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【手続補正書】
【提出日】平成22年12月6日(2010.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子グラフィック印刷機または電子グラフィック複写機を用いて形成される印刷画像のドットサイズを調整する方法において、
トナー粒子によってインキづけされない面積を有する少なくとも１つの第１のラスタ潜像を形成し、該第１のラスタ潜像をトナー粒子によってインキづけして第１のトナー画像を形成し、
トナー粒子によって全面にわたってインキづけすべき少なくとも１つの第２のラスタ潜像を形成し、該第２のラスタ潜像をトナー粒子によってインキづけして第２のトナー画像を形成し、
各トナー画像のインキづけに用いられたトナー粒子量をセンサユニット（１０）により求め、
前記第１のトナー画像のインキづけに用いられるトナー粒子量と前記第２のトナー画像のインキづけに用いられるトナー粒子量との比を求め、
求められた比を前記第１のトナー画像のカバー面積の尺度として処理し、実際値（ｘ２）として目標値（ｗ２）と比較し、
当該の比較の結果に応じて、各ラスタ潜像のインキづけすべき領域へトナー粒子を移動させるための電場（Ｅ１，Ｅ２）を調整する
ことを特徴とする印刷画像のドットサイズを調整する方法。
【請求項２】
前記トナー粒子によってインキづけされない面積を有するラスタ潜像は相互に間隔を置いた条片状または点状のインキづけすべき複数の領域を有する、請求項１記載の印刷画像のドットサイズを調整する方法。
【請求項３】
前記面積の尺度を、前記第１のラスタ潜像をインキづけするための担体粒子およびトナー粒子から成る現像用混合物質の層厚さおよび／またはトナー粒子濃度に関係なく求める、請求項１または２記載の印刷画像のドットサイズを調整する方法。
【請求項４】
前記第１のトナー画像のうち実際にインキづけされた面積の尺度としてカバー面積を求め、該カバー面積の実際値と該カバー面積の目標値とを比較する、請求項１から３までのいずれか１項記載の印刷画像のドットサイズを調整する方法。
【請求項５】
求められたトナー粒子量の比により、前記第１のトナー画像のインキづけ面積と前記第２のトナー画像のインキづけ面積との比を表す、請求項１から４までのいずれか１項記載の印刷画像のドットサイズを調整する方法。
【請求項６】
前記実際値が前記目標値よりも小さい場合に各ラスタ潜像をトナー粒子によってインキづけするための前記電場を拡大し、前記実際値が前記目標値よりも大きい場合に各ラスタ潜像をトナー粒子によってインキづけするための前記電場を縮小し、前記実際値が前記目標値に等しい場合に各ラスタ潜像をトナー粒子によってインキづけするための前記電場を一定に保持し、インキづけすべき各ラスタ潜像を有する画像担体とトナー粒子を輸送する輸送部材の外面とのあいだに転写領域を設け、該転写領域において、前記輸送部材の前記外面とインキづけすべき各ラスタ潜像の領域とのあいだに所定の電場をかけることにより、そこに存在するトナー粒子に対して、前記画像担体のインキづけすべき領域へ向かう力を作用させ、また、前記輸送部材の前記外面とインキづけすべきでない領域とのあいだに別の電場をかけることにより、そこに存在するトナー粒子に対して、前記輸送部材の前記外面へ向かう力を作用させ、前記輸送部材は有利には前記外面に閉じたトナー粒子層を形成して該トナー粒子層を前記転写領域へ輸送するアプリケータ部材である、請求項１から５までのいずれか１項記載の印刷画像のドットサイズを調整する方法。
【請求項７】
前記電場を変更することにより、形成すべき各トナー画像のうち前記トナー粒子によってインキづけすべきラスタドットの前記ドットサイズを調整し、該ドットサイズを用いて各トナー画像に形成すべき線の線幅を調整する、請求項１から６までのいずれか１項記載の印刷画像のドットサイズを調整する方法。
【請求項８】
同じ印刷データを反復してインキづけされない面積を有する複数のラスタ潜像を形成し、該複数のラスタ潜像をインキづけして複数のトナー画像を形成し、該トナー画像のうちインキづけされた面積の実際値を反復して求め、各実際値と各目標値とを比較して比較の結果により前記電場を形成し、前記ラスタドットの前記ドットサイズが当該の各目標値に相応するように制御する、請求項７記載の印刷画像のドットサイズを調整する方法。
【請求項９】
前記目標値を前記印刷機または前記複写機の操作フィールドの調整パラメータによってあらかじめ設定し、ここで該調整パラメータは線幅および／またはドットサイズである、請求項１から８までのいずれか１項記載の印刷画像のドットサイズを調整する方法。
【請求項１０】
１つまたは複数の前記第１のトナー画像および前記第２のトナー画像を順次にまたは並列に帯状の光導体、円筒状の光導体、帯状の転写体および／または印刷用紙上にトナーマークの形態で形成し、少なくとも実際にトナー粒子によってインキづけされた面積の尺度を検出する、請求項１から９までのいずれか１項記載の印刷画像のドットサイズを調整する方法。
【請求項１１】
電子グラフィック印刷機または電子グラフィック複写機を用いて形成される印刷画像のドットサイズを調整する装置において、
設定された印刷データを用いて、トナー粒子によってインキづけされない面積を有する少なくとも１つの第１のラスタ潜像を形成し、該第１のラスタ潜像をトナー粒子によってインキづけして第１のトナー画像を形成し、さらに、トナー粒子によって全面にわたってインキづけすべき少なくとも１つの第２のラスタ潜像を形成し、該第２のラスタ潜像をトナー粒子によってインキづけして第２のトナー画像を形成する画像形成ユニットと、
各トナー画像のインキづけに用いられたトナー粒子量を求め、実際値（ｘ２）として出力するセンサユニット（１０）と、
前記第１のトナー画像のインキづけに用いられるトナー粒子量と前記第２のトナー画像のインキづけに用いられるトナー粒子量との比を求め、求められた比を前記第１のトナー画像のカバー面積の尺度として処理し、前記実際値と目標値（ｗ２）とを比較し、当該の比較の結果に応じて、各ラスタ潜像のインキづけすべき領域へトナー粒子を移動させるための電場（Ｅ１，Ｅ２）の強度を調整する制御ユニットと
を有する
ことを特徴とする印刷画像のドットサイズを調整する装置。
【請求項１２】
制御ユニットが設けられており、該制御ユニットは
帯状の光導体をあらかじめ定められた第１の電位まで充電する第１の制御回路と、
前記帯状の光導体をあらかじめ定められた第２の電位まで放電させる第２の制御回路と、
あらかじめ調整された層厚さのトナー粒子層を形成する第３の制御回路と、
形成すべきトナー画像のうちトナー粒子によってインキづけされるラスタドットのドットサイズを制御する第４の制御回路と
を有する
ことを特徴とする電子グラフィック印刷機または電子グラフィック複写機。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月17日(2010.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】組織増大用インプラント
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
