【事件の表示】
　特許第３８８３５３１号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第３８８３５３１号に係る明細書及び図面を本件審判請求書に添付された訂正明細書及び図面のとおり訂正することを認める。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第３８８３５３１号に係る発明は，平成７年５月２５日（国内優先権主張平成６年１２月２０日）に出願した特願平７−１２６４０５号の一部を平成１５年９月１６日に新たな特許出願としたものに係り，平成１８年１１月２４日に特許権の設定登録がなされた。
　その後，平成１９年６月１４日に請求項１に係る発明について特許無効審判（無効２００７−８００１１７号；以下，単に「無効審判」という）が請求され，平成２０年２月４日付けで請求項１に係る発明についての特許を無効とする旨の審決がなされたが，同年２月２９日に審決の取消しを求める訴えが知的財産高等裁判所に提起され（平成２０（行ケ）第１００７２号），同年４月３０日に無効審判の請求が取り下げられた。
　そして，平成２３年５月１９日に本件訂正審判の請求がなされた。
　
第２　請求の趣旨
　本件訂正審判の請求の趣旨は，特許第３８８３５３１号に係る願書に添付した特許請求の範囲を審判請求書に添付した特許請求の範囲のとおりに訂正することを求めるもので，訂正前及び訂正後の特許請求の範囲はそれぞれ以下のとおりである。
　なお，訂正後の特許請求の範囲に付されたアンダーラインは請求人による。
　
〔訂正前の特許請求の範囲〕
　「【請求項１】第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面と，前記第１主面から前記第２主面に貫通するスリットとを有し，前記第２主面上に複数の電極パッドを有し，リジット基板で構成されるベース基板と，
　主面に回路システムと複数の外部端子を有する半導体ペレットであって，前記半導体ペレットの前記主面が前記ベース基板の前記第１主面に向かい合い，かつ，前記複数の外部端子が前記スリットの内側に平面的に位置し，かつ，前記スリットの一部の領域が前記半導体ペレットの外側に平面的に位置するように前記ベース基板上に搭載された半導体ペレットと，
　前記半導体ペレットの前記複数の外部端子と前記ベース基板の前記複数の電極パッドとを各々電気的に接続する複数のボンディングワイヤと，
　前記ベース基板の前記第１主面及び前記第２主面の両側に形成され，前記スリットを介して互いに連続した樹脂封止体であって，前記複数のボンディングワイヤを封止する樹脂封止体と，
　前記ベース基板の前記第２主面上に形成され，前記複数の電極パッドと各々電気的に接続された複数のバンプ電極と，
　を備えたことを特徴とする半導体装置。
　【請求項２】請求項１において，前記ベース基板の前記第１主面側に形成された前記樹脂封止体の一部は，前記半導体ペレット及び前記ベース基板の前記第１主面に接触し，前記ベース基板の前記第２主面側に形成された前記樹脂封止体の一部は，前記複数の電極パッドが形成された領域の前記第２主面に接触していることを特徴とする半導体装置。
　【請求項３】請求項２において，前記半導体ペレットの前記主面に対向する裏面は，前記ベース基板の前記第１主面側に形成された前記樹脂封止体から露出していることを特徴とする半導体装置。
　【請求項４】請求項１において，前記複数のボンディングワイヤは，金ワイヤであり，前記半導体ペレットの前記複数の外部端子と前記ベース基板の前記複数の電極パッドとの接続は，超音波・熱圧着ボンディングにより行われることを特徴とする半導体装置。
　【請求項５】請求項１において，前記樹脂封止体は，添加物としてフィラーを含む樹脂から形成されることを特徴とする半導体装置。
　【請求項６】請求項１において，前記複数のバンプ電極の各々の高さは，前記ベース基板の厚さ方向における前記第２主面側に形成された前記樹脂封止体の部分の厚さより大きく形成されていることを特徴とする半導体装置。
　【請求項７】請求項６において，前記複数のバンプ電極の各々は，Ｐｂ−Ｓｎ系の合金材で形成されることを特徴とする半導体装置。
　【請求項８】請求項６において，前記複数のバンプ電極の各々は，実装基板に電気的及び機械的に接続するために形成されていることを特徴とする半導体装置。」
　
〔訂正後の特許請求の範囲〕
　「【請求項１】第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面と，前記第１主面から前記第２主面に貫通するスリットとを有し，前記第２主面上に複数の電極パッドを有し，リジット基板で構成されるベース基板と，
　主面に回路システムと複数の外部端子を有する半導体ペレットであって，前記半導体ペレットの前記主面が
