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　特願２００４−３５８９９９「薄膜トランジスタ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　１月１９日出願公開，特開２００６−　１９６８９〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１６年１２月１０日（優先権主張　２００４年６月３０日，韓国）の出願であって，平成１９年２月５日付けで拒絶理由通知がされ，平成１９年５月１４日に意見書及び手続補正書が提出され，平成１９年１０月４日付けで拒絶理由通知がなされ，平成２０年１月９日に意見書が提出されたが，平成２０年１月３０日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，平成２０年５月７日付けで審判が請求されるとともに，同日付で手続補正書が提出されたものである。その後，平成２２年６月１０日付けで審尋がされ，これに対し，平成２２年９月１０日に回答書が提出された。
　
第２　平成２０年５月７日に提出された手続補正書（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定。
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容と補正目的の適否
（１）本件補正は，補正前の請求項１〜３４を，補正後の請求項１〜１７に補正するものであり，特許請求の範囲の限定的減縮ないし請求項の削除を目的とするものと認められる。
　そのうち，補正後の請求項１７の記載は，次のとおりである（下線部が補正箇所である）。なお，請求項１７は，補正前の請求項２６を補正するものである。
　
〔補正後の請求項１７〕（補正発明）
「【請求項１７】
　基板上に非晶質シリコン層を形成する段階と，
　前記非晶質シリコン層を
キャッピング層を用いる
　前記半導体層パターン上にゲート絶縁膜を形成する段階と，
　前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する段階と，
　を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」
　
２　独立特許要件について
（１）上述のように，請求項１７は，補正前の請求項２６を限定的に減縮するものである。
　そこで，以下において，本件補正後の請求項１７に係る発明（以下「補正発明」という。）が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するかどうか）について，検討する。
　
（２）引用例１の記載事項及び引用発明
　　ア　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先日前に外国において頒布された刊行物である韓国公開特許第２００３−００６０４０３号公報（以下「引用例１」という。）には，図１〜図１１とともに，次の記載がある。（引用は訳文による。下線は当審で付加したものである。）
　　（ア）発明の属する分野及び従来技術について
・「
本発明は，アモルファスシリコンの結晶化方法に関する
多結晶シリコンを用いたトランジスター素子は，ほとんどのアクティブマトリックス液晶ディスプレイ（AMLCD：Active Matrix Liquid Crystal Display）の能動素子の電気発光（electro-luminescence）素子のスイッチング素子及び周辺回路に使用されている
多結晶シリコンを使用している薄膜トランジスター
・「現在の金属を使用した，アモルファスシリコンを再結晶化する方法については，固相結晶化（solid phase crystallization）よりも低い温度で短時間で結晶化させることができる長所を持っているので，さかんに研究されている。
金属を用いた結晶化の方法は，金属誘導結晶化
による方法
と金属誘導横方向結晶化
に区分される
しかし，金属を用いた場合，薄膜トランジスター素子の金属汚染でデバイス特性が低下する
　
　　（イ）発明が解決しようとする課題について
・「
本発明は，アモルファスシリコン薄膜の上にカバー層（窒化膜，絶縁膜，または有機膜）を形成させ，その上に金属薄膜層を蒸着し
熱処理，レーザーを用いて微量の金属をカバー層
の絶縁膜を通して拡散させ，アモルファスシリコンの金属誘導結晶化の方法として，金属薄膜層をアモルファスシリコンと直接接触することなく結晶化することができるので，金属汚染を減らし，均一な粒子サイズを持つ多結晶シリコン薄膜を得ることができ，清潔で平らな表面を持つ多結晶シリコン薄膜を得ることを目的としている
