(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１の主面と第２の主面とを有する素子基板と、前記第１の主面上に形成された電極部と、前記電極部を内部に臨む開口部を有するように前記第１の主面上に設けられた支持層と、前記支持層の開口部を閉成するように該支持層に接合されたカバー部材とを含み、前記素子基板と前記支持層と前記カバー部材とで形成される中空部分に前記電極部の少なくとも一部が露出されている、電子部品素子と、
前記カバー部材が所定の隙間を介して対向され、前記電子部品素子が実装されるパッケージ基板と、
前記電子部品素子の外周を封止するように前記パッケージ基板上に設けられたモールド樹脂層とを備える電子部品であって、
前記カバー部材が、前記パッケージ基板側に設けられた樹脂材料を含む第１のカバー部材と、
前記素子基板側に配置され、前記第１のカバー部材上に設けられた樹脂材料を含む第２のカバー部材とを有し、
前記第１のカバー部材のガラス転移温度が前記第２のカバー部材のガラス転移温度よりも高く、
前記支持層が樹脂材料からなり、
前記第１のカバー部材のガラス転移温度が、前記支持層のガラス転移温度よりも高く、
前記支持層のガラス転移温度が、前記第２のカバー部材のガラス転移温度よりも高く、
前記第２のカバー部材のガラス転移温度が、前記モールド樹脂層のガラス転移温度よりも高い、電子部品。
【請求項２】
互いに対向する第１の主面と第２の主面とを有する素子基板と、前記第１の主面上に形成された電極部と、前記電極部を内部に臨む開口部を有するように前記第１の主面上に設けられた支持層と、前記支持層の開口部を閉成するように該支持層に接合されたカバー部材とを含み、前記素子基板と前記支持層と前記カバー部材とで形成される中空部分に前記電極部の少なくとも一部が露出されている、電子部品素子と、
前記カバー部材が所定の隙間を介して対向され、前記電子部品素子が実装されるパッケージ基板と、
前記電子部品素子の外周を封止するように前記パッケージ基板上に設けられたモールド樹脂層とを備える電子部品であって、
前記カバー部材が、前記パッケージ基板側に設けられた樹脂材料を含む第１のカバー部材と、
前記素子基板側に配置され、前記第１のカバー部材上に設けられた樹脂材料を含む第２のカバー部材とを有し、
前記第１のカバー部材のガラス転移温度が前記第２のカバー部材のガラス転移温度よりも高く、
前記支持層が樹脂材料からなり、
前記第１のカバー部材のガラス転移温度が、前記支持層のガラス転移温度よりも高く、
前記支持層のガラス転移温度が、前記第２のカバー部材のガラス転移温度よりも高く、
前記モールド樹脂層のガラス転移温度よりも動作温度の上限値が低い、電子部品。
【請求項３】
前記素子基板の前記第１の主面に設けられており、かつ前記支持層に覆われているパッド電極と、
前記支持層及び前記カバー部材に設けられており、かつ前記パッド電極に至るように設けられている貫通孔と、
前記貫通孔内に設けられているアンダーバンプメタル層と、
前記アンダーバンプメタル層上に設けられており、かつ前記パッケージ基板と電気的に接続しているバンプ電極とを備える、請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記第１のカバー部材のガラス転移温度が１８０℃以上であり、
前記第２のカバー部材のガラス転移温度が１５０℃以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項５】
前記モールド樹脂層の弾性率が、前記第１のカバー部材の弾性率よりも大きく、
前記第１のカバー部材の弾性率が、前記第２のカバー部材の弾性率よりも大きい、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項６】
互いに対向する第１の主面と第２の主面とを有する素子基板と、前記第１の主面に設けられている電極部とを有する電子部品素子を用意する工程と、
前記第１の主面に、前記電極部を囲むように、支持層を設ける工程と、
