【事件の表示】
　平成１１年特許願第２６１９２５号「窒化物半導体発光素子の実装方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　３月３０日出願公開、特開２００１−　８５７４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
第１　手続の経緯 
　
　本願は、平成１１年９月１６日の出願であって、平成２１年１１月５日付け及び平成２２年３月１８日付けで手続補正がなされたが、同年５月２１日付けで平成２２年３月１８日付け手続補正が却下されるとともに同日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年８月３日に拒絶査定不服審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである（以下、平成２２年８月３日になされた手続補正を「本件補正」という。）。 
　
第２　本件補正についての却下の決定 
　
１　結論 
　
　本件補正を却下する。 
　
２　理由 
　
（１）補正の内容 
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１につき、補正前（平成２１年１１月５日付けの手続補正後のもの。）の 
「基板上にｎ型及びｐ型窒化物半導体層を積層し、上記ｐ型窒化物半導体層上には概ね全面に拡がる拡散用第１正電極とその上面の一部に形成されたボンディング用第２正電極を備える一方、上記ｐ型窒化物半導体層を除去して露出させた上記ｎ型窒化物半導体層上に負電極を設け、第１正電極及び第２正電極と上記負電極とを無機絶縁層で分離絶縁した窒化物半導体発光素子を、第２正電極及び上記負電極を配線基板上の配線用電極に対向させ導電性材料を用いて接続するフェイスダウン型の窒化物半導体発光素子の実装方法において、上記配線用電極上に銀を含有しないペースト状の
接合材料
接合材料
接合材料
を 
「基板上にｎ型及びｐ型窒化物半導体層を積層し、上記ｐ型窒化物半導体層上には概ね全面に拡がる拡散用第１正電極とその上面の一部に形成されたボンディング用第２正電極を備える一方、上記ｐ型窒化物半導体層を除去して露出させた上記ｎ型窒化物半導体層上に負電極を設け、第１正電極及び第２正電極と上記負電極とを無機絶縁層で分離絶縁した窒化物半導体発光素子を、第２正電極及び上記負電極を配線基板上の配線用電極に対向させ導電性材料を用いて接続するフェイスダウン型の窒化物半導体発光素子の実装方法において、上記配線用電極上に銀を含有しないペースト状の
異方性導電性接着剤
異方性導電性接着剤
異方性導電性接着剤
に補正する内容を含むものである。 
　
（２）補正の目的
　上記（１）の補正の内容は、補正前の請求項１の「接合材料」を「異方性導電性接着剤」に補正するものであって、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法第１条による改正前の特許法（以下「平成１４年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　
（３）独立特許要件についての検討 
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、前記（１）において、本件補正後のものとして示したとおりのものと認められるところ、本願補正発明が、独立して特許を受けることができるものであるか（平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。 
　
ア　刊行物の記載  
（ア）引用例１ 
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された特開平１０−１０７３２５号公報（以下「引用例１」という。）には、以下の記載ａ及びｂがある。（下線は当審にて付した。）   
ａ　「【００１９】具体的な発光装置の一例として、チップタイプＬＥＤを図２に示す。
チップタイプＬＥＤ
窒化ガリウム系半導体を用いたＬＥＤチップ
ＬＥＤチップの各電極と筐体に設けられた
【００２４】また、
フェースダウンＬＥＤチップなどによりマウント・リードと接着させると共に電気的に接続させるためにはＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ、カーボン、ＩＴＯなどを利用した導電性ペーストや金属バンプ等を用いることもできる。
