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【手続補正書】
【提出日】平成23年9月8日(2011.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原子層成長による金属含有膜の形成方法であって、該方法は少なくとも一種の前駆体を基板に供給することを含んでなり、該少なくとも一種の前駆体は構造が式ＩＩ：
【化１】
2010539710.tif 000001
（式中、ＭはＨｆまたはＺｒであり、ＲはＣ１−Ｃ６アルキルであり、ｎは０、１、２、３、４または５であり、ＬはＣ１−Ｃ６アルコキシである）に対応する、方法。
【請求項２】
前記式中、ＭはＨｆまたはＺｒであり、Ｒはメチル、エチル又はプロピルであり、ｎは０、１又は２であり、Ｌはメトキシ、エトキシ、プロポキシ、およびブトキシからなる群から選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記式中、ＭはＨｆまたはＺｒであり、Ｒはメチル又はエチルであり、ｎは１又は２であり、Ｌはメトキシ、エトキシ、プロポキシ、およびブトキシからなる群から選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記式中、ＭはＨｆまたはＺｒであり、Ｒはメチル又はエチルであり、ｎは１であり、Ｌはメトキシ、エトキシ、プロポキシ、およびブトキシからなる群から選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
構造が前記式ＩＩに対応する少なくとも一種の前駆体が、
（メチルシクロペンタジエニル）Ｈｆ（ＯＭｅ）３、
（エチルシクロペンタジエニル）Ｈｆ（ＯＭｅ）３、
（プロピルシクロペンタジエニル）Ｈｆ（ＯＭｅ）３、
（メチルシクロペンタジエニル）Ｈｆ（ＯＥｔ）３、
（エチルシクロペンタジエニル）Ｈｆ（ＯＥｔ）３、
（プロピルシクロペンタジエニル）Ｈｆ（ＯＥｔ）３、
（メチルシクロペンタジエニル）Ｈｆ（ＯｉＰｒ）３、
（エチルシクロペンタジエニル）Ｈｆ（ＯｉＰｒ）３、
（プロピルシクロペンタジエニル）Ｈｆ（ＯｉＰｒ）３、
（メチルシクロペンタジエニル）Ｈｆ（ＯｔＢｕ）３、
（エチルシクロペンタジエニル）Ｈｆ（ＯｔＢｕ）３、
（プロピルシクロペンタジエニル）Ｈｆ（ＯｔＢｕ）３、
（メチルシクロペンタジエニル）Ｚｒ（ＯＭｅ）３、
（エチルシクロペンタジエニル）Ｚｒ（ＯＭｅ）３、
（プロピルシクロペンタジエニル）Ｚｒ（ＯＭｅ）３、
（メチルシクロペンタジエニル）Ｚｒ（ＯＥｔ）３、
（エチルシクロペンタジエニル）Ｚｒ（ＯＥｔ）３、
（プロピルシクロペンタジエニル）Ｚｒ（ＯＥｔ）３、
（メチルシクロペンタジエニル）Ｚｒ（ＯｉＰｒ）３、
（エチルシクロペンタジエニル）Ｚｒ（ＯｉＰｒ）３、
（プロピルシクロペンタジエニル）Ｚｒ（ＯｉＰｒ）３、
（メチルシクロペンタジエニル）Ｚｒ（ＯｔＢｕ）３、
（エチルシクロペンタジエニル）Ｚｒ（ＯｔＢｕ）３、および
（プロピルシクロペンタジエニル）Ｚｒ（ＯｔＢｕ）３
からなる群から選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
構造が前記式ＩＩに対応する少なくとも一種の前駆体が、（メチルシクロペンタジエニル）Ｈｆ（ＯｔＢｕ）３および（メチルシクロペンタジエニル）Ｚｒ（ＯｔＢｕ）３からなる群から選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記原子層成長が光原子層成長を含んでなる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記原子層成長が液体注入原子層成長を含んでなる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記前駆体を、酸素源のパルスと交互にパルスで基板上に成長させる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記酸素源がＨ２Ｏ、Ｏ２又はオゾンから選ばれる、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
水素、水素プラズマ、酸素、空気、水、アンモニア、ヒドラジン類、アリルヒドラジン類、ボラン類、シラン類、オゾン、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる少なくとも一種の適切な共反応物を成長させることをさらに含んでなる、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
構造が前記式ＩＩに対応する少なくとも二種の前駆体を基板に供給して原子層成長で金属含有膜を形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記基板に少なくとも一種の共前駆体を供給して原子層成長で混合金属膜を形成することをさらに含んでなる、請求項１記載の方法。
【請求項１４】
形成される混合金属膜がハフニウム、ジルコニウム、チタン、ランタンおよびその他のランタニド系金属の酸化物および窒化物、並びにジルコン酸チタン酸鉛からなる群から選ばれる、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記金属含有膜がメモリーおよび／又は論理用途に使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
液体注入原子層成長による金属含有膜の形成方法であって、該方法は少なくとも一種の前駆体を基板に供給することを含んでなり、該少なくとも一種の前駆体は構造が式ＩＩＩ：
【化２】
2010539710.tif 000002
（式中、ＭはＨｆまたはＺｒであり、ＲはＣ１−Ｃ６アルキルであり、ｎは０、１、２、３、４または５であり、Ｌはアミノであり、該アミノは独立してＣ１−Ｃ６アルキルによって１又は２置換されていてもよい）に対応する、方法。
【請求項１７】
前記式中、ＭはＨｆまたはＺｒであり、ＲはＣ１−Ｃ６アルキルであり、ｎは０、１又は２であり、Ｌはアミノであり、該アミノは独立してＣ１−Ｃ６アルキルによって１又は２置換されていてもよい、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記式中、ＭはＨｆまたはＺｒであり、ＲはＣ１−Ｃ６アルキルであり、ｎは３、４又は５であり、Ｌはアミノであり、該アミノは独立してＣ１−Ｃ６アルキルによって１又は２置換されていてもよい、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
構造が前記式ＩＩＩに対応する少なくとも一種の前駆体が、（メチルシクロペンタジエニル）Ｈｆ（ＮＭｅ２）３および（メチルシクロペンタジエニル）Ｚｒ（ＮＭｅ２）３からなる群から選ばれる、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
構造が前記式ＩＩＩに対応する少なくとも一種の前駆体が、基板に供給される前に溶媒に溶解される、請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
構造が前記式ＩＩＩに対応する少なくとも一種の前駆体は基板にそのままの状態で供給される、請求項１６に記載の方法。
【請求項２２】
