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　特願２００６−３２６８５３「熱電変換材料および熱電変換素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　７月　５日出願公開，特開２００７−１７３７９９〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１ 手続の経緯 
　本願は，平成１５年７月２４日に出願した特願２００３−２０１２９４号（特許法第４１条に基づく優先権主張　平成１４年１１月１２日）の一部を平成１８年１２月４日に新たな特許出願としたものであって，平成１９年１２月１８日付けで手続補正がされ，平成２０年８月５日付けで拒絶査定がされ，これに対して同年９月９日に拒絶査定に対する審判請求がされたものである。 
　 
第２　本願発明   
　本願の請求項１〜４，５〜９に係る発明は，平成１９年１２月１８日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲１〜４，５〜９に記載された事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１，５に係る発明（以下それぞれ「本願発明１」，「本願発明２」という。）は，それぞれ請求項１，５に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　 
（本願発明１）
「【請求項１】
　ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造を有する相を含有する熱電変換材料の製造方法であって，
　下記組成式（２）で表わされる組成を有する合金粉末を焼結法によって一体成形する工程を有することを特徴とする熱電変換材料の製造方法。
（Ｌｎｄ（Ｔｉａ２Ｚｒｂ２Ｈｆｃ２）１−ｄ）ｘＮｉｙＳｎ１００−ｘ−ｙ　　　組成式（２）
（上記組成式（２）中，ＬｎはＹおよび希土類元素からなる群から選択される少なくとも一種であり，０≦ａ２≦１，０≦ｂ２≦１，０≦ｃ２≦１，ａ２＋ｂ２＋ｃ２＝１，０＜ｄ≦０．３，３０≦ｘ≦３５，３０≦ｙ≦３５である。）」
　
（本願発明２）
「【請求項５】 
　ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造を有する相を含有する熱電変換材料の製造方法であって，
　下記組成式（４）で表わされる組成を有する合金粉末を焼結法によって一体成形する工程を有することを特徴とする熱電変換材料の製造方法。
（Ｌｎ２ｐＹ１−ｐ）ＸＮｉＹＳｂ１００−Ｘ−Ｙ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　組成式（４）
（Ｌｎ２は，Ｓｃ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｔｈ，Ｕの中から選ばれる少なくとも一種であり，０．００１≦Ｐ≦０．９９９，３０≦Ｘ≦３５，３０≦Ｙ≦３５である。）」
　 
第３　引用刊行物に記載された発明 
（１）　刊行物１に記載された発明
　本願の優先権主張の日前に国内において頒布され，原査定の拒絶の理由において引用された刊行物である特開２００２−３３５２７号公報（以下「引用例１」という。）には，「熱電材料およびその製造方法」に関して，以下の記載がある（なお，下線は当合議体にて付加したものである。以下同様。）。 
　 
　ア　「【請求項５】請求項１乃至４のいずれか１項に記載の熱電材料の製造方法において，
・・・（中略）・・・
粉末焼結法で所定形状の成形体を得ることを特徴とする熱電材料の製造方法。
　
　イ　「【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために，本発明は，Ｓｂ，Ａｓ，Ｔｅ，およびＳｅから選択された１種以上の半金属元素を含む組成の結晶からなるＡ相と，Ａ相を構成する半金属元素と融点が１００℃以上１０００℃以下である低融点元素とを含む組成のｂ相とを有し，
Ａ相の存在率が５０．０体積％以上９９．９体積％以下であり，ｂ相の存在率が０．１体積％以上５０．０体積％以下である物質の成形体からなる熱電材料
【００１３】Ａ相としては，例えば，以下に示す材料１○（審決注：特許庁のシステムの都合により表記できないため，１○は１を○で囲った合字を表すものとする。以下同様。）〜９○からなる結晶相が挙げられる。Ａ相は，これらの材料のうちの一つの結晶相で構成されていてもよいし，２種以上の結晶相で形成されていてもよい。これらの材料は熱電特性の高い材料である。
