【事件の表示】
　特願２００３−　　３７７６「基板の製造方法および基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　９月２４日出願公開、特開２００４−２６２６６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続きの経緯
　本願は、平成１５年１月９日の出願であって、平成２０年１月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月３日に審判請求がなされたものである。
　その後、平成２２年１２月３日付けで当審による拒絶理由の通知がなされ、これに対して平成２３年２月４日付けで意見書及び手続補正書が提出された。
　
第２　拒絶理由通知の概要
　当審による拒絶理由通の概要は以下のとおり。
　
１．省略
　
２．省略
　
３．本願は、以下の理由で、発明の詳細な説明に、該発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明瞭かつ十分に記載されていない。よって、本願は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
（１）発明の実施の形態の記載において、製造条件等の数値（段落【００２６】の「溶解温度」及び「冷却速度」、同【００３０】の回折格子の「周期間隔」及びエネルギービームの「波長」、同【００３５】の「研磨時間」等。そして、これらの数値は、用いる素材によってすべて異なるものと考えられる。）が記載されておらず、しかも、それらが出願当時の技術常識でないとすれば、当業者に理解できないため、当業者が請求項１〜１０に係る発明を実施することができない。
　
（２）上記（１）に加えて、発明の実施の形態には、実際に製造された実施例が記載されておらず、従来例との対比を行うことができない。そのため、例えば段落【００３８】の「突起１４の幅Ｗおよび上面１４Ａの幅Ｗａを、従来のフォトリソグラフィ技術では不可能であった５０ｎｍ未満とすることが可能となる。また、熱分布１１の空間的周期Ｔを制御することにより突起１４を従来のフォトリソグラフィ技術では不可能であった微細な間隔Ｌで形成することができる。」という、本願の請求項１〜１０に係る発明の作用・効果を当業者が確認も理解もすることができない。
　
（３）本願の請求項１〜１０に係る発明を実施するためには、各請求項に記載された事項以外にも、例えば「突起の高さ」や、熱分布における具体的な素材毎の「高温領域と定温領域の温度差」等の種々の要因の特定が必要不可欠であると思われるが、発明の実施の形態には、それらの要因に関する記載がない。もし、各請求項に記載された事項以外の要因については特定する必要がない（任意であるとか、素材を問わず普遍性がある）とするならば、その根拠の記載もない。
 　 
（４）省略
　
第３　本願明細書等の記載
　本願の特許請求の範囲、明細書及び図面（以下「本願明細書等」という。）の記載は、平成２３年２月４日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲及び明細書の記載を含め、願書に添付された本願明細書等に記載されているとおりであるが、特に、以下のとおり記載されている。
　
（１）「【請求項１】　触媒機能を有する金属からなる素材基板の平坦な表面に対して、レーザを用いたエネルギービームを一次元方向または二次元方向に回折させることにより、高温領域と低温領域とが一次元方向または二次元方向に周期的に形成された熱分布を与え、前記低温領域を含む前記素材基板の表面の全体を溶融させる溶融工程と、
　前記素材基板の表面を放熱させることにより、前記熱分布の高温領域の位置に、前記素材基板の表面から隆起し先端になるほど断面積が小さい、突条または錐体の突起を形成する突起形成工程と、
　前記突起の上面を化学機械研磨により平坦化する平坦化工程と　を含む基板の製造方法。」（以下「本願発明」という。）
　
