【事件の表示】
　特願２００５−　２０４９５「被覆摺動部材」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　８月１０日出願公開、特開２００６−２０６９６０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本願は、平成１７年１月２８日の出願であって、平成２０年１１月６日付けで拒絶理由通知がなされ、これに対し、同年１２月２５日付けで願書に添付した明細書と特許請求の範囲の手続補正がなされたが、平成２１年２月１３日付けで最後の拒絶理由通知がなされ、これに対し、同年３月６日付けで再度の手続補正がなされたが、同年１０月１日付けで、再度の手続補正について補正の却下の決定がなされるとともに拒絶査定がなされたものである。
　本件審判は、この査定を不服として、同年１１月２６日に請求がなされたものであり、同日付けで明細書と特許請求の範囲の手続補正がなされている。
　
　
２．補正の却下の決定
　
２−１．結論
　
　平成２１年１１月２６日付けの手続補正（以下、「当審補正」という。）を却下する。
　
２−２．理由
　
２−２−１．補正の内容
　
　当審補正後の表２、表３、段落００２７には、下記のとおり記載されている。
　
　　−−−−−−−−−−−−−−記−−−−−−−−−−−−−−
　
【表２】
　
【表３】
　
【００２７】
　・・・(前略）・・・　本発明例１０は、本発明例３の皮膜Ａと、皮膜ＢのＣｒＮとの積層皮膜の場合を示す。本発明例１０においては、皮膜Ａに用いる（ＣｒＳｉ）金属ターゲット、（ＣｒＢ）ターゲット、皮膜Ｂに用いるＣｒターゲットを装着した３種類のＡＩＰ蒸発源を同時に放電させ、回転機構を有する被覆基体において一定の積層周期を構成しながら成膜した。　・・・(後略）・・・
　
　　−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
　
　上記のとおり、当審補正後の表２、表３、段落００２７には、本発明例１０について、（ＣｒＳｉ）金属ターゲットと（ＣｒＢ）ターゲットの２種類のＡＩＰ蒸発源を用いて、Ｓｉ濃度変調を有する（Ｃｒ９５Ｓｉ５）（Ｎ９９Ｂ１）組成の皮膜Ａを成膜（以下、「当審皮膜Ａ成膜法」という。）し、Ｃｒターゲット１種類のＡＩＰ蒸発源を用いて、ＣｒＮ組成の皮膜Ｂを成膜することが記載されている。
　
２−２−２．補正の適否
　
　これに対し、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「当初明細書等」という。）には、本発明例１０について、下記のとおり記載されている。
　
　　−−−−−−−−−−−−−−記−−−−−−−−−−−−−−
　
【表１】
　
【表２】　
　
【００２８】
　・・・(前略）・・・　本願発明例１０は、ＣｒＳｉ系皮膜とＣｒ系皮膜との積層皮膜の場合を示す。本願発明例１０においては、ＣｒＳｉ系ターゲットとＣｒターゲットを装着した２種類のＡＩＰ蒸発源を同時に放電させ、回転機構を有する被覆基体において一定の積層周期を構成しながら成膜した。これにより優れた耐焼付き性を示した。　・・・（中略）・・・　本願発明例１２は、ＣｒＳｉ系ターゲットとＣｒ系ターゲットを装着した２種類のＡＩＰ蒸発源と、ＣｒＢ２セラミックス製のターゲットを装着したスパッタ蒸発源を使用し、これらを組合せて被覆した場合である。例えばＣｒＳｉ系皮膜とＣｒ系皮膜、ＣｒＳｉ系皮膜とＣｒＢ２系皮膜を同時に被覆し、一定の積層周期を構成しながら成膜した。　・・・（中略）・・・　このことは、ＣｒＳｉ系皮膜内のＳｉの存在状態が重要であることを示している。ＣｒＳｉ系皮膜にＳｉ濃度変調を存在させるには、成膜工程におけるガス圧力、バイアス電圧、成膜温度、ターゲット供給電流により制御が可能である。　
　
　　−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
　
　上記のとおり、当初明細書等では、本発明例１０（＝「本願発明例１０」）について、（ＣｒＳｉ）系ターゲットとＣｒターゲットの２種類のＡＩＰ蒸発源を用いて、Ｓｉ濃度変調を有する（Ｃｒ９５Ｓｉ５）（Ｎ９９Ｂ１）組成のＣｒＳｉ系皮膜とＣｒＮ組成のＣｒ系皮膜を成膜すると記載されており、ここに「ＣｒＳｉ系皮膜」「Ｃｒ系皮膜」が、それぞれ当審補正後の「皮膜Ａ」「皮膜Ｂ」に対応するから、皮膜Ａについては、（ＣｒＳｉ）系ターゲット１種類のＡＩＰ蒸発源を用いて成膜するものと認められる。
　してみると、当審皮膜Ａ成膜法が、当初明細書等に記載された技術的事項でないことは明らかである。
　
　そこで次に、当審皮膜Ａ成膜法が、当初明細書等に記載された技術的事項から自明なものであるか否かについて検討する。
