【事件の表示】
　平成１０年特許願第２０５４９０号「絶縁膜形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　２月　８日出願公開、特開２０００−　３８６６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１０年７月２１日の出願であって、平成２０年６月２６日付けの拒絶理由通知書が送付され、願書に添付した明細書又は図面についての平成２０年９月１日付け手続補正書が提出されたものの、平成２１年６月２２日付けで拒絶査定されたものである。
　そして、本件審判は、この拒絶査定を不服として請求されたもので、平成２１年９月３０日付けで審判請求書が提出され、この審判請求書についての平成２１年１１月１２日付け手続補正書（方式）が提出されている。
　
第２　本願発明
　本願の発明は、平成２０年９月１日付け手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜２に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】　真空排気した真空室内にスパッタリング用ガスを導入し、該真空室内に対向して配置した基板と絶縁膜材料のターゲットとに位相をずらした高周波電圧を印加して該基板とターゲット間に放電を発生させ、該基板に該ターゲットの成分を含む絶縁膜を形成する方法に於いて、該位相のずれは、ターゲットに対する基板の位相の遅れを２４０度以上として該絶縁膜の絶縁耐圧を向上させることを特徴とする絶縁膜形成方法。」
　
第３　原査定の理由
　原査定の拒絶の理由の概要は、以下のとおりである。
　
「本願発明は、その出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
　１．特開平７−１１８８４４号公報
　２．特開昭５９−２０５４７７号公報
　３．特開平６−４５３２２号公報　　」
　
第４　引用例とその記載事項
　原査定で刊行物２として引用した特開昭５９−２０５４７７号公報（以下、「引用例」という。）には以下の記載がある。
　
（１ａ）；
「（１）ターゲット電極と基板電極とを備え、高周波電源の出力電力を分割して双方の電極に印加する形式の高周波バイアス・スパッタリング装置において、一方の電極の印加電力を基準として、他方の電極の印加電力の電気的位相を変化させることを特徴とする位相制御式高周波スパッタリング装置。」（特許請求の範囲）
　
（１ｂ）；
「本発明は位相制御式高周波スパッタリング装置、特にターゲット電極と基板電極とを備え、高周波電極の出力電力を分割して双方の電極に印加する形式のいわゆる高周波バイアス・スパッタリング装置に関するもので、基板上に形成する薄膜をできるだけ均一厚に仕上げるようにしたものである。
　高周波バイアス・スパッタリング装置においては、薄膜の材料となるターゲットを置くターゲット電極と薄膜を形成する基板を置く基板電極とを備え、この両者に同時に高周波電源出力を分割印加して、薄膜の形式と同時に食刻作用を行わせて薄膜形式の均一化を計っている。即ち高周波電力はスパッタリング室とターゲット電極ならびに基板電極の間に印加されている。この高周波電力の印加によってスパッタリング室内には低真空グロー放電が起り、Ａｒイオンと電子がほぼ同数のプラズマを形成している。」（１頁左欄１７〜右欄１４行）
　
（１ｃ）；
「第１図はターゲットに印加する高周波電力密度を６ｗ/ｃｍ２一定として、基板電極の高周波印加電力比（基板電極印加電力密度／ターゲット電極印加電力密度）を変化させた場合のスパッタ付着速度の変化を示す実験例である。この実験においてスパッタ材としてはＳｉＯ２が使われた。」（２頁左上欄１９行〜右上欄４行）
　
（１ｄ）；
「従来、いわゆる高周波バイアス・スパッタリング装置においては、この平坦化率の改善、調整に専ら印加電力比即ち、ターゲット電極への印加電力密度に対して、基板に加える電力密度を変化させていた。
　第３図はこの電力比の変化による平坦化率特性の一実験例を示しており、印加電力比即ち、基板への印加電力密度をターゲット電極の電力密度の６０％付近としたときに、平坦化率は最高の約40％を示した。この実験においては、ターゲット電極への高周波印加電力は４７０Ｗ一定とした。