（２）「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、従来のフォトリソグラフィの手法では、微細な加工をするためには、エネルギービームの波長を短くしなければならず、現在の技術ではこれ以上の短波長化は困難である。そのため、フォトリソグラフィにより遷移金属等のパターンを形成する場合には、遷移金属パターンの寸法は、エネルギービームの波長で定まり、現在の技術では０．０５μｍ（５０ｎｍ）以下にすることができず、また、パターンの間隔（ピッチ）は１００ｎｍ以下にすることができない。すなわち、従来の手法では、金属触媒等のより微細なパターンを形成するには限界があるという問題があった。
【０００８】
　本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、より微細なパターンを所望の位置に精度よく形成することが可能な基板の製造方法を提供することにある。
【０００９】
　本発明の第２の目的は、より微細なパターンを所定の位置に有し、カーボンナノチューブ等の分子構造体の製造に好適な基板を提供することにある。」
　
（３）「【００１７】
〔第１の実施の形態〕
　まず、図１ないし図３を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る基板の製造方法について説明する。本実施の形態は、表面の所定の位置に、触媒金属等の特定の材料からなり、上面が平坦化された突起のパターンを有する基板を形成するものであり、素材基板１０の表面に所望のパターンに応じて変調された熱分布１１を与え、素材基板１０の表面を溶融させる「溶融工程」と、素材基板１０の表面を放熱させることにより、熱分布１１に応じた位置に、すなわち所望のパターンで突起を形成する「突起形成工程」と、突起の表面を平坦化する「平坦化工程」とを含むものである。得られた基板は、例えばカーボンナノチューブの成長基板として利用される。
【００１８】
（溶融工程）
　まず、図１を参照して溶融工程を説明する。素材基板１０は、本実施の形態では金属触媒としての鉄（Ｆｅ）により構成されている。素材基板１０は、厚さが例えば４０ｎｍであり、例えばシリコン（Ｓｉ）により構成された支持体１０Ａにより保持されている。なお、素材基板１０が十分な厚さを有している場合には、支持体１０Ａは不要である。」
　
（４）「【００２１】
　熱分布１１は、素材基板１０の表面温度がエネルギービーム１２の照射により空間的に変調されて、高温領域１１Ｈと低温領域１１Ｌとが周期的に形成されたものである。エネルギービーム１２は、波長および位相の揃った平行光であり、本実施の形態では、高出力を得るため、例えばＸｅＣｌエキシマレーザを用いる。
【００２２】
　本実施の形態では、熱分布１１は、エネルギービーム１２を回折格子１３で回折させることにより与えられる。回折格子１３は、エネルギービーム１２を回折させてエネルギー量を空間的に変調するものであり、例えば、光学ガラス板に、直線状の平行な溝１３Ａが一定の周期間隔Ｐで一次元方向に配列されたものである。本実施の形態では、例えば、石英材料よりなる板に直線状の平行な溝１３Ａが例えば１μｍの周期間隔Ｐで一次元方向に配列され、エネルギービーム１２のエネルギー量を、溝１３Ａが配列されている方向に沿って一次元方向に変調するようになっている。なお、回折格子１３は必ずしも溝などの凹凸を形成したものに限られず、例えば、エネルギービーム１２の透過部分と非透過部分とが印刷により形成されたものであってもよい。
【００２３】
　このような回折格子１３を用いることにより、高温領域１１Ｈは、溝１３Ａの延長方向に沿った直線状に形成されると共に、溝１３Ａの配列されている方向に沿って一次元方向に配列される。熱分布１１の空間的周期Ｔ、すなわち高温領域１１Ｈの間隔（ピッチ）は、回折格子１３の周期間隔Ｐおよびエネルギービーム１２の波長λに応じて定まる。波長λを小さくするほど、または、周期間隔Ｐを微細にするほど熱分布１１の空間的周期Ｔを微細化することができる。
【００２４】
