(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性波が伝搬する圧電基板と、
該圧電基板の上面に位置するＩＤＴ電極と、
前記圧電基板の上面に位置し、前記ＩＤＴ電極を挟んでそれぞれ前記ＩＤＴ電極に隣接する１対の反射器と、
を有し、
前記ＩＤＴ電極は、
第１バスバーと、
該第１バスバーに対向する第２バスバーと、
前記第１バスバーから前記第２バスバー側へ延びた複数の第１電極指と、
前記第２バスバーから前記第１バスバー側へ延びた、前記複数の第１電極指と前記弾性波の伝搬方向において隣接する部分を有する複数の第２電極指と、
を有し、
前記第２電極指の前記第１電極指との隣接部分の幅を交差幅とし、前記ＩＤＴ電極における全ての交差幅の中での最大交差幅をａ、最小交差幅をｂとすると、
０．０１≦（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）≦０．０６６
が満たされており、
前記複数の第１電極指の先端を結ぶ第１包絡線は、前記第１電極指１本毎に交互に逆側へ一定の振れ幅で屈曲するジグザグ状である
弾性波素子。
【請求項２】
前記複数の第２電極指の先端を結ぶ第２包絡線は前記第２電極指１本毎に交互に逆側へ屈曲するジグザグ状である
請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項３】
前記第２包絡線の振れ幅は一定かつ前記第１包絡線の振れ幅と同一である
請求項２に記載の弾性波素子。
【請求項４】
前記ＩＤＴ電極は、
前記第１バスバーから前記第２バスバー側へ延び、先端が前記複数の第２電極指の先端とギャップを介して対向する複数の第１ダミー電極と、
前記第２バスバーから前記第１バスバー側へ延び、先端が前記複数の第１電極指の先端とギャップを介して対向する複数の第２ダミー電極と、をさらに有し、
前記第２ダミー電極の先端を結ぶ第３包絡線は、前記第１電極指１本毎に交互に逆側へ、かつ、前記第１包絡線が屈曲する側と同一側へ屈曲するジグザグ状である
請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波素子。
【請求項５】
弾性波が伝搬する圧電基板と、
該圧電基板の上面に位置するＩＤＴ電極と、
前記圧電基板の上面に位置し、前記ＩＤＴ電極を挟んでそれぞれ前記ＩＤＴ電極に隣接する１対の反射器と、
を有し、
前記ＩＤＴ電極は、
第１バスバーと、
該第１バスバーに対向する第２バスバーと、
前記第１バスバーから前記第２バスバー側へ延びた複数の第１電極指と、
前記第２バスバーから前記第１バスバー側へ延びた、前記複数の第１電極指と前記弾性波の伝搬方向において隣接する部分を有する複数の第２電極指と、
前記第１バスバーから前記第２バスバー側へ延び、先端が前記複数の第２電極指の先端とギャップを介して対向する複数の第１ダミー電極と、
前記第２バスバーから前記第１バスバー側へ延び、先端が前記複数の第１電極指の先端とギャップを介して対向する複数の第２ダミー電極と、をさらに有し、
を有し、
前記第２電極指の前記第１電極指との隣接部分の幅を交差幅とし、前記ＩＤＴ電極における全ての交差幅の中での最大交差幅をａ、最小交差幅をｂとすると、
０．０１≦（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）≦０．０６６
が満たされており、
前記第２ダミー電極の先端を結ぶ第３包絡線は、前記第１電極指１本毎に交互に逆側へ一定の振れ幅で屈曲するジグザグ状である、弾性波素子。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波素子と、
該弾性波素子が実装された回路基板と、
を有する弾性波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）素子等の弾性波素子およびそれを用いた弾性波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電基板と、圧電基板の主面上に設けられたＩＤＴ（InterDigital Transducer）電極（励振電極）とを有する弾性波素子が知られている。ＩＤＴ電極は、一対の櫛歯電極を有している。各櫛歯電極は、例えば、弾性波の伝搬方向に延びるバスバーと、バスバーから弾性波の伝搬方向に直交する方向に延びる複数の電極指とを有しており、一対の櫛歯電極は、複数の電極指が互いに噛み合うように（互いに交差するように）配置される。
【０００３】
また、圧電基板として水晶基板やＬｉＮｂＯ３基板等を利用する弾性波素子では、そのインピーダンス特性において、いわゆる横モードのスプリアスが生じることがあることも知られている。
【０００４】
特許文献１では、横モードのスプリアスを抑制するための構成として、複数の電極指が互いに交差する領域が、ＳＡＷの伝搬方向に垂直な方向において接しているか、もしくは重なっている第１領域および第２領域からなり、電極指の先端を結ぶ包絡線が、ＳＡＷの伝搬方向において２以上の変化点を有する構成を開示している（請求項１）。
【０００５】
なお、特許文献１における第１領域および第２領域の定義を読み解き、また、第１領域および第２領域が接するもしくは重なるという構成を考慮すると、特許文献１においては、短い電極指の長さ（もしくは最小の交差幅）は、長い電極指の長さの概ね半分以下ということになる。また、電極指の先端を結ぶ包絡線は、概ね交差幅以上の振れ幅でジグザグ状であることになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−６０１０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１の技術では種々の不都合を生じる。例えば、上述のように交差幅が小さいことから、ＩＤＴ電極の大きさ（一対のバスバー間の距離）に対して容量が小さい。換言すれば、小型化が難しい。また、例えば、包絡線の振れ幅が大きいことから、弾性波の伝搬を担う１次モードの振動が減衰される。換言すれば、伝搬損失が大きくなる。
【０００８】
本発明の目的は、好適にスプリアスを抑制できる弾性波素子および弾性波装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様に係る弾性波素子は、圧電基板と、該圧電基板の上面に位置するＩＤＴ電極と、を有し、前記ＩＤＴ電極は、第１バスバーと、該第１バスバーに対向する第２バスバーと、前記第１バスバーから前記第２バスバー側へ延びた複数の第１電極指と、前記第２バスバーから前記第１バスバー側へ延びた、前記複数の第１電極指と前記弾性波の伝搬方向において隣接する部分を有する複数の第２電極指と、を有し、前記第２電極指の前記第１電極指との隣接部分の幅を交差幅とし、前記ＩＤＴ電極における全ての交差幅の中での最大交差幅をａ、最小交差幅をｂとすると、
