【事件の表示】
　特許第６１３７４０８号発明「Ｆｅ基ナノ結晶合金コア、及びＦｅ基ナノ結晶合金コアの製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６１３７４０８号の請求項１ないし８に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６１３７４０８号の請求項１ないし８に係る特許についての出願は、平成２７年６月１０日（優先権主張　平成２６年６月１０日）の出願であって、平成２９年５月１２日にその特許権の設定登録がされ、その後、その特許について、平成２９年１１月２９日に特許異議申立人　畠　明により特許異議の申立てがされたものである。
第２　本件発明
　特許第６１３７４０８号の請求項１ないし８に係る発明（以下、「本件発明１」ないし「本件発明８」という。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるものであるところ、本件発明１ないし８はそれぞれ次のとおりのものである。
「【請求項１】
　Ｆｅ基ナノ結晶合金リボンを巻回したコアであって、
　前記コアのインピーダンス比透磁率μｒｚが、
　周波数１０ｋＨｚで、９０，０００以上、
　周波数１００ｋＨｚで、４０，０００以上、かつ、
　周波数１ＭＨｚで、８，５００以上、
　である、Ｆｅ基ナノ結晶合金コア。
【請求項２】
　前記コアのインピーダンス比透磁率μｒｚが、
　周波数１０ｋＨｚで、１０５，０００以上、
　周波数１００ｋＨｚで、４５，０００以上、かつ、
　周波数１ＭＨｚで、９，０００以上、
　である、請求項１に記載のＦｅ基ナノ結晶合金コア。
【請求項３】
　前記Ｆｅ基ナノ結晶合金リボンの厚さが、９μｍ以上２０μｍ以下である、請求項１または２に記載のＦｅ基ナノ結晶合金コア。
【請求項４】
　ナノ結晶化可能なＦｅ基非晶質合金リボンを巻回した後、結晶化温度領域に加熱し、冷却する熱処理工程を有する、Ｆｅ基ナノ結晶合金リボンを巻回したコアの製造方法であって、
　前記熱処理工程は、
　示差走査熱量計での結晶化開始温度の２５℃高温から結晶化開始温度の６０℃高温までに相当する昇温期間中の温度範囲内に限定して、１０分以上６０分以下で前記コアの高さ方向に磁場を印加する磁場印加工程を有する、
Ｆｅ基ナノ結晶合金コアの製造方法。
【請求項５】
　前記熱処理工程は、
　示差走査熱量計での結晶化開始温度の３０℃高温から結晶化開始温度の５０℃高温までに相当する前記昇温期間中の温度範囲内に限定して、１５分以上４０分以下で前記コアの高さ方向に磁場を印加する磁場印加工程を有する、請求項４に記載のＦｅ基ナノ結晶合金コアの製造方法。
【請求項６】
　前記コアの高さ方向に、磁場強度５０ｋＡ／ｍ以上３００ｋＡ／ｍ以下の磁場を印加する、請求項４または５に記載のＦｅ基ナノ結晶合金コアの製造方法。
【請求項７】
　前記Ｆｅ基ナノ結晶合金リボンの厚さが、９μｍ以上２０μｍ以下である、請求項４から６のいずれかに記載のＦｅ基ナノ結晶合金コアの製造方法。
【請求項８】
　製造されたコアのインピーダンス比透磁率μｒｚが、
　周波数１０ｋＨｚで、９０，０００以上、
　周波数１００ｋＨｚで、４０，０００以上、かつ、
　周波数１ＭＨｚで、８，５００以上、
　である、請求項４から７のいずれかに記載のＦｅ基ナノ結晶合金コアの製造方法。」
第３　申立理由の概要
１．申立理由１（サポート要件）
　特許異議申立人は、請求項１ないし８に係る特許は特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、同法第１１３条第４号に該当し、請求項１ないし８に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。
２．申立理由２（進歩性）
　特許異議申立人は、証拠として、下記の甲第１号証ないし甲第３号証を提出し、請求項１ないし８に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、同法第１１３条第２号に該当し、請求項１ないし８に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。
　　　　　　　　　　　記（証拠一覧）
　甲第１号証：特開平１０−３０６３１４号公報
　甲第２号証：特開２０００−３２８２０６号公報
　甲第３号証：特開平７−２７８７６４号公報
