【事件の表示】
　特許第６０３１５５９号発明「透明導電性フィルムおよびその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６０３１５５９号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔３−６〕について訂正することを認める。
　特許第６０３１５５９号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６０３１５５９号の請求項１乃至６に係る特許についての出願は、平成２３年３月８日（優先権主張平成２２年１２月２７日）に出願された特願２０１１−５０４６９号の一部を平成２７年６月１５日に新たな特許出願としたものであって、平成２８年１０月２８日にその特許権の設定登録がされ、その後、その特許について、平成２９年５月１８日に特許異議申立人岩崎勇（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがされ、平成２９年８月２９日付けで取消理由が通知され、その指定期間内である平成２９年１０月３０日に意見書の提出及び訂正の請求があり、その訂正の請求に対して申立人から平成２９年１２月１９日付けで意見書が提出されたものである。
第２　訂正の適否についての判断
１．訂正の内容
　本件訂正の請求による訂正（以下、「本件訂正」という。）の内容は、特許請求の範囲の請求項３に係る「前記非晶質透明導電層を加熱して、透明導電層の膜厚が１０〜１００ｎｍである結晶性のインジウム・スズ複合酸化物に転化する熱処理工程」を「前記非晶質透明導電層を
タッチパネルの形成前に
２．訂正の目的の適否、一群の請求項、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　上記訂正事項に関連する記載として、明細書の発明の詳細な説明には、段落【００６８】に、「上記のような本発明の透明導電性フィルムは、各種装置の透明電極や、タッチパネルの形成に好適に用いられる。」、段落【００３２】に、「（アモルファスＩＴＯ膜の形成）アモルファスＩＴＯ膜は気相法によって形成される。気相法としては、電子ビーム蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法等があげられるが、均一な薄膜が得られる点からスパッタ法が好ましく、ＤＣマグネトロンスパッタ法を好適に採用し得る。なお、「アモルファスＩＴＯ」とは、完全に非晶質であるものに限られず、少量の結晶成分を有していてもよい。」、段落【００９８】に、「（ＩＴＯ膜の結晶化）上記の積層体から３００ｍｍ四方の枚葉体を切り出し、２００℃の加熱槽内で１時間加熱して、ＩＴＯ膜の結晶化を行い、結晶性ＩＴＯ膜を有する透明導電性フィルムを得た。」、段落【００７８】に、「＜重荷重ペン打点耐久性＞（タッチパネルの作製）透明導電性フィルムを、ＭＤ方向を長辺とする６０ｍｍ×１４０ｍｍの長方形に切り出した。その両短辺上に銀ペーストを幅５ｍｍでスクリーン印刷し、室温で２４時間乾燥して、銀電極を形成した。銀電極が形成された透明導電性フィルムとガラス２１上に表面粗さＲａ＝０．９ｎｍのＩＴＯ膜２２が形成されたＩＴＯ導電ガラス（日本曹達製）とを、厚み１８０μｍのスペーサ８を介してＩＴＯ形成面同士が対向するように配置して、図５に模式的に示すようなタッチパネルを作製した。」と記載されている。
　これらの記載から、発明の詳細な説明には、加熱処理によりＩＴＯ膜が結晶化された透明導電性フィルムを得、該透明導電性フィルムを用いてタッチパネルを作製すること、すなわち、「非晶質透明導電層を
タッチパネルの形成前に
　したがって、本件訂正は、明細書に記載された事項の範囲内において、「熱処理工程」を限定したものといえるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　そして、これら訂正は一群の請求項３−６に対して請求されたものである。
３．小括
　以上のとおりであるから、本件訂正は特許法第１２０条の５第２項第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項、及び、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項、第６項の規定に適合するので、訂正後の請求項〔３−６〕について訂正を認める。
第３　特許異議の申立てについて
１．本件発明
　本件訂正請求により訂正された訂正請求項１乃至６に係る発明（以下、「本件発明１」−「本件発明６」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１−６に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】
　可撓性透明基材、および可撓性透明基材上に形成された結晶性のインジウム・スズ複合酸化物からなる透明導電層を備え、
　前記可撓性透明基材は、ポリエステル系樹脂を含有する透明基体フィルムを含み、
　前記透明導電層の膜厚は、１０〜１００ｎｍであり、
　前記透明導電層は、加熱により結晶化されたものであり、面内の少なくとも一方向における結晶化前に対する寸法変化が、−０．３％〜−１．５％であり、
　前記透明導電層の圧縮残留応力が０．４〜２ＧＰａであり、
　前記透明導電層の膜面において、最大粒径が３００ｎｍ以下の結晶含有量が、９５面積％以上である、透明導電性フィルム。
【請求項２】
　前記透明導電層の膜厚は、１０〜２０ｎｍである、請求項１に記載の透明導電性フィルム。
【請求項３】
