【事件の表示】
　特願２００１−２７０７５８「ＩＩＩ族窒化物素子及びＩＩＩ族窒化物エピタキシャル基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　３月１４日出願公開、特開２００３−　７７８３５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１３年９月６日の出願であって，平成２０年８月１９日付けで拒絶の理由が通知され，同年１０月２４日付けで手続補正がなされたが，同年１１月２７日付けで拒絶査定され，その後，平成２１年１月５日付けで前記拒絶査定に対する不服審判が請求され，同年２月４日付けで手続補正がなされ，平成２２年１０月５日付けで審尋がおこなわれ，同年１２月１０日付けで回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２１年２月４日付けの手続補正についての却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年２月４日付けの手続補正を却下する。
　
［理　由］
１　本件手続補正の内容
　平成２１年２月４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は，特許請求の範囲についてする補正を含み，その特許請求の範囲についてする補正は，補正前に，
「【請求項１】所定の基材と，III族窒化物下地層と，超格子構造と，III族窒化物層群とを含み，前記III族窒化物下地層は少なくともＡｌを含むとともに，前記超格子構造は複数のIII族窒化物膜が積層されてなり，前記超格子構造の，隣接する前記III族窒化物膜のＡｌ組成差が１０原子％以上であることを特徴とする，III族窒化物素子。
【請求項２】前記超格子構造は，前記基材と前記III族窒化物下地層との間，前記下地層内，前記III族窒化物下地層と前記III族窒化物層群との間，及び前記III族窒化物層群を構成するIII族窒化物膜間の少なくとも１つに設けたことを特徴とする，請求項１に記載のIII族窒化物素子。
【請求項３】前記III族窒化物下地層の（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅が，１００秒以下であることを特徴とする，請求項１又は２に記載のIII族窒化物素子。
【請求項４】前記III族窒化物下地層の，III族元素中におけるＡｌ含有量が５０原子％以上であることを特徴とする，請求項１〜３のいずれか一に記載のIII族窒化物素子。
【請求項５】前記III族窒化物下地層はＡｌＮ膜から構成することを特徴とする，請求項４に記載のIII族窒化物素子。
【請求項６】所定の基材と，III族窒化物下地層と，超格子構造とを含み，前記III族窒化物下地層は少なくともＡｌを含むとともに，前記超格子構造は，複数のIII族窒化物膜が積層されてなり，隣接する前記III族窒化物膜のＡｌ組成差が１０原子％以上であることを特徴とする，III族窒化物エピタキシャル基板。
【請求項７】前記超格子構造は，前記基材と前記III族窒化物下地層との間，及び前記III族窒化物下地層上の少なくとも１つに設けたことを特徴とする，請求項６に記載のIII族窒化物エピタキシャル基板。
【請求項８】前記III族窒化物下地層の（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅が，１００秒以下であることを特徴とする，請求項６又は７に記載のIII族窒化物エピタキシャル基板。
【請求項９】前記III族窒化物下地層の，III族元素中におけるＡｌ含有量が５０原子％以上であることを特徴とする，請求項６〜８のいずれか一に記載のIII族窒化物エピタキシャル基板。
【請求項１０】前記III族窒化物下地層はＡｌＮ膜から構成することを特徴とする，請求項９に記載のIII族窒化物エピタキシャル基板。」
とあったものを，補正後に，　
「【請求項１】所定の基材と，III族窒化物下地層と，超格子構造と，III族窒化物層群とを含み，前記III族窒化物下地層は少なくともＡｌを含むとともに，前記超格子構造は複数のIII族窒化物膜が積層されてなり，前記超格子構造の，隣接する前記III族窒化物膜のＡｌ組成差が１０原子％以上であると共に，
