【事件の表示】
　特願２００２−１６７０２３「集積回路におけるデータの保護蓄積」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　２月２１日出願公開、特開２００３−　５１８２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１４年６月７日（パリ条約による優先権主張２００１年６月１１日、フランス国）の外国語書面出願であって、平成１４年７月１９日付けで翻訳文が提出され、平成１９年１２月２６日付けで拒絶理由通知がなされ、平成２０年４月７日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がなされたが、同年４月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月５日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされ、同年９月３日付けで手続補正がなされ、同年１１月１１日付けで審査官により前置報告がなされ、平成２２年４月２２日付けで当審より審尋がなされ、同年７月２７日付けで前記審尋に対する回答書が提出されたものである。
　
　
第２．平成２０年９月３日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年９月３日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正
　平成２０年９月３日付けの手続補正（以下、「本件補正」という）は、同年４月７日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の記載、
「　【請求項１】　集積回路（１０，２０）の少なくともひとつの物理的パラメータネットワーク（１７）から得られる、集積回路の製造に関連しており該製造に特有の少なくともひとつの第２物理データ（ｐ）を、少なくともひとつの第１データ（ｄ，ＫＥＹ，ＡＤＤ）と組合せ（３，１３）、
　この組合せの結果（ｆ（ｄ，ｐ））のみを、メモリ（２，１１，１８）に蓄積することを特徴とする、第１データの蓄積方法。
　　【請求項２】　前記第２物理データ（ｐ）は、前記物理的パラメータネットワークを集積化する前記集積回路（１０，２０）の物理的及び製造上のばらつきに敏感である、請求項１に記載の方法。
　　【請求項３】　前記第１データがプログラムのアドレス（ＡＤＤ）である、請求項１に記載の方法。
　　【請求項４】　前記第１データがプログラムにおける周辺装置のアドレス（ＡＤＤ）であり、プログラムを所定のメモリ（２１）に書込むときに、該周辺装置のアドレス（ＡＤＤ）を、アドレステーブル（１８）の保護されたアドレス（１８ａ）に関連する復号回路（１５）のアドレスに置換する、請求項３に記載の方法。
　　【請求項５】　少なくともひとつの周辺装置のアドレス（ＡＤＤ）を物理データ（ｐ）と組合せて保護し、保護されたアドレス（ＡＤＤ’）を前記アドレステーブル（１８）に蓄積する、請求項４に記載の方法。
　　【請求項６】　前記第２物理データ（ｐ）は一時的に蓄積（１４）される、請求項１に記載の方法。
　　【請求項７】　蓄積に用いられる前記組合せ（３，１３）は１度だけ利用可能にされる、請求項１に記載の方法。
　　【請求項８】　前記物理データ（ｐ）は集積回路の外部からアクセス不能である、請求項１に記載の方法。
　　【請求項９】　前記物理データ（ｐ）は同じバッチの全てのチップに共通である、請求項１に記載の方法。
　　【請求項１０】　前記物理データ（ｐ）は同じバッチの中でチップ毎に異なる、請求項１に記載の方法。
　　【請求項１１】　前記第１データを蓄積するメモリは前記集積回路の内部にある、請求項１に記載の方法。
　　【請求項１２】　前記第１データを蓄積するメモリは前記集積回路の外部にある、請求項１に記載の方法。
　　【請求項１３】　蓄積された結果（ｆ（ｄ，ｐ））を読出し、
　前記第２物理データ（ｐ）を使用して該結果を復号し（５，１５）、前記第１データ（ｄ，ＫＥＹ，ＡＤＤ）を復元する、請求項１−１２のひとつの方法で記録されたデータを読出す方法。
　　【請求項１４】　前記第１データを蓄積するときに請求項１−１２のひとつの方法を適用し、
　読出しモードで請求項１３の方法を適用する、蓄積される少なくともひとつの第１データ（ｄ，ＫＥＹ，ＡＤＤ）を保護する方法。
　　【請求項１５】　秘密データ（ＫＥＹ）を、前記第１データとして集積回路（１０）に蓄積して保護することに適用される、請求項１４に記載の方法。
　　【請求項１６】　少なくともひとつの物理的パラメータネットワーク（１７）と、
　保護される少なくともひとつの第１データ（ｄ，ＫＥＹ，ＡＤＤ）を、前記ネットワークにより提供される、集積回路の製造に関連しており該製造に特有の第２物理データ（ｐ）によって符号化するための少なくともひとつの組合せ器（３，１３）と、
　読出しモードで前記物理データを再利用して前記第１データをクリアな形態で復元するための少なくともひとつの復号器（５，１５）と
を有する、集積回路（１０，２０）。
　　【請求項１７】　前記保護されるデータ（ｆ（ｄ，ｐ））を蓄積するための少なくともひとつの第１メモリ（１１，１８）を有する、請求項１６に記載の回路。
