールアミノ置換基を有する請求項３に記載のデバイス。
【請求項６】
前記コア構造が、アミノ、アルキル、フルオロ、フルオロアルキル、アルコキシ、フルオロアルコキシ、アリールオキシ、フルオロアリールオキシ、フルオロアルキルアリールオキシ、アリール、フルオロアリール、およびフルオロアルキルアリールからなる群から選択される少なくとも１つのさらなる置換基を有する請求項５に記載のデバイス。
【請求項７】
前記ドーパントが、アントラセン、クリセン、ピレン、テトラヒドロピレン、ヘキサヒドロピレン、ルブレン、ペリフランテン、イミノジベンジル、キサンテン、クマリン、ホウ素、［（１，２−ジヒドロ−２，２’−メチリジンジキノリナト）（１−）］ジフルオロ誘導体からなる群から選択されるコア構造を有する請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
前記コア構造が、アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、オキシアルキル、オキシアルケニル、オキシアルキニル、フッ素化アルキル、フッ素化アルケニル、フッ素化オキシアルキル、フッ素化オキシアルケニル、フッ素化オキシアルキニル、アリール、ヘテロアルキル、ヘテロアルケニル、ヘテロアルキニル、ヘテロアリール、−ＣＮ、−ＯＲ、−ＣＯ２Ｒ、−ＳＲ、−Ｎ（Ｒ）２、−Ｐ（Ｒ）２、−ＳＯＲ、−ＳＯ２Ｒ、−ＮＯ２、−Ｒ３−ＯＨ、−ＣＨ２−Ｃ６Ｈ５、−Ｒ３−Ｃ（Ｏ）Ｏ−Ｚ、−Ｒ３−Ｏ−Ｒ５、−Ｒ３−Ｏ−Ｒ４−Ｃ（Ｏ）Ｏ−Ｚ、−Ｒ３−Ｏ−Ｒ４−ＳＯ３Ｚ、および−Ｒ３−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｎ（Ｒ６）２から選択される少なくとも１つの置換基を有し；ここで、すべての「Ｒ」基が出現するごとに同じかまたは異なっており、
Ｒが、アルキルおよびアリールから選択され、
Ｒ３が、単結合またはアルキレン基であり、
Ｒ４が、アルキレン基であり、
Ｒ５が、アルキル基であり、
Ｒ６が、水素またはアルキル基であり、
Ｚが、Ｈ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｎ（Ｒ５）４またはＲ５である請求項７に記載のデバイス。
【請求項９】
前記ドーパント材料が、少なくとも２つの一緒に結合したコア構造を含む請求項３に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記ドーパント材料が複素環を含む請求項１または９に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記コア構造が、アルキル、フルオロ、フルオロアルキル、アルコキシ、フルオロアルコキシ、アリールオキシ、フルオロアリールオキシ、フルオロアルキルアリールオキシ、アリール、フルオロアリール、およびフルオロアルキルアリールからなる群から選択される少なくとも１つの置換基を有する請求項３に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記ホスト材料が、少なくとも２つの一緒に結合したコア構造を含む請求項３に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記ホスト材料が複素環を含む請求項１または１２に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記ホストが、フルオレン、ナフタレン、ピレン、ペリレン、クリセン、テトラヒドロピレン、およびヘキサヒドロピレンからなる群から選択されるコア構造を有する請求項１に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記バッファ層、前記正孔輸送層、および前記光活性層のうちの少なくとも１つが液体媒体から堆積される請求項１に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月14日(2011.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスを作る方法であって、
第１の伝導タイプを備えた基板の上に横たわるゲート構造体を形成するステップと、
前記ゲート構造体に隣接する側壁スペーサを形成するステップと、
前記ゲート構造体の一部の下で前記基板のソース側の上に領域を形成するために、前記半導体デバイスのソース側の方向に、角度をつけたインプラントを実施するステップであって、前記角度をつけたインプラントが、前記第１の伝導タイプのものとは反対の第２の伝導タイプとなるようにするドーパントを使用することを特徴とするステップと、
前記半導体デバイスをアニーリングするステップと、
第１の型の半導体材料を露出させ、前記ゲート構造体の下にある前記第２の伝導タイプの領域の一部を残すように、基板の側壁スペーサの対向する端に隣接してレセスを形成するステップと、
