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　平成１０年特許願第　１７７９４号「シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　７月３０日出願公開、特開平１１−２０４５３４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年１月１４日の出願であって、平成１９年７月４日付けの拒絶理由通知に対して同年９月１０日に意見書及び手続補正書が提出され、さらに、同年１１月２２日付けの拒絶理由通知に対して平成２０年２月４日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年４月２５日付けで同年２月４日に提出された手続補正書による補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶査定がなされた。
　これに対して、同年６月６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年７月４日に手続補正書が提出され、その後、平成２２年７月７日付けで審尋がなされ、同年９月１３日に回答書が提出された。
　
　
２．補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２０年７月４日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正の内容
　平成２０年７月４日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正１」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜６を補正後の特許請求の範囲の請求項１〜６に補正するとともに、明細書の００１６段落を補正するものであって、補正前後の請求項１及び６は、各々以下のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】 抵抗値が０．１Ωｃｍ〜１０Ωｃｍの半導体デバイス用シリコンウェーハにおいて、炭素濃度が０．１〜２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ （Ｎｅｗ ＡＳＴＭ法）、酸素濃度が１０〜１９×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ （Ｏｌｄ ＡＳＴＭ法）の範囲に制御してＣＺ法もしくはＭＣＺ法にて引き上げられたシリコン単結晶をシリコンウェーハに切り出した後、ウェーハの片面又は両面を鏡面研磨仕上げし、さらにその表面にシリコンのエピタキシャル膜を膜厚５μｍ以下で成膜した後、前記シリコン結晶の内部に微小欠陥を形成する熱処理を行うもので、
　前記引き上げ時に、前記熱処理後においてゲッタリングに必要なＢＭＤ密度０．５×１０５ｃｍ−２　以上を満足するように、前記炭素濃度と酸素濃度とが、
　酸素濃度が１０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、または、酸素濃度が１２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．８×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、酸素濃度が１４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．８×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、酸素濃度が１６×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、酸素濃度が１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、に相当する範囲であるか、あるいは、
　炭素濃度が２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１９×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、炭素濃度が０．８×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１９×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、炭素濃度が０．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１６×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１９×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、炭素濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１６×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１９×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、炭素濃度が０．１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１９×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、に相当する範囲に設定されることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。」
　
　「【請求項６】 請求項１または請求項２において、
　１１００℃でシリコンエピタキシャル膜を１μｍ〜３μｍ成長させた後に、６００℃で４時間の熱処理を行い、前記低温のデバイス製造プロセス相当の熱処理を施すことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】 抵抗値が０．１Ωｃｍ〜１０Ωｃｍの半導体デバイス用シリコンウェーハにおいて、炭素濃度が０．１〜２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ （Ｎｅｗ ＡＳＴＭ法）、酸素濃度が１０〜１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ （Ｏｌｄ ＡＳＴＭ法）の範囲に制御してＣＺ法もしくはＭＣＺ法にて引き上げられたシリコン単結晶をシリコンウェーハに切り出した後、ウェーハの片面又は両面を鏡面研磨仕上げし、さらにその表面にシリコンのエピタキシャル膜を膜厚５μｍ以下で成膜した後、前記シリコン結晶の内部に微小欠陥を形成する熱処理を行うもので、
