【事件の表示】
　特許第６０４４１３７号発明「コンプレッション成形用半導体封止樹脂材料及び半導体装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６０４４１３７号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜６〕について訂正することを認める。
　特許第６０４４１３７号の請求項１〜６に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６０４４１３７号の請求項１〜６に係る特許についての出願は、平成２４年７月３日（優先権主張　平成２３年７月８日）の出願であって、平成２８年１１月２５日にその特許権の設定登録がされ、その後、平成２９年６月１３日付け（受理日：同年６月１４日）で特許異議申立人　信越化学工業株式会社（以下、「特許異議申立人」という。）より請求項１〜６に対して特許異議の申立てがされ、同年８月８日付けで取消理由が通知され、同年９月２８日付け（受理日：同年９月２９日）で意見書の提出及び訂正請求（以下、「本件訂正請求」という。）がされ、同年１１月６日付けで訂正請求があった旨の通知（特許法第１２０条の５第５項）がされ、同年１１月２２日付け（受理日：同年１１月２４日）で特許異議申立人から意見書が提出されたものである。
第２　本件訂正請求の適否
１．訂正の内容
　本件訂正請求による訂正の内容は、次の訂正事項１、２のとおりである。なお、下線は訂正箇所を示すものである。
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に「（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）フィラーとを含み、前記（Ｃ）フィラーの含有率が８５質量％以上であり、厚み４ｍｍ〜１０ｍｍのペレット状又はシート状の成形体であるコンプレッション成形用半導体封止樹脂材料。」と記載されているのを「（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）フィラーとを含み、前記（Ｃ）フィラーの含有率が８５質量％以上であり、厚み４ｍｍ〜１０ｍｍのペレット状又はシート状の成形体であ
り、ＦＯ−ＷＬＰのための
　また、当該請求項１を引用する請求項２〜６も併せて訂正する。
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項６に「請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のコンプレッション成形用半導体封止樹脂材料によって封止された素子を備えた半導体装置。」と記載されているのを「請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のコンプレッション成形用半導体封止樹脂材料によって封止された素子を備えた
ＦＯ−ＷＬＰ型の
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否、及び一群の請求項
（１）訂正事項１について
　訂正事項１は、訂正前の請求項１の「コンプレッション成形用半導体封止樹脂材料」に「
ＦＯ−ＷＬＰのための
（２）訂正事項２について
　訂正事項２は、訂正前の請求項６の「半導体装置」に「
ＦＯ−ＷＬＰ型の
（３）一群の請求項
　本件訂正請求による訂正は、訂正後の請求項１〜６についての訂正であるが、訂正前の請求項２〜６は訂正前の請求項１を引用するものであるので、訂正前の請求項１〜６は、一群の請求項である。
　したがって、本件訂正請求は、一群の請求項に対して請求されたものである。
３．小括
　以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、同法同条第４項、かつ、同法同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するので、訂正後の請求項〔１〜６〕について訂正することを認める。
第３　本件発明
　本件訂正請求により訂正された訂正後の請求項１〜６に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」〜「本件発明６」という。）は、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】
　（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）フィラーとを含み、前記（Ｃ）フィラーの含有率が８５質量％以上であり、厚み４ｍｍ〜１０ｍｍのペレット状又はシート状の成形体であり、ＦＯ−ＷＬＰのためのコンプレッション成形用半導体封止樹脂材料。
【請求項２】
　前記（Ａ）エポキシ樹脂が、下記一般式（Ｉ）に示される化合物を含む、請求項１に記載のコンプレッション成形用半導体封止樹脂材料。
　　【化１】
（ここで、Ｒは、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜１０の置換若しくは非置換の１価の炭化水素基を示す。また、ｎは１〜１０の整数を示す。）
