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　特願２００２−　７５１５１「磁気記録媒体およびそれを用いた磁気記録装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　１月１７日出願公開、特開２００３−　１６６３６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年３月１８日（優先権主張　平成１３年４月２７日）の出願であって、平成１８年２月１４日付け拒絶理由通知に対する応答時、同年４月２０日付けで手続補正がなされ、平成１９年１０月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１１月２２日付けで拒絶査定不服審判請求がなされた後、同年１２月２０日付けで手続補正がなされた。
　その後、平成２２年４月１９日付けで審尋がなされ、同年５月２６日付けで回答書が提出され、当審がした同年７月２０日付け拒絶理由通知に対する応答時、同年９月２７日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２２年９月２７日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものである。
「【請求項１】
　基板と、情報を局所的な加熱とともに磁気的に記録するための磁性層とを備え、上記基板と磁性層との間に、アルミニウムの非磁性金属元素単体からなる、表面に凹凸を有する下地層が設けられた磁気記録媒体において、
　上記下地層の表面の凹凸は、凸部の径Ｄが１０〜５０ｎｍ、凸部の高さＨが３〜１０ｎｍであり、
　上記磁性層が非晶質磁性体からなり、上記表面に凹凸を有する下地層が該磁性層と接していることを特徴とする磁気記録媒体。」
　
３．引用列
　これに対して、当審が通知した拒絶の理由に引用された特開２０００−３１５３１０号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した）。
（１）「【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の情報記録媒体を説明する。本発明の発明者は、磁気的記録再生方法が可能な方式で超高密度記録を実現するために、磁気異方性が大きく、結晶粒を持たない希土類遷移金属のアモルファス合金を情報記録媒膜に使用することについて検討した。このアモルファス合金は、膜内部における交換結合力が強いことが知られている。そのため、現在の記録再生装置に使用されている薄膜コイルを用いた記録ヘッドでは、ヘッド寸法が大きく、十分な磁界を発生することが困難なため、微小記録マークを形成することが難しいと考えられてきた。また、交換結合力を小さくすると保磁力も小さくなるという性質を有するため、記録マークの安定性が悪くなると考えられてきた。そのため情報記録媒体に、アモルファス合金を使用することは一般的ではなかった。 
【００１３】しかしながら、
発明者は、希土類遷移金属のアモルファス合金を情報記録膜として用いた情報記録媒体の記録特性と、情報記録膜の構造等を詳細に調べたところ、情報記録膜下の基体に適当な凹凸を形成すれば、図１に示すように、磁性膜内部に適当なコラム構造が形成されることを意外にも見い出した。図１中、１は基板、２は下地層、３は情報記録膜をそれぞれ示す。更に、このコラム構造を有する情報記録膜は、従来の磁気ヘッドでも微小記録マークを形成でき、また大きな再生信号を得られることも見い出し本発明に至った
 　 
（２）「【００１４】まず、本発明の情報記録媒体は、少なくとも基体と、その上に位置する情報記録膜とからなる。基体は、所定のＲａ又は周期の凹凸が形成されていさえすれば、当該分野で公知の基体をいずれも使用することができる。具体的には、基体としては、ガラス、セラミックス、チタン、シリコン、カーボン等の基板に凹凸を形成したもの、