　両電極への印加電力比を調整することでは第３図の如く、平坦化率が４０％程度までにしか上らぬため、本発明においては両印加電力の位相差を変化させることにした。」（２頁右上欄１２行〜左下欄６行）
　
（１ｅ）；
「然し、両電極に印加する高周波電圧を固定のまま両電圧の位相差を変化させてみる。１８０度の位相差を生じさせた状態を第４図（ｂ）に示している。このときターゲット電極の印加電圧が正の最大値、基板電極の印加電圧が負の最大値になったＱの時点でみると、両電極間の電位差は最大になる。従ってターゲット電極に衝突する電子の数は、両電圧が同相である同図（ａ）の場合よりも増加する。そこで、ターゲット電極表面の電位は（ａ）の状態よりも負になり、ターゲット電極からの材料原子の放出が増加する。このように考えると、同図（ｂ）の１８０度の位相差を有するときの方が、同相の場合よりもスパッタリング材料の放出が多くなり、比較的に食刻作用が減少して平坦化率が低下すると予想される。
　この点を実験的に確めたのが第５図である。この実験においては、ターゲット電極の印加電力４７０Ｗ（に）対し基板電極には印加電力１４０Ｗ即ち印加電力比を３０％として、両電圧の位相差を０〜１８０度変化させた。この実験において、位相差が４５度以下では平坦化率も約６０％付近と（な）り、印加電力比を変化させた第３図の実験例より遥かに優秀な結果が得られた。」（２頁右下欄３行〜３頁左上欄５行、なお、摘示にあたり、誤字を括弧を付して修正した。）
　
第５　当審の判断
（１）引用例に記載された発明
　ア　引用例の（１ａ）には、「ターゲット電極と基板電極とを備え、高周波電源の出力電力を分割して双方の電極に印加する形式の高周波バイアス・スパッタリング装置において、一方の電極の印加電力を基準として、他方の電極の印加電力の電気的位相を変化させることを特徴とする位相制御式高周波スパッタリング装置」が記載されている。
　イ　ここで、（１ｂ）の記載によれば、この高周波バイアス・スパッタリング装置において、上記基板電極は基板を置くものであり、上記ターゲット電極は薄膜の材料となるターゲットを置くものであるし、また、高周波電力の印加によってスパッタリング室内には低真空グロー放電を発生し、Ａｒイオンと電子がほぼ同数のプラズマを形成しているのであるから、この高周波バイアス・スパッタリング装置は、真空排気したスパッタリング室にＡｒガスを導入し、高周波電源の出力電力を双方の電極に印加して低真空グロー放電を発生させているものといえる。
　ウ　一方、（１ｅ）には、この高周波バイアス・スパッタリング装置を使用する方法によって、両電極に印加する電圧の位相差を変化させて、基板上に形成する薄膜の平坦化率を向上させた実験例が記載されているから、引用例には、この高周波バイアス・スパッタリング方法において、両電極に印加する電圧の位相差を変化させて、基板上に形成する薄膜の平坦化率を向上させる薄膜形成方法についても記載されていることが認められる。
　したがって、上記薄膜成形方法について、以上の記載及び認定事項を本願発明の記載振りに則り整理して記載すると、引用例には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
「真空排気したスパッタリング室にＡｒガスを導入し、該スパッタリング室内に対向して配置した基板を置く基板電極と薄膜材料のターゲットを置くターゲット電極とを備え、高周波電源の電力を双方の電極に印加して低真空グロー放電を発生させ、該基板に薄膜を形成する方法に於いて、一方の電極の印加電力を基準として、他方の電極の印加電力の電気的位相を変化させて薄膜の平坦化率を向上させる薄膜形成方法。」
　
（２）本願発明と引用発明との対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「スパッタリング室」、「Ａｒガス」及び「低真空グロー放電」は、それぞれ、本願発明の「真空室」、「スパッタリング用ガス」及び「放電」に相当する。
　また、引用発明の「高周波電源の電力を双方の電極に印加して」は、結局、高周波電圧を双方の電極に置かれた基板とターゲットに印加することであるから、本願発明の「基板と・・・ターゲットとに・・・高周波電圧を印可して」に相当する。
