【事件の表示】
　平成１０年特許願第２７１１９７号「熱処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年４月７日出願公開，特開２０００−１００７４２〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１０年９月２５日の出願であって，平成２０年４月１８日付けで手続補正がなされたところ，同年７月１０日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，同年８月１２日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，同年９月９日付けで手続補正がなされ，その後当審において，平成２２年６月１１日付けで審尋がなされ，同年８月９日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２０年９月９日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，平成２０年４月１８日付けで補正された本件補正前の請求項１を削除し，本件補正前の請求項２を本件補正後の請求項１とする補正を含むものであって，本件補正前の請求項２及び本件補正後の請求項１は，以下のとおりである。
（１）本件補正前の請求項２
「【請求項２】　基板の加熱処理を行う熱処理装置であって，
(a) 基板を搬入出する開口部が形成された処理室と，
(b) 前記処理室の前記開口部に対向する位置に設けられて前記処理室内に所定のガスを導入する第１のガス導入口を備え，前記処理室内の基板面に沿ってガス流を形成させる第１のガス導入部と，
(c) 前記処理室内に収容された基板面と略平行な面内に形成された複数のガス吹き出し口と，前記複数のガス吹き出し口に対して前記基板面と反対側に形成された一定容量の空間に所定のガスを導入する第２のガス導入口とを備え，前記処理室内の基板面全体に向けて略垂直なガス流を形成させる第２のガス導入部と，
(d) 前記処理室に収容された基板よりも前記開口部側に設けられ，前記処理室内に導入されたガスを前記処理室の外部に排気するガス排気口と，
を備え，
　基板を前記処理室に搬入出する際に，前記第１のガス導入口及び前記第２のガス導入口からガスを導入するとともに，前記第１のガス導入口より導入されるガス量が，前記第２のガス導入口より導入されるガス量よりも大きくなるように制御されることを特徴とする熱処理装置。」
（２）本件補正後の請求項１
「【請求項１】　基板の加熱処理を行う熱処理装置であって，
(a) 基板を搬入出する開口部が形成された処理室と，
(b) 前記処理室の前記開口部に対向する位置に設けられて前記処理室内に所定のガスを導入する第１のガス導入口を備え，前記処理室内の基板面に沿ってガス流を形成させる第１のガス導入部と，
(c) 前記処理室内に収容された基板面と略平行な面内に形成された複数のガス吹き出し口と，前記複数のガス吹き出し口に対して前記基板面と反対側に形成された一定容量の空間に所定のガスを導入する第２のガス導入口とを備え，前記処理室内の基板面全体に向けて略垂直なガス流を形成させる第２のガス導入部と，
(d) 前記処理室に収容された基板よりも前記開口部側の前記処理室に設けられ，前記処理室内に導入されたガスを前記処理室の外部に排気するガス排気口と，
を備え，
　基板を前記処理室に搬入出する際に，前記第１のガス導入口及び前記第２のガス導入口からガスを導入するとともに，前記第１のガス導入口より導入されるガス量が，前記第２のガス導入口より導入されるガス量よりも大きくなるように制御され，
　前記処理室内のガスの置換を行う際に，前記第１のガス導入口と前記第２のガス導入口との双方より同一種のガスが導入されることを特徴とする熱処理装置。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正のうち，本件補正後の請求項１に関する補正事項は，本件補正前の請求項２の「(d) 前記処理室に収容された基板よりも前記開口部側に設けられ，」を，本件補正後の請求項１の「(d) 前記処理室に収容された基板よりも前記開口部側の前記処理室に設けられ，」と補正し，また，本件補正前の請求項２の「制御されることを特徴とする熱処理装置。」を，本件補正後の請求項１の「制御され，　前記処理室内のガスの置換を行う際に，前記第１のガス導入口と前記第２のガス導入口との双方より同一種のガスが導入されることを特徴とする熱処理装置。」と補正することである。