基板上に凹凸を有する下地層が形成された基体等が挙げられる
【００１５】基板への凹凸の形成方法としては、塩酸のような酸中に基板を浸漬し、所定の粒径の研磨剤（例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＳｉＯ）を用いて研磨する、いわゆるメカノケミカルポリッシング法が挙げられる。下地層の凹凸は、下地層の形成と同時に形成しても、下地層を形成した後、別工程で形成してもよい。
下地層の形成と同時に凹凸を形成する場合、例えばスパッタ法により、積層するにつれて層の表面の凹凸が自己的に所定形状になるような材料を選択する必要がある。そのような材料として、ＮｉＰ、ＮｉＢ、ＣｒＭｏ等の合金、Ｃｒ、Ｔｉ等の金属が挙げられる
  
（３）「【００１６】
下地層にＮｉＰを使用する場合、その組成は特に限定されない。例えば、代表的な組成として、Ｎｉ：Ｐ＝４：１、３：１、２：１や５：４のものが存在する。ただし、過剰にＮｉがリッチな膜にすると、Ｎｉが析出して、下地層が強磁性体となるという問題がある。強磁性体となった場合、情報記録膜と静電気的な相互作用が起こり、記録/再生磁界に影響を与えるという問題が生じる恐れがある。そのためＮｉＰの組成は、Ｎｉ：Ｐ＝４〜２：１が好ましい
凹凸の具体的な形状は、Ｒａが０．１〜１．５ｎｍ又は周期が１０〜４０ｎｍである
【００１７】
ここで、Ｒａが０．１ｎｍより小さい場合、情報記録膜内にコラム構造が形成されにくいので好ましくない。Ｒａが１．５ｎｍより大きい場合、１つのコラムのサイズが大きくなりノイズを生じやすくなるので好ましくない。より好ましいＲａは、０．２〜１．２ｎｍである。Ｒａは下地層の厚さを厚くすれば大きく、薄くすれば小さくすることができる
また、周期が１０ｎｍより小さい場合、コラム構造が形成されにくいので好ましくない。周期が４０ｎｍより大きい場合、コラム構造が大きくなるので好ましくない。より好ましい周期は、１５〜２５ｎｍである
 　 
（４）「【００２４】
本発明の情報記録媒体によれば、基体上に凹凸を形成しない場合より、ＳＮＲを１００％以上向上させることができ、オーバーライト特性を４００％以上向上することができる。これは、基体の凹凸に由来する情報記録膜内部のコラム構造により、微小記録マークを安定に形成できるためであると考えられる
更に光磁気記録媒体としても使用することができる
【００２５】
本発明の情報記録媒体を光磁気記録媒体に使用すれば、例えば０．１〜２．５μｍのトラック幅及び０．１〜２μｍの磁化反転部の幅のような微細記録マークで情報を記録することができ
 　 
（５）「【００３６】また、
本発明の第１及び第２の情報記録媒体を光磁気記録媒体として使用する場合、この媒体に情報を記録及び再生する記録再生装置は、例えば磁気ヘッドを備えたスライダ、光照射手段を有している。ここで、光照射手段は、情報記録媒体に光を照射することにより、照射部の温度を上昇させ、それにより情報の記録及び再生を容易にすると共に、記録マークを更に微小にする役割を果たす
 　 
（６）「【００４８】まず、下地層を形成しない場合、磁気ヘッドに６０ｍＡの電流を流して約３ＫＯｅの磁界を印加したが、磁性膜に正確な1μmのマークを記録することはできなかった。これは、磁性体内部での交換結合力が大きいため、磁化が一方向に向きやすいためと思われる。従って、Ｒａが小さい場合、磁性膜に磁気ヘッドで正確にマークを形成することは難しいことが分かった。これに対して、下地層のＲａを大きくするとＳＮＲ及びＯ／Ｗ特性を向上させることが可能であった。
特に、Ｒａが０．１〜１．５ｎｍの範囲でＳＮＲ及びＯ／Ｗ特性の向上が顕著であった
【００４９】
ＳＮＲ及びＯ／Ｗ特性が向上する理由は、希土類遷移金属アモルファス層からなる磁性膜に記録された情報を磁気的に再生する方式において、磁性膜を形成する下地に適度の凹凸を形成すれば、磁性体内の交換結合力が、情報を正確に記録／再生しうる程度に低下するためであると考えられる
