【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年3月30日(2011.3.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の層と、第２の層とを少なくとも含む多層構造体の電子デバイスを形成する方法であって、固体エンボス加工によって前記多層構造体に微細切断させるエンボス工程を備え、当該エンボス工程は、前記第１、第２の層に平行な少なくとも１つの方向の幅が１００マイクロメートル以下で先端が鋭い刃である微細切断突出部を有する微細切断ツールを用い、前記微細切断ツールの微細切断突出部を前記多層構造体へ付勢する付勢工程と、前記付勢工程により、前記微細切断突出部で前記第１の層を貫通し、微細切断させる工程と、を含み、
前記微細切断によって形成された前記第１の層が、電子デバイスの少なくとも１つの電極を形成することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記電子デバイスは、電子スイッチングデバイスであり、
前記第１の層の２つの分離された領域が、前記電子スイッチングデバイスの少なくとも１つの電極を形成することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記多層構造体は、さらに前記第１の層の反対側にあたる前記第２の層の他方の側に形成された複数の追加層を含み、
前記付勢工程により、前記第１の層及び第２の層を貫通し、且つ前記複数の追加層の少なくとも１つを貫通するか又は切り込むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
少なくとも１つの層を形成する材料が、前記付勢工程が行われている間、固相であることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記微細切断突出部が、１００ｎｍよりも小さい曲率半径を有する少なくとも１つの刃を有することを特徴とする、請求項１ないし４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記微細切断突出部が、１０ｎｍよりも小さい曲率半径を有する少なくとも１枚の刃を有することを特徴とする、請求項１ないし５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記微細切断突出部の深さが、１０マイクロメートルよりも小さいことを特徴とする、請求項１ないし６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記微細切断突出部の深さが、１マイクロメートルよりも小さいことを特徴とする、請求項１ないし７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記微細切断突出部の前記層に平行な少なくとも1つの方向の幅が、１０マイクロメートルよりも小さいことを特徴とする、請求項１ないし８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記微細切断突出部の前記層に平行な少なくとも1つの方向の幅が、２マイクロメートルよりも小さいことを特徴とする、請求項１ないし９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記微細切断突出部が、前記微細切断ツールと多層構造体との間の摩擦係数を低減するように表面が処理された材料から形成されていることを特徴とする、請求項１ないし１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記微細切断ツールが、前記微細切断突出部を支持する可撓性シートであることを特徴とする、請求項１ないし１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記微細切断ツールが、前記構造体上を回転することを特徴とする、請求項１ないし１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記微細切断ツールが、前記構造体上を、実質的に直線経路で回転することを特徴とする、請求項１ないし１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記微細切断ツールが、複数の微細切断突出部を有することを特徴とする、請求項１ないし１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
前記複数の微細切断突出部が、細長い隆起部の形状を取ることを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記複数の隆起部が、直線状であることを特徴とする、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記複数の隆起部が、平行であることを特徴とする、請求項１６又は１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記複数の微細切断突出部が、全て同一の深さであることを特徴とする、請求項１５ないし１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
前記複数の微細切断突出部が、異なる深さであることを特徴とする、請求項１５ないし１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２１】
前記第２の層が、非導電性又は半導電性であることを特徴とする、請求項１ないし２０のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】
前記第１の層及び第２の層が、前記電子デバイスの機能的に異なる部分を形成することを特徴とする、請求項１ないし２１のいずれかに記載の方法。
【請求項２３】
前記微細切断によって形成された前記第１の層の２つの分離された領域が、トランジスタデバイスのソース電極とドレイン電極とを形成することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
前記第１の層と、前記複数の追加層の少なくとも１つが、導電性又は半導電性であることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項２５】
前記微細切断ツールが、前記導電性又は半導電性の追加層に切り込むか、又は貫通することを特徴とする、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記第１の層と、前記導電性の追加層又は前記半導電性の追加層とが、前記デバイスの機能的に異なる要素を形成することを特徴とする、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
前記第１の層と、前記導電性の追加層又は前記半導電性の追加層とが、電子スイッチングデバイスの電極を形成することを特徴とする、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記第１の層と、前記導電性の追加層又は前記半導電性の追加層とが、トランジスタデバイスのソース及びドレイン電極をそれぞれ形成することを特徴とする、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記付勢工程が、前記構造体に少なくとも１つの凹部を形成し、前記方法が、微細切断された多層構造体の上面に少なくとも１つ又はそれ以上の被着材料を被着する工程を含むことを特徴とする、請求項１ないし２８のいずれかに記載の方法。