従って、本発明は、ポリマーが好ましくは生分解性の多糖類であるチオール基含有ポリマーを含んでなる、組織増大および安定化用インプラントに関する。このインプラントの投与は、好ましくは、表皮下注射、皮内注射、皮下注射または筋肉内注射によって実施される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ポリマーのチオール基の割合は、好ましくはポリマー１ｇあたり２０μｍｏｌ超、より好ましくはポリマー１ｇあたり５０μｍｏｌ超、特にポリマー１ｇあたり１００μｍｏｌ超である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースポリマーが多糖類であるチオール基含有ポリマーを含んでなる組織増大用インプラント。
【請求項２】
チオール基含有ポリマーが、少なくとも１０，０００ｇ／ｍｏｌ、好ましくは少なくとも２５，０００ｇ／ｍｏｌ、特に少なくとも５０，０００ｇ／ｍｏｌの分子量を有することを特徴とする、請求項１に記載の組織増大用インプラント。
【請求項３】
ポリマー内でチオール基が分子間および／または分子内ジスルフィド結合を形成していることを特徴とする、請求項１または２に記載の組織増大用インプラント。
【請求項４】
ポリマーのチオール基の割合が、ポリマー１ｇあたり２０μｍｏｌ超、好ましくはポリマー１ｇあたり５０μｍｏｌ超、特にポリマー１ｇあたり１００μｍｏｌ超であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の組織増大用インプラント。
【請求項５】
チオール基含有ポリマーが、チオール基含有ヒアルロン酸、チオール基含有キトサン、およびこれらポリマーの組み合わせからなる群から選択されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の組織増大用インプラント。
【請求項６】
ポリマーのチオール基が好ましくはシステイン、システアミンまたはＮ−アセチル−システインから誘導されたチオール基であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の組織増大用インプラント。
【請求項７】
インプラントが、ゲルまたは水溶液の形態、好ましくは単相調製物であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の組織増大用インプラント。
【請求項８】
インプラントが付加的にキトサンおよび／またはヒアルロン酸を含んでなることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の組織増大用インプラント。
【請求項９】
インプラントが更に付加的に、好ましくは、消炎剤、抗リウマチ剤、鎮痛剤、抗感染薬、抗ウィルス剤、抗生剤、抗真菌剤、殺菌剤、化学療法薬、鎮痙薬、ビタミン、細胞増殖抑制剤、局所麻酔薬、抗アレルギー薬、抗ヒスタミン薬、抗炎症薬、抗静脈瘤薬、痔疾治療薬、皮膚治療薬、婦人科用剤、眼科用剤、泌尿器科用剤、鼻科用剤および耳科用剤からなる群からの少なくとも１種の有効成分、および／または好ましくは、緩衝塩、防腐剤、所望のオスモル濃度に調節するための賦形剤、所望の粘度に調節するための賦形剤、安定剤、軟化剤、被覆剤、フロー剤、バインダー、滑剤、充填剤、乾燥剤、崩壊剤、溶剤、可溶化剤、および調製物の相溶性を高めるための賦形剤からなる群からの少なくとも１種の医薬品賦形剤を含んでなることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の組織増大用インプラント。
【請求項１０】
インプラントが、０．００１〜１００重量％、好ましくは０．０１〜９０重量％、より好ましくは０．０５〜８０重量％の濃度でチオール基含有ポリマーを含んでなることを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の組織増大用インプラント。
【請求項１１】
増大される組織が、皮膚組織、筋組織および結合組織からなる群から選択されることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の組織増大用インプラント。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月2日(2010.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者へ挿入されるカニューレであって、
円筒形外表面を有する遠位側区間と、
前記遠位側区間に隣接し、円筒形外表面を含んでいる第２区間であって、前記遠位側区間よりも小さい外径を含んでいる、第２区間と、
前記遠位側区間と前記第２区間の接合部に形成されている肩部と、
前記第２区間の前記円筒形外表面に付着されたコーティングであって、前記遠位側区間の外径より小さいか又はこれと等しい外径を有するコーティングと、を備えているカニューレ。
【請求項２】
前記遠位側区間は、遠位端に先端部を含んでいる、請求項１に記載のカニューレ。
【請求項３】
前記遠位側区間は、より小さな第１長手方向位置から、近位側に位置する、より大きな第２長手方向位置に向かって、大きさが増してゆくテーパー区間を含んでいる、請求項１に記載のカニューレ。
【請求項４】
前記肩部は、前記遠位側区間と前記第２区間を通って伸張する長手方向中心線に対して実質的に垂直に配列されている、請求項１に記載のカニューレ。
【請求項５】
前記コーティングは前記肩部に接触している、請求項１に記載のカニューレ。
【請求項６】
前記第２区間は、前記遠位側区間よりも大きな長さを有している、請求項１に記載のカニューレ。
【請求項７】
前記遠位側区間と前記第２区間を通って伸張する中空の内部を更に備えている、請求項１に記載のカニューレ。
【請求項８】
患者に挿入されるカニューレであって、
縮小した外径を有する先端部から拡大した外径を有する肩部までの間を伸張しているテーパー形状の第１区間と、
前記第１区間に隣接し、該第１区間から近位方向外向きに伸張している第２区間であって、前記肩部の前記拡大した外径より小さい第２区間外径を有している、第２区間と、
前記第２区間の外表面に、前記肩部と接触して付着されたコーティングであって、コーティング外径は、前記肩部の前記拡大した外径より小さいか又はこれと等しい、コーティングと、
前記第１及び第２区間を通って伸張する中空の内部と、を備えているカニューレ。
【請求項９】
前記肩部は、前記第１区間と前記第２区間の接合部に形成されている、請求項８に記載のカニューレ。
【請求項１０】
前記肩部は、前記第１及び第２区間の長手方向中心線に対して実質的に垂直である、請求項９に記載のカニューレ。
【請求項１１】
前記コーティング外径は、前記第２区間の長さに沿って実質的に一定である、請求項８に記載のカニューレ。
【請求項１２】
前記第１区間は、前記先端部から前記肩部へと連続的にテーパー形状をなしている、請求項８に記載のカニューレ。
【請求項１３】
患者に挿入されるカニューレであって、
円筒形外表面を有するテーパー形状の遠位側区間と、
前記遠位側区間に隣接し、円筒形外表面を含んでいる第２区間であって、中間区間は、前記遠位側区間より小さい外径を含んでいる、第２区間と、