前記レセスに第２の型の半導体材料をエピタキシャル成長させるステップと、
を有し、
前記第２の型の半導体材料が、前記第１の型の半導体材料の格子定数とは異なる本来の格子定数を備え、半導体デバイスのチャネル領域に応力を生成することを特徴とする、方法。
【請求項２】
その場（in situ）ドーピング材料を使用して、前記第２の半導体材料内にその場（in situ）ドーピングを実行するステップを更に有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記角度をつけたインプラントが、垂直軸線に対して５度ないし３０度の角度で実行されることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記半導体デバイスが、Ｐチャネルデバイスであり、前記ドーピング材料が、ホウ素、ＢＦ２およびインジウムからなるグループの一つからなり、前記第２の半導体材料がシリコンゲルマニウムであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
半導体デバイスがＮチャネルデバイスであり、ドーピング材料が、燐、ヒ素、および、アンチモンからなるグループの一つからなり、第２の型の半導体材料が炭化珪素であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
半導体デバイスがＰチャネルデバイスであり、その場（in situ）ドーピング材料がホウ素であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
半導体デバイスがＮチャネルデバイスであり、その場（in situ）ドーピング材料が燐およびヒ素からなるグループの一つからなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
レセスに第２の型の半導体材料をエピタキシャル成長させた後に、前記アニーリングするステップが実行されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記側壁スペーサの幅が４０オングストローム乃至１００オングストロームの範囲であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
半導体デバイスに対応するソース／ドレイン部分を形成するステップと、前記ソース／ドレイン部分と前記ゲート構造体の上にシリサイド層を形成するステップと、を更に有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記角度をつけたインプラントが、前記ドーピング材料が半導体デバイスのソース側だけの上で少なくとも側壁スペーサの下に横たわる領域内にインプラントされるような仕方で、基板内に実施されることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月4日(2011.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化及び還元の両環境で利用される固体酸化物燃料電池用電流コレクタであって、
高伝導金属の内部コアと、環境絶縁材料からなる外部クラッドとを有する少なくとも1つのワイヤを備えていることを特徴とする電流コレクタ。
【請求項２】
少なくとも一部が連続した要素から形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電流コレクタ。
【請求項３】
環境絶縁材料の前記外部クラッドが、電気伝導性の酸化物層を形成することを特徴とする請求項１に記載の電流コレクタ。
【請求項４】
前記外部クラッドは、クロファ、４４１ステンレス鋼、２０−３０％クロムフェライト鋼、４３０ステンレス鋼、エブライト、アルメル、ＭＰＮＬＴ３５、ハイネス２３０、摂氏８００度かそれ以上の温度耐性を有し、酸化及び還元の両環境への耐性を有するステンレス鋼、ニッケル合金、コバルト合金、及び、貴金属からなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の電流コレクタ。
【請求項５】
前記内部コアは、銅、銅合金、金、銀、白金、ニッケル、及び、高伝導性を有する金属からなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の電流コレクタ。
【請求項６】
前記内部コアを囲む中間層を更に備え、前記中間層は外層によって囲まれていることを特徴とする請求項１に記載の電流コレクタ。
【請求項７】
前記中間層は環境絶縁材料から形成され、前記外層は酸化耐性材料から形成されていることを特徴とする請求項６に記載の電流コレクタ。
【請求項８】
前記ワイヤの横断面は非円形であることを特徴とする請求項６に記載の電流コレクタ。
【請求項９】