　
ｂ　「【００４３】（マウント・リード１０５）
マウント・リード１０５は、ＬＥＤ１０２チップを配置させる
　 
ｃ　引用発明  
（ａ）上記ａ及びｂによれば、引用例１には、次の発明が記載されているものと認められる。  
「窒化ガリウム系半導体を用いたチップタイプＬＥＤの各電極と、チップタイプＬＥＤチップを配置させるために筐体に設けられたマウント・リードとを、フェースダウン形式で接着させると共に電気的に接続させるためにＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ、カーボン、ＩＴＯなどを利用した導電性ペーストを用いた、窒化ガリウム系半導体を用いたチップタイプＬＥＤの各電極と筐体に設けられたマウント・リードとを電気的に接続させる方法。」（以下「引用発明１」という。）
　
（イ）引用例２ 
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された特開平１１−９７７４２号公報（以下「引用例２」という。）には、以下の記載ａ及びｂがある。   
ａ　「【請求項１】基板と、基板上に少なくとも順に積層形成されたｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層と、該ｐ型窒化物半導体層上のほぼ全面に設けられたｐ電極と、前記ｐ型窒化物半導体層側から上記ｎ型窒化物半導体層に達する第一の凹部と、該第一の凹部に露出したｎ型窒化物半導体層上に設けられたｎ電極と、前記ｐ型窒化物半導体層側から上記基板に達する第二の凹部とを有し、ｐ電極及びｎ電極の各ボンディング面を除いてｐ電極及びｎ電極から第二の凹部まで連続して絶縁膜が形成されてなり、発光観測面を基板側とした窒化物半導体素子であって、前記絶縁膜上にポリイミド系薄膜が積層形成されていることを特徴とする窒化物半導体素子。」（特許請求の範囲）
　
ｂ　「【００２４】上記のように形成された素子を有するウエハをスクライブ可能な基板厚まで研磨工程によって削り、窒化物半導体面が粘着シートに接触するように粘着シート上に設置しスクライブ工程によってチップ状に分割した。分割されたチップを取り上げるために粘着シートをのばし、シート下部から突き上げピンによって分割された一単位のチップの窒化物半導体面を突き上げ、突き上げられたチップをコレットによって吸着し、配線基板の導電部に導電性接着剤を介して素子のｐ及びｎ電極をそれぞれボンディングさせた。」
　
（ウ）引用例３ 
　本願の出願前に頒布された特開平１０−４１２６号公報（以下「引用例３」という。）には、以下の記載ａ及びｂがある。（下線は当審にて付した。）   
ａ　「【００２５】ここでマザーボード３１の一方の面３１Ａには、所定の厚みでなる接着フイルム状の異方性導電フイルム４２が各ランド３７Ａを覆うように接着されており、この異方性導電フイルム４２はマザーボード３１、ベアチツプ３４及びチツプ部品３６を一体に保持するようになされている。この異方性導電フイルム４２中には、プラスチツクボールに例えばＡｕ及びＮｉ等がめつきされた直径約２〜10〔μｍ〕の導電性粒子４２Ａが均一に分散されており、ベアチツプ３４の各バンプ３５とチツプ部品３６の電極３６Ａとはこの導電性粒子４２Ａを介してマザーボード３１の対応するランド３７Ａに電気的に接合されている。
【００２６】また図１（Ｂ）に示すように、異方性導電フイルム４２の大きさは、ベアチツプ３４及び当該ベアチツプ３４の周囲に配置されるチツプ部品３６を当該異方性導電フイルム４２を介してマザーボード３１の一方の面３１Ａに実装し得るような大きさに選定されている。
【００２７】ここで
マザーボード３１の一方の面３１Ａにベアチツプ３４及びチツプ部品３６を実装する工程
マザーボード３１を作製した後
当該マザーボード３１の他方の面３１Ｂを所定の支持装置４３によつて支持した状態で、マザーボード３１の一方の面３１Ａに、各ランド３７Ａを覆うような所定の大きさでなる異方性導電フイルム４２を仮付け
【００２８】続いて
ベアチツプ３４の回路面３４Ａに対向する他方の面３４Ｂを所定の吸着装置４４で吸着し、ベアチツプ３４の回路面３４Ａをマザーボード３１の一方の面３１Ａに対向させると共に、ベアチツプ３４の各パツド３５をマザーボード３１の対応する各ランド３７Ａに位置決めした後、 100〜 240〔℃〕の圧着温度、５〜40〔秒〕の圧着時間、１バンプ当たり５〜100 〔ｇ〕程度の圧力の熱圧着条件でベアチツプ３４を異方性導電フイルム４２に対して熱圧着する