絶縁層を介して
　前記半導体ペレットの前記複数の外部端子と前記ベース基板の前記複数の電極パッドとを各々電気的に接続する複数のボンディングワイヤと，
　前記ベース基板の前記第１主面及び前記第２主面の両側に形成され，前記スリットを介して互いに連続した樹脂封止体であって，前記複数のボンディングワイヤを封止する樹脂封止体と，
　前記ベース基板の前記第２主面上に形成され，前記複数の電極パッドと各々電気的に接続された複数のバンプ電極と，
　を備
え，
　
前記絶縁層は，前記樹脂封止体とは別の層で形成され，
　
前記ベース基板の前記第１主面及び前記第２主面の両側に形成された前記樹脂封止体の一部は，前記半導体ペレットの外側の周辺領域において，前記ベース基板の一部を挟むように形成されている，
　ことを特徴とする半導体装置。
　【請求項２】請求項１において，前記ベース基板の前記第１主面側に形成された前記樹脂封止体の一部は，前記半導体ペレット及び前記ベース基板の前記第１主面に接触し，前記ベース基板の前記第２主面側に形成された前記樹脂封止体の一部は，前記複数の電極パッドが形成された領域の前記第２主面に接触していることを特徴とする半導体装置。
　【請求項３】請求項２において，前記半導体ペレットの前記主面に対向する裏面は，前記ベース基板の前記第１主面側に形成された前記樹脂封止体から露出していることを特徴とする半導体装置。
　【請求項４】請求項１において，前記複数のボンディングワイヤは，金ワイヤであり，前記半導体ペレットの前記複数の外部端子と前記ベース基板の前記複数の電極パッドとの接続は，超音波・熱圧着ボンディングにより行われることを特徴とする半導体装置。
　【請求項５】請求項１において，前記樹脂封止体は，添加物としてフィラーを含む樹脂から形成されることを特徴とする半導体装置。
　【請求項６】請求項１において，前記複数のバンプ電極の各々の高さは，前記ベース基板の厚さ方向における前記第２主面側に形成された前記樹脂封止体の部分の厚さより大きく形成されていることを特徴とする半導体装置。
　【請求項７】請求項６において，前記複数のバンプ電極の各々は，Ｐｂ−Ｓｎ系の合金材で形成されることを特徴とする半導体装置。
　【請求項８】請求項６において，前記複数のバンプ電極の各々は，実装基板に電気的及び機械的に接続するために形成されていることを特徴とする半導体装置。」
　
第３　訂正の適否についての当審の判断
　請求項１の訂正は，向かい合う半導体ペレットの主面とベース基板の第１主面との間に絶縁層を介在させ，該絶縁層は樹脂封止体とは別の層で形成されるとの訂正事項（以下，訂正事項イという）及びベース基板の第１主面及び第２主面の両側に形成された樹脂封止体の一部は，半導体ペレットの外側の周辺領域において，ベース基板の一部を挟むように形成されているとの訂正事項（以下，訂正事項ロという）からなるといえる。請求項２ないし請求項８は，記載自体に変更はないが，いずれも請求項１を直接または間接に引用するから，これらの請求項についても，請求項１と同じ内容の訂正がされるものである。
　
１．目的要件
　訂正事項イは，訂正前において，半導体ペレットの主面がベース基板の第１主面に向かい合うことが要件とされていたところ，該向かい合う二つの面の間に絶縁層を介在させ，該絶縁層が樹脂封止体とは別の層で形成されることを限定したものである。
　訂正事項ロは，訂正前において，ベース基板の第１主面及び第２主面の両側に形成され，スリットを介して互いに連続した樹脂封止体を備えることが要件とされていたところ，該樹脂封止体について，「樹脂封止体の一部は，半導体ペレットの外側の周辺領域において，ベース基板の一部を挟むように形成されている」との限定を付したものである。
　したがって，本件審判の請求は，特許法第１２６条第１項第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
２．新規事項の有無
　本件特許の願書に添付した明細書又は図面には，以下の事項が記載されている。
　ａ）「【００２９】前記半導体ペレット２は，その主面（図２，図３において下面）を下にしてベース基板１の主面のペレット搭載領域上に搭載される。つまり，半導体ペレット２は，ベース基板１の主面のペレット搭載領域上にフェースダウン方式で搭載される。半導体ペレット２の主面とベース基板１の主面のペレット搭載領域との間には絶縁層３が介在される。絶縁層３は例えばポリイミド系，エポキシ系又はシリコン系の低弾性樹脂で形成される。」
　ｂ）「【００３６】前記ベース基板１の主面のペレット搭載領域を除くその周辺領域上は樹脂封止体７で覆われ，前記ボンディングワイヤ６は樹脂封止体７で封止される。つまり，樹脂封止体７はベース基板１の主面側及びその裏面側に形成される。樹脂封止体７は，低応力化を図る目的として，フェノール系硬化剤，シリコーンゴム及びフィラーが添加されたエポキシ系の樹脂７Ａで形成される。」
