【事件の表示】
　特願２００３−２７１３４９「センサ装置及びセンサ装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　２月　３日出願公開、特開２００５−　３０９４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・原査定の拒絶の理由
　本願は、平成１５年７月７日の出願であって、明細書、特許請求の範囲又は図面について、平成２０年１０月１４日付けで手続補正（以下、「補正１」という。）がなされ、同年１０月３０日付け（送達日：同年１１月１１日）で拒絶査定がなされ、これに対して同年１２月１０日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
　そして、原査定の拒絶の理由は、特許請求の範囲に記載された発明は、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開２００１−１１６８１５号公報（以下、「引用刊行物１」という。）及び特開２００２−１１６０５５号公報（以下、「引用刊行物２」という。）に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許をすることができない、というものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項１ないし８に係る発明は、補正１によって補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１及び請求項６に係る発明は、次のとおりである。
　
「トリミング端子を備えるリードフレームと、該リードフレームに搭載され磁気抵抗素子から成るセンシング部を内蔵するＩＣチップと、ＩＣチップと所定位置離間して固定される該磁気抵抗素子にバイアス磁界を与える磁石から成る外部品とをモールド樹脂で封止してなるセンサ装置であって、
　前記リードフレームのトリミング端子をモールド樹脂から突出させたことを特徴とするセンサ装置。」（以下、「本願発明１」という。）
　
「リードフレームと、該リードフレームに搭載され磁気抵抗素子から成るセンシング部を内蔵するＩＣチップと、ＩＣチップと所定位置離間して固定される該磁気抵抗素子にバイアス磁界を与える磁石から成る外部品とをモールド樹脂で封止してなり、コネクタを備えるセンサ装置であって、
　トリミング端子を前記コネクタ内に配置したことを特徴とするセンサ装置。」（以下、「本願発明６」という。）
　
３　引用刊行物に記載の事項・引用発明
　引用刊行物１には、「センサ装置及びセンサ装置の製造方法」（発明の名称）に関して、次の事項が図面とともに記載されている。
　
（ａ）「リードフレームと、該リードフレームに搭載されセンシング部を有するＩＣチップと、前記リードフレームと前記ＩＣチップとを一次モールドする第一のモールド樹脂とを含むモールドＩＣと、前記リードフレームにより固定される外部品とを含むセンサ装置であって、
前記リードフレームは前記第一のモールド樹脂から突出した固定部を有し、該固定部にて前記外部品が固定されていることを特徴とするセンサ装置。」（【請求項１】）
　
（ｂ）「前記モールドＩＣと前記外部品とが固定された状態で第二のモールド樹脂により二次モールドされていることを特徴とする請求項１記載のセンサ装置。」（【請求項２】）
　
（ｃ）「前記ＩＣチップに内蔵されるセンシング部は磁気抵抗素子で、
前記外部品は該磁気抵抗素子にバイアス磁界を与える磁石であることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載のセンサ装置。」（【請求項７】）
　
（ｄ）「【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、ＩＣ部品等を樹脂でモールドした成型品を製造する際に、モールドＩＣと該モールドＩＣに固定される外部品とを有するセンサ装置及びセンサ装置の製造方法に関するものである。」（段落【０００１】）
　
