【事件の表示】
　平成１０年特許願第３１３９９３号「窒化物半導体レーザ素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　４月２８日出願公開、特開２０００−１２４５５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１０年１０月１６日の特許出願であって、平成２０年９月１７日付けで手続補正がなされたところ、同年１０月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２１年２月２日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに同日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２１年２月２日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年２月２日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容・目的
（１）補正の内容
　平成２１年２月２日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲につき、補正前（平成２０年９月１７日付け手続補正後のもの。）の　
「【請求項１】AlGaNを含む低温堆積緩衝層と、クラッド層として該低温堆積緩衝層直上に成長したAlGaNを含む窒化物半導体単結晶層とを含む窒化物半導体レーザ素子であって、
　当該窒化物半導体レーザ素子の出射レーザ光の遠視野における強度分布が単峰性を示すように前記窒化物半導体単結晶層の厚さとAlNのモル分率の少なくとも一方が調整されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】前記低温堆積緩衝層がサファイア基板に成長したことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】前記低温堆積緩衝層がSiC基板に成長したことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】前記低温堆積緩衝層がGaN層に成長したことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項５】前記GaNはAlGaN低温堆積緩衝層で覆われた基板上に成長したものであることを特徴とする請求項４に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項６】前記低温堆積緩衝層と前記窒化物半導体単結晶層とに同種のドーパントをドープしたことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項７】前記ドーパントはSiかMgのいずれかであることを特徴とする請求項６に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項８】厚さ１００ｎｍ以下のAlyGa1-yN(0y1)層を前記低温堆積緩衝層とし厚さ0.6μm以上のAlxGa1-xN(0.05x1)層を前記窒化物半導体単結晶層としたことを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項９】前記低温堆積緩衝層のAlNモル分率は５％以上であることを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１０】前記窒化物半導体単結晶層のAlNのモル分率が１０％以上であることを特徴とする請求項９に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１１】前記低温堆積緩衝層と前記窒化物半導体単結晶層の成長は有機金属気相成長法によって成長させたものであることを特徴とする請求項１〜請求項１０のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１２】（０００１）C面を備えたサファイア基板上にAlN低温堆積緩衝層と、n型GaN層と、AlGaN低温堆積緩衝層と、n型AlGaNクラッド層と、n型GaN光導波層と、GaInN/GaN量子井戸層からなる活性層と、p型GaN光導波層と、p型AlGaNクラッド層と、p型GaNコンタクト層とを備えた窒化物半導体レーザ素子において、前記AlGaN低温堆積緩衝層が前記n型AlGaNクラッド層にドープされたドーパントをドープされており、
　前記n型AlGaNクラッド層と前記ｐ型AlGaNクラッド層の少なくとも一方の、厚さとAlNモル分率の少なくとも一方を調整して前記窒化物半導体レーザ素子の出射レーザ光の遠視野像が単峰性となるようにしたことを特徴とするする窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１３】前記p型GaN光導波層と前記ｐ型AlGaNクラッド層の間にAlGaN低温堆積緩衝層を設けたこと特徴とする請求項１２に記載の窒化物半導体レーザ素子。」
を、
「【請求項１】
厚さ20〜40nmのAl
y
Ga
1-y
N(0.05≦y＜1)からなる
厚さ0.6μm以上のAl
x
Ga
1-x
N(0.1≦x＜1)からなる
　当該窒化物半導体レーザ素子の出射レーザ光の遠視野における強度分布が単峰性を示すように前記窒化物半導体単結晶層の厚さ
及び
率が
