【事件の表示】
　特願２０００−５６０６１６「半絶縁性炭化ケイ素基板上の窒化物系トランジスタ」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　１月２７日国際公開、ＷＯ００／０４５８７、平成１４年　７月　９日国内公表、特表２００２−５２０８８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１１年６月２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９８年６月１２日，米国）を国際出願日とする出願であって，平成２０年５月２８日付けで拒絶理由が通知され，同年９月２日に手続補正がされ，同年１１月２７日付けで拒絶査定がされ，これに対して平成２１年３月２日に審判請求がされ，同年３月３１日に手続補正がされたものである。
　
第２　平成２１年３月３１日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）の却下について
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年３月３１日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであって，そのうち補正後の請求項１については，補正前後で，以下のとおりである。
　
〈補正前〉
「【請求項１】高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）であって：
　半絶縁性炭化ケイ素基板；
　前記基板上の窒化アルミニウム緩衝層；
　前記緩衝層上の絶縁性窒化ガリウム層であって，電子１０15個／ｃｍ3より低い電子キャリア濃度を有する絶縁性窒化ガリウム層；
　前記絶縁性窒化ガリウム層上の窒化アルミニウム・ガリウムの活性構造から形成されるヘテロ接合であって，二次元電子ガス（２ＤＥＧ）が前記絶縁性窒化ガリウム層において形成される，ヘテロ接合；
　前記窒化アルミニウム・ガリウム活性構造上のパッシベーション層；および
　前記窒化アルミニウム・ガリウム活性構造に対するソース，ドレインおよびゲートそれぞれのコンタクト
　を含んでなる，高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）。
【請求項２】請求項１に記載の高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）において，前記窒化アルミニウム・ガリウム活性構造が：
　前記窒化ガリウム絶縁層上の第一のアンドープ窒化アルミニウム・ガリウム層；
　前記アンドープ窒化アルミニウム・ガリウム層上の，導電的にドープされた窒化アルミニウム・ガリウム層；および
　前記導電的ドープ窒化アルミニウム・ガリウム層上の第二のアンドープ窒化アルミニウム・ガリウム層
　を含んでなる，高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）。」
　
〈補正後〉
「【請求項１】高周波用途に関して総マイクロ波電力を増加させるサイズのゲート・ぺリフェリーを有する高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）であって：
　半絶縁性炭化ケイ素基板；
　前記基板上の窒化アルミニウム緩衝層；
　前記緩衝層上の絶縁性窒化ガリウム層であって，電子１０15個／ｃｍ3より低い電子キャリア濃度を有する絶縁性窒化ガリウム層；
　前記絶縁性窒化ガリウム層上の窒化アルミニウム・ガリウムの活性構造から形成されるヘテロ接合であって，二次元電子ガス（２ＤＥＧ）が前記絶縁性窒化ガリウム層において形成される，ヘテロ接合において，前記窒化アルミニウム・ガリウム活性構造が：
　　前記窒化ガリウム絶縁層上の第一のアンドープ窒化アルミニウム・ガリウム層；
　　前記アンドープ窒化アルミニウム・ガリウム層上の，導電的にドープされた窒化アルミニウム・ガリウム層；および
　　前記導電的ドープ窒化アルミニウム・ガリウム層上の第二のアンドープ窒化アルミニウム・ガリウム層を含んでいる，
　ヘテロ接合；
　前記窒化アルミニウム・ガリウム活性構造上のパッシベーション層；および
　前記第二のアンドープ窒化アルミニウム・ガリウム層上のソース，ドレインおよびゲートそれぞれのコンタクト，
　を含んでなる，高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）。」
　
２．補正事項の整理
　上記の，補正後の請求項１についての補正を整理すると次のとおりとなる。
〈補正事項ａ〉
　補正前の請求項１を削除するとともに，補正前の請求項１を引用する補正前の請求項２を独立請求項の形式に書き換えて，補正後の請求項１とする。
〈補正事項ｂ〉
　補正前の請求項１の「高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）であって：」を，補正後の請求項１の「高周波用途に関して総マイクロ波電力を増加させるサイズのゲート・ぺリフェリーを有する高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）であって：」と補正する。
〈補正事項ｃ〉
　補正前の請求項１の「前記窒化アルミニウム・ガリウム活性構造に対するソース，ドレインおよびゲートそれぞれのコンタクト」を，補正後の請求項１の「前記第二のアンドープ窒化アルミニウム・ガリウム層上のソース，ドレインおよびゲートそれぞれのコンタクト」と補正する。
　
３．補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
