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　特願２００３−３２７９４６「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　４月　７日出願公開、特開２００５−　９３８８７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１５年９月１９日の出願であって、平成２０年１月２５日付けの拒絶理由通知に対して、同年４月４日に手続補正書及び意見書が提出されたが、同年５月１６日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年６月２６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに手続補正書が提出され、平成２２年６月１１付けで審尋がなされ、同年８月１３日に回答書が提出された。
　その後、平成２２年１１月９日付けで当合議体から拒絶の理由が通知され、それに対して、平成２３年１月１４日に手続補正書及び意見書が提出されたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１〜６に係る発明は、平成２３年１月１４日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載された以下のとおりのものである。
　「【請求項１】
　第１の素子領域及び第２の素子領域を有する半導体基板と、
　前記第１の素子領域上に第１のゲート絶縁膜を介して形成された第１のゲート電極を有する第１のトランジスタと、
　前記第１のトランジスタと対をなすトランジスタであって、前記第２の素子領域上に第２のゲート絶縁膜を介して形成された第２のゲート電極を有する第２のトランジスタと、
　前記第１のゲート電極上に絶縁膜を介して形成され、水素を吸蔵する性質を有する金属材料よりなり、前記第１のゲート電極が形成された領域と前記第１の素子領域とが重なる領域よりも外側に周縁部が位置する第１のメタル層と、
　前記第２のゲート電極上に前記絶縁膜を介して形成され、水素を吸蔵する性質を有する金属材料よりなり、前記第２のゲート電極が形成された領域と前記第２の素子領域とが重なる領域よりも外側に周縁部が位置する第２のメタル層と、
　を有し、
　前記第１のメタル層及び前記第２のメタル層は、電気的に接続されており、
　前記第１のメタル層と前記第２のメタル層とは、フローティング状態に設定される
　ことを特徴とする半導体装置。」
　
３．引用刊行物に記載された発明
（１）本願の出願前に日本国内において頒布され、平成２２年１１月９日付けで通知した拒絶の理由において引用された刊行物である特開平８−２２２６３３号公報（以下「引用例」という。）には、図１〜５とともに以下の記載がある（なお、下線は当合議体にて付加したものである。以下同じ。）。
　
　「【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は、ＭＯＳ型トランジスタを有するＬＳＩ等の半導体装置に関し、特に水分を含有する層間絶縁膜からゲート電極層への水分拡散を配線材層で阻止してホットキャリア耐性劣化を防止すると共に配線材層の最下層としてのチタン層による水分関連種（Ｈ
2 
Ｏ，ＯＨ
- 
，Ｈ
+ 
）の吸蔵を阻止して界面準位の低減を可能としたものである
　
　「【０００５】次に、ソースコンタクト，ドレインコンタクト等に対応する接続孔を絶縁膜１４に形成した後、基板上面に配線材層を被着してパターニングすることにより１層目の配線層としてのソース配線層１６及びドレイン配線層１７を形成する。
配線層１６，１７としては、例えば図５で層１６について示すように下から順にＴｉ層１６ａ、ＴｉＮ層１６ｂ、Ａｌ合金（例えばＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）層１６ｃ及びＴｉＮ層１６ｄを積層したものが用いられる。
　
　「【００２３】
【実施例】図１，２は、この発明の一実施例に係るＭＯＳ型ＬＳＩの一部を示すもので、図１は、図２のＸ−Ｘ’線に沿う断面に相当する。
【００２４】例えば
シリコンからなる半導体基板１０の表面には、周知の選択酸化処理によりアクティブ領域配置孔１２Ａを有するフィールド絶縁膜１２を形成する。そして、配置孔１２Ａ内の半導体表面部分には、前述したと同様にゲート絶縁膜ＯＸ、低不純物濃度のＮ型のソース領域ＬＳ及びドレイン領域ＬＤ、ゲート電極層Ｇ、サイドスペーサＳＰ、高不純物濃度のＮ
