【事件の表示】
　特願２００３−１５１１３７「フォトニック結晶の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１２月１６日出願公開、特開２００４−３５４６１７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１５年５月２８日の特許出願であって、平成２０年８月５日付けで手続補正がなされたが、平成２１年９月２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月３０日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２０年８月５日付け手続補正による補正後の明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
「　半導体基板上に形成された、屈折率の異なる少なくとも２つの媒質を含み、前記媒質のうち１の媒質が他の媒質中で周期的に配列されているフォトニック結晶の製造方法において、前記半導体基板を含む積層体の側面に劈開された面を少なくとも１つ形成する工程と、前記劈開された面を基準として、前記１の媒質の周期的な配列方向を示す基本並進ベクトル方向と前記積層体の劈開された面とが平行となるように前記１の媒質を形成する工程と、を含むフォトニック結晶の製造方法。」
　
３　引用刊行物の記載
（１）引用刊行物１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物であるTokushima, M.; Yamada, H.; , Light propagation in a photonic-crystal-slab line-defect waveguide , 
IEEE Journal of Quantum Electronics
（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている（なお、当審による訳文をかっこ書きで付した。）。
　
　ア　「I. INTRODUCTION
PHOTONIC crystals (PCs) are artificial optical materials whose dielectric constants are periodically modulated in the order of light wavelength. They are characterized primarily by their photonic bandgaps (PBGs). Light with a frequency in a PBG of a PC cannot propagate in the PC. This characteristic of a PBG can be utilized to create a PC line-defect waveguide with a width around a half wavelength of the light to be guided. Even a sharply bent waveguide with sufficiently low loss has been designed, so micro-lightwave circuitry composed of such PC line-defect waveguides is easily conceived as an application of the PC. ・・・ It is thus expected that the dimensions of lightwave circuits will be significantly reduced first by the application of the PC line-defect waveguide.
  A PC slab, which is a quasi-two-dimensional (2-D) PC with a finite thickness, can be used as the base structure of a line-defect waveguide. Light guided in a PC-slab line-defect waveguide is confined, in the thickness direction, by means of total internal reflection, while, in a plane parallel to the PC slab, the light is confined within the line defect because of the characteristic of a PBG. The PC-slab line-defect waveguide is not perfect; namely, it may leak light where total internal reflection does not occur, for example, at a bend. Even so, the PC line-defect waveguide is still promising since it is much easier to make than three-dimensional (3-D)-PC line-defect waveguides.