　　【請求項１８】　前記集積回路（１０，２０）の前記第１メモリ（１１，１８）に保護されるデータを書込んだ後、前記組合せ器（３，１３）の動作を非有効化する手段がもうけられる、請求項１７に記載の回路。
　　【請求項１９】　プログラムを蓄積する第２メモリ（２１）がもうけられ、前記第１メモリは前記物理データ（ｐ）で符号化された形態（ＡＤＤ’）で蓄積されるアドレスのテーブル（１８）の形態である、請求項１７に記載の回路。」を、
　
「　【請求項１】　集積回路（１０，２０）の少なくともひとつの物理的パラメータネットワーク（１７）から得られる、集積回路の製造に関連しており該製造に特有であって該集積回路を識別し得る少なくともひとつの第２物理データ（ｐ）を、少なくともひとつの第１データ（ｄ，ＫＥＹ，ＡＤＤ）と組合せ（３，１３）、
　この組合せの結果（ｆ（ｄ，ｐ））のみを、メモリ（２，１１，１８）に蓄積することを特徴とする、第１データの蓄積方法。
　　【請求項２】　前記第２物理データ（ｐ）は、前記物理的パラメータネットワークを集積化する前記集積回路（１０，２０）の物理的及び製造上のばらつきに敏感である、請求項１に記載の方法。
　　【請求項３】　前記第１データがプログラムのアドレス（ＡＤＤ）である、請求項１に記載の方法。
　　【請求項４】　前記第１データがプログラムにおける周辺装置のアドレス（ＡＤＤ）であり、プログラムを所定のメモリ（２１）に書込むときに、該周辺装置のアドレス（ＡＤＤ）を、アドレステーブル（１８）の保護されたアドレス（１８ａ）に関連する復号回路（１５）のアドレスに置換する、請求項３に記載の方法。
　　【請求項５】　少なくともひとつの周辺装置のアドレス（ＡＤＤ）を物理データ（ｐ）と組合せて保護し、保護されたアドレス（ＡＤＤ’）を前記アドレステーブル（１８）に蓄積する、請求項４に記載の方法。
　　【請求項６】　前記第２物理データ（ｐ）は一時的に蓄積（１４）される、請求項１に記載の方法。
　　【請求項７】　蓄積に用いられる前記組合せ（３，１３）は１度だけ利用可能にされる、請求項１に記載の方法。
　　【請求項８】　前記物理データ（ｐ）は集積回路の外部からアクセス不能である、請求項１に記載の方法。
　　【請求項９】　前記物理データ（ｐ）は同じバッチの全てのチップに共通である、請求項１に記載の方法。
　　【請求項１０】　前記物理データ（ｐ）は同じバッチの中でチップ毎に異なる、請求項１に記載の方法。
　　【請求項１１】　前記第１データを蓄積するメモリは前記集積回路の内部にある、請求項１に記載の方法。
　　【請求項１２】　前記第１データを蓄積するメモリは前記集積回路の外部にある、請求項１に記載の方法。
　　【請求項１３】　蓄積された結果（ｆ（ｄ，ｐ））を読出し、
　前記第２物理データ（ｐ）を使用して該結果を復号し（５，１５）、前記第１データ（ｄ，ＫＥＹ，ＡＤＤ）を復元する、請求項１−１２のひとつの方法で記録されたデータを読出す方法。
　　【請求項１４】　前記第１データを蓄積するときに請求項１−１２のひとつの方法を適用し、
　読出しモードで請求項１３の方法を適用する、蓄積される少なくともひとつの第１データ（ｄ，ＫＥＹ，ＡＤＤ）を保護する方法。
　　【請求項１５】　少なくとも１つの秘密データ（ＫＥＹ）を、前記第１データとして集積回路（１０）に蓄積して保護する方法であって、
　前記少なくとも１つの秘密データ（ＫＥＹ）を蓄積するときに、請求項１−１１のひとつの方法を適用し、
　蓄積された結果（ｆ（ｄ，ｐ））を読出し、
　前記第２物理データ（ｐ）を使用して該結果を復号し（５，１５）、前記少なくとも１つの秘密データ（ＫＥＹ）を復元する方法。
　　【請求項１６】　少なくともひとつの物理的パラメータネットワーク（１７）と、
　保護される少なくともひとつの第１データ（ｄ，ＫＥＹ，ＡＤＤ）を、前記ネットワークにより提供される、集積回路の製造に関連しており該製造に特有であって該集積回路を識別し得る第２物理データ（ｐ）によって符号化するための少なくともひとつの組合せ器（３，１３）と、
　読出しモードで前記物理データを再利用して前記第１データをクリアな形態で復元するための少なくともひとつの復号器（５，１５）と
を有する、集積回路（１０，２０）。
　　【請求項１７】　前記保護されるデータ（ｆ（ｄ，ｐ））を蓄積するための少なくともひとつの第１メモリ（１１，１８）を有する、請求項１６に記載の回路。
　　【請求項１８】　前記集積回路（１０，２０）の前記第１メモリ（１１，１８）に保護されるデータを書込んだ後、前記組合せ器（３，１３）の動作を非有効化する手段がもうけられる、請求項１７に記載の回路。
　　【請求項１９】　プログラムを蓄積する第２メモリ（２１）がもうけられ、前記第１メモリは前記物理データ（ｐ）で符号化された形態（ＡＤＤ’）で蓄積されるアドレスのテーブル（１８）の形態である、請求項１７に記載の回路。」、
に補正するものである。
　
　
２．補正の適否
　請求項１についてする本件補正が、特許法第１７条の２の規定に適合しているかについて、以下に検討する。
　
（１）新規事項の有無、補正の目的要件
　本件補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてなされており、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　
