【事件の表示】
　特願２００２−２９１７５８「ＣＶＤ成膜装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　４月２２日出願公開、特開２００４−１２４１９５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１４年１０月４日の出願であって、平成２０年１月２９日付け拒絶理由通知書が送付され、同年３月１０日付け手続補正書が提出されたところ、平成２０年６月２３日付けで最後の拒絶理由通知書が送付されたので、これに対して、同年８月２０日付け意見書を提出したが、同年９月１１日付けで拒絶査定されたものである。
　そして、本件審判は、この拒絶査定を不服として平成２０年１０月６日付けで請求されたもので、その後、当審において、平成２２年７月６日付け拒絶理由通知書が送付され、同年８月２３日付け手続補正書が提出されたが、同年１１月２９日付けで再び拒絶理由通知書が送付され、これに対し、平成２３年１月３１日付け手続補正書が提出されている。
　
第２　本願発明
　本願の発明は、平成２３年１月３１日付け手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜２に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりのものである。
 　 
「【請求項１】　基板が収納される薄膜成長容器と、
　少なくとも１種類以上の金属イオンを含有する液体原料を前記薄膜成長容器内へ霧状に微粒化して噴霧する１本以上の噴霧ノズルと、
　液体原料を貯留する液体原料貯留部と前記噴霧ノズルとを接続する液体原料供給パイプを覆う被覆パイプと、この被覆パイプ内に通水する通水装置とを有し、液体原料を前記噴霧ノズルから噴霧される直前まで一定温度に維持する温度維持手段と、
　前記噴霧ノズルと前記基板の収納位置との間の互いに連絡する空間内であって前記噴霧ノズルから噴霧された液体原料の飛沫がそのまま前記基板に到達するのを遮る位置に配置され、前記噴霧ノズルから噴霧された液体原料を加熱して気化させる加熱部と、
　原料ガスを前記薄膜成長容器内へ供給する原料ガス供給部と、
を有し、
　前記噴霧ノズルから噴霧された液体原料が前記加熱部に加熱されて気化することにより生成された気化ガスと前記原料ガス供給部から供給された原料ガスとを、前記加熱部が設けられていない前記空間から前記基板に導くようにした、ＣＶＤ成膜装置。 」
　
第３　当審の拒絶理由の概要
　当審の平成２２年１１月２９日付け拒絶理由の概要は以下のとおりのものである。
　
「本願発明１は、その出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である下記の引用例１〜２に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　記
　　引用例１；国際公開０１／３８６０１号
　　引用例２；特開２０００−２２３４８１号公報」
　
第４　引用例とその記載事項 
 　当審の拒絶理由に引用された引用例１及び引用例２には、以下の記載がある。 
 　 
（１）引用例１；国際公開０１／３８６０１号  
（１ａ）； 
「1.  An apparatus for depositing a precursor onto a substrate,
comprising:
         　　　  a CVD reaction chamber with an interior containing a substrate holder adapted to support a substrate at a predetermined position within said CVD reaction chamber; and
                 an ultrasonic nebulizer operatively connected to said CVD reaction chamber and adapted to connect to a source of liquid precursor, said ultrasonic nebulizer having an atomizing discharge end adapted to atomize incoming liquid precursor and deposit the atomized precursor onto a substrate supported by said holder.
2.  The deposition apparatus of claim 1, further comprising:
                a gas distribution member disposed within the interior of said CVD 
reaction chamber, said gas distribution member connectable to a source of gas for dischargeing a directionally oriented gas into the atomized precursor to direct the atomized precursor onto the substrate.
　　　　　　　　　　　（中略）
8.  The deposition apparatus of claim 2, further comprising:
                a heated vaporizer plate disposed between said gas distribution member and said substrate holder to assist in the vaporization of the liquid precursor.
9.  The deposition apparatus of claim 8, wherein said vaporizer plate includes a wall extending therefrom and contacting said CVD reaction chamber to form an enclosure surrounding said gas distribution member and said atomizing discharge end of said ultrasonic nebulizer so as to minimize the ingress of liquid precursor into said CVD reaction chamber.
10.  The deposition apparatus of claim 9, wherein said vaporizer plate has perforations allowing only vaporized precursor and discharge gas to pass therethrough.
                　　  (以下省略)　」（１７〜２２頁、特許請求の範囲）
 
（１ｂ）；
「 In one embodiment, a vaporization zone is provided around the ultrasonic nebulizer and the gas distribution ring.
Specifically, side walls, a vaporizer plate, and the cover member of the CVD reaction chamber define the boundaries of the vaporization zone. The side walls particularly prevent any unvaporized precursor droplets from bypassing the vaporizer plate and possibly contacting the silicon wafer or the side walls of the CVD reaction chamber.
