【手続補正書】
【提出日】平成22年12月2日(2010.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図３Ａは、本開示の一実施形態に係るシールドリング３４４を示す側面図である。シールドリング３４４は、従来のシールドリング１４４であってもよいし、または、図２Ａおよび図２Ｂに図示するようなエッチング速度が遅い材料から成るシールドリング２４４であってもよい。図３Ｂは、シールドリング３４４を示す上面図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
本実施形態によると、１以上のシールドリング開口３４６の面積は、シールドリング３４４の下方に設けられている１以上のファラデーカップ１４０の開口面積よりも大きいとしてよい。上述したように、１以上のシールドリング開口３４６の面積が大きくなる一因は、例えば、プラズマドーピング（ＰＬＡＤ）動作においてＮＦ３プラズマを照射することによって、劣化（またはエッチング）してしまうことが考えられる。シールドリング開口３４６の面積が、１以上のファラデーカップ１４０の開口面積よりも大きい場合、ドーズ量カウント電子機器（ＤＣＥ）１４２が算出するイオンドーズ量が不正確な値になってしまい得る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
別の実施形態によると、小開口を有さないレンズカバー４００を提供するとしてよい。本例では、レンズカバーは、開口４４６をエッチングされないように保護するとしてよい。このようなレンズカバーは、良好に画定された開口を維持するために直接利用されるのではないとしてよい。そうではなく、当該レンズカバーは、複数のシールドリング開口を有するシールドリングの、使用されていないシールドリング開口を保護するとしてよい。このような構成は、カバーされているシールドリング開口における面積の変化と、カバーされていないシールドリング開口における面積の変化との比を間接的に算出することに関して有用であるとしてよい。この処理について、さらに詳細に後述する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
また、図６Ｂおよび図６Ｄに示すように、シールドリング６４４は、異なる形状を持つ、例えば、円状（６４６ｂ）または円弧状（６４６ｄ）のシールドリング開口６４６を１以上備えるとしてよい。例えば、三角形、楕円形、スリット状等のその他の形状もまた、提供されるとしてよい。同様に、１以上のファラデーカップ６４０もまた、１以上のシールドリング開口６４６に対応して、異なる形状を持つとしてよい。例えば、１以上のファラデーカップ６４０ｂは、１以上の円状開口６４６ｂに対応して、円状であってもよく、または、１以上のファラデーカップ６４０ｄは、１以上の円弧状の開口６４６ｄに対応して、円弧状であってもよい。別の実施形態によると、シールドリングが有する１以上のシールドリング開口は、複数の異なる形状を持つとしてもよい。その他の変形例もまた提供され得る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲットウェハの周縁を取り囲むように同一平面に配置され、少なくとも１つの開口の面積を画定する開口画定デバイスを有するシールドリングと、
前記少なくとも１つの開口の下方に配置されるファラデーカップと、
前記ファラデーカップに接続されて、イオンドーズ量を算出するドーズ量カウント電子機器と
を備えるプラズマイオン注入用の装置。
【請求項２】
前記装置は、グロー放電（ＧＤ）ＰＬＡＤにおけるイオン注入用である
請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記装置は、高周波（ＲＦ）ＰＬＡＤにおけるイオン注入用である
請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記開口画定デバイスは、シリコン、炭化ケイ素、炭素、およびグラファイトのうち少なくとも１つを含む
請求項１から３の何れか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記開口画定デバイスは、前記シールドリングの前記開口の下方であって前記ファラデーカップの上方に配置されている挿入部材を含み、
前記挿入部材は、エッチング速度が遅い材料から形成されている
請求項１から４の何れか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記開口画定デバイスは、前記シールドリングの前記開口に載置されて係合させられるレンズカバーを含み、
前記レンズカバーは、エッチング速度が遅い材料から形成されている
請求項１から５の何れか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記開口画定デバイスは、前記シールドリングの前記開口の下方であって前記ファラデーカップの上方に配置されているバネデバイスを含み、
