【事件の表示】
　特願２００５−２２３３６３「Ａｌ−セラミックス複合基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　２月　２日出願公開、特開２００６−　２８０１８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成８年５月２８日に出願した特願平８−１５４７６１号の一部を平成１７年８月１日に新たな特許出願としたものであって、平成２１年１月１５日付けで拒絶理由が起案され（発送日は同年１月２７日）、同年３月２７日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年８月１７日付けで拒絶査定が起案され（発送日は同年８月２５日）、これに対し同年１１月２６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付けで明細書の記載に係る手続補正書が提出され、平成２２年１１月１１日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告書を引用した審尋が起案され（発送日は同年１１月１５日）、平成２３年１月１４日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成２１年１１月２６日付け手続補正についての補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年１１月２６日付け手続補正（以下、必要に応じて「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
（１）平成２１年１１月２６日付け手続補正は、同年３月２７日付け手続補正により補正された特許請求の範囲
「【請求項１】
　表面粗さ（最大表面粗さ）が１．０〜５．０μｍＲｙのセラミックス基板の片面または両面にアルミニウム溶湯を直接接合せしめ、次いで凝固せしめてアルミニウム板を上記セラミックス基板に直接接合せしめることを特徴とするＡｌ−セラミックス複合基板の製造方法。
　　【請求項２】
　上記Ａｌ−セラミックス基板上のアルミニウム板に、所望のパターンのエッチングレジストを形成した後、エッチングにより回路を形成することを特徴とする請求項１記載のＡｌ−セラミックス複合基板の製造方法。」を
「【請求項１】
　表面粗さ（最大表面粗さ）が１．０〜５．０μｍＲｙのアルミナ基板または窒化アルミニウム基板の両面にアルミニウム溶湯を直接接合せしめ、次いで凝固せしめてアルミニウム板を上記基板に直接接合せしめることを特徴とするＡｌ−セラミックス複合基板の製造方法。
　　【請求項２】
　上記アルミナ基板または窒化アルミニウム基板上のアルミニウム板に、所望のパターンのエッチングレジストを形成した後、エッチングにより回路を形成することを特徴とする請求項１記載のＡｌ−セラミックス複合基板の製造方法。」と補正するものである。
　
　本件補正による請求項１、２の補正事項を検討すると、請求項１の「セラミックス基板」を「アルミナ基板または窒化アルミニウム基板」とする補正事項及び同項の「片面または両面に」を「両面に」とする補正事項並びに請求項２の「Ａｌ−セラミックス基板上」を「アルミナ基板または窒化アルミニウム基板上」とする補正事項は、セラミックスを限定具体化し、片面と両面の二者択一であった接合面を一方に限定するといえる。
  
（２）したがって、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものであるから、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する補正の要件を満たしている。
　
（３）本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものかについて検討する。
（ｉ）原査定の拒絶の理由において引用された特開平７−１９３３５８号公報（以下、「引用文献１」という。）には次の事項が記載されている。
（ア）「【請求項１】  セラミックス基板の少なくとも片面に金属導電回路を有するセラミックス電子回路基板の製造において、上記導電回路形成用の金属を溶解した後、セラミックス基板を上記溶融金属と直接接触させた状態で保持して冷却することによって金属とセラミックス基板とを直接接合させることを特徴とするセラミックス回路基板の製造方法。
【請求項２】  上記金属がアルミニウムまたはアルミニウム合金であり、上記セラミックス基板がアルミナ、窒化アルミニウムから選ばれる１種であることを特徴とする請求項１記載のセラミックス電子回路基板の製造方法。」（特許請求の範囲）
（イ）「本発明はこのような問題点を克服し、より良い接合強度、熱伝導性、及び耐熱特性を有するアルミニウム−セラミックス複合基板を製造するための、安定且つ便利な製造方法を提供することを目的とする。」（段落【００１４】）
（ウ）「すなわち本発明は、（１）セラミックス基板の少なくとも片面に金属導電回路を有するセラミックス電子回路基板の製造において、（ア）上記導電回路形成用の金属をあらかじめ溶解してから、鋳型に鋳込むか、もしくは鋳型において上記金属を溶解すること、イ）上記鋳型の所定の場所に予めセラミックス基板を配置しておくか、もしくは上記溶融金属の中へセラミックス基板を差し込むかすることによって、セラミックス基板を上記溶融金属と直接接触させること、（ウ）上記セラミックス基板と上記溶融金属を接触させた状態で保持した後冷却し、金属とセラミックス基板を直接接合させることを特徴とするセラミックス電子回路基板の製造方法；（２）上記金属がアルミニウムまたはその合金であり、上記セラミックス基板がアルミナ、窒化アルミニウムまたはその他の電子装置の実装に好適なセラミックス基板である上記の製造方法；に関するものである。」（段落【００１６】）
