【事件の表示】
　特願２００８−１８８２７１「多層プリント配線板およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１０月１６日出願公開、特開２００８−２５２１４６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１０年１０月３０日に出願した特願平１０−３１０４４５号の一部を平成２０年７月２２日に新たな特許出願としたものであって，平成２０年９月８日付けの拒絶理由通知に対して，平成２０年１１月１７日付けで手続補正がされ，これに対して，平成２１年１月２０日付けで最後の拒絶理由が通知され，平成２１年３月３０日付けで手続補正がされたが，この手続補正は平成２１年６月１９日付けの補正の却下の決定により却下され，同日付けで拒絶されたので，平成２１年９月３０日付けで前記拒絶査定に対する不服審判が請求されるとともに，同日付けで手続補正がされたが，当審において，この手続補正は平成２２年６月２２日付けの補正の却下の決定により却下するとともに，同日付けで最後の拒絶理由を通知したところ，平成２２年８月３０日付けで手続補正されたものである。
　
第２　平成２２年８月３０日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２２年８月３０日付けの手続補正を却下する。
　
［理　由］
１　本件手続補正の内容
　平成２２年８月３０日付けの手続補正（以下「本件補正」という）は，特許請求の範囲についてする補正を含み，請求項１について，補正前に，
「層間樹脂絶縁層と導体回路とが交互に積層され，上下に位置する導体回路同士がバイアホールを介して接続されてなるビルドアップ層を有し，最上層の層間樹脂絶縁層上及び最上層の導体回路上にはソルダーレジスト層が形成されている多層プリント配線板において，
　前記最上層の導体回路は，前記最上層の層間樹脂絶縁層上に形成された無電解めっき膜と，その無電解めっき膜上の電解めっき膜とを有し，
　前記最上層の導体回路の少なくとも側面であって，前記ソルダーレジスト層に接触している部分に，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｃｒ，Ｓｎ，Ｍｏのうちから選ばれる１種以上の金属からなる金属層が形成されていることを特徴とする多層プリント配線板。」
とあったものを，補正後に，　
「層間樹脂絶縁層と導体回路とが交互に積層され，上下に位置する導体回路同士がバイアホールを介して接続されてなるビルドアップ層を有し，最上層の層間樹脂絶縁層上および最上層の導体回路上にはソルダーレジスト層が形成されている多層プリント配線板において，
　前記最上層の導体回路は，前記最上層の層間樹脂絶縁層上にセミアディティブ法により形成され，無電解めっき膜とその無電解めっき膜上の電解めっき膜とを有し，
　前記最上層の導体回路の，前記ソルダーレジスト層に接触している粗化されていない側面および上面には，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｃｒ，Ｓｎ，Ｍｏのうちから選ばれる１種以上の金属からなる金属層が形成されており，
　前記ソルダーレジスト層は，エポキシ樹脂からなるとともに，前記最上層の導体回路上に形成された金属層を覆うように形成されていることを特徴とする多層プリント配線板。」
とするものである。
　
２　補正の適否について
　上記補正は，補正前の請求項１に記載された発明の，
「最上層の層間樹脂絶縁層上
及び
および
「最上層の導体回路は，前記最上層の層間樹脂絶縁層上に形成された無電解めっき膜と，その無電解めっき膜上の電解めっき膜とを有し」を，限定的減縮を目的として，「導体回路」を「無電解めっき膜と，その無電解めっき膜上の電解めっき膜」によって形成する方法が「セミアディティブ法」であるとして「最上層の導体回路は，前記最上層の層間樹脂絶縁層上にセミアディティブ法により形成され，無電解めっき膜とその無電解めっき膜上の電解めっき膜とを有し」と補正し，
「最上層の導体回路の少なくとも側面であって，前記ソルダーレジスト層に接触している部分」を，限定的減縮を目的として「最上層の導体回路の，前記ソルダーレジスト層に接触している粗化されていない側面および上面」と補正し，
「ソルダーレジスト層」について，「エポキシ樹脂からなる」ことを特定することによって，限定的に減縮し，
「最上層の層間樹脂絶縁層上及び最上層の導体回路上にはソルダーレジスト層が形成されている」ことについて，「ソルダーレジスト層は，・・・前記最上層の導体回路上に形成された金属層を覆うように形成されている」ことを特定することによって，限定的に減縮したものである。
