【事件の表示】
　特願２００６−１４４１８９「有機電界発光表示装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　７月　５日出願公開、特開２００７−１７３２００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
特許出願　　　　：平成１８年　５月２４日
（優先日　平成１７年１２月２２日　大韓民国）
拒絶理由　　　　：平成２１年　３月１７日（起案日）
意見及び手続補正：平成２１年　６月２４日
拒絶査定　　　　：平成２１年　７月３０日（起案日）
審判請求　　　　：平成２１年１２月　４日
手続補正　　　　：平成２１年１２月　４日
審尋　　　　　　：平成２２年１０月　６日（起案日）
回答書　　　　　：平成２３年　１月１２日
　
第２　補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２１年１２月４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正
　本件補正は，特許請求の範囲の請求項１を補正することを含むものであるところ，当該補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下，単に「特許法第１７条の２」という。）第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　そこで，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本件補正後発明」という。）について，特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか否か，すなわち，本件補正後発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かを以下で検討する。
　
２　本件補正後発明
　本件補正後発明は，本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される下記のとおりのものである。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　　第１の基板上にカラーフィルターアレイと，
　　前記カラーフィルターアレイ上に形成される第１の電極と，
　　前記第１の電極上に形成される有機発光層と，
　　前記有機発光層上に形成される第２の電極と，
　　前記第１の電極上に形成され，前記有機発光層と前記第２の電極を分離して画素領域を定義する隔壁と
　を含む発光アレイと，
　　前記第２の基板上に形成され，チャンネル領域を介してソース領域及びドレイン領域が形成された半導体層と，
　　ゲート絶縁膜を介して前記半導体層のチャンネル領域と重畳されるゲート電極と，
　　前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜上に積層された層間絶縁膜を貫通するソースコンタクトホールを通じて前記半導体層のソース領域と接続されたソース電極と，
　　前記ゲート絶縁膜及び前記層間絶縁膜を貫通するドレインコンタクトホールを通じて前記半導体層のドレイン領域と接続されたドレイン電極と，
　　前記層間絶縁膜，前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に積層された保護膜を貫通する画素コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と接続された画素電極と
　を含む薄膜トランジスタアレイと，
　前記薄膜トランジスタアレイの前記画素電極上に形成され，金属からなる接触支持部と，
　前記接触支持部上に形成され，ポリアニリン，ポリピロールあるいはポリサイオペンのうち，少なくとも何れか一つを含む電導性高分子物質からなり，前記発光アレイと前記薄膜トランジスタアレイを電気的に接触させる接触電極と
　を含み，
　前記カラーフィルターアレイは，
　　前記第１の基板上の前記隔壁と対応する位置に形成されるブラックマトリクスと，
　　前記ブラックマトリクスを介して形成される複数のカラーフィルターと，
　　前記カラーフィルター上に形成される補助カラー層と，
　　前記補助カラー層が形成された第１の基板上に形成されるオーバーコート層と
　を含み，
　前記接触電極は，前記接触支持部の側面及び上面を覆い，前記第２の電極と前記画素電極とを電気的に接触させる
　ことを特徴とする有機電界発光表示装置。
　
３　引用例１に記載の発明
　本願の優先日よりも前に頒布された刊行物である特開２００４−３１３１７号公報（拒絶理由通知の引用文献１，以下「引用例１」という。）には，各図とともに以下の事項が記載されている。
記載事項ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機電界発光素子（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ　Ｄｅｖｉｃｅ）に係り，特に上部発光方式のアクティブマトリックス型有機電界発光素子に関する。」