金属含有膜を形成するのに光ＡＬＤを利用することをさらに含んでなる、請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月8日(2011.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
部分的に剛性のフレキシブル回路を形成する方法であって、
第１のポリマー層、該第１のポリマー層を覆う第１の導電層、該第１の導電層を覆う第１のポリイミド接着層、及び該第１のポリイミド接着層を覆う第２のポリマー層、を有する剛性多層構造を提供する工程と、
フレキシブル部分を形成するために化学エッチングによって前記第２のポリマー層及び前記第１のポリイミド接着層の一部を除去する工程と、を含む、方法。
【請求項２】
第１のポリマー層、該第１のポリマー層上のパターン形成されている導電回路層、該パターン形成されている導電回路層上の化学エッチング可能なポリイミド接着層、及び該化学エッチング可能なポリイミド接着層上の化学エッチング可能な第２のポリマー層を有する、部分的に剛性のフレキシブル回路を備え、
前記化学エッチング可能なポリイミド接着層は、以下の繰り返しユニット
【化１】
2010539705.tif 000001
を有するポリアミド−イミドを含み、
式中、Ｒは二価のラジカルを表し、Ｒ’は三価のラジカルを表し、ｎは少なくとも５の整数であり、
前記第１のポリマー層及び前記ポリイミド接着層の位置合わせされている部分が除去され、それによって、フレキシブルな部分が形成されている、物品。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月12日(2011.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有用光の印加に向けて設けられた第１の領域を有する第１の光学面（Ｓ４，Ｓ６）を含み、かつ有用光の印加に向けて設けられた第２の領域を有する少なくとも１つの第２の光学面（Ｓ５，Ｓ７）を含み、また前記第１の光学面（Ｓ４）と前記第２の光学面（Ｓ５）の間に配置された、貫通孔が設けられた第３の光学面（Ｓ６）を含み、該貫通孔は、前記有用光を通過させるように機能し、該有用光のビームエンベロープ（ＳＨ）が、投影対物系の作動中に該第１の領域と該第２の領域の間に延びる、マイクロリソグラフィのための掩蔽された瞳を有する投影対物系であって、
光伝播方向に入射側と出射側とで開放され、かつ散乱光を遮蔽するように機能する少なくとも１つのチューブ（１２；２２；３２，３４）が、第１の光学面（Ｓ４，Ｓ６）と第２の光学面（Ｓ５，Ｓ７）の間に配置され、該チューブの壁が、有用光の波長範囲内で不透明であり、該チューブは、ビームエンベロープ（ＳＨ）の少なくとも部分長にわたって該有用光の該伝播方向に延び、かつ該ビームエンベロープ（ＳＨ）の外周を取り囲む、
ことを特徴とする投影対物系。
【請求項２】
前記第１の光学面（Ｓ４，Ｓ６）と前記第２の光学面（Ｓ５，Ｓ７）の間の前記有用光の前記ビームエンベロープ（ＳＨ）は、第１のビームエンベロープであり、かつ該第１のビームエンベロープの部分長にわたって該有用光の第２のビームエンベロープによって重ね合わされ、前記チューブ（１２；２２；３２，３４）は、該第１のビームエンベロープの重ね合わせのない部分領域の少なくとも部分長にわたって延びていることを特徴とする請求項１に記載の投影対物系。
【請求項３】
前記チューブ（１２；２２；３２，３４）は、前記第１のビームエンベロープの前記重ね合わせのない部分領域の全長にわたって延びていることを特徴とする請求項２に記載の投影対物系。
【請求項４】
前記チューブ（１２；２２；３２，３４）は、前記ビームエンベロープ（ＳＨ）を最小限の距離ではあるが接触せずに取り囲むことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の投影対物系。
【請求項５】
前記距離は、２ｍｍよりも短く、より好ましくは１ｍｍよりも短く、より好ましくは０．２ｍｍよりも短いことを特徴とする請求項４に記載の投影対物系。
【請求項６】
中間像（Ｚ；Ｚ1,Ｚ2；Ｚ1,Ｚ2,Ｚ3）が、前記第１の光学面（Ｓ４）と前記第２の光学面（Ｓ５）の間に発生され、
前記チューブ（１２；２２；３２，３４）は、少なくとも前記中間像（Ｚ；Ｚ1,Ｚ2；Ｚ1,Ｚ2,Ｚ3）の近くに配置される、
ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の投影対物系。
【請求項７】
前記チューブ（１２；２２；３２，３４）の内部の幾何学形状が、前記ビームエンベロープ（ＳＨ）の形状に適応していることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の投影対物系。
【請求項８】
前記チューブ（１２；２２；３２，３４）は、切端円錐形状方式で形成されることを特徴とする請求項７に記載の投影対物系。
【請求項９】
前記チューブ（２２；３２，３４）は、双切端円錐形状方式で形成され、又は少なくとも２つの切端円錐形状チューブ（１２）が、前記ビームエンベロープを取り囲むことを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の投影対物系。
【請求項１０】
前記チューブ（１２；２２，３４）は、該貫通孔に又は該貫通孔の領域に配置されることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の投影対物系。
【請求項１１】
反射光学性であることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の投影対物系。
【請求項１２】
ＥＵＶマイクロリソグラフィのために設計されることを特徴とする請求項１１に記載の投影対物系。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月12日(2011.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線源（２）の下流にある最初の光束形成面である反射面（９）、
を含む、
放射線源（２）の放射光（８ａ）を集光し、かつ集光された放射線源側放射線光束（８ａ）から変換済み放射線光束（８）を形成するための光束誘導光学集光器（１０）であって、
反射面（９）が、放射線源（２）を下流平面（１１）内の一群の像へと変換するように形成され、該一群の像は、該変換された放射線光束（８）のビーム方向（１３）に対して垂直な方向に２次元（ｘ、ｙ）で互いにオフセットされて該変換済み放射線光束（８）の該ビーム方向（１３）に関して非回転対称方式で互いに対して配置される複数の放射線源像（１９）から成り、その結果、該下流平面（１１）内の該変換済み放射線光束（８）は、該変換済み放射線光束（８）の該ビーム方向（１３）に対して非回転対称な光束縁部輪郭（１１ａ）を有し、
前記反射面（９）は、互いに補完し合って全反射器面を形成する複数の反射ファセット（１７）に、特に、１０個よりも多いファセットに分割され、
前記ファセット（１７）間の前記反射面（９）は、平滑化され、その結果、それは、該反射面（９）の境界内のあらゆる点で連続微分可能である、
ことを特徴とする集光器。
【請求項２】
前記反射面（９）は、前記光束縁部輪郭（１１ａ）が、照明される視野（４）の形状に適応された配列を有するように形成されることを特徴とする請求項１に記載の集光器。
