【手続補正書】
【提出日】平成23年9月9日(2011.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノ粒子の表面に結合した１つ以上の化学的に別個の未変性リガンドを含むナノ粒子であって、前記リガンドの少なくとも１つが式、
Ｘ−Ｓｐ−Ｚ
［式中、Ｘは、１級アミン基、２級アミン基、尿素、チオ尿素、イミジゾール基、アミド基、ホスホン酸またはアルソン酸基、ホスフィン酸またはアルシン酸基、ホスホネートまたはアルセネート基、ホスフィンまたはアルシンオキシド基を表し；Ｓｐは、電荷移動させることが可能な基または絶縁基などのスペーサ基を表し；並びにＺは、（ｉ）ナノ粒子に特定の化学特性を伝達可能であるのはもちろんのこと、ナノ粒子表面に特定の化学反応性を与える反応性基、ならびに／または（ｉｉ）環式、ハロゲン化、および／もしくは極性ａ−プロトン性である基を表し、Ｚはすべての場合で光への曝露時に反応するわけではない］によって表される、ナノ粒子。
【請求項２】
Ｚが水を含む液体媒体にナノ粒子を分散可能にしない、請求項１に記載のナノ粒子。
【請求項３】
反応性基が単官能性、２官能性、または多官能性試薬、および／または反応性化学基を含む、請求項１に記載のナノ粒子。
【請求項４】
環式基が飽和もしくは不飽和環式もしくは２環式化合物または芳香族化合物を含む、請求項１に記載のナノ粒子。
【請求項５】
環式基が少なくとも１つのヘテロ原子および／または少なくとも１つの置換基を含む、請求項１に記載のナノ粒子。
【請求項６】
ハロゲン化基は、フッ素化基、過フッ素化基、塩素化基、過塩素化基、臭化基、過臭化基、ヨウ化基、過ヨウ化基を含む、請求項１に記載のナノ粒子。
【請求項７】
極性ａ−プロトン性基がケトン、アルデヒド、アミド、尿素、ウレタン、またはイミンを含む、請求項１に記載のナノ粒子。
【請求項８】
ナノ粒子が半導体材料を含む、請求項１に記載のナノ粒子。
【請求項９】
ナノ粒子が半導体ナノ結晶を含む、請求項１に記載のナノ粒子。
【請求項１０】
ナノ粒子が第１の材料を含むコアと、コアの表面の少なくとも一部を覆って配置されたシェルであって、第２の材料を含むシェルとを含む、請求項１に記載のナノ粒子。
【請求項１１】
第１の材料が半導体材料を含む、請求項１０に記載のナノ粒子。
【請求項１２】
第２の材料が半導体材料を含む、請求項１０に記載のナノ粒子。
【請求項１３】
１つ以上のさらなるシェルが該シェルの表面の少なくとも一部を覆って配置される、請求項１０に記載のナノ粒子。
【請求項１４】
半導体ナノ結晶が第１の材料を含むコアと、コアの表面の少なくとも一部を覆って配置されたシェルであって、第２の材料を含むシェルとを含む、請求項９に記載のナノ粒子。
【請求項１５】
式Ｘ−Ｓｐ−Ｚによって表されるリガンドがベンジルホスホン酸、ベンジル基の環に少なくとも１つの置換基を含むベンジルホスホン酸、このような酸の１つの共役塩基、または上記の１つ以上を含む混合物を含む、請求項１または９に記載のナノ粒子。
【請求項１６】
式Ｘ−Ｓｐ−Ｚによって表されるリガンドが３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジルホスホン酸、該酸の共役塩基、または上記の１つ以上を含む混合物を含む、請求項１または９に記載のナノ粒子。
【請求項１７】
式Ｘ−Ｓｐ−Ｚによって表されるリガンドが末端ヒドロキシル基を含む有機アミンまたはフッ素化有機アミンを含む、請求項１または９に記載のナノ粒子。
【請求項１８】
ナノ粒子の表面に結合した２つ以上の化学的に別個の未変性リガンドを含むナノ粒子であって、前記リガンドの少なくとも１つが式、
Ｘ−Ｓｐ−Ｚ
によって表される、請求項１または９に記載のナノ粒子。
【請求項１９】
ナノ粒子が半導体材料を含む、請求項１８に記載のナノ粒子。
【請求項２０】
