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【手続補正書】
【提出日】平成23年4月15日(2011.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査装置によって関心対象を検査するための検出器であって、
基板及び反射層を有し、
前記反射層は、シンチレータ中で生成される光の一部をセンサアレイの方へ反射し、
前記反射層は、当該反射層がリフレッシュ光の波長に対して部分的に透明であるように、リフレッシュ光の波長に対して透明である複数のホールを有する、
検出器。
【請求項２】
前記反射層は、前記リフレッシュ光の波長及び前記シンチレータ中で生成される光の波長に対して不透明である材料からなる、請求項１に記載の検出器。
【請求項３】
前記基板がシンチレータ基板であり、前記反射層は、当該シンチレータ基板上に配置される、請求項１に記載の検出器。
【請求項４】
前記センサアレイが複数のピクセルを有し、
前記反射層中の各々のホールのサイズが、前記センサアレイのピクセルのピクセルサイズの１０％未満である、
請求項１に記載の検出器。
【請求項５】
前記反射層が表面を有し、
前記反射層の前記表面の一部が、前記リフレッシュ光の波長に対して透明であり、
前記リフレッシュ光の波長に対して透明である前記反射層の前記表面の前記一部が、前記反射層の前記表面の３０％未満である、
請求項１に記載の検出器。
【請求項６】
前記反射層中の前記複数のホールが、レーザ除去プロセス又はリフトオフプロセスに基づいて生成される、請求項１に記載の検出器。
【請求項７】
前記反射層及び前記基板が、一次放射線のわずかな割合のみを散乱又は吸収するように適応される、請求項１に記載の検出器。
【請求項８】
前記シンチレータ基板がガラス基板であり、
前記検出器は前記シンチレータ基板と前記センサアレイとの間にハードシールを有し、
前記ハードシールは、前記検出器のフロントエンドを周囲から封じる、
請求項３に記載の検出器。
【請求項９】
X線放射線を検出するフラット検出器である請求項１に記載の検出器。
【請求項１０】
関心対象を検査するための検査装置であって、
基板及び反射層を備える検出器を有し、
前記反射層は、シンチレータ中で生成される光の一部をセンサアレイの方へ反射し、
前記反射層は、当該反射層がリフレッシュ光の波長に対して部分的に透明であるように、リフレッシュ光の波長に対して透明である複数のホールを有する、
検査装置。
【請求項１１】
二次元X線撮像装置、コンピュータ断層撮影装置、コヒーレント散乱コンピュータ断層撮影装置、並びに、心臓撮像、血管撮像又はユニバーサルX線撮像及び蛍光透視撮像のためのX線検査装置のうちの一つである、請求項１０に記載の検査装置。
【請求項１２】
検査装置による関心対象の検査のための検出器用の部分的に透明なシンチレータ基板と反射層との組み合わせの製造方法であって、
シンチレータ基板を提供するステップ、
前記シンチレータ基板上に反射層を堆積させるステップ、及び
前記反射層中に複数のホールを設けるステップを有し、
前記ホールは、シンチレータ基板と反射層との組み合わせがリフレッシュ光の波長に対して部分的に透明であるように、リフレッシュ光の波長に対して透明であり、
前記反射層は、シンチレータ中で生成された光の一部をセンサアレイの方へ反射する、
方法。
【請求項１３】
シンチレータが成長する側の前記シンチレータ基板の表面構造を変化させ、前記検出器の使用中の前記シンチレータ基板の剥離を防止するための表面粗さをもたらすステップをさらに有する、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月14日(2011.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レンジ・センシング装置から表面までの距離を割り出すためのレンジ・センシング装置であって、
第１の大きさを有する第１の超音波レンジ・センサと、
前記第１の大きさとは別の第２の大きさを有する第２の超音波レンジ・センサと、
前記第１および第２の超音波レンジ・センサにより測定されたレンジに少なくとも部分的に基づいて前記距離を算出するように構成されているコントローラとを
備えるレンジ・センシング装置。
【請求項２】
筐体と、
前記筐体に取り付けられている可撓接続部と、
第１の端部で前記可撓接続部に取り付けられている棒と、
前記棒の第２の端部で前記棒に取り付けられている温度検出器とを
さらに備え、
前記コントローラが温度情報を前記温度センサから受け取るようにさらに構成されている、
請求項１に記載のレンジ・センシング装置。
【請求項３】
前記レンジ・センシング装置に結合されている温度センサを
さらに備える、請求項１に記載のレンジ・センシング装置。
【請求項４】
前記第１の大きさを有する第３の超音波レンジ・センサと、
前記第２の大きさを有する第４の超音波レンジ・センサとを
さらに備え、
前記コントローラが前記第１、第２、第３および第４の超音波レンジ・センサにより測定されたレンジに少なくとも部分的に基づいて前記距離を算出するようにさらに構成されている、
請求項１に記載のレンジ・センシング装置。
【請求項５】
前記第１および第３の超音波レンジ・センサが、前記第２および第４の超音波レンジ・センサの前記直径より小さい直径ならびに前記周波数より高い周波数を有する、請求項４に記載のレンジ・センシング装置。
【請求項６】
第２および第４の超音波レンジ・センサは、前記レンジ・センシング装置の表面上に、前記第１および第３の超音波レンジ・センサの外側に配置されている請求項５に記載のレンジ・センシング装置。
【請求項７】
前記第１の超音波レンジ・センサの前記大きさは第１の直径であり、前記第２の超音波レンジ・センサの前記大きさは、第２の直径である、請求項１に記載のレンジ・センシング装置。
【請求項８】
レンジ・センシング装置から表面までの距離を割り出すためのレンジ・センシング装置であって、
第１の大きさおよび第１の周波数を有する第１の対の超音波レンジ・センサと、
前記第１の大きさとは別の第２の大きさおよび前記第１の周波数とは別の第２の周波数を有する第２の対の超音波レンジ・センサと、
前記第１および第２の対の超音波レンジ・センサにより測定されたレンジに少なくとも部分的に基づいて前記距離を算出するように構成されているコントローラとを
備えるレンジ・センシング装置。
【請求項９】
筐体と、
前記筐体に取り付けられている可撓接続部と、
第１の端部で前記可撓接続部に取り付けられている棒と、
前記棒の第２の端部で前記棒に取り付けられている温度検出器とを
さらに備え、
前記コントローラが、温度情報を前記温度センサから受け取るようにさらに構成されている、
請求項８に記載のレンジ・センシング装置。
【請求項１０】
前記レンジ・センシング装置に結合されている温度センサを
さらに備える、請求項８に記載のレンジ・センシング装置。
【請求項１１】
前記第２の対の超音波レンジ・センサが、前記第１の対の超音波レンジ・センサの前記直径より小さい直径と、前記周波数より高い周波数とを有する、請求項８に記載のレンジ・センシング装置。