第１のカバー部材と、前記第１のカバー部材上に設けられた第２のカバー部材とを有し、かつ前記第１のカバー部材のガラス転移温度が前記第２のカバー部材のガラス転移温度よりも高いカバー部材を、前記第１の主面と前記第２のカバー部材とが対向するようにして、前記支持層上に設ける工程と、
前記カバー部材を熱硬化させる工程と、
前記第１のカバー部材の、前記第２のカバー部材が設けられている側とは反対側の面にパッケージ基板を設ける工程と、
前記電子部品素子を封止するように前記パッケージ基板上に、モールド樹脂層を設ける工程とを備え、
前記支持層が樹脂材料からなり、
前記第１のカバー部材のガラス転移温度が、前記カバー部材を熱硬化させる温度よりも高く、前記カバー部材を熱硬化させる温度が、前記支持層のガラス転移温度よりも高く、前記支持層のガラス転移温度が、前記第２のカバー部材のガラス転移温度よりも高く、前記第２のカバー部材のガラス転移温度が、前記モールド樹脂層のガラス転移温度よりも高い、電子部品の製造方法。
【請求項７】
互いに対向する第１の主面と第２の主面とを有する素子基板と、前記第１の主面に設けられている電極部とを有する電子部品素子を用意する工程と、
前記第１の主面に、前記電極部を囲むように、支持層を設ける工程と、
第１のカバー部材と、前記第１のカバー部材上に設けられた第２のカバー部材とを有し、かつ前記第１のカバー部材のガラス転移温度が前記第２のカバー部材のガラス転移温度よりも高いカバー部材を、前記第１の主面と前記第２のカバー部材とが対向するようにして、前記支持層上に設ける工程と、
前記カバー部材を熱硬化させる工程と、
前記第１のカバー部材の、前記第２のカバー部材が設けられている側とは反対側の面にパッケージ基板を設ける工程と、
前記電子部品素子を封止するように前記パッケージ基板上に、モールド樹脂層を設ける工程とを備え、
前記支持層が樹脂材料からなり、
前記第１のカバー部材のガラス転移温度が、前記カバー部材を熱硬化させる温度よりも高く、前記カバー部材を熱硬化させる温度が、前記支持層のガラス転移温度よりも高く、前記支持層のガラス転移温度が、前記第２のカバー部材のガラス転移温度よりも高く、前記モールド樹脂層のガラス転移温度よりも動作温度が低い、電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記電子部品素子の前記第１の主面にパッド電極を設ける工程と、
前記パッド電極を覆うように前記支持層を設ける工程と、
前記支持層及び前記カバー部材に、前記パッド電極に至るように、貫通孔を設ける工程と、
前記貫通孔内にアンダーバンプメタル層を設ける工程と、
前記アンダーバンプメタル層上に、前記パッケージ基板と電気的に接続する、バンプ電極を設ける工程とを備える、請求項６または７に記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記カバー部材を設ける工程において、前記第１及び第２のカバー部材の積層体を支持層上に接合する工程を備える、請求項６〜８のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記モールド樹脂層の弾性率が、前記第１のカバー部材の弾性率よりも大きく、前記第１のカバー部材の弾性率が、前記第２のカバー部材の弾性率よりも大きい、請求項６〜９のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モールド樹脂層を有する電子部品及び電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、モールド樹脂層を有する電子部品が広く用いられている。
【０００３】