　　We have previously fabricated a PC-slab single-line-defect waveguide in a silicon-on-insulator (SOI) wafer (Fig. 1). In the SOI-based PC slab, the silicon layer acts as the core layer containing a periodic structure, and the silicon-dioxide layer beneath the silicon layer acts as a cladding layer. We have successfully detected light propagating through this PC-slab single- line- defect waveguide with a 120°-bend in the middle.」（753頁左欄２行〜753頁右欄１４行）
（Ｉ．導入
　フォトニック結晶（ＰＣ）は、その誘電率が発光波長のオーダーで周期的に変調される人工的な光学物質である。それらは主としてフォトニックバンドギャップ（ＰＢＧ）により特徴付けられる。ＰＣのＰＢＧの中の周波数を備えた光はＰＣの中で伝播することができない。ＰＢＧのこの特性は、導波する光の半波長程度の幅を持つＰＣ線欠陥導波路を作成するために利用することができる。十分に低損失な鋭く曲がっている導波路さえ設計され、したがって、そのようなＰＣ線欠陥導波路により構成されるミクロな光波の回路構成は、ＰＣの応用として、容易に思いつくものである。・・・したがって、ＰＣ線欠陥導波路の応用によって、初めて、光波回路の寸法が著しく縮小されるだろうと期待される。
　有限の厚さを備えた準二次元ＰＣであるＰＣスラブは、線欠陥導波路の基底構造として使用することができる。ＰＣスラブ線欠陥導波路の中で導波された光は、層厚方向には内部全反射によって制限され、一方、ＰＣスラブと平行な平面では、光は、ＰＢＧの特性のために線欠陥内に制限される。ＰＣスラブ線欠陥導波路は完全ではない、すなわち、例えば屈曲などの、内部全反射が生じないところでは、光が漏洩する可能性がある。それでも、ＰＣ線欠陥導波路は、三次元ＰＣより作るのがはるかに簡単であるので、有望である。
　我々は、先にＳＯＩウエハ上のＰＣスラブ線欠陥導波路を製造している。ＳＯＩベースのＰＣスラブでは、シリコン層が周期構造を含むコア層の役割をし、シリコン層の下の二酸化シリコン層が、クラッド層の役割をする。我々は、中に１２０°の屈曲を有するこのＰＣスラブ線欠陥導波路中を伝搬する光を検出することに成功した。）
　
　イ　「II. EXPERIMENT
A. Sample Preparation
  In our design of the PC-slab line-defect waveguide, the silicon core layer and the silicon-dioxide cladding layer underneath were both 2 μm thick, and the silicon layer had a triangular lattice structure of air holes with a pitch, a, of 0.8 μm and a hole diameter, d, of 0.76 μm; thus, d/a was 0.95. A number of the PC slabs were fabricated in a 76-mm-diameter SOI wafer. The main advantage of using an SOI wafer is that the silicon technology is available for the fabrication process as described in the following. First, a 150-nm-thick silicon-dioxide layer was formed on the top silicon layer of the SOI wafer by thermal oxidization. The wafer was coated with a photoresist, and the pattern for the triangular lattice of holes was defined with an i-line optical stepper and a grating-pattern triple-exposure technique. The photoresist pattern was transferred to the silicon-dioxide layer on top of the silicon layer by a magnetron reactive-ion etcher using a mixture of tetrafluorocarbon and hydrogen gases. The patterned