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【手続補正書】
【提出日】平成23年5月27日(2011.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構成素子であって、
・少なくとも１つの放射方向に電磁ビーム（１３０）を放射するための少なくとも１つの第１光学的アクティブ領域（１１２）と、
・前記少なくとも１つの放射方向に電磁ビーム（１３０）を放射するための少なくとも１つの第２光学的アクティブ領域（１２２）
を有する形式の半導体構成素子において、
・前記第１領域（１１２）は第１層（１１０）に配置されており、前記第２領域（１２２）は第２層（１２２）に配置されており、
前記第２層（１２０）は、放射方向において前記第１層（１１０）の上に配置されており、前記第１領域（１１２）に割り当てられた第１透過領域（１２４）を有しており、
該第１透過領域は、前記第１領域（１１２）の前記電磁ビーム（１３０）に対して少なくとも部分的に透過性であり、
前記第１層と前記第２層（１１０，１２０）との間に、少なくとも１つの金属製材料からなる層が配置されており、
該層は、前記第１領域（１１２）に割り当てられた第２透過領域において少なくとも１つの切欠部を有する
ことを特徴とする半導体構成素子。
【請求項２】
前記第２層（１２０）は、前記第１透過領域（１２４）において、前記第１層（１１０）の前記電磁ビーム（１３０）を透過するための少なくとも１つの切欠部を有する、
ことを特徴とする請求項１記載の半導体構成素子。
【請求項３】
前記第２層（１２０）は、前記第１透過領域（１２４）において、少なくとも１つの切欠部を備える金属製材料を含む、
ことを特徴とする請求項２記載の半導体構成素子。
【請求項４】
前記第２層（１２０）は、前記第１透過領域（１２４）において、前記第１層（１１０）の前記電磁ビーム（１３０）を透過するための少なくとも１つの透明または不透明な材料を有する、
ことを特徴とする請求項１記載の半導体構成素子。
【請求項５】
前記金属製材料は、前記第１領域（１１２）および／または第２領域（１２２）から熱を排出するように構成されている、
ことを特徴とする請求項１記載の半導体構成素子。
【請求項６】
前記第１透過領域（１２４）および前記第２領域（１２２）は、空間的に隣接しており、かつ空間的につながった１つの放射領域を形成している、
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の半導体構成素子。
【請求項７】
少なくとも前記第１層および第２層（１１０，１２０）は、共通の１つのケーシングボディ（５７０）の中に配置されており、
該ケーシングボディ（５７０）は光学素子を含み、
該光学素子は、第１領域および／または第２領域（１１２，１２２）から放射される電磁ビーム（１３０）を、所定の方式で、とりわけ周波数変換、回折、屈折、および／またはフィルタリングによって変換する、
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載の半導体構成素子。
【請求項８】
前記第１領域および／または前記第２領域（１１２，１２２）は、基板レスの半導体構造として、とりわけダイオード構造（２１０）として構成されている、
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項記載の半導体構成素子。
【請求項９】
前記第１層（１１０）および前記第２層（１２０）は、それぞれ半導体基板であり、
前記ダイオード構造（２１０）は、前記半導体基板の半導体材料にドープすることによって形成されている、
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項記載の半導体構成素子。
【請求項１０】
前記第１領域および／または前記第２領域（１１２，１２２）は、電磁ビーム（１３０）を、前記放射方向および該放射方向とは反対の方向に放射するように構成されている、
ことを特徴とする請求項８または９記載の半導体構成素子。
【請求項１１】
前記第１層と前記第２層（１１０，１２０）との間に、前記第１領域および／または前記第２領域（１１２，１２２）の熱を排出するための少なくとも１つの冷却層（５２０）が配置されており、
該冷却層は、少なくとも前記第１領域（１１２）に割り当てられた第２透過領域において、部分的に透明に構成されている、
ことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項記載の半導体構成素子。
【請求項１２】
前記冷却層は、少なくとも部分的に冷却液によって充填された空洞を含む、
ことを特徴とする請求項１１記載の半導体構成素子。
【請求項１３】
前記第１領域および前記第２領域（１１２，１２２）は、放射方向において上下に重なり合って配置されている、
ことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項記載の半導体構成素子。
【請求項１４】
前記第１層および／または前記第２層（１１０，１２０）は、電磁ビーム（１３０）を放射するための複数の光学的アクティブ領域（１１２，１２２）を有し、
前記第１層（１１０）の各光学的アクティブ領域（１１２）に、それぞれ前記第２層（１２０）の第１透過領域（１２４）が割り当てられている、
ことを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項記載の半導体構成素子。
【請求項１５】
前記半導体構成素子は、電磁ビーム（１３０）を放射するためのそれぞれ少なくとも１つの光学的アクティブ領域（１１２，１２２，３３２，３４２，３５２）を備える、上下に重なり合って配置された複数の層（１１０，１２０，３３０，３４０，３５０）を有しており、
この際、それぞれ上に位置する各層（１２０，３３０，３４０，３５０）は、その下に位置する層（１１０，１２０，３３０，３４０）の電磁ビーム（１３０）に対する少なくとも１つの透過領域（１２４）を有する、
ことを特徴とする請求項１〜１４のいずれか一項記載の半導体構成素子。
【請求項１６】
半導体構成素子の製造方法において、
・少なくとも１つの放射方向に電磁ビーム（１３０）を放射するための少なくとも１つの第１光学的アクティブ領域（１１２）を備える第１層（１１０）を製造し、
・該第１層（１１０）を、ケーシングボディ（５７０）の中、または支持材料（１４０）の上に配置し、
・電磁ビーム（１３０）を放射するための少なくとも１つの第２光学的アクティブ領域（１２２）と、少なくとも１つの透明または半透明の透過領域（１２４）とを備える第２層（１２０）を製造し、
・該第２層（１２０）を前記第１層（１１０）の上に配置し、
この際、前記第２層（１２０）の前記透過領域（１２４）を、透過方向において、前記第１層（１１０）の前記第１領域（１１２）の上に配置し、
・前記第１層と前記第２層（１１０，１２０）との間に、少なくとも１つの切欠部を有する金属製材料からなる層を、該少なくとも１つの切欠部が前記第１領域（１１２）に割り当てられた第２透過領域に配置されるように配置する、
ことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月2日(2011.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路メモリチップであって、