Preferably, the vaporizer plate is heated to a temperature above the vaporization temperature of the particular precursor being deposited.」（５頁１８行〜６頁３行）
 
（１ｃ）；
「 Although the CVD apparatus 10 is capable of depositing a wide variety of precursor onto a semiconductor wafer, such as a silicon wafer, the CVD apparatus is especially adapted to use a copper-based precursor, such as CupraSelectTM Blend also know as Copper-HVAC-TMVS, to deposit a copper film onto the silicon wafer.
CupraSelectTM Blend is available from Schumacher, Carlsbad, California 92009. A source of sweeping gas 22 is connected to the CVD reaction chamber 14. Advantageousuly, the sweeping gas is of the type that does not react with the copper -based precursor, such as for example hydrogen or helium. One advantage of using hydrogen is that it creates a reducing environment which prevents the deposited metal from oxidizing. One advantage of using helium is that it has a high specific heat. An ultrasonic energy generator 24 is connected to the ultrasonic nebulizer 12 to provide ultrasonic energy to the ultrasonic nebulizer 12 sufficient to atomize the liquid precursor.」（８頁３〜１９行）
 
（１ｄ）；
「 Another embodiment similar to embodiment described above is shown in Fig. 3. To further ensure that all of the atomized precursor vaporizes before reaching the silicon wafer or the side and bottom walls 30, 32, a vaporization zone 90 is provided around the ultrasonic nebulizer 12 and the gas distribution ring 78. Specifically, side walls 92, vaporizer plate 94, and cover member 34 define the boundaries of the vaporization zone 90. The said walls 92 particularly prevent any unvaporized precursor droplets from bypassing the vaporizer plate 90 and possibly contacting the silicon wafer 42 or the side walls 30 of the CVD reaction chamber 14.
  The vaporizer plate 94 has a plurality of throughholes 96 oriented perpendicularly to the surface of the silicon wafer 42.
Advantageously, the vaporizer plate 94 is made from thermally conducting metal which is corrosion resistant, such as a commercially pure nickel, a nickel-base alloy such as Hastalloy C-22, or an anodized aluminium. Preferably, the vaporizer plate 94 is heated to a temperature above the vaporization temperature of the particular precursor being deposited. For example, if CupraSelectTM Blend, a copper-based precursor, is utilized, the vaporizer plate 94 is heated to a temperature in the range of about 60-100℃.
Consequently, any liquid droplets of precursor that do contact the vaporizer plate 94 will be vaporized instead of passing onto the silicon wafer 42. The throughholes 96 in the vaporizer plate 94 allow the sweeping gas and the precursor vapor to pass therethrough in a direction substantially toward the surface of the silicon wafer 42. 」（１４頁８行〜１５頁１０行）
　
（１ｅ）；
「The sweeping gas discharged from the discharge holes 82 mixes with the atomized precursor, giving the overall gas mixture a substantial velocity in the direction of the silicon wafer 42.　 Depending on the particular deposition process, the sweeping gas is discharge at about 20 C, At this temperature the sweeping gas contributes little to the evaporation of the precursor existing the ultrasonic nebulizer 12, but instead serves primarily to direct the precursor towards the silicon wafer 42. However, it may be advantageous to heat the sweeping gas to assist in  the evaporation process. In this instance the sweeping gas is heated to between about 50-100 C, preferably about 60 C. As the heated sweeping gas mixes with the atomized precursor discharged from the atomizing discharge end 64 of the ultrasonic nebulizer 12 the vaporization rate of the atomized precursor increases noticeably. The waste exhaust gases exit from the otherwise sealed CVD reaction chamber 14 via exhaust port 84. It will be appreciated that the gas distribution ring 78 could be removed altogether from the CVD reaction chamber 14.
