【事件の表示】
　特願２００５−３１３７３５「放射システム、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及び、それらにより製造されたデバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　６月　１日出願公開、特開２００６−１４０４７０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１７年１０月２８日の出願（パリ条約による優先権主張　２００４年１０月２９日　米国）であって、平成２１年３月６日付で拒絶査定がなされ、同年６月５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされ、その後、審判において送付した審尋に対して平成２２年１０月２７日付で回答書が提出されたものである。
　
２．平成２１年６月５日付の手続補正についての補正却下の決定
　
【補正却下の決定の結論】
　
　平成２１年６月５日付の手続補正を却下する。
　
【理由】
２−１．補正内容
　平成２１年６月５日付の手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１を
　
（１）
「放射を多重化するための放射システムであって、
放射を供給するように構成された第１の放射源と、
放射を供給するように構成された第２の放射源と、
第１の反射面及び第２の反射面を持つ光学部材を含み、
前記第１の反射面は第１の放射源から第１の量の放射を直接受光し、かつ、前記第１の量を反射するように構成され、前記第２の反射面は第２の放射源から第２の量の放射を直接受光し、かつ、前記第２の量を反射するように構成されている放射システム。」
　
を
　
（２）
「放射を多重化するための放射システムであって、
ＥＵＶ
ＥＵＶ
第１の反射面及び第２の反射面を持つ光学部材を含み、
前記第１の反射面は第１の放射源から第１の量の放射を直接受光し、かつ、前記第１の量を反射するように構成され、前記第２の反射面は第２の放射源から第２の量の放射を直接受光し、かつ、前記第２の量を反射するように構成され
、前記第１の反射面及び前記第２の反射面は、それぞれ前記第１の量及び前記第２の量にすれすれの入射に位置決めされ、前記第１の反射面及び前記第２の反射面は、濾過性反射面で構成されている、
　
と補正しようとする補正事項が含まれている。（下線は補正箇所）
　
　本件補正は、補正前の請求項１記載の「放射」について、補正前の請求項６に記載されていた「ＥＵＶ放射」に限定補正し、補正前の第一の反射面と第２の反射面とについて、補正前の請求項３の記載及び請求項７に記載されていた内容を取り込んで「
第１の反射面及び前記第２の反射面は、それぞれ前記第１の量及び前記第２の量にすれすれの入射に位置決めされ、前記第１の反射面及び前記第２の反射面は、濾過性反射面
　
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
２−２．引用例
（１）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願優先日前に日本国内または外国において頒布された刊行物である特開平９−１１５８１３号公報（原査定における引用文献２。以下「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。（以下の、下線は当審にて付与。）
　
（１ａ）「【０００４】Ｘ線発生源としては例えばレーザープラズマが用いられる。照明光学系ではパルス状に発光するレーザー光をターゲットに照射することによって生じるレーザープラズマの１つの発光点からのＸ線を、集光ミラーで集光し反射型マスクに照射する。レーザープラズマの発光点は数百μm程度の大きさで点光源に近い。ここから放射されたＸ線を、光源の位置を焦点とする放物面鏡によって平行化しマスクを照明する。投影光学系は複数の多層膜反射鏡によって構成されマスク上のパターンをウエハ表面に縮小投影する。投影光学系は通常テレセントリック系が用いられている。
【０００５】
【解決しようとする課題】しかしながら、従来のＸ線縮小投影露光装置には以下のような解決すべき課題があった。
【０００６】即ち、マスク上の非常に微細なパターンをウエハ上に投影した場合、解像度や焦点深度が十分ではなく、極めて高い精度でパターン転写することは困難であった。また位相シフトマスクを用いた場合にも位相シフトによる結像性能向上の効果を十分に得ることができなかった。この理由を以下に説明する。
【０００７】
照明系の特性を表わすパラメータとしてコヒーレンスファクタσがある。投影光学系のマスク側開口数をＮＡ