【００２９】次にチツプ部品３６の電極３６Ａをマザーボード３１の対応するランド３７Ａに位置決めした後、加熱ヘツドを有するツール（図示せず）を用いて上述の熱圧着条件でチツプ部品３６を異方性導電フイルム４２に対して熱圧着させることにより、当該チツプ部品３６をマザーボード３１の一方の面３１Ａに固定させる（図２（Ｃ））。このときベアチツプ３４の各パツド３５に設けられたパンプ３９及びチツプ部品３６の電極３６Ａと、マザーボード３１の対応するランド３７Ａとは、異方性導電フイルム４２中に存在する導電性粒子４２Ａを介して電気的に接合される。かくしてマザーボード３１の一方の面３１Ａにベアチツプ３４及びチツプ部品３６が機械的及び電気的に実装される。」
　
ｂ　「【００５３】また上述の実施例においては、各電子部品の各電極をそれぞれ配線基板の対応するランドに接合すると共に、各電子部品と配線基板とを一体に保持する異方性導電部材として異方性導電フイルム４２を用いた場合について述べたが、本発明はこれに限らず、各電子部品の各電極をそれぞれ配線基板の対応するランドに接合すると共に、各電子部品と配線基板とを一体に保持する異方性導電部材として、例えば熱硬化性エポキシ樹脂や熱可塑性のゴム系樹脂と導電性粒子と溶剤とが混合されてなるペースト状の異方性導電フイルムや、例えばＡｕ及びＮｉ等の金属粒子が分散された異方性導電フイルムを用いてもよい。ペースト状の異方性導電部材を用いる場合には、スクリーン印刷法を用いてマザーボード３１の一方の面３４Ａに形成するか、又はデイスペンサ等を用いて接合面に直接滴下してもよい。」
　
ｃ　また、図２の記載から、ベアチップ３４は、パツド３５、ＢＬＭ膜層３９、及び、Ａｕバンプ４０が設けられた回路面３４Ａを下に向けながら（フェイスダウン型で）マザーボード３１の一方の面３１Ａに実装することが見てとれる。
　
ｄ　引用発明３ 
（ａ）上記ａによれば、引用例３には、次の発明が記載されているものと認められる。
「マザーボードを作製した後、該マザーボードの他方の面を所定の支持装置によつて支持した状態で、マザーボードの一方の面に、各ランドを覆うような所定の大きさでなる異方性導電フイルムを仮付けし、ベアチツプの回路面に対向する他方の面を所定の吸着装置で吸着し、ベアチツプの回路面をマザーボードの一方の面に対向させると共に、ベアチツプの各パツドをマザーボードの対応する各ランドに位置決めした後、100〜 240〔℃〕の圧着温度、５〜40〔秒〕の圧着時間、１バンプ当たり５〜100 〔ｇ〕程度の圧力の熱圧着条件でベアチツプを異方性導電フイルムに対して熱圧着することにより、マザーボードの一方の面にベアチツプ及びチツプ部品を実装する方法。」
　
（ｂ）上記ａ、ｂの「マザーボード３１の一方の面３１Ａにベアチツプ３４及びチツプ部品３６を実装する工程において、異方性導電フイルム４２中には、プラスチツクボールに例えばＡｕ及びＮｉ等がめつきされた直径約２〜10〔μｍ〕の導電性粒子４２Ａが均一に分散されており」、及び、「異方性導電部材として、例えば熱硬化性エポキシ樹脂や熱可塑性のゴム系樹脂と導電性粒子と溶剤とが混合されてなるペースト状の異方性導電フイルムや、例えばＡｕ及びＮｉ等の金属粒子が分散された異方性導電フイルムを用いてもよい。」との記載に照らして、上記「異方性導電フイルム４２」は、「（プラスチツクボールにＡｕ及びＮｉがめつきされた導電性粒子が均一に分散された）ペースト状の異方性導電フイルム」との構成を備える。
　
（ｃ）上記（ａ）、（ｂ）、及び、ｃによれば、引用例３には次の発明が記載されているものと認められる。
「マザーボードを作製する工程、当該マザーボードの他方の面を所定の支持装置によつて支持した状態で、マザーボードの一方の面に、各ランドを覆うような所定の大きさでなるプラスチツクボールにＡｕ及びＮｉがめつきされた導電性粒子が均一に分散されたペースト状の異方性導電フイルムを仮付けする工程、ベアチツプの回路面に対向する他方の面を所定の吸着装置で吸着し、ベアチツプの回路面をマザーボードの一方の面に対向させると共に、ベアチツプの各パツドをマザーボードの対応する各ランドに位置決めした後、100〜 240〔℃〕の圧着温度、５〜40〔秒〕の圧着時間、１バンプ当たり５〜100 〔ｇ〕程度の圧力の熱圧着条件でベアチツプを異方性導電フイルムに対して熱圧着する工程からなる、マザーボードの一方の面にベアチツプを、パツド、ＢＬＭ膜層、及び、Ａｕバンプが設けられた回路面を下に向けながらフェイスダウン型で実装する方法。」（以下「引用発明３」という。） 