ページ単位でアクセス可能な不揮発性メモリセルアレイであって、各ページが１グループのメモリセルからなり、前記１グループの各メモリセルが前記アレイの列内にあり、かつ共通ワード線によりアクセス可能な行沿いに並ぶ不揮発性メモリセルアレイと、
プログラムされる各ページに対応する開始列位置を有する一連の同一ではない開始列位置と、
前記対応開始列位置のアドレスを生成するアドレスジェネレータと、
前記アドレスジェネレータに応答して、前記対応開始列位置から始めて前記ページが埋め尽くされるまで各ページにプログラムされるデータを折り返し配列する各列につき１セットのデータラッチと、
配列されたデータを各ページに並行してプログラムするプログラミング回路と、
を備えるメモリチップ。
【請求項２】
請求項１記載のメモリチップにおいて、
前記ページには連続番号が付され、ページに対応する前記開始列位置は前記ページ番号の関数であるメモリチップ。
【請求項３】
請求項２記載のメモリチップにおいて、
前記関数により、前記列位置は前記グループ内のセル数のモジュロに所定数を加えたものとなるメモリチップ。
【請求項４】
請求項３記載のメモリチップにおいて、
前記所定数は、０であるメモリチップ。
【請求項５】
請求項１記載のメモリチップにおいて、
擬似ランダムジェネレータをさらに備え、
前記一連の同一ではない開始列位置は、前記擬似ランダムジェネレータによりオンチップで生成されるメモリチップ。
【請求項６】
請求項５記載のメモリチップにおいて、
前記擬似ランダムジェネレータは、前記メモリチップの外部のイベントによってトリガされるタイミングにも応答し、
前記一連の同一ではない開始列位置は、前記タイミングの関数でもあるメモリチップ。
【請求項７】
請求項１記載のメモリチップにおいて、
プログラムされる各データページの第１および第２の符号化法と、
各ページにつき１つの一連の極性ビットと、
前記ページの前記極性ビットが第１の状態にあるか、それとも第２の状態にあるかに応じて、第１または第２の符号化法により、前記データページを符号化するエンコーダと、
をさらに備えるメモリチップ。
【請求項８】
集積回路メモリチップであって、
ページ単位でアクセス可能な不揮発性メモリセルアレイであって、各ページが１グループのメモリセルからなり、前記１グループの各メモリセルが前記アレイの列内にあり、かつ共通ワード線によりアクセス可能な行沿いに並ぶ不揮発性メモリセルアレイと、
データがプログラムされる各列セットにつき第１および第２の符号化法と、
ページの各列セットにつき１つの一連の同一ではない極性ビットと、
各列セットに対応する前記データビットを、前記列セットの前記極性ビットが第１の状態にあるか、それとも第２の状態にあるかに応じて、第１または第２の符号化法により、符号化するエンコーダと、
前記符号化されたデータを各ページに並行してプログラムするプログラミング回路と、
を備えるメモリチップ。
【請求項９】
請求項８記載のメモリチップにおいて、
前記第１の符号化法は、各列に対応する前記データビットを変えずに残し、前記第２の符号化法は、前記データビットを反転させるメモリチップ。
【請求項１０】
請求項８記載のメモリチップにおいて、
擬似ランダムジェネレータをさらに備え、
前記一連の極性ビットは、前記擬似ランダムジェネレータによって生成されるメモリチップ。
【請求項１１】
請求項１記載のメモリチップにおいて、
前記アレイの前記メモリセルは、ＮＡＮＤアーキテクチャで構成されるメモリチップ。
【請求項１２】
ページ単位でアクセス可能な不揮発性メモリセルアレイを有し、各ページが１グループのメモリセルからなり、前記１グループの各メモリセルが前記アレイの列内にあり、かつ共通ワード線によりアクセス可能な行沿いに並ぶ集積回路メモリチップで、前記アレイにデータをプログラムする方法であって、
プログラムされる各ページに対応する開始列位置を有する一連の同一ではない開始列位置をオンチップで生成するステップと、
各ページにプログラムされるデータを、前記対応開始列位置から始めて前記ページが埋め尽くされるまで折り返し、配列するステップと、
前記配列されたデータを各ページに並行してプログラムするステップと、
を含む方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の方法において、
前記ページには連続番号が付され、ページに対応する前記開始列位置は前記ページ番号の関数である方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の方法において、
前記関数により、前記列位置は前記グループ内のセル数のモジュロに所定数を加えたものとなる方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の方法において、
前記所定数は、０である方法。
【請求項１６】
請求項１２記載の方法において、
前記一連の同一ではない開始列位置は、擬似ランダムジェネレータによりオンチップで生成される方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の方法において、
前記擬似ランダムジェネレータは、前記メモリチップの外部のイベントによってトリガされるタイミングにも応答し、
前記一連の同一ではない開始列位置は、前記タイミングの関数でもある方法。
【請求項１８】
請求項１７記載の方法において、
前記外部イベントは、前記メモリチップのユーザによって生起される方法。
【請求項１９】
請求項１７記載の方法において、
前記外部イベントは、外部のメモリコントローラによって生起される方法。
【請求項２０】
請求項１２記載の方法において、
プログラムされる各データページにつき第１および第２の符号化法を提供するステップと、
一連の同一ではない極性ビットを、各ページにつき１つずつ、オンチップで生成するステップと、
前記ページの前記極性ビットが第１の状態にあるか、それとも第２の状態にあるかに応じて、第１または第２の符号化法により、前記データページを符号化するステップと、
をさらに含む方法。
【請求項２１】
ページ単位でアクセス可能な不揮発性メモリセルアレイを有し、各ページが１グループのメモリセルからなり、前記１グループの各メモリセルが前記アレイの列内にあり、かつ共通ワード線によりアクセス可能な行沿いに並ぶ集積回路メモリチップで、前記アレイにデータをプログラムする方法であって、
データがプログラムされる各列セットにつき第１および第２の符号化法を提供するステップと、
一連の同一ではない極性ビットを、ページの各列セットにつき１つずつ、オンチップで生成するステップと、
各列セットに対応する前記データビットを、各列セットの前記極性ビットが第１の状態にあるか、それとも第２の状態にあるかに応じて、第１または第２の符号化法により、符号化するステップと、
前記符号化されたデータを各ページに並行してプログラムするステップと、
を含む方法。
【請求項２２】
請求項２１記載の方法において、
前記第１の符号化法は各列セットに対応する前記データビットを変えずに残し、前記第２の符号化法は前記データビットを反転させる方法。
【請求項２３】
請求項２１記載の方法において、