【請求項２】前記低温堆積緩衝層がサファイア基板に成長したことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】前記低温堆積緩衝層がSiC基板に成長したことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】前記低温堆積緩衝層がGaN層に成長したことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項５】前記GaNはAlN低温堆積緩衝層で覆われた基板上に成長したものであることを特徴とする請求項４に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項６】前記低温堆積緩衝層と前記窒化物半導体単結晶層とに同種のドーパントをドープしたことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項７】前記ドーパントはSiかMgのいずれかであることを特徴とする請求項６に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項８】厚さ
20〜40nm
Al
0.1
Ga
0.9
N
Al
0.1
Ga
0.9
N
【請求項９】前記低温堆積緩衝層と前記窒化物半導体単結晶層の成長は有機金属気相成長法によって成長させたものであることを特徴とする請求項１〜請求項
８
【請求項１０】(0001)C面を備えたサファイア基板上にAlN低温堆積緩衝層と、n型GaN層と、
厚さ20〜40nmのAl
y
Ga
1-y
N(0.05≦y＜1)からなる
厚さ0.6μm以上のAl
x
Ga
1-x
N(0.1≦x＜1)からなる
　前記n型AlGaNクラッド層と前記ｐ型AlGaNクラッド層の少なくとも一方の、厚さ
及び
率を
【請求項１１】前記p型GaN光導波層と前記ｐ型AlGaNクラッド層の間にAlGaN低温堆積緩衝層を設けたこと特徴とする請求項
１０
に補正する内容を含むものである。
　
（２）補正の目的
　本件補正は、補正前の請求項１の「AlGaNを含む低温堆積緩衝層」を、「厚さ20〜40nmのAlyGa1-yN(0.05≦y＜1)からなる低温堆積緩衝層」と限定し、同じく「AlGaNを含む窒化物半導体単結晶層」を、「厚さ0.6μm以上のAlxGa1-xN(0.1≦x＜1)からなる窒化物半導体単結晶層」と限定し、同じく「前記窒化物半導体単結晶層の厚さとAlNのモル分率の少なくとも一方が調整されている」との特定事項を、「前記窒化物半導体単結晶層の厚さ及びAlNのモル分率が調整されている」と限定するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（３）本件補正後の請求項４に係る発明
　本件補正後の請求項４は、補正前の請求項４に対応するものであって、請求項１を引用するものであるから、本件補正により請求項４に係る特許請求の範囲は減縮されたものと認められるところ、請求項１を引用する本件補正後の請求項４に係る発明（以下「本願補正発明」という。）を独立形式で表現すると、次のとおりのものと認められる。
　
「厚さ20〜40nmのAlyGa1-yN(0.05≦y＜1)からなる低温堆積緩衝層と、クラッド層として該低温堆積緩衝層直上に成長した厚さ0.6μm以上のAlxGa1-xN(0.1≦x＜1)からなる窒化物半導体単結晶層とを含む窒化物半導体レーザ素子であって、
　当該窒化物半導体レーザ素子の出射レーザ光の遠視野における強度分布が単峰性を示すように前記窒化物半導体単結晶層の厚さ及びAlNのモル分率が調整されており、
　前記低温堆積緩衝層がGaN層に成長したことを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。」
　
２．独立特許要件
　本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（１）引用刊行物記載の発明 
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平９−１８０９２号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。 
　 
　ア　「【特許請求の範囲】
・・・
【請求項６】  単結晶ＧａＮ層上に単結晶ＡｌＧａＮ層を気相成長法により成長させるようにした単結晶ＡｌＧａＮ層の成長方法において、
上記単結晶ＧａＮ層上に上記単結晶ＡｌＧａＮ層とほぼ同一の組成を有する非単結晶バッファ層を気相成長法により成長させ、
上記非単結晶バッファ層上に上記単結晶ＡｌＧａＮ層を気相成長法により成長させるようにしたことを特徴とする単結晶ＡｌＧａＮ層の成長方法。
【請求項７】  上記単結晶ＡｌＧａＮ層の成長温度よりも低い成長温度で上記非単結晶バッファ層を成長させるようにしたことを特徴とする請求項６記載の単結晶ＡｌＧａＮ層の成長方法。
【請求項８】  上記気相成長法として有機金属化学気相成長法を用いるようにしたことを特徴とする請求項６記載の単結晶ＡｌＧａＮ層の成長方法。
【請求項９】  上記非単結晶バッファ層の成長温度を４５０〜８００℃とすることを特徴とする請求項８記載の単結晶ＡｌＧａＮ層の成長方法。」
　
　イ　「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、単結晶ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長方法に関し、特に、窒化物系単結晶ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長に用いて好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮなどの窒化物（ナイトライド）系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、その禁制帯幅が２．８ｅＶから６．８ｅＶに亘っており、赤色から紫外線の発光が可能な発光素子の実現が理論上可能であるため、近年、注目を集めている。