　前記III族窒化物下地層の（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅が，１００秒以下であって，
　更に，前記超格子構造は前記III族窒化物下地層と前記III族窒化物層群との間に設けたことを特徴とする，III族窒化物素子。
【請求項２】　前記III族窒化物下地層の，III族元素中におけるＡｌ含有量が５０原子％以上であることを特徴とする，請求項１に記載のIII族窒化物素子。
【請求項３】　前記III族窒化物下地層はＡｌＮ膜から構成することを特徴とする，請求項２に記載のIII族窒化物素子。
【請求項４】　所定の基材と，III族窒化物下地層と，超格子構造とを含み，前記III族窒化物下地層は少なくともＡｌを含むとともに，前記超格子構造は，複数のIII族窒化物膜が積層されてなり，隣接する前記III族窒化物膜のＡｌ組成差が１０原子％以上であると共に，
　前記III族窒化物下地層の（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅が，１００秒以下であって，
　更に，前記超格子構造は前記III族窒化物下地層と前記III族窒化物層群との間に設けたことを特徴とする，III族窒化物エピタキシャル基板。
【請求項５】　前記III族窒化物下地層の，III族元素中におけるＡｌ含有量が５０原子％以上であることを特徴とする，請求項４に記載のIII族窒化物エピタキシャル基板。
【請求項６】　前記III族窒化物下地層はＡｌＮ膜から構成することを特徴とする，請求項５に記載のIII族窒化物エピタキシャル基板。」
とするものである。
　
２　補正の適否について
　上記補正の内，補正後の請求項１に係る発明は，補正前の請求項１を引用する請求項２を引用する請求項３に係る発明において，超格子構造を設ける位置を，補正前の請求項２において規定されていた「前記基材と前記III族窒化物下地層との間，前記下地層内，前記III族窒化物下地層と前記III族窒化物層群との間，及び前記III族窒化物層群を構成するIII族窒化物膜間の少なくとも１つ」から，「前記III族窒化物下地層と前記III族窒化物層群との間」に限定して特許請求の範囲を減縮したものであるから，補正後の請求項１に係る発明についてした前記補正は，特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とした補正であるといえる。
　
　一方，補正後の請求項４は，発明特定事項として「前記超格子構造は前記III族窒化物下地層と前記III族窒化物層群との間に設けた」ことを含むものである。
　しかしながら，独立形式の請求項である請求項４の，前記「前記超格子構造は前記III族窒化物下地層と前記III族窒化物層群との間に設けた」との記載の前には，当該記載中の「前記III族窒化物層群」の「前記」に対応する「III族窒化物層群」との記載が存在しない。
　したがって，補正後の請求項４の「前記III族窒化物層群」が何を指しているのか不明であるから，補正後の請求項４に係る発明を明確に把握することができない。
　そして，補正後の発明を明確に特定することができないことから，補正の前後で，特許請求の範囲が減縮されたかを判断することもできないから，補正後の請求項４に係る補正は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的としたものであるとはいえない。また，前記補正が，特許法第１７条の２第４項のその余の号に掲げる請求項の削除，誤記の訂正，明りょうでない記載の釈明のいずれを目的としたものでないことも明らかである。
　なお，仮に，前記補正の「前記III族窒化物層群」が，「III族窒化物層群」の誤記であると認めたとしても，補正前の「III族窒化物エピタキシャル基板」に係る請求項６−１０の発明のいずれも「III族窒化物層群」という部材を発明特定事項として含んでいないから，補正後の請求項４に「III族窒化物層群」という部材を新たに発明特定事項として追加した補正は，特許法第１７条の２第４項第２号において規定する「第三十六条第五項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであつて」という要件を満たさない。したがって，前記補正は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とした補正であるとはいえない。
