【事件の表示】
　特願２００３−５７９２９１「半導体‐ナノ結晶／複合ポリマー薄膜」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月　２日国際公開、ＷＯ０３／８１６８３、平成１７年　７月１４日国内公表、特表２００５−５２０７０１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．経緯
　本件は、２００３年３月１９日（パリ条約による優先権主張　２００２年３月１９日　同年５月１７日　同年５月１７日　同年７月１２日　同年１０月２３日　同年１１月２０日　いずれも米国）を国際出願日とする出願であって、平成２０年１１月２５日付で拒絶査定がなされ、これに対して平成２１年３月２日に拒絶査定に対する不服の審判が請求され、同年３月２５日に手続補正書が提出されたものである。
　その後、当審において審尋したところ、平成２２年８月６日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成２１年３月２５日付手続補正について
　平成２１年３月２５日付手続補正（以下、「本件補正」という。）は、平成２０年１０月１４日付手続補正書によって補正された特許請求の範囲の
（ア）請求項１に記載のアスペクト比「２以上」を「５以上」と補正し、
（イ）請求項１に記載の「パワー変換効率」を「単色パワー変換効率」と補正し  、
（ウ）請求項２２を独立項形式に書き直すとともに、「該ナノ結晶の縦軸が薄膜面の法線から２０度以下で整列されてなり」との限定を加え、
（エ）請求項７、１０、１３を、「請求項１」を引用するように補正したものである。
　上記補正はいずれも新規事項を追加するものではなく、上記（イ）（エ）は特許請求の範囲の誤記の訂正といえる程度のものである。また、上記（ア）は「ナノ結晶」のアスペクト比を作用効果のより明確な「５以上」と規定したものであり、上記（ウ）は「ナノ結晶」が半導体複合ポリマー中に埋め込まれた状態をより明りょうに規定したものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものといえる。したがって、上記補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第３号及び第４号の規定に該当するものである。
　
３．本願発明
　本願発明は、平成２１年３月２５日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１〜４６に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、そのうち、請求項１に係る発明(以下「本願発明」という。)は、以下のとおりである。
　
「【請求項１】
　光電デバイスにおいて使用可能な薄膜であって、該薄膜が少くとも５wt％の半導体‐ナノ結晶をその中に埋め込んでなる半導体複合ポリマーを含んでなり、半導体‐ナノ結晶の少くとも一部が約５以上のアスペクト比を有し、該薄膜が光電デバイスにおける場合にＡＭ１．５グローバル照明で２％以上の単色パワー変換効率を与えることができる、薄膜。
　
４．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用文献１として引用されたW. U. Huynh, et.al.，Nanocrystal/Polymer Composite Photovoltaic Devices，IST's NIP16:International Conference on Digital Printing Technologies，2000年，p.497-500　（原査定における引用文献１。以下「引用例」という。）には、以下の記載がある。
　
（１ａ）「Abstract
---.We have constructed devices consisting of a composite of CdSe  nanocrystals and poly(3-hexylthiophene).---Devices fabricated with small aspect ratio CdSe nanorods and poly(3-hexythiophene) have enhanced conversion efficiencies up to 2%. To further increase device efficiencies, soluble nanorods of CdSe were synthesized with aspect ratios reaching 20:1 by controlling the kinetics of nanocrystal growth in lyothermal solutions.」（４９７頁左欄　抄録）
（訳：抄録
　私たちはＣｄＳｅナノ結晶とpoly(3-hexylthiophene)とからなるデバイスを作成した。・・・
縦横比の小さいＣｄＳｅナノロッドと poly(3-hexylthiophene) とで作成されたデバイスは、変換効率を２％向上した
　
（１ｂ）「CdSe Nanoparticle/Poly(3-hexylthiophene) Devices
Spherical Nanocrystals
　　　Photovoltaic cells were fabricated by spin casting a chloroform solution of pyridine passivated 5 nm diameter CdSe nanocrystals and poly(3-hexylthiophene)(P3HT) onto an indium-tin oxide (ITO) coated glass substrate and evaporating aluminum top contacts. Films were of thickness typically between 50 to 100 nm. From the current-voltage response of 90% wt. CdSe in P3HT (Fig.1), a quantum efficiency of 5%, a open circuit voltage of 0.57 V and a fill factor of 0.51 can be calculated. The resulting power conversion efficiency is 0.7%.」（４９７頁右欄１６行〜末行）
