【事件の表示】
　特願２００４−　４３８０４「不揮発性半導体記憶装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　９月　２日出願公開、特開２００５−２３６０６２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１６年２月２０日の出願であって、平成２０年１２月３日付けの拒絶理由通知に対して、平成２１年２月９日に意見書が提出されたが、同年３月２日付けで拒絶査定がされ、それに対して、同年４月７日に拒絶査定に対する審判請求がされるとともに手続補正書が提出され、その後、平成２２年１２月６日付けで審尋がなされ、それに対する回答はなされなかったものである。
　
　
２．補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２１年４月７日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正の内容
　平成２１年４月７日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜３を、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜３と補正するものであって、補正前後の請求項１は、各々以下のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
　前記第１の絶縁膜上に反射防止膜とＫｒＦ線に感光するレジストとを順次形成する工程と、
　前記レジストに開口部を形成する工程と、
　前記レジストをマスクとして、ドライエッチング法を用いて、前記開口部の前記反射防止膜をエッチングすると共に、前記開口部の前記第１の絶縁膜を途中までエッチングする工程と、
　前記レジストと前記反射防止膜とをマスクとして、ウェットエッチング法を用いて、前記開口部の残りの前記第１の絶縁膜をエッチングする工程と、
　前記レジストと前記反射防止膜とを除去した後、前記半導体基板上に前記第１の絶縁膜よりも薄い第２の絶縁膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
　前記第１の絶縁膜上に反射防止膜とＫｒＦ線に感光するレジストとを順次形成する工程と、
　前記レジストに開口部を形成する工程と、
　前記レジストをマスクとして、ドライエッチング法を用いて、前記開口部の前記反射防止膜をエッチングすると共に、前記開口部の前記第１の絶縁膜を途中までエッチングする工程と、
　前記レジストと前記反射防止膜とをマスクとして、ウェットエッチング法を用いて、前記開口部の残りの前記第１の絶縁膜をエッチングする工程と、
　前記レジストと前記反射防止膜とを除去した後、前記半導体基板上に前記第１の絶縁膜よりも薄い第２の絶縁膜を形成する工程と、を含むとともに、前記反射防止膜を形成する工程においては、前記反射防止膜として、前記第１の絶縁膜との間で、前記第１の絶縁膜と前記レジストとの間の密着性よりも強い密着性を有し、かつ、前記レジストとの間で、前記第１の絶縁膜と前記レジストとの間の密着性よりも強い密着性を有する膜を形成する、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると、以下のとおりである。
（２−１）補正事項１
　補正前の請求項１の「第２の絶縁膜を形成する工程と、を含む」と「ことを特徴とする」との間に、「とともに、前記反射防止膜を形成する工程においては、前記反射防止膜として、前記第１の絶縁膜との間で、前記第１の絶縁膜と前記レジストとの間の密着性よりも強い密着性を有し、かつ、前記レジストとの間で、前記第１の絶縁膜と前記レジストとの間の密着性よりも強い密着性を有する膜を形成する、」を追加して、補正後の請求項１とすること。
　
（２−２）補正事項２
　補正前の請求項２の「制御ゲート電極とを順次形成する工程と、を含む」と「ことを特徴とする」との間に、「とともに、前記反射防止膜を形成する工程においては、前記反射防止膜として、前記第１の絶縁膜との間で、前記第１の絶縁膜と前記レジストとの間の密着性よりも強い密着性を有し、かつ、前記レジストとの間で、前記第１の絶縁膜と前記レジストとの間の密着性よりも強い密着性を有する膜を形成する、」を追加して、補正後の請求項２とすること。
　
（３）新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否について 
