(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物の製造方法であって、
【化１】
0005869006.tif 000018
（式（ＩＩＩ）中、Ｘはハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のハロアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のハロアルコキシ基、フェニル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｍは０〜５の整数を表し、ｍが２以上である場合、複数あるＸは同一でも異なっていてもよい。）
下記一般式（ＩＩ）
【化２】
0005869006.tif 000019
（式（ＩＩ）中、Ｘおよびｍは、それぞれ式（ＩＩＩ）中のＸおよびｍと同一である。）で示される化合物をホルムアルデヒドまたはホルムアルデヒド誘導体と反応させることを特徴とする製造方法。
【請求項２】
下記一般式（ＩＶ）で示される化合物の製造方法であって、
【化３】
0005869006.tif 000020
（式（ＩＶ）中、Ｘはハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のハロアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のハロアルコキシ基、フェニル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｍは０〜５の整数を表し、ｍが２以上である場合、複数あるＸは同一でも異なっていてもよく、Ｇ１およびＧ２はそれぞれ酸性条件下で解離する保護基を表し、Ｇ１およびＧ２は同一でも異なっていてもよく、Ｇ１およびＧ２が互いに結合して環を形成していてもよい。）
請求項１に記載の製造方法によって得られた下記一般式（ＩＩＩ）
【化４】
0005869006.tif 000021
（式（ＩＩＩ）中、Ｘおよびｍは、それぞれ式（ＩＶ）中のＸおよびｍと同一である。）で示される化合物の一部のヒドロキシ基を、酸性条件下で解離する保護基によって保護することを特徴とする製造方法。
【請求項３】
下記一般式（Ｖ）で示される化合物の製造方法であって、
【化５】
0005869006.tif 000022
（式（Ｖ）中、Ｘはハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のハロアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のハロアルコキシ基、フェニル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｍは０〜５の整数を表し、ｍが２以上である場合、複数あるＸは同一でも異なっていてもよく、Ｇ１およびＧ２はそれぞれ酸性条件下で解離する保護基を表し、Ｇ１およびＧ２は同一でも異なっていてもよく、Ｇ１およびＧ２が互いに結合して環を形成していてもよい。）
請求項２に記載の製造方法によって得られた下記一般式（ＩＶ）
【化６】
0005869006.tif 000023
（式（ＩＶ）中、Ｘ、ｍ、Ｇ１およびＧ２は、それぞれ式（Ｖ）中のＸ、ｍ、Ｇ１およびＧ２と同一である。）
で示される化合物を塩基性条件下で脱ヒドロキシメチル化することを特徴とする製造方法。
【請求項４】
下記一般式（Ｖ）で示されるシクロペンタノン誘導体の製造における中間体化合物であって、
【化７】
0005869006.tif 000024
（式（Ｖ）中、Ｘはハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のハロアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のハロアルコキシ基、フェニル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｍは０〜５の整数を表し、ｍが２以上である場合、複数あるＸは同一でも異なっていてもよく、Ｇ１およびＧ２はそれぞれ酸性条件下で解離する保護基を表し、Ｇ１およびＧ２は同一でも異なっていてもよく、Ｇ１およびＧ２が互いに結合して環を形成していてもよい。）
下記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物。
【化８】
0005869006.tif 000025
（式（ＩＩＩ）中、Ｘおよびｍは、それぞれ式（Ｖ）中のＸおよびｍと同一である。）
【請求項５】
下記一般式（Ｖ）で示されるシクロペンタノン誘導体の製造における中間体化合物であって、
【化９】
0005869006.tif 000026
（式（Ｖ）中、Ｘはハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のハロアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のハロアルコキシ基、フェニル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｍは０〜５の整数を表し、ｍが２以上である場合、複数あるＸは同一でも異なっていてもよく、Ｇ１およびＧ２はそれぞれ酸性条件下で解離する保護基を表し、Ｇ１およびＧ２は同一でも異なっていてもよく、Ｇ１およびＧ２が互いに結合して環を形成していてもよい。）
下記一般式（ＩＶ）で示される化合物。
【化１０】
0005869006.tif 000027
（式（ＩＶ）中、Ｘ、ｍ、Ｇ１およびＧ２は、それぞれ式（Ｖ）中のＸ、ｍ、Ｇ１およびＧ２と同一である。）
【請求項６】
上記一般式（Ｖ）で示される化合物が、下記一般式（Ｖａ）で示される化合物であることを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【化１１】
0005869006.tif 000028
（式（Ｖａ）中、Ｘおよびｍは、それぞれ式（Ｖ）におけるＸおよびｍと同一であり、Ｙ１およびＹ２は、独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルケニル基、または置換もしくは無置換のフェニル基、ナフチル基もしくはベンジル基を表し、Ｙ１およびＹ２は互いに結合して環を形成していてよい。）
【請求項７】
Ｙ１およびＹ２は、何れもメチル基であることを特徴とする請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
上記一般式（Ｖ）で示される化合物が、下記一般式（Ｖｂ）で示される化合物であることを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【化１２】
0005869006.tif 000029
