【事件の表示】
　平成８年特許願第２３０２７９号「情報担体」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年１０月７日出願公開、特開平９−２６５６５９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成８年８月３０日（優先権主張　1995年（平成７）年9月1日 スイス国(CH)　及び　1996年（平成8年）7月1日 米国(US)）の出願であって、その請求項１ないし２７に係る発明は、平成２２年２月２３日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２７に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　
　そして、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　「【請求項１】　固体材料界面（３ｏ、３ｕ）を少なくとも２つ備え、前記界面において情報が書込まれておりまたは書込まれることが可能であって、一度書込まれた情報（７）は固体材料の少なくとも一つの特性の局部変調によって保存され、前記界面における電磁波（９）の反射は前記固体材料の前記特性に依存し、２つの前記固体材料界面（３ｏ、３ｕ）の間において少なくとも一つの中間層システム（３）をさらに備え、前記中間層システム（３）は前記電磁波を透過させ、前記情報は所定の波長の電磁波によって前記固体材料界面（３ｏ、３ｕ）から読出し可能であり、前記中間層システム（３）は前記界面の一つ（３ｕ）の誘電体干渉層（１）を含み、前記誘電体層（１）は前記界面の一つ（３ｕ）における前記電磁波の反射率（Ｒ２）を支配しかつ前記電磁波を透過し、前記誘電体干渉層（１）の光学的厚さＤＧはＤＧ＝ｍ・λ０／４であって、（ｍ０−０．６）≦ｍ≦（ｍ０＋０．２）かつｍ０≧１であり、ｍ０は奇数で、λ０は前記誘電体層（１）を透過する前記電磁波（９）の波長を表す情報担体。」
　
２．当審が通知した拒絶理由
　当審が通知した拒絶の理由は、本願明細書の記載が不備であるため、特許法第３６条第４項及び第６項に規定する要件を満たしていないというものであり、具体的には次の事項を指摘した。
　
　請求項１において、「誘電体層は前記界面の一つにおける前記電磁波の反射率を支配しかつ前記電磁波を透過し、前記誘電体干渉層はｍ・λ０／４の原則に従うと考えられているものであって、ｍは１以上の奇数で、λ０は前記誘電体層を透過する前記電磁波の波長を表し、実際には前記誘電体層の厚さは整数のｍからずらされて最大で０．６だけ減少させた値または最大で０．２だけ増大させた値で規定される厚さ」であることは、発明を特定するために必要な事項であって、１層目からの反射光と２層目からの反射光の強度をほぼ同じレベルとするための条件であると認められる。
　しかしながら、干渉層として作用するのであれば、層の厚さがｍ・λ０／４の式から、大きく外れることは考え難く、本願発明において奇数の整数であるべきｍの値が、０．６まで小さくしても、電磁波の反射率を支配し、干渉層として作用しているとする根拠が不明である。
　したがって、本願明細書の発明の詳細な説明は、発明特定事項と、解決すべき課題との関係について、当業者が理解できる程度に記載されていない。（36条4項の省令事項違反）
　また、本願明細書の発明の詳細な説明において、表7以外に記載された層の厚さは請求項１における層の厚さの条件を満たしておらず、表７以外には層の厚さと使用する波長、反射率との関係について記載されていないから、請求項１に記載された発明（及び、請求項１を引用する各請求項に係る発明）は、発明の詳細な説明に記載された発明であるということはできない。（36条6項１号違反）
　
３．当審の判断
　上記の記載不備が、平成２２年２月２３日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）により解消したか、以下、検討する。