　
イ　対比  
　本願補正発明と引用発明１とを対比する。  
（ア）引用発明１の「窒化ガリウム系半導体を用いたチップタイプＬＥＤ」は「窒化物半導体発光素子」ということができ、また、引用発明１の「窒化ガリウム系半導体を用いたチップタイプＬＥＤの各電極と筐体に設けられたマウント・リードとを電気的に接続させる方法」は、本願補正発明の「窒化物半導体発光素子の実装方法」ということができる。
 　
（イ）引用発明１の「チップタイプＬＥＤチップを配置させるために筐体に設けられたマウント・リード」及び「電気的に接続させるためにＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ、カーボン、ＩＴＯなどを利用した導電性ペースト」は、それぞれ本願補正発明「配線基板上の配線用電極」及び「導電性材料」に相当し、引用発明１が「チップタイプＬＥＤチップを配置させるために筐体に設けられたマウント・リードとを、フェースダウン形式で接着させると共に電気的に接続させるためにＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ、カーボン、ＩＴＯなどを利用した導電性ペーストを用いた」ものであることに照らして、引用発明１は本願補正発明の「配線基板上の配線用電極に導電性材料を用いて接続する」構成を備える。 
　 
（ウ）引用発明１が「接着させると共に電気的に接続させるためにＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ、カーボン、ＩＴＯなどを利用した導電性ペーストを用い」るものであることに照らして、引用発明１は、Ａｇを利用しない「Ｃｕ、Ａｕ、カーボン、ＩＴＯなどを利用した導電性ペースト」を電気的に接続させるために用いる構成を備えるということができ、また、「導電性ペースト」は「接着させると共に電気的に接続させる」ものであることに照らして、引用発明１は本願補正発明の「銀を含有しないペースト状の導電性接着剤を用いる」構成を備える。
　
（エ）引用発明１が「窒化ガリウム系半導体を用いたチップタイプＬＥＤの各電極と、チップタイプＬＥＤチップを配置させるために筐体に設けられたマウント・リードとを、フェースダウン形式で接着させると共に電気的に接続させる」ものであることに照らして、引用発明１は「窒化ガリウム系半導体を用いたチップタイプＬＥＤ」を「チップタイプＬＥＤチップを配置させるために筐体に設けられたマウント・リード」に対向させ「フェイスダウン型」で「接着させると共に電気的に接続させる」ものであるといえる。
　
（オ）以上によれば両者は 
ａ　「窒化物半導体発光素子を、配線基板上の配線用電極に対向させ導電性材料を用いて接続するフェイスダウン型の窒化物半導体発光素子において、上記配線用電極上に銀を含有しないペースト状の導電性接着剤を用いる窒化物半導体発光素子の実装方法。」である点で一致し、
　
ｂ　本願補正発明は「基板上にｎ型及びｐ型窒化物半導体層を積層し、上記ｐ型窒化物半導体層上には概ね全面に拡がる拡散用第１正電極とその上面の一部に形成されたボンディング用第２正電極を備える一方、上記ｐ型窒化物半導体層を除去して露出させた上記ｎ型窒化物半導体層上に負電極を設け、第１正電極及び第２正電極と上記負電極とを無機絶縁層で分離絶縁した」構成を備えた窒化物半導体発光素子の、「第２正電極及び上記負電極」を配線基板上の配線用電極に対向させ導電性材料を用いて接続するフェイスダウン型の窒化物半導体発光素子の実装方法であるのに対して、引用発明１の「窒化ガリウム系半導体を用いたチップタイプＬＥＤ」はこのような構成を備えておらず、また、「第２正電極及び負電極」を接続する構成ではない点（以下「相違点１」という。）、及び 
　
ｃ　本願補正発明は「配線用電極上に銀を含有しないペースト状の異方性導電性接着剤を載置する工程と、上記発光素子を、上記配線基板直上の所定位置に、上記異方性導電性接着剤を介して上記正電極と上記負電極とが上記配線用電極に対向するように保持する工程と、上記発光素子を上記所定位置から下降させ、上記異方性導電性接着剤を用いて上記正電極と上記負電極とを上記配線用電極に押圧接触させた後、加熱して接続させる工程」と、からなる窒化物半導体発光素子の実装方法であるのに対して、引用発明１のペースト状の導電性接着剤はペースト状の異方性導電性接着剤ではなく、また、このような工程を備えていない点（以下「相違点２」という。）
