【事件の表示】
　平成　９年特許願第３４９６９５号「単結晶の引上速度制御方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　７月　６日出願公開、特開平１１−１８０７９３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年１２月１８日の出願であって、平成１９年２月６日付けで拒絶理由が通知され、同年４月１１日に意見書及び明細書の記載に係る手続補正書が提出され、同年７月２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月９日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同年９月５日に明細書の記載に係る手続補正書が提出され、平成２２年２月１日に特許法第１６４条第３項に基づく報告書を引用した審尋がなされ、同年４月１６日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成１９年９月５日付け手続補正書による補正と本願発明
　平成１９年９月５日付け手続補正書による補正（以下、「本補正」という。）は、
（１）平成１９年４月１１日付けで補正された本補正前の特許請求の範囲である、
「【請求項１】
　チョクラルスキー法によって育成される単結晶の引上速度制御方法であって、
　シード絞り後のショルダー形成においてリング状の酸化誘起積層欠陥が結晶面内に発生しないように、ショルダー径が目標製品直径となるボディ直径の５０％から１００％であるショルダー形成時には、ボディ部における平均引上速度の１．２倍から６倍の引上速度で６０分以下保持して育成することを特徴とする単結晶の引上速度制御方法。
【請求項２】
　シード絞り後ショルダー形成によってボディ直径になるまでの単結晶の引上げ軸方向長さをＬとし、ボディ部直径をＤとした場合に、Ｌ／Ｄ≧１／４とすることを特徴とする請求項１記載の単結晶の引上速度制御方法。
【請求項３】
　チョクラルスキー法によって育成される単結晶の引上速度制御方法であって、
　ショルダー形成後に目標製品となるボディ部の引上げに際しリング状の酸化誘起積層欠陥が結晶面内に発生しないように、ショルダー形成後にボディ直径になった直後から引上げられる単結晶長さがボディ直径になるまで、単結晶の平均引上速度の１．２倍から６倍の引上速度で育成することを特徴とする単結晶の引上速度制御方法。
【請求項４】
　チョクラルスキー法によって育成される単結晶の引上速度制御方法であって、
　リング状の酸化誘起積層欠陥が結晶面内の所定の位置に発生するように、ボディ部の全長に亘り、目標製品となるボディ部の引上速度の最大３０％から最小３０％の範囲内で引上速度を調整することを特徴とする単結晶の引上速度制御方法。」を
「【請求項１】
　チョクラルスキー法によって育成される単結晶の引上速度制御方法であって、
　シード絞り後のショルダー形成においてリング状の酸化誘起積層欠陥が結晶面内に発生しないように、
　シード絞り後ショルダー形成によってボディ直径になるまでの単結晶の引上げ軸方向長さをＬとし、ボディ部直径をＤとした場合に、Ｌ／Ｄ≧１／４とするとともに、
　ショルダー径が目標製品直径となるボディ直径の５０％から１００％であるショルダー形成時には、ボディ部における平均引上速度の１．２倍から６倍の引上速度で６０分以下保持して育成することを特徴とする単結晶の引上速度制御方法。
【請求項２】
　チョクラルスキー法によって育成される単結晶の引上速度制御方法であって、
　ショルダー形成後に目標製品となるボディ部の引上げに際しリング状の酸化誘起積層欠陥が結晶面内に発生しないように、ショルダー形成後にボディ直径になった直後から引上げられる単結晶長さがボディ直径になるまで、単結晶の平均引上速度の１．２倍から６倍の引上速度で育成することを特徴とする単結晶の引上速度制御方法。
【請求項３】
　チョクラルスキー法によって育成される単結晶の引上速度制御方法であって、
　リング状の酸化誘起積層欠陥が結晶面内の所定の位置に発生するように、ボディ部の全長に亘り、目標製品となるボディ部の引上速度の最大３０％から最小３０％の範囲内で引上速度を調整することを特徴とする単結晶の引上速度制御方法。」と補正し、
（２）同本補正前の明細書の【００１４】を