下記の特許文献１に記載の弾性表面波装置では、カバー部材の上に、モールド樹脂よりも弾性率が小さい保護体が設けられている。それによって、樹脂モールド時に弾性表面波装置に加わる圧力衝撃に対する耐久性が高められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４８１１２３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の弾性表面波装置においても、樹脂モールド時に加わる圧力によってカバー部材が変形することがあった。変形したカバー部材がＩＤＴ電極などと接触することにより、ＩＤＴ電極が損傷することがあった。
【０００６】
本発明の主な目的は、樹脂モールド時などにおいて圧力が加わったとしても、損傷が生じ難い、電子部品及び電子部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る電子部品は、互いに対向する第１の主面と第２の主面とを有する素子基板と、前記第１の主面上に形成された電極部と、前記電極部を内部に臨む開口部を有するように前記第１の主面上に設けられた支持層と、前記支持層の開口部を閉成するように該支持層に接合されたカバー部材とを含み、前記素子基板と前記支持層と前記カバー部材とで形成される中空部分に前記電極部の少なくとも一部が露出されている、電子部品素子と、前記カバー部材が所定の隙間を介して対向され、前記電子部品素子が実装されるパッケージ基板と、前記電子部品素子の外周を封止するように前記パッケージ基板上に設けられたモールド樹脂層とを備える。前記カバー部材が、前記パッケージ基板側に設けられた樹脂材料を含む第１のカバー部材と、前記素子基板側に配置され、前記第１のカバー部材上に設けられた樹脂材料を含む第２のカバー部材とを有する。前記第１のカバー部材のガラス転移温度が前記第２のカバー部材のガラス転移温度よりも高い。
【０００８】
本発明に係る電子部品のある特定の局面では、前記素子基板の前記第１の主面に設けられており、かつ前記支持層に覆われているパッド電極と、前記支持層及びカバー部材に設けられており、かつ前記パッド電極に至るように設けられている貫通孔と、前記貫通孔内に設けられているアンダーバンプメタル層と、前記アンダーバンプメタル層上に設けられており、かつ前記パッケージ基板と電気的に接続しているバンプ電極とを備える。
【０００９】
本発明に係る電子部品の他の特定の局面では、前記第１のカバー部材のガラス転移温度が１８０℃以上であり、前記第２のカバー部材のガラス転移温度が１５０℃以下である。
【００１０】
本発明に係る電子部品の他の特定の局面では、前記支持層が樹脂材料からなり、前記第１のカバー部材のガラス転移温度が、前記支持層のガラス転移温度よりも高く、前記支持層のガラス転移温度が、前記第２のカバー部材のガラス転移温度よりも高く、前記第２のカバー部材のガラス転移温度が、前記モールド樹脂層のガラス転移温度よりも高い。
【００１１】
本発明に係る電子部品の他の特定の局面では、前記支持層が樹脂材料からなり、前記第１のカバー部材のガラス転移温度が、前記支持層のガラス転移温度よりも高く、前記支持層のガラス転移温度が、前記第２のカバー部材のガラス転移温度よりも高く、前記モールド樹脂層のガラス転移温度よりも動作温度の上限値が低い。
【００１２】
本発明に係る電子部品の他の特定の局面では、前記モールド樹脂層の弾性率が、前記第１のカバー部材の弾性率よりも大きく、前記第１のカバー部材の弾性率が、前記第２のカバー部材の弾性率よりも大きい。
【００１３】
本発明に係る電子部品の製造方法は、互いに対向する第１の主面と第２の主面とを有する素子基板と、前記第１の主面に設けられている電極部とを有する電子部品素子を用意する工程と、前記第１の主面に、前記電極部を囲むように、支持層を設ける工程と、第１のカバー部材と、前記第１のカバー部材上に設けられた第２のカバー部材とを有し、かつ前記第１のカバー部材のガラス転移温度が前記第２のカバー部材のガラス転移温度よりも高いカバー部材を、前記第１の主面と前記第２のカバー部材とが対向するようにして、前記支持層上に設ける工程と、前記カバー部材を熱硬化させる工程と、前記第１のカバー部材の、前記第２のカバー部材が設けられている側とは反対側の面にパッケージ基板を設ける工程と、前記電子部品素子を封止するように前記パッケージ基板上に、モールド樹脂層を設ける工程とを備える。