１○Ｂｉ−Ｔｅ系合金に，３Ｂ族，４Ｂ族，５Ｂ族，６Ｂ族，または７Ｂ族に属する各種元素がドープされた多元系材料。・・・（中略）・・・
【００１４】・・・（中略）・・・９○
ＸＮｉＳｎ
1-y
 Ｓｂ （Ｘ＝Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔｉ，０＜ｙ＜１），ＰｔＭｎＳｂ，ＹＮｉＳｂ等のハーフホイスラー合金系材料。
　
　ウ　「【００１７】
ハーフホイスラー合金系材料は，α（Ｙを含む希土類元素，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，アルカリ土類金属，Ｐｔ等の８族元素），β（Ｎｉ，Ｍｎ，Ａｇ，Ｃｕなどの遷移金属），γ（５Ｂ族元素，６Ｂ族元素，Ａｌ，Ｓｎ）
αβγで表される組成の立方晶岩塩型構造の金属間化合物である。
　 
（２）　刊行物２に記載された発明　
　本願の優先権主張の日前に外国において頒布され，原査定の拒絶の理由において引用された刊行物であるS.Joseph Poon，Electronic and Thermoelectric Properties of Half-Heusler Alloys，SEMICONDUCTORS AND SEMIMETALS，Academic Press，２００１年，VOL.70，３７−７５頁（以下「引用例２」という。）には，以下の記載がある。 
　 
　ア　a. Alloys Based on MNiSn (M=Ti,Zr,Hf) 
当審訳：「
b.MNiSn (M=Ti,Zr,Hf)型合金
　
　イ　また，４７ページの表１（TABLE　I)において，ＺｒＮｉＳｎ，ＨｆＮｉＳｎと並び，（Ｚｒ０．９５Ｈｆ０．０５）ＮｉＳｎ，（Ｚｒ０．５Ｈｆ０．５）ＮｉＳｎの抵抗率ρ，熱伝導率κ，熱起電力Ｓが読み取れる。
　
（３）　刊行物３に記載された発明
　本願の優先権主張の日前に外国において頒布され，原査定の拒絶の理由において引用された刊行物である　P. Larson and S. D. Mahanti, Electronic sturcture of reare-earth nickel pnictides: Narrow-gap thermoelectric materials  Phys. Rev. B, The American Physical Society Vol. 59 Num 24, pp.15660-15668（以下「引用例３」という。）には，以下の記載がある。 
　ア　A class of compounds that has attracted a great deal of attention in recent years is that with the MgAgAs-type structure. Examples of such systems are: MNiSn (M=Ti, Zr, Hf, U, Th),1-3 MNiSb (M=Y, Gd, Yb, Lu),4-6 MPtBi (M=Yb).7,8 These systems can be either metals or semiconductors. In fact some of the metallic systems show heavy fermion characteristics,7,8 while others are promising candidates for high-performance thermoelectric materials. For example, a few years ago the ternary intermetallic compounds MNiSn (M=Ti, Zr, Hf) were reported to exhibit unusual transport and optical properties expected from semiconductors. Indeed, they were later established to be narrow-gap semiconductors.1,2　