p1
、照明光学系のマスク側開口数をＮＡ
i
としたとき、コヒーレンスファクタは
σ＝ＮＡ
i
／ＮＡ
p1
と定義される。
最適なσの値は、パターン転写に必要な解像度とコントラストによって決定される
【０００８】σが０の場合にはコヒーレント照明と呼ばれ、光学系の伝達関数ＯＴＦは投影光学系のウエハ側開口数をＮＡp2、Ｘ線波長をλとしてＮＡp2／λで与えられる空間周波数までは一定値を示すが、それを越える高周波数については０となってしまい、解像出来ない。一方、σが１の場合にはインコヒーレント照明と呼ばれ、ＯＴＦは空間周波数が大きくなるに従って小さくなるが、２×ＮＡp2／λで与えられる空間周波数までは０とならない。従ってより微細なパターンまで解像することが出来る。
【０００９】上記従来例においては、σの値は０に近く、ほぼコヒーレント照明の条件になっている。従って、解像度が大きくなく、微細なパターンの転写ができないという課題があった。
【００１０】本発明は上記課題に対してなされたもので、従来以上に良好な結像性能を得ることを可能にするＸ線発生装置やこれを用いた高性能な露光装置など、さらにはデバイス生産方法を提供すること目的とする。」
（１ｂ）「【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００１７】本発明の好ましい実施形態によれば、光源を有限の大きさの面状とし、これより放射される
Ｘ線
照明光学系
ケーラー照明
【００１８】このように、発光部の形態を適切に設定することによって、マスクを照明するＸ線の角度分布を制御して、コヒーレンスファクター、照明系のコヒーレンスファクターσを最適値に設定したり、また輪帯照明や斜め照明等の変形照明を行うことができる。露光条件に応じて最適な照明条件で照明することができるので、解像度や焦点深度などの結像性能を向上することができる。
【００１９】本発明は
Ｘ線照明が必要な装置に広く実施することが出来る
【００２０】
【実施例】
＜実施例１＞図１に本発明の第１の実施例の構成図を示す。同図において、複数のＹＡＧレーザー光源９、レーザー光集光光学系１０、レーザープラズマターゲット１１、フィルタ１２、回転放物面反射鏡３、反射型マスク４及びそれを載置するマスクステージ７、投影光学系５、レジストを塗布したウエハ６及びそれを載置するウエハステージ８などで構成される。反射型マスク４は多層膜反射鏡の上にＸ線吸収体による転写パターンを形成したもので、多層膜にパターンに応じた段差を設けて位相シフトマスクとしたものも使用可能である。
【００２１】この構成において
、複数のＹＡＧレーザー光源９から発せられたそれぞれのレーザー光は、レーザー光集光光学系１０によってターゲット１１上の別の位置に集光され、高温のプラズマを生成しＸ線を発生する
【００２２】投影光学系５は２枚の非球面反射鏡で構成され、反射面には多層膜が設けてある。投影光学系はテレセントリック系が用いられている。光学系の像側開口数ＮＡp2は使用波長λと必要な分解能、焦点深度などに応じて設定され、0.05〜0.2程度の値が用いられる。例えば像側開口数ＮＡp2を0.1、投影倍率を1/5とすると物体（マスク）側開口数ＮＡp1は0.02となる。
【００２３】
回転放物面反射鏡３
その焦点位置に光源であるレーザープラズマターゲット１１が位置する
光源面上のある１点から放射されたＸ線は、回転放物面反射鏡３で反射された後、平行光となってマスク４全面を照射する
【００２４】このとき、光源面上の異なる点から放射されたＸ線は異なる角度でマスクに入射する。即ち、回転放物面反射鏡３の焦点距離をｆ、光源面上の２点の距離をｄとすると、この２点から放射されてマスク上のある１点に入射するＸ線の角度の開きはｄ／ｆ(rad)となる。複数の発光点からなる光源全体の大きさをＤとすると、マスクを照明する光の角度の広がりはＤ／ｆ(rad)となる。よって照明系の開口数ＮＡiはＤ／（２×ｆ）となる。このとき、コヒーレンスファクターσはσ＝Ｄ／（２×ｆ×ＮＡp1）となる。ｆ＝200mm、ＮＡp1＝0.02とした場合に、Ｄ＝8mmであればσ＝1.0となり、インコヒーレント照明が実現される。
【００２５】本実施例ではプラズマ励起用レーザー光源９及びレーザー光集光光学系１０を複数設けてあり、ターゲットの上に複数のプラズマＸ線発光点１を同時に生成する。同時にレーザー光集光光学系のズーミングやデフォーカス機構によって、各発光点大きさを制御し、光源の発光部の形態を任意に設定することができる。」
　
（１ｃ）「【図１】
」
