【事件の表示】
　特許第３５４４４６４号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第３５４４４６４号に係る明細書及び図面を本件審判請求書に添付された訂正明細書及び図面のとおり訂正することを認める。
【理　由】
１．審判請求の要旨
　
　本件審判請求の要旨は、特許第３５４４４６４号（平成９年１１月２６日出願、平成１６年４月１６日設定登録、以下「本件特許」という。）の明細書（以下「本件特許明細書」という。）を、本件審判請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正すること（以下「本件訂正」という。）を求めるものである。
　
２．訂正の内容
　
　本件訂正の内容は、以下のとおりである。
　
（１）訂正事項１
　本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１１の
　
「【請求項１１】
複数の半導体集積回路素子が形成された基板と、
前記半導体集積回路素子を覆うように前記基板上に形成され、表面に溝を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の前記表面の前記溝内に形成された第１配線と、
前記第１配線を覆うように前記第１絶縁膜上に形成され、ビア開口部を有する第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜の前記ビア開口部内に形成されたビア配線と、
前記第２絶縁膜上に形成され、溝状開口部を有する第３絶縁膜と、
前記第３絶縁膜の前記溝状開口部内に形成された第２配線と、
を備えた半導体装置であって、
前記第３絶縁膜に形成されたボンディング金属用開口部と、
前記ボンディング金属用開口部内に埋め込まれた前記第２配線の材料と同じ材料からなる導電層と、
前記導電層上に形成されたボンディング用金属膜とを備えていることを特徴とする半導体装置。」を、
  　
「【請求項１１】
複数の半導体集積回路素子が形成された基板と、
前記半導体集積回路素子を覆うように前記基板上に形成され、表面に溝を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の前記表面の前記溝内に形成された第１配線と、
前記第１配線を覆うように前記第１絶縁膜上に形成され、ビア開口部を有する第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜の前記ビア開口部内に形成されたビア配線と、
前記第２絶縁膜上に形成され、溝状開口部を有する第３絶縁膜と、
前記第３絶縁膜の前記溝状開口部内に形成された第２配線と、
を備えた半導体装置であって、
前記第３絶縁膜に形成されたボンディング金属用開口部と、
前記ボンディング金属用開口部内に埋め込まれ
た導
を備え
前記第２配線、および前記導電層の上面は研磨加工されており、
前記第３絶縁膜上、前記第２配線上、および前記導電層上に形成された保護膜と、
前記導電層上に一つ設けられた前記保護膜の開口部と、
前記保護膜の開口部に形成され、
さらに
、
前記第１配線、前記第２配線、および前記導電層は銅からなり、前記第２配線が銅配線の最上層であり、前記ボンディング用金属膜はアルミニウムから形成され
　
（２）訂正事項２
　
　本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１３の
　
「【請求項１３】
前記導電層は、複数のスリットを有するプレートを形成していることを特徴とする請求項１２記載の半導体装置。」を、
　
「【請求項１３】
前記導電層は、複数のスリットを有するプレートを形成して
おり、
前記ボンディング用金属膜は、前記保護膜の開口部において、前記導電層上、および前記スリット上に形成され
　
（３）訂正事項３
　
　本件特許明細書における特許請求の範囲の請求項１６，１７、２１及び２２を削除し、これに伴い、もとの請求項１８〜２０及び２３〜４３の項番号を請求項１６〜３９へと繰り上げ、同様にこれらの請求項が引用する項番号を繰り上げること。
　
（４）訂正事項４（審決注：本審決においては、審判請求書に記載された「訂正事項４」を、以下「訂正事項４」〜「訂正事項６」のように小分けしている。）
　
　本件特許明細書における明細書の段落【００２３】の
　
「【００２３】
本発明の他の半導体装置は、複数の半導体集積回路素子が形成された基板と、
前記半導体集積回路素子を覆うように前記基板上に形成され、表面に溝を有する第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の前記表面の前記溝内に形成された第１配線と、前記第１配線を覆うように前記第１絶縁膜上に形成され、ビア開口部を有する第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜の前記ビア開口部内に形成されたビア配線と、前記第２絶縁膜上に形成され、溝状開口部を有する第３絶縁膜と、前記第３絶縁膜の前記溝状開口部内に形成された第２配線とを備えた半導体装置であって、前記第３絶縁膜に形成されたボンディング金属用開口部と、前記ボンディング金属用開口部内に埋め込まれた前記第２配線の材料と同じ材料からなる導電層と、前記導電層上に形成されたボンディング用金属膜とを備えている。」を、
　
「【００２３】
本発明の他の半導体装置は、複数の半導体集積回路素子が形成された基板と、
前記半導体集積回路素子を覆うように前記基板上に形成され、表面に溝を有する第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の前記表面の前記溝内に形成された第１配線と、前記第１配線を覆うように前記第１絶縁膜上に形成され、ビア開口部を有する第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜の前記ビア開口部内に形成されたビア配線と、前記第２絶縁膜上に形成され、溝状開口部を有する第３絶縁膜と、前記第３絶縁膜の前記溝状開口部内に形成された第２配線とを備えた半導体装置であって、前記第３絶縁膜に形成されたボンディング金属用開口部と、前記ボンディング金属用開口部内に埋め込まれ
た導
を備え
前記第２配線、および前記導電層の上面は研磨加工されており、前記第３絶縁膜上、前記第２配線上、および前記導電層上に形成された保護膜と、前記導電層上に一つ設けられた前記保護膜の開口部と、前記保護膜の開口部に形成され、
さらに
、前記第１配線、前記第２配線、および前記導電層は銅からなり、前記第２配線が銅配線の最上層であり、前記ボンディング用金属膜はアルミニウムから形成され
　
（５）訂正事項５
　
　本件特許明細書における明細書の段落【００２５】の
　
「【００２５】
前記導電層は、複数のスリットを有するプレートを形成していてもよい。」を、
　
「【００２５】
前記導電層は、複数のスリットを有するプレートを形成して
おり、前記ボンディング用金属膜は、前記保護膜の開口部において、前記導電層上、および前記スリット上に形成され
　
（６）訂正事項６
　
　本件特許明細書における明細書の段落【００２８】、【００２９】、【００３３】及び【００３４】を削除すること。
　
３．訂正の目的の適否、特許請求の範囲の拡張又は変更の存否等について
　
　以下に、訂正の目的の適否、特許請求の範囲の拡張又は変更の存否及び本件訂正が願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであるか否かについて検討する。
　
　なお、以下においては、本件特許の願書に添付した明細書及び図面をまとめて「本件特許明細書等」という。
　
（１）訂正事項１
　
（１−１）訂正事項１ａ
　本件訂正後の特許請求の範囲の請求項１１に係る発明の「
前記第２配線、および前記導電層の上面は研磨加工されており、
　そして、本件特許明細書等の「前記導電層、および前記第２配線の上面は、研磨加工されていることを特徴とする請求項１１記載の半導体装置。」（【請求項１６】）、「次に、第３絶縁膜２８上に、銅薄膜を例えばブランケットＣＶＤ法で堆積し、溝状開口部２９およびボンディング金属用開口部３０の内部を完全に銅で埋め込む。この後、公知のＣＭＰ法を用いて、銅薄膜の表面を研磨加工し、銅薄膜の不要部分を除去する。こうして、図９（ｄ）に示されるように、溝状開口部２９およびボンディング金属用開口部３０内にのみ銅を残し、第２配線２３１および導電層２３２を形成する。」（段落【００９２】）及び「本実施形態では、図１１（ａ）に示すように、第３絶縁膜２８の、ボンディングパッドが設けられるべき領域に開口部３０が形成される。この開口部３０は、第２配線２３１のための溝状開口部２９の形成と同時に同様の方法で形成される。開口部３０の形成後、第２配線２３１のための導電層が第３絶縁膜２８の表面を覆うように形成され、その後、前述したようにＣＭＰによって第２配線２３１が形成されるとともに、開口部３０内にも導電層２３２が埋め込まれる。」（段落【０１０２】）という記載には、「第２配線」及び「導電層」の「上面」が「研磨加工されて」いることが、それぞれ示されている。
　したがって、訂正事項１ａについての訂正は、本件特許の願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　また、訂正事項１ａについての訂正が、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は、変更するものではないことは明らかである。
　
（１−２）訂正事項１ｂ
　本件訂正後の特許請求の範囲の請求項１１に係る発明の「
前記第３絶縁膜上、前記第２配線上、および前記導電層上に形成された保護膜と、
