【事件の表示】
　特願２００３−５２３０２１「ガラスビーズのコーティング方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　３月　６日国際公開、ＷＯ０３／１９６７６、平成１７年　１月　６日国内公表、特表２００５−５００７０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１４年８月２０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００１年８月２３日、オーストラリア）を国際出願日とする出願であって、平成２１年５月１３日に誤訳訂正がなされたが、同年６月１６日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１０月２２日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、これと同時に手続補正がなされた後、前置審査において、同年１２月４日付けで拒絶の理由が通知され、これに対して、平成２２年３月５日に手続補正がなされたものである。
　
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２２年３月５日になされた手続補正後の特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし３６に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
　
「基板又はスーパーストレート支持材料の透明シート上に薄膜光電池装置を製造する方法であって、
　ａ）ＳｉＯ２ゾル−ゲル内に所定濃度のテクスチャリング粒子の混合物を含む液状の薄膜材料の容器内に支持材料をディップする段階であって、前記薄膜材料が、所望の膜厚を得るように調節された低粘度を有する段階と；
　ｂ）露出された表面上に、単一層にテクスチャリング粒子を堆積するように支持材料を取り出す段階であって、単一層内の粒子間隔が、ゾルーゲル内の粒子の濃度及び溶液からの支持材料の引き出し速度を調整することによって制御され、前記単一層の膜厚が、前記溶液からの前記支持材料の引き出し速度によって決定される段階と；
　ｃ）支持材料上にテクスチャーされた膜を形成するように液体膜材料を硬化する段階であって、硬化後に、テクスチャリング膜が、ＳｉＯ２マトリックス内に束縛されたテクスチャリング粒子を含み、硬化後におけるテクスチャリング粒子の直径が、ＳｉＯ２膜の厚さよりも大きい段階と；
　ｄ）テクスチャーされた膜上に半導体材料薄膜を形成する段階と；及び
　ｅ）半導体材料薄膜の中に光電池装置を作製する段階と；
を備えた方法。」（以下「本願発明」という。）
　
　
３　刊行物の記載
（１）平成２１年１２月４日付けで通知された拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開平１１−２７４５３６号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに、以下の記載がある（下線は、審決で付した。）。　
　
ア　「【発明の属する技術分野】本発明は、安価に製造でき、かつ、光電変換効率の高い太陽電池用基板に関する。」
　
イ　「【０００３】
【発明が解決しようとした課題】しかしながら、ガラス表面を研磨する方法では微細な凹凸を有する表面を得ることが難しく、また、熱ＣＶＤ法によりＳｎＯ2膜を形成する方法では生産性が悪くコスト高になるという欠点がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等は上記課題に鑑み鋭意検討を行った結果、
ガラス基板の表面に形成する均一絶縁性微粒子薄膜によれば微細な凹凸を有し、光電変換効率が高く、しかも安価に製造できることを見出し本発明に到達した。
　
ウ　「【００１０】以上の絶縁性微粒子の薄膜をを
ガラス基板
絶縁性微粒子を溶媒に分散させてなる液を塗布する方法が望ましい
　
エ　「【００１２】絶縁性微粒子のポリイミド系樹脂への配合量は、その種類、平均粒径、被膜の厚さ、耐熱性基板の用途により変るがポリイミド系樹脂に対して通常１００〜５００重量％以上の範囲で選ぶものとする。配合量が１００重量％未満であると、被膜の表面に微細な凹凸を形成するのが難しく、配合量が５００重量％を越えると被膜がもろくなることがあるのでいずれも好ましくない。」
　
オ　「【００１４】
塗布液は、球状微粒子をポリイミド樹脂の溶液中に分散させた状態の溶液を調製する
ディッピング法
ディッピング塗布法は、塗布液の中に基板を浸漬し、一定の速度で引き上げる方法が一般的である。塗布量は、塗布液の濃度、塗布液の粘度、基板の引き上げ速度を調節して塗布乾燥後の薄膜が所定の厚さとなるように調節する。塗布乾燥後の薄膜の厚さは、微粒子が単分散の状態で積層され、また、積層数はできるだけ少ない方が安価に製造するために好ましい
【００１５】塗布操作が完了したら、直ちに塗布薄膜を加熱乾燥する。加熱乾燥の方法は、乾燥の初期を無風状態で乾燥し、溶媒が飛散したらポリイミド樹脂を硬化させるため、３００℃まで昇温し薄膜を形成させる。以上のようにして、
本発明の太陽電池用基板は製造されるが、その後、本基板上に光電変換用積層構造が形成され薄膜太陽電池が製造される。この太陽電池は、基板表面に形成された微少な凹凸から入射した太陽光の光路長を増加させ、吸収量を増大することにより光電変換効率を向上できる
　
カ　「【００１７】他方、厚み３ｍｍ、３００ｍｍ角のガラス板を基板として、上記の溶液に浸漬し５０ｍｍ／分の速度で引き上げた。片面をジメチルホルムアミドでふき取った後、
乾燥炉に入れ８０℃で１分間乾燥しその後３００℃で１０分間加熱して表面に微少な凹凸が形成されたガラス基板を得た
