【事件の表示】
　特願２００６−３２６８５２「熱電変換材料の製造方法および熱電変換素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　７月　５日出願公開、特開２００７−１７３７９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１ 手続の経緯  
　本願は，平成１５年７月２４日に出願した特願２００３−２０１２９４号（特許法第４１条に基づく優先権主張　平成１４年１１月１２日）の一部を，平成１８年１２月４日に新たな出願としたものであって，平成１９年１１月２０日に手続補正がなされ，平成２０年８月１日付けで拒絶査定がなされ，それに対して同年９月３日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。  
　  
第２　本願発明  
　本願の請求項１〜６に係る発明は，平成１９年１１月２０日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。 
　  
「【請求項１】
　ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造を有する相を含有する熱電変換材料の製造方法であって、
  下記組成式（１）で表わされる組成を有する合金粉末を焼結法によって一体成形する工程を有することを特徴とする熱電変換材料の製造方法。
（Ｔｉａ１Ｚｒｂ1Ｈｆｃ1）xＮｉyＳｎ100-x-y      組成式（１）
（上記組成式（１）中、０＜ａ１＜１、０＜ｂ１＜１、０＜ｃ１＜１、ａ１＋ｂ１＋ｃ１＝１、３０≦ｘ≦３５、３０≦ｙ≦３５である。））」  
　  
第３　引用刊行物に記載された発明  
（１）　刊行物１に記載された発明 
　本願の優先権主張の日前に外国において頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用されたS.Sportouch et al., THERMOELECTRIC PROPERTIES OF HALF-HEUSLER PHASES:ErNi1-xCuxSb, YNi1-xCuxSb AND ZrxHfyTizNiSn　18th International Conference on Thermoelectronics, IEEE pp.344-347（以下「引用例１」という。）には，ハーフホイスラー化合物について以下の記載がある（なお，下線は当合議体にて付加したものである。以下同様。）。 
　 
　ア　Abstract
  Our previous investigations on the half-Heusler phases, rare earth nickel antimonides and zirconium nickel stannides, have indicated that ErNiSb can be comparably promising to ZrNiSn for further thermoelectric investigations. These compounds crystallize th the cubic MgAgAs structure type and possess Seebeck coefficients up to +160 μV/K and -335μV/K, respectively.
当審訳：「要約
　ハーフホイスラー相，希土類ニッケル・アンチモンとジルコン・ニッケル・スタンニルに関する以前の報告では，ＥｒＮｉＳｂが
今後の熱電材の研究においてＺｒＮｉＳｎに比肩するくらい有望であることを示唆した。これらの化合物結晶はＭｇＡｇＡｓ構造型
　イ　Synthesis, Results and Discussion
 All compounds reported in this paper have been synthesized by arc melting a pressed pellet correspondeing to the appropriate stoichiometric mixture of the elements.
当審訳：「製造，結果及び考察
　本報告における化合物はすべて，成分を化学量論的に適切な混合物を
圧縮したペレットをアーク溶融によって製造した。
　
 　ウ　Solid solutions ZrxHfyTizNiSn(x+y+z=1) 
The solid solutions ZrxHfyTizNiSn were investigated in order to study how three elements disordered on the same site could affect the transport properties and mainly how they could reduce the thermal conductivity. Previously, this kind of triple solid solution (solid solution between ZrNiSn, HfNiSn and TiNiSn) was unexplored. In contrast to the work presented above, we partially substitued the Zr atoms by the isoelectronic atoms, Hf and Ti. Thus, the effect on the band structure is expected to be small, while the phonon mean free path is expected to decrease. 