　上記〈補正事項ａ〉は，特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第１項に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　上記〈補正事項ｃ〉は，〈補正事項ａ〉によって，「窒化アルミニウム・ガリウム活性構造」の具体的構造が記載されたことに伴い，補正前の請求項１における「窒化アルミニウム・ガリウム活性構造に対するコンタクト」が，「窒化アルミニウム・ガリウム活性構造」の最上層である「前記第二のアンドープ窒化アルミニウム・ガリウム層上」に設けられたものであることを明記したものであるから，特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　しかし，上記〈補正事項ｂ〉は，「高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）」が有するサイズのうちの一つである「ゲート・ぺリフェリー」について，「高周波用途に関して総マイクロ波電力を増加させるサイズ」であるとするものであるところ，本願明細書の記載を参照しても，「高周波用途に関して総マイクロ波電力を増加させるサイズ」の内容と範囲を客観的に特定することができない。それゆえ，〈補正事項ｂ〉は，特許請求の範囲の記載をより不明確にするものであり，〈補正事項ｂ〉は，特許法第１７条の２第４項２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものにも，同条同項４号に掲げる明りょうでない記載の釈明にも該当しないことは明らかであり，また，特許法第１７条の２第４項に掲げる他のいずれを目的とするものにも該当しない。
　
４．むすび
　上記のとおり，本件補正は，前記〈補正事項ｂ〉が，特許法第１７条の２第４項に掲げるいずれを目的とするものにも該当せず，１７条の２第４項の規定に違反するので，平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．平成２１年３月３１日付けの手続補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明は，平成２０年９月２日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載から見て，その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。（以下「本願発明」という。）
「【請求項１】高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）であって：
　半絶縁性炭化ケイ素基板；
　前記基板上の窒化アルミニウム緩衝層；
　前記緩衝層上の絶縁性窒化ガリウム層であって，電子１０15個／ｃｍ3より低い電子キャリア濃度を有する絶縁性窒化ガリウム層；
　前記絶縁性窒化ガリウム層上の窒化アルミニウム・ガリウムの活性構造から形成されるヘテロ接合であって，二次元電子ガス（２ＤＥＧ）が前記絶縁性窒化ガリウム層において形成される，ヘテロ接合；
　前記窒化アルミニウム・ガリウム活性構造上のパッシベーション層；および
　前記窒化アルミニウム・ガリウム活性構造に対するソース，ドレインおよびゲートそれぞれのコンタクト
　を含んでなる，高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）。」
　
２．刊行物に記載された発明
・米国特許第５１９２９８７号明細書
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先日前に外国において頒布された刊行物である米国特許第５１９２９８７号明細書（以下「引用例」という。）には，図１ａ〜６とともに，以下の記載がある。（翻訳及び下線の付加は当審による。以下同様）
　
ア　「SUMMARY OF THE INVENTION 
 The present invention is a high electron mobility transistor device structure based on the GaN/AlxGa1-xN material system.」
（１欄５３〜５６行）
（発明の概要
　この発明は，
ＧａＮ／Ａｌ
ｘ
Ｇａ
１−ｘ
Ｎ材料系からなる高電子移動度トランジスタ構造
イ　「Referring to FIG. 1b, a heterojunction 5 depicting layering typical of a high mobility transistor constructed according to the principles of the present invention as shown.・・・」
（２欄６５〜６８行）
（ＦＩＧ．１ｂは，提示した本発明の原理によって形成された，典型的高移動度トランジスタの層構造を示しているヘテロ接合５である。・・・）
　
ウ　「Referring again to FIG. 2, as shown by curve b, the electron mobility of sample 5 is seen to have increased to 620 cm2 per volt second at room temperature to 1,600 cm2 per volt second at 77°K. The electron mobility remain constant as the temperature was decreased further to 4°K.
