【事件の表示】
　特許第３３５２０８４号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］本件訂正審判の訂正請求の要旨
　本件訂正請求の要旨は、本件特許３３５２０８４号（特願平７−５２４５３７号（出願日：平成７年３月１７日）の分割出願である特願２００１−２３７７９１号のさらなる分割出願（優先権主張：平成６年３月１８日、平成６年１１月８日、平成７月１月２０日、平成７年３月１５日、設定登録：平成１４年９月２０日）の願書に添付した明細書（以下、「本件特許明細書」）を、本件訂正請求書に添付した全文訂正明細書のとおりに訂正することを求めるものである。
　
［２］訂正の内容
　本件訂正は、本件特許明細書の特許請求の範囲を下記のように訂正しようとするものである。
「【請求項１】絶縁性支持体と、その片面
のみ
る
ＢＧＡ用の
フレキシブル
半導体素子搭載領域と、該半導体素子搭載領域の外側の樹脂封止用半導体パッケージ領域とを、複数組備え、
上記配線は、厚み１２〜３５μｍの銅箔から形成される配線であって、上記銅箔は、上記絶縁性支持体に直接形成されていて、上記絶縁性支持体の半導体素子を搭載する面側のみに１層あり、
上記配線は、上記半導体パッケージ領域に形成され
る
はんだボールを接続するための
及びそれらをつなぐ配線を配線の一部として備え、
上記外部接続端子は、上記配線の上記絶縁性支持体側の面に備えられ、上記半導体素子搭載領域の上記外部接続端子は、平面視において当該半導体素子搭載領域の中央部まで抜けなく格子状に配列されており、
上記ワイヤボンディング端子は、上記配線の上記絶縁性支持体側の面の反対側の面に備えられ、
上記外部接続端子の形成され
る
に接続されるはんだボールが配置され溶融されるための
上記開口部はウエットエッチング加工により形成されたものであり、上記開口部の半導体素子を搭載する面側は、上記外部接続端子で塞ぐように覆われており、上記ワイヤボンディング端子の表面に、ニッケルめっき層、及びその上面に金めっき層を有してなり、
上記絶縁性支持体はポリイミドフィルムであって、（化１）の繰り返し単位を有するポリイミドを７０モル％以上含んだポリイミドからなり、上記開口部の側壁に上記絶縁性支持体が露出して
ＢＧＡ用の
フレキシブル
（化１）
  
【請求項２】上記外部接続端子は、上記半導体素子搭載領域ごとに二つ以上設けられることを特徴とする請求項１記載の
ＢＧＡ用の
フレキシブル
　
【請求項
３
ＢＧＡ用の
フレキシブル
ＢＧＡ用の
フレキシブル
る
る
　
【請求項
４
３
　
［３］当審の判断
（１）特許法第１２６条第１項、第３項及び第４項について
・訂正事項１
　【請求項１】において、半導体素子搭載用基板を、「
ＢＧＡ用の
フレキシブル
のみ
　
・訂正事項２、３
　【請求項１】において、配線を、「
上記配線は、厚み１２〜３５μｍの銅箔から形成される配線であって、上記銅箔は、上記絶縁性支持体に直接形成されていて、上記絶縁性支持体の半導体素子を搭載する面側のみに１層あり、」
る
はんだボールを接続するための
及びそれらをつなぐ配線を配線の一部として備え、
　
・訂正事項４
　【請求項１】において、外部接続端子を、「
上記外部接続端子は、上記配線の上記絶縁性支持体側の面に備えられ、上記半導体素子搭載領域の上記外部接続端子は、平面視において当該半導体素子搭載領域の中央部まで抜けなく格子状に配列されており、
　
・訂正事項５、７
　【請求項１】において、ワイヤボンディング端子を、「
上記ワイヤボンディング端子は、上記配線の上記絶縁性支持体側の面の反対側の面に備えられ、
上記ワイヤボンディング端子の表面に、ニッケルめっき層、及びその上面に金めっき層を有してなり、
　
・訂正事項６、８
　【請求項１】において、絶縁性支持体を、「上記外部接続端子の形成され
る
に接続されるはんだボールが配置され溶融されるための
上記開口部はウエットエッチング加工により形成されたものであり、上記開口部の半導体素子を搭載する面側は、上記外部接続端子で塞ぐように覆われており、
上記絶縁性支持体はポリイミドフィルムであって、（化１）の繰り返し単位を有するポリイミドを７０モル％以上含んだポリイミドからなり、上記開口部の側壁に上記絶縁性支持体が露出して
　
・訂正事項９、１０
　【請求項１】における「特徴とする半導体素子搭載用基板」を、「特徴とする
ＢＧＡ用の
フレキシブル
ＢＧＡ用の
フレキシブル
　
・訂正事項１１
