(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子線感応性のレジストに対して設計パターンに基いて電子線を照射する際に、電子線の照射量を決定する方法であって、
設計パターンの輪郭線上に照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第１評価点Ｐonを設定する工程と、
前記設計パターンの輪郭線に沿った内側に露光量『０』パターンを設ける工程と、
前記露光量『０』パターンが規定される対となる露光量『０』パターンの輪郭線上にそれぞれ照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第２評価点Ｐseを設定する工程と、
前記露光量『０』パターンの対となる輪郭線の間隔を二等分する二等分線上に照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第３評価点Ｐsを設定する工程と、
前記第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐseおよび第３評価点Ｐsにおけるそれぞれの蓄積エネルギーを求め、これらの蓄積エネルギーを評価して、当該評価に基づいて、電子線の照射量を補正する照射量補正工程と、を有し、 
前記設計パターンの輪郭線に沿った内側は、前記設計パターンの輪郭線から前記露光量『０』パターンまでの距離Ｌｅが、０≦Ｌｅ＜前方散乱径の３倍、の範囲内となるような内側とされることを特徴とする電子線照射量決定方法。
【請求項２】
前記照射量補正工程は、前記第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐseおよび第３評価点Ｐsにおけるそれぞれの蓄積エネルギーの評価である評価点判定操作によって評価点判定基準値を満たさないと判断された場合、再度操作される最適露光量算出操作、を含み、
前記最適露光量算出操作は、露光量『０』のエリアの存在は維持したまま、露光量『０』のエリアのサイズ、配置を考慮しながら、各露光ショットに露光量を割り当てることにより行われる請求項１に記載の電子線照射量決定方法。
【請求項３】
前記評価点判定操作は、設計パターンの輪郭線の近傍における蓄積エネルギーのコントラスト判断を含み、当該蓄積エネルギーのコントラスト判断は、第１評価点Ｐonの外側（非露光部）の位置に第４評価点Ｐoutを設け、当該第４評価点Ｐoutおける蓄積エネルギーＥoutを求めることにより行われる請求項１または請求項２に記載の電子線照射量決定方法。
【請求項４】
電子線感応性のレジストに対して設計パターンに基いて電子線を照射する方法であって、
設計パターンの輪郭線上に、照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第１評価点Ｐonを設定する工程と、
前記設計パターンの輪郭線に沿った内側に露光量『０』パターンを、前記設計パターンの輪郭線から前記露光量『０』パターンまでの距離Ｌｅが、０≦Ｌｅ＜前方散乱径の３倍、の範囲内となるように設ける工程と、
前記露光量『０』パターンが規定される対となる露光量『０』パターンの輪郭線上にそれぞれ照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第２評価点Ｐseを設定する工程と、
前記露光量『０』パターンの対となる輪郭線の間隔を二等分する二等分線上に照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第３評価点Ｐsを設定する工程と、
前記第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐseおよび第３評価点Ｐsにおけるそれぞれの蓄積エネルギーを求め、これらの蓄積エネルギーを評価して、当該評価に基づいて、電子線の照射量を補正する照射量補正工程と、を有し、
これらの工程を経て露光ショットごとに割り当てられた露光量に基づいて電子線を前記レジストに照射することを特徴とする電子線照射方法。
【請求項５】
電子線感応性のレジストに対して設計パターンに基いて電子線を照射する際に、電子線の照射量を決定するシステムであって、
設計パターンの輪郭線上に、照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第１評価点Ｐonを設定するとともに、前記設計パターンの輪郭線に沿った内側に露光量『０』パターンを設けて当該露光量『０』パターンが規定される対となる露光量『０』パターンの輪郭線上にそれぞれ照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第２評価点Ｐseを設定し、さらに、前記露光量『０』パターンの対となる輪郭線の間隔を二等分する二等分線上に照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第３評価点Ｐsを設定する評価点設定部と、
前記第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐseおよび第３評価点Ｐsにおけるそれぞれの蓄積エネルギーを求め、これらの蓄積エネルギーを評価して、当該評価に基づいて、電子線の照射量を適宜補正する照射量補正部と、を有し、 
前記評価点設定部は、前記設計パターンの輪郭線に沿った内側を、前記設計パターンの輪郭線から前記露光量『０』パターンまでの距離Ｌｅが、０≦Ｌｅ＜前方散乱径の３倍、の範囲内となるように設定することを特徴とする電子線照射量の決定システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細パターンの描画に関するものであり、特に、電子線を用いて、半導体や半導体用フォトマスク、ナノインプリントに用いるテンプレート、光学関連素子などを製造するための電子線照射量決定方法、電子線照射方法、および電子線照射量の決定システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路装置の集積度の向上に伴い、より微細なパターンの形成が要求されるようになっており、微細パターンの形成のために電子線を用いたパターン描画方法が実用されている。
【０００３】
電子線を用いた描画方法としては、例えば、スポットビーム電子線描画法、可変成形電子線描画法が代表的な描画方法であり、なかでも特にスポットビーム電子線描画法は、点状のビームスポットを持つ電子線で描画すべき領域を走査し、高い解像度を得ることができるので、微細パターンを形成する描画方法としてよく用いられている。
【０００４】
しかしながら、電子線描画法によるパターン形成方法は、高い微細パターン形成能力を有する反面、露光のため入射した電子線がレジスト膜および基板内にて散乱し、設計通りのパターンを得ることができなくなるという、いわゆる近接効果の問題をともなう。
【０００５】
すなわち、電子線描画法においては、フォトマスク基板やシリコン基板などの基板上のレジスト膜に電子線を照射してパターンを描画する場合、レジスト膜に入射した電子線の一部がレジスト膜を構成する原子と衝突して電子線の入射方向へ散乱される（いわゆる前方散乱）と共に、レジスト膜を透過した電子線の一部が基板を構成する原子と衝突して電子線の入射方向とは逆方向へ散乱（いわゆる後方散乱）されて再びレジスト膜に入射する現象等が生じる。
【０００６】
このため、電子線をレジスト膜上の一点に入射させても前方散乱と後方散乱による影響のために、パターンの寸法精度が低下する近接効果という現象が生じる。
【０００７】
この近接効果を補正するために、描画パターンの粗密やパターンサイズから電子の散乱状況を予測し、この予測値から補正量を計算し、描画パターン形状や露光量を変化させ、本来得たい所望のパターン寸法（設計パターン寸法）を得るための近接効果補正が行われる。実用的には例えば描画パターンの描画時に露光時間を制御することで露光量を変化させて補正する手法が主流であるといえる。
【０００８】
従来、近接効果を補正する方法としては種々のものが提案されている。例えば、（１）パターンの形状を考慮しない面積密度法（代表図形法）、すなわち、描画パターン全体をある所定の大きさの単位区画（メッシュ）に分割し、各々のメッシュ内の描画パターンの面積密度を算出し、その面積密度マップを用いて後方散乱による蓄積エネルギーを算出し、各メッシュ内において照射される電子線の後方散乱による蓄積エネルギーが一定となるように露光量を最適化する方法、（２）目標となる設計パターンの輪郭線に相当するパターンエッジに蓄積エネルギー評価点を設け、その評価点における照射される電子線の蓄積エネルギーを一定とする方法（以下、パターンエッジ評価法と称す）等がある。
【０００９】
上記（１）の方法は、補正手法が比較的簡便であり、計算負荷が小さく補正時間も短いことから、比較的に電子線描画装置に組み込まれ易い手法であるといえる。
【００１０】
しかしながら、近年の例えばフォトマスク設計寸法の微細化や、ナノインプリント用モールドなどのパターン寸法の微細化につれて、上記（１）の手法に基づく精度では不十分なものとなっている。特に、後方散乱の影響を主として考慮した面積密度法では、現像後の仕上がり寸法の十分な精度を保つことが困難となっている。
【００１１】
そこで、本来要求される精度を補うために近年（２）の方法にて補正を行うソフトウェアも使われるようになってきている。例えば、先行技術文献１（特開平９−４５６００号公報）に示されるように、設計パターンの輪郭線に相当するパターンエッジ上にエネルギー評価点を配置し、当該評価点における蓄積エネルギーを一定にするという条件下で、露光量補正を実施する試みがなされている。ここで、蓄積エネルギーとは、電子線照射によって入射した電子がレジスト中に蓄積するエネルギーのことであり、ある１点に入射した電子によってレジスト中に蓄積されるエネルギーの、レジスト表面からのある深さにおける平均分布は、下記の数式（１）に示されるように、ＥＩＤ（Energy Intensity Distribution)関数と呼ばれる２つのガウス分布の和で表わされる。
【００１２】
【数１】
0005987381.tif 000002
【００１３】
上記式において、α、β、ηはレジスト表面からの深さによって決定される定数であり、αは前方散乱径（前方散乱の広がり）、βは後方散乱径（後方散乱の広がり）、ηは後方散乱係数（後方散乱エネルギー強度／前方散乱エネルギー強度：前方散乱に対する比）を示している。ＥＩＤ関数の第１項はレジストに入射した電子が前方散乱しつつ侵入していく際に蓄積されるエネルギー分布であり、第２項は入射電子がレジスト中及び基板中の原子核によって後方散乱を受け、入射方向と逆方向に散乱していく際に蓄積されるエネルギー分布である。
【００１４】
しかしながら、上記（２）の方法は精度が上がるものの、その反面、計算時間を要するという問題がある。そこで、この問題を解決するために上記の（１）と（２）の方法を組み合わせた手法、すなわち、（３）面積密度法を用いて近接効果補正を行い、その補正値を初期補正値としてパターンエッジ評価法を行う手法が主流となる傾向がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開平０９−４５６００号公報
【００１６】
しかしながら、上記（３）の手法を用いた場合であっても設計パターンの輪郭線に相当するパターンエッジ上に設けられた評価点のみで蓄積エネルギーを一定とした場合、そのパターンのカテゴリ（形状、大きさ、孤立／アレイ）や、隣接するパターンとの距離によっては、設計パターンの輪郭線近傍における蓄積エネルギーの変化の大きさ（以下、蓄積エネルギーのコントラスト）が揃わず、結果として得られるレジスト寸法にバラツキが生じるおそれがある。
【００１７】
例えば、図１４に示されるように、近接するパターンが複数個存在して、「評価点Ｐonにおける蓄積エネルギーはＥdev」という条件を満たしているものの、互いの蓄積エネルギーのコントラストが低い場合には、非露光部（露光をしていない非パターン部）において、蓄積エネルギーの干渉が生じており、現像後のレジストパターンが分離しなくなってしまうおそれが生じる（図中の矢印Ｑの位置）。
【００１８】
また、大きなパターンに隣接する微小パターンや、隣接するパターンとの距離が非常に近いパターンなどは近接効果補正の補正値が収束せず「評価点Ｐonにおける蓄積エネルギーはＥdev」という条件すら満たすことができない場合がある。その状態を示す一例が図１５（Ｂ）に示されている。図１５（Ｂ）は、従来法における設計パターンと、蓄積エネルギー分布Ｄ３´、Ｄ３´の一例を示した図面であり、隣接するパターン同士の距離が極端に近接しているために、「評価点Ｐonにおける蓄積エネルギーはＥdev」という条件を満たすことができず、収束しない例となっている。
