【事件の表示】
　特許第６００２６７２号発明「チャンバコンポーネントを接合するために使用される接着材料」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６００２６７２号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり、訂正後の〔１−５〕、〔６−９〕について訂正することを認める。
　特許第６００２６７２号の請求項１〜９に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第６００２６７２号の請求項１〜９に係る特許についての出願は、平成２３年１１月７日に出願され、平成２８年９月９日にその特許権の設定登録がされ、平成２９年３月２８日に、その特許について、特許異議申立人福田旭洋により、特許異議の申立てがされ（以下、特許異議申立人を単に「申立人」ということもある。）、同年６月６日付けで取消理由が通知され、同年９月４日に意見書の提出及び訂正の請求があり、その訂正の請求に対して、同年１０月４日に申立人から意見書が提出され、同年１０月２６日付けで取消理由が通知され、平成３０年１月２２日に意見書の提出及び訂正の請求があり、その訂正の請求に対して申立人から意見書は提出されなかったものである。
　なお、平成２９年９月４日の訂正の請求は、特許法第１２０条の５第７項の規定により、取り下げられたものとみなす。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　本件訂正請求による訂正の内容は、次のとおりである。
　ア　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１の「ヤング率が３００ｐｓｉ（＝３００ｌｂｆ／ｉｎ２＝２．０７ＭＰａ）より低い接着材料を含み、前記接着材料は、伸びが１５０％を超える円盤形状の穴あきシートであり、前記接着材料は、セラミックス製ガス分配板と金属製導電性ベースプレートの間にガス通路を画定するように配置される、半導体チャンバコンポーネントを接合するのに適した接着材料。」を「ヤング率が３００ｐｓｉ（＝３００ｌｂｆ／ｉｎ２＝２．０７ＭＰａ）より低い接着材料を含み、前記接着材料は、伸びが１５０％を超える円盤形状の穴あきシートであり、前記接着材料は、セラミックス製ガス分配板と金属製導電性ベースプレートの間にガス通路を画定するように配置され、前記接着材料は、プラズマプロセス中における接合界面の熱膨張の不整合に起因する表面変動に順応することができ、前記穴あきシートは、前記セラミックス製ガス分配板の開口部及び前記金属製導電性ベースプレートの開口部と整列するように配置されている予め形成された複数の開口部を含み、前記複数の開口部は、中央部に光監視システム用の通路のための第１開口部と、その周囲に規則的なパターンで配置されたガス通路のための複数の第２開口部とを含み、前記規則的なパターンは、グリッド、円形状配列、又は放射状パターンであり、前記セラミックス製ガス分配板の開口部、前記金属製導電性ベースプレートの開口部、及び前記穴あきシートの開口部は、直径が等しいか、又は前記穴あきシートの開口部の直径が、前記セラミックス製ガス分配板の開口部及び金属製導電性ベースプレートの開口部の直径よりも大きい、半導体チャンバコンポーネントを接合するのに適した接着材料。」に訂正する。
　（請求項１の記載を引用する請求項２〜５も同様に訂正する。）。
　
　イ　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項６の「第２の表面に隣接して配置された第１の表面と、
　前記第１の表面を前記第２の表面に接合する接着材料を含み、前記接着材料はヤング率が３００ｐｓｉ（＝３００ｌｂｆ／ｉｎ２＝２．０７ＭＰａ）よりも低く、前記接着材料は、伸びが１５０％を超える円盤形状の穴あきシートであり、前記第１の表面はセラミックス製ガス分配板であり、前記第２の表面は金属製導電性ベースプレートであり、前記接着材料は前記第１の表面と前記第２の表面の間にガス通路を画定するように配置される半導体チャンバコンポーネント。」を「第２の表面に隣接して配置された第１の表面と、
　前記第１の表面を前記第２の表面に接合する接着材料を含み、前記接着材料はヤング率が３００ｐｓｉ（＝３００ｌｂｆ／ｉｎ２＝２．０７ＭＰａ）よりも低く、前記接着材料は、伸びが１５０％を超える円盤形状の穴あきシートであり、前記第１の表面はセラミックス製ガス分配板であり、前記第２の表面は金属製導電性ベースプレートであり、前記接着材料は前記第１の表面と前記第２の表面の間にガス通路を画定するように配置され、前記接着材料は、プラズマプロセス中における接合界面の熱膨張の不整合に起因する表面変動に順応することができ、前記穴あきシートは、前記セラミックス製ガス分配板の開口部及び前記金属製導電性ベースプレートの開口部と整列するように配置されている予め形成された複数の開口部を含み、前記複数の開口部は、中央部に光監視システム用の通路のための第１開口部と、その周囲に規則的なパターンで配置されたガス通路のための複数の第２開口部とを含み、前記規則的なパターンは、グリッド、円形状配列、又は放射状パターンであり、前記セラミックス製ガス分配板の開口部、前記金属製導電性ベースプレートの開口部、及び前記穴あきシートの開口部は、直径が等しいか、又は前記穴あきシートの開口部の直径が、前記セラミックス製ガス分配板の開口部及び前記金属製導電性ベースプレートの開口部の直径よりも大きい半導体チャンバコンポーネント。」に訂正する。
　（請求項６の記載を引用する請求項７〜９も同様に訂正する。）。
　
　ウ　訂正事項３
　明細書段落００３２の「図３は、穴あきシート３００の形態の接着材料１２２を有する一実施形態のガス分配アセンブリ１３０の分解図を示している。穴あきシート３００は、上述される接着材料１２２のような寸法的及び物理的特性を有することができる。穴あきシート３００は、円盤形状を有することができ、実質的に、ガス分配板１９４と同じ直径を有することができる。穴あきシート３００は、開口部１３４、１５４と整列するように配置されている予め形成された複数の開口部３０２を含む。複数の開口部３０２は、規則的なパターン（特に、グリッド、極座標配列、又は放射状パターンなど）で配置されることができる。開口部１３４、１５４、３０２の直径は、実質的に等しいか、又は開口部３０２の直径が開口部１３４、１５４の直径よりも僅かに大きく、これによってガス分配アセンブリ１３０を通過する流れは、最小の制限を有する。更に、開口部１３４、１５４、３０２は直径がほとんど又は全く違いのない同心円であるので、接着層を貫通する開口部の形状が、接着層が穴のあいた非シート形状ではないときに普及している楕円形又は他の非円形形状であるときにより可能性のある、開口部１３４、１５４、３０２が合うときにおける粒子やその他の潜在的な汚染物質の蓄積の可能性が最小となる。」を「図３は、穴あきシート３００の形態の接着材料１２２を有する一実施形態のガス分配アセンブリ１３０の分解図を示している。穴あきシート３００は、上述される接着材料１２２のような寸法的及び物理的特性を有することができる。穴あきシート３００は、円盤形状を有することができ、実質的に、ガス分配板１９４と同じ直径を有することができる。穴あきシート３００は、開口部１３４、１５４と整列するように配置されている予め形成された複数の開口部３０２を含む。複数の開口部３０２は、規則的なパターン（特に、グリッド、円形状配列、又は放射状パターンなど）で配置されることができる。開口部１３４、１５４、３０２の直径は、実質的に等しいか、又は開口部３０２の直径が開口部１３４、１５４の直径よりも僅かに大きく、これによってガス分配アセンブリ１３０を通過する流れは、最小の制限を有する。更に、開口部１３４、１５４、３０２は直径がほとんど又は全く違いのない同心円であるので、接着層を貫通する開口部の形状が、接着層が穴のあいた非シート形状ではないときに普及している楕円形又は他の非円形形状であるときにより可能性のある、開口部１３４、１５４、３０２が合うときにおける粒子やその他の潜在的な汚染物質の蓄積の可能性が最小となる。」に訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、一群の請求項、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　ア　訂正事項１について
　上記訂正事項１は、請求項１において、【００２０】、【００２８】、【００３２】及び【図１】等の記載に基づき、
　「接着材料」の特性について、「前記接着材料は、プラズマプロセス中における接合界面の熱膨張の不整合に起因する表面変動に順応することができ」と記載することで、「接着材料」の特性をさらに限定するものであり、「金属材料」の形態である「穴あきシート」について、「前記穴あきシートは、前記セラミックス製ガス分配板の開口部及び前記金属製導電性ベースプレートの開口部と整列するように配置されている予め形成された複数の開口部を含み、前記複数の開口部は、中央部に光監視システム用の通路のための第１開口部と、その周囲に規則的なパターンで配置されたガス通路のための複数の第２開口部とを含み、前記規則的なパターンは、グリッド、円形状配列、又は放射状パターンであり、前記セラミックス製ガス分配板の開口部、前記金属製導電性ベースプレートの開口部、及び前記穴あきシートの開口部は、直径が等しいか、又は前記穴あきシートの開口部の直径が、前記セラミックス製ガス分配板の開口部及び金属製導電性ベースプレートの開口部の直径よりも大きい」と記載することで、「穴あきシート」の形態をさらに限定するものであるから、当該訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号の「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではなく、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載されている事項の範囲内の訂正である。
　
　イ　訂正事項２について
　訂正事項には、請求項６において、【００２０】、【００２８】、【００３２】及び【図１】等の記載に基づき、「接着材料」の特性について、「プラズマプロセス中における接合界面での熱膨張の不整合に起因する表面変動に順応することができ」る点を限定し、「穴あきシート」について、「前記セラミックス製ガス分配板の開口部及び前記金属製導電性ベースプレートの開口部と整列するように配置されている予め形成された複数の開口部を含み、前記複数の開口部は、中央部に光監視システム用の通路のための第１開口部と、その周囲に規則的なパターンで配置されたガス通路のための複数の第２開口部とを含み、前記規則的なパターンは、グリッド、円形状配列、又は放射状パターンであり、前記セラミックス製ガス分配板の開口部、前記金属製導電性ベースプレートの開口部、及び前記穴あきシートの開口部は、直径が等しいか、又は前記穴あきシートの開口部の直径が、前記セラミックス製ガス分配板の開口部及び前記金属製導電性ベースプレートの開口部の直径よりも大きい」との限定を加えるものであるから、当該訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号の「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではなく、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載されている事項の範囲内の訂正である。
　
　ウ　訂正事項３について
　訂正事項３は、明細書段落００３２における「複数の開口部３０２」の配置である「規則的パターン」のうち、「極座標配列」を「円形状配列」と訂正するものである。
　ここで、「極座標配列」という用語は、本件の原文明細書第１０頁第１７行（国際公開第２０１２／０６７８８３号の[0035]９行目））の「polar array」を翻訳したものと解される。
　しかしながら、該「polar array」は、「a plurality of pre-formed apertures 302（複数の予め形成された開口部３０２）」の配置の一つを示す用語であるから、「極座標配列」という用語は、その開口部３０２の配置を、直接的に表現したものとはいえない。
　一方、「polar array」という用語には、「円形状配列」という翻訳も存在する。
　そうすると、「polar array」の翻訳である「極座標配列」という用語は、本来「円形状配列」と翻訳すべきものを「極座標配列」と誤訳して記載したものといえる。
　したがって、当該訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号の「誤記又は誤訳の訂正」を目的とするものである。
　そして、「極座標」とは、「ｘｙ座標平面の点Ｐを、原点（極）Ｏとの距離ｒと、ＯＰがｘ軸となす角θとの組（ｒ，θ）で表した座標。［株式会社岩波書店　広辞苑第六版］」のことであり、訂正前の「複数の開口部３０２」の配置が、「極座標配列」であるとは、極座標〔ｘｙ座標平面の点Ｐを、原点（極）Ｏとの距離ｒと、ＯＰがｘ軸となす角θとの組（ｒ，θ）で表した座標〕において、距離ｒを一定にし、ＯＰがｘ軸となす角θを複数設定することによって定められる配列、すなわち、円形状配列と解することができることから、訂正前の記載が訂正後の記載と同一の意味を表すものといえる。
　そうすると、当該訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではなく、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載されている事項の範囲内の訂正である。
　
　エ　一群の請求項について
　訂正前の請求項１〜５は、請求項２〜５が、訂正の請求の対象である請求項１の記載を引用する関係にあり、訂正前の請求項６〜９は、請求項７〜９が、訂正の請求の対象である請求項６の記載を引用する関係にあるから、訂正前において一群の請求項に該当するものである。
　したがって、訂正の請求は、一群の請求項ごとにされたものである。
　
（３）まとめ
　上記「（２）ア〜エ」より、上記訂正請求による訂正事項１〜３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号又は第２号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項及び第９項で準用する同法第１２６条第４項から第６項の規定に適合するので、訂正後の請求項〔１〜５〕、〔６〜９〕について訂正することを認める。
　
３．特許異議の申立てについて
（１）本件発明
　本件特許の明細書の特許請求の範囲は、上記のとおり訂正が認められるから、本件特許の請求項１〜９に係る発明（以下、項番に応じて、「本件特許発明１」などといい、まとめて「本件特許発明」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された次のとおりのものである。なお、請求項１〜９について、便宜的に分説して記載した。
「【請求項１】
　Ａ ヤング率が３００ｐｓｉ（＝３００ｌｂｆ／ｉｎ２＝２．０７ＭＰａ）より低い接着材料を含み、
　Ｂ　前記接着材料は、伸びが１５０％を超える
　Ｃ　円盤形状の穴あきシートであり、
　Ｄ　前記接着材料は、セラミックス製ガス分配板と金属製導電性ベースプレートの間にガス通路を画定するように配置され、
　Ｘ１　前記接着材料は、プラズマプロセス中における接合界面での熱膨張の不整合に起因する表面変動に順応することができ、
　Ｘ２　前記穴あきシートは、前記セラミックス製ガス分配板の開口部及び前記金属製導電性ベースプレートの開口部と整列するように配置されている予め形成された複数の開口部を含み、
　Ｘ３　前記複数の開口部は、中央部に光監視システム用の通路のための第１開口部と、その周囲に規則的なパターンで配置されたガス通路のための複数の第２開口部とを含み、前記規則的なパターンは、グリッド、円形状配列、又は放射状パターンであり、
　Ｘ４　前記セラミックス製ガス分配板の開口部、前記金属製導電性ベースプレートの開口部、及び前記穴あきシートの開口部は、直径が等しいか、又は前記穴あきシートの開口部の直径が、前記セラミックス製ガス分配板の開口部及び前記金属製導電性ベースプレートの開口部の直径よりも大きい、
　Ｅ　半導体チャンバコンポーネントを接合するのに適した接着材料。
【請求項２】
　Ｆ　前記接着材料はシリコーン系化合物である請求項１記載の材料。
【請求項３】
　Ｇ　前記接着材料は熱応力が２ＭＰａ未満である請求項１記載の材料。
【請求項４】
　Ｈ　前記接着材料は熱伝導率が０．１Ｗ／ｍＫ〜５Ｗ／ｍＫである請求項１記載の材料。
【請求項５】
　Ｉ　前記接着材料は厚さが１００μｍ〜５００μｍである請求項１記載の材料。
【請求項６】
　Ｊ　第２の表面に隣接して配置された第１の表面と、
　Ｋ　前記第１の表面を前記第２の表面に接合する接着材料を含み、
　Ｌ　前記接着材料はヤング率が３００ｐｓｉ（＝３００ｌｂｆ／ｉｎ２＝２．０７ＭＰａ）よりも低く、
　Ｍ　前記接着材料は、伸びが１５０％を超える
　Ｎ　円盤形状の穴あきシートであり、
　Ｏ　前記第１の表面はセラミックス製ガス分配板であり、前記第２の表面は金属製導電性ベースプレートであり、
　Ｐ　前記接着材料は前記第１の表面と前記第２の表面の間にガス通路を画定するように配置され
　Ｘ11　前記接着材料は、プラズマプロセス中における接合界面での熱膨張の不整合に起因する表面変動に順応することができ、
　Ｘ12　前記穴あきシートは、前記セラミックス製ガス分配板の開口部及び前記金属製導電性ベースプレートの開口部と整列するように配置されている予め形成された複数の開口部を含み、
　Ｘ13　前記複数の開口部は、中央部に光監視システム用の通路のための第１開口部と、その周囲に規則的なパターンで配置されたガス通路のための複数の第２開口部とを含み、前記規則的なパターンは、グリッド、円形状配列、又は放射状パターンであり、
　Ｘ14　前記セラミックス製ガス分配板の開口部、前記金属製導電性ベースプレートの開口部、及び前記穴あきシートの開口部は、直径が等しいか、又は前記穴あきシートの開口部の直径が、前記セラミックス製ガス分配板の開口部及び前記金属製導電性ベースプレートの開口部の直径よりも大きい
