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　特願２００６−５３３００６「ＡｌＩｎＧａＮ素材の高出力多重チップ発光ダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１１月２５日国際公開、ＷＯ２００４／１０２６３２、平成１９年　２月　８日国内公表、特表２００７−５０２５４８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００４年５月１１日（パリ条約による優先権主張２００３年５月１３日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１８年１２月１２日付け、平成２０年１月１０日付け、及び同年７月８日付けで手続補正がなされたが、同年９月２２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月２２日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２０年７月８日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１７に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
「基板と、
　前記基板の上に形成された活性領域と、
　前記活性領域を共同して画定する上部ＬＥＤ層及び下部ＬＥＤ層と、
　前記上部ＬＥＤ層の上に形成されて、上部接続パッドから伸びる上部コンタクトフィンガーと、
　前記下部ＬＥＤ層の上に形成されて、下部接続パッドから伸びる下部コンタクトフィンガーと、
　前記活性領域と前記下部コンタクトフィンガーとの中間に配置されて、前記活性領域から前記下部コンタクトフィンガーへ向かう光を前記下部コンタクトフィンガーから離れるように反射し、前記発光ダイオードチップの輝度を増大させるように構成された反射膜とを備える発光ダイオードチップ。」（以下「本願発明」という。）
　
３．刊行物の記載事項 
　
（１）原査定の拒絶理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００２−９４１１８号公報（以下「引用例１」という。）には、下記の事項が記載されている。
　
ア「【００３７】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づき各実施形態を説明する。
【００３８】先ず、本発明の第１実施形態による青色発光素子について説明する。
【００３９】図４は本発明の第１実施形態による青色発光素子の平面図及び２Ａ-２Ａ線断面図を示す。図４に示す如く、本発明による第１実施形態の青色発光素子は略四角形状から成る絶縁基板２１と、前記絶縁基板の一表面上全体に亙って設けられる第１導電型窒化物系半導体層２３とを含み、該窒化物系半導体層２３はその稜２３ａ〜２３ｄの隣接する表面に沿って設けられ露出される周辺部Ｒ２及び前記周辺部Ｒ２に囲まれる中心部Ｒ１とに分かれる表面を備える。前記絶縁基板２１と第１導電型窒化物系半導体層２３との間にはバッファ層２２を更に含む。 
【００４０】更に、前記青色発光素子は前記窒化物系半導体層２３の中心部上に設けられる積層構造を含み、該積層構造は前記窒化物系半導体層上に設けられる窒化物系活性層２４と、前記活性層２４上に設けられる第２導電型の窒化物系半導体層２５と、前記第２導電型の窒化物系半導体層２５上に設けられる透明金属層２６と、更に前記透明金属層２６の一部分上に設けられる第１電極２７とを含む。
