【事件の表示】
　特願２００１−２７４０７３「半導体装置の作製法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　３月２０日出願公開，特開２００３−　８６７９２〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１３年９月１０日の出願であって，平成２０年５月２６日付けの拒絶理由通知に対して，同年８月４日に手続補正書及び意見書が提出されたが，同年８月２７日に拒絶査定がされ，これに対し，同年１０月９日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，同年１１月１０日に手続補正書が提出されたものである。
　
第２　平成２０年１１月１０日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正のうち，特許請求の範囲に対する補正は，補正前の特許請求の範囲の請求項１〜６を，補正後の特許請求の範囲の請求項１〜５とするものであり，次の補正内容からなる。
　
（１）補正事項１
　請求項１を補正するものであり，本件補正前後の請求項１の記載は次のとおりである。
　
ア　補正前の請求項１
「炭化珪素領域を含む半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程を含む半導体装置の作製法において，炭化珪素領域上にゲート絶縁膜を形成した後，９００℃から１０００℃のいずれかの予め決められた温度で，２５％以上のＨ2Ｏ（水）を含んだ雰囲気で予め決められた時間にわたり熱処理する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製法。」
　
イ　補正後の請求項１
「炭化珪素領域を含む半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程を含む半導体装置の作製法において，
　面方位が（０００−１）である４Ｈ型炭化珪素領域上にゲート絶縁膜を形成した後，９００℃から１０００℃のいずれかの予め決められた温度で，２５％以上のＨ2Ｏ（水）を含んだ雰囲気で予め決められた時間にわたり熱処理する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製法。」
　
（２）補正事項２
　本件補正前の請求項６を削除する。
　
２　新規事項の追加の有無及び補正目的の適否について
　（１）補正事項１は，補正前の請求項１の「炭化珪素領域上」との事項につき，その面方位とポリタイプを限定して「面方位が（０００−１）である４Ｈ型炭化珪素領域上」とするものであるから，特許請求の範囲を減縮するものといえる。また，「面方位が（０００−１）である４Ｈ型炭化珪素領域上」との事項は，本願の出願当初の明細書【００４１】に基づくものであるから，本願の出願当初の明細書に記載した事項の範囲内においてしたものである。
　
（２）補正事項２は，請求項を削除するものである。
　
（３）したがって，補正事項１〜２は，特許法第１７条の２第３項の規定に適合し，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１，２号に掲げる事項を目的とするものに該当する。
　
３　独立特許要件の検討
　以上で検討したとおり，請求項１に係る補正事項１は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そこで，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて，以下で更に検討する。
　
３−１　本件補正後の請求項１に係る発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は，本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである（上記１（１）イ）。
　
３−２　引用例に記載された事項と引用発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である，特表平１１−５０５０７３号公報（以下「引用例」という。）には，図１〜８とともに，次の記載がある（下線は当審で付加。以下同じ。）。
　
・発明の分野について
ア　「
本発明は，炭化ケイ素半導体物質上に酸化物を形成させるための改良された方法に関する。さらに詳細には，本発明は，炭化ケイ素をベースとした金属酸化物半導体（ＭＯＳ）デバイスにおける酸化物や酸化物界面を改良することに関する
　
・発明の背景と目的について
イ　「炭化ケイ素（ＳｉＣ）は，高温，高電圧，高周波数，および高出力用の電子デバイスのための半導体物質として魅力的な電気的・物理的特性を併せもっている。これらの特性としては，3.0エレクトロンボルト（eV）のバンドギャップ，４ミリボルト/センチメートル（MV/cm）の電界破壊（electric field breakdown），4.9W/cm・K の熱伝導率，および 2.0×107センチメートル/秒（cm/s）の電子ドリフト速度などがある。さらに，ＳｉＣは熱酸化物を成長させるので，他の化合物半導体を凌ぐ大きな利点をもたらす。