【請求項３】
前記反射面（９）は、前記光束縁部輪郭（１１ａ）が、照明される視野ファセットミラー（３０）の形状（３５；３６）に適応された配列を有するように形成されることを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか１項に記載の集光器。
【請求項４】
前記ファセット（１７）は、寄せ木細工方式で前記反射面（９）を覆うことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の集光器。
【請求項５】
前記ファセット（１７）の少なくとも２つは、異なる表面積を覆うことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の集光器。
【請求項６】
前記ファセット（１７）は、別々の形状の縁部輪郭を有するようなファセットを含むことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の集光器。
【請求項７】
前記ファセット（１７）は、行及び／又は列で配置され、該行の高さ及び／又は該列の幅が、前記反射面（９）の一方の側から他方への推移に沿って変化することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の集光器。
【請求項８】
少なくとも一部の個々のファセット（１７）は、非球面の反射器面を有することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の集光器。
【請求項９】
少なくとも一部の個々のファセット（１７）は、楕円体の反射器面を有することを特徴とする請求項８に記載の集光器。
【請求項１０】
前記ファセット（１７）間の前記反射面（９）は、連続照明分布が前記光束縁部輪郭（１１ａ）内に得られるように平滑化されることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の集光器。
【請求項１１】
１つのかつ同じ光線の入射部分及び反射部分を含み、前記反射面（９）を通るランダムな垂直断面が存在し、該反射面（９）を通る２つの断面のうちの最多で１つが、円錐断面を用いてパラメータ化可能であることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の集光器。
【請求項１２】
前記反射面（９）は、自由形状曲面であることを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の集光器。
【請求項１３】
前記反射面（９）のセグメント及び／又は前記ファセット（１７）は、能動的に変形可能又は傾斜可能であることを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の集光器。
【請求項１４】
前記ファセット（１７）の傾斜角が、下流構成要素によって引き起こされる結像誤差を補償するように適応化されることを特徴とする請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の集光器。
【請求項１５】
放射線源（２）と、
請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の集光器と、
を含むことを特徴とするＥＵＶ照明系（１）。
【請求項１６】
請求項１５に記載のＥＵＶ照明系と、
前記ＥＵＶ照明系（１）によって照明される物体視野（３）を像平面（６）内の像視野へと結像するための投影対物系と、
を含むことを特徴とするＥＵＶ投影露光装置。
【請求項１７】
視野平面、又は前記投影対物系の瞳平面、又はこれらに共役な平面のいずれとも一致しない下流平面（１１）に配置され、集光器（１０）の下流にある光束形成要素（１４）を特徴とする請求項１６に記載の投影露光装置。
【請求項１８】
微細構造構成要素を生成する方法であって、
請求項１６又は請求項１７に記載の投影露光装置（７）を準備する段階と、
レチクルを準備する段階と、
照明視野（１４）に配置された前記レチクルの面をウェーハの感光層上に投影する段階と、
に従うことを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法に従って生成された微細構造構成要素。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月18日(2011.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レポーターおよび架橋剤を含む培地中で標的部位をインキュベートする工程を含む、標的部位へのレポーターの堆積方法であって、
前記標的部位がペルオキシダーゼ活性を含み、前記レポーターが検出可能な分子であり、前記架橋剤が、ペルオキシダーゼ酵素基質の少なくとも2つの部分を含む分子である、方法。
【請求項２】
ペルオキシダーゼ活性が、標的部位に存在するペルオキシダーゼ酵素の少なくとも1つの部分と関連する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
ペルオキシダーゼ酵素が、ホースラディッシュペルオキシダーゼ(HRP)またはダイズペルオキシダーゼ(SP)から選択される、請求項２記載の方法。
【請求項４】
架橋剤が、以下の式:
(R1)n-(X)q-R2(m)
（式中、
R1およびR2はペルオキシダーゼ酵素基質の部分であり、
Xは、リンカー基または化学結合であり、
m、nおよびqは1〜10の整数である）
の分子である、請求項１記載の方法。
【請求項５】
R1およびR2がo-フェニレンジアミンの部分であり、
Xが共有結合であり、
m、nおよびqが1である、
請求項４記載の方法。
【請求項６】
R1およびR2がフェルラ酸の部分であり、
Xが、以下の式:
2010539456.tif 000001
（式中、R3およびR4はアミノ酸リシン残基である）
のリンカー基であり、
mおよびnが2〜10の整数であり、
qが1〜10の整数である、
請求項４記載の方法。
【請求項７】
架橋剤が培地中に約10-5〜約10-2Mの量で存在する、請求項１〜６いずれか記載の方法。
【請求項８】
レポーターが、主鎖ポリマーおよび少なくとも1つの検出可能な物質を含む分子であり、前記少なくとも1つの検出可能な物質が化学結合またはリンカー基を介して主鎖ポリマーに結合された、請求項１記載の方法。
【請求項９】
レポーターが少なくとも2つの同一の、または少なくとも2つの異なる検出可能な物質を含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
該検出可能な物質が、蛍光、発光、生物発光、放射性または色原体標識、酵素、酵素基質、ハプテンまたは特異的結合対の構成員から選択される、請求項８または９記載の方法。
【請求項１１】
レポーターが小分子である、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
小分子が、蛍光または色原体物質、ハプテン、特異的結合対の構成員または酵素基質から選択される、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
標的部位が生物学的マーカーを含む、請求項１記載の方法。
【請求項１４】
培地がペルオキシド化合物を含む、請求項１〜１３いずれか記載の方法。