However, the vaporization effectiveness would be significantly decreased, possibly leading to unvaporized precursor contacting the side or bottom walls 30, 32 or the silicon wafer 42. 」（１２頁１１行〜１３頁７行）
　
〈引用例１の日本語翻訳文〉
　以下に、上記摘示（１ａ）〜（１ｄ）の翻訳文を示す。
　
（１ａ）；
「【請求項１】　基板上に前駆物質を蒸着させるための装置において、
 　ＣＶＤ反応室であって、前記ＣＶＤ反応室内の所定の位置に基板を支持するようにされた基板ホルダを収容する内部を備えた前記ＣＶＤ反応室、および 
 　前記ＣＶＤ反応室に作動接続されかつ液体前駆物質源に接続されるようにされた超音波ネブライザであって、流入する液体前駆物質を噴霧しかつ噴霧された前駆物質を前記ホルダによって支持された基板上に蒸着させるようにされた噴霧ノズルを有する前記超音波ネブライザを有する前記基板上に前駆物質を蒸着させるための装置。
　【請求項２】　前記ＣＶＤ反応室内部内に配置されたガス分配部材であって、噴霧された前駆物質を前記基板上に指向するため指向性をもって配向されるガスを噴霧された前駆物質内に排出するためのガス源に接続し得る前記ガス分配部材を更に有する請求項１に記載された蒸着装置。
 　　　　　　　　　　　（中略）
　【請求項８】　液体前駆物質の蒸発を支援するため前記ガス分配部材と基板ホルダとの間に配置された加熱される蒸発板を更に有する請求項２に記載された蒸着装置。
　【請求項９】　前記蒸発板が前記ＣＶＤ反応室への液体前駆物質の進入を最小にするように前記ガス分配部材と前記超音波ネブライザの前記噴霧ノズルとを囲む囲いを形成するためそこから延在して前記ＣＶＤ反応室に接触する壁を含む請求項８に記載された蒸着装置。
　【請求項１０】　前記蒸発板が蒸発した前記物質および排出ガスのみがそこを通過することを許容する孔を有する請求項９に記載された蒸着装置。 　　　　　　　　　　（以下省略）」（１７〜２２頁、特許請求の範囲）
 
（１ｂ）；
「一実施例によれば、蒸発領域が超音波ネブライザおよびガス分配リングの周りに設けられている。特に、側壁、蒸発板およびＣＶＤ反応室のカバー部材は、蒸発領域の境界を規定している。側壁はとくに蒸発していない前駆物質の液滴が蒸発板を外れ、かつ、ことによるとシリコンウェーハまたはＣＶＤ反応室の側壁に接触することを阻止している。好ましくは、蒸発板は蒸着する特殊な前駆物質の蒸発温度以上に加熱される。」（５頁１８行〜６頁３行）
 
（１ｃ）；
「ＣＶＤ装置１０は広い範囲の前駆物質を、シリコンウェーハのような、半導体ウェーハ上に蒸着させることができるが、ＣＶＤ装置は特にシリコンウェーハ上に銅フィルムを蒸着させるため”Ｃｏｐｐｅｒ−ＨＶＡＣ−ＴＭＶＳ”としても知られているＣｕｐｒａＳｅｌｅｃｔ（登録商標）混合物のような、銅基前駆物質を使用するようにされている。ＣｕｐｒａＳｅｌｅｃｔ（登録商標）混合物は、・・・シューマッハ社で利用可能である。掃引ガス源２２はＣＶＤ反応室１４に接続されている。有利なことに、掃引ガスは例えば水素またはヘリウムのような、銅基前駆物質と反応しない型のものである。水素を使用することの一つの利点は、水素が蒸着した金属を酸化から守る還元性環境を発生することである。ヘリウムを使用することの一つの利点は、それが大きい比熱を有することである。超音波エネルギ発生措置２４は、超音波ネブライザ１２に液体前駆物質を噴霧するのに十分な超音波エネルギを提供するため、超音波ネブライザ１２に接続されている。」（８頁３〜１９行）
 
（１ｄ）；
「上記実施例と同様の別の実施例を図３に示す。すべての噴霧される前記物質がシリコンウェーハまたは側面もしくは底壁３０，３２３に到達する前に蒸発することを一層確実にするため、蒸発領域９０が超音波ネブライザ１２およびガス分配リング７８の周りに設けられている。とくに、側壁９２、蒸発板９４およびカバー部材３４は蒸発領域９０の境界を規定している。特に側壁９２は、蒸発していない前駆物質の液粒が蒸発板９０を外れ、ことによるとシリコンウェーハ４２またはＣＶＤ反応室１４の側壁３０に接触することを阻止する。 