【請求項１２】
前記第１の対の超音波レンジ・センサが、前記レンジ・センシング装置の表面上に、前記第２の対の超音波レンジ・センサの外側に配置されている、請求項１１に記載のレンジ・センシング装置。
【請求項１３】
前記第１の対の超音波レンジ・センサの前記大きさが第１の直径であり、前記第２の対の超音波レンジ・センサの前記大きさが第２の直径である、請求項８に記載のレンジ・センシング装置。
【請求項１４】
レンジ・センシング装置から表面までの距離を割り出す方法であって、
前記レンジ・センシング装置から前記表面までの第１の組の距離を、第１の大きさを有する第１の組のセンサにより測定することと、
前記レンジ・センシング装置から前記表面までの第２の組の距離を、前記第１の大きさとは別の第２の大きさを有する第２の組のセンサにより測定することと、
前記レンジ・センシング装置から前記表面までの算出距離を、前記測定された第１および第２の組の距離に少なくとも部分的に基づいて算出することとを
含む方法。
【請求項１５】
前記第１および第２の組のセンサのそれぞれが、１つのセンサを備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１および第２の組のセンサのそれぞれが、２つのセンサを備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記測定された第１の組の距離を第１の重みにより重み付けすることと、
前記測定された第２の組の距離を第２の重みにより重み付けすることと、
前記重み付き測定距離に少なくとも部分的に基づいて前記算出距離を算出することとを
さらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記表面の温度を測定することと、
前記測定温度に少なくとも部分的に基づいて前記測定距離を重み付けすることとを
さらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記重み付き測定距離に少なくとも部分的に基づいて前記算出距離を算出することが、前記第１および第２の組の測定距離の重み付き平均を算出することを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記レンジ・センシング装置は、超音波レンジ・センサであり、前記第１および第２の大きさは、第１および第２の直径である、
請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】
道路表面の温度を測定するための装置であって、
筐体と、
前記筐体に取り付けられている可撓接続部と、
前記可撓接続部に結合されている温度センサと、
第１の大きさを有する第１の超音波レンジ・センサと、
前記第１の大きさとは別の第２の大きさを有する第２の超音波レンジ・センサと、
前記第１および第２の超音波レンジ・センサにより測定されたレンジに少なくとも部分的に基づいて前記装置から前記道路表面までの距離を算出するように構成されているコントローラとを
備える装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月4日(2011.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
興奮毒性関連障害の治療用候補薬剤を識別するｉｎ  ｖｉｖｏ法であって、
ａ）興奮毒性関連障害の非ヒト動物モデルに試験薬剤を投与するステップ、
ｂ）前記動物の細胞または組織中のタウ遺伝子産物のレベルに及ぼす前記試験薬剤の効果があれば、それを測定するステップ、及び
ｃ）前記動物における癲癇様活動に及ぼす前記試験薬剤の効果があれば、それを測定するステップ、
を含み、前記細胞または組織中の前記タウ遺伝子産物のレベルを低下させ、前記動物における癲癇様活動を抑制する試験薬剤が、興奮毒性関連障害の治療用候補薬剤である方法。
【請求項２】
カルシウム依存性遺伝子産物のレベル、発作の回数および／または重症度および／または頻度、及び興奮毒性関連障害に伴う行動機能障害、の１つまたは複数に及ぼす前記試験薬剤の効果があれば、それを測定するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記興奮毒性傷害が神経回路網機能不全である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記細胞または組織が神経細胞または神経組織である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記タウ遺伝子産物がタウポリペプチドであり、当該タウポリペペプチドのレベルが免疫学的測定法により検出される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記タウ遺伝子産物がタウと検出可能なシグナルを与えるポリペプチドとの融合タンパク質であり、タウのレベルが前記シグナルの検出により検出される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記検出可能なシグナルを与えるポリペプチドが、蛍光タンパク質、化学発光タンパク質、又は検出可能な産物を精製する酵素である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記タウ遺伝子産物がタウ核酸であり、当該タウ核酸のレベルが、核酸増幅法又は核酸ハイブリッド形成法により検出される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記タウ遺伝子産物が野生型タウ対立遺伝子によりコードされる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記癲癇様活動が、癲癇、発作、頭部外傷、卒中、アルツハイマー病、筋委縮性側索硬化症、ハンチントン病、パーキンソン病に付随する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記非ヒト動物モデルが、癲癇様活動の被ヒト動物モデル、ｈＡＰＰｌｏｗ／ＦＹＮマウスモデル、又は頭部外傷の被ヒト動物モデルである、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
興奮性毒素が、カイニン酸又はペンチレンテトラゾールである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
個体におけるニューロン中の神経細胞の過剰刺激に応じて興奮毒性を低下させる、又は興奮毒性関連傷害を治療する方法において使用される核酸であって、ニューロン中のタウ遺伝子産物のレベルを選択的に低下させる核酸。
【請求項１４】
タウ遺伝子産物レベルの低下が個体における癲癇様活動の低下をもたらす、請求項１３に記載の核酸。
【請求項１５】
