【事件の表示】
　特願２００１−４００６６５「半導体光電変換装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年７月１１日出願公開、特開２００３−１９７８９７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１３年１２月２８日の特許出願であって、平成１９年８月２３日付けの拒絶理由通知に対して同年１０月２６日に意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正がなされたが、同年１２月７日付けで拒絶査定がなされた。
　これに対して、平成２０年１月９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされ、その後、平成２２年５月２６日付けで審尋がなされ、同年７月１６日に回答書が提出された。
　
第２．補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２０年１月９日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容
　平成２０年１月９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜１６を、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜１２と補正するとともに、明細書の補正を行うものであり、補正前後の請求項１は次の通りである。
　
（補正前）
　「【請求項１】 
　主表面を有する半導体基板と；
　前記半導体基板の主表面に形成された多数の光電変換素子と；
　前記多数の光電変換素子に近接して、前記半導体基板の主表面に形成された機能素子と；
　前記半導体基板上方に形成され、前記機能素子の上方を遮光し、各前記光電変換素子の所定領域上方を開口する窓を有する遮光膜と；
　前記半導体基板上方で、少なくとも一部の前記窓内に配置され、前記半導体基板の主表面に直接接し、平坦な上面を有し、酸化シリコンより高屈折率の透光体で形成され、前記窓を透過する光の実効波長を低減する実効波長低減部材と；
を有する半導体光電変換装置。」
　
（補正後）
　「【請求項１】 
　主表面を有する半導体基板と；
　前記半導体基板の主表面に形成された多数の光電変換素子と；
　前記多数の光電変換素子に近接して、前記半導体基板の主表面に形成された機能素子と；
　前記半導体基板上方に形成され、前記機能素子の上方を遮光し、各前記光電変換素子の所定領域上方を開口する窓を有する遮光膜と；
　前記半導体基板上方で、少なくとも一部の前記窓内に配置され、前記半導体基板の主表面に直接接する平坦な下面及び平坦な上面を有し、酸化シリコンより高屈折率の透光体で形成され、前記窓を透過する光の実効波長を低減する実効波長低減部材と；
を有する半導体光電変換装置。」
　
２．補正事項の整理
　本件補正を整理すると、以下のとおりである。
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「前記半導体基板上方で、少なくとも一部の前記窓内に配置され、前記半導体基板の主表面に直接接し、平坦な上面を有し、酸化シリコンより高屈折率の透光体で形成され、前記窓を透過する光の実効波長を低減する実効波長低減部材」を、補正後の請求項１の「前記半導体基板上方で、少なくとも一部の前記窓内に配置され、前記半導体基板の主表面に直接接する平坦な下面及び平坦な上面を有し、酸化シリコンより高屈折率の透光体で形成され、前記窓を透過する光の実効波長を低減する実効波長低減部材」と補正すること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項７、８、１３及び１４を削除し、それに伴って、補正前の請求項９以降について項番と引用する請求項を修正すること。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項１５の「・・・を有する半導体光電変換装置」を、補正後の請求項１１の「・・・を有し、前記実効波長低減部材は少なくとも透過光波長が最も短い前記カラーフィルタの下方には存在しない半導体光電変換装置」と補正すること。
　
（４）補正事項４
　補正前の明細書の００１８段落を、補正後の明細書の００１８段落と補正すること。
