【事件の表示】
　特願２００３−３４８４００「熱電変換材料，熱電変換材料の製造方法及びこれを用いた熱電変換素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　４月２８日出願公開，特開２００５−１１６７４６〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１ 手続の経緯 
　本願は，平成１５年１０月７日の出願であって，平成１９年１１月２０日に手続補正がなされ，平成２０年７月３１日付けで拒絶査定がなされ，それに対して同年９月３日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。 
　 
第２　本願発明   
　本願の請求項１〜６に係る発明は，平成１９年１１月２０日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　 
「【請求項１】　組成式（Ｔｉａ１Ｚｒｂ１Ｈｆｃｌ）ｘＣｏｙＳｂ１００−ｘ−ｙ（０＜ａ１＜１，０＜ｂ１＜１，０＜ｃ１＜１，ａ１＋ｂ１＋ｃ１＝１，３０≦ｘ≦３５，３０≦ｙ≦３５である）で表わされ，ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造を有する相を主相とすることを特徴とする熱電変換材料。」 
　 
第３　引用刊行物に記載された発明 
（１）　刊行物１に記載された発明
　本願の出願前に外国において頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物であるS.Joseph Poon，Electronic and Thermoelectric Properties of Half-Heusler Alloys，SEMICONDUCTORS AND SEMIMETALS，Academic Press，２００１年，VOL.70，３７−７５頁（以下「引用例１」という。）には，以下の記載がある（なお，下線は当合議体にて付加したものである。以下同様。）。 
　 
　ア　”If one of the M'2 sublattices is vacant, the half-Heusler phase (space group F
4
当審訳：「副格子M'2が空孔の場合に，
ハーフホイスラー相（空間群F43m，MgAgAs型）
　
　イ　・・・several of the half-Heusler compounds HfNiSn, TiNiSn, and ZrNiSn were found to exhibit semiconductiong behavior with Seebeck coefficients as large as -200 to -400 μV/K at room temperature・・・. 
当審訳：「ＨｆＮｉＳｎ，ＴｉＮｉＳｎとＺｒＮｉＳｎのようないくつかの
ハーフホイスラー化合物は室温で−２００から−４００μＶ／Ｋのゼーベック係数
　
　ウ　”b. Alloys Based on MCoSb (M=Ti,Zr,Hf) 　
 ρ(T) plots for MCoSb alloys are shown in Fig. 7. Except for its higher ρ(300K), the trend seen in TiCoSb resembles that of TiNiSn(see also Pierre et al., 1997;Tobola et al., 1998). However, unlike ZrNiSn and HfNiSn, SM behavior in ZrCoSb(ρ(300K)〜（審決注：該当する文字がないので「〜」にて代用。以下同様）4×10-2Ω-cm)and HfCoSb(ρ(300K)〜3×10-3Ω-cm, not shown in Fig. 7) is seen to persist up to 300K.・・・In an effort to achieve low thermal conductivity, we have begun to study multinary alloys based on ZrCoSb and HfCoSb (Table I).”
当審訳：「
b. MCoSb (M=Ti,Zr,Hf)型合金
MCoSb合金のρ(T)を図７に示す。
熱伝導率を下げるために，ZrCoSb と HfCoSb の多元合金について検討を始めた（表１）
　
　エ　”Fig. 7. ρ versus T plots for ZrCoSb and (Ti1-xVx)CoSb alloys (Poon et al., 1999; also unpublished data). Bottom plot:ZrCoSb. Other four plots(from top): x=0.005,0.01,0.015, and 0. ・・・”
当審訳：「図７　
ZrCoSb 及び (Ti
1-x
V
x
)CoSb 合金のＴ(温度）に対するρ（抵抗率）の変化
x=
0
　
　オ　また，TABLE I（表１）（４７ページ）から，合金
ＺｒＮｉＳｎ，ＨｆＮｉＳｎ，ＴｉＮｉＳｎ
ＴｉＣｏＳｂ，(Ｚｒ
0.65
Ｈｆ
0.35
)(Ｃｏ，Ｐｔ)(Ｓｎ，Ｓｂ)
　
　ア，イの記載を参照すると，ハーフホイスラー化合物（MgAgAs型結晶）が「ゼーベック係数」を有していることから，熱電変換材料であることが分かる。
　以上を総合すると，引用例１には，以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。 
　
　「組成式ＭＣｏＳｂ（Ｍ＝Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ）で表され，ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造を主相とする熱電変換材料。」
　 
（２）　刊行物２に記載された発明
　本願の出願前に外国において頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用されたS.Sportouch et al., THERMOELECTRIC PROPERTIES OF HALF-HEUSLER PHASES:ErNi1-xCuxSb, YNi1-xCuxSb AND ZrxHfyTizNiSn　18th International Conference on Thermoelectronics, IEEE pp.344-347（以下「引用例２」という。）には，ハーフホイスラー化合物について以下の記載がある。
　
　ア　Solid solutions ZrxHfyTizNiSn(x+y+z=1)
 The solid solutions ZrxHfyTizNiSn were investigated in order to study how three elements disordered on the same site could affect the transport properties and mainly how they could reduce the thermal conductivity. Previously, this kind of triple solid solution (solid solution between ZrNiSn, HfNiSn and TiNiSn) was unexplored. In contrast to the work presented above, we partially substitued the Zr atoms by the isoelectronic atoms, Hf and Ti. Thus, the effect on the band structure is expected to be small, while the phonon mean free path is expected to decrease.
