【事件の表示】
　特願２００３−３６２７４５「特性が優秀なディスプレーデバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　６月　３日出願公開、特開２００４−１５８８５３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１５年１０月２３日の出願（パリ条約に基づく優先権主張２００２年１１月５日　大韓民国）であって、平成１９年２月２６日付けの拒絶理由通知に対して、同年６月４日に意見書が提出されたが、平成２０年７月２８日付けで拒絶査定がされ、それに対して、同年１１月４日に拒絶査定に対する審判請求がされるとともに手続補正書が提出され、その後、平成２２年１０月１５日付けで審尋がされ、平成２３年１月１９日に回答書が提出されたものである。
　
　
２．補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２０年１１月４日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正の内容
　平成２０年１１月４日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜１０を補正後の特許請求の範囲の請求項１〜７に補正するものであって、補正前後の請求項は各々以下のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　ディスプレー領域である画素領域でポリシリコン基板のプライマリー結晶粒境界と薄膜トランジスターのソースからドレインに流れる電流方向が成す角度が−３０°ないし３０°になるように製作されたことを特徴とするディスプレーデバイス。
【請求項２】
　請求項１において、前記プライマリー結晶粒境界と前記薄膜トランジスターのソースからドレインに流れる電流方向が水平になることを特徴とするディスプレーデバイス。
【請求項３】
　請求項２において、前記プライマリー結晶粒境界は、前記薄膜トランジスターのアクティブチャンネル領域では一定の個数として存在することを特徴とするディスプレーデバイス。
【請求項４】
　請求項１において、前記ディスプレーデバイスは、有機電界発光ディスプレーデバイスであることを特徴とするディスプレーデバイス。
【請求項５】
　請求項１において、前記ポリシリコン基板は、ＳＬＳ（Ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ　Ｌａｔｅｒａｌ　Ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）方法により製作されたことを特徴とするディスプレーデバイス。
【請求項６】
　請求項１において、前記ディスプレーデバイスの駆動領域でポリシリコン基板のプライマリー結晶粒境界と薄膜トランジスターのソースからドレインへと流れる電流方向が成す角度が３０°ないし１５０°になるように製作されることを特徴とするディスプレーデバイス。
【請求項７】
　請求項６において、前記駆動領域で前記プライマリー結晶粒境界と前記薄膜トランジスターのソースからドレインへと流れる電流方向が垂直になることを特徴とするディスプレーデバイス。
【請求項８】
　請求項７において、前記プライマリー結晶粒境界は、前記薄膜トランジスターのアクティブチャンネル領域では一定の個数として存在することを特徴とするディスプレーデバイス。
【請求項９】
　請求項６において、前記ディスプレーデバイスは、有機電界発光ディスプレーデバイスであることを特徴とするディスプレーデバイス。
【請求項１０】
　請求項６において、前記ポリシリコン基板は、ＳＬＳ（Ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ　Ｌａｔｅｒａｌ　Ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）方法により製作されたことを特徴とするディスプレーデバイス。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　ディスプレー領域である画素領域でポリシリコン基板のプライマリー結晶粒境界と薄膜トランジスターのソースからドレインに流れる電流方向が成す角度が−３０°ないし３０°になり、ディスプレーデバイスの駆動領域でポリシリコン基板のプライマリー結晶粒境界と薄膜トランジスターのソースからドレインへと流れる電流方向が成す角度が３０°ないし１５０°になるように製作されたことを特徴とするディスプレーデバイス。
