【事件の表示】
　特願２０００−３１５９７７「液晶表示装置とその製造方法（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＤｉｓｐｌａｙａｎｄＦａｂｒｉｃａｔｉｏｎＭｅｔｈｏｄＴｈｅｒｅｏｆ）」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　７月１０日出願公開、特開２００１−１８８２５６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、２０００年（平成１２年）１０月１６日（パリ条約による優先権主張１９９９年１０月１５日、大韓民国）の出願であって、平成１８年１０月４日付け、同年１２月２１日付け及び平成１９年６月６日付けで手続補正がなされ、同年１１月１９日付けで最後の拒絶理由が通知され、平成２０年３月２７日付けで手続補正がなされ、同年１０月２日付けで前記平成２０年３月２７日付け手続補正が却下されるとともに同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２１年１月２６日付けで拒絶査定不服審判請求がなされるとともに同年２月２４日付けで手続補正がなされたものである。
　
　そして、平成２１年２月２４日付け手続補正後の請求項１には、以下のように記載されている。
　
「ゲートラインとデータラインの交差部に設置する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのソース電極に接続することと共に有機保護膜を間に置いて前記ゲートラインと前記データラインの中に少なくとも一つに重畳する画素電極とを具備する液晶表示素子において、前記ゲートライン及び前記データライン上の信号遅延が減少するように前記有機絶縁膜の誘電常数を２．０以下に設定することを特徴とする液晶表示装置。」
　
　しかるところ、同補正後の明細書及び図面の記載からみて、上記の「前記ゲートラインと前記データラインの中
に
の
素子において
装置において
絶縁
保護
　
「ゲートラインとデータラインの交差部に設置する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのソース電極に接続することと共に有機保護膜を間に置いて前記ゲートラインと前記データラインの中
の
装置
保護
　
　
２　引用刊行物の記載事項
　本願の優先日前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平９−２２０２８号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
（１）「【特許請求の範囲】
・・・
【請求項１３】  第一基板と第二基板の間に挟まれた液晶層と、
上記第一基板上に設けられた薄膜トランジスタと対応のピクセル電極のアレイで、該薄膜トランジスタの各々は半導体層、ゲート・アドレス線に接続したゲート電極、ドレイン・アドレス線に接続したドレイン電極、該対応のピクセル電極の１つに接続したソース電極を有し、該ソース電極に接続した該ピクセル電極は長手方向の端部に沿って該ゲート・アドレス線およびドレイン・アドレス線と重複し、  上記ピクセル電極とアドレス線の間に設けた約３．０以下の誘電率εを有し、重複領域のピクセル電極−アドレス線間の渦流静電容量ＣＰＬを減少させることによりディスプレイの静電容量性クロストークを減らすように充分な厚さで、ほぼ連続の絶縁層とを有することを特徴とする、ピクセル口径比の大きい液晶ディスプレイ。」
　
（２）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ピクセル口径比（開口率）を増大させた液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）に関する。より詳細には、本発明はＴＦＴのアレイを有する液晶ディスプレイに関し、複数のコンタクト・バイアス（contact vias）あるいは開口部（apertures）を有する絶縁層がアドレス線とピクセル（画素）電極間に設けられ、このシステムを静電容量のクロストークに曝すことなくピクセル電極の行アドレス線と列アドレス線と重ねることが可能になる。望ましい一実施例では、クロストークを減少するために絶縁層の誘電率は約３．０未満である。・・・」
　
（３）「【０００２】
【従来の技術】電子マトリックスアレイは、Ｘ線画像センサおよびアクティブ・マトリックス液晶ディスプレイ（ＡＭＬＣＤ）に多く適用されていることが知られている。このＡＭＬＣＤは、水平および垂直に間隔をとり、かつ一定角度で互いに交差して複数のクロスオーバ点を形成するＸとＹ（あるいは横と縦）アドレス線を有する。各クロスオーバ点に関連させて、選択的にアドレス指定される素子（つまり、ピクセル）がある。多くの例において、これらの素子は、液晶ディスプレイ画素、あるいは電子的に調節可能なメモリアレイまたはＸ線センサアレイのメモリ・セル、あるいはピクセルである。
・・・
【０００６】ピクセル口径比を増大させるためにアドレス線にピクセル電極を重ねることが知られている。・・・」
　