（ｅ）「即ち、公差要因としては図１０中に示すごとく、主に、保持ピン６０の長さによる公差要因Ｃ、リードフレーム５に第一のモールド樹脂を一次モールドする際の、モールドする位置のずれによる公差Ｄ、該一次モールドする際のモールド寸法による公差Ｅ、磁石３の先端から保持ピン１までの公差Ｆ、というように多くの公差要因が存在していた。」（段落【０００５】）
　
（ｆ）「一方、従来においては磁石組み付けずれ等により発生する磁気抵抗素子の出力のオフセット対策として、ＣＭＯＳを用いた自動中点補正回路、及びピークボトムホールド回路等、複雑な回路方式を用いてオフセットの調整をしていた。しかし、経済性等の面から処理回路用ＣＭＯＳチップをなくし、小型化を図りたいという要求があり、そのような新規の回転検出磁気センサでは、二次モールドの前にトリミングによりオフセット調整を行う必要がある。従って、従来のような保持ピンで位置決めする方法では、二次モールドする際に磁気抵抗素子と磁石の位置関係がずれてしまう恐れがあるため、二次モールド前のオフセット調整が実質的に意味のないものになる場合がある。」（段落【０００７】）
　
（ｇ）「【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために請求項１に記載の発明を採用することができる。この発明は、リードフレームがモールド樹脂から突出した固定部を備え、該固定部にて外部品が固定されているものである。これによれば、外部品とモールドＩＣとの組み付け後における位置ずれを極力抑えるができる。」（段落【０００９】）
　
（ｈ）「図１においては、後述する磁気抵抗素子を含むＩＣチップがマウントされたリードフレーム５に、ＰＰＳやエポキシ樹脂等の第一のモールド樹脂にて一次モールドされたモールドＩＣ４が、中空部を有する磁石３に挿入された状態で、固定部２にて固定されている。なお、この磁石３は導体であるプラスティックマグネットを使用しており、ＩＣチップ６にバイアス磁界を与えるものである。」（段落【００２７】）
　
（ｉ）「そして、該固定された磁石３とモールドＩＣ４は、後述の金型７０のキャビティ３０内で保持ピン１により固定された状態でＰＰＳ等の第二のモールド樹脂にて二次モールドされ、二次モールド品１２０を形成する。該二次モールド品１２０は、モールドＩＣ４のリードフレーム５がターミナル１１０にて接続されている。ターミナル１１０はコネクタ１００の開口部内に突出しており、該コネクタ１００を電源に挿入することによりモールドＩＣ４による磁気測定が可能となる。」（段落【００２８】）
　
（ｊ）「ここで、ＩＣチップ６には、図４（ｂ）に示すようなＮｉ−Ｃｏ、Ｎｉ−Ｆｅ等の材料を用いた磁気抵抗素子（ＭＲＥ）１４がパターニングによりハの字型に形成されている。なお、該磁気抵抗素子１４が本発明に言うところのセンシング部に相当する。なお、この磁気抵抗素子１４の動作原理については、特開平３−１９５９２０号公報等に開示されているので、ここではその説明を省略する。」（段落【００３２】）
　
（ｋ）「次に、図５に示すようにＩＣチップ６と、更にコンデンサ１８をリードフレーム５上にマウントした後に、図示しない型のキャビティ内に二点鎖線９に沿って固定し、第一のモールド樹脂を注入して一次モールドを行う。なお、該一次モールドの際には、固定部２のタイバー１７は二点鎖線９より外に突出しており堤防のごとく作用するため、第一のモールド樹脂が固定部２のコの字型の穴の形状に流れ出るのを防止することができる。また、リードフレーム５の固定部２のリード１６ａと、ＩＣチップ６とワイヤ１５でつながれたリード１６ｂとは電気的に絶縁されている。」（段落【００３３】）
　
（ｌ）「図８はかしめ固定が終わった後の状態を示したものであるが、磁石３とモールドＩＣ４とをかしめ固定した後に、図８（ａ）に示すようにオフセット調整をするためにトリミング端子２６を適宜切断することによりトリミングを行う。このトリミングはトリミングの際の測定用の端子２７を電圧測定器に接続し、電圧測定しながら行う。」（段落【００３７】）
　
（ｍ）「そして、オフセット調整を終えた後は図９の概略図に示すように、かしめ固定され磁石３とモールドＩＣ４とが一体となったかしめ固定品８０を、金型７０のキャビティ３０内にて保持ピン１で磁石３の穴部２４を押さえながら、第二のモールド樹脂を充填させることにより二次モールドを行い、図１に説明した回転検出磁気センサを製造する。」（段落【００３９】）