【００１４】
本発明に係る電子部品の製造方法のある特定の局面では、前記電子部品素子の前記第１の主面にパッド電極を設ける工程と、前記パッド電極を覆うように前記支持層を設ける工程と、前記支持層及び前記カバー部材に、前記パッド電極に至るように、貫通孔を設ける工程と、前記貫通孔内にアンダーバンプメタル層を設ける工程と、前記アンダーバンプメタル層上に、前記パッケージ基板と電気的に接続する、バンプ電極を設ける工程とが備えられている。
【００１５】
本発明に係る電子部品の製造方法の他の特定の局面では、前記カバー部材を設ける工程において、前記第１及び第２のカバー部材の積層体を支持層上に接合する工程を備えられている。
【００１６】
本発明に係る電子部品の製造方法の他の特定の局面では、前記支持層が樹脂材料からなり、前記第１のカバー部材のガラス転移温度が、前記カバー部材を熱硬化させる温度よりも高く、前記カバー部材を熱硬化させる温度が、前記支持層のガラス転移温度よりも高く、前記支持層のガラス転移温度が、前記第２のカバー部材のガラス転移温度よりも高く、前記第２のカバー部材のガラス転移温度が、前記モールド樹脂層のガラス転移温度よりも高い。
【００１７】
本発明に係る電子部品の製造方法の他の特定の局面では、前記支持層が樹脂材料からなり、前記第１のカバー部材のガラス転移温度が、前記カバー部材を熱硬化させる温度よりも高く、前記カバー部材を熱硬化させる温度が、前記支持層のガラス転移温度よりも高く、前記支持層のガラス転移温度が、前記第２のカバー部材のガラス転移温度よりも高く、前記モールド樹脂層のガラス転移温度よりも動作温度が低い。
【００１８】
本発明に係る電子部品の製造方法の他の特定の局面では、前記モールド樹脂層の弾性率が、前記第１のカバー部材の弾性率よりも大きく、前記第１のカバー部材の弾性率が、前記第２のカバー部材の弾性率よりも大きい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、樹脂モールド時などにおいて圧力が加わったとしても、損傷が生じ難い、電子部品及び電子部品の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態に係る電子部品の略図的正面断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は、本実施形態で用いられている電子部品素子の製造方法を説明するための略図的断面図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態で用いられている電子部品素子をパッケージ部品に実装した後、封止樹脂により封止する製造工程を説明するための略図的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
【００２２】
図１は、本発明の一実施形態に係る電子部品の略図的正面断面図である。また、図２（ａ）〜（ｆ）は、本実施形態で用いられる電子部品素子の製造方法及び構造を説明するための略図的断面図である。図３（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態で用いられる電子部品素子を、パッケージ部品に実装した後、封止樹脂により封止する製造工程を説明するための略図的断面図である。図１と、図２（ａ）〜（ｆ）及び図３（ａ），（ｂ）の製造工程を示す図面を参照しつつ、本実施形態の電子部品を説明することとする。
【００２３】
電子部品１は、電子部品素子２を有する。電子部品素子２は、素子基板１２としての圧電基板を有する。素子基板１２は、板状の形状を有する。また、素子基板１２は、互いに対向する第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂを有する。本実施形態では、素子基板１２は、例えば、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３、水晶、酸化亜鉛などの圧電性材料により構成することができる。なお、素子基板１２は、非圧電性材料の担体と、上記担体上に配された圧電層とにより構成されていてもよい。また、素子基板１２は、誘電体や絶縁体からなるものでもよい。