（３−１）補正事項１及び２は、補正前の請求項１及び２に係る発明の発明特定事項である「反射防止膜」について、「前記第１の絶縁膜との間で、前記第１の絶縁膜と前記レジストとの間の密着性よりも強い密着性を有し、かつ、前記レジストとの間で、前記第１の絶縁膜と前記レジストとの間の密着性よりも強い密着性を有する」と減縮するものであるから、特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、「反射防止膜」が「前記第１の絶縁膜との間で、前記第１の絶縁膜と前記レジストとの間の密着性よりも強い密着性を有し、かつ、前記レジストとの間で、前記第１の絶縁膜と前記レジストとの間の密着性よりも強い密着性を有する」ことは、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。）の００３７段落の記載から自明な事項であると認められるから、補正事項１及び２は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。したがって、補正事項１及び２は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすものである。
　
（３−２）以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものであり、同法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含んでいるから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて、以下において更に検討する。
　
（４）独立特許要件についての検討
（４−１）補正後の発明
　本件補正による補正後の本願の請求項１〜３に係る発明は、平成２１年４月７日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、上記（１）の「補正後」の請求項１に記載したとおりのものである。
　
（４−２）引用刊行物に記載された発明
（４−２−１）本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平４−２１１１７７号公報（以下「引用例」という。）には、図３〜８とともに、以下の記載がある（なお、下線は当合議体にて付加したものである。以下同じ）。
　
ａ．「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法に関し、特に情報を電気的に書込みおよび消去できる不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法に関する。」
　
ｂ．「【００２８】図３〜図１３を参照しながら、図１及び図２に示された不揮発性半導体記憶装置を製造するための本発明による方法を説明する。
【００２９】まず、図３に示されるように、シリコン基板１０１にソース領域１０２ａ及びドレイン領域１０２ｂとして機能する不純物拡散層（層厚８５０ｎｍ）を形成した。不純物拡散層の形成は、不純物イオンをシリコン基板１０１に選択的に注入することにより行った。本実施例では、シリコン基板１０１として面方位（１００）のｐ型車結晶シリコン基板（比抵抗１０〜１５Ωｃｍ）を用い、不純物イオンとしてｎ型不純物であるリンイオン（Ｐイオン）を用いた。不純物拡散層を構成する不純物としでは、シリコン基板１０１の導電型と反対の導電型を有するものが選択される。不純物濃度は、１×１０１７〜３×１０１７ｃｍ−３が好ましい。
【００３０】本実施例では、第１ゲート絶縁膜１０３を形成する前に、ソース領域１０２ａ及びドレイン領域１０２ｂをシリコン基板１０１中に形成したが、後述するように、フローティングゲート１１１を形成した後に、フローティングゲート１１１に対して自己整合的にソース領域１０２ａ及びドレイン領域１０２ｂを形成してもよい。
【００３１】
シリコン基板１０１の主面を公知の方法で酸化することにより、シリコン基板１０１上に第１ゲート絶縁膜（膜厚５５ｎｍ）１０３を形成した後、フォトレジスト１０４を第１ゲート絶縁膜１０３上に形成した。フォトレジスト１０４は、第１ゲート絶縁膜１０３中に形成される窓１０９（図３に於いて不図示。図７に示される。）の平面パターンを定義する窓領域１０５を有している。
【００３２】図４は、この工程段階に於ける不揮発性半導体記憶装置の窓領域１０５付近の拡大された断面を示している。図５から図９は、以下の各製造工程に於ける不揮発性半導体記憶装置の窓領域１０５付近の拡大された断面を示している。
【００３３】
フォトレジスト１０４をエッチマスクとして用いるドライエッチング技術により、第１ゲート絶縁膜１０３をその表面から４５ｎｍだけエッチングすることにより、第１ゲート絶縁膜１０３を薄膜化した。こうして、図５に示されるように、比較的薄い第１ゲート絶縁膜部分（厚さ約１０ｎｍ）１０６を形成した。このときのドライエッチングは、異方性の高い条件で実施した。
【００３４】
