【手続補正書】
【提出日】平成23年10月5日(2011.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
本発明は、反射防止コーティングに有用なシルセスキオキサン樹脂であって、式
（ＰｈＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）m（ＨＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）n（ＭｅＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）o（ＲＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）p（Ｒ2ＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）q
（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒは硫黄含有有機官能基から選ばれ、Ｒ’は水素原子又は１〜４個の炭素原子を有する炭化水素基であり、Ｒ2はエステル基、ポリエーテル基及びポリエチレンオキシド基から選ばれ、ｘは０、１又は２の値を有し、ｍは０．０１〜０．９７の値を有し、ｎは０．０１〜０．９７の値を有し、ｏは０．０１〜０．９７の値を有し、ｐは０．０１〜０．９７の値を有し、ｑは０〜０．９６の値を有し、且つｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＋ｑ＝１）を有するシルセスキオキサン樹脂に関する。それらの樹脂が反射防止コーティングに用いられると、除去工程でコーティングを剥離する（stripped）ことができる。さらに、シルセスキオキサン樹脂中の水素原子基の存在は、１９３ｎｍＡＲＣ物質として所望の硬化特性及び剥離能に対して極めて重要である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明は、
（ｉ）式
（ＰｈＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）m（ＨＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）n（ＭｅＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）o（ＲＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）p（Ｒ2ＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）q
（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒは硫黄含有有機官能基から選ばれ、Ｒ’は水素原子又は１〜４個の炭素原子を有する炭化水素基であり、Ｒ2はエステル基、ポリエーテル基及びポリエチレンオキシド基から選ばれ、ｘは０、１又は２の値を有し、ｍは０．０１〜０．９７の値を有し、ｎは０．０１〜０．９７の値を有し、ｏは０．０１〜０．９７の値を有し、ｐは０．０１〜０．９７の値を有し、ｑは０〜０．９６の値を有し、且つｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＋ｑ＝１）を有するシルセスキオキサン樹脂と、
（ｉｉ）溶媒と
を含む反射防止コーティング（ＡＲＣ）組成物にも関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、
（Ａ）（ｉ）式
（ＰｈＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）m（ＨＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）n（ＭｅＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）o（ＲＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）p（Ｒ2ＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）q
（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒは硫黄含有有機官能基から選ばれ、Ｒ’は水素原子又は１〜４個の炭素原子を有する炭化水素基であり、Ｒ2はエステル基、ポリエーテル基及びポリエチレンオキシド基から選ばれ、ｘは０、１又は２の値を有し、ｍは０．０１〜０．９７の値を有し、ｎは０．０１〜０．９７の値を有し、ｏは０．０１〜０．９７の値を有し、ｐは０．０１〜０．９７の値を有し、ｑは０〜０．９６の値を有し、且つｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＋ｑ＝１）を有するシルセスキオキサン樹脂と、
（ｉｉ）溶媒と
を含むＡＲＣ組成物を電子デバイス上に塗布すること、及び
（Ｂ）溶媒を除去すると共にシルセスキオキサン樹脂を硬化させて、電子デバイス上に反射防止コーティングを形成すること
を含む、電子デバイス上に反射防止コーティングを形成する方法にも関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
反射防止コーティングを形成するに有用なシルセスキオキサン樹脂は、式
（ＰｈＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）m（ＨＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）n（ＭｅＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）o（ＲＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）p（Ｒ2ＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）q
（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒは硫黄含有有機官能基から選ばれ、Ｒ’は水素原子又は１〜４個の炭素原子を有する炭化水素基であり、Ｒ2はエステル基、ポリエーテル基及びポリエチレンオキシド基から選ばれ、ｘは０、１又は２の値を有し、ｍは０．０１〜０．９７の値を有し、ｎは０．０１〜０．９７の値を有し、ｏは０．０１〜０．９７の値を有し、ｐは０．０１〜０．９７の値を有し、ｑは０〜０．９６の値を有し、且つｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＋ｑ＝１）を有する。典型的にｍは０．０２〜０．７、あるいは０．０５〜０．１５の値を有する。典型的にｎは０．０５〜０．９０、あるいは０．１０〜０．３０の値を有する。典型的にｏは０．０５〜０．９０、あるいは０．２５〜０．７５の値を有する。典型的にｐは０．０２〜０．２０、あるいは０．０５〜０．５の値を有する。典型的にｑは０〜０．２５、あるいは０〜０．１５の値を有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明は、