+ 
型のソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄ等を形成する。
【００２５】
次に、基板上面には、上記のようにして形成されたＭＯＳ型トランジスタを覆って第１の層間絶縁膜１４を形成する。
【００２６】
次に、水分関連種遮蔽膜１５として、厚さ１０ｎｍのシリコンナイトライド膜をプラズマＣＶＤ法により形成した。
【００２７】
次に、ソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄにそれぞれ対応する接続孔を絶縁膜１４及び遮蔽膜１５の積層に形成した後、基板上面に配線材を被着し、その被着層をホトリソグラフィ及びドライエッチング処理によりパターニングすることによりソース配線層１６、ドレイン配線層１７及び配線材層１９を形成する。配線材層１９は、図２に示すようにゲート電極層Ｇを覆うようなパターンで形成する。
【００２８】
層１６，１７，１９は、一例として図５の構成においてＴｉＮ層１６ｂをＴｉＯＮ層に置換したものを用い、厚さは、ＴｉＮ／Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ／ＴｉＯＮ／Ｔｉ＝４０／４００／１００／２０ｎｍとした。
【００２９】次に、基板上面に第２の層間絶縁膜１８を形成する。絶縁膜１８としては、一例として厚さ５００ｎｍのシリコンオキサイド膜２０をＴＥＯＳによるプラズマＣＶＤ法により形成した後、その上に厚さ５００ｎｍのＳＯＧ膜２２を回転塗布法等により形成し、さらにその上に厚さ５００ｎｍのシリコンオキサイド膜２４をＴＥＯＳによるプラズマＣＶＤ法により形成した。この場合、シリコンオキサイド膜２４の形成前にＳＯＧ膜２２を表面から５００ｎｍの厚さだけエッチバックして除去し、その上にシリコンオキサイド膜２４を形成してもよい。この結果得られる絶縁膜１８は、ＳＯＧ膜２２をエッチバックしないものに比べて少量であるが、水分を含んでいる。
【００３０】次に、絶縁膜１８に所望の接続孔を形成してから絶縁膜１８上に２層目の配線層２６を形成する。そして、絶縁膜１８の上には、配線層２６を覆って保護膜２８を形成する。保護膜２８としては、一例として厚さ１０００ｎｍのシリコンナイトライド膜をプラズマＣＶＤ法により形成した。
【００３１】この後、最終アニール処理を行なう。この処理は、一例としてＮ2 及びＨ2 を含む雰囲気中で４００℃，３０分の条件で行なった。この結果、図１のトランジスタにおいて、界面準位が十分に低減された。
【００３２】上記した実施例によれば、絶縁膜１８からゲート電極層Ｇへの水分拡散が配線材層１９で阻止されるため、ホットキャリア耐性劣化を防止することができる。また、配線材層１９の最下層としてのＴｉ層と絶縁膜１４との間に遮蔽膜１５を介在配置したので、Ｔｉ層に水分関連種が吸蔵されるのを防ぐことができ、界面準位を十分に低減することができる。」
　
（２）ここにおいて、実施例における「配線材層１９」は、００２８段落、０００５段落及び図５の記載からみて、ＴｉＮ／Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ／ＴｉＯＮ／Ｔｉの積層構造を有していることは明らかである。
　
（３）また、００２７段落の「
配線材層１９は、図２に示すようにゲート電極層Ｇを覆うようなパターンで形成する
　
（４）したがって、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「半導体基板１０の表面のフィールド絶縁層１２に形成されたアクティブ領域配置孔１２Ａ内に、ゲート絶縁膜ＯＸ、低不純物濃度のＮ型のソース領域ＬＳ及びドレイン領域ＬＤ、ゲート電極層Ｇ、サイドスペーサＳＰ、高不純物濃度のＮ+ 型のソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄを有するＭＯＳ型トランジスタが形成され、
　前記ＭＯＳ型トランジスタを覆って第１の層間絶縁膜１４が形成され、
　前記第１の層間絶縁膜１４上に、水分関連種遮蔽膜１５が形成され、
