【手続補正書】
【提出日】平成23年6月2日(2011.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（４）と、
前記基板に配設されている少なくとも１つの長尺状の第１の電極（１ａ、１ｂ、１ｃ）と、
前記基板に配設されている少なくとも１つの第２の電極（２ａ、２ｂ）と
を備え、
前記第１の電極および前記第２の電極の少なくとも一方は、長手方向に閉じている
半導体部品。
【請求項２】
前記第２の電極は長尺状である、
前記第１の電極（１ａ、１ｂ、１ｃ）および前記第２の電極（２ａ、２ｂ）は、配設されている前記基板（４）の表面に対して平行に延伸している、
前記第１の電極および前記第２の電極は、互いに平行に配設されている、および、
前記第１の電極（１ａ、１ｂ、１ｃ）および前記第２の電極（２ａ、２ｂ）が共通の平面内に配設されている
の少なくとも１つの特徴を有する請求項１に記載の半導体部品。
【請求項３】
前記第１の電極（１ａ、１ｂ、１ｃ）と前記第２の電極（２ａ、２ｂ）との間に電圧が印加されると、前記第１の電極が第１の極性を持ち、前記第２の電極が前記第１の極性とは異なる第２の極性を持つ、および
前記電極（１ａ、１ｂ、１ｃ、２ａ、２ｂ）は少なくとも２つの異なる機能を持つ
の少なくとも１つの特徴を有する請求項１または請求項２に記載の半導体部品。
【請求項４】
前記第１の電極が第１の機能を持ち、前記第２の電極が第２の機能を持つ請求項３に記載の半導体部品。
【請求項５】
前記第１の電極（１ａ、１ｂ、１ｃ）および前記第２の電極（２ａ、２ｂ）はそれぞれ、長手方向において、環状に、円状に、楕円状に、矩形状に、正方形状に、三角形状に、または、多角形状になるように閉じている
請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の半導体部品。
【請求項６】
前記第１の電極（１ａ、１ｂ、１ｃ）および前記第２の電極（２ａ、２ｂ）は、互いから離間して配設されている
請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載の半導体部品。
【請求項７】
前記電極（１ａ、１ｂ、１ｃ、２ａ、２ｂ）のうち少なくとも１つは、前記第１の電極および前記第２の電極が配設されていない少なくとも１つの平面内でコンタクトと接している
請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の半導体部品。
【請求項８】
電極に接しているコンタクトはすべて、前記第１の電極および前記第２の電極の同じ面に配設されている請求項７に記載の半導体部品。
【請求項９】
電極に接しているコンタクトはすべて同じ平面内に配設されている請求項８に記載の半導体部品。
【請求項１０】
前記第１の電極（１ａ、１ｂ、１ｃ）の一部または全ては、共通の第１のバス（６）によって接続されている、
前記第２の電極（２ａ、２ｂ）の一部または全ては、共通の第２のバス（７）によって接続されている、および
同じ機能を持つ電極は全て、共通のバスによって接続されている
の少なくとも１つの特徴を有する請求項１から請求項９のうちいずれか一項に記載の半導体部品。
【請求項１１】
前記第１のバス及び前記第２のバス（６、７）のうち少なくとも１つは、前記基板（４）が平面状に広がっている平面に対して平行な平面であって、前記基板も前記第１の電極および前記第２の電極（１ａ、１ｂ、１ｃ、２ａ、２ｂ）のいずれも配設されていない平面に配設されている
請求項１０に記載の半導体部品。
【請求項１２】
前記第１のバス及び前記第２のバス（６、７）のうち少なくとも１つは、前記第１の電極および前記第２の電極の面のうち前記基板とは反対側の面に配設されている請求項１１に記載の半導体部品。
【請求項１３】
少なくとも１つのビアコンタクト（４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４２ａ、４２ｂ）は、前記バス（６、７）のうち少なくとも１つと、対応する前記バスによって接続される前記第１の電極および前記第２の電極（１ａ、１ｂ、１ｃ、２ａ、２ｂ）との間に配設されており、前記ビアコンタクトによって、前記第１の電極および前記第２の電極は前記対応するバスと電気的に接続されている
