【手続補正書】
【提出日】平成23年8月18日(2011.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積化トランジスタモジュールであって、
互いに離間している第１及び第２のパッド並びに前記第１パッドと前記第２パッドとの間に設けられた１以上の共通ソース−ドレインリードを有する平面リードフレームと、
ソース、ゲート及びドレイン電極を各々が有し、前記第１及び第２のパッドの頂部表面に各々取り付けられている第１及び第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのドレイン電極に取り付けられておりかつ前記１以上の共通ソース−ドレインリードに電気的に接続されたプレーナメンバ及び下方に伸張した複数のリードを有する第１のクリップと、を含み、
前記第２のトランジスタのソース電極は、前記１以上の共通ソース−ドレインリードに電気的に接続されており、前記リードフレーム、前記トランジスタ及び前記第1のクリップは、モールディング材内に部分的にカプセル化されており、前記第１及び第２のパッドの底部表面の一部、並びに前記クリップの前記プレーナメンバが露出させられて、前記モジュールの２面冷却がもたらされることを特徴とする集積化トランジスタモジュール。
【請求項２】
請求項１記載のモジュールであって、前記リードフレームが、前記第２のパッドの外側に配されている１以上のドレインリードを含み、前記第２のトランジスタのドレインに取り付けられかつ前記第２のパッドの外側に配されている前記１以上のドレインリードに電気的に接続されていることを特徴とするモジュール。
【請求項３】
請求項１記載のモジュールであって、前記リードフレーム、前記トランジスタ及び前記クリップは、モールディング材内に部分的にカプセル化されており、前記リードフレームの前記パッド及び前記クリップが露出させられて、前記モジュールの２面冷却がもたらされることを特徴とするモジュール。
【請求項４】
請求項１記載のモジュールであって、前記第１及び第２のトランジスタは、各々がバックコンバータの構成部品であるハイ側及びロー側パワートランジスタであることを特徴とするモジュール。
【請求項５】
請求項１記載のモジュールであって、前記第１及び第２のトランジスタは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）であることを特徴とするモジュール。
【請求項６】
集積化トランジスタモジュールであって、
互いに離間している第１及び第２のパッド、前記第１のパッドと第２のパッドとの間に設けられた１以上の共通ソース−ドレインリード、及び前記第２のパッドの外側に設けられた１以上のドレインリードを有する平面リードフレームと、
前記第１及び第２のパッドの頂部表面に各々取り付けられている第１及び第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのドレインに取り付けられかつ前記１以上の共通ソース−ドレインリードに電気的に接続されたプレーナメンバ及び下方に伸張している複数のリードを有する第１のクリップと、
前記第２のトランジスタのドレインに取り付けられかつ前記第２のパッドの外側に設けられた前記１以上のドレインリードに電気的に接続された第２のクリップと、
前記リードフレーム、前記トランジスタ及び前記クリップを部分的にカプセル化して前記モジュールを形成するモールディング材と、を含み、
前記第２のトランジスタのソースは前記１以上の共通ソース−ドレインリードに電気的に接続されており、前記第１及び第２のパッド各々の底部表面の一部並びに前記クリップの前記プレーナメンバが前記モジュールの二面冷却を提供するために露出させられていることを特徴とするトランジスタモジュール。
【請求項７】
請求項６に記載のモジュールであって、前記第２のクリップが、前記第２のパッドの外側に配されている前記リードフレームの前記１または複数のドレインリードに電気的に接続されている複数の下方に伸張するリード及びプレーナメンバを有することを特徴とするモジュール。
【請求項８】
請求項６記載のモジュールであって、前記リードフレームが前記第１のパッドと前記第２のパッドとの間のゲートリードを有し、前記第１のクリップが前記ゲートリードに電気的に取り付けられていないことを特徴とするモジュール。
【請求項９】
請求項６記載のモジュールであって、前記リードフレームに取り付けられておりかつ前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタに電気的に接続されている集積回路を含み、前記集積回路は、前記モールド材によってカプセル化されて単一のモジュールを形成していることを特徴とするモジュール。
【請求項１０】
請求項６記載のモジュールであって、前記共通ソースドレインリードが部分的に切断されて共通ヒートシンクが前記第１及び第２のクリップに取り付けられていることを特徴とするモジュール。
