【事件の表示】
　特願２００２−５４４７７１「半導体デバイスにおける基板上へ膜を堆積する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　５月３０日国際公開、ＷＯ０２／４３１２５、平成１６年１０月１４日国内公表、特表２００４−５３１８７４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００１（平成１３）年１１月１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０００（平成１２）年１１月２１日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成１９年６月２１日付けの拒絶理由通知に対して、同年９月１１日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２０年６月２３日付けで拒絶査定がされ、それに対して、同年９月２５日に拒絶査定に対する審判請求がされるとともに手続補正書が提出され、その後、平成２２年１０月１５日付けで審尋がされ、平成２３年１月１９日に回答書が提出されたものである。
　
　
２．補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２０年９月２５日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正の内容
　平成２０年９月２５日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜３２を補正後の特許請求の範囲の請求項１〜２９に補正するとともに、補正前の明細書の０００４段落及び００１５段落を補正後の明細書の０００４段落及び００１５段落と補正するものであって、補正前後の請求項１は各々以下のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　半導体デバイスの基板上に膜を堆積する方法であって、
　前記基板を、少なくとも１つの付着性材料に、該付着性材料が前記基板上に吸着するのに十分な量で露出させることによってイニシエーション層を形成し、該イニシエーション層は、化学的配位子基を有する少なくとも１つの第１の反応物を与えるステップ（ａ）と、
　前記第１の反応物を、少なくとも１つの第１の反応材料と化学的に反応させて、第２の反応物を形成するステップ（ｂ）と、
　前記第２の反応物を、前記イニシエーション層上に反応層を形成するための、少なくとも１つの第２の反応材料と化学的に反応させるステップ（ｃ）とを備え、
　前記ステップ（ａ）から（ｃ）を、前記第２の反応物と前記第２の反応材料との化学的な反応から形成される少なくとも１つの前記反応層を前記イニシエーション層上に形成するのに十分な原子層堆積プロセスで行うことを特徴とする方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　半導体デバイスの基板上に膜を堆積する方法であって、
　前記基板を、少なくとも１つの付着性材料に、該付着性材料が前記基板上に吸着するのに十分な量で露出させることによってイニシエーション層を形成し、該イニシエーション層は、化学的配位子基を有する少なくとも１つのジメチル基からなる第１の反応物を与えるステップ（ａ）と、
　前記第１の反応物を、少なくとも１つの窒素含有材料を含む第１の反応材料と化学的に反応させて、第２の反応物を形成するステップ（ｂ）と、
　前記第２の反応物を、前記イニシエーション層上に反応層を形成するための、少なくとも１つの第２の反応材料と化学的に反応させるステップ（ｃ）とを備え、
　前記ステップ（ａ）から（ｃ）を、前記第２の反応物と前記第２の反応材料との化学的な反応から形成される少なくとも１つの前記反応層を前記イニシエーション層上に形成するのに十分な原子層堆積法（ＡＬＤ法）で行い、
　前記ステップ（ａ）から（ｃ）を、前記基板の異なる部分上で繰り返すことを特徴とする方法。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると、以下のとおりである。
　
（２−１）補正事項１
　補正前の請求項１の「化学的配位子基を有する少なくとも１つの」と「第１の反応物」との間に「ジメチル基からなる」を追加して、補正後の請求項１とすること。
　
（２−２）補正事項２
　補正前の請求項１の「第１の反応物を、少なくとも１つの」と「第１の反応材料」との間に「窒素含有材料を含む」を追加して、補正後の請求項１とすること。
　
（２−３）補正事項３
　補正前の請求項１の「原子層堆積プロセス」を、補正後の請求項１の「原子層堆積法（ＡＬＤ法）」と補正すること。
　
（２−４）補正事項４
　補正前の請求項１に「前記ステップ（ａ）から（ｃ）を、前記基板の異なる部分上で繰り返す」を追加して、補正後の請求項１とすること。
　
（２−５）補正事項５
　補正前の請求項９、１３及び２８を削除するとともに、補正前の請求項１０〜１２、１４〜２７及び２９〜３２を、必要に応じて引用する請求項の番号を変更して、補正後の請求項９〜２９とすること。
　
（２−６）補正事項６
　補正前の請求項２９の「原子層堆積プロセス」を、補正後の請求項２６の「原子層堆積法（ＡＬＤ法）」と補正すること。
　
（２−７）補正事項７
　補正前の請求項２９に「前記ステップ（ａ）から（ｃ）を、前記基板の異なる部分上で繰り返す」を追加して、補正後の請求項２６とすること。
　
（２−８）補正事項８
　補正前の請求項３２の「化学的配位子基を有する少なくとも１つの第１の反応物位」を、補正後の請求項２９の「化学的配位子基を有する少なくとも１つのジメチル基からなる第１の反応物」と補正すること。
　
（２−９）補正事項９
