【事件の表示】
　平成１０年特許願第　３７６７５号「薄膜トランジスタ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　３月１６日出願公開、特開平１１−　７４５３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年２月１９日の出願（パリ条約に基づく優先権主張１９９７年８月２６日　大韓民国）であって、平成１９年１１月３０日付けの拒絶理由通知に対して、平成２０年４月４日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年６月１８日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年９月１９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１０月１６日に手続補正書が提出され、その後、平成２２年１０月１５日付けで審尋がなされ、平成２３年１月１８日に回答書が提出されたものである。
　
　
２．補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２０年１０月１６日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正の内容
　平成２０年１０月１６日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜１８を補正後の特許請求の範囲の請求項１〜１７に補正するものであって、補正前後の請求項は各々以下のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】　基板上に形成され、ゲート電極及びその上に形成された絶縁層、並びにソース及びドレイン電極を備える薄膜トランジスタであって、
　前記ゲート電極が、前記基板上に物質特性として引張応力特性を持つ物質から形成された第１金属層と前記第１金属層上に物質特性として圧縮応力特性を持つ物質から形成された第２金属層の積層からなり、前記第１金属層の幅Ｗ１を前記第２金属層の幅Ｗ２より大きくしている薄膜トランジスタにおいて、
　前記第１金属層の幅Ｗ１と前記第２金属層の幅Ｗ２との関係が、１μｍ＜Ｗ１−Ｗ２＜４μｍであることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】　前記第２金属層が前記第１金属層の略中央に位置し、前記第１金属層両側の、前記第２金属層と重畳されない部分の幅が略同一に形成されていることを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】　前記第１金属層がアルミニウム（Ａ１）又は銅（Ｃｕ）から形成されていることを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】　前記第２金属層はモリブデン（Ｍｏ）、ＭｏＷ、ＭｏＴａ、或いはＭｏＮｂのＭｏ合金のいずれか少なくとも一つから形成されていることを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】　基板上に物質特性として引張応力特性を持つ物質を蒸着して第１金属層を形成する工程と、
　前記第１金属層上に物質特性として圧縮応力特性を持つ物質を蒸着して第２金属層を形成する工程と、
　前記第２金属層上に前記第１金属層の所定幅Ｗ１を持つ感光膜を形成する工程と、
　前記感光膜をマスクとして前記第２金属層を、前記感光膜の幅Ｗ１より小さい幅Ｗ２を持つようにパターニングする工程と、
　前記感光膜をマスクとして前記第１金属層を前記幅Ｗ１を持つようにパターニングすることにより、前記第１金属層と第２金属層とが積層された構造のゲートを形成する工程と、
　前記感光膜を除去する工程とを備える薄膜トランジスタの製造方法において、
　前記第２金属層をパターニングする工程は等方性エッチングによりパターニングを行い、前記第１金属層をパターニングする工程は異方性エッチングによりパターニングを行い、前記感光膜の幅Ｗ１と前記幅Ｗ２との関係が、１μｍ＜Ｗ１−Ｗ２＜４μｍであることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】　前記ゲートを含む前記基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、
　前記第１絶縁膜上の、前記ゲートに対応する部分に半導体層及びオーム接触層を形成する工程と、
　前記オーム接触層上の両側に前記第１絶縁膜上に延長されるようにソース及びドレイン電極を形成し、前記ソース及びドレイン電極の間の前記オーム接触層を除去する工程と、
　前記半導体層と前記ソース及びドレイン電極と前記第１絶縁膜を覆う第２絶縁膜を形成する工程とをさらに備えることを特徴とする請求項５記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】　前記第１及び第２金属層をスパッタリング或いは化学気相蒸着方法のいずれかの方法で真空を破壊せずに連続して蒸着して形成することを特徴とする請求項５記載の薄膜トランジスタ製造方法。