　蒸発板９４は、シリコンウェーハ４２の表面に垂直に配向された多数の通孔９６を有する。有利なことに、蒸発板９４が商業的に純粋なニッケル、ハステロイＣ−２２のようなニッケル基合金、または電解アルミニウムのような耐食性の伝熱性金属から製造される。好ましくは、蒸発板９４は、蒸着される特殊な前駆物質の蒸発温度以上の温度に加熱される。例えば、キュプラセレクト（登録商標）混合物、すなわち銅基前駆物質が利用されるならば、蒸発板９４は、約６０から１００℃の範囲の温度に加熱される。その結果、蒸発板９４に接触する前駆物質のいかなる液粒もシリコンウェーハ４２上を通過する代わりに蒸発するであろう。蒸発板９４の通孔９６は、掃引ガスおよび前駆物質の蒸気がそこを通ってほぼシリコンウェーハ４２の表面に向かう方向に通過することを許容している。」（１４頁８行〜１５頁１０行）
　
（１ｅ）；
「排出孔８２から排出される掃引ガスは噴霧される前駆物質と混合し、全ガス混合物にシリコーンウェーハ４２の方向にかなりの速度を与える。特殊な蒸着プロセスに従って、掃引ガスは約２０℃で排出される。この温度において、掃引ガス超音波ネブライザを出る前駆物質の蒸発にほとんど影響しないが、その代わり主としてシリコンウェーハ４２に向かって前駆物質を向けるように働く。しかしながら、蒸発プロセスを支援するため掃引ガスを加熱することは有利である。この例において、掃引ガスは約５０から１００℃の間、好ましくは約６０℃に加熱される。加熱された掃引ガスが超音波ネブライザ１２の噴霧ノズル６４から排出された前駆物質と混合するとき、噴霧された前駆物質の蒸発速度は著しく増加する。廃棄される排ガスは、排出ポート８４を通って別の方法で密封されたＣＶＤ反応室１４から排出する。ガス分配リング７８が全体としてＣＶＤ反応室から除去し得ることが理解されよう。しかしながら、蒸発の有効性は著しく低下し、おそらくは蒸発しない前駆物質が側壁または底壁３０，３２もしくはシリコンウェーハ４２に接触するようになる。」（１２頁１１行〜１３頁７行）
　
（２）引用例２；特開２０００−２２３４８１号公報 
（２ａ）；
「【０００９】
 　本発明の目的は、多成分系の強誘電体膜を成膜するための液体又は液化原料を用いる場合でも、原料の供給系部品を高圧対応構造とすることなく、装置の安全性を確保できる半導体装置の製造方法を提供することにある。 
　【００１０】
 　【課題を解決するための手段】（１）上記目的を達成するために、本発明は、容器内に基板を配置し、成膜用の液体原料又は固体原料を液化した液化原料のうち少なくとも一部を微粒化機構で微粒化して前記容器内に供給し、前記基板表面に到達する前に気化させ、その気化した原料を前記基板表面に供給することにより前記基板上に半導体素子用の薄膜を形成する半導体の製造方法において、原料温度調節機構を用いて、前記少なくとも一部の液体原料又は液化原料の温度を、その供給経路のうち少なくとも前記微粒化機構までの部分において沸点未満となるように制御する。本発明においては、原料温度調節機構として例えば冷却手段を用いることによって、微粒化機構までの原料を冷却し、その温度を沸点未満となるように制御する。これにより、多成分系の強誘電体膜を成膜するための液体原料を用いる場合でも、原料を加圧して高圧とすることで沸点となるのを防止する従来構造と異なり、原料供給系部品に高圧対応の強固な構造のものを用いる必要がなくなる。したがって、装置構造の複雑化・大型化やコスト増大を防止できる。また、仮想的にそれらの部品にわずかな漏れが発生した場合でも、高圧液滴が飛散する従来構造と異なり、液滴は低圧であり飛散量も少量で済むので、装置の安全性を確保することができる。」
 
（２ｂ）；
「【００１８】（２）成膜
　ガス置換終了後、第一液体原料２７１、第二液体原料２７２、第三液体原料２７３および酸素や必要に応じて不活性ガスを供給して成膜を行う。具体的には、以下のようである。
　【００１９】（２−Ａ）第一液体原料
　第一液体原料タンク２５１中の第一液体原料２７１は、第一液体原料送出供給部２８１からの第一液体原料送出用ガス配管２６１を経て供給される低圧のガス（例えば１kg/cm2)にて加圧される。低圧で加圧された第一液体原料２７１は、第一液体原料供給管２３１および第一液体原料供給バルブ２２１を経て、第一気化ノズル２１１へ供給される。第一気化ノズル２１１は、断続するパルスで第一液体原料２７１を真空容器５内に噴霧し、例えば約２０μm程度の微細な液滴を生成する。形成された液滴はサセプタ３からの熱でウェハ４に到達する前に完全に気化する。
　【００２０】
　このとき、真空容器５内に配置されたサセプタ３から第一気化ノズル２１１への輻射による温度上昇で、第一気化ノズル２１１から第一液体原料供給管２３１や第一液体原料供給バルブ２２１に向かって熱伝導が生じる。しかしながら、以下に説明するような冷却方法によって、それらの内部を通過する第一液体原料２７１の主成分であるTHFの温度上昇が防止され、その温度が沸点未満に維持されるようになっている。
　【００２１】