　そして、本件特許明細書等には、第４実施形態に関し、「次に、第３絶縁膜２８上に、銅薄膜を例えばブランケットＣＶＤ法で堆積し、溝状開口部２９およびボンディング金属用開口部３０の内部を完全に銅で埋め込む。この後、公知のＣＭＰ法を用いて、銅薄膜の表面を研磨加工し、銅薄膜の不要部分を除去する。こうして、図９（ｄ）に示されるように、溝状開口部２９およびボンディング金属用開口部３０内にのみ銅を残し、第２配線２３１および導電層２３２を形成する。」（段落【００９２】）及び「次に、図９（ｅ）に示されるように、開口部２１１を有する表面保護膜２１０を形成し、その開口部２１１内にボンディング用金属膜１００を設ける。」（段落【００９３】）、並びに図９（ｄ）及び図９（ｅ）の記載があり、また、第５実施形態に関し、「図１１（ａ）および（ｂ）ならびに図１２（ａ）および（ｂ）を参照しながら、本発明の第５実施形態を説明する。第４の実施形態とは異なる点だけを説明し、共通する要素の説明は省略する。」（段落【０１０１】）との前提において、第４実施形態についての段落【００９２】及び段落【００９３】の上記摘記部分の説明を踏まえての「第２配線２３１および導電層２３２を形成した後、これらを覆うように保護膜２１０が形成され、図１２（ｂ）に示されように、導電層２３２上にボンディング用金属膜１００が形成される。」（段落【０１０４】　審決注：ここでの「示されように」は「示されるように」の明らかな誤記と認める。）という記載、並びに図１１（ｂ）及び図１２（ｂ）の記載があり、それぞれの実施形態には、「第３絶縁膜上」、「第２配線上」及び「導電層上」に形成された「保護膜」が示されている。
　したがって、訂正事項１ｂについての訂正は、本件特許の願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　また、訂正事項１ｂについての訂正が、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は、変更するものではないことは明らかである。
　
（１−３）訂正事項１ｃ
　本件訂正後の特許請求の範囲の請求項１１に係る発明の「
前記導電層上に一つ設けられた前記保護膜の開口部と、
　そして、本件特許明細書等には、第４実施形態に関し、「次に、第３絶縁膜２８上に、銅薄膜を例えばブランケットＣＶＤ法で堆積し、溝状開口部２９およびボンディング金属用開口部３０の内部を完全に銅で埋め込む。この後、公知のＣＭＰ法を用いて、銅薄膜の表面を研磨加工し、銅薄膜の不要部分を除去する。」（段落【００９２】）、「次に、図９（ｅ）に示されるように、開口部２１１を有する表面保護膜２１０を形成し、その開口部２１１内にボンディング用金属膜１００を設ける。」（段落【００９３】）及び「次に、図１０（ｄ）に示すように、ボンディング用金属膜１００を形成する。」（段落【００９７】）という記載、並びに図９（ｅ）及び図１０（ｄ）の記載があり、また、第５実施形態に関し、「図１１（ａ）および（ｂ）ならびに図１２（ａ）および（ｂ）を参照しながら、本発明の第５実施形態を説明する。第４の実施形態とは異なる点だけを説明し、共通する要素の説明は省略する。」（段落【０１０１】）との前提において、第４実施形態についての段落【００９３】の上記摘記部分の説明を踏まえての「第２配線２３１および導電層２３２を形成した後、これらを覆うように保護膜２１０が形成され、図１２（ｂ）に示されように、導電層２３２上にボンディング用金属膜１００が形成される。」（段落【０１０４】　審決注：ここでの「示されように」は「示されるように」の明らかな誤記と認める。）及び「図１１（ｂ）は、ボンディング用金属膜１００が形成された段階での半導体装置の断面を示している。」（段落【０１０５】）、並びに図１１（ｂ）及び図１２（ｂ）の記載があり、それぞれの実施形態には、「導電層上に一つ設けられた」「保護膜の開口部」が示されている。
　したがって、訂正事項１ｃについての訂正は、本件特許の願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　また、訂正事項１ｃについての訂正が、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は、変更するものではないことは明らかである。
　
（１−４）訂正事項１ｄ
　本件訂正後の特許請求の範囲の請求項１１に係る発明の「
前記保護膜の開口部に形成され、
さらに
、
　そして、本件特許明細書等には、第４実施形態に関し、「次に、図９（ｅ）に示されるように、開口部２１１を有する表面保護膜２１０を形成し、その開口部２１１内にボンディング用金属膜１００を設ける。」（段落【００９３】）及び「次に、図１０（ｄ）に示すように、ボンディング用金属膜１００を形成する。」（段落【００９７】）、並びに図９（ｅ）及び図１０（ｄ）の記載があり、また、第５実施形態に関し、「図１１（ａ）および（ｂ）ならびに図１２（ａ）および（ｂ）を参照しながら、本発明の第５実施形態を説明する。第４の実施形態とは異なる点だけを説明し、共通する要素の説明は省略する。」（段落【０１０１】）との前提において、第４実施形態についての段落【００９３】の上記摘記部分の説明を踏まえての「第２配線２３１および導電層２３２を形成した後、これらを覆うように保護膜２１０が形成され、図１２（ｂ）に示されように、導電層２３２上にボンディング用金属膜１００が形成される。」（段落【０１０４】　審決注：ここでの「示されように」は「示されるように」の明らかな誤記と認める。）及び「図１１（ｂ）は、ボンディング用金属膜１００が形成された段階での半導体装置の断面を示している。」（段落【０１０５】）、並びに図１１（ｂ）及び図１２（ｂ）の記載があり、それぞれの実施形態には、「ボンディング用金属膜」が「保護膜の開口部に形成され」ることが示されている。
　したがって、訂正事項１ｄについての訂正は、本件特許の願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　また、訂正事項１ｄについての訂正が、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は、変更するものではないことは明らかである。
　
（１−５）訂正事項１ｅ
　本件訂正後の特許請求の範囲の請求項１１に係る発明の「前記ボンディング金属用開口部内に埋め込まれ
た導
を備え
前記第１配線、前記第２配線、および前記導電層は銅からなり、
　そして、本件特許明細書等の「こうして、図９（ａ）に示されるように、溝２１ａ内にのみ銅を残し、それによって、銅からなる第１配線２２の形成が完了する。」（段落【００８９】）及び「こうして、図９（ｄ）に示されるように、溝状開口部２９およびボンディング金属用開口部３０内にのみ銅を残し、第２配線２３１および導電層２３２を形成する。」（段落【００９２】）という記載には、「第１配線」、「第２配線」及び「導電層」が「銅からな」ることが示されている。
　したがって、訂正事項１ｅについての訂正は、本件特許の願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　また、訂正事項１ｅについての訂正が、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は、変更するものではないことは明らかである。
　
（１−６）訂正事項１ｆ
　本件訂正後の特許請求の範囲の請求項１１に係る発明の「
前記第２配線が銅配線の最上層であり、
　そして、本件特許明細書等に「配線」として具体的に記載されているのは「第１配線」及び「第２配線」のみであり、「こうして、図９（ａ）に示されるように、溝２１ａ内にのみ銅を残し、それによって、銅からなる第１配線２２の形成が完了する。」（段落【００８９】）及び「こうして、図９（ｄ）に示されるように、溝状開口部２９およびボンディング金属用開口部３０内にのみ銅を残し、第２配線２３１および導電層２３２を形成する。」（段落【００９２】）、並びに図９（ｅ）及び図１１（ｂ）の記載に照らし、これら「第１配線」及び「第２配線」は「銅配線」であり、かつ、「第２配線」が「第１配線」より上の層であることが示されているところ、「第２配線」が「銅配線の最上層」であることは明らかである。
　また、仮に、図９（ｅ）及び図１１（ｂ）から「第２配線」より上層に形成されていることが看取される「ボンディングパッド」も「配線」の一種だとした場合でも、本件特許明細書等における、「また、銅は金との合金化が困難な材料であるため、ボンディングパッド１９が銅から形成される場合、通常のワイヤーボンディング組み立て工程で用いられているボンディグ用金ワイヤーを使用できないという問題が生じ、新たなボンディグ用ワイヤを開発することが必要になる。」（段落【００１０】）、「本実施形態では、アルミニウムからボンディング用金属膜１００を形成している。」（段落【０１０５】）及び「このボンディング用金属膜を、アルミやニッケルなどの金と合金化しやすい材料から形成することにより、多層配線や上記導電層を信頼性の高い銅から形成しても、従来のワイヤーボンディングの技術をそのまま適用することができる。」（段落【０１１９】）という記載から、「ボンディングパッド」は「銅」以外の金属材料から形成されることが明らかであるから、やはり、「第２配線」が「銅配線の最上層」であることは明らかである。
　したがって、訂正事項１ｆについての訂正は、本件特許の願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　また、訂正事項１ｆについての訂正が、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は、変更するものではないことは明らかである。
　
（１−７）訂正事項１ｇ
　本件訂正後の特許請求の範囲の請求項１１に係る発明の「
前記ボンディング用金属膜はアルミニウムから形成され
　そして、本件特許明細書等には、「本実施形態では、アルミニウムからボンディング用金属膜１００を形成している。」（段落【０１０５】）及び「このボンディング用金属膜を、アルミやニッケルなどの金と合金化しやすい材料から形成することにより、多層配線や上記導電層を信頼性の高い銅から形成しても、従来のワイヤーボンディングの技術をそのまま適用することができる。」（段落【０１１９】）には、「ボンディング用金属膜」が「アルミニウム」から形成されていることが、それぞれ示されている。（なお、段落【０１１９】に記載された「アルミ」が「アルミニウム」の意味であることは明らかである。）
　したがって、訂正事項１ｇについての訂正は、本件特許の願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　また、訂正事項１ｇについての訂正が、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は、変更するものではないことは明らかである。
