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　特願２００７−５３３４５９「懸濁液から溶媒を蒸発させることによって半導体発光素子をコーティングする方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　３月３０日国際公開、ＷＯ２００６／０３３６９５、平成２０年　５月　１日国内公表、特表２００８−５１４０２６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００５年６月３０日（パリ条約による優先権主張２００４年９月２１日，米国）を国際出願日とする出願であって、平成２０年６月３０日付け及び同年１０月２９日付けで手続補正されたが、同年１２月１７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２１年３月２６日に拒絶査定不服審判が請求された後、当審において、平成２２年７月１４日付けで拒絶理由が通知され、これに応答して同年１１月１６日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２２年１１月１６日付け手続補正後の明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりである。
「半導体発光デバイスを製造する方法であって、
　溶媒内に懸濁された蛍光物質粒子を含む懸濁液を、半導体発光素子の少なくとも一部の発光面上に配置すること、
　制御蒸発のために、前記懸濁液を少なくとも一部の前記発光面上において実装基板上のキャビティ内に閉じ込め、前記キャビティはキャビティフロアを含み、前記発光素子は前記キャビティフロア上にあり、前記発光面は前記キャビティフロアから離れて突き出ていること、及び、
　少なくとも一部の前記溶媒を蒸発させ、前記蛍光物質粒子を、少なくとも一部の前記発光面上に堆積させ、その上に前記蛍光物質粒子を含むコーティングを形成すること
　を含むことを特徴とする方法。」
　
３．引用例・引用発明
　当審における、平成２２年７月１４日付け拒絶理由で引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００３-３１８４４８号公報（以下「引用例」という。）には、下記の事項が記載されている。
　
（１）「【００８２】（実施例１）図１に示すような表面実装型の発光装置を形成する。ＬＥＤチップは、発光層として単色性発光ピークが可視光である４７５ｎｍのＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ半導体を有する窒化物半導体素子を用いる。より具体的にはＬＥＤチップは、洗浄させたサファイヤ基板上にＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガス、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）ガス、窒素ガス及びドーパントガスをキャリアガスと共に流し、ＭＯＣＶＤ法で窒化物半導体を成膜させることにより形成させることができる。ドーパントガスとしてＳｉＨ４とＣｐ２Ｍｇを切り替えることによってｎ型窒化物半導体やｐ型窒化物半導体となる層を形成させる。
【００８３】ＬＥＤチップの素子構造としてはサファイア基板上に、アンドープの窒化物半導体であるｎ型ＧａＮ層、Ｓｉドープのｎ型電極が形成されｎ型コンタクト層となるＧａＮ層、アンドープの窒化物半導体であるｎ型ＧａＮ層、次に発光層を構成するバリア層となるＧａＮ層、井戸層を構成するＩｎＧａＮ層、バリア層となるＧａＮ層を１セットとしＧａＮ層に挟まれたＩｎＧａＮ層を５層積層させた多重量子井戸構造としてある。発光層上にはＭｇがドープされたｐ型クラッド層としてＡｌＧａＮ層、Ｍｇがドープされたｐ型コンタクト層であるＧａＮ層を順次積層させた構成としてある。（なお、サファイヤ基板上には低温でＧａＮ層を形成させバッファ層とさせてある。また、ｐ型半導体は、成膜後４００℃以上でアニールさせてある。）
【００８４】エッチングによりサファイア基板上の窒化物半導体に同一面側で、ｐｎ各コンタクト層表面を露出させる。各コンタクト層上に、スパッタリング法を用いて正負各台座電極をそれぞれ形成させる。なお、ｐ型窒化物半導体上の全面には金属薄膜を透光性電極として形成させた後に、透光性電極の一部に台座電極を形成させてある。出来上がった半導体ウエハーをスクライブラインを引いた後、外力により分割させ半導体発光素子であるＬＥＤチップを形成させる。
