【事件の表示】
　特願２００３−５３９８３２「高アスペクト比形態のエッチング方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　５月　８日国際公開、ＷＯ０３／３７４９７、平成１７年　３月２４日国内公表、特表２００５−５０８０７８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本件出願は、２００２年１０月３１日（外国庁受理、パリ条約による優先権主張２００１年１０月３１日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１６年４月３０日付けで特許法第１８４条の５第１項に規定する書面が提出されるとともに特許法第１８４条の４第１項に規定する明細書、請求の範囲、図面、及び要約の翻訳文が提出され、平成１９年１１月２７日付けで拒絶理由が通知され、平成２０年２月４日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２１年２月１６日付けで拒絶査定がなされ、同年３月２６日付けで同拒絶査定に対する審判請求がなされ、同年４月２７日付けで特許請求の範囲を補正する手続補正書が提出され、同年６月１１日付けで審判請求書の請求の理由を変更する手続補正書（方式）が提出され、その後、当審において平成２２年８月２７日付けで書面による審尋がなされ、それに対して同年１１月１日付けで回答書が提出され、平成２３年１月１３日付けで平成２１年４月２７日付け手続補正書による手続補正が却下されるとともに拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）が通知され、平成２３年３月２２日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものである。  
　 
第２　本願発明 
　本件出願の特許請求の範囲の請求項１ないし５６に係る発明は、平成２３年３月２２日付け手続補正書並びに平成１６年４月３０日付けで提出された明細書及び図面の翻訳文の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし５６に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。 
　
　「【請求項１】
　酸素化合物ガスを含む第１のガスと、フッ素を含む第２のガスと、塩素を含む第３のガスと、を同時に有するプロセスガスを供給する工程と、
　そのプロセスガスからプラズマを生成する工程と、
　前記プロセスガスを使用して前記シリコン基板にエッチング処理を行う工程と、を具備するシリコン基板をエッチングする方法。」 
　
第３　引用文献 
　当審拒絶理由に引用された、本件出願の優先日前に日本国内で頒布された刊行物である特開平８−１１５９００号公報（以下、「引用文献」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。  
　  
１　「【特許請求の範囲】
　【請求項１】　酸化炭素、酸化窒素および酸化イオウから選ばれる少なくとも１種の無機酸化物ガスと、ハロゲン系ガスを含む混合ガスにより、シリコン系材料層をプラズマエッチングすることを特徴とする、シリコン系材料層のパターニング方法。
　【請求項２】・・・（中略）・・・　
　【請求項３】　酸化炭素は、ＣＯ、ＣＯ2 およびＣ3 Ｏ2 のうちのいずれかであることを特徴とする、請求項１または２記載のシリコン系材料層のパターニング方法。
　【請求項４】　酸化窒素は、Ｎ2 Ｏ、ＮＯ、Ｎ2 Ｏ3 、ＮＯ2 およびＮＯ3 のうちのいずれかであることを特徴とする、請求項１または２記載のシリコン系材料層のパターニング方法。
　【請求項５】　酸化イオウは、ＳＯおよびＳＯ2 のうちのいずれかであることを特徴とする、請求項１または２記載のシリコン系材料層のパターニング方法。
　【請求項６】・・・（中略）・・・
　【請求項７】　シリコン系材料層は、単結晶シリコン、多結晶シリコンおよび非晶質シリコンのうちのいずれかであることを特徴とする、請求項１または２記載のシリコン系材料層のパターニング方法。」（【特許請求の範囲】の【請求項１】ないし【請求項７】）  
　