　
（ｎ）「以上説明したように、本実施例は、磁気抵抗素子１４を含むモールドＩＣ４を、中空部１９を有する磁石３にリードフレーム５に形成した固定部２にてかしめ固定することにより磁気抵抗素子１４と磁石３の位置決めを行っている。」（段落【００４０】）
　
（ｏ）「また、磁石３とモールドＩＣ４とが固定された状態で二次モールドされるため、二次モールドの際に、磁石３と磁気抵抗素子１４の位置関係のずれが生じないようにすることができる。その結果、一次モールド後の二次モールド前に、図８を用いて説明したようなトリミングによるオフセット調整が可能となった。」（段落【００４２】）
　
　そして、上記記載事項（ａ）ないし（ｏ）、並びに、本実施例の二次モールド後の構成図である図１、ＩＣチップをマウント後のリードフレームの拡大図である図５、磁石とモールドＩＣの取り付け正面図である図６（ａ）、本実施例のかしめ固定品の正面図である図８（ａ）及び本実施例のかしめ固定品の下面図である図８（ｃ）から、以下の技術事項（ア）ないし（カ）をそれぞれ読み取ることができる。
　
・（ｇ）、（ｉ）及び図５から、
（ア）ＩＣチップ６は、磁気抵抗素子１４を含み、かつ、リードフレーム５にマウントされている点。
　
・（ｅ）、（ｋ）から、トリミング端子２６は磁気抵抗素子１４のオフセット調整をするものであり、該磁気抵抗素子１４はＩＣチップ６に含まれる形でリードフレーム５にマウントされていることから、トリミング２６端子がリードフレーム５に電気的に接続されることは明らかである。
　さらに、図８（ａ）に図示されているトリミング端子２６が、図６（ａ）においてモールドＩＣ４から突出するように図示されており、そして、記載事項（ａ）、（ｊ）及び図５から、リードフレーム５の一部はモールドＩＣ４から突出していることから、
（イ）トリミング端子２６は、リードフレーム５に備えられている点。
　
・（ｋ）、（ｌ）及び図５から、磁気抵抗素子１４を含むＩＣチップ６と磁石３とは、モールドＩＣ４を磁石３にかしめ固定することにより位置決め固定されており、また、図８（ｃ）から、ＩＣチップ６がマウントされるリードフレーム５と磁石３とが、ある程度離れた位置で固定されていることが明らかであるから、
（ウ）磁石３とＩＣチップ６とは、所定位置離間して固定されている点。
　
・（ｇ）から、磁石３は、ＩＣチップ６にバイアス磁界を与えるものであり、そして、ＩＣチップ６は磁気抵抗素子１４を含むことから
（エ）磁石３は、磁気抵抗素子１４にバイアス磁界を与える点。
　
・（ｃ）から、
（オ）外部品は、磁気抵抗素子１４にバイアス磁界を与える磁石３から成る点。
　
・（ｇ）、（ｌ）及び図１から、回転検出磁気センサは、リードフレーム５とＩＣチップ６とが一次モールドされたモールドＩＣ４と、磁石３からなる外部品とが二次モールドされることにより形成されるものである。すなわち、リードフレーム５、ＩＣチップ６及び磁石３が、モールド樹脂で封止されていることは明らかであるから、
（カ）回転検出磁気センサは、リードフレーム５と、ＩＣチップ６と、外部品とをモールド樹脂で封止してなる点。
　
　したがって、以上の技術事項（ア）ないし（カ）を総合勘案すると、引用刊行物１には、次の発明が記載されていると認められる。
「トリミング端子２６を備えるリードフレーム５と、該リードフレーム５にマウントされ磁気抵抗素子１４を含むＩＣチップ６と、ＩＣチップ６と所定位置離間して固定される該磁気抵抗素子１４にバイアス磁界を与える磁石３から成る外部品とをモールド樹脂で封止してなる回転検出磁気センサ。」（以下、「引用発明１」という。）
　
４　対比
　本願発明１と引用発明１とを比較する。
　
（ア）引用発明１の「トリミング端子２６」は、本願発明１の「トリミング端子」に相当し、以下同様に、「リードフレーム５」は「リードフレーム」に、「マウントされ」は「搭載され」に、「磁気抵抗素子１４を含むＩＣチップ６」は「磁気抵抗素子から成るセンシング部を内蔵するＩＣチップ」に、「回転検出磁気センサ」は「センサ装置」に、それぞれ相当する。
　
