【事件の表示】
　特願２００５−２００３４０「フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　２月１６日出願公開、特開２００６−　４８０３３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　　本件出願の手続の経緯は、概要次のとおりである。  
 　　特許出願　　　　　　：平成１７年　７月　８日  
　　（特許法第４１条に基づく優先権主張の日：平成１６年　７月９日）
 　　拒絶理由通知（最初）：平成２１年　３月２４日（起案日）  
 　　手続補正　　　　　　：平成２１年　６月　１日  
 　　拒絶査定　　　　　　：平成２１年　６月１９日（起案日）  
 　　拒絶査定不服審判請求：平成２１年　９月２４日  
 　　手続補正　　　　　　：平成２１年　９月２４日  
 　　審尋　　　　　　　　：平成２２年　８月　５日（起案日）  
 　　回答書　　　　　　　：平成２２年１０月１２日  
 　  
第２　平成２１年９月２４日付け手続補正についての補正の却下の決定  
〔補正却下の決定の結論〕  
　平成２１年９月２４日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。  
 　  
〔理由〕  
１　本件補正の目的  
　本件補正は、特許請求の範囲及び明細書を補正するものであって、その補正は、平成２１年６月１日付け手続補正により補正された請求項１の、  
「【請求項１】
　透光性基板上に遮光膜を有するフォトマスクブランクにおいて、
　前記フォトマスクブランクは、前記遮光膜上に形成されるレジストパターンをマスクにしてドライエッチング処理により、前記遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のマスクブランクであって、
　前記遮光膜は、窒素を含み、前記ドライエッチング処理において、前記レジストとの選択比が１を超える材料で構成され、
　前記レジストは、金属成分を含まない化学増幅型レジストであり、
　前記レジストの膜厚を３００ｎｍ以下とすることを特徴とするフォトマスクブランク。」
を引用する請求項１８の、　　
「【請求項１８】
　前記透光性基板と前記遮光膜との間に、ハーフトーン型位相シフター膜が形成されていることを特徴とする請求項１乃至１５の何れか一に記載のフォトマスクブランク。」  
なる記載を、本件補正後の請求項１の、  
「【請求項１】
　透光性基板上に遮光膜を有するフォトマスクブランクにおいて、
　前記フォトマスクブランクは、波長２００ｎｍ以下の露光光を露光光源とする露光装置に用いられるフォトマスクを製造するためのフォトマスクブランクであり、
　前記フォトマスクブランクは、前記遮光膜上に形成されるレジストパターンをマスクにしてドライエッチング処理により、前記遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のマスクブランクであって、
　前記透光性基板と前記遮光膜との間に、ハーフトーン型位相シフター膜が形成されており、
　前記遮光膜は、窒素を含み、前記ドライエッチング処理において、前記レジストとの選択比が１を超える材料で構成され、
　遮光膜は遮光層と反射防止層とを有し、
　前記反射防止層は前記遮光膜の上層部にあり、
　遮光層はクロムと酸素と窒素とを含み、酸素と窒素の含有量が１０〜８０原子％であり、
　前記レジストは、金属成分を含まない化学増幅型レジストであり、
　前記レジストの膜厚を２００ｎｍ以下とすることを特徴とするフォトマスクブランク。」  
という記載にすることを含むものである。
　　
　本件補正後の請求項１に係る当該補正は、平成２１年６月１日付け手続補正により補正された請求項１を引用する請求項１８について、「フォトマスクブランク」の用途、「遮光膜」の構造及び組成を限定し、「レジスト」の膜厚を「２００ｎｍ」と減縮するものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下単に「特許法第１７条の２」という。）第４項第２号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものである。  
 　  
　そこで、本件補正後の請求項１に記載されている発明特定事項により特定される発明(以下「本件補正発明」という。)が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか否かについて、以下に検討する。  
 　  
２　本件補正発明  
　本件補正発明は、上記「１」に記載したとおりのものである。  
 　  
３　引用例  
