【手続補正書】
【提出日】平成22年4月30日(2010.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アセンブリを形成する方法であって、
焼成された圧電材料のブロックを基板上に結合することと、
該焼成された圧電材料のブロックを化学機械的に研磨することと
を含む、方法。
【請求項２】
前記結合することは、樹脂を、前記焼成された圧電材料のブロックまたは前記基板の１つに塗布することと、該焼成された圧電材料のブロックと該基板とを、これらの間に該樹脂を用いて互いに結合させることとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ブロックを化学機械的に研磨することの前に、該ブロックの厚さの一部を研削することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ブロックを化学機械的に研磨することは、約１０〜２０Åの範囲の表面粗さを有する表面を生成する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記焼成された圧電材料のブロックを化学機械的に研磨することは研磨された表面を形成し、前記方法は、
酸化物層を、該研磨された表面上に形成することと、
該酸化物層を活性化して、活性化された酸化物層を形成することと、
シリコンまたはシリコン酸化物層の表面を活性化して、活性化されたデバイス表面を形成することと、
該活性化された酸化物層を、該活性化されたデバイス表面と接触させることと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記酸化物層を活性化することの前に、該酸化物層を研磨することをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記活性化された酸化物層を、前記活性化されたデバイス表面と接触させることの後に、該活性化された酸化物層と、該活性化されたデバイス表面とを加熱することをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記加熱することは、約２００℃に加熱することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記焼成された圧電材料のブロックを化学機械的に研磨することは研磨された表面を形成し、前記方法は、
電極層を該研磨された表面に塗布することと、
該電極層をデバイス表面に結合することと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記電極層をデバイス表面に結合することは樹脂結合材を用いることを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記焼成された圧電材料から前記基板を除去して、露出された圧電材料を形成することと、
該露出された圧電材料を化学機械的に研磨することと
をさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
焼成された圧電材料のブロックを基板上に結合することは、該焼成された圧電材料のブロックをデバイス基板上に結合することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記デバイス基板は、前記焼成された圧電材料のブロックに隣接するが、該焼成された圧電材料のブロックに対して開かれていないチャンバを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記焼成された圧電材料のブロックを化学機械的に研磨することは、圧電材料の少なくとも４ミクロンを研磨して除去することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記焼成された圧電材料のブロックを化学機械的に研磨することは、圧電材料の約４〜１０ミクロンの範囲を研磨して除去することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
アセンブリを形成する方法であって、
酸化物層を圧電材料上に形成することと、
該酸化物層を研磨することと、
該酸化物層を研磨することの後に該酸化物層をプラズマで活性化することと、
該プラズマで活性化することの後に該酸化物層を本体に接触させることと
を含み、該本体はシリコンまたはシリコン酸化物を含む、方法。
【請求項１７】
前記酸化物層および前記本体を加熱することをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
チャンバを内部に有する本体であって、シリコンから形成された本体と、
該本体上に位置し、該チャンバと整列したアクチュエータと
を備える、流体排出デバイスであって、該アクチュエータは圧電材料を備え、該圧電材料は２０Å未満の表面粗さを有し、実質的に表面に損傷を有さず、該アクチュエータは、樹脂を用いて該本体に結合されている、流体排出デバイス。
【請求項１９】
前記本体内のチャンバはノズルと流体連通する、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記アクチュエータは約２０ミクロン未満の厚さを有する、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２１】
前記アクチュエータは５ミクロンよりも大きい厚さを有する、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２２】
前記圧電材料は複数の層を含まない、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２３】
前記圧電材料は７．５ｇ／ｃｍ３以上の密度を有する、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２４】
前記圧電材料は約８ｇ／ｃｍ３の密度を有する、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２５】
前記圧電材料は、約２００以上であり得るｄ３１係数を有する、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２６】
チャンバを内部に有する本体であって、該本体はシリコンから形成され、シリコンまたはシリコン酸化物の上層を有する本体と、
該本体上に位置し、該チャンバと整列したアクチュエータと
を備える、流体排出デバイスであって、該アクチュエータは圧電材料を備え、該圧電材料は２０Å未満の表面粗さを有し、該圧電材料は、実質的に表面に損傷を有さず、酸化物の層は該圧電材料上に存在し、該酸化物の層は該本体の上層に融着されている、流体排出デバイス。