第４　当審の判断
１．申立理由１（サポート要件）について
（１）請求項１について
　特許異議申立人は、請求項１には「Ｆｅ基ナノ結晶合金」と記載されており、明細書の【００４２】には「ナノ結晶化可能なＦｅ基非晶質合金としては、例えば、一般式：（Ｆｅ1-aＭa）100-x-y-z-α-β-γＣｕxＳｉyＢzＭ’αＭ”βＸγ（原子％）（ただし、ＭはＣｏ及び／又はＮｉであり、Ｍ’はＮｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ及びＷからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素、Ｍ”はＡｌ，白金族元素，Ｓｃ，希土類元素，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｒｅからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素、ＸはＣ、Ｇｅ、Ｐ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｉｎ、Ｂｅ、Ａｓからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素、ａ，ｘ，ｙ，ｚ，α，β及びγはそれぞれ０≦ａ≦０．５，０．１≦ｘ≦３，０≦ｙ≦３０，０≦ｚ≦２５，５≦ｙ＋ｚ≦３０、０≦α≦２０，０≦β≦２０及び０≦γ≦２０を満たす。）により表される組成の合金を使用することができる。」と記載されているが、前記明細書中に実施例として記載されているのは、「Ｃｕ：１％、Ｎｂ：３％、Ｓｉ：１５．５％、Ｂ：６．５％、残部Ｆｅ及び不可避不純物からなる合金」のみであるから、請求項１の前記「Ｆｅ基ナノ結晶合金」という記載にまで拡張ないし一般化できるとは言えない。したがって、本件発明１は、発明の詳細な説明に記載したものではない旨を主張している。
　しかしながら、例えば明細書の【０００２】に「Ｆｅ基ナノ結晶合金は、高い飽和磁束密度Ｂｓと高い比透磁率μｒとを両立できる優れた軟磁気特性を備えている」と記載されているように、Ｆｅ基ナノ結晶合金と呼ばれる合金は、磁性材料として共通する、又は、類似する性質・特性を有するものであることを勘案すると、実施例がＦｅ基ナノ結晶合金に含まれる１つの合金のみしかないことのみをもって、「Ｆｅ基ナノ結晶合金」という記載にまで拡張ないし一般化することはできないとまでいうことはできない。そして、特許異議申立人は、Ｆｅ基ナノ結晶合金あるいは前記一般式に含まれる合金の少なくとも一部が、請求項１に記載のインピーダンス比透磁率μｒｚの数値範囲を実現できないとする合理的な根拠及び証拠を具体的に示してはいない。
　したがって、特許異議申立人の上記主張を採用することはできない。
（２）請求項４及び５について
　特許異議申立人は、
　請求項４に「結晶化開始温度」とあるが、実施例には「結晶化開始温度は５００℃」の場合しかなく、
　請求項４には「結晶化開始温度の２５℃高温から結晶化開始温度の６０℃高温までに相当する昇温期間中の温度範囲」と記載され、請求項５には「結晶化開始温度の３０℃高温から結晶化開始温度の５０℃高温までに相当する前記昇温期間中の温度範囲」と記載されているが、実施例には、「５３０〜５５０℃の温度範囲（結晶化開始温度の３０℃高温から結晶化開始温度の５０℃高温の温度範囲）」及び「５４０〜５５０℃の温度範囲（結晶化開始温度の４０℃高温から結晶化開始温度の５０℃高温の温度範囲）」の場合しかなく、
　請求項４には「１０分以上６０分以下で」と記載されているが、実施例には「３０分」及び「１５分」の場合しかないから、請求項４及び５の上記各記載にまで拡張ないし一般化できるとは言えない。したがって、本件発明４及び５は、発明の詳細な説明に記載したものではない旨を主張している。
　しかしながら、請求項４及び５に記載の上記各発明特定事項は、実施例１ないし４の結果のみに基づくものではなく、比較例１（磁場無印加）及び比較例２（常時磁場印加）の結果や、参考例（４８０〜５２０℃の温度範囲（結晶化開始温度の２０℃低温から結晶化開始温度の２０℃高温の温度範囲））の結果にも基づくものであり、特に、上記比較例１及び比較例２の結果から、【００３３】に記載されているような、熱処理中の磁場印加による低周波域及び高周波域でのインピーダンス比透磁率増減の傾向が確認できていることや、比較例２において５２０℃（結晶化開始温度の２０℃高温）まで磁場印加していることや、最高到達温度が５８０℃であることを踏まえると、請求項４及び５の上記各記載にまで拡張ないし一般化することはできないとまでいうことはできない。