（式（Ｖｂ）中、Ｘおよびｍは、それぞれ式（Ｖ）におけるＸおよびｍと同一であり、Ｇ１ｂおよびＧ２ｂは、独立に、アルコキシ部分の炭素数が１〜４のアルコキシメチル基、アルコキシ部分の炭素数が１〜４のアルコキシエチル基、炭素数１〜４のアルキル基、アリル基、または置換もしくは無置換のベンジル基、テトラヒドロピラニル基もしくはテトラヒドロフラニル基を表す。）
【請求項９】
上記一般式（Ｖ）中、ｍは０〜３の整数であり、ｍが１以上である場合、Ｘはハロゲン原子、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のハロアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基または炭素数１〜３のハロアルコキシ基であることを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シクロペンタノン誘導体の新規な製造方法、ならびにその中間体化合物およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
農園芸用薬剤および工業用材料保護剤等の有効成分として利用できる化合物として、特許文献１には、ある種の２−（ハロゲン化炭化水素置換）−５−ベンジル−１−アゾリルメチルシクロペンタノール誘導体が記載されている。同文献には、当該誘導体の製造方法における工程の一部として、１−ベンジル−２−オキソシクロペンタンカルボン酸アルキルエステル誘導体からヒドロキシ基が保護された２−ベンジル−５，５−ビス（ヒドロキシメチル）−シクロペンタノン誘導体を製造する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第ＷＯ２０１１／０７０７７１号（２０１１年６月１６日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ヒドロキシ基が保護された２−ベンジル−５，５−ビス（ヒドロキシメチル）−シクロペンタノン誘導体を、より安価で大量に製造するためには、１−ベンジル−２−オキソシクロペンタンカルボン酸アルキルエステル誘導体からヒドロキシ基が保護された２−ベンジル−５，５−ビス（ヒドロキシメチル）−シクロペンタノン誘導体を製造する場合における収率を向上させることが求められる。【０００５】
本願発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、農園芸用薬剤および工業用材料保護剤等の有効成分として利用できる化合物の中間体化合物であるヒドロキシ基が保護された２−ベンジル−５，５−ビス（ヒドロキシメチル）−シクロペンタノン誘導体を、より収率よく製造する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、下記一般式（Ｖ）で示されるシクロペンタノン誘導体の製造方法であって、【０００７】
【化１】
0005869006.tif 000002
【０００８】
（式（Ｖ）中、Ｘはハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のハロアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のハロアルコキシ基、フェニル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｍは０〜５の整数を表し、ｍが２以上である場合、複数あるＸは同一でも異なっていてもよく、Ｇ１およびＧ２はそれぞれ酸性条件下で解離する保護基を表し、Ｇ１およびＧ２は同一でも異なっていてもよく、Ｇ１およびＧ２が互いに結合して環を形成していてもよい。）
下記一般式（Ｉ）で示される化合物を酸と反応させることにより、下記一般式（ＩＩ）で示される化合物を得る工程を含むことを特徴とする。【０００９】
【化２】
0005869006.tif 000003
【００１０】
（式（Ｉ）中、Ｘおよびｍは、それぞれ式（Ｖ）中のＸおよびｍと同一であり、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基を表す。）【００１１】
【化３】
0005869006.tif 000004
【００１２】
（式（ＩＩ）中、Ｘおよびｍは、それぞれ式（Ｖ）中のＸおよびｍと同一である。）
本発明はまた、上記一般式（ＩＩ）で示される化合物の製造方法であって、上記一般式（Ｉ）で示される化合物を酸と反応させることを特徴とする製造方法を提供する。【００１３】
本発明はまた、下記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物の製造方法であって、【００１４】
【化４】
0005869006.tif 000005
【００１５】
（式（ＩＩＩ）中、Ｘはハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のハロアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のハロアルコキシ基、フェニル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｍは０〜５の整数を表し、ｍが２以上である場合、複数あるＸは同一でも異なっていてもよい。）
上記一般式（Ｉ）で示される化合物を酸と反応させて上記一般式（ＩＩ）で示される化合物を得、さらに当該化合物をホルムアルデヒドまたはホルムアルデヒド誘導体と反応させることを特徴とする製造方法を提供する。【００１６】
本発明はまた、下記一般式（ＩＶ）で示される化合物の製造方法であって、【００１７】
【化５】
0005869006.tif 000006
【００１８】
（式（ＩＶ）中、Ｘはハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のハロアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のハロアルコキシ基、フェニル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｍは０〜５の整数を表し、ｍが２以上である場合、複数あるＸは同一でも異なっていてもよく、Ｇ１およびＧ２はそれぞれ酸性条件下で解離する保護基を表し、Ｇ１およびＧ２は同一でも異なっていてもよく、Ｇ１およびＧ２が互いに結合して環を形成していてもよい。）
上記一般式（Ｉ）で示される化合物を酸と反応させて上記一般式（ＩＩ）で示される化合物を得、さらに当該化合物をホルムアルデヒドまたはホルムアルデヒド誘導体と反応させて上記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物を得、さらに当該化合物の一部のヒドロキシ基を酸性条件下で解離する保護基によって保護することを特徴とする製造方法を提供する。【００１９】
本発明はさらに、上記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物の製造方法であって、上記一般式（ＩＩ）で示される化合物をホルムアルデヒドまたはホルムアルデヒド誘導体と反応させることを特徴とする製造方法を提供する。【００２０】