　審判請求人は，審判請求書の請求の理由において「なお，この補正も，その直前の特許請求の範囲に記載していた旧請求項７の一部及び旧請求項８の記載を旧請求項６に併合して新請求項４としたものであり，新規事項等を追加するものでなく適法なものであります。」として適法性を主張するが，補正前の請求項７には「前記超格子構造は，前記基材と前記III族窒化物下地層との間，及び前記III族窒化物下地層上の少なくとも１つに設けたこと」は規定されているが，「III族窒化物層群」については記載されていないから，審判請求人の前記主張は採用することができない。
　
３　むすび
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　　　　　　　　　　　　　　　＜予備的判断＞
　なお，仮に，上記補正が特許法第１７条の２第４項の規定に違反しないとしても，下記のとおり，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
１　独立特許要件違反について
　請求項１についての補正は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的としたものといえるから，補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明１」という。）が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのか否かについて検討する。
　
（１）引用例及びその記載事項
　平成２０年８月１９日付けの拒絶理由通知書の拒絶の理由で引用した本願の出願前に頒布された下記の引用例１には，次の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
　引用例１：特開２０００−３１５９１号公報
（１ａ）「【発明が解決しようとする課題】ところで，窒化物半導体を用いた発光素子は，サファイヤ基板や炭化珪素（ＳｉＣ）基板の上に形成されることが多い。しかし，これらの基板を用いることに起因して，以下に説明する種々の問題があった。
　・・・
　一方，サファイアや炭化珪素が成長用の基板として用いられる理由は，窒化物半導体と同じ六方晶型の結晶構造を有することや，他の基板材料と比べて成長面内の格子定数が窒化物半導体と近い値をとることからである。しかしながら，これらの基板材料を用いても，例えばサファイアでは１６％，ＳｉＣでは３％程度の格子不整合が存在する。この
格子不整合の量は他の半導体系と比べて大きなものであり，ＧａＮなどの結晶に１０
8
／ｃｍ
2
 以上の欠陥が生じる原因となっている
　
（１ｂ）「本発明はかかる課題の認識に基づいてなされたものである。すなわち，その目的は，光の染み出しを防止することにより電気特性や光学特性を改善するとともに，
サファイアなどの基板上に良質な混晶層を成長させ，高性能の半導体発光素子を提供すること
　
（１ｃ）「次に，本発明の第４の実施の形態について説明する。図７は，
本発明の第４の実施の形態
青色半導体レーザ装置
　すなわち，同図において３００は
ＳｉＣ基板
ＡｌＮバッファ層
ｎ型Ａｌ
0.5
Ｇａ
0.5
Ｎ／ＧａＮ超格子層
ＧａＮ光閉じ込め層
３周期のＩｎ
0.2
Ｇａ
0.8
Ｎウエル／ＧａＮバリアからなるＭＱＷ活性層
ＧａＮ光閉じ込め層（アンドープ，０．１μｍ），３０６はｐ型Ａｌ
0.03
Ｇａ
0.97
Ｎクラッド層
ｐ型ＧａＮコンタクト層
　
（１ｄ）「これに対して，
本実施形態によれば
素子の寿命についても，活性層と基板との間に超格子を設けたことにより活性層の結晶性が良くなり，転位密度の低下と転位の増殖も抑えることが可能となり，従来の素子に比べ良好で１０倍以上伸びた。また，発光効率も２倍以上改善した。
　
（１ｅ）図７は，引用例１に記載された発明の第４の実施の形態に係わる青色半導体レーザ装置の概略構成を表す断面図であって，上記（１ｃ）−（１ｄ）の記載を参酌すれば，同図から，ＳｉＣ基板３００の上に，ＡｌＮバッファ層３０１，その上にｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ｎ／ＧａＮ超格子層３０２，その上にＧａＮ光閉じ込め層３０３，その上に３周期のＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎウエル／ＧａＮバリアからなるＭＱＷ活性層３０４，その上にＧａＮ光閉じ込め層３０５，その上にｐ型Ａｌ0.03Ｇａ0.97Ｎクラッド層３０６，その上にｐ型ＧａＮコンタクト層３０７を積層した青色半導体レーザ装置の構造を読み取ることができる。　
