【事件の表示】
　特願２００４−２６０３４２「高周波発振器」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　３月２３日出願公開、特開２００６−　８０６９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本件出願は、平成１６年９月７日の出願であって、原審において平成２１年４月２日付けで拒絶査定となり、これに対し同年７月７日に審判請求がなされたものであるところ、
　本件出願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２０年１２月１８日付け手続補正書の記載からみて、その請求項１に記載された次のとおりのものである。
　
（本願発明）
　
　「【請求項１】
　半導体増幅素子を用いた直列帰還形の高周波発振器において、
　線路の電気長が１波長であるマイクロストリップ線路リング共振器を用い、
　該高周波発振器における高周波信号の入力端子を、該マイクロストリップ線路上に設ける一方、
　該入力端子から電気長で半波長の位置にある点を該半導体増幅素子の入力伝送線路に接続し、
　さらに該入力端子から電気長で１／４波長の位置にある点に所定の特性インピーダンスのスタブ部を設けて構成し、
　各線路及びスタブ部のインピーダンスから減衰極周波数を定めて所望の発振周波数を得る
　ことを特徴とする高周波発振器。」
　
　
２．引用例に記載された発明
　Ａ．　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である、
石田等，中川貴夫，荒木純道著、「広帯域リングフィルタの開発」、２００３年　５月１６日，（社）電子情報通信学会発行、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.103 No.76, MW2003-32，頁59-63（以下、「引用例１」という。）には、図面と共に次の記載がある。
　
イ．「あらまし　移動通信における広帯域通過フィルタを実現するため，スタブ付リング共振器帯域通過フィルタを検討した．本報告では，減衰極の周波数がリング部の特性インピーダンスとスタブの特性インピーダンスにより制御されることを述べる．（以下略）」（５９頁５〜７行）
　
ロ．「２．リングフィルタ
　２．１　リングフィルタの構造
　リングフィルタは，図１に示すようにリング部と開放スタブで構成される．開放スタブ部の電気長をθとした場合，リング部の電気長は４θである．また，各部の特性インピーダンスは，リング部Ｚ1　開放スタブ部Ｚ2，50Ωの特性インピーダンスはＺ0で表す．
　
（図１略）
　
　２．１　リングフィルタの高周波特性
　試作したリングフィルタは，リング部Ｚ1と開放スタブ部Ｚ2の特性インピーダンスをともに  70×２1/2Ω，電気長θは２ＧＨｚでπ／２である．
　使用した高周波基板材料の特性は，以下のとおり．
　　比誘電率：３．５　　誘電体損失：０．０２５
　　誘電体厚：１．６７ｍｍ
　　導体：電解銅箔　　　　導体厚：１８μｍ
　試作したリングフィルタの高周波特性を図２に示す．
　
（図２略）
　
　試作したリングフィルタは，急峻な阻止フィルタで，２ＧＨｚに対し対称な周波数1.431GHzと2.566GHzに減衰極がある．」（５９頁右欄下から７行〜６０頁左欄下から４行）
　
　
ハ．「　2.1.1　リングフィルタの減衰極
　減衰極は，Ｓ21＝0 より　tan2θ＝４Ｚ2／Ｚ1で求められる．
試作したリングフィルタの場合，Ｚ1＝Ｚ2＝70×２1/2Ωより，
θ＝tan-1２＝63.4°
低域減衰極：63.4°×２ＧＨｚ／90°＝1.41GHz
広域減衰極：（180　−63.4°）×２ＧＨｚ／90°＝2.59GHz
　　　　　低域減衰極　　広域減衰極
実測値　　1.431GHz　　　 2.566GHz
解析値　　1.41GHz　　　　2.59GHz
この結果から，実験値と解析値は良く一致している．」（６０頁右欄１５〜２４行）
　
　
　上記引用例１の記載及び関連する図面ならびにこの分野における技術常識を考慮すると、