前記タウ遺伝子産物が、野生型タウ対立遺伝子によってコードされる、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記タウ遺伝子産物がタウｍＲＮＡ又はタウポリペプチドであり、前記タウポリペプチドが、非過リン酸化可溶性タウポリペプチドであってもよい、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記興奮毒性関連障害が、アルツハイマー病、筋委縮性側索硬化症、多発性硬化症、ハンチントン病、卒中、パーキンソン病、癲癇、頭部外傷、及び発作から選択される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
前記治療が、少なくとも１種類の追加の治療薬の有効量を投与することをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
ａ）細胞中のタウ遺伝子産物のレベルを特異的に低下させる核酸薬剤、および
ｂ）薬学的に許容できる医薬品添加剤を含み、当該添加剤が、血液脳関門を越えることを可能にする薬剤を含む医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月14日(2011.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光をコリメートする構造化上面を有する上層と、
前記構造化上面の反対側で前記上面に固定されたコア層と、
前記上層の反対側で前記コア層に固定された下層と、
を含む光学物品であって、
前記上層又は前記コア層のいずれかが、ＡＳＴＭ Ｄ７９０に従って測定した場合において２．５ＧＰａを超える曲げ弾性率を有する第１の押出可能なポリマーを含み、もう一方の層が第２の押出可能なポリマーを含み、前記第２の押出可能なポリマーが、ＡＳＴＭ  Ｄ７９０に従って測定した場合において２．５ＧＰａ以下の曲げ弾性率と、ＡＳＴＭ  Ｄ２５６に従って測定した場合において約４０Ｊ／ｍを超える衝撃強度と、ＡＳＴＭ  Ｄ６３８に従って測定した場合において約５％を超える引張破断伸度とを有し、
前記下層が第３の押出可能なポリマーを含む光学物品。
【請求項２】
前記構造化上面が、複数の凸状構造体を含み、
前記下層が、前記コア層の反対側に構造化下面を含み、前記構造化下面が複数の凹状構造体を含む、請求項１に記載の光学物品。
【請求項３】
前記構造化面が、複数の凹状構造体を含み、
前記下層が、前記コア層の反対側に構造化下面を含み、前記構造化下面が複数の凸状構造体を含む、請求項１に記載の光学物品。
【請求項４】
請求項１の光学物品と、
前記コア層の反対側で前記下層に固定された光学フィルムであって、前記光学フィルムが、偏光フィルム、反射偏光フィルム、拡散混合反射偏光フィルム、拡散フィルム、輝度上昇フィルム、回転フィルム、ミラーフィルム又はこれらの組み合わせを含む光学フィルムと、を含む光学体。
【請求項５】
ディスプレイパネルと、
１つ以上の光源と、
前記ディスプレイパネルと前記１つ以上の光源との間に配置された、請求項１に記載の光学物品と、を含むディスプレイ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月15日(2011.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
位置特定システムにおいて、
ａ）電磁信号を少なくとも１つのプローブ経路に沿って伝搬する成分及び基準経路に沿って伝搬する成分に分離する電磁波源と、
ｂ）前記少なくとも１つのプローブ経路であって、
−関心点において前記プローブ経路の電磁信号成分を放射する信号出口、及び
−前記放射された電磁信号成分を獲得する検出器、
を持つ前記少なくとも１つのプローブ経路と、
ｃ）前記プローブ経路に沿って伝搬した電磁信号成分と前記基準経路に沿って伝搬した電磁信号成分との間の相関を決定する相関器と、
ｃ）前記決定された相関に基づいて前記検出器に対する前記信号出口の場所を推定する評価ユニットと、
を有する位置特定システム。
【請求項２】
前記信号出口が、前記電磁波源又は導波管の端部にある、請求項１に記載の位置特定システム。
【請求項３】
前記信号出口を共有するが、異なる位置に配置された個別の検出器を持つ少なくとも２つ、好ましくは少なくとも３つのプローブ経路を有することを特徴とする、
請求項１又は２に記載の位置特定システム。
【請求項４】
前記検出器が、全ての空間的方向において感知することができることを特徴とする、
請求項１又は２に記載の位置特定システム。
【請求項５】
前記電磁波源が、低コヒーレンス波源であることを特徴とする、
請求項１又は２に記載の位置特定システム。
【請求項６】
前記電磁波源を前記信号出口に、前記検出器を前記相関器に、及び／又は前記電磁波源を前記相関器に接続する少なくとも１つの導波管を有することを特徴とする、
請求項１又は２に記載の位置特定システム。
【請求項７】
前記検出器の空間的位置及び／又は向きを追跡する追跡装置を有することを特徴とする、
請求項１又は２に記載の位置特定システム。
【請求項８】
介入器具、特にカテーテル、内視鏡、又は針と、
前記器具に付着された信号出口を持つ請求項１又は２に記載の位置特定システムと、
を有する医療システム。
【請求項９】
関心点を位置特定する方法において、
ａ）電磁信号を少なくとも１つのプローブ経路に沿って伝搬する成分及び基準経路に沿って伝搬する成分に分離するステップと、
ｂ）前記少なくとも１つのプローブ経路において、
−前記関心点に配置された信号出口から前記プローブ経路の電磁信号成分を放射するステップと、
−検出器を用いて前記放射された電磁信号成分を獲得するステップと、
ｃ）前記プローブ経路に沿って伝搬した電磁信号成分と前記基準経路に沿って伝搬した電磁信号成分との間の相関を決定するステップと、
ｄ）前記決定された相関に基づいて前記検出器に対する前記信号出口の場所を推定するステップと、
を有する方法。
【請求項１０】
前記電磁信号が、電磁波源において生成され、前記信号出口が、前記関心点における前記電磁波源又は導波管の端部に配置される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載の方法のステップｃ）及び／又はｄ）を実行することを可能にするコンピュータプログラム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のコンピュータプログラムが記憶される記録担体。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月13日(2011.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２次元スクリーン（２）上に３次元画像を映写するためのシステムであって、スクリーン形状に応じて且つ固定基準点に関して、映写前に画像を変形することが可能な各画像用の静的補正モジュール（１７）を備え、スクリーンを見ている選択されたオブザーバの位置をリアルタイムで検知可能なセンサ（７）と、静的補正モジュールの上流に接続されて、前記オブザーバの位置、基準点の位置、及びスクリーン形状に基づいて、前記基準点に対するオブザーバの動きによって各画像に作りだされる歪みを自動的に且つリアルタイムで補正することが可能な動的補正モジュール（１１）とを、さらに有することを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記スクリーン（２）が湾曲している請求項１記載のシステム。