　そして、引用発明の「一方の電極の印加電力を基準として、他方の電極の印加電力の電気的位相を変化させる」とは、本願発明と同様に、基板とターゲットとに位相をずらした高周波電圧を印加することを意味するものといえる。
　一方、引用発明の基板に形成する薄膜が、ターゲットの成分を含むこと、さらに、本願発明の「絶縁膜」が薄膜であることは明らかなことである。　　したがって、両者は、「真空排気した真空室内にスパッタリング用ガスを導入し、該真空室内に対向して配置した基板と薄膜材料のターゲットとに位相をずらした高周波電圧を印加して該基板とターゲット間に放電を発生させ、該基板に該ターゲットの成分を含む薄膜を形成する薄膜形成方法」である点で一致し、以下の点で相違がみられる。
　
相違点；
（イ）本願発明では、ターゲットが絶縁膜材料であり、そして、薄膜が絶縁膜であるのに対して、引用発明では、ターゲットが絶縁膜材料であるか否か、そして、薄膜が絶縁膜であるか否か、いずれも不明である点
　
（ロ）本願発明では、位相のずれは、ターゲットに対する基板の位相の遅れを２４０度以上としているのに対して、引用発明では、位相のずれは、ターゲットに対する基板の位相の遅れを２４０度以上としているか否か不明である点
　
（ハ）本願発明は、絶縁膜の絶縁耐圧を向上させるものであるのに対して、引用発明は、薄膜の平坦化率を向上させるものではあるものの、絶縁膜の絶縁耐圧を向上させるものであるか否か不明である点
　
（３）相違点についての判断
　以下相違点について検討する。
　
　相違点（イ）について
　引用例の（１ｃ）には、「この実験においてスパッタ材としてはＳｉＯ２が使われた」との記載がある。ただ、この記載は、ターゲットと基板の印加電力比を変化させる従来法の実験例についての説明に続けて記載されており、引用発明に対応すると認められる実験例（（１ｅ）参照）について直接説明したものではない。
　しかし、（ａ）引用例には、実験に使用したスパッタ材、すなわちターゲット材としてＳｉＯ２が挙げられているだけであること、（ｂ）引用発明に対応する実験例には、スパッタ材の記載がなく、実験結果を比較することからして、この実験例でも上記従来法の実験例と同じスパッタ材を使用している蓋然性が高いこと、（ｃ）引用発明は、バイアス・スパッタリング法を利用したものであること、一方、（ｄ）本願出願当時、バイアス・スパッタリング法はＳｉＯ２膜のような絶縁膜の平坦化技術として当業者間において広く知られていた周知技術であったこと（例えば、特開平２−８９３４６号公報、１頁左下欄１９行〜右下欄８行、特開平９−１９９４９３号公報、【０００２】〜【０００４】参照）を総合的に勘案すれば、引用例には、引用発明に対応する実験例においても、スパッタ材としてＳｉＯ２を使用し、そして、バイアス・スパッタリング法により平坦化する薄膜として、ＳｉＯ２膜を用いることが実質的に記載されているものと認められる。
　そうすると、引用発明のターゲットはＳｉＯ２材料、すなわち絶縁膜材料であり、そして、薄膜はＳｉＯ２膜、すなわち絶縁膜であると理解するのが合理的であるから、両者にターゲット及び薄膜の材料について相違はない。
　したがって、相違点（イ）は実質的な相違ではない。
　
　相違点（ロ）について
　引用発明は、上記「（１）」で認定したとおり、「一方の電極の印加電力を基準として、他方の電極の印加電力の電気的位相を変化させる」ことを構成とするものである。
　ここで、引用発明において電気的位相を変化させる理由に関して、引用例の（１ｄ）には、「従来、いわゆる高周波バイアス・スパッタリング装置においては、この平坦化率の改善、調整に専ら印加電力比即ち、ターゲット電極への印加電力密度に対して、基板に加える電力密度を変化させていた」が、「両電極への印加電力比を調整することでは第３図の如く、平坦化率が４０％程度までにしか上がらぬため、本発明においては両印加電力の位相差を変化させることにした]こと、さらに、（１ｅ）には、位相差と平坦化率との具体的な関係について、「この点を実験的に確かめたのが第５図である。この実験において、ターゲット電極の印加電力４７０Ｗ（に）対し基板電極には印加電力１４０Ｗ即ち印加電力比を３０％として、両電圧の位相差を０〜１８０度変化させた。この実験において、位相差が４５度以下では平坦化率も約６０％付近と（な）り、印加電力比を変化させた第３図の実験例より遥かに優秀な結果が得られた」ことが記載されている。そして、第５図によれば、ターゲット電極と基板電極に印加する電圧の位相差を０〜１８０度変化させた場合、平坦化率は、位相差１８０度のときが最も小さく、位相差が１８０度より小さくなるに従って、次第に大きくなり、１２０度近傍で、平坦化率が４０％程度となることが見て取れる。