　特許請求の範囲の【請求項３】、【請求項４】、【請求項５】、【請求項６】の削除に伴い、【請求項７】、【請求項８】を、【請求項３】、【請求項４】に繰り上げるとともに、新しい【請求項３】に「請求項１〜６」とあるのを、「請求項１〜２」と訂正し、「半導体素子搭載用基板」とあるのを、「
ＢＧＡ用の
フレキシブル
る
る
　
　そして、上記訂正は本件特許明細書（【００３５】、【００３７】、【００６１】、【００６１】、【００６６】、【００６８】、【００６９】、【００７２】、【００７４】、各実施例）及び図面（図２３等）の記載内容に基づくものといえるので、同明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（２）特許法第１２６条第５項について
（２−１）本件訂正発明
　本件訂正後の請求項１−４に係る発明は、上記［２］に記載されたとおりのものである（以下、それぞれ、「本件訂正発明１」…「本件訂正発明４」という。）。
　なお、本件出願は、特願平７−５２４５３７号の分割出願である特願２００１−２３７７９１号をさらに分割して出願されたものであるが、それらの分割出願は適法になされたものであるから、本件出願の出願日は平成７年３月１７日に遡及する。また、本件出願では、複数の出願を基礎として国内優先権が主張されているが、それら優先権の基礎となる出願明細書の記載から見て、平成７年３月１５日（以下、「優先権基準日」という。）が本件出願に係る発明についての優先権の基準となる。
　
（２−２）引用刊行物の記載事項
　これに対して、本件優先権基準日前に頒布された下記引用刊行物１には、以下の事項が記載されている。
・刊行物１：特開昭６１−１７７７５９号公報
（ａ）「特許請求の範囲
　１．パッケージより、アウターリードを垂直に出した半導体装置であって、前記パッケージ本体内の半導体素子の下部にもアウターリードを有して成ることを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲）
　   
（ｂ）「［発明の概要］
　…本発明では、チップの下部にもアウターリードを垂直に出した構成、換言すれば、アウターリードを全面に設け、その上部にチップを搭載する構成としたもので、チップは大なるサイズのものが搭載でき、ピン数も増加でき、配線引きまわしも容易となり、かつ、パッケージサイズも小型化可能となる。」（第２頁左上欄第１９行−右上欄第９行）
　
（ｃ）「［実施例］
　…第１図に示すように、ベース（基板）１の上に接着材料２により半導体素子（チップ）３を固着する。
　ベース１は例えばガラスエポキシ基板により構成される。」（第２頁右上欄第１０−１６行）
　
（ｄ）「基板１には第１図および第２図に示すようにその垂直方向に多数のアウターリード４が立設されている。
　…アウターリード４は半導体素子３の下部にも立設されている。パッケージ本体５の基板１の裏面から基（「碁」の誤記と認められる）盤目状に一定のピッチで、金属ピンよりなるアウターリード４が全面にわたって突出しており」（第２頁左下欄第５−１２行）
　
（ｅ）「ベース１には、第１図にはメタライズ層（配線層）６がメッキ、蒸着などにより設けられており、このメタライズ層６と半導体素子３のパッド…とを、コネクタワイヤ７により、…ボンディングし、上記メタライズ層６と、アウターリード４とを、ベース１に穿設されたスルホールを介して電気的に接続している。
　アウターリード４は、ベース１に融点の高い半田により、半田付される。」（第２頁左下欄第１６行−右下欄第５行）
　
（ｆ）「ベース１上に、ダム８を…接合し、このダム８により区画されたエリア内にＳｉゲル材料をポッティングし、加熱硬化させ、得られたＳｉ系ゲル９により、半導体素子３とコネクタワイヤボンディング部などを被覆する。」（第２頁右下欄第９−１４行）
　
（ｇ）「第３図は、本発明におけるワイヤボンディングおよびピン間の配線の要部平面図で、第３図に示すように、半導体素子３のボンディングパッド１１とメタライズ層９とをコネクタワイヤ７によりボンディングするが、本発明では配線基板１のメタライズ層（配線）９をボンディングリードとして利用すると、ピン間に引きまわすコネクタワイヤの本数が少なくでき、その配線が楽になる。」（上記「メタライズ層９」、「メタライズ層（配線）９」は、「メタライズ層６」、「メタライズ層（配線）６」の誤記と認められる。）（第３頁右下欄第１−８行）
　
（ｈ）第１図、第２図（第４頁右下欄）、第３図（第５頁上欄）には、それぞれ、実施例の断面図、底面図、要部平面図が示されている。
　
（２−３）引用刊行物１発明
　　上記記載事項（ａ）−（ｈ）によれば、引用刊行物１には、