　そうすると，請求項１についての補正は，限定的減縮，又は，明りょうでない記載の釈明を目的としたものといえる。そこで，続いて，この補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明１」という）が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのか否かについて検討する。
　
（１）引用例及びその記載事項
　平成２２年６月２２日付けの拒絶理由通知書の拒絶の理由で引用した本願の原出願の出願前に頒布された刊行物である，特開平１０−２８４８３５号公報（以下「引用例６」という。），特開昭６３−１８５０４５号公報（以下「引用例１１」という。），特開平６−２７５９５０号公報（以下「引用例１」という。）には，次の事項が記載されている。（なお，下線は当合議体にて付与したものである。他の刊行物についても同じ。）
　
・引用例６：特開平１０−２８４８３５号公報
（６ａ）「【従来の技術】近年，多層配線基板の高密度化という要請から，いわゆるビルドアップ多層配線基板が注目されている。このビルドアップ多層配線基板は，例えば特公平４−５５５５５号公報に開示されているような方法により製造される。即ち，コア基板上に，感光性樹脂からなる無電解めっき用接着剤を塗布し，これを乾燥したのち露光，現像することにより，バイアホール用開口を有する層間絶縁材層を形成する。次いで，この層間絶縁材層の表面を酸化剤等による処理にて粗化した後，その粗化面に感光性樹脂層を露光，現像処理してめっきレジストを設け，その後，レジスト非形成部分に無電解めっきを施してバイアホールを含む導体回路パターンを形成する。そして，
このような工程を複数回繰り返すことにより，多層化したビルドアップ配線基板が得られる
　
（６ｂ）「また，めっきレジストや
ソルダーレジストを形成する場合の感光性樹脂組成物としては，特にクレゾールノボラックやフェノールノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートとイミダゾール硬化剤からなる組成物を用いることが望ましいが，他に市販品を使用することもできる。
　
（６ｃ）「【発明の実施の形態】次に，本発明に係るプリント配線板の製造方法について，本発明のプリント配線板の製造方法を
セミアディティブ法
　
（６ｄ）「（１）まず，コア基板１の表面に内層銅パターン（導体回路）２を形成した配線基板ＰＣを作製する（図１，図２）。」（【００４１】）
　
（６ｅ）「（２）次に，前記（１）で作製した配線基板ＰＣの表面上に，感光性樹脂層６を形成する（図５）。このとき，特に本実施形態の製造方法では，感光性樹脂層６として前述した感光性無電解めっき用接着剤を用いることが望ましい。」（【００４７】）
　
（６ｆ）「（３）前記のように形成した感光性無電解めっき用接着剤層６を乾燥した後，前述したバイアホール形成のための円パターン（マスクパターン）１４が描画されたガラス基板１３を，円パターン１４が感光性無電解めっき用接着剤層６に密着するように載置し，露光（図６），現像処理する（図７）。これにより，バイアホール用開口Ｂが形成される。」（【００４８】）
　
（６ｇ）「（６）次に，無電解めっき用接着剤層６の表面に無電解めっきを施し，粗化面全面に
無電解めっき膜３を形成
（７）続いて，前記のように形成した無電解めっき膜３上に感光性樹脂フィルム（ドライフィルム）１９をラミネートし，また，めっきレジストパターン１４が描画されたガラス基板１３を，マスクパターン１４が感光性樹脂フィルム１９を介して感光性無電解めっき用接着剤層６に密着するように載置し，更に，露光，現像処理する（図１０）。これにより，めっきレジスト層７が無電解めっき膜３上に形成される（図１１）。尚，図１０では，配線板ＰＣの上面における処理状態が図示されているが，配線板ＰＣの下面についても同様の処理が行われる。
（８）次に，めっきレジスト非形成部８（めっきレジスト層７が形成されていない部分）に
電解めっき膜４を形成し，導体回路，ならびにバイアホール１００を設ける
（９）更に，めっきレジスト層７を除去した後，硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウム，過硫酸アンモニウムなどのエッチング液で無電解めっき膜３を溶解除去して，独立した導体回路とする（図１３）。」（【００５３】−【００５６】）
　
（６ｈ）「（１１）次に，前記処理により得られた配線基板ＰＣ上に，
感光性樹脂層として感光性無電解めっき用接着剤層６を形成する
　
（６ｉ）「
（１２）
前記（３）〜（９）の工程を繰り返し
上層の導体回路を設け
　
（６ｊ）「（１３）次いで，
必要に応じてバイアホール，導体層，ランド等の表面に粗化層５を設ける
　
（６ｋ）「（１４）次に，
前記（１２）の処理
ソルダーレジスト組成物を塗布する
　