【００１９】
このような場合に、従来方法では近接効果補正が収束しなかったパターンを補正することが必要となる。また、従来方法よりもコントラストを向上させることでプロセス裕度を向上させることが必要となる。なお、Ｅdevとは、近接効果補正において基準とされる蓄積エネルギーを意味するために用いた記号である。
【００２０】
ちなみに、図１４および図１５においては、近接する２つの設計パターン１０´と、これらの設計パターンに対応した蓄積エネルギー分布Ｄ１´（又はＤ２´、Ｄ３´）の一例が示されている。これらの図面において、レジストの平面はＸ−Ｙ平面として、またレジストの厚さ方向はＺ方向として表示されている。すなわち、設計パターン１０´は平面図として描かれており、Ｘ−Ｙ平面が表示されている。また、蓄積エネルギー分布Ｄ１´（又はＤ２´、Ｄ３´）は、図示の場合、幅方向（図面のＸ方向）に対向する輪郭線１１´に設けられた評価点Ｐon-Ｐon間を含むＸ方向の蓄積エネルギーの分布として表示されている。なお、蓄積エネルギー分布Ｄ１´（又はＤ２´、Ｄ３´）が示されている座標の縦軸は蓄積エネルギー量を示している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
このような実情のもとに本発明は創案されたものであって、その目的は、電子線感応性のレジストに対して設計パターンに基づいて電子線を照射する際に、パターンエッジ近傍の蓄積エネルギーのコントラストを上げることが可能で、パターン外周部への蓄積エネルギーの染み出しを極力抑制することが可能な電子線の照射量を決定する方法を提案することにある。これにより、従来方法では近接効果補正が収束しなかったパターンを、収束できるように補正することが可能となる。さらには、設計パターンが微細であってもプロセス裕度を高めることができ、解像度を向上させることができる。プロセス裕度が高いとは、例えば、用いるレジストの感度変化（経時劣化）や現像液の劣化等に基づいて現像条件等が変化したり、あるいは描画装置の状態が変化したり、あるいはプロセスの環境変化（湿度や温度）が変化した場合であっても、設計寸法が大きく変動し難い状態をいう。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記課題を解決するために、本発明は、電子線感応性のレジストに対して設計パターンに基いて電子線を照射する際に、電子線の照射量を決定する方法であって、設計パターンの輪郭線上に照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第１評価点Ｐonを設定する工程と、前記設計パターンの輪郭線に沿った内側に露光量『０』パターンを設ける工程と、前記露光量『０』パターンが規定される対となる露光量『０』パターンの輪郭線上にそれぞれ照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第２評価点Ｐseを設定する工程と、前記露光量『０』パターンの対となる輪郭線の間隔を二等分する二等分線上に照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第３評価点Ｐsを設定する工程と、前記第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐseおよび第３評価点Ｐsにおけるそれぞれの蓄積エネルギーを求め、これらの蓄積エネルギーを評価して、当該評価に基づいて、電子線の照射量を補正する照射量補正工程と、を有し、前記設計パターンの輪郭線に沿った内側は、前記設計パターンの輪郭線から前記露光量『０』パターンまでの距離Ｌｅが、０≦Ｌｅ＜前方散乱径の３倍、の範囲内となるような内側とされるように構成される。
【００２３】
また、本発明の電子線の照射量決定方法のより好ましい態様として、前記照射量補正工程は、前記第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐseおよび第３評価点Ｐsにおけるそれぞれの蓄積エネルギーの評価である評価点判定操作によって評価点判定基準値を満たさないと判断された場合、再度操作される最適露光量算出操作、を含み、前記最適露光量算出操作は、露光量『０』のエリアの存在は維持したまま、露光量『０』のエリアのサイズ、配置を考慮しながら、各露光ショットに露光量を割り当てることにより行われる。
【００２４】
また、本発明の電子線の照射量決定方法のより好ましい態様として、前記評価点判定操作は、設計パターンの輪郭線の近傍における蓄積エネルギーのコントラスト判断を含み、当該蓄積エネルギーのコントラスト判断は、第１評価点Ｐonの外側（非露光部）の位置に第４評価点Ｐoutを設け、当該第４評価点Ｐoutおける蓄積エネルギーＥoutを求めることにより行われる。
【００２７】
本発明は、電子線感応性のレジストに対して設計パターンに基いて電子線を照射する方法であって、設計パターンの輪郭線上に、照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第１評価点Ｐonを設定する工程と、前記設計パターンの輪郭線に沿った内側に露光量『０』パターンを、前記設計パターンの輪郭線から前記露光量『０』パターンまでの距離Ｌｅが、０≦Ｌｅ＜前方散乱径の３倍、の範囲内となるように設ける工程と、前記露光量『０』パターンが規定される対となる露光量『０』パターンの輪郭線上にそれぞれ照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第２評価点Ｐseを設定する工程と、前記露光量『０』パターンの対となる輪郭線の間隔を二等分する二等分線上に照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第３評価点Ｐsを設定する工程と、前記第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐseおよび第３評価点Ｐsにおけるそれぞれの蓄積エネルギーを求め、これらの蓄積エネルギーを評価して、当該評価に基づいて、電子線の照射量を補正する照射量補正工程と、を有し、これらの工程を経て露光ショットごとに割り当てられた露光量に基づいて電子線を前記レジストに照射するように構成される。
【００２８】
本発明は、電子線感応性のレジストに対して設計パターンに基いて電子線を照射する際に、電子線の照射量を決定するシステムであって、設計パターンの輪郭線上に、照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第１評価点Ｐonを設定するとともに、前記設計パターンの輪郭線に沿った内側に露光量『０』パターンを設けて当該露光量『０』パターンが規定される対となる露光量『０』パターンの輪郭線上にそれぞれ照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第２評価点Ｐseを設定し、さらに、前記露光量『０』パターンの対となる輪郭線の間隔を二等分する二等分線上に照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第３評価点Ｐsを設定する評価点設定部と、前記第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐseおよび第３評価点Ｐsにおけるそれぞれの蓄積エネルギーを求め、これらの蓄積エネルギーを評価して、当該評価に基づいて、電子線の照射量を適宜補正する照射量補正部と、を有し、前記評価点設定部は、前記設計パターンの輪郭線に沿った内側を、前記設計パターンの輪郭線から前記露光量『０』パターンまでの距離Ｌｅが、０≦Ｌｅ＜前方散乱径の３倍、の範囲内となるように設定するように構成される。
【発明の効果】
【００２９】
本発明は、電子線感応性のレジストに対して設計パターンに基いて電子線を照射する際に、電子線の照射量を決定する方法であって、設計パターンの輪郭線上に照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第１評価点Ｐonを設定する工程と、前記設計パターンの輪郭線に沿った内側に露光量『０』パターンを設ける工程と、前記露光量『０』パターンが規定される対となる露光量『０』パターンの輪郭線上にそれぞれ照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第２評価点Ｐseを設定する工程と、前記露光量『０』パターンの対となる輪郭線の間隔を二等分する二等分線上に照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第３評価点Ｐsを設定する工程と、前記第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐseおよび第３評価点Ｐsにおけるそれぞれの蓄積エネルギーを求め、これらの蓄積エネルギーを評価して、当該評価に基づいて、電子線の照射量を補正する照射量補正工程と、を有するように構成しているので、設計パターンの輪郭線近傍の蓄積エネルギーのコントラストを上げることが可能で、パターン外周部への蓄積エネルギーの染み出しを極力抑制することが可能となる。これにより、従来方法では近接効果補正が収束しなかったパターンを、収束できるように補正することが可能となる。さらには、設計パターンが微細であってもプロセス裕度を高めることができ、解像度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】図１（Ａ）および図１（Ｂ）は、図形分割の例および第１評価点Ｐonの配置例を説明するための平面図である。
【図２】図２は、露光量『０』パターンの設定手法、ならびに第２評価点Ｐseおよび第３評価点Ｐsの配置を説明するための平面図である。
【図３】図３（Ａ）〜（Ｇ）は、それぞれ、設計パターンのパターン角部において十字状の露光量『０』パターンを部分的に有する露光量『０』パターンが設けられた場合、十字状の露光量『０』パターン部分において、第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐse、第３評価点Ｐsとの配置関係を説明するための図面である。
【図４】図４（Ａ）〜（Ｃ）は、設計パターンの輪郭線に沿った内側に露光量『０』パターンを設けた場合であって、設計パターンのパターン角部において十字状の露光量『０』パターンを部分的に有する露光量『０』パターンを発生させた場合における、蓄積エネルギーの評価点である第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐse、第３評価点Ｐsの配置例を説明するための図面である。
【図５】図５（Ａ）〜（Ｃ）は、設計パターン１０の輪郭線に沿った内側に露光量『０』』パターンを四角形の枠状に設けた場合であって、設計パターンのパターン角部においてＬ字状の露光量『０』パターンを部分的に有する露光量『０』パターンを発生させた場合における、蓄積エネルギーの評価点である第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐse、第３評価点Ｐsの配置例を説明するための図面である。
【図６】図６は、電子線の照射量の決定方法（近接効果補正）を説明するためフロー図面である。
【図７】図７は、電子線の照射量の決定方法（近接効果補正）を説明するためフロー図面である。
【図８】図８（Ａ）は、実施例における設計パターンの平面図であり、図８（Ｂ）は、実施例における露光量変調の様子を示した図面である。
【図９】図９（Ａ）は、比較例における設計パターンの平面図であり、図９（Ｂ）は、比較例における露光量変調の様子を示した図面である。
【図１０】図１０（Ａ）は、上述した図８（Ａ）および図９（Ａ）と同様の図面である。図１０（Ｂ）および図１０（Ｃ）は電子線の照射量を決定する方法実施後の蓄積エネルギーの様子を示したグラフである。
【図１１】図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）は、図１０（Ｃ）における蓄積エネルギーを部分的にさらに拡大したグラフである。
【図１２】本発明の電子線照射量決定方法を実施するためのシステムの一例を示す図面である。
【図１３】図１３は、設計パターンと、蓄積エネルギー分布Ｄ１、Ｄ１の一例を示した図面である。
【図１４】図１４は、従来法における設計パターンと、蓄積エネルギー分布Ｄ１´、Ｄ１´の一例を示した図面である。特に、図１４は、近傍にパターンが存在して、互いの蓄積エネルギーのコントラストが低い場合であり、非露光部において、蓄積エネルギーの干渉が生じている状態が示される図面である。