（訳：CdSe Nanoparticle/Poly(3-hexylthiophene) デバイス
球形ナノ結晶
　　太陽電池は、ピリジン表面処理した５ｎｍ径のＣｄＳｅナノ結晶クロロフォルム溶液とP3HTとをＩＴＯ被覆ガラス板上にスピン成形し、上部にアルミニウムコンタクトを蒸着したフィルムとして作成された。フィルムは典型的には５０〜１００ｎｍの厚さであった。
Ｐ３ＨＴ中に９０重量％のＣｄＳｅを含む場合の電流応答特性から、５％の量子効率、０．５７ボルトの開放電圧と０．５１の曲率因子（内部抵抗）が算出される。結果として得られたパワー変換効率は０．７％であった
　
(1c)「Nanorods
　　　Oriented elongated CdSe nanocrystals have the advantage of reducing the number of interparticle hopping incidences for the electron. It is also known that elongated rods pack more efficiently than spherical particles due increased contact area for van der Waals interactions.・・・
　　　Elongated rod-shaped CdSe nanocrystals were synthesized (Fig. 3a) and incorporated into the P3HT polymer. From TEM images, it can be seen that rods have a tendency to organize along their long axes, possibly forming a directed pathway to electron transport.(Fig. 3b). Films of 80 % by weight 8 x 13 nm CdSe rods in P3HT were used in photovoltaic devices and we observe an increase in quantum efficiency by a factor of three to 16 % (Fig. 4). By comparing TEM images produced from various concentrations of CdSe spheres in P3HT with that of rods in P3HT it can be concluded that the domains formed by the rods are significantly higher, almost an order of magnitude. The reduction of the amount of interparticle transport in addition to the enhanced nanoparticle aggre-gation most likely account for the improvement in quantum efficiency. The fill factor and open circuit voltage are essentially unchanged from devices made of spherical nanocrystals. An overall power conversion efficiency of 1.9% at 514 nm is obtained for the nanorods devices. This is comparable to the most efficient of the recent polymer composite devices reported.」(４９８頁左欄下から４行〜右欄)
（訳：ナノロッド
　ある方向に引き延ばしたＣｄＳｅナノ結晶は、電子の球晶間ホッピング減少をいくらか減らす利点がある。引き延ばされたロッドは、ファンデルワールス力による接触領域を増加させることで、球晶よりも効果的に詰められることが知られている
　
引き延ばされた形状のＣｄＳｅナノ結晶が合成され、Ｐ３ＨＴポリマー中で混合されている
透過型電子顕微鏡写真映像から、ロッドは、その長軸に沿って電子移送の直行経路を形成している傾向がある
８×１３ｎｍのＣｄＳｅロッドがＰ３ＨＴ中に８０重量％あるフィルム
５１４ｎｍにおいて１．９％のパワー変換効率が、ナノロッドデバイスで生じている
　
(1ｄ) 「Device Photoresponse
　　　The most efficient nanorod device, with a thickness of 100nm converts 36% of sunlight to electrical energy. External quantum efficiencies given do not account for the transmission of radiation due to the low optical density of the think films. Such a 100nm thick film has a maximum optical density of 0.7, corresponding to an absorption of 80% of the incident light. Devices of higher film thickness display an antibatic Photoresponse, in which the maximum quantum efficiency is red-shifted with respect to the maximum absorption (Fig. 5). ・・・To further enhance the device performance, it is necessary to provide an effective pathway for the transport of electrons throughout the entire thickness of the film.
Figure 5. The action spectra of 80% wt. CdSe nanorods in P3HT at various thickness. An Absorption curve for the blend is included for comparison.