（エ）「【発明の効果】本明細書に開示したような本発明の方法によれば、・・・アルミニウムとセラミックス基板との高信頼性、高強度接合が実現できる。これによって、耐ヒートサイクル特性が優れた良質なアルミニウム−セラミックス複合基板が製造できる。」（段落【００３６】）
　
（ｉｉ）引用文献１には、記載事項（ア）の請求項１に「導電回路形成用の金属を溶解した後、セラミックス基板を上記溶融金属と直接接触させた状態で保持して冷却することによって金属とセラミックス基板とを直接接合させることを特徴とするセラミックス回路基板の製造方法。」が記載され、同記載事項に請求項２として「上記金属がアルミニウムまたはアルミニウム合金であり、上記セラミックス基板がアルミナ、窒化アルミニウムから選ばれる１種であることを特徴とする請求項１記載のセラミックス電子回路基板の製造方法。」が記載されているから、請求項２において請求項１の記載事項を用い、金属がアルミニウムである場合の独立形式で記載し、本願補正発明の記載ぶりに則って整理すると、「導電回路形成用のアルミニウムを溶解した後、アルミナ、窒化アルミニウムから選ばれるセラミックス基板を溶融アルミニウムと直接接触させた状態で保持して冷却することによってアルミニウムとアルミナ、窒化アルミニウムから選ばれるセラミックス基板とを直接接合させることを特徴とするアルミナ、窒化アルミニウムから選ばれるセラミックス回路基板の製造方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が引用文献１には記載されていると認められる。
　
（ｉｉｉ）原査定の拒絶の理由において引用された特開昭６１−８４０３７号公報（以下、「引用文献２」という。）には、次の事項が記載されている。
（オ）「（１）主として窒化アルミニウムで形成されているセラミックス基板であって、表面あらさがＲｍａｘ≦１０μｍであることを特徴とする窒化アルミニウム系セラミックス基板。」（特許請求の範囲）
（カ）「［発明の目的］
　本発明はこのような問題を解消するためになされたもので、窒化アルミニウム系セラミックス基板の表面あらさの最適条件を決定することにより導体の基板への密着性を向上させ、導体の高性能実装化を実現する窒化アルミニウム系セラミックス基板を提供することを目的とする。」（第２頁左上欄第１〜７行）
（キ）「なお、本発明において表面あらさとは最大高さ（Ｒｍａｘ）を意味する。
　この表面あらさは、１０μｍ以下の場合に初期の目的を達成できるが、特にＡｕ　、Ａｇ／Ｐｄ、Ｃｕ、ガラス、抵抗体等を用いる厚膜用基板としては５μｍ以下、Ｃｕ　、Ｔｉ、Ａｇ、Ａｕ等を用いる薄膜用基板としては２μｍ以下、銅版を直接接合する基板としては６μｍ以下および構造用の基板としては１０μｍ以下が望ましい。また、厚膜用基板の場合にはあまり平滑すぎると膜の接着強度が低下するので２μｍ以上であることが好ましい。」（第２頁右上欄第４〜１５行）
　
　引用文献２の記載事項（オ）には、「表面あらさがＲｍａｘ≦１０μｍであることを特徴とする窒化アルミニウム系セラミックス基板。」が記載され、同（カ）には「窒化アルミニウム系セラミックス基板の表面あらさの最適条件を決定することにより導体の基板への密着性を向上させ、導体の高性能実装化を実現する窒化アルミニウム系セラミックス基板を提供することを目的と」することが記載され、同（キ）には、「本発明において表面あらさとは最大高さ（Ｒｍａｘ）を意味する」こと及び「Ａｕ、Ａｇ／Ｐｄ、Ｃｕ、ガラス、抵抗体等を用いる厚膜用基板としては５μｍ以下、２μｍ以上・・・が望ましい。」ことが記載されている。
　これらを、整理すると「窒化アルミニウム系セラミックス基板の表面あらさの最適条件を、Ａｕ、Ａｇ／Ｐｄ、Ｃｕ等を用いる厚膜用基板としては最大高さ（Ｒｍａｘ）５μｍ以下、２μｍ以上と決定することにより導体の基板への密着性を向上させる窒化アルミニウム系セラミックス基板を提供する方法」の発明（以下、「引用文献２発明」という。）が引用文献２には記載されていると認められる。
　
（ｉｖ）そこで、本願補正発明と引用発明を対比すると、引用発明の「アルミナ、窒化アルミニウムから選ばれるセラミックス基板」は、本願補正発明の「アルミナ基板または窒化アルミニウム基板」に相当することは明らかであり、引用発明の「溶融アルミニウム」は、本願補正発明の「アルミニウム溶湯」と同義であるから、引用発明の「セラミックス基板を溶融アルミニウムと直接接触させた状態で保持して冷却すること」は、本願補正発明の「基板にアルミニウム溶湯を直接接合せしめ、次いで凝固せしめ」ることに相当することは明らかであり、引用発明の「導電回路形成用のアルミニウム」を用いた「セラミックス回路基板」は、本願補正発明の「Ａｌ−セラミックス複合基板」に外ならない。
　してみると、本願補正発明と引用発明とは、「アルミナ基板または窒化アルミニウム基板にアルミニウム溶湯を直接接合せしめ、次いで凝固せしめてアルミニウム板を上記基板に直接接合せしめることを特徴とするＡｌ−セラミックス複合基板の製造方法。」である点で一致し、
本願補正発明は、「表面粗さ（最大表面粗さ）が１．０〜５．０μｍＲｙの」基板を対象にするのに対して、引用発明は、基板の表面粗さ（最大表面粗さ）については特定のない点（以下、「相違点ａ」という。）、
本願補正発明は、基板の「両面」にアルミニウム溶湯を直接接合せしめるのに対して、引用発明は、「少なくとも片面」にアルミニウムを直接接合する点（以下、「相違点ｂ」という。）、
