【事件の表示】
　特許第６２５１２７１号発明「ポリピロリドン研磨組成物および研磨方法」の特許異議申立事件について，次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６２５１２７１号の請求項に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６２５１２７１号（以下，「本件特許」という。）の請求項１ないし１６に係る特許についての出願は，平成２５年９月４日（パリ条約による優先権主張２０１２年９月７日（以下，「本件優先日」という。）米国（ＵＳ））を国際出願日とするものであって，平成２９年１２月１日に特許権の設定登録がされ，その後，その特許について，平成３０年６月２０日に特許異議申立人佐野鐐三により特許異議の申立てがされたものである。
第２　本件特許発明
　本件特許の請求項１ないし６，９ないし１１，１３ないし１６に係る発明（以下，それぞれ「本件特許発明１」ないし「本件特許発明６」，「本件特許発明９」ないし「本件特許発明１１」，「本件特許発明１３」ないし「本件特許発明１６」という。）は，それぞれ，その特許請求の範囲の請求項１ないし６，９ないし１１，１３ないし１６に記載された事項により特定される発明であり，以下のとおりである。
　「【請求項１】
　（ａ）０．０１重量％〜０．１重量％のピロリドンポリマー，
　（ｂ）０．０５重量％〜２重量％のアミノホスホン酸，
　（ｃ）０．０１重量％〜５重量％のテトラアルキルアンモニウム塩，および
　（ｄ）水
を含み，７〜１１．７のｐＨを有する，研磨組成物。
【請求項２】
　０．０５重量％〜２重量％の速度促進剤をさらに含む，請求項１に記載の研磨組成物。
【請求項３】
　０．０１重量％〜４０重量％のシリカ粒子をさらに含む，請求項１に記載の研磨組成物。
【請求項４】
　前記組成物が研削材を含有しない，請求項１に記載の研磨組成物。
【請求項５】
　前記組成物がケイ素の酸化剤を含有しない，請求項１に記載の研磨組成物。
【請求項６】
　（ａ）０．０１重量％〜０．１重量％のピロリドンポリマー，
　（ｂ）０．０５重量％〜２重量％のアミノホスホン酸，
　（ｃ）０．０１重量％〜５重量％のテトラアルキルアンモニウム塩，
　（ｄ）０．０５重量％〜２重量％の速度促進剤，
　（ｅ）ｐＨ調整剤，
　（ｆ）重炭酸塩，および
　（ｇ）水
を含む研磨組成物であって，７〜１１．７のｐＨを有する，研磨組成物。」
　「【請求項９】
　前記速度促進剤が，窒素含有ヘテロ環式化合物を含む，請求項６に記載の研磨組成物。
【請求項１０】
　前記窒素含有ヘテロ環式化合物がトリアゾールを含む，請求項９に記載の研磨組成物。
【請求項１１】
　前記ピロリドンポリマーが，ポリビニルピロリドンを含む，請求項６に記載の研磨組成物。」
　「【請求項１３】
　前記アミノホスホン酸が，アミノトリメチレンホスホン酸を含む，請求項６に記載の研磨組成物。
【請求項１４】
　前記テトラアルキルアンモニウム塩が，水酸化テトラメチルアンモニウムを含む，請求項６に記載の研磨組成物。
【請求項１５】
　基板の研磨方法であって，
　（ｉ）基板を，研磨パッドおよび請求項６に記載の研磨組成物と接触させる工程，
　（ｉｉ）前記基板に対して前記研磨パッドを，それらの間に前記研磨組成物が存在する状態で動かす工程，および
　（ｉｉｉ）前記基板を研磨するために前記基板の少なくとも一部分を研削する工程
を含む，方法。
【請求項１６】
　前記基板がシリコンウェーハである，請求項１５に記載の方法。」
第３　申立理由の概要
　１　特許異議申立人の主張
　特許異議申立人は，下記２の証拠方法を提出し，次の主張をしている。
（１）本件特許発明１ないし６，９ないし１１，１３ないし１６は，甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明及び甲３号証ないし甲第１１号証に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，請求項１ないし６，９ないし１１，１３ないし１６に係る特許は，特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
（２）本件特許発明１ないし６，９ないし１１，１３ないし１６は，発明の詳細な説明に記載したものではないから，請求項１ないし６，９ないし１１，１３ないし１６に係る特許は，特許法第３６条第６項第１号の規定に違反してされたものである。
　２　証拠方法
甲第１号証：国際公開第２０１１／０９３２２３号
甲第２号証：特開２００８−０５３４１５号公報
甲第３号証：特開２００６−０８０３０２号公報
甲第４号証：特表２０１１−５２３２０７号公報
甲第５号証：特表２００８−５３２３２９号公報
甲第６号証：特開２００５−３４７７３７号公報
甲第７号証：特開平１０−３０９６６０号公報
甲第８号証：特開２００１−００７０６３号公報
甲第９号証：特開２０１１−０９７０５０号公報
甲第１０号証：特開２０１１−１８１７６５号公報
甲第１１号証：国際公開第２００９／０４１６９７号
第４　甲号証の記載
　１　甲第１号証の記載
（１）甲第１号証
　甲第１号証は，本件優先日前に頒布された又は電気通信回路を通じて公衆に利用可能となった刊行物であって，次のとおりの記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。）
　「【技術分野】
【０００１】
　
本発明は，使用済みのテストウェーハ，表面に傷のあるウェーハなどの半導体ウェーハを再使用するために行われるウェーハの再生方法，及びその方法で使用される研磨用組成物に関する
【背景技術】
【０００２】
　半導体デバイスは，成膜，露光，エッチング，研磨，洗浄などの多数の工程をシリコンウェーハなどの基板となるウェーハに施すことで製造される。半導体デバイスの製造では，これらの各工程の状態をモニタしたり各工程の条件を検討したりするのに，多数のテストウェーハが使用されている。使用済みのテストウェーハは通常，再使用するために再生処理に供される。
【０００３】
　また半導体デバイス製造工程において，表面に傷がある等の理由で不良品となったウェーハも再生処理に供される場合がある。
　使用済みの半導体ウェーハを再生するにあたっては従来，使用済みの半導体ウェーハをエッチングしてその上に存在する膜を除去した後，半導体ウェーハの表面をラッピング及び／又は研削してから化学機械研磨して，あるいは直接，化学機械研磨して平坦化することが行われる（例えば，特許文献１参照）。半導体ウェーハは所定の厚さ以下になるまで繰り返し再生して使用することができる。したがって，
一枚の半導体ウェーハを繰り返し再生して使用できる回数を増やすためには，再生時のウェーハの取り代をできるだけ少なくすることが重要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１３８１９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
　そこで本発明の目的は，
より少ない研磨取り代で半導体ウェーハの表面を平坦化して該ウェーハを再生することができる半導体ウェーハの再生方法，及びその方法で使用される研磨用組成物を提供すること
　「【発明を実施するための形態】
【００１１】
　以下，本発明の一実施形態を説明する。