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１が補正されているが、請求項１以外の特許請求の範囲、発明の詳細な説明及び図面は補正されていない。
　そこで、本願明細書の発明の詳細な説明（平成１８年７月３１日付け手続補正による補正後）の記載事項について検討する。
　本願明細書の発明の詳細な説明には、誘電体（干渉）層の厚さについて、次の事項が記載されている。
　（以下、下線は当審で付加した。）
　
　「【0017】さらに、上述の目的の少なくとも一部分は、情報担体であって、固体材料界面を少なくとも２つ備え、該界面において情報が書込まれておりまたは書込可能であってかつ少なくとも１つの固体材料の特性を局部変調することによって情報が保持され、該界面での電磁波の反射は該固体材料の特性に依存し、該２つの固体材料界面の間に少なくとも１つの中間層をさらに備え、該中間層は電磁波を透過し、さらに、該固体材料界面の少なくとも１つから読出可能である情報は予め定められた波長の電磁波を用いて読出すことができ、該中間層は少なくとも１つの層を有する中間層システムを含み、該
中間層システムは少なくとも原則的にはｍ・λ
０
／４（ここで、ｍは、１以上の奇数の整数であり、λ
０
 は該中間層システムの少なくとも１つの誘電層を介して透過される電磁波の波長を示す）である光学的厚さＤを有する情報担体
【0018】そして、
ｍは、その整数値よりも０．６だけ小さい値、または０．２だけ大きい値まで変更され得る
　「【0056】層１を実現するためのメタリック層の周知の応用に反して、特に好ましくはＳｉxＣyおよび／またはＳｉvＮwからなり、さらに好ましくはＳｉxＣyＨzおよび／またはＳｉvＮwＨuからなる本発明で与えられる
層１は干渉を利用しており、層１の光学的厚さＤは、原則的にはＤ＝ｍ・λ
０
／４が成り立ち、ここで、ｍは少なくとも１で奇数の整数であるが、この整数から０．６までの分だけ減らしてもよく、０．２までの分だけ増やしてもよい
【0057】したがって、
光学的厚さＤ＝ｍ・λ
０
／４がｍを０．６までの分だけ減らすかまたはｍを０．２までの分だけ増やすかに従って変化し得るため、反射率Ｒ2は、ジオメトリの厚さＤ
G
＝ｍ／ｎ・λ
０
／４（ｎ：屈折率）に関してあまり決定的ではなくなる
【0058】
したがって、Ｄ
G
（層の厚さ）を、整数の値のｍに従うよりもかなり小さく選択することができ
　（ｉ）　反射率はあまり低減されず、
　（ｉｉ）　透過率はかなり増大される。
【0059】厚さ（ＤG）を低減した層を与えることができれば、さらに経済的な製造（フィードスルーの増加）がかなり促進される。
【0060】一般的に反射率がＤGに関して決定的でないため、層を形成する際にその厚さを制御するための努力がかなり少なくて済むようになる。
【0061】透過率Ｔ2はビーム９OUT2で２次項として表われるため（図１参照）、Ｔ2が増加すると、ビーム９OUT1および９OUT2でのエネルギ比が大きく向上され、等しくなる。上述のように、透過率Ｔ2 は、ビーム９OUT2でのエネルギ出力において２次項となる。したがって、既にジオメトリの厚さがわずかに低減されていれば、このビームが大幅に向上する。
【0062】さらに、固体材料界面３Oに沿った反射の一様性または分布は、材料２u上の層１の厚さＤGの分布または変動にあまり依存しなくなり、これは、層１を堆積するための方法に関して、かなりの利点となる。
【0063】特に光学情報担体のためのスペーサ層５は、好ましくは、その表面が構造を有するラッカー、たとえばフィリップス社のラッカー「２Ｐ」によって構成され得るラッカー、すなわち、紫外線放射（λs ＜４００ｎｍ）によって硬化され得るラッカーによって形成される。
【0064】本発明の層１は、本質的に、紫外線の範囲内では高い透過率（低い吸収率）を有し、これは、反射率にあまり影響を及ぼすことなく層１のジオメトリの厚さＤGを低減することによってさらに向上され得る。したがって、紫外線の範囲の電磁波に対する透過率は少なくとも１０％となる。特に光学情報担体における中間層３は、材料２uとしてのプラスチック材料の上、特に、その表面が構造を有するポリカーボネートまたはＰＭＭＡ上に通常堆積される。」
