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【手続補正書】
【提出日】平成23年5月25日(2011.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信システムにおいて着呼側への接続が試みられていることを発呼側に警告する方法であって、
前記発呼側により使用される装置に相関付けられた成熟度または制限度に関する情報を、ネットワークノードからＲＢＴプラットフォームに送信するステップと、
選択されたＲＢＴコンテンツを、前記成熟度または制限度に基づいて前記発呼側により使用される前記装置に搬送させるステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記ネットワークノードは、エンドオフィススイッチおよび移動交換センタ（ＭＳＣ）からなる群からのものである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
適切なコンテンツが代替として指定されない場合、前記ＲＢＴプラットフォームが標準リングトーンまたはデフォルトＲＢＴコンテンツを前記発呼側の装置に搬送させるステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
所定の時間制限に従って所定の制限クラスを無効にするステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
通信システムにおいて発呼側を着呼側に接続するシステムであって、前記発呼側の装置で前記発呼側に対して再生されるリングバックトーン（ＲＢＴ）のコンテンツを制御または無効にする手段を備える、システム。
【請求項６】
前記システムは、前記発呼側により使用される前記装置に相関付けられた成熟度および制限度データを記憶するように構成されたネットワークノードを備え、前記ネットワークノードは、前記データを、着呼側の装置に相関付けられたＲＢＴコンテンツを記憶するために使用されるＲＢＴプラットフォームに搬送するように構成され、
発呼側に再生または表示される前記ＲＢＴコンテンツは、前記ＲＢＴコンテンツおよび前記発呼側により使用される前記装置に属する成熟度または制限度の整合に基づく、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記ネットワークノードは、エンドオフィススイッチおよび移動交換センタ（ＭＳＣ）からなる群からのものを含む、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記着呼側は、前記発呼側により使用される前記装置の前記成熟度または制限度に相関付けられるＲＢＴコンテンツを選択する、請求項６に記載のシステム。
【請求項９】
サービスプロバイダは、前記成熟度または制限度に基づいて前記発呼側により使用される前記装置に提示されるデフォルトＲＢＴコンテンツを提供する、請求項６に記載のシステム。
【請求項１０】
通信システムにおいて発呼側または加入者を着呼側に接続する際に使用されるプラットフォームであって、成熟度または制限度に関連する前記発呼側のプロファイルを記憶するハードウェアおよびソフトウェアを有する第１のノードを備え、前記ノードは、前記成熟度または制限度に基づいて、前記発呼側の装置で再生されるリングバックトーン（ＲＢＴ）のコンテンツを制御するように構成された第２のノードと通信する、プラットフォーム。
【請求項１１】
前記第１のノードは、交換機あるいは回線情報データベース、サービス制御ポイント、ホームロケーションレジスタ、およびホーム加入者サーバからなる群から選択されるデータベースを備える、請求項１０に記載のプラットフォーム。
【請求項１２】
ネットワークサービスプロバイダにより決定されたＲＢＴコンテンツを提示するように構成される、請求項１０に記載のプラットフォーム。
【請求項１３】
加入者により決定された特定の成熟度または制限度を有するＲＢＴコンテンツを、サービス合意または契約に従って発呼側により使用される装置に提示するように構成される、請求項１０に記載のプラットフォーム。
【請求項１４】
前記成熟度または制限度は、前記第１のノードにローカルに記憶され、前記第１のノードは、発信元交換機またはデータベースサーバをさらに備える、請求項１３に記載のプラットフォーム。
【請求項１５】
前記第１のノードは、呼、データセッション、またはマルチメディアセッションが発信されると、前記発呼側または加入者の前記成熟度または制限度を、終端交換機である前記第２のノードに転送するように構成された発信元交換機である、請求項１４に記載のプラットフォーム。
【請求項１６】
前記成熟度または制限度は、ＩＳＤＮユーザ部（ＩＳＵＰ）初期アドレスメッセージ（ＩＡＭ）、ＣＡＭＥＬアプリケーション部／インテリジェントネットワークアプリケーションプロトコル（ＣＡＰ／ＩＮＡＰ）初期ＤＰメッセージ、およびセッション開始プロトコル（ＳＩＰ）：ＩＮＶＩＴＥからなる群からのものを使用して、前記発信元交換機から前記終端交換機に搬送される、請求項１５に記載のプラットフォーム。
【請求項１７】
前記終端交換機は、必要に応じて、前記発信元交換機から前記発呼側により使用される前記装置の前記成熟度または制限度をプルするように構成される、請求項１５に記載のプラットフォーム。
【請求項１８】
前記終端交換機は、トランザクション機能応用部（ＴＣＡＰ）およびＳＩＰクエリからなる群から選択されるものを使用して、前記発信元交換機から前記発呼側により使用される前記装置の前記成熟度または制限度をプルするように構成される、請求項１７に記載のプラットフォーム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月3日(2011.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
シングルユーザ多入力多出力（ＳＵ−ＭＩＭＯ）シグナリングモードとマルチユーザ多入力多出力（ＭＵ−ＭＩＭＯ）シグナリングモードとの両方に対して構成された多入力多出力（ＭＩＭＯ）の複数のアンテナ（７４）と、部分的に共有されたシグナリングがある前記複数のモードの間で切り替えを行う手段（７１）とを有した移動体端末であって、前記移動体端末は、
基地局から、冗長性のあるＳＵ−ＭＩＭＯのビットの再解釈についての情報と、前記再解釈された冗長性のあるビットを受信することによってＭＵ−ＭＩＭＯモードに関係したシグナリング情報とを受信する受信器手段（７２）と、
前記冗長性のあるＳＵ−ＭＩＭＯビットの再解釈についての前記情報を用いて、前記再解釈された冗長性のあるビットの解釈を行う手段（７５）とを有することを特徴とする移動体端末。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月16日(2011.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セル（２１）のオフセットに関連付けられたセル固有オフセット情報を、サービングセル（２０）に加えて前記セル（２１）とも通信するように構成されているユーザ端末（１２）に送信する方法であって、