【請求項１５】
以下の式:
(R1)n-(X)q-R2(m)
（式中、
R1およびR2はペルオキシダーゼ酵素基質の部分であり、
Xはリンカー基であり、
m、nおよびqは1〜10の整数である）
の化合物。
【請求項１６】
R1およびR2がフェルラ酸の部分であり、
Xが以下の式:
2010539456.tif 000002
（式中、R3およびR4はアミノ酸リシン残基であり、
mおよびnは2〜10の整数であり、
qは1〜10の整数である）
のリンカー基である、請求項１５記載の化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月8日(2011.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可燃性ガスの供給口および点火デバイス（７）、サンプルガスの供給口、サンプルガスが火炎によりイオン化される燃焼チャンバ（４）、ならびにイオン電流を発生させ、測定するために電圧が印加される電極（８、１）を備える水素炎イオン化検出器であって、この水素炎イオン化検出器は、マイクロシステム技術の方法により加工される互いに接続された少なくとも３つの平行なプレートレット様基板（１、２、３）の一体化平面システムとして構築され、中央基板（１）がガス用ノズル（５、６）および点火デバイス（７）ならびに燃焼チャンバ（４）の一部を形成するリセスを含み、この水素炎イオン化検出器は、隣接基板（２、３）のリセスによって完成し、本質的にこれらの基板（２、３）によってノズル領域と共に閉じられ、隣接基板（２、３）はガス用供給チャンネル（１０、１１）を含むことを特徴とする、水素炎イオン化検出器。
【請求項２】
中央基板（１）が、電気伝導性であり、隣接基板（２、３）が本質的に非伝導性であることを特徴とする、請求項１に記載の水素炎イオン化検出器。
【請求項３】
中央基板（１）がケイ素からなり、隣接基板（２、３）がガラス、特にボロシリカートガラスからなることを特徴とする、請求項１または２に記載の水素炎イオン化検出器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月31日(2011.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性の又は磁気標識された生体物質を分離又は浄化するための高勾配磁気分離装置であって、
磁石（７）、分離カラム（１）、前記分離カラムの内的空間に配置可能な強磁性マトリクス（２）、ならびに、前記分離カラム（１）を平衡するための及び／又は前記生体物質を懸濁するための緩衝液を収容する貯蔵容器（１１）を有し、
作動中、前記磁石（７）により発生する磁場が前記マトリクス（２）内に高勾配磁場を発生させることができ、かつ、緩衝液が前記液体貯蔵容器（１１）から前記分離カラム（１）を流通することができる、高勾配磁気分離装置において、
前記緩衝液が、基礎液、及び前記マトリクス（２）の非特異結合部位を飽和可能な高分子を網羅しており、該高分子が繊維状蛋白質、特にゼラチンを含むことを特徴とする装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記生体物質の粒子に作用する重力に起因する力が概ね補償される程度に、前記緩衝液が分離されるべき前記生体物質の前記粒子の濃さに合致する濃さを有し、従って前記粒子が前記緩衝液中にほとんど懸濁しており、及び／又は、前記緩衝液が分離工程に適した流速である前記分離カラム（１）を通る層流を促進する高い粘度を有する装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の装置であって、
前記磁石（７）が、前記分離カラム（１）を永久磁石又は電磁石により発生する特に均質な前記磁場内に配置できるように形状されている永久磁石又は電磁石であり、
前記分離カラム（１）を、選択的に、空間的分離及び／又はスイッチオフによって前記磁場の影響下に晒す又は晒さないことが可能な装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の装置であって、
前記マトリクス（２）が、被覆されておらず、及び／又は、規則的又は不規則な、繊維状の、球状の、又は別様に形状された物質、特にステンレス鋼、磁性鋼、又は鋼綿を有する装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の装置であって、
前記液体貯蔵容器（１１）が前記分離カラム（１）に接続し、前記分離カラム（１）に、流量制限素子（８、９）を介して調整可能な流速で緩衝液を導入する又は導入しないことができ、及び／又は、前記分離カラム（１）が前記分離カラムからの流出及び前記分離カラム内部の前記流速に影響を与えることができる流量制限素子（４、５）を有する装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の装置であって、
前記生体物質への前記高分子の凝集効果が補償されるように、前記基礎液のイオン強度が前記高分子に依存して適合され、前記基礎液が、等浸透圧濃度である陽イオンのナトリウム、カリウム、マグネシウム、又はカルシウム、及び、陰イオンの塩化物、リン酸塩、硫酸塩、又は炭酸塩を有し、特に、リン酸緩衝生理食塩水又はリン酸緩衝ショ糖液、又はリン酸緩衝生理食塩水とリン酸緩衝ショ糖液との混合液である装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の装置であって、
前記高分子が、天然又は合成の高分子電解質又は両性高分子電解質、特に合成の高分子電解質、又は有機高分子電解質のｄ−グルクロン酸を含み、及び／又は、
前記高分子が、分離されるべき前記生体物質の前記粒子の電荷に対応する電荷を前記基礎液のｐＨ値にてもたらす等電点を有し、及び／又は、前記高分子が、約１０，０００〜約１００，０００ｋＤａ、特に約３０，０００〜約７０，０００ｋＤａの分子量を有する装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の装置であって、
前記高分子が、球状蛋白質、特にアルブミン、ウシ又はヒト血清アルブミン、オボアルブミン、ラクトアルブミン又は植物アルブミン、β−ラクトグロブリン、κ−カゼイン、ヒストン、プロタミン、グロブリン、プロラミン、又はグルテリンを、前記緩衝液に対する濃度約３％〜約７％、特に約４％〜約５％で含む装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の装置であって、
前記繊維状蛋白質が、加水分解コラーゲンを、濃度約０．３〜約２０重量％、特に約１〜約１０重量％で含む装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の装置であって、
前記ゼラチンがウシゼラチン、ブタゼラチン、又は硬骨類ゼラチンを含む、及び／又は、前記ゼラチンの濃度が約０．３％〜約１．５％、特に約０．４％〜約０．８％である、及び／又は、前記ゼラチンが約１５０ブルーム以下、特に約７５ブルーム以下の低いゲル強度を有する装置。
【請求項１１】
固有磁性の又は予備的に磁気標識された生体物質を高勾配磁気分離によって分離又は浄化するための方法であって、前記生体物質を有する懸濁液が、外部磁場内に配置された強磁性マトリクス（２）を流通し、前記物質が前記マトリクス（２）に凝着する、方法において、