「ガラスエポキシ基板により構成されるベースに、半導体素子の搭載される領域と、その外側にＳｉ系ゲルにより被覆される領域を有し、ベースの半導体素子を搭載する面側のみに、メタライズ層からなる複数の配線が設けられ、メタライズ層はコネクタワイヤボンディング部と金属ピンよりなるアウターリードに接続する端子及びそれらをつなぐ配線を配線の一部として備え、コネクタワイヤボンディング部はＳｉ系ゲルにより被覆される領域のメタライズ層の上面に設けられ、アウターリードに接続する端子は半導体素子の搭載領域のメタライズ層の下面に複数設けられ、アウターリードに接続する端子の形成される箇所のベースにこの端子に達するスルホールが穿設され、スルホールの半導体素子を搭載する面側がメタライズ層で塞ぐように覆われている半導体素子搭載用基板。」の発明（以下、「引用刊行物１発明」という。）が記載されているといえる。
　
　なお、審判請求人は、意見書（「イ 引用刊行物１発明の認定について」の「(ウ）」）において、「引用刊行物１記載のＰＧＡ基板は，ベース１に穴加工を施し，さらにベース１表面にレジストを形成した後，穴内面及びベース１の露出した部分にメッキ・蒸着等で導電層，メタライズ層６を形成する工程で製造されると解されます。この場合，穴の開口部上面を覆うようにメタライズ層６は形成できません。また，一般的なＰＧＡ基板は，両面銅箔付き積層板に穴加工を施した後，穴内面及び銅箔表面にメッキ等で導電層を形成し，最後にエッチングにより配線を形成する工程で製造されます（例えば，「NIKKEI ELECTRONICS MICRODEVICES　1984.6.11」１６７ページ参照）。この工程においても，穴の開口部上面を覆うようにメタライズ層は形成できません。
　このことから，引用刊行物１発明においては，アウターリード４に接続する端子の形成される箇所のベース１にこの端子に達するスルホールが穿設されることはなく，また，スルホールの半導体素子３を搭載する面側がメタライズ層６で覆われることはありません。」（第４頁第３３行−第５頁第９行）と主張している。
　
　しかしながら、ＰＧＡ用基板において、ピンからなるアウターリードをベース（絶縁性支持体）の開口部（スルーホール）に設ける場合、開口部の側壁に導電層を形成し、該導電層を介してアウターリードを電気的に接続させる他に、開口部の側壁に導電層を形成することなく、開口部を覆う配線にピンを直接接続する技術も公知であったと認められ（例えば、下記文献１、２参照）、また、引用刊行物１には、開口部側壁に導電層を設ける旨の記載、及び図示もないことから、「引用刊行物１発明においては，アウターリード４に接続する端子の形成される箇所のベース１にこの端子に達するスルホールが穿設されることはなく，また，スルホールの半導体素子３を搭載する面側がメタライズ層６で覆われることはありません。」との主張は採用できない。
　
　文献１：特開平６−１４０４６２号公報
　「このＴＡＢ型パッケージは、…ポリイミド等の樹脂で製作されるＴＡＢ　フィルム１上に、銅の金属膜を被着し、この金属膜をエッチングにより複　数の配線２を形成し、」（【０００４】）
　「ＴＡＢフィルム１の配線層の外部端子に対応する部分をエッチングし、　スルーホール３を形成する。勿論、スルーホール３の位置は望ましくは格　子状に配列され形成される。
　…次に、スルーホール３を形成したＴＡＢフィルム１の裏面から露出した　配線の部分に、金等の導電ピンを熱圧着等の手段例えば、予備半田された　導電ピン５ａを熱圧で接合する方法で接続し、ＴＡＢフィルム１と垂直方　向に立てて接続し、…次に、スルーホール３に樹脂６ａをポッティングし　、導電ピン５ａを固定し、これを外部端子とする。」（【００１９】−【　００２０】）
　
　文献２：特開昭６３−２５３６５８号公報
　「〔問題を解決するための手段〕
　　本発明の半導体装置は、貫通孔を有する穴開き絶縁基板と、穴開き絶縁　基板の表面に形成した配線層と、穴開き絶縁基板の表面に搭載され配線層　と結線された半導体素子と、穴開き絶縁基板の貫通孔に基板表面で配線層　と接続し且つ基板裏面から突出するように挿入され、該貫通孔内で銀ロウ　により固着された金属製のピンとを備えたことを特徴とするものである。
　　穴開き絶縁基板としては、従来からのガラスエポキシやセラミックスで　よいが、」（第２頁右上欄第１１行−左下欄第１行）
　
　「〔作用〕
　　本発明においては、穴開き絶縁基板を使用し、配線層と外部とを連絡す　る導電媒体として、金属製のピンを穴開き絶縁基板の貫通孔内に挿入し、　その内部で銀ロウにより固着してある。従って、基板を貫通し内部の配線　層と外部とを連絡する導電媒体として、従来の如く複数のグリーンシート　にいちいちスルホールメタライズを形成する必要がない。……