前記セル固有オフセット情報を生成するステップと、
前記セル固有オフセット情報をブロードキャストチャネルとは異なる少なくとも１つのチャネルにマッピングするステップと、
前記マッピングされたセル個別オフセット情報を送信するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
生成する前記ステップは、前記ユーザ端末と前記セルとのセル同期と独立な、または、前記セルと前記ユーザ端末との間の同期プロセスで使用されるセル周波数オフセットと独立な、前記セル個別オフセット情報を生成するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
サービングセル（２０）に加えて通信ネットワーク（Ｎ）内のセル（２１）とも接続するように構成されているユーザ端末（１２）において、前記セル（２１）に関連付けられた測定レポートおよび／またはイベントに対してセル個別オフセット情報を適用するか否かを決定する方法であって、
前記セル個別オフセット情報がマッピングされ、ブロードキャストチャネルとは異なる少なくとも１つのチャネルを受信するステップと、
前記少なくとも１つのチャネルから前記セル個別オフセット情報を抽出するステップと、
前記セル（２１）にオフセットが存在するか否かを前記セル個別オフセット情報から決定するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
前記少なくとも１つのチャネルは、基準シンボルチャネル、プライマリ同期チャネル、セカンダリ同期チャネル、およびこれらのチャネルの組み合わせ、の１つであることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記セル固有オフセット情報は、前記セルにオフセットが存在するか否かの表示であるセルオフセット表示ビットを含み、該セルオフセット表示ビットは、情報の第１ビットおよび第２ビットの１つを含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記第１ビットが検出された場合、前記セルのイベントまたは測定を前記サービングセルに報告するとき前記セルのセル個別オフセット値を探索せずかつ適用しないよう決定するステップを更に含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第２ビットが検出された場合、前記セルのイベントまたは測定を前記サービングセルに報告するときセル個別オフセット値を適用するよう決定するステップを更に含み、前記セル個別オフセット値は、前記セルのブロードキャストチャネルのシステム情報から取得されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記セル固有オフセット情報は、前記セルのセル個別オフセット値を含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項９】
前記セルの前記セル固有オフセット値は、前記セルの実際のオフセットの表示であることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記セルのイベントまたは測定を前記サービングセルに報告するとき前記セル個別オフセット値を適用するステップを更に含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
セル個別オフセット情報をユーザ端末（１２）に送信するように構成されたセル（２１）内の基地局（１０）であって、前記基地局（１０）と前記ユーザ端末（１２）とは通信ネットワーク（Ｎ）に接続され、前記ユーザ端末（１２）は前記セル（２１）に関連付けられた測定レポートおよび／またはイベントに対して前記セル個別オフセット情報を適用し、前記基地局は、
前記セル個別オフセット情報を生成するように構成されたプロセッサ（２６）であって、前記セル固有オフセット情報をブロードキャストチャネルとは異なる少なくとも１つのチャネルにマッピングするように構成されている、プロセッサ（２６）と、
前記プロセッサ（２６）に接続され、該プロセッサ（２６）から受信した前記マッピングされたセル個別オフセット情報を送信するように構成されたアンテナと、
を含むことを特徴とする基地局。
【請求項１２】
通信ネットワーク（Ｎ）においてセル（２１）内の基地局（１０）に接続されたユーザ端末（１２）であって、該ユーザ端末（１２）は前記セル（２１）に関連付けられた測定レポートおよび／またはイベントに対してセル個別オフセット情報を適用するか否かを決定するように構成されており、前記ユーザ端末（１２）は、
前記セル個別オフセット情報がマッピングされ、ブロードキャストチャネルとは異なる少なくとも１つのチャネルを受信するように構成されたアンテナ（２８）と、
前記アンテナ（２８）に接続され、受信した前記少なくとも１つのチャネルから前記セル個別オフセット情報を抽出するように構成されたプロセッサ（２６）と、
を含み、
前記プロセッサ（２６）は、前記セル（２１）にオフセットが存在するか否かを前記セル個別オフセット情報から決定するよう更に構成されていることを特徴とするユーザ端末。
【請求項１３】
セル個別オフセット情報をユーザ端末（１２）に送信するように構成されたセル（２１）内の基地局（１０）であって、前記基地局（１０）と前記ユーザ端末（１２）とは通信ネットワーク（Ｎ）に接続され、前記ユーザ端末（１２）は前記セル（２１）に関連付けられた測定レポートおよび／またはイベントに対して前記セル個別オフセット情報を適用し、前記基地局は、
前記セル固有オフセット情報を生成する手段（２６）と、
前記セル固有オフセット情報をブロードキャストチャネルとは異なる少なくとも１つのチャネルにマッピングする手段（２６）と、
前記マッピングされたセル個別オフセット情報を送信する手段（２８）と、
を含むことを特徴とする基地局。
【請求項１４】
通信ネットワーク（Ｎ）においてセル（２１）内の基地局（１０）に接続されたユーザ端末（１２）であって、該ユーザ端末（１２）は前記セル（２１）に関連付けられた測定レポートおよび／またはイベントに対してセル個別オフセット情報を適用するか否かを決定するように構成されており、前記ユーザ端末（１２）は、
前記セル個別オフセット情報がマッピングされ、ブロードキャストチャネルとは異なる少なくとも１つのチャネルを受信する手段（２８）と、
受信した前記少なくとも１つのチャネルから前記セル個別オフセット情報を抽出する手段（２６）と、
前記セル（２１）にオフセットが存在するか否かを前記セル個別オフセット情報から決定する手段（２６）と、
