【事件の表示】
　平成１１年特許願第３２９８１０号「表示装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　５月２９日出願公開、特開２００１−１４８２９１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本件出願の手続の経緯は、概要次のとおりである。  
　　特許出願　　　　　　：平成１１年１１月１９日  
　　拒絶理由通知（最初）：平成２１年１０月　５日（起案日）  
　　手続補正　　　　　　：平成２１年１２月　７日  
　　意見書　　　　　　　：平成２１年１２月　７日  
　　拒絶査定　　　　　　：平成２２年　２月２５日（起案日）  
　　拒絶査定不服審判請求：平成２２年　５月２７日  
　　手続補正　　　　　　：平成２２年　５月２７日  
　　審尋　　　　　　　　：平成２３年　４月１３日（起案日）  
　　回答書　　　　　　　：平成２３年　６月１４日  
　  
第２　平成２２年５月２７日付け手続補正についての補正の却下の決定  
〔補正の却下の決定の結論〕  
　平成２２年５月２７日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。  
　 　 
〔理由〕  
１　平成２２年５月２７日付け手続補正の内容  
　本件補正は、特許請求の範囲及び明細書を補正するものであって、その補正は、平成２１年１２月７日付け手続補正により補正された請求項１の、  
「【請求項１】
　基板と、その上に形成された複数の画素と、隣り合う画素を互いに隔てる隔壁とを有する表示装置であって、
　画素は、
　基板上に形成された配線を含む下層部と、
　開口部を有する絶縁層、及び、陽極と有機層と陰極とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子を含む上層部と、
　下層部及び上層部を互いに電気的に絶縁する中層部、
とを含み、
　陽極は、中層部上に形成され、中層部に設けられたコンタクトホールを介して配線に接続されており、
　絶縁層は、中層部及び陽極上に形成されており、開口部の底部には陽極が露出しており、
　有機層は、少なくとも絶縁層の開口部の底部に露出した陽極上に形成されており、
　陰極は、有機層の上に形成されており、
　隔壁はコンタクトホールを含む領域と重なるように上層部に配されていることを特徴とする表示装置。」  
　なる記載を、本件補正後の請求項１の、  
「【請求項１】
　基板と、当該基板の上に形成された複数の画素と、隣り合う画素を互いに隔てる隔壁とを有する表示装置であって、
　画素は、
　基板上に形成された配線を含む下層部と、
　縁が傾斜した開口部を有する絶縁層、及び、陽極と有機層と陰極とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子を含む上層部と、
　下層部及び上層部を互いに電気的に絶縁する中層部、
とを含み、
　陽極は、中層部の上に形成され、中層部に設けられたコンタクトホールを介して配線に接続されており、
　絶縁層は、陽極−陰極間ショートを防ぐために中層部及び陽極の上に形成されており、開口部の底部には陽極が露出しており、
　有機層は、絶縁層の開口部の傾斜した縁を含んで開口部の底部に露出した陽極の上に形成されており、
　隔壁は、コンタクトホールを含む領域と重なるように上層部に配されていることを特徴とする表示装置。」  
　という記載にすることを含むものである。  
　　  
２　独立特許要件について
　本件補正後の請求項１に係る上記補正は、平成２１年１２月７日付け手続補正により補正された請求項１について、「絶縁層」の「開口部」について、「縁が傾斜した」ものと限定し、「絶縁層」の作用について、「陽極−陰極間ショートを防ぐため」と限定し、「有機層」の形成箇所について、「絶縁層の開口部の傾斜した縁を含んで」形成すると限定するものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下単に「特許法第１７条の２」という。）第４項第２号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものである。  
　  
　そこで、本件補正後の請求項１に記載されている発明特定事項により特定される発明(以下「本件補正発明」という。)が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか否かについて、以下に検討する。  
　  
２−１　本件補正発明  
　本件補正発明は、上記「１　平成２２年５月２７日付け手続補正の内容」に記載したとおりのものである。  
　  
２−２　引用例  
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である、特開平１１−６５４８７号公報（以下「引用例」という。）には、以下の技術的事項の記載がある。  
　　　　  
（ａ）「【００２０】［実施の形態１］
