【手続補正書】
【提出日】平成23年10月27日(2011.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理組成物であって、二またはそれ以上のアミドキシム官能基を含む、少なくとも一のアミドオキシム化合物、および
任意選択的に、水、水混和性有機溶媒、酸、塩基、活性化剤、酸化および還元電位を有する一またはそれ以上の化合物、キレート化剤、界面活性剤、フッ素イオン発生剤ならびに／またはそれらの混合物から選択される一以上の追加の化合物
を含む半導体処理組成物。
【請求項２】
前記アミドキシム化合物が、１，２，３，４，５，６−ヘキサキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピルヘキシトール、３，３’，３’’，３’’’−（エタン−１，２−ジイルビス（アザントリイル））テトラキス（Ｎ’−ヒドロキシプロパンイミドアミド）、３，３’−（エタン−１，２−ジイルビス（オキシ））ビス（Ｎ’−ヒドロキシプロパンイミドアミド）、３，３’−（ピペラジン−１，４−ジイル）ビス（Ｎ’−ヒドロキシプロパンイミドアミド）、３，３’，３’’−ニトリロトリス（Ｎ’−ヒドロキシプロパンイミドアミド）、３，３’−（２，２−ビス（（３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロポキシ）メチル）プロパン−１，３−ジイル）ビス（オキシ）ビス（Ｎ−ヒドロキシプロパンイミドアミド）、３，３’−（２，２’−（メチルアザンジイル）ビス（エタン−２，１−ジイル）ビス（オキシ））ビス（Ｎ’−ヒドロキシプロパンイミドアミド）、Ｎ，Ｎ−ビス（３−アミノ−３−（ヒドロキシイミノ）プロピル）アセトアミド、３，３’−（２−（Ｎ’−ヒドロキシカルバムイミドイル）フェニルアザンジイル）ビス（Ｎ’−ヒドロキシプロパンイミドアミド）、３，３’−（２，２’−（３−アミノ−３−（ヒドロキシイミノ）プロピルアザンジイル）ビス（エタン−２，１−ジイル））ビス（オキシ）ビス（Ｎ’−ヒドロキシプロパンイミドアミド）、３，３’−アザンジイルビス（Ｎ’−ヒドロキシプロパンイミドアミド）、Ｎ’１，Ｎ’６−ジヒドロキシアジプイミドアミド、Ｎ’１，Ｎ’１０−ジヒドロキシデカンビス（イミドアミド）、２，２’−アザンジイルビス（Ｎ’−ヒドロキシアセトイミドアミド）、およびそれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の半導体処理組成物。
【請求項３】
前記組成物が水性であることを特徴とする請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記アミドオキシム化合物が、１，２−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，３−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，４−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，５−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，６−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；２，３−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；２，４−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；２，５−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；３，４−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，２，３−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，２，４−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，２，５−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，２，６−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，３，４−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，３，５−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，３，６−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，４，５−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，４，６−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；２，３，４−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；２，３，５−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；および３，４，５−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，２，３，４−テトラキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，２，３，４−テトラキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，２，３，５−テトラキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，２，３，６−テトラキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，２，４，５−テトラキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，２，４，６−テトラキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，３，４，５−テトラキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，３，４，６−テトラキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；２，３，４，５−テトラキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，２，３、４、５−ペンタキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，３，４，５，６−ペンタキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，２，４，５，６−ペンタキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；およびこれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記アミドキシム化合物が、１，２−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；１，３−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；１，４−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；１，５−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；２，３−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；２，４−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；１，２，３−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；１，２，４−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；１，３，４−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；１，３，５−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；２，３，４−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；１，２，３，４−テトラキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；１，２，３，５−テトラキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；１，２，４，５−テトラキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；１，２，３，４，５−ペンタキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；およびこれらの混合物からなる群から選択されことを特徴とする請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
半導体基材から、一またはそれ以上のフォトレジスト、ポリマー材料、エッチング残留物、および／または酸化銅を除去する方法であって、