　さらに、前記水分関連種遮蔽膜１５上に、ＴｉＮ／Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ／ＴｉＯＮ／Ｔｉの積層構造を有し、その周縁部がゲート電極層Ｇとアクティブ領域配置孔１２Ａとが重なる領域よりも外側に位置する配線材層１９が形成された半導体装置。」
　
　
４．本願発明と引用発明との対比
（１）引用発明は、「半導体基板１０の表面のフィールド絶縁層１２に形成されたアクティブ領域配置孔１２Ａ内」の領域にＭＯＳ型トランジスタが形成されるものであるから、当該領域は、本願発明の「第１の素子領域」に相当する。
　また、引用発明の「ゲート絶縁膜ＯＸ」及び「ＭＯＳ型トランジスタ」は、本願発明の「第１のゲート絶縁膜」及び「第１のトランジスタ」に相当する。
　さらに、引用発明の「ゲート電極層Ｇ」は、本願発明の「前記第１の素子領域上に第１のゲート絶縁膜を介して形成された第１のゲート電極」に相当することは明らかである。
　したがって、引用発明における「半導体基板の表面部分に、ゲート絶縁膜ＯＸ、低不純物濃度のＮ型のソース領域ＬＳ及びドレイン領域ＬＤ、ゲート電極層Ｇ、サイドスペーサＳＰ、高不純物濃度のＮ+ 型のソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄを有するＭＯＳ型トランジスタ」という構成は、本願発明における「第１の素子領域」「を有する半導体基板と、前記第１の素子領域上に第１のゲート絶縁膜を介して形成された第１のゲート電極を有する第１のトランジスタ」という構成に相当するものである。
　
（２）引用発明の「配線材層１９」は、絶縁膜である第１の層間絶縁膜１４及び水分関連種遮蔽膜１５の上に形成されるものであり、本願発明の「第１のメタル層」に相当する。
　また、引用発明の「配線材層１９」は、ＴｉＮ／Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ／ＴｉＯＮ／Ｔｉの積層構造からなるものであり、当該積層構造のうちＴｉが水素を吸蔵する性質を有していることは、当業者の技術常識である。
　したがって、引用発明における「前記ＭＯＳ型トランジスタを覆って第１の層間絶縁膜１４が形成され、　前記第１の層間絶縁膜１４上に、水分関連種遮蔽膜１５が形成され、　さらに、前記水分関連種遮蔽膜１５上に、ＴｉＮ／Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ／ＴｉＯＮ／Ｔｉの積層構造を有し、その周縁部がゲート電極層Ｇとアクティブ領域配置孔１２Ａとが重なる領域よりも外側に位置する配線材層１９が形成された」という構成は、本願発明における「前記第１のゲート電極上に絶縁膜を介して形成され、水素を吸蔵する性質を有する金属材料よりなり、前記第１のゲート電極が形成された領域と前記第１の素子領域とが重なる領域よりも外側に周縁部が位置する第１のメタル層」という構成に相当するものである。
　
（３）以上を総合すると、本願発明と引用発明とは、
　「第１の素子領域を有する半導体基板と、
　前記第１の素子領域上に第１のゲート絶縁膜を介して形成された第１のゲート電極を有する第１のトランジスタと、
　前記第１のゲート電極上に絶縁膜を介して形成され、水素を吸蔵する性質を有する金属材料よりなり、前記第１のゲート電極が形成された領域と前記第１の素子領域とが重なる領域よりも外側に周縁部が位置する第１のメタル層と、
　を有する半導体装置。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）本願発明は、「半導体基板」が「第２の素子領域」を有しており、「前記第１のトランジスタと対をなすトランジスタであって、前記第２の素子領域上に第２のゲート絶縁膜を介して形成された第２のゲート電極を有する第２のトランジスタ」及び「前記第２のゲート電極上に前記絶縁膜を介して形成され、水素を吸蔵する性質を有する金属材料よりなり、前記第２のゲート電極が形成された領域と前記第２の素子領域とが重なる領域よりも外側に周縁部が位置する第２のメタル層」を有している、すなわち、該「第２の素子領域上」に第１のトランジスタと対をなす第２のトランジスタが形成されているのに対し、引用発明は、そのような特定をしていない点。
　
（相違点２）本願発明は、「第１のメタル層」及び「第２のメタル層」が電気的に接続され、かつ、フローティング状態に設定されているのに対し、引用発明は、そのような特定をしていない点。 
　
　
５．相違点についての当審の判断
（１）相違点１について