当審訳：「
Zr
x
Hf
y
Ti
z
NiSn(x+y+z=1)固溶体
Zr
x
Hf
y
Ti
z
NiSn固溶体について，同じサイトに無秩序に入った３種の元素によって，主に熱伝導率がどう減少されるか
フォノンの平均自由行程が減少し，バンド構造への影響は小さいことが
　
　イ　また，Table 1（表１）（３４６ページ）から，化合物Zr0.5Hf0.2Ti0.3NiSnの熱起電力が-253（μＶ／Ｋ）で，電気伝導度σが144（Ｓ／ｃｍ）であることが見てとれる。       　
                       　
　ウ　The thermal conductivity as a function of the temperature was measured on three of the most promising samples, Zr0.5Hf0.25Ti0.25NiSn, Zr0.5Hf0.2Ti0.3NiSn and Zr0.5Hf0.1Ti0.4NiSn, and the curves are typical of a semiconductor. The room temperature values are, respectively, 65mW/cm.K, 57mW/cm.K and 61mW/cm.K, which are lower than for the best ZrNiSn sample (about 75mW/cm.K), but higher than in the double disordered solid solution (about 50mW/cm.K).
当審訳：「最も有望な３つの試料Zr0.5Hf0.25Ti0.25NiSn, 
Zr
0.5
Hf
0.2
Ti
0.3
NiSn
温度の関数としての熱伝導率を測定し
室温における値
57mW/cm.K
　
（３）　刊行物３に記載された発明　
　本願の出願前に外国において頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である S.J, Poon et al., Bandgap Feature and Thermoelectric Properties of Ti-Based Half-Heusler Alloys, 18th International Conference on Thermoelectronics, IEEE pp.45-50(以下「引用例３」という。）には，ハーフホイスラー化合物であるTiNiSn及びTiCoSbについて以下の記載がある。
　
　ア　Although we have presented and discussed only two alloy systems namely TiNiSn and TiCoSb, our focused studies have uncovered some new bandgap properties of semiconducting half-Heusler compounds.
当審訳：「TiNiSnとTiCoSbの２つの合金系について上述のような検討を行い，我々の研究によりハーフホイスラー化合物の半導体的なバンドギャップ特性が新たに明らかになった。」（５０ページ右欄２０行〜２３行）
　
（４）　刊行物４に記載された発明
　本願の出願前に外国において頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である　Y.Xia et al., Thermoelectric properties of semimetallic (Zr,Hf)CoSb half-Heusler phases, Journal of Applied Physics,Vol.88, No.4 pp. 1952-1955(以下「引用例４」という。)には以下の記載がある。
　
　ア　FIG.1.(図１）には，
TiCoSb，ZrCoSb及びHfCoSbの抵抗率ρの温度特性
　
　イ　FIG. 5. Thermal conductivity vs temperature for undoped TiCoSb and three ZrCoSb-based compounds. Top to bottom plots (refer to values at 300 K): TiCoSb, ZrCoSb, Zr(Co0.65Pt0.35)(Sb0.65Sn0.35), and (Zr0.65Hf0.35)(Co0.65Pt0.35)(Sb0.65Sn0.35).
