【事件の表示】
　特願２００３−２７４９０１「半導体レーザとその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　２月１０日出願公開、特開２００５−　３９０７３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１５年７月１５日の特許出願であって、平成２１年１１月５日に手続補正がなされたが、平成２２年１月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月２６日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２１年１１月５日になされた手続補正による補正後の明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし２に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
「　半導体レーザの発光部を構成する活性層に近接する側の面に形成された電極を、
　該電極の、上記半導体レーザを構成するファブリペロー共振器の共振器長方向の両端縁が、その全幅に渡って、上記共振器の共振器長方向の両端面を形成する半導体結晶の劈開面より内側に入り込んだ位置に設定され、その内側に入り込む距離が、上記ファブリペロー共振器の共振器長の５％以下とされ、上記共振器長が７００μｍ以上１１００μｍ以下である
　半導体レーザ。」
　
３　引用刊行物の記載事項及び引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１０−２７９３９号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている（下線は審決で付した。）。
　
（１）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  
ストライプ状の正電極と、その正電極の位置に対応した窒化物半導体層に、ストライプ状の導波路を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記導波路の共振面は基板の劈開により形成されており、劈開面側の正電極端面が、劈開面よりも内側にある
窒化物半導体レーザ素子
　
（２）「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ストライプ導波路型の半導体レーザを作製する場合、導波路領域に当たるストライプ幅は前記のように数十μｍ以下に調整される。つまり最上層の電極のストライプ幅を数十μｍに設定することにより、活性層の導波路領域が作製される。そこで、最上層にストライプ状の電極が形成した窒化物半導体ウェーハを劈開することにより劈開面に共振面が作製される。しかし、窒化物半導体は、窒化物半導体と異なる材料よりなる基板の上に成長されるヘテロエピタキシャル成長であり、しかも前記のように非常に硬い材料でもあるため、基板を劈開して窒化物半導体層端面に共振面を作製すると、劈開時の衝撃により、劈開面端面の上に形成されている電極が浮いたり、剥がれやすくなる傾向にある。特に正電極のストライプ幅は非常に狭いため、その傾向が強い。このような状態になると、劈開面端面へのミラーを形成する際の障害になり、さらに電極間ショートの原因にもなりうる。
【０００６】従って、本発明はこのような事情を鑑みて成されたものであって、その目的とするところは、劈開により窒化物半導体層の共振面を形成して、電極の剥がれのない信頼性の高いレーザ素子を提供することにある。」
　
（３）「【００１２】
図３は本発明のレーザ素子の構造を示す斜視図であり、１は基板、２は活性層をｎ型層とｐ型層とで挟んだダブルへテロ構造を有する窒化物半導体層であり、３は窒化物半導体層の最上層であるｐ型層に設けられたストライプ状の正電極、４はエッチングにより露出されたｎ型層に設けられた負電極である。導波路は正電極３の位置に対応した活性層に設けられている
【００１３】
図３に示すように、本発明のレーザ素子では、共振面側にある正電極３のストライプ端面が、劈開面よりも内側になるように、正電極が形成されている。このように、正電極端面が劈開面よりも内側となるように形成されていることにより、劈開時の衝撃による正電極の剥がれをなくすることができる。また、劈開時にｐ型層の隅部に欠け、割れ等が発生しても、電極がその部分に形成されていないため、電流注入により、素子がショートする心配がないので信頼性に優れたレーザ素子を提供できる。好ましい正電極３端面と、劈開面との距離は１０μｍ以下に調整する。１０μｍよりも離れると閾値が上昇する傾向にある