【００２４】
図２（ａ）に示すように、圧電基板である素子基板１２の第１の主面１２ａには、電極部１１が設けられる。本実施形態では、電極部１１の一部がＩＤＴ電極として形成される。それによって弾性表面波素子が構成されている。電極部１１は、リフトオフ、エッチングなど公知の製造方法により適宜の金属により構成できる。例えば、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｄ及びこれらの金属を主体とする合金からなる群から選択された少なくとも１種を用いることができる。
【００２５】
図２（ａ）に示すように、素子基板１２の第１の主面１２ａには、パッド電極１０が設けられる。パッド電極１０は、電極部１１と電気的に接続されている。パッド電極１０は、適宜の金属により構成することができる。
【００２６】
図２（ｂ）に示すように、素子基板１２の第１の主面１２ａには、支持層８が設けられる。支持層８は、枠状の形状を有する。支持層８は、電極部１１の一部であるＩＤＴ電極を囲むように設けられており、かつパッド電極１０を覆うように設けられている。支持層８の厚みは、電極部１１及びパッド電極１０の厚みよりも大きい。また、支持層８は、本実施形態では、ポリイミド樹脂にフィラーが添加された樹脂材料からなる。もっとも、支持層８は、他の樹脂材料により形成されてもよい。また、支持層８は、セラミックスにより形成されてもよい。
【００２７】
図２（ｃ）に示すように、支持層８上には、カバー部材７が設けられている。カバー部材７は、素子基板１２と対向するように、かつ電極部１１の一部であるＩＤＴ電極から支持層８によって所定の距離で離間するように設けられている。これにより、カバー部材７、素子基板１２及び支持層８により囲まれている中空部分９が設けられている。電極部１１の一部であるＩＤＴ電極は、中空部分９に臨んでいる。
【００２８】
カバー部材７では、第１のカバー部材７ａが、第２のカバー部材７ｂに積層されている。第２のカバー部材７ｂが素子基板１２の第１の主面１２ａと対向している。第１のカバー部材７ａは、第２のカバー部材７ｂの、素子基板１２と対向していない側の面に設けられている。
【００２９】
第１のカバー部材７ａと第２のカバー部材７ｂとは、それぞれ、ガラス転移点を有する樹脂材料により構成されている。樹脂材料がガラス転移点に到達する温度をガラス転移温度とする。第１のカバー部材７ａのガラス転移温度は、第２のカバー部材７ｂのガラス転移温度よりも高い。第１のカバー部材７ａは、例えば、ポリイミド樹脂にシリコーン系ゴムが添加された樹脂材料により構成できる。また、第２のカバー部材７ｂは、例えば、エポキシ樹脂にシリコーン系ゴムが添加された樹脂材料により構成できる。もっとも、第１のカバー部材７ａのガラス転移温度が第２のカバー部材７ｂのガラス転移温度よりも高い、適宜の樹脂材料の組み合わせにより、第１及び第２のカバー部材７ａ、７ｂが構成されていてもよい。
【００３０】
なお、本実施形態では、第１のカバー部材７ａと第２のカバー部材７ｂとは直接積層されているが、第１のカバー部材７ａと第２のカバー部材７ｂとの間に他の層が介在していてもよい。
【００３１】
図２（ｄ）に示すように、カバー部材７及び支持層８には、パッド電極１０に至る貫通孔６が設けられる。図２（ｅ）に示すように、パッド電極１０と接触するように、めっきなどの公知の製造方法によって、導電性の材料を貫通孔６に充填することによって、アンダーバンプメタル層５が設けられている。図２（ｆ）に示すように、アンダーバンプメタル層５上には、バンプ電極４が設けられている。アンダーバンプメタル層５は、適宜の金属により構成できる。例えば、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｄ及びこれらの金属を主体とする合金からなる群から選択された少なくとも１種を用いることができる。また、バンプ電極４は、例えば、はんだなどの金属により構成できる。
