【手続補正書】
【提出日】平成23年6月10日(2011.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射放出コンポーネント（８）であって、
−  電磁放射（Ｒ）を放出するように具体化されている活性領域（１２）を有する半導体積層体（１０）と、
−  半導体積層体（１０）または光学要素（１８，２０）の少なくとも１つの面（１４，１５，１６，１７）であって、電磁放射（Ｒ）を透過させるように具体化されており、法線ベクトル（Ｎ）を有する、前記少なくとも１つの面（１４，１５，１６，１７）と、
を備えており、
所定の波長の場合に、前記面（１４，１５，１６，１７）の前記法線ベクトル（Ｎ）に対する視角（アルファ）、において前記放射放出コンポーネント（８）における反射が最小であるように、前記電磁放射（Ｒ）が通過する前記半導体積層体（１０）または前記光学要素（１８，２０）の前記少なくとも１つの面（１４，１５，１６，１７）の上に、反射防止層（３０）が配置および具体化されており、
前記反射防止層（３０）は、
前記所定の波長の場合に、前記法線ベクトル（Ｎ）に対する、３０゜〜６０゜の間の前記視角（アルファ）、において前記放射放出コンポーネント（８）における反射が最小であるように、
具体化されている、
放射放出コンポーネント（８）。
【請求項２】
前記反射防止層（３０）が、
前記所定の波長の場合に、前記法線ベクトル（Ｎ）に対する、４０゜〜５０゜の間の前記視角（アルファ）、において前記放射放出コンポーネント（８）における反射が最小であるように、
具体化されている、
請求項１に記載の放射放出コンポーネント（８）。
【請求項３】
前記半導体積層体（１０）が上に配置されている基板（１８）であって、前記半導体積層体（１０）とは反対側の面（１５）を有し、前記面（１５）の上に前記反射防止層（３０）が配置されている、前記基板（１８）、
を備えている、請求項１または請求項２に記載の放射放出コンポーネント（８）。
【請求項４】
前記半導体積層体（１０）から隔置されているカバープレート（２０）であって、前記半導体積層体（１０）に面している面（１６）と、前記半導体積層体（１０）とは反対側の面（１７）とを有し、前記面（１６，１７）の少なくとも一方の上に前記反射防止層（３０）が配置されている、前記カバープレート（２０）、
を備えている、請求項１から請求項３のいずれかに記載の放射放出コンポーネント（８）。
【請求項５】
前記基板（１８）が、ガラス、石英、プラスチックから成る群から選択される材料を含んでいる、請求項３または請求項４に記載の放射放出コンポーネント（８）。
【請求項６】
放射放出コンポーネント（８）であって、
−  電磁放射（Ｒ）を放出するように具体化されている活性領域（１２）を有する半導体積層体（１０）と、
−  面（６８，７０）を有するカバー要素（６２）と、
を備えており、
前記カバー要素（６２）の第１のセクション（６４）には、前記面（６８，７０）の上に吸収層または反射層（７２）が配置されており、前記カバー要素（６２）の第２のセクション（６６）には、前記面（６８，７０）の上に吸収層または反射層（７２）が存在せず、
前記カバー要素（６２）の前記第２のセクション（６６）の前記面（６８，７０）の１つの上に、
反射防止層（５８）は、
前記所定の波長の場合に、前記電磁放射（Ｒ）の輪帯状光束の増大がほぼ最大である、前記面（６８，７０）の法線ベクトル（Ｎ）に対する、３０゜〜６０゜の間の視角（アルファ）、において前記放射放出コンポーネント（８）における反射が最小であるように、
配置および具体化されている、
放射放出コンポーネント（８）。
【請求項７】
前記面（６８，７０）の法線ベクトル（Ｎ）に対する、４０゜〜５０゜の間の範囲内の視角（アルファ）、において前記放射放出コンポーネント（８）における反射が最小であるように、前記反射防止層（５８）が配置および具体化されている、請求項６に記載の放射放出コンポーネント（８）。
【請求項８】
前記電磁放射が一次電磁放射（Ｐ）であり、前記放射放出コンポーネント（８）が、前記積層体（１０）に機械的に結合されている変換層（４０）を備えており、前記変換層（４０）が、前記一次電磁放射（Ｐ）の一部を二次電磁放射（Ｓ）に変換するように具体化されている蛍光体を有し、