本発明はさらに、上記一般式（ＩＶ）で示される化合物の製造方法であって、上記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物の一部のヒドロキシ基を、酸性条件下で解離する保護基によって保護することを特徴とする製造方法を提供する。【００２１】
本発明はさらに、上記一般式（Ｖ）で示される化合物の製造方法であって、一般式（ＩＶ）で示される化合物を塩基性条件下で脱ヒドロキシメチル化することを特徴とする製造方法を提供する。【００２２】
本発明はさらに、上記一般式（Ｖ）で示されるシクロペンタノン誘導体の製造における中間体化合物であって、上記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物も包含する。【００２３】
本発明はさらに、上記一般式（Ｖ）で示されるシクロペンタノン誘導体の製造における中間体化合物であって、上記一般式（ＩＶ）で示される化合物も包含する。
【発明の効果】
【００２４】
本発明により、ヒドロキシ基が保護された２−ベンジル−５，５−ビス（ヒドロキシメチル）−シクロペンタノン誘導体を、より収率よく製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明に係るシクロペンタノン誘導体の製造方法の一実施形態について説明する。
【００２６】
本発明に係るシクロペンタノン誘導体の製造方法は、下記一般式（Ｖ）で示されるシクロペンタノン誘導体（以下、「化合物（Ｖ）」と称する）の製造方法である。
【００２７】
【化６】
0005869006.tif 000007
【００２８】
（式（Ｖ）中、Ｘはハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のハロアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のハロアルコキシ基、フェニル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｍは０〜５の整数を表し、ｍが２以上である場合、複数あるＸは同一でも異なっていてもよく、Ｇ１およびＧ２はそれぞれ酸性条件下で解離する保護基を表し、Ｇ１およびＧ２は同一でも異なっていてもよく、Ｇ１およびＧ２が互いに結合して環を形成していてもよい。）
まず、化合物（Ｖ）について説明する。
【００２９】
〔１．化合物（Ｖ）〕
化合物（Ｖ）は、農園芸用薬剤および工業用材料保護剤の有効成分として好適に利用され得る化合物の中間体化合物である。
【００３０】
式（Ｖ）中、Ｘは、ハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のハロアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のハロアルコキシ基、フェニル基、シアノ基またはニトロ基を表している。
【００３１】
Ｘにおけるハロゲン原子は、具体的には、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられる。なかでも、フッ素原子、塩素原子および臭素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。
【００３２】
Ｘにおける炭素数１〜４のアルキル基は、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基およびｔｅｒｔ−ブチル基が挙げられる。なかでも、炭素数１〜３のアルキル基が好ましく、炭素数１〜２のアルキル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。
【００３３】
Ｘにおける炭素数１〜４のハロアルキル基は、１または２以上の同一または異なるハロゲン原子で置換されているアルキル基であり、例えば、ジクロロメチル基、トリクロロメチル基、２−クロロエチル基、１−クロロエチル基、２，２−ジクロロエチル基、１，２−ジクロロエチル基、２，２，２−トリクロロエチル基、３−クロロプロピル基、２，３−ジクロロプロピル基、１−クロロ−１−メチルエチル基、２−クロロ−１−メチルエチル基、２−クロロプロピル基、４−クロロブチル基、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、２−フルオロエチル基、１−フルオロエチル基、２，２−ジフルオロエチル基、１，２−ジフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、３−フルオロプロピル基、２，３−ジフルオロプロピル基、１−フルオロ−１−メチルエチル基、２−フルオロ−１−メチルエチル基、２−フルオロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、２，２，３，３−テトラフルオロプロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、４−フルオロブチル基、ジブロモメチル基、トリブロモメチル基、２−ブロモエチル基、２，２−ジブロモエチル基、１，２−ジブロモエチル基、２，２，２−トリブロモエチル基、３−ブロモプロピル基、２，３−ジブロモプロピル基、１−ブロモ−１−メチルエチル基、２−ブロモ−１−メチルエチル基、２−ブロモプロピル基、ジヨードメチル基、２，２−ジヨードエチル基、１，２−ジヨードエチル基、２，２，２−トリヨードエチル基、２，３−ジヨードプロピル基、１−ヨード−１−メチルエチル基、および２−ヨード−１−メチルエチル基等が挙げられる。なかでも、炭素数１〜３のハロアルキル基が好ましく、炭素数１〜２のハロアルキル基がより好ましく、炭素数１のトリハロアルキル基がさらに好ましい。
【００３４】
Ｘにおける炭素数１〜４のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基およびｎ−プロポキシ基等が挙げられる。なかでも、炭素数１〜３のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜２のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。
【００３５】
Ｘにおける炭素数１〜４のハロアルコキシ基は、１または２以上の同一または異なるハロゲン原子で置換されているアルコキシ基であり、例えば、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、１，１，２，２，２−ペンタフルオロエトキシ基、および２，２，２−トリフルオロエトキシ基等が挙げられる。なかでも、炭素数１〜３のハロアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜２のハロアルコキシ基がより好ましく、炭素数１のジハロメトキシ基およびトリハロメトキシ基がさらに好ましい。