silicon-dioxide layer in turn acted as an etching mask during dry etching of the silicon layer below it. The etching was done with an electron-cyclotron-resonance plasma etcher using a mixture of chlorine and oxygen gases. The diameter of the holes in the as-etched silicon layer was a little smaller than the target one of 0.76 μm. Therefore, the diameter was enlarged in the last process step; that is, the surface portion of the smaller holes in the silicon core layer was thermally oxidized, and the surface silicon-dioxide grown in every hole was etched off with dilute hydrofluoric acid. 
  Fig. 2 shows a cross-sectional view of the finished PC, and Fig. 3 shows a top-view micrograph of the PC, which contains a single-line-defect waveguide with a sharp 120°-bend in the PC. The final diameter of the holes is 0.75 μm.」（754頁左欄４行〜下から５行目）
（ＩＩ．実験
Ａ．試料の準備
　我々のＰＣスラブ線欠陥導波路の設計において、シリコンコア層及びその下の二酸化シリコンクラッド層は、両方とも２μｍの厚さであり、また、シリコン層は、０．８μｍのピッチａ及び０．７６μｍの孔径ｄ（したがって、ｄ／ａは０．９５）を備えた空気孔の三角格子構造を有していた。多数のＰＣスラブが、７６ｍｍ径ＳＯＩウエハに製造された。ＳＯＩウエハを使用することの主な利点は、下記に述べられているように、シリコン技術が製造過程に利用可能であるということである。最初に、厚さ１５０ｎｍの二酸化シリコン層が、熱酸化によってＳＯＩウエハのトップシリコン層上に形成された。そのウエハはフォトレジストで覆われ、そして、孔の三角格子パターンが、ｉ線光ステッパーおよびグレーティングパターン三重照射技術によって、画定された。フォトレジストパターンは、テトラフルオロカーボンと水素ガスの混合物を使用して、マグネトロン反応性イオン・エッチング装置によって、シリコン層上の二酸化シリコン層に転写された。次に、パターン化された二酸化シリコン層は、それより下のシリコン層のドライエッチングの際に、エッチングマスクとして作用した。エッチングは、塩素と酸素ガスの混合物を使用した電子サイクロトロン共鳴プラズマエッチング装置により、行われた。エッチングされたままのシリコン層の孔の直径は、目標とした０．７６μｍより少し小さかった。したがって、直径は最後のプロセス工程において拡大した；すなわち、シリコンコア層のより小さな孔の表面の部分は、熱酸化され、そして、すべての孔の中成長した表面二酸化シリコンは、希釈フッ化水素酸でエッチングされた。
　図２は、完成したＰＣの断面図を示す。図３は、ＰＣ中に鋭い１２０°屈曲を有する単一線欠陥光導波路を備えたＰＣの上面顕微鏡写真図を示す。孔の最終的な直径は、０．７５μｍである。）
　
　ウ　「B. Measurement of Reflection Spectrum of PC
  The optical reflection spectrum (in the Γ-M direction) of the fabricated PC slab was measured in order to investigate its PBG. Broad-spectrum light was used as the light source. The light was not polarized and included both TE and TM polarizations. The light was input into a cleaved facet of the PC through a tapered-hemispherical-end optical fiber. The reflected light was detected with the same optical fiber and part of it was fed into an optical spectrum analyzer via an optical splitter.・・・」（754頁左欄下から４行目〜右欄５行）
（Ｂ．ＰＣの反射スペクトルの測定
　製造されたＰＣスラブの（Γ−Ｍ方向の）光学反射スペクトルが、そのＰＢＧを調べるために測定された。広スペクトル光が光源として使用された。光は偏光しておらず、TEとTM偏光の両方を含んでいた。光は、先細り半球端光ファイバーを通してPCの劈開面に入力された。反射光は同じ光ファイバーで検知され、その一部が光学スプリッタによって光スペクトルアナライザーに供給された。・・・）
