【事件の表示】
　特願２００１−２４７１１８「レーザーアニーリング装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　４月１９日出願公開、特開２００２−１１８０７６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、平成１３年８月１６日の出願（パリ条約に基づく優先権主張：２０００年８月３１日、　米国）であって、平成２０年３月７日に手続補正書が提出され、平成２１年２月１７日付けで拒絶査定がされ、それに対して、同年３月２３日に審判が請求されるとともに、同年４月１日に手続補正書が提出され、その後、平成２２年１１月２日付けで審尋がされ、同年１２月２０日に回答書が提出されたものである。
　
　
第２　平成２１年４月１日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正の却下の決定
　
【補正の却下の決定の結論】
　
　本件補正を却下する。　
　
【理由】　
１　補正の内容　
　本件補正のうち、特許請求の範囲についてする補正は、次のとおりである。
ア　請求項１について、同項中に、「前記半導体材料の表面上の前記所定の位置にガスフローを送って、前記ビームが向けられる前記所定の位置から周囲空気を除去するように、前記レーザヘッドに実装されたノズル」及び「前記半導体材料の表面上の前記所定の位置に送られるガスフローを排気する排気システム」とあるのを、それぞれ、「前記半導体材料の表面上の前記所定の位置から周囲空気を除去するように、前記ビームが向けられる前記所定の位置に不活性ガスであるガスフローを送り、前記レーザヘッドに実装されたノズル」及び「前記半導体材料の表面上の前記所定の位置に送られる前記ガスフローを排気し、排気ポートが前記レーザヘッドに実装された排気システム」と限定すること。
イ　補正後の請求項２及び３は、補正後の請求項１を引用するものであり、上記アの補正に伴って、それぞれ補正されるものである。
ウ　補正前の請求項４及び７を削除すること。　
エ　補正前の請求項５、６及び９を、それぞれ、補正後の請求項４、５及び７に繰り上げるとともに、補正後の請求項４、５及び７は、ぞれぞれ補正後の請求項１を引用するものであり、上記アの補正に伴って補正されるものである。
オ　補正前の請求項８を補正後の請求項６に、繰り上げるとともに、「実装された排気ポート」を「実装された前記排気ポート」とし、さらに、補正後の請求項６は補正後の請求項１を引用するものであり、上記アの補正に伴って補正されるものである。
カ　補正前の請求項１０、１１及び１２を、それぞれ、補正後の請求項８、９及び１０に繰り上げるとともに、補正後の請求項８、９及び１０は、ぞれぞれ補正後の請求項７を引用するものであり、上記ア及びエの補正に伴って補正されるものである。
キ　補正前の請求項１３を補正後の請求項１２に繰り上げるとともに、補正後の請求項１２は、補正後の請求項９を引用するものであり、上記ア、エ及びカの補正に伴って補正されるものである。
ク　補正前の請求項１４を補正後の請求項１３に繰り上げるとともに、補正後の請求項１３は、補正後の請求項１を引用するものであり、上記アの補正に伴って補正されるものである。　
　　
２　補正の目的の適否
　上記補正ア、イ、エ〜クは、いずれも、補正前の請求項に規定されている技術的事項をより限定するものであり、平成１８年法律５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、上記補正ウは、同法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除に該当するから、同特許法第１７条の２第４項柱書きに規定する目的要件を満たす。
　
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、独立特許要件を満たすものであるか否かについて、更に検討する。
　
３　独立特許要件（進歩性）についての検討
（１）本願補正発明
