【事件の表示】
　特願２０００−１９０１６６「多層プリント配線板および多層プリント配線板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　１月１１日出願公開、特開２００２−　　９４４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年　６月２３日の出願であって、平成２０年　６月　５日（受付日）付けで手続補正がなされ、平成２０年　６月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２０年　７月３０日（受付日）に拒絶査定の不服審判の請求がなされるとともに、同年　８月２５日（受付日）付けで手続補正がなされ、同年　８月２５日（受付日）付けの手続補正について、平成２２年　９月２４日付けで当審によって補正却下の決定がなされ、同日付けで当審によって拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）の通知がなされ、平成２２年１１月２９日（受付日）付けで、意見書が提出されるとともに、特許請求の範囲について手続補正がなされた。
　
２．本願発明
　本願の請求項１〜８に係る発明は、平成２２年１１月２９日（受付日）付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項により特定されるとおりのものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものと認める。
　
「【請求項１】ＩＣチップが内蔵または収納されている基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、前記ＩＣチップのパッドと導体回路、および、上下の導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板であって、
前記ＩＣチップのパッドと導体回路を接続するバイアホールが、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂、並びに、シリカフィラーを含む樹脂複合体からなる層間樹脂絶縁層に形成され、前記ＩＣチップのパッド部分にはトランジション層が形成され、前記ＩＣチップと導体回路とは、前記トランジション層およびバイアホールを介して接続されており、
前記ＩＣチップのパッドと導体回路とを接続する前記バイアホールが形成される層間樹脂絶縁層の表面に粗化面が形成されていることを特徴とする多層プリント配線板。」
　
３．当審の拒絶理由
　当審において平成２２年　９月２４日付けで通知した拒絶の理由の概要は、本願発明は、いずれも本願の出願日前に頒布された、特開平９−３２１４０８号公報、特開平１１−２８９０２８号公報、特開２０００−１４３９６７号公報、特開２０００−１６９９９８号公報、特開２０００−１０１２４３号公報、及び、特開昭６１−１２０４７号公報の、それぞれに記載されたような周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　
４．引用刊行物
　ア．引用文献１：特開平１１−２８９０２８号公報（当審拒絶理由における引用例２）
　当審拒絶理由において引用された引用文献１には、「スペーサー構造及びエアギャップを具備する高密度相互接続構造体」（発明の名称）が記載され、図面とともに、以下の記載がある。
　
（引１ア）「【００２２】図１は複数の集積回路チップ１６を配設した凹部１４を具備する高密度相互接続構造体基板１２の一部を切り欠いた斜視図である。これらのチップのうちの２つが図示してある。チップ１６は、上側表面に配置された接続パッド１８を具備する。この構造体では、熱可塑性樹脂接着剤１５（好ましくは、ゼネラルエレクトリック社販売の商標名ウルテム（ＵＬＴＥＭ）６０００ポリエチレンイミド樹脂のようなポリエチレンイミド）によって、凹部１４の底面に集積回路チップ１６が接着してあり、該構造体上に高密度相互接続構造体を製造する準備を整えてある。
【００２３】この高密度構造体の製造はスペーサー構造の製造から始まる。本発明の一実施例においては、スペーサー構造を形成する過程における第１のステップは、集積回路チップ１６及び基板１２の露出表面の上方にポリアミド酸の均一な層を堆積するステップからなる。次いで、この構造を１００℃で半時間加熱乾燥して、ポリアミド酸ポリマー中の溶剤を除去し、乾燥ポリアミド酸の層２２を残す。次に、乾燥させたポリアミド酸層２２の上方にフォトレジスト層２３を堆積する。このステップの終了時点の構造体が図２に図示してある。