２　「【００１８】また本発明で採用するハロゲン系ガスは特に制限を設けるものでなく、Ｆ系ガス、Ｃｌ系ガス、Ｂｒ系ガスおよびＩ系ガス等のハロゲンガスあるいはハロゲン元素を含む化合物ガスを任意に用いてよい。ただしエッチングレートの観点からは蒸気圧の大きいＳｉＦx 、ＳｉＣｌx 等を生成できる、ＳＦ6 やＣｌ2 等のＦ系ガスやＣｌ系ガスの使用が好ましい。Ｂｒ系ガスは、特に下地ゲート絶縁膜等との選択比を確保しダメージを防止する場合に用いて有用である。ＣＦＣ系ガスは排除することは先述した通りである。」（【００１８】）  
　  
３　「【００２６】本発明は以上のような技術的思想を基本原理としているが、さらに一層の高異方性、低パーティクル化と高選択比を目指す方法をも提供する。その一つは、酸化炭素、酸化窒素および酸化イオウのうちの少なくとも１種の無機酸化物ガスとハロゲン系ガスを含む混合ガスに、さらにハロゲン化イオウガスを添加するとともに、被処理基板を室温以下に制御しながらプラズマエッチングするものである。これにより、上述した側壁保護強化の機構に加えて、イオウ系材料をも側壁保護膜として併用しこの膜質をさらに強化できる。イオウ系材料としては、遊離の元素状イオウまたはポリチアジル（ＳＮ）n を利用することができる。Ｓ2 Ｆ2 、ＳＦ2 、ＳＦ4 、Ｓ2 Ｆ10、Ｓ2 Ｃｌ2 、Ｓ3 Ｃｌ2 、ＳＣｌ2 、Ｓ2 Ｂｒ2 、Ｓ3 Ｂｒ2 およびＳＢｒ2 等のハロゲン化イオウガスは、放電解離条件下でプラズマ中に遊離のイオウを生成し、元素状のイオウを被処理基板上に堆積してイオウの側壁保護膜を形成する。・・・（中略）・・・を形成する。」（【００２６】） 
　 
４　「【００２９】実施例１
本実施例は、本発明をシャロートレンチ加工に適用し、Ｃｌ2 ／ＣＯを含む混合ガスにより単結晶シリコン基板をパターニングした例であり、これを図１（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
【００３０】本実施例で用いた被処理基板は、単結晶シリコン基板１上にパッド酸化膜２、多結晶シリコン膜３および所定の形状にパターニングされたレジストマスク５を順次形成したものである。パッド酸化膜２は単結晶シリコン基板１を熱酸化して１０ｎｍの厚さに形成したものであり、また多結晶シリコン膜３は例えば減圧ＣＶＤにより１５０ｎｍの厚さに形成したもので、いずれもプラズマエッチング中のレジストマスク４の膜減りによるパターンエッジの後退がトレンチの形状に反映しないよう、バッファ層として設けた膜であるが、これを省略することも可能である。さらにレジストマスク４は、一例としてネガ型３成分系化学増幅レジストであるシプレー社製ＳＡＬ−６０１を用いて膜厚７００ｎｍに形成し、これをＫｒＦエキシマレーザリソグラフィとアルカリ現像により、０．３５μｍおよび１．０μｍの複数の異なる開口幅を有するパターンに形成したものである。
【００３１】図１（ａ）に示すこの被処理基板を基板バイアス印加型ＥＣＲプラズマエッチング装置の基板ステージ上にセッティングし、一例として下記プラズマエッチング条件で多結晶シリコン膜３、パッド酸化膜２および多結晶シリコン基板１を連続的にパターニングした。
Ｃｌ2 流量　　　　　　　２０　ｓｃｃｍ
ＣＯ流量　　　　　　　　１０　ｓｃｃｍ
ガス圧力　　　　　　０．６７　Ｐａ
マイクロ波パワー　　　８５０　Ｗ（２．４５ＧＨｚ）
ＲＦバイアスパワー　　　３０　Ｗ（２ＭＨｚ）
基板温度　　　　　　　　常温
本エッチング工程においては、Ｃｌ2 の解離により生成するＣｌ* を主エッチング種とするラジカル反応が、Ｃｌx + 、ＣＯ+ 等のイオンにアシストされる機構でエッチングが進行し、レジストマスク４から露出する多結晶シリコン膜３とパッド酸化膜２および単結晶シリコン基板１が除去される。・・・（中略）・・・図１（ｂ）ではこの側壁保護膜５は、厚さを誇張して示してあるが、実際には極めて薄い膜であり、パターン変換差の発生は少ない。」（【００２９】ないし【００３１】） 
　
　また、上記３を整理すると、引用文献から、以下の事項を摘記することができる。
　
５　上記３の「本発明は以上のような技術的思想を基本原理としているが、さらに一層の高異方性、低パーティクル化と高選択比を目指す方法をも提供する。その一つは、酸化炭素、酸化窒素および酸化イオウのうちの少なくとも１種の無機酸化物ガスとハロゲン系ガスを含む混合ガスに、さらにハロゲン化イオウガスを添加するとともに、被処理基板を室温以下に制御しながらプラズマエッチングするものである。」という記載から、引用文献には、酸化炭素、酸化窒素および酸化イオウのうちの少なくとも１種の無機酸化物ガスと、ハロゲン系ガスと、ハロゲン化イオウガスを同時に有するものを混合ガスとして供給することが記載されているといえる。