　ｃ）「【００４１】次に，図６（断面図）に示すように，前記ベース基板１の主面のペレット搭載領域上に半導体ペレット２を搭載する。半導体ペレット２はベース基板１の主面のペレット搭載領域上に絶縁層３を介在して固着される。」
　ｄ）「【００４５】次に，前記樹脂タブレットをトランスファモールド装置のプランジャで加圧し，ポットからランナー，流入ゲート１３の夫々を通してキャビティ１１の凹部１１Ａ内及び凹部１２内に樹脂７Ａを供給し，図９（要部断面図）に示すように，ベース基板１の主面の周辺領域上を覆い，半導体ペレット２の裏面を露出し，かつボンディングワイヤ６を封止する樹脂封止体７を形成する。凹部１２の樹脂７Ａは，凹部１１Ａからベース基板１のスリット５を通して供給される。」
　ｅ）「【００６１】（６）樹脂封止体７をベース基板１の主面側及びその裏面側に形成する。この構成により，温度サイクル試験時やバンプ電極４の接続時に発生する熱ストレスでベース基板１から樹脂封止体７が剥がれるのを防止することができるので，半導体装置の信頼性を高めることができる。」
　ｆ）図３を参照すると，ベース基板１の上側（第１主面）に形成された樹脂封止体７と，ベース基板１の下側（第２主面）に形成された樹脂封止体７が，スリット５を介して連続して形成されており，スリット５の近傍であって半導体ペレット２の外側の領域では，上側の樹脂封止体と下側の樹脂封止体とにより，ベース基板１が挟まれていることが看取できる。
　
　訂正事項イに係る訂正後の発明特定事項は，記載事項ａ），ｃ）及びｄ）から把握される事項であり，訂正事項ロに係る訂正後の発明特定事項は，記載事項ｂ），ｅ）及びｆ）から把握される事項である。
　したがって，本件訂正は，願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであり，本件審判の請求は，特許法第１２６条第３項の規定に適合する。
　
３．特許請求の範囲の拡張又は変更の有無
　本件特許の願書に添付した明細書の段落【００１３】には，「本発明の目的は，半導体装置の小型化を図ることが可能な技術を提供することにある。本発明の他の目的は，前記半導体装置の動作速度の高速化を図ることが可能な技術を提供することにある。本発明の他の目的は，半導体装置の電気的信頼性を高めることが可能な技術を提供することにある。本発明の他の目的は，半導体装置の実装精度を高めることが可能な技術を提供することにある。」と記載されている。訂正前の請求項１に係る発明は，半導体装置の小型化を図ること，半導体装置の動作速度の高速化を図ること，半導体装置の電気的信頼性を高めること，半導体装置の実装精度を高めること等を解決課題とするものといえる。
　訂正事項イは，半導体ペレットの主面とベース基板の第１主面との関係を具体化したものであり，新たな解決課題を導入するものではない。
　訂正事項ロは，ベース基板の第１主面及び第２主面に形成された樹脂封止体であって，スリットを介して連続した樹脂封止体について，その構成を具体化したものである。これは，半導体装置の信頼性を高める作用効果と関連する（記載事項ｅ）参照）といえるが，新たな解決課題を導入するものではない。
　したがって，本件訂正は，実質上特許請求の範囲を変更するものではなく，本件審判の請求は，特許法第１２６条第４項の規定に適合する。
　
４．独立特許要件
　請求が取り下げられた無効審判の審決において，訂正前の請求項１に係る発明は，甲第２号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明することができたと判断されている。ここで，甲第２号証とは，特開昭６４−８１３３０号公報のことであり，周知技術とは，「リジット基板にスリットのような貫通孔を設け，その貫通孔を介して半導体ペレットとリジット基板裏面とを接続すること」であって，その例として，同審決では，特開平２−２９５１５９号公報，特開平６−３７２５０号公報及び特開昭５８−１７８５２９号公報が挙げられている。
　そこで，訂正後の請求項１に係る発明（以下，「訂正発明１」という）の進歩性を判断するにあたっては，特開昭６４−８１３３０号公報（以下，「引用例」という）との対比に基づいて行うこととする。
　
　本件特許の原出願の優先日よりも前に頒布された引用例には，図面とともに，以下の事項が記載されている。
　・「本発明はフイルムキャリヤー半導体装置に関し，特に超多数リードを有するフイルムキャリヤー半導体装置に関する。」（第２頁左上欄第５〜７行）
