Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月7日(2011.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互接続構造体を規定する、基板表面上に位置する共形窒化コバルト層；及び
前記窒化コバルト層の上に位置する銅含有導電層
を含む、基板上に形成された集積回路の相互接続構造体。
【請求項２】
さらに、窒化コバルト層と基板の間に拡散バリヤーを含む、請求項１に記載の構造体。
【請求項３】
窒化コバルトが、ＣｏｘＮの組成（ｘは１〜１０である）を有する、請求項１に記載の構造体。
【請求項４】
窒化コバルトが、ＣｏｘＮの組成（ｘは２〜６である）を有する、請求項１に記載の構造体。
【請求項５】
窒化コバルトが、ＣｏｘＮの組成（ｘは３〜５である）を有する、請求項１に記載の構造体。
【請求項６】
拡散バリヤーが、窒化タンタル、炭化タンタル、窒化タングステン、炭化タングステン及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項２に記載の構造体。
【請求項７】
窒化コバルト層が、化学蒸着された層である、請求項１に記載の相互接続構造体。
【請求項８】
拡散バリアー層が、化学蒸着された層である、請求項２に記載の相互接続構造体。
【請求項９】
銅含有導電層の少なくとも一部分が、化学蒸着された層である、請求項１に記載の相互接続構造体。
【請求項１０】
銅含有導電層の少なくとも一部分が、電気化学的に堆積された層である、請求項１に記載の相互接続構造体。
【請求項１１】
コバルトアミジナートの蒸気を含むガス状混合物からの化学気相成長によって、基板上に共形窒化コバルト層を堆積して、集積回路構造の相互接続構造体を規定する工程；及び
前記窒化コバルト層の上に、銅含有導電層を堆積する工程
を含む、基板上に形成された集積回路の相互接続構造体の製造方法。
【請求項１２】
コバルトアミジナートが、式［Ｃｏ（ＡＭＤ）２］、及び構造式
【化１】
2010524264.tif 000001
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ１’、Ｒ２’及びＲ３’は、水素、アルキル、アリール、アルケニル、アルキニル、トリアルキルシリル若しくはフルオロアルキルの基又は他の非金属原子若しくは非金属基から独立して選択されてよい）を有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
コバルトアミジナートが、ビス（Ｎ−ｔｅｒｔ‐ブチル−Ｎ’−エチル−プロピオンアミジナト）コバルト（ＩＩ）である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
さらにガス状混合物が還元剤を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
還元剤が二水素である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
銅含有導電層の少なくとも一部分が、化学蒸着により堆積される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
銅含有導電層の少なくとも一部分が、電気化学的な堆積により堆積される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
銅含有導電層の少なくとも一部分が、銅アミジナートの蒸気を含むガス状混合物から堆積される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】
銅アミジナートが、式［Ｃｕ（ＡＭＤ）］２、及び構造式
【化２】
2010524264.tif 000002
（式中、Ｍは銅であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ１’、Ｒ２’及びＲ３’は、水素、アルキル、アリール、アルケニル、アルキニル、トリアルキルシリル若しくはフルオロアルキルの基又は他の非金属原子若しくは非金属基から独立して選択されてよい）を有する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
ガス状混合物が酸素含有化合物を含み、酸化銅が第一の堆積工程で堆積される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
ガス状混合物が酸素含有化合物及び窒素含有化合物を含み、酸窒化銅が第一の堆積工程で形成される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
さらに酸窒化銅を還元剤に曝露する工程を含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
さらに酸化銅を還元剤に曝露する工程を含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２４】
リチウム、ナトリウム、カリウム、ベリリウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン及び他のランタニド金属、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、モリブデン、タングステン、マンガン、レニウム、鉄、ルテニウム、コバルト、ロジウム、ニッケル、パラジウム、銀、亜鉛、カドミウム、スズ、鉛、アンチモン並びにビスマスの金属群から選択された１つ以上の金属アミジナートの蒸気を含むガス状混合物に基板を曝露する工程
を含む、化学気相成長により金属含有層を形成する方法。
【請求項２５】
ガス状混合物が窒素含有ガスを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
窒素含有ガスがアンモニア又はヒドラジンである、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
さらにガス状混合物が還元剤を含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
還元剤が二水素ガスである、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
金属アミジナートがコバルトアミジナートであり、金属含有層が窒化コバルトを含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
ガス状混合物が還元剤を含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項３１】
還元剤が二水素である、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
金属アミジナートがコバルトアミジナートであり、金属含有層が基本的にコバルト金属からなる、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
ガス状混合物が酸素含有ガスを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項３４】
酸素含有ガスが、酸素分子（Ｏ２）、水蒸気、オゾン、又はペル化合物を含む、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
金属含有層が金属酸化物を含む、請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