　
　エ　「C. Measurement of Light Propagation Through Waveguide
  To observe light output from the fabricated PC-slab line-defect waveguide, the crystal was cleaved again so that both ends of the waveguide were at the facets of the sample. As a result, the cleaved facets were aligned with a row of holes (Fig. 1). No coating was applied to either end of the waveguide. The measurement setup is illustrated in Fig. 5. The light source was a 1.55-μm-wavelength laser diode with an output power of −2 dBm. The light was fed through a tapered-hemispherical-end optical fiber coupled to one end (input end) of the waveguide in a straight line. The polarization of the light was adjusted so as to excite the TE-like mode of the waveguide. The near-field light output from the opposite end (output end) was measured by scanning another tapered-hemispherical-end optical fiber near the end facet in a direction perpendicular to the waveguide. The total length of the waveguide with a 120°-bend near the middle was 877 μm. The input and output ends were at least 400 m apart, so directly coupled light in the background was negligibly small. （754頁右欄１７行〜755頁左欄１１行）
（Ｃ．導波路中の光伝搬の測定
　製造されたＰＣスラブ線欠陥導波路からの光出力を観察するために、導波路の両端がサンプルの端面となるように、結晶が、再び劈開された。その結果、劈開された面は、孔の列と一直線にされた（図１）。コーティングは導波路のどちらの端にも適用されなかった。測定のための構成は、図５に示される。光源は、−２ｄＢｍの出力を備えた１．５５μｍ波長のレーザーダイオードであった。光は、直線導波路の一方の端（入力端）に結合された先細り半球端光ファイバーを通して供給された。光の偏光は導波路のＴＥ様モードを励起するように調節された。反対端（出力端）からのニアフィールド光出力は、出力端面近くの別の先細り半球端光ファイバーの走査により、導波路に垂直な方向で、測定された。中間付近の１２０°の屈曲を備えた導波路の全長は、８７７μｍであった。入出力端は、少なくとも４００μｍ離れており、したがって、バックグラウンドの直接結合した光は無視できるほど小さかった。）
　
　オ　上記イを踏まえて図３を見ると、製造されたフォトニック結晶中に鋭い１２０°屈曲を有する単一線欠陥光導波路を備えたフォトニック結晶スラブの上面顕微鏡写真図が示され、フォトニック結晶スラブには、空気孔の列に沿って、１２０°屈曲を有する単一線欠陥光導波路が形成されていることが見て取れる。
　なお、図３は次のとおりである。
（図３）
　
　カ　上記エを踏まえて図１及び図５を見ると、線欠陥導波路を備えたＰＣスラブは、Ｓｉ基板上にＳｉＯ2クラッド層、Ｓｉコア層が積層され、Ｓｉコア層には、空気孔が周期的に形成され、さらに、１２０°の屈曲を備えた単一欠陥導波路が形成された構造を有していること、及び、前記ＰＣスラブは、縦方向及び横方向に劈開されており、両方向において劈開された面は、いずれも空気孔の列と一直線にされており、その結果、空気孔が劈開された面に露出されていること、が見て取れる。
　なお、図１及び図５は、以下のとおりである。
（図１）
　
（図５）
　
（２）引用刊行物２
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平５−５５１４３号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は円形ウェハ上の結晶成長方法に関し、特に高精度の劈開方位合わせが容易にできる光デバイス用円形ウェハ上の結晶成長方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の光デバイス（ＬＤ，ＬＥＤ，ＰＤ，ＯＥＩＣ等）用の角形ウェハを示した図であり、この角形ウェハはＩｎＰ，ＧａＡｓ等で結晶成長させたものであり、図において１は角形ウェハ、２は劈開面である。劈開面２は（１００），（０１１），（０１／１）の３方向の結晶面を有している。