　前記引き上げ時に、前記熱処理後においてゲッタリングに必要なＢＭＤ密度１×１０５ｃｍ−２　以上を満足するように、前記炭素濃度と酸素濃度とが、
　酸素濃度が１４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．８×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、酸素濃度が１６×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．８×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、酸素濃度が１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、に相当する範囲であるか、あるいは、
　炭素濃度が２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、炭素濃度が０．８×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、炭素濃度が０．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、または、炭素濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、に相当する範囲に設定されることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。」
　
　「【請求項６】 請求項１または請求項２において、
　１１００℃でシリコンエピタキシャル膜を１μｍ〜３μｍ成長させた後に、６００℃で４時間の熱処理を施すことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正１の補正事項を整理すると、以下のとおりである。
　
（２−１）補正事項１
　補正前の請求項１の「酸素濃度が１０〜１９×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 」を、補正後の請求項１の「酸素濃度が１０〜１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３」と補正すること。
　
（２−２）補正事項２
　補正前の請求項１の「ＢＭＤ密度０．５×１０５ｃｍ−２　以上」を、補正後の請求項１の「ＢＭＤ密度１×１０５ｃｍ−２　以上」と補正すること。
　
（２−３）補正事項３
　補正前の請求項１の「酸素濃度が１０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、または、酸素濃度が１２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．８×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下」を削除すること。
　
（２−４）補正事項４
　補正前の請求項１の「酸素濃度が１６×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下」を、補正後の請求項１の「酸素濃度が１６×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．８×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下」と補正すること。
　
（２−５）補正事項５
　補正前の請求項１の「酸素濃度が１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下」を、補正後の請求項１の「酸素濃度が１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下」と補正すること。
　
（２−６）補正事項６
　補正前の請求項１の「炭素濃度が２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１９×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下」を、補正後の請求項１の「炭素濃度が２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下」と補正すること。
　
（２−７）補正事項７
　補正前の請求項１の「炭素濃度が０．８×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１９×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下」を、補正後の請求項１の「炭素濃度が０．８×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下」と補正すること。
　
（２−８）補正事項８
　補正前の請求項１の「炭素濃度が０．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１６×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１９×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下」を、補正後の請求項１の「炭素濃度が０．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下」と補正すること。
　
（２−９）補正事項９
　補正前の請求項１の「炭素濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１６×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１９×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下」を、補正後の請求項１の「炭素濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下」と補正すること。
　
（２−１０）補正事項１０
　補正前の請求項１の「炭素濃度が０．１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１９×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下」を削除すること。
　
（２−１１）補正事項１１
　補正前の請求項６の「６００℃で４時間の熱処理を行い、前記低温のデバイス製造プロセス相当の熱処理を施す」を、補正後の請求項６の「６００℃で４時間の熱処理を施す」と補正すること。
　
（２−１２）補正事項１２
　補正前の明細書の００１６段落を、補正後の明細書の００１６段落と補正すること。
　
（３）補正の目的の適否、及び新規事項の追加の有無について 