特に，こうした熱酸化物の形成能力により，金属−酸化物−半導体（ＭＯＳ）デバイス〔ＭＯＳ電界効果トランジスター（ＭＯＳＦＥＴ），絶縁ゲートバイポーラートランジスター（ＩＧＢＴ），ＭＯＳ制御によるサイリスター（ＭＣＴ），および他の関連デバイスを含む〕を形成できる対応した能力が高められる
したがって，ＭＯＳデバイスおよびこれらを使用して得られる集積回路においてＳｉＣの電子特性を充分に利用するには，適切なＳｉＣ酸化技術が必要となる
  これらの有利な特性にもかかわらず，炭化ケイ素（ＳｉＣ）上の酸化物の品質は，炭化ケイ素ＭＯＳデバイスの開発に対して大きな障害となっている。特に，
酸化物の電荷状態と界面状態は，ＭＯＳデバイスの性能に悪影響を及ぼす
　
ウ　「したがって本発明の目的は，ＳｉＣ酸化物の品質をさらに改良することにある。本発明は，改良された酸化物層，および酸化物をベースとするデバイスから改良された性能を得るための方法により，本発明の目的を果たす。」（第８頁第１７行〜第１９行）
  　
・実施態様について
エ　「したがって最も好ましい実施態様においては，
本発明の方法は，炭化ケイ素の層を約1050〜1100℃の温度で熱的に酸化して，炭化ケイ素層上に酸化物層を生成させる工程，および炭化ケイ素の実質的な酸化を防止しつつ，水の存在下にて（すなわち“湿潤酸化”にて）酸化物層と炭化ケイ素層を約1050℃未満（最も好ましくは約950℃）の温度で，酸化物層を緻密化し，そして酸化物層と炭化ケイ素層との界面を改良するのに充分な時間にわたって酸化性ガス源に暴露する工程，を含む
　
・基板について
オ　「
本明細書で使用している“炭化ケイ素層”とは，最も好ましくは，単結晶炭化ケイ素の基板または炭化ケイ素のエピタキシャル層を表している。炭化ケイ素は多くのポリタイプを有していて，そのうち３Ｃ，４Ｈ，６Ｈ，および15Ｒのポリタイプが電子デバイス用として特に有用であり，本発明はこれらのポリタイプを使用すると適切な結果をもたらす
　
カ　「炭素はケイ素より幾らか容易に酸化される（したがって，他の全てのファクターが実質的に等しいければ酸化がより速い）ので，
炭素面上の酸化は約900〜1300℃の温度で行うことができ，再酸化アニール（reoxidation anneal）は約600〜1000℃の温度で行うことができる。同様に，ケイ素面上の酸化は約1000〜1400℃の温度で行うことができ，再酸化アニールを約700〜1100℃の温度で行って，同程度の酸化をほぼ同じ速度にて得ることができる
　
キ　「熱酸化法を比較し，そしてＳｉＣ/ＳｉＯ2欠陥を調べたこれまでの研究では，幾つかの一般的な知見が得られているにすぎない：（１）湿潤酸化物（すなわち，水蒸気の存在下で熱的に成長したもの）は，乾燥酸化物より低い酸化物電荷と界面状態密度を有する〔S.M.Tang，W.B.Berry，R.Kwor，M.V.Zeller，及び L.G.Matusによる“J．Electrochem．Soc.，137(1)p.221(1990)”〕；S.Zaima，K.Onoda, Y.Koide,及び Y.Yasudaによる“J．Appl．Phys.，68(12)p.6304(1990)”〕；（２）
ＳｉＣウエハーのＳｉ面（Si-face）は，酸化が炭素（Ｃ）面より遅いが，酸化物電荷密度（oxide charge densities）が炭素面より低い
　
・再酸化アニールについて
ク　「前述したように，本発明は，酸化物の品質に対しても有益である後酸化処理を含む。この処理は，酸化物のバルクが成長した後の，より低い温度において行われる酸化からなる。
このアニールは，本明細書では“再酸化”アニールとも呼ぶ。再酸化アニールの温度範囲は約800〜1000℃である
ＳｉＣがそれ以上酸化されることはなく，従って酸化物が緻密化され，ＳｉＣ/ＳｉＯ
2
の界面が改良される
　
・再酸化アニールの温度条件について
ケ　「
1050℃で成長させた酸化物と1100℃で成長させた酸化物に対し，再酸化アニールのための最適温度は950℃である
　
コ　図５〜６には，１０５０℃で成長させ，９００℃，９５０℃，１０００℃で湿潤再酸化した熱酸化物の酸化物電荷と界面状態密度が，同一の条件下で酸化したが再酸化アニールは施さなかったものよりも低い値であることが示されている。
　
（２）以上を整理すると，引用例には次の事項が記載されている。
・上記（１）アに摘記した記載から，引用例には「炭化ケイ素半導体物質上に」「ＭＯＳデバイスにおける酸化物」を「形成させるための改良された方法」が記載されている。また，上記（１）エに摘記した記載から，引用例の方法では，「炭化ケイ素層上に酸化物層を生成」させており，上記（１）オに摘記した記載から，引用例において「炭化ケイ素層”とは，最も好ましくは，単結晶炭化ケイ素の基板または炭化ケイ素のエピタキシャル層」であるから，引用例には，「単結晶炭化ケイ素の基板上にＭＯＳデバイスにおける酸化物層を形成する方法」が記載されているといえる。