記載事項イ　「【００４４】
＜実施例１＞第１実施例では前述したＣＣＭ方式でフルカラーを具現して，電極分離用隔壁を利用して第２電極を形成して，別途のシャドウマスク工程が省略された実施例に関する。
【００４５】図５は，本発明の第１実施例による上部発光方式有機電界発光素子の概略的な断面図であって，説明の便宜上一つのピクセル領域を中心に図示する。
【００４６】図示したように，第１基板１１０及び第２基板１３０が相互に接するように配置されており，前記第１基板１１０の透明基板１００上部にはアレー素子１１２が形成されている。第２基板１３０の透明基板１００下部にはサブピクセル単位で赤，緑，青色変換層１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃが順序どおり配列されている。赤，緑，青色変換層１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃのカラー別境界部にはカラー別色干渉及び光漏れ現象を防止するためのブラックマトリックス１３４が形成されていて，前述した赤，緑，青色変換層１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ及びブラックマトリックス１３４は色変換部１３６を構成する。色変換部１３６の下部には平坦化層１３８が形成されていて，平坦化層１３８下部には共通電極として利用される透過性を有する導電性物質からなる第１電極１４０が形成されている。第１電極１４０下部にはサブピクセル間の境界部に絶縁物質からなる台形状の隔壁１４２が形成されており，隣接する隔壁１４２間に定義されるサブピクセル領域内には有機電界発光層１４４及び第２電極１４６をサブピクセル単位で独立させて配置する。
【００４７】そして，前述した色変換部１３６には色変換層１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃの代わりに赤，緑，青カラーフィルタを含めることができる。
【００４８】前記隔壁１４２は，第２電極１４６をサブピクセル別にパターン化するための構造物に該当するので，第２電極１４６から第１電極１４０の方に上広下狭構造を有する台形形態であることが望ましい。
【００４９】そして，前記第１基板１１０，第２基板１３０の縁部には該第１基盤（当審注：「基盤」は「基板」の誤記）１１０，第基板１３０（当審注：「第基板」は「第２基板」の誤記）間に一定なセルギャップを維持し，二基板を合着させるためにシールパターン１６０を配置する。
【００５０】また，前記第１基板１１０のアレー素子１１２は，スイッチング素子である薄膜トランジスタ１１２ａと該薄膜トランジスタ１１２ａと連結された電極連結パターン１１２ｂを含む。前記第１基板１１０の電極連結パターン１１２ｂと前記第２基板１３０の第２電極１４６を電気的に連結させるための電気的コネクタ１４８がサブピクセル単位で形成されていて，各サブピクセルには電極連結パターン１１２ｂと第２電極１４６が相互に対応する位置に形成されたことを特徴とする。
【００５１】そして前記電極連結パターン１１２ｂは，薄膜トランジスタ１１２ａをなす図示しなかったソース電極またはドレイン電極のうちのいずれか一つの電極で構成するか，または別途の伝導性物質で構成することができ，前記薄膜トランジスタ１１２ａは有機電界発光ダイオードＥと連結される駆動用薄膜トランジスタに該当する。
【００５２】前記第１電極１４０，第２電極１４６と，該第１電極１４０，第電極１４６間に介在した有機電界発光層１４４は，有機電界発光ダイオードＥを構成し，有機電界発光層１４４は赤，緑，青色カラーのうち最も高いエネルギーを有する青色を発散する青色カラー発光物質を含むことを特徴とする。この有機電界発光層１４４の多層構造は陽極及び陰極の配置構造によって定まるものであって，一例として，第１電極１４０を陽極，第２電極１４６を陰極として構成する場合には，第１電極１４０と接する層から正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層，電子注入層を順序どおり配置する多層構造を有し，前記有機電界発光層を低分子物質で構成する場合には別途の正孔輸送層及び電子輸送層は省略されうる。
【００５３】そして前記第２電極１４６と電極連結パターン１１２ｂ間の区間には第２電極１４６と薄膜トランジスタ１１２ａを連結させる電気的コネクタ１４８が形成されている。前記電気的コネクタ１４８は伝導性物質から選択され，望ましくは延性を帯びて抵抗率値が小さい金属物質から選択されることが望ましい。このような電気的コネクタ１４８は第１基板１１０のアレー素子１１２工程で形成することができる。
