【事件の表示】
　特願２００６−　１８１５９「窒化物半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　８月　９日出願公開、特開２００７−２０１１９５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１８年１月２６日の出願であって、平成２０年１２月１５日付けで手続補正がなされ、平成２１年３月１６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月２３日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同年５月２５日付けで手続補正がなされ、その後当審において平成２２年１２月８日付けで拒絶理由が通知され、平成２３年２月１４日付けで手続補正がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２３年２月１４日付け手続補正による補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は次のとおりと認められる。
　
「ｎ型窒化ガリウム系半導体層と、
ＩｎＸ１ＡｌＹ１Ｇａ１−Ｘ１−Ｙ１Ｎ井戸層（１＞Ｘ１＞０、１＞Ｙ１＞０）とＩｎＸ２ＡｌＹ２Ｇａ１−Ｘ２−Ｙ２Ｎ障壁層（１＞Ｘ２＞０、１＞Ｙ２＞０）とを含み紫外線を発光する量子井戸発光層と、
前記量子井戸発光層と前記ｎ型窒化ガリウム系半導体層との間に設けられたＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層（１＞Ｘ３＞０、１＞Ｙ３＞０）と、
前記ＩｎＸ２ＡｌＹ２Ｇａ１−Ｘ２−Ｙ２Ｎ障壁層の材料の禁制帯幅より大きい禁制帯幅を有するｐ型ＡｌＧａＮ半導体層と
を備え、
前記紫外線のピーク発光波長は２６０ｎｍ以上３６０ｎｍ以下の範囲にあり、
前記量子井戸発光層は、前記ｐ型ＡｌＧａＮ半導体層と前記ＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層との間に設けられており、
前記量子井戸発光層は、前記ＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層上に成長されており、
前記ＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層のインジウム組成Ｘ３は、前記ＩｎＸ１ＡｌＹ１Ｇａ１−Ｘ１−Ｙ１Ｎ井戸層のインジウム組成Ｘ１よりも大きく、
前記ＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層のインジウム組成Ｘ３は、前記ＩｎＸ２ＡｌＹ２Ｇａ１−Ｘ２−Ｙ２Ｎ障壁層のインジウム組成Ｘ２よりも大きく、
前記ＩｎＸ１ＡｌＹ１Ｇａ１−Ｘ１−Ｙ１Ｎ井戸層のアルミニウム組成Ｙ１は、前記ＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層のアルミニウム組成Ｙ３よりも小さく、
前記ＩｎＸ２ＡｌＹ２Ｇａ１−Ｘ２−Ｙ２Ｎ障壁層のアルミニウム組成Ｙ２は、前記ＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層のアルミニウム組成Ｙ３よりも小さく、
前記量子井戸発光層の酸素濃度は、前記ＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層の酸素濃度より低く、
前記量子井戸発光層における酸素はｎ型ドーパントとして作用し、
前記ＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層の酸素はｎ型ドーパントとして作用し、
前記量子井戸発光層は前記ＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層上に成長され、
前記ＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層の酸素濃度は１×１０１８ｃｍ−３以上であり、
