【事件の表示】
　特許第６２０１３８４号発明「パワーモジュール製造用積層基板」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６２０１３８４号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６２０１３８４号の請求項１及び２に係る特許についての出願は、平成２５年４月８日に特許出願され、平成２９年９月８日に特許権の設定登録がされ、その後、その特許に対し、平成３０年３月２６日に特許異議申立人畠明により特許異議の申立てがされたものである。 
第２　本件特許発明
　特許第６２０１３８４号の請求項１及び２の特許に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定される次のとおりのものである。（以下、請求項１及び２の特許に係る発明を、「本件特許発明１」及び「本件特許発明２」という。）
「【請求項１】
　パワーモジュール製造用セラミックス原板の少なくとも一方の面に金属層を接合したパワーモジュール製造用積層基板であって、
　前記パワーモジュール製造用セラミックス原板は、少なくとも一方の面に矩形状の四隅が面取りされたセラミックス基板を複数形成するための分割溝が形成され、前記分割溝により、前記セラミックス基板の外形形状の大きさに区画された基板形成領域と、該基板形成領域の四隅に配置される面取形成領域と、前記基板形成領域の周囲に配置される外枠領域と、が形成されており、
　前記分割溝は、前記基板形成領域と前記外枠領域とを隔てる外枠分割溝を有しており、
　前記外枠分割溝は、前記基板形成領域の四隅に配置される前記面取形成領域のうちの前記外枠領域に隣接する面取形成領域を前記外枠領域と一体に区画する面取り形成溝を有しており、
　前記金属層は、前記分割溝によって区画される各基板形成領域に設けられ、
　前記外枠領域に、前記金属層と同じ金属板からなる外枠用金属層が設けられ、
　該外枠用金属層の側縁は、前記外枠分割溝に沿って配置されていることを特徴とするパワーモジュール製造用積層基板。
【請求項２】
　前記面取形成領域のうちの前記基板形成領域により囲まれた４つの面取形成領域が組み合わされた中央領域に、前記金属層と同じ金属板からなる中央面取用金属層が設けられ、該面取用金属層の側縁は、前記中央領域と前記基板形成領域との間の分割溝に沿って配置されていることを特徴とする請求項１記載のパワーモジュール製造用積層基板。」
第３　申立理由の概要 
　特許異議申立人畠明（以下、「異議申立人」という。）は、本件特許の請求項１−２に係る発明は、甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に成し得た発明であって、特許法第２９条第２項の規定に該当するため、同法第１１３条第２号の規定により取り消されるべきものである旨を主張している。
第４　甲第１号証ないし甲第３号証の記載
（１）甲第１号証の記載
　異議申立人が証拠として提出した甲第１号証（特開２００７−１９１２６号公報）には、図面とともに以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
ア．「【０００１】
　
本発明は、
セラミック回路基板集合体に関する
イ．「【００１４】
　図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本発明の一実施の形態に係る
セラミック回路基板集合体１０は、
セラミック基板１１の表、裏面の一方の主面に、
複数の回路金属板１２を有している
セラミック回路基板集合体１０は、セラミック基板１１の表、裏面の他方の主面に、
複数の放熱金属板１３を有している
【００１５】
　この
セラミック回路基板集合体１０は、１個の回路金属板１２と１個の放熱金属板１３とでセラミック回路基板１４を構成し、
セラミック回路基板集合体１０は、セラミック基板１１の外周辺部にダミー部１５を有し、
ダミー部１５の両主面のそれぞれにダミー金属板１６、１６ａが接合されている
【００１６】
　セラミック基板１１の一方の主面側の