　可撓性透明基材、および可撓性透明基材上に形成された結晶性のインジウム・スズ複合酸化物からなる透明導電層を有する透明導電性フィルムの製造方法であって、
　可撓性透明基材を準備する基材準備工程、
　可撓性透明基材上に、非晶質のインジウム・スズ複合酸化物からなる非晶質透明導電層を形成する製膜工程、および
　前記非晶質透明導電層をタッチパネルの形成前に加熱して、透明導電層の膜厚が１０〜１００ｎｍである結晶性のインジウム・スズ複合酸化物に転化する熱処理工程、を有し、
　前記基材準備工程において、前記可撓性透明基材は、ポリエステル系樹脂を含有する透明基体フィルムを含み、
　前記熱処理工程において、透明導電層を面内の少なくとも一方向における寸法変化が−０．３％〜−１．５％となるように圧縮し、
　前記熱処理工程において、少なくとも面内の一方向において透明導電層に圧縮応力が付与され、
　前記熱処理工程でえられる透明導電層の膜面において、最大粒径が３００ｎｍ以下の結晶含有量が、９５面積％以上であることを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項４】
　前記熱処理工程において、前記透明導電層の膜厚は、１０〜２０ｎｍである、請求項３に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項５】
　前記圧縮応力の付与によって、結晶性透明導電層の圧縮残留応力を０．４〜２ＧＰａとすることを特徴とする、請求項３または４に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項６】
　前記熱処理工程における加熱温度が１５０℃〜２１０℃であり、加熱時間が１５０分以下である、請求項３〜５のいずれか１項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。」
　なお、本件発明１乃至６は、いずれも、「透明導電層の膜面において、最大粒径が３００ｎｍ以下の結晶含有量が、９５面積％以上である」との発明特定事項を有する発明であるが、該発明特定事項を有する発明は、本件特許についての出願の原出願である特願２０１１−５０４６９号の優先権の主張の基礎とされた先の出願である特願２０１０−２９０４９９号の明細書、特許請求の範囲又は図面には記載されていないから、本件発明１乃至６についての当該優先権の主張は認められない。
２．取消理由の概要
　訂正前の請求項１乃至４に係る特許に対して平成２９年８月２９日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
（１）請求項３、４に係る発明は、甲第３号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、請求項３、４に係る特許は、取り消すべきものである。
（２）請求項３、４に係る発明は、甲第３号証に記載された発明及び甲第４号証〜甲第６号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、請求項３、４に係る特許は、取り消すべきものである。
（３）請求項１、２に係る発明における「前記透明導電層は、加熱により結晶化されたものであり、面内の少なくとも一方向における結晶化前に対する寸法変化が、−０．３％〜−１．５％であり」との発明特定事項は明確でないから、請求項１、２に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消すべきものである。
３．甲号証の記載
（１）甲第３号証
　本件特許についての出願の原出願の出願日である平成２３年３月８日前に頒布された刊行物である甲第３号証（特開２０１１−２８９４５号公報）には、以下の技術事項が記載されている。
「【０００１】
　本発明は、透明プラスチックフィルム基材上に酸化インジウムを主とした透明導電膜をスパッタリング法により積層した透明導電性フィルム、特にペン入力用タッチパネルに用いた際にペン摺動耐久性に優れるとともにタッチパネルの上部電極として使用する際などにおいて平面性の良好なものが得られる透明導電性フィルムに関するものである。」
「【０００８】
　本発明の目的は、上記の従来の問題点に鑑み、タッチパネルに用いた際のペン摺動耐久性に優れ、特にポリアセタール製のペンを使用し、５．０Ｎの荷重で３０万回の摺動試験後でも透明導電性薄膜が破壊されない透明導電性フィルムを産業上利用できる手段で提供するとともに、適度な熱収縮率を透明導電性フィルムに持たせることによって大型のタッチパネルの上部電極として使用する際などにおいて熱処理で適度に収縮させて平面性の良好ものに仕上げることができる透明導電性フィルムを提供することにある。」
「【００２１】
　本発明の透明導電性フィルムを得るためには以下の方法〔１〕、〔２〕、〔３〕が望ましい。
〔１〕透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面に酸化インジウムの均一性の高い結晶粒を主とした透明導電膜が積層された透明導電性フィルムを成膜するには、カソードと「フィルムから一番近いアノード」（ただしフィルムを走行させるロールは除く）の間の距離に対するフィルムと「フィルムから一番近いアノード」の間の距離の比が０．０７以上であることが望ましい。フィルムとカソードと「フィルムから一番近いアノード」の配置に関しては、図１参照。カソードと「フィルムから一番近いアノード」の間の距離に対するフィルムと「フィルムから一番近いアノード」の間の距離の比が０．０７より小さいと、フィルムへのイオン照射量が多くなるため、フィルムから有機成分が多く揮発し、均一な結晶粒の形成が阻害される。