（全体構成）図１は、アクティブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図である。図２は、それに構成されている画素の１つを抜き出して示す平面図、図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ図２のＡ−Ａ′断面図、Ｂ−Ｂ′断面図、およびＣ−Ｃ′断面図である。
【００２１】図１に示すアクティブマトリクス型表示装置１では、その基体たる透明基板１０の中央部分が表示部１１とされている。透明基板１０の外周部分のうち、データ線ｓｉｇの端部には画像信号を出力するデータ側駆動回路３が構成され、走査線ｇａｔｅの端部には走査信号を出力する走査側駆動回路４が構成されている。これらの駆動回路３、４では、Ｎ型のＴＦＴとＰ型のＴＦＴとによって相補型ＴＦＴが構成され、この相補型ＴＦＴは、シフトレジスタ回路、レベルシフタ回路、アナログスイッチ回路などを構成している。表示部１１では、液晶アクティブマトリクス型表示装置のアクティブマトリクス基板と同様、透明基板１０上に、複数の走査線ｇａｔｅと、該走査線ｇａｔｅの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線ｓｉｇと、データ線ｓｉｇと走査線ｇａｔｅとによってマトリクス状に形成された複数の画素７とが構成されている。
【００２２】各々の画素７には、走査線ｇａｔｅを介して走査信号が供給される導通制御回路５０と、この導通制御回路５０を介してデータ線ｓｉｇから供給される画像信号に基づいて発光する薄膜発光素子４０とが構成されている。ここに示す例においては、導通制御回路５０は、走査線ｇａｔｅを介して走査信号がゲート電極に供給される第１のＴＦＴ２０と、この第１のＴＦＴ２０を介してデータ線ｓｉｇから供給される画像信号を保持する保持容量ｃａｐと、この保持容量ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第２のＴＦＴ３０とから構成されている。第２のＴＦＴ３０と薄膜発光素子４０とは、詳しくは後述する対向電極ｏｐと共通給電線ｃｏｍとの間に直列に接続している。
【００２３】このような構成のアクティブマトリクス型表示装置１では、図２および図３（（Ａ）、（Ｂ）に示すように、いずれの画素７においても、島状の半導体膜（シリコン膜）を利用して第１のＴＦＴ２０および第２のＴＦＴ３０が形成されている。
【００２４】第１のＴＦＴ２０は、ゲート電極２１が走査線ｇａｔｅの一部として構成されている。第１のＴＦＴ２０は、ソース・ドレイン領域の一方に第１層間絶縁膜５１のコンタクホールを介してデータ線ｓｉｇが電気的に接続し、他方にはドレイン電極２２が電気的に接続している。ドレイン電極２２は、第２のＴＦＴ３０の形成領域に向けて延設されており、この延設部分には第２のＴＦＴ３０のゲート電極３１が第１の層間絶縁膜５１のコンタクトホールを介して電気的に接続している。
【００２５】第２のＴＦＴ３０のソース・ドレイン領域の一方には、第１の層間絶縁膜５１のコンタクトホールを介して、データ線ｓｉｇと同時形成された中継電極３５が電気的に接続し、この中継電極３５には第２の層間絶縁膜５２のコンタクトホールを介して薄膜発光素子４０のＩＴＯ膜からなる透明な画素電極４１が電気的に接続している。
【００２６】図２および図３（Ｂ）、（Ｃ）からわかるように、画素電極４１は各画素７毎に独立して形成されている。画素電極４１の上層側には、発光薄膜としてポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）などのからなる有機半導体膜４３、およびリチウム含有アルミニウム、カルシウムなどの金属膜からなる対向電極ｏｐがこの順に積層され、薄膜発光素子４０が構成されている。有機半導体膜４３は各画素７に形成されているが、複数の画素７に跨がってストライプ状に形成される場合もある。対向電極ｏｐは、表示部１１全体と、透明基板１０の端子１２が形成されている部分の周囲を除いた領域とに形成されている。この端子１２は、対向電極ｏｐと同時形成された配線（図示せず。）に接続する対向電極ｏｐの端子を含んでいる。
【００２７】なお、薄膜発光素子４０としては、正孔注入層を設けて発光効率（正孔注入率）を高めた構造、電子注入層を設けて発光効率（電子注入率）を高めた構造、正孔注入層および電子注入層の双方を形成した構造を採用することもできる。
【００２８】再び、図２および図３（Ａ）において、第２のＴＦＴ３０のソース・ドレイン領域のもう一方には、第１の層間絶縁膜５１のコンタクトホールを介して共通給電線ｃｏｍが電気的に接続している。共通給電線ｃｏｍの延設部分３９は、第２のＴＦＴ３０のゲート電極３１の延設部分３６に対して、第１の層間絶縁膜５１を誘電体膜として挟んで対向し、保持容量ｃａｐを構成している。