金属酸化物が酸化コバルトを含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
ビス（Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ’−エチル−プロピオンアミジナト）コバルト（ＩＩ）を含む組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月24日(2011.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
繊維強化プラスチック（ＦＲＰ）から製造された上プレートと、
繊維強化プラスチック（ＦＲＰ）から製造された下プレートと、
前記上プレートと前記下プレートとの間に配置され、アルミニウム、ステンレス鋼およびハニカム形繊維強化プラスチック（ＦＲＰ）からなる群から選択された材料を含む中間部材と、を含む基板搬送ロボットのエンドエフェクタ。
【請求項２】
前記ＦＲＰの繊維が炭素繊維、アラミド繊維またはポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維である、請求項１に記載のエンドエフェクタ。
【請求項３】
前記エンドエフェクタが、前記基板搬送ロボットに取り付けられた固定端と、自由端と、前記エンドエフェクタの長さ方向に垂直である断面とを有し、前記エンドエフェクタが中空構造を有し、前記断面の外周が、前記固定端から前記自由端の方に向かって小さくなる、請求項１に記載のエンドエフェクタ。
【請求項４】
請求項１、２または３のいずれか一項に記載のエンドエフェクタを備えた基板搬送ロボット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
本発明のエンドエフェクタは、薄さ、曲げの抑制および軽量の作用の各々を示す結果として液晶ディスプレイの製造プロセスにおいて用いられたガラス基板を搬送するために有用である。さらに、本発明のエンドエフェクタを容易に製造することができる。さらに、基板を取り扱う本発明のロボットは、第８世代基板と称される大きいサイズのガラス基板を搬送するために特に有用である。
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
１．繊維強化プラスチック（ＦＲＰ）から製造された上プレートと、
繊維強化プラスチック（ＦＲＰ）から製造された下プレートと、
前記上プレートと前記下プレートとの間に配置され、アルミニウム、ステンレス鋼およびハニカム形繊維強化プラスチック（ＦＲＰ）からなる群から選択された材料を含む中間部材とを含む、基板搬送ロボットのエンドエフェクタ。
２．前記ＦＲＰの繊維が炭素繊維、アラミド繊維またはポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維である、前記１に記載のエンドエフェクタ。
３．前記ＦＲＰの前記繊維が４９０〜９５０ＧＰＡの引張弾性率を有する炭素繊維であり、前記繊維の体積が前記ＦＲＰの全体積の３０％以上である、前記２に記載のエンドエフェクタ。
４．前記繊維の前記体積が前記ＦＲＰの前記全体積の４０％以上である、前記３に記載のエンドエフェクタ。
５．前記エンドエフェクタが、前記基板搬送ロボットに取り付けられた固定端と、自由端と、前記エンドエフェクタの長さ方向に垂直である断面とを有し、前記エンドエフェクタが中空構造を有し、前記断面の外周が、前記固定端から前記自由端の方に向かって小さくなる、前記１に記載のエンドエフェクタ。
６．前記自由端の外周が前記固定端の外周の１／３〜９／１０である、前記５に記載のエンドエフェクタ。
７．前記自由端の前記外周が前記固定端の前記外周の１／２〜３／５である、前記６に記載のエンドエフェクタ。
８．前記１に記載のエンドエフェクタを備えた基板搬送ロボット。
９．前記２に記載のエンドエフェクタを備えた基板搬送ロボット。
１０．前記３に記載のエンドエフェクタを備えた基板搬送ロボット。
１１．前記５に記載のエンドエフェクタを備えた基板搬送ロボット。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月17日(2011.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像のセットについて平均の圧縮データレートを達成するために連続したデジタル画像のセットを圧縮する方法であって、
（ａ）閾値となる観察距離及び所望の平均圧縮データレートを指定するステップと、
（ｂ）連続した画像のセットから小さな画像のサブセットを選択するステップと、
（ｃ）圧縮パラメータを計算するための入力として閾値となる観察距離を利用するステップと、
（ｄ）圧縮データを生成するため、前記圧縮パラメータにより前記小さな画像のサブセットを圧縮するステップと、
（ｅ）前記小さな画像のサブセットについて、平均の圧縮データレートを計算するステップと、
（ｆ）前記小さな画像のサブセットの前記平均の圧縮データレートを前記所望の平均の圧縮データレートに比較するステップと、
（ｇ）前記小さな画像のサブセットの前記平均の圧縮データレートが前記所望の平均の圧縮データレート以下である場合、前記小さな画像のサブセットを再び圧縮することなしに前記小さな画像のサブセットについて使用された圧縮パラメータを使用して、前記小さな画像のサブセットにない前記画像のセットから残りの画像を圧縮するステップと、
（ｈ）前記小さな画像のサブセットの前記平均の圧縮データレートが前記所望の平均の圧縮データレートよりも大きい場合、前記閾値となる観察距離を変更して、前記ステップｃ）からステップｈ）を繰り返すステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記小さな画像のサブセットを通した第一の圧縮パス後に前記ステップｈ）の前記閾値の観察距離を変更するステップは、前記平均の圧縮データレート及び前記閾値の観察距離を使用して、レート歪み関数について推定される傾斜を決定し、前記推定される傾斜を使用して、前記所望の平均の圧縮データレートを達成する変更された閾値の観察距離を計算するステップを更に含む、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
連続する画像のセットの一定の知覚される画質を達成するために圧縮データの量を最小化しつつ、連続する画像のセットの一定の知覚される画質を実現するJPEG2000可変ビットレート（VBR）圧縮方法であって、
（ａ）閾値となる観察距離及び所望の平均圧縮データレートを指定するステップと、
（ｂ）連続した画像のセットから小さな画像のサブセットを選択するステップと、
（ｃ）圧縮パラメータを計算する量子化ステップサイズのジェネレータへの入力として閾値となる観察距離を利用するステップと、
（ｄ）圧縮データを生成するため、前記圧縮パラメータにより前記小さな画像のサブセットを圧縮するステップと、
（ｅ）前記小さな画像のサブセットについて、平均の圧縮データレートを計算するステップと、
（ｆ）前記小さな画像のサブセットの前記平均の圧縮データレートを前記所望の平均の圧縮データレートに比較するステップと、
（ｇ）前記小さな画像のサブセットの前記平均の圧縮データレートが前記所望の平均の圧縮データレート以下である場合、前記小さな画像のサブセットを再び圧縮することなしに前記小さな画像のサブセットについて使用された圧縮パラメータを使用して、前記小さな画像のサブセットにない前記画像のセットから残りの画像を圧縮するステップと、
