【手続補正書】
【提出日】平成23年1月18日(2011.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法であって、
トランザクションカードを絶縁表面上に配置する段階と、
前記トランザクションカード上の第１位置に接地プローブを配置する段階と、
放電プローブを既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、
前記トランザクションカード上の第２位置において前記放電プローブを放電する段階と、
前記接地プローブから放電波形を記録する段階と、
基準電圧レベルと比較して前記既知の電圧レベルの値に少なくとも基づいて前記トランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、
を含み、
前記第１位置及び前記第２位置が各々、前記トランザクションカード上の複数の区域から選択され、
前記基準電圧レベルが、炭素ベースの磁気ストライプカードが機能しなくなる電圧に基づいている、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記トランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階が更に、前記放電波形が基準放電波形に実質的に類似しているか否かに基づいている、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１位置が、
前記トランザクションカードの第１縁部からおよそ０．５ｃｍにある前記トランザクションカードの磁気ストライプ上の第１ポイントと、
前記トランザクションカードの第１縁部からおよそ１ｃｍにあり且つ前記トランザクションカードの第２縁部からおよそ１ｃｍにある前記トランザクションカード上の第２ポイントと、
前記トランザクションカード上の構成要素の第１縁部からおよそ０．５ｃｍ内側の第３ポイントと、
のうちの１つを含み、
前記第２位置が、
前記トランザクションカードの第１縁部と対向する第３縁部からおよそ０．５ｃｍにある前記磁気ストライプ上の第４ポイントと、
前記トランザクションカードの第２縁部からおよそ１ｃｍにあり且つ前記トランザクションカードの前記第３縁部からおよそ１ｃｍにある前記トランザクションカード上の第５ポイントと、
前記構成要素の第１縁部と対向する前記構成要素の第２縁部からおよそ０．５ｃｍ内側の第６ポイントと、
のうちの１つを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記既知の電圧レベルが、およそ５００ボルトとおよそ２００００ボルトとの間の電圧レベルを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記放電プローブが、およそ１００ｐＦの静電容量及びおよそ１５００オームの抵抗を有する、
請求項４に記載の方法。
【請求項６】
トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法であって、
磁気ストライプを含むトランザクションカードを絶縁表面上に配置する段階と、
前記トランザクションカードの第１縁部に沿って前記磁気ストライプ上に接地プローブを配置する段階と、
放電プローブを既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、
前記第１縁部と対向する前記トランザクションカードの第２縁部に沿って、前記磁気ストライプ上で前記放電プローブを放電する段階と、
前記接地プローブから放電波形を記録する段階と、
前記放電波形が基準放電波形に実質的に類似しているか否かに少なくとも基づいて、前記トランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、
を含み、
前記基準放電波形が、炭素ベースの磁気ストライプカードが機能しなくなる電圧レベルにおいて前記炭素ベースの磁気ストライプカードによって示される波形に基づいている、ことを特徴とする方法。
【請求項７】
前記既知の電圧レベルがおよそ５０００ボルトを含む、
請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記放電プローブがおよそ０オームの抵抗を有する、
請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記放電プローブがおよそ１５００オームの抵抗を有する、
請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法であって、
シェル及び１つ又はそれ以上のピンを含む読取ヘッドを接地電圧レベルに接続する段階と、
放電プローブを既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、
前記トランザクションカード上の第１位置において、オペレータによって保持されたトランザクションカード上で前記放電プローブを放電して、前記トランザクションカード及び前記オペレータを前記既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、
前記トランザクションカード上の第２位置において前記トランザクションカードを前記読取ヘッドと接触させて配置する段階と、
前記接地プローブから放電波形を記録する段階と、
基準電圧レベルと比較して前記既知の電圧レベルの値に少なくとも基づいて前記トランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、
を含み、
前記第１位置及び前記第２位置が各々、前記トランザクションカード上の複数の区域から選択され、
前記基準電圧レベルが、炭素ベースの磁気ストライプカードが機能しなくなる電圧に基づいている、
ことを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記トランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階が更に、前記放電波形が基準放電波形に実質的に類似しているか否かに基づいている、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記接地プローブから放電波形を記録する段階が、前記接地プローブの少なくとも１つのピンから放電波形を記録する段階を含む、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記接地プローブから放電波形を記録する段階が、前記接地プローブのシェルから放電波形を記録する段階を含む、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１位置が、
前記トランザクションカードの第１縁部からおよそ０．５ｃｍにある前記トランザクションカードの磁気ストライプ上の第１ポイントと、
前記トランザクションカードの第１縁部からおよそ１ｃｍにあり且つ前記トランザクションカードの第２縁部からおよそ１ｃｍにある前記トランザクションカード上の第２ポイントと、
前記トランザクションカード上の構成要素の第１縁部からおよそ０．５ｃｍ内側の第３ポイントと、
のうちの１つを含み、
前記第２位置が、
前記トランザクションカードの第１縁部と対向する第３縁部からおよそ０．５ｃｍにある前記磁気ストライプ上の第４ポイントと、
前記トランザクションカードの第２縁部からおよそ１ｃｍにあり且つ前記トランザクションカードの前記第３縁部からおよそ１ｃｍにある前記トランザクションカード上の第５ポイントと、
前記構成要素の第１縁部と対向する前記構成要素の第２縁部からおよそ０．５ｃｍ内側の第６ポイントと、
のうちの１つを含む、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記既知の電圧レベルが、およそ−５０００ボルトとおよそ１００００ボルトとの間の電圧レベルを含む、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法であって、