　Ｑ　半導体チャンバコンポーネント。
【請求項７】
　Ｒ　前記接着材料はシリコーン系化合物である請求項６記載の半導体チャンバコンポーネント。
【請求項８】
　Ｓ　前記接着材料は熱応力が２ＭＰａ未満である請求項６記載の半導体チャンバコンポーネント。
【請求項９】
　Ｔ　前記接着材料は熱伝導率が０．１Ｗ／ｍＫ〜５Ｗ／ｍＫであり、
　Ｕ　厚さが１００μｍ〜５００μｍである請求項６記載の半導体チャンバコンポーネント。」
　
（２）訂正前の請求項に対する取消理由の概要
　ア　平成２９年６月６日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
（ア）（進歩性）本件請求項１〜９に係る発明は、本件特許の出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その発明に係る特許は取り消すべきものである。
　
 　　　　　　　　　　　　　記
　　　　　　　　　　　　　　　　
　引用例１：特開２００３−２７３２０２号公報（甲第１号証） 
　引用例２：国際公開第２００９／０７８９２３号（甲第２号証） 
　引用例３：国際公開第２０１０／０６８６３５号（甲第３号証） 
　引用例４：特開２００７−３５８７８号公報（甲第４号証） 
　
（イ）（サポート要件）本件請求項１〜９に係る発明は、接着材料（１２２）のヤング率、伸び、熱応力、熱伝導率、厚さに関し、数値範囲を用いて規定された発明特定事項を含んでいる。 
　しかしながら、本件の発明の詳細な説明には、出願時の技術常識に照らしても、その数値の範囲内であれば課題を解決できると当業者が認識できる程度に具体例又は又は説明が記載されていないため、請求項に係る発明の範囲まで、発明の詳細な説明において開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえない。 
　例えば、接着材料（１２２）のヤング率について、本件の発明の詳細な説明には、次の記載がある。 
 「一実施形態では、接着材料１２２は、低ヤング率（例えば、３００ｐｓｉ未満）を有するように選択される。低ヤング率を有する接着材料は、比較的適合しており、プラズマプロセス中における接合界面での表面変動に順応することができる。プラズマ処理中に、界面における表面は、プラズマ反応で発生した熱エネルギーにより膨張する可能性がある。したがって、２つの面２０４、２０６が２つの異なる材料（例えば、セラミックス製ガス分配板１９４と金属製導電性ベースプレート１９６）から構成される場合、界面に配置された接着材料１２２は、界面での熱膨張の不整合に順応するのに十分適合している。したがって、低ヤング率を有する接着材料１２２は、プラズマ処理中に低い熱応力を提供し、これによって界面での熱膨張の不整合に順応するために所望の適合性を提供する。一実施形態では、接着材料は、約２メガパスカル未満の熱応力を有するように選択される。」（【００２８】）
　すなわち、本件の発明の詳細な説明には、低ヤング率を有する接着材料は、プラズマプロセス中における接合界面での表面変動に順応することができる、という課題を解決できる（作用効果がある）ことは記載されている。しかしながら、本件の発明の詳細な説明には、接着材料のヤング率の具体的な値を示した実施例や実験例は一切記載されていない。そのため、本件の発明の詳細な説明には、本件特許発明１〜９に規定されたように、接着材料のヤング率を３００ｐｓｉ（＝３００ｌｂｆ／ｉｎ２＝２．０７ＭＰａ）より低いという数値範囲内とすれば課題を解決できると当業者が認識できる程度に具体例又は説明が記載されていないことは明らかである。 
 　 
　上述した他の指標値の数値範囲についても、同様に、本件の発明の詳細な説明には、該数値範囲内とすれば課題を解決できると当業者が認識できる程度に具体例又は説明が記載されていない。 
 　 
　以上のことから、本件請求項１〜９に係る発明の範囲まで、発明の詳細な説明において開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえない。したがって、本件特許発明１〜９はサポート要件（特許法第３６条第６項第１号）を満たさない。 
　
　イ　平成２９年１０月２６日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
（ア）（進歩性）本件請求項１〜９に係る発明は、本件特許の出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その発明に係る特許は取り消すべきものである。
　
 　　　　　　　　　　　　　記
　　　　　　　　　　　　　　　　
　引用例１：特開２００３−２７３２０２号公報（甲第１号証） 
　引用例２：国際公開第２００９／０７８９２３号（甲第２号証） 
　引用例３：国際公開第２０１０／０６８６３５号（甲第３号証） 
　引用例４：特開２００７−３５８７８号公報（甲第４号証） 
　周知例１：特開２００７−１９４３２０号公報（申立人の平成２９年１０月４日提出の意見書に添付された参考資料１） 
　周知例２：特開２００３−１３３４０１号公報（同参考資料２） 
　周知例３：特開２０１０−１６３６３（同参考資料３） 
　
（イ）（サポート要件）本件請求項１〜９に係る発明は、接着材料のヤング率、伸び、熱応力、熱伝導率、厚さに関し、数値範囲を用いて規定された発明特定事項を含んでいる。 
 　しかしながら、本件の発明の詳細な説明には、出願時の技術常識に照らしても、その数値の範囲内であれば課題を解決できると当業者が認識できる程度に具体例又は又は説明が記載されていないため、請求項に係る発明の範囲まで、発明の詳細な説明において開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえない。 
 　例えば、接着材料（１２２）のヤング率について、本件の発明の詳細な説明には、次の記載がある。 
 「一実施形態では、接着材料１２２は、低ヤング率（例えば、３００ｐｓｉ未満）を有するように選択される。低ヤング率を有する接着材料は、比較的適合しており、プラズマプロセス中における接合界面での表面変動に順応することができる。プラズマ処理中に、界面における表面は、プラズマ反応で発生した熱エネルギーにより膨張する可能性がある。したがって、２つの面２０４、２０６が２つの異なる材料（例えば、セラミックス製ガス分配板１９４と金属製導電性ベースプレート１９６）から構成される場合、界面に配置された接着材料１２２は、界面での熱膨張の不整合に順応するのに十分適合している。したがって、低ヤング率を有する接着材料１２２は、プラズマ処理中に低い熱応力を提供し、これによって界面での熱膨張の不整合に順応するために所望の適合性を提供する。一実施形態では、接着材料は、約２メガパスカル未満の熱応力を有するように選択される。」（【００２８】）
　
　すなわち、本件の発明の詳細な説明には、低ヤング率を有する接着材料は、プラズマプロセス中における接合界面での表面変動に順応することができる、という課題を解決できる（作用効果がある）ことは記載されている。しかしながら、本件の発明の詳細な説明には、接着材料のヤング率の具体的な値を示した実施例や実験例は一切記載されていない。そのため、本件の発明の詳細な説明には、本件特許発明１〜９に規定されたように、接着材料のヤング率を３００ｐｓｉ（＝３００ｌｂｆ／ｉｎ２＝２．０７ＭＰａ）より低いという数値範囲内とすれば課題を解決できると当業者が認識できる程度に具体例又は説明が記載されていないことは明らかである。 
 　 
　上述した他の指標値の数値範囲についても、同様に、本件の発明の詳細な説明には、該数値範囲内とすれば課題を解決できると当業者が認識できる程度に具体例又は説明が記載されていない。 
　 
　以上のことから、本件請求項１〜９に係る発明の範囲まで、発明の詳細な説明において開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえない。したがって、本件特許発明１〜９はサポート要件（特許法第３６条第６項第１号）を満たさない。 
 　 
　なお、請求項中に課題を解決できる（作用効果がある）との記載が追加されたとしても、あいかわらず、本件の発明の詳細な説明には、その数値の範囲内（例えば、ヤング率が３００ｐｓｉより低い）であれば課題を解決できると当業者が認識できる程度に具体例又は説明が記載されていないため、請求項に係る発明の範囲まで、発明の詳細な説明において開示された内容を拡張ないし一般化できないことには変わりがない。 
 　 
（ウ）（明確性要件） 
　ａ　請求項１及び６に記載された「規則的パターン」について、規則的なパターンで配置され）における「規則的なパターン」との記載は、発明の詳細な説明に定義が記載されておらず、出願時の技術常識でもないため、「規則的なパターン」の意味内容を理解できない。 
 　 
　ｂ　請求項１及び６に記載された「実質的に等しい」および「僅かに大きい」について 
　上記発明特定事項Ｘ４、Ｘ14（前記セラミックス製ガス分配板の開口部、前記金属製導電性ベースプレートの開口部、及び前記穴あきシートの開口部は、直径が実質的に等しいか、又は前記穴あきシートの開口部の直径が、前記セラミックス製ガス分配板の開口部及び前記金属製導電性ベースプレートの開口部の直径よりも僅かに大きい）における「実質的に等しい」および「僅かに大きい」との記載は、範囲を不確定とさせる表現であり、その結果、発明の範囲が不明確となっている。
　
　ｃ　上記ａ、ｂのとおり、請求項１及び６及び請求項１又は６を、それぞれ引用する請求項２〜５、７〜９の記載は明確性要件（特許法第３６条第６項第２号）を満たさない。 
　
（３）引用例・周知例の記載（下線は当審が付与した。）
　ア　引用例１
　引用例１には、「半導体支持装置」（発明の名称）について、次の記載がある。
「【請求項１】半導体を支持する平面を有する半導体支持部材、金属部材、および前記半導体支持部材と前記金属部材とを接合する接合層を備えている半導体支持装置であって、前記接合層が接着シートからなり、前記接着シートが、樹脂マトリックスおよびこの樹脂マトリックス中に分散されているフィラーを含むことを特徴とする、半導体支持装置。」
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体支持装置に関する
「【０００６】本発明の課題は、
半導体を支持する平面を有する半導体支持部材、金属部材、および半導体支持部材と金属部材とを接合する接合層を備えている半導体装置において、半導体支持部材の表面の平面度を向上させるのと共に、ウエハー表面の温度を制御可能とする
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、
半導体を支持する平面を有する半導体支持部材、金属部材、および半導体支持部材と金属部材とを接合する接合層を備えている半導体支持装置であって、接合層が接着シートからなり、接着シートが、樹脂マトリックスおよびこの樹脂マトリックス中に分散されているフィラーを含む
「【００１２】また、
前記接着シートのヤング率が１００ＭＰａ以下であることが好ましく、
接着シートの伸縮性が高いので、半導体支持部材と金属部材との間の気密性を保つことができる。また、接着シートが伸びることにより熱応力を逃がすことができる。従って、熱応力により接合後にそりが大きくなったり、接合面が剥離したりするのを防ぐことができる。
「【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を適宜参照しつつ、本発明を更に説明する。図１（ａ）は、
本発明の一実施形態において使用する半導体支持部材１
【００１５】
半導体支持部材１は、静電チャックであり、セラミックス製の基体２と、基体２内に埋設された静電チャック電極３とを備えている。
【００１６】
本例の金属部材７は、冷却機能を有する冷却フランジ
【００１７】基体２の接合面２ｂと、金属部材７の接合面７ａとのいずれか一方に、
接着シート４を設ける。接合面４ｂが金属部材７と接合し、接合面４ａが基体２と接合する。
接着シート４は、樹脂マトリックス１１
を有する。
【００１８】
樹脂マトリックス１１を構成する樹脂は、伸縮性のある樹脂が好ましく
【００１９】熱伝導性を高めるという観点からは、
接着シート４の厚さは２００μｍ以下
３０μｍ以上
【００２０】また、
接着シート４を介して基体２および金属部材７を接合するときの熱サイクルにおいて発生する熱応力を低減させる観点からは、接着シート４のヤング率が１００MPａ以下であることが好ましい
接着シート４の伸びが１００％以上であることが好ましく、さらに１５０％以上であることがより好ましく、さらに２００％以上であることが一層好ましい
「【００２６】半導体支持部材１の基体２を構成するセラミックスとしては、アルミナのような酸化物系セラミックス、チタン酸カルシウム、チタン酸バリウム、窒化物セラミックスを例示できる。窒化物セラミックスとしては、窒化珪素およびサイアロンが、耐熱衝撃性の点で好ましい。また、窒化アルミニウムは、フッ素系腐食性ガスに対する耐蝕性、および熱伝導性の点で好ましい。
【００２７】
金属部材７の材質は
アルミニウム、銅、ステンレス鋼、ニッケルまたはこれらの金属の合金
「【００３７】この結果、図４に示すような半導体支持装置１２が得られる。図５は、図４の半導体支持装置１２に含まれる接合層２７の平面図であり、従って半導体支持部材１は図示省略してある。この装置１２においては、基体２の接合面２ｂと金属部材７の接合面７ａとが接合層２７によって接合されている。」
「【００４５】（実施例２）実施例１と同様にして、図４、図５に示す半導体支持装置１２を製造した。ただし、
接着シート４の厚さは１３０μｍである。
「【００５０】
【表１】
」
「【００５３】（実施例５）実施例４と同様にして、接合体を製造した。ただし、
アクリルシートの厚さは１３０μｍ
「【００５５】
【表２】
」
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
　
　イ　引用例２について
　引用例２には、「FILM ADHESIVE FOR SEMICONDUCTOR VACUUM PROCESSING APPARATUS」（当審仮訳（以下同じ。）：半導体真空処理装置のためのフィルム状接着剤）（発明の名称）について、次の記載がある。
「[0007] In an embodiment, a bonded component assembly for use in a plasma processing apparatus for processing of semiconductor substrates is provided. The bonded component assembly comprises a support member having at least one load bearing surface to support a component. The component supported on the at least one load bearing surface has at least one surface exposed to a plasma. An elastomeric sheet adhesive joint between mating surfaces of the at least one load bearing surface and the component allows movement in a lateral direction of the component relative to the support member during temperature cycling due to mismatch of thermal expansion of the support member and the component. （一実施形態において、半導体基板の処理を行うプラズマ処理装置で用いられる結合されたコンポーネント・アセンブリが提供される。結合されたコンポーネント・アセンブリは、コンポーネントを支持する少なくとも一つの耐荷重面を有する支持部材を備える。少なくとも一つの耐荷重面上に支持された部品は、プラズマに対して露出した少なくとも一つの表面を有する。少なくとも一つの耐荷重面とコンポーネントの合わせ面との間のエラストマーシート状接着剤の結合部は、温度サイクル中の、支持部材とコンポーネントの熱膨張の差に起因する、支持部材に対する横方向の移動を可能にする。）」
「[0028] ・・・Additionally, because component assemblies can contain gas passages or other close tolerances, it is essential that the flow of the bonding material be controlled, such that the gas passages remain unobstructed by the bonding material. Methods for joining components of a plasma processing apparatus are provided that can reduce contamination originating from the bonding material and precisely control bonding material placement. （また、コンポーネント・アセンブリにはガス流路やその他精密な公差部分が含まれるため、
結合材によってガスの通過が妨害されないように、結合材の流れを制御する必要がある。本発明は、結合材由来の汚染を抑制し、結合材の配置を正確に制御可能
