【事件の表示】
　特願２００６−１５６３４５「電界発光表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　３月２２日出願公開、特開２００７−　７２４３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
特許出願　　　　：平成１８年　６月　５日
（優先日　平成１７年　９月　５日）
拒絶理由　　　　：平成２１年　１月２９日（起案日）
意見及び手続補正：平成２１年　５月　１日
拒絶査定　　　　：平成２１年　６月　８日（起案日）
審判請求　　　　：平成２１年１０月２２日
手続補正　　　　：平成２１年１０月２２日
審尋　　　　　　：平成２２年　９月１３日（起案日）
回答書　　　　　：平成２２年１２月１４日
　
第２　補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２１年１０月２２日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正
　本件補正は，特許請求の範囲の請求項１を補正することを含むものであるところ，当該補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下，単に「特許法第１７条の２」という。）第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　そこで，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本件補正後発明」という。）について，特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか否か，すなわち，本件補正後発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かを以下で検討する。
　
２　本件補正後発明
　本件補正後発明は，本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される下記のとおりのものである。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　第１基板上に形成されたゲート電極と，
　前記第１基板上に形成されて，前記ゲート電極の上面を覆いかぶせるように形成されたゲート絶縁膜層と，
　前記ゲート絶縁膜層の上面を覆いかぶせるように形成されて，第１導電型不純物イオンでドーピングされたアクティブ層と，
　前記アクティブ層のいずれか一側に形成されたソース電極及び他側に形成されたドレーン電極と，
　前記ソース電極と前記ドレーン電極との間に表れた前記アクティブ層の一定領域を第２導電型不純物イオンでドーピングすることで形成されたイオンドーピング領域と，
　第２基板上に形成された第１電極と，
　前記第１電極上に形成された発光部と，
　前記発光部に形成された第２電極と，
　前記ドレーン電極と前記第２電極とを電気的に連結する連結電極と
　を含み，
　前記ソース電極及び前記ドレーン電極は，前記イオンドーピング領域により分離される前記アクティブ層の全面上にそれぞれ形成される
　ことを特徴とする電界発光表示装置。
　
３　引用例１に記載の発明
　本願の優先日よりも前に頒布された刊行物である特開２００５−１９６１１１号公報（拒絶理由通知の引用文献１，以下「引用例１」という。）には，各図とともに以下の事項が記載されている。
記載事項ア　「【技術分野】
【０００１】本発明は，有機電気発光素子に係り，特に，薄膜トランジスタを含むアレイ素子層と発光層を含む有機電気発光ダイオード素子が，相互に異なる基板に形成されて，両素子は，別途の電気的連結パターンを通じて連結される方式のデュアルパネルタイプ有機電気発光素子及びその製造方法に関する。」
記載事項イ　「【実施例６】
【０１２８】図１２Ａ及び図１２Ｂは，本発明の実施例６によるデュアルパネルタイプ有機電気発光素子の図である。図１２Ａは，第１基板のどの一画素部の平面図であって，図１２Ｂは，前記図１２ＡのＸＩＩ-ＸＩＩ線に沿って，切断された断面を示した断面図である。
【０１２９】図示したように，基板６１０上に，第１方向へと第１ゲート電極６１２を有するゲート配線６１４が形成されている。また，前記第１ゲート電極６１２及びゲート配線６１４と離隔されるように，第１方向と交差される第２方向を主方向として，アイランドパターン構造で，第１ゲート電極６１２と隣接した位置の連結配線６１６と，前記連結配線６１６から延長された第２ゲート電極６１８が形成されている。