を含むことを特徴とするユーザ端末。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月23日(2011.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
足首プロテクターであって、
- 筒状構造を有し、使用者の足首領域を包囲し、これを覆うようになっている伸縮性ウェビング要素であって、上部および下部開口によって定められ、当該足首プロテクターを着用するときに使用者の足を通すことができるようになっており、また、当該上部および下部開口のそれぞれが伸縮性ウェビング材料のへりをかがり縫いすることによって作られ、当該開口が感じられるほどのうねを有しないようになっている伸縮性ウェビング要素、
- 当該ウェビング要素に取りつけられ、使用者のアキレス腱を覆って保護するようになっている緩衝要素であって、当該筒状ウェビング要素の周囲に対して内側に突き出ている緩衝要素、
- 当該ウェビング要素内に配置され、使用者のそとくるぶしとうちくるぶしを覆うようになっている一対の円板状保護要素、
から成ることを特徴とする足首プロテクター。
【請求項２】
当該緩衝要素が、さらに、当該筒状ウェビング要素の周囲に対して外側に突き出ていることを特徴とする請求項1に記載の足首プロテクター。
【請求項３】
当該緩衝要素が、一対の細長い緩衝材から成り、これらの緩衝材が実質的に互いに平行に配置され、使用者のアキレス腱の両側を覆うようになっていることを特徴とする請求項1または2に記載の足首プロテクター。
【請求項４】
当該足首プロテクターを使用するとき、当該伸縮性ウェビング要素が使用者のくるぶしのすぐ下から使用者の足関節のすぐ上まで延びていることを特徴とする請求項1から3の中のいずれか一つに記載の足首プロテクター。
【請求項５】
当該伸縮性ウェビング要素が実質的に非吸収性の不浸透性材料で作られていることを特徴とする請求項1から4の中のいずれか一つに記載の足首プロテクター。
【請求項６】
当該伸縮性ウェビング要素がナイロンとネオプレンとから成る材料で作られていることを特徴とする請求項1から5の中のいずれか一つに記載の足首プロテクター。
【請求項７】
当該伸縮性ウェビング要素が大体61%のナイロンと大体39%のネオプレンとから成る材料で作られていることを特徴とする請求項1から6の中のいずれか一つに記載の足首プロテクター。
【請求項８】
当該緩衝要素が当該伸縮性ウェビング要素の内側または外側に縫い付けられることを特徴とする請求項1から7の中のいずれか一つに記載の足首プロテクター。
【請求項９】
当該筒状ウェビング要素が平行な当該細長い緩衝材の間に配置された縫い目を有することを特徴とする請求項3に記載の足首プロテクター。
【請求項１０】
当該筒状ウェビング要素が当該緩衝要素と180°反対側に配置された縫い目を有することを特徴とする請求項1から9の中のいずれか一つに記載の足首プロテクター。
【請求項１１】
当該縫い目が、当該ウェビング要素に形成されたただ一つの縫い目であることを特徴とする請求項9または10に記載の足首プロテクター。
【請求項１２】
当該筒状ウェビング要素が、縫い目を有しない単一の連続材料片から成ることを特徴とする請求項1から8の中のいずれか一つに記載の足首プロテクター。
【請求項１３】
当該緩衝要素が発泡ポリエチレン(EPE)フォームから成ることを特徴とする請求項1から12の中のいずれか一つに記載の足首プロテクター。
【請求項１４】
当該緩衝要素が大体5 mmの厚さを有することを特徴とする請求項1から13の中のいずれか一つに記載の足首プロテクター。
【請求項１５】
当該保護要素がポリエチレン(PE)から成ることを特徴とする請求項1から14の中のいずれか一つに記載の足首プロテクター。
【請求項１６】
当該保護要素が当該伸縮性ウェビング要素の内側に縫い付けられることを特徴とする請求項項1から15の中のいずれか一つに記載の足首プロテクター。
【請求項１７】
さらに、伸縮性あぶみを有し、該あぶみが当該ウェビング要素に取りつけられて、使用者の足の裏を覆うようになっていて、それにより当該足首プロテクターを使用者の足首の正しい位置に保持するようになっていることを特徴とする請求項1から16の中のいずれか一つに記載の足首プロテクター。
【請求項１８】
当該あぶみが伸縮性材料の単一片から成り、縫い目を有しないことを特徴とする請求項17に記載の足首プロテクター。
【請求項１９】
足首プロテクターキットであって、一対の足首プロテクターから成り、各足首プロテクターが、請求項1から18の中のいずれか一つに記載のものであり、当該対の片方が使用において使用者の左足首を覆うように成形され、当該対の他方が使用において使用者の右足首を覆うように成形されていることを特徴とする足首プロテクターキット。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月11日(2011.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個別の食料製品、特に油糧種子、たとえばアーモンド、ヘーゼルナッツ、ペカンナッツ、クルミ、ピーナッツ、ブラン、シリアル、コーヒ、カカオおよびこれに類するものを焙煎しかつ表面低温殺菌するための方法において、処理を湿気のある雰囲気において１００℃を上回る温度で実施し、低温殺菌処理を焙煎システムで焙煎過程の間に実施し、低温殺菌段階の間、製品表面の温度を、調整された雰囲気の露点温度を僅かに下回る温度に保ち、低温殺菌を１〜３０分間実施し、進行中のまたは継続される焙煎によって、食料製品の表面における凝縮水を除去し、食料製品の吸水を最小限に抑えることを特徴とする、個別の食料製品を焙煎しかつ表面低温殺菌するための方法。
【請求項２】
湿気のある雰囲気での処理を、有利には５０℃〜９９℃の間の温度で実施する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
低温殺菌段階時に製品表面の温度を、調整された雰囲気の露点温度を有利には０℃〜８℃下回る温度に選択する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
製品装入材料を前容器内に準備し、焙煎ゾーン（１）に装入し、空気をベンチレータ（４）によって吸い込み、バーナ（５）を介してガスで加熱し、焙煎ゾーン（１）に中心で供給し、焙煎物品の表面温度が、低温殺菌温度に到達するやいなや、低温殺菌段階を開始する、請求項１記載の方法。
【請求項５】
製品装入材料を前容器内に準備し、焙煎ゾーン（１）に装入し、空気をベンチレータ（４）によって吸い込み、バーナ（５）を介してガスで加熱し、焙煎ゾーン（１）に中心で供給し、焙煎物品の表面温度が、低温殺菌温度に到達するやいなや、低温殺菌段階を開始する、請求項２記載の方法。
【請求項６】
製品装入材料を前容器内に準備し、焙煎ゾーン（１）に装入し、空気をベンチレータ（４）によって吸い込み、バーナ（５）を介してガスで加熱し、焙煎ゾーン（１）に中心で供給し、焙煎物品の表面温度が、低温殺菌温度に到達するやいなや、低温殺菌段階を開始する、請求項３記載の方法。
