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　特願２００４−　４４１９２「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　９月　２日出願公開、特開２００５−２３６０８３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　 
　本願は、平成１６年２月２０日の出願であって、平成２０年４月８日付けで拒絶査定がされ、それに対して、同年５月１５日に審判が請求されるとともに、同年６月１６日に手続補正書が提出され、平成２２年７月７日付けで審尋がされ、同年９月１０日に回答書が提出された。その後、平成２２年１１月１５日付けで当審により拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、これに対して、平成２３年１月１７日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　 
　 
第２　本願発明 
　請求項１〜６に係る発明のうち、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。 
　 
「【請求項１】
　半導体下地領域の表面上に形成された絶縁膜に対し、マスクされた表面領域と、露出した表面領域を提供するようにフォトレジストを選択的に形成し、前記露出した表面領域に対応する前記絶縁膜部分を除去して前記半導体下地領域の表面を露出させ、前記半導体下地領域の表面を露出させた状態で前記フォトレジストを、２０℃〜１３０℃で濃度８５重量％以上の硫酸のみと接触させることにより、除去し、前記硫酸により前記露出した半導体下地領域に形成される化学酸化膜に酸化処理を行って前記化学酸化膜を１ｎｍ未満の厚さの酸化膜にしてから前記酸化膜を窒化することを特徴とする半導体装置の製造方法。」 
　 
　
第３　引用例の記載と引用発明 
１　引用例１とその記載内容 
　当審拒絶理由に引用された、本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００１−２３７３２４号公報（以下「引用例１」という。）には、「半導体装置の製造方法」（発明の名称）について、次の記載がある（下線は当審で付加。以下同じ。）。 
　 
（１）発明の属する技術分野 
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体チップ内に多種類のゲート絶縁膜を有する半導体装置の形成方法に関する。
（２）従来の技術
「【０００２】
【従来の技術】半導体装置は、依然として高密度化あるいは高集積化、高速化および多機能化の方向にある。そして、絶縁ゲート電界効果トランジスタ（ＭＯＳトランジスタという）のゲート絶縁膜は、実効的に薄膜化されゲート長が０．１μｍでは２ｎｍ程度に薄膜化される。
【０００３】一般に、半導体装置では、低消費電力化あるいは動作電圧の低電圧化が進んでいる。例えば、設計寸法が０．１μｍ程度になると半導体装置は１．５Ｖ程度の電源電圧で動作するようになる。このようになると、半導体装置を構成するＭＯＳトランジスタに複数種類のゲート絶縁膜（以下、マルチゲート絶縁膜という）が使用されるようになる。例えば、半導体装置の内部回路を構成するＭＯＳトランジスタでは、そのゲート絶縁膜を構成するシリコン酸化膜の膜厚が薄く形成されるのに対して、半導体装置の外部回路あるいはインターフェース回路を構成するＭＯＳトランジスタでは、ゲート絶縁膜であるシリコン酸化膜厚が厚くなるように形成される。これは、従来の技術で行われているものである。
【０００４】今後は更に半導体装置の多機能化が進み、半導体チップ内にロジック回路、メモリ回路、あるいはアナログ回路さらにはＥＥＰＲＯＭ型のフラッシュメモリーなどの不揮発性メモリが混載されるようになる。このために、半導体装置内に多種類のゲート絶縁膜を形成することが必須になる。ここで、これらのマルチゲート絶縁膜の膜厚はシリコン酸化膜換算で３ｎｍ以下であり、これらの実効的な膜厚差は０．５ｎｍ以下となる。そして、このような僅少の膜厚差の制御が必須になる。このようなゲート絶縁膜には、極薄のシリコン酸化膜あるいはシリコン酸化膜を熱窒化したような酸窒化膜が必要になる。