前記一連の同一ではない極性ビットは、擬似ランダムジェネレータによりオンチップで生成される方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月1日(2011.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの第一感応区を有する少なくとも一つの第一層と，
少なくとも一つの部品と前記部品と接続される少なくとも一つ接続部を有する少なくとも一つの延伸部とを有し，
前記延伸部は，前記第一層の前記第一感応区の位置に対応する位置に少なくとも一つの第二感応区を有し，
前記第一感応区及び前記第二感応区は誘導結合され，前記誘導結合の条件は外力により変化する，
分離感応区を持つ生地。
【請求項２】
請求項１に記載の分離感応区を持つ生地であって，
前記第二感応区は，前記延伸部の前記接続部により形成される，
生地。
【請求項３】
請求項１に記載の分離感応区を持つ生地であって，
前記第一感応区及び前記第二感応区と接続される少なくとも一つ制御回路をさらに有する，
生地。
【請求項４】
請求項３に記載の生地であって，
前記制御回路は，前記第一又は第二感応区により引き起こされる電磁誘導力を検出する，
生地。
【請求項５】
請求項１に記載の生地であって，
前記生地のある層に位置する少なくとも一つ電気伝導可能な参照区をさらに有し，
前記第一感応区及び前記第二感応区も参照区である，
生地。
【請求項６】
請求項５に記載の生地であって，
制御回路と電気的に接続された少なくとも２つの参照区を更に有し，
前記制御回路は，漏電を検出するための抵抗計又は蓄電計を有する，
生地。
【請求項７】
請求項６に記載の生地であって，
前記第一感応区，前記第二感応区又は前記参照区は，電極として用いられる，
生地。
【請求項８】
請求項１に記載の生地であって，
前記第一層は，一の穴を有し，
前記第一感応区は，前記穴の周囲に形成されている，
生地。
【請求項９】
請求項８に記載の生地であって，
前記第一感応区は，穴の縁に沿って形成され，前記穴の縁から一定距離を隔てられている，
生地。
【請求項１０】
請求項８に記載の生地であって，
前記接続部は，前記穴を貫通する，
生地。
【請求項１１】
請求項１に記載の生地であって，
前記延伸部は，前記部品に接続する補強線を有する，
生地。
【請求項１２】
分離感応区を持つ生地において，
第一層及び第二層を有し，
前記第一層は，少なくとも一つの第一感応区と少なくとも一つの延伸部とを有するセンサーを形成する部分を有し，
前記少なくとも一つの延伸部は，少なくとも一つの部品と，前記少なくとも一つの部品及び前記第二層と接続される少なくとも一つ接続部を有し，
前記延長部には，前記第一層の前記第一感応区の位置に対応する位置に少なくとも一つの第二感応区があり，
前記第一感応区及び前記第二感応区の距離は，外力により変化する，
生地。
【請求項１３】
請求項１２に記載の生地であって，
前記物品は，前記第一層及び前記第二層の間に位置し，
前記第一層及び前記第二層は，あるひとつの服又は装飾品(ｇａｒｍｅｎｔ)である
生地。
【請求項１４】
請求項１２に記載の生地であって，
前記部品は，前記第一感応区又は前記第二感応区を自由に通過させるチャネルを有する，
生地。
【請求項１５】
請求項１２に記載の生地であって，
前記延伸部は，前記接続部を通じて前記第二層と接続され，
前記第一層の前記第一感応区は，前記部品に設けられたチャネルを貫通する一本のワイヤにより形成される，
生地。
【請求項１６】
請求項１２に記載の生地であって，
参照区を更に有する，
生地。
【請求項１７】
請求項１６に記載の生地であって，
前記第一感応区，前記第二感応区又は前記参照区は，電極として用いられる，
生地。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月5日(2011.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
極紫外線リソグラフィ装置のための流れ管理システムであって、
少なくとも部分的に第１の空間を取り囲む第１の囲い壁と、
極紫外線光を放出するプラズマを前記第１の空間に発生させるシステムと、
少なくとも部分的に第２の空間を取り囲む第２の囲い壁と、
少なくとも部分的に通路を取り囲んで、ＥＵＶ光が前記第１の空間から該通路に入ることを可能にする第１の開放端とＥＵＶ光が該通路を出て前記第２の空間に入ることを可能にする第２の開放端とを有し、かつ該第１及び第２の端部に対して低減された断面積を有する位置を確立する形状を有する、該第１の空間から該第２の空間までの汚染物質の流れを抑制する細長い本体と、
前記本体の前記第１の端部と低減された断面積を有する前記位置との間の地点で前記通路内にガスを導入するように位置決めされた開口を出るガス流と、
を含むことを特徴とするシステム。
【請求項２】
プラズマを前記通路に生成するために該通路に電磁界を発生させるための光源を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
荷電粒子を偏向させるために前記第２の空間に電界を確立するための１対の電極を更に含むことを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記光源は、前記通路に誘導結合放電プラズマを作り出すための高周波コイルを含むことを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
前記光源は、前記通路に直流電極放電を生成することを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項６】
前記光源は、前記通路に高周波電極放電を生成することを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項７】
前記電極放電は、グロー放電であることを特徴とする請求項５又は６に記載のシステム。
【請求項８】
前記電極放電は、コロナ放電であることを特徴とする請求項５又は６に記載のシステム。
【請求項９】
前記細長い本体の温度を所定の範囲内に維持する温度制御システムを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記細長い本体の前記通路に配置された少なくとも１つのベーンを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記本体の前記第１の端部と低減された断面積を有する前記位置との間のそれぞれの地点で前記通路内にガスを導入するように各々位置決めされた複数の開口を含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
前記開口から前記細長い本体の前記第１の端部の方向に流れを向けるノズルを含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
流れ管理システムを有する極紫外線リソグラフィ装置であって、該流れ管理システムは、
少なくとも部分的に第１の空間を取り囲む第１の囲い壁と、
極紫外線光を放出するプラズマを前記第１の空間に発生させるシステムと、
少なくとも部分的に第２の空間を取り囲む第２の囲い壁と、
少なくとも部分的に通路を取り囲んで、ＥＵＶ光が前記第１の空間から該通路に入ることを可能にする第１の開放端とＥＵＶ光が該通路を出て前記第２の空間に入ることを可能にする第２の開放端とを有し、かつ該第１及び第２の端部に対して低減された断面積を有する位置を確立する形状を有する、該第１の空間から該第２の空間までの汚染物質の流れを抑制する細長い本体と、