【請求項３０】
前記被着材料の少なくとも１つが、選択的に前記凹部内部へ、又は選択的に前記凹部に隣接して、微細切断又は選択的に前記凹部に隣接し部分的に前記凹部内部へ被着されることを特徴とする、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記多層構造体上に被着された前記被着材料の少なくとも１つが、前記多層構造体上に、又は選択的に前記凹状構造部上に、又は選択的に前記凹部に隣接する前記構造体の少なくとも一部の上に、相似被覆を形成することを特徴とする、請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
前記被着材料の少なくとも１つが、印刷によって被着されることを特徴とする、請求項２９ないし３１のいずれかに記載の方法。
【請求項３３】
前記被着材料の少なくとも１つが、半導体材料であることを特徴とする、請求項２９ないし３２のいずれかに記載の方法。
【請求項３４】
前記半導体材料がポリマーであることを特徴とする、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記半導体材料が、電子スイッチングデバイスの活性半導体層を形成することを特徴とする、請求項３３又は３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記凹部に被着された前記半導体材料の少なくとも１つが、発光材料であることを特徴とする、請求項３３ないし３５のいずれかに記載の方法。
【請求項３７】
前記凹部に被着された前記被着材料の少なくとも１つの屈折率が、前記凹部を備える前記多層構造体の屈折率よりも高いことを特徴とする、請求項２９ないし３６のいずれかに記載の方法。
【請求項３８】
前記凹部に被着された前記被着材料の１つが、導電性であることを特徴とする、請求項２９ないし３６のいずれかに記載の方法。
【請求項３９】
前記導電性材料が、電子スイッチングデバイスのゲート電極を形成することを特徴とする、請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
前記第１の層が、有機性であることを特徴とする、請求項１ないし３９のいずれかに記載の方法。
【請求項４１】
前記第１の層が、金属性であることを特徴とする、請求項１ないし請求項４０のいずれかに記載の方法。
【請求項４２】
前記第２の層が、有機性であることを特徴とする、請求項１ないし４１のいずれかに記載の方法。
【請求項４３】
前記凹状構造部の少なくとも一部における、前記被着材料の被着を誘導し且つ閉じ込める表面自由エネルギーを変更することなく、前記凹状構造部に隣接する領域の少なくとも一部における、微細切断された多層構造体の表面の前記表面自由エネルギーを変更する表面変更工程を含む、
ことを特徴とする、請求項３０に記載の方法。
【請求項４４】
前記微細切断された多層構造体の前記表面自由エネルギーを変更する前記表面変更工程が、前記凹状構造部の少なくとも一部で表面変更剤から遮った状態で、前記微細切断された多層構造体の表面を前記表面変更剤と接触させることによって、前記微細切断された多層構造体の前記表面自由エネルギーを変更することを特徴とする、請求項４３に記載の方法。
【請求項４５】
前記微細切断された多層構造体が、前記表面の前記表面自由エネルギーとは異なる前記表面自由エネルギーを有する少なくとも１つの埋め込み層を含み、前記微細切断工程が、前記凹状構造部において前記埋め込み層の少なくとも一部を露出させて、前記埋め込み層の当該露出部分における前記表面自由エネルギーを、前記表面の前記表面自由エネルギーと異なる状態にすることを特徴とする、請求項３０に記載の方法。
【請求項４６】
前記埋め込み層が、前記表面よりも高い前記表面自由エネルギーを有することによって、前記被着材料を凹状構造部に制限することを特徴とする、請求項４５に記載の方法。
【請求項４７】
前記表面変更工程は、前記微細切断された多層構造体の上面に対する鋭角でもって、材料を前記微細切断された多層構造体に案内することによって行われることを特徴とする、請求項４３に記載の方法。
【請求項４８】
前記微細切断ツールが、前記微細切断された多層構造体の層の少なくとも１つよりも硬いことを特徴とする、請求項１ないし４７のいずれかに記載の方法。
【請求項４９】
前記多層構造内で電極が形成されていることを特徴とする、請求項１ないし４８のいずれかに記載の方法。
【請求項５０】
前記デバイスが、スイッチングデバイスであることを特徴とする、請求項１ないし４９のいずれかに記載の方法。
【請求項５１】
前記デバイスが、トランジスタであることを特徴とする、請求項１ないし５０のいずれかに記載の方法。
【請求項５２】
前記微細切断ツールが、異方性エッチングによって形成された複数の微細切断構造体を有することを特徴とする、請求項１ないし５１のいずれかに記載の方法。
【請求項５３】
前記微細切断ツールが、シリコンから形成されていることを特徴とする請求項５２に記載の方法。
【請求項５４】
前記微細切断ツールと同一又は別の切断ツールの複数の微細切断突出部を、前記多層構造へ切り込むように付勢する第２の工程を含み、前記第２の付勢工程中に、前記微細切断ツールが、前記第１の付勢工程中の前記微細切断ツールの方向とは異なる方向に向けられることを特徴とする、請求項１ないし５３のいずれかに記載の方法。
【請求項５５】
前記第１の付勢工程が、前記構造体内に第１の細長い切れ目の組を形成し、前記第２の付勢工程が、前記第１の切れ目の組に対して角度を有する第２の細長い切れ目の組を形成することを特徴とする、請求項５４に記載の方法。
【請求項５６】
前記多層構造体の層の少なくとも１つに、電極パターンが形成されることを特徴とする、請求項１ないし５５のいずれかに記載の方法。
【請求項５７】
前記多層構造体の層の少なくとも１つに、直接印刷法によって電極パターンが形成されることを特徴とする、請求項１ないし５６のいずれかに記載の方法。
【請求項５８】
前記多層構造体上に被着された前記被着材料の少なくとも１つに、電極パターンが形成されることを特徴とする、請求項２９に記載の方法。
【請求項５９】
前記多層構造体上に被着された前記被着材料の少なくとも１つに、直接印刷法によって電極パターンが形成されることを特徴とする、請求項５８に記載の方法。
【請求項６０】
前記電子デバイスは電子スイッチングデバイスであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６１】
前記電子デバイスはトランジスタデバイスであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６２】
前記電子デバイスは発光デバイスであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６３】
前記電子デバイスはレーザ発光デバイスであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６４】
前記電子デバイスは、ソース電極とドレイン電極との間に半導体材料を含み、前記微細切断工程は、前記ソース電極及びドレイン電極の少なくとも何れか一方に隣接する半導体材料のエッジを規定する請求項６１ないし６３の何れかに記載の方法。