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　特願２００３−　２２７８４「貼り合わせＳＯＩ基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　８月１９日出願公開、特開２００４−２３５４７８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　 
　本願は、平成１５年１月３０日の出願であって、平成２１年１月１５日に手続補正書が提出され、同年８月１９日付けで拒絶査定がされ、それに対して、同年１１月２０日に審判が請求されるとともに、手続補正書が提出され、その後、平成２３年１月２８日付けで審尋がされたものである。 
　 
　 
第２　平成２１年１１月２０日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正の却下の決定 
　 
【補正の却下の決定の結論】 
　 
　本件補正を却下する。　 
　 
【理由】　 
１　補正の内容　 
　本件補正のうち、特許請求の範囲についてする補正は、次のとおりである。 
　請求項１について、同項中に、「プラズマエッチング工程とを備えた貼り合わせＳＯＩ基板の製造方法」とあるのを、「プラズマエッチング工程とを備え、このプラズマエッチング工程では反応炉内にエッチングガスを流しながら、この反応炉内に配置されたプラズマ発生電極と、上記貼り合わせＳＯＩ基板を吸着するチャック兼用電極との間に、高周波電源から高周波電圧を連続的に印加してプラズマ発生電極内でプラズマを発生させ、このプラズマ発生電極を、上記ウェーハ厚さ測定工程で得られた活性層の全域の厚さデータに基づいて、その移動速度を制御しながら移動し、プラズマにより励起されたラジカル種を、ウェーハ所定位置へと順次供給してエッチングする貼り合わせＳＯＩ基板の製造方法」と限定すること。 
　　 
２　補正の目的の適否 
　上記補正は、補正前の請求項に規定されている技術的事項をより限定するものであり、平成１８年法律５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するから、同特許法第１７条の２第４項柱書きに規定する目的要件を満たす。 
　 
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、独立特許要件を満たすものであるか否かについて、更に検討する。 
　 
３　独立特許要件（進歩性）についての検討 
（１）本願補正発明 
　本件補正による補正後の請求項１〜３に係る発明のうち、請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、次のとおりである。 
　 
　「【請求項１】
　活性層と支持基板用ウェーハとを、埋め込みシリコン酸化膜を介して貼り合わせた貼り合わせＳＯＩ基板の製造方法において、
　上記活性層の表面を研磨する研磨工程と、
　上記活性層の全域の厚さを測定するウェーハ厚さ測定工程と、
　得られた厚さデータに基づき、上記活性層の表面を、プラズマにより励起されたラジカル種を用いてプラズマエッチングするプラズマエッチング工程とを備え、
　このプラズマエッチング工程では反応炉内にエッチングガスを流しながら、この反応炉内に配置されたプラズマ発生電極と、上記貼り合わせＳＯＩ基板を吸着するチャック兼用電極との間に、高周波電源から高周波電圧を連続的に印加してプラズマ発生電極内でプラズマを発生させ、このプラズマ発生電極を、上記ウェーハ厚さ測定工程で得られた活性層の全域の厚さデータに基づいて、その移動速度を制御しながら移動し、プラズマにより励起されたラジカル種を、ウェーハ所定位置へと順次供給してエッチングする貼り合わせＳＯＩ基板の製造方法。」 
　 
（２）引用例の記載と引用発明 
（２−１）引用例とその記載内容 
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１１−３５４７６０号公報（以下「引用例」という。）には、「ＳＯＩウェーハの製造方法及びＳＯＩウェーハ」について、従来の技術として、次の記載がある（下線は当審で付加したもの。以下同じ。）。 
　 
従来の技術　 
「【０００２】
【従来の技術】貼り合わせＳＯＩウェーハの作製方法として、
