【手続補正書】
【提出日】平成23年3月15日(2011.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のテラヘルツアンテナ（２９、３９、４９、４９’、４９’’）を有するテラヘルツアンテナアレー（２０、３０、４０、５０）であって、
前記テラヘルツアンテナ（２９、３９、４９、４９’、４９’’）は、光導電領域（２２、３２、４２）、第１電極（２１Ａ、３１Ａ、４１Ａ）、および第２電極（２１Ｂ、３１Ｂ、４１Ｂ）を備え、
前記電極は、前記光導電領域（２２、３２、４２）の少なくとも一部分上を水平方向に延びるスペース領域（２４、３４、４４）によって間隔を空けて配置され、
隣接するテラヘルツアンテナ（２９、３９、４９、４９’、４９’’）間の横方向領域（２５、３５、４５）は非光導電性である、テラヘルツアンテナアレー（２０、３０、４０、５０）。
【請求項２】
請求項１において、前記隣接するテラヘルツアンテナ（２９、３９、４９、４９’、４９’’）間の前記横方向領域（２５、３５、４５）には光導電性材料が存在しない、テラヘルツアンテナアレー（２０、３０、４０、５０）。
【請求項３】
請求項１または２において、前記光導電領域（２２、３２、４２）は、前記スペース領域（２４、３４、４４）および前記電極（２１Ａ、２１Ｂ、３１Ａ、３１Ｂ、４１Ａ、４１Ｂ）を超えて突き出ない横方向の部分に限定されている、テラヘルツアンテナアレー（２０、３０、４０、５０）。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項において、前記アレー（２０、３０、４０）における隣接するテラヘルツアンテナ（２９、３９、４９、４９’、４９’’）間の前記横方向領域（２５、３５、４５）は、テラヘルツ周波数範囲内の吸収および／または散乱が他の周波数範囲よりも小さい、テラヘルツアンテナアレー（２０、３０、４０、５０）。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項において、前記アレー（２０、３０、４０）における隣接するテラヘルツアンテナ（２９、３９、４９、４９’、４９’’）間の前記横方向領域（２５、３５、４５）は、光学的に透明および／または非導電性である、テラヘルツアンテナアレー（２０、３０、４０、５０）。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項において、前記隣接するテラヘルツアンテナ（２９、３９、４９、４９’、４９’’）間の前記横方向領域（２５、３５、４５）は、基板（１２）によって形成されている、テラヘルツアンテナアレー（２０、３０、４０、５０）。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項において、前記隣接するテラヘルツアンテナ（２９、３９、４９、４９’、４９’’）間の前記横方向領域（２５、３５、４５）には、前記光導電領域（２２、３２、４２）および／または前記電極（２１Ａ、２１Ｂ、３１Ａ、３１Ｂ、４１Ａ、４１Ｂ）の蒸着材料が存在しない、テラヘルツアンテナアレー（２０、３０、４０、５０）。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項において、前記テラヘルツアンテナ（２９、３９、４９、４９’、４９’’）は、前記光導電領域（２２、３２、４２）における集光されたパルスの光励起に適するように設計されており、前記光導電領域（２２、３２、４２）は０．９ｅＶを超えるエネルギーで励起されている、テラヘルツアンテナアレー（２０、３０、４０、５０）。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項において、前記テラヘルツアンテナ（２９、３９、４９、４９’、４９’’）は金属−半導体−金属構造体によって形成されており、前記電極（２１Ａ、２１Ｂ、３１Ａ、３１Ｂ、４１Ａ、４１Ｂ）は金属材料によって形成され、前記光導電領域（２２、３２、４２）は半導体材料によって形成されている、テラヘルツアンテナアレー（２０、３０、４０、５０）。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項において、前記光導電領域（２２、３２、４２）はＬＴ−ＧａＡｓによって形成されている、テラヘルツアンテナアレー（２０、３０、４０、５０）。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項において、前記光導電領域（２２、３２、４２）は前記電極（２１Ａ、２１Ｂ、３１Ａ、３１Ｂ、４１Ａ、４１Ｂ）の下側に配置された少なくとも１つの層（３２Ａ）を備えており、前記層（３２Ａ）は、前記スペース領域（２４、３４、４４）および前記電極（２１Ａ、２１Ｂ、３１Ａ、３１Ｂ、４１Ａ、４１Ｂ）の前記横方向の部分に延びている、テラヘルツアンテナアレー（２０、３０、４０、５０）。
【請求項１２】
請求項１から１０のいずれか一項において、前記光導電領域（２２、３２、４２）は前記電極（２１Ａ、２１Ｂ、３１Ａ、３１Ｂ、４１Ａ、４１Ｂ）間に配置された少なくとも１つの層（３２Ｂ）を備えており、前記層（３２Ｂ）は、前記スペース領域（２４、３４、４４）の前記横方向の部分に延びている、テラヘルツアンテナアレー（２０、３０、４０、５０）。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか一項において、前記光導電領域（２２、３２、４２）の厚みは１０μｍ以下であり、前記領域（２２，３２，４２）は少なくとも０．５μｍの厚さを有する、テラヘルツアンテナアレー（２０、３０、４０、５０）。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか一項において、前記テラヘルツアンテナ（２９、３９、４９、４９’、４９’’）はフィンガ構造の電極（２１Ａ、２１Ｂ、３１Ａ、３１Ｂ、４１Ａ、４１Ｂ）によって形成されている、テラヘルツアンテナアレー（２０、３０、４０、５０）。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか一項において、前記フィンガ構造のフィンガ（４１Ａ、４１Ｂ）はテラヘルツ共振器を構成する形状である、テラヘルツアンテナアレー（２０、３０、４０、５０）。
