【事件の表示】
　特願２００２−２８１８８６「回路装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　４月１５日出願公開、特開２００４−１１９７２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１４年　９月２６日の出願であって、手続の経緯は、次のとおり。
　＊平成２０年　３月１９日　拒絶理由
　＊平成２０年　６月１３日　意見書及び手続補正
　＊平成２０年　７月１６日　拒絶査定
　＊平成２０年　９月１０日　拒絶査定不服審判の請求
　＊平成２０年１０月　１日　手続補正
　
　
第２．平成２０年１０月　１日付の手続補正についての補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２０年１０月　１日付の手続補正を却下する。
　
［理　由］
［１］本件手続補正の内容
　本件手続補正は、平成２０年　６月１３日付の手続補正により補正された本件補正前の（以下、「補正前の」という。）特許請求の範囲の請求項１を次のとおりに補正しようとする事項を含むものである。
　
「【請求項１】第１の導電膜を所望のパターンにフルエッチングして形成された導電パターン層と、
　前記導電パターン層の裏面に設けられ、前記導電パターン層よりも内側に窪んだアンカー部を有する第３の導電膜で形成された外部電極と、
　前記導電パターン層上に
絶縁接着層で
　前記半導体素子を被覆し、
前記導電パターン層の側面及び裏面の
　
前記絶縁接着層を前記導電パターン層の裏面の前記アンカー部に充填して前記導電パターンを用いてアンカー効果を発生させ、　前記封止樹脂層も前記導電パターン層の裏面の前記アンカー部に充填して前記導電パターン層を用いてアンカー効果を発生させ、
　（なお、上記下線部は、本件手続補正書に記載された下線部と同様の箇所に引いている。）
　
［２］補正の適否について
１．補正の目的
　上記請求項１の補正事項は、補正前の請求項１に記載の
ア．「固着」を「
絶縁接着層で
イ．「半導体素子を被覆し、前記アンカー部で前記導電パターン層と
結合された
前記導電パターン層の側面及び裏面の
を覆う
ウ．「
前記絶縁接着層を前記導電パターン層の裏面の前記アンカー部に充填して前記導電パターンを用いてアンカー効果を発生させ、
エ．「
前記封止樹脂層も前記導電パターン層の裏面の前記アンカー部に充填して前記導電パターン層を用いてアンカー効果を発生させ
　
　したがって、上記請求項１に係る補正事項のア．〜エ．は、特許請求の範囲の減縮を目的としたものであり、さらに、イ．〜エ．は不明りょうな記載の釈明をも目的とするものである。
　
　なお、上記補正事項イ．の「
導電パターン層の側面及び裏面の
導電パターン層の側面の
　「前記
導電パターン層の裏面に設けられ、前記導電パターン層よりも内側に窪んだアンカー部を有する第３の導電膜
と記載されており、また、出願当初明細書における当該アンカー部の説明は、
　【００２７】「 導電パターン層をマスクとして用いて前記第３の導電膜を除去し、前記
第３の導電膜が前記導電パターン層よりも内側に窪んだアンカー部
　【００５６】「オーバーエッチングやオーバー剥離により意図的にアンカー部１５を形成することにある。また
アンカー部１５は導電パターン層１１Ａをマスクとして形成されるので、セルフアライン効果により導電パターン層１１Ａの周辺に均等の窪みで形成される
　【００６５】「封止樹脂層２２でモールドを行う際に第２の導電膜１２の表面に形成される
第３の導電膜１３の窪みで形成されるアンカー部１５
　【００７６】「導電パターン層をマスクとして第３の導電膜をオーバーエッチングあるいはオーバー剥離することで
導電パターン層の周囲に窪んだ第３の導電膜でアンカー部をセルフアラインで形成
と、記載され、さらに、図７〜図１０等においては、導電パターン層がひさし状に僅かに延び、第３の導電膜が僅かに窪んだ状態が図示されていることから、導電パターン層のひさし状に延びている部分と第３の導電膜の導電パターン層よりも内側に窪んだ部分とでアンカー部が構成されていると認められる。