（３−１）補正事項２について
　補正事項２は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「ＢＭＤ密度」の数値である「０．５×１０５ｃｍ−２　以上」を「１×１０５ｃｍ−２　以上」に減縮する補正であるから、特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、「ＢＭＤ密度」を「１×１０５ｃｍ−２　以上」とすることは、本願の最初に添付した明細書の００４１段落、及び図４に記載されているものと認められるから、補正事項２は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下「当初明細書等」という。）のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項２は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすものである。
　
（３−２）補正事項１、及び３〜１０について
　補正事項１、及び３〜１０は、いずれも補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「酸素濃度」及び「炭素濃度」の数値を減縮する補正であるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、補正後の請求項１における「酸素濃度」及び「炭素濃度」の数値は、本願の最初に添付した明細書の００４０〜００４４段落、及び図４に記載されているものと認められるから、補正事項１、及び３〜１０は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項１、及び３〜１０は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
（３−３）補正事項１１について
　補正事項１１は、補正前の請求項６の「前記低温のデバイス製造プロセス相当の熱処理」という不明りょうな記載を削除するものであり、特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当し、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
（３−４）補正事項１２について
　補正事項１２は、特許請求の範囲の補正と整合を取るためのものであり、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてなされたものであることは明らかである。
　したがって、当該補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
（３−５）以上検討したとおり、本件補正１は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものであり、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものを含んでいるから、本件補正１による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正１がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて、以下において更に検討する。
　
（４）独立特許要件について
（４−１）補正後の発明
　本件補正１による補正後の本願の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、本件補正１により補正された明細書及び図面の記載からみて、以下のとおりのものと認められる。
　
　「【請求項１】 抵抗値が０．１Ωｃｍ〜１０Ωｃｍの半導体デバイス用シリコンウェーハにおいて、炭素濃度が０．１〜２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ （Ｎｅｗ ＡＳＴＭ法）、酸素濃度が１０〜１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ （Ｏｌｄ ＡＳＴＭ法）の範囲に制御してＣＺ法もしくはＭＣＺ法にて引き上げられたシリコン単結晶をシリコンウェーハに切り出した後、ウェーハの片面又は両面を鏡面研磨仕上げし、さらにその表面にシリコンのエピタキシャル膜を膜厚５μｍ以下で成膜した後、前記シリコン結晶の内部に微小欠陥を形成する熱処理を行うもので、
　前記引き上げ時に、前記熱処理後においてゲッタリングに必要なＢＭＤ密度１×１０５ｃｍ−２　以上を満足するように、前記炭素濃度と酸素濃度とが、
　酸素濃度が１４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．８×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、酸素濃度が１６×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．８×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、酸素濃度が１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、に相当する範囲であるか、あるいは、
　炭素濃度が２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、炭素濃度が０．８×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、炭素濃度が０．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、または、炭素濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、に相当する範囲に設定されることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。」
　
　なお、請求項１の「炭素濃度が０．８×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上以上」という記載は、「炭素濃度が０．８×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上」の誤記であることは明らかであるから、補正発明を上記のように認定した。
　
　また、本件補正１による補正後の本願の請求項２〜６に係る発明は、本件補正１により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項２〜６に記載されている事項により特定されるとおりのものと認められる。
　
（４−２）引用刊行物に記載された発明
