【事件の表示】
　特願２００１−３２９７６９「圧電体薄膜素子およびその製造方法，ならびにこれを用いたインクジェット記録ヘッド及びインクジェットプリンタ」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　５月　９日出願公開，特開２００３−１３３６０４〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１３年１０月２６日の出願であって，平成１９年８月１５日付けの拒絶理由通知に対して，平成１９年１０月１５日に意見書が提出されたが，平成２０年２月８日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，平成２０年３月１３日に審判が請求されるとともに，平成２０年４月１４日に手続補正書が提出されたものである。
　
第２　平成２０年４月１４日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定。　
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
（１）本件補正のうち，特許請求の範囲についての補正は，次のとおりである。
　　ア　補正前の特許請求の範囲
「【請求項１】下部電極と，該下部電極上に設けられた圧電体薄膜と，該圧電体薄膜上に設けられた上部電極と，を備える圧電体薄膜素子であって，
　前記圧電体薄膜は，格子定数のａ軸とｃ軸の長さの比（ｃ／ａ）が１.０００以上，１．０００５以下であり菱面体晶系の結晶構造を有するＰＺＴ結晶に，周期表のＩＩＡ族元素の少なくとも一種類が添加されている圧電体薄膜素子。
　【請求項２】前記ＰＺＴ結晶は，前記圧電体薄膜の厚み方向における（１００）面配向度が７０％以上である請求項１記載の圧電体薄膜素子。
　【請求項３】ＺｒとＴｉのモル比（Ｚｒ／Ｔｉ）が１．０以上，１．２８以下である請求項２記載の圧電体薄膜素子。
　【請求項４】前記周期表のＩＩＡ族元素は，Ｂｅ，Ｃａ，Ｍｇ，又はＢａである請求項１ないし３のいずれか一項に記載の圧電体薄膜素子。
　【請求項５】前記圧電体薄膜は，周期表のＩＩＡ族元素の少なくとも一種類を０．０５ｍｏｌ％以上，５．００ｍｏｌ％以下含む請求項１ないし４のいずれか一項に記載の圧電体薄膜素子。
　【請求項６】前記下部電極は，Ｐｔ及び／又はＩｒからなる膜に，Ｔｉが均一に分散して構成されている請求項１ないし５のいずれか一項に記載の圧電体薄膜素子。
　【請求項７】請求項１ないし６のいずれか一項に記載の圧電体薄膜素子を，インクを吐出させるための圧電アクチュエータとして備えたインクジェット記録ヘッド。
　【請求項８】請求項７記載のインクジェット記録ヘッドを印字手段として備えたインクジェットプリンタ。
　【請求項９】下部電極上に，周期表のＩＩＡ族元素の少なくとも一種類を含むＰＺＴ前駆体を形成した後，これを６００℃以上７００℃以下で焼成させて格子定数のａ軸とｃ軸の長さの比（ｃ／ａ）が１.０００以上，１．０００５以下であり菱面体晶系の結晶構造からなる圧電体薄膜とし，次いで，該圧電体薄膜上に上部電極を形成して圧電体薄膜素子を製造する方法。
　【請求項１０】前記下部電極は，基板上にＴｉを含む密着層を形成した後，該密着層上にＰｔ及び／又はＩｒからなる膜を形成し，次いで，前記焼成によって，該Ｐｔ及び／又はＩｒからなる膜内に前記密着層中のＴｉを拡散させて得られる請求項９記載の圧電体薄膜素子を製造する方法。」
　
　　イ　補正後の特許請求の範囲（下線は補正箇所を示す。）
「【請求項１】下部電極と，該下部電極上に設けられた圧電体薄膜と，該圧電体薄膜上に設けられた上部電極と，を備える圧電体薄膜素子であって，