（４）「【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ピクセル口径比を増大し、静電容量性クロストークが殆どない改良されたＴＦＴアレイ、および／あるいは、そうしたＴＦＴアレイにより得られるＬＣＤ、およびより効果的な製造方法が必要とされている。」
　
（５）「【００１９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施例として、アクティブ・マトリックス液晶ディスプレイ２（ＡＭＬＣＤ）のアレイ内の４個のピクセルの平面図である。並べたものの平面図である。本ディスプレイのこの部分には、ピクセル電極３、ドレイン・アドレス線５、ゲート・アドレス線７、アレイされた４個の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）９、各ピクセルと連結された補助記憶コンデンサ１１が配置されている。・・・図で示したように、ＬＣＤのピクセル口径比（または、ピクセル開口サイズ）を増加させる目的で、各ピクセル３の延長末端は長手方向においてドレイン線５、ゲート線７とそれぞれその先端部が重なるように配置している。
【００２０】ピクセル電極３とアドレス線またはバスライン５、７の間の重なり部分では、ピクセル−線（ＰＬ）コンデンサの一方の端は電極３で規定され、他方の端は重なっているアドレス線で規定されている。これらのピクセル−線（ＰＬ）コンデンサの電極の間に配置されている絶縁体は絶縁層３３である（図４、７参照）。これらのコンデンサの寄生キャパシタンスＣＰＬは下記の式で定義される。
ＣＰＬ＝（ε・ε０・Ａ）／ｄ
【００２１】ここで「ｄ」は絶縁層３３の厚さであり、εは絶縁層３３の誘電率、ε０は定数８．８５×１０−１４Ｆ／ｃｍ（真空誘電率）、「Ａ」は重なり部分１８におけるＰＬコンデンサの面積である。」
　
（６）「【００２４】図４は、本発明の好適な実施例における、ＡＭＬＣＤ２にアレイされている薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のうちの一個であるＴＦＴ９の側面の断面正面図であいり、各ＴＦＴは実質的にすべて同じものである。各リニアＴＦＴ９のチャネル長さ「Ｌ」は、ソース電極１５とドレイン電極１３との間のギャップ２７で規定されている。ソース電極１５は、コンタクトバイアスまたはコンタクトホール３５を通してピクセル電極３と接続されており、その目的は、ＴＦＴ９がスイッチング要素として作動し、選択的にＡＭＬＣＤ２の中の対応ピクセルにエネルギを付与し、ビュア（ユーザ）の目にイメージデータを提供するためである。ＡＭＬＣＤ２を示した図１に表示されている通り、多数のＴＦＴ９が配置されている。各ＴＦＴ９は、実質的に透明な基板１９（例えば、ガラス製）、金属ゲート電極１７、ゲート絶縁層またはフィルム２１、半導体層２３（例えば、真正アモルファスシリコン）、ドーピングを施した半導体コンタクト層２５、ドレイン電極１３、ソース電極１５、実質的に透明な絶縁層３３、これらのそれぞれに対応するピクセル電極３から構成されている。・・・
【００２５】図４で示したように、ドレイン電極１３は、ドーピングを施したコンタクト層２５の先端上部の基板１９に蒸着・形成されたドレイン金属層２９（例：モリブデン）から成っている。・・・ソース電極１５は、ドーピング済みの半導体コンタクト層２５、ソース金属層３１を含む。金属層２９と３１は同一の金属から成り、本発明の実施例においては、蒸着・形成およびパターン成形されたものである。代わりの方法として、ドレイン金属層がある種類の金属（例：モリブデン）で構成され、ソース金属層３１が別の種類の金属（例：クロム）で構成されるように、ドレイン金属層２９とソース金属層３１とを別々に蒸着・形成させパターン成形してもよい。誘電率がおよそ５以下の実質的に透明な絶縁層３３は、各ＴＦＴ９、アドレス線５と７を覆うように、基板１９の上にシート状に蒸着・形成される。絶縁層３３は、「Ｆｕｊｉ・Ｃｌｅａｒ（商標）」のようなフォトイメージ形成可能型材料またはフォトイメージ形成可能な種類のＢＣＢで構成されている。絶縁層３３は、ディスプレイの表示部分において、ピクセル電極３が、それと対応するＴＦＴソース電極と記憶コンデンサ電極にそれぞれ接触できるように形成されたコンタクトバイアスまたはコンタクトホール３５、３６の部分は除いて、連続してつながった構造になっている。・・・本発明の実施例においては、絶縁層３３の誘電率εはおよそ５またはそれ以下である。好適な実施例においては、絶縁層３３の誘電率はおよそ２．７以下であり、ピクセル電極３と重なり部分１８のアドレス線との間の容量性クロストーク（容量性結合）を減らすために、フォトイメージ形成型のベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）（ダウケミカルが発売している有機材料）から成っている。重なり部分１８のＣＰＬを低下させるという特別な目的のために、絶縁層３３の誘電率を低くして、その厚さが比較的大きくしてある。