　補正前の請求項３２の「第１の反応物を、少なくとも１つの」と「第１の反応材料」との間に「窒素含有材料からなる」を追加して、補正後の請求項２９とすること。
　
（２−１０）補正事項１０
　補正前の請求項３２の「原子層堆積プロセス」を、補正後の請求項２９の「原子層堆積法（ＡＬＤ法）」と補正すること。
　
（２−１１）補正事項１１
　補正前の請求項３２に「前記ステップ（ａ）から（ｃ）を、前記基板の異なる部分上で繰り返す」を追加して、補正後の請求項２９とすること。
　
（２−１２）補正事項１２
　補正前の０００４段落及び００１５段落を、補正後の０００４段落及び００１５段落と補正すること。
　
（３）新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否について 
（３−１）補正事項１が、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、本願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲及び図面を、各々「当初明細書」、「当初特許請求の範囲」及び「当初図面」といい、これらをまとめて「当初明細書等」という。）に記載された事項の範囲内においてなされたものであるか否かについて検討する。
　補正事項１は、イニシエーション層により与えられる第１の反応物を、「化学的配位子基を有する少なくとも１つのジメチル基からなる」ものに限定しようとするものであり、当初明細書等において、イニシエーション層により与えられる化学的配位子基に関連すると認められる記載は以下のとおりである。
　
ア　「【請求項２９】
　半導体デバイスにおける基板上に膜を堆積させる方法であって、
　化合物が前記基板上に吸着するのに十分な量で、前記吸着された材料が前記基板上にイニシエーション層を形成し、さらに少なくとも１つの反応性ジメチルアミノ配位子を与えるように、前記基板をテトラキスジメチルアミノチタンに露出させるステップ（ａ）と、
　前記少なくとも１つのジメチルアミノ配位子を、窒素を含む化合物からなる群から選択される少なくとも１つの第１の反応材料と反応させることによって、第２の反応性部位を形成するステップ（ｂ）と、
　前記第２の反応性部位を、タングステンを含む化合物と反応させるステップ（ｃ）とを備え、
　前記ステップ（ａ）から（ｃ）を、原子層ドーピングプロセスを用いて約２５０℃から約３５０℃の温度で行って、前記イニシエーション層上に窒化タングステン（ＷＮｘ）の反応層を形成し、前記イニシエーション層は前記原子層ドーピングプロセスによって実質的に劣化しないことを特徴とする方法。」
　
イ　「【００１６】
　イニシエーション層１４を形成する付着性材料は、少なくとも１つの反応性部位１６を、その構成要素として与えなければならない。この部位１６は、さらなる化学反応が可能であればどんな化学的部位であっても良い。何らかの特定の理論によって束縛されることは望まないが、反応性部位１６は、イニシエーション層の表面から突き出るか延びて、さらなる化学反応に対して立体的配置に好ましい位置にあるように見える。例えば、化学的配位子基（ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｌｉｇａｎｄ　ｇｒｏｕｐ）は、水素（−Ｈ）またはクロロ−（−Ｃｌ）基などの個々の原子と同様に、反応性部位１６を構成することができる（例えば、−ＣＨ３、−ＮＨ３）。さらなる例としては、化合物ＴＤＭＡＴが与える反応性部位１６は、１つまたは複数のジメチルアミノ配位子（−Ｎ（ＣＨ３）２）であり、例えば、−Ｔｉ（−Ｎ（ＣＨ３）２）３、＝Ｔｉ（−Ｎ（ＣＨ３）２）２、≡Ｔｉ（−Ｎ（ＣＨ３）２）としてである。塩化チタン（ＴｉＣｌ４）を用いる例では、反応性部位１６は、クロロ−（−Ｃｌ）置換基であり、例えば、−ＴｉＣｌ３、＝ＴｉＣｌ２、および≡ＴｉＣｌである。」
　
（３−２）ここで、補正事項１による補正後の請求項１に記載された「化学的配位子基を有する少なくとも１つのジメチル基からなる第１の反応物」という事項が当初明細書等に記載されているか否かについて検討する。
　上記（３−１）から明らかなように、当初特許請求の範囲の請求項２９には、イニシエーション層により与えられる「化学的配位子基」として、ジメチルアミノ配位子が記載され、当初明細書の００１６段落には、前記「化学的配位子基」としては、−ＣＨ３、−ＮＨ３、ジメチルアミノ配位子（−Ｎ（ＣＨ３）２）、及び、クロロ−（−Ｃｌ）置換基が記載されているものと認められるが、「ジメチル基」については、当初明細書等には何ら記載されていない。
　また、「ジメチル基」なる語が、いかなる基を表しているのかはそもそも明確ではないが、仮に何らかの元素に２つのメチル基が結合したものを「ジメチル基」と称しているのであれば、該「ジメチル基」のうち、窒素に２つのメチル基が結合した「ジメチルアミノ配位子」については、当初明細書等に記載されている。しかし、それ以外の「ジメチル基」に関しては何ら記載されていないし、「ジメチルアミノ配位子」をそれ以外の「ジメチル基」に拡張して解釈できることを示唆する記載もない。さらに、技術常識からみて、２つのメチル基がどのような元素に結合するのかにより、その配位子基の化学反応性等は著しく異なるものであるから、当初明細書の「ジメチルアミノ配位子」に関する記載を、「ジメチル基」一般に拡張して解釈できることが当業者にとって自明であるとも認められない。
　
（３−３）以上のとおりであるから、補正事項１による補正後の請求項１に記載された「化学的配位子基を有する少なくとも１つのジメチル基からなる第１の反応物」という事項は、当初明細書等に記載されておらず、かつ、当初明細書等の記載から当業者にとって自明であるとも認められない。
　