　請求項１についてする本件補正は、本件補正前の「集積回路の製造に関連しており該製造に特有の少なくともひとつの第２物理データ」との記載を、「集積回路の製造に関連しており該製造に特有であって該集積回路を識別し得る少なくともひとつの第２物理データ」に補正したものである。したがって、請求項１についてする本件補正は、本件補正前の前記「第２物理データ」を、さらに、「該集積回路を識別し得る」ものに限定するものである。
　よって、請求項１についてする本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮（請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであって、その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の請求項に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるもの）を目的とするものである。
　
（２）独立特許要件
　以上のとおり、請求項１についてする本件補正は、特許法１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とすることから、次に、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正後の発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて、検討する。
　
（２−１）引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１０−１８７５４６号公報（以下、「引用文献」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。（下線は、参考のため、当審で付したものである。）
Ａ．「【００１４】また、
本発明の共通した目的は
機密データの漏洩を防ぐ情報処理装置を提供すること
　
Ｂ．「【００１８】また、本発明では上記課題を解決するために、
機密データを暗号化する暗号化装置
電極対及び前記電極の少なくとも一方を覆う絶縁膜にて構成され、前記絶縁膜の特性値に基づいた静電容量を持つキャパシタ
【００１９】このような構成の暗号化装置では、電極対及び電極の少なくとも一方を覆う絶縁膜にて構成されたキャパシタが、絶縁膜の特性値に基づいた静電容量を持つ。また、この絶縁膜に覆われたコード作成手段は、キャパシタの静電容量から特定されるコードを作成する。暗号鍵作成手段は、コードに基づいて暗号鍵を作成する。そして暗号化手段は、機密データを暗号化する場合に、暗号鍵作成手段にて作成された暗号鍵を使用して機密データを暗号化し、暗号データを作成する。このように、
本発明の暗号化装置では、機密データを暗号化する際に使用する暗号鍵やコードを、メモリに記憶しない。よって、機密データの暗号化処理に対し、攻撃検出回路やデータ消去回路を設けずに、外部からの不正なアクセスを防ぐことができる。
　
Ｃ．「【００３５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図１は、本発明の第１の情報処理装置の第１の実施の形態を示した図である。
【００３６】機密データ処理装置１２０は、回路基板１１０の上に、演算回路１１１、メモリ回路１１２等とともに配置されている。
演算回路１１１にて取り扱われる機密データは、機密データ処理装置１２０を介し暗号データとしてメモリ回路１１２に格納され、原形のままで記憶されることはない。
　
Ｄ．「【０１２５】次に、本発明の第１の情報処理装置の第８の実施の形態について説明する。図２１は、本発明の第１の情報処理装置の第８の実施の形態を示した図であって、図（Ａ）は本実施の形態の情報処理装置の分解斜視図を、
図（Ｂ）は図（Ａ）に示した情報処理装置を直線ＡＢにて切断した際の断面図
【０１２６】
機密データ処理装置４１０は、基板４１１上に設けられた電極４１２ａ，４１２ｂ・・・４１２ｎ、４１３ａ，４１３ｂ・・・４１３ｎと、コード作成装置４１４と、これら全ての要素を覆う絶縁膜４１５とから構成
【０１２７】
基板４００にはメモリ回路４０１や暗号化／復号回路４０２、演算回路４０３等が設けられており、その上に積層された機密データ処理装置４１０とともに、情報処理装置を構成
機密データを記録する場合は、コード作成装置４１４から供給されるコードに基づいて機密データの暗号化を行い、メモリ回路４０１には暗号データを記録させる。
【０１２８】電極４１２ａ，４１２ｂ・・・４１２ｎ（ｎは任意の自然数）と電極４１３ａ，４１３ｂ・・・４１３ｎとからは、
絶縁膜４１５の特性値に基づいた静電容量を持つキャパシタが、ｎ
2 
個、形成される。
形成されるキャパシタの静電容量は周囲の物質や状況によって変化するが、この静電容量にもっとも影響を与えるのは、絶縁膜４１５である
　
Ｅ．「【０１２９】そこで本実施の形態ではデータの暗号化／復号の際、
コード作成装置４１４が電極４１２ａ，４１２ｂ・・・４１２ｎから任意の１つを、また電極４１３ａ，４１３ｂ・・・４１３ｎから任意の１つを選択する。そして選択した電極のペアが持つ静電容量を検出し、検出値から特定されるコードを作成する