　
３．新規事項追加の有無、及び補正の目的について
（１）補正事項１
　補正事項１により新たに追加された事項は、本願の願書に最初に添付された明細書（以下、本願の願書に最初に添付された明細書、本願の願書に最初に添付された図面を各々「当初明細書」、「当初図面」といい、これらをまとめて「当初明細書等」という。）の００３９段落及び当初図面の図８に記載されているから、補正事項１は当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項１は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たす。
　また、補正事項１は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「実効波長低減部材」に対して、「平坦な下面」を有するという技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（２）補正事項２
　補正事項２は、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　また、補正事項２が特許法第１７条の２第３項に掲げる要件を満たすことは自明である。
　
（３）補正事項３
　補正事項３により新たに追加された事項は、当初明細書の００３２段落、及び当初図面の図４に記載されているから、補正事項３は当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項３は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項３は、補正前の請求項１５に係る発明の発明特定事項である「実効波長低減部材」に対して、「少なくとも透過光波長が最も短い前記カラーフィルタの下方には存在しない」という技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（４）補正事項４
　補正事項４は、発明の詳細な説明における「課題を解決するための手段」の箇所の記載を、補正事項１により補正された請求項１と整合するように補正したものであるから、補正事項１と同様に特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（５）新規事項追加の有無、及び補正の目的についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　そして、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて、以下において更に検討する。
　
４．独立特許要件について
（１）補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１〜１２に係る発明は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記１．の「（補正後）」の箇所に記載したとおりのものである。
　
（２）刊行物に記載された発明
（２−１）本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平６−１２５０７０号公報（以下「引用例」という。）には、図１、２及び１２〜１４とともに以下の記載がある（ここにおいて、下線は当合議体にて付加したものである。）。
ａ．「【０００１】
【
産業上の利用分野】この発明は固体撮像装置及びその製造方法に関し、特に受光部に入射する集光光束を分散することによりスミアの低減を図るための光束分散層の構造及びその形成方法に関するものである
　
ｂ．「【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の固体撮像装置２００では、入射光による光電子は上記Ｐ型ウェル領域２の、ＣＣＤチャネル領域４に近い領域でも発生し、これがＣＣＤチャネル領域４に入り込んで転送中の信号電荷と混ざり、スミアとよばれるノイズになるという問題があった
　
ｃ．「
【００１５】この発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、受光部の感度を低下させることなく、光電子のＣＣＤチャネル領域への漏れ込みによるスミアを低減できる固体撮像装置及びその製造方法を得ることを目的とする
　
