【事件の表示】
　平成９年特許願第８２７７４号「電流容量とＥＳＤ保護とを向上させる集積回路Ｉ／Ｏ線のためのマルチレベル・メタライゼーション構造」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年１月２３日出願公開，特開平１０−２２４５４〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成９年４月１日（パリ条約による優先権主張１９９６年４月２日，米国）の出願であって，平成２０年１月１５日付けで手続補正がなされ，同年２月１９日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，同年５月２６日に拒絶査定不服審判が請求され，その後当審において，平成２２年４月２０日付けで拒絶の理由を通知したところ，同年１０月２１日に手続補正がなされたものである。
　
２　本願発明について
　本願の請求項１〜２０に係る発明は，平成２２年１０月２１日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜２０に記載された事項により特定されるものであり，その内の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，次のとおりのものである。 
「【請求項１】
　マイクロエレクトロニクス・デバイスと入力／出力（Ｉ／Ｏ）パッドとを集積回路のサブストレート上で電気的に相互接続するメタライゼーション構造であって，
　対向する端部において前記デバイスと前記パッドとのそれぞれに電気的に直接に接続された第１の導電性金属層と，
　一端において前記パッドと接続された第２の導電性金属層と，
　前記第１の金属層と前記第２の金属層との間に形成されており，これらの金属層を相互に絶縁する第１の誘電層と，
　前記第１の誘電層を通過するように形成され，対向する端部において前記第１の導電性金属層と前記第２の導電性金属層とのそれぞれに電気的に接続された複数の第１の導電性バイアと，
　を備えていることを特徴とするメタライゼーション構造。」
　
３　当審の拒絶理由
　当審において，平成２２年４月２０日付けで通知した拒絶の理由の概要は，本願発明は，平成１年９月８日に出願公開された特開平１−２２５１３７号公報（以下「引用例」という。）に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　
４　引用例に記載された発明
（１）引用例には，次の記載がある。
ア　「（産業上の利用分野）
　この発明は
多層配線構造を有する半導体集積回路装置
イ　「（課題を解決するための手段）
　この発明の半導体集積回路装置は，電源パッドを多層配線で構成すると共に，
電源パッドと電源配線とを電源パッドと同じ多層配線からなる引き出し配線を介して接続
ウ　「（作用）
　引き出し配線を多層配線で構成することにより，平面的に小さな配線幅でも電流容量を増加させることができる。これにより引き出し配線の形成に必要な面積が小さくて済み，チップサイズの増大を伴わずに電源の電流容量を増大させることができる。」（３頁左上欄１〜７行）
エ　第１図を参照して，「（実施例）
　以下，図面を参照してこの発明の半導体集積回路装置を実施例により説明する。第１図はこの発明の一実施例による装置の，１個の電源パッド付近の構成を示す平面図である。図において，
１１は
内部回路領域
に設けられている入出力セル
１２は
各入出力セル１１に電源電圧を供給する電源配線
引き出し配線１５は上記電源パッド１３と連続的に形成された第１層目の金属配線及び第２層目の金属配線とで構成
引き出し配線１５の第２層目の金属配線は上記電源配線１２と連続的に形成
第１層目の金属配線は３箇所のコンタクト部１６を介して第２層目の金属配線と接続
オ　第２図を参照して，「第２図は第１図中のａ−ａ’線に沿って，電源パッド１３，引き出し配線１５及び電源配線１２の一部を断面した状態を示す断面図である。図中，
２１は半導体基板
基板２１上には絶縁膜２２を介して第１層目の金属配線２３
第１層目の金属配線２３上には絶縁膜２４を介して第２層目の金属配線２５
パッド１３の部分では第１層目の金属配線２３と第２層目の金属配線２５とが前記コンタクト部１４を介して接続