【０１３０】従って、侵入者が絶縁膜４１５に穴を空けたり、絶縁膜４１５を剥がしたりすると、正しいコードは作成できなくなる。なお、
ここでキャパシタを形成する電極のペアを複数選択し、静電容量の比や差分から特定のコードを作成するようにしてもよい。
【０１３１】以上説明したように、本発明の情報処理装置では不正検出センサである絶縁膜４１５のどこか一部でも破壊されれば正しいコードの作成が不可能となるので、センサを保護容器全面に配置したり、高密度に形成したりする必要がなく、シンプルな構成で十分な保護機能を提供することができる。
【０１３２】また、
本発明の情報処理装置では機密データを暗号化／復号する度にコードを作成し、コードおよび暗号鍵／復号鍵を静的に記憶しないため、攻撃検出回路や秘密情報を消去する消去回路が不要
【０１３３】さらに、本発明の情報処理装置では、ノイズ等によって作成されるコードに一時的に異常をきたしても、原因が解消された後に再度コードを作成すればよく、誤動作によるデータの破壊を防ぐことができる。」
　
Ｆ．「【０１３６】電極４４１ａ，４４１ｂ・・・４４１ｎ（ｎは任意の自然数）と電極４４２ａ，４４２ｂ・・・４４２ｎとからは、絶縁膜４４３の特性値に基づいた静電容量を持つキャパシタが、ｎ2 個、形成される。例えばｎ＝５のとき、形成されるキャパシタは２５個となる。形成されるキャパシタの静電容量は周囲の物質や状況によって変化するが、この静電容量にもっとも影響を与えるのは、絶縁膜４４３である。
【０１３７】そこで本実施の形態ではデータの暗号化／復号の際、暗号化／復号回路４３３が電極４４１ａ，４４１ｂ・・・４４１ｎから任意の１つを、また電極４４２ａ，４４２ｂ・・・４４２ｎから任意の１つを選択する。そして選択した電極のペアが持つ静電容量を検出し、検出値から特定されるコードを作成する。」
　
　
ａ．Ｄの「図（Ｂ）は図（Ａ）に示した情報処理装置を直線ＡＢにて切断した際の断面図」、「機密データ処理装置４１０は、基板４１１上に設けられた電極４１２ａ，４１２ｂ・・・４１２ｎ、４１３ａ，４１３ｂ・・・４１３ｎと、コード作成装置４１４と、これら全ての要素を覆う絶縁膜４１５とから構成」、「基板４００にはメモリ回路４０１や暗号化／復号回路４０２、演算回路４０３等が設けられており、その上に積層された機密データ処理装置４１０とともに、情報処理装置を構成」から、
　引用文献には、
　複数の電極とコード作成装置及びこれら全ての要素を覆う絶縁膜とから構成される機密データ処理装置が設けられる第１の基板を、メモリ回路や暗号化／復号回路、演算回路を設けた第２の基板の上に積層してなる情報処理装置、　
が記載されている。
　
ｂ．Ｂの「電極対及び前記電極の少なくとも一方を覆う絶縁膜にて構成され、前記絶縁膜の特性値に基づいた静電容量を持つキャパシタ」、Ｄの「コード作成装置４１４から供給されるコード」、「絶縁膜４１５の特性値に基づいた静電容量を持つキャパシタが、ｎ2 個、形成される」、Ｅの「コード作成装置４１４が電極４１２ａ，４１２ｂ・・・４１２ｎから任意の１つを、また電極４１３ａ，４１３ｂ・・・４１３ｎから任意の１つを選択する。そして選択した電極のペアが持つ静電容量を検出し、検出値から特定されるコードを作成する」及び「ここでキャパシタを形成する電極のペアを複数選択し、静電容量の比や差分から特定のコードを作成するようにしてもよい。」から、
　引用文献には、
　コード作成装置は、複数の電極から選択された１組以上の電極対と絶縁膜とで構成されるキャパシタの前記絶縁膜の特性値に基づいた１以上の静電容量を検出した検出値から特定されるコードを作成する、
ことが記載されている。
　
ｃ．Ｄの「機密データを記録する場合は、コード作成装置４１４から供給されるコードに基づいて機密データの暗号化を行い」から、
　引用文献には、
　コード作成装置から供給されるコードに基づいて機密データの暗号化を行う、
ことが記載されている。
　
ｄ．Ｂの「本発明の暗号化装置では、機密データを暗号化する際に使用する暗号鍵やコードを、メモリに記憶しない。よって、機密データの暗号化処理に対し、攻撃検出回路やデータ消去回路を設けずに、外部からの不正なアクセスを防ぐことができる。」、Ｄの「機密データの暗号化を行い、メモリ回路４０１には暗号データを記録させる。」、Ｅの「本発明の情報処理装置では機密データを暗号化／復号する度にコードを作成し、コードおよび暗号鍵／復号鍵を静的に記憶しないため、攻撃検出回路や秘密情報を消去する消去回路が不要であり」において、暗号化される前の機密データの記憶・記録については、記載がない。
　ところで、Ｃには「演算回路１１１にて取り扱われる機密データは、機密データ処理装置１２０を介し暗号データとしてメモリ回路１１２に格納され、原形のままで記憶されることはない。」と記載されている。前記Ｃは「第１の実施の形態」を説明したものであって、前記Ｄ及びＥが説明する「第８の実施の形態」とは異なる実施の形態を説明したものである。
　しかし、Ａの「本発明の共通した目的は、部品点数を削減し、なおかつ外部からの不正なアクセスを防御し、機密データの漏洩を防ぐ情報処理装置を提供することである」から、前記「第８の実施の形態」においても、前記「第１の実施の形態」と同様に、「原形」のデータである暗号化前の機密データは記憶しないことは明らかである。
