【事件の表示】
　特願２００１−５１６２５４「半導体の形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　２月１５日国際公開、ＷＯ０１／１１６９５、平成１５年１０月２１日国内公表、特表２００３−５３１４７０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は，平成１２年８月７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９９年８月６日，米国）を国際出願日とする出願であって，平成２０年１２月１５日付けで拒絶査定がされ，これに対して平成２１年３月１７日に審判請求がされるとともに，同年４月１６日に手続補正がされたものである。
　
２．本願発明について
　平成２１年４月１６日付けの手続補正は，特許請求の範囲及び発明の名称を変更するものであって，そのうち特許請求の範囲についての補正は，補正前の請求項１の「前記ショットキーの一部分を露出させ；」を，補正後の請求項１の「前記ショットキー層の一部分を露出させ；」とするものであるから，平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当し，適法になされたものである。
　
　そして，平成２１年４月１６日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載から見て，特許請求の範囲の請求項１〜７のうち請求項１に係る発明は，特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるとおりのもの（以下「本願発明」という。）である。
「　【請求項１】　半導体の形成方法であって，ショットキー層を形成し；
　接触層を前記ショットキー層の上に形成し；
　前記第一のエッチング剤を適用して前記接触層をエッチングして前記ショットキー層の一部分を露出させ；
　次いで第二の異なるエッチング剤を適用して前記第一のエッチング剤で露出させた前記ショットキー層の前記一部分をエッチングする各段階を含み；
　ここで，前記ショットキー層内での前記第二のエッチング剤のエッチング速度は前記ショットキー層内での前記第一のエッチング剤のエッチング速度よりも実質的に早く，前記接触層中の前記第一のエッチング剤のエッチング速度は前記ショットキー層内での前記第一のエッチング剤のエッチング速度よりも実質的に早い，前記方法。」
　
３．刊行物に記載された発明
（１）特開平８−１７２１８２号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平８−１７２１８２号公報（以下「刊行物１」という。）には，図１〜４，７〜１０とともに以下の記載がある。（下線は当審において付加。以下同様。）
ア　（産業上の利用分野）
「【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は，高速・高周波動作に適する高電子移動度電界効果トランジスタ（ＨＥＭＴ）に関するものである
　
イ　（第１実施例）
「【００２９】
【実施例】
（第１実施例）以下，この発明を具体化した第１実施例を図面に従って説明する。
【００３０】尚，以下の説明ではＦＥＴの一般的な呼称の原則に従い，図面の左右方向であるソースからドレイン電極の方向を長さと呼ぶことにする。図１には，本実施例におけるＨＥＭＴの断面図を示す。
【００３１】
半絶縁性のＩｎＰ基板１上に，ＩｎＡｌＡｓバッファ層２が１００ｎｍ，電子移動領域であるＩｎＧａＡｓチャネル層３（但しＩｎの含有率８０％）が２０ｎｍ，ＩｎＡｌＡｓスペーサ層４が５ｎｍ，電子供給層であるｎ
+
 ＩｎＡｌＡｓドープ層５が１０ｎｍ，ＩｎＡｌＡｓゲートコンタクト層６が１７ｎｍ，ｎ
+
 ＩｎＧａＡｓキャップ層７が２０ｎｍ積層されている
【００３２】ＩｎＡｌＡｓゲートコンタクト層６の厚さｔ１（＝１７ｎｍ）は，電子移動領域であるＩｎＧａＡｓチャネル層３において量子井戸を電子で満たすに十分な厚さである。
