【手続補正書】
【提出日】平成23年4月5日(2011.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ領域に結合されるｐ領域を含む結晶シリコンと、
前記ｐ領域の表面を安定化させるために前記結晶シリコンの前記ｐ領域に結合される第１の真性アモルファスシリコン層と、
前記ｎ領域の表面を安定化させるために前記結晶シリコンの前記ｎ領域に結合される第２の真性アモルファスシリコン層と、
前記結晶シリコンの電場を強化するために前記第１の真性アモルファスシリコン層に結合されるｐ型アモルファスシリコン層と、
前記結晶シリコンの電場を強化するために前記第２の真性アモルファスシリコン層に結合されるｎ型アモルファスシリコン層と、
を備える装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、さらに、
電荷を伝導するためおよび反射防止膜を提供するために前記ｐ型アモルファスシリコン層に結合される第１の透明な導電性酸化物層と、
電荷を伝導するために前記ｎ型アモルファスシリコン層に結合される第２の透明な導電性酸化物層と、
を備える装置。
【請求項３】
請求項２に記載の装置であって、
前記第１の透明な導電性酸化物層および前記第２の透明な導電性酸化物層は、インジウムスズ酸化物を含む、装置。
【請求項４】
請求項２に記載の装置であって、
前記第１の透明な導電性酸化物層および前記第２の透明な導電性酸化物層は、亜鉛酸化物を含む、装置。
【請求項５】
請求項１に記載の装置であって、
前記結晶シリコンは、おおよそ５０〜５００マイクロメートルの厚さを有する、装置。
【請求項６】
請求項１に記載の装置であって、
前記第１の真性アモルファスシリコン層は、おおよそ２〜１０ナノメートルの厚さを有する、装置。
【請求項７】
請求項１に記載の装置であって、
前記第１の真性アモルファスシリコン層は、前記第２の真性アモルファスシリコン層におおよそ等しい厚さを有する、装置。
【請求項８】
請求項１に記載の装置であって、
前記第１の真性アモルファスシリコン層は、前記第２の真性アモルファスシリコン層未満の厚さを有する、装置。
【請求項９】
請求項１に記載の装置であって、
前記結晶シリコンは、単結晶シリコンである、装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の装置であって、
前記単結晶シリコン表面は、結晶方位（１００）を有する、装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の装置であって、
前記結晶シリコンは、多結晶シリコンである、装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の装置であって、
前記ｐ型アモルファスシリコン層は、おおよそ４〜２０ナノメートルの厚さを有する、装置。
【請求項１３】
請求項１に記載の装置であって、
前記アモルファスｎ型シリコン層は、おおよそ４〜２０ナノメートルの厚さを有する、装置。
【請求項１４】
請求項２に記載の装置であって、さらに、
電荷を伝導するために前記第１の透明な導電性酸化物層に結合される第１の複数の接触と、
電荷を伝導するために前記第２の透明な導電性酸化物層に結合される第２の複数の接触と、
を備える装置。
【請求項１５】
請求項２に記載の装置であって、
前記第１の透明な導電性酸化物層は、おおよそ７５ナノメートルの厚さを有する、装置。
【請求項１６】
請求項２に記載の装置であって、
前記第１の透明な導電性酸化物層は、おおよそ５０オーム／スクエアのシート抵抗を有する、装置。
【請求項１７】
請求項２に記載の装置であって、
前記第１の透明な導電性酸化物層は、おおよそ２．０の屈折率を有する、装置。
【請求項１８】
請求項１に記載の装置であって、
前記結晶シリコンは、シリコンウエハである、装置。
【請求項１９】
請求項１８に記載の装置であって、
前記シリコンウエハは、前記ｐ型領域を形成するｐ型であり、前記ｎ型領域は、前記シリコンウエハ内の拡散層である、装置。
【請求項２０】
請求項１９に記載の装置であって、
前記ｎ型領域は、おおよそ１０〜１０００オーム／スクエアのシート抵抗を有する、装置。
【請求項２１】
請求項１８に記載の装置であって、
前記シリコンウエハは、前記ｎ型領域を形成するｎ型であり、前記ｐ型領域は、前記シリコンウエハ内の拡散層である、装置。
【請求項２２】