　したがって、引用文献には、
　機密データが暗号化された暗号データのみをメモリ回路に記録する、
ことが記載されていると解される。
　
　以上、ａ〜ｄから、引用文献には、次の発明（以下、「引用発明」という）が記載されているものと認められる。
「複数の電極とコード作成装置及びこれら全ての要素を覆う絶縁膜とから構成される機密データ処理装置が設けられる第１の基板を、メモリ回路や暗号化／復号回路、演算回路を設けた第２の基板の上に積層してなる情報処理装置における機密データの記録方法であって、
　前記複数の電極から選択された１組以上の電極対と前記絶縁膜とで構成されるキャパシタの前記絶縁膜の特性値に基づいた１以上の静電容量を検出した検出値から特定されるコードを、前記コード作成装置が作成し、
　前記コード作成装置から供給されるコードに基づいて前記機密データの暗号化を行い、
　前記機密データが暗号化された暗号データのみを前記メモリ回路に記録する、
ことを特徴とする機密データの記録方法。」
　
（２−２）対比
　補正後の発明と引用発明とを対比する。
　
　引用発明の「機密データ処理装置」は回路網であることは明らかである。　
　そして、引用発明の「機密データ処理装置」が有する「コード作成装置」は、当該「機密データ処理装置」が有する「前記複数の電極から選択された１組以上の電極対と前記絶縁膜とで構成されるキャパシタ」の「絶縁膜の特性値に基づいた１以上の静電容量を検出」するものである。ここで、前記「静電容量」は、前記「機密データ処理装置」が有する「キャパシタ」を特徴付ける物理的なパラメータであり、したがって、前記「機密データ処理装置」を特徴付ける物理的パラメータであると認められる。このように、前記「静電容量」が前記「機密データ処理装置」を特徴付ける物理的パラメータである以上、当該「静電容量を検出した検出値から特定されるコード」も、前記「機密データ処理装置」を特徴付ける「コード」であると解される。
　ここで、前記「絶縁膜の特性値」は、当該絶縁膜を如何なる材料で製造するか、当該絶縁膜の大きさ・厚さをどのように設定するか、等の当該絶縁膜の製造条件に依存することは明らかである。
　また、前記「機密データ処理装置」が有する「コード作成装置」は、前記「コード」を「作成」する回路網で構成されていることも明らかである。
　
　これに対して、本願明細書の段落【００３７】の「集積回路チップの物理的パラメータネットワークにより提供される量の測定値（ブロック４，ＭＥＳ）からくる物理データｐと組合される」との記載を参酌すれば、補正後の発明の「物理的パラメータネットワーク」は、「集積回路……の少なくともひとつの物理的パラメータ」に基づいて「集積回路の製造に関連しており該製造に特有であって該集積回路を識別し得る少なくともひとつの第２物理データ」を得る、前記「集積回路」の中の「ネットワーク」すなわち回路網であると認められる。
　ここで、補正後の発明の「第２物理データ」は「集積回路の製造に関連しており該製造に特有であって該集積回路を識別し得る」データである。
　ところで、本願明細書には、段落【００５１】に「電気パラメータの測定を含む従来の物理的パラメータネットワークを使用することも可能である。それは、例えば、トランジスタのスレッシュホルド電圧の測定値、抵抗又は浮遊容量の測定値、電流源により提供される電流の測定値、時定数の測定値（例えばＲＣ回路）、補助周波数の測定値等である。これらの特性は技術的及び製造プロセスのばらつきに感度を有するので、考慮される電気パラメータは製造に特有であり、少なくとも、製造の結果である集積回路の署名、又は各チップの個別の署名を形成する。物理的パラメータネットワークの実現は、抵抗、浮遊容量等の形態でネットワークにあらわされる電気パラメータの測定を含めて、公知である。時間の測定値を使用する回路も物理的パラメータネットワークとして使用することができる。例えば、ＥＥＰＲＯＭメモリの読出し／書込みの時間が測定される。」と記載されている。すなわち、物理的パラメータネットワークは、前記「集積回路の製造に関連しており該製造に特有であって該集積回路を識別し得る」ところの「第２物理データ」を、「集積回路」から測定したトランジスタのスレッシュホルド電圧の測定値、抵抗又は浮遊容量の測定値、電流源により提供される電流の測定値、時定数の測定値等を用いて求めることが記載されている。
　したがって、本願明細書には、物理的パラメータネットワークは、前記「集積回路」の要素である個別の素子の特性値に基づいて、「集積回路の製造に関連しており該製造に特有であって該集積回路を識別し得る」ところの「第２物理データ」を得ることが記載されている。
　
　以上の検討を踏まえれば、引用発明における「前記複数の電極から選択された１組以上の電極対と前記絶縁膜とで構成されるキャパシタの前記絶縁膜の特性値に基づいた１以上の静電容量を検出した検出値から特定されるコード」は、引用発明の「機密データ処理装置」の要素である個別の「キャパシタ」の「特性値」に基づくものであり、前記「キャパシタの絶縁膜」の製造条件に依存する「絶縁膜の特性値」に基づいて「特定されるコード」であるから、「機密データ処理装置」を特徴付ける「コード」であるとともに、該「機密データ処理装置」の製造に関連しており該製造に特有であって該「機密データ処理装置」を識別し得るデータと云い得るデータであると認められる。