ｎ
+
 ＩｎＧａＡｓキャップ層７の広範囲において凹部８が形成され，ＩｎＡｌＡｓゲートコンタクト層６が露出している
ＩｎＡｌＡｓゲートコンタクト層６の露出部のうちの中央部分において凹部９が形成されている
【００３３】
ｎ
+
 ＩｎＧａＡｓキャップ層７の上にはソース電極１０およびドレイン電極１１が配置されている
凹部９の底面にはゲート電極１２が配置されている
【００３４】まず，図２に示すように，
ＩｎＰ基板１の上に各半導体層２，３，４，５，６，７を積層する。そして，ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕの積層構造からなるソース電極１０とドレイン電極１１とを真空蒸着し，３６０℃，２分間の熱処理を行ってオーミック接合する
【００３５】
引き続き，図３に示すように，ソース電極１０とドレイン電極１１のほぼ中央部分に長さ０．８μｍの領域にわたって一段目のリセスエッチングを行い一段目の凹部（リセス）８を形成する。詳しくは，一段目の凹部８は，例えば５０％クエン酸水溶液：３０％過酸化水素水＝１：１の混合液で１０秒間エッチングすることにより，ｎ
+
 ＩｎＧａＡｓキャップ層７のみを選択的に除去することで形成する。その結果，ＩｎＡｌＡｓゲートコンタクト層６が露出する
【００３６】
続いて，図４に示すように，電子ビーム描画法を用いてレジストパターンを形成した後に，一段目のリセスエッチングの時に用いたものと同一のエッチング液で３０秒間エッチングすることにより，一段目の凹部８の中央部に，二段目の凹部（リセス）９を形成する。この際，ゲート電極１２の接触する極く近傍のみを，ＩｎＡｌＡｓゲートコンタクト層６の表面に形成される酸化層の膜厚である５ｎｍ以上の深さでエッチングする。さらに，図１に示すように，Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕを真空蒸着を行うことによりＴ型ゲート電極１２を形成する
【００３７】尚，本実施例では，二段目の凹部９の長さは約０．２μｍ，深さは７ｎｍ，Ｔ型ゲート電極１２の上部の長さは約０．５μｍ，Ｔ型ゲート脚部の長さは０．１μｍとした。」
　
ウ　（第２実施例）
「【００４８】
　・・・
（第２実施例）次に，第２実施例を第１実施例との相違点を中心に説明する。
【００４９】図７には，本実施例におけるＨＥＭＴの断面図を示す。本実施例は，第１実施例における第２のアンドープ半導体層（６）を，上側層のＩｎＧａＡｓ表面保護層１９と，下側層とＩｎＡｌＡｓゲートコンタクト層１８との２層構造としたものである。つまり，二段リセスのうちの一段目リセスによる露出部分をアンドープのＩｎＧａＡｓ（１９）で覆った構造としたものである。又，ＩｎＡｌＡｓゲートコンタクト層１８とＩｎＧａＡｓ表面保護層１９の合計の厚さｔ１は，量子井戸を電子で満たすに十分な厚さとなっている。
【００５０】以下，製造工程に従って説明する。図８に示すように，半絶縁性のＩｎＰ基板１３上に，ＩｎＡｌＡｓバッファ層１４を１００ｎｍ，ＩｎＧａＡｓチャネル層１５（但しＩｎの含有率８０％）を２０ｎｍ，ＩｎＡｌＡｓスペーサ層１６を５ｎｍ，ｎ+ ＩｎＡｌＡｓドープ層１７を１０ｎｍ，ＩｎＡｌＡｓゲートコンタクト層１８を１０ｎｍ，ＩｎＧａＡｓ表面保護層１９を５ｎｍ，ｎ+ ＩｎＧａＡｓキャップ層２０を２０ｎｍ積層する。尚，ドープ濃度，Ｉｎの含有率などは第１実施例と同じである。
【００５１】そして，第１の実施例と同様の製造工程を用いてソース電極２１とドレイン電極２２とを形成する。その後，図９に示すように，一段目の凹部（リセス）２３を形成する。この際，このリセスエッチングは，例えば５０％クエン酸水溶液：３０％過酸化水素水＝１：１０の混合液で２５秒間エッチングすることにより，所定領域におけるｎ+ ＩｎＧａＡｓキャップ層２０をすべて除去し，ＩｎＧａＡｓ表面保護層１９を露出させる。前述したとおり，ＩｎＧａＡｓはＩｎＡｌＡｓに比べて酸化しにくいため，表面の劣化を抑えることができる。つまり，表面に露出したＩｎＧａＡｓ表面保護層１９の酸化層は発明者等の分析によれば２ｎｍ程度であり，酸化をＩｎＧａＡｓ内にとどめることができる。