前記ＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層の酸素濃度は１×１０２０ｃｍ−３以下であり、
前記量子井戸発光層の酸素濃度は、前記ｐ型ＡｌＧａＮ半導体層への電子の漏れを低減するように１×１０１８ｃｍ−３より小さく、
前記量子井戸発光層の酸素濃度は１×１０１６ｃｍ−３以上である、ことを特徴とする窒化物半導体発光素子。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　引用刊行物の記載事項
　当審における拒絶の理由で引用した、本願の出願前に頒布された刊行物であるHideki Hirayama，“Quaternary InAlGaN-based high-efficiency ultraviolet light-emitting diodes”Journal of Applied Physics，２００５年　４月，Vol.97，pp.091101-1〜091101-19（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている（なお、和訳をかっこ書きで示した。）。
　
（１）「Figure 21 shows a schematic of the typical structure of an UV-LED fabricated on a GaN substrate and the pattern of the top emission. The structure consists of a 90-nm-thick Si-doped GaN layer deposited directly onto a GaN substrate, an approximately 50-nm-thick undoped In0.04Ga0.96N layer, a 30-nm-thick Si-doped Al0.18Ga0.82N buffer layer, a 35-nm-thick undoped quaternary In0.05Al0.24Ga0.71N buffer layer, an undoped In0.02Al0.09Ga0.89N/In0.02Al0.22Ga0.76N two-layer MQW active region, a 25-nm-thick undoped Al0.27Ga0.73N electron-blocking layer, and a Mg-doped 4-nm-thick Al0.24Ga0.76N/4-nm-thick Al0.17Ga0.83N superlattice (SL). The thicknesses of the well and barrier layers of the MQW were approximately 2.5 and 15 nm, respectively. The compositions of the In and Al incorporated in the quaternary InAlGaN were estimated from RBS measurements. We fabricated two types of LEDs, i.e., with p-AlGaN/AlGaN SLs and with bulk p-Al0.18Ga0.82N layers. ・・・」（p.091101-13左欄第２２〜３８行）
（図２１は、ＧａＮ基板上に作られたＵＶ−ＬＥＤの典型的な構造及びトップ放射光のパターンの模式図を示す。その構造は、ＧａＮ基板上に直接形成された厚さ９０ｎｍのＳｉドープＧａＮ層と、厚さ約５０ｎｍのアンドープＩｎ０．０４Ｇａ０．９６Ｎ層と、厚さ３０ｎｍのＳｉドープＡｌ０．１８Ｇａ０．８２Ｎバッファ層と、厚さ３５ｎｍのアンドープ４元Ｉｎ０．０５Ａｌ０．２４Ｇａ０．７１Ｎバッファ層と、アンドープＩｎ０．０２Ａｌ０．０９Ｇａ０．８９Ｎ／Ｉｎ０．０２Ａｌ０．２２Ｇａ０．７６Ｎ２層ＭＱＷ活性領域と、厚さ２５ｎｍのアンドープＡｌ０．２７Ｇａ０．７３Ｎ電子ブロック層と、Ｍｇドープの厚さ４ｎｍのＡｌ０．２４Ｇａ０．７６Ｎ／厚さ４ｎｍのＡｌ０．１７Ｇａ０．８３Ｎ超格子（ＳＬ）を有する。ＭＱＷの井戸層と障壁層の厚さは、それぞれ、約２．５と１５ｎｍであった。４元ＩｎＡｌＧａＮに盛り込まれたＩｎとＡｌの混晶比はＲＢＳ測定法により評価された。２つのタイプのＬＥＤ、すなわち、ｐ−ＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮ超格子を有するもの及びバルクｐ−Ａｌ０．１８Ｇａ０．８２Ｎ層を有するもの、を製造した。・・・）
