【事件の表示】
　特願２００３−１７９８６６「テープドライブ読取ヘッド内の磁気抵抗センサ、および薄膜読取ヘッドの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　１月２９日出願公開、特開２００４−　３０８９９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１５年６月２４日（パリ条約による優先権主張２００２年６月２５日、米国）の出願であって、平成１９年１０月２２日付けで通知した拒絶の理由に対し、平成２０年１月１６日付けで明細書の特許請求の範囲について手続補正がされたが、同年３月４日付で拒絶査定がされ、これに対し、同年６月６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年７月３日付で手続補正がなされたものである。
　
　
２．平成２０年７月３日付の手続補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　平成２０年７月３日付の手続補正を却下する。
　
　［理由］
（１）補正の内容
　平成２０年７月３日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）は、補正前の平成２０年１月１６日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１について、
（ａ）「【請求項１】　テープ支持表面を有する、テープドライブ読取ヘッド内の磁気抵抗センサであって、
　磁気抵抗検知要素と、
　前記磁気抵抗検知要素の表面に配置され、テープ支持表面の一部を形成する磁束誘導路とを含み、
　前記磁気抵抗検知要素の表面は、前記磁気抵抗検知要素の平面の法線に対して傾斜しており、かつ、
　前記磁束誘導路は、単一の磁区状態を維持しており、さらに、前記磁気抵抗検知要素と同一レベルに配置されかつ物理的に接触している、磁気抵抗センサ。」
とあったものを、
　
（ｂ）「【請求項１】　テープ支持表面を有する、テープドライブ読取ヘッド内の磁気抵抗センサであって、
　磁気抵抗検知要素と、
　前記磁気抵抗検知要素の
傾斜側
　前記磁気抵抗検知要素の
前記傾斜側
　前記磁束誘導路は、単一の磁区状態を維持しており、さらに、前記磁気抵抗検知要素と同一レベルに配置されかつ物理的に接触して
おり、
　
前記磁束誘導路は、前記磁気抵抗検知要素の上表面に到達することなく、前記傾斜側面上において前記傾斜側面に沿って延在している
と補正しようとするものである。
　
　すると、本件補正は，請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「磁束誘導路」について、「磁束誘導路は、磁気抵抗検知要素の上表面に到達することなく、傾斜側面上において傾斜側面に沿って延在している」と限定を付加するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下，「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００１−３３８４０９号公報（以下、「引用例」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている（なお、下線は当審で付した。）。
ア．「【０００２】
【従来の技術】磁気記録の高密度化に伴い、高感度な再生用磁気ヘッドが求められている。こうした用途に、現在その
再生ヘッドとして異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）効果を利用した磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）が用いられている
スピンバルブ型磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）
【０００３】このような高い