０．０１≦（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）≦０．０６６
が満たされている。
【００１０】
好適には、前記複数の第１電極指の先端を結ぶ第１包絡線はジグザグ状である。
【００１１】
好適には、前記第１包絡線は前記第１電極指１本毎に交互に逆側へ屈曲するジグザグ状である。
【００１２】
好適には、前記複数の第２電極指の先端を結ぶ第２包絡線は前記第２電極指１本毎に交互に逆側へ屈曲するジグザグ状である。
【００１３】
好適には、前記第１包絡線の振れ幅および前記第２包絡線の振れ幅は一定かつ互いに同一である。
【００１４】
本発明の一態様に係る弾性波装置は、上記いずれかの弾性波素子と、該弾性波素子が実装された回路基板と、を有する。
【発明の効果】
【００１５】
上記の構成によれば、好適にスプリアスを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ素子の平面図である。
【図２】図２（ａ）は図１の領域IIａの拡大図、図２（ｂ）は図１のIIｂ−IIｂ線における断面図である。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｅ）は図１のＳＡＷ素子の製造方法を説明する断面図である。
【図４】図１のＳＡＷ素子を適用したＳＡＷ装置の例を示す断面図である。
【図５】図５（ａ）および図５（ｂ）は図１のＳＡＷ素子における交差幅の変動がもたらす作用を説明する模式図である。
【図６】図６（ａ）〜図６（ｃ）は比較例および実施例のインピーダンス特性を説明する図である。
【図７】図７（ａ）〜図７（ｃ）は比較例および実施例のスミスチャートを説明する図である。
【図８】交差幅の変動量を変化させて実行したシミュレーション結果を示す図である。
【図９】第２の実施形態のＳＡＷ素子を示す平面図である。
【図１０】第３の実施形態のＳＡＷ素子を示す平面図である。
【図１１】第４の実施形態のＳＡＷ素子を示す平面図である。
【図１２】第５の実施形態のＳＡＷ素子を示す平面図である。
【図１３】第６の実施形態のＳＡＷ素子を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態に係るＳＡＷ素子およびＳＡＷ装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
【００１８】
第２の実施形態以降において、既に説明された実施形態の構成と同一または類似する構成については、既に説明された実施形態と同一の符号を付し、説明を省略することがある。
【００１９】
＜第１の実施形態＞
（ＳＡＷ素子の構成および製造方法）
図１は本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ素子１の要部の平面図である。図２（ａ）は図１の領域IIａの拡大図である。図２（ｂ）は図１のIIｂ−IIｂ線における断面図である。
【００２０】
なお、ＳＡＷ素子１は、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下では、便宜的に、直交座標系ｘｙｚを定義するとともに、ｚ方向の正側を上方として、上面、下面等の用語を用いるものとする。
【００２１】
ＳＡＷ素子１は、図１に示すように、基板３と、基板３の上面３ａに設けられたＩＤＴ電極５および反射器７とを有している。また、ＳＡＷ素子１は、図２（ｂ）に示すように、ＩＤＴ電極５および反射器７上に設けられた付加膜９と、上面３ａを付加膜９の上から覆う保護層１１とを有している。なお、ＳＡＷ素子１は、この他にも、ＩＤＴ電極５に信号の入出力を行うための配線等を有していてもよい。
【００２２】
基板３は、圧電基板によって構成されている。具体的には、例えば、基板３は、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）単結晶，ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）単結晶等の圧電性を有する単結晶の基板によって構成されている。より好適には、基板３は、１２８°±１０°Ｙ−ＸカットのＬｉＮｂＯ３基板もしくは０°±１０°Ｙ−ＸカットのＬｉＮｂＯ３基板によって構成されている。基板３の平面形状および各種寸法は適宜に設定されてよい。一例として、基板３の厚み（ｚ方向）は、０．２ｍｍ〜０．５ｍｍである。
【００２３】
ＩＤＴ電極５は、図１に示すように、第１櫛歯電極１３Ａおよび第２櫛歯電極１３Ｂを有している。なお、以下では、第１櫛歯電極１３Ａおよび第２櫛歯電極１３Ｂを単に櫛歯電極１３といい、これらを区別しないことがある。また、第１櫛歯電極１３Ａに係る構成等については、「第１バスバー２１Ａ」等のように、「第１」および「Ａ」を付すことがあり、第２櫛歯電極１３Ｂに係る構成等については、「第２バスバー２１Ｂ」等のように、「第２」および「Ｂ」を付すことがあり、また、「第１」、「第２」、「Ａ」、および「Ｂ」を省略することがある。
【００２４】
各櫛歯電極１３は、図１に示すように、互いに対向する２本のバスバー２１と、各バスバー２１から他のバスバー２１側へ延びる複数の電極指２３と、複数の電極指２３の間において各バスバー２１から他のバスバー２１側へ延びる複数のダミー電極２５と、を有している。そして、１対の櫛歯電極１３は、複数の電極指２３が互いに噛み合うように（交差するように）配置されている。
【００２５】
なお、図２（ａ）では、ＳＡＷの伝搬方向において互いに隣接する部分を有する電極指２３間の、隣接する部分の長さに亘る領域をハッチングして示している。本実施形態では、当該領域を交差領域Ｒといい、交差領域Ｒの幅を交差幅ということがある。
【００２６】
バスバー２１は、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向（ｘ方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。そして、一対のバスバー２１は、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向において互いに対向している。
【００２７】
複数の電極指２３は、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向に直線状に延びる長尺状に形成されており、ＳＡＷの伝搬方向に概ね一定の間隔で配列されている。一対の櫛歯電極１３の複数の電極指２３は、そのピッチ（繰り返し間隔）ｐ（例えば、図２（ｂ）に示す電極指２３の中心間距離）が、例えば、共振させたい周波数でのＳＡＷの波長λの半波長と同等となるように設けられている。波長λ（２ｐ）は、例えば、１．５μｍ〜６μｍである。各電極指２３の幅ｗ１（図２（ｂ））は、ＳＡＷ素子１に要求される電気特性等に応じて適宜に設定され、例えば、ピッチｐに対して０．４ｐ〜０．７ｐである。