引き出し配線１５の電源配線１２と接する側では第１層目の金属配線２３と第２層目の金属配線２５とが前記コンタクト部１６を介して接続
（２）上記（１）アによれば，引用例に記載された発明は，多層配線構造を有する半導体集積回路装置であるから，半導体集積回路装置の多層配線に関するものである。
（３）上記（１）イ及びエによれば，引用例には，
電源パッドと電源配線
引き出し配線を介して接続
１１
内部回路領域に設けられている入出力セル
入出力セル１１に電源電圧を供給する電源配線
（４）上記（１）エ及びオによれば，
引き出し配線１５は電源パッド１３と連続的に形成された第１層目の金属配線及び第２層目の金属配線とで構成
引き出し配線１５の第２層目の金属配線は
電源配線１２と連続的に形成
２１
半導体基板
基板２１上に
第１層目の金属配線２３が設けられ
第１層目の金属配線２３上には絶縁膜２４を介して第２層目の金属配線２５が設けられ
パッド１３の部分では第１層目の金属配線２３と第２層目の金属配線２５
（５）上記（１）のエ及びオによれば，引用例には，第１層目の金属配線は３箇所のコンタクト部１６を介して第２層目の金属配線と接続されていること，及び，引き出し配線１５の電源配線１２と接する側では第１層目の金属配線２３と第２層目の金属配線２５とがコンタクト部１６を介して接続されていることが記載されている。したがって，引用例には，第２図における引き出し配線１５の第２層目の金属配線２５，第１層目の金属配線２３及び絶縁膜２４と，コンタクト部１６との位置関係を参酌すると，引き出し配線１５の電源配線１２と接する側で絶縁膜２４に設けられ，第１層目の金属配線２３と第２層目の金属配線２５とを接続する３箇所のコンタクト部１６が開示されている。
（６）よって，引用例には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「内部回路領域に設けられている入出力セル１１と電源パッド１３とを接続し，入出力セル１１に電源電圧を供給する電源配線１２及び引き出し配線１５からなる半導体集積回路装置の多層配線であって，
　引き出し配線１５の第１層目の金属配線２３上に絶縁膜２４を介して設けられ，入出力セル１１に電源電圧を供給する電源配線１２及びパッド１３と連続的に形成された引き出し配線１５の第２層目の金属配線２５と，
　半導体基板２１上に設けられ，パッド１３と連続的に形成された引き出し配線１５の第１層目の金属配線２３と，
　引き出し配線１５の電源配線１２と接する側で絶縁膜２４に設けられ，第１層目の金属配線２３と第２層目の金属配線２５とを接続する３箇所のコンタクト部１６と，
　を備えていることを特徴とする多層配線。」
　
５　本願発明と引用発明との対比
（１）引用発明の「内部回路領域に設けられている入出力セル１１」，「半導体集積回路装置」は，本願発明の「マイクロエレクトロニクス・デバイス」，「集積回路」にそれぞれ相当する。そして，引用発明の「電源配線１２及び引き出し配線１５からなる半導体集積回路装置の多層配線」を構成する「引き出し配線１５の第１層目の金属配線２３」は，半導体基板２１上に設けられているから，引用発明の「電源配線１２及び引き出し配線１５からなる半導体集積回路装置の多層配線」が，半導体集積回路装置の半導体基板２１上に形成され，また，「メタライゼーション構造」であることは，明らかである。したがって，引用発明の「内部回路領域に設けられている入出力セル１１と電源パッド１３とを接続し，入出力セル１１に電源電圧を供給する電源配線１２及び引き出し配線１５からなる半導体集積回路装置の多層配線」は，本願発明の「マイクロエレクトロニクス・デバイスと入力／出力（Ｉ／Ｏ）パッドとを集積回路のサブストレート上で電気的に相互接続するメタライゼーション構造」に対応し，本願発明と引用発明とは，本願発明が入力／出力（Ｉ／Ｏ）パッドであることは別にして，「マイクロエレクトロニクス・デバイスとパッドとを集積回路のサブストレート上で電気的に相互接続するメタライゼーション構造」である点で共通する。