【００３２】
なお、図１で示した電子部品素子の製造に際しては、集合基板を用いてもよい。この場合、先ず、ウエハ状の圧電基板である集合基板上にＩＤＴ電極を含む電極部と支持層とを複数形成する。次に、シート状のカバー部材を支持層と接合する。さらに、アンダーバンプメタル層及びバンプ電極を形成する。しかる後、集合基板を個々の電子部品素子用の複数基板に分割する。
【００３３】
図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、バンプ電極４は、パッケージ基板３に設けられた電極ランド３ａに接合されており、かつ電気的に接続されている。電子部品素子２とパッケージ基板３とが、バンプ電極４を介して接合される。それによって、電子部品素子２とパッケージ基板３とが所定の距離を離して配置される。また、パッケージ基板３には、外部と電気的に接続される端子電極３ｂが設けられている。図３に示すように、パッケージ基板３上には、電子部品素子２の外周を覆って封止するように、モールド樹脂層１３が設けられている。モールド樹脂層１３は、適宜の樹脂により構成できる。例えば、エポキシ樹脂を用いることができる。
【００３４】
なお、貫通孔６及びアンダーバンプメタル層５を設けず、適宜の配線により電子部品素子２とパッケージ基板３とを電気的に接続してもよい。
【００３５】
前述した特許文献１のように、樹脂モールドによりモールド樹脂層を形成する際には、電子部品に温度と圧力が加わる。このため、パッケージ基板とカバー部材との隙間に流入する流動化した樹脂材料により、カバー部材が素子基板側に変形する。その結果、カバー部材がＩＤＴ電極などの電極部と接触し、ＩＤＴ電極と干渉、あるいは電極部が損傷するおそれなどがあった。
【００３６】
本実施形態に係る電子部品１では、第１のカバー部材７ａのガラス転移温度が、第２のカバー部材７ｂのガラス転移温度よりも高い。これにより、樹脂モールド時などにおいて圧力が加わったとしても、電極部１１の損傷が発生し難い。この理由は、以下の通りである。
【００３７】
第１のカバー部材７ａは、樹脂モールド時の温度と圧力により、電極部１１側に変形する。変形した第１のカバー部材７ａが第２のカバー部材７ｂを押圧することにより、第２のカバー部材７ｂを電極部１１側に変形させる圧力が加わる。しかしながら、本実施形態では、温度が上昇した際、第１のカバー部材７ａのガラス転移温度が相対的に高いので、第２のカバー部材７ｂよりも第１のカバー部材７ａは変形し難い。これにより、第１のカバー部材７ａの変形により第２のカバー部材７ｂが受ける圧力は小さくなる。よって、第２カバー部材７ｂと電極部１１とが接触し難いため、電極部１１の損傷が発生し難い。
【００３８】
第１のカバー部材７ａのガラス転移温度は、好ましくは第２のカバー部材７ｂのガラス転移温度よりも８０℃以上高いことが望ましい。温度上昇した際の第１のカバー部材７ａの変形量を、第２のカバー部材７ｂの変形量に対して相対的により小さくできるためである。また、第１のカバー部材７ａのガラス転移温度が１８０℃以上であり、第２のカバー部材７ｂのガラス転移温度は１００℃以下であることが好ましい。これにより、第１のカバー部材７ａの変形により第２のカバー部材７ｂが受ける圧力はより一層小さくなる。よって、第２のカバー部材７ｂと電極部１１との接触による電極部１１の損傷がより一層発生し難い。
【００３９】
また、第２のカバー部材７ｂはガラス転移温度が低いため、温度が高くなると、変形し易い。このため、第２のカバー部材７ｂと上記支持層８との密着性は高くなる。よって、樹脂モールド時に、第２のカバー部材７ｂと支持層８との隙間が生じ難くなる。従って、上記中空部分９の密閉性が高いため、モールド樹脂は中空部分９により一層流入し難い。第２のカバー部材７ｂと支持層８との隙間の発生を小さくできるため、中空部分９の密閉性が低下することを抑制できる。