前記バネデバイスは、エッチング速度が遅い材料から形成されている
請求項１から６の何れか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記少なくとも１つの開口の面積の形状は、円状、円弧状、スリット状、リング状、矩形、三角形、および楕円形状のうち少なくとも１つを含む
請求項１から７の何れか１項に記載の装置。
【請求項９】
ターゲットウェハの周縁を取り囲むように同一平面に配置され、バルク材料を含み、面積を画定する開口を少なくとも１つ有するシールドリングと、
前記少なくとも１つの開口の下方に配置されるファラデーカップと、
前記ファラデーカップに接続されて、イオンドーズ量を算出するドーズ量カウント電子機器と
を備えるプラズマイオン注入用の装置。
【請求項１０】
前記バルク材料は、シリコン、炭化ケイ素、炭素、およびグラファイトのうち少なくとも１つを含む
請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
ターゲットウェハの周縁を取り囲むように同一平面に配置され、面積を画定する開口を少なくとも１つ有するシールドリングと、
前記少なくとも１つの開口の下方に配置されるファラデーカップと、
前記ファラデーカップに接続されて、算出モジュールを有するドーズ量カウント電子機器と
を備え、
前記算出モジュールは、開口の面積の変化に対する補償に基づいて、イオンドーズ量を算出する
プラズマイオン注入用の装置。
【請求項１２】
前記算出モジュールは、前記シールドリングのエッチング速度情報に基づいて、開口の面積の変化を補償する
請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記算出モジュールは、開口の面積の変化をインサイチュに光学的に測定することに基づいて、開口の面積の変化を補償する
請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
前記算出モジュールは、別のイオン源に基づいて、開口の面積の変化を補償する
請求項１１に記載の装置。
【請求項１５】
前記算出モジュールは、略安定している主要プラズマ源に基づいて、開口の面積の変化を補償する
請求項１１に記載の装置。
【請求項１６】
前記算出モジュールは、デュアルチャネルキャリブレーションに基づいて、開口の面積の変化を補償する
請求項１１に記載の装置。
【請求項１７】
前記デュアルチャネルキャリブレーションは、第１のチャネルと第２のチャネルとを含む
請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記第１のチャネルは、リアルタイムにドーズ量測定を行うために少なくとも１つの開口に接続され、前記第２のチャネルは、カバーされている少なくとも１つの開口に接続されており、カバーされていない場合に、前記第２のチャネルが受け取り、前記第１のチャネルと比較される測定値は、イオンドーズ量の算出に用いられる
請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記第１のチャネルは、第１の形状を有する少なくとも１つの開口に接続され、前記第２のチャネルは、第２の形状を有する少なくとも１つの開口に接続されており、前記第１のチャネルに接続されている前記少なくとも１つの開口に対する周囲の長さと面積との第１の比率および前記第２のチャネルに接続されている前記少なくとも１つの開口に対する周囲の長さと面積との第２の比率を含む測定情報は、互いに比較されて、イオンドーズ量の算出に用いられる
請求項１７に記載の装置。
【請求項２０】
プラズマイオン注入において、少なくとも１つの開口の面積を維持する方法であって、
ターゲットウェハの周縁を取り囲むように同一平面に、イオンドーズ量の算出に用いられるファラデーカップ上で少なくとも１つの開口の面積を画定する開口画定デバイスを有するシールドリングを配置することを含む方法。
【請求項２１】
プラズマイオン注入において、少なくとも１つの開口の面積を維持する方法であって、
ターゲットウェハの周縁を取り囲むように同一平面に、エッチング速度が遅いバルク材料から形成されており、イオンドーズ量の算出に用いられるファラデーカップ上で面積を画定する少なくとも１つの開口を有するシールドリングを配置する段階を含む方法。
【請求項２２】
プラズマイオン注入の方法であって、
開口面積変化情報に基づいて得られる開口の面積の変化に対する補償に少なくとも部分的に基づいてイオンドーズ量を算出する段階を含む方法。
【請求項２３】
前記開口面積変化情報は、エッチング速度情報、開口の面積の変化に関するインサイチュ光学測定情報、別のイオン源に基づく情報、略安定しているプラズマ源に基づく情報、および、デュアルチャネルキャリブレーションに基づく情報のうち少なくとも１つを含む
請求項２２に記載の方法。