【００２８】
複数の電極指２３の長さ（先端の位置）は、所定量以下の変動量で変動するように設定されている。その変動のパターンは、適宜に設定されてよいが、例えば、複数の第１電極指２３Ａの先端を結ぶ第１包絡線２４Ａ（図１）がジグザグ状になるようなものとされている。第１包絡線２４Ａは、例えば、第１電極指２３Ａの１本毎に交互に逆側に屈曲している。また、その振れ幅（図２（ａ）の長さｃ）は一定である。第１電極指２３Ａについて述べたが、第２電極指２３Ｂ（第２包絡線２４Ｂ）についても同様である。また、第１包絡線２４Ａの振れ幅と、第２包絡線２４Ｂの振れ幅とは互いに同一である。
【００２９】
複数の電極指２３の長さが変動していることによって、互いに隣接する第１電極指２３Ａおよび第２電極指２３Ｂの交差幅も変動している。より具体的には、図２（ａ）に示すように、最大交差幅ａ、最小交差幅ｂおよびその中間の交差幅ｂ＋ｃの３種類の交差幅が存在し、ＳＡＷの伝搬方向において、ａ、ｂ＋ｃ、ｂ、ｂ＋ｃの順番が繰り返されている。なお、長さｃは、電極指２３の長さの変動量であり、ｃ＝（ａ−ｂ）／２である。
【００３０】
複数のダミー電極２５は、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向に直線状に延びる長尺状に形成されており、複数の電極指２３間の中央に配置されている（複数の電極指２３と同一のピッチで配列されている）。そして、一方の櫛歯電極１３のダミー電極２５の先端は、他方の櫛歯電極１３の電極指２３の先端とギャップを介して対向している。ダミー電極２５の幅（ｘ方向）は、例えば、電極指２３と同等である。複数のダミー電極２５の長さ（ｙ方向）は、例えば、電極指２３の先端とのギャップの大きさが一定となるように、複数の電極指２３の長さの変動に応じて変動している。ギャップの大きさ（ｙ方向）は、例えば、０．１λ〜０．６λである。
【００３１】
ＩＤＴ電極５は、例えば、金属によって形成されている。この金属としては、例えば、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金（Ａｌ合金）が挙げられる。Ａｌ合金は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金である。なお、ＩＤＴ電極５は、複数の金属層から構成されてもよい。ＩＤＴ電極５の各種寸法は、ＳＡＷ素子１に要求される電気特性等に応じて適宜に設定される。一例として、ＩＤＴ電極５の厚みｅ（図２（ｂ））は、５０ｎｍ〜４００ｎｍである。
【００３２】
なお、ＩＤＴ電極５は、基板３の上面３ａに直接配置されていてもよいし、別の部材を介して基板３の上面３ａに配置されていてもよい。別の部材は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、あるいはこれらの合金等からなる。このようにＩＤＴ電極５を別の部材を介して基板３の上面３ａに配置する場合は、別の部材の厚みはＩＤＴ電極５の電気特性に殆ど影響を与えない程度の厚み（例えば、Ｔｉの場合はＩＤＴ電極５の厚みの５％の厚み）に設定される。
【００３３】
ＩＤＴ電極５によって基板３に電圧が印加されると、基板３の上面３ａ付近において上面３ａに沿ってｘ方向に伝搬するＳＡＷが誘起される。また、ＳＡＷは、電極指２３と電極指２３の非配置領域（図２（ａ）の交差領域Ｒ参照）との境界において反射する。そして、電極指２３のピッチｐを半波長とする定在波が形成される。定在波は、当該定在波と同一周波数の電気信号に変換され、電極指２３によって取り出される。このようにして、ＳＡＷ素子１は、共振子もしくはフィルタとして機能する。
【００３４】
反射器７は、格子状に形成されている。すなわち、反射器７は、ＳＡＷの伝搬方向に交差する方向において互いに対向する一対のバスバーと、これらバスバー間においてＳＡＷの伝搬方向に直交する方向に延びる複数の電極指とを有している。複数の電極指の幅およびピッチは、例えば、ＩＤＴ電極５の電極指２３の幅およびピッチと概ね同等である。反射器７は、例えば、ＩＤＴ電極５と同一の材料によって形成されるとともに、ＩＤＴ電極５と同等の厚みに形成されている。
【００３５】
保護層１１は、例えば、基板３の上面３ａの概ね全面に亘って設けられており、付加膜９が設けられたＩＤＴ電極５および反射器７を覆うとともに、上面３ａのうちＩＤＴ電極５および反射器７から露出する部分を覆っている。保護層１１の上面３ａからの厚みＴ（図２（ｂ））は、ＩＤＴ電極５および反射器７の厚みｅよりも大きく設定されている。例えば、厚みＴは、厚みｅよりも１００ｎｍ以上厚く、２００ｎｍ〜１５００ｎｍである。また、例えば、厚みＴは、別の観点では、ＳＡＷの波長λに対して０．２λ〜０．５λである。
【００３６】
保護層１１は、絶縁性を有する材料からなる。好適には、保護層１１は、温度が上昇すると弾性波の伝搬速度が速くなるＳｉＯ２などの材料によって形成されており、これによってＳＡＷ素子１の温度の変化による電気特性の変化を小さく抑えることができる。具体的には、以下のとおりである。
【００３７】
基板３の温度が上昇すると、基板３におけるＳＡＷの伝搬速度が遅くなり、また、基板３の熱膨張によってピッチｐが大きくなる。その結果、共振周波数が低くなり、所望の特性が得られないおそれがある。しかし、保護層１１が設けられていると、ＳＡＷは、基板３だけでなく、保護層１１においても伝搬する。そして、保護層１１は、温度が上昇すると弾性波の伝搬速度が速くなる材料（ＳｉＯ２）によって形成されていることから、基板３および保護層１１を伝搬するＳＡＷ全体としては、温度上昇による速度の変化が抑制されることになる。なお、保護層１１は、ＩＤＴ電極５を腐食等から保護することにも寄与する。
【００３８】
保護層１１の表面は、大きな凹凸がないようにしておくことが望ましい。基板３上を伝搬するＳＡＷの伝搬速度は保護層１１の表面の凹凸に影響を受けて変化するため、保護層１１の表面に大きな凹凸が存在すると、製造された各ＳＡＷ素子１の共振周波数に大きなばらつきが生じることとなる。したがって、保護層１１の表面を平坦にしておけば、各ＳＡＷ素子の共振周波数が安定化する。具体的には、保護層１１の表面の平坦度を、基板３上を伝搬するＳＡＷの波長の１％以下とすることが望ましい。
【００３９】
付加膜９は、ＩＤＴ電極５および反射器７の電気特性を向上させるためのものである。付加膜９は、例えば、ＩＤＴ電極５および反射器７の上面の全面に亘って設けられている。付加膜９は、電極指２３の長手方向（ｙ方向）に直交する断面形状が、例えば、概ね矩形とされている。ただし、付加膜９の断面形状は、台形状やドーム状とされてもよい。付加膜９の厚さｔ（図２（ｂ））は、付加膜９が保護層１１を露出しない範囲で適宜に設定されてよい。例えば、付加膜９の厚さは、ＳＡＷの波長λに対して０．０１λ〜０．４λである。