【０００３】この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザーなどを製造する場合には、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮ、ＧａＮなどを多層に積層した多層構造を形成する必要がある。従って、この多層構造において各層の結晶性および表面状態を良好にすることが必要となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮ、ＧａＮなどの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の格子定数は、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系の場合と異なり、相互にかなり異なっていることから、欠陥を発生することなく所要の厚さの単結晶層を成長させることは一般に困難である。逆に言えば、成長層の厚さを一定値以上にすると、欠陥が発生して結晶性や表面状態の劣化が生じるのを避けることができない。例えば、ＧａＮ層上にＡｌＮ層を成長させる場合、ＡｌＮおよびＧａＮの格子定数はａ軸方向で３％異なっているため、欠陥を発生することなく成長させることができる単結晶層の厚さは理論上は高々２０ｎｍ程度に過ぎず、これ以上の厚さに成長させると、欠陥が発生して結晶性および表面状態とも劣化してしまう。
【０００５】この問題を実例について説明する。すなわち、ＧａＮ層上にＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層を成長させ、その表面を光学顕微鏡により観察したところ、このＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層の厚さが３００ｎｍ程度でクロスハッチパターンが見られた。図２Ｂにその一例を示す。このクロスハッチパターンは、ＧａＮ層とＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層との間の格子定数差による引っ張り力がこのＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層に加わって裂けが生じたことによるものである。このような成長層の裂けは、導波路構造を有する発光素子においては、光反射の原因となり、素子の劣化の原因となっている。
【０００６】従って、この発明の目的は、格子定数が大きく異なる下地の窒化物系の単結晶ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上に高品質の窒化物系の単結晶ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を所要の厚さに成長させることができる単結晶ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長方法を提供することにある。」
　
　ウ　「【００１４】
【作用】上述のように構成されたこの発明の第１の発明による単結晶ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長方法によれば、第１の単結晶ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上に第２の単結晶ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層とほぼ同一の組成を有する非単結晶バッファ層を成長させ、この非単結晶バッファ層上に第２の単結晶ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させるようにしているので、第１の単結晶ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と第２の単結晶ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層との間に大きな格子定数差があっても、非単結晶バッファ層内で格子緩和が起こることにより、第２の単結晶ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層はそれ自身の格子定数をもって非単結晶バッファ層上に成長することができる。
【００１５】上述のように構成されたこの発明の第２の発明による単結晶ＡｌＧａＮ層の成長方法によれば、単結晶ＧａＮ層上に単結晶ＡｌＧａＮ層とほぼ同一の組成を有する非単結晶バッファ層を成長させ、この非単結晶バッファ層上に単結晶ＡｌＧａＮ層を成長させるようにしているので、単結晶ＧａＮ層と単結晶ＡｌＧａＮ層との間に大きな格子定数差があっても、非単結晶バッファ層内で格子緩和が起こることにより、単結晶ＡｌＧａＮ層はそれ自身の格子定数をもって非単結晶バッファ層上に成長することができる。」
　
　エ　「【００１６】
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【００１７】図１はこの発明の第１実施例を示す。この第１実施例においては、サファイア基板上に有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法によりＧａＮ／ＡｌＧａＮヘテロ構造を形成する場合について説明する。
