Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月8日(2011.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
硬度を改善するために、エステル転移反応によって分岐ポリホスホネートを製造する方法が開発された。エステル転移反応において、ホスホン酸ジアリルエステル、ビスフェノール、トリ或いはテトラフェノール或いはホスホン酸エステルなどの分岐剤、及びナトリウムフェノラートなどの触媒を組み合わせ、通常オートクレーブ中で（例えば、米国特許第２，７１６，１０１号；第３，３２６，８５２号；第４，３２８，１７４号；第４，３３１，６１４号；第４，３７４，９７１号；第４，４１５，７１９号；第５，２１６，１１３号；第５，３３４，６９２号及び第４，３７４，９７１号）溶解物として反応させる。このアプローチでは、改善された硬度を示す高分子ポリホスホネートの製造が成功したが、加工可能性が犠牲となった。例えば、多数の１１，０００ｇ／モルから２００，０００ｇ／モルの平均分子量（Ｍｎ）を有し、２．５以下のポリマー分散度を有する分岐ポリホスホネートが記載されていた。しかしながら、これらのポリホスホネートは、高溶解粘度、加水分解安定性の欠如を示し、物質中に濁りを示す。その結果として、これらのポリホスホネートによって示された特性の組み合わせは、市場で一般的に許容されるには不十分である。
より最近では、高いＴｇｓ、より良い硬度及び優れた加水分解安定性などの改善された特性の組み合わせを有する分岐ポリホスホネートを合成する方法が、テトラフェニルホスホニウムフェノラート（ＴＰＰＰ）（米国特許第６，８６１，４９９号）などのホスホニウム触媒を用いて開発されてきた。これらのポリホスホネートは、非常に高分子で、良い溶解加工可能性で、使用した反応条件に依存し、可溶性或いは不溶性であり得る。残念ながら、ＴＰＰＰは、高価で、この触媒を用いてポリマーを作るのに必要とされる反応時間がナトリウムフェノラートと比較して長く、その結果ポリホスホネートを製造するのにより高い費用がかかるという点でいくつかの不利点を有する。加えて、ＴＰＰＰは反応条件下では揮発性物質であり、十分な濃度を維持するために周期的に添加されなくてはならない。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【特許文献１】  米国特許出願２００７／００３２６３３号明細書
【特許文献２】  米国特許第４７６２９０５号明細書
【特許文献３】  米国特許第２６８２５２２号明細書
【特許文献４】  米国特許第４３３１６１４号明細書
【特許文献５】  米国特許第２７１６１０１号明細書
【特許文献６】  米国特許第３３２６８５２号明細書
【特許文献７】  米国特許第４３２８１７４号明細書
【特許文献８】  米国特許第４３７４９７１号明細書
【特許文献９】  米国特許第４４１５７１９号明細書
【特許文献１０】  米国特許第５２１６１１３号明細書
【特許文献１１】  米国特許第５３３４６９２号明細書
【特許文献１２】  米国特許第６８６１４９９号明細書
【発明の概要】
【発明の効果】
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月29日(2011.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体プラズマ処理チャンバ内で使用される物品に溶射被覆セラミック面を提供する方法であって、溶射被覆セラミック面は、ハロゲン含有プラズマへのエロージョン耐性と、１００Ｖ及び３００℃の温度で測定されたとき、１０９〜１０１４Ω・ｃｍの範囲内の電気抵抗率を示し、これによって前記半導体処理チャンバ内でのプラズマアーク放電の可能性を低下させ、皮膜が火炎溶射、熱溶射及びプラズマ溶射から成る群から選択された技法を使用して溶射され、前記溶射被覆セラミック皮膜が、前記溶射プロセスの間、固溶体皮膜を形成するために用いられる少なくとも２種類の前駆体酸化物から形成され、前記少なくとも２種類の前駆体酸化物は、酸化イットリウムと、酸化ジルコニウム、酸化セリウム、酸化ハフニウム、酸化ニオブ、酸化スカンジウム、酸化ネオジム、酸化サマリウム、酸化イッテルビウム、酸化エルビウム、及びそれらの組み合わせから成る群から選択された少なくとも１種の他の酸化物である方法。
【請求項２】
皮膜が、約８０モル％より多い〜１００モル％未満の範囲で存在する酸化イットリウム及び０モル％より多い〜約２０モル％の範囲で存在する酸化セリウムの前駆体材料から形成される請求項１記載の方法。
【請求項３】
皮膜が、約０モル％より多い〜１００モル％未満の範囲で存在する酸化イットリウム及び０モル％より多い〜約１００モル％の範囲で存在する酸化ハフニウムの前駆体材料から形成される請求項１記載の方法。
【請求項４】
皮膜が、約４８モル％より多い〜１００モル％未満の範囲で存在する酸化イットリウム及び０モル％より多い〜約５２モル％の範囲で存在する酸化ニオブの前駆体材料から形成される請求項１記載の方法。
【請求項５】
皮膜が、約４０モル％〜約１００モル％未満の範囲で存在する酸化イットリウム及び０モル％より多い〜約５０モル％の範囲で存在する酸化ジルコニウム及び約０モル％より多く最高１００モル％未満の範囲で存在する酸化スカンジウムの前駆体材料から形成される請求項１記載の方法。
【請求項６】
皮膜が、約４０モル％〜約１００モル％未満の範囲で存在する酸化イットリウム、０モル％より多い〜約５０モル％の範囲で存在する酸化ジルコニウム及び約０モル％より多く最高１００モル％未満の範囲で存在する酸化ハフニウムの前駆体材料から形成される請求項１記載の方法。
【請求項７】
皮膜が、約４０モル％〜約１００モル％未満の範囲で存在する酸化イットリウム、０モル％より多い〜約４５モル％の範囲で存在する酸化ジルコニウム、約０モル％より多く最高８０モル％未満の範囲で存在する酸化ニオブの前駆体材料から形成される請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記溶射被覆セラミック皮膜は、溶射被覆セラミック皮膜の約５モル％から約３０モル％を構成し、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、及び酸化ニオブを含む第１相固溶体と、溶射被覆セラミック皮膜の約５モル％から約３０モル％を構成するＹ３ＮｂＯ７の第２相と、溶射被覆セラミック皮膜の約１モル％から約１０モル％を構成する元素形態のＮｂの第３相とを含む３種類の相を含む請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記皮膜の下層にある前記物品は、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレススチール、アルミナ、窒化アルミニウム、石英、及びそれらの組み合わせから成る群から選択された材料を含む請求項１〜８のいずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月26日(2011.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）バイオマス発酵物分離残渣を含む供給物を供給する工程と、
（ｂ）（ａ）からの供給物をガス化反応器においてガス化し、ＣＯ及びＨ2を含む混合物を生産する工程と、
（ｃ）ＣＯ及びＨ2を含む前記混合物を合成反応器で炭化水素合成触媒と接触させ、熱及び液体輸送燃料成分を含む流出物を生産する工程と、