結合層、触媒層、保護層、触媒支持層、カーボン含有種を含む環境でのカーボンの堆積及び形成を抑制する層、焼結接合層、クロム蒸発に対するバリア層、少なくとも１つのワイヤに混入または残留する種のためのゲッター層、ワイヤをそれ自身にまたは隣り合った材料に結合させるために設計された真鍮材を含む層、及び、高温でのクリープ耐性を提供する層からなる群から選択される少なくとも１つの追加層を備えていることを特徴とする請求項６に記載の電流コレクタ。
【請求項１０】
前記中間層または前記外層のうちの１つ又は複数が、前記ワイヤの外部から内部に向かう導電経路を提供することを特徴とする請求項６に記載の電流コレクタ。
【請求項１１】
前記内部コア、前記中間層、前記外層、及び、前記追加層のうちの１つ又は複数が、非同心円状に配列されていることを特徴とする請求項８に記載の電流コレクタ。
【請求項１２】
前記少なくとも１つのワイヤが１つにまとめられた複数のセグメントを有し、前記セグメントの少なくとも１つが高伝導金属の内部コアと環境絶縁材料である外部クラッドとを有していることを特徴とする請求項１に記載の電流コレクタ。
【請求項１３】
酸化及び還元の両環境で利用される固体酸化物燃料電池用電流コレクタであって、
高伝導金属の内部コアと、環境絶縁材料である外部クラッドとを有する少なくとも1つのワイヤを備え、前記少なくとも１つのワイヤが連続するセグメントから形成されていることを特徴とする電流コレクタ。
【請求項１４】
前記少なくとも１つのワイヤに付けられた追加のワイヤのセグメントをさらに備えることを特徴とする請求項１３に記載の電流コレクタ
【請求項１５】
酸化及び還元の両環境で利用される固体酸化物燃料電池用電流コレクタであって、
高伝導金属の内部コアと、環境絶縁材料である外部クラッドとを有する少なくとも1つのワイヤを備え、前記少なくとも１つのワイヤが１つにまとめられた複数のセグメントから形成され、前記セグメントの少なくとも１つが高伝導金属の内部コアと環境絶縁材料である外部クラッドとを有していることを特徴とする電流コレクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月4日(2011.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
受信機（１２０）としての第２の無線機へパケットとしてデータを送信する、送信機（１１０）としての第１の無線機が存在する無線通信システム（１００，３００）において使用される方法（８００）であって、
前記受信機は、該受信機が受信した誤りを含むデータパケットの受信品質を表す品質値を前記送信機へ送信し（８０５）、
前記受信機は、多数の受信データパケットに関する情報を保存し（８１０）、
前記方法は、前記送信機と前記受信機との間の通信を受信及び転送することが可能な中継無線機（１３０）として少なくとも第３の無線機の使用をさらに含み（８１５）、
前記中継無線機及び前記送信機の両方は、データパケットを１つ以上の複合パケットに符号化し（８２０）、かつ、該複合パケットを前記受信機へ送信し（８２５）、
前記受信機（１２０）において前記保存される情報は、正確に受信されたパケットのデータと、誤りを含んで受信されたパケットの受信品質に関する情報と、それらのパケットのデータを代表する復号されていない情報とを含み、
（８３０）、
前記保存される情報は、複合パケットを復号（８３５）するために前記受信機によって使用され、それにより、該複合パケットを含むパケットのデータが抽出されることを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
誤って受信されたパケットに関する前記受信機（１２０）からの前記品質値は、複合データパケットを符号化して該受信機に対して送信するために使用され、
前記複合パケットは、誤りを含んで前記受信機に受信されている、以前に送信された少なくとも１つのパケットを含み、
前記複合パケットは、前記受信機の復号において前記複合パケットの中の個々のパケットと該個々のパケットの中のデータとの両方を識別できるように、符号化されることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の方法（８００，８５５）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記受信機によって誤りのために受信されていない１つ以上のパケットの再送を実行するための前記送信機からの指示を受信可能であり、該指示を実行可能であることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の無線機（６００）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