　　　　　CdSe Nanorods
We seek to further improve these composite devices by incorporating wires to transport electrons rather than a network of discreet nanoparticles. Recently the kinetic control of CdSe nanocrystal growth has been used to vary the shapes of particles from a nearly spherical morphology to rod-like with aspect ratios as large great as twenty to one.」(４９９頁左欄)
（訳：デバイスの光電応答特性
　　厚さ１００ｎｍの、最高効率のナノロッドデバイスは、
３６％の日光を電気的エネルギーに変換する
１００ｎｍ厚さのフィルム
デバイスの効率を上げるためには、フィルムの厚さを貫く効果的な電子移送の効果的経路が設けられる必要がある
図５　種々の厚さの、Ｐ３ＨＴ中に８０重量％あるＣｄＳｅロッドの活性スペクトル。　比較のために、混合物の吸収カーブも含めた。
　　　　ＣｄＳｅナノロッド
我々は、さらに、活発でないナノ球晶のネットワークに代えて電子移送線を混合して作成したこれらのデバイスを、研究した。最近では、ＣｄＳｅナノ結晶の成長を力学的に制御することで、殆ど球状の形態から形状を変化させて、
２０対１の縦横比と同程度のロッド形状
　
　以上の事項から、引用例１には、以下の発明（以下、（引用例発明）という。）が記載されている。
　
「太陽電池デバイスとして使用される８×１３ｎｍのＣｄＳｅロッドがＰ３ＨＴ中に８０重量％あるフィルムであって、５１４ｎｍにおいて１．９％のパワー変換効率が、ナノロッドデバイスで生じているフィルム」
　
　原査定において、引用例１と関係の深い文献であるとされた　Wendy U. Huynh, et.al.，CdSe Nanocrystal Rods/Poly(3-hexylthiophene) Composite Photovoltaic Devices，ADVANCED MATERIALS，1999年8月３日，Vol.11, No.11，p.923-927　（以下、「参考文献１」という。）には、以下の記載がある。
　
（２ａ）「To enhance electron collection, it is desirable to form a defined pathway to the appropriate electrode for the charge, which has been generated at a nanocrystal/polymer interface. Elongated, rod-shaped CdSe nanocrystals have a tendency to form directed chains, in which the particles stack along their long axis. In this communication, we report the construction of photovoltaic devices from a composite of 8×13 nm, elongated CdSe nanocrystals and regio-regular poly(3-hexylthiophene)(P3HT).」
（訳：電子収集のために、ナノ結晶/ポリマーの界面で発生した電荷に適切な電極への通路を形成することが望ましい。引き延ばしたロッド形状のＣｄＳｅナノ結晶は、長軸に沿って球晶を積み重ねた鎖を形成するのに好ましい。この報告書で我々は、８×３ｎｍに引き延ばしたＣｄＳｅナノ結晶と局部的に組織化したポリ３ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ）との混合物から太陽電池デバイスを作成したことを報告する。）
 