当審訳：「近年注目を集めている化合物の種類は，MgAgAs型構造を持つものである。このような系の例は以下のとおりである：MNiSn（M = Ti，Zr，Hf，U，Th），MNiSb（M= Y，Gd，Yb，Lu），MPtBi（M = Yb）。これらの系は，金属であったり，半導体であったりする。事実，金属系のものの中には，ヘビーフェルミオンの特性を示すものがあり，その他のものは高性能熱電変換材料の候補として期待されている。たとえば，数年前，三元金属間化合物のMNiSn（M= Ti，Zr，Hf）は，半導体から期待されるものとは異なった輸送および光学特性を示すことが報告されている。実際，後にそれらは，狭ギャップ半導体として認められた。」（１５６６０ページ左欄７行〜１９行）
　
　イ　また，１５６６１ページ左欄の表１（TABLE　I)において，ＹＮｉＳｂ，ＬｕＮｉＳｂ，ＹｂＮｉＳｂ，ＬａＮｉＳｂの格子定数，計算されたバンド幅が読み取れる。
　
　　
第４　対比・判断
１　本願発明１について
（１）　引用例１に記載の発明
 　第３（１）の記載によれば，引用例１には以下の発明が記載されている（以下「引用発明」という。）。
「金属間化合物ハーフホイスラー合金系材料を含有する熱電材料の製造方法であって，ハーフホイスラー合金系材料は，α（Ｙを含む希土類元素，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，アルカリ土類金属，Ｐｔ等の８族元素），β（Ｎｉ，Ｍｎ，Ａｇ，Ｃｕなどの遷移金属），γ（５Ｂ族元素，６Ｂ族元素，Ａｌ，Ｓｎ）のαβγで表される組成の立方晶岩塩型構造の金属間化合物であり，粉末焼結法で所定形状の成形体を得ることを特徴とする熱電材料の製造方法。」
　
（２）　対比 
　引用発明の「熱電材料」は，本願発明１の「熱電変換材料」に相当し，引用発明１の「粉末焼結法で所定形状の成形体を得る」工程は，本願発明１の「合金粉末を焼結法によって一体成形する工程」に相当する。
  また，第３（１）イの記載を参照すると，熱電変換材料として「ハーフホイスラー合金系材料であるＡ相が「５０．０体積％以上９９．９体積％以下」としたものが記載されており，「ハーフホイスラー合金」が，「ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造」を有することは当該技術分野において周知であることから，引用発明の材料は，「ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造を有する相を含有し」たものであることが分かる。よって，引用発明の「金属間化合物ハーフホイスラー合金系材料を含有する熱電材料」は，本願発明１の「ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造を有する相を含有する熱電変換材料」に相当する。　
　また，引用発明のハーフホイスラー合金αβγは，αとして，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｙを含む希土類元素，βとしてＮｉ，γとしてＳｎを選択すると，
（ＴｉまたはＺｒまたはＨｆまたはＹを含む希土類元素）ＮｉＳｎ 　
で表される材料を含んでいることが分かる。
　一方，本願発明の組成式（２）の（Ｌｎｄ（Ｔｉａ２Ｚｒｂ２Ｈｆｃ２）１−ｄ）ｘＮｉｙＳｎ１００−ｘ−ｙにおいて，ａ２，ｂ２，ｃ２の条件が，０≦ａ２≦１，０≦ｂ２≦１，０≦ｃ２≦１となっており，ａ２，ｂ２，ｃ２の内１つが１で，他の２つが０である場合も含まれていることが明らかである。さらに，ｘ，ｙの値として，３０≦ｘ≦３５，３０≦ｙ≦３５の範囲に，それぞれｘ＝ｙ＝３３．３・・・が含まれていることも明らかである。
　 
（一致点）
 　本願発明１と引用発明とは，
「ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造を有する相を含有する熱電変換材料の製造方法であって，
　下記組成式（ａ）で表わされる組成を有する合金粉末を焼結法によって一体成形する工程を有することを特徴とする熱電変換材料の製造方法。
　ＭＮｉＳｎ　　　組成式（ａ）
（上記組成式中　Ｍは，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｙを含む希土類元素の少なくとも１つを含む）」
　である点で一致し，以下の点で相違する。 
　 
（相違点１） 
　本願発明１の材料は，組成式（ａ）のＭが
「（Ｌｎｄ（Ｔｉａ２Ｚｒｂ２Ｈｆｃ２）１−ｄ）
（上記組成式（２）中，ＬｎはＹおよび希土類元素からなる群から選択される少なくとも一種であり，０≦ａ２≦１，０≦ｂ２≦１，０≦ｃ２≦１，ａ２＋ｂ２＋ｃ２＝１，０＜ｄ≦０．３である。）」であるのに対して，引用発明の材料は，Ｍが