【００１８】また、この基板を分光光度計で、球状シリカの積層されていない側から光を入射し透過率（Ｔ％）を測定した。波長４００ｎｍ〜１２００ｎｍの範囲で９０％以上の透過率を示した。
［実施例２］
球状シリカ
［応用例］実施例１、２及び表面に球状微粒子が積層されていないガラス板の表面に、まず
スパッター法でＩＴＯ膜を６００Åの厚みで透明電極として形成した。さらに、この透明電極の上にｐｉｎ接合をもつ厚さ５０００Åのアモルファスシリコン膜（光電変換層）をプラズマＣＶＤ法で形成した。最後に裏面電極として薄膜太陽電池を作成した
　
（２）平成２１年１２月４日付けで通知された拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である、国際公開第００／２８６０３号（以下「引用例２」という。）には、図面とともに、以下の記載がある（訳文をかっこ付きで付した。）。　
　
ア　「The present invention relates generally to thin film photovoltaic devices and in particular the invention provides a structure and a method of forming the structure for thin film cells to achieve light trapping in these cells.」（１頁２行から４行）
（この発明は一般に、薄膜光起電デバイスに関し、特にこの発明は薄膜電池内での光閉じ込めを達成する薄膜電池に対する構造及びその製造方法を提供する。）
　
イ　「According to a first aspect, the present invention provides a method of forming a light trapping structure in a thin film silicon solar cell formed on a glass substrate or superstrate, the method including the steps of: 
a) providing a textured surface on the glass substrate or superstrate, the texturing layer comprising texturing particles held in a binding matrix; and 
b) forming a silicon film on the textured surface and forming a photovoltaic device structure in the silicon film, the silicon film being less than 10 μm thick.」（２頁３０行から３頁３行）
（第１の観点によれば、本発明はガラス基板またはスーパーストレート上に形成された薄膜太陽電池中に光閉じ込め構造を形成する方法を提供する。この方法は、
ａ）ガラス基板またはスーパーストレート上でテクスチュア化された表面を提供する工程であって、テクスチュアリング層は結合マトリクス中に保持されたテクスチュアリング粒子を含む工程と、
ｂ）テクスチュア化された表面上にシリコン膜を形成すると共にそのシリコン膜内に光起電性デバイスを形成する工程であって、シリコン膜の厚さは１０μｍより小さい工程と、
を含む。）
　
ウ　「In preferred embodiments of the invention, the texturing of the substrate or superstrate is achieved by an SiO2 layer which includes monospheric SiO2 particles in the range of 0.1-2 μm in diameter. Preferably, the monospherical particles are in the range of 0.5-0.91 μm and in a particularly preferred embodiment, the particles are approximately 0.7 μm (eg, 0.65-0.75 μm). The particles are located in a smooth SiO2 film having a thickness in the range of 0.2-0.8 times the diameter of the monospheric particles. Preferably, the SiO2 layer is in the range of 0.35-0.5 times the particle diameter and in the particularly preferred embodiment, is approximately 0.3 μm (eg, 0.25-0.35 μm). The difference between particle dimension and film thickness results in a textured surface, however in this case the features can be more greatly spaced as they are larger. Both the SiO2 particles and the film are made by a Sol-Gel process.」（３頁３４行から４頁１０行）