【０１３０】前記第１ゲート電極６１２，ゲート配線６１４，連結配線６１６，第２ゲート電極６１８を覆う領域には，ゲート絶縁膜６２０が形成されており，ゲート絶縁膜６２０の上部の第１ゲート電極６１２及び第２ゲート電極６１８を各々覆う位置には，アイランドパターン構造の第１半導体層６２２及び第２半導体層６２４が各々形成されている。
【０１３１】前記第２半導体層６２４は，純粋非晶質シリコン物質で構成されたアクティブ層６２４ａと，不純物非晶質シリコン物質で構成されたオーミックコンタクト層６２４ｂとで構成されて，図面には詳しく提示してないが，前記第１半導体層６２２と第２半導体層６２４と同じ断面構造である。
【０１３２】前記ゲート絶縁膜６２０は，連結配線６１６を一部露出させる第１コンタクトホール６３０がある。
【０１３３】前記第１半導体層６２２及び第２半導体層６２４の上部には，前記第２方向へと位置して，第１ソース電極６３４のあるデータ配線６３２と，前記第１ソース電極６３４と一定間隔離隔されて，第１コンタクトホール６３０を通じて連結配線６１６に連結される第１ドレイン電極６３６及び前記第１ドレイン電極６３６から延長された第１キャパシター電極６３８が形成されている。
【０１３４】また，前記第２半導体層６２４の両側と重なる位置には，アイランドパターン構造の第２ソース電極６４０及び第２ドレイン電極６４２が各々形成されている。
【０１３５】前記第１ゲート電極６１２，第１半導体層６２２，第１ソース電極６３４及び第１ドレイン電極６３６は，スイッチング薄膜トランジスタＴｓを構成して，前記第２ゲート電極６１８，第２半導体層６２４，第２ソース電極６４０及第２ドレイン電極６４２は，駆動薄膜トランジスタＴｄを構成する。
【０１３６】図面には詳しく提示してないが，前記スイッチング薄膜トランジスタＴｓは，ゲート配線６１４及びデータ配線６３２で印加される電圧を制御する役割をして，前記駆動薄膜トランジスタＴｄは，スイッチング用薄膜トランジスタＴｓとパワー配線６５２で印加される電圧を利用して，発光輝度を調節する役割をする。
【０１３７】前記スイッチング薄膜トランジスタＴｓ及び駆動薄膜トランジスタＴｄを覆う領域には，前記第２ソース電極６４０を一部露出させる第２コンタクトホール６４４のある第１保護層６４６が形成されており，第１保護層６４６の上部には，第２方向へとデータ配線６３２が離隔されるように位置して，前記第２コンタクトホール６４４を通じて第２ソース電極６４０に連結されるパワー電極６４８と，前記第１キャパシター電極６３８と重なるように位置する第２キャパシター電極６５０のあるパワー配線６５２が形成されている。
【０１３８】前記第１キャパシター電極６３８，第２キャパシター電極６５０が重なる領域は，第１保護層６４６が介在された状態で，ストレージキャパシターＣstを構成する。
【０１３９】前記ゲート配線６１４，データ配線６３２，パワー電極６５２が交差される領域は，画素領域Ｐで定義される。
【０１４０】前記パワー電極６５２，パワー電極６４８，第２キャパシター電極６５０を覆う領域には，前記第１保護層６４６と共に，第２ドレイン電極６４２を一部露出させる第３コンタクトホール６５４のある第２保護層６５６が形成されている。第３コンタクトホール６５４と隣接した画素領域Ｐには，一定の厚さの突出パターン６５８が形成されており，突出パターン６５８を覆う領域には，第３コンタクトホール６５４を通じて第２ドレイン電極６４２に連結される連結電極６６０が形成されている。
【０１４１】前記突出パターン６５８及び連結電極６６０は，電気的連結パターン６６２を構成する。」
記載事項ウ　「【０１４６】以下，前記実施例６による基板構造を含むデュアルパネルタイプ有機電気発光素子を説明する。
【０１４７】図１３は，本発明の実施例６によるデュアルパネルタイプ有機電気発光素子の一画素部領域の断面図である。
【０１４８】図示したように，第１基板７１０，第２基板７７０が，相互に向かい合うように配置されており，第１基板７１０の上部には，ゲート電極７１８，半導体層７２４，ソース電極７４０及びドレイン電極７４２とで構成された薄膜トランジスタＴと，ソース電極７４０及びドレイン電極７４２と同一工程で，同一物質で構成された第１キャパシター電極７３８，ソース電極７４０に連結されるパワー電極７４８，また，第１キャパシター電極７３８と重なる位置で，第２キャパシター電極７５０を含むパワー配線７５２が形成されている。
