【事件の表示】
　特願２００３−４０３４３０「半導体チップの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月２３日出願公開、特開２００５−１６６９３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　この出願は、平成１５年１２月２日の特許出願であって、同２１年６月１７日付けで拒絶の理由が通知され、同２１年８月１８日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同２１年９月３日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、これに対し、同２１年１２月３日に本件審判の請求がされるとともに手続補正（以下「本件補正」という。）がされたものである。
　
　
第２　本件補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
［理由］
１　補正の内容の概要
　本件補正は、特許請求の範囲について補正をするものであって、補正前後の請求項１の記載は、補正箇所に下線を付して示すと、以下のとおりである。
(１)　補正前の請求項１
「回路が形成された半導体ウエハに、光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層を有するダイシング用粘着テープを貼付するテープ貼付工程と、前記ダイシング用粘着テープが貼付されたウエハをダイシングして、個々の半導体チップに分割するダイシング工程と、前記分割された個々の半導体チップの全面に光を照射して、半導体チップから前記ダイシング用粘着テープの少なくとも一部を剥離する剥離工程と、前記半導体チップをニードルピックアップ法により取り上げるピックアップ工程とを有する半導体チップの製造方法であって、前記ピックアップ工程において用いるニードルは、下記式（１）を満たす先端形状を有することを特徴とする半導体チップの製造方法。
　　【数１】
　半導体チップ面積×０．００１
　　　　　　　　≦ニードル先端と半導体チップとの接触面積
　　　　　　　　　　　　　　　≦半導体チップ面積×０．７　　（１）」
(２)　補正後の請求項１
「回路が形成された半導体ウエハに、光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層を有するダイシング用粘着テープを貼付するテープ貼付工程と、前記ダイシング用粘着テープが貼付されたウエハをダイシングして、個々の半導体チップに分割するダイシング工程と、前記分割された個々の半導体チップの全面に光を照射して、半導体チップから前記ダイシング用粘着テープの少なくとも一部を剥離する剥離工程と、前記半導体チップをニードルピックアップ法により取り上げるピックアップ工程とを有する半導体チップの製造方法であって、
　
前記光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層は、刺激により架橋して弾性率が上昇するものであり、かつ、前記気体発生剤が前記粘着剤層中に溶解しており
　前記ピックアップ工程において用いるニードルは、下記式（１）を満たす先端形状を有することを特徴とする半導体チップの製造方法。
　　【数１】
　半導体チップ面積×０．００１
　　　　　　　　≦ニードル先端と半導体チップとの接触面積
　　　　　　　　　　　　　　　≦半導体チップ面積×０．７　　（１）」
２　補正の適否
　請求項１における補正は、光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層が刺激により架橋して弾性率が上昇するものであり、かつ、前記気体発生剤が前記粘着剤層中に溶解しているものであるという限定事項を付加するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
(１)　補正発明
　補正発明は、本件補正により補正がされた明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、上記１の(２)の補正後の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。
(２)　引用例記載事項
　この出願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−２３７４７１号公報（以下「引用例１」という。）、国際公開第０３／０８５７１４号（以下「引用例２」という。）、特公昭５９−４４７７９号公報（以下「引用例３」という。）及び特開２００２−１２４５２５号公報（以下「引用例４」という。）には、以下のとおり記載されている。
ア　引用例１
(ア)　第１欄第２行−第７行
「【請求項１】　半導体ウエハーの加工方法であって、ガス発生剤を含む粘着剤によってウエハーを固定することと、ウエハーをダイシングすることと、ガス発生剤からガスを発生させ、ウエハーと粘着剤との間に発生したガスによりウエハーを剥離させることを特徴とする半導体ウエハーの加工方法。」