　使用済みのテストウェーハを再使用するために行われる本実施形態の半導体ウェーハの再生方法では，使用済みのテストウェーハから半導体ウェーハ上の金属膜や絶縁膜などの膜を除去した後，研磨用組成物を用いて半導体ウェーハの表面を化学機械研磨することが行われる。半導体ウェーハ上の膜の除去は，例えば，ドライエッチング又はウエットエッチングにより半導体ウェーハの表面が露出するまで行われる。膜を除去した後の半導体ウェーハの表面は平坦ではなく，例えば１００〜２０００ｎｍの大きさの段差を有している。この段差は，例えば１０００μｍ以下の幅の凹所が半導体ウェーハの表面に存在することによるものである。段差の原因は，テストウェーハに意図的なエッチングによりパターンが形成されていることによる場合もあれば，意図しない傷の場合もある。上記の化学機械研磨は，膜を除去した後の半導体ウェーハの表面を平坦化する目的，より具体的には同表面の段差の大きさを２０ｎｍ以下にまで小さくする目的で行われる。
【００１２】
　半導体ウェーハの再生は，ウェーハ表面上に前記のような原因で形成された段差の大きさを，半導体ウェーハを再使用することができるレベルにまで低減することで完了する。半導体ウェーハを再使用することができるレベルの段差の大きさは，再使用の用途にもよるが，例えば３０ｎｍ以下であり，好ましくは２０ｎｍ，さらに好ましくは１０ｎｍ以下である。再生に必要な取り代は初期の段差の大きさに依存するために特に限定されないが，例えば１００００ｎｍ以下であり，好ましくは５０００ｎｍ以下，さらに好ましくは３０００ｎｍ以下である。
【００１３】
　ここで使用される研磨用組成物には，半導体ウェーハの表面に吸着して同表面の段差の底部が研磨中にエッチングされるのを抑制する働きをする段差解消剤が少なくとも含まれている。
段差解消剤の具体例
ポリビニルピロリドン類
【００１４】
　これらの水溶性高分子及び界面活性剤のうちのいくつかは，従来，シリコンウェーハの仕上げ用研磨用組成物に用いられることは知られているが，
シリコンウェーハのナノメートルオーダーのごく微細な表面粗さの低減や，濡れ性の向上を目的として使用されており，
　「【００２０】
　研磨用組成物は，半導体ウェーハを化学的に研磨する働きをする塩基性化合物をさらに含有することが好ましい。塩基性化合物の具体例としては，
水酸化カリウム
炭酸水素カリウム，炭酸カリウム，
水酸化テトラメチルアンモニウム
【００２１】
研磨用組成物中の塩基性化合物の含有量は，０．１ｇ／Ｌ以上であることが好ましく，より好ましくは０．２ｇ／Ｌ以上である。塩基性化合物の含有量が多くなるにつれて，研磨用組成物による半導体ウェーハの研磨速度は向上する。
【００２２】
　研磨用組成物中の塩基性化合物の含有量はまた，１０ｇ／Ｌ以下であることが好ましく，より好ましくは８ｇ／Ｌ以下である。塩基性化合物の含有量が少なくなるにつれて，塩基性化合物による半導体ウェーハ表面のエッチングを容易にコントロールすることができる。
【００２３】
　研磨用組成物は，半導体ウェーハを機械的に研磨する働きをする砥粒をさらに含有することが好ましい。砥粒の具体例としては，特に限定されないが，
フュームドシリカやコロイダルシリカのようなシリカ
【００２４】
　研磨用組成物中の砥粒の含有量は，０．１質量％以上であることが好ましく，より好ましくは０．３質量％以上である。砥粒の含有量が多くなるにつれて，研磨用組成物による半導体ウェーハの研磨速度は向上する。」
　「【００２８】
　
研磨用組成物のｐＨは，９．０〜１２．０であることが好ましく，より好ましくは１０．０〜１１．０である。
【００２９】
　本実施形態の再生方法で使用される半導体ウェーハは，半導体デバイスの基板となる半導体ウェーハであれば特に限定されない。半導体としては，シリコン，ゲルマニウム，化合物半導体（ＧａＡｓ，ＩｎＡｓ，ＧａＮ）が挙げられるが，中でも化学的にエッチングされやすいシリコンやゲルマニウム，ＧａＡｓ，特にシリコンが好ましく用いられる。」
　「【００３５】
　・　前記実施形態の研磨用組成物は，二種類以上の砥粒を含有してもよい。
　・　
前記実施形態の研磨用組成物は，少なくとも一種類のキレート剤をさらに含有してもよい。キレート剤を含有する場合，半導体ウェーハの金属汚染を抑制することができる。キレート剤の具体例としては，アミノカルボン酸系キレート剤及び有機ホスホン酸系キレート剤が挙げられる。
有機ホスホン酸系キレート剤
２−アミノエチルホスホン酸
アミノトリ（メチレンホスホン酸），エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸），ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）
【００３６】
　・　
前記実施形態の研磨用組成物は，研磨用組成物の原液を水で希釈することにより調製されてもよい。
　「【００３９】
　次に，本発明の実施例及び比較例を説明する。
　
砥粒であるコロイダルシリカ，塩基性化合物及び段差解消剤のすべて又は一部を水に混合して実施例１〜１８及び比較例１〜５の研磨用組成物を調製した。研磨用組成物のｐＨはいずれも１０．５に調整した。
“ＴＭＡＨ”は水酸化テトラメチルアンモニウム
“ＰＶＰ”はポリビニルピロリドン
【００４０】
　実施例１〜１８及び比較例１〜５の各研磨用組成物を用いて，２３０ｎｍの大きさの初期段差を有するシリコンウェーハの表面を表２に記載の条件で研磨した。研磨は，ケーエルエー・テンコール社の表面欠陥検出装置である“ＳＰ２”を用いて得られる差分干渉コントラスト（ＤＩＣ）マップでシリコンウェーハの表面に段差を確認することができなくなるまで行った。ＤＩＣマップでは，２０ｎｍを超える大きさの段差のみを確認することができる。つまり，研磨により段差の大きさが２０ｎｍ以下になると，ＤＩＣマップでは段差を確認することができなくなる。段差を確認することができなくなるまでに要した研磨取り代及び研磨時間を表１の“評価”欄に示す。
【００４１】
【表１】（省略）
【００４２】
【表２】（省略）
　表１に示すように，段差解消剤を含有する実施例１〜１８の研磨用組成物を用いた場合には，段差解消剤を含有しない比較例１〜５の研磨用組成物を用いた場合に比べて少ない研磨取り代でシリコンウェーハの表面を平坦化することができた。」
　【表１】は，研磨取り代及び研磨時間の評価を示した表であって，実施例１７として，コロイダルシリカを１．０質量％，塩基性化合物であるＴＭＡＨを２．０ｇ／Ｌ，段差解消剤として平均分子量６００００のＰＶＰを０．３５ｇ／Ｌを含む研磨用組成物を用いて，段差を確認することができなくなるまでに要した研磨取り代が２３００ｎｍであり，研磨時間が６．８ｍｉｎであること，実施例１８として，コロイダルシリカを１．０質量％，塩基性化合物であるＴＭＡＨを２．０ｇ／Ｌ，段差解消剤として平均分子量１３０００００のＰＶＰを０．３５ｇ／Ｌを含む研磨用組成物を用いて，段差を確認することができなくなるまでに要した研磨取り代２３００ｎｍであり，研磨時間が９．２ｍｉｎであることが記載されている。
（２）甲１発明
　前記（１）より，甲第１号証には次の発明（以下，「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。
　「０．３５ｇ／ＬのＰＶＰを含み，
アミノトリ（メチレンホスホン酸）等のキレート剤を含有してもよく，
２．０ｇ／ＬのＴＭＡＨを含み，
水を含み，
ｐＨは１０．５である研磨用組成物。」
　また，前記（１）より，甲第１号証には次の技術的事項が記載されていると認められる。
