【手続補正書】
【提出日】平成23年3月23日(2011.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サブストレートに半導体処理を施す方法において、
ａ．搬入部及び搬出部を備え、それら搬入部及び搬出部は少なくとも１つのサブストレートを通過させることができるように構成された半導体処理チャンバを用意し、
ｂ．前記半導体処理チャンバ内を通る搬送経路に沿って前記少なくとも１つのサブストレートを搬送し、
ｃ．前記半導体処理チャンバ内を通る前記搬送経路に沿って前記少なくとも１つのサブストレートを搬送しているときに当該サブストレートを回転させ、
ｄ．前記少なくとも１つのサブストレートを前記搬送経路に沿って搬送しつつ回転させるのと並行して当該サブストレートに半導体処理を施すことで、当該サブストレートの表面領域の少なくとも一部に当該半導体処理が施されるようにする、
各処理を備える、方法。
【請求項２】
前記サブストレートは非平面的形状サブストレートである、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記搬入部と前記搬出部との間をつなぐ経路が前記搬送経路である、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも１つのサブストレートをその他の複数のサブストレートと共に１つのトレイ上に載置することで処理能力の増大を図る、請求項１記載の方法。
【請求項５】
種別及び処理温度、成膜材料、成膜目標厚さ、前記処理チャンバ内の雰囲気温度、前記処理チャンバ内の真空状態の品質、及び成膜目標領域から成るリストに含まれる変数に応じて回転速度を設定する、請求項１記載の方法。
【請求項６】
種別及び処理温度、成膜材料、成膜目標厚さ、前記処理チャンバ内の雰囲気温度、前記処理チャンバ内の真空状態の品質、及び成膜目標領域から成るリストに含まれる変数に応じて搬送速度を設定する、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記半導体処理は、スパッタ成膜、反応性スパッタ成膜、及び蒸着成膜から成るリストに含まれる処理である、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記半導体処理チャンバは、成膜チャンバから成る、請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記回転は、前記少なくとも１つのサブストレートを長手軸心を中心として回転させることから成る、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
半導体デバイスを製作する方法において、
ａ．搬入部及び搬出部を備え、それら搬入部及び搬出部は少なくとも１つの非平面的形状サブストレートを通過させることができるように構成された半導体処理チャンバを用意し、
ｂ．前記半導体処理チャンバ内を通過させるべく前記少なくとも１つの非平面的形状サブストレートを搬送し、その際に、
ｉ．前記少なくとも１つの非平面的形状サブストレートを回転させると共に、
ｉｉ．前記半導体処理チャンバ内を通る搬送経路に沿って前記少なくとも１つの非平面的形状サブストレートを搬送し、
ｃ．前記半導体処理チャンバ内を通過させて前記少なくとも１つの非平面的形状サブストレートを搬送するのと並行して当該非平面的形状サブストレートに半導体材料の薄膜を成膜し、当該薄膜は当該非平面的形状サブストレートの周面の少なくとも７５％を包含するものとする、
各処理を備える、方法。
【請求項１１】
前記搬入部と前記搬出部との間をつなぐ経路が前記搬送経路である、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの非平面的形状サブストレートをその他の複数の非平面的形状サブストレートと共に１つのトレイ上に載置することで処理能力の増大を図る、請求項１０記載の方法。
【請求項１３】
種別及び処理温度、成膜材料、成膜目標厚さ、前記処理チャンバ内の雰囲気温度、前記処理チャンバ内の真空状態の品質、及び成膜目標領域から成るリストに含まれる変数に応じて回転速度を設定する、請求項１０記載の方法。
【請求項１４】
種別及び処理温度、成膜材料、成膜目標厚さ、前記処理チャンバ内の雰囲気温度、前記処理チャンバ内の真空状態の品質、及び成膜目標領域から成るリストに含まれる変数に応じて搬送速度を設定する、請求項１０記載の方法。
【請求項１５】
前記半導体処理チャンバは、成膜チャンバから成る、請求項１０記載の方法。
【請求項１６】
前記回転は、前記少なくとも１つの非平面的形状サブストレートを長手軸心を中心として回転させることから成る、請求項１０記載の方法。
【請求項１７】
非平面的形状の表面に材料を成膜する方法において、
ａ．搬入部及び搬出部を備え、それら搬入部及び搬出部は少なくとも１つの非平面的形状サブストレートを通過させることができるように構成された成膜チャンバを用意し、
ｂ．前記成膜チャンバ内を通る搬送経路に沿って前記少なくとも１つの非平面的形状サブストレートを搬送し、
ｃ．前記成膜チャンバ内を通る前記搬送経路に沿って前記少なくとも１つの非平面的形状サブストレートを搬送しているときに当該非平面的形状サブストレートを回転させ、
ｄ．前記少なくとも１つの非平面的形状サブストレートを前記搬送経路に沿って搬送しつつ回転させるのと並行して当該非平面的形状サブストレートに少なくとも１つの半導体材料成膜処理を施すことで、当該非平面的形状サブストレートの表面領域の少なくとも一部に当該半導体材料成膜処理が施されるようにする、
