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　特願２００６−２７３８７８「窒化物系半導体発光素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　４月１９日出願公開、特開２００７−１０３９５１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１８年１０月５日（パリ条約による優先権主張２００５年１０月７日、大韓民国）の特許出願であって、平成２０年１月１７日付けで手続補正がなされ、同年２月２２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月２６日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年６月２５日付けで手続補正がなされ、その後、当審において、平成２２年２月１２日付けで平成２０年６月２５日付け手続補正が却下されるとともに同日付で拒絶理由が通知され、平成２２年５月１４日付けで手続補正がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２２年５月１４日付け手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし請求項８に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１の記載は次のとおりである。
　
「　基板と、
　前記基板上に形成されたｎ型窒化物半導体層と、
　前記ｎ型窒化物半導体層上に順に形成された活性層及びｐ型窒化物半導体層と、
　前記ｐ型窒化物半導体層上に形成された透明電極と、
　前記ｎ型窒化物半導体層上に形成されたｎ型電極パッドと、
　前記ｐ型窒化物半導体層のエッジラインから離隔された位置に配置されたｐ型電極パッドと
　を備え、
　前記ｐ型電極パッドは、前記エッジラインから見て、オプティカルパワーが増加を始める位置と減少を始める位置との間に配置されている窒化物系半導体発光素子。」（以下「本願発明」という。）
　
２　引用刊行物の記載事項
　当審における拒絶理由に引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００３−４６１２７号公報（以下「引用刊行物」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（１）「【特許請求の範囲】
【請求項１】基板上に形成された第１導電型の第１窒化物系半導体層と、
前記第１窒化物系半導体層上に形成され、窒化物系半導体からなる発光層と、
前記発光層上に形成され、窒化ガリウムよりもバンドギャップの小さい窒化物系半導体層を含む第２導電型のコンタクト層と、
前記コンタクト層上に形成され、透光性を有する電極とを備えた、窒化物系半導体発光素子。
・・・
【請求項５】前記透光性を有する電極は、光を透過可能な厚みで形成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化物系半導体発光素子。
・・・
【請求項７】前記透光性を有する電極は、光を透過可能な間隙を有するように形成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化物系半導体発光素子。
・・・
【請求項９】前記光を透過可能な間隙が形成される領域には、前記透光性を有する電極が形成されておらず、
前記透光性を有する電極の前記間隙以外の領域は、光を透過可能な厚みよりも大きい厚みで形成されている、請求項７に記載の窒化物系半導体発光素子。」
　
（２）「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のｐ型窒化物系半導体層上に透光性を有するｐ側電極を形成する場合、ＬＥＤの順方向電圧を下げるために、ｐ側電極の厚みを厚くして電気抵抗を下げる必要があった。しかしながら、上記のように、ｐ側電極の厚みを厚くすると、紫外光、青色光および緑色光に対するｐ側電極の透過率が低下するという不都合があった。このため、ｐ側電極から取り出される光の発光強度が低下するという問題点があった。
【０００６】また、ｐ側電極の透過率を向上させるために、ｐ側電極の厚みを薄くすると、ｐ側電極のシート抵抗が大きくなるので、ｐ側電極とｐ型窒化物系半導体層との間のコンタクト抵抗が大きくなる。このため、ｐ側電極からｐ型窒化物系半導体層に電流が均一に流れにくくなるので、均一な発光を得ることが困難になるという不都合が生じる。これによっても、発光強度が低下するという問題点があった。また、この場合に、発光強度の低下を防止しようとすると、ＬＥＤの駆動電圧が高くなるという問題点もあった。
【０００７】この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、低い駆動電圧で均一な発光を得ることが可能な窒化物系半導体発光素子を提供することである。」