　
・上記（１）エに摘記したとおり，引用例には「炭化ケイ素の実質的な酸化を防止しつつ，水の存在下にて（すなわち“湿潤酸化”にて）酸化物層と炭化ケイ素層を約1050℃未満（最も好ましくは約950℃）の温度で，酸化物層を緻密化し，そして酸化物層と炭化ケイ素層との界面を改良するのに充分な時間にわたって酸化性ガス源に暴露する工程」を行うことが記載されている。また，上記（１）クに摘記した記載から，引用例には，「再酸化アニール」により，「ＳｉＣがそれ以上酸化されることはなく，従って酸化物が緻密化され，ＳｉＣ/ＳｉＯ2の界面が改良される。」ことが記載されている。よって，引用例には「湿潤酸化にて，再酸化アニールする工程」が記載されているといえる。
　
・上記（１）ケに摘記したとおり，引用例には，「1050℃で成長させた酸化物と1100℃で成長させた酸化物に対し，再酸化アニールのための最適温度は950℃である。」と記載され，上記（１）コには，９００℃，９５０℃，及び１０００℃の再酸化アニールが，ＳｉＣ酸化物の品質を改良する効果を奏することが示されている。そうすると，引用例には，「再酸化アニール」を「９００〜１０００℃の温度で」実施することが記載されているといえる。
　
・上記（１）クに摘記したとおり，引用例の「再酸化アニールする工程」は，「酸化物層を緻密化し，そして酸化物層と炭化ケイ素層との界面を改良する」ための工程であるから，「酸化物層を形成する工程」の後に行われることは明らかである。
　
（３）上記（２）の検討を総合すると，引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「単結晶炭化ケイ素の基板上にＭＯＳデバイスにおける酸化物層を形成する方法において，
単結晶炭化ケイ素の基板上に酸化物層を形成する工程の後，９００〜１０００℃の温度で，湿潤酸化にて，再酸化アニールする工程を含む方法。」
　
３−３　補正発明と引用発明との対比
　補正発明と，引用発明とを対比する。
（１）引用発明における「単結晶炭化ケイ素の基板」は，補正発明における「炭化珪素領域を含む半導体基板」に相当する。また，上記３−２（１）イに摘記した記載から，引用発明における「ＭＯＳデバイスにおける酸化物層」は，補正発明における「ゲート絶縁膜」に相当する。よって，引用発明における「単結晶炭化ケイ素の基板上にＭＯＳデバイスにおける酸化物層を形成する方法」は，補正発明における「炭化珪素領域を含む半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程を含む半導体装置の作製法」に相当する。
　
（２）引用発明における「単結晶炭化ケイ素の基板上に酸化物層を形成する工程」と，補正発明における「面方位が（０００−１）である４Ｈ型炭化珪素領域上にゲート絶縁膜を形成」することとは，「炭化珪素領域上にゲート絶縁膜を形成」する工程である点で共通する。
　
（３）引用発明における「湿潤酸化」は，補正発明における「Ｈ2Ｏ（水）を含んだ雰囲気で」「熱処理する工程」に相当する。よって，引用発明における「９００〜１０００℃の温度で，湿潤酸化にて，酸化物層を緻密化し，そして酸化物層と炭化ケイ素層との界面を改良するのに充分な時間にわたって再酸化アニールする工程」と，補正発明における「９００℃から１０００℃のいずれかの予め決められた温度で，２５％以上のＨ2Ｏ（水）を含んだ雰囲気で予め決められた時間にわたり熱処理する工程」とは，「９００℃から１０００℃のいずれかの予め決められた温度で，Ｈ2Ｏ（水）を含んだ雰囲気で予め決められた時間にわたり熱処理する工程」である点で共通する。
　
　そうすると，補正発明と引用発明の一致点及び相違点は，次のとおりである。
　
＜一致点＞
　「炭化珪素領域を含む半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程を含む半導体装置の作製法において，
　炭化珪素領域上にゲート絶縁膜を形成した後，９００℃から１０００℃のいずれかの予め決められた温度で，Ｈ2Ｏ（水）を含んだ雰囲気で予め決められた時間にわたり熱処理する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製法。」である点。
　
＜相違点１＞
　補正発明では，ゲート絶縁膜を形成する炭化珪素領域が「面方位が（０００−１）である４Ｈ型炭化珪素領域」であるのに対し，引用発明では，炭化珪素領域の面方位及びポリタイプが特定されていない点。
　
＜相違点２＞
　補正発明では，「Ｈ2Ｏ（水）を含んだ雰囲気」で「熱処理する工程」を「２５％以上の」水分濃度で行うのに対し，引用発明では，当該熱処理工程における水分濃度が特定されていない点。
　
３−４　相違点についての判断
（１）相違点１について
　上記３−２（１）オに摘記した記載から，引用例には，引用発明の「単結晶炭化ケイ素の基板」として「３Ｃ，４Ｈ，６Ｈ，および１５Ｒ」のうちいずれかのポリタイプを有するものを使用できることが開示されている。
