【事件の表示】
　特願２００２−２７９６０８「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　４月１５日出願公開、特開２００４−１１９６１７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１４年９月２５日の出願であって，平成２０年１月１８日付けで拒絶の理由が通知され，平成２０年３月２８日付けで手続補正がされたが，平成２０年５月２日付けで拒絶査定されたので，平成２０年６月１２日付けで前記拒絶査定に対する不服審判を請求をするとともに，同日付けで手続補正がされ，平成２２年６月１１日付けで審尋をおこなったところ，平成２２年８月６日付けで回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２０年６月１２日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年６月１２日付けの手続補正を却下する。
　
［理　由］
１　本件手続補正の内容
　平成２０年６月１２日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は，特許請求の範囲についてする補正を含み，その特許請求の範囲についてする補正は，補正前に，
「【請求項１】横方向に成長させた２種以上の平均結晶粒径を有する半導体層を直接または間接的に同一基板上に形成することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】横方向に成長させた２種以上の平均結晶粒径を有する半導体層を直接または間接的に同一基板上に形成すると共に，
　これらの半導体層をチャネルとする２個以上の電界効果トランジスタを形成し，
　各トランジスタのゲート長Ｌと，各トランジスタに流れる電流方向を横切る結晶粒界数の平均値Ｎａとの比Ｎａ／Ｌが，前記電界効果トランジスタ間で±５％以内の度数分布となることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】請求項２記載の横方向に成長させた２種以上の平均結晶粒径を有する半導体層をチャネルとする２個以上の電界効果トランジスタの前記比Ｎａ／Ｌが，前記電界効果トランジスタ間で好適には±２％以内の度数分布となることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】請求項２または３記載の基板上に前記電界効果トランジスタを動作させる横方向に成長させた２種以上の平均結晶粒径を有する半導体層の回路層を形成することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】レーザ光源と移動ステージに設けられる基板の間に位相シフト部において光強度が極小となる逆ピークパターンを発生する位相シフトマスクを入れて基板面におけるレーザ光の光強度と逆ピークパターンの分布を変調可能になし，
　前記基板面におけるレーザ光の光強度と逆ピークパターンの分布を測定する工程と，
　測定した光強度と逆ピークパターンの分布があらかじめ設定した目標と一致するようにフィードバックしながら前記位相シフトマスクのパラメータを調節する工程と，
　前記位相シフトマスクを通して光強度と逆ピークパターンの分布を変調したレーザ光を同一基板上に直接または間接的に設けられた半導体層に照射して結晶を横方向に成長させる工程と，
を繰り返し，
　しかして同一基板上に横方向に成長させた２種以上の平均結晶粒径を有する半導体層を作り分けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】レーザ光源と移動ステージに設けられる基板の間に位相シフト部において光強度が極小となる逆ピークパターンを発生する位相シフトマスクを入れて基板面におけるレーザ光の光強度と逆ピークパターンの分布を変調可能になし，
　前記基板面におけるレーザ光の光強度と逆ピークパターンの分布をレーザ光源と前記基板面とを結ぶ同一光軸上で測定する測定手段と，
　測定した光強度と逆ピークパターンの分布があらかじめ設定した目標と一致するようにフィードバックしながら前記位相シフトマスクのパラメータを調節する調節手段と，