【００５４】そして本発明では有機電界発光層１４４から発光された光を第２基板１３０の方に発光させる上部発光方式であることを特徴とする。これにより，前記第１電極１４０は光透過性を有する導電性物質から選択され，一例として前記第１電極１４０を陽極として構成する場合，仕事関数値が小さい金属物質から選択されることが望ましい。このために，前記有機電界発光層１４４と接する陽極用第１電極１４０の物質層は仕事関数値が低い半透明金属物質を薄膜で形成することが望ましい。前記半透明金属物質としてはアルミニウム，マグネシウム−アルミニウム合金，アルミニウム−リチウム合金，アルミニウム−安息香酸塩合金のうちのいずれか一つから選択されることが望ましい。そして，前記第２電極１４６は発光方向の後面に配置する電極であるために，不透明金属物質から選択されることが望ましい。また，前記第１基板１１０，第２基板１３０間の離隔空間Ｉは不活性気体雰囲気とすることが望ましい。」
記載事項ウ　「【００５５】図６は，前記図５による上部発光方式有機電界発光素子の一つのサブピクセル部に対する拡大図であって，アレー素子に対する積層構造の一例を中心に図示した。
【００５６】図示したように，第１基板１１０，第２基板１３０が相互に接するように配置されていて，第１基板１１０の透明基板１００上にはバッファ層１６２が形成されている。バッファ層１６２上には半導体層１６４が形成されていて，半導体層１６４の中心部にはゲート絶縁膜１６６，ゲート電極１６８が順序どおり形成されている。ゲート電極１６８を覆う基板全面には前記半導体層１６４の両側部を露出させる第１コンタクトホール１７０，第２コンタクトホール１７２を共通的に有する第１保護層１７４，第２保護層１７６が形成されていて，該第１保護層１７４，第２保護層１７６の上部には第１コンタクトホール１７０，第２コンタクトホール１７２を通して半導体層１６４と接触するソース電極１７８及びドレイン電極１８０が形成されている。ソース電極１７８及びドレイン電極１８０の上部にはドレイン電極１８０を一部露出させる第３コンタクトホール１８２を有する第３保護層１８４が形成されている。
【００５７】そして，前記第３保護層１８４を通してドレイン電極１８０と連結され，前記第１基板１１０，第２基板１３０と直交する方向に電気的コネクタ１４８が形成されている。
【００５８】前記第２基板１３０の透明基板１００下部には色変換部１３６，平坦化層１３８，第１電極１４０，有機電界発光層１４４，第２電極１４６が順序どおり形成されている。前述したドレイン電極１８０と対応する位置の第２電極１４６は電気的コネクタ１４８と連結されて，第１基板１１０のドレイン電極１８０と電気的に連結されるように構成される。
【００５９】すなわち，前記実施例はドレイン電極１８０を電極連結パターン（前記図５の１１２ｂ）に利用する場合である。しかし，本発明による電極連結パターン（前記図５の１１２ｂ）は前記ドレイン電極１８０に限らず半導体層１６４を構成する不純物タイプ（ｎ型またはｐ型）によって変更されうる。一例として，第１電極及び第２電極が各々陰極及び陽極をなしており，陽極である第２電極と薄膜トランジスタを連結する場合，薄膜トランジスタの半導体層は正孔をキャリアとするｐ型半導体層で構成しなければならない。
【００６０】図面で詳細に提示しなかったが，前記ゲート電極と連結されて走査線が形成され，走査線と交差して相互に一定間隔離隔されて信号線及び電力供給線が形成され，走査線及び信号線が交差する地点にはスイッチング薄膜トランジスタが形成され，その他に各サブピクセル別にストレージキャパシタを含む。」
記載事項エ　「【００６１】図７は，本発明の第１実施例による上部発光方式有機電界発光素子の製造方法に対する工程流れ図である。
【００６２】ＳＴ１では，赤，緑，青サブピクセルで構成されるピクセル領域が定義された第１基板，第２基板を備える段階と，前記第１基板上にアレー素子を形成する段階を含む。この段階は第１基板上にバッファ層を形成する段階と，バッファ層上部に半導体層及びキャパシタ電極を形成する段階と，半導体層上部にゲート電極，ソース電極及びドレイン電極を形成する段階と，前記キャパシタ電極上部に配置して前記ソース電極と連結されるパワー電極を形成する段階を含む。
【００６３】そして，前記アレー素子形成段階ではソース電極及びドレイン電極のうちのいずれか一つの電極と連結される一定高さを有する電気的コネクタを形成する段階を含むことが望ましい。なぜなら，有機電界発光ダイオード基板に電気的コネクタを形成するようにすれば，電気的コネクタの形成時に要求されるフォトエッチング工程が有機電界発光層に損傷を与えることがあるためである。
【００６４】ＳＴ２は，前記第２基板上に色変換部及び平坦化層を形成する段階である。この段階では，サブピクセル別境界部にブラックマトリックスを形成する段階と，ブラックマトリックス間の区間に赤，緑，青色変換層を順序どおり形成する段階を含み，前記色変換部は既存の液晶表示装置用カラーフィルタ工程に利用される顔料分散法などを適用することができる。そして，前記赤，緑，青色変換層は赤，緑，青カラーフィルタを含むことができ，この場合成膜順序はブラックマトリックス，カラーフィルタ，色変換層の順に進められることが望ましい。前記平坦化層は別途の保護層を含む二重層以上の多層構造で構成することもできる。