【請求項７】
低温殺菌段階の間、フラップシステム（１３）を介して、焙煎ゾーン（１）を通る空気量流を減少させ、熱空気内への蒸気噴射を弁（１１）とオリフィス絞り（１２）とを介して開始し、蒸気と混合された熱空気の露点温度が、焙煎物品の表面温度を約０℃〜８℃上回る温度に調整されているように、空気・蒸気量を設定する、請求項４記載の方法。
【請求項８】
低温殺菌段階の間、フラップシステム（１３）を介して、焙煎ゾーン（１）を通る空気量流を減少させ、熱空気内への蒸気噴射を弁（１１）とオリフィス絞り（１２）とを介して開始し、蒸気と混合された熱空気の露点温度が、焙煎物品の表面温度を約０℃〜８℃上回る温度に調整されているように、空気・蒸気量を設定する、請求項５記載の方法。
【請求項９】
低温殺菌段階の間、フラップシステム（１３）を介して、焙煎ゾーン（１）を通る空気量流を減少させ、熱空気内への蒸気噴射を弁（１１）とオリフィス絞り（１２）とを介して開始し、蒸気と混合された熱空気の露点温度が、焙煎物品の表面温度を約０℃〜８℃上回る温度に調整されているように、空気・蒸気量を設定する、請求項６記載の方法。
【請求項１０】
低温殺菌段階の間、製品表面温度を、調整された空気・蒸気体積流に基づき生ぜしめられる露点温度に合致させる、請求項４記載の方法。
【請求項１１】
低温殺菌段階の間、製品表面温度を、調整された空気・蒸気体積流に基づき生ぜしめられる露点温度に合致させる、請求項５記載の方法。
【請求項１２】
低温殺菌段階の間、製品表面温度を、調整された空気・蒸気体積流に基づき生ぜしめられる露点温度に合致させる、請求項６記載の方法。
【請求項１３】
低温殺菌段階の間、製品表面温度を、調整された空気・蒸気体積流に基づき生ぜしめられる露点温度に合致させる、請求項７記載の方法。
【請求項１４】
低温殺菌段階の間、製品表面温度を、調整された空気・蒸気体積流に基づき生ぜしめられる露点温度に合致させる、請求項８記載の方法。
【請求項１５】
低温殺菌段階の間、製品表面温度を、調整された空気・蒸気体積流に基づき生ぜしめられる露点温度に合致させる、請求項９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月10日(2011.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源に電圧信号及び電流信号を供給する供給回路であって、少なくとも１つのスイッチと、前記光源の電力スペクトルの高調波コンテンツの少なくとも１つの周波数成分の値を減少するように前記少なくとも１つのスイッチを制御するコントローラとを有する供給回路。
【請求項２】
前記高調波コンテンツの前記少なくとも１つの周波数成分は、交流源から生じる更なる電圧信号及び更なる電流信号の少なくとも一方の基本周波数の２倍に等しい周波数における第１周波数を少なくとも有している、請求項１に記載の供給回路。
【請求項３】
前記光源から生じている前記光における可視的なフリッカを、この可視的なフリッカを減少するためのエネルギ蓄積コンデンサを使用することなく、減少する、請求項１に記載の供給回路。
【請求項４】
前記電力スペクトルは、前記電圧信号及び前記電流信号の関数であり、前記少なくとも１つのスイッチは、前記電流信号を制御するために電圧信号を切換える、請求項１に記載の供給回路。
【請求項５】
前記コントローラは、前記少なくとも１つのスイッチのための制御信号を生成する装置を有する、請求項１に記載の供給回路。
【請求項６】
前記コントローラは、測定された信号を前記少なくとも１つのスイッチのための制御信号に変換するコンバータを有する、請求項１に記載の供給回路。
【請求項７】
請求項１に記載の供給回路を有する装置。
【請求項８】
光源に電圧信号及び電流信号を供給する方法であって、少なくとも１つの切換えステップと、前記光源の電力スペクトルの高調波コンテンツの少なくとも１つの周波数成分の値を減少するように前記少なくとも１つの切換えステップを制御する制御ステップとを有する方法。
【請求項９】
光源に電圧信号及び電流信号を供給する供給回路を制御する制御信号であって、前記光源の電力スペクトルの高調波コンテンツの少なくとも１つの周波数成分の値を減少するように設計されている制御信号を生成するための情報を記憶している及び有している媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月22日(2011.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
別の実施形態では、処理チャンバ内において基板のベベルエッジをクリーニングする方法が提供される。その方法は、処理チャンバ内において、高周波（ＲＦ）電源に接続されたボトム電極の上に基板を載置することを含む。その方法は、また、処理チャンバにクリーニング用ガスを流し込むことを含む。その方法は、さらに、ＲＦ電源によってボトム電極に電力を供給し、トップエッジ電極を接地することによって、基板のベベルエッジをクリーニングするために該ベベルエッジ付近にクリーニング用プラズマを生成することを含む。処理チャンバは、ボトム電極と向かい合う絶縁体板を取り囲むトップエッジ電極を含む。トップエッジ電極は、電気的に接地される。ボトムエッジ電極は、ボトム電極を取り囲み、トップエッジ電極と向かい合う。トップエッジ電極、ボトム電極の上に配された基板、およびボトムエッジ電極は、クリーニング用プラズマを生成するように構成される。ボトムエッジ電極とボトム電極とは、基板の間を流れるＲＦ電流の量を調整するように調節可能であるＲＦ回路を通して互いに電気的に接続される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
さらに別の実施形態では、基板のベベルエッジをクリーニングするように構成されたプラズマ処理チャンバが提供される。プラズマ処理チャンバは、基板を受けるように構成されたボトム電極を含む。ボトム電極は、高周波（ＲＦ）電源に接続される。プラズマ処理チャンバは、また、ボトム電極と向かい合う絶縁体板を取り囲むトップエッジ電極を含む。トップエッジ電極は、電気的に接地される。プラズマ処理チャンバは、さらに、ボトム電極を取り囲むボトムエッジ電極を含む。ボトムエッジ電極は、トップエッジ電極と向かい合う。ボトムエッジ電極は、ボトム電極に近い側の端が反対側の端より薄いＬ字型の断面を有する。トップエッジ電極、ボトム電極の上に配された基板、およびボトムエッジ電極は、基板のベベルエッジをクリーニングするためにクリーニング用プラズマを生成するように構成される。ボトムエッジ電極とボトム電極とは、基板の間を流れるＲＦ電流の量を調整するように調節可能であるＲＦ回路を通して互いに電気的に接続される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