　
（２）上記（１）に照らしてＦｉｇ．２１を見ると、「アンドープＩｎ０．０２Ａｌ０．０９Ｇａ０．８９Ｎ／Ｉｎ０．０２Ａｌ０．２２Ｇａ０．７６Ｎ２層ＭＱＷ活性領域」は、「Ｉｎ０．０２Ａｌ０．０９Ｇａ０．８９Ｎ井戸層」と「Ｉｎ０．０２Ａｌ０．２２Ｇａ０．７６Ｎ障壁層」とからなること、が見て取れる。
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「ＧａＮ基板上に直接形成された厚さ９０ｎｍのＳｉドープＧａＮ層と、厚さ約５０ｎｍのアンドープＩｎ０．０４Ｇａ０．９６Ｎ層と、厚さ３０ｎｍのＳｉドープＡｌ０．１８Ｇａ０．８２Ｎバッファ層と、厚さ３５ｎｍのアンドープ４元Ｉｎ０．０５Ａｌ０．２４Ｇａ０．７１Ｎバッファ層と、アンドープＩｎ０．０２Ａｌ０．０９Ｇａ０．８９Ｎ／Ｉｎ０．０２Ａｌ０．２２Ｇａ０．７６Ｎ２層ＭＱＷ活性領域と、厚さ２５ｎｍのアンドープＡｌ０．２７Ｇａ０．７３Ｎ電子ブロック層と、Ｍｇドープの厚さ４ｎｍのＡｌ０．２４Ｇａ０．７６Ｎ／厚さ４ｎｍのＡｌ０．１７Ｇａ０．８３Ｎ超格子（ＳＬ）を有するＵＶ−ＬＥＤであって、
　前記アンドープＩｎ０．０２Ａｌ０．０９Ｇａ０．８９Ｎ／Ｉｎ０．０２Ａｌ０．２２Ｇａ０．７６Ｎ２層ＭＱＷ活性領域は、Ｉｎ０．０２Ａｌ０．０９Ｇａ０．８９Ｎ井戸層とＩｎ０．０２Ａｌ０．２２Ｇａ０．７６Ｎ障壁層とからなる、ＵＶ−ＬＥＤ。」
　
　
３　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
　
（１）引用発明の「ＵＶ−ＬＥＤ」は、「ＧａＮ基板上に・・・ＳｉドープＧａＮ層と、・・・アンドープＩｎ０．０４Ｇａ０．９６Ｎ層と、・・・ＳｉドープＡｌ０．１８Ｇａ０．８２Ｎバッファ層と、・・・アンドープ４元Ｉｎ０．０５Ａｌ０．２４Ｇａ０．７１Ｎバッファ層と、アンドープＩｎ０．０２Ａｌ０．０９Ｇａ０．８９Ｎ／Ｉｎ０．０２Ａｌ０．２２Ｇａ０．７６Ｎ２層ＭＱＷ活性領域と、・・・アンドープＡｌ０．２７Ｇａ０．７３Ｎ電子ブロック層と・・・を有する」ものであって、「前記アンドープＩｎ０．０２Ａｌ０．０９Ｇａ０．８９Ｎ／Ｉｎ０．０２Ａｌ０．２２Ｇａ０．７６Ｎ２層ＭＱＷ活性領域は、Ｉｎ０．０２Ａｌ０．０９Ｇａ０．８９Ｎ井戸層とＩｎ０．０２Ａｌ０．２２Ｇａ０．７６Ｎ障壁層とからな」り、前記「アンドープＩｎ０．０２Ａｌ０．０９Ｇａ０．８９Ｎ／Ｉｎ０．０２Ａｌ０．２２Ｇａ０．７６Ｎ２層ＭＱＷ活性領域」が紫外線を発光すること、及び、「アンドープＡｌ０．２７Ｇａ０．７３Ｎ電子ブロック層」が「Ｉｎ０．０２Ａｌ０．２２Ｇａ０．７６Ｎ障壁層」よりも大きい禁制帯幅を有することは明らかであるから、
　ア　引用発明の「ＳｉドープＡｌ０．１８Ｇａ０．８２Ｎバッファ層」、「Ｉｎ０．０２Ａｌ０．０９Ｇａ０．８９Ｎ井戸層」、「Ｉｎ０．０２Ａｌ０．２２Ｇａ０．７６Ｎ障壁層」、「（Ｉｎ０．０２Ａｌ０．０９Ｇａ０．８９Ｎ井戸層と、Ｉｎ０．０２Ａｌ０．２２Ｇａ０．７６Ｎ障壁層とからなる）アンドープＩｎ０．０２Ａｌ０．０９Ｇａ０．８９Ｎ／Ｉｎ０．０２Ａｌ０．２２Ｇａ０．７６Ｎ２層ＭＱＷ活性領域」、「アンドープ４元Ｉｎ０．０５Ａｌ０．２４Ｇａ０．７１Ｎバッファ層」、「アンドープＡｌ０．２７Ｇａ０．