　
（２）当審の判断
（２−１）引用発明
　上記引用例１の記載事項（１ａ）−（１ｅ）をまとめると，引用例１には，
「ＳｉＣ基板の上に，ＡｌＮバッファ層，その上にｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ｎ／ＧａＮ超格子層，その上にＧａＮ光閉じ込め層，その上に３周期のＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎウエル／ＧａＮバリアからなるＭＱＷ活性層，その上にＧａＮ光閉じ込め層，その上にｐ型Ａｌ0.03Ｇａ0.97Ｎクラッド層，その上にｐ型ＧａＮコンタクト層を積層した青色半導体レーザ装置。」
（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
（２−２）対比・判断
ア　引用発明の「ＳｉＣ基板」，「ＡｌＮバッファ層」，及び，「青色半導体レーザ装置」は，それぞれ，本願補正発明１の「所定の基材」，「少なくともＡｌを含むIII族窒化物下地層」，及び，「III族窒化物素子」に相当する。
　
イ　引用発明の「ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ｎ／ＧａＮ超格子層」は，それぞれIII族窒化物膜である「Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ｎ」層と「ＧａＮ」層とが隣接して積層された超格子構造であって，前記「Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ｎ」層と「ＧａＮ」層とのＡｌ組成差は１０原子％以上であるから，引用発明の「ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ｎ／ＧａＮ超格子層」は，本願補正発明１の「複数のIII族窒化物膜が積層されてなり，前記超格子構造の，隣接する前記III族窒化物膜のＡｌ組成差が１０原子％以上である超格子構造」に相当する。
　
ウ　引用発明の「ＧａＮ光閉じ込め層」，「３周期のＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎウエル／ＧａＮバリアからなるＭＱＷ活性層」，「ＧａＮ光閉じ込め層」，「ｐ型Ａｌ0.03Ｇａ0.97Ｎクラッド層」，及び「ｐ型ＧａＮコンタクト層」からなる積層は，本願補正発明１の「III族窒化物層群」に相当する。
　
エ　引用発明の「ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ｎ／ＧａＮ超格子層」は，「ＡｌＮバッファ層」と「ＧａＮ光閉じ込め層」，「３周期のＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎウエル／ＧａＮバリアからなるＭＱＷ活性層」，「ＧａＮ光閉じ込め層」，「ｐ型Ａｌ0.03Ｇａ0.97Ｎクラッド層」，及び「ｐ型ＧａＮコンタクト層」からなる積層の間にあり，これは，本願補正発明１の「超格子構造は前記III族窒化物下地層と前記III族窒化物層群との間に設けた」に相当する。
　
　そうすると，本願補正発明１と，引用発明は，
　「所定の基材と，III族窒化物下地層と，超格子構造と，III族窒化物層群とを含み，前記III族窒化物下地層は少なくともＡｌを含むとともに，前記超格子構造は複数のIII族窒化物膜が積層されてなり，前記超格子構造の，隣接する前記III族窒化物膜のＡｌ組成差が１０原子％以上であると共に，
　前記超格子構造は前記III族窒化物下地層と前記III族窒化物層群との間に設けたことを特徴とする，III族窒化物素子。」
　である点で一致するものの，次の点で相違する。
　
　相違点：本願補正発明１のIII族窒化物下地層が，「（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅が，１００秒以下であ」るのに対して，引用発明にはこれが規定されていない点。