　　【請求項２】
　請求項１において、前記ディスプレー領域で前記プライマリー結晶粒境界と前記薄膜トランジスターのソースからドレインに流れる電流方向が水平になることを特徴とするディスプレーデバイス。
　　【請求項３】
　請求項２において、前記プライマリー結晶粒境界は、前記薄膜トランジスターのアクティブチャンネル領域では一定の個数として存在することを特徴とするディスプレーデバイス。
　　【請求項４】
　請求項１において、前記ディスプレーデバイスは、有機電界発光ディスプレーデバイスであることを特徴とするディスプレーデバイス
　　【請求項５】
　請求項１において、前記ポリシリコン基板は、ＳＬＳ（Ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ Ｌａｔｅｒａｌ Ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）方法により製作されたことを特徴とするディスプレーデバイス。
　　【請求項６】
　請求項１において、前記駆動領域で前記プライマリー結晶粒境界と前記薄膜トランジスターのソースからドレインへと流れる電流方向が垂直になることを特徴とするディスプレーデバイス。
　　【請求項７】
　請求項６において、前記プライマリー結晶粒境界は、前記薄膜トランジスターのアクティブチャンネル領域では一定の個数として存在することを特徴とするディスプレーデバイス。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると、以下のとおりである。
　
（２−１）補正事項１
　補正前の請求項１、４及び５を削除するとともに、補正前の請求項６を独立請求項形式として補正後の請求項１とし、さらに補正前の請求項７、８、９及び１０を、必要に応じて引用する請求項の番号を変更して、それぞれ、補正後の請求項６、７、４及び５とすること。
　
（２−２）補正事項２
　補正前の請求項６に、「前記ディスプレー領域で前記プライマリー結晶粒境界と前記薄膜トランジスターのソースからドレインに流れる電流方向が水平になる」という発明特定事項を付加して、補正後の請求項２と補正すること。
　
（２−３）補正事項３
　補正前の請求項６に、補正事項２に加え、「前記プライマリー結晶粒境界は、前記薄膜トランジスターのアクティブチャンネル領域では一定の個数として存在する」という発明特定事項を付加して、補正後の請求項３と補正すること。
　
（３）補正の目的の適否、及び新規事項の追加の有無について 
（３−１）補正事項１について
　補正事項１は、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　
（３−２）補正事項２について
　補正後の請求項２のディスプレー領域において「前記プライマリー結晶粒境界と前記薄膜トランジスターのソースからドレインに流れる電流方向が水平になる」ことは、「プライマリー結晶粒境界と薄膜トランジスターのソースからドレインに流れる電流方向が成す角度」が０°であることに他ならない。したがって、上記補正事項２は、補正前の請求項６に係る発明の発明特定事項である「プライマリー結晶粒境界と薄膜トランジスターのソースからドレインに流れる電流方向が成す角度が−３０°ないし３０°」を限定的に減縮する補正であるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（３−３）補正事項３について
　補正事項３は、補正事項２に加え、補正前の請求項６における「プライマリー結晶粒境界」について「薄膜トランジスターのアクティブチャンネル領域では一定の個数として存在する」という技術的限定を付加するものであり、補正前の請求項６に係る発明の発明特定事項を限定的に減縮する補正であるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（３−４）以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものを含んでいるから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて、以下において更に検討する。
　