【請求項１６】
請求項１から１５のいずれか一項において、前記フィンガ構造のフィンガ（４１Ａ、４１Ｂ）は、フィンガの横方向の部分に、前記光導電領域（２２、３２、４２）から離れる方向に向くＴ字形状部（４６）を有する、テラヘルツアンテナアレー（２０、３０、４０、５０）。
【請求項１７】
請求項１から１６のいずれか一項において、少なくとも第１の複数のテラヘルツアンテナ（４９’）が第２の複数のテラヘルツアンテナ（４９’’）とは異なる電位にある、テラヘルツアンテナアレー（２０、３０、４０、５０）。
【請求項１８】
請求項１から１７のいずれか一項において、前記隣接するテラヘルツアンテナ（２９、３９、４９、４９’、４９’’）の中心間の距離は、λ／４０〜λ／１．５の範囲である、テラヘルツアンテナアレー（２０、３０、４０、５０）。
【請求項１９】
請求項１から１８のいずれか一項において、励起側にマイクロレンズが配置されている、テラヘルツアンテナアレー（２０、３０、４０、５０）。
【請求項２０】
請求項１から１９のいずれか一項において、前記テラヘルツアンテナ（２９、３９、４９、４９’、４９’’）が、電界増幅手段を備えており、前記電界増幅手段が、前記励起側に設けられている、テラヘルツアンテナアレー（２０、３０、４０、５０）。
【請求項２１】
請求項１から２０のいずれか一項において、前記電界増幅手段が、高い誘電定数のナノスケール材料の形態で形成されている、テラヘルツアンテナアレー（２０、３０、４０、５０）。
【請求項２２】
請求項２１において、前記ナノスケール材料が金属材料である、テラヘルツアンテナアレー（２０、３０、４０、５０）。
【請求項２３】
請求項１から２２のいずれかに記載の複数のテラヘルツアンテナアレー（２０、３０、４０、５０）で構成されたシステムであって、
少なくとも第１の複数のテラヘルツアンテナアレー（２０、３０、４０、５０）は第２の複数のテラヘルツアンテナアレー（２０、３０、４０、５０）とは異なる電位にある、システム。
【請求項２４】
複数のテラヘルツアンテナ（２９、３９、４９、４９’、４９’’）を有するテラヘルツアンテナアレー（２０、３０、４０、５０）を製造する方法であって、
ＴＨｚアンテナ（２２、３９、４９’、４９’’）は、光導電領域（２２、３２、４２）、第１電極（２１Ａ、３１Ａ、４１Ａ）、および第２電極（２１Ｂ、３１Ｂ、４１Ｂ）を備え、前記電極は、前記光導電領域（２２、３２、４２）の少なくとも一部分上を横方向に延びるスペース領域（２４、３４、４４）によって間隔を空けて配置されており、
−光導電領域（２２、３２、４２）を有する出発材料（５１）を準備し、
−前記光導電領域（２２、３２、４２）上に前記電極（２１Ａ、２１Ｂ、３１Ａ、３１Ｂ、４１Ａ、４１Ｂ）を形成し、
−前記アレー（２０、３０、４０、５０）内の隣接するテラヘルツアンテナ（２９、３９、４９、４９’、４９’’）間の横方向領域（２５、３５、４５）における前記光導電領域（２２、３２、４２）の一部を除去し、前記アレー（２０、３０、４０、５０）における隣接するテラヘルツアンテナ（２９、３９、４９、４９’、４９’’）間の横方向領域（２５、３５、４５）は非光導電構造とし、
−得られたテラヘルツアンテナアレー（２０、３０、４０、５０）の構造体を前記出発材料からリフトオフして非光導電基板に転写する、テラヘルツアレーの製造方法。
【請求項２５】
請求項２４において、前記光導電領域（２２、３２、４２）は、前記スペース領域（２４、３４、４４）の横方向部分を越えて突き出ない、または前記スペース領域（２４、３４、４４）および前記電極（２１Ａ、２１Ｂ、３１Ａ、３１Ｂ、４１Ａ、４１Ｂ）の横方向部分を超えて突き出ない横方向部分に限定されている、テラヘルツアレーの製造方法。
【請求項２６】
請求項２４または２５において、前記電極は、気化による金属層の蒸着および／または必要でない電極部位のリフトオフによって形成される、テラヘルツアレーの製造方法。
【請求項２７】
請求項２４から２６のいずれか一項において、前記電極は、必要でない部位の化学エッチングによって形成される、テラヘルツアレーの製造方法。
【請求項２８】
請求項２４から２７のいずれか一項において、前記光導電領域（２２、３２、４２）の一部の除去は、前記アレー（２０、３０、４０）における隣接するテラヘルツアンテナ（２９、３９、４９、４９’、４９’’）間の横方向領域（２５、３５、４５）の化学エッチングによって実現される、テラヘルツアレーの製造方法。
【請求項２９】
請求項２４から２８のいずれか一項において、前記出発材料からのリフトオフは、前記光導電領域（２２、３２、４２）の下側の犠牲領域の化学エッチングによって実現される、テラヘルツアレーの製造方法。
【請求項３０】
請求項２４から２９のいずれか一項において、前記テラヘルツアンテナ（２９、３９、４９、４９’、４９’’）は、λ／４０〜λ／１．５の範囲の間隔で配列されている、テラヘルツアレーの製造方法。
【請求項３１】
請求項２４から３０のいずれか一項において、テラヘルツアンテナ（２９、３９、４９、４９’、４９’’）の励起側にマイクロレンズが配列されている、テラヘルツアレーの製造方法。
【請求項３２】
請求項２４から３１のいずれか一項において、テラヘルツアンテナ（２９、３９、４９、４９’、４９’’）には電界増幅手段が設けられており、前記電界増幅手段は、高誘電定数のナノスケール材料である、テラヘルツアレーの製造方法。