【請求項８】　前記第１金属層をアルミニウム、銅、或いは金のいずれかから形成することを特徴とする請求項５記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】　前記第２金属層をモリブデン（Ｍｏ）、ＭｏＷ、ＭｏＴａ、或いはＭｏＮｂのＭｏ合金のいずれかから形成することを特徴とする請求項５記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１０】　前記第２金属層を燐酸（Ｈ3ＰＯ4）、酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）及び硝酸（ＨＮＯ3）を混合したエッチング溶液でエッチングすることを特徴とする請求項５記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１１】　前記第１金属層を反応性イオンエッチング（Reactive IonEtching）によりドライエッチングすることを特徴とする請求項５記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１２】　前記第２金属層が形成されていない、前記第１金属層の両側部分が略同一な幅を持つように形成することを特徴とする請求項５記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１３】　基板上に物質特性として引張応力特性を持つ物質を蒸着して第１金属層を形成する工程と、
　前記第１金属層上に物質特性として圧縮応力特性を持つ物質を蒸着して第２金属層を形成する工程と、
　前記第１金属層上に所定幅Ｗ１を持つ感光膜を形成する工程と、
　前記第１金属層が前記第２金属層の幅Ｗ２より広い幅を持つように前記第１金属層及び前記第２金属層を前記感光膜をマスクにしてエッチングして前記第１金属層及び第２金属層を含む二層構造を持つゲートを形成する工程と、
　前記感光膜を除去する工程と、
　前記第１金属層及び第２金属層と直接接触するように第１ゲート絶縁膜を形成する工程とを備える薄膜トランジスタの製造方法において、
　前記第２金属層を等方性エッチングによりパターニングを行い、前記第１金属層を異方性エッチングによりパターニングを行い、前記第１、第２の金属層の幅Ｗ１とＷ２との関係が１μｍ＜Ｗ１−Ｗ２＜４μｍであることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１４】　前記第１ゲート絶縁膜上の、前記ゲートに対応する部分に半導体層及びオーム接触層を形成する工程と、
　前記オーム接触層上の両側に前記第１絶縁膜上に延長されるようにソース及びドレイン電極を形成し、前記ソース及びドレイン電極の間の前記オーム接触層を除去する工程と、
　前記半導体層と前記ソース及びドレイン電極と前記第１絶縁膜を覆う第２絶縁膜を形成する工程とをさらに備えることを特徴とする請求項１３記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１５】　前記第１金属層をアルミニウム、銅、或いは金のいずれかから形成することを特徴とする請求項１３記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１６】　前記第２金属層をモリブデン（Ｍｏ）、ＭｏＷ、ＭｏＴａ、或いはＭｏＮｂのＭｏ合金のいずれかから形成することを特徴とする請求項１３記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１７】　前記第１金属層及び第２金属層をドライエッチング方法で除去することを特徴とする請求項１３記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１８】　前記第２金属層を燐酸（Ｈ3ＰＯ4）、酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）及び硝酸（ＨＮＯ3）を混合したエッチング溶液でエッチングすることを特徴とする請求項１３記載の薄膜トランジスタの製造方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　基板上に形成され、ゲート電極及びその上に形成された絶縁層、並びにソース及びドレイン電極を備える薄膜トランジスタであって、
　前記ゲート電極が、前記基板上に物質特性として引張応力特性を持つ物質から形成された第１金属層と前記第１金属層上に物質特性として圧縮応力特性を持つ物質から形成された第２金属層の積層からなり、前記第１金属層の幅Ｗ１を前記第２金属層の幅Ｗ２より大きくしている薄膜トランジスタにおいて、
　前記第１金属層の厚さが５００〜４０００Åで、前記第２金属層の厚さが５００〜２０００Åであり、