　当初明細書等には、本発明例１０のほかに本発明例１２（＝「本願発明例１２」）において、２種類のＡＩＰ蒸発源を用いることが記載されている（段落００２８参照）が、これもＣｒＳｉ系皮膜に他の硬質皮膜を積層するものであるから、ＣｒＳｉ系皮膜については１種類のＡＩＰ蒸発源を用いて成膜するものと認められる。また、Ｓｉ濃度変調について、成膜工程におけるガス圧力、バイアス電圧、成膜温度、ターゲット供給電流により制御することが記載されている（段落００２８参照）が、複数のターゲットや蒸発源により制御することは記載されていない。すなわち、当初明細書等には、複数のターゲットや蒸発源を用いて、Ｓｉ濃度変調を有するＣｒＳｉ系皮膜を成膜することについて記載がない。
　してみると、当審皮膜Ａ成膜法は、当初明細書等に記載された技術的事項から自明なものでもなく、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものであるから、当審補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものでない。
　
　したがって、当審補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
　
３．原査定の理由
　
　当審補正は却下されたので、本願明細書の記載は、平成２０年１２月２５日付けの手続補正（以下、「原審補正」という。）がなされた明細書に記載されたものとなるところ、原審でした拒絶査定の理由は、
「原審補正は、下記の点で願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。」
というものであり、下記の点の１つとして、次の点が指摘されている。
　
「明細書【００２７】に記載された「本発明例１０においては、（ＣｒＳｉ）金属ターゲット、（ＣｒＢ）ターゲット、Ｃｒターゲットを装着した３種類のＡＩＰ蒸発源を同時に放電させ」に関して、当初明細書には、「本発明例１０においては、ＣｒＳｉ系ターゲットとＣｒターゲットを装着した２種類のＡＩＰ蒸発源を同時に放電させ」（【００２８】）と記載されているのみであり、本発明例１０において、（ＣｒＳｉ）金属ターゲット、（ＣｒＢ）ターゲット、Ｃｒターゲットを装着した３種類のＡＩＰ蒸発源を使用することは、当初明細書又は図面に一切記載されておらず、自明の事項でもない。」
　
　
４．原審補正の内容
　
　原審補正後の表２、表３、段落００２７には、下記のとおり記載されている。
　
　　−−−−−−−−−−−−−−記−−−−−−−−−−−−−−
　
【表２】
　
【表３】
　
【００２７】
　・・・(前略）・・・　本発明例１０は、本発明例３と第２硬質皮膜ＣｒＮとの積層皮膜の場合を示す。本発明例１０においては、（ＣｒＳｉ）金属ターゲット、（ＣｒＢ）ターゲット、Ｃｒターゲットを装着した３種類のＡＩＰ蒸発源を同時に放電させ、回転機構を有する被覆基体において一定の積層周期を構成しながら成膜した。　・・・(後略）・・・
　
　
５．当審の判断
　
　原審補正後の段落００２７には、原査定の理由で指摘したとおり、本発明例１０について、（ＣｒＳｉ）金属ターゲットと（ＣｒＢ）ターゲットとＣｒターゲットの３種類のＡＩＰ蒸発源を用いて、Ｓｉ濃度変調を有する（Ｃｒ９５Ｓｉ５）（Ｎ９９Ｂ１）組成の硬質皮膜とＣｒＮ組成の第２硬質皮膜を成膜することが記載されており、これは、その皮膜組成からみて、（ＣｒＳｉ）金属ターゲットと（ＣｒＢ）ターゲットの２種類のＡＩＰ蒸発源を用いて、Ｓｉ濃度変調を有する（Ｃｒ９５Ｓｉ５）（Ｎ９９Ｂ１）組成の硬質皮膜を成膜（以下、「原審硬質皮膜成膜法」という。）し、Ｃｒターゲット１種類のＡＩＰ蒸発源を用いて、ＣｒＮ組成の第２硬質皮膜を成膜することを記載したものと認められる。
　すなわち、原審硬質皮膜成膜法は、上記「２−２−１」で指摘した当審皮膜Ａ成膜法と同一のものと認められる。
　してみると、上記「２−２−２」で検討したとおり、原審硬質皮膜成膜法もまた、当初明細書等に記載された技術的事項でなく、当初明細書等に記載された技術的事項から自明なものでもなく、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものであるから、原審補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものでない。
　
　
５．むすび
　
　以上のとおりであるから、原審補正は、特許法第１７条の２第３項の規定する要件を満たしていない。
　したがって、本願は、原査定の理由により拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。