 　 
 　上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 
 「少なくとも基板と、その上に位置する情報記録膜と、上記基板と情報記録膜との間に、ＮｉＰ、ＮｉＢ、ＣｒＭｏ等の合金、Ｃｒ、Ｔｉ等の金属からなり、その表面に自己的に凹凸が形成された下地層が設けられた情報記録媒体において、 
　上記下地層の表面の凹凸は、Ｒａが０．１〜１．５ｎｍ又は周期が１０〜４０ｎｍであり、
 　上記情報記録膜が希土類遷移金属のアモルファス合金からなる磁性膜であり、当該情報記録媒体を光磁気記録媒体として使用する場合、光照射手段が情報記録媒体に光を照射することにより照射部の温度を上昇させ、それにより磁気ヘッドによる情報の記録及び再生を容易にし、
　上記下地層は上記情報記録膜と接しており、それによって情報記録膜内部に適当なコラム構造が形成され、交換結合力が低下することにより微小記録マークを形成できるようにした情報記録媒体。」 
　
４．対比
　そこで、本願発明と引用発明とを対比すると、
（１）引用発明における「基板」は、本願発明における「基板」に相当する。
　
（２）引用発明における「その上に位置する情報記録膜と」、「上記情報記録膜が希土類遷移金属のアモルファス合金からなる磁性膜であり、当該情報記録媒体を光磁気記録媒体として使用する場合、光照射手段が情報記録媒体に光を照射することにより照射部の温度を上昇させ、それにより磁気ヘッドによる情報の記録及び再生を容易にし」によれば、当該情報記録膜は、光の照射による照射部の局所的な加熱と、磁気ヘッドによる磁界の印加とによって情報を磁気的に記録するための磁性膜であって、アモルファスすなわち非晶質である。したがって、引用発明における「情報記録膜」は、本願発明における「磁性層」に相当し、引用発明と本願発明とは「情報を局所的な加熱とともに磁気的に記録するための磁性層とを備え」る点、及び「上記磁性層が非晶質磁性体からなり」の点で共通する。
　
（３）引用発明における「上記基板と情報記録膜との間に、ＮｉＰ、ＮｉＢ、ＣｒＭｏ等の合金、Ｃｒ、Ｔｉ等の金属からなり、その表面に自己的に凹凸が形成された下地層が設けられた」によれば、ＮｉＰ、ＮｉＢ、ＣｒＭｏ等の合金、Ｃｒ、Ｔｉ等の金属のうち、ＣｒやＴｉは非磁性金属元素単体に他ならず、その表面には凹凸を有するものであるから、引用発明と本願発明とは「上記基板と磁性層との間に、非磁性金属元素単体からなる、表面に凹凸を有する下地層が設けられた」点において共通するといえる。
　
（４）引用発明における「上記下地層は上記情報記録膜と接しており、それによって情報記録膜内部に適当なコラム構造が形成され、交換結合力が低下することにより微小記録マークを形成できるようにした」によれば、引用発明と本願発明とは「上記表面に凹凸を有する下地層が該磁性層と接している」点で共通する。
　
（５）そして、引用発明における「情報記録媒体」は、本願発明における「磁気記録媒体」に相当する。
　
　よって、本願発明と引用発明とは、
「基板と、情報を局所的な加熱とともに磁気的に記録するための磁性層とを備え、上記基板と磁性層との間に、非磁性金属元素単体からなる、表面に凹凸を有する下地層が設けられた磁気記録媒体において、
　上記磁性層が非晶質磁性体からなり、上記表面に凹凸を有する下地層が該磁性層と接していることを特徴とする磁気記録媒体。」
である点で一致し、次の点で相違する。
［相違点１］
　下地層の非磁性金属元素単体が、本願発明ではアルミニウムと特定されているのに対し、引用発明ではＣｒ、Ｔｉ等である点。
　
［相違点２］
　下地層の表面の凹凸が、本願発明では凸部の径Ｄが１０〜５０ｎｍ、凸部の高さＨが３〜１０ｎｍであるのに対し、引用発明ではＲａが０．１〜１．５ｎｍ又は周期が１０〜４０ｎｍである点。
　
５．判断
　上記相違点について検討する。