（イ）引用発明１の「ＩＣチップ６と所定位置離間して固定される該磁気抵抗素子１４にバイアス磁界を与える磁石３」は、本願発明１の「ＩＣチップと所定位置離間して固定される該磁気抵抗素子にバイアス磁界を与える磁石」に、相当する。
　
　したがって、本願発明１と引用発明１の両者は、
「トリミング端子を備えるリードフレームと、該リードフレームに搭載され磁気抵抗素子から成るセンシング部を内蔵するＩＣチップと、ＩＣチップと所定位置離間して固定される該磁気抵抗素子にバイアス磁界を与える磁石から成る外部品とをモールド樹脂で封止してなるセンサ装置」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］
　本願発明１のセンサ装置が、リードフレームのトリミング端子をモールド樹脂から突出させたのに対し、
　引用発明１の回転検出磁気センサは、トリミング端子２６がリードフレーム５とＩＣチップ６と外部品とを封止したモールド樹脂から突出しているか否か、不明な点。
　
５　相違点１についての判断
　引用刊行物１の記載事項（ｅ）に、「公差要因としては……リードフレーム５に第一のモールド樹脂を一次モールドする際の、モールドする位置のずれによる公差Ｄ……というように、多くの公差要因が存在していた。」とも記載されているように、モールド成形の前後において、モールドされる複数の部材間の位置関係にずれが生じることは、技術常識である。
　そして、引用刊行物１の記載事項（ｆ）に、「一方、従来においては磁石組み付けずれ等により発生する磁気抵抗素子の出力のオフセット対策として、ＣＭＯＳを用いた自動中点補正回路、及びピークボトムホールド回路等、複雑な回路方式を用いてオフセットの調整をしていた。しかし、経済性等の面から処理回路用ＣＭＯＳチップをなくし、小型化を図りたいという要求があり、そのような新規の回転検出磁気センサでは、二次モールドの前にトリミングによりオフセット調整を行う必要がある。」と記載されているように、組み付けずれ（位置関係のずれ）により発生する出力オフセットの調整をトリミングでおこなう技術もまた、周知技術である。
　
　さらに、電子素子の出力調整を、該電子素子の組み付け後、すなわち、電子素子が製品として組み付けられた状態の後でおこなうこともまた、周知技術である。例えば、引用刊行物２の「この調整のための端子は、リードフレーム２５を介してセンサ本体２２の外部まで導出することによって、磁石のばらつきを含めて組み付けられた状態での調整が可能とされる。」（【００３１】）との記載や、特開２００３−１１００２９号公報（平成１５年４月１１日公開）の「……。現在はチップをモールド成形する前の工程でトリミングを行っているため、外部に端子を出す必要が無いが、モールド成形前後でアナログ量に変動をきたす恐れがあるため、理想的にはモールド成形後にトリミングを行いたい。……」（【０００４】）との記載を、参照されたい。
　
　また、モールド成形時の応力の影響によってモールドされる電子素子の出力に変動が生じること、及び、該出力変動の調整をモールド後にトリミングでおこなうこともまた、周知技術である。例えば、前記特開２００３−１１００２９号公報の「トリミング回路は、このバラツキを持ったアナログ量をある決まった値に補正するものである。……。しかし、ＩＣの後工程、例えば、モールド加工などの後では応力の影響などを避けるため予めこの変動分を加味して調整を行う必要がある。」（【０００２】）との記載及び前記【０００４】の記載を、参照されたい。
　
　してみれば、引用発明１の回転検出磁気センサにおいても、二次モールドによって、磁石３と磁気抵抗素子１４との位置関係のずれや磁気抵抗素子１４への応力の影響により、磁気抵抗素子１４の信号出力に変動が生じることが予想されるところ、該信号出力の変動の調整によるセンサのより正確な調整を可能とするために、部材の組み付け後にトリミング調整をおこなうという周知技術を適用して、磁石３とモールドＩＣ４とをかしめ固定した時点で外部に突出した状態であったトリミング端子２６を二次モールド後においてもモールド樹脂から突出した状態とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
　そして、本願発明１が奏する効果も、引用発明１から、当業者が予測し得る範囲内のものであって、格別なものではない。