【００６５】次に，ＳＴ３では前記平坦化層下部に第１電極を形成する段階であって，特に第１電極をなす物質は光透過性を有する導電性物質から選択されることが望ましい。
【００６６】そして，ＳＴ４ではサブピクセル間の境界部に絶縁物質を利用して隔壁を形成する段階である。前記隔壁は第２基板上から台形の上広下狭構造を有するように形成することが望ましい。
【００６７】次に，ＳＴ５では隔壁内に有機電界発光層及び第２電極を順序どおり形成することによって，有機電界発光層及び第２電極をサブピクセル単位でパターン化する段階である。前記有機電界発光層は前述した赤，緑，青色変換層に青色光を提供して赤，緑，青三原色に変換されることができるように青色発光層と，電子及び正孔を伝達する高分子または低分子有機物質層を含むことを特徴とする。
【００６８】そして，ＳＴ６では第１基板，第２基板のうちのいずれか一つの基板の縁部にシールパターンを形成する段階と，第１基板に形成された電気的コネクタと第２基板の第２電極を連結させて，第１基板，第２基板を電気的に連結させると同時に前述したシールパターンを利用して第１基板，第２基板を合着させる段階である。さらに詳細に説明すれば，前記電気的コネクタは第１基板上に形成された駆動用薄膜トランジスタと第２基板の有機電界発光ダイオードを電気的に連結する役割を有する。そして，この段階では第１基板，第２基板間の離隔空間を不活性気体雰囲気にする工程を含む。
【００６９】前述したように，第１基板，第２基板を電気的コネクタで連結させると同時に第１基板，第２基板を合着させて，第１基板，第２基板の離隔空間を不活性気体雰囲気にする一連の工程はカプセル封止工程に定義されうる。
【００７０】このカプセル封止段階では，外部水分が有機電界発光層に流入することを防止する吸湿剤を構成することができるが，既存と異なりシールパターンと近接した内部で，第１基板，第２基板のうちのいずれか一つの基板に付着させるか，またはシールパターンと平行した柱状で形成することができる。
【００７１】以上で説明したように，これまでの有機電界発光素子は，アレー素子製造段階と有機電界発光ダイオード製造段階のうちのいずれかの工程で不良が発生しても有機電界発光素子パネル全体が不良処理されるが，本発明ではアレー基板と有機電界発光ダイオード基板各々に対する検査工程を経て良品の二基板を合着するので製品不良率を低くすることができて生産管理効率性を高めることができる。
【００７２】また図５乃至図７で説明したように，隔壁が各々のサブピクセル領域を区分づけることができるように形成されるので，有機電界発光層及び第２電極は自動的にパターンされて各々のサブピクセル領域に安着する。それゆえ，フルカラー有機電界発光素子を提供するにおいて別途のシャドウマスク工程が要らなくなる。また，青色を発散する有機電界発光層から発散された光を色変換層で赤，緑，青三原色に変換するＣＣＭ方式でカラーを具現するによって，既存のシャドーマスク方式より工程を単純化することができて，発光層を青色短波長発光層で構成することができるので有機電界発光層製造工程も単純化させることができる。」
記載事項オ　「【００８８】
【発明の効果】以上のように，本発明による有機電界発光素子によると次のような効果を有する。
【００８９】第一に，生産収率及び生産管理効率を向上させることができて，製品寿命を増やすことができる。
【００９０】第二に，上部発光方式であるために薄膜トランジスタ設計が容易になり高開口率／高解像度具現が可能である。
【００９１】第三に，ＣＣＭ方式でカラーを具現するために，工程を単純化させることができて，光損失を最少化させることができる。
【００９２】第四に，上部発光方式でありながらカプセル封止構造であるために，外気に対して安定した製品を提供することができる。」
　
　これら記載事項及び各図を考慮して，「実施例１」と称される引用例１に記載された発明を分説して記載すると，下記のとおりとなる（以下，この発明を「引用発明」といい，また，分説された構成を「構成要件Ａ」などという。）。
Ａ　第２基板（１３０）の透明基板（１００）下部にはサブピクセル単位で赤，緑，青色変換層（１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ）が順序どおり配列され，
Ｂ　赤，緑，青色変換層（１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ）のカラー別境界部にはカラー別色干渉及び光漏れ現象を防止するためのブラックマトリックス（１３４）が形成され，
Ｃ　赤，緑，青色変換層（１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ）及びブラックマトリックス（１３４）は色変換部（１３６）を構成し，
Ｄ　色変換部（１３６）の下部には平坦化層（１３８）が形成され，
Ｅ　平坦化層（１３８）下部には共通電極として利用される透過性を有する導電性物質からなる第１電極（１４０）が形成され，