【請求項３】
　前記（Ｂ）硬化剤が下記一般式（ＩＩ）で示される化合物を含む、請求項１又は請求項２に記載のコンプレッション成形用半導体封止樹脂材料。
　　【化２】
（ここで、Ｒは、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜１０の置換若しくは非置換の１価の炭化水素基を示す。また、ｎは１〜１０の整数を示す。）
【請求項４】
　前記成形体を成形温度１７５℃以下、成形後熱処理温度１５０℃以下で硬化させたときのガラス転移温度が１５０℃以上である請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のコンプレッション成形用半導体封止樹脂材料。
【請求項５】
　前記（Ｃ）フィラーが、目開き５５μｍの篩を通過可能な粒子群である、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のコンプレッション成形用半導体封止樹脂材料。
【請求項６】
　請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のコンプレッション成形用半導体封止樹脂材料によって封止された素子を備えたＦＯ−ＷＬＰ型の半導体装置。」
第４　特許異議申立人が主張する取消理由
　特許異議申立人が特許異議申立書において主張する取消理由の概要は、次のとおりである。
・訂正前の本件特許の請求項１、５、６に係る発明は、甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないから、請求項１、５、６に係る特許は、同法第１１３条第２号に該当し、取り消すべきものである。
・訂正前の本件特許の請求項１、５、６に係る発明は、甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、請求項１、５、６に係る特許は、同法第１１３条第２号に該当し、取り消すべきものである。
・訂正前の本件特許の請求項２〜４に係る発明は、甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明、及び甲第３号証に記載された事項（甲第４号証も参照）に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、請求項２〜４に係る特許は、同法第１１３条第２号に該当し、取り消すべきものである。
・訂正前の本件特許の請求項１〜４に係る発明は、甲第３号証に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないから、請求項１〜４に係る特許は、同法第１１３条第２号に該当し、取り消すべきものである。
　なお、甲第１〜４号証は、次のとおりである。
甲第１号証：特開平１１−９７４６４号公報
甲第２号証：特開２００７−２９５００９号公報
甲第３号証：特開２００６−２１６８９９号公報
甲第４号証：日本化薬　カタログ
第５　当審が通知した取消理由
　当審が通知した取消理由の概要は、次のとおりである。
・訂正前の本件特許の請求項１、５、６に係る発明は、本件特許の優先日前に頒布された上記甲第２号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないから、その発明に係る特許は取り消すべきものである。
・訂正前の本件特許の請求項１、５、６に係る発明は、本件特許の優先日前に頒布された上記甲第２号証に記載された発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その発明に係る特許は取り消すべきものである。
・訂正前の本件特許の請求項２〜４に係る発明は、本件特許の優先日前に頒布された上記甲第２号証に記載された発明、及び本件特許の優先日前に頒布された上記甲第３号証に記載された事項に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その発明に係る特許は取り消すべきものである。
第６　当審の判断
１．特許法第２９条第１項第３号について
１−１　甲第２号証の記載等
（１）甲第２号証の記載
　取消理由通知において引用した甲第２号証には、次の事項（以下、「摘示ア」のようにいう。）が記載されている。なお、摘示アは、平成１９年９月３日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の一部であり、甲第２号証の第１１頁〜第１２頁に記載されているものである。
ア　「【請求項１】
　低圧トランスファー成形法、インジェクション成形法及び圧縮成形法から選択される成形法により半導体素子を封止して半導体装置を製造するために用いる半導体封止用樹脂ペレットであって、
無機充填材を全体の８０重量％以上含有する溶融樹脂組成物を成形してなり、かつ該ペレットの比表面積が４．５×１０−４ｍ２／ｇ以上であることを特徴とする半導体封止用樹脂ペレット。
・・・（略）・・・
【請求項３】
　溶融樹脂組成物がエポキシ樹脂および硬化剤を含有するものである請求項１または２記載の半導体封止用樹脂ペレット。
