【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年3月31日(2011.3.31)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試験対象物の超音波非破壊検査のための装置であって、前記装置は、
超音波透過性材料の細長いストリップであって、前記細長いストリップは前記試験対象物と結合するための近位端及び遠位端を有するストリップ；及び、
前記細長いストリップに結合される超音波トランスデューサを含んでなり、
ここに前記細長いストリップは、１対１を超えるアスペクト比を与える幅及び厚さを伴う横方向の断面を有し、前記超音波トランスデューサの励起が前記細長いストリップに沿って進行する実質的に非分散の超音波信号を誘導して前記試験対象物に進入するように、前記超音波トランスデューサと整合する、装置。
【請求項２】
前記細長いストリップはせん断速度Ｃｓ及びせん断波長λＢを有する材料で形成され、ここにλＢ＝Ｃｓ／Ｆであり、ＦはλＢに対応する周波数であり、前記実質的に非分散の超音波パルスは異なる周波数成分を生成してλｓｈｏｒｔからλｌｏｎｇまでの範囲のせん断波長を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記厚さは２．５λｓｈｏｒｔ未満である、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記厚さはλｓｈｏｒｔ未満である、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記幅は３．５λｌｏｎｇを超える、請求項２から４のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
前記幅は５λｌｏｎｇを超える、請求項２から４のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
前記厚さはλｌｏｎｇ未満である、請求項２から４のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
前記実質的に非分散の超音波信号は、進行方向に垂直かつ前記幅に平行な偏向を有する最低次せん断モード振動である、請求項２から７のいずれかに記載の装置。
【請求項９】
前記細長いストリップは棒速度Ｃｂａｒ及び棒波長λｂａｒを有する材料で形成され、ここにλｂａｒ＝Ｃｂａｒ／Ｆであり、Ｆはλｂａｒに対応する周波数であり、前記実質的に非分散の超音波パルスは異なる周波数成分を生成してλｓｈｏｒｔからλｌｏｎｇまでの範囲の棒波長を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記厚さは２．５λｓｈｏｒｔ未満である、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記厚さはλｓｈｏｒｔ未満である、請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
前記幅は３．５λｌｏｎｇを超える、請求項９から１１のいずれかに記載の装置。
【請求項１３】
前記幅は５λｌｏｎｇを超える、請求項９から１１のいずれかに記載の装置。
【請求項１４】
前記実質的に非分散の超音波信号は、進行方向に垂直かつ前記幅に平行な偏向を有する最低次せん断モード振動である、請求項９から１３のいずれかに記載の装置。
【請求項１５】
前記超音波トランスデューサは実質的に単一モードの進行ガイド波のみを励起する、請求項１から１４のいずれかに記載の装置。
【請求項１６】
前記超音波トランスデューサは実質的に単一モードの進行ガイド波のみを励起して前記実質的に非分散超音波信号を誘導する、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記実質的に非分散の超音波信号は、前記近位端から前記試験対象物へ実質的に円筒状に広がる、請求項１から１６のいずれかに記載の装置。
【請求項１８】
前記超音波トランスデューサは前記遠位端に結合される、請求項１から１７のいずれかに記載の装置。
【請求項１９】
前記超音波トランスデューサは、
（ｉｖ）接着結合；
（ｖ）機械的固定及び超音波透過性カプラ；並びに、
（ｖｉ）機械的固定及び可変の力の１により前記遠位端に結合する、
請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記超音波トランスデューサは、前記細長いストリップの少なくとも１の縦側の側面に結合されたトランスデューサを含む、請求項１から１９のいずれかに記載の装置。
【請求項２１】
前記超音波トランスデューサは、電磁的な超音波変換のために動作しうるコイルを含む、請求項１から１９のいずれかに記載の装置。
【請求項２２】
前記細長いストリップは、前記細長いストリップの前記幅に実質的に平行で進行方向に実質的に垂直な軸の回りに屈曲する、請求項１から２１のいずれかに記載の装置。
【請求項２３】
前記細長いストリップは進行方向に実質的に平行な軸の回りに屈曲する、請求項１から２２のいずれかに記載の装置。
【請求項２４】
前記試験対象物に進行する前記実質的に非分散の超音波信号から生じる、試験対象物からの反射超音波の受信動作が可能な超音波受信器を含む、請求項１から２３のいずれかに記載の装置。