２枚のシリコンウェーハをシリコン酸化膜を介して貼り合わせる技術、例えば特公平５−４６０８６号公報に示されているように、少なくとも一方のウェーハに酸化膜を形成し、結合面に異物を介在させることなく相互に密着させた後、２００〜１２００℃の温度で熱処理して結合強度を高める方法が、従来より知られている。熱処理を行うことにより結合強度が高められた貼り合わせウェーハは、その後の研削研磨工程が可能となるため、素子作製側ウェーハを研削及び研磨により所望の厚さに減厚加工することにより、素子形成を行うＳＯＩ層を形成することができる。
【０００３】しかし、貼り合わせ前の両ウェーハ表面は、所謂メカノケミカル研磨によって鏡面仕上げされているので、その外周部には研磨ダレと呼ばれる領域が存在する。従って、両者が貼り合わされて作製された貼り合わせウェーハの外周部には、例えば１〜３ｍｍ程度の未結合部分が発生してしまう。この未結合部分があるまま、一方のウェーハを研削・研磨すると、その工程中に未結合部分に剥離が発生し、素子形成領域に傷やパーティクル付着等の悪影響を及ぼすので、この未結合部分は予め除去しておく必要がある。
【０００４】そこで、例えば特開平６−１７６９９３号公報では、
２枚のシリコンウェーハを酸化膜を介して密着させた後、酸化性雰囲気で熱処理を行うことにより結合強度が高められた貼り合わせウェーハの外周の未結合部分を含む領域を、ボンドウェーハ（素子領域となる第一のシリコンウェーハ）の厚さ方向からベースウェーハ（支持体となる第二のシリコンウェーハ）との結合界面の直前まで研削し、その後、結合界面までエッチングして未結合部分を完全に除去し、しかる後にそのボンドウェーハを研削・研磨して、所望の厚さまで減厚加工することによって貼り合わせウェーハを作製する方法
【０００５】一方、近年の半導体デバイスの高集積化、高速度化に伴ない、ＳＯＩ層の厚さは更なる薄膜化と膜厚均一性の向上が要求されており、具体的には０．１±０．０１μｍ程度の膜厚及び膜厚均一性が必要とされている。このような膜厚及び膜厚均一性をもつ薄膜ＳＯＩウェーハを貼り合わせ基板で実現するためには従来の研削・研磨での減厚加工では不可能であるため、
新たな薄膜化技術として、特開平５−１６００７４号公報に開示されている所謂ＰＡＣＥ（plasma  assisted  chemical  etching）法と呼ばれる方法が開発された。このＰＡＣＥ法は、気相エッチングにより薄膜の厚さを均一化する方法であり、予め均一化しようとするＳＯＩ層の厚さ分布を測定して、厚さ分布のマップを作成し、そのマップに従って数値制御により厚い部分を局部的に気相エッチングにより除去することによって、薄膜で且つ膜厚が極めて均一な薄膜ＳＯＩ層を作製することができるものである。
【０００６】また、このＰＡＣＥ法により薄膜ＳＯＩウェーハを作製するための原料ウェーハとしては、例えば前記した特開平６−１７６９９３号の方法を用いて、外周部の未結合部分を除去し、且つＳＯＩ層を数μｍ程度にまで研削・研磨して減厚したＳＯＩウェーハを用いるのが通常である。」　 
　 
（２−２）引用発明 
　上記によれば、引用例には、次の発明が記載されているといえる（以下「引用発明」という。）。 
　
「ボンドウェーハ（素子領域となる第一のシリコンウェーハ）とベースウェーハ（支持体となる第二のシリコンウェーハ）とを、酸化膜を介して密着させた後、熱処理を行うことにより結合強度が高め、そのボンドウェーハを研削・研磨して、所望の厚さまで減厚加工する貼り合わせウェーハを作製する方法であって、所望の膜厚及び膜厚均一性のために、気相エッチングにより薄膜の厚さを均一化する方法であり、予め均一化しようとするＳＯＩ層の厚さ分布を測定して、厚さ分布のマップを作成し、そのマップに従って厚い部分を局部的に気相エッチングにより除去することによって、薄膜で且つ膜厚が極めて均一な薄膜ＳＯＩ層を作製する、ＰＡＣＥ（plasma  assisted  chemical  etching）法を用いた、貼り合わせウェーハを作製する方法。」 
　 
（３）対比 
（３−１）本願補正発明と引用発明とを対比すると、 
ア　引用発明の「ボンドウェーハ（素子領域となる第一のシリコンウェーハ）とベースウェーハ（支持体となる第二のシリコンウェーハ）」、「酸化膜を介して密着させ」することは、それぞれ、本願補正発明の「活性層と支持基板用ウェーハ」、「埋め込みシリコン酸化膜を介して貼り合わせ」ることに相当する。　
　