【００２４】次に、マスクした光源又はレーザーを用いてフォトレジスト２３を露光し、スペーサー構造の所望の位置に該当する乾燥ポリアミド酸部分のフォトレジストのみが現像液に対して不溶性になった構造材を作る。次いで、フォトレジストを希釈塩基性現像液を用いて通常の方法で現像する。この現像によって、フォトレジストの可溶性部分及びその下のポリアミド酸を除去する。その後で、残ったフォトレジストを有機溶剤を用いて通常の方法で除去し、図３に示すようにポリアミド酸２２が基板１２の全上側表面及び集積回路チップの局所的部分に存在している構造体を作る。好ましくは、高密度相互接続構造体の製造中にチップ１６の電気的接続を形成すべき接続パッド１８の各々の上には乾燥ポリアミド酸の支柱部材の部分２２Ｐを配置する。チップ又は構造体の他の場所にも支柱部材２２Ｐを配設してもよい。この段階で、好ましくはポリアミド酸層がイミド化するまで構造体を２５０℃で加熱乾燥して、それによってポリイミドの高い熱的安定性を得る。加熱乾燥後は、重合ポリアミドは化学構造を変えているから、この重合ポリアミドを参照数字２４で表すことにする。次に、図３に示すように、Ｅ．Ｉ．デュポンドネモース社販売の商標名カプトン（ＫＡＰＴＯＮ）ポリイミドのような熱的に安定なポリマー誘電体薄膜２７を構造体の上に積層する。この方法は好ましくはポリイミド薄膜２７の熱可塑性接着剤２５としてゼネラルエレクトリック社販売の商標名ウルテム１０００ポリエーテルイミド樹脂を用いて行う。ポリイミド薄膜２７と熱可塑性接着剤２５が一緒になって高密度相互接続誘電体層２６を構成する。この積層は、カプトンポリイミドを緊張し、ポリイミドスペーサー構造にも集積回路チップ自体にも悪影響を及ぼさない積層温度（ｌａｍｉｎａｔｉｏｎ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）を用いて行う。図４に示すように、この積層ステップの完了後には、積層誘導体層２６が集積回路表面からスペーサー構造の厚さだけ実質的に隔離する。
【００２５】次に、図５に示すように、電気的接触が望ましい接続パッド１８に整合させて、バイアホール２８を誘電体層２６に形成する。これらのバイアホールは好ましくはレーザードリルによって形成する。しかし、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）のような他の方法を使用してもよい。
【００２６】次に第１の誘電体層２６の上に金属皮膜の第１のパターン化層を形成する。この金属被覆は、好ましくはスパッタリングによってチタンの第１の即ちバイヤーの層を図５に示す基板の上に形成し、それに続いて（薄い）銅層をスパッタリングし、その後でこの銅層を所望の厚さに電気めっきし、更に該銅層の上に第２のチタン層を形成する。次に図６に示すように、このＴｉ／Ｃｕ／Ｔｉ金属被覆層をパターン化して、この高密度相互接続構造体の第１の金属被覆層から所望の導体３２のみを残す。導体３２は、バイアホール２８内に延び、バイアホールの底面で接続パッド１８とオーム接触するバイア部分３４を含む。所望なら、図６に示すように、該構造体の上に誘電体及び導体の付加的な層を形成して、所望の接続を全て行ってもよい。」
　
（引１イ）「【００３２】構造体によっては、高密度相互接続構造体自体の内部に配設された導体からみて誘電率を最小化するために、高密度相互接続構造体自体の内部の個々の金属被覆層間にスペーサー構造を含ませるほうが望ましいと判断される場合がある。このような構造体の断面図を図１０に示す。この構造体では、高密度相互接続構造体３００の第１の金属被覆層導体３３２の上方にスペーサー構造３４４を形成し、その後で、この第２のスペーサー構造の上に第２の誘電体層３４６を積層する。この第２の積層に続いて、第１の金属被覆層と第２の金属被覆層との間を電気的に接続したい場所で、バイアホール３４８を第２の積層誘電体層３４６に穿孔し更に第２のスペーサー構造３４４を貫通させて第１の金属被覆層３３２まで穿孔する。その後で、第２の金属層を第２の誘電体層上に堆積させ、関連特許及び特許出願で教示されるような方法でパターン化して導電線３５２を形成する。」
　
（引１ウ）上記（引１ア）の記載及び図５を参照すれば、引用文献１の図６には、基板１２の凹部に、熱可塑性樹脂接着剤１５によって集積回路チップ１６が接着され、集積回路チップ１６には接続パッド１８が設けられ、重合ポリアミド２４及びポリイミド薄膜２７と熱可塑性接着剤２５とが一緒になった高密度相互接続誘電体層２６には、導体３２が設けられ、接続パッド１８と導体３２とは、バイア部分３４でオーム接触していることが示されている。
　