　よって、引用発明において、「機密データ処理装置」を「構成」する装置である「コード作成装置」から、該「コード作成装置」が「作成」した、前記「機密データ処理装置」の製造に関連しており該製造に特有であって該「機密データ処理装置」を識別し得るデータである前記「コード」が得られることと、補正後の発明において、「集積回路」の「少なくともひとつの物理的パラメータネットワーク」から、「集積回路の製造に関連しており該製造に特有であって該集積回路を識別し得る少なくともひとつの第２物理データ」が「得られる」こととは、回路の少なくともひとつの回路網から、該回路の製造に関連しており該製造に特有であって該回路を識別し得る物理データが得られる点で共通する。
　
　引用発明の「メモリ回路」は補正後の発明における「メモリ」に相当する。
　
　本願明細書には、段落【００３１】に「本発明によると、「符号化」は、保護されるデータ及び物理的パラメータネットワーク（必要ならば他のデータを使って）から来るデータに適用される任意のデジタル処理をいう。簡単のために、「符号化」は、本発明では、組合せ、暗号化等、スクランブル、マスク、及びより一般にデータの保護を含む。」と、段落【００４５】に「集積回路チップをプライベートキーの導入により個別化すると、キーが安全装置（図示なし）により回路１３に提供され、本発明により、スクランブル、マスク、符号化、暗号化又は組合せ（ＣＯＭＢ）が行なわれる。」と記載されている。これらの記載によれば、「組合せ」、「暗号化」、「スクランブル」等の各処理は、「データの保護」のため処理として置換可能で均等の処理を示していると認められる。
　しかしながら、同段落【００７３】には「本発明の第２実施例によると、遅延はチップ毎に異なる（もちろんくり返しの確率で物理データｐのビット数に依存する）。この場合、各チップは固有のランダムな暗号コードを有し」と記載され、物理データｐと「組合せ」た結果のデータは「暗号コード」である旨が記載されている。
　さらに、同段落【００７９】に「本発明は種々の変更、修飾、改良が当業者に可能である。特に、保護されるデータ及び物理パラメータに適用される組合せ（及び復号）は、従来の種々の方法から応用に従って選択することができる。例えば、単なる連結又は加算、又は複雑な暗号アルゴリズムとすることができる。」と記載されている。すなわち、この記載によれば、「組合せ」とは、「単なる連結」、「加算」または「複雑な暗号アルゴリズム」等を含む、「データの保護」のため処理である。
　したがって、本願明細書においては、「組合せ」と「暗号化」とは、「データの保護」のため処理を単に言い替えたにすぎないものであって、実質的に相違するものであるとは認められない。
　よって、引用発明における「コード」に基づいて「暗号化」される「機密データ」は、補正後の発明における「第１データ」に相当する。
　そして、引用発明において「前記コード作成装置から供給されるコードに基づいて前記機密データの暗号化を行」うことと、補正後の発明において「第２物理データ」を「少なくともひとつの第１データ」と「組合せ」ることとは、物理データを少なくともひとつの第１データと組合せる点で一致する。
　また、引用発明における「機密データが暗号化された暗号データ」は、補正後の発明における「組合せの結果」に相当する。
　
　さらに、引用発明の「機密データの記録方法」と補正後の発明の「第１データの蓄積方法」とは、第１データの蓄積方法である点で一致する。
　
　
　以上から、補正後の発明と引用発明とは、以下の点で一致し、また、相違している。
　
（一致点）
　回路の少なくともひとつの回路網から得られる、該回路の製造に関連しており該製造に特有であって該回路を識別し得る少なくともひとつの物理データを、少なくともひとつの第１データと組合せ、
　この組合せの結果のみを、メモリに蓄積することを特徴とする、第１データの蓄積方法。
　
（相違点）
　補正後の発明においては、「集積」回路の少なくともひとつの「物理的パラメータネットワーク」から、「集積」回路の製造に関連しており該製造に特有であって該「集積」回路を識別し得る少なくともひとつの「第２物理データ」が得られるのに対して、引用発明においては、「機密データ処理装置」を「構成」する装置である「コード作成装置」から、前記「機密データ処理装置」の製造に関連しており該製造に特有であって該「機密データ処理装置」を識別し得るデータである「コード」が得られる点。
　
（２−３）判断
　前記相違点について検討する。
　
　前記「（２−１）引用発明」の項の「Ｄ」に「第８の実施の形態について説明」と記載されていることから、当該「第８の実施の形態」を示した図面である引用文献の図２１を参照すると、キャパシタを構成するための電極４１２ａ〜ｎ及び電極４１３ａ〜ｎは基板４１１上に回路パターンとして形成され、前記電極４１２ａ〜ｎ及び電極４１３ａ〜ｎと前記基板４１１上のコード作成装置４１４とにより機密データ処理装置４１０が製造されていることが見て取れる。
　したがって、引用文献の記載からでは、機密データ処理装置４１０は、少なくともコード作成装置４１４を除いて、集積回路として製造されたものであるとすることはできない。
