【事件の表示】
　特願２００８−　８８５９６「光電変換装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年１０月２２日出願公開、特開２００９−２４６０３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成２０年３月２８日の特許出願であって、拒絶理由の通知に応答して平成２１年４月８日に手続補正がされたが、同年１１月４日付けで拒絶査定がされ、これに対して平成２２年１月２７日に拒絶査定不服審判が請求がされたものである。
 　 
第２　本願発明の認定 
　本願の請求項に係る発明は、平成２１年４月８日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。） は、次のとおりのものと認める。 
「基板上に第１透明電極層と、発電層と、第２透明電極層と、裏面電極層とを備える光電変換装置であって、
　前記第２透明電極層が、ＧａドープＺｎＯ膜とされ、
　前記第２透明電極層の膜厚が８０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、
　波長６００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の領域における前記第２透明電極層の光吸収率が０．２％以下であることを特徴とする光電変換装置。」
　 　 
第３　引用発明の認定
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開２０００−１５０９３４号公報（以下「引用例」という。）には、図とともに以下の１及び２の記載がある。
１　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光起電力素子及びその製造方法に関し、特に、光電変換層と反射金属層との間に設ける拡散防止層に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１４は、従来の光起電力素子の構成図である。図１４において、４１はガラス製の透光性基板であり、透光性基板４１上には、例えば酸化錫（ＳｎＯ2 ）からなる透明導電膜４２、ｐ型非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）層４３ａ，ｉ型ａ−Ｓｉ層４３ｂ及びｎ型ａ−Ｓｉ層４３ｃの積層体からなる光電変換層４３、酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる拡散防止層４４、並びに、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）からなる反射金属層４５が、この順に積層形成されている。
【０００３】拡散防止層４４は、光電変換層４３と反射金属層４５との間に生じる構成元素の相互拡散を防止するための層であり、この拡散防止層４４の存在によって反射金属層４５の合金化が抑制されて高反射性が損なわれず、高い光電変換効率を維持できる（特公昭６０−４１８７８号公報）。」
　
２　「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】拡散防止層としてＺｎＯを用いる場合、光電変換層との間で良好な接合を取り難いという問題があった。そこで、導電性を高めるためにＡｌまたはガリウム（Ｇａ）の不純物を含んだＺｎＯを拡散防止層に用いることが知られている。しかしながら、ＺｎＯに不純物を含有させると、拡散防止層の光透過率が減少し、光電変換効率が劣化するという問題が発生する。このように、光電変換層との間での良好な接合と、高い光透過率とはトレードオフの関係にあり、両者を同時に実現することは困難であった。なお、この不純物を含有させたＺｎＯからなる拡散防止層の組成は均一であった。」
　
　上記１に記載された「光起電力素子」は、その「拡散防止層」として、上記２に記載された「Ａｌまたはガリウム（Ｇａ）の不純物を含んだＺｎＯ」を用いたものとして把握できるから、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。） が記載されていると認めることができる。
「透光性基板上に透明導電膜と、光電変換層と、拡散防止層と、反射金属層とを備え、
　前記拡散防止層が、不純物としてＧａを含むＺｎＯ層とされた、
　光起電力素子。」
　
第４　対比
　引用発明と本願発明とを対比する。
　引用発明の「透光性基板」、「透明導電膜」、「光電変換層」、「不純物としてＧａを含むＺｎＯ層」及び「光起電力素子」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「第１透明電極層」、「発電層」、「ＧａドープＺｎＯ膜」及び「光電変換装置」に相当する。
　
　引用例の【０００３】に「この拡散防止層４４の存在によって反射金属層４５の合金化が抑制されて高反射性が損なわれず、高い光電変換効率を維持できる」とあることから、引用発明において、拡散防止層を透過した光が反射金属層で反射されて再度光電変換層に入射し発電に寄与することにより光電変換効率を向上させていることは自明である。そして、拡散防止層が不透明であったのでは、拡散防止層を透過した光が反射金属層で反射されて再度光電変換層に入射できないから、拡散防止層は透明である。