（６ｌ）「（１５）次に，ソルダーレジスト組成物の塗膜を乾燥し，この塗膜に，開口部が円パターン１４として描画したガラス基板１３を円パターン１４が描画された側をソルダーレジスト層８に密着させて，露光，現像処理することにより，パッド部分を露出させた開口部を形成する（図２１）。また，プリント配線板ＰＣの反対側面にはランドを露出させる。このようにして開口部を形成したソルダーレジスト層８を，更に８０℃〜１５０℃で１〜１０時間の熱処理により硬化させる。これにより，開口部を有するソルダーレジストパターン層８は導体回路の表面に設けた粗化層と密着する。」（【００６３】）
　
（６ｍ）図２２は，引用例６に記載されたプリント配線板の断面図であって，同図から，ソルダーレジスト層８が，
最上層の導体回路を覆うように
　　
・引用例１１：特開昭６３−１８５０４５号公報
（１１ａ）「１，絶縁体基板または半導体基板上に形成された回路パターンにおいて，該パターンがタンタル，チタン，スズまたはニオブから選ばれるいずれか１種の金属よりなるか，または該金属により少なくとも被覆されていることを特徴とする導電膜回路。」（特許請求の範囲）
　
（１１ｂ）「従来，絶縁体基板または半導体基板上に回路パターンを形成する金属として，アルミニウム，銅，ニッケル，クロムなどの金属が用いられている。しかし，これらの金属を電極材料として使用した場合，回路中の異なる電位部分が水で短絡すると，高電位部分の溶解が避けられない。また，塩素イオン，硫酸イオン，硝酸イオン，第２鉄イオンをはじめとする腐蝕性化学種を含んだ水に接触した場合には配線が溶解する場合が少なくない。」（［従来技術］の欄，第１頁右下欄第１３行−第２頁左上欄第２行）
　
（１１ｃ）「本発明は，上記従来技術の問題点に鑑み，電極表面を無機物あるいは有機物の腐食防止用保護膜で被覆しないで水分を含む環境中で使用しても，半永久的に正常に動作し，配線中のすべての部分にわたって水分による腐食欠陥が発生せず，かつ広い温度範囲での温度サイクルを与えても剥離の問題を生じない，高耐食性でかつ信頼性の高い導電膜回路を提供することにある。」（［発明が解決しようとする問題点］の欄，第２頁左上欄第１７行−右上欄第４行）
　
（１１ｄ）「本発明は，上述のようにタンタル，チタン，スズまたはニオブから選ばれるいずれか１種の金属からなる導電膜でパターンを形成するものであるが，導電膜のすべてにこれらの金属を用いないで，従来より用いられているアルミニウム，銅，ニッケル，クロム等の金属を用い，これらの金属を上記したタンタル，チタン，スズまたはニオブから選ばれるいずれか１種の金属で被覆して導電膜のパターンとしてもよい。」（［問題点を解決するための手段および作用］の欄，第２頁左下欄第１０−１８行）　
　
（１１ｅ）「第４図は本発明の他の実施例を示し，２ｂはアルミニウム，銅，ニッケル，クロム等の従来より用いられている導電膜，５ｂはアルミニウム，銅，ニッケル，クロム等からなる電極，６ａは補強用保護膜を示し，他の番号は，第１〜３図と同様である。同図において，ガラス等の基板３上に，絶縁膜１を形成した後に，アルミニウム，銅，ニッケル，クロム等からなる導電膜２ｂを形成し，さらにこの導電膜２ｂをタンタル，チタン，スズまたはニオブから選ばれるいずれか１種の金属からなる導電膜２ａで完全に被覆するようにして回路パターンを形成し，次いでＳｉ０２膜４，アルミニウム，銅，ニッケル，クロム等からなる導電膜５ｂ，さらに低融点ガラスからなる補強用保護膜６ａで順次被覆した回路構造である。なお，同図において，強度が保証されるのであれば，補強用保護膜６ａを省略してもよい。」（第３頁左上欄第１７行−同頁右上欄第１４行）
　
（１１ｆ）第４図は引用例１１に記載された導電膜回路の構造の一例を示す断面図であって，同図から，「タンタル，チタン，スズまたはニオブから選ばれるいずれか１種の金属からなる導電膜２ａ」が，「アルミニウム，銅，ニッケル，クロム等の従来より用いられている導電膜２ｂ」の上面および側面を覆っていることを読み取ることができる。
　
・引用例１：特開平６−２７５９５０号公報
（１ａ）「【請求項１】以下の工程を含むことを特徴とする配線板の製造法。
Ａ．絶縁基板表面に第１の導体回路を形成する工程
Ｂ．形成した導体回路の表面に，無電解めっきによって，ニッケル合金，コバルト合金，パラジウムおよび金から選択された１種以上の金属層を形成する工程
Ｃ．めっきした回路導体を有する基板表面に，感光性樹脂層を形成し，バイアホールとなる部分に遮蔽部を形成したフォトマスクを介して露光し，露光しなかった箇所を選択的に除去する工程
Ｄ．感光性樹脂層の表面を粗化し，無電解めっきによって，ニッケル合金，コバルト合金，パラジウムおよび金から選択された１種以上の金属層を形成し，さらに回路導体を形成する工程
Ｅ．前記工程Ｂ〜Ｄを必要に応じて繰り返す工程」（【特許請求の範囲】）
　