　すなわち、第一液体原料供給管２３１および第一液体原料供給バルブ２２１は、第一液体原料温度調節槽５１内に配置されており、第一気化ノズル２１１は、気化ノズル温度調節槽５０に接している。それら第一液体原料温度調節槽５１及び気化ノズル温度調節槽５０内は、流体たとえば水で満たされており、第一液体原料温度調節槽５１は第一液体原料供給管温度調節第一配管４１１および第一液体原料供給管温度調節第二配管４２１を介して、気化ノズル温度調節槽５０は気化ノズル温度調節第一配管４１および気化ノズル温度調節第二配管４２を介して、それぞれ液体原料調節部４０に接続されている。
　【００２２】
 　液体原料調節部４０は、流体の温度を調節する機能を備えており、流体は、液体原料調節部４０→第一液体原料供給管温度調節第一配管４１１→第一液体原料温度調節槽５１→第一液体原料供給管温度調節第二配管４２１→液体原料調節部４０、若しくは、液体原料調節部４０→気化ノズル温度調節第一配管４１→気化ノズル温度調節槽５０→気化ノズル温度調節第二配管４２→液体原料調節部４０という閉ループを循環し、液体原料調節部４０でその温度を調節され、温度が略一定に保たれるようになっている。
　【００２３】
 　液体原料調節部４０における温度調節は、例えば以下のようにして行う。すなわち、第一液体原料供給管温度調節槽５１内の温度を、図１中Ａ部拡大図である図２に示される第一気化ノズル温度検出器７１により測定し、所定の温度より高い場合には、流体の循環量を増大させたりまたは流体の温度自体を低下させることにより第一液体原料供給管温度調節槽５１及び気化ノズル温度調節槽５０内を流れる流体の温度を低下させ、検出値が所定の温度となるようにする。
　【００２４】
 　以上のような温度制御の結果、第一液体原料供給管２３１、第一液体原料供給バルブ２２１、及び第一気化ノズル２１１内の第一液体原料２７１は、その温度がTHFの沸点未満に保持され、溶媒であるTHFと溶質であるBa(DPM)2との分離が防止される。」
　
第５　当審の判断 
　以下の検討にあたり、引用例１の記載については、上記翻訳文によるものとする。
　
１　引用例１に記載された発明
　引用例１の（１ａ）には、請求項１として、「基板上に前駆物質を蒸着させるための装置において、ＣＶＤ反応室であって、前記ＣＶＤ反応室内の所定の位置に基板を支持するようにされた基板ホルダを収容する内部を備えた前記ＣＶＤ反応室、および前記ＣＶＤ反応室に作動接続されかつ液体前駆物質源に接続されるようにされた超音波ネブライザであって、流入する液体前駆物質を噴霧しかつ噴霧された前駆物質を前記ホルダによって支持された基板上に蒸着させるようにされた噴霧ノズルを有する前記超音波ネブライザを有する前記基板上に前駆物質を蒸着させるための装置」が記載され、この請求項１を引用する請求項２として、「前記ＣＶＤ反応室内部内に配置されたガス分配部材であって、噴霧された前駆物質を前記基板上に指向するため指向性をもって配向されるガスを噴霧された前駆物質内に排出するためのガス源に接続し得る前記ガス分配部材を更に有する請求項１に記載された蒸着装置」が記載されている。
　そして、この請求項２を引用する請求項８として、「液体前駆物質の蒸発を支援するため前記ガス分配部材と基板ホルダとの間に配置された加熱される蒸発板を更に有する請求項１に記載された蒸着装置。」が記載されている。
　以上の記載を、本願発明１の記載振りの則り整理すると、引用例１の請求項８には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
　「ＣＶＤ反応室であって、前記ＣＶＤ反応室内の所定の位置に基板を支持するようにされた基板ホルダを収容する内部を備えた前記ＣＶＤ反応室と、
　前記ＣＶＤ反応室に作動接続されかつ液体前駆物質源に接続されるようにされた超音波ネブライザであって、流入する液体前駆物質を噴霧しかつ噴霧された前駆物質を前記ホルダによって支持された基板上に蒸着させるようにされた噴霧ノズルを有する前記超音波ネブライザと、
　前記ＣＶＤ反応室内部内に配置されたガス分配部材であって、噴霧された前駆物質を前記基板上に指向するため指向性をもって配向されるガスを噴霧された前駆物質内に排出するためのガス源に接続し得る前記ガス分配部材と、
　液体前駆物質の蒸発を支援するため前記ガス分配部材と基板ホルダとの間に配置された加熱される蒸発板と、
を有する、基板上に前駆物質を蒸着させるための蒸着装置。」
　
２　本願発明１と引用発明との対比
　本願発明１と引用発明とを対比する。