（ｄ）バイオマス液化、発酵、発酵産物蒸留、脱水剤再生、発酵物分離残渣濃縮及び発酵物分離残渣乾燥からなる群より選択される少なくとも１つの熱工程に、前記熱の少なくとも一部を供給する工程とを含む、バイオマスから燃料を生産する統合的方法。
【請求項２】
バイオマスの酵素的及び／又は細菌的分解を含むバイオマス液化工程に、前記熱の少なくとも一部を供給する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
アルコールを分離するための発酵物の蒸留を含む発酵産物蒸留工程に、前記熱の少なくとも一部を供給する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
酵素的、細菌的及び／又は酵母媒介のアルコールの生産を含む発酵工程に、前記熱の少なくとも一部を供給する、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
使用済みの固体脱水剤の再生を含む脱水剤再生工程に、前記熱の少なくとも一部を供給する、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
発酵物分離残渣の体積を減少することを含む発酵物分離残渣濃縮工程に、前記熱の少なくとも一部を供給する、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
発酵物分離残渣から少なくともいくらかの水分を除去することを含む発酵物分離残渣乾燥工程に、前記熱の少なくとも一部を供給する、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
少なくとも２つの前記熱工程に前記熱の少なくとも一部を供給する、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
少なくとも４つの前記熱工程に前記熱の少なくとも一部を供給する、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記バイオマス発酵物分離残渣は、木質材料、森林残渣、農業残渣及び作物からなる群より選択される少なくとも１つの植物バイオマスの発酵に由来する、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記バイオマス発酵物分離残渣は、湿潤蒸留かす（ＤＷＧ）、乾燥蒸留かす（ＤＤＧ）、可溶分を含む乾燥蒸留かす（ＤＤＧＳ）及びトウモロコシベースの絞りかすから選択される、少なくとも１つのトウモロコシベースの物質である、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
供給物を供給する前記工程は、バイオマス発酵物分離残渣に対する熱分解、触媒転換、乾燥、濃縮、及びチャーリングからなる群より選択される１つ以上の処理を行うことを含む、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
ＣＯの選択的除去、水素の選択的除去、水性ガスシフト及び逆水性ガスシフトの１つ以上から選択される調整工程により、ＣＯ及びＨ2を含む前記混合物におけるＣＯ／Ｈ2比を調整する１つ以上の工程をさらに含む、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記混合物を炭化水素合成触媒と接触させる前に、ＣＯ及びＨ2を含む前記混合物からのＣＯ2、ＮＨ3、Ｈ2Ｓ、ＨＣＮ、ＨＣｌ、ＣＯＳ、Ｎ2及びＨｇからなる群より選択される少なくとも１つの不純物を少なくとも部分的に除去する付加工程をさらに含む、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
（ａ）バイオマス発酵物分離残渣を含む供給物を供給するように構成される装置と、
（ｂ）（ａ）からの供給物をガス化してＣＯ及びＨ2を含む混合物を生産するためのガス化反応器と、
（ｃ）ＣＯ及びＨ2を含む前記混合物を反応させて熱及び液体輸送燃料成分を含む流出物を生産するように構成される触媒的炭化水素合成ゾーンと、
（ｄ）バイオマス液化、発酵、発酵産物蒸留、脱水剤再生、発酵物分離残渣濃縮及び発酵物分離残渣乾燥からなる群より選択される少なくとも１つの熱工程に、前記熱の少なくとも一部を供給するように構成される少なくとも１つの熱供給管とを含む、バイオマスから燃料を生産する統合的システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月28日(2011.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
アルキルリン酸エステルまたはアルケニルリン酸エステルは、通常、脂肪族アルコールと五酸化二リンまたはオルトリン酸との縮合によって製造され、その際にモノエステルおよびジエステルを主成分とするモノエステル／ジエステル／トリエステルから成る混合物が得られる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
製造例、一般的な作業手順
本発明によるリン酸エステルの製造の場合、リン酸（８５％濃度）と、エトキシ化脂肪族アルコールを所定のモル比で使用する。そのために、全ての反応物（Ｅｄｕｋｔｅ）を加熱マントル（Ｈｅｉｚｐｉｌｚ）、冷縮器付き分離器（Ａｕｓｋｒｅｉｓｅｒ）および真空接続部を備えた撹拌装置に装填する。混合物を１００℃に加熱し、１００ミリバールまで３回排出し、続いて窒素を通気して元通りにする。１００℃でさらに４時間、不活性化処理（２０リットル／時の窒素導入）した後に、バッチ（Ａｎｓａｔｚ）を窒素導入下で２３０℃に加熱してエステル化する（水の排出）。反応時間は２４〜４２時間（２３０℃のエステル化温度から計算）、特に４０時間である。そのときの残りの酸価は＜３ｍｇＫＯＨ／ｇである。これは、約９３〜９６％の転化率（開始時の酸価に関する）に相当する。反応終了後に、生成物を８０℃に冷却し、シャーレに注ぎ出し、そして凝固した溶融物を細かく砕く。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
例１
リン酸１１．４ｇとセテアレス（Ｃｅｔｅａｒｅｔｈ）−８０（Ｃ１６／１８の脂肪族アルコール＋エチレンオキシド８０モル）９３５．１ｇ（モル比１：３）からなるエステル、残りの酸価：０．８ｍｇＫＯＨ／ｇ（転化率９６％）、３１Ｐ−ＮＭＲ：ジエステル／トリエステル＝１５／８５モル％。これは、融点約４０℃の白ろうである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月4日(2010.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
選択的α7 nAChRアゴニストを含む、代謝障害を治療または予防するための薬剤。
【請求項２】
選択的α7 nAChRアゴニストを含む、薬剤誘発性中枢神経系障害を治療または予防するための薬剤。
【請求項３】
α7 nAChRアゴニストが化合物A：
【化１】
2010535252.tif 000001
、
化合物B：
【化２】
2010535252.tif 000002
もしくは
化合物C：
【化３】
2010535252.tif 000003
、
またはそれらの製薬上許容可能な塩である、請求項1または2に記載の薬剤。
【請求項４】
α7 nAChRアゴニストが化合物Cまたはその製薬上許容可能な塩である、請求項3に記載の薬剤。