　上記図１には、複数のＹＡＧレーザー光源９から発せられたそれぞれのレーザー光が、レーザー光集光光学系１０によってレーザープラズマターゲット１１のそれぞれ別の位置に集光され、高温のプラズマを生成しＸ線を発生し、光源であるレーザープラズマターゲット１１が回転放物面反射鏡３の焦点位置に位置し、光源面上のそれぞれ別の位置から放射されたＸ線がそれぞれ別の位置で反射された後それぞれマスク４を照射する点が認められる。
　
　以上の事項から、引用例１には以下の発明（以下「引用例発明」という。）が記載されているといえる。
　
「複数のＹＡＧレーザー光源９から発せられたそれぞれのレーザー光が、レーザー光集光光学系１０によってそれぞれ別の位置に集光され、高温のプラズマを生成しＸ線を発生する光源であるレーザープラズマターゲット１１と、
光源であるレーザープラズマターゲット１１がその焦点位置に位置し、光源面上のそれぞれ別の位置から放射されたＸ線がそれぞれ別の位置で反射された後それぞれ平行光となってマスク４全面を照射する回転放物面反射鏡３とを備えるＸ線ケーラー照明光学系」
　
（２）参考文献１
　本願優先日前に日本国内または外国において頒布された刊行物であるJ. Plasma Fusion Res., vol.79, No.3, (2003), p221-225（以下「参考文献１」という。）には、以下の記載がある。
　
（２ａ）「
EUVという名前は，極端紫外光すなわちExtreme Ultra-Violetという言葉に由来する。・・予算要求書のタイトルを見た官僚たちから”Ｘ線は既に多くの研究予算を投じている”と指摘されたため、Ｘ線という言葉を避け、EUVと名付けたとのことである
　
（３）参考文献２
　本願優先日前に日本国内または外国において頒布された刊行物であるレーザー研究２００１年１０月, p638-644（以下「参考文献２」という。）には、以下の記載がある。
　
（３ａ）「EUVリソグラフィは波長13nm〜14nmのEUV(ExtremeUltra-Violet:極端紫外)光を使う縮小投影リソグラフィである.」（６３８頁左欄２〜４行）
　
（３ｂ）「3.　EUV光源の開発現状
・・・
3.1　LPP(Laser Produced Plasma: レーザー生成プラズマ)
これまで米国(EUVLLC/TRW社)において先行的に開発されていたLPPでは,Fig.3に示すようなノズルから吹き出すXeのガスジェットをターゲットにし,そこに
高輝度YAGレーザー光を照射することによりプラズマを生成して
波長13nm帯のEUV光を得ている
LPP用として特化し,低コスト化・小型化を目指すLD励起YAGレーザーの検討が必要と思われる
13nm帯の発光に最適な原子であるSnを用いた場合でも,微粒子を用いればデブリが低減できるのではという目論見から,SnO
2
の微粒子を用いたLPPの研究がある
Sn微粒子の生成が難しいため,SnO
2
を用いている。さらに,Snなどの固体の採用による13mm帯EUV発生の高効率化とキャビティによるデブリの低減を狙ったキャビティ閉じこめ型LPPの提案・検討がある*5。テープ状の固体にデンプル(キャビティ)を形成し,その中に,フェムト秒レーザーによるレーザーアブレーションで発生させた必要最小量の固体原子の蒸気を閉じこめ,もう一つのナノ秒レーザーによる加熱でEUVを発生させるという提案である
　
（４）参考文献３
　本願優先日前に本願優先日前に日本国内または外国において頒布された刊行物であるJ. Plasma Fusion Res., vol.79, No.3, (2003), p234-239（以下「参考文献３」という。）には、以下の記載がある。
　
（４ａ）「４．１．１ 錫に舵を切ったプラズマ光源開発
　２００２年１０月にダラスで第１回EUVLシンポジウムが開かれ，露光システム，多層膜マスク，汚染評価など，リソグラフィ関連の技術の最新データが報告された．その前日に開かれた光源ワークショップは，筆者が命名すれば，「錫」会議であった．
　光源開発機関が報告した数字をTable 1 にまとめた．進歩がわかるように，１年前の松江での第３回EUVLワークショップでの報告のまとめをTable 2 に示す［１］．・・・多くの機関が錫を口にした．また，
レーザープラズマ（LPP）ターゲットの種類を開かさなかったJ-Mar が錫を使っている
４．１．２ ETS で用いられているプラズマ光源の現状
　米国サンディア国立研究所（SNL）にある，EUV カメラの転写特性を評価するための工学評価システム（Engineering Test Stand，ETS）にはLPP 光源が組み込まれており，露光量制御，コンタミの評価，等々の試験が行われ，多くの有用なデータが得られている．
励起レーザーには，パルス10−20 ns 波長1 μm の，半導体レーザー励起Q-スイッチYAG レーザー
　
（５）周知例１