　導電パターン層の側面はひさし状に延びている部分の先端であるから、当該アンカー部の一部を形成しているものと理解でき、図面等を参酌すれば、第３の導電膜の窪んだ部分、導電パターンのひさし状に延びた部分の裏及びひさし状部分の側面が封止樹脂に覆われていることが看取できることから、上記補正事項イ．は、上記のように、特許請求の範囲の減縮及び不明りょうな記載の釈明を目的とするものである。
　
２．独立特許要件
　次に、上記補正による補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのか否か（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものであるのか否か）について検討する。
　
１）引用刊行物及びその摘記事項
　ア．原査定の拒絶の理由に引用文献１として引用した本願出願前に国内において頒布された特開２００１−２６７４６１号公報（以下、「刊行物１」という。）には、次の事項が記載されている。
（刊１ａ）「【００１４】【発明の実施の形態】本発明は、エッチング可能な基材の表面全面に、基材とはエッチング液に対する耐蝕性の異なる材質からなる導電材層を形成する工程と、導電材層上に、導電材層とはエッチング液に対する耐蝕性が異なる材質からなる金属層を形成する工程と、金属層をエッチングして、・・・所定の配線パターンを形成する工程と、配線パターンの所定の領域に半導体チップを搭載し、配線パターンと電気的に接続する工程と、マトリクス状に形成された複数の半導体装置単位を一括して樹脂封止して樹脂封止ブロック体を形成する工程と、基材をエッチング除去する工程と、樹脂封止ブロック体を切断して個々の半導体装置単位に分離する工程とにより半導体装置を製造するようにしている。
【００１５】なお基材、導電材層及び金属層の材質としては、周知の材料からそれぞれの部位に必要な特性やコスト、エッチング液に対する耐蝕性などを考慮の上、適宜選択して組み合わせが可能である。・・・」
　
（刊１ｂ）「【００１６】・・・様々な組み合わせが適用できるが、いずれの組み合わせを選択するにしても、導電材層は基材及び金属層とはエッチング液に対する耐蝕性の異なる材料を使用する必要がある。」
　
（刊１ｃ）「【００１８】【実施例】・・・まず図１（ａ）に示すように、Ｃｕからなるシート状の基材１０の表面全面に、スパッタ法などによりＳｎからなる導電材層１１を形成する。そして、導電材層１１上の全面に、同じくスパッタ法などによりＣｕからなる金属層１２を形成する。・・・異種金属積層材料は、めっき法やラミネート法などを用いて形成するようにしても良い。
【００１９】次に、図１（ｂ）に示すように、金属層１２上に図示しないレジストを塗布し、ＦｅＣｌ３水溶液によってエッチングを行い、金属層１２をパターニングして、所定の配線パターン１３を形成する。・・・なお本実施例においては、配線パターン１３は半導体チップ搭載部１４を含む形態であり、図２に示すように、半導体装置単位１ａを９つ隣接させてマトリクス状に配置した構成としている。・・・」
　
（刊１ｄ）「【００２０】・・・Ｓｎからなる導電材層１１をＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：１水溶液によってエッチングを行うことにより、図１（ｂ）に示すように、導電材層１１を配線パターン１３に対応した形状にパターニングするようにしている。このとき、ＣｕはＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：１水溶液によってはエッチングされないので、パターニングの際に、先に形成した配線パターン１３がレジストとして機能する・・・」
　
（刊１ｅ）「【００２１】・・・配線パターン１３の・・・半導体チップ搭載部１４上に、Ａｇペーストなどの周知の接着剤によって、それぞれ半導体チップ４を搭載し、半導体チップ４の電極５と配線パターン１３とをＡｕ、Ａｌ線などからなるボンディングワイヤ６によって電気的に接続する。・・・」
　
（刊１ｆ）「【００２２】それから図１（ｄ）及び図２に示すように、基材１０の一面の少なくとも配線パターン１３、半導体チップ４及びボンディングワイヤ６を含む領域を、・・・エポキシ樹脂などの封止樹脂７にて樹脂封止することにより、樹脂封止ブロック体１５を形成する。その後本実施例においては、基材１０をＦｅＣｌ３水溶液によってエッチング除去する。なお、この場合もＳｎからなる導電材層１１はＦｅＣｌ３水溶液ではエッチングされないので、封止樹脂７からは配線パターン１３及び半導体チップ搭載部１４の裏面に形成された導電材層１１のみが露出することになる。」