　
　　（ウ）発明の構成と作用について
・「
上記のような目的を達成するための本発明による多結晶シリコン薄膜を得るための方法の特徴は，窒化膜，酸化膜や有機膜などのカバー層を形成させて金属誘導結晶化させることができることである
　
本発明の実施例として，図1は，カバー層を用いたアモルファスシリコンの金属誘導結晶化の方法でアモルファスシリコンを結晶化させるための断面構造である
ガラス基板（42）の上にシリコン酸化膜のような物質でバッファー層（35）を形成し，化学気相蒸着（Chemcal Vapor Deposition）方法で，アモルファスシリコン薄膜（12）を50 nm蒸着した
続いて，アモルファスシリコンの上にカバー層として窒化膜（36）を150nm形成した後，スパッタ（Sputter）を利用して，金属薄膜（31）を蒸着した
　
図2は，カバー層を用いたアモルファスシリコンの金属誘導結晶化の方法で結晶化された多結晶シリコン薄膜の最終的な断面構造である
カバー層（図1の36）と金属薄膜（図1の31）は，結晶化の後にエッチング（etching）で排除することで，アモルファスシリコンの金属誘導結晶化した多結晶シリコン薄膜に必要以上の金属汚染を防ぐことができる
このように，カバー層を用いることで，金属とアモルファスあるいは多結晶シリコン薄膜との直接接触を防ぐことができ，平坦度が優れた多結晶シリコン薄膜（41）を得ることができ
・「
図4は，カバー層に窒化膜（SiNx）を利用した，非晶質シリコンの金属誘導結晶化膜を500倍に拡大した光学顕微鏡写真である
結晶化するための構造は，窒化膜（60 nm）/アモルファスシリコン薄膜（50 nm）/酸化膜（100 nm）/ガラス基板である
図4A，図4B，図4Cは，それぞれのカバー面のニッケル金属を面積当たり5 × 10
12
cm
-2
，8 × 10
12
cm
-2
，1 × 10
13
cm
- 2
で形成させた後，500℃で5分間，事前熱処理パルス−急速熱処理方法で，750℃で20秒間維持させて20回連続で決定された多結晶シリコン薄膜のグレイン（11）のサイズと粒子の境界（21）を示している
　
図5と図6は，カバー層を用いた金属誘導結晶化の方法を図式化した図である
カバー層（36）の上に金属薄膜（31）を形成し，200℃から800℃以下の温度での熱処理やレーザーを利用して，図5B，あるいは図6Bのように微量の金属をアモルファスシリコン薄膜（12）内に拡散させ，金属シリサイド（MSi2）沈殿物（または核）（33）を形成させる
図5Cと図6Cは，400℃から1300℃以下の温度で熱処理をすると，核から横に成長して，隣のグレイン（11）と会うことになってグレインの境界（21）を形成して完全に結晶化される
・「
本発明の他の実施例では，カバー層の厚さの異なる２つの部分に形成し，アモルファスシリコンを結晶化することができる
これらの例を図9に示した。図示したように，絶縁基板（42）の上部にバッファー層（35）を形成し，その上にアモルファスシリコン（12）を形成する
続いて，アモルファスシリコンの上にカバー層を形成するために，カバー層は，シリコン酸化膜やシリコン窒化膜を行うことができる
ここで，カバー層は，第1の厚さを持つ第1の部分と，上記第1の部分よりも厚い厚さを持つ第2の部分になされるが，第1の部分は，単一の膜で構成し，第2の部分は二重膜で構成することができる
の時，第2部の下部膜と上部膜は，同じ材料で構成することができ，他の材料で構成することもでき
　
図10はカバー層（36）の上に金属層（31）を部分的にパターンをして，アモルファスシリコン（12）の金属誘導結晶化する方法を示す
　
　　（エ）発明の効果
・「本発明は，アモルファスシリコン薄膜を金属誘導結晶化の方法で多結晶シリコン薄膜を作成することは，大きな問題となっている金属汚染を低減し，均一で平坦な多結晶シリコン薄膜を得るための新しい技術である。
カバー層を使用することにより，金属薄膜層は，アモルファスシリコンの表面と直接接触することなくカバーの面に蒸着され，カバー層を通って拡散される微量の金属のみがアモルファスシリコンの金属誘導結晶化の核として形成され，質の高い多結晶シリコン薄膜を得ることができるている
　カバー層上に金属（M）を蒸着後，微量の金属がカバー層を介してアモルファスシリコン薄膜に拡散されるため，必要以上の金属汚染を防ぐことができ，均一で平坦な多結晶シリコン薄膜を作ることができるので，レーザー技術に置き換わる新しい方法である。