７３Ｎ電子ブロック層」及び「ＵＶ−ＬＥＤ」は、それぞれ、本願発明の「ｎ型窒化ガリウム系半導体層」、「ＩｎＸ１ＡｌＹ１Ｇａ１−Ｘ１−Ｙ１Ｎ井戸層（１＞Ｘ１＞０、１＞Ｙ１＞０）」、「ＩｎＸ２ＡｌＹ２Ｇａ１−Ｘ２−Ｙ２Ｎ障壁層（１＞Ｘ２＞０、１＞Ｙ２＞０）」、「（ＩｎＸ１ＡｌＹ１Ｇａ１−Ｘ１−Ｙ１Ｎ井戸層（１＞Ｘ１＞０、１＞Ｙ１＞０）とＩｎＸ２ＡｌＹ２Ｇａ１−Ｘ２−Ｙ２Ｎ障壁層（１＞Ｘ２＞０、１＞Ｙ２＞０）とを含み紫外線を発光する）量子井戸発光層」、「（前記量子井戸発光層と前記ｎ型窒化ガリウム系半導体層との間に設けられた）ＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層（１＞Ｘ３＞０、１＞Ｙ３＞０）」、「（前記ＩｎＸ２ＡｌＹ２Ｇａ１−Ｘ２−Ｙ２Ｎ障壁層の材料の禁制帯幅より大きい禁制帯幅を有する）ｐ型ＡｌＧａＮ半導体層」及び「窒化物半導体発光素子」に相当し、
　イ　引用発明の「ＵＶ−ＬＥＤ」は、本願発明の「ｎ型窒化ガリウム系半導体層と、ＩｎＸ１ＡｌＹ１Ｇａ１−Ｘ１−Ｙ１Ｎ井戸層（１＞Ｘ１＞０、１＞Ｙ１＞０）とＩｎＸ２ＡｌＹ２Ｇａ１−Ｘ２−Ｙ２Ｎ障壁層（１＞Ｘ２＞０、１＞Ｙ２＞０）とを含み紫外線を発光する量子井戸発光層と、前記量子井戸発光層と前記ｎ型窒化ガリウム系半導体層との間に設けられたＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層（１＞Ｘ３＞０、１＞Ｙ３＞０）と、前記ＩｎＸ２ＡｌＹ２Ｇａ１−Ｘ２−Ｙ２Ｎ障壁層の材料の禁制帯幅より大きい禁制帯幅を有するｐ型ＡｌＧａＮ半導体層とを備え」との事項を備え、
　ウ　引用発明は、本願発明の「前記量子井戸発光層は、前記ｐ型ＡｌＧａＮ半導体層と前記ＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層との間に設けられており」との事項を備え、
　エ　引用発明は、本願発明の「前記量子井戸発光層は、前記ＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層上に成長されており」との事項、及び、「前記量子井戸発光層は前記ＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層上に成長され」との事項を備える。
　
（２）引用発明の「アンドープ４元Ｉｎ０．０５Ａｌ０．２４Ｇａ０．７１Ｎバッファ層」のインジウム組成０．０５は、「Ｉｎ０．０２Ａｌ０．０９Ｇａ０．８９Ｎ井戸層」及び「Ｉｎ０．０２Ａｌ０．２２Ｇａ０．７６Ｎ障壁層」のインジウム組成０．０２よりも大きいから、引用発明は、本願発明の「前記ＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層のインジウム組成Ｘ３は、前記ＩｎＸ１ＡｌＹ１Ｇａ１−Ｘ１−Ｙ１Ｎ井戸層のインジウム組成Ｘ１よりも大きく、前記ＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層のインジウム組成Ｘ３は、前記ＩｎＸ２ＡｌＹ２Ｇａ１−Ｘ２−Ｙ２Ｎ障壁層のインジウム組成Ｘ２よりも大きく」との事項を備える。
　
.（３）引用発明の「Ｉｎ０．０２Ａｌ０．０９Ｇａ０．８９Ｎ井戸層」のアルミニウム組成０．０９、及び、「Ｉｎ０．０２Ａｌ０．２２Ｇａ０．７６Ｎ障壁層」のアルミニウム組成０．２２は、「アンドープ４元Ｉｎ０．０５Ａｌ０．２４Ｇａ０．７１Ｎバッファ層」のアルミニウム組成０．２４よりも小さいから、引用発明は、本願発明の「前記ＩｎＸ１ＡｌＹ１Ｇａ１−Ｘ１−Ｙ１Ｎ井戸層のアルミニウム組成Ｙ１は、前記ＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層のアルミニウム組成Ｙ３よりも小さく、前記ＩｎＸ２ＡｌＹ２Ｇａ１−Ｘ２−Ｙ２Ｎ障壁層のアルミニウム組成Ｙ２は、前記ＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層のアルミニウム組成Ｙ３よりも小さく」との事項を備える。
　
　したがって、本願発明と引用発明とは、　  
「ｎ型窒化ガリウム系半導体層と、
ＩｎＸ１ＡｌＹ１Ｇａ１−Ｘ１−Ｙ１Ｎ井戸層（１＞Ｘ１＞０、１＞Ｙ１＞０）とＩｎＸ２ＡｌＹ２Ｇａ１−Ｘ２−Ｙ２Ｎ障壁層（１＞Ｘ２＞０、１＞Ｙ２＞０）とを含み紫外線を発光する量子井戸発光層と、