　
（刊１ｇ）「【００２３】そして図１(ｅ)及び図２に示すように、図示しないダイシングソーなどの切断刃物などによって樹脂封止ブロック体１５を各半導体装置単位に切断分離して、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すような半導体装置１ａが得られる。・・・」
　
（刊１ｈ）「【００２４】このようにして製造された半導体装置１ａは、図３に示すような構造である。なお図３（ａ）、（ｂ）はそれぞれ断面図、底面図である。これらに示されるように、封止樹脂７からは導電材層１１のみが露出する構造となる。・・・」
　
イ．原査定の拒絶の理由に引用文献２として引用した本願出願前に国内において頒布された特開２００２−７６２４５号公報（以下、「刊行物２」という。）には、次の事項が記載されている。
（刊２ａ）「【００４５】第２の特徴は、第２の材料によりアンカー効果を持たせている点である。第２の材料によりひさし５８が形成され、しかも導電路５１と被着したひさし５８が絶縁性樹脂５０に埋め込まれているため、アンカー効果を発生し、導電路５１の抜けを防止できる構造となる。」
　
（刊２ｂ）「【００７５】・・・第１の材料から成る導電箔６０の上にエッチングレートの小さい第２の材料７０が被覆された導電箔６０を用意する。
【００７６】・・・エッチングレートの差によりＮｉがひさし５８と成って形成される・・・
【００７７】また第２の材料は、第１の材料と選択エッチングできる材料を被覆しても良い。この場合、まず第２の材料から成る被膜を導電路５１の形成領域に被覆するようにパターニングし、この被膜をマスクにして第１の材料から成る被膜をエッチングすればひさし５８が形成できるからである。・・・」
　
（刊２ｃ）図１０〜図１２には、導電箔をフォトレジストと導電被膜とをマスクとして、分離溝を形成すると共に、導電箔を導電被膜よりも窪ませ、導電被膜を突出するひさし状となっていることが示されている。
　
ウ．原査定の拒絶の理由に引用文献３として引用した本願出願前に国内において頒布された特開２００２−２６１８６号公報（以下、「刊行物３」という。）には、次の事項が記載されている。
（刊３ａ）「【００１４】また前記ボンディングパッド１１…の側面は、ウェットエッチンクで形成されるため湾曲構造を有し、この湾曲構造によりアンカー効果を発生している。」
　
（刊３ｂ）「【００１７】・・・またエッチングとしてドライエッチング、あるいはウェットエッチングを採用して非異方性的なエッチングを施すことにより、ボンディングパッド１１…の側面を湾曲構造とし、アンカー効果を発生させることもできる。その結果、ボンディングパッド１１…が絶縁性樹脂１０から抜けない構造を実現できる。」
　
（刊３ｃ）「【００４３】・・・外部接続電極３２…は、ボンディングパッド１１…で囲まれた領域にマトリックス状に分散される・・・
【００４４】また半導体装置３０の裏面には、図８Ｂで示すように、ボンディングパッド１１…、配線３１…、外部接続電極３２…が露出される。・・・半導体ＩＣチップ１２の裏面は、前記絶縁性接着剤３３、配線３１、外部接続電極３２が有るため、半導体ＩＣチップ１２の裏面は露出されない。よって絶縁性接着剤３３は、一般的には熱抵抗が大きいため、放熱性に劣るが、外部接続電極３２をマトリックス状に分散できるので、外部接続電極３２…と実装基板上の電極との接続不良、特にロウ材の応力の分散が可能となり、半田不良を抑制することが出来る。」
　
（刊３ｄ）「【００４５】また図８Ｂに於いて、ボンディングパッド１１、配線３１および外部接続電極３２で成る導電路をオーバーエッチングして、絶縁性樹脂１０、絶縁性接着剤３３の裏面よりも凹まして構成しても良い。」
　
（刊３ｅ）「【００４７】・・・図８の製造方法であり、図９から図１４は、図８ＡのＡ−Ａ線に対応する断面図である。・・・
【００４８】まず図９の様に導電箔２０を用意し、表面に耐エッチングマスクとして導電被膜２１・・・を形成する。・・・そして前記導電被膜２１・・・を介して導電箔２０をハーフエッチングする。（以上図９を参照）