当審訳：「
Zr
x
Hf
y
Ti
z
NiSn(x+y+z=1)固溶体
Zr
x
Hf
y
Ti
z
NiSn固溶体について，同じサイトに無秩序に入った３種の元素によって，主に熱伝導率がどう減少されるか，及び輸送特性にどう影響を与えるかについて調査・研究を行った。
我々は，等電子的原子であるHf及びTiによりZr原子の一部を置換した。フォノンの平均自由行程が減少し，バンド構造への影響は小さいことが期待される。
　 
　以上を総合すると，引用例１には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。  
　「ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造を有する熱電材の製造方法であって、
  下記組成式（１）で表わされる組成を有することを特徴とする熱電変換材料の製造方法。
（ＴｉｘＺｒｙＨｆｚ）ＮｉＳｎ      組成式（１）
（上記組成式（１）中、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１である。）」 
　  
（２）　刊行物２に記載された発明 
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開２００２−３３５７２公報（以下「引用例２」という。）には，「熱電材料」に関して以下の記載がある（なお，下線は当合議体にて付加したものである。）。　　
　
　ア「【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、本発明は、
Ｓｂ
選択された１種以上の半金属元素を含む組成の結晶からなるＡ相
ｂ相とを有し、Ａ相の存在率が５０．０体積％以上９９．９体積％以下
【００１３】
Ａ相としては
１○Ｂｉ−Ｔｅ系合金に、３Ｂ族、４Ｂ族、５Ｂ族、６Ｂ族、または７Ｂ族に属する各種元素がドープされた多元系材料。Ｂｉ−Ｔｅ系合金の具体例としては、ＢｉとＴｅとの二元系固溶体、（Ｂｉ2 Ｔｅ3 ）と（Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）との擬二元系固溶体、（Ｂｉ2 Ｔｅ3 ）と（Ｂｉ2 Ｓｅ3 ）との擬二元系固溶体、（Ｂｉ2Ｔｅ3 ）と（Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）と（Ｓｂ2 Ｓｅ3 ）との擬三元系固溶体等が挙げられる。
【００１４】２○Ｐｂ−Ｔｅ、Ｐｂ−Ｓｎ−Ｔｅ、Ｐｂ−Ｇｅ−ＴｅなどのＰｂＴｅ系材料、３○（ＡｇＳｂＴｅ2 ）1-x （ＧｅＴｅ）x などのＴＡＧＳ系材料、４○ＧｄＴｅ1.49、ＬａＴｅ1.46などの希土類−カルコゲン系材料、５○Ａｇ−Ｓｂ−ＴｅなどのＳｂ−Ｔｅ系材料、６○Ｂｉ0.85Ｓｂ0.1 5 などのＢｉ−Ｓｂ系材料、７○Ｚｎ4 Ｓｂ3 などのＺｎ−Ｓｂ系材料、８○ＣｏＳｂ3 を代表とするスクッテルダイト系材料、
９○ＸＮｉＳｎ
1-y
 Ｓｂ
y
 （Ｘ＝Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔｉ、０＜ｙ＜１）、ＰｔＭｎＳｂ、ＹＮｉＳｂ等のハーフホイスラー合金系材料
　
　イ「【００３７】
本発明の熱電材料は、例えば、粉末焼結法によって製造することができる。
【００３８】したがって、第１の材料として粒径が０．１〜１００μｍであるものを使用することが好ましい。第１の材料として粒径が０．５〜１０μｍであるものを使用すると、得られる熱電材料の各種熱電性能が向上するため特に好ましい。
第１の材料をこのような好ましい粒径にするために、通常、第１の材料は粉砕工程によって粉砕された後に、第２の材料と混合される。
【００３９】なお、第１の材料は、ガスアトマイズ法、固相反応法、Ｒ／Ｄ法（還元拡散法）、メカニカルアロイング法などで製造することにより、粉体状で得ることもできる。この方法で得られた粉体の粒径が前述の好ましい範囲にあれば、粉砕工程を行う必要はない。第２の材料も粉体状のものを使用することが好ましい。第１の材料と第２の材料との混合工程は、自動乳鉢、Ｖ型ミキサ、タンブラ、リボンミキサ、ロータリミキサなど、通常用いられる混合機を使用して行うことができる。第１の材料および／または第２の材料の粉砕とこの混合工程とを同時に行ってもよい。
【００４０】
次に、第１の材料と第２の材料との粉体状の混合物を型に入れて成形し、１００℃以上の温度で焼結する。
　 
第４　対比・判断 
（１）　対比  
　本願発明と引用発明とを対比する。  
　引用発明の「熱電材」は，本願発明の「熱電変換材料」に相当する。
　また，組成式の添字の変数については，引用発明の「ｘ，ｙ，ｚ」は，それぞれ本願発明の「ａ１，ｂ１，ｃ１」に対応する。
　したがって，本願発明と引用発明とは，  
（一致点） 
　「ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造を有する熱電変換材料の製造方法であって、
  下記組成式（１）で表わされる組成を有することを特徴とする熱電変換材料の製造方法。
（Ｔｉａ１Ｚｒｂ1Ｈｆｃ1）ＮｉＳｎ      組成式（１）
（上記組成式（１）中、ａ１＋ｂ１＋ｃ１＝１））」  
　である点で一致し，以下の点で相違する。  
　  
（相違点１）
　本願発明は，熱電変換材料が「ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造を有する相を含有する」ものであるのに対して，引用発明はすべて「ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造」である点。
　
（相違点２）  
　本願発明は，「合金粉末を焼結法によって一体成形する工程」を有しているのに対して，引用発明はこの工程を有することについて特定されていない点。
　
（相違点３）
　本願発明は，組成式（１）が「（Ｔｉａ１Ｚｒｂ1Ｈｆｃ1）ｘＮｉｙＳｎ１００−ｘ−ｙ 」であり，「０＜ａ１＜１、０＜ｂ１＜１、０＜ｃ１＜１、ａ１＋ｂ１＋ｃ１＝１、３０≦ｘ≦３５、３０≦ｙ≦３５」であるのに対して，引用発明は「（Ｔｉａ１Ｚｒｂ1Ｈｆｃ1）」：「Ｎｉ」：「Ｓｎ」が１：１：１であり，ａ１，ｂ１，ｃ１についても範囲の限定がない点。
  
（２）　判断  
　ア　相違点１について
