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　平成１１年特許願第　６６９５６号「熱処理チャンバ中の物体温度決定装置および方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１１月１６日出願公開、特開平１１−３１６１５９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成１１年３月１２日（パリ条約による優先権主張１９９８年３月１２日、米国）の出願であって、平成２０年５月２１日付けで拒絶理由が通知され、平成２０年８月２５日付けで手続補正がなされたが、平成２０年１０月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２１年１月１３日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年２月１２日付けで手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。
　さらに、平成２２年３月１日付けで審尋がなされ、回答書が平成２２年６月４日付けで請求人より提出されたものである。
　 
第２　本件補正についての補正の却下の決定　 
［補正の却下の決定の結論］　 
　平成２１年２月１２日付け手続補正を却下する。　 
　　 
［理由］　 
１　補正後の本願発明　 
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１と８は、
「【請求項１】　物体の温度を測定するための装置であって、
　物体を収容するように適合した
処理
　この
処理
　前記物体により放たれて反射した
前記物体と前記反射装置との間の
熱
放射エネルギ検出装置であって、前記物体の放射率が高まるように前記反射装置は前記物体に隣接して配される
　前記物体に対する反射率の値を決定するために形成された反射計と
、
前記物体の温度を決定するために前記放射エネルギ検出装置および前記反射計からの情報を受け取るように形成されたコントローラであって、前記放射エネルギ検出装置および前記反射計から受け取った情報を組み合わせることによって前記物体の温度を決定するように形成されたコントローラと
た
　　【請求項８】　半導体ウェハの温度を測定するための装置であって、
　前記半導体ウェハを収容するように適合した
処理
　この
処理
処理
　前記
処理
半導体
　前記半導体ウェハにより放たれて反射した
前記半導体ウェハと前記反射装置との間の
放射エネルギ検出装置であって、前記半導体ウェハの放射率が高まるように前記反射装置は前記半導体ウェハに隣接して配される
　前記半導体ウェハに対する反射率の値を決定するために形成された反射計と、
　前記半導体ウェハの温度を決定するために前記放射エネルギ検出装置および前記反射計からの情報を受け取るように形成したコントローラ
であって、前記放射エネルギ検出装置および前記反射計から受け取った情報を組み合わせることによって前記半導体ウェハの温度を決定するように形成されたコントローラ
　を具えたことを特徴とする装置。」
から
「【請求項１】　物体の温度を測定するための装置であって、
　物体を収容するように適合した処理チャンバと、
　この処理チャンバ内に入れられて前記物体の表面との間で前記物体により放たれる熱放射エネルギを反射するように形成され
、前記物体の放射率が高まるように前記物体から３mmから１５mmまでの距離に配される
　前記物体により放たれて反射した前記物体と前記反射装置との間の前記熱放射エネルギを検出するための放射エネルギ検出装置であって
、前
この放射エネルギ検出装置が前記熱放射エネルギを検出する波長において０.９よりも大きな反射率を有す
　前記物体に対する反射率の値を決定するために形成された反射計と、
　前記物体の温度を決定するために前記放射エネルギ検出装置および前記反射計からの情報を受け取るように形成されたコントローラであって、前記放射エネルギ検出装置および前記反射計から受け取った情報を組み合わせることによって前記物体の温度を決定するように形成されたコントローラと
　を具えたことを特徴とする装置。
　　【請求項８】　半導体ウェハの温度を測定するための装置であって、