次に、図６に示されるように、フォトレジスト１０４をエッチマスクとして用いるウェットエッチング技術により、第１ゲート絶縁膜部分１０６を完全に除去し、シリコン基板１０１の表面領域１０７を露出させた。このエッチングは、フッ酸系エッチャントを用いて行ったので、薄い第１ゲート絶縁膜１０３のみがエッチングされ、シリコン基板１０１の表面領域１０７はエッチングされなかった。
この後、フォトレジスト１０４を除去することにより、図７に示されるように、第１ゲート絶縁膜１０３の窓１０９が形成された
【００３５】
次に、図８に示されるように、第１ゲート絶縁膜１０３の窓１０９を介して露出するドレイン領域表面を選択的に酸化することにより、第２ゲート絶縁膜１１０をドレイン領域１０２ｂ上に形成した。この第２ゲート絶縁膜１０３は、不揮発性半導体記憶装置のトンネル酸化膜として機能する。第２ゲート絶縁膜１０３の厚さとしては、５ｎｍ〜１０ｎｍが好ましい。
　
（４−２−２）以上によれば、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていものと認められる。
　「シリコン基板１０１上に膜厚５５ｎｍの第１ゲート絶縁膜１０３を形成した後、
　前記第１ゲート絶縁膜１０３上に窓領域１０５を有するフォトレジスト１０４を形成し、
　前記フォトレジスト１０４をエッチマスクとして用いるドライエッチング技術により、前記第１ゲート絶縁膜１０３をその表面から４５ｎｍだけエッチングし、
　前記フォトレジスト１０４をエッチマスクとして用いるウェットエッチング技術により、前記第１ゲート絶縁膜部分１０６を完全に除去し、
　前記フォトレジスト１０４を除去した後、シリコン基板１０１表面を酸化することにより、厚さが５ｎｍ〜１０ｎｍの第２ゲート絶縁膜１１０を形成することを含む不揮発性半導体記憶装置を製造する方法。」
　
（４−３）補正発明と引用発明との対比
（４−３−１）引用発明の「シリコン基板１０１」、「第１ゲート絶縁膜１０３」及び「窓領域１０５」は、各々、補正発明の「半導体基板」、「第１の絶縁膜」及び「開口部」に相当する。
　また、引用発明の「不揮発性半導体記憶装置を製造する方法」は、補正発明の「半導体装置の製造方法」に相当する。
　
（４−３−２）引用発明の「フォトレジスト１０４」は、感光性のものである点で、補正発明の「レジスト」と共通する。
　また、引用発明において、「フォトレジスト１０４」への「窓領域１０５」を形成する工程は、当然に設けられるべきものであり、当該工程は、補正発明の「前記レジストに開口部を形成する工程」に相当するものである。
　
（４−３−３）引用発明においては、「ドライエッチング技術により、」「窓領域１０５」において「第１ゲート絶縁膜１０３」を膜厚５５ｎｍのうち４５ｎｍまでエッチングするものであるから、引用発明も補正発明と同様に、「ドライエッチング法を用いて、」「前記開口部の前記第１の絶縁膜を途中までエッチング」していることは明らかである。
  
（４−３−４）引用発明における「前記フォトレジスト１０４をエッチマスクとして用いるウェットエッチング技術により、前記第１ゲート絶縁膜部分１０６を完全に除去」することは、補正発明における「前記レジスト」「をマスクとして、ウェットエッチング法を用いて、前記開口部の残りの前記第１の絶縁膜をエッチングする」ことに相当する。
　
（４−３−５）引用発明の「第２ゲート絶縁膜１１０」は、厚さが５ｎｍ〜１０ｎｍであり、厚さ５５ｎｍの「第１ゲート絶縁膜１０３」よりも薄いものである。したがって、引用発明の「厚さが５ｎｍ〜１０ｎｍの第２ゲート絶縁膜１１０」は、補正発明の「第１の絶縁膜よりも薄い第２の絶縁膜」に相当する。
　
（４−３−６）以上によれば、補正発明と引用発明とは、
　「半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
　前記第１の絶縁膜上に感光性のレジストを形成する工程と、
　前記レジストに開口部を形成する工程と、
　前記レジストをマスクとして、ドライエッチング法を用いて、前記開口部の前記第１の絶縁膜を途中までエッチングする工程と、
　前記レジストをマスクとして、ウェットエッチング法を用いて、前記開口部の残りの前記第１の絶縁膜をエッチングする工程と、
　前記レジストを除去した後、前記半導体基板上に前記第１の絶縁膜よりも薄い第２の絶縁膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　である点で一致し、以下の３点で相違する。
　
（相違点１）
　補正発明は、「レジスト」が「ＫｒＦ線に感光する」ものであるのに対して、引用発明は、そのような特定をしていない点。
　
（相違点２）
　補正発明は、第１の絶縁膜上に「反射防止膜」と「レジスト」とを順次形成するものであり、「