【００４０】
各部材のガラス転移温度の関係として、好ましくは、第１のカバー部材７ａのガラス転移温度が支持層８のガラス転移温度よりも高く、支持層８のガラス転移温度が第２のカバー部材７ｂのガラス転移温度よりも高く、第２のカバー部材７ｂのガラス転移温度がモールド樹脂層１３のガラス転移温度よりも高いことが望ましい。
【００４１】
この場合、温度が上昇した際、第１のカバー部材７ａは変形し難いため、第２のカバー部材７ｂを変形させる圧力は小さい。支持層８も、第１のカバー部材７ａに次いで、樹脂モールド時の圧力により変形し難い。また、支持層８及び第２のカバー部材７ｂは第１のカバー部材７ａよりも変形し易いため、支持層８と第２のカバー部材７ｂとの密着性は高い。よって、樹脂モールド時などにおいて圧力が加わったとしても、電極部１１の損傷がより一層発生し難い。また、モールド樹脂は中空部分９により一層流入し難い。
【００４２】
また、モールド樹脂層１３のガラス転移温度は第１のカバー部材７ａ、支持層８及び第２のカバー部材７ｂのガラス転移温度よりも低いため、モールド樹脂層１３の流動性は最も低い温度で高くなる。よって、第１のカバー部材７ａ、支持層８及び第２のカバー部材７ｂが樹脂モールド時の圧力により変形し難い状態で樹脂モールドすることができる。従って、樹脂モールド時のダメージをより一層軽減できる。
【００４３】
また、各部材のガラス転移温度の関係として、好ましくは、第１のカバー部材７ａのガラス転移温度が支持層８よりも高く、支持層８のガラス転移温度が第２のカバー部材７ｂよりも高く、かつモールド樹脂層１３のガラス転移温度よりも電子部品１の動作温度の上限値が低いことが望ましい。なお、動作温度とは、製品に規定の負荷を印加して動作させた状態での、周囲温度の許容範囲を指す。本実施形態では、たとえば動作温度の範囲は−２５℃以上８５℃以下である。
【００４４】
電子部品１の動作温度の上限値がモールド樹脂層１３のガラス転移温度よりも高い場合、電子部品１を動作させた際にモールド樹脂の流動性が高まり得る。モールド樹脂が流動することにより、上記アンダーバンプメタル層５が上記第１のカバー部材７ａまたは上記パッケージ基板３から剥れるおそれがある。これに対して、モールド樹脂層１３のガラス転移温度よりも電子部品１の動作温度の上限温度が低い場合、動作時のこのような剥離などのダメージを軽減できる。
【００４５】
なお、第１のカバー部材７ａのガラス転移温度は、好ましくは１８０℃以上であることが望ましい。支持層８のガラス転移温度は、好ましくは１２０℃〜２００℃であることが望ましい。第２のカバー部材７ｂのガラス転移温度は、好ましくは１００℃以下であることが望ましい。モールド樹脂層１３のガラス転移温度は、好ましくは５０℃〜１５０℃であることが望ましい。
【００４６】
各部材の弾性率の関係として、好ましくはモジュール樹脂層１３の弾性率が第１のカバー部材７ａの弾性率よりも高く、第１のカバー部材７ａの弾性率が第２のカバー部材７ｂの弾性率よりも高いことが望ましい。この場合、動作温度においてモールド樹脂から第１のカバー部材７ａが圧力を受けると、第１のカバー部材７ａは変形し易い。よって、第１のカバー部材７ａが変形することにより、圧力を分散できる。また、第１のカバー部材７ａの弾性率は第２のカバー部材７ｂの弾性率よりも高いため、第２のカバー部材７ｂにかかる圧力を小さくする緩衝材となる。従って、樹脂モールド時だけではなく、動作時においても、より一層電極部１１の損傷が発生し難い。
【００４７】
次に、本実施形態にかかる電子部品の製造方法を説明する。
【００４８】
板状の形状を有し、かつ第１の主面１２ａ及び第１の主面１２ａとは反対側の第２の主面１２ｂを有する素子基板１２を用意する。素子基板１２の第１の主面１２ａに金属膜をスパッタリングにより形成し、パターニングする。あるいはマスクを用いて所定のパターンの金属膜を成膜し、電極部１１を形成する。これにより、電子部品素子２を形成する。
【００４９】