（２）引用発明の「引き出し配線１５の第２層目の金属配線２５」は，パッド１３と連続的に形成されているから，端部において，パッド１３を形成する第２層目の金属配線２５と電気的に直接に接続されていることは，明らかである。また，引用発明の「引き出し配線１５の第２層目の金属配線２５」は，入出力セル１１に電源電圧を供給する電源配線１２と連続的に形成されているから，端部において，電源配線１２を介して，入出力セル１１と電気的に接続されていることも，明らかである。したがって，引用発明の「入出力セル１１に電源電圧を供給する電源配線１２及びパッド１３と連続的に形成された引き出し配線１５の第２層目の金属配線２５」は，本願発明の「対向する端部において前記デバイスと前記パッドとのそれぞれに電気的に直接に接続された第１の導電性金属層」に対応し，本願発明と引用発明とは，本願発明ではデバイスと直接に接続されていることは別にして，少なくとも「対向する端部において前記デバイスと前記パッドとのそれぞれに電気的に接続された第１の導電性金属層」を有する点で共通する。
（３）引用発明の「引き出し配線１５の第１層目の金属配線２３」は，パッド１３と連続的に形成されているから，一端においてパッド１３を形成する第１層目の金属配線２３に接続されていることは，明らかである。したがって，引用発明の「パッド１３と連続的に形成された引き出し配線１５の第１層目の金属配線２３」は，本願発明の「一端において前記パッドと接続された第２の導電性金属層」に相当する。
（４）引用発明の「引き出し配線１５の第２層目の金属配線２５」は，「引き出し配線１５の第１層目の金属配線２３」上に「絶縁膜２４」を介して設けられているから，引用発明の「絶縁膜２４」は，「引き出し配線１５の第２層目の金属配線２５」と「引き出し配線１５の第１層目の金属配線２３」との間に形成され，これらの金属層を相互に絶縁していることは明らかである。したがって，引用発明の「絶縁膜２４」は，本願発明の「第１の誘電層」に相当し，引用発明は，本願発明の「前記第１の金属層と前記第２の金属層との間に形成されており，これらの金属層を相互に絶縁する第１の誘電層」を具備している。
（５）引用発明の「３箇所のコンタクト部１６」は，引き出し配線１５の電源配線１２と接する側で絶縁膜２４に設けられ，第１層目の金属配線２３と第２層目の金属配線２５とを接続するから，本願発明の「複数の第１の導電性バイア」に相当する。したがって，引用発明の「引き出し配線１５の電源配線１２と接する側で絶縁膜２４に設けられ，第１層目の金属配線２３と第２層目の金属配線２５とを接続する３箇所のコンタクト部１６」は，本願発明の「前記第１の誘電層を通過するように形成され，対向する端部において前記第１の導電性金属層と前記第２の導電性金属層とのそれぞれに電気的に接続された複数の第１の導電性バイア」に相当する。
（６）以上のことを踏まえると，本願発明と引用発明とは
「マイクロエレクトロニクス・デバイスとパッドとを集積回路のサブストレート上で電気的に相互接続するメタライゼーション構造であって，
　対向する端部において前記デバイスと前記パッドとのそれぞれに電気的に接続された第１の導電性金属層と，
　一端において前記パッドと接続された第２の導電性金属層と，
　前記第１の金属層と前記第２の金属層との間に形成されており，これらの金属層を相互に絶縁する第１の誘電層と，
　前記第１の誘電層を通過するように形成され，対向する端部において前記第１の導電性金属層と前記第２の導電性金属層とのそれぞれに電気的に接続された複数の第１の導電性バイアと，
　を備えていることを特徴とするメタライゼーション構造。」
である点で一致し，以下の点で相違する。
相違点１：パッドが，本願発明では「入力／出力（Ｉ／Ｏ）パッド」であるのに対し，引用発明では「電源パッド１３」である点。
相違点２：第１の導電性金属層が，本願発明では，デバイスとパッドとのそれぞれに電気的に直接に接続されているのに対し，引用発明では，パッド１３と電気的に直接に接続されているものの，入出力セル１１とは，電源配線１２を介して電気的に接続されているのであって，直接に接続されているのかが明確ではない点。
　
６　当審の判断 
（１）相違点１について
　多層配線を有する半導体集積回路装置の技術分野において，マイクロエレクトロニクス・デバイスと入力／出力（Ｉ／Ｏ）パッドとを集積回路のサブストレート上で電気的に相互接続するメタライゼーション構造は，例えば下記の周知例１又２に記載されているように，従来周知の技術である。したがって，引用発明の「電源パッド１３」の代わりに，従来周知の「入力／出力（Ｉ／Ｏ）パッド」とし，本願発明の相違点１からなる構成とすることに，格別の困難性を認めることはできない。