　
（３）「【００２８】（第１実施形態）図１は、本発明の第１実施形態による発光ダイオード素子（青色ＬＥＤチップ）を示した断面図である。また、図２は、図１に示した発光ダイオード素子（青色ＬＥＤチップ）の上面図である。
【００２９】・・・図１に示すように、サファイア基板１の（０００１）面上に、約１０ｎｍの膜厚を有するＡｌＧａＮからなる低温バッファ層２および約１μｍの膜厚を有するアンドープＧａＮからなる高温バッファ層３が順次形成されている。高温バッファ層３上には、約５μｍの膜厚の凸部を有するＳｉドープＧａＮからなるｎ型コンタクト層４が形成されている。このｎ型コンタクト層４は、ｎ型クラッド層を兼用するように形成されている。なお、サファイア基板１は、本発明の「基板」の一例であり、ｎ型コンタクト層４は、「第１窒化物系半導体層」の一例である。
【００３０】また、ｎ型コンタクト層４の凸部の上面上のほぼ全面と接触するように、多重量子井戸（ＭＱＷ）発光層５が形成されている。・・・なお、ＭＱＷ発光層５は、本発明の「発光層」の一例である。
【００３１】ＭＱＷ発光層５上には、ＭＱＷ発光層５の結晶の劣化を防止するために、約１０ｎｍの膜厚を有するアンドープＧａＮからなる保護層６が形成されている。保護層６上には、約０．１５μｍの膜厚を有するとともに、約５×１０19ｃｍ-3のドーピング量および約２×１０18ｃｍ-3のキャリア濃度を有するＭｇドープＡｌ0.05Ｇａ0.95Ｎからなるｐ型クラッド層７と、約０．３μｍの膜厚を有するとともに、約５×１０19ｃｍ-3のドーピング量および約５×１０18ｃｍ-3のキャリア濃度を有するＭｇドープＧａＮからなるｐ型中間層８とがこの順序で形成されている。なお、ｐ型クラッド層７は、本発明の「第２窒化物系半導体層」および「クラッド層」の一例であり、ｐ型中間層８は、本発明の「中間層」の一例である。
【００３２】そして、そのｐ型中間層８上には、約０．３μｍの膜厚を有するとともに、約５×１０19ｃｍ-3のドーピング量および約８×１０18ｃｍ-3のキャリア濃度を有するＭｇドープＧａ0.85Ｉｎ0.15Ｎからなるｐ型コンタクト層９が形成されている。なお、ｐ型コンタクト層９は、本発明の「コンタクト層」の一例である。
・・・
【００３４】ｐ型コンタクト層９の上面上には、約２ｎｍの膜厚を有するＰｄ膜１０ａと、約４ｎｍの膜厚を有するＡｕ膜１０ｂとから構成されるｐ側電極１０が形成されている。ｐ側電極１０は、透光性を有するように薄い厚み（合計膜厚約６ｎｍ）で形成されている。なお、ｐ側電極１０は、本発明の「透光性を有する電極」の一例である。
【００３５】また、図１および図２に示すように、ｐ側電極１０の上面上の一部には、約３０ｎｍの膜厚を有するＴｉ膜１１ａと、約５００ｎｍの膜厚を有するＡｕ膜１１ｂとから構成されるｐ側パッド電極１１が形成されている。また、ｐ型コンタクト層９からｎ型コンタクト層４までの一部領域が除去されている。そのｎ型コンタクト層４の露出した表面には、約５００ｎｍの膜厚を有するＡｌ膜からなるｎ側電極１２が形成されている。
・・・
【００４５】次に、図１および図２を参照して、第１実施形態による発光ダイオード素子（青色ＬＥＤチップ）の製造方法について説明する。
・・・
【００５２】そして、図１および図２に示すように、真空蒸着法などを用いて、ｐ型コンタクト層９の上面上のほぼ全面にＰｄ膜１０ａおよびＡｕ膜１０ｂからなるｐ側電極１０を形成する。そのｐ側電極１０上に、Ｔｉ膜１１ａおよびＡｕ膜１１ｂからなるｐ側パッド電極１１を形成する。また、エッチングにより露出されたｎ型コンタクト層４の表面に、Ａｌからなるｎ側電極１２を形成する。その後、チップを約６００℃の温度で熱処理することによって、ｐ側電極１０およびｎ側電極１２を、それぞれｐ型コンタクト層９およびｎ型コンタクト層４にオーミック接触させる。
【００５３】最後に、スクライブ、ダイシングおよびブレーキングなどの方法を用いて、たとえば、一辺の長さが約４００μｍのほぼ正方形のチップ形状に素子分離を行う。このようにして、図１および図２に示されるような第１実施形態の発光ダイオード素子（青色ＬＥＤチップ）が形成される。」
　
（４）「【００７８】（第３実施形態）図７は、本発明の第３実施形態による発光ダイオード素子を示した上面図である。この第３実施形態では、第１実施形態のｐ側電極１０の代わりに、網目状のｐ側電極３１を形成した例を示している。・・・
【００７９】この第３実施形態では、図７に示すように、真空蒸着法を用いて、ｐ型コンタクト層９上に、ｐ型コンタクト層９の上面の約１０％を覆うように、約１００ｎｍの膜厚を有するＰｄ膜と、そのＰｄ膜上に形成された約１００ｎｍの膜厚を有するＡｕ膜とからなるｐ側電極３１が形成されている。このｐ側電極３１は、電極間に、電極が形成されていない光を透過可能な間隙を有するように、網目状に形成されている。すなわち、このｐ側電極３１を構成するＰｄ膜およびＡｕ膜は、約２０μｍの電極幅と、約５０μｍの電極間距離を有するように形成されている。そのｐ側電極３１の上面上の一部には、約３０ｎｍの膜厚を有するＴｉ膜と、約５００ｎｍの膜厚を有するＡｕ膜とから構成されるｐ側パッド電極３２が形成されている。なお、ｐ側電極３１は、本発明の「透光性を有する電極」の一例である。また、第３実施形態のｐ側電極３１およびｐ側パッド電極３２以外の部分の構造は、図１に示した第１実施形態の発光ダイオード素子の構造と同様である。」