「Ｍは，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｙを含む希土類元素を含む」ものである点。
　
（相違点２）
　本願発明１の材料の組成式（ａ）のＭ，Ｎｉ，Ｓｎの組成比がｘ：ｙ：１００−ｘ−ｙ，３０≦ｘ≦３５，３０≦ｙ≦３５であるのに対して，引用発明は１：１：１である点。
　
（３）　判断
（相違点１について）
　ア　組成式の（Ｔｉａ２Ｚｒｂ２Ｈｆｃ２），０≦ａ２≦１，０≦ｂ２≦１，０≦ｃ２≦１，ａ２＋ｂ２＋ｃ２＝１のａ２，ｂ２，ｃ２の値について，ａ２，ｂ２，ｃ２の内１つが１で，他の２つが０である場合も含まれていることは，第４，１，（２）に記載したとおりであるから，本願発明１の材料は，
（Ｌｎｄ（ＴｉまたはＺｒまたはＨｆ）１−ｄ）ＮｉＳｎ　　組成式（２）
（上記組成式中　０＜ｄ≦０．３）で表される材料を含んでいる。
　
　イ　次に，組成式の（Ｌｎｄ（Ｔｉａ２Ｚｒｂ２Ｈｆｃ２）１−ｄ），０＜ｄ≦０．３，ＬｎはＹおよび希土類元素からなる群から選択される少なくとも一種の部分，すなわち，（Ｔｉａ２Ｚｒｂ２Ｈｆｃ２）を１つの構成元素と見たときに，引用発明のＭの部分において構成元素を一部別の元素Ｌｎに置き換える点について検討する。
　引用例２には，ＭＮｉＳｎ型合金において，ＭがＺｒ，Ｈｆ元素単体から，Ｚｒの一部をＨｆで置換した（もしくは，Ｈｆの一部をＺｒで置換した）ものが記載されており，ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造を有するハーフホイスラー化合物のＭＮｉＳｎ型合金において，Ｍの元素をＭに入れることができる元素（Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ）の中で，一部を他の元素に置換することにより，材料の特性を制御できることが分かる。そして，引用発明では，Ｍに入れることができる元素としてＹを含む希土類元素が挙げられている。
　また，材料の一部の元素をその結晶構造の位置に入れることができる元素で置換することにより，熱伝導率を低減させ，性能の良い熱電変換材料を作り出すことは，以下の周知例１にも記載されいているように，ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造を有する合金において周知の技術である。
　そして，引用発明も引用例２に記載の発明もどちらも，ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造を有する合金であるから，引用発明に記載のものにおいて，引用例２に記載の技術を適用し，Ｍの元素（Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ）の一部をその結晶構造の位置に入れることができる他の元素であるＹを含む希土類元素により置換して，熱伝導率を低減させ，より性能の良い熱電変換材料とすることは当業者ならば容易になし得たことである。
　また，Ｍの元素の一部をＹを含む希土類元素で置換する割合ｄについては，０＜ｄ≦０．３の上限である０．３は，本願明細書の表２，３を参照すると，ｄ≦０．１までのものは，実施例として記載されているが，０．１＜ｄ≦０．３のものはなく，上限値を０．３とした臨界的意義は認めらない。よって，Ｍの元素の一部をＹを含む希土類元素で置換する程度の技術的意味しかないものと解され，Ｍの元素の一部をＹを含む希土類元素で置換する割合を０＜ｄ≦０．３とすることは，当業者ならば適宜なし得たことである。
　なお，仮に，ａ２，ｂ２，ｃ２全てが０でないとした場合についても検討すると，（ＺｒｘＨｆｙＴｉｚ）ＮｉＳｎ，（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）のハーフホイスラー化合物は，以下の周知例２に記載されているように，熱電変換材料の分野において周知の組成のものである。
　したがって，引用発明のものにおいて，熱電変換材料の分野で周知の技術を適用し，Ｍの組成の一部として（Ｔｉａ２Ｚｒｂ２Ｈｆｃ２），ａ２＋ｂ２＋ｃ２＝１とすることは，当業者ならば適宜なし得たことである。
　
（ア）　周知例１：特開２００１−１９６６４７号公報
　ａ「【請求項２】  熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電材料において，重元素添加によりフォノン散乱を増大させ，熱伝導率を低下させることにより熱電変換効率を上げたことを特徴とする熱電材料。」
　
　ｂ「【請求項４】  請求項１ないし請求項３のいずれか１つの請求項の