【００５２】引き続いて，図１０に示すように，二段目の凹部（リセス）２４を形成する。さらに，図７に示すように，Ｔ型ゲート電極２５を形成する。ここで，二段目の凹部（リセス）２４の形成の際に，例えば５０％クエン酸水溶液：３０％過酸化水素水＝１：１の混合液で５秒間エッチングすることにより，ＩｎＧａＡｓ表面保護層１９を除去し，ＩｎＡｌＡｓゲートコンタクト層１８を露出させる。この実施例に示した組成１：１の混合液は，ＩｎＧａＡｓのエッチング速度がＩｎＡｌＡｓのエッチング速度に比べて１０倍程度早いため，二段目の凹部２４の形成時にＩｎＧａＡｓのみを選択的に除去し，ＩｎＡｌＡｓをほとんど溶かさずに残すことができ，ゲート電極２５の直下の膜厚のばらつきを無くし，特性を均一に保つことができる。このように，二段目のリセスエッチング時にＩｎＧａＡｓのみを選択的に除去できるエッチング液を用いることにより，素子のピンチオフ電圧（ドレイン電流が流れなくなる，即ちトランジスタがオフとなるゲートバイアス電圧）を決める要因となる，ゲート電極直下の膜厚を正確に制御できる。」
　
　ここで，図４とともに，上記イの記載を参照すると，露出されたＩｎＡｌＡｓゲートコンタクト層６の一部をエッチングすることにより，二段目の凹部９が形成されていることは明らかである。
　
　したがって，引用例１には次の発明が記載されているものと認められる。
「高電子移動度電界効果トランジスタの製造方法であって，
　半絶縁性のＩｎＰ基板１上に，ＩｎＡｌＡｓバッファ層２，ＩｎＧａＡｓチャネル層３，ＩｎＡｌＡｓスペーサ層４，電子供給層であるｎ+ ＩｎＡｌＡｓドープ層５，ＩｎＡｌＡｓゲートコンタクト層６，及び，ｎ+ ＩｎＧａＡｓキャップ層７を積層し，前記ｎ+ ＩｎＧａＡｓキャップ層７の上にソース電極１０とドレイン電極１１をオーミック接合して配置させ，
　続いて，ソース電極１０とドレイン電極１１のほぼ中央部分を５０％クエン酸水溶液：３０％過酸化水素水＝１：１の混合液で１０秒間エッチングすることにより，ｎ+ ＩｎＧａＡｓキャップ層７のみを選択的に除去して一段目の凹部８を形成し，ＩｎＡｌＡｓゲートコンタクト層６を露出させ，
　続いて，電子ビーム描画法を用いてレジストパターンを形成した後に，一段目のリセスエッチングの時に用いたものと同一のエッチング液で，ＩｎＡｌＡｓゲートコンタクト層６の表面の一部を３０秒間エッチングすることにより，一段目の凹部８の中央部に，二段目の凹部９を形成し，
　さらに，前記二段目の凹部９の底面に，Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの真空蒸着を行うことによりＴ型ゲート電極１２を形成する，
高電子移動度電界効果トランジスタの製造方法。」
　
（２）特開平１１−１６３３１６号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１１−１６３３１６号公報（以下「刊行物２」という。）には，図１〜１３とともに以下の記載がある。
ア　（発明の属する技術分野）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，マイクロ波ミリ波の領域において動作する電界効果トランジスタに関し，特に２段リセス構造を有する電界効果トランジスタに関する。」
　
イ　（実施形態１）
「【００２６】［実施形態１］第１図は，本発明の電界効果トランジスタの１例の要部切断面図である。
【００２７】
　・・・
【００２８】オーミック電極１０９ｂ，１０９ｃは，最上層の第２キャップ層ＩｎＧａＡｓ層１０８上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層構造によって形成されており，熱処理は行っていない。オーミック電極１０９ｂ，１０９ｃ間には第１のリセス１１０が形成されている。この第１のリセスの深さは前記第１キャップ層であるアンドープＩｎＡｌＡｓ層１０７の表面まで到達しており，そのリセス幅は２μｍである。この第１のリセス１１０内に，さらに第２のリセス１１１が形成されている。第２のリセスの深さは前記ショットキー層であるアンドープＩｎＡｌＡｓ層１０６の途中まで到達しており，そのリセス幅は１．１μｍである。