　・甲第１号証に記載された発明における研磨用組成物は，キレート剤をさらに含有してもよく，キレート剤を含有する場合，半導体ウェーハの金属汚染を抑制することができ，キレート剤の具体例としては，アミノカルボン酸系キレート剤である，エチレンジアミン四酢酸，エチレンジアミン四酢酸ナトリウム，ニトリロ三酢酸，ニトリロ三酢酸ナトリウム，ニトリロ三酢酸アンモニウム，ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸，ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸ナトリウム，ジエチレントリアミン五酢酸，ジエチレントリアミン五酢酸ナトリウム，トリエチレンテトラミン六酢酸及びトリエチレンテトラミン六酢酸ナトリウム，有機ホスホン酸系キレート剤である，２−アミノエチルホスホン酸，１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸，アミノトリ（メチレンホスホン酸），エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸），ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸），エタン−１，１，−ジホスホン酸，エタン−１，１，２−トリホスホン酸，エタン−１−ヒドロキシ−１，１−ジホスホン酸，エタン−１−ヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸，エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸，メタンヒドロキシホスホン酸，２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸，１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸及びα−メチルホスホノコハク酸が挙げられること。（【００３５】）
　２　甲第２号証の記載
（１）甲第２号証
　甲第２号証は，本件優先日前に頒布された又は電気通信回路を通じて公衆に利用可能となった刊行物であって，次のとおりの記載がある。
　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，半導体ウエハを研磨する用途で主に使用される研磨用組成物及びその研磨用組成物を用いた研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　従来，シリコンウエハ等の半導体ウエハの研磨は予備研磨と仕上げ研磨の少なくとも二段階に分けて行われる。そのうち予備研磨は，更なる高品位化及び効率化を目的としてさらに二段階以上に分けて行われることがある。仕上げ研磨で使用可能な研磨用組成物として，例えば特許文献１に記載の研磨用組成物が知られている。特許文献１の研磨用組成物は，水，コロイダルシリカ，ポリアクリルアミドやシゾフィランのような水溶性高分子，及び塩化カリウムのような水溶性塩類を含有している。
【０００３】
　ところで近年，半導体デバイスのデザインルールが細線化するに従って，研磨用組成物を用いて研磨した後のウエハ表面で観察される欠陥の一種であるＬＰＤ（light　point　defects）について，半導体デバイスの性能に影響するとして，これまで問題とされていなかった小さいサイズのものまで低減が要求されている。具体的には，これまで問題とされていたＬＰＤは０．１２μｍ以上の大きさのものであり，これはウエハ表面に付着したパーティクルが主な原因であるため，洗浄技術の向上によってかなりの低減がなされている。ところが，それよりもサイズの小さいＬＰＤ（＞０．０６５μｍ）は主に予備研磨時にウエハ表面に生じる傷によるもの，つまり研磨加工に起因するものであり，これは仕上げ研磨や洗浄によっては除去できない虞がある。この点，特許文献１の研磨用組成物を用いて仕上げ研磨を行った場合であっても，研磨加工に起因するＬＰＤの数が従来に比べて低減されることはない。
【特許文献１】特開平０２−１５８６８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　本発明の目的は，研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物表面における研磨加工に起因するＬＰＤの数を低減することが可能な研磨用組成物及びその研磨用組成物を用いた研磨方法を提供することにある。」
　「【０００９】
　以下，本発明の一実施形態を説明する。
　
本実施形態の研磨用組成物は，所定量の水溶性高分子とアルカリと砥粒を水と混合することにより製造される。従って，本実施形態の研磨用組成物は，水溶性高分子，アルカリ，砥粒及び水からなる。この研磨用組成物は，シリコンウエハ等の半導体ウエハを研磨する用途で使用されるものであり，特にウエハの予備研磨，予備研磨が二段階以上に分けて行われる場合には最終段階の予備研磨で使用されるものである。
【００１０】
　本実施形態の研磨用組成物に含まれる水溶性高分子は，ポリビニルピロリドン及びポリＮ−ビニルホルムアミドから選ばれる少なくとも一種類である。これらの水溶性高分子は，ウエハ表面に親水膜を形成する作用を有している。この親水膜は，砥粒をはじめとする粗大粒子からウエハに与えられるウエハ表面に対して垂直方向の力を水平方向に分散する働きをし，その結果，研磨時のウエハ表面における欠陥の発生が抑制され，研磨加工に起因するＬＰＤの数が低減するものと推測される。
【００１１】
　
研磨用組成物に含まれる水溶性高分子がポリビニルピロリドンである場合には，ポリＮ−ビニルホルムアミドである場合に比べて，研磨加工に起因するＬＰＤの数を低減することができる。従って，研磨用組成物に含まれる水溶性高分子はポリビニルピロリドンであることが好ましい。
【００１２】
　
研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量は，０．０００３ｇ／Ｌ以上であることが好ましく，より好ましくは０．００１ｇ／Ｌ以上，さらに好ましくは０．００３ｇ／Ｌ以上，最も好ましくは０．００５ｇ／Ｌ以上である。水溶性高分子の含有量が多くなるにつれて，欠陥の発生を抑制するのに十分な親水膜がウエハ表面に形成されやすくなるために，研磨加工に起因するＬＰＤの数はより大きく低減する。この点において，研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量が０．０００３ｇ／Ｌ以上，さらに言えば０．００１ｇ／Ｌ以上，もっと言えば０．００３ｇ／Ｌ以上，さらにもっと言えば０．００５ｇ／Ｌ以上であれば，研磨加工に起因するＬＰＤの数を大きく低減することができる。
【００１３】
　
研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量はまた，０．１ｇ／Ｌ以下であることが好ましく，より好ましくは０．０２ｇ／Ｌ以下，さらに好ましくは０．０１５ｇ／Ｌ以下，最も好ましくは０．０１ｇ／Ｌ以下である。水溶性高分子による親水膜は研磨用組成物によるウエハの研磨速度（除去速度）の低下を招く。そのため，研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量が少なくなるにつれて，親水膜による研磨速度の低下はより強く抑制される。この点において，研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量が０．１ｇ／Ｌ以下，さらに言えば０．０２ｇ／Ｌ以下，もっと言えば０．０１５ｇ／Ｌ以下，さらにもっと言えば０．０１ｇ／Ｌ以下であれば，親水膜による研磨速度の低下を強く抑制することができる。
　「【００１６】
　本実施形態の研磨用組成物に含まれるアルカリは，例えば，アルカリ金属水酸化物，アンモニア，アミン，第４級アンモニウム塩のいずれであってもよい。