　本願優先日前に日本国内または外国において頒布された刊行物である特開２００２−３１９５３７号公報（以下「周知例１」という。）には、以下の記載がある。
　
（５ａ）「【００３１】
ヴォルター光学系の特に優れた点は、表面接線に対して２０度より小さい入射角での２つの反射を用いるヴォルター光学系の場合、開口角度８０°に対応して、最大の集光の開口がＮＡmax〜０．９８５まで選択可能とされ、このとき、７０％より大きい反射率を有するような、かすめるようなすれすれの斜入射角のもとでの高い反射率の反射領域が存在することである
　
（５ｂ）「【００７７】以下の図１４ないし図２１においては、ヴォルター光学系として形成された、本発明による入れ子式の集光器が示されている。
【００７８】ヴォルター光学系は、光源１を光源の中間像Ｚに実像として結像させるために、好ましくは双曲面と楕円面とを組み合わせたものからなるか、無限遠に結像するために双曲面と放物面との組み合わせからなるものである・・・
【００８０】図１５には、本発明による入れ子式の集光器から、代表的に３つの椀形状部が示されている。それぞれの反射鏡椀形状部２００，２０２および２０４は、第１の光学面２００．２，２０２．２，２０４．２を有する第１の環状セグメント２００．１，２０２．１，２０４．１（第１のセグメント）と、第２の光学面２００．４，２０２．４，２０４．４を有する第２の環状セグメント２００．３，２０２．３，２０４．３（第２のセグメント）とを備えている。それぞれの反射鏡椀形状部２００，２０２および２０４は、ｚ軸周りに回転対称に設けられている。最も内側の椀形状部２００の横倍率は、６．７で、２番目の椀形状部２０２の横倍率は、７．０で、最も外側の椀形状部２０４の横倍率は、７．５である。図１５からわかるように、それぞれの反射鏡椀形状部２００，２０２および２０４に割り当てられた環状開口要素２１０，２１２，２１４は、互いに隣り合っていない。すなわち図１５に示す集光器の物側の開口は、個々の環状開口要素２１０，２１２，２１４の間に間隙２２０，２２２，２２４を有している。それぞれの反射鏡椀形状部２００，２０２および２０４に割り当てられた、平面７における環状要素２３０，２３２，２３４は、平面７の領域を均一に照明するように、概ね互いに連続的につながっている。
【００８１】図１５に示す実施の形態では、第１の光学面２００．２，２０２．２，２０４．２と第２の光学面２００．４，２０２．４，２０４．４も間隙を有さずに直接につながっている。
・・・
【００９５】
平面反射鏡２００は、本実施の形態では、回折型の分光フィルターとして形成されたものである
　
（５ｃ）
　「【図１５】
」
　
（６）　本願優先日前に日本国内または外国において頒布された刊行物である特開２００４−４０１０７号公報（以下「周知例２」という。）には、以下の記載がある。
　
（６ａ）「【０００６】
超紫外線（ＥＵＶ）放射用の屈折光学エレメントを作成するために適切な光学特性を有する材料は知られていないので、このような放射を使用するリソグラフィ装置は、
すれすれ入射ミラー
　
（７）周知例３
　本願優先日前に日本国内または外国において頒布された刊行物である特開平６−３４９７１５号公報（以下「周知例３」という。）には、以下の記載がある。
　
（７ａ）「【０００８】照射手段２は、例えば、Ｘ線の光源と、そこから発生したＸ線のうち所望の波長のＸ線を取り出す分光装置と、反射型Ｘ線マスク１上の検査する領域をＸ線で照明する照明光学系とから構成できる。Ｘ線の光源には、シンクロトロン放射光（Synchrotron Radiation）またはレーザープラズマＸ線源を用いることができる。分光装置から取り出すＸ線の波長は、Ｘ線縮小投影露光を行なうときと同じ波長にするとよい。分光装置は、回折格子、フィルター、斜入射ミラーや多層膜ミラーなどの組み合わせから構成できる。このうち斜入射ミラーと多層膜ミラーは分光と同時に照明光学系を構成することができる。ここで、
斜入射ミラーとは、非常に平滑な面に対してすれすれの斜入射角度でＸ線を入射させるとある角度以下で全反射が起こることを利用してＸ線を反射させるものである
　
（８）周知例４
　本願優先日前に日本国内または外国において頒布された刊行物である特開２００４−９５９８０号公報（以下「周知例４」という。）には、以下の記載がある。
　
（８ａ）「【００４８】
次に、本発明の実施の形態に係る波長フィルタ用多層膜について説明する。
波長フィルタ用多層膜は、単色化のためのフィルタの役割をもつ反射鏡に用いるもの
この多層膜は、図３の多層膜反射鏡とほぼ同じ構成であり、基板上に、厚さ２．５ｎｍのＭｏ層、厚さ４．５ｎｍのＳｉ層が５０層対積層された多層膜で、上から１５層対目のＳｉ層が厚さ１．９ｎｍに変更されている。
【００４９】