（引１エ）また、図１０において、図面の符号３１２、３１５、３１６、３１８、３２４、３４６、及び、３３４で示された部材は、上記（引１ア）の記載及び図５を参照すれば、図６に示された「基板１２」、「熱可塑性樹脂接着剤１５」、「集積回路チップ１６」、「接続パッド１８」、「重合ポリアミド２４」、「高密度相互接続誘電体層２６」、及び、「バイア部分３４」に相当するものであることは明らかであるから、引用文献１の図１０には、基板３１２の凹部の底面に、熱可塑性樹脂接着剤３１５によって集積回路チップ３１６が接着され、集積回路チップ３１６には接続パッド３１８が設けられ、基板３１２の集積回路チップ３１６が接着された凹部以外の基板３１２の上面に重合ポリアミド３２４を形成し、接続パッド３１８の上には重合ポリアミド３２４Ｐと、誘電体層３４６を順に形成し、誘電体層３４６の金属被覆層導体３３２の上方にスペーサ構造３４４を形成し、その上に第２の誘電体層３４６が積層され、第２の誘電体層３４６の上に、導電線３５２が設けられ、接続パッド３１８と金属被覆層３３２とは、バイア部分３３４でオーム接触し、誘電体層３４６の上の金属被覆層３３２と第２の誘電体層３４６の上の導電線３５２とはバイアホール３４８によって電気的に接続された高密度相互接続構造体３００が記載されている。
　
　したがって、引用文献１には、「集積回路チップ３１６が、基板３１２の凹部に接着され、基板３１２には、重合ポリアミド３２４、誘電体層３４６、金属被覆層３３２、スペーサ構造３４４、第２の誘電体層３４６、導電線３５２が順次形成されており、誘電体層３４６及び第２の誘電体層３４６はポリイミド薄膜２７と熱可塑性接着剤２５とが一緒になったものであり、前記集積回路チップ３１６の接続パッド３１８と金属被覆層３３２とがバイア部分３３４を介して接続され、金属被覆層３３２と導電線３５２とがバイアホール３４８を介して接続され、バイア部分３３４は誘電体層３４６に形成され、バイアホール３４８は第２の誘電体層３４６に形成された高密度相互接続構造体３００」（以下、「引用発明」という。）が開示されている。
　
　イ．周知例１：特開２０００−１４３９６７号公報（当審拒絶理由における引用例３）
　周知例１には、「樹脂複合体、プリント配線板および多層プリント配線板」（発明の名称）が記載され、図面とともに以下の記載がある。
　
（周１ア）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂複合体およびプリント配線板に関し、特にヒートサイクル時にクラックが発生せず、誘電率などの電気的特性に優れた樹脂複合体とプリント配線板である。」
　
（周１イ）「【０００７】【課題を解決するための手段】本願発明は、”丸１”〜”丸３”である。
”丸１”熱硬化性ポリアリルエーテルおよび熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体。
”丸２”基板上に樹脂絶縁層が形成され、該樹脂絶縁層上に導体回路が形成されたプリント配線板において、前記樹脂絶縁層は、熱硬化性ポリアリルエーテルおよび熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体で構成されてなることを特徴とするプリント配線板。
”丸３”導体回路形成基板上に層間樹脂絶縁層が形成され、該層間樹脂絶縁層上に導体回路が形成された多層プリント配線板において、前記層間樹脂絶縁層は、熱硬化性ポリアリルエーテルおよび熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体で構成されてなることを特徴とする多層プリント配線板。」（なお、数字の１、２、３を○で囲った文字を表記できないので、”丸１”、”丸２”、”丸３”と表示している。以下、同様。）
　
　ウ．周知例２：特開２０００−１６９９９８号公報（当審拒絶理由における引用例４）
　周知例２には、「電気めっき前処理液、電気めっき方法および多層プリント配線板の製造方法」（発明の名称）が記載され、図面とともに、以下の記載がある。
　
（周２ア）「【００２５】(3) 次に、本発明の多層プリント配線板の製造方法について説明する。この方法は、基本的に、”丸１”下層導体回路が形成された基板上に層間樹脂絶縁層を設け、”丸２”該層間樹脂絶縁層にバイアホール形成用開口を設けると共に、”丸３”前記層間樹脂絶縁層上に導電層を形成し、次いで、めっきレジストを形成したのち、”丸４”上記めっき前処理を行い、その後、”丸５”直流電気めっきならびに定電圧パルスめっきを施し、めっきレジストを除去し、”丸６”さらにその後、めっきレジスト下の導電層をエッチング除去して上層導体回路およびバイアホールを形成することにより多層プリント配線板を製造する方法である。」
　
（周２イ）「【００２７】また、上記基板には、必要に応じてスルーホールを設けることができる。そして、このスルーホール中には、充填材を充填してもよく、さらに充填によって閉塞されたスルーホール上は、蓋めっきと呼ばれるめっきによりスルーホル被覆導体層で被覆してもよい。」
　