　前記半導体ウェハを収容するように適合した処理チャンバと、
　この処理チャンバ内に収容された場合に前記半導体ウェハを加熱するために前記処理チャンバとつながる加熱源と、
　前記処理チャンバ内に入れられる反射装置であって、前記半導体ウェハの表面と前記反射装置との間に前記半導体ウェハにより放たれる熱放射エネルギを反射するように形成され
、前記半導体ウェハから３mmから１５mmまでの距離に配される
　前記半導体ウェハにより放たれて反射した前記半導体ウェハと前記反射装置との間の前記熱放射エネルギを検出するための放射エネルギ検出装置であって
、前
この放射エネルギ検出装置が前記熱放射エネルギを検出する波長において０.９よりも大きな反射率を有す
　前記半導体ウェハに対する反射率の値を決定するために形成された反射計と、
　前記半導体ウェハの温度を決定するために前記放射エネルギ検出装置および前記反射計からの情報を受け取るように形成したコントローラであって、前記放射エネルギ検出装置および前記反射計から受け取った情報を組み合わせることによって前記半導体ウェハの温度を決定するように形成されたコントローラと
　を具えたことを特徴とする装置。」　 
と補正された。（下線は補正箇所を示す。）　 
　
２　請求項１の補正について
（１）補正の内容（新規事項）
　本件補正は、補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「反射装置」を「前記物体の放射率が高まるように前記物体から３mmから１５mmまでの距離に配される」とする補正を含むものである。
　
　該請求項１に係る発明についての補正は、装置の反射装置について物体との位置関係を数値限定をしたものであるが、本願の出願当初の明細書には、「【００６５】・・・ウェハ１４と反射装置２６との間の距離または間隔の選択は、ウェハ１４の大きさに依存する。直径が２００ミリメートルの大きさのウェハに対し、一般に反射装置２６は、ウェハ１４からおよそ３ミリメートルからおよそ１５ミリメートルまで離して配置可能である。・・・。」と記載されており、ここで「３ミリメートルからおよそ１５ミリメートルまで離して配置可能である」と記載されてはいるものの、この配置は、直径が２００ミリメートルの大きさのウェハに対するものであり、技術常識からみて同程度の直径のウェハに対する記載とまでいえるものの、ウェハ以外の被測定物に対して上記記載を拡張し、適用できる記載も示唆もされていない。
　
（２）小括
　したがって、上記補正は、本願の出願当初の明細書に記載されていないものも対象に含むものであり、当初明細書の範囲内においてなされたものといえない。
　
３　請求項８の補正について
（１）請求項８の補正の目的
　本件補正は、補正前の請求項８に係る発明を特定するために必要な事項である「反射装置」の配置と、「反射装置」の反射率を、それぞれ「
半導体ウェハから３mmから１５mmまでの距離に配される
この放射エネルギ検出装置が前記熱放射エネルギを検出する波長において０.９よりも大きな反射率を有す
　したがって、上記補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前（以下，「平成１８年法改正前」という。）の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項８に係る発明（以下「補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用刊行物およびその記載事項　 
ア　本願優先日前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平８−１８４４９６号公報（以下、「刊行物１」という。）には、「放熱物体の温度測定に使用する角濾波による放射輝度の測定」について、図面とともに次の事項が記載されている（下線は当審で付与した。）。　 
　
（ア）　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高速熱処理（ＲＴＰ）チェンバ中の半導体ウェーハなど、放射環境中の物体の放射輝度の非接触現場測定、ならびに放射輝度の測定および同物体の放射率の非接触現場測定を利用しての同物体の温度測定に関するものである。・・・」