ｄ．「【００３７】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明する。
実施例１．図１は本発明の第１の実施例による固体撮像装置を説明するための断面図で、図１３（ｂ） に示す従来装置のＸＩＶａ−ＸＩＶａ線断面に相当する部分の断面構造を示している。なお以下の各実施例では、図１３（ｂ）のＸＩＶｂ−ＸＩＶｂ線断面における素子部上の透明膜やレンズ層等の構造はＸＩＶａ−ＸＩＶａ線断面のものと同一であるため、図示していない。
【００３８】図において１０１は本実施例の固体撮像装置で、この装置１０１では、素子部２０１とレンズ層２０３との間に、屈折率の異なる２つの光透過層１９ａ，１９ｂの接触界面Ｆ1 を有し、上記レンズ層２０３により集光された入射光Ａの光束を、上記接触界面Ｆ1 での屈折によりこれが平行光束により近い光束となるよう分散する光束分散層１１０が配設されている。ここで上記光入射側光透過層１９ｂはシリコン系樹脂から、上記光出射側光透過層１９ａはシリコン窒化膜から構成されており、光入射側光透過層１９ｂの屈折率ｎ19bは１．４〜１．５程度、光出射側光透過層１９ａの屈折率ｎ19aはシリコン窒化膜の組成比にもよるが約２．０となっている。その他の構成は従来の固体撮像装置２００と同一であるが、ここでは説明の都合上第２ポリシリコン膜７ｂの、ＣＣＤチャネル領域上の部分をＣＣＤゲート電極７としている。
【００３９】
次に上記固体撮像素子の製造方法について簡単に説明する。まずＮ型シリコン基板１にボロン等のＰ型不純物やリン等のＮ型不純物を適宜選択的に導入し、これによりＮ型シリコン基板１上にＰ型ウェル領域２を、その表面に受光部としてのＮ型半導体層３，Ｎ型ＣＣＤチャネル領域４及びＰ型チャネル分離領域５を形成する（図２（ａ））
【００４０】
次に上記Ｐ型ウエル領域２の表面上にシリコン酸化膜６を介して第１及び第２のポリシリコン膜７ａ，７ｂ（図１３（ｂ），図１４（ｂ）参照）を形成し、これをパターニングして上記Ｎ型ＣＣＤチャネル領域４上にＣＣＤゲート電極７を、またＮ
−
型ＴＧチャネル領域４ａ上にＴＧゲート電極を形成する（図１３（ｂ）参照）。その後アルミ膜の形成とパターニングにより、上記各ゲート電極上にこれに覆い被さるようアルミ遮光膜８を形成し、これにより上記素子部２０１を完成する（図２（ｂ））
【００４１】
そして上記素子部２０１上全面にシリコン窒化膜をその表面ができるだけ平坦になるよう、例えばバイアス印加ＥＣＲ(Electron Cyclotron Resonance)型プラズマＣＶＤ法等により堆積して、厚さ０．１〜１μｍの光出射側光透過層１９ａを形成し（図２（ｃ））、続いてその上にシリコン系樹脂を堆積して光入射側光透過層１９ｂを形成する。これにより上記光束分散層１１０が形成される（図２（ｄ））
【００４２】その後上記光束分散層１１０上に熱可塑性樹脂、例えば東京応化株式会社製ＯＦＰＲ−８００，ＯＤＵＲ−１０１０，ＯＥＢＲ−１００，１０００等をスピン塗布法等により塗布し、フォトリソグラフィー技術等を用いてパターニングして受光部３上の周辺端部を除去する。これにより平面長方形形状の熱可塑性樹脂１０ａが各受光部３上に、垂直ＣＣＤの転送方向にはＣＣＤチャネル領域側の中央付近まで、また該転送方向と直角方向にはＰ型チャネル分離領域５の中央付近まで広がった、平面長方形形状の熱可塑性樹脂層１０ａが形成される（図２（ｅ））。最後に所定の温度、例えば上記熱可塑性樹脂としてＯＦＰＲ−８００を用いた場合は、１５０°Ｃ前後の温度で上記熱可塑性樹脂層１０ａを熱リフローすることにより該樹脂層１０ａを平面長楕円形状の凸レンズ状に加工してマイクロレンズ１０を形成し、固体撮像装置１０１を完成する（図２（ｆ））。
【００４３】次に作用効果について説明する。一般に、２つの異なる物質の界面では、それらの屈折率に差があると光路Ｌが屈折する。以下図１２（ａ）を用いて詳しく説明する。光が屈折率の小さい物質Ｉ（屈折率ｎ1）から界面上の点Ｐ1に入射して、屈折率の大きい物質II（屈折率ｎ2）へ進むとき、点Ｐ1に立てた法線Ｍ1と入射光線Ｌ1がなす角を入射角θ1、法線Ｍ1と出射光線Ｌ2のなす角を出射角θ2、入射光線Ｌ1と出射光線Ｌ2とがなす角度を屈折角δaとすると、屈折の原理を示す式 ｎ1 sin θ1 ＝ｎ2 sin θ2 よりこの場合ｎ1 ＜ｎ2 であるので、θ1 ＞θ2 となり、屈折角δa はθ1 −θ2となる。
【００４４】