で相違するものと認められる。 
　
ウ　判断
（ア）上記相違点１について検討する。 
　上記ア（イ）ａによれば、引用例２には、窒化物半導体素子として、基板と、基板上に少なくとも順に積層形成されたｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層と、該ｐ型窒化物半導体層上のほぼ全面に設けられたｐ電極と、前記ｐ型窒化物半導体層側から上記ｎ型窒化物半導体層に達する第一の凹部と、該第一の凹部に露出したｎ型窒化物半導体層上に設けられたｎ電極と、前記ｐ型窒化物半導体層側から上記基板に達する第二の凹部とを有し、ｐ電極及びｎ電極の各ボンディング面を除いてｐ電極及びｎ電極から第二の凹部まで連続して絶縁膜が形成されてなり、発光観測面を基板側とした窒化物半導体素子が記載されているものと認められる（なお、かかる窒化物半導体素子は従来周知のものである。）から、引用発明１に用いる窒化ガリウム系半導体を用いたチップタイプＬＥＤをこのようなものとすることは当業者が適宜なし得ることであり、また、同ｂによれば、引用例２には、窒化物半導体素子を、配線基板の導電部に導電性接着剤を介して素子のｐ及びｎ電極をそれぞれ接続することが記載されているものと認められるから、引用発明１に用いる窒化ガリウム系半導体を用いたチップタイプＬＥＤをこのようなものとする際に、窒化物半導体素子のｐ及びｎ電極をそれぞれ導電性接着剤を介して接続することも当業者が適宜なし得ることである。
　そして、上記のようにする結果として、相違点１に係る本願補正発明の構成を得ることになると認められる。すなわち、引用発明１において、窒化ガリウム系半導体を用いたチップタイプＬＥＤとして、例えば引用例２に記載の従来周知の上記窒化物半導体素子を用いて、配線基板の導電部に導電性接着剤を介して素子のｐ及びｎ電極をそれぞれ接続することにより、相違点１に係る本願補正発明の構成とすることは当業者が適宜なし得ることである。　 
　
（イ）上記相違点２について検討する。 
　上記ア（ウ）によれば、引用発明３が「マザーボードを作製する工程、当該マザーボードの他方の面を所定の支持装置によつて支持した状態で、マザーボードの一方の面に、各ランドを覆うような所定の大きさでなるプラスチツクボールにＡｕ及びＮｉがめつきされた導電性粒子が均一に分散されたペースト状の異方性導電フイルムを仮付けする工程、ベアチツプの回路面に対向する他方の面を所定の吸着装置で吸着し、ベアチツプの回路面をマザーボードの一方の面に対向させると共に、ベアチツプの各パツドをマザーボードの対応する各ランドに位置決めした後、100〜 240〔℃〕の圧着温度、５〜40〔秒〕の圧着時間、１バンプ当たり５〜100 〔ｇ〕程度の圧力の熱圧着条件でベアチツプを異方性導電フイルムに対して熱圧着する工程からなる、マザーボードの一方の面にベアチツプを、パツド、ＢＬＭ膜層、及び、Ａｕバンプが設けられた回路面を下に向けながらフェイスダウン型で実装する方法」であることに照らして、上記（ア）のように、引用発明１の窒化ガリウム系半導体を用いたチップタイプＬＥＤに例えば引用例２に記載の従来周知の上記窒化物半導体素子を適用して、配線基板の導電部に導電性接着剤を介して素子のｐ及びｎ電極を接続する際の手法として、引用発明３の上記ペースト状の異方性導電フイルムを仮付けする工程、ベアチツプの回路面をマザーボードの一方の面に対向させると共に、ベアチツプを異方性導電フイルムに対して熱圧着する工程からなる、マザーボードの一方の面にベアチツプを回路面を下に向けながらフェイスダウン型で実装する方法を用いて接続することは、当業者が適宜なし得たことである。
　
（ウ）まとめ
　そして、上記（ア）及び（イ）のとおり、すなわち、引用発明１において、窒化ガリウム系半導体を用いたチップタイプＬＥＤとして、例えば引用例２に記載の従来周知の上記窒化物半導体素子を用い、その際、引用発明３の上記ペースト状の異方性導電フイルムを用いて、同じく引用発明３の、ペースト状の異方性導電フイルムを仮付けする工程、ベアチツプの回路面をマザーボードの一方の面に対向させると共に、ベアチツプを異方性導電フイルムに対して熱圧着する工程からなる、マザーボードの一方の面にベアチツプを回路面を下に向けながらフェイスダウン型で実装する方法より実装することで、相違点２に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。　