　前記圧電体薄膜は，格子定数のａ軸とｃ軸の長さの比（ｃ／ａ）が１.０００以上，１．０００５以下であり菱面体晶系の結晶構造を有するＰＺＴ結晶に，周期表のＩＩＡ族元素の少なくとも一種類が添加されて
おり
　
前記ＰＺＴ結晶は，前記圧電体薄膜の厚み方向における（１００）面配向度が７０％以上であり，　前記周期表のＩＩＡ族元素は，Ｂｅ又はＣａであり，　前記圧電体薄膜は，周期表のＩＩＡ族元素の少なくとも一種類を０．０５ｍｏｌ％以上，５．００ｍｏｌ％以下含む
　【請求項２】ＺｒとＴｉのモル比（Ｚｒ／Ｔｉ）が１．０以上，１．２８以下である請求項
１
　【請求項３】前記下部電極は，Ｐｔ及び／又はＩｒからなる膜に，Ｔｉが均一に分散して構成されている請求項１
または２
　【請求項４】請求項１ないし
３
　【請求項５】請求項
４
　
（２）補正内容のまとめ
　　ア　請求項１について
　請求項１についての補正は，請求項１に，請求項２，請求項４及び請求項５の限定を加え，さらに，周期表のＩＩＡ属元素を，Ｂｅ又はＣａに限定した上で，補正後の請求項１とするものである。
　　イ　請求項２〜８について
　請求項２，４，５は，補正後の請求項１に吸収されたことに伴い削除し，請求項３，６，７，８は，項番を繰り上げて，それぞれ，補正後の請求項２，３，４，５とする。
　　ウ　請求項９，１０について
　請求項９，１０は，削除する。
　
２　補正目的の適否
（１）以上によれば，特許請求の範囲についての補正は，特許請求の範囲の減縮及び請求項の削除を目的とするものに該当するから，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に適合する。
　
３　独立特許要件についての検討
　以上のとおり，請求項１についての本件補正は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから，補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものかどうか（ 平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する独立要件を満たすかどうか）について，以下，検討する。
　
（１）本願補正発明
　本願補正発明は，次のとおりである。
「下部電極と，該下部電極上に設けられた圧電体薄膜と，該圧電体薄膜上に設けられた上部電極と，を備える圧電体薄膜素子であって，
　前記圧電体薄膜は，格子定数のａ軸とｃ軸の長さの比（ｃ／ａ）が１.０００以上，１．０００５以下であり菱面体晶系の結晶構造を有するＰＺＴ結晶に，周期表のＩＩＡ族元素の少なくとも一種類が添加されており，
　前記ＰＺＴ結晶は，前記圧電体薄膜の厚み方向における（１００）面配向度が７０％以上であり，
　前記周期表のＩＩＡ族元素は，Ｂｅ又はＣａであり，
　前記圧電体薄膜は，周期表のＩＩＡ族元素の少なくとも一種類を０．０５ｍｏｌ％以上，５．００ｍｏｌ％以下含む圧電体薄膜素子。」
　
（２）引用例の記載と引用発明
（２−１）引用例の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１０−８１０１６号公報には，図表とともに次の記載がある（下線は当審で付加，以下同じ）。
　　ア　発明の課題等
「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は，電気的エネルギーを機械的エネルギーに変換し，又は，その逆を行う
薄膜型の圧電体素子に関する
【００１２】【発明が解決しようとする課題】
１μｍ以上の膜厚を備えた圧電体薄膜（ＰＺＴ膜）を形成する場合，前述した高い圧電ひずみ定数を得るために，既述の熱処理を行うと，膜内にクラックが発生する問題がある