【００２２】
〔２〕透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面に酸化インジウムの均一性の高い結晶粒を主とした透明導電膜が積層された透明導電性フィルムを成膜するには、真空状態にしたときにフィルムが巻き締まりにくくすることが望ましい。具体的には、フィルムに保護フィルムを貼り合わせる、フィルムにナールをつける、フィルムを５０〜１００Ｎ／ｍといった弱い力で巻くことなどが望ましい。ただし、フィルムを５０Ｎ／ｍ未満で巻くとフィルムを運ぶときに巻きズレが生じるので適さない。フィルムが巻き締まってしまうと、フィルム内部から有機成分が抜けていく箇所が少なくなってしまうので、透明導電膜を成膜するときに、フィルムから有機成分が多く揮発するため、透明導電膜の結晶粒が不均一になる。
【００２３】
〔３〕透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面に酸化インジウムの均一性の高い結晶粒を主とした透明導電膜が積層された透明導電性フィルムを成膜するには、透明導電膜を成膜する前に、フィルムをボンバード工程に通すことが望ましい。ボンバード工程とは、アルゴンガスなどの不活性ガスだけ、もしくは、酸素などの反応性ガスと不活性ガスの混合ガスを流した状態で、電圧を印加し放電を行い、プラズマを発生させることである。具体的には、ＳＵＳターゲットなどでＲＦスパッタリングにより、フィルムをボンバードすることが望ましい。ボンバード工程によりフィルムがプラズマにさらされるため、フィルムから有機成分が揮発し、透明導電膜を成膜するときにフィルムから揮発する有機成分が減少するため、透明導電膜の結晶粒サイズの均一性が増加し、ペン摺動性を向上させる。」
 
「【００５３】
（４）透明導電膜の酸化インジウムの結晶粒径及び平均結晶粒径
　上記透過型電子顕微鏡下で透明導電膜層に観察される多角形状の領域を酸化インジウムの結晶粒とし、結晶粒の面積を出し、結晶粒の面積を円周率πで割った値の平方根を２倍した値を結晶粒径とした。
　上記透過型電子顕微鏡下で観察・写真撮影された透明導電膜の酸化インジウムの結晶粒について、すべての結晶粒径を算出し、すべての結晶粒径の平均値を平均結晶粒径とした。
【００５４】
（５）透明導電膜の結晶質部に対する非晶質部の比
　上記透過型電子顕微鏡下で透明導電膜層に観察・写真撮影された酸化インジウムのすべての結晶粒について面積を出し、観察・写真撮影した面積との差を非晶質部の面積として、結晶質部に対する非晶質部の比を算出した。
【００５５】
（６）結晶粒径の変動係数
　透過型電子顕微鏡下で透明導電膜層に観察されるすべての酸化インジウムの結晶粒径を算出し、それらから平均結晶粒径、標準偏差を計算する。標準偏差を平均結晶粒径で割った値を変動係数とする。
【００５６】
（７）透明導電膜の厚み（膜厚）
　透明導電性薄膜層を積層したフィルム試料片を１ｍｍ×１０ｍｍの大きさに切り出し、電子顕微鏡用エポキシ樹脂に包埋した。これをウルトラミクロトームの試料ホルダに固定し、包埋した試料片の短辺に平行な断面薄切片を作製した。次いで、この切片の薄膜の著しい損傷がない部位において、透過型電子顕微鏡（ＪＥＯＬ社製、ＪＥＭ−２０１０）を用い、加速電圧２００ｋＶ、明視野で観察倍率１万倍にて写真撮影を行って得られた写真から膜厚を求めた。
【００５７】
（９）透明導電性フィルムの収縮率測定
　ＪＩＳ　Ｃ　２１５１に準拠し、熱処理前の寸法Ａと、１２０±３℃に保たれた恒温槽中に６０分放置後の寸法Ｂを画像測定器（ミツトヨ社製：ＱＳ−Ｌ１０２０Ｚ／ＡＦ）で測定して、下記式により収縮率Ｈを算出した。
　　　Ｈ（％）＝（Ａ−Ｂ）／Ａ×１００
　透明導電性フィルムの流れ方向および幅方向にサンプリング（２０ｍｍ×１５０ｍｍ）を行い、透明導電性フィルムの流れ方向の１２０℃６０分における収縮率ＨＭＤと、透明導電性フィルムの幅方向の１２０℃６０分における収縮率ＨＴＤを測定した。」
「【００６０】
〔実施例１〜１３〕
　透明プラスチックフィルム基材は、両面に易接着層を有する二軸配向透明ＰＥＴフィルム（東洋紡績社製、Ａ４３４０、厚み１８８μｍ）を用いた。硬化型樹脂硬化層として、光重合開始剤含有アクリル系樹脂（大日精化工業社製、セイカビームＥＸＦ−０１Ｊ）１００質量部に、共重合ポリエステル樹脂（東洋紡績社製、バイロン２００、重量平均分子量１８，０００）を３質量部配合し、溶剤としてトルエン／ＭＥＫ（８／２：質量比）の混合溶媒を、固形分濃度が５０質量％になるように加え、撹拌して均一に溶解し塗布液を調製した。二軸配向透明ＰＥＴフィルムの両面に塗膜の厚みが５μｍになるように、調製した塗布液をマイヤーバーを用いて塗布した。７０℃で１分間乾燥を行った後、紫外線照射装置（アイグラフィックス社製、ＵＢ０４２−５ＡＭ−Ｗ型）を用いて紫外線を照射（光量：３００ｍＪ／ｃｍ２）し、塗膜を硬化させた。
【００６１】
　透明導電性フィルムを得る手法は上記の〔１〕〜〔３〕の方法を採用している。
　これらの実施例における透明導電膜作製条件は表１に記載した。また、各実施例において共通の作製条件は以下の通り。
　真空槽にフィルムを投入し、２．０×１０−４Ｐａまで真空引きをした。次に、酸素分圧が１．５×１０−２Ｐａになるように酸素を導入し、その後不活性ガスとしてアルゴンを導入し全圧を０．５Ｐａにした。実施例７のボンバード工程における導入ガスも、前記と同じである。