前記量子井戸発光層と前記ｎ型窒化ガリウム系半導体層との間に設けられたＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層（１＞Ｘ３＞０、１＞Ｙ３＞０）と、
前記ＩｎＸ２ＡｌＹ２Ｇａ１−Ｘ２−Ｙ２Ｎ障壁層の材料の禁制帯幅より大きい禁制帯幅を有するｐ型ＡｌＧａＮ半導体層と
を備え、
前記量子井戸発光層は、前記ｐ型ＡｌＧａＮ半導体層と前記ＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層との間に設けられており、
前記量子井戸発光層は、前記ＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層上に成長されており、
前記ＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層のインジウム組成Ｘ３は、前記ＩｎＸ１ＡｌＹ１Ｇａ１−Ｘ１−Ｙ１Ｎ井戸層のインジウム組成Ｘ１よりも大きく、
前記ＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層のインジウム組成Ｘ３は、前記ＩｎＸ２ＡｌＹ２Ｇａ１−Ｘ２−Ｙ２Ｎ障壁層のインジウム組成Ｘ２よりも大きく、
前記ＩｎＸ１ＡｌＹ１Ｇａ１−Ｘ１−Ｙ１Ｎ井戸層のアルミニウム組成Ｙ１は、前記ＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層のアルミニウム組成Ｙ３よりも小さく、
前記ＩｎＸ２ＡｌＹ２Ｇａ１−Ｘ２−Ｙ２Ｎ障壁層のアルミニウム組成Ｙ２は、前記ＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層のアルミニウム組成Ｙ３よりも小さく、
前記量子井戸発光層は前記ＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層上に成長される、
窒化物半導体発光素子。」
である点で一致し、次の点で相違する。　  
 　 
相違点
［相違点１］
　本願発明は、量子井戸発光層が発光する紫外線のピーク発光波長が２６０ｎｍ以上３６０ｎｍ以下の範囲にあるのに対し、引用発明は、そのピーク発光波長がそのような範囲にあるのか否か明らかではない点。
［相違点２］
　本願発明は、量子井戸発光層の酸素濃度がＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層の酸素濃度より低く、量子井戸発光層における酸素はｎ型ドーパントとして作用し、ＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層の酸素はｎ型ドーパントとして作用し、ＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層の酸素濃度は１×１０１８ｃｍ−３以上であり、ＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層の酸素濃度は１×１０２０ｃｍ−３以下であり、量子井戸発光層の酸素濃度は、前記ｐ型ＡｌＧａＮ半導体層への電子の漏れを低減するように１×１０１８ｃｍ−３より小さく、量子井戸発光層の酸素濃度は１×１０１６ｃｍ−３以上であるのに対し、引用発明は、量子井戸発光層及びＩｎＸ３ＡｌＹ３Ｇａ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ層の酸素濃度がどの程度のものであるのか明らかではない点。
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
［相違点１］について
