【手続補正書】
【提出日】平成23年2月4日(2011.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホウ素含有イオンを注入する方法であって、
B2F4、BBr3、B2Cl2、B(BF2)3CO、BF2CH3、BF2CF3、BF2Cl、BFCl2、BF(CH3)2、NOBF4、H2BF7、H2B2F6、H4B4F10、H2BFO2、H2B2F2O3、H2B2F2O6、H2B2F4O2、H3BF2O2、H4BF3O3、B10F12、(F2B)3BCO、CB5H9、C2B4H8、C3B3H7、C4B2H6、C2B3H7、C2B3H7、CB5H9、C2B4H8、C3B3H7、C4B2H6、C2B7H13、C2B3H5、C2B4H6、C2B5H7、CB5H7、C2B6H8、C2B7H9、C2B8H10、C2B9H11、C2B10H12、(Cl2B)3BCO、およびそれらの組み合わせから成る群から選択される、ホウ素含有ドーパント種を含むホウ素含有前駆体を、ホウ素含有イオンを生成するイオン化条件で、イオン化すること、および
ホウ素含有イオンを、電場により加速して、ホウ素含有イオンを基体に注入すること
を含む、方法。
【請求項２】
ホウ素含有イオンを注入する方法であって、
B2F4を含むホウ素含有前駆体を、ホウ素含有イオンを生成するイオン化条件で、イオン化すること、および
ホウ素含有イオンを、電場により加速して、ホウ素含有イオンを基体に注入すること
を含む、方法。
【請求項３】
ホウ素含有前駆体を、保管およびデリバリ容器から、前記イオン化のために供給する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記保管およびデリバリ容器が、吸着物質を含まない、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記保管およびデリバリ容器が、容器の内部体積内に圧力調節器を含む、請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
前記保管およびデリバリ容器が、シリンダを含む、請求項３〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
ホウ素含有前駆体がBF3を含まない、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
ホウ素含有イオンが、B+およびBF2+イオンを含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
ホウ素含有イオンが、基体に浅いｐ型のドープ領域を形成するために、基体に注入される、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
イオン化を、１００ボルトよりも低いアーク電圧で実施する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
イオン化を、イオン供給源を含む真空チャンバーで実施する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
フッ素含有種を、前記イオン化の間に真空チャンバーを清浄にするために、前記イオン化に導入する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記イオン化中に又は前記イオン化の前に、希ガスを、ホウ素含有ドーパント種と混合する、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記イオン化が、B2F4のB-B結合におけるホモリティックな劈開を含む、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
B2F4のB-B結合におけるホモリティックな劈開が、前記ホウ素含有イオンにおいて、BF2+分子イオンを生成し、当該BF2+分子イオンが基体に注入される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
保管およびデリバリ容器、容器の上側部分に取り付けられたバルブヘッドアセンブリ、当該保管およびデリバリ容器内のホウ素含有前駆体を含む、ホウ素含有前駆体供給であって、当該ホウ素含有前駆体が、B2F4、BBr3、B2Cl2、B(BF2)3CO、BF2CH3、BF2CF3、BF2Cl、BFCl2、BF(CH3)2、NOBF4、H2BF7、H2B2F6、H4B4F10、H2BFO2、H2B2F2O3、H2B2F2O6、H2B2F4O2、 H3BF2O2、H4BF3O3、B10F12、(F2B)3BCO、CB5H9、C2B4H8、C3B3H7、C4B2H6、C2B3H7、C2B3H7、CB5H9、C2B4H8、C3B3H7、C4B2H6、C2B7H13、C2B3H5、C2B4H6、C2B5H7、CB5H7、C2B6H8、C2B7H9、C2B8H10、C2B9H11、C2B10H12、(Cl2B)3BCO、およびそれらの組み合わせから成る群より選択されるホウ素含有ドーパント種を含む、ホウ素含有前駆体供給装置。
【請求項１７】
保管およびデリバリ容器、容器の上側部分に取り付けられたバルブヘッドアセンブリ、当該保管およびデリバリ容器内のホウ素含有前駆体を含む、ホウ素含有前駆体供給であって、当該ホウ素含有前駆体がB2F4を含む、ホウ素含有前駆体供給装置。
【請求項１８】
前記ホウ素含有前駆体が液体のB2F4を含む、請求項１７に記載のホウ素含有前駆体供給装置。
【請求項１９】