　前記位相シフトマスクを通して光強度と逆ピークパターンの分布に変調したレーザ光を基板上に設けられた半導体層に照射して同一基板上に横方向に成長させた２種以上の平均結晶粒径を有する半導体層を形成する結像光学系と，
を備えることを特徴とする横方向に成長させた２種以上の平均結晶粒径を有する半導体層を形成するための半導体装置の製造装置。
【請求項７】請求項６記載のレーザ光の光強度と逆ピークパターンの分布を同時に測定する測定手段を前記半導体層が形成された基板と平行平面上に設置することを特徴とする横方向に成長させた2種以上の平均粒径を有する半導体層を形成するための半導体装置の製造装置。
【請求項８】レーザ光源と，
　このレーザ光源からのレーザ光のパワーを調整するアッテネータと，
　前記レーザ光のビームプロファイルを変調するビームプロファイル変調部と，
　このビームプロファイル変調部を有する結晶化装置の移動ステージに前記レーザ光を同一基板上に直接または間接的に設けられている半導体層を設置し，この半導体層に前記変調された前記レーザ光を照射して結晶化し（横方向に成長させた）２種以上の平均結晶粒径を有する半導体層を形成するに際し，
　前記ビームプロファイルを測定することにより前記移動ステージを好適なビームプロファイルを持つように高さを設定する工程と，
　前記ビームプロファイルを測定することにより前記レーザ光の強度を予め設定した強度を持つように前記アッテネータの角度を設定する工程と，
を具備してなることを特徴とする横方向に成長させた２種以上の平均結晶粒径を有する半導体層を形成するための結晶化装置。」
とあったものを，補正後に，　
「【請求項１】横方向に成長させた２種以上の平均結晶粒径を有する小粒径結晶領域と大粒径結晶領域が設けられた半導体層を直接または間接的に同一基板上に形成し，前記横方向に成長させた小粒径結晶をチャネル領域とするＴＦＴと，前記横方向に成長させた大粒径結晶をチャネル領域とするＴＦＴとを設けてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】前記横方向に成長させた大粒径結晶をチャネル領域とするＴＦＴは駆動回路及び/又は演算回路に用いられ，前記横方向に成長させた小粒径結晶をチャネル領域とするＴＦＴは画像部に用いられることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。」
とするものである。
　
２　補正の適否について
　上記補正の内，請求項２についてする補正は，補正後の請求項１に記載された半導体装置において「横方向に成長させた大粒径結晶をチャネル領域とするＴＦＴは駆動回路及び/又は演算回路に用いられ，前記横方向に成長させた小粒径結晶をチャネル領域とするＴＦＴは画像部に用いられる」ことを，発明特定事項として含むようにする補正である。
　
　そこで，上記発明特定事項を含むようにする本件補正が，新規事項の追加に当たるかについて検討する。
　
ア　本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下「出願当初の明細書等」という。）には，以下の記載がある。
（当１）「一般に，画素部に用いられるTFTは，アクティブマトリックス制御において電荷を保持することが目的で，極端な高移動度は要求されず，むしろ低オフ電流が要求される。
　オフ電流を低減するには，ドレイン端の電界強度を緩和するために開口率を低下させない程度にTFTのチャネル長を長くするなどの必要がある。
　一方，駆動回路や演算回路に用いられるTFTは，高速動作のために高移動度が求められ，オフ電流はあまり問題にならない。
　このため，特にチャネル長の微細化が高速化に有効なことからTFTのサイズを小さくする必要がある。
　このように，画素部に用いられるTFTと，駆動回路や演算回路に用いられるTFTでは，要求される特性やサイズが異なる。」（【０００５】）
　
（当２）「そこで本発明は，２種以上の平均結晶粒径を有する半導体層を直接または間接的に同一基板上に形成することができ，またその結果，サイズの異なるTFTに対してTFTの活性層となるチャネル領域での電流方向を横切る平均結晶粒界数Naが一定となるように結晶粒径が制御された半導体装置とその製造方法および装置を提案することを目的になされたものである。」（【０００７】）
　