【００２９】このようにアクティブマトリクス型表示装置１において、走査信号によって選択されて第１のＴＦＴ２０がオン状態になると、データ線ｓｉｇからの画像信号が第１のＴＦＴ２０を介して第２のＴＦＴ３０のゲート電極３１に印加されるとともに、画像信号が第１のＴＦＴ２０を介して保持容量ｃａｐに書き込まれる。その結果、第２のＴＦＴ３０がオン状態になると、対向電極ｏｐおよび画素電極４１をそれぞれ負極および正極として電圧が印加され、印加電圧がしきい値電圧を越えた領域で有機半導体膜４３に流れる電流（駆動電流）が急激に増大する。従って、発光素子４０は、エレクトロルミネッセンス素子あるいはＬＥＤ素子として発光し、発光素子４０の光は、対向電極ｏｐに反射されて透明な画素電極４１および透明基板１０を透過して出射される。このような発光を行うための駆動電流は、対向電極ｏｐ、有機半導体膜４３、画素電極４１、第２のＴＦＴ３０、および共通給電線ｃｏｍから構成される電流経路を流れるため、第２のＴＦＴ３０がオフ状態になると、流れなくなる。但し、第２のＴＦＴ３０のゲート電極は、第１のＴＦＴ２０がオフ状態になっても、保持容量ｃａｐによって画像信号に相当する電位に保持されるので、第２のＴＦＴ３０はオン状態のままである。それ故、発光素子４０には駆動電流が流れ続け、この画素は点灯状態のままである。この状態は、新たな画像データが保持容量ｃａｐに書き込まれて、第２のＴＦＴ３０がオフ状態になるまで維持される。
【００３０】（バンク層の構造）このように構成したアクティブマトリクス型表示装置１において、本形態では、データ線ｓｉｇには大きな容量が寄生することを防止するため、図１、図２、および図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅに沿って、レジスト膜、あるいはポリイミド膜からなる厚い絶縁膜（バンク層ｂａｎｋ／左下がりの斜線を広いピッチで付した領域）を設け、このバンク層ｂａｎｋの上層側に対向電極ｏｐを形成してある。このため、データ線ｓｉｇと対向電極ｏｐとの間には、第２の層間絶縁膜５２と厚いバンク層ｂａｎｋが介在しているので、データ線ｓｉｇに寄生する容量が極めて小さい。それ故、駆動回路３、４の負荷を低減でき、低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図ることができる。
【００３１】また、図１に示すように、透明基板１０の周辺領域（表示部１１の外側領域）にもバンク層ｂａｎｋ（形成領域に斜線を付してある。）を形成する。従って、データ側駆動回路３および走査側駆動回路４はいずれも、バンク層ｂａｎｋによって覆われている。対向電極ｏｐは、少なくとも表示部１１に形成される必要があり、駆動回路領域に形成する必要はない。しかし、対向電極ｏｐは、通常、マスクスパッタ法で形成されるため、合わせ精度が悪く、対向電極ｏｐと駆動回路とが重なることがある。しかるに本形態では、これらの駆動回路の形成領域に対して対向電極ｏｐが重なる状態にあっても、駆動回路の配線層と対向電極ｏｐとの間にバンク層ｂａｎｋが介在することになる。それ故、駆動回路３、４に容量が寄生することを防止できるため、駆動回路３、４の負荷を低減でき、低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図ることができる。
【００３２】さらに、本形態では、画素電極４１の形成領域のうち、導通制御回路５０の中継電極３５と重なる領域にもバンク層ｂａｎｋが形成されている。このため、中継電極３５と重なる領域には有機半導体膜４３が形成されない。すなわち、画素電極４１の形成領域のうち、平坦な部分のみに有機半導体膜４３が形成されるので、有機半導体膜４３は一定の膜厚で形成され、表示むらを起こさない。また、中継電極３５と重なる領域にバンク層ｂａｎｋがないと、この部分でも対向電極ｏｐとの間に駆動電流が流れて有機半導体膜４３が発光する。しかし、この光は中継電極３５と対向電極ｏｐとの間に挟まれて外に出射されず、表示に寄与しない。かかる表示に寄与しない部分で流れる駆動電流は、表示という面からみて無効電流といえる。しかるに本形態では、従来ならこのような無効電流が流れるはずの部分にバンク層ｂａｎｋを形成し、そこに駆動電流が流れることを防止するので、共通給電線ｃｏｍに無駄な電流が流れることが防止できる。それ故、共通給電線ｃｏｍの幅はその分、狭くてよい。その結果として、発光面積を増すことができ、輝度、コントラスト比などの表示性能を向上させることができる。
【００３３】さらにまた、本形態では、データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅに沿ってバンク層ｂａｎｋを形成してあるため、いずれの画素７も厚いバンク層ｂａｎｋで囲まれている。このため、このままでは、各画素７の対向電極ｏｐはバンク層ｂａｎｋを乗り越えて隣接する画素７の対向電極ｏｐと接続することになる。しかるに本形態では、バンク層ｂａｎｋには、データ線ｓｉｇの延設方向で隣り合う画素７の間に相当する部分に途切れ部分ｏｆｆが形成されている。また、バンク層ｂａｎｋには、走査線ｇａｔｅの延設方向で隣り合う画素７の間に相当する部分にも途切れ部分ｏｆｆが形成されている。さらに、バンク層ｂａｎｋには、データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅの各延設方向の端部のそれぞれに途切れ部分ｏｆｆが形成されている。