　
　そこで，上記相違点について検討する。
ア　引用例１の上記摘記（１ｄ）の「素子の寿命についても，活性層と基板との間に超格子を設けたことにより活性層の結晶性が良くなり，転位密度の低下と転位の増殖も抑えることが可能となり，従来の素子に比べ良好で１０倍以上伸びた。また，発光効率も２倍以上改善した。」との記載に照らして，引用発明は，活性層と基板との間に超格子を設けることで，
活性層の結晶性を良くして
　
イ　そして，形成する膜の結晶性が，当該膜を形成する下の層の結晶性から影響を受けることは技術常識であるから，引用例１に接した当業者であれば，良好な結晶性を有する活性層を形成して，素子の寿命が伸び，また，発光効率も改善した半導体発光素子を得るために，当該活性層よりも下の層について，結晶性が良好なものとすることは容易に想到し得たことといえる。
　
ウ　一方，III族窒化物系化合物半導体素子の製造という技術分野において，膜の結晶性を示す指標として，Ｘ線ロッキングカーブの半値幅を用いること，及び，該半値幅の値が小さいほど結晶性が良好であることは，下記の周知文献１−２にも記載されているように周知である。また，III族窒化物系の膜のＸ線ロッキングカーブを測定する反射として（００２）面を選択することも周知（要すれば，周知文献３−６）である。
　
・周知文献１：特開平９−６４４７７号公報
（周１ａ）「【課題を解決するための手段】（概要）上記課題を解決するために本発明は，次のような構成を採用している。即ち本発明は，ＡｌＧａＩｎＮ系混晶材料を用いた半導体発光素子において，単結晶基板上に該基板に直接接して形成された単結晶Ａｌx Ｇａ1-x Ｎ（０＜ｘ≦1 ）バッファ層と，このバッファ層上に形成されたＡｌx Ｇａy Ｉｎ1-x-y Ｎ（０≦ｘ＋ｙ≦１，０≦ｘ，ｙ≦１）素子形成層とを具備してなることを特徴とする。ここで，本発明の望ましい実施態様としては，次のものがあげられる。
(1) 
バッファ層のＸ線ロッキングカーブの半値幅が５分以下であること。さらに望ましくは，Ｘ線ロッキングカーブの半値幅が９０秒以下
(2) 素子形成層は，ヘテロ接合構造部を構成すること。
(3) ヘテロ接合構造部は，第１の閉じ込め層としてのＡｌp Ｇａ1-p Ｎ（０＜ｐ≦１），活性層としてのＧａＮ，ＧａＩｎＮ，ＡｌＧａＮ，若しくはＡｌＧａＩｎＮ，第２の閉じ込め層としてのＡｌq Ｇａ1-q Ｎ（０＜ｑ≦１）を順次積層してなること。また，第１の閉じ込め層の層厚が０．３μｍを超え，且つＡｌ組成ｐが０．２５＜ｐ≦１を満たすこと。さらに，基板と活性層間に第１の閉じ込め層よりもＡｌ組成の小さい層を含まないこと。
(4) 
基板は，サファイア又はＳｉＣ
(5) 
バッファ層は，ＡｌＮ
　
（周１ｂ）「，例えばＸ線回折の半値幅が狭いほどひび割れが発生しにくくなり，半値幅が５分以下になると顕著にひび割れが減少する。従って，高Ａｌ組成のＡｌＧａＮを十分な厚さでひび割れなく成長するためには，まずバッファ層の結晶品質そのものを飛躍的に改善する必要がある。このためには，バッファ層自身の結晶品質が良くその上の成長層の結晶品質を劣化させることなく，かつ基板との格子不整合を効果的に緩和できればよい。結晶品質そのものを飛躍的に改善するためには，従来用いられてきた低温成長によるバッファ層ではバッファ層自身の結晶品質が劣るために，本質的な限界がある。このような観点から発明者らは鋭意検討を重ねた結果，バッファ層としてはＸ線半値幅の狭い単結晶，即ち良質の単結晶が適切であることが分かった。」（【００１７】−【００１８】）
　
・周知文献２：特開２００１−１３５８５４号公報
（周２ａ）「この発明は，かかる課題を解決して
III族窒化物系化合物半導体からなる素子機能層のバッファ層として優れたＡｌＮ単結晶層を提供する
【課題を解決するための手段】この発明は上記目的の少なくとも一つを達成すべく為されたものであり，その構成は次の通りである。基板と，該基板上に形成された膜厚が０．５〜３μｍでその表面が実質的に平坦なＡｌＮ単結晶層とを備えてなり，該
ＡｌＮ単結晶層のＸ線ロッキングカーブの半値幅が５０秒以下
　