［相違点１］及び［相違点２］について
　表面に自己的に凹凸が形成される非磁性金属元素単体としてＣｒやＴｉなどと共にアルミニウム（Ａｌ）などの低融点金属は、例えば当審が通知した拒絶の理由に引用された特開平４−２９５６１４号公報（段落【００１５】〜【００１６】、【００２３】）、特開平９−２７１０９号公報（段落【００１３】〜【００１４】）及び特開平１０−２４１１４４号公報（段落【００６９】、【００９９】）などに記載されているように周知のものであり、特にアルミニウムは、ＣｒやＴｉに比べてより低融点であり凹凸が形成され易いことも周知の事項（例えば上記特開平１０−２４１１４４号公報の段落【００９９】を参照）である。また、引用例には、凹凸のサイズ（Ｒａ又は周期）は下地層の厚さや下地形成時の投入電力によって所望の範囲に制御ができること（前記「３．（３）」中、段落【００１７】、【００１９】参照）や、下地層の材料としてＮｉＰのように強磁性体であるＮｉを含むものはＮｉが析出して必ずしも良い材料ではない場合もあること（前記「３．（３）」中、段落【００１６】参照）が記載されている点をも考慮すると、引用発明においても下地層として、ＣｒやＴｉに代えて、特に非磁性金属元素単体として共通するアルミニウムを用いることは当業者であれば容易に想到できたことである。
　そして、引用例に記載（前記「３．（３）」中、段落【００１７】、【００１９】参照）のように、非晶質磁性体に適切なコラム構造が形成され、微細記録マークで情報を記録するためには下地層の表面の凹凸のサイズとして望ましい数値範囲があることは、下地層としてアルミニウムを用いた場合であっても当然にいえることである。一方、例えば本願明細書の表１（段落【０１３６】）の実施例２によれば径Ｄ＝３５ｎｍ、高さＨ＝６ｎｍのときＲａ＝１．５６ｎｍであり、引用発明ではＲａ＝０．１〜１．５ｎｍ又は周期＝１０〜４０ｎｍであることを考慮すると、凹凸のサイズの選択し得る範囲は、本願発明と引用発明とは重複した範囲をもつ程度に近似したものと推定される。さらに上記特開平４−２９５６１４号公報（段落【００１６】）、特開平９−２７１０９号公報（段落【００１３】、【００１４】）には、アルミニウム等の低融点金属からなる凹凸を有する下地層として本願発明が特定する凹凸のサイズの範囲を満たす数値例も記載されていることを総合的に判断すると、引用発明においても、下地層としてアルミニウムを採用した場合に、その表面の凹凸のサイズを凸部の径Ｄが１０〜５０ｎｍ、凸部の高さＨが３〜１０ｎｍの範囲を満たす値とすることも当業者であれば容易になし得ることである。
　
　そして、本願発明が奏する効果についてみても、引用発明及び周知の技術事項から当業者が十分予測できたものであって、格別顕著なものがあるとはいえない。 
　
　なお、当審がした拒絶理由通知に対する応答時に提出された意見書において、請求人は、引用例には下地層の材料としてＣｒやＴｉの単一金属の例示があるものの、実施例中にはＮｉＰを用いたもののみが記載されており、ＣｒやＴｉを用いた場合の実際の信号特性を評価した結果がなく、これら単一金属での適用が可能であることが十分に証明されていない旨主張しているが、引用例で重要視しているのは、下地層の凹凸のサイズ（Ｒａや周期）であり（【特許請求の範囲】の記載参照）、下地層の材料についてはＮｉＰ等の合金、Ｃｒ等の金属が並列的に例示され、実施例ではその代表としてＮｉＰを用いた場合が記載されているにすぎず、Ｃｒ等の単一金属を用いた場合にあっても、上述したように膜厚や投入電力を制御することによって凹凸のサイズを所望の範囲とすることにより、ＮｉＰを用いた場合と同様の効果を奏し得ることは当然に推測されることであって、請求人の上記主張は採用できない。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許
法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。