「[0033] FIGS. IA and IB illustrate exemplary embodiments of component assemblies for a plasma processing apparatus in which semiconductor substrates, e.g., silicon wafers, are processed. ・・・The components can also comprise an electrostatic chucking device 124 secured to the lower electrode 132 as a support member.（図１Ａ及び図１Ｂは、シリコンウェハー等の半導体基板を処理するプラズマ処理装置用のコンポーネント・アセンブリの実施例を示す。・・・さらに、コンポーネントとして、支持部材として機能する下部電極１３２に固定される静電チャックデバイス１２４を備えるようにしてもよい。）」
「[0034] Ceramic, quartz, and silicon (e.g., single crystal and polycrystalline silicon and compounds such as silicon carbide and silicon nitride) are preferred materials for plasma exposed surfaces of the components in the component assemblies.（コンポーネント・アセンブリにおけるコンポーネントのプラズマ露出面の材料としては、セラミック、石英及びシリコン（たとえば、単結晶シリコン及び多結晶シリコン並びに炭化ケイ素および窒化ケイ素等の化合物）が好ましい。）」
「[0035] ・・・Exemplary suitable materials that can be used to make the support member include aluminum, aluminum alloys, graphite, a dielectric, a semiconductor and SiC. （支持部材の形成に適した材料の例としては、アルミニウム、アルミニウム合金、グラファイト、誘電体物質、半導体及びＳｉＣが挙げられる。）」
「[0036] The component 116/118/124 can be attached to the support member 120/138/132 with a suitable thermally and/or electrically conductive elastomeric bonding material that accommodates thermal stresses, and transfers heat and/or electrical energy between the component and the support member. （熱応力を保持し、熱及び／又は電気エネルギーをコンポーネントと支持部材との間で伝達可能な、適当な熱伝導性及び／又は電気伝導性エラストマー結合材を用いて、コンポーネント１１６／１１８／１２４を、支持部材１２０／１３８／１３２に取り付けるようにしてもよい。）当審注：符号「１２４」は「静電チャックデバイス（基板支持部）」を表し、符号「１３２」は「下部電極（基板支持部）」を表す（[0033]、[0047]）。」
「[0037] In an embodiment the elastomeric joint is an elastomeric sheet adhesive. ・・・Polymeric bonding materials ・・・include ・・・ silicone, and rubber.（エラストマー結合部の一例として、エラストマーシート状接着剤が挙げられる。・・・ポリマー結合材としては・・・シリコーン及びゴムが挙げられる。）」
「[0038] Preferably, the sheet adhesive is a thermally conductive silicone adhesive bonding an aluminum support member to a ceramic or quartz component. （シート状接着剤として熱伝導性シリコーン接着剤を用いて、セラミック又は石英コンポーネントにアルミニウム支持部材を結合させる構成が望ましい。）」
「[0040] When the aluminum support member and silicon, ceramic or quartz component thermally expand at different rates, the adhesive used to bond the two parts together couples the loads between the two parts. In contrast, when the adhesive is soft (low shear stress at a given strain according to an embodiment), the two parts will not induce stresses or diaphragm deflections into each other. （アルミニウム支持部材とシリコン、セラミック、又は石英コンポーネントとが異なる膨張率で熱膨張すると、これら２つのパーツを結合するために用いた接着剤により、２つのパーツ間に荷重がかかる。一方、接着剤が柔らかい（低いせん断応力で所定レベルの歪みを生じる）場合には、２つのパーツ間に応力又はダイヤフラムたわみは生じない。）」
「[0045]・・・Preferably the elastomeric sheet adhesive has a low strength, can withstand a high shear strain and has a high thermal conductivity. Preferably, the thermal conductivity is at least 0.2 W/mK, more preferably at least 1.0 W/mK and most preferably at least 1.5 W/mK (e.g., 0.2 - 2.0 W/mK, 0.75-1.5 W/mK). （エラストマーシート状接着剤は、望ましくは、強度が低く、高せん断歪みに耐えられ、熱伝導率が高い。熱伝導率は、０．２Ｗ／ｍＫ以上が望ましく、１．０Ｗ／ｍＫ以上がより望ましく、１．５Ｗ／ｍＫ以上が最も望ましい（たとえば、０．２〜２．０Ｗ／ｍＫや０．７５〜１．５Ｗ／ｍＫ）。）」
「[0046] In order to stay within the elastic limits of the finally formed joint, a suitable bond thickness can be used. That is, too thin of a sheet adhesive joint could tear during thermal cycling whereas too thick a sheet adhesive joint could reduce the thermal conductivity between the parts to be joined. （最終的に形成される結合部の弾性限界を超えないように、接着剤の厚みを適当な厚さに調節ようにしてもよい。すなわち、シート状接着剤の結合部があまりに薄いと、熱サイクルの間に破れる可能性がある。一方、シート状接着剤の結合部があまりに厚いと、結合対象となるパーツ間の熱伝導度が低下する。）」
「[0047] FIGS. 2A-2C show an embodiment of an electrostatic chucking device bonded to a lower electrode. In the illustrated embodiment, the support member comprises an electrode 132 and intermediate layer 134.（ 図２Ａ〜図２Ｃに、下部電極に結合される静電チャックデバイスの実施例を示す。図示した実施例では、支持部材は、電極１３２と中間層１３４とを備え、コンポーネントは、結合材１２２により支持部材中間層１３４に結合される基板支持部１２４を備える。）」
「[0062]・・・However, in another embodiment the sheet adhesive can be a single sheet having a spider web geometric shape to precisely match to bonding regions while leaving unbonded regions. Regions can be left unbonded, for example, for gas passages, bolt holes or lifting pins. FIG. 7 shows an embodiment of a single sheet 122 in plan view for bonding, for example, mating surfaces of substrate support component 124 and support member intermediate layer 134. Accordingly, spaces 78 in the sheet adhesive 122 can correspond to unbonded regions.（別の実施例において、シート状接着剤を、非結合領域を残して、結合領域に正確に一致する「クモの巣形」幾何学的形状を有する一枚のシートで構成してもよい。ガス通路、ボルト穴又はリフトピン用の領域等を非結合領域として残す。図７に、たとえば、基板支持コンポーネント１２４と支持部材中間層１３４の合わせ面を結合するために用いられる一枚のシート状接着剤１２２の実施例の平面図を示す。シート状接着剤１２２における空間７８は、非結合領域に対応する。）」
「[0069] The sheet adhesive has additional advantages over liquid, gel and paste adhesives. For example, as shown in FIGS. 9A and 9B, when the component assembly parts to be joined contain passages 32 and/or 44 (that is, component 24 may have passages 32 and/or support member 34 may have passages 44), the flow of liquid or paste uncured elastomeric material 50 must be controlled when the components are pressed together before the elastomer is cured. Passages 32 and 44 can be bolt holes, gas passages, lift pin openings, expansion joints, etc. When the uncured paste 50 is applied between two components and pressed, it is difficult to control the flow of the uncured elastomer material. As shown in FIG. 9B, the uncontrolled flow of the uncured elastomeric material 50 can result in the obstruction or blockage of the passages 32 and/or 44. As a result, additional cleaning or machining can be required to clear the obstructed or blocked passages 32 and/or 44. The sheet adhesive elastomeric material can avoid such problems since the sheet adhesive 52 can be placed between the component assembly parts to be joined with much finer tolerances than a liquid or paste elastomeric material as shown in FIG. 1OA. The sheet adhesive can be configured to exhibit good volume control so as to not ooze or flow into undesired areas. As such, the sheet adhesive elastomeric material 52 can be located closer than the liquid, paste or gel, to the passages 32/44 without risk of obstruction or blockage of the passages 32/44.（
シート状接着剤は、液状接着剤、ゲル状接着剤及びペースト状接着剤と比べて利点がある
結合対象であるコンポーネント・アセンブリのパーツが通路３２及び／又は４４を備える
通路３２及び４４は、
ガス通路
未硬化のエラストマー結合材５０の動きを制御しなければ、図９Ｂに示すように、通路３２及び／又は４４を塞ぐ、又は、封鎖する結果となる。したがって、塞がれた、又は、封鎖された通路３２及び／又は４４をきれいにするために、余分な洗浄又は機械加工が必要となる。
エラストマーシート状接着剤５２は、結合対象であるコンポーネント・アセンブリのパーツ間に、少ない公差で配置することができる
シート状接着剤は、体積制御が容易であるため、不要な領域に滲み出たり流れ出したりということがない。
エラストマーシート状接着剤５２は、通路３２／４４を塞いだり封鎖したりする恐れがなく、液状、ペースト状又はゲル状の接着材よりも通路３２／４４の近くに配置することができる。
「[0070] When the component 24 and the support member 34 are composed of materials with different coefficients of thermal expansion, the thickness of the elastomer material can be varied to accommodate the differences in thermal expansion. （コンポーネント２４と支持部材３４とを異なる熱膨張係数を有する材料から形成する場合、エラストマー結合材の厚みを変えることにより熱膨張の差に対応することができる。）」
「[0080]As illustrated in FIGS. 1OA and 1OB, support member 34 is joined to component 24 such that the first passages 32 of the component 24 and the second passages 44 of the support member 34 are in fluid communication. To enhance adhesion, a primer 46 can also be applied to load bearing surface 38 of the support member 34 in the same predetermined pattern as applied to the bonding surface 28 of component 24. In alternative embodiments, support member 34 or component 24 may contain plenums to distribute one or more gases for temperature control or process gas supplies in a desired gas distribution pattern.（図１０Ａ及び１０Ｂに示すように、支持部材３４は、コンポーネント２４に結合されたコンポーネント２４の第１通路３２及び支持部材３４の第２の通路４４とが流体連通している。接着性を高めるために、コンポーネント２４の結合面２８に適用されたプライマー４６は同じ所定パターンで、支持部材３４の耐荷重面３８にも適用することができる。別の実施例において、
支持部材３４又はコンポーネント２４がプレナムを備えるようにして、温度制御のために一種類または複数種類のガスを分配させる
ガスを分配させる
「[0081] In a preferred embodiment, the sheet adhesive bonds the bonding surface of the component 28 to the load bearing surface of the support member 38 such that there is a 51 to 381 μm (0.002 to 0.015 in) gap therebetween in unbonded regions. ・・・However, the support member load bearing surface and the component bonding surface can be bonded by the sheet adhesive without a recess. （好適な実施例において、
非結合領域で両者の間に５１〜３８１μｍ（０．００２〜０．０１５インチ）の間隔をあけるように、シート状接着剤を用いて、コンポーネント２８の結合面を支持部材３８の耐荷重面に結合させる
凹部を設けることなく、シート状接着剤により、支持部材の耐荷重面とコンポーネントの結合面とを結合する
　ＦＩＧ．１Ａ（図１Ａ）