　前記第１金属層の幅Ｗ１と前記第２金属層の幅Ｗ２との関係が、１μｍ＜Ｗ１−Ｗ２＜４μｍであることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
　前記第２金属層が前記第１金属層の略中央に位置し、前記第１金属層両側の、前記第２金属層と重畳されない部分の幅が略同一に形成されていることを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
　前記第１金属層がアルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）から形成されていることを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
　前記第２金属層はモリブデン（Ｍｏ）、ＭｏＷ、ＭｏＴａ、或いはＭｏＮｂのＭｏ合金のいずれか少なくとも一つから形成されていることを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
　基板上に物質特性として引張応力特性を持つ物質を蒸着して第１金属層を形成する工程と、
　前記第１金属層上に物質特性として圧縮応力特性を持つ物質を蒸着して第２金属層を形成する工程と、
　前記第２金属層上に前記第１金属層の所定幅Ｗ１を持つ感光膜を形成する工程と、
　前記感光膜をマスクとして前記第２金属層を、前記感光膜の幅Ｗ１より小さい幅Ｗ２を持つようにパターニングする工程と、
　前記感光膜をマスクとして前記第１金属層を前記幅Ｗ１を持つようにパターニングすることにより、前記第１金属層と第２金属層とが積層された構造のゲートを形成する工程と、
　前記感光膜を除去する工程とを備える薄膜トランジスタの製造方法において、
　前記第１金属層の厚さが５００〜４０００Åで、前記第２金属層の厚さが５００〜２０００Åであり、
　前記第２金属層をパターニングする工程は等方性エッチングによりパターニングを行い、前記第１金属層をパターニングする工程は異方性エッチングによりパターニングを行い、前記感光膜の幅Ｗ１と前記幅Ｗ２との関係が、１μｍ＜Ｗ１−Ｗ２＜４μｍであることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】
　前記ゲートを含む前記基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、
　前記第１絶縁膜上の、前記ゲートに対応する部分に半導体層及びオーム接触層を形成する工程と、
　前記オーム接触層上の両側に前記第１絶縁膜上に延長されるようにソース及びドレイン電極を形成し、前記ソース及びドレイン電極の間の前記オーム接触層を除去する工程と、
　前記半導体層と前記ソース及びドレイン電極と前記第１絶縁膜を覆う第２絶縁膜を形成する工程とをさらに備えることを特徴とする請求項５記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
　前記第１及び第２金属層をスパッタリング或いは化学気相蒸着方法のいずれかの方法で真空を破壊せずに連続して蒸着して形成することを特徴とする請求項５記載の薄膜トランジスタ製造方法。
【請求項８】
　前記第１金属層をアルミニウム、銅、或いは金のいずれかから形成することを特徴とする請求項５記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】
　前記第２金属層をモリブデン（Ｍｏ）、ＭｏＷ、ＭｏＴａ、或いはＭｏＮｂのＭｏ合金のいずれかから形成することを特徴とする請求項５記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１０】
　前記第２金属層を燐酸（Ｈ３ＰＯ４）、酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）及び硝酸（ＨＮＯ３）を混合したエッチング溶液でエッチングすることを特徴とする請求項５記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１１】
　前記第１金属層を反応性イオンエッチング（Reactive IonEtching）によりドライエッチングすることを特徴とする請求項５記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１２】
　前記第２金属層が形成されていない、前記第１金属層の両側部分が略同一な幅を持つように形成することを特徴とする請求項５記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１３】
　基板上に物質特性として引張応力特性を持つ物質を蒸着して第１金属層を形成する工程と、
　前記第１金属層上に物質特性として圧縮応力特性を持つ物質を蒸着して第２金属層を形成する工程と、
　前記第１金属層上に所定幅Ｗ１を持つ感光膜を形成する工程と、
　前記第１金属層が前記第２金属層の幅Ｗ２より広い幅を持つように前記第１金属層及び前記第２金属層を前記感光膜をマスクにしてエッチングして前記第１金属層及び第２金属層を含む二層構造を持つゲートを形成する工程と、
