【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年7月25日(2011.7.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット物質中の汚染物質の存在の生物学的作用を低減するために該ターゲット物質に照射を施す方法であって、該方法が：
ゲートフィールドエミッター電子源と二つ以上の電子ターゲットを具備するＸ線放射源を用意し、ここで、前記電子源は少なくとも二つの反対方向に電子を放射し、一方、前記Ｘ線放射源は前記電子ターゲットからのＸ線放射を一つの方向に放射し；
前記Ｘ線放射源は、反射モード及び透過モードで作動し；
前記Ｘ線放射のターゲットゾーン内に前記ターゲット物質を配置し；
前記ターゲット物質に、Ｘ線放射源からの放射線を照射することにより前記ターゲット物質中の汚染物質の存在の生物学的作用を低減する、方法。
【請求項２】
該ターゲット物質が食用物質を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該汚染物質が、細菌性、菌性、又はウィルス性であり、そして、該汚染物質の存在の生物学的作用を低減することは、該ターゲット物質の消費者における感染リスクを低減するのに十分な量の汚染物質を殺すことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
該汚染物質が、細菌性、菌性、又はウィルス性であり、そして、該汚染物質の存在の生物学的作用を低減することは、該ターゲット物質の腐敗を低減するのに十分な量の汚染物質を殺すことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
該汚染物質が化学物質であり、そして該汚染物質の存在の生物学的作用を低減することは、該ターゲット物質の消費者における毒性反応のリスクを低減するのに十分な量の汚染物質を化学的に改質することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
該ターゲット物質中の汚染物質の存在の生物学的作用を低減するために該ターゲット物質に照射を施すことは、所定の時間にわたって所定の線量レベルで該ターゲット物質に照射を施すことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ゲートフィールドエミッター電子源により提供される該電子が、前記電子ターゲットに向って加速され、そしてターゲットに衝突し、これにより、前記電子ターゲットからＸ線の放射をさせる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
該ターゲットは、該電子源に対して正に偏倚される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
該ターゲットが接地され、そして該電子源が該ターゲットに対して負に偏倚される、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
ターゲット物質中の汚染物質の存在の生物学的作用を低減するために該ターゲット物質に照射を施す処理システムであって、該処理システムが、一つ以上のＸ線放射源及びターゲットゾーンを含み、
前記一つ以上のＸ線放射源の各々は、反対方向に向けられた電子を受ける一方、Ｘ線放射を一つの方向に放射する構成の複数の電子ターゲットを有し、ここで、前記一つ以上のＸ線放射源は、ゲートフィールドエミッター電子源を含み、また、反射モード及び透過モードの組合せで作動し、
これにより、一つ以上のＸ線放射源から放射された放射線を該ターゲット物質に照射して、前記ターゲット物質中の汚染物質の存在の生物学的作用を低減する、処理システム。
【請求項１１】
該ターゲット物質が食用物質を含む、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
該汚染物質が、細菌性、菌性、又はウィルス性であり、そして、該汚染物質の存在の生物学的作用を低減することは、該ターゲット物質の消費者における感染リスクを低減するのに十分な量の汚染物質を殺すことを含む、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