　
３　補正の目的の適否
　本件補正後の請求項１に関する補正事項は，本件補正前の請求項２の「ガス排気口」について，「前記開口部側の前記処理室に設けられ」る構成として，ガス排気口の位置を限定的に減縮し，また，本件補正前の請求項２の「ガスを導入する」ことについて，「前記処理室内のガスの置換を行う際に，前記第１のガス導入口と前記第２のガス導入口との双方より同一種のガスが導入される」構成を追加して，限定的に減縮したものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
４　独立特許要件の検討
　以上で検討したとおり，本件補正後の請求項１に関する補正事項は，平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから，本件補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて，さらに検討を進める。
　
４−１　本件補正後の請求項１に係る発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は，本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものであって，上記１（２）に摘示したとおりのものである。
　
４−２　引用例に記載された発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６２−１７４９２３号公報（昭和６２年７月３１日出願公開，以下「引用例」という。）には，次の記載がある。（下線は当審で付加，以下同じ。）
ア　「２．各種反応ガスを，容器内に導入し，必要なガスの流量制御が各々のガス種について可能であり，枚葉式，かつ，秒オーダーで上記
試料を加熱処理できることを特徴とする枚葉式薄膜形成装置
イ　第２図を参照して，「第２図に示すように，枚葉式薄膜形成装置を作製した。試料８表面上に薄膜を形成する反応容器９は，内容積が０．３ ｌの石英製容器とし，上記
反応容器９には，パージ用ガス導入筒１０
，反応用ガス導入筒１１
，および反応ガス排気筒１２を設けた
ウ　第２図を参照して，「さらに，上記
反応容器９内へ試料８の搬送が行えるように，パージガス排気筒２１を有するドア２２を設けた
反応容器内９内へ反応ガス導入は
ガス配管３３を介して反応ガス制御部３４に導入されたのち，必要ガスを
反応容器９に接続された反応ガス導入筒１１に供給
ガス制御部３４では試料８表面で均一に薄膜形成が行えるように，流量制御された複数のガス種を，
反応容器９に設けた１００個の反応ガス導入筒１１に割り当ること
反応ガス導入筒１１を１００個設け
試料８表面上により均一に反応ガスが導入され，より均一に反応を生じさせ，均一な膜形成を行う
エ　第２図を参照して，「反応容器９への水素ガス導入後，１０秒経過してから，シリコン基板８の温度を１１００℃にして，６０秒の水蒸気酸化を行い，水素ガス導入を停止したのち，シリコン基板８の１１００℃加熱を停止した。その直後，窒素ガス流量を計量計２５により５ ｌ／分に制御し，上記反応ガス制御部３４および
反応ガス導入筒１１を通して，窒素パージ
この時，窒素および酸素ガスの排気は，ドア２２に設けた排気筒の他に，反応容器９の反応ガス排気筒１２
オ　第２図を参照して，「（７）リンガラス膜の形成
　
反応容器９内をパージガス導入筒１０から導入された窒素ガス（５ ｌ／分）でパージングしている状態でシリコン基板８を挿入し，ドア２２を閉じた後，３０秒経過してから窒素ガス流量を１ ｌ／分にして，窒素ガスの導入をパージガス導入筒１０から反応ガス導入筒１１に切換えた
カ　第２図を参照して，「シリコン基板８温度が２００℃以下になった時点で
窒素ガスの導入を反応ガス導入筒１１からパージガス導入筒１０に切り換えたのち，シリコン基板８を反応容器から取り出した
（２）上記（１）アによれば，引用例に記載された発明は，試料を加熱処理できることを特徴とする枚葉式薄膜形成装置であり，また，上記（１）エ〜カによれば，実施例において試料とは，シリコン基板８であるから，引用例に記載された発明は，シリコン基板８を加熱処理できる熱処理装置に関するものである。