【００４１】そして、本発明の第１実施形態による青色発光素子は前記積層構造により覆われない前記第1導電型窒化物系半導体層２３の周辺部Ｒ２上に設けられる第２電極を含み、前記第２電極は主部(ｍａｉｎ ｐｏｒｔｉｏｎ)２８と、該主部２８から帯状で延長される延長部２８ａ、２８ｂとから成り、前記主部２８は前記第１窒化物系半導体層２３表面の隣り合う二稜２３ｃ、２３ｄによる頂点部(ｃｏｒｎｅｒ)に位置し、前記延長部２８ａ、２８ｂは前記第１導電型窒化物系半導体層２３表面の稜２３ｃ、２３ｄに隣接し、前記第１導電型窒化物系半導体層２３表面の少なくとも一稜２３ｃ又は２３ｄに沿ってその稜に平行に延長される。
【００４２】好ましくは、前記第１電極２７は前記第２電極の主部２８と対角線上に位置させ、前記第２電極の延長部２８ａ、２８ｂは前記第１導電型窒化物系半導体層２３の周辺部中第２電極の主部２８が隣り合う二稜に沿って各稜２３ｃ、２３ｄに平行に延長される。前記第１導電型窒化物系半導体層２３上の周辺部Ｒ２に設けられる第２電極の延長部２８ａ、２８ｂ、即ち横方向に延長される領域Ｎ１と縦方向に延長される領域Ｎ２を通して、図３の電流密度集中領域Ｄが分散される為、電流密度の集中に起因する電流クラウディング(ｃｕｒｒｅｎｔ ｃｒｏｗｄｉｎｇ)現象を減少せしめることができる。
・・・
【００５８】次に、本発明の第３実施形態による青色発光素子について説明する。
【００５９】図９は本発明の第３実施形態による青色発光素子の平面図で、図１０は本発明の第３実施形態に対する変形例による青色発光素子の平面図として、図９及び図１０に示す本発明の青色発光素子は第１電極、第２電極及び前記電極の延長部を除く残りの構成及び構造は前記本発明の第１及び第２実施例において示した発光素子と同一な為、この同一な構成及び構造については説明を略する。
【００６０】本発明の第３実施例による青色発光素子は前記説明した積層構造に含まれる透明金属層４６の一部分上に設けられる第１電極と、積層構造により覆われない前記第１導電型窒化物系半導体層の周辺部Ｒ２上に設けられる第２電極とを含む。
【００６１】前記第１電極は主部４７(ｍａｉｎ ｐｏｒｔｉｏｎ)と前記主部４７から帯状で延長される延長部４７ａ、４７ｂとから成り、前記主部４７は前記金属層４６表面の隣り合う二稜から成る頂点部分(ｃｏｒｎｅｒ)に位置し、前記延長部４７ａ、４７ｂは前記金属層４６表面の少なくとも一稜に沿ってその稜に平行に延長される。そして、前記第２電極は主部４８(ｍａｉｎ ｐｏｒｔｉｏｎ)と前記主部４８から帯状で延長される延長部４８ａとから成り、前記主部４８は前記第１窒化物系半導体層４３表面の隣り合う二稜４３ｃ、４３ｄから成る頂点部分(ｃｏｒｎｅｒ)に位置し、前記延長部４８ａは前記第１導電型窒化物系半導体層４３表面の稜４３ｄに隣接し、前記第１導電型窒化物系半導体層４３表面の少なくとも一稜を沿ってその稜に平行に延長される。
【００６２】好ましくは、図９に示す如く、前記第１電極の主部４７は前記第２電極の主部４８と隣接しない前記透明金属層４６の二稜中いずれか一稜の中心部に位置し、前記第１電極の延長部４７ａ、４７ｂは前記第１電極の主部４７と隣接しない稜を沿ってその稜に平行に前記第１電極の主部４７から両方向に延長される。そして、前記第２電極の延長部４８ａは前記第１電極の主部４７と向かい合う前記第１導電型窒化物系半導体層４３の稜４３ｄに設けられる。
【００６３】図１０を参照すれば、前記第１電極の主部４７は前記第２電極の主部４８が隣接する前記透明金属層４６の二稜中いずれか一稜を含む頂点部分に位置し、前記第１電極の延長部４７ａ、４７ｂは前記第１電極の主部４７が隣り合う前記透明金属層４６の稜に沿ってその稜に平行に延長される。そして、前記第２電極の延長部４８ａは前記第１電極の主部４７と対角線上に位置する前記第１導電型窒化物系半導体層４３の頂点を成す二稜４３ａ、４３ｄに沿って各稜に平行に設けられる。
【００６４】こうした本発明の第３実施例及びその変形例による電極の主部及びその延長部により、図３の電流密度集中領域(D)が均一に分散される為、電流密度の集中に起因する電流クラウディング(ｃｕｒｒｅｎｔ ｃｒｏｗｄｉｎｇ)現象をより減少させることができる。」
　
イ　上記アから、引用例１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