前記中間区間の前記円筒形外表面に付着されたコーティングであって、前記コーティングの外径は、前記遠位側区間の外径より小さいか又はこれと等しい、コーティングと、を備えているカニューレ。
【請求項１４】
前記遠位側区間と前記第２区間の接合部に形成された肩部を更に含んでおり、前記コーティングは前記肩部に接触している、請求項１３に記載のカニューレ。
【請求項１５】
前記肩部は、実質的に直線状であり、前記遠位側区間と前記第２区間を通って伸張する長手方向中心線に対して実質的に垂直に配列されている、請求項１４に記載のカニューレ。
【請求項１６】
前記第２区間より遠位側に配置されている非テーパー区間を更に備えている、請求項１３に記載のカニューレ。
【請求項１７】
前記遠位側区間は、先端部を含んでいる、請求項１３に記載のカニューレ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月16日(2010.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基本的に共通で照明、観察および記録のうちの少なくとも１つために利用される屈折性および反射性のうちの少なくとも１つの光学要素を伴う放射線経路を有し、反射のない検眼鏡検査のための、特に眼底カメラ用の光学システムであって、
眼底を照明および結像するため、基本的に複数の反射性の光学要素、または複数の反射性で屈折性の要素からなる結像性の光学システムが企図されており、該光学システムが、結像性で反射性の自由形状面を備えた自由形状ミラーとして形成される、少なくとも１つの光学要素を含み、
該光学要素が、検査すべき患者の眼の広いジオプトリ範囲内で、網膜画像への該光学要素の該反射面の結像が回避されるように正確に定義された互いに対するポジションおよび姿勢で、ハウジング内に配置されることを特徴とする、光学システム。
【請求項２】
２つの自由形状ミラー（１、２）からなるミラー・システムが企図されており、その際、該自由形状ミラーが、対称性のない自由形状ミラーとして形成され、該自由形状ミラーの間の適切な位置に中間画像面があることを特徴とする、請求項１に記載の光学システム。
【請求項３】
前記ミラー・システムが、包含された構造方式において、患者に面した側および好ましくは観察者に面した側でそれぞれカバー・ディスク（１３、１４）によって閉じられたハウジング内に配置されており、その際、該カバー・ディスク（１３、１４）が、邪魔な反射を回避し、かつ色収差を最小限にするような表面形状を有することを特徴とする、請求項１および２のいずれか１項に記載の光学システム。
【請求項４】
前記ミラー・システムの前記光学要素が、共通の保持具または収容具内での正確に定義された互いに対するポジションおよび姿勢で、前記ハウジング内に配置されることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光学システム。
【請求項５】
前記ミラー・システムが、屈折率ｎ＞１の光学材料からなるモノリシック体（１５）から構成されており、該モノリシック体には、正確に定義されたポジションで、かつ正確に予め定められた表面形状における前記結像性で反射性の面、ならびに光入射面および光出射面が企図されており、その際、該光入射面（１６）および該光出射面（１７）が、邪魔な反射を回避し、かつ色収差を最小限にするような表面形状を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光学システム。
【請求項６】
前記モノリシック体（１５）の前記光入射面（１６）および前記光出射面（１７）のうちの少なくとも１つが、非対称に形づくられることを特徴とする、請求項５に記載の光学システム。
【請求項７】
前記ミラー・システムの前記光学要素の少なくとも１つが、スペクトルによるカラー・スプリッタとして形成されることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光学システム。
【請求項８】
少なくとも１つの反射性を有し、電子的に構造化可能であるか、または適応性のある光学要素が、前記放射線経路内に企図されることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光学システム。
【請求項９】
様々なスペクトル範囲における光インパルスを順次的に生成するための手段と、
画像センサによる同期化された画像取得のための手段と、
カラー画像または任意の別の組合せ、もしくはモノクロの個々の画像を表示および保存するための画像選別のための手段と、
が企図されることを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光学システムを備えた構成。
【請求項１０】
色収差の選択的な補償のために１つまたは複数の変位可能な光学要素が企図されており、該光学要素が、光インパルスと同期してそのポジションを変えることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光学システムを備えた構成。
【請求項１１】
少なくとも１つの適応性のある光学部品の、光インパルスと同期して調整される光学要素による色収差の選択的な補償のための手段が企図されることを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光学システムを備えた構成。
【請求項１２】
レーザ凝固、特にマルチ・カラー・レーザ凝固のための機器における適用を特徴とする、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光学システム。
【請求項１３】
網膜の機能診断のための、ハイパー・スペクトル・イメージングまたはマルチ・スペクトル結像の際の適用を特徴とする、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光学システム。
【請求項１４】
従来の時間的に並行のカラー画像生成に基づくか、または新規の時間的に順次のカラー画像生成に基づくか、またはモノクロ・チップまたは白黒チップによる順次のマルチ・スペクトル眼底反射率測定に基づき、眼底カメラにおいて適用することを特徴とする、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光学システム。
【請求項１５】
ＯＣＴを備えた機器におけるか、またはポイント・レーザ・スキャナまたはライン・レーザ・スキャナを備えた機器におけるか、または網膜の結像のための機器または方法のうちの少なくとも１つにおける、自由形状ミラー光学系の適用を特徴とする、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光学システム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月13日(2010.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
眼科用各種装置、特に網膜撮像装置を対象とする、眼底画像の品質を向上させるための光学装置であって、妨害反射を抑止するために、