(イ)　第１欄第２４行−第３５行
「【発明の属する技術分野】本発明は、各種半導体を製造する工程において、ウエハープロセス終了後のウエハーを切断分割（ダイシング）する際の半導体ウエハーの加工方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウエハーを素子小片に切断分割するダイシング加工を行うには、半導体ウエハーをあらかじめ粘着テープ（ダイシングテープ）に貼り付けて固定し、そのウエハーを回転丸刃により素子形状に沿って切断し、その後一つ一つの素子を粘着テープ上よりピックアップしてダイにマウントする、いわゆるダイレクトピックアップ方式がとられている。」
(ウ)　第３欄第４行−第１５行
「【０００７】粘着剤は、紫外線、電離性放射線、電子線等の照射により粘着剤層が硬化する紫外線硬化型の粘着剤を含むことが望ましい。前述したように、一般に紫外線硬化型粘着剤は高い粘着力を有し、ダイシング後に紫外線照射により硬化してウエハーと粘着テープとの粘着力を低下させることができるからである。すなわち、本発明の一実施態様においては、前記紫外線硬化型粘着剤に対して更に紫外線照射によってガスを発生するガス発生剤を含ませることにより、紫外線照射された際に内部から分解ガスを発生させて、ウエハーと粘着剤間の接触面積を減少させ、あるいはガス圧により飛躍的に易剥離性を向上させるものである。」
　ウエハープロセス終了後のウエハーに回路が形成されていることは明らかであるから、上記摘記事項より、引用例１には、次の事項が記載されていると認める。
「回路が形成された半導体ウェハーに、紫外線を照射することによりガスを発生するガス発生剤を含有する粘着剤を有する粘着テープを貼付することと、前記粘着テープが貼付されたウェハーをダイシングして、個々の素子小片に分割することと、前記分割された素子小片に紫外線を照射して、素子小片から前記粘着テープを剥離することと、前記素子小片をピックアップすることとを有する素子小片の製造方法であって、
　前記紫外線を照射することによりガスを発生するガス発生剤を含有する粘着剤は、紫外線照射により硬化して粘着力を低下するものである素子小片の製造方法。」（以下「引用例１記載の発明」という。）
イ　引用例２
(ア)　第１頁第６行−第８行
「この発明は、半導体ウェーハの裏面を研磨した後、ダイシングして半導体チップとする過程において、半導体ウェーハや半導体チップが破損、変形等するのを防止するための半導体チップの製造方法に関する。」
(イ)　第７頁第６行−第８頁第１９行
「上記のようなガス発生剤を粘着剤層１４、１７、１９に含有させることにより、粘着剤層１４、１７、１９に刺激を与えるとガス発生剤から気体が発生して粘着力が低下し、後に半導体チップを容易に剥離することができる。
　ガス発生剤は、粘着剤層１４、１７，１９に分散されていてもよいが、その場合は粘着剤層全体が発泡体となるため柔らかくなりすぎ、粘着剤層をうまく剥がせなくなるおそれがある。従って、半導体ウェーハＷと接する表層部分のみに含有させておくことが好ましい。表層部分に含有させておけば、ガス発生剤から発生したガスにより粘着シートと半導体チップとの接着面積が減少し、なおかつ、気体が半導体チップから粘着剤層の粘着面の少なくとも一部を剥がし、接着力を低下させる。
　粘着剤層１４、１７、１９の表層部分にのみガス発生剤を含有させる方法としては、例えば粘着剤層の上に１〜２０μｍ程度の厚さでガス発生剤を含有する粘着剤を塗工する方法や、予め作製した粘着剤層１４、１７，１９の表面にガス発生剤を含有する揮発性液体を塗布するかスプレー等によって吹き付けることにより、粘着剤層表面にガス発生剤を均一に付着させる方法等が挙げられる。
　粘着剤層表面にガス発生剤を付着させる場合は、粘着剤と相溶性に優れたガス発生剤を付着させることが好ましい。即ち、粘着剤表面にガス発生剤を多量に付着させると粘着力が低下するが、粘着剤とガス発生剤とは相溶する場合は、付着したガス発生剤は粘着剤に吸収されるため、粘着力が低下することがない。
　なお、表層部分の厚さは粘着剤層の厚さによるが、粘着剤表面から２０μｍまでの部分であることが好ましい。また、ここにいう表層部分には、粘着剤表面にガス発生剤が均一に付着している態様や粘着剤表面に付着したガス発生剤が粘着剤と相溶し粘着剤層に吸収された態様を含む。
　粘着剤層１４、１７、１９を構成する粘着剤は、刺激により弾性率が上昇するものであることが好ましい。この場合、弾性率を上昇させる刺激は、ガス発生剤からガスを発生させるための刺激と同一であってもよいし、異なっていてもよい。この粘着剤としては、例えば、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有してなるアクリル酸アルキルエステル系及び／又はメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーとを主成分とし、必要に応じて光重合開始剤を含んでなる光硬化型粘着剤や、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有してなるアクリル酸アルキルエステル系及び／又はメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーとを主成分とし、熱重合開始剤を含んでなる熱硬化型粘着剤等からなるものが挙げられる。