【００１３】また，ゾル，又はゲル組成物を基板に塗布して高温で焼成して結晶化させ，これを繰り返すことで，圧電体薄膜の膜厚を厚くする方法が，Philips J. Res.47(1993') pages 263-285 に開示されている。しかしながら，この方法によって得られた圧電体薄膜は，層状の積層界面を有し，良好な圧電特性を得ることができないとともに，加工性が悪くなるという問題がある。
【００１４】
圧電体薄膜は，通常，基板上に形成された下電極である金属膜上に形成されるが，この圧電体薄膜を形成する際に行われる熱処理により，基板に反りやひずみが生じるという問題がある
【００１９】
本発明は，このような従来の問題点を解決することを課題とするものであり，従来よりも圧電特性が向上された圧電体薄膜素子，並びにこの製造方法を提供することを目的とする
　
　　イ　課題解決手段
「【００２３】【課題を解決するための手段】・・・
圧電体薄膜素子の圧電特性を向上するために，基板上に形成された金属膜と，この金属膜上に形成された，チタン酸ジルコン酸鉛に第３成分を加えたＰＺＴ薄膜と，を備えた圧電体薄膜素子において，ＰＺＴ薄膜は菱面体晶系の結晶構造を備え，かつ，その結晶構造の，Ｘ線回折薄膜法で測定した（１００）配向度が，３０％以上であることを特徴とする
【００２４】
配向度をこのようにするために，ＰＺＴ薄膜のアニーリング温度を７５０℃より大きく，かつ１０００℃より小さく，好ましくは８００℃以上１０００℃以下とし，さらに，好ましくは，Ｚｒ／Ｔｉがモル比で，３５／４５≦（Ｚｒ／Ｔｉ）≦４５／３５とした
【００２５】
さらに，好適には，圧電体薄膜の結晶構造がさらに改良されて，多結晶体からなる圧電体膜と，この圧電体膜を挟んで配置される上電極と下電極と，を備えた圧電体薄膜素子において，圧電体膜の結晶体が，電極面に対して略垂直方向に形成される。すなわち，圧電体の結晶体の粒界が，電極面に対して略垂直方向に形成される
【００２６】
この圧電体薄膜素子の好適な実施形態では，圧電体膜は，その結晶構造を菱面体晶（rhombohedral）にされ，面方位（１１１）の結晶面，あるいは面方位（１００）の結晶面，あるいは面方位（１１１）と面方位（１００）の結晶面のいずれかに強く配向される
【００２７】また，圧電体膜は，結晶構造を正方晶（tetragonal）にされ，面方位（００１）の結晶面に強く配向される。」
　
　　ウ　発明の実施例
「【００３９】【発明の実施の形態及び実施例】次に，本発明に係る実施の形態及び図面について，以下に，必要に応じて図面を参照しながら説明する。なお，本実施の形態では，圧電体膜としてＰＺＴ膜を形成した場合について説明する。
【００４０】Ｉ．先ず，具体的な薄膜圧電体素子の構造を図面を用いて説明する。図１において，薄膜圧電体素子は，シリコン（Ｓｉ）基板１０と，下電極（例えば，Ｐｔからなる）１２と，圧電体膜（例えば，２成分系ＰＺＴ）１４と，上電極１６（例えば，Ｐｔからなる）とから構成される。
【００４１】
図２は，この圧電体薄膜素子の構造をより詳しく示した断面図であり，シリコン基板１０と，シリコン基板上に形成されたシリコン酸化膜１１と，シリコン酸化膜上に形成されたチタン酸化膜１１Ａと，チタン酸化膜上に形成された下電極１２と，下電極上に形成されたＰＺＴ膜（圧電体膜）１４と，ＰＺＴ膜上に形成された上電極１６と，を備えて構成されている
【００４２】
下電極を例えばプラチナから形成することにより，下電極の格子定数とＰＺＴ膜の格子定数を近づけて，下電極と後に形成されるＰＺＴ膜との密着性を向上させることができる