１つのケーシングの内部に、傾斜および偏心のうちの少なくとも１方を有する複数の屈折面および反射面のうちの少なくとも１方を備える１つの照射兼投影光学系、または、照射光学系の内部の黒色スポット・デザインを具備した複数の非傾斜及び非偏心のうちの少なくとも１方を有する光学面からなる複数の光学装置
を有している光学装置において、
１つの投影用ビーム・パスに、少なくとも１つの投影ミラー（１１；１２）を有する１つの投影光学系が備えられること、またその際には該投影光学系の像収差を補正するために、少なくとも１つの反射光学素子、屈折光学素子、電子的に構造化可能な光学素子、またはアダプティブ光学素子、例えば複数の調節可能なアダプティブ素子（１２ａ）を有する１つのミラー（１２）が備えられること、
該少なくとも１つの光学素子（１２）の該各アダプティブ素子（１２ａ）を制御するための制御信号を発生する手段が備えられること
を特徴とする、光学装置。
【請求項２】
前記ミラー（１２）の前記各アダプティブ素子（１２ａ）を制御するための制御信号を発生する手段として、光学デザインの内部に波面を決定するための少なくとも１つの波面センサが備えられることを特徴とする、請求項１に記載の光学装置。
【請求項３】
ソフトウェアにより像の演算処理を行うための手段が１つのイメージ・センサのところに備えられ、該手段を利用して、少なくとも１つのミラー（１２）の前記各アダプティブ素子（１２ａ）を制御するための制御信号を獲得することを特徴とする、請求項２に記載の光学装置。
【請求項４】
照射源として、連続動作方式およびパルス動作方式のうちの少なくとも１方で作動する１つまたは複数のＬＥＤが備えられることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光学装置。
【請求項５】
シーケンシャル光パルスを様々なスペクトル域で発生して、１つのイメージ・センサを利用して同期化された像を獲得し、１つのカラー像、または別の任意の組み合わせ、ならびに複数のモノクロ個別像を描画して記憶するために像を適切に処理するための手段が備えられることを特徴とする、請求項４に記載の光学装置。
【請求項６】
前記各光パルスと同期で位置が変化するようになっている少なくとも１つの調節可能な光学素子（例えばシフト・レンズ）により色収差を選択的に補正するための手段が存在することを特徴とする、請求項４または５に記載の光学装置。
【請求項７】
少なくとも１つのアダプティブ光学構成要素の前記各光パルスと同期で調節される複数の素子により色収差を選択的に補正するための手段が備えられることを特徴とする、請求項４乃至６のいずれか１項に記載の光学装置。
【請求項８】
様々な波長における網膜レーザ凝固用の、特にマルチ・カラー・レーザ凝固用の各種装置において適用されることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光学装置。
【請求項９】
ハイパー・スペクトラル・イメージング用の各種装置において、および網膜の機能診断のためのマルチ・スペクトラル撮像の際のうちの少なくとも１方に適用されることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光学装置。
【請求項１０】
眼底反射光の測定用の各種装置において適用されることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光学装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月12日(2010.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
標的領域内の組織に治療電気刺激を与える遠位端を持つ刺激リードにおいて、前記リードが、
前記リードの前記遠位端に配置された１以上の感知素子を持つ１以上の刺激素子のアレイを有し、
前記１以上の刺激素子の各々が、前記標的領域内の前記組織に電気刺激を与えることができ、
前記１以上の感知素子の各々が、電気信号を検出することができ、
非外科的処置により事前に決定された軌道に沿った前記リードの第１の移植後に、前記刺激素子及び前記感知素子のアレイが、前記リードの追加の移植を要求することなく、前記標的領域を位置特定し、前記刺激素子の各々に対して、治療組織刺激に必要とされる所要の刺激パラメータを決定することを容易化する、刺激リード。
【請求項２】
前記感知素子の数が前記刺激素子の数より大きく、前記感知素子及び前記刺激素子は、複数の感知素子が１つの刺激素子を囲む重心アプローチにより関連付けられ、囲んでいる複数の感知素子が正しい信号を取り出すのに応答して、対応する刺激素子が、刺激に対する標的領域内にあると決定される、請求項１に記載の刺激リード。
【請求項３】
前記刺激素子が金属電極である、請求項１に記載の刺激リード。
【請求項４】
前記感知素子が金属マイクロ電極又は容量性感知素子である、請求項１に記載の刺激リード。
【請求項５】
前記１以上の刺激素子及び前記１以上の感知素子が、前記リードの表面において周囲にアレイに分布される、請求項１に記載の刺激リード。
【請求項６】
前記感知素子が、各々個別に電気信号、活動電位、電場電位、生化学信号及び神経伝達物質の１以上を検出することができる、請求項１に記載の刺激リード。
【請求項７】
単一の前記感知素子の面積が、単一の前記刺激素子の面積より小さい、請求項１に記載の刺激リード。
【請求項８】
複数の前記感知素子が、単一の電気信号を検出するように電気的に結合される、請求項１に記載の刺激リード。
【請求項９】
前記刺激パラメータが、刺激振幅、極性、持続時間、反復周波数、波形、及び刺激デューティサイクル内の相対位相の１以上から選択される、請求項１に記載の刺激リード。
【請求項１０】
前記リードが、前記１以上の感知素子から信号を受信し、前記標的領域の位置を決定し、前記刺激素子のいずれが前記標的領域の少なくとも近くに配置され、前記治療刺激を与えるべきかを決定するコントローラを持つ、請求項１に記載の刺激リード。
【請求項１１】
前記コントローラが、選択された前記刺激素子の各々に対して、前記治療刺激に必要とされる前記所要の刺激パラメータを決定することができる、請求項１０に記載の刺激リード。
【請求項１２】
前記コントローラが、１以上の特定の感知素子から受信された前記信号を使用して１以上の特定の刺激素子の相対的な刺激振幅及び／又はタイミングを制御することができる、請求項１０に記載の刺激リード。
【請求項１３】
移植後に組織に治療電気刺激を与える刺激システムにおいて、前記システムが、
前記刺激に対して要求される電気パルスを生成及び送信するパルス生成器と、
遠位端に配置された１以上の刺激素子及び１以上の感知素子のアレイを持つ刺激リードであって、前記１以上の刺激素子の各々が標的領域内の組織に電気刺激を与えることができ、前記１以上の感知素子の各々が電気信号を検出することができる、当該刺激リードと、
を有し、
軌道に沿った前記リードの第１の移植後に、前記刺激素子及び前記感知素子のアレイが、前記第１の移植の後に前記リードの追加の移植を要求することなく、前記標的領域を位置特定し、前記標的領域に少なくとも近い刺激素子を関連付け及び／又は選択し、各選択された刺激素子に対して、治療組織刺激を与えるのに必要とされる所要の刺激パラメータを決定することを容易化する、刺激システム。