　上記記載と第５図の記載を総合すると、引用例には、ターゲット電極と基板電極に印加する電圧の位相差を０〜１８０度変化させた場合、平坦化率は、位相差１８０度のときが最も小さく、位相差が１８０度より小さくなるに従って、次第に大きくなり、位相差が１２０度で平坦化率が従来可能であった４０％程度となり、位相差が４５度以下では平坦化率が約６０％付近という優秀な結果が得られたという事実が記載されていると認められる。
　そうすると、引用発明において、平坦化率が従来可能であった４０％よりも良好な結果が得られるような位相差の範囲、すなわち位相のずれの範囲を検討して、「位相のずれを１２０度以下にする」ことは当業者であれば容易に想到することができたことといえる。
　ところで、上記「位相のずれ（位相差）」は、一方の電極に対する他方の電極の印加電圧の波の位相の遅れのことであり、（１ａ）の記載によれば、基板とタ−ゲットの印加電圧の一方を基準にして定めることができるから、基板の印加電圧を基準とすれば、上記「位相のずれ」は、「基板に対するターゲットの位相の遅れ」を意味するものとして理解することができる。
　すると、上記「位相のずれを１２０度以下にする」とは、基板の印加電圧を基準として、「基板に対するターゲットの位相の遅れを１２０度以下にする」ことであり、そして、印加電圧の波の１周期が３６０度であることからして、これは、「ターゲットに対する基板の位相の遅れを２４０度以上にする」ことにほかならない。
　したがって、上述のとおり、引用発明において、「位相のずれを１２０度以下にする」ことは当業者であれば容易に想到することができたことである以上、同様に、「ターゲットに対する基板の位相の遅れを２４０度以上にする」ことは容易なことというべきである。
　よって、相違点（ロ）を解消することは容易なことである。
　
　相違点（ハ）について
　「相違点（イ）について」で述べたとおり、引用発明における「薄膜」は、「絶縁膜」であると認められるから、引用発明は、絶縁膜の平坦化率を向上させるものといえる。
　ここで、引用発明が利用するようなバイアス・スパッタリング法によって、ＳｉＯ２膜のような絶縁膜を形成させる場合、絶縁膜の絶縁耐圧の改善効果や凹凸を有する基板上に形成する絶縁膜表面の平坦化効果が生じることは当業者が通常知る程度の周知の技術事項であったと認められるし（本願出願より1５年以上も前に公開された実願昭５５−３７１９３号（実開昭５６−１３８８７９号）のマイクロフィルム、３頁３〜７行参照）、さらに、平坦性に優れた絶縁膜が、絶縁耐圧性に優れていることも本願出願前に当業者が通常知る程度の技術事項であったと認められる（原査定の引用例３である特開平６−４５３２２号公報の【００３０】、「バイアススパッタＳｉＯ２膜によるジョセフソン回路の平坦化技術」電子情報通信学会技術研究報告　Ｖｏｌ．８７　Ｎｏ．３０、１９８７年５月２０日発行、４３〜４７頁の「３．３絶縁耐圧」の項等を参照）。
　そうすると、引用発明は、バイアス・スパッタリング法を利用するものであって、しかも絶縁膜の平坦化率を向上させるものであることからして、同時に「絶縁膜の絶縁耐圧を向上させること」も達成されているであろうことは、当業者であれば十分に予測することができたことといえる。
　したがって、引用発明において、絶縁膜の絶縁耐圧を向上させることを明示的に規定することは当業者が容易になし得たことである。
　よって、相違点（ハ）を解消することは容易なことである。
　
第６　むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本願は、その余の発明について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。