【図１５】図１５（Ａ）は、従来法における設計パターンと、蓄積エネルギー分布Ｄ２´、Ｄ２´の一例を示した図面であり、隣接するパターン同士の距離が極端に近接していないために、「評価点Ｐonにおける蓄積エネルギーはＥdev」という条件を満たすことができ、収束した例となっている。図１５（Ｂ）は、従来法における設計パターンと、蓄積エネルギー分布Ｄ３´、Ｄ３´の一例を示した図面であり、隣接するパターン同士の距離が極端に近接しているために、「評価点Ｐonにおける蓄積エネルギーはＥdev」という条件を満たすことができず、収束しない例となっている。
【図１６】図１６は、充分広い領域に配置された１：１ラインアンドスペース群の設計パターンと、それに対応する１：１ラインアンドスペース群による後方散乱による蓄積エネルギー分布および、電子線を照射した配置領域の中央部付近に存在する１パターンの前方散乱による蓄積における蓄積エネルギー分布を示したものである。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、図面を参照しながら、本発明を実施するための複数の実施形態について詳細に説明する。なお、本発明は以下に説明する形態に限定されることはなく、技術思想を逸脱しない範囲において種々変形を行なって実施することが可能である。また、添付の図面においては、説明のために上下、左右の縮尺を誇張して図示することがあり、実際のものとは縮尺が異なる場合がある。
【００３２】
本発明は、電子線感応性のレジストに対して設計パターンに基づいて電子線を照射する際に、電子線の照射量を決定する方法である。ここで設計パターンとは、露光後に現像して本来得ようとしている目標のパターンである。
【００３３】
本発明の電子線の照射量を決定する方法における要部は、電子線感応性のレジストに対して設計パターンに基いて電子線を照射する際に、設計パターンの輪郭線上に照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第１評価点Ｐonを設定する工程と、前記設計パターンの輪郭線に沿った内側に露光量『０』パターンを設ける工程と、前記露光量『０』パターンが規定される対となる露光量『０』パターンの輪郭線上にそれぞれ照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第２評価点Ｐseを設定する工程と、前記露光量『０』パターンの対となる輪郭線の間隔を二等分する二等分線上に照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第３評価点Ｐsを設定する工程と、前記第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐseおよび第３評価点Ｐsにおけるそれぞれの蓄積エネルギーを求め、これらの蓄積エネルギーを評価して、当該評価に基づいて、電子線の照射量を補正する照射量補正工程と、を有することにある。
【００３４】
本発明の「露光量『０』パターン」とは、露光量が与えられない未露光のエリアを輪郭線で規定した図形パターンをいう。「露光量『０』パターン」の中には露光量が与えられないが、それ以外の周辺の露光部位からの近接効果によって通常、蓄積エネルギーを備えている。また、「対となる露光量『０』パターンの輪郭線」とは、設計パターンの輪郭線に沿って形成された露光量『０』パターンの向かい合う輪郭線であって、設計パターンの輪郭線に沿った輪郭線をいう。
【００３５】
以下、各工程毎にその内容を説明する。
〔第１評価点Ｐonを設定する工程〕
本発明において、第１評価点は設計パターンの輪郭線上に設定される。設計パターンの輪郭線上に設けられた蓄積エネルギーの第１評価点をＰon（以下、単に評価点Ｐonと称す場合がある）と表示する。
【００３６】
（第１評価点であるＰonの設定手法）
本発明において第１評価点であるＰonを設定するための手法は、従来より実施されていた手法に準じて行うことができる。
【００３７】
その一例が図１（Ａ）や、図１（Ｂ）に示されるが、これらの図面に示された手法に限定されるものでなく、設計パターンの形状や分割手法等に応じて適宜、評価点の設定手法を変更することができる。
【００３８】
図１（Ａ）では、一つの図形を１６分割にショット分割された正方形図形群において、全体図形としてみた場合の輪郭線に相当する線分Ｌoの中心に第１評価点であるＰonを設定した例が示されている。
【００３９】
また、図１（Ｂ）では、一つの図形を８分割にショット分割された長方形図形群において、全体図形の輪郭線に相当する長方形の短辺Ｌ1の中心、および長辺Ｌ2を２分した線分Ｌ2´の中心に第１評価点であるＰonを設定した例が示されている。図１（Ｂ）において、長辺Ｌ2の中心に第１評価点であるＰonを設定することもできる。しかし、図１（Ｂ）の例では、より精度の高い近接効果補正、すなわち、より精度の高い電子線の照射量を補正する照射量補正工程を施すために、ショットの輪郭線長さ（長辺Ｌ2）が指定したＬｓよりも大きい場合には、その中心ではなく、ショットの輪郭線長さがＬｓより小さくなる最小の整数個に分割（図示例では長辺Ｌ2を２つに分割）することにより形成されたＬ2´の中心に第１評価点であるＰonを設定するようにしている。ちなみに、図１（Ｂ）において、Ｌ2´≦Ｌｓ＜Ｌ2の関係が成立している。例えば、設計パターンの面積密度が小さい場合や、設計パターン面積密度の変化率が小さい場合には、図１（Ｂ）に示されるごとく、ショットが大きく分割されることがある。
【００４０】
上記の図１（Ａ）および（Ｂ）を用いて説明したごとく、第１評価点Ｐon は、描画１ショットを基準に、かつ全体図形の輪郭線（最外枠）上に設定される。上記の説明描画１ショットの輪郭線の長さが指定したＬsよりも小さければその辺の中心に、大きければ上記のごとく１辺に複数の評価点Ｐonが設定される。近接効果補正では、補正計算をループさせながら、描画ショットが再分割されたり統合されたりするので、初期段階で分割された分割図形がそのまま最後まで保たれていくとは限らない。よって、第１評価点Ｐon は描画ショットの再分割が入る度に再設定されることになる。
【００４１】
〔露光量『０』のパターンを設ける工程、第２評価点Ｐseを設定する工程、および第３評価点Ｐsを設定する工程〕
図２は、設計パターン１０の輪郭線１１に沿った内側に露光量『０』パターン１５を設けた一例を示す平面図であり、露光量『０』パターン１５を含む部分を拡大した拡大図も併記されている。
【００４２】
図２に示されるように露光量『０』パターン１５は、設計パターン１０の輪郭線１１に沿った内側に設けられる。すなわち、本発明においては、設計パターン１０の輪郭線１１の内側に、あえて露光量を割り当てない露光量『０』パターン１５のショットを生成させる。
【００４３】
設計パターン１０の輪郭線１１の内側に露光量『０』パターン１５を割り当てることによって、設計パターン１０の輪郭線１１上の蓄積エネルギーのコントラストを高くすることを可能ならしめている。蓄積エネルギーのコントラストが高くなった状態を示す概念図が図１３に示される。
【００４４】
図１３においては、２つの設計パターン１０と、蓄積エネルギー分布Ｄ１の一例が示されている。この図面において、レジストの平面はＸ−Ｙ平面として、またレジストの厚さ方向はＺ方向として表示されている。すなわち、設計パターン１０は平面図として描かれており、Ｘ−Ｙ平面が表示されている。また、蓄積エネルギー分布Ｄ１は、図示の場合、幅方向（図面のＸ方向）に対向する輪郭線１１に設けられた評価点Ｐon-Ｐon間を含むＸ方向の蓄積エネルギーの分布として表示されている。なお、蓄積エネルギー分布Ｄ１が示されている座標の縦軸は蓄積エネルギー量を示している。
【００４５】
図１３に示されるごとく、設計パターン１０の輪郭線１１の少し内側に、露光量『０』パターン１５を割り当てることによって、その外周部の蓄積エネルギーを上げることでき、その結果として、設計パターン１０の輪郭線１１に設けられた評価点Ｐon近傍の蓄積エネルギーのコントラストを上げることが可能となる。
【００４６】
本発明における設計パターン１０の輪郭線１１の内側とは、通常、図２や図１３に示されるように設計パターン１０の輪郭線１１から所定の間隔を空けた内側とされるが、設計パターン１０の輪郭線１１を含む内側とするようにしてもよい。収束条件を満たすために後者の形態が必要となる場合があるからである。
【００４７】
（露光量『０』パターンを設ける工程における露光量『０』パターンの幅Ｌｓ）
図２を参照しつつ、露光量『０』パターン１５を設ける工程における露光量『０』パターン１５の幅Ｌｓについて、説明する。
【００４８】
露光量『０』パターンの幅Ｌｓは、０あるいは前方散乱径の１／e（eは自然対数）倍≦Ｌｓ≦前方散乱径の２倍の範囲内、で設定されることが望ましい。
【００４９】
一般に、電子線を照射する２つの図形パターンの輪郭線の間隔が前方散乱径の２倍を越えると、その間隙部分に蓄積されるエネルギーは極端に小さくなる傾向がある。そのため、露光量『０』パターンの幅Ｌｓが前方散乱径の２倍を越える場合には、露光量『０』パターンの部分でのパターンの抜けが生じてしまうおそれがある。よって、露光量『０』パターンの最大幅は前方散乱径の２倍までとすることが好ましい。
【００５０】
また、あくまでも露光量『０』パターンを設けることを前提としての説明ではあるが、電子線を照射する露光量『０』パターンの幅Ｌｓが前方散乱径の１／e（eは自然対数）倍未満となると、蓄積エネルギーのコントラストの顕著な向上が期待できなくなる傾向がみられる。よって、露光量『０』パターンを設ける場合、その幅Ｌｓの最小値は前方散乱径の１／e（eは自然対数）倍とすることが好ましい。
【００５１】
また、露光量『０』パターンの幅Ｌｓは、０値を含むものである。これは、設計パターン１０の輪郭線１１を含む内側の全ての箇所に必ず露光量『０』パターンを設ける必要がないことを意味している。設計パターン１０の形態や露光量の変調のさせ方によっては、露光量『０』パターンを設けるまでもなく、設計パターン１０の輪郭線１１（評価点Ｐon）における照射量の補正を収束させ、設計パターン１０の輪郭線１１（評価点Ｐon）近傍に高い蓄積エネルギーのコントラストが得られることがあるからである。また、露光量『０』パターンを設けて照射量の補正（露光量の補正）をしても輪郭線１１（評価点Ｐon）における蓄積エネルギー量が変化しなかったり、輪郭線１１（評価点Ｐon）近傍の蓄積エネルギーのコントラストが変わり映えしなくて同じであるか、またはコントラストが低下する場合もあり、このような場合にはあえて露光量『０』パターンを設ける必要はない。つまり、露光量『０』パターンを設けることによって照射量の補正が収束しなかった部位が収束する、あるいは、蓄積エネルギーのコントラストが向上する場合にのみ設けるようにすればよい。
【００５２】
なお、露光量『０』パターンが生成された場合、近接効果補正計算中は、パターンの存在を維持し露光量『０』を紐付けておき、補正計算が完了後は、露光量『０』が紐付けられたパターンを残したまま、あるいはパターンを消去（図形情報の削除）してもよく、その表現方法は、出力される描画データフォーマットに準拠させることができる。
【００５３】
（露光量『０』パターンを設ける工程における露光量『０』パターンの位置設定）
図２を参照しつつ、露光量『０』パターン１５を設ける工程における露光量『０』パターン１５の位置の設定について、説明する。
【００５４】
露光量『０』パターン１５が設けられる位置、すなわち、設計パターン１０の輪郭線１１から内側に入り、露光量『０』パターン１５に最初に到達するまでの距離Ｌｅは、０≦Ｌｅ＜前方散乱径の３倍、の範囲内で設定されることが望ましい。
【００５５】
上記の上限値を超えて設計パターン１０の輪郭線１１から大きく離れた位置に露光量『０』パターン１５を設けた場合、設計パターン１０の輪郭線１１近傍における蓄積エネルギーのコントラストの向上が期待できなくなるおそれがある。
【００５６】
また、露光量『０』パターン１５の位置Ｌｅは、０値を含むものである。Ｌｅ＝０の場合は、設計パターン１０の輪郭線１１を含む内側に露光量『０』パターン１５が形成されていることを意味する。
【００５７】
なお、露光量『０』パターン１５を設けるに際し、発生させた露光量『０』パターン付近では、蓄積エネルギーが露光量『０』パターンを発生させない場合と比較して大きく低下する可能性があることから、蓄積エネルギーがレジストを現像させるための閾値（以下、レジスト現像閾値）、または指定値（例えば、レジスト現像閾値×１．１など）以下とならないように、蓄積エネルギー評価点を設け、当該評価点での蓄積エネルギーを考慮しながら補正値を決定することが望まれる。このような観点から、露光量『０』パターン１５に下記の要領で、第２評価点Ｐseを設定する工程、および第３評価点Ｐsを設定する工程が設けられる。
【００５８】
（第２評価点Ｐseを設定する工程、および第３評価点Ｐsを設定する工程）