熱電材料において，重元素を添加する材料中の原子位置
材料構成原子と置換した位置
　
　ｃ「【００２２】したがって，
熱伝導率を抑えて電気伝導率を上げれば熱電変換効率を上げることが可能となる。熱伝導は格子の熱振動であるフォノン等が輸送される過程であるが，Ｔｈのような重元素が結晶格子中の空隙に存在すると，フォノンが散乱されやすくなるため，熱伝導率を抑え熱電変換効率を上げることができる。
　
（イ）　周知例２：S.Sportouch et al., THERMOELECTRIC PROPERTIES OF HALF-HEUSLER PHASES:ErNi1-xCuxSb, YNi1-xCuxSb AND ZrxHfyTizNiSn　18th International Conference on Thermoelectronics, IEEE pp.344-347
　ａ「Solid solutions ZrxHfyTizNiSn(x+y+z=1)
 The solid solutions ZrxHfyTizNiSn were investigated in order to study how three elements disordered on the same site could affect the transport properties and mainly how they could reduce the thermal conductivity. Previously, this kind of triple solid solution (solid solution between ZrNiSn, HfNiSn and TiNiSn) was unexplored. In contrast to the work presented above, we partially substitued the Zr atoms by the isoelectronic atoms, Hf and Ti. Thus, the effect on the band structure is expected to be small, while the phonon mean free path is expected to decrease.」
当審訳：「
Zr
x
Hf
y
Ti
z
NiSn(x+y+z=1)　固溶体
Zr
x
Hf
y
Ti
z
NiSn固溶体について，同じサイトに無秩序に入った３種の元素によって，主に熱伝導率がどう減少されるか
Hf及びTiによりZr原子の一部を置換
フォノンの平均自由行程が減少し，バンド構造への影響は小さいことが期待される
　　
（相違点２について）
　第４，１，（２）に記載したとおり，引用発明のＭＮｉＳｎは，Ｍ：Ｎｉ：Ｓｎ＝１：１：１を想定しており，本願発明１のように書けば，ｘ＝ｙ＝３３．３・・・となり，本願発明１の３０≦ｘ≦３５，３０≦ｙ≦３５の範囲に含まれることから，引用発明と本願発明１はｘ，ｙについては，組成比において一致する。
　そして，そもそも化合物の組成比は，目的のものから多少ずれることは製造上避けられないことであり，組成比を所定の範囲内に設定することは通常行うことであって，ＭＮｉＳｉの１：１：１の組成を中心として含む，３０≦ｘ≦３５，３０≦ｙ≦３５の範囲を設定することは当業者が適宜なし得たことである。
　また，本願明細書の段落【００３２】においても，「ｘおよびｙのより好ましい範囲は，３３≦ｘ≦３４，３３≦ｙ≦３４である。」と記載されており，１：１：１に近いものが望ましいことが分かり，この相違点２は実質的なものではないと言える。
　
（４）　判断についてのまとめ  
　以上検討したとおり，本願発明１は，当該技術分野における周知の技術を勘案することにより，引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって，本願発明１は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　
２　本願発明２について
（１）　引用例１に記載の発明
 　引用例１には，第４，１，（１）で認定したとおりの引用発明が記載されている。
　
（２）　対比　
　第４，１，（２）のとおり，引用発明の「熱電材料」，「粉末焼結法で所定形状の成形体を得る」工程，「金属間化合物ハーフホイスラー合金系材料を含有する熱電材料」は，それぞれ本願発明２の「熱電変換材料」，「合金粉末を焼結法によって一体成形する工程」，「ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造を有する相を含有する熱電変換材料」に相当する。