【請求項５】
代謝障害がI型糖尿病、II型糖尿病、メタボリック症候群、アテローム性動脈硬化、肥満および高血糖のうちの1つまたは複数である、請求項1、3または4に記載の薬剤。
【請求項６】
高血糖がスタチン治療の結果である、請求項5に記載の薬剤。
【請求項７】
薬剤誘発性中枢神経系障害がスタチン治療の結果である、請求項2に記載の薬剤。
【請求項８】
式：
【化４】
2010535252.tif 000004
の化合物またはその製薬上許容可能な塩を含む、代謝障害を治療または予防するための薬剤。
【請求項９】
代謝障害がI型糖尿病、II型糖尿病、メタボリック症候群、アテローム性動脈硬化、肥満および高血糖のうちの1つまたは複数である、請求項8に記載の薬剤。
【請求項１０】
日用量が約0.001mg/kg〜約3.0mg/kgである、請求項8または9に記載の薬剤。
【請求項１１】
代謝障害を治療または予防するための薬剤の製造における選択的α7 nAChRアゴニストの使用。
【請求項１２】
薬剤誘発性中枢神経系障害を治療または予防するための薬剤の製造における選択的α7 nAChRアゴニストの使用。
【請求項１３】
α7 nAChRアゴニストが化合物A：
【化５】
2010535252.tif 000005
、
化合物B：
【化６】
2010535252.tif 000006
、もしくは
化合物C：
【化７】
2010535252.tif 000007
、
またはそれらの製薬上許容可能な塩である、請求項11または12に記載の使用。
【請求項１４】
α7 nAChRアゴニストが化合物Cまたはその製薬上許容可能な塩である、請求項13に記載の使用。
【請求項１５】
代謝障害がI型糖尿病、II型糖尿病、メタボリック症候群、アテローム性動脈硬化、肥満および高血糖のうちの1つまたは複数である、請求項11、13または14に記載の使用。
【請求項１６】
高血糖がスタチン治療の結果である、請求項15に記載の使用。
【請求項１７】
薬剤誘発性中枢神経系障害がスタチン治療の結果である、請求項12に記載の使用。
【請求項１８】
代謝障害を治療または予防するための薬剤の製造における化合物C：
【化８】
2010535252.tif 000008
またはその製薬上許容可能な塩の使用。
【請求項１９】
代謝障害がI型糖尿病、II型糖尿病、メタボリック症候群、アテローム性動脈硬化、肥満および高血糖のうちの1つまたは複数である、請求項18に記載の使用。
【請求項２０】
日用量が約0.001mg/kg〜約3.0mg/kgである、請求項18または19に記載の使用。
【請求項２１】
代謝障害の治療または予防で使用するための選択的α7 nAChRアゴニスト化合物。
【請求項２２】
薬剤誘発性中枢神経系障害の治療または予防で使用するための選択的α7 nAChRアゴニスト化合物。
【請求項２３】
α7 nAChRアゴニストが化合物A：
【化９】
2010535252.tif 000009
、
化合物B：
【化１０】
2010535252.tif 000010
、もしくは
化合物C：
【化１１】
2010535252.tif 000011
、
またはそれらの製薬上許容可能な塩である、請求項21または22に記載の化合物。
【請求項２４】
α7 nAChRアゴニストが化合物Cまたはその製薬上許容可能な塩である、請求項23に記載の化合物。
【請求項２５】
代謝障害がI型糖尿病、II型糖尿病、メタボリック症候群、アテローム性動脈硬化、肥満および高血糖のうちの1つまたは複数である、請求項21、23または24に記載の化合物。
【請求項２６】
高血糖がスタチン治療の結果である、請求項25に記載の化合物。
【請求項２７】
薬剤誘発性中枢神経系障害がスタチン治療の結果である、請求項22に記載の化合物。
【請求項２８】
代謝障害の治療または予防で使用するための選択的α7 nAChRアゴニスト化合物：
【化１２】
2010535252.tif 000012
またはその製薬上許容可能な塩。
【請求項２９】
代謝障害がI型糖尿病、II型糖尿病、メタボリック症候群、アテローム性動脈硬化、肥満および高血糖のうちの1つまたは複数である、請求項28に記載の化合物。
【請求項３０】
日用量が約0.001mg/kg〜約3.0mg/kgである、請求項28または29に記載の化合物。
【請求項３１】
式：
【化１３】
2010535252.tif 000013
の化合物またはその製薬上許容可能な塩。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月22日(2011.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
少なくとも２種の異なるポリマーネットワークの組み合わせであって、前記ポリマーネットワークがそれぞれ異なる作用剤を含むものの前記組み合わせが使用されることを特徴とする請求項１６〜１８の何れか１項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
【表２】
2010535258.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セメントクリンカーとセメントを含むペーストから水硬化された少なくとも一つの油透過性セメント体に、原位置で調理用油を接触させることを含む、調理用油を保存するための方法。
【請求項２】
前記油が貯蔵容器中にある、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記油が揚げ鍋中にある、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
水飽和重量と乾燥重量との差から見積可能な、前記セメント体の空隙率が30〜55%である、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
水飽和重量と乾燥重量との差から見積可能な、前記セメント体の空隙率が約50%である、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
セメントとクリンカーの総合重量に基づいて17.5〜32.5 wt%のセメントを含み、かつ、その残りが全てもしくは概ねクリンカーであるペーストから、前記セメント体が水硬化されている、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
セメントとクリンカーの総合重量に基づいて20〜30 wt%のセメントを含み、かつ、その残りが全てもしくは概ねクリンカーであるペーストから、前記セメント体が水硬化されている、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
セメントとクリンカーの総合重量に基づいて23〜27 wt%のセメントを含み、かつ、その残りが全てもしくは概ねクリンカーであるペーストから、前記セメント体が水硬化されている、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
セメントとクリンカーの総合重量に基づいて約25 wt%のセメントを含み、かつ、その残りが全てもしくは概ねクリンカーであるペーストから、前記セメント体が水硬化されている、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記クリンカーの平均粒径が前記セメントの平均粒径と類似しているペーストから、前記セメント体が水硬化されている、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
