【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスであって、
アクティブ面と前記アクティブ面の反対側の裏面とを有する半導体ダイと、
前記半導体ダイを封入する封入材であって、前記封入材は前面と前記前面と反対側の裏面とを有し、前記半導体ダイの前記アクティブ面は概して前記封入材の前記前面と同一平面にあり、前記半導体ダイの前記裏面は前記封入材に埋め込まれる、という封入材と、
前記封入材の前記前面上及び前記半導体ダイの前記アクティブ面上の導電性ラインと、
前記封入材の前記前面から前記封入材の前記裏面まで伸びる導電性ビアであって、前記導電性ビアは前記導電性ラインと直接接触する、という導電性ビアと、を含む
ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体デバイスにおいて、
前記導電性ラインは、第１の導電性ラインであり、
前記半導体ダイは、さらに、前記半導体ダイの前記アクティブ面に、第１のボンドパッドと第２のボンドパッドとを含み、
前記第１のボンドパッドは、前記第１の導電性ラインと接触し、
前記半導体デバイスは、さらに、前記第２のボンドパッドと接触する第２の導電性ラインを含み、
前記導電性ビアは、第１の導電性ビアであり、
前記半導体デバイスは、さらに、前記封入材の前記前面から前記封入材の裏面まで伸びた第２の導電性ビアを含み、前記第２の導電性ビアは、前記第２の導電性ラインと直接接触し、
前記第２の導電性ビアは、前記半導体ダイと前記第１の導電性ビアの両方から、横方向に間隔を空けて離れていて、
前記半導体デバイスは、さらに、前記第１の導電性ラインに取付けられた第１の半田ボールと、前記第２の導電性ラインに取付けられた第２の半田ボールとを含む
ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体デバイスにおいて、
前記導電性ラインは、第１の導電性ラインであり、
前記半導体ダイは、第１のアクティブ面と第１の裏面とを有する第１の半導体ダイであり、
前記第１の半導体ダイは、前記第１の半導体ダイの前記第１のアクティブ面に第１のボンドパッドを含み、
前記第１のボンドパッドは、前記第１の導電性ラインと接触し、
前記半導体デバイスは、さらに、第２のアクティブ面と前記第２のアクティブ面と反対側の第２の裏面とを有する第２の半導体ダイを含み、前記第２の半導体ダイは、前記第１の半導体ダイから横方向に間隔を空けて離れていて、
前記第２の半導体ダイは、前記封入材によって封入され、その上、前記第２のアクティブ面が概して前記封入材の前記前面と同一平面にあり、
前記半導体ダイの前記第２の裏面は、前記封入材に埋め込まれ、
前記第２の半導体ダイは、前記第２の半導体ダイの前記第２のアクティブ面に第２のボンドパッドを含み、
前記半導体デバイスは、さらに、前記第２のボンドパッドと接触する第２の導電性ラインを含み、
前記導電性ビアは、第１の導電性ビアであり、
前記半導体デバイスは、さらに、前記封入材の前記前面から前記封入材の前記裏面まで伸びる第２の導電性ビアを含み、前記第２の導電性ビアは、前記第２の導電性ラインと直接接触し、
前記第２の導電性ビアは、前記第１及び前記第２の半導体ダイと前記第１の導電性ビアとから、横方向に間隔を空けて離れていて、
前記半導体デバイスは、さらに、前記第１の導電性ラインに取付けられた第１の半田ボールと、前記第２の導電性ラインに取付けられた第２の半田ボールとを含む
ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体デバイスにおいて、
前記導電性ビアは、前記半導体ダイから、横方向に間隔を空けて離れている
ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体デバイスにおいて、
前記導電性ビアは、第１の導電性ビアであり、
前記半導体デバイスは、さらに、前記封入材の前記前面から前記封入材の前記裏面まで伸びた第２の導電性ビアを含み、前記第２の導電性ビアは、前記半導体ダイ及び前記第１の導電性ビアから、横方向に間隔を空けて離れている
ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体デバイスにおいて、
前記導電性ラインは、第１の導電性ラインであり、
前記半導体ダイは、さらに、前記半導体ダイの前記アクティブ面に、第１のボンドパッドと第２のボンドパッドとを含み、