前記マトリクス（２）が被覆されておらず、前記生体物質が、基礎液と前記マトリクスを流通する間に前記マトリクス（２）の非特異結合部位を飽和させる高分子とを有する緩衝液中に懸濁しており、前記マトリクス（２）と前記マトリクス（２）を包囲する分離カラム（１）とが、純緩衝液、即ち生体物質を含有しない緩衝液を用いた事前孵置により前記懸濁液の貫流前に、且つ、前記マトリクス（２）における非特異結合部位を飽和するための充分に長い期間にわたって平衡していることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、
前記マトリクス（２）が、約３〜約２０分又は約５〜約１０分の持続時間にわたって平衡しており、平衡の間、前記マトリクス（２）が、前記緩衝液により常に覆われ続ける方法。
【請求項１３】
請求項１１又は１２に記載の方法であって、
無用の生体物質を分離するために、前記溶出液、即ち前記マトリクス（２）を出る液体が前記貫流の後に捕捉され、前記マトリクス（２）に前記懸濁液が導入された後、前記磁場がまだ作動している状態で、前記懸濁液が前記マトリクス（２）を完全に確実に出てしまうまで、前記マトリクス（２）を追加の純緩衝液が流通し、前記貫流の間、前記緩衝液により前記マトリクス（２）が常に覆われ続ける方法。
【請求項１４】
請求項１１又は１２に記載の方法であって、
望ましい生体物質を分離するために、前記マトリクス（２）に前記懸濁液が導入された後、磁場がまだ作動している状態で、前記懸濁液が前記マトリクス（２）を完全に確実に出てしまうまで、前記マトリクス（２）を追加の純緩衝液が流通し、続いて、前記外部磁場が空間的分離又はスイッチオフにより作動停止された状態で前記マトリクス（２）が追加の純緩衝液で洗浄され、前記溶出液が捕捉され、前記手順全体の間、前記マトリクス（２）が前記緩衝液により常に覆われ続ける方法。
【請求項１５】
請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の方法であって、
捕捉された前記溶出液が遠心分離され、前記方法が一回又は数回反復され、前記終わりまで遠心分離された生体物質には前記溶出液の液相がない方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月29日(2011.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を形成できる生地において，
前記生地は，生地層と電気伝導区を含み，
前記生地層は，少なくとも１つの裂け目を持ち，前記電気伝導区は前記生地層に設けられ，
前記裂け目の構造，又は前記電気伝導区の構造は，外力によって変化することを特徴とする電子部品を形成できる生地。
【請求項２】
前記電気伝導区は，少なくとも１つの第一電気伝導領域を含み，
前記第一電気伝導領域は，前記裂け目の一端側から裂け目の他端側まで延伸することを特徴とする請求項１に記載の電子部品を形成できる生地。
【請求項３】
前記第一電気伝導領域は，前記裂け目の周囲に位置することを特徴とする請求項２に記載の電子部品を形成できる生地。
【請求項４】
前記第一電気伝導領域は，裂け目の縁から一定の距離に位置する，又は裂け目の縁の周囲に位置することを特徴とする請求項３に記載の電子部品を形成できる生地。
【請求項５】
前記電気伝導区は，少なくとも１つの第一電気伝導領域と，少なくとも１つの第二電気伝導領域を含み，
前記第一電気伝導領域及び前記第二電気伝導領域は，それぞれ裂け目の両側に位置し，
前記第一電気伝導領域及び前記第二電気伝導領域の相対的な位置が外力よって変化することによって，前記第一電気伝導領域及び前記第二電気伝導領域の抵抗，又は電気容量が変化することを特徴とする請求項１に記載の電子部品を形成できる生地。
【請求項６】
前記第一電気伝導領域又は第二電気伝導領域は，前記裂け目の縁から一定の距離で隔てられていることを特徴とする請求項５に記載の電子部品を形成できる生地。
【請求項７】
前記生地の裂け目は，Ｈ型であり，
前記電気伝導区は，第一電気伝導領域と第二電気伝導を含み，
前記第一電気伝導領域と前記第二電気伝導領域は，それぞれ前記Ｈ型の裂け目によって
区分された２つの内部の領域に位置することを特徴とする請求項５に記載の電子部品を形成できる生地。
【請求項８】
前記電気伝導区は，さらに第三電気伝導領域を有し，
前記第三電気伝導領域は，前記Ｈ前記型の裂け目によって区分された外側の領域に位置
することを特徴とする請求項７に記載の電子部品を形成できる生地。
【請求項９】
前記生地はさらに，スペーサーを含み，
前記スペーサーは前記生地層の片側に位置することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の電子部品を形成できる生地。
【請求項１０】
前記生地はさらに，前記電気伝導区に電気的に連接する制御回路を含むことを特徴とする請求項１に記載の電子部品を形成できる生地。
【請求項１１】
前記制御回路は抵抗計又は容量計を含むことを特徴とする請求項１０に記載の電子部品を形成できる生地。
【請求項１２】
前記生地はさらに，制御回路に通じる出力計を含むことを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の電子部品を形成できる生地。
【請求項１３】
前記生地はさらに，生地層に設けられ，制御回路に通じる導電参照区を少なくとも一つ含むことを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の電子部品を形成できる生地。
【請求項１４】
少なくとも一つの前記導電参照区は，二つ以上の参照区を含み，
前記制御回路は，前記二つ以上の参照区との間で電流回路を形成するかどうかによって漏電を判断することを特徴とする請求項１３に記載の電子部品を形成できる生地。
【請求項１５】
前記制御回路は，前記導電参照区と前記電気伝導区の間に電流回路を形成するかどうかによって漏電を判断することを特徴とする請求項１３に記載の電子部品を形成できる生地。
【請求項１６】
前記制御回路は，複数の電気伝導領域の間に電流回路を形成するかどうかによって漏電を判断することを特徴とする請求項１３に記載の電子部品を形成できる生地。
【請求項１７】
前記電気伝導区は，電極として使用されることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の電子部品を形成できる生地。
【請求項１８】
前記生地層の裂け目の両側の材質は，異なることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の電子部品を形成できる生地。
【請求項１９】
前記導電参照区は，電極として使用されることを特徴とする請求項１３に記載の電子部品を形成できる生地。
【請求項２０】
電子部品を形成できる生地において，
前記生地は，二つの生地層と電気伝導区を含み，
前記二つの生地層は，前記二つの生地層の間に裂け目を持ち，前記電気伝導区は前記裂け目がある前記二つの生地層の一端側から他端側に位置し，
前記二つの生地層は積み重ねられ，
前記裂け目の構造，又は前記電気伝導区の構造は，外力によって変化することを特徴とする電子部品を形成できる生地。
【請求項２１】
電子部品を形成できる生地において，
前記生地は，二つの生地層と少なくとも一つの電気伝導区を含み，
前記二つの生地層は，前記二つの生地層の間に裂け目を持ち，前記二つの生地層は積み重ねられ，