【請求項１１】
請求項６記載のモジュールであって、前記リードフレームはリード化フットプリントを有するように構成され、前記モジュールの前記リード部分を切断することでリード無モジュールに変換され得ることを特徴とするモジュール。
【請求項１２】
請求項７記載のモジュールであって、前記リードフレームは前記第１のパッドと前記第２のパッドとの間にゲートリードを有し、前記第１のクリップは前記ゲートリードに電気的に接続されるための下方に伸長したリードを有していないことを特徴とするモジュール。
【請求項１３】
請求項６に記載のモジュールであって、前記１または複数の共通ソース−ドレインリードは、２つの個別の単一トランジスタパッケージが形成され得るように切断されるよう構成されていることを特徴とするモジュール。
【請求項１４】
請求項６に記載のモジュールであって、前記第１及び第２のトランジスタは、バックコンバータのコンポーネントであるハイサイド及びローサイドパワートランジスタの各々であることを特徴とするモジュール。
【請求項１５】
請求項６に記載のモジュールであって、前記第１及び第２のトランジスタは、金属酸化半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）であることを特徴とするモジュール。
【請求項１６】
集積化トランジスタモジュールであって、互いに離間している第１のソースパッド及び第２のソースパッド、前記第１のソースパッドと第２のソースパッドとの間に配されている１または複数の共通ソース−ドレインリード、及び前記第２のパッドの外側に配されている１または複数のドレインリードを有するプレーナリードフレームと、
各々が一方の面にソース電極を有しかつ他方の面にドレイン電極を有する第１のトランジスタ及び第２のトランジスタと、を含み、前記第１及び第２のソース電極は前記第１のソースパッド及び第２のソースパッドに各々取り付けられており、前記第２のトランジスタの前記ソースは、前記１または複数の共通ソース−ドレインリードに電気的に接続されており、前記トランジスタモジュールは、さらに、
前記第１のトランジスタの前記ドレイン電極に取り付けられているプレーナメンバ、及び前記１または複数の共通ソース−ドレインリードに電気的に接続されており下方に伸張している複数のリードを有する第１のドレインクリップと、
前記第２のトランジスタの前記ドレイン電極に取り付けられているプレーナメンバ、及び前記プレーナメンバから伸張しかつ前記第２のパッドの外側に配されている前記１または複数のドレインリードを有する第２のドレインクリップと、
前記リードフレーム、前記トランジスタ及び前記クリップを部分的にカプセル化して前記モジュールを形成するモールド材と、を含み、前記第１のソースパッド及び第２のソースパッドの各々の底面の一部、及び前記ドレインクリップの前記プレーナメンバが露出させられて前記モジュールの２面冷却がもたらされることを特徴とする集積化トランジスタモジュール。
【請求項１７】
集積化トランジスタモジュールの製造方法であって、
互いに離間している第１及び第２のパッド、前記パッド間に設けられる１以上の共通ソース−ドレインリード及び前記第２のパッドの外側に設けられる１以上のドレインリードを有するリードフレームを用意するステップと、
第１及び第２のトランジスタを前記第１及び第２のパッドに各々フリップチップ取り付けするステップと、
第１のクリップを前記第１のトランジスタのドレインに取り付けかつ前記１以上の共通ソース−ドレインリードに電気的に接続するステップと、
第２のクリップを前記第２のトランジスタのドレインに取り付けかつ前記第２のパッドの外側に設けられた前記１以上のドレインリードに電気的に接続するステップと、
前記リードフレーム、前記トランジスタ及び前記クリップをモールディング材でカプセル化して前記モジュールを形成するステップと、を含み、
前記第２トランジスタのソースは前記１以上の共通ソース−ドレインリードに電気的に接続されていることを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１７記載の方法であって、前記リードフレームの前記パッド及び前記クリップは露出されかつモールディング材に覆われずに前記モジュールの２面冷却を提供することを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１７記載の方法であって、前記第１及び第２のトランジスタは金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）であることを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１７記載の方法であって、前記第１及び第２のトランジスタは、各々バックコンバータの構成部品であるハイ側及びロー側パワートランジスタであることを特徴とする方法。