【００３４】このような途切れ部分ｏｆｆは厚いバンク層ｂａｎｋがないので、バンク層ｂａｎｋに起因する大きな段差のない平坦部分であり、この部分に形成されている対向電極ｏｐは断線することがない。従って、各画素７の対向電極７は、バンク層ｂａｎｋに起因する段差のない平坦部分を介して確実に接続していることになる。それ故、画素７の周りに厚い絶縁膜（バンク層ｂａｎｋ）を形成して寄生容量などを抑えても、この厚い絶縁膜（バンク層ｂａｎｋ）の上層に形成する対向電極ｏｐに断線が発生しない。
【００３５】しかも、走査側駆動回路４およびデータ側駆動回路３の上層側に形成されたバンク層ｂａｎｋは、走査側駆動回路４の形成領域とデータ側駆動回路３の形成領域との間に相当する位置に途切れ部分ｏｆｆが形成されている。このため、表示部１１の側の対向電極ｏｐと基板外周側の対向電極ｏｐとは、バンク層ｂａｎｋの途切れ部分ｏｆｆを介して接続し、この途切れ部分ｏｆｆもバンク層ｂａｎｋに起因する段差のない平坦部分である。従って、この途切れ部分ｏｆｆに形成されている対向電極ｏｐは断線することがないので、表示部１１の側の対向電極ｏｐと基板外周側の対向電極ｏｐとは、バンク層ｂａｎｋの途切れ部分ｏｆｆを介して確実に接続し、この基板外周側の対向電極ｏｐに配線接続されている端子１２と表示部１１の対向電極ｏｐとは確実に接続している。
【００３６】なお、バンク層ｂａｎｋを黒色のレジストによって形成すると、バンク層ｂａｎｋはブラックマトリクスとして機能し、コントラスト比などの表示の品位が向上する。すなわち、本形態に係るアクティブマトリクス型表示装置１では、対向電極ｏｐが透明基板１０の表面側において画素７の全面に形成されるため、対向電極ｏｐでの反射光がコントラスト比を低下させる。しかるに寄生容量を防止する機能を担うバンク層ｂａｎｋを黒色のレジストで構成すると、バンク層ｂａｎｋはブラックマトリクスとしても機能し、対向電極ｏｐからの反射光を遮るので、コントラスト比が向上する。」
　　　　
（ｂ）【００３７】（アクティブマトリクス型表示装置の製造方法）このように形成したバンク層ｂａｎｋは、有機半導体膜４３の形成領域を囲むように構成されているので、アクティブマトリクス型表示装置の製造工程では、インクジェットヘッドから吐出した液状の材料（吐出液）から有機半導体膜４３を形成する際に吐出液をせき止め、吐出液が側方にはみ出すことを防止する。なお、以下に説明するアクティブマトリクス型表示装置１の製造方法において、透明基板１０上に第１のＴＦＴ２０および第２のＴＦＴ３０を製造するまでの工程は、液晶アクティブマトリクス型表示装置１のアクティブマトリクス基板を製造する工程と略同様であるため、図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を参照してその概略を簡単に説明する。
【００３８】まず、透明基板１０に対して、必要に応じて、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとしてプラズマＣＶＤ法により厚さが約２０００〜５０００オングストロームのシリコン酸化膜からなる下地保護膜（図示せず。）を形成した後、下地保護膜の表面にプラズマＣＶＤ法により厚さが約３００〜７００オングストロームのアモルファスのシリコン膜からなる半導体膜を形成する。次にアモルファスのシリコン膜からなる半導体膜に対して、レーザアニールまたは固相成長法などの結晶化工程を行い、半導体膜をポリシリコン膜に結晶化する。
【００３９】次に、半導体膜をパターニングして島状の半導体膜とし、その表面に対して、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとしてプラズマＣＶＤ法により厚さが約６００〜１５００オングストロームのシリコン酸化膜または窒化膜からなるゲート絶縁膜５７を形成する。
【００４０】次に、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属膜からなる導電膜をスパッタ法により形成した後、パターニングし、ゲート電極２１、３１、およびゲート電極３１の延設部分３６を形成する（ゲート電極形成工程）。この工程では走査線ｇａｔｅも形成する。
【００４１】この状態で、高濃度のリンイオンを打ち込んで、ゲート電極２１、３１に対して自己整合的にソース・ドレイン領域を形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域となる。
【００４２】次に、第１の層間絶縁膜５１を形成した後、各コンタクトホールを形成し、次に、データ線ｓｉｇ、ドレイン電極２２、共通給電線ｃｏｍ、共通給電線ｃｏｍの延設部分３９、および中継電極３５を形成する。その結果、第１のＴＦＴ２０、第２のＴＦＴ３０、および保持容量ｃａｐが形成される。