ガス流を供給する開口であって、前記本体の前記第１の端部と低減された断面積を有する前記位置との間の地点で前記通路内にガスを導入するように位置決めされた、前記開口と、
を含み、
前記第１の空間はガスが配置された第１のチャンバであり、前記第２の空間はガスが配置された第２のチャンバであり、
前記極紫外線リソグラフィ装置は更に、中間チャンバからガスを除去するポンプを含むことを特徴とする極紫外線リソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記ポンプは、前記開口を出る前記ガス流及び前記第１及び第２のチャンバ内の作動圧力と協働して、該第２のチャンバから前記中間チャンバ内に向けられたガス流と、該開口から前記細長い本体の前記第１の開放端を通って該第１のチャンバに入るガス流とを確立することを特徴とする請求項１３に記載の極紫外線リソグラフィ装置。
【請求項１５】
前記通路が前記第１の空間と前記第２の空間との間に流体連通を確立しており、この流体連通が確立されていない場合には、前記第２の空間は前記第１の空間からシールされていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月19日(2011.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅含有基材を研磨するための化学機械研磨(ＣＭＰ)組成物であって、該組成物が、
(a)1質量パーセント以下の粒子状研磨剤、
(b)高分子電解質、
(c)銅錯化剤、及び
(d)水性キャリア、
を含む、組成物。
【請求項２】
前記高分子電解質が少なくとも10,000グラム-パー-モル(g/mol)の重量平均分子量を有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記高分子電解質がアニオン性又は両性ポリマーを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記高分子電解質がアクリル酸のポリマー又はコポリマーを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記銅錯化剤がアミノポリカルボキシレートを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記高分子電解質がカチオン性ポリマーを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
前記銅錯化剤がアミノ酸を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記高分子電解質が50から1000ppmの範囲の濃度で前記組成物中に存在する、請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
前記銅錯化剤が0.5から1.5質量パーセントの範囲の濃度で前記組成物中に存在する、請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
粒子状研磨剤が100nm以下の平均粒子サイズを有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項１１】
粒子状研磨剤が二酸化チタン及び二酸化ケイ素からなる群から選ばれる少なくとも一つの金属酸化物を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項１２】
銅含有基材を研磨するための化学機械研磨(ＣＭＰ)組成物であって、該組成物が、
(a)100nm以下の平均粒子サイズを有する1質量パーセント以下の粒子状研磨剤、
(b)100から1000ppmのアニオン性又は両性高分子電解質、
(c)0.5から1.5質量パーセントのアミノポリカルボキシレート銅錯化剤、及び
(d)水性キャリア、
を含む、組成物。
【請求項１３】
前記高分子電解質が少なくとも50,000グラム-パー-モル(g/mol)の重量平均分子量を有する、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１４】
前記高分子電解質がアクリル酸のポリマー又はコポリマーを含む、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１５】
前記高分子電解質がアクリル酸とアクリルアミドのコポリマーを含む、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１６】
前記アミノポリカルボキシレートがイミノ二酢酸又はその塩を含む、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１７】
前記粒子状研磨剤が二酸化チタン及び二酸化ケイ素からなる群から選ばれる少なくとも一つの金属酸化物を含む、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１８】
銅含有基材を研磨するための化学機械研磨(ＣＭＰ)組成物であって、該組成物が、
(a)100nm以下の平均粒子サイズを有する1質量パーセント以下の粒子状研磨剤、
(b)10から150ppmのカチオン性高分子電解質、
(c)0.5から1.5質量パーセントのアミノ酸銅錯化剤、及び
(d)水性キャリア、
を含む、組成物。
【請求項１９】
前記高分子電解質が少なくとも15,000グラム-パー-モル(g/mol)の重量平均分子量を有する、請求項１８に記載の組成物。
【請求項２０】
前記カチオン性高分子電解質がポリ(2-[(メタクリロイルオキシ)エチル]トリメチル塩化アンモニウム）を含む、請求項１８に記載の組成物。
【請求項２１】
前記アミノ酸がグリシンを含む、請求項１８に記載の組成物。
【請求項２２】
前記粒子状研磨剤が二酸化チタン及び二酸化ケイ素からなる群から選ばれる少なくとも一つの金属酸化物を含む、請求項１８に記載の組成物。
【請求項２３】
銅含有基材を研磨する方法であって、該方法が、請求項１に記載のＣＭＰ組成物で該基材の表面を摩耗させることを含む、方法。
【請求項２４】
前記ＣＭＰ組成物が、100から1000ppmの高分子電解質及び0.5から1.5質量パーセントの銅錯化剤を含み、並びに該高分子電解質がアニオン性又は両性ポリマーを含み、さらに該銅錯化剤がアミノポリカルボキシレート化合物を含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記ＣＭＰ組成物が、10から150ppmの高分子電解質及び0.5から1.5質量パーセントの銅錯化剤を含み、並びに該高分子電解質がカチオン性ポリマーを含み、さらに該銅錯化剤がアミノ酸を含む、請求項２３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月12日(2011.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転式収着濃縮器のその場での再生方法であって、
動作サイクル中に、収着濃縮器媒体が複数の処理区画を順次通過するように該媒体を回転させ、
第１の区画において前記媒体によって除去すべき汚染物質を含有するプロセス流体流を通し、