　
　上記１ないし４の記載事項、５の摘記事項、並びに図面の記載からみて、引用文献には次の発明（以下、「引用文献記載の発明」という。）が記載されていると認める。  
　
　「酸化炭素、酸化窒素および酸化イオウから選ばれる少なくとも１種の無機酸化物ガスと、ハロゲン系ガスと、ハロゲン化イオウガスと、を同時に有する混合ガスを供給する工程と、
　プラズマを生成する工程と、
　被処理基板にエッチング処理を行う工程と、を具備する被処理基板をエッチングする方法。」
　
第４　対比 
　本願発明と引用文献記載の発明を対比する。  
　 
　引用文献記載の発明における「酸化炭素、酸化窒素および酸化イオウから選ばれる少なくとも１種の無機酸化物ガス」は、本願発明における「酸素化合物ガスを含む第１のガス」に相当し、以下、同様に、「混合ガス」は「プロセスガス」に相当する。 
　
　また、上記「第３　４」の「本実施例は、本発明をシャロートレンチ加工に適用し、Ｃｌ2 ／ＣＯを含む混合ガスにより単結晶シリコン基板をパターニングした例であり」及び「図１（ａ）に示すこの被処理基板を基板バイアス印加型ＥＣＲプラズマエッチング装置の基板ステージ上にセッティングし、一例として下記プラズマエッチング条件で多結晶シリコン膜３、パッド酸化膜２および多結晶シリコン基板１を連続的にパターニングした。」という記載からみて、引用文献記載の発明における「被処理基板」は、本願発明における「前記シリコン基板」及び「シリコン基板」に相当する。　
　
　さらに、上記「第３　３」の「酸化炭素、酸化窒素および酸化イオウのうちの少なくとも１種の無機酸化物ガスとハロゲン系ガスを含む混合ガスに、さらにハロゲン化イオウガスを添加する」という記載からみて、引用文献記載の発明における「ハロゲン系ガス」と「ハロゲン化イオウガス」が、異なる種類のガスであることは明らかであるから、引用文献記載の発明における「ハロゲン系ガスと、ハロゲン化イオウガス」と本願発明における「フッ素を含む第２のガスと、塩素を含む第３のガス」は、「ハロゲンを含む２種類のガス」である限りで一致する。
　
　さらにまた、引用文献記載のものは、「混合ガス」（本願発明における「プロセスガス」に相当する。）以外のガスを入れずにプラズマエッチングを行っているのであり、プラズマが「混合ガス」から生成されていることは明らかであるので、引用文献記載の発明における「プラズマを生成する工程」は、本願発明における「そのプロセスガスからプラズマを生成する工程」に相当する。
　
　さらにまた、上記「第３　３」の「被処理基板を室温以下に制御しながらプラズマエッチングするものである。」という記載、上記「第３　４」の「本実施例は、本発明をシャロートレンチ加工に適用し、Ｃｌ2 ／ＣＯを含む混合ガスにより単結晶シリコン基板をパターニングした例であり」及び「図１（ａ）に示すこの被処理基板を基板バイアス印加型ＥＣＲプラズマエッチング装置の基板ステージ上にセッティングし、一例として下記プラズマエッチング条件で多結晶シリコン膜３、パッド酸化膜２および多結晶シリコン基板１を連続的にパターニングした。」という記載、並びに上記「第３　５」の摘記事項から、引用文献記載のものは、「混合ガス」を使用して被処理基板にエッチング処理を行うものであることは明らかであるから、引用文献記載の発明における「エッチング処理を行う工程」は、本願発明における「前記プロセスガスを使用して」「エッチング処理を行う工程」に相当する。
　
　したがって、本願発明と引用文献記載の発明は、以下の点で一致する。 
　
　「酸素化合物ガスを含む第１のガスと、ハロゲンを含む２種類のガスと、を同時に有するプロセスガスを供給する工程と、
　そのプロセスガスからプラズマを生成する工程と、
　前記プロセスガスを使用して前記シリコン基板にエッチング処理を行う工程と、を具備するシリコン基板をエッチングする方法。」　
　
　そして、以下の点で相違する。  
　
＜相違点＞  
　「ハロゲンを含む２種類のガス」が、本願発明では、「フッ素を含む第２のガスと、塩素を含む第３のガス」であるのに対し、引用文献記載の発明では、「ハロゲン系ガスと、ハロゲン化イオウガス」である点（以下、「相違点」という。）。 
　
第５　当審の判断  
　そこで、上記相違点について、以下に検討する。 
　 