　
（イ）　「【００１０】バッフル・アセンブリの有効性は、代表的な
ＲＴＰ加熱装置
これは
石英チェンバと、
平滑で平坦な反射鏡との間に、加熱ランプの列が置かれている
　
（ウ）　「【００１４】
【発明の実施の形態】
図１は、ＲＴＰ加熱装置１６の石英チェンバ１４内に置かれた半導体ウェーハ１２の反射率と放射輝度とを同時に測定するための、本発明により作動する装置１０を示す
反射率の測定は反射率測定装置１８により行われ、放射輝度の測定は放射輝度測定装置２０により行われる。反射率測定装置の出力信号、
は、信号処理装置２８の放射率計算装置２６に供給され、ウェーハ１２の放射率が計算される。装置２６からの放射率と、放射輝度測定装置２０からの放射輝度は、信号処理装置２８内に設けられた温度計算装置３０に供給され、ウェーハ１２の温度が決定される。
・・・
【００１６】上記の例では、本発明はウェーハ１２のように、平坦な表面を持つ加工物について、チェンバ１４の石英の壁面の透明な赤外線スペクトル領域を、ＲＴＰ加熱装置１６の鏡４２および４４などの鏡の反射面と併用して、実施される。ウェーハ１２は、鏡４２および４４の２つの対向する内面に平行な、２つの対向する平坦面を有する。
・・・
【００１７】上記のウェーハ表面、チェンバの壁面、および鏡が平行な幾何形状により、ランプ３２からの放射の反射光線が、すべての光線が鏡４２および４４の反射面に直角または直角に近い方向への、ランプ３２からの光線を除いて上記の平行面に対して角度を持つように分布する。・・・ランプ３２Ｂから任意の角度で（ただし鏡４４に直角ではない）鏡４４に対して角度を持つ方向に放射される光線６０など、他の光線によっては、ウェーハの下面５６と鏡４４との間で、反射経路の連続した行程中に、入射と鏡４４からの反射の角度を同一に維持しながら、一連の反射を生じる。この幾何構成から、図１に示すように、ランプ３２から放射される角度を持った光線は、鏡４４または鏡４２あるいはその両方に対して角度を持った配向により、連続反射によって伝播を続けることは明らかである。・・・。」
　　 
　そうすると、これらの記載と図面を総合すると、刊行物１には、次の発明が記載されていると認められる。　 
　　 
「石英チェンバ１４と、平滑で平坦な反射鏡４４との間に、加熱ランプの列が置かれているＲＴＰ加熱装置１６を備えた装置１０であって、
反射率の測定を行う反射率測定装置１８と、放射輝度の測定を行う放射輝度測定装置２０を備え、
反射率測定装置１８の出力信号は、信号処理装置２８の放射率計算装置２６に供給され、半導体ウェーハ１２の放射率が計算され、装置２６からの放射率と、放射輝度測定装置２０からの放射輝度とは、信号処理装置２８内に設けられた温度計算装置３０に供給され、半導体ウェーハ１２の温度が決定される装置１０。」（以下、「引用発明」という。）
　
イ　本願優先日前に頒布された刊行物である特開平９−１１９８６８号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている（下線は当審で付与した。）。 　 
　
（ア）　　「【００１７】
【好ましい実施形態の説明】ＲＴＰシステム内でのパイロメータをキャリブレーションするために使用されるパイロメータキャリブレーションツールの詳細を説明する前に、先ずキャリブレーションされるパイロメータを含むＲＴＰシステムについて説明する。
図１及び図２を参照すると、ＲＴＰは一般的にディスク形の、直径８インチ（２００ｍｍ）のシリコン基板１０を処理するための処理チャンバ６０を含んでいる。基板１０は基板支持構造６２によってチャンバ６０内に保持され、基板の真上に位置する加熱素子７０（例えば一連のタングステンハロゲンランプ）によって加熱される。加熱素子７０は基板１０の約１インチ上方に位置する水冷式クォーツウィンドウ７２を通してチャンバ６０内に入る放射光を発生する。
　
（イ）　図１には、チャンバ６０内に保持されたシリコン基板１０の真上に位置する加熱素子７０によって、該シリコン基板１０が加熱される様子が描かれている。
　
ウ　本願優先日前に頒布された刊行物である特開平３−１０５２２３号公報（以下、「刊行物３」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている（下線は当審で付与した。）。 　 