　　更に、金属製のピンの穴開き絶縁基板への固着は、貫通孔内にピンを挿　入して両者の隙間に銀ロウを浸透流入させるだけで良好な結合が得られ、　従来の如く基板裏面のメタライズ部にピンを精度よくロウ付けするよりも　簡単である。」（第２頁右下欄第１−１７行）
　
　「〔実施例〕
　　…銀ロウ１４でピン３を穴開き絶縁基板１に固着させた。
　　……・
　　　その後、従来と同様に基板表面にアルミニウムの配線層８を形成して　　各ピン３と接続させ」（第３頁左上欄第３−１３行）
　　
（２−４）対比・判断
（Ａ）本件訂正発明１について
　本件訂正発明１と引用刊行物１発明とを対比すると、引用刊行物１発明における「ベース」、「メタライズ層」、「メタライズ層の上面」、「メタライズ層の下面」、「コネクタワイヤボンディング部」、「アウターリードに接続する端子」、「スルホール」、「Ｓｉ系ゲルにより被覆される領域」は、それぞれ、本件訂正発明１の「絶縁性支持体」、「配線」、「配線の上記絶縁性支持体側の面の反対側の面」、「配線の上記絶縁性支持体側の面」、「ワイヤボンディング端子」、「外部接続端子」、「開口部」、「樹脂封止用半導体パッケージ領域」に相当するものと認められる。
　
　よって、両者は、
「絶縁性支持体と、その片面のみに形成される複数の配線とを備える半導体素子搭載用基板において、
　半導体素子搭載領域と、該半導体素子搭載領域の外側の樹脂封止用半導体パッケージ領域とを、備え、
　上記配線は、上記絶縁性支持体の半導体素子を搭載する面側のみにあり、
　上記配線は、上記半導体パッケージ領域に形成されるワイヤボンディング端子と、上記半導体素子搭載領域に形成される外部接続端子及びそれらをつなぐ配線を配線の一部として備え、
　上記外部接続端子は、上記配線の上記絶縁性支持体側の面に備えられ、
　上記ワイヤボンディング端子は、上記配線の上記絶縁性支持体側の面の反対側の面に備えられ、
　上記外部接続端子の形成される箇所の上記絶縁性支持体に開口部が設けられ、上記開口部の半導体素子を搭載する面側は、上記外部接続端子で塞ぐように覆われている半導体素子搭載用基板。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）      
　本件訂正発明１では、配線が、厚み１２〜３５μｍの１層の銅箔から形成され、銅箔は絶縁性支持体に直接形成されているのに対し、引用刊行物１発明では、配線はメタライズ層（メッキ、蒸着など）により絶縁性支持体に形成され、その厚み及び材質についての限定がなされていない点。
　
（相違点２）
　本件訂正発明１では、半導体素子搭載領域と、該半導体素子搭載領域の外側の樹脂封止用半導体パッケージ領域とを、複数組備えるのに対し、引用刊行物１発明では、それが明らかではない点。
　
（相違点３）
　本件訂正発明１では、半導体素子搭載領域の外部接続端子は、平面視において当該半導体素子搭載領域の中央部まで抜けなく格子状に配列されているのに対し、引用刊行物１発明では、それが明らかではない点。
　
（相違点４）
　本件訂正発明１では、ＢＧＡ用の基板であって、外部接続端子にはんだボールが接続されるのに対し、引用刊行物１発明では、外部接続端子に金属ピンが接続される、いわゆるＰＧＡ用の基板である点。
　
（相違点５）
　本件訂正発明１では、絶縁性支持体に設けられる開口部が、外部接続端子に接続されるはんだボールが配置され溶融されるためのものであって、ウエットエッチングにより形成されるものであるのに対し、引用刊行物１発明はそうではない点。
　
（相違点６）
　本件訂正発明１では、ワイヤボンディング端子の表面に、ニッケルめっき層、及びその上面に金めっき層を有してなるのに対し、引用刊行物１発明では、それが明らかではない点。
　
（相違点７）
　本件訂正発明１では、絶縁性支持体がポリイミドフィルムであって、（化１）の繰り返し単位を有するポリイミドを７０モル％以上含んだポリイミドからなり、開口部の側壁に上記絶縁性支持体が露出したフレキシブル基板である
（化１）
　
のに対し、引用刊行物１発明では、ベース（絶縁性支持体）がガラスエポキシで構成され、開口部の側壁に絶縁性支持体が露出しているか否か明らかではない点。
　
　上記相違点について検討する。
　まず、（相違点２）、（相違点３）、（相違点４）、（相違点６）について検討する。
・（相違点２）について