（周２ウ）「【００２８】”丸２”上記基板に層間樹脂絶縁層を形成し、この層間樹脂絶縁層にバイアホール形成用開口を設ける。この開口は、露光、現像処理、またはレーザ光を照射することにより形成することができる。ここで、層間樹脂絶縁層としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の一部を感光化した樹脂、あるいはこれらの複合樹脂を採用することができる。この層間樹脂絶縁層は、未硬化の樹脂を塗布して形成してもよく、また、未硬化の樹脂フィルムを熱圧着して形成してもよい。さらに、未硬化の樹脂フィルムの片面に銅箔などの金属層が形成された樹脂フィルムを貼付してもよい。このような樹脂フィルムを使用する場合は、バイアホール形成部分の金属層をエッチングした後、レーザ光を照射して開口を設ける。金属層が形成された樹脂フィルムとしては、樹脂付き銅箔などを使用することが好ましい。」
　
（周２エ）「【００２９】前記層間樹脂絶縁層としては、無電解めっき用接着剤層を使用できる。この無電解めっき用接着剤は、本出願人が先に提案した特開昭第６１−２７６８７５号公報に開示されているもの、すなわち、酸あるいは酸化剤に可溶性の硬化処理された耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適である。酸、酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のアンカーからなる粗化面を形成できるからである。」
　
（周２オ）「【００３１】粗化面の深さは、Ｒｍａｘ＝０．０１〜２０μｍがよい。密着性を確保するためである。特にセミアディティブ法では、０．１〜５μｍがよい。密着性を確保しつつ、無電解めっき膜を除去できるからである。前記酸あるいは酸化剤に難溶性の耐熱性樹脂としては、「熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」又は「感光性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」からなることが望ましい。前者については耐熱性が高く、後者についてはバイアホール用の開口をフォトリソグラフィーにより形成できるからである。」
　
（周２カ）「【００３３】熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニルエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテルイミド（ＰＩ）、フッ素樹脂などを使用できる。熱硬化性樹脂（感光性樹脂）と熱可塑性樹脂の混合割合は、熱硬化性樹脂（感光性樹脂）／熱可塑性樹脂＝９５／５〜５０／５０がよい。耐熱性を損なうことなく、高い靱性値を確保できるからである。」
　
（周２キ）「【００５１】(8) バイアホール形成用開口９を形成した配線基板を、7500ｇ／ｌのクロム酸水溶液に73℃で２０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層８の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去してその表面を粗化し、粗化面１０を得た。その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした（図８参照）。さらに、粗面化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、層間絶縁材層８の表面およびバイアホール形成用開口９の内壁面に触媒核を付けた。」
　
　エ．周知例３：特開平１０−３３５８３５号公報
　周知例３には、「多層配線基板」（発明の名称）が記載され、図面とともに、以下の記載がある。
　
（周３ア）「【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の多層配線基板の概略図を図１に示した。本発明の多層配線基板１は、複数の絶縁層２と、導体回路３をと具備し、導体回路３は、絶縁層２間、または絶縁層２の表面に形成されている。また、表面の導体回路３は、例えば、半導体素子（図示せず）と電気的に接続される。
【００１３】本発明によれば、上記絶縁層は、少なくとも有機樹脂を含むものであり、例えば、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル樹脂）、ＢＴレジン（ビスマレイドトリアジン）、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポリアミノビスマレイミド等の樹脂からなり、とりわけ原料として室温で液体の熱硬化性樹脂からなることが望ましい。
【００１４】また、この絶縁層中には、それ自体の強度や熱膨張係数を調整するために、上記の有機樹脂に無機質フィラーを配合することができる。絶縁層中に５０〜８０体積％の割合で均一に分散されるのが適当である。