「　（１）ＣＺ法によって育成される単結晶の引上速度制御方法であって、シード絞り後のショルダー形成においてリング状の酸化誘起積層欠陥が結晶面内に発生しないように、シード絞り後ショルダー形成によってボディ直径になるまでの単結晶の引上げ軸方向長さをＬとし、ボディ部直径をＤとした場合に、Ｌ／Ｄ≧１／４とするとともに、ショルダー径が目標製品直径となるボディ直径の５０％から１００％であるショルダー形成時には、ボディ部における平均引上速度の１．２倍から６倍の引上速度で６０分以下保持して育成することを特徴とする単結晶の引上速度制御方法ある。以下、この方法を第１の制御方法という。」に、
同【００１６】を
「　さらに、第１の制御方法の実施に当たっては、シード絞り後ショルダー形成によってボディ直径になるまでの単結晶の引上げ軸方向長さをＬとし、ボディ部直径をＤとした場合に、Ｌ／Ｄ≧１／４とする必要がある（後述の図４参照）。」に、
それぞれ補正するものである。
　上記（１）に係る補正事項は、本補正前の請求項１を削除し、同請求項２の記載形式を従属形式から独立形式に変更するとともに、同請求項２〜４の請求項番号を繰り上げ、それぞれ、新たに、請求項１〜３とするものであって、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例とされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号に規定する事項を目的とするものである。
　また、上記（２）に係る補正事項は、上記（１）に係る補正事項と発明の詳細な説明の欄の記載の齟齬を解消するものであって、新たな事項を導入するものではなく、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　よって、本補正は適法なものであり、本願の請求項１〜３に係る発明は、本補正により補正された明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、そのうちの請求項３に係る発明（以下、「本願第３発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項３】
　チョクラルスキー法によって育成される単結晶の引上速度制御方法であって、
　リング状の酸化誘起積層欠陥が結晶面内の所定の位置に発生するように、ボディ部の全長に亘り、目標製品となるボディ部の引上速度の最大３０％から最小３０％の範囲内で引上速度を調整することを特徴とする単結晶の引上速度制御方法。」
　
３．引用文献
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願日前に頒布された刊行物である特開平０８−３３０３１６号公報（以下「引用文献」という。）には、以下の記載がある。
（３−１）「半導体素子の製造に用いられるシリコン単結晶ウェーハは主にＣＺ法により製造されている。ＣＺ法とは周知の如く石英坩堝内のシリコン融液に種結晶を漬け、石英坩堝および種結晶を回転させながら種結晶を引き上げることにより、円柱状のシリコン単結晶を育成するものである。・・・・・・ところで、このようなＣＺ法により育成したシリコン単結晶ウェーハは、熱酸化処理（・・・・・・）を受けたときに、リング状に発生するＯＳＦと呼ばれる酸化誘起積層欠陥を生じることがある。このＯＳＦリングは引き上げ速度が速くなるにつれて単結晶の外周側へ移動することが知られており、現在ＬＳＩの製造には、ＯＳＦリングが単結晶の最外周に分布するように比較的高速の引き上げ速度・・・・・・で育成された高速育成ウェーハが用いられている。」（【０００２】〜【０００３】）
（３−２）「同一の構造を有する結晶育成装置では、ＯＳＦリングの径は結晶の引き上げ速度に依存して変化し、引き上げ速度の低下と共にその径は減少するが、育成装置が相違し、ホットゾーン構造が変化すると、同一の引き上げ速度であってもＯＳＦリングの径は異なる。しかし、単結晶の引き上げ速度をＶ（ｍｍ／min ）とし、シリコン融点から１３００℃までの高温域における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をＧ（℃／ｍｍ）とするとき、Ｖ／Ｇで表わされる比によりＯＳＦリングの径は一義的に決定される。」（【００１９】）
　
　ここで、上記引用文献の記載について検討する。