【００４３】次に、第２の層間絶縁膜５２を形成し、この層間絶縁膜には、中継電極３５に相当する部分にコンタクトホール形成する。次に、第２の層間絶縁膜５２の表面全体にＩＴＯ膜を形成した後、パターニングし、コンタクトホールを介して第２のＴＦＴ３０のソース・ドレイン領域に電気的に接続する画素電極４１を画素７毎に形成する。
【００４４】次に、第２の層間絶縁膜５２の表面側にレジスト層を形成した後、このレジストを走査線ｇａｔｅおよびデータ線ｓｉｇに沿って残すようにパターニングし、バンク層ｂａｎｋを形成する。また、バンク層ｂａｎｋの所定部分には途切れ部分ｏｆｆを形成しておく。このとき、データ線ｓｉｇに沿って残すレジスト部分は共通給電線ｃｏｍを覆うように幅広とする。その結果、発光素子４０の有機半導体膜４３を形成すべき領域はバンク層ｂａｎｋに囲まれる。
【００４５】次に、バンク層ｂａｎｋでマトリクス状に区画された領域内にインクジェット法を利用してＲ、Ｇ、Ｂに対応する各有機半導体膜４３を形成していく。それには、バンク層ｂａｎｋの内側領域に対してインクジェットヘッドから、有機半導体膜４３を構成するための液状の材料（前駆体）を吐出し、それをバンク層ｂａｎｋの内側領域で定着させて有機半導体膜４３を形成する。ここで、バンク層ｂａｎｋはレジストから構成されているため、撥水性である。これに対して、有機半導体膜４３の前駆体は親水性の溶媒を用いているため、たとえ有機半導体膜４３の形成領域を区画するバンク層ｂａｎｋに途切れ部分ｏｆｆがあったとしても、かかる途切れ部分ｏｆｆは狭いので、有機半導体膜４３の塗布領域はバンク層ｂａｎｋによって確実に規定され、隣接する画素７にはみ出ることがない。それ故、有機半導体膜４３などを所定領域内だけに形成できる。この工程において、インクジェットヘッドから吐出した前駆体は表面張力の影響で約２μｍないし約４μｍの厚さに盛り上がるため、バンク層ｂａｎｋは約１μｍないし約３μｍの厚さが必要である。なお、定着した後の有機半導体膜４３の厚さは約０．０５μｍから約０．２μｍである。なお、予めバンク層ｂａｎｋからなる隔壁が１μｍ以上の高さであれば、バンク層ｂａｎｋが撥水性でなくても、バンク層ｂａｎｋは隔壁として十分に機能する。かかる厚いバンク層ｂａｎｋを形成しておけば、インクジェット法に代えて、塗布法で有機半導体膜４３を形成する場合でもその形成領域を規定できる。」 
　　　  
（ｃ）図１ 
（ｄ）図２ 
（ｅ）図３ 
　 　
〔摘記事項からの認定事項〕
（１）図３（Ａ）〜（Ｃ）からして、画素７（図２参照）には、透明基板１０（図１参照）上に、第２の層間絶縁膜５２を中間の層として、バンク層ｂａｎｋ、及び、画素電極４１と有機半導体膜４３と対向電極ｏｐとを有する薄膜発光素子４０を含む上側の層と、走査線ｇａｔｅ、データ線ｓｉｇ、共通給電線ｃｏｍ及び中継電極３５を含む下側の層と、が形成されており、画素電極４１は、第２の層間絶縁膜５２の上に設けられ、第２の層間絶縁膜５２のコンタクトホールを介して、中継電極３５に接続されている。
　　　
（２）図３（Ｂ）からして、バンク層ｂａｎｋは、第２の層間絶縁膜５２（図３（Ｃ）参照）の上に設けられると共に画素電極４１の上に形成されており、かつ、画素電極４１と対向電極ｏｐとを離隔している。
　　　
（３）上記摘記事項（ｂ）の製造方法及び図３（Ｂ）からして、有機半導体膜４３は、バンク層ｂａｎｋの側面まで形成（バンク層ｂａｎｋの側面に接した状態）されている。
　　　
〔引用例に記載された発明〕　  
　これらの記載事項及び認定事項からして、引用例には、  
「基体たる透明基板１０の中央部分が表示部１１とされており、透明基板１０上に、複数の走査線ｇａｔｅと、該走査線ｇａｔｅの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線ｓｉｇと、データ線ｓｉｇと走査線ｇａｔｅとによってマトリクス状に形成された複数の画素７とが構成され、黒色のレジストで構成するとブラックマトリクスとしても機能するバンク層ｂａｎｋを有するアクティブマトリクス型表示装置であって、
　各々の画素７には、透明基板１０上に、第２の層間絶縁膜５２を中間の層として、バンク層ｂａｎｋ、及び、画素電極４１と有機半導体膜４３と対向電極ｏｐとを有する薄膜発光素子４０を含む上側の層と、走査線ｇａｔｅ、データ線ｓｉｇ、共通給電線ｃｏｍ及び中継電極３５を含む下側の層と、が形成されており、画素電極４１は、第２の層間絶縁膜５２の上に設けられ、第２の層間絶縁膜５２のコンタクトホールを介して、中継電極３５に接続されており、
　薄膜発光素子４０は、対向電極ｏｐおよび画素電極４１をそれぞれ負極および正極として電圧が印加され、印加電圧がしきい値電圧を越えた領域で有機半導体膜４３に流れる電流（駆動電流）が急激に増大することで、エレクトロルミネッセンス素子あるいはＬＥＤ素子として発光するものであり、
　バンク層ｂａｎｋは厚い絶縁膜であって、第２の層間絶縁膜５２の上に設けられると共に画素電極４１の上に形成されており、かつ、画素電極４１と対向電極ｏｐとを離隔しており、