【００３６】
Ｘは、好ましくはハロゲン原子、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のハロアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基および炭素数１〜３のハロアルコキシ基であり、より好ましくはハロゲン原子、メチル基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基およびジフルオロメトキシ基であり、さらに好ましくはハロゲン原子であり、特に好ましくは塩素原子である。
【００３７】
式（Ｖ）中、ｍは、０〜５の整数を表している。ｍは、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは０〜２の整数であり、さらに好ましくは０または１である。ｍが２以上の整数の場合、複数あるＸは互いに同一でも異なっていてもよい。また、ｍが１以上の整数の場合、Ｘはベンゼン環の２〜６位の何れに位置していてもよい。ｍが１の場合には、４−置換ベンジルとなる位置が好ましい。
【００３８】
式（Ｖ）中、Ｇ１およびＧ２はそれぞれ酸性条件下で解離する保護基を表している。Ｇ１およびＧ２はヒドロキシ基を保護している保護基である。Ｇ１およびＧ２は互いに同一でも異なっていてもよい。また、Ｇ１およびＧ２が互いに結合して環を形成してもよい。Ｇ１およびＧ２は酸性条件下で解離する限り、特に限定されない。
【００３９】
Ｇ１とＧ２とが結合していない場合、化合物（Ｖ）は下記一般式（Ｖｂ）で表すことができる。
【００４０】
【化７】
0005869006.tif 000008
【００４１】
式（Ｖｂ）中、Ｘおよびｍは、それぞれ式（Ｖ）におけるＸおよびｍと同一である。
【００４２】
式（Ｖｂ）中、Ｇ１ｂおよびＧ２ｂは、独立に、アルコキシ部分の炭素数が１〜４のアルコキシメチル基、アルコキシ部分の炭素数が１〜４のアルコキシエチル基、炭素数１〜４のアルキル基、アリル基、置換もしくは無置換のベンジル基、置換もしくは無置換のテトラヒドロピラニル基、または置換もしくは無置換のテトラヒドロフラニル基を表している。
【００４３】
Ｇ１ｂおよびＧ２ｂにおけるアルコキシ部分の炭素数が１〜４のアルコキシメチル基としては、例えば、メトキシメチル基およびエトキシメチル基等が挙げられる。
【００４４】
Ｇ１ｂおよびＧ２ｂにおけるアルコキシ部分の炭素数が１〜４のアルコキシエチル基としては、例えば、１−エトキシエチル基および１−メチル−１−メトキシエチル基等が挙げられる。
【００４５】
Ｇ１ｂおよびＧ２ｂにおける炭素数１〜４のアルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基およびｔｅｒｔ−ブチル基が挙げられる。
【００４６】
ベンジル基、テトラヒドロピラニル基およびテトラヒドロフラニル基が置換基を有している場合、当該置換基としては、臭素原子、塩素原子、フッ素原子、メトキシ基、トリフルオロメチル基、ニトロ基、ニトリル基およびフェニル基等が挙げられる。
【００４７】
一方、Ｇ１およびＧ２が互いに結合して環を形成している場合の保護基としては、例えば、メチレンアセタール、エチリデンアセタール、ｔ−ブチルメチリデンケタール、１−ｔ−ブチルエチリデンケタール、１−フェニルエチリデンケタール、アクロレインアセタール、イソプロピリデンケタール（アセトナイド）、シクロペンチリデンケタール、シクロヘキシリデンケタール、シクロヘプチリデンケタール、ベンジリデンアセタール、ｐ−メトキシベンジリデンアセタール、２，４−ジメトキシベンジリデンケタール、３，４−ジメトキシベンジリデンケタール、２−ニトロベンジリデンアセタール、４−ニトロベンジリデンアセタール、メシチレンアセタール、１−ナフトアルデヒドアセタール、ベンゾフェノンケタール、カンファーケタール、メントン、メトキシメチレンアセタール、エトキシメチレンアセタール、ジメトキシメチレンオルトエステル、１−メトキシエチリデンオルトエステル、１−エトキシエチリデンオルトエステル、メチリデンオルトエステル、フタリドオルトエステル、１，２−ジメトキシエチリデンオルトエステル、α−メトキシベンジリデンオルトエステル、２−オキサシクロペンチリデンオルトエステル、ブタン−２，３−ビスアセタール、シクロヘキサン−１，２−ジアセタール、ビスジヒドロピランケタール、ジ−ｔ−ブチルシリレン、１，３−（１，１，３，３−テトライソプロピル）ジシリオキサニリデン、および１，１，３，３−テトラ−ｔ−ブトキシジシロキサニリデン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００４８】
なかでも、Ｇ１およびＧ２が互いに結合して環を形成している場合には、化合物（Ｖ）は下記一般式（Ｖａ）で表される化合物であることが好ましい。
【００４９】
【化８】
0005869006.tif 000009
【００５０】
式（Ｖａ）中、Ｘおよびｍは、それぞれ式（Ｖ）におけるＸおよびｍと同一である。
【００５１】
式（Ｖａ）中、Ｙ１およびＹ２は、独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルケニル基、フェニル基、ナフチル基またはベンジル基を表している。Ｙ１およびＹ２におけるフェニル基、ナフチル基およびベンジル基のフェニル部は、メチル基およびエチル基等の炭素数１〜４のアルキル基；メトキシ基およびエトキシ基等の炭素数１〜４のアルコキシ基；ニトロ基、またはフッ素原子および塩素原子等のハロゲン原子でさらに置換されていてもよい。また、Ｙ１およびＹ２は互いに結合して環を形成していてもよい。なかでも、Ｙ１およびＹ２は、独立に、水素原子、またはメチル基、エチル基およびｎ−プロピル基等の炭素数１〜４のアルキル基であることがより好ましく、独立に、炭素数１〜４のアルキル基であることがさらに好ましく、Ｙ１およびＹ２が何れもメチル基であることが特に好ましい。
【００５２】
〔２．化合物（Ｖ）の製造方法〕
本発明に係る化合物（Ｖ）の製造方法は、下記一般式（Ｉ）で示される化合物（以下、「化合物（Ｉ）」と称する）を酸と反応させることにより、下記一般式（ＩＩ）で示される化合物（以下、「化合物（ＩＩ）」と称する）を得る工程（工程１）を含む方法である。
【００５３】
【化９】
0005869006.tif 000010
【００５４】
（式（Ｉ）中、Ｘおよびｍは、それぞれ式（Ｖ）中のＸおよびｍと同一であり、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基を表す。）
【００５５】
【化１０】
0005869006.tif 000011
【００５６】
（式（ＩＩ）中、Ｘおよびｍは、それぞれ式（Ｖ）中のＸおよびｍと同一である。）