回路金属板１２とダミー金属板１６は、
セラミック基板１１の両方の主面を覆うように大型のＣｕ板を
接合した後、
エッチングすることで形成している
放熱金属板１３とダミー金属板１６ａは、
上記と同様にしてエッチングすることで形成している
ウ．「【００１８】
　
セラミック基板１１の少なくとも一方の主面には、ダミー部１５を直線状に分割して除去するための
４本の外周分割線１７、１７ａ、１７ｂ、１７ｃが設けられている
セラミック基板１１の少なくとも一方の主面には、複数個のセラミック回路基板１４から直線状に分割して個片体のセラミック回路基板１４とするための
個別分割線１８が
設けられている
【００１９】
　セラミック回路基板集合体１０は、分割が必要な時には、４本の外周分割線１７、１７ａ、１７ｂ、１７ｃの内の両方の端をセラミック基板１１の相対向する端部に延設する外周分割線１７を、先ず、最初に分割し、次いで３本の外周分割線１７ａ、１７ｂ、１７ｃの内の両方の端の延設するところにダミー金属板１６がない外周分割線１７ａを分割している。そして、次に、２本の外周分割線１７ｂ、１７ｃの内の両方の端の延設するところにダミー金属板１６がない外周分割線１７ｂを分割し、最後に残りの外周分割線１７ｃを分割している。次いで、ダミー部１５が除去されたセラミック回路基板集合体１０は、個別分割線１８を分割して複数個のそれぞれ個片体のセラミック回路基板１４としている。なお、
外周分割線１７、１７ａ、１７ｂ、１７ｃや、個別分割線１８は、
Ｖ字状の連続した溝からなる
エ．「【００２５】
　
本発明のセラミック回路基板集合体は、
パワーモジュール用等として組立た後、
用いる
　上記アないしエ及び図１から、甲第１号証には以下の事項が記載されている。
・上記ア、エによれば、甲第１号証は、パワーモジュール用等として組立てて用いるセラミック回路基板集合体に関するものである。
・上記イによれば、セラミック回路基板集合体１０は、セラミック基板１１の両方の主面を覆うように大型のＣｕ板を接合した後、エッチングすることで形成される複数の回路金属板１２を、セラミック基板１１の表、裏面の一方の主面に有し、同様にしてエッチングすることで形成される複数の放熱金属板１３を、セラミック基板１１の表、裏面の他方の主面に有するものである。
・上記イ、ウによれば、セラミック基板１１の少なくとも一方の主面には、セラミック基板１１の外周辺部のダミー部１５を直線状に分割して除去するためのＶ字状の連続した溝からなる４本の外周分割線１７、１７ａ、１７ｂ、１７ｃが設けられており、セラミック基板１１の少なくとも一方の主面には、複数個のセラミック回路基板１４から直線状に分割して個片体のセラミック回路基板１４とするためのＶ字状の連続した溝からなる個別分割線１８が設けられているものである。
・図１（Ａ）によれば、各セラミック回路基板１４は矩形状のものである。
・図１（Ａ）によれば、外周分割線１７、１７ａ、１７ｂ、１７ｃは、各セラミック回路基板１４に対応する領域とダミー部１５に対応する領域とを隔てるものである。
・上記イによれば、セラミック回路基板集合体１０は、１個の回路金属板１２と１個の放熱金属板１３とでセラミック回路基板１４を構成するものである。
・上記イによれば、セラミック回路基板集合体１０は、ダミー部１５の両主面のそれぞれにダミー金属板１６、１６ａが接合されているものである。
・上記イによれば、回路金属板１２とダミー金属板１６は、セラミック基板１１の両方の主面を覆うように大型のＣｕ板を接合した後、エッチングすることで形成するものであり、放熱金属板１３とダミー金属板１６ａは、同様にしてエッチングすることで形成するものである。
・図１（Ａ）及び（Ｂ）によれば、ダミー金属板１６、１６ａは外周分割線１７、１７ａ、１７ｂ、１７ｃに沿って配置されるものである。
　したがって、上記摘示事項及び図面を総合勘案すると、甲第１号証には以下の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されている。