　ＦＩＧ．２Ａ（図２Ａ）
　ＦＩＧ．２Ｂ（図２Ｂ）
　ＦＩＧ．７（図７）
　ＦＩＧ．１０Ａ（図１０Ａ）
　ＦＩＧ．１０Ｂ（図１０Ｂ）
　
　ウ　引用例３について
　引用例３には、「FILLED POLYMER COMPOSITION FOR ETCH CHAMBER COMPONENT（エッチングチャンバーコンポーネントのための充填ポリマー組成物）」（発明の名称）について、次の記載がある。
「[0013] ・・・In an embodiment, the filled polymer composition is utilized as a bonding adhesive for electrostatic chuck, a bonding adhesive for shower head, a bonding adhesive for liner, a sealing material, an O-ring, or a plastic component.（一実施形態では、充填ポリマー組成物は、静電チャック用接着剤、シャワーヘッド用接着剤、ライナー用接着剤、シール材、Ｏリング、又はプラスチック部品として利用される。）」
「[0015] The polymer matrix can be a variety of materials. For example, the polymer matrix may be fluorinated carbon based, polyimide based, ether ketone based, and silicon based including partially and fully fluorinated silicon. In an embodiment,　the polymer matrix is a perfluoroelastomer, thermosetting silicone, a thermoplastic acrylic, or poly(etheretherketone) (PEEK).（ポリマーマトリックスは、様々な材料であり得る。例えば、ポリマーマトリックスは、フッ化炭素ベース、ポリイミドベース、エーテルケトンベース、及び部分的に及び完全にフッ化シリコンを含むシリコンベースが可能である。一実施形態では、ポリマーマトリックスは、パーフルオロエラストマー、熱硬化性シリコーン、熱可塑性アクリル、又はポリ（エーテルエーテルケトン）（ＰＥＥＫ）である。）」
「[0017] In an embodiment where the filled polymer composition is employed as a bonding adhesive, for example, for an electrostatic chuck, shower head, and/or liner, it may be preferable to adjust the materials properties of the filled polymer composition to minimize the coefficient of thermal expansion (CTE) mismatch between a metal and a ceramic. In an embodiment, a higher tensile elongation %, higher tensile strength, and lower Young's Modulus are desirable for electrostatic chuck bonding application. For example, the filled polymer composition may exhibit a tensile elongation % above 190 %, a tensile strength above 2.2 MPa, and Young's Modulus below 2.0 MPa. （充填ポリマー組成物が、例えば、静電チャック、シャワーヘッド、及び／又はライナー用の接着剤として利用される一実施形態では、充填ポリマー組成物の材料特性を調整し、これによって金属とセラミックスとの間の熱膨張係数（ＣＴＥ）の不一致を最小化することが好ましいかもしれない。一実施形態では、より高い引張伸び％、より高い引張強さ、及びより低いヤング率が、静電チャックの接合アプリケーションに対しては望ましい。例えば、充填ポリマー組成物は１９０％を超える引張伸び％、２．２ＭＰａを超える引張強さ、及び２．０ＭＰａを下回るヤング率を示すことができる。）」
　
　エ　引用例４について
　引用例４には、「ウェハ保持体およびその製造方法」（発明の名称）について、次の記載がある。
「【００３１】
　以下、本発明のウェハ保持体１の実施の形態の一例として、ウェハを静電吸着する機能を備えた静電チャック１０を例に説明する。」
「【００３３】
　このウェハ保持体１は、板状セラミック体２とベース部材４との間に介在層６を備えている。板状セラミック体２の一方の主面（上面）はウェハを載せるウェハ載置面３としてあり、他方の主面（下面）側に介在層６を介してウェハ載置面３を冷却する冷却用のベース部材４を備えている。」
「【００３６】
　ベース部材４は、アルミニウムや超硬合金等の金属材料、あるいはそれら金属材料とセラミック材料との複合材料からなり、ベース部材４は導電性を有することが好ましい。」
「【００３７】
　介在層６は、例えばシリコーン，ポリイミドまたはエポキシ等の樹脂接着剤、あるいはインジウム等による金属接合部材、あるいはシート状の樹脂またはロー材等からなり、介在層６の面内の一部に所望の形状や大きさの熱伝導率の異なる領域６ｂを備えている。」
「【００３９】
　本発明のウェハ保持体１は、上面をウェハ載置面３とした板状セラミック体２を、この板状セラミック体２を下面側から冷却するベース部材４の上面に、熱伝導率の異なる領域６ｂを有する介在層６を介して配置することでウェハ載置面３やウェハ面内の温度差を小さくすることができる。」
「【００４５】
　・・・本発明における介在層６は、図３に示すように熱伝導率の小さい領域６ｂを冷却通路５の配置に対向して配置することで、ベース部材４の温度の低い冷却通路５の上面からより多くの熱が伝わりこの領域に対向するウェハ載置面３の温度が低下する虞があるが、この領域に対向して熱伝導率の小さい領域があると熱伝達量が低下して温度の低い冷却通路５の形状が載置面に現れることがなく、ウェハ載置面の面内温度差を図４に示すように小さくすることができる。図４に示す領域１０４の温度は５８．５〜６０℃で、領域１０５の温度は５７〜５８．５℃となり、ウェハ載置面３の面内温度差が３℃以内と小さくなって、冷却通路５の影響によるウェハ載置面３内の温度差の発生を防止することができる。」
「【００６９】
　また、熱伝導率が０．５３Ｗ/（ｍ・Ｋ）のシリコンシートＡ（当審注：【００３７】の「介在層６は、例えばシリコーン，ポリイミドまたはエポキシ等の樹脂接着剤」という記載から、「シリコンシートＡ」の「シリコン」は、「シリコーン」の誤記と認める。以下の「シリコンシートＢ」についても、同様に「シリコン」は、「シリコーン」の誤記と認める。）と、シリコンシートＡの熱伝導率の約２分の１で、熱伝導率が０．２７Ｗ/（ｍ・Ｋ）のシリコンシートＢを介在層として準備した。」
「【００７０】
　実験グループＮｏ．１の試料Ｎｏ．１０〜１９は、シリコンシートＡを介在層６ａとして、冷却通路５に対抗させて熱伝導率の小さなシリコンシートＢを熱伝導率の小さい領域６ｂとして配置した。」
　
　オ　周知例１について
　周知例１には「静電チャック装置」（発明の名称）について、次の記載がある。
「【００１８】
　図１は、本発明の一実施形態の静電チャック装置を示す断面図であり、この静電チャック装置１は、円板状の静電チャック部材２と、この静電チャック部材２の下方に配設され厚みのある円板状の温度調整用ベース部材３と、これら静電チャック部材２及び温度調整用ベース部材３を接合・一体化する接合層４とにより構成されている。
【００１９】
　静電チャック部材２は、上面がシリコンウエハ等の板状試料を載置する載置面１１ａとされたセラミックスからなる載置板１１と、この載置板１１を下方から支持するセラミックスからなる支持板１２と、これら載置板１１と支持板１２との間に設けられた静電吸着用内部電極１３及び環状の絶縁材１４と、この静電吸着用内部電極１３に接するように支持板１２の固定孔１５内に設けられた給電端子１６とにより構成されている。
【００２０】
　これら載置板１１、支持板１２及び静電吸着用内部電極１３には、その厚み方向に貫通する冷却ガス導入孔１７が中心軸に対して回転対称となる位置に計４個形成され、この載置面１１ａには、シリコンウエハ等の板状試料を支持するための多数の突起が立設され（図示省略）、さらに、この載置面１１ａの周縁部には、Ｈｅ等の冷却ガスが漏れないように幅が１〜５ｍｍ、高さが上記の突起と同じ高さの周縁壁が形成され（図示省略）、この周縁壁の内側が板状試料を静電吸着する吸着領域とされている。この冷却ガス導入孔１７を介して載置面１１ａと突起頂面に載置された板状試料との隙間にＨｅ等の冷却ガスが供給されるようになっている。」
「【００２５】
　温度調整用ベース部材３は、金属および／またはセラミックスからなる厚みのある円板状のもので、その躯体がプラズマ発生用内部電極を兼ねた構成とされ、その内部には、水、Ｈｅガス、Ｎ２ガス等の冷却媒体を循環させる流路２１が形成され、また、冷却ガス導入孔１７及び固定孔１５も、静電チャック部材２と同様に形成されている。
　この温度調整用ベース部材３は、その躯体が外部の高周波電源２２に接続され、また、固定孔１５には、その外周が絶縁材料２３により囲繞された給電端子１６が絶縁材料２３を介して固定され、この給電端子１６は、外部の直流電源２４に接続されている。」
【図２】
　
　カ　周知例２について
　周知例２には、「静電チャック」（発明の名称）について、次の記載がある。
「【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について説明する。
【００１３】図１は本発明の静電チャックの一例を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。また図２は図１（ｂ）のＡ部を拡大した断面図である。
【００１４】この静電チャック１は、ウェハと略同じ大きさを有する円板状をした板状セラミック体２の一方の主面に、その外周部４を残して平面形状が円形をした凹部３を有し、上記外周部４の頂面を第二の保持面４ａとするとともに、上記凹部底面の周縁部にガス溝５を備え、ガス溝５で囲まれた凹部底面を第一の保持面３ａとしたもので、凹部底面下方の板状セラミック体２の他方の主面６には一対の半円状をした静電吸着用電極７を配置してある。
・・・（略）・・・
【００１８】さらに、板状セラミック体２にはガス溝５に開口する複数個のガス導入孔８を穿孔してあり、これらのガス導入孔８よりガス溝５を介してヘリウムガス等の熱伝達性ガスをウェハと凹部３とで形成される空間に供給するようになっている。
【００１９】また、この静電チャック１には、板状セラミック体２の他方の主面側にガラスや樹脂系接着剤からなる絶縁性の接合層１４を介してアルミニウムやステンレス等の金属からなるベース部材９を接合してあり、このベース部材９には、板状セラミック体２のガス導入孔８とそれぞれ連通するガス供給孔１０を備えるとともに、一対の静電吸着用電極７と電気的に接続された給電端子１２を取り出すための電極取出孔１１を備えている。なお、１３は電極取出孔１１内に設けられた絶縁管で、細長い給電端子１２が金属製のベース部材９と接触し、短絡を起こすのを防止してある。」
【図１】
【図２】
　
　キ　周知例３について
　周知例３には、「ウエハ載置装置及びそれに用いる部品」（発明の名称）について、次の記載がある。
「【実施例】
【００３６】
［実施例１］
　第１実施形態のウエハ載置装置２０に相当する一具体例を以下の手順により作製した。まず、静電チャック２２を次のようにして作製した。すなわち、窒化アルミニウム粉末を径３８０ｍｍ、厚さ５ｍｍに一軸成形し、その上にモリブデン製メッシュ（径２９２ｍｍ）からなる内部電極２８を設置し、さらにその上から窒化アルミニウム粉末を載せて成形し、全厚２５ｍｍの成形体を得た。これを一軸ホットプレス焼成炉内に黒鉛冶具とともに設置し、窒素雰囲気中、１８５０℃で１トンの圧力をかけて２時間焼成し、内部電極２８を埋設した焼結体を得た。この焼結体を研削加工することにより静電チャック２２を得た。なお、研削加工時に、内部電極２８からウエハ載置面２４までの厚みが１ｍｍ、ウエハ載置面２４の直径が２９８ｍｍ、段差部２６からウエハ載置面２４までの高さが４ｍｍ、段差部２６を含む焼結体の直径が３７６ｍｍ、底面から段差部２６までの高さが４ｍｍ、焼結体の全厚が８ｍｍとなるようにした。この静電チャック２２のウエハ載置面２４とは反対側の面から内部電極２８に達する孔を穿孔し、その孔に内部電極２８と接続する導電部材をロウ付けにより接合した。なお、図１〜図７にはこうした導電部材の図示を省略した。
【００３７】
　冷却板４０は、アルミニウム合金製で全厚が２０ｍｍ、フランジ部４４の厚みが１２ｍｍ、冷却板本体４２の直径（静電チャック２２との接合面の直径）が３７６ｍｍ、フランジ部４４を含めた直径が４１６ｍｍで、ＰＣＤ（ピッチ・サークル・ダイアミタ）が３７０ｍｍの位置に
等間隔
「【００４１】
［比較例１］
　図８のウエハ載置装置２２０に相当する一具体例を以下の手順により作製した。静電チャック２２及び冷却板４０は実施例１と同じものを用いた。但し、静電チャック２２のＰＣＤ３３７ｍｍの位置に等間隔で１２個の直径２ｍｍの貫通孔を厚み方向に平行に穿孔した。また、接着シート２４７は、実施例１の接着シート４７と同様、外径が３６４ｍｍ、厚みが０．７８ｍｍのものを用いたが、更に、ＰＣＤ３３７ｍｍの位置に等間隔で１２個の直径３ｍｍの貫通孔を設けた。保護リング２３０は、シリコン金属製で外径が３７７ｍｍ、内径が２９９ｍｍ、厚みが５ｍｍのものを用いた。図８の保護リング２３０には上面の内周側に切欠溝が形成されているが、比較例１では切欠溝の外径は３０１ｍｍで深さ１．２ｍｍとした。
【００４２】
　そして、冷却板４０と静電チャック２２とを接着シート２４７を用いて接合した。接合時、冷却板４０の各貫通孔と接着シート２４７の各貫通孔と静電チャック２２の各貫通孔とが一致するようにした。これにより、冷却用ガス通路１５０が完成した。この冷却用ガス通路１５０から導入される冷却用ガスは、保護リング２３０の裏面に当たる。最後に、静電チャック２２の段差部２６に保護リング２３０を載置し、比較例１のウエハ載置装置を得た。」
【図７】
【図８】
　
（４）引用発明の認定、引用例・周知例に記載された事項の認定
　ア　引用例１に記載された発明（引用発明１ａ、１ｂ）
（ア）引用例１には、半導体支持装置（【０００１】）について、半導体を支持する平面を有する半導体支持部材、金属部材、および半導体支持部材と金属部材とを接合する接合層を備えている半導体装置において、半導体支持部材の表面の平面度を向上させるのと共に、ウエハー表面の温度を制御可能とした（【０００６】）もので、半導体を支持する平面を有する半導体支持部材、金属部材、および半導体支持部材と金属部材とを接合する接合層を備えている半導体支持装置であって、接合層が接着シートからなり、接着シートが、樹脂マトリックスおよびこの樹脂マトリックス中に分散されているフィラーを含む（【０００７】）ことが記載されている。
　
（イ）【００１４】〜【００３８】には、該「半導体支持装置」の「一実施形態」について、【００１６】の「本例の金属部材７は、冷却機能を有する冷却フランジである。冷却フランジ７にはガス供給孔乙１８ｂが設けられており、ガス供給孔乙１８ｂからバックサイドガス、例えばアルゴンガスや窒素ガスを供給可能となっている。」という記載及び【００１５】の「また、半導体支持部材１には、半導体ウェハーを冷却するために、金属部材から導入されるバックサイドガスを供給するガス供給孔甲１８ａが設けられている。」という記載によれば、上記ａの「該半導体支持部材」は、「一実施形態」において、「半導体支持部材１」として示され、該「半導体支持部材１」は、「セラミック製の基体２と、基体２内に埋設された静電チャック電極３とを備えている」（【００１５】）から、「セラミック製の基体２」は、金属部材から導入されるバックサイドガスをガス供給孔甲１８ａを介して半導体ウェハー側に分配する、ガス分配機能を有するといえる。
　
（ウ）上記（イ）の「一実施形態」の具体例である実施例について、【００４５】の実施例２には、接着シート４の厚さが１３０μｍであり、【００５３】の実施例５には、アクリルシートの厚さは１３０μｍであることが記載されている。
　また、【００５５】の【表２】には、実施例４、実施例５及び比較例３の接着シートの熱伝導率（Ｗ／ｍＫ）は、それぞれ、２５、１４及び６であることが記載されていることから、熱伝導率が６〜２５（Ｗ／ｍＫ）が引用例１の接着シートの熱伝導率がとり得る値であるということができる。
　
（エ）図１〜５から、次の点が看取できる。
「接着シート４（接合層２７）は、基体２の接合面２ｂを、金属部材７の接合面７ａに接合していること」（特に図１、４）
「接着シート４（接合層２７）は、予め形成された複数の穴を有する円盤形状の穴あきシートであること」（特に図５）
「接着シート４（接合層２７）は、基体２と金属部材７との間に、ガス通路〔基体２（半導体支持部材１）に形成されたガス供給孔甲１８ａと金属部材７に形成されたガス供給孔乙１８ｂとを連通するガス通路〕を画定するように整列して配置されること」（特に図４、５）
「接着シート４（接合層２７）の穴と接着対象部材の孔１８ａ、１８ｂとは、直径がほとんど違いのない同心円であること」、すなわち、「接着シート４（接合層２７）の穴の直径は、セラミックス製の基体２のガス供給孔甲１８ａ及び金属部材７のガス供給孔乙１８ｂの直径と実質的に等しいこと」（特に図３、４、５）
　