受信機において保存される情報は、正確に受信されたパケットのデータと誤りを含む受信パケットの受信品質に関する情報を含み、それらのパケットのデータを代表する復号されていない情報（“軟”情報）も同様である。受信機において保存された情報は、受信機によって、複合パケットを復号するために使用され、それにより、複合パケットを含むパケットのデータが抽出される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
さらに、本発明の一実施形態において、誤りを含んで受信されたパケットに関する受信機からの品質値は、何れのパケットを符号化し、それに続いて複合データパケットとして受信機へ送信するかを決定するために使用される。当該複合パケットは、受信機の復号において当該複合パケットの中の個々のパケットと、それら個々のパケットの中のデータとの両方を識別できるように符号化される。典型的には、当該複合パケットは、受信機によって誤りを含んで受信されている、少なくとも１つの以前に送信されたパケットを含むパケットである。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月25日(2011.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面と、前記前面から離間した後面とを有する半導体要素であって、前記前面および前記後面は、第１の厚みを有する薄い領域と、前記第１の厚みの少なくとも２倍の第２の厚みを有する厚い領域とを画定しており、前記半導体要素は、前記前面における半導体素子と、前記素子に接続された、前記前面における複数の第１の導電接点を備えており、前記第１の導電接点のそれぞれが、前記各半導体要素の前記前面から離間した表面を有している、半導体要素と、
前記半導体要素の外部に露出している複数の第２の導電接点と、
前記第２の導電接点を前記導電ビアに接続する複数の導電トレースと
を備えてなり、
前記半導体要素は、前記半導体要素の前記薄い領域を通って、前記半導体要素の前記後面から前記第１の導電接点に延びる複数の導電ビアをさらに含み、前記導電ビアは、前記第１の導電接点の表面に接する金属を含んでいる、超小型電子ユニット。
【請求項２】
前記第２の導電接点は、前記後面において、前記厚い領域の上に覆い被さっていることを特徴とする請求項１に記載の超小型電子ユニット。
【請求項３】
前記後面の上に覆い被さっている誘電体層をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の超小型電子ユニット。
【請求項４】
前記第２の導電接点および前記導電トレースは、前記誘電体層の上に覆い被さっていることを特徴とする請求項３に記載の超小型電子ユニット。
【請求項５】
請求項１に記載の超小型電子ユニットを備えるアセンブリであって、前記半導体要素の前記後面の上に覆い被さっているコンプライアント誘電体層をさらに含み、前記アセンブリは、前記第２の導電接点に接続される端子を有する回路パネルをさらに含んでおり、前記誘電体層の弾性係数と前記誘電体層の厚みとの積は、前記超小型電子ユニットと前記回路パネルとの間の熱膨張の不一致を相殺するのに十分なものであることを特徴とするアセンブリ。
【請求項６】
請求項１に記載の超小型電子ユニットを備えるカメラモジュールであって、前記半導体素子は、撮像領域を備え、前記カメラモジュールは、前記前面の少なくとも一部に覆い被さったカバー要素と、前記撮像領域と位置合わせされて前記カバー要素に取り付けられた光学要素を有する光学要素を有する光学ユニットとをさらに備えていることを特徴とするカメラモジュール。
【請求項７】
前面と、前記前面に隣接した半導体デバイスと、前記前面における第１の導電接点と、前記前面から離間した後面とを有する半導体要素であって、前記半導体要素は、前記半導体要素の一部を通って、前記後面から前記前面に向かって延びる少なくとも１つの第１の開口と、いくつかの前記少なくとも１つの第１の開口の間で前記前面に向かって延びる少なくとも１つの第２の開口とをさらに有しており、
前記少なくとも１つの第１の開口内へと延びる少なくとも１つの第１の導電要素と、
前記少なくとも１つの第２の開口内に置かれた少なくとも１つの第２の導電要素であって、前記第２の導電要素は、少なくとも１つの前記第１の導電接点と前記少なくとも１つの第１の導電要素とに接続されている、少なくとも１つの第２の導電要素と、
前記少なくとも１つの第１の導電要素に接続された少なくとも１つの第２の導電接点であって、前記第２の導電接点は、前記半導体要素の外部に露出している、少なくとも１つの第２の導電接点と
を含んでなる、超小型電子ユニット。
【請求項８】
前記第１の導電接点は後面を有し、前記後面は前記前面と離間して対向し、前記少なくとも１つの開口は前記半導体要素の厚みを通って延び、前記複数の第２の開口のうちの少なくとも１つは、前記少なくとも１つの開口から延びて前記第１の導電接点の１つの前記表面に接続していることを特徴とする請求項７に記載の超小型電子ユニット。