（３−４）したがって、補正事項１に係る補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものではないから、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものではない。
　よって、他の補正事項について検討するまでもなく、補正事項１を含む本件補正は、特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たしてない。 
　
（３−５）また、補正事項１は、特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第１号、第３号及び第４号に掲げる、請求項の削除、明りょうでない記載の釈明及び誤記の訂正のいずれを目的とするものにも該当しないことも明らかである。 
　
（４）独立特許要件についての検討
（４−１）検討の前提
　以上、検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないが、仮に、補正事項１の「ジメチル基」が「ジメチルアミノ配位子」を意味するものと理解し、かつ、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものとみなした場合において、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて検討する。
　
（４−２）補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、上記（１）の「補正後」の請求項１に記載したとおりのものである（ただし、「ジメチル基」は「ジメチルアミノ配位子」を意味するものと理解する）。
　
（４−３）先願発明
（４−３−１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前のパリ条約に基づく優先権主張（２０００（平成１２）年２月１０日、大韓民国、出願番号１０−２０００−０００６２５１）を伴う出願であって、本願の優先権主張の日の後に公開がされた、特願２０００−３７１６３６号（以下「先願１」という。）の出願日における明細書又は図面（以下「先願明細書１」という。）には、次の記載がある（なお、下線は当合議体にて付加したものである。以下同じ。）。　
　
　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は原子層蒸着法（ａｔｏｍｉｃ  ｌａｙｅｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を利用した金属層形成方法並びにその金属層を障壁金属層、キャパシタの上部電極、またはキャパシタの下部電極として備えた半導体素子に関する。」
　
　「【００４６】次に、本発明の原子層蒸着法を利用した金属層形成方法の第１態様を説明する。すなわち、
半導体基板上に反応性金属Ａ、窒素Ｎ、並びに前記反応性金属及び前記窒素の結晶化を防止するためのアルミニウムＢの各ソースガスを注入して前記半導体基板上に前記ソースガスを化学吸着させることによって複数の原子層を積層させるＡ−Ｂ−Ｎ構造の金属層形成方法であって、前記各ソースガスをパルス形態で交互に注入することによって各原子層が交互に積層されるようにし、前記各ソースガスの注入回数を調節して前記金属層の組成比を調節することを特徴とする原子層蒸着法を利用した金属層形成方法である
【００４７】
本発明の金属層の代表的な例としてＴｉＡｌＮ膜を挙げることができる。チタンと用いる際のチタンのソースガスとしては、ＴｉＣｌ
4
、ＴＤＭＡＴ（Ｔｅｔｒａｋｉｓ  ＤｉＭｅｔｈｙｌ  Ａｍｉｎｏ  Ｔｉｔａｎｉｕｍ）、およびＴＤＥＡＴ（Ｔｅｔｒａｋｉｓ  ＤｉＥｔｈｙｌ  Ａｍｉｎｏ  Ｔｉｔａｎｉｕｍ）からなる群より選択されるいずれか一つを用いることが好ましい
　
　「【００５３】
図３及び図４は、本発明の原子層蒸着法を利用した金属層形成方法におけるソースガス及びパージガスの注入方法の他の例を示すグラフである
【００５４】
図３及び図４に示すように、ＴｉＣｌ
4
、ＴＭＡ、ＮＨ
3
をＴｉＣｌ
4
−ＮＨ
3
−ＴＭＡ−ＮＨ
3
のサイクルで繰り返しながら注入してＴＭＡのパルスオン時間がＴｉＣｌ
4
のパルスオン時間より長くすることによりアルミニウムリッチなＴｉＡｌＮ層を形成することができる
【００５５】図３は前記ソースガスの注入中にパージガスをオンオフなしに連続的に注入してパージ作業を実施する場合であり、図４は前記ソースガスが注入されない間（すなわち、一のソースガスの注入を停止し、次のソースガスの注入を開始するまでの間）にパージガスをパルス形態で注入してパージ作業を実施する場合である。この際パージガスとしてはＡｒ、Ｎ2、Ｈｅなどのガスが用いられる。」
　
（４−３−２）先願明細書１の００４６段落の「
半導体基板上に反応性金属Ａ、窒素Ｎ、並びに前記反応性金属及び前記窒素の結晶化を防止するためのアルミニウムＢの各ソースガスを注入して前記半導体基板上に前記ソースガスを化学吸着させることによって複数の原子層を積層させるＡ−Ｂ−Ｎ構造の金属層形成方法であって、前記各ソースガスをパルス形態で交互に注入することによって各原子層が交互に積層されるようにし、前記各ソースガスの注入回数を調節して前記金属層の組成比を調節することを特徴とする原子層蒸着法を利用した金属層形成方法である
　
（４−３−３）先願明細書１の００４７段落の「
本発明の金属層の代表的な例としてＴｉＡｌＮ膜を挙げることができる。チタンと用いる際のチタンのソースガスとしては、ＴｉＣｌ
4
、ＴＤＭＡＴ（Ｔｅｔｒａｋｉｓ  ＤｉＭｅｔｈｙｌ  Ａｍｉｎｏ  Ｔｉｔａｎｉｕｍ）、およびＴＤＥＡＴ（Ｔｅｔｒａｋｉｓ  ＤｉＥｔｈｙｌ  Ａｍｉｎｏ  Ｔｉｔａｎｉｕｍ）からなる群より選択されるいずれか一つを用いることが好ましい
　
（４−３−４）以上によれば、先願明細書１には、次の発明（以下「先願発明１」という。）が記載されているものと認められる。