本発明による多結晶シリコンは，フラットパネルディスプレイ，太陽電池，半導体素子などの製造に応用することができる
　
　　（オ）特許請求の範囲について
・「請求項１
　
絶縁基板上にアモルファスシリコンを蒸着する段階
　
上記のアモルファスシリコン上にカバー層を形成する段階
　
上記カバー層上部に金属を蒸着する段階
　
上記のアモルファスシリコンを結晶化し，多結晶シリコンを形成するための手順を含むアモルファスシリコンの結晶化方法
・「請求項２９
　第１項ないし第２８項において，
上記カバー層上部に写真エッチング技術の方法で金属を部分パターンにする
　
　　イ　以上の記載によれば，引用例１には，次の発明が記載されている（以下，この発明を「引用発明」という。）。
　
「基板（４２）上にアモルファス（非晶質）シリコン層（２３）を形成する段階と，／このアモルファス（非晶質）シリコン層（１２）をカバー層（３６）を用いる金属誘導結晶化法により結晶化し，薄膜トランジスタのチャネル層となる半導体層を形成する段階と，／を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」
　
　　ウ　なお，図９に着目して引用例１の上記記載を読むと，引用例１には，「カバー層（３６）」を，厚さが厚い部分と薄い部分とから構成する実施例が示されていることが分かる。図９によれば，「カバー層（３６）」の薄い部分は「溝」となっていることが見て取れる。
　
（３）補正発明（請求項１７に係る発明）の容易想到性について
　　ア　補正発明を再掲すると，次のとおりである。
「基板上に非晶質シリコン層を形成する段階と，
　前記非晶質シリコン層をキャッピング層を用いるＳｕｐｅｒ　Ｇｒａｉｎ　Ｓｉｌｉｃｏｎ（ＳＧＳ）結晶化法によって結晶化し，パターニングしてチャンネル層に結晶粒境界が一つ存在する半導体層パターンを形成する段階と，
　前記半導体層パターン上にゲート絶縁膜を形成する段階と，
　前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する段階と，
　を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」
　
　　イ　補正発明と引用発明の対比
　補正発明と引用発明を対比すると，補正発明における「Ｓｕｐｅｒ　Ｇｒａｉｎ　Ｓｉｌｉｃｏｎ（ＳＧＳ）結晶化法」とは，本願明細書【００６４】の記載によれば，「金属触媒の選択的な核酸によってシードを形成させて結晶化することによって結晶粒の大木債及び結晶が成長する位置，方向を調整することができる結晶化法」のことであるから，引用発明の「金属触媒誘導結晶化法」も同じである。また，引用発明の「カバー層」は，補正発明３のキャッピング層」に相当する。
　そうすると，両者の相違点と一致点は，次のとおりである。
　
（一致点）
「基板上に非晶質シリコン層を形成する段階と，
　前記非晶質シリコン層をキャッピング層を用いるＳｕｐｅｒ　Ｇｒａｉｎ　Ｓｉｌｉｃｏｎ（ＳＧＳ）結晶化法によって結晶化し，薄膜トランジスタのチャンネル層となる半導体層を形成する段階と，
　を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」
  　
（相違点１）
　補正発明は，結晶化した半導体層を「パターニングしてチャンネル層に結晶粒境界が一つ存在する」ようにしたものであるのに対し，引用例１には結晶粒界が存在することは記載されているものの，それ以上の記載がないため，引用発明では，チャネル層と結晶粒界との関係がどのようになっているのか不明な点。
　
（相違点２）
 補正発明は，「半導体層パターン上にゲート絶縁膜を形成する段階と，前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する段階」を含むのに対し，引用発明は，ゲート絶縁膜やゲート電極の形成について明示がない点。
　
　　ウ　相違点についての検討
　　（ア）相違点１について
　薄膜トランジスタを形成する場合，チャンネル層となる半導体層をパターニングすることが行われるが，電流の通路となるチャンネル層の中に，結晶粒と結晶粒の境界（粒界）が存在すると，薄膜トランジスタの特性が悪化することから，なるべく粒界を避けて結晶性の良い部分を残すようにパターニングする技術が知られている（原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平８−２９８３２６号公報（以下「引用例２」という。）の図６，図８，【００７０】，【００８４】，【００８５】，【０１４５】〜【０１４８】）を参照のこと。）。