【請求項９】
前記半導体要素を配置した位置に前記前面の少なくとも一部に覆い被さっているカバー要素をさらに備えていることを特徴とする請求項１または７に記載の超小型電子ユニット。  
【請求項１０】
前記半導体要素は、前記前面に隣接して前記後面に向かって延びるトレンチキャパシタのアレイを備え、前記少なくとも１つの第１の開口は、前記アレイと位置合わせされていないことを特徴とする請求項７に記載の超小型電子ユニット。
【請求項１１】
請求項７に記載の超小型電子ユニットを複数含む超小型電子積層アセンブリであって、いくつかの前記超小型電子ユニットの前記第１の導電接点が、別の前記超小型電子ユニットの前記後面に露出している前記第２の導電接点に接続されていることを特徴とする、超小型電子積層アセンブリ。
【請求項１２】
前記いくつかの超小型電子ユニットの前記第１の導電接点は、スタッドバンプまたは半田を介して、前記別の前記超小型電子ユニットの前記第２の導電接点に接続されていることを特徴とする請求項１１に記載の超小型電子積層アセンブリ。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの第２の開口は、前記前面から前記後面に向かって小さくなっている幅を有していることを特徴とする請求項７に記載の超小型電子ユニット。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの第２の開口は、前記前面から前記後面に向かって大きくなっている幅を有していることを特徴とする請求項７に記載の超小型電子ユニット。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの第１の開口は前記前面に沿った方向に第１の長さを有し、前記少なくとも１つの第２の開口は前記前面に沿った方向に第２の長さを有しており、前記第２の長さは前記第１の長さよりも小さいものであることを特徴とする請求項７に記載の超小型電子ユニット。
【請求項１６】
前記半導体要素は、前記前面から離間した後面を有しており、前記第２の導電接点と前記導電トレースとを形成するのに先だって、前記後面に覆い被さるように誘電体層を電着するステップを含んでおり、前記第２の導電接点と前記導電トレースとは、前記誘電体層に覆い被さるように形成されている、請求項１から４のいずれかに記載の超小型電子ユニットを製造する方法。
【請求項１７】
前記第２の厚みと少なくとも実質的に同じ厚みになるように、前記半導体要素を前記後面から薄くするステップを実行した後に、前記半導体要素の一部を前記第１の厚みよりも薄くするステップを実行して前記薄膜領域を形成することを含むことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の超小型電子ユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月2日(2011.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層上に半導体素子を製造するための方法において、
半導体層の上にゲート誘電体層を形成する工程と、
前記ゲート誘電体層の上にゲート材料層を形成する工程と、
前記ゲート材料層をパターニングしてゲート構造を形成する工程と、
前記ゲート構造をマスクとして使用して、前記半導体層にイオン注入する工程と、
前記ゲート構造を貫通するようにエッチングして、第１のパターニング済みゲート構造を形成し、及び、前記半導体層を貫通するようにエッチングして、前記半導体層の第１部分及び第２部分、及び前記第１のパターニング済みゲート構造を取り囲むトレンチを前記半導体層に形成する工程と、
前記トレンチに絶縁材料を充填する工程とを備え、
ゲート構造を貫通するようにエッチングする前記工程において、第２のパターニング済みゲート構造を形成し、前記第１及び第２のパターニング済みゲート構造がトレンチの幅だけ離間することを特徴とする、方法。
【請求項２】
サイドウォールスペーサを前記ゲート構造の側壁に形成する工程と、
前記ゲート構造及び該サイドウォールスペーサをマスクとして使用して、前記第１部分及び前記第２部分にイオン注入する工程とをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
導電配線を前記第１のパターニング済みゲート構造に電気的に接続する工程をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記電気的に接続する工程は、
絶縁層を基板の上に堆積させる工程と、
トレンチを、前記ゲートの少なくとも一部分の上の前記絶縁層に形成する工程と、
前記絶縁層中の前記トレンチに導電材料を充填する工程とを備える、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記電気的に接続する工程は、