（ｈ）前記小さな画像のサブセットの前記平均の圧縮データレートが前記所望の平均の圧縮データレートよりも大きい場合、前記閾値となる観察距離を変更して、前記ステップｃ）からステップｈ）を繰り返すステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月25日(2011.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の各工程を実行するコンピュータを使用することを含む、シーンの増強されたフルカラー画像を提供する方法：
ａ．少なくとも３つの光応答に対応するカラー画素及びパンクロマティック画素の両方を有する２次元センサ・アレイによって捕捉されたシーンの捕捉された画像を使用する工程；
ｂ．該捕捉された画像から高周波数画像を形成し、そして該高周波数画像中の高周波数画素値を閾値により数値化する工程；
ｃ．閾値により数値化された該高周波数画像中の該パンクロマティック画素に応答してエッジマップを形成する工程；
ｄ．該捕捉されたカラー画素に応答して該フルカラー画像を形成する工程；そして
ｅ．該フルカラー画像を増強するために該エッジマップを使用する工程。
【請求項２】
工程ｃが、該エッジマップを形成するために、該捕捉されたカラー画素及び該捕捉されたパンクロマティック画素の両方を使用することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該フルカラー画像を形成するために該エッジマップを使用することをさらに含む請求項２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月26日(2011.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線フレーム（１００）を含む無線インターフェイスを利用する無線通信システムにおける自セルのネットワーク装置（５０１）を動作させる方法であって、各無線フレーム（１００）は複数のサブフレームを含み、前記自セルは１以上のユーザ機器（５０３）にサービス提供しており、当該方法は：
１以上の隣接するセルにおけるＭＢＭＳ（Multimedia  Broadcast  Multicast  Service）の単一周波数ネットワーク（ＭＢＳＦＮ）のデータ送信のスケジューリングに関する情報を取得するステップ（７０１）と；
前記１以上の隣接するセルにおけるＭＢＳＦＮのデータ送信の前記スケジューリングに関する前記情報を使用して、所与のサブフレームについて、ユニキャスト測定動作モード（７１１）の手段又はＭＢＳＦＮ測定動作モード（７１３）の手段のいずれによって隣接するセルの測定を実行することができるかを前記１以上のユーザ機器（５０３）が決定することを可能とする情報信号を生成するステップと；
前記１以上のユーザ機器（５０３）に前記情報信号を送信するステップ（７０５）と；
を特徴とし：
前記ユニキャスト測定動作モード（７１１）は、ユニキャストサブフレームに含まれるセル固有のリファレンスシンボルを測定の基礎とするよう適応されており；
前記ＭＢＳＦＮ測定動作モード（７１３）は、ＭＢＳＦＮサブフレームに含まれるセル固有のリファレンスシンボルを測定の基礎とするよう適応されており；
前記ユニキャストサブフレームに含まれる前記セル固有のリファレンスシンボルは、前記ＭＢＳＦＮサブフレームにおける前記セル固有のリファレンスシンボルの組に比べて拡張された組である、
方法。
【請求項２】
前記所与のサブフレームは、第１及び第２スロットから成り；
前記ユニキャストサブフレームに含まれる前記セル固有のリファレンスシンボルは、前記第１及び第２スロットのそれぞれの１番目及び最後から３番目のＯＦＤＭシンボルに含まれるセル固有のリファレンスシンボルから成り；
前記ＭＢＳＦＮサブフレームに含まれる前記セル固有のリファレンスシンボルは、前記第１スロットの前記１番目のＯＦＤＭシンボルに含まれるセル固有のリファレンスシンボルから成る；
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ネットワーク装置（５０１）は、ネットワークノード群の階層におけるノードであり；
１以上の隣接するセルにおけるＭＢＳＦＮのデータ送信の前記スケジューリングに関する前記情報を取得するステップ（７０１）は、無線ネットワークにおける階層上の上位のノード（５１１）から、１以上の隣接するセルにおけるＭＢＳＦＮのデータ送信の前記スケジューリングに関する前記情報を取得することを含む；
請求項１又は請求項２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４】
前記ネットワーク装置（５０１）は、無線基地局である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
１以上の隣接するセルにおけるＭＢＳＦＮのデータ送信の前記スケジューリングに関する前記情報を取得するステップ（７０１）は、隣接するセル（５１３）の無線基地局から、１以上の隣接するセルにおけるＭＢＳＦＮのデータ送信の前記スケジューリングに関する前記情報を取得することを含む、請求項１又は請求項２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記隣接するセル（５１３）の前記無線基地局から、１以上の隣接するセルにおけるＭＢＳＦＮのデータ送信の前記スケジューリングに関する前記情報を取得すること（７０１）は、Ｘ２インターフェイス上のシグナリングを使用することを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
無線フレーム（１００）を含む無線インターフェイスを利用する無線通信システムのサービス提供セルに位置しているユーザ機器（５０３）を動作させる方法であって、各無線フレーム（１００）は複数のサブフレームを含み、当該方法は：
所与のサブフレームについて、ユニキャスト測定動作モード（７１１）の手段又はＭＢＳＦＮ測定動作モード（７１３）の手段のいずれによって隣接するセルの測定を実行することができるかを前記ユーザ機器（５０３）が決定することを可能とする情報信号を、前記サービス提供セルのネットワーク装置（５０１）から受信するステップ（７０７）と；
前記受信した情報信号を使用して、前記隣接するセルによって送信される信号上での測定を実行する際、前記ユニキャスト測定動作モード（７１１）及び前記ＭＢＳＦＮ測定動作モード（７１３）を含む複数の測定動作モードのうちのいずれにより前記ユーザ機器が動作するかを決定するステップ（７０９）と；
を特徴とし：
前記ユニキャスト測定動作モード（７１１）は、ユニキャストサブフレームに含まれるセル固有のリファレンスシンボルを測定の基礎とするよう適応されており；
前記ＭＢＳＦＮ測定動作モード（７１３）は、ＭＢＳＦＮサブフレームに含まれるセル固有のリファレンスシンボルを測定の基礎とするよう適応されており；
前記ユニキャストサブフレームに含まれる前記セル固有のリファレンスシンボルは、前記ＭＢＳＦＮサブフレームにおける前記セル固有のリファレンスシンボルの組に比べて拡張された組である、
方法。
【請求項８】
前記所与のサブフレームは、第１及び第２スロットから成り；
前記ユニキャストサブフレームに含まれる前記セル固有のリファレンスシンボルは、前記第１及び第２スロットのそれぞれの１番目及び最後から３番目のＯＦＤＭシンボルに含まれるセル固有のリファレンスシンボルから成り；
前記ＭＢＳＦＮサブフレームに含まれる前記セル固有のリファレンスシンボルは、前記第１スロットの前記１番目のＯＦＤＭシンボルに含まれるセル固有のリファレンスシンボルから成る；
