【事件の表示】
　特願２００３−４１５９９６「半導体レーザ用エピタキシャルウェハ」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月３０日出願公開、特開２００５−１７５３４０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年１２月１５日の出願であって、平成２１年３月６日及び同年７月２４日に手続補正がなされたが、同年１０月３０日付けで同年７月２４日付け手続補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２２年１月２２日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、これと同時に手続補正がなされたものである（以下、平成２２年１月２２日になされた手続補正を「本件補正」という。）。
　
　
第２　本件補正についての却下の決定
１　結論
　本件補正を却下する。
　
２　理由
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲につき、補正前（平成２１年３月６日になされた手続補正後のもの）の
「【請求項１】
　結晶成長手段としてＭＯＶＰＥ法を用い、第１導電型のＧａＡｓ基板上に、少なくとも第１導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層、ＭＱＷ活性層、及び第２導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層を順次積層し、該第２導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層上に直接又は第２導電型のＧａＩｎＰ中間層を介して直接第２導電型のＧａＡｓコンタクト層を形成した半導体レーザ用エピタキシャルウェハにおいて、
　第２導電型のクラッド層の不純物がＭｇであり、且つコンタクト層の第２導電型不純物がＺｎであり、且つ第２導電型のクラッド層のキャリア濃度が８×１０17cm-3から１．３×１０18cm-3の範囲にあることを特徴とする半導体レーザ用エピタキシャルウェハ。
　　【請求項２】
　結晶成長手段としてＭＯＶＰＥ法を用い、第１導電型のＧａＡｓ基板上に、少なくとも
　第１導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層、ＭＱＷ活性層、第２導電型のＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層、第２導電型のＧａＩｎＰエッチング停止層、及び第２導電型のＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層を順次積層し、該第２導電型のＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層上に直接又は第２導電型のＧａＩｎＰ中間層を介して直接第２導電型のＧａＡｓコンタクト層を形成した半導体レーザ用エピタキシャルウェハにおいて、
　第２導電型の第１クラッド層、第２クラッド層、及びエッチング停止層の不純物がＭｇであり、且つコンタクト層の第２導電型不純物がＺｎであり、且つ第２導電型の第１クラッド層及び第２クラッド層のうち少なくとも第１クラッド層のキャリア濃度が８×１０17cm-3から１．３×１０18cm-3の範囲にあることを特徴とする半導体レーザ用エピタキシャルウェハ。
　　【請求項３】
　請求項１又は２記載の半導体レーザ用エピタキシャルウェハにおいて、
　前記第２導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層のキャリア濃度が１．０×１０１８cm-3より大きく１．３×１０１８cm-3以下であることを特徴とする半導体レーザ用エピタキシャルウェハ。」
を
「【請求項１】
　結晶成長手段としてＭＯＶＰＥ法を用い、
ｎ
ｎ
（Ａｌ
0.7
Ｇａ
0.3
）
0.5
Ｉｎ
0.5
Ｐ
ｐ
（Ａｌ
0.7
Ｇａ
0.3
）
0.5
Ｉｎ
0.5
Ｐ
ｐ
（Ａｌ
0.7
Ｇａ
0.3
）
0.5
Ｉｎ
0.5
Ｐ
ｐ
Ｇａ
0.5
Ｉｎ
0.5
Ｐ
ｐ
　
前記ｐ
（Ａｌ
0.7
Ｇａ
0.3
）
0.5
Ｉｎ
0.5
Ｐ
ｐ型
前記ｐ型のＧａＡｓ
ｐ
を
とすることにより、前記ＭＱＷ活性層のＰＬ半値幅が１２ｎｍ以下に抑制された状態で前記ｐ
（Ａｌ
0.7
Ｇａ
0.3
）
0.5
Ｉｎ
0.5
Ｐ
１．０×１０
18
ｃｍ
-3
より大きく１．３×１０
18
ｃｍ
-3
以下
の高キャリア濃度に設定されている
　　【請求項２】
　結晶成長手段としてＭＯＶＰＥ法を用い、
ｎ
ｎ
（Ａｌ
0.7
Ｇａ
0.3
）
0.5
Ｉｎ
0.5
Ｐ
ｐ
（Ａｌ
0.7
Ｇａ
0.3
）
0.5
Ｉｎ
0.5
Ｐ
ｐ
Ｇａ
0.5
Ｉｎ
0.5
Ｐ
ｐ
（Ａｌ
0.7
Ｇａ
0.3
）
0.5
Ｉｎ
0.5
Ｐ
ｐ
（Ａｌ
0.7
Ｇａ
0.3
）
0.5
Ｉｎ
0.5
Ｐ
ｐ
Ｇａ
0.5
Ｉｎ
0.5
Ｐ
ｐ
　
前記ｐ
（Ａｌ
0.7
Ｇａ
0.3
）
0.5
Ｉｎ
0.5
Ｐ
前記ｐ
（Ａｌ
0.7
Ｇａ
0.3
）
0.5
Ｉｎ
0.5
Ｐ
前記ｐ型のＧａ
0.5
Ｉｎ
0.5
Ｐ
ｐ型
前記ｐ型のＧａＡｓ
ｐ
を
とすることにより、前記ＭＱＷ活性層のＰＬ半値幅が１２ｎｍ以下に抑制された状態で前記ｐ
（Ａｌ
0.7
Ｇａ
0.3
）
0.5
Ｉｎ
0.5
Ｐ
前記ｐ
（Ａｌ
0.7
Ｇａ
0.3
）
0.5
Ｉｎ
0.5
Ｐ
前記ｐ
（Ａｌ
0.7
Ｇａ
0.3
）
0.5
Ｉｎ
0.5
Ｐ
１．０×１０
18
ｃｍ
-3
より大きく１．３×１０
18
ｃｍ
-3
以下
高キャリア濃度に設定されている
に補正する内容を含むものである。
　
（２）補正の目的
