Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月3日(2011.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハ・スタックが、垂直に重ねてスタックされており、
ウェハが、上方から作用する移動手段を介して上方から個別に転送される、ウェハ・スタックからウェハを分離する方法において、
前記移動手段は、最上部の前記ウェハに作用する吸引表面を持ち、回転式に構成され、
真空、あるいは、吸引によって前記ウェハと前記吸引表面あるいは前記移動手段との係合が強められ、
数枚の重なったウェハを分離するために、
ａ）水が前記最上部のウェハの先端に対して該最上部のウェハの下方から斜めに強く噴射されるステップ、及び
ｂ）前記移動手段は前記ウェハを剥離装置上に案内し、該剥離装置は、移動している前記ウェハの下側表面に下方から係合し且つ前記ウェハを前記移動手段あるいは前記吸引表面に押し付けて当該剥離装置上でブレーキ作用を生成するステップ、
の２つのステップのうちの少なくとも１つのステップが前記移動手段上で実施され、
その後、前記ウェハは、転送するための転送手段上に移動せしめられる
ことを特徴とする、ウェハ・スタックからウェハを分離する方法。
【請求項２】
前記移動手段は可動ベルトを持つことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記移動手段は、後続の転送手段まで前記ウェハ・スタックの最上面にほぼ平行に走る可動ベルトを持つことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
少なくとも２つの類似する移動手段が、並列にあるいは平行に配置されて、相互間の間隔と閉じた表面とを持っており、該閉じた表面の間の間隔に、開口を有する、パーフォレーションが穿たれた表面が提供され、前記開口上において、前記ウェハ・スタックの前記最上部のウェハの最上面を前記移動手段の下方部に吸引するか押すかするために吸引作用が上方から生成されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項５】
少なくとも２つの類似する移動手段が、並列にあるいは平行に配置されて、相互間の間隔と閉じた表面とを持っており、該閉じた表面の間の間隔に、開口を有する、パーフォレーションが穿たれた硬い表面が提供され、前記開口上において、前記ウェハ・スタックの前記最上部のウェハの最上面を前記移動手段の下方部に吸引するか押すかするために吸引作用が上方から生成されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項６】
前記水の噴射は換気され且つ空気泡あるいはガス泡を含むことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】
前記の水の噴射は水平に対して２０°から７０°の間の角度を有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１つに記載の方法。
【請求項８】
前記剥離装置は、上方を向いたブラシを持つことを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１つに記載の方法。
【請求項９】
前記剥離装置は、少なくとも幅及び／又は長さがウェハと同じである、上方を向いたブラシを持つことを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１０】
前記剥離装置は、回転して、前記移動手段に係合している上方のウェハに付着している下方のウェハにブレーキをかけて該下方のウェハを分離するために、前記移動手段に係合しているウェハの下側表面に係合することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１１】
前記剥離装置は、ローラーあるいはベルトの態様で回転して、前記移動手段に係合している上方のウェハに付着している下方のウェハにブレーキをかけて該下方のウェハを分離するために、前記移動手段に係合しているウェハの下側表面に係合することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１２】
前記転送手段は、前記転送の方向に連続して配置されている個々の複数の転送手段部分の速さが上昇した結果、依然として重なったウェハを更に分離するために、ウェハを前記剥離装置の後続側に配置するように構成されていることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１３】
前記転送手段は、前記転送の方向に連続して配置されている個々の複数の転送手段部分の速さが上昇した結果、依然として重なったウェハを更に分離するために、ウェハを前記剥離装置の後続側に配置するように構成されており、且つローラー・コンベアあるいはベルト・コンベアとして製造されていることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１４】
前記ウェハ・スタックは、最大移動高さが１０ｍｍの一種の振動運動を伴って上下に移動することを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１５】
下側表面に吸引表面を持つ回転移動手段、水噴射ノズルおよび／あるいは該水噴射ノズルと後続の転送手段との間の剥離装置、及び、前記転送手段は、前記ウェハ・スタックから前記ウェハを取出して転送するように構成されていることを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか１つに記載の方法を実施する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月31日(2011.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長変換発光ダイオード（ＬＥＤ）装置であって、
出力表面を有するＬＥＤと、
前記ＬＥＤと光学的に接合する多層半導体波長コンバータと、
を含み、少なくとも前記ＬＥＤ及び前記波長コンバータのうちの１つに光抽出機能が設けられた、装置。
【請求項２】
前記波長コンバータが前記ＬＥＤに直接接合する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記波長コンバータがエバネッセント接合層を介して前記ＬＥＤに接合する、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
波長変換発光ダイオードを作製する方法であって、
基材上に配置される一組のＬＥＤ半導体層を含む発光ダイオード（ＬＥＤ）ウエハーを提供する工程と、
前記ＬＥＤ層内で発生する光の波長の変換に効果的であるように構成される多層半導体波長コンバータウエハーを提供する工程と、
前記コンバータウエハーを前記ＬＥＤウエハーと光学的に接合してＬＥＤ／コンバータウエハーを作製する工程と、
前記ＬＥＤ／コンバータウエハーから個々の変換ＬＥＤダイを分離する工程と、