【０００５】また、最先端のＣＭＯＳデバイスでは、短チャネル効果を防ぐために、表面チャネル型となるデュアルゲート構造が用いられる。このデュアルゲート構造とは、Ｐチャネル型のＭＯＳトランジスタにはＰ導電型のゲートシリコン層が、そして、Ｎチャネル型のＭＯＳトランジスタにはＮ導電型のゲートシリコン層が用いられる構造である。
【０００６】このようなデュアルゲート構造では、ゲート絶縁膜が薄膜化してくると、ゲートシリコン層にあるボロンがゲート絶縁膜を貫通しシリコン基板表面まで突き抜けるようになる。そこで、このようなボロン突き抜けを防止するために、ゲート絶縁膜に酸窒化膜を用いることが必要になる。
【０００７】いままでに、
半導体装置を構成するＭＯＳトランジスタにマルチゲート絶縁膜を形成する方法には種々のものが提案されている。現在、ロジック回路の半導体装置では２種類のゲート酸化膜が形成され、その形成方法としては、通常、量産性を考慮して特開昭５８−１００４５０号公報（以下、第１の従来例と記す）に記載されているような手法がとられている。
【０００８】
以下、現在量産レベルで使用され上記特開昭５８−１００４５０号公開に示されている２種類のゲート酸化膜の形成方法について、図１０と図１１に従って説明する。
【０００９】そして、図１０（ｂ）に示すように、保護酸化膜１０３を除去し、シリコン半導体基板１０１の活性領域を露出させる。次に、図１０（ｃ）に示すように、熱酸化を行い
活性領域のシリコン半導体基板１０１表面に第１ゲート酸化膜１０６を形成する。このようにした後、図１０（ｄ）に示すように、公知のフォトリソグラフィ技術で形成したレジストマスク１０７をエッチングマスクにして、上記第１ゲート酸化膜１０６を希フッ酸等の化学薬液で選択的にエッチングする。
【００１０】
次に、レジストマスク１０７を除去し、硫酸、過酸化水素水と純水の混合化学薬液等で洗浄する。ここで、シリコン基板１０１の露出した表面には０．８ｎｍ程度の自然酸化膜が形成される。
【００１１】
そして、再度熱酸化を施す。図１１（ａ）に示すように、この熱酸化でシリコン半導体基板１０１の表面に第２ゲート酸化膜１０８および第３ゲート酸化膜１０９を形成する。ここで、第３ゲート酸化膜１０９は、上述の第１ゲート酸化膜１０６が追加酸化されて形成されるものであり、第２ゲート酸化膜１０８の膜厚より厚く形成される。このようにして、２種類の膜厚のゲート酸化膜が形成されるようになる。
【００１２】以後は、公知のフォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術とで、図１１（ｂ）に示すように、第２ゲート酸化膜１０８および第３ゲート酸化膜１０９上にゲート電極１１０を形成する。そして、図１１（ｃ）に示すように、ＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域となる拡散層１１１を形成する。
以上のようにして、異なる膜厚のゲート酸化膜を有するＭＯＳトランジスタがシリコン半導体基板１０１上に形成されることになる。
     　
２　引用発明 
　上記（１）及び（２）によれば、引用例１には、次の発明が記載されているといえる（以下、この発明を「引用発明」という。）。 
　 
「活性領域のシリコン半導体基板１０１表面に第１ゲート酸化膜１０６を形成し、フォトリソグラフィ技術で形成したレジストマスク１０７をエッチングマスクにして、上記第１ゲート酸化膜１０６を選択的にエッチングし、次に、レジストマスク１０７を除去し、硫酸、過酸化水素水と純水の混合化学薬液等で洗浄することにより、シリコン基板１０１の露出した表面には自然酸化膜が形成され、そして、熱酸化を施し、シリコン半導体基板１０１の表面に第２ゲート酸化膜１０８を形成する半導体装置の製造方法。」
  
３　引用例２とその記載内容