（オ）引用例１の【００１２】、【００２０】には、接着シート４のヤング率が１００ＭＰａ以下であることが記載され、【００２０】には、接着シート４の伸びが、１５０％以上（さらに好ましくは、２００％以上）であることが記載され、【００２７】には、金属部材７は、例えば、アルミニウム、銅、ステンレス鋼、ニッケル等により形成されることが記載され、【００１５】には、半導体支持部材１は静電チャックであることが記載され、【００２０】には、基体２と金属部材７とを接着シート４を介して接合することが記載され、【００１７】、【００１８】には、接着シート４に含まれる樹脂マトリックス１１を構成する樹脂は、伸縮性のある樹脂が好ましいことが記載され、【００１９】には、接着シート４は厚さが３０μｍ以上、２００μｍ以下であることが好ましいことが記載され、【００５３】には、接着シート４の厚さは、例えば、１３０μｍであることが記載されている。
　
（カ）上記（ア）〜（オ）によれば、引用例１には以下の発明（以下、「引用発明１ａ」という。）が記載されていると認められる。
「Ａｌ　ヤング率が１００ＭＰａ以下である接着シート４を含み、
Ｂ１　前記接着シート４は、伸びが１５０％以上（さらに好ましくは、２００％以上）である
Ｃ１　予め形成された複数の穴を有する円盤形状の穴あきシートであり、
Ｃ２　該穴とセラミックス製の基体２のガス供給孔甲１８ａ及び金属部材７のガス供給孔乙１８ｂは、整列して配置され、
Ｃ３　該穴の直径は、セラミックス製の基体２のガス供給孔甲１８ａ及び金属部材７のガス供給孔乙１８ｂの直径と実質的に等しく、
Ｄ１　前記接着シート４は、ガス分配機能を有するセラミックス製の基体２と、例えばアルミニウム、銅、ステンレス鋼、ニッケル等により形成された金属部材７と、の間にガス通路を画定するように整列して配置され、
Ｅ１　半導体支持部材（静電チャック）１を接合するのに適し、
Ｆ１　接着シート４に含まれる樹脂マトリックス１１を構成する樹脂は、伸縮性のある樹脂が好ましく、
Ｈ１　前記接着シート４は熱伝導率が６Ｗ／ｍＫ〜２５Ｗ／ｍＫであり、
Ｉ１　前記接着シート４は厚さが３０μｍ以上、２００μｍ以下であることが好ましく、例えば１３０μｍである接着シート４。」
　
（キ）また、上記（ア）〜（オ）によれば、引用例１には以下の発明（以下、「引用発明１ｂ」という。）も記載されていると認められる。
「Ｊ１　金属部材７の接合面７ａに隣接して配置された基体２の接合面２ｂと、
Ｋｌ　前記基体２の接合面２ｂを前記金属部材７の接合面７ａに接合する接着シート４を含み、
Ｌ１　前記接着シート４はヤング率が１００ＭＰａ以下であり、
Ｍｌ　前記接着シート４は、伸びが１５０％以上（さらに好ましくは、２００％以上）である
Ｎｌ　予め形成された複数の穴を有する円盤形状の穴あきシートであり、
Ｎ２　該穴とセラミックス製の基体２のガス供給孔甲１８ａ及び金属部材７のガス供給孔乙１８ｂは、整列して配置され、
Ｎ３　該穴の直径は、セラミックス製の基体２のガス供給孔甲１８ａ及び金属部材７のガス供給孔乙１８ｂの直径と実質的に等しく、
Ｏ１　前記基体２の接合面２ｂは、ガス分配機能を有するセラミックス製の基体２であり、前記金属部材７の接合面７ａは、例えばアルミニウム、銅、ステンレス鋼、ニッケル等により形成された金属部材７であり、
Ｐ１　前記接着シート４は前記基体２の接合面２ｂと前記金属部材７の接合面７ａとの間にガス通路を画定するように整列して配置され、
Ｒ１　接着シート４に含まれる樹脂マトリックス１１を構成する樹脂は、伸縮性のある樹脂が好ましく、
Ｔ１　前記接着シート４は熱伝導率が６Ｗ／ｍＫ〜２５Ｗ／ｍＫであり、
Ｕｌ　前記接着シート４は、厚さが３０μｍ以上、２００μｍ以下であることが好ましく、例えば１３０μｍである
Ｑｌ　半導体支持部材（静電チャック）１。」
　
　イ　引用例２に記載された発明（引用発明２ａ、２ｂ）
（ア）[0062]の記載は、「シート状接着剤１２２が、基板支持コンポーネント１２４と（下部電極１３２の）支持部材中間層１３４との間にガス通路（非結合領域）を画定するように配置されること」と理解できる。
　また、この記載によれば、基板支持コンポーネント１２４と（下部電極１３２の）支持部材中間層１３４との間にガス通路が設けられることから、引用例２には、基板支持コンポーネント１２４が該ガス通路から供給されるガスを分配するガス分配機能を有することが記載されていると認められる。
　
（イ）[0080]及び図１０Ａ、Ｂの記載によれば、引用例２には、シート状接着剤の結合対象であるコンポーネント２４がガス分配機能を有することが記載されているといえることから、引用例２には、基板支持コンポーネント１２４がガス分配機能を有することが記載されていると認められる。　
　
（ウ）[0081]の記載によれば、引用例２において、支持部材の耐荷重面とコンポーネントの結合面との間隔が５１〜３８１μｍとなり、支持部材の耐加重面とコンポーネントの結合面がシート状接着材によって結合されるのであるから、支持部材の耐荷重面とコンポーネントの結合面とを結合するシート状接着剤の厚さも５１〜３８１μｍとなることが理解でき、引用例２には、「シート状接着剤１２２の厚さが５１μｍ〜３８１μｍであること」が記載されていると認められる。
　
（エ）図１Ａ、２Ａ、２Ｂから、「シート状接着剤１２２は、静電チャックデバイス（基板支持部）１２４の表面を、下部電極（基板支持部）１３２の中間層１３４の表面に接合していること」が看取され、[0062]には、「シート状接着剤を、非結合領域を残して、結合領域に正確に一致する「クモの巣形」幾何学的形状を有する一枚のシートで構成してもよい。ガス通路・・・の領域等を非結合領域として残す。・・・シート状接着剤１２２における空間７８は、非結合領域に対応する。」と記載されていて、「ガス通路」を構成する「非結合領域」である「シート状接着剤１２２」の「空間１７」は、「穴」と言い換えることができ、さらに、結合領域は、「クモの巣形」等の平面的に広がった幾何学的形状であるから、その「穴」は、複数あるということができるものであり、これらを踏まえれば、図７から、「シート状接着剤１２２は、予め形成された複数の穴を有する円盤形状の穴あきシートであること」が看取できる。
　
（オ）［0028][0062][0069]の記載によれば、引用例２では、非結合領域を有するシート状接着剤（すなわち、穴あきシート）を採用することにより、結合対象であるコンポーネント・アセンブリのパーツ間に少ない公差で配置することができ、不要な領域に滲み出たり流れ出したりということがなく、ガス通路３２／４４を塞いだり封鎖したりする恐れがなく、液状、ペースト状又はゲル状の接着材よりもガス通路３２／４４の近くに配置することができる、という効果を得ることができるとされている。
　
（カ）[0035]には、支持部材が、例えばアルミニウム、アルミニウム合金等により形成されることが記載され、[0037]、[0038]には、シート状接着剤の材質として、シリコーンが用いられることが記載され、[0045]には、シート状接着剤の熱伝導率が、０．２〜２．０Ｗ／ｍＫや０．７５〜１．５Ｗ／ｍＫであることが記載されている。
　
（キ）以上の（ア）〜（カ）によれば、引用例２には次の発明（以下、「引用発明２ａ」いう。）が記載されていると認められる。
「Ｃ２（シート状接着剤１２２は）予め形成された複数の穴を有する円盤形状の穴あきシートであり、
Ｄ２　シート状接着剤１２２は、ガス分配機能を有するセラミックス製の静電チャックデバイス（基板支持コンポーネント）１２４と、例えばアルミニウム、アルミニウム合金等により形成された下部電極１３２の支持部材中間層１３４と、の間にガス通路を画定するように配置され、
Ｅ２　静電チャックデバイス（基板支持コンポーネント）１２４を接合するのに適し、
Ｆ２　前記シート状接着剤１２２はシリコーン系化合物であり、
Ｈ２　前記シート状接着剤１２２は熱伝導率がたとえば０．２〜２．０Ｗ／ｍＫや０．７５〜１．５Ｗ／ｍＫであり、
Ｉ２　前記シート状接着剤１２２は厚さが５１μｍ〜３８１μｍであるシート状接着剤１２２。」
　
（ク）また、以上の（ア）〜（カ）によれば、引用例２には以下の発明（以下、「引用発明２ｂ」という。）も記載されていると認められる。
「Ｊ２　下部電極１３２の支持部材中間層１３４の表面に隣接して配置された静電チャックデバイス（基板支持コンポーネント）１２４の表面と、
Ｋ２　前記静電チャックデバイス１２４の表面を前記下部電極１３２の支持部材中間層１３４の表面に接合するシート状接着剤１２２を含み、
Ｎ２　（前記シート状接着剤１２２は）予め形成された複数の穴を有する円盤形状の穴あきシートであり、
Ｏ２　前記静電チャックデバイス１２４の表面は、ガス分配機能を有するセラミックス製の静電チャックデバイス１２４であり、前記下部電極１３２の支持部材中間層１３４の表面は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金等により形成された下部電極１３２の支持部材中間層１３４であり、
Ｐ２　前記シート状接着剤１２２は前記静電チャックデバイス１２４の表面と前記下部電極１３２の支持部材中間層１３４の表面との間にガス通路を画定するように配置され、
Ｒ２　前記シート状接着剤１２２はシリコーン系化合物であり、
Ｔ２　前記シート状接着剤１２２は熱伝導率がたとえば０．２〜２．０Ｗ／ｍＫや０．７５〜１．５Ｗ／ｍＫであり、
Ｕ２　厚さが５１μｍ〜３８１μｍである、
Ｑ２　コンポーネント・アセンブリ。」
　
　ウ　引用例３に記載された事項
　引用例３には、「充填ポリマー組成物を静電チャックやシャワーヘッド用の接着剤として利用する場合、金属とセラミックスとの間の熱膨張係数の不一致を最小化するために、充填ポリマー組成物の引張伸び％をより高く（例えば１９０％を超えるように）、また、充填ポリマー組成物のヤング率をより低く（例えば２．０ＭＰａを下回るように）、調整することが好ましいこと」が記載されていると認められる。
　
　エ　引用例４に記載された事項
　【００６９】及び【００７０】の記載によれば、引用例４には、介在層６（介在層６ａ、領域６ｂ）の熱伝導率が０．２７Ｗ／（ｍ・Ｋ）（領域６ｂ）〜０．５３Ｗ／（ｍ・Ｋ）（介在層６ａ）の範囲内のいずれかの値であることが記載されているといえる。
　
　そうすると、引用例４には、「ウェハ保持体１（例えば静電チャック１０）は、板状セラミック体２と、金属製の導電性のベース部材４との間に、例えばシート状の樹脂接着剤（例えばシリコーン）からなる介在層６を備えており、介在層６の熱伝導率を０．２７Ｗ／（ｍ・Ｋ）〜０．５３Ｗ／（ｍ・Ｋ）の範囲内のいずれかの値とすることにより、ウェハ載置面３やウェハ面内の温度差を小さくすることができること」が記載されていると認められる。
　
　オ　周知例１に記載された事項
　【００１８】には、「静電チャック装置１」は、「静電チャック部材２」と、「温度調整用ベース部材３」と、「これら静電チャック部材２及び温度調整用ベース部材３を接合・一体化する接合層４」とにより構成されることが記載され、【００２０】には、「これら載置板１１、支持板１２及び静電吸着用内部電極１３には、その厚み方向に貫通する冷却ガス導入孔１７が中心軸に対して回転対称となる位置に計４個形成され」ることが記載され、【００１９】には、「支持板１２」が「セラミックからな」り、「載置板１１を下方から支持する」ものであることが記載され、【００２５】には、「温度調整用ベース部材３は、金属および／またはセラミックスからなる」ことが記載されている。
　そして、「温度調整用ベース部材３」は、「その躯体がプラズマ発生用内部電極を兼ねた構成とされ」（【００２５】）るから、金属であるといえ、また、「静電チャック部材２」の最も下の部材は、「支持板１２」であるといえるから、周知例１には、セラミック製部材（支持板１２）と金属製部材（温度調整用ベース部材３）とを接着する接着材料（接合層４）に複数（４個）の開口部（冷却ガス導入孔１７）を規則的なパターン（回転対称）で配置することが開示されていると認められる。
　
　カ　周知例２に記載された事項
　【００１９】には、「静電チャック１には、板状セラミック体２の他方の主面側にガラスや樹脂系接着剤からなる絶縁性の接合層１４を介してアルミニウムやステンレス等の金属からなるベース部材９を接合してあ」り、「このベース部材９には、板状セラミック体２のガス導入孔８とそれぞれ連通するガス供給孔１０を備え」たものであることが記載され、【図１】からは、「ガス導入口８」は、円周上に等間隔に設けたものであることが看取される。
　
　したがって、周知例２には、セラミック製部材（板状セラミック体２）と金属製部材（ベース部材９）とを接着する接着材料（接合層１４）に複数の開口部（ガス導入孔８）を規則的なパターン（円周上に等間隔）で配置することが開示されていると認められる。
　
　キ　周知例３に記載された事項
　【００３６】には、「静電チャック２２」は、「窒化アルミニウム粉末」を「焼成し」た「焼結体を研削加工することにより」得ることが、【００３７】には、「冷却板４０は、アルミニウム合金製で」、「等間隔で１２個の直径２ｍｍの貫通孔（冷却用ガス通路５０の第１通路５１）を有」するものであることが、【００３８】には、「冷却板４０と静電チャック２２とを接着シート４７を用いて接合」することが、それぞれ記載されている。
　また、【００４２】には、「冷却板４０と静電チャック２２とを接着シート２４７を用いて接合した。接合時、冷却板４０の各貫通孔と接着シート２４７の各貫通孔と静電チャック２２の各貫通孔とが一致するようにした。」ことが記載されている。
　
　そうすると、「静電チャック２２」は、セラミック（窒化アルミニウムの焼結体）であり、「冷却板４０」は金属製（アルミニウム合金製）といえるから、周知例３には、セラミック製部材（静電チャック２２）と金属製部材（冷却板４０）とを接着する接着材料（接着シート２４７）に複数（１２個）の開口部（冷却用ガス通路５０の第１通路５１）を規則的なパターン（等間隔）で配置することが開示されていると認められる。
　
（５）判断
　ア　取消理由通知に記載した取消理由について
（ア）進歩性（２９条２項）について
［引用発明１ａ、１ｂを主引用発明とした場合］
　ａ　本件特許発明１について
　本件特許発明１と引用発明１ａとを対比する。
（ａ）引用発明１ａにおける「接着シート４」は、本件特許発明１における「接着材料」に相当する。
（ｂ）引用発明１ａにおける「前記接着シート４は、伸びが１５０％以上（さらに好ましくは２００％以上）である」（発明特定事項Ｂ１）構成は、本件特許発明１における「前記接着材料は、伸びが１５０％を超える」（発明特定事項Ｂ）構成に相当する。
（ｃ）引用発明１ａの「予め形成された複数の穴を有する円盤形状の穴あきシートであ」（発明特定事項Ｃ１）る構成の「予め形成された複数の穴」は、本件特許発明１における「予め形成された複数の開口部」（発明特定事項Ｘ２）に相当し、該構成は、本件特許発明１の「予め形成された複数の開口部を含」（発明特定事項Ｘ２）む「円盤形状の穴あきシートであ」（発明特定事項Ｃ）る構成に相当する。
　また、引用発明１ａの「穴あきシート」の「予め形成された複数の穴」（発明特定事項Ｃ１）は、「セラミックス製の基体２のガス供給孔甲１８ａ」及び「金属部材７のガス供給孔乙１８ｂ」に対応して設けられたものであって、該「ガス供給孔甲１８ａ」及び該「ガス供給孔乙１８ｂ」によってガス通路が形成されることから、該「ガス供給孔甲１８ａ」及び該「ガス供給孔乙１８ｂ」間にある引用発明１ａの「予め形成された複数の穴」（発明特定事項Ｃ１）は、ガス通路のための穴といえ、本件特許発明１の「ガス通路のための複数の第２開口部」（発明特定事項Ｘ３）に相当し、引用発明１ａの「予め形成された複数の穴を有する」（発明特定事項Ｃ１）構成は、本件特許発明１の「前記複数の開口部は、」「ガス通路のための複数の第２開口部」「を含」（発明特定事項Ｘ３）む構成に相当する。
（ｄ）引用発明１ａにおける「ガス分配機能を有するセラミックス製の基体２」（発明特定事項Ｄ１）は、本件特許発明１における「セラミックス製ガス分配板」（発明特定事項Ｄ）に相当する。
（ｅ）引用発明１ａにおける「例えばアルミニウム、銅、ステンレス鋼、ニッケル等により形成された金属部材７」（発明特定事項Ｄ１）は、導電性であることは明らかであるから、本件特許発明１における「金属製導電性ベースプレート」（発明特定事項Ｄ）に相当する。
（ｆ）引用発明１ａにおける「前記接着シート４は、ガス分配機能を有するセラミックス製の基体２と、例えばアルミニウム、銅、ステンレス鋼、ニッケル等により形成された金属部材７と、の間にガス通路を画定するように整列して配置され」（発明特定事項Ｄ１）る構成は、本件特許発明１における「前記接着材料は、セラミックス製ガス分配板と金属製導電性ベースプレートの間にガス通路を画定するように配置され」る（発明特定事項Ｄ）構成及び「穴あきシート」の「開口部」が、「セラミックス製ガス分配板の開口部及び金属製導電性ベースプレートの開口部と整列するように配置され」（発明特定事項Ｘ２）る構成に相当する。
（ｇ）引用発明１ａにおける「半導体支持部材（静電チャック）１」（発明特定事項Ｅ１）は、本件特許発明１における「半導体チャンバコンポーネント」（発明特定事項Ｅ）に相当する。
（ｈ）引用発明１ａにおける「半導体支持部材（静電チャック）１を接合するのに適し」（発明特定事項Ｅ１）た構成は、本件特許発明１における「半導体チャンバコンポーネントを接合するのに適し」（発明特定事項Ｅ）た構成に相当する。
（ｉ）引用発明１ａにおける「該穴の直径は、セラミックス製の基体２のガス供給孔甲１８ａ及び金属部材７のガス供給孔乙１８ｂの直径と実質的に等し」い（発明特定事項Ｃ３）構成は、本件特許発明１の「セラミックス製ガス分配板の開口部、金属製導電性ベースプレートの開口部、及び前記穴あきシートの開口部は、直径が等しいか、又は前記穴あきシートの開口部の直径が、前記セラミックス製ガス分配板の開口部及び金属製導電性ベースプレートの開口部の直径よりも大きい」（発明特定事項Ｘ４）構成に相当する。
　
（ｊ）上記（ａ）で述べたように、引用発明１ａにおける「接着シート４」は、本件特許発明１における「接着材料」に相当するものであるから、引用発明１ａは、「接着シート４」、すなわち、「接着材料」に関する発明であるといえる。
　そうすると、上記（ａ）〜（ｉ）によれば、本件特許発明１と引用発明１ａとは、次の一致点１−１で一致する。
（一致点１−１）
「Ｂ　前記接着材料は、伸びが１５０％を超える
Ｃ＋Ｘ２　前記穴あきシートは、前記セラミックス製ガス分配板の開口部及び前記金属製導電性ベースプレートの開口部と整列するように配置されている予め形成された複数の開口部を含む円盤形状の穴あきシートであり、
