【事件の表示】
　特願２０００−５２５９０５「遷移金属含有層をエッチングするための技術」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　７月　１日国際公開、ＷＯ９９／３３０８６、平成１３年１２月２５日国内公表、特表２００１−５２７１６０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　経緯
　
　本件は、１９９８年１２月１１日（優先権主張：１９９７年１２月１９日　米国）を国際出願日とする特許出願であって、平成２０年２月２９日付け拒絶理由に対し、同年６月１０日付けで意見書及び手続補正書を提出したが、同年７月３日付けで拒絶査定され、これを不服として、同年１０月１４日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
　
第２　本願発明
　
　本願の各請求項に係る発明は、平成２０年６月１０日付け手続補正によって補正された請求項１〜２９に記載される事項によって特定されるものと認められ、その請求項１０に係る発明は、次のとおりである。
　
「基板の上に配置されるとともにエッチングマスクの下に配置されている遷移金属含有層を、プラズマ処理チャンバ内でエッチングするための方法であって、
　主としてＨＣｌおよびＡｒから成るソースガスを前記プラズマ処理チャンバ内に流すことにより、各ＨＣｌ分子がエッチング時に本質的に１塩素原子当たり１水素原子を提供するようにする工程と、
　前記プラズマ処理チャンバ内で前記ソースガスからプラズマを発生させる工程と、
　前記遷移金属含有層を前記プラズマで少なくとも部分的にエッチングする工程と、
を備え、
　前記水素の存在が前記遷移金属含有層の高いエッチング速度に寄与する、方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
　
第３　刊行物
　
　これに対して、原査定の拒絶の理由において引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平８−２２２５４９号公報（以下「刊行物」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（刊ａ）「【０００４】これらＣｕ系金属やＰｔ金属をパターニングして微細な電極や配線を形成する場合には、ハロゲン系ガスを用いた反応性プラズマエッチングによる高選択比、高異方性かつ低ダメージの加工を施すのであるが、これら金属のハロゲン化物は蒸気圧が小さく、すなわちエッチングレートも小さいので、難エッチング金属と呼称されるほどである。」
　
（刊ｂ）「【００１０】本発明は上述した諸問題点を解決することを目的とし、ＣｕやＰｔ等ハロゲン元素との反応生成物の蒸気圧が小さな難エッチング性の被処理層に対しても、実用的なエッチングレートを確保しつつ微細なパターンを形成できるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供することを課題とする。」
　
（刊ｃ）「【００２７】実施例１
本実施例は、まず本発明の請求項１、２および４を適用したプラズマ処理装置の構成例につき、図１に示す概略断面図を参照して説明する。この装置は誘導結合プラズマによるプラズマ発生室と、・・・を具備した構成を有する。上記誘導結合プラズマ発生源は、石英またはアルミナ等誘電体材料からなり、一例として３５０ｍｍ径の円筒状プラズマ発生室５をを巻回するＲＦアンテナ６、このＲＦアンテナ６にマッチングボックス８を介して電力を供給するＲＦ電源７等から成る。・・・
・・・
【００２９】・・・なお同図においてはエッチングガス導入孔、真空ポンプ、ゲートバルブ等の装置細部は図示を省略する。
【００３０】・・・また大型のＲＦアンテナ６により、プラズマ発生室５内に高密度プラズマを発生し被処理基板に対し均一で高いレートのプラズマ処理を施すことができる。
【００３１】つぎに本発明のプラズマ処理方法につき、上述のプラズマ処理装置を用いたＰｔ金属層のプラズマエッチングを例にとり、図３（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
【００３２】本実施例で採用した試料は、図３（ａ）に示すようにシリコン等の半導体基板２１上にＰＬＺＴ等の強誘電体材料層２２をスパッタリングにより形成し、さらにＰｔ金属層２３、ＳｉＯ2 等からなる無機系材料マスク層２４およびレジストマスク２５をこの順に順次形成したものである。・・・またレジストマスク２５はノボラック系ポジ型レジストとｉ線ステッパ露光でパターニングし、そのパターン幅は０．５μｍである。