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先日前に頒布された刊行物である、特開２００３−１９５４７９号公報（以下「引用例」という。）には、以下の技術的事項の記載がある（下線は当審で付した。）。  
 　　  
ａ．「【０００２】
【従来の技術】
半導体ＬＳＩや液晶パネルなどを製造するに当たって、リソグラフィ工程では露光対象に微細パターンを転写する為にフォトマスクが用いられる。このフォトマスクの一種としてハーフトーン型位相シフトマスクが提供されている
　・・・（中略）・・・
【０００４】ところで、この種のハーフトーン型位相シフトマスクは概ね次のようにして製作される。
先ず透明基板上に、ハーフトーン材料膜と遮光膜とを順次積層することによりハーフトーン型位相シフトマスクブランクを得る。次いで、遮光膜上にレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクにして遮光膜をエッチング除去することにより遮光膜パターンを形成する
　　　
ｂ．「【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の態様による
ハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、透光性基板上に、ハーフトーン材料膜と、このハーフト−ン材料膜上に形成された遮光膜とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランク
　　
ｃ．「【００１２】ここで、ハーフトーン材料膜と積層したときの露光光に対する遮光性が充分である遮光膜の膜厚とは、露光光に対して３．０以上の光学濃度が得られる膜厚であり、具体的には、第２の態様のように、遮光膜の膜厚を５０ナノメートル以上とすることにより、この遮光膜とハーフトーン材料膜とを合わせた場合に、少なくとも波長２４８［ｎｍ］の露光光に対して３．０以上の充分な光学濃度（ＯＤ）が得られる。遮光膜の膜厚を５０ナノメートル以上とすることにより、仮に、遮光膜中に遮光性にあまり寄与しない反射防止膜を含めたとしても、この遮光膜とハーフトーン材料膜とを合わせた場合に、露光光に対して３．０以上の充分な光学濃度（ＯＤ）が得られる。なお、
ここに云う露光光とは、波長が２４８［ｎｍ］より短い露光光であり、波長１９３［ｎｍ］の露光光、又は波長１５７［ｎｍ］の露光光も含む
　　
ｄ．「【００１４】本発明の第３の態様による
ハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、第１又は第２の態様によるハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記遮光膜が、炭素、酸素、及び窒素のうち少なくとも１つの元素と、クロムとの化合物を含んで構成されている
【００１５】本発明の第３の態様によれば、遮光膜が、クロム化合物を含んで構成されているので、クロム単体のみからなる遮光膜（Ｃｒ膜）に比べて膜応力を一層低減できる。
【００１６】ここで、前記遮光膜における前記ハーフトーン材料膜と接する部分は、クロムと、少なくとも窒素と、の化合物から構成されているのが好ましい。この場合は、遮光膜とハーフトーン材料膜との密着性を良好にでき、膜剥離の発生を確実に防止できる。」
　　
ｅ．「【００１７】本発明の第４の態様による
ハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、第１乃至第３の態様によるハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記遮光膜はその表面が反射防止機能を有するよう構成されてなる
【００１８】ここで、前記遮光膜は、当該遮光膜上に塗布されるレジストへの露光光、及びこのハーフトーン型位相シフトマスクブランクを用いて製造されたハーフトーン型位相シフトマスク使用時の露光光の双方に対して反射防止機能を発揮するよう構成されてなるのが好ましい。　　
【００１９】本発明の第４の態様によれば、遮光膜の表面が反射防止機能を有するので、遮光膜上に塗布されるレジストへの露光光による定在波の発生が低減され、遮光膜のパターン精度を一層向上できる。遮光膜の表面が反射防止機能を有するので、このハーフトーン型位相シフトマスクブランクを用いて製造されたハーフトーン型位相シフトマスクを使用する際には、露光光による迷光の発生が防止され、転写パターンの精度を向上できる。」
　　
ｆ．「【００２０】本発明の第５の態様による
ハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、第１乃至第４の何れかの態様によるハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記遮光膜は、その表面側が少なくとも反射防止機能を発揮すると共に、そのハーフトーン材料膜側が少なくとも遮光機能を発揮するよう構成され、且つ、当該表面側から当該ハーフトーン材料膜側に向かって段階的及び／又は連続的にその成分が変化するよう構成されてなる