Ｘ３’　前記複数の開口部は、ガス通路のための複数の第２開口部を含み、
Ｘ４　前記セラミックス製ガス分配板の開口部、前記金属製導電性ベースプレートの開口部、及び前記穴あきシートの開口部は、直径が等しいか、又は前記穴あきシートの開口部の直径が、前記セラミックス製ガス分配板の開口部及び前記金属製導電性ベースプレートの開口部の直径よりも大きい、
Ｅ　半導体チャンバコンポーネントを接合するのに適した接着材料。」
　
　そして、本件特許発明１と引用発明１ａとは、次の相違点１−１〜１−３で相違する。
（相違点１−１）
　「接着材料」のヤング率について、本件特許発明１では、「３００ｐｓｉ（＝３００ｌｂｆ／ｉｎ２＝２．０７ＭＰａ）より低い」のに対し（発明特定事項Ａ）、引用発明１ａの「接着シート４」のヤング率は、「１００ＭＰａ以下である」点。
（相違点１−２）
　「接着材料」の特性について、本件特許発明１では、「プラズマプロセス中における接合界面での熱膨張の不整合に起因する表面変動に順応することができ」るのに対し、引用発明１ａの「穴あきシート」は、このような特性を有しているか不明な点。
（相違点１−３）
　「穴あきシート」の「複数の開口部」について、本件特許発明１は、「中央部に光監視システム用の通路のための第１開口部」を含むのに対し、引用発明１ａの「穴あきシート」は、そのような開口部は含まない点。
（相違点１−４）
　「穴あきシート」の「複数の開口部」における「ガス通路のための複数の第２開口部」の配置について、本件特許発明１では、本件特許発明１は、「第１開口部」「の周囲に規則的なパターンで配置され」、「前記規則的なパターンは、グリッド、円形状配列、又は放射状パターンであ」るのに対し、引用発明１ａの「穴あきシート」の「複数の穴」の配置は規定されていない点。
　
　ここで、相違点について検討する。
　事案に鑑み、まず、相違点１−３について検討する。
　引用発明１ａは、「Ｅ１　半導体支持部材（静電チャック）１を接合するのに適し」たものであるから、引用発明１ａの「穴あきシート」は、載置された半導体を下から支持する部材において用いられるものといえる。
　また、引用例１には、「穴あきシート」について、半導体支持部材以外の用途に用いるという記載は見出すことができない。
　
　そうすると、半導体を下から支持する部材に、「中央部に光監視システム用の通路のための第１開口部」を設けても、載置された半導体によって、該「第１開口部」が塞がれ、光監視システム用の通路として機能しなくなることは明らかであるから、引用発明１ａの「穴あきシート」に、「中央部に光監視システム用の通路のための第１開口部」を設けることには、阻害要因があるというべきである。
　
　また、引用例２〜４、周知例１〜３のいずれにも、半導体を下から支持する部材に、「中央部に光監視システム用の通路のための第１開口部」を設けることを示唆する記載は見出せない。
　
　したがって、相違点１−１、相違点１−２及び相違点１−４について検討するまでもなく、本件特許発明１は、引用発明１ａに基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
　ｂ　本件特許発明６について
　本件特許発明６と引用発明１ｂとを対比する。
（ａ）引用発明１ｂにおける「接着シート４」は、本件特許発明６における「接着材料」に相当する。
（ｂ）引用発明１ｂにおける「ガス分配機能を有するセラミックス製の基体２」（発明特定事項Ｏ１）は、本件特許発明６における「セラミックス製ガス分配板」（発明特定事項Ｏ）に相当する。
（ｃ）引用発明１ｂにおける「例えばアルミニウム、銅、ステンレス鋼、ニッケル等により形成された金属部材７」（発明特定事項Ｏ１）は、本件特許発明６における「金属製導電性ベースプレート」（発明特定事項Ｏ）に相当する。
（ｄ）引用発明１ｂにおける「基体２の接合面２ｂ」（発明特定事項Ｊ１）は、本件特許発明６における「第１の表面」（発明特定事項Ｊ）に相当する。
（ｅ）引用発明１ｂにおける「金属部材７の接合面７ａ」（発明特定事項Ｊ１）は、本件特許発明６における「第２の表面」（発明特定事項Ｊ）に相当する。
　そうすると、引用発明１ｂにおける「金属部材７の接合面７ａに隣接して配置された基体２の接合面２ｂと」（発明特定事項Ｊ１）いう構成は、本件特許発明６における「第２の表面に隣接して配置された第１の表面と」（発明特定事項Ｊ）いう構成に相当する。
（ｆ）引用発明１ｂにおける「前記基体２の接合面２ｂを前記金属部材７の接合面７ａに接合する接着シート４を含」（発明特定事項Ｋｌ）む構成は、本件特許発明６における「前記第１の表面を前記第２の表面に接合する接着材料を含」（発明特定事項Ｋ）む構成に相当する。
（ｇ）引用発明１ｂにおける「前記接着シート４は、伸びが１５０％以上（さらに好ましくは２００％以上）である」（発明特定事項Ｍｌ）は、本件特許発明６における「前記接着材料は、伸びが１５０％を超える」（発明特定事項Ｍ）に相当する。
（ｈ）引用発明１ｂにおける「円盤形状の穴あきシートであり」（発明特定事項Ｎ１）は、本件特許発明６における「円盤形状の穴あきシートであり」（発明特定事項Ｎ）に相当する。
　また、引用発明１ｂの「予め形成された複数の穴」（発明特定事項Ｎ１）は、上記ａ（ｃ）で述べたように、ガス通路のための穴といえ、本件特許発明６の「ガス通路のための複数の第２開口部」（発明特定事項Ｘ13）に相当し、引用発明１ｂの「予め形成された複数の穴を有する」（発明特定事項Ｎ１）構成は、本件特許発明６の「前記複数の開口部は、」「ガス通路のための複数の第２開口部」「を含」（発明特定事項Ｘ13）む構成に相当する。
（ｉ）引用発明１ｂにおける「前記基体２の接合面２ｂは、ガス分配機能を有するセラミックス製の基体２であり、前記金属部材７の接合面７ａは、例えばアルミニウム、銅、ステンレス鋼、ニッケル等により形成された金属部材７であり」（発明特定事項Ｏ１）は、本件特許発明６における「前記第１の表面はセラミックス製ガス分配板であり、前記第２の表面は金属製導電性ベースプレートであり」（発明特定事項Ｏ）に相当する。
（ｊ）引用発明１ｂにおける「該穴とセラミックス製の基体２のガス供給孔甲１８ａ及び金属部材７のガス供給孔乙１８ｂは、整列して配置され」（発明特定事項Ｎ２）る構成及び「前記接着シート４は前記基体２の接合面２ｂと前記金属部材７の接合面７ａとの間にガス通路を画定するように整列して配置され」（発明特定事項Ｐ１）る構成は、本件特許発明６における「前記接着材料は、セラミックス製ガス分配板と金属製導電性ベースプレートの間にガス通路を画定するように配置される」（発明特定事項Ｐ）構成及び「穴あきシート」の「開口部」が、「セラミックス製ガス分配板の開口部及び金属製導電性ベースプレートの開口部と整列するように配置され」（発明特定事項Ｘ12）る構成に相当する。
（ｋ）引用発明１ｂにおける「半導体支持部材（静電チャック）１」（発明特定事項Ｑ１）は、本件特許発明６における「半導体チャンバコンポーネント」（発明特定事項Ｑ）に相当する。
（ｌ）引用発明１ｂにおける「該穴の直径は、セラミックス製の基体２の開口部及び金属部材７の開口部の直径と実質的に等しい」（発明特定事項Ｎ３）構成は、本件特許発明６の「セラミックス製ガス分配板の開口部、金属製導電性ベースプレートの開口部、及び穴あきシートの開口部は、直径が等しいか、又は前記穴あきシートの開口部の直径が、前記セラミックス製ガス分配板の開口部及び金属製導電性ベースプレートの開口部の直径よりも大きい」（発明特定事項Ｘ14）構成に相当する。
　
（ｍ）上記（ａ）〜（ｌ）によれば、本件特許発明１と引用発明１ｂとは、次の一致点１−２で一致する。
（一致点１−２）
「Ｊ　第２の表面に隣接して配置された第１の表面と、
Ｋ　前記第１の表面を前記第２の表面に接合する接着材料を含み、
Ｍ　前記接着材料は、伸びが１５０％を超える
Ｎ＋Ｘ12　前記穴あきシートは、前記セラミックス製ガス分配板の開口部及び前記金属製導電性ベースプレートの開口部と整列するように配置されている予め形成された複数の開口部を含む円盤形状の穴あきシートであり、
Ｘ13’　前記複数の開口部は、ガス通路のための複数の第２開口部を含み、
Ｘ14’　前記セラミックス製ガス分配板の開口部、前記金属製導電性ベースプレートの開口部、及び前記穴あきシートの開口部は、直径が等しいか、又は前記穴あきシートの開口部の直径が、前記セラミックス製ガス分配板の開口部及び前記金属製導電性ベースプレートの開口部の直径よりも大きく、
Ｏ　前記第１の表面はセラミックス製ガス分配板であり、前記第２の表面は金属製導電性ベースプレートであり、
Ｐ　前記接着材料は前記第１の表面と前記第２の表面の間にガス通路を画定するように配置される
Ｑ　半導体チャンバコンポーネント。」
　
　そして、本件特許発明６と引用発明１ｂとは、次の相違点６−１〜６−４で相違する。
（相違点６−１）
　「接着材料」のヤング率について、本件特許発明６では「３００ｐｓｉ（＝３００ｌｂｆ／ｉｎ２＝２．０７ＭＰａ）より低」いのに対し、引用発明１ｂの「接着シート４」は「１００ＭＰａ以下である」点。
（相違点６−２）
　「接着材料」の特性について、本件特許発明６では、「プラズマプロセス中における接合界面での熱膨張の不整合に起因する表面変動に順応することができ」るのに対し、引用発明の「接着シート４」は、このような特性を有しているか不明な点。
（相違点６−３）
　「穴あきシート」の「複数の開口部」について、本件特許発明６は、「中央部に光監視システム用の通路のための第１開口部」を含むのに対し、引用発明１ｂの「円盤形状の穴あきシート」は、そのような開口部は含まない点。
（相違点６−４）
　「穴あきシート」の「複数の開口部」の「ガス通路のための複数の第２開口部」の配置について、本件特許発明６では、「第１開口部」の「周囲に規則的なパターンで配置され」、「前記規則的なパターンは、グリッド、円形状配列、又は放射状パターンであ」るのに対し、引用発明１ｂでは、「穴あきシート」の「複数の穴」の配置は規定されていない点。
　
　ここで、相違点について検討する。
　事案に鑑み、まず、相違点６−３について検討する。
　引用発明１ｂは、「Ｑ１　半導体支持部材（静電チャック）１」であるから、引用発明１ｂの「円盤形状の穴あきシート」は、載置された半導体を下から支持する部材において用いられるものといえる。
　また、引用例１には、「円盤形状の穴あきシート」について、半導体支持部材以外の用途に用いるという記載は見出すことができない。
　
　そうすると、半導体を下から支持する部材に、「中央部に光監視システム用の通路のための第１開口部」を設けても、載置された半導体によって、該「第１開口部」が塞がれ、光監視システム用の通路として機能しなくなることは明らかであるから、引用発明１ｂの「穴あきシート」に、「中央部に光監視システム用の通路のための第１開口部」を設けることには、阻害要因があるというべきである。
　
　　また、引用例２〜４、周知例１〜３のいずれにも、半導体を下から支持する部材に、「中央部に光監視システム用の通路のための第１開口部」を設けることを示唆する記載は見出せない。
　
　したがって、相違点６−１、相違点６−２及び相違点６−４について検討するまでもなく、本件特許発明６は、引用発明１ｂに基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
　ｃ　本件特許発明２〜５、７〜９について
　本件特許発明２〜５は、本件特許発明１を引用し、さらに限定したものであるから、本件特許発明１と同様な理由から、引用発明１ａに基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　また、本件特許発明７〜９は、本件特許発明６を引用し、さらに限定したものであるから、本件特許発明６と同様な理由から、引用発明１ｂに基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
［引用発明２ａ、２ｂを主引用発明とした場合］
　ｄ　本件特許発明１について
　本件特許発明１と引用発明２ａとを対比する。
（ａ）引用発明２ａにおける「シート状接着剤１２２」は、本件特許発明１における「接着材料」に相当する。
（ｂ）引用発明２ａにおける「予め形成された複数の穴を有する円盤形状の穴あきシートであ」（発明特定事項Ｃ２）る構成は、本件特許発明１における「円盤形状の穴あきシートであ」（発明特定事項Ｃ）る構成及び「予め形成された複数の開口部」（発明特定事項Ｘ２）に相当する。
　また、引用発明２ａにおける「予め形成された複数の穴を有する円盤形状の穴あきシート」（発明特定事項Ｃ２）の「穴」は、「ガス通路を確定する」（発明特定事項Ｄ２）ものであるから、ガス通路のための穴といえ、本件特許発明１の「ガス通路のための複数の第２開口部」（発明特定事項Ｘ３）に相当し、引用発明２ａの「予め形成された複数の穴を有する」（発明特定事項Ｃ２）構成は、本件特許発明１の「前記複数の開口部は、」「ガス通路のための複数の第２開口部」「を含」（発明特定事項Ｘ３）む構成に相当する。
（ｃ）引用発明２ａにおける「ガス分配機能を有するセラミックス製の静電チャックデバイス（基板支持コンポーネント）１２４」（発明特定事項Ｄ２）は、本件特許発明１における「セラミックス製ガス分配板」（発明特定事項Ｄ）に相当する。
（ｄ）引用発明２ａにおける「例えばアルミニウム、アルミニウム合金等により形成された下部電極１３２の支持部材中間層１３４」（発明特定事項Ｄ２）は、アルミニウム、アルミニウム合金が導電性であるから、本件特許発明１における「金属製導電性ベースプレート」（発明特定事項Ｄ）に相当する。
（ｅ）引用発明２ａにおける「シート状接着剤１２２は、ガス分配機能を有するセラミックス製の静電チャックデバイス（基板支持コンポーネント）１２４と、例えばアルミニウム、アルミニウム合金等により形成された下部電極１３２の支持部材中間層１３４と、の間にガス通路を画定するように配置され」（発明特定事項Ｄ２）る構成は、本件特許発明１における「前記接着材料は、セラミックス製ガス分配板と金属製導電性ベースプレートの間にガス通路を画定するように配置される」（発明特定事項Ｄ）構成に相当する。
（ｆ）引用発明２ａにおける「静電チャックデバイス（基板支持コンポーネント）１２４」（発明特定事項Ｅ２）は、本件特許発明１における「半導体チャンバンポーネント」（発明特定事項Ｅ）に相当する。
（ｇ）引用発明２ａにおける「静電チャックデバイス（基板支持コンポーネント）１２４を接合するのに適し」（発明特定事項Ｅ２）た構成は、本件特許発明１における「半導体チャンバコンポーネントを接合するのに適し」（発明特定事項Ｅ）た構成に相当する。
　
（ｈ）上記（ａ）〜（ｇ）によれば、本件特許発明１と引用発明２ａとは、次の一致点２−１で一致する。
（一致点２−１）
「Ｃ　前記接着材料は円盤形状の穴あきシートであり、
Ｄ　前記接着材料は、セラミックス製ガス分配板と金属製導電性ベースプレートの間にガス通路を画定するように配置され、
Ｘ２’　前記穴あきシートは、予め形成された複数の開口部を含み、
Ｘ３’　前記複数の開口部は、ガス通路のための複数の第２開口部を含み、
Ｅ　半導体チャンバコンポーネントを接合するのに適した接着材料。」
　
　そして、本件特許発明１と引用発明２ａとは、次の相違点１１、１２及び１２−１〜１２−３で相違する。
（相違点１１）
　「接着材料」のヤング率について、本件特許発明１では「３００ｐｓｉ（＝３００ｌｂｆ／ｉｎ２＝２．０７ＭＰａ）より低い」のに対し、引用発明２ａの「シート状接着剤１２２」のヤング率は不明な点。
（相違点１２）
　「接着材料」の伸びについて、本件特許発明１では「１５０％を超える」のに対し、引用発明２ａの「シート状接着剤１２２」の伸びは、不明な点。
（相違点１２−１）
　「接着材料」の特性について、本件特許発明１では「プラズマプロセス中における接合界面での熱膨張の不整合に起因する表面変動に順応することができ」るのに対し、引用発明２ａの「シート状接着剤１２２」がそのような特性を備えているかどうかは、不明な点。
（相違点１２−２）
　「穴あきシート」の「穴」について、本件特許発明１は、「中央部に光監視システム用の通路のための第１開口部」を含むのに対し、引用発明２ａの「円盤形状の穴あきシート」は、そのような穴は含まない点。
（相違点１２−３）　
　「穴あきシート」の「穴」の配置と大きさについて、本件特許発明１は、「セラミックス製ガス分配板の開口部及び金属製導電性ベースプレートの開口部と整列するように配置されている」「複数の開口部を含み、前記複数の開口部は、規則的なパターンで配置され」、「前記規則的なパターンは、グリッド、円形状配列、又は放射状パターンであり」、「前記セラミックス製ガス分配板の開口部、前記金属製導電性ベースプレートの開口部、及び前記穴あきシートの開口部は、直径が等しいか、又は前記穴あきシートの開口部の直径が、前記セラミックス製ガス分配板の開口部及び前記金属製導電性ベースプレートの開口部の直径よりも大きい」のに対し、引用発明２ａの「円盤形状の穴あきシート」の「穴」の配置と大きさは、規定されていない点。
　
　ここで、相違点について検討する。
　事案に鑑み、まず、相違点１２−２について検討する。
　引用発明２ａは、「Ｅ２　静電チャックデバイス（基板支持コンポーネント）１２４を接合するのに適し」たものであるから、引用発明２ａの「円盤形状の穴あきシート」は、載置された基板を下から支持する部材において用いられるものといえる。
　また、引用例２には、「静電チャックデバイス（基板支持コンポーネント）１２４」について、半導体支持部材以外の用途に用いるという記載は見出すことができない。
　
　そうすると、基板を下から支持する部材に、「中央部に光監視システム用の通路のための第１開口部」を設けても、載置された基板によって、該「第１開口部」が塞がれ、光監視システム用の通路として機能しなくなることは明らかであるから、引用発明２ａの「円盤形状の穴あきシート」に、「中央部に光監視システム用の通路のための第１開口部」を設けることには、阻害要因があるというべきである。
　
　また、引用例１、３、４、周知例１〜３のいずれにも、基板を下から支持する部材に、「中央部に光監視システム用の通路のための第１開口部」を設けることを示唆する記載は見出せない。
　