第１の温度範囲で第２の区画において脱着流体流を前記媒体に通して、前記第１の区画において前記媒体によって吸着された汚染物質を除去し、
前記第１の温度範囲より高い第２の温度範囲で第３の区画において再生流体流を前記媒体に通して、前記媒体を再生し、該媒体から残りの汚染物質を除去する、
各工程を有してなる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月19日(2011.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶融物を注入する射出成形金型（１）を有する射出成形機（Ｐ）の監視、データの記録及び／又は制御する方法であって、
金型（１）内の溶融物の粘性が圧力差（ΔＰ）、キャビティ（１．１；９；１７；２０）の形状及び溶融物の流れ速度（Δｔ）に基づいたせん断応力とせん断速度の商により直接に算定され、
前記粘性は、少なくとも１つの金型内圧力センサ（１０）及び／又は少なくとも１つの金型壁温度センサ（１１）により算定され、
前記せん断応力に対しては溶融物が金型内圧力センサ（１０）に到達した際の圧力と金型壁温度センサ（１１）到達した際の圧力との圧力差（Δｐ）が用いられ、前記流れ速度に対しては溶融物が金型内圧センサ（１０）から金型壁温度センサ（１１）に到達するのに要する時間（Δｔ）が用いられることを特徴とする方法。
【請求項２】
溶融物を注入する射出成形金型（１）を有する射出成形機（Ｐ）の監視、データの記録及び／又は制御する方法であって、
金型（１）内の溶融物の粘性が圧力差（ΔＰ）、キャビティ（１．１；９；１７；２０）の形状及び溶融物の流れ速度（Δｔ）に基づいたせん断応力とせん断速度の商により直接に算定され、
前記粘性は、キャビティ（１７）の溶融物の流路に備えられた少なくとも１つの金型壁温度センサ（１８）に基づいて算定され、
せん断応力を決定するのに、溶融物を射出するのに必要なキャビティ内に備えられた機構により測定された動力より間接的に得られる射出成形機（Ｐ）の油圧系（７）及び／又はホットランナーにおける圧力差（Δｐ）が用いられ、
せん断速度（Δｔ）を決定するのにキャビティ（１７）の溶融物の流入口（ゲート１９）から金型壁温度センサ（１８）の位置まで距離又は所要時間が用いられることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法を実行する装置であって、
少なくとも１つの金型内圧力センサ（１０、２１、２２）及び金型壁温度センサ（１１、１８）が備えられ、
溶融物をキャビティ（１．１、９、１７、２０）に注入する間に測定される圧力差及びキャビティ（１．１、９、１７、２０）の形状により算定されるせん断応力とせん断速度の商から前記粘性が算定されることを特徴とする装置。
【請求項４】
金型内圧力センサ（１０）はキャビティ（９）の溶融物流入口（ゲート１９）近くに備えられ、金型壁温度センサ（１１）は前記流入口に続く流路（Ｓ９）に備えられていることを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項５】
金型壁温度センサ（１１）は溶融物の流路の近くに備えられていることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の装置。
【請求項６】
請求項２に記載の方法を実行する装置であって、
溶融物の流入口（ゲート１９）から所定の距離（Ｓ１７）のキャビティの壁に金型壁温度センサ（１８）が備えられ、
射出成形機（Ｐ）の注入ノズル（６）及び／又は油圧系及び／又はホットランナーに圧力センサが備えられていることを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
工作機械のスピンドル（１）との接続部（５）を備え、工作機械上に工具を取り付けるための工具ホルダ（２）であって、前記スピンドル（１）用の前記接続部（５）から見ると、工具ホルダ（２）の基本材料とは、より低い線膨張率α、および、より低い熱伝導率λのうちの少なくとも一方が異なる材料部（６）を備える工具ホルダ（２）であって、
前記材料部（６）は、工具スピンドルから熱が伝達することに起因する長さの変化を低減するために、前記工具ホルダ（２）の工具側部分および該工具ホルダ（２）内に収容される工具（３）と、前記工具スピンドル（１）との間における熱分離をもたらす
ことを特徴とする工具ホルダ。
【請求項２】
請求項１に記載の工具ホルダであって、
前記材料部（６）は、５μｍ／ｍＫ未満の線膨張率α、および、１１Ｗ／ｍＫ未満の熱伝導率λのうちの少なくとも一方を有する
ことを特徴とする工具ホルダ。
【請求項３】
請求項１または２に記載の工具ホルダであって、
該工具ホルダの軸に対して横方向に該工具ホルダを貫く少なくとも１つの連続断面において、前記材料部（６）が前記軸の方向に突出する断面の５０％を超えて延在する
ことを特徴とする工具ホルダ。
【請求項４】
請求項１〜３のうちの１つに記載の工具ホルダであって、
前記材料部（６）は、前記工具ホルダの予め定められた軸長ｌを超えて延在している
ことを特徴とする工具ホルダ。
【請求項５】
請求項４に記載の工具ホルダであって、
前記材料部（６）は、前記工具ホルダを分割する
ことを特徴とする工具ホルダ。
【請求項６】
請求項１〜５のうちの１つに記載の工具ホルダであって、
前記工具ホルダの前記基本材料が、該工具ホルダ（２）にとって必要な固有の安定性をもたらす厚さを保つように、前記材料部（６）が、スピンドル（１）との前記接続部（５）の接触面（５ａ）から離れて位置している
ことを特徴とする工具ホルダ。
【請求項７】
請求項１〜６のうちの１つに記載の工具ホルダであって、
前記材料部（６）は、前記スピンドルノーズの前面が存在する平面から、前記材料部（６）までの分離材料における最短距離が１０ｍｍ以下であるように構成されている
ことを特徴とする工具ホルダ。
【請求項８】
請求項１〜７のうちの１つに記載の工具ホルダであって、
前記工具は、測定センサ（３）である
ことを特徴とする工具ホルダ。
【請求項９】
請求項１〜８のうちの１つに記載の工具ホルダを備える測定センサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
この目的は、請求項１および９の特徴により達成される。
従属請求項は、本発明の有利かつ好適な展開を特定している。
本発明は、まず、工作機械との接続部を備える、工作機械上に測定センサを取り付けるための工具ホルダから始まる。本工具ホルダは、スピンドル用の接続部から見ると、線膨張率αがより低く、かつ／あるいは熱伝導率λがより低いことにおいて工具ホルダの通常の基本材料とは異なる、材料部を備える。本発明の本質的な態様は、比較的熱い工具スピンドルから伝わる熱が伝達することによる長さの変化を低減させるために、材料部が、工具ホルダの工具側部分と、工具ホルダ内に収容された工具との間で、工具スピンドルから熱分離をもたらすことである。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月31日(2011.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの表面の少なくとも一部が、光触媒酸化チタンを含む被膜でコーティングされている基材を含む材料であって、前記基材および／又は前記基材と光触媒酸化チタンを含む前記被膜との間に設置された被膜が、可視又は赤外線領域の波長を有する放射線を紫外線領域の波長を有する放射線に変換することが可能な化合物である少なくとも１つの波長変換化合物を含むことを特徴とする前記材料。