【００８５】一方、０．３ｍｍ厚の第一の銅板に打ち抜き加工を施し、一方方向に連なった一対のリード電極を複数個形成する。次に、前記第一の銅板より厚い膜厚からなる、１．２ｍｍ厚の第二の銅板に打ち抜き加工およびプレス加工を施し、主面側に発光素子チップを収納可能な凹部を有する金属基体を複数個形成する。前記一対のリード電極と前記金属基体をそれぞれ対向する方向より挿入し、前記金属基体の上方で前記金属基体を介してそれぞれのリード電極が対称となるように、金属金型内に配置する。この際、各リード電極のインナー先端部は、下方から支持体にて固定されている。
【００８６】このように金型内に設置された前記第一の銅板および前記第二の銅板を、成型樹脂により一体成形し、パッケージを作成する。このようにして得られたパッケージは、主面側に前記金属基体の凹部が露出する第一の凹部、該第一の凹部の上方にて外側へ広がる第一の主面、該第一の主面の上方にて外側へ広がる第二の主面、とを有している。前記第二の主面の外郭は角取りされた四角形であり、前記第一の主面の隅部は、前記第二の主面の隅部へ向かってそれぞれ突出部を設ける。前記突出部は、上方に剛性部材を載置した際に該剛性部材外部に露出するように構成されている。
【００８７】次に、前記金属基体に設けられた凹部内に、Ａｇ−Ｓｎ合金にてＬＥＤチップをダイボンドする。ここでダイボンドに用いられる接合部材は、上記のような合金の他、導電性材料が含有された樹脂又はガラス等を用いることができる。含有される導電性材料はＡｇが好ましく、含有量が８０％〜９０％であるＡｇペーストを用いると放熱性に優れて且つ接合後の応力が小さい発光装置が得られる。また、発光素子の基板側に金属層を設けて固着すると、放熱性および光取り出し効率が向上し好ましい。
【００８８】次に、ダイボンドされたＬＥＤチップの各電極と、パッケージ凹部底面から露出された各リード電極とをそれぞれＡｇワイヤにて電気的導通を取る。ここで構成部材に樹脂を用いない場合、Ａｌワイヤを用いることも可能である。
【００８９】次に、前記凹部から第二の主面を覆うように、ゲル状シリコーン樹脂をポッティングにより注入し、続いて前記ゲル状シリコーン樹脂上に透光性剛性部材としてガラスよりなるレンズを下方に押しつけて載置する。ここで前記レンズは、プラスティックである熱可塑性樹脂やガラス等で構成することができる。また、連続する一背面を有し、下方に突出した曲面を有している。また外周部に背面が前記第二の主面と平行である縁部を有している。さらに、前記縁部の外郭は前記第二の主面の外郭に内接するよう、円形を成している。これにように構成されたレンズを、前記第二の主面上に設置し、前記レンズの外側から露出された前記第一の主面の突出部から下方のゲル状シリコーン樹脂の一部を前記縁部の上面までオーバーフローさせた後、７０℃温度下にて２時間、１００℃温度下にて２時間、さらに１５０℃温度下にて２時間、加熱し各部材を構造的一体化させる。
【００９０】このようにして得られた発光装置は、気泡等の混入物を有さず、優れた信頼性および光学特性を有している。
・・・
【００９４】（実施例５）レンズ内に、予め蛍光物質を含有させる以外は、実施例１と同様にして発光装置を形成する。
【００９５】ここで蛍光物質は、Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅの希土類元素を化学量論比で酸に溶解した溶解液を蓚酸で共沈させる。これを焼成して得られる共沈酸化物と、酸化アルミニウムと混合して混合原料を得る。これにフラックスとしてフッ化バリウムを混合して坩堝に詰め、空気中１４００°Ｃの温度で３時間焼成して焼成品を得られる。焼成品を水中でボールミルして、洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通して中心粒径が２２μｍである（Ｙ０．９９５Ｇｄ０．００５）２．７５０Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ０．２５０蛍光物質を形成する。
【００９６】このようにして得られた蛍光物質とパウダー状のシリカとを１：２の割合で混合させ、金型にて溶融硬化させて一括成型させる。このようにして得られた色変換型発光装置は、実施例１と同様な効果が得られ、信頼性が高く且つ高出力で白色光を発光することができる。