・・・（略）・・・
【請求項５】
　ペレットに対する仮想外接球の直径が１０ｍｍ以下のものを個数にして９０％以上含有することを特徴とする請求項１〜４いずれか記載の半導体封止用樹脂ペレット。
【請求項６】
　ペレットの最長部長さが１０ｍｍ以下のものを個数にして９０％以上含有することを特徴とする請求項１〜４いずれか記載の半導体封止用樹脂ペレット。
【請求項７】
　請求項１〜６いずれか記載の半導体封止用樹脂ペレットを用い、半導体素子を封止してなる半導体装置。」
イ　「【００１７】
　本発明において、無機充填材（Ｃ）の割合は樹脂組成物全体の８０重量％以上であることが必要であるが、８６重量％以上であることがより好ましい。無機充填材は樹脂成分に比べ熱伝導率が高いため、無機充填材を８０重量％以上含有するとペレットが成形時にポット内で加熱される際に、ペレット全体が均質に素早く溶融し樹脂の流動むらが生じることがなく、また吸水率が低下し耐半田性が向上する。」
ウ　「【００２９】
　ペレットの大きさは限定されないが、ペレットに対し仮想外接球を想定した場合、その直径が１０．０ｍｍ以下となる範囲に個数にして９０％以上が含まれるのが好ましく、またその直径が０．５ｍｍ〜８．０ｍｍが９０％以上、さらに０．５ｍｍ〜５．０ｍｍが９０％以上となることが特に好ましい。
【００３０】
　本発明において、「最長部長さ」とは、ペレットの大きさを測定した場合、最も長い部分の長さを意味する。例えば、円柱状の場合、２つの底面の円の中心を含む断面の対角線に相当し、立方体や直方体であればその対角線に相当する。本発明の半導体封止用樹脂ペレット集合体は、その最長部長さが１０．０ｍｍ以下のものが個数にして９０％以上が含まれるのが好ましく、０．５ｍｍ〜８．０ｍｍが９０％以上となることがさらに好ましく、０．５ｍｍ〜５．０ｍｍが９０％以上となることが特に好ましい。」
エ　「【００３４】
　本発明の半導体封止用樹脂ペレットを用い半導体素子を封止して半導体装置を製造する方法としては、低圧トランスファ−成形法が一般的であるがインジェクション成形法や圧縮成形法も可能である。成形条件としては、例えば半導体封止用樹脂ペレットを成形温度１５０〜２００℃、圧力５〜１５ＭＰａ、成形時間３０〜３００秒で成形し、封止用樹脂組成物の硬化物とすることによって半導体装置が製造される。また、必要に応じて上記成形物を１００〜２００℃で２〜１５時間、追加加熱処理も行われる。
【実施例】
【００３５】
　以下、実施例により本発明を具体的に説明する。なお、表２、３中の数字は、重量％を示す。
【００３６】
　実施例１〜９、比較例１〜４
　表１に示した成分を、表２、３に示した組成比でミキサーにより粉末状態でブレンドした。これをバレル温度９０℃の二軸押出機を用いて溶融混練し、溶融状態で吐出口より円柱棒状に押出した。これをカッターで切断し、ほぼ円柱状の表２、３に示す大きさのペレットを得た。このペレットを用いて、低圧トランスファ−成形法により１７５℃×２分の条件で、半導体素子を封止成形して半導体装置を得た。」
オ　「【００３９】
　ペレットの仮想外接球の直径および最長部長さは次の方法で求めた。無作為に採取した１００個のペレットの顕微鏡写真を撮影し、ペレットを円柱として考え、この写真から外径と長さを測定しその分布を求め、仮想外接球の直径および最長部長さを計算する。次にその仮想外接球の直径および最長部長さの大きいものから１０個を除外し、残り９０個の内最も大きいものの値を記載した。」
カ　「【００４１】
【表１】
」
キ　「【００４３】
【表２】
」
（２）甲第２号証に記載された発明の認定
　甲第２号証には、摘示ア〜キ、特に摘示アの請求項１、３、及び摘示エ、キの実施例３の記載から、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認める。
「低圧トランスファー成形法、インジェクション成形法及び圧縮成形法から選択される成形法により半導体素子を封止して半導体装置を製造するために用いる半導体封止用樹脂ペレットであって、
エポキシ樹脂および硬化剤と、全体の８８．０重量％である無機充填材とを含有する溶融樹脂組成物を成形してなり、かつ該ペレットの比表面積が７〜８×１０−４ｍ２／ｇである半導体封止用樹脂ペレット。」
１−２　対比・判断
（１）本件発明１について
　本件発明１と引用発明とを対比する。
　引用発明における「エポキシ樹脂」、「硬化剤」、「無機充填材」は、それぞれ、本件発明１における「（Ａ）エポキシ樹脂」、「（Ｂ）硬化剤」、「（Ｃ）フィラー」に相当する。また、引用発明において、無機充填材は、全体の８８．０重量％であるから、本件発明１において、（Ｃ）フィラーの含有率が「８５質量％以上」であるという数値範囲を満たすといえる。
　引用発明における「半導体素子を封止して半導体装置を製造するために用いる半導体封止用樹脂ペレット」は、本件発明１における「半導体封止樹脂材料」に相当する。また、引用発明における当該「樹脂ペレット」は、「溶融樹脂組成物を成形してな」るものであるから、本件発明１における「ペレット状」「の成形体」に相当する。
　そうすると、両者は、