【００１５】この複合材料を構成するフィラーとしては、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2 、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＢａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 、ゼオライト、ＣａＴｉＯ3 、ＭｇＴｉＯ3 、ほう酸アルミニウム等の公知の材料が使用できる。」
　
　オ．周知例４：特開平１０−３４１０８３号公報
　周知例４には、「多層配線板」（発明の名称）が記載され、図面とともに、以下の記載がある。
　
（周４ア）「【００１１】これまで述べてきたように、接続信頼性の高い実装基板には、低熱膨張率と低弾性率を備えた絶縁層材料を配線回路の下部に有する配線板が求められる。しかし、低熱膨張率と低弾性率の特性は一般的に相反するものであり、同時に満足する絶縁層材料を得ることは困難であった。発明者らは、樹脂と無機フィラーからなる絶縁層材料について、鋭意検討を重ね以下のことを見い出した。
１．樹脂に配合する無機フィラーの種類が同じ場合、絶縁層材料の熱膨張率は無機フィラーの形状によらず、一定である。
２．無機フィラーの種類が同じでもその形状によって絶縁層材料の弾性率が異なり、球状無機フィラーなど単位重量あたりの表面積が小さい無機フィラーを用いた方が弾性率は低い。
熱膨張は樹脂に無機フィラーが均一に分散されていれば、樹脂の熱膨張と無機フィラーの熱膨張の和となり、樹脂と無機フィラーの体積分率によって決まるものである。すなわち、体積分率が一定ならば、無機フィラーの形状には依存しないものである。しかし、絶縁層材料中に歪みが発生した場合、樹脂と無機フィラーの界面に発生する応力の和は、樹脂と無機フィラーの界面の和が大きいほど大きくなる。すなわち、単位重量あるいは単位体積あたりの表面積が大きい無機フィラーを用いた場合の方がマクロ的には発生する応力が大きくなり、絶縁層材料の弾性率は上昇する。したがって、低弾性率を有する樹脂に単位体積あたりの表面積が小さい無機フィラーを添加することにより、弾性率の上昇を抑えながら、熱膨張率を低減することが可能となる。
【００１２】発明者らは、種々の樹脂と無機フィラーについて検討を重ねた結果、樹脂単体の硬化物の室温（２５℃）における引張り弾性率が７００ＭＰａ以下であり、かつこの樹脂に１ｇ当たりの表面積が５．０ｍ2／ｇ以下である無機フィラーを用い、好ましくは絶縁層材料１００体積部に対し１０〜５０体積部配合することにより、接続信頼性に優れた多層配線板を得ることができた。
【００１３】樹脂単体組成としては、アクリロニトリル１８〜４０重量％、官能基モノマーとしてグリシジル（メタ）アクリレート２〜６重量％及び残部がエチル（メタ）アクリレートもしくはブチル（メタ）アクリレートまたは両者の混合物から得られる共重合体で、Ｔｇ（ガラス転移点）が−１０℃以上でかつ重量平均分子量が１０万以上であるエポキシ基含有アクリルゴムを必須成分として含み、この（ａ）エポキシ基含有アクリルゴム３０〜１００重量部、（ｂ）エポキシ樹脂及びその硬化剤を合わせて５０〜７０重量部及び（ｃ）硬化促進剤０．１〜５重量部を含むと好ましく、さらに、前記（ａ），（ｂ）、（ｃ）に（ｄ）エポキシ樹脂と相溶性でありかつ重量平均分子量３万以上の高分子量樹脂１〜６０重量部または（ｅ）エポキシ樹脂と非相溶性である重量平均分子量３万以上の高分子量樹脂１〜５０重量部を含むと好ましい。また、無機フィラーは、１ｇ当たりの表面積が５．０ｍ2／ｇ以下であれば特に限定するものではなく、シリカやアルミナなどの無機フィラーを用いることができる。特にシリカを含むものであるとより好ましい。」
　
　カ．周知例５：特開２０００−１０１２４３号公報（当審拒絶理由における引用例５）
　周知例５には、「多層ビルドアップ配線板及び多層ビルドアップ配線板の製造方法」（発明の名称）が記載され、図面とともに以下の記載がある。
　
（周５ア）【００５１】(6) 導体回路３４を形成した基板３０にアルカリ脱脂してソフトエッチングして、次いで、塩化パラジウウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅３．２×１０-2ｍｏｌ／ｌ、硫酸ニッケル３．９×１０-3ｍｏｌ／ｌ、錯化剤５．４×１０-2ｍｏｌ／ｌ、次亜りん酸ナトリウム３．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ、ホウ酸５．０×１０-1ｍｏｌ／ｌ、界面活性剤（日信化学工業製、サーフィール４６５）０．１ｇ／ｌ、ＰＨ＝９からなる無電解めっき液に浸積し、浸漬１分後に、４秒当たり１回に割合で縦、および、横振動させて、導体回路３４およびスルーホール３６のランド３６ａの表面にＣｕ−Ｎｉ−Ｐからなる針状合金の被覆層と粗化層４２を設けた（図２（Ｆ）参照）。