非結合水の量が少ないことを理由として、前記セメント体中の孔が油受容性である、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記油との接触前に乾燥させることに少なくとも一部よって、前記セメント体中の前記孔の水の含有量が少ない、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
高温調理用油に接触することに少なくとも一部よって、前記セメント体中の前記孔の水の含有量が少ない、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記セメントクリンカーが白色OPCクリンカーであり、前記セメントが白色OPCである、請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記セメント体が独立型ブロックである、請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記セメント体がカートリッジ内のペレットである、請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
冷却点を持つ揚げ鍋中で揚げ調理が行われ、かつ、前記セメント体が前記揚げ鍋の上部高温領域に置かれる、請求項１から１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
セメントクリンカーとセメントを含むペーストから水硬化された少なくとも一つの油透過性セメント体を中に持つ調理用油。
【請求項１９】
セメントクリンカーとセメントを含むペーストから水硬化された、請求項１から１７のいずれか一項に記載の方法で使用するための油透過性セメント体。
【請求項２０】
非結合水の量が少ないことを理由として、前記セメント体の孔が油受容性である、請求項１９に記載のセメント体。
【請求項２１】
不透水性の包装材で包装もしくは梱包される、請求項２０に記載のセメント体。
【請求項２２】
カルシウム源もしくはマグネシウム源から得られ、かつ、前記カルシウムもしくはマグネシウムが調理用油に実質的に浸出しないようにケイ酸塩源と結合した固体フィルター処理材で、調理用油を原位置処理することを含む、揚げ調理中に調理用油を処理するための方法。
【請求項２３】
カルシウム源もしくはマグネシウム源から得られ、かつ、前記カルシウムもしくはマグネシウムが調理用油に実質的に浸出しないようにケイ酸塩源と結合した固体フィルター処理材で、調理用油を原位置処理することを含む、調理用油中の脂肪酸の原位置形成を遅らせる方法。
【請求項２４】
カルシウム源もしくはマグネシウム源から得られ、かつ、前記カルシウムもしくはマグネシウムが調理用油に実質的に浸出しないようにケイ酸塩源と結合した固体フィルター処理材で、調理用油を原位置処理することを含む、調理用油中の酸化生成物の原位置形成を遅らせる方法。
【請求項２５】
カルシウム源もしくはマグネシウム源から得られ、かつ、前記カルシウムもしくはマグネシウムが調理用油に実質的に浸出しないようにケイ酸塩源と結合した固体フィルター処理材で、調理用油を原位置処理することを含む、調理用油中のトランス脂肪の原位置形成を遅らせる方法。
【請求項２６】
調理用油を保存するための油透過性セメント体を作るための方法であって、
セメントペーストから前記セメント体を形成することと、
前記セメント体を水硬化させることと、
自由水を除去するために前記セメント体を乾燥させることと、
水もしくは水蒸気の浸入に抵抗するパッケージに前記セメント体を梱包することとを含む方法。
【請求項２７】
前記セメントペーストを、開口部を備えた独立型ブロックの形態をとるセメント体に形成することを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
水硬化が高温で行われる、請求項２６または２７に記載の方法。
【請求項２９】
水硬化が約40〜50℃で行われる、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
乾燥が高温で行われる、請求項２６から２９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３１】
乾燥が50℃以上で行われる、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
乾燥が100℃以上で行われる、請求項３０に記載の方法。
【請求項３３】
前記セメント体を水蒸気の浸入に抵抗するための膜もしくはシートに梱包することを含む、請求項２６から３２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３４】
（ａ）調理用油への浸漬および初期加熱の際の損傷に抵抗するために、自由水をほとんど含まない、あるいは自由水の量が少ない、ならびに、
（ｂ）水もしくは水蒸気の浸入に抵抗するパッケージに封入されている、
調理用油を保存するための水硬性油透過性セメント体。
【請求項３５】
開口部を備えた独立型ブロックである、請求項３４に記載のセメント体。
【請求項３６】
水飽和重量と乾燥重量との差から見積可能な、30〜55%の空隙率を持つ、請求項３４または３５に記載のセメント体。
【請求項３７】
セメントとセメントクリンカーの水硬性混合物を含む、請求項３４から３６のいずれか一項に記載のセメント体。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月28日(2011.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
pCAP-PfCSP，pCAP-PfCSP/272，pCAP-PfCSP/467，pCAP-PfCSP(A361E)，pCAP-PfCSP(A361E)/272，pCAP-PfCSP(A361E)/467，pCAP-PfCSP-76，pCAP-PfCSP-76/467，pCAP-PfCSP+209，pCAP-PfCSP+209/467，pCAP-PfCSP+76/209，pCAP-PfCSP+76/209/467， pCAP-CO/full，pCAP-CO/full/467，pCAP-CO/19，pCAP-CO/19/467，pCAP-CO/76，pCAP-CO/76/467，pCAP-CO/205，pCAP-CO/205/467， pCA39-PfCSP(A361E)，pCA64-PfCSP(A361E)，pCAP-CO/full/VSV，pCAP-CO/19/VSV，pCAP-CO/76/VSV，pCAP-CO/205/VSV，pDual-Pfs25-PfCSP-gp64，pDual-PfMSP1-PfCSP-gp64のいずれかであるトランスファーベクター。 
【請求項２】