　本件優先権基準日前に頒布された下記各刊行物には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
ａ．特開昭６４−５４７９１号公報
　「配線回路部Ａ複数個を、両側の連結部Ｂにより連結しており」（第３頁左上欄第９−１０行）と記載され、第１図（第４頁左上欄）には、実施例における複合配線基板の平面図により、複数組の基板の配列が示されている。
　
ｂ．特開昭６３−６０５４７号公報
　「シート状で多数の半導体搭載用基板が連続的に配列されたプリント配線用基板（第２頁右下欄第１４−１５行）と記載され、第２図（ａ）（第５頁左上欄）には、半導体搭載用基板を形成する状態を示した部分平面図により、複数組の基板の配列が示されている。
　
　上記各刊行物の記載によれば、半導体素子搭載用基板の製造方法において、同一基板上に複数組の個別の基板領域を配列して形成し、これを一括して製造することは、周知又は公知の技術であったものと認められる。
　よって、半導体素子搭載領域と樹脂封止用パッケージ領域とを複数組備えることは、周知又は公知の技術であったものと認められ、引用刊行物１発明において、これを適用することは当業者が適宜なしえたことである。
　
・（相違点３）について
　半導体素子搭載領域の外部接続端子の配列は、接続端子の数、半導体素子搭載領域の面積、配線の引きまわし等に応じて決定すべき設計的事項にすぎない。
　
・（相違点４）について
　本件優先権基準日前に頒布された下記各刊行物には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
ａ．特開平６−２１１７３号公報
　「およびピン（５８）またははんだボール（２６）のいずれか１つを、前記複数の動作接点のそれぞれ１つに付着する段階：によって構成されることを特徴とする…半導体デバイス（１０，３０，５０）を製造する方法。」（第２頁第１欄第１４−１８行）
　
　「図１は本発明に基づくＯＭＰＡＣ半導体デバイス１０の上面図を示したものである。デバイス１０はパッケージ基板材料１２を含んでおり、…本発明の好適実施例では、パッケージ基板１２はフレキシブルな薄いストリップ状またはテープ状に形成されたビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂ともいう）である。…同様にパッケージ基板１２は、…薄いエポキシ・ガラス複合材料でもよい。」（第３頁第３欄第１５−２５行）
　
ｂ．特開平６−３２６２１１号公報
　「半導体パッケージの接続端子として…のはんだボールの代わりに、パッド接続用ピン９をはんだで接続した点である。」（【００１３】）　
　
ｃ．「日経マイクロデバイス」１９９３年（平成５年）９月号、８１〜８５頁、日経ＢＰ社刊
　「ＢＧＡ（ｂａｌｌ　ｇｒｉｄ　ａｒｒａｙ）パッケージ…は本質的にはＰＧＡパッケージと同じだが、…多ピンに対応できる」（第８４頁右欄第２３−３１行）
　
ｄ．「電子材料」１９９４年（平成６年）５月号、第２２〜２７頁、工業調査会社刊
　「Ｐ−ＢＧＡパッケージ技術と表面実装」と題し、「Ｐ−ＰＧＡのピンをハンダボールに変えることにより、表面実装型パッケージとなり、かつ実装技術も容易になるとの提案があった。」（第２２頁左欄下から２−４行）
　
　上記各刊行物の記載によれば、半導体素子搭載用基板において、ピンとはんだボールが相互に置換可能であることは周知又は公知であったものと認められ、引用刊行物１の第４頁右上欄第２０行には、「他のパッケージにも適用できる。」と記載されていることから、引用刊行物１発明においてＢＧＡ用の基板とすることは当業者が容易になしえたことといえる。
　
　なお、審判請求人は、意見書（「エ　相違点４の判断について」）において、「引用刊行物１（特開昭　６１−１７７７５９号）発明のメタライズ層はＡｌにより構成されており（２ページ右下欄６行〜８行），そして，
アルミニウムにははんだは付着しないとされていることから（特開平５−１４１０１号公報，段落【０００４】参照），引用刊行物１発明のアウターリード４に代えてはんだボールを使用することには阻害要因があります
　しかしながら、引用刊行物１発明においては、メタライズ層（配線層）がＡｌに限定されるわけではなく、また、はんだ自体の成分調整、フラックス添加、あるいは付着方法の工夫等により、アルミニウムにはんだを付着させること自体は周知であったといえるから（例えば、下記周知例１、２参照）、上記の主張は採用できない。
　
　周知例１：特開平４−１７１９４１号公報