【請求項３】
映写される画像の各点が空間での実際位置に応じて配置されている、所定の形状に応じた平坦画像を計算できる計算モジュール（１０）を有する画像ジェネレータをさらに有し、ここで前記動的補正モジュール（１１）が、基準点からの、平坦画像の対象点のスクリーン上への映写と、前記オブザーバの位置からの、他の対応する点のスクリーン上への映写が一致するように、計算された平坦画像の各点について、同平坦画像上に位置する別の点を決定することができる決定手段（１４）と、平坦画像の各点を、他の対応する点で置換することができる置換手段（１５）とを有する、請求項１又は２記載の映写システム。
【請求項４】
動的補正モジュール（１１）が、画像ジェネレータと静的補正モジュールの間に接続されている、請求項３記載の映写システム。
【請求項５】
前記請求項のいずれか一項に記載の２次元スクリーン上に３次元画像を映写するためのシステムを備えた運転シミュレーション機器。
【請求項６】
２次元スクリーン上に３次元画像を映写する方法であって、スクリーン形状に応じて且つ基準点に関して、映写前に各画像を変形する「静的」補正ステップ（４００）を含み、さらに、スクリーンを見ている選択されたオブザーバの位置をリアルタイムで検知するステップ（１００）と、前記基準点に対するオブザーバの動きによって各画像に作りだされる歪みを、前記オブザーバの位置、基準点の位置、及びスクリーン形状に基づいて補正する「動的」補正ステップ（３００）とを含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
スクリーンが湾曲している、請求項１〜６のいずれか一項記載の方法。
【請求項８】
映写される画像の各点が空間での実際の位置に応じて配置されている平坦画像を計算する（２１０）画像生成ステップ（２００）を有し、ここで「動的」補正ステップ（３００）が、基準点からの、平坦画像上の対象点のスクリーン上への映写と、前記オブザーバの位置からの、他の対応する点のスクリーン上への映写が一致するように、計算された平坦画像の各点について、平坦画像上に位置する他の点を決定する（３０１）ことと、他の対応する点で平坦画像の各点を置換する（３０２）ことを含む、請求項６又は７記載の方法。
【請求項９】
「動的」補正ステップを、画像生成ステップの後で、且つ「静的」補正ステップの前に実行する、請求項１〜８のいずれか一項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月5日(2011.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次的信号を二次的信号に変換する変換器であって、当該変換器は、前記一次的信号を受け取る一次部分と、前記二次的信号を供給する二次部分とを含んでおり、前記一次部分および前記二次部分は、それぞれ少なくとも１つの基板を含んでおり、各基板は、少なくとも１巻きの巻き線の少なくとも一部を含んでおり、２つの隣接する基板間の距離が、ゼロよりも大きく、前記一次部分および前記二次部分の一方が、少なくとも第１および第２および第３の基板を含んでおり、前記一次部分および前記二次部分の他方が、少なくとも第４および第５の基板を含んでおり、前記第４の基板の少なくとも一部が、前記第１および第２の基板の間に配されており、前記第５の基板の少なくとも一部が、前記第２および第３の基板の間に配されており、前記第１および第２の基板の間の距離が、前記第２および第３の基板の間の距離よりも小さいことを特徴とする変換器。
【請求項２】
前記第１および第４の基板の間の距離が、前記第４および第２の基板の間の距離よりも小さいことを特徴とする請求項１記載の変換器。
【請求項３】
前記第４および第２の基板の間の距離が、前記第２および第５の基板の間の距離よりも小さく、かつ前記第２および第５の基板の間の距離が、前記第５および第３の基板の間の距離よりも小さいことを特徴とする請求項２記載の変換器。
【請求項４】
前記第１および第２および第３の基板の前記巻き線が、互いに直列接続されており、前記第４および第５の基板の前記巻き線が、互いに直列接続されていることを特徴とする請求項１記載の変換器。
【請求項５】
前記第１および第４の基板の少なくとも一方の１点が、接地点であることを特徴とする請求項４記載の変換器。
【請求項６】
当該変換器がさらに、２つの外側脚部と１つの内側脚部と有するコアを含み、前記基板は、実質的に平行かつ／または実質的に平面状のプリント回路基板であり、前記巻き線は、前記プリント回路基板上のプリントであって、前記内側脚部を包囲し、かつ前記外側脚部により包囲されていることを特徴とする請求項１記載の変換器。
【請求項７】
当該変換器には、熱伝導性かつ電圧絶縁性の樹脂が含浸させられていることを特徴とする請求項１記載の変換器。
【請求項８】
前記基板に対する電磁妨害シールドおよびヒートシンクとして作用する、アルミニウム製コンテナを更に含んでいることを特徴とする請求項１記載の変換器。
【請求項９】
請求項１記載の変換器を含むデバイスであって、前記一次的信号を生成するソース、および／または前記二次的信号を受け取る負荷を、さらに含んでいることを特徴とするデバイス。
【請求項１０】
一次的信号を二次的信号に変換するための変換器の生産方法であって、当該変換器は、前記一次的信号を受け取る一次部分と、前記二次的信号を供給する二次部分とを含んでおり、前記一次部分および前記二次部分は、それぞれ少なくとも１つの基板を含んでおり、各基板は、少なくとも１巻きの巻き線の少なくとも一部を含んでおり、当該生産方法は、２つの隣接する基板を、互いに前記距離をおいて取り付ける工程を含んでおり、前記一次部分および前記二次部分の一方が、少なくとも第１および第２および第３の基板を含んでおり、前記一次部分および前記二次部分の他方が、少なくとも第４および第５の基板を含んでおり、前記第４の基板の少なくとも一部が、前記第１および第２の基板の間に配されており、前記第５の基板の少なくとも一部が、前記第２および第３の基板の間に配されており、前記第１および第２の基板の間の距離が、前記第２および第３の基板の間の距離よりも小さいことを特徴とする生産方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月28日(2011.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁放射を発生させるに適している活性層を有する半導体積層体と、第１の電気接続層および第２の電気接続層と、を備えているオプトエレクトロニクス半導体ボディであって、
−  前記半導体ボディが、前側から電磁放射を放出するように設けられ、
−  前記第１の電気接続層および前記第２の電気接続層が、前記前側とは反対の後側に配置され、分離層によって互いに電気的に絶縁され、
−  前記第１の電気接続層と、前記第２の電気接続層と、前記分離層とが、横方向に重なり合い、