　エネルギービーム１２のエネルギー量は、低温領域１１Ｌにおいて素材基板１０の表面が溶融する温度となるように設定される。これにより、素材基板１０の表面の全体を溶融させることができる。このとき、エネルギービーム１２としてエキシマレーザを用いると、パルス発光の照射回数によりエネルギー量の制御を行うことができる。本実施の形態では、例えば、エネルギービーム１２のエネルギー量を３５０ｍＪ／ｃｍ2 、パルス照射回数を１００回とする。」
　
（５）「【００２５】
（突起形成工程）
　次に、図２を参照して突起形成工程を説明する。すなわち、溶融工程において素材基板１０の表面を溶融させたのち、エネルギービーム１２の照射を止めると、素材基板１０の表面の温度は徐々に低下して凝固するが、このとき、溶融工程において照射されたエネルギービーム１２のエネルギー量が一定値を超えている場合には、高温領域１１Ｈに対応する位置に、素材基板１０の表面から隆起した突起１４が形成される。
【００２６】
　突起１４は、高温領域１１Ｈが溝１３Ａに対応して一次元方向に配列された直線状であるので、これに対応して、一次元方向に配列された直線状のリブ（突条）のパターンとして形成される。突起１４の幅（線幅）Ｗ、すなわち熱分布１１の変調方向における突起１４の下端部の寸法は、溶融温度および冷却速度により定まる。溶融温度は、エネルギービーム１２のエネルギー量、すなわちエキシマレーザの場合にはパルス照射回数によって制御することができ、溶融温度が高いほど、突起１４の幅Ｗは大きくなる。冷却速度は、素材基板１０または素材基板１０のホルダーを真空中またはガス雰囲気中に配置する方法、ガスフローによる方法、水または液体窒素中で冷却する方法、あるいは加熱しながらゆっくり冷却する方法などによって制御することができ、冷却速度が速いほど突起１４の幅Ｗは大きくなる。突起１４の幅Ｗは、原理的には素材基板１０の構成物質の原子の大きさより大きい任意の値をとり得るものであり、溶融温度および冷却速度を制御することにより従来のフォトリソグラフィ技術では不可能であった５０ｎｍ未満を実現することができる。
【００２７】
　突起１４の幅Ｗの具体的な値は、後述する基板の用途によって定められるが、例えばカーボンナノチューブを形成する場合には、突起１４の幅Ｗは、０．４ｎｍ以上５０ｎｍ未満であることが好ましい。カーボンナノチューブの直径が、最小で０．４ｎｍであるからである。
【００２８】
　突起１４の幅Ｗは、０．４ｎｍ以上３０ｎｍ以下であればより好ましい。カーボンナノチューブは、直径が０．４ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲にあるものが多いからである。
【００２９】
　更に、突起１４の幅Ｗは、０．４ｎｍ以上１０ｎｍ以下であれば更に好ましい。なぜなら、突起１４の幅方向に多数のカーボンナノチューブが接近して屹立する可能性が小さくなるので、これらのカーボンナノチューブを例えば電界電子放射素子（エミッタ）として使用する場合に、カーボンナノチューブの各々の表面における電界強度の低下を防止し、電界放出に必要な印加電圧を小さくすることができるからである。また、例えばカーボンナノチューブを記録装置（メモリ）として利用する場合には、一本の突起１４には幅方向に１本のみのカーボンナノチューブを形成することが必要となる場合があるので、カーボンナノチューブの直径と突起１４の幅Ｗとを一致させることが好ましいからである。
【００３０】
　また、突起１４の間隔Ｌ、すなわち熱分布１１の変調方向における突起１４の間隔（ピッチ）は、熱分布１１の空間的周期Ｔに応じて、すなわち回折格子１３の周期間隔Ｐおよびエネルギービーム１２の波長λに応じて定まる。波長λを小さくするほど、または、周期間隔Ｐを微細にするほど突起１４の間隔Ｌを微細化することができ、従来のフォトリソグラフィでは不可能な微細な間隔Ｌで突起１４を形成することが可能である。
【００３１】
　突起１４の間隔Ｌは、例えば１００ｎｍ以下であることが好ましい。従来のフォトリソグラフィでは解像限界が５０ｎｍであるため、従来のフォトリソグラフィで形成可能な最小のパターンは、例えば山５０ｎｍ、谷５０ｎｍ、および山５０ｎｍで、その間隔は解像限界の２倍すなわち１００ｎｍとなるからである。更に、突起１４の間隔Ｌは、５０ｎｍ以下とすればより好ましい。従来の電子ビームリソグラフィの解像限界が２５ｎｍ程度であるため、従来の電子ビームリソグラフィで形成可能な最小のパターンの間隔は、同様に解像限界の２倍すなわち５０ｎｍとなるからである。」