　上記補正の内容は、請求項３を削除するとともに、補正前の請求項１における、「第１導電型のＧａＡｓ基板」を「ｎ型のＧａＡｓ基板」に限定し、「第１導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層」を「ｎ型の（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層」に限定し、「第２導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層」を「ｐ型の（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層」に限定した上で、さらに「前記ｐ型の（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第１クラッド層のキャリア濃度が１．０×１０18ｃｍ-3より大きく１．３×１０18ｃｍ-3以下の範囲の高キャリア濃度に設定されている」と限定し、「第２導電型のＧａＩｎＰ中間層」を「ｐ型のＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ中間層」に限定し、「第２導電型のＧａＡｓコンタクト層」を「ｐ型のＧａＡｓコンタクト層」に限定し、「不純物がＭｇ」を「ｐ型不純物がＭｇ」に限定し、「第２導電型不純物がＺｎ」を「ｐ型不純物をＺｎ」に限定し、ＭＱＷ活性層について、「前記ｐ型の（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層のｐ型不純物がＭｇであり、且つ前記ｐ型のＧａＡｓコンタクト層のｐ型不純物をＺｎとすることにより、前記ＭＱＷ活性層のＰＬ半値幅が１２ｎｍ以下に抑制された状態」と限定するものであり、補正前の請求項２における、「第１導電型のＧａＡｓ基板」を「ｎ型のＧａＡｓ基板」と限定し、「第１導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層」を「ｎ型の（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層」と限定し、「第２導電型のＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層」を「ｐ型の（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第１クラッド層」と限定し、「第２導電型のＧａＩｎＰエッチング停止層」を「ｐ型のＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチング停止層」と限定し、「第２導電型のＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層」を「ｐ型の（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第２クラッド層」と限定し、「第２導電型のＧａＩｎＰ中間層」を「ｐ型のＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ中間層」と限定し、「第２導電型のＧａＡｓコンタクト層」を「ｐ型のＧａＡｓコンタクト層」と限定し、「不純物がＭｇ」を「ｐ型不純物がＭｇ」と限定し、「第２導電型不純物がＺｎ」を「ｐ型不純物をＺｎ」と限定し、ＭＱＷ活性層について、「前記ｐ型の（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第１クラッド層、前記ｐ型の（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第２クラッド層、及び前記ｐ型のＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチング停止層のｐ型不純物がＭｇであり、且つ前記ｐ型のＧａＡｓコンタクト層のｐ型不純物をＺｎとすることにより、前記ＭＱＷ活性層のＰＬ半値幅が１２ｎｍ以下に抑制された状態」と限定し、第１クラッド層及び第２クラッド層について、さらに「前記ｐ型の（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第１クラッド層及び前記ｐ型の（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第２クラッド層のうち少なくとも前記ｐ型の（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第１クラッド層のキャリア濃度が１．０×１０18ｃｍ-3より大きく１．３×１０18ｃｍ-3以下の範囲の高キャリア濃度に設定されている」と限定するものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当すると認められる。
　
（３）独立特許要件についての検討
　本件補正後の請求項１に係る発明 (以下「本願補正発明」という。)が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか否かについて、以下に検討する。
　
ア　刊行物の記載
  本願出願前に頒布された刊行物である、特開平１０−１９０１４５号公報（以下「引用例１」という。）には、図とともに、以下の記載がある（下線は、審決で付した。）。 
　
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体装置の製造方法に関し、特にＡｌＧａＩｎＰ系赤色半導体レーザや発光ダイオードの光半導体装置の製造方法に関するものである。」
　