　
（１−８）小括
　以上要するに、訂正事項１についての訂正は、特許法第１２６条第１項ただし書き第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、当該訂正は、本件特許の願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は、変更するものではない。
　
（２）訂正事項２
　本件訂正後の特許請求の範囲の請求項１３に係る発明の「前記導電層は、複数のスリットを有するプレートを形成して
おり、
前記ボンディング用金属膜は、前記保護膜の開口部において、前記導電層上、および前記スリット上に形成され
　そして、本件特許明細書等には、第５実施形態に関し、「図１１（ａ）および（ｂ）ならびに図１２（ａ）および（ｂ）を参照しながら、本発明の第５実施形態を説明する。第４の実施形態とは異なる点だけを説明し、共通する要素の説明は省略する。」（段落【０１０１】）との前提において、第４実施形態についての「次に、図９（ｅ）に示されるように、開口部２１１を有する表面保護膜２１０を形成し、その開口部２１１内にボンディング用金属膜１００を設ける。」（段落【００９３】）との説明を踏まえ、「図１２（ａ）は、第２配線２３１および導電層２３２の平面レイアウトを示している。導電層２３２は、第２配線２３１と直接に接続されており、また、複数のスリットを有している。」（段落【０１０３】）、「第２配線２３１および導電層２３２を形成した後、これらを覆うように保護膜２１０が形成され、図１２（ｂ）に示されように、導電層２３２上にボンディング用金属膜１００が形成される。」（段落【０１０４】　審決注：ここでの「示されように」は「示されるように」の明らかな誤記と認める。）及び「図１１（ｂ）は、ボンディング用金属膜１００が形成された段階での半導体装置の断面を示している。」（段落【０１０５】）という記載、並びに図１１（ｂ）及び図１２（ｂ）の記載があり、「保護膜の開口部」において「導電層上」及び「スリット上」に形成される「ボンディング用金属膜」が示されていることは明らかである。
　したがって、訂正事項２についての訂正は、本件特許の願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　また、訂正事項２についての訂正が、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は、変更するものではないことは明らかである。
　
（３）訂正事項３
　本件特許明細書における特許請求の範囲の請求項１６，１７、２１及び２２を削除し、これに伴い、もとの請求項１８〜２０及び２３〜４３の項番号を請求項１６〜３９へと繰り上げ、同様にこれらの請求項が引用する項番号を繰り上げたものであり、かかる訂正は、特許法第１２６条第１項ただし書き第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、訂正事項３についての訂正が、本件特許の願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであって、なおかつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は、変更するものではないことは明らかである。
　
（４）訂正事項４
　訂正事項４についての訂正は、訂正事項１についての訂正に伴い、本件訂正後の請求項１１に係る発明と本件特許明細書の記載を整合させるものであるから、特許法第１２６条第１項ただし書き第３号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、訂正事項４についての訂正内容は、訂正事項１についての訂正内容と実質的に同じであり、上記（１）において検討したとおりの理由により、本件特許の願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであって、なおかつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は、変更するものではないことは明らかである。
　
（５）訂正事項５
　訂正事項５についての訂正は、訂正事項２についての訂正に伴い、本件訂正後の請求項１３に係る発明と本件特許明細書の記載を整合させるものであるから、特許法第１２６条第１項ただし書き第３号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、訂正事項５についての訂正内容は、訂正事項２についての訂正内容と実質的に同じであり、上記（２）において検討したとおりの理由により、本件特許の願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであって、なおかつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は、変更するものではないことは明らかである。
　
（６）訂正事項６
 　訂正事項６についての訂正は、訂正事項３についての訂正に伴い、本件訂正前の特許請求の範囲の請求項１６，１７、２１及び２２が削除された本件訂正後の特許請求の範囲の記載と本件特許明細書の記載とを整合させるものであるから、特許法第１２６条第１項ただし書き第３号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、訂正事項６についての訂正内容は、訂正事項３について本件訂正前の特許請求の範囲の請求項１６，１７、２１及び２２を削除する訂正内容と実質的に同じであり、上記（３）において検討したとおりの理由により、本件特許の願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであって、なおかつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は、変更するものではないことは明らかである。
　
（７）訂正の目的の適否、特許請求の範囲の拡張又は変更の存否等についてのまとめ
　以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２６条第１項ただし書き第１号または第３号に掲げる事項を目的とし、本件特許の願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであって、なおかつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は、変更するものではないから、同法同条第３項及び第４項の規定に適合する。
　
４．独立特許要件について
　
（１）検討の前提
　上記３．で検討したとおり、本件訂正は、特許法第１２６条第１項ただし書き第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とした訂正を含むから、本件訂正後における特許請求の範囲に記載されている事項により構成される発明、すなわち、本件訂正後の請求項１１に係る発明及び本件訂正後の請求項１１を直接的または間接的に引用する請求項１２ないし１８に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かにつき、さらに検討を行う。
　
（２）特許法第２９条第２項（発明の進歩性）についての判断
　
　本件訂正後の請求項１１に係る発明及び本件訂正後の請求項１１を直接的または間接的に引用する請求項１２ないし１８に係る発明が、本件特許の出願前日本国内において頒布された後述の（２−２）に示す刊行物に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるか否かにつき検討する。
　
（２−１）本件訂正後の請求項１１に係る発明
　
（２−１−１）本件訂正後の請求項１１に係る発明は、本件訂正後の本件特許明細書等の記載からみて、本件訂正後の本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１１に記載されている事項により特定されるものであり、すなわち、本件訂正後の請求項１１に係る発明（以下「訂正後発明１１」という。）は、以下のとおりのものである。
　
「【請求項１１】
複数の半導体集積回路素子が形成された基板と、
前記半導体集積回路素子を覆うように前記基板上に形成され、表面に溝を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の前記表面の前記溝内に形成された第１配線と、
前記第１配線を覆うように前記第１絶縁膜上に形成され、ビア開口部を有する第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜の前記ビア開口部内に形成されたビア配線と、
前記第２絶縁膜上に形成され、溝状開口部を有する第３絶縁膜と、
前記第３絶縁膜の前記溝状開口部内に形成された第２配線と、
を備えた半導体装置であって、
前記第３絶縁膜に形成されたボンディング金属用開口部と、
前記ボンディング金属用開口部内に埋め込まれた導電層とを備え、
前記第２配線、および前記導電層の上面は研磨加工されており、　
前記第３絶縁膜上、前記第２配線上、および前記導電層上に形成された保護膜と、　
前記導電層上に一つ設けられた前記保護膜の開口部と、　
前記保護膜の開口部に形成され、前記導電層上に形成されたボンディング用金属膜とをさらに備え、　
前記第１配線、前記第２配線、および前記導電層は銅からなり、前記第２配線が銅配線の最上層であり、前記ボンディング用金属膜はアルミニウムから形成されていることを特徴とする半導体装置。」
　
（２−１−２）ここで、訂正後発明１１の「溝」及び「開口部」との用語について、本件特許明細書等においては、明確な定義は与えられていない。しかしながら、絶縁膜を貫通しない穴を「溝」、貫通する穴を「開口部」と解すれば、本件特許明細書等に記載されたこれら両用語は、そのような意味で明確に書き分けられているものとして、矛盾なく理解することができる。
　そこで、以下においては、両用語の意義を上記のように理解した上で、訂正後発明１１の特許要件（発明の進歩性）の判断を行うこととする。
　
