【事件の表示】
　特願２００３−　５１３７３「静電チャックおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　９月１６日出願公開、特開２００４−２６００８８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１５年２月２７日の出願であって、平成１９年９月１８日付けで拒絶の理由が通知され、同１９年１２月１４日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同２０年５月９日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、これに対し、同２０年７月３日に本件審判の請求がされ、平成２０年８月１日に手続補正書が提出されたものである。
　その後、当審において、平成２２年２月１５日付けで拒絶の理由が通知され、これに対し、平成２２年４月２６日に意見書及び手続補正書が提出され、さらに、当審において、平成２２年７月２９日付けで拒絶の理由が通知され、これに対し、平成２２年１０月２２日に意見書及び手続補正書が提出された。 
　本件出願の請求項１乃至４に係る発明は、当審で提出された平成２２年１０月２２日付けの手続補正書によって補正された明細書及び出願当初の図面の記載からみて、本願の特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明は、次のとおりである。（以下「本願発明」という。）
「電極と、この電極を被覆し、該電極に電圧を印加することにより被吸着体を吸着する誘電性のセラミックス層とを有する静電チャックであって、前記セラミックス層は、２３±３℃の範囲での熱膨張係数が−０．５×１０−６〜０．５×１０−６／℃、体積抵抗率が１×１０９〜１×１０１４Ω・ｃｍであり、かつ低熱膨張セラミックスであるβ−ユークリプタイトと、高ヤング率セラミックスである炭化珪素または窒化珪素との複合材料からなり、前記電極がタングステンまたはモリブデンからなる金網で構成され、
　セラミックス層の厚さが０．５ｍｍ以上であり、かつ金網の線径が０．５ｍｍ以下、その開孔率が２５〜６４．５％であることを特徴とする静電チャック。」
　
２　引用刊行物記載の発明
　これに対して、当審での平成２２年７月２９日付けで通知した拒絶の理由に引用された、本願の出願前である平成１３年１１月９日に頒布された特開２００１−３１３３３２号公報（以下「引用刊行物１」という。）、平成１３年１０月３１日に頒布された特開２００１−３０２３３８号公報（以下、「引用刊行物２」という。）、平成１４年１２月２４日に頒布された特許第３３５９５８２号公報（以下、「引用刊行物３」という。）、及び平成１０年９月２日に頒布された特開平１０−２３３４３５号公報（以下、「引用刊行物４」という。）には、以下の発明ないし事項が記載されている。
（１）引用刊行物１
ア　段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】本発明は、静電吸着装置、特に軽量、低熱膨張、耐食性、耐プラズマ性に優れ、主に半導体装置や液晶装置などの製造工程における半導体ウエハの処理または搬送時における半導体ウエハの固定に使用される静電吸着装置及びそれを用いた半導体製造装置に関するものである。」
イ　段落【００２３】〜【００２４】
「【発明の実施の形態】本発明の静電吸着装置は、少なくとも、被吸着物を吸着するための吸着面を有している。すなわち、図１に示すように、電極１が誘電体２の一方の側面である電極面３に形成されており、誘電体２の他方の側面である吸着面４にウエハなどの被吸着物５が搭載される。そして、電極１に電圧が印加されると、被吸着物５は誘電体２の吸着面４に静電的に吸着される。