イ　そうすると，上記記載から，画素部に用いられるTFTのサイズを大きく，高速動作のために高移動度が求められる駆動回路や演算回路に用いられるTFTのサイズを小さくするともに，サイズの異なるTFTに対してTFTの活性層となるチャネル領域での電流方向を横切る平均結晶粒界数Naが一定となるように結晶粒径を制御することによって，結果として，画素部に用いられるサイズの大きなTFTの活性層となるチャネル領域での平均結晶粒径を大きく，駆動回路や演算回路に用いられるサイズの小さなTFTの活性層となるチャネル領域での平均結晶粒径を小さくするという技術的事項が，本願の出願当初の明細書等に記載されていたに等しいと認めることができたとしても，大粒径結晶をチャネル領域とするＴＦＴを駆動回路及び/又は演算回路に用い，小粒径結晶をチャネル領域とするＴＦＴを画像部に用いるとする技術的事項が，本願の出願当初の明細書等に記載されていた，もしくは，記載されていたに等しいとは認めることはできない。
　
ウ　したがって，請求項２について，「横方向に成長させた大粒径結晶をチャネル領域とするＴＦＴは駆動回路及び/又は演算回路に用いられ，前記横方向に成長させた小粒径結晶をチャネル領域とするＴＦＴは画像部に用いられる」ことを，発明特定事項として含むようにする補正は，本願の出願当初の明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術事項を導入したものと認められるから，本願の出願当初の明細書等に記載された事項の範囲内においてしたものとはいえない。
　
　なお，審判請求人は，平成２０年８月２２日付けの手続補正書によって補正した審判請求書の請求の理由において，補正後の請求項２は「前記横方向に成長させた大粒径結晶をチャネル領域とするＴＦＴは画像部に用いられ，前記横方向に成長させた小粒径結晶をチャネル領域とするＴＦＴは駆動回路及び/又は演算回路に用いられることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。」の明らかな誤記であり，この誤記を訂正する機会を求めているが，仮に，請求項２についての補正が，審判請求人の主張するとおりの明らかな誤記であったとしても，本願の出願当初の明細書等に記載されているに等しいと認めることができるのは，上記のとおり「画素部に用いられるサイズの大きなTFTの活性層となるチャネル領域での平均結晶粒径を大きく，駆動回路や演算回路に用いられるサイズの小さなTFTの活性層となるチャネル領域での平均結晶粒径を小さくする」という技術的事項であって，ＴＦＴのサイズの大小を特定することなく，結晶粒径の大小のみに着目して「大粒径結晶をチャネル領域とするＴＦＴは画像部に用いられ，前記横方向に成長させた小粒径結晶をチャネル領域とするＴＦＴは駆動回路及び/又は演算回路に用いられ」とする構成を採用するという技術的事項が，本願の出願当初の明細書等に記載されていた，もしくは，記載されていたに等しいとは認めることはできない。
　したがって，仮に，請求項２についての補正が明らかな誤記であったとしても，この補正は，本願の出願当初の明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術事項を導入するものと認められるから，本願の出願当初の明細書等に記載された事項の範囲内においてしたものとはいえない。
　
３　むすび
　したがって，本件補正は，平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　　　　　　　　　　　　　　　＜付記＞
　
　なお，仮に，上記補正が同法第１７条の２第３項に規定する新規事項の追加に該当しないとしても，下記のとおり，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反（目的要件違反）するとともに，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反（独立特許要件違反）するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
１　目的要件違反について