　
（周５イ）「【００５７】(11)以下に示す組成の無電解銅めっき水溶液中に基板３０を浸漬して、層間樹脂絶縁層５０の開口４８内に無電解めっきからなる無電解めっき導体５１を充填する（図３工程（Ｊ）参照）。ここで、無電解めっき用触媒による前処理を行っていないため、開口４８の底部の導体層３４のみに無電解めっきが析出する。従って、該無電解めっき導体５１の表面を平滑にすることができる。ここでは、銅めっきを用いたが、めっき金属としては、Ag,Ni,Pb,Au,Sn或いは、これらの合金を用いることができる。ここで、Niは、無電解めっきの析出速度が銅と比較して早いため、多層ビルドアップ配線板を短時間で作成できる利点がある。」
　
（周５ウ）「【００５８】(12)引き続き、該基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層５０及び無電解めっき導体５１の表面に触媒核を付ける。その後、上記組成の無電解銅めっき水溶液中に基板３０を浸漬し、全体に厚さ0.6 μｍの無電解銅めっき膜５２を形成した（図３（Ｋ））。」
　
（周５エ）「【００６３】(17)(7) 〜(15)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成する。即ち、基板３０の両面に、層間樹脂絶縁剤（下層用）をロールコ一夕で塗布し、絶縁剤層１４４を形成する。また、この絶縁剤層１４４の上に無電解めっき用接着剤（上層用）をロールコ一タを用いて塗布し、接着剤層１４６を形成する（図５（Ｐ）参照）。絶縁剤層１４４および接着剤層１４６を形成した基板３０の両面に、フォトマスクフィルムを密着させ、露光・現像し、開口（バイアホール形成用開口）１４８を有する層間樹脂絶縁層１５０を形成した後、該層間樹脂絶縁層１５０の表面を粗面にする（図５（Ｑ）参照）。その後、開口１４８に無電解めっき導体１５１を充填する（図６（Ｒ）参照）。そして、該基板３０の表面に、無電解銅めっき膜１５２を形成する（図６（Ｓ）参照）。引き続き、無電解銅めっき膜１５２上に無電解めっきめっきレジスト１５４を設けた後、レジスト非形成部分に無電解めっき銅膜１５６を形成する（図６（Ｔ）参照）。そして、めっきレジスト１５４を離除去した後、無電解めっきめっきレジスト１５４下の無電解めっき膜１５２を溶解除去し、バイアホール１６０及び導体回路（図示せず）を形成する。さらに、バイアホール１６０及び該導体回路（図示せず）の表面に粗化層１６２を形成し、多層ビルドアップ配線板を完成する（図７（Ｕ）参照）。なお、この上層の導体回路を形成する工程においては、Ｓｎ置換は行わなかった。」
　
　キ．周知例６：特開昭６１−１２０４７号公報（当審拒絶理由における引用例６）
　周知例６には、「半導体装置の製造方法」（発明の名称）が記載され、図面とともに、以下の記載がある。
　
（周６ア）「従来の電気メツキ法による半導体フリップチップ素子のバンプ電極形成法の一例を第２図に示す。第２図（ａ）に示すように、半導体基板１（以下Ｓｉ基板と云う）上に形成された、熱酸化膜（以下ＳｉＯ２膜と云う）２の上に、バンプ電極を形成すべき場所に、Ａｌ電極パッド３を形成し、さらにＣＶＤ法にて、パッシベーション膜４を成長させた後、Ａｌ電極パッド３上にスルーホールを開孔する。
　次に、第２図（ｂ）に示すように、Ａｌ−Ｎｉ合金属５、Ｎｉ層６を順次蒸着する。」（１頁右下欄下から７行〜２頁左上欄３行）
　
　ク．周知例７：特開２０００−９１４６９号公報
　周知例７には、「プリント配線板」（発明の名称）が記載され、図面とともに、以下の記載がある。
　
（周７ア）「【００２９】次に、バイアホール形成用開口を設けた層間樹脂絶縁層（無電解めっき用接着剤層）の表面を粗化する。特に本発明では、無電解めっき用接着剤層の表面に存在する耐熱性樹脂粒子を酸又は酸化剤で溶解除去することにより、接着剤層表面を粗化処理する。このとき、層問絶縁樹脂層に粗化層が形成される。
【００３０】前記酸処理としては、リン酸、塩酸、硫酸、又は蟻酸や酢酸等の有機酸を用いることができる。特に有機酸を用いるのが望ましい。粗化処理した場合に、バイアホールから露出する金属導体層を腐食させにくいからである。前記酸化処理は、クロム酸、過マンガン酸塩（過マンガン酸カリウム等）を用いることが望ましい。
【００３１】前記粗化層は、最大粗度Ｒｍａｘ０．１〜２０μｍがよい。厚すぎると粗化層自体が損傷、剥離しやすく、薄すぎると密着性が低下するからである。特にセミアディティブ法では、０．１〜５μｍがよい。密着性を確保しつつ、無電解めっき膜を除去できるからである。
【００３２】次に、粗化し触媒核を付与した層間絶縁樹脂上の全面に薄付けの無電解めっき膜を形成する。この無電解めっき膜は、無電解銅めっきがよく、その厚みは、１〜５μｍ，より望ましくは２〜３μｍとする。なお、無電解銅めっき液としては、常法で採用される液組成のものを使用でき、例えば、硫酸銅：２９ｇ／l 、炭酸ナトリウム：２５ｇ／l 、ＥＤＴＡ：１４０ｇ／ｌ、水酸化ナトリウム：４０ｇ／ｌ、３７％ホルムアルデヒド：１５０ｍｌ、（ＰＨ＝１１．５）からなる液組成のものがよい。」