【００２１】ここで、前記遮光膜は、当該表面側から当該ハーフトーン材料膜側に向かうにしたがって、そのエッチングレートが高くなるよう構成されてなるのが好ましい。
【００２２】遮光膜の成分を表面側からハーフトーン材料膜側に向かって段階的に変化させることは、遮光膜を複数層で構成することにより実現できる。この複数層は、例えば、複数のチャンバの各々で個別にスパッタリングを行うことにより得られる。一方、遮光膜の成分を表面側からハーフトーン材料膜側に向かって連続的に変化させることは、遮光膜を連続膜で構成することにより実現できる。この連続膜は、例えば、同一のチャンバ内で単数又は複数のターゲットを備えたインラインスパッタリングを行うことにより得られる。パターン断面を垂直にする点では連続膜が好ましい。
【００２３】本発明の第５の態様によれば、遮光膜の表面側とハーフトーン材料膜側とでそれぞれに適した機能が発揮される。また、表面側からハーフトーン材料膜側に向かって段階的及び／又は連続的に成分を変化させることにより、遮光膜をエッチングした際の当該遮光膜の断面形状が良好となる。これにより、エッチングした遮光膜をマスクにハーフトーン材料膜をさらにエッチングする場合には、ハーフトーン材料膜の断面形状も良好にできる。」
　　
ｇ．「【００２４】本発明の第６の態様による
ハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、第１乃至第５の何れかの態様によるハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、前記遮光膜の表面側は、クロムと、酸素及び窒素の少なくとも何れか一方と、の化合物を含んで構成されている
ｈ．「【００２５】本発明の第７の態様による
ハーフト−ン型位相シフトマスクの製造方法は、第１乃至第６の何れかの態様によるハーフトーン型位相シフトマスクブランクを用いるハーフト−ン型位相シフトマスクの製造方法であって、前記遮光膜の上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンをマスクとして第１のエッチングを施すことにより遮光膜パターンを形成する第１工程と、次いで、少なくとも前記遮光膜パターンをマスクとして第２のエッチングを施すことにより前記ハーフトーン材料膜をパターニングする第２工程と、次いで、前記遮光膜パターンの一部又は全部を除去する第３工程とを含む
【００２６】本発明によれば、第１乃至第６の態様によるハーフトーン型位相シフトマスクを用いて製造したことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクも提供される。このハーフトーン型位相シフトマスクでは、露光光として波長２４８［ｎｍ］の露光光、波長１９３［ｎｍ］の露光光、又は波長１５７［ｎｍ］の露光光などを使用できる。」
　　
ｉ．「【００２８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する。図１〜図４は、第１〜第４実施例を説明する為の図であり、図１はハーフトーン型位相シフトマスクブランクを示す断面図、図２はハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を説明する為の図、図３はハーフトーン型位相シフトマスクを示す図、図４は各実施例において採用した条件等をまとめた図である。
【００２９】〔第１実施例〕第１実施例によるハーフトーン型位相シフトマスクブランク１は、石英からなる透明基板２上に、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）とを主成分とする材料からなるハーフトーン材料膜３、クロム（Ｃｒ）を主成分とする金属膜４、及びＣｒＯＮからなる反射防止膜５がこの順に積層されて構成されている（図１参照）。このうち、金属膜４はＣｒＮ膜４１とＣｒＣ膜４２とを順次積層した構成となっている。金属膜４と反射防止膜５とで遮光膜を構成している。該遮光膜は、ハーフトーン材料膜３とエッチング特性が異なる材料で構成されている。
