【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年5月10日(2011.5.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバ内においてセラミック基板ヒータ上の基板を処理する方法であって、
前記方法は、前記セラミック基板ヒータ上に基板を配置する前に、前記処理チャンバ内の前記セラミック基板ヒータ上に保護コーティングを形成する段階を備え、
前記形成する段階は、
（ａ）前記セラミック基板ヒータを金属含有ガスに暴露して前記セラミック基板ヒータ上に金属からなる第１金属層を堆積する段階と、
（ｂ）前記セラミック基板ヒータを少なくとも１つの非金属含有ガスに暴露して少なくとも１つの非金属を前記第１金属層上に堆積する段階と、
を含み、
前記保護コーティングは、基板を受ける非金属層表面部位を有し、前記非金属層表面部位は、基板を受ける第１表面部位と、前記第１表面部位が基板を受ける際に露出された状態に維持される第２表面部位と、を含み、
前記方法が、
（ｃ）前記非金属層表面部位の第１表面部位上に少なくとも１つの基板を配置し、その後、該基板に、前記第２表面部位上に追加的金属を堆積する処理を施す段階と、
（ｄ）処理された前記基板を前記処理チャンバから取り外し、コーティングされた前記セラミック基板ヒータを少なくとも１つの非金属含有ガスに再度暴露して追加的非金属を堆積し、前記追加的金属を覆う段階と、
（ｅ）前記（ｃ）と段階と前記（ｄ）の段階とを所望の数の基板が処理されるまで、繰り返す段階と、
（ｆ）前記セラミック基板ヒータから、前記保護コーティングと、前記追加的金属及び追加的非金属の堆積物を剥離する段階と、 
をさらに含む、
方法。
【請求項２】
前記非金属層表面部位は、シリコン又はグラファイトである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記セラミック基板ヒータは、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、及び、ＢｅＯからなる群から選択される少なくとも１つのセラミックを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記保護コーティングの金属は、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｎｉ、若しくはＣｒ、又はこれらの２つ以上の組合せを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記金属含有ガスは、Ｒｕ３（ＣＯ）１２、Ｎｉ（ＣＯ）４、Ｃｏ２（ＣＯ）８、Ｒｈ４（ＣＯ）１２、Ｒｅ２（ＣＯ）１０、及び、Ｃｒ（ＣＯ）６からなる群から選択される少なくとも１つの金属カルボニルガスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記非金属含有ガスは、シリコン含有ガス、炭化水素ガス、酸素含有ガス、若しくは窒素含有ガス、又はこれらの２つ以上の組合せを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記非金属含有ガスは、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＣｌ２Ｈ２、Ｓｉ２Ｃｌ６、アルカン、アルケン、アルキン、Ｏ２、Ｏ３、ＣＯ２、ＣＯ、Ｎ２、ＮＯ、ＮＯ２、若しくはＮ２Ｏ、又はこれらの２つ以上の組合せを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記形成する段階は、前記基板ヒータを約１００℃〜約８００℃に加熱する段階をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記形成する段階は、前記セラミック基板ヒータを約３００℃〜約６００℃に加熱する段階をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記非金属層は、Ｓｉを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記第２表面部位上に追加的金属を堆積する前記処理は、ＴＣＶＤ処理、ＡＬＤ処理、ＰＥＣＶＤ処理、及びエッチング処理からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記保護コーティングは、前記セラミック基板ヒータの露出した表面を実質的に覆う、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記段階（ａ）から段階（ｆ）までを少なくとも１回繰り返す段階をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
処理チャンバ内においてセラミック基板ヒータ上の基板を処理する方法であって、
基板を前記セラミック基板ヒータ上に載置する前に、前記処理チャンバ内の前記セラミック基板ヒータ上にＳｉ／Ｒｕ保護コーティングを形成する段階と、
前記コーティングされたセラミック基板ヒータ上で少なくとも１つの基板を処理する段階と、
を備え、
前記形成する段階は、
前記セラミック基板ヒータをＲｕ３（ＣＯ）１２に暴露して前記セラミック基板ヒータ上にＲｕ層を堆積する段階と、