　「【0102】(iv)
考慮される電磁波の波長に関する奇数個の４分の１波長に実質的に一致する光学的厚さの層１を堆積させることによって、反射率は、中間層の正確なジオメトリの厚さに関してあまり決定的ではなくなり、さらに、光学的厚さのλ
０
／４の奇数の整数ｍによって規定される厚さに対し、ｍを（ｍ−０．６）に減らした厚さの層１を堆積させることによって、その層の透過率を増加させることができるようになる
　「【0127】以下に示す表７は測定結果および計算結果を示しており、反射率Ｒおよび透過率Ｔの測定は、コーニング（corning ）テスト基板上のペルキン・エルマー（Perkin Elmer）社のラムダ（Lambda）−９スペクトル測光器によって行なった。Ｒ−Ｔの測定値から、ｎおよびｋの値を計算した。ｎおよびｋの値から、スタック内で有効な両方の情報保持界面からの可能な最も高い信号Ｓ1およびＳ2に対する光学的厚さを、上述のFilm＊Starプログラムを用いて計算した。可能な最も高い信号を与える最適なインデックスは、ＳｉＣに関しては、ｎ＝３．９７とｎ＝２．８１との間である。ｎ＝３．１３およびｋ＝０．０６の場合、信号Ｓ1＝Ｓ2＝３２．２％が得られ、これはすなわち、Ａｌを高反射裏面層として用いた場合の理論上の限界よりも２．４％だけ低いものである。」
　
　ところで、本件補正により、特許請求の範囲の請求項１における誘電体（干渉）層の「厚さ」は「光学的厚さＤＧはＤＧ＝ｍ・λ０／４」と補正されたが、発明の詳細な説明では、「ジオメトリの厚さＤＧ＝ｍ／ｎ・λ０／４（ｎ：屈折率）」（段落[0057]）「光学的厚さＤ＝ｍ・λ０／４」（段落[0017]、[0056]）と記載されているところからみて、「光学的厚さＤＧはＤＧ＝ｍ・λ0／４」は「光学的厚さＤはＤ＝ｍ・λ０／４」の誤記と認める。
　また、「（ｍ０−０．６）≦ｍ≦（ｍ０＋０．２）かつｍ０≧１であり、ｍ０は奇数、λ０は前記誘電体層（１）を透過する前記電磁波（９）の波長を表す」は補正前の「ｍは１以上の奇数で、λ０は前記誘電体層を透過する前記電磁波の波長を表し、実際には前記誘電体層の厚さは整数のｍからずらされて最大で０．６だけ減少させた値または最大で０．２だけ増大させた値」と実質的に異なるものではない。
　そして、補正前の層の厚さは、ｍ・λ０／４の原則に従うのであるから、光学的厚さを意味するものであって、本件補正によって請求項１における誘電体（干渉）層の「厚さ」の範囲は、実質的に変更されていない。
　
　請求人は、当審拒絶理由通知に対する意見書において、次のとおり主張している。
　「まず、拒絶理由通知の項目（１）に関して、ここでｍは奇数、すなわちｍ＝１、３、５などです。この条件が満たされる場合に、反射が最大となります。例えば補正後の本願請求項１におけるようにｍの範囲を選択することによってこの条件から偏倚すれば、反射は最大ではなくなりますが、その最大に近いいずれかになります。
　ここで、本願発明の意図は干渉に関する条件をクレームすることではなくて、情報担体の反射を制御することであることが認識されるべきでしょう。この意味において、補正後の請求項１に記載の発明は当業者にとって明瞭であり、明細書は当業者がその発明を実施し得るように十分明瞭に開示していると確信されます（ただし、明細書の開示において、周知な技術的事項の記載は省略されていることもあります）。
　本願発明は誘電体層（１）の最適化を意図していますが、それは厚さに関するだけでなく、他の種々のパラメータを制御することによっても最適化され、例えば、材料、ドーピングガス、プロセスガスなどの選択によって屈折率ｎおよび消衰係数ｋの値の選択による制御がなされます。ここで、層の光学的厚さは、その層の幾何学的厚さに加えて、材料の光学的特性、特に屈折率ｎにも依存することに留意すべきでしょう。
