【手続補正書】
【提出日】平成23年9月30日(2011.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）
ｉ）銀金属、銀合金、酸化銀、銀塩およびこれらの混合物からなる群から選択される導電性銀粉末；
ｉｉ）１つまたは複数のガラスフリットであって、前記ガラスフリットの少なくとも１つが鉛フリーであるもの；
ｉｉｉ）Ｍｇ、Ｍｇの金属酸化物、焼成の際にＭｇの金属酸化物を生成することができる任意の化合物、およびそれらの混合物よりなる群から選択されるＭｇ含有添加剤であって、前記Ｍｇ含有添加剤が全組成物の０．１から１０重量パーセントであるもの、および
ｉｖ）有機媒体を含み、
前記導電性銀粉末、前記１つまたは複数のガラスフリット、および前記Ｍｇ含有添加剤が、全て前記有機媒体中に分散された厚膜組成物と；
（ｂ）１つまたは複数の絶縁膜と、
（ｃ）１つまたは複数の基材と
を含む構造物であり；
焼成の際に、前記有機媒体が除去され、前記ガラスフリットと銀粉末とが焼結され、且つ、前記構造物が半導体デバイスである構造物。
【請求項２】
前記Ｍｇ含有添加剤がＭｇＯである請求項１に記載の構造物。
【請求項３】
焼成の際に、前記１つまたは複数の絶縁膜に、前記厚膜組成物の成分が浸透する請求項１に記載の構造物。
【請求項４】
前記半導体デバイスが太陽電池である請求項１から３のいずれか１項に記載の構造物。
【請求項５】
前記厚膜組成物が、（ａ）Ｚｎ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｕおよびＣｒから選択される金属；（ｂ）Ｚｎ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｕおよびＣｒから選択される金属の１つまたは複数の金属酸化物；（ｃ）焼成の際に（ｂ）の金属酸化物を生成することができる任意の化合物；ならびに（ｄ）それらの混合物からなる群から選択される追加の添加剤をさらに含む請求項１に記載の構造物。
【請求項６】
（１）１つまたは複数の半導体基材、１つまたは複数の絶縁膜、および厚膜組成物を提供するステップであり、前記厚膜組成物が、
ａ）銀金属、銀合金、酸化銀、銀塩およびこれらの混合物からなる群から選択される導電性銀粉末、
ｂ）１つまたは複数のガラスフリットであって、前記ガラスフリットの少なくとも１つが鉛フリーであるもの、
ｃ）Ｍｇ含有添加剤であって、Ｍｇ、Ｍｇの金属酸化物、焼成の際にＭｇの金属酸化物を生成することができる任意の化合物、およびそれらの混合物よりなる群から選択され、前記Ｍｇ含有添加剤が全組成物の０．１から１０重量パーセントであるもの、および
ｄ）有機媒体を含み、
前記導電性銀粉末、前記１つまたは複数のガラスフリット、および前記Ｍｇ含有添加剤が、全て前記有機媒体中に分散されているステップと、
（２）前記半導体基材上に前記絶縁膜を適用するステップと、
（３）前記半導体基材上の前記絶縁膜上に前記厚膜組成物を適用するステップと、
（４）前記半導体、絶縁膜および厚膜組成物を焼成するステップとを含み、
焼成の際に、前記有機ビヒクルが除去され、前記銀とガラスフリットとが焼結される
半導体デバイスの製造方法。
【請求項７】
ａ）銀金属、銀合金、酸化銀、銀塩およびこれらの混合物からなる群から選択される導電性銀粉末と；
ｂ）１つまたは複数のガラスフリットであって、前記ガラスフリットの少なくとも１つが鉛フリーであるものと；
ｃ）Ｍｇ含有添加剤であって、Ｍｇ、Ｍｇの金属酸化物、焼成の際にＭｇの金属酸化物を生成することができる任意の化合物、およびそれらの混合物からなる群から選択され、前記Ｍｇ含有添加剤が全組成物の０．１から１０重量パーセントであるものと、
ｄ）有機媒体とを含み、
前記導電性銀粉末、前記１つまたは複数のガラスフリット、および前記Ｍｇ含有添加剤が、全て前記有機媒体中に分散されている厚膜組成物。
【請求項８】
前記Ｍｇ含有添加剤がＭｇＯである請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
前記厚膜組成物が、（ａ）Ｚｎ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｕおよびＣｒから選択される金属；（ｂ）Ｚｎ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｕおよびＣｒから選択される金属の１つまたは複数の金属酸化物；（ｃ）焼成の際に（ｂ）の金属酸化物を生成することができる任意の化合物；ならびに（ｄ）それらの混合物からなる群から選択される追加の添加剤をさらに含む請求項７に記載の組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４６】