【００３０】このようなハーフトーン型位相シフトマスクブランク１は次のようにして製造したものである。先ず、石英基板の両主表面及び端面を精密研磨して縦６インチ×横６インチ×厚み０．２５インチの透明基板２を作成した。ここで、透明基板２の素材としては、石英以外に、蛍石、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラスなどを用いてもよい。次いで、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）の混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝２０：８０ｍｏｌ％）を用いて、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ2）との混合ガス雰囲気中（Ａｒ：１０％、Ｎ2：９０％、圧力０．３Ｐａ）で、反応性スパッタリングにより、透明基板２の上に膜厚９２５［Å］のＭｏＳｉＮからなるハーフトーン材料膜３を形成した。
【００３１】次いで、クロムターゲットを用いて、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ２）の混合ガス雰囲気（Ａｒ：８０体積％、Ｎ２：２０体積％、圧力０．３［Ｐａ］）中で反応性スパッタリングにより、膜厚１５［ｎｍ］のＣｒＮ膜４１を成膜した。なお、得られたＣｒＮ膜４１における窒素の含有率は２０ａｔ％であった。
【００３２】次いで、クロムターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）とメタン（ＣＨ4）から成る混合ガス雰囲気（Ａｒ：９５体積％、ＣＨ4：５体積％、圧力０．３［Ｐａ］）中で、反応性スパッタリングにより、膜厚２０［ｎｍ］のＣｒＣ膜４２を成膜した。なお、得られたＣｒＣ膜４２中の炭素含有率は６ａｔ％であり、そのエッチングレートは０．３［ｎｍ／秒］であった。また、ＣｒＣ膜４２の結晶粒子径を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で測定したところ１〜７［ｎｍ］であった。
【００３３】次いで、クロムターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）と一酸化窒素（ＮＯ）の混合ガス雰囲気（Ａｒ：８５．５体積％、ＮＯ；１４．５体積％、圧力：０．３［Ｐａ］）中で反応性スパッタリングにより反射防止膜５を成膜した。このとき、反射防止膜５が、ＫｒＦレーザ（波長２４８［ｎｍ］）及びｉ線（波長３６５［ｎｍ］）の双方に対して反射防止機能を発揮するようにした。具体的には、スパッタ電力を調整することにより、反射防止膜５の膜厚を２０［ｎｍ］とした。しかる後、スクラブ洗浄を行いハーフトン型位相シフトマスクブランク１を得た。得られたブランク１は、全ての膜において膜欠陥もなく、膜質は良好であった。
【００３４】また、ハーフトーン型位相シフトマスクブランク１の光学特性を市販の装置を用いて測定したところ、ハーフトーン材料膜３と遮光膜とを合わせた光学濃度（ＯＤ）は、波長２４８［ｎｍ］の試験光に対して３．０以上であった。また、別途製作した試料によって、遮光膜のみの光学濃度（ＯＤ）を測定したところ、波長２４８［ｎｍ］の試験光に対して２．１以上であった。」
　　
ｊ．「【００３６】次に、図２を参照してハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法について説明する。先ず、ハーフトーン型位相シフトマスクブランク１における反射防止膜５の上に第１フォトレジストを塗布し、パターン露光及び現像を行って第１レジストパターン６１を形成した（図２（a）参照）。ここで、ＣｒＯＮは、反射防止機能を有するだけでなく、酸化防止機能をも有しており、耐久性が良好である。また、ＣｒＯＮは、フォトレジストとの密着性が良好である。従って、安定した高精度のパターニングを行える。この様に、ＣｒＯＮは、フォトマスクブランクに用いて好適である。
【００３７】次いで、硝酸第２セリウムアンモニウム１６５［ｇ］と濃度７０％の過塩素酸４２［ｍｌ］とに純水を加えて１０００［ｍｌ］とし、摂氏１９［℃］〜摂氏２０［℃］に保持したエッチング液によって、第１レジストパターン６１をマスクとして、反射防止膜５及び金属膜４をウエットエッチングし、反射防止膜パターン５１と金属膜パターン４１とを形成した（図２（ｂ）参照）。ここで、金属膜パターン４１は、ＣｒＮ膜パターン４１１とＣｒＣ膜パターン４２１とからなる。
【００３８】このようなパターニングを行った後において、エッチング残りによるハーフトーン材料膜３上への金属膜４中の金属（Ｃｒ）の残存や、オーバハング形状による金属膜４および反射防止膜５の先端の欠けによる黒欠陥もなかった。これは、金属膜４および反射防止膜５と、ハーフトーン材料膜３とが互いに選択エッチング可能であること、すなわち、金属膜４よおび反射防止膜５とハーフトーン材料膜３とのエッチング特性がことなることによるものであり、かつ、ハーフトーン材料膜３に接する金属膜４のエッチングレートが、ハーフトーン材料膜よりも速いこと、具体的には、ハーフトーン材料膜と接する金属膜４ののエッチングレートが２［ｎｍ／ｓｅｃ］以上であることによるものである。なお、このエッチングレートは、Ｃｒ単体の場合よりも速い。