「（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）フィラーとを含み、前記（Ｃ）フィラーの含有率が８５質量％以上であり、ペレット状又はシート状の成形体である半導体封止樹脂材料。」
　の点で一致し、以下の点で相違又は一応相違している。
＜相違点１＞
　本件発明１においては、成形体の厚みが「厚み４ｍｍ〜１０ｍｍ」と特定されているのに対して、引用発明においては、樹脂ペレットの厚みが特定されていない点。
＜相違点２＞
　本件発明１においては、半導体封止樹脂材料が「コンプレッション成形用」であるのに対して、引用発明においては、半導体封止用樹脂ペレットが「低圧トランスファー成形法、インジェクション成形法及び圧縮成形法から選択される成形法により」半導体素子を封止して半導体装置を製造するために用いるものである点。
＜相違点３＞
　本件発明１においては、半導体封止樹脂材料が「ＦＯ−ＷＬＰのための」と特定されているのに対して、引用発明においては、半導体封止用樹脂ペレットがＦＯ−ＷＬＰのためのものであるとは特定されていない点。
　事案に鑑み、相違点３について検討する。
　引用発明においては、半導体封止用樹脂ペレットは、半導体素子を封止して半導体装置を製造するために用いるものである。当該半導体装置はＦＯ−ＷＬＰという特定の形態を備える半導体装置ではないから、引用発明における半導体封止用樹脂ペレットが、ＦＯ−ＷＬＰのためのものであるとはいえない。
　そうすると、相違点３は実質的な相違点である。
　以上のとおり、本件発明１は引用発明と相違点１〜３において相違又は一応相違するものであり、これらの相違点のうち相違点３は実質的な相違点であるから、相違点１、２について検討するまでもなく、本件発明１は、引用発明、すなわち甲第２号証に記載された発明であるとはいえない。
（２）本件発明５、６について
　本件発明５、６は、請求項１を引用してなるものであるから、本件発明１と同様に、甲第２号証に記載された発明であるとはいえない。
２．特許法第２９条第２項について
（１）本件発明１について
　本件発明１と引用発明とを対比すると、第６　１．１−２（１）で述べたとおり、本件発明１と引用発明とは、
「（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）フィラーとを含み、前記（Ｃ）フィラーの含有率が８５質量％以上であり、ペレット状又はシート状の成形体である半導体封止樹脂材料。」
　の点で一致し、第６　１．１−２（１）で述べた相違点１〜３で相違又は一応相違する。
　事案に鑑み、相違点３について検討する。
　甲第２号証には、半導体封止用樹脂ペレットが用いられる半導体装置が、ＦＯ−ＷＬＰという特定の形態を備える半導体装置であることについては、記載も示唆もされていない。また、甲第２、３号証を見ても、引用発明をＦＯ−ＷＬＰのためのものとすることの動機付けとなるような記載は見当たらない。
　そうである以上、甲第２、３号証には、引用発明における半導体装置をＦＯ−ＷＬＰという特定の形態を備えるものとする動機付けがないことから、引用発明において相違点３に係る構成とすることは、当業者であっても容易であるとはいえない。
　また、本件発明１は、所定の組成及び形状を有する半導体封止樹脂材料が、ＦＯ−ＷＬＰを作製するためのコンプレッション成形という用途における様々な問題を解決するという効果、具体的には「成形後や熱処理後における反り挙動が安定化するとともに、微粉の発生が大幅に低減され、さらにコンプレッション成形におけるボイド等の不良やチップ割れ、金型へのダメージを抑えることが可能になる。」という効果を奏するものである（本件特許明細書の段落【０００４】〜【００１０】、【００１８】）が、当該効果は甲第２、３号証に記載も示唆もなく、たとえ当業者であっても予測し得るものではない。
　以上のとおり、本件発明１は引用発明と相違点１〜３において相違又は一応相違するものであり、これらの相違点のうち相違点３は想到容易とはいえないのであるから、相違点１、２について検討するまでもなく、本件発明１は、引用発明、すなわち甲第２号証に記載された発明、及び甲第３号証に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　なお、特許異議申立人は、平成２９年１１月２２日付け（受理日：同年１１月２４日）意見書において、参考資料１（特開２００９−２５２８５９号公報）、参考資料２（特開２００４−５６１４１号公報）に記載されているように、本件発明１のようなコンプレッション成形用半導体封止樹脂材料をＦＯ−ＷＬＰのためのものとすることは周知技術にすぎず、本件発明１は依然として進歩性を有さない旨を主張している。