【００４０】
付加膜９を構成する材料は、ＩＤＴ電極５、反射器７、および保護層１１を構成する材料とは音響インピーダンスが異なる材料である。音響インピーダンスの相違は、ある程度以上であることが好ましく、例えば、１５ＭＲａｙｌ以上、より好ましくは２０ＭＲａｙｌ以上であることが好ましい。
【００４１】
このような材料としては、例えば、ＩＤＴ電極５がＡｌ（音響インピーダンス：１３．５ＭＲａｙｌ）によって構成され、保護層１１がＳｉＯ２（１２．２ＭＲａｙｌ）によって構成されている場合には、ＷＣ（１０２．５ＭＲａｙｌ）、ＴｉＮ（５６．０ＭＲａｙｌ）、ＴａＳｉＯ２（４０．６ＭＲａｙｌ）、Ｔａ２Ｏ５（３３．８ＭＲａｙｌ）、Ｗ５Ｓｉ２（６７．４ＭＲａｙｌ）が挙げられる。
【００４２】
ＩＤＴ電極５がＡｌによって構成され、保護層１１がＳｉＯ２によって構成されている場合においては、これらの音響インピーダンスが近いことから、電極指２３と電極指２３の非配置領域（交差領域Ｒ参照）との境界が音響的に曖昧になり、当該境界における反射係数が低下する。その結果、ＳＡＷの反射波が十分に得られず、所望の特性が得られないおそれがある。しかし、ＩＤＴ電極５および保護層１１の材料とは音響インピーダンスが異なる材料によって形成された付加膜９がＩＤＴ電極５の上面に設けられることにより、電極指２３と電極指２３の非配置領域との境界における反射係数が高くなり、所望の特性が得られやすくなる。
【００４３】
なお、付加膜９の材料は、ＩＤＴ電極５、反射器７、および保護層１１の材料よりも弾性波の伝搬速度が遅いことが好ましい。伝搬速度が遅いことによって、振動分布が付加膜９に集中しやすく、電極指２３と電極指２３の非配置位置との境界における反射係数が実効的に高くなる。
【００４４】
このような材料としては、例えば、ＩＤＴ電極５がＡｌ（伝搬速度：５０２０ｍ／ｓ）によって構成され、保護層１１がＳｉＯ２（５５６０ｍ／ｓ）によって構成されている場合には、ＴａＳｉＯ２（４４３８ｍ／ｓ）、Ｔａ２Ｏ５（４３５２ｍ／ｓ）、Ｗ５Ｓｉ２（４４６５ｍ／ｓ）が挙げられる。なお、ＩＤＴ電極５等の材料よりも弾性波の伝搬速度が遅い材料は、ＩＤＴ電極５等の材料よりも音響インピーダンスが小さい材料よりも、音響インピーダンスが大きい材料の方が選択の自由度が高いと思われる。
【００４５】
図３（ａ）〜図３（ｅ）は、ＳＡＷ素子１の製造方法の概要を説明する、製造工程毎の図２（ｂ）に対応する断面図である。製造工程は、図３（ａ）から図３（ｅ）まで順に進んでいく。なお、各種の層は、プロセスの進行に伴って形状等が変化するが、変化の前後で共通の符号を用いることがあるものとする。
【００４６】
図３（ａ）に示すように、まず、基板３の上面３ａ上には、ＩＤＴ電極５および反射器７となる導電層１５、ならびに付加膜９となる付加層１７が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学的気相堆積）法等の薄膜形成法によって、上面３ａ上に導電層１５が形成される。次に、同様の薄膜形成法によって、付加層１７が形成される。
【００４７】
付加層１７が形成されると、図３（ｂ）に示すように、付加層１７および導電層１５をエッチングするためのマスクとしてのレジスト層１９が形成される。具体的には、ネガ型もしくはポジ型の感光性樹脂の薄膜が適宜な薄膜形成法によって形成され、フォトリソグラフィー法等によってＩＤＴ電極５および反射器７等の非配置位置において薄膜の一部が除去される。
【００４８】
次に、図３（ｃ）に示すように、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）等の適宜なエッチング法によって、付加層１７および導電層１５のエッチングを行う。これによって、付加膜９が設けられたＩＤＴ電極５および反射器７が形成される。その後、図３（ｄ）に示すように、適宜な薬液を用いることによって、レジスト層１９は除去される。
【００４９】
そして、図３（ｅ）に示すように、スパッタリング法もしくはＣＶＤ法等の適宜な薄膜形成法によって保護層１１となる薄膜が形成される。この時点においては、保護層１１となる薄膜の表面には、ＩＤＴ電極５等の厚みに起因して凹凸が形成されている。そして、必要に応じて化学機械研磨等によって表面が平坦化され、図２（ｂ）に示すように、保護層１１が形成される。なお、保護層１１は、平坦化の前もしくは後において、後述するパッド３９（図４）等を露出させるために、フォトリソグラフィー法等によって一部が除去されてもよい。
【００５０】
上述した工程は、ダイシングされることにより基板３となる母基板に対して行われる。そして、保護層１１の形成後、必要に応じて他の部材（例えば後述するカバー３３）が形成され、その後、母基板がダイシングされることにより、ＳＡＷ素子１が作製される。
【００５１】
（ＳＡＷ装置の構成）
図４は、上述したＳＡＷ素子１を適用したＳＡＷ装置５１の例を示す断面図である。
【００５２】
ＳＡＷ装置５１は、例えば、フィルタもしくはデュプレクサを構成している。ＳＡＷ装置５１は、ＳＡＷ素子３１と、ＳＡＷ素子３１が実装される回路基板５３とを有している。
【００５３】
ＳＡＷ素子３１は、例えば、いわゆるウェハレベルパッケージのＳＡＷ素子として構成されている。ＳＡＷ素子３１は、上述したＳＡＷ素子１と、基板３のＳＡＷ素子１側を覆うカバー３３と、カバー３３を貫通する端子３５と、基板３のＳＡＷ素子１とは反対側を覆う裏面部３７とを有している。
【００５４】
カバー３３は、樹脂等によって構成されており、ＳＡＷの伝搬を容易化するための振動空間３３ａをＩＤＴ電極５および反射器７の上方（ｚ方向の正側）に構成している。基板３の上面３ａ上には、ＩＤＴ電極５と接続された配線３８と、配線３８に接続されたパッド３９とが形成されている。端子３５は、パッド３９上において形成され、ＩＤＴ電極５と電気的に接続されている。裏面部３７は、例えば、特に図示しないが、温度変化等によって基板３表面にチャージされた電荷を放電するための裏面電極と当該裏面電極を覆う保護層とを有している。
【００５５】
回路基板５３は、例えば、いわゆるリジッド式のプリント配線基板によって構成されている。回路基板５３の実装面５３ａには、実装用パッド５５が形成されている。
【００５６】
ＳＡＷ素子３１は、カバー３３側を実装面５３ａに対向させて配置される。そして、端子３５と実装用パッド５５は、半田５７によって接着される。その後、ＳＡＷ素子３１は封止樹脂５９によって封止される。
【００５７】
（交差幅の変動の作用）
図５（ａ）および図５（ｂ）は、ＳＡＷ素子１における交差幅の変動がもたらす作用を説明する模式図である。