【０１４９】前記第１キャパシター電極７３８，第２キャパシター電極７５０は，第１保護層７４６が介在された状態で，ストレージキャパシターＣstを構成する。
【０１５０】前記薄膜トランジスタＴに連結され，電気的連結パターン７６２が形成されており，第２保護層７５６の上部のストレージキャパシターＣstと対応した位置には，吸湿膜７６４が形成されている。
【０１５１】前記第２基板７７０の下部全面には，第１電極７７２が形成されており，第１電極７７２の下部の非画素領域ＮＰには，層間絶縁膜７７４と，逆傾斜構造(第２基板面基準)で，一定の厚さの隔壁７７６が順に，形成されていて，隔壁７７６間には，隔壁７７６により自動パターニングされた構造で，有機発光層７７８及び第２電極７８０が順に，形成されている。
【０１５２】この時，前記第２電極７８０は，前述した電気的連結パターン７６２と接触されるように位置する。
【０１５３】前記第１電極７７２，有機発光層７７８，第２電極７８０は，有機電気発光素子Ｅを構成して，前記第１電極７７２は，透光性のある物質から選択され，上部発光方式で駆動されることを特徴とする。
【０１５４】ここで，前記第１電極７７２は陽極，第２電極７８０は陰極の機能をして，前記第１電極７７２を構成する物質は，透明導電性物質から選択されて，一例として，インジウム−スズ−オキサイドＩＴＯがある。
【０１５５】図面には提示してないが，前記有機発光層７７８は，画素領域別に，赤色，緑色，青色の発光層が順に，形成された独立発光方式を構成している。」
　
　これら記載事項及び各図を考慮して，「実施例６」と称される引用例１に記載された発明を分説して記載すると，下記のとおりとなる（以下，この発明を「引用発明１」といい，また，分説された構成を「構成要件Ａ」などという。なお，【０１２８】ないし【０１４１】と【０１４７】ないし【０１５５】との間では用語の言い換えが散見されるので後者の用語で統一する。）。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
Ａ　第１基板，第２基板が，相互に向かい合うように配置され，
Ｂ　第１基板の上部には，ゲート電極，半導体層，ソース電極及びドレイン電極とで構成された薄膜トランジスタが形成され，
Ｃ　ゲート電極を覆う領域には，ゲート絶縁膜が形成され，
Ｄ　ゲート絶縁膜の上部のゲート電極を覆う位置には，アイランドパターン構造の半導体層が形成され，
Ｅ　半導体層の両側と重なる位置には，アイランドパターン構造のソース電極及びドレイン電極が各々形成され，
Ｆ　コンタクトホールを通じてドレイン電極に連結される連結電極が形成され，
Ｇ　第２基板の下部全面には，第１電極が形成され，
Ｈ　第１電極の下部の非画素領域には，層間絶縁膜と，逆傾斜構造で，一定の厚さの隔壁が順に形成され，
Ｉ　隔壁間には，隔壁により自動パターニングされた構造で，有機発光層及び第２電極が順に，形成され，
Ｊ　第２電極は，連結電極と接触されるように位置し，
Ｋ　第１電極，有機発光層，第２電極は，有機電気発光素子を構成して，第１電極は，透光性のある物質から選択され，上部発光方式で駆動され，
Ｌ　薄膜トランジスタは，発光輝度を調節する役割をする，
Ｍ　デュアルパネルタイプ有機電気発光素子。
　
４　引用例２に記載の発明
　本願の優先日よりも前に頒布された刊行物である特開２００１−２６７５７８号公報（拒絶理由通知の引用文献２，以下「引用例２」という。）には，各図とともに以下の事項が記載されている。
記載事項Ａ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜半導体装置及びその製造方法に関する。より詳しくは，薄膜トランジスタを集積形成する基板の構成に関する。」
記載事項Ｂ　「【０００９】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。図１は本発明に係る薄膜半導体装置の製造方法を示す模式的な工程図の一例である。」
