【手続補正書】
【提出日】平成23年3月14日(2011.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ接点を有する基板を形成する方法であって、
（ａ）基板の上面の選択された位置に第１の耐エッチング性材料を与えるステップと、
（ｂ）前記第１の耐エッチング性材料によってカバーされない位置で前記基板の上面をエッチングするステップであって、これにより、前記基板の選択された位置から上方に突出する第１のマイクロ接点部分を形成する、ステップと、
（ｃ）前記第１のマイクロ接点部分上に第２の耐エッチング性材料を与えるステップと、
（ｄ）前記第１のマイクロ接点部分の下に第２のマイクロ接点部分を形成するために前記基板をさらにエッチングするステップであって、前記第２の耐エッチング性材料によって、このさらにエッチングするステップの間に、前記第１のマイクロ接点部分が少なくとも部分的にエッチングされないようにする、ステップと、
（ｅ）前記基板の金属層をトレースに形成するステップと
を含み、
前記マイクロ接点は、前記トレースに形成された前記金属層から垂直に突出している、方法。
【請求項２】
前記上面をエッチングするステップは、前記第１の耐エッチング性材料が前記第１のマイクロ接点部分から横方向に突き出るように実行される、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の耐エッチング性材料を与えるステップが、前記第２の耐エッチング性材料を堆積するステップと、堆積された材料を放射に露光するステップとを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記堆積された材料を放射に露光するステップの間に、前記横方向に突出した第１の耐エッチング性材料は、前記堆積された第２の耐エッチング性材料の部分を前記放射から保護する、ことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１及び第２の耐エッチング性材料を取り除くステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記選択された位置に第１の耐エッチング性材料を与えるステップが、前記基板の上面に前記第１の耐エッチング性材料を堆積するステップを含み、前記露光するステップが前記第１の耐エッチング性材料の上にマスクを配置するステップを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の耐エッチング性材料及び前記マスクが放射に露光される、ことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
第３のマイクロ接点部分を形成するステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第１及び第２の耐エッチング性材料が金である、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１及び第２の耐エッチング性材料がフォトレジストである、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
マイクロ接点を有する基板を形成する方法であって、
（ａ）最後の耐エッチング性材料が、基板と一体化され前記基板の表面から上方に突出している第１のマイクロ接点部分を少なくとも部分的にカバーするように、最後の耐エッチング性材料を製造過程中の基板に加えるステップと、
（ｂ）前記第１のマイクロ接点部分の下側において前記第１のマイクロ接点部分と一体化された第２のマイクロ接点部分を残すように、前記基板の表面をエッチングするステップであって、前記最後の耐エッチング性材料は、このエッチングするステップの間に、前記第１のマイクロ接点部分がエッチングされないように少なくとも部分的に保護するステップと、
（ｃ）前記基板の金属層をトレースに形成するステップと
を含み、
前記マイクロ接点は、前記トレースに形成された前記金属層から垂直に突出している、方法。
【請求項１２】
（ｄ）予備の耐エッチング性材料を前記基板の上面の選択された位置に与えるステップと、
（ｅ）前記予備の耐エッチング性材料にカバーされない前記基板の部分を取り除いて、これにより、エッチングされた基板から上方に突出する前記第１のマイクロ接点部分を残すように、前記基板の前記上面をエッチングするステップと、
によって前記製造過程中の基板を形成するステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記予備の耐エッチング性材料を選択された位置に与えるステップが、予備の耐エッチング性材料を前記上面の全体に与えるステップと、前記予備の耐エッチング性材料を放射に露光するために、予備の耐エッチング性材料の上にマスクを与えるステップとを含む、ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１のマイクロ接点部分が垂直に延びる側壁を有し、前記最後の耐エッチング性材料が前記第１のマイクロ接点部分の側壁を少なくとも部分的にカバーする、ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記予備の及び前記最後の耐エッチング性材料を取り除くステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
（ａ）基板と、
（ｂ）前記基板から垂直方向に突出する複数のマイクロ接点と、
（ｃ）トレースに形成された前記基板の金属層と
を備え、