　引用発明の「ＣＶＤ反応室であって、ＣＶＤ反応室内の所定の位置に基板を支持するようにされた基板ホルダを収容する内部を備えた前記ＣＶＤ反応室」は、本願発明１の「基板が収納される薄膜成長容器」に相当し、引用発明の「液体前駆物質源」は、本願発明１の「液体原料を貯留する液体原料貯留部」に相当するといえる。
　また、引用発明において、「超音波ネブライザ」は、「前記ＣＶＤ反応室に作動接続されかつ液体前駆物質源に接続されるようにされた」ものであるから、引用発明が、液体前駆物質源、すなわち液体原料貯留部と、噴霧ノズルとを接続する「液体原料供給パイプ」を有することも明らかであり、さらに、引用発明の「基板上に前駆物質を蒸着させるための蒸着装置」が、ＣＶＤ反応室を有することから、ＣＶＤ成膜装置であることも明らかである。
　一方、引用発明の「蒸発板」は、上記認定のとおり、液体前駆物質の蒸発を支援するためガス分配部材と基板ホルダとの間に配置された加熱されるものであるが、図３によれば、「蒸発板９４」は、噴霧ノズル６４と基板との間の互いに連絡する空間に配置されていることが認められるし、そして、上記（１ｄ）の「蒸発板９４は、約６０から１００℃の範囲の温度に加熱される。その結果、蒸発板９４に接触する前駆物質のいかなる液粒もシリコンウェーハ４２上を通過する代わりに蒸発するであろう」という記載からすれば、この「蒸発板」は、噴霧ノズルから噴霧された液体原料を加熱して気化し、液体原料の飛沫がそのまま基板に到達するのを遮ることを目的として配置されているものということができる。してみれば、引用発明の「蒸発板」は、「噴霧ノズルと基板の収納位置との間の互いに連絡する空間であって噴霧ノズルから噴霧された液体源料の飛沫がそのまま基板に到達するのを遮る位置に配置され、噴霧ノズルから噴霧された液体原料を加熱して気化させる」ための部材といえるから、本願発明１の「加熱部」に相当すると認められる。
　したがって、両者は、「基板が収納される薄膜成長容器と、
　液体原料を前記薄膜成長容器内へ霧状に微粒化して噴霧する１本以上の噴霧ノズルと、
　液体原料を貯留する液体原料貯留部と前記噴霧ノズルとを接続する液体原料供給パイプと、
　前記噴霧ノズルと前記基板の収納位置との間の互いに連絡する空間であって前記噴霧ノズルから噴霧された液体原料の飛沫がそのまま前記基板に到達するのを遮る位置に配置され、前記噴霧ノズルから噴霧された液体原料を加熱して気化させる加熱部と、
を有する、ＣＶＤ成膜装置。」である点で一致し、次の点で相違がみられる。
　
相違点；
（イ）液体原料が、本願発明１では、少なくとも１種類以上の金属イオンを含有するものであるのに対して、引用発明では、少なくとも１種類以上の金属イオンを含有するものであるか否か不明である点
　
（ロ）本願発明１は、液体原料供給パイプを覆う被覆パイプと、この被覆パイプ内に通水する通水装置とを有し、液体原料を噴霧ノズルから噴霧される直前まで一定温度に維持する温度維持手段を有するのに対して、引用発明は、このような構成を有しない点
　
（ハ）本願発明１は、原料ガスを薄膜成長容器内に供給する原料ガス供給部を有するのに対し、引用発明は、このような原料ガス供給部を有するか否か不明である点
　
（ニ）本願発明１は、噴霧された液体原料を基板上に指向するため指向性をもって配向されるガスを噴霧された液体原料内に排出するためのガス源に接続し得るガス分配部材を有しないものであるのに対して、引用発明は、このようなガス分配部材を有するものである点
　
（ホ）本願発明１は、噴霧ノズルから噴霧された液体原料が前記加熱部に加熱されて気化することにより生成された気化ガスと前記原料ガス供給部から供給された原料ガスとを、加熱部が設けられていない空間から基板に導くようにしたものであるのに対して、引用発明は、このような構成を有するか否か不明である点
　
３　相違点についての判断
　以下相違点について検討する。
　
　相違点（イ）について
　ＣＶＤ成膜技術において、金属元素を含む薄膜を成膜すること普通に行われている。そして、金属元素を含む薄膜を成膜する場合に、例えば、引用例１の（１ｃ）に記載されるＣｕｐｒａＳｅｌｅｃｔ（登録商標）混合物のような、金属イオンを含む液体原料が使用されることは普通のことである。
　したがって、引用発明において、液体源料として少なくとも１種類以上の金属イオンを含有するものを使用することは当業者が普通に行う程度のことである。
　よって、相違点（イ）に係る本願発明１の構成とすることは当業者が容易になし得たことである。
　
　相違点（ロ）について