本発明に係る化合物（Ｖ）の製造方法は、工程１を含む限り他の工程について特に限定はないが、好ましい製造方法として、例えば、下記反応スキーム１に示すように、工程１に加えて、さらに工程２〜４を含む方法が挙げられる。以下、化合物（Ｖ）の製造方法の一実施形態として、反応スキーム１に示す反応を例に挙げて説明する。
【００５７】
【化１１】
0005869006.tif 000012
【００５８】
（工程１：加水分解・脱炭酸工程）
工程１は、化合物（Ｉ）を酸と反応させることにより、加水分解・脱炭酸を行い、化合物（ＩＩ）を得る工程である。
【００５９】
式（Ｉ）中、Ｘおよびｍは、それぞれ式（Ｖ）中のＸおよびｍと同一である。
【００６０】
式（Ｉ）中、Ｒは、炭素数１〜４のアルキル基を表している。Ｒにおける炭素数１〜４のアルキル基は、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基およびｔｅｒｔ−ブチル基が挙げられる。なかでも、炭素数１〜３のアルキル基が好ましく、炭素数１〜２のアルキル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。
【００６１】
化合物（Ｉ）は、公知の方法（例えば、特許文献１に記載の方法）によって製造されたものを用いればよい。
【００６２】
工程１における酸としては、例えば、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、フッ化水素酸、塩素酸、過塩素酸、硫酸、硝酸、リン酸、ヘキサフルオロリン酸およびテトラフルオロホウ酸等の無機酸；ならびに酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、安息香酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ｐ−クロロベンゼンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸およびカンファースルホン酸等の有機酸が挙げられる。
【００６３】
化合物（Ｉ）に対する酸の使用量は、例えば０倍モル〜２０倍モル（ただし０倍モルは除く）であり、０．００１倍モル〜１０倍モルであることが好ましい。
【００６４】
反応温度は、例えば−２０℃〜２００℃であり、０℃〜１５０℃であることが好ましい。反応時間は、例えば０．１時間〜数日であり、０．５時間〜２日であることが好ましい。
【００６５】
工程１における溶媒は、特に限定されないが、例えば、水およびトルエン等が挙げられる。
【００６６】
ここで、工程１を含む化合物（Ｖ）の製造方法の利点について説明する。化合物（Ｉ）から化合物（Ｖ）を製造する方法としては、特許文献１に記載の方法を参考にすれば、例えば、下記の反応スキーム２が考えられる。なお、反応スキーム２に示される化合物におけるＸ、ｍ、Ｒ、Ｇ１およびＧ２は、上述のＸ、ｍ、Ｒ、Ｇ１およびＧ２と同一である。
【００６７】
【化１２】
0005869006.tif 000013
【００６８】
反応スキーム２中、一般式（ＶＩＩ）で示される化合物（以下、「化合物（ＶＩＩ）」と称する）におけるＧ１およびＧ２は、酸性条件下で解離する保護基である。そのため、化合物（ＶＩＩ）から化合物（Ｖ）を製造する工程における加水分解および脱炭酸の反応は、塩基性条件下で行う必要がある。しかしながら、種々検討を行ったところ、化合物（ＶＩＩ）を塩基性条件下で加水分解・脱炭酸させると、シクロペンタン環が開環する副反応が起こることによって、化合物（Ｖ）の収率が低下してしまうことを見出した。
これに対し、本発明に係る工程１を含む化合物（Ｖ）の製造方法おいては、工程１を経ることによって、保護基を導入する前に酸性条件下で加水分解・脱炭酸を行っている。これにより、加水分解・脱炭酸の工程、およびその後の工程において、シクロペンタン環が開環する副反応が生じ得る反応を回避することができる。したがって、本発明に係る化合物（Ｖ）の製造方法では、副生成物が生じにくく、化合物（Ｖ）の収率の点で優れている。
【００６９】
なお、工程１は新規な反応ルートである。そのため、本発明はまた、化合物（ＩＩ）の製造方法であって、工程１によるものを提供する。
【００７０】
（工程２：ヒドロキシメチル化工程）
工程２は、化合物（ＩＩ）をホルムアルデヒドまたはホルムアルデヒド誘導体と反応させることにより、化合物（ＩＩ）をヒドロキシメチル化して下記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物（以下、「化合物（ＩＩＩ）」と称する）を得る工程である。
【００７１】
【化１３】
0005869006.tif 000014
【００７２】
式（ＩＩＩ）中、Ｘおよびｍは、それぞれ式（Ｖ）中のＸおよびｍと同一である。
【００７３】
ホルムアルデヒド誘導体としては、例えば、パラホルムアルデヒド、１，３，５−トリオキサンおよびホルムアルデヒドジアルキルアセタール等が挙げられる。
【００７４】
化合物（ＩＩ）に対するホルムアルデヒドまたはホルムアルデヒド誘導体の使用量は、例えば１倍モル〜１００倍モルであり、２倍モル〜５０倍モルであることが好ましい。
【００７５】
工程２の反応は、溶媒中、塩基存在下で行うことが好ましい。塩基としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウムおよび炭酸水素カリウム等のアルカリ金属の炭酸塩；水酸化ナトリウムおよび水酸化カリウム等のアルカリ金属の水酸化物；ならびにトリエチルアミンおよびジイソプロピルエチルアミン等の有機塩基等が挙げられる。
【００７６】
化合物（ＩＩ）に対する塩基の使用量は、例えば０．０１倍モル〜１００倍モルであり、０．１倍モル〜５０倍モルであることが好ましい。
【００７７】
反応温度は、例えば０℃〜２００℃であり、０℃〜還流点であることが好ましい。反応時間は、例えば０．１時間〜数日であり、０．２時間〜３日であることが好ましい。
【００７８】
工程２における溶媒は、特に限定されないが、例えば、メタノール、エタノールおよびイソプロピルアルコール等のアルコール類；ジエチルエーテル、テトラヒドロフランおよびジオキサン等のエーテル類；ベンゼン、トルエンおよびキシレン等の芳香族炭化水素類；ならびに水等が挙げられる。これらは必要に応じて混合して用いてもよい。なお、反応系が二相を形成する場合は相間移動触媒、例えば、慣用の第４アンモニウム塩（例えば、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム）を用いることが好ましい。
【００７９】
なお、工程２で得られる化合物（ＩＩＩ）は、新規な化合物である。そのため、本発明はまた、化合物（ＩＩＩ）およびその製造方法を提供する。
【００８０】
（工程３：保護工程）
工程３は、化合物（ＩＩＩ）の一部のヒドロキシ基を保護基によって保護し、下記一般式（ＩＶ）で示される化合物（以下、「化合物（ＩＶ）」と称する）を得る工程である。なお、導入される保護基は、酸性条件下で解離する保護基である。
【００８１】