【００４３】（実施例１）この実施例１においては，まず，シリコン基板１０上に下電極１２として白金をスパッタ法で形成した。次に，圧電体薄膜１４をゾルゲル法により形成した。ゾルは次のように調製した。酢酸鉛０．１０５モル，ジルコニウムアセチルアセトナート０．０４５モル，酢酸マグネシウム０．００５モルと３０ミリリットルの酢酸を，１００℃に加熱して溶解させた。
【００４４】このゾルを室温まで冷却し，チタンテトライソプロポキシド０．０４０モル，ペンタエトキシニオブ０．０１０モルをエチルセラソルブ５０ミリリットルに溶解させて添加した。アセチルアセトンを３０ミリリットル添加して安定化させた後，ポリエチレングリコールをゾル中の金属酸化物に対し３０重量％添加し，よく攪拌して均質なゾルとした。
【００４５】下電極を形成した基板上に調製したゾルをスピンコートで塗布し，４００℃で仮焼成し，非晶質の多孔質ゲル薄膜を形成し，さらに，ゾルの塗布と４００℃の仮焼成を２度繰り返し，多孔質ゲル薄膜を形成した。この加熱の際に，ゾル中のポリエチレングルコールが蒸発して，多孔質を形成する。
【００４６】次に，ペロブスカイト結晶を得るためＲＴＡ（Raid Thermal Anneaing）炉を用いて酸素雰囲気中，５秒間で６５０℃に加熱して１分間保持しプレアニールを行い，緻密なＰＺＴ薄膜とした。
【００４７】再びこのゾルをスピンコートで塗布して４００℃に仮焼成する工程を３度繰り返し，非晶質の多孔質ゲル薄膜を積層した。次に，ＲＴＡを用いて６５０℃でプレアニールして１分間保持することにより，結晶質の緻密な薄膜とした。このプレアニールの際の温度を４００乃至８００℃，好ましくは，４５０乃至７５０℃，さらに好ましくは，５５０乃至７５０℃にすることによって，既述の多孔質薄膜の積層界面を一体化することができる。
【００４８】さらに，ＲＴＡ炉を用いて酸素雰囲気中７５０，８００，８５０，９００，９５０，１０００，１０５０℃の各温度に加熱し１分間保持してアニールした。その結果１．０μｍの膜厚の圧電体薄膜１４が得られた。
【００４９】このようにして得られたＰＺＴ薄膜をＸ線回折薄膜法によって分析を行った。測定は，理学電機製  ＲＩＮＴ−１４００を用い，銅管球でＸ線入射角度１゜で行った。
【００５０
】図３に，９００℃でアニールしたＰＺＴ薄膜の薄膜法によるＸ線回折パターンを示す
図４に，７５０℃でアニールしたＰＺＴ薄膜の薄膜法によるＸ線回折パターンを示す
【００５１】
図３，図４に示したＸ線回折パターンの全てのピークがペロブスカイト構造のＰＺＴの反射ピークである。さらに，このＰＺＴ薄膜は結晶系としては菱面体晶あるいは正方晶を採るが，（１００），（１１０）等のピークが分離せず１つの鋭いピークになっていることから，菱面体晶系の結晶である
【００５２】また，
圧電薄膜上にアルミニウム電極を蒸着法で形成し，圧電定数ｄ３１を測定した。表１にアニール温度と（１００）配向度と圧電定数ｄ３１の関係を示す
【００５３】ここで，（１００）の配向度Ｐ（１００）は，Ｐ（１００）＝Ｉ（１００）／ΣＩ（ｈｋｌ）で表す。ΣＩ（ｈｋｌ）は，Ｘ線回折薄膜法で，波長にＣｕＫα線を用いたときの２θが２０度〜６０度のＰＺＴの全回折強度の和を表す。
【００５４】ただし，（２００）面は（１００）面と等価な結晶面であるため，ΣＩ（ｈｋｌ）には含めない。具体的には，（１００），（１１０），（１１１），（２１０），（２１１），結晶面反射強度の総和である。Ｉ（１００）は，同じくＰＺＴの（１００）結晶面反射強度を表す。
【００５５】【表１】（略）
【００５６】
（１００）の配向度Ｐ（１００）が高くなるほど，圧電定数ｄ３１が大きくなっており，アクチュエーターとして特性が向上する
【００５７】（実施例２）シリコン基板上に下電極として金をスパッタ法で形成した。次に，圧電体薄膜をゾルゲル法により形成した。ゾルは次のように調製した。酢酸鉛０．１０５モル，ジルコニウムアセチルアセトナート０．０３０モル，酢酸マグネシウム０．００７モルと３０ミリリットルの酢酸を，１００℃に加熱して溶解させた。