（１ｂ）「【発明が解決しようとする課題】前述の従来法では，回路導体が0.06mm以下の微細パターンを形成することが可能となり，かつ，直径0.1mm程度の小径バイアホールを形成することが可能となるのであるが，高密度の配線を達成した上で，一定の特性インピーダンスを要求されるようになってきており，この特性インピーダンスを得るためには，回路導体幅が狭くなると，信号層と電源層あるいは信号層とグランド層との距離を狭くしなければならず，狭くすることによって，電気絶縁性が低下するという課題が発生している。例えば，誘電率3.5の絶縁層を用いて特性インピーダンスを50Ωにするためには，回路導体幅を60μmとした場合，絶縁層の厚さは約40μmにしなければならず，また，回路導体幅を40μmとした場合には，絶縁層の厚さは約31μmにしなければならず，絶縁層にわずかに微小のボイドが存在するだけでも絶縁性の低下はまぬがれない。
　本発明は，配線を高密度にし，一定の特性インピーダンスを実現した上で，絶縁特性に優れた配線板の製造法を提供することを目的とする。」（【０００７】−【０００８】）
　
（１ｃ）「【作用】本発明の構成，すなわち，回路導体と絶縁層との間にニッケル合金，コバルト合金，パラジウム，金の金属層を有する構成により，銅マイグレーションの発生を抑制することができる。」（【００１９】）
　
（１ｄ）「実施例４
(1)35μｍの銅箔を両面に貼り合わせたガラス布−エポキシ樹脂銅張り積層板であるMCL-E-67（日立化成工業株式会社製，商品名）を用い，不要な銅箔をエッチング除去して第１の回路を形成し，洗浄した。
(2)次に，無電解めっき用触媒溶液であるレッドシューマ（日本カニゼン株式会社製，商品名）に，室温で10分感浸漬し，水洗した。
(3)次に，下記の組成の無電解コバルト合金めっき液に，pH:9.0，液温90℃で60分間浸漬し，約5μmのめっき層を形成した。
　(組成)
　塩化コバルト・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・３５ｇ／ｌ
　クエン酸ソーダ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１１６ｇ／ｌ
　次亜リン酸ソーダ・・・・・・・・・・・・・・・・・・１１．５ｇ／ｌ
(4)次に，下記組成の液状の感光性樹脂であるPSR-5000(太陽インキ製造株式会社
製，商品名)をスクリーン印刷法で，厚さ約30μmの樹脂層を形成し，80℃で5分
間乾燥した。
　(組成)
・エポキシ樹脂
　UVR-6490(ユニオンカーバイド社製，商品名)・・・・・・・・５０重量部
　UVR-6720(ユニオンカーバイド社製，商品名)・・・・・・・・１０重量部
　DEN-438(ダウケミカル社製，商品名）・・・・・・・・・・・２２重量部
・エポキシ化ポリブタジエン
　R-45EPT(出光石油株式会社製，商品名）・・・・・・・・・・１８重量部
・光開始剤
　UVI-6970(ユニオンカーバイド社製，商品名)・・・・・・・２．８重量部
・流動調整剤
　エアロジル200(日本エアロジル株式会社製，商品名）・・・２．８重量部
(5)次に，バイアホールとなる部分に遮蔽部を形成したフォトマスクを介して300mJ/cm2の条件で露光し，露光しなかった箇所を下記組成の酸化性水溶液で除去した後，オーブン中で150℃/30分間の条件で乾燥した。
　(組成)
　KMnO4:40g/l
　NaOH:26g/l
　(条件)
　液温：５５℃
　処理時間：５分
(6)次に，無電解めっき用レジストフィルムであるフォテックSR-3000(日立化成工業株式会社製，商品名)を，真空ラミネータでラミネートし，露光・現像して回路とならない部分にレジストを形成した。
(7)次に，感光性樹脂層を粗化するために，CrO3:60g/l，ホウフッ化水素酸:800ml/lの水溶液を用い，50℃，8分間の条件で浸漬処理し，NaHSO3:30g/l，H2SO4:5ml/lの水溶液に常温で10分間浸漬処理して中和した後，水洗した。
(8)次に，前記工程(2)と(3)をもう一度繰り返した。
(9)次に，無電解銅めっき液であるCUST-3000(日立化成工業株式会社製，商品名 )に浸漬し，約20μmの厚さのめっき銅を形成した。
(10)前記工程(4)〜(9)を繰り返して多層配線板とした。」（【００２３】）
　
（１ｅ）「実施例５
　無電解コバルト合金めっきに代えて，下記の無電解パラジウムめっきを行った以外は，実施例４と同様にして作成した。
　（組成）
　テトラミンパラジウムクロライド・・・・・・・・・・・・７．５ｇ／ｌ
　ＥＤＴＡ−２Ｎａ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・８．０ｇ／ｌ
　アンモニア水・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２８０ｇ／ｌ
　ヒドラジン（１モル／ｌ）・・・・・・・・・・・・・・・・８ｍｌ／ｌ
　（条件）
　液温：３８℃」（【００２４】）
　
（１ｆ）「比較例２
　実施例４において，工程(2)及び(3)を省略した以外は，実施例４と同様にして作成した。」（【００２７】）
