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　特願２０００−５５８５５７「シリコン薄膜，集積化された太陽電池，モジュール，及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　１月１３日国際公開、ＷＯ００／０２２５３、平成１４年　７月　９日国内公表、特表２００２−５２０８１８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、１９９９年（平成１１年）７月１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９８年７月２日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成１３年２月７日付けで手続補正がなされたが、平成２０年７月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月１４日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同日付け及び同年１１月１３日付けで手続補正がなされた後、平成２１年８月２６日付けで特許法第１６３条第２項の規定に基づく拒絶理由通知がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２０年１１月１３日付け手続補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
　
「(a) 電気的に絶縁性の基板と、
　(b) 第１の導電型を有する電気的に高導電性の材料を備え、上記基板上あるいは内に形成された第１のオーミックコンタクト層、ここで該第１のオーミックコンタクト層は、少なくとも、珪素、炭素、およびグラファイトからなるグループから選択された１つの材料を含む、と、
　(c) 上記第１のオーミックコンタクト層と同様の第１の導電型を有し、上記第１のオーミックコンタクト層上に形成された第１の半導体材料ドープ層と、
　(d) 上記第１の半導体材料ドープ層とは逆の導電型を有し、上記第１の半導体材料ドープ層との間にｐ−ｎ接合を形成するように、上記第１の半導体材料ドープ層上に形成された第２の半導体材料ドープ層と、
　(e) 上記第１のオーミックコンタクト層から物理的に分離され、上記第２の半導体材料ドープ層上に形成された第２のオーミックコンタクト層と、を備えた、
　ことを特徴とする太陽電池。」
　
３　刊行物の記載
　平成２１年８月２６日付けで通知した拒絶の理由に引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１０−１１７００６号公報（以下「引用刊行物」という。）には、以下の記載がある。
　
「【００１２】
【発明の実施の形態】図１において、本発明の１つの実施の形態による薄膜光電変換装置が模式的な断面図で概略的に図解されている。この薄膜光電変換装置は、ガラス基板１上に順次積層された下地導電層２，金属反射層３，多結晶光電変換層４，および透明導電層５を含んでいる。
【００１３】下地導電層２としては、たとえば５００℃以上の温度において熱ＣＶＤ法を用いて、高濃度にリンがドープされたｎ+ 型多結晶シリコン層をガラス基板１上に堆積することができる。このとき、熱ＣＶＤ条件（温度，圧力，反応ガス流量等）を適切に調節することによって、下地導電層２の自由表面２Ｓに微細な凹凸を含むテクスチャ構造を形成することができる。これらの凹凸は、たとえば０．０５〜３μｍの範囲内の高低差で形成し得る。
・・・
【００１５】実質的に多結晶の光電変換層４は、プラズマＣＶＤ法によって形成され得る。ここで、「実質的に多結晶」とは、完全な多結晶体を意味するのみならず、少量のアモルファスを含む多結晶体をも含むことを意味している。たとえば、光電変換層４は、体積結晶化分率８０％以上の多結晶シリコンで形成され得る。多結晶光電変換層４として、ｎ型層４ｎ，ｉ型層４ｉ，およびｐ型層４ｐが順次堆積される。プラズマＣＶＤ条件としては、たとえば、０．０１〜５Ｔｏｒｒの圧力と５０〜５５０℃の温度の範囲を利用することができる。また、ｎ型層４ｎは、たとえばホスフィン，シラン，および水素を含む混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成され得る。次に、実質的に真性の半導体であるｉ型層４ｉは、導電型不純物を含まないシランガスと水素との混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって堆積される。さらにｐ型半導体層４ｐは、ジボラン，シラン，および水素を含む混合ガスを用いるプラズマＣＶＤ法によって堆積される。」
　
４　引用発明
　上記３によれば、引用刊行物には、次の発明が記載されているものと認められる。
　
「ガラス基板１上に順次積層された下地導電層２、金属反射層３、多結晶光電変換層４、および透明導電層５を含む薄膜光電変換装置において、前記下地導電層２は、高濃度にリンがドープされたｎ+ 型多結晶シリコン層であり、前記多結晶光電変換層４は、ｎ型層４ｎ、ｉ型層４ｉ、及びｐ型層４ｐが順次堆積されたものである薄膜光電変換装置。」（以下「引用発明」という。）
　
５　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「ガラス基板１」は、本願発明の「電気的に絶縁性の基板」に相当する。
　そして、引用発明の「『高濃度にリンがドープされたｎ+ 型多結晶シリコン層』である『下地導電層２』」及び「ｎ型層４ｎ」は、それぞれ、本願発明の「『少なくとも、珪素、炭素、およびグラファイトからなるグループから選択された１つの材料を含む』『第１の導電型を有する電気的に高導電性の材料を備え、上記基板上あるいは内に形成された第１のオーミックコンタクト層』」及び「上記第１のオーミックコンタクト層と同様の第１の導電型を有し、上記第１のオーミックコンタクト層上に形成された第１の半導体材料ドープ層」に相当する。
 　 
（２）引用発明の「ｐ型層４ｐ」は、「上記第１の半導体材料ドープ層とは逆の導電型を有し、上記第１の半導体材料ドープ層上に形成された第２の半導体材料ドープ層」である点で、本願発明の「上記第１の半導体材料ドープ層とは逆の導電型を有し、上記第１の半導体材料ドープ層との間にｐ−ｎ接合を形成するように、上記第１の半導体材料ドープ層上に形成された第２の半導体材料ドープ層」と一致する。
　
（３）引用発明の「透明導電層５」及び「薄膜光電変換装置」は、それぞれ、本願発明の「上記第１のオーミックコンタクト層から物理的に分離され、上記第２の半導体材料ドープ層上に形成された第２のオーミックコンタクト層」及び「太陽電池」に相当する。
 　 
（４）以上によれば、両者は、
「電気的に絶縁性の基板と、
　第１の導電型を有する電気的に高導電性の材料を備え、上記基板上あるいは内に形成された第１のオーミックコンタクト層、ここで該第１のオーミックコンタクト層は、少なくとも、珪素、炭素、およびグラファイトからなるグループから選択された１つの材料を含む、と、
　上記第１のオーミックコンタクト層と同様の第１の導電型を有し、上記第１のオーミックコンタクト層上に形成された第１の半導体材料ドープ層と、
　上記第１の半導体材料ドープ層とは逆の導電型を有し、上記第１の半導体材料ドープ層上に形成された第２の半導体材料ドープ層と、
　上記第１のオーミックコンタクト層から物理的に分離され、上記第２の半導体材料ドープ層上に形成された第２のオーミックコンタクト層と、を備えた、
　太陽電池。」
である点で一致し、
「本願発明は、第２の半導体材料ドープ層が第１の半導体材料ドープ層との間にｐ−ｎ接合を形成するものであるのに対して、引用発明は、ｎ型層４ｎ、ｉ型層４ｉ、及びｐ型層４ｐが順次堆積されたものである点。」（以下、単に「相違点」という。）
で相違するものと認められる。
　　
６　判断
　光電変換層として、ｐ−ｎ接合を形成するものは、例示するまでもなく、本願優先日当時において周知の技術であるから、引用発明の「ｎ型層４ｎ、ｉ型層４ｉ、及びｐ型層４ｐが順次堆積された」構成に代えてｐ−ｎ接合を形成するものとし、相違点に係る本願発明の構成とすることは、当業者が適宜なし得ることである。
　よって、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものというべきである。
　
７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。