【００２９】この第２のリセス内にはゲート電極１０９ａが形成されている。ゲート電極としてはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕをこの順に積層した１μｍのゲート長のものを用いている。さらに，デバイス表面は，プラズマＣＶＤ法により堆積されたＳｉＮ膜１１２で覆われている。
【００３０】この電界効果トランジスタの初期特性は，相互コンダクタンスが６００ｍＳ／ｍｍと高く，ショットキー障壁高さは０．５ｅＶ，ゲート逆耐圧は１１Ｖであった。
【００３１】次に，この実施形態で示した電界効果トランジスタの製造方法を，図２から図１３までを用いて説明する。
【００３２】
　・・・
【００３７】（ｅ）図６に示すように，続いてこのウェハ上に，フォトレジスト１２２を塗布した後，露光および現像により，フォトレジスト１２２に第２のリセス形状に対応する開口を設けた（レジストのパターンは図示を省略した。）。本パターンによるゲート開口は１μｍである。開口パターンはオーミック電極間のほぼ中心位置にその開口中心を一致させる。
【００３８】（ｆ）図７に示すように，本パターンに対し溶液エッチングによりゲートリセス，即ち第２のリセスを形成した。ここで，フォトレジストには第２のリセスに対応する開口パターンを設けるのと同時にオーミック電極上に開口パターンを用意し，このオーミック電極間に流れる電流値をモニターできるようにしておく。本エッチングに用いるエッチング液は，第１のキャップ層および第２のキャップ層の両方をエッチングできるものであり，例えばリン酸と過酸化水素水と水の混合溶液を用いる。溶液エッチングにより所望の電流量がオーミック電極間に流れるまでエッチングを行い，最初のリセスエッチングを終了する。本デバイス設計では，第２のリセス深さがショットキー層であるアンドープＩｎＡｌＡｓ層１０６の途中になるようにした。この場合，第２のリセスの底面がショットキー層の表面になるように，エッチングを止めてもよい。
【００３９】
（ｇ）図８に示すように，続いて今度はＩｎＧａＡｓのみが選択的にエッチングできるエッチング液を用いて，（ｆ）で形成した第２のリセス開口の側面に露出した部分の第２のキャップ層である不純物ドープＩｎＧａＡｓ層１０８を選択的にサイドエッチングする
【００４０】
このとき使用できるエッチング液は，上に示したものに限られるものではなく，ＩｎＧａＡｓをＩｎＡｌＡｓに対し選択的にエッチングすることできるものであればよく，通常ＩｎＧａＡｓとＩｎＡｌＡｓとの選択比が３０以上，好ましくは５０以上，さらに好ましくは１００以上であるようなエッチング液を用いる
【００４１】
このようなエッチング液としては，水に溶解する有機酸，特に炭素数２〜１０のジまたはトリカルボン酸を含有するものが好ましい。この中でも，特にコハク酸，クエン酸，アジピン酸およびマロン酸が好ましい
【００４２】また，エッチング液は，酸化剤を含有しており，その酸化剤としては上記の過酸化水素が，溶液として比較的安定でエッチング液調合の際に危険性がないので好ましい。
【００４３】また，上記の例では，ｐＨ調節剤としてアンモニア水を用いたが，特にこれに制限されるものではない。
【００４４】この工程により，第１のリセス幅が決定され，この例では第１のリセス幅が２μｍになるまでサイドエッチングを行った。
【００４５】
　・・・
【００５０】このような製造方法によって製造した電界効果トランジスタは，第１のリセス幅が制御性よく形成されているので，特に大きなキンク（電流電圧特性に変異点が見られる現象をいい，表面の不安定性等により発生する。）も見られず，また，光応答もない安定したデバイス特性を示した。」
　