　
（５）「【０１７５】また、上記第１〜第９実施形態では、ｐ側電極において、ｐ型コンタクト層と接触するＰｄ膜上にＡｕ膜を形成したが、本発明はこれに限らず、ｐ型コンタクト層と接触する金属膜上に、Ａｕ膜の代わりに、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）およびマグネシウム（Ｍｇ）のうち、少なくとも一種を含む酸化物を形成してもよい。具体的には、ＺｎＯ、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＩＴＯ（ＩｎとＳｎとの酸化物）またはＭｇＯなどの酸化物を形成してもよい。」
　
（６）上記（３）の記載及び図１の断面図によれば、第１実施形態による発光ダイオード素子においては、上記（１）の特許請求の範囲の記載における「第１導電型」及び「第２導電型」は、それぞれ、「ｎ型」及び「ｐ型」とされていると認められる。
　
（７）上記（３）及び（４）の記載を踏まえて図２及び図７を見れば、第３実施形態の、「透光性を有する電極」の一例として網目状のｐ側電極３１を形成した例では、上記網目状のｐ側電極３１の上面上の一部に形成されるｐ側パッド電極３２は、発光ダイオードチップの上面上の、ｎ側電極１２とは反対側のエッジ部に形成されており、第１実施形態の「透光性を有する電極」の一例として透光性を有するように薄い厚み（合計膜厚約６ｎｍ）でｐ側電極１０が形成されている例では、上記ｐ側電極１０の上面上の一部に形成されるｐ側パッド電極１１は、ｎ側電極１２とは反対側のエッジ部からｎ側電極１２側へ、所定距離離間して形成されていることが見て取れる。
　
　上記摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「低い駆動電圧で均一な発光を得ることが可能な窒化物系半導体発光素子を提供することを目的とし、
基板上に形成された第１導電型の第１窒化物系半導体層と、
前記第１窒化物系半導体層上に形成され、窒化物系半導体からなる発光層と、
前記発光層上に形成され、窒化ガリウムよりもバンドギャップの小さい窒化物系半導体層を含む第２導電型のコンタクト層と、
前記コンタクト層上に形成され、透光性を有する電極と
前記透光性を有する電極上に形成されたパッド電極とを備えた、窒化物系半導体発光素子であって、
上記第１導電型がｎ型、上記第２導電型がｐ型であり、
第１窒化物系半導体層の一例であるｎ型コンタクト層は、ｎ型クラッド層を兼用するように形成されており、該ｎ型コンタクト層の露出した表面にはｎ側電極が形成され、
上記透光性を有する電極として、網目状又は透光性を有するように薄い厚みでｐ側電極を形成し、
上記透光性を有する電極として網目状のｐ側電極を形成した例では、上記網目状のｐ側電極の上面上の一部に形成されるｐ側パッド電極は、発光ダイオードチップの上面上の、ｎ側電極とは反対側のエッジ部に形成されており、
上記透光性を有する電極として透光性を有するように薄い厚みでｐ側電極が形成されている例では、上記ｐ側電極の上面上の一部に形成されるｐ側パッド電極は、ｎ側電極とは反対側のエッジ部からｎ側電極側へ、所定距離離間して形成され、
上記ｐ側電極としてＩＴＯなどの酸化物を形成した、窒化物系半導体発光素子。」
　
３　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「基板」、「『基板上に形成された』『ｎ型』の『第１窒化物系半導体層』」、「（前記第１窒化物系半導体層上に形成され、窒化物系半導体からなる）発光層」、「（前記発光層上に形成され、窒化ガリウムよりもバンドギャップの小さい窒化物系半導体層を含む）『ｐ型』の『コンタクト層』」、「（ｐ型の）コンタクト層上に形成され、透光性を有する電極」及び「『ｎ型コンタクト層の露出した表面に』『形成され』た『ｎ側電極』」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「前記基板上に形成されたｎ型窒化物半導体層」、「活性層」、「ｐ型窒化物半導体層」、「前記ｐ型窒化物半導体層上に形成された透明電極」及び「前記ｎ型窒化物半導体層上に形成されたｎ型電極パッド」に相当する。
　
（２）引用発明の「（ｐ側）パッド電極」は、「透光性を有する電極として透光性を有するように薄い厚みでｐ側電極が形成されている例では、上記ｐ側電極の上面上の一部に形成されるｐ側パッド電極は、ｎ側電極とは反対側のエッジ部からｎ側電極側へ、所定距離離間して形成され」たものであるから、本願発明の「前記ｐ型窒化物半導体層のエッジラインから離隔された位置に配置されたｐ型電極パッド」に相当する。