前記レジストをマスクとして、ドライエッチング法を用いて、前記開口部の前記反射防止膜をエッチングする
前記反射防止膜
前記反射防止膜
　
（相違点３）
　補正発明は、「反射防止膜」が「前記第１の絶縁膜との間で、前記第１の絶縁膜と前記レジストとの間の密着性よりも強い密着性を有し、かつ、前記レジストとの間で、前記第１の絶縁膜と前記レジストとの間の密着性よりも強い密着性を有する」ものであるのに対して、引用発明は、そのような特定をしていない点。
　
（４−４）相違点についての検討
（４−４−１）相違点１及び２について
（４−４−１−１）相違点１及び２は互いに関連するものであるから、まとめて検討する。一般に、半導体装置の製造において素子構造を微細化するためにＫｒＦレジストをマスクとしてエッチング処理を行うこと、及び、その際に被エッチング体とＫｒＦレジストとの間に反射防止膜を設けることは、例えば、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である下記周知例１に記載されているように、当業者における周知技術である。
　
ａ．周知例１：特開平７−２２６３９６号公報
　上記周知例１には、図１及び２とともに、以下の記載がある。
　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程において、パターンを形成する方法に関する。」
　「【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程では、素子構造の微細化に伴いリソグラフィーで用いる露光光の短波長化と狭帯域化が進展している。
【０００３】このため、
例えば図２に示すように、半導体基板２１上に形成した絶縁層２２にコンタクトホールを形成する場合のパターン形成方法は、以下のようにしていた。先ず、図２（１）に示すように、コンタクトホールを形成する絶縁層２２の上面に反射防止膜２３を形成し、この反射防止膜２３の上面にレジスト膜２４を形成する。そして、例えばＫｒＦエキシマレーザー光のような紫外線領域の露光光を用いたリソグラフィーによってレジスト膜２４をパターン化する。その後図２（２）に示すように、パターン化したレジスト膜２４をマスクにして反射防止膜２４をエッチングし、引き続き図２（３）に示すようにレジスト膜２４をマスクにして絶縁層２２をエッチングする
【０００４】
上記パターン形成方法では、反射防止膜２３によって、リソグラフィーの際の露光光の反射が防止されるため、レジスト膜２４内に定在波が形成されることはない。したがって上記紫外線領域の露光光を用いたリソグラフィーによって、レジスト膜には微細なパターンが形成される
　「【０００９】
【実施例】本発明の実施例のパターン形成方法を図１に基づいて説明する。第１の実施例では、シリコンからなる基板の上面に形成した酸化シリコン膜に、０．３μｍの開口径のコンタクトホールをパターン形成する場合を例に取って説明を行う。
先ず、図１（１）に示すように、シリコンからなる基板１１の上面に、コンタクトホールをパターン形成する酸化シリコン膜を下地層１２として形成する。この下地層１２となる酸化シリコン膜は、ＣＶＤ法によって例えば４００ｎｍの膜厚で形成する
【００１０】
次いで、下地層１２の上面に、ポリスルホン系の有機材料からなる反射防止膜形成層１３を、１３０ｎｍの膜厚になるように回転塗布する。そして、反射防止膜形成層１３を２５０℃の温度で加熱処理して反射防止膜１４を形成する
【００１１】
次に、図１（２）に示すように、反射防止膜１４の上面に例えば化学増幅型の感光性組成物からなるレジスト膜１５を、８４０ｎｍの膜厚になるように塗布する。このレジスト膜１５は、ＫｒＦエキシマレーザー光のような短波長領域の露光光に対して良好なリソグラフィー特性を有する材料で形成する
【００１２】
そして、このレジスト膜１５に対して、例えば、上記ＫｒＦエキシマレーザー光を露光光に用いたリソグラフィーを行う。これによってレジスト膜１５に、開口径ｒ
1 
＝０．３μｍの開口パターン１６を形成する
【００１３】
その後、図１（３）に示すように、レジスト膜１５をマスクにしたリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）によって、反射防止膜１４を異方性エッチングする。そして、反射防止膜１４に開口パターン１７を形成する。
【００１４】そして、例えば、酸素（Ｏ2 ）／三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）をエッチングガスとして用いた場合には、エッチング雰囲気内のガス圧力を５〜１０Ｐａ，エッチング温度を１０〜３０℃，ＰＦパワーを１０００〜１３００Ｗ，エッチングガス流量をＯ2 ／ＣＨＦ3 ＝５〜４０／５０〜８０ｓｃｃｍに設定してエッチングを行う。上記のようにエッチングを行った場合には、エッチング選択比がレジスト膜１５：反射防止膜１４＝１：０．３程度になる。