従来、１３．０ｎｍと１３．２ｎｍの接近した２つの波長に輝線のある光源に対し、１３．０ｎｍのみを反射して１３．２ｎｍはカットしたいフィルタが必要な場合、通常のＭｏ／Ｓｉ多層膜を用いると、１３．０ｎｍの波長は反射可能であるが、この部分の反射率曲線の半値幅が広いため、１３．２ｎｍの波長も反射してしまう。そこで、反射率は低いが半値幅の狭いＭｏＳｉ２／Ｓｉ（珪化モリブデン／シリコン）多層膜を用いて、波長選択ミラー（１５°入射）を設けている。
【００５０】
図８は、
反射ミラー兼波長フィルタに使用される多層膜の波長と反射率の関係を示すグラフである。縦軸は反射率、横軸は波長を示す。グラフ中の実線は本発明に係る多層膜、破線は従来のＭｏＳｉ２／Ｓｉ多層膜を示す。なお、ＭｏＳｉ２／Ｓｉ多層膜はＭｏＳｉ２層とＳｉ層の１００層対からなる。グラフから分かるように、ＭｏＳｉ２／Ｓｉ多層膜の反射率は、破線で示すように、１３．０ｎｍにおける理論反射率は４８％程度で、かつ、１３．２ｎｍでは３％程度の反射率を持っている。一方、上から１５層対目のＳｉ層の厚さを変更した本発明の多層膜においては、実線で示すように、１３．０ｎｍで６３％程度の反射率をもち、１３．２ｎｍでは１％以下の反射率となる
　
（９）周知例５
　本願優先日前に日本国内または外国において頒布された刊行物である特開２００２−１８４６９１号公報（以下「周知例５」という。）には、以下の記載がある。
　
（９ａ）「【００２２】不要な波長を放射線源出力から除去するために、照明系の残りの部分に対するまたはその中の熱を最小限に抑えるために放射線源の近傍で、かつフィルタが収束または発散ビーム中に位置することができる最初の段階で、スペクトル格子フィルタ１００を照明系内に配置すると好都合である。ビームの開口角は、波長選択性が十分になるように限定されるべきである。
格子フィルタは好ましくは反射格子であり、波長に依存する角度で入射放射線を回折する
格子フィルタ１００は、所望の放射線が照明系の残りの部分に入り、不要な放射線が異なる角度で回折してビーム・ブロッカに吸収されるように構成される
【００２３】図２に、格子フィルタの可能な構成を収束ビーム１０と共に示す。格子がない場合は、ビームは格子の後方の一点に集束することになる。この時点でビームが角度αで格子に入射し、実質的な放射線源の点は格子後方の距離ｏｒのところにある。所望の波長の放射線は角度βへ回折されて回折ビーム２０となり、また格子から距離ｏｒ’のところへ集束する。この点はマスク上にあってよいが、他の光学要素がマスク上にビームをそこから集束する照明系内の平面上の点としてもよい。
【００２４】格子は、図３に示すようなブレーズ格子であることが好ましい。ブレーズ格子は、格子定数ｐが鋸歯の間隔幅に等しい鋸歯プロフィルを有する。ブレーズ角ｂａの選択は、鋸歯プロフィルと対比して反射が鏡状になる、すなわち鋸歯プロフィルに対する法線ｎ’から測った入射および反射角α’、β’が相等しくなるように行われる。そのような構成で、理論的には回折効率を１００％にすることが可能である。このタイプの適切な格子は、本明細書に参照として組み込まれたＦｒａｎｋ  ｅｔ  ａｌ、Ｊ．  Ｖａｃ．  Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ  １５、ｐ２９４０  （１９９７）に記載されており、回折効率が８０％であり、ならびに全体効率は８０％のグレージング入射反射効率を考慮に入れて約６５％となっている。」
　
２−３．対比
　ＥＵＶはＸ線の一種（上記参考文献１、（２ａ）参照。）である。したがって，引用例発明の「ＹＡＧレーザー光源９から発せられたレーザー光が、レーザー光集光光学系１０によって集光され、高温のプラズマを生成しＸ線を発生する光源であるレーザープラズマターゲット１１」は、本願補正発明の「ＥＵＶ放射を供給するように構成された放射源」と、「Ｘ線放射を供給するように構成された放射源」であることで共通する。
　そして、引用例発明の「複数のＹＡＧレーザー光源９から発せられたそれぞれのレーザー光が、レーザー光集光光学系１０によって別の位置に集光され、高温のプラズマを生成しＸ線を発生する光源であるレーザープラズマターゲット１１」は、本願補正発明の「
ＥＵＶ
ＥＵＶ
　
　また、引用例発明の「光源であるレーザープラズマターゲット１１がその焦点位置に位置し、光源面上のそれぞれ別の位置から放射されたＸ線がそれぞれ別の位置で反射された後それぞれ平行光となってマスク４全面を照射する回転放物面反射鏡３」は、それぞれのＸ線がそれぞれ別の位置で反射された際には、それぞれの反射量で反射されるから、