前記一次電磁放射（Ｐ）の一部が前記二次電磁放射（Ｓ）の一部と重ね合わされて、色空間における出力色の点を有する混合放射（Ｍ）が形成され、隣接して配置されている少なくとも２つの層を有する色補正層（４８）が、前記カバー要素（６２）の前記第２のセクション（６６）の上に配置されており、第１の層（５０）が、第１の屈折率（Ｎ＿１）を有する材料から成り、第２の層（５１）が、第２の屈折率（Ｎ＿２）を有する材料から成り、前記第１の屈折率（Ｎ＿１）が前記第２の屈折率（Ｎ＿２）とは異なっており、前記層（５０，５１）が、色空間における前記出力色の点が前記面（６８，７０）の前記法線ベクトル（Ｎ）に対する前記視角（アルファ）に応じて設定されるように、具体化されている、
請求項６または請求項７に記載の放射放出コンポーネント（８）。
【請求項９】
前記色補正層（４８）が、複数の層（５０，５１，５２，５３，５４，５５，５６）を有する積層体として具体化されており、前記層（５０，５１，５２，５３，５４，５５，５６）が、前記層のうちの各１つの層（５０，５１，５２，５３，５４，５５，５６）に隣接する２つの層（５０，５１，５２，５３，５４，５５，５６）の両方が、前記各１つの層（５０，５１，５２，５３，５４，５５，５６）の屈折率よりも小さい、または大きい屈折率を有するように、配置されている、請求項８に記載の放射放出コンポーネント（８）。
【請求項１０】
前記反射防止層（５８）と前記色補正層（４８）とが、前記カバー要素（６２）の前記第２のセクション（６６）の互いに反対向きに位置する２つの面（６８，７０）の上に配置されている、請求項８または請求項９に記載の放射放出コンポーネント（８）。
【請求項１１】
放射放出コンポーネント（８）であって、
−  一次電磁放射（Ｐ）を放出するように具体化されている活性領域（１２）を有する半導体積層体（１０）と、
−  前記半導体積層体（１０）に機械的に結合されている変換層（４０）であって、前記一次電磁放射（Ｐ）の一部を二次電磁放射（Ｓ）に変換するように具体化されている蛍光体を含んでいる、前記変換層（４０）と、
を備えており、
−  前記一次電磁放射（Ｐ）の一部が前記二次電磁放射（Ｓ）の一部と重ね合わされて、色空間における出力色の点を有する混合放射（Ｍ）が形成され、
−  隣接して配置されている少なくとも２つの層（５０，５１）を有する色補正層（４８）が、前記電磁混合放射（Ｍ）が通過する前記面（１６，１７，４２）の少なくとも１つの上に配置されており、第１の層（５０）が、第１の屈折率（Ｎ＿１）を有する材料から成り、第２の層（５１）が、第２の屈折率（Ｎ＿２）を有する材料から成り、前記第１の屈折率（Ｎ＿１）が前記第２の屈折率（Ｎ＿２）とは異なっており、前記層（５０，５１）が、色空間における前記出力色の点が視角（アルファ）に応じて設定されるように、具体化されている、
放射放出コンポーネント（８）。
【請求項１２】
前記色補正層（４８）が、複数の層（５０，５１，５２，５３，５４，５５，５６）を有する積層体として具体化されており、前記層（５０，５１，５２，５３，５４，５５，５６）が、前記層のうちの各１つの層（５０，５１，５２，５３，５４，５５，５６）に隣接する２つの層（５０，５１，５２，５３，５４，５５，５６）の両方が、前記各１つの層（５０，５１，５２，５３，５４，５５，５６）の屈折率よりも小さい、または大きい屈折率を有するように、配置されている、請求項１１に記載の放射放出コンポーネント（８）。
【請求項１３】
前記色補正層（４８）が前記変換層（４０）の上に配置されている、請求項１１または請求項１２に記載の放射放出コンポーネント（８）。
【請求項１４】
前記変換層（４０）の上に配置されているカバープレート（２０）であって、前記変換層（４０）とは反対側の面（１７）を有し、前記面（１７）の上に前記色補正層（４８）が配置されている、前記カバープレート（２０）、
を備えている、請求項１１または請求項１２に記載の放射放出コンポーネント（８）。
【請求項１５】
前記変換層（４０）から隔置されているカバープレート（２０）、
を備えており、
前記カバープレート（２０）が、前記半導体積層体（１０）に面している面（１６）と、前記半導体積層体（１０）とは反対側の面（１７）とを有し、カバープレート（２０）の前記面（１６，１７）の少なくとも一方の上に前記色補正層（４８）が配置されている、
請求項１１または請求項１２に記載の放射放出コンポーネント（８）。