　まず、上記引用例１記載の「リングフィルタ」は、上記ロ．引用例図１からも明らかなように、「リング部と開放スタブで構成される」ものであって、「開放スタブ部の電気長をθとした場合，リング部の電気長は４θである」とあるから、「リング部の電気長が４θであるリングフィルタ」である。
　また、ロ．（５９頁右欄最下行）には「50Ωの特性インピーダンスはＺ0で表す」とあるから、引用例図１のリング部左右に接続された水平の伝送線路は「50Ωの特性インピーダンス」であって、
　『左側50Ω伝送線路との接続点を、リング部上に設ける一方、該接続点から電気長で２θの位置にある点を右側50Ω伝送線路に接続』したものである。
　同様に、「各部の特性インピーダンスは，リング部Ｚ1　開放スタブ部Ｚ2」ともあるから、『該接続点から電気長でθの位置にある点にＺ2の特性インピーダンスの開放スタブ部』を設けたものである。
　また、上記ハ．には「減衰極は，Ｓ21＝0 より　tan2θ＝４Ｚ2／Ｚ1で求められる．」とあり、これは上記イ．によれば「減衰極の周波数がリング部の特性インピーダンスとスタブの特性インピーダンスにより制御される」ものである。
　そして、上記ロ．（６０頁左欄）にある「使用した高周波基板材料の特性」によれば、引用例１記載の「リングフィルタ」は、誘電体基板上に導体箔で線路を構成する『マイクロストリップ線路』として構成されるものであることは技術常識として明らかであり、上記イ．に「スタブ付リング共振器帯域通過フィルタ」とあるように、「共振器」として認識されるものであることも同様である。
　
　したがって、上記引用例１には以下の発明（以下、「引用発明１」という。）が開示されている。
　
（引用発明１）
「リング部の電気長が４θであるマイクロストリップ線路リング共振器フィルタであって、
　左側50Ω伝送線路との接続点を、リング部マイクロストリップ線路上に設ける一方、
　該接続点から電気長で２θの位置にある点を右側50Ω伝送線路に接続し、
　さらに該接続点から電気長でθの位置にある点にＺ2の特性インピーダンスの開放スタブ部を設け、
　減衰極の周波数がリング部の特性インピーダンスと開放スタブ部の特性インピーダンスにより制御される
マイクロストリップ線路リング共振器フィルタ」
　
　
　Ｂ．原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である、特開平０９−０４６１３３号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面と共に次の記載がある。
　
イ．「【０００４】図３は従来のマイクロ波発振回路の構成を示す分解斜視図(1)とそのＡ−Ｂ断面図(2)である。図３において、１はアルミダイキャスト等の金属にて形成されるシールドケース、２はテフロン等の誘電体基板、３はＭＥＳＦＥＴやＨＥＭＴ等のマイクロ波発振用ＦＥＴ、４はオープンスタブ、５はマイクロストリップライン、６は終端抵抗、７はスルーホール、８は金属板、９は発振周波数調整用のビス、10はセラミック等の絶縁物からなるスペーサ、11は誘電体共振器、12はソース端子である。
【０００５】以上のように構成されるマイクロ波発振回路の動作について説明する。誘電体基板２上に実装されたマイクロ波発振用ＦＥＴ３はドレイン端子をオープンスタブ４によって高周波的に接地されており、ゲート端子にはマイクロストリップライン５の一端が接続されている。このマイクロストリップライン５の他端は終端抵抗６を介してスルーホール７によって接地されている。このマイクロストリップライン５とスペーサ10を介して誘電体基板２上に接着剤によって固定される帯域阻止特性を示す誘電体共振器11とを結合させることにより、安定した発振周波数出力がマイクロ波発振用ＦＥＴ３のソース端子12により得られる。また、シールドケース１に設けられたビス９は発振周波数の微調整用に用いられる。」
（２頁１〜２欄）
　
　上記引用例２の記載及び関連する図面ならびにこの分野における技術常識を考慮すると、上記引用例２には以下の発明（以下、「引用発明２」という。）が開示されている。