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ＭＢＳＦＮ測定動作モードは、前記所与のサブフレームが前記ＭＢＳＦＮサブフレームである場合、前記所与のサブフレームに含まれる前記セル固有のリファレンスシンボル上のみで測定を行うことを含む、
請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＭＢＳＦＮ測定動作モードは、隣接するセルの測定が実行され得る最大許容帯域幅に関する情報を自セルから受信することと；
前記最大許容帯域幅上で前記隣接するセルのＭＢＳＦＮサブフレームの測定を実行することと；
を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記ＭＢＳＦＮ測定動作モードは、前記所与のサブフレームが前記ＭＢＳＦＮサブフレームである場合、前記所与のサブフレームの期間において測定を行わないことを含む、請求項７及び請求項８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
無線通信システムにおけるセルのネットワーク装置であって、前記セルは１以上のユーザ機器にサービス提供し、当該ネットワーク装置は、請求項１〜６のいずれか１項に従った前記方法を実行するための手段を含むことを特徴とする、ネットワーク装置。
【請求項１３】
請求項７〜１１のいずれか１項に従った前記方法を実行するための手段を含むことを特徴とする、無線通信システムのサービス提供セルに位置するユーザ機器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月18日(2011.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持層（１）と、
電子ガスを封じ込めるためのチャネル層（３）と、
バリア層（４）と、
第１の層が前記バリア層（４）と接触する非合金金属層の重ね合わせによって形成された少なくとも１つのオーム接触電極（５）と
を、基部から表面にかけて順次備える電子デバイスであって、
前記バリア層は、前記少なくとも１つのオーム接触電極（５）の下に、金属層の前記重ね合わせの部分を形成する金属から選択された少なくとも１つの金属を含む接触領域（１０）を提供することを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
局部合金化部（１２）は、前記接触領域（１０）と前記オーム接触電極（５）の前記第１の層とを結合することを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
少なくとも１つのショットキー接触電極（８）と、前記バリア層（４）上の表面層（７）とをさらに含み、前記チャネル層（３）がバッファ層（２）上にあることを特徴とする請求項１または２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記接触領域（１０）は、前記オーム接触電極（５）の下にだけあり、前記バリア層（４）の全厚にわたって延び、かつ前記チャネル層（３）内に延びることを特徴とする請求項１から３のうちの一項に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記バリア層（４）および前記チャネル層（３）は、ＩＩＩ族および窒素からの少なくとも１つの材料を含み、前記接触領域（１０）は、アルミニウム、チタン、モリブデン、タングステン、ルテニウム及び／又はタンタルを含み、その含有量が１０19から１０21ａｔｏｍ・ｃｍ-3の間であることを特徴とする請求項１から４のうちの一項に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記接触領域（１０）は、シリコンをさらに含み、前記金属及びシリコンの含有量は、１０19から１０21ａｔｏｍ・ｃｍ-3であることを特徴とする請求項５に記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記接触領域（１０）は、その上面で最大の金属含有量を示すことを特徴とする請求項１から６のうちの一項に記載の電子デバイス。
【請求項８】
前記バリア層（４）は、前記オーム接触電極（５）の下ではデバイスの残りの部分よりも薄いことを特徴とする請求項１から７のうちの一項に記載の電子デバイス。
【請求項９】
電子デバイスを製造する方法であって、
ａ）支持層（１）、電子ガスを封じ込めるためのチャネル層（３）、およびバリア層（４）を備える構造体を形成するステップと、
ｂ）第１の層が前記バリア層（４）と接触する非合金金属層の重ね合わせを堆積させることによって少なくとも１つのオーム接触電極（５）を形成するステップとを含み、
ステップａ）とステップｂ）との間に、前記オーム接触電極（５）の下で、金属層の前記重ね合わせの部分を形成する複数の金属から選択された１つの金属を含む接触領域（１０）を前記バリア層（４）内に生成するステップａ’）を実行し、および
ステップｂ）の後に、少なくとも前記接触領域（１０）の材料と前記電極の第１の層の材料との間の局部合金化部（２１）を可能にする温度で前記構造体をアニーリングするステップｂ’）が実行されることを特徴とする方法。
【請求項１０】
ステップａ’）は、金属層の前記重ね合わせの部分を形成する複数の金属から選択された少なくとも１つの金属の、前記バリア層（４）への注入を含み、前記金属の含有量は、１０19から１０21ａｔｏｍ・ｃｍ-3の間に含まれることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
ステップａ’）でシリコンがさらに注入され、注入される金属とシリコンの含有量は、１０19から１０21ａｔｏｍ・ｃｍ-3の間に含まれることを特徴とする請求項９から１０のうちの一項に記載の方法。
【請求項１２】
ステップａ’）とステップｂ）の間で、アニーリングは、ＮＨ3雰囲気中で、７００℃から８００℃の間の温度で実行されることを特徴とする請求項９から１１のうちの一項に記載の方法。
【請求項１３】
前ステップａ）とステップａ’）の間で保護層（１４）が前記構造体の上に形成され、ステップａ’）とステップｂ）の間で、アニーリングは、８００℃から１０５０℃の間の温度で実施されることを特徴とする請求項９から１１のうちの一項に記載の方法。
【請求項１４】
ステップｂ’）のアニーリング温度は７５０℃未満であることを特徴とする請求項９から１３のうちの一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記バリア層（４）および前記チャネル層（３）は、ＩＩＩ族および窒素からの少なくとも１つの材料を含むことを特徴とする請求項９から１４のうちの一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月25日(2010.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
耳鳴りを音響治療するためのインターネットに基づくシステムであって、該システムは、インターネットサービスプロバイダが提供するウェブサイトと、該ウェブサイトに関連する支払金受理機能と、前記ウェブサイトに関連し、パルス繰り返し数が１００Ｈｚ未満の非正弦脈動電気波形を含む音響信号とを含み、前記ウェブサイトは、耳鳴りの罹病者がインターネットを介してアクセスして、受理される支払金を支払い、前記罹病者の少なくとも片方の耳に関連するヘッドフォン又は同様の音響トランスデューサに前記音響信号をダウンロードすることができる、
ことを特徴とするシステム。
【請求項２】
耳鳴りを治療する方法であって、
