【手続補正書】
【提出日】平成23年9月28日(2011.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
本実施例４の装置のカソード電極と電子電界エミッタのパターンは、ＣＮＴ電子放出材料がカソード電極の上部に位置していた以外は、実施例２で用いた装置と同様であった。カソード組立体の上面図および装置の側面図を、それぞれ、図１６および１７に示す。これらの図において、カソード基板１６．１および１７．１、ＩＴＯゲート電極１６．２および１７．２、誘電体１６．３および１７．３の二重層から形成された絶縁層、Ａｇカソード電極１６．４および１７．４、ＣＮＴ電極放出材料１６．５および１７．５、スペーサ１６．６および１７．６、電荷散逸層１６．７および１７．７、蛍光体層１７．８、ＩＴＯアノード電極１７．９ならびにアノード基板１７．１０）が示されている。
Ｃｒの薄膜を電荷散逸層として用いることにより、ゲート電極から電子電界エミッタまでの全体の距離を、約１／３減じることができる。この短い距離によって、ゲート電界が、より効率的となり、固定電界に必要な電圧が減少する。このように、必要な電圧を大幅に下げることができる。図１８に、３ｋＶのアノード電圧、２００Ｖのゲート電圧および５５．５μＡのアノード電流で動作する実施例４から得られた放出画像を示す。１２０Ｈｚ、３０μＳパルス矩形波および４ｍｍアノード−カソード間隔の駆動条件は、実施例２で用いたのと同一であったが、放出電流はこれより大きかった。実施例２のゲート電圧の６６％で、本実施例の電流は、実施例２で得られたものの２倍であった。放出電流対ゲート電圧の非線形応答を考えると、これは非常に大きい。アノードおよびゲート電圧は、装置からの放出電流に何ら変化なしに、オン・オフされた。このことは、薄膜電荷散逸層によって所望の効果が出されたことを示すものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
以上、本発明を要約すると下記のとおりである。
１．（ａ）（ｉ）基板、（ｉｉ）前記基板上に配置された導電性ゲート電極、（ｉｉｉ）前記ゲート電極上に配置された絶縁層、（ｉｖ）前記絶縁層上に配置された約１×１０１０〜約１×１０１４オーム・パー・スクエアの電気シート抵抗を有する電荷散逸層、（ｖ）前記電荷散逸層上に配置されたカソード電極、および（ｖｉ）前記カソード電極と接触
している電子電界エミッタを含むカソード組立体と、（ｂ）アノードとを含む電界放出トライオード装置。
２．カソード電極が、電子放出材料層上に配置されている上記１に記載の装置。
３．カソード電極および電子電界エミッタが、同一構成部品である上記１に記載の装置。４．カソード電極および電子電界エミッタが、交線としてパターニングされている上記１に記載の装置。
５．カソードが、電子電界エミッタの上部でパターニングされている上記１に記載の装置。
６．電子電界エミッタが、カーボンナノチューブを含む上記１に記載の装置。
７．（ａ）（ｉ）基板、（ｉｉ）前記基板上に配置された導電性ゲート電極、（ｉｉｉ）前記ゲート電極上に配置された絶縁層、（ｉｖ）前記絶縁層上に配置されたカソード電極、（ｖ）前記カソード電極および前記絶縁層上に配置された約１×１０１０〜約１×１０１４オーム・パー・スクエアの電気シート抵抗を有する電荷散逸層、および（ｖｉ）前記電荷散逸層上に配置された電子電界エミッタを含むカソード組立体と、（ｂ）アノードとを含む電界放出トライオード装置。
８．カソード電極および電子電界エミッタが、交線としてパターニングされている上記７に記載の装置。
９．カソードが、電子電界エミッタの上部でパターニングされている上記７に記載の装置。
１０．電子電界エミッタが、カーボンナノチューブを含む上記７に記載の装置。
１１．（ａ）（ｉ）基板、（ｉｉ）前記基板上に配置された導電性ゲート電極、（ｉｉｉ）前記ゲート電極上に配置された絶縁層、（ｉｖ）前記絶縁層上に配置されたカソード電極、（ｖ）前記カソードと接触している電子電界エミッタ、（ｖｉ）前記絶縁層、前記カソード電極および前記電子電界エミッタ上に配置された約１×１０１０〜約１×１０１４オーム・パー・スクエアの電気シート抵抗を有する電荷散逸層を含むカソード組立体と、（ｂ）アノードとを含む電界放出トライオード装置。
１２．カソード電極および電子電界エミッタが、同一構成部品である上記１１に記載の装置。
１３．電荷散逸層が、絶縁層上でパターニングされている上記１１に記載の装置。
１４．カソード電極および電子電界エミッタが、交線としてパターニングされている上記１１に記載の装置。
１５．カソードが、電子電界エミッタの上部でパターニングされている上記１１に記載の装置。
１６．電子電界エミッタが、カーボンナノチューブを含む上記１１に記載の装置。
１７．（ａ）基板、（ｉｉ）前記基板上に配置された導電性ゲート電極、（ｉｉｉ）前記ゲート電極上に配置された絶縁層、（ｉｖ）前記絶縁層上に配置された約１×１０１０〜約１×１０１４オーム・パー・スクエアの電気シート抵抗を有する電荷散逸層、（ｖ）前記電荷散逸層上に配置されたカソード電極、および（ｖｉ）前記カソード電極と接触している電子電界エミッタを含むカソード組立体。