（周２ｂ）「ＡｌＮ単結晶の結晶性の指標となるＸ線ロッキングカーブの半値幅は５０秒以下とする。５０秒以下の半値幅でないと，半導体デバイスとして充分な結晶性が確保できていない。また，ＡｌＮ単結晶の上にIII族窒化物系化合物半導体層を成長させる場合，ＡｌＮ単結晶層の表面を実質的に平坦にしてIII族窒化物系化合物半導体層の安定した結晶成長を確保する見地からも，ＡｌＮ単結晶層の半値幅は５０秒以下とすることが好ましい。」（【００１０】）　
　
・周知文献３：特開平６−２９３５９３号公報
（周３ａ）「次に，図２は前記条件により合成されたＡｌＮ膜のＸ線回折（ＸＲＤ）パターンである。このＸＲＤパターンは，Ｘ線の散乱状態を示すものであり，横軸がＸ線ビームの入射角度（２θ）であり，縦軸がディテクタのカウント値（ＣＰＳ）である。図２から，ＡｌＮのＣ面の格子間隔に相当する回折ピークが支配的であることが解る。その他の回折ピークは基板であるサファイヤのものである。さらに図３は，上記の
ＡｌＮ（００２）のＸ線回折におけるロッキングカーブ
このロッキングカーブにおけるピーク波形の半値幅Δは非常に小さくなり結晶配向性が高いことが解る
　
・周知文献４：特開平７−２３７９９８号公報
（周４ａ）「Ｘ線回折のロッキングカーブ測定により，この窒化アルミニウム薄膜のＣ軸配向性の評価を行った結果，
窒化アルミニウム（００２）面のロッキングカーブ半価幅
　
・周知文献５：特開平８−２８８２２０号公報
（周５ａ）「【課題を解決するための手段】本発明は特許請求の範囲に記載した通りである。本発明は基板上にウルツ鉱型のＩＩＩ−Ｖ属窒化物半導体材料を実質的にエピタキシャル成長させた素子である。ここで「実質的にエピタキシャル成長させた状態」とは，結晶ＩＩＩ−Ｖ属窒化物材料のほぼ全ての結晶軸方向が基板の結晶軸方向により決定されることを意味する。完全にエピタキシャル成長したフィルムにおいては，そのフィルム材料の全ては，基板の結晶軸方向の唯一の変換により正確に与えられる結晶軸方向を有する。このような理想状態は，実際問題としては決して達成できるものではない。実際に本発明を適応するに当たっては，実質的に「ほぼエピタキシャル状態」の存否はＸ線ピークの角度幅を例えばロッキングカーブ（rocking curve）あるいはファイスキャン（phi scan）により測定することにより容易に確認できる。本発明においては，以下の３条件が存在する場合には実質的にエピタキシャル状態であると定義する。
ｉ）窒化物の
（００２）ピークのロッキングカーブは，その半値全幅（ＦＷＨＭ）が２゜以下
　
・周知文献６：特開平４−１９８４７０号公報
（周６ａ）「第２図にＸ線回折から得られた厚さ０．５μｍの
ＡｌＮ膜の（００２）面の典型的なロッキングカーブ
　
エ　そうすると，引用発明において，活性層よりも下にあるIII族窒化物下地層であるＡｌＮバッファ層に，結晶性が良好なものを用いること，すなわちIII族窒化物系化合物半導体素子の製造という技術分野において膜の結晶性を示す指標として周知のものである（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅を用いて表した値ができるだけ小さなものを用いることは当業者が容易に想到し得たことといえる。
　
オ　そして，一般に，一定の課題を解決する為に数値範囲を最適化又は好適化することは，当業者の通常の創作能力の発揮であり，また，上記周知文献１−２に記載されるように，Ｘ線ロッキングカーブの半値幅が１００秒以下の下地層は周知でもあったといえるから，引用発明において，III族窒化物下地層の（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅を１００秒以下とすることは適宜なし得たことといえる。また，このような構成を採用したことによる効果は，当業者が予測する範囲内のものであり，引用発明において，III族窒化物下地層の（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅を１００秒以下とすることを妨げる格別の事由も認められない。
　
カ　なお，審判請求人は，審判請求書の請求の理由において，「本発明は，前述した通りの所定の積層構造で，III族窒化物下地層の（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅に着目し，その値が１００秒以下であるときに，Ａｌを含むIII族窒化物膜から構成される素子の転位量を低減させてその結晶性を向上させることについては，多くのパラメータから，特にＸ線ロッキングカーブの半値幅に着目し，その好ましい値を特定したものです。本発明は，これにより特許法第２９条第２項で要求する進歩性の要件を満たしているものです。」と主張するのでこの点について検討する。