　前記感光膜を除去する工程と、
　前記第１金属層及び第２金属層と直接接触するように第１ゲート絶縁膜を形成する工程とを備える薄膜トランジスタの製造方法において、
　前記第１金属層の厚さが５００〜４０００Åで、前記第２金属層の厚さが５００〜２０００Åであり、
　前記第２金属層を等方性エッチングによりパターニングを行い、前記第１金属層を異方性エッチングによりパターニングを行い、前記第１、第２の金属層の幅Ｗ１とＷ２との関係が１μｍ＜Ｗ１−Ｗ２＜４μｍであることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１４】
　前記第１ゲート絶縁膜上の、前記ゲートに対応する部分に半導体層及びオーム接触層を形成する工程と、
　前記オーム接触層上の両側に前記第１絶縁膜上に延長されるようにソース及びドレイン電極を形成し、前記ソース及びドレイン電極の間の前記オーム接触層を除去する工程と、
　前記半導体層と前記ソース及びドレイン電極と前記第１絶縁膜を覆う第２絶縁膜を形成する工程とをさらに備えることを特徴とする請求項１３記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１５】
　前記第１金属層をアルミニウム、銅、或いは金のいずれかから形成することを特徴とする請求項１３記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１６】
　前記第２金属層をモリブデン（Ｍｏ）、ＭｏＷ、ＭｏＴａ、或いはＭｏＮｂのＭｏ合金のいずれかから形成することを特徴とする請求項１３記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１７】
　前記第２金属層を燐酸（Ｈ３ＰＯ４）、酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）及び硝酸（ＨＮＯ３）を混合したエッチング溶液でエッチングすることを特徴とする請求項１３記載の薄膜トランジスタの製造方法。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると、以下のとおりである。
　
（２−１）補正事項１
　補正前の請求項１の「・・・薄膜トランジスタにおいて、」の後に、「前記第１金属層の厚さが５００〜４０００Åで、前記第２金属層の厚さが５００〜２０００Åであり、」を付加して、補正後の請求項１と補正すること。
　
（２−２）補正事項２
　補正前の請求項３における「Ａ１」なる記載を「Ａｌ」と改めて、補正後の請求項３とすること。
　
（２−３）補正事項３
　補正前の請求項５の「・・・薄膜トランジスタの製造方法において、」の後に、「前記第１金属層の厚さが５００〜４０００Åで、前記第２金属層の厚さが５００〜２０００Åであり、」を付加して、補正後の請求項５と補正すること。
　
（２−４）補正事項４
　補正前の請求項１３の「・・・薄膜トランジスタの製造方法において、」の後に、「前記第１金属層の厚さが５００〜４０００Åで、前記第２金属層の厚さが５００〜２０００Åであり、」を付加して、補正後の請求項１３と補正すること。
　
（２−５）補正事項５
　補正前の請求項１７を削除するとともに、補正前の請求項１８の番号を繰り上げて、補正後の請求項１７とすること。
　
（３）補正の目的の適否、及び新規事項の追加の有無について 
（３−１）補正事項１、３及び４について
　補正事項１は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「第１金属層」及び「第２金属層」について、その厚みを、それぞれ「５００〜４０００Å」及び「５００〜２０００Å」に減縮する補正であるから、特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、「第１金属層」及び「第２金属層」の厚みを、それぞれ、「５００〜４０００Å」及び「５００〜２０００Å」とすることは、本願の願書に最初に添付した明細書の００４６段落に記載されているものと認められるから、補正事項１は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下「当初明細書等」という。）のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項１は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすものである。
　また、補正事項３は、補正前の請求項５に係る発明の発明特定事項である「第１金属層」及び「第２金属層」について、その厚みを、それぞれ「５００〜４０００Å」及び「５００〜２０００Å」に減縮する補正であり、補正事項４は、補正前の請求項１３に係る発明の発明特定事項である「第１金属層」及び「第２金属層」について、その厚みを、それぞれ「５００〜４０００Å」及び「５００〜２０００Å」に減縮する補正であるから、補正事項１と同様に、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