従って本実施例の固体撮像装置１０１では、レンズ層２０３と素子部２０１との間に、屈折率１．４〜１．５の光入射側光透過層１９ｂと屈折率約２．０の光出射側光透過層１９ａとからなる光束分散層１１０を設けているため、マイクロレンズ１０により集光された入射光Ａは上記光束分散層１１０中の両光透過層１９ａ，１９ｂの接触界面Ｆ1 での屈折により分散して平行光束に近い光束となる。つまり入射光Ａは受光部３にその表面に対して垂直に近い角度で入射することとなり、Ｐ型ウェル領域２の、受光部３下側の深部での入射光の広がりが抑えられることとなる。これにより受光部３に隣接するＣＣＤチャネル部への光電子の漏れ込みが少なくなり、スミアによる雑音を低減することができる
　
（２−２）ここにおいて、００３９段落〜００４１段落の「まずＮ型シリコン基板１にボロン等のＰ型不純物やリン等のＮ型不純物を適宜選択的に導入し、これによりＮ型シリコン基板１上にＰ型ウェル領域２を、その表面に受光部としてのＮ型半導体層３，Ｎ型ＣＣＤチャネル領域４及びＰ型チャネル分離領域５を形成する（図２（ａ））。【００４０】次に上記Ｐ型ウエル領域２の表面上にシリコン酸化膜６を介して第１及び第２のポリシリコン膜７ａ，７ｂ（図１３（ｂ），図１４（ｂ）参照）を形成し、これをパターニングして上記Ｎ型ＣＣＤチャネル領域４上にＣＣＤゲート電極７を、またＮ−型ＴＧチャネル領域４ａ上にＴＧゲート電極を形成する（図１３（ｂ）参照）。その後アルミ膜の形成とパターニングにより、上記各ゲート電極上にこれに覆い被さるようアルミ遮光膜８を形成し、これにより上記素子部２０１を完成する（図２（ｂ））。【００４１】そして上記素子部２０１上全面にシリコン窒化膜をその表面ができるだけ平坦になるよう、例えばバイアス印加ＥＣＲ(Electron Cyclotron Resonance)型プラズマＣＶＤ法等により堆積して、厚さ０．１〜１μｍの光出射側光透過層１９ａを形成し（図２（ｃ））、続いてその上にシリコン系樹脂を堆積して光入射側光透過層１９ｂを形成する。これにより上記光束分散層１１０が形成される（図２（ｄ））。」という記載、及び図２（ａ）〜（ｄ）の記載から、引用文献に記載された「固体撮像装置」は、「Ｎ型シリコン基板１上」の「Ｐ型ウェル領域２の表面」における各「アルミ遮光膜８」に挟まれた領域内において、「シリコン酸化膜６」を介して、「その表面ができるだけ平坦になるよう」に堆積した「シリコン窒化膜」を有していることが明らかである。
　
（２−３）以上を総合すると、引用例には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「Ｎ型シリコン基板１上のＰ型ウェル領域２の表面に、受光部としてのＮ型半導体層３、Ｎ型ＣＣＤチャネル領域４及びＰ型チャネル分離領域５が形成され、
　前記Ｎ型ＣＣＤチャネル領域４上にＣＣＤゲート電極７が形成され、各前記ＣＣＤゲート電極７上にこれに覆い被さるようアルミ遮光膜８が形成され、
　前記Ｎ型シリコン基板１上の前記Ｐ型ウェル領域２の表面における各前記アルミ遮光膜８に挟まれた領域内において、シリコン酸化膜６を介して、その表面ができるだけ平坦になるように堆積されたシリコン窒化膜を有する、
　固体撮像装置。」
　
（３）補正発明と引用発明との対比
（３−１）引用発明の「Ｎ型シリコン基板１」が補正発明の「半導体基板」に相当し、引用発明の「Ｎ型シリコン基板１」における「Ｐ型ウェル領域２」が形成されている方の表面が補正発明の「主表面」に相当することは明らかである。
　また、引用発明において、「受光部としてのＮ型半導体層３」と「Ｐ型ウェル領域２」とで、フォトダイオードが形成されていることは当業者にとって明らかであるから、引用発明の「受光部としてのＮ型半導体層３」と「Ｐ型ウェル領域２」が補正発明の「光電変換素子」に相当する。
　そして、一般に固体撮像装置において、そのようなフォトダイオードが多数形成されていることは当業者における技術常識であるから、引用発明の「『Ｎ型シリコン基板１上のＰ型ウェル領域２の表面に、受光部としてのＮ型半導体層３』『が形成され』ている構成」が、補正発明の「『前記半導体基板の主表面に形成された多数の光電変換素子』を『有する』構成」に相当する。
　
（３−２）引用発明の「Ｎ型ＣＣＤチャネル領域４」及び「ＣＣＤゲート電極７」が「ＣＣＤ」の一部を構成するものであることは自明であるから、引用発明である「固体撮像装置」が「ＣＣＤ」を有していることは明らかである。