　
（４）「【００１４】
【実施例】
［実施例１］
図５は本発明の一実施例に係るレーザ素子の構造を示す模式的な断面図であり、ストライプ状の電極に垂直な方向で素子を切断した際の図を示している
【００１５】Ａ面を主面とし、オリエンテーションフラット（オリフラ）面をＣ面とする
サファイア基板３１
【００１６】続いて・・・、Ｓｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３３を４μｍの膜厚で成長させる。・・・
【００１７】次に・・・、ＳｉドープＩｎ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなるクラック防止層３４を５００オングストロームの膜厚で成長させる。・・・
【００１８】次に、・・・、Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなるｎ型光閉じこめ層３５を０．５μｍの膜厚で成長させる。・・・
【００１９】続いて、・・・、Ｓｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型光ガイド層３６を５００オングストロームの膜厚で成長させる。・・・
【００２０】次に・・・
活性層３７
【００２１】活性層３７成長後、・・・Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるｐ型キャップ層３８を１００オングストロームの膜厚で成長させる。・・・
【００２２】次に・・・Ｍｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型光ガイド層３９を５００オングストロームの膜厚で成長させる。・・・
【００２３】続いて、・・・ＭｇドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなるｐ型光閉じこめ層４０を０．５μｍの膜厚で成長させる。
【００２４】続いて、・・・、Ｍｇドープｐ型ＧａＮよりなる
ｐ型コンタクト層４１
・・・
【００２６】次に、ウェーハを反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置にて、最上層のｐ型コンタクト層４１から選択エッチを行い、負電極４３を形成すべきｎ型コンタクト層３３の表面を露出させる。なおエッチング形状は、後に形成する共振器の方向（窒化物半導体のＭ面）に対して垂直なストライプ状とする。
【００２７】次に、ｐ型コンタクト層４１の上から同じくＲＩＥにより、選択メサエッチを行い、
ｐ型コンタクト層４１、ｐ型光閉じこめ層４０を３μｍ幅のストライプ状にエッチングしてリッジ形状とする。このように活性層よりも上にあるｐ型層をリッジ形状とすることにより、活性層の導波路を形成する
【００２８】次に表面の窒化物半導体層に所定の形状のマスクを形成して、ストライプ状の
ｐ型コンタクト層の表面にＮｉとＡｕを含む正電極４２を形成する
電極形状は図３に示すように、劈開した端面から正電極のストライプ端面が５μｍ離れるような形状とする
【００２９】一方、先に露出させたｎ型コンタクト層３３にはＴｉとＡｌよりなる連続したストライプ状の負電極４３を形成する。
【００３０】以上のようにしたウェーハのサファイア基板を８０μｍの厚さになるまで研磨する。研磨後、研磨面のサファイア基板のＲ面に相当する位置にダイヤモンドポイントカッターで傷を設けた後、その傷からウェーハを劈開してバー状のウェーハを作製する。このように、
サファイア基板の裏面側からブレークする（割る）ことにより、窒化物半導体が剥がれることなく、
劈開できる
【００３１】後は常法に従って、対向する共振面に誘電体多層膜を形成し、ストライプ状の電極に平行な位置でウェーハを分割して、
５００μｍ角のレーザチップとした
ｐ型コンタクト層より正電極４１が剥がれているものはなかった。さらにｐ−ｎ接合間でショートするものも確認されなかった
【００３２】［実施例２］基板３１にスピネル（ＭｇＡｌ2Ｏ4）の（１１１面）を使用する他は実施例１と同様にして、窒化物半導体のレーザ素子構造を作製する。さらに同様にして、ｐ型コンタクト層４１とｐ型光閉じ込め層４０とをリッジ形状にした後、正電極４２、負電極４３とを形成する。