　
（６）「【００３２】
（平坦化工程）
　次に、図３を参照して平坦化工程を説明する。まず、図３（Ａ）に示したように、突起１４の周囲の凹部１５に、埋込み層１６を形成する。この埋込み層１６は、後述するようにＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing ；化学機械研磨）で突起１４の上面を平坦化する際の平坦化層として用いられるものであり、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）を、ＳＯＧ（Spin On Glass ）により塗布することにより、またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)法などにより形成される。なお、埋込み層１６の材料は、上述の二酸化ケイ素の他、窒化ケイ素（ＳｉＮ），ポリイミド，ポリメチルメタクリレート（Poly Methyl Methacrylate；ＰＭＭＡ），金属酸化膜などの絶縁体材料、あるいはシリコン，ゲルマニウムなどの半導体材料を用いてもよい。
【００３３】
　なお、埋込み層１６の厚さは、突起１４を覆い尽くすように形成してもよく、突起１４の一部、例えば最先端部分が埋込み層１６から突出するように形成してもよい。
【００３４】
　続いて、図３（Ｂ）に示したように、突起１４および埋込み層１６を例えばＣＭＰにより研磨し、突起１４の上面１４Ａおよび埋込み層１６の上面１６Ａを平坦化する。これにより、平坦化された上面１４Ａを有する突起１４と、突起１４の側面を覆うと共に突起１４の上面１４Ａを露出させる埋込み層１６とを有する基板１７が得られる。
【００３５】
　平坦化された上面１４Ａの幅Ｗａは、突起１４の幅Ｗのとりうる値の範囲内で、ＣＭＰによる研磨時間により制御することができる。すなわち、突起１４は先端になるに従って断面積が小さくなっているので、ＣＭＰによる研磨時間を長くするほど上面１４Ａの幅Ｗａは大きくなる。なお、突起１４の間隔Ｌは、平坦化の前後を通じて同一である。
【００３６】
　したがって、突起１４の上面１４Ａを平坦化することにより、上面１４Ａの幅Ｗａを、突起１４の幅Ｗと同様に、従来のフォトリソグラフィ技術では不可能であった５０ｎｍ未満とすると共に、上面１４Ａの面積および形状のばらつきを少なくし、高さを均一にすることができる。
【００３７】
　突起１４の上面１４Ａを平坦化したのち、例えば、図４に示したように、この上面１４Ａに露出した鉄を触媒として、基板１７上に複数のカーボンナノチューブ１８が直線状に配列されたカーボンナノチューブ構造体１９を形成することができる。」
　
（７）「【００４９】
〔第３の実施の形態〕
　次に、図８ないし図１５を参照して、第３の実施の形態に係る基板の製造方法について説明する。本実施の形態は、溶融工程において、エネルギービームのエネルギー量を二次元方向すなわちＸ方向およびＹ方向に変調させ、素材基板１０の表面に対してＸ方向熱分布３１ＸおよびＹ方向熱分布３１Ｙを与えるようにしたものである。
【００５０】
（溶融工程）
　まず、図８を参照して溶融工程を説明する。Ｘ方向熱分布３１Ｘは、素材基板１０の表面温度がＸ方向に変調されて、Ｘ方向高温領域３１ＸＨとＸ方向低温領域３１ＸＬとが周期的に形成されたものである。また、Ｙ方向温度分布３１Ｙは、素材基板１０の表面温度がＹ方向に変調されて、Ｙ方向高温領域３１ＹＨとＹ方向低温領域３１ＹＬとが周期的に形成されたものである。
【００５１】
　Ｘ方向熱分布３１ＸおよびＹ方向熱分布３１Ｙは、例えば、エネルギービーム１２を、非透過部分３２Ａおよび透過部分３２Ｂが二次元方向に配列された回折格子３２で回折させることにより与えられる。回折格子３２としては、例えば、非透過部分３２Ａにエネルギービーム１２を透過させないマスクが印刷されたものなどを用いることができる。