AcNPV-CAP-PfCSP，AcNPV-CAP-PfCSP/272，AcNPV-CAP-PfCSP/467，AcNPV-CAP-PfCSP(A361E)，AcNPV-CAP-PfCSP(A361E)/272，AcNPV-CAP-PfCSP(A361E)/467，AcNPV-CAP-PfCSP-76，AcNPV-CAP-PfCSP-76/467，AcNPV-CAP-PfCSP+209，AcNPV-CAP-PfCSP+209/467，AcNPV-CAP-PfCSP+76/209，AcNPV-CAP-PfCSP+76/209/467， AcNPV-CAP-CO/full，AcNPV-CAP-CO/full/467，AcNPV-CAP-CO/19，AcNPV-CAP-CO/19/467，AcNPV-CAP-CO/76，AcNPV-CAP-CO/76/467，AcNPV-CAP-CO/205，AcNPV-CAP-CO/205/467， AcNPV-CA39-PfCSP(A361E)，AcNPV-CA64-PfCSP(A361E)，AcNPV-CAP-CO/full/VSV，AcNPV-CAP-CO/19/VSV，AcNPV-CAP-CO/76/VSV，AcNPV-CAP-CO/205/VSV，AcNPV-Dual-Pfs25-PfCSP-gp64，AcNPV-Dual-PfMSP1-PfCSP-gp64のいずれかを有効成分とする医薬組成物。
【請求項３】
pCAP-HA1/Anhui，pCAP-HA1/Anhui/272，pCAP-HA1/Anhui/467，pCAP-HA1/Vietnam，pCAP-HA1/Vietnam/51，pCAP-HA1/Vietnam/101，pCAP-HA1/Vietnam/154，pCAP-HA1/Vietnam/201，pCAP-HA1/Vietnam/272，pCAP-HA1/Vietnam/467， pCAP-AH/345，pCAP-AH/345/467，pCAP-AH/410，pCAP-AH/410/467，pCAP-AH/473，pCAP-AH/473/467，pCAP-AH/520，pCAP-AH/520/467，pCAP-VN/346，pCAP-VN/346/467，pCAP-VN/410，pCAP-VN/410/467，pCAP-VN/473，pCAP-VN/473/467，pCAP-VN/520，pCAP-VN/520/467，pCA39-HA1/Anhui，pCA64-HA1/Anhuiのいずれかであるトランスファーベクター。
【請求項４】
AcNPV-CAP-HA1/Anhui，AcNPV-CAP-HA1/Anhui/272，AcNPV-CAP-HA1/Anhui/467，AcNPV-CAP-HA1/Vietnam，AcNPV-CAP-HA1/Vietnam/51，AcNPV-CAP-HA1/Vietnam/101，AcNPV-CAP-HA1/Vietnam/154，AcNPV-CAP-HA1/Vietnam/201，AcNPV-CAP-HA1/Vietnam/272，AcNPV-CAP-HA1/Vietnam/467， AcNPV-CAP-AH/345，AcNPV-CAP-AH/345/467，AcNPV-CAP-AH/410，AcNPV-CAP-AH/410/467，AcNPV-CAP-AH/473，AcNPV-CAP-AH/473/467，AcNPV-CAP-AH/520，AcNPV-CAP-AH/520/467，AcNPV-CAP-VN/346，AcNPV-CAP-VN/346/467，AcNPV-CAP-VN/410，AcNPV-CAP-VN/410/467，AcNPV-CAP-VN/473，AcNPV-CAP-VN/473/467，AcNPV-CAP-VN/520，AcNPV-CAP-VN/520/467，AcNPV-CA39-HA1/Anhui，AcNPV-CA64-HA1/Anhuiのいずれかを有効成分とする医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月8日(2010.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ構成要素から構成される超薄層型光電池の背面コンタクト形成方法であって、
薄いｎ型ドープＳｉ層（４）及び前記ｎ型ドープＳｉ層（４）の上部に接合された薄いｐ型ドープＳｉ層（２）から成るｐ−ｎ接合部を準備するステップと、
前記ｐ−ｎ接合部をガラス基板（６）に接合するステップと、
前記薄いｐ型ドープＳｉ層（２）及び前記薄いｎ型ドープＳｉ層（４）の上にコンタクト・ポイントをそれぞれ準備するステップと、
前記薄いｐ型ドープＳｉ層（２）及び前記薄いｎ型ドープＳｉ層（４）の上にコンタクト・ピン（１８、２０）をそれぞれ形成するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記Ｓｉ構成要素は、インゴット又はウェハである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記層（２、４）は、２０μｍ以下の厚さを有する、請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記薄いｐ型ドープＳｉ層（２）は、薄いｎ型ドープＳｉ層（４）へのアクセスを確保するためのコンタクト・ホール（８）を含む、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記ｐ−ｎ接合部は、ｎ勾配を有するｐｎ層（２６、２８）から成る、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記コンタクト・ピン（１８、２０）が、標準リソグラフィ、ハード・マスク又はプリント技術を用いるシード層技術によって配置される、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記方法が、前記電池を直列に結合して列とし、結合した前記列を並列に結合するステップをさらに含む、請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記方法が、前記電池を光電池モジュールの前面ガラスの上に配置するステップをさらに含む、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
薄膜構成要素から構成される超薄層型光電池の背面コンタクト形成方法であって、
前記薄膜構成要素をガラス基板（４４）の上に接合し、それによって前記基板の能動素子面を形成するステップと、
前記ガラス基板（４４）の背面（受動素子面）上にコンタクト・パッド（５０）を形成するステップと、
前記薄膜構成要素と前記背面とを電気的に接続するステップと
を含む方法。
【請求項１０】
前記薄膜構成要素は、銅・インジウム・ガリウム・セレン（ＣＩＧＳ）構成要素から構成される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記電気的に接続するステップは、前記ガラス基板（４４）の縁部に沿ってコンタクト・ホール（４２）を配列するステップと、前記ホール（４２）を導電性金属（４６）で充填するステップと、前記基板（４４）の前記能動素子面の上にモリブデン層（４８）を形成するステップとを含む、請求項９又は請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記電気的に接続するステップは、前記薄膜構成要素の堆積の前に、前記ガラス基板（５４）の縁部の上にコンタクト・バー（５２、５６）を接着するステップを含む、請求項９又は請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記電気的に接続するステップは、前記薄膜構成要素の堆積の前に、前記ガラス基板（５４）の２つの対向する縁部の上にコンタクト・バー（６０）を配置するステップと、前記バーを配線コンタクト・ストリップ（５８）によって接続するステップとを含む、請求項９又は請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