（２ｂ）「The external power conversion efficiency of P3HT/CdSe composite devices is 2% under 514nm illumination. By considering the optical density of the film, in addition to the transmission of ITO and the reflection of the back aluminum electrode, we obtain an internal conversion efficiency of 2.7%, under monochromatic illumination. We note that the external efficiency is comparable to other heterojunction photovoltaic cells such as the recent two-layer polymer device constructed using a lamination technique by Granstrom et al. At an optimum wavelength of 480nm and with ITO and Alas the electrodes, the two-layer device achieves a power conversion efficiency of 2.2%」（９２６頁右欄２８行〜３９行）
（訳：P3HT/CdSe混合デバイスの
外部パワー変換効率は５１４ｎｍの照明下では２％である。
２．７％の内部変換効率を得ている
　
５．対比
　引用例発明の「太陽電池デバイスとして使用されるフィルム」は、本願発明の「光電デバイスにおいて使用可能な薄膜」に相当する。
　引用例発明の「ＣｄＳｅロッドがＰ３ＨＴ中に８０重量％ある」ことは、「少くとも５wt％の半導体‐ナノ結晶をその中に埋め込んでなる半導体複合ポリマーを含んでな」ることに相当する。
　したがって、本願発明と引用例発明とは、
「光電デバイスにおいて使用可能な薄膜であって、該薄膜が少くとも５wt％の半導体‐ナノ結晶をその中に埋め込んでなる半導体複合ポリマーを含んでなる薄膜。」で一致し、
以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　本願発明では「半導体‐ナノ結晶の少くとも一部が約５以上のアスペクト比を有」するのに対して、
　引用例発明では「８×１３ｎｍ」にすぎない点。
　
（相違点２）
　本願発明では「薄膜が光電デバイスにおける場合にＡＭ１．５グローバル照明で２％以上の単色パワー変換効率を与えることができる」のに対して、
　引用例発明では「５１４ｎｍにおいて１．９％のパワー変換効率が生じている」点。
　
６．判断
６−１．相違点１について
　引用例１には、抄録で「縦横比の小さいＣｄＳｅナノロッドと poly(3-hexylthiophene) とで作成されたデバイスは、変換効率を２％向上した。」（上記１ａ参照。）と記載され、「ある方向に引き延ばしたＣｄＳｅナノ結晶は、電子の球晶間ホッピング減少をいくらか減らす利点がある。引き延ばされたロッドは、ファンデルワールス力による接触領域を増加させることで、球晶よりも効果的に詰められることが知られている。・・・引き延ばされた形状のＣｄＳｅナノ結晶が合成され、Ｐ３ＨＴポリマー中で混合されている。透過型電子顕微鏡写真映像から、ロッドは、その長軸に沿って電子移送の直行経路を形成している傾向がある。・・・Ｐ３ＨＴ中の様々な割合のＣｄＳｅ球晶から作成されたＰ３ＨＴ中のＣｄＳｅのロッドの透過型電子顕微鏡写真映像を比較すると、ロッドで形成されたドメインが明らかに強度が高いと結論づけられる。ナノ球晶の凝集の拡大に加えて、球晶間ホッピングの頻度の低減は、量子効率の向上の説明となる。」（上記１ｃ参照。）と記載され、ポリマーに包含させるナノ粒子としてロッド状の形態がパワー変換効率を向上させる上で有利であることが認められる。
　審判請求書中で本願出願人が主張するように、引用例１における具体的な開示は、８×１３ｎｍの寸法のナノロッドが存在するにすぎないとしても、上記の引用例１における記載が、ナノロッドの形状を引き延ばし、アスペクト比すなわち縦横比を大きくすることが効果的であることを示唆しており、引用例１ではそのために「２０対１の縦横比と同程度のロッド形状」まで作成している（上記（１ａ）（１ｄ）参照。）。
　以上を踏まえれば、引用例発明において、「約５以上のアスペクト比を有」する半導体ナノ結晶を少なくとも一部に採用することは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　
６−２．相違点２について
　効率について、本願発明では「ＡＭ１．５グローバル照明で２％以上の単色パワー変換効率」と規定している。ここで、「ＡＭ１．５グローバル照明」について、本願明細書の詳細な説明【０１１０】には、以下の説明がある。
「　【０１１０】
　パワー変換効率は単色または白色光照明下で求められる。単色パワー変換効率は太陽電池を特徴付ける上で十分でないが、特定波長におけるデバイスの性能の尺度となる。これは、デバイスが太陽以外の条件下での使用向けである場合、例えば環境室内光下でまたはレーザー光用のパワー計として機能する小型電子機器および時計で有用である。太陽電池を特徴付ける標準法はAir Mass １．５またはＡＭ１．５条件下（地球の大気圏の１．５倍の距離を通過した後における太陽の発光スペクトル）のものである。標準ＡＭ１．５条件は非理想気象条件のせいで信頼しうるものとして得ることが難しいため、この太陽照明は通常シミュレートされる。」