　酸化スズを含む酸化インジウム焼結ターゲット、あるいは酸化スズを含まない酸化インジウム焼結ターゲットに１Ｗ／ｃｍ２の電力密度で電力を投入し、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、透明導電膜を成膜した。膜厚についてはフィルムがターゲット上を通過するときの速度を変えて制御した。また、スパッタリング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する質量数２８のガス分圧の比については、ガス分析装置（インフィコン社製、トランスペクターＸＰＲ３）を用いて測定した。
【００６２】
　まず上記方法で作製した透明導電性フィルムの収縮率を測定した。
　以上のようにして得られた透明導電性フィルムを一方のパネル板として用い、他方のパネル板として、ガラス基板上にプラズマＣＶＤ法で厚み２０ｎｍのインジウム−スズ複合酸化物薄膜（酸化スズ含有量：１０質量％）からなる透明導電性薄膜（日本曹達社製、Ｓ５００）を成膜した透明導電性ガラスを用いて、この２枚のパネル板（２５０ｍｍ×１９０ｍｍ）を透明導電性薄膜が対向するように、直径３０μｍのエポキシビーズを介して配置し、パネル板の４辺を両面テープ（日東電工社製：Ｎｏ．５００）を用いて貼り合せて、１２インチサイズのタッチパネルを作製した。この後、平面性を向上させるためにタッチパネルを１２０℃６０分の熱処理を行った。
　このタッチパネルを用いてペン摺動耐久性試験およびタッチパネルの平面性を評価した。
さらにタッチパネルから透明導電性フィルムを切り出して、透明導電膜の酸化インジウムの平均結晶粒径、結晶質部に対する非晶質部の比、結晶粒径の変動係数、透明導電性フィルムの全光線透過率、表面抵抗値、透明導電膜の膜厚の測定を行った。」
「【００６９】
【表２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　以上の記載によれば、甲第３号証には、透明導電性フィルムの製造方法について記載され、これについて次の事項が把握できる。
　段落【００２１】−【００２３】の記載によれば、上記方法は、透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面に酸化インジウムの透明導電膜を成膜するものであり、また、段落【００６０】の記載によれば、上記透明プラスチックフィルム基材は、ＰＥＴフィルムを用いたものであり、段落【００６１】及び段落【００６９】の【表２】の記載によれば、上記酸化インジウムは酸化スズを含むものであり、上記成膜は、ＤＣマグネトロンスパッタリング法による成膜である。
　さらに、段落【００６２】の記載によれば、上記方法は、上記ＤＣマグネトロンスパッタリング法で作製した透明導電性フィルムの収縮率を測定し、得られた透明導電性フィルムを一方のパネル板として用い、他方のパネル板として、ガラス基板上にプラズマＣＶＤ法で厚み２０ｎｍのインジウム−スズ複合酸化物薄膜（酸化スズ含有量：１０質量％）からなる透明導電性薄膜（日本曹達社製、Ｓ５００）を成膜した透明導電性ガラスを用いて、この２枚のパネル板（２５０ｍｍ×１９０ｍｍ）を透明導電性薄膜が対向するように、直径３０μｍのエポキシビーズを介して配置し、パネル板の４辺を両面テープ（日東電工社製：Ｎｏ．５００）を用いて貼り合せて、１２インチサイズのタッチパネルを作製し、平面性を向上させるためにタッチパネルを１２０℃６０分の熱処理を行い、このタッチパネルを用いてペン摺動耐久性試験、タッチパネルの平面性の評価を行い、さらにタッチパネルから透明導電性フィルムを切り出して、透明導電膜の酸化インジウムの平均結晶粒径、結晶質部に対する非晶質部の比、結晶粒径の変動係数、透明導電性フィルムの全光線透過率、表面抵抗値、透明導電膜の膜厚の測定を行い、その結果、段落【００５３】−【００５７】の記載、および、段落【００６９】の【表２】の実施例１０によれば、製造された透明導電性フィルムは、透明導電膜の膜厚が２０ｎｍ、透明導電性フィルムの流れ方向の１２０℃６０分における収縮率ＨＭＤが０．５１％、平均結晶粒径が３５ｎｍ、結晶質部に対する非結晶質部の比が０．０２、結晶粒径の変動係数が０．１７のものである。
　したがって、甲第３号証には、次の発明（以下、「甲３発明」という。）が記載されていると認められる。
［甲３発明］
「ＰＥＴフィルムを用いた透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面に、酸化スズを含む酸化インジウムの透明導電膜をＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜する透明導電性フィルムの製造方法であって、
　上記ＤＣマグネトロンスパッタリング法で作製した透明導電性フィルムの収縮率を測定し、得られた透明導電性フィルムを一方のパネル板として用い、他方のパネル板として、ガラス基板上にプラズマＣＶＤ法で厚み２０ｎｍのインジウム−スズ複合酸化物薄膜（酸化スズ含有量：１０質量％）からなる透明導電性薄膜（日本曹達社製、Ｓ５００）を成膜した透明導電性ガラスを用いて、この２枚のパネル板（２５０ｍｍ×１９０ｍｍ）を透明導電性薄膜が対向するように、直径３０μｍのエポキシビーズを介して配置し、パネル板の４辺を両面テープ（日東電工社製：Ｎｏ．５００）を用いて貼り合せて、１２インチサイズのタッチパネルを作製し、平面性を向上させるためにタッチパネルを１２０℃６０分の熱処理を行い、このタッチパネルを用いてペン摺動耐久性試験、タッチパネルの平面性の評価を行い、さらにタッチパネルから透明導電性フィルムを切り出して、透明導電膜の酸化インジウムの平均結晶粒径、結晶質部に対する非晶質部の比、結晶粒径の変動係数、透明導電性フィルムの全光線透過率、表面抵抗値、透明導電膜の膜厚の測定を行った結果、製造された透明導電性フィルムは、透明導電膜の膜厚が２０ｎｍ、透明導電性フィルムの流れ方向の１２０℃６０分における収縮率ＨＭＤが０．５１％、平均結晶粒径が３５ｎｍ、結晶質部に対する非結晶質部の比が０．０２、結晶粒径の変動係数が０．１７のものである、透明導電性フィルムの製造方法。」