【００３９】次いで、第１レジストパターン６１、反射防止膜パターン５１、および金属膜パターン４１をマスクにして、ＣＦ4とＯ2との混合ガスによるドライエッチングによって、ハーフトーン材料膜３の露出部分を除去して、ハーフトーン材料膜パターンを３１形成した（図２（ｃ）参照）。
【００４０】次いで、第１レジストパターン６１を除去し、第２フォトレジスト７をスピンコート法により塗布してベークした（図２（ｄ））。そして、露光及び現像を行うことにより、周辺領域のみをマスクするような第２レジストパターン７１を形成した（図２（ｅ））。
【００４１】次いで、硝酸第２セリウムアンモニウム１６５［ｇ］と濃度７０％の過塩素酸４２［ｍｌ］とに純水を加えて１０００［ｍｌ］とし、摂氏１９［℃］〜摂氏２０［℃］に保持したエッチング液によって、第２レジストパターン７１をマスクにして、エッチングを行い、反射防止膜パターン５１及び金属膜パターン４１を一部除去した（図２（ｅ））。しかる後、第２レジストパターン７１を剥離してハーフト−ン型位相シフトマスク８を得た（図３）。
【００４２】こうして得られたハーフトーン型位相シフトマスク８は、そのハーフトーン材料膜パターン３１にダメージは認められず、しかもそのパターンの精度は初期の通り良好であり、位相シフト量も１８０°−２°の範囲内に収められており、信頼性の高いものであった。」
　　　 
〔引用例に記載された発明〕　  
　これらの記載事項からして、引用例には、  
「半導体ＬＳＩや液晶パネルなどを製造するに当たって、リソグラフィ工程で露光対象に微細パターンを転写するために用いられるフォトマスクを製作するためのハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
　ハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、透光性基板上に、ハーフトーン材料膜と、このハーフト−ン材料膜上に形成された遮光膜とを有し、
遮光膜は、炭素、酸素、及び窒素のうち少なくとも１つの元素とクロムとの化合物を含んで構成されており、
　遮光膜は、その表面側が少なくとも反射防止機能を発揮すると共に、そのハーフトーン材料膜側が少なくとも遮光機能を発揮するよう構成され、かつ、当該表面側から当該ハーフトーン材料膜側に向かって段階的及び／又は連続的にその成分が変化するよう構成されており、
　遮光膜は、表面側は、クロムと、酸素及び窒素の少なくとも何れか一方と、の化合物を含んで構成されており、
　上記ハーフトーン型位相シフトマスクブランクを用いるハーフト−ン型位相シフトマスクの製造方法は、遮光膜上にレジストを塗布し、遮光膜の上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンをマスクとして第１のエッチングを施すことにより遮光膜パターンを形成する第１工程と、次いで、少なくとも前記遮光膜パターンをマスクとして第２のエッチングを施すことにより前記ハーフトーン材料膜をパターニングする第２工程と、次いで、前記遮光膜パターンの一部又は全部を除去する第３工程とを含み、
　製造されたハーフトーン型位相シフトマスクでは、露光光として波長２４８［ｎｍ］の露光光、波長１９３［ｎｍ］の露光光、又は波長１５７［ｎｍ］の露光光などを使用できる、
　ハーフトーン型位相シフトマスクブランク。」
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。  
 　  
４　本件補正発明と引用発明との対比  
　本件補正発明と引用発明とを対比する。  
 　  
＜対応関係Ａ＞  
　引用発明の「ハーフトーン型位相シフトマスクブランク」及び「ハーフトーン材料膜」、は、それぞれ本件補正発明の「フォトマスクブランク」及び「ハーフトーン型位相シフター膜」に相当する。  
 　  
＜対応関係Ｂ＞  
　引用発明の「露光光として・・・波長１９３［ｎｍ］の露光光、又は波長１５７［ｎｍ］の露光光などを使用できる」「半導体ＬＳＩや液晶パネルなどを製造するに当たって、リソグラフィ工程で露光対象に微細パターンを転写するために用いられるフォトマスクを製作するためのハーフトーン型位相シフトマスクブランク」は、技術常識からして露光光を発生する露光光源を持つ露光装置で用いるものであるから、本件補正発明の「波長２００ｎｍ以下の露光光を露光光源とする露光装置に用いられるフォトマスクを製造するためのフォトマスクブランク」に相当する。 
 　　 
＜対応関係Ｃ＞ 
　引用発明の「遮光膜」における「反射防止機能を発揮する」「表面側」の部分は、本件補正発明の「反射防止層」に相当する。 
 　　 
＜対応関係Ｄ＞ 