　本件補正による補正後の請求項１〜１３に係る発明のうち、請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、次のとおりである。
　
　「【請求項１】　周囲空気環境内に配置された半導体材料を処理するレーザーアニーリング装置であって、
　前記半導体材料の表面上の所定の位置にビームを向けるように前記周囲空気環境内に配置されたレーザーヘッドと、
　前記半導体材料の表面上の前記所定の位置から周囲空気を除去するように、前記ビームが向けられる前記所定の位置に不活性ガスであるガスフローを送り、前記レーザヘッドに実装されたノズルと、
　前記半導体材料の表面上の前記所定の位置に送られる前記ガスフローを排気し、排気ポートが前記レーザヘッドに実装された排気システムと
　を備えるレーザーアニーリング装置。」
　
（２）引用例の記載と引用発明
（２−１）引用例１とその記載内容
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−１３８１８０号公報（以下「引用例１」という。）には、「空気周囲におけるエキシマレーザアニールによるシリコン膜の結晶化中の酸素の混入を制御する方法」（発明の名称）について、図１とともに、次の記載がある（下線は当審で付加。以下同じ。）。
　
ア　発明の属する技術分野　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は概して、フラットパネルディスプレイ製造システムに関し、さらに具体的には、
フラットパネルディスプレイ基板上に多結晶シリコン膜を形成する方法に関する。
イ　発明が解決しようとする課題　　
「【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようとする課題は、
ＥＬＡ多結晶シリコン膜に混入される酸素の量を効果的に制御し、アニール装置に係る装置生産コストを最小にしながら、酸素含有量を所定の閾値よりも低く維持することである。
【０００９】大気圧で、主に空気の周囲中でエキシマレーザアニールを行うことにより、フラットパネルディスプレイ基板上のＥＬＡ多結晶シリコン膜の膜質を向上し、レーザビームが通過しなければならない高価な石英ウィンドウを有する基板隔離チャンバの必要性を無くすことが有利であろう。
【００１０】さらに、空気周囲中でのアニール用に設計されたＥＬＡ機器に比較的簡単な変更を加えて、酸素の混入を低減することにより、ＥＬＡ多結晶シリコン膜の膜質を向上することが有利であろう。
【００１１】本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は上記のような問題点を克服して、ＥＬＡによりアニールされる多結晶シリコン膜の酸素含有量を低減するための、単純でコスト効率のよい方法を提供することである。」　
ウ　発明の実施の形態等
「【００３６】
【発明の実施の形態】
図１は、エキシマレーザアニール（ＥＬＡ）装置１０の構成要素の概略図である。
「【００４１】
本発明の具体的な利点は、ＥＬＡ装置１０が、エキシマレーザアニール中に基板３６が囲まれる環境チャンバなどを必要としないことである。
装置１０では、レーザ１４、移動式ステージ４０、およびターゲット基板３６が、従来のＬＣＤ処理用クリーンルーム環境に配置される。
【００４２】
本発明の方法を実行するために適合されたＥＬＡ装置１０は、基板３６上のシリコン膜３８の表面に不活性ガスを向けるための不活性ガス供給システム５０を含む。不活性ガス供給システム５０は、適切な不活性ガス、好ましくは、アルゴン（Ａｒ）または窒素（Ｎ
2
）の１つ以上のリザーバ５６を含む。
【００４３】
不活性ガス供給リザーバ５６は、基板３６上のシリコン膜層３８の表面４２の領域に不活性ガスを送達する適切なマニホールドまたは導管６４を介して１つ以上のノズル６０に作動的に連結される。
【００４４】