　「半導体基板上に、ソースガスとしてのＴＤＭＡＴ（Ｔｅｔｒａｋｉｓ  ＤｉＭｅｔｈｙｌ  Ａｍｉｎｏ  Ｔｉｔａｎｉｕｍ）、ＴＭＡ（ＴｒｉＭｅｔｈｙｌＡｌｕｍｉｎｕｍ）及びＮＨ3を、パルス形態でＴＤＭＡＴ−ＮＨ3−ＴＭＡ−ＮＨ3のサイクルで繰り返しながら注入する原子層蒸着法により、ＴｉＡｌＮ膜を形成する方法。」
　
（４−４）補正発明と先願発明１との対比
（４−４−１）先願発明１の「半導体基板」は、補正発明の「半導体デバイスの基板」に相当することは明らかであるから、先願発明１における「半導体基板上に」「ＴｉＡｌＮ膜を形成する方法」は、補正発明の「半導体デバイスの基板上に膜を堆積する方法」に相当する。
　また、先願発明１は、「ＴＤＭＡＴ」を注入するステップ、「ＮＨ3」を注入するステップ及び「ＴＭＡ」を注入するステップを順に行う「原子層蒸着法」であることが明らかである。
　
（４−４−２）前記（４−４−１）に記した「ＴＤＭＡＴ」を注入するステップについてみるに、先願発明１の「ＴＤＭＡＴ」は、最初に半導体基板に付着するソースガスであるから、補正発明の「付着性材料」に相当する。
　また、前記ＴＤＭＡＴは、半導体基板に吸着して原子層蒸着法における最初の層を形成するものであって、前記最初の層は、補正発明の「イニシエーション層」に相当するものである。そして、前記半導体基板は、当然に、ＴＤＭＡＴに「基板上に吸着するのに十分な量で露出」されるべきである。
　さらに、前記ＴＤＭＡＴは、窒素原子に２つのメチル基が結合した、本願でいうジメチル基であるジメチルアミノ基を有していることから、形成される最初の層にはジメチルアミノ配位子が当然に形成されると解されるから、前記ジメチルアミノ基は、補正発明の「化学的配位子基を有する少なくとも１つのジメチル基からなる第１の反応物」に相当する。
　したがって、先願発明１は、補正発明における「前記基板を、少なくとも１つの付着性材料に、該付着性材料が前記基板上に吸着するのに十分な量で露出させることによってイニシエーション層を形成し、該イニシエーション層は、化学的配位子基を有する少なくとも１つのジメチル基からなる第１の反応物を与えるステップ（ａ）」を備えていることが明らかである。
　
（４−４−３）前記（４−４−１）に記した「ＮＨ3」を注入するステップについてみるに、先願発明１の「ＮＨ3」は、窒素を含有する材料であり、半導体基板に吸着されたＴＤＭＡＴと反応させて、Ｔｉ及びＮを含む反応物を得るために注入されるものであるから、補正発明の「窒素含有材料を含む第１の反応材料」に相当する。
　したがって、先願発明１は、補正発明における「前記第１の反応物を、少なくとも１つの窒素含有材料を含む第１の反応材料と化学的に反応させて、第２の反応物を形成するステップ（ｂ）」を備えていることが明らかである。
　
（４−４−４）前記（４−４−１）に記した「ＴＭＡ」を注入するステップについてみるに、先願発明１の「ＴＭＡ」は、ＴＤＭＡＴとＮＨ3との反応により形成されたＴｉ及びＮを含む反応物とさらに反応させ、ＴｉＡｌＮ膜を得るために注入されるものであるから、補正発明における「第２の反応材料」に相当する。また、先願発明１の「ＴｉＡｌＮ膜」は、補正発明における「反応層」に相当する。
　したがって、先願発明１は、補正発明における「前記第２の反応物を、前記イニシエーション層上に反応層を形成するための、少なくとも１つの第２の反応材料と化学的に反応させるステップ（ｃ）」を備えていることが明らかである。
　
（４−４−５）先願発明１の「原子層蒸着法」は、補正発明の「原子層堆積法（ＡＬＤ法）」に相当するから、前記（４−４−１）〜（４−４−４）を勘案すれば、先願発明１は、補正発明における「前記ステップ（ａ）から（ｃ）を、前記第２の反応物と前記第２の反応材料との化学的な反応から形成される少なくとも１つの前記反応層を前記イニシエーション層上に形成するのに十分な原子層堆積法（ＡＬＤ法）」を備えていることが明らかである。
　
（４−４−６）以上を総合すると、補正発明と先願発明１とは、
　「半導体デバイスの基板上に膜を堆積する方法であって、
　前記基板を、少なくとも１つの付着性材料に、該付着性材料が前記基板上に吸着するのに十分な量で露出させることによってイニシエーション層を形成し、該イニシエーション層は、化学的配位子基を有する少なくとも１つのジメチル基からなる第１の反応物を与えるステップ（ａ）と、
　前記第１の反応物を、少なくとも１つの窒素含有材料を含む第１の反応材料と化学的に反応させて、第２の反応物を形成するステップ（ｂ）と、
　前記第２の反応物を、前記イニシエーション層上に反応層を形成するための、少なくとも１つの第２の反応材料と化学的に反応させるステップ（ｃ）とを備え、
　前記ステップ（ａ）から（ｃ）を、前記第２の反応物と前記第２の反応材料との化学的な反応から形成される少なくとも１つの前記反応層を前記イニシエーション層上に形成するのに十分な原子層堆積法（ＡＬＤ法）で行う方法。」
　である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点）
　補正発明は、「前記ステップ（ａ）から（ｃ）を、前記基板の異なる部分上で繰り返す」ものであるのに対し、先願発明１は、そのような特定をしていない点。
　
（４−５）相違点についての検討
（４−５−１）先願発明１は、半導体基板上に障壁金属層としてＴｉＡｌＮ膜を形成するものであり、通常、前記障壁金属層は半導体基板上の複数の領域に形成されるものである。そして、一般に、基板上の複数の領域への膜の形成は、複数の領域に同時に膜を形成する手法、または、複数の領域のそれぞれに別の工程で膜を形成する手法のいずれかにより行われるのが通常であるが、それらのどちらを選択するのかは、二者択一の事項にすぎないものである。
　