　以上によれば，引用例２には，電界効果トランジスタを製造する方法であって，ＩｎＧａＡｓをＩｎＡｌＡｓに対し選択的にエッチングする工程を含み，当該ＩｎＧａＡｓをＩｎＡｌＡｓに対し選択的にエッチングする際のエッチング液としては，水に溶解する有機酸，特に炭素数２〜１０のジまたはトリカルボン酸を含有するものが好ましく，この中でも，特にコハク酸，クエン酸，アジピン酸およびマロン酸が好ましいことが記載されている。
　
４．本願発明と引用発明との対比
ア　引用発明の「高電子移動度電界効果トランジスタの製造方法」は，本願発明の「半導体の形成方法」に対応する。
イ　引用発明においては，ＩｎＡｌＡｓゲートコンタクト層６の表面に形成された，二段目の凹部９の底面に，Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの真空蒸着を行うことによりＴ型ゲート電極１２を形成しており，該Ｔ型ゲート電極１２は，高電子移動度電界効果トランジスタのゲート電極として作用すべく，前記ＩｎＡｌＡｓゲートコンタクト層６の表面にショットキー接触していることは明らかである。
　よって，引用発明における「ＩｎＡｌＡｓゲートコンタクト層６」は，本願発明における「ショットキー層」に相当する。
ウ　引用発明における「ｎ+ ＩｎＧａＡｓキャップ層７」は，その上に配置されたソース電極１０とドレイン電極１１をオーミック接合しているから，本願発明の「接触層」に相当する。
エ　以上より，引用発明における，「ＩｎＡｌＡｓゲートコンタクト層６，及び，ｎ+ ＩｎＧａＡｓキャップ層７を積層」することは，本願発明における，「ショットキー層を形成し；　接触層を前記ショットキー層の上に形成」することに相当する。
オ　引用発明の「ソース電極１０とドレイン電極１１のほぼ中央部分を５０％クエン酸水溶液：３０％過酸化水素水＝１：１の混合液で１０秒間エッチングすることにより，ｎ+ ＩｎＧａＡｓキャップ層７のみを選択的に除去して一段目の凹部８を形成し，ＩｎＡｌＡｓゲートコンタクト層６を露出させ」る段階において，「エッチング」は「ほぼ中央部分」になされるから，ｎ+ ＩｎＧａＡｓキャップ層７の一部をエッチングし，その下にあるＩｎＡｌＡｓゲートコンタクト層６の一部を露出させることは明らかである。
カ　よって，引用発明の「５０％クエン酸水溶液：３０％過酸化水素水＝１：１の混合液」は，本願発明の「第一のエッチング剤」に相当し，引用発明の「ソース電極１０とドレイン電極１１のほぼ中央部分を５０％クエン酸水溶液：３０％過酸化水素水＝１：１の混合液で１０秒間エッチングすることにより，ｎ+ ＩｎＧａＡｓキャップ層７のみを選択的に除去して一段目の凹部８を形成し，ＩｎＡｌＡｓゲートコンタクト層６を露出させ」ることは，本願発明の「第一のエッチング剤を適用して前記接触層をエッチングして前記ショットキー層の一部分を露出させ」ることに相当する。
キ　引用発明の「電子ビーム描画法を用いてレジストパターンを形成した後に，一段目のリセスエッチングの時に用いたものと同一のエッチング液で，ＩｎＡｌＡｓゲートコンタクト層６の表面を３０秒間エッチングすることにより，一段目の凹部８の中央部に，二段目の凹部９を形成」することと，本願発明の「第二の異なるエッチング剤を適用して前記第一のエッチング剤で露出させた前記ショットキー層の前記一部分をエッチングする」こととは，「エッチング剤を適用して前記第一のエッチング剤で露出させた前記ショットキー層の前記一部分をエッチングする」点で共通する。
　
　したがって，本願発明と引用発明とは，
「半導体の形成方法であって，ショットキー層を形成し；
　接触層を前記ショットキー層の上に形成し；
　第一のエッチング剤を適用して前記接触層をエッチングして前記ショットキー層の一部分を露出させ；
　次いでエッチング剤を適用して前記第一のエッチング剤で露出させた前記ショットキー層の前記一部分をエッチングする各段階を含む
，前記方法。」
である点で一致する。
　
　一方，両者は以下の各点で相違する。
　
・相違点１
　本願発明においては，「前記ショットキー層の前記一部分をエッチングする各段階」において，「第二の異なるエッチング剤を適用して」いるが，引用発明においては，「一段目のリセスエッチングの時に用いたもの」，すなわち本願発明における「第一のエッチング剤」と同一のエッチング剤を用いている点。