磁気抵抗変化率を有する磁気抵抗効果センサとして、２つの強磁性層の間にトンネル障壁層が挟まれたトンネル磁気抵抗効果膜を用いた磁気抵抗効果膜（ＴＭＲ）
　
イ．「【００１０】本願発明の別な例は、磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜厚方向に電流を流すための一対の電極と、記録媒体面からの磁束を前記磁気抵抗効果膜に導くための磁束ガイドを備えた磁気抵抗効果センサにおいて、前記磁気抵抗効果膜は強磁性層を含む自由層と、トンネル障壁層と、強磁性層を含む固定層と、前記固定層の磁化を固定する反強磁性層とを備えたトンネル型磁気抵抗効果膜であって、前記
磁気抵抗効果膜が媒体面に露出しない位置に形成され
媒体面からとその対向面に伸びている前記磁束ガイド
　
ウ．「【００１３】磁気抵抗効果センサの構成には、
磁束ガイドの磁区制御を行う方法に大きく分けて２つの方法に大別される。それらは、いわゆるハード・バイアス構造と積層構造とである。しかし、本願発明がいずれの構造の磁気抵抗効果センサの場合にも適用出来る
　
エ．「【００１５】本願発明の骨子は、
これらの諸構造によらず、磁束ガイドの磁区を制御する
　
オ．「【００３８】
図７に本願発明の係る磁気記録再生装置の例の概略説明図を示す。情報が記録された磁気ディスク５３がスピンドル・モータ５４によって回転させられる
【００３９】実施の形態１
図１は第１の実施例である磁気抵抗効果センサ２０の主要部の斜視図である
トンネル磁気抵抗効果膜（以下、この膜をＴＭＲ膜（ＴｕｎｎｅｌｉｎｇＭａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  Ｌａｙｅｒ）と称す）１３、磁束ガイド１４、磁区制御膜１５、上部ギャップ膜１６、及び上部磁気シールド膜兼下部磁気コア１７が順次形成される。
磁気抵抗効果センサの断面の詳細は図２Ａおよび図２Ｂに示される
【００４０】磁気抵抗効果センサの方位を、トラック幅方向１０１、素子高さ方向１０２、磁気ヘッド駆動方向１０３と定義すると、図中の線Ａ及び線Ｂでの断面はそれぞれ、素子高さ方向１０２及びトラック幅方向１０１に平行な断面を示している。
図２Ａは上記磁気抵抗効果センサ２０の素子高さ方向１０２に平行な断面図
図２Ｂはトラック幅方向１０１に平行な断面図を示す
下部ギャップ膜１２上の一部には、浮上面から離れた位置にＴＭＲ膜１３が配置されている
ＴＭＲ膜１３の端部に乗り上げて１組の磁束ガイド１４が、浮上面側から素子高さ方向（１０２）に伸びて配置されている
磁束ガイド１４は媒体からの磁束をＴＭＲ膜１３に誘導する軟磁性膜である
　
カ．「【００４３】図２Ｂに示されるように、ＴＭＲ膜１３と磁束ガイド１４とのトラック幅方向１０１の両脇には、両端部に
乗り上げるように
磁区制御膜１５は、磁束ガイド１４及び自由層２５の磁区の発生を抑制するために、バイアス磁界を加える強磁性膜である
　
キ．「【００５３】次に上記
磁気抵抗効果センサ２０の作製方法
【００５４】まず、基板１０上にスパッタリング法あるいはメッキ法により下部磁気シールド膜１１を形成した後、下部ギャップ膜１２をスパッタリング法で形成する。下部ギャップ膜１２の表面をイオンクリーニングした後、スパッタリング法でＴＭＲ膜１３の下地膜２１、反強磁性膜２２、固定層２３、及びトンネル障壁層１４を形成するための膜を順に連続で形成する。その後、真空を破らずに数十Ｔｏｒｒの酸素雰囲気中で数十分自然酸化させて、トンネル障壁層２４を作製する。さらに、この上部に、自由層２５を形成する。こうして、
本願発明に係わるＴＭＲ膜１３が形成される
【００５５】その後、前記
ＴＭＲ膜の上部にレジスト膜を所望形状に形成し、次いでイオンミリングによりＴＭＲ膜１３を所定の形状に加工する
レジストを剥がさずに磁束ガイド１４をスパッタリング法あるいはメッキ法で形成し、レジストを除去する。この工程、即ち、いわゆるリフトオフ法によって、所望形状のＴＭＲ膜１３および磁束ガイド１４用の膜が形成される
図２に示すような磁気抵抗効果センサ２０が完成する
　
ク．「【００５７】上記