絶縁体板１６３を取り囲むのは、トップエッジ電極１１０であり、下部エッジ電極１２０と向かい合う。トップエッジ電極１１０は、アルミニウム（Ａｌ）、陽極酸化アルミ、ケイ素（Ｓｉ）、および炭化ケイ素（ＳｉＣ）などの導電性材料で作成することができる。一実施形態では、トップエッジ電極１１０と絶縁体板１６３との間は、トップ誘電体リング１１１である。トップエッジ電極１１０の外側には、基板１５０に面するトップエッジ電極１１０の表面を延長するトップ絶縁リング１１５がある。トップエッジ電極１１０は、トップ電極１６０に電気的にかつ物理的に接続され、トップ電極１６０は、接地される。トップ電極と絶縁体板１６３との間には、トップエッジ電極１１０とトップ誘電体リング１１１との間の開口１６５へ処理ガスが流れることを可能にする複数の流路１６４がある。複数の流路１６４は、トップ電極１６０を越えて延びて、トップ誘電体リング１１１とトップ電極１６０との間に、そしてトップエッジ電極１１０とトップ誘電体リング１１１との間に到る。開口１６５付近の流路１６４の部分は、円Ａで囲われ、図１Ｃに拡大されている。プロセスガスは、開口１６５を通ってベベルエッジ領域内に到るように、または上部中央のガス供給路１６１および絶縁体板１６３と基板１５０との間の隙間を通るように、供給することができる。また、チャンバ壁１７０は、接地される。トップ電極１６０、トップエッジ電極１１０、トップ誘電体リング１１１、トップ絶縁リング１１５、絶縁リング１１２、および絶縁体板１６３は、トップ電極アセンブリを形成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
ベベルエッジ・クリーニング時において、トップエッジ電極１１０は、トップ電極１６０を通して接地される。ボトム電極１４０は、ＲＦ電源１２３によって電力を供給される。上述のように、ボトムエッジ電極１２０は、下部フォーカスリング１２４に電気的に接続され、該下部フォーカスリングは、抵抗器１５２および可変コンデンサ１５１に接続される。上述のように、抵抗器１５２は、図１Ａ−１に示されるように、コンデンサ１５３に並列に接続された抵抗器１５４で置き換えることができる。一実施形態では、抵抗器１５２の抵抗は、約１０オームから約１００，０００オームまでの間である。一実施形態では、抵抗器１５４の抵抗は、約１０オームから約１００，０００オームまでの間であり、コンデンサ１５３の容量は、約１０ｐＦから約１０００ｐＦまでの間である。もしコンデンサ１５１が、約１０ピコファラッド（ｐＦ）から約１００ｐＦまでの間などの低い値（低容量）に調節された場合は、ボトムエッジ電極は、図１Ｄに示されるように、接地される。ボトム電極１４０は、プラズマを生成するために、ウエハ１５０にＲＦ電力を提供する。基板１５０と絶縁体板１６３との間の間隔は、絶縁体板１６３下方の基板表面上にプラズマが生成されないように、１．０ｍｍ未満のように非常に小さく維持される。図１Ｅに示されるように、ボトムエッジ電極１２０およびトップエッジ電極１１０を接地して電気的帰路を提供することによって、ベベルエッジをクリーニングするために基板１５０のエッジ付近にプラズマを生成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月23日(2011.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
外側導体上に弾性蛇腹がない場合や、外側導体が２つに分割されていない場合であっても、１つの例示的実施形態では、中心導体の２つの部品が、外側導体に対して軸方向に移動できるようにそれぞれ配置、設計される。この場合、中心導体の２つの部品を互いに軸方向に引き離す第２の弾力性のある弾性部材が中心導体に設けられる。第２の弾力性のある弾性部材は、例えばコイルばねである。軸方向に互いに離れる２つの中心導体部品の移動を制限する少なくとも１つの第３のストッパが設けられると有用である。第３のストッパは、外側導体内部で中心導体を保持する各絶縁ディスクに当接されるように、外側導体などに配置、設計される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図１および２に示されている、本発明による同軸コネクタ１００の第１の好ましい実施形態は、中心導体および外側導体を備える。外側導体は、外側導体の第１の挿入用端部を形成する第１の外側導体部品１４と、外側導体の第２の挿入用端部を形成する第２の外側導体部品１６とで構成される。中心導体１２は、２つの部品、第１の中心導体部品３０と第２の中心導体部品３２で構成され、この２つの中心導体部品３０と３２の間で、弾性中心導体蛇腹３４の形をとる。２つの中心導体部品３０、３２はそれぞれ、２つの外側導体部品１４、１６に対して固定式または可動式に、絶縁ディスク２０によって保持される。すなわち第１の中心導体部品３０は、絶縁ディスク２０によって第１の外側導体部品１４に固定式または可動式に連結され、第２の中心導体部品３２は、絶縁ディスク２０によって、第２の外側導体部品１６に固定式または可動式に連結される。以上から、上記中心導体で、同軸コネクタ１００が挿入されたときの長さおよび公差を補償する手段を利用することができる。外側導体部品１４、１６と中心導体部品３０、３２が互いに移動可能である場合、第２のコイルばね（図示せず）をさらに、そのばねが２つの中心導体部品３０、３２を互いに押し離すように、中心導体に配置すると有益である。それによって、外側導体とは独立した、長さおよび公差を補償する手段が形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図２に示されるように、第１の実施形態と同形の同軸コネクタ１００が複数配置された形態では、同軸コネクタ１００はハウジング３８内部で互いに隣接して配置され、一方の端部で相手側同軸コネクタ２８に連結される。同軸コネクタ１００を挿入するための未使用の各端部は、互いに隣接して同様に配置された相手側同軸コネクタ（図示せず）を挿入するために使用され、可能性のあることだが、相手側同軸コネクタ２８が正確に隣り合って配置されない場合、公差に基づく差分が弾性中心導体蛇腹３４によって補償される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2010531526.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2010531526.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月28日(2011.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