該汚染物質が、細菌性、菌性、又はウィルス性であり、そして、該汚染物質の存在の生物学的作用を低減することは、該ターゲット物質の腐敗を低減するのに十分な量の汚染物質を殺すことを含む、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１４】
該汚染物質が化学物質であり、そして該汚染物質の存在の生物学的作用を低減することは、該ターゲット物質の消費者における毒性反応のリスクを低減するのに十分な量の汚染物質を化学的に改質することを含む、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１５】
該１つ以上のＸ線放射源が、所定の時間にわたって所定の線量レベルで該ターゲット物質に照射を施すように制御される、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１６】
該１つ以上のＸ線放射源が、それぞれが該ターゲットゾーンに照射を施すように配列された複数のＸ線放射源を含む、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１７】
該ターゲット物質が液体又は気体であり、該システムはさらに、該ターゲット・ゾーンを通して該ターゲット物質を搬送するための、該ターゲット・ゾーンを貫通する導管を含み、該導管が、少なくとも該ターゲット・ゾーン内部に位置する導管部分内でＸ線に対して透過性である、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１８】
ターゲット物質に照射をして、前記ターゲット物質を重合させる方法であって、前記方法は、該方法が：
ゲートフィールドエミッター電子源と二つ以上の電子ターゲットを具備するＸ線放射源を用意し、ここで、前記電子源は少なくとも二つの反対方向に電子を放射し、一方、前記Ｘ線放射源は前記電子ターゲットからのＸ線放射を一つの方向に放射する工程；
少なくとも一つの前記Ｘ線放射源のターゲットゾーンを通して前記ターゲット物質を移動させる工程；及び
前記ターゲット物質に、少なくとも一つのＸ線放射源から放射された放射線を照射することにより、
前記ターゲット物質を重合させる方法。
【請求項１９】
ターゲット物質中の汚染物質の存在の生物学的作用を低減するために該ターゲット物質に照射を施す方法であって、該方法が：
少なくとも一つのＸ線放射源を用意し、ここで、前記少なくとも一つのＸ線放射源は電子を提供する電子源と二つ以上の電子ターゲットを含み、これにより、前記電子源は少なくとも二つの反対方向に電子を放射し、一方、前記Ｘ線放射源は前記電子ターゲットからのＸ線放射を一つの方向に放射し；ここで、前記電子源により用意された前記電子が前記二つ以上の電子ターゲットに向けて加速されて、衝突し、これにより、前記二つ以上の電子ターゲットからＸ線の放射をさせる工程；
前記少なくとも一つのＸ線放射源のターゲットゾーン内に前記ターゲット物質を配置する工程；及び
前記ターゲット物質に、前記少なくとも一つのＸ線放射源から放射された放射線を照射する工程を含む、
前記ターゲット物質中の汚染物質の存在の生物学的作用を低減する、
方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
本発明の実施態様によるフラットパネル源は、電子源、電子加速器、及び電子ターゲット媒体を含む。電子源から電子が抽出又は放出され、そして電子ターゲット媒体に向かって加速される。加速された電子がターゲット媒体上に衝突することにより、Ｘ線が放出される。電子源は任意の好適な材料及び形態から成っていてよい。例えば、電子源は、フィールド放出法、又は熱イオン放出法によって電子を放出することができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
本発明の実施態様の詳細を論じる前に、読者の便宜のために、一般化された従来技術のシステムを手短に検討する。図1を参照すると、従来技術のＸ線源が、いかなる用途からも分離された状態で示されている。源101は封入体103を含む。封入体103は典型的には、電子と気相分子との間の衝突を最小化するために、少なくとも部分的に排気される。源101はさらに、電子源105を含む。電子源105は例えば熱抽出を介して電子107を発生させる。電子107の一部は、加速器格子109によって印加されたフィールドによって静電加速され、そしてターゲット材料111に衝突するために封入体103を横切る。電子のターゲット材料との衝突により、Ｘ線が放出され、Ｘ線115の一部は、窓113又はその他の出口に指向され、そしてこれを通過する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