【００５８】
図５（ａ）は、比較例における作用を説明する図である。この比較例においては、複数の電極指２３の長さは互いに同一である。従って、交差幅は一定であり、また、複数の交差領域Ｒは直線状に配列されている。
【００５９】
この比較例において、電極指２３に電圧が印加されると、線Ｌｅ１、Ｌｅ３およびＬｅ９によって模式的に例示するように、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（ｙ方向）において、交差領域Ｒの端部を節とする定在波が生じる。すなわち、１／２波長のｎ倍（ｎは正の整数）が交差幅に等しいｎ次の横モードの振動（エネルギー分布）が生じる。なお、線Ｌｅ１、Ｌｅ３およびＬｅ９は、それぞれ、１次、３次および９次の振動を示している。
【００６０】
この横モードの振動は、線Ｌｔ１、Ｌｔ３およびＬｔ９によって模式的に例示するように、ＳＡＷの伝搬方向（ｘ方向）において重ね合わされる（複数の交差領域Ｒにおける振動が累積される。）。このうち、偶数次の横モードの振動は互いに相殺される。その一方で、奇数次の横モードの振動は、重ね合わされることにより大きくなる。
【００６１】
そして、この奇数次の横モードの振動のうち、１次モードの振動は、ＳＡＷのｘ方向への伝搬を担う。その一方で、３次以上のモードの振動は、ＳＡＷのインピーダンス特性においてスプリアスを生じさせる要因となる。
【００６２】
一方、図５（ｂ）に示す本実施形態のＳＡＷにおいては、複数の交差領域Ｒの位置がｙ方向において変動している（互いにずれている）。そして、横モードの振動は、交差領域Ｒの端部を節とするから、複数の交差領域Ｒにおける横モードの振動の位置も、ｙ方向において互いにずれることになる。その結果、奇数次の横モードの振動は互いに相殺される。
【００６３】
ここで、次数が高いモードの振動ほど、複数の交差領域Ｒのずれが波長に対して大きくなる。従って、相殺の度合いは、次数が高いモードの振動ほど大きくなる傾向にある。その結果、図５（ｂ）において線Ｌｔ１、Ｌｔ３およびＬｔ９によって模式的に例示するように、図５（ａ）に比較して、１次モードの振動はさほど減衰せず、３次モード以上の振動は大きく減衰することになる。すなわち、伝搬損失を抑制しつつ、スプリアスの発生を抑制することができる。
【００６４】
（比較例および実施例）
比較例および実施例に係るＳＡＷ素子を試作し、上述の作用が奏されることを確認した。
比較例および実施例に共通の条件は以下のとおりである。
ＳＡＷの波長λ：１．８２μｍ
基板３：１２６°Ｙ−ＸカットのＬｉＮｂＯ３基板
導電層１５（ＩＤＴ電極・反射器）：
材料：Ａｌ−Ｃｕ合金
ただし、基板３と導電層１５との間には６ｎｍのＴｉからなる下地層あり。
厚さｅ（Ａｌ−Ｃｕ合金層）：１４１ｎｍ
付加膜：
材料：Ｔａ２Ｏ５
厚さｔ：９０ｎｍ
保護層：
材料：ＳｉＯ２
厚さＴ：６００ｎｍ
ＩＤＴ電極の電極指：
ピッチｐ：０．９１μｍ
幅ｗ１：０．４５μｍ
本数：３００本（１５０対）
【００６５】
比較例は、図５（ａ）に示したように、電極指２３の長さが互いに同一のものである。実施例は、比較例と容量が同一になるように電極指２３の長さが変動するものとした。すなわち、実施例の各櫛歯電極１３においては、比較例の電極指２３の長さに対して、長さｃ／２（図２（ａ）参照）だけ長い電極指２３と、長さｃ／２だけ短い電極指とが交互に配列されている。
【００６６】
具体的には、比較例の交差幅および実施例の長さｃは以下のとおりである。
比較例の交差幅：５４．６μｍ
実施例の長さｃ：１μｍ、２μｍもしくは３μｍ
【００６７】
図６（ａ）は、比較例および実施例のインピーダンス特性を示す図である。
【００６８】
図６（ａ）において、横軸は周波数ｆを示し、縦軸はインピーダンスの絶対値｜Ｚ｜および位相αを示している。また、各線種に対応する「０μｍ」、「１μｍ」、「２μｍ」および「３μｍ」は、長さｃである。すなわち、「０μｍ」は比較例であり、「１μｍ」、「２μｍ」および「３μｍ」は実施例である。また、曲線Ｌｂ１で囲って示される線種は絶対値｜Ｚ｜を示し、曲線Ｌｂ２で囲って示される線種は位相αを示している。
【００６９】
一般に知られているように、ＳＡＷ素子においては、インピーダンスの絶対値｜Ｚ｜が極小となる共振点と、インピーダンスの絶対値｜Ｚ｜が極大となる反共振点とが現れる。また、共振点と反共振点との間においては、インピーダンスの位相αが最大位相αmaxとなる。
【００７０】
図６（ｂ）は、図６（ａ）の領域VIｂの拡大図である。なお、線Ｌｃは、スプリアスがない理想的な位相特性を示している。
【００７１】
比較例（「０μｍ」）においては、線Ｌｃに対するくぼみ、すなわち、スプリアスが生じている。これに対して、実施例（「１μｍ」、「２μｍ」および「３μｍ」）は、スプリアスが大幅に改善している。
【００７２】
領域Ｓ３、Ｓ５、Ｓ７、Ｓ９およびＳ１１におけるくぼみはそれぞれ、３次、５次、７次、９次および１１次の横モードのスプリアスである。長さｃを１〜３μｍの範囲内で変化させた場合、低次のスプリアスには大きな差異は見られない。その一方で、高次のスプリアスにおいては、長さｃを大きくするほど、スプリアスが抑制されている。これは、図５を参照して説明したように、高次のモードほど周期（波長）が短く、周期に対する長さｃの比率が大きくなることから、振動の相殺が好適に行われたためと考えられる。
【００７３】
図６（ｃ）は、図６（ａ）および図６（ｂ）に示した比較例および実施例の最大位相αmaxを示す図である。
【００７４】
横軸は、長さｃ／２の波長λに対する比を示し、縦軸は最大位相αmaxを示している。また、実験は、比較例および実施例のそれぞれについて５個のサンプルを試作して行ったことから、最大位相αmaxの大きさにはばらつきがある。そこで、各プロットにおいては、平均値を菱形により示すとともに、その最小値から最大値までの範囲をＩ字により示している。
【００７５】
この図に示されるように、長さｃが大きくなると最大位相αmaxが大きくなる傾向がある。これは、図６（ｂ）に示したように、くぼみ（スプリアス）が小さくなることからである。ここで、最大位相αmaxが大きくなるほど伝搬損失は小さくなることがわかっている。従って、スプリアスを好適に抑制することにより、伝搬損失も抑制されていることになる。
【００７６】
図７（ａ）および図７（ｂ）は、スプリアスの抑制の効果を示すスミスチャートである。
【００７７】
図７（ａ）において、点線Ｌｄは、共振子として理想的な軌跡を示している。この軌跡は、真円となっている。これに対して、比較例（「０μｍ」）の軌跡は、スプリアスが生じており、真円となっていない。
【００７８】
図７（ｂ）においては、比較例（「０μｍ」）および実施例（「１μｍ」、「２μｍ」および「３μｍ」）の軌跡が示されている。実施例の軌跡は、比較例の軌跡よりも真円に近付いている。