　
５．対比
　ここで、本願発明と引用発明とを比較する。
　引用発明の「集積回路チップ３１６」、「基板３１２」、「接続パッド３１８」、及び、「高密度相互接続構造体３００」は、本願発明の「ＩＣチップ」、「基板」、「パッド」、及び、「多層プリント配線板」に、それぞれ相当する。
　また、引用発明の「誘電体層３４６」及び「第２の誘電体層３４６」は、本願発明の「層間樹脂絶縁層」に相当する。
　引用発明の「金属被覆層３３２」及び「導電層３５２」は、本願発明の「導体回路」に相当する。
　引用発明の「バイア部分３３４」及び「バイアホール３４８」は、本願発明の「バイアホール」に相当する。
　
　そして、引用発明において、「集積回路チップ３１６」は、「基板３１２」の凹部に接着されているのであるから、「基板３１２」に収納されていることは明らかである。
　
　したがって、本願発明と引用発明とは、「ＩＣチップが収納されている基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、前記ＩＣチップのパッドと導体回路、および、上下の導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板であって、前記ＩＣチップのパッドと導体回路を接続するバイアホールが、層間樹脂絶縁層に形成された多層プリント配線板」で一致し、以下の相違点１〜３で相違している。
　
　ア．相違点１
　層間樹脂絶縁層が、本願発明では、「熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂、並びに、シリカフィラーを含む樹脂複合体からなる」ものであるのに対し、引用発明では、「ポリイミド薄膜２７と熱可塑性接着剤２５とが一緒になった」ものである点。
　
　イ．相違点２
　本願発明では、「ＩＣチップのパッド部分にはトランジション層が形成され、前記ＩＣチップと導体回路とは、前記トランジション層およびバイアホールを介して接続され」ているのに対し、引用発明では、集積回路チップ３１６の接続パッド３１８部分には、トランジション層は形成されていない点。
　
　ウ．相違点３
　本願発明では、「ＩＣチップのパッドと導体回路とを接続するバイアホールが形成される層間樹脂絶縁層の表面に粗化面が形成されている」のに対し、引用発明では、誘電体層３４６及び第２の誘電体層３４６の表面に粗化面は形成されてない点。
　
６．当審の判断
　ア．相違点１について
　本願の明細書には、以下のような記載がある。
「【００２３】また、本発明の多層プリント配線板において、層間樹脂絶縁層は、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを含む樹脂複合体（以下、単に樹脂複合体ともいう）からなるため、耐熱性、耐クラック性、絶縁性、および、バイアホールの形状保持性等に優れる。従って、上記層間樹脂絶縁層を有する多層プリント配線板は、電気接続性や信頼性に優れたものである。
・・・（略）・・・
【００４３】上記その他の成分としては、例えば、粗化面の形成に影響しない無機化合物や樹脂等のフィラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラーを含有させることにより、熱膨張係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上等を図り、多層プリント配線板の性能をより向上させることができる。」
　
　すなわち、本願発明において、層間樹脂絶縁層を「熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂、並びに、シリカフィラーを含む樹脂複合体からなる」ものとした理由は、耐熱性、耐クラック性、絶縁性、および、バイアホールの形状保持性等に優れるものとし、さらに、熱膨張係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上等を図るためであると、解される。
　
　ここで、引用発明のような「高密度相互接続構造体３００」（多層プリント配線板）に用いられる層間樹脂絶縁層では、素子による発熱やハンダ付けの際の加熱に対応するために、耐熱性や熱膨張係数の整合が要求されることは明らかである。
　また、耐クラック性が求められることも明らかである。
　
　一方、耐熱性、耐クラック性に優れる層間絶縁層として、「熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂」を用いたものは、周知例１、２に開示されるように周知である（上記（周１ア）、（周１イ）、（周２ウ）、（周２オ）、及び、（周２カ）の摘示事項を参照。）
