【事件の表示】
　特願２００４−５３７７３３「発光ダイオード及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　４月　１日国際公開、ＷＯ２００４／０２７８８４、平成１８年　１月　５日国内公表、特表２００６−５００７６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、２００３年９月８日（パリ条約による優先権主張２００２年９月１９日、米国）を国際出願日とする出願であって、拒絶理由の通知に応答して平成２１年１１月１８日に手続補正がされたが、平成２２年１月４日付けで拒絶査定がされ、これに対して同年５月１０日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
 　 
第２　本願発明の認定 
　本願の請求項１ないし２５に係る発明は、平成２１年１１月１８日に補正された請求項１ないし２５に記載された事項により特定されたとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりである。
「　【請求項１】
　第１及び第２の対向する面を有し、該第１及び第２の対向する面との間に、前記第２の面から前記第１の面に向かって前記第２の面に隣接して傾斜した角度で延びる傾斜側壁とを有する基板と、
　前記第２の面から前記第１の面に向かって前記第２の面に隣接して傾斜した角度で延びる前記傾斜側壁上に設けられた均一な厚みの蛍光体含有層と
　を備えていることを特徴とする発光ダイオード。」
　 　 
第３　引用発明の認定
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開第０２／０６１８４７号（以下「主引用例」という。）には、以下の記載１ないし３が図と共にある（各記載の後に日本語訳を付記した。）。
１　「121 . 　A light emitting diode comprising: 
 　　 a substrate having first and second opposing faces; 
      a gallium nitride-based diode region on the second face that is configured to emit light into the substrate, upon application of voltage across the diode region; and 
      means for extracting from the substrate, at least some of the light that is
emitted into the substrate by the diode region. 」（第４８頁７〜１２行）
「１２１．　第１及び第２の対向する面を有する基板と、
ダイオード領域に対して電圧が印加されると、前記基板内に光を放射するように構成された前記第２の面上にある前記窒化ガリウムベースのダイオード領域と、
前記ダイオード領域によって前記基板内に放射された前記光の少なくともいくらかを前記基板から抽出する手段と
を含んでなる発光ダイオード。」
　　
２　「For example, the active region 130  may be designed to emit blue light in the vicinity of 450 nm.」（第１３頁５〜７行）
「例えば、活性領域１３０は、４５０ｎｍ近傍の青色光を放射するように設計される。」
　
３　「LEDs according to other embodiments of the present invention are illustrated in  FIG. 5 . These embodiments of LEDs 500 can enhance light extraction from the LED by beveling or slanting at least some of the sidewall 110c of the substrate 110'. Since the incident angle of light striking the beveled sidewall 110c is generally closer to the normal than it otherwise might be, less light may be reflected back into the substrate 110' . Accordingly, light may be extracted from the substrate 110' which can improve the overall efficiency of the device. Extraction efficiency may be further improved by roughening or texturing the sidewalls 110c and/or the first face 110a, of the substrate 110', for example using conventional methods. 」（第１６頁８〜１６行）
「本発明の他の実施形態によるＬＥＤを図５に示す。ＬＥＤ５００のこれらの実施形態は、基板１１０’の少なくともいくつかの側壁１１０ｃを傾斜させる、すなわち斜めにすることによって、ＬＥＤからの光の抽出を向上させることができる。傾斜した側壁１１０ｃに当たる光の入射角は、一般に、傾斜しない場合よりも直角に近いので、基板１１０’に反射されて戻る光は少ない。このため、デバイス全体の効率を向上させることができる光を基板１１０’から抽出できることになる。例えば、従来の方法を用いて、基板１１０’の側壁１１０ｃ及び／又は第１の面１１０ａを粗くする又は織り目を付けることによって、抽出効率をさらに向上させることができる。」　
　