【００１８】図１に示すように、この第１実施例においては、まず、ｃ面サファイア基板１上に例えば成長温度５６０℃でＧａＮバッファ層２を成長させた後、成長温度を例えば１０００℃に上昇させ、このＧａＮバッファ層２上にＧａＮ層３を成長させる。ここで、ＧａＮバッファ層２の厚さは例えば３０ｎｍ、ＧａＮ層３の厚さは例えば２μｍである。これらのＧａＮバッファ層２およびＧａＮ層３の成長の際には、原料ガスとしては、例えば、Ｇａ原料としてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、Ｎ原料としてアンモニア（ＮＨ3 ）を用い、キャリアガスとしては、例えば水素（Ｈ2 ）および窒素（Ｎ2 ）を用い、それらの供給量は例えばＴＭＧが１３０μｍｏｌ／分、ＮＨ3 が０．４ｍｏｌ／分、Ｈ2 が８ｌ／分、Ｎ2 が５ｌ／分である。このようにｃ面サファイア基板１上に低温でまずＧａＮバッファ層２を成長させ、このＧａＮバッファ層２上に成長温度１０００℃でＧａＮ層３を成長させることにより、表面が鏡面の高品質の単結晶のＧａＮ層３を成長させることができる。この技術は、特開平２−２２９４７６号公報および特開平４−２９７０２３号公報に開示されている技術と同様なものである。
【００１９】次に、ＴＭＧおよびＮＨ3 に加えてＡｌ原料として例えばトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）をさらに供給するとともに、成長温度を再び５６０℃に下げ、ＧａＮ層３上にＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎバッファ層４を成長させる。このＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎバッファ層４の厚さは例えば１０ｎｍである。このＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎバッファ層４の成長の際のＴＭＡの供給量は例えば３０μｍｏｌ／分である。ここで、この低温で成長させたＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎバッファ層４は、下地の単結晶のＧａＮ層３の結晶方位を受け継いでいるものの、非単結晶、すなわち多結晶または非晶質状態になっていると考えられる。
【００２０】次に、ＴＭＡおよびＴＭＧの供給を遮断した後、成長温度を１０００℃に上昇させ、上記流量のＴＭＡおよびＴＭＧを供給し、Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎバッファ層４上にＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５を成長させる。このＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５の厚さは例えば１μｍである。ここで、ＧａＮとＡｌＧａＮとの間には大きな格子定数差があるが、多結晶または非晶質のＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎバッファ層４内で格子緩和が起こることにより、Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５はそれ自身の格子定数をもってこのＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎバッファ層４上に成長することができる。これによって、単結晶のＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５を１μｍと十分に厚く成長させることができる。
【００２１】このようにして得られたＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５の表面を光学顕微鏡により観察したところ、クロスハッチパターンのない鏡面であった。図２Ａに、このＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５の表面を光学顕微鏡により撮影した一例を示す。一方、比較のために、Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎバッファ層４を成長させずにｃ面サファイア基板１上にＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５を直接成長させた場合のＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５の表面を光学顕微鏡により撮影した一例を図２Ｂに示す。図２Ｂからわかるように、ｃ面サファイア基板１上に直接成長させたＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５の表面には、クロスハッチパターンが見られ、これはこのＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５に裂けが生じていることを示す。
【００２２】以上のように、この第１実施例によれば、ＧａＮ層３上にまず低温で非単結晶のＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎバッファ層４を成長させ、このＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎバッファ層４上にＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５を例えば成長温度１０００℃で成長させるようにしていることにより、表面が鏡面の高品質の単結晶のＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５を十分な厚さに成長させることができる。」
　
　オ　「【００２３】次に、この発明の第２実施例について説明する。この第２実施例においては、サファイア基板上にＭＯＣＶＤ法によりＧａＮ／ＡｌＧａＮダブルヘテロ構造を形成する場合について説明する。