その後、前記セラミック基板ヒータをＳｉＨ４に暴露して前記Ｒｕ層上にＳｉ層を堆積する段階と、
を含み、
前記処理する段階は、
処理される基板を前記コーティングされたセラミック基板ヒータ上に提供する段階と、
前記基板をＲｕ３（ＣＯ）１２に暴露することによって前記基板上にＲｕ堆積処理を行う段階と、
処理された前記基板を前記処理チャンバから取り外す段階と、
を含む、方法。
【請求項１５】
前記取り外す段階に引き続き前記保護コーティング上にＳｉ層を形成する段階と、
前記処理を少なくとも１回繰り返す段階と、
をさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
処理チャンバ内においてセラミック基板ヒータ上の基板を処理する方法であって、
前記セラミック基板ヒータ上に基板を配置する前に、前記処理チャンバ内の前記セラミック基板ヒータ上に保護コーティングを形成する段階と、
少なくとも１つの基板を前記コーティングされたセラミック基板ヒータ上において処理する段階と、
を備え、
前記形成する段階は、
（ａ）前記セラミック基板ヒータを金属含有ガスに暴露して金属を堆積する段階であって、前記金属含有ガスはＲｕ含有ガスを備える段階と、
（ｂ）前記セラミック基板ヒータを少なくとも１つの非金属含有ガスに暴露して少なくとも１つの非金属を堆積する段階であって、前記非金属含有ガスはシリコン含有ガスを備える段階と、
を含み、
前記保護コーティングは、基板を受ける表面部位を備え、
前記表面部位は、非金属層のうちの１つである、方法。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの基板を取り出し、前記セラミック基板ヒータから前記保護コーティングを剥離する段階をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記金属含有ガスは、Ｒｕ３（ＣＯ）１２を含み、前記非金属含有ガスは、ＳｉＨ４を含む、請求項１６に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
基板ヒータ２０は、加熱エレメント３０を含むセラミック基板ヒータであってもよい。加熱エレメント３０は、例えば、抵抗性加熱エレメントであってもよい。セラミック基板ヒータ材料は、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＳｉＣ、又はＢｅＯ、又は２又はそれ以上の任意の組合せ、を含んでもよい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
本発明において、基板に基板ヒータを接触させる前に、基板ヒータ上に保護コーティングを形成することで、セラミック基板ヒータに接触する基板の背面汚染を抑制し得る。背面汚染を抑制するために、保護コーティングは、基板に接触する表面で非金属層を含んでもよい。非金属層は、非金属含有ガスに基板ヒータを暴露することによって形成される。一実施例において、保護コーティングは、基板ヒータ上に形成される金属層（例えば、Ｒｕ）と、該金属層上に形成される非金属表面層（例えば、Ｓｉ，ＳｉＯ２，ＳｉＮ）を含んでもよい。従って、処理中において、基板（例えば、Ｓｉウエハ）が非金属表面層に接触し、背面汚染が抑制される。金属層は基板ヒータを金属含有ガスに暴露することによって形成され、この金属層は基板処理中における温度分布を向上して、基板ヒータ材料をさらに保護する。この実施の形態において、保護コーティングは、基板ヒータを金属含有ガスに、そして、非金属含有ガスに、連続的に暴露することによって、形成され得る。加えて、非金属含有ガスは、例えば、シリコン含有ガス、酸素含有ガス、窒素含有ガス、及び／又は、炭素含有ガス、といった１又は２以上のガスを含んでも良く、そして、これらのガスは、同時に導入されてもよく、連続的に導入されてもよい。例えば、ＳｉＯ２層は、基板ヒータをシリコン含有ガスに最初に暴露してシリコンを堆積し、そして、酸素含有ガスに暴露してシリコンを酸素と反応させてＳｉＯ２を形成することにより、形成してもよい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
あるいは、背面汚染を抑制するために、保護コーティングは、基板に接触する表面に金属／非金属結合層を含んでもよい。一実施例において、保護コーティングは、単独の層である、又は、金属層上に形成された、金属酸化物（例、Ｒｕ２Ｏ３）、金属窒化物（例、ＴｉＮ）、金属炭化物（例、ＷＣ）、又は、金属シリサイド（例、ＴａＳｉ３）を、含んでもよい。例えば、保護コーティングは、基板上に形成されたＲｕ層、及び、Ｒｕ層上に形成されたＲｕ２Ｏ３層、を含んでいてもよい。金属／非金属結合層は、基板ヒータを金属含有ガスに最初に暴露して金属を堆積して、次いで、堆積した金属を非金属層に変換することで、形成されてもよい。あるいは、基板ヒータは、金属含有ガス及び非金属含有ガスの両方に同時に暴露して結合層を形成してもよい。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
図７Ａ〜図７Ｉは、本発明の実施の形態によるセラミック基板ヒータの概略断面図である。図７Ａは、台７１０で支持されたセラミック基板ヒータ７００を示す。図７Ｂは、本発明の実施の形態により上部に堆積された保護コーティング７３０を有するセラミック基板ヒータ７００を示す。図７Ｃは、図７Ｂの部位７５０における拡大図である。保護コーティング７３０は、上述したように、反応ガスを同時に又は連続的に処理チャンバ中に流して、ＴＣＶＤ処理又はＰＥＣＶＤ処理中に前記ガスにセラミック基板ヒータを暴露することによって、形成されてもよい。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