を含む、波長変換ＬＥＤを作製する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月31日(2011.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造体に取り付けられた青色光又は紫外線を放射する発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む発光デバイスであって、
ＩＩ〜ＶＩ族化合物の少なくとも１つの層を含み、前記放射された青色光又は紫外線の少なくとも一部分を、より長い波長の光に変換する再発光半導体構造体と、
ＡｌＩｎＡｓ又はＧａＩｎＡｓ化合物を含むエッチストップ構造体であって、前記エッチストップは、ＩｎＰをエッチングすることができるエッチャントに耐えることができる、エッチストップ構造体と、を含む、発光デバイス。
【請求項２】
前記ＩＩ〜ＶＩ族化合物の少なくとも１つの層が、ポテンシャル井戸を含む、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項３】
前記ポテンシャル井戸が、Ｃｄ（Ｍｇ）ＺｎＳｅ又はＺｎＳｅＴｅを含む、請求項２に記載の発光デバイス。
【請求項４】
半導体構造体であって、
第１のエッチャントによってエッチングすることができるＩｎＰを含む基板と、
前記基板上にモノリシックに成長し、ＡｌＩｎＡｓ又はＧａＩｎＡｓ化合物を含むエッチストップ構造体であって、前記エッチストップ構造体が、前記第１のエッチャントに耐えることができる、エッチストップ構造体と、
前記エッチストップ構造体上にモノリシックに成長し、第１の光子エネルギーを有する光の少なくとも一部分を、前記第１の光子エネルギーよりも小さい第２の光子エネルギーを有する光に変換することができる再発光半導体構造体と、を含む半導体構造体であって、前記再発光半導体構造体は、
前記第１の光子エネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギー、及び前記第２の光子エネルギーと実質的に等しいポテンシャル井戸遷移エネルギーを有するＩＩ〜ＶＩ族半導体ポテンシャル井戸、及び
前記第１の光子エネルギーよりも大きいバンドギャップエネルギーを有する第１のウィンドウ構造体を含む、半導体構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月9日(2011.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長さが長いが同じ断面を有する製造された製品を切断することにより得られる、糸状の断面を有する水銀分注デバイス（１０；２０）であって、
−  金属コンテナー（１１；２１）、及び、
−  混合体（１２；２２）であって、前記コンテナーの内部に配置されており、加熱による水銀の放出のために適した少なくとも一つの物質並びに金属又は合金を含む粉末の前記混合体
を備える水銀分注デバイス（１０；２０）において、
前記金属又は合金が１３０ＨＶよりも低いビッカース硬度を有し、
前記金属又は合金の質量％が粉末混合体の総質量の１０％よりも低く、かつ、
金属又は合金の粉末のサイズが水銀放出物質の粉末の約０．２〜０．８倍のサイズを備えることを特徴とする、
水銀分注デバイス（１０；２０）。
【請求項２】
デバイスの面の全長にわたって２００〜４００μｍの幅のスリット（１３）を有する台形の断面と、スリット（１３）に一致するように配置された粉末を圧縮することにより得られる粉末混合体（１２）の中の凹部（１４）とを有する、請求項１に記載のデバイス（１０）。
【請求項３】
完全に閉じられた円又は多角形の断面を有する、請求項１に記載のデバイス（２０）。
【請求項４】
前記水銀放出物質がチタニウム及びジルコニウムの両方又は一方を含む水銀の化合物である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記金属又は合金が鉛、金、銀、銅、アルミニウム、亜鉛、インジウム、錫、チタニウム、ニッケル、アルミニウムを質量で少なくとも２５％含むアルミニウム−銅合金、銅−亜鉛合金、及び錫を質量で３０〜８０％含む銅−錫合金の中から選択される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記金属又は合金が粉末混合体の総質量の０．５％よりも高い質量％で存在する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記混合体がゲッタ物質の粉末をも含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
前記ゲッタ物質がジルコニウム、チタニウム、ニオビウム、バナジウム、ハフニウム、及び遷移元素、アルミニウム又は希土類元素の中から選択される１又は複数の元素を含むジルコニウムの合金の中から選択される、請求項７に記載のデバイス。
【請求項９】
１３０ＨＶよりも低いビッカース硬度を有する金属又は合金が粉末の総質量の０．５％よりも高い質量％で存在する、請求項７に記載のデバイス。
【請求項１０】
請求項１に記載の水銀分注デバイスを備えるランプ。
【請求項１１】
二重締め付け工程によってランプを製造するための方法であって、前記工程が請求項１に記載の水銀分注デバイスを用いて実行される、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月17日(2011.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極組立体と、
前記電極組立体から延びる電極タブと、
前記電極組立体を収容するパウチ型電池ケースと、
前記パウチ型電池ケースと電極タブをシールするシール部と、
前記電極タブが位置する面のシール部と電極組立体との間に前記シール部から延びる第２シール部を含み、ここで第２シール部は電極タブが位置する部位を除いた位置に形成され、
中大型電池システムに用いられることを特徴とするパウチ型二次電池。
【請求項２】
前記第２シール部は、前記シール部の上に電極タブが位置する部位を除いた部位に第２シール部が位置するようにシールツールを変形させることにより形成されることを特徴とする請求項１に記載のパウチ型二次電池。
【請求項３】
前記電極タブは電極組立体の両方向に位置することを特徴とする請求項１または２に記載のパウチ型二次電池。
【請求項４】
前記電極タブは電極組立体の一方向に位置することを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載のパウチ型二次電池。
【請求項５】
前記第２シール部の厚さは２５０±２０μｍであることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載のパウチ型二次電池。
【請求項６】
前記電池はリチウム二次電池であることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載のパウチ型二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月19日(2011.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サンプルの領域を包含する最小の正方形の辺長