　そして、引用発明において、「Ｎ型ＣＣＤチャネル領域４」が「受光部としてのＮ型半導体層３」に近接して形成されていることは、引用例の図１等から明らかであり、さらに、「ＣＣＤ」が電荷を転送する機能を有することは当業者の技術常識である。
　したがって、引用発明は、補正発明のように、「前記多数の光電変換素子に近接して、前記半導体基板の主表面に形成された機能素子」を有しているものと認められる。
　
（３−３）引用発明の「アルミ遮光膜８」は補正発明の「遮光膜」に相当する。
　そして、引用発明においては、「アルミ遮光膜８」が「前記Ｎ型シリコン基板１」の上方に位置することは明らかである。
　また、引用発明の「アルミ遮光膜８」が、「Ｎ型ＣＣＤチャネル領域４」及び「ＣＣＤゲート電極７」を遮光していること、及び、「受光部としてのＮ型半導体層３」の領域上方を開口をする窓を有していることは、引用例の図１等から明らかである。
　したがって、引用発明の「『各前記ＣＣＤゲート電極７上にこれに覆い被さるようアルミ遮光膜８が形成され』ている構成」は、補正発明の「『前記半導体基板上方に形成され、前記機能素子の上方を遮光し、各前記光電変換素子の所定領域上方を開口する窓を有する遮光膜』『を有する』構成」に相当する。
　
（３−４）引用発明の「前記Ｎ型シリコン基板１上の前記Ｐ型ウェル領域２の表面における各前記アルミ遮光膜８に挟まれた領域内」は、補正発明の「前記半導体基板上方で、少なくとも一部の前記窓内」に相当する。
　そして、一般に、シリコン窒化膜が透光性で、酸化シリコンよりも屈折率が高いことは当業者の技術常識であり、また、屈折率が高ければ実行波長が長くなることも同様に技術常識であるから、引用発明の「シリコン窒化膜」が「前記Ｎ型シリコン基板１上の前記Ｐ型ウェル領域２の表面における各前記アルミ遮光膜８に挟まれた領域内」を透過する光の実効波長を低減する機能を有していることは明らかである。
　そして、引用発明においては、「シリコン窒化膜」は「シリコン酸化膜６」の上に形成されているが、「Ｎ型シリコン基板１」の上に形成された「シリコン酸化膜６」が平坦であることは当業者にとって明らかであり、また、当該「シリコン窒化膜」は、「その表面ができるだけ平坦になるように堆積され」ているから、引用発明の「シリコン窒化膜」は、補正発明と同様に「平坦な下面及び平坦な上面を有し」ているものと認められる。
　したがって、引用発明の「前記Ｎ型シリコン基板１上の前記Ｐ型ウェル領域２の表面における各前記アルミ遮光膜８に挟まれた領域内において、シリコン酸化膜６を介して、その表面ができるだけ平坦になるように堆積されたシリコン窒化膜」は、補正発明の「前記半導体基板上方で、少なくとも一部の前記窓内に配置され、前記半導体基板の主表面に直接接する平坦な下面及び平坦な上面を有し、酸化シリコンより高屈折率の透光体で形成され、前記窓を透過する光の実効波長を低減する実効波長低減部材」に対応しており、両者は「前記半導体基板上方で、少なくとも一部の前記窓内に配置され、平坦な下面及び平坦な上面を有し、酸化シリコンより高屈折率の透光体で形成され、前記窓を透過する光の実効波長を低減する実効波長低減部材」である点で一致する。
　また、引用発明の「固体撮像装置」が補正発明の「半導体光電変換装置」に相当することは当業者にとって明らかである。
　
（３−５）したがって、補正発明と引用発明とは、
　「主表面を有する半導体基板と；
　前記半導体基板の主表面に形成された多数の光電変換素子と；
　前記多数の光電変換素子に近接して、前記半導体基板の主表面に形成された機能素子と；
　前記半導体基板上方に形成され、前記機能素子の上方を遮光し、各前記光電変換素子の所定領域上方を開口する窓を有する遮光膜と；
　前記半導体基板上方で、少なくとも一部の前記窓内に配置され、平坦な下面及び平坦な上面を有し、酸化シリコンより高屈折率の透光体で形成され、前記窓を透過する光の実効波長を低減する実効波長低減部材と；
を有する半導体光電変換装置。」
　
　である点で一致し、以下の点で相違する。
（相違点）
　補正発明は、「実効波長低減部材」が「前記半導体基板の主表面に直接接する」構成となっているのに対して、引用発明は、補正発明の「実効波長低減部材」に相当する「シリコン窒化膜」が「シリコン酸化膜６」を介して「前記Ｎ型シリコン基板１上の前記Ｐ型ウェル領域２の表面」に形成されている点。
　
（４）相違点についての当審の判断