　したがって、特許異議申立人の上記主張を採用することはできない。
（３）請求項６について
　特許異議申立人は、請求項６には「前記コアの高さ方向に、磁場強度５０ｋＡ／ｍ以上３００ｋＡ／ｍ以下の磁場を印加する」と記載されているが、実施例には「磁場強度は、２８０ｋＡ／ｍとした」及び「磁場強度は、１６０ｋＡ／ｍとした」場合しかないから、請求項６の上記記載にまで拡張ないし一般化できるとは言えない。したがって、本件発明６は、発明の詳細な説明に記載したものではない旨を主張している。
　しかしながら、明細書の【００４０】に記載されているように、印加する磁場の強度の範囲は、「印加する磁場が弱すぎると、実作業条件での誘導磁気異方性の付与が難しくなり、また、高すぎると誘導磁気異方性が付与されすぎる傾向になる。」という理由で設定されたものであるから、「２８０ｋＡ／ｍ」及び「１６０ｋＡ／ｍ」の２例しかないことを根拠とする特許異議申立人の上記主張を採用することはできない。
（４）まとめ
　以上のとおりであるから、請求項１、４、５、６とそれらの従属請求項に係る特許、すなわち、請求項１ないし８に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるということはできない。
２．申立理由２（進歩性）について
（１）甲第１号証ないし甲第３号証の記載
ア．甲第１号証（特開平１０−３０６３１４号公報）
　甲第１号証には、「軟磁性合金の製造方法」に関して、以下の事項が図面とともに記載されている。（なお、下線は当審で付与した。）
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ヘッド、トランス、チョークコイル等の磁気デバイスに使用される軟磁性合金の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、
磁気ヘッドのコアやパルスモータの磁心あるいはトランスやチョークコイルなどの磁気デバイスに用いられている軟磁性合金
Ｆｅ系
の非晶質合金も使用されるようになってきている
（イ）「【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳しく説明する。本発明の製造方法により軟磁性合金を製造するには、まず
Ｆｅを主成分とし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗからなる群から選ばれた１種または２種以上の金属元素からなる元素ＭとＢを含む金属溶湯を急冷して非晶質合金薄帯を生成する。
【０００８】
続いて、生成された非晶質合金薄帯に熱処理を施す。
このとき、誘導磁気異方性を付与するために少なくとも昇温時に静磁場中で熱処理するとともに昇温速度を調整し、平均結晶粒径３０ｎｍ以下の微細結晶組織を組織の５０％以上析出させるとともに誘導磁気異方性を付与する。
【０００９】本発明において
熱処理する際に少なくとも昇温時に静磁場中で行う
少なくとも昇温時に静磁場中で熱処理を行えばよい
非晶質合金薄帯に印加する静磁場の方向は、特に限定されず、横磁界でも、縦磁界でもよく
（ウ）「【００１１】 熱処理により平均結晶粒径３０ｎｍ以下の微細結晶組織が析出したのは、急冷状態の合金薄帯は非晶質を主体とする組織となっており、これを加熱して昇温させると、ある温度以上で平均結晶粒径が３０ｎｍ以下の、Ｆｅを主成分とするｂｃｃ（体心立方構造）結晶粒からなる微結晶相が析出するからである。
このｂｃｃ構造を有するＦｅ微結晶相が析出する温度は合金の組成によって変化するが、４８０〜５５０℃程度である。
非晶質合金薄帯を熱処理する際の保持温度は４８０℃〜８１０℃の範囲で、ｂｃｃ構造を有するＦｅを主成分とする微結晶相が好ましく析出しかつ上記化合物相が析出しないように、合金の組成に応じて好ましく設定される。
（エ）「【００２４】
【実施例】
（製造例１）本発明の範囲内の合金の例として
Ｆｅ
84
Ｎｂ
3.5
Ｚｒ
3.5
Ｂ
8
Ｃｕ
1
なる組成を有する非晶質合金薄帯を製造した。
（オ）「【００２７】
ついで、得られたＦｅ
84
Ｎｂ
3.5
Ｚｒ
3.5
Ｂ
8
Ｃｕ
1