（４）独立特許要件について
（４−１）補正後の発明
　本件補正による補正後の本願の請求項１〜７に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜７に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記（１）の「補正後」の箇所に記載したとおりのものである。
　
（４−２）引用刊行物に記載された発明
（４−２−１）引用例１
（４−２−１−１）原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された、本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１１−６４８８３号公報（以下「引用例１」という。）には、図１〜５とともに以下の記載がある（なお、下線は当合議体にて付加したものである。以下同じ。）。　
　
　「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示パネルなどに用いられる薄膜トランジスタ用多結晶半導体薄膜の製造方法および製造装置に関する
　
　「【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は薄型・軽量であり、低電圧駆動が可能で更にカラー化も容易である等の特徴を有し、近年、パーソナルコンピュータ、ワープロなどの表示装置として利用されている。
中でも各画素毎に、スィッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を設けたいわゆるアクティブマトリックス型液晶表示装置は、多画素にしてもコントラスト、レスポンス等の劣化が少なく、更に、中間調表示も可能であることから、フルカラーテレビや、ＯＡ用の表示装置として現在最適な表示方式である
【０００３】このアクティブマトリックス型液晶表示装置は、２枚の平面ガラス基板（アレイ基板、対向基板）と、これら基板間に挟まれた液晶層とからなる基板構成をとっている。具体的には一方のガラス基板、即ち、対向基板上には、各画素に対応したカラーフィルター配列と、透明電極（対向電極）とが形成されており、他方のアレイ基板には、マトリックス状に配列された透明電極からなる画素電極と、各画素電極にそのソース電極が接続されたＴＦＴが設けられている。ＴＦＴのゲート電極は、Ｘ方向に設けられたアドレス線に接続され、ドレイン電極はアドレス線と直角方向に設けられたデータ線に接続されている。
【０００４】このように構成された液晶表示装置では、所定のタイミングでアドレス線、データ線にそれぞれアドレス信号、データ信号を印加することにより、各画素電極に表示に対応した電圧を選択的に印加することができる。液晶層の配向は、即ち、光透過率は、対向電極と画素電極の電位差で制御でき、これにより任意の表示が可能となる。詳細はＴ．Ｐ．Ｂｒｏｄｙらの文献（IEEE Trans. on Electron.Devices, Vol. ED-20, Nov., 1973, pp.995-1001 ）に述べられている。」
　
　「【００２９】
【実施例】
（実施例１）図１は、本発明による多結晶Ｓｉ薄膜の形成方法の実施例１を示す図である。図１においてステージ６上に、大きさ３００×４００ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのガラス基板１を設置し、基板１上の厚さ５０ｎｍの非晶質Ｓｉ薄膜３にＸｅＣｌレーザービーム５をマスク１３を介して照射する。基板ステージ６は図中に示された方向にピッチＳｐで送られ、Ｓｉのアニール領域４は順次移動する。ここで、ビーム幅ＷELA は０．５ｍｍ、長さ（紙面の奥行方向）１００ｍｍである。基板の送りピッチは５０μｍであり、Ｓｉ薄膜はレーザー照射を１０回受ける。マスク１３は基板の上方向０．５ｍｍの位置に設置され、レーザービーム５とともに固定されている。ビームは基板端で折り返し別の非照射領域を照射する。レーザーは３００Ｈｚで発振しており、１照射毎に基板がピッチＳｐで送られるので、基板全面を処理する時間はわずか８０秒である。これに対して、図１４で説明した方法では、同一の基板を全面処理するのに約５０００秒を必要としたことから、本実施例が量産性に適していることが分かった。