　
（引用発明２）
「マイクロ波発振用ＦＥＴ３を用いたマイクロ波発振回路において、
誘電体共振器11が結合されたマイクロストリップライン５を用い、
マイクロストリップライン５の一端は終端抵抗６を介してスルーホール７によって接地する一方
マイクロストリップライン５の他端をマイクロ波発振用ＦＥＴ３のゲート端子に接続し、
シールドケース１に設けられたビス９により発振周波数の微調整を行う
マイクロ波発振回路」
　
　
３．対比・判断
　本願発明と引用発明２とを対比する。
　引用発明２の「マイクロ波発振用ＦＥＴ３」は、「ＦＥＴ」が電界効果トランジスタと呼ばれる「半導体増幅素子」であることは技術常識であるから、本願発明の「半導体増幅素子」に相当し、
　引用発明２の「マイクロ波発振回路」において、「マイクロ波」は「高周波」であり、「発振回路」は一つの機器としてみれば「発振器」であるから、本願発明の「高周波発振器」である。
　また、引用発明２の「誘電体共振器11が結合されたマイクロストリップライン５」は、「マイクロストリップライン５」側から見てその全体としての回路が共振特性を呈することは明らかであるから「共振回路」であって、本願発明の「線路の電気長が１波長であるマイクロストリップ線路リング共振器」とを対比すると、これも「共振回路」の一種であるから、ともに「マイクロストリップ線路を備えた共振器」である点において一致する。
　
　したがって、本願発明と引用発明２とは、以下の点で一致し、また相違する。
　
（一致点）
「　半導体増幅素子を用いた高周波発振器において、
　マイクロストリップ線路を備えた共振回路を用いる高周波発振器」
　
（相違点）
（１）「高周波発振器」に関し、
　本願発明は「直列帰還形の高周波発振器」であるのに対し、
　引用発明２は「マイクロ波発振回路」である点。
（２）「マイクロストリップ線路を備えた共振回路」の点に関し、
　本願発明は「線路の電気長が１波長であるマイクロストリップ線路リング共振器」のに対し、
　引用発明２は「誘電体共振器11が結合されたマイクロストリップライン５」である点。
（３）「マイクロストリップ線路を備えた共振回路」の細部に関し、
　本願発明は、「　該高周波発振器における高周波信号の入力端子を、該マイクロストリップ線路上に設ける一方、
該入力端子から電気長で半波長の位置にある点を該半導体増幅素子の入力伝送線路に接続し、
さらに該入力端子から電気長で１／４波長の位置にある点に所定の特性インピーダンスのスタブ部を設けて構成し、
各線路及びスタブ部のインピーダンスから減衰極周波数を定めて所望の発振周波数を得る」のに対し、
　引用発明２は、「マイクロストリップライン５の他端は終端抵抗６を介してスルーホール７によって接地する一方
マイクロストリップライン５の一端をマイクロ波発振用ＦＥＴ３のゲート端子に接続し、
シールドケース１に設けられたビス９により発振周波数の微調整を行う」点。
　
　
　まず、上記相違点（１）の「直列帰還形の高周波発振器」に関し検討する。
　引用発明２の「マイクロ波発振回路」も「高周波発振器」であることは、上記対比で述べたとおりであるが、
引用例２記載のような「高周波発振器」（マイクロ波発振回路）が、「直列帰還形」と呼ばれる形式のものであることは、例えば特開平９−２３８０２５号公報（【００８４】、図１）、特開２００２−２９９９５６号公報（【００６９】、図８）にあるように周知のことであるから、相違点（１）は格別のものではない。
　
　ついで、上記相違点（２）の「マイクロストリップ線路を備えた共振回路」について検討する。
　引用発明１にあるように、「リング部の電気長が４θであるマイクロストリップ線路リング共振器フィルタ」は公知のものであって、引用例１のロ．に「電気長θは２ＧＨｚでπ／２である．」とあるから、４θ＝２πとなり、位相の１回転（２π＝３６０°）は電気長の１波長にあたることから、引用発明１の「マイクロストリップ線路リング共振器」は「線路の電気長が１波長であるマイクロストリップ線路リング共振器」であるということができる。