前記第１のボンドパッドは、前記第１の導電性ラインと接触し、
前記半導体デバイスは、さらに、前記第２のボンドパッドと接触する第２の導電性ラインを含み、
前記導電性ビアは、第１の導電性ビアであり、
前記半導体デバイスは、さらに、前記封入材の前記前面から前記封入材の前記裏面まで伸びた第２の導電性ビアを含み、前記第２の導電性ビアは、前記第２の導電性ラインと直接接触している
ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体デバイスにおいて、さらに、
前記導電性ラインに取付けられた半田ボールを含む
ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体デバイスにおいて、
前記導電性ラインは、第１の導電性ラインであり、
前記半導体デバイスは、さらに、前記半導体ダイと接触する第２の導電性ラインを含み、
前記半導体デバイスは、さらに、前記第１の導電性ラインに取付けられた第１の半田ボールと、前記第２の導電性ラインに取付けられた第２の半田ボールとを含む
ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体デバイスにおいて、
前記導電性ラインは、第１の導電性ラインであり、
前記半導体ダイは、さらに、前記半導体ダイの前記アクティブ面に、第１のボンドパッドと第２のボンドパッドとを含み、
前記第１のボンドパッドは、前記第１の導電性ラインと接触し、
前記半導体デバイスは、さらに、前記第２のボンドパッドと接触する第２の導電性ラインを含み、
前記半導体デバイスは、さらに、前記第１の導電性ラインに取付けられた第１の半田ボールと、前記第２の導電性ラインに取付けられた第２の半田ボールとを含む
ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１０】
半導体デバイスであって、
第１の半導体サブアセンブリと、
前記第１の半導体サブアセンブリに最も近い第２の半導体サブアセンブリであって、前記第１及び前記第２の半導体サブアセンブリが各々前側と後側を有し、その上、前記第１の半導体サブアセンブリの前記後側が前記第２の半導体サブアセンブリの前記前側と向かい合う、という第２の半導体サブアセンブリと、を含み、
前記第１及び前記第２のサブアセンブリが個々に、
封入材と、
前記封入材に埋め込まれた半導体ダイであって、前記半導体ダイは、概して前記第１または前記第２のサブアセンブリの前記前側と同一平面にあるアクティブ面と、前記封入材に埋め込まれた裏面とを有する、という半導体ダイと、
前記個々の第１及び第２のサブアセンブリの前記前側上及び前記半導体ダイの前記アクティブ面上の導電性ラインと、
前記第１または第２のサブアセンブリの前記前側から前記後側まで伸びる導電性ビアであって、前記導電性ビアが前記第１または第２のサブアセンブリの前記導電性ラインと直接接触する、という導電性ビアと、を有し、
前記第１及び第２の半導体サブアセンブリの両方の間で且つ両方に接触する導電性構造であって、前記導電性構造が前記第１及び前記第２のサブアセンブリの前記導電性ビアを電気的に接続する、という導電性構造を有する
ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体デバイスにおいて、
前記導電性構造は、（１）前記第２のサブアセンブリの前記導電性ラインと（２）前記第１のサブアセンブリの前記導電性ビアとの間で直接接触する
ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１２】
請求項１０に記載の半導体デバイスにおいて、
前記導電性構造は、（１）前記第２のサブアセンブリの前記導電性ラインと（２）前記第１のサブアセンブリの前記導電性ビアとの間で直接接触し、
前記半導体デバイスは、さらに、前記第１のサブアセンブリの前記導電性ラインに取付けられた半田ボールを含む
ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１３】
請求項１０に記載の半導体デバイスにおいて、
前記第１のサブアセンブリの前記導電性ビアは、第１の端部と第２の端部を有し、
前記第１の端部は、前記第１のサブアセンブリの前記導電性ラインに近接し、
前記第２の端部は、前記導電性構造に近接する
ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１４】
