【事件の表示】
　特願２００２−２１９０８４「磁性膜」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年２月２６日出願公開、特開２００４−　６２９８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　本願は，平成１４年７月２９日の出願であって、その請求項１及び２に係る発明は、当審による拒絶理由通知に対して提出された、平成２３年１月２１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるものであって、その請求項１に係る発明(以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
　
　「Ｐｔを４０ａｔ％〜６０ａｔ％の範囲内で含み、３ｄ遷移金属元素を２種類以上含み、３ｄ遷移金属元素の合計の含有量が６０ａｔ％〜４０ａｔ％の範囲内である、ＣｒＦｅＰｔ磁性膜、ＦｅＣｏＰｔ磁性膜、ＦｅＣｏＮｉＰｔ磁性膜、ＭｎＦｅＣｏＣｕＰｔ磁性膜からなる群から選ばれる何れか１種の磁性膜であり、３ｄ遷移金属元素中の、各元素の価電子数の平均が、含有比率による平均で７．５〜９の範囲内であり、下記式（１）から得られる規則度Ｓが、０．５〜１の範囲内であり、磁性を有することを特徴とする磁性膜。
Ｓ＝［｛Ｆ(002）2／Ｆ(001）2｝×｛Ｌ(002）／Ｌ(001）｝×｛Ａ(002）／Ａ(001）｝×｛Ｉ(001）／Ｉ(002）｝］1／2　・・・　式（１）
　
　式（１）中の、Ｆ(面方位）、Ｌ(面方位）、Ａ(面方位）、Ｉ（面方位）は、それぞれ各面方位における磁性膜の、構造因子、ローレンツ因子、吸収因子、Ｘ線回折（θ／２θ）による積分強度を示す。」
　
２．当審が通知した拒絶理由
　当審が平成２２年１１月２６日付けで通知した拒絶の理由の概要は次のとおりである。
　
　成膜条件をどのようにしたら、「規則度Ｓ」を所定の範囲にすることができるのか、発明の詳細な説明に記載すべきであると解されるが、「規則度Ｓ」を所定の範囲にするための条件については何ら記載されていないから、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているということはできない。
　したがって、この出願は、発明の詳細な説明の記載が特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　
３．当審の判断
　本願発明において、式（１）から得られる規則度Ｓが、０．５〜１の範囲内であることは、本願発明を特定するために必要な事項である。
　そこで、式（１）の技術的意義について、検討する。
　式（１）について、発明の詳細な説明には、次のとおり記載されている。
　(以下、下線は当審で付加した。）
　
「【0025】
　
本発明の磁性合金は、下記式（２）から得られる規則度Ｓを、０．５〜１の範囲内、より好ましくは０．８〜１の範囲内とする
　
Ｓ＝［｛Ｆ(002）2／Ｆ(001）2｝×｛Ｌ(002）／Ｌ(001）｝×｛Ａ(002）／Ａ(001）｝×｛Ｉ(001）／Ｉ(002）｝］1／2　・・・　式（２）
　
　式（２）中の、Ｆ(面方位）、Ｌ(面方位）、Ａ(面方位）、Ｉ（面方位）は、それぞれ各面方位における磁性合金の、構造因子、ローレンツ因子、吸収因子、Ｘ線回折（θ／２θ）による積分強度を示す。
ここで実際の計算に用いる原子散乱因子、ローレンツ因子、質量吸収係数μ／ρの値を表１に示す
【0026】
　なお構造因子は、
Ｆ(001）＝ｆ((３ｄ遷移金属元素）001）−ｆ(Ｐｔ001）
Ｆ(002）＝ｆ((３ｄ遷移金属元素）002）＋ｆ(Ｐｔ002）
で表され、ｆは原子散乱因子を示す。ｆ((３ｄ遷移金属元素）001）およびｆ((３ｄ遷移金属元素）002）は、磁性合金に含まれる３ｄ遷移金属元素での原子散乱因子の平均値であり、例えば、ＦｅとＣｏを２：１で含む場合は、
ｆ((３ｄ遷移金属元素）001）＝｛ｆ(Ｆｅ001）×２＋ｆ(Ｃｏ001）×１｝／３
ｆ((３ｄ遷移金属元素）002）＝｛ｆ(Ｆｅ002）×２＋ｆ(Ｃｏ002）×１｝／３
で求める。
【0027】
　Ｌ(001）、Ｌ（002）はローレンツ因子であり、
Ｌ(面方位）＝(１＋ｃｏｓ2２θ／ｓｉｎ２θ）
で表される。垂直記録媒体の際には容易軸方向を垂直方向に向ける必要がある。そのような媒体のθ／2θ測定における値として、このローレンツ因子を用いることが出来る。この値は元素によってほとんど変化しないため表１の値を用いる。
【0028】
　Ａ(001），A（002）は吸収因子であり、Ａ(面方位)＝１−ｅｘｐ（−２μｄ／ｓｉｎθ）で表される。ここでμは線吸収係数であり、ｄは膜厚（単位：ｃｍ）である。
【0029】
　合金のμ値は表中の質量吸収係数μ／ρを用い、以下のように質量比を反映した値を用いる。
【0030】
　μ合金＝ρ合金[w1(μ／ρ)1＋ w2(μ／ρ)2＋…]