【０００３】図４は前記角形ウェハ１上に、各種パターンを形成するための転写工程における劈開方位合わせ方法の様子を示した図であり、図において、３はマスク、４はストライプ状のマスクパターンである。
【０００４】一般に、光デバイスはＳｉ及びＧａＡｓを用いたＬＳＩとは異なり、その機能上結晶軸に沿って劈開を行う必要がある。従来の光デバイスでは、角形ウェハを用いてその角形ウェハ上に液相、もしくは気相成長方法により、エピタキシャル成長を行っていた。その結晶成長を行った角形ウェハ上に、埋め込み構造レーザの活性導波路や電極を形成する場合、最初に行うフォトレジストを用いた転写工程では、図３に示すように角形ウェハ１の一辺である劈開面２を基準にマスク合わせを行っていた。」、
「【０００７】ところが、光デバイスは電子デバイスの集積化やアレイ化に伴い、チップサイズの拡大や加工精度の向上を図るために、用いるウェハが角形ウェハから円形大口径ウェハへと移り行く可能性がある。」、
「【００１０】しかし、光デバイス用のウェハの場合には劈開面を必要とし、デバイスの特性及びその加工精度上、オリエンテーションフラットは劈開面に対して０．０１°以下の精度で加工する必要がある。」、
「【００２１】
【作用】この発明における円形ウェハ上の結晶成長方法は、劈開オリエンテーションフラットをベアウェハ状態の際と同じ状態で保存できることにより、この劈開オリエンテーションフラットを用いて導波路の形成や電極の形成といったアライメントが容易に精度よく行えるようになり、デバイス特性の均一化が可能となり、かつ高歩留が得られる。」
　
（３）引用刊行物３
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平９−４５５９４号公報（以下「引用刊行物３」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
「【０００２】
【従来の技術】従来、化合物半導体レーザダイオード（以下、ＬＤと略す）は、その共振面として、化合物半導体ウェハをへき開して作られたへき開面を用いている。その理由は、へき開して作られるへき開面が、共振面として必要な良好な平坦度を有していることと、直方体系の結晶の場合、容易に平行な面を作り得るからである。
【０００３】このＬＤは、結晶ウェハ上に発光層を有するエピタキシャル層を成長したあと、ホトリソグラフィ技術で、電極部などのパターンを作り、ウェハをへき開し、チップとして作製される。
【０００４】このホトリソグラフィ時にまず必要なことは、最終的にへき開されてできるチップの向きに、正確にパターンが作られなければならないことである。そこで、ホトリソグラフィ時の向きの基準として、通常、ＬＤを作製するウェハの外周の一部に、へき開面を形成している。
【０００５】その例を図４に示す。図４（ａ）は四角形の形状をしたウェハ３の例である。四つの辺のうち、少なくとも一辺はへき開面２により形成されており、残りの三辺は面取りされた面取部１で形成されている。図４（ｂ）は、円形ウェハ４の例である。オリエンテーションフラット（以下、ＯＦ）がへき開面２で形成され、円周部は面取部１で形成されている。」
　
（４）引用刊行物４
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平７−１６９６７３号公報（以下「引用刊行物４」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光通信や情報処理等に用いる半導体レーザ等の光デバイスの製造プロセスに関するもので、特に、円形ウエハ上にアライメントマーク等の位置決め用の基準パターンを転写する第１マスク工程におけるマスク合わせ方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザでは、共振器はその共振器端面に結晶面（へき開面｛０１１｝面）を用いることにより構成されており、これまでの半導体レーザの製造方法では、液相成長法（ＬＰＥ法）によりウェハ上にダブルヘテロ構造を形成し、このダブルヘテロ構造を加工して、上記へき開面と垂直な方向に沿った、共振器となる光導波路構造を形成し、さらにこの光導波路構造上に電流注入用の電極を形成している。
【０００３】・・・近年、結晶成長技術が進歩し、特にＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法等の気相成長を用いることにより、図１１(b) に示すような円形ウェハ１００上にも結晶成長によりダブルヘテロ構造を形成できるようになってきた。なおここで、２は上記角ウエハ２００のへき開面、１０，２０はそれぞれ上記円形ウエハ１００の第１，第２のオリエンテーションフラット面（以下オリフラ面ともいう。）を示している。
【０００４】しかし、半導体レーザのような光デバイスの場合、構造上共振器端面に結晶面を用いる必要があり、ウェハプロセスでは、図１１(b) のような円形ウェハ１００からへき開により図１１(a) のような角ウェハ２００を切り出し、転写工程におけるマスク合わせを該角ウエハ２００のへき開面２を基準にして行っている。