【００３０】図２はマスク１３のパターンを示すものであり、石英基板上にＣｒ膜でストライプ状のパターン２２が形成されている。パターン２２（ビーム不透過領域）の幅ＷB は１．５μｍ、透過領域２１の幅ＷL は１μｍである。レーザービーム５はストライプパターンと平行の方向で照射した。
図２に得られた多結晶Ｓｉの粒径をマスクパターンとの関係で示してある。ストライプパターンの方向と垂直の方向に長さ１．２- １．３μｍ、平行の方向に０．３μｍの大きさの結晶粒が得られた
【００３１】
このように大きな粒径がえられたのは、レーザービーム照射時にＳｉ薄膜面内で温度が不均一となり、溶融Ｓｉ層の温度の低い部分４３から結晶化が始まり、結晶が温度の高い領域４４に伸びたためであると解釈できる
【００３２】ストライプパターンＷB の大きさはあまり大きいと中央部４３が溶融しないので３μｍ程度以下がよい。また、透過部ＷL の大きさは、広すぎると中央部で結晶化が独立に始まるので３μｍ程度以下がよい。レーザー照射回数は本実施例では１０回としたが、回数が多い程均一性を向上できるため、処理時間が許せる限り多いほうがよい。このほか、多数回照射した場合、マスク欠陥の影響を軽減する効果がある。
【００３３】また、本実施例では基板直上にマスクを配置するいわゆるプロキシミティ方式で行ったが、マスクと基板間に投影光学系を挿入して行っても良い。この場合は、縮小投影も可能なため、微細パターンを用いる本発明では制御性がさらに上がる。また、マスク欠陥などに対しても信頼性が向上する。
図４は本実施例で作成した多結晶Ｓｉ薄膜を用いてＴＦＴを試作し、その移動度を評価したものである。
アニール時のレーザーマスクパターンとＴＦＴの電流の流れる方向で特性が異なる。図４中の４０は、図５に示す如くＴＦＴの電流方向が結晶粒の長手方向と平行の場合（１２ストライプパターンの方向は結晶の形状を示す）であり、４１は垂直にＴＦＴを配置した結果である
　
（４−２−１−２）００３３段落の「
図４中の４０は、図５に示す如くＴＦＴの電流方向が結晶粒の長手方向と平行の場合（１２ストライプパターンの方向は結晶の形状を示す）であり、４１は垂直にＴＦＴを配置した結果である
　
（４−２−１−３）引用例１におけるＴＦＴが液晶表示パネルに用いられることは明らかである。また、０００２段落の「
中でも各画素毎に、スィッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を設けたいわゆるアクティブマトリックス型液晶表示装置は、多画素にしてもコントラスト、レスポンス等の劣化が少なく、更に、中間調表示も可能であることから、フルカラーテレビや、ＯＡ用の表示装置として現在最適な表示方式である
　
（４−２−１−４）以上によれば、引用例１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「画素領域に設けられ、多結晶Ｓｉ薄膜の結晶粒の長手方向と電流方向とが垂直に配置されたＴＦＴを用いた液晶表示パネル。」
　
（４−２−２）引用例２
（４−２−２−１）本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平７−５８３３８号公報（以下「引用例２」という。）には、図１〜５とともに以下の記載がある。
　
　「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、ガラス等の絶縁基板上に設けられたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いた半導体装置に関する。特に、アクティブマトリックス型の液晶表示装置に利用できる半導体装置に関する
　
　「【００１８】ここで、
アクティブマトリックス型液晶表示装置について考察すると、アクティブマトリックス型液晶表示装置においては、周辺回路において必要とされるＴＦＴと画素部分において必要とされるＴＦＴとで、その必要とされる特性が異なることが指摘される。即ち、周辺回路のドライバーを形成するＴＦＴは、高移動度が要求され大きなオン電流を流すことのできる特性が必要とされ、画素部分に設けられるＴＦＴは、電荷保持率を高めるため、移動度はそれ程必要とされない代わり、オフ電流が小さいことが要求される
【００１９】そこで