（３）上記（１）ウによれば，引用例には，反応容器９内へ試料８の搬送が行えるように，パージガス排気筒２１を有するドア２２を設けたことが記載されているから，シリコン基板８の搬送が行えるドア２２を設けた反応容器９が開示されている。
（４）上記（１）イ及びオによれば，引用例には，反応容器９にパージガス導入筒１０を設けたこと，及び，反応容器９内をパージガス導入筒１０から導入された窒素ガスでパージングすることが記載されている。したがって，第２図におけるパージガス導入筒１０とドア２２との位置関係を参酌すると，引用例には，反応容器９のドア２２と反対の位置に設けられ，反応容器９内にパージのための窒素ガスを導入するパージガス導入筒１０が開示されている。
（５）上記（１）イ及びウによれば，引用例には，反応容器９に反応ガス導入筒１１を設けたこと，反応容器９内への反応ガス導入は，ガス配管３３を介して反応ガス制御部３４に導入されたのち，必要ガスを反応容器９に接続された反応ガス導入筒１１に供給して行うこと，反応ガス制御部３４では試料８表面で均一に薄膜形成が行えるように，流量制御された複数のガス種を，反応容器９に設けた１００個の反応ガス導入筒１１に割り当ること，及び，反応ガス導入筒１１を１００個設け，試料８表面上により均一に反応ガスが導入され，より均一に反応を生じさせ，均一な膜形成を行うことが記載されている。したがって，第２図における反応ガス制御部３４と，反応ガス導入筒１１及びシリコン基板８との位置関係を参酌すると，引用例には，反応容器９に設けられた１００個の反応ガス導入筒１１と，反応ガス導入筒１１に対してシリコン基板８と反対側に形成された反応ガス制御部３４に反応ガスを導入するガス配管３３とにより，シリコン基板８表面上により均一に反応ガスが導入され，より均一に反応を生じさせ，均一な膜形成を行うことが開示されている。
（６）上記（１）イによれば，引用例には，反応容器９に反応ガス排気筒１２を設けたことが記載されているから，反応容器９に設けられた反応ガス排気筒１２が開示されている。
（７）上記（１）ウによれば，引用例には，パージガス排気筒２１を有するドア２２を設けたことが記載されているから，反応容器９のドア２２に設けられたパージガス排気筒２１が開示されている。
（８）上記（１）オ及びカによれば，引用例には，反応容器９内をパージガス導入筒１０から導入された窒素ガス（５ ｌ／分）でパージングしている状態でシリコン基板８を挿入し，ドア２２を閉じた後，３０秒経過してから窒素ガス流量を１ ｌ／分にして，窒素ガスの導入をパージガス導入筒１０から反応ガス導入筒１１に切り換え，また，窒素ガスの導入を反応ガス導入筒１１からパージガス導入筒１０に切り換えたのち，シリコン基板８を反応容器９から取り出すことが記載されている。
（９）よって，引用例には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「シリコン基板８を加熱処理できる熱処理装置であって，
　シリコン基板８の搬送が行えるドア２２を設けた反応容器９と，
　反応容器９のドア２２と反対の位置に設けられ，反応容器９内にパージのための窒素ガスを導入するパージガス導入筒１０と，
　反応容器９に設けられた１００個の反応ガス導入筒１１と，反応ガス導入筒１１に対してシリコン基板８と反対側に形成された反応ガス制御部３４に反応ガスを導入するガス配管３３とにより，シリコン基板８表面上により均一に反応ガスが導入され，より均一に反応を生じさせ，均一な膜形成を行うことと，
　反応容器９に設けられた反応ガス排気筒１２と，
　反応容器９のドア２２に設けられたパージガス排気筒２１と，
を備え，
　反応容器９内をパージガス導入筒１０から導入された窒素ガス（５ ｌ／分）でパージングしている状態でシリコン基板８を挿入し，ドア２２を閉じた後，３０秒経過してから窒素ガス流量を１ ｌ／分にして，窒素ガスの導入をパージガス導入筒１０から反応ガス導入筒１１に切り換え，また，窒素ガスの導入を反応ガス導入筒１１からパージガス導入筒１０に切り換えたのち，シリコン基板８を反応容器９から取り出すことを特徴とする熱処理装置。」
　
４−３　補正発明と引用発明との対比
（１）引用発明の「シリコン基板８」は，補正発明の「基板」に相当する。