　補正後の請求項１は，補正前の請求項１を限定的に減縮した補正であるといえる。しかしながら，請求項２についてする補正は，補正前の請求項２−８のいずれの請求項に記載した発明を限定的に減縮することを目的としたものであるとは認められず，また，請求項の削除，誤記の訂正，明りょうでない記載の釈明を目的としたものであるともいえない。
　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものである。
　
２　独立特許要件違反について
　請求項１についての補正は，限定的減縮を目的としたものといえるから，補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明１」という。）が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのか否かについて検討する。
　
（１）引用例及びその記載事項
　平成２０年１月１８日付けの拒絶理由通知書の拒絶の理由で引用した本願の出願前に頒布された下記の引用例３には，次の事項が記載されている。
　
　引用例３：特開平９−２６６３１６号公報
　
＜引用例３の記載事項＞
（引３ａ）「【請求項１】同一基板上に駆動回路用の第１の多結晶薄膜トランジスタと，画素スイッチング用の第２の多結晶薄膜トランジスタとを有する半導体素子において，前記第１の多結晶薄膜トランジスタのチャネルが形成される半導体層が完全に溶融するエネルギー値以上でアモルファス化が生じない第１のエネルギー値のレーザー照射で結晶化され，且つ前記第２の多結晶薄膜トランジスタのチャネルが形成される半導体層が溶融し始め且つ前記第１のエネルギー値よりも小さい第２のエネルギー値で結晶化されることを特徴とする半導体素子。
【請求項２】同一基板上に駆動回路用の第１の多結晶薄膜トランジスタと，画素スイッチング用の第２の多結晶薄膜トランジスタとを有する半導体素子において，前記第１の多結晶薄膜トランジスタのチャネルが形成される多結晶半導体層の平均結晶粒径が３００ｎｍから２μｍの範囲であり，且つ前記第２の多結晶薄膜トランジスタのチャネルが形成される多結晶半導体層の平均結晶粒径が，２０ｎｍから２００ｎｍの範囲であることを特徴とする半導体素子。」（特許請求の範囲）
　
（引３ｂ）「【発明の属する技術分野】本発明は，液晶表示装置やＸ線センサー等に使用される半導体素子に関する。」（【０００１】
　
（引３ｃ）「本発明の半導体素子では，駆動回路素子には結晶粒径の大きい多結晶半導体層をチャネルに用いることにより，高い移動度が得られ，高速動作が可能となり，スイッチング素子には結晶粒径の小さい多結晶半導体層をチャネルに用いることにより，オフリーク電流やしきい値電圧のばらつきが少なくすることができる。その結果，例えば液晶表示素子では，各画素のスイッチング素子のオフリーク電流がばらつくことによって，各表示画素電極と対向電極との電位差を一定に保つことができなくなり，液晶に一定の電圧が印加されなくなることにより生じるフリッカ（画面のちらつき）や画像ムラがないものを提供できる。」（【００１０】）
　
（引３ｄ）「【発明の実施の形態】以下に，本発明を実施例に沿って説明する。
　（発明の実施の形態１）図１〜図５に本発明による液晶表示装置におけるＴＦＴの製造工程を，また図６に液晶表示装置全体の構成を示す。
　はじめに，図１に示す如く無アルカリガラスや石英ガラス等の絶縁基板１上にＳｉＯｘ等の絶縁膜２をコートする。ＳｉＯｘ等は，プラズマＣＶＤ等で成膜させ，基板からの不純物の拡散を防ぐ。前記絶縁膜２上に，アモルファスシリコン膜（以下，a-Si:H膜と称す）３を形成する。a-Si:H膜３は，ＳｉＨ４＋Ｈ２混合ガスを用いて，プラズマＣＶＤで形成したり，スパッタや減圧ＣＶＤ法で形成する。
　次に，ａ−Ｓｉ：Ｈ膜の水素を減少させるために，熱アニールを施す。窒素雰囲気中で，３５０〜５００℃の温度で３０分〜１時間のアニールを行う。
　次に，図２に示す如く駆動回路素子となる周辺領域のａ−Ｓｉ：Ｈ膜３に第１のレーザービームアニールを行い，多結晶シリコン膜３ａを得る。ビームアニールには，エキシマレーザやＡｒレーザ等のレーザビームが用いられ，シリコン膜を溶融結晶化できるエネルギービームであればよい。例えば，ａ−Ｓｉ：Ｈ膜の膜厚を５０ｎｍとし，波長３０８ｎｍのＸｅＣｌレーザを用いた場合，第１のレーザエネルギーＥ１は２２５〜２７５mJ/cm ２に設定する。