請求項1から請求項８に記載の方法で形成される、Ｓｉ構成要素から構成される超薄層型光電池。
【請求項１５】
請求項９から請求項１３に記載の方法で形成される、薄膜構成要素から構成される超薄層型光電池。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月20日(2011.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図２のデータは、アルミナ研磨材を含む本発明の組成物（２Ｂ、２Ｃ、２Ｄ、及び２Ｅ）が、従来のアルミナ対照組成物（２Ａ）と比べて、ルテニウム除去速度を大幅且つ予想外に増加させ、一方で、ＰＥＴＥＯＳ除去速度に悪影響を与えておらず、それにより、対照で観察された選択性と比べて、二酸化ケイ素除去に対するルテニウム除去の選択性を予想外に上昇させることができることを示している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ルテニウム配位酸化窒素配位子（Ｎ−Ｏ配位子）を含有する水性キャリア中に懸濁された粒状研磨材を含み、研磨プロセス中に毒性レベルの四酸化ルテニウム（ＲｕＯ4）を形成することなく酸化剤の存在下でルテニウム含有基板を研磨するための化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物であって、前記酸化剤の存在下で、前記Ｎ−Ｏ配位子が、前記基板の表面にＩＶ以上の酸化状態を有するルテニウム種が堆積するのを防止することができるのと同時に前記基板のＣＭＰ中に形成される酸化ルテニウムとの可溶性Ｒｕ（ＩＩ）Ｎ−Ｏ配位錯体を形成することができる、ＣＭＰ組成物。
【請求項２】
０．０１〜０．５質量パーセントのニトロキシド化合物を含有する水性キャリア中に懸濁された１〜１０質量パーセントの粒状研磨材を含み、研磨プロセス中に毒性レベルの四酸化ルテニウム（ＲｕＯ4）を形成することなく過酸化水素の存在下でルテニウム含有基板を研磨するための化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物であって；前記過酸化水素の存在下で、前記ニトロキシド化合物が、前記基板の表面にＩＶ以上の酸化状態を有するルテニウム種が堆積するのを防止することができるのと同時に基板のＣＭＰ中に形成される酸化ルテニウムとの可溶性Ｒｕ（ＩＩ）ニトロキシド配位錯体を形成することができる、ＣＭＰ組成物。
【請求項３】
前記粒状研磨材が、前記組成物の１〜１０質量パーセントを構成する、請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項４】
前記粒状研磨材が、アルミナ、チタニア、シリカ、及びこれら研磨材の２種以上の組合せからなる群から選択される、請求項１または２に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項５】
前記粒状研磨材がコロイダルシリカ及びチタニアを含む、請求項１または２に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項６】
前記Ｎ−Ｏ配位子が、０．０１〜０．５質量パーセントの範囲内の濃度で前記組成物中に存在する、請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項７】
前記Ｎ−Ｏ配位子がニトロキシド化合物を含む、請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項８】
アスコルビン酸を更に含む、請求項１または２に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項９】
アスコルビン酸を更に含み、前記アスコルビン酸が、前記組成物中のＮ−Ｏ配位子の量と等モルの量で前記組成物中に存在する、請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項１０】
前記酸化剤が過酸化水素である、請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項１１】
過酸化水素を更に含む、請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項１２】
１〜５質量パーセントの過酸化水素を更に含む、請求項２に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項１３】
アスコルビン酸を更に含み、前記アスコルビン酸が、前記組成物中のニトロキシド化合物の量と等モルの量で前記組成物中に存在する、請求項２に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項１４】
過酸化水素の存在下で請求項１または２に記載のＣＭＰ組成物を用いて基板の表面を磨耗する工程を含む、ルテニウム含有基板の研磨方法。
【請求項１５】
基板の表面から二酸化ケイ素よりもルテニウムを選択的に除去するための化学機械研磨（ＣＭＰ）方法であって、
（ａ）基板の表面を、酸化剤の存在下で研磨パッド及び水性ＣＭＰ組成物に接触させる工程；及び
（ｂ）前記基板中に存在するルテニウムの少なくとも一部を前記表面から磨耗するのに十分な時間、前記ＣＭＰ組成物及び酸化剤の一部を前記研磨パッドと前記基板との間の前記表面に接触させたまま前記基板と前記研磨パッドとの間で相対運動を起こす工程、
を含み；
前記ＣＭＰ組成物が、ルテニウム配位酸化窒素配位子（Ｎ−Ｏ配位子）を含有する水性キャリア中に懸濁された粒状研磨材を含有し；前記酸化剤の存在下で、前記Ｎ−Ｏ配位子が、前記基板の前記表面にＩＶ以上の酸化状態を有するルテニウム種が堆積するのを防止することができるのと同時に前記基板のＣＭＰ中に形成される酸化ルテニウムとの可溶性Ｒｕ（ＩＩ）Ｎ−Ｏ配位錯体を形成することができる、
方法。
【請求項１６】
基板の表面からルテニウムよりも二酸化ケイ素を選択的に除去するための化学機械研磨（ＣＭＰ）方法であって、
（ａ）基板の表面を、酸化剤の存在下で研磨パッド及び水性ＣＭＰ組成物に接触させる工程；及び
（ｂ）前記基板中に存在するルテニウムの少なくとも一部を前記表面から磨耗するのに十分な時間、前記ＣＭＰ組成物及び酸化剤の一部を前記研磨パッドと前記基板の間の前記表面に接触させたまま前記基板と前記研磨パッドの間で相対運動を起こす工程、
を含み；
前記ＣＭＰ組成物が、ルテニウム配位酸化窒素配位子（Ｎ−Ｏ配位子）を含有する水性キャリア中に懸濁されたコロイダルシリカを含む粒状研磨材を含有し；前記酸化剤の存在下で、前記Ｎ−Ｏ配位子が、前記基板の前記表面にＩＶ以上の酸化状態を有するルテニウム種が堆積するのを防止することができるのと同時に前記基板のＣＭＰ中に形成される酸化ルテニウムとの可溶性Ｒｕ（ＩＩ）Ｎ−Ｏ配位錯体を形成することができる、方法。
【請求項１７】
前記粒状研磨材が、１〜１０質量パーセントの範囲内の濃度で前記組成物中に存在する、請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記Ｎ−Ｏ配位子が、０．０１〜０．５質量パーセントの範囲内の濃度で前記組成物中に存在する、請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記粒状研磨材が、アルミナ、チタニア、及びその組合せからなる群から選択される、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記Ｎ−Ｏ配位子がニトロキシド化合物を含む、請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項２１】