【請求項１４】
標的領域内の組織に治療電気刺激を与える方法において、
非外科的撮像処置により、刺激に対する近似的標的領域及び前記近似的標的領域に対する刺激リードの移植に対する軌道を決定するステップと、
前記軌道に沿って前記刺激リードを移植するステップであって、前記刺激リードが、遠位端に配置された１以上の刺激素子及び１以上の感知素子のアレイを持ち、前記１以上の刺激素子の各々が、組織に電気刺激を与えることができ、前記１以上の感知素子の各々が、電気信号を検出することができ、これにより、前記非外科的処置により事前に決定された軌道に沿った前記リードの第１の移植後に、前記刺激素子及び前記感知素子のアレイが、前記第１の移植後に前記リードの追加の移植を要求することなく、前記標的領域を位置特定し、前記標的領域の少なくとも近くの刺激素子を関連付け及び／又は選択し、各選択された刺激素子に対して、前記治療刺激に必要とされる所要の刺激パラメータを決定することを容易化する、当該移植するステップと、
前記１以上の感知素子により前記脳内の神経細胞により生成された前記電気信号を検出するステップと、
前記検出された電気信号から、前記近似的標的領域内の刺激標的領域に対する３次元空間的位置及び境界を決定するステップと、
前記刺激標的領域に刺激を与える１以上の刺激素子及び刺激中に使用されるべき各刺激素子に対する前記刺激パラメータを決定するステップと、
前記特定の刺激パラメータを使用して前記刺激標的領域内の組織を刺激するステップと、
を有する方法。
【請求項１５】
前記１以上の感知素子により前記電気信号を検出するステップが、
電気信号特徴を読み出すステップと、
前記刺激標的領域に対応する前記電気信号特徴を検出する特定の感知素子を決定するステップと、
を更に有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記組織を刺激するステップの前に、
選択された１以上の刺激素子を介して試験電気刺激を供給することにより前記刺激標的領域を試験するステップと、機能的に効率的な刺激標的領域の確認が得られるまで必要に応じて前記方法のステップを反復するステップと、
を更に有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記刺激パラメータが、刺激振幅、極性、持続時間、反復周波数、波形及び刺激デューティサイクル内の相対位相の１以上から選択される、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月3日(2010.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの予め定義される設定を有するビデオ監視装置であって、
ビデオカメラ組立体の位置に対応する第１のパラメータを変更後のビデオカメラ組立体の位置に対応する第２のパラメータと比較し、前記第１のパラメータと前記第２のパラメータとの差を求め、前記差を前記予め定義された設定のうちの少なくとも１つに適用するプロセッサを備える、装置。
【請求項２】
前記第１のパラメータは、前記ビデオカメラ組立体のパン位置、傾斜位置、およびズーム位置のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第２のパラメータは、前記変更後のビデオカメラ組立体のパン位置、傾斜位置、およびズーム位置のうちの少なくとも１つを含む、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記第１のパラメータは位置合わせ指標を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記プロセッサは、前記差を前記複数の予め定義される設定のうちのほぼすべてに適用する、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記プロセッサによってアクセス可能な電子記憶装置であって、前記第１および第２のパラメータを記憶する電子記憶装置をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記複数の予め定義される設定はターゲット位置を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記複数の予め定義される設定はプライバシーゾーン設定を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記複数の予め定義される設定は監視パターン設定を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
複数の予め定義される設定を有するビデオ監視システムを構成する方法であって、
視覚ターゲットとのビデオカメラ組立体の位置合わせに対応する第１のパラメータを記憶することと、
前記視覚ターゲットとの変更後のビデオカメラ組立体の位置合わせに対応する第２のパラメータを得ることと、
前記第１のパラメータと前記第２のパラメータとの差を求めることと、
前記差を前記複数の予め定義された設定のうちの少なくとも１つに適用することと
を含む、方法。
【請求項１１】
前記変更は、前記ビデオカメラ組立体の少なくとも一部分を配置換えすることを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記変更は、前記ビデオカメラ組立体の少なくとも１つの構成要素を少なくとも１つの交換構成要素で置き換えることを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１のパラメータは、前記ビデオカメラ組立体のパン位置、傾斜位置、およびズーム位置のうちの少なくとも１つを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２のパラメータは、前記ビデオカメラ組立体のパン位置、傾斜位置、およびズーム位置のうちの少なくとも１つを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１のパラメータは少なくとも１つの位置合わせ指標を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記差を前記複数の予め定義される設定のうちのほぼすべてに適用することをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
前記複数の予め定義される設定はターゲット位置を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
前記複数の予め定義される設定はプライバシーゾーン設定を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１９】
前記複数の予め定義される設定は監視パターン設定を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項２０】
ビデオ監視システムを構成する方法であって、
少なくとも１つのビデオカメラ組立体位置設定を定義することと、