　次に，図３に示す如くスイッチング素子となる領域のａ−Ｓｉ：Ｈ膜３に第２のレーザービームアニールを行い，多結晶シリコン膜３ｂを得る。」（【００１１】−【００１４】）
　
（引３ｅ）「従って，上記に示したレーザエネルギーの範囲に設定すれば，駆動回路部には３００ｎｍ〜２μｍの範囲の大きい粒径の多結晶シリコン膜が形成できる。一方，スイッチング素子部には，ばらつきが小さく，２０〜２００ｎｍの範囲内のいずれかの（駆動回路部に比べて）小さい粒径の多結晶シリコン膜が形成できる。」（【００１５】）
　
（２）当審の判断
（２−１）引用発明
　上記引用例３の記載事項（引３ａ）−（引３ｅ）をまとめると，引用例３には，
「同一基板上に第１の多結晶薄膜トランジスタと，第２の多結晶薄膜トランジスタとを有する半導体素子において，
　前記第１の多結晶薄膜トランジスタのチャネルが形成される多結晶半導体層の平均結晶粒径が３００ｎｍから２μｍの範囲であり，且つ前記第２の多結晶薄膜トランジスタのチャネルが形成される多結晶半導体層の平均結晶粒径が，２０ｎｍから２００ｎｍの範囲であり，
　前記それぞれの多結晶半導体層は，絶縁基板上にコートした絶縁膜上に形成したアモルファスシリコン膜をレーザビームを用いて溶融結晶化して得たものである半導体素子。」
（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
（２−２）対比・判断
ア　引用発明の「多結晶薄膜トランジスタ」，「半導体素子」は，それぞれ，本願補正発明１の「ＴＦＴ」，「半導体装置」に相当する。
　
イ　引用発明の「多結晶半導体層」は，本願補正発明１の「半導体層」に相当する。また，引用発明の「多結晶半導体層」は，絶縁基板上にコートした絶縁膜上に形成したアモルファスシリコン膜をレーザビームを用いて溶融結晶化して得たものであるから，間接的に基板上に形成したものである。
　
ウ　引用発明の「第１の多結晶薄膜トランジスタのチャネルが形成される多結晶半導体層の平均結晶粒径が３００ｎｍから２μｍの範囲であり，且つ前記第２の多結晶薄膜トランジスタのチャネルが形成される多結晶半導体層の平均結晶粒径が，２０ｎｍから２００ｎｍの範囲であ」るという技術的特徴は，引用発明が，２種以上の平均結晶粒径を有する小粒径結晶領域と大粒径結晶領域が設けられた半導体層を基板上に有していることを表しているものと理解することができる。
　
　そうすると，本願補正発明１と，引用発明は，
　「２種以上の平均結晶粒径を有する小粒径結晶領域と大粒径結晶領域が設けられた半導体層を直接または間接的に同一基板上に形成し，前記小粒径結晶をチャネル領域とするＴＦＴと，前記大粒径結晶をチャネル領域とするＴＦＴとを設けてなることを特徴とする半導体装置。」
である点で一致するものの，次の点で相違する。
　
　相違点：本願補正発明１の半導体層が「横方向に成長させた」ものであるのに対して，引用発明はレーザビームを用いて溶融結晶化したものである点。
　
　そこで，上記相違点について検討する。
　
　相違点について
　基板上に形成した半導体層を溶融結晶化して大粒径の半導体膜を得る方法として，位相シフトマスクによって空間強度変調したレーザ光を用いて「横方向に成長させ」る方法は，下記の周知文献１−３にも記載（下線は当審で付加したもの。）されているように，本願の出願前において，周知の方法である。
　そして，引用発明において特定されている所定の関係の多結晶半導体層を得るにあたり，前記周知の方法を採用することによって，「横方向に成長させた」ものとすることは，当業者が適宜なし得たことと認められる。また，このような組合せを妨げる格別の理由も認められない。そして，このような構成を採用したことによる効果は，当業者が予測する範囲内のものと認められる。
　したがって，引用発明において，相違点について，本願補正発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得たことと認められる。
　
　周知文献１：特開２０００−８２６６９号公報（拒絶査定で提示した周知文献）
（周１ａ）「【課題を解決するための手段】本発明の方法は，レーザ光の位相を一次元的に制御することによりエネルギー強度分布を形成することで溶融半導体の再結晶化開始時刻を半導体膜の位置によりずれが生じるように制御して溶融再結晶させて半導体膜の結晶粒径を大きくすることを特徴とする。」（【０００５】）