（イ）「【０００４】しかしながら、ｐ型ドーパントとして用いられるＺｎはＡｌＧａＩｎＰ系結晶中での拡散速度が速いため、これらの層の中では拡散が容易に進み、本来アンドープであるべき活性層に拡散し、活性層内に拡散されたＺｎが非発光の再結合中心を形成してしまい、作製された素子の特性を悪化させる原因となっていた。特に、レーザの発振波長が短波長化すればするほど活性層のバンドギャップを大きくする必要があるため、活性層とクラッド層とのバンドギャップ差が小さくなり、活性層に閉じ込められるキャリアの量が減ってしまい、十分なキャリアを確保することが困難となるため、Ｚｎの活性層への拡散が素子特性に大きく影響するようになり、半導体レーザを使用するシステム側から要求される半導体レーザの素子特性を満足させることが困難となっていた。」
　
（ウ）「【０００８】ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザのレーザ特性を決定する主な要因としては、要因１として活性層４とｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層５とのバンド不連続量の大小、要因２として活性層４へのｐ型ドーパントであるＺｎの拡散量、が挙げられるが、要因１と２とはトレードオフの関係にある。すなわち、要因１の活性層４とｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層５とのバンド不連続量を大きくしようとすると、活性層４のバンドギャップは発振波長により決定しているためにｐ型のドーピング量を大きくしてｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層５のフェルミレベルを下げて実効的なバンド不連続量を大きくすることが必要となる。それに対して、要因２に挙げられたｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層５のｐ型ドーパントであるＺｎが活性層４へ拡散する量はｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層５へのＺｎのドーピング量に対応しており、高濃度にドーピングした場合には拡散が進みやすい。従って、ｐ−（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第１クラッド層としては４×１０17cm-3程度のキャリア濃度が最適なレーザ特性を得ることのできるキャリア濃度であるが、活性層４とｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層５とのバンド不連続量を大きくするためにｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層５に対してこのような高濃度にＺｎをドーピングした場合には、活性層４へのＺｎの拡散が進み、本来アンドープである活性層４にＺｎが拡散してレーザ特性が悪化してしまうという問題があった。
【０００９】そこで、このような問題点を解決するために、Ｚｎに代わるｐ型ドーパントとしてマグネシウム（Ｍｇ）を用いる他の半導体装置も提案されている。例えば、J.Crystal Growth 141 (1994) pp.1-10 やElectronics Letters 27 (1991) pp.1569-1571等にこのような半導体装置が示されている。ＭｇはＺｎに比べてＡｌＧａＩｎＰ中での拡散速度が遅く拡散量が少なく、所望のドーピングプロファイルが得やすいという特徴を持つ。したがって、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層５を成長する際にＺｎの代わりにＭｇをドープするようにすることにより、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層５のキャリア濃度を高くするために高濃度にＭｇをドープしても活性層４へのＭｇの拡散を抑えることができ、レーザ特性の劣化を抑えることが可能となる。」
　
（エ）「【００２２】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．図１は本発明の実施の形態１に係る半導体レーザの製造方法を示す図であり、図において、１は表面の面方位が（００１）であるｎ型ＧａＡｓ基板、２は厚さが０．５μｍで、ｎ型不純物濃度が２×１０18cm-3であるｎ−ＧａＡｓバッファ層、３は厚さが１．５μｍでｎ型不純物濃度が４×１０17cm-3であるｎ−（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐクラッド層（ｘ＝０．７，ｙ＝０．５）、４は６８５ｎｍ帯のアンドープ（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ（ｘ＝０．５，ｙ＝０．５）／ＧａＩｎＰ三重量子井戸活性層で、厚さ８ｎｍの３層のＧａＩｎＰ井戸層と，厚さ８ｎｍの２層のアンドープ（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ障壁層（ｘ＝０．５，ｙ＝０．５）と，厚さ３５ｎｍの２層の（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-yＰ光ガイド層（ｘ＝０．５，ｙ＝０．５）とにより構成されている。５ａは厚さ０．２μｍでｐ型不純物濃度が４×１０17cm-3であるｐ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）yＩｎ1-y Ｐ第１クラッド層（ｘ＝０．７，ｙ＝０．５）、６は厚さが約５ｎｍで、ｐ型不純物濃度が１×１０18cm-3であるｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチングストッパ層、７ａは厚さ１．２５μｍでｐ型不純物濃度が７×１０17cm-3であるｐ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ第２クラッド層（ｘ＝０．７，ｙ＝０．５）、８は厚さが０．１μｍで、ｐ型不純物濃度が１×１０18cm-3であるｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバンド不連続緩和層、９は厚さ０．４μｍでｐ型不純物濃度が２×１０19cm-3であるｐ−ＧａＡｓキャップ層、１０はＳｉＯＮ等の誘電体マスク、１２は厚さ約０．３μｍであるアンドープＧａＡｓブロック層、１３は厚さが０．７μｍでｎ型不純物濃度が４×１０18cm-3であるｎ−ＧａＡｓブロック層、１４は厚さが２．５μｍで不純物濃度が２×１０19cm-3であるｐ−ＧａＡｓコンタクト層、１５はｎ側電極、１６はｐ側電極である。