　誘電体２は、少なくとも被吸着物５を吸着するための吸着面４を形成しており、１０〜４０℃における熱膨張係数が１．０×１０−６／℃以下、特に０．５×１０−６／℃以下、さらには０．２×１０−７／℃以下であることが重要である。熱膨張係数が小さいため、１日の温度変化や季節毎の温度変化などに左右されない精密な加工を実現することができる。」
ウ　段落【００２６】
「電極１は、金属などの導電性材料を用いれば良いが、誘電体２にセラミックスを用いる場合には焼成時および加熱時における誘電体２との密着性を高めるために、高融点でセラミックスとの反応性の低い材料が好ましい。例えば、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、白金（Ｐｔ）などの耐熱性金属や、ＴｉＣ、ＴｉＮなどの導電性セラミックスにより形成することが良い。」
エ　段落【００４７】
「まず、基部１１と誘電体１３とをコージェライトを主体とするセラミックスで作製する。すなわち、１０μｍ以下のコージェライト粉末を７３〜９８．９５重量％に対して、平均粒径が１０μｍ以下の希土類元素酸化物粉末（例えばＥｒ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３など）１〜２０重量％、特に好適には５〜１５重量％、さらに好適には８〜１２重量％の割合で添加し、さらに所望によりカーボンを０．０５〜２重量％の割合で添加する。なお、基部１１は、絶縁性の観点でカーボンを添加しないことが好ましく、誘電体１３はジョンソン・ラーベック力による大きな吸着力を得るためにカーボンを添加することが好ましい。」
オ　段落【００４９】
「なお、電極１２は、板状またはメッシュ状のＷやＭｏ金属などを成形体中に挿入する。また、Ｗ、ＭｏまたはＴｉＮなどの導電性粉体とコージェライト粉末とからなるスラリーペーストを用いて印刷法により成形体表面に導電層を形成し、電極１２とすることもできる。そして、表面に電極１２を有する成形体を、電極１２が接触するように２枚重ね合わせ、再度プレスする。なお、印刷時に形成する電極１２の形状は、円板状、格子状、メッシュ状など任意の形状にすることができる。」
カ　段落【００５２】
「【実施例】図２の静電チャックを作製した。平均粒径が３μｍのコージェライト粉末に対し、焼結助剤として平均粒径が１μｍのＹ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、ＣｅＯ２粉末を表１のように調合し、バインダー及び溶媒を添加して２４時間混合乾燥したあと、９８ＭＰａ（１ｔ／ｃｍ２）の圧力にて金型成形法により成形体を作製し、基部１１とした。
　また、同様にして、平均粒径が２μｍのカーボンおよび希土類酸化物０〜２０重量％を添加した原料から、成形体を作製し、誘電体１３とした。そして、基部１１および誘電体１３に対応する成形体の表面に、タングステン粉末を用いて印刷し、電極１２を有する基部１１と上記誘電体１３とを電極１２が接触するように合わせ、ＣＩＰにより圧着した。」
キ　段落【００５５】
「得られたセラミックスを研磨し、３×４×１５ｍｍの大きさに研削加工し、このセラミックスの１０〜４０℃までの平均熱膨張係数をＪＩＳ　Ｒ３２５１−１９９５に規定される方法により測定した。相対密度はＪＩＳ　Ｃ２１４１−１９９２に規定された方法を用いて測定した嵩密度ならびにＪＩＳ　Ｒ１６２０に規定された方法にて測定した粉砕試料の密度から算出した。体積固有抵抗はＪＩＳＣ２１４１−１９９２に規定された方法を用いて測定した。吸着力は２５ｍｍ角のＳｉ立方体と静電チャック内部の導体層間に電圧（５００Ｖ）を印加して測定を行った。なお静電チャック表面は、ラップ加工により表面粗さＲａ＜０．１に加工して測定を行った。また、ウエハの変形の評価として、１０℃の温度差でのウエハ変形量を調べた。まず、３００ｍｍウエハの表面において、２００ｍｍ離れた２点に２０℃でレーザーマーキングを行い、２０℃で２点間の距離を測定し、ずれのないことを確認した。次に、静電チャック上に３００ｍｍウエハを搭載して吸着し、２００ｍｍ離れた２点に３０℃でレーザーマーキングを行い、２０℃で２点間の距離を測定した。結果は表１に示した。」