（２）甲第４号証〜甲第６号証
　本件特許についての出願の原出願の出願日である平成２３年３月８日前に頒布された刊行物である甲第４号証〜甲第６号証には、次の技術事項が記載されている。
［甲第４号証］
「１．有機高分子成型物上に主として結晶質のインジウム酸化物からなる透明導電層を形成してなる導電性積層体において、該結晶質のインジウム酸化物の結晶粒径が０．３μｍ以下であることを特徴とする透明導電性積層体。
２．該透明導電層が、先ず、有機高分子成型物上に、主としてインジウム酸化物を含む波長５５０ｎｍの吸光係数が１×１０−３〜２×１０−３［Å−１］、比抵抗が２×１０−２Ωｃｍ以下の層を形成し、次いで該層を酸素雰囲気下の加熱処理により主として結晶質のインジウム酸化物からなる層に転化せしめたものであることを特徴とする請求項１記載の透明導電性積層体。
３．加熱処理温度が１００〜２５０℃である請求項２記載の透明導電性積層体。
３．発明の詳細な説明
［利用分野］
　本発明は導電性積層体に関し、更に詳しくは有機高分子成型物上に主として結晶質のインジウム酸化物からなる透明導電層を形成してなる導電性積層体に関する。」（第１頁左下欄第５行−右下欄第６行）
「本発明はかかる現状に鑑みなされたもので、耐久性及び信頼性に優れた導電性積層体を目的としたものである。」（第２頁左下欄第１５行−第１７行）
「本発明に用いられる主としてインジウム酸化物からなる透明導電性層の膜厚は十分な導電性を得るためには、５０Å以上であることが好ましく、１００Å以上であれば更に好ましい。また、十分に透明度の高い被膜を得るためには、５００Å以下である事が好ましく、４００Å以下がより好ましい。」（第４頁左上欄第１行−第６行）
「［実施例１〜２及び比較例１］
　７５μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムの両面に、有機ケイ素化合物のブタノール、イソプロパノール混合アルコール系溶液（濃度０．６重量％）をバーコーターで塗布し、１４０℃で１分間乾燥した。乾燥後の膜厚は３００Åであった。
　該フィルムを直流マグネトロンスパッタ装置内の基板保持台に固定し、真空度２×１０−５Ｔｏｒｒまで真空槽を排気した。その後、Ａｒ／Ｏ２混合ガス（Ｏ２２５％）を槽内に導入し、真空度を４×１０−３Ｔｏｒｒに保った後、Ｉｎ／Ｓｎ合金（Ｓｎ５重量％）よりなるターゲットを用い反応性スパッタリング法により堆積速度を変えて実施例１〜２及び比較例１のサンプルの吸光係数及び比抵抗を有するインジウム・スズ酸化物膜を形成した。これらのサンプルを１５０℃に保った熱風乾燥器により加熱処理を行なった後、透明導電層の膜構造を透過型電子顕微鏡で調べた。
　また、加熱処理後のサンプルの５５０ｎｍにおける透過率，比抵抗，耐屈曲性および発光層と貼合わせた後の断線の程度を調べた。なお、耐屈曲性は、透明導電層が外側になる様に、直径５φの丸棒の周囲に沿って１０回繰返し変形させて元に戻した後の抵抗値Ｒと変形させる前の抵抗値Ｒ０の比Ｒ／Ｒ０と定義する。
　結果を表１に示す。
　本発明による実施例１，２の透明導電性積層体は耐屈曲性に優れ、発光層と貼合わせた後の断線は皆無であった。」（第５頁左下欄第２行−右下欄第１１行）
［甲第５号証］
「【請求項１】  有機高分子成形物上に非晶質のインジウム−錫酸化物からなる透明導電層を形成し、しかる後に加熱による熱処理によりインジウム−錫酸化物を結晶質に転化させて形成した透明導電性積層体において、熱処理後の結晶質のインジウム−錫酸化物の結晶粒径が１５〜１００ｎｍの範囲であることを特徴とする透明導電性積層体。
【請求項２】  熱処理温度が、１００〜２５０℃であることを特徴とする請求項１記載の透明導電性積層体。
【請求項３】  結晶質のインジウム−錫酸化物層の膜厚が、１０〜５０ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載の透明導電性積層体。」
「【０００６】そこで本発明は、かかる現状に鑑みなされたもので、高分子成形物上に透明導電層を設けたペン入力時の高荷重耐久性（屈曲耐久性）、光線透過率および信頼性の優れた導電性積層体を得ることを目的とする。」
「【００２１】
【実施例１〜２、比較例】１７５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの両面に、有機硅素化合物のブタノール，イソプロパノール混合アルコール水溶液（濃度０．６重量％）をバーコーターで塗布し、１４０℃で１分間乾燥した。乾燥後の膜厚は３０ｎｍであった。このフィルムを直流方式マグネトロンスパッタ装置内の基板保持台に固定し、真空度６．７ｍPaまで真空槽を排気した。その後、Ar／Ｏ２混合ガス（Ar８０％）を槽内に導入し、真空度を０．２７Paに保った後、In／Sn合金（Sn５重量％）よりなるターゲットを用い反応性スパッタリング法により堆積速度を変えて作成した後、１５０℃に保った熱風乾燥機により加熱処理を行い実施例１〜２及び比較例１の結晶粒径を有するインジウム−錫酸化物を形成した。