【００２６】代わりの方法として、この絶縁層３３は「Ｆｕｊｉ・Ｃｌｅａｒ（商標）」の名前で知られるフォトイメージ形成型材料でもよく、この材料は、２−エトキシエチル・アセテート（混合比率５５％〜７０％）、メタクリル酸エステル共重合体（同１０％〜２０％）、多官能アクリル酸エステル（同１０％〜２０％）を含む有機混合物である。」
　
（７）「【００２９】・・・ピクセル電極３に隣接する絶縁層３３を平坦化することで、電極３がフラットになるので、液晶層の厚さは実質的に維持され、表示素子としての機能性が改善されることになる。
【００３０】本発明にかかる絶縁層３３は、誘電率εが低く、層の厚さ「ｄ」が大きいために、先行技術に見られたような、高いＣＰＬが原因で発生する容量性クロストークの問題が、ピクセル電極３がアドレス線５および／または７と重なっている部分１８で実質的に減少する。絶縁層３３は、ピクセル電極３と、重なったアドレス線との間に配置されているので、先行技術にあった容量性クロストークの問題は減少または解消し、ディスプレイ性能（ピクセル隔離）を犠牲にせずにピクセル開口部の拡大を達成できている。」
　
（８）「薄膜トランジスタ９」は、「ゲート・アドレス線７」と「ドレイン・アドレス線５」の交差部に設けられること、が図１から見て取れる。
　
（９）上記（６）（【００２５】及び【００２６】）を踏まえると、「絶縁層３３」は、「ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）」や、「２−エトキシエチル・アセテート（混合比率５５％〜７０％）、メタクリル酸エステル共重合体（同１０％〜２０％）、多官能アクリル酸エステル（同１０％〜２０％）を含む有機混合物」である、フォトイメージ形成型材料から成る、といえる。
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「第一基板と第二基板の間に挟まれた液晶層と、
　上記第一基板上に設けられた薄膜トランジスタと対応のピクセル電極のアレイで、該薄膜トランジスタの各々は半導体層、ゲート・アドレス線に接続したゲート電極、ドレイン・アドレス線に接続したドレイン電極、該対応のピクセル電極の１つに接続したソース電極を有し、
　該ソース電極に接続した該ピクセル電極は長手方向の端部に沿って該ゲート・アドレス線およびドレイン・アドレス線と重複し、
　前記薄膜トランジスタは、ゲート・アドレス線とドレイン・アドレス線の交差部に設けられ、
　上記ピクセル電極とアドレス線の間に設けた約３．０以下の誘電率εを有し、重複領域のピクセル電極−アドレス線間の渦流静電容量ＣＰＬを減少させることによりディスプレイの静電容量性クロストークを減らすように充分な厚さで、ほぼ連続の絶縁層とを有し、
　好適な実施例においては、前記絶縁層の誘電率はおよそ２．７以下であり、
　前記絶縁層は、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）や、２−エトキシエチル・アセテート（混合比率５５％〜７０％）、メタクリル酸エステル共重合体（同１０％〜２０％）、多官能アクリル酸エステル（同１０％〜２０％）を含む有機混合物である、フォトイメージ形成型材料から成る、ピクセル口径比の大きい液晶ディスプレイ。」
　
　
３　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
　
（１）引用発明の「液晶ディスプレイ」は、「薄膜トランジスタ」が「ゲート・アドレス線とドレイン・アドレス線の交差部に設けられ」るから、
　ア　引用発明の「薄膜トランジスタ」、「ゲート・アドレス線」、「ドレイン・アドレス線」及び「液晶ディスプレイ」は、それぞれ、本願発明の「薄膜トランジスタ」、「ゲートライン」、「データライン」及び「液晶表示装置」に相当し、
　イ　引用発明の「液晶ディスプレイ」は、本願発明の「ゲートラインとデータラインの交差部に設置する薄膜トランジスタを具備する」との事項を備える。
　
（２）引用発明の「ピクセル電極」は、「（対応する）薄膜トランジスタ」の「ソース電極」と「接続」されるとともに「長手方向の端部に沿って該ゲート・アドレス線およびドレイン・アドレス線と重複し」ており、また、「上記ピクセル電極とアドレス線の間に」は「絶縁層」が設けられ、該「絶縁層」は「約３．０以下の誘電率εを有し」、「好適な実施例においては、前記絶縁層の誘電率はおよそ２．７以下であり」、「ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）や、２−エトキシエチル・アセテート・・・メタクリル酸エステル共重合体・・・多官能アクリル酸エステル・・・を含む有機混合物である、フォトイメージ形成型材料から成る」から、
　ア　引用発明の「ピクセル電極」、「ソース電極」、「絶縁層」及び「誘電率ε」は、それぞれ、本願発明の「画素電極」、「ソース電極」、「有機保護膜」及び「誘電常数」に相当し、
　イ　引用発明の「液晶ディスプレイ」は、本願発明の「前記薄膜トランジスタのソース電極に接続することと共に有機保護膜を間に置いて前記ゲートラインと前記データラインの中の少なくとも一つに重畳する画素電極とを具備する」との事項を備える。
　
　したがって、両者は、　  