　また，上記３−２（１）カに摘記した記載によれば，引用例には，ケイ素面及び炭素面に対する具体的な酸化温度及び再酸化アニール温度が記載されている。ここで，引用例には「ＳｉＣウエハーのＳｉ面（Si-face）は，酸化が炭素（Ｃ）面より遅いが，酸化物電荷密度（oxide charge densities）が炭素面より低い」（上記３−２（１）キを参照）との記載，及び，ＳｉＣ（０００−１）炭素面の酸化速度がＳｉＣ（０００１）ケイ素面の酸化速度よりも速いことが周知の事項である（例えば，次の周知例１〜２を参照。）ことに照らすと，引用例における「Ｓｉ面」又は「ケイ素面」とは（０００１）ケイ素面を，「炭素面」とは（０００−１）炭素面を意味するものであると理解できる。よって，引用例には，面方位が（０００１）又は（０００−１）の「炭化ケイ素の基板」に，酸化及び再酸化アニールすることが開示されているといえる。
・周知例１：特開平１１−７４２６３号公報
　本願の出願日前に国内において頒布された刊行物である上記周知例１には，次の記載がある。
「【０００４】熱酸化によるＳｉＣ上のＳｉＯ2 膜の成長については，種々の性質があきらかにされている。例えば，図３は，M.R.Melloch とJ.A.Cooperによる水蒸気雰囲気におけるＳｉＣのＳｉＯ2 膜成長速度の温度依存性を示した図である（MRS Bulletin, March 1997,p.42）。比較のため，シリコンの酸化膜成長速度も示してある。・・・（中略）・・・
【０００５】図３に見られるように
ＳｉＣ上のＳｉＯ
2
 膜の成長速度には結晶方位依存性があり，（０００１）シリコン面（以下Ｓｉ面と記す）は（０００−１）炭素面（以下Ｃ面と記す）と比較して成長速度が非常に小さいという特徴がある
・周知例２：特開平９−１９９７２４号公報
　本願の出願日前に国内において頒布された刊行物である上記周知例２には，次の記載がある。
「【０００６】次に，後者の技術（特願平７−７２０２６号）について説明する。図２１においては，熱酸化膜厚の面方位依存性を利用した構造の溝ゲート型パワーＭＯＳＦＥＴである。
六方晶炭化珪素の酸化速度は（０００１−）カーボン面で最も速く，（０００１−）カーボン面に垂直な面に比べ約５倍である
　
　そうすると，引用発明における「単結晶炭化ケイ素の基板」として，面方位が（０００−１）である４Ｈ型炭化珪素」の基板を選択することは，当業者が適宜なし得たことである。
　
（２）相違点２について
　例えば，ＵＣＳ半導体基盤技術研究会編「シリコンの科学」（１９９６年６月２８日，株式会社リアライズ社）には「酸素流量を変えて水蒸気分圧を変化させることによって成長速度を制御することができる。」（５１１頁，１．（２）「ウェット(スチーム）酸化」の項，第５行を参照。）との記載があるように，一般に，ウエット酸化工程において水蒸気分圧を制御することは，当業者が普通に行うことである。また，上記周知例１にも示されているように，水蒸気分圧０．１〜０．９程度の値は，ＳｉＣのウエット酸化条件として普通にとり得る数値範囲である。
　
・上記周知例１には，次の記載がある。
「【０００８】このような状況から本発明の目的は，特にＳｉ面において短時間で，清浄な，厚い酸化膜を形成できる炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題解決のため本発明は，
加熱されたＳｉＣ表面上に，水蒸気と酸素とを導入して酸化けい素膜を成長させる熱酸化膜形成方法において，水蒸気の分圧ｐ(H
2
O)/[ ｐ(H
2
O) ＋ｐ(O
2
)] を０．１〜０．９の範囲に制御するものとする
【００１０】水蒸気分圧の影響を説明するメカニズムの詳細は不明であるが，後述の実験結果が示すように，水蒸気の分圧を上記の範囲に制御すると，分圧を１．０すなわち水蒸気１００％とした場合より酸化速度が増大し，容易に厚いＳｉＯ2 膜が得られる。特に，水蒸気の分圧を０．１〜０．４の範囲に制御すると，分圧を１．０すなわち水蒸気１００％とした場合より酸化速度がほぼ倍になる。逆に，ある厚さのＳｉＯ2 膜を成長させるに要する酸化時間は半分に短縮できることになる。
【００１１】水素と酸素を導入して熱酸化するパイロジェニック酸化によってＳｉＯ2 膜を成長させる熱酸化膜形成方法においては，
水素と酸素との流量比を１：０．６〜１：９．５の範囲に制御するものとする。そのようにすれば，炉内の酸化雰囲気として，水蒸気の分圧を０．１〜０．９の範囲に入れることができる
　
　一方，ＳｉＣのウエット再酸化においても再酸化条件を調整する必要があることは，例えば，原査定において周知技術を示す文献として引用された，本願の出願日前に外国において頒布された刊行物である周知例３に記載されているように，当業者にとって周知の事項である（翻訳文は当審による。）。
・周知例３：Hiroshi Yano et al, Effects of Wet Oxidation/Anneal on Interface Properties of Thermally Oxidized SiO2/SiC MOS System and MOSFET's, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,  １９９９年，vol.46, no.3, pp.504-510 