Ｆ　第１電極（１４０）下部にはサブピクセル間の境界部に絶縁物質からなる台形状の隔壁（１４２）が形成され，
Ｇ　隣接する隔壁（１４２）間に定義されるサブピクセル領域内には有機電界発光層（１４４）及び第２電極（１４６）をサブピクセル単位で独立させて配置し，
Ｈ　第１基板（１１０）の透明基板（１００）上にはバッファ層（１６２）が形成され，バッファ層（１６２）上には半導体層（１６４）が形成され，
Ｉ　半導体層（１６４）の中心部にはゲート絶縁膜（１６６），ゲート電極（１６８）が順序どおり形成され，
Ｊ　ゲート電極（１６８）を覆う基板全面には半導体層（１６４）の両側部を露出させる第１コンタクトホール（１７０），第２コンタクトホール（１７２）を共通的に有する第１保護層（１７４），第２保護層（１７６）が形成され，第１保護層（１７４），第２保護層（１７６）の上部には第１コンタクトホール（１７０），第２コンタクトホール（１７２）を通して半導体層（１６４）と接触するソース電極（１７８）及びドレイン電極（１８０）が形成され，
Ｋ　ソース電極（１７８）及びドレイン電極（１８０）の上部にはドレイン電極（１８０）を一部露出させる第３コンタクトホール（１８２）を有する第３保護層（１８４）が形成され，
Ｌ　第１基板（１１０），第２基板（１３０）の縁部には第１基板（１１０），第２基板（１３０）間に一定なセルギャップを維持し，二基板を合着させるためにシールパターン（１６０）を配置し，
Ｍ　第３保護層（１８４）を通してドレイン電極（１８０）と連結され，第１基板（１１０），第２基板（１３０）と直交する方向に電気的コネクタ（１４８）が形成され，ドレイン電極（１８０）と対応する位置の第２電極（１４６）は電気的コネクタ（１４８）と連結されて，第１基板（１１０）のドレイン電極（１８０）と電気的に連結され，電気的コネクタ（１４８）は伝導性物質から選択され，望ましくは延性を帯びて抵抗率値が小さい金属物質から選択されることが望ましく，一定高さを有し，
Ｎ　赤，緑，青色変換層（１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ）は赤，緑，青カラーフィルタを含むことができ，この場合成膜順序はブラックマトリックス（１３４），カラーフィルタ，赤，緑，青色変換層（１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ）の順に進められることが望ましい，
Ｏ　アクティブマトリックス型有機電界発光素子。
　
４　引用例２
　本願の優先日よりも前に頒布された刊行物である特開２００３−１５７０２９号公報（拒絶理由通知の引用文献３，以下「引用例２」という。）には，各図とともに以下の事項が記載されている。
記載事項Ａ　「【０１４１】次に，図８（ａ）（ｂ）に示すように，有機ＥＬ素子６０を形成した対向基板５２とＴＦＴ基板５１とは互いにアライメントされ，貼り合せて固定される。ここで，有機ＥＬ素子６０は，ＴＦＴ基板５１に導電性コンタクト層６６によって電気的に接続されるが，望ましくは，これらＴＦＴ基板５１及び対向基板５２の両方に予め導電性樹脂を形成し，導電性樹脂同士にて電気的コンタクトを取った方がよい。これは，金属表面の酸化膜等によるコンタクト不良を防止できるためであり，樹脂の持つ弾力性を利用してコンタクトを取り易くできるからである。」
記載事項Ｂ　「【０１５２】さらに，ＴＦＴ基板５１と対向基板５２とを接続するための導電性コンタクト層６６の接続導電性樹脂としては，例えば，特開平１１−２４９２９９号公報に記載の導電性粒子が分散された感光性樹脂（富士フィルム株式会社製）や雑誌「１９８６  The Chemical Society of Japan 」の「CHEMISTRY LETTERS ,pp.469-472,1986」等に記載されたポリピロールを用いた感光性導電ポリマーを利用することができる。なお，詳細には，特開平１１−２４９２９９号公報では，カーボンブラック等の導電性粒子が分散された感光性分散物及び感光性シートに関する技術であって，露光及び現像によってパターンを形成することができる旨が開示されている。また，「CHEMISTRY LETTERS ,pp.469-472,1986」には，ピロールモノマーを光化学重合させ，導電性をもたせ，ポリピロール形成することを開示しており，電極材料としてパターン化して用いることも開示している。」
記載事項Ｃ　「【０１７８】また，本実施の形態の表示装置５０では，有機ＥＬ素子６０の陰極６１とＴＦＴ基板５１側との接合面には，導電性ペースト又は導電性樹脂が設けられている。【０１７９】すなわち，導電性ペースト又は導電性樹脂は一般的に硬化しても柔らかく弾力性を有している。したがって，有機ＥＬ素子６０の陰極６１とＴＦＴ基板５１側との電気的接合を確実に行なうことが可能となる。」
　
５　対比
　本件補正後発明と引用発明を対比すると以下のとおりとなる。
(1)　第１の基板，第２の基板，有機電界発光表示装置