前記保管およびデリバリ容器が吸着物質を含まない、請求項１６〜１８のいずれか１項に記載のホウ素含有前駆体供給装置。
【請求項２０】
前記保管およびデリバリ容器が、容器の内部体積内に圧力調節器を含む、請求項１６〜１９のいずれか１項に記載のホウ素含有前駆体供給装置。
【請求項２１】
前記保管およびデリバリ容器がシリンダを含む、請求項１６〜２０のいずれか１項に記載のホウ素含有前駆体供給装置。
【請求項２２】
イオン注入器のユニット、またはマイクロ電子デバイスを製造するツールに接続されており、それらに前記ホウ素含有前駆体を輸送するようになっている、請求項１６〜２１のいずれか１項に記載のホウ素含有前駆体供給装置。
【請求項２３】
請求項１６〜２１のいずれか１項に記載のホウ素含有前駆体供給装置、
ホウ素含有前駆体供給からホウ素含有前駆体を受け入れるように配置され、ホウ素含有前駆体をイオン化して、ホウ素含有イオンを生成するイオン供給源、および
基体へのホウ素含有イオンの注入のために配置されたイオン注入ユニット
を含む、半導体製造システム。
【請求項２４】
ホウ素含有イオンを注入する方法であって、
ホウ素含有化合物をイオン化して、ホウ素含有イオンを生成すること、および
ホウ素含有イオンを、電場により加速して、ホウ素含有イオンを基体に注入すること
を含む方法であって、
ホウ素含有化合物が、B2F4である、
方法。
【請求項２５】
ホウ素含有イオンを基体に注入した後に、基体をアニーリングすることをさらに含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記イオン化が真空チャンバー内にて実施される、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
ホウ素含有化合物の少なくとも１５％が前記イオン化工程においてイオン化される、請求項２４に記載の方法。
【請求項２８】
前記イオン化を１００ボルト未満のアーク電圧にて実施する、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記イオン化を９０ボルト未満のアーク電圧にて実施する、請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】
前記イオン化を８０ボルト未満のアーク電圧にて実施する、請求項２７に記載の方法。
【請求項３１】
前記イオン化を７０ボルト未満のアーク電圧にて実施する、請求項２７に記載の方法。
【請求項３２】
前記ホウ素含有化合物を、イオン化のための希ガスと混合する、請求項２４に記載の方法。
【請求項３３】
希ガスが、ネオンおよびアルゴンから成る群から選択される、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
希ガスが、クリプトンおよびキセノンから成る群から選択される、請求項３２に記載の方法。
【請求項３５】
前記ホウ素含有化合物がBF3をさらに含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項３６】
基体が、半導体基板、フラットパネルディスプレイ、およびマイクロ電子機械システム（MEMS）から成る群から選択される物品を含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項３７】
前記イオン化をイオン供給源を用いて実施する、請求項２４に記載の方法。
【請求項３８】
前記イオン供給源が、熱電極を用い、電気アークにより作動する、フリーマン（Freeman）およびベルナス（Bernas）タイプ；マグネトロンを使用するマイクロウェーブタイプ、間接的に加熱されるカソード供給源；およびＲＦプラズマ供給源から成る群から選択される、イオン供給源を含む、請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
前記ホウ素含有化合物が、ガスボックスにおいて、輸送ラインによって半導体ツールに接続された容器に含まれ、半導体ツールにおいてホウ素含有イオンを基体に注入する、請求項２４に記載の方法。
【請求項４０】
輸送ラインが、ホウ素含有化合物の半導体ツールへのフローを調節する、質量または圧力コントローラを含む、請求項３９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
実際には、液体および／または固体のホウ素含有前駆体原料は、当業者に周知である、気化方法（例えば、減圧、加熱等）を用いて、真空チャンバーの前または真空チャンバーにて、気化され、一方、ガス状の前駆体原料は、真空チャンバーに直接、導入される。イオン供給源は、ガス状のドーパント種で満たされた真空チャンバーに電子を導入することにより、生成する。幾つかのタイプのイオン供給源は、市販されている注入システムにおいて、一般的に用いられている。市販されている注入システムとして、熱電極を用い、電気アークにより作動する、フリーマン（Freeman）およびベルナス（Bernas）タイプ、マグネトロンを使用するマイクロ波タイプ、間接的に加熱されるカソード供給源、およびＲＦプラズマ供給源が挙げられ、これらはすべて真空において作動する。電子とガス状のドーパント種との衝突は、正および負のドーパントイオンから成る、イオン化されたプラズマの生成をもたらす。負または正のバイアスをかけた引き出し電極は、それぞれ、正または負のイオンが、開口部を通過して、コリメートされた（または平行になった）イオンビームが外に出ることを許容し、このイオンビームは、マイクロ電子デバイスの被加工物（またはワークピース）に向けて加速される。