前記各マイクロ接点が前記基板に隣接するベース領域と前記基板から離れた先端部領域を含み、前記各マイクロ接点が前記ベース領域の垂直位置の第１の関数であると共に前記先端部領域の垂直位置の第２の関数である横方向の寸法を有しており、
前記マイクロ接点は、前記トレースに形成された前記金属層から垂直に突出している、超小型電子ユニット。
【請求項１７】
前記第１及び第２の関数が実質的に異なっている、ことを特徴とする請求項１６に記載の超小型電子ユニット。
【請求項１８】
垂直位置に対する横方向寸法の傾斜は、前記ベース領域と先端部領域との間の境界で急激に変化する、ことを特徴とする請求項１６に記載の超小型電子ユニット。
【請求項１９】
複数のマイクロ接点のそれぞれが、縦軸と第１及び第２の縦軸間の距離によって定義されるピッチとを有し、前記ピッチが約２００ミクロン未満である、ことを特徴とする請求項１６に記載の超小型電子ユニット。
【請求項２０】
前記ピッチが約１５０ミクロン未満である、ことを特徴とする請求項１９に記載の超小型電子ユニット。
【請求項２１】
前記ベース領域と前記先端部領域との間に別の領域が存在する、ことを特徴とする請求項１６に記載の超小型電子ユニット。
【請求項２２】
基板と
前記基板から垂直方向に突出する複数のマイクロ接点と、
トレースに形成された前記基板の金属層と
を備え、
２つの隣接するマイクロ接点間のピッチが１５０ミクロン未満であり、
前記マイクロ接点は、前記トレースに形成された前記金属層から垂直に突出している、超小型電子ユニット。
【請求項２３】
前記各マイクロ接点の高さが少なくとも約５０ミクロンであり、前記各マイクロ接点の先端部の直径が少なくとも約２０ミクロンである、ことを特徴とする請求項２２に記載の超小型電子ユニット。
【請求項２４】
前記各マイクロ接点がほぼ平坦で水平な面の先端部を有する、ことを特徴とする請求項２２に記載の超小型電子ユニット。
【請求項２５】
（ａ）基板と、
（ｂ）前記基板から垂直方向に突出する複数の細長いマイクロ接点と、
（ｃ）トレースに形成された前記基板の金属層と
を備え、
前記それぞれのマイクロ接点が前記基板に隣接したベース領域と前記基板から離れた先端部領域を含み、前記それぞれのマイクロ接点が軸線と、前記軸線に沿って垂直方向に前記軸線に向かって又は前記軸線から離れるように傾斜する円周方向の面とを有して、円周方向の壁の傾斜が前記先端部領域と前記ベース領域との間の境界において急に変化し、
前記マイクロ接点は、前記トレースに形成された前記金属層から垂直に突出している、超小型電子ユニット。
【請求項２６】
前記マイクロ接点のそれぞれの中で、前記ベース領域と前記先端部領域が金属の一体のボディとして形成される、ことを特徴とする請求項１６又は２５に記載の超小型電子ユニット。
【請求項２７】
隣接するマイクロ接点間のピッチが約１５０ミクロン未満であり、前記各マイクロ接点の高さが約６０から約１５０ミクロンである、ことを特徴とする請求項２５に記載の超小型電子ユニット。
【請求項２８】
前記各マイクロ接点の先端部の直径が少なくとも約２０ミクロンである、ことを特徴とする請求項２７に記載の超小型電子ユニット。
【請求項２９】
前記ピッチがｈ＋ｄよりも小さく、ｈが前記各マイクロ接点の垂直方向の高さであり、ｄが前記基板から離れた前記マイクロ接点の先端部における各マイクロ接点の直径である、ことを特徴とする請求項２２又は２５に記載の超小型電子ユニット。
【請求項３０】
前記基板が誘電体層と前記誘電体層に沿って延びる前記トレースを備えて、少なくとも幾つかの前記トレースが前記少なくとも幾つかのマイクロ接点に接続される、ことを特徴とする請求項１６、２２又は２５のいずれか１項に記載の超小型電子ユニット。
【請求項３１】
前記マイクロ接点が前記誘電体層の第１の側から突出し、前記ユニットが前記誘電体層の第２の側で露光されると共に前記トレースによって前記マイクロ接点の少なくとも幾つかに電気的に接続される端子も備えている、ことを特徴とする請求項３０に記載の超小型電子ユニット。
【請求項３２】
請求項３１に記載の超小型電子ユニットと前記マイクロ接点に接続された接点とを有する超小型電子部品を備える構体。
【請求項３３】
前記ベース領域と前記先端部領域との間に配置された別の領域が存在する、ことを特徴とする請求項２９に記載の構体。
【請求項３４】
（ａ）基板と、
（ｂ）前記基板から垂直方向に突出する複数のマイクロ接点と、
（ｃ）トレースに形成された前記基板の金属層と
を備え、
前記それぞれのマイクロ接点が前記基板に隣接した近位部分と、前記基板から離れる垂直方向に前記近位部分から延びる細長い遠位部分とを有し、ポストの幅が前記近位部分と前記遠位部分との間の接続部において段階的に増加し、
前記マイクロ接点は、前記トレースに形成された前記金属層から垂直に突出している、超小型電子ユニット。
【請求項３５】
前記基板は、第１の金属層と、第２の金属層と、前記第１の金属層と前記第２の金属層との間の第３の金属層とを備え、前記第３の金属層は、前記第１の金属層及び前記第２の金属層と異なる金属を含み、前記ステップ（ｄ）は前記第３の金属層に到達したときに前記第1の金属層のパターニングを停止するステップを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３６】
前記ステップ（ｅ）は、前記ステップ（ｄ）の後に実行される、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３７】
前記ステップ（ｃ）は、前記ステップ（ｂ）の後に実行される、ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。