本発明の実施態様の範囲内で使用可能な1つの透過モード・フラットパネル源が全体的に図3に示されている。大まかに見ると、フラットパネル源は、電子源と、電子加速器と、ターゲット媒体とを含み、加速された電子がターゲット媒体上に衝突すると、Ｘ線が放出される。図3に示されたフラットパネルの図示の実施態様をさらに具体的に参照すると、基板301が電子源組成物303を支持している。電子源組成物303は、そこからの電子のフィールド放出を可能にする物質又は材料を含む。上記特許出願明細書には、組成物例が記載されている。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
電子源組成物303から電子307を抽出するために、電子源組成物303の近くに、しかしこの電子源組成物303から実質的に電気的に絶縁された状態で、電子抽出格子305が位置決めされている。電子抽出格子305は、フィールド効果下の電子源組成物303から電子を抽出するのに十分な、電子源組成物303に対する電圧V+で維持される。相当な数の抽出された電子307の通路内に概ね位置するように、ターゲット材料309が位置決めされる。さらに、ターゲット材料309は、電子抽出格子305の電位及び電子源組成物303の電位の両方に対して正である電位V++で維持される。こうして、抽出された電子は、ターゲット材料309に向かって加速される。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
図3及び4に関して上述した装置は、透過モード装置であるが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明の別の実施態様の場合、他のモードが使用される。従って一般には、作業モード例は、(1)フィールド放出透過(図3に示す)；(2)フィールド放出反射；(3)熱イオン放出透過(図4に示す)；及び(4)熱イオン放出反射である。反射モードは、(透過モードにおけるような)電子衝撃と対向する側とは反対に、電子衝撃と同じ側でターゲット材料309, 409から射出するＸ線を利用する。反射モードの場合、ターゲット材料は、透過モードの場合よりも著しく厚い。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
上記Ｘ線発生システムの効率は、反射モード及び透過モードの両作業を採用することにより高めることができる。図5に示された装置は、電子を提供するためにフィールド放出を利用するが、この代わりに又はこれに加えて、電子を供給するために熱イオン素子を使用することもできる。図示の装置は図3に示されたものと類似していており、そして同様の要素には、同じ下二桁が付されている。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
図示の装置は、対向する付加的な抽出格子531が設けられている点で図3の装置とは異なる。第2の抽出格子531は電子533を抽出し、電子は、抽出格子531と第2のターゲット表面535との間の印加フィールドの影響下で第2のターゲット表面535に向かって加速される。電子533がターゲット表面535と衝突すると、Ｘ線が発生し、Ｘ線の一部が格子に向かって戻るように指向される。ターゲット表面535の厚さに応じて、これらのＸ線の一部が装置を横切り、そして、装置の透過部分によって産出されたＸ線部分と一緒に装置から射出する。支持構造511はＸ線透過性であるべきであるが、支持面537はその必要がないことは言うまでもない。本発明の1実施態様の場合、表面537は、Ｘ線を透過させるのではなく、これを遮断及び/又は反射させる。支持体537も同様に、廃熱を除去し、そして装置の作業及び寿命を向上させるために、冷却機構539を備えていてよい。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