磁気抵抗効果センサ２０を用いて再生ヘッドを作製
　
　前記ア乃至クの記載によれば、引用例には次の発明（以下、「引用例発明」という。）が記載されている。
「浮上面を有する磁気ディスク記録再生装置の再生ヘッドの磁気抵抗センサであって、
　浮上面に露出しないトンネル磁気抵抗効果膜と、
　浮上面から伸びてトンネル磁気抵抗効果膜の端部に乗り上げて配置された磁束ガイドとを有し、
　磁束ガイドは磁区の発生が抑制されている磁気抵抗センサ。」
　
（３）対比
　本願補正発明と引用例発明とを比較する。
　引用例発明と本願補正発明とは、いずれも「磁気抵抗センサ」に関する発明である点において一致している。
　引用例発明の「再生ヘッド」は、本願の「読取ヘッド」に相当する。
　引用例発明の「再生ヘッド」の「浮上面」は、明らかに「再生ヘッド」の表面を形成しているものであるから、本願補正発明の「読取ヘッド」が「表面を有する」ことに相当する。
　
　引用例発明の「トンネル磁気抵抗効果膜」は、再生ヘッドの磁気抵抗変化センサとして用いられ、本願補正発明の「磁気抵抗検知要素」に相当する。
　
　引用例発明の「磁束ガイド」は、本願補正発明の磁束を導くことができる「磁束誘導路」に相当する。
　引用例発明の「磁束ガイド」は、「浮上面から伸びてトンネル磁気抵抗効果膜の端部に乗り上げて配置され」、「トンネル磁気抵抗効果膜」は浮上面に露出していないことから、「磁束ガイド」は「再生ヘッド」の浮上面に一部を露出させていることは明らかであり、本願補正発明の「表面の一部を形成する磁束誘導路」の構成に相当する。
　また、引用例発明の「磁束ガイド」の「浮上面側から伸びてトンネル磁気抵抗効果膜の端部に乗り上げて配置され」ていることは、「磁束ガイド」が「トンネル磁気抵抗効果膜」の、少なくとも側面に接触するまで伸びている点で、本願補正発明の「磁束誘導路」が「磁気抵抗検知要素の」「側面に配置され」、「さらに、磁気抵抗検知要素と同一レベルに配置されかつ物理的に接触して」いることに相当する。
　
　以上のことから、引用例発明と本願補正発明の一致点及び相違点は、次のとおりである。
（一致点）
「表面を有する読取ヘッド内の磁気抵抗センサであって、
　磁気抵抗検知要素と、
　前記磁気抵抗検知要素の側面に配置され、表面の一部を形成する磁束誘導路とを含み、
　前記磁束誘導路は、前記磁気抵抗検知要素と同一レベルに配置されかつ物理的に接触している、磁気抵抗センサ。」である点。
　
（相違点）
ａ．本願補正発明は、読取ヘッドについて、「テープ支持表面を有する、テープドライブ」のものとし、「磁束誘導路」が形成する表面の一部を「テープ支持表面」とするのに対して、引用例発明は「浮上面を有する磁気ディスク記録再生装置」のものとし、磁束ガイド（磁束誘導路）が形成する表面の一部を「浮上面」とする点。
ｂ．本願補正発明において、磁気抵抗検知要素の側面は「傾斜側面」であって、前記傾斜側面は、「磁気抵抗検知要素の平面の法線に対して傾斜しており」と特定され、さらには、「磁束誘導路」が「傾斜側面上において傾斜側面に沿って延在している」のに対して、引用例発明はこれらの事項を特定していない点。　
ｃ．本願補正発明は、磁束誘導路について、「単一の磁区状態を維持しており」と特定するのに対し、引用例発明では、そのような特定がない点。
ｄ．本願補正発明は、磁束誘導路について、「磁気抵抗検知要素の上表面に到達することなく」と特定するのに対して、引用例発明は「乗り上げて」いるとする点。
　
（４）当審の判断
　相違点について検討する。
（相違点ａについて）
　テープドライブの読取ヘッド内の磁気抵抗センサがテープ支持表面に露出しないように、磁束誘導路（フラックスガイド）が読取ヘッド表面の一部を形成している読取ヘッドは周知（特開平６−２６７０３４号公報の【０００１】【００１９】磁気テープ装置に用いられる再生専用のフラックスガイドを有する磁気抵抗効果型薄膜ヘッド、特開２００１−２０９９１３号公報の【０００８】【０００９】テープ媒体からの磁束を導く磁束誘導部を有する磁気抵抗効果素子、特開２００２−１３３６１５号公報【０００５】【０００６】テープ系の記録再生装置のフラックスガイド型ＭＲヘッド等参照。）である。