（３−２）補正事項２について
　補正事項２は、特許法第１７条の２第４項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　
（３−３）補正事項５について
　補正事項５は、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　
（３−４）以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものを含んでいるから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて、以下において更に検討する。
　
（４）独立特許要件について
（４−１）補正後の発明
　本件補正による補正後の本願の請求項１〜１７に係る発明は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１７に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記（１）の「補正後」の箇所に記載したとおりのものである。
　
（４−２）引用刊行物に記載された発明
（４−２−１）本願の優先日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平９−１７１１９７号公報（以下「引用例」という。）には、図７〜１１及び図１３〜１６とともに以下の記載がある（なお、下線は当合議体にて付加したものである。）。　
　
　「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は
薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法に関する
　
　「【００１９】図７乃至図１１は本発明の第１実施例による液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。参照符号のＣはＴＦＴ部であって、図６のＩ−Ｉ’線による断面図である。かつ、Ｄはパッド部であって、II−II’線による断面図である。図７はゲート電極を形成する段階を示している。
【００２０】詳しくは、
透明な基板２０上に例えばアルミニウム又はアルミニウム合金を 2,000Å− 4,000Å程度の厚さで蒸着して第１金属膜２２を形成する。次に、前記第１金属膜２２上に耐火金属を 500Å− 2,000Åの厚さで蒸着して第２金属膜２４を形成する。次いで、前記第２金属膜２４及び第１金属膜２２を１次写真工程により蝕刻してＴＦＴ部Ｃ及びパッド部Ｄにそれぞれゲートパターンを形成する。前記ゲートパターンはＴＦＴ部Ｃではゲート電極として用いられ、パッド部Ｄではゲートパッドとして用いられる
【００２１】前記
第１金属膜２２はアルミニウムを用いて形成したり、アルミニウム−ネオジム(Nd)、アルミニウム−ニオビウム(Al-Nb) 又はアルミニウム−タンタル(Al-Ta) のようなアルミニウム合金を用いて形成する
【００２２】なお、前記
第２金属膜２４は、アルミニウム合金と後続工程で形成されるＩＴＯ膜との接触を防止するためのキャッピング膜であって、耐火性金属、例えばクロム(Cr)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)及びチタン(Ti)から構成された群から選択された何れか一つを用いて形成する
【００２３】図８は半導体膜パターンを形成する段階を示している。詳しくは、
ゲートパターンの形成された基板２０の全面に例えば窒化膜を 4,000Å程度の厚さで蒸着して絶縁膜２６を形成する
【００２４】図９はソース電極及びドレイン電極を形成する段階を示している。詳しくは、
半導体膜パターンの形成された前記基板２０の全面に、例えばスパッタリング方法にてクロム(Cr)を 1,000Å− 2,000Å程度蒸着して第３金属膜を形成する。次に、前記第３金属膜を３次写真工程により蝕刻してＴＦＴ部にソース電極３２ａ及びドレイン電極３２ｂを形成する
【００２５】図１０は保護膜パターンを形成する段階を示している。詳しくは、ソース電極３２ａ及びドレイン電極３２ｂの形成された前記基板の全面に絶縁物質、例えば酸化膜を 1,000Å− 3,000Å程度の厚さで蒸着して保護膜を形成する。次いで、前記保護膜を４次写真工程により蝕刻してドレイン電極３２ｂの一部と、パッド部Ｄに形成されたゲート電極（２２＋２４）、即ちゲートパッドの一部を露出させる保護膜パターン３４を形成する。前記パッド部Ｄでは前記ゲートパッド上に形成された保護膜３４と絶縁膜２６が同時に蝕刻される。
【００２６】図１１は画素電極を形成する段階を示している。詳しくは、保護膜パターン３４の形成された前記基板２０の全面に、例えばスパッタリング方法にて透明導電膜のＩＴＯ膜を形成した後、前記ＩＴＯ膜を５次写真工程により蝕刻してＴＦＴ部及びパッド部に画素電極３６、３６ａを形成する。従って、ＴＦＴ部では画素電極３６とドレイン電極３２ｂとが連結され、パッド部Ｄでは画素電極３６ａとゲートパッド（２２＋２４）とが連結される。