金属層を前記第１のパターニング済みゲート構造の上に堆積させる工程と、
前記金属層をパターニングして、該金属層の一部分を前記第１のパターニング済みゲート構造の上に残す工程とを備える、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
トレンチに充填する前記工程の後に、前記半導体層の中において、ストレッサ層を前記第１部分、前記第１のパターニング済みゲート構造、及び前記第２部分の上に形成する工程をさらに備え、前記ストレッサ層が、前記第１のパターニング済みゲート構造の高さよりも高い高さを該第１及び第２部分の上に有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ストレッサを形成する工程において、前記ストレッサが窒化物を含むことを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
エッチングする前記工程では更に、前記第１のパターニング済みゲート構造が、前記半導体層中の前記トレンチと同じ垂直平面で終端する端部を有し、前記第１部分は前記第１のパターニング済みゲート構造の第１の側に位置するとともに、前記第２部分は第１のパターニング済みゲート構造の第２の側に位置することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記トレンチに充填する工程は、
トレンチサイドウォールスペーサを前記トレンチの側壁に形成する工程と、
絶縁材料を前記トレンチに、前記トレンチサイドウォールスペーサを形成する工程の後に堆積させる工程を備える、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月1日(2011.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音質向上システム（２）が、
雑音信号を与えるための雑音発生器（４）と；
前記音質向上システム（２）を使用する間は、前記雑音信号を、このユーザーに提供される音響信号に変換する出力トランスデューサー（６）とを備え、
前記音質向上システム（２）は、前記雑音信号を、ランダムに、あるいは、擬似ランダムに、変調する、少なくとも一つの信号変調器（１２）をさらに備えることを特徴とする耳鳴りの軽減を与えるための音質向上システム（２）。
【請求項２】
ランダムに、あるいは、擬似ランダムに、前記雑音信号を変調することは、変調値の事象空間から、ランダムに、あるいは、擬似ランダムに、変調値を選択することから構成される、請求項１に記載の音質向上システム。
【請求項３】
ランダムに、あるいは、擬似ランダムに、前記雑音信号を変調することは、変調間隔の事象空間から、ランダムに、あるいは、擬似ランダムに、変調間隔を選択することから構成される、請求項１または２に記載の音質向上システム。
【請求項４】
少なくとも一つの前記信号変調器（１２）は、前記雑音信号の振幅を変調するように適応されている、請求項１、２または３に記載の音質向上システム。
【請求項５】
前記雑音信号の前記振幅変調は、前記雑音信号に内在している振幅変化の速度よりも遅い速度で実行される、請求項４に記載の音質向上システム。
【請求項６】
少なくとも一つの前記信号変調器（１２）は、前記雑音信号の選択されたスペクトル特性を変調するように適応されている、請求項１から５のいずれかに記載の音質向上システム。
【請求項７】
前記雑音信号の選択されたスペクトル特性を変調することは、前記雑音信号に内在している選択されたスペクトル特性の変化速度よりも遅い速度で実行される、請求項６に記載の音質向上システム。
【請求項８】
前記音質向上システムは、前記雑音信号の少なくとも一部を、フィルターリングするためのスペクトル整形フィルター（１６）をさらに備え、少なくとも一つの前記信号変調器（１２）は、前記スペクトル整形フィルター（１６）の周波数応答の変動によって、前記雑音信号の選択されたスペクトル特性を変調するように適応されている、請求項６または７に記載の音質向上システム。
【請求項９】
前記スペクトル整形フィルター（１６）の周波数応答を変調することは、停止帯域周波数；傾斜；ポールと零の数量；及び  ポールと零の配置からなるグループから選択された、少なくとも一つのフィルターパラメーターを変調することから構成される、請求項８に記載の音質向上システム。
【請求項１０】
更に、前記音質向上システム（２）の周囲の音声環境の少なくとも一部を分類するための環境分類器（３２）をさらに備え、少なくとも一つの前記信号変調器（１２）は、前記音質向上システム（２）の周囲の音声環境の分類に依存して、前記雑音信号を変調するように適応されている、請求項１から９のいずれかに記載の音質向上システム。
【請求項１１】
前記雑音信号の変調は、スピーチが、前記周囲の音声環境の中に存在するかどうかに依存している、請求項１０に記載の音質向上システム。