従って、本明細書中に記載された本発明は、添付の特許請求の範囲及びこれらの同等のものの範囲内に含まれ得るような実施態様全てを意図する。
以下に、本願発明に関連する発明の実施形態を列挙する。
［実施形態１］
ターゲット物質中の汚染物質の存在の生物学的作用を低減するために該ターゲット物質に照射を施す方法であって、該方法が：
幅及び高さの次元を有する少なくとも１つのフラットパネルＸ線源を用意し；
該少なくとも１つのフラットパネルＸ線源の幅及び高さの次元と整列し、そして該次元と実質的に同じであるか又は該次元よりも小さい幅及び高さの次元を有するターゲット・ゾーン内部に、該ターゲット物質を入れ；そして
該ターゲット物質中の汚染物質の存在の生物学的作用を低減するために、該少なくとも１つのフラットパネル源からの輻射線を、該ターゲット物質に照射することを含む、
ターゲット物質に照射を施す方法。
［実施形態２］
該ターゲット物質が食用物質を含む、実施形態１に記載の方法。
［実施形態３］
該汚染物質が、細菌性、菌性、又はウィルス性であり、そして、該汚染物質の存在の生物学的作用を低減することは、該ターゲット物質の消費者における感染リスクを実質的に低減するのに十分な量の汚染物質を殺すことを含む、実施形態１に記載の方法。
［実施形態４］
該汚染物質が、細菌性、菌性、又はウィルス性であり、そして、該汚染物質の存在の生物学的作用を低減することは、該ターゲット物質の腐敗を実質的に低減するのに十分な量の汚染物質を殺すことを含む、実施形態１に記載の方法。
［実施形態５］
該汚染物質が化学物質であり、そして該汚染物質の存在の生物学的作用を低減することは、該ターゲット物質の消費者における毒性反応のリスクを実質的に低減するのに十分な量の汚染物質を化学的に改質することを含む、実施形態１に記載の方法。
［実施形態６］
該ターゲット物質中の汚染物質の存在の生物学的作用を低減するために該ターゲット物質に照射を施すことは、所定の時間にわたって所定の線量レベルで該ターゲット物質に照射を施すことを含む、実施形態１に記載の方法。
［実施形態７］
該１つ又は２つ以上のフラットパネルＸ線源が、ゲートフィールドエミッター電子源を含み、そして反射単独モード、透過単独モード、及び反射／透過組み合わせモードから成る群から選択されたモードで作業する、実施形態１に記載の方法。
［実施形態８］
該１つ又は２つ以上のフラットパネルＸ線源が、熱イオン・エミッター電子源を含み、そして反射単独モード、透過単独モード、及び反射／透過組み合わせモードから成る群から選択されたモードで作業する、実施形態１に記載の方法。
［実施形態９］
該少なくとも１つのフラットパネルＸ線源が、該ターゲットゾーンに照射を施すように配列された複数のフラットパネルＸ線源を含み、そして該フラットパネル源からの輻射線を該ターゲット物質に照射する該工程がさらに、複数のフラットパネルＸ線源のそれぞれからの輻射線を該ターゲット物質に照射することを含む、実施形態１に記載の方法。
［実施形態１０］
該少なくとも１つのフラットパネルＸ線源が、電子を提供するための電子源とターゲットとを含み、該電子源によって提供される該電子が、該ターゲットに向かって加速され、そして該ターゲットに衝突し、これにより、該ターゲットからＸ線を放出させる、実施形態１に記載の方法。
［実施形態１１］
該ターゲットは、該電子源に対して正に偏倚される、実施形態１０に記載の方法。
［実施形態１２］
該ターゲットが接地され、そして該電子源が該ターゲットに対して負に偏倚される、実施形態１０に記載の方法。
［実施形態１３］
ターゲット物質中の汚染物質の存在の生物学的作用を低減するために該ターゲット物質に照射を施す処理システムであって、該処理システムが：
それぞれが幅及び高さの次元を有する１つ又は２つ以上のフラットパネルＸ線源；及び
該１つ又は２つ以上のフラットパネルＸ線源のそれぞれの幅及び高さの次元と整列し、そして該次元と実質的に同じであるか又は該次元よりも小さい幅及び高さの次元を有するターゲットゾーン内部を含み、これにより、該１つ又は２つ以上のフラットパネル源からの輻射線を該ターゲット物質に照射することが、該ターゲット物質中の汚染物質の存在の生物学的作用を低減するのに役立つ、処理システム。
［実施形態１４］
該ターゲット物質が食用物質を含む、実施形態１３に記載のシステム。
［実施形態１５］