（２）引用発明の「ドア２２」，「反応容器９」は，補正発明の「開口部」，「処理室」にそれぞれ相当するから，引用発明の「シリコン基板８の搬送が行えるドア２２を設けた反応容器９」は，補正発明の「基板を搬入出する開口部が形成された処理室」に相当する。
（３）引用発明の「パージのための窒素ガス」，「パージガス導入筒１０」は，補正発明の「所定のガス」，「第１のガス導入口」にそれぞれ相当するから，引用発明の「反応容器９のドア２２と反対の位置に設けられ，反応容器９内にパージのための窒素ガスを導入するパージガス導入筒１０」は，補正発明の「前記処理室の前記開口部に対向する位置に設けられて前記処理室内に所定のガスを導入する第１のガス導入口」に相当する。そして，引用例の第２図におけるパージガス導入筒１０と，反応容器９及びシリコン基板８との位置関係を参酌すれば，引用発明においても，反応容器９内のシリコン基板８表面上に沿ってパージガスの流れを形成していることは明らかである。したがって，引用発明は，補正発明の「前記処理室の前記開口部に対向する位置に設けられて前記処理室内に所定のガスを導入する第１のガス導入口を備え，前記処理室内の基板面に沿ってガス流を形成させる第１のガス導入部」に相当する構成を具備している。
（４）引用発明の「１００個の反応ガス導入筒１１」は，引用例の第２図における反応ガス導入筒１１と，反応容器９及びシリコン基板８との位置関係を参酌すれば，反応容器９内のシリコン基板８表面と略平行な面内に形成されていることは明らかであるから，補正発明の「複数のガス吹き出し口」に相当する。また，引用発明の「反応ガス」，「ガス配管３３」は，補正発明の「所定のガス」，「第２のガス導入口」にそれぞれ相当する。そうすると，引用発明の「反応容器９に設けられた１００個の反応ガス導入筒１１と，反応ガス導入筒１１に対してシリコン基板８と反対側に形成された反応ガス制御部３４に反応ガスを導入するガス配管３３」は，補正発明の「前記処理室内に収容された基板面と略平行な面内に形成された複数のガス吹き出し口と，前記複数のガス吹き出し口に対して前記基板面と反対側に形成された一定容量の空間に所定のガスを導入する第２のガス導入口」に対応し，引用発明の「反応ガス制御部３４」が補正発明の「一定容量の空間」に相当するものであるか否かは別にして，補正発明と引用発明とは，「前記処理室内に収容された基板面と略平行な面内に形成された複数のガス吹き出し口と，前記複数のガス吹き出し口に対して前記基板面と反対側に形成された」部分「に所定のガスを導入する第２のガス導入口」を有する点で共通する。
　そして，引用発明は，「反応容器９に設けられた１００個の反応ガス導入筒１１と，反応ガス導入筒１１に対してシリコン基板８と反対側に形成された反応ガス制御部３４に反応ガスを導入するガス配管３３とにより，シリコン基板８表面上により均一に反応ガスが導入され，より均一に反応を生じさせ，均一な膜形成を行う」ものであるから，引用例の第２図における反応ガス導入筒１１と，反応容器９及びシリコン基板８との位置関係を参酌すれば，反応容器９内のシリコン基板８表面全体に向けて略垂直なガス流を形成していることは明らかである。したがって，引用発明の「反応ガス制御部３４」が補正発明の「一定容量の空間」に相当するものであるか否かは別にして，引用発明は，補正発明の「前記処理室内に収容された基板面と略平行な面内に形成された複数のガス吹き出し口と，前記複数のガス吹き出し口に対して前記基板面と反対側に形成された」部分「に所定のガスを導入する第２のガス導入口とを備え，前記処理室内の基板面全体に向けて略垂直なガス流を形成させる第２のガス導入部」に対応する構成を具備している。
（５）引用発明の「反応容器９のドア２２に設けられたパージガス排気筒２１」は，引用例の第２図におけるパージガス排気筒２１と，ドア２２，反応容器９及びシリコン基板８との位置関係を参酌すれば，反応容器９内のシリコン基板８よりもドア２２側の反応容器９内に設けられ，反応容器９内に導入されたパージガスを反応容器９の外部に排気することは明らかである。したがって，引用発明は，補正発明の「前記処理室に収容された基板よりも前記開口部側の前記処理室に設けられ，前記処理室内に導入されたガスを前記処理室の外部に排気するガス排気口」に相当する構成を備えている。
（６）引用発明の「反応容器９内を
パージガス導入筒１０から導入された窒素ガス
でパージングしている状態でシリコン基板８を挿入
窒素ガスの導入を反応ガス導入筒１１からパージガス導入筒１０に切り換えたのち，シリコン基板８を反応容器から取り出す