　しかしながら、本件発明１のようなコンプレッション成形用半導体封止樹脂材料をＦＯ−ＷＬＰのためのものとすることは周知技術にすぎなかったとしても、本件発明１において特定される組成及び形状を有する半導体封止樹脂材料が、ＦＯ−ＷＬＰのためのコンプレッション成形という用途において、「成形後や熱処理後における反り挙動が安定化するとともに、微粉の発生が大幅に低減され、さらにコンプレッション成形におけるボイド等の不良やチップ割れ、金型へのダメージを抑えることが可能になる。」という効果を奏することについては、上記参考資料１、２にも記載も示唆もなく、たとえ当業者であっても予測し得るものではないから、本件発明１は、甲第２号証に記載された発明、及び甲第３号証に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　したがって、特許異議申立人の上記主張は採用できない。
（２）本件発明５、６について
　本件発明５、６は、請求項１を引用してなるものであるから、本件発明１と同様に、甲第２号証に記載された発明、及び甲第３号証に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（３）本件発明２〜４について
　本件発明２〜４は、請求項１を引用してなるものであるから、たとえ、甲第３号証に、「多官能型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、商品名：ＥＰＰＮ−５０２）」、「多官能型フェノール樹脂（明和化成株式会社製、商品名：ＭＥＨ−７５００）」を含有するコンプレッション成形用成形材料が記載されていたとしても、本件発明１と同様に、甲第２号証に記載された発明、及び甲第３号証に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
３．取消理由通知において採用しなかった特許異議の申立理由について
（１）甲第１号証に基づく特許法第２９条第１項第３号、特許法第２９条第２項について
　甲第２号証は分割出願である特願２００７−１９９９２３号の公開特許公報であり、甲第１号証は特願２００７−１９９９２３号の原出願である特願平１０−２０５３８５号の公開特許公報であり、甲第１号証の記載事項は甲第２号証の記載事項と同様である。
　したがって、甲第２号証についてすでに検討したのと同様に、甲第１号証に記載された発明に対しても、本件発明１、５、６は特許法第２９条第１項第３号に該当せず、また、本件発明１〜６は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものではない。
（２）甲第３号証に基づく特許法第２９条第１項第３号について
　甲第３号証には、本件発明１〜４の発明特定事項である、「フィラーの含有率が８５質量％以上であ」るとともに「厚み４ｍｍ〜１０ｍｍのペレット状又はシート状の成形体であり、ＦＯ−ＷＬＰのためのコンプレッション成形用半導体封止樹脂材料」について記載も示唆もない。
　したがって、本件発明１〜４は、甲第３号証に記載された発明ではなく、特許法第２９条第１項第３号に該当しない。
第７　むすび
　以上のとおりであるから、当審が通知した取消理由、並びに特許異議申立書に記載した特許異議の申立理由及び証拠によっては、請求項１〜６に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１〜６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２９年１２月２５日（２０１７．１２．２５）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）フィラーとを含み、前記（Ｃ）フィラーの含有率が８５質量％以上であり、厚み４ｍｍ〜１０ｍｍのペレット状又はシート状の成形体であ
り、ＦＯ−ＷＬＰのための
　【請求項２】
　前記（Ａ）エポキシ樹脂が、下記一般式（Ｉ）に示される化合物を含む、請求項１に記載のコンプレッション成形用半導体封止樹脂材料。
　【化１】
（ここで、Ｒは、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜１０の置換若しくは非置換の１価の炭化水素基を示す。また、ｎは１〜１０の整数を示す。）
　【請求項３】
　前記（Ｂ）硬化剤が下記一般式（ＩＩ）で示される化合物を含む、請求項１又は請求項２に記載のコンプレッション成形用半導体封止樹脂材料。
　【化２】
（ここで、Ｒは、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜１０の置換若しくは非置換の１価の炭化水素基を示す。また、ｎは１〜１０の整数を示す。）
　【請求項４】
　前記成形体を成形温度１７５℃以下、成形後熱処理温度１５０℃以下で硬化させたときのガラス転移温度が１５０℃以上である請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のコンプレッション成形用半導体封止樹脂材料。
　【請求項５】
　前記（Ｃ）フィラーが、目開き５５μｍの篩を通過可能な粒子群である、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のコンプレッション成形用半導体封止樹脂材料。
　【請求項６】
　請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のコンプレッション成形用半導体封止樹脂材料によって封止された素子を備えた
ＦＯ−ＷＬＰ型の