請求項２１に記載の装置であって、
前記ｐ型領域は、おおよそ１０〜１０００オーム／スクエアのシート抵抗を有する、装置。
【請求項２３】
ホモ接合と、上面と、底面とを含む第１の領域と、
前記第１の領域の前記上面を安定化させるために前記第１の領域に結合される第２の領域であって、前記第１の領域と前記第２の領域との界面は、第１のヘテロ接合を含む、第２の領域と、
前記第１の領域の前記底面を安定化させるために前記第１の領域に結合される第３の領域であって、前記第１の領域と前記第３の領域との界面は、第２のヘテロ接合を含む、第３の領域と、
を備える太陽電池。
【請求項２４】
請求項２３に記載の太陽電池であって、
前記ホモ接合は、第１の電場を含み、前記第１のヘテロ接合は、第２の電場を含み、前記第２のヘテロ接合は、第３の電場を含む、太陽電池。
【請求項２５】
請求項２３に記載の太陽電池であって、
前記第１の電場、前記第２の電場、および前記第３の電場は、同じ方向である、太陽電池。
【請求項２６】
請求項２３に記載の太陽電池であって、
前記第１の領域は、結晶シリコンを含む、太陽電池。
【請求項２７】
請求項２３に記載の太陽電池であって、
前記第２の領域は、第１の非ドープアモルファスシリコン層とｎ型アモルファスシリコン層とを含む、太陽電池。
【請求項２８】
請求項２３に記載の太陽電池であって、
前記第３の領域は、第２の非ドープアモルファスシリコン層とｐ型アモルファスシリコン層とを含む、太陽電池。
【請求項２９】
請求項２３に記載の太陽電池であって、
前記第１の領域は、おおよそ５０〜５００マイクロメートルの厚さを有する、太陽電池。
【請求項３０】
請求項２３に記載の太陽電池であって、
前記第１の領域は、シリコンウエハである、太陽電池。
【請求項３１】
請求項３０に記載の太陽電池であって、
前記シリコンウエハは、ｐ型層を形成するｐ型であり、ｎ型層は、前記シリコンウエハ内の拡散層であり、前記ホモ接合は、前記ｐ型層と前記ｎ型層との界面である、太陽電池。
【請求項３２】
請求項３１に記載の太陽電池であって、
前記ｎ型層は、おおよそ１０〜１０００オーム／スクエアのシート抵抗を有する、太陽電池。
【請求項３３】
請求項３０に記載の太陽電池であって、
前記シリコンウエハは、ｎ型層を形成するｎ型であり、ｐ型層は、前記シリコンウエハ内の拡散層であり、前記ホモ接合は、前記ｎ型層と前記ｐ型層との界面である、太陽電池。
【請求項３４】
請求項３３に記載の太陽電池であって、
前記ｐ型領域は、おおよそ１０〜１０００オーム／スクエアのシート抵抗を有する、太陽電池。
【請求項３５】
直列して結合された複数の太陽電池と、透明な封入材料および反射材料を備える太陽電池モジュールであって、
前記複数の太陽電池の各太陽電池は、
p-nホモ接合を有する薄いシリコンウエハと、
前記薄いシリコンウエハの前面を安定化し、前記p-nホモ接合の電場を強化するために前記薄いシリコンウエハの前記前面に結合される第１のアモルファスシリコン層と、
前記薄いシリコンウエハの背面を安定化し、前記p-nホモ接合の電場を強化するために前記薄いシリコンウエハの背面に結合される第２のアモルファスシリコン層と、
反射防止膜を提供し、導電するために前記第１のアモルファスシリコン層に結合される第１の導電性酸化物層と、
導電するため前記第２のアモルファスシリコン層に結合される第２の導電性酸化物層とを含み、
前記透明な封入材料は前記複数の太陽電池を保護するため前記複数の太陽電池と結合され、
前記複数の太陽電池を通過した光を前記太陽電池に向けて反射し前記太陽電池の光の吸収を増大させるため、前記反射材料は前記透明な封入材料に結合され前記複数の太陽電池の背面に対向して配置される、
太陽電池モジュール。
【請求項３６】
請求項３５に記載の太陽電池モジュールであって、
前記透明な封入材料はエチレンビニルアセテ-トである、太陽電池モジュール。
【請求項３７】
請求項３５に記載の太陽電池モジュールであって、
前記反射材料はポリフッ化ビニルである、太陽電池モジュール。
【請求項３８】
請求項３５に記載の太陽電池モジュールであって、
前記複数の太陽電池は３６個の太陽電池からなる、太陽電池モジュール。
【請求項３９】
請求項３５に記載の太陽電池モジュールであって、
前記複数の太陽電池は７２個の太陽電池からなる、太陽電池モジュール。
【請求項４０】
請求項３５に記載の太陽電池モジュールであって、
前記第１の導電性酸化物層と前記第２の導電性酸化物層は透明である、太陽電池モジュール。