続いてボンディングパッド１１…で囲まれた一領域で、配線３１、外部接続電極３２が延在される領域に絶縁性接着剤３３を介して半導体ＩＣチップ１２を固着し、半導体ＩＣチップ１２のボンディング電極１３とボンディングパッド１１を電気的に接続する。（以上図１０を参照）
そして前記ボンディングパッド１１…、配線３１…、外部接続電極３２…、半導体ＩＣチップ１２、および金属細線１４を覆うように絶縁性樹脂１０が塗布される。絶縁性樹脂１０には、凸部として形成されたボンディングパッド１１…、配線３１…、外部接続電極３２…、半導体ＩＣチップ１２が埋め込まれ、凸部よりも下方の導電箔２０が裏面に露出されている。（以上図１１を参照）
続いて、前記絶縁性樹脂１０の裏面に露出している導電箔２０を取り除き、ボンディングパッド１１…、配線３１…、外部接続電極３２…を個々に分離する。」
　
（刊３ｆ）「【００７０】また導電路の側面に湾曲構造を形成した場合、アンカー効果を発生させることができ、導電路の反り、抜けを防止することができる。」
　
（刊３ｇ）図８（Ａ），（Ｂ）、図９〜図１２には、半導体ＩＣチップと半導体ＩＣチップ下部の外部接続電極とを、前記チップ下部の外部接続電極の周囲及び上部に設けた絶縁性接着剤を介して固着させ、前記チップ下部の外部接続電極の裏面を露出させていること、また、半導体ＩＣチップと、半導体ＩＣチップ周囲の外部接続電極の周囲及び上面とを、封止樹脂により樹脂封止し、前記チップ周囲の外部電極の裏面を封止樹脂から露出させていることが示されている。
　
　
２）当審の判断
（２−１）刊行物１に記載の発明
　上記摘記事項（刊１ａ）〜（刊１ｈ）を整理すると、刊行物１には、次の発明が記載されている。
「金属層をパターニングして形成された、半導体チップ搭載部を含む所定の配線パターン、
　半導体チップ搭載部上に、Ａｇペーストなどの周知の接着剤によって、搭載された半導体チップ、
　基材の一面の少なくとも配線パターン、半導体チップ及びボンディングワイヤを含む領域を、封止樹脂にて樹脂封止し、
　基材を除去し、
　配線パターンに対応した形状にパターニングした導電材層のみを、封止樹脂から露出した半導体装置。」（以下、「刊行物１発明」という。）
　
（２−２）対比・判断
　本願補正発明と刊行物１発明とを対比すると、刊行物１発明の「金属層」、「配線パターン」、「半導体チップ」、「導電材層」及び「半導体装置」は、それぞれ本願補正発明の「第１の導電膜」、「導電パターン層」、「半導体素子」、「第３の導電膜」及び「回路装置」に相当する。
　そして、
　ア．刊行物１の上記摘記事項（刊１ｂ）、（刊１ｃ）によれば、３層構造の異種金属積層材料の上層である金属層をパターニングする際には、ＦｅＣｌ３水溶液によって全面同時にエッチングしているから、「フルエッチング」を行っているのは明らかである。
　イ．導電材層は、３層構造の異種金属積層材料の中間層であり、上層としての金属層からなる配線パターンに対応した形状にパターニングされるのであるから、導電材層は「配線パターンの裏面」に設けられていることも明らかである。
　ウ．刊行物１発明の半導体チップは、配線パターンの一部の半導体チップ搭載部上に接着剤により、搭載されているので、半導体チップは、配線パターン上に固着されていることも明らかである。
　エ．また、導電材層は、ボンディングワイヤにより半導体チップと接続された配線パターンの裏面にありかつ、当該導電材層のみが封止樹脂から露出されているのであるから、当該導電材層が「外部電極」としての機能を奏することも明らかである。
　オ．さらに、導電材層は、３層構造の異種金属積層材料の中間層として、スパッタ法、めっき法、ラミネート法などを用いて形成され、本願明細書中においても、第３の導電膜は、【００３８】に「第３の導電膜１３は、メッキ法、蒸着法またはスパッタ法で形成されたり、圧延法やメッキ法により形成された金属箔が貼着されても良い。」と記載されており、ほぼ同様の製法により積層されていること。
　また、導電材層及び第３の導電膜のいずれも、基材或いは第２の導電膜をウェットエッチングにより全面エッチングをして除去されることにより、露出されていること。
　さらに、基材上或いは第２の導電膜上の電極を構成する部分以外の上層の部材がウェットエッチングにより除去されて露出した表面上に封止樹脂が形成され、その後当該基材或いは第２の導電膜がウェットエッチングにより除去されて、封止樹脂が露出されていること。