（あ）まず、上記（３−１）に記載されている「シリコン単結晶ウェーハ」と「円柱状のシリコン単結晶」との関係についてみてみると、上記（３−１）には「ＣＺ法とは・・・・・・円柱状のシリコン単結晶を育成するものである。」と記載されており、引き上げられた単結晶をその成長軸に対し垂直にカッティングして得られたものがウェーハであることは技術常識であるから（要すれば、特開平５−２２１７８６号公報の【０００２】、特開平９−２５５４８０号公報の【００１１】を参照。）、ＣＺ法により「シリコン単結晶」が育成され、それから「シリコン単結晶ウェーハ」が製造されていることが記載されているとみることができる。なお、このことは本願明細書の記載「単結晶は育成装置外に取り出され、所定の条件で冷却されて、ウェーハに加工される。」（【０００５】）からも窺うことができる。
（い）上記（３−１）の「ＣＺ法により育成したシリコン単結晶ウェーハは、熱酸化処理（・・・・・・）を受けたときに、リング状に発生するＯＳＦと呼ばれる酸化誘起積層欠陥を生じることがある。・・・・・・ＯＳＦリングが単結晶の最外周に分布するように比較的高速の引き上げ速度、・・・・・・で育成された高速育成ウェーハが用いられている。」との記載は、「シリコン単結晶ウェーハ」を「ＣＺ法により」「ＯＳＦリングが単結晶の最外周に分布するように比較的高速の引き上げ速度、・・・・・・で育成」すること、すなわち、上記（あ）の検討を併せみると、「シリコン単結晶」を「ＣＺ法により」「ＯＳＦリングが単結晶の最外周に分布するように比較的高速の引き上げ速度、・・・・・・で育成」する方法が記載されているとみることができる。
（う）そうすると、上記（あ）、（い）の検討を踏まえて、上記（３−１）の記載事項を本願発明の記載ぶりに則して記載すると、引用文献には、
「ＣＺ法によりシリコン単結晶を育成する方法であって、ＯＳＦリングが単結晶の最外周に分布するように比較的高速の引き上げ速度で育成する方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
４．対比・判断 
　本願第３発明と引用発明とを対比する。
（か）引用発明の「ＣＺ法」についてみてみると、引用文献の【０００１】段落に、「チョクラルスキー法（以下ＣＺ法という）」と記載されていることから、該「ＣＺ法」は「チョクラルスキー法」を指していることは明らかであって、本願第３発明の「チョクラルスキー法」に相当する。
（き）本願第３発明の「単結晶」、「リング状の酸化誘起積層欠陥」について本願明細書の記載をみてみると、本願明細書には、「単結晶の製造方法は種々あるが、なかでも、シリコン単結晶の引上げに関し、・・・・・・ＣＺ法がある。
・・・・・・
・・・・・・溶融液から切り離された単結晶は育成装置外に取り出され、所定の条件で冷却されて、ウェーハに加工される。このように単結晶から加工されたウェーハは、その後表面研磨等が施されて種々のデバイスの基板材料として用いられる。
　上述の工程を経て育成された単結晶ウェーハの面内には、単結晶の育成条件によって、リング状の酸化誘起積層欠陥（・・・・・・）が発生する場合がある。」（【０００２】〜【０００６】）と記載されているから、本願第３発明の「リング状の酸化誘起積層欠陥」は、「シリコン単結晶」に生じるものとみることができ、また、本願明細書の「（実施例１）」では、「結晶原料として、多結晶シリコンを120Kg充填し・・・・・・単結晶１を引き上げた。」（【００２９】）と記載されているから、本願第３発明の「単結晶」は「シリコン単結晶」を含むものといえる。
　そうすると、引用発明の「シリコン単結晶」は、本願第３発明の「単結晶」に含まれる。
（く）引用発明の「ＯＳＦ」リングは、本願明細書の「リング状の酸化誘起積層欠陥（・・・・・・R-OSF(Oxidation induced Stacking Fault)という）」（【０００６】）の記載からみて、本願第３発明の「リング状の酸化誘起積層欠陥」に相当する。
（け）引用発明の「ＯＳＦリングが単結晶の最外周に分布するように」の「最外周」は「結晶面内の所定の位置」であることは明らかであるし、「ＯＳＦリングが・・・・・・分布する」ことは、上記（く）の検討を併せみると「リング状の酸化誘起積層欠陥が結晶面内の所定の位置に発生する」とみることが自然だから、引用発明の「ＯＳＦリングが単結晶の最外周に分布するように」は、本願第３発明の「リング状の酸化誘起積層欠陥が結晶面内の所定の位置に発生するように」に相当する。
（こ）引用発明は、「ＯＳＦリングが単結晶の最外周に分布するように比較的高速度の引き上げ速度で育成する方法」であるから、引上速度を比較的高速である所定の範囲の値に調整していることは明らかである。