不活性ガス供給システム５０の目的は、ターゲット領域４３へのレーザビーム２０の照射中に、シリコン膜３８の表面４２に、不活性ガス、好ましくは、アルゴンまたは窒素を向けることである。ガスは、ターゲット領域４３をエキシマレーザエネルギーで１回以上露光している間、周囲雰囲気をターゲット領域４３の周囲環境から移動させる。ノズル６０の数および構成が、ターゲット表面４２のサイズおよび向き、エキシマレーザビーム２０のサイズおよびプロファイル、供給される不活性ガスの種類および体積、ならびにＥＬＡのために選択されたプロセス条件、などのファクタに依存する、設計の選択事項であることが、当業者に容易に理解される。
【００４５】ＥＬＡの間、酸素を、シリコン膜３８の表面４２全体から幾分連続的に移動させるか、制限されたターゲット領域４３のみから移動させるかに依存して、ノズルは、Ｘ−Ｙステージ４０とともに移動しても（即ち、基板３６に関して固定したままでも）、ステージ４０が移動している間固定したままであってもよい。最初のオプションでは、ノズル６０は、膜３８上の選択されたまたは所定のターゲット領域がすべてアニールされるまで、各ターゲット領域のエキシマレーザアニール中にシリコン膜３８の表面４２全体に注ぐように構成される。
二番目のオプションでは、ノズル６０は、ビーム２０に関して固定され、基板３６の位置が連続するターゲット位置に移動されて、ターゲット領域４３に不活性ガスを向ける。このように、ターゲット領域がアニールされるとき、周囲雰囲気は、不活性ガスにより、シリコン膜３８の表面４２の各ターゲット領域から移動される。
「【００５８】
【実施例】以下、本発明の方法によるフラットパネルディスプレイの処理の実施例を示す。
【００５９】プラズマ増速化学的気相成長（ＰＥＣＶＤ）により、５００Åの厚さのアモルファスシリコンを、ベースコート（即ち、２０００ÅのＳｉＯ2層）を有するまたは有していない透明基板上に堆積する。この膜に、低温（４００〜４５０℃）アニール工程を施し、典型的には堆積中にシリコン膜に混入される水素を追い出す。低温脱水素工程の必要性を無くすために、他の堆積技術（即ち、物理的気相成長（ＰＶＤ））を使用してもよい。その後、エキシマレーザ（即ち、３０８ｎｍのＸｅＣｌ）を用いて、以下の態様で、膜をレーザアニールする。
【００６０】
堆積されたシリコン膜を有する基板を、Ｘ−Ｙ移動ステージ上に載せる。これは、開いた構成（即ち、チャンバは不要）である。光学システムによって発生されるレーザビームは、膜の表面に向けられる。
それと同時に、不活性ガスが、膜の表面の上で、膜の表面に平行な方向に流れている。ガス流は、典型的には、０．５リットル／分よりも多い。あるいは、ガスは、レーザに固定される光学システムに取り付けられるノズルアセンブリを通して流してもよい。
　
（２−２）引用発明
　上記ア、イ及びウによれば、引用例１には、次の発明が記載されているといえる（以下「引用発明」という。）。
　
「ＬＣＤ処理用クリーンルーム環境に配置されたエキシマレーザアニール（ＥＬＡ）装置１０であって、シリコン膜３８の表面４２のターゲット領域４３へレーザビーム２０を照射する、前記環境に配置されたレーザ１４と、窒素（ Ｎ２）の不活性ガスにより、シリコン膜３８の表面４２の各ターゲット領域から、周囲雰囲気を移動させるように、ターゲット領域４３へのレーザビーム２０の照射中、ターゲット領域４３に前記不活性ガスを向ける、ビーム２０に関して固定されたノズル６０と、を備えるエキシマレーザアニール（ＥＬＡ）装置１０。」
　
（２−３）引用例２とその記載内容
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平９−１０２４６７号公報（以下「引用例２」という。）には、「レーザーアニール処理装置」（発明の名称）について、図１及び２とともに、次の記載がある。
  　
ア　発明の属する技術分野　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザーアニール処理装置に関し、更に詳しくは、真空引きする必要がなく，処理のスループットを向上することができるレーザーアニール処理装置に関するものである。本発明のレーザーアニール処理装置は、特に大面積大粒径多結晶シリコン薄膜の形成に有用である。
イ　発明が解決しようとする課題