【００９７】（実施例６）ニトロセルロース９０ｗｔ％とγ−アルミナ１０ｗｔ％からなるスラリーに対して上記蛍光物質を５０ｗｔ％含有させ、剛性部材の背面に塗布し、２２０℃にて３０分間加熱硬化させることにより色変換部材を構成する以外は実施例５と同様にして発光装置を形成すると、実施例５と同様の効果が得られる。
【００９８】（実施例７）前記発光素子を、前記ゲル状シリコーン樹脂上に弾性シリコーン樹脂を塗布した後、レンズを載置する以外は実施例１と同様にして発光装置を形成すると、レンズの密着性が向上され、実施例１よりさらに信頼性の高い発光装置が得られる。
【００９９】（実施例８）前記ゲル状シリコーン樹脂中に、上記蛍光物質を５０ｗｔ％含有させる以外は実施例７と同様にして発光装置を形成すると、実施例５と同様の効果が得られる。
【０１００】（実施例９）前記発光素子を、上記蛍光物質が５０ｗｔ％含有されたシリカ−ゲルにて予め封止する以外は、実施例１と同様にして発光装置を形成すると、実施例５と同様の効果が得られる。
【０１０１】（実施例１０）前記発光素子の表面を、上記蛍光物質とＳｉＯ２を有する連続した色変換層を、スプレーコーティングにより形成する以外は、実施例１と同様にして発光装置を形成する。ここで、前記色変換層の形成方法について詳述する。
【０１０２】工程１．アルキルシリケートとしてメチルシリケート、エチルシリケート、Ｎ−プロピルシリケート、Ｎ−ブチルシリケート、が使用できるが、本実施例では、ＳｉＯ２を４０ｗｔ％含むエチルシリケートを縮合させた無色透明のオリゴマー液体を使用する。また、エチルシリケートは、予め触媒存在下において水と反応させて加水分解反応を起こしゾル化させたものを使用する。
【０１０３】まず、ゾル状エチルシリケートとエチレングリコールと蛍光物質とが、重量比が１：１：１の割合で混合された溶液を撹拌し塗布液を調整する。ここで、ゾル状エチルシリケートは乾燥しやすいため、ブタノール、エチレングリコールのような高沸点（１００℃〜２００℃）の有機溶剤と混合することによりゲル化を防止することが好ましい。このように高沸点の有機溶剤と混合すると、ゾル状エチルシリケートのゲル化によるノズル先端部の目詰まりを防止し、作業効率を高めることができる。
【０１０４】工程２．上記塗布液を容器に入れ、循環ポンプによって塗布液を容器からノズルに搬送する。塗布液の流量はバルブによって調節する。ここで、ノズルから噴出される霧状の塗布液は、霧状で且つ螺旋状に回転されながら吹き付けられることを特徴とする。具体的には、ノズルの付近では円錐状に噴霧が広がり、ノズルから離れるにつれて円柱状に広がる。これにより、発光素子の上面、側面、および角部の全てを、膜厚がほぼ等しく且つ蛍光物質が均一に分散されてなる連続した色変換層にて覆うことができ、ブルーリング等の色むらを改善することができる。また、前記色変換層は一粒子層からなることが好ましく、これにより光の取り出し効率が向上される。本実施例では、発光素子の上面からノズル下端までの距離を４０〜５０ｍｍとして円柱状に噴霧が広がった状態の所に発光素子の表面がくるように設置し、塗布液とガスとを発光素子の上面、側面および角、さらに凹部内平面上にほぼ均一な膜厚を有し連続した色変換層を形成する。
【０１０５】また、上記工程は、塗布する場所を加温した状態にて行うことを特徴とする。これにより、エチルシリケートのゾル化にて生成したエタノールや溶剤を、発光素子上に吹き付けた瞬時に飛ばすことができる。これにより、発光素子へ悪影響を与えることなく色変換層を設けることができる。本実施例では、ヒーター上パッケージを載置しながらスプレーコーティングしており、前記ヒーターの温度は５０℃以上３００℃以下の温度に調整されていることが好ましい。
【０１０６】工程３．工程２を行った後、室温で放置すると、ゾル状エチルシリケートと空気中の水分とが反応し、ＳｉＯ２により蛍光物質が固着される。
【０１０７】工程４．次に、３００℃の温度で２時間乾燥させる。窒化物系発光素子は３５０℃以上の温度下に置かれると、発光素子としての性能が低下するため、３００℃の温度下で発光素子表面への固着が可能なアルキルシリケートは、蛍光物質の固着剤として好ましく用いることができる。
【０１０８】以上のように構成された発光装置は、全てが無機物にて構成されているため、高い放熱性と有すると共に近紫外や紫外線に対する耐光性にも優れている。本実施例の発光装置は、紫外域で発光する発光素子等、あらゆる素子を用いることができる。」