　・・・
 The dramatic increase in carrier mobility values in sample 5 may be attributed to the presence of a two dimensional electron gas at the interface between the Al0.09Ga0.91N and the GaN layer 7.
　・・・
The carrier concentration of the Al0.09Ga0.91N material 8, in bulk, is measured as approximately 5×1018 per cm3 has an electron mobility of approximately 35 cm2 per volt second.」
（３欄１０〜３４行）
（再びＦＩＧ．２を参照すると，曲線ｂで表されるように，試料５の電子移動度は室温で６２０ｃｍ2／Ｖｓ，７７Ｋで１６００ｃｍ2／Ｖｓへと増加したように見受けられる。温度がさらに４Ｋに低下すると，電子移動度は一定に保たれる。
　・・・
　試料５におけるキャリア移動度の劇的な増加は，Ａｌ0.09Ｇａ0.91ＮとＧａＮ層７との界面の二次元電子ガスの存在によるものとされる。
　・・・
Ａｌ0.09Ｇａ0.91Ｎ材８のキャリア濃度は，バルクでは約５×１０１８／ｃｍ３と測定され，約３５ｃｍ２／Ｖｓの電子移動度を有する。）
　
エ　「Assuming a two dimensional gas structure, conduction must be based on contributions both from the two dimensional gas and from the bulk GaN and the Al0.09Ga0.91N material. Therefore, the measured electron mobilities of FIG. 2 are in essence averaged values and the actual two dimensional gas mobilities are higher than the indicated values. By using a parallel conduction model, one would estimate that the true mobility of the two dimensional electron gas at 300°K. would be 820 cm2 per volt second and the sheet carrier density would be approximately 5.times.1013 per cm2.」
（３欄３５〜４５行）
（二次元ガス構造が呈されるならば，導電は，二次元ガスと，バルクＧａＮとＡｌ0.09Ｇａ0.91Ｎ材料の双方からの寄与に基づくものであるはずである。それゆえ，ＦＩＧ．２の，測定された電子移動度は本質的に平均化された値であり，実際の二次元ガスの移動度は，ここに示された値よりも高い。並行導電モデルを用いることにより，二次元電子ガスの３００Ｋにおける真の移動度が８２０ｃｍ2／Ｖｓで，シートキャリア密度がおおよそ５×１０13／ｃｍ2であろうことが見積もられるだろう。）
　
オ　「This model may be further described by reference to FIG. 3a. The sample 10 of FIG. 3a includes a sapphire substrate 11 having a thickness of approximately 350 microns, followed by an aluminum nitride buffer layer of 12 having a thickness of approximately 50 angstroms. Deposited on layer 12 is a GaN layer 13 having a thickness of approximately 6,000 angstroms. Finally, an Al0.09Ga0.91N layer 14 having a thickness of approximately 500 angstroms is deposited. Referring to FIG. 4, curve b, increasing the GaN layer thickness and hence the bulk conduction reduced the room temperature mobility of the single heterojunction from 620 cm2 N-s to 450 cm2 N-s but had little effect on the 77 K. mobility which remained at 1600 cm2 N-s for both samples. The increased bulk GaN conduction at room temperature causes the average value of the heterojunction mobility to be pushed closer to that for bulk GaN. At 77 K., the high mobility of the interface dominates the measured mobility for both structures.」