【００５８】このゾルを室温まで冷却し，チタンテトライソプロポキシド０．０５０モル，ペンタエトキシニオブ０．０１３モルをエチルセラソルブ５０ミリリットルに溶解させて添加した。アセチルアセトンを３０ミリリットル添加して安定化させた後，ポリエチレングリコールをゾル中の金属酸化物に対し３０重量％添加し，よく攪拌して均質なゾルとした（Ｚｒ／Ｔｉ＝３０／５０）。
【００５９】同様にジルコニウムアセチルアセトナート０．０３５モル，チタンテトライソプロポキシド０．０４５モル（Ｚｒ／Ｔｉ＝３５／４５），更にジルコニウムアセチルアセトナート０．０４０モル，チタンテトライソプロポキシド０．０４０モル（Ｚｒ／Ｔｉ＝４０／４０），さらに，ジルコニウムアセチルアセトナート０．０４５モル，チタンテトライソプロポキシド０．０３５モル（Ｚｒ／Ｔｉ＝４５／３５）のジルコニウムとチタンの組成の異なる４種類のゾル液を調製した。
【００６０】以降は実施例１と同様に，各ゾル液で積層し圧電体薄膜素子を作製し，評価を行った。表２にＺｒ／Ｔｉと（１００）配向度と圧電定数ｄ３１の関係を示す。
【００６１】【表２】（略）
【００６２】
実施例１と同様に（１００）配向度Ｐ（１００）が高くなるほど，圧電定数ｄ３１が大きくなっており，アクチュエーターとして特性が向上する
【００６３】以上の実施例１及び２に於いて，下部電極として，Ｐｔ，Ａｕを用いて説明したが，ＰＺＴ薄膜の（１００）配向度が，３０％以上となれば良く，Ａｕ，Ｐｔ−Ｉｒ，Ｐｔ−Ｐｄ，Ｐｔ−Ｎｉ，Ｐｔ−Ｔｉ等他の金属膜でも良い。
　
　　エ　Ｃａ等の添加について
「【００７７】ゾルゲル法に依る場合の，第３成分としてマグネシウムニオブ酸鉛を加えたＰＺＴ膜は，例えば，Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）0.2ＺｒxＴｉ0.8-xＯ3（ｘが０．３５〜０．４５）からなる組成で表示される。
【００７８】
さらに，これら二成分系ＰＺＴ及び三成分系ＰＺＴのいずれであっても，その圧電特性を改善するために
微量のＢａ
Ｃａ等が添加されてもよい
とりわけ，三成分系では，0.10モル％以下の
Ｂａの添加が圧電特性の改善に一層好ましい
【００７９】なお，ＰＺＴ膜は，前述した配向の他，面方位（１００）の結晶面，あるいは面方位（１１１）と面方位（１００）の結晶面のいずれかに強く配向していても良い。また，ＰＺＴ膜の結晶構造が，正方晶であり，面方位（００１）の結晶面に強く配向していてもよい。」
　
　　オ　発明の効果
「【０１８１】【発明の効果】以上述べたように本発明の圧電体薄膜素子は，最適な結晶配向性を持ったＰＺＴ薄膜を用いることにより，圧電特性を向上することができる。
【０１８２】本発明に係る圧電体薄膜素子は，この構成要素である圧電体膜の結晶体の粒界が，電極面に対して略垂直方向に存在しているため，クラックを発生させることなく，圧電ひずみ定数を向上させることができる。この結果，信頼性の高い，高性能な圧電体薄膜素子を提供することができる。」
　
（２−２）引用発明
　上記ア〜オによれば，引用例には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「ＰＺＴ薄膜を挟んで配置される上電極と下電極を備えた圧電体薄膜素子において，ＰＺＴ薄膜は菱面体晶系の結晶構造であり，その結晶構造の，Ｘ線回折薄膜法で測定した（１００）配向度が３０％以上である，圧電体薄膜素子。」
　
　そして，引用例には，上記ＰＺＴ薄膜を備えた圧電薄膜素子について，「
その圧電特性を改善するために
微量のＢａ，Ｓｒ
Ｃａ等が添加されてもよい