　
（１ｇ）「厚さ３５μｍまたは３０μｍの絶縁距離を介して，第１の導体回路と第２の導体回路に，クシ形パターンを実施例のそれぞれにつき１０づつ形成し，この間に直流２４Ｖの電圧を印加し，８５℃／８５％ＲＨの雰囲気中で電食試験を行い，ハンダ耐熱性，ピール強度を，ＪＩＳ−Ｃ−６４８１に準拠して測定した。結果を，表１に示す。」（【００２８】）
　
（１ｈ）表１には，実施例５の短絡したパターン数が，１５００ｈｒで０，引き剥がし強度が１．７ｋｇｆ／ｃｍであり，比較例２の短絡したパターン数が２５０ｈｒで６，５００ｈｒで１０，引き剥がし強度が１．６ｋｇｆ／ｃｍであることが記載されている。
　
（１ｉ）図１は，引用例１に記載された発明の一実施例を説明するための各工程の断面図であって，同図から，導体回路３の側面および上面に，無電解めっきによって，ニッケル合金，コバルト合金，パラジウムおよび金から選択された１種以上の金属層が形成されていることを読み取ることができる。
　
（２）本願補正発明１と引用発明との対比
ア　引用例６に記載の発明 
　引用例６の上記摘記（６ａ），（６ｃ）−（６ｍ）を総合勘案すれば，引用例６には，
「プリント配線板の製造方法を
セミアディティブ法
（１）コア基板１の表面に内層銅パターン（導体回路）２を形成した配線基板ＰＣを作製する工程と，
（２）次に，前記（１）で作製した配線基板ＰＣの表面上に，感光性無電解めっき用接着剤を用いた感光性樹脂層６を形成する工程と，
（３）前記のように形成した感光性無電解めっき用接着剤層６を乾燥した後，バイアホール形成のための円パターン（マスクパターン）１４が描画されたガラス基板１３を，円パターン１４が感光性無電解めっき用接着剤層６に密着するように載置し，露光，現像処理することにより，バイアホール用開口Ｂを形成する工程と，
（６）次に，無電解めっき用接着剤層６の表面に無電解めっきを施し，全面に
無電解めっき膜３を形成
（７）続いて，前記のように形成した無電解めっき膜３上に感光性樹脂フィルム（ドライフィルム）１９をラミネートし，また，めっきレジストパターン１４が描画されたガラス基板１３を，マスクパターン１４が感光性樹脂フィルム１９を介して感光性無電解めっき用接着剤層６に密着するように載置し，更に，露光，現像処理することにより，めっきレジスト層７を無電解めっき膜３上に形成する工程と，
（８）めっきレジスト非形成部８（めっきレジスト層７が形成されていない部分）に
電解めっき膜４を形成し，導体回路，ならびにバイアホール１００を設ける
（９）更に，めっきレジスト層７を除去した後，硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウム，過硫酸アンモニウムなどのエッチング液で無電解めっき膜３を溶解除去して，独立した導体回路とする工程と，
（１１）次に，前記処理により得られた配線基板ＰＣ上に，
感光性樹脂層として感光性無電解めっき用接着剤層６を形成
（１２）
更に上層の導体回路を設け，半田パッドとして機能する導体層１０とバイアホール１００を形成
（１３）次いで，
必要に応じて
（１４）次に，
前記（１２）の処理
最上層の導体回路を覆うように
ソルダーレジスト組成物を塗布
（１５）次に，ソルダーレジスト組成物の塗膜を乾燥し，この塗膜に，開口部が円パターン１４として描画したガラス基板１３を円パターン１４が描画された側をソルダーレジスト層８に密着させて，露光，現像処理することにより開口部を形成したソルダーレジスト層８を，更に８０℃〜１５０℃で１〜１０時間の熱処理により硬化させることにより，開口部を有するソルダーレジストパターン層８を導体回路の表面に密着させる工程と，
を具備する，プリント配線板の製造方法，及び，該製造方法で製造されたプリント配線板。」の発明（以下「引用例６発明」という。）が記載されていると認められる。 
　
イ　対比 
（ア）本願補正発明１と引用例６発明とを対比すると，引用例６発明の「感光性無電解めっき用接着剤層」，「ソルダーレジストパターン層」は，それぞれ本願補正発明１の「層間樹脂絶縁層」，「ソルダーレジスト層」に相当する。
（イ）引用例６の上記摘記（６ａ）の「ビルドアップ多層配線基板」についての記載に照らして，引用例６発明の工程（１）ないし工程（１２）によって形成された，感光性無電解めっき用接着剤層と導体回路とバイアホールとからなる積層構造は，本願補正発明１の「ビルドアップ層」に相当し，また，引用例６発明の「プリント配線板」は，本願補正発明１の「多層プリント配線板」に相当するものであると認められる。
（ウ）引用例６の上記摘記（６ｉ）の「
（１２）
前記（３）〜（９）の工程を繰り返し
上層の導体回路を設け
必要に応じてバイアホール，導体層，ランド等の表面に粗化層５を設ける
前記（１２）の処理
最上層の導体回路を覆うように
ソルダーレジスト組成物を塗布
　
　以上を総合すると，本願補正発明１と，引用例６発明とは，