　引用例２の（２ａ）には、「多成分系の強誘電体膜を成膜するための液体又は液化原料を用いる場合でも、原料の供給系部品を高圧対応構造とすることなく、装置の安全性を確保できる半導体装置の製造方法を提供する」という目的を達成するために、「容器内に基板を配置し、成膜用の液体原料又は固体原料を液化した液化原料のうち少なくとも一部を微粒化機構で微粒化して前記容器内に供給し、前記基板表面に到達する前に気化させ、その気化した原料を前記基板表面に供給することにより前記基板上に半導体素子用の薄膜を形成する半導体の製造方法において、原料温度調節機構を用いて、前記少なくとも一部の液体原料又は液化原料の温度を、その供給経路のうち少なくとも前記微粒化機構までの部分において沸点未満となるように制御する。」こと、「原料温度調節機構として例えば冷却手段を用いることによって、微粒化機構までの原料を冷却し、その温度を沸点未満となるように制御する。」ことが記載されている。
　そして、（２ｂ）には、原料温度調節機構として用いる冷却手段の具体的構成について、「・・・以下に説明するような冷却方法によって、それらの内部を通過する第一液体原料２７１の主成分であるTHFの温度上昇が防止され、その温度が沸点未満に維持されるようになっている。 
　すなわち、第一液体原料供給管２３１および第一液体原料供給バルブ２２１は、第一液体原料温度調節槽５１内に配置されており、第一気化ノズル２１１は、気化ノズル温度調節槽５０に接している。それら第一液体原料温度調節槽５１及び気化ノズル温度調節槽５０内は、流体たとえば水で満たされており、第一液体原料温度調節槽５１は第一液体原料供給管温度調節第一配管４１１および第一液体原料供給管温度調節第二配管４２１を介して、気化ノズル温度調節槽５０は気化ノズル温度調節第一配管４１および気化ノズル温度調節第二配管４２を介して、それぞれ液体原料調節部４０に接続されている。 
 　液体原料調節部４０は、流体の温度を調節する機能を備えており、流体は、液体原料調節部４０→第一液体原料供給管温度調節第一配管４１１→第一液体原料温度調節槽５１→第一液体原料供給管温度調節第二配管４２１→液体原料調節部４０、若しくは、液体原料調節部４０→気化ノズル温度調節第一配管４１→気化ノズル温度調節槽５０→気化ノズル温度調節第二配管４２→液体原料調節部４０という閉ループを循環し、液体原料調節部４０でその温度を調節され、温度が略一定に保たれるようになっている。 
 　液体原料調節部４０における温度調節は、例えば以下のようにして行う。すなわち、第一液体原料供給管温度調節槽５１内の温度を、図１中Ａ部拡大図である 図２に示される第一気化ノズル温度検出器７１により測定し、所定の温度より高い場合には、流体の循環量を増大させたりまたは流体の温度自体を低下させることにより第一液体原料供給管温度調節槽５１及び気化ノズル温度調節槽５０内を流れる流体の温度を低下させ、検出値が所定の温度となるようにする。 
 　以上のような温度制御の結果、第一液体原料供給管２３１、第一液体原料供給バルブ２２１、及び第一気化ノズル２１１内の第一液体原料２７１は、その温度がTHFの沸点未満に保持され、溶媒であるTHFと溶質であるBa(DPM)2との分離が防止される。」ことが記載されている。 
　してみると、引用発明において、多成分系の強誘電体膜を成膜するための液体又は液化原料を用いる場合でも対応可能とするために、液体原料供給パイプを覆う被覆パイプと、この被覆パイプ内に通水する通水装置とを有し、液体原料を噴霧ノズルから噴霧される直前まで一定温度に維持する温度維持手段を設ける程度のことは、当業者であれば容易に想到することができたことといえる。 
　したがって、相違点（ロ）に係る本願発明１についての構成とすることは当業者が容易になし得たことである。 
　
　相違点（ハ）について 
　ＣＶＤ成膜技術において、薄膜成長容器に、反応ガス、すなわち原料ガスを供給することは普通に行われていることであるから（例えば、特開平１０−１５２７７９号公報、特開平７−９４４２６号公報、特開２００２−６０９４８号公報参照されたい。）、引用発明において、原料ガスの供給を可能とするために、原料ガスを薄膜成長容器内に供給する原料ガス供給部に設ける程度のことは、当業者が容易になし得たことといえる。 
　したがって、相違点（ハ）に係る本願発明１についての構成とすることは容易なことである。
　
　相違点（ニ）について
　引用例１の（１ｅ）には、「ガス分配リング７８が全体としてＣＶＤ反応室から除去し得ることが理解されよう」との記載がある。この記載によれば、ガス分配リング（ガス分配部材）をＣＶＤ反応室から除去することが示唆されているといえる。ところで、（１ｅ）には、ガス分配部材を除去した場合、「蒸発の有効性は著しく低下し、おそらくは蒸発しない前駆物質が側壁または底壁３０，３２もしくはシリコンウェーハ４２に接触するようになる」とも記載するが、引用発明は、ガス分配部材のほかに、蒸発板が、液体前駆物質の蒸発を支援するために設けられているのであるから、このような記載があるとしても、ガス分配部材を除去することを阻害するものではない。