（４−５−２）本願明細書の発明の詳細な説明の００２２段落には、ステップ（ａ）から（ｃ）を基板の異なる部分上で繰り返すことの効果に関連して、「このような方法で連続的に堆積させることによって、イニシエーション層上に存在する反応性部位１６および２０（図１、２、および３に示す）の化学的反応性を最も有利に利用する一方で、これらの部位が与え得るわずかな立体配置的な不都合も最小限にする方法で、最終的な膜を形成および「ビルドアップ（ｂｕｉｌｔ　ｕｐ）」できる場合が多い。このような形で形成された膜は、従来形成されている膜より均一に付着することが可能であることが多い。」という記載がなされている。しかし、発明の詳細な説明においては、ステップ（ａ）から（ｃ）を基板の異なる部分上で繰り返すことにより、反応性部位の化学的反応性や立体配置的な不都合を、どのような機構により、どの程度改善することができるのか等については、何ら説明されていないし、実施例等をともなった具体的な裏付けも記載されていない。また、技術常識を考慮しても、化学的反応性や立体配置的な不都合を改善できる理由や改善の程度が、当業者にとって自明であるともいえない。
　したがって、上記相違点によって奏せられる効果は、格別なものとは認めることができない。
　
（４−５−３）したがって、上記相違点は課題を解決する手段を具体化するに当たっての設計上の微差にすぎないものである。
　
（４−５−４）以上検討したとおり、補正発明は、先願発明１と実質的に同一であり、しかも、本願の発明者が先願発明１に係る発明者と同一でなく、また、本願の国際出願の時点において、その出願人が先願１の出願人と同一でもないから、補正発明は特許法第２９条の２の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４−６）独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおり、本件補正は、補正発明が特許法第２９条の２の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項をいう。以下同じ。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　
（５）補正の却下についてのむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。仮に、本件補正が、上記要件を満たし、かつ、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものとみなした場合であっても、同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成２０年９月２５日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜３２に係る発明は、出願当初の明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３２に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記２．（１）の「補正前」の請求項１に記載したとおりのものであり、再掲すると以下の通りである。
　「【請求項１】
　半導体デバイスの基板上に膜を堆積する方法であって、
　前記基板を、少なくとも１つの付着性材料に、該付着性材料が前記基板上に吸着するのに十分な量で露出させることによってイニシエーション層を形成し、該イニシエーション層は、化学的配位子基を有する少なくとも１つの第１の反応物を与えるステップ（ａ）と、
　前記第１の反応物を、少なくとも１つの第１の反応材料と化学的に反応させて、第２の反応物を形成するステップ（ｂ）と、
　前記第２の反応物を、前記イニシエーション層上に反応層を形成するための、少なくとも１つの第２の反応材料と化学的に反応させるステップ（ｃ）とを備え、
　前記ステップ（ａ）から（ｃ）を、前記第２の反応物と前記第２の反応材料との化学的な反応から形成される少なくとも１つの前記反応層を前記イニシエーション層上に形成するのに十分な原子層堆積プロセスで行うことを特徴とする方法。」
　
（２）先願発明
（２−１）先願発明１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前のパリ条約に基づく優先権主張（２０００（平成１２）年２月１０日、大韓民国、出願番号１０−２０００−０００６２５１）を伴う出願であって、本願の優先権主張の日の後に公開がされた特願２０００−３７１６３６号（先願１）の出願日における明細書又は図面には、上記２．（４−３）に記載したとおりの事項及び発明（先願発明１）が記載されているものと認められる。
　
（２−２）先願発明２
（２−２−１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前の国際特許出願であって、本願の優先権主張の日の後に公開がされた、特願２００１−５１９４８４号（国際出願番号：ＰＣＴ／ＵＳ００／２３２５２、国際出願日：２０００（平成１２）年８月２４日、国際公開第０１／１５２２０号参照、以下「先願２」という。）の国際出願日における国際出願の明細書、請求の範囲又は図面（以下「先願明細書２」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
　「Field of the Invention
　
The method relates generally to integrated circuit processing and fabrication and, more particularly, to metal interconnect structures and the deposition of barrier layers in a selective way.
