【手続補正書】
【提出日】平成23年1月13日(2011.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Loの固有周期を持つブロック共重合体を提供するステップと、
複数の自己集合共重合体画定トレンチを含む基板を提供し、前記複数のトレンチの各トレンチはnLoの幅を持ち、nは1から15である、ステップと、
前記ブロック共重合体を前記基板上に堆積するステップと、
前記ブロック共重合体を自己集合させるために前記ブロック共重合体をアニールするステップと、
を含む、基板のサブリソグラフィックパターニングのための方法。
【請求項２】
前記複数のトレンチの各トレンチは二つの側壁を持ち、両側壁は前記ブロック共重合体の一ブロックによって選択的にウェッティングされる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記複数のトレンチの各トレンチは、前記ブロック共重合体の各ブロックについてニュートラルウェッティングである床面を持つ、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
アニールするステップは、前記基板表面にほぼ垂直で、かつ各トレンチ側壁にほぼ一致するラメラのセットを各トレンチ内に形成し、
前記方法は更に、
前記ラメラのセットの第一の部分を架橋するステップであって、前記第一の部分は、前記自己集合ブロック共重合体の第一のブロックを含むラメラを含む、ステップ、
前記ラメラのセットの第二の部分を選択的に除去するステップであって、前記第二の部分は前記自己集合ブロック共重合体の第二のブロックを含むラメラを含む、ステップ、
サブリソグラフィックトレンチを形成するために、前記架橋ラメラをエッチングマスクとして使用して前記基板表面をエッチングするステップ、
残存する高分子材料を随意に除去するステップと、
サブリソグラフィック導電性ラインを形成するために前記サブリソグラフィックトレンチの中に導電性材料を堆積するステップと、
を含む、請求項２記載の方法。
【請求項５】
前記導電性材料は金属含有材料である、請求項４記載の方法。
【請求項６】
デバイスを形成するために一以上の追加層を堆積するステップを更に含む、請求項４又は５記載の方法。
【請求項７】
前記サブリソグラフィック導電性ラインはトランジスタゲートである、請求項４又は５記載の方法。
【請求項８】
アニールするステップは、前記基板表面にほぼ垂直で、かつ各トレンチ側壁にほぼ一致するラメラのセットを各トレンチ内に形成し、
前記方法は更に、
前記ラメラのセットの第一の部分を架橋するステップであって、前記第一の部分は、前記自己集合ブロック共重合体の第一のブロックを含むラメラを含む、ステップと、
前記ラメラのセットの第二の部分を選択的に除去するステップであって、前記第二の部分は前記自己集合ブロック共重合体の第二のブロックを含むラメラを含む、ステップと、
サブリソグラフィックトレンチを形成するために、前記架橋ラメラをエッチングマスクとして使用して前記基板表面をエッチングするステップと、
残存する高分子材料を随意に除去するステップと、
活性領域を分離するために前記サブリソグラフィックトレンチの中に絶縁材料を堆積するステップと、
を含む、請求項２記載の方法。
【請求項９】
デバイスを形成するために一以上の追加層を堆積するステップを更に含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記絶縁材料は低誘電率を持つ、請求項８又は９記載の方法。
【請求項１１】
Loの固有周期を持つ第一のブロック共重合体を提供するステップと、
L'oの固有周期を持つ第二のブロック共重合体を提供するステップと、
堰とトレンチの表面地形を形成するために高さYの複数の堰を含む表面を持つ基板を提供し、ここで、
各トレンチは前記第一のブロック共重合体の各ブロックについてニュートラルウェッティングである床面を持ち、
各トレンチは前記第一のブロック共重合体の一ブロックによって選択的にウェッティングされる二つの側壁を持ち、
各トレンチはnLoの幅を持ち、nは1から15であり、堰幅／トレンチ幅の比=mL'o/nLoであり、mは1から15である、ステップと、
厚さY以下の層を形成するために前記基板表面上に前記第一のブロック共重合体を堆積するステップと、
前記第一のブロック共重合体を自己集合させ、前記基板表面にほぼ垂直で、かつ各トレンチ側壁とほぼ一致するラメラの第一のセットを各トレンチ内に形成するために、前記第一のブロック共重合体層をアニールするステップと、
前記自己集合した第一のブロック共重合体の第一のブロックを含む前記ラメラの第一のセットの部分を架橋するステップと、
深さY'の少なくとも一つの開口部を形成するために前記堰を形成する材料の少なくとも一部を除去し、ここで、
前記少なくとも一つの開口部は前記第二のブロック共重合体の各ブロックについてニュートラルウェッティングである床面を持ち、
前記少なくとも一つの開口部は前記第二のブロック共重合体の一ブロックによって選択的にウェッティングされる二つの側壁を持ち、
前記少なくとも一つの開口部はmL'oの幅を持ち、mは1から15である、ステップと、
厚さY'以下の層を形成するために前記基板表面上に前記第二のブロック共重合体を堆積するステップと、
前記第二のブロック共重合体を自己集合させ、前記基板表面にほぼ垂直で、かつ各開口部側壁にほぼ一致するラメラの第二のセットを前記少なくとも一つの開口部内に形成するために、前記第二のブロック共重合体層をアニールするステップと、
を含む、基板をパターニングするための方法。
【請求項１２】
前記ラメラの第二のセットの第一の部分を架橋するステップをさらに含み、
前記ラメラの第二のセットの前記第一の部分は、前記自己集合した第二のブロック共重合体の第一のブロックを含むラメラを含む、
請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記ラメラの第一のセットの第二の部分を選択的に除去するステップをさらに含み、
前記ラメラの第一のセットの前記第二の部分は、前記自己集合した第一のブロック共重合体の第二のブロックを含むラメラを含む、
請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
前記ラメラの第二のセットの第二の部分を選択的に除去するステップをさらに含み、
前記ラメラの第二のセットの前記第二の部分は、前記自己集合した第二のブロック共重合体の第二のブロックを含むラメラを含む、
請求項１１記載の方法。
【請求項１５】
前記基板表面上に高分子マットを堆積し、前記高分子マットを架橋するステップをさらに含む、請求項１、２、４、５、８、９、１１、１２、１３、又は１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
Lo=L'oである請求項１１記載の方法。
【請求項１７】
前記第一のブロック共重合体は前記第二のブロック共重合体と同じである、請求項１１記載の方法。
【請求項１８】
前記第一のブロック共重合体を前記基板表面上に堆積するステップは、スピンコーティング、浸漬コーティング、スプレーコーティング、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される方法を含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１９】
アニールするステップは、熱アニーリング、溶媒アニーリング、もしくはそれらの組み合わせを含む、請求項１、２、４、５、８、９、１１、１２、１４、１６、１７、又は１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
堰とトレンチの表面地形を形成するために高さYの複数の堰を含む表面を持つ基板を提供するステップが、
前記表面を持つ前記基板を提供するステップと、
前記基板表面上に厚さYの層を堆積するステップと、
堰とトレンチの表面地形を形成するために高さYの複数の堰を形成するために、前記厚さYの層を選択的にエッチングするステップと、
を含む、請求項１１から１４、１６、１７、又は１８のいずれか一項に記載の方法。