請求項１０に記載の半導体デバイスにおいて、
前記第１のサブアセンブリの前記導電性ビアは、第１の端部と第２の端部を有し、
前記第１の端部は、前記第１のサブアセンブリの前記導電性ラインに直接接触し、
前記第２の端部は、前記導電性構造に直接接触する
ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１５】
請求項１０に記載の半導体デバイスにおいて、
前記第１のサブアセンブリの前記導電性ビアは、第１の端部と第２の端部を有し、
前記第１の端部は、前記第１のサブアセンブリの前記導電性ラインに直接接触し、
前記第２の端部は、前記導電性構造に直接接触し、
前記第２のサブアセンブリの前記導電性ラインもまた、前記導電性構造に直接接触する
ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１６】
請求項１０に記載の半導体デバイスにおいて、
前記第１及び前記第２のサブアセンブリの前記導電性ビアは、個々に、第１の端部と第２の端部を有し、
前記第１のサブアセンブリの前記導電性ビアの前記第２の端部は、前記第２のサブアセンブリの前記導電性ビアの前記第１の端部に近接する
ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１７】
請求項１０に記載の半導体デバイスにおいて、
前記第１及び前記第２のサブアセンブリの各々は、複数の集積回路ダイを含む
ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１８】
半導体デバイスの製造方法であって、
半導体ダイを封入材で前側と後側を有する半導体構造に封入する工程であって、前記半導体ダイは、概して前記前側と同一平面にあるアクティブ面と、前記封入材に埋め込まれた裏面とを有する、という工程と、
前記半導体構造の前記前側に導電性ラインを形成する工程と、
前記半導体構造の前記前側から前記後側まで伸びた導電性ビアを形成する工程であって、前記導電性ビアが前記導電性ラインと直接接触する、という工程と、を含む
ことを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法において、
前記半導体ダイを封入する工程は、
前記半導体ダイを犠牲構造に配置する工程であって、前記半導体ダイの前記前側が前記犠牲構造に接触する、という工程と、
前記犠牲構造に配置された前記半導体ダイを封入する工程と、
前記犠牲構造を取り除く工程と、
前記半導体ダイの前記前側を露出する工程と、を含む
ことを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１８に記載の方法において、
前記半導体ダイを封入する工程は、
複数の半導体ダイを前記封入材で封入する工程と、
前記封入された半導体ダイを単一化する工程と、を含む
ことを特徴とする方法。
【請求項２１】
請求項１８に記載の方法において、
前記半導体ダイは、第１の半導体ダイであり、
前記方法は、さらに、前記第１の半導体ダイと第２の半導体ダイを犠牲構造上に配置する工程を含み、
前記半導体ダイを封入する工程は、
前記第１及び前記第２の半導体ダイの両方を前記封入材で封入しながら、前記第１及び前記第２の半導体ダイが前記犠牲構造上に置かれる、という工程と、
その後に、
前記第１及び前記第２の半導体ダイから前記犠牲構造を取り除く工程と、
前記封入された第１及び前記第２の半導体ダイを単一化する工程と、を含む
ことを特徴とする方法。
【請求項２２】
請求項１８に記載の方法において、
前記半導体ダイは、第１の半導体ダイであり、
前記半導体構造は、第１の半導体構造であり、
前記方法は、さらに、前記第１の半導体ダイ及び第２の半導体ダイを犠牲構造上に配置する工程を含み、
前記半導体ダイを封入する工程は、
前記第１及び前記第２の半導体ダイの両方を前記封入材で封入しながら、前記第１及び前記第２の半導体ダイが前記犠牲構造上に置かれる、という工程と、
その後に、
前記第１及び前記第２の半導体ダイから前記犠牲構造を取り除く工程と、
前記封入された第１及び第２の半導体ダイを単一化して、前記第１の半導体構造及び第２の半導体構造を形成する工程と、
前記第１及び前記第２の半導体構造の間に導電性構造を配置する工程であって、前記導電性構造は、前記第１及び前記第２の半導体構造の前記導電性ビアを電気的に接続する、という工程と、を含む
ことを特徴とする方法。