　明細書中の表７では、（測定されたおよび計算された）厚さが赤と青のレーザのための異なるバッチに関して変化したとしても、信号強度が両界面Ｓ１とＳ２についてほぼ等しくなることを示すことが意図されています。厚さの変動を最小にするとともに屈折率の対応する適合化によって、製造コストが低減され、これは明細書の導入部における本発明の目的に対応しています。本発明では、幾何学的厚さに対する反射の依存性が、屈折率ｎおよび消衰係数ｋに対する依存性に比べて重要でないことが示されています。
　少なくとも上述の理由によって、補正後の本願発明の特徴事項が当業者にとって明瞭であると確信されます。」
　
　しかし、誘電体（干渉）層の厚さが、干渉を利用する（段落[0056]）以上、その光学的厚さはｍ・λ０／４から多少（ｍの範囲が、例えば±０．２程度）偏倚しても反射率に大きな変化がないことは理解できるが、０．６も偏倚した場合に、干渉の条件が成り立つか不明であるところ、この点について、発明の詳細な説明には何ら記載されていない。
　また、光学的厚さＤがｍを０．６まで減らすか０．２まで増やすかにしたがって変化しうると、反射率Ｒ2がジオメトリの厚さＤＧに関して決定的でなくなる（段落[0057]、[0102]）のはなぜか、その理由について記載されておらず、不明である。
　屈折率ｎが大きい材料を用いれば、誘電体層のジオメトリの厚さ（幾何学的な厚さ）ＤＧ（ＤＧ＝ｍ／ｎ・λ０／４（ｎ：屈折率））を薄くすることができ、誘電体層の製造コストが低減されるとともに透過率が増加することは理解できるが、光学的厚さＤ（Ｄ＝ｍ・λ０／４）はｎの影響を受けないから、なぜｍの値を奇数値から０．６も減らしても干渉に影響しないのか、不明である。
　
　更に、ｍ０＝１とすれば、λ０＝６３３ｎｍの場合、０．４≦ｍ≦１．２であるから、光学的厚さの範囲は６３．３ｎｍ（０．４×６３３／４）≦ＤＧ≦１８９．９ｎｍ（１．２×６３３／４）であり、λ０＝４５０ｎｍの場合には、４５．４ｎｍ（０．４×４５０／４）≦ＤＧ≦１３５ｎｍ（１．２×４５０／４）となるが、本願明細書の発明の詳細な説明において、表７に記載されているバッチ6、12、42、45について見ると、光学的厚さ（計算値）は、６３３ｎｍの場合、それぞれ、１５．２ｎｍ、４８ｎｍ、１８．５ｎｍ、５６．３ｎｍであり、４５０ｎｍでは、バッチ４２で９．２ｎｍ、バッチ４５で３４ｎｍであって、いずれも、請求項１に記載された発明を特定する事項の範囲外である。
　そして、表７以外には、誘電体層の厚さについて具体的に記載されていない。
　
　そうすると、本願発明が誘電体干渉層が干渉作用を利用する以上、誘電体層の光学的厚さを大幅に減じた場合、記録担体が所期の特性を発揮しうるか否か、不明であるから、本願明細書の発明の詳細な説明は、発明特定事項と、解決すべき課題との関係について、当業者が理解できる程度に記載されているとすることはできない。
　
　したがって、本願明細書の発明の詳細な説明は、経済産業省令で定めるところにより、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるということはできないから、本願は特許法第３６条第４項の規定に適合しない。
　また、本願発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではないから、特許を受けようとする発明は、発明の詳細な説明に記載されたものであるということはできないから、本願は特許法第３６条第６項第１号の規定に適合しない。
　
　なお、誘電体層の屈折率ｎや消衰係数ｋが層の光学的特性に影響するとしても、請求項１には、発明を特定する事項として記載されていないから、請求人の上記主張を採用することはできない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本件出願は、特許法第３６条第４項及び同条第６項第２号に規定する要件を満たしていないから、特許法第４９条第４号の規定により、拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。