前記裂け目の構造，又は前記電気伝導区の構造は，外力によって変化することを特徴とする電子部品を形成できる生地。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月7日(2009.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リング（２２）から形成される第１表示部材（２０）を含むタイプの、時計の表示機構（１２）によって与えられる時間表示を修正するデバイス（１４）であって、
少なくとも１つの時間表示修正位置（Ａ）をとれるように構成された巻真（５０）と、
前記巻真（５０）に取り付けられ、前記巻真（５０）に回転しないよう固定されたピニオン（５２）と、
前記巻真（５０）が前記修正位置（Ａ）をとっているときに前記ピニオン（５２）に機構的に連結される中間修正車（５８）と、
前記表示部材（２０）と協働し、前記中間修正車（５８）によって作動される修正車セット（６８）とを含み、
前記中間修正車（５８）が、内周および外周の少なくとも一方で少なくとも間接的に前記修正車セット（６８）とかみ合う歯（６２）の付けられた内周および外周を備えたリング（６０）から形成され、前記リング（６０）が、その中央部に部品を収容する空間を開放するデバイスにおいて、
前記中間修正車（５８）は、その直径が前記表示部材（２０）の直径に近いか、または、前記底板（１０）に対して中心を外れている
ことを特徴とするデバイス。
【請求項２】
前記中間修正車（５８）が、前記中間修正車（５８）の前記内周または外周の一方によって回転案内される、ことを特徴とする、請求項１に記載の修正デバイス。
【請求項３】
前記中間修正車（５８）が、前記リング（６０）に固定された隆条部によって回転案内される、ことを特徴とする、請求項１に記載の修正デバイス。
【請求項４】
前記中間修正車（５８）が、複数の軸（１５、１６、１８）が貫通する底板（１０）の上に取り付けられること、および、前記中間修正車（５８）が、前記軸の少なくとも１つ（１６）の周囲に回転的に移動可能である
ことを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の修正デバイス。
【請求項５】
前記底板（１０）が、１つの軸（１５）が前記底板（１０）に対して中心に置かれ、他の２つの軸（１６、１８）が中心から外れた、３つの軸（１５、１６、１８）によって通り抜けられること、および、前記中間修正車（５８）が、前記３つの軸（１５、１６、１８）の周囲で回転的に移動可能である
ことを特徴とする、請求項４に記載の修正デバイス。
【請求項６】
前記中間修正車（５８）の直径が、前記表示部材（２０）の直径に近いこと、および、前記修正車セット（６８）が、前記底板（１０）上のおよそ９時のところにある
ことを特徴とする、請求項１に記載の修正デバイス。
【請求項７】
前記中間修正車セットが、中心を外れた単一の軸の周囲に取り付けられること、および、前記中間修正車（５８）の直径が、前記表示部材（２０）の半径に近い
ことを特徴とする、請求項４に記載の修正デバイス。
【請求項８】
前記修正車セット（６８）が、前記底板（１０）上のおよそ６時のところに配置される
ことを特徴とする、請求項７に記載の修正デバイス。
【請求項９】
前記修正車セット（６８）が、前記第１表示部材（２０）と協働する第１位置（Ａ’）と、第２表示部材と少なくとも間接的に協働する第２位置（Ｂ’）との間に摺動可能に取り付けられる
ことを特徴とする、請求項１から８のいずれか一項に記載の修正デバイス。
【請求項１０】
前記修正車セット（６８）が、レバー（７０）上に取り付けられる
ことを特徴とする、請求項９に記載の修正デバイス。
【請求項１１】
前記修正車セット（６８）が、長円形の穴の中に摺動可能に取り付けられることを特徴とする、請求項９に記載の修正デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2010539441.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2010539441.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月16日(2011.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハの少なくとも一部の画像を表示するためのコンピュータ実行方法であって、
コンピュータが、ウェハの検査によって獲得される実質的に前記ウェハ全体の画像のうちの異なる部分であって前記ウェハ上の異なる領域に対応する部分を個別に格納するステップと、
前記コンピュータが、ユーザによって要求された前記異なる部分のみをユーザ・インタフェースに表示するステップと、
を備えるコンピュータ実行方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記異なる領域が、前記ウェハ上で重ならない、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記異なる領域が、実質的に前記ウェハ全体を覆うように前記ウェハ上で互いに隣接している、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記異なる領域が、前記ウェハ上で二次元の碁盤の目状に配列される矩形領域を含む、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記個別に格納するステップが、１以上の画像コンピュータの１以上の記憶媒体に、前記異なる部分を個別に格納するステップを備える、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記個別に格納するステップおよび前記表示するステップが、異なるソフトウェア・モジュールによって実行される、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
前記表示するステップが、前記ユーザによって要求された前記異なる部分に対する１以上の要求を、１以上の画像コンピュータに送信するステップを備える、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、
前記表示するステップが、
前記ユーザ・インタフェースに表示されるべき前記異なる部分に対する前記ユーザからの要求を受信するステップと、
前記要求を１以上の画像コンピュータに分配するステップと、
前記ユーザによって要求された前記異なる部分を前記１以上の画像コンピュータから受信するステップと、
を含む、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
前記表示するステップが、前記ユーザによって要求された前記異なる部分のみを前記ユーザ・インタフェース内に異なる複数の配列で表示するステップを含む、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、
前記表示するステップが、
前記ユーザによって要求された前記異なる部分のみを一時的に格納するステップと、
前記一時的に格納された異なる部分のみを使用して、前記ユーザによって要求された前記異なる部分のみを前記ユーザ・インタフェース内で異なる複数の配列で表示するステップと、