（この発明の好ましい実施の形態では、基板あるいはスーパーストレートのテクスチュアリングは直径０．１〜２μｍの範囲の単球ＳｉＯ2粒子を含むＳｉＯ2層により達成される。好ましくは単球粒子は０．５〜０．９μｍの範囲であり、特に好ましい実施の形態では、粒子は約０．７μｍ（例えば、０．６５〜０．７５μｍ）である。粒子は単球粒子の直径の０．２〜０．８倍の範囲の厚さを有する平滑なＳｉＯ2膜内に配置される。好ましくはＳｉＯ2層は粒子直径の０．３５〜０．５倍の範囲であり、特に好ましい実施の形態では約０．３μｍ（例えば、０．２５〜０．３５μｍ）である。粒子寸法と膜厚の間の差によりテクスチュア化された表面が得られるが、この場合、その構造が大きくなるにつれその間隔がより大きくなる。ＳｉＯ2粒子及び膜はどちらもゾル−ゲルプロセスにより作製される。）
　
エ　「Illustrated in  FIG. 8 , is a sectional view of an embodiment similar to that of  FIGS. 3-5 , in which are shown photons of light which enter or exit the silicon film  15  along paths  18  through the substrate and are reflected within the silicon film  15 , between the lower dielectric / silicon interface  20  (or anti-reflection layer/silicon interface) and the upper silicon / dielectric interface  21  or the surface of the metal (back contact)  19 , several times, thereby increasing the conversion efficiency of a photovoltaic cell formed in the thin silicon film.」（８頁１２行から１９行）
（図８には図３〜５の実施の形態と同様の実施の形態の断面図が示されている。この図では、基板から経路１８に沿ってシリコン膜１５に入るか、又は、その膜から出て行く光の光子と、シリコン膜１５における低誘電／シリコン界面２０（あるいは反射防止層／シリコン界面）と上部シリコン／誘電界面２１あるいは金属（裏面コンタクト）１９の表面との間で数回反射される光の光子とが示されている。この反射により、シリコン薄膜内で形成される光起電性電池の変換効率が増加する。）
　
オ　図８から単一層にテクスチャリング粒子が堆積されていることが見て取れる。
　
　
４　引用発明
　上記３（１）によれば、引用例１には、次の発明が記載されているものと認められる。
「ガラス基板上に薄膜太陽電池を製造する方法であって、
球状微粒子をポリイミド樹脂の溶液中に分散させた状態の塗布液の中に基板を浸漬し、一定の速度で引き上げるディッピング塗布法によって基板の表面に塗布液を塗布する際に、塗布量は、塗布液の濃度、塗布液の粘度、基板の引き上げ速度を調節して塗布乾燥後の薄膜が所定の厚さとなるように調節する段階と、
塗布薄膜を加熱乾燥させて表面に微小な凹凸が形成された基板を得る段階と、
表面にスパッター法でＩＴＯ膜を６００Åの厚みで透明電極として形成し、さらに、この透明電極の上にｐｉｎ接合をもつ厚さ５０００Åのアモルファスシリコン膜（光電変換層）をプラズマＣＶＤ法で形成し、最後に裏面電極として薄膜太陽電池を作成する段階と、
を備えた方法。」（以下「引用発明」という。）
　
　
５　対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「薄膜太陽電池」及び「球状微粒子」は、それぞれ、本願発明の「薄膜光電池装置」及び「テクスチャリング粒子」に相当する。
　
（２）引用発明の「ガラス基板」ないし「基板」は、本願発明の「基板又はスーパーストレート支持材料の透明シート」ないし「支持材料」のいずれにも相当する。
　
（３）引用発明では、「球状微粒子をポリイミド樹脂の溶液中に分散させた状態の塗布液の中に基板を浸漬」しており、また、溶液を入れる容器が存在することは自明の事項といえるから、「テクスチャリング粒子の混合物を含む液状の薄膜材料の容器内に支持材料をディップする段階」を備える点において、本願発明と一致する。
　
（４）引用発明では、「球状微粒子をポリイミド樹脂の溶液中に分散させた状態の塗布液の中に基板を浸漬し、一定の速度で引き上げるディッピング塗布法によって基板の表面に塗布液を塗布する」段階を備えることから、「露出された表面上に、」「テクスチャリング粒子を堆積するように支持材料を取り出す段階」を備える点について、本願発明と一致する。
　
（５）引用発明では、「塗布量は、塗布液の濃度、塗布液の粘度、基板の引き上げ速度を調節して塗布乾燥後の薄膜が所定の厚さとなるように調節する」ことから、引用発明は、「薄膜材料が、所望の膜厚を得るように調節された低粘度を有する」点、及び、「膜厚が、前記溶液からの前記支持材料の引き出し速度によって決定される」点で、本願発明と一致する。
　
（６）引用発明では、「球状微粒子をポリイミド樹脂の溶液中に分散させた状態の塗布液の中に基板を浸漬し、一定の速度で引き上げるディッピング塗布法によって基板の表面に塗布液を塗布する際に、塗布量は、塗布液の濃度、塗布液の粘度、基板の引き上げ速度を調節して塗布乾燥後の薄膜が所定の厚さとなるように調節する段階と、塗布薄膜を加熱乾燥させて表面に微小な凹凸が形成された基板を得る段階と」を備えることから、引用発明は、「支持材料上にテクスチャーされた膜を形成するように液体膜材料を硬化する段階であって、硬化後に、テクスチャリング膜が、」「マトリックス内に束縛されたテクスチャリング粒子を含」む段階を備える点で、本願発明と一致する。