【００２２】そして得られたサンプルについて、透明導電層の膜構造を透過型電子顕微鏡で調べた。また、サンプルのシート抵抗値を２端子法により測定した。また、このシート抵抗値と膜厚との積より比抵抗を求めた。さらに、５５０ｎｍにおける光線透過率、耐屈曲耐久性、及び耐屈曲耐久性試験後のサンプルの断線の程度を調べた。なお、耐屈曲耐久性は、透明導電層が外側になる様に、φ６ｍｍの丸棒の周囲に沿って１００ｇの荷重をかけ１分間変形させて元に戻した後の抵抗値Ｒと変形させる前の抵抗値Ｒ０の比Ｒ／Ｒ０と定義する。結果を表１に示す。
【００２３】
【実施例３】１７５μｍのポリエチレンテレフタレートフイルムの片面にプライマー塗工（信越化学製  商品名「ＰＣ−７Ａ」）をメチルイソブチルケトンと酢酸ｎブチルが１：１の比で混合された溶媒で希釈した後１３５℃で４分間乾燥させた後、ハードコート材料として日本精化製の商品名「ＮＳＣ−２４５１」をイソプロパノールで希釈して塗工後、１３５℃で３分間乾燥させてハードコート層が形成されたポリエチレンテレフタレートフィルムを得た。プライマー層の膜厚は０．５μｍであり、ハードコート層の膜厚は８μｍであった。
【００２４】かかるポリエチレンテレフタレートフィルムのハードコートが形成されていない面に有機珪素化合物（日本曹達製  商品名「アトロンＮＳｉ」）をイソプロピルアルコールで希釈して塗工し１３０℃で３分間乾燥させて、約５０ｎｍの厚さの下塗り層を形成した。透明導電膜は、実施例１で用いたものと同じスパッタリング装置を用い、真空度６．７ｍPaまで真空槽を排気した後Ar／Ｏ２の混合ガス（Ar９８．５％）を導入し真空度を４．０ｍPaに保持させた後充填度In２Ｏ３／SnＯ２（SnＯ２５mol ％）の酸化物ターゲットに、１．２Ｗ／ｃｍ２の直流電力を投入して反応性スパッタを行い、しかる後真空槽から取り出して大気中で１５０℃に保持した熱風乾燥機にて加熱処理を行い形成した。
【００２５】得られた透明導電フィルムの特性を実施例１と同じ評価方法にて評価を実施した。結果を表１に記す。」
［甲第６号証］
「【請求項１】
　酸化インジウムと酸化スズの合計に対して酸化スズを９重量％以下の割合で含有する酸化インジウム・スズを主成分としてなる結晶性透明導電性薄膜であって、
　当該結晶性透明導電性薄膜は、窒素を０．４５原子％以下の割合で含有することを特徴とする結晶性透明導電性薄膜。
【請求項２】
　請求項１記載の結晶性透明導電性薄膜が、透明フィルム基材の片面に設けられていることを特徴とする透明導電性フィルム。
【請求項３】
　導電性薄膜を有する一対のパネル板を、導電性薄膜同士が対向するようにスペーサを介して対向配置してなるタッチパネルにおいて、パネル板の少なくとも一方が、請求項２記載の透明導電性フィルムからなることを特徴とするタッチパネル。
【請求項４】
　請求項１記載の結晶性透明導電性薄膜の製造方法であって、
　アルゴンガスと窒素ガスを含み、かつ、前記窒素ガスを、アルゴンガスと窒素ガスの合計に対して、３０００ｐｐｍ〜１３０００ｐｐｍの範囲で含むアルゴン雰囲気中において、酸化インジウムと酸化スズとの混合物の焼結体を透明導電性薄膜形成材料に用いて気相法により、酸化インジウムと酸化スズの合計に対して酸化スズを９重量％以下の割合で含有する酸化インジウム・スズを成膜して、透明導電性薄膜を形成する工程、
　および、当該透明導電性薄膜を加熱処理して結晶化する工程、を有することを特徴とする結晶性透明導電性薄膜の製造方法。
【請求項５】
　前記アルゴン雰囲気は、酸素ガスを含有することを特徴とする請求項４記載の結晶性透明導電性薄膜の製造方法。
【請求項６】
　結晶性透明導電性薄膜を、透明フィルム基材の片面に形成することを特徴とする請求項４または５記載の結晶性透明導電性薄膜の製造方法。
【請求項７】
　前記結晶化工程における加熱処理条件が、１３５〜１５５℃で、２．５時間以下であることを特徴とする請求項４〜６のいずれかに記載の結晶性透明導電性薄膜の製造方法。」
「【０００５】
　本発明は、高抵抗値を有し、かつ高温・高湿の環境下における信頼性の良好な結晶性透明導電性薄膜を提供することを目的とする。」
「【００２３】
　また結晶性透明導電性薄膜において、当該薄膜を形成する結晶の最大粒径は３５０ｎｍ以下であることが好ましい。前記最大粒径は２５０ｎｍ以下、さらには１５０ｎｍ以下であることが好ましい。結晶粒径が小さくなりすぎると、前記薄膜中に非結晶状態に類似した部分が多くなり、高温・高湿の環境下における信頼性が低下するため、結晶粒径が極端に小さくなりすぎないようにするのが望ましい。かかる観点から、結晶の最大粒径は、１０ｎｍ以上、さらには、３０ｎｍ以上であるのが好ましい。」
「【００２５】
　本発明の結晶性透明導電性薄膜の膜厚は、厚さが通常１０ｎｍ以上、好適には１０〜３００ｎｍであるのがよい。前記膜厚は、さらには１５〜１００ｎｍ、さらには２０〜７０ｎｍであるのが好ましい。前記膜厚が、厚さが１０ｎｍより薄いと、表面電気抵抗が１×１０３Ω／□以下となる良好な導電性を有する連続被膜となりにくく、厚すぎると、透明性の低下などをきたしやすい。」
「【００３３】
　前記フィルム基材は、その材質に特に限定はなく、適宜なものを使用することができる。具体的には、ポリエステル系樹脂、アセテート系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリフェニレンサルファイド系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、（メタ）アクリル系樹脂などが挙げられる。これらの中でも、特に好ましいものは、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂などである。」
４．対比・判断
（１）取消理由通知に記載した取消理由について