【００２７】前述した本発明の第１実施例による液晶表示装置の製造方法によると、
ゲート電極をアルミニウム又はアルミニウム合金から形成し、その上に耐火性金属を用いてキャッピング膜を形成することにより、アルミニウムとＩＴＯの接触による電池反応とアルミニウムヒールロックの発生を防止することができる
【００２８】一方、本発明の第１実施例におけるゲート電極を構成する前記第１金属膜２２及び第２金属膜２４は一つのマスクを用いて蝕刻される。従って、図１２に示すようにゲート電極にアンダーカットが発生し得る。よって、後続される絶縁膜（図１１の参照符号２６）の蒸着工程で絶縁膜２６のステップカバレージが不良になるため、絶縁特性が低下する恐れがある
。以下、本発明の第２乃至第４実施例ではゲート電極にアンダーカットが発生しないようにする方法を提示する
【００２９】図１３乃至図１６は本発明の第２実施例による液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図であり、ゲート電極を形成する段階までを示している。
図１３はゲート電極用の導電膜を形成する段階を示している。詳しくは、まず透明な基板４０上にアルミニウム又はアルミニウム合金を 2,000Å− 4,000Å程度の厚さで蒸着して第１金属膜４２を形成する。次に、前記第１金属膜４２上にクロム(Cr)等の耐火性金属を 500Å− 2,000Åの厚さで蒸着してキャッピング膜として用いられる第２金属膜４４を形成する
第２金属膜４４はクロム(Cr)の他にタンタル(Ta)、モリブデン(Mo)及びチタン(Ti)を用いて形成することができる
【００３０】図１４はフォトレジストパターン４６を形成する段階を示している。詳しくは、前記第２金属膜４４上にフォトレジストを塗布した後、露光及び現像工程を経てフォトレジストパターン４６を形成する。次いで、前記フォトレジストパターン４６をマスクとして第２金属膜４４を蝕刻する。この際、過度蝕刻を十分に行うことにより第２金属膜４４にアンダーカットを発生させる。
【００３１】図１５はフォトレジストパターンをリフローさせる段階を示している。詳しくは、フォトレジストパターン（図１４の４６）の熱的安定性を用いてフォトレジストパターンがリフローされる温度の約100 ℃以上まで前記基板を加熱する。この際、フォトレジストパターンのリフロー特性を向上させるために前記基板を多段階で熱処理することもできる。従って、パタニングされた前記第２金属膜４４がリフローされたフォトレジストパターン４６ａにより完全に覆われるようになる。
【００３２】図１６はゲート電極を形成する段階を示している。詳しくは、リフローされた前記フォトレジストパターン（図１５の４６ａ）をマスクとして前記第１金属膜４２を蝕刻してから、フォトレジストパターン４６ａを取り除く。このようにすると、
第１金属膜４２はフォトレジスト（図１５の４６ａ）の厚さ分だけ第２金属膜４４より広く蝕刻されるので、後続絶縁膜の蒸着工程で絶縁膜のステップカバレージが良好になる
【００３３】以後の工程は前述した第１実施例と同一に施されるので、それに関る説明は省くことにする。図１７乃至図１９は本発明の第３実施例による液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図であり、ゲート電極を形成する段階まで示してある。図１７はゲート電極用の導電膜である第１金属膜５２と第２金属膜５４及びフォトレジストパターン５６を形成する段階を示したものであり、本発明の第２実施例（図１３参照）と同一に行われる。」
　
　「【００３９】
【発明の効果】
本発明による液晶表示装置の製造方法によると、ゲート電極をアルミニウム又はアルミニウム合金膜と耐火性金属膜との２重構造から形成する
耐火性金属のストレス弛緩作用によりアルミニウムのヒールロック発生を防止することができる
【００４０】かつ、
下部に形成されるアルミニウム又はアルミニウム合金膜の大きさを上部に形成される耐火性金属膜の大きさと同様にするか、又は更に大きくすることができるので、ゲート電極にアンダーカットが発生しない。従って、ゲート電極の形成後、絶縁膜を蒸着する時にステップカバレージの不良により絶縁特性が低下することを防止することができる
　
（４−２−２）００２９段落の「図１３乃至図１６は本発明の第２実施例による液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図であり、ゲート電極を形成する段階までを示している。
図１３はゲート電極用の導電膜を形成する段階を示している。詳しくは、まず透明な基板４０上にアルミニウム又はアルミニウム合金を 2,000Å− 4,000Å程度の厚さで蒸着して第１金属膜４２を形成する。次に、前記第１金属膜４２上にクロム(Cr)等の耐火性金属を 500Å− 2,000Åの厚さで蒸着してキャッピング膜として用いられる第２金属膜４４を形成する
第２金属膜４４はクロム(Cr)の他にタンタル(Ta)、モリブデン(Mo)及びチタン(Ti)を用いて形成することができる