　「（２）ベアＩＣチップ（１）のアルミニウムベースメタル電極（２３）　上に置かれた半田ボール（１３）に超音波圧力及び熱を加えて、上記アル　ミニウムベースメタル電極（３）の表面の酸化膜（２５）を破壊して除去　すると共に上記半田ボールを（３）を溶融させ、上記酸化膜（２５）が除　去されたアルミニウムベースメタル電極（３ａ）上に下地層としての半田　膜（１９）を形成する工程（２０）と、該半田膜形成工程（２０）により　形成された半田膜（１９）を形成する工程（２０）と該半田膜形成工程（　２０）により形成された半田膜（１９）に、バンプを形成するための金属　ボール（１３）を圧力及び熱を加えて接合する金属ボール接合工程（３０　）とよりなることを特徴とするベアＩＣチップの電極構造の製造方法。」　（２．特許請求の範囲）
　
　「電極１１は、…元のアルミベースメタル電極３上の下地層としての半田　膜１２上に半田ボール１３が接合され、この半田ボール１３が…突出して　バンプ１４を形成した構造である。」（第２頁右下欄第１８行−第３頁　　左上欄第３行）
　
　周知例２：「エレクトロニクスのはんだ付け」昭和５１年１月２０日、総　　　　　合電子出版社刊、１８３頁
　「７．５．４　面発熱体，コンデンサ，印刷回路などのはんだ付法
　アルミニウム箔を利用した、…印刷回路のリード線付けには、有機のフラ　ックスを内蔵する２００℃タイプのアルミニウム用はんだが使用されてい　る。」
　
・（相違点６）について
　本件優先権基準日前に頒布された下記各刊行物には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
ａ．特開昭６３−２５６４９８号公報
　「コンタクト端子裏面に、ニッケルめっき、さらに金めっきを施し、その部分をワイヤボンディング端子とすることを特徴とするＩＣカード用プリント配線板。」（特許請求の範囲）
　
ｂ．特開平２−１２００９３号公報
　「ボンディング端子（２１）…にニッケルメッキ（３０）を施し、さらにそのニッケルメッキ（３０）上に軟質金メッキ（４０）を施す。」（第３頁左上欄第６−９行）
　
　上記各刊行物の記載によれば、半導体素子搭載用基板において、ワイヤボンディング端子の表面にニッケルめっき層、さらにその上に金めっき層を施すことは周知又は公知の技術であったものと認められ、引用刊行物１発明にそれを適用することは当業者が適宜なしえた事項である。
　
・（相違点１）、（相違点５）、（相違点７）について
　本件優先権基準日前に頒布された下記各刊行物には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
ａ．特開平４−１８８７４１号公報
　「ポリイミド膜１ａ上に３５μｍ厚の銅箔を部分エッチングにより配線パターンに形成」（第３頁左下欄第１−２行）
　
ｂ．特開平３−９４４３０号公報
　「１０はポリイミド等の電気的絶縁性を有するフィルムから成るベースフィルムで、１２はこのベースフィルム１０上に形成した回路パターン、１４は半導体チップを接合するダイボンディング部である。回路パターン１２およびダイボンディング部１４は、たとえばベースフィルム１０上に銅箔を接着し、銅箔上にレジストパターンを形成してエッチングすることによって、形成することができる。ベースフィルム１０に銅箔を接合する場合は、接着剤を用いる場合と接着剤を用いない場合とがある。」（第２頁左下欄第６−１７行）
　
　上記各刊行物の記載によれば、上記（相違点１）に関し、半導体素子搭載用基板において、配線が、厚み１２〜３５μｍの１層の銅箔から形成され、銅箔は絶縁性支持体に直接形成されるものは、周知又は公知であったものと認められる。
　
　また、本件優先権基準日前に頒布された下記各刊行物には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
ｃ．特開平６−１３４３４号公報
　「フィルムキャリア１はポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ガラスエポキシ樹脂などからなる可撓性絶縁フィルム２とこの絶縁フィルム２上にパターン形成された銅箔等の金属導体膜のリード５とを備えている。」（【００１４】）　
　
ｄ．特開平６−１４０４６２号公報
　「このＴＡＢ型パッケージは、…ポリイミド等の樹脂で製作されるＴＡＢフィルム１上に、銅の金属膜を被着し、この金属膜をエッチングにより複数の配線２を形成し、」（【０００４】）
　
　「ＴＡＢフィルム１の配線層の外部端子に対応する部分をエッチングし、スルーホール３を形成する。勿論、スルーホール３の位置は望ましくは格子状に配列され形成される。