　このような光硬化型粘着剤または熱硬化型粘着剤等の硬化型粘着剤は、光の照射または加熱により粘着剤層の全体が均一にかつ速やかに重合架橋して一体化するため、重合硬化による弾性率の上昇が著しくなり、粘着力が大きく低下する。また、硬い硬化物中でガス発生剤から気体を発生させると、発生した気体の大半は外部に放出され、放出された気体は、半導体チップと粘着剤層との接着面の少なくとも一部を剥がし接着力を低下させる。」
(ウ)　第１４頁第４行−第１６行
「多数の半導体チップＣと支持板１３とは、第２図に示した粘着シート１２によって一体となっているため、粘着シート１２に刺激を与えることによって粘着シート１２の粘着力を低下させて半導体チップＣを剥離しやすい状態とする。
　例えば、紫外線によってガスを発生するガス発生剤が粘着シート１２に含まれている場合には、第１１図に示すように、支持板１３の下方の照射部５０から紫外線を照射してガスを発生させることにより、半導体チップＣとの間に気体が発生するため、粘着力を低下させることができる。
　このとき、一度に粘着シート１２の全体に紫外線を照射することも可能であるが、全体の粘着力が低下してしまうと、ピックアップされる前に半導体チップＣが離脱し落下するおそれがあるため、第１１図に示したように、ピックアップされる直前の半導体チップのみに紫外線を照射するようにすることが好ましい。そして、粘着力が低下した部分に貼着されている半導体チップについては容易に支持板１３から分離させることができる（分離工程）。」
　上記摘記事項より、引用例２には、次の事項が記載されていると認める。
「半導体チップの製造方法において、光を照射することにより気体を発生するガス発生剤を含有する粘着剤層は、刺激により架橋して弾性率が上昇し、粘着力が低下するものであり、かつ、ガス発生剤が粘着剤層中に相溶し吸収されており、また、ピックアップされる直前の半導体チップのみに光を照射すること。」（以下「引用例２記載の技術的事項」という。）
ウ　引用例３
(ア)　第１欄第３１行−第３３行
「この発明は半導体装置の組立てに使用される自動ダイボンダの突上げコレツトに関するものである。」
(イ)　第３欄第３０行−第３８行
「しかしながら、この突上げ面６ｃの寸法が大きいと、第６図に示すように突上げコレツト６が、接着テープ１０を介して半導体チツプ１１を突上げる際に該半導体チツプ１１と広い面積で接触するために、半導体チツプ１１が接着テープ１０から剥がれにくくなる。このため該半導体素子１１が吸着コレツトによつてピツクアツプされ損なつたり、正常な位置からずれたり傾いたりした状態でピツクアツプされる欠点が生じた。」
　上記摘記事項より、引用例３には、次の事項が記載されていると認める。
「突上げコレットと半導体チップとの接触面積が大きいと、半導体チップが接着テープから剥離しにくくなること。」（以下「引用例３記載の技術的事項」という。）
エ　引用例４
(ア)　第１欄第４６行−第４９行
「【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置に係わり、特に半導体製造工程においてテープ上に貼り付けられた個片化された半導体チップをテープから剥離するための半導体チップ剥離装置及び方法に関する。」
(イ)　第６欄第３行−第２２行
「【００２７】剥離すべき半導体チップの位置決めが終了すると、図３（ｂ）に示すように真空ホルダ２２の吸引作用を起動し、真空ホルダ２２の上面２２ｂとテープ１８との間に形成された空間の空気を吸引する。テープ１８自体はある程度の伸縮性を有しているため、真空ホルダ２２の上面２２ａに向かって引き寄せられる。
【００２８】ところが、真空ホルダ２２の中央部分には剥離台２２が突出しているため、テープ１８は中央部だけが真空ホルダ２２の上面２２ａより高い位置に浮いた状態となる。このような状態では、剥離すべき半導体チップ２０がテープ１８を介して剥離台２４により支持され、剥離台２４と半導体チップ２０との間に挟まれた部分以外のテープ１８は、真空ホルダ２２の上面２２ａに向かって引き寄せられる。
【００２９】上述のように剥離台２４の頂面すなわち断面形状は、半導体チップ２０の面より小さく設定されている。このため、剥離台２４と半導体チップ２０との間に挟まれていない部分のテープ１８は、半導体チップ２０から剥離する。すなわち、半導体チップ２０の周囲からテープ１８の剥離が開始される。」
(ウ)　第８欄第３行−第１３行