　本願明細書及び図面（特に【００４４】、【００４５】、図６及び図８。以下「本願明細書等」という。）によれば、図６に示された「ＬＥＤ構造Ｓ２」は、井戸層及び障壁層として、「Ｉｎ０．０２Ａｌ０．０９Ｇａ０．８９Ｎ井戸層４５ａ」及び「Ｉｎ０．０２Ａｌ０．２２Ｇａ０．７６Ｎ障壁層４５ｂ」の混晶比を有するものであり、しかも、図８によれば、そのピーク発光波長は３４５〜３５０ｎｍ付近にあることが見て取れる。しかるところ、引用発明の「アンドープＩｎ０．０２Ａｌ０．０９Ｇａ０．８９Ｎ／Ｉｎ０．０２Ａｌ０．２２Ｇａ０．７６Ｎ２層ＭＱＷ活性領域」（量子井戸発光層）は、「Ｉｎ０．０２Ａｌ０．０９Ｇａ０．８９Ｎ井戸層」及び「Ｉｎ０．０２Ａｌ０．２２Ｇａ０．７６Ｎ障壁層」からなるものであり、その井戸層及び障壁層が、本願明細書等の前記「Ｉｎ０．０２Ａｌ０．０９Ｇａ０．８９Ｎ井戸層４５ａ」及び「Ｉｎ０．０２Ａｌ０．２２Ｇａ０．７６Ｎ障壁層４５ｂ」と全く同じ混晶比を有するものであるから、引用発明の「アンドープＩｎ０．０２Ａｌ０．０９Ｇａ０．８９Ｎ／Ｉｎ０．０２Ａｌ０．２２Ｇａ０．７６Ｎ２層ＭＱＷ活性領域」が発光する紫外線のピーク発光波長も、本願明細書等の前記「ＬＥＤ構造Ｓ２」と同程度の、３４５〜３５０ｎｍ付近を大きく外れたものではないものと推認されるところである。したがって、上記点を踏まえれば、引用発明の「ＵＶ−ＬＥＤ」において、その「アンドープＩｎ０．０２Ａｌ０．０９Ｇａ０．８９Ｎ／Ｉｎ０．０２Ａｌ０．２２Ｇａ０．７６Ｎ２層ＭＱＷ活性領域」が発光する紫外線のピーク発光波長を２６０ｎｍ以上３６０ｎｍ以下の範囲にあるようになすことは、当業者が必要に応じて適宜になし得ることである。
［相違点２］について
　ＧａＮ系の半導体層においてＡｌが含まれているとＯ（酸素）が取り込まれやすいことは本願の出願時点で周知であり（必要なら、特開平９−１０７１２４号公報（【００２６】）、特開２０００−３１５３９号公報（【０００９】、【００１１】）、特開２００１−１１１１７１号公報（【００１１】）参照。）、ＧａＮ系の半導体層においてＯ（酸素）がｎ型ドーパントとなることも本願の出願時点で周知であり（必要なら、前記特開平９−１０７１２４号公報（【００１３】）、特開２００５−２６０２１５号公報（【００５３】）参照。）、また、（量子井戸）発光層からｐ側の半導体層に電子が漏れるのを防ぐべきことは本願の出願時点で周知の技術的課題であるから（必要なら、特開２０００−１９６２００号公報（【０００９】）、特開２０００−２３２２５９号公報（【００１０】）、特開２００５−２０９８７３号公報（【００１２】、【００１９】）参照。）、引用発明の「ＵＶ−ＬＥＤ」において、アルミニウム組成が「アンドープ４元Ｉｎ０．０５Ａｌ０．２４Ｇａ０．７１Ｎバッファ層」よりも小さい「（『Ｉｎ０．０２Ａｌ０．０９Ｇａ０．８９Ｎ井戸層』及び『Ｉｎ０．０２Ａｌ０．２２Ｇａ０．７６Ｎ障壁層」からなる）アンドープＩｎ０．０２Ａｌ０．０９Ｇａ０．８９Ｎ／Ｉｎ０．０２Ａｌ０．２２Ｇａ０．７６Ｎ２層ＭＱＷ活性領域」の酸素濃度を、前記「アンドープ４元Ｉｎ０．０５Ａｌ０．２４Ｇａ０．７１Ｎバッファ層」の酸素濃度より低いものとなすとともに、前記「アンドープＩｎ０．０２Ａｌ０．０９Ｇａ０．８９Ｎ／Ｉｎ０．０２Ａｌ０．２２Ｇａ０．７６Ｎ２層ＭＱＷ活性領域」及び「アンドープ４元Ｉｎ０．０５Ａｌ０．２４Ｇａ０．７１Ｎバッファ層」における酸素をｎ型ドーパントとして作用させ、その際、「アンドープ４元Ｉｎ０．０５Ａｌ０．２４Ｇａ０．７１Ｎバッファ層」及び「アンドープＩｎ０．０２Ａｌ０．０９Ｇａ０．８９Ｎ／Ｉｎ０．０２Ａｌ０．２２Ｇａ０．７６Ｎ２層ＭＱＷ活性領域」の酸素濃度をどの程度とするかは、当業者が当該引用発明を実施する上で設計上適宜に定めるべき設計的事項であるところ、引用発明において、「アンドープＡｌ０．２７Ｇａ０．７３Ｎ電子ブロック層」への電子漏れの低減や「アンドープＩｎ０．０２Ａｌ０．０９Ｇａ０．８９Ｎ／Ｉｎ０．０２Ａｌ０．２２Ｇａ０．７６Ｎ２層ＭＱＷ活性領域」の結晶品質を考慮して、「アンドープ４元Ｉｎ０．０５Ａｌ０．２４Ｇａ０．７１Ｎバッファ層」及び「アンドープＩｎ０．０２Ａｌ０．０９Ｇａ０．８９Ｎ／Ｉｎ０．０２Ａｌ０．２２Ｇａ０．７６Ｎ２層ＭＱＷ活性領域」の酸素濃度の範囲を具体的に定めて、上記相違点２に係る本願発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明及び前記各周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。