　
　なお、引用刊行物１の上記記載事項（ｌ）、（ｏ）には、引用発明１の回転検出磁気センサは、磁石３とモールドＩＣ４とがかしめ固定された状態で二次モールドすることで、二次モールドの際に磁石３と磁気抵抗素子１４の位置関係のずれが生じないため、二次モールド前にトリミングによるオフセット調整が可能である旨、記載されている。
　しかしながら、上記のとおり、モールド技術においてモールドされる複数の部材間にモールド前後で位置関係のずれが生じることは技術常識であり、また、引用刊行物１の段落【００１０】の「二次モールドの際に外部品とモールドＩＣとの位置関係のずれを極力抑えることができる。」との記載にも「極力抑える」と記載されていることから、引用刊行物１には、二次モールドの際、磁石３と磁気抵抗素子１４との位置関係のずれが若干生じることが十分に示唆されているものと認められる。少なくとも、モールドによって応力の影響が生じることを否定するものではない。
　
　したがって、本願発明１は、引用発明１及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６　本願発明６について
　本願発明６についても検討しておく。
　
　引用刊行物１の上記記載事項（ａ）ないし（ｏ）、上記技術事項（ア）ないし（カ）を総合勘案すると、引用刊行物１には、次の発明が記載されていると認められる。
「リードフレーム５と、該リードフレーム５にマウントされ磁気抵抗素子１４を含むＩＣチップ６と、ＩＣチップ６と所定位置離間して固定される該磁気抵抗素子１４にバイアス磁界を与える磁石３から成る外部品とをモールド樹脂で封止してなり、コネクタ１００を備える回転検出磁気センサであって、
　トリミング端子を配置した回転検出磁気センサ。」（以下、「引用発明２」という。）
　
　本願発明６と引用発明２とを比較すると、両者は、
「リードフレームと、該リードフレームに搭載され磁気抵抗素子から成るセンシング部を内蔵するＩＣチップと、ＩＣチップと所定位置離間して固定される該磁気抵抗素子にバイアス磁界を与える磁石から成る外部品とをモールド樹脂で封止してなり、コネクタを備えるセンサ装置であって、
　トリミング端子を配置したセンサ装置。」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点２］
　本願発明６のセンサ装置が、トリミング端子をコネクタ内に配置したのに対し、引用発明２の回転検出磁気センサのトリミング端子２６は、コネクタ１００内には配置されていない点。
　
　しかしながら、引用刊行物２の段落【００３１】には、「この調整のための端子は、リードフレーム２５を介してセンサ本体２２の外部まで導出することによって、磁石のばらつきを含めて組み付けられた状態での調整が可能とされる。」と記載されており、センサ装置の調整手段として、センサ要素が組み付けられた状態において、精度向上のためにセンサの調整を可能とするために調整用の端子をセンサの外部に導出する構成が、開示されている。また、センサ調整用の端子を外部に導出して設けることは、周知技術である。例えば、前記特開２００３−１１００２９号公報（【０００４】）の記載を参照されたい。
　
　したがって、引用発明２において、二次モールド後でもトリミング調整を可能とするために、トリミング端子２６をモールドされない箇所であるコネクタ１００内に設けることは、当業者が容易に想到し得る事項である。
　
　そして、本願発明６が奏する効果も、引用発明２及び引用刊行物２に記載の技術事項から、当業者が予測し得る範囲内のものであって、格別なものではない。
　
　したがって、本願発明６は、引用発明２、引用刊行物２に記載の技術事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
７　まとめ
　以上のとおり、本願発明１は、引用発明１及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、本願発明６は、引用発明２、引用刊行物２に記載の技術事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。