（３欄４６〜６４行）（なお，原文の'cm2 N-s'は，'cm2/V-s'の誤記と認める。）
（このモデルは，ＦＩＧ．３ａを参照して，さらに詳述される。ＦＩＧ．３ａの試料１０は，厚さ約３５０μのサファイア基板１１，それに続く，厚さ約５０Åの窒化アルミニウムバッファ層１２を含む。層１２の上には，厚さ約６０００ÅのＧａＮ層１３を堆積させる。最後に，厚さ約５００ÅのＡｌ0.09Ｇａ0.91Ｎ層１４が堆積される。ＦＩＧ．４の曲線ｂを参照すると，ＧａＮ層の厚さが増加することにより，バルク導電が，単一ヘテロ接合の室温における移動度を，６２０ｃｍ2／Ｖｓから４５０ｃｍ2／Ｖｓへと減少させるが，７７Ｋでは影響は少ししかなく，両試料において１６００ｃｍ2／Ｖｓが維持される。室温でバルクＧａＮの導電が増加することは，ヘテロ接合の移動度の平均値を，バルクＧａＮの移動度に近づけさせる原因となる。７７Ｋでは，どちらの構造においても，界面での高移動度が，測定された移動度を決定づける。）
　
カ　「Referring to FIGS. 5 and 6, the details of construction of a high mobility transistor based on the materials just described can be seen. The substrate material 37 may be of silicon, gallium arsenide, silicon carbide, aluminum oxide or indium phosphide. Substrate 37 is coated of a buffer layer 38, typically formed of an aluminum nitride layer having a thickness of approximately 50 angstroms. The channel region 39 of transistor 40 is a gallium nitride layer between 500 and 2,000 angstroms thick. The thickness of layer 39 is such that it can be completely depleted at a few volts applied to a schottky barrier formed on it. The gallium nitride layer 39 is coated with a thin (approximately 500 angstroms thick) AlxGa1-xN layer 41. Depending on the application of the particular device 40, the aluminum composition of layer 41 may be varied. The effects of band bending to cause electrons from layer 41 to spill over to layer 39 at the interface 42 residing between them. This will create a sheet charge density of a two dimensional electron gas with mobilities several times greater than bulk material electrons.」
（４欄１３〜３４行）
（ＦＩＧ．５及び６を参照すると，
上述した材料に基づく高移動度トランジスタ
基板材料３７は，
炭化ケイ素
基板３７は，典型的には，厚さ約５０Åの窒化アルミニウム層で構成されたバッファ層３８で被覆される
トランジスタ４０のチャネル領域３９は，窒化ガリウム層
層３９の厚さは，その上に形成されたショットキバリアに印加される数ボルトによって，完全に空乏化されるような厚さとされる
窒化ガリウム層３９は薄い（約５００Å厚）Ａｌ
x
Ｇａ
1-x
Ｎ層４１によって被覆される
界面４２においては，層４１から層３９へと電子をこぼすバンドベンディングの効果が，両層の間に存在する。これは，バルク材料の電子の移動度の数倍の移動度を持つ二次元電子ガスからなるシート電荷密度を形成する
　
キ　「Following epi-layer depositions just described, the device structure will be fabricated as follows. First, photomasking is used to define the source pad 43 and the drain contact pad 44. Ohmic metal contact 45 is deposited on the AlxGa1-xN region 41 defined as source 43, with a similar ohmic pad 46 being deposited on drain 44. 
 Various metal material may serve as a the ohmic contacts 45, 46 such as gold, silver, aluminum or indium. 