第２評価点Ｐseを設定する工程においては、図２に示されるように、露光量『０』パターン１５が規定される対となる露光量『０』パターンの輪郭線１５ａ，１５ｂ上にそれぞれ照射される電子線の蓄積エネルギーを評価するための第２評価点Ｐseが設定される。前述したように、対となる露光量『０』パターンの輪郭線１５ａ，１５ｂは、設計パターン１０の輪郭線１１に沿った露光量『０』パターン１５の内側輪郭線１５ａと外側輪郭線１５ｂである。
【００５９】
さらに、図２に示されるように、前記露光量『０』パターン１５の対となる輪郭線１５ａ，１５ｂの間隔を二等分する二等分線１５ｃ上に、照射される電子線の蓄積エネルギーを評価するための第３評価点Ｐsが設定される。
【００６０】
原則として、第３評価点Ｐsは、２つの第２評価点Ｐseを結ぶ線分の中点となる位置に存在させる。
【００６１】
（第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐse、第３評価点Ｐsとの配置関係）
特に、設計パターン１０のパターン角部において十字状の露光量『０』パターンを部分的に有する露光量『０』パターンが設けられた場合、十字状の露光量『０』パターン部分において、第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐse、第３評価点Ｐsとの配置関係が複雑となる。この場合の第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐse、第３評価点Ｐsとの配置関係について、図３（Ａ）〜（Ｇ）を参照しつつ経時的に説明する。
【００６２】
図３（Ａ）は設計パターン１０のパターン角部を部分的に示した平面図である。
【００６３】
次いで、図３（Ｂ）に示されるように、設計パターン１０のパターン角部において十字状に露光量『０』パターン１５が設けられる。図３（Ｂ）は露光パターンを部分的に見ているだけであるので、露光パターン全体および露光量『０』パターンの全体のイメージは図４を参照されたい。なお、露光量『０』パターン１５を発生させる際の、露光量『０』パターンの幅Ｌｓ、露光量『０』パターン１５が設けられる距離Ｌｅ等の設定手法は上述したとおりであり、上記設定手法に従うようにすればよい。
【００６４】
次いで、図３（Ｃ）に示されるように設計パターン１０が所定の図形ごとに分割される（いわゆる初期ショット分割が行われる）。図３（Ｃ）におけるＳ１の大きさは、例えば、露光量『０』パターンを発生させない場合の初期ショット分割の大きさに相当しており、図１（Ａ）の線分Ｌoと同等の大きさと考えることができる。
【００６５】
また、図３（Ｃ）におけるＳ２は、図２における距離Ｌｅと同義である。
【００６６】
なお、図３（Ｄ）以降の図面である、図３（Ｄ）〜図３（Ｇ）においては、図面に基づく説明が分かり易くなるように、Ｓ１＝Ｓ２として描いてあるが、実際は必ずしもＳ１＝Ｓ２とは限らないことに留意されたい。
【００６７】
次いで、図３（Ｄ）に示されるように、第１評価点Ｐon（図中、白丸（○）で示される）が、ショット分割された図形の外周部（外枠部）、すなわち設計パターン１０の輪郭線１１上に配置される。露光量『０』パターン１５の図形は、そこに露光量『０』の図形が存在していると考える。そのため、ショット分割した後の外周部（外枠部）に露光量『０』図形が存在する場合には、原則どおり第１評価点Ｐonを配置する。特に図３（Ｄ）中において、矢印（⇒）を付与することにより明示される２つの第１評価点Ｐonに注目して頂きたい。
【００６８】
次いで、図３（Ｅ）〜図３（Ｇ）に示されるように、第２評価点Ｐse、第３評価点Ｐsがそれぞれ配置される操作が行なわれる。以下、順次説明する。
【００６９】
図３（Ｂ）に示されるような形態を部分的に有する露光量『０』パターン１５を発生させた場合、第２評価点Ｐseは、図３（Ｅ）に示されるごとく、最初にショット分割された露光量『０』パターン１５の図形を構成する辺の中点および角部である頂点にそれぞれ配置される（図３（Ｅ）中、黒丸●で示される）。なお、このようにして配置された第２評価点Ｐseのうち、設計パターン１０の輪郭線１１上に配置されている第２評価点Ｐse（図３（Ｅ）中、矢印（⇒）が付与してある４つの第２評価点Ｐse）は、第１評価点Ｐonとみなす。もともと設計パターン１０の輪郭線１１上に配置されるべきものであるからである。
【００７０】
図３（Ｆ）においては、このようにして最初第２評価点Ｐseであったものを第１評価点Ｐonとして見做した評価点を、○の中に×を書き込んだマークとして示している。
【００７１】
次いで、図３（Ｇ）に示されるように、第３評価点Ｐs（図３（Ｇ）中、二重丸◎で示される）が、露光量『０』パターンの図形を構成する向かい合う辺、および角部である頂点に対向するように配置された対をなす第２評価点Ｐseのそれぞれの中点となる位置に配置される。これらは、いずれも、露光量『０』パターンの対となる輪郭線の間隔を二等分する二等分線上に配置される。
【００７２】
上述してきたように、設計パターン１０に対応する露光パターンのパターン角部において十字状に露光量『０』パターン１５が設けられた場合、第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐse、第３評価点Ｐsは、上記の要領で設定することができる。
【００７３】
図４（Ａ）〜（Ｃ）には、上述した図３（Ａ）〜（Ｇ）と同様のケース、すなわち、設計パターン１０の輪郭線１１に沿った内側に露光量『０』パターン１５を設けた場合であって、設計パターン１０のパターン角部において十字状の露光量『０』パターンを部分的に有する露光量『０』パターンを発生させた場合における第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐse、第３評価点Ｐsの配置例が記載されている。重複する記載とはなるが、図４（Ａ）〜（Ｃ）は、設計パターン１０の全体が描かれた図面からスタートしており、その全体イメージが理解しやすい。以下、簡単に説明する。
【００７４】
図４（Ａ）は設計パターン１０を示したものである。次いで、図４（Ｂ）に示されるように、設計パターン１０の輪郭線１１に沿った内側に露光量『０』パターン１５が設けられる。本実施の形態の場合、露光量『０』パターン１５は、パターン角部において十字状の露光量『０』パターンを部分的に有する形態となっている。さらに、図４（Ｂ）においては、設計パターン１０が大きく４分割にショット分割される。
【００７５】
さらに、図４（Ｃ）に示されるように、ショット分割された図形の外周部（外枠部）、すなわち設計パターン１０の輪郭線１１上に第１評価点Ｐonが配置される（ショット分割された外枠辺の中点部位に配置される）。前述のごとく露光量『０』パターン１５の図形は、そこに露光量『０』の図形が存在していると考える。そのため、ショット分割した後の図形外周部に露光量『０』パターンの図形が存在する場合には、原則どおり第１評価点Ｐonが配置される。そして、図４（Ｃ）のＡ部拡大図に示されるように、第２評価点Ｐse、第３評価点Ｐsが配置される。これらの配置例に関しての説明は、すでに図３に基づいて行っているので、ここでの詳細な説明は省略する。
【００７６】
図５（Ａ）〜（Ｃ）には、上述した図４（Ａ）〜（Ｃ）の変形例、すなわち、設計パターン１０の輪郭線１１に沿った内側に露光量『０』パターン１５を四角形の枠状に設けた場合であって、設計パターン１０のパターン角部においてＬ字状の露光量『０』パターンを部分的に有する露光量『０』パターン１５を発生させた場合における、第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐse、第３評価点Ｐsの配置例が記載されている。
【００７７】
図５（Ａ）は設計パターン１０を示したものである。
【００７８】
次いで、図５（Ｂ）に示されるように、設計パターン１０の輪郭線１１に沿った内側に露光量『０』パターン１５が四角形の枠状に設けられる。本実施の形態の場合、露光量『０』パターン１５は、パターン角部においてＬ字状の露光量『０』パターンを部分的に有する形態となっている。さらに、図５（Ｂ）においては、設計パターン１０が大きく４等分にショット分割される。
【００７９】
さらに、図５（Ｃ）に示されるように、ショット分割された図形の外周部（外枠部）、すなわち設計パターン１０の輪郭線１１上に第１評価点Ｐonが配置される（ショット分割された外枠辺の中点部位に配置される）。前述のごとく露光量『０』パターンの図形は、そこに露光量『０』パターンの図形が存在していると考える。そのため、ショット分割した後の図形外周部に露光量『０』パターンの図形が存在する場合には、原則どおり第１評価点Ｐonが配置される。そして、図５（Ｃ）のＡ部拡大図に示されるように、第２評価点Ｐse、第３評価点Ｐsが配置される。第２評価点Ｐseは、露光量『０』パターンが規定される対となる露光量『０』パターンの輪郭線上であって、第１評価点Ｐonに対応する位置、およびショット分割された図形の角部に形成することができる。また、第３評価点Ｐsは、露光量『０』パターンの図形を構成する向かい合う辺、および角部である頂点に対向するように配置された対をなす第２評価点Ｐseのそれぞれの中点となる位置に配置させることができる。
【００８０】
本発明の電子線照射量決定方法では、第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐse、および第３評価点Ｐsにおけるそれぞれの蓄積エネルギーを求め、これらの蓄積エネルギーを評価して、当該評価に基づいて適宜、電子線の照射量を補正する照射量補正工程が設けられる。
第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐse、および第３評価点Ｐsにおけるそれぞれの蓄積エネルギーを求めることそのものの方法は、公知の方法を用いればよい。すなわち、蓄積エネルギーを求めることは、電子線照射によって入射した電子がレジスト中に蓄積するエネルギーを求めることである。上述したように、ある１点に入射した電子によってレジスト中に蓄積されるエネルギーの、レジスト表面からのある深さにおける平均分布は、下記の数式（１）に示されるように、ＥＩＤ（Energy Intensity Distribution)関数と呼ばれる２つのガウス分布の和で表わされる。
【００８１】
【数２】
0005987381.tif 000003
【００８２】
上記式において、α、β、ηはレジスト表面からの深さによって決定される定数であり、αは前方散乱径（前方散乱の広がり）、βは後方散乱径（後方散乱の広がり）、ηは後方散乱係数（後方散乱エネルギー強度／前方散乱エネルギー強度：前方散乱に対する比）を示している。ＥＩＤ関数の第１項はレジストに入射した電子が前方散乱しつつ侵入していく際に蓄積されるエネルギー分布であり、第２項は入射電子がレジスト中及び基板中の原子核によって後方散乱を受け、入射方向と逆方向に散乱していく際に蓄積されるエネルギー分布である。
【００８３】
上記式を用いて、第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐse、および第３評価点Ｐsにおけるそれぞれの蓄積エネルギーを求めることができる。そして、これらの求められた蓄積エネルギーに基づいて、（１）第１評価点Ｐonにおける蓄積エネルギーの評価であって、第１評価点Ｐonにおける蓄積エネルギーが第１評価点判定基準値（収束条件）を満たすか否かの第１評価点判定操作、（２）第２評価点Ｐseにおける蓄積エネルギーの評価であって、第２評価点Ｐseにおける蓄積エネルギーが第２評価点判定基準値（収束条件）を満たすか否かの第２評価点判定操作、および（３）第３評価点Ｐsにおける蓄積エネルギーの評価であって、第３評価点Ｐsにおける蓄積エネルギーが第３評価点判定基準値（収束条件）を満たすか否かの第３評価点判定操作が行なわれる。
【００８４】
なお、これらの第１評価点判定基準値（収束条件）、第２評価点判定基準値（収束条件）および第３評価点判定基準値（収束条件）は、同時に、すなわち、ＡＮＤ条件で満たすように判断されることが望ましい。従って、第１評価点判定操作、第２評価点判定操作および第３評価点判定操作は、一つの総合的な一括された評価点判定操作として、機能するようにすることが望ましい。
【００８５】
（第１評価点判定操作）
第１評価点判定操作は、通常、従来より行なわれている手法と同様であり、例えば、上記数式（１）を用いて求められた第１評価点Ｐonにおける蓄積エネルギーＥonの値が、予め設定されている第１評価点判定基準値Ｅdev１（収束条件）となるか否かの判断が行われる。第１評価点判定基準値Ｅdev１（収束条件）は、レジスト膜が現像されるに十分な蓄積エネルギーを備えていることを担保できるように設定される。