【００２３】また、図４は、本発明の実施の形態１に係る半導体レーザの製造に用いられる
ＭＯＣＶＤ装置
【００２４】この実施の形態１に係る半導体レーザの製造方法は、ｐ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ第１クラッド層（ｘ＝０．７，ｙ＝０．５）５ａのｐ型ドーパント原料としてビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム（（ＥｔＣｐ）2 Ｍｇ）を用いて、Ｍｇをドーピングするようにしたものであり、以下、本発明の実施の形態１の原理について説明する。」
　
（オ）「【００２９】この測定結果より、
（ＥｔＣｐ）
2 
Ｍｇを、Ｍｇをドーピングするためのドーピング原料として用いることができるとともに、これを用いることにより、キャリア濃度が１．５×１０
17
〜１．５×１０
18
ｃｍ
-3
まではリニアリティ良くＭｇをドーピングできることがわかる
　
（カ）「【００３４】次に、本実施の形態１に係る半導体レーザの製造方法について図１を用いて説明する。まず、図１(a) に示すように、
ｎ型ＧａＡｓ基板１の
表面上にｎ−ＧａＡｓバッファ層２、ｎ−（Ａｌ
x
 Ｇａ
1-x
 ）
y
 Ｉｎ
1-y
 Ｐクラッド層（ｘ＝０．７，ｙ＝０．５）３、アンドープ三重量子井戸活性層４、ｐ型不純物としてＭｇを含むｐ−（Ａｌ
x
 Ｇａ
1-x
 ）
y
 Ｉｎ
1-y
 Ｐ第１クラッド層（ｘ＝０．７，ｙ＝０．５）５ａ、ｐ−Ｇａ
0.5
 Ｉｎ
0.5
 Ｐエッチングストッパ層６、ｐ−（Ａｌ
x
 Ｇａ
1-x
 ）
y
 Ｉｎ
1-y
 Ｐ第２クラッド層（ｘ＝０．７，ｙ＝０．５）７ａ、ｐ−Ｇａ
0.5
 Ｉｎ
0.5
 Ｐバンド不連続緩和層８、ｐ−ＧａＡｓキャップ層９を順次ＭＯＣＶＤ法などにより結晶成長させ、ダブルヘテロ構造を有するウエハ
　
（キ）「【００３６】次に、幅が３．０μｍで〔１／１０〕方向に伸びるストライプ形状のＳｉＯＮ等の誘電体マスク１０を形成する。この誘電体マスク１０をエッチング用マスクとして用いて、例えばＨ2 ＳＯ4 ：Ｈ2 Ｏなどのエッチング液を用いたウェットプロセスにて、上記ダブルヘテロ構造を有するウエハにエッチングにより〔１／１０〕方向に伸びるストライプ形状のリッジ１１を形成する（図１(b))。このリッジ１１の底部の幅は例えば５．５μｍに設定されている。
【００３７】次に、図１(c) に示すように、上記誘電体マスク１０を選択成長用マスクとして用いてアンドープＧａＡｓブロック層１２、ｎ−ＧａＡｓブロック層１３を順次成長させ、さらに、誘電体マスク１０を除去した後（図１(d))、
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１４を再成長させ
半導体レーザを得る
【００３８】この半導体レーザにおいては、ｐ−（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ第１クラッド層５ａのｐ型不純物としてＭｇを用いているため、ｐ型不純物としてＺｎを用いた従来の半導体レーザのように、本来アンドープである活性層４に不純物が拡散してレーザ特性を劣化させるという問題が発生しにくいため、高品質な半導体レーザが得られる。また、上述したように、（ＥｔＣｐ）2 Ｍｇをｐ型ドーピング原料として用いて、ｐ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ第１クラッド層（ｘ＝０．７，ｙ＝０．５）５ａにドーピングを行っているため、ドーパント原料の蒸気圧を一定に保ち、安定した濃度のｐ型ドーパント原料ガスを供給でき、所定のキャリア濃度のｐ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ第１クラッド層（ｘ＝０．７，ｙ＝０．５）５ａを再現性よく形成することができる。さらに、（ＥｔＣｐ）2 Ｍｇをｐ型ドーピング原料として用いていることで、ドーピング遅れを発生させることがないため、設計どおりの半導体レーザを得ることができ、デバイス作製上メリットが大きい。」
　
イ　引用発明
　上記アによれば、引用例１には、次の発明が記載されているものと認められる。
「ｎ型ＧａＡｓ基板１の表面上にｎ−ＧａＡｓバッファ層２、ｎ−（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐクラッド層（ｘ＝０．７，ｙ＝０．５）３、アンドープ三重量子井戸活性層４、ｐ型不純物としてＭｇを含むｐ−（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ第１クラッド層（ｘ＝０．７，ｙ＝０．５）５ａ、ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチングストッパ層６、ｐ−（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ第２クラッド層（ｘ＝０．７，ｙ＝０．５）７ａ、ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバンド不連続緩和層８、ｐ−ＧａＡｓキャップ層９を順次ＭＯＣＶＤ法により結晶成長させた後、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１４を再成長させたダブルヘテロ構造を有するウエハにおいて、