　上記記載３が参照する主引用例のＦＩＧ．５からは、substrate 110'（基板１１０’）が対向する２つの面（ＦＩＧ．５でsubstrate 110'（基板１１０’）の正面は台形となっているが、その台形の上側の面と下側の面）を有し、この対向する２つの面の間に、上側の面から下側の面に向かって上側の面に隣接して傾斜した角度で延びるsidewall 110c（傾斜した側壁１１０ｃ）を有していることが看取できる。
　
　主引用例のＦＩＧ．５において、LED 500（ＬＥＤ５００）は、n-type gallium nitride layer 120（ｎ型の窒化ガリウム層１２０)、active region 130（活性領域１３０）及び p-type gallium nitride layer 140（ｐ型の窒化ガリウム層１４０)からなる積層構造を有している。
　この積層構造は、発光ダイオードとして機能するから、上記記載１におけるgallium nitride-based diode region（窒化ガリウムベースのダイオード領域）に対応する。
　すると、主引用例のＦＩＧ．５において、gallium nitride-based diode region（窒化ガリウムベースのダイオード領域）は、substrate 110'（基板１１０’）の下側の面上に存在するから、この下側の面が、上記記載１におけるsecond face（第２の面）に対応する。
　
　上記記載１のlight emitting diode（発光ダイオード）は、青色発光ダイオードとして一般的な、gallium nitride-based diode region（窒化ガリウムベースのダイオード領域）を含む発光ダイオードである。また、上記記載２より、引用例のＦＩＧ．５における active region 130（活性領域１３０）は４５０ｎｍ近傍の青色光を放射するよう設計され得る。
　よって、上記記載１のlight emitting diode（発光ダイオード）は、青色発光ダイオードである。
　
　以上のことから、上記記載１ないし３を含む主引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認めることができる。
「第１及び第２の対向する面を有する基板と、
　ダイオード領域に対して電圧が印加されると、前記基板内に光を放射するように構成された前記第２の面上にある前記窒化ガリウムベースのダイオード領域と、
　前記ダイオード領域によって前記基板内に放射された前記光の少なくともいくらかを前記基板から抽出する手段とを含み、
　前記基板は、前記第１及び第２の対向する面の間に、前記第２の面から前記第１の面に向かって前記第２の面に隣接して傾斜した角度で延びる傾斜側壁を有する、
青色発光ダイオード。」
　
第４　引用技術の認定
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開第０１／６５６１３号（以下「副引用例」という。）には、以下の記載１ないし３が図と共にある（ ａ，ｕ，ｏのウムラウトは各文字の後にｅを付し、エスツエットはｓｓで表記する。各記載の後に日本語訳を付記した。）
 
１　「Patentanspruche
 1. Verfahren zur Herstellung eines lichtabstrahlenden Halbleiterbauelements, das einen auf 
ein Traegerelement (2) montierten und elektrisch kontaktierten Halbleiterkoerper (1) und
ein Lumineszenzkonversionselement enthaelt, das mindestens einen Leuchtstoff (5) aufweistund das auf den Halbleiterkoerper (1) aufgebracht ist,
g e k e n n z e i c h n e t d u r c h die Schritte
-Herstellung des Halbleiterkorpers (1), Montage auf das Traegerelement(2) und elektrische Kontaktierung,
-schichtartiges Aufbringen einer Suspension (4), die als Loesungsmittel Butylacetat enthaelt  und in die mindestens ein Haftvermittler und der mindestens eine Leuchtstoff (5) eingebrac ht ist, auf mindestens eine Oberflaeche des Halbleiterkoerpers (1),
-Trocknung des Halbleiterbauelements, wobei im wesent lichen der Leuchtstoff (5) auf dem  Halbleiterkoerper (1) zuruckbleibt.」（第９頁１〜２０行）
「特許請求の範囲
１．支持体部材（２）上に取り付けられかつ電気的に接続された半導体ボディ（１）と発光変換素子とを有し、この発光変換素子は少なくとも１種の蛍光体（５）を有しかつ半導体ボディ（１）上に設けられている、光を放射する半導体デバイスの製造方法において、
  半導体ボディ（１）を製造し、支持体部材（２）上に取り付け、電気的に接続する工程、
  溶剤として酢酸ブチルを含有しかつ少なくとも１種の定着剤と少なくとも１種の蛍光体（５）とが混入されている懸濁液（４）を半導体ボディ（１）の少なくとも１つの表面上に層状に塗布する工程、
  半導体デバイスを乾燥し、その際、基本的に蛍光体（５）を半導体ボディ（１）上に残留させる工程
を特徴とする、光を放射する半導体デバイスの製造方法。」
　
２　「9.Verfahren nach einem der Ansprueche 1 bis 8,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Zentralwellenlaenge der von dem Halbleiterkoerper (1) im Betrieb emittierten Strahlung unter 460 nm liegt.