　以上の点から、刊行物１発明においても、本願補正発明と同様に「封止樹脂および外部電極となる導電材層の裏面を平坦になるように露出させ」ていることは明らかである。
　
　そうすると、両者は、
　「第１の導電膜を所望のパターンにフルエッチングして形成された導電パターン層と、
　前記導電パターン層の裏面に設けられ、第３の導電膜で形成された外部電極と、
　前記導電パターン層上に固着された半導体素子と、
　前記半導体素子を被覆し、前記導電パターン層を覆う封止樹脂層とを具備し、
　前記封止樹脂層および前記外部電極となる第３の導電膜の裏面を平坦になるように露出させることを特徴とする回路装置。」
の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
＊相違点１：本願補正発明は、「導電パターン層の裏面に設けられ、前記導電パターン層よりも内側に窪んだアンカー部を有する第３の導電膜」を有しているのに対して、刊行物１発明において、そのようなアンカー部が明記されていない点。
＊相違点２: 本願補正発明は、「導電パターン層上に絶縁接着層で固着された半導体素子」を有しているのに対して、刊行物１発明は、「半導体チップ搭載部上に、Ａｇペーストなどの周知の接着剤によって、搭載された半導体チップ」である点。
＊相違点３：本願補正発明において、封止樹脂層が「半導体素子を被覆し、前記導電パターン層の側面及び裏面の前記アンカー部で前記導電パターン層を覆う」のに対して、刊行物１発明にはそのようなことが記載されていない点。
＊相違点４：本願補正発明において「 前記絶縁接着層を前記導電パターン層の裏面の前記アンカー部に充填して前記導電パターンを用いてアンカー効果を発生させ」ているのに対して、刊行物１発明では、そのようなことが記載されていない点。
＊相違点５：本願補正発明において、「前記封止樹脂層も前記導電パターン層の裏面の前記アンカー部に充填して前記導電パターン層を用いてアンカー効果を発生させ」ているのに対して、刊行物１発明では、そのようなことが記載されていない点。
　
　そこで、上記相違点１〜５について検討する。
　
ア．相違点１、３、５について
　リードフレーム、フレキシブル基板等の支持基板を用いないで、半導体素子と外部電極とを樹脂封止し、外部電極のみを樹脂から露出させる半導体装置において、電極の脱け防止のために、外部電極を少なくとも２層構造として、封止樹脂内部の上層の電極をひさし状に伸ばし、下層の外部に露出する電極を窪ませ、アンカー部とし、アンカー効果を発揮させることは、刊行物２の上記摘記事項（刊２ａ）〜（刊２ｃ）、刊行物３の上記摘記事項（刊３ａ）、（刊３ｂ）、（刊３ｄ）、（刊３ｆ）に記載されているように、周知の事項にすぎず、非異方性のエッチングである一般的なウェットエッチングを用いた場合には、非異方性のエッチング故に、湾曲形状ができやすいことも周知の事項であり、上層電極のひさし状部分をどの程度露出させるかは、要求されるアンカー効果の程度、積層強度、積層剤の組合せエッチング条件等により適宜設定される設計事項である。
　一方、刊行物１発明では、刊行物１の上記摘記事項（刊１ｄ）に「導電材層１１をＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：１水溶液によってエッチングを行うことにより、図１（ｂ）に示すように、導電材層１１を配線パターン１３に対応した形状にパターニングするようにしている。」と記載され、「導電材層１１を配線パターン１３に対応した形状にパターニングする」旨記載されているものの、これは、一般的な非異方性のウェットエッチングによるものであるから、多少なりとも導電材層が、配線パターンに対して、窪んでいると推定しうるものである。
　また、そうでなくとも、刊行物１発明においても、導電材層と配線パターンからなる外部電極の抜けを防止したいとの課題は当然有しているものであるから、刊行物２，３に記載された周知のアンカー部を採用することで、配線パターンの裏面を露出する程度に導電材層を窪ませる程度のことは、当業者の設計的事項にすぎない。
　そして、そのようなアンカー部が形成されれば、ひさし状になった配線パターンの側面と、裏面及び導電材層の湾曲部即ち窪みにも、封止樹脂が設けられることとなり、配線パターンのひさし部と導電材層の窪み部とからなるアンカー部により、配線パターンにアンカー効果が生じることも明らかである。