【請求項４１】
請求項３５に記載の太陽電池モジュールであって、
前記太陽電池モジュールに剛性を与え前記複数の太陽電池を保護するため前記透明な封入材料に結合され前記複数の太陽電池の前面に対向して配置されるガラスカバーをさらに含む、太陽電池モジュール。
【請求項４２】
請求項３５に記載の太陽電池モジュールであって、
前記複数の太陽電池の各太陽電池は、
導電のため前記第１の導電性酸化物層に結合される第１の複数の接触と、導電のため前記第２の導電性酸化物層に結合される第２の複数の接触と、
をさらに含む、太陽電池モジュール。
【請求項４３】
請求項３５に記載の太陽電池モジュールであって、
前記複数の太陽電池の各太陽電池は５０〜５００マイクロメートルの厚さを有する、太陽電池モジュール。
【請求項４４】
請求項３５に記載の太陽電池モジュールであって、
前記複数の太陽電池の各太陽電池は１５０マイクロメートル未満の厚さを有する、太陽電池モジュール。
【請求項４５】
請求項３５に記載の太陽電池モジュールであって、
前記複数の太陽電池の各太陽電池は１００マイクロメートル未満の厚さを有する、太陽電池モジュール。
【請求項４６】
熱サイクルにおいて薄い結晶シリコンウエハのドープ基板上に拡散層を形成し、
前記熱サイクルは炉内で行われ、
前記熱サイクルにおいて、前記結晶シリコンウエハの第１の表面上に第１の酸化物層を形成するためおよび前記結晶シリコンウエハの第２の表面上に第２の酸化物層を形成するために前記炉内に酸素を注入し、
前記結晶シリコンウエハの前記第１の表面および前記第２の表面を露出させるため前記第１および第２の酸化物層を剥離し、
前記結晶シリコンウエハの前記第１の表面に第１の非ドープアモルファスシリコン層を形成し、
前記結晶シリコンウエハの前記第２の表面に第２の非ドープアモルファスシリコン層を形成し、
前記第１の非ドープアモルファスシリコン層上に第１のドープアモルファスシリコン層を形成し、
前記第２の非ドープアモルファスシリコン層上に第２のドープアモルファスシリコン層を形成する、
方法。
【請求項４７】
請求項４６に記載の方法であって、
前記第１の非ドープアモルファスシリコン層と前記第２の非ドープアモルファスシリコン層は同時に形成される、方法。
【請求項４８】
請求項４６に記載の方法であって、
前記結晶シリコンウエハは約５０〜約５００マイクロメートルの厚さを有する、方法。
【請求項４９】
請求項４６に記載の方法であって、
前記第１の酸化物層は前記第２の酸化物層とほぼ等しい厚さを有する、方法。
【請求項５０】
請求項４６に記載の方法であって、
前記拡散層は約７００°C〜約１０００°Cの温度範囲で前記結晶シリコンウエハのドープ基板上に形成される、方法。
【請求項５１】
請求項４６に記載の方法であって、
前記結晶シリコンウエハの一部は前記第１の酸化物層と前記第２の酸化物層形成中に消費される、方法。
【請求項５２】
請求項４６に記載の方法であって、
前記第１の酸化物層と前記第２の酸化物層は予備的な湿式化学洗浄プロセスなしで剥離される、方法。
【請求項５３】
請求項４６に記載の方法であって、
前記第１の酸化物層と前記第２の酸化物層はフッ化水素酸（HF）溶液を用いて剥離される、方法。
【請求項５４】
請求項５３に記載の方法であって、
前記フッ化水素酸溶液は容積配合比で２４：１の水と４９％のフッ化水素酸からなる、方法。
【請求項５５】
請求項４６に記載の方法であって、
前記第１の非ドープアモルファスシリコン層はホットワイヤ化学気相法堆積（ＨＷＣＶＤ）法を用い約１０ミリトールの圧力でシランを分解することにより形成され、前記結晶シリコンウエハは約１００°Ｃである、方法。
【請求項５６】
請求項５５に記載の方法であって、
前記ＨＷＣＶＤ法においてシラン分子は約２０００°Ｃに加熱されたホットワイヤによって分解される、方法。
【請求項５７】
請求項４６に記載の方法であって、
前記第１の非ドープアモルファスシリコン層はプラズマ化学気相法堆積法を用いシランを分解することにより形成され、約１３メガヘルツ〜約７０メガヘルツの周波数範囲のプラズマが印加される、方法。
【請求項５８】
請求項４６に記載の方法であって、
前記第１の非ドープアモルファスシリコン層は約２ナノメートル〜約１０ナノメートルの厚さを有する、方法。
【請求項５９】
請求項４６に記載の方法であって、
前記結晶シリコンウエハの前記拡散層はｐ型であり、前記結晶シリコンウエハの前記ドープ基板はn型であり、前記第１のドープアモルファスシリコン層はｐ型であり、前記第２のドープアモルファスシリコン層はn型である、方法。