【化１４】
0005869006.tif 000015
【００８２】
式（ＩＶ）中、Ｘ、ｍ、Ｇ１およびＧ２は、それぞれ式（Ｖ）中のＸ、ｍ、Ｇ１およびＧ２と同一である。
【００８３】
Ｇ１およびＧ２の導入は、保護基を導入するための化合物を、酸存在下で化合物（ＩＩＩ）と反応させることにより行う。
【００８４】
保護基を導入するための化合物としては、上述の保護基を導入できるものであれば特に限定されないが、例えば、アセトンジメチルアセタール、イソブテン、アセトンおよびジアルコキシメタン等が挙げられる。
【００８５】
工程３における酸としては、塩酸、リン酸および硫酸等の無機酸、ならびにｐ−トルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸およびメタンスルホン酸等の有機酸等が挙げられる。
【００８６】
化合物（ＩＩＩ）に対する酸の使用量は、例えば０倍モル〜１０倍モル（ただし０倍モルは除く）であり、０．００１倍モル〜５倍モルであることが好ましい。
【００８７】
保護基を導入するための化合物の使用量は、当該化合物、使用する酸および化合物（ＩＩＩ）の種類に応じて適宜設定し得るが、例えば化合物（ＩＩＩ）に対して０．５倍モル〜５０倍モルであり、０．８倍モル〜１０倍モルであることが好ましい。
【００８８】
工程３における溶媒は、特に限定されないが、例えば、アセトン、トルエンおよびテトラヒドロフラン等が挙げられる。
【００８９】
なお、保護基として（ａ）アルコキシメチル基を導入する場合もしくは（ｂ）ｔ−ブチル基を導入する場合、または（ｃ）２つのヒドロキシ基をアセタールまたはケタールで同時に保護する場合には、それぞれ以下に示す方法が好適に用いられる。
【００９０】
まず、（ａ）アルコキシメチル基を導入する場合について説明する。
【００９１】
アルコキシメチル基を導入する場合には、ホルムアルデヒドジアルキルアセタールを使用し、化合物（ＩＩＩ）中のヒドロキシ基をアセタール交換する方法が好適に用いられる。
【００９２】
この場合の酸としては、塩酸、リン酸（五酸化二リンのようにアルコールまたは水の添加により酸基が生成する化合物を含む）および硫酸等の無機酸、ならびにｐ−トルエンスルホン酸等の有機酸を用いることができる。ホルムアルデヒドジアルキルアセタールは、酸の存在下、溶媒中もしくは無溶媒中で使用することが好ましい。また、生成するアルコールを除去できる化合物（例えば、五酸化二リン）を添加することがより好ましい。
【００９３】
化合物（ＩＩＩ）に対するホルムアルデヒドジアルキルアセタールの使用量は、例えば０．５倍モル〜５０倍モルであり、０．８倍モル〜１０倍モルであることが好ましい。化合物（ＩＩＩ）に対する酸の使用量は、例えば０．０１倍モル〜１０倍モルであり、０．０５倍モル〜５倍モルであることが好ましい。
【００９４】
反応温度は、例えば０℃〜２５０℃であり、０℃〜１５０℃であることが好ましい。反応時間は、例えば０．１時間〜数日であり、０．５時間〜２日であることが好ましい。
【００９５】
次に、（ｂ）ｔ−ブチル基を導入する場合について説明する。
【００９６】
ｔ−ブチル基を導入する場合には、イソブテンを使用して、化合物（ＩＩＩ）中のヒドロキシ基にｔ−ブチル基を導入する方法が好適に用いられる。
【００９７】
この場合の酸としては、塩酸、リン酸および硫酸等の無機酸、ならびにｐ−トルエンスルホン酸およびトリフルオロ酢酸等の有機酸を用いることができる。化合物（ＩＩＩ）とイソブテンとは溶媒中で反応させることが好ましい。
【００９８】
化合物（ＩＩＩ）に対するイソブテンの使用量は、例えば０．５倍モル〜１００倍モルであり、０．８倍モル〜２０倍モルであることが好ましい。化合物（ＩＩＩ）に対する酸の使用量は、例えば０．０１倍モル〜１０倍モルであり、０．０５倍モル〜５倍モルであることが好ましい。
【００９９】
反応温度は、例えば０℃〜２００℃であり、０℃〜１００℃であることが好ましい。反応時間は、例えば０．１時間〜数日あり、０．５時間〜２日であることが好ましい。
【０１００】
最後に、（ｃ）２つのヒドロキシ基をアセタールまたはケタールで同時に保護する場合について説明する。
【０１０１】
２つのヒドロキシ基をアセタールまたはケタールで同時に保護する場合には、適当なアルデヒドまたはケトンを酸存在下で化合物（ＩＩＩ）と反応させる方法が好適に用いられる。これにより、Ｇ１およびＧ２が互いに結合して環を形成している保護基を導入できる。
【０１０２】
Ｇ１およびＧ２が互いに結合して環を形成している場合、化合物（ＩＶ）は、例えば、下記一般式（ＩＶａ）で表すことができる。
【０１０３】
【化１５】
0005869006.tif 000016
【０１０４】
式（ＩＶａ）中、Ｘ、ｍ、Ｙ１およびＹ２は、それぞれ式（Ｖａ）中のＸ、ｍ、Ｙ１およびＹ２と同一である。
【０１０５】
２つのヒドロキシ基をアセタールまたはケタールで同時に保護する場合において、例えば導入される保護基がイソプロピリデンケタールである場合には、酸存在下、溶媒中で化合物（ＩＩＩ）とアセトンまたはアセトンジメチルアセタールとを反応させることが好ましい。この場合の酸としては、塩酸、リン酸および硫酸等の無機酸、ならびにｐ−トルエンスルホン酸およびトリフルオロ酢酸等の有機酸を用いることができる。
【０１０６】
化合物（ＩＩＩ）に対するアセトンジメチルアセタールの使用量は、例えば０．５倍モル〜５０倍モルであり、０．８倍モル〜１０倍モルであることが好ましい。化合物（ＩＩＩ）に対する酸の使用量は、例えば０倍モル〜１００倍モル（ただし０倍モルは除く）であり、０．００１倍モル〜５０倍モルであることが好ましい。
【０１０７】
なお、工程３で得られる化合物（ＩＶ）は、新規な化合物である。そのため、本発明はまた、化合物（ＩＶ）およびその製造方法を提供する。
【０１０８】
（工程４：脱ヒドロキシメチル化工程）
工程４は、化合物（ＩＶ）を塩基性条件下で脱ヒドロキシメチル化して化合物（Ｖ）を得る工程である。
【０１０９】
工程４における反応は、塩基存在下、溶媒中で好適に行うことができる。塩基としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウムおよび炭酸水素カリウム等のアルカリ金属の炭酸塩；炭酸カルシウムおよび炭酸バリウム等のアルカリ土類金属の炭酸塩；水酸化ナトリウムおよび水酸化カリウム等のアルカリ金属の水酸化物；リチウム、ナトリウムおよびカリウム等のアルカリ金属；ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシドおよびカリウムｔ−ブトキシド等のアルカリ金属のアルコキシド；水素化ナトリウム、水素化カリウムおよび水素化リチウム等のアルカリ金属水素化合物；ｎ−ブチルリチウム等のアルカリ金属の有機金属化合物；リチウムジイソプロピルアミド等のアルカリ金属アミド類；ならびにトリエチルアミン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリンおよび１，８−ジアザビシクロ−７−［５．４．０］ウンデセン等の有機アミン類等が挙げられる。化合物（ＩＶ）に対する塩基の使用量は、例えば０．０１倍モル〜２００倍モルであり、０．１倍モル〜１００倍モルであることが好ましい。