【００７９】
図７（ｃ）は、スミスチャートにおける、比較例および実施例の軌跡の長さと、真円の軌跡の長さとの差を示す図である。横軸は、図６（ｃ）と同様である。縦軸は、上記の軌跡の長さの差を示している。この図においても、スプリアスが抑制されていることが確認される。
【００８０】
（交差幅の変動量の好適な範囲）
図５を参照して説明したように、本実施形態の効果は、主として、横モードの振動の位置がずらされることにより奏される。従って、本実施形態のＩＤＴ電極５の形状の特徴を数値で示すならば、当該数値としては、振動の起点となる位置のずれ量、すなわち、電極指２３の先端の位置の振れ幅（長さｃ）が抽出されることが好ましい。
【００８１】
また、図５および図６（ｂ）を参照して説明したように、振動の位置のずれの影響は、横モードの振動の波長によって異なり、また、当該振動の波長は交差幅によって規定される。従って、上記の長さｃは、交差幅によって除されて正規化されて、好適な数値範囲が求められることが好ましい。
【００８２】
ここで、ｃ＝（ａ−ｂ）／２と算出することができ、また、交差幅の平均は、最大交差幅ａおよび最小交差幅ｂを用いて、（ａ＋ｂ）／２と算出することができる。従って、正規化された振れ幅は、（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）により表わされ、当該数値の好適な範囲が求められることが好ましい。なお、この式から明らかなように、本実施形態の特徴は、交差幅の変動量（２ｃ＝ａ−ｂ）によって規定されると考えることもできる。
【００８３】
そこで、上述した比較例および実施例と同様の条件下で、（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）を種々変化させてシミュレーションを行い、（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）の好適な範囲を検討した。
【００８４】
図８は、シミュレーション結果を示す図である。
【００８５】
横軸は、（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）を示し、縦軸は、ｎ次の横モードの振動における正規化された振幅の２乗Ａ２を示している。なお、Ａ２の正規化は、比較例（（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）＝０）の振幅の２乗によって除されることによって行われている。
【００８６】
線Ｌｇ１、Ｌｇ３、Ｌｇ５、Ｌｇ７、Ｌｇ９およびＬｇ１１はそれぞれ、１次、３次、５次、７次、９次および１１次の横モードに対応している。また、線Ｌｇａは、３次、５次、７次、９次および１１次の横モード（スプリアスの要因となる横モード）の平均に対応している。
【００８７】
このシミュレーション結果によれば、（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）が僅かでも０よりも大きくなれば、高次のモードの振幅が減少しており、本実施形態の効果が奏されている。すなわち、（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）は、０よりも大きければよいということになる。
【００８８】
ただし、実際には、製造誤差によって、比較例においても（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）は厳密には０とはならないから、現実的かつ意図的に（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）を０より大きくしているといえる下限値の一例として、０．０１を挙げることとする。当該数値は、ＩＤＴ電極５は０．１μｍ以下の精度で形成可能であること、および一般的な超小型のＳＡＷ素子における電極指の長さに照らして妥当である。
【００８９】
（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）を大きくしていくと、より高次のモード（１１次等）においては、振幅が０に達した後に上昇する。これは、ずれ量が半波長に達して振幅が最小となり、その後、さらにずれ量を大きくすると、ずれ量が１波長に近づいていくためと考えられる。
【００９０】
一方、スプリアスは、概ね３次〜１１次程度の横モードの振動によって生じると考えられる。従って、その平均（線Ｌｇａ）が上昇し始める、０．０６６を、（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）の好適な範囲の上限の一例として挙げることができる。
【００９１】
なお、（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）が図８において最大となる０．１０においても、比較例（（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）＝０）に比較して、３次以上のモードの振幅の平均は大幅に減少している。また、図５を参照して説明した理論からすれば、（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）をいかに大きくしたとしても、比較例に比較してスプリアスが大きくなるということはない。従って、０．０６６という数値は、本実施形態の効果を十分に発揮できる範囲内に含まれており、必ずしも臨界的意義が要求されものではなく、また、１３次以上の横モードを考慮したとしても、（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）が０．０６６のときに本実施形態の効果が奏されることは明らかである。
【００９２】
また、特許文献１は、本実施形態とは異なる思想に基づくものであるので、（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）またはこれに類する数値の例示はないが、その図面から（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）を求めると、小さく見積もっても０．１超である。
【００９３】
以上に述べたように、本実施形態によれば、互いに隣接する第１電極指２３Ａと第２電極指２３Ｂとの交差幅に関して、全ての交差幅の中での最大交差幅をａ、最小交差幅をｂとしたときに、
０．０１≦（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）≦０．０６６
が満たされることから、スプリアスを抑制しつつ、種々の効果を得ることができる。
【００９４】