　本願補正発明の「第１の反射面は第１の放射源から第１の量の放射を直接受光し、かつ、前記第１の量を反射するように構成され、第２の反射面は第２の放射源から第２の量の放射を直接受光し、かつ、第２の量を反射するように構成されている」「第１の反射面及び第２の反射面を持つ光学部材」と、
「「第１の反射面は第１の放射源から第１の量の放射を直接受光し、かつ、前記第１の量を反射するように構成され、第２の反射面は第２の放射源から第２の量の放射を直接受光し、かつ、第２の量を反射するように構成されている」「第１の反射面及び第２の反射面を持つ反射面を持つ光学部材」である点で共通する。
　
　また、引用例発明の「Ｘ線ケーラー照明光学系」が「複数のＹＡＧレーザー光源９から発せられたそれぞれのレーザー光が、レーザー光集光光学系１０によって」「「レーザープラズマターゲット１１」の「別の位置に集光され、高温のプラズマを生成し」、「回転放物面反射鏡３」「の焦点位置に位置」する「光源面上のそれぞれ別の位置から放射されたＸ線が」「回転放物面反射鏡３」で「反射された後平行光となってマスク４全面を照射する」ことは、本願補正発明の「放射システム」が「放射を多重化する」ものであることに相当する。
　
　したがって、本願補正発明と引用例発明とは
「放射を多重化するための放射システムであって、
Ｘ線放射を供給するように構成された第１の放射源と、Ｘ線放射を供給するように構成された第２の放射源と、第１の反射面及び第２の反射面を持つ光学部材を含み、
前記第１の反射面は第１の放射源から第１の量の放射を直接受光し、かつ、前記第１の量を反射するように構成され、前記第２の反射面は第２の放射源から第２の量の放射を直接受光し、かつ、前記第２の量を反射するように構成されている、放射システム。」で一致し、以下の点で相違する。
 
（相違点１）
　本願補正発明では「放射されるＸ線」が「ＥＵＶ」であるのに対して，引用例発明ではＸ線の種類が明確でない点。
　
（相違点２）
　本願補正発明では「第１の反射面及び前記第２の反射面は、それぞれ前記第１の量及び前記第２の量にすれすれの入射に位置決めされている」のに対して、引用例発明では「反射面」が「すれすれの入射」をするように位置決めされていない点。
 
（相違点３）
　本願補正発明では「第１の反射面及び前記第２の反射面は、濾過性反射面で構成されている」のに対して、引用例発明では「反射面」が「濾過性」であることが明確でない点。
　
２−４．判断
（相違点２について）
　Ｘ線光学系において、すれすれの角度で入射させる配置で反射率を高めたミラーは、従来周知（上記周知例１乃至３，（５ａ）〜（７ａ）参照。）である。
　してみると、引用例発明の「反射鏡」における２つの反射面において、従来周知のすれすれの角度で入射させる配置で反射率を高めたミラーを採用し、相違点２に係る構成とすることに格別の困難性はない。
　
（相違点１および３について）
　ＥＵＶはＸ線の一種（上記参考文献１、（２ａ）参照。）であり、ＥＵＶリソグラフィにおいて、Ｘｅや錫などの金属をターゲットにしてレーザープラズマを当てることでＥＵＶを得ていることは、従来周知（上記参考文献１〜３、（２ａ）〜（４ａ）参照。）である。したがって、引用例発明のＸ線を用いる放射システムを、従来周知のＥＵＶを用いる放射システムとすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　他方、Ｘ線光学系において、反射型の波長選択フィルタは、従来周知（上記周知例１，４，５，（５ｂ）（８ａ）（９ａ）参照。）である。
　
　ここで、引用例発明では「光源上のそれぞれ別の位置から放射されたＸ線がそれぞれ別の位置で反射されそれぞれ平行光となってマスク４全面を照射する」際に、「別の位置から放射されたＸ線」を「別々の位置で反射」させる反射鏡は、一つの光学部材に２つの反射面を有している。そして、反射鏡の「別の位置から放射されたＸ線」が同時にマスク４全面を，投影光学系による露光のためにコヒーレンス性を考慮して照射することを考慮すると、２つの反射面は同じ波長の光を扱える光学的作用を有しなければならないことは明らかである。
　してみると、引用例発明の「反射鏡」における２つの反射面において、ともに従来周知のＥＵＶのための反射面として、従来周知の反射型の波長選択フィルタを採用し、相違点３に係る構成とすることに格別の困難性はない。
　
２−５．請求人の主張
（１）ＥＵＶについて
　請求人は、平成２１年８月１０日付手続補正書中の請求理由の中で、『引用文献１〜３のいずれにも、ＥＵＶについては開示も示唆もありません』と主張している。
　しかし、上記「２−４．」で検討したとおり、引用例発明のＸ線を用いる放射システムを、従来周知のＥＵＶを用いる放射システムとすることは、当業者が適宜なし得たことであるから、上記主張は採用できない。
　
（２）一つの光学部材における二つの濾過性反射面