【００８６】
第１評価点判定基準値Ｅdev１（収束条件）は、アルゴリズム上、最初に決定されるべきものである。例えば、充分広い領域にパターン幅の２倍のピッチで配置されたラインアンドスペースパターン（以下、１：１ラインアンドスペースパターンと称す場合がある）を用い、中心部付近に配置されたある１つのパターンの蓄積エネルギーから求める。詳しくは、電子線を照射した場合の、前方散乱による蓄積エネルギーを求め、ピーク値の１／２をＥdev１として設定する。なお、充分広い領域とは後方散乱径の３〜５倍程度以上の領域をいう。前方散乱による蓄積エネルギーのピーク値の１／２をＥdev１として設定する上記手法の概念図が図１６に示される。図１６は、充分広い領域に配置された１：１ラインアンドスペース群の設計パターンと、それに対応する１：１ラインアンドスペース群による後方散乱による蓄積エネルギー分布および、電子線を照射した配置領域の中央部付近に存在する１パターンのみの前方散乱による蓄積における蓄積エネルギー分布を示したものであり、それ以外のパターンの前方散乱による蓄積における蓄積エネルギー分布は図示されていない。
【００８７】
（第２評価点判定操作）
第２評価点判定操作は、第１評価点判定操作と略同様に、通常、従来より行なわれている手法と同様であり、例えば、上記数式（１）を用いて求められた第２評価点Ｐseにおける蓄積エネルギーＥseの値が、予め設定されている第２評価点判定基準値Ｅdev２（収束条件）以上となるか否かの判断が行われる。第２評価点判定基準値Ｅdev２（収束条件）は、前記第１評価点判定基準値Ｅdev１（収束条件）と同様に、レジスト膜が現像されるに十分な蓄積エネルギーを備えていることを担保できるように設定される。
【００８８】
（第３評価点判定操作）
第３評価点判定操作は、第１および第２評価点判定操作と略同様に、通常、従来より行なわれている手法と同様であり、例えば、上記数式（１）を用いて求められた第３評価点Ｐsにおける蓄積エネルギーＥsの値が、予め設定されている第３評価点判定基準値Ｅdev３（収束条件）以上となるか否かの判断が行われる。第３評価点判定基準値Ｅdev３（収束条件）は、前記第１評価点判定基準値Ｅdev１および第２評価点判定基準値Ｅdev２（収束条件）と同様に、レジスト膜が現像されるに十分な蓄積エネルギーを備えていることを担保できるように設定される。
【００８９】
上記の（１）第１評価点Ｐonにおける蓄積エネルギーＥonの値が、予め設定されている第１評価点判定基準値Ｅdev１（収束条件）となるか否かの判断、（２）第２評価点Ｐseにおける蓄積エネルギーＥseの値が、予め設定されている第２評価点判定基準値Ｅdev２（収束条件）以上となるか否かの判断、および（３）第３評価点Ｐsにおける蓄積エネルギーＥsの値が、予め設定されている第３評価点判定基準値Ｅdev３（収束条件）以上となるか否かの判断に加えて、さらに、設計パターン１０の輪郭線１１の近傍において十分大きな蓄積エネルギーのコントラストが得られているか否かの判断（以下、「蓄積エネルギーのコントラスト判断」と称すことがある）を行うことが好ましい。
【００９０】
このような「蓄積エネルギーのコントラスト判断」としては、例えば、第１評価点Ｐonの外側（非露光部）の位置に第４評価点Ｐoutを設け、当該第４評価点Ｐoutおける蓄積エネルギーＥoutを算出し、実際に設計パターン１０の輪郭線１１の近傍において所定の大きな蓄積エネルギーのコントラストが得られているかを判断する。
【００９１】
第４評価点判定条件の与え方は、評価点Ｐonにおける蓄積エネルギーＥonを基準とした条件とすることが望ましく、例えば、第４評価点Ｐoutにおける蓄積エネルギーＥoutの判定閾値を、評価点Ｐonにおける蓄積エネルギーＥonに対する比率で与える手法が挙げられる。
【００９２】
＜近接効果補正のフロー１＞
本発明の照射量補正工程を有する電子線照射量決定方法のフローの一例を図６を参照しつつ説明する。なお、図６に示されるフロー全体をいわゆる近接効果補正と称することができる。
【００９３】
図６に示される本発明の電子線照射量決定方法の要部は、まず、最初に設計パターンの輪郭線に沿った内側のすべての箇所に露光量『０』パターンを設けることを前提として、蓄積エネルギーの所定の評価点である第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐse、および第３評価点Ｐsを発生させ、第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐse、および第３評価点Ｐsにおける蓄積エネルギーを求め、それらの蓄積エネルギーが収束条件を満たすように、露光量『０』パターンの存在を維持しつつ、露光量『０』パターンのサイズや配置を考慮して各露光ショットに露光量を割り当てながら、第１の露光量の補正操作を行い、次いで、必要に応じて、収束条件を満たさない評価点付近の露光量『０』パターンに露光量を与えながら各露光ショットに露光量を割り当てながら、第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐse、および第３評価点Ｐsにおける蓄積エネルギーが収束条件を満たすように第２の露光量の補正操作を行なうようにしている点にある。
【００９４】
各評価点における蓄積エネルギーを求める計算手法そのものについては、従来からの方法をそのまま適用することができる。
【００９５】
以下、図６に示されるフローに基づき順次説明する。
【００９６】
（１）ステップＳ１
ステップＳ１において、設計パターンに基づく露光パターンの設定が行われる。
基本として、設計パターンを得るべく露光パターンが定められる。
【００９７】
設計パターンと露光パターンとは実質的に同様なパターンに設定してもよい。
なお、図６では、次のステップＳ２に行くまでのタイミングで、第１評価点における収束条件、第２評価点における収束条件、第３評価点における収束条件、初期のＬｅ値、初期のＬｓ値、ＥＩＤパラメータ等のデータを記憶部に入力させる例が開示されているが、必ずしも、このタイミングでの入力に限定されるわけではない。
【００９８】
（２）ステップＳ２
設計パターンに基づく露光パターンにおいて、設計パターンの輪郭線に沿った内側に露光量『０』パターンが設けられる。露光量『０』パターンの具体的な形成手法については、前述した露光量『０』パターンを設ける工程の説明を参照にすることができる。
【００９９】
（３）ステップＳ３
ステップＳ３において、露光パターンを構成している図形の最初の分割（初期図形分割と称す場合がある）が行われる。図形の分割手法として、その一例が図１（Ａ）や、図１（Ｂ）に示されるが、これらの図面に示される形態に限定されるものではなく、露光ショットの大きさや、後述する各評価点における適切な評価が行えること等を考慮して分割手法を適宜決定することができる。また、露光の補正を繰り返す際に図形の分割手法を変更するようにしてもよい。
【０１００】
また、このステップＳ３において、後述するいわゆるＥＩＤパラメータ（α、β、η、δ）を考慮して初期図形分割するようにしてもよい。
【０１０１】
（４）ステップＳ４
ステップＳ４において、第１評価点であるＰonの設定、第２評価点であるＰseの設定、および第３評価点であるＰsの設定が行われる。
【０１０２】
第１評価点であるＰonは設計パターンの輪郭線上に設定される。具体的な手法としては、前述した「第１評価点であるＰonの設定手法」を参考にすることができ、例えばその一例が図１（Ａ）や、図１（Ｂ）に示されるが、これらの図面に示された手法に限定されるものでなく、設計パターンの形状や分割手法等に応じて適宜、評価点の設定手法を変更することができる。
【０１０３】
第２評価点であるＰseは、前述したように、露光量『０』パターンが規定される対となる露光量『０』エリアの輪郭線１５ａ，１５ｂ上にそれぞれ設定される（図２参照）。
【０１０４】
第３評価点であるＰsは、前述したように、露光量『０』パターンの対となる輪郭線１５ａ，１５ｂの間隔を二等分する二等分線１５ｃ上に設定される（図２参照）。原則として、第３評価点Ｐsは、２つの第２評価点Ｐseを結ぶ線分の中点となる位置に存在させる。
【０１０５】
（５）ステップＳ５
ステップＳ５において、各露光ショットの最適露光量を算出する第１の露光量割り当て操作が行なわれる。各露光ショットとは、図形分割された各々一区画のことであり、この一区画内には均一な露光量が与えられる。
【０１０６】
この第１の露光量割り当て操作では、露光量『０』パターンの存在を維持し、露光量『０』パターンのサイズや配置を考慮しながら各露光ショットに露光量を割り当てる操作が行なわれる。いわゆる最適露光量算出操作である。
【０１０７】
このステップＳ５において、いわゆるＥＩＤパラメータ（α、β、η、δ）が使用される。ここで、αは前方散乱径（前方散乱の広がり）、βは後方散乱径（後方散乱の広がり）、ηは後方散乱係数（後方散乱エネルギー強度／前方散乱エネルギー強度：前方散乱に対する比）、δはビームブラー（いわゆるビームぼけ）を示している。
【０１０８】
これらのＥＩＤパラメータは、シミュレーションを用いて求めても良いが、実際に使用する装置、工程を用いた実描画実験などから導出することが好ましい。その場合、前方散乱径αと、ビームブラーδとを切り分けることが難しいことがあり、両者を含めた散乱径を「見かけの前方散乱径α´」として取り扱うようにすることができる。この場合、見かけの前方散乱径α´は、α2＋δ2の平方根という関係が成り立っている。
【０１０９】
本発明において、前方散乱径としてどちらを採用するかは、使用する近接効果補正アルゴリズムに依存していると考えることができ、例えば、近接効果補正アルゴリズムにおいて両者を区別していない場合には、見かけの前方散乱径α´を前方散乱径とみなすことができる。また、実描画実験において両者を切り分けることができない場合においても、見かけの前方散乱径α´を前方散乱径とみなすことができる。
【０１１０】
各露光ショットの最適露光量を算出する操作の具体的方法において、一般的な技法として、例えば、小パターンほど露光量が大きくなるように設定されること、パターンの輪郭線に近づくほど露光量が大きくなるように設定されること、複数描画ショットで構成されるパターンにおいては、露光量の変化がなだらかとなり、急変しないように決定されること、等が考慮される。
【０１１１】
ただし、本発明における各露光ショットの最適露光量を算出する操作においては、最終的に設計パターン輪郭線近傍における蓄積エネルギーのコントラストを向上させることができるように露光量変調の操作を組み込むことが要求される。そのため、本発明では、好適な手法として、高い露光量を割り当てたショットの内側（設計パターンの内部に向かう方向）に露光量『０』パターンを設け、設計パターン輪郭線近傍における蓄積エネルギーのコントラストをより向上させる試みがなされている。逆の見方をすれば、設計パターン輪郭線の内側に露光量『０』パターンを存在させているからこそ、さらにその外側のエリアに高い露光量のショットを割り当てることができるとも言える。このような手法によって、設計パターン輪郭線近傍における蓄積エネルギーのコントラストを向上させることができるのは、設計パターン輪郭線の内側に露光量『０』パターンを存在させることにより、前方散乱（ビームブラーを含むみかけの前方散乱）による蓄積エネルギーの重なりを減少させることができているからである。
【０１１２】
なお、露光量の高いショット同士の距離は、前方散乱径（ビームブラーを含むみかけの前方散乱）の３〜５倍の距離程度に十分に分離させておくことが好ましい。双方のエネルギー干渉を防ぐようにするためである。
【０１１３】
なお、本発明において、照射量補正工程は、後述のステップも含めたステップＳ５〜Ｓ７、ステップＳ１０〜Ｓ１２の範囲を包含するものであり、照射量補正工程は、いわゆる近接効果補正の要部をなす工程と考えることができる。
【０１１４】
（６）ステップＳ６
ステップＳ６において、第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐse、および第３評価点Ｐsにおける蓄積エネルギーを算出する操作が行なわれる。
【０１１５】
前述したようにＥＩＤ（Energy Intensity Distribution)関数と呼ばれる２つのガウス分布の和で表わされる式を用いて第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐse、および第３評価点Ｐsでの蓄積エネルギーを算出する操作が行なわれる。蓄積エネルギーを算出する操作自体、従来より行なわれていたものを用いることができる。
【０１１６】
（７）ステップＳ７