「略四角形状から成る絶縁基板２１と、前記絶縁基板の一表面上全体に亙って設けられる第１導電型窒化物系半導体層２３とを含み、該窒化物系半導体層２３はその稜２３ａ〜２３ｄの隣接する表面に沿って設けられ露出される周辺部Ｒ２及び前記周辺部Ｒ２に囲まれる中心部Ｒ１とに分かれる表面を備え、前記絶縁基板２１と第１導電型窒化物系半導体層２３との間にはバッファ層２２を更に含み、更に、前記窒化物系半導体層２３の中心部上Ｒ１に設けられる積層構造を含み、該積層構造は前記窒化物系半導体層２３上に設けられる窒化物系活性層２４と、前記活性層２４上に設けられる第２導電型の窒化物系半導体層２５と、前記第２導電型の窒化物系半導体層２５上に設けられる透明金属層２６と、更に前記透明金属層２６の一部分上に設けられる第１電極２７とを含み、積層構造により覆われない前記第１導電型窒化物系半導体層２３の周辺部Ｒ２上に第２電極が設けられ、前記第１電極は主部４７(ｍａｉｎ ｐｏｒｔｉｏｎ)と前記主部４７から帯状で延長される延長部４７ａ、４７ｂとから成り、前記主部４７は前記金属層２６表面の隣り合う二稜から成る頂点部分(ｃｏｒｎｅｒ)に位置し、前記延長部４７ａ、４７ｂは前記金属層２６表面の少なくとも一稜に沿ってその稜に平行に延長され、そして、前記第２電極は主部４８(ｍａｉｎ ｐｏｒｔｉｏｎ)と前記主部４８から帯状で延長される延長部４８ａとから成り、前記主部４８は前記第１窒化物系半導体層２３表面の隣り合う二稜４３ｃ、４３ｄから成る頂点部分(ｃｏｒｎｅｒ)に位置し、前記延長部４８ａは前記第１導電型窒化物系半導体層２３表面の稜４３ｄに隣接し、前記第１導電型窒化物系半導体層２３表面の少なくとも一稜を沿ってその稜に平行に延長される、青色発光素子。」
　
（２）同じく引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１０−３０８５３２号公報（以下「引用例２」という。）には、下記の事項が記載されている。
　
ア「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体発光素子に関し、特に、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】緑色から青色、さらには紫外線の発光が可能な半導体発光素子として、窒化ガリウム（ＧａＮ）に代表されるウルツ鉱型結晶構造を有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をサファイア基板や炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板などの上にエピタキシャル成長させて発光ダイオード構造を形成したＧａＮ系発光ダイオードが知られている。
【０００３】従来のダブルヘテロ構造を有する一般的なＧａＮ系発光ダイオードの構造を図５に示す。図５に示すように、この従来のＧａＮ系発光ダイオードにおいては、サファイア基板１０１上にＧａＮバッファ層１０２、ｎ型ＧａＮ層１０３、ｎ型ＡｌＧａＮ層１０４、ＧａＩｎＮからなる発光層１０５、ｐ型ＡｌＧａＮ層１０６およびｐ型ＧａＮ層１０７が順次積層されている。ｎ型ＧａＮ層１０３の上層部、ｎ型ＡｌＧａＮ層１０４、発光層１０５、ｐ型ＡｌＧａＮ層１０６およびｐ型ＧａＮ層１０７は、基板表面にほぼ垂直な端面を有する所定形状を有する。これらの表面を覆うようにＳｉＯ2 膜のような絶縁膜１０８が設けられている。この絶縁膜１０８は表面保護のためのものである。この絶縁膜１０８には、ｐ型ＧａＮ層１０７の上およびｎ型ＧａＮ層１０３の上にそれぞれ開口１０８ａ、１０８ｂが設けられている。そして、開口１０８ａを通じてｐ型ＧａＮ層１０７にｐ側電極１０９がコンタクトしているとともに、開口１０８ｂを通じてｎ型ＧａＮ層１０３にｎ側電極１１０がコンタクトしている。
