【事件の表示】
　特願２００２−　７７９１２「低電圧動作の基準電圧源回路」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月　３日出願公開、特開２００３−２８３２５８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯 
　本願の手続の経緯は次に示すとおりである。
　　　
　　平成１４年　３月２０日　特許出願。
　
　　平成１９年　４月１１日　拒絶理由通知（起案日）。
　
　　平成１９年　６月１３日　手続補正。
　
　　平成１９年　８月　３日　最後の拒絶理由通知（起案日）。
　
　　平成１９年１０月　９日　手続補正。
　
　　平成１９年１０月３０日　補正の却下の決定（起案日）。
　
　　平成１９年１０月３０日　拒絶査定（起案日）。
　
　　平成１９年１２月　６日　拒絶査定不服審判請求。
　
　　平成１９年１２月　６日　手続補正。
　　
　　
２．平成１９年１２月６日付けの手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
　平成１９年１２月６日付けの手続補正(以下、「本件補正」という。)を却下する。
[理由]
（１）補正の内容
　本件補正は、本件補正前の平成１９年６月１３日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲、
「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　スレッシュホールド電圧Ｖtの温度特性が共に等しく、不純物濃度が互いに異なるゲートを有する２つのＭＯＳトランジスタにおけるゲート・ソース間電圧の差を出力する低電圧動作の基準電圧源回路において、
　第１のＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトランジスタのそれぞれのゲートを相互接続し、前記第１のＭＯＳトランジスタと前記第２のＭＯＳトランジスタのそれぞれのソース電圧の差を出力し、
　第１のＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトランジスタを直列的に接続し、そして第１のＭＯＳトランジスタのソースを接地し、第２のＭＯＳトランジスタのソース電圧を出力することを特徴とする低電圧動作の基準電圧源回路。
【請求項２】
　スレッシュホールド電圧Ｖtの温度特性が共に等しく、不純物濃度が互いに異なるゲートを有する２つのＭＯＳトランジスタにおけるゲート・ソース間電圧の差を出力する低電圧動作の基準電圧源回路において、
　第１のＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトランジスタのそれぞれのソースを相互接続し、そして、前記第１のＭＯＳトランジスタと前記第２のＭＯＳトランジスタのそれぞれのゲート電圧の差を出力することを特徴とする低電圧動作の基準電圧源回路。
【請求項３】
　第１のＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトランジスタを並列的に接続すると共に両トランジスタに同一の電流を流すための回路を備え、第２のＭＯＳトランジスタのゲートを接地し、そして第１のＭＯＳトランジスタのゲート・ソース間に抵抗を接続し、その第１のＭＯＳトランジスタのゲート電圧を出力する請求項２記載の低電圧動作の基準電圧源回路。
【請求項４】
　スレッシュホールド電圧Ｖtの温度特性が共に等しく、不純物濃度が互いに異なるゲートを有する２つのＭＯＳトランジスタにおけるゲート・ソース間電圧の差を出力する低電圧動作の基準電圧源回路において、
　前記第１のＭＯＳトランジスタと前記第２のＭＯＳトランジスタのいずれか一方のＭＯＳトランジスタにおけるゲートおよびソースを相互接続し、他方のＭＯＳトランジスタのゲート・ソース間電圧を出力することを特徴とする低電圧動作の基準電圧源回路。
【請求項５】
　ソースをゲートに接続した第２のＭＯＳトランジスタのソースを第１のＭＯＳトランジスタのドレインに接続し、そして、第３のｎ型チヤネルＭＯＳトランジスタのドレイン、ゲートおよびソースを、それぞれ第２のトランジスタのドレイン、第２のＭＯＳトランジスタのソース、および第１のＭＯＳトランジスタのゲートに接続し、そして第１のＭＯＳトランジスタのゲート・ソース間に抵抗を接続し、前記第１のＭＯＳトランジスタのゲート電位を出力する請求項４記載の低電圧動作の基準電圧源回路。
【請求項６】