ステップＳ７では、（１）第１評価点Ｐonにおいて算出された蓄積エネルギーＥonの値が、予め設定されている第１評価点判定基準値Ｅdev（収束条件）となるか否かの判断、（２）第２評価点Ｐseにおいて算出された蓄積エネルギーＥseの値が、予め設定されている第２評価点判定基準値Ｅdev２（収束条件）以上となるか否かの判断、および（３）第３評価点Ｐsにおいて算出された蓄積エネルギーＥsの値が、予め設定されている第３評価点判定基準値Ｅdev３（収束条件）以上となるか否かの判断が行われる。
【０１１７】
さらに、ステップＳ７の判断操作において、設計パターン１０の輪郭線１１の近傍において十分大きな蓄積エネルギーの変化割合が得られているか否かの蓄積エネルギーのコントラスト判断を行うことが好ましい。
【０１１８】
設計パターンの輪郭線の近傍における具体的な蓄積エネルギーのコントラストの判断手法は前述したとおりである。なお、場合によっては、前工程において、第１評価点Ｐonの外側（非露光部）での位置に第４評価点Ｐoutを設け、当該第４評価点Ｐoutおける蓄積エネルギーＥoutを算出しておく必要が生じる場合がある。
【０１１９】
このステップＳ７において、すべての評価点の収束条件を満たす場合（Ｙｅｓの場合）、いわゆる本発明における照射量補正工程が完了する（ステップＳ１５に至る）。
【０１２０】
この一方で、すべての収束条件を満たさない場合（Ｎｏである場合）、無限ループに陥らないために、補正を打ち切るか否かの判断工程（ステップＳ８）が実施される。
【０１２１】
（８）ステップＳ８
本発明における近接効果補正においては、与えられた条件にて収束をしない可能性も考慮しておくことが望ましい。収束に向かいながら収束値の近傍までは近づくものの、収束値までは届かず収束値の近傍で振動したり、飽和してしまうことが生じ得るからである。このようなケースは、例えば、設計のパターン同士が近接し過ぎている場合や、パターンの面積密度が急変する場合に生じることが多い。従って、無限ループに陥らないために、図６のフローに示されるごとく第１の露光量割り当て操作（ステップＳ５）を基本とした第１の補正計算を打ち切るか否かの判断工程（ステップＳ８）を備えるように構成することが望ましい。
【０１２２】
補正計算を打ち切るか否かの判断工程（ステップＳ８）においては、補正計算の打ち切り条件を満たすか否かの判断条件が付与される。計算の打ち切りの条件の一例として、補正計算の回数を打ち切り条件として挙げることができる。また、各評価点判定基準値（収束条件）に対して誤差範囲内（例えば１０％以内）に収まっていることを条件に補正計算を打ち切るというようにすることもできる。
【０１２３】
ステップＳ８において、補正計算を打ち切る条件に至っていない場合（Ｎｏである場合）、各露光ショットの最適露光量を算出する第１の露光量割り当て操作であるステップＳ５に戻り、この一方で、補正計算を打ち切る条件を満たす場合（Ｙｅｓである場合）、次なる工程である補正計算された結果を記憶する工程（ステップＳ９）が実施される。
【０１２４】
（９）ステップＳ９
ステップＳ８において補正計算をこれ以上行う必要がないと判断された場合、ステップＳ９において今まで行っていた近接効果補正の補正計算の結果が、一旦記憶される。
【０１２５】
図６に示される補正フローの場合、さらなる良好な近接効果補正の補正計算結果が得られることを期待して、今まで行ってきた第１の露光量割り当て操作とは異なる第２の露光量割り当て操作（ステップＳ１０）を基本とした照射量補正工程が追加されている。
【０１２６】
（１０）ステップＳ１０
ステップＳ１０においては、収束条件を満たさない評価点付近の露光量『０』パターンにあえて露光量を与えながら、各露光ショットに露光量を割り当てる操作、すなわち、各露光ショットの最適露光量を算出する第２の露光量割り当て操作が行なわれる。いわゆる最適露光量算出操作である。ここでいう収束条件を満たさない評価点付近とは、例えば、前方散乱径の３〜５倍程度の領域内にある露光量『０』パターンの存在に基づく評価点を挙げることができるが、必ずしも、この例に限定されるものではない。このステップＳ１０においても、前述したステップＳ５と同様に、いわゆるＥＩＤパラメータ（α、β、η、δ）が使用される。
【０１２７】
（１１）ステップＳ１１
ステップＳ１１において、第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐse、および第３評価点Ｐsにおける蓄積エネルギーを算出する操作が行なわれる。操作そのもの具体的な説明は前述のステップＳ６を参照することができる。
【０１２８】
（１２）ステップＳ１２
ステップＳ１２では、前述したステップＳ７に順じた操作が行なわれる。すなわち、（１）第１評価点Ｐonにおいて算出された蓄積エネルギーＥonの値が、予め設定されている第１評価点判定基準値Ｅdev１（収束条件）となるか否かの判断、（２）第２評価点Ｐseにおいて算出された蓄積エネルギーＥseの値が、予め設定されている第２評価点判定基準値Ｅdev２（収束条件）以上となるか否かの判断、および（３）第３評価点Ｐsにおいて算出された蓄積エネルギーＥsの値が、予め設定されている第３評価点判定基準値Ｅdev３（収束条件）以上となるか否かの判断が行われる。さらに、ステップＳ１２の判断操作においは、前述のステップＳ７の場合と同様に、設計パターン１０の輪郭線１１の近傍において十分大きな蓄積エネルギーのコントラストが得られているか否かの蓄積エネルギーのコントラスト判断を行うことが好ましい。
【０１２９】
このステップＳ１２において、すべての評価点の収束条件を満たす場合（Ｙｅｓの場合）、いわゆる本発明における照射量補正工程が完了する（ステップＳ１５に至る）。
【０１３０】
この一方で、すべての収束条件を満たさない場合（Ｎｏである場合）、無限ループに陥らないために、第２の露光量割り当て操作（ステップＳ１０）を基本とした補正を打ち切るか否かの判断工程（ステップＳ１３）が実施される。
【０１３１】
（１３）ステップＳ１３
第２の露光量割り当て操作（ステップＳ１０）を基本とした露光量補正においては、与えられた条件にて収束をしない可能性も考慮しておくことが望ましい。収束に向かいながら収束値の近傍までは近づくものの、収束値までは届かず収束値の近傍で振動したり、飽和してしまうことが生じ得るからである。従って、無限ループに陥らないために、図６のフローに示されるごとく第２の露光量割り当て操作（ステップＳ１０）を基本とした補正計算を打ち切るか否かの判断工程（ステップＳ１３）を備えるように構成することが望ましい。
【０１３２】
補正計算を打ち切るか否かの判断工程（ステップＳ１３）においては、補正計算の打ち切り条件を満たすか否かの判断条件が付与される。計算の打ち切りの条件の一例として、補正計算の回数を打ち切り条件として挙げることができる。また、各評価点判定基準値（収束条件）に対して誤差範囲内（例えば１０％以内）に収まっていることを条件に補正計算を打ち切るというようにすることもできる。
【０１３３】
ステップＳ１３において、補正計算を打ち切る条件に至っていない場合（Ｎｏである場合）、各露光ショットの最適露光量を算出する第２の露光量割り当て操作であるステップＳ１０に戻り、この一方で、補正計算を打ち切る条件を満たす場合（Ｙｅｓである場合）、ステップＳ１４に行く。ステップＳ１４においては、第１の露光量割り当て操作（ステップＳ５）を基本とする露光量補正工程の補正結果と、第２の露光量割り当て操作（ステップＳ１０）を基本とする露光量補正工程の補正結果とを比較して、収束結果の良好な方を選択する操作が行なわれる。この選択操作によって、いわゆる本発明における照射量補正工程が完了する（ステップＳ１５に至る）。
【０１３４】
上述したように、本発明において、照射量補正工程は、ステップＳ５〜Ｓ７、ステップＳ１０〜Ｓ１２の範囲を包含するものであり、照射量補正工程は、いわゆる近接効果補正の要部をなす工程と考えることができる。
【０１３５】
＜近接効果補正のフロー２＞
次いで、本発明の照射量補正工程を有する電子線照射量決定方法の他のフローの一例を図７を参照しつつ説明する。なお、図６と同様に図７に示されるフロー全体をいわゆる近接効果補正と称することができる。
【０１３６】
図７に示されるフローは、露光量『０』パターンを最初から設けるのではなく、第１評価点Ｐonが第１評価点判定基準値Ｅdev１（収束条件）を満たせなかった箇所、および十分な蓄積エネルギーのコントラストが確保できていないと判断される箇所に露光量『０』パターンを設けように操作している点で、図６に示されるフローと基本的に異なる。
【０１３７】
以下、図７に示されるフローに基づき順次説明する。
【０１３８】
（１）ステップＳ００１
ステップＳ００１において、設計パターンに基づく露光パターンの設定が行われる。
基本として、設計パターンを得るべく露光パターンが定められる。
【０１３９】
設計パターンと露光パターンとは実質的に同様なパターンに設定してもよい。
なお、図７では、次のステップＳ２に行くまでのタイミングで、第１評価点における収束条件、第２評価点における収束条件、第３評価点における収束条件、初期のＬｅ値、初期のＬｓ値、ＥＩＤパラメータ等のデータを記憶部に入力させる例が開示されているが、必ずしも、このタイミングでの入力に限定されるわけではない。
【０１４０】
（２）ステップＳ００２
ステップＳ００２において、露光パターンを構成している図形の最初の分割（初期図形分割と称す場合がある）が行われる。分割手法として、その一例が図１（Ａ）や、図１（Ｂ）に示されるが、これらの図面に示される形態に限定されるものではなく、露光ショットの大きさや、後述する各評価点における適切な評価が行えること等を考慮して分割手法を適宜決定することができる。また、露光の補正を繰り返す際に図形の分割手法を変更するようにしてもよい。
【０１４１】
また、このステップＳ００２において、後述するいわゆるＥＩＤパラメータ（α、β、η、δ）を考慮して初期図形分割するようにしてもよい。
【０１４２】
（３）ステップＳ００３
ステップＳ００３において、第１評価点であるＰonの設定が行われる。
【０１４３】
すなわち、第１評価点であるＰonは設計パターンの輪郭線上に設定される。具体的な手法としては、前述した「第１評価点であるＰonの設定手法」を参考にすることができ、例えばその一例が図１（Ａ）や、図１（Ｂ）に示されるが、これらの図面に示された手法に限定されるものでなく、設計パターンの形状や分割手法等に応じて適宜、評価点の設定手法を変更することができる。
【０１４４】
（４）ステップＳ００４
ステップＳ００４において、各露光ショットの最適露光量を算出して露光量を割り当てる操作が行なわれる。
【０１４５】
各露光ショットとは、図形分割された各々一区画のことであり、この一区画内には均一な露光量が与えられる。
【０１４６】
このステップＳ００４において、いわゆるＥＩＤパラメータ（α、β、η、δ）が使用される。ここで、αは前方散乱径（前方散乱の広がり）、βは後方散乱径（後方散乱の広がり）、ηは後方散乱係数（後方散乱エネルギー強度／前方散乱エネルギー強度：前方散乱に対する比）、δはビームブラー（いわゆるビームぼけ）を示している。
【０１４７】
これらのＥＩＤパラメータは、シミュレーションを用いて求めても良いが、実際に使用する装置、工程を用いた実描画実験などから導出することが好ましい。その場合、前方散乱径αと、ビームブラーδとを切り分けることが難しいことがあり、両者を含めた散乱径を「見かけの前方散乱径α´」として取り扱うようにすることができる。この場合、見かけの前方散乱径α´は、α2＋δ2の平方根という関係が成り立っている。
【０１４８】
本発明において、前方散乱径としてどちらを採用するかは、使用する近接効果補正アルゴリズムに依存していると考えることができ、例えば、近接効果補正アルゴリズムにおいて両者を区別していない場合には、見かけの前方散乱径α´を前方散乱径とみなすことができる。また、実描画実験において両者を切り分けることができない場合においても、見かけの前方散乱径α´を前方散乱径とみなすことができる。
【０１４９】
各露光ショットの最適露光量を算出する操作の具体的方法としては、例えば、面積密度法（代表図形法）を挙げることができる。面積密度法は、描画パターン全体をある所定の大きさの単位区画（メッシュ）に分割し、各々のメッシュ内の描画パターンの面積密度を算出し、その面積密度マップを用いて蓄積エネルギーを算出し、各メッシュ内において照射される電子線の蓄積エネルギーが一定となるように露光量を最適化する方法である。さらに考慮すべき一般的な技法として、例えば、小パターンほど露光量が大きくなるように設定されること、パターンの輪郭線に近づくほど露光量が大きくなるように設定されること、複数描画ショットで構成されるパターンにおいては、露光量の変化がなだらかとなり、急変しないように決定されること、等が考慮される。
【０１５０】