10.Verfahren nach einem der Ansprueche 1 bis 9,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Farbe der von dem Halbleiterkoerper (1) im Betrieb emittierten Strahlung und die Farbe des von dem mindestens einen Leuchtstoff emittierten Lichts zueinander komplementaer sind,so dass der Eindruck weissen Lichts hervorgerufen wird.」（第１０頁３１〜第１１頁６行）
「９．半導体ボディ（１）から運転時に発せられる放射線の中心波長が４６０ｎｍより低い、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
１０．半導体ボディ（１）から運転時に発せられる放射線の色と、少なくとも１種の蛍光体から発せられる光の色とが相互に補色であるため、白色光の感覚を生じる、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。」
　
３　「Im zweiten Verfarrensschritt,Fig.1b,wird einen duenne Schicht einer Suspension 4 einens Leuchtstoffs 5 in Butylazetet auf mindestens einen Oberflaeche des Halbleiterkoerpers 1 aufgebracht.・・・Im Letzteren Fall ist die Tropfmenge so bemessen,dass sich einen gleichmaessig duenne,die freinen Oberflaechen des Halbleiterkoerpers 1 umschliessende Schicht ergibt.・・・Weiterhin koennen der Suspension 4 zur Erzielung einer moeglichst homogenen Schicht Rheologieadditive und Netzmittel zugesetzt werden.・・・so dass Lediglich der Leuchtstoffs 5 mit dem Haftvermittler auf dem Halbleiterkoerpers verbleibt,Fig.1d.」（第６頁７〜２９行）
「 第２の方法工程において、図１ｂは酢酸ブチル中の蛍光体５の懸濁液４の薄い層を半導体ボディ１の少なくとも１つの表面に塗布する。・・・滴加の場合には、液滴量は、半導体ボディ１の露出表面を取り囲む、均一な薄い層が生じるように計量される。・・・さらに、この懸濁液４はできる限り均質な層を達成するためにレオロジー添加剤及び湿潤剤を添加することもできる。・・・溶剤の酢酸ブチルは図１ｃによるように蒸発し、その結果、単に蛍光体５が定着剤と共に半導体ボディ１上に残留する、図１ｄ。」
　
　上記記載１の製造方法で製造されるlichtabstrahlenden Halbleiterbauelement（光を放射する半導体デバイス）は、
　上記記載１より
「Halbleiterkoerpers 1（半導体ボディ１）とLumineszenzkonversionselement（発光変換素子）とを有し、このLumineszenzkonversionselement（発光変換素子）は、少なくとも１種のLeuchtstoffs 5（蛍光体５）を有しかつHalbleiterkoerpers 1（半導体ボディ１）上に設けられている、lichtabstrahlenden Halbleiterbauelement（光を放射する半導体デバイス）。」
であって、
　上記記載２より、Halbleiterkoerpers 1（半導体ボディ１）が放射する光は中心波長が４６０ｎｍより低い放射線であり、Leuchtstoffs 5（蛍光体５）はHalbleiterkoerpers 1（半導体ボディ１）が放射する光の補色の光を発し、そのため白色光の感覚を生じる。
　
　上記記載３が参照する副引用例のFIG 1d)からは、Leuchtstoffs 5（蛍光体５）を含有する層が均一な厚さでHalbleiterkoerpers 1（半導体ボディ１）の露出表面を取り囲んでいることが看取できるから、Lumineszenzkonversionselement（発光変換素子）は、Halbleiterkoerpers 1（半導体ボディ１）の露出表面を取り囲み、Leuchtstoffs 5（蛍光体５）を含有する均一な厚さの層であってもよい。
　
　以上のことから、上記記載１ないし３を含む副引用例には、次の技術事項（以下「引用技術」という。） が記載されていると認めることができる。
「半導体ボディと発光変換素子とを有し、光を放射する半導体デバイスであって、
　前記半導体ボディは、中心波長が４６０ｎｍより低い光を発し、
　前記発光変換素子は、蛍光体を含有し、前記半導体ボディの露出表面を取り囲む均一な厚さの層であり、
　前記蛍光体は、前記放射線半導体ボディが発する光の補色の光を発し、そのため白色光の感覚が生じる、
光を放射する半導体デバイス。」
 
第５　対比
　引用発明と本願発明とを対比する。
　　
　引用発明の「第１及び第２の対向する面」、「第２の面」、「第１の面」、「傾斜側壁」、「基板」及び「青色発光ダイオード」は、それぞれ、本願発明の「第１及び第２の対向する面」、「第２の面」、「第１の面」、「傾斜側壁」、「基板」及び「発光ダイオード」に相当する。
　
　してみると、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致する。
＜一致点＞ 
「第１及び第２の対向する面を有し、該第１及び第２の対向する面との間に、前記第２の面から前記第１の面に向かって前記第２の面に隣接して傾斜した角度で延びる傾斜側壁とを有する基板を備えている発光ダイオード。」
　　
　そして、本願発明と引用発明とは、以下の点で相違する。
＜相違点＞ 
　本願発明は「第２の面から第１の面に向かって前記第２の面に隣接して傾斜した角度で延びる傾斜側壁上に設けられた均一な厚みの蛍光体含有層を備えている」と特定されているのに対し、引用発明は該特定を有しない点。
　
第６　判断
相違点について
　中心波長が４６０ｎｍより低い放射線は青色を含むから、引用技術の半導体ボディは青色を含む光を発する点で、引用発明の青色発光ダイオードと共通している。
　よって、引用発明に引用技術を適用して、引用発明の傾斜側壁上に均一な厚みの蛍光体含有層を設け、本願発明の相違点に係る構成を備えることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　また、かかる構成を採用することによる効果は、当業者が予測し得る程度のものである。
  
第７　請求人の主張について
　請求人は審判請求書において、「引用例３（審決注：上記「副引用例」を指す。）に示されているように、従来から垂直側壁を有するＬＥＤ上に均一な厚さのコンフォーマルな蛍光体層を提供することは極めて困難である。」（第６頁２２及び２３行）と主張している。
　しかしながら、上記「第６　判断」のとおり、引用発明の傾斜側壁上に均一な厚みの蛍光体含有層を設けることは、引用技術から当業者が容易に想到し得ることであって、垂直側壁を有する発光体上に均一な厚さのコンフォーマルな蛍光体層を設けることの困難性の有無が、この想到容易性の判断を左右するものではない。
　　
第８　むすび
　したがって、本願発明は、引用発明及び引用技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。