保護コーティングは、基板ヒータを約１００℃から約８００℃の間で加熱して、基板ヒータを反応ガスに暴露することで、形成されてもよい。あるいは、セラミック基板ヒータは、約３００℃から約６００℃の間で加熱されてもよい。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
新たな保護コーティング７９０は、その前に形成されている保護コーティングと同一組成を有してもよく、あるいは、新たなコーティング７９０は、異なる組成を有してもよい。一実施例において、Ｓｉ／Ｒｕ保護コーティング７３０は、図７Ｄに示される通り、保護コーティングが第１金属（Ｒｕ）層７３０及び非金属層７３０ｂを有するように、基板ヒータ７００上に形成されてもよい。そして、第２金属層（例、Ｒｕ）が基板７２０上、及び、基板７２０によって遮蔽されない保護コーティング７３０の表面部位７３０ｂの領域上に少なくとも１つの基板７２０の処理後、Ｓｉ層といった新たな非金属層７９０は、新たな基板を処理する前に、コーティングされた基板ヒータ上に堆積されてもよい。特に、新たな非金属層７９０は、基板処理中における表面部位７３０ｂの暴露領域上に形成された金属層に亘って、そして、基板で遮蔽されていた表面部位７３０ｂに亘って堆積している。それ故、次の基板は、新たな非金属（例、Ｓｉ）層７９０に接触するため、これにより、背面汚染は低減される。あるいは、新たなＳｉ／Ｒｕ保護コーティング７９０は、コーティングされた基板ヒータ上に堆積されてもよい。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
図８は、本発明の実施の形態によるセラミック基板ヒータ上に保護コーティングを形成する方法を示すフローチャートである。段階８００で、処理は開始される。段階８０２で、セラミック基板ヒータは、処理チャンバ内の反応ガスに暴露される。段階８０４で、保護コーティングは、反応ガスからセラミック基板ヒータ上に形成される。段階８０６で、段階８０２に戻るか、又は、所望の保護コーティングがセラミック基板ヒータ上に形成されている場合に段階８０８で処理を停止するかの決定がなされる。段階８０８で段階８０２に戻る決定がなされたら、反応ガスは前の暴露段階におけるものと同一であってもよいし、あるいは、反応ガスは異なるガスであってもよい。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
図９は、本発明の実施の形態における、セラミック基板ヒータ上に保護コーティングを形成する方法、及び、基板を処理する方法を示すフローチャートである。この処理は、例えば、図１〜図５に示された処理システムの１つで行われる半導体製造処理であってもよい。段階９００で、処理が開始される。段階９０２で、保護コーティングが処理チャンバ内におけるセラミック基板ヒータ上に形成される。保護コーティングは、図８に示されるように、形成されてもよい。段階９０４で、処理される基板が、コーティングされたセラミック基板ヒータ上に供給される。段階９０６で、基板を処理ガスに暴露することによって、処理が基板上で行われる。そして、段階９０８で、処理された基板は処理チャンバから取り外される。段階９１０で、他の基板を処理するために段階９０４に戻るか、又は、段階９１２で処理を停止するか、の決定がなされる。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
本発明の一実施例において、Ｓｉ／Ｒｕ保護コーティングの使用とＲｕコーティングとを比較して、Ｓｉウエハの金属汚染を調査した。４２０℃でＲｕ３（ＣＯ）１２に基板ヒータを暴露して、ＲｕコーティングをＡｌＮ基板ヒータ上に形成した。Ｒｕコーティングの厚さは、約８４０オングストローム（Å）であった。次いで、ＲｕコーティングしたＡｌＮ基板ヒータ上に、３００ｍｍのＳｉウエハを供給した。コーティングした基板ヒータに接するようにＳｉウエハの研磨面を配置した。コーティングした基板ヒータからＳｉウエハを取り外した後、Ｓｉウエハの研磨面におけるＲｕ汚染は、全反射Ｘ線蛍光（ＴＸＲＦ）を用いて、２．４×１０１２原子／ｃｍ２と測定した。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
本発明の他の実施の形態において、Ｓｉ／Ｒｕコーティング（Ｓｉ／Ｒｕ）ｎは、Ｒｕ３（ＣＯ）１２及びＳｉＨ４に基板ヒータをｎ回（ここで、ｎ＞１）連続して暴露することによって、堆積してもよい。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
本発明のさらに他の実施の形態において、Ｓｉ／Ｒｕコーティングは、Ｏ２といった酸素含有ガスに暴露して、Ｓｉ層を酸化してもよい。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
本発明のさらに他の実施の形態において、Ｒｕ含有保護コーティングは、基板ヒータをＲｕ３（ＣＯ）１２、ＳｉＨ４、及びＯ２に連続して暴露することによって、セラミック基板ヒータ上に堆積してもよい。