【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年2月28日(2011.2.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  レーザダイオードチップ（４）を有するレーザダイオード装置において、
前記レーザダイオードチップ（４）はマルチビームレーザダイオード（Ｌ１，Ｌ２）としての構造体を有し、
該構造体は、半導体基板（ｎ）上に上下に配置された少なくとも２つのレーザステープル（Ｌ１，Ｌ２）と、電気接続接点（２５，２６）とを有し、
前記レーザステープル（Ｌ１，Ｌ２）はそれぞれ少なくとも１つのアクティブ層（Ｊ１，Ｊ２）を有し、
当該アクティブ層（Ｊ１，Ｊ２）の間にはトンネル接合部（Ｔ）が配置されており、
前記レーザダイオードチップ（４）は導体バンドの接続部（２ａ、１０）上に実装されており、
前記電気的接続接点（２５，２６）は、導体バンドの接続部（２ａ，２ｂ，１０１１）と導電接続されており、
前記レーザダイオードチップ（４）と前記接続部（２ａ，２ｂ，１０，１１）の少なくとも一部はビーム透過性の反応性樹脂により注型されており、
１ｎｓから２５ｎｓの間のパルス幅を有する
ことを特徴とするレーザダイオード装置。
【請求項２】  隣接する２つのビームエミッタ間の間隔は２μｍ（これも含む）から３μｍ（これも含む）である、請求項１記載のレーザダイオード装置。
【請求項３】  接続部（２ａ，２ｂ）には表面実装可能なケーシング体（１）が設けられており、
該ケーシング体（１）は収容部を有し、
該収容部には、前記接続部（２ａ，２ｂ）の少なくとも部分領域がそれぞれ露出されており、
該収容部ではレーザダイオードチップ（４）は前記接続部（２ａ）に実装されており、
かつ該収容部では、レーザダイオードチップ（４）はビーム透過性反応性樹脂により注型されている、請求項１または２記載のレーザダイオード装置。
【請求項４】  レーザダイオードチップ（４）の放射方向は収容部の底面に対して平行に延在し、
該底面にはレーザダイオードチップ（４）が実装されており、
前記収容部の側壁は前記底面と共に反射ウェル（３）を形成し、
側面は反射性である、請求項３記載のレーザダイオード装置。
【請求項５】  レーザダイオードチップ（４）はケーシングを基準にして、マルチビームレーザダイオード（４）の出力ビーム（Ｐ１，Ｐ２）が偏向なしでケーシングから放射されるように配置されている、請求項１または２記載のレーザダイオード装置。
【請求項６】  反応性注型樹脂の使用法であって、レーザダイオードチップを注型するのに使用し、
該レーザダイオードチップ（４）は、マルチビームレーザダイオード（Ｌ１，Ｌ２）の構造を有し、
該マルチビームレーザダイオードは、半導体基板（ｎ）上に上下に配置された少なくとも２つのレーザステープル（Ｌ１，Ｌ２）を有し、
該レーザステープル（Ｌ１，Ｌ２）はそれぞれ少なくとも１つのアクティブ層（Ｊ１，Ｊ２）を有し、
該アクティブ層（Ｊ１，Ｊ２）の間にはトンネル接合部（Ｔ）が配置されており、
該トンネル接合部（Ｔ）は導体バンドの接続部（２ａ，１０）上に実装されており、
１ｎｓから２５ｎｓの間のパルス幅を有する、
ことを特徴とする使用法。
【請求項７】  請求項３から５までのいずれか１項記載のレーザダイオード装置の製造方法において、
導体バンドの接続部（２ａ，２ｂ）にケーシング体（１）を設け、
該ケーシング体（１）は収容部を有し、
該収容部内では、レーザダイオードチップ（４）が所属の接続部（２ａ）に実装されており、
続いてレーザダイオードチップ（４）を透明な反応性樹脂により注型する、
ことを特徴とする製造方法。
【請求項８】  請求項１または２記載のレーザダイオード装置の製造方法において、
レーザダイオードチップ（４）にラジアルケーシングを設け、
ここでエッジ放射型のレーザダイオードチップ（４）をまず接続部の側面に実装し、
続いてビーム透過性の反応性樹脂により注型する、ことを特徴とする製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
この課題は、独立請求項記載の特徴部分の構成を有するレーザダイオード装置、および請求項記載の使用法、および請求項記載の特徴部分の構成を有する方法によって解決される。有利な改善形態は従属請求項の対象である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
マルチビームレーザダイオードを組み込んだ後、レーザダイオードを透明な材料、例えば樹脂またはシリコンにより注型することができる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
マルチビームレーザダイオードを含む半導体チップ４は、レーザステープルＬ１とＬ２の２つのレーザビームがアクティブ層のエッジまたは２つのエッジを介して出力結合されるように構成することができる。反射面３によって個別ビームは偏向され、上方へケーシングから出力結合される。光出力結合を改善し、実装されたレーザダイオードを環境の影響から保護するために、反射器開口部にはエポキシ樹脂７により注型されている。樹脂７およびケーシング材料は綿密に相互に調整されており、これにより熱的ピーク負荷の際にも機械的障害が発生しないようになっている。注型樹脂７の代わりに他の透明材料、例えばアクリル樹脂、シリコン等を使用することもできる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
図２は、レーザステープルＬ１１ないしＬ２１を有する。これらのレーザステープルはラジアルＬＥＤに対する接続部１０に実装されている。接続はオーム性接続接点１５を介して基板の下で行われる。マルチビームレーザダイオードの他方の接続接点は最上部レーザステープルＬ１１の上方にあり、これは接続１６により装置の第２の外側端子１１と接続されている。概略的にレーザステープルＬ１１ないしＬ２１から送出されるレーザパルスＰ１とＰ２が示されている。図２の装置は続いて典型的には、透明材料により注型されている。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
図３は特に有利な実施例を示し、この実施例ではエッジ放射型マルチビーム高出力レーザダイオードチップ４がラジアルケーシング９の接続部１０の側面に実装されており、ビーム方向８はラジアルケーシング９の接続脚部に対して平行に延在する。このラジアルケーシングは発光ダイオード構成素子技術から公知である。エッジ放射型高出力レーザダイオードチップ４はこの場合まず、接続部の側面に実装され、続いて透光性の反応性樹脂７により直接、注型される。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
マルチビームレーザダイオードの発光出力は上下に積層されるレーザステープルの数に応じて、２つのレーザステープルが積層される際には約７０Ｗ、３つのレーザステープルが積層される際には約１００Ｗである。前に説明した材料システムＩｎＧａＡｓにおいて波長領域９０５ｎｍに対して処理された２０テープ状アレイチップは６００×６００μｍ２の寸法を有し、通常のＬＥＤケーシングに反射器ウェルと共に実装され、注型される（図１参照）。発光出力は約７０Ｗであり、電流/ビーム特性曲線の微分勾配は２．０Ｗ/Ａ以上である。同じシステムで３つのダブル量子ウェルレーザ構造体が上下に成長される場合、約１００Ｗの発光出力と、３Ｗ／Ａ以上の特性曲線勾配を有するマルチビームレーザ構造体が得られる。１００Ｗを超えるさらに高い発光出力を有するマルチビームレーザダイオードを製造することもできる。