（２−１−３）また、訂正後発明１１の「ボンディング用金属膜」については、本願特許明細書等に明確な定義が与えられていないものの、本件特許明細書等の記載全体及び本件特許に係る出願の出願前における技術常識を考慮すれば、「ボンディングパッドを厚くすることができ、ディシュイングの影響を補償することができる。」（段落【０１１９】）との効果を奏する金属膜と解される。一方で、当該効果を得るにあたっては、例えばボンディングワイヤが直接接続される導電膜が別途その上に形成される場合も排除されるものではない。
　そこで、以下においては、訂正後発明１１の「ボンディング用金属膜」は、ボンディングパッドの一部を構成する金属膜ではあるものの、ボンディングワイヤが直接接続される金属膜には限られないとの理解に立って検討を進めることとする。
　
（２−２）刊行物に記載された発明
　
　本件特許の出願前日本国内において頒布された刊行物として、以下に挙げる引用例１ないし７に基づいて、訂正後発明１１の進歩性について検討する。
　
（２−２−１）引用例１：特開平０７−１３０７３７号公報
　
（２−２−１−１）本件特許の出願前日本国内において頒布された刊行物である、特開平０７−１３０７３７公報（以下「引用例１」という。）には、図２とともに、次の記載がある。（下線は当合議体で付加したものである。以下同じ。） 
　
「【０００２】
【従来の技術】現在、
超ＬＳＩの多層配線技術に関して
【０００３】ＣＭＰ法とは、シリカ粒子を含む研磨液（スラリーと呼ぶ）を流しながら定盤に張り付けた研磨パッドにウェハーを押し付け、ウェハーに荷重をかけながら定盤を回転させて凸部のみを選択的に研磨する方法である。この技術を用いて、埋め込み配線を形成するプロセスが例えばカーター　Ｗ　カンタ（ＣａｒｔｅｒＷ　Ｋａａｎｔａ）等によりＪｕｎｅ　１１−１２　１９９１　ＶＭＩＣ　コンファレンス（Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ）１４４頁に報告されている。このプロセスを図２を参照して説明する。
【０００４】
まず図２（ａ）に示すように、シリコン等の半導体基板１上に酸化シリコン膜２を介してＡｌ等からなる下層配線３を形成したのち、全面に層間絶縁膜として酸化シリコン膜４を形成する。次でリソグラフィ工程とエッチング工程により配線用の溝５Ａ〜５Ｃ及びボンディングパッド用の溝を形成する
【０００５】
次に図２（ｂ）に示すように、下層配線３上の溝５Ａにスルーホール７を形成する
【０００６】
次に図２（ｃ）に示すように、Ａｌ等の配線膜をスパッタ法又はＣＶＤ法により全面に形成したのち、ＣＭＰ法を用いて配線膜を研磨し、溝５Ａ〜５Ｃ内のみに残して上層配線８Ａ〜８Ｃや図２（ｄ）に示すボンディングパッド９Ａを形成する
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】一般に、基板からの高さの等しい２つ以上の膜を同時に研磨する場合、研磨レートの違いによって、研磨レートの早い膜で形成されているパターンの中心部の膜厚が薄くなりくぼみが生じるというディッシング（ｄｉｓｈｉｎｇ）現象が発生する。特に、絶縁膜と金属膜の研磨レートの差は顕著であるため、図２（ｃ）に示した上層配線の中心部でも多少のくぼみが発生する。しかし、このディッシングの現象は、図２（ｄ）に示したボンディングパッド９Ａのような大面積部で著しく、大きなくぼみ１０Ａが形成され、中心部の金属膜がなくなってしまう場合がある。このためリード線のボンディング不良が発生し、半導体装置の信頼性及び歩留りを低下させるという問題点がある。」
「【図面の簡単な説明】
・・・（中略）・・・
【図２】従来の
半導体装置の製造方法
　
（２−２−１−２）引用例１の記載内容を整理すると、次のとおりである。
　
ア　引用例１には、「超ＬＳＩの多層配線技術」に関して図２に示される「半導体装置の製造方法」について、「シリコン等の半導体基板１上に酸化シリコン膜２を介してＡｌ等からなる下層配線３を形成したのち、全面に層間絶縁膜として酸化シリコン膜４を形成」し、「リソグラフィ工程とエッチング工程により配線用の溝５Ａ〜５Ｃ及びボンディングパッド用の溝を形成」し、「下層配線３上の溝５Ａにスルーホール７を形成」し、「Ａｌ等の配線膜をスパッタ法又はＣＶＤ法により全面に形成したのち、ＣＭＰ法を用いて配線膜を研磨し、溝５Ａ〜５Ｃ内のみに残して上層配線８Ａ〜８Ｃや」「ボンディングパッド９Ａを形成する。」とのことが記載されている。
　ここにおいて、上記の「配線用の溝５Ａ〜５Ｃ及びボンディングパッド用の溝」は、それぞれ層間絶縁膜の表面に同時形成された同じ深さの溝であって、かつ、それらの溝に形成される「上層配線８Ａ〜８Ｃ」及び「ボンディングパッド９Ａ」は、上面に「研磨」加工が同時にされて形成された同じ材料のものと解するのが自然である。また、「超ＬＳＩ」が形成される場所は、当然に、「半導体基板１」であるものと理解される。
　
イ　そうすると、上記アに摘記の「超ＬＳＩの多層配線技術」の方法により製造された「半導体装置」として、引用例１には、以下の構造を有する発明（以下「引用発明１」という。）が開示されているといえる。
　
「超ＬＳＩが形成された半導体基板１と、
半導体基板１上に酸化シリコン膜２を介して形成された下層配線３と、
その全面に形成され、スルーホール７、配線用の溝５Ａ〜５Ｃ及びボンディングパッド用の溝を有する酸化シリコン膜４と、
前記スルーホール７及び前記配線用の溝５Ａ〜５Ｃに配線膜が形成された上層配線８Ａ〜８Ｃと、
を備えた半導体装置であって、
前記酸化シリコン膜４に形成されるボンディングパッド用の溝と、
前記ボンディングパッド用の溝に形成されたボンディングパッド９Ａとを備え、
前記上層配線８Ａ〜８Ｃ、および前記ボンディングパッド９Ａの上面は研磨加工されており、
前記上層配線８Ａ〜８Ｃ、および前記ボンディングパッド９Ａは同じ材料からなることを特徴とする半導体装置。」
　
（２−２−２）引用例２：特開平０８−１４８５６３号公報
　
（２−２−２−１）本件特許の出願前日本国内において頒布された刊行物である、特開平０８−１４８５６３公報（以下「引用例２」という。）には、図１〜図４とともに、次の記載がある。
　
「【発明の名称】　
半導体装置の多層配線構造体の形成方法
「【００２３】
まず、図１（ａ）に示すように、素子が形成されたシリコン基板１上に厚さ１μｍの酸化シリコン膜を第一の絶縁膜２としてプラズマ化学気相成長法で形成した後、配線層を形成すべき所定の位置を覆って第一のフォトレジスト膜パターン３Ａを公知のフォトリソグラフィー技術を用いて形成する
【００２４】
次に、図１（ｂ）に示すように、第一のフォトレジスト膜パターン３Ａをマスクとして過飽和のケイフッ化水素酸水溶液を用いる液相成長法によって厚さ０．８μｍのフッ素含有酸化シリコン膜を第二の絶縁膜４Ａとして形成する
「【００２８】
次に、図１（ｃ）に示すように、第一のフォトレジスト膜パターン３Ａを剥離液中で剥離除去すると、第二の絶縁膜４Ａの所定の位置に第一の配線溝５Ａが形成される
【００２９】
次に、図１（ｄ）に示すように、スパッタ装置に入れて、１０
-5
Ｐａの真空にしたのち、０．７Ｐａのアルゴンによるエッチングで自然酸化膜を除去したのち第一の配線溝５Ａを含む全面にわたって、スパッタ法によって厚さ約５０ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜６−１、厚さ約１００ｎｍの窒化チタン（ＴｉＮ）膜７−１を順次形成した後、熱化学気相成長法によって厚さ約０．７μｍのアルミニウム（Ａｌ）膜８−１を形成する
「【００３０】
次に、図２（ａ）に示すように、化学・機械研磨によって第一の配線溝５Ａ内を除く表面のアルミニウム膜８−１、窒化チタン膜７−１、チタン膜６−１を順次研磨・除去し、第一の配線層９−１ａを形成する
「【００３１】
次に、図２（ｂ）に示すように、プラズマ化学気相成長法によって、厚さ約０．１μｍの酸化シリコン膜でなる下地膜１０を形成した後、ビアホールを形成すべき所定の位置に第二のフォトレジスト膜パターン１１Ａを形成する
【００３２】
次に、図２（ｃ）に示すように、第二のフォトレジスト膜パターン１１Ａをマスクに厚さ０．８μｍのフッ素含有酸化シリコン膜１２を前述した方法によって選択的に形成した後、第二のフォトレジスト膜パターン１１Ａを剥離液中で除去することによって開口１４を形成する
【００３３】
次に、図２（ｄ）に示すように、四フッ化炭素（ＣＦ
4
 ）ガスを用いる反応性ドライエッチングによって、全面をエッチバックせしめて、開口１４の底部に存在する酸化シリコン膜（１０）を除去する。
こうして、ビアホール１５Ａを有する第三の絶縁膜１３Ｂ（下地膜１０とフッ素含有酸化シリコン膜１２の２層膜）の形成を終る
【００３４】
次に、図３（ａ）に示すように、ビアホール１５Ａを含む全面に、スパッタ法によって厚さ５０ｎのチタン（Ｔｉ）膜６−２、厚さ１００ｎｍの窒化チタン（ＴｉＮ）膜７−２を順次形成した後、熱化学気相成長法によって厚さ約０．７μｍのアルミニウム（Ａｌ）膜８−２を形成する。
こうして第二の導電膜９−２Ａの形成を終る
【００３５】
次に、図３（ｃ）に示すように、ビアホール１５Ａ部を覆う所定形状の第三のフォトレジスト膜パターン１７を形成し、これをマスクとして厚さ０．８μｍのフッ素含有酸化シリコン膜を前述した液相成長法により第四の絶縁膜１６Ａとして形成する
【００３６】
次に、図４（ａ）に示すように、第三のフォトレジスト膜パターン１７を除去することにより、第二の配線溝１８Ａの形成を終る
【００３７】
次に、図４（ｂ）に示すように、第一の配線層の形成と同様に、厚さ約５０ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜６−３、厚さ約１００ｎｍの窒化チタン（ＴｉＮ）膜７−３、厚さ約０．７μｍのアルミニウム（Ａｌ）膜８−３からなる第三の導電膜９−３を形成し、化学・機械研磨法を利用して、図４（ｃ）に示すように第二の配線層９−３ａを形成する
「【００５９】
さらにまた、第一および第二の配線層としては、アルミニウム膜／窒化チタン膜／チタン膜の積層構造を用いたが、これは、タングステン、モリブデン、金、銀、銅、シリコン、アルミニウム、チタン、チタン含有タングステンのうちの少なくても一つの材料から成り、その形成方法が、スパッタ法、および／または、化学気相成長法のうちの少なくても一つであればよい。
　