ク　段落【００５６】の表１
　表１には、試料Ｎｏ．１６として、静電チャックの誘電体を構成するセラミックの熱膨張係数を０．３×１０−６／℃、体積固有抵抗を１×１０１０Ω・ｍのものが記載されている。
　以上アないしクの記載事項、及び図面の図２から、引用刊行物１には、「電極１２と、この電極１２を被覆し、該電極１２に電圧を印加することにより半導体ウエハを吸着するコージェライトを主体とするセラミックスからなる誘電体１３とを有する静電チャックであって、前記セラミックスは、１０〜４０℃までの平均熱膨張係数が０．３×１０−６／℃、体積固有抵抗が１×１０１０Ω・ｍのコージェライトを主体とするものであり、前記電極１２がＷ、Ｍｏ、またはＴｉＮからなるメッシュ状の導電層で構成されている静電チャック。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
（２）引用刊行物２
ケ　段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】本発明は、複合セラミックスおよびその製造方法に関し、特にエアスライド、定盤、真空装置構造体、サセプタ、静電チャック、ミラー、ステージなどといった半導体製造装置用、精密機器用、計測機器用などの各種構造部品に適した低熱膨張・高剛性の複合セラミックスおよびその製造方法に関する。」
コ　段落【００４２】〜【００４３】
「【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。まず、市販のユークリプタイト粉末を成形し、表１に示すように、１３５０℃で焼成することで直径５０ｍｍ、板厚４ｍｍの焼結体を得た。このセラミックスから３×４×１５ｍｍのサンプルを取り出し、−４０〜１００℃の範囲で熱膨張係数を測定した（測定装置：真空理工社製ＲＩＸ−１）。このサンプルの１０〜４０℃における熱膨張係数は表１に示すように−０．５３×１０−６／℃であり、その結晶相はβユークリプタイトであった。また、超音波パルス法により、室温でのヤング率を測定したところ、ヤング率は表１に示すように１００ＧＰａであり低剛性のものであった（試料Ｎｏ．１）。
　また、窒化ケイ素、炭化ケイ素のそれぞれの粉末を用い、成形体を表１の条件で焼成し同様の焼結体を得た。同様にして熱膨張係数およびヤング率を測定した結果、表１に示すように何れもヤング率は大きいものの、熱膨張係数は窒化ケイ素が１．５×１０−６／℃であり炭化ケイ素が２．５×１０−６／℃であった（試料Ｎｏ．２、３）。」
サ　段落【００４４】〜【００４５】
「次に、試料Ｎｏ．１のユークリプタイト粉末に、試料Ｎｏ．２の窒化ケイ素粉末または試料Ｎｏ．３の炭化ケイ素粉末またはこれらの両方を表１に示す割合で添加し、ボールミルで２４時間混合した後、１ｔｏｎｆ／ｃｍ２ の圧力で金型成形した。そして、その成形体を表１の条件で焼成して、１０〜４０℃での熱膨張係数、室温でのヤング率を測定した。その結果を表１に示す。
　表１の結果から明らかなように、ユークリプタイト焼結体である試料Ｎｏ．１に窒化ケイ素および炭化ケイ素の少なくとも一方を添加した試料４〜３３は、試料１に比しヤング率が増大した。また、熱膨張係数も試料２、３よりも小さい値が得られた。」
シ　段落【００５０】の表１
　表１には、試料Ｎｏ．１０〜１６、２０〜２５等に、ユークリプタイトと炭化珪素または窒化硅素との複合材料からなり、１０〜４０℃における熱膨張係数が−０．５×１０−６〜０．５×１０−６／℃のセラミックスが記載されている。
　以上ケないしシの記載事項から、引用刊行物２には、「βユークリプタイトと炭化珪素または窒化硅素との複合材料からなり、１０〜４０℃における熱膨張係数が−０．５×１０−６〜０．５×１０−６／℃のセラミックスを用いた静電チャック。」（以下、「引用刊行物２記載事項」という。）が記載されていると認められる。