　当審拒絶理由に引用された、本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００２−９１６９号公報（以下「引用例２」という。）には、「半導体装置とその製造方法」（発明の名称）について、次の記載がある。 
　 
（１）発明の属する技術分野 
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置とその製造方法に関し、
詳しくはゲート絶縁膜の表面近傍に窒素を含む絶縁膜が存在する半導体装置とその製造方法に関する。
（２）従来の技術 
「【０００２】
【従来の技術】半導体装置の心臓部であるゲート絶縁膜を、いかに高信頼性、高制御性で形成するかが半導体装置開発における最も重要な課題である。その様な中で、
近年のロジック系ＭＩＳ（金属−絶縁膜−半導体）型デバイスでは、トランジスタのゲート絶縁膜の膜厚は急速に薄くなり、３．０ｎｍ以下の酸化膜が使われるようになり、その勢いはとどまるところを知らない。しかしながら、薄膜化に伴い顕在化する問題も多く、リーク電流の増加やゲート電極からの不純物の拡散（基板への突き抜け）が深刻になってきている。
【０００３】
ゲートリーク電流の問題を解決する方法として、比誘電率が高い材料をシリコン酸化膜に代えてゲート絶縁膜として使用する方法がある。その一つの候補として、窒化膜あるいは酸化膜に窒素を導入した酸窒化膜を用いる方法がある。
【０００４】一方で、
 同一チップの中に複数の目的や機能を持ったデバイスを作りこむ技術が主流に成ってきている。その時、用いるデバイスによって、ゲート絶縁膜の膜厚が異なる場合が多い。
【０００５】従って、例えば、１．５ｎｍの窒素を含んだ絶縁膜と、ＳＲＡＭ用の２．０ｎｍの２種類のゲート絶縁膜を同時に実現する必要がでてくる。それらをいかに簡便に、しかも、各々のデバイスのパフォーマンスや信頼性を劣化させることなく実現するかが重要になる。
【０００６】ところが、次に示す従来の方法では、様々な問題が生じてくる。
【０００７】（従来例Ａ）従来例Ａとして、図１１を示して、その問題点を提起する。フッ素注入による増速酸化効果を用いて膜厚の異なる酸化膜を作る方法と、ＮＯガスを用いた酸窒化法で薄い酸窒化膜を形成する方法を用いている。また、薄膜として１．５ｎｍ、厚膜として２．０ｎｍのゲート絶縁膜を形成する場合について述べる。
【０００８】まず、２．０ｎｍの厚いゲート酸化膜を所望する領域と１．５ｎｍを所望する領域の内、通常のフォトレジスト塗布、露光、現像工程を経て、１．５ｎｍの領域のみにフォトレジストを形成する（ａ）。
【０００９】次に、フッ素イオンを注入する。条件は３ＫｅＶ、５×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ2で行う（ｂ）。フッ素は露出した領域（２．０ｎｍ用が所望される領域）のみに注入される。
【００１０】
その後、フォトレジストを専用の薬液で剥離した後、ゲート酸化膜を形成するための洗浄工程を行う。例えば、水酸化アンモニウム混合溶液と、続けて硫酸と過酸化水素水の混合溶液を用いると良い。この状態でこれらの洗浄で形成された化学酸化膜（自然酸化膜）が約１．０ｎｍ形成されていることになる（ｃ）。
【００１１】
次に、酸化処理を行う。通常のシリコン表面、つまりはフッ素の注入を行わない領域で、酸化膜厚が１．６ｎｍになるように条件に設定すると良い。
【００１２】
この状態で、ＮＯガスを用いた熱処理を行う。例えば、ＮＯガス２ＳＬＭ、１００Ｔｏｒｒ、温度１０００℃で３０秒間処理すると前記酸化膜は窒化される。
【００１３】
この時、酸化膜も窒化されるために、トータルとしての絶縁膜の比誘電率は、酸化膜のそれよりも大きくなる。
【００１４】それ以降は、ポリシリコン堆積、フォトレジスト工程によりゲート電極を加工して、ソース及びドレイン形成等を経てトランジスタ構造を得る。」 
　
　以上によれば、引用例２には、次の技術が記載されている。
　
　半導体装置の製造方法において、比誘電率が高い材料をシリコン酸化膜に代えてゲート絶縁膜とするために、フォトレジストを薬液で剥離し、洗浄工程で化学酸化膜が形成され、次に、酸化処理を行い、酸化膜厚を１．６ｎｍとし、さらに当該酸化膜を窒化する技術。