【請求項２】
前記少なくとも１つの波長変換化合物が、鉱物マトリックスに加えられた少なくとも１つの希土類又は遷移金属のイオンを含む請求項１に記載の材料。
【請求項３】
前記少なくとも１つの希土類又は遷移金属のイオンが、Ｙｂ３＋、Ｔｂ３＋、Ｔｍ３＋、Ｅｕ３＋、Ｅｕ２＋、Ｅｒ３＋、Ｐｒ３＋、Ｎｄ３＋、Ｄｙ３＋、Ｈｏ３＋、Ｔｉ２＋、Ｎｉ２＋、Ｍｏ３＋、Ｏｓ４＋、Ｒｅ４＋、Ｍｎ２＋、Ｃｒ３＋のイオンから選択される請求項１又は２に記載の材料。
【請求項４】
前記鉱物マトリックスが、結晶化されている請求項２又は３に記載の材料。
【請求項５】
前記鉱物マトリックスが、ハロゲン化物、特にフッ化物、又は酸化物である請求項２〜４のいずれか１項に記載の材料。
【請求項６】
前記鉱物マトリックスが、ＮａＹＦ４、Ｙ２Ｏ３、Ｙ２ＳｉＯ５、ＬａＰＯ４、ＴｅＯ２又はＹ３Ａｌ５Ｏ１２から選択される請求項１〜５のいずれか１項に記載の材料。
【請求項７】
前記波長変換化合物が、Ｐｒ３＋／Ｎｄ３＋ドープしたＴｅＯ２、Ｐｒ３＋ドープしたＹ２ＳｉＯ５、Ｅｒ３＋ドープしたＹ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｙｂ３＋／Ｔｂ３＋ドープしたＣａＦ２、Ｙｂ３＋／Ｔｂ３＋ドープしたＹ２Ｏ３およびＹｂ３＋／Ｔｂ３＋ドープしたＮａＹＦ４から選択される請求項２〜６のいずれか１項に記載の材料。
【請求項８】
前記波長変換化合物が、基材に含まれている請求項１〜７のいずれか１項に記載の材料。
【請求項９】
前記基材が、結晶および非晶質結合剤を含むガラスセラミックであり、前記結晶の少なくとも一部が波長変換化合物を構成している請求項１〜８のいずれか１項に記載の材料。
【請求項１０】
前記波長変換化合物が、被膜（波長変換被膜）に含まれている請求項１〜７のいずれか１項に記載の材料。
【請求項１１】
前記波長変換化合物が、鉱物結合剤又は有機結合剤に分散された粒子形で被膜に含まれる請求項１〜１０のいずれか１項に記載の材料。
【請求項１２】
前記波長変換化合物が、１つの波長変換化合物からなる請求項１０に記載の材料。
【請求項１３】
紫外線放射の少なくとも一部を反射する副層又は複数の副層のスタックが、波長変換被膜と基材との間に設置されている請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の材料。
【請求項１４】
前記基材が、ガラス、セラミック、ガラスセラミック又はポリマー材料製である請求項１に記載の材料。
【請求項１５】
前記酸化チタンが、少なくとも部分的にアナターゼ形に結晶化されている請求項１〜１４のいずれか１項に記載の材料。
【請求項１６】
酸化チタンを含む前記被膜が酸化チタンから成る請求項１〜１５のいずれか１項に記載の材料。
【請求項１７】
酸化チタンを含む前記被膜が、有機および／又は鉱物結合剤、特にゾル−ゲルプロセスによって得られる鉱物結合剤に分散された酸化チタンの粒子を含む請求項１〜１６のいずれか１項に記載の材料。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれか１項に記載の材料を組み込んでなる、単一の、複数のおよび／又は積層したガラスユニット、曲がったおよび／又は強化されたガラス、透明又は色付きガラス、ディスプレー画面、アクアリウム、温室、室内の設備、タイル、鏡、又は光学あるいは眼科品。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月29日(2011.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端部ジャーナル（７、８）の領域の中の回転軸受（９、１０）の取付け部にそれぞれ組付けられた、少なくとも１つのロール（２、３、５、６）又はシリンダと、
潤滑油−ガス流れ（Ｌ）を分配するための、少なくとも１つの分配装置（Ｖ１〜Ｖ６）と、
を備える、金属ストリップ圧延用のロールスタンドにおいて、
上記分配装置（Ｖ１〜Ｖ６、Ｖ１０１、Ｖ１０２）に、又は該分配装置から、潤滑油−ガス流れ（Ｌ）を移送するための結合流路（２２、１２２）が上記ロール（２、３、５、６）又はシリンダの中に鋳造されていることを特徴とする、金属ストリップ圧延用のロールスタンド。
【請求項２】
組立て作業やメンテナンス作業のために上記ロールスタンド（１）に接近可能な運転側（Ｂ）と、上記ロールスタンド（１）を駆動するための駆動源（Ｍ）が配置される駆動側（Ａ）と、を有することを特徴とする、請求項１に記載のロールスタンド。
【請求項３】
上記結合流路（２２、１２２）は、上記運転側（Ｂ）に設置された端面（１７、１１７）から、上記ロール（２、３、５、６）又はシリンダの上記駆動側（Ａ）に設置された端面（２０、１２０）まで伸びていることを特徴とする、請求項２に記載のロールスタンド。
【請求項４】
上記結合流路（２２、１２２）は、上記ロール（２、３、５、６）又はシリンダの回転軸（Ｄ）と同軸上に延びることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載のロールスタンド。
【請求項５】
上記結合流路（２２、１２２）は、上記ロール（２、３、５、６）又はシリンダの長手方向に整列される２つの穴によって形成され、その内の１つの穴は、運転側（Ｂ）に設置された上記端面（１７、１１７）から始まり、他方の穴は駆動側（Ａ）に設置された上記端面（２０、１２０）から始まっており、上記ロール（２、３、５、６）又はシリンダの２つの穴は、上記ロール（２、３、５、６）又はシリンダ内に鋳造されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載のロールスタンド。
【請求項６】
鋼帯の圧延用に提供されることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載のロールスタンド。
【請求項７】
４００℃を超える温度で金属ストリップを熱間圧延するために提供されることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載のロールスタンド。
【請求項８】
上記結合流路（２２）は、該結合流路（２２）に挿入される回転継ぎ手の要素（２７）を経由して上記結合流路（２２）と繋がる供給配管（２８）を通って中央供給装置（３１）に結合されることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載のロールスタンド。
【請求項９】
上記ロール（２、３、５、６）又はシリンダの少なくとも１つの上記端部ジャーナル（７、８）の中には取付け座（１９、２１）が鋳造されており、該取付け座の中には潤滑油−ガス流れ（Ｌ）を少なくとも１つの放出流路（２４）に分配するための分配装置（Ｖ１〜Ｖ６）が配置され、上記放出流路（２４）は上記各取付け座（１９、２１）から上記ロール又はシリンダを貫いて、上記各ジャーナル（７、８）に設置された回転軸受（９、１０）の上記取付け部に通じていることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載のロールスタンド。
【請求項１０】
各分配装置のための少なくとも１つの取付け座（１９、２１）が上記各端部ジャーナルの中にそれぞれ鋳造されていることを特徴とする、請求項８に記載のロールスタンド。