（訳文）「発明の属する技術分野
  
本方法は、概ね、集積回路の一次加工及び二次加工に関し、さらに詳細には、金属配線構造と、バリア層の選択的堆積とに関する。
　
　「In a first embodiment, a method is disclosed for depositing a copper barrier layer in an opening in an insulating layer formed on a substrate.
　An insulating layer is deposited on a substrate. The substrate can be a partly processed wafer or a pristine wafer. The substrate is preferably a partly processed wafer. The insulating layer 14,15 can be deposited on a previously fabricated conductive circuit element 20, which can represent a lower metal level, a contact level or a transistor level. The insulating layer 14,15 can comprise one of the materials noted above. In the illustrated embodiment, the insulating material comprises a form of silicon dioxide. The insulating layer 14,15 is patterned, by lithography and dry etch step, such that an opening 22 is formed in the silicon dioxide layer using the dual damascene approach. The first sidewalls 12 of the opening 22 consist of silicon dioxide and second sidewalls 10 consist of conductive material 20. After the dry etch step, the substrate is cleaned.
 In a next step, the silicon dioxide layer is conditioned in such a way that ligands are formed on the silicon dioxide layer, e.g., a layer of silicon hydroxide is formed. To obtain this, the insulating layer(s) 14,15 are exposed to a source of H or OH radicals, such as a wet atmosphere, OH or H plasma.
　
The first sidewall 12, i.e., the surface of the insulating layer 14,15, reacts with hydrogen and OH radicals present in the plasma. The reaction is only limited to the surface of silicon dioxide exposed to the plasma. Once the entire surface of the first sidewall 12 is saturated with hydroxyl tails or ligands, reaction will spontaneously terminate.
　In the illustrated embodiment, the first sidewall 12, which comprises silicon dioxide, can also react with moisture present in the air. A spontaneous conditioning will take place.
　When the conductive material is copper, the copper layer can be modified, such as by forming a sacrificial layer or ALD blocking layer thereover. As noted above, changes on the chemical structure of the copper layer should generally be removed prior to filling, either prior to or subsequent to lining with the barrier material. Furthermore, substances which are absorbed on the surface should be removed.
　
A TiN barrier layer 26 is selectively deposited using atomic layer deposition (ALD), based on the exchange of chemical groups during alternating pulses of reactants, each of which preferably form no more than about one monolayer of material. The substrate is brought in contact with TiCl
4
 in the vapor phase, such that a reaction occurs between TiCl
4
 and the hydroxyl groups present on the insulating material. Since no hydroxyl ligands are present on the second sidewall 10 of the opening 22, i.e. the sidewall 10 consisting essentially of conductive material, no chemical reaction will take place between the conductive layer and TiCl