　ｐ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ第１クラッド層（ｘ＝０．７，ｙ＝０．５）５ａのｐ型ドーパント原料としてビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム（（ＥｔＣｐ）2 Ｍｇ）を用いて、Ｍｇをドーピングするようにし、
　（ＥｔＣｐ）2 Ｍｇを、Ｍｇをドーピングするためのドーピング原料として用いることにより、キャリア濃度が１．５×１０17〜１．５×１０18ｃｍ-3まではリニアリティ良くＭｇをドーピングでき、
　そこから半導体レーザを得るダブルヘテロ構造を有するウエハ。」（以下「引用発明１」という。）
　
ウ　対比
　本願補正発明と引用発明１とを対比する。
　
（ア）引用発明１において、「ＭＯＣＶＤ法により結晶成長させた」ことは、本願発明の「結晶成長手段としてＭＯＶＰＥ法を用い」ることに相当する。
　
（イ）引用発明１の「ｎ型ＧａＡｓ基板」、「ｎ−（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐクラッド層（ｘ＝０．７，ｙ＝０．５）３」、「アンドープ三重量子井戸活性層４」、「ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバンド不連続緩和層８」及び「ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１４」は、それぞれ、本願補正発明の「ｎ型のＧａＡｓ基板」、「ｎ型の（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層」、「ＭＱＷ活性層」、「ｐ型のＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ中間層」及び「ｐ型のＧａＡｓコンタクト層」に相当する。
　
（ウ）引用発明１の「ｐ−（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ第１クラッド層（ｘ＝０．７，ｙ＝０．５）５ａ」及び「ｐ−（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ第２クラッド層（ｘ＝０．７，ｙ＝０．５）７ａ」は、本願補正発明の「ｐ型の（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層」に相当する。
　
（エ）引用発明１では、第１及び第２クラッド層がｐ型不純物としてＭｇを含んでいるから、引用発明１は、「ｐ型の（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層のｐ型不純物がＭｇであ」る点において、本願補正発明と一致する。
　
（オ）引用発明１では、「ｐ−（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ第２クラッド層（ｘ＝０．７，ｙ＝０．５）７ａ、ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバンド不連続緩和層８、ｐ−ＧａＡｓキャップ層９を順次」結晶成長させた後、「ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１４を再成長させ」ていることから、引用発明１は、「該ｐ型の（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層上にｐ型のＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ中間層を介して直接ｐ型のＧａＡｓコンタクト層を形成」する点において、本願補正発明と一致する。
　
（カ）引用発明１では、「ｐ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ第１クラッド層（ｘ＝０．７，ｙ＝０．５）５ａのｐ型ドーパント原料としてビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム（（ＥｔＣｐ）2 Ｍｇ）を用いて、Ｍｇをドーピングするようにし、（ＥｔＣｐ）2 Ｍｇを、Ｍｇをドーピングするためのドーピング原料として用いることにより、キャリア濃度が１．５×１０17〜１．５×１０18ｃｍ-3まではリニアリティ良くＭｇをドーピングでき」ることから、引用発明１は、「ｐ型の（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層のキャリア濃度が１．０×１０18ｃｍ-3より大きく１．３×１０18ｃｍ-3以下の範囲の高キャリア濃度に設定されている」点において、本願補正発明と一致する。
　
（キ）引用発明１の「ダブルヘテロ構造を有するウエハ」は、「ｎ型ＧａＡｓ基板１の表面上に」「結晶成長させた」ものであり、また、「そこから半導体レーザを得る」ものであるから、本願補正発明の「半導体レーザ用エピタキシャルウェハ」に相当する。
　
（ク）以上によれば、両者は、
「結晶成長手段としてＭＯＶＰＥ法を用い、ｎ型のＧａＡｓ基板上に、少なくともｎ型の（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層、ＭＱＷ活性層、及びｐ型の（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層を順次積層し、該ｐ型の（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層上にｐ型のＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ中間層を介して直接ｐ型のＧａＡｓコンタクト層を形成した半導体レーザ用エピタキシャルウェハにおいて、