　
（ア）　「（実施例）
　以下、本発明の温度測定方法を、半導体ウエハを加熱処理するランプアニール装置における処理中の半導体ウエハの温度測定に適用した実施例を図面を参照して説明する。
　
チャンバ１は、上面に例えば石英等からなる窓２が形成された横断面ほぼ円形の筒状体３と、この筒状体３の下側開口を気密的に閉塞する如く設けられた円板状のプラテン４とから構成されている。また、プラテン４の上面には、複数例えば３本のピン５が、これらのピン５上に半導体ウエハ６を支持する如く配置されており、これらのピン５は、プラテン４の上面と半導体ウエハ６下面との間隔Ｄが２０〜１０ｍｍ、例えば１５ｍｍとなるよう構或されている。　なお、筒状体３およびプラテン４の内側面は、反射効率を高めて半導体ウエハ６が均一かつ効率的に加熱されるよう鏡面状に形成されている。
　
また、半導体ウエハ６に平行する如く近接して鏡面状に形成された反射体（プラテン４）が設けられ、このプラテン４と半導体ウェハ６との間で多重反射が生じるように構成した場合、半導体ウエハ６のほぼ中央部に向けて斜めに配設された光学ヘッド８に入射する放射Ｉ０は、プラテン４の反射率をｒ（λ）として、
となり、多重反射の効果により、黒体を測定する場合と同等となる。したがって、予めＩ０と温度の関係を求めておけば、Ｉ０の測定を行うことにより、正確な温度を知ることができる。
・・・
したがって、例えば半導体ウエハ６の半径Ｒが７６．３５ｍｍ、放射率εが０．７、反射率ρが０．３、半導体ウエハ６の実際の温度が１０００℃、測定波長が０．９μｍの場合、求められる温度は半導体ウェハ６の鏡面性の度合ｐと、間隔Ｄによって表１に示すように変化する。
　すなわち、温度測定という観点からは間隔Ｄは、できるだけ狭くすることが好ましいが、半導体ウエハ６を均一に加熱するためには、間隔Ｄをある程度拡くする必要がある。このため、間隔Ｄは、例えば２０〜ｌ０ｍｍ程度とすることが好ましい。」（第２頁右上欄１６行〜第３頁右下欄１８行）
　
（３）　当審の判断　 
ア　対比　 
（ア）　引用発明と補正発明とを対比すると、その構造・機能からみて、引用発明の「石英チェンバ１４」、「反射鏡４４」、「加熱ランプの列」、「反射率測定装置１８」、「半導体ウェーハ１２」、および「半導体ウェーハ１２の温度が決定される装置１０」は、それぞれ、補正発明の「処理チャンバ」、「反射装置」、「加熱源」、「反射計」、「半導体ウェハ」、および「半導体ウェハの温度を測定するための装置」に相当することが明らかである。
　
（イ）　引用発明の「石英チェンバ１４と、平滑で平坦な反射鏡４４との間に、加熱ランプの列が置かれているＲＴＰ加熱装置１６」の「加熱ランプの列」と、
補正発明の「この処理チャンバ内に収容された場合に前記半導体ウェハを加熱するために前記処理チャンバとつながる加熱源」とは、半導体ウェハを加熱するための加熱源という点で共通する。
　
（ウ）　引用発明の「石英チェンバ１４と、平滑で平坦な反射鏡４４との間に、加熱ランプの列が置かれているＲＴＰ加熱装置１６」の「反射鏡」と、
補正発明の「前記処理チャンバ内に入れられる」、「前記半導体ウェハの表面と前記反射装置との間に前記半導体ウェハにより放たれる熱放射エネルギを反射するように形成され、前記半導体ウェハから３mmから１５mmまでの距離に配される」、「この放射エネルギ検出装置が前記熱放射エネルギを検出する波長において０.９よりも大きな反射率を有する」反射装置とは、配置関係からみて、半導体ウェハの表面と前記反射装置との間に前記半導体ウェハにより放たれる熱放射エネルギを反射するように形成された反射装置という点で共通する。
　
（エ）　引用発明の「放射輝度測定装置２０」は、測定する放射輝度が、その段落【００３２】に記載された定義となる式からみて、放射エネルギーを表すことから、補正発明の「放射エネルギ検出装置」に相当する。
　
（オ）　引用発明では、放射率計算装置２６も、温度計算装置３０も、信号処理装置２８の一部であるから、信号処理装置が受け取る情報は、反射率測定装置の出力信号と放射輝度測定装置２０からの放射輝度であり、信号処理装置は、該２つの情報を基にして、半導体ウェーハ１２の温度を決定するのであるから、引用発明の「信号処理装置２８」 は、本願発明の「コントローラ」に相当する。
　
　そうすると、両者は、　 