　また、熱膨張係数を調整するために、シリカフィラーを絶縁層の樹脂に含ませることは、周知例３、４に開示されるように周知である（なお、周知例３において、「ＳｉＯ２」とは「シリカ」のことである。）。
　
　してみると、引用発明において、耐熱性、耐クラック性、熱膨張係数の整合といった層間樹脂絶縁層に求められる周知の事項に基いて、層間樹脂絶縁層（「誘電体層３４６」及び「第２の誘電体層３４６」）を、「熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂、並びに、シリカフィラーを含む樹脂複合体からなる」ものとすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
　イ．相違点２について
　本願発明における「トランジション層」とは、本願の明細書の「【００７６】（３）次に、必要に応じて、ＩＣチップに形成されているパッド上にトランジション層を形成する。上記トランジション層は、必要に応じて形成すればよいが、トランジション層を形成した場合、トランジション層の直径がパッドの直径に比べて大きいため、トランジション層とバイアホールとの間では位置ずれが発生しにくく、上記パッドとバイアホールとをより確実に接続することができる。」という記載からみて、電気的接続部分の面積を拡大するものと解される。
　しかしながら、電極パッドに電極パッドの絶縁体で覆われていない部分よりも面積が大きい金属層を設けることは、周知例５の「無電解銅めっき膜５２」、周知例６の「電極パッド３に蒸着されたＡｌ−Ｎｉ合金属５」に示されるように周知である。
　そして、このような電気的接続部分の面積を拡大するトランジション層を設けることは、必要とされる電気的接続部分の面積に応じて、適宜採用される設計的事項にすぎないものであるから、「ＩＣチップのパッド部分にはトランジション層が形成され、前記ＩＣチップと導体回路とは、前記トランジション層およびバイアホールを介して接続され」たものとすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
　ウ．相違点３について
　本願の明細書の「【００３９】上記樹脂複合体として、粗化面形成用樹脂組成物を用いる場合、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、バイアホールを含む導体回路との密着性を確保することができるからである。」という記載からみて、本願発明において、「ＩＣチップのパッドと導体回路とを接続するバイアホールが形成される層間樹脂絶縁層の表面に粗化面が形成」された理由は、バイアホールを含む導体回路との密着性を確保するためであると解される。
　一方、バイアホールが形成される層間樹脂絶縁層の表面に粗化面を形成することは、周知例２、５、７に開示されるように周知である（上記（周２キ）、（周５エ）、及び、（周７ア）の摘示事項を参照。）。
　そして、周知例７に、「【００３１】前記粗化層は、最大粗度Ｒｍａｘ０．１〜２０μｍがよい。厚すぎると粗化層自体が損傷、剥離しやすく、薄すぎると密着性が低下するからである。特にセミアディティブ法では、０．１〜５μｍがよい。密着性を確保しつつ、無電解めっき膜を除去できるからである。」と記載されているように、周知例２、５においても、バイアホールが形成される層間樹脂絶縁層の表面の粗化面は、バイアホールに設けられる導電部材との密着性を確保するために形成されたものであることは、明らかである。
　
　そして、引用発明において、バイア部分３３４と誘電層３４６、及び、バイアホール３４８と第２の誘電層３４６との密着性が確保されなくなると、バイア部分３３４、バイアホール３４８が変形しやすくなり、安定的な電気的接続が図られなくなる可能性が予測されることから、バイア部分３３４と誘電層３４６、及び、バイアホール３４８と第２の誘電層３４６との密着性が確保されることが望ましいことは、当業者にとって明らかである。
　
　したがって、「ＩＣチップのパッドと導体回路とを接続するバイアホールが形成される層間樹脂絶縁層の表面に粗化面が形成されている」ようにすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
７．むすび　 
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１に記載された発明及び周知例２〜７に記載されたような周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　 
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。　 
　よって結論のとおり審決する。