　
・相違点２
　本願発明においては，「前記ショットキー層内での前記第二のエッチング剤のエッチング速度は前記ショットキー層内での前記第一のエッチング剤のエッチング速度よりも実質的に早」いが，引用発明においては，第二の（異なる）エッチング剤を用いておらず，上記のエッチング速度の大小も規定されていない点。
　
・相違点３
本願発明においては，「前記接触層中の前記第一のエッチング剤のエッチング速度は前記ショットキー層内での前記第一のエッチング剤のエッチング速度よりも実質的に早い」が，引用発明においては，「ｎ+ ＩｎＧａＡｓキャップ層７」（すなわち本願発明の「接触層」）「のみを選択的に除去」することは記載されているものの，エッチング速度の具体的大小関係は明記されていない点。
　
５．相違点についての検討
　上記各相違点について，まず，相違点３から検討する。
（１）相違点３について
　半導体装置を形成する方法において，前記半導体装置を構成する特定の半導体材料に対するエッチング速度が，他の半導体材料に対するエッチング速度よりも大きい（すなわちエッチングの選択性が高い）エッチング液を用いることは，前記３．（２）で述べたとおり，引用例２に記載されているほか，次の周知例１及び２にも示されているように，従来より周知技術である。
　
　・周知例１：　特開平１１−９７６６９号公報
　本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１１−９７６６９号公報（以下「周知例１」という。）には，図２とともに以下の記載がある。
「【００２１】図２に本実施の形態１における製造方法を示す。まず，図２（ａ）に示すように，ＭＯＣＶＤ法又はＭＢＥ法のようなエピタキシャル成長技術をもちいて半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に，バッファ層２，第１の電子供給層３，チャネル層４，第２の電子供給層５，ショットキー接合形成層６，ｎ−ＧａＡｓ層７，コンタクト層８を順次成長する。そして，写真製版，蒸着，リフトオフ及びシンタリングにより，ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなるソース電極９及びドレイン電極１０を形成する。
【００２２】次に，図２（ｂ）に示すように，写真製版と例えばリン酸，過酸化水素水及び水の混合溶液を用いたウェットエッチングにより，コンタクト層８をエッチングして第１のリセス溝１２を形成する。
【００２３】次に，図２（ｃ）に示すように，ゲート電極形成用のレジスト１３のパターニングを行い，例えばクエン酸，過酸化水素水及び水の混合溶液を用いたウェットエッチングにより第２のリセス溝１４を形成しショットキー接合形成層６を露出させる。
上記クエン酸系のウェットエッチングにおいてはＡｌＧａＡｓのエッチング速度がＧａＡｓに比較して非常に遅いため，選択的にＧａＡｓのみエッチング可能であり，制御性良く均一にショットキー接合形成層６を露出させることが可能である
　
　・周知例２：　特開平７−３３５８６７号公報
　本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平７−３３５８６７号公報（以下「周知例２」という。）には，図２とともに以下の記載がある。
「【００２６】次に，例えばＨ2 ＳＯ4 −Ｈ2 Ｏ2 −Ｈ2 Ｏ系のエッチング液を用いて前記ｎ型ＧａＡｓコンタクト上層を貫通して第１のリセス開口を形成する。このとき，
このエッチング液ではＩｎＧａＰは殆どエッチングされないため，前記ｎ型Ｉｎ
0.49
Ｇａ
0.51
Ｐコンタクト中間層の表面が露出した時点で前記ｎ型ＧａＡｓコンタクト上層を貫通するリセス開口の深さ方向のエッチングが自動的に停止する
このエッチング液ではＧａＡｓまたはＡｌＧａＡｓは殆どエッチングされないため，前記ｎ型Ａｌ
0.2
 Ｇａ
0.8
 Ａｓコンタクト下層の表面が露出した時点でｎ型Ｉｎ