（７）引用発明の「反応容器９内を
パージガス導入筒１０から導入された窒素ガス
パージングしている状態で
窒素ガスの導入をパージガス導入筒１０から反応ガス導入筒１１に切り換え
（８）以上のことを踏まえると，補正発明と引用発明とは，
「基板の加熱処理を行う熱処理装置であって，
(a) 基板を搬入出する開口部が形成された処理室と，
(b) 前記処理室の前記開口部に対向する位置に設けられて前記処理室内に所定のガスを導入する第１のガス導入口を備え，前記処理室内の基板面に沿ってガス流を形成させる第１のガス導入部と，
(c) 前記処理室内に収容された基板面と略平行な面内に形成された複数のガス吹き出し口と，前記複数のガス吹き出し口に対して前記基板面と反対側に形成された部分に所定のガスを導入する第２のガス導入口とを備え，前記処理室内の基板面全体に向けて略垂直なガス流を形成させる第２のガス導入部と，
(d) 前記処理室に収容された基板よりも前記開口部側の前記処理室に設けられ，前記処理室内に導入されたガスを前記処理室の外部に排気するガス排気口と，
を備え，
　基板を前記処理室に搬入出する際に，前記第１のガス導入口からガスを導入し，
　前記処理室内のガスの置換を行う際に，前記第１のガス導入口と前記第２のガス導入口より同一種のガスが導入されることを特徴とする熱処理装置。」
である点で一致し，以下の相違点１〜３で相違する。
相違点１：複数のガス吹き出し口に対して基板面と反対側に形成された部分として，補正発明では，「一定容量の空間」が形成されているのに対し，引用発明では，「反応ガス制御部３４」であって，一定容量の空間に相当するものか否かが不明である点。
相違点２：基板を処理室に搬入出する際に，補正発明では，「前記第１のガス導入口及び前記第２のガス導入口からガスを導入するとともに，前記第１のガス導入口より導入されるガス量が，前記第２のガス導入口より導入されるガス量よりも大きくなるように制御され」るのに対し，引用発明は，「反応容器９内をパージガス導入筒１０から導入された窒素ガス（５ ｌ／分）でパージングしている状態でシリコン基板８を挿入し，ドア２２を閉じた後，３０秒経過してから窒素ガス流量を１ ｌ／分にして，窒素ガスの導入をパージガス導入筒１０から反応ガス導入筒１１に切り換え，また，窒素ガスの導入を反応ガス導入筒１１からパージガス導入筒１０に切り換えたのち，シリコン基板８を反応容器から取り出す」ものであって，シリコン基板８を反応容器９内に挿入又は取り出す場合に，パージガス導入筒１０から窒素ガスを導入しているものの，反応ガス導入筒１１からは導入されておらず，また，仮に同時に導入された場合のガス量の制御についても不明な点。
相違点３：処理室内のガスの置換を行う際に，同一種のガスが，補正発明では，「前記第１のガス導入口と前記第２のガス導入口との双方より」導入されるのに対し，引用発明では，パージガス導入筒１０から反応ガス導入筒１１に切り換えて導入される点。
　
４−４　当審の判断
（１）相違点１について
ア　まず，本願出願当初の明細書に，一定容量の空間については，次の記載のみがある。
「【００３４】例えば，図３に示したチャンバ１０においてチャンバ１０の上壁部１３と複数の吹き出し口９１が形成された吹き出し板１４との間には
一定容量の空間Ｒ
空間Ｒ
　この記載によれば，補正発明の「一定容量の空間」とは，チャンバ１０の上壁部１３と複数の吹き出し口９１が形成された吹き出し板１４との間に形成されたものであるが，補正発明では，「チャンバ１０の上壁部１３」と「吹き出し板１４」が特定されていないことから，単に第２のガス導入口９０と複数の吹き出し口９１とをつなぐ空間を意味するものであって，一定容量の空間であることに，特別な技術的意義を認めることはできない。
イ　そして，上記４−２（１）ウによれば，引用例では，反応容器９内への反応ガス導入は，ガス配管３３を介して反応ガス制御部３４に導入されたのち，必要ガスを反応ガス導入筒１１に供給し，反応ガス制御部３４では，試料８表面で均一に薄膜形成が行えるように，流量制御された複数のガス種を，反応容器９に設けた１００個の反応ガス導入筒１１に割り当てることが記載されている。そうすると，引用発明の「反応ガス制御部３４」は，少なくとも，ガス配管３３と反応ガス導入筒１１とをつなぐ空間として機能していることは明らかであるから，当然に一定容量の空間を構成しているものと解される。