　しかしながら、キャパシタと回路ブロックとからなる回路を、電子部品の集積回路と抵抗器やコンデンサなどの個別部品を小型基板上に混載したハイブリッド集積回路として製造すること、あるいは、半導体基板上にひとつの集積回路として製造することは、きわめて一般的な技術であり、常套手段にすぎない。
　したがって、引用発明において、「複数の電極とコード作成装置及びこれら全ての要素を覆う絶縁膜」とが「第１の基板」上に「構成される機密データ処理装置」をハイブリッド集積回路として製造することは、当業者が適宜なし得た事項にすぎないものと認められる。あるいは、前記「第１の基板」を半導体基板とし「複数の電極とコード作成装置及びこれら全ての要素を覆う絶縁膜とから構成される機密データ処理装置」をひとつの集積回路として製造することは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
　以上から、引用発明において、「複数の電極とコード作成装置及びこれら全ての要素を覆う絶縁膜とから構成される機密データ処理装置」を集積回路として製造し、該集積回路を「構成」する装置である「コード作成装置」から、前記集積回路である「機密データ処理装置」の製造に関連しており該製造に特有であって該集積回路である「機密データ処理装置」を識別し得るデータである「コード」を得ることは、当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　よって、相違点は格別のものでない。
　
（２−４）審判請求人の主張
　審判請求人は、請求の理由として、「（４）本願発明１及び２と引用文献１との対比」の項において、
ア．「本願発明１及び２に係る「第２物理データ」は、集積回路の製造に関連しておりこの製造に特有であってこの集積回路を識別し得るのである。……従って、そもそも識別を行うことができる以上、「第２物理データ」は、集積回路の寿命の間、「周囲の物質や状況」、例えば周囲の温度によって変化するものでは全く有り得ない。」、
イ．「この引用文献１の「コード」が「周囲の物質や状況」例えば、周囲の温度によって変化するものであることは明らかである。そもそも、一般に、絶縁膜の誘電特性が、温度等の周囲の状況に影響され、それ故、その誘電特性から単純に導かれる静電容量にも変化を与え得ることは当業者ならば当然と認めるところである。」、
ウ．「以上、符号化（暗号化）に用いるデータに関して、本願発明１及び２と引用文献１とは、全く異なっており、引用文献１においては、本願発明１及び２の「第２物理データ」に相当する、周囲の物質や状況によって変化しない符号化のためのデータは、一切開示されておらず、示唆すらされていないことが明らかである。」、
エ．「本願発明１及び２においては、「第２物理データ」が集積回路を識別し得る集積回路に固有であって不変のものであるが故に初めて……侵害を受けない確実なデータの保護が実施可能である、という格別の効果を奏するのである。」、
と主張している。
　
　前記イの主張のとおり、引用文献には、前記「（２−１）引用発明」の項の「Ｆ」に、「電極４４１ａ，４４１ｂ・・・４４１ｎ（ｎは任意の自然数）と電極４４２ａ，４４２ｂ・・・４４２ｎとからは、絶縁膜４４３の特性値に基づいた静電容量を持つキャパシタが、ｎ2 個、形成される。例えばｎ＝５のとき、形成されるキャパシタは２５個となる。形成されるキャパシタの静電容量は周囲の物質や状況によって変化するが、この静電容量にもっとも影響を与えるのは、絶縁膜４４３である。」と記載されている。
　すなわち、引用発明の「キャパシタの前記絶縁膜の特性値に基づいた１以上の静電容量」は、周囲の物質や状況によって変化するものである。
　しかしながら、前記「（２−１）引用発明」の項の「Ｂ」には、「本発明では上記課題を解決するために、機密データを暗号化する暗号化装置において、電極対及び前記電極の少なくとも一方を覆う絶縁膜にて構成され、前記絶縁膜の特性値に基づいた静電容量を持つキャパシタと、前記絶縁膜にて覆われ、前記キャパシタの静電容量から特定されるコードを作成するコード作成手段と、前記コードに基づいて暗号鍵を作成する暗号鍵作成手段と、前記機密データを暗号化する場合に、前記暗号鍵作成手段にて作成された前記暗号鍵を使用して前記機密データを暗号化し、暗号データを作成する」と記載されている。
　したがって、引用発明は、前記の「キャパシタの静電容量は周囲の物質や状況によって変化するが、この静電容量にもっとも影響を与えるのは、絶縁膜４４３である」という知見に基づいて、「キャパシタの前記絶縁膜の特性値に基づいた１以上の静電容量を検出した検出値」から「特定されるコード」を作成し、前記「コードに基づいて前記機密データの暗号化を行」うものであると認められる。よって、前記「（２−２）対比」の項で述べたとおり、回路の製造に関連しておりこの製造に特有であってこの回路を識別し得る、この回路に固有な物理データと、保護すべきデータを「組合せ」る点において、引用発明は補正後の発明と相違しない。
　
　ここで、前記イの「絶縁膜の誘電特性が、温度等の周囲の状況に影響され、それ故、その誘電特性から単純に導かれる静電容量にも変化を与え得ることは当業者ならば当然と認めるところである」との主張のとおり、補正後の発明の「集積回路」においても、その「物理的パラメータ」は「温度等の周囲の状況に影響され」て、不可避に変動することは自明である。