記載事項Ｃ　「【００１１】続いて（Ｂ）に示す様に，製造用基板２０によって補強された状態で製品用基板１の表面に薄膜トランジスタ３などの薄膜デバイスを集積形成する。具体的には，まずタンタルやモリブデンなどの金属をスパッタ法などで成膜した後，等方性のドライエッチングでパタニングし，ゲート電極５に加工する。続いて，例えばプラズマＣＶＤ法（ＰＥ−ＣＶＤ法）でＳｉＯ2 を例えば１００〜２００ｎｍの厚みで堆積し，ゲート電極５を被覆するゲート絶縁膜４とする。更にその上に，非晶質シリコンを例えば２０〜６０ｎｍの厚みで堆積して半導体薄膜２を設ける。同一の成膜チャンバで真空を破らずに絶縁膜４及び半導体薄膜２を連続成長させることができる。この後，例えば波長３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザ光を極短時間照射して半導体薄膜２の結晶化を図る。レーザ光のエネルギーによって非晶質シリコンが溶融し，固まる時に多結晶シリコンとなる。レーザ光の照射時間は極めて短い為，製品用基板１にダメージを与えることはない。この後，半導体薄膜２の上にレジストを塗布し，遮光性を有するゲート電極５をマスクとして裏面露光を行なうことにより，セルフアライメントでゲート電極５に整合したマスクを得ることができる。ここで，このマスクを介してイオンドーピング法により不純物（例えば燐）を比較的低濃度で半導体薄膜２に注入する。更に，マスクとその周辺を別のフォトレジストで被覆した後，比較的高濃度で不純物（例えば燐）をイオンドーピング法により半導体薄膜２に注入する。これにより，ソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄが形成される。又，ゲート電極５の直上には予め閾値調整用のＰ型不純物（例えばボロン）が注入されたチャネル領域Ｃｈが残される。チャネル領域Ｃｈとソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄとの間には燐などのＮ型不純物が比較的低濃度で注入されたＬＤＤ領域が残される。この後，不要になったフォトレジストは除去される。イオンドーピング法はプラズマ状態のイオンを一気に電界加速して半導体薄膜２にドーピングするものであり，短時間で処理できる。続いて，ドーピングされた原子を活性化する為に再度レーザ光を照射する。結晶化と同一方法であるが，結晶を大きくする必要がない為弱いエネルギーで十分である。この後，配線間の絶縁の為に例えばＳｉＯ2 を堆積して層間膜９とする。この層間膜９にコンタクトホールを開口した後，金属アルミニウムなどをスパッタで堆積し，所定の形状にパタニングして配線１０に加工する。以下，アクティブマトリクス型液晶ディスプレイ用の薄膜半導体装置を製造する場合には，必要に応じて保護膜１２や画素電極１４を形成する。更には，予め対向電極が形成された対向基板を所定の間隙で，画素電極１４が形成された製品用基板１に接合し，且つ間隙に液晶を注入する組立工程を行なう。一方，アクティブマトリクス型の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイにこの薄膜半導体装置を用いる場合には，画素電極１４の上に予め有機エレクトロルミネッセンス素子を形成しておく。」
　
　これら記載事項及び図１，並びに，燐がＮ型不純物であることからみて，引用例２には下記の発明が記載されている（以下「引用発明２」という。）。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　比較的高濃度でＮ型不純物（例えば燐）をイオンドーピング法により半導体薄膜に注入することにより，ソース領域及びドレイン領域を形成し，
　ゲート電極の直上には予め閾値調整用のＰ型不純物（例えばボロン）が注入されたチャネル領域が残された，
　有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの薄膜トランジスタ。
　
５　対比
　本件補正後発明と引用発明１を対比すると以下のとおりとなる。
(1)　第１基板，ゲート電極
　構成要件Ｂからみて，引用発明１の「第１基板」は，本件補正後発明の「第１基板」に相当する。また，引用発明１の「ゲート電極」と本件補正後発明の「ゲート電極」は，「第１基板上に形成されたゲート電極」の点で一致する。
(2)　ゲート絶縁膜層
　構成要件Ｃからみて，引用発明１の「ゲート絶縁膜」と本件補正後発明の「ゲート絶縁膜層」とは，「前記第１基板上に形成されて，前記ゲート電極の上面を覆いかぶせるように形成されたゲート絶縁膜層」の点で一致する。
(3)　アクティブ層，ソース電極，ドレーン電極