伝導層３２Ａおよび３２Ｂと絶縁体１４との間には微小間隙は設けられておらず、伝導層３２Ａおよび３２Ｂと絶縁体１４との間の間隙は、気体の分子サイズよりも小さいので、伝導層と絶縁体１４との間の結合部分は、大気圧に対して真空を封止する。トリプルジャンクション領域３６Ａおよび３６Ｂは、伝導層３２Ａおよび３２Ｂと絶縁体１４との間の結合部分に形成されているので、トリプルジャンクション領域に間隙は設けられておらず、トリプルジャンクション領域における局所電場が大幅に低減される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図３および図４に図示する引出システムのトリプルジャンクション領域は、伝導層３２Ａとアノード電極１６との間の空間、および、伝導層３２Ｂとカソード電極１８との間の空間に形成される真空封止界面間隙から離間しているので、従来はトリプルジャンクション領域に捕獲されていた気体が、伝導層３２Ａとアノード電極１６との間の真空封止界面間隙３４Ａ、および、伝導層３２Ｂとカソード電極１８との間の真空封止界面間隙３４Ｂに捕獲されるようになる。トリプルジャンクション３６Ａおよび３６Ｂには微小間隙は設けられていない。伝導層３２Ａとアノード電極１６とでは、または、伝導層３２Ｂとカソード電極１８とでは、電位が同じであるので、捕獲された気体は、二次イオン化を開始することはなく、電圧またはイオンビームを不安定にして、イオン注入装置を最終的に故障させてしまう、トリプルジャンクション破壊を引き起こすこともない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トリプルジャンクション破壊を防ぐ装置であって、
第１の金属電極と、
第２の金属電極と、
前記第１の金属電極と前記第２の金属電極との間に配設される絶縁体と、
前記第１の金属電極と前記絶縁体との間に配設される第１の伝導層と、
前記第２の金属電極と前記絶縁体の前記第１の伝導層に対して反対側との間に配設される第２の伝導層と
を備え、
前記絶縁体は、前記第１の金属電極と前記第２の金属電極との間において、真空にさらされる面を少なくとも１つ有し、
前記第１の伝導層は、前記第１の金属電極、前記絶縁体、および前記真空の界面におけるトリプルジャンクション破壊の発生を防ぎ、
前記第２の伝導層は、前記第２の金属電極、前記絶縁体、および前記真空の界面におけるトリプルジャンクション破壊の発生を防ぐ
装置。
【請求項２】
イオン注入装置におけるトリプルジャンクションの不安定性を防ぐ装置であって、
第１の金属電極と、
第２の金属電極と、
前記第１の金属電極と前記第２の金属電極との間に配設されている絶縁体と、
前記第１の金属電極と前記絶縁体との間に配設される第１の伝導層と、
前記第２の金属電極と前記絶縁体の前記第１の伝導層に対して反対側との間に配設される第２の伝導層と
を備え、
前記絶縁体は、前記第１の金属電極と前記第２の金属電極との間において、前記イオン注入装置が生成するイオンビームを輸送する真空にさらされる面を少なくとも１つ有し、
前記第１の伝導層は、前記第１の金属電極、前記絶縁体、および前記真空の界面におけるトリプルジャンクション破壊の発生を防ぎ、
前記第２の伝導層は、前記第２の金属電極、前記絶縁体、および前記真空の界面におけるトリプルジャンクション破壊の発生を防ぐ
装置。
【請求項３】
前記第１および第２の伝導層は、前記絶縁体にドーピングされた金属粒子を有する
請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記第１および第２の伝導層は、前記絶縁体上に堆積されている
請求項１または２に記載の装置。
【請求項５】
前記第１および第２の伝導層は、前記絶縁体上に接合されている
請求項１または２に記載の装置。
【請求項６】
前記第１および第２の伝導層は、前記絶縁体上に接着されている
請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記第１および第２の伝導層は、微小間隙を形成することなく、原子レベルで前記絶縁体に結合されている
請求項１または２に記載の装置。
【請求項８】
第１のＯリングおよび第２のＯリング
をさらに備え、
前記第１のＯリングは、前記第１の伝導層と前記第１の金属電極との間に挟まれており、
前記第２のＯリングは、前記第２の伝導層と前記第２の金属電極との間に挟まれている
請求項１から７の何れか１項に記載の装置。
【請求項９】
イオン注入装置におけるトリプルジャンクションの不安定性を防ぐ方法であって、
第１の金属電極を設ける段階と、
第２の金属電極を設ける段階と、
前記第１の金属電極と前記第２の金属電極との間に絶縁体を配設する段階と、
前記第１の金属電極と前記絶縁体との間に第１の伝導層を設ける段階と、
前記第２の金属電極と前記絶縁体の前記第１の伝導層とは反対側との間に第２の伝導層を設ける段階と
を備え、
前記絶縁体は、前記第１の金属電極と前記第２の金属電極との間において、前記イオン注入装置が生成するイオンビームを輸送する真空にさらされる面を少なくとも１つ有し、
前記第１の伝導層は、前記第１の金属電極、前記絶縁体、および前記真空の界面におけるトリプルジャンクション破壊の発生を防ぎ、
前記第２の伝導層は、前記第２の金属電極、前記絶縁体、および前記真空の界面におけるトリプルジャンクション破壊の発生を防ぐ
方法。
【請求項１０】
前記第１の伝導層を設ける段階および前記第２の伝導層を設ける段階は、前記絶縁体に金属粒子をドーピングする段階を有する
請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の伝導層を設ける段階および前記第２の伝導層を設ける段階は、前記絶縁体上に、前記第１の伝導層を堆積させる段階および前記第２の伝導層を堆積させる段階を有する
請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の伝導層を設ける段階および前記第２の伝導層を設ける段階は、前記絶縁体上に、前記第１の伝導層を接合する段階および前記第２の伝導層を接合する段階を有する
請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の伝導層を接合する段階および前記第２の伝導層を接合する段階は、前記絶縁体に、前記第１の伝導層を接着する段階および前記第２の伝導層を接着する段階を含む
請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の伝導層を設ける段階および前記第２の伝導層を設ける段階は、微小間隙を形成することなく、原子レベルで、前記絶縁体に、前記第１の伝導層を結合する段階および前記第２の伝導層を結合する段階を有する
請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
第１のＯリングおよび第２のＯリングを設ける段階
をさらに備え、
前記第１のＯリングは、前記第１の伝導層と前記第１の金属電極との間に挟まれており、
前記第２のＯリングは、前記第２の伝導層と前記第２の金属電極との間に挟まれている
請求項９から１４の何れか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月13日(2011.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カラーフィルタのアレイ（１６）を有し、