　また、引用例の【０００４】には「光電変換層との間での良好な接合」とあり、引用発明が、光電変換層で発生した電流を拡散防止層を通じて反射金属層から取り出すことを前提としていることは自明であるから、拡散防止層は電極といえる。
　よって、引用発明の「拡散防止層」は、透明でかつ電極であるから、本願発明の「第２透明電極層」に相当する。
　そして、引用発明の「反射金属層」は、「拡散防止層」の裏面にあり、電流を取り出すものであるから、本願発明の「裏面電極層」に相当する。
　　
　してみると、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致し、以下の点で相違する。
＜一致点＞ 
「基板上に第１透明電極層と、発電層と、第２透明電極層と、裏面電極層とを備える光電変換装置であって、
　前記第２透明電極層が、ＧａドープＺｎＯ膜とされた、
　光電変換装置。」
　　
＜相違点＞ 
　本願発明は「第２透明電極層の膜厚が８０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、波長６００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の領域における前記第２透明電極層の光吸収率が０．２％以下である」と特定されているのに対し、引用発明は該特定を有しない点。
　　
第５　判断
＜相違点＞について
１　第２透明電極層の膜厚を８０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする点について
　引用例には以下の記載がある。
「【００４４】なお、拡散防止層４はあまり薄いと、拡散防止という機能を果たせず、一方、それが厚すぎると、そこで光吸収が発生して光電変換効率が低下する。不純物としてガリウム（５重量％）を含有させ、その厚さを変化させた単層構成の拡散防止層４を有する複数の光起電力素子を製造して、それらの変換効率を測定した。その測定結果を図４に示す。なお、図４中の変換効率の数値は、拡散防止層４の厚さを５００Åとした場合の光起電力素子の光電変換効率に対して規格化した値である。図４の結果から、厚さが５００〜１５００Åである場合において光電変換効率が優れており、拡散防止層４の厚さは５００Å以上１５００Å以下であることが好ましい。」
　
　上記記載より、引用発明の「拡散防止層」（第２透明電極層）の厚さに依存する拡散防止機能と光電変換効率を低下させる光吸収とはトレードオフの関係にあるから、該厚さは両者を勘案して定めるべき設計事項であるといえる。
　そして、上記記載において、「厚さが５００〜１５００Åである場合において光電変換効率が優れており、拡散防止層４の厚さは５００Å以上１５００Å以下であることが好ましい。」とされていること、及び「５００Å以上１５００Å以下」は「５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下」であり、「８０ｎｍ以上１００ｎｍ以下」に含まれることに照らせば、引用発明の「拡散防止層」（第２透明電極層）の厚さを、８０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることは、当業者が適宜採用し得たことである。
　　　　
２　波長６００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の領域における第２透明電極層の光吸収率を所定値以下とする点について
　「光起電力素子」（光電変換装置）は太陽電池として使われることが多く、太陽光の波長領域は「波長６００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の領域」を含んでいる（可視光は波長４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下程度であり、可視光に続く赤外線は波長８００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下程度である。）。
　また、引用例の【０００２】の「ｐ型非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）層４３ａ，ｉ型ａ−Ｓｉ層４３ｂ及びｎ型ａ−Ｓｉ層４３ｃの積層体からなる光電変換層４３」との記載より、引用発明の「光電変換層」（発電層）はアモルファスシリコンである場合を含み、アモルファスシリコンを用いる「光起電力素子」（光電変換装置）では、波長６００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の光は、入射光として通常対象とする光である。
　　