　してみれば、引用例発明における再生ヘッドを、磁束ガイドがテープ支持表面の一部を形成しているテープドライブの再生ヘッドに適用して、磁束ガイドがテープ支持表面の一部を形成している再生ヘッドとすることは、周知技術を参照することにより、当業者が容易になしうることである。
　
（相違点ｂについて）
　本願補正発明の「磁気抵抗検知要素」の側面が、傾斜側面に形成されることは、例えば次の周知例に示すように周知技術にすぎない。
　相違点ａについて例示した前掲周知例の特開２００１−２０９９１３号公報の図３（ｃ）には、「磁気抵抗効果素子」の側面が傾斜側面であることが示されている。【００２２】【００２３】には、「磁気抵抗効果素子」をパターンニングを行う際に、磁気抵抗効果素子のスピンバルブ膜の上にアンダーカット型レジストを設け（図３（ｂ））、イオンミリングによりパターニングを行う（図３（ｃ））ことが記載されている。
　特開２００１−１１００１６号公報の図２には、磁気抵抗効果素子の側面が傾斜側面であることが示されている。【０１０４】〜【０１０６】には、「スピンバルブ型薄膜磁気素子」をトラック幅方向に形成する際に、スピンバルブ積層膜の上にレジストを設け（図２）、スピンバルブ積層膜をエッチングにより削ること（図３）が記載されている。
　なお、製造方法は本願補正発明に特定された事項ではないが、上記周知例のいずれも、アンダーカットのあるレジストを形成し、エッチングすることにより傾斜面が形成される点でも、本願補正発明の磁気抵抗検知要素における傾斜側面の形成と共通するものである。
　また、上記いずれの周知例においても、エッチングにより形成された傾斜側面には、それぞれ所定の薄膜が傾斜側面に沿って延在するように形成されており、当該傾斜側面に沿って、接触面積が確保されて良好な接触が得られることは当業者が当然予測しうることにすぎない。
　すると、引用例発明の「トンネル磁気抵抗効果膜」に関しても、引用例の図２Ａ、Ｂ、及び上記「キ．」の【００５４】【００５５】を参照して「トンネル磁気抵抗効果膜」の形成について、レジスト膜を所望形状に形成し、次いでイオンミリングにより「トンネル磁気抵抗効果膜」を所定の形状に加工することが記載されている点も考慮すると、引用例発明の「トンネル磁気抵抗効果膜」において、その側面を、「傾斜側面」として、当該傾斜側面がトンネル磁気抵抗効果膜の「平面の法線に対して傾斜して」いるものとし、磁束ガイド（磁束誘導路）を当該「傾斜側面上において前記傾斜側面に沿って延在」するように形成することは、周知技術を参照することにより当業者が容易に想到しうることである。
　
(相違点ｃについて）
　引用例発明では、本願補正発明の「磁束誘導路」に相当する「磁束ガイド」に対して、強磁性膜である磁区制御膜によりバイアス磁界を加えられ(上記「カ」参照）、「磁区の発生が抑制されている」ので、前記バイアス磁界が十分なものであれば、技術常識上、磁束ガイドは当然、磁区の不規則な不連続な発生が抑制されて単磁区化されていると解されるか、または、単磁区化されることが好ましいと解されることが明らかであるから、相違点ｃとした点は、単に表記上で相違する程度で、引用例発明は実質上本願補正発明の「磁束誘導路は、単一の磁区状態を維持しており」との構成を備えていると認められるか、たとえそうでなくとも、ノイズ（周知のバルクハウゼンノイズ等）の発生を抑制するために、前記バイアス磁界を、磁束ガイドが「単一の磁区状態を維持」するように加える程度のことは、当業者が容易に想到しうる配慮にすぎないものである。
　
（相違点ｄについて）
　磁気抵抗効果型再生ヘッドにおいて、磁束ガイド（フラックスガイド）が磁気抵抗効果膜の上表面に到達することのない構造は、次の周知例に示すように周知技術にすぎない。