　まず，引用発明は「ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造」を有する熱電変換材料であり，本願発明の熱電変換材料が「ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造を有する相を含有」していればよいのであるから，引用発明は，本願発明に包含されており，相違点は実質的なものではない。
　そして，本願の明細書段落【００３０】を参照すると，「ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造を有する相の体積占有率を高め」ることが好ましい旨の記載があり，すべてがＭｇＡｇＡｓ型結晶構造であることを排除したものでもないことも明らかであり，「ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造を有する相を含有」するとした限定に技術的意義を認めることはできない。
　よって，引用発明において，熱電変換材料を「ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造を有する相」を含有するものとすることは当業者が適宜になし得たことである。
　仮に，相違点が実質的なものであったとした場合に，第３（２）アの記載を参照すると，引用例２には，熱電変換材料として「ハーフホイスラー合金系材料」であるＡ相が「５０．０体積％以上９９．９体積％以下」としたものが記載されており，「ハーフホイスラー合金」が「ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造」を有することは当該技術分野においては周知であることから，引用例２の材料は，「ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造を有する相を含有し」たものであることが分かる。そして，引用例２に記載の「ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造を有する相を含有し」たものも，引用発明は「ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造」を有するものも，どちらも熱電変換材料という共通の技術分野であるから，引用発明の熱電変換材料として，ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造を有するものに換えて，引用例２に記載の「ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造を有する相」を含有するものとすることは当業者が容易になし得たことである。
　
　イ　相違点２について
　引用例２には，「ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造を有する相を含有する」ものを「粉砕」し，「型に入れて成形し，」「焼結」して熱電変換材料を製造することが記載されている。焼結すれば，一体に成形されることは当業者にとって自明である。
　また，熱電変換材料を製造法において，材料を粉砕したのち焼結することにより，焼結体の結晶粒を微細化することで，熱伝導率が低減し，熱電変換材料の性能を向上することは，以下の周知例１，２にも記載されているように周知の技術である。
　引用発明も，引用例２に記載の発明もどちらも，熱電変換材料という技術分野が共通であるから，引用発明において，周知技術を勘案し，引用例２に記載のＭｇＡｇＡｓ型結晶構造を有する相を含有する材料を用いて，それを粉砕，焼結して一体成形することによって，性能のよい熱電変換材料の製造方法とすることは当業者が容易になし得たことである。
　
（ア）　周知例１：特開２００２−２４６６６０号公報
「【０００３】
この課題を解決する方法として、インゴットを粉砕して、粉末化し、これを固化して焼結する熱電材料の製造方法があるが、このようにして作製された熱電材料は、機械的に優れている。又、結晶粒を微細化することによって、熱伝導率ｋを低減させることができる。
　
（イ）　周知例２：２００２−１５１７５２号公報
「【００１６】ここで、熱電素子の性能を示す性能指数Ｚは、ゼーベック係数α、電気伝導度σ、熱伝導率κを用いて次のように表される。
Ｚ＝α2σ／κ
熱電素子の性能は、性能指数Ｚが大きいほど良い。熱電素子は一般に焼結体で作製されるが、焼結体の結晶粒径を微細化することにより熱伝導率を低減することができる。
　
ウ　相違点３について
　まず，組成式（Ｔｉａ１Ｚｒｂ１Ｈｆｃｌ）ｘＮｉｙＳｎ１００−ｘ−ｙ のｘ，ｙの範囲について検討する。引用発明の（Ｔｉａ１Ｚｒｂ1Ｈｆｃ1）ＮｉＳｎは，（Ｔｉａ１Ｚｒｂ1Ｈｆｃ1）：Ｎｉ：Ｓｎ＝１：１：１を想定しており，本願発明のように書けば，ｘ＝ｙ＝３３．３・・・となり，本願発明の３０≦ｘ≦３５，３０≦ｙ≦３５の範囲に含まれることから，引用発明と本願発明は（Ｔｉａ１Ｚｒｂ１Ｈｆｃｌ）ｘＮｉｙＳｎ１００−ｘ−ｙ の組成比において一致する。そして，そもそも化合物の組成比は，目的のものから多少ずれることは製造上避けられないことであり，組成比を所定の範囲内に設定することは通常行うことであって，（Ｔｉａ１Ｚｒｂ１Ｈｆｃｌ）ＮｉＳｎの１：１：１の組成を中心として含む，３０≦ｘ≦３５，３０≦ｙ≦３５という範囲を設定することは当業者が適宜なし得たことである。 
　また，０＜ａ１＜１、０＜ｂ１＜１、０＜ｃ１＜１という限定についても，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆをそれぞれ必ず含んでいることを限定していることであって，第１成分を３元合金にしてフォノンの平均自由行程を減らそうとしている引用発明においてもａ１，ｂ１，ｃ１のいずれかが０であることは想定しておらず，実質的な差異ではない。
　  
（３）　判断についてのまとめ  
　以上検討したとおり，本願発明は，引用例１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　したがって，本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　  
第５　むすび  
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。