　したがって、本願発明では太陽電池の標準的性能評価方法に、太陽光に相当するスペクトルを用いて、単色パワー変換効率を求めていることは明らかである。
　これに対して、引用例１には、「縦横比の小さいＣｄＳｅナノロッドと poly(3-hexylthiophene) とで作成されたデバイスは、変換効率を２％向上した。さらに効率を増加させるために、溶媒中のナノ結晶成長を力学的に制御して、２０対１になる縦横比の溶解性ＣｄＳｅナノロッドを作成した。」（上記１ａ参照。）と記載され、「
８×１３ｎｍのＣｄＳｅロッドがＰ３ＨＴ中に８０重量％あるフィルム
５１４ｎｍにおいて１．９％の変換効率が、ナノロッドデバイスで生じている
　そして、図５（上記（１ｃ）参照。）でも分かるように、４００〜７５０ｎｍの波長域すなわち太陽光における最大量子効率を測定していることが認められる。したがって、引用例発明においても太陽光に相当するスペクトルを用いて測定していることが認められる。
　したがって、本願発明と引用例発明とは、ともに、太陽光に相当するスペクトルにより単色のパワー変換効率を求めており、本願発明では「２％以上」であるのに対して引用例発明では１．９％程度である点で相違することになる。
　
　しかし、本願発明には用いる材料や厚さならびに曲率因子すなわち内部抵抗について具体的な規定がない。パワー変換効率は用いる材料や厚さや曲率因子すなわち内部抵抗などの条件によって変化するものであるから、用いる材料や厚さならびに曲率因子すなわち内部抵抗等の規定のない単なる「薄膜」の発明である本願発明と、「フィルム」の発明である引用例発明との間には、パワー変換効率について実質的な違いはなく、格別の効果の差異は認められない。
　
　さらに、引用例発明のパワー変換効率が１．９％程度にとどまるとしても、引用例１では、アスペクト比すなわち縦横比を大きくすることがパワー変換効率向上に寄与すること（上記（１ａ）参照。）が記載されている。そのために、引用例１では「２０対１の縦横比と同程度のロッド形状」まで作成（上記（１ａ）（１ｄ）参照。）しているとともに、図５（上記（１ｃ）参照。）に拠れば、波長５１４ｎｍでのＱＥが１１０ｎｍの厚さで６％程度、３００ｎｍの厚さで１．５％程度であることが認められ、厚さによって効率が変化することが認められる。また、パワー変換効率には、曲率因子すなわち電極のオーミックコンタクトなどによって生じる内部抵抗（上記（１ｂ）参照。）も影響すると認められる。これらのことを考慮すると、引用例発明でも、厚さや曲率因子すなわち内部抵抗等の条件を最適にすることで、パワー変換効率がさらに向上させることが期待できる。実際、引用例１と関係の深い参考文献１でも、引用例発明と同様のＰ３ＨＴ／ＣｄＳｅ混合物のデバイスが、５１４ｎｍの照明下での内部パワー変換効率が２．７％のときに、外部パワー変換効率が本願発明と同程度の２％を達成していること（上記（２ａ）（２ｂ）参照。）が認められる。したがって、パワー変換効率を２％以上にすることは、厚さや曲率因子すなわち内部抵抗等の条件を最適にすることで、当業者が容易になし得た程度のことである。
　
６−３．請求人の主張について
　請求人は、以下のように主張している。
「しかしながら、引用文献１およびそれと関係の深い文献であるとされるADVANCED MATERIALS，Vol.11, No.11，p.923-927（以下、参考文献１という）のいずれにおきましても特性とともに具体的に開示されているナノロッドはせいぜい８×１３ｎｍの寸法のナノロッドにすぎず（引用文献１第４９８頁右欄下から１６行および参考文献１第９２４頁左欄１３行）、補正前の２以上のアスペクト比についてすら何らこれらの文献は具体的に教示も示唆もしていないのです。それにもかかわらず、請求人はより一層差異を明確にするために今回の補正により請求項１に記載のアスペクト比を５以上に限定しております。そのような寸法のナノ結晶は引用文献１および参考文献１によって何ら具体的に教示も示唆もされていないのは明らかです。」（平成２１年３月２５日付手続補正書「２．（Ａ−１について）」）
　しかしながら、上記「６−１」で言及したように、引用例１における記載が、ナノロッドの形状を引き延ばし、アスペクト比すなわち縦横比を大きくすることが効果的であることを示唆しており、引用例１ではそのために「２０対１の縦横比と同程度のロッド形状」まで作成している（上記（１ａ）（１ｄ）参照。）ことを踏まえれば、引用例発明において、「約５以上のアスペクト比を有」する半導体ナノ結晶を採用することは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　