ただし、本発明の各露光ショットの最適露光量を算出する操作においては、最終的に設計パターン輪郭線近傍における蓄積エネルギーのコントラストを向上させることができるように露光量変調の操作を組み込むことが要求される。そのため、例えば、パターン最外周である輪郭線を１辺とする露光ショットの露光量を小さくし、パターン間の前方散乱（ビームブラーを含むみかけの前方散乱）による蓄積エネルギーの干渉を抑えることでパターン外周部（非露光部）の蓄積エネルギーを下げることが一つの手法として考えられる。しかしながら、これでは設計パターンの輪郭線の蓄積エネルギーがＥdev１を満たさない場合があるため、好ましい態様の一つとして設計パターン内の輪郭線近傍（近傍とは輪郭線を含む露光ショットではない）の露光量を大きくすることで、設計パターンの輪郭線の評価点が目的とする蓄積エネルギーとなるように最適化させることができる。
【０１５１】
なお、露光量の高いショット同士の距離は、前方散乱径（ビームブラーを含むみかけの前方散乱径）の３〜５倍の距離程度に十分に分離させておくことが好ましい。双方のエネルギー干渉を防ぐようにするためである。
【０１５２】
（６）ステップＳ００５
ステップＳ００５において、第１評価点Ｐonにおける蓄積エネルギーを算出する操作が行なわれる。
【０１５３】
前述したようにＥＩＤ（Energy Intensity Distribution)関数と呼ばれる２つのガウス分布の和で表わされる式を用いて第１評価点Ｐonにおけるそれぞれの蓄積エネルギーを算出する操作が行なわれる。蓄積エネルギーを算出する操作自体、従来より行なわれていたものを用いることができる。
【０１５４】
（７）ステップＳ００６
ステップＳ００６において、すべての第１評価点Ｐonにおける蓄積エネルギーＥonが、予め設定されている第１評価点判定基準値Ｅdev１（収束条件）を満たすか否かの判断が行われる。この判断を行う際には、さらに設計パターンの輪郭線の近傍において十分大きな蓄積エネルギーのコントラストが得られているか否かの判断（以下、「蓄積エネルギーのコントラスト判断」と称すことがある）を付加して行うことが好ましい。例えば、前工程において第１評価点Ｐonの外側（非露光部）での位置に第４評価点Ｐoutを設け、当該第４評価点Ｐoutおける蓄積エネルギーＥoutを計算し、実際に所定の大きな蓄積エネルギーのコントラストが得られているかを判断する手法を設けておくことが望ましい。
【０１５５】
設計パターンの輪郭線上の各評価点Ｐonにおける蓄積エネルギーＥonが収束条件を満たす場合（Ｙｅｓである場合）、本発明における照射量補正工程が完了する（ステップＳ０１６に至る）。なお、上述のごとく照射量補正工程の完了に際し、設計パターンの輪郭線の近傍において十分大きな蓄積エネルギーのコントラストが得られていることの確認操作を行うことが望ましい。この一方で、評価点Ｐonにおける蓄積エネルギーＥonが収束条件を満たさない場合（Ｎｏである場合）、無限ループに陥らないために、補正計算を打ち切るか否かの判断工程（ステップＳ００７）が実施される。
【０１５６】
（７）ステップＳ００７
本発明における近接効果補正においては、与えられた条件にて収束をしない可能性も考慮しておくことが望ましい。収束に向かいながら収束値の近傍までは近づくものの、収束値までは届かず収束値の近傍で振動したり、飽和してしまうことが生じ得るからである。従って、無限ループに陥らないために、図７のフローに示されるごとく第１の露光量割り当て操作（ステップＳ００４）を基本とした第１の補正計算を打ち切るか否かの判断工程（ステップＳ００７）を備えるように構成することが望ましい。
【０１５７】
補正計算を打ち切るか否かの判断工程（ステップＳ００７）においては、補正計算の打ち切り条件を満たすか否かの判断条件が付与される。計算の打ち切りの条件の一例として、補正計算の回数を打ち切り条件として挙げることができる。また、評価点判定基準値（収束条件）に対して誤差範囲内（例えば１０％以内）に収まっていることを条件に補正計算を打ち切るというようにすることもできる。
【０１５８】
ステップＳ００７において、補正計算を打ち切る条件に至っていない場合（Ｎｏである場合）、各露光ショットの最適露光量を算出する第１の露光量割り当て操作であるステップＳ００４に戻り、この一方で、補正計算を打ち切る条件を満たす場合（Ｙｅｓである場合）、次なる工程である補正された結果を記憶する工程（ステップＳ００８）が実施される。
【０１５９】
（８）ステップＳ００８
上記のステップＳ００７において補正計算をこれ以上行う必要がないと判断された場合、ステップＳ００８において今まで行っていた近接効果補正の補正計算結果が、一旦記憶される。
【０１６０】
図７に示される補正フローの場合、さらなる良好な近接効果補正の補正計算結果が得られることを期待して、図７に示されるごとく次なるステップＳ００９〜Ｓ０１４の操作が行なわれる。
【０１６１】
（９）ステップＳ００９
収束条件を満たさない評価点Ｐon付近の、設計パターンの輪郭線に沿った内側に露光量『０』パターンが形成される。露光量『０』パターンの具体的な形成手法については、前述した露光量『０』パターンを設ける工程の説明を参照にすることができる。
【０１６２】
（１０）ステップＳ０１０
ステップＳ０１０において、露光量『０』パターンの形成に基づく第２評価点であるＰseの設定、および第３評価点であるＰsの設定が行われる。
【０１６３】
第２評価点であるＰseは、前述したように、露光量『０』パターンが規定される対となる露光量『０』エリアの輪郭線１５ａ，１５ｂ上にそれぞれ設定される（図２参照）。
【０１６４】
第３評価点であるＰsは、前述したように、露光量『０』パターンの対となる輪郭線１５ａ，１５ｂの間隔を二等分する二等分線１５ｃ上に設定される（図２参照）。原則として、第３評価点Ｐsは、２つの第２評価点Ｐseを結ぶ線分の中点となる位置に存在させる。
【０１６５】
（１１）ステップＳ０１１
ステップＳ０１１において、各露光ショットの最適露光量を算出する第２の露光量割り当て操作が行なわれる。各露光ショットとは、図形分割された各々一区画のことであり、この一区画内には均一な露光量が与えられる。
【０１６６】
第２の露光量割り当て操作では、露光量『０』パターンの存在を維持し、露光量『０』パターンのサイズや配置を考慮しながら各露光ショットに露光量を割り当てる操作が行なわれる。いわゆる最適露光量算出操作である。
【０１６７】
このステップＳ０１１においても、前述したステップＳ００４と同様に、いわゆるＥＩＤパラメータ（α、β、η、δ）が使用される。
【０１６８】
各露光ショットの最適露光量を算出する操作の具体的方法において、前述したように一般的な技法として、例えば、小パターンほど露光量が大きくなるように設定されること、パターンの輪郭線に近づくほど露光量が大きくなるように設定されること、複数描画ショットで構成されるパターンにおいては、露光量の変化がなだらかとなり、急変しないように決定されること、等が考慮される。
【０１６９】
ただし、本発明における各露光ショットの最適露光量を算出する操作においては、最終的に設計パターン輪郭線近傍における蓄積エネルギーのコントラストを向上させることができるように露光量変調の操作を組み込むことが要求される。そのため、本発明では、好適な手法として、高い露光量を割り当てたショットの内側（設計パターンの内部に向かう方向）に露光量『０』パターンを設け、設計パターン輪郭線近傍における蓄積エネルギーのコントラストをより向上させる試みがなされている。逆の見方をすれば、設計パターン輪郭線の内側に露光量『０』パターンを存在させているからこそ、さらにその外側のエリアに高い露光量のショットを割り当てることができるとも言える。このような手法によって、設計パターン輪郭線近傍における蓄積エネルギーのコントラストを向上させることができるのは、設計パターン輪郭線の内側に露光量『０』パターンを存在させることにより、前方散乱（ビームブラーを含むみかけの前方散乱）による蓄積エネルギーの重なりを減少させることができているからである。
【０１７０】
なお、露光量の高いショット同士の距離は、前方散乱径（ビームブラー）の３〜５倍の距離程度に十分に分離させておくことが好ましい。双方のエネルギー干渉を防ぐようにするためである。
【０１７１】
（１２）ステップＳ０１２
ステップＳ０１２において、第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐse、および第３評価点Ｐsにおける蓄積エネルギーを算出する操作が行なわれる。
【０１７２】
前述したようにＥＩＤ（Energy Intensity Distribution)関数と呼ばれる２つのガウス分布の和で表わされる式を用いて第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐse、および第３評価点Ｐsでの蓄積エネルギーを算出する操作が行なわれる。蓄積エネルギーを算出する操作自体、従来より行なわれていたものを用いることができる。
【０１７３】
（１３）ステップＳ０１３
ステップＳ０１３では、（１）第１評価点Ｐonにおいて算出された蓄積エネルギーＥonの値が、予め設定されている第１評価点判定基準値Ｅdev１（収束条件）となるか否かの判断、（２）第２評価点Ｐseにおいて算出された蓄積エネルギーＥseの値が、予め設定されている第２評価点判定基準値Ｅdev２（収束条件）以上となるか否かの判断、および（３）第３評価点Ｐsにおいて算出された蓄積エネルギーＥsの値が、予め設定されている第３評価点判定基準値Ｅdev３（収束条件）以上となるか否かの判断が行われる。さらに、ステップＳ０１３の判断操作において、設計パターン１０の輪郭線１１の近傍において十分大きな蓄積エネルギーの変化割合が得られているか否かの蓄積エネルギーのコントラスト判断を行うことが好ましい。
【０１７４】
設計パターンの輪郭線の近傍における具体的な蓄積エネルギーのコントラストの判断手法は前述したとおりである。場合によっては、前工程において、第１評価点Ｐonの外側（非露光部）での位置に第４評価点Ｐoutを設け、当該第４評価点Ｐoutおける蓄積エネルギーＥoutを計算しておく必要が生じる場合がある。
【０１７５】
このステップＳ０１３において、すべての評価点の収束条件を満たす場合（Ｙｅｓの場合）、いわゆる本発明における照射量補正工程が完了する（ステップＳ０１６に至る）。
【０１７６】
この一方で、すべての収束条件を満たさない場合（Ｎｏである場合）、無限ループに陥らないために、補正を打ち切るか否かの判断工程（ステップＳ０１４）が実施される。
【０１７７】
（１４）ステップＳ０１４
第２の露光量割り当て操作（ステップＳ０１１）を基本とした露光量補正においては、与えられた条件にて収束をしない可能性も考慮しておくことが望ましい。収束に向かいながら収束値の近傍までは近づくものの、収束値までは届かず収束値の近傍で振動したり、飽和してしまうことが生じ得るからである。従って、無限ループに陥らないために、図７のフローに示されるごとく第２の露光量割り当て操作（ステップＳ０１１）を基本とした第２の補正計算を打ち切るか否かの判断工程（ステップＳ０１４）を備えるように構成することが望ましい。
【０１７８】
補正計算を打ち切るか否かの判断工程（ステップＳ０１４）においては、補正計算の打ち切り条件を満たすか否かの判断条件が付与される。補正計算の打ち切りの条件の一例として、補正計算の回数を打ち切り条件として挙げることができる。また、各評価点判定基準値（収束条件）に対して誤差範囲内（例えば１０％以内）に収まっていることを条件に補正計算を打ち切るというようにすることもできる。ステップＳ０１４において、補正計算を打ち切る条件に至っていない場合（Ｎｏである場合）、各露光ショットの最適露光量を算出する第２の露光量割り当て操作であるステップＳ０１１に戻り、この一方で、補正計算を打ち切る条件を満たす場合（Ｙｅｓである場合）、ステップＳ０１５に行く。
【０１７９】
ステップＳ０１５においては、第１の露光量割り当て操作（ステップＳ００４）を基本とする露光量補正工程の補正計算結果と、第２の露光量割り当て操作（ステップＳ０１１）を基本とする露光量補正工程の補正計算結果とを比較して、収束結果の良好な方を選択する操作が行なわれる。この選択操作によって、いわゆる本発明における照射量補正工程が完了する（ステップＳ０１６に至る）。
【０１８０】
上述したように、本発明において、照射量補正工程は、ステップＳ００４〜Ｓ００６、ステップＳ０１１〜Ｓ０１３の範囲を包含するものであり、照射量補正工程は、いわゆる近接効果補正の要部をなす工程と考えることができる。
【０１８１】
＜システム（ブロック図）＞
図１２には、上述した本発明の電子線照射量決定方法を実施するためのシステム１００（ブロック図）の一例が示される。処理ユニット１０１内には、入力部１０２、記憶部１０３、近接効果補正計算部１０４、描画フォーマット変換部１０５、出力部１０６が備えられており、処理ユニット１０１の外部には入力装置９９、出力装置１１０が接続されている。