　また、引用例２の【符号の説明】の記載によれば、図３（ｂ）に記載された引用符号「９−２Ａａ」は「第二の導電膜」を示すものであり、かつ、図３（ａ）及び段落【００３４】の記載との対応から、図３（ｂ）に示される「第二の導電膜」「９−２Ａａ」は、図３（ａ）に示される「第二の導電膜９−２Ａ」を整形したものであると読み取れる。
　
（２−２−２−２）引用例２の記載内容を整理すると、次のとおりである。
　
ア　引用例２には、図１〜図４に示される「半導体装置の多層配線構造体の形成方法」について、「素子が形成されたシリコン基板１上」に「酸化シリコン膜を第一の絶縁膜２としてプラズマ化学気相成長法で形成した後、配線層を形成すべき所定の位置を覆って第一のフォトレジスト膜パターン３Ａを公知のフォトリソグラフィー技術を用いて形成」し、「第一のフォトレジスト膜パターン３Ａをマスクとして」「液層成長法によって」「フッ素含有酸化シリコン膜を第二の絶縁膜４Ａとして形成」し、「第一のフォトレジスト膜パターン３Ａを剥離液中で剥離除去」して「第二の絶縁膜４Ａの所定の位置に第一の配線溝５Ａ」を形成し、「第一の配線溝５Ａを含む全面にわたって」「チタン（Ｔｉ）膜６−１、」「窒化チタン（ＴｉＮ）膜７−１を順次形成した後、」「アルミニウム（Ａｌ）膜８−１を形成」し、「化学・機械研磨によって第一の配線溝５Ａ内を除く表面のアルミニウム膜８−１、窒化チタン膜７−１、チタン膜６−１を順次研磨・除去し、第一の配線層９−１ａを形成」し、「プラズマ化学気相成長法によって、」「酸化シリコン膜でなる下地膜１０を形成した後、ビアホールを形成すべき所定の位置に第二のフォトレジスト膜パターン１１Ａを形成」し、「第二のフォトレジスト膜パターン１１Ａをマスクに」「フッ素含有酸化シリコン膜１２を」「選択的に形成した後、第二のフォトレジスト膜パターン１１Ａを剥離液中で除去することによって開口１４を形成」し、「反応性ドライエッチングによって、全面をエッチバックせしめて、開口１４の底部に存在する酸化シリコン膜（１０）を除去」し、「ビアホール１５Ａを有する第三の絶縁膜１３Ｂ」を形成し、「ビアホール１５Ａを含む全面に、」「チタン（Ｔｉ）膜６−２、」「窒化チタン（ＴｉＮ）膜７−２を順次形成した後、」「アルミニウム（Ａｌ）膜８−２を形成」することにより「第二の導電膜９−２Ａ」を形成し、更にそれを「第二の導電膜」「９−２Ａａ」に整形し、「ビアホール１５Ａ部を覆う所定形状の第三のフォトレジスト膜パターン１７を形成し、これをマスクとして」「フッ素含有酸化シリコン膜を」「液相成長法により第四の絶縁膜１６Ａとして形成」し、「第三のフォトレジスト膜パターン１７を除去することにより、第二の配線溝１８Ａ」を形成し、「チタン（Ｔｉ）膜６−３、」「窒化チタン（ＴｉＮ）膜７−３、」「アルミニウム（Ａｌ）膜８−３からなる第三の導電膜９−３を形成し、化学・機械研磨法を利用して、」「第二の配線層９−３ａを形成する」とのことが記載されている。
　そして、上記において、「第一の絶縁膜２」が「素子が形成されたシリコン基板１」を覆うように形成されること、「第一の配線溝５Ａ」が「第二の絶縁膜４Ａ」の表面に形成されること、「ビアホール１５Ａを有する第三の絶縁膜１３Ｂ」が「第一の配線層９−１ａ」を覆うように形成されることは、それぞれ、明らかである。
　
イ　そうすると、上記アに摘記の方法により製造された「半導体装置の多層配線構造体」として、引用例２には、以下の構造が開示されているといえる。
　
「素子が形成されたシリコン基板１と、
前記シリコン基板１を覆うように形成された第一の絶縁膜２と、表面に第一の配線溝５Ａを形成された第二の絶縁膜４Ａと、
前記第二の絶縁膜４Ａの前記第一の配線溝５Ａ内に形成された第一の配線層９−１ａと、
前記第一の配線層９−１ａを覆うように形成され、ビアホール１５Ａを有する第三の絶縁膜１３Ｂと、
前記第三の絶縁膜１３Ｂの前記ビアホール１５Ａ内に形成された第二の導電膜９−２Ａと、
前記第三の絶縁膜１３Ｂ上に形成され、第二の配線溝１８Ａを有する第四の絶縁膜１６Ａと、
前記第三の絶縁膜１３Ｂの前記第二の配線溝１８Ａに形成された第二の配線層９−３ａと、
を備えた半導体装置の多層配線構造体」
　
ウ　また、引用例２の段落【００５９】には、かかる「多層配線構造体」の「第一の配線層９−１ａ」及び「第二の配線層９−３ａ」の材料を「銅」にできることが示唆されている。
　
（２−２−３）引用例３：特開平０８−０４５９３３号公報
　
（２−２−３−１）本件特許の出願前日本国内において頒布された刊行物である、特開平０８−０４５９３３公報（以下「引用例３」という。）には、図１及び図２とともに、次の記載がある。
　
「【特許請求の範囲】
【請求項１】  
埋め込み導電性パターンの内部の周囲に層間絶縁膜と同じ高さで且つ同じ材質からなる非導電性領域が存在するように前記導電性パターンを設けたことを特徴とする半導体装置
【請求項２】  
上記導電性パターンがボンディングパッドであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置
【請求項３】  
上記導電性パターンが格子状導電性パターンであることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置
【請求項４】  
上記格子状導電性パターンの交点上に上層配線層とコンタクトを取る導電性プラグを設けたことを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置及びその製造方法に関するものであり、特に、
研磨法により埋め込んだ内部配線層或いはボンディングパッドを有する半導体装置
「【００１６】
【作用】
導電性パターンの内部領域に設けた非導電性領域が研磨の際にストッパとして作用するので、溝内の金属膜が不所望に研磨されて窪み（ディッシング）が生ずることを防止するものである
【００１７】
また、導電性パターンの内部領域に設けた非導電性領域が周囲の層間絶縁膜と同じ高さであるので、装置全体の平坦化が向上し、更に、導電性パターンを格子状導電性パターン或いは梯子状導電性パターンにすることにより、パターンの一部において断線が生じても全体としては導通が保たれるので、確実な内部接続が可能となる
【００１８】
【実施例】図１及び図２は、本発明の第１の実施例である埋め込み型ボンディングパッドの構造及びその製造方法を説明する図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’に沿った断面図であり、また、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ’に沿った断面図である。
【００１９】図１参照
（１）
先ず、シリコン半導体基体１上に熱酸化膜２等の絶縁層を介して、プラズマＣＶＤ法によってＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜（Ｔｅｔｒａ−Ｅｔｈｙｌ−Ｏｒｔｈｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ−Ｎｏｎｄｏｐｅｄ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）１５を０．５μｍ堆積させたのち、埋め込み導電体パターンを形成する部分に対応する溝を形成する。
【００２０】この場合は、ボンディングパッドであるので、図１（ａ）に示すように全体の大きさを９５μｍ×９５μｍとし、幅が５μｍ、格子間隔が１０μｍ、深さが０．５μｍの格子状の溝をＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜１５に形成する。
【００２１】（２）次いで、全面にＴｉＮ膜（図示せず）を０．０４μｍ堆積し、続いてＣＶＤ法により埋め込み導電性膜となるＣｕを０．６μｍ堆積させたのち、ＸＧＢ６８６１（商品名：ＲＯＤＥＬＸ製研磨剤）とＨ2 Ｏ2 とを１：１で混合した液を用いて研磨することにより、溝領域以外のＣｕを研磨により除去して埋め込みＣｕ層１６を形成する。なお、この場合、ＴｉＮ膜はＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜１５、即ち、シリコン酸化膜とＣｕとの密着性が悪いため、両者の密着性を改善するために挿入するものである。
【００２２】図２参照
（３）
次いで、プラズマＣＶＤ法によりカバー膜としてのＳｉＮ膜１７を０．１μｍ堆積させ、続いて同じくプラズマＣＶＤ法により第２のＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜１８を０．５μｍ堆積させたのち、深さ０．６μｍ、径０．３μｍのプラグ（ｐｌｕｇ）９形成用のホールをエッチングにより形成する
【００２３】
なお、この場合、ＳｉＮ膜１７は、ＣｕはＨ
2
 Ｏと接すると酸化されやすいので、外部及びＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜１８からの水分の進入を防ぐために設けるものであり、また、プラグ９は、図２（ａ）に示すように上部配線層とボンディングパッドとを接続するためのものであり、格子状パッドの格子の交点に設ける
【００２４】（４）次いで、ＴｉＮ膜（図示せず）を０．０２μｍ堆積させ、続いてプラグ形成用金属であるＷをＣＶＤ法により０．５μｍ堆積したのち、ＸＧＢ５５１８（商品名：ＲＯＤＥＬＸ製研磨剤）とＨ2 Ｏ2 を１：１で混合した液を用いて研磨することによりホール領域以外の領域のＷを研磨により除去してＷプラグ９を形成する。なお、この場合、ホールの径は０．３μｍと狭いので、０．５μｍのＷを堆積させても０．６μｍの深さの溝を充分に埋め込むことが可能である。」
　
　上記において、引用例３の段落【００１９】に記載された「埋め込み導電体パターンを形成する部分に対応する溝」が形成される「ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜（Ｔｅｔｒａ−Ｅｔｈｙｌ−Ｏｒｔｈｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ−Ｎｏｎｄｏｐｅｄ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）１５」は、引用例３の請求項１に記載された「層間絶縁膜」及びそれと「同じ高さで且つ同じ材質からなる非導電性領域」を構成する膜に他ならない。