　引用発明の材料は，αとして，Ｙを含む希土類元素，βとしてＮｉ，γとして５Ｂ族のＳｂを選択すると，ＭＮｉＳｂ，（ＭはＹを含む希土類元素）
で表される材料を含んでいることが分かる。
　
（一致点）
 　本願発明２と引用発明とは，
「ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造を有する相を含有する熱電変換材料の製造方法であって，
　下記組成式で表わされる組成を有する合金粉末を焼結法によって一体成形する工程を有することを特徴とする熱電変換材料の製造方法。
　ＭＮｉＳｂ　　　　　　　　組成式（ｂ）
　（ＭはＹを含む希土類元素）」
　である点で一致し，以下の点で相違する。 
　 
（相違点１）
　本願発明２の材料は，組成式（ｂ）のＭ（Ｙを含む希土類元素）が
「（Ｌｎ２ｐＹ１−ｐ）
（Ｌｎ２は，Ｓｃ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｔｈ，Ｕの中から選ばれる少なくとも一種であり，０．００１≦Ｐ≦０．９９９である。）」であるのに対して，引用発明は「Ｍ（Ｙを含む希土類元素）」である点。
　
（相違点２）
　本願発明２の材料の組成式（ｂ）のＭ，Ｎｉ，Ｓｂの組成比がｘ：ｙ：１００−ｘ−ｙ，３０≦ｘ≦３５，３０≦ｙ≦３５であるのに対して，引用発明は１：１：１である点。
　
（３）　判断
（相違点１について）
　引用発明のＹを含む希土類元素を列挙すると，Ｙ，Ｓｃ，Ｌａ．Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕであり，また，第３（３）ア，イの記載を参照すると引用例３に，ＹＮｉＳｂ，ＹｂＮｉＳｂ，ＬｕＮｉＳｂ，ＧｄＮｉＳｂが具体的に記載されているように，ＭＮｉＳｂ　（ＭはＹを含む希土類元素）は，熱電変換材料としてごく普通の材料である。
　また，引用例１の第３（１）ウの記載を参照すると，ハーフホイスラー合金αβγのγとしてＳｂが含まれる５Ｂ属元素とＳｎが並列的に列記され，，引用例３の第３（３）アの記載を参照すると，ＭＮｉＳｎとＭＮｉＳｂが同種で並列的に記載されていることが分かる。
　してみると，引用例２に記載のＭＮｉＳｎ型合金において，Ｍの元素をＭに入れることができる元素の中で，一部を他の元素に置換することにより，材料の特性を制御することを，同種のハーフホイスラー合金のＭＮｉＳｂに適用して，Ｍに入る元素Ｙを含む希土類元素の中から，Ｙと希土類元素から１つ選んで置換することにより，（Ｌｎ２ｐＹ１−ｐ）（Ｌｎ２は，希土類）とすることは，当業者が容易になし得たことである。
　また，０．００１≦Ｐ≦０．９９９というＰの値の範囲については，Ｐが０でも１でもないということ，すなわちＹ以外の元素が少しでも混ざっていることを意味する程度のものであり，臨界的意義は認められない。
　
（相違点２について）
　第４，１，（２）に記載したとおり，引用発明のＭＮｉＳｂは，Ｍ：Ｎｉ：Ｓｎ＝１：１：１を想定しており，本願発明２のように書けば，ｘ＝ｙ＝３３．３・・・となり，本願発明１の３０≦ｘ≦３５，３０≦ｙ≦３５の範囲に含まれることから，引用発明と本願発明１はｘ，ｙについては，組成比において一致する。
　そして，そもそも化合物の組成比は，目的のものから多少ずれることは製造上避けられないことであり，組成比を所定の範囲内に設定することは通常行うことであって，ＭＮｉＳｉの１：１：１の組成を中心として含む，３０≦ｘ≦３５，３０≦ｙ≦３５の範囲を設定することは当業者が適宜なし得たことである。
　また，本願明細書の段落【００３２】においても，「ｘおよびｙのより好ましい範囲は，３３≦ｘ≦３４，３３≦ｙ≦３４である。」と記載されより，１：１：１に近いものが望ましいことが分かり，この相違点２は実質的なものではないと言える。
　
（４）　判断についてのまとめ  
　以上検討したとおり，本願発明２は，熱電変換材料の技術分野における周知の技術を勘案することにより，引用発明及び引用例２，３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって，本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　 
第５　むすび  
　以上のとおり，本願の請求項１及び請求項５に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。  
　 
　よって，結論のとおり審決する。