ウ　したがって，補正発明では，複数のガス吹き出し口に対して基板面と反対側に形成された部分として，「一定容量の空間」が形成されているという相違点１からなる構成は，補正発明と引用発明との実質的な差異と認めることはできない。
（２）相違点３について
ア　次に，相違点３について検討すると，一般にパージを行うに際し，複数の導入筒からパージガスを導入し，複数の排気筒から排気すれば，複数の導入筒及び複数の排気筒を用いたことで，その分パージの効率が向上することは，当業者における技術常識であるから，複数の導入筒や複数の排気筒でバージを行うことは，当業者が必要により適宜行えばよい技術的な設計事項にすぎない。（この技術常識に関しては，前示の本願出願当初の明細書の段落【００３４】にも，「同時に第１のガス導入口８０からもガスを導入することにより，チャンバ１０内のガス置換を効率よく行うことができる。」と例示されている。）
イ　そして，上記４−２（１）エによれば，引用例には，
反応ガス導入筒１１を通して窒素パージを行い
排気は
ドア２２に設けた排気筒（すなわち，パージガス排気筒２１）の他に
反応ガス排気筒１２により行う
ウ　したがって，引用発明において，前示アの当業者における技術常識を採用し，パージを行う際の導入筒として，パージガス導入筒１０から反応ガス導入筒１１に切り換えて導入される構成に代えて，パージガス導入筒１０と反応ガス導入筒１１との双方から導入される構成，すなわち，補正発明の「前記処理室内のガスの置換を行う際に，前記第１のガス導入口と前記第２のガス導入口との双方より」導入される構成とすることは，当業者が必要により適宜行えばよい技術的な設計事項と認められる。
（３）相違点２について
ア　まず，一般に，パージガス導入筒が，反応容器のドアと反対の位置に設けられている場合，シリコン基板の挿入又は取り出しに際して，ドアからの外気の混入を避けるために，パージガスの流れを考慮して，反応容器のドアと反対の位置に設けられたパージガス導入筒から導入されるパージガスの流量を大きくなるように制御することは，例えば下記の周知例１又は２に記載されているように，当業者が必然的に採用する技術常識にすぎない。
　
・周知例１：特開昭６０−１８６０２５号公報（昭和６０年９月２１日出願公開）
ア　「［発明の概要］
　上記目的達成のため，本発明においては不活性ガスを充満させた処理室内に被処理ウェーハを導入し，高エネルギー波を短時間照射して加熱することによりウェーハ表面のアニールを行う瞬間アニール装置において，
前記ウェーハを前記処理室内に導入および排出する際の前記不活性ガスの前記処理室への供給量を加熱時の供給量よりも多くする
外気や塵埃の混入がなく
イ　第２図を参照して，「第２図は本発明の構成の概略を示す系統図であって主に不活性ガスの供給系統を示している。これによれば，
扉２０３を有するウェーハローダ２０２上に載置されたウェーハ２０１を導入した状態で瞬間アニールを行う処理室（炉）１０１にはガス供給孔１０２が設けられ，不活性ガス例えば窒素ガス１００が導かれている
ウ　第２図及び第３図を参照して，「第３図は本発明にかかる瞬間アニール装置の処理室１０１における構成および作用を示す斜視図であって，処理室１０１の壁は透明なものとして描いてある。第３図（ａ）によれば，ウェーハ２０１を載置するローダ２０２を支持している
扉２０３は，加熱処理中，ウェーハ２０１の挿入孔１０３を被い，処理室１０１内を密閉
　これに対し，ローダ２０２が後退してウェーハ２０１が処理室１０１の外にあるときは，第２図における電磁弁１１０は大流量経路側に切換えられ，ガス供給孔１０２からは多量の窒素ガスが供給される。したがって，
扉２０３が処理室１０１より離れ，処理室１０１のウェーハ導入孔１０３が開放状態となっていても，大量の窒素ガスの供給により処理室１０１内は常に窒素ガスの充満状態
ウェーハ２０１を処理室１０１に導入，排出する際に外気の混入がなく，また処理室１０１の内部から外部へ強い窒素ガス流が生じるので塵埃の混入もない
　
・周知例２：特開平９−３１２２９６号公報（平成９年１２月２日出願公開）
　従来の技術として，図１及び図２を参照し，「【０００４】
熱処理炉１０には，後部側にガス導入路２４が形成されており，そのガス導入路２４は，処理ガス，例えば窒素ガスを熱処理炉１０内へ導入
【０００５】上記したような構成の光照射式熱処理装置を用いて