　
（２−２−３−２）引用例３の記載内容を整理すると、次のとおりである。
　
ア　引用例３には、図１及び図２に示される「研磨法により埋め込んだ」「ボンディングパッドを有する半導体装置」について、「ボンディングパッドである」「埋め込み導電性パターンの内部の周囲に層間絶縁膜と同じ高さで且つ同じ材質からなる非導電性領域が存在するように前記導電性パターンを」「格子状導電性パターン」として「設け」ることで、「ボンディングパッド」が「不所望に研磨されて窪み（ディッシング）が生ずることを防止」し、「装置全体の平坦化が向上し、更に、」「格子状導電性パターン」の「一部において断線が生じても全体としては導通が保たれるので、確実な内部接続が可能となる」とともに、「ＳｉＮ膜１７」と「第２のＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜１８を」「堆積させたのち」「プラグ（ｐｌｕｇ）９形成用のホールを」「形成」した「上記格子状導電性パターンの交点上に上層配線層とコンタクトを取る導電性プラグを設けた」構造のものが記載されている。
　
イ　そうすると、引用例３には、以下の構造を備えた「半導体装置」が開示されているといえる。
　
「研磨法により埋め込んだボンディングパッドを有する半導体装置において、ボンディングパッドである埋め込み導電性パターンの内部の周囲に層間絶縁膜と同じ高さで且つ同じ材質からなる非導電性領域が存在するように上記導電性パターンを格子状導電性パターンとして設けることで、上記ボンディングパッドが不所望に研磨されて窪み（ディッシング）が生ずることを防止し、装置全体の平坦化が向上し、更に、上記格子状導電性パターンの一部において断線が生じても全体としては導通が保たれるので、確実な内部接続が可能となるとともに、ＳｉＮ膜１７及び第２のＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜１８を堆積させたのちプラグ（ｐｌｕｇ）９形成用のホールを形成した上記格子状導電性パターンの交点上に上層配線層とコンタクトを取る導電性プラグを設けた半導体装置。」
　
（２−２−４）引用例４：特開平０３−２２７５３９号公報
　
（２−２−４−１）本件特許の出願前日本国内において頒布された刊行物である、特開平０３−２２７５３９公報（以下「引用例４」という。）には、第１図とともに、次の記載がある。
　
「産業上の利用分野
　本発明は
外部リードとの接続に半導体チップ上の電極パッド部を用いる構造の半導体装置
「実施例
　本発明の実施例を第１図の断面図を用いて説明する。この図において、１は半導体チップ、２は表面保護膜、３はＡｌパッド電極、４はワイヤーボール、５はバリアメタルである。本実施例では、従来の半導体チップ製造プロセスを実施した後、バリアメタルを蒸着し、
Ａｌパッド電極３の上部に、表面保護膜２の開口部以上の面積のバリアメタルがパターニングされるようにエッチングを行って、Ａｌパッド電極３の上部にバリアメタル５を形成した。
　
このような構造にすることにより、Ａｌパッド部表面が全てバリアメタルに覆われるため、Ａｌパッド部に水分が浸入しても腐食が発生しにくくなり、耐湿性寿命を大幅に改善することができる
　また、引用例４の第１図からは、表面に「Ａｌパッド電極３」を有する「半導体チップ」「１」上に「表面保護膜２」が「Ａｌパッド電極３」の一部を露出するような「開口部」を設けて形成された「半導体装置」が見て取れる。
　
（２−２−４−２）引用例４の記載内容を第１図を参照しつつ整理すると、次のとおりである。
　
ア　引用例４には、第１図に示される「外部リードとの接続に半導体チップ上の電極パッド部を用いる構造の半導体装置」について、表面に「Ａｌパッド電極３」を有する「半導体チップ」「１」上に、「表面保護膜２」が「Ａｌパッド電極３」の一部を露出するような「開口部」を設けて形成されるとともに、「Ａｌパッド電極３の上部に、表面保護膜２の開口部以上の面積のバリアメタルがパターニングされ」、「Ａｌパッド部表面」「全て」を覆う「バリアメタル５を形成した」構造とすることにより、「耐湿性寿命を大幅に改善」したものが記載されている。
　
イ　そうすると、引用例４には、以下の構造を備えた「半導体装置」が開示されているといえる。
　
「表面にＡｌパッド電極３を有する半導体チップ１上に、表面保護膜２がＡｌパッド電極３の一部を露出するような開口部を設けて形成されるとともに、Ａｌパッド電極３の上部に、表面保護膜２の開口部以上の面積のバリアメタルがパターニングされ、Ａｌパッド部表面全てを覆うバリアメタル５を形成した構造とすることにより、耐湿性寿命を大幅に改善した半導体装置。」
　
（２−２−５）引用例５：特開平０７−２０１９０９号公報
　
（２−２−５−１）本件特許の出願前日本国内において頒布された刊行物である、特開平０７−２０１９０９公報（以下「引用例５」という。）には、図１とともに、次の記載がある。
　
「【００１０】
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照して説明する。図１は、第１の実施例にかかる半導体素子の概略構成を示すものである。
すなわち、この半導体素子は、たとえば半導体基板１１、この半導体基板１１上に形成されたシリコン酸化膜１２、このシリコン酸化膜１２上に選択的に形成されたＣｕ配線１３、このＣｕ配線１３の周囲を被覆するＮｂからなる保護膜１４、この保護膜１４の上面開孔部に露出する上記Ｃｕ配線１３上に形成されたＷ（タングステン；Ｔｕｎｇｓｔｅｎ）膜１５、およびシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜からなる表面保護膜（パッシベーション膜）１６により構成されている
【００１１】そして、上記基板１１の外部、つまりパッケージ（図示していない）の外部端子と電気的に接続するための、たとえばＡｕやＡｌからなるボンディング・ワイヤ１７が、超音波や加熱により上記Ｗ膜１５の表面に圧着されるようになっている。
【００１２】
この場合、上記表面保護膜１６には、ボンディング・パッド用の開孔部１６ａが形成されるようになっており、この開孔部１６ａの形成された上記表面保護膜１６をマスクとして上記保護膜１４が選択的に除去されるとともに、この保護膜１４の除去された上記開孔部１６ａ内に上記Ｗ膜１５が設けられるようになっている
【００１３】すなわち、上記Ｗ膜１５は、たとえば選択ＣＶＤ（化学気相成長）法により、上記表面保護膜１６の開孔部１６ａ内の、上記Ｃｕ配線１３上に、上記表面保護膜１６とほぼ同一の膜厚を有して形成される。
このように、ボンディング・パッド上に、開孔部１６ａとほぼ同じ厚さでＷ膜１５を形成し、このＷ膜１５により、下地のＣｕ配線１３を保護膜１４に変わって保護するようにしている。このため、ワイヤ１７のボンディング時の機械的なストレスによって保護膜１４が破壊され、Ｃｕ配線１３の露出による酸化および拡散または腐食を防止することが可能となる
【００１４】また、ボンディング・ワイヤ１７との密着性を良好に保つことができる。
なお、上記第１の実施例においては、ボンディング・パッド上にＷ膜１５を形成した場合について説明したが、Ａｌ膜を形成するようにしても良い
「【００３０】
【発明の効果】
以上、詳述したようにこの発明によれば、銅製配線が外部に露出されるのを防止でき、銅製配線の露出にともなう信頼性や歩留まりの低下を改善することが可能な半導体装置を提供できる
　
（２−２−５−２）引用例５の記載内容を図１を参照しつつ整理すると、次のとおりである。
　
ア　引用例５には、図１に示される「銅製配線が外部に露出されるのを防止でき、銅製配線の露出にともなう信頼性や歩留まりの低下を改善することが可能な半導体装置」について、「Ｎｂからなる保護膜１４」により「周囲を被覆」した「Ｃｕ配線１３」を、「ボンディング・パッド用の」「開孔部１６ａの形成された」「表面保護膜１６」で覆い、「上記開孔部１６ａ内」の「上記保護膜１４が選択的に除去されるとともに、」「下地のＣｕ配線１３を保護膜１４に変わって保護する」（審決注：「変わって」は、「代わって」の誤記と認め、以下そのように読替えを行う。）ように「開孔部１６ａとほぼ同じ厚さでＷ膜１５を形成」することで、「ワイヤ１７のボンディング時の機械的なストレスによって保護膜１４が破壊され、Ｃｕ配線１３の露出による酸化および拡散または腐食を防止することが可能となる」こと及び「Ｗ膜１５」の代わりに「Ａｌ膜を形成するようにしても良い。」ことが記載されている。
　
イ　そうすると、引用例５には、以下の構造を備えた「半導体装置」が開示されているといえる。
　
「Ｎｂからなる保護膜１４により周囲を被覆したＣｕ配線１３をボンディング・パッド用の開孔部１６ａの形成された表面保護膜１６で覆った半導体装置において、上記開口部１６ａの上記保護膜１４の代わりに上記開口部１６ａとほぼ同じ厚さでＷ膜１５またはＡｌ膜が形成されることで、ワイヤ１７のボンディング時の機械的なストレスによって保護膜１４が破壊され、Ｃｕ配線１３の露出による酸化および拡散または腐食を防止することが可能となる半導体装置。」
　
（２−２−６）引用例６：特開平０７−００７２４３号公報
　
（２−２−６−１）本件特許の出願前日本国内において頒布され、本願の出願前の常套手段を示す刊行物である、特開平０７−００７２４３公報（以下「引用例６」という。）には、次の記載がある。
　
「【０００２】
【従来の技術】
プリント配線板においてはエッジコネクタ、パッド、ボンディングパッド及びスルーホール等を構成する導体パターンには接触抵抗を減らしたり、ボンディングの接続性を高めるために金メッキが施される。
金メッキは銅の導体パターンの上に直接行われるのではなく、まずニッケルメッキが施され、ニッケルメッキ膜の上に金メッキが施される。
「【０００８】ところが、この中性型無電解金メッキの金の析出機構は、下地のニッケルとの置換反応を主反応としており、下地ニッケル皮膜中のリン含有率により置換反応の起こり易さが異なる。そして、下地ニッケル皮膜のリン含有率が８〜１２％で非常に耐蝕性の良好な非結晶質（無定形質）の皮膜の場合は、置換反応が起こり難く、通常の製造工程で行われるメッキ時間では金メッキ膜の厚さが０．２〜０．３μｍ程度しか得られない。
ＩＣチップに金ワイヤを介して電気的に接続されるボンディングパッドと金ワイヤとを確実に接続するためには、金メッキ膜の厚さが少なくとも０．３μｍ以上必要である。