前記ビデオカメラ組立体位置設定のうちの少なくとも１つに対応する第１のパラメータを記憶することと、
前記ビデオカメラ組立体位置設定のうちの少なくとも１つに対応する第２のパラメータを得ることと、
前記第１のパラメータと前記第２のパラメータとの差を求めることと、
前記差を残りの前記ビデオカメラ組立体位置設定に適用することと
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月15日(2011.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子文書データと、
データテーブルからのデータを含む構造化データと
を含み、前記電子文書データはＲＳＳ（Really Simple Syndication）フォーマットと互換性があり、前記構造化データのフォーマットは、データ構造を維持したままＲＳＳ互換フィードを介して電子文書データを処理するために、前記データテーブルからのデータがユーザアプリケーションにロードでき、前記構造化データのフォーマットは
コラム要素、
項目、および
ＩＤサブ要素および値サブ要素を含むフィールド要素
を含むことを特徴とするデータ構造。
【請求項２】
構造化データの型を示す少なくとも１つの要素をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のデータ構造。
【請求項３】
前記型は、レコード型、代数データ型、タプル型、抽象データ型、参照型、クラス型、および関数型のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項２に記載のデータ構造。
【請求項４】
前記項目は、前記コラム要素を示すＩＤ要素を含むことを特徴とする請求項１に記載のデータ構造。
【請求項５】
前記構造化データの各要素は、前記電子文書データは構造化データを配信するように構成されたことを示す接頭辞“ｒｓｓｄ”を含むことを特徴とする請求項１に記載のデータ構造。
【請求項６】
前記電子文書データの構文がＸＭＬに従うことを特徴とする請求項１に記載のデータ構造。
【請求項７】
コンピュータによって構造化データを配信する方法であって、
構造化データを含む電子文書を処理するステップを含み、前記構造化データはデータテーブルからのデータを含み、前記電子文書はＲＳＳ（Really Simple Syndication）フォーマットと互換性があり、前記構造化データのフォーマットは、データ構造を維持したままＲＳＳ互換フィードを介して電子文書データを処理するために、前記データテーブルからのデータがユーザアプリケーションにロードでき、前記構造化データのフォーマットは
コラム要素、
項目、および
ＩＤサブ要素および値サブ要素を含むフィールド要素
を含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
前記電子文書は構造化データの型を示す少なくとも１つの要素をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記型は、レコード型、代数データ型、タプル型、抽象データ型、参照型、クラス型、および関数型のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記項目は、前記コラム要素を示すＩＤ要素を含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記構造化データの各要素は、前記電子文書データは構造化データを配信するように構成されたことを示す接頭辞“ｒｓｓｄ”を含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記構造化データを、構造化データを処理できる少なくとも１つのアプリケーションに提供するステップをさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
前記アプリケーションは表計算アプリケーションであることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
コンピュータによって構造化データを配信するためのシステムであって、
構造化データを含む電子文書を処理するプロセッサを含み、前記構造化データはデータテーブルからのデータを含み、前記電子文書はＲＳＳ（Really Simple Syndication）フォーマットと互換性があり、前記構造化データのフォーマットは、データ構造を維持したままＲＳＳ互換フィードを介して電子文書データを処理するために、前記データテーブルからのデータがユーザアプリケーションにロードでき、前記構造化データのフォーマットは
コラム要素、
項目、および
ＩＤサブ要素および値サブ要素を含むフィールド要素
を含むことを特徴とするシステム。
【請求項１５】
前記電子文書は構造化データの型を示す少なくとも１つの要素をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記型は、レコード型、代数データ型、タプル型、抽象データ型、参照型、クラス型、および関数型のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記項目は、前記コラム要素を示すＩＤ要素を含むことを特徴とする請求項１４に記載のシステム。
【請求項１８】
コンピュータによって構造化データを配信する方法であって、
構造化データを含む電子文書を処理するステップを含み、前記構造化データはデータテーブルからのデータを含み、前記電子文書はＲＳＳ（Really Simple Syndication）フォーマットと互換性があり、前記構造化データのフォーマットは、データ構造を維持したままＲＳＳ互換フィードを介して電子文書データを処理するために、前記データテーブルからのデータがユーザアプリケーションにロードでき、前記ユーザアプリケーションは表計算アプリケーションであり、前記ユーザアプリケーションがリフレッシュするとき、前記構造化データのフォーマットは前記ユーザアプリケーションが前記データテーブルから自動的にデータを更新できることを特徴とする方法。
【請求項１９】
前記電子文書は構造化データの型を示す少なくとも１つの要素をさらに含むことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記構造化データのフォーマットは項目を含み、前記項目は、前記コラム要素を示すＩＤ要素を含むことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月9日(2010.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン注入機に電子を閉じ込める装置であって、
ビームパスの少なくとも一部沿いに配置された第１磁石アレイおよび第２磁石アレイを備え、
前記第１磁石アレイは前記ビームパスの第１側に配置され、前記第２磁石アレイは前記ビームパスの第２側に配置され、前記第１側は前記第２側に対向しており、
前記第１磁石アレイの少なくとも１つの磁石は、前記第２磁石アレイの対応する磁石の反対の極性に対向する極性を有し、