「パワーモジュール用等として組立てて用いられ、セラミック基板１１の両方の主面を覆うように大型のＣｕ板を接合した後、エッチングすることで形成される複数の回路金属板１２を、セラミック基板１１の表、裏面の一方の主面に有し、同様にしてエッチングすることで形成される複数の放熱金属板１３を、セラミック基板１１の表、裏面の他方の主面に有するセラミック回路基板集合体１０であって、
　セラミック基板１１の少なくとも一方の主面には、セラミック基板１１の外周辺部のダミー部１５を直線状に分割して除去するためのＶ字状の連続した溝からなる４本の外周分割線１７、１７ａ、１７ｂ、１７ｃが設けられており、セラミック基板１１の少なくとも一方の主面には、複数個のセラミック回路基板１４から直線状に分割して個片体の矩形状のセラミック回路基板１４とするためのＶ字状の連続した溝からなる個別分割線１８が設けられており、
　外周分割線１７、１７ａ、１７ｂ、１７ｃは、各セラミック回路基板１４に対応する領域とダミー部１５に対応する領域とを隔てるものであり、
　１個の回路金属板１２と１個の放熱金属板１３とでセラミック回路基板１４を構成し、
　ダミー部１５の両主面のそれぞれにダミー金属板１６、１６ａが接合されており、回路金属板１２とダミー金属板１６は、セラミック基板１１の両方の主面を覆うように大型のＣｕ板を接合した後、エッチングすることで形成するものであり、放熱金属板１３とダミー金属板１６ａは、同様にしてエッチングすることで形成するものであり、
　ダミー金属板１６、１６ａは外周分割線１７、１７ａ、１７ｂ、１７ｃに沿って配置されるものである
　セラミック回路基板集合体１０。」
（２）甲第２号証の記載
　異議申立人が証拠として提出した甲第２号証（特開２００３−３３８４０４号公報）には、図面とともに以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
オ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、分割溝を有するセラミックス基板
に関するものである
カ．「【００１６】即ち、分割後のチップサイズが小さくなると一次ブレイクよりも二次ブレイクのほうが難しくなるり、二次ブレイク時のほうがバリの発生率は高くなる。例えば、０．６×０．３ｍｍのサイズの場合、一次ブレイクのピッチが０．６ｍｍであるのに対し、二次ブレイクのピッチは０．３ｍｍとなる。その為、
凹部を二次分割溝方向に長い形状にする
キ．「【００１９】図１（ａ）は本発明の
分割溝を有するセラミックス基板１であり、その表面には一次分割溝２、二次分割溝３を備え、図１（ｂ）に示すように上記一次分割溝２と上記二次分割溝３の交差部に対向する裏面には凹部４を備えている
ク．「【００２１】このようなチップ抵抗器１１を形成するには、図１に示すセラミックス基板１の両主面の所定位置に電極膜１５を印刷、焼き付けした後、セラミックス基板１の一方の主面側に抵抗体膜１３を印刷、焼き付けし、次にレーザートリミングにより抵抗体膜１３の抵抗値を設定した後、抵抗体膜１３上に保護膜１４を印刷、焼き付けし、
次いで横方向の一次分割溝２に沿って一次ブレイクした後、
縦方向の二次分割溝３に沿って二次ブレイクすることにより、図２に示すようなチップ抵抗器１１を製造する
ケ．「【００２６】本発明のセラミックス基板１において、凹部４の平面形状は円状、楕円状、多角形状などさまざまなものとすることができ、凹部４の内面形状は半球状や錐状などさまざまなものとすることができる。
【００２７】例えば、図３（ａ）に示すものは半球状の凹部４であり、図３（ｂ）に示すものは楕円半球状の凹部４である。また
図３（ｃ）に示すものは四角錐状の凹部４であり、
　また、図１（ａ）には、セラミックス基板１の外周部分に外枠となる領域が存在することが示されている。
　上記オないしケ及び図１ないし図３によれば、甲第２号証には、以下の技術事項が記載されている。
「外周部分に外枠となる領域が存在し、横方向の一次分割溝と縦方向の二次分割溝とを備えるセラミックス基板において、一次分割溝と二次分割溝の交差部に対向する裏面には四角錐状の凹部を設ける」こと。
（３）甲第３号証の記載