（４−２−１）本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開平４−６１３４３号公報（以下「引用例」という。）には、第１図とともに以下の記載がある（なお、下線は当合議体にて付加したものである。）。
　なお、特許庁におけるシステムの都合上、丸付き数字を使用できないので、数字の前に「○」を付加することにより、丸付き数字の代用とする。
　
ａ．「
この発明は、エピタキシャル成膜した半導体ウェーハにイントリンシックゲッタリング（ＩＧ）能力を付与するための酸素析出物を形成処理する方法に係り、半導体ウェーハの所要面にエピタキシャル成膜した後、５００℃〜１０００℃の温度範囲の熱処理を施すことにより、エピタキシャル層の結晶性を劣化させることなく、ＩＧ効果を付与できる半導体ウェーハの製造方法に関する。
　
ｂ．「従来の技術
　
シリコンウェーハに気相成長装置にてシリコンエピタキシャル層を形成する、通常の方法で製造される所謂エピタキシャルウェーハは、その基板の品質特性により、デバイスプロセスで形成される酸素析出物が不安定であり、安定したＩＧ効果が得られなかった
　
ｃ．「
この発明は、エピタキシャル層の結晶性を劣化させることなく、安定したＩＧ効果を得る方法を目的に
　
すなわち、この発明は、
微量酸素を含有させて製造された半導体ウェーハの所要面に、エピタキシャル成長にて所要の薄膜を成膜して、エピタキシャルウェーハを製造した後、該エピタキシャルウェーハに、５００℃〜１０００℃の温度範囲の熱処理を施し、
前記薄膜を除く酸素を含む基板にのみ、酸素析出物を形成してイントリンシックゲッタリング能力を付与することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法である。
　
ｄ．「実施例１
　
通常のＣＺで酸素濃度　１４×１０
１７
ａｔｏｍｓ／ｃｃ、炭素濃度　１×１０
１６
ａｔｏｍｓ／ｃｃ（ＯＬＤＡＳＴＭ）、ＳｂドープＮ型、０．０３Ωｃｍ（１００）の基板に、１０μｍのＮ−層をエピタキシャル成長させる。
　析出物の形成状態は、以下の条件のＩＧ処理の後、１０００℃×１６ｈｒの酸化を施して評価した。
○１ＩＧ処理なし（従来法１）
○２基板→ＩＧ処理→エピタキシャル成長（従来法２）
○３基板→ＤＺ処理→ＩＧ処理→エピタキシャル成長（従来法３）
○４基板→エピタキシャル成長→ＩＧ処理（本発明１）
　析出物の形成状態を、第１図の析出物密度、表面欠陥密度との関係で示す如く、○１（従来法１）では、均一なＩＧ層は得られず、○２（従来法２）では、均一なＩＧ層は得られているが表面近傍の高密度の酸素析出核がエピタキシャル領域に引き継がれ、転位及び積層欠陥が高密度に形成される。
　また、○３（従来法３）では、均一なＩＧ層は形成されＥＰＩ領域の欠陥も低減するが、低密度の積層欠陥が残留する。
　これに対して、
○４（本発明１）では、均一なＩＧ層並びに良好なエピタキシャル領域の結晶性が得られている。
　
（４−２−２）上記「従来の技術」の記載からみて、実施例１の「本発明１」における「基板」は「シリコンウェーハ」であり、エピタキシャル成長される「Ｎ−層」は「シリコンエピタキシャル層」であることは明らかである。
　また、第１図の記載から、「本発明１」において「析出物密度」が１０５〜１０６　個／ｃｍ２　の範囲にあることも明らかである。
　
（４−２−３）また、第１頁右下欄第３〜１０行の記載からみて、「本発明１」のＩＧ処理は、「５００℃〜１０００℃の温度範囲の熱処理」であることも明らかである。
　
（４−２−４）したがって、引用例には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「ＣＺで形成された酸素濃度１４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｃ、炭素濃度１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｃ（ＯＬＤＡＳＴＭ）のＳｂドープＮ型、０．０３Ωｃｍ（１００）のシリコンウェーハに、１０μｍのシリコンエピタキシャル層を成長させた後、５００℃〜１０００℃の温度範囲の熱処理を施して、析出物密度を１０５〜１０６　個／ｃｍ２　とする半導体ウェーハの製造方法。」
　
（４−３）補正発明と引用発明との対比
（４−３−１）補正発明の「シリコンウェーハ」は、当然、半導体デバイスを製造するためのものである。したがって、引用発明の「シリコンウェーハ」は、補正発明の「半導体デバイス用シリコンウェーハ」に相当する。
　
（４−３−２）引用発明の「シリコンウェーハ」は、ＣＺ法で形成されるものであるが、技術常識からみて、当然、ＣＺ法で形成された単結晶を切り出して形成されるものである。
　したがって、引用発明の「ＣＺで形成された」「シリコンウェーハ」は、補正発明のように「ＣＺ法もしくはＭＣＺ法にて引き上げられたシリコン単結晶をシリコンウェーハに切り出」されて形成されたものと認められる。
　
（４−３−３）補正発明における酸素濃度の「１４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｃ」なる数値は、「１４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３」と同義であることは明らかである。また、補正発明における炭素濃度の「１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｃ」なる数値は、ＯＬＤＡＳＴＭ法により測定されたものであるが、これをＮｅｗ　ＡＳＴＭ法に換算すると、およそ０．８×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３　となることは当業者において自明である。
　したがって、引用発明における「酸素濃度１４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｃ、炭素濃度１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｃ（ＯＬＤＡＳＴＭ）」は、補正発明における「炭素濃度が０．１〜２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ （Ｎｅｗ ＡＳＴＭ法）、酸素濃度が１０〜１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ （Ｏｌｄ ＡＳＴＭ法）の範囲」に属し、かつ、「前記炭素濃度と酸素濃度とが、酸素濃度が１４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．８×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、酸素濃度が１６×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．８×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、酸素濃度が１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、に相当する範囲であるか、あるいは、