【数１４】
2011507202.tif 000001
（Ａは前記領域の面積、Ｆは定数）
を決定するステップと、
前記サンプルの前記領域のＭ個の部分のそれぞれを、荷電粒子ビームに露光させるステップであって、前記Ｍ個の部分のそれぞれは、前記荷電粒子ビームに対して、期間ｔ１の間、連続的に露光され、前記Ｍ個の部分のいずれか一つを、前記荷電粒子ビームに対して、連続的に露光させる間の最短期間は、ｔ２であり、期間ｔ１及びｔ２は、
比率ｔ１／（ｔ１＋ｔ２）が、
【数１５】
2011507202.tif 000002
以下となるように選択されることを特徴とするステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記比率ｔ１／（ｔ１＋ｔ２）は、
【数１６】
2011507202.tif 000003
以下であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記サンプル及び前記荷電粒子ビームは、ガス圧が１０-２Ｔｏｒｒ以下の共通のチャンバ内に配置され、
前記サンプルから放出される複数の粒子は、前記共通のチャンバ内に配置された検出器によって検出される
ことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記サンプルは、サンプルマウント上に配置されており、
前記サンプルマウントは、前記荷電粒子ビームの入射方向に直交する平面内において、前記サンプルが移動できるようにし、
前記サンプルマウントは、前記サンプルを別のサンプルに交換できるように構成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記サンプルは、サンプルマウント上に配置されており、
前記サンプルマウントは、前記サンプルと、前記サンプルに入射すべき前記荷電粒子ビームを方向づける荷電粒子レンズシステムのレンズと、の間の距離を調整できるように構成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
更に、前記領域から放出される複数の粒子に基づいて、前記領域の画像を形成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
更に、電子表示部上において、システム操作者に対して前記サンプルの画像を表示するステップを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
更に、前記領域を前記荷電粒子ビームに露光する前に、前記領域を電子源に露光するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
更に、前記領域を前記荷電粒子ビームに露光している間に、前記領域を電子源に露光させるステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記荷電粒子ビームの荷電粒子電流は、１０ｐＡ以上であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記荷電粒子電流は、１００ｐＡ以上であることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記領域の前記Ｍ個の部分のそれぞれは、１００μ秒以下の露光時間の間、前記荷電粒子ビームに対して露光されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記荷電粒子ビームの荷電粒子電流は、１ｐＡ以上であり、前記Ｍ個の部分のそれぞれは、１００μ秒以下の露光時間の間、前記荷電粒子ビームに対して露光され、前記画像は、全取得時間１００秒以下で形成される
ことを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項１４】
前記荷電粒子ビームは、希ガスイオンを含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記希ガスイオンは、ヘリウムイオンを含むことと特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記荷電粒子ビームは、電子を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１に記載の方法であって、
前記荷電粒子ビームは、前記サンプルの前記表面において、エネルギーの広がりが５ｅＶ以下である
ことを特徴とする方法。
【請求項１８】
前記画像の解像度は、３ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項１９】
前記複数の粒子は、二次電子を含むことを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項２０】
前記複数の粒子は、散乱イオン及び散乱中性原子からなる群の要素の少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項２１】
前記複数の粒子は、光子を含むことを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項２２】
前記荷電粒子は、品質係数０．２５以上の気体電界イオン顕微鏡によって生成されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
前記Ｍ個の部分のそれぞれは、複数の画素を含むことを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項２４】
更に、前記荷電粒子ビームに露光中に、前記サンプルを熱するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
前記荷電粒子ビームは、前記サンプルの前記表面における還元輝度が５×１０８Ａ／ｍ２ｓｒＶ以上であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項２６】
前記最小の正方形の前記辺長を決定するステップは、前記領域の最大の大きさを決定するステップを含む、ことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項２７】
請求項１に記載の方法であって、更に、
直接連続して、前記Ｍ個の部分のうちの第１の複数部分を荷電粒子ビームに露光させるステップを含み、
前記第１の複数部分は、第１方向に列を形成し、
前記荷電粒子ビームが前記サンプル表面において平均スポットサイズｆを有し、
前記第１の複数部分は、それぞれ隣接部分から、第１方向に少なくとも距離ｄだけ離れており、
比率ｄ／ｆは２以上である
ことを特徴とする方法。
【請求項２８】
請求項２７に記載の方法であって、更に、
直接連続して、前記Ｍ個の部分のうちの第２の複数部分を荷電粒子ビームに露光させるステップを含み、
前記第２の複数部分は、前記第１方向において、前記第１の複数部分により形成される前記列に平行な列を形成し、
前記第２の複数部分のうちの各部分は、それぞれ、前記第１方向に少なくとも距離ｄだけ、前記第２の複数部分のうちの隣接する部分から離れており、前記第１方向に直交する第２方向に、少なくとも距離ｅだけ前記第１の複数部分から離れている、