前記組成物がアスコルビン酸を更に含む、請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項２２】
前記アスコルビン酸が、前記組成物中のＮ−Ｏ配位子の量と等モルの量で前記組成物中に存在する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記酸化剤が過酸化水素を含む、請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項２４】
前記過酸化水素が、前記組成物と過酸化水素との合計質量を基準にして１〜５質量パーセントの濃度で存在する、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記粒状研磨材が更にチタニアを含む、請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月21日(2011.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生体試料中のポリヌクレオチドにおける標的配列を検出するための方法であって、前記試料は、さらに又は代わりに、第二の配列を含む第二のポリヌクレオチドを含み、ここで前記第二の配列は、少なくとも一つのヌクレオチドによって前記標的配列とは異なり、以下のステップ：
ｉ．存在するのであれば、前記第二の配列又は前記標的配列へのブロッカーオリゴヌクレオチドのハイブリダイゼーションを可能とする条件下で、前記試料と前記ブロッカーオリゴヌクレオチドを接触させ、
ｉｉ．前記ハイブリダイズされたブロッカーオリゴヌクレオチドの存在下、前記試料を、少なくとも一つのプライマー、及び５’−３’エキソヌクレアーゼ活性を著しく欠如するポリメラーゼと、前記プライマーの鋳型依存的伸長が起こる条件下で接触させ、ここで前記プライマーは、前記ポリヌクレオチドと、存在するのであれば、前記ブロッカーオリゴヌクレオチドがハイブリダイズする配列の上流でハイブリダイズすること；
を含み、ここで前記ブロッカーオリゴヌクレオチドは、前記ポリメラーゼによる前記第二の配列の増幅を阻害するために、前記第二の配列と十分にハイブリダイズし、ここで、前記ブロッカーオリゴヌクレオチドは、インターカレーティング（ｉｎｔｅｒｃａｌａｔｉｎｇ）ヌクレオチドを含まず、そしてさらに、前記標的配列への前記オリゴヌクレオチドのハイブリダイゼーションが、５’−３’ヌクレアーゼ活性を著しく欠如するポリメラーゼによる前記標的配列の増幅を著しく阻害しない、前記方法。
【請求項２】
前記第二の配列と標的配列との間で単一のヌクレオチドの違いが存在し、そして前記ブロッカーオリゴヌクレオチドが、前記単一のヌクレオチドの位置を除いて、前記標的配列と完全に相補的である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
２．５％グリセロール、ｐＨ８．３の５０ｍＭトリシン、４５ｍＭ酢酸カリウム中で測定すると、
−前記ブロッカーオリゴヌクレオチドと前記第二の配列との融解温度；及び
−前記ブロッカーオリゴヌクレオチドと前記標的配列との融解温度
との間の差が少なくとも５℃である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
２．５％グリセロール、ｐＨ８．３の５０ｍＭトリシン、４５ｍＭ酢酸カリウム中で測定すると、前記ブロッカーオリゴヌクレオチドが、前記第二の配列と少なくとも７０℃の融解温度でハイブリダイズする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記ブロッカーオリゴヌクレオチドが、少なくとも一つの非ヌクレオチド部位を含み、ここで前記非ヌクレオチド部位は、前記非ヌクレオチド部位を欠如していることを除いて、他は前記ブロッカーオリゴヌクレオチドと同一である対照オリゴヌクレオチドと比較して、前記ブロッカーオリゴヌクレオチドの融解温度を増加させる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記非ヌクレオチド部位が、ＤＮＡのマイナーグルーブに結合する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第二の配列と標的配列との間で２〜６個のヌクレオチドの違いが存在し、そして前記ブロッカーオリゴヌクレオチドが、前記２〜６個のヌクレオチドの位置を除いて、前記標的配列と完全に相補的である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
−５’−３’エキソヌクレアーゼ活性を著しく欠如するポリメラーゼ；
−標的配列を含むポリヌクレオチド；
−少なくとも一つのヌクレオチドによって、前記標的配列とは異なる第二の配列を含むポリヌクレオチド；
−前記第二の配列及び前記標的配列とハイブリダイズし、インターカレーティングヌクレオチドを含まないブロッカーオリゴヌクレオチド
を含む反応混合物であって、前記ブロッカーオリゴヌクレオチドが、前記ブロッカーオリゴヌクレオチドの不在下の増幅に好適な条件下で、前記ポリメラーゼによる前記第二の配列の増幅を阻害する程度に十分に前記第二の配列とハイブリダイズするが、前記標的配列への前記オリゴヌクレオチドのハイブリダイゼーションが、前記ポリメラーゼによる前記標的配列の増幅を著しく阻害しない、前記反応混合物。
【請求項９】
−５’−３’エキソヌクレアーゼ活性を著しく欠如するポリメラーゼ；
−標的配列を含むポリヌクレオチド；
−少なくとも一つのヌクレオチドによって、前記標的配列とは異なる第二の配列を含むポリヌクレオチド；
−前記第二の配列及び前記標的配列とハイブリダイズし、インターカレーティングヌクレオチドを含まないブロッカーオリゴヌクレオチド
を含むキットであって、ここで、前記ブロッカーオリゴヌクレオチドは、前記ブロッカーオリゴヌクレオチドの不在下の増幅に好適な条件下で、前記ポリメラーゼによる前記第二の配列の増幅を阻害する程度に十分に前記第二の配列とハイブリダイズするが、前記標的配列への前記オリゴヌクレオチドのハイブリダイゼーションが、前記ポリメラーゼによる前記標的配列の増幅を著しく阻害しない、前記キット。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月6日(2011.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス放電レーザーの端部ミラーを支持するためのヘッダーアセンブリであって、
ミラーサポートを含むフランジ；
実質的に金属材料から形成された細長いミラー要素であって、ミラー要素の裏表面のミラーサポートに取り付けられ、光の伝播を制御するための細長い湾曲した反射する部分を含むミラー要素の前面を持ち、前記前面は更に湾曲した部分に平行に伸びる少なくとも一つのプレーナー表面を含み；及び
前記ミラー要素の前記プレーナー表面に連結された細長い細片であり、前記細片は、ミラー要素を形成する金属材料の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を持つ金属材料より形成される、細片
を含む前記ヘッダーアセンブリ。