（４−１）一般に、固体撮像装置（とりわけＣＣＤを用いた固体撮像装置）において、半導体基板に設けられた受光部において外部からの光を受けるに際して、酸化膜を介して受光するよりも、窒化膜等のより屈折率の高い膜を介して受光する方が、スミアの防止や感度の向上の観点から好ましいことは当業者における技術常識であり、スミアの防止や感度の向上を図るため、半導体基板上の受光部の部分に、窒化膜等のシリコン酸化膜よりも屈折率の高い膜を設けることは、例えば以下の周知例１〜３にも記載されているように、当業者における周知技術である。
　
ａ．周知例１：特開２０００−１６４８３９号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開２０００−１６４８３９号公報（以下「周知例１」という。）には、図２とともに以下の記載がある。
　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
固体撮像装置に関し、特に固体撮像装置における画素部の構造に関する
　「【００１４】センサ部１４の受光面上には集光レンズ、
例えばセンサ部１４の受光面と反対側に凸状の凸レンズ２１が、シリコン酸化膜よりも屈折率の高い膜、例えばプラズマ窒化シリコン膜によって形成されている。
　「【００１８】
先ずはじめに、従来知られている方法で遮光膜２２およびセンサ部１４上の遮光膜開口２２ａまでを形成する。その上に、シリコン酸化膜よりも高い屈折率、例えばプラズマ窒化シリコン膜を成膜する
【００１９】ここで、図２に示すように、例えばリソグラフィー法によりフォトレジストでパターン形成後リフローさせてセンサ部１４の受光面と反対側に凸状となるレンズ形状にした後、エッチバック法を用いることにより、センサ部１４の受光面直上に、遮光膜２２の開口２２ａと同じ大きさの凸レンズ２１を形成する。」
　
　したがって、周知例１には、固体撮像装置において、半導体基板上の受光部である「センサ部１４」上に「プラズマ窒化シリコン膜」を設けることが記載されているものと認められる。
　
ｂ．周知例２：特開平２−９４６６４号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平２−９４６６４号公報（以下「周知例２」という。）には、第１図とともに以下の記載がある。
　「〔産業上の利用分野〕
この発明は固体撮像素子に関し、特にスミアノイズの小さい固体撮像素子に関するものである
　「第１図は本発明の一実施例による固体撮像素子を示す断面図である。
　図において、１はＮ−領域からなる光検出部を構成するフォトダイオード、２はフォトダイオード１で発生した信号電荷を転送するためのＮ−領域からなる垂直ＣＣＤ、３はフォトダイオード１とＣＣＤ２を分離するためのＰ＋分離領域、４はＣＣＤ２の転送電極、４ａ，４ｂは転送電極４を構成する第１，及び第２のポリシリコン層、５はＣＣＤ２に光が漏れ込むのを防止するアルミ等でつくられた遮光膜、８はＳｉＯ２からなるゲート酸化膜、９はＰ型半導体基板、１０はＳｉＯあるいはＭｇＦからなる反射防止膜、６は屈折率ｎ２（＝１．４６）のリンガラスから形成される層間膜、
１７は層間膜６よりも大きい屈折率ｎ
１
（＝２．００）を有するＳｉ
３
Ｎ
４
よりなる保護膜である。
　
　したがって、周知例２には、固体撮像素子において、半導体基板上の受光部である「フォトダイオード１」上に、リンガラスから形成される層間膜よりも高い屈折率を有する「Ｓｉ３Ｎ４よりなる保護膜」を設けることが記載されているものと認められる。
　
ｃ．周知例３：特開平８−１４８６６５号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平８−１４８６６５号公報（以下「周知例３」という。）には、図１及び１０とともに以下の記載がある。
　「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は固体撮像素子に係り、特に反射防止膜を有する固体撮像素子に関する
　「【０００４】図１０はマイクロレンズを有する従来の固体撮像素子の一例の構成図を示す。この従来の固体撮像素子は、ｎ型基板１２にｐウェル１０と高濃度のｐ＋領域８とｎ領域９からなるフォトダイオードが形成され、かつ、ｐ＋ウェル１１及びｎウェル７が形成されたシリコン（Ｓｉ）基板１３上に、絶縁膜として酸化膜２が形成されると共にｎウェル７の上方にゲート電極６が形成されている。ｎウェル７は電荷転送路を構成する。」