0.49
Ｇａ
0.51
Ｐコンタクト中間層を貫通する第２のリセス開口の深さ方向のエッチングが自動的に停止する
このエッチング液ではＩｎＧａＰは殆どエッチングされないため，前記アンドープＩｎ
0.49
Ｇａ
0.51
Ｐ（ショットキ）層の表面が露出した時点で前記ｎ型Ａｌ
0.2
 Ｇａ
0.8
 Ａｓコンタクト下層を貫通するリセス開口の深さ方向のエッチングが自動的に停止する
　
　また，前記３．（２）で述べたとおり，引用例２には，ＩｎＧａＡｓをＩｎＡｌＡｓに対し選択的にエッチングする際のエッチング液として，水に溶解する有機酸，特に炭素数２〜１０のジまたはトリカルボン酸を含有するものが好ましく，この中でも，特にコハク酸，クエン酸，アジピン酸およびマロン酸が好ましいことが記載されている。
　
　さらに，引用例１においても，前記３．（１）ウに摘示したように，以下の記載がある。
「【００５２】引き続いて，図１０に示すように，二段目の凹部（リセス）２４を形成する。さらに，図７に示すように，Ｔ型ゲート電極２５を形成する。ここで，二段目の凹部（リセス）２４の形成の際に，例えば
５０％クエン酸水溶液：３０％過酸化水素水＝１：１の混合液
この実施例に示した組成１：１の混合液は，ＩｎＧａＡｓのエッチング速度がＩｎＡｌＡｓのエッチング速度に比べて１０倍程度早いため，二段目の凹部２４の形成時にＩｎＧａＡｓのみを選択的に除去し，ＩｎＡｌＡｓをほとんど溶かさずに残すことができ
　この記載を参酌すると，引用発明における「
５０％クエン酸水溶液：３０％過酸化水素水＝１：１の混合液
ｎ
+
 ＩｎＧａＡｓキャップ層７のみを選択的に除去
　
　したがって，引用発明は，実質的に相違点３に係る構成を備えるものであり，仮にそうでなくとも，上記周知技術に照らして，引用発明においても，引用例２に記載された，コハク酸，クエン酸，アジピン酸およびマロン酸から選択したエッチング液を採用して，「ｎ+ ＩｎＧａＡｓキャップ層７」（すなわち本願発明の「接触層」）のエッチング速度を，「ＩｎＡｌＡｓゲートコンタクト層６」（すなわち本願発明の「ショットキー層」）のエッチング速度よりも実質的に早いものとすることは当業者が適宜になし得たことである。
　よって，相違点３は実質的なものではなく，仮にそうでないとしても，当業者が容易になし得たことである。
　
（２）相違点１について
　引用発明においては，「一段目の凹部８を形成し，ＩｎＡｌＡｓゲートコンタクト層６を露出させ」，続いて，「電子ビーム描画法を用いてレジストパターンを形成した後に」，「ＩｎＡｌＡｓゲートコンタクト層６の表面を３０秒間エッチングすることにより，一段目の凹部８の中央部に，二段目の凹部９を形成」している。すなわち，該「二段目の凹部９を形成」するエッチングは，前記レジストパターンによりマスクされていない「ＩｎＡｌＡｓゲートコンタクト層６」の表面をエッチングすることになる。この際，エッチング液にさらされる半導体材料は，前記「ＩｎＡｌＡｓゲートコンタクト層６」のみであるから，該エッチング液については，ＩｎＡｌＡｓを確実にエッチングするという観点から選択すればよいことは，当業者に明らかである。
　ここで，引用発明における，「一段目の凹部８の中央部に，二段目の凹部９を形成」する段階では，「一段目のリセスエッチングの時に用いたものと同一のエッチング液」，すなわち，「５０％クエン酸水溶液：３０％過酸化水素水＝１：１の混合液」を用いているところ，この組成のエッチング液は，上記「（１）相違点３について」において述べたように，「ＩｎＧａＡｓのみを選択的に除去し，ＩｎＡｌＡｓをほとんど溶かさ」ないものであるから，ＩｎＡｌＡｓのエッチングに必ずしも適したものでないことは明らかである。
　一方，引用例２のほか，以下の周知例３にも記載されているように，ＩｎＡｌＡｓに対するエッチング液（例えばリン酸を含むもの）は，従来より周知である。
　引用例２には，前記３．（２）で摘示したように，以下の記載がある。
