【事件の表示】
　平成１１年特許願第２４８００４号「半導体レーザの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　３月２３日出願公開、特開２００１−　７７４７２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
第１　手続の経緯 
　
　本願は、平成１１年９月１日の出願であって、平成２１年１２月２４日付けで手続補正がなされたが、平成２２年３月１０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年５月１３日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。 
　 
第２　本願発明について 
　 
１　本願発明 
　
　本願の請求項に係る発明は、平成２１年１２月２４日付け手続補正による補正後の明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
「基板と、ｎ型層と、ＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙＩｎｙＮ（０＜ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）から成るｐ型または高抵抗電流狭窄層と、該電流狭窄層を貫通するストライプ状開口部と、該ストライプ状開口部上に形成された量子井戸活性層とを備えた半導体レーザの製造方法において、
　前記ｎ型層上に誘電体または高融点金属から成るストライプ状のマスクを形成する工程と、
　前記マスクで覆われていない前記ｎ型層の露出面から選択的に前記電流狭窄層を成長させる工程と、
　前記マスクをウェットエッチングにより除去することにより、前記電流狭窄層を成長させる工程において前記マスク上に堆積した多結晶を前記マスクとともに除去する工程とを含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。」（以下「本願発明」という。） 
　  
２　刊行物の記載 
　
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された特開平１０−１９０１４２号公報（以下「引用例１」という。）には、以下の記載がある。 
　
ア　「【請求項１】基板上に、一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される第１導電型半導体層を少なくとも一層形成する工程と、
前記第１導電型半導体層の表面にストライプ状の開口部を有する絶縁体膜を形成する工程と、
前記絶縁体膜の開口部にのみ一般式ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）で表される第２導電型半導体層または高抵抗半導体層からなる電流ブロック層を形成する工程と、
前記絶縁体膜を除去する工程と、
一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される第２の第１導電型半導体層を少なくとも一層形成し、前記第２導電型半導体層または高抵抗半導体層の間の領域を埋め込む工程と、
一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表されるバルクまたは量子井戸活性層を形成する工程と、
一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される第２の第２導電型半導体層を少なくとも一層形成する工程を有することを特徴とする窒化ガリウム系半導体レーザの製造方法。」（特許請求の範囲）。 
　 
イ　「【００４８】図１に示された本発明の窒化ガリウム系レーザの半導体結晶部分の製造工程に於いては、まず、有機金属化学気相成長法により、平坦なサファイア基板１０１上に、窒化ガリウム低温成長バッファ層１０２およびｎ型窒化ガリウムコンタクト層１０３を前記順序で形成した後に、ｎ型窒化ガリウムコンタクト層１０３の結晶の［１１−２０］方向に、幅１μｍのストライプ状の厚さ２０００Åの酸化珪素膜２１５を形成した。しかる後に、有機金属化学気相成長法により、前記酸化珪素膜２１５をマスクとして、その開口部にのみ、選択的にｐ型窒化ガリウム電流ブロック層１１４を形成した。
【００４９】図２はここまでの工程終了後の概略断面図である。次に、酸化珪素膜２１５をフッ酸により除去した後に、有機金属化学気相成長法により、残るｎ型窒化ガリウム層１１５、ｎ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層１０５、ｎ型窒化ガリウム光ガイド層１０６、多重量子井戸構造活性層１０７、ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎインジウム解離防止層１０８、ｐ型窒化ガリウム光ガイド層１０９、ｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層１１０、ｐ型窒化ガリウムコンタクト層１１１を前記順序で形成した。
【００５０】図１に示された本発明の実施例１の窒化ガリウム系レーザは、図１１に示された従来の窒化ガリウム系レーザに比べ、選択成長法により形成されたｐ型窒化ガリウム電流ブロック層１１４により電流狭窄を行なっているために、発振しきい値電流が小さいという効果がある。」 