（一致点）  
　「半導体ウェハの温度を測定するための装置であって、
　前記半導体ウェハを収容するように適合した処理チャンバと、
　半導体ウェハを加熱するための加熱源と、
　半導体ウェハの表面と前記反射装置との間に前記半導体ウェハにより放たれる熱放射エネルギを反射するように形成された反射装置と、
　前記半導体ウェハにより放たれて反射した前記半導体ウェハと前記反射装置との間の前記熱放射エネルギを検出するための放射エネルギ検出装置と、
　前記半導体ウェハに対する反射率の値を決定するために形成された反射計と、
　前記半導体ウェハの温度を決定するために前記放射エネルギ検出装置および前記反射計からの情報を受け取るように形成したコントローラであって、前記放射エネルギ検出装置および前記反射計から受け取った情報を組み合わせることによって前記半導体ウェハの温度を決定するように形成されたコントローラとを具えた装置。」
である点で一致し、以下の点で相違するといえる。　
　
（相違点１）　
　加熱源の収容場所と処理チャンバとの接続について、補正発明では、「この処理チャンバ内に収容された場合に前記半導体ウェハを加熱するために前記処理チャンバとつながる」のに対して、
引用発明では、加熱源が石英チェンバの外にある点。　 
　
（相違点２）　
　処理チャンバの反射装置について、補正発明では、「前記処理チャンバ内に入れられ」、「前記半導体ウェハの表面と前記反射装置との間に前記半導体ウェハにより放たれる熱放射エネルギを反射するように形成され、前記半導体ウェハから３mmから１５mmまでの距離に配され」、「この放射エネルギ検出装置が前記熱放射エネルギを検出する波長において０.９よりも大きな反射率を有する」のに対して、
引用発明では、石英チェンバの外に配置され「平滑で平坦」である点。
　
イ　相違点についての判断　 
　まず、相違点１を検討する。
　刊行物２の記載事項である上記「（２）イ（イ）」に「図１には、チャンバ６０内に保持されたシリコン基板１０の真上に位置する加熱素子７０によって、該シリコン基板１０が加熱される様子が描かれている。」と記載したように、「処理チャンバ内に収容された場合に半導体ウェハを加熱するために前記処理チャンバとつながる加熱源」は周知技術である。
　してみると、引用発明の処理チャンバの加熱源のとして、上記周知の構成を採用して、相違点１における本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到するものといえる。
　
　次に、相違点２を検討する。
　刊行物３の記載事項である上記「（２）ウ（ア）」に「チャンバ１は、・・・横断面ほぼ円形の筒状体３と、この筒状体３の下側開口を気密的に閉塞する如く設けられた円板状のプラテン４とから構成されている。また、プラテン４の上面には、・・・プラテン４の上面と半導体ウエハ６下面との間隔Ｄが２０〜１０ｍｍ、例えば１５ｍｍとなるよう構成されている。
　なお、筒状体３およびプラテン４の内側面は、反射効率を高めて半導体ウエハ６が均一かつ効率的に加熱されるよう鏡面状に形成されている。」と記載（なお、鏡面状に形成されているプラテン４が補正発明の反射装置に相当する。）されているように、「処理チャンバ内に入れられ、前記半導体ウェハの表面と反射装置との間に半導体ウェハにより放たれる熱放射エネルギを反射するように形成され、前記半導体ウェハから１０mmから１５mmまでの距離に配された反射装置」を備える構成は周知技術である。
　また、同じく上記「（２）ウ（ア）」に「半導体ウエハ６に平行する如く近接して鏡面状に形成された反射体（プラテン４）が設けられ、このプラテン４と半導体ウェハ６との間で多重反射が生じるように構成した場合、半導体ウエハ６のほぼ中央部に向けて斜めに配設された光学ヘッド８に入射する放射Ｉ０は、プラテン４の反射率をｒ（λ）として、
・・・
となり、多重反射の効果により、黒体を測定する場合と同等となる。したがって、予めＩ０と温度の関係を求めておけば、Ｉ０の測定を行うことにより、正確な温度を知ることができる。」と記載（鏡面状に形成された反射体（プラテン４）の測定対象波長の光に対して鏡面として作用することが明らか。）されているように、「放射エネルギ検出装置が熱放射エネルギを検出する波長において０.９よりも大きな反射率を有すること」も周知技術である。