（ｉ）式  （ＰｈＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）m（ＨＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）n（ＭｅＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）o（ＲＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）p（Ｒ2ＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）q
（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒは硫黄含有有機官能基から選ばれ、Ｒ’は水素原子又は１〜４個の炭素原子を有する炭化水素基であり、Ｒ2はエステル基、ポリエーテル基及びポリエチレンオキシド基から選ばれ、ｘは０、１又は２の値を有し、ｍは０．０１〜０．９７の値を有し、ｎは０．０１〜０．９７の値を有し、ｏは０．０１〜０．９７の値を有し、ｐは０．０１〜０．９７の値を有し、ｑは０〜０．９６の値を有し、且つｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＋ｑ＝１）を有するシルセスキオキサン樹脂と、
（ｉｉ）溶媒と
を含む反射防止コーティング（ＡＲＣ）組成物にも関する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式
（ＰｈＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）m（ＨＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）n（ＭｅＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）o（ＲＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）p（Ｒ2ＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）q
（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒは硫黄含有有機官能基から選ばれ、Ｒ’は水素原子又は１〜４個の炭素原子を有する炭化水素基であり、Ｒ2はエステル基、ポリエーテル基及びポリエチレンオキシド基から選ばれ、ｘは０、１又は２の値を有し、ｍは０．０１〜０．９７の値を有し、ｎは０．０１〜０．９７の値を有し、ｏは０．０１〜０．９７の値を有し、ｐは０．０１〜０．９７の値を有し、ｑは０〜０．９６の値を有し、且つｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＋ｑ＝１）を有するシルセスキオキサン樹脂。
【請求項２】
Ｒが、式ＨＳ（ＣＨ2）z−（式中、ｚは１〜１８の値を有する）のメルカプトアルキル基である請求項１に記載のシルセスキオキサン樹脂。
【請求項３】
Ｒが、式Ｒ3ＳＳ（ＣＨ2）z−及びＲ3ＳＳＳ（ＣＨ2）z−（式中、Ｒ3はＨ原子、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基又はアリール基であり、ｚは１〜１８の値を有する）のポリスルフィド基である請求項１に記載のシルセスキオキサン樹脂。
【請求項４】
（ｉ）式
（ＰｈＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）m（ＨＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）n（ＭｅＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）o（ＲＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）p（Ｒ2ＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）q
（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒは硫黄含有有機官能基から選ばれ、Ｒ’は水素原子又は１〜４個の炭素原子を有する炭化水素基であり、Ｒ2はエステル基、ポリエーテル基及びポリエチレンオキシド基から選ばれ、ｘは０、１又は２の値を有し、ｍは０．０１〜０．９７の値を有し、ｎは０．０１〜０．９７の値を有し、ｏは０．０１〜０．９７の値を有し、ｐは０．０１〜０．９７の値を有し、ｑは０〜０．９６の値を有し、且つｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＋ｑ＝１）を有するシルセスキオキサン樹脂と、
（ｉｉ）溶媒と
を含む反射防止コーティング組成物。
【請求項５】
Ｒが、式ＨＳ（ＣＨ2）z−（式中、ｚは１〜１８の値を有する）のメルカプトアルキル基である請求項４に記載の反射防止コーティング組成物。
【請求項６】
Ｒが、式Ｒ3ＳＳ（ＣＨ2）z−及びＲ3ＳＳＳ（ＣＨ2）z−（式中、Ｒ3はＨ原子、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基又はアリール基であり、ｚは１〜１８の値を有する）のポリスルフィド基である請求項４に記載の反射防止コーティング組成物。
【請求項７】
（Ａ）（ｉ）式
（ＰｈＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）m（ＨＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）n（ＭｅＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）o（ＲＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）p（Ｒ2ＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）q
（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒは硫黄含有有機官能基から選ばれ、Ｒ’は水素原子又は１〜４個の炭素原子を有する炭化水素基であり、Ｒ2はエステル基、ポリエーテル基及びポリエチレンオキシド基から選ばれ、ｘは０、１又は２の値を有し、ｍは０．０１〜０．９７の値を有し、ｎは０．０１〜０．９７の値を有し、ｏは０．０１〜０．９７の値を有し、ｐは０．０１〜０．９７の値を有し、ｑは０〜０．９６の値を有し、且つｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＋ｑ＝１）を有するシルセスキオキサン樹脂と、
（ｉｉ）溶媒と
を含む反射防止コーティング（ＡＲＣ）組成物を電子デバイスに塗布すること、及び
（Ｂ）溶媒を除去すると共にシルセスキオキサン樹脂を硬化させて、電子デバイス上に反射防止コーティングを形成すること
を含む、電子デバイス上に反射防止コーティングを形成する方法。
【請求項８】
Ｒが、メルカプトプロピル基である請求項７に記載の方法。
【請求項９】
Ｒ2が、−（ＣＨ2）2−Ｃ（Ｏ）−ＯＭｅである請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記組成物が遊離基開始剤をさらに含む請求項７に記載の方法。