【０００４】このようなＧａＮ系発光ダイオードは通常、図６に示すように樹脂でモールド封止が行われた状態で使用される（例えば、特開平８−７８７２７号公報）。すなわち、図６に示すように、このモールド封止型ＧａＮ系発光ダイオードにおいては、図５に示すＧａＮ系発光ダイオードのサファイア基板１０１が、リードフレーム１２１の上部に設けられた凹部１２１ａの底面に接着剤１２２で接着されている。この凹部１２１ａの底面および内壁面は、動作時にＧａＮ系発光ダイオードの発光層１０５から発生する光を外部に取り出すための反射面となっている。接着剤１２２としては、エポキシ樹脂系の接着剤が用いられている。ＧａＮ系発光ダイオードのｐ側電極１０９（図６においては図示せず）はワイヤー１２３によりリードフレーム１２１とボンディングされ、そのｎ側電極１１０（図６においては図示せず）はワイヤー１２４によりリードフレーム１２５とボンディングされている。そして、ＧａＮ系発光ダイオードは、集光機能を持たせることなどを目的として、その近傍の部分のリードフレーム１２１、１２５とともに樹脂１２６でレンズ形状にモールド封止されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の従来のモールド封止型ＧａＮ系発光ダイオードにおいては、使用を続けて行くと、経時劣化、具体的には輝度劣化が生じてしまうという問題があった。これは、動作時にＧａＮ系発光ダイオードの発光層１０５から発生する光の影響で接着剤１２２が光学的に変色または着色することにより透過率が低下し、サファイア基板１０１の裏面から抜け出て接着剤１２２を通過し、さらにリードフレーム１２１の面で反射されて外部に取り出される光の強度が減少するためであると考えられる。
【０００６】したがって、この発明の目的は、リードフレームなどの基台上に接着剤で接着して使用する場合に、輝度劣化を防止し、信頼性の向上を図ることができる半導体発光素子を提供することにある。
【０００７】この発明の他の目的は、リードフレームなどの基台上に接着剤で接着して使用する場合に、接着剤の選択の自由度を高くすることができる半導体発光素子を提供することにある。
【０００８】この発明の他の目的は、外部に光を有効に取り出すことができる半導体発光素子を提供することにある。」
　
イ「【００１８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図において、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
【００１９】図１はこの発明の第１の実施形態によるダブルヘテロ構造を有するＧａＮ系発光ダイオードを示す。図１に示すように、このＧａＮ系発光ダイオードにおいては、サファイア基板１上にＧａＮバッファ層２、ｎ型ＧａＮ層３、ｎ型ＡｌＧａＮ層４、ＧａＩｎＮからなる発光層５、ｐ型ＡｌＧａＮ層６およびｐ型ＧａＮ層７が順次積層されている。ｎ型ＧａＮ層３の上層部、ｎ型ＡｌＧａＮ層４、発光層５、ｐ型ＡｌＧａＮ層６およびｐ型ＧａＮ層７は、基板表面にほぼ垂直な端面を有する所定形状を有する。これらの表面を覆うように例えばＳｉＯ2 膜のような絶縁膜８が設けられている。この絶縁膜８は表面保護のためのものである。この絶縁膜８には、ｐ型ＧａＮ層７の上およびｎ型ＧａＮ層３の上にそれぞれ開口８ａ、８ｂが設けられている。そして、開口８ａを通じてｐ型ＧａＮ層７にｐ側電極９がコンタクトしているとともに、開口８ｂを通じてｎ型ＧａＮ層３にｎ側電極１０がコンタクトしている。ｐ側電極９としては例えばＡｕ膜が用いられ、ｎ側電極１０としては例えばＴｉ／Ａｌ／Ａｕ膜が用いられる。
【００２０】このＧａＮ系発光ダイオードにおいては、図５に示す従来のＧａＮ系発光ダイオードと同様な上述の構成に加えて、サファイア基板１の裏面に反射膜１１が設けられている。この反射膜１１は例えば単層のＡｕ膜からなる。このようにサファイア基板１の裏面に反射膜１１が設けられていることにより、動作時にこのＧａＮ系発光ダイオードの発光層５から発生する光のうちサファイア基板１を透過してその裏面から外部に抜け出ようとする光をサファイア基板１側に反射させることができる。
