【事件の表示】
　特願２００２−３７９８０４「粒子検出器」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　７月２９日出願公開、特開２００４−２１４２９３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年１２月２７日の出願であって、平成２０年６月２７日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年７月３１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされ、その後当審において平成２２年６月１１日付けで審尋がなされ、同年７月２２日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成２０年７月３１日付けの手続補正について
【補正の却下の決定の結論】
　平成２０年７月３１日付けの手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容 
  平成２０年７月３１日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし７を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし７に補正するものであり、そのうちの補正前後の特許請求の範囲の請求項１は、以下のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】
　超伝導体を有する粒子検出器であり、粒子の衝撃により超伝導薄膜中に局所的に生じるホットスポットの電気抵抗変化を計測することにより、該粒子の該薄膜に到達したことを検知することを特徴とする粒子検出器。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　超伝導体を有する粒子検出器であり、粒子が超伝導薄膜に衝突した際に超伝導薄膜中に局所的に生じるホットスポットの電気抵抗変化を計測することにより、該粒子の該薄膜に到達したことを検知することを特徴とする粒子検出器。」
　
（２）補正の目的の適否および新規事項の追加の有無についての検討
（２−１）補正後の請求項１は、補正前の請求項１における「粒子の衝撃により超伝導薄膜中に局所的に生じるホットスポット」を、「粒子が超伝導薄膜に衝突した際に超伝導薄膜中に局所的に生じるホットスポット」と補正したものであるが、そのような補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（２−２）そして、「粒子が超伝導薄膜に衝突した際に超伝導薄膜中に局所的に生じるホットスポット」は、本願の願書に最初に添付した明細書の【発明の詳細な説明】の【００１１】、【００１２】及び【００１９】段落の記載に基づく補正であり、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（以下「特許法第１７条の２第３項」という。）に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（３）独立特許要件について
（３−１）検討の前提
　上記（２）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項（以下「特許法第１７条の２第５項」という。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて検討する。
　
（３−２）補正後の請求項１に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１ないし７に係る発明は、平成２０年７月３１日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載されている事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの補正後の請求項１に係る発明（以下「補正後の発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（３−３）引用刊行物に記載された発明
（３−３−１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前である平成１４年３月１２日に頒布された刊行物である特開２００２−７１８２１号（以下「引用刊行物」という。）には、図１及び２とともに、以下の事項が記載されている。（なお、下線「
　
　
「【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明においては、これまで高速電子デバイスやＸ線検出器として開発が進められていた
超伝導トンネル接合素子を重イオンビーム等の荷電粒子線を検出する検出器として用いる
【０００６】図１に略示するように、
超伝導トンネル接合素子１０は、薄い酸化物絶縁膜（トンネル障壁）１１を２枚の超伝導金属薄膜１２，１３で挟み込んだジョセフソン素子の一種である。超伝導トンネル接合素子１０を重イオン等の荷電粒子が通過すると、荷電粒子のエネルギーの一部が超伝導トンネル接合素子に与えられ荷電粒子の通過軌跡１５に沿う領域１６のクーパー対が瞬時に解離するため、その領域１６の超伝導性が破壊される（ホットスポットの発生）。このホットスポットの発生により超伝導トンネル接合素子の超伝導体としての面積が減少し、超伝導トンネル接合素子の臨界電流（電圧ゼロの状態で素子に流すことが可能な最大電流）Ｉ
ｃ
がＩ
ｃ
′に減少する。この時、図２に示すように、超伝導トンネル接合素子に臨界電流Ｉ
ｃ
より小さく、ホットスポットの発生により減少した臨界電流Ｉ
ｃ
′より大きなバイアス電流Ｉ
ｂ
を流しておくと、荷電粒子の通過により超伝導トンネル接合素子の電圧は０Ｖからギャップ電圧Ｖ
ｇ
にスイッチする。この超伝導トンネル接合素子に発生する電圧Ｖ
ｇ
を検出することで、荷電粒子の検出が可能となる。
【０００７】前述のように、超伝導トンネル接合素子を高速の電流応答弁別器として用いた高速のハイブリッド超伝導検出器は従来から研究されていたが、荷電粒子線の直接照射によるホットスポット原理を用いて超伝導トンネル接合素子を荷電粒子検出器として動作させる試みはほとんどなされていなかった。本発明は、ホットスポット原理を用いて超伝導トンネル接合素子を実用的な荷電粒子検出器として動作させることを可能にするものである。」
　
（３−３−２）上記記載からみて、引用刊行物には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「薄い酸化物絶縁膜（トンネル障壁）１１を２枚の超伝導金属薄膜１２，１３で挟み込んだジョセフソン素子の一種である超伝導トンネル接合素子を用い、前記超伝導トンネル接合素子１０を重イオン等の荷電粒子が通過した際に、前記荷電粒子の通過軌跡１５に沿う領域１６の超伝導性を破壊してホットスポットを発生させる重イオンビーム等の荷電粒子線を検出する検出器であり、
前記超伝導トンネル接合素子の臨界電流（電圧ゼロの状態で素子に流すことが可能な最大電流）をＩｃ、前記ホットスポットの発生により減少した臨界電流をＩｃ′とした場合に、前記超伝導トンネル接合素子にＩｃより小さく、Ｉｃ′より大きなバイアス電流Ｉｂを流しておき、
前記荷電粒子の通過により、０Ｖからギャップ電圧Ｖｇにスイッチした超伝導トンネル接合素子の電圧を検出することにより荷電粒子の検出をおこなう荷電粒子線を検出する検出器。」
　
（３−４）対比・判断
（３−４−１）刊行物発明における「超伝導トンネル接合素子を用い」た「荷電粒子線を検出する検出器」は、補正後の発明の「超伝導体を有する粒子検出器」に相当する。
　
（３−４−２）刊行物発明の「超伝導金属薄膜１２，１３」は、補正後の発明の「超伝導薄膜」に相当する。
　
（３−４−３）刊行物発明の「ホットスポット」は、「超伝導トンネル接合素子１０を重イオン等の荷電粒子が通過した際に、前記荷電粒子の通過軌跡１５に沿う領域１６の
超伝導性を破壊
　
（３−４−４）刊行物発明において、「超伝導トンネル接合素子に」「
バイアス電流Ｉ
ｂ
を流して
電圧を検出
　また、刊行物発明は、「荷電粒子」が「超伝導金属薄膜１２，１３」に到達したことを検知していることも明らかである。
　
（３−４−５）すると、補正後の発明と刊行物発明とは、構成上の差異を見出すことはできず、刊行物発明と補正後の発明との間に相違点は存在しない。
　
（３−５）独立特許要件についてのまとめ
　以上、検討したとおり、補正後の発明と刊行物発明との間に相違点は存在せず、補正後の発明は、引用刊行物に記載された発明であると認められるので、補正後の発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、補正後の発明が、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　
（４）補正の却下の決定についてのむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するが、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
３．本願発明
　平成２０年７月３１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし７に係る発明は、本願の願書に最初に添付した明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載されている事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
４．引用刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物には、上において検討したとおり、上記２．（３−３−１）に記載したとおりの事項及び上記２．（３−３−２）において認定したとおりの発明が記載されているものと認められる。
　
 ５．判断
　上記２．（２）において検討したとおり、補正後の発明は、本願発明を限定的に減縮したものであるところ、上記２．（３）において検討したように、補正後の発明が、引用刊行物に記載された発明である以上、本願発明も、当然に引用刊行物に記載された発明であると認められるので、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。