【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年11月25日(2010.11.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のマイクロ構造あるいはナノ構造の製造方法であって、
−結晶材料から成る第一のウェーハ（１）の一方の表面（３）を結晶材料から成る第二のウェーハ（２）の一方の表面（４）に接触して配置することによって前記第一のウェーハを前記第二のウェーハに結合する段階であって、前記第一のウェーハの結晶材料、前記第二のウェーハの結晶材料、及び、前記表面を配置することが、前記表面に存在する結晶格子が、前記結合された２つのウェーハによって形成されるユニットの結晶層であって前記結合された２つのウェーハの間の界面に配置される結晶層内に結晶欠陥格子及び／又は歪み格子の形成を可能にするように少なくとも一つの不整合パラメーターを提供するように、かつ、少なくとも一つの前記格子がマイクロ構造あるいはナノ構造を形成するようにする段階と、
−前記の２つのウェーハのうちの一方を薄板化して、他方のウェーハによって形成された基板（１０）上の格子欠陥及び又は格子歪みを露出する段階と、
−前記結晶欠陥格子（６）及び／又は歪み格子を表面処理する段階であって、前記表面処理が、前記結晶層に対して結晶欠陥の物理的／電子的又は光電子的振る舞いにおける差を強調するものである段階と、
を備えていることを特徴とするマイクロ構造あるいはナノ構造の製造方法。
【請求項２】
前記不整合パラメーターが、前記基板に存在する結晶格子における所定の回転シフト（β）によって決められることを特徴とする請求項１に記載のマイクロ構造あるいはナノ構造の製造方法。
【請求項３】
前記不整合パラメーターが、前記ウェーハの接触面の結晶材料間での結晶格子定数の差によって決められることを特徴とする請求項１に記載のマイクロ構造あるいはナノ構造の製造方法。
【請求項４】
前記不整合パラメーターが、少なくとも一方のウェーハの表面に対応する通常の結晶面方向に対してシフトするような所定の角度（α）によって決められることを特徴とする請求項１に記載のマイクロ構造あるいはナノ構造の製造方法。
【請求項５】
前記接触が疎水性タイプのものであることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のマイクロ構造あるいはナノ構造の製造方法。
【請求項６】
前記接触の段階の間に、前記第一のウェーハ及び前記第二のウェーハが熱処理を受けることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のマイクロ構造あるいはナノ構造の製造方法。
【請求項７】
さらに、結晶欠陥の格子及び／又は歪みの格子の形成を完成することを目的とした少なくとも一つの熱処理段階を含むことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のマイクロ構造あるいはナノ構造の製造方法。
【請求項８】
前記薄板化段階は、研削、機械的研磨あるいは化学的研磨の中から選択した方法によって実施することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のマイクロ構造あるいはナノ構造の製造方法。
【請求項９】
前記薄板化段階は、前記接触段階前に、所望の薄膜化段階に対応する所定の深さにおいてその接触表面を介して後続の熱処理段階中に劈開平面を生成することができるマイクロキャビティの層を生成するためのイオン注入段階にさらされる前記ウェーハの一方の劈開によって行われることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のマイクロ構造あるいはナノ構造の製造方法。
【請求項１０】
前記イオン注入は水素イオンによって行われることを特徴とする請求項９に記載のマイクロ構造あるいはナノ構造の製造方法。
【請求項１１】
少なくとも一つの前記熱処理段階は、結晶欠陥の格子及び／又は歪みの格子の形成を完成することと劈開面を生成することとを同時に可能にすることを特徴とする請求項９あるいは請求項１０のいずれか一項に記載のマイクロ構造あるいはナノ構造の製造方法。
【請求項１２】
前記選択的処理段階が、前記結晶層が互いに電気的に接続したマイクロボリュームを形成するように、結晶欠陥（６）及び／又は歪みの格子を導電性にすることを含んでいることを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載のマイクロ構造あるいはナノ構造の製造方法。
【請求項１３】
前記結晶層はリンの拡散によって導電性を有するようにすることを含んでいることを特徴とする請求項１２に記載のマイクロ構造あるいはナノ構造の製造方法。
【請求項１４】
前記選択的処理段階が、前記結晶層が互いに電気的に絶縁されたマイクロボリュームを形成するように電気的絶縁化を含んでいることを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載のマイクロ構造あるいはナノ構造の製造方法。