これらのアルカリは，ウエハを化学的に研磨する作用を有し，研磨用組成物によるウエハの研磨速度を向上させる働きをする。
【００１７】
　研磨用組成物に含まれるアルカリがアルカリ金属水酸化物又は第４級アンモニウム塩である場合には，その他のアルカリを用いた場合に比べて，研磨用組成物によるウエハの研磨速度が大きく向上するとともに，研磨後のウエハの表面粗さの増大が抑制される。従って，研磨用組成物に含まれるアルカリは，アルカリ金属水酸化物又は第４級アンモニウム塩であることが好ましい。
【００１８】
　研磨用組成物中のアルカリの含有量は，０．１ｇ／Ｌ以上であることが好ましく，より好ましくは０．２５ｇ／Ｌ以上，さらに好ましくは０．５ｇ／Ｌ以上である。アルカリの含有量が多くなるにつれて，研磨用組成物によるウエハの研磨速度はより大きく向上する。この点において，研磨用組成物中のアルカリの含有量が０．１ｇ／Ｌ以上，さらに言えば０．２５ｇ／Ｌ以上，もっと言えば０．５ｇ／Ｌ以上であれば，研磨用組成物によるウエハの研磨速度を大きく向上させることができる。
【００１９】
　研磨用組成物中のアルカリの含有量はまた，５ｇ／Ｌ以下であることが好ましく，より好ましくは４ｇ／Ｌ以下，さらに好ましくは３ｇ／Ｌ以下である。アルカリは，研磨後のウエハの表面粗さの増大を招く虞がある。そのため，研磨用組成物中のアルカリの含有量が少なくなるにつれて，研磨後のウエハの表面粗さの増大はより強く抑制される。この点において，研磨用組成物中のアルカリの含有量が５ｇ／Ｌ以下，さらに言えば４ｇ／Ｌ以下，もっと言えば３ｇ／Ｌ以下であれば，研磨後のウエハの表面粗さの増大を強く抑制することができる。
【００２０】
　本実施形態の研磨用組成物に含まれる砥粒は，例えば，コロイダルシリカ及びフュームドシリカのいずれであってもよい。これらの砥粒は，ウエハを機械的に研磨する作用を有し，研磨用組成物によるウエハの研磨速度を向上させる働きをする。」
　「【００２７】
　前記実施形態を次のように変更してもよい。
　・　前記実施形態の研磨用組成物はキレート剤をさらに含有してもよい。
キレート剤は，研磨用組成物中の金属不純物と錯イオンを形成してこれを捕捉することにより，金属不純物による研磨対象物の汚染を抑制する働きをする。
【００２８】
　・　前記実施形態の研磨用組成物には必要に応じて防腐剤や消泡剤のような公知の添加剤を添加してもよい。
　・　前記実施形態の研磨用組成物は使用前に濃縮原液を希釈することによって調製されてもよい。」
　「【００３０】
　
水溶性高分子，アルカリ，砥粒及びキレート剤を適宜に水と混合することにより実施例１〜５３及び比較例１〜２６の研磨用組成物を調製した。
【００３１】
　表１及び表２の“水溶性高分子”欄中，
ＰＶＰ
＊１
は重量平均分子量が１０，０００であるポリビニルピロリドン
【００３２】
　表１及び表２の“アルカリ”欄中，
ＴＭＡＨは水酸化テトラメチルアンモニウム
【００３３】
　表１及び表２の“砥粒”欄中，ＣＳ＊１は平均一次粒子径が３５ｎｍであるコロイダルシリカを表し，ＣＳ＊２は平均一次粒子径が２００ｎｍであるコロイダルシリカを表し，ＣＳ＊３は平均一次粒子径が１５０ｎｍであるコロイダルシリカを表し，ＣＳ＊４は平均一次粒子径が１００ｎｍであるコロイダルシリカを表し，ＣＳ＊５は平均一次粒子径が５５ｎｍであるコロイダルシリカを表し，ＣＳ＊６は平均一次粒子径が１５ｎｍであるコロイダルシリカを表し，ＣＳ＊７は平均一次粒子径が１０ｎｍであるコロイダルシリカを表し，ＣＳ＊８は平均一次粒子径が５ｎｍであるコロイダルシリカを表す。
【００３４】
　表１及び表２の“キレート剤”欄中，ＴＴＨＡはトリエチレンテトラミン六酢酸を表し，ＤＴＰＡはジエチレントリアミン五酢酸を表し，
ＥＤＴＰＯはエチレンジアミン四エチレンホスホン酸
【００３５】
　表１及び表２の“研磨速度”欄には，実施例１〜５３及び比較例１〜２６の研磨用組成物を用いて，直径２００ｍｍ，厚さ７３０μｍのシリコンウエハ（ｐ−型，結晶方位＜１００＞，ＣＯＰ（crystal　originated　particles）フリー）を表３に示す条件で研磨したときに得られる研磨速度を測定した結果を示す。研磨速度は，研磨前後の各ウエハの厚みの差を研磨時間で除することにより求めた。ウエハの厚みの計測には，黒田精工株式会社製の平坦度検査装置“NANOMETRO　300TT”を使用した。
【００３６】
　表１及び表２の“欠陥”欄には，実施例１〜５３及び比較例１〜２６の研磨用組成物を用いて研磨した後のシリコンウエハ表面で測定される研磨加工に起因するＬＰＤの数について評価した結果を示す。具体的には，直径２００ｍｍ，厚さ７３０μｍのシリコンウエハ（ｐ−型，結晶方位＜１００＞，ＣＯＰフリー）を，実施例１〜５３及び比較例１〜２６の研磨用組成物を用いて表３に示す条件で予備研磨した後，純水で２０倍希釈した株式会社フジミインコーポレーテッド製の“ＧＬＡＮＺＯＸ−３９００”を用いて表４に示す条件でさらに仕上げ研磨した。仕上げ研磨後のウエハに対し，ＳＣ−１洗浄（Standard　Clean　1）及びＩＰＡ（isopropyl　alcohol）蒸気乾燥を行ってからケーエルエー・テンコール社製の“SURFSCAN　SP1-TBI”を用いてまず第１回目のＬＰＤの測定を行った。その後，同じウエハに対し，再びＳＣ−１洗浄及びＩＰＡ蒸気乾燥を行ってから“SURFSCAN　SP1-TBI”を用いて第２回目のＬＰＤの測定を行った。第１回目と第２回目の測定で位置が変わらないＬＰＤを研磨加工に起因するＬＰＤと定義し，ウエハ表面当たりの研磨加工に起因するＬＰＤの数を測定した。“欠陥”欄中，◎（優）はウエハ表面当たりの研磨加工に起因するＬＰＤの数が１０個未満であったことを示し，○（良）は１０個以上２０個未満，△（可）は２０個以上３０個未満，×（不良）は３０個以上であったことを示す。
【００３７】
　表１及び表２の“濡れ”欄には，水溶性高分子の作用によるウエハ表面への親水膜の形成を評価するべく，実施例１〜５３及び比較例１〜２６の研磨用組成物を用いて表３に示す条件で研磨した後のシリコンウエハ表面の濡れを評価した結果を示す。具体的には，研磨後のウエハを軽く水洗してから目視により表面の濡れ状態を確認して評価した。“濡れ”欄中，０はウエハ表面が全く濡れていなかったことを示し，３はウエハ表面の３０％が濡れていたこと，６はウエハ表面の６０％が濡れていたこと，７はウエハ表面の７０％が濡れていたこと，８はウエハ表面の８０％が濡れていたこと，９はウエハ表面の９０％が濡れていたこと，１０はウエハ表面の１００％が濡れていたことを示す。
【００３８】
　なお，比較例１１の研磨用組成物はゲル化が激しく，ウエハの研磨に使用することができなかった。
【００３９】
【表１】（省略）
【００４０】
【表２】（省略）」
　【表２】は，研磨速度，欠陥，濡れの評価を示した表であって，実施例４２として，水溶性高分子であるＰＶＰ
※１
を０．０１０ｇ／Ｌ，アルカリであるＴＭＡＨを２．０ｇ／Ｌ，キレート剤であるＥＤＴＰＯを０．３０ｇ／Ｌを含む研磨用組成物を用いて，研磨速度０．２８５μｍ／分，欠陥◎，濡れ１０であることが記載されている。
（２）甲２発明
　前記（１）より，甲第２号証には次の発明（以下，「甲２発明」という。）が記載されていると認められる。
　「０．０１０ｇ／ＬのＰＶＰ※１，
０．３０ｇ／ＬのＥＤＴＰＯ，
２．０ｇ／ＬのＴＭＡＨ，
水を含む研磨組成物。」
　３　甲第３号証の記載
　甲第３号証は，本件優先日前に頒布された又は電気通信回路を通じて公衆に利用可能となった刊行物であって，次のとおりの記載がある。
　「【０００１】