・・・
【００３２】図３は、この発明の第２の実施形態によるＧａＮ系発光ダイオードを示す。図３に示すように、このＧａＮ系発光ダイオードにおいては、ｎ型ＧａＮ層３の上層部、ｎ型ＡｌＧａＮ層４、発光層５、ｐ型ＡｌＧａＮ層６およびｐ型ＧａＮ層７が、逆メサ形状の端面１２を有する。また、ｎ型ＧａＮ層３、ｎ型ＡｌＧａＮ層４、発光層５、ｐ型ＡｌＧａＮ層６およびｐ型ＧａＮ層７の最外周にも、逆メサ形状の端面１３、１４を有する。これらの端面１２、１３、１４は、これらの端面１２、１３、１４で反射されて外部に取り出される光の妨げとならないようにするために、ｐ側電極９およびｎ側電極１０のいずれとも重ならない位置に設けられている。具体的には、端面１２はｐ側電極９とｎ側電極１０との間に設けられ、端面１３はｐ側電極９の外側に設けられ、端面１４はｎ側電極１０の外側に設けられている。また、これらの端面１２、１３、１４は、エッチングにより形成された平坦性の良好な面からなり、散乱あるいは乱反射による光損失は極めて少ない。これらの端面１２、１３、１４には反射膜１５が設けられている。この反射膜１５としては、多層絶縁膜が用いられる。ここで、これらの端面１２、１３、１４の傾斜角度は、動作時にこのＧａＮ系発光ダイオードの発光層５から発生する光をより有効に外部に取り出す観点からは、好適には４５°程度に選ばれるが、これに限定されるものではなく、必要に応じて選ぶことが可能である。また、この場合、サファイア基板１の裏面には反射膜１１が設けられていない。その他のことは、第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【００３３】このＧａＮ系発光ダイオードにおいては、ｎ型ＧａＮ層３、ｎ型ＡｌＧａＮ層４、発光層５、ｐ型ＡｌＧａＮ層６およびｐ型ＧａＮ層７が逆メサ形状の端面１２、１３、１４を有し、しかもこれらの端面１２、１３、１４に反射膜１５が設けられていることにより、動作時に発光層５から発生する光のうちこれらの端面１２、１３、１４に入射する光をこれらの端面１２、１３、１４でサファイア基板１と反対側に反射させることができる。
【００３４】図４は、このＧａＮ系発光ダイオードを樹脂でモールド封止したものを示す。図４に示すように、このモールド封止型ＧａＮ系発光ダイオードにおいては、図３に示すＧａＮ系発光ダイオードのサファイア基板１の裏面が、リードフレーム２１の凹部２１ａの底面に接着剤２２で接着されている。その他のことは、第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【００３５】このモールド封止型ＧａＮ系発光ダイオードにおいては、動作時に発光層５から発生する光のうちｎ型ＧａＮ層３、ｎ型ＡｌＧａＮ層４、発光層５、ｐ型ＡｌＧａＮ層６およびｐ型ＧａＮ層７の端面１２、１３、１４に入射する光をこれらの端面１２、１３、１４でサファイア基板１側に反射させることができることにより、外部に光を有効に取り出すことができると同時に、接着剤２２に入射する光の量を大幅に減少させることができる。
【００３６】なお、ＧａＮ系発光ダイオードの逆メサ形状の端面１２、１３、１４に反射膜１５を設けているのは、このＧａＮ系発光ダイオードを図４に示すように樹脂２６でモールド封止すると、発光ダイオード構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と樹脂２６との屈折率差が封止前に比べて減少するために端面１２、１３、１４を透過する光が増え、これらの端面１２、１３、１４による反射効果が減少することから、これを防止するためである。また、これらの端面１２、１３、１４の傾斜角度が４５°程度でなくてもよい理由は、樹脂２６が集光機能を有するレンズ形状にモールドされているからである。
・・・