　画素電極４１の形成領域のうち、中継電極３５と重なる領域にもバンク層ｂａｎｋが形成されているため、画素電極４１の形成領域のうち、バンク層ｂａｎｋの形成される領域には有機半導体膜４３が形成されず、バンク層ｂａｎｋの形成されない平坦な部分のみに有機半導体膜４３が形成されており、有機半導体膜４３はバンク層ｂａｎｋの側面まで形成されているアクティブマトリクス型表示装置。」
　という発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。  
　　  
２−３　本件補正発明と引用発明との対比  
　本件補正発明と引用発明とを対比する。  
　  
＜対応関係Ａ＞  
　引用発明の「透明基板１０」、「画素７」、「アクティブマトリクス型表示装置」、「下側の層」、「正極」、「有機半導体膜４３」、「負極」、「上側の層」及び「中間の層」は、それぞれ本件補正発明の「基板」、「画素」、「表示装置」、「下層部」、「陽極」、「有機層」、「陰極」、「上層部」及び「中層部」に相当する。  
　 　　　  
＜対応関係Ｂ＞ 
　引用発明の「黒色のレジストで構成するとブラックマトリクスとしても機能するバンク層ｂａｎｋ」は、マトリクス状に形成された複数の画素７同士を隔てることは明らかであるから、本件補正発明の「隣り合う画素を互いに隔てる隔壁」に相当するものである。 
　同時に、引用発明の「バンク層ｂａｎｋ」は、「厚い絶縁膜であって」「画素電極４１と対向電極ｏｐとを離隔」するものであり、「有機半導体膜４３が形成されている」「平坦な部分」に（バンク層の絶縁膜が）「形成されない」領域を有するものであるから、引用発明の「バンク層ｂａｎｋ」と本件補正発明の「縁が傾斜した開口部を有する絶縁層」とは、「開口部を有する絶縁層」である点で共通する。
　　　　　 
＜対応関係Ｃ＞  
　引用発明の「走査線ｇａｔｅ、データ線ｓｉｇ、共通給電線ｃｏｍ及び中継電極３５」は、本件補正発明の「配線」に相当する。
　　　  
＜対応関係Ｄ＞  
　引用発明の「対向電極ｏｐおよび画素電極４１をそれぞれ負極および正極として電圧が印加され・・・エレクトロルミネッセンス素子あるいはＬＥＤ素子として発光する」「画素電極４１と有機半導体膜４３と対向電極ｏｐとを有する薄膜発光素子４０」は、本件補正発明の「陽極と有機層と陰極とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子」に相当する。  
　　 　  
＜対応関係Ｅ＞ 
　引用発明の「バンク層ｂａｎｋ、及び、画素電極４１と有機半導体膜４３と対向電極ｏｐとを有する薄膜発光素子４０を含む上側の層」と「走査線ｇａｔｅ、データ線ｓｉｇ、共通給電線ｃｏｍ及び中継電極３５を含む下側の層」との間に形成される「第２の層間絶縁膜５２」からなる「中間の層」は、本件補正発明の「下層部及び上層部を互いに電気的に絶縁する中層部」に相当する。 
　　　　 
＜対応関係Ｆ＞ 
　引用発明の「正極として電圧が印加され」る「画素電極４１」が、「第２の層間絶縁膜５２の上に設けられ、第２の層間絶縁膜５２のコンタクトホールを介して、中継電極３５に接続されて」いることは、本件補正発明の「陽極は、中層部の上に形成され、中層部に設けられたコンタクトホールを介して配線に接続されて」いることに相当する。
　　　　
＜対応関係Ｇ＞
　引用発明の「バンク層ｂａｎｋは厚い絶縁膜であって、第２の層間絶縁膜５２の上に設けられると共に画素電極４１の上に形成されており、かつ、画素電極４１と対向電極ｏｐとを離隔しており」、「画素電極４１の形成領域のうち、中継電極３５と重なる領域にもバンク層ｂａｎｋが形成されているため、画素電極４１の形成領域のうち、バンク層ｂａｎｋの形成される領域には有機半導体膜４３が形成されず、バンク層ｂａｎｋの形成されない平坦な部分のみに有機半導体膜４３が形成されて」いることは、技術常識を踏まえると、正極である「画素電極４１」と負極である「対向電極ｏｐ」との間が、厚い絶縁膜である「バンク層ｂａｎｋ」によって離隔されて絶縁状態が保たれた状態にあるといえるから、本件補正発明の「絶縁層は、陽極−陰極間ショートを防ぐために中層部及び陽極の上に形成されており、開口部の底部には陽極が露出して」いることに相当する。
　　　　 
＜対応関係Ｈ＞
　引用発明の「画素電極４１の形成領域のうち・・・バンク層ｂａｎｋの形成されない平坦な部分のみに有機半導体４３が形成されており、有機半導体４３はバンク層ｂａｎｋの側面まで形成されている」ことと、本件補正発明の「有機層は、絶縁層の開口部の傾斜した縁を含んで開口部の底部に露出した陽極の上に形成されて」いることとは、「有機層は、絶縁層の開口部の縁を含んで開口部の底部に露出した陽極の上に形成されている」点で共通する。
　　　
＜対応関係Ｉ＞
　引用発明の「画素電極４１は、第２の層間絶縁膜５２の上に設けられ、第２の層間絶縁膜５２のコンタクトホールを介して、中継電極３５に接続されて」おり、かつ、「画素電極４１の形成領域のうち、中継電極３５と重なる領域にもバンク層ｂａｎｋが形成されて」いることは、「第２の層間絶縁膜５２のコンタクトホール」が配置される「中継電極３５」上の領域まで「バンク層ｂａｎｋ」が形成されているということになるから、本件補正発明の「隔壁は、コンタクトホールを含む領域と重なるように上層部に配されている」ことに相当する。