（３）引用刊行物３
ス　段落【００１７】〜【００１８】
「図１（ａ）は本発明の静電チャック１の一例を示す一部を破断した斜視図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線断面図で、被吸着物である半導体ウエハＷと略同等の大きさを有する円盤状をした板状セラミック体２からなり、この板状セラミック体２の上面を半導体ウエハＷを保持する吸着面３とするとともに、板状セラミック体２の内部に図２に示すような外形状が円形をした格子状の金網状電極４を埋設したもので、この金網状電極４は板状セラミック体２の下面に接合された給電端子５と電気的に接続されている。
　金網状電極４は、半導体ウエハＷを大きな静電吸着力でもって固定する観点から、その大きさを板状セラミック体２中に埋設することができる範囲でできるだけ大きくすることが好ましく、また、均一な静電吸着力や後述するように均一なプラズマを発生させるためには開口部４ａの大きさができる限り揃ったものを用いるとともに、金網状電極４を構成する各線材との交点が離れないように予め電気アーク溶接、スポット溶接、摩擦接合、メッキ法などの方法でもって接合しておくか、あるいは３次元的に絡み合うように織ったものを用いることが良い。」
セ　段落【００２７】〜【００３０】
「そして、金網状電極４の面積を大きくするには、線材の径を大きくしたり、線材間の間隔を狭くすれば良く、いずれにおいても金網状電極４の開口率を調整することによって達成することができる。
　そして、金網状電極４の開口率が８０％を越えると、金網状電極４の面積が小さくなり過ぎるため、十分な大きさの静電吸着力を発現させることができず、また、残留吸着力が残り易くなるため、半導体ウエハＷの離脱応答性が悪い。
　ただし、金網状電極４の開口率が５０％よりも小さくなると、金網状電極４の面積が大きくなり過ぎるために、板状セラミック体２の曲げ強度や耐熱衝撃性が大幅に低下する。
　従って、静電チャック１の強度や耐熱衝撃性を大幅に低下させることなく、静電吸着力を高めかつ残留吸着力を速やかに逃がすためには、金網状電極４の開口率を５０〜８０％とすることが重要である。」
ソ　段落【００５０】の表１
　表１には、試料番号３〜６において、静電チャック１に設ける金網状電極４の線径を０．１２２ｍｍ、開口率を５０〜８０％とすることが示されている。
タ　段落【００５１】〜【００５２】
「この結果、吸着力は、金網状電極４の開口率を８０％以下とすることで急激に向上するとともに、残留吸着力を殆ど無くすことができることが判る。ただし、金網状電極４の開口率が５０％未満では、板状セラミック体２の曲げ強度が２００ＭＰａ以下にまで低下するとともに、昇温時に板状セラミック体２に割れが発生するものがあった。
　よって、金網状電極４の開口率を５０〜８０％とすることで、大きな吸着力が得られるとともに、残留吸着力が殆どなく、曲げ強度や耐熱衝撃性の劣化の少ない静電チャック１とできることが判る。」
　以上スないしタの記載事項から、引用刊行物３には、「線径を０．１２２ｍｍ、開口率を５０〜８０％とし、各線材との交点が離れないように予め電気アーク溶接、スポット溶接、摩擦接合、メッキ法などの方法でもって接合しておくか、あるいは３次元的に絡み合うように織ったものを用いた金網状電極４を有する静電チャック。」（以下、「引用刊行物３記載事項」という。）が記載されていると認められる。
（４）引用刊行物４
チ　特許請求の範囲の請求項１
「 基盤と、基盤上面に広がる電極と、電極を覆う誘電層と、を備えた静電チャックであって；上記電極の面積が該チャックの吸着面の面積の５０％以下であることを特徴とする静電チャック。」
ツ　段落【００１４】〜【００１５】
「図１（Ａ）に示すように、電極３、３′は、直角に交わる格子状とした。格子の線幅は０．５〜５ｍｍ、線間隔は１．５〜１５ｍｍが好ましい。図１（Ａ）の例では線幅０．５ｍｍ、線間隔３ｍｍ、電極面積比率は約３０％である。接点６は中心寄りに設けてある。なお、符号１１は、必要に応じて設けられるガス供給穴であり、符号１３はリフトピン用穴である。