 A schottky barrier 47 is deposited using thin metal layers in the region between source contact 43 and drain contact 44, thereby defining a gate contact 47. Several metal combinations can be used from the schottky barrier formation, such as titanium, gold, aluminum, silver, chromium, tungsten and indium. Electrical conductors 48, 49 and 50 are bonded to ohmic contacts 45 and 46 and schottky contact 47.」
（４欄３５〜５３行）
（上述したエピ層の堆積に続いて，次のように素子構造が製造される。まず，ソースパッド４３及びドレインコンタクトパッド４４を画定するために，フォトマスク法が用いられる。
オーミック金属コンタクト４５が，ソース４３として画定されたＡｌ
ｘ
Ｇａ
１−ｘ
Ｎ領域４１に堆積され，これとともに，ドレイン４４上に同様なオーミックパッド４６が堆積される
　オーミックコンタクト４５，４６には様々な材料を用いうることができ，例えば，金，銀，アルミニウム，インジウムである。
　
ショットキバリア４７がソースコンタクト４３とドレインコンタクト４４の間の領域に細い金属層として堆積され，それによって，ゲートコンタクト４７が画定される
　
　ここで，上記カ，キの記載によれば，ＦＩＧ．５および６に示された高移動度トランジスタについて，「
上述した材料に基づく高移動度トランジスタ
　また，上記カ，キの記載から，ゲートコンタクト４７がショットキバリアゲートを構成しており，チャネル領域層３９の厚さが，該ショットキバリアゲートへの数ボルトの印加によって，完全に空乏化されるように選択されていることが分かる。
　
　したがって，引用例には，高電子移動度トランジスタについて，以下の発明が記載されているものと認められる。（以下「引用発明」という。）
　
「高電子移動度トランジスタであって，
　炭化ケイ素を材料とした基板３７，
　基板３７を被覆する，窒化アルミニウムで構成されるバッファ層３８，
　バッファ層３８上に形成された，窒化ガリウムからなるチャネル領域層３９，
　チャネル領域層３９を被覆する，ＡｌxＧａ1-xＮ層４１，並びに，
　ＡｌxＧａ1-xＮ層４１に設けられた，ソースコンタクト４３，ドレインコンタクト４４，及び，ショットキバリアゲートコンタクト４７，
を含んでおり，
　前記チャネル領域層３９とＡｌxＧａ1-xＮ層４１との界面４２において，二次元電子ガス層が形成され，
　前記チャネル領域層３９は，前記ショットキバリアゲートコンタクト４７への数ボルトの印加によって，完全に空乏化されるような厚さとされている，
　高電子移動度トランジスタ。」
　
３．本願発明と引用発明との対比
ア　引用発明の「炭化ケイ素を材料とした基板３７」と，本願発明の「半絶縁性炭化ケイ素基板」とは，炭化ケイ素基板である点で共通する。
イ　引用発明の「基板３７を被覆する，窒化アルミニウムで構成されるバッファ層３８」は，本願発明の「前記基板上の窒化アルミニウム緩衝層」に相当する。
ウ　引用発明の「バッファ層３８上に形成された，窒化ガリウムからなるチャネル領域層３９」と，本願発明の「前記緩衝層上の絶縁性窒化ガリウム層であって，電子１０15個／ｃｍ3より低い電子キャリア濃度を有する絶縁性窒化ガリウム層」とは，前記緩衝層上の窒化ガリウム層である点で共通する。