　構成要件Ｄ及びＥ，並びに，ソース電極及びドレイン電極が形成される半導体層の両側の領域にはＮ型不純物（Ｎ型薄膜トランジスタの場合）又はＰ型不純物（Ｐ型薄膜トランジスタの場合）がドーピングされていることが明らかである点を考慮すると，引用発明１の「半導体層」，「ソース電極」及び「ドレイン電極」は，それぞれ，本件補正後発明の「アクティブ層」，「ソース電極」及び「ドレーン電極」に相当する。そして，引用発明１の「半導体層」と本件補正後発明の「アクティブ層」は，「前記ゲート絶縁膜層の上面を覆いかぶせるように形成されて，第１導電型不純物イオンでドーピングされたアクティブ層」の点で一致し，また，引用発明１の「ソース電極」及び「ドレイン電極」と本件補正後発明の「ソース電極」及び「ドレーン電極」は，「前記アクティブ層のいずれか一側に形成されたソース電極及び他側に形成されたドレーン電極」の点で一致する。
(4)　第１電極
　構成要件Ｇからみて，引用発明１の「第１電極」と本件補正後発明の「第１電極」とは，「第２基板上に形成された第１電極」の点で一致する。
(5)　発光部，第２電極
　構成要件Ｈ及びＩからみて，引用発明１の「有機発光層」と本件補正後発明の「発光部」は，「前記第１電極上に形成された発光部」の点で一致し，また，引用発明１の「第２電極」と本件補正後発明の「第２電極」とは，「前記発光部に形成された第２電極」の点で一致する。
(6)　連結電極
　構成要件Ｆ及びＪからみて，引用発明１の「連結電極」と本件補正後発明の「連結電極」は，「前記ドレーン電極と前記第２電極とを電気的に連結する連結電極」の点で一致する。
(7)　電界発光表示装置
　構成要件Ｋ及びＭからみて，引用発明の「デュアルパネルタイプ有機電気発光素子」は本件補正後発明の「電界発光表示装置」に相当する。
　
　そうしてみると，本件補正後発明と引用発明１とは，
「　第１基板上に形成されたゲート電極と，
　前記第１基板上に形成されて，前記ゲート電極の上面を覆いかぶせるように形成されたゲート絶縁膜層と，
　前記ゲート絶縁膜層の上面を覆いかぶせるように形成されて，第１導電型不純物イオンでドーピングされたアクティブ層と，
　前記アクティブ層のいずれか一側に形成されたソース電極及び他側に形成されたドレーン電極と，
　第２基板上に形成された第１電極と，
　前記第１電極上に形成された発光部と，
　前記発光部に形成された第２電極と，
　前記ドレーン電極と前記第２電極とを電気的に連結する連結電極と
　を含む，
　電界発光表示装置。」
の点で一致し，以下の点で相違する。
　
（相違点）
　本件補正後発明は「前記ソース電極と前記ドレーン電極との間に表れた前記アクティブ層の一定領域を第２導電型不純物イオンでドーピングすることで形成されたイオンドーピング領域」を備え，本件補正後発明の「前記ソース電極及び前記ドレーン電極は，前記イオンドーピング領域により分離される前記アクティブ層の全面上にそれぞれ形成される」ものであるのに対し，引用発明はこれが明らかではない点。
　
６　判断
　事案にかんがみて，本件補正後発明の「第１導電型」及び「第２導電型」がそれぞれ「Ｎ型」及び「Ｐ型」であり，また，引用発明１の薄膜トランジスタがＮ型薄膜トランジスタである場合について検討すると以下のとおりとなる。
　すなわち，引用例２には引用発明２の薄膜トランジスタの構成が開示されているところ，引用発明１の薄膜トランジスタは「発光輝度を調節する役割をする」（構成要件Ｌ）ために精確な動作が期待されるものであるから，引用発明１のチャネル領域の構成として，引用発明２のＰ型不純物が注入されたチャネル領域の構成を採用することは，当業者が容易にできるものである。そして，このようにされたチャネル領域の構成と「前記ソース電極と前記ドレーン電極との間に表れた前記アクティブ層の一定領域を第２導電型不純物イオンでドーピングすることで形成されたイオンドーピング領域」の構成とは，物として相違しない。
　また，本件補正後発明の「前記ソース電極及び前記ドレーン電極は，前記イオンドーピング領域により分離される前記アクティブ層の全面上にそれぞれ形成される」という構成は，引用例１の図１３に開示された構成に他ならない。
　そうしてみると，引用発明１の薄膜トランジスタにおいて引用発明２のチャネル領域の構成を採用し，本件補正後発明の構成に至ることは，当業者が容易にできることである。
　また，本件補正後発明の作用効果は，引用発明１及び２から当業者が予測できる範囲内のものである。
　
７　備考
(1)　回答書について