本発明を用いる場合には、前述の基板に平行な方向に結晶成長した結晶性珪素膜を用い、周辺回路に用いるＴＦＴは、結晶成長方向と平行な方向にソース／ドレインが構成されるようにし、画素に用いるＴＦＴは、結晶成長方向と垂直な方向にソース／ドレインが構成されるようにする。即ち、周辺回路に用いるＴＦＴは、キャリアが移動する際に粒界の影響を極力受けない構成とし、画素に用いられるＴＦＴは、キャリアが移動する際に、粒界を横切るような構成とすることによって、ソース／ドレイン間を高抵抗とし、結果としてオフ電流を下げる構成とするものである
【００２０】
上記構成は、キャリアがソース／ドレイン間を流れること利用し、ソース／ドレインの方向（ソースとドレインを結ぶ線の方向）を前述の結晶の成長方向と平行にするか、あるいは垂直にするかで、必要とする特性を有するＴＦＴを得ることを思想とする。即ちキャリアが移動する際に、針状あるいは柱状に成長した結晶の粒界に平行な方向にキャリアを移動させるか（即ち結晶の成長方向に平行な方向に移動させるか）、あるいは針状あるいは柱状に成長した結晶の粒界に垂直な方向にキャリアを移動させるか（即ち結晶の成長方向に垂直な方向に移動させるか）、ということを選択することによって、高移動度ＴＦＴを得るか、あるいはオフ電流の小さいＴＦＴを得るか、ということを基本的な思想とする
　
　「【００２２】
【実施例】図１に実施例の概要を示す。
図１は、液晶表示装置を上面から見たものであり、マトリックス状に設けられた画素部分と、周辺回路部分とが示されている。本実施例は、絶縁基板（例えばガラス基板）上に画素を駆動するＴＦＴと周辺回路を構成するＴＦＴとを形成する例である。本実施例においては、ＴＦＴを構成する半導体膜として基板に平行な方向に結晶成長した結晶性珪素膜を用い、周辺回路のＴＦＴはその動作時のキャリアの移動方向が、この結晶性珪素膜の結晶成長方向と平行な方向になるようにし、画素部分のＴＦＴはその動作時のキャリアの移動方向が、この結晶性珪素膜の結晶成長方向と垂直な方向になるようにするものである
　
　「【００３４】図２に示す構成において、ニッケルが選択的に導入された領域とＴＦＴとの位置関係を示すために、図３に、図２（Ｄ）を上面から見た概要を示す。
図３において、１００で示される領域に選択的にニッケル微量添加が行われ、熱アニールによってそこから矢印１０５で示す横方向（紙面左右方向）に結晶成長がなされる。そして、この横方向の結晶成長が行なわれた領域において、ソース／ドレイン領域１１１と１１３、チャネル形成領域１１２がＰＴＦＴとして形成される。同様に、ソース／ドレイン領域１１４と１１６、チャネル形成領域１１５がＮＴＦＴとして形成される。即ち、周辺回路部分においては、ソース／ドレイン間において、キャリアの移動する方向が、結晶の成長方向１０５と同一の方向となっている。従って、キャリアが移動に際して粒界を横切ることがないので、特に移動度を高くさせることができる
【００３５】一方、
画素部分において形成された図４に示すＮＴＦＴは、図５に示すようにソース／ドレイン領域を移動するキャリアが結晶成長方向１０５に対して垂直となるので、その移動に際して多数の粒界を横切らなければならない。即ち、ソース／ドレイン間の抵抗は高くなり、オン電流及びオフ電流ともにその値は小さくなる。しかしながら、オフ電流の絶対値を小さくできるので、画素電極（図４でいえばＩＴＯ電極２１２）の電荷を保持する機能は向上する。従って、必要とするＯＮ／ＯＦＦ比がとれるならば、図４及び図５に示すような構成を採って、オフ電流の小さいＴＦＴを画素電極に採用することは有用である
　
（４−２−２−２）以上によれば、引用例２には、以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「絶縁基板に平行な方向に結晶成長した結晶性珪素膜を用いてＴＦＴを構成した液晶表示装置であって、
　周辺回路のドライバーを形成するＴＦＴはその動作時のキャリアの移動方向が、この結晶性珪素膜の結晶成長方向と平行な方向になるようにし、画素部分のＴＦＴはその動作時のキャリアの移動方向が、この結晶性珪素膜の結晶成長方向と垂直な方向になるようにした液晶表示装置。」
　
（４−３）補正発明と引用発明１との対比
（４−３−１）引用発明１の「画素領域」、「多結晶Ｓｉ薄膜」、「ＴＦＴ」及び「液晶表示パネル」は、それぞれ、補正発明の「ディスプレー領域である画素領域」、「ポリシリコン基板」、「薄膜トランジスター」及び「ディスプレーデバイス」に相当する。
　
（４−３−２）００３１段落の「
このように大きな粒径がえられたのは、レーザービーム照射時にＳｉ薄膜面内で温度が不均一となり、溶融Ｓｉ層の温度の低い部分４３から結晶化が始まり、結晶が温度の高い領域４４に伸びたためであると解釈できる