該汚染物質が、細菌性、菌性、又はウィルス性であり、そして、該汚染物質の存在の生物学的作用を低減することは、該ターゲット物質の消費者における感染リスクを実質的に低減するのに十分な量の汚染物質を殺すことを含む、実施形態１３に記載のシステム。
［実施形態１６］
該汚染物質が、細菌性、菌性、又はウィルス性であり、そして、該汚染物質の存在の生物学的作用を低減することは、該ターゲット物質の腐敗を実質的に低減するのに十分な量の汚染物質を殺すことを含む、実施形態１３に記載のシステム。
［実施形態１７］
該汚染物質が化学物質であり、そして該汚染物質の存在の生物学的作用を低減することは、該ターゲット物質の消費者における毒性反応のリスクを実質的に低減するのに十分な量の汚染物質を化学的に改質することを含む、実施形態１３に記載のシステム。
［実施形態１８］
該１つ又は２つ以上のフラットパネルＸ線源が、所定の時間にわたって所定の線量レベルで該ターゲット物質に照射を施すように制御される、実施形態１３に記載のシステム。
［実施形態１９］
該１つ又は２つ以上のフラットパネルＸ線源のうちの少なくとも１つが、ゲートフィールドエミッター電子源を含み、そして反射単独モード、透過単独モード、及び反射／透過組み合わせモードから成る群から選択されたモードで作業する、実施形態１３に記載のシステム。
［実施形態２０］
該１つ又は２つ以上のフラットパネルＸ線源のうちの少なくとも１つが、熱イオン放出電子源を含み、そして反射単独モード、透過単独モード、及び反射／透過組み合わせモードから成る群から選択されたモードで作業する、実施形態１３に記載のシステム。
［実施形態２１］
該１つ又は２つ以上のフラットパネルＸ線源が、それぞれが該ターゲットゾーンに照射を施すように配列された複数のフラットパネルＸ線源を含む、実施形態１３に記載のシステム。
［実施形態２２］
該ターゲット物質が液体又は気体であり、該システムはさらに、該ターゲット・ゾーンを通して該ターゲット物質を搬送するための、該ターゲット・ゾーンを貫通する導管を含み、該導管が、少なくとも該ターゲット・ゾーン内部に位置する導管部分内でＸ線に対して実質的に透明である、実施形態１３に記載のシステム。
［実施形態２３］
該ターゲット物質を重合するためにターゲット物質に照射を施す方法であって、該方法は：
幅及び高さの次元を有する少なくとも１つのフラットパネルＸ線源を用意し；
該少なくとも１つのフラットパネルＸ線源の幅及び高さの次元と整列し、そして該次元と実質的に同じであるか又は該次元よりも小さい幅及び高さの次元を有するターゲット・ゾーンを通して、該ターゲット物質を輸送し；そして
該ターゲット物質を重合するために、該少なくとも１つのフラットパネル源からの輻射線を、該ターゲット物質に照射することを含む、ターゲット物質に照射を施す方法。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
【図１】図1は、従来技術のＸ線発生装置の側方断面図である。
【図２】図2は、点源Ｘ線装置を使用した従来技術の材料Ｘ線処理システムを示す概略頂面図である。
【図３】図3は、フィールド放出電子源を有する透過モードの大面積フラットパネルＸ線源を備えた、本発明の実施態様の範囲内で使用可能なＸ線発生装置を示す側方横断面図である。
【図４】図4は、熱イオン放出電子源を有する透過モードの大面積フラットパネルＸ線源を備えた、本発明の実施態様の範囲内で使用可能なＸ線発生装置を示す側方横断面図である。
【図５】図5は、フィールド放出電子源を有し、反射・透過組み合わせモードで作業する大面積フラットパネルＸ線源を備えた、本発明の実施態様の範囲内で使用可能なＸ線発生装置を示す側方横断面図である。
【図６】図6は、非液体ターゲット材料を輸送するためにコンベヤが使用される、本発明の実施態様によるＸ線処理システムを示す概略頂面図である。
【図７】図7は、液体又は気体ターゲット材料を輸送するために導管が使用される、本発明の実施態様によるＸ線処理システムを示す概略頂面図である。
【図８ａ】図8aは、対向する大面積フラットパネルＸ線源対が使用される、本発明の別の実施態様によるＸ線処理システムを示す概略頂面図である。
【図８ｂ】図8bは、対向する2つの大面積フラットパネルＸ線源対が使用される、本発明の別の実施態様によるＸ線処理システムを示す概略頂面図である。