　異議申立人が証拠として提出した甲第３号証（実願平２−１８６３８号（実開平３−１０９８１６号）のマイクロフィルム）には、図面とともに以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
コ．「第１図ないし第３図は、本考案に係る
セラミックス焼結体によってつくられた回路用集合基板（以下集合基板という）１
　
基板２は、碁盤目状に配列され、縦分割溝３、横分割溝４によって区画されている。
　また、
碁盤目状に配置され、縦、横の分割溝３，４によって区画されている基板２・・・の周囲には、
ガイド６が設けられている
　
上記、縦、横の分割溝３，４の交る点には円形の空孔７が設けられている。
　なお、上記
集合基板１は、
縦、横の分割溝３，４に沿って分割され、第４図に示すような基板２に分割されるが、上記空孔７は、切欠き８となって基板２の四隅に残留する
分割溝３，４をガイド６にも設けておく
　上記分割溝３，４は、集合基板の一方の面に設けてもよいが、さらに容易に分割可能とするため、第５図に示すように、集合基板１の両面より対向して設けてもよい。また、
空孔７は
正方形としてもよい
第６図
に示すように基板２の四隅は斜め
の切欠き８’
として残留する
  
　上記コによれば、甲第３号証には、以下の技術事項が記載されている。
「縦、横の分割溝によって区画されている基板の周囲にガイドが設けられ、セラミックス焼結体によってつくられた集合基板において、縦、横の分割溝の交わる点には、縦、横の分割溝に沿って分割されると斜めの切欠きとなって基板の四隅に残留する正方形の空孔が設けられる」こと。
第５　対比・判断
　本件特許発明１と甲１発明とを対比する。なお、下記ａないしｉは、異議申立人が本件特許発明１を分説したＡないしＩに対応させた。
ａ．甲１発明の「セラミック基板１１」は、その主面に複数の回路金属板１２等を設けることにより、セラミック回路基板集合体１０を構成するものであり、「パワーモジュール用等として組立てて用い」られる「セラミック回路基板集合体１０」のもととなる板であるから、本件特許発明１の「パワーモジュール製造用セラミックス原板」に相当する。
　また、甲１発明の「回路金属板１２」及び「放熱金属板１３」は、本件特許発明１の「金属層」に相当する。
　したがって、甲１発明の「パワーモジュール用等として組立てて用いられ、セラミック基板１１の両方の主面を覆うように大型のＣｕ板を接合した後、エッチングすることで形成される複数の回路金属板１２を、セラミック基板１１の表、裏面の一方の主面に有し、同様にしてエッチングすることで形成される複数の放熱金属板１３を、セラミック基板１１の表、裏面の他方の主面に有するセラミック回路基板集合体１０」は、セラミック基板１１の主面に接合されたＣｕ板による形成される回路金属板１２及び放熱金属板１３と、セラミック基板１１とで、積層構造を有するものであるから、本件特許発明１の「パワーモジュール製造用セラミックス原板の少なくとも一方の面に金属層を接合したパワーモジュール製造用積層基板」に相当する。
ｂ．甲１発明の「個片体の矩形状のセラミック回路基板１４」は、本件特許発明１の「セラミックス基板」に相当する。
　また、甲１発明の「セラミック基板１１の外周辺部のダミー部１５を直線状に分割して除去するためのＶ字状の連続した溝からなる４本の外周分割線１７、１７ａ、１７ｂ、１７ｃ」及び「複数個のセラミック回路基板１４から直線状に分割して個片体の矩形状のセラミック回路基板１４とするためのＶ字状の連続した溝からなる個別分割線１８」は、本件特許発明１の「セラミックス基板を複数形成するための分割溝」に相当する。
　したがって、甲１発明の「セラミック基板１１の少なくとも一方の主面には、セラミック基板１１の外周辺部のダミー部１５を直線状に分割して除去するためのＶ字状の連続した溝からなる４本の外周分割線１７、１７ａ、１７ｂ、１７ｃが設けられており、セラミック基板１１の少なくとも一方の主面には、複数個のセラミック回路基板１４から直線状に分割して個片体の矩形状のセラミック回路基板１４とするためのＶ字状の連続した溝からなる個別分割線１８が設けられて」いることは、本件特許発明１の「前記パワーモジュール製造用セラミックス原板は、少なくとも一方の面に」「セラミックス基板を複数形成するための分割溝が形成され」ることに相当する。