−  前記第２の電気接続層の部分領域が、前記後側から貫通開口を通じて前記前側の方向に前記活性層を貫いており、
−  前記第１の電気接続層が、前記半導体ボディをその前側から電気的に接触させるのに適している電気的接触領域を有する、および／または、前記第２の電気接続層が、前記半導体ボディをその前側から電気的に接触させるのに適している電気的接触領域を有する、
オプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項２】
前側から前記半導体ボディを電気的に接触させるのに適している前記電気的接触領域は、前記半導体積層体の側面に配置されている、請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項３】
前側から前記半導体ボディを電気的に接触させるのに適している前記電気的接触領域を露出させる目的で、前記半導体積層体は部分的に除去される、請求項１または２のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項４】
前記第１の電気接続層もしくは前記第２の電気接続層またはその両方が、前記活性ゾーンによって前記後側の方向に放出される前記電磁放射の一部を前記前側の方向に反射する、請求項１〜３のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項５】
前記第１の電気接続層もしくは前記第２の電気接続層またはその両方と、前記半導体積層体との間に、少なくとも部分的に、半導電性ミラー層または電気絶縁性ミラー層が配置され、前記半導電性ミラー層または前記電気絶縁性ミラー層が複数の開口を有し、前記第１の電気接続層もしくは前記第２の電気接続層またはその両方が、前記半導体積層体まで前記開口の内部に延在している、請求項１〜４のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項６】
前記第１の電気接続層もしくは前記第２の電気接続層またはその両方が、接着促進層、反射体層、電流分散層のうちの少なくとも１層を有する多層構造を備えている、請求項１〜５のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項７】
前記半導体積層体に成長基板が存在しない、請求項１〜６のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項８】
キャリア基板を自身の後側に有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項９】
前記半導体積層体が、前記後側の近傍に電流拡散層を有し、前記電流拡散層が透明導電性酸化物を含んでいる、請求項１〜８のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項１０】
前記第１の電気接続層または前記第２の電気接続層が、前記半導体ボディをその後側から電気的に接触させるに適している電気的接触領域を有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項１１】
前記半導体積層体が、前記前側に配置されている緩衝層を有し、前記緩衝層が、低い導電率を有し、かつ、非ドープでありまたはｎ型弱ドープされている、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項１２】
オプトエレクトロニクス半導体ボディを製造する方法であって、
−  電磁放射を発生させるに適している活性層を有し、前側から電磁放射を放出するように設けられている半導体積層体を、成長基板上にエピタキシャル成長させるステップと、
−  前記半導体積層体の後側に第１の電気接続層を堆積させるステップと、
−  前記活性層に貫通開口を形成するステップと、
−  前記半導体積層体の前記後側に分離層を形成するステップと、
−  前記半導体積層体の前記後側に、第２の電気接続層を堆積させるステップと、
を含み、
−  前記第１の電気接続層、前記分離層、および前記第２の電気接続層が、横方向に重なり合うように形成され、
−  前記第２の電気接続層の部分領域が前記貫通開口の内部に形成され、
−  前記第２の電気接続層が、前記分離層によって前記第１の電気接続層から電気的に絶縁されており、
−  前記第１の電気接続層の電気的接触領域が、前記半導体ボディをその前側から電気的に接触させるのに適するように形成されている、および／または、前記第２の電気接続層の電気的接触領域が、前記半導体ボディをその前側から電気的に接触させるのに適するように形成されている、
方法。
【請求項１３】
前側から前記半導体ボディを電気的に接触させるのに適している前記電気的接触領域は、前記半導体積層体の側面に配置されるように形成されている、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前側から前記半導体ボディを電気的に接触させるの適している前記電気的接触領域を露出させる目的で、前記半導体積層体は部分的に除去される、請求項１２または１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記成長基板の少なくとも一部が除去され、前記後側にキャリア基板が配置または形成されている、請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
−  前記半導体積層体の前記後側に、半導電性ミラー層または電気絶縁性ミラー層が部分的に形成され、
−  前記半導電性ミラー層または前記電気絶縁性ミラー層に複数の開口が形成され、
−  前記第１の電気接続層もしくは前記第２の電気接続層またはその両方が、これらが前記開口の内部に延在するように、堆積されている、
請求項１２〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記半導体積層体をエピタキシャル成長させる前記ステップが、低い導電率を有する緩衝層を成長させるステップを含み、前記成長基板の少なくとも一部が除去され、前記成長基板が除去されるときに前記緩衝層が露出する、請求項１２〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月14日(2011.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークピースを熱処理する方法であって、前記方法は、
前記ワークピースの目標表面積上に入射する照射パルスの初期加熱部分と後続維持部分を生成するステップ、を含み、
前記初期加熱部分と前記後続維持部分の結合持続時間は前記ワークピースの熱伝導時間よりも短く、さらに、
前記照射パルス中に望まれる熱プロセスの現在完了している量を示す少なくとも１つのパラメータを監視するステップと、