　
（２）相違点２について
ア　まず，引用発明の「引き出し配線１５の第２層目の金属配線２５」が，パッド１３を形成する第２層目の金属配線２５と電気的に直接に接続されていることは，前示５（２）のとおりである。
イ　次に，引用発明の「電源配線１２」は，入出力セル１１に電源電圧を供給するのであるから，「内部回路領域に設けられている入出力セル１１」（本願発明の「マイクロエレクトロニクス・デバイス」に相当）に，電気的に直接に接続されていることは，明らかである。そうすると，引用発明の「引き出し配線１５の第２層目の金属配線２５」は，電源配線１２と連続的に形成されているから，連続的に形成された電源配線１２と「引き出し配線１５の第２層目の金属配線２５」とを一体の配線とみれば，電源配線１２と「引き出し配線１５の第２層目の金属配線２５」からなる第２層目の金属配線は，入出力セル１１に電気的に直接に接続されていると解するのが相当である。
　したがって，引用発明の「引き出し配線１５の第２層目の金属配線２５」は，連続的に形成された電源配線１２と一体の配線とみることにより，入出力セル１１とパッド１３とのそれぞれに電気的に直接に接続されていることになるから，本願発明の「第１の導電性金属層」が，「前記デバイスと前記パッドとのそれぞれに電気的に直接に接続され」ているという相違点２からなる構成は，本願発明と引用発明との実質的な差異と認めることはできない。
ウ　上記イで検討したとおり，相違点２からなる構成は，本願発明と引用発明との実質的な差異と認めることはできないが，仮に実質的な差異であったものとして，さらに検討を行う。
(ア)まず，本願明細書の発明の詳細な説明に，第１の導電性金属層が，デバイスとパッドとのそれぞれに電気的に直接に接続されている構成については，次の記載のみがある。
・図１〜図３を参照して，「【００２５】
マイクロエレクトロニクス・デバイスは，典型的には，第１の金属層１８によって相互接続されるので，デバイス１４を，第１の金属層１８を用いてパッド１６に直接に接続するのが便利
そのように限定されるわけではない
・図４を参照して，「【００２６】図４は，構造１０’を図解しており，この図では，図１から図３において用いた参照番号を同じ構成要素に付し，対応はするが修正されている構成要素には，同じ参照番号にプライム（’）を加えてある。構造１０’と構造１０とが異なるのは，
デバイス１４が，第１の金属層１８ではなく，第２の金属層２２を用いてパッド１６に直接に接続
・図５を参照して，「【００２９】図５では，
デバイス１４は，図１から図３に関して説明した第１の金属層１８によって，パッド１６に直接に接続
層１８，２２及び２８の１つ又は複数を任意の組合せで用いることによって，デバイス１４とパッド１６とを直接に相互接続することもでき
　これらの記載によれば，本願発明において，第１の導電性金属層が，デバイスとパッドとのそれぞれに電気的に直接に接続されているという相違点２からなる構成は，便利ではあるが，そのように限定されるわけではないから，単に好ましい実施例として例示されている程度のものであって，この相違点２からなる構成を特定することについて，何らの特別な技術的意義を認めることはできない。
(イ)また，多層配線を有する半導体集積回路装置の技術分野において，配線層を，回路素子とパッドとのそれぞれに電気的に直接に接続することは，例えば下記の周知例１又２に記載されているように，従来周知の技術である。
(ウ)そうすると，本願発明では，相違点２からなる構成の特定に特別な技術的意義を認めることができないから，引用発明に，上記(イ)における従来周知の技術を適用することで，電源配線１２を介して入出力セル１１と電気的に接続されているものである「入出力セル１１に電源電圧を供給する電源配線１２及びパッド１３と連続的に形成された引き出し配線１５の第２層目の金属配線２５」に代えて，入出力セル１１及びパッド１３と電気的に直接に接続された引き出し配線１５の第２層目の金属配線２５とすること，すなわち，本願発明の「前記デバイスと前記パッドとのそれぞれに電気的に直接に接続された第１の導電性金属層」とすることは，当業者が容易になし得ることである。