　 
（２）引用発明 
　上記２（１）によれば、引用例１には、次の発明が記載されているものと認められる。 
「基板上に、一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される第１導電型半導体層を少なくとも一層形成する工程と、
　前記第１導電型半導体層の表面にストライプ状の開口部を有する絶縁体膜を形成する工程と、
　前記絶縁体膜の開口部にのみ一般式ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）で表される第２導電型半導体層または高抵抗半導体層からなる電流ブロック層を形成する工程と、
　酸化珪素膜からなるマスクである前記絶縁体膜をフッ酸により除去する工程と、
　一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される第２の第１導電型半導体層を少なくとも一層形成し、前記第２導電型半導体層または高抵抗半導体層の間の領域を埋め込む工程と、
　一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表されるバルクまたは量子井戸活性層を形成する工程とを有する窒化ガリウム系半導体レーザの製造方法。」（以下「引用発明１」という。） 
　
（３）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された特開平９−２３７９３２号公報（以下「引用例２」という。）には、以下の記載がある。 
　
「【請求項１】  ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層との間に、それらのクラッド層よりも幅の狭いストライプ状の発振領域を有する活性層を有し、該活性層のストライプの両側面側に、活性層よりも屈折率の小さい窒化物半導体よりなる電流阻止層が設けられていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。・・・
【請求項４】  前記活性層が少なくともＩｎXＧａ1-XＮ（０＜X＜１）よりなる窒化物半導体層を有し、前記電流阻止層が少なくともＡｌYＧａ1-YＮ（０≦Y≦１）よりなる窒化物半導体層を有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の窒化物半導体レーザ素子。」
　
　上記記載によれば、引用例２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層との間に、それらのクラッド層よりも幅の狭いストライプ状の発振領域を有する活性層を有し、該活性層のストライプの両側面側に、活性層よりも屈折率の小さい窒化物半導体よりなる電流阻止層が設けられている窒化物半導体レーザ素子であって、前記活性層が少なくともＩｎXＧａ1-XＮ（０＜X＜１）よりなる窒化物半導体層を有し、前記電流阻止層が少なくともＡｌYＧａ1-YＮ（０≦Y≦１）よりなる窒化物半導体層を有する窒化物半導体レーザ素子。」
　 
３　対比・判断 
　
（１）本願発明と引用発明１とを対比する。 
ア　引用発明１の「基板」、「一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される第１導電型半導体層」、「第１導電型半導体層の表面にストライプ状の開口部を有する絶縁体膜」、「第２導電型半導体層または高抵抗半導体層からなる電流ブロック層」、「一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表されるバルクまたは量子井戸活性層」及び「半導体レーザの製造方法」は、本願補正発明の「基板」、「ｎ型層」、「（前記ｎ型層上に形成されるストライプ状の）誘電体」、「ｐ型または高抵抗電流狭窄層」、「量子井戸活性層」及び「半導体レーザの製造方法」にそれぞれ相当する。 
　
イ　引用発明１は、「前記第１導電型半導体層の表面にストライプ状の開口部を有する絶縁体膜を形成する工程と、前記絶縁体膜の開口部にのみ一般式ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）で表される第２導電型半導体層または高抵抗半導体層からなる電流ブロック層を形成する工程と、酸化珪素膜からなるマスクである前記絶縁体膜をフッ酸により除去する工程と、一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される第２の第１導電型半導体層を少なくとも一層形成し、前記第２導電型半導体層または高抵抗半導体層の間の領域を埋め込む工程と、一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表されるバルクまたは量子井戸活性層を形成する工程とを有する」から、引用発明１により製造される「窒化ガリウム系半導体レーザ」は、本願発明の「該電流狭窄層を貫通するストライプ状開口部と、該ストライプ状開口部上に形成された量子井戸活性層とを備えた」との事項を備え、また、引用発明１は、本願発明の「前記ｎ型層上に誘電体または高融点金属から成るストライプ状のマスクを形成する工程と、前記マスクで覆われていない前記ｎ型層の露出面から選択的に前記電流狭窄層を成長させる工程と、前記マスクをウェットエッチングにより除去する」との事項を備える。
　
（２）以上によれば両者は