4
. The first reaction product forms a first layer on the insulating surface. Next, a reaction occurs between NH
3
 and the first reaction product, such that a second layer is formed.
　
（訳文）「第１の実施形態において、基板上に形成された絶縁層内における開口部内に銅バリア層を堆積するための方法を開示する。
  絶縁層を基板上に堆積する。基板は、部分的に処理されたウェハまたは元のウェハにすることができる。基板は、部分的に処理されたウェハにすることが好ましい。より低い金属レベル、コンタクトレベルまたはトランジスタレベルになり得る、予め形成した導電回路エレメント２０上に、絶縁層１４、１５を堆積することができる。絶縁層１４、１５には、上述の材料の１つを含ませることができる。示した実施形態においては、絶縁材料は、二酸化ケイ素の形態を有している。絶縁層１４、１５は、リソグラフィー及びドライエッチングステップによって、パターンが形成されて、その結果、開口部２２が、デュアルダマシンアプローチを利用して二酸化ケイ素層内に形成される。開口部２２の第１の側壁１２は、二酸化ケイ素からなり、第２の側壁１０は、導電材料２０からなる。ドライエッチングステップの後には、基板を清浄にする。
次のステップにおいて、配位子が二酸化ケイ素層上に形成されるように、例えば水酸化ケイ素の層が形成されるように、二酸化ケイ素層をコンディショニングする。これを得るために、ウェット雰囲気、ＯＨまたはＨプラズマのようなＨまたはＯＨラジカルのソースに、絶縁層１４、１５をさらす。
  
第１の側壁１２、すなわち、絶縁層１４、１５の表面は、プラズマ内にある水素及びＯＨラジカルと反応する。反応は、プラズマにさらされた二酸化ケイ素の表面のみに限定される。一度、第１の側壁１２の表面全体がヒドロキシルテイルまたは配位子により飽和すると、反応は自然に終わる。
  示した実施形態においては、第１の側壁１２は、二酸化ケイ素を含んでおり、大気中にある水分とも反応し得る。コンディショニングは、自然に起こる。
  導電材料が銅である場合には、その上に犠牲層またはＡＬＤブロック層を形成することなどによって、銅層を変化させることができる。上に示したように、銅層の化学構造における変化は、一般に、バリア材料によるライニングより前またはその次のいずれかにおいて、充填する前に除去されるべきである。さらに、該表面の上に吸収されている物質は、除去すべきである。
  
反応物のパルスを交互に繰り返す間に化学基が交換されることに基づく原子成長法（ＡＬＤ）を利用してＴｉＮバリア層２６を選択的に堆積し、各反応物によって材料からわずか約１つの単層が形成されることが、好ましい。基板は、気相内でＴｉＣｌ
4
と接触して、その結果、ＴｉＣｌ
4
と、絶縁材料上にある水酸基との反応が、生じる。開口部２２の第２の側壁１０上、すなわち、本質的に導電材料からなる側壁１０上にはヒドロキシル配位子がないために、導電層とＴｉＣｌ
4
との間では、化学反応は生じない。第１の反応生成物が、絶縁表面上に第１の層を形成する。次に、ＮＨ
3
と第１の反応生成物との間において反応が生じ、その結果、第２の層が形成される。
　
（２−２−２）「
本方法は、概ね、集積回路の一次加工及び二次加工に関し、さらに詳細には、金属配線構造と、バリア層の選択的堆積とに関する
　
（２−２−３）以上によれば、先願明細書２には、次の発明（以下「先願発明２」という。）が記載されているものと認められる。
　「半導体デバイスの基板をＨまたはＯＨラジカルに晒し、前記基板上の二酸化ケイ素の表面をヒドロキシル配位子により飽和した後、
　基板をＴｉＣｌ4と接触させて、ＴｉＣｌ4とヒドロキシル配位子を反応させ、第１の反応生成物を形成し、
　次に、ＮＨ3と前記第１の反応生成物とを反応させて第２の層を形成する、原子成長法（ＡＬＤ）を利用したＴｉＮバリア層２６の堆積方法。」
　
（３）本願発明と先願発明との対比
（３−１）本願発明と先願発明１との対比
（３−１−１）先願発明１の「半導体基板」は、本願発明の「半導体デバイスの基板」に相当することは明らかであるから、先願発明１における「半導体基板上に」「ＴｉＡｌＮ膜を形成する方法」は、本願発明の「半導体デバイスの基板上に膜を堆積する方法」に相当する。
　また、先願発明１は、「ＴＤＭＡＴ」を注入するステップ、「ＮＨ3」を注入するステップ及び「ＴＭＡ」を注入するステップを順に行う「原子層蒸着法」であることが明らかである。
　
（３−１−２）前記（３−１−１）に記した「ＴＤＭＡＴ」を注入するステップについてみるに、先願発明１の「ＴＤＭＡＴ」は、最初に半導体基板に付着するソースガスであるから、本願発明の「付着性材料」に相当する。
　また、前記ＴＤＭＡＴは、半導体基板に吸着して原子層蒸着法における最初の層を形成するものであって、前記最初の層は、本願発明の「イニシエーション層」に相当するものである。そして、前記半導体基板は、当然に、ＴＤＭＡＴに「基板上に吸着するのに十分な量で露出」されるべきである。
　さらに、前記ＴＤＭＡＴは、ジメチルアミノ基を有していることから、形成される最初の層にはジメチルアミノ配位子が当然に形成されると解されるから、前記ジメチルアミノ基は、本願発明の「化学的配位子基を有する少なくとも１つの第１の反応物」に相当する。
　したがって、先願発明１は、本願発明における「前記基板を、少なくとも１つの付着性材料に、該付着性材料が前記基板上に吸着するのに十分な量で露出させることによってイニシエーション層を形成し、該イニシエーション層は、化学的配位子基を有する少なくとも１つのジメチル基からなる第１の反応物を与えるステップ（ａ）」を備えていることが明らかである。
　
（３−１−３）前記（３−１−１）に記した「ＮＨ3」を注入するステップについてみるに、先願発明１の「ＮＨ3」は、半導体基板に吸着された「ＴＤＭＡＴ」と反応させ、Ｔｉ及びＮを含む反応物を得るために注入されるものであるから、本願発明の「第１の反応材料」に相当する。
　したがって、先願発明１は、本願発明における「前記第１の反応物を、少なくとも１つの第１の反応材料と化学的に反応させて、第２の反応物を形成するステップ（ｂ）」を備えていることが明らかである。
　