なる組成の非晶質合金薄帯を巻回して作製したトロイダル状の試料（高さ１５ｍｍ、内径１８ｍｍ、外径２８ｍｍ）について静磁場を印加する時期を変更して熱処理を行い
保持温度６００゜Ｃで３０分保持
静磁場はトロイダル状の試料の面方向（磁化容易軸方向）に垂直磁界（横磁界）を２ｋＯｅ印加した。
【００２８】その結果、１（当審注：丸囲い数字）昇温時と保持時と降温時の全熱処理工程に静磁界を印加して得られた軟磁性合金のＫｕは５２Ｊ／ｍ3、２（当審注：丸囲い数字）昇温時のみ静磁界を印加して得られた軟磁性合金のＫｕは４６Ｊ／ｍ3（１（当審注：丸囲い数字）の条件のときのＫｕの値（１００％）に対して８８％）３（当審注：丸囲い数字）保持時のみ静磁界を印加して得られた軟磁性合金のＫｕは１９Ｊ／ｍ3（３７％）、４（当審注：丸囲い数字）降温時のみ静磁界を印加して得られた軟磁性合金のＫｕは１３Ｊ／ｍ3（２５％）であり、
昇温時と保持時と降温時の全熱処理工程に静磁界を印加する１
と、昇温時のみ静磁界を印加する２
の場合が得られる軟磁性合金のＫｕの値が大きいことがわかる。
　そして、
・上記（エ）の「
Ｆｅ
84
Ｎｂ
3.5
Ｚｒ
3.5
Ｂ
8
Ｃｕ
1
なる組成を有する非晶質合金薄帯
・上記（イ）及び（ウ）の記載からみて、熱処理を施すことによってナノ結晶化させていること、
・上記（オ）の記載からみて、非晶質合金薄帯を巻回して作製したものであり、また、一般に、前記帯を「リボン」と呼ぶこともあること、
・上記（ア）の記載からみて、コアとして用いられるものであること、
を踏まえると、甲第１号証には、次の発明（以下、「引用発明」という）が記載されている。
「Ｆｅ基ナノ結晶合金リボンを巻回したコアであるＦｅ基ナノ結晶合金コア。」
イ．甲第２号証（特開２０００−３２８２０６号公報）
　甲第２号証には「軟磁性合金薄帯ならびにそれを用いた磁心、装置およびその製造方法」に関して、以下の事項が図面とともに記載されている。（なお、下線は当審で付与した。）
（カ）「【請求項４】　組成式：
Ｆｅ
１００−ｘ−ａ−ｙ−ｚ
Ａ
ｘ
Ｍ
ａ
Ｓｉ
ｙ
Ｂ
ｚ
（原子％）で表され、式中ＡはＣｕ，Ａｕから選ばれた少なくとも一種の元素、ＭはＮｂ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｖからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素であり、ｘ，ｙ，ｚおよびａはそれぞれ０．１≦ｘ≦３、２≦ａ≦１０、０≦ｙ≦２０、２≦ｚ≦２５を満足する組成である
軟磁性合金薄帯
（キ）「請求項８】　組織の少なくとも一部に
平均粒径５０ｎｍ以下の結晶粒が存在する
【請求項９】　請求項１乃至８に記載の
軟磁性合金薄帯を巻き回す
ことにより構成されている
磁心
（ク）「【００１１】合金薄帯あるいは磁心の熱処理は通常アルゴンガス、窒素ガス等の不活性ガス中で行なうが大気中等酸素を含む雰囲気で行っても良い。また、必要に応じて
熱処理期間の少なくとも一部の期間、合金がほぼ飽和する程度以上の強さの磁界を印加して磁界中熱処理を行い誘導磁気異方性を付与しても良い。
低角形比とするために薄帯の幅方向（巻磁心の場合は磁心の高さ方向）に印加する場合は８０ｋＡ／ｍ以上の磁界を印加する場合が多い。
熱処理の際の最高到達温度は結晶化温度以上であり、通常４５０℃から６５０℃の範囲である。
（ケ）「【００１７】
【発明の実施の形態】
【実施例】以下本発明を実施例にしたがって説明するが本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
原子％でＳｉ１５．６％、Ｂ６．８％、Ｎｂ２．９％、Ｃｕ０．９％、残部実質的にＦｅからなる合金溶湯を図１と同様な単ロール装置を用いセラミックス製のノズルのスリットから外径８００ｍｍのＣｕ−Ｂｅ合金製の冷却ロール上に出湯し、幅１５ｍｍのアモルフアス合金薄帯５０ｋｇを作製した。
次に得られた薄帯をロール接触面側を外側にし、外径２５ｍｍ内径２０ｍｍに巻き回し巻磁心を作製し、図３に示す熱処理パターンで磁界中熱処理を行った。磁界は巻磁心の高さ方向に印加した。
熱処理後の磁心を構成している軟磁性合金薄帯は、透過電子顕微鏡による組織観察の結果、組織の７０％程度が粒径１２ｎｍ程度の微細な結晶粒からなることが確認された。
【００１８】
次にこの巻磁心をフェノール樹脂製のコアケースに入れ巻線を施し、
５０Ｈｚにおける比初透磁率μｉａｃを測定した。
５０Ｈｚにおける比初透磁率μ
ｉａｃ