「層間樹脂絶縁層と導体回路とが交互に積層され，上下に位置する導体回路同士がバイアホールを介して接続されてなるビルドアップ層を有し，最上層の層間樹脂絶縁層上および最上層の導体回路上にはソルダーレジスト層が形成されている多層プリント配線板において，
　前記最上層の導体回路は，前記最上層の層間樹脂絶縁層上にセミアディティブ法により形成され，無電解めっき膜とその無電解めっき膜上の電解めっき膜とを有し，
　前記最上層の導体回路の側面および上面は粗化されておらず，
　前記ソルダーレジスト層は，前記最上層の導体回路上に形成された金属層を覆うように形成されている多層プリント配線板。」
である点で一致し，以下の点で相違する。
　
・相違点１：本願補正発明１は「最上層の導体回路の，前記ソルダーレジスト層に接触している側面および上面には，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｃｒ，Ｓｎ，Ｍｏのうちから選ばれる１種以上の金属からなる金属層が形成」されているのに対して，引用例６にはこの点が記載されていない点。
　
・相違点２：本願補正発明１は「ソルダーレジスト層は，エポキシ樹脂からなる」のに対して，引用例６発明では，この点が明記されていない点。
　
（３）相違点についての当審の判断 　 
・相違点１について 
（ア）引用例１１の上記摘記（１１ａ）−（１１ｆ）の記載から，絶縁性基板上の回路パターンには，水分による腐食欠陥が発生するおそれがあるという欠点があり，前記欠点を防ぐ方法として，前記回路パターンの側面および上面を，タンタル，チタン，スズまたはニオブから選ばれるいずれか１種の金属で被覆して導電膜のパターンとする方法が公知であったことが理解できる。
　一方，引用例６と引用例１１に記載された発明は，いずれも絶縁層上に配線回路を設けた配線基板という共通の技術分野に属する発明である。
　してみれば，引用例６と引用例１１に接した当業者であれば，引用例６発明のプリント配線板の最上層の導体回路の水分による腐食欠陥の発生のおそれに思い至り，前記腐食欠陥の発生を防ぐために，引用例６発明に引用例１１に記載された発明を適用して，その際に，特にスズ（Ｓｎ）を選択することで，上記相違点１の構成について本願補正発明１の構成を採用することは容易に想到し得たことと認められる。
　
（イ）引用例１の上記摘記（１ａ）−（１ｉ）の記載から，多層配線板の配線を高密度にし，一定の特性インピーダンスを実現した上で，絶縁特性に優れた配線板の製造法を提供することを目的として，回路導体と絶縁層との間に，パラジウムの金属層を設けた引用例１の実施例５においては，銅マイグレーションの発生が抑制されて，短絡したパターン数が，１５００ｈｒで０，引き剥がし強度が１．７ｋｇｆ／ｃｍとなり，回路導体と絶縁層との間に，金属層を設けない比較例２の，短絡したパターン数が２５０ｈｒで６，５００ｈｒで１０，引き剥がし強度が１．６ｋｇｆ／ｃｍのものと比べて絶縁特性と引き剥がし強度に優れた特性が得られることが理解できる。
　また，引用例６発明と，引用例１に記載された発明は，いずれも絶縁層上に配線パターンを設けた配線基板の製造方法である点で，共通の技術分野に属する発明であるといえる。そして，引用例１に示された絶縁特性の向上という課題は，プリント配線板において周知の課題であるといえる。
　してみれば，引用例６発明において，このような周知の課題の解決を目的として，引用例６発明の最上層の導体回路の側面および上面にＰｄによって構成された金属層を形成する引用例１に記載された発明を適用して，上記相違点１の構成について本願補正発明１の構成を採用することは容易に想到し得たことと認められる。
　
・相違点２について
　引用例６の上記摘記（６ｂ）の記載に照らして，ソルダーレジスト層を，周知のエポキシ樹脂からなるようにすることは，当業者が適宜なし得たことである。
　
　したがって，本願補正発明１は，上記引用例６及び１１，若しくは，引用例６及び１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　なお，審判請求人は，平成２２年８月３０日付けの意見書において「ここで，本願発明においては，最上層の導体回路が無電解めっき膜と電解めっき膜とから形成されている。例えば，無電解めっきは，浴中の還元剤が酸化することによって放出される負の電荷を持ったイオンによって，浴中の金属イオンが還元析出してめっきが行われる。しかしながら，金属イオンは必ずしも１００％還元されるわけではなく，少なからず無電解めっき膜の中にイオンとして残留する。この金属イオンがソルダーレジスト層側に含まれるアニオン成分と反応しようとすることで，金属イオンが拡散することとなる。さらに，めっき液に含まれるｐＨ調整剤としてのＮａＯＨ由来のＮａ＋が導体回路表面に残留している場合も，そのソルダーレジスト層側への拡散が問題となる。即ち，