「ゲートラインとデータラインの交差部に設置する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのソース電極に接続することと共に有機保護膜を間に置いて前記ゲートラインと前記データラインの中の少なくとも一つに重畳する画素電極とを具備する液晶表示装置。」
である点で一致し、次の点で相違する。　  
 　 
相違点
　有機保護膜の誘電常数を、本願発明では、ゲートライン及びデータライン上の信号遅延が減少するように２．０以下に設定するのに対し、引用発明では、好適な実施例において、およそ２．７以下とする点。
　
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
　
（１）引用刊行物（上記２（６）（【００２５】））には、「ピクセル電極３と重なり部分１８のアドレス線との間の容量性クロストーク（容量性結合）を減ら」し、「重なり部分１８のＣＰＬを低下させるという特別な目的のために、絶縁層３３の誘電率を低くし」と記載され、絶縁層の誘電率の値を極力小さくすべきことが示唆されているから、引用発明において、ピクセル電極と重なり部分１８のアドレス線との間の容量性クロストーク（容量性結合）を減らして重なり部分１８のＣＰＬを低下させるために絶縁層の誘電率の値を小さくし、その具体的な値を２．０以下に設定することに格別の困難性があるものとは認められない。
　
（２）一方、本願発明の「ゲートライン及びデータライン上の信号遅延が減少するように」との発明特定事項（以下「本願発明特定事項Ａ」という。）に関して、本願明細書には、以下のような記載がある。
　
「【０００５】
　液晶表示素子の開口率を高めるために、アメリカ特許第５，０５５，８９９号には画素電力をゲートラインまたはデータラインに重畳するようにする方法が開示されている。アメリカ特許第５，０５５，８９９号に開示された液晶表示素子は図３のように保護膜（２８）として有機絶縁膜を利用する。この有機保護膜（２８）は２０００〜８０００Å（０.２〜０.８μｍの厚さにスピンコーティングによって表面が平坦に塗布する。しかし有機保護膜（２８）はその厚さが薄いために画素電極９２０）（審決注：「画素電極（２０）」の誤りと認める。）とデータライン（２２）または画素電極（２０）とゲートライン（２４）の重畳領域に高い寄生キャパシティを発生する問題点がある。・・・
【０００６】
　・・・有機保護膜（２８）の厚さは前述したように０.２〜０.８μｍで非常に低いために画素電極（２０）の重畳領域によってする発生する寄生キャパシティの値が大きくなるとゲートライン（２４）またはデータライン（２４）上のキャパシティの値がする増大する（審決注：「値が増大する」の誤りと認める。）。このようにキャパシティの値はゲートライン（２４）またはデータライン（２２）に供給する信号の遅延値を大きくするために、制限された充電時間内に液晶画素セルがビデオ信号を充分に充電できなくなる。その結果、望む色信号が表現されなくなり画像が歪曲する。
・・・
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は画素電極と信号配線を重畳する高開口率の液晶表示素子において液晶画素セルのデータの充電時間を短縮した液晶表示素子及びその製造方法を提供することである。・・・
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するために、本発明による液晶表示素子はゲートライン及びデータライン上の信号遅延を最小化するように有機絶縁膜の厚さと誘電常数を設定する。」
　
　本願明細書の上記記載によれば、上記本願発明特定事項Ａは、（画素電極とデータラインまたは画素電極とゲートラインの重畳領域に発生する寄生キャパシティの値を大きくなると制限された充電時間内に液晶画素セルがビデオ信号を充分に充電できなくなるので、該）寄生キャパシティの値を小さくすることにより液晶画素セルのデータの充電時間を短縮すること、を意味するものと解される。
　
（３）しかるところ、上記（１）のとおり、引用発明の「液晶ディスプレイ」において、ピクセル電極とアドレス線間の渦流静電容量ＣＰＬを低下させるために絶縁層の誘電率を小さなものとなし、その値を２．０以下に設定することに格別の困難性があるものとは認められないから、そのように絶縁層の誘電率の値を２．０以下に設定し、ピクセル電極とアドレス線間の渦流静電容量ＣＰＬを低下させた「液晶ディスプレイ」についても、上記本願発明特定事項Ａを備える、ということができる。
　
（４）そして、本願明細書の記載をみても、本願発明において、有機保護膜の誘電常数を２．０以下に設定した点に設計的事項の域を超えるほどの格別の技術的意義があるものとは認められず、本願発明の奏する効果が、引用発明から当業者が予測困難な程の格別顕著なものということはできない。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び引用刊行物の記載事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及びその記載事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。