　現に、本願明細書には、段落【００７５】に、
「図５のネットワーク１７の電気パスの遅延素子を形成するために、技術的ばらつき又は製造プロセスに影響に反応する任意の集積素子を使用することができる。これらは例えば一連の抵抗、キャパシタ、又は単なるトラックとすることができる。抵抗の場合には、集積回路の厚みの間の抵抗を使用することができる。しかし、寸法に関連した抵抗値をもち
温度依存の小さなポリシリコン抵抗の方が好ましい
と記載されている（下線は、論点を明確にするため、当審において付した。）。すなわち、「第２物理データ」を得るための遅延素子を形成する抵抗及びキャパシタの特性値は温度に依存して不可避に変動するので、「温度依存が小さな」抵抗等を用いることが好ましいことが記載されている。
　そして、遅延素子を形成する抵抗及びキャパシタの特性値は温度に依存して不可避に変動する以上、補正後の発明の「第２物理データ」も温度に依存して不可避に変動することが、本願明細書には記載されている。
　
　以上から、補正後の発明の「第２物理データ」も、温度に依存して不可避に変動するものであると認められる。
　よって、前記変動を制限した「集積回路を識別し得る集積回路に固有であって不変」の「第２物理データ」を用いているという前記ア〜エの主張は、本件補正後の特許請求の範囲の記載に基づくものではなく、また、本願明細書の開示内容に基づくものでもないから、当を得ておらず、これを採用することができない。
　
　なお、「キャパシタの前記絶縁膜の特性値に基づいた１以上の静電容量を検出した検出値から特定されるコード」に「基づいて前記機密データの暗号化を行い」、「暗号化された暗号データのみを前記メモリ回路に記録する」という引用発明において、「暗号化された暗号データのみを前記メモリ回路に記録」した後に周囲の状況が変化した場合は、「静電容量を検出した検出値」も変化すると認められるから、該「検出値から特定されるコード」も当然に変化する。したがって、その場合、正当な「コード作成装置」を用いても、前記「前記メモリ回路に記録」した「暗号データ」の復号が困難になることは自明である。
　よって、引用発明において、「キャパシタの前記絶縁膜の特性値に基づいた１以上の静電容量を検出した検出値から特定されるコード」が、周囲の状況が変化した場合であっても、その値が変化しないような対策を講じることは、当業者であれば、当然になし得た事項であると認められる。
　以上から、仮に、補正後の発明の「第２物理データ」が不変のものであることが補正された請求項１に記載されているとしても、引用発明において、周囲の状況の変化による前記「静電容量を検出した検出値から特定されるコード」の変動を制限しようとすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
（２−５）独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおり、相違点は格別のものではない。そして、補正後の発明の効果も、引用発明から当業者が予測し得る範囲のものである。
　したがって、補正後の発明は、引用発明から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項の規定により準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合していない。
　
　
３．小括
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、補正却下の決定の結論のとおり、決定する。
　
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　前記平成２０年９月３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２０年４月７日付けの手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものと認める。
「集積回路（１０，２０）の少なくともひとつの物理的パラメータネットワーク（１７）から得られる、集積回路の製造に関連しており該製造に特有の少なくともひとつの第２物理データ（ｐ）を、少なくともひとつの第１データ（ｄ，ＫＥＹ，ＡＤＤ）と組合せ（３，１３）、
　この組合せの結果（ｆ（ｄ，ｐ））のみを、メモリ（２，１１，１８）に蓄積することを特徴とする、第１データの蓄積方法。」
　
　
２．引用発明
　引用発明は、前記「第２．平成２０年９月３日付けの手続補正についての補正却下の決定」の「２．補正の適否」の「（２）独立特許要件」において、「（２−１）引用発明」の項で認定したとおりである。
　
　
３．対比・判断
　本願発明は、補正後の発明における「であって該集積回路を識別し得る」との発明特定事項を削除した発明である。
　したがって、補正後の発明が、前記「第２．平成２０年９月３日付けの手続補正についての補正却下の決定」の「２．補正の適否」の「（２）独立特許要件」における、「（２−３）判断」及び「（２−４）審判請求人の主張」の項で検討したと同様の理由により、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。