　　　　
　以上の対応関係からして、本件補正発明と引用発明とは、  
「基板と、当該基板の上に形成された複数の画素と、隣り合う画素を互いに隔てる隔壁とを有する表示装置であって、
　画素は、
　基板上に形成された配線を含む下層部と、
　開口部を有する絶縁層、及び、陽極と有機層と陰極とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子を含む上層部と、
　下層部及び上層部を互いに電気的に絶縁する中層部、
とを含み、
　陽極は、中層部の上に形成され、中層部に設けられたコンタクトホールを介して配線に接続されており、
　絶縁層は、陽極−陰極間ショートを防ぐために中層部及び陽極の上に形成されており、開口部の底部には陽極が露出しており、
　有機層は、絶縁層の開口部の縁を含んで開口部の底部に露出した陽極の上に形成されており、
　隔壁は、コンタクトホールを含む領域と重なるように上層部に配されている表示装置。」  
　の点で一致し、以下の点で相違する。  
　　  
（相違点）  
　「絶縁層」の「開口層」に関して、本件補正発明は「絶縁層」の「縁が傾斜」しているのに対して、引用発明の「バンク層ｂａｎｋ」はそのような限定を有さない点。  
　　　  
２−４　検討・判断  
　上記相違点について検討する。  
　
（１）上記摘記事項（ｂ）の段落【００４４】の記載によれば、引用発明のバンク層ｂａｎｋはレジスト層をパターニングして得られるものであるが、どのようなパターニング技術を採用するにしても、パターンの縁は完全に垂直になるものではなく、ある程度、傾斜した状態（絶縁層のパターンの縁が、断面視で下側が広がるテーパー状と、断面視で下側が狭まる逆テーパー状（絶縁層の開口の下方よりも上方が張り出すオーバーハング状態）とのどちらになるかは、採用するパターニング技術の条件等によって異なる。なお、本件補正発明の「縁が傾斜した」は、テーパー状と逆テーパー状の両者を包含している。）となることは、技術常識的に自明なことである。
　そうすると、引用発明において、上記相違点に係る構成を得ることは、当業者であれば容易に想到することである。
　　　
（２）バンク層ｂａｎｋの縁に所定の傾斜を持たせてテーパー状とすることは、周知の技術に過ぎない（例えば、特開平１１−２４６０６号公報（図６等）、特開平１１−２４６０４号公報（図６等）、国際公開９８／３６４０７号（図６等）、特開平１１−２７１７５３号公報（図７等）を参照されたい。）。また、バンク層に限らず、一般的な絶縁層の開口の縁に所定の傾斜を持たせることも、例示するまでもない周知の技術である。
　よって、引用発明に当該周知の技術を採用することで上記相違点に係る構成を得ることは、当業者であれば容易になし得ることである。
　 　　  
〔補足的検討〕
　「絶縁層」と「隔壁」に関して、本願明細書の発明の詳細な説明に記載された実施の形態、特に、図１の部分断面図等の図面上の記載を参酌した場合、本件補正発明は「絶縁層」と「隔壁」とが別々の部材となっていると解釈できるのに対して、引用発明は「バンク層ｂａｎｋ」が「絶縁層」と「隔壁」とを兼ねている（または、両者が一体化されている）点で相違するといえるので、当該相違点（以下「補足的相違点」という。）について検討する。  
　　　　
（検討Ａ）バンク層を構成する絶縁膜を上層側絶縁膜と下層側絶縁膜の２層に分割して、２層構造とすることは、周知の技術に過ぎない（例えば、国際公開９９／１０８６２号（実施の形態１，２，５、第３〜４，７〜８，１６〜１８図等。特に、実施の形態５の変形例３には、下層絶縁膜に途切れ部分を設けず、上層側絶縁膜よりも幅広に設けた構造が開示されている。）、国際公開９９／４８３３９号公報（図１４等）、特開平１１−２７１７５３号公報（図７等）を参照されたい。）。
　そして、引用発明に当該周知の技術を採用した場合、下層側絶縁膜は「画素電極４１」と「対向電極ｏｐ」との間に介在し、両者間の電気的絶縁に寄与するものとなるから、本件補正発明の「絶縁層」と同様の機能を奏することは明らかである。すなわち、引用発明に周知の技術を採用すると、「絶縁膜」と「隔壁」とが分割された構造が得られる。
　よって、引用発明に当該周知の技術を採用することで補足的相違点に係る構成を得ることは、当業者であれば容易になし得ることである。
　　
（検討Ｂ）上記「（検討Ａ）」では、本願の図１等を参酌することにより、上記補足的相違点を実質的な相違点として検討したが、以下で述べるとおり、本件補正発明は「絶縁層」と「隔壁」とが一体化した構造となっているものを包含しているといえるから、上記補足的相違点については、実質的な相違点とはいえない。