　一方、本願第３発明の「単結晶の引上速度の制御方法」における「制御」について本願明細書には定義がされていないから、一般的な制御の意味、すなわち、「機械や設備が目的通り作動するように操作すること」（広辞苑第６版、ＪＩＳ　Ｚ８１１６−１９９４の「自動制御用語−一般」を参照。）といえる。
　そうすると、引用発明の「シリコン単結晶を育成する方法」は、「引上速度を調整するシリコン単結晶の引上速度の制御方法」に他ならない。
　そうすると、上記（か）〜（こ）の検討から、両者は、
「チョクラルスキー法によって育成される単結晶の引上速度制御方法であって、
　リング状の酸化誘起積層欠陥が結晶面内の所定の位置に発生するように、引上速度を調整する単結晶の引上速度制御方法。」である点で一致し、次の相違点Ａで相違している。
相違点Ａ：本願第３発明が「ボディ部の全長に亘り、目標製品となるボディ部の引上速度の最大３０％から最小３０％の範囲内で引上速度を調整」しているのに対して、引用発明ではかかる事項を有していない点。
　そこで、この相違点Ａについて検討する。
（さ）まず、引用発明の特定事項である「ＯＳＦリングが単結晶の最外周に分布するように」することについてみてみると、引用文献には、「ＯＳＦリングが単結晶の最外周に分布するように」することの理由について、明記されていないが、技術常識に照らせば、この理由は、ＬＳＩ製造に使用されない範囲にＯＳＦを分布されるためであるといえるから（要すれば、特開平８−２６８７９４号公報の【０００７】、特開平８−１２４９３号公報の【００１５】を参照。）、引用発明において、ウェーハを製造する、すなわち、目標製品となるボディ部の全長に亘り、「ＯＳＦリングが単結晶の最外周に分布する」ように比較的高速の引き上げ速度で育成していることは明らかである。
（し）次に、引用文献の上記（３−２）の「同一の構造を有する結晶育成装置では、ＯＳＦリングの径は結晶の引き上げ速度に依存して変化し、引き上げ速度の低下と共にその径は減少するが、育成装置が相違し、ホットゾーン構造が変化すると、同一の引き上げ速度であってもＯＳＦリングの径は異なる。しかし、単結晶の引き上げ速度をＶ（ｍｍ／min ）とし、シリコン融点から１３００℃までの高温域における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をＧ（℃／ｍｍ）とするとき、Ｖ／Ｇで表わされる比によりＯＳＦリングの径は一義的に決定される。」との記載をみてみると、ＯＳＦリングの径は、結晶の引き上げ速度が小さくなると減少するものの、結晶育成装置の構造、すなわち、ホットゾーン構造に依存し、引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をＧ（℃／ｍｍ）とするとき、Ｖ／Ｇで表わされる比によりＯＳＦリングの径は一義的に決定されるといえる。ところで、同一の結晶育成装置であっても、例えば、加熱源の出力の変動がもたらすホットゾーン構造の変化や、また、融液温度の変動等により、引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値Ｇが変動することは技術常識に照らし明らかである。そうすると、ＯＳＦリングが最外周に分布するようにその径を一定にすべく、換言すれば、所定の位置に発生するように、Ｖ／Ｇで表わされる比を一定にすべく、Ｇの変動に応じて引き上げ速度を制御することは、当然のことであって、その際、引上速度の最大３０％から最小３０％の範囲内で引上速度を調整することは当業者であれば、適宜なし得ることである。
（す）そして、本願明細書には、「ボディ部の全長に亘り、目標製品となるボディ部の引上速度の最大３０％から最小３０％の範囲内で引上速度を調整すること」の作用・効果について、「R-OSFを結晶面内の所定の位置に発生させることが可能になる」（【００２７】）と記載されているのみであり、当業者であれば、予想できる程度のものである。
（せ）よって、上記相違点Ａに係る本願第３発明の特定事項をなすことは当業者であれば容易になし得ることである。
　
４．むすび 
　以上のとおり、本願第３発明は、引用文献に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。 
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。