　したがって、刊行物１発明において、樹脂封止した半導体素子の外部電極のみを樹脂と平坦になるように樹脂から露出させる半導体装置における電極の脱け防止のために２層構造により、アンカー部を形成する刊行物２，３に記載された周知の構造を採用すれば、刊行物１発明は、「配線パターンの裏面に設けられ、前記配線パターン層よりも内側に窪んだアンカー部を有する導電材層」を有し、「半導体チップを被覆し、配線パターン層の側面及び裏面のアンカー部で前記配線パターン層を覆」い、「封止樹脂も配線パターン層の裏面のアンカー部に充填して前記配線パターンを用いてアンカー効果を発生させ」ることとなるから、上記相違点１，３，５に係る構成の差異は、刊行物１発明及び刊行物２，３に記載された周知技術から当業者が容易に想到し得たものである。
　
　なお、審判請求人は、審判請求書の請求の理由において、下記の主張をしている。
　「引用文献２の構造は導電箔６０の表面にＮｉよりなる導電被膜７０があり、導電被膜７０のひさし５８を用いてアンカー効果が得られています。明らかに導電箔６０より導電被膜７０が薄い構造であり、本願の配線パターン層に対応するのは導電箔６０であります。本願ではアンカー効果を出しているのは配線パターン層であり、引用文献２ではアンカー効果を出しているのは導電箔６０の表面に設けた導電被膜７０であり、全く逆であります。
　これに対しては「引用文献１に記載された発明における配線パターンと導電材層において、引用文献２に記載されたアンカー部の構造を採用し、前記導電材層が前記配線パターンよりも内側に窪むようにすることは、当業者が容易に想到し得ることである。」とのご認定でありますが、配線パターン層に相当するものが導電箔であり、導電材層と導電被膜はその役割が全く異なるものであります。すなわち、本願の導電材層は外部電極として露出されますが、引用文献２の導電被膜は絶縁性樹脂に埋め込まれて（〔００４５〕参照）おります。従って、アンカー効果を有するものは本願は配線パターン層に対して引用文献２では導電被膜であり、引用文献２のアンカー構造を直ちに引用文献１に適用するご認定には技術的に無理があると考えます。」
　
　しかしながら、相手側部材に対して突起状の部位を形成すれば、これがアンカー部となり、アンカー効果を発生すること自体は種々の技術分野でよく知られている周知技術であり、引用文献２は、半導体装置の技術分野においても、エッチング速度のことなる２層の電極構造において、下層を窪ませ、上層を突出させる構造を非異方性のウェットエッチングにより形成することで、アンカー部を形成する技術が知られていることを引用したにすぎず、その材質自体を積層順をも特定して引用しているものではない。
　刊行物２に記載されたアンカー部の形成に際しては、エッチング速度の差を有している材料を積層しさえすればよく、特定の材質に限定された積層順序自体が必須の構成でないことは明らかであり、刊行物１発明においても、エッチング速度の差の違いに基づいて多層構造の電極のパターン形成を行っていること、刊行物１発明及び刊行物２に記載された前記技術は共に、リードフレーム、フレキシブル基板等の支持基板を用いずに半導体チップ及び外部電極を樹脂封止すると共に、外部電極のみを露出させる半導体装置の技術分野に属するものであり、当該技術分野において外部電極の脱け防止は自明の課題で有ることから、刊行物１発明において、外部電極にアンカー部を形成するとの刊行物２に記載された技術を適用すること自体に、格別の困難性はなく、審判請求人の上記主張を採用することはできない。
　
　
イ．相違点２、４について
　リードフレーム或いはプリント基板・フレキシブルシート等の支持基板を用いずに半導体素子及び外部電極を樹脂封止し、外部電極のみを封止樹脂から露出させる半導体装置において、半導体素子の下方に形成された電極部材上に、絶縁性の接着剤により半導体素子を固着することは、刊行物３摘記事項（刊３ｃ）、（刊３ｅ）〜（刊３ｇ）、下記刊行物４の記載及び図７に示されているように周知の事項である。
　そして、刊行物１発明における半導体チップの固着は、具体的な接着剤として、「Ａｇ」のみが例示されているものの、「Ａｇペーストなどの周知の接着剤」として、「Ａｇ」のみが必須の接着剤ではないこと、また、絶縁性の接着剤としては、上記のように刊行物３，４等周知のものであり、周知の接着剤はその用途に応じて、例えば、刊行物４の【００８６】に記載のように、絶縁性樹脂、シリコーン等の絶縁性材料の接着剤或いはロウ材、導電ペースト等の金属系材料の接着剤等、適宜選択されるものである。