　引用例の０００１段落等の記載から、引用発明はＬＳＩに適用することを前提とするものであることが明らかであるところ、ＬＳＩにおいては、半導体基板上に多数のトランジスタが形成されるものであるから、引用発明における半導体基板も、複数の素子領域を有しており、該複数の素子領域のそれぞれに同様な構造のＭＯＳ型トランジスタが形成されているものと認められる。
　そして、ＬＳＩにおいて、トランジスタを対で構成することは、ＣＭＯＳ等に代表されるように、本願出願前から当業者における周知技術であるから、引用発明において、本願発明のように、「半導体基板」が「第２の素子領域」を有しており、「前記第１のトランジスタと対をなすトランジスタであって、前記第２の素子領域上に第２のゲート絶縁膜を介して形成された第２のゲート電極を有する第２のトランジスタ」及び「前記第２のゲート電極上に前記絶縁膜を介して形成され、水素を吸蔵する性質を有する金属材料よりなり、前記第２のゲート電極が形成された領域と前記第２の素子領域とが重なる領域よりも外側に周縁部が位置する第２のメタル層」を有しているものとすることは、当業者であれば容易になし得たことである。
　
（２）相違点２について
（２−１）一般に、半導体装置における、電気的な接続に寄与しないいわゆるダミー配線に関し、その電気的な状態をどのようにするのかは、当業者が適宜に設定し得る技術的事項である。そして、複数の電気的にフローティングなダミー配線を互いに電気的に接続することは、以下の周知例１に記載されるように、当業者における周知技術である。
　
　ａ．周知例１：特開平７−９９２４４号公報
　「【００１３】図２（ａ）はこの発明の第２の実施例の半導体装置の配線交差部の平面図、（ｂ）はそのＹ−Ｙ′断面図である。図２において、２はポリシリコン膜（第３の導電膜）であり、その他図１に対応する部分には同一符号を付している。この半導体装置では、図１のポリシリコン膜１に代えて、ポリシリコン膜２を、第１の電圧が加わるポリシリコン膜１３と第２の電圧が加わるＡＬ膜配線１２との間に位置し、ポリシリコン膜１３のエッジ部を特に覆うように設けている。 
 【００１４】以上のように構成されるこの実施例の半導体装置においても、ポリシリコン膜２がポリシリコン膜１３のエッジ部を覆っているため、そのエッジ部に集中する電圧を分散する働きをするため、静電耐圧を上げることができる。
なお、この第１，第２の実施例におけるポリシリコン膜１，２は、電圧的にフローティングであるが、これが接地されていても良いことは言うまでもない
 【００１５】また、
第２の実施例におけるポリシリコン膜２は２片に分かれているが、これが一部でつながっていても良いことは言うまでもない
  
（２−２）また、本願の明細書または図面をみても、「第１のメタル層」及び「第２のメタル層」の電位については、発明の詳細な説明００６７段落に「なお、本実施形態では、各半導体装置６２ａ、６２ｂのダミーメタル層５２が互いに電気的に接続され、これらの電位が接地電位に固定されている場合について説明したが、接地電位に限らず所定の電位に固定されていればよい。また、必ずしも所定の電位に固定されている必要はなく、図１０に示すように、各半導体装置６２ａ、６２ｂのダミーメタル層５２が互いに電気的に接続され、これらの電位がフローティングになっていてもよい。」と記載されているのみであり、当該電位をフローティングとすることによりどのような効果を奏するものであるのかについては全く記載されておらず、かつ、当業者の技術常識を勘案しても、本願発明において、「第１のメタル層」及び「第２のメタル層」の電位をフローティングとすることによる格別な効果を認めることもできない。
　
（２−３）したがって、引用発明における「配線材層１９」に、上記周知技術を適用して、隣接するメタル層と接続し、かつ、電気的にフローティングな状態とすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。 
  
（３）したがって、本願発明は、周知例１に記載された周知技術を勘案することにより、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、平成２２年１１月９日付けで通知した拒絶の理由において指摘したとおり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく拒絶をすべきものである。
　よって、上記結論のとおり審決する。