　引用文献記載の発明における「ハロゲン系ガス」に関して、上記「第３　２」の記載事項に「ＳＦ6 やＣｌ2 等のＦ系ガスやＣｌ系ガスの使用が好ましい。」と具体的に記載され、同じく引用文献記載の発明における「ハロゲン化イオウガス」に関して、上記「第３　３」の記載事項に「Ｓ2 Ｆ2 、ＳＦ2 、ＳＦ4 、Ｓ2 Ｆ10、Ｓ2 Ｃｌ2 、Ｓ3 Ｃｌ2 、ＳＣｌ2 、Ｓ2 Ｂｒ2 、Ｓ3 Ｂｒ2 およびＳＢｒ2 等のハロゲン化イオウガスは、放電解離条件下でプラズマ中に遊離のイオウを生成し、元素状のイオウを被処理基板上に堆積してイオウの側壁保護膜を形成する。」と具体的に記載されている。
　そして、引用文献における「ハロゲン系ガス」及び「ハロゲン化イオウガス」として例示されたものの組合せは、格別多いとはいえない。また、引用文献の【０００５】に「従来、シリコン系材料層のプラズマエッチング用ガスとしてフロン１１３（Ｃ2 Ｃｌ3 Ｆ3 ）に代表されるクロロフルオロカーボン（ＣＦＣ）ガスが多用されてきた。ＣＦＣガスは１分子中にＣｌとＦを構成元素として同時に含有するため、エッチング条件の選択によりＦ* （Ｆラジカル）やＣｌ* によるラジカル反応と、ＣＣｌX + やＣｌ+ の寄与によるイオンアシスト反応のバランスを制御しながらエッチングを進行させることが可能である。」と従来技術としても記載されているように異なる複数のハロゲンをエッチングガスに用いることは良く知られたことである。
　したがって、引用文献記載の発明において、「ハロゲン系ガス」として、「ＳＦ6 等のＦ系ガス」を選択し、その場合に、「ハロゲン化イオウガス」として、引用文献に例示されたガスの中から「Ｓ2 Ｃｌ2 、Ｓ3 Ｃｌ2 、ＳＣｌ2 」のいずれかのガスを選択するように、或いは、「ハロゲン系ガス」として、「Ｃｌ2 等のＣｌ系ガス」を選択し、その場合に、「ハロゲン化イオウガス」として、引用文献に例示されたガスの中から「Ｓ2 Ｆ2 、ＳＦ2 、ＳＦ4 、Ｓ2 Ｆ10」のいずれかのガスを選択するようにして、相違点に係る本願発明の発明特定事項とすることは、当業者であれば容易に想到したことである。
　
　そして、本願発明を全体としてみても、その効果は、引用文献記載の発明からみて格別のものとはいえない。
　
　なお、審判請求人は、平成２３年３月２２日付け意見書において、「酸素化合物ガス（第１のガス）と一緒に、フッ素を含むガス（第２のガス）と塩素を含むガス（第３のガス）とを含むガスをプロセスガスとして使用することによって側壁安定性の優れたＳｉ−Ｓ及びＳｉ−Ｏ結合等を含んでいる側壁膜を生成することを特徴とするものであります。」と主張している。そこで、検討するに、平成２１年４月２７日付け手続補正書による手続補正（平成２３年１月１３日付けで却下されている。）は、「プロセスガス」が「側壁安定性の優れたＳｉ−Ｓ及びＳｉ−Ｏ結合等を含んでいる側壁膜を生成する」ためのものである旨の記載を特許請求の範囲の請求項１に追加するものであったが、平成２３年３月２２日付け手続補正書による補正は、「プロセスガス」が「側壁安定性の優れたＳｉ−Ｓ及びＳｉ−Ｏ結合等を含んでいる側壁膜を生成する」ためのものである旨の記載を特許請求の範囲の請求項１に追加していない。即ち、本件出願の特許請求の範囲の請求項１には、「プロセスガス」が「側壁安定性の優れたＳｉ−Ｓ及びＳｉ−Ｏ結合等を含んでいる側壁膜を生成する」ためのものである旨の記載はなく、また、その為の特別なガス種、その他プロセス条件等の構成も特定されてはいない。よって、上記主張は、特許請求の範囲の請求項１の記載に基づかないものであるので、採用できない。
　また、発明の詳細な説明及び図面に、「側壁安定性の優れたＳｉ−Ｓ及びＳｉ−Ｏ結合等を含んでいる側壁膜を生成する」ために、具体的なガス種ではない任意の「酸素を含む第１のガス」、「フッ素を含む第２のガス」、及び「塩素を含む第３のガス」それぞれの「プロセスガス」中での割合、及びそれぞれのガスの供給圧力や供給時の温度をどのようにするかについて具体的に記載されておらず、さらに、エッチングの際に使用するマスク及びエッチング時の温度等がどのようなものかについても具体的に記載されていないことから、上記主張は、発明の詳細な説明及び図面の裏付けを欠くものであり、この点からも、採用できない。
　
第６　むすび  
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用文献記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件出願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。 
　
　よって、結論のとおり審決する。