本願発明のようにセミアディティブ法により導体回路をめっきで形成する場合は，導体回路を構成する金属イオンの拡散がおこりやすいといった特有の課題が存在する。
　しかしながら，本願明細書，特許請求の範囲および図面に，請求人が主張する前記「
セミアディティブ法により導体回路をめっきで形成する場合は，導体回路を構成する金属イオンの拡散がおこりやすいといった特有の課題が存在する
　したがって，請求人の前記主張は明細書の記載に基づかない主張であるから採用することはできない。
　
３　むすび
　本願補正発明１は，上記引用例６及び１１，若しくは，引用例６及び１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２２年８月３０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１−２１に係る発明は，平成２０年１１月１７日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１−２１に記載されたとおりのものであるところ，その内，請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，次のとおりである。
　
　「【請求項１】層間樹脂絶縁層と導体回路とが交互に積層され，上下に位置する導体回路同士がバイアホールを介して接続されてなるビルドアップ層を有し，最上層の層間樹脂絶縁層上及び最上層の導体回路上にはソルダーレジスト層が形成されている多層プリント配線板において，
　前記最上層の導体回路は，前記最上層の層間樹脂絶縁層上に形成された無電解めっき膜と，その無電解めっき膜上の電解めっき膜とを有し，
　前記最上層の導体回路の少なくとも側面であって，前記ソルダーレジスト層に接触している部分に，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｃｒ，Ｓｎ，Ｍｏのうちから選ばれる１種以上の金属からなる金属層が形成されていることを特徴とする多層プリント配線板。」
　
２　新規事項の追加について
　平成２０年１１月１７日付け手続補正書による補正は，【００１０】について，補正前に，
「また，クラックの発生を抑制して配線の信頼性を向上させることができる。」と記載されていたものを，
「また，導体回路を形成する金属イオンのソルダーレジスト層内への拡散を抑制して，クラックの発生を抑制するとともに，線間絶縁性を確保することによって導体回路の密着性を改善し，配線の信頼性を向上させることができる。」
と補正しようとするものである。
　
　しかしながら，本願の出願当初の明細書等に「導体回路を形成する金属イオンのソルダーレジスト層内への拡散の抑制」が，「クラックの発生を抑制」，「線間絶縁性を確保」，「導体回路の密着性を改善」，「配線の信頼性を向上」につながるという技術的事項の開示を認めることはできない。
　すなわち，本願発明の製造方法が「導体回路を形成する金属イオンのソルダーレジスト層内への拡散を抑制して，クラックの発生を抑制するとともに，線間絶縁性を確保することによって導体回路の密着性を改善し，配線の信頼性を向上させることができる」ことは，本願の出願当初の明細書，特許請求の範囲，および図面に記載されておらず，また，本願の出願当初の明細書，特許請求の範囲，および図面に記載された事項から自明な事項であるともいえない。
　そうすると，本願明細書の【００１０】についてする「また，導体回路を形成する金属イオンのソルダーレジスト層内への拡散を抑制して，クラックの発生を抑制するとともに，線間絶縁性を確保することによって導体回路の密着性を改善し，配線の信頼性を向上させることができる」との補正は，当業者によって，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項項との関係において，新たな技術的事項を導入しないものであるとは認められないから，前記補正は，「当初明細書等に記載した事項」の範囲内においてするものということはできない。したがって，平成２０年１１月１７日付けでした手続補正は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
　なお，請求人は平成２２年８月３０日付けの意見書において「ちなみに，導体回路を形成する金属イオンの層間樹脂層内への拡散を金属層が抑制できることは出願当初明細書に明記されているので（［００７３］等参照），この金属層が，導体回路を形成する金属イオンの，同様に樹脂層であるソルダーレジスト層内への拡散も抑制してクラックの発生を抑制できるということは，当業者にとって記載されているに等しい事項である。」と主張するので，この点について検討する。
　請求人が，「当業者にとって記載されているに等しい事項である」と主張する根拠として指摘する出願当初明細書の【００７３】には次の記載がある。