【０００５】例えば、図１２は上記転写工程における具体的なマスク合わせ方法を示しており、図において、２１０は光導波路用のストライプマスクパターン１１を有する露光マスクである。ここでマスク合わせは、露光装置のウエハ載置台５０上に上記角ウエハ２００を載置し、これと、予め露光装置に装着された上記露光マスク２１０とを露光装置のアライメントスコープもしくはモニタＴＶを介して観察しながら、上記マスクパターン１１と角ウェハ２００のへき開面２とが平行になるよう、角ウエハ２００に対して上記露光マスク２１０を位置合わせすることにより行っている。そして第２マスク工程以降の工程では、第１マスク工程で形成した光導波路パターンあるいはこれと同時に形成したアライメントマーク等を基準にしてマスク合わせを行い、電極パターン等の形成を行っている。」
　
４　引用発明及び周知技術
（１）引用発明
　ア　上記３（１）（特に、イ「Ａ．試料の準備」欄）によると、引用刊行物１には、シリコン基板上に二酸化シリコンクラッド層、シリコンコア層が積層されたフォトニック結晶スラブ線欠陥導波路を製造する方法として、該フォトニック結晶スラブ線欠陥導波路は、シリコン層として、０．８μｍのピッチａ及び０．７６μｍの孔径ｄを備えた空気孔の三角格子構造を有したものであり、
　多数のフォトニック結晶スラブが、７６ｍｍ径ＳＯＩウエハに製造されるものであり、
　前記製造方法において、厚さ１５０ｎｍの二酸化シリコン層が、熱酸化によってＳＯＩウエハのトップシリコン層上に形成され、該ウエハはフォトレジストで覆われ、そして、孔の三角格子パターンが、ｉ線光ステッパーおよびグレーティングパターン三重照射技術によって画定され、フォトレジストパターンは、テトラフルオロカーボンと水素ガスの混合物を使用してマグネトロン反応性イオン・エッチング装置によってシリコン層上の二酸化シリコン層に転写され、次に、パターン化された二酸化シリコン層をエッチングマスクとして用いて、塩素と酸素ガスの混合物を使用した電子サイクロトロン共鳴プラズマエッチング装置によりその下のシリコン層のドライエッチングを行い、エッチングされたままのシリコン層の孔の直径を最後のプロセス工程において拡大する方法、が記載されている。
　
　イ　上記３（１）エ及びカによると、引用刊行物１には、フォトニック結晶スラブ線欠陥導波路からの光出力を観察するために、Ｓｉ基板上にＳｉＯ2クラッド層、Ｓｉコア層が積層され、Ｓｉコア層には、空気孔が周期的に形成され、さらに、１２０°の屈曲を備えた単一欠陥導波路が形成された構造を有した線欠陥導波路を備えたフォトニック結晶を製造するために、上記アの製造方法の各工程の後に、導波路の両端がサンプルの端面となるように、前記フォトニック結晶スラブが、縦方向及び横方向に再び劈開され、両方向において劈開された面が、いずれも空気孔の列と一直線にされ、その結果、空気孔が劈開された面に露出されているものとされる、工程をさらに含む製造方法が記載されている。
　
　ウ　上記ア及びイによれば、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「　シリコン基板上に二酸化シリコンクラッド層、シリコンコア層が積層され、シリコンコア層に、所定のピッチ及び孔径を備えた三角格子構造の空気孔が周期的に形成され、さらに、１２０°の屈曲を備えた単一欠陥導波路が形成された構造を有したフォトニック結晶スラブ線欠陥導波路の製造方法において、
　該製造方法は、多数のフォトニック結晶スラブを、７６ｍｍ径ＳＯＩウエハに製造することを含むものであり、
　厚さ１５０ｎｍの二酸化シリコン層が、熱酸化によってＳＯＩウエハのトップシリコン層上に形成され、該ウエハはフォトレジストで覆われ、そして、孔の三角格子パターンが、ｉ線光ステッパーおよびグレーティングパターン三重照射技術によって画定され、フォトレジストパターンは、テトラフルオロカーボンと水素ガスの混合物を使用してマグネトロン反応性イオン・エッチング装置によってシリコン層上の二酸化シリコン層に転写され、次に、パターン化された二酸化シリコン層をエッチングマスクとして用いて、塩素と酸素ガスの混合物を使用した電子サイクロトロン共鳴プラズマエッチング装置によりその下のシリコン層のドライエッチングを行い、エッチングされたままのシリコン層の孔の直径を最後のプロセス工程において拡大し、
　その後に、導波路の両端がサンプルの端面となるように、前記フォトニック結晶スラブが、縦方向及び横方向に再び劈開され、その結果、両方向において劈開された面が、いずれも空気孔の列と一直線にされ、空気孔が劈開された面に露出されているものとされる、製造方法。」
　
（２）周知技術
　上記３（２）〜（４）に示した、引用刊行物２ないし引用刊行物４の記載によれば、本願の出願時において、以下の事項が当業者に周知の技術であったと認められる。
「光デバイスの製造プロセスにおいて、光デバイスを構成するパターンの方向を、結晶の劈開面の方向と所定の関係に画定するために、劈開面を基準として、前記パターンの形成のための露光用マスクパターンの方向の位置合わせをすること。」
　
５　対比 
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「フォトニック結晶スラブ線欠陥導波路」は、本願発明の「フォトニック結晶」に相当する。