　上記抵抗を複数の抵抗による分圧回路とし、随意のレベルの出力電圧を得る請求項３もしくは５記載の低電圧動作の基準電圧源回路。
【請求項７】
　製造の際の拡散、成膜工程後に、上記複数の抵抗の抵抗値を調整可能とする手段を有する請求項６記載の低電圧動作の基準電圧源回路。
【請求項８】
　前記第１および第２のＭＯＳトランジスタをｐ型チャネルのタイプで構成する請求項５〜７のいずれかに記載の低電圧動作の基準電圧源回路。
【請求項９】
　前記第１及び第２のＭＯＳトランジスタのドレイン電流を等しくした請求項１〜８のいずれかに記載の低電圧動作の基準電圧源回路。
【請求項１０】
　前記第１および前記第２のＭＯＳトランジスタの各ゲートは多結晶シリコンまたは多結晶ＳixＧe1-xよりなる請求項１〜９のいずれかに記載の低電圧動作の基準電圧源回路。」
を、
「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　スレッシュホールド電圧Ｖtの温度係数の大きさが共に等しく、その温度係数の符号が互いに逆で、不純物濃度が互いに異なるゲートを有する２つのＭＯＳトランジスタにおけるゲート・ソース間電圧の差を出力する低電圧動作の基準電圧源回路において、
　第１のＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトランジスタのそれぞれのゲートを相互接続し、前記第１のＭＯＳトランジスタと前記第２のＭＯＳトランジスタのそれぞれのソース電圧の差を出力し、
　第１のＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトランジスタを直列的に接続し、そして第１のＭＯＳトランジスタのソースを接地し、第２のＭＯＳトランジスタのソース電圧を出力することを特徴とする低電圧動作の基準電圧源回路。
【請求項２】
　スレッシュホールド電圧Ｖtの温度係数の大きさが共に等しく、その温度係数の符号が互いに逆で、不純物濃度が互いに異なるゲートを有する２つのＭＯＳトランジスタにおけるゲート・ソース間電圧の差を出力する低電圧動作の基準電圧源回路において、
　第１のＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトランジスタのそれぞれのソースを相互接続し、そして、前記第１のＭＯＳトランジスタと前記第２のＭＯＳトランジスタのそれぞれのゲート電圧の差を出力することを特徴とする低電圧動作の基準電圧源回路。
【請求項３】
　第１のＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトランジスタを並列的に接続すると共に両トランジスタに同一の電流を流すための回路を備え、第２のＭＯＳトランジスタのゲートを接地し、そして第１のＭＯＳトランジスタのゲート・ソース間に抵抗を接続し、その第１のＭＯＳトランジスタのゲート電圧を出力する請求項２記載の低電圧動作の基準電圧源回路。
【請求項４】
　スレッシュホールド電圧Ｖtの温度係数の大きさが共に等しく、その温度係数の符号が互いに逆で、不純物濃度が互いに異なるゲートを有する２つのＭＯＳトランジスタにおけるゲート・ソース間電圧の差を出力する低電圧動作の基準電圧源回路において、
　前記第１のＭＯＳトランジスタと前記第２のＭＯＳトランジスタのいずれか一方のＭＯＳトランジスタにおけるゲートおよびソースを相互接続し、他方のＭＯＳトランジスタのゲート・ソース間電圧を出力することを特徴とする低電圧動作の基準電圧源回路。
【請求項５】
　ソースをゲートに接続した第２のＭＯＳトランジスタのソースを第１のＭＯＳトランジスタのドレインに接続し、そして、第３のｎ型チヤネルＭＯＳトランジスタのドレイン、ゲートおよびソースを、それぞれ第２のトランジスタのドレイン、第２のＭＯＳトランジスタのソース、および第１のＭＯＳトランジスタのゲートに接続し、そして第１のＭＯＳトランジスタのゲート・ソース間に抵抗を接続し、前記第１のＭＯＳトランジスタのゲート電位を出力する請求項４記載の低電圧動作の基準電圧源回路。
【請求項６】
　上記抵抗を複数の抵抗による分圧回路とし、随意のレベルの出力電圧を得る請求項３もしくは５記載の低電圧動作の基準電圧源回路。
【請求項７】
　製造の際の拡散、成膜工程後に、上記複数の抵抗の抵抗値を調整可能とする手段を有する請求項６記載の低電圧動作の基準電圧源回路。
【請求項８】
　前記第１および第２のＭＯＳトランジスタをｐ型チャネルのタイプで構成する請求項５〜７のいずれかに記載の低電圧動作の基準電圧源回路。
【請求項９】
　前記第１及び第２のＭＯＳトランジスタのドレイン電流を等しくした請求項１〜８のいずれかに記載の低電圧動作の基準電圧源回路。