【請求項２５】
前記超音波受信器は、前記反射した超音波を受信する相対的な位置においてそれぞれが前記試験対象物に結合され、前記反射した超音波を検出するために超音波受信トランスデューサを有する１以上のさらなる細長いストリップを含む、請求項２４に記載の装置。
【請求項２６】
前記細長いストリップ及び前記超音波トランスデューサは前記超音波受信器も形成する、請求項２４に記載の装置。
【請求項２７】
前記反射した超音波は少なくとも１の反射した信号を含み、前記超音波受信器は前記反射した信号の時間変化を測定する、請求項２４から２６のいずれかに記載の装置。
【請求項２８】
前記近位端は前記試験対象物に対して、
（ｉ）溶接；
（ｉｉ）ろう付け；
（ｉｉｉ）はんだ付け；及び
（ｉｖ）接着
のいずれかにより固定される、請求項１から２７のいずれかに記載の装置。
【請求項２９】
前記近位端は前記試験対象物にクランプされる、請求項１から２７のいずれかに記載の装置。
【請求項３０】
前記近位端と前記試験対象物との間に超音波透過性カプラが配置される、請求項２９に記載の装置。
【請求項３１】
前記細長いストリップを前記試験対象物に対して調節可能な力によりクランプがクランプする、請求項２９から３０のいずれかに記載の装置。
【請求項３２】
前記クランプは、前記試験対象物に溶接されるスタッドにより前記試験対象物に結合される、請求項３１に記載の装置。
【請求項３３】
前記超音波信号が前記試験対象物に非法線角度で進入するように、前記進行方向は前記表面に対する法線とならないよう、前記近位端は前記試験対象物の表面に結合される、請求項１から３２のいずれかに記載の装置。
【請求項３４】
前記超音波非破壊検査は厚さ測定である、請求項１から３３のいずれかに記載の装置。
【請求項３５】
前記超音波非破壊検査はひび割れモニタである、請求項１から３３のいずれかに記載の装置。
【請求項３６】
前記試験対象物は、
（ｉ）２００℃を超える温度で、
（ｉｉ）電離放射のバックグラウンドレベルに曝される、
請求項１から３５のいずれかに記載の装置。
【請求項３７】
細長いストリップを試験対象物の近位端に結合するステップ；
前記細長いストリップ内に実質的に非分散の超音波信号を励起し、前記細長いストリップに沿って進行させ前記試験対象物に進入させるステップ；
を含んでなる、試験対象物の超音波非破壊検査方法。
【請求項３８】
前記細長いストリップはせん断速度Ｃｓ及びせん断波長λＢを有する材料で形成され、ここにλＢ＝Ｃｓ／Ｆであり、ＦはλＢに対応する周波数であり、前記実質的に非分散の超音波パルスは異なる周波数成分を生成してλｓｈｏｒｔからλｌｏｎｇまでの範囲のせん断波長を有する、請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
前記細長いストリップは、横方向に厚さ２．５λｓｈｏｒｔ未満の断面を有する、請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
前記細長いストリップは、横方向に厚さλｓｈｏｒｔ未満の断面を有する、請求項３８に記載の方法。
【請求項４１】
前記細長いストリップは、横方向に幅３．５λｌｏｎｇを超える断面を有する、請求項３８、３９及び４０のいずれかに記載の方法。
【請求項４２】
前記細長いストリップは、横方向に幅５λｌｏｎｇを超える断面を有する、請求項３８、３９及び４０のいずれかに記載の方法。
【請求項４３】
前記細長いストリップは、横方向に厚さλｌｏｎｇ未満の断面を有する、請求項３８、３９及び４０のいずれかに記載の方法。
【請求項４４】
前記実質的に非分散の超音波信号は、進行方向に垂直かつ前記細長いストリップの幅に平行な偏向を有する最低次せん断モード振動を含む、請求項３７から４２のいずれかに記載の方法。
【請求項４５】
前記細長いストリップは棒速度Ｃｂａｒ及び棒波長λｂａｒを有する材料で形成され、ここにλｂａｒ＝Ｃｂａｒ／Ｆであり、Ｆはλｂａｒに対応する周波数であり、前記実質的に非分散の超音波パルスは異なる周波数成分を生成してλｓｈｏｒｔからλｌｏｎｇまでの範囲の棒波長を有する、請求項３７に記載の方法。
【請求項４６】
前記厚さは２．５λｓｈｏｒｔ未満である、請求項４５に記載の方法。
【請求項４７】
前記厚さはλｓｈｏｒｔ未満である、請求項４５に記載の方法。
【請求項４８】
前記幅は３．５λｌｏｎｇを超える、請求項４５、４６及び４７のいずれかに記載の方法。
【請求項４９】
前記幅は５λｌｏｎｇを超える、請求項４５、４６及び４７のいずれかに記載の方法。
【請求項５０】
前記厚さはλｌｏｎｇ未満である、請求項４５、４６及び４７のいずれかに記載の方法。
【請求項５１】
前記実質的に非分散の超音波信号は、進行方向に平行な偏向を有する最低次せん断モード振動である、請求項４５から５０のいずれかに記載の方法。
【請求項５２】
前記細長い導波路内で実質的に単一モードの進行ガイド波のみが励起される、請求項３７から５１のいずれかに記載の方法。
【請求項５３】
前記超音波非破壊検査は厚さ測定である、請求項３７から５２のいずれかに記載の方法。
【請求項５４】
前記超音波非破壊検査はひび割れモニタである、請求項３７から５３のいずれかに記載の方法。
【請求項５５】
前記試験対象物は、
（ｉ）２００℃を超える温度で、
（ｉｉ）電離放射のバックグラウンドレベルに曝される、
請求項３７から５３のいずれかに記載の方法。