　したがって、相違点１１、相違点１２、相違点１２−１及び相違点１２−３について検討するまでもなく、本件特許発明１は、引用発明２ａに基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
　ｅ　本件特許発明６について
　本件特許発明６と引用発明２ｂとを対比する。
（ａ）引用発明２ｂにおける「シート状接着剤１２２」は、本件特許発明６における「接着材料」に相当する。
（ｂ）引用発明２ｂにおける「ガス分配機能を有するセラミックス製の静電チャックデバイス１２４」（発明特定事項Ｏ２）は、本件特許発明６における「セラミックス製ガス分配板」（発明特定事項Ｏ）に相当する。
（ｃ）引用発明２ｂにおける「例えばアルミニウム、アルミニウム合金等により形成された下部電極１３２の支持部材中間層１３４」（発明特定事項Ｏ２）は、本件特許発明６における「金属製導電性ベースプレート」（発明特定事項Ｏ）に相当する。
（ｄ）引用発明２ｂにおける「静電チャックデバイス（基板支持コンポーネント）１２４の表面」（発明特定事項Ｊ２）は、本件特許発明６における「第１の表面」（発明特定事項Ｊ）に相当する。
（ｅ）引用発明２ｂにおける「下部電極１３２の支持部材中間層１３４の表面」（発明特定事項Ｊ２）は、本件特許発明６における「第２の表面」（発明特定事項Ｊ）に相当する。
　したがって、引用発明２ｂにおける「下部電極１３２の支持部材中間層１３４の表面に隣接して配置された静電チャックデバイス（基板支持コンポーネント）１２４の表面と」（発明特定事項Ｊ２）いう構成は、本件特許発明６における「第２の表面に隣接して配置された第１の表面と」（発明特定事項Ｊ）いう構成に相当する。
（ｆ）引用発明２ｂにおける「前記静電チャックデバイス１２４の表面を前記下部電極１３２の支持部材中間層１３４の表面に接合するシート状接着剤１２２を含」（発明特定事項Ｋ２）む構成は、本件特許発明６における「前記第１の表面を前記第２の表面に接合する接着材料を含」（発明特定事項Ｋ）む構成に相当する。
（ｇ）引用発明２ｂにおける「予め形成された複数の穴を有する円盤形状の穴あきシートであ」（発明特定事項Ｎ２）る構成は、本件特許発明６における「（前記接着材料は）円盤形状の穴あきシートであ」（発明特定事項Ｎ）る構成及び「予め形成された複数の開口部」（発明特定事項Ｘ12）に相当する。
　また、引用発明２ｂにおける「予め形成された複数の穴を有する円盤形状の穴あきシート」（発明特定事項Ｎ２）の「穴」は、「ガス通路を確定する」（発明特定事項Ｐ２）ものであるから、ガス通路のための穴といえ、本件特許発明６の「ガス通路のための複数の第２開口部」（発明特定事項Ｘ13）に相当し、引用発明２ｂの「予め形成された複数の穴を有する」（発明特定事項Ｎ２）構成は、本件特許発明６の「前記複数の開口部は、」「ガス通路のための複数の第２開口部」「を含」（発明特定事項Ｘ13）む構成に相当する。
　
（ｈ）引用発明２ｂにおける「前記静電チャックデバイス１２４の表面は、ガス分配機能を有するセラミックス製の静電チャックデバイス１２４であり、前記下部電極１３２の支持部材中間層１３４の表面は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金等により形成された下部電極１３２の支持部材中間層１３４であ」（発明特定事項Ｏ２）る構成は、本件特許発明６における「前記第１の表面はセラミックス製ガス分配板であり、前記第２の表面は金属製導電性ベースプレートであ」（発明特定事項Ｏ）る構成に相当する。
（ｉ）引用発明２ｂにおける「前記シート状接着剤１２２は前記静電チャックデバイス１２４の表面と前記下部電極１３２の支持部材中間層１３４の表面との間にガス通路を画定するように配置され」（発明特定事項Ｐ２）る構成は、本件特許発明６における「前記接着材料は前記第１の表面と前記第２の表面の間にガス通路を画定するように配置される」（発明特定事項Ｐ）構成に相当する。
（ｊ）引用発明２ｂにおける「コンポーネント・アセンブリ」（発明特定事項Ｑ２）は、本件特許発明６における「半導体チャンバコンポーネント」（発明特定事項Ｑ）に相当する。
　
（ｋ）上記（ａ）〜（ｊ）によれば、本件特許発明６と引用発明２ｂとは、次の一致点２−２で一致する。
（一致点２−２）
「Ｊ　第２の表面に隣接して配置された第１の表面と、
Ｋ　前記第１の表面を前記第２の表面に接合する接着材料を含み、
Ｎ　（前記接着材料は）円盤形状の穴あきシートであり、
Ｘ12’　前記穴あきシートは、予め形成された複数の開口部を含み、
Ｘ13’　前記複数の開口部は、ガス通路のための複数の第２開口部を含み、
Ｏ　前記第１の表面はセラミックス製ガス分配板であり、
前記第２の表面は金属製導電性ベースプレートであり、
Ｐ　前記接着材料は前記第１の表面と前記第２の表面の間にガス通路を画定するように配置される
Ｑ　半導体チャンバコンポーネント。
　
　そして、本件特許発明６と引用発明２ｂとは、次の相違点１５、１６、１６−１、１６−２及び１６−３で相違する。
（相違点１５）
　「接着材料」のヤング率について、本件特許発明６では「３００ｐｓｉ（＝３００ｌｂｆ／ｉｎ２＝２．０７ＭＰａ）より低い」のに対し、引用発明２ｂの「シート状接着剤１２２」のヤング率は不明な点。
（相違点１６）
　「接着材料」の伸びについて、本件特許発明６では「１５０％を超える」のに対し、引用発明２ｂの「シート状接着剤１２２」の伸びは不明な点。
（相違点１６−１）
　「接着材料」の特性について、本件特許発明１では「プラズマプロセス中における接合界面での熱膨張の不整合に起因する表面変動に順応することができ」るのに対し、引用発明２ｂの「シート状接着剤１２２」がそのような特性を備えているかどうかは、不明な点。
（相違点１６−２）
　「穴あきシート」の「穴」について、本件特許発明６は、「中央部に光監視システム用の通路のための第１開口部」を含むのに対し、引用発明２ｂの「円盤形状の穴あきシート」は、そのような穴は含まない点。
（相違点１６−３）
　「穴あきシート」の「穴」の配置と大きさについて、本件特許発明６では、「セラミックス製ガス分配板の開口部及び金属製導電性ベースプレートの開口部と整列するように配置されている」「複数の開口部を含み、前記複数の開口部は、」「規則的なパターンで配置され」、「前記規則的なパターンは、グリッド、円形状配列、又は放射状パターンであり」、「前記セラミックス製ガス分配板の開口部、前記金属製導電性ベースプレートの開口部、及び前記穴あきシートの開口部は、直径が等しいか、又は前記穴あきシートの開口部の直径が、前記セラミックス製ガス分配板の開口部及び前記金属製導電性ベースプレートの開口部の直径よりも大きい」のに対し、引用発明２ｂの「円盤形状の穴あきシート」の「穴」の配置と大きさは、規定されていない点。
　
　ここで、相違点について検討する。
　事案に鑑み、まず、相違点１６−２について検討する。
　引用発明２ｂは「Ｋ２　前記静電チャックデバイス１２４の表面を前記下部電極１３２の支持部材中間層１３４の表面に接合するシート状接着剤１２２を含」むものであるから、該「シート状接着剤１２２」は、「静電チャックデバイス１２４」に用いられたものであるから、引用発明２ｂの「円盤形状の穴あきシート」は、載置された基板を下から支持する部材において用いられるものといえる。
　また、引用例２には、「静電チャックデバイス（基板支持コンポーネント）１２４」について、基板支持コンポーネント以外の用途に用いるという記載は見出すことができない。
　
　そうすると、基板を下から支持する部材に、「中央部に光監視システム用の通路のための第１開口部」を設けても、載置された基板によって、該「第１開口部」が塞がれ、光監視システム用の通路として機能しなくなることは明らかであるから、引用発明２ｂの「円盤形状の穴あきシート」に、「中央部に光監視システム用の通路のための第１開口部」を設けることには、阻害要因があるというべきである。
　
　また、引用例１、３、４、周知例１〜３のいずれにも、基板を下から支持する部材に、「中央部に光監視システム用の通路のための第１開口部」を設けることを示唆する記載は見出せない。
　
　したがって、相違点１５、相違点１６、相違点１６−１及び相違点１６−３について検討するまでもなく、本件特許発明６は、引用発明２ｂに基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
　ｆ　本件特許発明２〜５、７〜９について
　本件特許発明２〜５は、本件特許発明１を引用し、さらに限定したものであるから、本件特許発明１と同様な理由から、引用発明１ａに基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　また、本件特許発明７〜９は、本件特許発明６を引用し、さらに限定したものであるから、本件特許発明６と同様な理由から、引用発明１ｂに基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
（イ）サポート要件（特許法第３６条第６項第１号）について
　本件特許発明の課題は、「半導体処理チャンバ内の部品及び／又はコンポーネントを組み立てるために利用される強固な接着材料」（本件明細書【０００４】）を提供することと解されるところ、本件特許発明１〜９における「接着材料」について、「ヤング率が３００ｐｓｉ（＝３００ｌｂｆ／ｉｎ２＝２．０７ＭＰａ）より低い」点、「伸びが１５０％を超える」点、及び「プラズマプロセス中における接合界面での熱膨張の不整合に起因する表面変動に順応することができ」る点を発明特定事項に有している。
　
　そして、「ヤング率が３００ｐｓｉ（＝３００ｌｂｆ／ｉｎ２＝２．０７ＭＰａ）より低い」ことは、低弾性を意味することは明らかである（必要であれば、特開２０１１−８６１９１号公報の【００５７】の「弾性部６２としては、例えば発泡ウレタン系の材料を用いればよい。例えば発泡ポリウレタンは、発泡率により弾性率を変化させることができ、ヤング率２ＭＰａ以下の低弾性を実現可能である。」という記載を参照されたい。）。
　
　そうすると、本件特許発明は、半導体チャンバ内の部品やコンポーネントが、プラズマプロセス中に加熱された場合であっても、それらの部品やコンポーネントの接合に用いられた接着材料が、低いヤング率であり、低弾性であり、十分伸びるものであって、接合界面での熱膨張の不整合に起因する表面変動に順応して、強固な接着材料となることができるものと、発明の詳細な説明の記載から、認識できるものであるといえる。
　
　したがって、このような発明特定事項を有する「接着材料」によって、「半導体処理チャンバ内の部品及び／又はコンポーネントを組み立てるために利用される強固な接着材料」が得られるといえることから、請求項１〜９の記載が特許法第３６条第６項第１号の規定を満たしていない、ということはできない。
　
（ウ）明確性要件（特許法第３６条第６項第２号）について
　ａ　請求項１及び６に記載された「規則的パターン」について
　請求項１、６において、「規則的なパターン」は、「グリッド、円形状配列、又は放射状パターン」と特定されており、「規則的なパターン」が不明確とはいえない。
　ｂ　請求項１及び６に記載された「実質的に等しい」及び「僅かに大きい」について　本件訂正請求によって訂正された特許請求の範囲には、「実質的に」及び「僅かに」という用語は用いられておらず、請求項の記載が不明確とはいえない。
　ｃ　以上のとおり、請求項１〜９の記載が特許法第３６条第６項第２号の規定を満たしていない、ということはできない。
　
（エ）特許異議申立人の意見について
　申立人は、本件訂正請求に対し、意見書を提出しなかった。
　
イ　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由はない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、取消理由によっては、本件請求項１〜９に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜９に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成３０年３月２６日（２０１８．３．２６）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
チャンバコンポーネントを接合するために使用される接着材料
　【発明の背景】
　【０００１】
（発明の分野）
　本発明の実施形態は、概して、半導体処理チャンバに関しており、より具体的には、半導体処理チャンバコンポーネントを接合するのに適した接着材料に関する。
　【０００２】
（関連技術の説明）
　半導体処理には、多くの異なる化学的及び物理的処理が含まれ、これによって微細な集積回路が基板上に作られる。集積回路を構成する材料の層は、化学蒸着、物理蒸着、エピタキシャル成長等によって作られる。材料の層のいくつかは、フォトレジストマスク及びウェット又はドライエッチング技術を用いてパターニングされる。集積回路を形成するために利用される基板は、シリコン、ガリウムヒ素、リン化インジウム、ガラス、又は任意の他の好適な材料が可能である。
　【０００３】
　典型的な半導体処理チャンバは、多数のコンポーネントを有する場合がある。いくつかのコンポーネントは、処理ゾーンを画定するチャンバ本体と、処理ゾーン内にガス供給部から処理ガスを供給するように適合されたガス分配アセンブリと、処理ゾーン内で処理ガスを励起するために利用されるガス励起装置（例えば、プラズマ発生器）と、基板支持アセンブリと、ガス排気装置を含む。いくつかのコンポーネントは、部品の組立体で構成することができる。例えば、シャワーヘッドアセンブリは、セラミックス製ガス分配板に接着接合された導電性ベースプレートを含むことができる。部品の有効的な接合は、適切な接着剤及び優れた接合技術が要求され、これによって熱膨張の不一致を補償し、いかなる界面欠陥をも逆に作成することなく、部品が互いにしっかりと付くことを保証する。
　【０００４】
　従って、半導体処理チャンバ内の部品及び／又はコンポーネントを組み立てるために利用される強固な接着材料が必要とされている。
　【発明の概要】
　【０００５】
　本発明の実施形態は、半導体処理チャンバコンポーネントの接合に適した強固な接着材料を提供する。一実施形態では、半導体チャンバコンポーネントの接合に適した接着材料は、ヤング率が３００ｐｓｉよりも低い接着材料を含む。
　【０００６】
　別の一実施形態では、半導体チャンバコンポーネントは、第２の表面に隣接して配置された第１の表面と、第１の表面を第２の表面に接合する接着材料であって、接着材料はヤング率が３００ｐｓｉよりも低い接着材料を含む。
　【０００７】
　更に別の一実施形態では、半導体処理チャンバコンポーネントを接合するための方法は、第１のコンポーネントの表面上に、ヤング率が３００ｐｓｉよりも低い接着材料を塗布する工程と、第１のコンポーネントの表面に接着材料との接触を介して第２のコンポーネントを接合する工程と、第１及び第２のコンポーネントを接合する接着剤層を熱処理する工程を含む。
　【図面の簡単な説明】
　【０００８】
　本発明の上述した構成を詳細に理解することができるように、上記に簡単に要約した本発明のより具体的な説明を、実施形態を参照して行う。実施形態のいくつかは添付図面に示されている。
　【図１】本発明に係る接合材料を用いた処理チャンバの一実施形態の断面図を示す。
　【図２】本発明に係る接着材料によって接合される基板の一実施形態の断面図を示す。
　【図３】本発明に係る接着材料の穴あきシートによって接合される基板の一実施形態の分解断面図を示す。
　【０００９】
　しかしながら、添付図面は本発明の典型的な実施形態を示しているに過ぎず、従って、この範囲を制限していると解釈されるべきではなく、本発明は他の等しく有効な実施形態を含み得ることに留意すべきである。
　【００１０】
　理解を促進するために、図面に共通する同一の要素を示す際には可能な限り同一の参照番号を使用している。一実施形態の要素を更なる説明なしに他の実施形態に有利に使用してもよいと理解される。
　【詳細な説明】
　【００１１】
　本発明の実施形態は、本発明の接着材料によって接合される半導体処理チャンバ内で使用される部品や処理チャンバコンポーネントを接合するための強固な接着材料及びそれらの部品やコンポーネントの製造方法を提供する。一実施形態では、強固な接合材料は、ガス分配アセンブリ又は半導体処理チャンバの他の異なるアセンブリ内の接合部に対して良好な接合界面を提供するような、特定の所望の接着材料特性を有するシリコーン系材料である。接着材料は、過酷なプラズマエッチング環境内等で利用されるコンポーネント間で強固な接合を提供するように、所望の範囲の熱膨張係数、熱応力、伸び、及び熱伝導率を有する。
　【００１２】
　図１は、本発明に係る接合材を利用した少なくとも１つのコンポーネントを有する半導体処理チャンバ１００の一実施形態の断面図である。好適な処理チャンバ１００の一例は、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社（Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，　Ｉｎｃ．）から入手可能な、ＣＥＮＴＵＲＡ（商標名）　ＥＮＡＢＬＥＲ（商標名）エッチングシステムが可能である。なお、本明細書に開示される本発明の技法の１以上から恩恵を受けるように、他の処理チャンバを使用可能であることが理解される。
　【００１３】
　処理チャンバ１００は、内部容積１０６を囲むチャンバ本体１０２及び蓋１０４を含む。チャンバ本体１０２は、典型的には、アルミニウム、ステンレス鋼又は他の好適な材料から作られる。チャンバ本体１０２は、一般的に側壁１０８及び底部１１０を含む。基板アクセスポート（図示せず）は、一般的に側壁１０８内に画定されており、スリットバルブによって選択的に封止され、これによって処理チャンバ１００からの基板１４４の出し入れを促進する。チャンバ本体１０２の側壁１０８に接して、外側ライナ１１６を配置することができる。プラズマ又はハロゲン含有ガスに耐性のある材料で、外側ライナ１１６を製造する及び／又はコーティングすることができる。一実施形態では、外側ライナ１１６は、酸化アルミニウムから製造される。別の一実施形態では、外側ライナ１１６は、イットリウム、イットリウム合金又はそれらの酸化物から製造される又はコーティングされる。更に別の一実施形態では、外側ライナ１１６は、バルクＹ２Ｏ３から製造される。