　
（２−２−６−２）引用例６には、銅からなるボンディングパッドと金ワイヤとの接続について、当業者にとっての常套手段が、以下のように開示されているといえる。
　
「ボンディングパッドを構成する銅の導体パターンにニッケルメッキが施され、ニッケルメッキ膜の上に金メッキが施されることで、金ワイヤの接続にあたり、接触抵抗を減らしたり、ボンディングの接続性を高められること。」
　
　なお、引用例６に記載された「ボンディングパッド」は、具体的には「プリント配線板」を対象に形成されたものではあるが、上記常套手段が「プリント配線板」に限らない「ボンディングパッド」一般に採用可能であることは、当業者にとって明らかである。
　
（２−２−７）引用例７：特開平０６−３１８５９０号公報
　
（２−２−７−１）本件特許の出願前日本国内において頒布された刊行物である、特開平０６−３１８５９０公報（以下「引用例７」という。）には、図１及び図２とともに、次の記載がある。
　
「【請求項１】  
半導体基板上に設けた第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜を選択的にエッチングして内部に柱状又はスリット状にパターニングされた前記第２の絶縁膜を配列して残した格子状の配線形成用溝を形成する工程と、前記溝を含む表面に金属膜を堆積して前記溝内を充填する工程と、前記金属膜および第２の絶縁膜の上面を化学機械研磨法により研磨して前記溝内に前記金属膜を埋込んで上面を平坦化し埋込配線を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法
「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
この従来の半導体装置の製造方法では、幅の広い配線やボンディングパッド部のように広い面積の開口部に充填された金属膜が化学機械研磨による溝や開口部の中央部で過剰に研削されて薄くなったり、あるいは消失したりして配線の断線やボンディングパッドとボンディング線との接合が不完全になったり、最悪の場合には接合できないという問題があった
「【０００９】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明する。
【００１０】図１（ａ）〜（ｄ）および図２（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施例を説明するための工程順に示した半導体チップの平面図およびＡ−Ａ′線断面図である。
【００１１】まず、図１（ａ），（ｂ）に示すように、半導体基板１の上に形成した絶縁膜２の上にＢＰＳＧ膜３を０．７μｍの厚さに形成してパターニングし、内部に柱状（又はスリット状）絶縁膜６を配列して残したボンディングパッド形成用の開口部４および配線形成用の溝５のそれぞれを形成する。
【００１２】次に、図１（ｃ）に示すように、開口部４および溝５を含む表面に高温スパッタ法又はスパッタリフロー法によりＡｌＳｉＣｕ膜７を堆積して開口部４および溝５内に充填する。
【００１３】次に、図１（ｄ）に示すように、化学機械研磨法を用いてＡｌＳｉＣｕ膜７およびＢＰＳＧ膜３の上面を研磨し、ＢＰＳＧ膜３の厚さが０．５μｍ程度になるように研磨して開口部４および溝５内にＡｌＳｉＣｕ膜７を埋込み表面を平坦化する。
【００１４】
次に、図２（ａ）に示すように、全面にプラズマＣＶＤ法により保護膜として窒化シリコン膜８を１．５μｍの厚さに堆積する
【００１５】
次に、図２（ｂ）に示すように、窒化シリコン膜８を選択的にエッチングしてボンディングパッド部９および埋込配線１０を形成する
【００１６】このように、開口面積の広いパッド形成用開口部や配線形成用溝内に予め柱状（又はスリット状）絶縁膜を設けて開口部を細分化することにより化学機械研磨による過剰な研削を防止することができる。」
「【００１９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、少くとも幅の広い埋込配線形成用に形成した溝内に柱状の絶縁膜を配列して設け溝のパターンを細分化することにより、溝内に充填した配線用金属膜の上面を化学機械研磨して平坦化する際の過剰な研削を抑えて配線の断線やボンディングパッドとボンディング線との接合不良を防止し、信頼性を向上させるという効果を有する
　
（２−２−７−２）引用例７の記載内容を整理すると、次のとおりである。
　
ア　引用例７には、図１及び図２に示される「半導体装置の製造方法」として、「半導体基板上に設けた第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜を選択的にエッチングして内部に」「スリット状にパターニングされた前記第２の絶縁膜を配列して残した格子状の配線形成用溝を形成する工程と、前記溝を含む表面に金属膜を堆積して前記溝内を充填する工程と、前記金属膜および第２の絶縁膜の上面を化学機械研磨法により研磨して前記溝内に前記金属膜を埋込んで上面を平坦化し埋込配線を形成する工程とを含むことを特徴とする」こと（以上は引用例７の請求項１の記載ぶりに倣った）で、「溝内に充填した配線用金属膜の上面を化学機械研磨して平坦化する際の過剰な研削を抑えて配線の断線やボンディングパッドとボンディング線との接合不良を防止し、信頼性を向上させる」との効果を奏する「半導体装置の製造方法。」が記載されている。
　また、引用例７において、発明が解決しようとする課題として段落【０００７】に記載された「ボンディングパッド部」に関する内容、並びに実施例として段落【００１４】及び段落【００１５】に記載された「保護膜」としての「窒化シリコン膜８」及び「ボンディングパッド部９」に関する内容に照らし、引用例７に記載された「埋込配線」（請求項１記載のもの）は、「第２の絶縁膜」上に形成された「保護膜」に開口が設けられて露出された「ボンディングパッド部」としての形態を含む。
　
イ　そうすると、上記効果を奏する上記アに摘記の方法により製造された「半導体装置」として、引用例７には、以下の構造を備えたものが開示されているといえる。
　
「半導体基板上に設けた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜と、
を備えた半導体装置であって、
前記第２の絶縁膜に形成された格子状の配線形成用溝と、
前記配線形成用溝内に配線用金属膜を充填したボンディングパッド部とを備え、
前記格子状の配線形成用溝は、スリット状にパターニングされた前記第２の絶縁膜を配列して残したものであり、
前記ボンディングパッド部は前記第２の絶縁膜上に形成された保護膜に開口が設けられて露出されたものである半導体装置。」　
　
（２−３）本件訂正後の請求項１１〜１８の進歩性の判断
　
（２−３−１）本件訂正後の請求項１１について　
　
（２−３−１−１）
　訂正後発明１１と引用発明１とを対比する。
　
ア　引用発明１の「超ＬＳＩ」及び「半導体基板１」は、それぞれ、訂正後発明１１の「複数の半導体集積回路素子」及び「基板」に相当する。
　
イ　引用発明１の「下層配線３」と訂正後発明１１の「第１配線」とは、少なくとも２層のものが開示された配線構造のうち下層の配線である点で共通する。
　
ウ　引用発明１の「酸化シリコン膜２」は、「半導体基板１」と「下層配線３」との間に設けられており、「基板」と下層の配線との間に介在した絶縁膜である点において、訂正後発明１１の「第１絶縁膜」と共通する。また、引用発明１の「酸化シリコン膜２」を「半導体基板１」の全面に形成することは、引用発明１に接した当業者が自明なものとして想定することであり、その際は当然、「酸化シリコン膜２」が「半導体基板１」に形成される「超ＬＳＩ」を「覆うように」形成されるから、引用発明１の「酸化シリコン膜」は、実質的に「半導体集積回路素子を覆うように」形成される絶縁膜である点において、訂正後発明１１の「第１絶縁膜」と共通する。
　
エ　引用発明１の「半導体基板１」、「酸化シリコン膜２」及び「下層配線３」相互の位置関係は、絶縁膜が基板上に形成され、絶縁膜の表面に下層の配線が形成されている点において、本願特許発明の「基板」、「第１絶縁膜」及び「下層の配線」相互の位置関係と共通する。
　
オ　引用発明１の「スルーホール７」内に形成される「配線膜」と訂正後発明１１の「ビア配線」とは、上層の配線と下層の配線とを電気的に接続するための配線膜である点において共通する。
　
カ　引用発明１の「酸化シリコン膜４」と訂正後発明１１の「第２絶縁膜」とは、上層の配線と下層の配線とを接続する導電体が内部に埋め込み形成され、かつ、下層の配線を覆うように形成される絶縁体である点において共通する。
　
キ　引用発明１の「配線用の溝５Ａ〜５Ｃ」と訂正後発明１１の「溝状開口部」とは、少なくとも２層のものが開示された配線構造のうち上層の配線が埋め込み形成される絶縁体表面の空間である点において共通する。
　
ク　引用発明１の「配線用の溝５Ａ〜５Ｃ」に形成された「上層配線８Ａ〜８Ｃ」と訂正後発明１１の「第２配線」とは、少なくとも２層のものが開示された配線構造のうち上層の配線である点において共通する。
　
ケ　引用発明１の「ボンディングパッド用の溝」と訂正後発明１１の「ボンディング金属用開口部」とは、ボンディングパッドが形成される絶縁体表面の空間である点において共通する。
　
コ　引用発明１の「ボンディングパッド９Ａ」と訂正後発明１１の「導電層」とは、ボンディングパッドを構成するために埋め込まれた導電体である点において共通する。
　
（２−３−１−２）そうすると、訂正後発明１１と引用発明１の一致点及び相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「複数の半導体集積回路素子が形成された基板と、
前記半導体集積回路素子を覆うように前記基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された下層の配線と、
前記下層の配線を覆うように前記絶縁膜上に形成された絶縁体と、
前記絶縁体の表面に埋め込み形成された上層の配線と、
前記上層の配線と前記下層の配線とを電気的に接続するため前記絶縁体中に埋め込み形成された配線膜と、
を備えた半導体装置であって、
前記絶縁体表面に埋め込まれたボンディングパッドを構成する導電体を備え、