「【００３９】また、剥離台２４の頂面の大きさ（面積）は、剥離すべき半導体チップの大きさ（面積）により決定される。剥離台２４の頂面の大きさが、剥離すべき半導体チップの大きさより小さすぎると、剥離台２４を下降させる前に半導体チップが剥離してしまうおそれがある。また、反対に大きすぎると、剥離台２４が下降する前の真空ホルダ２２からの吸引による剥離部分が小さすぎて、剥離台２４が下降しても完全に剥離しない可能性がある。具体的には、剥離台２４の頂面の大きさ（面積）は、剥離すべき半導体チップの大きさ（面積）の１／３〜２／３であることが好ましい。」
　上記摘記事項より、引用例４には、次の事項が記載されていると認める。
「半導体チップの剥離方法において、剥離すべき半導体チップをテープを介して剥離台に支持し、剥離台と剥離すべき半導体チップとの間に挟まれている部分以外の周囲のテープを下方に引き寄せて、剥離台と剥離すべき半導体チップとの間に挟まれていない部分のテープを剥離すべき半導体チップから剥離すること、及び、剥離台の頂面の面積を剥離すべき半導体チップの面積の１／３〜２／３とすること。」（以下「引用例４記載の技術的事項」という。）
 (３)　対比
　補正発明と引用例１記載の発明とを対比すると、引用例１記載の発明の「半導体ウェハー」は、補正発明の「半導体ウエハ」に相当しており、以下同様に、「紫外線」は「光」に、「ガスを発生するガス発生剤」は「気体を発生する気体発生剤」に、「粘着剤」は「粘着剤層」に、「粘着テープ」は「ダイシング用粘着テープ」に、「素子小片」は「半導体チップ」に、「粘着テープを剥離する」は「ダイシング用粘着テープの少なくとも一部を剥離する」に、「貼付すること」は「貼付するテープ貼付工程」に、「分割すること」は「分割するダイシング工程」に、「剥離すること」は「剥離する剥離工程」に、「ピックアップすること」は「取り上げるピックアップ工程」にそれぞれ相当している。
　以上のとおりであるので、両者の一致点及び相違点は、次のとおりのものとなる。
ア　＜一致点＞
「回路が形成された半導体ウエハに、光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層を有するダイシング用粘着テープを貼付するテープ貼付工程と、前記ダイシング用粘着テープが貼付されたウエハをダイシングして、個々の半導体チップに分割するダイシング工程と、前記分割された半導体チップに光を照射して、半導体チップから前記ダイシング用粘着テープの少なくとも一部を剥離する剥離工程と、前記半導体チップを取り上げるピックアップ工程とを有する半導体チップの製造方法。」
イ　相違点
(ア)　＜相違点１＞
　補正発明では、光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層は、刺激により架橋して弾性率が上昇するものであり、かつ、前記気体発生剤が前記粘着剤層中に溶解しているのに対し、引用例１記載の発明では、そのようなものであるのか明らかではない点。
(イ)　＜相違点２＞
　補正発明では、分割された個々の半導体チップの全面に光を照射しているのに対し、引用例１記載の発明では、そのようなものであるのか明らかではない点。
(ウ)　＜相違点３＞
　補正発明では、ピックアップ工程が半導体チップをニードルピックアップ法により取り上げるものであり、ピックアップ工程において用いるニードルは、
　半導体チップ面積×０．００１
　　　　　　　　≦ニードル先端と半導体チップとの接触面積
　　　　　　　　　　　　　　　　≦半導体チップ面積×０．７
を満たす先端形状を有するものであるのに対し、引用例１記載の発明では、そのようなものであるのか明らかではない点。
(４)　相違点の検討
　そこで、上記各相違点について、以下検討する。
ア　＜相違点１＞について
　上記(２)のイのとおり、上記引用例２には、光を照射することにより気体を発生するガス発生剤すなわち気体発生剤を含有する粘着剤層は、刺激により架橋して弾性率が上昇し、粘着力が低下するものであり、かつ、気体発生剤が粘着剤層中に相溶し吸収されているすなわち溶解している技術的事項が記載されており、引用例１記載の発明とは半導体チップの製造方法の点で技術分野が一致している。
　また、例えば、特開２００３−２３１８７５号公報に、気体発生剤の選択に際し、気体発生剤は粒子として存在しないことが好ましく、気体発生剤を粒子として存在しないようにするには、通常、粘着性物質に溶解する気体発生剤を選択すること（第６欄末行−第７欄第１２行参照）が記載されているように、粘着剤層に含有する気体発生剤として、粘着剤層中に溶解するものを選択することは、必要に応じて適宜なされる設計的事項である。
　したがって、引用例１記載の発明の粘着剤層及び気体発生剤に引用例２記載の技術的事項の粘着剤層及び気体発生剤をそれぞれ採用して、粘着剤層は、刺激により架橋して弾性率が上昇するものであり、かつ、気体発生剤が粘着剤層中に溶解しているものとすることは、当業者が容易に想到することができたことである。
イ　＜相違点２＞について
　引用例２には、さらに、上記(２)のイのとおり、ピックアップされる直前の半導体チップのみに光を照射するという技術的事項も記載され、ピックアップされる直前の半導体チップのみに光を照射するということは、分割された個々の半導体チップの前面に光を照射することであることは明らかである。