【請求項１０】
　前記第１および前記第２のＭＯＳトランジスタの各ゲートは多結晶シリコンまたは多結晶ＳixＧe1-xよりなる請求項１〜９のいずれかに記載の低電圧動作の基準電圧源回路。」
と補正するものである。
　
（２）補正の目的について
　本件補正により、本件補正前の独立請求項である請求項１、２、４に記載された「スレッシュホールド電圧Ｖtの温度特性が共に等しく」という事項は、「スレッシュホールド電圧Ｖtの温度係数の大きさが共に等しく、その温度係数の符号が互いに逆で」とする事項（以下、「補正事項」という。）に補正されたので、補正事項の補正の目的について以下に検討する。
　
（２−１）特許法第１７条の２第４項第２号に規定する目的について
　補正前の請求項１の「スレッシュホールド電圧Ｖtの温度特性が共に等しく、不純物濃度が互いに異なるゲートを有する２つのＭＯＳトランジスタ」の記載では、「２つのＭＯＳトランジスタ」の「スレッシュホールド電圧Ｖtの温度特性」は等しいとされていたが、本件補正により「スレッシュホールド電圧Ｖtの温度係数の大きさが共に等しく、その温度係数の符号が互いに逆で、不純物濃度が互いに異なるゲートを有する２つのＭＯＳトランジスタ」となったため、「２つのＭＯＳトランジスタ」の「スレッシュホールド電圧Ｖtの温度特性」は「符号が互いに逆」とされ「等しい」ものではなくなった。よって、補正事項は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項の限定を目的とするものではない。
　　
（２−２）特許法第１７条の２第４項第１号及び第３号に規定する目的について
　補正事項が、請求項の削除、及び、誤記の訂正に該当しないことは明らかである。
　
（２−３）特許法第１７条の２第４項第４号に規定する目的について
　請求項１に係る発明は、
「第１のＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトランジスタのそれぞれのゲートを相互接続し、前記第１のＭＯＳトランジスタと前記第２のＭＯＳトランジスタのそれぞれのソース電圧の差を出力し、
　第１のＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトランジスタを直列的に接続し、そして第１のＭＯＳトランジスタのソースを接地し、第２のＭＯＳトランジスタのソース電圧を出力する」
ことを発明特定事項に含んでいるので、本願の図６に記載された回路が請求項１に係る発明に対応しているといえる。そして、請求項１に係る発明は、「２つのＭＯＳトランジスタにおけるゲート・ソース間電圧の差を出力する低電圧動作の基準電圧源回路」も発明特定事項に含んでいることから、基準電圧源回路からは２つのＭＯＳトランジスタにおけるゲート・ソース間電圧の「差」が出力されている。
　そして、補正前の請求項１の「スレッシュホールド電圧Ｖtの温度特性が共に等しく、不純物濃度が互いに異なるゲートを有する２つのＭＯＳトランジスタ」の記載では、２つのＭＯＳトランジスタのスレッシュホールド電圧Ｖtの温度特性が共に等しいとされているので、例えば、温度が変化して本願図６のＭＯＳトランジスタＭ１のスレッシュホールド電圧Ｖtが増加しＭＯＳトランジスタＭ１のゲート電位が上昇しても、ＭＯＳトランジスタＭ２のスレッシュホールド電圧Ｖtも同じ大きさだけ増加しているので、ＭＯＳトランジスタＭ２のソース電位は変化しない。即ち、ＭＯＳトランジスタＭ１とＭＯＳトランジスタＭ２のゲート・ソース間電圧の「差」に変化が生じない。別の見方をすれば、ＭＯＳトランジスタＭ１で増加した分のゲート・ソース間電圧を、ＭＯＳトランジスタＭ２で同様に増加した分のゲート・ソース間電圧により「相殺」したといえる。
　これに対して、補正事項では、「スレッシュホールド電圧Ｖtの温度係数の大きさが共に等しく、その温度係数の符号が互いに逆で」とされているため、例えば、温度が変化して本願図６のＭＯＳトランジスタＭ１のスレッシュホールド電圧Ｖtが増加しＭＯＳトランジスタＭ１のゲート電位が上昇すると、ＭＯＳトランジスタＭ２のスレッシュホールド電圧Ｖtは減少してしまい、ＭＯＳトランジスタＭ２のソース電位は、ＭＯＳトランジスタＭ１のスレッシュホールド電圧Ｖtの増加分より上昇し、明細書の段落００３４に記載されているような、「温度係数を持たない電圧Ｖrefが得られる」構成とはならない。
　平成１９年１２月６日付け審判請求書の「（４）本願特許が登録されるべき理由」の２．では、