　炭素濃度が２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、炭素濃度が０．８×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、炭素濃度が０．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、または、炭素濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、に相当する範囲」のうち「酸素濃度が１４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．８×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下」の範囲にも属することは明らかである。
　
（４−３−４）引用発明における「析出物」は、補正発明における「微小欠陥」及び「ＢＭＤ」に相当する。
　また、引用発明における「５００℃〜１０００℃の温度範囲の熱処理を施して、析出物密度を１０５〜１０６　個／ｃｍ２　とする」構成は、補正発明における「前記シリコン結晶の内部に微小欠陥を形成する熱処理を行うもので、」「前記熱処理後においてゲッタリングに必要なＢＭＤ密度１×１０５ｃｍ−２　以上を満足する」構成に相当する。
　また、引用発明における炭素濃度及び酸素濃度の制御は、当然に、単結晶の引き上げ時に行われるものである。
　
（４−３−５）引用発明における「半導体ウェーハ」は、「シリコンウェーハ」上に「シリコンエピタキシャル層」を形成したものである。したがって、引用発明の「半導体ウェーハの製造方法」は、補正発明の「シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法」に相当する。
　
（４−３−６）以上を総合すると、補正発明と引用発明とは、
　「半導体デバイス用シリコンウェーハにおいて、炭素濃度が０．１〜２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ （Ｎｅｗ ＡＳＴＭ法）、酸素濃度が１０〜１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ （Ｏｌｄ ＡＳＴＭ法）の範囲に制御してＣＺ法もしくはＭＣＺ法にて引き上げられたシリコン単結晶をシリコンウェーハに切り出した後、さらにその表面にシリコンのエピタキシャル膜を成膜した後、前記シリコン結晶の内部に微小欠陥を形成する熱処理を行うもので、
　前記引き上げ時に、前記炭素濃度と酸素濃度とが、
　酸素濃度が１４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．８×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、酸素濃度が１６×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．８×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、酸素濃度が１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、に相当する範囲であるか、あるいは、
　炭素濃度が２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、炭素濃度が０．８×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、炭素濃度が０．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、または、炭素濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、に相当する範囲に設定されることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。」
　
　である点で一致し、以下の３点で相違している。　
　
（相違点１）
　補正発明は、シリコンウェーハの抵抗値が「０．１Ωｃｍ〜１０Ωｃｍ」であるのに対して、引用発明は、シリコンウェーハの抵抗値が「０．０３Ωｃｍ」である点。
　
（相違点２）
　補正発明は、エピタキシャル層の厚みが「５μｍ以下」であるのに対して、引用発明は、エピタキシャル層の厚みが「１０μｍ」である点。
　
（相違点３）
　補正発明は、シリコン単結晶をシリコンウェーハに切り出した後、「ウェーハの片面又は両面を鏡面研磨仕上げし」ているのに対して、引用発明は、そのような特定をしていない点。
　
（４−４）相違点についての当審の判断
（４−４−１）相違点１について
（４−４−１−１）一般に、いわゆるイントリンシック・ゲッタリング効果を付与するために用いるシリコンウェーハにおいて、「０．１Ωｃｍ〜１０Ωｃｍ」程度の抵抗値を有するものは、例えば、本願の出願前に日本国内において頒布された以下の周知例１及び２に記載されているように当業者において周知である。
　
ａ．周知例１：特開昭５９−７５６３７号公報
　上記周知例１には、以下の記載がある。
　「
本発明はシリコン基板のイントリンシック・ゲッタリング方法に関する
　
　「
ＣＺシリコン基板はｎ型の（１００）のものを用い、ドーパントとしては、
Ｓｂであり、その抵抗率は１〜２、０．５〜０．６、０．１〜０．２、０．０５〜０．０６、０．０１〜０．０２Ωｃｍのものである
　
　ｂ．周知例２：特開昭５９−８４４３２号公報
　上記周知例２には、以下の記載がある。
　「
本発明はイントリンシック・ゲッタリング効果を有するＮ型の単結晶シリコン基板に関するものである
　
　「本発明者はまずＮ型不純物である
Ｓｂ
が添加された単結晶シリコン基板についてＩＧ効果の基礎検討を行った。不純物濃度としては、１〜２Ω・ｃｍ、０．１〜０．２Ω・ｃｍ、０．０１〜０．０２Ω・ｃｍの三通りとした
　
（４−４−１−２）また、本願の発明の詳細な説明の００３０段落の「エピタキシャルウェーハの基板となるシリコンウェーハの比抵抗値については特に限定しないが、０．１Ωｃｍ程度以上の基板において、エピタキシャル成長によるゲッタリング不足が生じていることにより、この発明方法は前記比抵抗値以上のシリコンウェーハに対する効果が顕者である。」という記載によれば、補正発明における「０．１Ωｃｍ〜１０Ωｃｍ」という高い抵抗値は、ゲッタリング不足が生じやすい基板の基準として特定されたにすぎないものと認められる。