　してみると、引用発明において、ガス分配部材、すなわち、「噴霧された液体原料を基板上に指向するため指向性をもって配向されるガスを噴霧された液体原料内に排出するためのガス源に接続し得るガス分配部材」を除去して、これを有しないものとすることは当業者が容易に想到し得たこととえいる。
　したがって、相違点（ニ）に係る本願発明１についての構成とすることは容易なことである。
　
　相違点（ホ）について
　上記「２」で一致点として認定したとおり、引用発明は、「前記噴霧ノズルと前記基板の収納位置との間の互いに連絡する空間であって前記噴霧ノズルから噴霧された液体原料の飛沫がそのまま前記基板に到達するのを遮る位置に配置され、前記噴霧ノズルから噴霧された液体原料を加熱して気化させる加熱部」を有するものであり、この点において本願発明１と相違はない。そうすると、引用発明も、噴霧ノズルから噴霧された液体原料が加熱部に加熱されて気化することにより生成された気化ガスを、加熱部と薄膜成長容器との間隙、すなわち、加熱部が設けられていない空間から基板に導くようにしたものであることは明らかである。
　ところで、引用発明において、薄膜成長容器にさらに原料ガス供給部から原料ガスを供給すれば、この原料ガスも同様に、加熱部が設けられていない空間から基板に導かれることも当然のことといえる。
　そうすると、「相違点（ハ）について」で上述のとおり、引用発明において、原料ガスを薄膜成長容器内に供給する原料ガス供給部に設けることが容易であると認められる以上、「噴霧ノズルから噴霧された液体原料が加熱部に加熱されて気化することにより生成された気化ガスと原料ガス供給部から供給された原料ガスとを、加熱部が設けられていない空間から基板に導くようにした」ことも当業者が容易になし得たこととといえる。
　したがって、相違点（ホ）に係る本願発明１についての構成とすることは容易なことである。
　
〈請求人の主張について〉
　ところで、請求人は、「引用例１に記載された発明では、蒸発器板に多数の通孔を設けています。これらの通孔は、いわば、ガス（前駆物質の液粒に基づく蒸気及び掃引ガス）を基板（シリコンウェーハ）に導くための手段をなしています」（平成２３年１月３１日付け意見書、「３．（２）」）と主張する。
　しかし、上記（１ａ）によれば、引用発明は、引用例１の特許請求の範囲の請求項８に記載したとおりの「液体前駆物質の蒸発を支援するため前記ガス分配部材と基板ホルダとの間に配置された加熱される蒸発板」を有することを特定した蒸着装置についての発明であって、蒸発板に多数の通孔を設けることを特定した発明ではない。
　確かに、引用例１の図３に、蒸発板９４が通孔９６を有する蒸着装置に係る実施例が記載されているが、そうであるからといって、引用発明の「蒸発板」が、多数の通孔を有するものであると解すべき理由はない。上記実施例は、請求項８に記載された引用発明とは別の発明である、請求項１０に記載された「前記蒸発板が蒸発した前駆物質および排出ガスのみがそこを通過することを許容する孔を有する請求項９に記載された蒸着装置」の発明についての実施例であって、引用した請求項９に記載されるように、蒸発板が、ガス分配部材と噴霧ノズルとを囲む囲いを形成するためそこから延在してＣＶＤ反応室に接触する側壁を有する場合に、蒸発板で気化された液体原料の蒸気を基板に到達させるための通路として、蒸発板に多数の通孔が設けられたものと解すべきである。そうすると、蒸発板が、上記側壁を有することについて特定しない引用発明にあっては、蒸発板とＣＶＤ反応容器との間隙から液体原料の蒸気を基板に到達させることができるから、蒸発板が多数の通孔を有すべき理由はない。
　そして、ＣＶＤ成膜装置の分野において、「蒸発板」とは、内部にヒータが設けられ、液体原料を上面に滴下して気化させるための板状部材であることが，本件出願前に当業者間において普通に知られていたことが認められるから（特開平９−２４３４１６号公報、特開２００１−６２３７６号公報参照）、このような周知技術を勘案すれば、引用発明の「蒸発板」は、内部にヒータが設けられ、液体原料を上面に滴下して気化させるための板状部材であって、通孔を有しないものであると解することができるものである。
　
４　小括 
 　以上のとおりであるから、本願発明１は、引用例１及び引用例２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび 
 　したがって、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。