【手続補正書】
【提出日】平成23年4月18日(2011.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性集積回路メモリデバイスのブロックを監視する方法であって、
前記メモリデバイスの前記ブロックのデータページが少なくとも１つのエラーを伴って読み出されたか否かを判定するために誤り訂正符号を復号することと、
前記ページが少なくとも１つのエラーを伴って読み出された少なくともその時に、読み出された前記ページに対応する前記メモリデバイスの前記ブロックに対する、前記ブロックを早期に排除すべきか否かを示すために使用されるエラーの履歴を保存することとを含み、
前記履歴を保存することは、
前記少なくとも１つのエラーが１つのエラーに対応することを判定することに少なくとも一部は応じてインクリメントされるカウントを保存することと、
前記メモリデバイスを使用するデバイスの起動と同時に前記カウントをリセットすることとをさらに含み、
前記ブロックに対する早期の排除は、前記カウントが閾値に達すること応じて示される、方法。
【請求項２】
前記履歴を保存することは、
前記ブロックの前記ページを読み出す時に複数のエラーに直面する場合に、前記ブロックに対する早期の排除を示すために前記履歴を更新することをさらに含み、
訂正されていないデータと訂正されたデータを比較することにより、エラー数のカウントが判定される、請求項１の方法。
【請求項３】
前記履歴を保存することは、
前記履歴のためのカウントを少なくとも閾値にセットすることを含み、
前記カウントが少なくとも前記閾値に達する場合、早期排除の対象として前記ブロックが示される、請求項１の方法。
【請求項４】
ダイレクトメモリアクセス（ＤＭＡ）モードで読み出す時に前記少なくとも１つのエラーが誤り訂正符号（ＥＣＣ）の復号によっては訂正不可能である複数のエラーを含む場合に、
前記ＤＭＡモードからプロセッサ入出力（ＰＩＯ）モードに変更することと、前記ページを再読み出しすることとを含む、請求項１の方法。
【請求項５】
前記ページが第１の読み出しモードを使用して読み出され、前記少なくとも１つのエラーが誤り訂正符号（ＥＣＣ）の復号によっては訂正不可能である複数のエラーを含む場合に、
前記第１の読み出しモードよりも少なくとも低速のバススピードであるか長い待ち時間である異なる読み出しモードに変更することと、前記ページを再読み出しすることとを含む、請求項１の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つのエラーは訂正不可能なエラーを含み、１つの訂正不可能なエラーが読み出される場合であっても、成功している読み出し操作のステータスをオペレーティングシステムに返すことをさらに含む、請求項１の方法。
【請求項７】
前記メモリデバイスの前記ブロックに対する前記エラーの履歴を、前記メモリデバイス自身とは異なるデバイス上に保存することをさらに含む、請求項１の方法。
【請求項８】
前記メモリデバイスは、ＮＡＮＤフラッシュメモリデバイスを含む、請求項１の方法。
【請求項９】
前記方法は、オペレーティングシステムにより実施される、請求項１の方法。
【請求項１０】
不揮発性集積回路メモリデバイスのためのブロックを管理する方法であって、
メモリのブロックを消去するコマンド、もしくは前記メモリのブロックのページに書き込むコマンドを受信することと、
前記ブロックの１つ以上のページに対する読み出し操作に関連するエラーの履歴に少なくとも一部は基づいて、消去もしくは書き込みを停止することとを含み、
前記停止することは、入出力エラーを伴って終了することをさらに含む、方法。
【請求項１１】
前記ブロックの以前に書き込まれたページを再要求することと、その後前記ブロックの使用を停止することとをさらに含む、請求項１０の方法。
【請求項１２】
前記停止することは、前記ブロックを不良としてマーキングするために、前記メモリデバイス中の不良ブロックテーブルに前記ブロックを追加することを含む、請求項１０の方法。
【請求項１３】
前記ブロックの１つ以上のページに対する読み出し操作中に直面したエラーのカウントを調べることをさらに含む、請求項１０の方法。
【請求項１４】
不揮発性集積回路メモリデバイスからデータページにアクセスする方法であって、
前記メモリデバイスから前記データページの読み出しを要求することと、
前記ページに関連する誤り訂正符号（ＥＣＣ）を調べることと、
前記データページが何らかの訂正不可能なエラーを含んだか否かに関わらず、前記データページが正確に読み出されたことを示すステータスをオペレーティングシステムに供給することとを含む、方法。
【請求項１５】
少なくとも、第１の読み出しのオペレーションモード、および前記第１の読み出しのオペレーションモードよりも低速の第２の読み出しのオペレーションモードが、前記デバイスからデータを読み出すために選択可能であり、
前記ページの前記読み出しを要求することは、
前記第１の読み出しのオペレーションモードを使用して実施された最初の読み出しの復号が、訂正不可能なエラーであったことを判定することと、
前記第１の読み出しのオペレーションモードから、前記第２の読み出しのオペレーションモードに変更することと、
前記ページの再読み出しを要求することとをさらに含む、請求項１４の方法。
【請求項１６】
前記第１の読み出しのオペレーションモードは、ダイレクトメモリアクセス（ＤＭＡ）を含み、
前記第２の読み出しのオペレーションモードは、アクセスを制御するためのマイクロプロセッサの使用を含む、請求項１５の方法。
【請求項１７】
ループカウンタに少なくとも一部は基づいて、前記ページの再読み出しを要求するか否かを判定することをさらに含む、請求項１５の方法。
【請求項１８】
タイマーに少なくとも一部は基づいて、前記ページの再読み出しを要求するか否かを判定することをさらに含む、請求項１５の方法。
【請求項１９】
オペレーティングシステムのドライバにより前記方法を実施することをさらに含む、請求項１４の方法。
【請求項２０】
不揮発性集積回路メモリデバイスのブロックを表示するための１つ以上の表示を保存する方法であって、
前記メモリのブロックの少なくとも１つのページに関して実施された、少なくとも１つの読み出し操作の一環として検出されたエラーが、誤り訂正符号の復号を通じて、訂正可能ではないことを判定すること、または、
前記ブロックに対する以前の読み出し操作中に少なくとも１つのエラーが生じたことを、前記メモリデバイスの前記ブロックに対して収集されたエラーの履歴が示すことを判定すること、
のうちの少なくとも１つに少なくとも一部は応じて、前記ブロックの再消去もしくは再プログラミングを阻止することを含む、方法。
【請求項２１】
不揮発性集積回路メモリデバイスのブロックを監視するための装置であって、
前記メモリデバイスの前記ブロックのデータページが少なくとも１つのエラーを伴って読み出されたか否かを判定するために誤り訂正符号を復号するように構成されたモジュールと、
前記ページが少なくとも１つのエラーを伴って読み出された少なくともその時に、読み出された前記ページに対応する前記メモリデバイスの前記ブロックに対する、前記ブロックを早期に排除すべきか否かを示すために使用されるエラーの履歴を保存するよう構成されたモジュールとを含み、
前記モジュールは、
前記少なくとも１つのエラーが１つのエラーに対応することを判定することに少なくとも一部は応じてインクリメントされるカウントを保存し、
前記メモリデバイスを使用するデバイスの起動と同時に前記カウントをリセットするようさらに構成され、
前記ブロックに対する早期の排除は、前記カウントが閾値に達すること応じて示される、装置。