　
（２）「【図５】  図５は、実施例１０の発光装置を形成する一工程を示す模式的断面図である。
【図６】  図６は、実施例１０の発光装置を形成する一工程を示す模式的断面図である。
【図７】  図７は、実施例１０の発光装置を形成する一工程を示す模式的断面図である。
【図８】  図８は、実施例１０の発光装置を形成する一工程を示す模式的断面図である。
・・・
　【符号の説明】
１・・・パッケージ
・・・
２・・・発光素子チップ
３・・・柔軟性部材
４・・・剛性部材
５・・・リード電極
６・・・金属基体
７・・・ワイヤ
８・・・蛍光物質」
　
（３）上記（１）及び（２）を踏まえて図５〜８を見ると、実施例１０の色変換層を形成する工程において、発光素子チップ２は金属基体６に設けられた凹部の底部に載置されることが見て取れる。
　
（４）　上記（１）〜（３）から、引用例には、下記の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「表面実装型の発光装置の製造において、金属基体に設けられた凹部内の底部にダイボンドされたＬＥＤチップの表面に蛍光物質とＳｉＯ２とを有する連続した色変換層をスプレーコーティングする方法であって、まず、ゾル状エチルシリケートとエチレングリコールと蛍光物質とが、重量比が１：１：１の割合で混合された溶液を撹拌し塗布液を調整し（工程１）、この塗布液を、霧状で且つ螺旋状に回転させながら吹き付け、具体的には、ノズルの付近では円錐状に噴霧が広がり、ノズルから離れるにつれて円柱状に広がるように吹きつけ、これにより、ＬＥＤチップの上面、側面、および角部の全てを、膜厚がほぼ等しく且つ蛍光物質が均一に分散されてなる連続した色変換層にて覆い、また、好ましくは、前記色変換層を一粒子層からなるものとし、これにより光の取り出し効率を向上させ、また、この工程は、塗布する場所を加温した状態にて行い、これにより、エチルシリケートのゾル化にて生成したエタノールや溶剤を、発光素子上に吹き付けた瞬時に飛ばし、ＬＥＤチップへ悪影響を与えることなく色変換層を設け（工程２）、その後、室温で放置し、ゾル状エチルシリケートと空気中の水分とが反応してＳｉＯ２により蛍光物質が固着され（工程３）、最後に３００℃の温度で２時間乾燥させる（工程４）、方法」
　
　
４．対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）　引用発明の「表面実装型の発光装置」、「ＬＥＤチップ」及び「金属基体」は、それぞれ、本願発明の「半導体発光デバイス」、「半導体発光素子」及び「実装基板」に相当する。
　
（２）引用発明の「金属基体に設けられた凹部」および「金属基体に設けられた凹部内の底部」は、それぞれ、本願発明の「実装基板上のキャビティ」及び「キャビティフロア」に相当する。
　
（３）引用発明は、「ＬＥＤチップが金属基体に設けられた凹部内の底部にダイボンドされ、ＬＥＤチップの上面、側面、および角部の全てを、膜厚がほぼ等しく且つ蛍光物質が均一に分散されてなる連続した色変換層にて覆い、好ましくは、前記色変換層を一粒子層からなるものとし、これにより光の取り出し効率を向上させるもの」であって、金属基体に設けられた凹部内の底部に載置された引用発明のＬＥＤチップは、色変換層にて覆われ、金属基体に設けられた凹部内の底部から離れた上面、側面のいずれかから発光するものであるから、引用発明は、本願発明の「前記キャビティはキャビティフロアを含み、前記発光素子は前記キャビティフロア上にあり、前記発光面は前記キャビティフロアから離れて突き出ている」との特定事項を具備する。
　
（４）引用発明は、「ゾル状エチルシリケートとエチレングリコールと蛍光物質とが、重量比が１：１：１の割合で混合された溶液を撹拌した塗布液をノズルから吹き付け、これにより、発光素子の上面、側面、および角部の全てを、膜厚がほぼ等しく且つ蛍光物質が均一に分散されてなる連続した色変換層にて覆い、また、この工程は、塗布する場所を加温した状態にて行い、これにより、エチルシリケートのゾル化にて生成したエタノールや溶剤を、発光素子上に吹き付けた瞬時に飛ばし発光素子へ悪影響を与えることなく色変換層を設ける」ので、本願発明の「溶媒内に懸濁された蛍光物質粒子を含む懸濁液を、半導体発光素子の少なくとも一部の発光面上に配置すること、制御蒸発のために、前記懸濁液を少なくとも一部の前記発光面上において実装基板上のキャビティ内に閉じ込めること、及び、少なくとも一部の前記溶媒を蒸発させ、前記蛍光物質粒子を、少なくとも一部の前記発光面上に堆積させ、その上に前記蛍光物質粒子を含むコーティングを形成することを含む」との事項と、「蛍光物質粒子を含む溶液を、半導体発光素子の少なくとも一部の発光面上に配置すること、前記溶液を少なくとも一部の前記発光面上において実装基板上のキャビティ内に閉じ込めること、及び、少なくとも一部の前記溶媒を蒸発させ、前記蛍光物質粒子を、少なくとも一部の前記発光面上に堆積させ、その上に前記蛍光物質粒子を含むコーティングを形成することを含む」点で一致する。