　　 
　
第４　対比 
１　本願発明と引用発明とを対比すると、 
（１）引用発明の、「活性領域のシリコン半導体基板１０１表面」、「第１ゲート酸化膜１０６」及び「フォトリソグラフィ技術で形成したレジストマスク１０７」は、それぞれ、本願発明の、「半導体下地領域の表面」、「絶縁膜」及び「フォトレジスト」に相当する。 
　そして、引用発明において、「フォトリソグラフィ技術で形成したレジストマスク１０７をエッチングマスクにして、上記第１ゲート酸化膜１０６を選択的にエッチング」することにより、選択的に形成された「レジストマスク１０７」で、マスクされずに露出した絶縁膜部分が除去されて、「活性領域のシリコン半導体基板１０１表面」が露出されることとなることは、当業者にとって明らかである。
　したがって、引用発明の「活性領域のシリコン半導体基板１０１表面に第１ゲート酸化膜１０６を形成し、フォトリソグラフィ技術で形成したレジストマスク１０７をエッチングマスクにして、上記第１ゲート酸化膜１０６を選択的にエッチング」することは、本願発明の「半導体下地領域の表面上に形成された絶縁膜に対し、マスクされた表面領域と、露出した表面領域を提供するようにフォトレジストを選択的に形成し、前記露出した表面領域に対応する前記絶縁膜部分を除去して前記半導体下地領域の表面を露出させ」ることに相当する。
（２）引用発明の「自然酸化膜」及び「熱酸化を施」すことは、それぞれ、本願発明の「化学酸化膜」及び「酸化処理を行」うことに相当する。
　 
２　したがって、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりとなる。
　 
〈一致点〉 
「半導体下地領域の表面上に形成された絶縁膜に対し、マスクされた表面領域と、露出した表面領域を提供するようにフォトレジストを選択的に形成し、前記露出した表面領域に対応する前記絶縁膜部分を除去して前記半導体下地領域の表面を露出させ、前記半導体下地領域の表面を露出させた状態で前記フォトレジストを除去し、前記露出した半導体下地領域に形成される化学酸化膜に酸化処理を行う半導体装置の製造方法。」
　 
〈相違点〉 
相違点１について　 
 　フォトレジストの除去について、本願発明では、フォトレジストを、「２０℃〜１３０℃で濃度８５重量％以上の硫酸のみ」と接触させることにより除去するのに対し、引用発明では、「レジストマスク１０７を除去」するものの、その具体的手段についての教示がなく、また、化学酸化膜の形成については、本願発明では、前記硫酸により形成されるのに対し、引用発明では、「硫酸、過酸化水素水と純水の混合化学薬液」により形成される点。
 　 
 相違点２について 
 　本願発明では、化学酸化膜に酸化処理を行って、「前記化学酸化膜を１ｎｍ未満の厚さの酸化膜にしてから前記酸化膜を窒化する」のに対し、引用発明では、化学酸化膜の酸化処理を行うものの、該酸化膜を窒化する構成がない点。 
 
　
第５　相違点についての検討 
１　相違点１
ア　フォトレジストの除去について
　半導体装置の製造方法において、フォトレジストを除去するために、硫酸を接触させることは、以下の周知例１、周知例２に記載されているように、本願出願前の周知技術であり、また、引用発明は「半導体装置の製造方法」であることから、前記周知技術を適用できることは、当業者にとって明らかである。　
　したがって、引用発明において、「レジストマスク１０７を除去」するための具体的な手段として、硫酸と接触させることは、当業者が容易になし得ることである。その際、前記硫酸の温度と濃度を、フォトレジストを除去するための好適な範囲に設定することは、当業者に普通に期待できることである。