…次に、スルーホール３を形成したＴＡＢフィルム１の裏面から露出した配線の部分に、金等の導電ピンを熱圧着等の手段例えば、予備半田された導電ピン５ａを熱圧で接合する方法で接続し、ＴＡＢフィルム１と垂直方向に立てて接続し、…次に、スルーホール３に樹脂６ａをポッティングし、導電ピン５ａを固定し、これを外部端子とする。」（【００１９】）
　
ｅ．特公平６−６３６０号公報
　「この発明のポリイミド−金属箔複合フィルムは、導電性金属箔の箔面に、下記の一般式（１）で表される繰返し単位および一般式（２）で表される繰返し単位を主体とするポリイミド樹脂層が直接形成されているという構成をとる。
　上式において、…ｌ：ｍ＝７０〜８０：３０〜２０である。」（第３頁右欄第２３行−左欄第４３行）
 
 「前記一般式（１）で表される繰返し単位が７０モル％未満になると金属箔とポリイミド樹脂層との線膨張係数の差が大きくなりすぎ得られるポリイミド−金属箔複合フィルムにカールが生じるようになる。」（第４頁左欄第２９−３２行）
　
「上記金属箔の種類としては、銅箔、アルミニウム箔が好ましく、」（第６頁右欄第３８−３９行）
　
ｆ．特開昭６１−１７６１９６号公報
　「通常のポリイミド系樹脂は、熱膨張率が４〜７×１０−５／Ｋと大きいため、加熱硬化後の熱応力、すなわち基板や
配線材料とポリイミド系樹脂との熱膨張率差に起因する応力が大きくなり、
　　
　「本発明による効果を充分生かすためには、従来のポリイミド系樹脂（熱膨張率４×１０−５／Ｋ以上）に比べて熱膨張率の小さい新規なポリイミドを用いるのが最も望ましい。……ｌは０〜４、ｍは０〜２、ｎは０〜３である。…
　本発明に適用される低熱膨張性ポリイミドとしては次のような例が挙げられる。…ｌ、ｍ、ｎは前述の定義の通りであり、
　……
　  
　……　　　　　　　　　」（第３頁右上欄第５行−第４頁左上欄第３行）　　　　　　　　
　上記各刊行物の記載によれば、上記（相違点７）に関し、半導体素子搭載用基板において、絶縁性支持体としてポリイミドフィルムを用い（刊行物ｄには、外部端子としてピンを用いることも示されている。）、フレキシブル基板とすること、そして、表面に銅箔等の配線層を設ける場合に、ポリイミドフィルムとして、（化１）の繰り返し単位を有するポリイミドを７０モル％以上含んだポリイミドからなるもの
　（化１）
　
を採用すると、熱膨張差に起因する反りの発生等が防止できることも周知又は公知の事項であったと認められる。
　
　さらに、本件優先権基準日前に頒布された下記各刊行物には、以下の事項が記載されている。　
ｇ．特開昭６２−２９５４９４号公報
　「ウェットエッチングにより前記ポリイミド膜にスルーホール…を形成する工程とを含む…高速素子実装用回路基板の製造方法。」（特許請求の範囲）
　
ｈ．特開平２−２１５１４４号公報
　「可撓性テープ２の表面全体を耐アルカリ性エッチングレジストで保護し、テープ２を５規定の水酸化カリウム水溶液中に、…浸漬した後、水洗した。これにより、エッチングレジストで保護しなかった部分のポリイミドフィルムを除去し、デバイス孔３を作成した。
更に、…インナーリード部の先端より１２．５μｍ（図Ｃ）内側の位置に中心を有する直径．５μｍ（図Ｄ）の孔(穿孔部９)をエッチングによって形成した。エッチングの方法は前述したデバイス孔の場合と同様であり、エッチングは穿孔部９の底部にインナーリード部１ａの銅箔が露出するまで行なった。」（第４頁右上欄第１０行−左下欄第５行）
　
ｉ．特開平４−１３７７４２号公報
　「フィルムキャリア（１００）を製造するには、先ず、第３図に示すようなポリイミドからなるフィルム（１０）に接着剤を使用せずに銅箔を貼着した２層材を使用する。……
　次に、公知の方法によって前述の２層材をエッチングして、…互いに独立した多数の導体回路（２０）…を形成する。
　次いで、…公知の方法によって２層材のフィルム（１０）を苛性ソーダ、ヒドラジン等によりエッチングして開口（１１）を形成する。」（第３頁左下欄第５行−右下欄第１行）
　
　上記各刊行物の記載によれば、上記（相違点５）に関し、配線層（銅配線）を有するポリイミドフィルムからなる半導体素子搭載用基板において、配線層に達する開口部をウエットエッチングによってポリイミドフィルムに形成することは周知又は公知であったと認められる。
　
　したがって、上記周知ないし公知の各技術事項を勘案すると、引用刊行物１発明において、「配線」および「絶縁性支持体」として、それぞれ、「厚みが１２〜３５μｍの１層の銅箔から形成され、銅箔は絶縁性支持体に直接形成されるもの」および「ポリイミドフィルムであって、（化１）の繰り返し単位を有するポリイミドを７０モル％以上含んだポリイミドからなるもの