とりわけ，三成分系では，０．１０モル％以下のＳｒ，Ｂａの添加が圧電特性の改善に一層好ましい
 
（３）本願補正発明と引用発明の一致点と相違点
　引用発明の「上電極」，「下電極」，「ＰＺＴ薄膜」及び「配向度」は，それぞれ，本願補正発明の，「上部電極」，「下部電極」，「ＰＺＴ結晶」及び「面配向度」に相当する。
　そうすると，本願補正発明と引用発明は，
「下部電極と，該下部電極上に設けられた圧電体薄膜と，該圧電体薄膜上に設けられた上部電極と，を備える圧電体薄膜素子であって，
　前記圧電体薄膜は，菱面体晶系の結晶構造を有するＰＺＴ結晶である，圧電体薄膜素子。」
　である点で一致し，次の点で相違する。
　
［相違点１］本願発明は，「格子定数のａ軸とｃ軸の長さの比（ｃ／ａ）が１.０００以上，１．０００５以下」とされているのに対し，引用発明では，ａ軸とｃ軸の長さの比について特定されていない点
　
［相違点２］本願発明は，「前記ＰＺＴ結晶は，前記圧電体薄膜の厚み方向における（１００）面配向度が７０％以上」であるのに対し，引用発明では，「（１００）面配向度が３０％以上」とされている点
　
［相違点３］本願発明は，圧電体薄膜が，「周期表のＩＩＡ族元素のＢｅ又はＣａを０．０５ｍｏｌ％以上，５．００ｍｏｌ％以下含む」のに対し，引用発明においては，添加される元素として，周期表ＩＩＡ属元素では微量のＢａ，Ｓｒ及びＣａが挙げられ，具体的な添加量は，ＳｒとＢａについて０．１０モル％以下とされているにとどまる点。
　
（４）相違点についての検討
（４−１）相違点１について
　　ア　ＰＺＴ結晶は，相転移点を境に正方晶と菱面体晶の間を相転移するものである。正方晶ではｃ／ａが１よりも大きく，菱面体晶になると，ほぼ１に近づく。理想的な菱面体晶では，ｃ／ａは１である。
　　イ　このことは，原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平６−１５０７１６号公報の次の記載からも，明らかである。
「【００１１】図１において，Ｚｒ比４９．０でｃ＝４．１１３，ａ＝４．０４９オングストローム，軸比（ｃ／ａ）＝１．０１５８であり，Ｚｒ比の増加と伴に，ｃ軸は小さく，ａ軸は大きくなり，軸比（ｃ／ａ）が１．０に近づき，Ｚｒ比が５２．０〜５２．２５付近で正方晶から菱面体晶へ相転移が生じる相境界が存在していることが分かった。このことからＺｒ比が５２以下では正方晶系であり，Ｚｒ比が５２．２５以上では菱面体晶系であることが分った。
【００１２】図２は本発明に係る強誘電体を含む強誘電体のＺｒ比と歪の関係を示す図であり，前記試料を厚さ１ｍｍに研削し，銀ペースト電極を焼き付けた後に７００Ｖの電圧を印加し，非接触式レーザ変位計及び歪ゲージを用いて歪を測定したものを示す。
【００１３】図２によれば，Ｚｒ比が５２．０〜５２．２５の付近で歪は最大となる。これは相境界付近の組成物が軟かくて歪易い組成であると考えられる。そして，従来，相境界付近の組成物が採用されていたのは，歪が大きいことに起因している。」
　　ウ　そして，ＰＺＴ結晶が，菱面体晶で良好な圧電特性を生じるものであることは技術常識である（引用発明も菱面体晶である）。そうすると，本願発明において，「格子定数のａ軸とｃ軸の長さの比（ｃ／ａ）が１.０００以上，１．０００５以下」とした点は，単に，ＰＺＴ結晶が菱面体晶であることを，数値の点から規定したというにすぎない。本願の明細書の記載を参照しても，それ以上の技術的意義を見いだすことはできない。
　　エ　そうすると，相違点１は，実質的なものでないか，当業者が適宜設定し得るものである。
　
（４−２）相違点２について