　本発明は，半導体基板等の研磨対象物の表面を研磨する用途に用いられる研磨用組成物，及びそうした研磨用組成物を用いて半導体基板等の研磨対象物の表面を研磨する方法に関する。」
　「【００２４】
　前記実施形態は以下のように変更されてもよい。
　・　前記実施形態に係る研磨用組成物は研磨促進剤をさらに含有してもよい。研磨促進剤は，研磨対象物を化学的に研磨する役割を担い，研磨用組成物の研磨能力の向上に寄与する。研磨促進剤は，アルカリ金属水酸化物，アルカリ金属塩，アンモニウム水酸化物，及びアンモニウム塩のいずれを含んでもよいが，水酸化リチウム，水酸化ナトリウム，水酸化カリウム，炭酸カリウム，炭酸水素カリウム，炭酸ナトリウム，炭酸水素ナトリウム，水酸化アンモニウム，炭酸アンモニウム，第４級アンモニウム塩，又は第４級アンモニウム水酸化物のいずれかを含むことが好ましく，水酸化ナトリウム，水酸化カリウム，又は水酸化テトラメチルアンモニウムのいずれかを含むことがより好ましい。水酸化リチウム，水酸化ナトリウム，水酸化カリウム，炭酸カリウム，炭酸水素カリウム，炭酸ナトリウム，炭酸水素ナトリウム，水酸化アンモニウム，炭酸アンモニウム，第４級アンモニウム塩，及び第４級アンモニウム水酸化物は，研磨対象物を研磨する能力が高く，水酸化ナトリウム，水酸化カリウム，及び水酸化テトラメチルアンモニウムは，研磨対象物を研磨する能力が特に高い。」
　「【００２７】
　キレート剤は，鉄，ニッケル，銅，カルシウム，クロム，亜鉛を効果的に捕捉することができるものが好ましい。こうしたキレート剤としては，例えば，アミノカルボン酸系キレート剤又はホスホン酸系キレート剤が挙げられ，より具体的には，エチレンジアミン四酢酸，ジエチレントリアミン五酢酸，トリエチレンテトラミン六酢酸，エチレンジアミン四メチル燐酸，又はジエチレントリアミン五メチル燐酸が挙げられる。
【００２８】
　研磨用組成物がキレート剤を少量しか含有しない場合，研磨対象物の金属汚染は大して抑制されない。従って，研磨対象物の金属汚染を強く抑制するという観点から見た場合，研磨用組成物中のキレート剤の含有量は，好ましくは０．００１質量％以上，より好ましくは０．０１質量％以上である。一方，キレート剤を大量に含有する研磨用組成物はゲル化しやすい。従って，ゲル化の防止という観点から見た場合，研磨用組成物中のキレート剤の含有量は，好ましくは０．２質量％以下，より好ましくは０．１質量％以下である。」
　４　甲第４号証の記載
　甲第４号証は，本件優先日前に頒布された又は電気通信回路を通じて公衆に利用可能となった刊行物であって，次のとおりの記載がある。
　「【技術分野】
【０００１】
　電子装置中に用いられるシリコンウエハは，典型的には単結晶ケイ素インゴットから調製され，このインゴットは先ずダイアモンド鋸を用いて薄いウエハに切り出され，そして次いで鋸切断工程から生じた表面欠陥を取り除くために研摩される。次いで，このシリコンウエハは，それらが電子装置における使用に許容される前に，極めて小さい表面粗さを有する表面を与えるように，典型的には最終研磨工程を必要とする。」
　「【００１８】
　この研磨組成物は，カリウム塩，すなわち，１種もしくは２種以上のカリウム塩を含んでいる。このカリウム塩は，いずれかの好適なカリウム塩であることができる。好ましくは，カリウム塩は，炭酸水素カリウム，炭酸カリウム，または炭酸水素カリウムおよび炭酸カリウムの混合物である。
【００１９】
　この研磨組成物は，典型的には０．００２質量％以上（例えば，０．０２質量％以上，または０．０５質量％以上）のカリウム塩を含んでいる。好ましくは，この研磨組成物は，０．２質量％以下（例えば，０．１５質量％以下，または０．１０質量％以下）のカリウム塩を含んでいる。より好ましくは，この研磨組成物は，０．０１質量％〜０．２質量％（例えば，０．０５質量％〜０．１５質量％）のカリウム塩を含んでいる。」
　「【００２２】
　この研磨組成物は，９〜１２のｐＨ（例えば，９〜１１，または９〜１０，または１０〜１１，または１０〜１１，または１１〜１２）を有している。この研磨組成物は，所望により，ｐＨ調節剤，例えば水酸化アンモニウム，水酸化カリウム，硝酸，硫酸，またはリン酸を含んでいる。この研磨組成物は，所望により，ｐＨ緩衝系，例えば炭酸ナトリウムおよび炭酸水素ナトリウムを含む緩衝系を含んでいる。多くのこのようなｐＨ緩衝系が，当技術分野ではよく知られている。この研磨組成物がｐＨ調節剤および／または緩衝系を含む場合には，この研磨組成物は，ｐＨをここで説明する範囲に維持するのに十分な量のｐＨ調節剤および／または緩衝系を含むであろう。
【００２３】
　この研磨組成物は，所望により，キレート化剤（例えば，錯化剤）を含でいる。このキレート化剤は，いずれかの好適なキレート化剤またはキレート化剤の組合せであることができる。好適なキレート化剤の非限定的な例としては，エチレンジアミン四酢酸（「ＥＤＴＡ」，イミノ二酢酸，シュウ酸，クエン酸，４，５−ジヒドロキシ−１，２−ベンゼンジスルホン酸，サリチルヒドロキサム酸，テトラエチレンペンタミン，トリス（メチレンホスホン酸），１−ヒドロキシエチリデン−１,１−ジホスホン酸，ニトリロトリ（メチルホスホン酸），ジエチレントリアミンペンタキス（メチレンホスホン酸），および２−ホスホノブタン−１，２，４−トリカルボン酸が挙げられる。
【００２４】
　この研磨組成物は，典型的には０．００１質量％以上（例えば，０．０１質量％以上，または０．０２質量％以上）のキレート化剤を含んでいる。好ましくは，この研磨組成物は，０．１質量％以下（例えば，０．０９質量％以下，または０．０８質量％以下）のキレート化剤を含んでいる。より好ましくは，この研磨組成物は，０．００１質量％〜０．１質量％（例えば，０．０１質量％〜０．０９質量％，または０．０２質量％〜０．０８質量％）のキレート化剤を含んでいる。」
　５　甲第５号証の記載
　甲第５号証は，本件優先日前に頒布された又は電気通信回路を通じて公衆に利用可能となった刊行物であって，次のとおりの記載がある。
　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，シリコンウエハの表面欠陥を大きく減少させ，それによってシリコンウエハの表面マイクロラフネスおよびヘイズ(Ｈａｚｅ)を改善するスラリー組成物に関する。」
　「【００３５】
本発明で用いられるリン酸系キレート剤の例として，エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)のナトリウム塩，エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)のアンモニウム塩，アミノトリ(メチレンホスホン酸)，ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)，及びこれらの混合物が含まれる。
【００３６】
　本発明で使用されるリン酸系キレート剤は，酢酸系キレート剤と類似する構造を有するため，酢酸系キレート剤と類似する分散安定化の効果が発揮できる。しかし，酢酸系に比べてエッチング性が高いため，研磨品質に影響を与える効果の点では，僅かな差があるものと考えられる。リン酸系キレート剤の使用量は，０.０００２〜５重量％になるよう使用することが望ましい。リン酸系キレート剤を下限値未満で使用する場合は，研磨品質が改善せず，上限値を超えて使用する場合は，表面マイクロラフネスを増加させるなど，望ましくない。」
　６　甲第６号証の記載
　甲第６号証は，本件優先日前に頒布された又は電気通信回路を通じて公衆に利用可能となった刊行物であって，次のとおりの記載がある。