前記少なくとも１つのパラメータの期待値からの逸脱に応答して前記照射パルスを修正するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、前記ワークピースは半導体ウェーハを含む方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法であって、修正ステップは前記少なくとも１つのパラメータが前記期待値を閾値差よりも多く超えておれば前記後続維持部分の持続時間を短縮するステップを含む方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法であって、前記目標表面積は前記半導体ウェーハのデバイス側を含み、生成ステップは複数のフラッシュ・ランプを使用して前記照射パルスを生成するステップを含み、前記照射パルスの前記持続時間を短縮するステップは前記複数のフラッシュ・ランプの少なくとも１つにより作り出される照射パルスを早まって消すステップを含む方法。
【請求項５】
請求項２記載の方法であって、前記目標表面積は前記半導体ウェーハのデバイス側の面積セグメントを含み、前記照射パルス生成ステップは前記ワークピースの前記熱伝導時間よりも短い面積セグメントを横切るように非対称的空間プロファイルを有するレーザビームで走査するステップを含み、前記照射パルス修正ステップは前記レーザビームにより前記面積セグメントへ供給されるパワーを低減するステップを含む方法。
【請求項６】
請求項２記載の方法であって、修正ステップは前記期待値が前記少なくとも１つのパラメータを閾値差よりも多く超えておれば前記後続維持部分の持続時間を延ばすステップを含む方法。
【請求項７】
請求項６記載の方法であって、前記目標表面積は前記半導体ウェーハのデバイス側を含み、生成ステップは複数のフラッシュ・ランプを使用して前記照射パルスを生成するステップを含み、前記照射パルスの前記持続時間を延ばすステップは前記複数のフラッシュ・ランプの少なくとも１つが放電される電気経路のインスタンスを増すステップを含む方法。
【請求項８】
請求項２記載の方法であって、前記目標表面積は前記半導体ウェーハのデバイス側の面積セグメントを含み、前記照射パルス生成ステップは前記ワークピースの前記熱伝導時間よりも短い前記面積セグメントを横切るように非対称的空間プロファイルを有するレーザビームで走査するステップを含み、前記照射パルス修正ステップは前記レーザビームにより前記面積セグメントへ供給されるパワーを増加するステップを含む方法。
【請求項９】
ワークピースの熱処理装置であって、前記装置は、
照射パルス生成システムと、
測定システムと、
前記照射パルス生成システムを制御して前記ワークピースの目標表面積上に入射する照射パルスの初期加熱部分および後続維持部分を生成するプロセッサ回路と、を含み、
前記初期加熱部分および前記後続維持部分の結合持続時間は前記ワークピースの熱伝導時間よりも短く、
前記プロセッサ回路は、
前記測定システムと協働して前記照射パルス中に望まれる熱処理の現在完了している量を示す少なくとも１つのパラメータを監視し、
前記照射パルス生成システムを制御して前記少なくとも１つのパラメータの期待値からの逸脱に応答して前記照射パルスを修正する、
ように構成される装置。
【請求項１０】
請求項９記載の装置であって、前記ワークピースは半導体ウェーハを含む装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の装置であって、前記プロセッサ回路は前記照射パルス生成システムを制御して前記少なくとも１つのパラメータが前記期待値を閾値差よりも多く超えておれば前記後続維持部分の持続時間を短縮することにより前記照射パルスを修正するように構成される装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の装置であって、前記目標表面積は前記半導体ウェーハのデバイス側を含み、前記照射パルス生成システムは複数のフラッシュ・ランプを含み、前記プロセッサ回路は前記複数のフラッシュ・ランプの少なくとも１つにより作り出される照射フラッシュを早まって消すことにより前記照射パルスの持続時間を短縮するように構成される装置。
【請求項１３】
請求項１０記載の装置であって、前記目標表面積は前記半導体ウェーハのデバイス側の面積セグメントを含み、前記照射パルス生成システムは非対称的空間プロファイルを有するレーザビームを生成するように構成された走査レーザを含み、前記プロセッサ回路は前記走査レーザを制御して前記ワークピースの前記熱伝導時間よりも短い前記面積セグメントを横切るように前記非対称的空間プロファイルを有する前記レーザビームで走査することにより前記照射パルスを生成するように構成され、かつ前記プロセッサ回路は前記走査レーザを制御して前記レーザビームにより前記面積セグメントへ供給されるパワーを低減することにより前記照射パルスを修正するように構成される装置。
【請求項１４】
請求項１０記載の装置であって、プロセッサ回路は前記期待値が前記少なくとも１つのパラメータを閾値差よりも多く超えておれば前記後続維持部分の持続時間を延ばすことにより前記照射パルスを修正するように構成される装置。
【請求項１５】
請求項１４記載の装置であって、前記目標表面積は前記半導体ウェーハのデバイス側を含み、前記照射パルス生成システムは複数のフラッシュ・ランプを含み、前記プロセッサ回路は前記照射パルス生成システムを制御して前記複数のフラッシュ・ランプの少なくとも１つが放電される電気経路のインダクタンスを増すことにより前記後続維持部分の前記持続時間を延ばすように構成される装置。
【請求項１６】
請求項１０記載の装置であって、前記目標表面積は前記半導体ウェーハのデバイス側の面積セグメントを含み、前記照射パルス生成システムは非対称的空間プロファイルを有するレーザビームを生成するように構成されており、前記プロセッサ回路は前記走査レーザを制御して前記ワークピースの前記熱伝導時間よりも短い前記面積セグメントを横切るように前記非対称的空間プロファイルを有する前記レーザビームで走査することにより前記照射パルスを生成するように構成されており、かつ前記プロセッサ回路は前記走査レーザを制御して前記レーザビームにより前記面積セグメントへ供給されるパワーを増すことにより前記照射パルスを修正するように構成される装置。
【請求項１７】
ワークピースの熱処理装置であって、前記装置は、
前記ワークピースの目標表面積上に入射する照射パルスの初期加熱部分を生成する手段と、
前記ワークピースの目標表面積上に入射する照射パルスの後続維持部分を生成する手段と、を含み、
前記初期加熱部分と前記後続維持部分の結合持続時間は前記ワークピースの熱伝導時間よりも短く、さらに、
前記照射パルス中に望まれる熱処理の現在完了している量を示す少なくとも１つのパラメータを監視する手段と、
前記少なくとも１つのパラメータの期待値からの逸脱に応答して前記照射パルスを修正する手段と、を含む装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月25日(2011.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光放出システムであって、
２つ以上のモノリシック集積化発光素子を含んでおり、前記２つ以上の発光素子における各発光素子は、エレクトロルミネセントデバイスと前記エレクトロルミネセントデバイスを駆動する専用のスイッチング回路とを含んでおり、