【表１】
2011502330.tif 000001
本出願は、特許請求の範囲に記載の発明を含め、以下の発明を包含する。
（１）  （ａ）
ａ）導電性銀粉末と；
ｂ）１つまたは複数のガラスフリットであって、前記ガラスフリットの少なくとも１つが鉛フリーであるものと；
ｃ）（ａ）Ｍｇ、（ｂ）Ｍｇの金属酸化物、（ｃ）焼成の際にＭｇの金属酸化物を生成することができる任意の化合物、および（ｄ）それらの混合物から選択されるＭｇ含有添加剤とを、
ｄ）有機媒体
に分散させて含む厚膜組成物と；
（ｂ）１つまたは複数の基材と
を含む構造物であり；
焼成の際に、前記有機媒体が除去され、前記ガラスフリットと銀粉末とが焼結される構造物。
（２）  前記Ｍｇ含有添加剤がＭｇＯである（１）に記載の構造物。
（３）  前記Ｍｇ含有添加剤が、全組成物の０．１〜１０重量パーセントである（２）に記載の構造物。
（４）  半導体デバイスである（１）に記載の構造物。
（５）  前記半導体デバイスが、１つまたは複数の絶縁膜をさらに含む（４）に記載の構造物。
（６）  焼成の際に、前記１つまたは複数の絶縁膜に、前記厚膜組成物の成分が浸透する（５）に記載の構造物。
（７）  前記半導体デバイスが太陽電池である（４）に記載の構造物。
（８）  前記厚膜組成物が、（ａ）Ｚｎ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｕおよびＣｒから選択される金属；（ｂ）Ｚｎ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｕおよびＣｒから選択される金属の１つまたは複数の金属酸化物；（ｃ）焼成の際に（ｂ）の金属酸化物を生成することができる任意の化合物；ならびに（ｄ）それらの混合物からなる群から選択される追加の添加剤をさらに含む（１）に記載の構造物。
（９）  前記ガラスフリットが、前記ガラスフリットの８〜２５重量パーセントのＢｉ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3を含み、ＳｉＯ2、Ｐ2Ｏ5、ＧｅＯ2、およびＶ2Ｏ5からなる群から選択される１つまたは複数の成分をさらに含む（１）に記載の構造物。
（１０）  前記絶縁膜が、酸化チタン、窒化ケイ素、ＳｉＮx：Ｈ、酸化ケイ素、および酸化ケイ素／酸化チタンから選択される１つまたは複数の成分を含む（５）に記載の構造物。
（１１）  半導体デバイスの製造方法であって、
（ａ）１つまたは複数の半導体基材、１つまたは複数の絶縁膜、および厚膜組成物を提供するステップであって、前記厚膜組成物が、ａ）導電性銀と、ｂ）１つまたは複数のガラスフリット（ここで、前記ガラスフリットの少なくとも１つが鉛フリーである）と、ｃ）Ｍｇ含有添加剤とを、ｄ）有機媒体に分散させて含むステップと、
（ｂ）前記半導体基材上に前記絶縁膜を適用するステップと、
（ｃ）前記半導体基材上の前記絶縁膜上に前記厚膜組成物を適用するステップと、
（ｄ）前記半導体、絶縁膜および厚膜組成物を焼成するステップとを含み、
焼成の際に、前記有機ビヒクルが除去され、前記銀とガラスフリットとが焼結される方法。
（１２）  ａ）導電性銀と；
ｂ）１つまたは複数のガラスフリットであって、前記ガラスフリットの少なくとも１つが鉛フリーであるものと；
ｃ）（ａ）Ｍｇ、（ｂ）Ｍｇの金属酸化物、（ｃ）焼成の際にＭｇの金属酸化物を生成することができる任意の化合物、および（ｄ）それらの混合物から選択されるＭｇ含有添加剤とを、
ｄ）有機媒体
に分散させて含む厚膜組成物。
（１３）  前記Ｍｇ含有添加剤がＭｇＯである（１２）に記載の組成物。
（１４）  前記Ｍｇ含有添加剤が、全組成物の０．１〜１０重量パーセントである（１３）に記載の組成物。
（１５）  前記厚膜組成物が、（ａ）Ｚｎ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｕおよびＣｒから選択される金属；（ｂ）Ｚｎ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｕおよびＣｒから選択される金属の１つまたは複数の金属酸化物；（ｃ）焼成の際に（ｂ）の金属酸化物を生成することができる任意の化合物；ならびに（ｄ）それらの混合物からなる群から選択される追加の添加剤をさらに含む（１２）に記載の組成物。
（１６）  前記ガラスフリットが、前記ガラスフリットの８〜２５重量パーセントのＢｉ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3を含み、ＳｉＯ2、Ｐ2Ｏ5、ＧｅＯ2、およびＶ2Ｏ5からなる群から選択される１つまたは複数の成分をさらに含む（１２）に記載の組成物。