　前記ｐ型の（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層のｐ型不純物がＭｇであり、前記ｐ型の（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層のキャリア濃度が１．０×１０18ｃｍ-3より大きく１．３×１０18ｃｍ-3以下の範囲の高キャリア濃度に設定されている半導体レーザ用エピタキシャルウェハ。」
である点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。
　
ａ　ｐ型不純物について、本願補正発明では、ｐ型のＧａＡｓコンタクト層のｐ型不純物がＺｎであるのに対して、引用発明１では、ｐ型のＧａＡｓコンタクト層のｐ型不純物が不明である点（以下「相違点１」という。）。
　
ｂ　ＭＱＷ活性層について、本願補正発明では、ＰＬ半値幅が１２ｎｍ以下に抑制されているのに対して、引用発明１では、ＰＬ半値幅が不明である点（以下「相違点２」という。）。
　
エ　判断
（ア）相違点１について
　ｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、活性層、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層及びｐ型ＧａＡｓコンタクト層を備える半導体レーザ素子において、ｐ型クラッド層のｐ型不純物としてＭｇを、ｐ型コンタクト層のｐ型不純物としてＺｎを用いることは、本願の出願当時において周知の技術であるから（例えば、原査定の拒絶の理由に引用された特開平３−１５６９８８号公報の第３頁右上欄第１行から右下欄第５行、特開平６−１３３３４号公報の００５８段から００６０段、特開平６−７７５８５号公報の０００４段から０００９段参照。）、引用発明１において、上記周知技術を適用して、上記相違点１に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が適宜なし得ることである。
　
（イ）相違点２について
　活性層の結晶品質が良いと活性層のＰＬ半値幅が小さくなるものであるところ、活性層の結晶品質は通常良い方が望ましいことから、引用発明１において、活性層を結晶品質の良いものとして、ＰＬ半値幅を１２ｎｍ以下とすることは、当業者が適宜なし得る設計事項である。
　
（ウ）本願補正発明が奏する効果について
ａ　本願補正発明には「前記ｐ型の（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層のｐ型不純物がＭｇであり、
且つ前記ｐ型のＧａＡｓコンタクト層のｐ型不純物をＺｎとすることにより
　
ｂ　ｐ型のＧａＡｓコンタクト層のｐ型不純物をＺｎとすることにより、比較的容易に従来と同様１．０×１０1９ｃｍ-3以上のドーピングが可能となるとの効果が奏されると認められるが（本願明細書の００１４段参照）、該効果は、上記（ウ）の周知技術も有するものであるから、格別なものとはいえない。
　
ｃ　そこで、ｐ型の（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層のｐ型不純物をＭｇとすることの効果について検討する。
　
ｄ　本願明細書の００１９段には、その効果について、「ｐ型ドーパントとして拡散定数の小さなＭｇを用いることにより、つまり図１のＺｎドープ曲線ＢからＭｇドープ曲線Ａに移すことにより、活性層ＰＬ半値幅の増大を極力抑えつつ、ｐ型クラッド層のキャリア濃度を１×１０18cm-3程度に高濃度化することができる。したがって、８×１０17cm-3〜１．３×１０18cm-3のｐ型クラッド層のキャリア濃度を持つ良好なエピタキシャルウェハが達成可能なため、リーク電流が少なく、高出力・高温動作が可能な高信頼性のＬＤを実現することができる」と記載されている。
　
ｅ　一方、上記引用例１には、「ｐ型ドーパントとして用いられるＺｎはＡｌＧａＩｎＰ系結晶中での拡散速度が速いため、これらの層の中では拡散が容易に進み、本来アンドープであるべき活性層に拡散し、活性層内に拡散されたＺｎが非発光の再結合中心を形成してしまい、作製された素子の特性を悪化させる原因となっていた」（０００４段）という課題があること、及び、Ｚｎの代わりにＭｇをドープすることにより、「キャリア濃度を高くするために高濃度にＭｇをドープしても活性層４へのＭｇの拡散を抑えることができ、レーザ特性の劣化を抑えることが可能となる」（０００９段）という効果が記載されている。
　
ｆ　さらに、引用例１には、「活性層４とｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層５とのバンド不連続量を大きくしようとすると、活性層４のバンドギャップは発振波長により決定しているためにｐ型のドーピング量を大きくしてｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層５のフェルミレベルを下げて実効的なバンド不連続量を大きくすることが必要となる」と記載されていることから、ｐ型クラッド層のｐ型のドーピング量を大きくする必要性とその効果が開示されているといえる。
　
ｇ　また、ｐ型不純物が活性層に拡散する結果として、活性層のＰＬ半値幅が大きくなることは、本願の出願当時において周知であるから（例えば特開平４−３７２１８９号公報の０００４段から０００６段、特開２００３−２０９３２４号公報の０００７段参照。）、ｐ型不純物の活性層への拡散が小さければＰＬ半値幅の増加が抑制されることは、当業者が予測できることといえる。
　
ｈ　してみれば、本願補正発明が奏する効果について、当業者の予想を超えた顕著なものということはできない。
　
オ　小括
　以上の検討によれば、本願補正発明は、引用発明１及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものというべきであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２１年３月６日になされた手続補正後の明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものと認められる。