　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，シリコンウェハーに対する金属汚染を効率よく防止することを可能とする研磨組成物に関するものである。」
　「【００２８】
　アミノポリホスホン酸は，アミノポリカルボン酸のカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）をホスホン酸（−ＰＯ3Ｈ2）に変えたホスホン酸系キレート剤である。なお，アミノポリカルボン酸は，ＥＤＴＡに代表される多座キレート剤で，分析化学の分野では非常にポピュラーな試薬である。本発明に使用されるアミノポリホスホン酸は，キレート剤として市販されており，容易に入手できる。具体的には，分子中に窒素原子に結合したメチレンホスホン酸基を２個以上有するキレート剤，又はこれらの塩（アンモニウム塩，有機アミン塩，アルカリ金属塩など）が挙げられる。好ましくは，分子中に窒素原子に結合したメチレンホスホン酸基を２〜６個有するものが挙げられる。具体的には，ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）（以下ＮＴＭＰという），エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）（以下ＥＴＭＰという），ジエチレントリアミンペンタキス（メチレンホスホン酸）（以下ＥＰＭＰという）及びこれらの塩などが挙げられる。これらの化合物は２種類以上併用することも可能である。
【００２９】
　上記アミノポリホスホン酸の添加量は種類によって異なり，本発明の効果が達成される限り特別の限定はないが，研磨組成物全量の質量に対して０．００１〜１０質量％，好ましくは０．０１〜１０質量％，更に好ましくは０．１〜５質量％である。添加量が０．００１質量％未満であれば，十分な添加効果が得られないため，金属汚染の防止効果が十分で無いことがある。逆に１０質量％を越えて添加しても，添加による更なる効果は期待できない。」
　７　甲第７号証の記載
　甲第７号証は，本件優先日前に頒布された又は電気通信回路を通じて公衆に利用可能となった刊行物であって，次のとおりの記載がある。
　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は研磨剤に関する。さらに詳しくは，シリコンウェハおよびシリコンウェハ上に形成したポリシリコン膜を化学機械研磨する際に用いる新規な仕上げ研磨剤（以下，単に研磨剤ともいう）を提供するものである。」
　「【００２８】本発明の仕上げ研磨剤は，シリカを含んでいてもよい。シリカを含まない研磨剤は，研磨速度が非常に低いがウェハ表面の仕上がり具合に優れているという特徴がある。また，シリカを含まないため，表面の清浄度に優れている。一方，シリカを含んだ研磨剤はウェハ表面を平坦化するのに十分な研磨速度を有している。上記のシリカを含んだ研磨剤と含まない研磨剤はそれぞれ目的に応じて使い分けることができる。」
　８　甲第８号証の記載
　甲第８号証は，本件優先日前に頒布された又は電気通信回路を通じて公衆に利用可能となった刊行物であって，次のとおりの記載がある。
　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，チョクラルスキー法（以下，ＣＺ法という。）により作られたシリコンウェーハの面質を調整するためのウェーハの研磨方法及びこの方法により研磨されたシリコンウェーハに関する。更に詳しくは，ＬＳＩ等の半導体装置を製造するために用いられるシリコンウェーハの研磨方法に関するものである。」
　「【００１７】次に本発明の研磨液及び研磨装置について説明する。本発明の研磨液は，シリコンウェーハの表面粗さ等の面質を調整するためのファイナル研磨用の研磨液であって，請求項１に係る研磨液の場合，ｐＨが１２．０を超えて１４．０以下，好ましくは１２．２以上１３．０以下のアルカリ性水溶液であることを特徴とする。また請求項２に係る研磨液の場合，ｐＨが８．０以上１４．０以下，好ましくは１０．０以上１３．０以下のアルカリ性水溶液であることを特徴とする。ｐＨ値が上記下限値未満ではウェーハ表面のマイクロスクラッチ，ダメージの低減効果に乏しく，上限値を超えると，研磨液の取扱いが困難になる。この研磨液は，ＳｉＯ2のような砥粒を含むコロイダルシリカ研磨液（請求項１），又は砥粒を含まず，アルカリと増粘剤を含有する研磨液（請求項２）である。本発明の目的は，ウェーハの面質を調整することにあるため，ウェーハ表面の取り代が僅かであり，砥粒を含まなくてもよい。ｐＨ値を上記範囲内に調整するためのｐＨ調整剤としては，アンモニア，水酸化アルカリ，炭酸アルカリ，ヒドラジン，有機アミン類等のアルカリ性水溶液が用いられる。これらの中でアンモニア水溶液が，ウェーハの面荒れを比較的小さくするため，ファイナル研磨用スラリーとして好ましい。砥粒は平均粒径が０．１μｍ以下のＳｉＯ2微粒子が好ましい。」
　９　甲第９号証の記載
　甲第９号証は，本件優先日前に頒布された又は電気通信回路を通じて公衆に利用可能となった刊行物であって，次のとおりの記載がある。
　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，シリコンウェハの研磨処理に用いる研磨組成物に関する。」
　「【００６２】
　本発明の研磨組成物においては，砥粒を含まずとも十分な効果が発揮されるが，本発明の好ましい特性を損なわない範囲で，砥粒を含んでいてもよい。たとえば，より高速な研磨速度が求められるような場合は，砥粒を含む方が好ましい。」
　１０　甲第１０号証の記載
　甲第１０号証は，本件優先日前に頒布された又は電気通信回路を通じて公衆に利用可能となった刊行物であって，次のとおりの記載がある。
　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，シリコンウェーハなどの半導体基板を研磨する用途で主に使用される研磨用組成物，及びその研磨用組成物を用いて半導体基板を研磨する方法に関する。」
　「【００２４】
　＜二酸化ケイ素＞
　研磨用組成物中に随意で含まれる二酸化ケイ素は，半導体基板を機械的に研磨する働きを有する。」
　１１　甲第１１号証の記載
　甲第１１号証は，本件優先日前に頒布された又は電気通信回路を通じて公衆に利用可能となった刊行物であって，次のとおりの記載がある。
　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，シリコンウェハの研磨処理に用いる研磨組成物に関する。」
　「【０００４】
　（省略）
　本発明の研磨組成物においては，砥粒を含まずとも十分な効果が発揮されるが，本発明の好ましい特性を損なわない範囲で，砥粒を含んでいてもよい。」
　第５　申立理由についての判断
　１　本件特許発明１の甲１発明に対する進歩性について
（１）本件特許発明１と甲１発明との対比
　ア　甲１発明の「ＰＶＰ」は，「ポリビニルピロリドン」（上記第４の１（１）【００３９】）であり，本件特許発明１の「ピロリドンポリマー」に属するものである。
　また，甲１発明の「０．３５ｇ／Ｌ」は，略０．０３５重量％である。
　よって，甲１発明の「０．３５ｇ／ＬのＰＶＰ」は，本件特許発明１の「（ａ）０．０１重量％〜０．１重量％のピロリドンポリマー」に相当する。
　イ　甲１発明の「アミノトリ（メチレンホスホン酸）等のキレート剤」における「アミノトリ（メチレンホスホン酸）」は，本件特許発明１の「（ｂ）アミノホスホン酸」に属するものである。
　ウ　甲１発明の「ＴＭＡＨ」は，「水酸化テトラメチルアンモニウム」（上記第４の１（１）【００３９】）であり，本件特許発明１の「テトラアルキルアンモニウム塩」に属するものである。