【請求項２】
前記ミラー要素が主に銅から形成され、前記細片が主にステンレス鋼から形成される、請求項１のアセンブリ。
【請求項３】
前記細片がミラー要素にボルトで留められる、請求項１のアセンブリ。
【請求項４】
前記細片がミラー要素に接着される、請求項１のアセンブリ。
【請求項５】
前記プレーナー表面が、放電から離れる方向に向かって、湾曲した表面から段差により低い位置にある、請求項１のアセンブリ。
【請求項６】
前記ミラー要素が湾曲した部分に平行に伸びる第２のプレーナー表面を持ち、前記少なくとも一つのプレーナー表面に対向する、湾曲した表面の、ある側にあり、前記アセンブリが更に前記第２のプレーナー表面に連結された第２の細長い金属細片を含み、前記第２の細長い細片は、ミラー要素を形成する金属材料の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を持つ金属材料より形成される、
前記請求項１のアセンブリ。
【請求項７】
前記プレーナー表面は、放電から離れる方向に向かって、湾曲した表面から段差により低い位置にある、請求項６のアセンブリ。
【請求項８】
前記湾曲した表面は凹形状である、請求項１のアセンブリ。
【請求項９】
ガス放電レーザーの端部ミラーを支持するためのヘッダーアセンブリであって、
ミラーサポートを含むフランジ；
実質的に金属材料から形成された細長いミラー要素であって、ミラー要素の裏面のミラーサポートに取り付けられ、光の伝播を制御するための細長い凹形状反射する部分を含むミラー要素の前面を持ち、前記前面は、湾曲した部分の両側に、湾曲した部分と平行に伸びる一対のプレーナー表面を更に含み、前記プレーナー表面は、放電から離れる方向にむかって、湾曲した部分から段差により低い位置にあり；及び
前記ミラー要素の前記各プレーナー表面に連結された細長い細片であり、前記細片はミラー要素を形成する金属材料の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を持つ金属材料より形成される、細片
を含む前記ヘッダーアセンブリ。
【請求項１０】
前記ミラー要素が主に銅から形成され、前記細片が主にステンレス鋼から形成される、請求項９のアセンブリ。
【請求項１１】
前記細片がミラー要素にボルトで留められる、請求項９のアセンブリ。
【請求項１２】
前記細片がミラー要素に接着される、請求項９のアセンブリ。
【請求項１３】
ガス放電レーザーの端部ミラーを支持するためのヘッダーアセンブリであって、
ミラーサポートを含むフランジ；
実質的に金属材料から形成された細長いミラー要素であって、ミラー要素の裏表面のミラーサポートに取り付けられ、光の伝播を制御するための細長い湾曲した反射する部分を含むミラー要素の前面を持ち；及び
前記ミラー要素に連結された細長い細片であり、前記細片は金属材料より形成され、前記細片の位置及びその熱膨張係数はミラーとレーザービームの相互作用により生じる熱勾配により引起されるミラーの歪みを補償する様に選択される、細片
を含む前記ヘッダーアセンブリ。
【請求項１４】
前記ミラー要素の前面が、湾曲した部分に平行して伸びる少なくとも一つのプレーナー表面を持ち、前記細片は前記プレーナー表面に取り付けられ、前記細片はミラー要素を形成する金属材料の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を持つ、請求項１３のアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月8日(2011.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビーズを下流位置まで連続して配送するためのビーズ給送機であって、
ビーズ供給ボウルと、該ビーズ供給ボウルの下に該ボウルと共に回転するように接続された複数の半径方向に配列されたチャンネルとを含み、実質的に垂直な軸線の周りで回転するように接続されたビーズ供給ホイールと、
前記半径方向に配列されたチャンネルにビーズを供給するために該チャンネルと整列し、かつ前記ビーズ供給ボウルにおいてその下部部分の周りに離間した複数の放出開口部と、
各チャンネルの外側端で個々のビーズを受け取るためのビーズ受け取りポケットと、
前記ビーズ供給ホイール及びビーズ移送ホイールがそれらのそれぞれの軸線の周りで回転する時に該供給ホイール上の前記ビーズ受け取りポケットと位置合わせするように構成かつ配置され、かつホイールの外面上に複数のビーズ移送ポケットを有して実質的に水平な軸線の周りで回転するように接続されたビーズ移送ホイールと、
ビーズ供給ホイールから前記移送ホイールまでの前記ビーズの移送を達成するために、選択されたビーズ移送ポケットに接続された真空と、
前記移送ホイールの前記軸線に平行な実質的に水平な軸線の周りで回転するように接続され、かつ該移送ホイールからビーズを受け取って下流位置まで該ビーズを連続して配送するように構成かつ配置されたビーズ配送ホイールと、
を含むことを特徴とする給送機。
【請求項２】
前記配送ホイールと整列してその直下にあり、かつ濾紙を該濾紙上に等間隔に離間したプラグを載せて移送する移動装飾部、
を含み、
前記ビーズが配送される前記下流位置は、前記プラグ間の空洞を含み、
前記配送ホイールは、単一のビーズを各空洞に配送するように構成かつ配置される
ことを特徴とする請求項１に記載のビーズ給送機。
【請求項３】
前記ビーズ配送ホイールは、その外面上に、前記ビーズ移送ホイール及び該ビーズ配送ホイールがそれらのそれぞれの軸線の周りで回転する時に該移送ホイールの前記ビーズ移送ポケットと位置合わせするように構成かつ配置された複数のビーズ配送ポケットを含むことを特徴とする請求項１に記載のビーズ給送機。
【請求項４】
前記ビーズ配送ホイールは、前記移送ホイールから該ビーズ配送ホイールまでの前記ビーズの配送を達成するために、選択されたビーズ配送ポケットに接続された真空を含み、
前記給送機が前記ビーズ配送ホイールに隣接して前記下流位置で該ビーズ配送ホイールからビーズを取り出すように構成かつ配置された固定抜き取り器を含む給送機
を含むことを特徴とする請求項３に記載のビーズ給送機。
【請求項５】
ビーズを下流位置に連続して配送する方法であって、
ビーズ供給ボウルと該ビーズ供給ボウルの下に該ボウルと共に回転するように接続された複数の半径方向に配列されたチャンネルとを回転させる段階を含む、実質的に垂直な軸線の周りでビーズ供給ホイールを回転させる段階と、
前記ビーズ供給ボウルにおいてその下部部分の周りに離間した複数の放出開口部を通してビーズを放出し、同時に前記半径方向に配列されたチャンネルにビーズを供給するために該開口部の該チャンネルとの整列を維持する段階と、
個々のビーズを受け取るために各チャンネルの外側端にビーズ受け取りポケットを配置する段階と、
前記ビーズ供給ホイール及びビーズ移送ホイールがそれらのそれぞれの軸線の周りで回転する時に、外面上の複数のビーズ移送ポケットが該供給ホイール上の前記ビーズ受け取りポケットと位置合わせするように、実質的に水平な軸線の周りでビーズ移送ホイールを回転させる段階と、
前記ビーズ供給ホイールから前記移送ホイールまでの前記ビーズの移送を達成するために、選択されたビーズ移送ポケットに真空を接続する段階と、
ビーズが前記移送ホイールから受け取られて前記下流位置まで連続して配送されるように構成されたビーズ配送ホイールを、該移送ホイールの前記軸線と平行な実質的に水平な軸線の周りで回転させる段階と、
を含むことを特徴とする方法。