　
・周知例１：当審の拒絶の理由に引用された特開昭５２−２７３８９号公報（昭和５２年３月１日出願公開）
ア　「本発明は
多層配線を有する半導体装置の配線構造
　
半導体集積回路
イ　第１図を参照して，「第１図は従来の多層配線構造を示すもので，二層構造の場合を示している。
１は半導体基板
その内部には必要な回路素子
が形成
３は絶縁層２表面に形成されたアルミニウム等からなる第１の配線で，その一端部は上記基板１内の所望の回路素子の一領域に接続
ウ　第１図及び第２図を参照して，「以下第２図を参照して本発明の実施例を説明する。なお，第１図と同一部分は同一番号でもって示す。
第２の配線５のパッド５’の外部電極線８がボンディングされた部分直下には第１の配線３が位置しており，第１の配線３はこの部分３’において上記第２の配線５と短絡
この部分の第１の配線３’は
回路素子へ接続して配線のものとして利用してもいい
エ　上記ア〜ウによれば，周知例１に記載された「回路素子」，「第２の配線５のパッド５’」，「半導体装置」，「半導体基板１」，「配線構造」，「第１の配線３」は，本願発明の「マイクロエレクトロニクス・デバイス」，「入力／出力（Ｉ／Ｏ）パッド」，「集積回路」，「サブストレート」，「メタライゼーション構造」，「第１の導電性金属層」にそれぞれ相当する。そして，周知例１では，第１の配線３が，回路素子とパッド５’とのそれぞれに電気的に直接に接続されていることは，明らかである。
　
・周知例２：当審の拒絶の理由に引用された特開昭５２−２６１８７号公報（昭和５２年２月２６日出願公開）
ア　「本発明は半導体装置特に
多層配線を有する半導体装置の配線構造
　
半導体集積回路装置
イ　第１図及び第２図を参照して，「第２図は第１図の断面構造を示すもので，
半導体基板１内には必要な回路素子
が形成
４は絶縁層３表面の所望部に形成された第１の配線層で基板１内の所望の回路素子と接続
ウ　第１図，第２図及び第４図を参照して，「第４図は本発明の一実施例による半導体装置を示すもので，第１図と同一部分は同一符号でもって示してある。
第１の配線層４と第２の配線層６とは第２の配線層６のうち金属線９がボンディングされた部分直下の絶縁層５に設けられた孔１０を介して接続
エ　第５図を参照して，「以上のような方法により得られた本発明の半導体装置によれば，第２の配線層６の露出部分に対し水分等が付着し絶縁層８直下の比較的巾の狭い部分Ｂで腐食が生じて断線しても，
ワイヤボンディングされた部分Ｃの第２の配線層６のパッド２
この部分Ｃはこの直下において絶縁層５に設けられた孔１０を介して第１の配線層４に至る迂回路が形成
オ　上記ア〜エによれば，周知例２に記載された「回路素子」，「部分Ｃの第２の配線層６のパッド２」，「半導体装置」，「半導体基板１」，「配線構造」，「第１の配線層４」は，本願発明の「マイクロエレクトロニクス・デバイス」，「入力／出力（Ｉ／Ｏ）パッド」，「集積回路」，「サブストレート」，「メタライゼーション構造」，「第１の導電性金属層」にそれぞれ相当する。そして，周知例２では，第１の配線層４が，回路素子とパッド２とのそれぞれに電気的に直接に接続されていることは，明らかである。
　
（３）そして，相違点１及び２を総合して判断したとしても，多層配線を有する半導体集積回路装置の技術分野において，本願発明の「マイクロエレクトロニクス・デバイス」に相当する回路素子と，本願発明の「入力／出力（Ｉ／Ｏ）パッド」に相当するパッドとのそれぞれに，配線層を電気的に直接に接続することが，例えば前示の周知例１又２に記載されているように従来周知の技術であるから，引用発明に基づいて，マイクロエレクトロニクス・デバイスと入力／出力（Ｉ／Ｏ）パッドとのそれぞれに電気的に直接に接続された第１の導電性金属層のような構成を備えることは，当業者が容易に想到し得るものである。
　
７　むすび
　以上検討したとおり，本願発明は，従来周知の技術を勘案することにより，引用発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。したがって，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。