ことを特徴とする方法。
【請求項２９】
前記ｅは、前記ｄよりも大きいことを特徴とする、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記ｆは５ｎｍ以下であり、前記ｄは１０ｎｍ以上、前記ｅは１０ｎｍ以上であることを特徴とする、請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】
直接連続して、サンプル表面の各部分を荷電粒子ビームに露光させるステップを含み、
前記サンプル表面の前記各部分は、第１の方向に列を形成し、
前記荷電粒子ビームが前記サンプル表面において平均スポットサイズｆを有し、
前記各部分は、それぞれ隣接部分から、前記第１方向に少なくとも距離ｄだけ離れており、
比率ｄ／ｆは２以上である
ことを特徴とする方法。
【請求項３２】
前記比率ｄ／ｆは１０以上である、ことを特徴とする請求項３１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月22日(2011.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
製造に起因した不純物の他に０．１〜４５原子％のＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、ＴａおよびＷの群の少なくとも１種の元素と０〜７．５原子％のＮａと０〜７．５原子％の、Ｎａとで融点５００℃超の化合物を形成する１種以上の元素と残り少なくとも５０原子％のＭｏとから成るスパッタターゲットを用いた、請求項１ないし１２のいずれか１つに記載の薄膜太陽電池の裏面電極層。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月29日(2011.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面発光半導体レーザであって、
−  ポンプレーザ（７）を備えている第１の半導体積層体（２０）と、
−  前記第１の半導体積層体（２０）の上に配置されており縦型発光部（１）を備えている第２の半導体積層体（３）であって、前記縦型発光部（１）が、放射放出活性層（４）と、放射出口側（５）と、前記放射出口側（５）とは反対に位置している連結側（６）と、を有し、前記ポンプレーザ（７）が前記縦型発光部（１）の前記放射出口側（５）に配置されている、前記第２の半導体積層体（３）と、
−  前記縦型発光部（１）の前記連結側（６）に配置されているキャリアボディ（２）と、を備え、
部分的に深くエッチングすることによって、前記第２の半導体積層体（３）は、前記放射放出活性層（４）を備える放射放出領域（８）と、動作時に放射を放出しない少なくとも１つの領域（９）と、を有する、
面発光半導体レーザ。
【請求項２】
前記第１の半導体積層体（２０）が、ポンプ放射を発生させる領域を有し、前記第１の半導体積層体（２０）が、動作時にポンプ放射を発生させない少なくとも１つの領域（９）を有する、
請求項１に記載の面発光半導体レーザ。
【請求項３】
前記第２の半導体積層体（３）の前記少なくとも１つの領域（９）は、動作時に放射を放出せず、前記第１の半導体積層体（２０）の前記少なくとも１つの領域（９）の上に形成され、前記第１の半導体積層体（２０）の前記少なくとも１つの領域（９）は、動作時にポンプ放射を発生させない、
請求項２に記載の面発光半導体レーザ。
【請求項４】
前記ポンプレーザ（７）が、前記縦型発光部（１）に面している側のうち、前記第２の半導体積層体（３）が形成されていない領域の上に、第１のコンタクト層（１０）を有する、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の面発光半導体レーザ。
【請求項５】
前記第１の半導体積層体（２０）が、前記縦型発光部（１）とは反対の側にエッチング停止層（１１）を有する、
請求項１から請求項４のいずれかに記載の面発光半導体レーザ。
【請求項６】
前記ポンプレーザ（７）を電気的に接続するための第２のコンタクト層（１２）が、前記ポンプレーザ（７）とは反対側の前記エッチング停止層（１１）の面に形成されており、前記第２のコンタクト層が、前記縦型発光部（１）とは反対側に位置する領域にカットアウト（１３）を有する、
請求項５に記載の面発光半導体レーザ。
【請求項７】
前記第２の半導体積層体（３）が前記キャリアボディ（２）に固定されている、
請求項１から請求項６のいずれかに記載の面発光半導体レーザ。
【請求項８】
前記縦型発光部（１）が、前記ポンプレーザ（７）とは反対の側にブラッグミラー（１５）を有する、
請求項１から請求項７のいずれかに記載の面発光半導体レーザ。
【請求項９】
前記第１および前記第２の半導体積層体（２０，３）を上に成長させた成長基板（１６）が除去されている、
請求項１から請求項８のいずれかに記載の面発光半導体レーザ。
【請求項１０】
前記キャリアボディ（２）が、前記第１および前記第２の半導体積層体（２０，３）の成長基板（１６）とは異なる、
請求項１から請求項９のいずれかに記載の面発光半導体レーザ。
【請求項１１】
面発光半導体レーザを製造する方法であって、
−  成長基板（１６）を形成するステップと、
−  第１の半導体積層体（２０）をエピタキシャル成長させるステップであって、前記第１の半導体積層体（２０）がポンプレーザ（７）を備えている、前記ステップと、
−  前記第１の半導体積層体（２０）の上に第２の半導体積層体（３）をエピタキシャル成長させるステップであって、前記第２の半導体積層体（３）が、少なくとも１つの活性ゾーン（４）を有する縦型発光部（１）を備えている、前記ステップと、
−  前記第２の半導体積層体（３）を部分的に深くエッチングすることによって前記ポンプレーザ（７）の領域（１７ａ，１７ｂ）を露出させるステップであって、前記第２の半導体積層体（３）が、動作時に前記ポンプレーザ（７）の光ポンピングの結果として放射を放出する放射放出領域（８）を有し、部分的に深くエッチングするために前記第１および前記第２の半導体積層体（３，２０）が、それぞれ動作時に放射を放出しない少なくとも１つの領域（９）を有するように、行われる、前記ステップと、
を含んでいる、方法。
【請求項１２】
共振器（１９）を形成する目的で、前記ポンプレーザ（７）にミラーエッチングによってミラー（１８）を形成し、前記成長基板（１６）とは反対の前記ポンプレーザ（７）の側に第１のコンタクト層（１０）を形成することによって前記ポンプレーザ（７）を電気的に接続する、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ポンプレーザ（７）とは反対の前記第２の半導体積層体（３）の側にはんだ層（１４）を形成し、前記第２の半導体積層体（３）を、前記ポンプレーザ（７）とは反対の側において前記はんだ層（１４）によってキャリアボディ（２）に固定する、
請求項１１または請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記成長基板（１６）を除去する、