【００３３】次にレジストマスク２５をマスクに無機系材料マスク層２４をエッチングして無機系材料マスク層２４パターンを形成し、レジストマスク２５をアッシングないしはウェット剥離して除去する。無機系材料マスク層２４は薄いので、０．５μｍ幅のパターン転写は正確におこなわれる。図３（ｂ）に示すこの段階まで形成した試料を被処理基板とする。
【００３４】この被処理基板１を図１に示す誘導結合プラズマ処理装置の基板ステージ２上に載置し、一例として下記条件によりＰｔ金属層２３のプラズマエッチングをおこなう。
    Ｓ2Ｃｌ2　　　　　　　　　　　　　２０  ｓｃｃｍ
    ＮＨ3 　　　　　　　　　　　　　　１０  ｓｃｃｍ
    ガス圧力　　　　　　　　　　　０．１３  Ｐａ
    ＲＦ電源パワー　　　　　　　　２５００  Ｗ（１３．５６ＭＨｚ）
    基板バイアス電源パワー　　　　　３００  Ｗ（１３．５６ＭＨｚ）
    基板ステージ加熱温度　　　　　　４００  ℃
    光照射加熱手段電源パワー　　　　５００  Ｗ
なお光照射加熱手段電源パワーは、４個のタングステンハロゲンランプの合計パワーである。
【００３５】Ｐｔの塩化物は難昇華性ではあるが、上記エッチング過程においてはＣｌ*とＰｔとの反応生成物ＰｔＣｌx がＣｌ+、ＳＣｌx+やＮＨ+等の高密度のイオン照射を受けてスパッタ除去される。これは、詳細なエッチング機構は不明ではあるが、光照射を受ける被処理基板１の表面温度は、基板ステージ２の加熱温度４００℃より高くなるので、ＰｔＣｌxはスパッタの効果との相乗効果により速やかに昇華除去されるものと考えられる。・・・」
　
（刊ｄ）「【００４４】この被処理基板１を図２に示すヘリコン波プラズマ処理装置の基板ステージ２上に載置し、一例として下記条件によりＣｕ金属層２８および密着層兼バリアメタル層２７を連続してパターニングする。
    ＳｉＣｌ4　　　　　　　　　　　　２０  ｓｃｃｍ
    Ｃｌ2　　　　　　　　　　　　　　２０  ｓｃｃｍ
    Ｎ2　　　　　　　　　　　　　　　２０  ｓｃｃｍ
    ＮＨ3　　　　　　　　　　　　　　１０  ｓｃｃｍ
    ガス圧力　　　　　　　　　　　０．１３  Ｐａ
    ＲＦ電源パワー　　　　　　　　２５００  Ｗ（１３．５６ＭＨｚ）
    基板バイアス電源パワー　　　　　１００  Ｗ（１３．５６ＭＨｚ）
    基板ステージ加熱温度　　　　　　２００  ℃
    光照射加熱手段電源パワー　　　　５００  Ｗ
なお光照射加熱手段電源パワーは、４個のタングステンハロゲンランプの合計パワーである。」
　
（刊ｅ）「【００５１】またプラズマエッチングの対象としてＣｕ金属とＰｔ金属を例示したが、他にＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｎｉ等ハロゲン化物の蒸気圧の小さな金属や、これら難エッチング金属を含む合金や化合物、例えばＡｌ−Ｃｕ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金、Ｃｕ酸化物系高温超電導材料、ＲｕＯ2電極等のパターニングに用いて残渣のないエッチングが可能である。」
　
（刊ｆ）「【００５２】エッチングガスとしてＢＣｌ3、ＣＣｌ4、ＨＣｌ、ＰＣｌ3、Ｓ3Ｃｌ2、ＳＣｌ2等各種Ｃｌ系ガスやＦ系ガス、Ｂｒ系ガス、Ｉ系ガスをエッチング対象材料に応じて選択して用いることができる。またこれらハロゲン系ガスにＨｅ、Ａｒ、Ｘｅ等希ガスやＨ2やＣＯ、ＣＯ2等を添加してもよい。」
　
（刊ｇ）図１には、実施例１によるプラズマ処理装置の概略断面図が示されており、被処理基板１がプラズマ発生室５内に位置することが看取できる。
　
（刊ｈ）図３には、実施例１のプラズマ処理方法を示す概略断面図であって、（ｃ）にはＰｔ金属層をパターニングした状態が示されており、Ｐｔ金属層２３が無機系材料マスク層２４の下層部分を除いて除去されていることが看取できる。
　
　
第４　判断
　
１　刊行物発明
（１）摘記事項（刊ｃ）【００２９】に「エッチングガス」との記載があるように、刊行物のプラズマ処理方法は、エッチングガスを用いるものであり、摘記事項(刊ｃ）のプラズマ処理条件中におけるＳ2Ｃｌ2、ＮＨ3はエッチングガスであって、「ｓｃｃｍ」という流量の単位で示されていることからみて、当該エッチングガスを「流す」ことは明らかである。
　
（２）摘記事項（刊ｇ）のように被処理基板がプラズマ発生室内に位置することから、エッチングがプラズマ発生室内で行われることは明らかであり、また、摘記事項（刊ｃ）【００２７】及び【００３０】を参照すると、プラズマを発生させるＲＦアンテナがプラズマ発生室を巻回する位置にあることから、プラズマ源であるエッチングガスがプラズマ発生室内に流されることは明らかである。
　