「２．補正書請求項１、２、４において、「その温度係数の符号が互いに逆で」の文言を追加して、温度係数についてより明確に記載しました。これは後で説明しますように、明細書の段落００３２〜００３４と図３の記載に基づいています。」
と主張しているが、補正事項の記載では明細書の記載と対応が取れなくなるため、補正事項は、不明りょうな記載の釈明を目的とするものではない。
　　　
（３）むすび
　以上のとおり、補正事項についての本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する、「特許請求の範囲の減縮(第３６条第５項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであつて、その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。) 」を目的とするものに該当しない。 
　また、上記本件補正は、同項第１，３，４号の、請求項の削除、誤記の訂正、及び明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものでもない。 
　したがって、上記本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしておらず、特許法１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　 
　　　　　
３．本願発明について 
（１）本願発明の内容
　平成１９年１２月６日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１９年６月１３日付け手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである（以下「本願発明」という）。
「【請求項１】
　スレッシュホールド電圧Ｖtの温度特性が共に等しく、不純物濃度が互いに異なるゲートを有する２つのＭＯＳトランジスタにおけるゲート・ソース間電圧の差を出力する低電圧動作の基準電圧源回路において、
　第１のＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトランジスタのそれぞれのゲートを相互接続し、前記第１のＭＯＳトランジスタと前記第２のＭＯＳトランジスタのそれぞれのソース電圧の差を出力し、
　第１のＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトランジスタを直列的に接続し、そして第１のＭＯＳトランジスタのソースを接地し、第２のＭＯＳトランジスタのソース電圧を出力することを特徴とする低電圧動作の基準電圧源回路。」
　　　
　　　　 　　　
（２）引用例 
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００１−２８４４６４号公報（以下、「引用例」という）には、下記の事項が記載されている。
　　　
（ア）「【００１５】又、本発明の他の目的は、微少電流バイアス回路や導伝係数の温度特性を補正するための電流バイアス回路を用いずに、所望の温度特性の電界効果トランジスタを用いた基準電圧源回路を提供することである。」
　
（イ）「【００６８】以下、図面を用いて、本発明に係るＰＴＡＴを用いた電圧発生回路の具体例として、ペアＭＯＳトランジスタのスレッシュホールド電圧Ｖtの差すなわちφfの差を取り出すための具体的な回路構成の実施例を説明する。」
　
（ウ）「【００７３】次に、ＭＯＳトランジスタＭ１とＭ２を直列接続した回路構成例について述べる。図７は、本回路構成例の基本的なダイアグラムを示す図である（第２実施例）。同図に示すように、本回路は、２つの電源の間すなわち電源ＶＣＣとＧＮＤの間に、低濃度(Ng1)のｎ型ポリシリコンをゲートに有するＭＯＳトランジスタＭ１と高濃度(Ng2)のｎ型ポリシリコンをゲートに有するＭＯＳトランジスタＭ２を直列接続するとともに、それらのゲートを共通接続してＭＯＳトランジスダＭ２のドレインと接続する。
【００７４】この構成によって、ＭＯＳトランジスタＭ２のソース電位（すなわち、ＭＯＳトランジスタＭ１のソース電位はＧＮＤであるので、ＭＯＳトランジスタＭ２のソース電位は、低濃度(Ng1)のｎ型ポリシリコンをゲートに有するＭＯＳトランジスタＭ１と高濃度(Ng2)のｎ型ポリシリコンをゲートに有するＭＯＳトランジスタＭ２のソース電位の差に等しい）から出力VPTATとして、フェルミレベルの差であるUTln(Ng2/Ng1)が得られる。」
　　　
　よって、上記（ア）乃至（ウ）及び図７から、引用例には実質的に、