が１０００００以上の優れた特性が得られる。
ウ．甲第３号証（特開平７−２７８７６４号公報）
　甲第３号証には、「ナノ結晶合金およびその製造方法ならびにそれを用いた磁心」に関して、以下の事項が図面とともに記載されている。（なお、下線は当審で付与した。）
（コ）「【請求項１】　
一般式：（Fe
1-a
M
a
）
100-x-y-z-b-c-d
A
x
M'
y
M''
z
X
b
Si
c
B
d
(原子％)（式中MはCo,Niから選ばれた少なくとも1種の元素を、AはCu,Auから選ばれた少なくとも1種の元素、M'はTi,V,Zr,Nb,Mo,Hf,TaおよびWから選ばれた少なくとも1種の元素、M''はCr,Mn,Sn,Zn,Ag,In,白金属元素,Mg,Ca,Sr,Y,希土類元素,N,OおよびSから選ばれた少なくとも1種の元素、XはC,Ge,Ga,AlおよびPから選ばれた少なくとも1種の元素を示し、a,x,y,z,b,cおよびdはそれぞれ0≦a≦0.1、0.1≦x≦3、1≦y≦10、0≦z≦10、0≦b≦10、11≦c≦17、3≦d≦10を満たす数である。）で表され、平均結晶粒径が30nm以下である結晶粒が組織の少なくとも一部を占め、比初透磁率が70000以上
であることを特徴とするナノ結晶合金。
【請求項２】　
比初透磁率が100000以上である請求項１に記載のナノ結晶合金
（サ）「【００１１】
本発明合金は、前記組成のアモルファス合金を単ロ−ル法等の超急冷法により作製後、これを磁心の形状に加工し、ある条件範囲内で熱処理を行い平均粒径30nm以下の微結晶を形成することにより作製する。
【００１２】
前記組成のアモルファス合金を、熱処理期間の少なくとも一部の期間に磁場を印加する期間および熱処理冷却期間を有する熱処理により微結晶化するナノ結晶合金の製造方法
　さらに、本発明合金は、磁心損失が低いという特徴や温度特性が良好であるという特徴を合わせ持っており、高周波トランス等の用途に使用できるのはもちろんである。また、高透磁率の特性を生かし漏電警報器に用いる電流センサにも適している。
【００１３】 本発明ナノ結晶合金の薄帯から構成された磁心は従来よりも小型あるいは巻線が少ない高性能のチョ−クコイルやトランスが実現可能である。
【００１４】400℃以上の温度で磁場を印加する時間を30秒以上30分以内、結晶化温度以上で一定温度に保持する期間が存在しない、あるいは一定温度に保持する時間が30分以内とすることにより比初透磁率が70000以上、角形比が30%以下であるナノ結晶合金を製造することができより好ましい結果が得られる。
【００１５】
400℃以上の温度で磁場を印加する時間を30秒以上20分以内とすることにより比初透磁率が100000以上、角形比が30%以下であるナノ結晶合金を製造することができる。
【００１６】
磁場を印加する方向は合金薄帯の幅方向あるいは厚さ方向から多少ずれていても良い
【００１７】合金が板厚15μm以下の薄帯である場合は特に透磁率や磁心損失の周波数特性に優れた特性が実現できる。この場合、
特にコモンモ−ドチョ−ク等ノイズフィルタ用のコアや高周波トランス用コア等に好適である。印加する磁場の強さは形状にもよるが通常は80kA・m
-1
以上である。
（２）対比・判断
ア．本件発明１について
　本件発明１と引用発明（上記（１）ア．参照）とを対比すると、
「Ｆｅ基ナノ結晶合金リボンを巻回したコアであるＦｅ基ナノ結晶合金コア。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
＜相違点＞
　本件発明１は「前記コアのインピーダンス比透磁率μｒｚが、周波数１０ｋＨｚで、９０，０００以上、周波数１００ｋＨｚで、４０，０００以上、かつ、周波数１ＭＨｚで、８，５００以上、である」のに対して、引用発明はコアのインピーダンス比透磁率μｒｚの値について特定されていない点。
　上記相違点について検討すると、甲第２号証には、Ｆｅ基ナノ結晶合金コアに相当する「軟磁性合金薄帯を用いた磁心」において、「５０Ｈｚにおける比初透磁率μｉａｃが１０００００以上」であることは記載されている（上記（１）イ．参照）が、当該磁心のインピーダンス比透磁率μｒｚが「周波数１０ｋＨｚで、９０，０００以上、周波数１００ｋＨｚで、４０，０００以上、かつ、周波数１ＭＨｚで、８，５００以上」であることは記載されていない。