ナノ粒子が第１の材料を含むコアと、コアの表面の少なくとも一部を覆って配置されたシェルであって、第２の材料を含むシェルとを含む、請求項１８に記載のナノ粒子。
【請求項２１】
第１の材料が半導体材料を含む、請求項２０に記載のナノ粒子。
【請求項２２】
第２の材料が半導体材料を含む、請求項２０に記載のナノ粒子。
【請求項２３】
１つ以上のさらなるシェルが該シェルの表面の少なくとも一部を覆って配置される、請求項２０に記載のナノ粒子。
【請求項２４】
第１のリガンドが式、
Ｎ−Ｓｐ−Ｚ
［式中、Ｎが、１級アミン基、２級アミン基、イミジゾール基、アミド基を表す］によって表され；
第２のリガンドが式、
Ｙ−Ｓｐ−Ｚ
［式中、Ｙが、ホスホン酸またはアルソン酸基、ホスフィン酸またはアルシン酸基、ホスホネートまたはアルセネート基、ホスフィンまたはアルシンオキシド基を表す］によって表され；並びに
式中、第１のリガンドおよび第２のリガンドのＳｐおよびＺがそれぞれ同じであるまたは異なることが可能である、
この表面に結合した２つ以上の化学的に別個の未変性リガンドを含む、請求項１または９に記載のナノ粒子。
【請求項２５】
ナノ粒子が半導体材料を含む、請求項２４に記載のナノ粒子。
【請求項２６】
ナノ粒子が第１の材料を含むコアと、コアの表面の少なくとも一部を覆って配置されたシェルであって、第２の材料を含むシェルとを含む、請求項２４に記載のナノ粒子。
【請求項２７】
第１の材料が半導体材料を含む、請求項２６に記載のナノ粒子。
【請求項２８】
第２の材料が半導体材料を含む、請求項２６に記載のナノ粒子。
【請求項２９】
１つ以上のさらなるシェルが該シェルの表面の少なくとも一部を覆って配置される、請求項２６に記載のナノ粒子。
【請求項３０】
リガンド交換プロセスによって同じリガンドがナノ粒子に結合された場合よりも、ナノ粒子が高い量子収率を有する、請求項１に記載のナノ粒子。
【請求項３１】
官能化ナノ粒子であって、
１つ以上の化学的に別個のリガンドの存在下で、所定の組成を有するナノ粒子を形成するための前駆体を反応させるステップを含む方法に従って調製され、
リガンドの少なくとも１つが、式、
Ｘ−Ｓｐ−Ｚ
［式中、Ｘが、１級アミン基、２級アミン基、イミジゾール基、アミド基、ホスホン酸またはアルソン酸基、ホスフィン酸またはアルシン酸基、ホスホネートまたはアルセネート基、ホスフィンまたはアルシンオキシド基を表し；Ｓｐが、電荷移動させることが可能な基または絶縁基などのスペーサ基を表し；並びにＺが、（ｉ）ナノ粒子に特定の化学特性を伝達可能であるのはもちろんのこと、ナノ粒子表面に特定の化学反応性を与える反応性基、ならびに／または（ｉｉ）環式、ハロゲン化、および／もしくは極性ａ−プロトン性である基を表し、Ｚはすべての場合で光への曝露時に反応するわけではない］によって表される、官能化ナノ粒子。
【請求項３２】
オーバーコートを含むナノ粒子であって、
１つ以上の化学的に別個のリガンドの存在下で、所定の組成を有するナノ粒子を形成するための前駆体を反応させるステップを含む、ナノ粒子の表面の少なくとも一部を所定の組成を有するコーティング材料によってオーバーコーティングする方法に従って調製され、
リガンドの少なくとも１つが、式、
Ｘ−Ｓｐ−Ｚ
［式中、Ｘが、１級アミン基、２級アミン基、イミジゾール基、アミド基、ホスホン酸またはアルソン酸基、ホスフィン酸またはアルシン酸基、ホスホネートまたはアルセネート基、ホスフィンまたはアルシンオキシド基を表し；Ｓｐが、電荷移動させることが可能な基または絶縁基などのスペーサ基を表し；並びにＺが、（ｉ）ナノ粒子に特定の化学特性を伝達可能であるのはもちろんのこと、ナノ粒子表面に特定の化学反応性を与える反応性基、ならびに／または（ｉｉ）環式、ハロゲン化、および／もしくは極性ａ−プロトン性である基を表し、Ｚはすべての場合で光への曝露時に反応するわけではない］によって表される、オーバーコートを含むナノ粒子。