　請求人は、平成２２年１０月２７日付回答書において
『まず、本願発明１は、「第１の反射面及び第２の反射面を持つ光学部材を含み、」という構成要件と、「前記第１の反射面及び前記第２の反射面は、濾過性反射面で構成されている、」という構成要件とを具備します。
　すなわち、本願発明１では、一つの光学部材における第１の反射面及び第２の反射面の両方ともが「濾過性反射面」で構成されています（以下、第１の構成という。）。 
　これに対し、引用文献１〜８には、一つの光学部材における二つの反射面が濾過性反射面で構成されていることは開示されていません。とりわけ、審査官殿が「反射型の波長選択フィルタを用いることは、周知の事項である。」と主張する引用文献６〜８でさえ、そのような反射型の波長選択フィルタを用いているのは、一つの光学部材における一つの反射面だけです（必要であれば、引用文献６の平面反射鏡２００（段落００９５）、引用文献７の波長用フィルタ多層膜（段落００４８−００５０）、引用文献８の格子フィルタ１００（段落００２００−００２４）を参照されたい）。 
　また、引用文献６〜８は、反射型の波長選択フィルタを用いた一つの反射面を有する一つの光学部材を開示するものではありますが、この光学部材にさらに別個の反射面を設けることは意図しないものであることは引用文献６〜８に開示される構造から明白であります。それゆえ、引用文献６〜８には、当然に、一つの光学部材における二つの反射面についてその両方を「濾過性反射面」で構成することは開示されていません。 
 　このように、引用文献１〜８には、一つの光学部材における二つの反射面の両方を濾過性反射面として構成することは開示されておらず、また、そのように構成とすることを誘引する記載も一切ありません。』
　
　しかしながら、上記「２−４．（相違点１及び３について）」で検討したように、引用例発明では「光源上のそれぞれ別の位置から放射されたＸ線がそれぞれ別の位置で反射されそれぞれ平行光となってマスク４全面を照射する」際に、「別の位置から放射されたＸ線」を「別々の位置で反射」させる反射鏡は、一つの光学部材に２つの反射面を有している。そして、反射鏡の「別の位置から放射されたＸ線」が同時にマスク４全面を，投影光学系による露光のためにコヒーレンス性を考慮して照射することを考慮すると、２つの反射面は同じ波長の光を扱える光学的作用を有しなければならないことは明らかである。
　してみると、引用例発明の「反射鏡」における２つの反射面において、ともに従来周知のＥＵＶのための反射面として、従来周知の反射型の波長選択フィルタを採用することに、格別の困難性はない。したがって、上記主張は採用できない。
　
（３）　有利な作用効果
　請求人は、平成２１年８月１０日付手続補正書中の請求理由の中で、『
　「ｅ．有利な作用効果
・・・
　具体的には、本願が「さらなる実施例において、第１の反射面と第２の反射面の少なくとも１つは、それぞれ第１の量及び第２の量とすれすれの入射に位置決めされている。このような配列は、本発明を（Ｅ）ＵＶ放射に関連した使用に対して適したものにしている。」（段落００１０）と言及していますように、本願発明１は上記の第１の構成要件及び第２の構成要件を具備することで、ＥＵＶ放射にとってより適したものとなります。詳細には、本願発明１の一態様によれば、「この場合の反射は最大となり、吸収は最小となる。通常は、放射源３及び５が非コヒーレントである。しかし、放射源がコヒーレントであると、双方のピーク値及び合焦が干渉により増強される。」（段落００３８）という有利な作用効果を奏します。』と主張している。
　
　しかしながら、放射源がコヒーレントであることは、本願補正発明の特定事項とは無関係な主張である。
　また、引用例においても、投影の解像度を大きくするために、マスクを照明する放射源がインコヒーレント照明であるかコヒーレント照明であるかの度合いを示すコヒーレンスファクターを、最適にする必要性が課題として指摘されている（上記（１ａ）参照。）。してみると，請求人が上記に主張するような、放射原３及び５が「非コヒーレントである」こと若しくは「コヒーレントである」ことに係る作用効果は、引用例発明及び引用例に記載された技術的事項並びに従来周知の技術的事項から、当業者が予測し得た程度のものであると言える。
　したがって、上記主張は採用できない。
　
２−６．まとめ
　上述したとおり、引用例発明において、相違点１乃至３に係る構成を有するものとすることは、当業者が容易になし得たことである。
　また、相違点１乃至３に係る構成を組み合わせたことにより、当業者が予期できない格別の効果が奏せられるものとすることもできない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例発明、及び、従来周知の技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