【００４２】以上のように、この第２の実施形態によれば、ｎ型ＧａＮ層３、ｎ型ＡｌＧａＮ層４、発光層５、ｐ型ＡｌＧａＮ層６およびｐ型ＧａＮ層７がエッチングにより形成された平坦性の良好な逆メサ形状の端面１２、１３、１４を有し、しかもこれらの端面１２、１３、１４に反射膜１５が設けられているので、動作時に発光層５から発生する光をこれらの端面１２、１３、１４でサファイア基板１と反対側に反射させることにより直接外部に、しかも有効に取り出すことができる。また、接着剤２２に入射する光の量を大幅に減少させることができ、接着剤２２の光学的な変色または着色を防止することができる。これによって、モールド封止型ＧａＮ系発光ダイオードの輝度劣化を防止することができ、信頼性の大幅な向上を図ることができる。さらに、第１の実施形態と同様に、接着剤２２としてエポキシ樹脂系の接着剤のような透明な接着剤を用いる必要がなくなるため、例えばより短時間で固まる接着剤やより安価な接着剤を用いることができるようになるなど、接着剤の選択の自由度を高くすることができる。」
　
ウ　上記ア及びイから、引用例２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
「サファイア基板１上にＧａＮバッファ層２、ｎ型ＧａＮ層３、ｎ型ＡｌＧａＮ層４、ＧａＩｎＮからなる発光層５、ｐ型ＡｌＧａＮ層６およびｐ型ＧａＮ層７が順次積層され、ｎ型ＧａＮ層３の上層部、ｎ型ＡｌＧａＮ層４、発光層５、ｐ型ＡｌＧａＮ層６およびｐ型ＧａＮ層７は、基板表面に逆メサ形状の端面を有する所定形状を有し、これらの表面を覆うようにＳｉＯ2 膜のような絶縁膜８が設けられ、この絶縁膜８には、ｐ型ＧａＮ層７の上およびｎ型ＧａＮ層３の上にそれぞれ開口８ａ、８ｂが設けられ、開口８ａを通じてｐ型ＧａＮ層７にｐ側電極９がコンタクトしているとともに、開口８ｂを通じてｎ型ＧａＮ層３にｎ側電極１０がコンタクトしているＧａＮ系発光ダイオードにおいて、ｎ型ＧａＮ層３の上層部、ｎ型ＡｌＧａＮ層４、発光層５、ｐ型ＡｌＧａＮ層６およびｐ型ＧａＮ層７が、逆メサ形状の端面１２を有し、また、ｎ型ＧａＮ層３、ｎ型ＡｌＧａＮ層４、発光層５、ｐ型ＡｌＧａＮ層６およびｐ型ＧａＮ層７の最外周にも、逆メサ形状の端面１３、１４を有し、端面１２はｐ側電極９とｎ側電極１０との間に設けられ、端面１３はｐ側電極９の外側に設けられ、端面１４はｎ側電極１０の外側に設けられており、また、これらの端面１２、１３、１４は、エッチングにより形成された平坦性の良好な面からなり、散乱あるいは乱反射による光損失は極めて少なく、これらの端面１２、１３、１４には反射膜１５が設けられ、動作時に発光層５から発生する光をこれらの端面１２、１３、１４でサファイア基板１と反対側に反射させることにより直接外部に、しかも有効に取り出すことができ、また、サファイア基板１をリードフレーム２１の上部に設けられた凹部２１ａの底面に接着する接着剤２２に入射する光の量を大幅に減少させることができ、接着剤２２の光学的な変色または着色を防止することができる、ＧａＮ系発光ダイオード。」
　
４．対比 
　本願発明と引用発明１とを対比する。
　
　引用発明１の、「（略四角形状から成る）絶縁基板２１」、「（前記絶縁基板の一表面上全体に亙って設けられる）第１導電型窒化物系半導体層２３」、「（前記第１導電型窒化物系半導体層２３の中心部上Ｒ１に設けられる）窒化物系活性層２４」、「（前記活性層２４上に設けられる）第２導電型の窒化物系半導体層２５」、「前記第１電極の主部４７(ｍａｉｎ ｐｏｒｔｉｏｎ)」、「前記第１電極の前記主部４７から帯状で延長される延長部４７ａ、４７ｂ」、「前記第２電極の主部４８(ｍａｉｎ ｐｏｒｔｉｏｎ)」、及び「前記第２電極の前記主部４８から帯状で延長される延長部４８ａ」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「下部ＬＥＤ層」、「活性領域」、「上部ＬＥＤ層」、「上部接続パッド」、「上部コンタクトフィンガー」、「下部接続パッド」、及び「下部コンタクトフィンガー」に相当し、引用発明１の青色発光素子と本願発明とは、「前記基板の上に形成された活性領域と、前記活性領域を共同して画定する上部ＬＥＤ層及び下部ＬＥＤ層と、前記上部ＬＥＤ層の上に形成されて、上部接続パッドから伸びる上部コンタクトフィンガーと、前記下部ＬＥＤ層の上に形成されて、下部接続パッドから伸びる下部コンタクトフィンガーとを備える発光ダイオードチップ」である点で一致する。