（ｉ）耳鳴り罹病者の少なくとも片方の耳にヘッドフォン又は同様の音響トランスデューサを当てるステップと、
（ｉｉ）パルス繰り返し数が１００Ｈｚ未満の非正弦脈動電気波形を含む前記音響信号を前記ヘッドフォンに印加するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
耳鳴りを治療するための電気発生器であって、パルス繰り返し数が１００Ｈｚ以下の非正弦脈動電気波形を発生させるための少なくとも１つの発振器手段と、ヘッドフォン又は同様の音響トランスデューサと接続するようにされた出力接続部とを備える、
ことを特徴とする電気発生器。
【請求項４】
耳鳴りを治療するための電気再生装置であって、パルス繰り返し数が１００Ｈｚ未満の非正弦脈動電気波形を記憶する電子又は磁気記憶手段と、ヘッドフォン又は同様の音響トランスデューサと接続するようにされた出力接続部とを備える、
ことを特徴とする電気再生装置。
【請求項５】
耳鳴りを治療するための記憶済みオーディオ製品であって、パルス繰り返し数が１００Ｈｚ未満の非正弦脈動電気波形を記憶した電気又は磁気記憶手段を備え、前記製品は、互換性のある電気再生装置で作動されると、ヘッドフォン又は同様の音響トランスデューサに受け入れられる形の前記波形を再生する、
ことを特徴とする記憶済みオーディオ製品。
【請求項６】
プロセッサユニットと、該プロセッサユニットに接続されてそこから電圧を受け取る埋め込み可能電極とを含む蝸牛インプラントであって、前記プロセッサユニットは、前記埋め込み可能電極に印加されるパルス繰り返し数が１００Ｈｚ未満の非正弦脈動電気波形を受け取り、或いは発生させるようにプログラムされる、
ことを特徴とする蝸牛インプラント。
【請求項７】
前記脈動電気波形は、方形波、三角波、及びのこぎり波から成るグループから選択される、
ことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の発明。
【請求項８】
前記脈動電気波形は、各々が所定の持続時間の３つの順番の前記波を含む、
ことを特徴とする請求項７に記載の発明。
【請求項９】
前記順番は、第１の方形波、次に三角波、その次に第２の方形波を含む、
ことを特徴とする請求項７に記載の発明。
【請求項１０】
前記第１の方形波と第２の方形波とは異なる、
ことを特徴とする請求項９に記載の発明。
【請求項１１】
前記持続時間の各々は、約１分から約２０分の範囲にある、
ことを特徴とする請求項８から請求項１０のいずれか１項に記載の発明。
【請求項１２】
前記順番の波の各々は、対応する休止期間だけ時間的な隔たりがある、
ことを特徴とする請求項８から請求項１１のいずれか１項に記載の発明。
【請求項１３】
前記休止期間の各々は、約ゼロから約５分の範囲にある、
ことを特徴とする請求項１２に記載の発明。
【請求項１４】
前記耳鳴り罹病者は、該罹病者の少なくとも片方の耳に関連するヘッドフォン又は同様の音響トランスデューサに前記非正弦脈動電気波形を印加している最中に頭を実質的に逆さに向ける、
ことを特徴とする請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の発明。
【請求項１５】
前記パルス繰り返し数は、約２０Ｈｚと約４０Ｈｚとの間にある、
ことを特徴とする請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の発明。
【請求項１６】
前記音響信号から送出される前記音響出力は、前記耳鳴り罹病者において最初にマスキング効果が得られるレベルまで増大される、
ことを特徴とする請求項１から請求項１５のいずれか１項に記載の発明。
【請求項１７】
ヘッドフォン（９）又は同様の音響トランスデューサに電気信号を印加することによって生成された治療用の音であって、前記電気信号は、パルス繰り返し数が１００Ｈｚ未満の非正弦脈動電気波形（Ｖ）を含むことを特徴とする治療用の音。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月27日(2010.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランセット供給ストリップ（５）の長手方向に対して横向きに配設された複数のランセット（６）を備えるランセット供給ストリップ（５）と、
収容区画の中に挿入されたランセット供給ストリップ（５）の搬送によってランセット供給ストリップ（５）のランセット（６）を順次穿刺位置へ運ぶための搬送装置と、前記穿刺位置にあるランセット（６）を穿刺運動に転換する穿刺駆動装置（８）とを含む体液サンプルを採取するための穿刺システムであって、
ランセット供給ストリップ（５）の部分をランセット供給ストリップ（５）の長手方向へ曲げ、かつそれによって穿刺用のランセット（６）のランセット尖端（６ａ）をランセット供給ストリップ（５）から分離するための折曲装置（１０）を特徴とする穿刺システム。
【請求項２】
ランセット供給ストリップ（５）のランセット（６）のランセット尖端（６ａ）がランセット（６）を含むランセット供給ストリップ（５）の部分の折曲げ時にランセット尖端（６ａ）によって押破られる滅菌保護部によって囲繞されていることを特徴とする請求項１記載の穿刺システム。
【請求項３】
ランセット供給ストリップ（５）の長手方向に対して横向きに配設された複数のランセット（６）を備えるランセット供給ストリップ（５）を備えるストリップカセットであって、
ランセット供給ストリップ（５）の部分をランセット供給ストリップ（５）の長手方向へ曲げ、かつそれによって穿刺用のランセット（６）のランセット尖端（６ａ）をランセット供給ストリップ（５）から分離するための折曲装置（１０）を特徴とするストリップカセット。
【請求項４】
ランセット供給ストリップ（５）の長手方向に対して横向きに配設され、かつ穿刺創傷を作るためのランセット尖端（６ａ）を有する複数のランセット（６）を備えるランセット供給ストリップ（５）を収容するための収容区画と、前記収容区画の中に挿入されたランセット供給ストリップ（５）の搬送によってランセット供給ストリップ（５）のランセット（６）を順次穿刺位置へ運ぶための搬送装置と、前記穿刺位置にあるランセット（６）を穿刺運動に転換する穿刺駆動装置（８）とを備える体液サンプルを採取するための穿刺装置であって、
ランセット供給ストリップ（５）の部分をランセット供給ストリップ（５）の長手方向へ曲げ、かつそれによって穿刺用のランセット（６）のランセット尖端（６ａ）をランセット供給ストリップ（５）から分離するための折曲装置（１０）を特徴とする穿刺装置。
【請求項５】
ランセット供給ストリップ（５）の折曲部分が折曲げるために穿刺方向へ移動されることを特徴とする請求項１、２または４記載の穿刺装置。
【請求項６】
穿刺駆動装置（８）が穿刺のためにランセット供給ストリップ（５）の部分をランセット（６）と一緒に穿刺方向へ移動することを特徴とする請求項１、２または４記載の穿刺装置。
【請求項７】
ランセット供給ストリップ（５）からランセット尖端（６ａ）を分離するための方法であって、ランセット供給ストリップ（５）が穿刺装置の中で長手方向に折曲げられ、その結果、ランセット尖端（６ａ）がランセット供給ストリップ（５）から取り外される方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月7日(2011.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開胸手術後に患者の胸骨が閉じられ得る位置に患者を維持するための装置であって、前記装置は、それぞれの肩甲骨と接触するための２つの接触部材と、使用の際に、各々の前記接触部材が前記それぞれの肩甲骨に力を与えて、前記患者の胸骨を閉じるグリップ位置に、前記接触部材を維持するための支持手段とを備える、装置。