　そして、増幅素子と種々の共振器（共振回路）を組み合わせれば、発振のための条件はあるにせよ様々な発振器（発振回路）が構成可能であることは、電子回路の技術分野における技術常識であるから、引用発明２の「マイクロ波発振回路」において、共振回路部分としての「誘電体共振器11が結合されたマイクロストリップライン５」を、引用発明１にある「線路の電気長が１波長であるマイクロストリップ線路リング共振器」に変えて「高周波発振器」を構成することは当業者であれば容易なことに過ぎず、相違点（２）も格別のものではない。
　なお、リング共振器を用いた高周波発振器は、例えば原審において周知例として言及された、特開平０８−２０４４４６号公報（図８）、特開２００３−１５２４５５号公報（図５）のほか、前記特開平９−２３８０２５号公報（【００４９】、図８）にもあるように周知のものであり、この点からも引用発明２の「マイクロ波発振回路」に、引用発明１にある「リング共振器」を適用するのに困難はなく、相違点（２）は格別のものではない。
　
　最後に、上記相違点（３）の「マイクロストリップ線路を備えた共振回路」の細部に関し検討する。
　上記相違点（２）の検討で述べたように、引用発明２の「マイクロ波発振回路」に、引用発明１にある「線路の電気長が１波長であるマイクロストリップ線路リング共振器」を適用して「高周波発振器」を構成した場合に、
　引用発明１は、「リング部の電気長が４θであるマイクロストリップ線路リング共振器フィルタであって、
　左側50Ω伝送線路との接続点を、リング部マイクロストリップ線路上に設ける一方、
　該接続点から電気長で２θの位置にある点を右側50Ω伝送線路に接続し、
　さらに該接続点から電気長でθの位置にある点にＺ2の特性インピーダンスの開放スタブ部を設け、
　減衰極の周波数がリング部の特性インピーダンスと開放スタブ部の特性インピーダンスにより制御される
　マイクロストリップ線路リング共振器フィルタ」であるから、
　例えばその「右側50Ω伝送線路」の先に「マイクロ波発振用ＦＥＴ３のゲート端子」を接続したとすれば、
　その「右側50Ω伝送線路」は、「半導体増幅素子の入力伝送線路」ということができ、
　その「左側50Ω伝送線路との接続点」は、「高周波発振器における高周波信号の入力端子」ということができ、
　その「電気長で２θの位置」は、「電気長で半波長の位置」にあたり、
　その「電気長でθの位置」は、「電気長で１／４波長の位置」にあたり、
　その「Ｚ2の特性インピーダンスの開放スタブ部」は、「所定の特性インピーダンスのスタブ部」である。
　そして、引用発明１は、「減衰極の周波数がリング部の特性インピーダンスと開放スタブ部の特性インピーダンスにより制御される」のであるから、「各線路及びスタブ部のインピーダンスから減衰極周波数を定めて所望の発振周波数を得る」ことができるのは明らかである。
　したがって、
　引用発明２の、「マイクロストリップライン５の他端は終端抵抗６を介してスルーホール７によって接地する一方
マイクロストリップライン５の一端をマイクロ波発振用ＦＥＴ３のゲート端子に接続し、
シールドケース１に設けられたビス９により発振周波数の微調整を行う」構成を、
「　該高周波発振器における高周波信号の入力端子を、該マイクロストリップ線路上に設ける一方、
該入力端子から電気長で半波長の位置にある点を該半導体増幅素子の入力伝送線路に接続し、
さらに該入力端子から電気長で１／４波長の位置にある点に所定の特性インピーダンスのスタブ部を設けて構成し、
各線路及びスタブ部のインピーダンスから減衰極周波数を定めて所望の発振周波数を得る」構成とした相違点（３）は、引用発明１の適用により必然的に得られるものに過ぎず、これも格別のものではない。
　
　そして、本願発明の効果も引用発明１、２、および周知技術、技術常識から当業者が予測し得る範囲のものである。
　
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明１、２、および周知技術、技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。