【請求項１１】
上記端部ジャーナル（７、８）の中に形成された上記取付け座（１９、２１）は、上記各ロール（２、３、５、６）又はシリンダを貫いて通じている上記結合流路（２２、１２２）によって相互に結合されていることを特徴とする、請求項８又は９に記載のロールスタンド。
【請求項１２】
運転側の分配装置（Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３）が、駆動側の分配装置（Ｖ４、Ｖ５、Ｖ６）に、それぞれ必要とされる潤滑油−ガス流れ（Ｔ３）を上記結合流路（２２、１２２）によって供給することを特徴とする、請求項１０又は１１に記載のロールスタンド。
【請求項１３】
上記ロールスタンド（１）の駆動側（Ａ）に配置された上記取付け座（２１）の開口部はストッパ（２６）によって塞がれていることを特徴とする、請求項８〜１１のいずれか１項に記載のロールスタンド。
【請求項１４】
ロールスタンド（１）用のロール又はシリンダであって、
上記ロールスタンド（１）の上記駆動側（Ａ）に配置された第１の端部ジャーナル（８）と、
上記ロールスタンド（１）の上記運転側（Ｂ）に配置された第２の端部ジャーナル（７）と、
を備える、ロールスタンド（１）用のロール又はシリンダにおいて、
少なくとも１つの分配装置に、または分配装置から、潤滑油−ガス流れ（Ｌ）を移送するための結合流路（２２、１２２）が上記ロール（２、３、５、６）又はシリンダの中に鋳造されていることを特徴とする、ロールスタンド（１）用のロール又はシリンダ。
【請求項１５】
上記各ジャーナル（７、８）の中に鋳造され、その外周面に通じている、少なくとも１つの放出流路（２４）にオイル−ガス流れを分配するための装置（Ｖ１〜Ｖ６）の各取付け座（１９、２１）が、少なくとも１つの上記ジャーナル（７、８）の中に鋳造されていることを特徴とする、請求項１４に記載のロール又はシリンダ。
【請求項１６】
回転継ぎ手の要素（２７）のための取付け座（１９、２１）が少なくとも１つの上記ジャーナル（７、８）の中に鋳造されていることを特徴とする、請求項１４又は１５に記載のロール又はシリンダ。
【請求項１７】
分配装置（Ｖ１〜Ｖ６）のための少なくとも１つの取付け座（１９、２１）が、上記各ジャーナル（７、８）の中にそれぞれ鋳造されていることを特徴とする、請求項１４〜１６のいずれか１項に記載のロール。
【請求項１８】
上記ジャーナル（７、８）の上記取付け座（１９、２１）は、上記ロール（２、３、５、６）又はシリンダを貫いて通じている上記結合流路（２２、１２２）によって相互に結合されていることを特徴とする、請求項１７に記載のロール。
【請求項１９】
上記結合流路（２２、１２２）は、当該ロール又はシリンダの回転軸（Ｄ）と同軸上に配置されることを特徴とする、請求項１８に記載のロール又はシリンダ。
【請求項２０】
上記結合流路（２２、１２２）は、２つの互いに結合する穴によって形成され、そのうちの一方の穴は一方のジャーナル（７）の上記端面（１７）から上記ロール（２、３、５、６）又はシリンダの中に鋳造され、他方の穴は他方のジャーナル（８）の上記端面から上記ロール（２、３、５、６）又はシリンダの中に鋳造されることを特徴とする、請求項１８又は１９に記載のロール又はシリンダ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月12日(2011.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２枚の層シートが少なくとも１つの結合部材によって互いに固定され、該結合部材が前記少なくとも２枚の層シートのうちの１枚から発生し、前記結合部材の少なくとも一部は前記層シートから分岐して、該層シートを通る少なくとも１つの開口部を形成し、該開口部から前記結合部材が発生しているパネル構体において、１枚の層シートの一部をなす結合部材には、少なくとも１つの取付け面が設けられて、該層シートを他の層シートへ固定することを特徴とするパネル構体。
【請求項２】
請求項１に記載のパネル構体において、１枚の層シートには、少なくとも１枚の層シートとの機械的結合を有する少なくとも１つの結合部材が設けられていることを特徴とするパネル構体。
【請求項３】
請求項１または２に記載のパネル構体において、１枚の層シートには、少なくとも１枚の隣接する層シートおよび少なくとも１枚の非隣接層シートに対する機械的結合を有する少なくとも１つの結合部材が設けられていることを特徴とするパネル構体。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載のパネル構体において、前記結合部材の取付け面は前記結合部材の端部の近くに位置することを特徴とするパネル構体。
【請求項５】
請求項１ないし３のいずれかに記載のパネル構体において、前記結合部材の取付け面は前記結合部材の中央部の近くに位置することを特徴とするパネル構体。
【請求項６】
請求項１ないし３のいずれかに記載のパネル構体において、前記結合部材の取付け面は少なくとも２つの部分で構成され、該部分は前記結合部材の中央部に対して実質的に対称に位置することを特徴とするパネル構体。
【請求項７】
前記請求項のいずれかに記載のパネル構体において、前記層シートから分岐された結合部材の縁端部の一部は直状であることを特徴とするパネル構体。
【請求項８】
請求項１ないし６のいずれかに記載のパネル構体において、前記層シートから分岐された結合部材の縁端部の一部は、少なくとも部分的に湾曲していることを特徴とするパネル構体。
【請求項９】
請求項８に記載のパネル構体において、前記層シートから分岐された結合部材の縁端部の一部は、少なくとも部分的に楕円をなすことを特徴とするパネル構体。
【請求項１０】
前記請求項のいずれかに記載のパネル構体において、結合部材に続く層シートの少なくとも１枚は曲状であることを特徴とするパネル構体。
【請求項１１】
請求項１ないし９のいずれかに記載のパネル構体において、結合部材に続く層シートの少なくとも１枚は、少なくとも部分的に曲状であることを特徴とするパネル構体。
【請求項１２】
前記請求項のいずれかに記載のパネル構体において、前記層シートの少なくとも１枚は金属製であることを特徴とするパネル構体。
【請求項１３】
前記請求項のいずれかに記載のパネル構体において、前記層シートの少なくとも１枚はステンレス鋼製であることを特徴とするパネル構体。
【請求項１４】
請求項１ないし12のいずれかに記載のパネル構体において、前記層シートの少なくとも１枚はアルミニウム製であることを特徴とするパネル構体。
【請求項１５】
請求項１ないし11のいずれかに記載のパネル構体において、前記層シートの少なくとも１枚はポリマ製であることを特徴とするパネル構体。
【請求項１６】
請求項１ないし11のいずれかに記載のパネル構体において、前記層シートの少なくとも１枚はガラス繊維強化プラスチック製であることを特徴とするパネル構体。
【請求項１７】
請求項１ないし11のいずれかに記載のパネル構体において、前記層シートの少なくとも１枚はカーボン繊維製であることを特徴とするパネル構体。
【請求項１８】
請求項１ないし11のいずれかに記載のパネル構体において、前記層シートの少なくとも１枚はアラミド繊維製であることを特徴とするパネル構体。
【請求項１９】