【００５２】
　図９は、素材基板１０の表面においてＸ方向温度分布３１ＸとＹ方向温度分布３１Ｙとが重畳されることにより、熱分布３３が形成された状態を表している。図８に示したように、素材基板１０の表面には、Ｘ方向高温領域３１ＸＨとＹ方向高温領域３１ＹＨとの重複する位置に高温領域３３Ｈを有し、Ｘ方向低温領域３１ＸＬとＹ方向低温領域３１ＹＬとの重複する位置に低温領域３３Ｌを有するような熱分布３３が形成される。これにより、高温領域３３Ｈは、非透過部分３２Ａおよび透過部分３２Ｂの配列されている方向に沿って二次元方向に配列される。
【００５３】
　熱分布３３のＸ方向における空間的周期ＴＸ、すなわち高温領域３３ＨのＸ方向における間隔（ピッチ）は、回折格子３２のＸ方向における周期間隔ＰＸおよびエネルギービーム１２の波長λに応じて定まる。また、熱分布３３のＹ方向における空間的周期ＴＹ、すなわち高温領域３３ＨのＹ方向における間隔（ピッチ）は、回折格子３２のＹ方向における周期間隔ＰＹおよびエネルギービーム１２の波長λに応じて定まる。波長λを小さくするほど、または周期間隔ＰＸ，ＰＹを微細にするほど熱分布３３の空間的周期ＴＸ，ＴＹを微細化することができる。ここで、本実施の形態では、回折格子３２のＸ方向における周期間隔ＰＸとは、一つの非透過部分３２ＡのＸ方向における寸法と一つの透過部分３２ＢのＸ方向における寸法との和をいい、回折格子３２のＹ方向における周期間隔ＰＹとは、一つの非透過部分３２ＡのＹ方向における寸法と一つの透過部分３２ＢのＹ方向における寸法との和をいう。
【００５４】
　回折格子３２のＸ方向における周期間隔ＰＸとＹ方向における周期間隔ＰＹとは、互いに独立に設定することができる。したがって、図１０に示したように、熱分布３３のＸ方向における空間的周期ＴＸとＹ方向における空間的周期ＴＹとを、互いに独立に設定することも可能である。
【００５５】
　なお、回折格子３２としては、マスク印刷により非透過部分３２Ａおよび透過部分３２Ｂが形成されたものではなく、凹部または凸部が形成されたものを用いることも可能である。凹凸が形成された回折格子３２の場合には、回折格子３２のＸ方向における周期間隔ＰＸとは、凹部（または凸部）のＸ方向における間隔（ピッチ）をいい、回折格子３１のＹ方向における周期間隔ＰＹとは、凹部（または凸部）のＹ方向における間隔（ピッチ）をいう。
【００５６】
　エネルギービーム１２のエネルギー量は、低温領域３３Ｌにおいて素材基板１０の表面が溶融する温度となるように設定される。これにより、素材基板１０の表面の全体を溶融させることができる。このとき、エネルギービーム１２としてエキシマレーザを用いると、パルス発光の照射回数によりエネルギー量の制御を行うことができる。」
　
（８）「【００５７】
（突起形成工程）
　次に、図１１および図１２を参照して、突起形成工程を説明する。溶融工程において素材基板１０の表面の全体を溶融させたのち、エネルギービーム１２の照射を止めて素材基板１０の表面を放熱させ、熱分布３３に応じた位置すなわち高温領域３３Ｈに対応する位置に突起３４を形成する。
【００５８】
　突起３４は、高温領域３３Ｈが素材基板１０の表面に二次元方向に配列されているので、これに対応して、素材基板１０の表面に二次元方向に配列された錘体のパターンとして形成される。突起３４の下端部のＸ方向における寸法（直径）ＤＸおよびＹ方向における寸法（直径）ＤＹは、溶融温度および冷却速度により定まる。溶融温度は、第１の実施の形態と同様に制御することができ、溶融温度が高いほど、突起３４の寸法ＤＸ，ＤＹは大きくなる。また、冷却速度は第１のＸ，ＤＹは大きくなる。突起３４の寸法ＤＸ，ＤＹは、原理的には素材基板１０の構成物質の原子の大きさより大きい任意の値をとりうるものであり、溶融温度および冷却速度を制御することにより従来のフォトリソグラフィ技術では不可能であった５０ｎｍ未満を実現することができる。
【００５９】