　しかし、上記周知例１の「この内部欠陥密度と基板の抵抗率との相関特性図を第５図に示す。このグラフにみられる著しい特徴は、内部欠陥密度が抵抗率に大きく依存することである。つまり、抵抗率が０．０１〜０．０２Ωｃｍのサンプルにおいては、内部欠陥がほとんど発生せず、また二段の低温アニールを施したものでは、明らかなドーパント依存性が認められる。」（第３頁左下欄第１〜７行）という記載、及び、上記周知例２の「内部欠陥密度は第１図に示すように、Ｓｂ及びＰ共に添加不純物濃度が増すにつれて減少し、０．０１〜０．０２Ω・ｃｍのウエーハではＳｂ及び共に内部欠陥が生成されていないことが明らかとなった。」（第２頁右上欄第６〜１０行）という記載によれば、不純物としてＳｂを添加した場合には、該Ｓｂの添加量が多く、抵抗値が小さいウェーハほど内部欠陥が少なくなるため、ゲッタリング不足が生じやすくなることが明らかである。すなわち、不純物としてＳｂを添加した場合には、上記００３０段落の記載とは逆の挙動を示すことが、本願の出願前より周知であったといえ、ゲッタリング不足が生じるか否かは、単にシリコンウェーハの抵抗値の大小のみにより決まるものではないことは明らかであるのだから、補正発明においてシリコンウェーハの抵抗値を「０．１Ωｃｍ〜１０Ωｃｍ」としたことによる格別な効果を認めることはできない。
　したがって、引用発明において、補正発明のように、「０．１Ωｃｍ〜１０Ωｃｍ」程度の抵抗値を有するシリコンウェーハを採用することは、当業者が適宜になし得たことである。
　
（４−４−２）相違点２について
（４−４−２−１）エピタキシャルウェーハにおけるエピタキシャル膜の厚みとして、５μｍ以下程度の数値は、通常用いられる程度のものにすぎない。
　
（４−４−２−２）また、本願の発明の詳細な説明の００２１段落に、「シリコンエピタキシャル膜の膜厚が厚い場合でも、酸素濃度、炭素濃度、熱処理条件を最適化すれば十分なＢＭＤ密度が得られ、しかもＢＭＤのサイズの制御範囲を広くとれることを確認したが、エピタキシャル成長時間が長くなり、生産性が低下しその結果製造コストが上昇する問題が考えられる。従って、シリコンエピタキシャル膜の膜厚は５μｍ以下が望ましい。」と記載されているとおり、補正発明において「５μｍ以下」なる膜厚を採用することによっては、単に成長時間が長くなることによる生産性の低下を避けるという当業者にとって自明の課題が解決されるにすぎないものであり、格別な効果を奏するものとは認めることができない。
　したがって、引用発明においてエピタキシャル層の厚みを「５μｍ以下」とすることは、当業者が適宜になし得たものである。
　
（４−４−３）相違点３について
　引き上げ後のシリコン単結晶をシリコンウェーハに切り出した後には、ウェーハの片面又は両面が鏡面研磨されることは、当業者における技術常識にすぎないものであるから、引用発明においても当然に行われているものである。したがって、相違点３は実質的なものではない。
　また、仮に、上に述べたような鏡面研磨が当然に行われているとまではいえず、相違点３が実質的なものであったとしても、当該相違点３は、技術常識に基づいて当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものにすぎない。
　
（４−４−４）以上検討したとおり、補正発明は、周知例１及び２に記載された周知技術を勘案することにより、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（４−５）独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、本件補正１は、補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項をいう。以下同じ。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　
（５）補正の却下についてのむすび
　本件補正１は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するが、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
　
３．平成１９年９月１０日に提出された手続補正書による補正について
（１）補正の内容
　平成２０年７月４日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下された。そして、平成１９年９月１０日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正２」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜５（本願の願書に最初に添付した明細書に記載された特許請求の範囲の請求項１〜５をいう。以下同じ。）を補正後の特許請求の範囲の請求項１〜６と補正するとともに、発明の詳細な説明を補正するものであり、補正前後の請求項１は各々以下のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】半導体デバイス用シリコンウェーハにおいて、炭素濃度が０．１〜２．５×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3（Ｎｅｗ　ＡＳＴＭ法）、酸素濃度が１０〜１８×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3（Ｏｌｄ　ＡＳＴＭ法）の範囲に制御してＣＺ法もしくはＭＣＺ法にて引き上げられたシリコン単結晶をシリコンウェーハに切り出した後、ウェーハの片面又は両面を鏡面研磨仕上げし、さらにその表面にシリコンのエピタキシャル膜を成膜した後、前記シリコン結晶の内部に微小欠陥を形成する熱処理を行うシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】 抵抗値が０．１Ωｃｍ〜１０Ωｃｍの半導体デバイス用シリコンウェーハにおいて、炭素濃度が０．１〜２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ （Ｎｅｗ ＡＳＴＭ法）、酸素濃度が１０〜１９×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ （Ｏｌｄ ＡＳＴＭ法）の範囲に制御してＣＺ法もしくはＭＣＺ法にて引き上げられたシリコン単結晶をシリコンウェーハに切り出した後、ウェーハの片面又は両面を鏡面研磨仕上げし、さらにその表面にシリコンのエピタキシャル膜を膜厚５μｍ以下で成膜した後、前記シリコン結晶の内部に微小欠陥を形成する熱処理を行うもので、
　前記引き上げ時に、前記熱処理後においてゲッタリングに必要なＢＭＤ密度０．５×１０５ｃｍ−２　以上を満足するように、前記炭素濃度と酸素濃度とが、