　ただし、本件特許発明１のセラミックス基板は、「矩形状の四隅が面取りされた」ものであるが、甲１発明には、その旨の特定がされていない。
ｃ．甲１発明の「個片体の矩形状のセラミック回路基板１４」のそれぞれに対応する領域は、セラミック基板１１が外周分割線１７、１７ａ、１７ｂ、１７ｃ及び個別分割線１８により、外周辺部のダミー部１５と、個片体の矩形状のセラミック回路基板１４（上記ｂのとおり、本件特許発明１の「セラミックス基板」に相当。）とに分割されるものであるから、本件特許発明１の「セラミックス基板の外形形状の大きさに区画された基板形成領域」に相当する。また、甲１発明のセラミック基板１１のうち、セラミック基板１１の外周辺部のダミー部１５に対応する領域は、本件特許発明１の「前記基板形成領域の周囲に配置される外枠領域」に相当する。
　したがって、甲１発明の「セラミック基板１１の外周辺部のダミー部１５を直線状に分割して除去するためのＶ字状の連続した溝からなる４本の外周分割線１７、１７ａ、１７ｂ、１７ｃ」及び「複数個のセラミック回路基板１４から直線状に分割して個片体の矩形状のセラミック回路基板１４とするためのＶ字状の連続した溝からなる個別分割線１８」は、本件特許発明１の「前記分割溝により、前記セラミックス基板の外形形状の大きさに区画された基板形成領域と、前記基板形成領域の周囲に配置される外枠領域と、が形成されて」いる構成を備えている。
　ただし、本件特許発明１の分割溝について、分割溝により、基板形成領域と外枠領域だけではなく、「該基板形成領域の四隅に配置される面取形成領域」も形成されているものであるが、甲１発明には、その旨の特定がされていない。
ｄ．甲１発明の「外周分割線１７、１７ａ、１７ｂ、１７ｃ」は、「各セラミック回路基板１４に対応する領域とダミー部１５に対応する領域とを隔てるもの」であるから、本件特許発明１の「前記基板形成領域と前記外枠領域とを隔てる外枠分割溝」に相当する。
ｅ．本件特許発明１の外枠分割溝は、「前記基板形成領域の四隅に配置される前記面取形成領域のうちの前記外枠領域に隣接する面取形成領域を前記外枠領域と一体に区画する面取り形成溝を有して」いるものであるが、甲１発明には、その旨の特定がされていない。
ｆ．甲１発明の「回路金属板１２」及び「放熱金属板１３」（上記ａのとおり、本件特許発明１の「金属層」に相当。）は、「１個の回路金属板１２と１個の放熱金属板１３とでセラミック回路基板１４を構成」するものであるから、「セラミック回路基板１４」に対応する領域（上記ｃのとおり、本件特許発明１の「基板形成領域」に相当。）に設けられるものである。
　したがって、甲１発明の「回路金属板１２」及び「放熱金属板１３」は、本件特許発明１の「前記金属層は、前記分割溝によって区画される各基板形成領域に設けられ」る構成を備えている。
ｇ．甲１発明の「ダミー金属板１６、１６ａ」は、セラミック基板１１の外周辺部のダミー部１５に設けられるものであるから、本件特許発明１の「外枠用金属層」に相当する。
　また、甲１発明の「ダミー金属板１６」は、「セラミック基板１１の両方の主面を覆うように大型のＣｕ板を接合した後、エッチングすることで形成するもの」であるから、Ｃｕ板からなるものである。さらに、甲１発明の「ダミー金属板１６ａ」は「同様にしてエッチングすることで形成するもの」であり、甲第１号証の段落【００１６】によれば（上記「第４（１）イ．」を参照）、「同様にしてエッチングする」とは「ダミー金属板１６」のエッチングと同様にセラミック基板１１の両方の主面を覆うように接合された大型のＣｕ板をエッチングするものと解するのが自然であるから、甲１発明の「ダミー金属板１６ａ」は、Ｃｕ板からなるものである。したがって、甲１発明の「ダミー金属板１６」及び「ダミー金属板１６ａ」は、回路金属板１２及び放熱金属板１３（上記ａのとおり、本件特許発明１の「金属層」に相当。）と同じ金属板であるＣｕ板からなるものであるといえる。