エ　引用発明の「窒化ガリウムからなる」「前記チャネル領域層３９とＡｌxＧａ1-xＮ層４１との界面４２において，二次元電子ガス層が形成され」る構成において，「前記チャネル領域層３９とＡｌxＧａ1-xＮ層４１」がヘテロ接合を構成していることは明らかであり，「ＡｌxＧａ1-xＮ層４１」は活性構造であるということができるから，引用発明の上記構成と，本願発明の「前記絶縁性窒化ガリウム層上の窒化アルミニウム・ガリウムの活性構造から形成されるヘテロ接合であって，二次元電子ガス（２ＤＥＧ）が前記絶縁性窒化ガリウム層において形成される，ヘテロ接合」とは，窒化ガリウム層上の窒化アルミニウム・ガリウムからなる活性構造から形成されるヘテロ接合であって，二次元電子ガス（２ＤＥＧ）が前記窒化ガリウム層において形成される，ヘテロ接合である点で共通する。
オ　上記エによれば，引用発明の「ＡｌxＧａ1-xＮ層４１」は，本願発明の「窒化アルミニウム・ガリウム活性構造」に対応するから，引用発明の「ＡｌxＧａ1-xＮ層４１に設けられた，ソースコンタクト４３，ドレインコンタクト４４，及び，ショットキバリアゲートコンタクト４７」は，本願発明の「前記窒化アルミニウム・ガリウム活性構造に対するソース，ドレインおよびゲートそれぞれのコンタクト」に相当する。
　
カ　したがって，引用発明と本願発明とは，
「高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）であって：
　炭化ケイ素基板；
　前記基板上の窒化アルミニウム緩衝層；
　前記緩衝層上の窒化ガリウム層；
　前記窒化ガリウム層上の窒化アルミニウム・ガリウムの活性構造から形成されるヘテロ接合であって，二次元電子ガス（２ＤＥＧ）が前記窒化ガリウム層において形成される，ヘテロ接合，；
　前記窒化アルミニウム・ガリウム活性構造に対するソース，ドレインおよびゲートそれぞれのコンタクト
　を含んでなる，高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）。」
である点で一致する。
　
キ　一方，両者は以下の各点で相違する。
〈相違点１〉
本願発明は，「半絶縁性炭化ケイ素基板」を含んでいるのに対して，引用発明は，「炭化ケイ素基板」を有するものの，「半絶縁性」のものではない点。
〈相違点２〉
　本願発明においては，「絶縁性窒化ガリウム層であって，電子１０15個／ｃｍ3より低い電子キャリア濃度を有する絶縁性窒化ガリウム層」を含んでいるのに対して，引用発明においては，「窒化ガリウムからなるチャネル領域層３９」が，「前記ショットキバリアゲートコンタクト４７への数ボルトの印加によって，完全に空乏化されるような厚さとされている」ことから，ショットキバリアゲートコンタクト４７に電圧を印加しない状態では，一定程度の電子キャリア濃度を有するものであって，「絶縁性」とは言えず，また，具体的な電子キャリア濃度も明らかではなく，同様に，ヘテロ構造を構成する窒化ガリウム層についても，本願発明では「絶縁性窒化ガリウム層」であるのに対して，引用発明では，上述のとおり，そのようなものではない点。
〈相違点３〉
　本願発明は，「前記窒化アルミニウム・ガリウム活性構造上のパッシベーション層」を含むのに対して，引用発明は，「パッシベーション層」を有しない点。
　
４．当審の判断
〈相違点１について〉
　炭化ケイ素基板として，半絶縁性の炭化ケイ素基板を用いることは，以下の周知例１及び２にも示されているように，従来より周知の技術である。
　・周知例１：　特開平９−３０７１００号公報
　本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平９−３０７１００号公報には，図９（ａ）とともに次の記載がある。
「【００７９】（第６の実施形態）本発明の第６の実施形態の構成を，図９（ａ）の模式的な断面図を参照して説明する。
【００８０】図９（ａ）の構成において，半絶縁性ＳｉＣ基板９１の上に，ノンドープＳｉＣワイドギャップバッファ層９２，ｎ型ＧａＡｓチャネル層（活性層）９３，ショットキー層として機能するノンドープＳｉＣワイドギャップ層９４，及びｎ型ＳｉＣワイドギャップオーミックコンタクト層９５が，順に形成されている。半絶縁性ＳｉＣ基板９１の上の各層９２〜９５は，例えばＭＢＥ法或いはＣＶＤ法などのエピタキシャル成長により，積層する。」
　
　・周知例２：　特開平５−１７５２３９号公報
　本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平５−１７５２３９号公報には次の記載がある。