【０１１０】
工程４における溶媒としては、水等を用いることができる。
【０１１１】
反応温度は、例えば−５０℃〜還流点であり、０℃〜還流点であることが好ましい。反応時間は、例えば０．１時間〜１０日であり、０．２時間〜数日であることが好ましい。
【０１１２】
上記で得られた化合物（Ｖ）は、例えば、特許文献１に記載された農園芸用薬剤および工業用材料保護剤の有効成分であるアゾール誘導体の合成に好適に用いられる。化合物（Ｖ）からのアゾール誘導体の具体的な製造は、特許文献１に記載の方法に準じて行うことが可能である。
【０１１３】
（まとめ）
本発明に係るシクロペンタノン誘導体の製造方法において、化合物（ＩＩ）をホルムアルデヒドまたはホルムアルデヒド誘導体と反応させることにより、化合物（ＩＩＩ）を得る工程をさらに含むことが好ましい。
【０１１４】
本発明に係るシクロペンタノン誘導体の製造方法において、化合物（ＩＩＩ）の一部のヒドロキシ基を、酸性条件下で解離する保護基によって保護して、化合物（ＩＶ）を得る工程をさらに含むことが好ましい。
【０１１５】
本発明に係るシクロペンタノン誘導体の製造方法において、化合物（ＩＶ）を塩基性条件下で脱ヒドロキシメチル化して、化合物（Ｖ）を得る工程をさらに含むことが好ましい。
【０１１６】
また、本発明の製造方法において、化合物（Ｖ）が、化合物（Ｖａ）であることが好ましい場合がある。
【０１１７】
式（Ｖａ）において、Ｙ１およびＹ２は、独立に、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基であることがより好ましい。
【０１１８】
式（Ｖａ）において、Ｙ１およびＹ２は、何れもメチル基であることがさらに好ましい。
【０１１９】
また、本発明の製造方法において、化合物（Ｖ）が、化合物（Ｖｂ）であることが好ましい場合がある。
【０１２０】
また、本発明の製造方法において、式（Ｖ）中、ｍは０〜３の整数であり、ｍが１以上である場合、Ｘはハロゲン原子、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のハロアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基または炭素数１〜３のハロアルコキシ基であることが好ましい。
【０１２１】
本発明の製造方法において、式（Ｖ）中、ｍは０〜２の整数であり、ｍが１または２である場合、Ｘはハロゲン原子であることがより好ましい。
【０１２２】
以下に実施例を示し、本発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。もちろん、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、細部については様々な態様が可能であることはいうまでもない。さらに、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、それぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。また、本明細書中に記載された文献の全てが参考として援用される。
【実施例】
【０１２３】
本実施例では、下記に示す反応スキーム３にしたがって、１−（４−クロロベンジル）−２−オキソシクロペンタンカルボン酸メチルエステル（化合物（１））から２−（４−クロロベンジル）−８，８−ジメチル−７，９−ジオキサスピロ[４，５]デカン−１−オン（化合物（５））を合成した。さらに化合物（５）から５−（４−クロロベンジル）−２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−１−（１Ｈ−１，２，４−トリアゾール−１−イルメチル）シクロペンタノール（化合物（７））を合成した。【０１２４】
【化１６】
0005869006.tif 000017
【０１２５】
＜製造例：化合物（５）の合成＞
（１）２−（４−クロロベンジル）−シクロペンタノン（化合物（２））の合成
化合物（１）（１．００ｇ）にｐ−トルエンスルホン酸一水和物（３．５７ｍｇ）および水（２７７μｌ）を加え、１１０℃で３時間撹拌した。反応終了後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加えてしばらく撹拌した後、これを酢酸エチルで抽出した。さらに、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、次いで飽和食塩水で洗浄した後、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去して残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的物（化合物（２））７８３ｍｇを無色油状物として得た。
収量：７８３ｍｇ
収率：１００％
1H-NMR(400MHz,CDCl3):δ=
1.47-1.57(1H, m), 1.68-1.80(1H, m), 1.92-2.00(1H, m), 2.04-2.13(2H, m), 2.28-2.38(2H, m), 2.54(1H, dd, J=14.0, 9.1Hz), 3.09(1H, dd, J=14.0, 4.3Hz), 7.08-7.11(2H, m), 7.23-7.25(2H, m).
（２）２−（４−クロロベンジル）−２，５，５−トリスヒドロキシメチル−シクロペンタノン（化合物（３））の合成
化合物（２）（３．０１ｇ）をトリエチルアミン（３．０１ｍｌ）に溶解した。次いで、３７％ホルムアルデヒド水溶液（４．３４ｍｌ）を加え、５０℃で３．５時間撹拌した。そこに水（６ｍｌ）、次いで濃塩酸（３ｍｌ）をゆっくり加え、室温で終夜撹拌した。反応終了後、これを酢酸エチルで抽出し、水、次いで飽和食塩水で洗浄した後、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去し、目的物（化合物（３））４．７８ｇを無色結晶として得た。
粗収量：４．７８ｇ
粗収率：１００％
1H-NMR(400MHz,CDCl3):δ=
1.61-1.70(1H, m), 1.90-1.98(3H, m), 2.16-2.19(1H, m), 2.41-2.44(1H, m), 2.52-2.55(1H, m), 2.68(1H, d, J=13.4Hz), 2.84(1H, d, J=13.4Hz), 3.34-3.43(2H, m), 3.53(1H, dd, J=10.8, 4.2Hz), 3.65-3.69(2H, m), 3.81(1H, dd, J=10.9, 5.4Hz), 7.06-7.09(2H, m), 7.24-7.27(2H, m).