　
キ　本願明細書の発明の詳細な説明には，次の記載がある。
（本ａ）「本発明者らは，主としてＡｌ系のIII族窒化物膜から構成される素子中の転位量を低減させて結晶性を向上させるべく鋭意検討を行なった。
その結果，上述したＡｌ組成差を有する複数のIII族窒化物膜からなる超格子構造を含ませることにより，前記目的を達成できることを見出した。
　
（本ｂ）「III族窒化物下地層２は，基材１とIII族窒化物層群５との間に位置し，いわばバッファ層的な役割をも果たすものである。従来，Ｇａ系窒化物膜を作製するに際しては，この窒化物膜と基材との格子定数差を緩和してミスフィット転位の発生を抑制すべき低結晶性，例えば，ＭＯＣＶＤ法を用い，前記基材を５００〜６００℃に加熱して，ＧａＮ又はＡｌＮバッファ層などを形成することが試みられていた。しかしながら，上記のような低い形成温度に起因して，形成されるＧａ系窒化物膜の結晶性は，Ｘ線ロッキングカーブの半値幅で２００秒程度と低くかった。しかしながら，少なくともＡｌを含む結晶性の高い窒化物膜を下地層として用い，隣接するＡｌ組成差が１０原子％以上の超格子を挿入することにより，Ｘ線ロッキングカーブ半値幅が２００秒以下の高い結晶性を有するのみならず，転位密度を大幅に低減したＧａ系窒化物膜を作製できることを確認した。
下地層２の結晶性は高いほど好ましく，具体的には，下地層２の（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅で１００秒以下の高結晶性を呈することが好ましい。
　
（本ｃ）「【実施例】以下，実施例により本発明を具体的に説明する。
（
実施例
このＡｌＮ下地膜の表面平坦性を評価したところ，５μｍのＲａで２Åの平坦な膜であることが判明し，（００２）のロッキングカーブ半値幅が５０秒という高結晶を呈することが判明した。
　
（本ｄ）「
（比較例
超格子構造３を設けない以外は，実施例と同様
以上，実施例及び比較例から明らかなように，本発明に従って超格子構造３を有する半導体発光素子１１においては
発光効率が大きく向上している
　
ク　そうすると，本願明細書の上記摘記（本ａ）に「その結果，上述したＡｌ組成差を有する複数のIII族窒化物膜からなる超格子構造を含ませることにより，前記目的を達成できることを見出した。」と記載されているように，本願補正発明１の技術的意義は，所定のＡｌ組成差を有する複数のIII族窒化物膜からなる超格子構造を含ませることにあると認められ，このことは，本願明細書の上記摘記（本ｃ），（本ｄ）に記載されるように，実施例と比較例のいずれにも，（００２）のロッキングカーブ半値幅が５０秒という高結晶を呈するＡｌＮ下地膜が使用されており，両者の相違は，「超格子構造３」の有無のみであることからも明らかである。
　そして，下地層２の（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅としては，本願の上記摘記（本ｂ）に「下地層２の結晶性は高いほど好ましく」と記載されているように小さいほど好ましいことが示されているだけであって，本願の上記摘記（本ｂ）に「具体的には，下地層２の（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅で１００秒以下の高結晶性を呈することが好ましい。」と記載されているものの，（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅が１００秒以下であるか否かによって，III族窒化物層群中の転位密度，及び，発光効率に格別の差異があることが具体的に示されていないから，前記１００秒という値に臨界的な意義を認めることはできない。
　すなわち，本願補正発明１が，多くのパラメータから，特にＸ線ロッキングカーブの半値幅に着目し，その好ましい値を特定したものであるとはいえないから，審判請求人の前記主張は採用することができない。
　
（３）むすび