　してみると、引用発明の処理チャンバの反射装置として、上記周知の構成を採用して、相違点２における本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到するものといえる。
　
　そして、本願明細書に記載された効果も、引用発明および周知技術から、当業者が予測し得る範囲のものであり、格別顕著なものといえない。
　
（４）小括
　したがって、補正発明は、引用発明および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるというべきであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。　 
　　 
４　まとめ　 
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年法改正前の特許法第１７条の２第３項の規定及び第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により、却下すべきものである。　
　
第３　本願発明について　 
１　本願発明　 
　本件補正は、上記のとおり却下されることとなるので、本願の請求項１〜２４に係る発明は、平成２０年８月２５日付けで手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜２４に記載された事項により特定されたものであって、その請求項８に係る発明は、次のとおりであると認める。　 
「【請求項８】　半導体ウェハの温度を測定するための装置であって、
　前記半導体ウェハを収容するように適合した
処理
　この
処理
処理
　前記
処理
半導体
　前記半導体ウェハにより放たれて反射した
前記半導体ウェハと前記反射装置との間の
放射エネルギ検出装置であって、前記半導体ウェハの放射率が高まるように前記反射装置は前記半導体ウェハに隣接して配される
　前記半導体ウェハに対する反射率の値を決定するために形成された反射計と、
　前記半導体ウェハの温度を決定するために前記放射エネルギ検出装置および前記反射計からの情報を受け取るように形成したコントローラ
であって、前記放射エネルギ検出装置および前記反射計から受け取った情報を組み合わせることによって前記半導体ウェハの温度を決定するように形成されたコントローラ
　を具えたことを特徴とする装置。」（以下、「本願発明」という。）　 
　　 
２　引用刊行物およびその記載事項　 
　本願優先日前に頒布された刊行物１〜３およびその記載事項は、上記「第２　３（２）」に記載したとおりである。　 
　　 
３　当審の判断　 
　本願発明は、反射装置について、補正発明の「前記半導体ウェハから３mmから１５mmまでの距離に配される反射装置」、「反射装置はこの放射エネルギ検出装置が前記熱放射エネルギを検出する波長において０.９よりも大きな反射率を有する」から「前記半導体ウェハの放射率が高まるように前記反射装置は前記半導体ウェハに隣接して配される」と数値限定に代えて、「半導体ウェハの放射率が高まるように」、「半導体ウェハに隣接して」として各々の限定を除いたものである。　 
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含む補正発明が、上記「第２　３（３）」において検討したとおり、引用発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるというべきである。　 
　
　なお，請求人は，回答書において「反射装置であって・・・物体からの距離が２００mmの直径の前記物体の場合に３mmから１５mmまでの範囲に配され」るとの構成を付加した補正案を提示しているが、データの開示もなく技術的根拠がないので、これらの数値限定による格別な効果を見出すことはできない。
　したがって、上記補正案によってもその進歩性があるといえず、請求人の補正案は採用できない。　 
　　 
第４　まとめ　 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　 
　したがって、その他の請求項について言及するまでもなく、本願出願は拒絶されるべきものである。　 
　よって、結論のとおり審決する。