「表１に示す結果から明らかなように，本発明の実施例にかかる配線板は，層間樹脂絶縁層に粗化面を設けていないにもかかわらず，充分なピール強度が確保されていた。これに対し，比較例１の配線板は，粗化面を設けているにもかかわらず，それのピール強度は1.0 kg／cmと低かった。
　また，本発明の実施例にかかる配線板は，放熱性が悪いにも関わらず，Ｎｉ，Ｐｄなどの金属により銅の拡散が抑制されているので，マイグレーションもなく層間絶縁が確保されていた。
　一方，比較例２から理解できるように，片面にのみポリオレフィン系樹脂層，Ｎｉ層および銅めっき層，銅めっき層のＮｉ層を設けても，クラックを抑制することはできない。また，比較例１では，両面にビルドアップ層が形成されているが，クラックを抑制できない。
　即ち，樹脂基板の両面にビルドアップ層が形成され，かつ，導体回路の表面に設けられた，周期律表の第IVａ族から第Ｉｂ族で第４〜第７周期の金属であってＣｕを除いた金属から選ばれる少なくとも１種以上の金属層が形成されることにより，本発明の効果を奏することがわかる。
　また，本発明では，L/S=15/15μmの微細な配線を形成することができる。」
　上記記載について検討すると，上記記載は，「銅からなる導体回路」と「ポリオレフィン系樹脂層からなる層間樹脂絶縁層」との関係についての知見を示したものであって，「導体回路」と「ソルダーレジスト層」との関係について示したものとはいえない。そして，接着強度，クラックの生じやすさ，マイグレーションの前提となる拡散係数等の条件は，材料の組合せによって異なるから，前記の「銅からなる導体回路」と「ポリオレフィン系樹脂層からなる層間樹脂絶縁層」との間で成り立つ関係が，「導体回路」と「ソルダーレジスト層」との間においても同様に成り立つとは，直ちには認めることはできない。したがって，上記【００７３】の記載からは「この金属層が，導体回路を形成する金属イオンの，同様に樹脂層であるソルダーレジスト層内への拡散も抑制してクラックの発生を抑制できるということは，当業者にとって記載されているに等しい事項である」と認めることはできない。
　また，仮に，前記記載から「この金属層が，導体回路を形成する金属イオンの，同様に樹脂層であるソルダーレジスト層内への拡散も抑制することは，当業者にとって記載されているに等しい事項である」ことを認めることができたとしても，当初明細書等には，金属イオンのソルダーレジスト層内への拡散を抑制することが，クラックの発生を抑制することにつながるとする技術的知見，すなわち，請求人が，平成２２年８月３０日付けの意見書において主張する「金属イオンがソルダーレジスト層側に拡散すると，その拡散した金属イオンが酸化される。そして，酸化されることで金属の体積は増加する。それによりソルダーレジスト層側にクラックが入って，・・・」という機序に基づく技術的知見は記載されておらず，また，前記技術的知見が，当初明細書等の記載から当業者にとって自明な事項であるとも認められない。したがって，「この金属層が，導体回路を形成する金属イオンの，同様に樹脂層であるソルダーレジスト層内への拡散も抑制してクラックの発生を抑制できるということは，当業者にとって記載されているに等しい事項である。」との請求人の前記主張は，いずれにせよ採用することはできない。
　
３　進歩性について
（１）引用例及びその記載事項
　平成２２年６月２２日付けの拒絶理由通知書の拒絶の理由に引用した本願の出願前に頒布された刊行物及び当該刊行物に記載されている事項は，上記「第２　平成２２年８月３０日付けの手続補正についての補正却下の決定　２　補正の適否について　（１）引用例及びその記載事項」の項で指摘したとおりである。
　
（２）当審の判断
　本願発明１を特定するに必要な事項を全て含み，さらに具体的に限定したものに相当する本願補正発明１が，前記「第２　平成２２年８月３０日付けの手続補正についての補正却下の決定　２　補正の適否について　（３）相違点についての当審の判断」に記載したとおり，上記引用例６及び１１，若しくは，引用例６及び１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明１も同様の理由で，引用例６及び１１，若しくは，引用例６及び１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
４　むすび 
　以上のとおり，本願は新規事項を含むものであり，また，本願の請求項１に係る発明は，引用例６及び１１，若しくは，引用例６及び１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第１７条の２第３項，及び，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。したがって，本願の請求項２〜請求項２１に係る発明については検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。