　したがって，本願補正発明１は，上記引用例１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２１年２月４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１−１０に係る発明は，平成２０年１０月２４日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１−１０に記載されている事項により特定されるとおりのものであるところ，その内，請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，次のとおりである。
　
　「所定の基材と，III族窒化物下地層と，超格子構造と，III族窒化物層群とを含み，前記III族窒化物下地層は少なくともＡｌを含むとともに，前記超格子構造は複数のIII族窒化物膜が積層されてなり，前記超格子構造の，隣接する前記III族窒化物膜のＡｌ組成差が１０原子％以上であることを特徴とする，III族窒化物素子。」
　
２　進歩性について
（１）引用例及びその記載事項
　平成２０年８月１９日付けの拒絶理由通知書の拒絶の理由に引用した本願の出願前に頒布された下記の引用例１に記載されている事項は，上記「第２＜予備的判断＞　１　独立特許要件違反について（１）引用例及びその記載事項」の項で指摘したとおりである。
　
　引用例１：特開２０００−３１５９１号公報
　
（２）当審の判断
（２−１）引用発明
　上記引用例１の記載事項（１ａ）−（１ｅ）をまとめると，引用例１には，引用発明，すなわち
「ＳｉＣ基板の上に，ＡｌＮバッファ層，その上にｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ｎ／ＧａＮ超格子層，その上にＧａＮ光閉じ込め層，その上に３周期のＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎウエル／ＧａＮバリアからなるＭＱＷ活性層，その上にＧａＮ光閉じ込め層，その上にｐ型Ａｌ0.03Ｇａ0.97Ｎクラッド層，その上にｐ型ＧａＮコンタクト層を積層した青色半導体レーザ装置。」
　が記載されている。
　
（２−２）対比・判断
ア　引用発明の「ＳｉＣ基板」，「ＡｌＮバッファ層」，及び，「青色半導体レーザ装置」は，それぞれ，本願発明１の「所定の基材」，「少なくともＡｌを含むIII族窒化物下地層」，及び，「III族窒化物素子」に相当する。
　
イ　引用発明の「ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ｎ／ＧａＮ超格子層」は，それぞれIII族窒化物膜である「Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ｎ」層と「ＧａＮ」層とが隣接して積層された超格子構造であって，前記「Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ｎ」層と「ＧａＮ」層とのＡｌ組成差は１０原子％以上であるから，引用発明の「ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ｎ／ＧａＮ超格子層」は，本願発明１の「複数のIII族窒化物膜が積層されてなり，前記超格子構造の，隣接する前記III族窒化物膜のＡｌ組成差が１０原子％以上である超格子構造」に相当する。
　
ウ　引用発明の「ＧａＮ光閉じ込め層」，「３周期のＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎウエル／ＧａＮバリアからなるＭＱＷ活性層」，「ＧａＮ光閉じ込め層」，「ｐ型Ａｌ0.03Ｇａ0.97Ｎクラッド層」，及び「ｐ型ＧａＮコンタクト層」からなる積層は，本願発明１の「III族窒化物層群」に相当する。
　
　そうすると，本願発明１の発明特定事項と，引用発明の発明特定事項とに相違点はない。
　
　したがって，本願発明１は，引用例１に記載された発明である。
　
３　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，引用例１に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものである。したがって，本願の請求項２−１０に係る発明については検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。