【手続補正書】
【提出日】平成23年10月3日(2011.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
本発明は、反射防止コーティングに有用なシルセスキオキサン樹脂であって、式：
（ＰｈＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）m（ＨＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）n（ＭｅＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）o（ＲＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）p
（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒは反応性の有機官能基又は硬化性基から選択され、Ｒ’はヒドリド基又は１個〜４個の炭素原子を有する炭化水素基であり、ｘの値は０、１又は２であり、ｍの値は０．０１〜０．９７であり、ｎの値は０．０１〜０．９７であり、ｏの値は０．０１〜０．９７であり、ｐの値は０．０１〜０．９７であり、且つｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＝１）を有するシルセスキオキサン樹脂に関する。これらの樹脂を反射防止コーティングに使用する場合、除去段階でコーティングを剥離する（stripped）ことができる。さらに、シルセスキオキサン樹脂におけるヒドリド基の存在は、１９３ｎｍのＡＲＣ材料としての所望の硬化特性及び剥離能に必須である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明は、
（ｉ）式：
（ＰｈＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）m（ＨＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）n（ＭｅＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）o（ＲＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）p
（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒは反応性の有機官能基又は硬化性基から選択され、Ｒ’はヒドリド基又は１個〜４個の炭素原子を有する炭化水素基であり、ｘの値は０、１又は２であり、ｍの値は０．０１〜０．９７であり、ｎの値は０．０１〜０．９７であり、ｏの値は０．０１〜０．９７であり、ｐの値は０．０１〜０．９７であり、且つｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＝１）を有するシルセスキオキサン樹脂と、
（ｉｉ）溶媒と
を含む反射防止コーティング（ＡＲＣ）組成物にも関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、
（Ａ）電子デバイスに、
（ｉ）式：
（ＰｈＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）m（ＨＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）n（ＭｅＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）o（ＲＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）p
（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒは反応性の有機官能基又は硬化性基から選択され、Ｒ’はヒドリド基又は１個〜４個の炭素原子を有する炭化水素基であり、ｘの値は０、１又は２であり、ｍの値は０．０１〜０．９７であり、ｎの値は０．０１〜０．９７であり、ｏの値は０．０１〜０．９７であり、ｐの値は０．０５〜０．９５であり、且つｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＝１）を有するシルセスキオキサン樹脂と、
（ｉｉ）溶媒と
を含むＡＲＣ組成物を塗布すること、及び
（Ｂ）溶媒を除去すると共にシルセスキオキサン樹脂を硬化させて、電子デバイス上に反射防止コーティングを形成すること
を含む、電子デバイス上に反射防止コーティングを形成する方法にも関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
反射防止コーティングを形成するのに有用なシルセスキオキサン樹脂は、式：
（ＰｈＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）m（ＨＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）n（ＭｅＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）o（ＲＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）p
（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒは反応性の有機官能基又は硬化性基から選択され、Ｒ’は独立してヒドリド基又は１個〜４個の炭素原子を有する炭化水素基であり、ｘの値は０、１又は２であり、ｍの値は０．０１〜０．９７であり、ｎの値は０．０１〜０．９７であり、ｏの値は０．０１〜０．９７であり、ｐの値は０．０１〜０．９７であり、且つｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＝１）を有する。典型的には、ｍの値は０．０２〜０．７、代替的には０．１０〜０．５０である。典型的には、ｎの値は０．０５〜０．９０、代替的には０．１０〜０．５０である。典型的には、ｏの値は０．０５〜０．９０、代替的には０．１０〜０．６０である。典型的には、ｐの値は０．０２〜０．２０、代替的には０．０５〜０．１５である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明は、
（ｉ）式：
（ＰｈＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）m（ＨＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）n（ＭｅＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）o（ＲＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）p
（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒは反応性の有機官能基又は硬化性基から選択され、Ｒ’はヒドリド基又は１個〜４個の炭素原子を有する炭化水素基であり、ｘの値は０、１又は２であり、ｍの値は０．０１〜０．９７であり、ｎの値は０．０１〜０．９７であり、ｏの値は０．０１〜０．９７であり、ｐの値は０．０１〜０．９７であり、且つｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＝１）を有するシルセスキオキサン樹脂と、
（ｉｉ）溶媒と
を含む反射防止コーティング（ＡＲＣ）組成物にも関する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式：
（ＰｈＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）m（ＨＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）n（ＭｅＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）o（ＲＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）p
（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒは反応性の有機官能基又は硬化性基から選択され、Ｒ’はヒドリド基又は１個〜４個の炭素原子を有する炭化水素基であり、ｘの値は０、１又は２であり、ｍの値は０．０１〜０．９７であり、ｎの値は０．０１〜０．９７であり、ｏの値は０．０１〜０．９７であり、ｐの値は０．０１〜０．９７であり、且つｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＝１）を有するシルセスキオキサン樹脂。
【請求項２】
Ｒがアクリレート基である請求項１に記載のシルセスキオキサン樹脂。
【請求項３】
Ｒがエポキシ基である請求項１に記載のシルセスキオキサン樹脂。
【請求項４】
（ｉ）式：
（ＰｈＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）m（ＨＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）n（ＭｅＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）o（ＲＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）p
（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒは反応性の有機官能基又は硬化性基から選択され、Ｒ’はヒドリド基又は炭化水素基であり、ｘの値は０、１又は２であり、ｍの値は０．０１〜０．９７であり、ｎの値は０．０１〜０．９７であり、ｏの値は０．０１〜０．９７であり、ｐの値は０．０１〜０．９７であり、且つｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＝１）を有するシルセスキオキサン樹脂と、
（ｉｉ）溶媒と
を含む組成物。
【請求項５】
前記組成物が遊離基開始剤をさらに含有する請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
前記組成物が、光酸発生剤、熱酸発生剤、光塩基発生剤又は熱塩基発生剤から選択される添加剤をさらに含有する請求項４に記載の組成物。
【請求項７】
（Ａ）電子デバイスに、
（ｉ）式：
（ＰｈＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）m（ＨＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）n（ＭｅＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）o（ＲＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）p
（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒは反応性の有機官能基又は硬化性基から選択され、Ｒ’はヒドリド基又は炭化水素基であり、ｘの値は０、１又は２であり、ｍの値は０．０１〜０．９７であり、ｎの値は０．０１〜０．９７であり、ｏの値は０．０１〜０．９７であり、ｐの値は０．０５〜０．９５であり、且つｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＝１）を有するシルセスキオキサン樹脂と、
（ｉｉ）溶媒と
を含む反射防止コーティング組成物を塗布すること、及び
（Ｂ）前記溶媒を除去すると共に前記シルセスキオキサン樹脂を硬化させて、前記電子デバイス上に反射防止コーティングを形成すること
を含む、電子デバイス上に反射防止コーティングを形成する方法。
【請求項８】
前記反射防止コーティング組成物が遊離基開始剤をさらに含有する請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記反射防止コーティング組成物が、光酸発生剤、熱酸発生剤、光塩基発生剤又は熱塩基発生剤から選択される添加剤をさらに含有する請求項７に記載の方法。