　
（周１ｂ）「本発明の方法は，正弦波状の位相制御を行う構造の位相制御マスクを用いることで，数μｍ〜１０数μｍを超える結晶粒径の多結晶半導体を作ることができるような入射光エネルギー強度分布を一次元的に作り出し，これを奥行き方向にまで広げることにより長方形状の大きな結晶粒を作るものである。エキシマレーザでは位相を揃えるためのミラーのため，光の縦方向と横方向で光の広がり角が異なるので試料表面上での理想的な位相を得ることができない。そこで，奥行き方向に同じパターンを広げることが有効である。
　位相制御マスクは，正弦波状にパターンが形成されていることで，エキシマレーザ光は干渉して連続的にエネルギー強度の低い部分から高い部分までの分布を持つ。
　エネルギー強度の低い部分は，半導体膜が十分に溶けていなかったり，熱の逃げによりエネルギー強度の高い部分に比べて温度が早く下がり，結晶化温度になる。この部分に結晶成長の核が形成される。ここから結晶の再結晶成長が行われることになる。したがって，レーザ光の照射により溶融した半導体膜はエネルギー強度の低い部分から順次再結晶化が始まり，これが種結晶となり結晶化の始まる時刻の遅い部分へと結晶粒が成長していき，大粒径化ができる。」（【０００９】−【００１０】）
　
（周１ｃ）「
再結晶化は入射光を打ち消しあった中心部分付近から始まり入射光のエネルギー強度分布の傾きに従い左右方向に進行して行く。
　
　周知文献２：A Novel Phase-Modulated Excimer-Laser Crystallization Method of Silicon Thin Films”，Jpn.J.Appl.Phys.，１９９８年５月１日，Vol.37,Part2,No.5A，pp.L492-L495 （拒絶査定で提示した周知文献）
（周２ａ）「High-performance thin-film transistors(TFTs)are required for realization of active-matrix liquid-crystal displays(AMLCDs)with built-in peripheral circuits.」（L492左欄第２−４行）（当審訳：高性能薄膜トランジスタ（TFT）が、周辺回路内蔵アクティブマトリックス液晶ディスプレイ(AMLCD)を実現するために必要とされている。）
 
（周２ｂ）「Schematic view of the PMELC method is shown in Fig.1,where a phase-shift mask is placed in the space between an excimer-laser system and the sample at a distance,d,from the sample.」（L492右欄第４−７行）（当審訳：図１はPMELC法の模式図であり、図１では、位相シフトマスクが、エキシマレーザーレーザーシステムとサンプルとの間に、該サンプルから距離dだけ隔てて配置されている。）
　
（周２ｃ）「
The lateral crystallization 
　
（周２ｄ）「Furthermore,it was possible for grains to 
grow laterally from the center to both sides
　
　周知文献３：特開２００１−２１０５９１号公報（平成２０年１月１８日付けの拒絶の理由で引用した引用例６）
（周３ａ）「【発明の属する技術分野】本発明は非単結晶半導体薄膜にパルスレーザ光を照射してアニールを行うレーザ照射方法に関し，特に液晶ディスプレイや密着型イメージセンサ等に用いられる多結晶シリコン薄膜トランジスタのチャネル層を形成するレーザ照射方法に関する。」（【０００１】）
　
（周３ｂ）「ところがエキシマレーザ結晶化法は，レーザ光がパルスレーザ光であるために薄膜の熱処理される時間が限られてしまい，得られる結晶粒子の大きさが制限されてしまうという問題がある。そのため，得られた多結晶シリコン薄膜を利用して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を作製した場合，その移動度は１００ｃｍ2／Ｖｓ程度に留まり，現在望まれているような高移動度の素子形成は困難である。」（【０００３】）