　引用発明の「遮光膜」における「遮光機能を発揮する」「ハーフトーン材料膜側」の部分は、本件補正発明の「遮光層」に相当する。　 
　　　
＜対応関係Ｅ＞ 
　引用発明の「遮光機能を発揮する」部分が「ハーフトーン材料膜側」にあり、「反射機能を発揮する」部分が「表面側」にあることは、本件補正発明の「反射層は遮光膜の上層部にあ」ることに相当する。
 　　　
＜対応関係Ｆ＞
　引用発明の「遮光膜の上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンをマスクとして第１のエッチングを施すことにより遮光膜パターンを形成する第１工程」を含む「ハーフト−ン型位相シフトマスクの製造方法」に用いる「ハーフトーン型位相シフトマスクブランク」と、本件補正発明の「遮光膜上に形成されるレジストパターンをマスクにしてドライエッチング処理により、前記遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のマスクブランク」とは、「遮光膜上に形成されるレジストパターンをマスクにしてエッチング処理により、前記遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するエッチング処理用のマスクブランク」である点で共通する。
　　
　以上の対応関係からして、本件補正発明と引用発明とは、  
「透光性基板上に遮光膜を有するフォトマスクブランクにおいて、
　前記フォトマスクブランクは、波長２００ｎｍ以下の露光光を露光光源とする露光装置に用いられるフォトマスクを製造するためのフォトマスクブランクであり、
　前記フォトマスクブランクは、前記遮光膜上に形成されるレジストパターンをマスクにしてエッチング処理により、前記遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するエッチング処理用のマスクブランクであって、
　前記透光性基板と前記遮光膜との間に、ハーフトーン型位相シフター膜が形成されており、
　遮光膜は遮光層と反射防止層とを有し、
　前記反射防止層は前記遮光膜の上層部にあるフォトマスクブランク。」  
の点で一致し、以下の点で相違する。  
 　　  
（相違点１）
　「フォトマスクブランク」の「遮光膜をパターニング」する際の「エッチング処理」に関して、本件補正発明は「ドライエッチング処理」するのに対して、引用発明は「ドライエッチング処理」するとはしていない点。
　　
（相違点２）  
　「遮光膜」に関して、本件補正発明は「遮光膜は、窒素を含み、ドライエッチング処理において、レジストとの選択比が１を超える材料で構成され」、かつ、「遮光膜」に含まれる「遮光層はクロムと酸素と窒素とを含み、酸素と窒素の含有量が１０〜８０原子％」としているのに対して、引用発明は「遮光膜は、炭素、酸素、及び窒素のうち少なくとも１つの元素とクロムとの化合物を含んで構成され」るとしているが、「エッチング処理」の際の「レジストとの選択比」については限定しておらず、かつ、「遮光層」に含まれる「酸素」や「窒素」の含有量を限定していない点。
　　
（相違点３）
　「レジスト」に関して、本件補正発明は、「レジストは、金属成分を含まない化学増幅型レジストであり、前記レジストの膜厚を２００ｎｍ以下とする」のに対して、引用発明はそのような限定をしていない点。  
 　  
５　検討・判断  
　上記相違点について検討する。  
 　  
（１）相違点１について
　フォトマスクブランクの遮光膜をパターニングする際に、ドライエッチング処理を行うことは、例えば、原査定の拒絶の理由で引用された特開平６−２５０３７４号公報（段落【０００２】〜【０００５】参照。）、原査定の拒絶の理由で引用された特開平６−３４７９９６号公報（段落【０００２】〜【０００４】参照。）、原査定の備考欄で示された特開２００２−２７８０７６号公報（段落【００１３】参照。）等に開示されているように周知の技術である。
　また、ドライエッチング処理が高精度のパターン形成に適することもよく知られたことである。
　そうすると、引用発明の「エッチング処理」として、周知のドライエッチング処理を採用することにより、相違点１に係る構成を得ることは、当業者であれば容易になし得ることである。
　　
（２）相違点２について
（２−１）遮光膜の遮光層の組成に関して
　フォトマスクブランクの遮光膜が有する遮光層として、クロムと酸素と窒素とを含む遮光層は、例えば、特開２００１−３０５７１３号公報（段落【００４５】〜【００４７】、【００５２】の【表１】における「実施例４」参照。）、特開２００２−１５６７４３号公報（段落【００１６】〜【００３１】参照。）、特開２００２−２４４２７４号公報（段落【００１８】〜【００３１】、【表１】における「実施例１」、「実施例２」等参照。）に開示されているように周知の技術であり、かつ、当該周知組成の遮光層において、酸素と窒素の含有量を１０〜８０原子％の範囲とすることも上記各文献にも開示されてるように周知の範囲に過ぎず、格別のものではない。