１８．（ｉ）基板、（ｉｉ）前記基板上に配置された導電性ゲート電極、（ｉｉｉ）前記ゲート電極上に配置された絶縁層、（ｉｖ）前記絶縁層上に配置されたカソード電極、（ｖ）前記カソード電極および前記絶縁層上に配置された約１×１０１０〜約１×１０１４オーム・パー・スクエアの電気シート抵抗を有する電荷散逸層、および（ｖｉ）前記電荷散逸層上に配置された電子電界エミッタを含むカソード組立体。
１９．（ｉ）基板、（ｉｉ）前記基板上に配置された導電性ゲート電極、（ｉｉｉ）前記ゲート電極上に配置された絶縁層、（ｉｖ）前記絶縁層上に配置されたカソード電極、（ｖ）前記カソードと接触している電子電界エミッタ、および（ｖｉ）前記絶縁層、前記カソード電極および前記電子電界エミッタ上に配置された約１×１０１０〜約１×１０１４オーム・パー・スクエアの電気シート抵抗を有する電荷散逸層を含むカソード組立体。
２０．カソード電極および電子電界エミッタが、交線としてパターニングされている上記
１７〜１９のいずれか１項に記載のカソード組立体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）（ｉ）基板、（ii）前記基板上に配置された導電性ゲート電極、（iii）前記ゲート電極上に配置された絶縁層、（iv）前記絶縁層上に配置された約１×１０10〜約１×１０14オーム・パー・スクエアの電気シート抵抗を有する電荷散逸層、（ｖ）前記電荷散逸層上に配置されたカソード電極、および（vi）前記カソード電極と接触している電子電界エミッタを含むカソード組立体と、（ｂ）アノードとを含む電界放出トライオード装置。
【請求項２】
カソード電極が、電子放出材料層上に配置されている請求項１に記載の装置。
【請求項３】
カソード電極および電子電界エミッタが、同一構成部品である請求項１に記載の装置。
【請求項４】
カソードが、電子電界エミッタの上部でパターニングされている請求項１に記載の装置。
【請求項５】
（ａ）（ｉ）基板、（ii）前記基板上に配置された導電性ゲート電極、（iii）前記ゲート電極上に配置された絶縁層、（iv）前記絶縁層上に配置されたカソード電極、（ｖ）前記カソード電極および前記絶縁層上に配置された約１×１０10〜約１×１０14オーム・パー・スクエアの電気シート抵抗を有する電荷散逸層、および（vi）前記電荷散逸層上に配置された電子電界エミッタを含むカソード組立体と、（ｂ）アノードとを含む電界放出トライオード装置。
【請求項６】
カソード電極および電子電界エミッタが、交線としてパターニングされている請求項５に記載の装置。
【請求項７】
カソードが、電子電界エミッタの上部でパターニングされている請求項５に記載の装置。
【請求項８】
（ａ）（ｉ）基板、（ii）前記基板上に配置された導電性ゲート電極、（iii）前記ゲート電極上に配置された絶縁層、（iv）前記絶縁層上に配置されたカソード電極、（ｖ）前記カソードと接触している電子電界エミッタ、（vi）前記絶縁層、前記カソード電極および前記電子電界エミッタ上に配置された約１×１０10〜約１×１０14オーム・パー・スクエアの電気シート抵抗を有する電荷散逸層を含むカソード組立体と、（ｂ）アノードとを含む電界放出トライオード装置。
【請求項９】
電荷散逸層が、絶縁層上でパターニングされている請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
カソード電極および電子電界エミッタが、交線としてパターニングされている請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
カソードが、電子電界エミッタの上部でパターニングされている請求項８に記載の装置。
【請求項１２】
（ａ）基板、（ii）前記基板上に配置された導電性ゲート電極、（iii）前記ゲート電極上に配置された絶縁層、（iv）前記絶縁層上に配置された約１×１０10〜約１×１０14オーム・パー・スクエアの電気シート抵抗を有する電荷散逸層、（ｖ）前記電荷散逸層上に配置されたカソード電極、および（vi）前記カソード電極と接触している電子電界エミッタを含むカソード組立体。
【請求項１３】
（ｉ）基板、（ii）前記基板上に配置された導電性ゲート電極、（iii）前記ゲート電極上に配置された絶縁層、（iv）前記絶縁層上に配置されたカソード電極、（ｖ）前記カソード電極および前記絶縁層上に配置された約１×１０10〜約１×１０14オーム・パー・スクエアの電気シート抵抗を有する電荷散逸層、および（vi）前記電荷散逸層上に配置された電子電界エミッタを含むカソード組立体。
【請求項１４】
（ｉ）基板、（ii）前記基板上に配置された導電性ゲート電極、（iii）前記ゲート電極上に配置された絶縁層、（iv）前記絶縁層上に配置されたカソード電極、（ｖ）前記カソードと接触している電子電界エミッタ、および（vi）前記絶縁層、前記カソード電極および前記電子電界エミッタ上に配置された約１×１０10〜約１×１０14オーム・パー・スクエアの電気シート抵抗を有する電荷散逸層を含むカソード組立体。
【請求項１５】
カソード電極および電子電界エミッタが、交線としてパターニングされている請求項１２〜１４のいずれか１項に記載のカソード組立体。