前記第１磁石アレイおよび前記第２磁石アレイのうち、少なくとも一部は、放射状パターンに配置されて、ビームライン磁石の中を通る前記ビームパスの一部をカバーし、前記放射状に配置された磁石の少なくとも幾つかは、前記ビームパスの軌道に垂直な方向に対して湾曲されて、放射状磁場成分を低減する、装置。
【請求項２】
前記第１磁石アレイおよび前記第２磁石アレイは、共同してカスプ磁場を生じて前記ビームパスの内部または付近に電子を閉じ込め、
前記第１磁石アレイおよび前記第２磁石アレイ間の中央平面に平行な前記カスプ磁場の成分は、前記中央平面に垂直な前記カスプ磁場の成分よりも小さい、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１磁石アレイおよび前記第２磁石アレイそれぞれ内において磁石の極性が交番しており、前記中央平面に垂直な前記カスプ磁場の前記成分に、交番する極性を持たせる、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記第１磁石アレイおよび前記第２磁石アレイは、永久磁石である、請求項１から３の何れか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記第１磁石アレイの前記少なくとも１つの磁石と、前記第２磁石アレイの前記対応する磁石とは、前記ビームパスに合わせて並べられる、請求項１から４の何れか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記第１磁石アレイの前記少なくとも１つの磁石と、前記第２磁石アレイの前記対応する磁石とは、前記ビームパスに対して垂直である、請求項１から５の何れか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記第１磁石アレイの前記少なくとも１つの磁石と、前記第２磁石アレイの前記対応する磁石とは、前記ビームパスに垂直であり前記第１磁石アレイおよび前記第２磁石アレイ間の中央平面に平行な磁場成分を低減するよう成形される、請求項１から６の何れか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記ビームライン磁石は、質量分析器の一部である、請求項１から７の何れか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記ビームライン磁石は、イオンビームコリメータの一部である、請求項１から８の何れか１項に記載の装置。
【請求項１０】
イオン注入機に電子を閉じ込める方法であって、
互いの間の中央平面に平行な成分が前記中央平面と直交する成分よりも実質的に小さいカスプ磁場を共同して生じて、ビームパスの内部または付近に電子を閉じ込める第１磁石アレイおよび第２磁石アレイを、前記第１磁石アレイは前記ビームパスの第１側に、前記第２磁石アレイは前記第１側に対向した前記ビームパスの第２側に、前記ビームパスの少なくとも一部に沿って位置決めする段階と、
前記第１磁石アレイの少なくとも１つの磁石が前記第２磁石アレイの対応する磁石の反対の極性に対向する極性を有するよう、前記磁石を配置する段階と、を備え、
前記第１磁石アレイおよび前記第２磁石アレイのうち、少なくとも一部は、放射状パターンに配置されて、ビームライン磁石の中を通る前記ビームパスの一部をカバーし、前記放射状に配置された磁石の少なくとも幾つかは、前記ビームパスの軌道に応じて湾曲されて、放射状磁場成分を低減する、方法。
【請求項１１】
前記第１磁石アレイおよび前記第２磁石アレイそれぞれ内において磁石の極性を交番させて、前記中央平面に垂直な前記カスプ磁場の前記成分に、交番する極性を持たせる段階をさらに備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１磁石アレイおよび前記第２磁石アレイは、永久磁石である、請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１磁石アレイの前記少なくとも１つの磁石と、前記第２磁石アレイの前記対応する磁石とは、前記ビームパスに合わせて並べられる、請求項１０から１２の何れか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１磁石アレイの前記少なくとも１つの磁石と、前記第２磁石アレイの前記対応する磁石とは、前記ビームパスに対して垂直である、請求項１０から１３の何れか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１磁石アレイの前記少なくとも１つの磁石と、前記第２磁石アレイの前記対応する磁石とを、前記ビームパスに垂直であり前記中央平面に平行な磁場成分を低減するよう成形する段階をさらに備える、請求項１０から１４の何れか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記ビームライン磁石は、質量分析器の一部である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ビームライン磁石は、イオンビームコリメータの一部である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記ビームパスの内部または付近に電子を供給する段階をさらに備える、請求項１０から１７の何れか１項に記載の方法。
【請求項１９】
イオン注入機に電子を閉じ込める装置であって、
ビームパスの少なくとも一部に沿って配置された第１磁石アレイおよび第２磁石アレイを備え、
前記第１磁石アレイは前記ビームパスの第１側に配置され、前記第２磁石アレイは前記ビームパスの第２側に配置され、前記第１側は前記第２側に対向しており、
前記第１磁石アレイおよび前記第２磁石アレイは、共同してカスプ磁場を生じて前記ビームパスの内部または付近に電子を閉じ込め、
前記第１磁石アレイおよび前記第２磁石アレイの各磁石は、前記ビームパスに垂直であり前記第１磁石アレイおよび前記第２磁石アレイ間の中央平面に平行な磁場成分を低減するよう成形され、
前記第１磁石アレイおよび前記第２磁石アレイのうち、少なくとも一部は、放射状パターンに配置されて、ビームライン磁石の中を通る前記ビームパスの一部をカバーし、前記放射状に配置された磁石の少なくとも幾つかは、前記ビームパスの軌道に応じて湾曲されて、放射状磁場成分を低減する、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月1日(2010.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池用吸収材層を形成するための多層構造であって、    基材層を含むベース、    前記ベースの上に形成された実質的に金属的な前駆体層であって、少なくともＩＢ族材料およびIIIＡ族の材料を含む実質的に金属的な前駆体層；および    前記実質的に金属的な前駆体層の上に形成され、ＩＡ族材料を含むドーパント構造を含む多層構造。
【請求項２】
前記ドーパント構造は、ＩＡ族材料を含むドーパント提供フィルムであり、前記ドーパン提供フィルムは、２〜１００ｎｍの厚さを有する請求項１の多層構造。
【請求項３】
前記多層構造は、ＩＡ族材料に加えてVIＡ材料を含むドーパントキャリア層であり、前記ドーパントキャリア層は、２５０〜２６００ｎｍの厚さを有する請求項１の多層構造。