　　
（２−２）遮光膜とレジストとの選択比に関して
　技術常識からして、ドライエッチング処理におけるエッチング対象の膜とレジストとの選択比は、レジストの材料や各種のエッチング条件（エッチングガスの組成・流量比・圧力、高周波電源の周波数、電力密度等々）に大きく依存するものであるから、エッチング対象の膜の材料だけでは選択比は一意的に定まらないことは明らかである（例えば、特開２００１−７７１９０号公報の段落【００３０】には、エッチングガスの混合比、レジスト膜の種類、エッチング対象膜の膜質等に依存することが示され、特開２００２−１３４４７２号公報の段落【００１２】には、エッチングにおいて上部・下部電極に供給される高周波電源の周波数や電力密度に依存することが示され、特開２００２−１８４８６０号公報の段落【０１０４】〜【０１０６】には、混合ガス（エッチングガス）中のＯ２流量に依存することが示されている。）。
　それに対して、本件補正発明はレジストの材料や各種のエッチング条件を何ら特定しておらず、本願明細書の発明の詳細な説明を参照しても、それらの条件を特定のものに限定する記載はない。
　そうすると、本件補正発明における、「遮光膜は、窒素を含み、ドライエッチング処理において、レジストとの選択比が１を超える材料で構成され」るという発明特定事項において、「ドライエッチング処理において、レジストとの選択比が１を超える」という事項は、本件補正発明で特定する「遮光膜」の材料以外の任意のレジストの材料や任意の各種のエッチング条件に依存し、特定の技術的意味に定まらない事項であるから、単なる設計的事項に過ぎず、格別のものではない。
　よって、引用発明において、上記（２−１）で述べた周知の遮光層を含む遮光膜を採用する際に、ドライエッチング処理において、レジストとの選択比が１を超える材料とすることで相違点２に係る構成を得ることは、当業者にとって格別の創意を必要とすることではない。
　
　なお、「フォトマスクブランク」という物の発明の発明特定事項の解釈としては不適当であるが、上記（２−２）で述べた「ドライエッチング処理において、レジストとの選択比が１を超える」という事項が、仮に、遮光膜のドライエッチング処理時に、遮光膜とレジストとの選択比が１を超えるような条件でドライエッチング処理を行うという処理方法を採用することを意味していたとしても、フォトマスクのドライエッチングにおいてレジストに対する遮光膜の選択比はある程度の大きさを有することが好ましいことが周知であるから、ドライエッチング処理の条件として、遮光膜とレジストとの選択比が１を超えるような条件を採用することで相違点２に係る構成を得ることは、当業者にとって格別の創意を必要とすることではない。
　
（２−３）小括
　以上の（２−１）及び（２−２）で検討した点を総合すると、引用発明において、「炭素、酸素、及び窒素のうち少なくとも１つの元素とクロムとの化合物を含んで構成され」る「遮光膜」について、クロムと酸素と窒素とを含む周知の遮光層を有する遮光膜を採用し、酸素と窒素の含有量を１０〜８０原子％の範囲にし、かつ、ドライエッチング処理の条件として、遮光膜とレジストとの選択比が１を超えるようにすることで、相違点２に係る構成を得ることは、当業者であれば容易になし得ることである。
　　
（３）相違点３について
　レジストとして化学増幅型レジストを用いることは、例えば、原査定の拒絶の理由で引用された特開平５−３４１５０１号公報（段落【０００３】参照。）、原査定の備考欄で示された特開２００２−２７８０７６号公報（段落【００１３】参照。）、特開２００３−５９８０５号公報（段落【００２５】参照）、特開２００４−６２１４８号公報（段落【００４５】参照）に開示されているように周知の技術であり、かつ、金属成分を含まない化学増幅型レジストも周知のものである。
　また、形成するパターンの細密化に伴い、アスペクト比の要求・パターン倒壊の防止等の観点から、レジストを薄く形成する方が好ましいこともよく知られており（特開２００３−２９５４５６号公報の段落【０００７】参照。）、かつ、化学増幅型レジストの膜厚について２００ｎｍ以下とすることも、例えば、上記特開２００２−２７８０７６号公報（段落【０００９】に「１００ｎｍ」の膜厚が示されている。）、上記特開２００３−５９８０５号公報（段落【００２５】に「１２２ｎｍ」の膜厚が示されている。）、上記特開２００４−６２１４８号公報（段落【００４５】に「１００ｎｍ」の膜厚が示されている。）に開示されているように、周知の技術に過ぎない。