　
エ　なお、請求人は平成２３年５月１３日付け回答書において「（ii）なお、前置報告書において、引用文献１の導電性接着剤として引用文献２の導電性接着剤を用いることは当業者が容易に想到できると認定されております。　しかし、引用文献２の導電性接着剤である異方性導電部材は、自身を介して各電子部品の各電極をそれぞれ配線基板の対応するランドに接合すると共に、各電子部品と配線基板とを一体に保持するという機能を有しております。 
　したがって、引用文献１の導電性接着剤として引用文献２の異方性導電部材を用いることは、異方性導電部材を介して各電子部品と配線基板とを一体に保持するという、引用文献１が意図しない新たな構成を付加することになり、明白な阻害要因となるものと思料致します。 
（iii）また、仮に、引用文献１の導電性接着剤として引用文献２の異方性導電部材を用いたとすると、引用文献１に記載の発明は、異方性導電部材を介して各電子部品と配線基板とを一体に保持するという新たな構成を有するものとなり、本願第１発明の構成とは異なるものとなります。 」と主張するが、上記ウの判断を左右するものではない。
　
オ　小括 
　以上の検討によれば、本願補正発明は、引用例１、引用例２及び引用例３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
３　むすび 
　以上のとおり、本件補正は、平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
第３　本願発明について 
　
１　本願発明 
　
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２１年１１月５日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記第２、２（１）において、本件補正による補正前のものとして示したとおりのものである。 
　
２　刊行物の記載及び引用発明 
　
（１）引用発明１、及び、引用例２
　引用例１、引用例２、及び、それらの記載事項並びに引用発明１の認定は上記第２、２（３）ア（ア）及び（イ）のとおりである。 
　
（２）引用例４ 
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された特開平１１−１８６５９８号公報（以下「引用例４」という。）には、以下の記載ａ及びｂがある。   
ａ　「【００４７】第３の実施例のLEDチップ１００Ａはｐ電極が銀層１０１（厚さ100nm）と層１０３Ａのみを有し、それら薄膜間に拡散阻止層１０２を有しないLEDチップ２０である。層１０３Ａが銀層１０１の安定化層であり銀層１０１の反射率を低下させない金属や誘電体で銀層の全体あるいは一部を覆うように構成される。まずLEDチップ１００Ａが誘電体からなる層１０３Ａを用いる場合はその一部に穴を設け銀層へ接続される回路接続用金属層が必要である。銀層の厚さが20nm以上で反射層として形成する工程（図３の工程３６）を除けば製造工程は第２の実施例におけると同様に工程３１から工程３８、工程３８１〜工程３８２を経てLEDチップ１００Ａが形成される。
【００４８】さらにLEDチップ１００Ａは工程３８２からは後述の図１２に記載の工程３９１に移行して銀層上の回路接続用金属層とｎ電極７上にボールボンディング法によって金バンプ等のボンディング電極１１６を形成しLEDチップ１００Ａが実装できる状態となる（図１１の（Ａ））。次にLEDチップのフリップチップ・ボンディングをおこなう。まず、LEDチップ１００Ａをウェーハ上に多数形成した場合は該ウェーハ裏面をラッピングし該ウェーハをスクライビングによって１つ１つのLEDチップ１００Ａに分割した（工程３９２）。また、図１１の（Ｂ）に示すようにパッケージ１１８のダイ・パッド上のリード線１１８ａ上に、インジウム系の低融点金属から成るバンプ１１８ｂを形成した（工程３９３）。最後にLEDチップ１００Ａとパッケージ１１８とを位置合わせして、加熱・加圧してボンディング電極１１６とバンプ１１８bとを接合し図１１の（Ｃ）に示すLED１１０が得られた（工程３９４）。チップ保護等のため必要に応じてLED１１０を樹脂封止してもよい。なお上記LEDチップ１００ＡとLED製品の製造工程でのアニールについては第２の実施例におけると同じである。金属層１０３Ａを用いる場合は後述の第４の実施例のLEDチップの製造工程において第２層１０２を欠く場合と同じなので、ここでは述べない。また、層１０３Ａが金属であれ誘電体であれ銀層に対する安定化層として機能する点は共通である。」