　例えば、特開平８−３３９５１４号公報には、フラックスガイド（１１）が磁気抵抗効果膜（１０）の素子高さ方向側の磁気ディスク側に磁気抵抗効果膜に接して配置されて、磁気抵抗効果膜が露出していない磁気ディスク装置の再生ヘッドの例が【００３４】（図６）、【００３５】（図７）に記載されている。磁気抵抗効果素子の作成方法について、【００４０】に図１１とともに、磁気抵抗効果膜の上にフォトレジスト工程を用いてレジストパターンを所定の形状に形成し、イオンミリングによって磁気抵抗効果膜のレジストパターンに蔽われていない部分を除去し、フラックスガイドとなる高抵抗軟磁性薄膜を形成し、レジストパターンとレジストパターン上の高抵抗軟磁性薄膜を除去することが記載されている。説明図の図４，図６，図７，図９，図１０には、フラックスガイドが磁気抵抗効果膜の上表面に到達することがなく、フラックスガイドと磁気抵抗効果膜の上表面は平坦であることが示されている。
　また、特開平１０−４９８３５号公報には、磁気ディスクなどの磁気媒体の再生に用いられるフラックスガイドを備えたフラックスガイド型ＭＲヘッド（磁気抵抗効果型ヘッド）について記載されている。【０００９】には、フラックスガイドとＭＲ素子とは平坦に連続し、ＭＲ素子上に形成される磁気ヨークを兼用したシールド膜も平坦に形成されることが記載されている。【００１２】【００１３】には、リソグラフィ技術によってＭＲ素子の形成後、ＭＲ素子層の上にレジスト層を形成し、ＭＲ素子層の側面を少し除去し、側面がレジスト層から露出している状態でフラックスガイド層を形成し、その後、レジスト層を除去する。レジスト層を除去すると、フラックスガイド層とＭＲ素子層との接合部に突起部が形成されるので、突起部を削り取ることが記載されている。ＭＲ素子層の上表面はレジスト層があり、フラックスガイド層の材料からなる突起部は、ＭＲ素子層の上表面に到達していないことは明らかである(図２参照)。
　してみれば、引用例発明の「磁気抵抗センサ」において、「磁束ガイド」と「トンネル磁気抵抗効果膜」の上表面が平坦になるように、「磁束ガイド」が「トンネル磁気抵抗効果膜」の上表面に到達することがなく形成することは、周知技術を参照することにより当業者が適宜になしうることである。
　なお、本願補正発明において「
前記磁束誘導路は、前記磁気抵抗検知要素の上表面に到達することなく
　
　そして、各相違点を総合しても、本願補正発明の奏する効果は、引用例の記載から当業者が十分に予測できる範囲のものである。
　
　したがって，本願補正発明は，引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項で準用する同法１２６条５項の規定に違反するものであり、同法１５９条１項で準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。　
　
　
３．本願発明について
　平成２０年７月３日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、前記２．［理由］（１）の（ｂ）の平成２０年１月１６日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載のとおりのものである。
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、及びその記載事項は、前記２．（２）に記載したとおりである。　
　
（２）対比・判断
　本願発明は、前記「２．」で検討した本願補正発明の発明特定事項から、「磁束誘導路」について、「磁気抵抗検知要素の上表面に到達することなく、傾斜側面上において傾斜側面に沿って延在している」との限定を省くものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに他の限定事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用例及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について論及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。