（３）２−（４−クロロベンジル）−２−ヒドロキシメチル−８，８−ジメチル−７，９−ジオキサスピロ［４，５］デカン−１−オン（化合物（４））の合成
化合物（３）（４．７８ｇ）をアセトンジメチルアセタール（９．８０ｍｌ）とアセトン（２ｍｌ）との混合液に溶解した。次いで、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物（７６．１ｍｇ）を加え、室温で終夜撹拌した。反応終了後、炭酸水素ナトリウム（５３．８ｍｇ）を加えてしばらく撹拌し、半量になるまで溶媒を留去した。さらにそこに水を加えしばらく撹拌した。これをトルエンで抽出し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、次いで飽和食塩水で洗浄した後、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去して残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的物（化合物（４））３．１２ｇを無色結晶として得た。
収量：３．１２ｇ
収率：６３．９％（化合物（２）からの収率）
1H-NMR(400MHz,CDCl3):δ=
1.34(3H, s), 1.46(3H, s), 1.70-1.77(1H, m), 1.87-1.97(3H, m), 2.14-2.20(1H, m), 2.61(1H, d, J=13.3Hz), 2.84(1H, d, J=13.3Hz), 2.97(1H, dd, J=11.4, 2.6Hz), 3.47(1H, dd, J=10.8, 3.8Hz), 3.53(1H, dd, J=11.4, 2.6Hz), 3.63(1H, dd, J=10.8, 7.5Hz), 3.82(1H, d, J=11.4Hz), 3.91(1H, d, J=11.4Hz), 7.01-7.04(2H, m), 7.22-7.26(2H, m).
（４）化合物（５）の合成
化合物（４）（１０３ｍｇ）をトルエン（１ｍｌ）に溶解した。次いで、２５％水酸化ナトリウム水溶液（３ｍｌ）を加え、１２０℃で３時間撹拌した。反応終了後、水を加えてしばらく撹拌した後、これをトルエンで抽出した。さらに、飽和食塩水で洗浄した後、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去して残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的物（化合物（５））９０．９ｍｇを無色結晶として得た。
収量：９０．９ｍｇ
収率：９６．８％
1H-NMR(400MHz,CDCl3):δ=
1.38(3H, s), 1.49(3H, s), 1.49-1.59(1H, m), 1.80-1.88(1H, m), 2.04-2.12(1H, m), 2.39-2.50(2H, m), 2.60(1H, dd, J=13.9, 8.4Hz), 3.00(1H, dd, J=13.9, 4.5Hz), 3.24(1H, dd, J=11.4, 2.6Hz), 3.47(1H, dd, J=11.4, 2.6Hz), 3.78(1H, dd, J=11.4, 1.6Hz), 4.06(1H, d, J=11.4Hz), 7.04-7.07(2H, m), 7.22-7.25(2H, m).
＜参考製造例：化合物（７）の合成＞
（１）２−（４−クロロベンジル）−８，８−ジメチル−１−（１Ｈ−１，２，４−トリアゾール−１−イルメチル）−７，９−ジオキサスピロ［４，５］デカン−１−オール（化合物（６））の合成
まず、ＮａＨ（０．９１ｇ（ｃａ．６０％ ｉｎ ｍｉｎｅｒａｌ ｏｉｌ），０．０２２８ｍｏｌ）をＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）（８ｍｌ）に懸濁した後、１，２，４−トリアゾール（１．６７ｇ）を加え、０．５時間撹拌してナトリウム塩を生成させた。次いで、化合物（５）（５．００ｇ）を加えた。これを約９０℃（バス温）に昇温した後、トリメチルスルホキソニウムブロミド（ＴＭＳＯＢ）（４．２０ｇ）およびｔ−ＢｕＯＮａ（０．７７ｇ）を間欠的に１．５時間かけて添加し、その後１．５時間反応させた。さらにこの反応液を約１２５℃（バス温）に昇温して、１時間反応させた後、反応液に飽和塩化アンモニウムおよび水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を留去し、粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的物（化合物（６））をシス体：トランス体＝９３：７の異性体混合物として得た。
収量：４．６８ｇ
収率：７４．３％
シス体
1H-NMR(CDCl3)δ＝
1.37(3H,s),1.49(3H,s),1.53-1.57(1H,m),1.83-1.88(1H,m),2.04-2.10(1H,m),2.39-2.50(2H,m),2.60(1H,dd,J=14.0,8.4Hz),3.00(1H,dd,J=14.0,4.4Hz),3.24(1H,dd,J=11.4,2.6Hz),3.47(1H,dd,J=11.4,2.6Hz),3.78(1H,dd,J=11.4,2.0Hz),4.14(1H,d,J=11.4Hz),7.02-7.10(2H,m),7.21-7.27(2H,m).
トランス体
1H-NMR(CDCl3)δ＝
1.22-1.60(3H,m), 1.38(3H,s),1.4７(3H,s),1.65-1.80(1H,m),2.10-2.21(2H,m),2.72-2.86(1H,m),3.67(1H,d,J=12.0Hz),3.75(1H,d,J=12.5Hz),3.97(1H,dd,J=12.5,2.5Hz),4.25(1H,dd,J=12.0,2.5Hz), 4.65-4.75(3H,m),6.90(2H,d,J=8.3Hz), 7.13-7.23(3H,m),8.00(1H,s).8.39(1H,s).
（２）化合物（７）の合成
化合物（６）（８．９８ｇ）をメタノール（３０ｍｌ）と６Ｎ塩酸水溶液（４０ｍｌ）との混合液に溶解し、室温で４時間撹拌した。これに水を加えた後、炭酸ナトリウムおよび重曹で中和した。次いで、酢酸エチルで抽出した後、有機層を飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を留去し、目的物（化合物（７））を異性体混合物として得た。
収量：７．９６ｇ
収率：９８．７％
シス体（トランス体は省略）
1H-NMR(CDCl3)δ=
1.20-1.25(1H,m),1.43-1.61(5H,m),2.05-2.15(2H,m),2.40-2.48(1H,m),3.63(1H,d,J=11.2Hz),3.75(1H,d,J=14.0Hz),3.77(1H,d,J=14.0Hz),3.86(1H,d,J=11.2Hz),4.45(1H,d,J=14.3Hz),4.75(1H,d,J=14.3Hz),4.84(1H,brs),6.97(2H,d,J=8.4Hz),7.20(2H,d,J=8.4Hz),8.00(1H,s),8.24(1H,s).
【産業上の利用可能性】
【０１２６】
本発明は、農薬等の原料となるヒドロキシ基が保護された２−ベンジル−５，５−ビス（ヒドロキシメチル）−シクロペンタノン誘導体の製造に利用可能である。