　引用発明の「第２基板の透明基板」，「第１基板の透明基板」及び「アクティブマトリックス型有機電界発光素子」は，それぞれ，本件補正後発明の「第１の基板」，「第２の基板」及び「有機電界発光表示装置」に相当する。
(2)　カラーフィルタアレイ
　構成要件ＡないしＤ及びＮからみて，引用発明の「ブラックマトリクス」，「カラーフィルタ」，「赤，緑，青色変換層」及び「平坦化層」を併せてなるものは，本件補正後発明の「カラーフィルタアレイ」に相当する。
(3)　発光アレイ
　構成要件ＥないしＧからみて，引用発明の「第１電極」，「有機電界発光層」，「第２電極」及び「隔壁」と本件補正後発明の「第１の電極」，「有機発光層」，「第２の電極」及び「隔壁」は，それぞれ，「前記カラーフィルターアレイ上に形成される第１の電極」，「前記第１の電極上に形成される有機発光層」，「前記有機発光層上に形成される第２の電極」及び「前記第１の電極上に形成され，前記有機発光層と前記第２の電極を分離して画素領域を定義する隔壁」の点で一致する。そして，引用発明の「第２基板」，「第１基板」及び「アクティブマトリックス型有機電界発光素子」，並びに，「第１電極」，「有機電界発光層」，「第２電極」及び「隔壁」を併せてなるものは，本件補正後発明の「発光アレイ」に相当する。
(4)　薄膜トランジスタアレイ
　構成要件ＨないしＬ及び技術常識を考慮すると，引用発明のソース電極，ドレイン電極及びゲート電極と重なる半導体層のそれぞれが，薄膜トランジスタのソース領域，ドレイン領域及びチャネル領域であることは明らかである。したがって，引用発明の「半導体層」，「ゲート電極」，「ソース電極」及び「ドレイン電極」と本件補正後発明の「半導体層」，「ゲート電極」，「ソース電極」及び「ドレイン電極」は，それぞれ，「前記第２の基板上に形成され，チャンネル領域を介してソース領域及びドレイン領域が形成された半導体層」，「ゲート絶縁膜を介して前記半導体層のチャンネル領域と重畳されるゲート電極」，「前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜上に積層された層間絶縁膜を貫通するソースコンタクトホールを通じて前記半導体層のソース領域と接続されたソース電極」及び「前記ゲート絶縁膜及び前記層間絶縁膜を貫通するドレインコンタクトホールを通じて前記半導体層のドレイン領域と接続されたドレイン電極」の点で一致する。また，さらに構成要件Ｍを考慮すると，引用発明の「第１基板」は，本件補正後発明の「薄膜トランジスタアレイ」に相当する。
(5)　カラーフィルタアレイ
　構成要件ＡないしＤ及びＮからみて，引用発明の「ブラックマトリックス」，「カラーフィルタ」，「赤，緑，青色変換層」及び「平坦化層」と本件補正後発明の「ブラックマトリクス」，「カラーフィルター」，「補助カラー層」及び「オーバーコート層」は，それぞれ，「前記第１の基板上の前記隔壁と対応する位置に形成されるブラックマトリクス」，「前記ブラックマトリクスを介して形成される複数のカラーフィルター」，「前記カラーフィルター上に形成される補助カラー層」及び「前記補助カラー層が形成された第１の基板上に形成されるオーバーコート層」に相当する。
　
　そうしてみると，本件補正後発明と引用発明とは，
「　　第１の基板上にカラーフィルターアレイと，
　　前記カラーフィルターアレイ上に形成される第１の電極と，
　　前記第１の電極上に形成される有機発光層と，
　　前記有機発光層上に形成される第２の電極と，
　　前記第１の電極上に形成され，前記有機発光層と前記第２の電極を分離して画素領域を定義する隔壁と
　を含む発光アレイと，
　　前記第２の基板上に形成され，チャンネル領域を介してソース領域及びドレイン領域が形成された半導体層と，
　　ゲート絶縁膜を介して前記半導体層のチャンネル領域と重畳されるゲート電極と，
　　前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜上に積層された層間絶縁膜を貫通するソースコンタクトホールを通じて前記半導体層のソース領域と接続されたソース電極と，
　　前記ゲート絶縁膜及び前記層間絶縁膜を貫通するドレインコンタクトホールを通じて前記半導体層のドレイン領域と接続されたドレイン電極と，
　を含む薄膜トランジスタアレイと，
　前記カラーフィルターアレイは，
　　前記第１の基板上の前記隔壁と対応する位置に形成されるブラックマトリクスと，
　　前記ブラックマトリクスを介して形成される複数のカラーフィルターと，
　　前記カラーフィルター上に形成される補助カラー層と，
　　前記補助カラー層が形成された第１の基板上に形成されるオーバーコート層と
　を含む，
　有機電界発光表示装置。」
の点で一致し，以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　本件補正後発明の薄膜トランジスタアレイは「前記層間絶縁膜，前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に積層された保護膜を貫通する画素コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と接続された画素電極」を含むのに対し，引用発明は画素電極を備えない点。