　
（４−２−３）００３２段落の「
第１金属膜４２はフォトレジスト（図１５の４６ａ）の厚さ分だけ第２金属膜４４より広く蝕刻されるので、後続絶縁膜の蒸着工程で絶縁膜のステップカバレージが良好になる
　
（４−２−４）００３３段落の「以後の工程は前述した第１実施例と同一に施されるので、それに関る説明は省くことにする」という記載、及び、第１実施例に関する００２３〜００２６段落の記載及び図８〜１０の記載によれば、引用例の第２実施例においては、ゲート電極の上に絶縁膜２６、ソース電極３２ａ、及びドレイン電極３２ｂが形成されることは明らかである。
　
（４−２−５）したがって、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「透明な基板４０上に形成されたゲート電極の上に、絶縁膜２６、ソース電極３２ａ及びドレイン電極３２ｂを備えた薄膜トランジスタ液晶表示装置であって、
　前記ゲート電極は、アルミニウムからなる第１金属膜４２と、前記第１金属膜４２上にモリブデンからなる第２金属膜４４が積層されたものであり、前記第１金属膜４２の幅が第２金属膜４４の幅よりも大きく形成されており、
　前記第１金属膜４２の厚さが2,000Å− 4,000Å程度で、前記第２金属膜４４の厚さが500Å− 2,000Åである薄膜トランジスタ。」
　
（４−３）補正発明と引用発明との対比
（４−３−１）引用発明の「透明な基板４０」、「絶縁膜２６」、「ソース電極３２ａ」、「ドレイン電極３２ｂ」、「第１金属膜４２」及び「第２金属膜４４」は、それぞれ、補正発明の「基板」、「絶縁層」、「ソース電極」、「ドレイン電極」、「第１金属層」及び「第２金属層」に相当する。
　
（４−３−２）本願の発明の詳細な説明００３５段落の「第１金属層１４３は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、或いは金（Ａｕ）のような引張応力（tensile stress）を持つ導電性金属から所定幅（Ｗ１）を持つように形成される。第２金属層１４５はモリブデン（Ｍｏ）、モリブデン合金（Ｍｏ  ａｌｌｏｙ），ＭｏＷ，ＭｏＴａ，或いはＭｏＮｂなどのような圧縮応力（compressive stress）を持つ金属から所定幅（Ｗ２）を持つように形成される。」という記載からみて、補正発明における「物質特性として引張応力特性を持つ物質」には、「アルミニウム」が含まれることは明らかである。また、同様に、「物質特性として圧縮応力特性を持つ物質」には、「モリブデン」が含まれることは明らかである。
　してみれば、引用発明における「アルミニウムからなる第１金属膜４２」及び「モリブデンからなる第２金属膜４４」は、それぞれ、補正発明における「物質特性として引張応力特性を持つ物質から形成された第１金属層」及び「物質特性として圧縮応力特性を持つ物質から形成された第２金属層」に相当する。
　
（４−３−３）引用発明における「第１金属膜４２の厚さ」である「2,000Å− 4,000Å程度」は、補正発明における「第１金属層の厚さ」である「５００〜４０００Å」に包含されるものである。また、「第２金属膜４４の厚さ」である「500Å− 2,000Å」は、補正発明における「第２金属層の厚さ」と完全に一致する。
　
（４−３−４）以上を総合すると、補正発明と引用発明とは、
　「基板上に形成され、ゲート電極及びその上に形成された絶縁層、並びにソース及びドレイン電極を備える薄膜トランジスタであって、
　前記ゲート電極が、前記基板上に物質特性として引張応力特性を持つ物質から形成された第１金属層と前記第１金属層上に物質特性として圧縮応力特性を持つ物質から形成された第２金属層の積層からなり、前記第１金属層の幅Ｗ１を前記第２金属層の幅Ｗ２より大きくしている薄膜トランジスタにおいて、
　前記第１金属層の厚さが５００〜４０００Åで、前記第２金属層の厚さが５００〜２０００Åであることを特徴とする薄膜トランジスタ。」
　である点で一致し、以下の点で相違する。　
　
（相違点）
　補正発明は、「前記第１金属層の幅Ｗ１と前記第２金属層の幅Ｗ２との関係が、１μｍ＜Ｗ１−Ｗ２＜４μｍであ」るのに対し、引用発明は、そのような特定をしていない点。
　
（４−４）相違点についての検討
（４−４−１）引用例の００３２段落の「
第１金属膜４２はフォトレジスト（図１５の４６ａ）の厚さ分だけ第２金属膜４４より広く蝕刻されるので、後続絶縁膜の蒸着工程で絶縁膜のステップカバレージが良好になる
下部に形成されるアルミニウム又はアルミニウム合金膜の大きさを上部に形成される耐火性金属膜の大きさと同様にするか、又は更に大きくすることができるので、ゲート電極にアンダーカットが発生しない。従って、ゲート電極の形成後、絶縁膜を蒸着する時にステップカバレージの不良により絶縁特性が低下することを防止することができる
　また、引用例の００２７段落の「前述した本発明の第１実施例による液晶表示装置の製造方法によると、
ゲート電極をアルミニウム
から形成し、その上に耐火性金属を用いてキャッピング膜を形成することにより、