「【請求項１２】  前記基板は半絶縁性炭化シリコンであることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載のトランジスタ。」
「【００２３】以上，本発明の好適実施例につて記載したが，上述した第１エピタキシャル層は随意に省略し，半絶縁基板又はｐ型基板上に形成したｎ導電型SiC の単一エピタキシャル層を有するトランジスタを形成することもできる。単一エピタキシャル層装置を形成するには，装置の基板として上述したｐ型埋込層につき述べたキリャア濃度を有するｐ導電型炭化シリコン基板又は半絶縁性基板を用いるのが好適である。」
　
　したがって，引用発明において炭化ケイ素基板を半絶縁性のものとすることは当業者が適宜になし得たことである。
　よって，相違点１は，当業者が容易になし得たことである。
　
〈相違点２について〉
　高電子移動度トランジスタを構成する，界面に二次元電子ガス（２ＤＥＧ）が形成されるヘテロ接合において，前記二次元電子ガスが形成される側の半導体層をアンドープとすることは，以下の周知例３及び４にも示されているように，従来より周知の技術である。
　・周知例３：　特開平９−３０７０９７号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平９−３０７０９７号公報には，図６，７とともに次の記載がある。
「【００４２】次に，この発明の第２の実施形態によるＡｌＧａＮ／ＧａＮ  ＨＥＭＴについて説明する。図６はこの第２の実施形態によるＡｌＧａＮ／ＧａＮ  ＨＥＭＴを示し，図７はこのＡｌＧａＮ／ＧａＮ  ＨＥＭＴのエネルギーバンド図である。なお，図６においては，図４に示す第１の実施形態によるＧａＮ  ＭＥＳＦＥＴと同一または対応する部分には同一の符号を付す。
【００４３】図６に示すように，この第２の実施形態による
ＡｌＧａＮ／ＧａＮ  ＨＥＭＴ
チャネル層としてのアンドープＧａＮ層１２
　ここで，図７を参照すると，アンドープＧａＮ層１２に二次元電子ガスが形成されていることが見て取れる。
　
　・周知例４：　特開平９−３３０９１６号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平９−３３０９１６号公報には，図７〜１１とともに次の記載がある。
「【００４２】次に，この発明の第２の実施形態による
ＧａＮ／ＧａＩｎＮ擬似構造（pseudomorphic)高電子移動度トランジスタ（High Electron Mobility Transistor,ＨＥＭＴ）
【００４３】この第２の実施形態においては，まず，図７に示すように，ｃ面サファイア基板１上にＡｌＮまたはＧａＮからなるバッファ層（図示せず）を介してアンドープＧａＮ層２およびチャネル層１０をＭＯＣＶＤ法により順次成長させる。アンドープＧａＮ層２の厚さは例えば８００ｎｍである。
【００４４】この場合，チャネル層１０は，図８に示すように，ｎ+ 型ＧａＮ層１０１，アンドープＧａＩｎＮ層１０２，ｎ+ 型ＧａＮ層１０３およびアンドープＡｌＧａＮ層１０４からなる。ここで，ｎ+ 型ＧａＮ層１０１のキャリア濃度は例えば２×１０18ｃｍ-3，厚さは例えば１０ｎｍである。また，アンドープＧａＩｎＮ層１０２のＩｎ組成比は例えば０．２，厚さは例えば１５ｎｍである。また，ｎ+型ＧａＮ層１０３のキャリア濃度は例えば２×１０18ｃｍ-3，厚さは例えば１０ｎｍである。さらに，アンドープＡｌＧａＮ層１０４のＡｌ組成比は例えば０．５，厚さは例えば３０ｎｍである。
【００４５】次に，図９に示すように，第１の実施形態におけると同様にして，チャネル層１０上にストライプ形状のＳｉＯ2 マスク４を形成した後，このＳｉＯ2 マスク４をエッチングマスクとして，チャネル層１０およびアンドープＧａＮ層２の上層部を例えば７００℃で例えば２００ｎｍだけ選択的に気相エッチングする。この気相エッチングにより，チャネル層１０およびアンドープＧａＮ層２の上層部がストライプ形状にパターニングされる。
　・・・