　
（相違点２）
　本件補正後発明の有機電界発光表示装置は「前記薄膜トランジスタアレイの前記画素電極上に形成され，金属からなる接触支持部と，前記接触支持部上に形成され，ポリアニリン，ポリピロールあるいはポリサイオペンのうち，少なくとも何れか一つを含む電導性高分子物質からなり，前記発光アレイと前記薄膜トランジスタアレイを電気的に接触させる接触電極」を含み，「前記接触電極は，前記接触支持部の側面及び上面を覆い，前記第２の電極と前記画素電極とを電気的に接触させる」ものであるのに対し，引用発明は接触支持部及び接触電極とは異なる構成（電気的コネクタ）を備える点。
　
６　判断
(1)相違点１の画素電極について
　引用発明は「前記層間絶縁膜，前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に積層された保護膜を貫通する」コンタクトホールに電気的コネクタを直接形成してドレイン電極と連結する構成を備える（構成要件Ｋ及びＭ）ものであるが，予め接続用の電極を形成してから電気的コネクタを形成することは周知であり（必要ならば，特開２００５−１８３０３１号公報（以下「周知例１」という。），特開２００５−９３３３５号公報（拒絶理由通知の引用文献２，以下「周知例２」という。），特開２００４−３０３５２２号公報（拒絶理由通知の引用文献７，以下「周知例３」という。）を参照。），当業者ならばドレイン電極と電気的コネクタの位置関係や必要面積等を勘案して設計時に適宜採用しうる構成である。
　
(2)相違点２の接触支持部及び接触電極について
　引用発明は第１基板のドレイン電極と第２基板の第２電極とを電気的に連結する手段として電気的コネクタ（構成要件Ｍ）を備えるところ，引用例２には電気的接合を確実に行う手段としてポリピロールを用いた感光性導電ポリマーが開示されているから，引用発明の電気的コネクタの電気的接合を確実に行うために引用例２に開示された構成を適用することは当業者における通常の創意工夫の範囲内の事項である。また，この際，引用発明の電気的コネクタが一定高さを有しかつ抵抗率値が小さい金属物質から選択されることが望ましい（構成要件Ｍ）ことを考慮し，導電性樹脂の芯材として周知の一定高さを確保する金属スペーサ（必要ならば，特開２００５−１０７２９４号公報（以下「周知例４」という。），周知例１（【００４１】に樹脂コア部は金属材料であってもよい旨の記載がある）を参照。）を設けること，あるいは，周知の電気的コネクタの表面に導電性樹脂層を設ける構成（必要ならば，周知例２，周知例１（銀ペーストには樹脂が含まれ得る）を参照。）を採用することは引用発明に対して引用例２に開示された構成を適用するに際しての設計的な事項に過ぎない。
　
(3)まとめ
　相違点１及び２について，以上のように推考してなる薄膜トランジスタアレイは「前記層間絶縁膜，前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に積層された保護膜を貫通する画素コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と接続された画素電極」を含み，また，有機電界発光表示装置は「前記薄膜トランジスタアレイの前記画素電極上に形成され，金属からなる接触支持部と，前記接触支持部上に形成され，ポリアニリン，ポリピロールあるいはポリサイオペンのうち，少なくとも何れか一つを含む電導性高分子物質からなり，前記発光アレイと前記薄膜トランジスタアレイを電気的に接触させる接触電極」を含み，「前記接触電極は，前記接触支持部の側面及び上面を覆い，前記第２の電極と前記画素電極とを電気的に接触させる」ものである。
　したがって，引用例１及び２に記載された発明並びに周知技術に基いて，本件補正後発明を発明することは当業者が容易にできることである。
　また，本件補正後発明の作用効果は，引用例１及び２に記載された発明並びに周知技術並びに周知技術から当業者が予測できる範囲内のものである。
　
７　小括
　以上のとおり，本件補正後発明は，引用例１及び２に記載された発明並びに周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって，本件補正は特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから，同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明
１　本願発明
　平成２１年１２月４日付けの手続補正は却下されたので，本願の請求項１ないし１６に係る発明は，平成２１年６月２４日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１６に記載されたとおりのものであるところ，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，下記のものである。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　第１の基板上にカラーフィルターアレイと有機発光層が形成された発光アレイと，