を含む、方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、
前記表示するステップが、前記ユーザによって要求された前記異なる部分のみを異なる複数の解像度で前記ユーザ・インタフェースに表示するステップを含む、方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法であって、
前記個別に格納するステップが、前記異なる部分が獲得される解像度で、前記異なる部分を個別に格納するステップを含む、方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法であって、
前記表示するステップのために前記ユーザから要求を受信する前に、
前記異なる部分の各々の解像度を変更することによって、前記異なる部分の各々に対応する１以上の追加の部分を生成するステップと、
前記１以上の追加の部分を、対応する前記異なる部分とともに個別に格納するステップと、
をさらに備える、方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の方法であって、さらに、
前記コンピュータが、前記表示するステップのために、前記ユーザからの要求と、表示が実行されるべき解像度と、を受信するステップと、
前記コンピュータが、前記受信するステップの後、前記表示するステップの前に、前記ユーザによって要求された前記異なる部分のみの解像度を、前記表示が実行されるべき解像度に変更するステップと、
備える、方法。
【請求項１５】
請求項１に記載の方法であって、
前記表示が、前記ユーザ・インタフェースに同時に表示可能なデータのサイズによって制限されない、方法。
【請求項１６】
請求項１に記載の方法であって、
前記表示が実行される時間は、前記ユーザ・インタフェースが表示されるディスプレイ装置のサイズに比例し、前記ウェハの検査によって獲得される実質的に前記ウェハ全体の前記画像に対応する生データのサイズから独立している、方法。
【請求項１７】
請求項１に記載の方法であって、
前記個別に格納するステップが、多数のウェハのために実行され、
前記表示するステップが、前記ユーザによって要求された、前記多数のウェハのうちの２枚以上のウェハの前記画像の前記異なる部分のみをユーザ・インタフェースに同時に表示するステップを含む、方法。
【請求項１８】
請求項１に記載の方法であって、
前記ユーザによって要求された場合、前記表示するステップが、前記画像の前記異なる部分の全てを表示することによって、実質的に前記ウェハ全体の前記画像を表示するステップを含む、方法。
【請求項１９】
請求項１に記載の方法であって、
前記ユーザによって要求された場合、前記表示するステップが、重ねられる前記ウェハのために生成された追加情報とともに、前記画像の前記異なる部分の全てを表示することによって、実質的に前記ウェハ全体の前記画像を表示するステップを含む、方法。
【請求項２０】
ウェハの少なくとも一部の画像を表示するコンピュータ実行方法を実行するためのコンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令を具える記憶媒体であって、
前記コンピュータ実行方法は、
コンピュータが、ウェハの検査によって獲得される実質的に前記ウェハ全体の画像のうちの異なる部分であって前記ウェハ上の異なる領域に対応する部分を個別に格納するステップと、
前記コンピュータが、ユーザによって要求された前記異なる部分のみをユーザ・インタフェースに表示するステップと、
を備える、記憶媒体。
【請求項２１】
ウェハの少なくとも一部の画像を示すように構成されるシステムであって、該システムは、
前記ウェハを検査することによって実質的に前記ウェハ全体の画像を獲得するように構成される検査システムと、
前記画像の異なる部分であって前記ウェハ上の異なる領域に対応する部分を個別に格納し、ユーザによって要求された前記異なる部分のみをユーザ・インタフェースに表示するように構成されたコンピュータシステムと、
を備えるシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】少なくともウェハの一部の画像を表示するコンピュータ実行方法、記憶媒体およびシステム
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月30日(2011.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
診断を補助する方法であって、
患者の組織検体または体液検体中の複数のバイオマーカを得る工程であって、該複数のバイオマーカの各メンバーが、該複数のバイオマーカの他のメンバー全てと異なり、該複数のバイオマーカは、少なくとも１つの核酸および少なくとも１つのタンパク質を含む工程；
該核酸バイオマーカをＤＮＡ突然変異について分析する工程；
該タンパク質バイオマーカについてのレベルを取得する工程；ならびに
該分析工程および取得工程の結果を互いに対して規格化して、複数の規格化された結果を作り出す工程
を含み、ここで、該複数の規格化された結果は、患者における臨床状態を示す、方法。
【請求項２】
前記複数のバイオマーカの各メンバーは、異なる臨床的情報を提供する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数のバイオマーカの各メンバーは、疾患診断に関連する閾値を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記規格化された結果を単一アウトプットスコアに総合する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記複数のバイオマーカの各メンバーは、同じ臨床状態を示すものである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記複数のバイオマーカの各メンバーは、異なる臨床状態を示すものである、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
診断情報を取得するのを補助するための方法であって、
患者の検体からの少なくとも１つの核酸バイオマーカをＤＮＡ突然変異について分析する工程；、
該患者検体からの少なくとも１つのタンパク質バイオマーカについてのレベルを取得する工程；
該分析工程および取得工程の結果がそれぞれの所定の閾値を上回るか否かに基づいて、該患者検体中の該バイオマーカの各々について二者択一のアウトプットを割り当てる工程；ならびに
該割り当てる工程で得られた二者択一のデータを累積する工程；
を含み、ここで、該累積されたデータは、該患者の臨床状態を示す、方法。
【請求項８】
前記累積する工程は、それぞれの閾値を上回るバイオマーカおよびそれぞれの閾値を上回らないバイオマーカの、パターンを確立する工程をさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記割り当てる工程は、前記バイオマーカの各々から得られた定量的結果を、該定量的結果が前記バイオマーカの各々についての所定の閾値を上回るか否かに基づき、二者択一のアウトプットに変換する工程を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記累積する工程は、前記バイオマーカの各々について前記二者択一のアウトプットの累積総計を得る工程をさらに含む、請求項７に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明のさらなる局面および特徴は、以下の詳細な説明を精査することで明らかなものとなる。