　
（２）引用発明の「シリコン基板」は、本願発明の「半導体基板」に相当する。
　
（３）引用発明の「空気孔」は、「シリコンコア層に」「所定のピッチ」で「周期的に形成され」たものであるから、
　引用発明の「空気孔」及び「シリコンコア層」は、本願発明の「屈折率の異なる少なくとも２つの媒質」であり、
　該「空気孔」及び「シリコンコア層」のそれぞれが、本願発明の「前記媒質のうち」「１の媒質」及び「他の媒質」に相当する。
　
（４）上記（１）ないし（３）を踏まえると、引用発明の「シリコン基板上に二酸化シリコンクラッド層、シリコンコア層が積層され、シリコンコア層に、所定のピッチ及び孔径を備えた三角格子構造の空気孔が周期的に形成され、さらに、１２０°の屈曲を備えた単一欠陥導波路が形成された構造を有したフォトニック結晶スラブ線欠陥導波路の製造方法」は、本願発明の「半導体基板上に形成された、屈折率の異なる少なくとも２つの媒質を含み、前記媒質のうち１の媒質が他の媒質中で周期的に配列されているフォトニック結晶の製造方法」に相当する。
　
（５）引用発明は、「（空気）孔の三角格子パターンが、ｉ線光ステッパーおよびグレーティングパターン三重照射技術によって画定され」、「フォトレジストパターンは、・・・シリコン層上の二酸化シリコン層に転写され、次に、パターン化された二酸化シリコン層をエッチングマスクとして用いて、・・・その下のシリコン層のドライエッチングを行い、エッチングされたままのシリコン層の孔の直径を最後のプロセス工程において拡大」する工程によって、「シリコンコア層に、所定のピッチ及び孔径を備えた三角格子構造の空気孔が周期的に形成され」るものであるところ、その後、「導波路の両端がサンプルの端面となるように、前記フォトニック結晶スラブが、縦方向及び横方向に再び劈開され」、その結果、「両方向において劈開された面が、いずれも空気孔の列と一直線にされ」るから、
　引用発明の「（周期的に形成される）空気孔の列（の方向）」は、本願発明の「１の媒質の周期的な配列方向を示す基本並進ベクトル方向」に相当し、
　引用発明の「劈開された面が、いずれも空気孔の列と一直線にされ」ることは、本願発明の「前記１の媒質の周期的な配列方向を示す基本並進ベクトル方向と前記積層体の劈開された面とが平行となる」ことに相当するから、
　引用発明は、「前記１の媒質の周期的な配列方向を示す基本並進ベクトル方向と前記積層体の劈開された面とが平行となるように前記１の媒質を形成する工程」を含む点で、本願発明の「前記劈開された面を基準として、前記１の媒質の周期的な配列方向を示す基本並進ベクトル方向と前記積層体の劈開された面とが平行となるように前記１の媒質を形成する工程と」を含む、との特定事項と一致する。
　
　以上によると、本願発明と引用発明とは、
「　半導体基板上に形成された、屈折率の異なる少なくとも２つの媒質を含み、前記媒質のうち１の媒質が他の媒質中で周期的に配列されているフォトニック結晶の製造方法において、
　前記１の媒質の周期的な配列方向を示す基本並進ベクトル方向と前記積層体の劈開された面とが平行となるように前記１の媒質を形成する工程を含むフォトニック結晶の製造方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点］
　本願発明は、「前記半導体基板を含む積層体の側面に劈開された面を少なくとも１つ形成する工程」を含み、「前記劈開された面を基準として」１の媒質を形成するのに対して、引用発明は、そのような工程を含むものか明らかではない点。
　
６　判断 
　上記相違点について検討する。 
　
　引用発明においては、「導波路の両端がサンプルの端面となるように、前記フォトニック結晶スラブが、縦方向及び横方向に再び劈開され、その結果、両方向において劈開された面が、いずれも空気孔の列と一直線にされ」るから、この「再び劈開され」る工程より前に、周期的に形成されている「空気孔の列」の方向が、結晶の劈開される面の方向と一直線に、すなわち、平行となるように形成されていることは明らかである。
　そして、上記４（２）に示したように、光デバイスの製造方法において、光デバイスを構成するパターンの方向を、結晶の劈開面の方向と所定の関係に合わせるために、前記パターンの形成のための露光用マスクパターンの方向の位置合わせをすることは、本願の出願時において周知の技術であるから、引用発明における「（空気）孔の三角格子パターンが、ｉ線光ステッパーおよびグレーティングパターン三重照射技術によって画定され」ることを含む工程（本願発明の「前記１の媒質の周期的な配列方向を示す基本並進ベクトル方向と前記積層体の劈開された面とが平行となるように前記１の媒質を形成する工程」に相当する。）において、上記周知技術を適用し、半導体基板を含む積層体の側面に劈開された面を少なくとも１つ形成する工程を含み、前記劈開された面を基準として、上記三角格子パターンを画定するようになすことは、当業者が容易になし得たことである。
　
　そして、本願発明において、引用発明、及び周知技術から当業者が予測し得る域を超えるほどの格別顕著な効果が奏されるものとは認められない。
　
７　むすび　
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。