【００３３】次に基板を１００μｍまで研磨した後、窒化物半導体層のＭ面が露出する方向で基板を劈開し、共振面を形成する。なお、
劈開面端面と正電極端面とを離す距離は３μｍとする
【００３４】このレーザ素子も同様に正電極の端がｐ型層から剥がれているものはなく、さらに素子内部のショートによる不良もなかった。
【００３５】［実施例３］基板３１に６Ｈ−ＳｉＣの（０００１）面を使用する他は、実施例１と同様にして、窒化物半導体のレーザ素子構造を作製し、ｐ型コンタクト層４１とｐ型光閉じ込め層４０とをリッジ形状にした後、ストライプ状の正電極４２、負電極４３とを形成する。
【００３６】次に基板を１００μｍまで研磨した後、窒化物半導体層のＭ面が露出する方向で基板を劈開し、共振面を形成する。なお、
劈開面端面と正電極端面とを離す距離は７μｍとする
【００３７】このレーザ素子も同様に正電極の端がｐ型層から剥がれているものはなく、さらに素子内部のショートによる不良もなかった。」
　
（５）「【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のレーザ素子では、正電極端面と、共振面にある劈開面端面との距離を離しているため、劈開時のブレークによる衝撃で電極が剥がれることのない信頼性に優れたレーザ素子を実現できる。また、共振面が劈開により形成されているため、エッチングで形成した劈開面と異なり、レーザ光の出射側に突出した窒化物半導体面がないため、レーザ光が突出面で反射されて形状が変わることがない。」
　
（６）上記（３）のとおり、図３には、共振面側にある正電極３のストライプ端面が、劈開面よりも内側になるように、正電極が形成されていることが示されている。
　なお、図３は次のとおりである。
　
　
（７）上記（４）（特に、【００１４】〜【００３１】）を踏まえて図５を見ると、正電極４２は、活性層３７に対してサファイア基板３１と反対側のｐ型コンタクト層４１の表面上に形成されていることが見て取れる。
　なお、図５は次のとおりである。
　
　
　以上の摘記事項を総合すると、引用刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
　 
「ストライプ状の正電極と、その正電極の位置に対応した窒化物半導体層に、ストライプ状の導波路を有する窒化物半導体レーザ素子において、
　前記導波路の共振面は基板の劈開により形成されており、劈開面側の正電極端面が、劈開面よりも内側にあり、
　前記正電極は、活性層に対して基板と反対側のｐ型コンタクト層の表面上に形成されている、窒化物半導体レーザ素子。」
　
４　対比 
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「窒化物半導体レーザ素子」は、本願発明の「半導体レーザ」に相当する。
　
（２）引用発明の「活性層」は、本願発明の「発光部を構成する活性層」に相当する。
　
（３）引用発明において、「正電極は、活性層に対して基板と反対側のｐ型コンタクト層の表面上に形成されて」おり、正電極は、活性層に近接する側の面に形成された電極であるといえるから、上記（２）も踏まえると、
　引用発明の「正電極」は、本願発明の「半導体レーザの発光部を構成する活性層に近接する側の面に形成された電極」に相当する。
　
（４）引用発明は、「導波路の共振面は基板の劈開により形成されており、劈開面側の正電極端面が、劈開面よりも内側にある」から、
　引用発明は、本願発明の「該電極の、上記半導体レーザを構成するファブリペロー共振器の共振器長方向の両端縁が、その全幅に渡って、上記共振器の共振器長方向の両端面を形成する半導体結晶の劈開面より内側に入り込んだ位置に設定され」との特定事項を備える。
　
　以上によると、本願発明と引用発明とは、
「半導体レーザの発光部を構成する活性層に近接する側の面に形成された電極を、
　該電極の、上記半導体レーザを構成するファブリペロー共振器の共振器長方向の両端縁が、その全幅に渡って、上記共振器の共振器長方向の両端面を形成する半導体結晶の劈開面より内側に入り込んだ位置に設定された、半導体レーザ。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
［相違点］
　共振器長が、本願発明では、「７００μｍ以上１１００μｍ以下」であるのに対して、引用発明では、特に定められるものではなく、また、ファブリペロー共振器の共振器長方向の両端縁が、その全幅に渡って、上記共振器の共振器長方向の両端面を形成する半導体結晶の劈開面より内側に入り込む距離が、本願発明では、「ファブリペロー共振器の共振器長の５％以下」とされるのに対して、引用発明では、特に定められるものではない点。