ア．特許法第２９条第１項第３号、第２項について
　本件発明３と甲３発明とを対比する。
　甲３発明の「透明導電性フィルムの製造方法」は、「ＰＥＴフィルムを用いた透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面に、酸化スズを含む酸化インジウムの透明導電膜をスパッタリングにより成膜」して製造するものであり、甲３発明の「ＰＥＴフィルム」、「酸化スズを含む酸化インジウムの透明導電膜」は、それぞれ、本件発明３の「可撓性透明基材」、「結晶性のインジウム・スズ複合酸化物からなる透明導電層」に相当するから、本件発明３と甲３発明とは、「可撓性透明基材、および可撓性透明基材上に形成された結晶性のインジウム・スズ複合酸化物からなる透明導電層を有する透明導電性フィルムの製造方法」である点では一致する。
　甲３発明は、「上記ＤＣマグネトロンスパッタリング法で作製した透明導電性フィルムの収縮率を測定し、得られた透明導電性フィルムを一方のパネル板として用い、・・・タッチパネルを作製し、平面性を向上させるためにタッチパネルを１２０℃６０分の熱処理を行い、・・・タッチパネルから透明導電性フィルムを切り出して、透明導電膜の酸化インジウムの平均結晶粒径、結晶質部に対する非晶質部の比、結晶粒径の変動係数、・・・透明導電膜の膜厚の測定を行った結果、製造された透明導電性フィルムは、透明導電膜の膜厚が２０ｎｍ、透明導電性フィルムの流れ方向の１２０℃６０分における収縮率ＨＭＤが０．５１％、平均結晶粒径が３５ｎｍ、結晶質部に対する非結晶質部の比が０．０２、結晶粒径の変動係数が０．１７」というものである。すなわち、「１２０℃６０分の熱処理」を行うのは、「タッチパネルを作製」した後である。
　したがって、本件発明３と甲３発明とは、少なくとも、次の相違点を有している。
［相違点］
　本件発明３が、「前記非晶質透明導電層をタッチパネルの形成前に加熱して、透明導電層の膜厚が１０〜１００ｎｍである結晶性のインジウム・スズ複合酸化物に転化する熱処理工程」を有し、「前記熱処理工程において、透明導電層を面内の少なくとも一方向における寸法変化が−０．３％〜−１．５％となるように圧縮し、
　前記熱処理工程において、少なくとも面内の一方向において透明導電層に圧縮応力が付与され、
　前記熱処理工程でえられる透明導電層の膜面において、最大粒径が３００ｎｍ以下の結晶含有量が、９５面積％以上である」のに対し、甲３発明は、そのような「熱処理工程」を有さない点。
　この相違点について検討する。
　甲３発明の課題の一つは、明細書の【０００８】の記載によれば、「適度な熱収縮率を透明導電性フィルムに持たせることによって大型のタッチパネルの上部電極として使用する際などにおいて熱処理で適度に収縮させて平面性の良好ものに仕上げることができる透明導電性フィルムを提供すること」であり、熱処理を行って収縮させるのは、透明導電性フィルムがタッチパネルに使用された際であるから、甲３発明において、１２０℃６０分の熱処理を行ってタッチパネルの平面性を向上させるのは、タッチパネルの形成後でなければならないのは明らかである。
　したがって、甲３発明において、タッチパネルを作製した後に行う「１２０℃６０分の熱処理」をタッチパネルの形成前に行うようにすることは当業者が容易に想到し得ることとはいえない。
　また、甲第４〜６号証には、タッチパネルの形成前に熱処理を行うことが記載されており、仮に、甲３発明において、甲第４〜６号証記載のもののように、タッチパネルの形成前に熱処理を行う動機があったとしても、そのような熱処理の工程の結果、「前記熱処理工程において、透明導電層を面内の少なくとも一方向における寸法変化が−０．３％〜−１．５％となるように圧縮し、
　前記熱処理工程において、少なくとも面内の一方向において透明導電層に圧縮応力が付与され、
　前記熱処理工程でえられる透明導電層の膜面において、最大粒径が３００ｎｍ以下の結晶含有量が、９５面積％以上である」ようにすることが当業者が容易に想到し得ることであるといえる証拠はない。
　そして、本件発明３は、上記相違点に係る発明特定事項を備えることにより、明細書記載の「重加重での打点特性に優れ、高い耐屈曲性を備えた透明導電性フィルムが得られる」という効果を奏するものである。
　よって、本件発明３は、甲第３号証に記載された発明であるということも、甲第３号証に記載された発明及び甲第４号証〜甲第６号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。
　また、本件発明４は、本件発明３の特定事項をすべて含み、さらに、「前記熱処理工程において、前記透明電極層の膜圧は、１０〜２０ｎｍである」と限定するものであるから、本件発明３と同じ理由により、甲第３号証に記載された発明であるということも、甲第３号証に記載された発明及び甲第４号証〜甲第６号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。
イ．特許法第３６条第６項第２号について
　透明導電層が加熱により結晶化されることや該結晶化によりその寸法が変化することは周知の技術事項であるが、加熱により結晶化し寸法が変化した透明導電層を、その構造や機能によって直接特定することは困難であり、実際的ともいえないから、不可能・非実際的事情があるものと理解できる。
　そうすると、「前記透明導電層は、加熱により結晶化されたものであり、面内の少なくとも一方向における結晶化前に対する寸法変化が、−０．３％〜−１．５％であり」との特定があることによって、本件発明１、２が不明確となっているとまではいえない。