　ここでμ合金, ρ合金, w1, (μ／ρ)1はそれぞれ合金の線吸収係数、合金の密度、合金１の質量％、合金１の質量吸収係数である。合金系の違いによって生じるθ値の変化がＡ値に及ぼす影響は小さいので、こここではθ=１１．９度を用いた。」
　「【0036】
【実施例】
(実施例１〜５）
ＭｇＯの単結晶基板（面方位(100)）表面に、電子線ビーム蒸着装置を用いて磁性膜を成膜した。基板温度は５００℃、成膜厚は５００オングストロームとした。
【0037】
　成膜した磁性膜について磁気特性を測定した。
Ｓの測定にはθ／2θのＸ線回折を用い
測定結果を表２に示す
　
　上記記載によれば、「式(2)(式(1)と同じ）から得られる規則度Ｓ」を決定する因子のうち、構造因子Ｆ（面方位）については、合金の組成が決まれば、表１の数値から計算で求めることができる。
　ローレンツ因子Ｌ（面方位）については、表１によれば、Ｌ(001）＝4.55、Ｌ(002）＝1.90であるから、｛Ｌ(002)／Ｌ(001)｝＝1.90／4.55＝0.4176≒0.42となる。
　吸収因子Ａについては、表１には、(μ／ρ）の数値が001と002とで区別されておらず、A（001）とA（002）とで差が生じないから、｛Ａ(002)／Ａ(001)｝＝１となり、吸収因子Ａは、規則度Ｓに対して何ら影響しない。
　しかし、「Ｘ線回折（θ／２θ）による積分強度Ｉ」(面方位）については、Ｘ線源にＣｕ−Ｋα線を用いることが、本願明細書に記載されているにすぎない。
　表２についてみると、同じＣｒＦｅＰｔ系合金を用いた、実施例１と実施例５を比較すると、組成は実施例１でＣｒ12Ｆｅ36Ｐｔ52、実施例５でＣｒ12Ｆｅ38Ｐｔ50と両者は、Ｆｅ、Ｐｔの割合がわずか２％異なる(なお、価電子数の平均は前者で７．５５、後者で７．５とわずか０．０５異なるだけである。）にもかかわらず、規則度Ｓの値は前者では０．８５であるのに対し、後者では０．４と大きく異なっている。
　
　上記のとおり、組成がほぼ同じであれば、構造因子、ローレンツ因子、吸収因子にほとんど差が生じないから、規則度Ｓが大きく異なるとすれば、「Ｘ線回折（θ／２θ）による積分強度」すなわち、Ｉ(001)／Ｉ(002)の値が大きく異なることが原因であると解されるが、どのようにしたら、Ｉ(001)／Ｉ(002)の数値を調整して規則度Ｓを所定の範囲にすることができるのか、発明の詳細な説明には記載されていない。
　
　そうすると、組成が同じであっても規則度Ｓの値は成膜条件等によって異なるのであるから、本願発明を実施しようとする際には、成膜条件を検討して磁性薄膜を作成しては規則度Ｓを測定するという試行錯誤を繰り返すことが必要となるから、当業者に期待しうる程度を越えて過度の試行錯誤を強いることになる。
　してみれば、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているということはできない。
　
　この点について、請求人は意見書において、次のとおり主張している。
　「以上のことから、
類似する組成の磁性膜では、規則度ＳはＸ線回折による積分強度Ｉによって支配的となります
Ｘ線回折による積分強度Ｉは磁性膜の結晶配向性に由来する値であり、特にそれは磁性膜の成膜条件によって変化し易く、成膜条件を制御することで規則度Ｓを所定の値に制御することが可能となります
　本願発明の技術分野では、
磁性膜の結晶配向性制御において、成膜条件のＸ線回折による最適化は一般的に行われている
　「前述のように
規則度Ｓは、類似する組成の磁性膜では、Ｘ線回折による積分強度Ｉ、すなわち結晶配向性に大きく依存します
磁性膜はその組成により結晶配向性が変化し、２％程度の僅かな組成変化でもＸ線回折による積分強度Ｉが急激に高まる場合があります
　
　しかしながら、磁性膜の結晶配向性制御において成膜条件のＸ線回折による最適化は一般的に行われているとしても、Ｘ線回折による積分強度Ｉについて、Ｉ(001)／Ｉ(002)の数値と結晶配向性との関係は、発明の詳細な説明において何ら記載されておらず、結晶配向性をどのように制御すれば、Ｉ(001)／Ｉ(002)の値がどのように変化するのか、明らかにされていない。
　しかも、磁性合金の組成のわずかな変動によって配向性が大きく変化するのであれば、なおさら、磁性膜の規則度Ｓを所定の範囲とするための条件を探し当てることは困難であるといわざるを得ない。
　
　したがって、請求人の上記主張を考慮しても、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているということはできない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、この出願は、発明の詳細な説明の記載が特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしておらず、特許法第４９条第４号の規定により、拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。