【００２４】図３に示すように、この第２実施例においては、まず、第１実施例と同様にして、ｃ面サファイア基板１上にＧａＮバッファ層２、ＧａＮ層３、Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎバッファ層４およびＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５を順次成長させる。ただし、Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５の厚さは例えば０．５μｍとする。
【００２５】次に、例えば成長温度１０００℃でＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５上にＧａＮ層６、Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層７およびＧａＮ層８を順次成長させる。この場合、ＧａＮ層６の厚さは例えば３０ｎｍ、Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層７の厚さは例えば０．５μｍ、ＧａＮ層８の厚さは例えば１００ｎｍとする。
【００２６】以上のように、この第２実施例によれば、ＧａＮ層３上にまず低温で非単結晶のＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎバッファ層４を成長させ、このＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎバッファ層４上にＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５、ＧａＮ層６、Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層７およびＧａＮ層８を例えば成長温度１０００℃で順次成長させるようにしていることにより、これらのＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５、ＧａＮ層６、Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層７およびＧａＮ層８を、表面が鏡面の高品質の単結晶でしかも十分な厚さに成長させることができる。これによって、高品質のＧａＮ／ＡｌＧａＮダブルヘテロ構造を形成することができ、このＧａＮ／ＡｌＧａＮダブルヘテロ構造により、光の反射損失がない良好な導波路構造を形成することができる。」
　　
　カ　「【００３７】以上、この発明の実施例につき具体的に説明したが、この発明は、上述の実施例に限定されるものでなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【００３８】例えば、上述の第１実施例〜第４実施例において挙げた数値はあくまでも例に過ぎず、これと異なる数値を用いてもよい。」
　
　キ　「【００４０】
【発明の効果】・・・
【００４１】また、この発明の第２の発明によれば、単結晶ＧａＮ層上に単結晶ＡｌＧａＮ層とほぼ同一の組成を有する非単結晶バッファ層を気相成長法により成長させ、この非単結晶バッファ層上に単結晶ＡｌＧａＮ層を気相成長法により成長させるようにしていることにより、格子定数が大きく異なる下地の単結晶ＧａＮ層上に高品質の単結晶ＡｌＧａＮ層を所要の厚さに成長させることができる。」
　
　ク　上記イ（段落０００３）に示されるように、引用刊行物に記載された単結晶ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層（単結晶ＡｌＧａＮ層）の成長方法は、発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザーなどを製造するための方法であるところ、通常、導波路構造は、発光ダイオードでは必要でなく、半導体レーザーにおいて必須の構成であることを踏まえると、上記オに示した第２実施例において、サファイア基板上にＭＯＣＶＤ法によりＧａＮ／ＡｌＧａＮダブルヘテロ構造を形成し、該ダブルヘテロ構造により形成された「導波路構造」を有する素子は、半導体レーザーであると認められる。
　
　ケ　上記オに示した実施例２においては、「第１実施例と同様にして、ｃ面サファイア基板１上にＧａＮバッファ層２、ＧａＮ層３、Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎバッファ層４およびＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５を順次成長させる」（段落００２４）から、上記エの実施例１（段落００１９）に記載されているものと同様に、Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎバッファ層４は、成長温度が例えば５６０℃の低温で成長させた非単結晶のバッファ層であり、その厚さは例えば１０ｎｍである、と認められる。
　
　コ　上記摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
　 
「単結晶ＧａＮ層上に単結晶ＡｌＧａＮ層を気相成長法により成長させるようにした単結晶ＡｌＧａＮ層の成長方法であって、
上記単結晶ＧａＮ層上に上記単結晶ＡｌＧａＮ層とほぼ同一の組成を有する非単結晶バッファ層を気相成長法により成長させ、
上記非単結晶バッファ層上に上記単結晶ＡｌＧａＮ層を気相成長法により成長させるようにし、
上記単結晶ＡｌＧａＮ層の成長温度よりも低い成長温度で上記非単結晶バッファ層を成長させるようにした、単結晶ＡｌＧａＮ層の成長方法を用いて形成した半導体レーザーであって、