　酸素濃度が１０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、または、酸素濃度が１２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．８×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、酸素濃度が１４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．８×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、酸素濃度が１６×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、酸素濃度が１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、に相当する範囲であるか、あるいは、
　炭素濃度が２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１９×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、炭素濃度が０．８×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１９×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、炭素濃度が０．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１６×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１９×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、炭素濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１６×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１９×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、炭素濃度が０．１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１９×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、に相当する範囲に設定されることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正２における補正事項を整理すると、以下のとおりである（ここにおいて、下線は当合議体にて付加したものである。）。
　
（２−１）補正事項１
　補正前の請求項１の「半導体デバイス用シリコンウェーハ」を、補正後の請求項１において「抵抗値が０．１Ωｃｍ〜１０Ωｃｍの半導体デバイス用シリコンウェーハ」と補正すること。
　
（２−２）補正事項２
　補正前の請求項１の「酸素濃度が１０〜
１８
１９
　
（２−３）補正事項３
　補正前の請求項１の「シリコンのエピタキシャル膜を成膜した」を、補正後の請求項１において「エピタキシャル膜を膜厚５μｍ以下で成膜した」と補正すること。
　
（２−４）補正事項４
　補正前の請求項１において、補正後の請求項１の「前記引き上げ時に、前記熱処理後においてゲッタリングに必要なＢＭＤ密度０．５×１０５ｃｍ−２　以上を満足するように、前記炭素濃度と酸素濃度とが、
　酸素濃度が１０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、または、酸素濃度が１２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．８×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、酸素濃度が１４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．８×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、酸素濃度が１６×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、酸素濃度が１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、炭素濃度が０．１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、に相当する範囲であるか、あるいは、
　炭素濃度が２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１９×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、炭素濃度が０．８×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１９×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、炭素濃度が０．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１６×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１９×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、炭素濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１６×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１９×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、または、炭素濃度が０．１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 、酸素濃度が１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上１９×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下、に相当する範囲に設定される」なる事項を追加すること。
　
（２−５）補正事項５
　補正前の請求項２の「エピタキシャル膜の膜厚が５μｍ以下」を、補正後の請求項２の「エピタキシャル膜の膜厚が１μｍ〜３μｍ」と補正すること。
　
（２−６）補正事項６
　補正前の請求項３〜５に、それぞれ、補正後の請求項３〜５の「酸素又は窒素もしくはこれらの混合ガス雰囲気で」なる事項を追加すること。
　
（２−７）補正事項７
　請求項６を追加すること。
　
（２−８）補正事項８
　補正前の明細書の００１６段落を、補正後の明細書の００１６段落と補正すること。
　