　また、００３０段落の「
ストライプパターンの方向と垂直の方向に長さ１．２- １．３μｍ、平行の方向に０．３μｍの大きさの結晶粒が得られた
　すなわち、引用例１においては、結晶粒の長手方向に発生する粒界は、結晶成長方向と同一な方向に発生し、結晶粒の短手方向に発生する粒界は、結晶成長方向と垂直な方向に発生するものと認められる。
　また、技術常識からみて、引用発明１における「電流」は、ソースとドレインとの間に流れる電流であることは明らかである。
　したがって、引用発明１における「結晶粒の長手方向と電流方向とが垂直」であるという構成は、結晶成長方向と垂直な方向に発生する粒界がソースとドレインとの間に流れる電流方向と平行、すなわち、結晶成長方向と垂直な方向に発生する粒界とソースとドレインとの間に流れる電流方向とのなす角度が０°であることを示す構成であると認められる。
　一方、本願の発明の詳細な説明の００２２段落の「結晶粒境界には、通常的に結晶成長方向に対して垂直に発生する“プライマリー”結晶粒境界と結晶成長方向と同一な方向に発生する“セコンダリー”結晶粒境界として区分する。」という記載から、補正発明における「プライマリー結晶粒境界」とは、結晶成長方向に対して垂直に発生する粒界であると認められる。
　したがって、引用発明１における「結晶粒の長手方向と電流方向とが垂直」であるという構成は、「プライマリー結晶粒境界と薄膜トランジスターの」ソースとドレインとの間を流れる「電流方向が成す角度が−３０°ないし３０°」である点で補正発明と共通する。
　
（４−３−３）以上を総合すると、補正発明と引用発明１とは、
　「ディスプレー領域である画素領域でポリシリコン基板のプライマリー結晶粒境界と薄膜トランジスターのソースとドレインとの間に流れる電流方向が成す角度が−３０°ないし３０°になるように製作されたことを特徴とするディスプレーデバイス。」
　である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　補正発明は、「電流方向」が「ソースからドレインに流れる」ものであるのに対し、引用発明１は、そのような特定をしていない点。
　
（相違点２）
　補正発明は、「ディスプレーデバイスの駆動領域でポリシリコン基板のプライマリー結晶粒境界と薄膜トランジスターのソースからドレインへと流れる電流方向が成す角度が３０°ないし１５０°」である薄膜トランジスタが形成されるのに対し、引用発明１は、そのような特定をしていない点。
　
（４−４）相違点についての検討
（４−４−１）相違点１について
　薄膜トランジスタにおける「電流方向」は、ソースからドレイン、または、ドレインからソースのいずれかの方向であることは明らかである。
　そして、本願の発明の詳細な説明００２９段落の「従って、本発明では、ディスプレーデバイスでＴＦＴの均一性が特に要求されている領域であるディスプレー領域は画素が配置された領域に電流特性よりはＴＦＴの均一性が要求されるので、図２のように、“プライマリー”結晶粒境界が電流の流れ方向に対し平行になるように製作する」及び００３０段落の「もちろん“プライマリー”結晶粒境界が電流の流れ方向と一定の角度を成しても均一性には大きな影響はない。その角度は、−３０°ないし３０°であることが望ましい」という記載をみるに、補正発明においては、プライマリー結晶粒境界が電流の流れ方向に対し略平行であれば、所期の課題を解決することができると解されるから、電流方向が、ソースからドレインであるのか、それとも、ドレインからソースであるのかによって効果に差がないことも明らかである。
　したがって、引用発明１において「電流方向」を「ソースからドレインに流れる電流方向」とすることは、当業者であれば適宜になし得たことである。
　
（４−４−２）相違点２について
ア　上記（４−２−２−２）で認定したとおり、引用発明２における「画素部分のＴＦＴ」は、「動作時のキャリアの移動方向が、この結晶性珪素膜の結晶成長方向と垂直な方向になる」ものである。言い換えれば、引用発明２においては、「動作時のキャリアの移動方向」が、結晶成長方向と垂直な方向に発生する粒界と平行である、すなわち、結晶成長方向と垂直な方向に発生する粒界とのなす角度が０°となっているものと認められる。