　また、請求人は以下のように主張している。
「さらに付言すれば、そもそも引用文献１は１．９％のパワー変換効率（引用文献１右欄下から４行）を開示するものにすぎない以上、「ＡＭ１．５グローバル照明で２％以上の単色パワー変換効率を与える」ことを要件とする本願発明を開示ないし示唆し得ないというべきです。この点に関して参考文献１が引用されていますが、参考文献１はアスペクト比が５以上のナノロッドについて何ら教示も示唆もしていないのです。」（平成２１年３月２５日付手続補正書「２．（Ａ−１について）」）
　しかしながら、上記「６−２」で言及したように、本願発明では、用いる材料や厚さや曲率因子すなわち内部抵抗について具体的な規定がないところ、パワー変換効率が厚さや曲率因子すなわち内部抵抗等の条件によって変動することを考慮すると、本願発明と引用例発明との間でパワー変換効率について実質的な違いはなく、格別の効果の差異は認められない。さらに、引用例発明において厚さや曲率因子すなわち内部抵抗等の条件を最適にすることで、パワー変換効率がさらに向上することが期待できるから、パワー変換効率を２％以上にすることは、当業者が容易になし得た程度のことである。
　
　以上のことから、請求人の主張は採用できない。
　
６−４．補正の提案１について
　請求人は、いくつかの補正案を提示しているので、それについて検討する。
　平成２２年８月６日付回答書に記載された「補正の提案１」として、請求人は、「請求項２０に記載された事項（約１００〜約３５０ｎｍの厚さ）を請求項１に加える補正を提案いたします。」とし、
「特に、引用文献１に記載される膜の厚さは５０〜１００ｎｍであり（引用文献１の４９７頁）、上記補正案による大きな膜厚（約１００〜約３５０ｎｍ）について何ら具体的に開示も示唆もしておらず、また、本願明細書［００８０］段落に詳述されるような、上記補正案による大きな膜厚による利点についても引用文献１は何ら認識しておりません。また、引用文献２にあっては、膜の厚さに関する言及は一切見当たりません。」と指摘する。
　しかし、引用例１でも３００ｎｍを含む様々な厚さでデバイスの光電応答特性を測定している（上記１ｄ参照。）ことから見て、提案１のように「大きな膜厚（約１００〜約３５０ｎｍ）」を選択することに、格別の困難性はない。
　また、請求人は、『本願明細書［０００７］に記載されますように、「良い輸送性と近赤外へも及びうる吸収スペクトルとを有した、本発明による無機ナノロッドに基づく太陽電池は、バルク無機半導体に基づく従来の太陽電池と競えるほどの効率に達しうる可能性がある」』と主張する。
　しかし、大きな膜厚（約１００〜約３５０ｎｍ）を選択したとしても、上記補正案には、用いる材料や曲率因子すなわち内部抵抗について具体的な規定がないところ、上記「６−２」で言及したようにパワー変換効率が内部抵抗等の条件によって変動することを考慮すると、上記補正案の発明と引用例発明との間でパワー変換効率について実質的な違いはなく、格別の効果の差異は認められない。
　
　なお、請求人は、さらに「補正の提案１、３及び４に基づくクレーム補正案」を提案し、本願発明「・・・半導体複合ポリマーを含んでなり、・・・薄膜」中の半導体複合ポリマー成分について
「半導体複合ポリマーが、約５〜約９９wt％の半導体‐ナノ結晶をその中に埋め込んでなり、 
 　半導体複合ポリマーが、トランス‐ポリアセチレン類、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類、ポリ（ｐ‐フェニレン）類およびポリ（ｐ‐フェニレン‐ビニレン）類、ポリフルオレン類、ポリ芳香族アミン類、ポリ（チエニレン‐ビニレン）類およびそれらの可溶性誘導体からなる群より選択され、 
 　半導体‐ナノ結晶が、II‐VI族、III‐Ｖ族、IV族半導体および三元系カルコパイライトからなる群より選択される半導体を含んでなり」と限定することを提案している。
　しかしながら、上記補正案には、厚さや曲率因子すなわち内部抵抗について具体的な規定がないところ、上記「６−２」で言及したように、パワー変換効率が厚さや曲率因子すなわち内部抵抗等の条件によって変動することを考慮すると、上記補正案の発明と引用例発明との間でパワー変換効率について実質的な違いはなく、格別の効果の差異は認められない。
　
６−５．まとめ
　以上のことから、本願発明は、引用例発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものである。
　
７．むすび
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。