請求項１０から１２の何れか１項に記載の半導体部品。
【請求項１４】
前記ビアコンタクト（４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４２ａ、４２ｂ）のうち少なくとも一部は、長尺形状を持ち、長手方向は、前記第１の電極（１ａ、１ｂ、１ｃ）および前記第２の電極（２ａ、２ｂ）の少なくとも一方に平行である
請求項１３に記載の半導体部品。
【請求項１５】
前記第１のバス及び前記第２のバス（６、７）と前記第１の電極および前記第２の電極（１ａ、１ｂ、１ｃ、２ａ、２ｂ）との間において、前記ビアコンタクト（４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４２ａ、４２ｂ）が配設されていない箇所に配設されている少なくとも１つの絶縁層（４３）
を備える、請求項１３または請求項１４に記載の半導体部品。
【請求項１６】
前記第１のバス及び前記第２のバス（６、７）のうち少なくとも１つは、平面形状を持ち、表面が前記基板に対して平行である
請求項１３から請求項１５のうちいずれか一項に記載の半導体部品。
【請求項１７】
前記第１のバス及び前記第２のバス（６、７）のうち少なくとも１つに配設され、対応する前記バスを接触させるための少なくとも１つの接合部分（１１、１２）
を備える、請求項１３から請求項１６のうちいずれか一項に記載の半導体部品。
【請求項１８】
前記基板（４）は半円状で、
前記第１の電極（１ａ、１ｂ、１ｃ）および前記第２の電極（２ａ、２ｂ）は、前記基板の中心に対して同心円状に環状に配設されており、
前記第１のバス（６）および前記第２のバス（７）は、円形領域の一部としてとして構成されている
請求項１０から請求項１６のうちいずれか一項に記載の半導体部品。
【請求項１９】
前記第１のバス（６）および前記第２のバス（７）は半円として構成されている請求項１８に記載の半導体部品。
【請求項２０】
１以上の別の極性および機能の少なくとも一方を持つ１以上の別の電極
を備える、請求項１から請求項１９のうちいずれか一項に記載の半導体部品。
【請求項２１】
前記電極（１ａ、１ｂ、１ｃ、２ａ、２ｂ）のうち少なくとも１つ、前記ビアコンタクトのうち少なくとも１つ、および前記バス（６、７）のうち少なくとも１つから選択される少なくとも１つは、金属を含む
請求項１３に記載の半導体部品。
【請求項２２】
前記第１の電極および前記第２の電極のうち少なくとも１つ、前記ビアコンタクトのうち少なくとも１つ、および前記バス（６、７）のうち少なくとも１つから選択される少なくとも１つは、少なくとも２つの金属層を含む
請求項２１に記載の半導体部品。
【請求項２３】
前記基板（４）および前記ビアコンタクト（４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４２ａ、４２ｂ）のうち少なくとも１つから選択される少なくとも１つは、第ＩＩＩ族元素の窒化物を持つ
請求項１３に記載の半導体部品。
【請求項２４】
前記基板および前記ビアコンタクトのうち少なくとも１つから選択される少なくとも１つは、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮおよびＡｌＧａＩｎＮのうちの少なくとも１つを含む
請求項２３に記載の半導体部品。
【請求項２５】
前記半導体部品は、少なくとも１つのトランジスタおよび少なくとも１つのダイオードのうちの少なくとも一方を含むか、または、少なくとも１つのトランジスタおよび少なくとも１つのダイオードのうちの少なくとも一方である
請求項１から請求項２４のうちいずれか一項に記載の半導体部品。
【請求項２６】
少なくとも１つの基板（４）に対するコンタクトを製造する方法であって、
前記基板に、少なくとも１つの長尺状の第１の電極（１ａ、１ｂ、１ｃ）および少なくとも１つの長尺状の第２の電極（２ａ、２ｂ）を配設する段階を有し、
前記第１および第２の電極はそれぞれ、長手方向に閉じる
方法。
【請求項２７】
請求項１から請求項２５のうちいずれか一項に記載の半導体部品が製造される
請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
高温部品として、請求項１から請求項２５のうちいずれか一項に記載の半導体部品を備える装置。