「不純物濃度が互いに異なるゲートを有する２つのＭＯＳトランジスタにおけるゲート・ソース間電圧の差を出力する基準電圧源回路において、
　ＭＯＳトランジスタＭ１とＭＯＳトランジスタＭ２のそれぞれのゲートを相互接続し、前記ＭＯＳトランジスタＭ１と前記ＭＯＳトランジスタＭ２のそれぞれのソース電位の差を出力し、
　ＭＯＳトランジスタＭ１とＭＯＳトランジスタＭ２を直列的に接続し、そしてＭＯＳトランジスタＭ１のソースを接地し、ＭＯＳトランジスタＭ２のソース電位を出力する基準電圧源回路。」
の発明（以下、「引用発明」という）が記載されていると認められる。
　　　　
　　　　　　　　　　  
（３）対比 
（３−１）本願発明と引用発明との対応関係について
　引用発明の「ＭＯＳトランジスタＭ１」、「ＭＯＳトランジスタＭ２」、「ソース電位」は、本願発明の「第１のＭＯＳトランジスタ」、「第２のＭＯＳトランジスタ」、「ソース電圧」に相当する。
　
（３−２）本願発明と引用発明の一致点について
　上記の対応関係から、本願発明と引用発明は、
「不純物濃度が互いに異なるゲートを有する２つのＭＯＳトランジスタにおけるゲート・ソース間電圧の差を出力する基準電圧源回路において、
　第１のＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトランジスタのそれぞれのゲートを相互接続し、前記第１のＭＯＳトランジスタと前記第２のＭＯＳトランジスタのそれぞれのソース電圧の差を出力し、
　第１のＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトランジスタを直列的に接続し、そして第１のＭＯＳトランジスタのソースを接地し、第２のＭＯＳトランジスタのソース電圧を出力することを特徴とする基準電圧源回路。」
の点で一致している。
　　　　　
（３−３）本願発明と引用発明の相違点について
　本願発明と引用発明とは、下記の点で相違する。
（相違点Ａ）
　基準電圧源回路について、本願発明は「低電圧動作」に限定した構成であるのに対し、引用発明はそのように限定された構成ではない点。
　　
（相違点Ｂ）
　本願発明の２つのＭＯＳトランジスタは、「スレッシュホールド電圧Ｖtの温度特性が共に等しく」された構成であるのに対し、引用発明はそのような構成とはなっていない点。
　
　　　
（４）当審の判断 
（４−１）相違点Ａについて
　電子回路の分野では、当該電子回路が組み込まれる電子機器の低電圧電源化に伴い、当該電子回路も低電圧化を行うことは一般的な技術課題にすぎない。
　そして、上記２．（２）（２−３）に記載したように、本願発明である請求項１に係る発明は、本願の図６に記載された回路が対応しているといえる。そして、同図には、ソースが接地されたＭＯＳトランジスタＭ１のゲートをＭＯＳトランジスタＭ２のゲートに接続し、相互接続された前記ゲートを電源Ｖｃｃに接続する構成が記載されており、同様の構成は引用例の図７にも記載されていることを考慮すれば、引用発明の基準電圧源回路を低電圧でも動作するように構成することは、適宜設計できる程度のことにすぎない。
　
（４−２）相違点Ｂについて
　２つのＭＯＳトランジスタを直列的に接続し、それぞれのゲートを相互接続し、一方のＭＯＳトランジスタのソースを接地し、他方のＭＯＳトランジスタのソース電圧を出力する定電圧回路において、２つのＭＯＳトランジスタのスレッシュホールド電圧の温度特性を等しくすることで、温度変化に対して定電圧回路の出力電圧の変動を低減させることは、例えば、特開昭６２−９９８１７号公報（第３頁右上欄第１７行乃至右下欄第２行）、特開平１−２４０９１７号公報（第２頁左下欄第１１行乃至第３頁左上欄第６行）に記載されているように、周知技術である。
　してみると、引用発明において、温度変化に対して基準電圧源回路の出力電圧変動を低減させるために、周知技術を採用して、第１のＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトランジスタのスレッシュホールド電圧Ｖtの温度特性を等しくすることは、当業者が容易に想到し得たものである。
　　
（４−３）本願発明の作用効果について　　　
　本願発明の作用効果も、引用例及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。　　
　　　
（５）むすび 
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用発明及び周知技術に基いて容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。