【実施例】実験に用いた静電チャックの誘電層は、酸化アルミニウムを主成分とし酸化チタン、酸化クロムを適当量添加して焼成したセラミックス製とし、その体積抵抗率は１０１１Ωｃｍ、誘電層の厚さは５００μｍ 、比誘電率８．５、表面粗さＲａは０．２５μｍとした。吸着ウェハはベアシリコンウェハとした。電極はＷ製とし、基盤は誘電層と同一の素材とした。」
テ　段落【００１９】の表１、段落【００２０】の表２
　表１、表２には、実施例１、６、１１として、静電チャックの電極の面積比率が５０％であるものが記載されている。
　以上チないしテの記載事項から、引用刊行物４には、「線幅を０．５ｍｍ、電極面積比率を５０％とし、各電極３、３’が直角に交わる格子状とし、誘電層の厚さを５００μｍとした静電チャック。」（以下、「引用刊行物４記載事項」という。）が記載されていると認められる。
　
３　対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「電極１２」、「半導体ウエハ」、「セラミックスからなる誘電体１３」、「Ｗ」、「Ｍｏ」は、それぞれ、本願発明の「電極」、「被吸着体」、「誘電性のセラミックス層」、「タングステン」、「モリブデン」に相当する。
　一般に、熱膨張係数は、温度により多少変化するだけのものであることから、引用発明の「１０〜４０℃までの平均熱膨張係数を０．３×１０−６／℃」は、本願発明の「２３±３℃の範囲での熱膨張係数が−０．５×１０−６〜０．５×１０−６／℃」に含まれることは明らかである。
　引用発明の「体積固有抵抗を１×１０１０Ω・ｍ」が、本願発明の「体積抵抗率が１×１０９〜１×１０１４Ω・ｃｍ」に含まれることも明らかである。
　引用発明の「メッシュ状の導電層」は、「網目状導電層」という限りで、本願発明の「金網」と共通する。
　以上の点から、両者は「電極と、この電極を被覆し、該電極に電圧を印加することにより被吸着体を吸着する誘電性のセラミックス層とを有する静電チャックであって、前記セラミックス層は、２３±３℃の範囲での熱膨張係数が−０．５×１０−６〜０．５×１０−６／℃、体積抵抗率が１×１０９〜１×１０１４Ω・ｃｍであり、前記電極がタングステンまたはモリブデンからなる網目状導電層で構成される静電チャック。」で一致し、以下の点で相違している。
＜相違点１＞
　誘電性のセラミックス層に関して、本願発明では、「低熱膨張セラミックスであるβ−ユークリプタイトと、高ヤング率セラミックスである炭化珪素または窒化珪素との複合材料からな」るものと特定し、また、セラミックス層の厚さを「０．５ｍｍ以上」と特定しているのに対して、引用発明では、セラミックスはコージェライトを主体とするものであり、また、その厚さについては不明な点。
＜相違点２＞
　電極を構成する網目状導電層として、本願発明では、「線径が０．５ｍｍ以下、その開孔率が２５〜６４．５％である金網」を用いているのに対して、引用発明では、単にメッシュ状の導電層であって、線径、開孔率に関して不明な点。
　
４　当審の判断
（１）＜相違点１＞について
　引用刊行物２記載事項は、「βユークリプタイトと炭化珪素または窒化硅素との複合材料からなり、１０〜４０℃における熱膨張係数が−０．５×１０−６〜０．５×１０−６／℃のセラミックスを用いた静電チャック。」である。
　引用発明も引用刊行物２記載事項も、ともに静電チャックに関するものであり、熱膨張係数もほぼ同様の数値であるところ、引用刊行物２記載事項におけるセラミックスを引用発明におけるセラミックスからなる誘電体１３に適用できないとする阻害要因も格別見当たらないことからすれば、引用発明において、セラミックスからなる誘電体として引用刊行物２記載事項のβユークリプタイトと炭化珪素または窒化硅素との複合材料からなるセラミックスを用いることは、当業者が容易に想到することができたことである。