前記上層の配線、および前記ボンディングパッドを構成する導電体の上面は研磨加工されており、
前記上層の配線および上記ボンディングパッドを構成する導電体が同じ材料から形成されていることを特徴とする半導体装置。」
　
《相違点１》
　訂正後発明１１と引用発明１とでは、上記一致点に挙げた「絶縁膜」、「下層の配線」、「絶縁体」、「上層の配線と下層の配線とを電気的に接続するための配線膜」、「上層の配線」及び「ボンディングパッドを構成する導電体」との一連の部材からなる多層配線構造体の形態が、以下ア〜ウのように異なっている点。
ア　上記一致点に挙げた「絶縁膜」及び「下層の配線」について、訂正後発明１１では、「第１配線」が「表面に溝を有する第１絶縁膜」の「前記溝内に形成された」との構造的関係が満たされる前提で、それぞれを「第１絶縁膜」及び「第１配線」と呼んでいるのに対し、引用発明１の「酸化シリコン膜２」及び「下層配線３」はそのような構造を有していないため、引用発明１は、訂正後発明１１のような「溝」、「第１絶縁膜」及び「第１配線」と呼ばれる構成を有していない点。
イ　上記一致点に挙げた「絶縁体」について、訂正後発明１１では、これが「ビア開口部を有する第２絶縁膜」及び「ボンディング金属用開口部」とともに「溝状開口部を有する第３絶縁膜」からなるものであるのに対し、引用発明１の「酸化シリコン膜４」はそのような構造を持つ２つの絶縁膜からなるものではないため、引用発明１は、訂正後発明１１のような「ビア開口部」、「第２絶縁膜」、「溝状開口部」、「第３絶縁膜」及び「ボンディング金属用開口部」と呼ばれる構成を有していない点。
ウ　上記アに関連して、上記一致点に挙げた「上層の配線と下層の配線とを電気的に接続するための配線膜」、「上層の配線」及び「ボンディングパッドを構成する導電体」について、引用発明１は、それぞれ訂正後発明１１のように「ビア開口部」、「溝状開口部」、「ボンディング金属用開口部」と呼べる穴の中に形成された構造を有していないため、引用発明１は、訂正後発明１１のような「ビア配線」、「第２配線」及び「導電層」と呼ばれる構成を有していない点。
　
 《相違点２》
　訂正後発明１１は、「前記第１配線、前記第２配線、および前記導電層は銅からなり、前記第２配線が銅配線の最上層であ」るのに対して、引用発明１は、「上層の配線」および「ボンディングパッドを構成する導電体」が同じ材料から形成されているといえるにとどまり、そのような構成を有していない点。
　
《相違点３》
　訂正後発明１１は、「前記第３絶縁膜上、前記第２配線上、および前記導電層上に形成された保護膜と、　前記導電層上に一つ設けられた前記保護膜の開口部と、　前記保護膜の開口部に形成され、前記導電層上に形成されたボンディング用金属膜とをさらに備え、」かつ、「前記ボンディング用金属膜はアルミニウムから形成されている」のに対して、引用発明１は、そのような構成を有していない点。
　
（２−３−１−３）相違点１ないし３についての当審の判断は、以下のとおりである。
　
（２−３−１−３−１）相違点１について
　
　引用例２に記載された発明において、上記（２−２−２−２）イで摘示した「多層配線構造体」を構成する「第一の配線溝５Ａ」、「第一の絶縁膜２」と「第二の絶縁膜４Ａ」とからなる積層構造、「第一の配線層９−１ａ」、「ビアホール１５Ａ」、「第三の絶縁膜１３Ｂ」、「第二の導電膜９−２Ａａ」、「第二の配線溝１８Ａ」、「第四の絶縁膜１６Ａ」及び「第二の配線層９−３ａ」は、それぞれ、訂正後発明１１の「溝」、「第１絶縁膜」、「第１配線」、「ビア開口部」、「第２絶縁膜」、「ビア配線」、「溝状開口部」、「第３絶縁膜」及び「第２配線」に相当する。
　そして、引用発明１の「半導体装置」に採用できる多層配線構造体は、引用例１に具体的に開示された形態のものに限定されず、目的に応じて種々の形態のものが採用できることは、明らかである。
　そうすると、引用例２に記載の「半導体装置の多層配線構造体」を、引用発明１の「半導体装置」における「半導体基板１」上の多層配線構造体として採用することは、当業者にとって容易であったといえる。またその際、引用発明１で「上層配線８Ａ〜８Ｃ」と同時形成されると認められる「ボンディングパッド９Ａ」に対応する構造（訂正後発明１１における「導電層」に相当）を、かかる多層配線構造体の置換後にも残すようにすること、具体的には、引用例２に記載された「第四の絶縁膜１６Ａ」に対し、「第二の配線層９−３ａ」と同時に「第四の絶縁膜１６Ａ」に設けたボンディングパッド用の溝（訂正後発明１１における「ボンディング金属用開口部」に相当）も形成し、上記「ボンディングパッド９Ａ」を埋め込み形成することは、製造工程の合理化の観点から、当業者に普通に期待できる設計事項といえる。
  よって、引用発明１において引用例２に記載された「半導体装置の多層配線構造体」を採用し、訂正後発明１１の上記相違点１に係る構成とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
（２−３−１−３−２）相違点２について
　
　上記（２−２−２−２）ウで述べたように、引用例２に記載の「半導体装置の多層配線構造体」における「第一の配線層９−１ａ」及び「第二の配線層９−３ａ」の材料を「銅」にできることが示唆されている。そして、上記（２−３−１−３−１）で述べたように、引用発明１において引用例２に記載された「半導体装置の多層配線構造体」を採用するにあたり、引用例２に記載の「銅」を配線材料として併せて採用することも、当業者が普通になし得た材料設計の範囲である。またその際に、訂正後発明１１の「第２配線が銅配線の最上層」となる構成が同時に満足されることも明らかである。
　よって、引用発明１において引用例２に記載された「半導体装置の多層配線構造体」を採用する際、配線材料として、引用例２に記載された「銅」を併せて採用し、訂正後発明１１の上記相違点２に係る構成とすることも、当業者が適宜なし得たことである。
　
（２−３−１−３−３）相違点３について
　
　訂正後発明１１は、上記相違点３に係る構成に関し、
　
ａ　「第２配線」及び「導電層」の上面が研磨加工されているという前提において、「前記第３絶縁膜上、前記第２配線上、および前記導電層上に形成された保護膜と、　前記導電層上に一つ設けられた前記保護膜の開口部と、　前記保護膜の開口部に形成され、前記導電層上に形成されたボンディング用金属膜とをさらに備え」たことにより、「ＣＭＰなどによるボンディングパッドのディシュイング問題を解決」（本件特許明細書の段落【００１１】）するとともに、
　
ｂ　「前記第１配線、前記第２配線、および前記導電層は銅からなり、前記第２配線が銅配線の最上層であ」り、かつ、「ボンディング用金属膜」が「前記導電層上に形成された」という前提において、「前記ボンディング用金属膜はアルミニウムから形成されている」ことにより、「金ワイヤを用いた従来のワイヤボンディング技術をそのまま適用して、信頼性の高いボンディングが実現する」（本件特許明細書の段落【０１０５】）
　
との技術的特徴を有するが、上記（２−２）に提示した引用例１ないし７に記載された発明は、いずれもそのような技術的特徴を有するものでないことは、上記（２−２）に詳述したこれら各引用例の記載内容に照らし明らかである。また、これら引用例１ないし７に記載された発明をいかに組み合わせようとしたところで、「第２配線」及び「導電層」の上面が研磨加工されているという前提において、「前記第３絶縁膜上、前記第２配線上、および前記導電層上に形成された保護膜と、　前記導電層上に一つ設けられた前記保護膜の開口部と、　前記保護膜の開口部に形成され、前記導電層上に形成されたボンディング用金属膜とをさらに備え」（上記ａ）、さらに、「前記第１配線、前記第２配線、および前記導電層は銅からなり、前記第２配線が銅配線の最上層であ」り、かつ、「ボンディング用金属膜」が「前記導電層上に形成された」という前提において、「前記ボンディング用金属膜はアルミニウムから形成されている」（上記ｂ）との訂正後発明１１の上記相違点３に係る構成を、当業者が容易になし得たものであるとはいえない。
　
（２−３−１−４）また、引用例２〜７に記載された発明のいずれを主たる引用発明としても、本件訂正発明１１は、引用例１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たものであるともいえない。
　
（２−３−１−５）したがって、訂正後発明１１は、引用例１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（２−３−２）本件訂正後の請求項１２ないし１８について　
　
　本件訂正後の請求項１２ないし１８に係る発明は、それぞれ訂正後発明１１に対して、さらなる構成要件を付加した発明である。
　そして、上記（２−３−１）において検討したとおり、訂正後発明１１は、引用例１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件訂正後の請求項１２ないし１８に係る発明も、引用例１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないことは明らかである。
　
（３）独立特許要件についてのまとめ
　
　以上、検討したとおり、本件訂正後の請求項１１に係る発明及び本件訂正後の請求項１１を直接的または間接的に引用する請求項１２ないし１８に係る発明は、いずれも引用例１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえず、また、他に、本件訂正後の請求項１１に係る発明及び本件訂正後の請求項１１を直接的または間接的に引用する請求項１２ないし１８に係る発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由もない。
　したがって、本件訂正は、本件訂正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるから、特許法第１２６条第５項の規定に適合する。
　
５．むすび
　
　以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２６条第１項ただし書き第１号または第３号に掲げる事項を目的とし、かつ同法同条第３項ないし第５項の規定に適合する。
　
　よって、上記結論のとおり審決する。