　突起３４の寸法ＤＸ，ＤＹの具体的な値は、後述する基板の用途によって定められるが、例えばカーボンナノチューブを形成する場合には、突起３４の寸法ＤＸ，ＤＹはそれぞれ、０．４ｎｍ以上５０ｎｍ未満であることが好ましい。カーボンナノチューブの直径が、最小で０．４ｎｍであるからである。
【００６０】
　突起３４の寸法ＤＸ，ＤＹはそれぞれ、０．４ｎｍ以上３０ｎｍ以下であればより好ましい。カーボンナノチューブは、直径が３ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲にあるものが多いからである。
【００６１】
　更に、突起３４の寸法ＤＸ，ＤＹは、０．４ｎｍ以上１０ｎｍ以下であれば更に好ましい。なぜなら、突起３４のＸ方向またはＹ方向に多数のカーボンナノチューブが接近して屹立する可能性が小さくなるので、これらのカーボンナノチューブを例えば電界電子放出素子として使用する場合に、カーボンナノチューブの各々の表面における電界強度の低下を防止し、電界放出に必要な印加電圧を小さくすることができるからである。また、例えばカーボンナノチューブを記録装置（メモリ）として利用する場合には、一つの突起３４には１本のみのカーボンナノチューブを形成することが必要となる場合があるので、カーボンナノチューブの直径と突起３４の寸法ＤＸ，ＤＹとを一致させることが好ましいからである。
【００６２】
　また、突起３４のＸ方向における間隔ＬＸ、およびＹ方向における間隔ＬＹは、熱分布３３の空間的周期ＴＸ，ＴＹに応じて、すなわち回折格子３２の周期間隔ＰＸ，ＰＹおよびエネルギービーム１２の波長λに応じて定まる。波長λを小さくするほど、または、回折格子３２の周期間隔ＰＸ，ＰＹを微細にするほど突起３４の間隔ＬＸ，ＬＹを微細化することができ、従来のフォトリソグラフィでは不可能な微細な間隔ＬＸ，ＬＹで突起３４を形成することも可能である。
【００６３】
　突起３４の間隔ＬＸ，ＬＹは、例えば１００ｎｍ以下であることが好ましい。前述のように、従来のフォトリソグラフィでは解像限界が５０ｎｍであるため、従来のフォトリソグラフィで形成可能な最小のパターンは、例えば山５０ｎｍ、谷５０ｎｍ、および山５０ｎｍで、その間隔は解像限界の２倍すなわち１００ｎｍとなるからである。更に、突起３４の間隔ＬＸ，ＬＹは、５０ｎｍ以下とすればより好ましい。従来の電子ビームリソグラフィの解像限界が２５ｎｍ程度であるため、従来の電子ビームリソグラフィで形成可能な最小のパターンの間隔は、同様に解像限界の２倍すなわち５０ｎｍとなるからである。」
　
第４　検討・判断
１．本願発明の課題
　上記各記載を含む、本願明細書等の記載を総合的に判断すれば、本願発明は、従来の手法では、金属触媒等のより微細なパターンを形成するには限界があり、遷移金属パターンの寸法は、現在の技術では０．０５μｍ（５０ｎｍ）以下にすることができず、また、パターンの間隔（ピッチ）は１００ｎｍ以下にすることができないという問題を解決し、より微細なパターンを所望の位置に精度よく形成することが可能な基板の製造方法を提供するとともに、より微細なパターンを所定の位置に有し、カーボンナノチューブ等の分子構造体の製造に好適な基板を提供することを課題とするものである。（上記摘記事項（２）参照）
　
２．課題を解決するための本願発明の構成
　本願発明は、上記課題を解決するためのものであって、その具体的構成は、特許請求の範囲の請求項１に記載されているとおりの（上記摘記事項（１）参照）溶融工程、突起形成工程及び平坦化工程を含む基板の製造方法である。
　
３．本願明細書等の記載の検討
　そこで、本願の発明の詳細な説明に、本願発明の各工程が、本願発明を当業者が容易に実施できる程度に明瞭かつ十分に記載されているかどうかについて、以下に検討する。
　
（１）溶融工程
（あ）本願発明における構成
　本願発明の溶融工程は、以下のとおりである。
　「触媒機能を有する金属からなる素材基板の平坦な表面に対して、レーザを用いたエネルギービームを一次元方向または二次元方向に回折させることにより、高温領域と低温領域とが一次元方向または二次元方向に周期的に形成された熱分布を与え、前記低温領域を含む前記素材基板の表面の全体を溶融させる溶融工程」
　