（３）新規事項の追加の有無についての検討
（３−１）上記補正事項２について検討する。
　本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、本願の願書に最初に添付した明細書、本願の願書に最初に添付した図面を、各々「当初明細書」、「当初図面」といい、これらをまとめて「当初明細書等」という。）には、補正後の請求項１の「酸素濃度が１０〜
１９
　
　「【００４０】
　実施例３
　ＣＺ法によって直径６インチのシリコン単結晶を育成する際にボロンを添加して、基板抵抗値が７〜１０Ωｃｍで、酸素濃度が８、９、１０、１２、１４、１５、１６、１８、１９×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3、炭素濃度が０．１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満（フーリエ変換型赤外吸収法による検出下限値）、０．１、０．３、０．５、０．８、２．５、５．０×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3にそれぞれ制御されて引き上げられたシリコン単結晶より切り出されたシリコンウェーハを準備し、これらの基板に１１００℃でシリコンエピタキシャル膜を３μｍ成長させた後に、６００℃で４時間の熱処理を行い、前記低温のデバイス製造プロセス相当の熱処理を施した。
【００４１】
　その後、それらのサンプルを短冊状に劈開した後に、化学的選択エッチング（Ｗｒｉｇｈｔエッチング）にて片面で２μｍのエッチングを施し、ＢＭＤを顕在化させたものを光学顕微鏡を用いて、発生密度の測定を実施した。その結果を図４に示す。図４に示される如く、炭素濃度を上げるとゲッタリングに必要なＢＭＤ密度１×１０5ｃｍ-2を満足するようになる。
【００４２】
　また、酸素濃度が８×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3と低いサンプルは炭素濃度が高くてもほとんどＢＭＤ密度の増加は認められない。炭素濃度が０．０６×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下（放射化分析装置による）と低いサンプルは酸素濃度が高くてもほとんどＢＭＤの増加は認められないことが判る。
【００４３】
　酸素濃度については、例えばシリコン単結晶中に取り込まれる最大値２７×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3近傍でも問題がないと考えられるが、通常の半導体デバイス基板用として用いられている結晶の酸素濃度の上限がおおよそ１８×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3であり、そのため安定して引き上げられる酸素濃度範囲が１８×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下であるため、この値を上限とした。」
　
（３−２）そこで、補正後の請求項１における酸素濃度を１０〜１９×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3とすることが、当初明細書等に記載されている、又は当業者にとって当初明細書等に記載されているに等しいといえるか否かについてみると、当初明細書の００４０段落、及び当初図面の図４には、酸素濃度を１９×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3とすることが記載されていると認められる。
　しかしながら、当初明細書等のうちの図４には、１９×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3なる酸素濃度によっては、１×１０４ｃｍ−２以下のＢＭＤ密度しか実現できていないことが記載されており、１９×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3なる酸素濃度によって、補正後の請求項１において特定された０．５×１０５ｃｍ−２以上のＢＭＤ密度を実現することが可能であることについては、当初明細書等には何ら記載されていない。
　また、当初明細書の００４３段落には、「通常の半導体デバイス基板用として用いられている結晶の酸素濃度の上限がおおよそ１８×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3であり、そのため安定して引き上げられる酸素濃度範囲が１８×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下であるため、この値を上限とした」と記載されていることからも、所期の課題を解決するためには酸素濃度の上限は１８×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3であることが必須であり、１９×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3という酸素濃度は、当初明細書等において所期の課題を解決することのできない「比較例」として示されたものにすぎないことが明らかである。
　したがって、当初明細書等には、むしろ、酸素濃度範囲が１８×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 を超える場合には、安定した引き上げができず、所期の課題を解決することができないことが記載されているものと認められるから、１９×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3という酸素濃度を有するウェーハを用いることが、当初明細書等の記載から当業者にとって自明であるといえないことは明らかである。
　
（３）したがって、補正後の請求項１の「酸素濃度が１０〜１９×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 」は、当初明細書等に記載されておらず、かつ、それらの記載から当業者にとって自明なものとも認められないから、補正事項２は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものではなく、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものではない。
　
（４）以上検討したとおり、上記補正事項２は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものではないから、本件補正２は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の補正事項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。