【０１８２】
図１２に示されるように、入力装置９９から「パターンデータ」、「ＥＩＤパラメータ」、「描画フォーマット変換パラメータ」などの必要な入力要素が入力部１０２に入力される。入力された各種のデータ、パラメータは記憶部１０３に記憶される。
【０１８３】
近接効果補正計算部１０４では、記憶部１０３から適宜必要な情報を取り出し、上記の照射量補正工程を含む近接効果補正計算を実施していく（例えば図６におけるステップＳ１〜Ｓ１５、図７におけるステップＳ００１〜Ｓ０１６等）。なお記憶部１０３には、近接効果補正計算、描画フォーマット変換時などの一時データも記憶させることが可能である。
【０１８４】
描画フォーマット変換部１０５では、照射量を補正する近接効果補正完了後、各種描画フォーマットへの変換が行われる。なお、場合によっては、描画フォーマットへ変換後、近接効果補正を実施するようにしてもよいし、近接効果補正と描画フォーマットとを同時に行ってもよい。
【０１８５】
例えば、近接効果補正を行い描画フォーマットを変換した後、出力部１０６より出力装置１１０を用いて、描画データを出力することができる。なお、場合によっては出力装置１１０が直接、描画装置へ接続されるようにしてもよい。
【０１８６】
また、上述してきた本発明の電子線照射量決定方法は、その要部を含ませた電子線照射方法、および電子線照射量の決定システムの発明群に応用展開することができる。すなわち、本発明の電子線照射方法は、電子線感応性のレジストに対して設計パターンに基いて電子線を照射する方法であって、設計パターンの輪郭線上に、照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第１評価点Ｐonを設定する工程と、前記設計パターンの輪郭線に沿った内側に露光量『０』パターンを設ける工程と、前記露光量『０』パターンが規定される対となる露光量『０』パターンの輪郭線上にそれぞれ照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第２評価点Ｐseを設定する工程と、前記露光量『０』パターンの対となる輪郭線の間隔を二等分する二等分線上に照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第３評価点Ｐsを設定する工程と、前記第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐseおよび第３評価点Ｐsにおけるそれぞれの蓄積エネルギーを求め、これらの蓄積エネルギーを評価して、当該評価に基づいて、電子線の照射量を補正する照射量補正工程と、を有し、これらの工程を経て露光ショットごとに割り当てられた露光量に基づいて電子線を前記レジストに照射するように構成される。
【０１８７】
また、本発明の電子線の照射量を決定するシステムは、電子線感応性のレジストに対して設計パターンに基いて電子線を照射する際に、電子線の照射量を決定するシステムであって、設計パターンの輪郭線上に、照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第１評価点Ｐonを設定するとともに、前記設計パターンの輪郭線に沿った内側に露光量『０』パターンを設けて当該露光量『０』パターンが規定される対となる露光量『０』パターンの輪郭線上にそれぞれ照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第２評価点Ｐseを設定し、さらに、前記露光量『０』パターンの対となる輪郭線の間隔を二等分する二等分線上に照射される電子線の蓄積エネルギーを評価する第３評価点Ｐsを設定する評価点設定部と、前記第１評価点Ｐon、第２評価点Ｐseおよび第３評価点Ｐsにおけるそれぞれの蓄積エネルギーを求め、これらの蓄積エネルギーを評価して、当該評価に基づいて、電子線の照射量を適宜補正する照射量補正部と、を有するように構成される。
【実施例】
【０１８８】
以下、本発明の電子線照射量決定方法の実施をした場合と、従来法の電子線照射量決定方法の実施をした場合において、得られる露光量変調の様子および蓄積エネルギーの様子を具体的に対比しながら説明することとする。
【０１８９】
（実施例）
図８（Ａ）は、本発明の実施例として表示した設計パターンの平面図であって、寸法１００μｍ×１００μｍの正方形の大図形パターン２００と、この正方形の大図形パターン２００の一辺に沿って、２０ｎｍの間隔を空けた状態で幅２０ｎｍ、長さ１００μｍの長細い長方形の小図形パターン３００を隣設させた状態を示す平面図である。
【０１９０】
図８（Ｂ）は、本発明の実施例に係る図面であって、図８（Ｂ）は図８（Ａ）のα−β間の領域における本発明の電子線照射量決定方法の実施、すなわち、設計パターンの輪郭線に沿った内側に露光量『０』パターンを設け、設計パターンの輪郭線近傍における蓄積エネルギーの変化割合が急峻に変化するように電子線の照射量を決定する方法を実施することによって得られた露光量変調の様子を示した図面である。図面に描かれた斜線の密度によって、露光量の大小を表現しており、斜線の密度が高い程、露光量は大きい。
【０１９１】
図８（Ｂ）に示されるように、正方形の大図形パターン２００の外周部のエリア２０１から少し内側に入ったエリア２０２が最も露光量が大きく、それからさらに内側に入ったエリア２０３は、露光しないエリア、すなわち露光量『０』のエリアである。最大の露光量エリア２０２よりも外のエリア２０１および露光量『０』のエリア２０３よりもさらに内側に順次入るエリア２０４、２０５、２０６、２０７は露光されているものの露光量は比較的に小さい。外周部のエリア２０１の露光量は、エリア２０４、２０５、２０６、２０７の露光量より小さい。
【０１９２】
また、長細い長方形の小図形パターン３００については、中央のエリア３１３は露光しないエリア、すなわち露光量『０』のエリアである。露光量『０』のエリア３１３の両側のエリア３１２、３１４が最も露光量が大きく、さらにその両側のエリア３１１、３１５の露光量は小さい。図８全体で見ると、図示のごとくエリア３１２，３１４とエリア２０３が最も露光量が大きく、エリア２０３およびエリア３１３は露光されていない露光量『０』のエリアである。
【０１９３】
図８（Ｂ）に示される露光量変調が得られるまでの操作過程の一例は以下のとおり。
【０１９４】
本発明の各露光ショットの最適露光量を算出する操作においては、最終的に設計パターン輪郭線近傍における蓄積エネルギーのコントラストを向上させることができるように露光量変調の操作を組み込むことが要求されているため、例えば、パターン最外周である輪郭線上のショットの露光量を小さくし、パターン間の前方散乱（ビームブラー）による蓄積エネルギーの干渉を抑えることでパターン外周部（非露光部）の蓄積エネルギーを下げることを一つの手法として試みた。しかしながら、これでは設計パターンの輪郭線の蓄積エネルギーがＥdev１であることを満たさない場合があったため、好ましい態様の一つとして高い露光量を割り当てたショットパターンの内側に露光量『０』パターンを形成させることによって、設計パターンの輪郭線近傍での蓄積エネルギーのコントラストをより上げるようにして最適化させた。
【０１９５】
なお、露光量の高いショット同士の距離Ｗ（図８（Ｂ）に示されるエリア２０２とエリア３１２との距離Ｗ）は、前方散乱径（ビームブラーを含むみかけの前方散乱径）の３〜５倍の距離程度に十分に分離させた。
【０１９６】
（比較例１）
図９（Ａ）は、比較例として表示した設計パターンの平面図であって、寸法１００μｍ×１００μｍの正方形の大図形パターン２００と、この正方形の大図形パターン２００の一辺に沿って、２０ｎｍの間隔を空けた状態で幅２０ｎｍ、長さ１００μｍの長細い長方形の小図形パターン３００を隣設させた状態を示す設計パターンの平面図である。
【０１９７】
図９（Ｂ）は、比較例に係る図面であって、図９（Ｂ）は図９（Ａ）のα−β間の領域におけるいわゆる従来から行われていた「設計パターンの輪郭線上に設けられた評価点Ｐonにおける蓄積エネルギーをＥdevとする」のみの判断で電子線の照射量を決定する方法の実施によって得られた露光量変調の様子を示した図面である。図面に描かれた斜線の密度によって、露光量の大小を表現しており、斜線の密度が高い程、露光量は大きい。
【０１９８】
図９（Ｂ）において、正方形図形パターン２００については、正方形図形パターン２００の外周部のエリア２０１が最も露光量が大きく、エリア２０１よりもさらに内側に入るエリア２０２、さらに内側に入るエリア２０３、２０４、２０５、２０６、２０７と露光量は小さい。
【０１９９】
また、長細い長方形の小図形パターン３００については、エリア３０１、３０２、３０３における露光量の変化は付けずに、小図形パターン３００全体の露光量を大きく設定した。全体的に見ると、図示のごとくエリア３０１、３０２、３０３とエリア２０１が最も露光量が大きい。
【０２００】
図９（Ｂ）に示される露光量変調の態様は、従来より一般的に行われているものであり、小パターンほど露光量が大きくなるように設定されること、パターンの輪郭線に近づくほど露光量が大きくなるように設定されること、複数描画ショットで構成されるパターンにおいては、露光量の変化がなだらかとなり、急変しないように決定されること、等を考慮して露光量変調した。
【０２０１】
（電子線の照射量を決定する方法実施後の蓄積エネルギーの様子）
上記の実施例および比較例で示される露光量変調に基づいて電子線シュミレーションソフト（みずほ情報総研株式会社、  FabMeister-EL）を用いて、図１０（Ａ）に示されるαーβ間における蓄積エネルギーの分布を計算した。その計算結果を図１０（Ｂ）に示した。図１０（Ａ）は、上述した図８（Ａ）および図９（Ａ）と同様の図面であって、寸法１００μｍ×１００μｍの正方形の大図形パターン２００と、この正方形の大図形パターン２００の一辺に沿って、２０ｎｍの間隔を空けた状態で幅２０ｎｍ、長さ１００μｍの長細い長方形の小図形パターン３００を隣設させた状態を示す設計パターンの平面図である。
【０２０２】
図１０（Ｂ）は、正方形の大図形パターン２００と長方形の小図形パターン３００との隙間である２０ｎｍの間隔の中央を基準となる零ポジションとして、その基準となる零ポジションから長方形の小図形パターン３００方向への距離を正の距離として表示し、基準となる零ポジションから正方形の大図形パターン２００方向への距離を負（マイナス）の距離として表示している。−１０ｎｍ〜＋１０ｎｍのポジション間のエリアが大図形パターン２００と小図形パターン３００との２０ｎｍの間隔に相当する。
【０２０３】
図１０（Ｃ）は、図１０（Ｂ）に示される蓄積エネルギーの分布の−２０ｎｍ〜＋２０ｎｍのポジション間のエリアの拡大図である。図１１（Ａ）は、図１０（Ｃ）に示される蓄積エネルギーの分布の拡大図を、大図形パターン２００の設計パターンの輪郭線である−１０ｎｍポジションの近傍（−１０．１ｎｍ〜−９．９ｎｍのポジション間のエリア）でさらに拡大した図面である。図１１（Ｂ）は、図１０（Ｃ）に示される蓄積エネルギーの分布の拡大図を、小図形パターン３００の設計パターンの輪郭線である＋１０ｎｍポジションの近傍（９．９〜１０．１ｎｍのポジション間のエリア）でさらに拡大した図面である。なお、図１０（Ｂ）、図１０（Ｃ）、図１１（Ａ）、および図１１（Ｂ）に示されるグラグの縦軸の蓄積エネルギーの数値は、一つの基準値を基に規格化された蓄積エネルギー相対値を示している。
【０２０４】
図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）に示されるように、実施例および比較例ともに、設計パターンの輪郭線上の蓄積エネルギーは一致している。しかしながら、本発明である実施例の多点評価法のほうが、傾きが大きく蓄積エネルギーのコントラストが高いことが示される。
【０２０５】
また、図１０（Ｃ）に示されるように、本発明である実施例のほうが非露光部における蓄積エネルギーが小さくなっており、特に、設計パターンの間隔が狭い場合にも、本発明が有効であるものと考察される。
【産業上の利用可能性】
【０２０６】
電子線を用いて微細パターンを描く技術において幅広く利用可能である。
【符号の説明】
【０２０７】
１０…設計パターン
１１…輪郭線
１５…露光量『０』パターン
１５ａ，１５ｂ…対となる露光量『０』パターンの輪郭線
１５ｃ…対となる輪郭線の間隔を二等分する二等分線
Ｐon…第１評価点
Ｐse…第２評価点
Ｐs…第３評価点
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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