　第２の基板上に前記発光アレイを制御するための薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタアレイと，
　前記薄膜トランジスタアレイ上に形成され，金属からなる接触支持部と，
　前記接触支持部上に形成され，前記発光アレイと前記薄膜トランジスタアレイを電気的に接触させる電導性高分子物質からなる接触電極と
　を含み，
　前記接触電極は，前記接触支持部の側面及び上面を覆う
　ことを特徴とする有機電界発光表示装置。
　
２　引用発明
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は「第２　補正の却下の決定」の「３　引用例１に記載の発明」及び「４　引用例２」に記載したとおりである。
　
３　対比及び判断
　本願発明は，(1)本件補正後発明のカラーフィルタについて「前記第１の基板上の前記隔壁と対応する位置に形成されるブラックマトリクスと，前記ブラックマトリクスを介して形成される複数のカラーフィルターと，前記カラーフィルター上に形成される補助カラー層と，前記補助カラー層が形成された第１の基板上に形成されるオーバーコート層とを含み，」という発明特定事項を削除し，(2)本件補正後発明の発光アレイについて「第１の基板上にカラーフィルターアレイと，前記カラーフィルターアレイ上に形成される第１の電極と，前記第１の電極上に形成される有機発光層と，前記有機発光層上に形成される第２の電極と，前記第１の電極上に形成され，前記有機発光層と前記第２の電極を分離して画素領域を定義する隔壁とを含む発光アレイ」を「第１の基板上にカラーフィルターアレイと有機発光層が形成された発光アレイ」と拡張し，(3)本件補正後発明の薄膜トランジスタアレイについて「第２の基板上に形成され，チャンネル領域を介してソース領域及びドレイン領域が形成された半導体層と，ゲート絶縁膜を介して前記半導体層のチャンネル領域と重畳されるゲート電極と，前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜上に積層された層間絶縁膜を貫通するソースコンタクトホールを通じて前記半導体層のソース領域と接続されたソース電極と，前記ゲート絶縁膜及び前記層間絶縁膜を貫通するドレインコンタクトホールを通じて前記半導体層のドレイン領域と接続されたドレイン電極と，前記層間絶縁膜，前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に積層された保護膜を貫通する画素コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と接続された画素電極とを含む薄膜トランジスタアレイ」を「第２の基板上に前記発光アレイを制御するための薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタアレイ」と拡張し，(4)本件補正後発明の接触時支部及び接触電極について「前記薄膜トランジスタアレイの前記画素電極上に形成され，金属からなる接触支持部」，「前記接触支持部上に形成され，ポリアニリン，ポリピロールあるいはポリサイオペンのうち，少なくとも何れか一つを含む電導性高分子物質からなり，前記発光アレイと前記薄膜トランジスタアレイを電気的に接触させる接触電極」及び「前記接触電極は，前記接触支持部の側面及び上面を覆い，前記第２の電極と前記画素電極とを電気的に接触させる」という構成を「前記薄膜トランジスタアレイ上に形成され，金属からなる接触支持部」，「前記接触支持部上に形成され，前記発光アレイと前記薄膜トランジスタアレイを電気的に接触させる電導性高分子物質からなる接触電極」及び「前記接触電極は，前記接触支持部の側面及び上面を覆う」という構成に拡張するものである。
　そうすると，本願発明の構成要件を全て含み，さらに他の構成要件を付加したものに相当する本件補正後発明が「第２　補正の却下の決定」で述べた理由により引用例１及び２に記載された発明並びに周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，引用例１及び２に記載された発明並びに周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　小括
　以上のとおり，本願発明は引用例１及び２に記載された発明並びに周知技術に基いて当業者が容易に発明することができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　総括
　したがって，その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。