　よって、甲１発明の「ダミー部１５の両主面のそれぞれにダミー金属板１６、１６ａが接合されており、回路金属板１２とダミー金属板１６は、セラミック基板１１の両方の主面を覆うように大型のＣｕ板を接合した後、エッチングすることで形成するものであり、放熱金属板１３とダミー金属板１６ａは、同様にしてエッチングすることで形成するもの」であることは、本件特許発明１の「前記外枠領域に、前記金属層と同じ金属板からなる外枠用金属層が設けられ」ることに相当する。
ｈ．甲１発明の「ダミー金属板１６、１６ａは外周分割線１７、１７ａ、１７ｂ、１７ｃに沿って配置されるものである」ことは、本件特許発明１の「該外枠用金属層の側縁は、前記外枠分割溝に沿って配置されている」ことに相当する。
ｉ．上記ａのとおり、甲１発明の「セラミック回路基板集合体１０」は、本件特許発明１の「パワーモジュール製造用積層基板」に相当する。
　したがって、本件特許発明１と甲１発明とは、以下の点で一致ないし相違する。
＜一致点＞
「パワーモジュール製造用セラミックス原板の少なくとも一方の面に金属層を接合したパワーモジュール製造用積層基板であって、
　前記パワーモジュール製造用セラミックス原板は、少なくとも一方の面にセラミックス基板を複数形成するための分割溝が形成され、前記分割溝により、前記セラミックス基板の外形形状の大きさに区画された基板形成領域と、前記基板形成領域の周囲に配置される外枠領域と、が形成されており、
　前記分割溝は、前記基板形成領域と前記外枠領域とを隔てる外枠分割溝を有しており、
　前記金属層は、前記分割溝によって区画される各基板形成領域に設けられ、
　前記外枠領域に、前記金属層と同じ金属板からなる外枠用金属層が設けられ、
　該外枠用金属層の側縁は、前記外枠分割溝に沿って配置されていることを特徴とするパワーモジュール製造用積層基板。」
＜相違点１＞
　セラミックス基板について、本件特許発明１は「矩形状の四隅が面取りされた」ものであるのに対し、甲１発明にはその旨の特定がない。
＜相違点２＞ 
　分割溝について、本件特許発明１は、分割溝により、「該基板形成領域の四隅に配置される面取形成領域」が形成されているのに対し、甲１発明にはその旨の特定がない。
＜相違点３＞
　外枠分割溝について、本件特許発明１は、「前記外枠分割溝は、前記基板形成領域の四隅に配置される前記面取形成領域のうちの前記外枠領域に隣接する面取形成領域を前記外枠領域と一体に区画する面取り形成溝を有して」いるのに対し、甲１発明にはその旨の特定がない。
　そこで、上記相違点について検討する。
＜相違点３＞について
　甲第２号証に記載される技術事項の「四角錐状の凹部」は、一次分割溝と二次分割溝で分割して得られる基板に、本件特許発明１の「矩形状の四隅が面取りされた」形状と同様の形状を与えるものであるが、甲第２号証には、本件特許発明１の「前記基板形成領域の四隅に配置される前記面取形成領域のうちの前記外枠領域に隣接する面取形成領域を前記外枠領域と一体に区画する面取り形成溝」に対応するものは記載されていない。
　また、甲第３号証に記載される技術事項の「正方形の空孔」は、縦、横の分割溝で分割して得られる基板に、本件特許発明１の「矩形状の四隅が面取りされた」形状と同様の形状を与えるものであるが、甲第３号証には、本件特許発明１の「前記基板形成領域の四隅に配置される前記面取形成領域のうちの前記外枠領域に隣接する面取形成領域を前記外枠領域と一体に区画する面取り形成溝」に対応するものは記載されていない。
　したがって、「前記外枠分割溝は、前記基板形成領域の四隅に配置される前記面取形成領域のうちの前記外枠領域に隣接する面取形成領域を前記外枠領域と一体に区画する面取り形成溝を有して」いる点については、甲第１号証ないし甲第３号証のいずれにも記載されていない。
　よって、相違点３に係る構成は、甲第１号証に記載された発明に甲第２号証ないし甲第３号証に記載された技術事項を組み合わせても当業者が容易になし得たものではない。
　この点について、異議申立人は、甲第２号証に記載の凹部（「凹部４」）は本件特許発明１における「面取り形成溝」に相当し、セラミックス基板における凹部の形成領域は本件特許発明１における「面取形成領域」に相当する旨を主張している（特許異議申立書の第１０頁）。