　また、甲第３号証にも、Ｆｅ基ナノ結晶合金に相当する「ナノ結晶合金」に関して、「比初透磁率が100000以上である」であるという記載はあるものの（上記（１）ウ．参照）、インピーダンス比透磁率μｒｚが「周波数１０ｋＨｚで、９０，０００以上、周波数１００ｋＨｚで、４０，０００以上、かつ、周波数１ＭＨｚで、８，５００以上」であることは記載されていない。
　ところで、本件特許の明細書には「本発明者は、Ｆｅ基非晶質合金を熱処理により微結晶化（ナノ結晶化）させる際、その昇温期間中の特定温度範囲内に限定して磁場を印加することにより、周波数１０ｋＨｚから１ＭＨｚの広い帯域において、高いインピーダンス比透磁率μｒｚを有するＦｅ基ナノ結晶合金コアが得られることを見出し、本発明に到達した。」（【００１５】）と記載されており、具体的には、本件発明４の発明特定事項である「示差走査熱量計での結晶化開始温度の２５℃高温から結晶化開始温度の６０℃高温までに相当する昇温期間中の温度範囲内に限定して」磁場を印加することによって、上記相違点に係るインピーダンス比透磁率μｒｚを実現している。そこで、Ｆｅ基ナノ結晶合金コアの製造方法の観点から上記甲第１号証ないし甲第３号証の記載を検討すると、いずれの文献にも「示差走査熱量計での結晶化開始温度の２５℃高温から結晶化開始温度の６０℃高温までに相当する昇温期間中の温度範囲内に限定して」磁場を印加することは記載されていないから、甲第１号証ないし甲第３号証に記載のＦｅ基ナノ結晶合金あるいはＦｅ基ナノ結晶合金コアが、上記相違点に係るインピーダンス比透磁率μｒｚを有していることが自明であるということもできない。
　したがって、本件発明１は、甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　なお、特許異議申立人は、特許異議申立書の第１２頁において、「このとき、「結晶化開始温度の２５℃高温から結晶化開始温度の６０℃高温までに相当する昇温期間中の温度範囲内に限定する」ことは、本件特許明細書の［実施例］等において作用効果が何ら示されておらず、単なる設計事項に過ぎません。」と主張しているが、本件特許明細書の上記【００１５】に記載されているように、「昇温期間中の特定温度範囲内に限定して磁場を印加することにより、周波数１０ｋＨｚから１ＭＨｚの広い帯域において、高いインピーダンス比透磁率μｒｚを有するＦｅ基ナノ結晶合金コアが得られることを見出した」ものであるから、当該温度範囲に限定することに作用効果はなく、単なる設計事項にすぎないという特許異議申立人の上記主張を採用することはできない。
イ．本件発明４について
　上記ア．で述べたとおり、甲第１号証ないし甲第３号証のいずれにも、本件発明４の発明特定事項である「示差走査熱量計での結晶化開始温度の２５℃高温から結晶化開始温度の６０℃高温までに相当する昇温期間中の温度範囲内に限定して」磁場を印加することは記載されていない。
　また、上記ア．で述べたとおり、特許異議申立書における「このとき、「結晶化開始温度の２５℃高温から結晶化開始温度の６０℃高温までに相当する昇温期間中の温度範囲内に限定する」ことは、本件特許明細書の［実施例］等において作用効果が何ら示されておらず、単なる設計事項に過ぎません。」という特許異議申立人の主張を採用することはできない。
　したがって、本件発明４は、甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
ウ．本件発明２ないし３、５ないし８について
　本件発明２ないし３は本件発明１の発明特定事項を全て含み、また、本件発明５ないし８は本件発明４の発明特定事項を全て含むものであるから、上記ア．及びイ．で述べたのと同様の理由で、本件発明２ないし３、５ないし８は、甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
（３）まとめ
　以上のとおりであるから、請求項１ないし８に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるということはできない。
第５　むすび
　したがって、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１ないし８に係る特許を取り消すことはできない。　
　また、他に請求項１ないし８に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成３０年２月２７日（２０１８．２．２７）