「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来のレーザーアニール処理装置５００では、真空チャンバ１内を真空あるいは窒素（大気圧）雰囲気とすることによって、アニール中に空気中の物質が非晶質半導体薄膜Ｍ１に作用することを防止している。しかし、真空チャンバ１内を真空あるいは窒素（大気圧）雰囲気とするために、真空チャンバ１の真空引き（および窒素ガス充填）やゲートバルブＳ１〜Ｓ４の開閉を行っていると、処理のスループットを向上できないという問題点がある。特に、最近の１５０ｍｍ角前後から３００ｍｍ角以上の大型の液晶ディスプレイの半導体基板を処理する場合には、真空チャンバも大型化するため、この問題点が顕著となっている。そこで、本発明の目的は、真空引きする必要がなく，処理のスループットを向上することができるレーザーアニール処理装置を提供することにある。
ウ　発明の実施の形態等
「【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図に示す実施形態により本発明をさらに詳細に説明する。なお、これにより本発明が限定されるものではない。
【００１２】−第１の実施形態−
図１は、本発明の第１の実施形態にかかるレーザーアニール処理装置１００の全体の平面図である。このレーザーアニール処理装置１００では、真空チャンバの代りに簡易エンクロージャ１１が設けられている。
簡易エンクロージャ１１の上方には、レーザー光Ｒを発生するエキシマレーザー発生装置（図５の６）が設けられている。
【００１３】
窒素ガスは、窒素ガス供給管１３を通じて前記スイングノズル１２に供給され、スイングノズル１２の先端（図２の１２ｎ）からレーザー照射部分Ｐへ向けて噴出される。また、簡易エンクロージャ１１内の窒素ガスは、窒素ガス回収管１６を通じて回収され、ガスフィルタＧＦを通じてスイングノズル１２に再供給される。
　
　上記ア〜ウの記載から、引用例２には、以下の技術が開示されている。
　レーザー光Ｒを発生するエキシマレーザー発生装置が設けられた、レーザーアニール処理装置において、窒素ガスが、レーザー照射部分Ｐへ向けて噴出されるスイングノズル１２と、窒素ガスを回収する窒素ガス回収管１６とを備える技術。
　
（３）対比
（３−１）本願補正発明と引用発明とを対比すると、
ア　引用発明の「ＬＣＤ処理用クリーンルーム環境」、「エキシマレーザアニール（ＥＬＡ）装置１０」及び「シリコン膜３８」は、それぞれ、本願補正発明の「周囲空気環境」、「レーザーアニーリング装置」及び「半導体材料」に相当する。そして、上記（２−２）より、引用発明で、シリコン膜３８を処理していることは明らかであるから、引用発明の「ＬＣＤ処理用クリーンルーム環境に配置されたエキシマレーザアニール（ＥＬＡ）装置１０」は、本願補正発明の「周囲空気環境内に配置された半導体材料を処理するレーザーアニーリング装置」に相当する。      　
イ　引用発明の「シリコン膜３８の表面４２のターゲット領域４３」、「レーザビーム２０」及び「レーザ１４」は、それぞれ、本願補正発明の「前記半導体材料の表面上の所定の位置」、「ビーム」及び「レーザーヘッド」に相当する。そして、引用発明の「レーザビーム２０を照射する」ことは、前記ターゲット領域４３に該レーザビーム２０を向けることでもあるから、引用発明の「シリコン膜３８の表面４２のターゲット領域４３へレーザビーム２０を照射する、ＬＣＤ処理用クリーンルーム環境に配置されたレーザ１４」は、本願補正発明の「前記半導体材料の表面上の所定の位置にビームを向けるように前記周囲空気環境内に配置されたレーザーヘッド」に相当する。ウ　引用発明の「周囲雰囲気」は、本願補正発明の「周囲空気」に相当し、引用発明の「窒素（ Ｎ２）の不活性ガス不活性ガスにより、シリコン膜３８の表面４２の各ターゲット領域から、周囲雰囲気を移動させるように、」「ターゲット領域４３に前記不活性ガスを向ける」ことは、該不活性ガスにより、所定の位置から周囲空気を除去するために、ガスフローを送ることともいえることから、本願補正発明の「前記半導体材料の表面上の前記所定の位置から周囲空気を除去するように、前記ビームが向けられる前記所定の位置に前記不活性ガスであるガスフローを送」ることに相当する。