　しかし、本件特許発明１は、「前記外枠分割溝は、前記基板形成領域の四隅に配置される前記面取形成領域のうちの前記外枠領域に隣接する面取形成領域を前記外枠領域と一体に区画する面取り形成溝を有して」いるから、「面取り形成溝」は「外枠分割溝」に含まれるものである。また、本件特許発明１は、「前記分割溝は、前記基板形成領域と前記外枠領域とを隔てる外枠分割溝を有して」いるから、「外枠分割溝」は「前記基板形成領域と前記外枠領域とを隔てる」ものである。したがって、「外枠分割溝」に含まれる「面取り形成溝」も、「前記基板形成領域と前記外枠領域とを隔てる」ものである。
　ここで、「面取り形成溝」が「前記基板形成領域と前記外枠領域とを隔てる」ということは、細長いくぼみなどにより形成される面取り形成溝の両側に形成される区域のうち、一方の側の区域に基板形成領域が存在し、他方の側の区域に外枠領域が存在するものと解される。
　してみると、本件特許発明１における「前記外枠領域に隣接する面取形成領域を前記外枠領域と一体に区画する面取り形成溝」は、細長いくぼみなどにより形成される面取り形成溝の両側に形成される区域のうち、外枠領域が存在する他方の側の区域に「前記外枠領域に隣接する面取形成領域」が存在するように区画することになり、面取形成領域は、面取り形成溝と同じ位置に存在するものではなく、面取り形成溝の両側に形成される区域のうちの他方の側の区域に存在するものである。
　一方、甲第２号証に記載の凹部が「面取り形成溝」であり、凹部の形成領域が「面取形成領域」であるとすると、面取形成領域は面取り形成溝と同じ位置に存在することとなる。
　したがって、甲第２号証に記載の凹部（「凹部４」）は、本件特許発明１の「面取形成領域を前記外枠領域と一体に区画する」ものとはいえず、甲第２号証には、「前記外枠分割溝は、前記基板形成領域の四隅に配置される前記面取形成領域のうちの前記外枠領域に隣接する面取形成領域を前記外枠領域と一体に区画する面取り形成溝を有して」いる点について記載されていない。
　また、異議申立人は、甲第３号証に記載の空孔（「空孔７」）は本件特許発明１における「面取り形成溝」に相当し、集合基板における空孔の形成領域は本件特許発明１における「面取形成領域」に相当する旨を主張している（特許異議申立書の第１０頁）。
　しかし、甲第３号証に記載の空孔が「面取り形成溝」であり、空孔の形成領域が「面取形成領域」であるとすると、面取形成領域は面取り形成溝と同じ位置に存在することとなる。
　したがって、甲第２号証に記載の凹部について上述したものと同様の理由により、甲第３号証に記載の空孔（「空孔７」）は、本件特許発明１の「面取形成領域を前記外枠領域と一体に区画する」ものとはいえず、甲第３号証には、「前記外枠分割溝は、前記基板形成領域の四隅に配置される前記面取形成領域のうちの前記外枠領域に隣接する面取形成領域を前記外枠領域と一体に区画する面取り形成溝を有して」いる点について記載されていない。
　以上のとおりであるから、他の相違点を検討するまでもなく、本件特許発明１は、甲第１号証に記載された発明に甲第２号証ないし甲第３号証に記載された技術事項を組み合わせても当業者が容易になし得たものではなく、特許法第２９条第２項に違反したものではない。
　そして、本件特許発明２は、本件特許発明１に更なる構成を付加したものであるから、本件特許発明１と同様に、甲第１号証に記載された発明に甲第２号証ないし甲第３号証に記載された技術事項を組み合わせても当業者が容易になし得たものではなく、特許法第２９条第２項に違反したものではない。
第６　むすび
　以上のとおり、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１及び２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１及び２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成３０年６月１８日（２０１８．６．１８）