【請求項２】
前記支持手段が、前記グリップ位置において前記接触部材を解放可能に維持するように適合され、および／または前記支持手段が、静止位置から前記グリップ位置に前記接触部材を移動させるように適合される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記支持手段が、側方力が前記肩甲骨に実質的に付与され得ない実質的に水平な静止位置から、対向する側方力が前記肩甲骨に付与され得る前記グリップ位置に、前記接触部材を移動させるように適合され、必要に応じて前記支持手段が、前記グリップ位置から前記実質的に水平な静止位置に前記接触部材を移動させるように適合される、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記支持手段が、使用の際に、前記患者の正中線から離れた前記接触部材の端部の少なくとも一部を持ち上げることによって、前記グリップ位置に前記接触部材を移動させるように適合される、請求項２または請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記支持手段が、機械式、空気圧式または油圧式である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記支持手段が、
（ｉ）少なくとも１つのラチェット機構を備えるか、あるいは
（ｉｉ）少なくとも１つのウインチおよびケーブルを備え、前記少なくとも１つのケーブルが、必要に応じて前記接触部材に接続されるか、または前記接触部材を通して伸び、それによって、前記ウインチ上の前記ケーブルの巻き上げにより、前記接触部材の最外端部が持ち上がるか、あるいは
（ｉｉｉ）空気圧式または油圧式であり、各々の前記接触部材の下に配置される膨張性空気袋を備える、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記接触部材の前記最外端部が、前記支持手段と協動するフレームに取り付けられる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記接触部材が、使用の際に、前記患者の正中線に平行である方向に延びるひと続きのスラットから形成され、各々の前記スラットが、必要に応じて、使用の際に、前記患者から離れて配置するための幅広い基部、および狭い上部を有する台形の形状の横断面を有し、前記スラットの少なくとも一部の前記基部が、必要に応じて、ヒンジで隣接するスラットの前記基部に接続され、前記支持手段が、それらが前記ヒンジで回転される位置で前記スラットを維持するように適合され、それによって、前記隣接するスラットの上部が近接し、前記支持手段が、必要に応じて、少なくとも１つのケーブルおよびウインチを備え、前記ケーブルまたは各々のケーブルが、前記スラットを通して伸び、それによって、使用の際に、それが前記患者の正中線を横断する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記接触部材が前記グリップ位置にある場合、前記接触部材が、前記それぞれの肩甲骨に対する前記側方力を増大させるための少なくとも１つの突出性要素を備える、請求項１〜８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
前記接触部材が、使用の際に、前記突出性要素が前記患者の正中線に並べられるように配置される複数の前記突出性要素を備える、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記突出性要素が、選択的に突出可能であり、前記突出性要素が、必要に応じて、膨張性要素である、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
使用の際に、前記患者の正中線の下に位置するように配置される独立した胴移動手段をさらに備え、前記独立した胴移動手段が、必要に応じて、機械式、空気圧式または油圧式手段によって持ち上げ可能であり、それによって、使用の際に、それが、前記患者の脊椎を持ち上げ、および／または前記接触部材の１つの方へ前記患者を傾ける、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の装置の使用を含む、患者の胴を操作する方法。
【請求項１４】
開胸手術後に患者の胸骨が閉じられ得る位置に患者を維持する方法であって、当該方法は、２つの接触部材と、前記接触部材のグリップ位置であって、前記接触部材が、それぞれの肩甲骨に力を与えて、前記患者の胸骨を閉じることができる、グリップ位置を維持するための支持手段とを有する装置を提供すること；前記患者のそれぞれの肩甲骨の下に前記装置の前記接触部材を配置すること；前記グリップ位置に前記接触部材を移動させること；および前記支持手段を用いて前記グリップ位置に前記接触部材を維持することを含む、方法。
【請求項１５】
開胸手術後に患者の胸骨を閉じる方法であって、当該方法は、２つの接触部材と、前記接触部材のグリップ位置であって、前記接触部材が、それぞれの肩甲骨に力を与えて、前記患者の胸骨を閉じることができるグリップ位置を維持するための支持手段とを有する装置を提供すること；前記患者のそれぞれの肩甲骨の下に前記装置の前記接触部材を配置すること；前記グリップ位置に前記接触部材を移動させること；前記支持手段を用いて前記グリップ位置に前記接触部材を維持して、閉鎖位置で前記胸骨を固定することを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月7日(2011.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３−ヒドロキシプロピオン酸（３−ＨＰ）を生成する組換え微生物におけるコリスミ酸超経路に対して１つまたは複数の遺伝子改変を行うことを含む、３−ＨＰ耐性および／または３−ＨＰ生成を増大させる方法であって、
前記１つまたは複数の遺伝子改変は、コリスミ酸超経路における１つまたは複数の遺伝子に酵素活性の増大を付与し、
前記組換え微生物は、野生型微生物と比較して少なくとも１．２倍の濃度の３−ＨＰに対して耐性であり、好ましくは、少なくとも２０ｇ／Ｌの３−ＨＰの存在下で耐性であるか、あるいは増大した増殖を示し、
前記遺伝子改変は、ａｒｏＡ、ａｒｏＢ、ａｒｏＣ、ａｒｏＤ、ａｒｏＥ、ａｒｏＦ、ａｒｏＧ、ａｒｏＨ、ａｒｏＫ、ａｒｏＬ、ａｓｐＣ、ｅｎｔＡ、ｅｎｔＢ、ｅｎｔＣ、ｅｎｔＤ、ｅｎｔＥ、ｅｎｔＦ、ｆｏｌＡ、ｆｏｌＣ、ｆｏｌＤ、ｆｏｌＰ、ｍｅｎＡ、ｍｅｎＢ、ｍｅｎＣ、ｍｅｎＤ、ｍｅｎＥ、ｍｅｎＦ、ｐａｂＡ、ｐａｂＢ、ｐａｂＣ、ｐｈｅＡ、ｐｕｒＮ、ｔｒｐＡ、ｔｒｐＢ、ｔｒｐＣ、ｔｒｐＤ、ｔｒｐＥ、ｔｙｒＡ、ｔｙｒＢ、ｕｂｉＡ、ｕｂｉＢ、ｕｂｉＣ、ｕｂｉＤ、ｕｂｉＥ、ｕｂｉＦ、ｕｂｉＧ、ｕｂｉＨ、ｕｂｉＸ、ｙｄｉＢ、およびそれらのコリスミ酸超経路同等物から選択される、方法。
【請求項２】
前記遺伝子改変は、新たな遺伝物質を導入するためのベクターを加えること；既存の遺伝物質の遺伝子挿入、破壊または除去；遺伝物質の突然変異；またはこれらの組合せから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ａ）コリスミ酸超経路のメンバーである１つまたは複数の１つまたは複数の化合物を得ること；および
ｂ）前記１つまたは複数の化合物を前記微生物の培養物に導入すること