　
（周３ｃ）「【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発明によれば，以下に示すレーザ照射装置およびレーザ照射方法が提供される。
［１］レーザ光を発生させるレーザ光源と，発生したレーザ光のエネルギー分布を調整する手段とを備え，エネルギー分布を調整した後のレーザ光を非単結晶半導体薄膜に照射し多結晶半導体薄膜を形成するレーザ照射装置であって，前記非単結晶半導体薄膜に照射するレーザ光の照射領域中の一方向に沿ったエネルギー密度分布が，非晶質半導体薄膜の微結晶化エネルギーをＥuとして，エネルギー密度Ｅu未満の第一の領域と，該第一の領域の両側に位置するエネルギー密度Ｅu以上の第二の領域とを有し，前記第一の領域の幅が３μｍ以下であることを特徴とするレーザ照射装置。
［２］前記第一の領域の幅が１．８μｍ以下であることを特徴とする［１］に記載のレーザ照射装置。」（【０００９】）　
　
（周３ｄ）「上記［２］または［７］の発明によれば，多結晶粒子の粒径を顕著に大粒径化できる上，多結晶粒子の配列を一層良好にすることができる。第一の領域に成長核が一列のみ発生するため，
結晶粒子の成長が双方向に進む
　
（周３ｅ）「エネルギー密度Ｅu以上の領域とＥu未満の領域を含むプロファイルのレーザ光を非単結晶半導体薄膜に照射した場合，エネルギー密度がＥuよりもわずかに低い領域に，大粒径の多結晶粒子が形成される。図７はその一例を示すものである。
このような多結晶粒子は，主として低エネルギー側から高エネルギー側へと成長する
　
（周３ｆ）「上記のようなエネルギー分布は，基材およびその一部を覆う誘電体膜からなるマスクを用いることにより実現できる。このようなマスクを用いることにより，基材および誘電体膜を透過したレーザ光による照射領域との境界面近傍に，第二の領域が生成される。図２はこのようなマスクの一例を示すものであり，石英板２０１の表面の一部にＳｉＯ2膜２０２がコーティングされている。ＳｉＯ2の代わりにＳｉＮ等を用いることもできる。このマスクは，一回反転型の位相シフトマスクである。通常のトップフラット型プロファイルのレーザ光が，位相シフトマスクを通過するとき，ＳｉＯ2膜２０２により，位相が反転し，急峻な谷形状を有するプロファイルとなる。谷形状については，位相シフトマスクを含めた光学系の設計次第により，任意の形状とすることができる。」（【００２２】）
　
（周３ｇ）「【発明の効果】以上説明したように本発明によれば，狭い幅を有する第一の領域が，エネルギー密度Ｅu以上の第二の領域に挟まれた形態のエネルギー密度分布となっているため，粒径分布が均一で，かつ粒子の配列状態が良好な大粒径多結晶半導体膜を，目的の場所に位置精度良く形成することができる。この多結晶半導体膜を利用することにより，高移動度を有する薄膜トランジスタ素子を大面積基板上に均一に形成することが可能となる。」（【００５０】）
　
　なお，審判請求人は，平成２０年８月２２日付けの手続補正書により補正した審判請求書の請求の理由において，上記周知文献１（特開２０００−８２６６９号公報）のプロセスでは，微結晶粒の集合体やアモルファス状態（非晶質）になり，「横方向に結晶成長・・・」させることはできない旨を主張する。
　しかしながら，上記の（周１ａ）「本発明の方法は，レーザ光の位相を一次元的に制御することによりエネルギー強度分布を形成することで溶融半導体の再結晶化開始時刻を半導体膜の位置によりずれが生じるように制御して溶融再結晶させて半導体膜の結晶粒径を大きくする」，（周１ｂ）「エネルギー強度の低い部分は，半導体膜が十分に溶けていなかったり，熱の逃げによりエネルギー強度の高い部分に比べて温度が早く下がり，結晶化温度になる。この部分に結晶成長の核が形成される。ここから結晶の再結晶成長が行われることになる。したがって，レーザ光の照射により溶融した半導体膜はエネルギー強度の低い部分から順次再結晶化が始まり，これが種結晶となり結晶化の始まる時刻の遅い部分へと結晶粒が成長」，（周１ｃ）「再結晶化は入射光を打ち消しあった中心部分付近から始まり入射光のエネルギー強度分布の傾きに従い左右方向に進行して行く。」の記載に照らして，上記周知文献１のプロセスで，入射光を打ち消しあった中心部分付近から入射光のエネルギー強度分布の傾きに従い左右方向，すなわち「横方向」に結晶成長が進むものと理解することができるから，審判請求人の前記主張は採用することができない。