　
「結晶成長手段としてＭＯＶＰＥ法を用い、第１導電型のＧａＡｓ基板上に、少なくとも第１導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層、ＭＱＷ活性層、及び第２導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層を順次積層し、該第２導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層上に直接又は第２導電型のＧａＩｎＰ中間層を介して直接第２導電型のＧａＡｓコンタクト層を形成した半導体レーザ用エピタキシャルウェハにおいて、
　第２導電型のクラッド層の不純物がＭｇであり、且つコンタクト層の第２導電型不純物がＺｎであり、且つ第２導電型のクラッド層のキャリア濃度が８×１０17cm-3から１．３×１０18cm-3の範囲にあることを特徴とする半導体レーザ用エピタキシャルウェハ。」
　
２　刊行物の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平３−１５６９８８号公報（以下「引用例２」という。）には、図とともに、以下の記載がある（下線は、審決で付した。）。 
　
（１）「〔産業上の利用分野〕
　本発明は、リブ導波構造のクラッドを有する
ダブルヘテロリッジ導波型半導体レーザ
　
（２）「第２図において、
１１はｎ
＋
ＧａＡｓ基板、１２はｎ
＋
ＧａＡｓバッファ層（厚さ１μｍ）、１３はｎ
＋
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層（厚さ１μｍ）、１４はＧａＩｎＰ活性層（厚さ０．１μｍ）、１５ａはｐ
＋
ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層（厚さ０．２μｍ）、１５ｂはｐ
＋
Ａｌ
０．６
Ｇａ
０．４
Ａｓエッチングストップ層（厚さ０．０１μｍ）、１５ｃはｐ
＋
ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層（厚さ０．８μｍ）、１５は前記１５ａ〜１５ｃで構成されるｐ側クラッド（前記クラッド）、１６はｐ
＋
ＧａＩｎＰスパイク防止層（厚さ０．１μｍ）、１７はｐ
＋
ＧａＡｓコンタクト層（厚さ０．２μｍ）、２０はｎ側電極、２１はＡｕ／Ｚｎ／Ａｕのｐ側電極（前記金属電極で厚さ０．１μｍ）、２２はＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ金属膜（前記金属膜で厚さ０．１μｍ）、２３はＳｉＯ
２
絶縁膜（厚さ０．０５μｍ）、である。
　
（３）「この実施例では、以下のようにして製造することができる。
　即ち、先ず第３図（ａ）を参照して、
ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）により基板１１上にバッファ層１２からコンタクト層１７までを連続成長する
ｐドーパントとしてＭｇを、但しコンタクト層１７のみはＺｎを用いる
　
（４）第２図から、ｐ＋ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１５ｃ上にｐ＋ＧａＩｎＰスパイク防止層１６を介してｐ＋ＧａＡｓコンタクト層１７が形成されていることが見て取れる。
　
３　引用発明
（１）上記２によれば、引用例２には、次の発明が記載されているものと認められる。
「ｎ＋ＧａＡｓ基板、ｎ＋ＧａＡｓバッファ層、ｎ＋ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、ＧａＩｎＰ活性層、ｐ＋ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層、ｐ＋Ａｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓエッチングストップ層、ｐ＋ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層、ｐ＋ＧａＩｎＰスパイク防止層、ｐ＋ＧａＡｓコンタクト層、ｎ側電極、Ａｕ／Ｚｎ／Ａｕのｐ側電極、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ金属膜、ＳｉＯ２絶縁膜を備えるダブルヘテロリッジ導波型半導体レーザであって、
　ｐ＋ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層上にｐ＋ＧａＩｎＰスパイク防止層を介してｐ＋ＧａＡｓコンタクト層が形成されており、
　ＭＯＣＶＤ法により基板上にバッファ層からコンタクト層までが連続成長され、
　ｐドーパントとしてＭｇを、但しコンタクト層のみはＺｎを用いるダブルヘテロリッジ導波型半導体レーザ。」
　
（２）半導体レーザが、基板上に半導体層が成長されたウェハを経て製造されることは自明のことである。
　
（３）したがって、引用例２には、次の発明が記載されているものと認められる。
「ｎ＋ＧａＡｓ基板、ｎ＋ＧａＡｓバッファ層、ｎ＋ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、ＧａＩｎＰ活性層、ｐ＋ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層、ｐ＋Ａｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓエッチングストップ層、ｐ＋ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層、ｐ＋ＧａＩｎＰスパイク防止層、ｐ＋ＧａＡｓコンタクト層を備えるダブルヘテロリッジ導波型半導体レーザ用ウェハであって、