各処理を備える、方法。
【請求項１８】
前記搬入部と前記搬出部との間をつなぐ経路が前記搬送経路である、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記少なくとも１つの非平面的形状サブストレートをその他の複数の非平面的形状サブストレートと共に１つのトレイ上に載置することで処理能力の増大を図る、請求項１７記載の方法。
【請求項２０】
種別及び処理温度、成膜材料、成膜目標厚さ、前記処理チャンバ内の雰囲気温度、前記処理チャンバ内の真空状態の品質、及び成膜目標領域から成るリストに含まれる変数に応じて回転速度を設定する、請求項１７記載の方法。
【請求項２１】
種別及び処理温度、成膜材料、成膜目標厚さ、前記処理チャンバ内の雰囲気温度、前記処理チャンバ内の真空状態の品質、及び成膜目標領域から成るリストに含まれる変数に応じて搬送速度を設定する、請求項１７記載の方法。
【請求項２２】
前記回転は、前記少なくとも１つの非平面的形状サブストレートを長手軸心を中心として回転させることから成る、請求項１７記載の方法。
【請求項２３】
非平面的形状サブストレートに半導体処理を施すための装置において、
ａ．搬入部及び搬出部を備え、それら搬入部及び搬出部は少なくとも１つの非平面的形状サブストレートを通過させることができるように構成された半導体処理チャンバと、
ｂ．前記半導体処理チャンバ内を通る搬送経路に沿って前記少なくとも１つの非平面的形状サブストレートを搬送する手段と、
ｃ．前記半導体処理チャンバ内を通る前記搬送経路に沿って前記少なくとも１つの非平面的形状サブストレートが搬送されているときに当該非平面的形状サブストレートを回転させる手段と、
ｄ．前記少なくとも１つの非平面的形状サブストレートが前記搬送経路に沿って搬送されつつ回転させられるのと並行して当該非平面的形状サブストレートに半導体処理を施すことで、当該非平面的形状サブストレートの表面領域の少なくとも一部に当該半導体処理が施されるようにする手段と、
を備えた装置。
【請求項２４】
前記搬入部と前記搬出部との間をつなぐ経路が前記搬送経路である、請求項２３記載の装置。
【請求項２５】
前記少なくとも１つの非平面的形状サブストレートがその他の複数の非平面的形状サブストレートと共に１つのトレイ上に載置されることで処理量の増大が図られている、請求項２３記載の装置。
【請求項２６】
種別及び処理温度、成膜材料、成膜目標厚さ、前記処理チャンバ内の雰囲気温度、前記処理チャンバ内の真空状態の品質、及び成膜目標領域から成るリストに含まれる変数に応じて回転速度が設定されている、請求項２３記載の装置。
【請求項２７】
種別及び処理温度、成膜材料、成膜目標厚さ、前記処理チャンバ内の雰囲気温度、前記処理チャンバ内の真空状態の品質、及び成膜目標領域から成るリストに含まれる変数に応じて搬送速度が設定されている、請求項２３記載の装置。
【請求項２８】
前記半導体処理は、スパッタ成膜、反応性スパッタ成膜、及び蒸着成膜から成るリストに含まれる処理である、請求項２３記載の装置。
【請求項２９】
前記半導体処理チャンバは、成膜チャンバから成る、請求項２３記載の装置。
【請求項３０】
前記回転は、前記少なくとも１つの非平面的形状サブストレートを長手軸心を中心として回転させることから成る、請求項２３記載の装置。
【請求項３１】
非平面的形状サブストレートに半導体処理を施すための装置において、
ａ．搬入部及び搬出部を備え、それら搬入部及び搬出部は少なくとも１つの非平面的形状サブストレートを通過させることができるように構成された半導体処理チャンバと、
ｂ．前記半導体処理チャンバ内を通る搬送経路に沿って前記少なくとも１つの非平面的形状サブストレートを搬送する搬送機構と、
ｃ．前記半導体処理チャンバ内を通る前記搬送経路に沿って前記少なくとも１つの非平面的形状サブストレートが搬送されているときに当該非平面的形状サブストレートを回転させる回転機構と、
ｄ．前記少なくとも１つの非平面的形状サブストレートが前記搬送経路に沿って搬送されつつ回転させられるのと並行して当該非平面的形状サブストレートに半導体処理を施すことで、当該非平面的形状サブストレートの表面領域の少なくとも一部に当該半導体処理が施されるようにする、前記半導体処理チャンバに装備された半導体処理モジュールと、
を備えた装置。
【請求項３２】
前記搬入部と前記搬出部との間をつなぐ経路が前記搬送経路である、請求項３１記載の装置。
【請求項３３】
前記少なくとも１つの非平面的形状サブストレートがその他の複数の非平面的形状サブストレートと共に１つのトレイ上に載置されることで処理量の増大が図られている、請求項３１記載の装置。
【請求項３４】
種別及び処理温度、成膜材料、成膜目標厚さ、前記処理チャンバ内の雰囲気温度、前記処理チャンバ内の真空状態の品質、及び成膜目標領域から成るリストに含まれる変数に応じて回転速度が設定されている、請求項３１記載の装置。
【請求項３５】
種別及び処理温度、成膜材料、成膜目標厚さ、前記処理チャンバ内の雰囲気温度、前記処理チャンバ内の真空状態の品質、及び成膜目標領域から成るリストに含まれる変数に応じて搬送速度が設定されている、請求項３１記載の装置。
【請求項３６】
前記半導体処理は、スパッタ成膜、反応性スパッタ成膜、及び蒸着成膜から成るリストに含まれる処理である、請求項３１記載の装置。
【請求項３７】
前記半導体処理チャンバは、成膜チャンバから成る、請求項３１記載の装置。
【請求項３８】
前記回転は、前記少なくとも１つの非平面的形状サブストレートを長手軸心を中心として回転させることから成る、請求項３１記載の装置。