２−７．むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
３−１．本願の請求項１に係る発明
　平成２１年６月５日付の手続補正は前記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜７に係る発明は、平成２０年１１月１３日付の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜２２に記載されたとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、前記「２−１．（１）」のとおりである。
　
３−２．引用例の記載事項
　引用例には、前記「２−２」に記載したとおりの事項が記載されている。
　
３−３．対比
　本願発明は、
本願補正発明（前記「２−１（２）」参照）の
「ＥＵＶ放射」について元の「放射」という限定事項にし、「前記第１の反射面及び前記第２の反射面は、それぞれ前記第１の量及び前記第２の量にすれすれの入射に位置決めされ、前記第１の反射面及び前記第２の反射面は、濾過性反射面で構成され」という限定事項を省いたものに相当する。
　ここで、本願発明と引用例発明を対比する。
　本願発明の「放射」は、Ｘ線の一種（上記参考文献１、（２ａ）参照。）であるＥＵＶを含むものである。したがって、引用例発明の「ＹＡＧレーザー光源９から発せられたレーザー光が、レーザー光集光光学系１０によって集光され、高温のプラズマを生成しＸ線を発生する光源であるレーザープラズマターゲット１１」は、本願発明の「放射を供給するように構成された放射源」と、「Ｘ線放射を供給するように構成された放射源」であることで共通する。
　そして、引用例発明の「複数のＹＡＧレーザー光源９から発せられたそれぞれのレーザー光が、レーザー光集光光学系１０によって別の位置に集光され、高温のプラズマを生成しＸ線を発生する光源であるレーザープラズマターゲット１１」は、本願補正発明の「放射を供給するように構成された第１の放射源」「放射を供給するように構成された第２の放射源」と、「Ｘ線放射を供給するように構成された第１の放射源」「Ｘ線放射を供給するように構成された第２の放射源」であることで共通する。
　したがって、本願発明と引用例発明とは、以下の点で一応相違する。
 
（相違点１’）
　本願発明では「放射されるＸ線」が「ＥＵＶ」を含むものであるのに対して，引用例発明ではＸ線の種類が明確でない点。
　
３−４．判断
　引用例発明におけるＸ線は、ＥＵＶを含むものであるかどうかは不明であるものの、本願発明と引用例発明とは、ＥＵＶを含むＸ線を用いることができるリソグラフィ装置としては、差異がない。
　してみると、本願発明と引用例発明との間に、差異はない。
　
　たとえ、引用例発明におけるＸ線が、ＥＵＶを含まないものであるとしても、ＥＵＶはＸ線の一種（上記参考文献１、（２ａ）参照。）であり、ＥＵＶリソグラフィにおいて、Ｘｅや錫などの金属をターゲットにしてレーザープラズマを当てることでＥＵＶを得ていることは、従来周知（上記参考文献１〜３、（２ａ）〜（４ａ）参照。）である。また、本願発明と引用例発明とは、ＥＵＶを含むＸ線を用いることができるリソグラフィ装置としては、差異がない。
　したがって、引用例発明のＸ線を用いる放射システムを、従来周知のＥＵＶを用いる放射システムとすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
３−５．まとめ
　上述したとおり、引用例発明と本願発明との間に、差異はない。
　または、引用例発明において、相違点１’に係る構成を有するものとすることは、当業者が容易になし得たことであり、引用例発明に相違点１’に係る構成を組み合わせたことにより、当業者が予期できない格別の効果が奏せられるものとすることもできない。したがって、本願発明は、引用例発明及び引用例記載の技術的事項並びに従来周知の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のことから、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当するものであるから同法第２９条第１項の規定により、または特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。したがって、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。