半導体ウエハＷを枚葉で熱処理するには，熱処理炉１０の開口１２側を開放させた状態において，ガス導入装置２８によりガス導入路２４を通して熱処理炉１０内へ窒素ガスを導入し，その窒素ガスを熱処理炉１０の開口１２側から炉口ブロック１４の開口面を通して流出させながら，サセプタ１８に支持されたウエハＷを熱処理炉１０内へ挿入
この際のガス流量は，熱処理炉１０内へ開口１２側から外気が巻き込まれない程度の流量，例えば，熱処理炉１０の内容積が２．４ ｌで開口１２の面積が６５ｃｍ
２
であるとした場合に３０〜５０ ｌ／ｍｉｎに設定
【０００６】熱処理炉１０内へウエハＷの挿入に伴って可動フランジ１６が移動し，可動フランジ１６によって炉口ブロック１４の開口面が閉塞されるが，この過程において，熱処理炉１０内のウエハＷの挿入が終わると，ＣＰＵ４８からの制御信号によってＭＦＣ４４が制御され，熱処理炉１０内へ導入される窒素ガスの流量が熱処理のための流量に切り換えられる。切換え後のガス流量は，前記した流量より少なく，例えば５〜１０  ｌ／ｍｉｎ程度に設定され，熱処理中は，その導入ガス流量に保持される。炉口ブロック１４の開口面が可動フランジ１６によって気密に閉塞されると，図示しないウエハ温度検知装置及び温度コントローラにより，予めプログラムされた所望の温度にウエハＷが光照射加熱される。熱処理が終了すると，
ウエハＷは，熱処理炉１０内において所望の温度まで冷却させられた後，熱処理炉１０内から搬出
この際，ＣＰＵ４８からの制御信号によってＭＦＣ４４が制御され，熱処理炉１０内へ導入される窒素ガスの流量が再び最初の３０〜５０ ｌ／ｍｉｎに切り換えられる
　
イ　また，本願出願当初の明細書には，補正発明の「基板を処理室に搬入出する際に，前記第１のガス導入口及び前記第２のガス導入口からガスを導入するとともに，前記第１のガス導入口より導入されるガス量が，前記第２のガス導入口より導入されるガス量よりも大きくなるように制御され」る構成について，次の記載がある。
「【００４５】また，上記実施形態においては，第１のガス導入口８０によって行われるガス導入と，第２のガス導入口９０によって行われるガス導入とを第１および第２の開閉バルブ８３，９３によって開閉制御する場合について説明したが，これに限定するものでもない。
例えば，基板Ｗをチャンバ１０へ搬入出する際には，第１のガス導入口より導入されるガス量が，第２のガス導入口より導入されるガス量よりも大きくなるように制御されるようにしてもよい
チャンバ１０内への外気の混入を低減することができる
　この記載によれば，本願出願当初の明細書についてみても，補正発明の「基板を処理室に搬入出する際に，前記第１のガス導入口及び前記第２のガス導入口からガスを導入するとともに，前記第１のガス導入口より導入されるガス量が，前記第２のガス導入口より導入されるガス量よりも大きくなるように制御され」る構成は，単に，チャンバ１０内への外気の混入を低減するための一つの実施形態として，例示されたものである。
ウ　そして，引用発明においても，「反応容器９内を
パージガス導入筒１０から導入された窒素ガス（５ ｌ／分）
窒素ガス流量を１ ｌ／分にして，窒素ガスの導入をパージガス導入筒１０から反応ガス導入筒１１に切り換え
　そうすると，パージを行うに際し，パージガス導入筒１０と反応ガス導入筒１１との双方から導入される構成とすることが，当業者が必要により適宜行えばよい技術的な設計事項であることは，前示（２）ウのとおりであるから，引用発明に，前示アの当業者が必然的に採用する技術常識を適用し，シリコン基板８を反応容器９に挿入する際のパージングで，パージガス導入筒１０から反応ガス導入筒１１に窒素ガスを切り換えて導入するとともに，パージガス導入筒１０から導入される窒素ガスの流量５ ｌ／分が，反応ガス導入筒１０から導入される窒素ガスの流量１ ｌ／分よりも大きくなるように制御される構成に代えて，シリコン基板８を反応容器９に挿入する際に，パージガス導入筒１０及び反応ガス導入筒１１から窒素ガスを導入するとともに，パージガス導入筒１０から導入される窒素ガスの流量を，５ ｌ／分とし，反応ガス導入筒１０から導入される窒素ガスの流量１ ｌ／分よりも大きくなるように制御される構成，すなわち，補正発明の「基板を処理室に搬入」「する際に，前記第１のガス導入口及び前記第２のガス導入口からガスを導入するとともに，前記第１のガス導入口より導入されるガス量が，前記第２のガス導入口より導入されるガス量よりも大きくなるように制御され」る構成とすることは，当業者が容易になし得るものである。