イ　本願補正発明の「貼り合わせＳＯＩ基板の製造方法」は、活性層と支持基板用「ウェーハ」を貼り合わせたものであるから、引用発明の「貼り合わせウェーハを作製する方法」は、本願補正発明の「貼り合わせＳＯＩ基板の製造方法」に相当することが分かる。　
　
ウ　引用発明の「そのボンドウェーハを研削・研磨」する際に、該ボンドウェーハの「表面」を研削・研磨することは、当業者にとって明らかであるから、本願補正発明の「活性層の表面を研磨する研磨工程」に相当する。　
　 
エ　引用例の段落【０００２】の「・・・素子作製側ウェーハを研削及び研磨により所望の厚さに減厚加工することにより、素子形成を行うＳＯＩ層を形成することができる。」との記載から、引用発明の素子形成を行う「ＳＯＩ層」は、本願補正発明の「活性層」に相当することが分かる。そして、引用発明において、「ＳＯＩ層」の「厚さ分布のマップを作成」することから、該ＳＯＩ層の「全域」を対象とすることは、当業者にとって明らかである。　
　そうすると、引用発明の「ＳＯＩ層の厚さ分布を測定して、厚さ分布のマップを作成」することは、本願補正発明の「上記活性層の全域の厚さを測定するウェーハ厚さ測定工程」に相当する。　
　
オ　引用発明の「マップ」は、「ＳＯＩ層の厚さ分布を測定して、厚さ分布のマップ」であるから、本願補正発明の「得られた厚さデータ」に相当する。そして、引用発明の「厚い部分を局部的に気相エッチングにより除去する」際に、該ＳＯＩ層の「表面」を対象とするものであることは、当業者にとって明らかである。さらに、引用発明の「気相エッチング」は、「ＰＡＣＥ（plasma  assisted  chemical  etching）」、すなわち、プラズマアシスト化学エッチング法であるから、プラズマエッチングである点で本願補正発明と共通する。
　そうすると、引用発明の「そのマップに従って厚い部分を局部的に気相エッチングにより除去すること」は、本願補正発明と、「得られた厚さデータに基づき、上記活性層の表面を、プラズマエッチングするプラズマエッチング工程」である点で共通する。
　
（３−２）したがって、本願補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりとなる。 
　　 
〈一致点〉 
「活性層と支持基板用ウェーハとを、埋め込みシリコン酸化膜を介して貼り合わせた貼り合わせＳＯＩ基板の製造方法において、上記活性層の表面を研磨する研磨工程と、上記活性層の全域の厚さを測定するウェーハ厚さ測定工程と、得られた厚さデータに基づき、上記活性層の表面を、プラズマエッチングするプラズマエッチング工程とを備える貼り合わせＳＯＩ基板の製造方法。」 
　 
〈相違点〉 
　本願補正発明では、「プラズマにより励起されたラジカル種を用いて」プラズマエッチングするプラズマエッチング工程を備え、「このプラズマエッチング工程では反応炉内にエッチングガスを流しながら、この反応炉内に配置されたプラズマ発生電極と、上記貼り合わせＳＯＩ基板を吸着するチャック兼用電極との間に、高周波電源から高周波電圧を連続的に印加してプラズマ発生電極内でプラズマを発生させ、このプラズマ発生電極を、上記ウェーハ厚さ測定工程で得られた活性層の全域の厚さデータに基づいて、その移動速度を制御しながら移動し、プラズマにより励起されたラジカル種を、ウェーハ所定位置へと順次供給してエッチングする」のに対し、引用発明では、「プラズマエッチングするプラズマエッチング工程」を備えるものの、該「プラズマエッチング」の具体的な構成について特定がされていない点。 
　
（４）相違点についての検討 
ア　まず、引用例に記載のＰＡＣＥ（plasma  assisted  chemical  etching）法についての、本願の出願日前の技術水準を示す周知例は以下のとおりである。　　　
（周知例１：特開２００１−４４１５３号公報） 
「【００１４】
半導体ウェーハの表面を均一にプラズマエッチングするのに適した方法として、ＰＡＣＥ（Plasma Assisted Chemical Etching）法
プラズマアシスト化学エッチング法のひとつであり、エッチング前のウェーハ形状情報を部分的なエッチング代にフィードバックすることで、プラズマエッチング後の半導体ウェーハの厚さ精度や平坦度精度を高める方法である。
この得られた測定データに基づいて、エッチングガスに供給される高周波の大きさを制御したり、半導体ウェーハを面方向に移動させる際の速度を変化させたりしてエッチングが行われる。
【００１５】プラズマエッチング工程に用いられるプラズマエッチング装置は限定されない。例えばこの