　
ｂ　また、図１１の記載から、LEDチップ１００Ａは、銀層１０１（ｐ電極）、及び、ボンディング電極１１６が設けられた面を下に向けて（フェイスダウン型で）パッケージ１１８に実装することが見てとれる。
　
ｃ　上記ａ及びｂによれば、引用例４には次の発明が記載されているものと認められる。
「LEDチップをフェイスダウン型でパッケージに実装する方法において、銀層上の回路接続用金属層とｎ電極上にボールボンディング法によって金バンプ等のボンディング電極を形成しLEDチップが実装できる状態となる工程、パッケージのダイ・パッド上のリード線上に、インジウム系の低融点金属から成るバンプを形成する工程、LEDチップとパッケージとを位置合わせして、加熱・加圧してボンディング電極とバンプとを接合しLEDが得られる工程からなる実装方法。」（以下「引用発明４」という。） 
　
３　対比・判断 
　
　前記第２、２（３）イでの対比に照らして、本願発明と引用発明１とは、
　
（１）上記第２、２（３）イ（オ）ｂの点（相違点１）、及び 
　
（２）本願発明は「配線用電極上に銀を含有しないペースト状の接合材料を載置する工程と、上記発光素子を、上記配線基板直上の所定位置に、上記接合材料を介して上記正電極と上記負電極とが上記配線用電極に対向するように保持する工程と、上記発光素子を上記所定位置から下降させ、上記接合材料を用いて上記正電極と上記負電極とを上記配線用電極に押圧接触させた後、加熱して接続させる工程と、からなる窒化物半導体発光素子の実装方法」であるのに対して、引用発明１はこのような工程を備えていない点（以下「相違点３」という。）で相違し、その余の点において一致するものと認められる。 
　
（３）そして、上記相違点１は、前記第２、２（３）イ（オ）ｂの相違点１と同一の内容であるところ、前記第２、２（３）ウ（ア）の判断のとおり、相違点１に係る本願発明の構成とすることは当業者が適宜なし得ることである。 
　
（４）上記相違点３について検討する。
　上記２（２）によれば、引用発明４が、「LEDチップをフェイスダウン型でパッケージに実装する方法において、銀層上の回路接続用金属層とｎ電極上にボールボンディング法によって金バンプ等のボンディング電極を形成しLEDチップが実装できる状態となる工程、パッケージのダイ・パッド上のリード線上に、インジウム系の低融点金属から成るバンプを形成する工程、LEDチップとパッケージとを位置合わせして、加熱・加圧してボンディング電極とバンプとを接合しLEDが得られる工程からなる実装方法」であることに照らして、上記第２、２（３）ウ（ア）のように、引用発明１の窒化ガリウム系半導体を用いたチップタイプＬＥＤに例えば引用例２に記載の従来周知の上記窒化物半導体素子を用いるとともに、配線基板の導電部に銀を含有しないペースト状の導電性接着剤を介して素子のｐ及びｎ電極を接続する際に、引用発明４の上記のLEDチップをフェイスダウン型でパッケージに実装する方法を用いて接続することは、当業者が適宜なし得たことである。 
　そして、上記のようにする結果として、相違点３に係る本願発明の構成を得ることになると認められる。すなわち、引用発明１において、窒化ガリウム系半導体を用いたチップタイプＬＥＤとして、引用例２に記載の従来周知の上記窒化物半導体素子を用いるとともに、あわせて、配線基板の導電部に銀を含有しないペースト状の導電性接着剤を介して素子のｐ及びｎ電極を接続する際に、引用発明４の上記のLEDチップをフェイスダウン型でパッケージに実装する方法により実装することで、相違点３に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
第４　むすび 
　
　以上のとおり、本願発明は、引用例１、引用例２及び引用例４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。 
　
　よって、結論のとおり審決する。