（い）本願明細書等の記載
　溶融工程については、本願明細書の段落【００２２】〜【００２４】、【００５０】〜【００５６】等に記載されている。（上記摘記事項（４）、（７）参照）
　これらの記載に基づけば、エネルギービームと、例えば１μｍの周期間隔を有する回折格子とを用いて、基板表面に高温領域と低温領域とが周期的に形成された熱分布を与えることができ、エネルギービームとしてエキシマレーザを用い、例えば、エネルギービームのエネルギー量を３５０ｍＪ／ｃｍ2 、パルス照射回数を１００回とすることにより、低温領域を含む素材基板の表面の全体を溶融させることができる。
　
（う）検討
　しかしながら、これらの記載を含む本願明細書等の全記載を参酌しても、具体的に、どのような寸法形状の熱分布が基板表面に与えられるのかは明らかではない。それは、熱分布を与えるための、回折像は、回折格子と基板表面との距離等の各要素の位置関係やエネルギービームの照射角度等の種々の要素に基づいて決定されるはずだからである。そして、本願発明において、熱分布がどのようなものであるかを問わずに、本願発明の上記課題を解決できるものでないことは明らかである。
　同様に、熱分布における各領域の温度や温度差をどの程度にする必要があるのか、及び、必要な温度差を実現するにはどうすればよいのか、基板表面のどの程度の深さまで溶融させる必要があるのか、等についても、当業者が容易に理解できるとはいえない。そして、本願発明において、これらの値を問わずに、本願発明の上記課題を解決できるものでないことは明らかである。
　してみると、本願明細書等の記載からは、本願発明を特定する構成の「熱分布」、「高温領域」及び「低温領域」を把握することができず、本願の発明の詳細な説明には、本願発明の溶融工程が、本願発明を当業者が容易に実施できる程度に明瞭かつ十分に記載されていない。
　
（２）突起形成工程
（あ）本願発明における構成
　本願発明の突起形成工程は、以下のとおりである。
　「素材基板の表面を放熱させることにより、前記熱分布の高温領域の位置に、前記素材基板の表面から隆起し先端になるほど断面積が小さい、突条または錐体の突起を形成する突起形成工程」
　
（い）本願明細書等の記載
　突起形成工程については、本願明細書の段落【００２５】〜【００３１】、【００５７】〜【００６３】等に記載されている。（上記摘記事項（５）、（８）参照）
　これらの記載に基づけば、突起の幅は、溶融温度及び冷却速度により定まる。溶融温度は、エキシマレーザのパルス照射回数によって制御することができ、溶融温度が高いほど、突起の幅は大きくなる。冷却速度は、種々の方法によって制御することができ、冷却速度が速いほど突起の幅は大きくなる。溶融温度及び冷却速度を制御することにより従来のフォトリソグラフィ技術では不可能であった５０ｎｍ未満（０．４ｎｍ以上５０ｎｍ未満であることが好ましい）を実現することができる。
　
（う）検討
　しかしながら、これらの記載を含む本願明細書等の全記載を参酌しても、具体的な溶融温度及び冷却速度を見い出すことができない。そして、突起の幅は、上記のとおり、溶融温度及び冷却速度の２つの変数によって、独立的に変動するのであるから、具体的な制御方法には、論理的には無数の組合せが存在することになる。しかも、本願明細書等には、それらの具体的数値はおろか、（例えばどちらが変数として支配的なのか等の）両変数相互の関係等についても記載されていないのであるから、本願明細書等の記載に基づいて、当業者が容易に本願発明を実施できるものとは認められない。
　さらには、本願明細書等には、本願発明として形成されるべき「先端になるほど断面積が小さい突条または錐体の突起」に関する具体的大きさや形状（どの程度の大きさの突起なのか、どの程度尖っているのか等）も記載されていないことから、たとえ一般的な溶融温度及び冷却速度がわかったとしても、本願明細書等の記載から、本願発明の課題を解決できる具体的な溶融温度および冷却速度に関する条件を見いだすことができない。
　してみると、本願の発明の詳細な説明には、本願発明の突起形成工程が、本願発明を当業者が容易に実施できる程度に明瞭かつ十分に記載されていない。