　したがって、引用例１記載の発明に引用例２記載の技術的事項を採用して、分割された個々の半導体チップに光を照射することに格別の困難性はなく、また、個々の半導体チップの全面に光を照射することにも格別の困難性はない。
ウ　＜相違点３＞について
　半導体チップの製造方法において、半導体チップをニードルピックアップ法により取り上げるピックアップ工程は、例えば、上記引用例３、特開平８−１２４８８１号公報（第４欄第１行−第７行参照。）等に記載されているように、従来周知であるので、引用例１記載の発明のピックアップ工程に上記従来周知の事項を採用して、ピックアップ工程を半導体チップをニードルピックアップ法により取り上げるものとすることに格別の困難性はない。
　また、上記従来周知の事項の採用に際し、上記(２)のウのとおり、突上げコレットすなわちニードルと半導体チップとの接触面積が大きいと、半導体チップが接着テープすなわち粘着テープから剥離しにくくなることが引用例３に記載されており、さらに、上記接触面積が小さくなると半導体チップに傷がつきやすくなることは技術常識より明らかであるので、上記接触面積を半導体チップが粘着テープから剥離し易くかつ半導体チップに傷がつくことがないような範囲のものとすることは、当然に考慮することである。
　そして、上記接触面積に関連することとして、上記引用例４には、上記(２)のエのとおりの技術的事項が記載されており、剥離台の頂面の面積を剥離すべき半導体チップの面積の１／３〜２／３とすること
すなわち
　半導体チップ面積×１／３
　　　　　　　　≦剥離台先端と半導体チップとの接触面積
　　　　　　　　　　　　　　　　≦半導体チップ面積×２／３
が記載されている。
　引用例４記載の技術的事項における上記剥離台は、半導体チップを取り上げるときに静止しており、上記従来周知のピックアップ法で用いる上方へ移動するニードルとは動きが異なっているが、取り上げる半導体チップとの間に挟んだ部分のテープをその部分の周囲のテープよりも相対的に高い位置に支持するものである点で、上記ニードルと共通するものである。
　したがって、上記従来周知の事項の採用に際し、ニードル先端の半導体チップとの接触面積に引用例４記載の技術的事項を採用して、
　半導体チップ面積×０．００１
　　　　　　　　≦ニードル先端と半導体チップとの接触面積
　　　　　　　　　　　　　　　　≦半導体チップ面積×０．７
とすることは、当業者が容易に想到することができたことである。
エ　補正発明の＜作用効果＞について
　補正発明が奏する作用効果は、引用例１記載の発明、引用例２乃至４記載の各技術的事項及び上記従来周知の事項から当業者が予測できる程度のものであって格別のものではない。
　したがって、補正発明は、引用例１記載の発明、引用例２乃至４記載の各技術的事項及び上記従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３　むすび
　以上のとおりであるので、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について 
１　本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、この出願の請求項１乃至３に係る発明は、願書に添付された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至３に記載された事項により特定されるとおりのものであると認めるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２の１の(１)の補正前の請求項１に示したとおりである。
２　引用例記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に上記引用例１乃至４が引用されており、その記載事項は、上記第２の２の(２)に示したとおりである。
３　対比・判断
　本願発明は、上記第２の２で述べたとおり、補正発明の発明特定事項から、上記限定事項が省かれたものである。
　そうすると、上記第２の２の(４)で検討したとおり、補正発明は、引用例１記載の発明、引用例２乃至４記載の各技術的事項及び上記従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、補正発明の発明特定事項から上記限定事項が省かれた本願発明についても、同様の理由により、引用例１記載の発明、引用例２乃至４記載の各技術的事項及び上記従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１記載の発明、引用例２乃至４記載の各技術的事項及び上記従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、この出願の請求項２及び３に係る発明について判断するまでもなく、この出願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。