　加えて、前記硫酸の温度と濃度は、本来、除去対象であるフォトレジストの材料や処理時間等の具体的な設定条件に依存して決定されるものであるところ、本願発明において、これらの設定条件が規定されていないから、本願発明において、「２０℃〜１３０℃で濃度８５重量％以上」と数値限定した点には、フォトレジストを除去する際の数値範囲の目安を示したという以上の技術的意義を認めることができない。さらに、以下の周知例１の「硫酸濃度８４．５ｗｔ％以上の濃度のときにホトレジスト中に含まれる感光剤やベースポリマーを脱水分解することができ」、「５０℃に加熱されたノズル１３を通してＳｉウェハ１に濃硫酸９を数ｍｌ程度塗布した後、・・・Ｓｉウェハ１の表面温度を１５０℃に保ちながらＳｉウェハ１上のホトレジスト３を濃硫酸９で脱水分解処理させる。」との記載、及び周知例２の「硫酸濃度は、２０％程度でも効果があるが、６０％以上の濃硫酸を用いると更に効果が大きい。硫酸の温度は、３０℃以上にして処理すると更に良い結果が得られる。」との記載をみると、「２０℃〜１３０℃で濃度８５重量％以上」とされる本願発明と、ほぼ同程度の硫酸の温度と濃度でフォトレジストが除去されている。この点からみても、本願発明において、硫酸の濃度を「２０℃〜１３０℃で濃度８５重量％以上」とした点は、従来技術と区別できる技術的意義を有しないといえる。
　
（周知例１：特開平２−４２６９号公報、当審拒絶理由で引用。）
　上記周知例１には、第２図及び第５図とともに、次の記載がある。
「
図２に硫酸濃度とポジタイプホトレジストの分解時間および硫酸中の異物数の変化を示す。硫酸の濃度が低下するにつれ、Ｓｉウェハ上に残存するホトレジストを分解除去するのに長時間要するようになったり、分解が不充分となるために硫酸中に炭素残留物が急激に増加するようになる。つまり、硫酸が吸湿してＨ
２
ＳＯ
４
・Ｈ
２
Ｏの水和物を完全に形成する硫酸濃度８４．５ｗｔ％以上の濃度のときにホトレジスト中に含まれる感光剤やベースポリマーを脱水分解することができ、硫酸濃度が８４．５ｗｔ％以下になると脱水分解しにくくなることを表わしている。
「ウェハに残存するポジタイプのホトレジストに熱濃硫酸を作用させると、感光剤を酸化することによってカルボン酸が生成し、このカルボン酸がベースポリマーを溶解しやすくすることを利用してホトレジストを分解除去する。発明者等は、図２に示したように熱硫酸の濃度の低下に伴なったホトレジストの分解速度が遅くなることを明らかにした。・・・            　
〔実施例〕
本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。第１図は本発明の方法を適用した実施例であるホトレジスト除去装置の断面を示す説明図である。支持台４の内部に設けられた真空吸引管５によってＳｉウェハ１を水平に保持し、支持台４の上部に設けられたヒータ６でＳｉウェハ１を１１０℃まで加熱した状態で支持台４を回転する。同時に密閉されたタンク８の中に貯蔵された濃硫酸９をタンク８の下部に設けられたヒータ１０で５０℃程度に加熱した状態でバルブ１１を開き、
ヒータ１２で５０℃に加熱されたノズル１３を通してＳｉウェハ１に濃硫酸９を数ｍｌ程度塗布した後、バルブ１１を閉じる。塗布後、赤外線ランプ７を点燈させてＳｉウェハ１の表面温度を１５０℃に保ちながらＳｉウェハ１上のホトレジスト３を濃硫酸９で脱水分解処理させる。処理後、タンク１４の下部に設けられたヒータ１６で加熱された純水１５をバルブ１７を開くことによってＳｉウェハ１上の脱水分解したレジストを含む濃硫酸９を洗い流した後、支持台を高速に回転することで純水洗浄後水切り乾燥を行なう。
「本発明の方法で赤外線ランプの光量を調整してＳｉウェハ加熱温度を変えたときのホトレジストの分解速度（ｋ）を求めた。測定結果は、第５図の通りである。Ｓｉウェハの加熱温度を上昇させると分解速度を速くすることができ、Ｓｉウェハ加熱温度１６７℃の条件下では、２分間で２μｍのホトレジストを分解することが可能である。」（３頁左下欄１８行〜右下欄４行）
　
（周知例２：特開平９−２８８３５８号公報、当審拒絶理由で引用。）
　上記周知例２には、第１図とともに、次の記載がある。
「【００１４】
レジストの剥離液は、
中でも硫酸の効果が極めて高い。
【００１５】
硫酸濃度は、２０％程度でも効果があるが、６０％以上の濃硫酸を用いると更に効果が大きい。硫酸の温度は、３０℃以上にして処理すると更に良い結果が得られる。
 　
イ　化学酸化膜の形成について