本発明の好ましい実施形態では、例えば以下が提供される：
（項目１）
診断方法であって、
患者由来の組織検体または体液検体から得られる複数のバイオマーカの各々のレベルを得る工程であって、該複数のバイオマーカの各メンバーが、該複数のバイオマーカの他のメンバー全てと異なる工程；
該レベルを互いに対して規格化して、複数の規格化されたレベルを作り出す工程；および
該規格化されたレベルに基づいて、該患者における臨床状態を同定する工程
を含む、診断方法。
（項目２）
前記複数のバイオマーカの各メンバーは、固有の臨床的情報を提供する、項目１に記載の方法。
（項目３）
前記複数のバイオマーカの各メンバーは、疾患診断のための標準治療の閾値を有する、項目１に記載の方法。
（項目４）
前記規格化されたレベルを単一アウトプットスコアに総合する工程をさらに含む、項目１に記載の方法。
（項目５）
前記複数のバイオマーカの各メンバーは同じ臨床状態を示すものである、項目１に記載の方法。
（項目６）
前記複数のバイオマーカの各メンバーは異なる臨床状態を示すものである、項目１に記載の方法。
（項目７）
前記複数のバイオマーカの内の少なくとも一つのメンバーは核酸であり、前記複数のバイオマーカの内の少なくとも一つの他のメンバーはタンパク質である、項目１に記載の方法。
（項目８）
診断情報を取得するための方法であって、
患者由来の検体から得られた複数の別個のバイオマーカを分析する工程；、
該患者由来の検体から得られた該バイオマーカのレベルがそれぞれの所定の閾値を上回るか否かに基づいて、該バイオマーカの各々について二者択一のアウトプットを割り当てる工程；
該割り当てる工程で得られた累積的な二者択一のデータに基づいて、該患者の臨床状態を決定する工程
を含む、方法。
（項目９）
前記決定する工程は、それぞれの閾値を上回るバイオマーカおよびそれぞれの閾値を上回らないバイオマーカの、パターンを確立する工程を含む、項目８に記載の方法。
（項目１０）
前記割り当てる工程は、前記バイオマーカの各々から得られた定量的結果を、該定量的結果が前記バイオマーカの各々について固有な所定閾値を上回るか否かに基づき、二者択一のアウトプットに変換する工程を含む、項目８に記載の方法。
（項目１１）
前記決定する工程は、前記バイオマーカの各々について前記のアウトプットの累積総計を得る工程を含む、項目８に記載の方法。
（項目１２）
疾患状態を同定する方法であって、該方法は、
患者由来の検体の中の複数の別個のバイオマーカの定量的な量を得る工程；
該定量的な量が該バイオマーカの各々について確立された所定基準を上回るか否かに基づいて、該バイオマーカの各々に二者択一のアウトプットを割り当てる工程；
該バイオマーカの大部分がそれぞれの閾値を上回るときに、該患者の該疾患状態を同定する工程
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月8日(2011.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コアと歯（２）とを有する歯車であって、前記コアが、剛性の熱可塑性ポリマーの第１の材料を含み、前記歯（２）が、２層の歯を構成するために、前記コアの第１の材料と、その上に表皮（１）として成形された、高伸張性の熱可塑性物質の第２の材料を含み、噛み合い時の強度に影響を及ぼす観点から前記コア底と前記表皮に一様に作用するように前記歯（２）の歯底における前記表皮の厚さが、前記歯のピッチ線における前記表皮の厚さの１．５〜１０倍である、歯車。
【請求項２】
歯車の製造方法であって、
Ｉ．歯（２）を有するコアを硬質の熱可塑性ポリマーの第１の材料から成形する工程と、
ＩＩ．前記第１の材料を固化させる工程と、
ＩＩＩ．噛み合い時の強度に影響を及ぼす観点から前記コア底と表皮に一様に作用するように歯底における前記表皮の厚さが、前記歯のピッチ線における前記表皮の厚さの１．５〜１０倍になるように、前記歯にわたって高伸張性の熱可塑性物質の第２の材料で作製された表皮（１）を成形する工程と
を含む、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
第１の材料からのコアの成形は、当業者に公知の任意の成形方法によって行うことができる。例えば、射出成形機が周知であり、東芝（Ｔｏｓｈｉｂａ）、住友（Ｓｕｍｉｔｏｍｏ）、日精（Ｎｉｓｓｅｉ）、ファナック（Ｆａｎｕｃ）、Ｂａｔｔｅｎｆｅｌｄ、Ｅｎｇｅｌｓなどの多くの製造業者によって製造されている。射出成形プロセスにおいては、溶融ポリマーが、所要の形状および寸法の金型に圧力下に注入される。この金型は冷却され、最終部品が取り出される。本発明の方法では、取り出された部品は、必要に応じてトリミングされた後、第２の材料の２回目の注入用のコアとして用いられる。ポリマーの２回目の注入によって加えられるべき圧力がコアを変形または変位させる（これがギアの寸法を不正確にする）ことのないように、コアは金型内にしっかりと保持される必要がある。金型におけるコアの移動は、通常、「コアずれ」と呼ばれ、圧力の不均衡が大きくなるときに特に著しい。この不均衡を最小限に抑えるために、充填の任意の所与のタイミングにおけるコアのあらゆる側にかかる圧力が互いに相殺され得るように、第２の材料の流路を決定すべきである。例えば、コアの前側および裏側における溶融物の前進が等しい場合、それによってコアにかかる圧力は、平衡状態において想定され得る。コア上に表皮を形成する第２の材料は必然的に、１つの側、すなわちキャビティの側に充填されることになる。そのため、考慮事項が特にない場合、溶融物がコアの側よりキャビティの側に速く広がるにつれて、コアがコアの側に向かって変形し得る。本発明の一実施形態においては、穿孔をコアに任意選択的に設けることは、コアの両側をつなぐ流路を提供し、それによりコアにかかる圧力の均衡をとることを意味する。
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
１．コアと歯（２）とを有する歯車であって、前記コアが、剛性の熱可塑性ポリマーの第１の材料を含み、前記歯（２）が、２層の歯を構成するために、前記コアの第１の材料と、その上に表皮（１）として成形された、高伸張性の熱可塑性物質の第２の材料を含み、噛み合い時の強度に影響を及ぼす観点から前記コア底と前記表皮に一様に作用するように前記歯（２）の歯底における前記表皮の厚さが、前記歯のピッチ線における前記表皮の厚さの１．５〜１０倍である、歯車。
２．前記コアが強化樹脂を含み、前記表皮（３）が非強化樹脂を含む前記１に記載の歯車。
３．歯車の製造方法であって、
Ｉ．歯（２）を有するコアを硬質の熱可塑性ポリマーの第１の材料から成形する工程と、
ＩＩ．前記第１の材料を固化させる工程と、
ＩＩＩ．噛み合い時の強度に影響を及ぼす観点から前記コア底と表皮に一様に作用するように歯底における前記表皮の厚さが、前記歯のピッチ線における前記表皮の厚さの１．５〜１０倍になるように、前記歯にわたって高伸張性の熱可塑性物質の第２の材料で作製された表皮（１）を成形する工程と
を含む、方法。
４．前記コアが強化樹脂を含み、前記表皮（１）が非強化樹脂を含む前記３に記載の方法。