　「【００１４】
【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。図１は本発明の第１実施例の構成図を示す。同図中、図１０と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
図１に示すように、本実施例では、第１の絶縁膜である酸化膜２と半導体基板であるＳｉ基板１３の境界面に、酸化膜２の複素屈折率よりも大で、かつ、Ｓｉ基板１３の複素屈折率よりも小なる複素屈折率を持ち、吸収のない反射防止膜３を設けた点に特徴がある
　「【００２０】図３（Ａ）及び（Ｂ）から分かるように、適当な値の膜厚ｄの反射防止膜３をＳｉ基板１３と酸化膜２との界面に設けることにより、反射率を従来の固体撮像素子よりも低減することができる。なお、上記の反射防止膜３はＳｉＯ膜としたが、これと同様の複素屈折率で、吸収のない他の物質、
例えば窒化シリコン（Ｓｉ
３
Ｎ
４
）
　
　したがって、周知例３には、固体撮像素子において、半導体基板上の受光部である「フォトダイオード」上に、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）の「反射防止膜３」を設けることが記載されているものと認められる。
　
（４−２）そして、引用発明は、引用例の００１５段落の「この発明は・・・受光部の感度を低下させることなく、光電子のＣＣＤチャネル領域への漏れ込みによるスミアを低減できる固体撮像装置及びその製造方法を得ることを目的とする。」という記載から明らかなように、受光部の感度を低下させることなくスミアの低減することを技術課題とするものであるから、引用発明において、スミアの防止や感度の向上についての更なる向上を図るべく、上記周知技術を適用することにより、「シリコン窒化膜」が「シリコン酸化膜６」を介して「前記Ｎ型シリコン基板１上の前記Ｐ型ウェル領域２の表面」に形成されている構成に代え、「シリコン窒化膜」が「シリコン酸化膜６」を介さずに「前記Ｎ型シリコン基板１上の前記Ｐ型ウェル領域２の表面」に形成する構成とすること、すなわち、補正発明のように、「実効波長低減部材」が「前記半導体基板の主表面に直接接する」構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　以上検討したとおり、補正発明と引用発明との相違点は、周知技術を勘案することにより当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものであるから、補正発明は、周知技術を勘案することにより引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（５）独立特許要件についてのまとめ
　本件補正は、補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
５．補正の却下の決定のむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
　平成２０年１月９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１６に係る発明は、平成１９年１０月２６日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１６に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記第２．１．の「（補正前）」の箇所に記載したとおりのものである。 
　一方、本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平６−１２５０７０号公報（引用例）には、上記第２．４．（２）に記載したとおりの事項、及び発明（引用発明）が記載されているものと認められる。 
　そして、本願発明に対して技術的限定を加えた発明である補正発明は、上記第２．４．において検討したとおり、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も当然に、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　したがって、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。