ＰＡＣＥ法を採用したプラズマエッチング装置などが挙げられる。これは、エッチング反応炉内にエッチングガスを流しながら、この反応炉内に配置されたプラズマ発生電極と、半導体ウェーハの真空チャックを兼用するチャック兼用電極との間に、高周波電源から高周波電圧を連続的に印加してプラズマ発生電極内でプラズマを発生させる。
このプラズマ発生電極を、あらかじめ得られたウェーハ形状情報に基づき移動させることで、プラズマにより励起されたラジカル種を、供給管からウェーハ所定位置へと順次供給してエッチングする装置である。
　
　上記周知例１には、ＰＡＣＥ法において、得られた測定データに基づいて、半導体ウェーハの移動させる際の速度を変化させてプラズマエッチングが行われることと、プラズマ発生電極を得られた情報に基づき移動させることが記載されている。そして、技術常識を参酌すれば、得られた測定データに基づいて、プラズマ発生電極の移動速度を制御しながら移動し、プラズマエッチングが行われることが、実質的に記載されているものと認められる。　
　さらに、上記周知例１には、ＰＡＣＥ法において、エッチング反応炉内にエッチングガスを流しながら、この反応炉内に配置されたプラズマ発生電極と、チャック兼用電極との間に、高周波電源から高周波電圧を連続的に印加してプラズマ発生電極内でプラズマを発生させ、このプラズマ発生電極を、得られた情報に基づき移動させることで、プラズマにより励起されたラジカル種を、ウェーハ所定位置へと順次供給してプラズマエッチングすることが、記載されている。
　 
（周知例２：特開平１０−２５６２０４号公報） 
「【０００２】
【従来の技術】インゴットから切り出された半導体ウェーハは、ラッピング，ポリッシング等の工程を経た後、高精度に平坦化するためにエッチングされている。このときのエッチングには、限られた領域を定められた量だけ除去することが要求されるため、プラズマアシスト化学エッチングが採用されている。
プラズマアシスト化学エッチングでは、図１に示すように電極間に高周波電源１でプラズマ発生電極２とチャック兼用電極３との間に高周波電圧を印加することによりプラズマ４を発生させ、プラズマ４で励起されたラジカル種５を供給管６により下部のチャック兼用電極３の上に配置されたウェーハ７の任意の場所に供給している。
　
　上記周知例２には、ＰＡＣＥ法において、プラズマ発生電極と、チャック兼用電極との間に、高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、プラズマにより励起されたラジカル種を、ウェーハ所定位置へと供給してプラズマエッチングすることが記載されている。　
　そして、エッチング反応炉内にエッチングガスを流しながら、高周波電圧を連続的に印加してプラズマ発生電極内でプラズマを発生させることは、プラズマエッチングであることに鑑みれば、当業者にとって技術常識である。　そうすると、エッチング反応炉内にエッチングガスを流しながら、この反応炉内に配置されたプラズマ発生電極と、チャック兼用電極との間に、高周波電源から高周波電圧を連続的に印加してプラズマ発生電極内でプラズマを発生させ、プラズマにより励起されたラジカル種を、ウェーハ所定位置へ供給してプラズマエッチングすることが、実質的に記載されているものと認められる。
　
（周知例３：特開２００２−１６０４９号公報） 
「【０００６】このプラズマエッチング工程の一実施形態として、例えば、
ＰＡＣＥ（Ｐｌａｓｍａ  Ａｓｓｉｓｔｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｅｔｃｈｉｎｇ：プラズマ補助化学エッチング）と呼ばれる技術
【０００７】
これはプラズマによりウエーハ表面を部分的にエッチングしながらウエーハの厚さを均一化する方法であり、ウエーハの厚さ分布を光学干渉法や静電容量法で測定した後、その厚さ分布に応じてウエーハ表面にプラズマを照射するノズルの相対的な移動速度を制御することによりプラズマによるエッチング除去量を制御し、ウエーハ全面を高平坦度化する技術
【０００８】
プラズマエッチングの具体的な操作としては、図１に示すように高周波電極１と接地電極２との間にシリコンウエーハ等の原料ウエーハＷを置き、高周波電極１に高周波を印加してノズル３内のＳＦ
６
等の原料ガスをプラズマ化して原料ウエーハＷの表面に照射する。これによりウエーハ表面のうちノズル３下に位置する領域を局所的にエッチングすることができる。