　
５　判断 
　上記相違点について検討する。 
　
　引用発明の共振器長に関して、引用刊行物には、実施例として、「５００μｍ角のレーザチップとした」例が記載されている（上記３（４）【００３１】参照。）のみであるが、引用発明の共振器長はこれに限られるものでなく、当業者において設計上適宜定め得ることは明らかであって、半導体レーザの共振器長を７００μｍ〜１１００μｍとすることに格別の困難があるものとは認められない（共振器長がこの範囲を満たす半導体レーザが記載された例として、必要であれば、特開２００２−５７４０６号公報（段落００１８〜００２０、００４０、００９４参照。）、特開２００２−３６８３４１号公報（請求項１、５、段落００２５、００３２〜００３４参照。）、特開２０００−３１５９２号公報（請求項１、段落００１１、００１６参照。）、特開２００３−６０３０９号公報（段落００３６、００３９、００４４参照。）を参照。）から、引用発明の共振器長を７００μｍ以上１１００μｍ以下の範囲のものとすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　そして、引用刊行物の記載（上記３（３）【００１３】、（５）【００３８】を参照。）によれば、引用発明は、「劈開時の衝撃による正電極の剥がれをなくすることができる」ようにするために、「劈開面側の正電極端面が、劈開面よりも内側にある」との構成を備えるものであり、引用刊行物には、さらに、閾値の上昇を抑えるために、電極端面と劈開面との距離を１０μｍ以下に調整することが記載されている（上記３（３）【００１３】参照。）から、引用発明において、その共振器長を７００μｍ〜１１００μｍとする際に、電極端面と劈開面との距離を１０μｍ以下の範囲で適宜設定し、その結果、上記相違点に係る本願発明の特定事項となすことは、当業者が容易になし得たことである。
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明から当業者が予測し得る程度のものに過ぎない。
　よって、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　なお、請求人は、審判請求書において、
「Ｃ．本願発明と引用例との対比 
・・・
　引用例１に開示された半導体レーザにおいては、５００μｍ角のレーザチップに対して、電極を共振器長のわずか１％の５μｍしか劈開面より離すことができません。 
　しかし、本願発明では、例えば共振器長を１１００μｍとすると、劈開面から電極までの距離を最大で５５μｍとなり、１１倍もの距離を設けることができます。このため、劈開時に電極が受ける衝撃を低減することができ、電極の損傷を抑制することができるという有利な効果を奏するものです。すなわち、共振器長が大きく大出力であるほど、本願発明は、電極の損傷を抑制するのに顕著な効果を発揮するものであります。また、この効果は、最大で共振器長の５％もの距離を劈開面から電極までにとったとしても、十分な発光効率が得られるため、実現することができるものです。
　このように、引用例１には、共振器の共振器長方向の両端面を形成する半導体結晶の劈開面より内側に入り込んだ位置に設定し、その内側に入り込む距離が、共振器長の５％以下とすることで、共振器長が７００μｍ〜１１００μｍの超高出力半導体レーザであっても、光出射端面の光学的損傷を回避し、かつ電極の損傷を抑制できることの構成、効果は一切記載されておらず、示唆すらないものです。 」
と述べ、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定に該当するものではない旨主張している。
　しかしながら、本願発明は、
「その
内側に入り込む距離が
共振器長の５％以下
と、電極の両端縁の内側に入り込む距離の上限のみを特定するものであるから、例えば、電極を共振器長の１％劈開面より離したもの、あるいは、７００μｍ〜１１００μｍの共振器長に対して５μｍ劈開面から離したものであってもよいものと認められる。したがって、本願発明が、請求人の上記主張にかかる効果を奏するものに特定されているとは認められない。
　したがって、請求人の上記主張は採用できない。
　
６　むすび　
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。