前記アレイは、オーバラップせずに反復する複数の同一の基本パターン（７０）からなり、基本パターン（７０）はそれぞれ、水平方向及び／又は垂直方向に連続する同一種類の２つのカラーフィルタの間の可変のピッチを含むように、擬似ランダムに配置されるカラーフィルタ（７２、８２、８４）によって形成される、
ことを特徴とするデジタル画像獲得センサ（１８）。
【請求項２】
カラーフィルタの前記アレイの前記カラーフィルタの前記基本パターン（７０）は、画像の４×４画素以上であり、前記画像の大きさよりも小さい請求項１に記載のセンサ。
【請求項３】
カラーフィルタの前記アレイの前記カラーフィルタの前記基本パターン（７０）は、前記画像と同一の大きさである請求項１に記載のセンサ。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれかの１つに従ったセンサからデジタル画像を獲得し、かつ再構成する方法であって、
前記センサ（１８）によって獲得される間に、カラーフィルタの前記アレイ（１６）を用いて、前記画像（１４）をフィルタリングすることによって、それぞれの画像（２２）から獲得された成分から少なくとも１つの画像（３０）を再構成するために、赤色、緑色、及び青色の前記成分の獲得を実行するステップを有することを特徴とする方法。
【請求項５】
前記獲得画像（２２）の輝度とクロミナンスとの分解を実行する請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記獲得画像（２２）の輝度とクロミナンスとの分解は、前記クロミナンス獲得用の請求項１〜請求項３のいずれかの１つに従ったセンサと、前記輝度獲得用のカラーフィルタのアレイを有しないセンサとを用いて実行する請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記輝度を推定し、請求項１〜請求項３のいずれかの１つに従った前記擬似ランダムパターンセンサ（１８）が獲得したデータから、前記クロミナンスの３つの前記成分を補間する請求項５、又は請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記推定輝度と、前記捕捉画像（２２）から補間された前記クリミナンスの３つの前記成分とから、前記画像（３０）の前記再構成を実行する請求項５〜請求項７のいずれかの１つに記載の方法。
【請求項９】
前記画像（３０）の前記再構成は、線形であり、前記基本パターン（７０）と近接部（７６）とからの画素（７２）、（８２）、及び（８４）の近接の重みのみを含む請求項５〜請求項８のいずれかの１つに記載の方法。
【請求項１０】
前記画像（３０）の前記再構成は、適応性があり、非線形であり、そして、標準化された低域フィルタで推定された前記輝度（８６）の階調度に基づく計算によって、ベースバンドに戻されたスペクトル（８８）の前記クロミナンスの補間を実行する方法であって、前記輝度（８６）の低周波数の前記階調度は、前記３つのクリミナンスの補間の垂直方向、又は水平方向を示す請求項５〜請求項８のいずれかの１つに記載の方法。
【請求項１１】
デモザイクは、前記ゼロ空間周波数クリミナンスの搬送波の変換によって、ハイリスク周波数を除去することによって実行する請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
相互に接続するデジタル処理モジュールと、獲得処理モジュールとを有し、前記処理モジュールは、請求項１〜請求項３の１つに従った少なくとも１つのセンサ（１８）と、再構成モジュール（２６）に接続される圧縮モジュール（３２）と、記憶モジュール（４０）と、表示モジュール（４４）と、出力インタフェース（５２）とを有する請求項４〜請求項１１のいずれか１つに記載の方法を実行する画像獲得システム。
【請求項１３】
前記画像（３０）は、前記再構成モジュール（２６）で再構成される請求項９、又は請求項１０及び１１に従った方法を実行する請求項１２に記載のデジタル画像獲得及び再構成システム。
【請求項１４】
前記再構成モジュール（２６）で再構成された前記画像（３０）は、前記圧縮モジュール（３２）内の少なくとも１つのエンコーダで圧縮される請求項９〜請求項１１のいずれか１つの方法を実行する請求項１３に記載のデジタル画像獲得及び再構成システム。
【請求項１５】
前記再構成モジュール（２６）で再構成された前記画像（３０）は、前記再構成モジュール（２６）内の少なくとも１つのエンコーダで圧縮される請求項９〜請求項１１のいずれか１つの方法を実行する請求項１３に記載のデジタル画像獲得及び再構成システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月7日(2011.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化合物中の１，６位に、酸素及び硫黄から成る群から選択されたヘテロ原子を含む１，６−ヘテロピレン化合物を含む有機半導体材料の薄膜を含む物品であって、該化合物のヘテロピレン芳香核上の位置のうちのいずれかは、置換されていてもよく又は置換されていなくてもよく、該置換基のいずれか２つは結合して環となることができ、飽和環、不飽和環、又は芳香族縮合環となることができる前記物品。
【請求項２】
該物品は、誘電層、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を含む薄膜電界効果トランジスタであり、そして該ゲート電極と該有機半導体材料薄膜との両方が該誘電層と接触し、そして該ソース電極と該ドレイン電極との両方が該有機半導体材料薄膜と接触している限り、該誘電層、該ゲート電極、該有機半導体材料薄膜、該ソース電極、及び該ドレイン電極が任意の配列を成している、請求項１に記載の物品。
【請求項３】
該有機半導体材料薄膜が、下記構造Ｉ：
【化１】
2010531551.tif 000001
（上記式中、各Ｘは独立して、Ｏ又はＳから選択され、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、及びＨは独立して、水素、又は薄膜内での当該化合物の有効な半導体特性と合致する置換基であり、そして該置換基Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、及びＨのうちのいずれか２つは、該ヘテロピレン核に縮合された非芳香族環を形成してもよく、そしてＡ及びＢ、並びに／又はＥ及びＦは、構造Ｉ内の該ヘテロピレン核に縮合された芳香族環を形成してもよい）
によって表されるヘテロピレン化合物を含む、請求項１又は２に記載の物品。
【請求項４】
該ヘテロピレン化合物が、下記２つの構造、構造ＩＩ及びＩＩＩ：
【化２】
2010531551.tif 000002