ノズル３あるいは原料ウエーハＷの移動速度を制御しながらウエーハＷの表面全体を走査することにより半導体ウエーハ表面全体を高平坦化する
　
　上記周知例３には、ＰＡＣＥ法において、得られた測定データに基づいて、ノズル３の移動速度を制御しながら移動し、プラズマエッチングが行われることが記載されている。　
　そして、ノズル３はプラズマ発生電極である高周波電極１と一体化している。　
　そうすると、得られた測定データに基づいて、プラズマ発生電極の移動速度を制御しながら移動し、プラズマエッチングが行われることが、実質的に記載されているものと認められる。
　　
イ　したがって、ＰＡＣＥ法において、反応炉内にエッチングガスを流しながら、この反応炉内に配置されたプラズマ発生電極と、基板を吸着するチャック兼用電極との間に、高周波電源から高周波電圧を連続的に印加してプラズマ発生電極内でプラズマを発生させ、プラズマにより励起されたラジカル種を、ウェーハ所定位置へと供給してプラズマエッチングすることは、上記周知例１及び２の記載から分かるように、当業者にとって本願出願日前の常套手段である。　
　　
ウ　そして、ＰＡＣＥ法において、測定データに基づいて、プラズマ発生電極の移動速度を制御しながら移動し、プラズマにより励起されたラジカル種を、ウェーハ所定位置へと順次供給してプラズマエッチングすることは、上記周知例１及び３の記載から分かるように、当業者にとって本願出願日前の常套手段である。　
　
エ　そうすると、引用発明の「プラズマエッチング」は、ＰＡＣＥ法によるものであるから、上記イ及びウのそれぞれの常套手段を採用することにより、相違点の構成とすることは、当業者が容易になし得たものである。
　　　 
（５）小括 
　以上検討したとおり、上記相違点は、常套手段を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものである。 
　 
（６）独立特許要件についてのまとめと補正却下の結び 
　以上のとおり、本願補正発明は、常套手段を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。　 
　よって、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に違反するので、同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　 
　 
第３　本願発明 
　 
１　以上のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２１年１月１５日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載の次のとおりのものである。 
　 
「【請求項１】
　活性層と支持基板用ウェーハとを、埋め込みシリコン酸化膜を介して貼り合わせた貼り合わせＳＯＩ基板の製造方法において、
　上記活性層の表面を研磨する研磨工程と、
　上記活性層の全域の厚さを測定するウェーハ厚さ測定工程と、
　得られた厚さデータに基づき、上記活性層の表面を、プラズマにより励起されたラジカル種を用いてプラズマエッチングするプラズマエッチング工程とを備えた貼り合わせＳＯＩ基板の製造方法。」 
　 
２　引用例の記載と引用発明 
　引用例の記載と引用発明については、前記第２の３（２）で認定したとおりである。 
　 
３　対比・判断 
　 前記第２の１及び２で検討したように、本願補正発明は、補正前の請求項１の規定をより技術的に限定するものである。したがって、逆に言えば、本願発明（補正前の請求項１に係る発明）は、本願補正発明から、このような限定をなくしたものである。 　 
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、これより限定したものである本願補正発明が、前記第２の３で検討したとおり、常套手段を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、当業者が容易に発明することができたということができる。  
　 
第４　結言 
　 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　 
　したがって、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。 
　 
　よって、結論のとおり審決する。