　補正発明は，結晶化した半導体層を「パターニングしてチャンネル層に結晶粒境界が一つ存在する」ようにしたものであるが，上記のように，チャンネル層の中に粒界が存在しないことが望まれるものの，粒界が一つでも存在すると薄膜トランジスタが動作しないということでは必ずしもないことも当業者に自明である。現に，原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平６−８５２２０号公報（以下「引用例３」という。）には，チャンネルの中央に粒界の形成された薄膜トランジスタが開示されている（図１（ａ）〜（ｆ），【００１４】〜【００１８】の記載を参照のこと。）。
　そうすると，引用発明において，結晶化した半導体層を「パターニングしてチャンネル層に結晶粒境界が一つ存在する」ようにすることは，当業者が必要に応じてなし得る技術的な設計事項といえる。
　したがって，相違点１の構成とすることは，当業者にとって容易であったと判断される。
　                                            
　　（イ）相違点２について
　引用例１には記載はないものの，結晶化した半導体層を用いて薄膜トランジスタを製造する場合，ゲート電極を埋め込む等の特別の事情がない限り，通常，「半導体層パターン上にゲート絶縁膜を形成する段階と，前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する段階」が必要となることは，当業者にとって明らかである。
　したがって，相違点２の構成は，引用例１の記載に接した当業者が直ちに想起し得ることである。
　
　　エ　以上の次第で，補正発明は，引用発明及び引用例２，３の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　　オ　なお，審判請求人は，平成２２年９月１０日に提出された回答書において，補正後の請求項１７の「キャッピング層」を更に「溝部が形成されたキャッピング層」に補正する補正案を提示しているが，上記２（ウ）で指摘したように，引用例１には，「カバー層（３６）」（補正発明の「キャッピング層」に相当する。）に溝部が形成されたものが開示されているから，この補正案によっても，上記結論は変わらない。
 　
３　以上のとおり，補正発明は独立特許要件を満たさないから，本件補正は，特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
１　以上のとおり，本件補正は却下されたところ，本件補正前の請求項２６に係る発明（以下「本願発明」という。）は，平成１９年５月１４日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項２６に記載された，次のとおりのものである。　
 「【請求項２６】
　基板上に非晶質シリコン層を形成する段階と，
　前記非晶質シリコン層をＳｕｐｅｒ　Ｇｒａｉｎ　Ｓｉｌｉｃｏｎ（ＳＧＳ）結晶化法によって結晶化し，パターニングしてチャンネル層に結晶粒境界が一つ存在する半導体層パターンを形成する段階と，
　前記半導体層パターン上にゲート絶縁膜を形成する段階と，
　前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する段階と，
　を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」
　
２　引用例１の記載事項及び引用発明
　引用例１の記載事項及び引用発明は，前記「第２，２（２）ア，イ」で認定したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明（補正前の請求項２６に係る発明）は，前記第２で検討した補正発明（補正後の請求項１７に係る発明）から，「キャッピング層を用いる」との構成をなくしたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定した補正発明が，前記「第２，２（３）」で検討したとおり，引用発明及び引用例２，３の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものである。したがって，本願発明は，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
３　結言
　以上のとおりであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。