「基板と、ｎ型層と、高抵抗電流狭窄層と、該電流狭窄層を貫通するストライプ状開口部と、該ストライプ状開口部上に形成された量子井戸活性層とを備えた半導体レーザの製造方法において、
　前記ｎ型層上に誘電体から成るストライプ状のマスクを形成する工程と、
　前記マスクで覆われていない前記ｎ型層の露出面から選択的に前記電流狭窄層を成長させる工程と、
　前記マスクをウェットエッチングにより除去する工程を含む半導体レーザの製造方法。」
である点で一致し、
　
　本願発明は、電流狭窄層が「ＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙＩｎｙＮ（０＜ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）から成るｐ型または高抵抗電流狭窄層」であり、マスクをウェットエッチングにより除去することにより、上記の電流狭窄層を成長させる工程において前記マスク上に堆積した多結晶を前記マスクとともに除去するのに対して、引用発明１は、電流狭窄層が「一般式ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）で表される第２導電型半導体層または高抵抗半導体層」であって、電流狭窄層を成長させる工程においてマスク上に多結晶が堆積するか否か明らかではなく、マスクをウェットエッチングする際に、該マスク上に堆積した多結晶をマスクとともに除去するか否か明らかではない点（以下「相違点」という）
で相違するものと認められる。 
　
（３）上記相違点について検討する。 
ア　引用発明１は、電流ブロック層（電流狭窄層）以外の第１導電型半導体層等が一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の窒化ガリウムからなり（上記２（１）ア参照）、電流ブロック層（電流狭窄層）は、Ａｌを含まない一般式ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）で表される第２導電型半導体層または高抵抗半導体層からなる。
　
イ　しかるところ、上記２（３）によれば、引用例２には、引用発明２が記載され、活性層がＩｎＧａＮ、すなわち一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の窒化ガリウムからなる窒化物半導体レーザ素子において、電流阻止層（電流狭窄層）として、Ａｌを含む一般式ＡｌYＧａ1-YＮ（０≦Y≦１）よりなる窒化物半導体層を用いることが示されているから、引用発明１において「電流ブロック層」として、Ａｌを含む一般式ＡｌYＧａ1-YＮ（０≦Y≦１）よりなる窒化物半導体層を用いることは、当業者が容易になし得ることである。
　
ウ　ここで、本願発明において、「前記マスク上に堆積した多結晶を前記マスクとともに除去する」点に関し、本願明細書には、「続いて、第２の結晶成長により、図１の（ｃ）に示すように、膜厚０．６μｍのＡｌ0.08Ｇａ0.92Ｎ電流狭窄層5 を成長させる。Ａｌ0.08Ｇａ0.92Ｎ電流狭窄層5 のＳｉＯ2 ストライプ4 付近は、結晶成長の異方性により、基板面に対して約６１度の角度をなす(1-101) 面が形成される。ＧａＮ結晶はＳｉＯ2 マスクによって選択成長できることが知られているが、ＡｌＧａＮ系の場合は、図１の（ｃ）に示すように、完全な選択成長はできず、ＳｉＯ2ストライプ4 上にも多結晶6 が堆積する。すなわち、疑似選択的に電流狭窄層が成長する。しかし、例えば、フッ酸を用いてＳｉＯ2 ストライプ4 をエッチングすると、ＳｉＯ2 ストライプ4 とともにその上に堆積した多結晶6 も同時に除去される。」（【００２３】）と記載されている。すなわち、本願発明において、「前記マスク上に堆積した多結晶を前記マスクとともに除去する」との特定事項は、ＳｉＯ2のストライプを形成した面上でＡｌＧａＮ系半導体を結晶成長させれば、ＳｉＯ2 ストライプ上にも多結晶が必然的に堆積し、さらに、（フッ酸を用いて）ウェットエッチングすれば、ＳｉＯ2 ストライプとともにその上に堆積した多結晶も同時に除去されることを意味するものと認められる。
　しかるところ、上記イのように、引用発明１において「電流ブロック層」として、Ａｌを含む一般式ＡｌYＧａ1-YＮ（０≦Y≦１）よりなる窒化物半導体層を用いたものにおいても、本願発明と同様に、「酸化珪素膜からなるマスク」上にＡｌを含む一般式ＡｌYＧａ1-YＮ（０≦Y≦１）よりなる電流ブロック層（電流狭窄層）を成長させた後、該マスクを除去するのであるから、マスクをウェットエッチングにより除去することにより、上記の電流ブロック層（電流狭窄層）を成長させる工程において前記マスク上に堆積した多結晶を前記マスクとともに除去する点においても、本願発明と変わりはないものというべきである。
　
（４）小括 
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明１及び引用発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであると認められる。 
　  
第３　むすび 
　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明１及び引用発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。 
　 
　よって、結論のとおり審決する。