「【００３８】（ｆ）図７に示すように，本パターンに対し溶液エッチングによりゲートリセス，即ち第２のリセスを形成した。ここで，フォトレジストには第２のリセスに対応する開口パターンを設けるのと同時にオーミック電極上に開口パターンを用意し，このオーミック電極間に流れる電流値をモニターできるようにしておく。本エッチングに用いるエッチング液は，第１のキャップ層および第２のキャップ層の両方をエッチングできるものであり，
例えばリン酸と過酸化水素水と水の混合溶液を用いる。溶液エッチングにより所望の電流量がオーミック電極間に流れるまでエッチングを行い，最初のリセスエッチングを終了する。本デバイス設計では，第２のリセス深さがショットキー層であるアンドープＩｎＡｌＡｓ層１０６の途中になるようにした
　
　・周知例３：　特開平１０−３１２９８８号公報
　本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１０−３１２９８８号公報（以下「周知例３」という。）には，図２とともに以下の記載がある。
「【００１３】例えば，ＩｎＧａＡｓ膜の膜厚が３０００Å成膜されている場合，単体でのエッチングレートは，約１７００Å／ｍｉｎであるから，２分もあればエッチングできるはずである。しかし，界面でのエッチングレートが小さくなるため（＜１００Å），そこで追加で１０分以上のエッチングを行うことや，
あるいは新規にリン酸又は硫酸／過酸化水素系のエッチャント（ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ両方の膜をエッチングできるエッチャント）を用いてスライトエッチングを行う
　
　それゆえ，引用発明において，前記，「ＩｎＡｌＡｓゲートコンタクト層６の表面を」「エッチングすることにより，一段目の凹部８の中央部に，二段目の凹部９を形成」する段階において，「一段目のリセスエッチングの時に用いたものと同一のエッチング液」に代えて，これとは異なる，ＩｎＡｌＡｓのエッチングが確実にできる上記周知のエッチング液を用いることは，当業者が適宜になし得たことである。
　よって，相違点１は当業者が容易になし得たことである。
　
（３）相違点２について
　前記「（１）相違点３について」において検討したとおり，引用発明においても，「前記接触層中の前記第一のエッチング剤のエッチング速度は前記ショットキー層内での前記第一のエッチング剤のエッチング速度よりも実質的に早い」ものであり，仮にそうでなくとも当業者が適宜になし得たことであり，また，前記「（２）相違点１について」において検討したとおり，引用発明において，「前記ショットキー層の前記一部分をエッチングする各段階」において，「第二の異なるエッチング剤を適用」することも，当業者が適宜になし得たことである。
　ここで，「第一のエッチング剤」は，引用発明において，「ｎ+ ＩｎＧａＡｓキャップ層７のみを選択的に除去して」，ＩｎＡｌＡｓをほとんど溶かさないものである一方，「第二の異なるエッチング剤」は，引用発明の「ＩｎＡｌＡｓゲートコンタクト層６」（すなわち本願発明の「ショットキー層」）のエッチングが確実にできる，すなわちエッチングに適したものを採用することとなる。
　そうすると，その結果として，「前記ショットキー層内での前記第二のエッチング剤のエッチング速度は前記ショットキー層内での前記第一のエッチング剤のエッチング速度よりも実質的に早」い構成は，自然に備わることといえる。
　また，本願明細書の記載を見ても，相違点２に係る構成を備えることによって得られる格別な効果は見いだせない。
　したがって，前述のとおり，相違点１及び相違点３は当業者が容易になし得たことであるところ，相違点１及び相違点３に係る構成を備えることに伴い，相違点２に係る構成は自然に備わることである。
　
（４）まとめ
　以上検討したとおり，本願発明は，周知技術を勘案することにより，引用発明及び引用例２の記載に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．　むすび
　以上のとおりであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。