【請求項１５】
前記選択的処理段階は、結晶欠陥（６）及び／又は結晶歪みの化学的研磨を含むことを特徴とする請求項１４に記載のマイクロ構造あるいはナノ構造の製造方法。
【請求項１６】
前記化学的研磨を、金属の不純物あるいはドープした不純物の沈殿による結晶欠陥及び／又は結晶歪みの処理段階の後に実施することを特徴とする請求項１５に記載のマイクロ構造あるいはナノ構造の製造方法。
【請求項１７】
前記化学的研磨を、電気的絶縁化の後に実施することを特徴とする請求項１５に記載のマイクロ構造あるいはナノ構造の製造方法。
【請求項１８】
前記電気的絶縁化が、電気伝導がトンネル効果あるいはファウラー−ノルドハイム効果によって生じるタイプのものであることを特徴とする請求項１４に記載のマイクロ構造あるいはナノ構造の製造方法。
【請求項１９】
前記選択的処理段階は、前記結晶層が半導体ゾーンによって互いに接続した、あるいはポテンシャル障壁を有する結晶パッドを形成するように、結晶欠陥及び／又は結晶歪みを処理することを含むことを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載のマイクロ構造あるいはナノ構造の製造方法。
【請求項２０】
前記選択的処理段階は、前記薄板化段階によって露出した結晶材料とともに結晶格子不整合を有する結晶材料をエピタキシーによって堆積することを含み、この堆積した結晶材料が、結晶欠陥（６）の格子及び／又は下にある歪みの格子に対応する整列した一群の島を形成することを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載のマイクロ構造あるいはナノ構造の製造方法。
【請求項２１】
請求項１から請求項２０のいずれか一項に記載の製造方法によって、接触面（３，４）が半導体材料であるウェーハ（１，２）から得られることを特徴とする、基板上のマイクロ構造あるいはナノ構造。
【請求項２２】
前記接触面がＳｉＣから成ることを特徴とする請求項２１に記載の基板上のマイクロ構造あるいはナノ構造。
【請求項２３】
前記接触面の少なくとも一つの面が、ＧａＡｓあるいはＧａＡｌＡｓから成ることを特徴とする請求項２０に記載の基板上のマイクロ構造あるいはナノ構造。
【請求項２４】
請求項１から請求項２０のいずれか一項に記載の製造方法によって得られた基板上のマイクロ構造あるいはナノ構造であって、一方のウェーハがＳＯＩと呼ばれるＳｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒウェーハによって形成され、他方のウェーハがシリコンから成り、かつ薄板化したウェーハを形成する、ことを特徴とする基板上のマイクロ構造あるいはナノ構造。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
マイクロ構造を製造することを望むならば、技術は、今日マイクロ電子工学の領域における従来型のものを用いることが可能である。特に、乾式エッチングあるいは湿式エッチングを併せたリソグラフィ、イオン注入、蒸着、あるいは熱処理の原理を用いる。例えば、単結晶シリコンから成る平行六面体形状の複数のマイクロボリューム（microvolumes）（各ボリュームが側面長さ１μｍで厚さ０．２μｍを有し、ボリュームは０．５μｍの距離で離間している）スクウェアネットワーク（square network）を形成することが望むならば、０．２μｍの膜厚の単結晶シリコン層を有するＳＯＩ(Silicon-on-Insulator)を有することが可能である。感光性樹脂層がウェーハシリコン層に適用され、その感光性樹脂層は、マイクロボリューム間の間隔を表す０．５μｍ幅の行及び列のマトリックスを用いてその樹脂をパターン化するために電子ビームパターン発生器を用いて分離される。露出部を現像するため、樹脂現像は行列マトリックスに対応するシリコン層を被覆しない。次に、ウェーハに、樹脂に関係するシリコンの選択的除去のためのプラズマエッチングを施す。にエッチング操作は、下位のシリコン層に達したら完了である。樹脂を除去した後、１μｍ×１μｍ×０．２μｍのサイズでかつ０．５μｍ間隔を有するマイクロボリュームのネットワークが得られる。必要なら、マイクロボリューム間のスペースを、熱酸化処理あるいはＣＶＤ型の蒸着処理のいずれかを用いて、ＳｉＯ２のような誘電体層で充填する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
選択処理の電気的絶縁は、電気伝導がトンネル効果あるいはファウラー−ノルドハイム効果のような物理的効果によって生ずることが可能なタイプのものである。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
図１（Ａ）で示した方法の実施形態を以下に詳細に説明する。説明を簡単にするために、結晶欠陥格子は、それが通常格子歪みに関連し、かつ選択処理もその格子歪みにおいて行われ得るという条件で検討される。