【手続補正書】
【提出日】平成23年5月17日(2011.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１表面（６）を有する第１部品（５）と、第２表面（９）を有する第２部品（８）と、を備えるデバイスにおいて、
前記第１表面及び前記第２表面の少なくとも１つが、前記第１表面及び／又は前記第２表面の粗さにより生じる地形学的な表面構造を有し、
前記第１部品（５）の前記第１表面（６）は、電気絶縁性接続層（７）を介して前記第２部品（８）の前記第２表面（９）に接続され、そして、
前記第１表面（６）と前記第２表面（９）との間に、前記地形学的な表面構造を介して電気伝導性コンタクトがある、
ことを特徴とするデバイス。
【請求項２】
前記第１表面及び前記第２表面の両方が、地形学的な表面構造を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記第１部品（５）及び／又は前記第２部品（８）は、基板、ウェハ、ガラスキャリア、ヒートシンク、エピタキシャル連続層、及び光電子半導体チップからなるグループから選ばれる、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記第１部品（５）の前記第１表面（６）及び／又は前記第２部品（８）の前記第２表面（９）は、窪み（４０）を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項５】
前記第１表面（６）及び前記第２表面（９）は、接合領域（４１）を有し、
前記接合領域（４１）には、前記接続層（７）が取り付けられ、
前記第１表面（６）及び／又は前記第２表面（９）の前記窪み（４０）は、前記接合領域（４１）の周囲に配置される、
ことを特徴とする請求項４に記載のデバイス。
【請求項６】
前記窪み（４０）は、前記接続層の接着剤のための収集貯液部として機能する、
ことを特徴とする請求項４又は５に記載のデバイス。
【請求項７】
複数の前記窪み（４０）は、それらが、規則的に離れて間隔を空けるように配置される、
ことを特徴とする請求項４乃至６のうちいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項８】
複数の前記窪み（４０）は、それらが、不規則に離れて間隔を空けるように配置される、
ことを特徴とする請求項４乃至６のうちいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項９】
前記接続層（７）の平均厚さ（２８）は、概ね前記第１表面（６）の粗さ及び／又は前記第２表面（９）の粗さの大きさである、
ことを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記第１表面（６）の粗さ及び／又は前記第２表面（９）の粗さは、少なくとも数ナノメートル（ｎｍ）である、
ことを特徴とする請求項２又は９に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記第１表面（６）及び前記第２表面（９）は、それらが少なくとも部分的に電気伝導性であるように形成される、
ことを特徴とする請求項１乃至１０のうちいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記第１表面（６）及び／又は前記第２表面（９）は、少なくとも部分的に金属製に形成される、
ことを特徴とする請求項８に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記接続層は、電気絶縁性接着剤を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至１２のうちいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記接着剤は、耐溶解性、適切な真空度、温度安定性があり、且つ／又はＵＶ硬化可能である、
ことを特徴とする請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記接着剤は、ＢＣＢ（BisbenzoCycloButene）を含む、
ことを特徴とする請求項１３又は１４に記載のデバイス。
【請求項１６】
第１表面（６）を有する第１部品（５）と第２表面（９）を有する第２部品（８）との間に電気伝導性接続部を製造する方法であって、
前記第１表面及び前記第２表面の少なくとも１つが、前記第１表面及び／又は前記第２表面の粗さにより生じる地形学的な表面構造を有し、
前記第１表面及び／又は前記第２表面へ電気絶縁性接続層（７）を設ける工程と、
互いに関して前記第１表面（６）と前記第２表面（９）とを位置決めする工程と、
前記第１表面と前記第２表面との間に前記地形学的な表面構造を介して電気的伝導性コンタクトが生じるまで、前記第１部品（５）及び／又は前記第２部品（８）へ力（１０）を加える工程と、
を含む、
ことを特徴とする電気伝導性接続部の製造方法。
【請求項１７】
前記第１表面（６）及び前記第２表面（９）は、地形学的な表面構造を有する、
ことを特徴とする請求項１６に記載の製造方法。
【請求項１８】
前記地形学的な表面構造は、前記接続層が設けられるよりも前に形成される、
ことを特徴とする請求項１６又は１７に記載の製造方法。
【請求項１９】
前記地形学的な表面構造は、エッチング、研削、フォトリソグラフィパターニング、及び／又はサンドブラストにより形成される、
ことを特徴とする請求項１８に記載の製造方法。
【請求項２０】
前記第１部品（５）及び／又は前記第２部品（８）は、基板、ウェハ、ガラスキャリア、ヒートシンク、エピタキシャル連続層、及び光電子半導体チップからなるグループから選ばれて使用される、
ことを特徴とする請求項１６乃至１９のうちいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項２１】
前記第１部品（５）の前記第１表面（６）及び／又は前記第２部品（８）の前記第２表面（９）は、窪み（４０）を有して、前記電気絶縁性接続層が設けられるよりも前に用意される、
ことを特徴とする請求項１６乃至２０のうちいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項２２】
前記第１表面（６）及び前記第２表面（９）は、接合領域（４１）を有し、
前記接合領域（４１）には、前記接続層（７）が取り付けられ、
前記第１表面（６）及び／又は前記第２表面（９）の前記窪み（４０）は、前記接合領域（４１）の周囲に配置される、
ことを特徴とする請求項１６乃至２１のうちいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項２３】
前記窪み（４０）は、前記接続層の接着剤のための収集貯液部として機能する、
ことを特徴とする請求項２１又は２２に記載の製造方法。
【請求項２４】
複数の前記窪み（４０）は、それらが、規則的に離れて間隔を空けるように配置される、
ことを特徴とする請求項２１乃至２３のうちいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項２５】
複数の前記窪み（４０）は、それらが、不規則に離れて間隔を空けるように配置される、
ことを特徴とする請求項２１乃至２３のうちいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項２６】
前記窪み（４０）は、エッチング、研削、エンボス加工、フォトリソグラフィパターニング、及び／又はサンドブラストにより形成される、
ことを特徴とする請求項２１乃至２５のうちいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項２７】
前記接続層（７）は、パターニングされて形成される、
ことを特徴とする請求項１６に記載の製造方法。
【請求項２８】
前記パターニングされた接続層の形成は、印刷法により行われる、
ことを特徴とする請求項２７に記載の製造方法。
【請求項２９】
前記接続層（７）は、パターニングされずに設けられる、
ことを特徴とする請求項１６に記載の製造方法。
【請求項３０】
前記パターニングされない接続層の形成は、スピンコーティング、又は気相成長により行われる、
ことを特徴とする請求項２９に記載の製造方法。
【請求項３１】
設置後の前記接続層（７）の厚さ（２８）は、１００ｎｍ〜１０μｍの厚さを有する、
ことを特徴とする請求項１６に記載の製造方法。
【請求項３２】
前記接続層（７）の厚さ（２８）は、概ね前記第１表面（６）の粗さ及び／又は前記第２表面（９）の粗さの大きさであるように加えられる力（１０）により、設置後、減少する、
ことを特徴とする請求項３１に記載の製造方法。
【請求項３３】
接着剤を含む電気絶縁性接続層が使用される、
ことを特徴とする請求項１６乃至３２のうちいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項３４】
耐溶解性、適切な真空度、温度安定性があり、且つ／又はＵＶ硬化可能である接着剤が使用される、
ことを特徴とする請求項３３に記載の製造方法。
【請求項３５】
ＢＣＢ（BisbenzoCycloButene）を含む接着剤が使用される、
ことを特徴とする請求項３３又は３４に記載の製造方法。