をさらに含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記遺伝子改変の１つに対応するリプレッサー遺伝子の発現または活性を阻害することをさらに含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
コリスミ酸超経路に対する１つまたは複数の遺伝子改変を含む、３−ヒドロキシプロピオン酸（３−ＨＰ）を生成する組換え微生物であって、
前記１つまたは複数の遺伝子改変は、コリスミ酸超経路の１つまたは複数の遺伝子による酵素活性の増大を付与し、
コリスミ酸超経路に対する前記１つまたは複数の遺伝子改変は、前記組換え微生物による３−ＨＰ耐性および／または３−ＨＰ生成を増大し、
前記遺伝子改変は、ａｒｏＡ、ａｒｏＢ、ａｒｏＣ、ａｒｏＤ、ａｒｏＥ、ａｒｏＦ、ａｒｏＧ、ａｒｏＨ、ａｒｏＫ、ａｒｏＬ、ａｓｐＣ、ｅｎｔＡ、ｅｎｔＢ、ｅｎｔＣ、ｅｎｔＤ、ｅｎｔＥ、ｅｎｔＦ、ｆｏｌＡ、ｆｏｌＣ、ｆｏｌＤ、ｆｏｌＰ、ｍｅｎＡ、ｍｅｎＢ、ｍｅｎＣ、ｍｅｎＤ、ｍｅｎＥ、ｍｅｎＦ、ｐａｂＡ、ｐａｂＢ、ｐａｂＣ、ｐｈｅＡ、ｐｕｒＮ、ｔｒｐＡ、ｔｒｐＢ、ｔｒｐＣ、ｔｒｐＤ、ｔｒｐＥ、ｔｙｒＡ、ｔｙｒＢ、ｕｂｉＡ、ｕｂｉＢ、ｕｂｉＣ、ｕｂｉＤ、ｕｂｉＥ、ｕｂｉＦ、ｕｂｉＧ、ｕｂｉＨ、ｕｂｉＸ、ｙｄｉＢ、およびそれらのコリスミ酸超経路同等物から選択される、組換え微生物。
【請求項６】
記遺伝子改変は、新たな遺伝物質を導入するためのベクターを加えること；既存の遺伝物質の遺伝子挿入、破壊、または除去；遺伝物質の突然変異；またはこれらの組合せから選択される、請求項５に記載の微生物。
【請求項７】
野生型微生物と比較して少なくとも１．２倍の濃度の３−ＨＰに対して耐性であり、好ましくは、少なくとも２０ｇ／Ｌの３−ＨＰに対して耐性である、および／または少なくとも２０ｇ／Ｌの３−ＨＰの存在下で増大した増殖を示す、請求項５または６に記載の微生物。
【請求項８】
大腸菌（Ｅ．ｃｏｌｉ）である、請求項５〜７のいずれか１項に記載の微生物。
【請求項９】
ｉ）前記微生物、および
ｉｉ）少なくとも２０ｇ／Ｌの３−ＨＰ
を含む、請求項５〜７のいずれか１項に記載の微生物の培養物。
【請求項１０】
３−ＨＰに対する微生物耐性をさらに増大するのに有効な量で、コリスミ酸超経路の１つまたは複数のメンバーを加えることをさらに含む、請求項９に記載の培養物。
【請求項１１】
ａ）コリスミ酸超経路のメンバーである１つまたは複数の化合物を得ること；および
ｂ）前記１つまたは複数の化合物を微生物の培養物に導入すること
を含む、微生物による３−ＨＰの生成および／または３−ＨＰの生成に対する耐性を増大させる方法であって、
前記化合物は、コリスミ酸、チロシン、フェニルアラニン、トリプトファン、葉酸、ユビキノン、メニキノン、シキミ酸、Ｄ−エリスロース−４−リン酸、３−デオキシ−Ｄ−アラビノ−ヘプツロソン酸−７−リン酸、３−デヒドロキナ酸、３−デヒドロ−シキミ酸、シキミ酸−３−リン酸、５−エノールピルビル−シキミ酸−３−リン酸、イソコリスミ酸、プレフェン酸、フェニルピルビン酸、パラ−ヒドロキシフェニルピルビン酸、２，３−ジヒドロ−２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、エンテロバクチン、２−スクシニル−６−ヒドロキシ−２，４−シクロヘキサジエン−ｌ−カルボキシレート、ｏ−スクシニル安息香酸、ｏ−スクシニルベンゾイル−ｃｏＡ、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエート、メナキノン、アントラニル酸、Ｎ−（５’−ホスホリボシル）−アントラニル酸、１−（ｏ−カルボキシフェニルアミノ）−１’−デオキシリボース−５’−リン酸、インドール−３−グリセロール−リン酸、インドール、４−アミノ−４−デオキシコリスミ酸、パラ−アミノ安息香酸、７，８−ジヒドロプテロエート、７，８−ジヒドロ葉酸、テトラヒドロ葉酸、４−ヒドロキシ安息香酸、３−オクタプレニル−４−ヒドロキシ安息香酸、２−オクタプレニルフェノール、２，２−オクタプレニル−６−ヒドロキシフェノール、２−オクタプレニル−６−メトキシフェノール、２−オクタプレニル−６−メトキシ−１，４−ベンゾキノン、２−オクタプレニル−３−メチル−６−メトキシ１，４−ベンゾキノン、３−デメチルユビキノン−８、もしくはユビキノン−８，３−デオキシ−Ｄ−アルビノ−ヘプツロン酸−７−リン酸シンターゼ（ＤＡＨＰＳ）アイゾザイム、またはこれらの混合物から選択される、方法。
【請求項１２】
前記微生物は、少なくとも２０ｇ／Ｌの３−ＨＰに対して耐性であるか、少なくとも２０ｇ／Ｌの３−ＨＰの存在下で増大した増殖を示す、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記微生物は、野生型微生物と比較して少なくとも１．２倍の濃度の３−ＨＰに対して耐性であり、好ましくは３−ＨＰの存在下で少なくとも１０パーセントまたは少なくとも１５パーセントの特異的な微生物増大した増殖をもたらす、請求項１１または１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月11日(2011.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二重らせんＤＮＡに配列特異的に結合して三本鎖構造を形成する三重らせん形成性分子と、供与オリゴヌクレオチドとを含んでなる組換え誘発性または突然変異誘発性組成物であって、該三重らせん形成性分子が、ＨＩＶに対する細胞表面受容体をコードするヒト遺伝子内の又は該遺伝子に隣接した標的部位に結合する、組換え誘発性または突然変異誘発性組成物。
【請求項２】
該三重らせん形成性分子が、三重らせん形成性オリゴヌクレオチドおよびペプチド核酸からなる群から選択される、請求項１に記載の組換え誘発性または突然変異誘発性組成物。
【請求項３】
該ペプチド核酸が二本鎖ビス−ペプチド核酸である、請求項２に記載の組換え誘発性または突然変異誘発性組成物。
【請求項４】
該三重らせん形成性オリゴヌクレオチドが１以上の化学修飾オリゴヌクレオチドを含む、請求項２に記載の組換え誘発性または突然変異誘発性組成物。
【請求項５】
該標的部位がヒトケモカイン受容体遺伝子中又は該遺伝子内に存在する、請求項１に記載の組換え誘発性または突然変異誘発性組成物。
【請求項６】
該ヒトケモカイン受容体遺伝子が、ＣＸＣＲ４、ＣＣＲ５、ＣＣＲ２ｂ、ＣＣＲ３およびＣＣＲ１からなる群から選択される、請求項５に記載の組換え誘発性または突然変異誘発性組成物。
【請求項７】
該ヒトケモカイン受容体遺伝子がＣＣＲ５である、請求項５に記載の組換え誘発性または突然変異誘発性組成物。
【請求項８】
該標的部位がＣＣＲ５遺伝子中のΔ３２突然変異の部位を含む、請求項７に記載の組換え誘発性または突然変異誘発性組成物。
【請求項９】
該供与オリゴヌクレオチドが、該標的二重らせんＤＮＡヌクレオチド配列と比較して１以上のヌクレオチド突然変異、欠失または挿入を含む、請求項１に記載の組換え誘発性または突然変異誘発性組成物。
【請求項１０】
該供与オリゴヌクレオチドが、該標的二重らせんＤＮＡヌクレオチド配列中のミスセンスまたはナンセンス突然変異を引き起こす１以上の点突然変異を含み、該ミスセンスまたはナンセンス突然変異が該標的二重らせんＤＮＡにおいてフレームシフトまたは欠失を引き起こす、請求項９に記載の組換え誘発性または突然変異誘発性組成物。
【請求項１１】
該突然変異、欠失または挿入が、ＨＩＶに対する細胞表面受容体欠損を引き起こし、該欠損が、該受容体の発現の低下、該細胞表面への該受容体の輸送の欠陥、該受容体タンパク質の安定性の低下、該受容体によるＨＩＶの結合の低下および該受容体のエンドサイトーシスの欠陥からなる群から選択される、請求項９に記載の組換え誘発性または突然変異誘発性組成物。