例えば、交差幅の変動量（２ｃ）が小さいことから、一対のバスバー２１間の距離に対して最小交差幅ｂを相対的に大きくすることができる。その結果、容量を確保しつつＩＤＴ電極５の小型化を図ることができる。
【００９５】
また、例えば、振れ幅ｃが小さいことから、振れ幅ｃが波長に対して相対的に大きくなる高次の横モードの振動を好適に減衰させつつ、振れ幅ｃが波長に対して相対的に小さい１次モードの横モードの振動の減衰は抑制し、ＳＮ比を向上させることができる。
【００９６】
また、本実施形態では、複数の第１電極指２３Ａの先端を結ぶ第１包絡線２４Ａはジグザグ状である。これは、例えば、最大交差幅ａもしくは最小交差幅ｂ、またはこれに近い大きさの交差幅が、複数個所において現れることを意味する。換言すれば、複数の交差幅の平均からの変動量が大きい交差幅が多数存在することになる。従って、複数の交差幅全体として、交差幅の変動量が大きくなり、スプリアス抑制の効果が増大する。
【００９７】
特に、第１包絡線２４Ａが第１電極指２３Ａの１本毎に交互に逆側へ屈曲するジグザグ状である場合においては、変動量が大きい交差幅の数は最大となり、スプリアス抑制の効果が最大限に発揮される。
【００９８】
なお、ジグザグ状といえるには、一般的なジグザグの概念に照らして、図１に例示したように、互いに逆方向に屈曲する屈曲点が２つあればよい。また、この場合、ジグザグの一端および一の屈曲点は、内側（交差幅が小さくなる側）に位置し、他端および他の屈曲点は外側（交差幅が大きくなる側）に位置するから、当該ジグザグの定義は、上述の小さい交差幅もしくは大きい交差幅が複数存在するという効果に照らしても妥当である。
【００９９】
本実施形態では、複数の第２電極指２３Ｂの先端を結ぶ第２包絡線２４Ｂも第２電極指２３Ｂの１本毎に交互に逆側へ屈曲するジグザグ状である。従って、横モードの振動の節となる電極指２３の先端は、１対のバスバーの双方において変動する。また、図２（ａ）に示す、交差幅がａ＋ｃの２つの交差領域Ｒから理解されるように、交差幅が互いに同一でその位置が互いに逆方向にずれた交差領域Ｒが生じる。従って、全体として、交差領域Ｒの面積に対して交差領域Ｒのずれ量を大きくし、容量を確保しつつスプリアスを抑制することができる。
【０１００】
当該効果は、特に、第１包絡線２４Ａの振れ幅（ｃ）および第２包絡線２４Ｂの振れ幅（ｃ）が一定かつ互いに同一である場合に顕著となる。また、振れ幅をランダムにした場合に比較して、高次の横モードの波長に対するずれ量の相対的な大きさを制御して意図した効果を得ることが容易である。
【０１０１】
＜第２の実施形態＞
図９は、第２の実施形態のＳＡＷ素子２０１を示す図１と同様の平面図である。
【０１０２】
ＳＡＷ素子２０１は、第１櫛歯電極２１３Ａのみにおいて複数の第１電極指２３Ａの長さが変動しており、第２櫛歯電極２１３Ｂの複数の第２電極指２３Ｂの長さは変動していない点が第１の実施形態のＳＡＷ素子１と相違する。なお、第２櫛歯電極２１３Ｂの複数の第２ダミー電極２５Ｂは、複数の第１電極指２３Ａの長さの変動に応じてその長さが変動している。
【０１０３】
第２の実施形態においても、全ての交差幅の中での最大交差幅をａ、最小交差幅をｂとしたときに、
０．０１≦（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）≦０．０６６
が満たされている。
【０１０４】
従って、第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果が奏される。すなわち、スプリアスを抑制しつつ、容量の確保もしくは１次モードの振動の減衰抑制の効果が奏される。
【０１０５】
＜第３の実施形態＞
図１０は、第３の実施形態のＳＡＷ素子３０１を示す図１と同様の平面図である。
【０１０６】
ＳＡＷ素子３０１は、ダミー電極２５が設けられていない点のみが第１の実施形態のＳＡＷ素子１と相違する。
【０１０７】
第３の実施形態においても、全ての交差幅の中での最大交差幅をａ、最小交差幅をｂとしたときに、
０．０１≦（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）≦０．０６６
が満たされている。
【０１０８】
従って、第３の実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果が奏される。すなわち、スプリアスを抑制しつつ、容量の確保もしくは１次モードの振動の減衰抑制の効果が奏される。
【０１０９】
＜第４の実施形態＞
図１１は、第４の実施形態のＳＡＷ素子４０１を示す図１と同様の平面図である。
【０１１０】
ＳＡＷ素子４０１は、複数の電極指２３のうち、一部の電極指２３（第２櫛歯電極４１３Ｂにおいて、図１１の紙面左から２番目の第２電極指２３Ｂ）のみにおいて長さが変動している。当該一部の電極指２３の数、配置および大きさは適宜に設定されてよい。図１１では、１本の第２電極指２３Ｂが他の全ての第２電極指２３Ｂよりも短くされた場合を例示している。なお、第１櫛歯電極４１３Ａの複数の第１ダミー電極２５Ａにおいては、複数の第２電極指２３Ｂの一部のみにおいて長さが変動していることに対応して、一部のみ長さが変動している。
【０１１１】
第４の実施形態においても、全ての交差幅の中での最大交差幅をａ、最小交差幅をｂとしたときに、
０．０１≦（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）≦０．０６６
が満たされている。
【０１１２】
従って、第４の実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果が奏される。すなわち、スプリアスを抑制しつつ、容量の確保もしくは１次モードの振動の減衰抑制の効果が奏される。
【０１１３】
＜第５の実施形態＞
図１２は、第５の実施形態のＳＡＷ素子５０１を示す図１と同様の平面図である。
【０１１４】
ＳＡＷ素子５０１は、第１櫛歯電極５１３Ａおよび第２櫛歯電極５１３Ｂの少なくとも一方の複数の電極指２３の長さがランダムに変動している点が第１の実施形態のＳＡＷ素子１と相違する。なお、複数のダミー電極２５の長さは、複数の電極指２３の長さの変動に応じて変動している。また、ＳＡＷ素子５０１は、複数の電極指２３の長さがランダムに変動する例であるから、電極指２３の先端を結ぶ包絡線（不図示）の形状は適宜に設定されてよいが、図１２では、包絡線は、概ね、ＳＡＷの伝搬方向の中央側において交差幅が大きく、ＳＡＷの伝搬方向の両端側において交差幅が狭くなるような形状とされている。
【０１１５】
第５の実施形態においても、全ての交差幅の中での最大交差幅をａ、最小交差幅をｂとしたときに、
０．０１≦（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）≦０．０６６