　そうすると、引用発明の「レジスト」として、金属成分を含まない周知の化学増幅型レジストを採用し、その膜厚を薄く形成する際に、膜厚範囲を２００ｎｍ以下とすることで、相違点３に係る構成を得ることは、当業者であれば容易になし得ることである。
　　　
（４）本件補正発明の作用効果
　本件補正発明が奏する作用効果は、引用発明及び周知の技術から当業者が予測できる範囲のものである。
 　  
（５）まとめ
　よって、本件補正発明は、当業者が引用発明及び周知の技術に基いて容易に発明をすることができたものである。  
 　  
６　本件補正についてのむすび  
　以上のとおり、本件補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たさないものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
 　  
第３　本願発明について  
１　本願発明  
　平成２１年９月２４日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲に記載された発明は、特許出願時の特許請求の範囲の請求項１〜２３に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。  
 　  
「【請求項１】
　透光性基板上に遮光膜を有するフォトマスクブランクにおいて、
　前記フォトマスクブランクは、前記遮光膜上に形成されるレジストパターンをマスクにしてドライエッチング処理により、前記遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のマスクブランクであって、
　前記遮光膜は、窒素を含み、前記ドライエッチング処理において、前記レジストとの選択比が１を超える材料で構成され、
　前記レジストは、金属成分を含まない化学増幅型レジストであり、
　前記レジストの膜厚を３００ｎｍ以下とすることを特徴とするフォトマスクブランク。」  
 　  
２　引用例  
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、前記「第２」「〔理由〕」「３　引用例」に記載したとおりである。  
 　  
３　本願発明と引用発明との対比、検討・判断  
　本願発明は、前記「第２」「〔理由〕」「２　本件補正発明」で検討した本件補正発明の発明特定事項において、平成２１年９月２４日付け手続補正により導入された「フォトマスクブランク」の用途、「遮光膜」の構造及び組成に関する発明特定事項を省き、「レジスト」の膜厚を「３００ｎｍ」に拡張したものに相当する。  
　そして、本願発明の発明特定事項を全て含み、一部の発明特定事項を減縮した上で、さらに他の発明特定事項を追加したものに相当する本件補正発明は、上記「第２」「〔理由〕」「５　検討・判断」に記載したとおり、当業者が引用発明及び周知の技術に基いて容易に発明をすることができたものである。  
　してみると、本願発明も同様の理由（本願発明が具備しない発明特定事項のみに対応する「（２）相違点２について」の判断は除く。）により、当業者が引用発明及び周知の技術に基いて容易に発明をすることができたものである。　 
　　
〔付記〕
　なお、請求人は、平成２２年１０月１２日付け回答書において、
「６．今回の前置報告書において、論理づけが変わり（主引例が変更され）ましたので、論理づけの変更（主引例の変更）に対し、より明確に区別するための補正の機会を賜りますようお願い申し上げます。・・・（中略）・・・補正の機会を賜りますようお願い申し上げます。」
と主張している。
　しかし、補正の却下の決定の際、請求人が意見書を提出する機会及び補正をする機会を与える必要はなく、また、本願発明自体上記のとおり特許を受けることができないものであるから、当該主張は採用できない。
　また、平成２１年６月１９日付け拒絶査定において、
「引用文献１〜３にも、窒素を含む遮光膜が記載されており、引用文献４に記載の周知の化学増幅型レジストを用いてエッチングすることも当業者が容易に想到し得た事項であり・・・」
と述べられており、当該記載から明らかなように、当該査定の理由において、「引用文献１〜３」は並列的な扱いであることが示されており、「引用文献２」（及び周知の技術）に基づく容易想到性の判断が示されているといえるから、請求人の主張は妥当ではない。
　さらに、請求人が提示した補正案を参酌しても上記したような進歩性の判断に変わりはない。
　したがって、請求人の上記主張及び補正案を勘案しても、本願は特許をすべきものであると認められない。
 　  
４　むすび  
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。  
 　  
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
 　  
　よって、結論のとおり審決する。