【請求項６０】
請求項４６に記載の方法であって、
前記結晶シリコンウエハの前記拡散層はn型であり、前記結晶シリコンウエハの前記ドープ基板はｐ型であり、前記第１のドープアモルファスシリコン層はｎ型であり、前記第２のドープアモルファスシリコン層はｐ型である、方法。
【請求項６１】
請求項４６に記載の方法であって、
前記第１のドープアモルファスシリコン層はＨＷＣＶＤ法においてシランと水素中５％のホスフィンの組合わせを用いることによって形成され、シランと水素中５％のホスフィンの前記組合わせの比率は１：１．２であり、圧力は約６０ミリトールであり、前記結晶シリコンウエハは約２００°Ｃである、方法。
【請求項６２】
請求項４６に記載の方法であって、
前記第２のドープアモルファスシリコン層はＨＷＣＶＤ法においてシランと水素中２．５％のジボランの組合わせを用いることによって形成され、前記シランと水素中２．５％のジボランの組合わせの比率は１：５であり、圧力は約７０ミリトールであり、前記結晶シリコンウエハは約２５０°Ｃである、方法。
【請求項６３】
請求項４６に記載の方法であって、
前記第１のドープアモルファスシリコン層上に第１の導電性酸化物層を形成し、
前記第２のドープアモルファスシリコン層上に第２の導電性酸化物層を形成する、
ことをさらに含む、方法。
【請求項６４】
請求項６３に記載の方法であって、
前記第１の導電性酸化物層は酸素存在下で９０％のインジウムと１０％のスズとの合金を蒸着させることにより形成され、前記結晶シリコンウエハは約１６５°Ｃである、方法。
【請求項６５】
請求項６３に記載の方法であって、
前記第１の導電性酸化物層はスパッタリングにより形成される、方法。
【請求項６６】
請求項６３に記載の方法であって、
前記第１の導電性酸化物層に第1の複数の接触を施し、
前記第２の導電性酸化物層に第２の複数の接触を施す、
ことをさらに含む、方法。
【請求項６７】
請求項６６に記載の方法であって、
前記第１と第２の複数の接触は約４００°Ｃ未満の温度で銀を蒸着させることにより施される、方法。
【請求項６８】
ベース・ドーパント材料を有する複数のシリコンウエハを約７００°C〜約１０００°Cの炉内のウエハボート上に設置し、
複数のドーパント源の２つのドーパント源はそれぞれ前記複数のシリコンウエハのうちの２枚を挟むようにウエハボート上に載置され、
前記複数のシリコンウエハの各ウエハの前側に第1の酸化物層を成長させ前記複数のシリコンウエハの各ウエハの後側に第２の酸化物層を成長させるため前記炉内へ酸素を注入し、
前記炉から前記複数のシリコンウエハを取り出し、
前記第1の酸化物層および前記第２の酸化物層をフッ化水素酸を用いて剥離し、
前記複数のシリコンウエハの各ウエハの前側に第1の真性のアモルファスシリコン層を成長させ、
前記複数のシリコンウエハの各ウエハの後側に第２の真性のアモルファスシリコン層を成長させ、
前記複数のシリコンウエハの各ウエハの前記第1の真性のアモルファスシリコン層上に第１のドープアモルファスシリコン層を成長させ、
前記複数のシリコンウエハの各ウエハの前記第２の真性のアモルファスシリコン層上に第２のドープアモルファスシリコン層を成長させる、
ことを含む方法。
【請求項６９】
請求項６８に記載の方法であって、
前記複数のシリコンウエハの各ウエハは隣接するドーパント源から約３２分の３インチ隔てられる、方法。
【請求項７０】
請求項６８に記載の方法であって、
前記複数のシリコンウエハの各ウエハは隣接するシリコンウエハから約１６分の３インチ隔てられる、方法。
【請求項７１】
請求項６８に記載の方法であって、
前記複数のシリコンウエハの各ウエハは２００マイクロメートル未満の厚さを有する、方法。
【請求項７２】
請求項６８に記載の方法であって、
前記複数のシリコンウエハはｎ型であり、前記複数のドーパント源はｐ型であり、前記複数のシリコンウエハの各ウエハの前記第１のドープアモルファスシリコン層はｐ型であり、前記複数のシリコンウエハの各ウエハの前記第２のドープアモルファスシリコン層はｎ型である、方法。
【請求項７３】
請求項６８に記載の方法であって、前記複数のシリコンウエハはｐ型であり、前記複数のドーパント源はｎ型であり、前記複数のシリコンウエハの各ウエハの前記第１のドープアモルファスシリコン層はｎ型であり、前記複数のシリコンウエハの各ウエハの前記第２のドープアモルファスシリコン層はｐ型である、方法。