（化１）
  
」を採用し、フレキシブル基板とするとともに、絶縁性支持体に設けられる開口部の形成をウエットエッチングにより行うことは、当業者が容易になしえたことであり、また、その開口部を外部接続端子に接続されるはんだボールが配置され溶融されるためのものに変更することも、上記のとおり、引用刊行物１記載のものをＢＧＡ用の基板とすることは当業者が容易になしえたこと（相違点４）なのであるから、それに伴う単なる設計的な事項にすぎない。
　
　さらに、（相違点７）のうち、本件訂正発明１では、絶縁性支持体の開口部の側壁に上記絶縁性支持体が露出しているのに対し、引用刊行物１発明では、スルホール（開口部）の側壁にベース（絶縁性支持体）が露出しているか否か明らかではない点については、引用刊行物１発明では、上記のとおり、スルホールの半導体素子を搭載する面側がメタライズ層で塞ぐように覆われており、電気的導通のためにスルホールの側壁をメタライズする必要もないことから、実質的な相違点とはいえない。
　
  そして、本件訂正発明１が、引用刊行物１発明及び上記周知又は公知の技術からは予想しえない効果を奏するものとも認められない。
　
  よって、本件訂正発明１は、引用刊行物１発明及び上記周知又は公知の技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものと認める。
　 
（Ｂ）本件訂正発明２
　本件訂正発明２は、本件訂正発明１において、「上記外部接続端子は、上記半導体素子搭載領域ごとに二つ以上設けられること」をさらに限定するものであるが、引用刊行物１発明においても、外部接続端子が複数設けられるものであり、この点で両者は相違しない。
　
　よって、本件訂正発明２は、引用刊行物１発明及び上記周知又は公知の技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものと認める。
　
（Ｃ）本件訂正発明３、４
　本件訂正発明３、４は、それぞれ、上記［２］のとおり、
　「請求項１〜２のいずれかに記載の
ＢＧＡ用の
フレキシブル
ＢＧＡ用の
フレキシブル
体素子搭載領域にダイボンデイング材を介して搭載され
る
る
３
　
　これに対し、引用刊行物１には、その記載事項（上記（２−２）（ｃ），（ｆ）等）によれば、上記「（２）（２−３）引用刊行物１発明」のとおりの、「ガラスエポキシ基板により構成される…半導体素子搭載用基板」の発明のみならず、「ガラスエポキシ基板により構成される…半導体素子搭載用基板と、上記半導体素子搭載用基板の上記半導体素子搭載領域に接着材料（すなわち、ダイボンデイング材）を介して搭載される半導体素子と、上記半導体パッケージ領域に設けられる封止樹脂とを備えることを特徴とする半導体パッケージ。」の発明（以下、「引用刊行物１’発明」という。）も記載されているといえる。
　
　そして、本件優先権基準日前に頒布された下記各刊行物には、以下の事項が記載されている。
ａ．実願昭６１−２９４７６号（実開昭６２−１４１０３８号）のマイクロフィルム） 
 「半導体素子をステム或いはリードフレームに固定するために用いられるダイボンディング用の接着テープに関する。…半導体チップをパッケージに組込むために種々のボンディング法が開発され」（第１頁第１１−１７行）
　
ｂ．特開昭５９−２３１８２５号公報
　「リードフレームのベッドに半導体素子を熱軟化性テープを介してダイボンディングしたことを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲）
　
  上記各刊行物の記載によれば、半導体素子搭載領域にダイボンディングテープを介して半導体素子を搭載することも周知又は公知であったものと認められる。
　  
　よって、本件訂正発明３、４は、引用刊行物１’発明及び上記周知又は公知の技術（上記「［Ａ］本件訂正発明１について」における周知又は公知技術も含む）に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものと認める。
　 
［４］むすび 
　したがって、本件訂正発明１−４は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件訂正は特許法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、認められない。