が満たされている。
【０１１６】
従って、第５の実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果が奏される。すなわち、スプリアスを抑制しつつ、容量の確保もしくは１次モードの振動の減衰抑制の効果が奏される。
【０１１７】
＜第６の実施形態＞
図１３は、第６の実施形態のＳＡＷ素子６０１を示す図１と同様の平面図である。
【０１１８】
ＳＡＷ素子６０１は、複数のＩＤＴ電極５が伝搬方向に配列された２重モード型ＳＡＷフィルタとして構成されている。なお、ＩＤＴ電極５の数は適宜に設定されてよいし、入力信号または出力信号は、平衡信号であってもよいし、不平衡信号であってもよい。
【０１１９】
第６の実施形態においても、各ＩＤＴ電極５においては、全ての交差幅の中での最大交差幅をａ、最小交差幅をｂとしたときに、
０．０１≦（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）≦０．０６６
が満たされている。
【０１２０】
従って、第６の実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果が奏される。すなわち、スプリアスを抑制しつつ、容量の確保もしくは１次モードの振動の減衰抑制の効果が奏される。
【０１２１】
複数の交差領域Ｒの全体としての形状（第１包絡線および第２包絡線がなす形状）が菱形等になる一般的なアポダイズ電極においては、電極指２３のピッチを考慮して電極指２３の長さの変動を設定しなければならない。一方、２重モード型ＳＡＷフィルタは、ピッチの長さが変動する割合が比較的多い。従って、一般的なアポダイズは、２重モードＳＡＷフィルタへの適用が困難である。一方、本実施形態は、０．０１≦（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）≦０．０６６の条件が満たされれば、その変動のパターンに関わらず、一定の効果が期待される。従って、本実施形態の交差幅の変動は、２重モード型ＳＡＷフィルタへの適用が容易である。
【０１２２】
なお、ＩＤＴ電極５間における交差幅については、上記の条件が満たされていてもよいし、満たされていなくてもよい。
【０１２３】
本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
【０１２４】
以上の実施形態は、適宜に組み合わされてよい。例えば、第２の実施形態のように１対の櫛歯電極の一方のみにおいて電極指の長さが変動する態様は、第３〜第６の実施形態に適用されてもよい。また、例えば、第３の実施形態のようにダミー電極が設けられない態様は、第４〜第６の実施形態に適用されてもよい。また、例えば、第４の実施形態のようにＩＤＴ電極の一部において交差幅が変動する態様は第５および第６の実施形態に適用されてもよい。また、例えば、第５の実施形態の交差幅がランダムに変動する態様は第６の実施形態に適用されてもよい。
【０１２５】
弾性波素子は、（狭義の）ＳＡＷ素子に限定されない。例えば、保護層（１１）の厚さが比較的大きい（例えば０．５λ〜２λ）、いわゆる弾性境界波素子（ただし、広義のＳＡＷ素子に含まれる。）であってもよい。なお、弾性境界波素子においては、振動空間（３３ａ）の形成は不要であり、ひいては、カバー３３等も不要である。
【０１２６】
弾性波素子は、ウェハレベルパッケージのものに限定されない。例えば、ＳＡＷ素子は、カバー３３および端子３５等を有さず、基板３の上面３ａ上のパッド３９と、回路基板５３の実装用パッド５５とが半田５７によって直接接着されてもよい。そして、ＳＡＷ素子１（保護層１１）と回路基板５３の実装面５３ａとの隙間によって振動空間が形成されてよい。また、ウェハレベルパッケージの弾性波素子も、端子が設けられず、実装用パッド５５に配置された半田ボールにパッド３９が当接する構成とされるなど、種々の構成とされてよい。
【０１２７】
弾性波素子は、ＩＤＴ電極を適宜な数で含んでよい。また、複数のＩＤＴ電極は、直列接続または並列接続等の方式で接続されてラダー型ＳＡＷフィルタ等を構成してもよい。２以上の２重モード型ＳＡＷフィルタがカスケード接続されたりしてもよい。また、これらフィルタが組み合わされてデュプレクサ等が構成されてもよい。
【０１２８】
ＳＡＷ素子が複数のＩＤＴ電極を含む場合において、全てのＩＤＴ電極において、（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）に係る条件が満たされる必要はない。例えば、図１３に示したＳＡＷ素子６０１において、一のＩＤＴ電極５についてのみ、（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）に係る条件が満たされてもよい。
【０１２９】
弾性波素子において、保護層１１および付加膜９は必須の要件ではない。また、保護層は、腐食防止のみを目的として設けられ、電極指の厚みよりも薄くされてもよい。
【０１３０】
電極（電極指）の材料は、ＡｌおよびＡｌを主成分とする合金に限定されず、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｔｉであってもよい。保護層の材料は、ＳｉＯ２に限定されず、例えば、ＳｉＯ２以外の酸化珪素であってもよい。
【０１３１】
なお、本願からは、以下の発明を抽出可能である。
圧電基板と、
該圧電基板の上面に位置するＩＤＴ電極と、
を有し、
前記ＩＤＴ電極は、
互いに対向する第１バスバーおよび第２バスバーと、
前記第１バスバーから前記第２バスバー側へ延びる複数の第１電極指と、
前記第２バスバーから前記第１バスバー側へ延び、前記複数の第１電極指と交差する複数の第２電極指と、
を有し、
前記複数の第１電極指の先端を結ぶ第１包絡線は前記第１電極指１本毎に交互に逆側へ屈曲するジグザグ状である
弾性波素子。
【０１３２】
当該発明においては、（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）に係る条件は満たされなくてもよい。また、当該発明においても、複数の第２電極指の先端を結ぶ第２包絡線が第２電極指１本毎に交互に逆側へ屈曲するジグザグ状とされたり、第１包絡線の振れ幅および第２包絡線の振れ幅が一定かつ互いに同一とされたりしてよい。
【符号の説明】
【０１３３】
１…ＳＡＷ素子（弾性波素子）、３…基板（圧電基板）、３ａ…上面、５…ＩＤＴ電極（電極）、２１…バスバー、２３…電極指、２５…ダミー電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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