前記２つ以上の発光素子における少なくとも１つの発光素子は、前記発光素子内の前記エレクトロルミネセントデバイスによって放出された光を下方変換するポテンシャル井戸を含む、光放出システム。
【請求項２】
第１の波長で光を出力可能な少なくとも１つの第１の発光素子と、
前記第１の波長とは異なる第２の波長で光を出力可能な少なくとも１つの第２の発光素子と、
前記第１の波長及び前記第２の波長とは異なる第３の波長で光を出力可能な少なくとも１つの第３の発光素子と、を含む光放出システムであって、
前記少なくとも１つの第３の発光素子は、
前記第１の波長で光を放出可能なエレクトロルミネセントデバイスと、
前記エレクトロルミネセントデバイスによって放出された光の少なくとも一部分を前記第１の波長から前記第２の波長に変換する第１のフォトルミネセント素子と、
前記エレクトロルミネセントデバイスによって放出された光又は前記第１のフォトルミネセント素子によって変換された光の少なくとも一部分を前記第３の波長に変換する第２のフォトルミネセント素子とを含む、光放出システム。
【請求項３】
光を放出可能なピクセル化された光放出システムであって、各ピクセルは、エレクトロルミネセントデバイスを含んでおり、少なくとも１つのピクセルは、前記ピクセル内の前記エレクトロルミネセントデバイスによって放出された光を下方変換する１つ以上のポテンシャル井戸を含んでいる、ピクセル化された光放出システムと、
前記ピクセル化された光放出システムによって放出された光を受け取る、ピクセル化された空間光変調器と、を含む光学システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月25日(2011.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電池キャリッジ及び第２の電池キャリッジを備えるデバイスであって、該電池キャリッジのそれぞれは、
プラスの接点及びマイナスの接点をそれぞれが含む、第１のデュアル接点アセンブリ及び第２のデュアル接点アセンブリを備え、
前記プラスの接点はそれぞれ、電池のプラスの端子に接触すると共に、プラスの回路接続部に接続されるように構成されており、前記マイナスの接点はそれぞれ、電池のマイナスの端子に接触すると共にマイナスの回路接続部に接続されるように構成され、
前記第１の電池キャリッジの前記デュアル接点アセンブリの１つ及び前記第２の電池キャリッジの前記デュアル接点アセンブリの１つは、該第１の電池キャリッジと該第２の電池キャリッジとの間に配置される両面デュアル接点アセンブリに含まれる、デバイス。
【請求項２】
前記第１の電池キャリッジ及び前記第２の電池キャリッジそれぞれの前記デュアル接点アセンブリの少なくとも１つは、ばねで留められたデュアル接点特徴部を備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記デュアル接点アセンブリのそれぞれにおいて、前記マイナスの接点は、前方に配置される表面を有し、前記プラスの接点は、陥凹するように且つ該マイナスの接点に対して軸方向内方に配置される表面を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記第１の電池キャリッジの前記デュアル接点アセンブリの少なくとも１つは、前記第２の電池キャリッジの前記デュアル接点アセンブリの１つと共通して、１つ又は複数の構成要素を共有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記電池キャリッジの隣接した各対間に、１つ又は複数のさらなる電池キャリッジ、及び両面デュアル接点アセンブリをさらに備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記両面デュアル接点アセンブリの１つ又は複数は、その第１の面にばねで留められたデュアル接点特徴部と、その第２の面に固定式デュアル接点特徴部とを備える、請求項５に記載のデバイス。
【請求項７】
前記両面デュアル接点アセンブリの１つ又は複数は、その両面にばねで留められたデュアル接点特徴部を備える、請求項５に記載のデバイス。
【請求項８】
前記両面デュアル接点アセンブリの１つ又は複数は、その両面に固定式デュアル接点特徴部を備える、請求項５に記載のデバイス。
【請求項９】
前記両面デュアル接点アセンブリの１つは、その両面に固定式デュアル接点特徴部を備え、残りの前記両面デュアル接点アセンブリはそれぞれ、その第１の面にばねで留められたデュアル接点特徴部と、その第２の面に固定式デュアル接点特徴部とを備える、請求項５に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記第１の電池キャリッジ及び前記第２の電池キャリッジのそれぞれの前記デュアル接点アセンブリの前記プラスの接点は、互いに接続されており、該第１の電池キャリッジ及び該第２の電池キャリッジのそれぞれの前記デュアル接点アセンブリの前記マイナスの接点は、互いに接続されている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記デュアル接点アセンブリの少なくとも１つは、ヒートステーキング、機械的ステーキング、機械的突起、射出成形、射出形成、溶接、又は接着のうちの少なくとも１つを含む接合機構を通じて前記プラスの接点及びマイナスの接点に噛合される絶縁体を備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記デュアル接点アセンブリの少なくとも１つは、ストッパ付きタブ、屈曲タブ、絶縁体の延長部、又はスペーサ部のうちの少なくとも１つによってそれぞれの基板に取り付けられ、前記基板の取り付け開口部を係合貫通するように構成される狭い方のセクションと、前記タブの貫通の深さを制限するように構成される広い方のストッパセクションとを有し、前記タブの１つは、前記プラスの回路接続部に接続されるように構成され、該タブの１つは、前記マイナスの回路接続部に接続されるように構成される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１３】
基板と、
前記基板上に配置される、両面耐極性電池接点アセンブリであって、２つの環状前方接点、及び該前方接点間に配置され且つ該前方接点に対して軸方向中央に配置される２つの中央接点を備える、両面耐極性電池接点アセンブリと、
第１の片面耐極性の電池接点アセンブリ及び第２の片面耐極性の電池接点アセンブリであって、前記両面耐極性電池接点アセンブリと軸方向に一致して前記基板上に、該両面耐極性電池接点アセンブリの両側に配置される、第１の片面耐極性の電池接点アセンブリ及び第２の片面耐極性の電池接点アセンブリと、
を備える、デバイス。
【請求項１４】
１つ又は複数のさらなる両面耐極性電池接点アセンブリをさらに備え、前記第１及び第２の片面耐極性の電池接点アセンブリは、前記１つ又は複数のさらなる両面耐極性電池接点アセンブリの両側に配置される、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１５】