　半導体装置の製造方法において、硫酸を薬液として使用する際にシリコンに接触すると、当該シリコンの表面に、膜厚の程度の差はあるものの、化学酸化膜が形成されることは、以下の周知例３、周知例４に記載されているように技術常識である。そうすると、硫酸によるフォトレジストの除去によりシリコン基板の表面が露出されると、前記硫酸がシリコン基板に接触し、その表面に化学酸化膜が形成されることは当業者に自明であるから、引用発明において、「硫酸、過酸化水素水と純水の混合化学薬液」を用いることなく、「硫酸」で化学酸化膜の形成まで行うようにすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　　
（周知例３：特開平６−２１０９４号公報）
　上記周知例３には、図３とともに、次の記載がある。
「【００１８】最後に本発明の第三の実施例について以下に説明する。本実施例では素子分離にＬＯＣＯＳ分離を用いたＮチャネルＭＯＳトランジスタの製造方法について図３に従って説明する。
【００１９】はじめ、図３（Ａ）に示すように、不純物濃度５ｘ１０16ｃｍ-3のＰ形基板３００にＬＯＣＯＳ素子分離膜３０１形成後、ゲート酸化膜３０２を１５ｎｍ形成する。そして、シート抵抗１００Ω／□のＮ形の第１のポリシリコン膜３０３をＣＶＤ法により１００ｎｍ形成する。前記２例同様に第１のポリシリコン膜厚は注意が必要である。
【００２０】つぎに図３（Ｂ）に示すように、加速エネルギー１２０ＫｅＶ、ドーズ量３．５ｘ１０12ｃｍ-2の条件でイオン注入することによりチャネルドープ層３０４を形成する。
【００２１】イオン注入後、
ウエハを硫酸にて洗浄することにより図３（Ｃ）に示すように第１のポリシリコン膜上に５ｎｍの自然酸化膜３０５が形成される。
　
（周知例４：特開平６−８５１６９号公報）
　上記周知例４には、次の記載がある。
「【０００７】次に、その半導体装置の製造方法について説明する。・・・  次に、図５（ｂ）に示すように、コンタクトホール36ａ内のソース／ドレイン拡散層35とコンタクトを採るように
ポリＳｉ等の蓄積電極37を形成する。この時、ポリＳｉキャパシタ蓄積電極37表面には、活性化アニールや過硫酸のウエット処理によるレジスト剥離工程が入ると、自然酸化膜38が生じる
　
２　相違点２　 
　引用例２に記載の半導体装置の製造方法は、比誘電率が高い材料のゲート絶縁膜を必要とする技術課題を有し、薄膜化しているゲート絶縁膜において、当業者に自明の技術課題である。そして、引用例１の段落【０００２】の「半導体装置は、依然として高密度化あるいは高集積化、高速化および多機能化の方向にある。そして、絶縁ゲート電界効果トランジスタ（ＭＯＳトランジスタという）のゲート絶縁膜は、実効的に薄膜化されゲート長が０．１μｍでは２ｎｍ程度に薄膜化される。」との記載から、引用発明も、薄膜化されたゲート絶縁膜に関するものであり、比誘電率が高い材料を必要とする技術課題を有することは当業者にとって自明であるから、その点で引用例２と共通する。    　
　したがって、引用発明において、比誘電率が高い材料をゲート絶縁膜とするために、引用例２に記載の、化学酸化膜の酸化処理により酸化膜の膜厚を１．６ｎｍとし、窒化する技術を採用することは、当業者が容易に想到し得たものである。そして、その際、酸化膜厚を「１ｎｍ未満」と設定することは、ゲート絶縁膜の薄膜化の程度やその後に窒化される膜厚等の具体的な設定条件に依存して決定されるものであるところ、本願発明においては、当該設定条件が数値的に特定されていないことからみても、好適な酸化膜厚を設定したということ以上の技術的意義を認めることはできず、前記「１．６ｎｍ」を「１ｎｍ未満」とすることに、格別の困難性をみいだせない。
　
　以上検討したとおり、本願発明は、周知技術を勘案することにより、引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到し得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　 
　
第６　結言 　 
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。 
　 
　よって、結論のとおり審決する。