当審訳：「図５ ノンドープの
TiCoSb 及び３つのZrCoSb-ベースの化合物
(Zr
0.65
Hf
0.35
)(Co
0.65
Pt
0.35
)(Sb
0.65
Sn
0.35
)
　
第４　対比・判断
（１）　対比 
　本願発明と引用発明１とを対比すると， 
　 
（一致点）
 　本願発明と引用発明１とは，
　「組成式ＭＣｏＳｂで表わされ，ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造を有する相を主相とすることを特徴とする熱電変換材料。」 
　である点で一致し，以下の点で相違する。 
　 
（相違点） 
　本願発明は，組成式が「（Ｔｉａ１Ｚｒｂ１Ｈｆｃｌ）ｘＣｏｙＳｂ１００−ｘ−ｙ（０＜ａ１＜１，０＜ｂ１＜１，０＜ｃ１＜１，ａ１＋ｂ１＋ｃ１＝１，３０≦ｘ≦３５，３０≦ｙ≦３５である）」のに対し，引用発明は「ＭＣｏＳｂ（Ｍ＝Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ）」である点。 
　 
（２）　判断  
　引用例２には，熱電変換材料としてのハーフホイスラー化合物において，組成式ＺｒｘＨｆｙＴｉｚＮｉＳｎ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）のものが記載されており，ＺｒＮｉＳｎのＺｒ原子の一部をＨｆとＴｉで置換することによりフォノンの平均自由行程が減少することから，熱伝導率が下がることが分かる。
　また，引用例１の表１から，ＭＮｉＳｎ（Ｍ＝Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔｉ）と並んで，ＭＣｏＳｂ（Ｍ＝Ｔｉ）及びＭ（Ｃｏ，Ｐｔ）（Ｓｎ，Ｓｂ）合金においてＭ＝Ｚｒ０．６５Ｈｆ０．３５というＺｒの一部がＨｆで置換された合金について調べられていることが，引用例３から，ＴｉＮｉＳｎとＴｉＣｏＳｂとは同じハーフホイスラー化合物の仲間として同列に研究されていることが，引用例４には，ハーフホイスラー化合物においてＴｉＣｏＳｂ，ＺｒＣｏＳｂ及びＺｒＣｏＳｂベースで，Ｚｒ原子をＨｆ原子に一部置換したものも研究されていたことが分かる。
　ハーフホイスラー化合物ＭＣｏＳｂのＭとしてＺｒ，Ｈｆ，Ｔｉとしたものである引用発明と，引用例２に記載されたＺｒＮｉＳｎのＺｒ原子の一部を置換してＺｒｘＨｆｙＴｉｚＮｉＳｎ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）とすることにより，熱伝導率を低減した熱電変換材料が得られることを認識した当業者は，引用例４に記載のＺｒＣｏＳｂのＺｒ原子の一部を他の原子に置換し得ること，引用例１及び引用例３に記載のＴｉＣｏＳｂと同様な熱電変換材料としてＴｉＮｉＳｎがあるという知識があれば，ＺｒＮｉＳｎと同じハーフホイスラー化合物の引用例１に記載のＺｒＣｏＳｂにおいて，Ｚｒ原子の一部をＨｆ，Ｔｉで置換してＺｒｘＨｆｙＴｉｚＣｏＳｂ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）とし，特性の改善を試みることは，容易に想起し得たものと言える。
　そして，本願発明の実施例３，４のＺＴは３００Kで０．０５であり（本願明細書表１参照），引用例２のもの（Ｚｒ０．５Ｈｆ０．２Ｔｉ０．３ＮｉＳｎ）も３００KにおいてＺＴ＝０．０４９（格子比熱伝導率：５７ｍＷ／ｃｍ・Ｋ，電気伝導率：１４４（Ｓ／ｃｍ），熱起電力：−２５３μＶ／Ｋより算出）と，ほとんど変わらないことから，ＺｒＮｉＳｎにおけるＺｒ原子をＨｆ，Ｔｉで一部置換する技術を同じハーフホイスラー化合物のＺｒＣｏＳｂに適用したことにより格別の効果を奏しているとは認められない。
　次に，組成式（Ｔｉａ１Ｚｒｂ１Ｈｆｃｌ）ｘＣｏｙＳｂ１００−ｘ−ｙ のｘ，ｙの範囲について検討する。引用発明のＭＣｏＳｂ（Ｍ＝Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ）は，Ｍ：Ｃｏ：Ｓｂ＝１：１：１を想定しており，本願発明のように書けば，ｘ＝ｙ＝３３．３・・・となり，本願発明の３０≦ｘ≦３５，３０≦ｙ≦３５の範囲に含まれることから，引用発明と本願発明はＭｘＣｏｙＳｂ１００−ｘ−ｙ の組成比において一致する。そして，そもそも化合物の組成比は，目的のものから多少ずれることは製造上避けられないことであり，組成比を所定の範囲内に設定することは通常行うことであって，（Ｔｉａ１Ｚｒｂ１Ｈｆｃｌ）ＣｏＳｂの１：１：１の組成を中心として含む，３０≦ｘ≦３５，３０≦ｙ≦３５という範囲を設定することは当業者が適宜なし得たことである。
　したがって，引用発明１の熱電変換材料において，引用例２〜４に記載の技術を適用し，組成式（Ｔｉａ１Ｚｒｂ１Ｈｆｃｌ）ｘＣｏｙＳｂ１００−ｘ−ｙ（０＜ａ１＜１，０＜ｂ１＜１，０＜ｃ１＜１，ａ１＋ｂ１＋ｃ１＝１，３０≦ｘ≦３５，３０≦ｙ≦３５）のものとすることは，当業者ならば容易に想到し得たものである。
　 
（３）　判断についてのまとめ  
　以上検討したとおり，本願発明は，引用例１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって，本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　 
第５　むすび  
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。  
　 
　よって，結論のとおり審決する。