エ　また，引用発明では，「窒素ガスの導入を反応ガス導入筒１１からパージガス導入筒１０に切り換えたのち，シリコン基板８を反応容器９から取り出す」のであるから，シリコン基板８を反応容器９から取り出す際のパージングでは，反応ガス導入筒１１からパージガス導入筒１０に窒素ガスを切り換えて導入するように制御されている。
　そうすると，引用発明において，シリコン基板８を反応容器９から取り出す際のパージングの場合についても，シリコン基板８を反応容器９に挿入する際のパージングと同様に，引用発明に，前示アの当業者が必然的に採用する技術常識を適用し，シリコン基板８を反応容器９から取り出す際のパージングで，反応ガス導入筒１１からパージガス導入筒１０に窒素ガスを切り換えて導入するように制御される構成に代えて，シリコン基板８を反応容器９から取り出す際に，パージガス導入筒１０及び反応ガス導入筒１１から窒素ガスを導入するとともに，パージガス導入筒１０から導入される窒素ガスの流量が，反応ガス導入筒１０から導入される窒素ガスの流量よりも大きくなるように制御される構成，すなわち，補正発明の「基板を処理室に搬」「出する際に，前記第１のガス導入口及び前記第２のガス導入口からガスを導入するとともに，前記第１のガス導入口より導入されるガス量が，前記第２のガス導入口より導入されるガス量よりも大きくなるように制御され」る構成とすることも，当業者が容易になし得るものである。
オ　したがって，前示ウ及びエのとおりであるから，引用発明に，当業者における技術常識を適用して，補正発明の「基板を処理室に搬入出する際に，前記第１のガス導入口及び前記第２のガス導入口からガスを導入するとともに，前記第１のガス導入口より導入されるガス量が，前記第２のガス導入口より導入されるガス量よりも大きくなるように制御され」る構成とすることは，当業者が容易に想到し得るものである。
（４）以上のとおり，補正発明は，当業者における技術常識を勘案することにより，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
４−５　独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおりであるから，本件補正は，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであり，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　
５　本件補正についてのむすび
　以上検討したとおり，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので，特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２０年９月９日付けの手続補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１〜５に係る発明は，平成２０年４月１８日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるものであり，その内の請求項２に係る発明（以下「本願発明」という。）は，上記第２，１（１）に摘示したとおりのものである。
　
２　引用発明
　引用発明は，上記第２，４−２（９）で認定したとおりのものである。
　
３　対比・判断
 　上記第２，３で検討したように，補正発明は，本件補正前の請求項２を限定したものである。逆に言えば，本件補正前の請求項２に係る発明（本願発明）は，補正発明から，このような限定をなくしたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである補正発明が，上記第２，４において検討したとおり，当業者における技術常識を勘案することにより，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものということができる。
　
４　まとめ
　以上検討したとおり，本願発明は，当業者における技術常識を勘案することにより，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。