【００１５】また、例えば、Ｏ2 ／Ａｒをエッチングガスとして用いた場合には、エッチング雰囲気内のガス圧力を１〜４Ｐａ，エッチング温度を１０〜３０℃，エッチングガス流量をＯ2 ／Ａｒ＝２５／２５ｓｃｃｍに設定してエッチングを行う。上記のようにエッチングを行った場合には、エッチング選択比がレジスト膜１５：反射防止膜１４＝１：１程度になる。
【００１６】
次に、図１（４）に示すように、反射防止膜１４をマスクにして下地層１２を異方性エッチングする。
　
（４−４−１−２）半導体装置の製造において、素子構造を微細化することは、当業者が常に念頭に置いている課題であるから、引用発明に対して、上記周知技術を適用して、「反射防止膜」と「レジスト」とを順次形成した構造とし、かつ、レジストとしてＫｒＦ線に感光するものを採用することは、当業者が容易に想到し得たことである。
　また、そのような構成を採用した場合においては、「
前記レジストをマスクとして、ドライエッチング法を用いて、前記開口部の前記反射防止膜をエッチングする
前記反射防止膜
前記反射防止膜
　したがって、相違点１及び２は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−４−１−３）なお、審判請求人は、審判請求書の請求の理由において、「ＫｒＦ線を用いる露光技術の特殊性からそのレジストは通常とは異なり、ウェットエッチングにさらすと剥離する性質を持っているという問題があった為に、従来は、ＫｒＦ線による露光を行ったレジストをウェットエッチングにさらすことはできなかった」こと、及び「ＫｒＦ線を用いる程度に高度の微細化を行う場合に、横方向にエッチングを進行させるウェットエッチングを行うことは、本来は矛盾であ」ることを挙げて、引用発明及び周知例１に記載の発明を組み合わせることはできない旨主張している。
　しかし、一般に、ＫｒＦ線による露光を行ったレジストをウェットエッチング工程に供することは、例えば、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である下記周知例２及び３に記載されているとおり、当業者において周知であることを考慮すれば、審判請求人の上記主張には根拠がなく、採用することができない。
　
ａ．周知例２：特開平１０−３２３１４号公報
　上記周知例２には、図１とともに以下の記載がある。
　「【００３５】次に、図１（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法により全面に厚さ２０ｎｍのＳｉ3Ｎ4 膜１４と続いて厚さ４００ｎｍの第１のＢＰＳＧ膜８を成長した後、窒素雰囲気で８５０℃、１０分間の熱処理を行う。
【００３６】次に、
図１（ｃ）に示すようにＣＭＰ法によりゲート電極４上のＳｉ
3
Ｎ
4 
膜１４の表面が露出するまで第１のＢＰＳＧ膜８を研磨した後、ハーフトーン位相シフトマスクを用いたＫｒＦエキシマレーザーリソグラフィーにより開口径２００ｎｍのパターンを有するレジスト９をマスクとして、バッファードフッ酸を用いたウェットエッチングによりゲート電極４の間に残存するＰＳＧ膜８をエッチングして上部コンタクト１０ａを形成する。
　
ｂ．周知例３：特開平１１−１２１４３３号公報
　上記周知例３には、以下の記載がある。
　「【請求項１】  リソグラフィー工程と、前処理工程と、ウェットエッチング工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記
リソグラフィー工程は、半導体基板上に形成された酸化膜上に化学増幅レジストを塗布し、その後に露光、露光を行い、ベーク（ＰＥＢ）、現像、ポストベークの順にレジストパターンを形成する処理を行うものであり、前記前処理工程は、前記リソグラフィー工程を経た前記半導体基板をウェットエッチング工程の前段階にイオン系界面活性剤を用いて処理を行うものであり、前記ウェットエッチング工程は、前記前処理工程の処理後に前記レジストパターンをマスクとしてフッ酸を含むウェットエッチング液を用いてシリコン酸化膜を等方性エッチングする処理を行うものであることを特徴とする半導体装置の製造方法
　「【請求項５】  
樹脂に保護基を有し、該保護基を
エキシマレーザ光
を用いて露光したときに酸発生剤から生じる酸により、保護基が脱離する化学増幅ポジ型レジストを用いる
　「【００１３】
化学増幅レジストは、紫外線のみならず、ＫｒＦエキシマレーザ
のレジスト材料としても有望視されている
　
（４−４−２）相違点３について