請求項１ないし11のいずれかに記載のパネル構体において、前記層シートの少なくとも１枚は繊維金属積層体製であることを特徴とするパネル構体。
【請求項２０】
請求項１ないし11のいずれかに記載のパネル構体において、前記層シートの少なくとも１枚はセラミックス製であることを特徴とするパネル構体。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月2日(2011.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１の面および第２の面を有し、且つ延伸ポリテトラフルオロエチレン繊維を含んでなるファブリックの層、および、
（ｂ）前記第１の面に配置され、且つ前記繊維の間で前記第１の面から伸びているフルオロポリマーコーティング、
を含んでなり、前記繊維が充填材を含んでいる、建築用ファブリック。
【請求項２】
前記フルオロポリマーコーティングがＴＨＶであり、且つ前記充填材がＴｉＯ２を含んでなる、請求項１に記載の建築用ファブリック。
【請求項３】
前記充填材が２．０質量％またはそれ未満の０でない量で存在する、請求項２に記載の建築用ファブリック。
【請求項４】
前記充填材が１．０質量％またはそれ未満の０でない量で存在する、請求項２に記載の建築用ファブリック。
【請求項５】
前記充填材が０．３質量％から０．７質量％の量で存在する、請求項２に記載の建築用ファブリック。
【請求項６】
前記充填材が０．７質量％の量で存在する、請求項２に記載の建築用ファブリック。
【請求項７】
前記充填材が０．３質量％の量で存在する、請求項２に記載の建築用ファブリック。
【請求項８】
防水性である、請求項１に記載の建築用ファブリック。
【請求項９】
難燃性である、請求項１に記載の建築用ファブリック。
【請求項１０】
（ａ）第１の面および第２の面を有し、且つ緻密化された延伸ポリテトラフルオロエチレン繊維を含んでなるファブリックの層、および、
（ｂ）前記第１の面に配置され、且つ前記繊維の間で前記第１の面から伸びているフルオロポリマーコーティング、
を含んでなる、建築用ファブリック。
【請求項１１】
前記繊維が充填材を含んでいる、請求項１０に記載の建築用ファブリック。
【請求項１２】
前記充填材がＴｉＯ２を含んでなる、請求項１１に記載の建築用ファブリック。
【請求項１３】
前記充填材が２．０質量％またはそれ未満の０でない量で存在する、請求項１１に記載の建築用ファブリック。
【請求項１４】
前記充填材が１．０質量％またはそれ未満の０でない量で存在する、請求項１１に記載の建築用ファブリック。
【請求項１５】
前記充填材が０．３質量％から０．７質量％の量で存在する、請求項１１に記載の建築用ファブリック。
【請求項１６】
前記充填材が０．７質量％の量で存在する、請求項１１に記載の建築用ファブリック。
【請求項１７】
前記充填材が０．３質量％の量で存在する、請求項１１に記載の建築用ファブリック。
【請求項１８】
防水性である、請求項１１に記載の建築用ファブリック。
【請求項１９】
難燃性である、請求項１１に記載の建築用ファブリック。
【請求項２０】
前記フルオロポリマーがＴＨＶを含んでなる、請求項１１に記載の建築用ファブリック。
【請求項２１】
（ａ）第１の面および第２の面を有し、且つ緻密化された延伸ポリテトラフルオロエチレン繊維を含んでなるファブリックの層、および
（ｃ）前記第１の面に配置され、且つ前記繊維の間で前記第１の面から伸びているＴＨＶコーティング、
を含んでなる建築用ファブリックであって、ここで
（ｂ）前記繊維が、ＴｉＯ２でできた充填材を０．３質量％から２．０質量％の量で含み、
（ｄ）前記建築用ファブリックが防水性であり、かつ
（ｅ）前記建築用ファブリックが難燃性である、
建築用ファブリック。
【請求項２２】
（ａ）緻密化された延伸ポリテトラフルオロエチレン繊維を含んでなるファブリック、を含んでなる物品であって、
（ｂ）前記繊維が、ＴｉＯ２でできた充填材を０．３質量％から２．０質量％の量で含む、物品。
【請求項２３】
前記第２の面に配置され、且つ前記繊維の間で前記第２の面から伸びているフルオロポリマーコーティング、をさらに含んでなる、請求項１に記載の建築用ファブリック。
【請求項２４】
前記フルオロポリマーコーティングがＴＨＶである、請求項２３に記載の建築用ファブリック。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月6日(2011.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノウェブ層とスクリムとを含むプリーツ付き構造体を有する濾過媒体を含むフィルターであって、前記ナノウェブ層は、数平均直径が１ミクロン未満の繊維を含んでおりかつ層の厚さが５０ミクロン未満であり、プリーツ間隔に対する媒体の全厚さの比率が０．１５未満であり、前記ナノウェブ層は坪量が約０．６ｇｓｍを超えており、さらに前記スクリムが、スパンボンド繊維、乾式繊維、湿式繊維、セルロース繊維、メルトブローン繊維、ガラス繊維、およびそれらのブレンドよりなる群から選択される繊維から作られた不織布である、フィルター。
【請求項２】
３３４４ｍ3／時の空気流量で３．６×１０5〜３．８×１０5個（粒子）／ｃｍ3の密度の０．０２ミクロンの塩化カリウムエアロゾルを送り込んでも、前記フィルター効率が２０時間の処理の間低下しない、請求項１に記載のフィルター媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
図２は、使用時における保持効率（ｒｅｔａｉｎｉｎｇ  ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）の点での本発明のフィルターの有効性を示す。本発明のフィルターは、微細塩化カリウムエアロゾルを送り込むという加速条件下で、少なくとも２０時間にわたってその効率を維持することが期待できる。
次に、本発明の態様を示す。
1.  ナノウェブ層とスクリムとを含むプリーツ付き構造体を有する濾過媒体を含むフィルターであって、前記ナノウェブ層は、数平均直径が１ミクロン未満の繊維を含んでおりかつ層の厚さが５０ミクロン未満であり、プリーツ間隔に対する媒体の全厚さの比率が０．１５未満であり、前記ナノウェブ層は坪量が約０．６ｇｓｍを超えており、さらに前記スクリムが、スパンボンド繊維、乾式繊維、湿式繊維、セルロース繊維、メルトブローン繊維、ガラス繊維、およびそれらのブレンドよりなる群から選択される繊維から作られた不織布である、フィルター。
2.  前記プリーツ間隔に対する媒体の全厚さの比率が０．１２未満である、上記１に記載のフィルター。
3.  前記プリーツ間隔に対する媒体の全厚さの比率が０．０８未満である、上記１に記載のフィルター。
4.  前記スクリムが前記ナノウェブ層に接着されている、上記１に記載のフィルター。
5.  フラットシート抵抗を５．３ｃｍ／ｓの空気流量で測定してｍｍ水位計の単位で記録し、フィルター抵抗を３３４４ｍ3／時の空気流量で測定してインチ水位計の単位で記録してパスカル単位に変換した場合、前記媒体の前記フラットシート抵抗に対するフィルター抵抗の比率が約３５Ｐａ／ｍｍ未満である、上記１に記載のフィルター。
6.  ３３４４ｍ3／時の空気流量で３．６×１０5〜３．８×１０5個（粒子）／ｃｍ3の密度の０．０２ミクロンの塩化カリウムエアロゾルを送り込んでも、前記フィルター効率が２０時間の処理の間低下しない、上記１に記載のフィルター媒体。