　・「さらに，フイルムキャリヤーテープの材料としては，一般に使用されている１２７μｍ厚のポリイミドフイルムに３５μｍ厚の銅箔を接着し，リードを形成したものでも良いが，熱膨張等による寸法変化により，外部接続端子とプリント基板のボンディングパッドとの接続部への影響を避けるため，７５〜１００μｍ厚のポリイミドフイルムで，かつ熱膨張係数は１．５×１０−６ｃｍ／ｃｍ／℃程度以下のものが適当である。」（第４頁右上欄第９〜１７行）
　・「第３図は本発明の第２の実施例の縦断面図である。第１の実施例の場合と同様に，半導体チップ２にバンク７が格子状に配列され，また半導体チップのバンプが露出するように少なくとも２つ以上でスリット状に設けられたデバイス用スリット１１と，デバイス用スリットに一方端を突出させ他方端に外部接続用端子１２を設けたリード４と，このリード４と外部接続用端子１２とを囲みテープ用スリット１４が設けられている。フイルムキャリヤーテープのリード４は半導体チップのバンプ７と接続されている。さらに少なくとも半導体チップ表面を被覆するように樹脂１５が封止されている。」（第４頁左下欄第３〜１５行）
　・「以上に示したフイルムキャリヤー半導体装置の製造方法を次に説明する。第１の実施例と同様に，第１図（ａ），（ｂ）に示すように，搬送及び位置決め用の孔であるスプロケットホール１と半導体チップの電極であるバンプが露出するように，少なくとも２つ以上でスリット状に設けられたデバイス用スリット１１及び支持枠１３を残して，テープ用スリット１４を有する絶縁フイルム上に銅等の金属箔を接着し，金属箔をエッチング等により所望の形状のリードと外部接続用端子１２を形成し，無電解メッキ法により錫等のメッキを行なったフイルムキャリヤーテープ６と，あらかじめ格子状に電極端子上に金属突起物であるバンプ７を設けた半導体チップ２とを準備し，フイルムキャリヤーテープのリード４と半導体チップのバンプ７とをインナーリードボンディングする。
　ついで，第３図に示すように，少なくとも半導体チップ表面を被覆するように樹脂１５を封止する。樹脂はエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂等の液状のものを使用し，かつデバイス用スリット１４から滴下すれば容易に半導体チップ表面を被覆封止することができる。
　次に，第１の実施例と同様にフイルムキャリヤーテープの支持部１３を切断し，半導体チップ２をフイルムキャリヤーテープから分離し，第３図に示すように，フェイスダウンにてプリント基板８のボンディングパッド１０にフイルムキャリヤーテープの外部接続用端子１２とをアウターリードボンディングして完成する。」（第４頁左下欄第１５行〜第５頁左上欄第４行）
　
　上記各記載から理解されるように，引用例に記載されたフイルムキャリヤー半導体装置は，フイルムキャリヤーテープ６のリード４が半導体チップ２のバンプ７と接続され，半導体チップ２の表面を被覆するように樹脂１５が封止されるもので，リード４の一方端に形成された外部接続用端子１２は，フイルムキャリヤーテープ６の半導体チップ２とは反対側の面に位置し，リード４の他方端は，フイルムキャリヤーテープ６に設けられたデバイス用スリット１１を通ってバンプ７に接続され，樹脂１５は，デバイス用スリット１１内の空間のほとんどを埋めている。
　引用例の「半導体チップ２」は，訂正発明１の「半導体ペレット」に相当するが，引用例のフイルムキャリヤーテープ６は，厚さが７５〜１００μｍ程度のポリイミドフイルムからなるものであり，訂正発明１の「リジット基板で構成されるベース基板」とは明らかに異なる。さらに，訂正発明１では，半導体ペレットの主面が樹脂封止体とは別の絶縁層を介してベース基板の第１主面に向かい合うことが要件とされているとともに，ベース基板の第１主面及び第２主面の両側に形成された樹脂封止体の一部が，半導体ペレットの外側の周辺領域において，ベース基板の一部を挟むように形成されていることが要件とされているところ，これらについても，引用例に記載されていない。
　そして，以上の相違点について，当業者が容易に想到し得たとする理由を見いだすことはできないから，訂正発明１について，進歩性を否定することはできない。
　
　訂正後の請求項２ないし８に係る発明は，訂正発明１の下位概念にあたるから，これらの発明についても，進歩性を否定することはできない。
　その他，訂正後の各請求項に係る発明について，特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由を見いだすことはできない。
　したがって，本件審判の請求は，特許法第１２６条第５号の規定に適合する。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから，本件審判の請求は，特許法第１２６条第１項第１号に掲げる事項を目的とするものであり，かつ，同条第３号ないし第５号の規定に適合する。
　よって，結論のとおり審決する。