【請求項１２】
前記環境分類器（１２）は、スピーチ検出器から構成される、請求項１０または１１に記載の音質向上システム。
【請求項１３】
補聴器（２４、５２、５４）の一部を構成する、請求項１から１２のいずれかに記載の音質向上システム。
【請求項１４】
前記補聴器（２４、５２、５４）は、更に、ユーザーの耳に開放的に取り付けられるように適応されている、請求項１３に記載の音質向上システム。
【請求項１５】
前記補聴器（２４、５２、５４）は、前記雑音信号のレベルと、前記補聴器（２４、５２、５４）のゲインとを制御する間に、切り替えられるように適応しているボリューム制御装置（３８）から構成される、請求項１３または１４に記載の音質向上システム。
【請求項１６】
前記切り替えは、手動か、あるいは、前記周囲の音声環境の分類に依存して実行される、請求項１５に記載の音質向上システム。
【請求項１７】
請求項１から１６のいずれかに記載の音質向上システム（２）を備える補聴器（２４、５２、５４）。
【請求項１８】
第１及び第２の補聴器（２４、５２、５４）を備える、両耳用の補聴器システム（５６）であって、前記第１の補聴器（２４、５２、５４）は、請求項１から１６のいずれかに記載の音質向上システム（２）を備えることを特徴とする両耳用の補聴器システム（５６）。
【請求項１９】
第１及び第２の補聴器（２４，５２，５４）を備え、前記第１及び第２の補聴器（２４，５２，５４）は、請求項１から１６のいずれかに記載の音質向上システム（２）を備えることを特徴とする両耳用の補聴器システム（５６）。
【請求項２０】
前記第１及び第２の補聴器（２４、５２、５４）は、相互に、動作できるように接続され、前記雑音信号の調整は、前記第１及び第２の補聴器（２４、５２、５４）の間の協調動作によって実行される、請求項１８または１９に記載の両耳用の補聴器システム（５６）。
【請求項２１】
機械読み取り可能なデータ記憶装置に記憶されたソフトウエアプログラムであって、前記ソフトウエアプログラムは、請求項１から１６のいずれかに記載された音質向上システム（２）において、雑音信号を発生するように適応され、及び、前記ソフトウエアプログラムは、前記音質向上システムに、前記雑音発生器（４）と、少なくとも一つの信号変調器（１２）としての動作をさせるソフトウエアプログラム。
【請求項２２】
耳鳴りの軽減を与えるために、雑音の音質が向上した音声信号を提供する方法であって、前記方法は：
(a) ランダムに、又は、擬似ランダムに、変調された雑音信号を発生するステップと；
(b) 変調された前記雑音信号から、音響的な雑音信号を発生するステップと；
から構成され、この方法の使用中に、前記音響的な雑音信号が、耳鳴り被害者に提供される方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月2日(2011.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音質向上システム（２）が、
雑音信号を与えるための雑音発生器（４）と；
前記音質向上システム（２）を使用する間は、前記雑音信号を、ユーザーに提供される音響信号に変換する出力トランスデューサー（６）と；を備え、
前記音質向上システム（２）は、さらに前記音質向上システム（２）の周囲の音声環境を、分類するように適応された環境分類器（３２）を備え、前記音質向上システム（２）は、前記分類に依存して、前記雑音信号を調整するように適応されていることを特徴とする耳鳴りの軽減を与えるための音質向上システム（２）。
【請求項２】
前記雑音信号の調整は、ランダムに、あるいは、擬似ランダムに、変調することからなる請求項１に記載の音質向上システム。
【請求項３】
前記雑音信号のランダムに、あるいは、擬似ランダムに、変調することは、変調値の事象空間から、ランダムに、あるいは、擬似ランダムに、変調値を選択することからなる請求項２に記載の音質向上システム。
【請求項４】
前記雑音信号のランダムに、あるいは、擬似ランダムに、変調することは、変調間隔の事象空間から、ランダムに、あるいは、擬似ランダムに、変調間隔を選択することからなる請求項２又は３に記載の音質向上システム。
【請求項５】
前記雑音信号の変調は、前記雑音信号の振幅を変調することからなる請求項１から４のいずれかに記載の音質向上システム。
【請求項６】
前記雑音信号の前記振幅変調は、前記雑音信号に内在している振幅変化の速度より遅い速度で実行される請求項５に記載の音質向上システム。
【請求項７】
前記雑音信号の調整は、前記雑音信号の選択されたスペクトル特性を変調することからなる請求項１から６のいずれかに記載の音質向上システム。
【請求項８】
前記雑音信号の選択されたスペクトル特性を変調することは、前記雑音信号に内在している選択されたスペクトル特性の変化の速度よりも遅い速度で実行される請求項７に記載の音質向上システム。