請求項１１から請求項１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の半導体積層体（２０）を成長させる前に、前記成長基板（１６）にエッチング停止層（１１）を形成する、
請求項１１から請求項１４のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月30日(2011.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも部分的に青色光を放出する少なくとも１つの発光素子（２）と、
マトリクス材料およびその内部に埋め込まれた蛍光物質粒子を含み、前記発光素子から放出された青色光の少なくとも一部を吸収してより低い他の周波数の光へ変換する少なくとも１つの変換剤（３）と、
該変換剤とは異なり、エッジフィルタまたはバンドパスフィルタとして構成された少なくとも１つのフィルタ剤（４）と
を有しており、
前記変換剤における前記蛍光物質粒子の重量成分は１１％以上１６％以下であり、
前記フィルタ剤は前記発光素子から放出された光のうち少なくとも１つの長波長の成分をフィルタリングする
ことを特徴とする照明装置（１）。
【請求項２】
少なくとも部分的に可視光を放出する少なくとも１つの発光素子（２）と、
該発光素子から放出された光の少なくとも一部を他の周波数の光へ変換する少なくとも１つの変換剤（３）と、
前記発光素子から放出された光の少なくとも一部をフィルタリングする少なくとも１つのフィルタ剤（４）と
を有しており、
前記フィルタ剤は少なくとも１つの設定された色飽和度および／または設定された色調に対して使用される変換剤の量が低減されるように構成されている
ことを特徴とする照明装置（１）。
【請求項３】
前記フィルタ剤によって吸収される光の強度は、低減された量の前記変換剤によって再吸収される光の強度よりも小さい、請求項１または２記載の照明装置。
【請求項４】
前記フィルタ剤での光強度と前記変換剤での光強度との比は最適化されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の照明装置。
【請求項５】
前記発光素子は、部分的または完全に青色スペクトル領域および／または紫外スペクトル領域で発光する発光ダイオードである、請求項１から４までのいずれか１項記載の照明装置。
【請求項６】
前記発光素子は少なくとも４４０ｎｍの波長の光を放出する、請求項１から５までのいずれか１項記載の照明装置。
【請求項７】
当該の照明装置から放出される光の強度は、フィルタ剤が多量の変換剤によって置換されている相応の照明装置から放出される光の強度よりも大きい、請求項１から６までのいずれか１項記載の照明装置。
【請求項８】
変換された光は５４５ｎｍ以上５８５ｎｍ以下の色調の光であり、色飽和度は少なくとも８０％である、請求項１から７までのいずれか１項記載の照明装置。
【請求項９】
前記発光素子を少なくとも部分的に埋め込んだ注型材料（６）を含む、請求項１から８までのいずれか１項記載の照明装置。
【請求項１０】
前記フィルタ剤はブラッグフィルタ、ポリマーフィルタおよび／またはガラスフィルタから形成されている、請求項１から９までのいずれか１項記載の照明装置。
【請求項１１】
前記フィルタ剤は部分的にまたは完全に前記発光素子と前記変換剤とのあいだに被着されている、請求項１から１０までのいずれか１項記載の照明装置。
【請求項１２】
前記フィルタ剤は基板（５）または前記注型材料に添加された色素または顔料から形成される、請求項１から１１までのいずれか１項記載の照明装置。
【請求項１３】
前記変換剤は前記基板および／または前記注型材料に添加されている、請求項１から１２までのいずれか１項記載の照明装置。
【請求項１４】
前記変換剤は前記発光素子から放出された光が主として緑色光および／または黄色光および／または赤色光へ変換されるように構成されている、請求項１から１３までのいずれか１項記載の照明装置。
【請求項１５】
変換された光の強度は前記変換剤での再吸収により最大で１０％低減されている、請求項１から１４までのいずれか１項記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月10日(2011.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
・電磁放射を放出し、端子電極（１８，２０）に直接コンタクトするように形成された第１の活性半導体層（１２）と、
・電磁放射を放出し、端子電極（１８，２０）に直接コンタクトするように形成された少なくとも１つの別の第２の活性半導体層（１４）と
を有する放射放出デバイスにおいて、
前記第１の活性半導体層（１２）と前記第２の活性半導体層（１４）とは相互に積層されて配置されており、
前記第１の活性半導体層（１２）と前記第２の活性半導体層（１４）とは相互に別個に作製されていることを特徴とする、放射放出デバイス。
【請求項２】
前記第１の活性半導体層（１２）および／または前記第２の活性半導体層（１４）は放熱層（２４）に機械的に固定結合および／または熱伝導結合されている、請求項１記載の放射放出デバイス。
【請求項３】
前記第１の活性半導体層（１２）および前記第２の活性半導体層（１４）は、等しい波長の放射を放出する、請求項１または２記載の放射放出デバイス。
【請求項４】
前記第１の活性半導体層（１２）および前記第２の活性半導体層（１４）は、異なる波長の放射を放出する、請求項１から３までのいずれか１項記載の放射放出デバイス。
【請求項５】
前記第１の活性半導体層（１２）は放射出力結合面（２６）を有し、
前記第１の活性半導体層（１２）において前記放射出力結合面（２６）と反対側に反射層（２２）が配置されている、請求項１から４までのいずれか１項記載の放射放出デバイス。
【請求項６】
前記反射層（２２）は前記放熱層（２４）に熱伝導結合されている、請求項５記載の放射放出デバイス。
【請求項７】
前記活性半導体層（１２，１４）間に１つまたは複数の別の反射層（２３）が配置されており、
前記別の反射層（２３）は導電性に形成されており、
前記別の反射層（２３）は、最大３０ｎｍの厚さを有する金属層であるか、または、前記活性半導体層（１２，１４）の屈折率と該活性半導体層（１２，１４）の周辺の屈折率との間の屈折率を有する透明導電材料を含む層である、請求項１から６までのいずれか１項記載の放射放出デバイス。
【請求項８】
前記第２の活性半導体層（１４）は第１の放射出力結合面（２８）を有し、
前記第２の活性半導体層（１４）において前記第１の放射出力結合面（２８）と反対側に別の第２の放射出力結合面（３０）が配置されている、請求項１から７までのいずれか１項記載の放射放出デバイス。
【請求項９】
前記第２の活性半導体層（１４）の前記第１の放射出力結合面（２８）および前記第２の放射出力結合面（３０）のうち１つは、前記第１の活性半導体層（１２）の放射出力結合面（２６）に対向している、請求項８記載の放射放出デバイス。
【請求項１０】
前記活性半導体層（１２，１４）は３μｍ〜２０μｍの厚さ（Ｄ）を有する、請求項１から９までのいずれか１項記載の放射放出デバイス。
【請求項１１】
相互に積層された前記活性半導体層（１２，１４）全体の厚さ（Ｄ＿Ｔ）は６μｍ〜３０μｍである、請求項１から１０までのいずれか１項記載の放射放出デバイス。