　
（５）よって、本願発明と引用発明とは、
「　半導体発光デバイスを製造する方法であって、
　溶媒内に蛍光物質粒子を含む溶液を、半導体発光素子の少なくとも一部の発光面上に配置すること、
　前記溶液を少なくとも一部の前記発光面上において実装基板上のキャビティ内閉じ込め、前記キャビティはキャビティフロアを含み、前記発光素子は前記キャビティフロア上にあり、前記発光面は前記キャビティフロアから離れて突き出ていること、及び、
　少なくとも一部の前記溶媒を蒸発させ、前記蛍光物質粒子を、少なくとも一部の前記発光面上に堆積させ、その上に前記蛍光物質粒子を含むコーティングを形成することを含む方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１：
　「溶媒内に蛍光物質粒子を含む溶液」が、本願発明では、「溶媒内に懸濁された蛍光物質粒子を含む懸濁液」であるのに対し、引用発明では、そのようなものであるか不明である点。
　
相違点２：
　本願発明は、「制御蒸発のために、前記懸濁液を少なくとも一部の前記発光面上において実装基板上のキャビティ内に閉じ込める」のに対し、引用発明がそのようなものであるか不明である点。
　
　
５．判断
（１）相違点１について
　半導体発光素子の発光面上に蛍光物質粒子を堆積させ、蛍光物質粒子を含むコーティングを形成する方法として、溶媒内に懸濁された蛍光物質粒子を含む懸濁液を、半導体発光素子の発光面上に塗布し、前記溶媒を蒸発させることは、本願優先日の時点において周知の技術（例えば、特表２００３−５２６２１２号公報の段落【００２７】、特表２００２−５３１９５５号公報の段落【００２０】、特表２００４−５０１５１２号公報の段落【００７１】、特開２００２−７６４４６号公報の段落【００３７】〜【００３９】、特表２００３−５３３８５２号公報の段落【００４６】を参照。）である。　引用発明は、好ましくは、色変換層を一粒子層からなるものとするもので、引用発明の蛍光物質は塗布液に溶解されたものではなく粒子状で懸濁されたものであることが示唆されることからしても、引用発明の塗布液を上記周知の「溶媒内に懸濁された蛍光物質粒子を含む懸濁液」とし、引用発明を本願発明の相違点１に係る構成を具備するものとすることは当業者が容易になし得たことである。
　
　
（２）相違点２について
　本願発明において、懸濁液の溶媒を制御蒸発させるとは、本願明細書の段落【００４０】等の記載から、溶媒を蒸発させて懸濁液の物質を残し均一なコーティングを実現することをいうものと認められる。
　引用発明は、塗布液を、霧状で且つ螺旋状に回転させながら吹き付け、これにより、金属基体に設けられた凹部内の底部にダイボンドされたＬＥＤチップの上面、側面、および角部の全てを、膜厚がほぼ等しく且つ蛍光物質が均一に分散されてなる連続した色変換層にて覆い、また、好ましくは、前記色変換層を一粒子層からなるものとし、これにより光の取り出し効率を向上させ、また、この工程は、塗布する場所を加温した状態にて行い、これにより、溶剤を、発光素子上に吹き付けた瞬時に飛ばし前記色変換層を設けるものであるから、引用発明は、塗布液を金属基体に設けられた凹部内に閉じ込め、溶媒を蒸発させて懸濁液の蛍光物質を残し均一なコーティングを実現するものといえる。
　したがって、引用発明は、本願発明の「制御蒸発のために、前記懸濁液を少なくとも一部の前記発光面上において実装基板上のキャビティ内に閉じ込め、」との特定事項を具備するものといえるので、相違点２は実質的な相違ではない。
　
　よって、本願発明は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
６．むすび
　本願発明は、引用発明に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する