　
（７）引用発明では、「表面にスパッター法でＩＴＯ膜を６００Åの厚みで透明電極として形成し、さらに、この透明電極の上にｐｉｎ接合をもつ厚さ５０００Åのアモルファスシリコン膜（光電変換層）をプラズマＣＶＤ法で形成し、最後に裏面電極として薄膜太陽電池を作成する段階」を備えることから、引用発明は、「テクスチャーされた膜上に半導体材料薄膜を形成する段階」及び「半導体材料薄膜の中に光電池装置を作製する段階」を備える点で、本願発明と一致する。
　
（８）以上によれば、両者は、
「基板又はスーパーストレート支持材料の透明シート上に薄膜光電池装置を製造する方法であって、
　ａ）テクスチャリング粒子の混合物を含む液状の薄膜材料の容器内に支持材料をディップする段階であって、前記薄膜材料が、所望の膜厚を得るように調節された低粘度を有する段階と；
　ｂ）露出された表面上に、テクスチャリング粒子を堆積するように支持材料を取り出す段階であって、膜厚が、前記溶液からの前記支持材料の引き出し速度によって決定される段階と；
　ｃ）支持材料上にテクスチャーされた膜を形成するように液体膜材料を硬化する段階であって、硬化後に、テクスチャリング膜が、マトリックス内に束縛されたテクスチャリング粒子を含む段階と；
　ｄ）テクスチャーされた膜上に半導体材料薄膜を形成する段階と；及び
　ｅ）半導体材料薄膜の中に光電池装置を作製する段階と；
を備えた方法。」
である点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。
　
ア　支持材料上に形成されたテクスチャーされた膜について、本願発明では、ＳｉＯ２ゾル−ゲル内に所定濃度のテクスチャリング粒子の混合物を含む液状の薄膜材料を用いることで、ＳｉＯ２マトリックス内に束縛されたテクスチャリング粒子を含むテクスチャリング膜を形成しているのに対して、引用発明では、球状微粒子（テクスチャリング粒子）をポリイミド樹脂の溶液中に分散させた状態の塗布液を用いることで、ポリイミド樹脂内に球状粒子（テクスチャリング粒子）を含む表面に微小な凹凸が形成された膜（テクスチャリング膜）を形成している点（以下「相違点１」という。）。
　
イ　テクスチャリング膜内のテクスチャリング粒子について、本願発明では、単一層に堆積し、硬化後におけるその直径が、膜の厚みよりも大きく、さらに、単一層内の粒子間隔が、ゾル−ゲル内の粒子の濃度及び溶液からの支持材料の引き出し速度を調整することによって制御されているのに対して、引用発明では、薄膜が単一層に堆積しているのか不明であり、硬化後における球状微粒子（テクスチャリング粒子）の直径が膜の厚みよりも大きくなく、また、本願発明のような制御により製造されているのか不明な点（以下「相違点２」という。）。
　
　
６　判断
（１）　相違点１について
ア上記３（２）ウによれば、引用例２には、薄膜光電池装置に用いる支持材料上に形成されたテクスチャリング膜を、ＳｉＯ２ゾル−ゲル内に所定濃度のテクスチャリング粒子の混合物を含む液状の薄膜材料を用いることで、ＳｉＯ２マトリックス内に束縛されたテクスチャリング粒子を含むものとする技術が記載されているものと認められる。
  
イ　上記引用発明と引用例２に記載の上記技術とは、いずれも薄膜光電池装置に用いるテクスチャリング膜に関するものであり、膜内にテクスチャリング粒子を含む点でも共通するから、引用発明に引用例２に記載の上記技術を採用して、相違点１に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
（２）　相違点２について
ア　上記３（２）ウおよびオによれば、引用文献２には、単一層にテクスチャリング粒子を堆積し、硬化後における該テクスチャリング粒子の直径をＳｉＯ２膜の厚さよりも大きくする技術が記載されているものと認められる。
　
イ　上記引用発明と引用例２に記載の上記技術とは、いずれも薄膜光電池装置に用いるテクスチャリング膜に関するものであり、膜内にテクスチャリング粒子を含む点でも共通するから、引用発明に引用例２に記載の上記技術を採用することは、当業者が容易になし得たことである。
　
ウ　３（２）エの記載から理解されるテクスチャリング膜の技術的意義を考慮すれば、光起電性電池の変換効率を増加させるのに適度な粒子間隔とすることは当業者にとって自明の事項といえる。しかるところ、引用発明では塗布液の濃度および基板の引き上げ速度を調節しており、塗布液の濃度および基板の引き上げ速度によって粒子間隔が変化することは当業者の予測の範囲内である。よって、単一層内の粒子間隔を、ゾル−ゲル内の粒子の濃度及び溶液からの支持材料の引き出し速度を調整することによって制御することは、引用発明に引用例２に記載の上記技術を採用する際に、当業者が適宜なし得た事項である。　　
　
エ　したがって、引用発明に引用例２に記載の上記技術を採用して、相違点２に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
（３）　本願発明の効果
　本願発明において奏される効果が、引用発明及び引用例２に記載の技術から予測し得る以上の格別顕著なものとも認められない。
　
（４）　小括
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明及び引用例２に記載の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものというべきであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　
７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用例２に記載の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。