アルミニウムヒールロックの発生を防止することができる
本発明による液晶表示装置の製造方法によると、ゲート電極をアルミニウム又はアルミニウム合金膜と耐火性金属膜との２重構造から形成する
耐火性金属のストレス弛緩作用によりアルミニウムのヒールロック発生を防止することができる
　したがって、引用発明において、「第１金属膜４２」と「第２金属膜４４」の幅の差を、ステップカバレージの不良が起きず、かつ、ヒロックが生じない適切な範囲内に設定すべきであることは、当業者であれば直ちに察知し得る事項である。そして、当該幅の差の範囲の具体的な数値を適宜に定めることは、当業者であれば容易になし得るものである。
　
（４−４−２）また、補正発明において、「前記第１金属層の幅Ｗ１と前記第２金属層の幅Ｗ２との関係が、１μｍ＜Ｗ１−Ｗ２＜４μｍ」とすることの根拠については、本願の発明の詳細な説明の００３７段落に「二重層のゲートで第１金属層の幅と第２金属層の幅の関係を適切にすることによりヒロックを防止することがさらに効果的になる。引張応力がある第１金属層１４３と圧縮応力がある第２金属層１４５との間の反応と、第１金属層の幅（Ｗ１）と第２金属層の幅（Ｗ２）の関係とは、ヒロックと、基板とゲートとの間の二重段差とを有する構造において、以後に形成されるゲート酸化膜のステップカバレッジの低下を防止するのに臨界がある。即ち、引張応力がある金属からの第１金属層１４３を圧縮応力がある金属からの第２金属層１４５より１〜４μｍ程度幅広く形成する。即ち、１μｍ＜Ｗ１−Ｗ２＜４μｍとなるように形成するのが（特に、１μｍ＜Ｗ１−Ｗ２とすることが）、基板とゲートとの間の二重段差を持つ構造において、以後に形成されるゲート酸化膜のステップカバレッジの低下を効果的に防止することができる」という記載はあるものの、実験結果等に裏付けられた具体的な根拠は全く記載されていない。
　また、本願出願時の技術常識を勘案しても、「前記第１金属層の幅Ｗ１と前記第２金属層の幅Ｗ２との関係」を「１μｍ＜Ｗ１−Ｗ２＜４μｍ」に設定したことより、予期しない程度の顕著な効果を奏するものとは認めることはできない。
　したがって、本願発明において、「前記第１金属層の幅Ｗ１と前記第２金属層の幅Ｗ２との関係」を「１μｍ＜Ｗ１−Ｗ２＜４μｍ」とすることの臨界的意義は認められない。
　
（４−４−３）以上検討したとおり、補正発明は、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（４−５）独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、本件補正は、補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項をいう。以下同じ。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　
（５）補正の却下についてのむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含んでいるが、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
　
３．本願発明について
　平成２０年１０月１６日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１８に係る発明は、平成２０年４月４日に提出された手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１８に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記２．（１）の「補正前」の箇所に記載したとおりのものであり、再掲すると以下の通りである。
　
　「【請求項１】　基板上に形成され、ゲート電極及びその上に形成された絶縁層、並びにソース及びドレイン電極を備える薄膜トランジスタであって、
　前記ゲート電極が、前記基板上に物質特性として引張応力特性を持つ物質から形成された第１金属層と前記第１金属層上に物質特性として圧縮応力特性を持つ物質から形成された第２金属層の積層からなり、前記第１金属層の幅Ｗ１を前記第２金属層の幅Ｗ２より大きくしている薄膜トランジスタにおいて、
　前記第１金属層の幅Ｗ１と前記第２金属層の幅Ｗ２との関係が、１μｍ＜Ｗ１−Ｗ２＜４μｍであることを特徴とする薄膜トランジスタ。」
　
　一方、本願の優先日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平９−１７１１９７号公報（引用例）には、上記２．（４−２）に記載したとおりの事項及び発明（引用発明）が記載されているものと認められる。
　そして、上記２．（４）において検討したとおり、補正発明は、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、上記補正発明から技術的限定を省いた本願発明についても、当然に、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。