　
（３）平坦化工程
（あ）本願発明における構成
　本願発明の平坦化工程は、以下のとおりである。
　「突起の上面を化学機械研磨により平坦化する平坦化工程」
　
（い）本願明細書等の記載
　平坦化工程については、本願明細書の段落【００３２】〜【００３６】等に記載されている。（上記摘記事項（６）参照）
　これらの記載に基づけば、突起の周囲の凹部に、埋込み層を形成する。この埋込み層は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing ；化学機械研磨）で突起の上面を平坦化する際の平坦化層として用いられる。埋込み層の材料は、二酸化ケイ素、窒化ケイ素（ＳｉＮ），ポリイミド，ポリメチルメタクリレート（Poly Methyl Methacrylate；ＰＭＭＡ），金属酸化膜などの絶縁体材料、あるいはシリコン，ゲルマニウムなどの半導体材料を用いてもよい。埋込み層の厚さは、突起を覆い尽くすように形成してもよく、突起の一部、例えば最先端部分が埋込み層から突出するように形成してもよい。続いて、突起および埋込み層をＣＭＰにより研磨し、突起の上面および埋込み層の上面を平坦化する。これにより、平坦化された上面を有する突起と、突起側面を覆うと共に突起の上面を露出させる埋込み層とを有する基板が得られる。平坦化された上面の幅は、突起の幅のとりうる値の範囲内で、ＣＭＰによる研磨時間により制御することができる。すなわち、突起は先端になるに従って断面積が小さくなっているので、ＣＭＰによる研磨時間を長くするほど上面の幅は大きくなる。したがって、突起の上面を平坦化することにより、上面の幅を、突起１４の幅と同様に、従来のフォトリソグラフィ技術では不可能であった５０ｎｍ未満とすると共に、上面の面積および形状のばらつきを少なくし、高さを均一にすることができる。
　
（う）検討
　しかしながら、一般的に研磨状態は、研磨時間のみならず、使用する研磨剤の種類や量、温度等の種々の研磨条件に左右されるものであるところ、上記記載を含む本願明細書等の全記載を参酌しても、研磨時間を含む具体的な研磨条件を見い出すことができない。そして、上記（２）のとおり、本願明細書等においては、突起の具体的形状も明らかではないことから、結局、本願明細書等の記載からは、具体的に、どの程度の突起上面の幅を露出させるために、どのような研磨条件でどの程度研磨すれば、本願発明の課題に合致する平坦化が可能であるのかを理解することはできない。
　してみると、本願の発明の詳細な説明には、本願発明の平坦化工程が、本願発明を当業者が容易に実施できる程度に明瞭かつ十分に記載されていない。
　
４．請求人の主張
　請求人は、上記意見書（「第１　手続の経緯」参照）において、参考図１〜参考図３を添付し、実験結果の説明に基づいて上記拒絶理由に対する反駁する主張を行っている。しかしながら、当該実験結果の説明を参酌しても上記（１）〜（３）については、依然として理解できるものではなく、また、請求人の添付した各参考図に示されている突起とスケール（参考図２においては１００ｎｍ、参考図３においては１μｍ）とを対比すれば、突起の間隔（ピッチ）は少なくとも数１００μｍ、突起の幅は少なくとも数１０μｍに亙っていることから、当該実験結果は、「従来のフォトリソグラフィ技術では不可能であった５０ｎｍ未満（０．４ｎｍ以上５０ｎｍ未満であることが好ましい）」の突起の幅と「突起の間隔（ピッチ）は１００ｎｍ以下」のパターンを実現する「本願発明」を実施したものとは認められない。
　したがって、意見書における請求人の主張は、採用することができない。
　
５．小括
　してみると、本願の発明の詳細な説明には、本願発明を当業者が容易に実施できる程度に明瞭かつ十分な記載がなされているとはいえない。
　
第５　むすび  
　以上のとおりであるから、本願は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。したがって、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。