　また、引用発明２における「周辺回路のドライバーを形成するＴＦＴ」は、「動作時のキャリアの移動方向が、この結晶性珪素膜の結晶成長方向と平行な方向になる」ものであるが、同様に、結晶成長方向と垂直な方向に発生する粒界とのなす角度が９０°となっているものと認められる。
　そして、本願の発明の詳細な説明の００２２段落の「結晶粒境界には、通常的に結晶成長方向に対して垂直に発生する“プライマリー”結晶粒境界と結晶成長方向と同一な方向に発生する“セコンダリー”結晶粒境界として区分する。」という記載から、上記「結晶成長方向と垂直な方向に発生する粒界」は、補正発明における「プライマリー結晶粒境界」に相当することは明らかである。
　
イ　引用発明２における「動作時のキャリアの移動方向」は、ソースとドレインとの間に流れる電流と平行なものであることは当業者にとって自明である。
　したがって、引用発明２の「画素部分のＴＦＴ」に関する「動作時のキャリアの移動方向が、この結晶性珪素膜の結晶成長方向と垂直な方向になる」という構成は、「プライマリー結晶粒境界と薄膜トランジスターの」ソースとドレインとの間に「流れる電流方向が成す角度が−３０°ないし３０°にな」るという点で補正発明と共通する。
　また、引用発明２の「周辺回路のドライバーを形成するＴＦＴ」に関する「動作時のキャリアの移動方向が、この結晶性珪素膜の結晶成長方向と平行な方向になる」という構成は、「プライマリー結晶粒境界と薄膜トランジスターの」ソースとドレインとの間に「流れる電流方向が成す角度が３０°ないし１５０°になる」という点で補正発明と共通する。
　
ウ　引用発明１と引用発明２とは、いずれも、基板面に平行な方向に結晶成長された多結晶Ｓｉを用いて形成されたＴＦＴを配置して形成される液晶表示装置に関するものである。
　したがって、引用発明１に対して引用発明２を適用し、引用発明１の「結晶粒の長手方向と電流方向とが垂直または平行に配置されたＴＦＴ」を、補正発明の「ディスプレー領域である画素領域」に相当する「画素部分」に形成し、かつ、補正発明の「ディスプレーデバイスの駆動領域」に相当する「周辺回路のドライバー」に用いるＴＦＴを、「プライマリー結晶粒境界と薄膜トランジスターの」ソースとドレインとの間に「流れる電流方向が成す角度が３０°ないし１５０°になる」という点で補正発明と共通する「動作時のキャリアの移動方向が、この結晶性珪素膜の結晶成長方向と平行な方向になる」ように形成することは、当業者にとって容易であったといえる。
　また、その際の電流を「ソースからドレインに流れる電流方向」となるようにすることは、上記（４−４−１）で検討したのと同様に、当業者であれば適宜になし得たことである。
　
（４−４−３）以上検討したとおり、補正発明は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（４−５）独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおり、本件補正は、補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項をいう。以下同じ。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　
（５）補正の却下についてのむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むところ、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成２０年１１月４日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１０に係る発明は、出願当初の明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記２．（１）の「補正前」の箇所に記載したとおりのものであり、再掲すると以下の通りである。
　
　「【請求項１】
　ディスプレー領域である画素領域でポリシリコン基板のプライマリー結晶粒境界と薄膜トランジスターのソースからドレインに流れる電流方向が成す角度が−３０°ないし３０°になるように製作されたことを特徴とするディスプレーデバイス。」
　
（２）引用刊行物に記載された発明
　一方、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された、本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１１−６４８８３号公報（引用例１）には、上記２．（４−２）で認定したとおりの事項及び発明（引用発明１）が記載されているものと認められる。