　したがって、刊行物１発明においても、絶縁性の接着剤を選択することは、封止する半導体チップの種類、半導体チップの下部電極の用途等に応じて、適宜選択しうる当業者の設計的事項にすぎない。　
　そして、半導体素子下部の電極にアンカー部を形成し、当該電極の周囲の湾曲部（アンカー部）及び上面絶縁性の接着剤を設けてアンカー効果を持たせることも刊行物３、４に記載及び図示されていることから、刊行物１発明において、周知の絶縁性接着剤及びアンカー部を採用すれば、「絶縁性の接着剤を配線パターンの裏面のアンカー部に充填して配線パターンを用いてアンカー効果を発生させ」ることとなることは明らかである。
　したがって、上記相違点２，４に係る構成は、刊行物１発明及び刊行物２、３、４に記載された周知技術から当業者が容易に想到し得たものである。
　
＜周知文献の記載事項＞
　刊行物４：特開２００２−９３８４７号公報
　「【００８０】また前記導電パターン７２Ａ〜７２Ｄの側面は、非異方性でエッチングされ、ここではウェットエッチンクで形成されるため湾曲構造を有し、この湾曲構造によりアンカー効果を発生している。」
　「【００８１】本構造は、半導体素子７３と、複数の導電パターン７２Ａ〜７２Ｃ、放熱用の電極７２Ｄと、金属細線Ｗ、絶縁性接着手段ＡＤ、これらを埋め込む絶縁性樹脂７１で構成される。また半導体素子７３の配置領域に於いて、導電パターン７２Ｂ〜７２Ｄの上およびその間の分離溝７５には、前記絶縁性接着手段ＡＤが形成され、特にエッチングにより形成された分離溝７５に前記絶縁性接着手段ＡＤが設けられる。そして、導電パターン７２Ａ〜７２Ｄの裏面が露出される様に、絶縁性樹脂７１で封止されている。」
　「【００８６】しかも導電パターン７２Ａ〜７２Ｄの裏面は、パッケージの裏面に露出している。よって、放熱用の電極７２Ｄの裏面は、実装基板上の電極と固着でき、この構造により、半導体素子７３から発生する熱は、実装基板上の電極に放熱でき、半導体素子７３の温度上昇を防止でき、その分半導体素子７３の駆動電流を増大できる構造が実現できる。また放熱用の電極７２Ｄと実装基板上の電極を熱的に結合させる方法として、ロウ材または導電ペーストで接続しても良いし、シリコーン等の熱伝導の優れた絶縁材料を間に配置しても良い。」
　図７には、封止用の絶縁性樹脂が、半導体素子及び電極を覆うと共に、半導体素子周囲の電極のその湾曲部に前記絶縁性樹脂が入り込み、また、放熱用電極の上部に絶縁性接着手段で半導体素子を固着すると共に、放熱用電極の周囲及びその湾曲部にも前記絶縁性接着手段が入り込んでいることが図示されている。
　
　また、上記各相違点１〜５に係る構成によって奏される効果は、各周知技術等から予測しうる程度のものであり格別な点はなく、格別顕著な相乗的な効果も見出せない。
　
　よって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明及び刊行物２〜４に記載された周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
　
３．まとめ
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３．本願発明について　
［１］本願発明
　平成２０年１０月　１日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１−４のうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２０年　６月１３日付の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】　第１の導電膜を所望のパターンにフルエッチングして形成された導電パターン層と、
　前記導電パターン層の裏面に設けられ、前記導電パターン層よりも内側に窪んだアンカー部を有する第３の導電膜で形成された外部電極と、
　前記導電パターン層上に固着された半導体素子と、
　前記半導体素子を被覆し、前記アンカー部で前記導電パターン層を覆い、前記導電パターン層とを結合された封止樹脂層とを具備し、