【請求項４】
前記ドーパント構造は、前記実質的に金属的な前駆体層の上に形成されたバッファー層と、前記バッファー層の上に形成されたドーパント提供フィルムとを含むドーパントスタックであり、前記バッファー層はVIＡ族材料を含み、前記ドーパント提供フィルムはＩＡ族材料を含み、前記バッファー層は５０〜５００ｎｍの厚さを有し、前記ドーパント提供フィルムは２〜１００ｎｍの厚さを有する請求項１の多層構造。
【請求項５】
前記ドーパント構造は、前記実質的に金属的な前駆体層の上に形成されたドーパント提供フィルムと、前記ドーパント提供フィルムの上に形成されたキャップ層とを含むドーパントスタックであり、前記ドーパント提供フィルムはＩＡ族材料を含み、前記キャップ層はVIＡ材料を含み、前記ドーパント提供フィルムは２〜１００ｎｍの厚さを有し、前記キャップ層は２０００〜２０００ｎｍの厚さを有する請求項１の多層構造。
【請求項６】
前記ドーパント構造は、実質的な金属的前駆体層の上のバッファー層、前記バッファー層の上のドーパント提供フィルム、および前記ドーパント提供フィルム上のキャップ層を含むドーパントスタックであり、前記バッファー層および前記キャップ層はVIＡ族材料を含み、前記ドーパント提供フィルムはＩＡ族材料を含み、前記バッファー層は５０〜５００ｎｍの厚さを有し、前記ドーパント提供フィルムは２〜１００ｎｍの厚さを有し、前記キャップ層は２００〜２０００ｎｍの厚さを有する請求項１の多層構造。
【請求項７】
前記ＩＡ族材料はＮａ，ＫおよびＬｉの少なくとも一種を含む請求項１の構造。
【請求項８】
前記実質的に金属的な前駆体層は、少なくとも８０％の金属相を含み、前記少なくともＩＢ族材料およびIIIＡ族材料は、Ｃｕ，ＩｎおよびＧａ金属を含む請求項１の多層構造。
【請求項９】
ドープされたＩＢIIIＡVIＡ族吸収材層をベース上に形成するプロセスであって、 少なくともＩＢ族材料およびIIIＡ族材料を含む実質的に金属的な前駆体層をベース上に堆積する工程、 前記前駆体層上にドーパント構造を形成する工程であって、前記ドーパント構造はＮａ，ＫおよびＬｉの少なくとも一種を含むドーパント材料を工程、および 前記前駆体層と前記ドーパント構造とを反応させる工程を具備するプロセス。
【請求項１０】
前記ドーパント構造を形成することは、前記ドーパント材料を堆積することにより前記実質的に金属的な前駆体層の上にドーパント提供フィルムを形成することを含む請求項９のプロセス。
【請求項１１】
前記ドーパント構造を形成することは、前記ドーパント提供フィルムを形成する前に、前記実質的に金属的な前駆体層の上にVIＡ族材料からなるバッファー層を堆積する工程をさらに含む請求項１０のプロセス。
【請求項１２】
前記ドーパント構造を形成することは、前記ドーパント提供フィルムの上にVIＡ材料からなるキャップ層を堆積することをさらに含む請求項１１のプロセス。
【請求項１３】
前記バッファー層を堆積することは、前記VIＡ族材料を電気めっきすることを含む請求項１１のプロセス。
【請求項１４】
前記ドーパント構造を形成することは、前記ドーパント提供フィルムの上にVIＡ族材料からなるキャップ層を堆積することをさらに含む請求項１０のプロセス。
【請求項１５】
前記ドーパント提供フィルムを堆積することは、前記ドーパント材料をディップコーティングすることを含む請求項１０のプロセス。
【請求項１６】
前記ドーパント構造を形成することは、前記実質的に金属的な前駆体層の上に、VIＡ族材料およびドーパント材料を共堆積することによりドーパントキャリア層を形成することを含む請求項９のプロセス。
【請求項１７】
前記反応は、４５０〜５００℃の温度範囲でアニールすることを含む請求項９のプロセス。
【請求項１８】
前記反応は、４５０〜５００℃の温度範囲でアニールすることを含む請求項９のプロセス。
【請求項１９】
前記少なくともＩＢ族材料およびIIIＡ族材料は、Ｃｕ，ＩｎおよびＧａ金属を含む請求項９のプロセス。
【請求項２０】
前記実質的に金属的な前駆体層を形成することは、前記基材上に、少なくともＩＢ族材料およびIIIＡ族材料を電気めっきすることを含む請求項９のプロセス。
【請求項２１】
前記VIＡ族材料はＳｅを含む請求項３乃至６のいずれか１項の多層構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８Ａ】
2010512647.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月2日(2010.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第一の導電型の基板と、
（ｂ）前記基板の上に配置された第一の導電型の第一のエピタキシャル層と、
（ｃ）前記第一のエピタキシャル層の上に配置され、複数の感光部を持つ画像領域を含む第一の導電型の第二のエピタキシャル層と、
（ｄ）前記第一のエピタキシャル層の中に位置し、前記複数の感光部より深い位置にある、第二の導電型のサブコレクタと、を備え、
光に反応して生成された電荷の一部が前記感光部に集められ、前記生成された電荷の他の一部が前記サブコレクタに集められ、さらに、
（ｅ）前記第一のエピタキシャル層の中と、前記第一のエピタキシャル層に隣接する前記第二のエピタキシャル層の一部分の中とに位置し、前記第一のエピタキシャル層の中の前記サブコレクタに接続する、第二の導電型の１つまたは複数のコンタクトを備えることを特徴とする、イメージセンサ。
【請求項２】
請求項１に記載のイメージセンサであって、
前記第二のエピタキシャル層の中に位置し、各コンタクトに接続する、１つまたは複数の上側注入物をさらに含むことを特徴とするイメージセンサ。
【請求項３】
請求項１に記載のイメージセンサであって、
前記基板の中に位置し、前記サブコレクタに接続する、１つまたは複数の裏側ビアをさらに含むことを特徴とするイメージセンサ。
【請求項４】
（ａ）第一のエピタキシャル層を有する基板を設置するステップと、
（ｂ）前記第一のエピタキシャル層の中にサブコレクタを埋め込むステップと、
（ｃ）前記第一のエピタキシャル層の中に、前記サブコレクタに接続する１つまたは複数のコンタクトを形成するステップと、
（ｄ）前記第一のエピタキシャル層の上に第二のエピタキシャル層を成長させるステップと、
（ｅ）前記第二のエピタキシャル層の中に複数の感光部を埋め込むステップと、
を含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、
（ｆ）各コンタクトの一部分が前記第二のエピタキシャル層の中に拡散するように、前記１つまたは複数のコンタクトを拡散させるステップと、
（ｇ）前記第一のエピタキシャル層の中に１つまたは複数の上側注入物を注入して、前記第二のエピタキシャル層の中に拡散した各コンタクトの一部分それぞれに接触させるステップと、
をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項４に記載の方法であって、
前記基板の中に１つまたは複数の裏側ビアを形成して、前記第一のエピタキシャル層の中の各コンタクトに接続させるステップをさらに含むことを特徴とする方法。