　
（３）本願発明と引用発明１との対比
（３−１）引用発明１の「画素領域」、「多結晶Ｓｉ薄膜」、「ＴＦＴ」及び「液晶表示パネル」は、それぞれ、本願発明の「ディスプレー領域である画素領域」、「ポリシリコン基板」、「薄膜トランジスター」及び「ディスプレーデバイス」に相当する。
　
（３−２）００３１段落の「
このように大きな粒径がえられたのは、レーザービーム照射時にＳｉ薄膜面内で温度が不均一となり、溶融Ｓｉ層の温度の低い部分４３から結晶化が始まり、結晶が温度の高い領域４４に伸びたためであると解釈できる
　また、００３０段落の「
ストライプパターンの方向と垂直の方向に長さ１．２- １．３μｍ、平行の方向に０．３μｍの大きさの結晶粒が得られた
　すなわち、引用例１においては、結晶粒の長手方向に発生する粒界は、結晶成長方向と同一な方向に発生し、結晶粒の短手方向に発生する粒界は、結晶成長方向と垂直な方向に発生するものと認められる。
　また、技術常識からみて、引用発明１における「電流」は、ソースとドレインとの間に流れる電流であることは明らかである。
　したがって、引用発明１における「結晶粒の長手方向と電流方向とが垂直」であるという構成は、結晶成長方向と垂直な方向に発生する粒界がソースとドレインとの間に流れる電流方向と平行、すなわち、結晶成長方向と垂直な方向に発生する粒界とソースとドレインとの間に流れる電流方向とのなす角度が０°であることを示す構成であると認められる。
　一方、本願の発明の詳細な説明の００２２段落の「結晶粒境界には、通常的に結晶成長方向に対して垂直に発生する“プライマリー”結晶粒境界と結晶成長方向と同一な方向に発生する“セコンダリー”結晶粒境界として区分する。」という記載から、本願発明における「プライマリー結晶粒境界」とは、結晶成長方向に対して垂直に発生する粒界であると認められる。
　したがって、引用発明１における「結晶粒の長手方向と電流方向とが垂直」であるという構成は、「プライマリー結晶粒境界と薄膜トランジスターの」ソースとドレインとの間を流れる「電流方向が成す角度が−３０°ないし３０°」である点で本願発明と共通する。
　
（４−３−３）以上を総合すると、本願発明と引用発明１とは、
　「ディスプレー領域である画素領域でポリシリコン基板のプライマリー結晶粒境界と薄膜トランジスターのソースとドレインとの間に流れる電流方向が成す角度が−３０°ないし３０°になるように製作されたことを特徴とするディスプレーデバイス。」
　である点で一致し、以下の点で一応相違する。
　
（相違点）
　本願発明は、「電流方向」が「ソースからドレインへと流れる」ものであることを特定しているのに対し、引用発明１は、そのような特定をしていない点。
　
（４）相違点についての当審の判断
　引用発明１における「電流方向」は、ソースからドレイン、または、ドレインからソースのいずれかの方向であることは明らかである。
　そして、本願の発明の詳細な説明００２９段落の「従って、本発明では、ディスプレーデバイスでＴＦＴの均一性が特に要求されている領域であるディスプレー領域は画素が配置された領域に電流特性よりはＴＦＴの均一性が要求されるので、図２のように、“プライマリー”結晶粒境界が電流の流れ方向に対し平行になるように製作する」及び００３０段落の「もちろん“プライマリー”結晶粒境界が電流の流れ方向と一定の角度を成しても均一性には大きな影響はない。その角度は、−３０°ないし３０°であることが望ましい」という記載をみるに、本願発明においては、プライマリー結晶粒境界が電流の流れ方向に対し略平行であれば、所期の課題を解決することができると解されるから、電流方向が、ソースからドレインであるのか、それとも、ドレインからソースであるのかによって効果に差がないことも明らかである。
　したがって、引用発明１において「電流方向」を「ソースからドレインに流れる電流方向」とすることは、当業者であれば適宜になし得たことである。
　
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定の規定により特許を受けることができないものである。
　
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。