で相違する。
　
（ｖ）各相違点について、以下検討する。
　本願補正発明において「表面粗さ（最大表面粗さ）が１．０〜５．０μｍＲｙ」とする技術的意義は、「表面粗さ（最大表面粗さ）が１．０〜５．０μｍＲｙの範囲にあるものが特に好ましいが、この理由として１．０μｍＲｙより小さいと溶湯アルミニウムが漏れにくくなり、接着強度が弱くなり、逆に５．０μｍより大きくなるとポアーが大きくなって溶湯アルミニウムと接合する面積が小さくなるので接着強度が不充分となることによる。」（本願明細書段落【００１７】）というものであり、接着強度を充分に確保することにあることは明らかである。引用文献１は、「本発明はこのような問題点を克服し、より良い接合強度、熱伝導性、及び耐熱特性を有するアルミニウム−セラミックス複合基板を製造するための、安定且つ便利な製造方法を提供することを目的とする。」（記載事項（イ））ものであるから、引用発明においても接着強度乃至接合強度を確保することは当然の技術課題と理解され、そのためにアンカー効果による接着強度向上の期待できる周知の最大表面粗さを採用することは、当業者であれば、格別の困難なく想到し得る前処理であるといえる（必要であれば、特開平１−２１８０８９号公報第３頁左上欄から右上欄参照）。そして、引用文献２発明に記載されるように「Ａｕ、Ａｇ／Ｐｄ、Ｃｕ等を用いる厚膜用基板としては最大高さ（Ｒｍａｘ）５μｍ以下、２μｍ以上と決定することにより導体の基板への密着性を向上させる窒化アルミニウム系セラミックス基板を提供する方法」が公知であるから、最大高さ（Ｒｍａｘ）と最大表面粗さ（Ｒｙ）の定義に微差があるとしても、技術分野が共通すると認められる引用発明において「表面粗さ（最大表面粗さ）が１．０〜５．０μｍＲｙ」とすることは、当業者であれば容易に想到し得る数値限定であり、しかも、この数値限定が臨界的意義を有するものでないことは上記の明細書の記載をみれば明らかである。そうすると、相違点ａは、当業者であれば適宜なし得る、操業条件の設定にすぎないものである。
　
　相違点ｂについて検討すると、引用発明においても「少なくとも片面」にアルミニウムを直接接合することが特定される以上、基板の「両面」にアルミニウム溶湯を直接接合せしめることは概念的に包含されていると認められ、さらに、引用文献１の記載事項（ウ）に「溶融金属の中へセラミックス基板を差し込む」という態様が明記されているから、基板の「両面」に溶湯を接合すると限定することは、当業者にとって容易に想到し得る事項であると認められる。
　
　本願補正発明によって得られた効果についても、「次いで、得られた上記各接合基板のヒートサイクル耐性及び接合強度（ピール強度）を調べたところ、アルミナ基板及び窒化アルミニウム基板のいずれもヒートサイクル耐性を１０００回以上でもクラックの発生は見られず、また接合強度もユーザー指定の５．０ｋｇ／ｃｍ２ 以上の１０〜４０ｋｇ／ｃｍ２であった。」（本願明細書段落【００２５】）というものであるから、引用文献１の記載事項（エ）からみて格別のものとすることができない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用文献１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
（ｖｉ）以上のとおりであるから、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）したがって、平成２１年１１月２６日付けで提出された手続補正書によりなされた補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成２１年１１月２６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は平成２１年３月２７日付け手続補正書によって補正された請求項１に記載される以下のとおりである。
「【請求項１】
　表面粗さ（最大表面粗さ）が１．０〜５．０μｍＲｙのアルミナ基板または窒化アルミニウム基板の両面にアルミニウム溶湯を直接接合せしめ、次いで凝固せしめてアルミニウム板を上記基板に直接接合せしめることを特徴とするＡｌ−セラミックス複合基板の製造方法。」
　
４．引用文献等
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開平７−１９３３５８号公報）及び引用文献２（特開昭６１−８４０３７号公報）の記載事項は、前記２．（３）に記載したとおりである。
　
５．対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明に関して、限定事項である「アルミナ基板または窒化アルミニウム基板」及び「両面に」をそれぞれ、「セラミックス基板」及び「片面または両面に」と拡張するものである。
　してみると、本願発明の構成を全て含み、さらに前記の特定事項を限定したものである本願補正発明が、上記２．に記載したとおり、引用文献１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、本願補正発明と同様の理由により、引用文献１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるといえる。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用文献１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。