その一実施例においては、ｃ面サファイア基板１上にＧａＮバッファ層２、単結晶ＧａＮ層３、非単結晶Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎバッファ層４及び単結晶Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５を順次成長させ、ただし単結晶Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５の厚さは例えば０．５μｍとし、
成長温度が例えば５６０℃の低温で厚さは例えば１０ｎｍである非単結晶Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎバッファ層４を成長させ、
次に、例えば成長温度１０００℃でＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５上にＧａＮ層６、Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層７及びＧａＮ層８を順次成長させ、この場合、ＧａＮ層６の厚さは例えば３０ｎｍ、Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層７の厚さは例えば０．５μｍ、ＧａＮ層８の厚さは例えば１００ｎｍとし、
これによって、高品質のＧａＮ／ＡｌＧａＮダブルヘテロ構造を形成することができ、このＧａＮ／ＡｌＧａＮダブルヘテロ構造により、光の反射損失がない良好な導波路構造を形成することができた、
半導体レーザー。」
　
（２）対比 
　本願補正発明と引用発明とを対比する。 
　
　ア　引用発明の「半導体レーザー」は、「ＧａＮ／ＡｌＧａＮダブルヘテロ構造」により形成された導波路構造を備えるものであるから、本願補正発明の「窒化物半導体レーザ素子」に相当する。
　
　イ　引用発明の「単結晶ＧａＮ層３」は、本願補正発明の「GaN層」に相当する。
　
　ウ　引用発明の「非単結晶Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎバッファ層４」は、「単結晶ＧａＮ層（３）上に」「気相成長法により成長させ」たものであり、「単結晶ＡｌＧａＮ層（５）の成長温度（１０００℃）よりも低い成長温度（例えば５６０℃）で」「成長させるようにした」ものであるから、
　引用発明の「非単結晶Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎバッファ層４」は、本願補正発明の「AlyGa1-yN(0.05≦y＜1)からなる低温堆積緩衝層」に相当し、
　引用発明は、本願補正発明の「前記低温堆積緩衝層がGaN層に成長した」との特定事項を備える。
　
　エ　引用発明の「単結晶Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５」は、その上に成長させた「ＧａＮ層６」及び「Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層７」と共に、半導体レーザーにおけるＧａＮ／ＡｌＧａＮダブルヘテロ構造を構成するものであるから、「単結晶Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５」及び「Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層７」がクラッド層であることは明らかであり、また、「非単結晶Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎバッファ層４及び単結晶Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５を順次成長させ」たものであるから、「単結晶Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５」は、「非単結晶Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎバッファ層４」の直上に成長したものである。
　したがって、引用発明の「単結晶Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５」は、「クラッド層として該低温堆積緩衝層直上に成長したAlxGa1-xN(0.1≦x＜1)からなる窒化物半導体単結晶層」である点で、本願補正発明の「クラッド層として該低温堆積緩衝層直上に成長した厚さ0.6μm以上のAlxGa1-xN(0.1≦x＜1)からなる窒化物半導体単結晶層」と一致する。
　
　よって、本願補正発明と引用発明とは、 
「AlyGa1-yN(0.05≦y＜1)からなる低温堆積緩衝層と、クラッド層として該低温堆積緩衝層直上に成長したAlxGa1-xN(0.1≦x＜1)からなる窒化物半導体単結晶層とを含む窒化物半導体レーザ素子であって、　
前記低温堆積緩衝層がGaN層に成長した、窒化物半導体レーザ素子。」
である点で一致し、以下のａ及びｂの点で相違する。 
　 
ａ．低温堆積緩衝層が、本願補正発明では、「厚さ20〜40nm」とされているのに対して、引用発明では、「厚さは例えば１０ｎｍ」である点（以下「相違点１」という。）。
　
ｂ．本願補正発明では、窒化物半導体単結晶層が「厚さ0.6μm以上」とされ、「当該窒化物半導体レーザ素子の出射レーザ光の遠視野における強度分布が単峰性を示すように前記窒化物半導体単結晶層の厚さ及びAlNのモル分率が調整されている」とされているのに対して、引用発明では、単結晶Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５（窒化物半導体単結晶層）の「厚さは例えば０．５μｍ」であり、本願補正発明のような調整がされているか不明である点。
　
（３）判断 
　上記相違点について検討する。 
　
　ア　相違点１について