（３）摘記事項（刊ｃ）【００３１】等によれば、Ｐｔ金属層は、プラズマエッチングされるものであり、摘記事項（刊ｈ）のようにＰｔ金属層は部分的に除去されるのであるから、Ｐｔ金属層がプラズマで少なくとも部分的にエッチングされることは明らかである。
　
（４）してみれば、刊行物には次の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されている。
「半導体基板上に強誘電体材料層、Ｐｔ金属層、無機系材料マスク層を順次形成し、Ｐｔ金属層をプラズマ発生室内でエッチングするためのプラズマ処理方法であって、
　Ｓ2Ｃｌ2およびＮＨ3から成るエッチングガスをプラズマ発生室内に流し、
　前記プラズマ発生室内で前記エッチングガスからプラズマを発生させ、
　前記Ｐｔ金属層を前記プラズマで少なくとも部分的にエッチングする、
　プラズマ処理方法。」
　
　
２　対比　
（１）刊行物発明における「半導体基板」、「Ｐｔ金属層」、「プラズマ発生室」、「エッチングガス」及び「プラズマ処理方法」は、本願発明における「基板」、「遷移金属含有層」、「プラズマ処理チャンバ」、「ソースガス」及び「方法」に、それぞれ相当する。
　また、刊行物発明において行っている各処理又は手順は、本願発明における「工程」に相当するものである。
　
（２）刊行物発明における「無機材料マスク層」は、上記摘記事項（刊ｃ）及び（刊ｈ）を参照すれば、「Ｐｔ金属層」をエッチングする際のマスクとなることは明らかであるから、本願発明における「エッチングマスク」に相当する。
　
（３）刊行物発明における「Ｐｔ金属層」は、半導体基板の上に直接ではなく、半導体基板上に形成された強誘電体材料層の上に形成されるものであるが、本願の【００２５】を参照すれば、ＧａＡｓ基板の上のゲルマニウム（典型元素）の上にニッケル及びタングステン（遷移元素）が形成されているのであるから、本願における「基板の上に配置される」とは、基板の上に直接配置されるものとは限らないことは明らかであって、上記（１）及び（２）の相当関係も合わせれば、刊行物発明における「半導体基板上に強誘電体材料層、Ｐｔ金属層、無機系材料マスク層を順次形成し」との構成は、本願発明における「基板の上に配置されるとともにエッチングマスクの下に配置されている遷移金属含有層」の構成に相当する。
　
（４）そうすると、本願発明と刊行物発明とは、
「基板の上に配置されるとともにエッチングマスクの下に配置されている遷移金属含有層を、プラズマ処理チャンバ内でエッチングするための方法であって、
　ソースガスを前記プラズマ処理チャンバ内に流す工程と、
　前記プラズマ処理チャンバ内で前記ソースガスからプラズマを発生させる工程と、
　前記遷移金属含有層を前記プラズマで少なくとも部分的にエッチングする工程と、
を備えた方法」
　の点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点１）本願発明は、ソースガスが、「主としてＨＣｌおよびＡｒから成る」もので、「各ＨＣｌ分子がエッチング時に本質的に１塩素原子当たり１水素原子を提供する」ものであるのに対し、刊行物発明は「Ｓ2Ｃｌ2およびＮＨ3から成る」点。
　
（相違点２）本願発明は、「前記水素の存在が前記遷移金属含有層の高いエッチング速度に寄与する」のに対し、刊行物発明には、このような特定がない点。
　
　
３　相違点についての判断
（１）相違点１について
ア　刊行物発明は、Ｐｔ金属層をプラズマエッチングの対象とするものであるが、刊行物の摘記事項（刊ｅ）には、プラズマエッチングの対象としてＰｔ金属に限らず、Ｃｕ金属、他にＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｎｉ等ハロゲン化物の蒸気圧の小さな金属や、これら難エッチング金属を含む合金や化合物、例えばＡｌ−Ｃｕ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金、Ｃｕ酸化物系高温超電導材料、ＲｕＯ2電極等にも適用できることが記載されており、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｎｉ及びＲｕは、全て遷移金属である。
　また、摘記事項（刊ａ）の「ハロゲン系ガスを用いた反応性プラズマエッチングによる・・・これら金属のハロゲン化物」、摘記事項(刊ｂ）の「ＣｕやＰｔ等ハロゲン元素との反応生成物の蒸気圧が小さな難エッチング性の被処理層」、摘記事項（刊ｃ）【００３５】の「Ｃｌ*とＰｔとの反応生成物ＰｔＣｌx が生成される」、摘記事項（刊ｆ）の「これらハロゲン系ガスに・・・添加してもよい」と記載から、刊行物には、エッチングガスとして、ハロゲン系ガスを用いることが記載されている。