【請求項９】
前記音質向上システムは、前記雑音信号の少なくとも一部をフィルタリングするためのスペクトル整形フィルター（１６）をさらに備え、前記雑音信号の選択されたスペクトル特性を変調することは、前記スペクトル整形フィルター（１６）の周波数応答を変化させることからなる請求項７又は８に記載の音質向上システム。
【請求項１０】
前記スペクトル整形フィルター（１６）の周波数応答を変調することは、停止帯域周波数；傾斜；ポールと零の数量；及び  ポールと零の配置からなるグループから選択された、少なくとも一つのフィルターパラメーターを変調することからなる請求項９に記載の音質向上システム。
【請求項１１】
補聴器（２４、５２、５４）の一部を構成する請求項１から１０のいずれかに記載の音質向上システム。
【請求項１２】
前記補聴器（２４、５２、５４）は、更に、ユーザーの耳に開放的に取り付けられるように適応されている、請求項１１に記載の音質向上システム。
【請求項１３】
前記補聴器（２４、５２、５４）は、前記雑音信号のレベルと、前記補聴器（２４、５２、５４）のゲインとを制御する間に、スイッチされるように適応しているボリューム制御装置（３８）を備えている請求項１１又は１２に記載の音質向上システム。
【請求項１４】
前記スイッチングは、手動か、又は、前記周囲の音声環境の分類に依存して実行される、請求項１３に記載の音質向上システム。
【請求項１５】
前記雑音信号を変調することは、スピーチが、前記周囲の音声環境に存在するかどうかに依存している請求項１から１４のいずれかに記載の音質向上システム。
【請求項１６】
前記環境分類器は、スピーチ検出器から構成される、請求項１から１５のいずれかに記載の音質向上システム。
【請求項１７】
請求項１から１６のいずれかに記載の音質向上システム（２）を備える補聴器（２４、５２、５４）。
【請求項１８】
第１及び第２の補聴器（２４、５２、５４）を備え、前記第１の補聴器（２４、５２、５４）は、請求項１から１６のいずれかに記載の音質向上システム（２）を備えることを特徴とする両耳用の補聴器システム（５６）。
【請求項１９】
第１及び第２の補聴器（２４，５２，５４）を備え、前記第１及び第２の補聴器（２４，５２，５４）は、どちらも、請求項１から１６のいずれかに記載の音質向上システム（２）を備えることを特徴とする両耳用の補聴器システム（５６）。
【請求項２０】
前記第１及び第２の補聴器（２４、５２、５４）は、相互に、動作可能なように接続され、前記雑音信号を調整することは、前記第１及び第２の補聴器（２４、５２、５４）の間で、協調的な方法で実行される請求項１８又は１９に記載の両耳用の補聴器システム（５６）。
【請求項２１】
機械読み取り可能なデータ記憶装置に記憶されたソフトウエアプログラムであって、前記ソフトウエアプログラムは、請求項１から１６のいずれかに記載された音質向上システム（２）において、雑音信号を発生するように適応され、前記ソフトウエアプログラムは、前記音質向上システムに、前記雑音発生器（４）と前記環境分類器（３２）としての動作をさせるソフトウエアプログラム。
【請求項２２】
耳鳴りの軽減を与えるための、雑音の音質が向上した音声信号を与える方法であって、前記方法は：
(a) 雑音信号を発生するステップと；
(b) 音声環境の分類に依存して、前記雑音信号を調整するステップと；
(c) 変調された雑音信号あるいは調整された雑音信号から、音響的な雑音信号を発生するステップと；
からなり、この方法を使用中、前記音響的な雑音信号が、耳鳴り被害者に提供される方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月3日(2011.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１画像データセンサ（２Ａ）及び少なくとも１つのコンテクストデータセンサ（３）、（４）、（５）、（６）、（７）、（８）、（９）、（１０）を含む携帯端末のような端末（１）を用いて、画像又は画像シーケンスのキャプチャが所定の時間間隔内に発生する少なくとも１つの確率を自動的に決定する方法であって、
前記センサが活性化されたときに、該キャプチャの確率が、該画像データセンサ及び／又はコンテクストデータセンサのうちの１つによって提供される少なくとも１つの応答から計算される、前記方法。
【請求項２】
該キャプチャの確率が、該活性化されたコンテクストデータセンサ又は画像データセンサのうちの少なくとも１つによって提供された該応答が、前記センサの出力信号の予め決められた値を超過する際に従うシーケンスに従って計算される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該キャプチャの確率の計算及び該予め決められた値が、該センサ応答及び該キャプチャ時点の履歴に関連するデータ集合に従って自動的に修正される請求項２に記載の方法。