　引用発明において、Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎバッファ層４の「厚さは例えば１０ｎｍ」としているのは、実施例における一例にすぎず、上記（１）カに示したとおり、引用刊行物には、「この発明は、上述の実施例に限定されるものでなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能であ」り、「上述の第１実施例〜第４実施例において挙げた数値はあくまでも例に過ぎず、これと異なる数値を用いてもよい」ことが示されており、「格子定数が大きく異なる下地の単結晶ＧａＮ層上に高品質の単結晶ＡｌＧａＮ層を所要の厚さに成長させることができる」との「非単結晶バッファ層」としての機能を果たすことができる範囲内で、その厚さは適宜定め得るものと認められ、これを２０〜４０ｎｍとすることに格別の困難があるものとも認められないから、引用発明において、Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎバッファ層４（非単結晶バッファ層）の厚さを２０〜４０ｎｍとし、相違点１に係る本願補正発明の特定事項となすことは、当業者が容易になし得たことである。
　また、本願明細書の記載を見ても、相違点１に係る本願補正発明の特定事項である低温堆積緩衝層の厚さの下限値及び上限値に、設計的事項の域を超える格別の臨界的意義は認められない。
　
　イ　相違点２について
　上記（１）イ、ウによれば、引用発明は、ＧａＮとＡｌＧａＮの格子定数差があるため厚いＡｌＧａＮ層を欠陥を発生することなく成長することができないという課題を解決するために、非単結晶バッファ層上に単結晶ＡｌＧａＮ層を成長することで、単結晶ＡｌＧａＮ層を所要の厚さに成長させることができるようにしたものと認められる。そして、ＧａＮ／ＡｌＧａＮダブルヘテロ構造を構成するＡｌＧａＮ層（クラッド層）の厚さは、導波路構造の光閉じ込め効果等を考慮して当業者が適宜設定し得るものであり、その厚さを０．６μm以上とすることに格別の困難があるものとも認められないから、引用発明において、単結晶Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５を厚さ０．６μm以上のものとすることは、当業者が容易になし得たことである。
　そして、半導体レーザ素子は出射ビームを利用するものであるから、そのビームの特性を出射レーザ光の遠視野像（ファー・フィールド・パターン：ＦＦＰ）の測定により行い、遠視野像が単峰性を示すようにすることはごく一般的なことであり、そのために、半導体レーザ素子の設計に際して、基本横モードで発振するように導波路構造（活性層とクラッド層の屈折率差、活性層厚等により定まる光閉じ込め構造）を設定することも、半導体レーザの技術分野における技術常識である（必要であれば、伊藤良一・中村道治共編、「半導体レーザ　−基礎と応用−」、培風館、1995.03.30発行、p.13-15, p.55-61、米津宏雄、「光通信素子工学−発光・受光素子−」、工学図書株式会社、1995.05.20発行、第５版、p.171-177, 209-214を参照。）。なお、窒化物半導体レーザ素子において、クラッド層としてのＡｌＧａＮ層の屈折率が、ＡｌＮのモル分率によって調整されることも、当業者にとっての技術常識である。
　してみると、上記（１）オに示したように、「良好な導波路構造」を形成した半導体レーザーである引用発明において、その出射レーザ光の遠視野像が単峰性を示すようにすべきであることは当然の技術的要請であるといえるから、引用発明において、十分な光閉じ込めが可能であり、出射レーザ光の遠視野像が単峰性を示すようにすべく、クラッド層である単結晶ＡｌＧａＮ層の層厚及びＡｌＮモル分率を調整し、相違点２に係る本願補正発明の特定事項となすことは、当業者が容易になし得たことである。
　
　ウ　以上の検討によれば、本願補正発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。  
　
（４）むすび 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２０年９月１７日付け手続補正後の特許請求の範囲の請求項１〜１３に記載された事項によって特定されるものであるところ、その記載は、上記第２の１（１）において、補正前のものとして示したとおりのものである。
　そして、補正前の請求項４に係る発明（以下「本願発明」という。）を独立形式で表現すると、次のとおりのものと認められる。
　
「AlGaNを含む低温堆積緩衝層と、クラッド層として該低温堆積緩衝層直上に成長したAlGaNを含む窒化物半導体単結晶層とを含む窒化物半導体レーザ素子であって、
　当該窒化物半導体レーザ素子の出射レーザ光の遠視野における強度分布が単峰性を示すように前記窒化物半導体単結晶層の厚さとAlNのモル分率の少なくとも一方が調整されており、
　前記低温堆積緩衝層がGaN層に成長したことを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。」
　
２．引用刊行物記載の発明
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物及び引用発明は、上記第２の２（１）に示したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、上記第２の２で検討した本願補正発明において、上記第２の１（２）の補正の目的に示した限定を省いたものである。
　そうすると、上記第２の２（２）ないし（３）での検討に照らして、本願発明は、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。  
　
　よって、結論のとおり審決する。