　ｐ＋ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層上にｐ＋ＧａＩｎＰスパイク防止層を介してｐ＋ＧａＡｓコンタクト層が形成されており、
　ＭＯＣＶＤ法により基板上にバッファ層からコンタクト層までが連続成長され、
　ｐドーパントとしてＭｇを、但しコンタクト層のみはＺｎを用いるダブルヘテロリッジ導波型半導体レーザ用ウェハ。」（以下「引用発明２」という。）
　
４　対比
　本願発明と引用発明２とを対比する。
　
（１）引用発明２では、「ＭＯＣＶＤ法により基板上にバッファ層からコンタクト層までが連続成長され」ていることから、引用発明２は、「結晶成長手段としてＭＯＶＰＥ法を用い」ている点において、本願発明と一致する。
　
（２）引用発明２では、「ＭＯＣＶＤ法により基板上にバッファ層からコンタクト層までが連続成長され」ていることから、引用発明２の「ダブルヘテロリッジ導波型半導体レーザ用ウェハ」は、本願発明の「半導体レーザ用エピタキシャルウェハ」に相当する。
　
（３）引用発明２の「ｎ＋ＧａＡｓ基板」、「ｎ＋ＡｌＧａＩｎＰクラッド層」、「ｐ＋ＧａＩｎＰスパイク防止層」及び「ｐ＋ＧａＡｓコンタクト層」は、それぞれ、本願発明の「第１導電型のＧａＡｓ基板」、「第１導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層」、「第２導電型のＧａＩｎＰ中間層」及び「第２導電型のＧａＡｓコンタクト層」に相当する。
　
（４）引用発明２の「ｐ＋ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層」及び「ｐ＋ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層」は、本願発明の「第２導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層」に相当する。
　
（５）引用発明２では、「ｐ＋ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層上にｐ＋ＧａＩｎＰスパイク防止層を介してｐ＋ＧａＡｓコンタクト層が形成されて」いることから、引用発明は、「第２導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層上に第２導電型のＧａＩｎＰ中間層を介して直接第２導電型のＧａＡｓコンタクト層を形成し」ている点において、本願発明と一致する。
　
（６）引用発明２では、「ｐドーパントとしてＭｇを、但しコンタクト層のみはＺｎを用いる」ことから、引用発明２は、「第２導電型のクラッド層の不純物がＭｇであり、且つコンタクト層の第２導電型不純物がＺｎであ」る点において、本願発明と一致する。
　
（７）引用発明２は「ＧａＩｎＰ活性層」を備えており、本願発明は「ＭＱＷ活性層」を備えていることから、両者は、「活性層」を備える点で共通する。
　
（８）以上によれば、両者は、
「結晶成長手段としてＭＯＶＰＥ法を用い、第１導電型のＧａＡｓ基板上に、少なくとも第１導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層、活性層、及び第２導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層を順次積層し、該第２導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層上に第２導電型のＧａＩｎＰ中間層を介して直接第２導電型のＧａＡｓコンタクト層を形成した半導体レーザ用エピタキシャルウェハにおいて、
　第２導電型のクラッド層の不純物がＭｇであり、且つコンタクト層の第２導電型不純物がＺｎである半導体レーザ用エピタキシャルウェハ。」
である点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。
　
ａ　活性層について、本願発明では、ＭＱＷ活性層であるのに対して、引用発明２では、ＧａＩｎＰ活性層である点（以下「相違点１’」という。）。
　
ｂ　第２導電型のクラッド層について、本願発明では、キャリア濃度が８×１０17cm-3から１．３×１０18cm-3の範囲にあるのに対して、引用発明２では、キャリア濃度が不明な点（以下「相違点２’」という。）。
　
５　判断
（１）相違点１’について
　半導体レーザにおいて、活性層をＭＱＷ活性層とすることは、例を挙げるまでもなく本願の出願時において周知の技術であるから、引用発明２に該周知技術を適用して、上記相違点１’に係る本願発明の構成とすることは、当業者が適宜なし得ることである。
　
（２）相違点２’について
　ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子において、ｐ型クラッド層のキャリア濃度を８×１０17cm-3から１．３×１０18cm-3程度とすることは、本願の出願時において周知の技術であるから（例えば、特開２００３−８６８９４号公報の００２２段から００３５段、特開平１−２１４０８３号公報の第３頁右下欄第１９行から第４頁左上欄第１４行、引用例１の００２９段、特開平６−１３３３４号公報の０００７段、００７９段、００８０段及び０１１９段参照。）、引用発明２に該周知技術を適用して、上記相違点２’に係る本願発明の構成とすることは、当業者が適宜なし得る設計事項である。
　
（３）小括
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明２及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものというべきであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明２および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。