　【００１４】
　排気口１２６は、チャンバ本体１０２内に画定され、内部容積１０６をポンプシステム１２８に結合する。ポンプシステム１２８は、一般的に処理チャンバ１００の内部容積１０６の圧力を排気して調節するために利用される１以上のポンプ及びスロットルバルブを含む。一実施形態では、ポンプシステム１２８は、典型的に約１０ｍＴｏｒｒ〜約２０Ｔｏｒｒの動作圧力で内部容積１０６内の圧力を維持する。
　【００１５】
　蓋１０４は、チャンバ本体１０２の側壁１０８上で密閉して支持される。蓋１０４は、処理チャンバ１００の内部容積１０６への過剰量を許容するために開くことができる。蓋１０４は、オプションとして、光処理監視を促進する窓１４２を含むことができる。一実施形態では、窓１４２は、光監視システム１４０によって利用される信号を透過する石英又は他の好適な材料から構成される。本発明から利益を得るように利用可能な１つの光監視システムは、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアル社から入手可能なＥｙｅＤ（商標名）フルスペクトル干渉計測モジュールである。
　【００１６】
　ガスパネル１５８は処理チャンバ１００に結合され、これによって内部容積１０６へ処理ガス及び／又はクリーニングガスを供給する。処理ガスの例としては、ハロゲン含有ガス（特に、Ｃ２Ｆ６、ＳＦ６、ＳｉＣｌ４、ＨＢｒ、ＮＦ３、ＣＦ４、Ｃｌ２、ＣＨＦ３、ＣＦ４、ＳｉＦ４など）、及び他のガス（Ｏ２又はＮ２Ｏなど）を含むことができる。キャリアガスの例としては、Ｎ２、Ｈｅ、Ａｒ、処理に対して不活性な他のガス、及び非反応性ガスを含む。図１に示される実施形態では、入口ポート１３２’、１３２’’（総称してポート１３２）が蓋１０４内に提供され、これによってガスパネル１５８からガス分配アセンブリ１３０を介して処理チャンバ１００の内部容積１０６へとガスを送出することができる。
　【００１７】
　ガス分配アセンブリ１３０は、蓋１０４の内面１１４に結合されている。ガス分配アセンブリ１３０は、導電性ベースプレート１９６に結合されたガス分配板１９４を含む。導電性ベースプレート１９６は、ＲＦ電極として機能することができる。一実施形態では、導電性ベースプレート１９６は、アルミニウム、ステンレス鋼、又は他の好適な材料で作ることができる。ガス分配板１９４は、ハロゲン含有化学物質に対する耐性を提供するために、セラミックス材料（例えば、炭化ケイ素、バルクイットリウム、又はその酸化物）から作ることができる。あるいはまた、ガス分配板１９４は、ガス分配アセンブリ１３０の寿命を延ばすために、イットリウム又はその酸化物でコーティングしてもよい。
　【００１８】
　導電性ベースプレート１９６は、本発明に係る接着材料１２２によって、ガス分配板１９４に接合されている。接着材料１２２は、導電性ベースプレート１９６の下面又はガス分配板１９４の上面に塗布され、これによってガス分配板１９４を導電性ベースプレート１９６に機械的に接合することができる。一実施形態では、接着材料１２２は、ガス分配板１９４と導電性ベースプレート１９６との間に強固な接合界面を提供する、特定の所望の特性を有するシリコーン系材料である。接着材料１２２は、導電性ベースプレート１９６とガス分配板１９４を確実に接合するのに十分な接合エネルギーを提供する。接合材料１２２は更に、プラズマ処理中に加熱したときに、ガス分配板１９４と導電性ベースプレート１９６との間の熱膨張の不整合に起因する層間剥離を防止するのに十分に対応して、ガス分配板１９４と導電性ベースプレート１９６との間に良好な熱伝達を提供するのに十分な熱伝導性も提供する。接着材料１２２はまた、ガス分配アセンブリ１３０を組み立てるために利用される他の部品及び／又はコンポーネントを接合するためにも使用可能であることが理解される。一実施形態では、接着材料１２２の層は、必要に応じて、複数の接着リング及び／又は複数の接着ビード（玉縁）又は溝を含み、これによってガス分配板１９４を通してガス送出の独立したゾーンを分離する。
　【００１９】
　一実施形態では、接着材料１２２は、図２を参照して更に後述する接合コンポーネント間の接合エネルギーを促進するために選択された所望の特性を有する、熱伝導性ペースト、接着剤、ゲル、又はパッドであることができる。接着材料は、接着リング、接着ビード、又はそれらの組み合わせの形態の界面に塗布することができる。ガス分配板１９４は、基板１４４に向かって面するガス分配板１９４の下面に形成された複数の開口部１３４を有する平坦な円盤であることができる。ガス分配板１９４の開口部１３４は、導電性ベースプレート１９６を貫通して形成された対応する開口部１５４と整列しており、これによって入口ポート１３２（１３２’、１３２’’として図示される）から１以上のプレナム（１２７、１２９として図示される）を通って処理チャンバ１００の内部容積１０６内へと、チャンバ１００内で処理されている基板１４４の表面全域に亘って所定の分布でガスを流すことができる。
　【００２０】
　ガス分配アセンブリ１３０は、蓋１０４と導電性ベースプレート１９６との間に配置され、内側プレナム１２７と外側プレナム１２９を画定する仕切り１２５を含むことができる。ガス分配アセンブリ１３０内に形成された内側プレナム１２７及び外側プレナム１２９は、ガスパネルから供給されるガスがガス分配板１９４を通過する前に混合するのを防止することを助けることができる。仕切り１２５が使用される場合、対応する接着層１２２が、ガス分配板１９４と導電性ベースプレート１９６との間に配置され、これによってガス分配板１９４を通過して内部容積１０６に入る前に、各入口ポート１３２’、１３２’’から供給されるガスを隔離する。更に、ガス分配アセンブリ１３０は、光監視システム１４０が内部容積１０６及び／又は基板支持アセンブリ１４８上に配置された基板１４４を見ることができるように透過した領域又は適した通路１３８を更に含むことができる。通路１３８は、通路１３８からガス漏れを防止するための窓１４２を含む。
　【００２１】
　基板支持アセンブリ１４８は、ガス分配アセンブリ１３０の下方の処理チャンバ１００の内部容積１０６内に配置されている。基板支持アセンブリ１４８は、処理中に基板１４４を保持する。基板支持アセンブリ１４８は、一般的に支持アセンブリ１４８から基板１４４を持ち上げ、従来の方法でロボット（図示せず）による基板１４４の交換を促進するように構成される貫通配置された複数のリフトピン（図示せず）を含む。内側ライナ１１８は、基板支持アセンブリ１４８の周囲にコーティングしてもよい。内側ライナ１１８は、外側ライナ１１６用に用いる材料と実質的に同様のハロゲン含有ガスに耐性のある材料であってもよい。一実施形態では、内側ライナ１１８は、外側ライナ１１６と同じ材料から作ることができる。内側ライナ１１８は、温度を調節するために流体源１２４から供給される熱伝導流体を通す内部導管１２０を含むことができる。
　【００２２】
　一実施形態では、基板支持アセンブリ１４８は、取付板１６２、ベース１６４、及び静電チャック１６６を含む。取付板１６２は、チャンバ本体１０２の底部１１０に結合され、ベース１６４及びチャック１６６へユーティリティ（特に、流体、電力線、及びセンサのリード線等）をルーティングするための通路を含む。
　【００２３】
　ベース１６４又はチャック１６６の少なくとも１つは、少なくとも１つのオプションの組込ヒーター１７６、少なくとも１つのオプションの組込アイソレータ１７４、及び複数の導管１６８、１７０を含み、これによって支持アセンブリ１４８の横方向の温度プロファイルを制御することができる。導管１６８、１７０は、温度調節流体を循環させる流体源１７２に流体結合される。ヒーター１７６は、電源１７８によって調節される。導管１６８、１７０、及びヒーター１７６は、ベース１６４の温度を制御するために利用され、これによって静電チャック１６６を加熱及び／又は冷却する。静電チャック１６６及びベース１６４の温度は、複数の温度センサ１９０、１９２を用いて監視することができる。静電チャック１６６は、更に、例えば、静電チャック１６６の基板支持面内に形成され、熱伝達（又は裏面）ガス（Ｈｅなど）の供給源に流体結合された複数の通路（溝など、図示せず）を更に含むことができる。動作時には、裏面ガスが圧力を制御してガス通路内に供給され、これによって静電チャック１６６と基板１４４との間の熱伝達を高める。
　【００２４】
　静電チャック１６６は、チャッキング電源１８２を使用して制御される少なくとも１つのクランプ電極１８０を含む。電極１８０（又はチャック１６６又はベース１６４内に配置された他の電極）は、処理チャンバ１００内で処理ガス及び／又は他のガスから形成されたプラズマを維持するために、整合回路１８８を介して１以上のＲＦ電源１８４、１８６に更に結合することができる。電源１８４、１８６は、一般的に約５０ｋＨｚ〜約３ＧＨｚの周波数と、約１０，０００ワットまでの電力を有するＲＦ信号を生成することができる。
　【００２５】
　ベース１６４は、ガス分配アセンブリ１３０内でガス分配板１９４と導電性ベース１９６を接合するために利用される接合材料１２２と実質的に類似又は同一であるかもしれない接合材料１３６によって静電チャック１６６に固定されている。上述したように、接合材料１３６は、静電チャック１６６とベース１６４との間の熱エネルギー交換を促進し、それらの間の熱膨張の不整合を補償する。例示的な一実施形態では、接合材料１３６は、静電チャック１６６をベース１６４に機械的に接合する。なお、接合材料１３６はまた、基板支持アセンブリ１４８を組み立てるために利用される他の部品及び／又はコンポーネントを接合する（例えば、ベース１６４を取付板１６２に接合する）のに使用可能であることが理解される。
　【００２６】
　図２は、第１の表面２０４を第２の表面２０６に接合するために使用される接着材料１２２（又は材料１３６）の一実施形態の断面図を示す。表面２０４、２０６は、必要に応じて、ガス分配アセンブリ１３０内に形成されたガス分配板１９４及び導電性ベースプレート１９６の表面に、基板支持アセンブリ１４８内で使用される他のコンポーネントの表面に、又は他のチャンバコンポーネントの表面に画定されることができる。一実施形態では、接着材料１２２は、図１に示されるように、ガス分配アセンブリ１３０内で導電性ベースプレート１９６にガス分配板１９４を接合するために利用される接着材料１２２であってもよい。
　【００２７】
　接着材料１２２は、ゲル、接着剤、パッド又はペーストの形態であることができる。好適な接着材料のいくつかの例としては、アクリル系及びシリコーン系化合物を含むが、これらに限定されない。別の一実施形態では、好適な例としては、アクリル、ウレタン、ポリエステル、ポリカプロラクトン（ＰＣＬ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ＰＥＶＡ、ＰＢＭＡ、ＰＨＥＭＡ、ＰＥＶＡｃ、ＰＶＡｃ、ポリＮ−ビニルピロリドン、ポリ（エチレンビニルアルコール）、樹脂、ポリウレタン、プラスチック又は他のポリマー接着材料を含むことができる。
　【００２８】
　一実施形態では、接着材料１２２は、低ヤング率（例えば、３００ｐｓｉ未満）を有するように選択される。低ヤング率を有する接着材料は、比較的適合しており、プラズマプロセス中における接合界面での表面変動に順応することができる。プラズマ処理中に、界面における表面は、プラズマ反応で発生した熱エネルギーにより膨張する可能性がある。従って、２つの面２０４、２０６が２つの異なる材料（例えば、セラミックス製ガス分配板１９４と金属製導電性ベースプレート１９６）から構成される場合、界面に配置された接着材料１２２は、界面での熱膨張の不整合に順応するのに十分適合している。従って、低ヤング率を有する接着材料１２２は、プラズマ処理中に低い熱応力を提供し、これによって界面での熱膨張の不整合に順応するために所望の程度の適合性を提供する。一実施形態では、接着材料は、約２メガパスカル未満の熱応力を有するように選択される。
　【００２９】
　更に、接着材料１２２は、高い伸び率（例えば、約１５０％を超える）及び高い熱伝導率（例えば、約０．１Ｗ／ｍＫ〜約５．０Ｗ／ｍＫ）を有するように選択される。接着材料１２２の伸びは、引張試験により測定することができる。接着材料１２２の高い熱伝導率は、セラミックス製ガス分配板１９４と金属製導電性ベースプレート１９６の間の熱エネルギーの伝達を助け、これによってガス分配アセンブリ１３０の全域に亘って均一な熱伝達を維持することができる。また、接着材料１２２の高い熱伝導率も、処理チャンバ１００の内部容積１０６への熱エネルギーの伝達を助け、これによって内部容積１０６内に均一な温度勾配を提供し、処理中にプラズマの均一な分布を助けることができる。
　【００３０】
　一実施形態では、接着材料１２２は、第１の表面２０４と第２の表面２０６が確実に接合できるのに十分に選択された厚さを有する。一実施形態では、接着材料１２２の厚さは、約１００μｍ〜約５００μｍの間で選択される。接合したコンポーネント間の最終的なギャップは、約２５μｍ〜約５００μｍに制御することができる。５０μｍ未満の平坦度を有するシートとして接着材料１２２を塗布して、これによって表面２０４、２０６間の小さな公差と良好な平行度を確保することができる。
　【００３１】
　一実施形態では、図１を参照して上述したように、接着材料１２２は、必要に応じて、穴あきシート材料で、異なる寸法を有する円形リング、同心円リング、又はメッシュの形であることができる。第１の表面２０４と第２の表面２０６が、接着材料１２２によって接合された後に、熱処理（例えば、ベーキング、アニーリング、熱浸漬、又は他の好適な熱処理）を行い、これによって第１の表面２０４と第２の表面２０６との間の接着材料１２２の接合を助けることができる。接着層によって接合した後、第１の表面２０４と第２の表面２０６の界面は、１００μｍ未満の表面均一性プロファイルを有する実質的平面となる。
　【００３２】
　図３は、穴あきシート３００の形態の接着材料１２２を有する一実施形態のガス分配アセンブリ１３０の分解図を示している。穴あきシート３００は、上述される接着材料１２２のような寸法的及び物理的特性を有することができる。穴あきシート３００は、円盤形状を有することができ、実質的に、ガス分配板１９４と同じ直径を有することができる。穴あきシート３００は、開口部１３４、１５４と整列するように配置されている予め形成された複数の開口部３０２を含む。複数の開口部３０２は、規則的なパターン（特に、グリッド、
円形状
　【００３３】
　上記は本発明の実施形態を対象としているが、本発明の他の及び更なる実施形態は本発明の基本的範囲を逸脱することなく創作することができ、その範囲は以下の特許請求の範囲に基づいて定められる。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　ヤング率が３００ｐｓｉ（＝３００ｌｂｆ／ｉｎ２＝２．０７ＭＰａ）より低い接着材料を含み、前記接着材料は、伸びが１５０％を超える円盤形状の穴あきシートであり、前記接着材料は、セラミックス製ガス分配板と金属製導電性ベースプレートの間にガス通路を画定するように配置され
、前記接着材料は、プラズマプロセス中における接合界面での熱膨脹の不整合に起因する表面変動に順応することができ、前記穴あきシートは、前記セラミックス製ガス分配板の開口部及び前記金属製導電性ベースプレートの開口部と整列するように配置されている予め形成された複数の開口部を含み、前記複数の開口部は、中央部に光監視システム用の通路のための第１開口部と、その周囲に規則的なパターンで配置されたガス通路のための複数の第２開口部とを含み、前記規則的なパターンは、グリッド、円形状配列、又は放射状パターンであり、前記セラミックス製ガス分配板の開口部、前記金属製導電性ベースプレートの開口部、及び前記穴あきシートの開口部は、直径が等しいか、又は前記穴あきシートの開口部の直径が、前記セラミックス製ガス分配板の開口部及び前記金属製導電性ベースプレートの開口部の直径よりも大きい
　【請求項２】
　前記接着材料はシリコーン系化合物である請求項１記載の材料。
　【請求項３】
　前記接着材料は熱応力が２ＭＰａ未満である請求項１記載の材料。
　【請求項４】
　前記接着材料は熱伝導率が０．１Ｗ／ｍＫ〜５Ｗ／ｍＫである請求項１記載の材料。
　【請求項５】
　前記接着材料は厚さが１００μｍ〜５００μｍである請求項１記載の材料。
　【請求項６】
　第２の表面に隣接して配置された第１の表面と、
　前記第１の表面を前記第２の表面に接合する接着材料を含み、前記接着材料はヤング率が３００ｐｓｉ（＝３００ｌｂｆ／ｉｎ２＝２．０７ＭＰａ）よりも低く、前記接着材料は、伸びが１５０％を超える円盤形状の穴あきシートであり、前記第１の表面はセラミックス製ガス分配板であり、前記第２の表面は金属製導電性ベースプレートであり、前記接着材料は前記第１の表面と前記第２の表面の間にガス通路を画定するように配置され
、前記接着材料は、プラズマプロセス中における接合界面での熱膨張の不整合に起因する表面変動に順応することができ、前記穴あきシートは、前記セラミックス製ガス分配板の開口部及び前記金属製導電性ベースプレートの開口部と整列するように配置されている予め形成された複数の開口部を含み、前記複数の開口部は、中央部に光監視システム用の通路のための第１開口部と、その周囲に規則的なパターンで配置されたガス通路のための複数の第２開口部とを含み、前記規則的なパターンは、グリッド、円形状配列、又は放射状パターンであり、前記セラミックス製ガス分配板の開口部、前記金属製導電性ベースプレートの開口部、及び前記穴あきシートの開口部は、直径が等しいか、又は前記穴あきシートの開口部の直径が、前記セラミックス製ガス分配板の開口部及び前記金属製導電性ベースプレートの開口部の直径よりも大きい
　【請求項７】
　前記接着材料はシリコーン系化合物である請求項６記載の半導体チャンバコンポーネント。
　【請求項８】
　前記接着材料は熱応力が２ＭＰａ未満である請求項６記載の半導体チャンバコンポーネント。
　【請求項９】
　前記接着材料は熱伝導率が０．１Ｗ／ｍＫ〜５Ｗ／ｍＫであり、厚さが１００μｍ〜５００μｍである請求項６記載の半導体チャンバコンポーネント。