（上記式中、いずれの構造ＩＩ及びＩＩＩの場合でも、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、及びＨはそれぞれ独立して、水素又は置換基であり、そして該置換基は上記規定の環又は複数の環を形成していてもよい）
のうちの一方によって表される、請求項３に記載の物品。
【請求項５】
前記構造ＩＩ及びＩＩＩにおいて、該置換基Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、及びＨが独立して、水素並びに酸素含有有機置換基及び／又は炭素含有置換基から成る群から選択された有機置換基から選択されることができ、酸素含有置換基は、炭素原子数が１〜１２であり、アルコキシ、アリールオキシ、カルボアルキル（−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ）、カルボアリール（−Ｃ（＝Ｏ）Ａｒ）、カルボアルコキシ（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ）、カルボアリールオキシ（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＡｒ）、アリール又はアルキルケトン（−ＲＣ（＝Ｏ）Ｒ）又は（−ＡｒＣ（＝Ｏ）Ａｒ）から成る群から選択されており、そして全て置換型又は無置換型であり、Ｒは、炭素原子数１〜１１の置換型又は無置換型アルキル基であり、そしてＡｒは、炭素原子数１〜１１の置換型又は無置換型芳香族基であり、そして炭素含有置換基は、炭素原子数１〜１２のアルキル基、炭素原子数１〜１２のシクロアルキル基、炭素原子数６〜１２のアリール基、炭素原子数６〜１２のアルカリール基、及びヘテロ原子数が少なくとも１であり炭素原子数が２〜１２の複素環式基から成る群から選択されており、そして全て置換型又は無置換型であり、該ヘテロピレン核上の２つの最隣接基は、一緒になって、脂肪族又は不飽和の縮合環を形成していてもよく、そしてＡ、Ｂ、Ｅ、及びＦは、いずれの環の形成も当該化合物から成る半導体薄膜の機能を過度に妨害しないことを条件として、芳香族である縮合環であってよい、請求項４に記載の物品。
【請求項６】
該有機半導体材料薄膜が、０．００１ｃｍ2／Ｖｓを超える電子移動度を示すことができる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の物品。
【請求項７】
請求項２に記載の複数の薄膜トランジスタを含む、集積回路、アクティブ・マトリックス・ディスプレイ、及び太陽電池から成る群から選択される、電子デバイス。
【請求項８】
薄膜半導体デバイスの製作方法であって、当該方法は、
(a)  １，６−ヘテロピレン化合物を実質的に含み、そして０．０１ｃｍ2／Ｖｓを超える電界効果電子移動度を示すｐ−チャネル有機半導体材料の薄膜を、基板上に堆積する工程；
(b)  離隔されたソース電極とドレイン電極とを形成する工程、ここで該ソース電極及び該ドレイン電極は、ｐ−チャネル半導体膜によって分離され、そして該ｐ−チャネル半導体膜と電気的に接続されている；及び
(c)  該有機半導体材料から離隔されたゲート電極を形成する工程
を必ずしも上記順序通りではなく含んで成る。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月23日(2011.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィードバックを運転者に提供する方法であって、
車両が運転されている間に選択された車両パラメータを監視するステップと、
選択された車両パラメータを使用して車両操作違反を検出するステップと、
車両操作違反を運転者に通知するステップと、
を備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月17日(2011.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面及び裏面を有する基板上に作製される太陽電池であって、前記基板が、
前記前面における第１の全体的厚みを有する第１の領域と、
前記前面における前記第１の全体的厚みよりも大きな第２の全体的厚みを有する第２の領域と、
前記裏面に配置された複数の交互するｎ型及びｐ型ドープ領域と、
を含む太陽電池。
【請求項２】
前記第１の領域の部分及び前記第２の領域の部分が交互して、前記基板の前記前面上に格子縞パターンを実現する、
請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記第２の領域が、複数のより狭い隆起部により分離された複数の広い隆起部を含む、
請求項１または２に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記複数の交互するｎ型ドープ領域及びｐ型ドープ領域が、前記第２の領域が前記ｎ型ドープ領域に重なるように位置合わせされる、
請求項１から３のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項５】
前記複数の交互のｎ型ドープ領域及びｐ型ドープ領域が、前記第２の領域が前記ｐ型ドープ領域に重なるように位置合わせされる、
請求項１から３のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項６】
前記第１の全体的厚みが、前記第２の全体的厚みの約１０％〜約５０％である、
請求項１から５のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項７】
太陽電池を作製する方法であって、
前面及び裏面を有する基板を準備するステップと、
前記基板の前記前面に、第１の全体的厚みを有する第１の領域と、前記第１の全体的厚みよりも大きな第２の全体的厚みを有する第２の領域とを形成するステップと、
前記基板の前記裏面に複数の交互するｎ型ドープ領域及びｐ型ドープ領域を形成するステップと、
を含む方法。
【請求項８】
前記第１の領域と前記第２の領域とを形成するステップが、
前記基板の前記前面を覆ってパターン化したエッチングマスクを形成するステップと、
前記パターンした化エッチングマスクにより露出された前記基板の前記前面の領域をエッチングして前記第１の領域を形成するステップと、
を含み、
前記パターン化したエッチングマスクにより保護された前記前面が保たれて前記第２の領域が形成される、
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の領域と前記第２の領域とを形成するステップが、交互する前記第１の領域の部分と前記第２の領域の部分とを形成して前記基板の前記前面上の格子縞パターンを実現するステップを含む、
請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の全体的厚みが、前記第２の全体的厚みの約１０％〜約５０％である、
請求項７から９のいずれか１項に記載の方法。