　そして、引用発明の「ビーム２０に関して固定されたノズル６０」は、引用例１の段落【００６０】の「レーザに固定される光学システムに取り付けられるノズルアセンブリ」との記載も参酌すると、レーザヘッドに実装されたノズルともいえる。
　そうすると、引用発明の「不活性ガスにより、シリコン膜３８の表面４２の各ターゲット領域から、周囲雰囲気は、移動されるように、ターゲット領域４３へのレーザビーム２０の照射中、ターゲット領域４３に不活性ガスを向ける、ビーム２０に関して固定されたノズル６０」は、本願補正発明の「前記半導体材料の表面上の前記所定の位置から周囲空気を除去するように、前記ビームが向けられる前記所定の位置に不活性ガスであるガスフローを送り、前記レーザヘッドに実装されたノズル」に相当することは、当業者にとって明らかである。
　
（３−２）したがって、本願補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりとなる。
　　
〈一致点〉
「周囲空気環境内に配置された半導体材料を処理するレーザーアニーリング装置であって、前記半導体材料の表面上の所定の位置にビームを向けるように前記周囲空気環境内に配置されたレーザーヘッドと、前記半導体材料の表面上の前記所定の位置から周囲空気を除去するように、前記ビームが向けられる前記所定の位置に不活性ガスであるガスフローを送り、前記レーザヘッドに実装されたノズルと、を備えるレーザーアニーリング装置。」
　
〈相違点〉
　本願補正発明では、「前記半導体材料の表面上の前記所定の位置に送られる前記ガスフローを排気し、排気ポートが前記レーザヘッドに実装された排気システム」を備えるのに対し、引用発明では、そのような構成を備えていない点。
　
（４）相違点についての検討
ア　まず、引用例１の、段落【０００１】の「フラットパネルディスプレイ基板上に多結晶シリコン膜を形成する方法に関する。」、段落【０００８】の「本発明が解決しようとする課題は、ＥＬＡ多結晶シリコン膜に混入される酸素の量を効果的に制御し、アニール装置に係る装置生産コストを最小にしながら、酸素含有量を所定の閾値よりも低く維持することである。」、段落【００４１】の「本発明の具体的な利点は、ＥＬＡ装置１０が、エキシマレーザアニール中に基板３６が囲まれる環境チャンバなどを必要としないことである。」との記載から、引用発明は、多結晶シリコン膜を形成する際に混入される酸素の量を制御し、環境チャンバなどを必要とせず、装置生産コストを最小にする、フラットパネルディスプレイ基板上に多結晶シリコン膜を形成することを技術課題とすることは、当業者に自明である。
イ　そして、引用例２の、段落【０００１】の「特に大面積大粒径多結晶シリコン薄膜の形成に有用である。」、段落【０００６】の「上記従来のレーザーアニール処理装置５００では、真空チャンバ１内を真空あるいは窒素（大気圧）雰囲気とすることによって、アニール中に空気中の物質が非晶質半導体薄膜Ｍ１に作用することを防止している。しかし、真空チャンバ１内を真空あるいは窒素（大気圧）雰囲気とするために、真空チャンバ１の真空引き（および窒素ガス充填）やゲートバルブＳ１〜Ｓ４の開閉を行っていると、処理のスループットを向上できないという問題点がある。特に、最近の１５０ｍｍ角前後から３００ｍｍ角以上の大型の液晶ディスプレイの半導体基板を処理する場合には、真空チャンバも大型化するため、この問題点が顕著となっている。そこで、本発明の目的は、真空引きする必要がなく，処理のスループットを向上することができるレーザーアニール処理装置を提供することにある。」との記載から、引用例２に記載の「レーザーアニール処理装置」は、大型の液晶ディスプレイの半導体基板を処理する場合、多結晶シリコン薄膜の形成に際し、アニール中に空気中の物質が非晶質半導体薄膜Ｍ１に作用することを防止し、真空引きする必要がなく、処理のスループットを向上することを技術課題とすることは、当業者に自明である。
ウ　上記ア及びイから、引用発明と引用例２に記載の「レーザーアニール処理装置」は、フラットパネルディスプレイ基板上に多結晶シリコン膜を形成する際に、アニール中に作用する空気中の物質を制御し、環境チャンバなどを必要とせず、装置生産コストを最小にするという点で共通する技術課題を有するものと認められる。