（２）取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
　申立人は、特許異議申立書において、請求項１、２、５、６に係る発明は、甲第３号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであり、請求項１、２、５、６に係る特許は、取り消されるべきものである旨主張している。
　また、申立人は、特許異議申立書において、請求項１、２、５、６に係る発明は、甲第３号証に記載された発明及び甲第４号証〜甲第６号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、請求項１、２、５、６に係る特許は、取り消されるべきものである旨主張している。
　これらの主張について検討する。
　本件発明１は、「透明導電層の圧縮残留応力が０．４〜２ＧＰａ」である、のに対し、上記甲３発明は、透明導電層の圧縮残留応力については特定されていない点で両者は相違する。
　この相違点に関して、甲第３号証〜甲第６号証のいずれにも、透明導電層の圧縮残留応力について記載乃至示唆されていない。甲第３号証には、透明導電性フィルムの流れ方向の１２０℃６０分における収縮率ＨＭＤについては記載されているが、この収縮率ＨＭＤと圧縮残留応力との関係は不明であり、収縮率ＨＭＤに基づいて圧縮残留応力が０．４〜２ＧＰａという数値が直接導き出せる証拠はない。
　したがって、本件発明１は、甲第３号証に記載された発明であるということも、甲第３号証に記載された発明及び甲第４号証〜甲第６号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。
　本件発明２は、本件発明１の特定事項をすべて含み、さらに限定するものであるから、本件発明１と同じ理由により、甲第３号証に記載された発明であるということも、甲第３号証に記載された発明及び甲第４号証〜甲第６号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。
　本件発明５、６は、本件発明３の特定事項をすべて含み、さらに限定するものであるから、上記（１）ア．で述べた本件発明３と同じ理由により、甲第３号証に記載された発明であるということも、甲第３号証に記載された発明及び甲第４号証〜甲第６号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。
　したがって、申立人の上記主張には理由がない。
第４　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１乃至６に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１乃至６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成３０年３月１４日（２０１８．３．１４）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　可撓性透明基材、および可撓性透明基材上に形成された結晶性のインジウム・スズ複合酸化物からなる透明導電層を備え、
　前記可撓性透明基材は、ポリエステル系樹脂を含有する透明基体フィルムを含み、
　前記透明導電層の膜厚は、１０〜１００ｎｍであり、
　前記透明導電層は、加熱により結晶化されたものであり、面内の少なくとも一方向における結晶化前に対する寸法変化が、−０．３％〜−１．５％であり、
　前記透明導電層の圧縮残留応力が０．４〜２ＧＰａであり、
　前記透明導電層の膜面において、最大粒径が３００ｎｍ以下の結晶含有量が、９５面積％以上である、透明導電性フィルム。
　【請求項２】
　前記透明導電層の膜厚は、１０〜２０ｎｍである、請求項１に記載の透明導電性フィルム。
　【請求項３】
　可撓性透明基材、および可撓性透明基材上に形成された結晶性のインジウム・スズ複合酸化物からなる透明導電層を有する透明導電性フィルムの製造方法であって、
　可撓性透明基材を準備する基材準備工程、
　可撓性透明基材上に、非晶質のインジウム・スズ複合酸化物からなる非晶質透明導電層を形成する製膜工程、および
　前記非晶質透明導電層を
タッチパネルの形成前に
　前記基材準備工程において、前記可撓性透明基材は、ポリエステル系樹脂を含有する透明基体フィルムを含み、
　前記熱処理工程において、透明導電層を面内の少なくとも一方向における寸法変化が−０．３％〜−１．５％となるように圧縮し、
　前記熱処理工程において、少なくとも面内の一方向において透明導電層に圧縮応力が付与され、
　前記熱処理工程でえられる透明導電層の膜面において、最大粒径が３００ｎｍ以下の結晶含有量が、９５面積％以上であることを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。
　【請求項４】
　前記熱処理工程において、前記透明導電層の膜厚は、１０〜２０ｎｍである、請求項３に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
　【請求項５】
　前記圧縮応力の付与によって、結晶性透明導電層の圧縮残留応力を０．４〜２ＧＰａとすることを特徴とする、請求項３または４に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
　【請求項６】
　前記熱処理工程における加熱温度が１５０℃〜２１０℃であり、加熱時間が１５０分以下である、請求項３〜５のいずれか１項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。