（３−１−４）前記（３−１−１）に記した「ＴＭＡ」を注入するステップについてみるに、先願発明１の「ＴＭＡ」は、「ＴＤＭＡＴ」と「ＮＨ3」との反応により形成されたＴｉ及びＮを含む反応物とさらに反応させ、ＴｉＡｌＮ膜を得るために注入されるものであるから、本願発明における「第２の反応材料」に相当する。また、先願発明１の「ＴｉＡｌＮ膜」は、本願発明における「反応層」に相当する。
　したがって、先願発明１は、本願発明における「前記第２の反応物を、前記イニシエーション層上に反応層を形成するための、少なくとも１つの第２の反応材料と化学的に反応させるステップ（ｃ）」を備えていることが明らかである。
　
（３−１−５）先願発明１の「原子層蒸着法」は、本願発明の「原子層堆積法（ＡＬＤ法）」に相当するから、前記（３−１−１）〜（３−１−４）を勘案すれば、先願発明１は、本願発明における「前記ステップ（ａ）から（ｃ）を、前記第２の反応物と前記第２の反応材料との化学的な反応から形成される少なくとも１つの前記反応層を前記イニシエーション層上に形成するのに十分な原子層堆積法（ＡＬＤ法）」を備えていることが明らかである。
　
（３−１−６）以上を総合すると、本願発明と先願発明１とは、以下の点で一致する。
　「半導体デバイスの基板上に膜を堆積する方法であって、
　前記基板を、少なくとも１つの付着性材料に、該付着性材料が前記基板上に吸着するのに十分な量で露出させることによってイニシエーション層を形成し、該イニシエーション層は、化学的配位子基を有する少なくとも１つの第１の反応物を与えるステップ（ａ）と、
　前記第１の反応物を、少なくとも１つの第１の反応材料と化学的に反応させて、第２の反応物を形成するステップ（ｂ）と、
　前記第２の反応物を、前記イニシエーション層上に反応層を形成するための、少なくとも１つの第２の反応材料と化学的に反応させるステップ（ｃ）とを備え、
　前記ステップ（ａ）から（ｃ）を、前記第２の反応物と前記第２の反応材料との化学的な反応から形成される少なくとも１つの前記反応層を前記イニシエーション層上に形成するのに十分な原子層堆積プロセスで行うことを特徴とする方法。」
　
　よって、本願発明は先願発明１と同一であり、しかも、本願の発明者が先願発明１に係る発明者と同一でなく、また、原出願の国際出願の時点において、その出願人が先願１の出願人と同一でもないから、本願発明は特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　
（３−２）本願発明と先願発明２との対比
（３−２−１）先願発明２における「半導体デバイスの基板」に「ＴｉＮバリア層２６」を堆積するという構成は、本願発明の「半導体デバイスの基板上に膜を堆積する方法」に関する構成に相当する。
　
（３−２−２）先願発明２の「ＨまたはＯＨラジカル」は、本願発明の「付着性材料」に相当する。また、前記「ＨまたはＯＨラジカル」は、基板上の二酸化ケイ素表面に付着して、該表面に「ヒドロキシル配位子」を形成するものである。したがって、先願発明２の「ヒドロキシル配位子」は、本願発明の「イニシエーション層」、「化学的配位子基」及び「第１の反応物」に相当する。さらに、先願発明２において、二酸化ケイ素の表面はヒドロキシル配位子により「飽和」されるものであるから、基板は、前記「ＨまたはＯＨラジカル」に対して、本願発明のように「基板上に吸着するのに十分な量で露出」させられるべきであることは明らかである。
　したがって、先願発明２は、本願発明における「前記基板を、少なくとも１つの付着性材料に、該付着性材料が前記基板上に吸着するのに十分な量で露出させることによってイニシエーション層を形成し、該イニシエーション層は、化学的配位子基を有する少なくとも１つの第１の反応物を与えるステップ（ａ）」を備えていることが明らかである。
　
（３−２−３）先願発明２の「ＴｉＣｌ4」は、基板上の二酸化ケイ素の表面に飽和されたヒドロキシル配位子と反応するためのものであるから、補正発明の「第１の反応材料」に相当する。また、先願発明２の「第１の反応生成物」は、本願発明の「第２の反応物」に相当する。
　したがって、先願発明２は、本願発明における「前記第１の反応物を、少なくとも１つの第１の反応材料と化学的に反応させて、第２の反応物を形成するステップ（ｂ）」を備えていることが明らかである。
　
（３−２−４）先願発明２の「ＮＨ3」は、「第１の反応生成物」と反応して「第２の層」を形成するものであるから、本願発明の「第２の反応材料」に相当する。また、先願発明２の「第２の層」及び「ＴｉＮバリア層２６」は、本願発明の「反応層」に相当する。
　したがって、先願発明２は、本願発明における「前記第２の反応物を、前記イニシエーション層上に反応層を形成するための、少なくとも１つの第２の反応材料と化学的に反応させるステップ（ｃ）」を備えていることが明らかである。
　
（３−２−５）先願発明２の「原子成長法（ＡＬＤ）」は、本願発明の「原子層堆積プロセス」に相当する。
　そして、前記（３−２−１）〜（３−２−４）を勘案すれば、先願発明２は、本願発明における「前記第２の反応物と前記第２の反応材料との化学的な反応から形成される少なくとも１つの前記反応層を前記イニシエーション層上に形成するのに十分な原子層堆積プロセス」を備えていることが明らかである。
　
（３−２−６）以上を総合すると、本願発明と先願発明２とは、以下の点で一致する。
　「半導体デバイスの基板上に膜を堆積する方法であって、
　前記基板を、少なくとも１つの付着性材料に、該付着性材料が前記基板上に吸着するのに十分な量で露出させることによってイニシエーション層を形成し、該イニシエーション層は、化学的配位子基を有する少なくとも１つの第１の反応物を与えるステップ（ａ）と、
　前記第１の反応物を、少なくとも１つの第１の反応材料と化学的に反応させて、第２の反応物を形成するステップ（ｂ）と、
　前記第２の反応物を、前記イニシエーション層上に反応層を形成するための、少なくとも１つの第２の反応材料と化学的に反応させるステップ（ｃ）とを備え、
　前記ステップ（ａ）から（ｃ）を、前記第２の反応物と前記第２の反応材料との化学的な反応から形成される少なくとも１つの前記反応層を前記イニシエーション層上に形成するのに十分な原子層堆積プロセスで行うことを特徴とする方法。」
　
　よって、本願発明は先願発明２と同一であり、しかも、本願の発明者が先願発明２に係る発明者と同一でなく、また、本願の国際出願の時点において、その出願人が先願２の出願人と同一でもないから、本願発明は特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。