素子基板１２の第１の主面１２ａに金属膜をスパッタリングにより形成し、パターニングする。あるいはマスクを用いて所定のパターンの金属膜を成膜し、パッド電極１０を形成する。なお、電極部１１及びパッド電極１０を、素子基板１２の第１の主面１２ａに同時に形成してもよい。
【００５０】
次に、素子基板１２の第１の主面１２ａに、フォトリソグラフィーなどにより支持層８を形成する。支持層８を、電極部１１を囲むように形成し、かつパッド電極１０を覆うように形成する。また、支持層８が電極部１１よりも高くなるように形成する。
【００５１】
次に、カバー部材７を支持層８上に接合する。カバー部材７は、第１及び第２のカバー部材７ａ、７ｂにより構成する。支持層８上に第２のカバー部材７ｂを接合した後に第１のカバー部材７ａを積層してもよい。あるいは、第１及び第２のカバー部材７ａ、７ｂの積層体をラミネートにより一体化させた後に、支持層８上に第２のカバー部材７ｂ側から接合してもよい。また、第１のカバー部材７ａと第２のカバー部材７ｂとの間に他の層を介在させてもよい。
【００５２】
次に、カバー部材７を熱硬化させる。カバー部材７を熱硬化させる温度は、好ましくはカバー部材７のガラス転移温度よりも低く、かつ支持層８のガラス転移温度よりも高いことが望ましい。また、支持層８のガラス転移温度は、好ましくは第２のカバー部材７ｂのガラス転移の温度点よりも高いことが望ましい。これにより、カバー部材７をより確実に熱硬化させることができる。なお、第１のカバー部材７ａのみを熱硬化させてもよい。
【００５３】
次に、カバー部材７及び支持層８の、平面視してパッド電極１０に相当する位置に、パッド電極１０に至る貫通孔６を形成する。貫通孔６は、レーザー照射などにより形成する。次に、貫通孔６内に、パッド電極１０と接触するようにアンダーバンプメタル層５を形成する。次に、アンダーバンプメタル層５上にバンプ電極４を形成する。
【００５４】
次に、電極ランド３ａ及び端子電極３ｂを有する、パッケージ基板３を用意する。次に、電極ランド３ａとバンプ電極４とを接合する。これにより、第１のカバー部材７ａの、第２のカバー部材７ｂが設けられている側とは反対側の面に、パッケージ基板３を設ける。次に、加熱しながら電子部品素子２を樹脂モールドし、パッケージ基板３上にモールド樹脂層１３を設ける。樹脂モールド時の温度は、好ましくはモールド樹脂層１３を形成する樹脂材料のガラス転移温度または融点以上であることが望ましい。以上により、電子部品１を完成できる。
【００５５】
なお、カバー部材を熱硬化させる温度は、好ましくは１８０℃〜２７０℃であることが望ましい。また、第１のカバー部材７ａのガラス転移温度は、好ましくは１８０℃以上であることが望ましい。支持層８のガラス転移温度は、好ましくは１２０℃〜２００℃であることが望ましい。第２のカバー部材７ｂのガラス転移温度は、好ましくは１００℃以下であることが望ましい。モールド樹脂層１３のガラス転移温度は、好ましくは５０℃〜１５０℃であることが望ましい。なお、カバー部材７を熱硬化させる温度は、カバー部材７の物性値としての熱硬化温度ではなく、プロセス上の温度である。
【００５６】
また、樹脂モールド時の温度は、好ましくは１２０℃〜２００℃であることが望ましく、より好ましくは、１５０℃〜１８０℃であることが望ましい。
【００５７】
電子部品１は、例えば、中空部分９に圧電共振子などを有していてもよい。
【符号の説明】
【００５８】
１…電子部品
２…電子部品素子
３…パッケージ基板
３ａ…電極ランド
３ｂ…端子電極
４…バンプ電極
５…アンダーバンプメタル層
６…貫通孔
７…カバー部材
７ａ…第１のカバー部材
７ｂ…第２のカバー部材
８…支持層
９…中空部分
１０…パッド電極
１１…電極部
１２…素子基板
１２ａ…第１の主面
１２ｂ…第２の主面
１３…モールド樹脂層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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