エ　ここで、レーザビームが向けられる所定の位置に、ガスを送る手段及び排気する手段を備えるレーザビームを照射する装置において、ノズル等のガスを送る手段及び排気ポート等の排気する手段を、レーザヘッド等のレーザビームを照射する手段と一体的に固定することは、例えば、以下の周知例１〜３に記載されているように、本願の優先権主張日前の周知技術である。　
　また、前記各手段の各機能・目的を勘案すれば、各手段の作業効率を上げるために上記のとおり一体的に固定することは、当業者が自然に着想するものともいえる。　　
オ　上記ウによれば、引用発明において、周囲雰囲気を移動させるようにノズルから向けられる窒素（ Ｎ２）の不活性ガスを回収するために、引用例２に記載の「窒素ガス回収管１６」を備える技術を採用し、該不活性ガスの排出口としての排気ポートを含む排気システムとして適用することは、当業者が容易に想到し得たものである。そして、その際、ノズルから向けられる不活性ガスをより効率よく回収するために、前記排気ポートをノズル６０が固定されているレーザ１４に一体的に固定することは、上記エに照らし、当業者が適宜なし得る技術上の設計事項である。
　　
（周知例１：特開昭６２−１７９８８８号公報）
　上記周知例１には、第１図及び第２図とともに、次の記載がある。
「［実施例］
以下１本発明の実施例について図面を参照して説明する。      　
　第１図は本発明の一実施例に係るレーザ加工機の加工ノズルを示す底面図、第２図は第１図の縦断面図である。    　
　
図中１はレーザノズルで、集光照射するレーザ光３が通過するに十分な大きさとされている。
　
このレーザノズルｌの周囲には、補助ガス吹き付け及び補助ガス吸引の両機能を兼備した複数個のガスノズル２１〜２８が放射状に設けられている。
これらガスノズル２１〜２８は、レーザノズルｌをはさむ２つのガスノズル２１及び２２、２３及び２４、２５及び２６、２７及び２８が−組とされ、レーザ加工時、その加工方向（例えば第２図中Ａ方向）と一致する一組のガスノズル例えば２３及び２４のうち加工方向側に位置するガスノズル２３を補助ガス吹き付け用とし、且つ他方の加工方向と反対側に位置するガスノズル２４を補助ガス吸引用となし得るようにしている。
　
（周知例２：特開平６−２８５６６８号公報）
　上記周知例２には、図４とともに、次の記載がある。
「【００１９】
図４に示される本発明の光学系及び雰囲気を保護する装置は、保護ハウジング２３を含むのが望ましい。
【００２０】ハウジング２３は、内側の保護室２４を規定即ち形成する。この保護ハウジング２３は、レーザ・ビームが光学的焦点合わせアセンブリを最初に通過した後に保護室内に入り込むための第１の開口２５を有する。第１の開口は、光学的焦点合わせアセンブリの端部を密に取り囲むように形づくられており、これにより、レーザの溶融プロセスにより発生される浮遊材料が逃げる道を閉ざす。保護ハウジング２３は処理される材料即ち基板２２及び光学的焦点合わせアセンブリ２１の間の或る容積を包囲するのが望ましく、ハウジング２３は、この処理される基板２２のほぼ表面から光学的焦点合わせアセンブリ及びレーザ・ビームを囲むこの容積にまで延びる。」
「【００２７】ガスは、第３開口２９、多孔板３２及びガス流入孔３３から保護室２４内に導入されることができ、ガス、粒子及び他の破片を被処理面から遠ざけるだけでなく、保護室、作業面及び光学系を冷却する。これらの流体導入路に加えて、第３開口２９、多孔板３２及びガス流入孔３３から流入するガスに窒素を導入してこれら入り口に流れ込むガスに冷却効果を与える手段が本発明の装置に追加されることができる。
保護室２４内及びこれを通過するガスの流れの方向は矢印３６、３７、３８、３９及び４０により示されている。保護室内に流れ込むガスは、ドリル動作により発生されるガス、粒子及び他の破片を包み込み、保護室２４から排出開口を介して外部に出す。
【００２８】
保護室２４内に流入されるガスに加えて、本発明は、この保護室２４の側壁に設けられている第５開口４１に接続された真空源（図示せず）を含むことができる。真空源が本発明の装置に装着される場合、この真空源は保護室２４内及びこれを通過する空気流を増大する。