　また，甲１発明の「２．０ｇ／Ｌ」は，略０．２重量％である。
　よって，甲１発明の「２．０ｇ／ＬのＴＭＡＨ」は，本件特許発明１の「（ｃ）０．０１重量％〜５重量％のテトラアルキルアンモニウム塩」に相当する。
　エ　甲１発明の「水」は，本件特許発明１の「（ｄ）水」に相当する。
　オ　甲１発明の「ｐＨは１０．５」は，本件特許発明１の「７〜１１．７のｐＨ」に包含されるものである。
　カ　甲１発明の「研磨組成物」は，下記相違点を除いて，本件特許発明１の「研磨組成物」に相当する。
　キ　すると，本件特許発明１と甲１発明とは，下記クの点で一致し，下記ケの点で相違する。
　ク　一致点
　（ａ）０．０１重量％〜０．１重量％のピロリドンポリマー，
　（ｃ）０．０１重量％〜５重量％のテトラアルキルアンモニウム塩，および
　（ｄ）水
を含み，７〜１１．７のｐＨを有する，研磨組成物。
　ケ　相違点
　本件特許発明１は，「アミノホスホン酸」を含み，さらに，その「アミノホスホン酸」は「０．０５重量％〜２重量％」であるのに対し，甲１発明では，「アミノトリ（メチレンホスホン酸）等のキレート剤を含有してもよく」とするものであって，その含有量も特定されていない点。（以下，「相違点１」という。）
（２）判断
　・　相違点１について
　甲第１号証に，「研磨組成物は，少なくとも１種類のキレート剤をさらに含有してもよい。」こと，「キレート剤は半導体ウェーハの金属汚染を抑制することができる。」ことが記載されていることから（上記第４の１（１）【００３５】），「キレート剤を含有してもよく」と特定されている甲１発明において，半導体ウェーハの金属汚染を抑制することを目的として，必要量のキレート剤を含有することを選択することは，当業者が容易に想到しえたことといえるとしても，甲第１号証には，キレート剤の具体例として，アミノカルボン酸系キレート剤である，エチレンジアミン四酢酸，エチレンジアミン四酢酸ナトリウム，ニトリロ三酢酸，ニトリロ三酢酸ナトリウム，ニトリロ三酢酸アンモニウム，ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸，ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸ナトリウム，ジエチレントリアミン五酢酸，ジエチレントリアミン五酢酸ナトリウム，トリエチレンテトラミン六酢酸及びトリエチレンテトラミン六酢酸ナトリウム，有機ホスホン酸系キレート剤である，２−アミノエチルホスホン酸，１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸，アミノトリ（メチレンホスホン酸），エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸），ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸），エタン−１，１，−ジホスホン酸，エタン−１，１，２−トリホスホン酸，エタン−１−ヒドロキシ−１，１−ジホスホン酸，エタン−１−ヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸，エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸，メタンヒドロキシホスホン酸，２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸，１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸及びα−メチルホスホノコハク酸が挙げられており，これら甲第１号証に記載されたキレート剤のうちから特に「アミノホスホン酸」を選択する動機を，甲第１号証ないし甲第１１号証の記載からは，見出すことはできない。
　しかも，本件特許発明１は，「研磨を受ける基板の低い表面欠陥をもたらし，かつ高い除去速度を達成する研磨組成物の必要性が存在する。」（本件特許明細書【０００４】）という課題を解決しようとする発明であって，本件特許明細書【００４７】−【００４９】，【表１】に記載されるように，コロイドシリカを含有する場合において，除去速度：５５００オングストローム／分，ＰＳＤ：１．４ｎｍ，あるいは，コロイドシリカを含有しない場合において，除去速度：４３００オングストローム／分，ＰＳＤ：１．５ｎｍが得られるという効果を奏するところ，甲１発明において，「アミノトリ（メチレンホスホン酸）等のキレート剤」を，半導体ウェーハの金属汚染を抑制するという目的を果たす程度の量で含有させたものが，上記効果を奏することを，当業者が予測し得たとは，甲第１号証ないし甲第１１号証に記載された技術的事項，及び，技術常識を勘案しても認めることはできない。
　してみれば，「アミノトリ（メチレンホスホン酸）等のキレート剤」の含有量を「０．０５重量％〜２重量％」とすることの容易性を検討するまでもなく，甲１発明において，相違点１について本件特許発明１の構成を採用することは，甲第１号証ないし甲第１１号証に記載された技術的事項からは，当業者が容易になし得たこととは認められない。
　（３）まとめ
　したがって，本件特許発明１は，甲１発明及び甲第１号証ないし甲第１１号証に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではないから，本件特許の請求項１に係る特許は，特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。
　２　本件特許発明１の甲２発明に対する進歩性について
（１）本件特許発明１と甲２発明との対比
　ア　甲２発明の「ＰＶＰ※１」は，「ポリビニルピロリドン」（上記第４の２（１）【００３１】）であり，本件特許発明１の「（ａ）ピロリドンポリマー」に属するものである。
　イ　甲２発明の「ＥＤＴＰＯ」は，「エチレンジアミン四エチレンホスホン酸」（上記第４の２（１）【００３４】）であり，本件特許発明１の「（ｂ）アミノホスホン酸」に属するものである。
　ウ　甲２発明の「ＴＭＡＨ」は，「水酸化テトラメチルアンモニウム」（上記第４の２（１）【００３２】）であり，本件特許発明１の「テトラアルキルアンモニウム塩」に属するものである。
　また，甲２発明の「２．０ｇ／Ｌ」は，略０．２重量％である。
　よって，甲２発明の「２．０ｇ／ＬのＴＭＡＨ」は，本件特許発明１の「（ｃ）０．０１重量％〜５重量％のテトラアルキルアンモニウム塩」に相当する。
　エ　甲２発明の「水」は，本件特許発明１の「（ｄ）水」に相当する。
　オ　甲２発明の「研磨組成物」は，下記相違点を除いて，本件特許発明１の「研磨組成物」に相当する。
　カ　すると，本件特許発明１と甲２発明とは，下記キの点で一致し，下記クの点で相違する。
　キ　一致点
　「（ａ）ピロリドンポリマー，
　（ｂ）アミノホスホン酸，
　（ｃ）０．０１重量％〜５重量％のテトラアルキルアンモニウム塩，および，
　（ｄ）水，
　を含む研磨組成物。」
　ク　相違点
（ア）本件特許発明１の「ピロリドンポリマー」は「０．０１重量％〜０．１重量％」であるのに対し，甲２発明のＰＶＰ※１は，略０．００１重量％である点。（以下，「相違点２」という。）
（イ）本件特許発明１の「アミノホスホン酸」は「０．０５重量％〜２重量％」であるのに対し，甲２発明のＥＤＴＰＯは，略０．０３重量％である点。（以下，「相違点３」という。）
（ウ）本件特許発明１の「ｐＨ」は「７〜１１．７」であるのに対し，甲２発明では，そのような特定はなされていない点。（以下，「相違点４」という。）