　引用例の【０００４】に「ＺｎＯに不純物を含有させると、拡散防止層の光透過率が減少し、光電変換効率が劣化するという問題が発生する。このように、光電変換層との間での良好な接合と、高い光透過率とはトレードオフの関係にあり、両者を同時に実現することは困難であった。」とあるとおり、拡散防止層に含ませる不純物濃度の大小に関して、光電変換層との間での良好な接合と、高い光透過率とはトレードオフの関係にあり、不純物濃度を小さくすれば、拡散防止層と光電変換層との間での接合の良好さは減少するものの、光透過率を高めて光電変換効率を向上させることができる。
　そして、拡散防止層の光透過率を高めることは、拡散防止層の光吸収率を小さくすることに他ならない。
　また、光電変換効率が高いことは、「光起電力素子」（光電変換装置）に一般的に望まれることである。
　　
　以上のことから、引用発明において、入射光として通常対象とする「波長６００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下」の範囲における拡散防止層（第２透明電極層）の光吸収率を所定値以下とすることは、技術常識に基づいて、当業者が適宜採用し得たことである。
　
３　第２透明電極層の膜厚を８０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とし、かつ波長６００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の領域における第２透明電極層の光吸収率を０．２％以下とする点について
　以上の検討によれば、引用発明において、拡散防止層（第２透明電極層）の膜厚を当業者が適宜採用し得た（上記１参照。）数値範囲である「８０ｎｍ以上１００ｎｍ以下」とし、かつ技術常識に基づいて当業者が適宜採用し得たことであるところの（上記２参照。）「入射光として対象とする光を『波長６００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下』とし、その際に、拡散防止層（第２透明電極層）の光吸収率を所定値以下とする」際に、該所定値を「０．２％以下」と定めることは、光吸収率が光電変換効率に影響すること等を考慮しつつ、当業者が適宜なし得たことである。
　　
４　相違点に係る本願発明の構成を備えることによる効果について
　以下、相違点に係る本願発明の構成を備えることによる効果を検討する。
　本願明細書には以下の記載がある。
「【００６２】
（第２透明電極層膜厚と太陽電池性能との関係）
ガラス基板上に第１透明電極層、発電層として、非晶質シリコンｐ層、非晶質シリコンｉ層及び結晶質シリコンｎ層、第２透明電極層、及び裏面電極層を順次形成し、アモルファスシリコン太陽電池セルを作製した。第１透明電極層の膜厚を７００ｎｍ、非晶質シリコンｐ層の膜厚を１０ｎｍ、非晶質シリコンｉ層の膜厚を２００ｎｍ、結晶質シリコンｎ層の膜厚を３０ｎｍとした。第２透明電極層として、ＤＣスパッタリング装置を用い、ターゲット：ＧａドープＺｎＯ焼結体、放電ガス：アルゴン及び酸素、酸素分圧：０．５％、基板温度：６０℃にてＧＺＯ膜を製膜した。
上記製膜条件において、波長６００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の領域における第２透明電極層の光吸収率は０．２％以下であった。
：１６０℃、処理時間：２時間のアニール処理を行った。
【００６３】
図１６に、第２透明電極層（ＧＺＯ膜）の膜厚とアモルファスシリコン太陽電池セルの短絡電流との関係を表すグラフを示す。同図において、横軸は膜厚、縦軸は第２透明電極層膜厚４０ｎｍでの短絡電流を基準とした場合の短絡電流の相対値である。なお、短絡電流の値は、５ｃｍ角基板面内のセル１５点、基板枚数５枚を測定した平均値である。
　第２透明電極層の膜厚が４０ｎｍ及び６０ｎｍのアモルファスシリコン太陽電池セルでは、短絡電流はほぼ同程度であったが、
膜厚が８０ｎｍ及び１００ｎｍで短絡電流が増大した。
　
　該記載によれば、「基板上に第１透明電極層と、発電層と、第２透明電極層と、裏面電極層とを備える光電変換装置であって、前記第２透明電極層が、ＧａドープＺｎＯ膜とされ、波長６００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の領域における前記第２透明電極層の光吸収率が０．２％以下である光電変換装置。」は、「第２透明電極層の膜厚が８０ｎｍ以上１００ｎｍ以下」で短絡電流が増大したとされていることが認められる。
　しかしながら、該記載が参照する本願の図１６は、光吸収率が０．２％以下（光吸収率の値は不明である。）の第２透明電極層を用いて、該層の膜厚が４０ｎｍ、６０ｎｍ、８０ｎｍ、１００ｎｍのものについての短絡電流の相対値を示すものであって、同図から、相違点に係る本願発明の構成について、設計上適宜の範囲を定めた以上の、格別の臨界的意義を有するものとは認められず、本願発明が格別顕著な効果を奏するものとはいえない。
　
５　まとめ
　したがって、本願発明は、引用発明及び引用例の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである
　
第６　むすび
　本願発明は、引用発明及び引用例の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。