これらの煙、粒子及び破片は、レーザ・ビームが材料２２に当たる地点でこれらが生成されると直ちにこの場所から吸引除去され、そして保護室を通り開口４１を介してこのハウジング２３から外部の集塵手段（図示せず）に引き込まれる。
　
（周知例３：特開昭５５−１２３４６９号公報）
　上記周知例３には、図２とともに、次の記載がある。
「次に
第２図において、刻版ヘッドは管状部材５０で終端し、該部材中にレンズ５２を収付けたレンズ・ハウジング５１が装備されている。
部材５５には圧縮空気源に結合するための空気取入口５６が形成され、該空気吸入口はくり抜き穴６０と平行に形成された６個の等間隔の通路５７に通じている。該通路５７は環状の空気室５８に通じており、該空気室から空気が点線矢印により指示された斜めの経路に沿って通路５９を通りくり抜き穴６０に逃げる。環状空気室５８を形成する部材６４の終端に、終端開放形の吸引室を構成するカバー６１がねじ止めされている。吸引パイプ６２は真空源（図示せず）に接続されている。
　
（５）小括
　以上検討したとおり、上記相違点は、周知技術を勘案することにより、引用発明及び引用例２に記載の発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものである。
　
（６）独立特許要件についてのまとめと補正却下の結び
　以上のとおり、本願補正発明は、周知技術を勘案することにより、引用発明及び引用例２に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。　
　よって、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に違反するので、同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明
　
１　以上のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２０年３月７日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載の次のとおりのものである。
　
「【請求項１】　周囲空気環境内に配置された半導体材料を処理するレーザーアニーリング装置であって、
　前記半導体材料の表面上の所定の位置にビームを向けるように前記周囲空気環境内に配置されたレーザーヘッドと、
　前記半導体材料の表面上の前記所定の位置にガスフローを送って、前記ビームが向けられる前記所定の位置から周囲空気を除去するように、前記レーザヘッドに実装されたノズルと、
　前記半導体材料の表面上の前記所定の位置に送られるガスフローを排気する排気システムと
　を備えるレーザーアニーリング装置。」
　
２　引用例の記載と引用発明
　引用例の記載と引用発明については、前記第２の３（２）で認定したとおりである。
　
３　対比・判断
　 前記第２の１及び２で検討したように、本願補正発明は、補正前の請求項１の規定をより技術的に限定するものである。したがって、逆に言えば、本願発明（補正前の請求項１に係る発明）は、本願補正発明から、このような限定をなくしたものである。  　
   そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、これより限定したものである本願補正発明が、前記第２の３で検討したとおり、周知技術を勘案することにより、引用発明及び引用例２に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、当業者が容易に発明することができたということができる。 
　
第４　結言
　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用例２に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　したがって、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。