　前記封止樹脂層および前記外部電極となる第３の導電膜の裏面を平坦になるように露出させることを特徴とする回路装置。」
　
［２］引用刊行物及びその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願日前に頒布された刊行物１，２の摘記事項は、上記「第２．［２］２．１）引用刊行物とその摘記事項」及び同「２．２）当審の判断」に記載されたとおりである。
　
［３］対比・判断
　本願発明は、前記「第２．［２］２．２）当審の判断」で検討した本願補正発明の
ア．「固着」を「
絶縁接着層で
イ．「半導体素子を被覆し、前記アンカー部で前記導電パターン層と
結合された
前記導電パターン層の側面及び裏面の
を覆う
ウ．「
前記絶縁接着層を前記導電パターン層の裏面の前記アンカー部に充填して前記導電パターンを用いてアンカー効果を発生させ
エ．「
前記封止樹脂層も前記導電パターン層の裏面の前記アンカー部に充填して前記導電パターン層を用いてアンカー効果を発生させ
との各限定事項を省いたものである。
　
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が前記「第２．［２］２．２）当審の判断」に記載したとおり、刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　そこで、本願発明と刊行物１発明とを対比すると、両者は、
　「第１の導電膜を所望のパターンにフルエッチングして形成された導電パターン層と、
　前記導電パターン層の裏面に設けられ、第３の導電膜で形成された外部電極と、
　前記導電パターン層上に固着された半導体素子と、
　前記半導体素子を被覆し、前記導電パターン層を覆い、前記導電パターン層とを結合された封止樹脂層とを具備し、
　前記封止樹脂層および前記外部電極となる第３の導電膜の裏面を平坦になるように露出させることを特徴とする回路装置。」
の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
＊相違点１：本願発明は、「導電パターン層の裏面に設けられ、前記導電パターン層よりも内側に窪んだアンカー部を有する第３の導電膜」を有しているのに対して、刊行物１発明において、そのようなアンカー部が明記されていない点。
＊相違点２: 本願発明において、封止樹脂層が「半導体素子を被覆し、前記アンカー部で前記導電パターン層を覆う」のに対して、刊行物１発明にはそのようなことが記載されていない点。
　
　そこで、上記相違点１、２について検討する。
　相手側部材に対して突起状の部位を形成すれば、アンカー効果発生すること自体は種々の技術分野で知られている周知技術であり、刊行物２に記載されているように、半導体装置の技術分野においても、エッチング速度のことなる２層の電極構造において、下層を窪ませ、上層を突出させる構造を非異方性のウェットエッチングにより形成することで、アンカー部を形成する技術が知られている。
　また、刊行物２に記載されたアンカー部の形成に際しては、エッチング速度の差を有している材料を積層しさえすればよく、特定の材質に限定された積層順序自体が必須の構成でないことは明らかであり、刊行物１発明においても、エッチング速度の差の違いに基づいて多層構造の電極のパターン形成を行っていること、刊行物１発明及び刊行物２に記載された前記技術は共に、リードフレーム、フレキシブル基板等の支持基板を用いずに半導体チップ及び外部電極を樹脂封止すると共に、外部電極のみを露出させる半導体装置の技術分野であり、外部電極の脱け防止は自明の課題で有ることから、刊行物１発明において、外部電極にアンカー部を形成するとの刊行物２に記載された技術を適用すること自体に、格別の困難性はない。
　したがって、本願発明は、刊行物１，２に記載された発明および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［４］むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１，２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の請求項２〜４に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。