　
　よって、本願発明と引用発明とは、
「　基板と、
　前記基板上に形成されたｎ型窒化物半導体層と、
　前記ｎ型窒化物半導体層上に順に形成された活性層及びｐ型窒化物半導体層と、
　前記ｐ型窒化物半導体層上に形成された透明電極と、
　前記ｎ型窒化物半導体層上に形成されたｎ型電極パッドと、
　前記ｐ型窒化物半導体層のエッジラインから離隔された位置に配置されたｐ型電極パッドと
　を備える、窒化物系半導体発光素子。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
［相違点］
　ｐ型電極パッドが、本願発明では、「前記エッジラインから見て、オプティカルパワーが増加を始める位置と減少を始める位置との間に配置されている」のに対して、引用発明では、そのように配置されているか否か不明である点。
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
　
（１）上記相違点に係る本願発明の「ｐ型電極パッドは、前記エッジラインから見て、オプティカルパワーが増加を始める位置と減少を始める位置との間に配置されている」との特定事項に関して、「オプティカルパワーが増加を始める位置」及び「（オプティカルパワーが）減少を始める位置」との記載は、機能的な表現によって物の構成を特定しようとするものであるが、本願明細書には、「オプティカルパワーが増加を始める位置」及び「（オプティカルパワーが）減少を始める位置」についての記載がないため、上記請求項の記載によって特定されるべきｐ型電極パッドの位置について、必ずしも明確に示されているとはいえないが、本願の明細書、特許請求の範囲及び図面を参酌すれば、本願発明は、「ｐ型電極パッド付近の面積を拡張して光抽出効率を向上させ、局部的な電流の集中を防止して駆動電圧を減少させる」ことを課題とし（段落００１１等参照。）、「図６に示すように、ｐ型電極パッド２０６がメサラインから約５０μｍ〜２００μｍ分だけ離隔される間、Ｐｏ値が増加する傾向を示しており、２００μｍ以上に離隔されるほど、Ｐｏ値が減少することが分かる。したがって、前記ｐ型電極パッド２０６は、メサラインである前記ｐ型窒化物半導体層２０４の外側エッジラインから５０〜２００μｍ程度の範囲で離隔されることが最も好ましい。」との知見を得（段落００３６、図６等参照。）、それに基づいて、「前記透明電極上に形成され、前記ｐ型窒化物半導体層の外側エッジラインから５０〜２００μｍ分だけ離隔されたｐ型電極パッド」（〔課題を解決するための手段〕欄の段落００１２。また、出願当初の請求項１の記載事項でもある。）との構成を課題解決手段として備えることにより、「本発明によれば、ｐ型電極パッドをメサラインから所定間隔離隔させることにより、発光が優先的に発生するｐ型電極パッド付近の面積を拡張してチップの光抽出効率を向上させることができ、局部的な電流の集中を分散させて駆動電圧を減少させるなど、素子の信頼性を向上させることができる」（段落００１８）という効果を奏するものであるから、本願発明の上記特定事項は、ｐ型電極パッドが、光抽出効率を考慮して配置されていること、あるいは、ｐ型窒化物半導体層の外側エッジラインから５０〜２００μｍ分だけ離隔されて配置されていること、を示すものといえる。
　
（２）上記（１）を踏まえて引用発明について検討するに、引用発明は、上記２（２）に示したように、「ｐ側電極の透過率を向上させるために、ｐ側電極の厚みを薄くすると、ｐ側電極のシート抵抗が大きくなるので、ｐ側電極とｐ型窒化物系半導体層との間のコンタクト抵抗が大きくなる。このため、ｐ側電極からｐ型窒化物系半導体層に電流が均一に流れにくくなるので、均一な発光を得ることが困難になるという不都合が生じる。これによっても、発光強度が低下するという問題点があった。また、この場合に、発光強度の低下を防止しようとすると、ＬＥＤの駆動電圧が高くなるという問題点もあった。」という課題を解決するためになされたものであるから、引用発明のうち、「上記透光性を有する電極として透光性を有するように薄い厚みでｐ側電極が形成されている例」において、「ｐ側パッド電極は、ｎ側電極とは反対側のエッジ部からｎ側電極側へ、所定距離離間して形成され」との構成を採っているのは、上記課題における電流（発光）の均一性、発光強度、駆動電圧といった特性を考慮したものであるといえる。
　また、発光強度（オプティカルパワー）の向上は、半導体発光素子の技術分野において技術常識の範囲に属するきわめて一般的な課題であるから、引用発明において、発光強度の向上を考慮してｐ側パッド電極を離間する距離（配置位置）を設定し、相違点に係る本願発明の特定事項とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明及び技術常識から当業者が予測し得る程度のものである。
　
（３）以上の検討によれば、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。