放電プローブを既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、
トランザクションカード上の第１位置において、オペレータによって保持されたトランザクションカード上で前記放電プローブを放電して前記トランザクションカード及び前記オペレータを前記既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、
前記トランザクションカード上の第２位置において、前記トランザクションカードを端末の読取ヘッドと接触させて配置する段階と、
前記端末が異常を示しているか否かを判断する段階と、
異常を示している場合には、基準電圧レベルと比較して前記既知の電圧レベルの値に少なくとも基づいて前記トランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、
を含み、
前記基準電圧レベルが、炭素ベースの磁気ストライプカードが機能しなくなる電圧に基づいている、
ことを特徴とする方法。
【請求項１７】
前記異常が、前記端末の再起動、前記端末の再初期化、及び、前記端末の動作の一時停止のうちの１つ又はそれ以上を含む、
請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１位置が、前記トランザクションカードの第１縁部からおよそ０．５ｃｍにある前記トランザクションカードの磁気ストライプ上の第１ポイントを含み、
前記第２位置が、前記トランザクションカードの第１縁部と対向する前記トランザクションカードの第２縁部からおよそ０．５ｃｍにある前記磁気ストライプ上の第２ポイントを含む、
請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記既知の電圧レベルが、およそ−１０００ボルトとおよそ１００００ボルトとの間の電圧レベルを含む、
請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法であって、
放電プローブを既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、
前記トランザクションカード上の第１位置において、オペレータによって保持されたトランザクションカード上で前記放電プローブを放電して前記トランザクションカード及び前記オペレータを前記既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、
前記トランザクションカード上の第２位置において前記トランザクションカードを端末の読取ヘッドと接触させて配置する段階と、
前記読取ヘッドにおけるピーク電圧及び電圧波形を記録する段階と、
基準電圧レベルと比較して前記既知の電圧レベルの値に少なくとも基づいて前記トランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、
を含み、
前記基準電圧レベルが、炭素ベースの磁気ストライプカードが機能しなくなる電圧に基づいている、
ことを特徴とする方法。
【請求項２１】
前記第１位置が、前記トランザクションカードの第１縁部からおよそ０．５ｃｍにある前記トランザクションカードの磁気ストライプ上の第１ポイントを含み、
前記第２位置が、前記トランザクションカードの第１縁部と対向する前記トランザクションカードの第２縁部からおよそ０．５ｃｍの前記磁気ストライプ上の第２ポイントを含む、
請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記既知の電圧レベルが、およそ−１０００ボルトとおよそ１００００ボルトとの間の電圧レベルを含む、
請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法であって、
トランザクションカードを既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、
前記トランザクションカードを端末に通す段階と、
前記端末で異常が発生したか否かに基づいて、前記トランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、
を含む方法。
【請求項２４】
前記異常が、前記端末の再起動、前記端末の再初期化、及び、前記端末の動作の一時停止のうちの１つ又はそれ以上を含む、
請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記既知の電圧が、およそ３００００ボルトの電圧レベルを含む、
請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法であって、
トランザクションカード上の磁気ストライプを既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、
前記トランザクションカードを端末に通す段階と、
前記端末で異常が発生したか否かに基づいて前記トランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、
を含む方法。
【請求項２７】
前記異常が、前記端末の再起動、前記端末の再初期化、及び、前記端末の動作の一時停止のうちの１つ又はそれ以上を含む、
請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記既知の電圧レベルが、およそ−１００００ボルトと１００００ボルトとの間の電圧レベルを含む、
請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法であって、
前記トランザクションカードを導電材料に対して擦る段階と、
前記トランザクションカードを端末に通す段階と、
前記端末で異常が発生したか否かに基づいて前記トランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、
を含む方法。
【請求項３０】
前記導電材料が、プラスチック、皮革、ナイロン、及び綿のうちの１つ又はそれ以上を含む、
請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記異常が、前記端末の再起動、前記端末の再初期化、及び、前記端末の動作の一時停止のうちの１つ又はそれ以上を含む、
請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
前記トランザクションカードを端末に通す段階が、前記トランザクションカードを端末の読取ヘッドと接触させて配置する段階を含み、
前記方法が更に、
前記読取ヘッドにおけるピーク電圧及び電圧波形を記録する段階を含む、
請求項２９に記載の方法。
【請求項３３】
トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法であって、
前記トランザクションカードの第１面が金属表面に接触し、磁気ストライプを含み且つ前記第１面と対向する第２面が前記金属表面に接触しないように、前記トランザクションカードを前記金属表面上に配置する段階と、
前記トランザクションカードの静電容量を求める段階と、
前記静電容量が閾値を超えるか否かに基づいて前記トランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、
を含む方法。
【請求項３４】
前記トランザクションカードの静電容量を求める段階が、
静電容量計の第１プローブを前記金属表面に接続する段階と、
前記静電容量計の第２プローブを前記磁気ストライプに接続する段階と、
を含む、
請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記閾値がおよそ１ｐＦを含む、
請求項３３に記載の方法。