　すなわち、発明の実施の形態の記載でも、「絶縁層１５」と「隔壁６」は、共にＳｉＯ２で形成され、かつ、その成膜方法もスパッタリングと共通しているから、「絶縁層１５」と「隔壁６」とは実質的に一体化していると考えられる。それらのパターニング工程は別々の工程となっているものの、本件補正発明は「表示装置」の発明であって、「表示装置の製造方法」の発明ではないし、製造プロセスにより物の発明の構成を特定する、いわゆるプロダクトバイプロセスのものでもないから、発明の実施の形態では「絶縁層１５」と「隔壁６」とが異なるパターニング工程で得られているという点は、物の発明の構成についての実質的な相違点になり得ない。
　　　　　  
（３）作用効果についての検討  
　本件補正発明が奏する作用効果は、引用発明及び周知の技術から当業者が予測できる範囲のものである。  
　絶縁層の開口部の縁を傾斜させることの作用効果については、本願当初明細書に記載が無いばかりではなく、本件補正発明における傾斜の程度は全く限定されておらず、傾斜角が直角に近いものまで包含されているため、格別なものとは認められない（そもそも、絶縁層の開口部の縁を傾斜させることは、図１，４の概略図に記載があるのみで、発明の詳細な説明には何らの説明もない事項であるので、その傾斜角の範囲や傾斜させることの技術的意義
は不明である。）。
　なお、本件補正発明には、上記「２−４」「（１）」で述べたように、逆テーパー状の傾斜までもが包含されており、かつ、逆テーパ状の傾斜は本願明細書及び図面に記載も示唆もないものであるから、その点でも、本件補正発明に格別の作用効果を認めることは困難である。
　 　　  
（４）まとめ  
　よって、本件補正発明は、当業者が引用発明及び周知の技術に基いて容易に発明をすることができたものである。  
　　　　
３　本件補正についてのむすび  
　本件補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たさないものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
　 　　  
第３　本願発明について  
１　本願発明  
　平成２２年５月２７日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２１年１２月７日付け手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。  
「【請求項１】
　基板と、その上に形成された複数の画素と、隣り合う画素を互いに隔てる隔壁とを有する表示装置であって、
　画素は、
　基板上に形成された配線を含む下層部と、
　開口部を有する絶縁層、及び、陽極と有機層と陰極とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子を含む上層部と、
　下層部及び上層部を互いに電気的に絶縁する中層部、
とを含み、
　陽極は、中層部上に形成され、中層部に設けられたコンタクトホールを介して配線に接続されており、
　絶縁層は、中層部及び陽極上に形成されており、開口部の底部には陽極が露出しており、
　有機層は、少なくとも絶縁層の開口部の底部に露出した陽極上に形成されており、
　陰極は、有機層の上に形成されており、
　隔壁はコンタクトホールを含む領域と重なるように上層部に配されていることを特徴とする表示装置。」 
　 　　  
２　引用例  
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、前記「第２」「〔理由〕」「２−２　引用例」に記載したとおりである。  
　 　　  
３　本願発明と引用発明との対比、検討・判断  
　本願発明は、前記「第２」「〔理由〕」の「１　平成２２年５月２７日付け手続補正の内容」及び「２　独立特許要件について」で検討した本件補正発明の発明特定事項において、本件補正により請求項１に導入された、「絶縁層」の「開口部」について、「縁が傾斜した」ものと限定し、「絶縁層」の作用について、「陽極−陰極間ショートを防ぐため」と限定し、「有機層」の形成箇所について、「絶縁層の開口部の傾斜した縁を含んで」形成すると限定する発明特定事項を省いたものに相当する。  
　そして、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の発明特定事項を追加したものに相当する本件補正発明は、上記「第２」「〔理由〕」「２−４　検討・判断」に記載したとおり、当業者が引用発明及び周知の技術に基いて容易に発明をすることができたものである。  
　してみると、本願発明は同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。　  
　よって、本願発明は、当業者が引用発明及び周知の技術に基いて容易に発明をすることができたものである。
　　　　  
４　むすび  
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。  
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
　　  
　よって、結論のとおり審決する。