　引用例２の薄膜トランジスタにはＬＤＤ領域が存在するが，ＬＤＤ領域はホットキャリア対策のために設けられるものであり，Ｐ型不純物の注入とは異なる技術的意義を有するものである。また，引用例１にはＬＤＤ領域の形成に関する記載が一切無いから，引用発明１の薄膜トランジスタにはＬＤＤ領域が設けられていないと認識するのが素直である。
　そうしてみると，引用発明１の薄膜トランジスタにおいて引用発明２のＰ型不純物を注入する構成を採用すると，ＬＤＤ領域のない薄膜トランジスタの構成になると考えるのが妥当である。
(2)　製造プロセスについて
　引用発明２のチャネル領域のＰ型不純物は予め注入されたものであるから，「前記ソース電極と前記ドレーン電極との間に表れた前記アクティブ層の一定領域を第２導電型不純物イオンでドーピングする」という製造プロセスの構成とは相違するものであるが，本件発明は物の発明であり，物の構成としての相違は認められない。
　なお，仮に製造プロセスに踏み込んで判断するとしても，不純物を予めドープしておくか後からドープするかは設計的事項に過ぎないものである（不純物を後からドープする周知例として，必要ならば，特開２００２−１８５０１０号公報，特開平５−２３５３５５号公報，特開平１−２７６７６８号公報，特開平７−３３５８９０号公報を参照。）。
　
８　小括
　以上のとおり，本件補正後発明は，引用発明１及び２に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって，本件補正は特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから，同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明
１　本願発明
　平成２１年１０月２２日付けの手続補正は却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，下記のものである。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　第１基板上に形成されたゲート電極と，
　前記第１基板上に形成されて，前記ゲート電極の上面を覆いかぶせるように形成されたゲート絶縁膜層と，
　前記ゲート絶縁膜層の上面を覆いかぶせるように形成されて，第１導電型不純物イオンでドーピングされたアクティブ層と，
　前記アクティブ層のいずれか一側に形成されたソース電極及び他側に形成されたドレーン電極と，
　第２基板上に形成された第１電極と，
　前記第１電極上に形成された発光部と，
　前記発光部に形成された第２電極と，
　前記ドレーン電極と前記第２電極とを電気的に連結する連結電極とを含み，
　前記アクティブ層は，前記ソース電極と前記ドレーン電極との間に表れたアクティブ層の一定領域が第２導電型不純物イオンでドーピングされたイオンドーピング領域を含み，
　前記ソース電極及び前記ドレーン電極は，前記イオンドーピング領域により分離される前記アクティブ層の全面上にそれぞれ形成される
　ことを特徴とする電界発光表示装置。
　
２　引用発明
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は「第２　補正の却下の決定」の「３　引用例１に記載の発明」及び「４　引用例２に記載の発明」に記載したとおりである。
　
３　対比及び判断
　本願発明は，本件補正後発明の「前記ソース電極と前記ドレーン電極との間に表れた前記アクティブ層の一定領域を第２導電型不純物イオンでドーピングすることで形成されたイオンドーピング領域」を「前記ソース電極と前記ドレーン電極との間に表れたアクティブ層の一定領域が第２導電型不純物イオンでドーピングされたイオンドーピング領域を含」むと拡張するものである。
　
　そうすると，本願発明の構成要件を全て含み，さらに他の構成要件を付加したものに相当する本件補正後発明が「第２　補正の却下の決定」で述べた理由により引用発明１及び２に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，引用発明１及び２に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　小括
　以上のとおり，本願発明は引用発明１及び２に基いて当業者が容易に発明することができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　総括
　したがって，その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。