 In this paper, we report systematic investigation on the effects of wet oxidation and reoxidation anneal in wet O at low temperatures on the interface properties (deep interface states and fixed charges) of SiO2/p-SiC and SiO2/n-SiC, for both 4H and 6H polytypes.（５０４頁1.INTRODUCTIONの項，第３段落第１行〜第５行）
(訳文）「本論文では，４Ｈ及び６Ｈポリタイプの両方について，ＳｉＯ2／ｐ−ＳｉＣ及びＳｉＯ2／ｎ−ＳｉＣの界面特性（深い界面状態及び固定電荷）の低温湿潤酸素中におけるウエット酸化及び再酸化アニールの効果に関する系統的な調査について報告する。」
  The channel mobility is expected to be improved further, if wet reoxidation anneal condition is optimized and net negative charges near/at the interface can be reduced. Thus, the optimization of wet reoxidation anneal condition is necessary to achieve a higher channel mobility. （５０９頁左欄第９行〜第１４行）
（訳文）「もしウエット再酸化アニール条件が最適化されて界面／界面近傍の正味の負電荷が低減されるなら，チャネル移動度は更に改善されることが期待される。したがって，より高い移動度を実現するためにはウエット再酸化条件の最適化が求められる。」
　
　そうすると，引用発明の「湿潤酸化」において水分濃度を調整することは，当業者が普通に行う設計事項であり，その範囲として「２５％以上」との範囲を設定することは，「湿潤酸化」の具体的実施に当たり当業者が適宜なし得たことである。
　
　　なお，本願明細書【００４２】及び図４によると，温度９５０℃，水分濃度２５％で熱処理を行ったとしても，移動度が従来より向上する場合（図４の●）としない場合（図４の□）とがあることから，補正発明における「２５％」という数値は，臨界的意義を有するものとはいえない。したがって，補正発明における水分濃度の下限は，「炭化珪素」を「Ｈ2Ｏ（水）を含んだ雰囲気で予め決められた時間にわたり熱処理する工程」として可能な数値範囲から適宜選択したものと，区別がつかないものである。
　
（３）小括
　よって，補正発明は，引用発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
３−５　独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおり，本件補正は，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　
４　補正却下の決定についてのまとめ
　以上検討したとおり，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２０年１１月１０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１〜　に係る発明は，平成２０年８月４日付けの手続補正により補正された願書に最初に添付した明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるものであり，その内の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，上記第２，１（１）に本件補正前の請求項１として摘記したとおりのものである。
　
２　引用発明
　引用発明は，上記第２，３−２（３）で認定したとおりのものである。
　
３　対比・判断
　上記第２，２で検討したように，補正発明は，実質的に，本件補正前の請求項１の「炭化珪素領域上」について，その面方位とポリタイプを限定したものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである補正発明が，上記第２，３において検討したとおり，引用発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものということができる。
　
４　本願発明についての結論
　以上検討したとおり，本願発明は，引用発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　結言
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。