　
　したがって、本願発明と引用発明とは、
「基板と、
　前記基板の上に形成された活性領域と、
　前記活性領域を共同して画定する上部ＬＥＤ層及び下部ＬＥＤ層と、
　前記上部ＬＥＤ層の上に形成されて、上部接続パッドから伸びる上部コンタクトフィンガーと、
　前記下部ＬＥＤ層の上に形成されて、下部接続パッドから伸びる下部コンタクトフィンガーと、を備える発光ダイオードチップ。」の点で一致し、下記の点で相違する。
　
相違点：
　本願発明は、「前記活性領域と前記下部コンタクトフィンガーとの中間に配置されて、前記活性領域から前記下部コンタクトフィンガーへ向かう光を前記下部コンタクトフィンガーから離れるように反射し、前記発光ダイオードチップの輝度を増大させるように構成された反射膜を備える」のに対し、引用発明は、そのようなものでない点。
　
５．判断
　引用発明２は、引用発明１と同様の積層構造のＧａＮ系発光ダイオードにおいて、動作時に発光層から発生する光をサファイア基板１と反対側に反射させることにより直接外部に有効に取り出し、また、サファイア基板１をリードフレーム２１に接着する接着剤２２に入射する光の量を大幅に減少させ、接着剤２２の光学的な変色または着色を防止するために、ｐ側電極９とｎ側電極１０との間で、ｎ型ＧａＮ層３の上層部、ｎ型ＡｌＧａＮ層４、発光層５、ｐ型ＡｌＧａＮ層６およびｐ型ＧａＮ層７の端面１２を、逆メサ形状にし、この端面１２に反射膜１５を設けたものであるところ、引用発明１においても、リードフレームに接着する際に、動作時に発光層から発生する光を外部に有効に取り出し、また、サファイア基板をリードフレームに接着する接着剤の光学的な変色または着色を防止するために、引用発明１に引用発明２の上記技術事項を適用して、引用発明１の第１電極と第２電極との間で、窒化物系半導体層２３の上層部、窒化物系活性層２４、第２導電型の窒化物系半導体層２５の端面を、逆メサ形状にし、この端面１２に反射膜１５を設けることで、引用発明１を本願発明の上記相違点に係る構成にすることは当業者が容易に想到できたことである。
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明１及び２から予測し得る程度のものである。
　
　よって、本願発明は、引用発明１及び２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　なお、請求人は、審判請求の理由において、本願発明の反射膜は、活性領域と下部コンタクトフィンガーとの中間に配置される点において、引用例２に記載の反射膜１５と異なり、引用例２には、本願発明の特徴である「反射膜」が教示も示唆もされていない旨主張（平成２１年３月２付けの手続補正書の第１２頁の第３段落）するが、本願発明において、「活性領域と下部コンタクトフィンガーとの中間」の「中間」とは、本願明細書の段落【００６３】及び図４等の記載からして、活性領域の表面及び下部コンタクトフィンガーの表面ではない、活性領域と下部コンタクトフィンガーとの間のことを指すものと解され、引用例２に記載の反射膜１５も、絶縁膜８を介して、発光層５とｎ側電極との間に設けられていることから、引用例２に記載の反射膜１５は、本願発明の「活性領域と下部コンタクトフィンガーとの中間に配置される反射膜」に相当するものである。
　
６．むすび
　本願発明は、引用発明１及び２に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。