　　ア 本願発明では，「前記ＰＺＴ結晶は，前記圧電体薄膜の厚み方向における（１００）面配向度が７０％以上」とされている。しかしながら，本願明細書を見ても，段落【００１４】に，「前記ＰＺＴ結晶は，前記圧電体膜の厚み方向における（１００））面配向度が７０％以上であることが好ましい。」とのみ記載されているだけである。また，段落【００７１】では，実施例の記述として「また，圧電体薄膜４３の厚み方向における（１００）面配向度は８０％であった。」とされているだけで，比較例もなく，具体的にどのような手段を採用すればこのような面配向度のものが再現性良く実現できるのかも不明である。
　　イ　他方で，大きな圧電定数を得るためには，一般に圧電体の結晶の配向がそろっていた方が良いことは技術常識である。そうすると，本願発明において，「前記ＰＺＴ結晶は，前記圧電体薄膜の厚み方向における（１００面配向度が７０％以上」とした点には，より好ましい配向度を規定したということ以上の技術的意義を見いだすことができない。
　　ウ　したがって，相違点２は，実質的なものでないか，当業者が適宜設定し得るものである。
　　
（４−３）相違点３
　　ア　前記（２−２）で述べたように，引用例には，上記ＰＺＴ薄膜を備えた圧電薄膜素子について，「
その圧電特性を改善するために
微量のＢａ，Ｓｒ
Ｃａ等が添加されてもよい
とりわけ，三成分系では，０．１０モル％以下のＳｒ，Ｂａの添加が圧電特性の改善に一層好ましい
　　イ　これに対し，本願明細書では，段落【００５９】において，包括的に「・・・さらに，Ｂｅ，
Ｃａ
Ｂａ
　　ウ　そうすると，引用例には，圧電体薄膜にＢａ，Ｓｒ，Ｃａを微量添加することにより圧電特性が改善されることが示唆されており，ＳｒとＢａの場合については，０．１０％モル以下とすることが好ましいとされているのであるから，引用発明において，添加する元素にＣａを採用し，その添加量を０．０５ｍｏｌ％以上５．００ｍｏｌ％以下としてみることは，当業者が容易になし得たものと判断される。
　
（４−４）小括
　以上のとおりであるから，本願補正発明は，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により独立して特許を受けることができないものである。
　
４　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項に違反するので，特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
１　以上のとおり本願補正は却下されたので，本願請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，本件補正前の請求項１に記載された次のとおりのものである。　
　
 「下部電極と，該下部電極上に設けられた圧電体薄膜と，該圧電体薄膜上に設けられた上部電極と，を備える圧電体薄膜素子であって，
　前記圧電体薄膜は，格子定数のａ軸とｃ軸の長さの比（ｃ／ａ）が１.０００以上，１．０００５以下であり菱面体晶系の結晶構造を有するＰＺＴ結晶に，周期表のＩＩＡ族元素の少なくとも一種類が添加されている圧電体薄膜素子。」
　
２　本願発明の容易想到性について
　前記第２，１（２）で検討したように，本件補正後の請求項１の内容は，本件補正前の請求項１の記載事項を限定的に減縮したものである。
　そうすると本願発明の構成要素をすべて含み，これをより限定した本願補正発明が，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　結言
　以上のとおり，本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，他の請求項に係る発明ついて検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。