【請求項１２】
細胞を請求項１に記載の組成物と接触させることを含んでなる、ＨＩＶに対する細胞表面受容体をコードする遺伝子の標的化組換えまたは突然変異のためのインビトロ方法であって、該供与オリゴヌクレオチドが、該標的二重らせんＤＮＡヌクレオチド配列と比較して１以上のヌクレオチド突然変異、欠失または挿入を含む、方法。
【請求項１３】
ＨＩＶ感染した又はその発生の危険性がある対象におけるＨＩＶ感染の予防または治療に使用するための単離細胞であって、該単離細胞が請求項１に記載の組成物とエクスビボで接触され、該供与オリゴヌクレオチドが、該標的二重らせんＤＮＡヌクレオチド配列と比較して１以上のヌクレオチド突然変異、欠失または挿入を含み、および前記細胞が培養内で増殖される、単離細胞。
【請求項１４】
該細胞が１以上のＨＩＶ株による感染に対して耐性である、請求項１３に記載の使用のための単離細胞。
【請求項１５】
該細胞がＲ５指向性ＨＩＶ株に対して耐性である、請求項１４に記載の使用のための単離細胞。
【請求項１６】
治療すべき対象または同系宿主から該細胞を単離する、請求項１３に記載の使用のための単離細胞。
【請求項１７】
該細胞がＣＤ３４＋細胞である、請求項１３に記載の使用のための単離細胞。
【請求項１８】
該細胞を培養内で増殖した後に、該細胞をＣＤ４＋細胞に分化させる、請求項１５に記載の使用のための単離細胞。
【請求項１９】
ＨＩＶ感染した又はその発生の危険性がある対象におけるＨＩＶ感染を予防または治療する医薬の調製における請求項１に記載の組成物の使用であって、該供与オリゴヌクレオチドが、該標的二重らせんＤＮＡヌクレオチド配列と比較して１以上のヌクレオチド突然変異、欠失または挿入を含む、使用。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月1日(2010.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
架設された引留鉄塔間の架空送電線路を提供する方法であって、
前記架設された引留鉄塔間の架空送電線路が、
第１及び第２の引留鉄塔と、
前記第１の引留鉄塔と前記第２の引留鉄塔との間にある少なくとも１つの懸垂鉄塔と、
少なくとも１００ｍの長さを有し、前記第１の引留鉄塔に取り付けられた第１の端部と前記第２の引留鉄塔に取り付けられた第２の端部とを有する架空送電用導体耐張セクションと、を備え、
前記方法が、
前記第１及び第２の引留鉄塔を提供する工程と、
前記第１の引留鉄塔と前記第２の引留鉄塔との間に少なくとも１つの懸垂鉄塔を提供する工程と、
第１及び第２の端部と、少なくとも１００ｍの長さとを有し、少なくとも第１及び第２の連続した架空送電用導体耐張サブセクションを含む、架空送電用導体耐張セクションを選択する工程であって、
前記第１の架空送電用導体耐張サブセクションが、第１の熱膨張係数と、第１の密度と、第１の応力−ひずみ挙動と、第１の断面積とを有し、
前記第２の架空送電用導体耐張サブセクションが、第２の熱膨張係数と、第２の密度と、第２の応力−ひずみ挙動と、第２の断面積とを有し、
前記架空送電用導体耐張セクションを流れる電流が増加するとき、２０℃〜７５℃の範囲の温度における（ａ）前記第１及び第２の熱膨張係数、（ｂ）前記第１及び第２の密度、（ｃ）前記第１及び第２の応力−ひずみ挙動、又は（ｄ）断面積の少なくとも１つが、少なくとも２０℃〜７５℃の温度範囲にわたって意図的に異なり、
前記導体耐張セクション全体が前記第２の架空送電用導体耐張サブセクションの導体のみからなる場合、同一条件下における前記第２の架空送電耐張サブセクションの張力よりも、前記第２の架空送電用導体のサブセクションの張力が高い、工程と、
前記の選択した架空送電用導体耐張セクションを架設する工程であって、前記架空送電用導体耐張セクションの前記第１の端部が前記第１の引留鉄塔に取り付けられ、前記架空送電用導体耐張セクションの前記第２の端部が前記第２の引留鉄塔に取り付けられ、前記連続した架空送電用導体耐張サブセクションの少なくとも一部が、前記懸垂鉄塔に支持されている工程と、を含む、方法。
【請求項２】
前記架空送電用導体耐張セクションが、第１及び第２の端部と、少なくとも８００ｍの長さとを有し、
場合により、前記第１の連続した架空送電用導体耐張サブセクションが、複合心線を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複合心線が、アルミニウム又はアルミニウム合金マトリクス複合材料、又は高分子マトリクス複合材料の少なくとも１つを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１及び第２の熱膨張係数が、０〜２５×１０−６／℃の範囲であり、
場合により、前記第１及び第２の密度が、１．４ｇ／ｃｍ３〜２０ｇ／ｃｍ３の範囲である、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の連続した架空送電用導体セクションが、鋼心線を有する、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記第２の連続した架空送電用導体耐張サブセクションが、断面積を有する心線を有し、前記心線の断面積の少なくとも５０％がアルミニウムマトリクス複合ワイヤである、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記第２の連続した架空送電用導体耐張サブセクションが、アルミニウムマトリクス複合心線を有する、請求項２に記載の方法。
【請求項８】
前記架空送電用導体耐張セクションが、第１及び第２の端部と、少なくとも１０００ｍの長さとを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
第１及び第２の引留鉄塔と、
前記第１の引留鉄塔と前記第２の引留鉄塔との間にある少なくとも１つの懸垂鉄塔と、
前記第１の引留鉄塔に取り付けられた第１の端部及び前記第２の引留鉄塔に取り付けられた第２の端部を有し、少なくとも第１及び第２の連続した架空送電用導体耐張サブセクションを含む架空送電用導体耐張セクションであって、前記第１の架空送電用導体耐張サブセクションが、複合心線又はインバー心線の少なくとも１つと、第１の熱膨張係数と、第１の密度と、第１の応力−ひずみ挙動と、第１の断面積とを有し、前記第２の架空送電用導体耐張サブセクションが、第２の熱膨張係数と、第２の密度と、第２の応力−ひずみ挙動と、第２の断面積とを有し、前記架空送電用導体耐張セクションを流れる電流が増加すると、２０℃〜７５℃の範囲の温度における（ａ）前記第１及び第２の熱膨張係数、（ｂ）前記第１及び第２の密度、（ｃ）前記第１及び第２の応力−ひずみ挙動、又は（ｄ）断面積の少なくとも１つが、少なくとも２０℃〜７５℃の温度範囲にわたって異なり、前記導体耐張セクション全体が前記第２の架空送電用導体耐張サブセクションの導体のみからなる場合、同一条件下における前記第２の架空送電耐張サブセクションの張力よりも、前記第２の架空送電用導体のサブセクションの張力が高い耐張セクションと、を含み、
場合により、前記第１の連続した架空送電用導体耐張サブセクションが複合心線を含む、引留鉄塔間の架空送電線路。
【請求項１０】
前記複合心線が、アルミニウム又はアルミニウム合金マトリクス複合材料、又は高分子マトリクス複合材料の少なくとも１つを含み、
場合により、前記第１の引留鉄塔と前記第２の引留鉄塔との間に配置された、少なくとも３つの懸垂鉄塔を含む、請求項９に記載の引留鉄塔間の架空送電線路。