　してみれば、刊行物には、Ｐｔ金属層のほか、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｎｉ及びＲｕ等の遷移金属含有層をハロゲン系ガスを用いてエッチングを行うことが示唆されているのであり、その際、ハロゲン系ガスの具体的な物質例としては、摘記事項（刊ｃ）、（刊ｄ）及び（刊ｆ）に示されるようにＳ2Ｃｌ2、ＳｉＣｌ4、Ｃｌ2、ＢＣｌ3、ＣＣｌ4、ＨＣｌ、ＰＣｌ3、Ｓ3Ｃｌ2、ＳＣｌ2のたかだか９種類が示されているにすぎないのであるから、この中からＨＣｌを選択することが格別困難であるとはいえず、刊行物発明において、エッチングガスとしてＨＣｌを選択することは、当業者が容易になし得たことである。
　
イ　プラズマエッチングに際して、プラズマ発生用、スパッタリング、希釈等の目的でエッチングガスにＡｒを添加することは、下記周知文献１〜３に記載されるように、ごく一般的な技術にすぎない。してみれば、刊行物の摘記事項（刊ｆ）における「ハロゲン系ガスにＨｅ、Ａｒ、Ｘｅ等希ガスやＨ2やＣＯ、ＣＯ2等を添加してもよい」という記載に接した当業者が、エッチングガスにＡｒを選択し、添加することは容易になし得たことである。
　
※周知文献１：特開平７−７０７７２号公報
「【００１１】次に第２の実施例を説明する。ガス種として、テトラクロロエチレン及び酸素の他にアルゴンを添加し、・・・アルゴンがスパッタリングの効果に加え、プラズマを安定して発生させた。」
　
※周知文献２：特開平９−２９１３６６号公報
「【００２５】ここで、プラズマ発生用のＡｒガスは処理中において常時、全ての不活性ガス噴出孔３８から処理室間に導入されて、処理空間全域に亘ってプラズマが安定的に立つようになされている・・・」
　
※周知文献３：特開平８−３１６２０６号公報
「【００５５】その他、添加ガスとしてＨｅ、Ａｒ等希ガスを用いればスパッタリング、冷却、希釈および放電の安定性等の各効果を期待できる。」
　
ウ　そして、ＡｒとＨＣｌの組み合わせたエッチングガスを用いることも下記周知文献４に記載されているように従来から行われていることであるから、エッチングガスとして、ＡｒとＨＣｌの組み合わせとすることに格別の阻害要因があるともいえない。
　
※周知文献４：特開平６−９７１２２号公報
「【０００９】図２は本発明の第２実施例を示したものである。図中において、１はガラス基板、２はＩＴＯ、３はレジスト、４はＴａ、５はＡｌであり、レジスト３をマスクにして、ＡｒとＨＣｌの混合ガスでＡｌ／Ｔａ／ＩＴＯを一括エッチングする様子を示したものである。ＡｒはＡｌの表面酸化膜をスパッタリングする目的で添加されたものであり、Ａｌの表面酸化膜さえ除去できれば、Ａｌ，ＴａはHCl単独でもエッチング可能である。」
　
エ　してみれば、刊行物発明に基づいて、本願発明のように「主としてＨＣｌ及びＡｒから成る」ソースガスとすることは、当業者が容易になし得たことである。
　そして、ＨＣｌの分子構成は、１塩素原子当たり１水素原子であるから、ＨＣｌをエッチング時に供給すること自体が「各ＨＣｌ分子がエッチング時に本質的に１塩素原子当たり１水素原子を提供する」ものにほかならない。
　
（２）相違点２について
　本願の「【００１７】・・・厳密なメカニズムは知られていないが、水素が、遷移金属含有層のエッチング最中に特定の役割を果たしており、その役割が、フォトレジストに対する選択性および／または遷移金属含有層に対するエッチング速度を向上させられることがわかった。」及び「【００２６】・・・水素が、上述したようにその厳密なメカニズムはまだ完全に解明されていないものの、遷移金属含有層のエッチングにおいて一定の役割を果たしていることがわかる。」との記載からみて、水素が存在することにより、メカニズムは不明であるものの、遷移金属含有層に対するエッチング速度が向上させられるというのであるから、少なくともエッチングガスとしてＨＣｌを含めば、結果として、本願発明と同様に「前記水素の存在が前記遷移金属含有層の高いエッチング速度に寄与する」ものといえる。
　そして、上記相違点１について検討したように、刊行物発明において、エッチングガスとしてＨＣｌを選択することは、当業者が容易になし得たことなのであるから、当該エッチングガスとしてＨＣｌを選択したプラズマ処理方法は、本願発明の「前記水素の存在が前記遷移金属含有層の高いエッチング速度に寄与する」に相当するものである。
　
　
４　まとめ
　したがって、本願の請求項１０に係る発明は、刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規程により、特許を受けることができない。
　
　
第５　むすび
　
　以上のとおり、本願の請求項１０に係る発明は、特許法第２９条第２項の規程により特許を受けることができないものであるから、本願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。