【請求項１２】
当該放射放出デバイスは面状に形成されており、
当該放射放出デバイスは、面積が少なくとも１０ｍｍ２である放射放出面領域を有する、請求項１から１１までのいずれか１項記載の放射放出デバイス。
【請求項１３】
前記第１の活性半導体層（１２）が設けられており、かつ前記第２の活性半導体層（１４）は少なくとも２つであり、
前記活性半導体層（１２，１４）のうち少なくとも１つは、赤色スペクトル領域の電磁放射を放出するように形成されており、
前記活性半導体層（１２，１４）のうち少なくとも１つは、緑色スペクトル領域の電磁放射を放出するように形成されており、
前記活性半導体層（１２，１４）のうち少なくとも１つは、青色スペクトル領域の電磁放射を放出するように形成されている、請求項１から１２までのいずれか１項記載の放射放出デバイス。
【請求項１４】
照明用および／または単色または多色のエレクトロルミネセンスディスプレイ用および／またはプロジェクション用に、請求項１から１３までのいずれか１項記載の放射放出デバイスを使用する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月8日(2010.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テレビジョン画像（７）中の対象領域（１１）の内容を修正する方法であって、
カメラ（１）を用いて元の画像信号（ＰＧＭ１）を生成するステップと、
前記テレビジョン画像中にグラフィックス（９）を加えることにより、前記元の画像信号を処理するステップと、
前記テレビジョン画像中の前記対象領域を決定するステップと、
処理済みの画像信号（ＰＧＭ２）および前記対象領域の決定データをさらに送信するステップと、
信号送信チェーンの後段のステージ（１４）において、前記対象領域の決定データに従って、置換内容（１５ａ，１５ｂ）を前記対象領域に挿入するステップとを備え、
予め設定されたグラフィックスのカバレッジ比率に従って、前記グラフィックス（９）が前記テレビジョン画像（７）中に加えられるものであり、
前記方法が、
前記テレビジョン画像中の前記対象領域（１１）と追加的な前記グラフィックス（９）の領域との共有領域（１３）を決定するステップと、
前記処理済みの画像信号（ＰＧＭ２）および前記対象領域の決定データとともに、前記共有領域の決定データおよび前記グラフィックスのカバレッジ比率に比例するデータをさらに送信するステップとをさらに備え、
追加される前記グラフィックスにより覆われない残余のカバレッジ比率に従って、前記共有領域（１３）に前記置換内容（１５ａ，１５ｂ）が挿入されることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
前記予め設定された前記グラフィックスのカバレッジ比率とは独立して、フルカバレッジで前記グラフィックス（９）が前記共有領域（１３）に加えられることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法において、
前記対象領域の決定データ、前記共有領域の決定データおよび前記グラフィックスのカバレッジ比率に比例するデータが、補助画像信号（ＡＵＸ２）により送信され、その画像内容がそれらデータに従って構成されることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法において、
必要なデータ伝送容量を低下させるために、前記補助画像信号（ＡＵＸ２）の前記画像領域が前記対象領域（１１）に制限され、前記テレビジョン画像（７）内の前記対象領域の位置に関する情報が、前記対象領域の選択点の画像座標として送信されることを特徴とする方法。
【請求項５】
テレビジョン画像（７）中の対象領域（１１）の内容を修正する方法であって、
カメラ（１）を用いて元の画像信号（ＰＧＭ１）を生成するステップと、
前記テレビジョン画像中にグラフィックス（９）を加えることにより、前記元の画像信号を処理するステップと、
前記テレビジョン画像中の前記対象領域を決定するステップと、
信号送信チェーンの後段のステージ（１４）において、前記対象領域の決定データに従って、置換内容（１５ａ，１５ｂ）を前記対象領域に挿入できるように、処理済みの画像信号（ＰＧＭ２）および前記対象領域の決定データをさらに送信するステップとを備え、
予め設定されたグラフィックスのカバレッジ比率に従って、前記グラフィックス（９）が前記テレビジョン画像（７）中に加えられるものであり、
前記方法が、
前記テレビジョン画像中の前記対象領域（１１）と追加的な前記グラフィックス（９）の領域との共有領域（１３）を決定するステップと、
追加される前記グラフィックスにより覆われない残余のカバレッジ比率に従って、前記置換内容（１５ａ，１５ｂ）を前記共有領域（１３）に挿入できるように、前記共有領域の決定データおよび前記グラフィックスのカバレッジ比率に比例するデータをさらに送信するステップとをさらに備えることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法において、
前記信号送信チェーンの後段のステージ（１４）において、前記対象領域の決定データに従って、置換内容（１５ａ，１５ｂ）を前記対象領域に挿入するステップを備え、
追加される前記グラフィックスにより覆われない残余のカバレッジ比率に従って、前記共有領域（１３）に前記置換内容（１５ａ，１５ｂ）が挿入されることを特徴とする方法。
【請求項７】
テレビジョン画像（７）中の対象領域（１１）の内容を修正する方法であって、
請求項５に記載の前記処理済みの画像信号（ＰＧＭ２）、前記対象領域の決定データ、前記共有領域の決定データおよび前記グラフィックスのカバレッジ比率に比例するデータを受信するステップと、
前記対象領域の決定データに従って、置換内容（１５ａ，１５ｂ）を前記対象領域に挿入するステップとを備え、
追加される前記グラフィックスにより覆われない残余のカバレッジ比率に従って、前記共有領域（１３）に前記置換内容（１５ａ，１５ｂ）が挿入されることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月6日(2011.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビデオ情報を受け取り、
この受け取ったビデオ情報をフラッシュ場面として一つ以上のフレームに分類し、
このフレームの分類に基づいて一つ以上の符号化パラメータを調整すると共に、
この調整された符号化パラメータにより前記ビデオ情報を符号化し、
前記一つ以上のフレームを前記フラッシュ場面として分類することが、前記フラッシュ場面に先行するフレームと前記フラッシュ場面に後続するフレームとの間の予測誤差を特定することを含む方法。
【請求項２】
請求項１の方法において、前記一つ以上のフレームの分類が、前記フレームを一つ以上のカメラズーム場面又はフェード場面又はクロスフェード場面として分類することを含む方法。
【請求項３】
請求項１の方法において、前記一つ以上の符号化パラメータの調整が、特定のフレームを内部コードフレームとして指定することを含む方法。
【請求項４】
請求項１の方法において、