　一般に、半導体装置の製造において、各層間の密着性を高めることは、当業者が常に念頭においている課題である。そして、反射防止膜に上層と下層との密着性を改善する作用を持たせることは、例えば、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である下記周知例４に記載されているように、当業者における周知技術にすぎないものであるから、引用発明に対して上記（４−４−１−１）に示した周知技術を採用するに際し、反射防止膜としてその上層及び下層との密着性の高い物質を採用すること、すなわち、「反射防止膜」を「前記第１の絶縁膜との間で、前記第１の絶縁膜と前記レジストとの間の密着性よりも強い密着性を有し、かつ、前記レジストとの間で、前記第１の絶縁膜と前記レジストとの間の密着性よりも強い密着性を有する」ものとすることは、当業者であれば適宜になし得たことである。
　
ａ．周知例４：特開平１０−２２１８５５号公報
　上記周知例４には、以下の記載がある。
　「【０００３】
フォトレジストを用いた半導体の微細加工において、寸法の微細化に伴い基板面からの光反射の防止が重要課題になってきている。
ォトレジストと基板の間に反射防止膜（Bottom Anti-Reflective Coating、ＢＡＲＣ）を設ける方法が広く検討されるようになってきた。
　「【００６７】
本発明の反射防止膜材料組成物には、必要に応じてさらなる
接着助剤
を添加することが可能である。
【００６８】
接着助剤は、主に、基板あるいはレジストと反射防止膜材料組成物の密着性を向上させ、特にエッチング工程においてレジストが剥離しないようにするための目的で添加される。
　
（４−４−３）以上検討したとおり、補正発明は、周知例１〜４に記載された周知技術を勘案することにより、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（４−５）独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおり、本件補正は、補正発明が特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから特許法第１７条の２第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項をいう。以下同じ。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　
（５）補正の却下についてのむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むものであるが、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
３．本願発明
　平成２１年４月７日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜３に係る発明は、出願当初の特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記２．（１）の「補正前」の請求項１に記載したとおりのものであり、再掲すると以下のとおりである。
　
　「【請求項１】
　半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
　前記第１の絶縁膜上に反射防止膜とＫｒＦ線に感光するレジストとを順次形成する工程と、
　前記レジストに開口部を形成する工程と、
　前記レジストをマスクとして、ドライエッチング法を用いて、前記開口部の前記反射防止膜をエッチングすると共に、前記開口部の前記第１の絶縁膜を途中までエッチングする工程と、
　前記レジストと前記反射防止膜とをマスクとして、ウェットエッチング法を用いて、前記開口部の残りの前記第１の絶縁膜をエッチングする工程と、
　前記レジストと前記反射防止膜とを除去した後、前記半導体基板上に前記第１の絶縁膜よりも薄い第２の絶縁膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
　一方、本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平４−２１１１７７号公報（引用例）には、上記２．（４−２）に記載したとおりの事項及び発明（引用発明）が記載されているものと認められる。
　そして、上記２．（４）において検討したとおり、補正発明は、周知技術を勘案することにより、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、上記補正発明から技術的限定を省いた本願発明についても、当然に、周知技術を勘案することにより、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。