（２）判断
　・　相違点２および３について
　甲第２号証において，「水溶性高分子の含有量が多くなるにつれて，欠陥の発生を抑制するのに十分な親水膜がウエハ表面に形成されやすくなるために，研磨加工に起因するＬＰＤの数はより大きく低減する。この点において，研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量が０．０００３ｇ／Ｌ以上，さらに言えば０．００１ｇ／Ｌ以上，もっと言えば０．００３ｇ／Ｌ以上，さらにもっと言えば０．００５ｇ／Ｌ以上であれば，研磨加工に起因するＬＰＤの数を大きく低減することができる。」，（上記第４の２（１）【００１２】）こと，「水溶性高分子による親水膜は研磨用組成物によるウエハの研磨速度（除去速度）の低下を招く。そのため，研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量が少なくなるにつれて，親水膜による研磨速度の低下はより強く抑制される。この点において，研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量が０．１ｇ／Ｌ以下，さらに言えば０．０２ｇ／Ｌ以下，もっと言えば０．０１５ｇ／Ｌ以下，さらにもっと言えば０．０１ｇ／Ｌ以下であれば，親水膜による研磨速度の低下を強く抑制することができる。」（上記第４の２（１）【００１３】）ことが記載されており，研磨加工に起因するＬＰＤの数を低減するため，および，親水膜による研磨速度の低下を抑制するために，研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量を０．０００３ｇ／Ｌ以上０．１ｇ／Ｌ以下（略０．００００３質量％以上０．０１質量％以下）に調整することが記載されているといえる。
　ここで甲２発明の水溶性高分子であるＰＶＰ＊１の含有量を，略０．００１重量％から，本件特許発明１で特定する範囲である０．０１重量％〜０．１重量％とすることには，甲２発明の研磨用組成物中の水溶性高分子の上限の範囲を規定する研磨速度の低下を抑制する目的に反することとなるから，阻害要因があるといえる。
　さらに，甲第２号証において，「キレート剤は，研磨用組成物中の金属不純物と錯イオンを形成してこれを捕捉することにより，金属不純物による研磨対象物の汚染を抑制する働きをする。」ことが記載されており（上記第４の２（１）【００２７】），甲２発明において，研磨対象物の金属汚染を抑制する程度にキレート剤の含有量を調整することが，当業者が容易に想到し得たことといえたとしても，甲２発明において，ＰＶＰ＊１，ＥＤＴＰＯ，及び，ＴＭＡＨの各含有量を，本件特許発明１で特定する範囲のものとした場合に，本件特許明細書に記載された効果を奏することを，当業者が予測し得たとは，甲第１号証ないし甲第１１号証に記載された技術的事項，及び，技術常識を勘案しても認めることはできない。
　してみれば，甲２発明において，相違点２，３について本件特許発明１の構成を採用することは，甲第１号証ないし甲第１１号証に記載された技術的事項からは，当業者が容易になし得たこととは認められない。
（３）まとめ
　したがって，本件特許発明１は，甲２発明及び甲第１号証ないし甲第１１号証に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではないから，本件特許の請求項１に係る特許は，特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。
　３　本件特許発明２ないし６，９ないし１１，１３ないし１６の進歩性について
　本件特許発明１を引用した本件特許発明２ないし５については，本件特許発明１の発明特定事項をすべて含むものであるから，本件特許発明１と同様に，甲１発明又は甲２発明及び甲第１号証ないし甲第１１号証に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　また，独立請求項である本件特許発明６は，本件特許発明１の発明特定事項をすべて含むものであり，本件特許発明６を引用した本件特許発明９ないし１１，１３ないし１６についても，本件特許発明１の発明特定事項をすべて含むものであるから，本件特許発明１と同様に，甲１発明又は甲２発明及び甲第１号証ないし甲第１１号証に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　よって，本件特許の請求項２ないし６，９ないし１１，１３ないし１６に係る特許は，特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。
　４　記載要件について
　ア　本件特許発明の課題及び課題を解決するための手段
　本件特許発明１ないし６，９ないし１１，１３ないし１６（以下，まとめて「本件特許発明」という。）の課題は「研磨を受ける基板の低い表面欠陥をもたらし，かつ高い除去速度を達成する研磨組成物」（本件特許明細書【０００４】）を得ることであり，課題を解決する手段として，「（ａ）０．０１重量％〜０．１重量％のピロリドンポリマー，（ｂ）０．０５重量％〜２重量％のアミノホスホン酸，（ｃ）０．０１重量％〜５重量％のテトラアルキルアンモニウム塩，および（ｄ）水を含み，７〜１１．７のｐＨを有する研磨組成物」（本件特許明細書【０００５】），及び，より具体的な実施例として，表１に示す量のポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）０．０４重量％，アミノトリ（メチレン）ホスホン酸（ＡＴＭＰ）０．３９重量％，水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）２．６３％，水を含む研磨組成物１Ａ，１Ｂ（本件特許明細書【００４７】−【００４８】，【表１】）が記載されている。
　ここで，具体的な実施例の研磨組成物１Ａ，１Ｂのピロリドンポリマー，アミノホスホン酸，テトラアルキルアンモニウム塩の含有量の範囲が１点であるとはいえ，本件特許発明の課題を解決できるものとして，ピロリドンポリマー，アミノホスホン酸，テトラアルキルアンモニウム塩の含有量は，本件特許明細書の【００１０】，【００１２】，【００１４】に記載されるように，範囲を有するものと理解するのが当業者にとって普通であり，また，本件特許発明１のピロリドンポリマー，アミノホスホン酸，テトラアルキルアンモニウム塩の含有量の範囲において，本件特許発明の課題を解決できないことが明らかとは認められないから，本件特許発明１のピロリドンポリマー，アミノホスホン酸，テトラアルキルアンモニウム塩の含有量の範囲は，当業者が本願課題を解決しうると認識できる範囲であるといえる。
　なお，本件特許明細書に，研磨組成物の含有物のひとつ（たとえばアミノホスホン酸）の含有量の範囲に対応した効果が記載されていないからといって，本件特許発明が，課題を解決する手段を反映していないとはいえない。
　イ　まとめ
　したがって，本件特許発明１ないし６，９ないし１１，１３ないし１６は，発明の詳細な説明に記載したものであり，本件特許は，特許法第３６条第６項第１号の規定に違反してされたものではない。
第６　結び
　以上のとおりであるから，特許異議の申立ての理由及び証拠によっては，請求項１ないし６，９ないし１１，１３ないし１６に係る特許を取り消すことはできない。　
　また，他に請求項１ないし６，９ないし１１，１３ないし１６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成３０年８月２９日（２０１８．８．２９）