前記一つ以上のフレームを分類することが、前記フラッシュ場面の開始フレームと終了フレームとの少なくとも一方を特定することを含み、
一つ以上の符号化パラメータの調整が、前記開始フレームと前記終了フレームとの少なくとも一方を内部符号化フレームとして符号化すべきものとして指定することを含む方法。
【請求項５】
請求項４の方法において、前記一つ以上の符号化パラメータを調整することが、前記開始フレームと前記終了フレームとの少なくとも一方を参照して、前記フラッシュ場面内の符号化すべき内部フレームを指定することを更に含む方法。
【請求項６】
ビデオ情報を受け取り、
この受け取ったビデオ情報における一つ以上のフレーム内の領域を分類し、その領域は、この領域が出現するフレームよりも小さく、
一つ以上の符号化パラメータを前記領域の前記分類に基づいて調整すると共に、
前記調整された符号化パラメータにより前記領域を符号化することを含む方法。
【請求項７】
請求項６の方法において、前記一つ以上の符号化パラメータを調整することが、前記領域を符号化するためのビット割り当てを増加させること、及び／又は
前記一つ以上の符号化パラメータを調整することが、前記領域のフィルタリングの量を低減させることを含む方法。
【請求項８】
請求項６の方法において、前記領域の分類は前記領域を暗い領域として分類すること、又は
前記領域の分類は前記領域を暗い領域として分類すること及び前記暗い領域を符号化するためのビット割り当てを増加させることを更に含む方法。
【請求項９】
ビデオ情報のフレームのシーケンスにおける輝度の特性を受け取り、
前記フレームのシーケンスにおける一つ以上のフレームを、前記輝度の前記特性に基づいて、場面として分類すると共に、
利用可能な一つ以上の場面分類をなすことを含む方法。
【請求項１０】
請求項９の方法において、
前記一つ以上のフレームの分類が、前記一つ以上のフレームの間の前記輝度の変化の量に基づいて、前記一つ以上のフレームを早いフェード及び遅いフェードとして分類すること、及び／又は
一つ以上の符号化パラメータを前記場面分類に基づいて調整すると共に、
この調整された符号化パラメータにより前記ビデオ情報を符号化することを更に含む方法。
【請求項１１】
請求項９の方法において、
一つ以上の符号化パラメータを前記場面分類に基づいて調整すると共に、
この調整された符号化パラメータにより前記ビデオ情報を符号化することを更に含み、
前記一つ以上のフレームを分類することが、前記一つ以上のフレームを暗い場面として分類することを含むと共に、
前記ビデオ情報を符号化することが、前記暗い場面のビット割り当てを増大させることを含む方法。
【請求項１２】
ビデオ情報のフレームのシーケンスを受け取り、
前記シーケンス内の前記フレームの各々についての優勢な動きベクトルを判定すると共に、
前記シーケンス内の前記フレームの前記優勢動きベクトルに基づいて場面変化を特定することを含む方法。
【請求項１３】
請求項１２の方法において、前記優勢動きベクトルの判定が、
何れの動きベクトルが出現するかの頻度を体現する多次元動きベクトルヒストグラムを形成すると共に、
前記ヒストグラム内で何れの動きベクトルが出現するかの前記頻度の一つに基づいて前記優勢動きベクトルを選択することを含む方法。
【請求項１４】
ビデオ情報の集合体における動きを特徴付けるパラメータの集合体を生成する動き評価及び動き予測モジュールと、
前記ビデオ情報の集合体における前記動きを特徴付ける前記パラメータに少なくとも部分的に基づいて、前記ビデオ情報の集合体における一つ以上の場面を分類する決定モジュールとを備えるシステム。
【請求項１５】
請求項１乃至１３いずれか一項に記載の方法をデータ処理装置に実行させるためのコンピュータプログラム製品。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月6日(2011.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号処理装置で、第一のプログラムと、該第一のプログラムと共に帯域内信号を受信するステップと、
前記帯域内信号により指定される少なくとも１つのパラメータに従って前記信号処理装置で前記第一のプログラムをトランスコードするステップと、
を含む方法。
【請求項２】
複数の入力信号を前記信号処理手段における統計的多重化装置に供給して、多重化された信号を形成するステップと、前記複数の入力信号は、トランスコードされた第一のプログラムを含み、
前記多重化された信号を送信するために変調するステップと、
を更に含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第一のプログラムのトランスコードは、前記複数の入力信号の統計的多重化と共に、少なくとも１つのトランスコードパラメータを調節するステップを更に含む、
請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも１つのトランスコードパラメータは、出力ビットレート、グループオブピクチャ構造の選択及び品質基準のうちの少なくとも１つを含む、
請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも１つのトランスコードパラメータは、前記トランスコードステップの間に動的に調節される、
請求項３記載の方法。
【請求項６】
前記複数の入力信号は、複数のプログラムを含み、
前記複数のプログラムの全ては、前記少なくとも１つのトランスコードパラメータに従属する帯域幅を最適化する統計的多重化プールを使用して統計的に多重化される、
請求項３記載の方法。
【請求項７】
前記複数の入力信号は、複数のプログラムを含み、
前記トランスコードステップは、プログラム毎に前記複数のプログラムのそれぞれをトランスコードする、
請求項２記載の方法。
【請求項８】
前記帯域内信号により指定される１以上のパラメータは、前記第一のプログラムに課されるコンテンツ所有者の要求に従って固定される、
請求項１記載の方法。
【請求項９】
信号処理装置で、第一のプログラムと、該第一のプログラムと共に帯域内信号を受信する受信手段と、
前記帯域内信号により指定される少なくとも１つのパラメータに従って前記第一のプログラムをトランスコードするトランスコード手段と、
を有するシステム。
【請求項１０】
複数の入力信号を統計的に多重化して、多重化された信号を形成する統計的多重化手段と、前記複数の入力信号は、トランスコードされた第一のプログラムを含み、
前記多重化された信号を送信するために変調する変調手段と、
を更に有する請求項９記載のシステム。
【請求項１１】
前記トランスコード手段は、前記複数の入力信号の統計的多重化と共に、少なくとも１つのトランスコードパラメータを動的に調節し、
前記少なくとも１つのトランスコードパラメータは、出力ビットレート、グループオブピクチャ構造の選択及び品質基準のうちの少なくとも１つを含む、
請求項１０記載のシステム。
【請求項１２】
前記複数の入力信号は、複数のプログラムを含み、
前記複数のプログラムの全ては、前記少なくとも１つのトランスコードパラメータに従属する帯域幅を最適化する統計的多重化プールを使用して統計的に多重化される、
請求項１１記載のシステム。
【請求項１３】
前記信号処理装置は、地域のヘッドエンドである、