デバイスであって、
第１の電池キャリッジ及び第２の電池キャリッジであって、該電池キャリッジのそれぞれは、プラスの接点及びマイナスの接点をそれぞれが含む、第１のデュアル接点アセンブリ及び第２のデュアル接点アセンブリを備え、前記プラスの接点はそれぞれ、電池のプラスの端子に接触すると共にプラスの回路接続部に接続されるように構成されており、前記マイナスの接点はそれぞれ、電池のマイナスの端子に接触すると共にマイナスの回路接続部に接続されるように構成される、第１の電池キャリッジ及び第２の電池キャリッジと、
内部にスロットを有する構成要素であって、該スロットは、前記プラスの回路接続部及び前記マイナスの回路接続部に対する接点を備え、前記デバイスは、前記第１の電池キャリッジ及び前記第２の電池キャリッジのうちの１つをそれぞれが備える第１のカートリッジ及び第２のカートリッジをさらに備え、該カートリッジは、前記スロットに適合するように係合されると前記プラスの回路接続部及び前記マイナスの回路接続部に接続されるように、前記スロットに適合するように且つ分離可能に係合するように構成される、構成要素と
を備えるデバイス。
【請求項１６】
前記スロットは、部分的に封入されていると共に該スロットよりも小さい開口を通じてアクセス可能であり、前記カートリッジは、前記開口内を通ることができるように構成される、請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記カートリッジのそれぞれは、該カートリッジ内に取り付けられる電池を備える、請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記デバイスは、複数の電池キャリッジを備えるジョイントカートリッジをさらに備え、該ジョイントカートリッジは、前記スロットに適合するように且つ分離可能に係合すると共に、該スロットに係合されると前記プラスの回路接続部及び前記マイナスの回路接続部と接続するように構成される、請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１９】
前記ジョイントカートリッジは、電池として一体化されて構成される、請求項１８に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月24日(2011.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマー絶縁導体のツイストペアであって、前記ツイストペアを形成するための撚りによって、前記ポリマー絶縁導体の各ポリマー絶縁導体のポリマー絶縁体の表面が互いに接触し、各前記ポリマー絶縁導体のポリマー絶縁体が、
（ｉ）前記ポリマー絶縁導体の前記ポリマー絶縁体の前記表面を互いに接触させることによって圧潰し得る発泡ポリマー部分、および
（ｉｉ）前記絶縁体内で前記発泡ポリマー部分の中に半径方向に延び、前記ポリマー絶縁導体の前記表面が互いに接触しているところに存在し、それによって、前記ポリマー絶縁導体の前記ポリマー絶縁体の前記表面を互いに接触させることによって起こる圧潰から前記発泡ポリマー部分を保護する耐圧潰性ポリマー部分、
を含む、ポリマー絶縁導体のツイストペア。
【請求項２】
前記耐圧潰性部分が本質的に発泡していないポリマーである、請求項１に記載のポリマー絶縁導体のツイストペア。
【請求項３】
前記部分（ｉ）および（ｉｉ）がそれぞれ少なくとも３つの領域に細分されており、それらが互いに交互になっており、各前記ポリマー絶縁導体の長さに沿って延びる、請求項１に記載のポリマー絶縁導体のツイストペア。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
ツイストペア１のインピーダンスは、ツイストペア２のインピーダンスより１．５オーム大きく、発泡ポリマー絶縁体内の非発泡領域によって耐圧潰性が付与されることが分かる。ツイストペア１の絶縁体の発泡領域の空孔率は、ツイストペア２の絶縁体の空孔率より大きく、ツイストペア１の絶縁体中に存在する非発泡領域を補償する。
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
１．ポリマー絶縁導体のツイストペアであって、前記ツイストペアを形成するための撚りによって、前記ポリマー絶縁導体の各ポリマー絶縁導体のポリマー絶縁体の表面が互いに接触し、各前記ポリマー絶縁導体のポリマー絶縁体が、
（ｉ）前記ポリマー絶縁導体の前記ポリマー絶縁体の前記表面を互いに接触させることによって圧潰し得る発泡ポリマー部分、および
（ｉｉ）前記絶縁体内で前記発泡ポリマー部分の中に半径方向に延び、前記ポリマー絶縁導体の前記表面が互いに接触しているところに存在し、それによって、前記ポリマー絶縁導体の前記ポリマー絶縁体の前記表面を互いに接触させることによって起こる圧潰から前記発泡ポリマー部分を保護する耐圧潰性ポリマー部分、
を含む、ポリマー絶縁導体のツイストペア。
２．前記耐圧潰性部分が本質的に発泡していないポリマーである、前記１に記載のポリマー絶縁導体のツイストペア。
３．前記耐圧潰性ポリマー部分が前記発泡部分の厚さの少なくとも６０％を通って延びる、前期１に記載のポリマー絶縁導体のツイストペア。
４．前記耐圧潰性ポリマー部分が、前記発泡ポリマー部分の中に半径方向に延びる、内側に先細りになる断面を有する、前記１に記載のポリマー絶縁導体のツイストペア。
５．ポリマー絶縁体が厚さ約４〜２０ミルである、前記１に記載のポリマー絶縁導体のツイストペア。
６．前記ポリマー絶縁体の平均空孔率が約１０〜７０％である、前記１に記載のポリマー絶縁導体のツイストペア。
７．前記耐圧潰性ポリマー部分は、前記ツイストペアの幅が前記撚りの前の各前記ポリマー絶縁導体の直径の合計の少なくとも約９０％となるような耐圧潰性を有する、前記１に記載のポリマー絶縁導体のツイストペア。
８．前記部分（ｉ）および（ｉｉ）が前記ポリマー絶縁体全体を構成する、前記１に記載のポリマー絶縁導体のツイストペア。
９．前記部分（ｉ）および（ｉｉ）がそれぞれ少なくとも３つの領域に細分されており、それらが互いに交互になっており、各前記ポリマー絶縁導体の長さに沿って延びる、前記１に記載のポリマー絶縁導体のツイストペア。
１０．前記部分（ｉｉ）が、前記部分（ｉｉ）の前記少なくとも３つの領域を、各前記ポリマー絶縁導体の前記ポリマー絶縁体の前記表面で相互接続する、本質的に発泡していないポリマーの層を含む、前記９に記載のポリマー絶縁導体のツイストペア。
１１．前記部分（ｉｉ）が、部分（ｉｉ）の前記少なくとも３つの領域を前記導体の前記表面で相互接続する、本質的に発泡していないポリマーの層を含む、前記９に記載のポリマー絶縁導体のツイストペア。
１２．前記ポリマー絶縁体の前記ポリマーが、フルオロポリマーとポリオレフィンからなる群から選択される、前記９に記載のポリマー絶縁導体のツイストペア。
１３．前記部分（ｉ）および（ｉｉ）が、少なくとも５つの領域に細分されている、前記９に記載の絶縁導体のツイストペア。
１４．前記部分（ｉｉ）が、前記絶縁体の厚さ全体を本質的に通って延びる、前記９に記載の絶縁導体のツイストペア。