二またはそれ以上のアミドキシム官能基を有する、少なくとも一のアミドキシム化合物を含む処理組成物を効果的な量で半導体基材に適用することを含む方法。
【請求項７】
前記処理組成物は、二またはそれ以上のアミドキシム官能基を含む、少なくとも一のアミドキシム化合物、および
任意選択的に、水、水混和性有機溶媒、酸、塩基、活性化剤、酸化および還元電位を有する一またはそれ以上の化合物、キレート化剤、界面活性剤、フッ素イオン発生剤ならびに／またはそれらの混合物から選択される一以上の追加の化合物
を含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記アミドキシム化合物が、１，２，３，４，５，６−ヘキサキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；３，３’，３’’，３’’’−（エタン−１，２−ジイルビス（アザントリイル））テトラキス（Ｎ’−ヒドロキシプロパンイミドアミド）；３，３’−（エタン−１，２−ジイルビス（オキシ））ビス（Ｎ’−ヒドロキシイミドアミド）；３，３’−（ピペラジン−１，４−ジイル）ビス（Ｎ’−ヒドロキシプロパンイミドアミド）；３，３’，３’’−ニトリロトリス（Ｎ’−ヒドロキシプロパンイミドアミド）；３，３’−（２，２−ビス（（３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロポキシ）メチル）プロパン−１；３−ジイル）ビス（オキシ）ビス（Ｎ−ヒドロキシプロパンイミドアミド）；３，３’−（２，２’−（メチルアザンジイル）ビス（エタン−２，１−ジイル）ビス（オキシ））ビス（Ｎ’−ヒドロキシプロパンイミドアミド）；Ｎ，Ｎ−ビス（３−アミノ−３−（ヒドロキシイミノ）プロピル）アセトアミド；３，３’−（２−（Ｎ’−ヒドロキシカルバムイミドイル）フェニルアザンジイル）ビス（Ｎ’−ヒドロキシプロパンイミドアミド）；３，３’−（２，２’−（３−アミノ−３−（ヒドロキシイミノ）プロピルアザンジイル）ビス（エタン−２，１−ジイル））ビス（オキシ）ビス（Ｎ’−ヒドロキシプロパンイミドアミド）；およびこれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記アミドオキシム化合物が、１，２−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，３−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，４−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，５−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，６−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；２，３−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；２，４−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；２，５−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；３，４−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，２，３−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，２，４−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，２，５−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，２，６−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，３，４−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，３，５−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，３，６−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，４，５−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，４，６−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；２，３，４−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；２，３，５−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；および３，４，５−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，２，３，４−テトラキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，２，３，４−テトラキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，２，３，５−テトラキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，２，３，６−テトラキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，２，４，５−テトラキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，２，４，６−テトラキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，３，４，５−テトラキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，３，４，６−テトラキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；２，３，４，５−テトラキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，２，３、４、５−ペンタキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，３，４，５，６−ペンタキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；１，２，４，５，６−ペンタキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトール；およびこれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記アミドキシム化合物が、１，２−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；１，３−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；１，４−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；１，５−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；２，３−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；２，４−ビス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；１，２，３−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；１，２，４−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；１，３，４−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；１，３，５−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；２，３，４−トリス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；１，２，３，４−テトラキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；１，２，３，５−テトラキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；１，２，４，５−テトラキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；１，２，３，４，５−ペンタキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ペンチトール；およびこれらの混合物からなる群から選択されことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
半導体デバイス製造中にエッチング後の残留物の除去に使用するために調製された水性半導体処理組成物であって、
前記水性半導体処理組成物は二またはそれ以上のアミドキシム官能基を含む、少なくとも一のアミドキシム化合物を含むことを特徴とする組成物。
【請求項１２】
前記少なくとも一のアミドキシム化合物は、１，２，３，４，５，６−ヘキサキス−Ｏ−［３−（ヒドロキシアミノ）−３−イミノプロピル］ヘキシトールであることを特徴とする請求項１１に記載の水性半導体処理組成物。