請求項９記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月18日(2011.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直交周波数分割多重無線通信システムで、物理制御フォーマット指示チャネルシンボルを、下りリンクスロットと関連した複数個の直交周波数分割多重シンボルのうち１つの直交周波数分割多重シンボルのリソース要素にマッピングする方法であって、
前記直交周波数分割多重シンボルの前記リソース要素のうち第１リソース要素の位置Ｋ0を決定する段階と、
Ｋ0、
【数１】
2011507383.tif 000001
及び
【数２】
2011507383.tif 000002
の関数として、前記物理制御フォーマット指示チャネルシンボルのそれぞれを、４個ずつのグループで、前記直交周波数分割多重シンボルの該当の４個のリソース要素で構成されたセットにマッピングする段階と、を有し、
４個の物理制御フォーマット指示チャネルシンボルで構成された第１グループは、前記直交周波数分割多重シンボルの４個のリソース要素で構成された第１セットにマッピングされ、該４個のリソース要素で構成された第１セットの第１リソース要素は、前記位置Ｋ0に位置し、
４個の物理制御フォーマット指示チャネルシンボルで構成された第２グループは、前記直交周波数分割多重シンボルの４個のリソース要素で構成された第２セットにマッピングされ、該４個のリソース要素で構成された第２セットの第１リソース要素は、
【数３】
2011507383.tif 000003
によって定義される位置に位置し、
Ｋ0は、前記直交周波数分割多重シンボルのリソース要素のうち第１リソース要素の位置であり、
【数４】
2011507383.tif 000004
は、下りリンクのリソースブロックの数であり、
【数５】
2011507383.tif 000005
は、周波数領域におけるリソースブロック当たりのリソース要素の数であることを特徴とするマッピング方法。
【請求項２】
前記第１リソース要素の位置Ｋ0は、物理層セル識別子
【数６】
2011507383.tif 000006
によることを特徴とする、請求項１に記載のマッピング方法。
【請求項３】
４個の物理制御フォーマット指示チャネルシンボルで構成された第３グループは、前記直交周波数分割多重シンボルの４個のリソース要素で構成された第３セットにマッピングされ、前記４個のリソース要素で構成された第３セットの第１リソース要素は、
【数７】
2011507383.tif 000007
によって定義される位置に位置することを特徴とする、請求項１に記載のマッピング方法。
【請求項４】
４個の物理制御フォーマット指示チャネルシンボルで構成された第４グループは、前記直交周波数分割多重シンボルの４個のリソース要素で構成された第４セットにマッピングされ、前記４個のリソース要素で構成された第４セットの第１リソース要素は、
【数８】
2011507383.tif 000008
によって定義される位置に位置することを特徴とする、請求項３に記載のマッピング方法。
【請求項５】
前記物理制御フォーマット指示チャネルは２ビットで表し、前記２ビットの値は、前記下りリンクスロットの制御チャネル伝送に使われる直交周波数分割多重シンボルの個数が１個、２個または３個のいずれであるかを表すことを特徴とする、請求項１に記載のマッピング方法。
【請求項６】
チャネルコーディングを通じて前記２ビットを３２ビットに増加する段階をさらに有することを特徴とする、請求項５に記載のマッピング方法。
【請求項７】
前記３２ビットが１６個の４相位相変調シンボルで表現されるように前記３２ビットを変調する段階をさらに有することを特徴とする、請求項６に記載のマッピング方法。
【請求項８】
直交周波数分割多重無線通信システムで、物理制御フォーマット指示チャネルシンボルを下りリンクスロットと関連した複数個の直交周波数分割多重シンボルのうち１つの直交周波数分割多重シンボルのリソース要素にマッピングする方法であって、
物理層セル識別子
【数９】
2011507383.tif 000009
によって前記直交周波数分割多重シンボルの前記リソース要素のうち第１リソース要素の位置であるＫ0を決定する段階と、
Ｋ0、
【数１０】
2011507383.tif 000010
及び
【数１１】
2011507383.tif 000011
の関数として、前記物理制御フォーマット指示チャネルシンボルのそれぞれを、４個ずつのグループで、前記直交周波数分割多重シンボルの該当の４個のリソース要素で構成されたセットにマッピングし、４個の物理制御フォーマット指示チャネルシンボルで構成された第１グループは、前記直交周波数分割多重シンボルの４個のリソース要素で構成された第１セットにマッピングされ、該４個のリソース要素で構成された第１セットの第１リソース要素は、前記位置Ｋ0に位置し、４個の物理制御フォーマット指示チャネルシンボルで構成された第２グループは、前記直交周波数分割多重シンボルの４個のリソース要素で構成された第２セットにマッピングされ、該４個のリソース要素で構成された第２セットの第１リソース要素は、
【数１２】
2011507383.tif 000012
によって定義される位置に位置する段階と、
前記物理制御フォーマット指示チャネルシンボルを伝送する段階と、を有し、
【数１３】
2011507383.tif 000013
は、下りリンクのリソースブロックの数であり、
【数１４】
2011507383.tif 000014
は、周波数領域におけるリソースブロック当たりのリソース要素の数であることを特徴とするマッピング方法。
【請求項９】
前記物理制御フォーマット指示チャネルシンボルを４個ずつのグループでマッピングする段階は、
４個の物理制御フォーマット指示チャネルシンボルで構成された第３グループを、前記直交周波数分割多重シンボルの４個のリソース要素で構成された第３セットにマッピングし、前記４個のリソース要素で構成された第３セットの第１リソース要素は、
【数１５】
2011507383.tif 000015
によって定義される位置に位置する段階と、
４個の物理制御フォーマット指示チャネルシンボルで構成された第４グループを、前記直交周波数分割多重シンボルの４個のリソース要素で構成された第４セットにマッピングし、前記４個のリソース要素で構成された第４セットの第１リソース要素は、
【数１６】
2011507383.tif 000016
によって定義される位置に位置する段階と、
を有することを特徴とする、請求項８に記載のマッピング方法。
【請求項１０】
前記物理制御フォーマット指示チャネルは２ビットで表し、前記２ビットの値は、前記下りリンクスロットの制御チャネル伝送に使われる直交周波数分割多重シンボルの個数が１個、２個または３個のいずれであるかを表すことを特徴とする、請求項８に記載のマッピング方法。
【請求項１１】
チャネルコーディングを通じて前記２ビットを３２ビットに増加する段階をさらに有することを特徴とする、請求項１０に記載のマッピング方法。
【請求項１２】
前記３２ビットが１６個の４相位相変調シンボルで表現されるように前記３２ビットを変調する段階をさらに有することを特徴とする、請求項１１に記載のマッピング方法。