【００４９】以上により，目的とするＧａＮ／ＧａＩｎＮ擬似構造ＨＥＭＴが製造される。図１１に，このＧａＮ／ＧａＩｎＮ擬似構造ＨＥＭＴのエネルギーバンド図を示す。」
　ここで，図１１を参照すると，アンドープＧａＩｎＮ層１０２に二次元電子ガスが形成されていることが見て取れる。
　
　また，一般に，半導体をアンドープとすることにより，キャリア濃度が低くなるとともに導電性も低下し，絶縁性となることは技術常識である。
　したがって，上記周知の技術に照らし，引用発明においても，二次元電子ガスが形成される「チャネル領域層３９」をアンドープの窒化ガリウム層とし，「絶縁性」と言える程度まで電子キャリア濃度が低いものとすることは，当業者が適宜になし得たことである。また，本願明細書を見ても，電子キャリア濃度を１０15個／ｃｍ3より低い値とすることに臨界的意義は見いだせないので，該値とすることは，単なる設計事項である。
　また，これに伴い，引用発明において，ヘテロ構造を構成する窒化ガリウム層が，「絶縁性窒化ガリウム層」となることは明らかである。
　よって，相違点２は当業者が容易になし得たことである。
　
　なお，引用例には，前記第３　「２．刊行物に記載された発明」のエに摘記したように，「導電は，二次元ガスと，バルクＧａＮとＡｌ0.09Ｇａ0.91Ｎ材料の双方からの寄与に基づくもの」である旨の記載があるが，これは，この記載に続く「それゆえ，ＦＩＧ．２の，測定された電子移動度は本質的に平均化された値であり，実際の二次元ガスの移動度は，ここに示された値よりも高い。並行導電モデルを用いることにより，二次元電子ガスの３００Ｋにおける真の移動度が８２０ｃｍ2／Ｖｓで，シートキャリア密度がおおよそ５×１０13／ｃｍ2であろうことが見積もられるだろう。」との記載から，実際に測定されたデータから，「二次元電子ガスの」「真の移動度」を見積もるために用いられた，「並行導電モデル」についての説明であることが分かる。すなわち，前記「並行導電モデル」は，得られた測定データを解釈するためのものであって，引用発明に係る素子において，「窒化ガリウムからなるチャネル領域層３９」を，アンドープの窒化ガリウム層に置き換えることを何らを妨げるものではない。
　
〈相違点３について〉
　一般に，半導体素子において素子上にパッシベーション層を設けることは，以下の周知例５にも示されているように，従来より周知の技術である。
　・周知例５：　特開平６−１４０４３６号公報
　本願の出願／優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平６−１４０４３６号公報には，図１とともに次の記載がある。
「【００１５】図１は，本発明の化合物半導体装置の一実施例を示す断面図，図２〜４は本発明の化合物半導体装置の製法の各工程を示す断面説明図である。
【００１６】図１において，１は半絶縁性のＧａＡｓ基板であり，該ＧａＡｓ基板１の上には，アンドープ半導体結晶層としてアンドープＧａＡｓバッファ層２，アンドープＩｎＧａＡｓ層３が形成されている。ついでＩｎｘＧａ１−ｘＰからなるアンドープ半導体結晶層４およびＳｉドナーが高濃度にドープされたｎ＋型のＩｎｘＧａ１−ｘＰ結晶層５が順次積層されている。さらに，前記ドープ半導体結晶層５の表面には，Ｓｉドナーが高濃度にドープされたｎ＋型のＧａＡｓからなるキャップ層６が形成され，その上部にはソース電極７およびドレイン電極８がそれぞれ形成されている。また，ソース電極７とドレイン電極８のあいだのキャップ層６の一部が除去されてテーパ形状のリセス９が形成されている。さらに，前記リセス９の底に露出したドープ半導体結晶層５の表面にゲート電極10が形成されている。なお，
11は，基板表面を保護するために形成されたパッシベーション膜である
　
　それゆえ，引用発明においても，素子構造上にパッシベーション層を設けることは当業者が適宜になし得たことである。
　よって，相違点３は当業者が容易になし得たことである。
　
５．まとめ
　上述したように，本願発明は，技術常識及び周知技術を勘案して，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。