　
　また，審判請求人は，同請求の理由において，「ロ．これに対し，本願発明は薄膜トランジスタのチャネル領域を１個の結晶化粒に形成するから，引用文献（３）は薄膜トランジスタのチャネル領域を複数の結晶粒に形成する場合の結晶粒の大小で，本願発明と大きく相違する。」と主張するが，本願の補正後の請求項１には「２種以上の平均結晶粒径を有する小粒径結晶領域と大粒径結晶領域が設けられた半導体層を直接または間接的に同一基板上に形成」と規定するだけであって，「薄膜トランジスタのチャネル領域を１個の結晶化粒に形成する」ことは規定していないから，審判請求人の前記主張は，請求項の記載に基づかない主張であって採用することはできない。
　
　同様に，請求の理由における「チャンネル領域での電流方向を横切る平均結晶粒界数を同じにすることができる」という効果の主張も，請求項の記載に基づかない主張であって採用することはできない。
　
（３）むすび
　したがって，本願補正発明１は，上記引用例３に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２０年６月１２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１−８に係る発明は，平成２０年３月２８日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１−８に記載されたとおりのものであるところ，その内，請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，次のとおりである。
　
　「【請求項１】横方向に成長させた２種以上の平均結晶粒径を有する半導体層を直接または間接的に同一基板上に形成することを特徴とする半導体装置。」
　
２　進歩性について
（１）引用例及びその記載事項
　平成２０年１月１８日付けの拒絶理由通知書の拒絶の理由に引用した本願の出願前に頒布された下記の引用例３に記載されている事項は，上記「第２＜付記＞　２　独立特許要件違反について（１）引用例及びその記載事項」の項で指摘したとおりである。
　
　引用例３：特開平９−２６６３１６号公報
　
（２）当審の判断
（２−１）引用発明
　上記引用例３の記載事項（引３ａ）−（引３ｅ）をまとめると，引用例３には，
「同一基板上に第１の多結晶薄膜トランジスタと，第２の多結晶薄膜トランジスタとを有する半導体素子において，
　前記第１の多結晶薄膜トランジスタのチャネルが形成される多結晶半導体層の平均結晶粒径が３００ｎｍから２μｍの範囲であり，且つ前記第２の多結晶薄膜トランジスタのチャネルが形成される多結晶半導体層の平均結晶粒径が，２０ｎｍから２００ｎｍの範囲であり，
　前記それぞれの多結晶半導体層は，絶縁基板上にコートした絶縁膜上に形成したアモルファスシリコン膜をレーザビームを用いて溶融結晶化して得たものである半導体素子。」
（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
（２−２）対比・判断
　上記本願発明１と引用発明とを対比すると，両者は，
「２種以上の平均結晶粒径を有する半導体層を直接または間接的に同一基板上に形成することを特徴とする半導体装置。」
である点で一致するものの，次の点で相違する。
　
　相違点：本願発明１の半導体層が「横方向に成長させた」ものであるのに対して，引用発明はレーザビームを用いて溶融結晶化したものである点。
　
　しかしながら，上記相違点については，上記「第２＜付記＞　２　独立特許要件違反について（２）当審の判断　（２−２）対比・判断」の項で検討したように，当業者が容易になし得たことと認められる。
　
　したがって，本願発明１は，引用例３に記載された発明，及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，引用例３に記載された発明，及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。したがって，本願の請求項２〜請求項８に係る発明については検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。