　また、静電チャックにおいて、セラミック層の厚さとして０．５ｍｍ程度のものは引用刊行物４記載事項に見られるように従来周知の事項であり、また、セラミック層の厚さの下限値を０．５ｍｍとすることに臨界的意義が見出せないので、この点は、単なる設計的事項に過ぎない。
（２）＜相違点２＞について
　引用刊行物３記載事項は、「線径を０．１２２ｍｍ、開口率を５０〜８０％とし、各線材との交点が離れないように予め電気アーク溶接、スポット溶接、摩擦接合、メッキ法などの方法でもって接合しておくか、あるいは３次元的に絡み合うように織ったものを用いた金網状電極４を有する静電チャック。」である。また、引用刊行物４記載事項は、「線幅を０．５ｍｍ、電極面積比率を５０％とし、各電極３、３’が直角に交わる格子状とし、誘電層の厚さを５００μｍとした静電チャック。」である。このように、静電チャックの電極に用いられる金網の線径を０．５ｍｍ以下とすることは引用刊行物３記載事項に見られ、開口率、すなわち、本願発明で言う開孔率を５０％程度とすることも、引用刊行物３記載事項、引用刊行物４記載事項に見られるように従来周知の事項であることからすれば、引用発明においても、メッシュ状の電極を、線径０．５ｍｍ以下の金網とし、また、開孔率を５０％程度のものとすることは、当業者にとって格別の困難性を有するものではない。
　なお、請求人は、平成２２年１０月２２日付け意見書において、「引用例３（当審注：引用刊行物３である特許第３３５９５８２号公報）には、金網状電極を用いた静電チャックが開示されており、金網状電極が占める面積に対する開口部の割合を５０〜８０％としたことが開示されておりますが、ここでの金網状電極は交点が固定されており、これは本件発明でいう金網とは異なり、むしろパンチングメタルに近いものであります。パンチングメタルについては、開孔率が２５〜４０．２％（請求項２参照）であり、５０〜８０％は本発明の範囲から外れるものとなります。」（第３頁第２６行〜第３１行。）と主張している。
　しかしながら、本願発明は、特許請求の範囲の請求項１で特定されているとおり、単に、「金網で構成され」と特定されているだけであって、金網の交点が固定されているのかいないのかが特定されているものではない。
　また、本件出願の明細書の段落【００４４】の表１、段落【００４５】の表２を参照しても、板厚や線径が０．５ｍｍ以下の実施例１〜８、実施例１１〜１５の評価結果からは、実施例６に見られるように開孔率が２０．９％、実施例１３に見られるように開孔率が１９．６％の時に、割れおよび剥離が僅かに存在していたものとしているだけであって、開孔率の上限値について不適なものがあることを示してはいない。したがって、引用刊行物３に記載されたものはパンチングメタルに近いものであって、開孔率が高すぎるという請求人の主張は採用することができない。
（３）作用ないし効果について
　本件出願の段落【００４４】の表１、段落【００４５】の表２の実施結果については、上記（２）で言及したとおりであるので、本願発明が奏する作用ないし効果は、引用発明、および引用刊行物２ないし４記載事項から予測し得る範囲のものでしかない。
（４）まとめ
　したがって、本願発明は、引用発明、および引用刊行物２ないし４記載事項を採用することにより、当業者が容易になし得たものである。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１に記載された発明に、引用刊行物２ないし４に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項２ないし４に係る発明について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により、本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。