【請求項２７】
前記本体内のチャンバはノズルと流体連通する、請求項２６に記載のデバイス。
【請求項２８】
前記アクチュエータは約２０ミクロン未満の厚さを有する、請求項２６に記載のデバイス。
【請求項２９】
前記アクチュエータは５ミクロンよりも大きい厚さを有する、請求項２６に記載のデバイス。
【請求項３０】
前記圧電材料は複数の層を含まない、請求項２６に記載のデバイス。
【請求項３１】
前記圧電材料は７．５ｇ／ｃｍ３以上の密度を有する、請求項２６に記載のデバイス。
【請求項３２】
前記圧電材料は約８ｇ／ｃｍ３の密度を有する、請求項２６に記載のデバイス。
【請求項３３】
前記圧電材料は、約２００以上であり得るｄ３１係数を有する、請求項２６に記載のデバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
様々な図面において同一の符号は同様な要素を示す。
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
（項目１）
アセンブリを形成する方法であって、
焼成された圧電材料のブロックを基板上に結合することと、
該焼成された圧電材料のブロックを化学機械的に研磨することと
を含む、方法。
（項目２）
上記結合することは、樹脂を、上記焼成された圧電材料のブロックまたは上記基板の１つに塗布することと、該焼成された圧電材料のブロックと該基板とを、これらの間に該樹脂を用いて互いに結合させることとを含む、項目１に記載の方法。
（項目３）
上記ブロックを化学機械的に研磨することの前に、該ブロックの厚さの一部を研削することをさらに含む、項目１に記載の方法。
（項目４）
上記ブロックを化学機械的に研磨することは、約１０〜２０Åの範囲の表面粗さを有する表面を生成する、項目１に記載の方法。
（項目５）
上記焼成された圧電材料のブロックを化学機械的に研磨することは研磨された表面を形成し、上記方法は、
酸化物層を、該研磨された表面上に形成することと、
該酸化物層を活性化して、活性化された酸化物層を形成することと、
シリコンまたはシリコン酸化物層の表面を活性化して、活性化されたデバイス表面を形成することと、
該活性化された酸化物層を、該活性化されたデバイス表面と接触させることと
をさらに含む、項目１に記載の方法。
（項目６）
上記酸化物層を活性化することの前に、該酸化物層を研磨することをさらに含む、項目５に記載の方法。
（項目７）
上記活性化された酸化物層を、上記活性化されたデバイス表面と接触させることの後に、該活性化された酸化物層と、該活性化されたデバイス表面とを加熱することをさらに含む、項目５に記載の方法。
（項目８）
上記加熱することは、約２００℃に加熱することを含む、項目７に記載の方法。
（項目９）
上記焼成された圧電材料のブロックを化学機械的に研磨することは研磨された表面を形成し、上記方法は、
電極層を該研磨された表面に塗布することと、
該電極層をデバイス表面に結合することと
をさらに含む、項目１に記載の方法。
（項目１０）
上記電極層をデバイス表面に結合することは樹脂結合材を用いることを含む、項目９に記載の方法。
（項目１１）
上記焼成された圧電材料から上記基板を除去して、露出された圧電材料を形成することと、
該露出された圧電材料を化学機械的に研磨することと
をさらに含む、項目９に記載の方法。
（項目１２）
焼成された圧電材料のブロックを基板上に結合することは、該焼成された圧電材料のブロックをデバイス基板上に結合することを含む、項目１に記載の方法。
（項目１３）
上記デバイス基板は、上記焼成された圧電材料のブロックに隣接するが、該焼成された圧電材料のブロックに対して開かれていないチャンバを含む、項目１２に記載の方法。
（項目１４）
上記焼成された圧電材料のブロックを化学機械的に研磨することは、圧電材料の少なくとも４ミクロンを研磨して除去することを含む、項目１に記載の方法。
（項目１５）
上記焼成された圧電材料のブロックを化学機械的に研磨することは、圧電材料の約４〜１０ミクロンの範囲を研磨して除去することを含む、項目１に記載の方法。
（項目１６）
アセンブリを形成する方法であって、
酸化物層を圧電材料上に形成することと、
該酸化物層を研磨することと、
該酸化物層を研磨することの後に該酸化物層をプラズマで活性化することと、
該プラズマで活性化することの後に該酸化物層を本体に接触させることと
を含み、該本体はシリコンまたはシリコン酸化物を含む、方法。
（項目１７）
上記酸化物層および上記本体を加熱することをさらに含む、項目１６に記載の方法。
（項目１８）
チャンバを内部に有する本体であって、シリコンから形成された本体と、
該本体上に位置し、該チャンバと整合されたアクチュエータと
を備える、流体排出デバイスであって、該アクチュエータは圧電材料を備え、該圧電材料は２０Å未満の表面粗さを有し、該アクチュエータは、樹脂を用いて該本体に結合されている、流体排出デバイス。
（項目１９）
上記本体内のチャンバはノズルと流体連通する、項目１８に記載のデバイス。
（項目２０）
上記アクチュエータは約２０ミクロン未満の厚さを有する、項目１８に記載のデバイス。
（項目２１）
上記アクチュエータは５ミクロンよりも大きい厚さを有する、項目１８に記載のデバイス。
（項目２２）
上記圧電材料は複数の層を含まない、項目１８に記載のデバイス。
（項目２３）
上記圧電材料は７．５ｇ／ｃｍ３以上の密度を有する、項目１８に記載のデバイス。
（項目２４）
上記圧電材料は約８ｇ／ｃｍ３の密度を有する、項目１８に記載のデバイス。
（項目２５）
上記圧電材料は、約２００以上であり得るｄ３１係数を有する、項目１８に記載のデバイス。
（項目２６）
チャンバを内部に有する本体であって、該本体はシリコンから形成され、シリコンまたはシリコン酸化物の上層を有する本体と、
該本体上に位置し、該チャンバと整合されたアクチュエータと
を備える、流体排出デバイスであって、該アクチュエータは圧電材料を備え、該圧電材料は２０Å未満の表面粗さを有し、酸化物の層は該圧電材料上に存在し、該酸化物の層は該本体の上層に融着されている、流体排出デバイス。
（項目２７）
上記本体内のチャンバはノズルと流体連通する、項目２６に記載のデバイス。
（項目２８）
上記アクチュエータは約２０ミクロン未満の厚さを有する、項目２６に記載のデバイス。
（項目２９）
上記アクチュエータは５ミクロンよりも大きい厚さを有する、項目２６に記載のデバイス。
（項目３０）
上記圧電材料は複数の層を含まない、項目２６に記載のデバイス。
（項目３１）
上記圧電材料は７．５ｇ／ｃｍ３以上の密度を有する、項目２６に記載のデバイス。
（項目３２）
上記圧電材料は約８ｇ／ｃｍ３の密度を有する、項目２６に記載のデバイス。
（項目３３）
上記圧電材料は、約２００以上であり得るｄ３１係数を有する、項目２６に記載のデバイス。