【事件の表示】
　特願２００４−２６６２９１「磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスク用ガラス基板、並びに、磁気ディスクの製造方法及び磁気ディスク」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　３月３０日出願公開、特開２００６−　８２１３８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本件出願は、平成１６年９月１４日の特許出願であって、同２０年１０月３１日付けで拒絶の理由が通知され、同２１年１月１０日に手続補正がなされ、同年１２月２１日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、同２２年４月３日に本件審判の請求とともに手続補正（以下「本件補正」という。）がなされ、同２３年２月２１日に回答書が提出されたものである。
　
第２．本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲について補正をするものであって、請求項１について、補正前後の記載は、以下のとおりである。
　
（１）補正前
「研磨砥粒を含む研磨液を用いて、ガラス基板の主表面を研磨する研磨工程を有し、前記研磨工程を終えたガラス基板に化学強化を施す磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
　前記研磨液は、前記研磨砥粒として、有機ケイ素化合物を加水分解することで生成したコロイダルシリカ砥粒を含み、かつ、中性であることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。」
　
（２）補正後
「研磨砥粒を含む研磨液を用いて、ガラス基板の主表面を研磨する研磨工程を有し、前記研磨工程を終えたガラス基板に化学強化を施す磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
　前記研磨液は、前記研磨砥粒として、有機ケイ素化合物を加水分解することで生成したコロイダルシリカ砥粒を含み、かつ、
ｐＨが６〜８
　
２．補正の適否　　　
　本件補正の特許請求の範囲の補正後の請求項１についての補正は、「研磨液」について「中性」を、「ｐＨが６〜８」と特定するものであり、請求人が「請求の理由」で主張するとおり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）が、改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否か（いわゆる独立特許要件）について検討する。
　
（１）補正発明
　補正発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、上記１．（２）のとおりのものと認める。
　
（２）刊行物に記載された発明
ア．刊行物１
　これに対し、原査定の拒絶理由で引用された刊行物である特開２００３−１７３５１８号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（ア）請求項１
「円板状ガラス基板を研削した後、研磨砥粒を含む研磨液によって研磨する磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法において、
前記研磨砥粒はコロイダルシリカ砥粒であって、前記研磨液にアルカリを含有させることにより研磨液のｐＨが１０．２を超え、１２以下となるように調整されていることを特徴とする磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。」
　
（イ）段落００２９
「（実施例１）この実施例は、（１）粗研削工程、（２）形状加工工程、（３）端面研磨工程、（４）精研削工程、（５）第１研磨工程、（６）最終研磨工程、（７）最終研磨後洗浄工程、（８）化学強化工程、（９）強化後洗浄工程、（１０）磁気ディスク製造工程の各工程を有する。以下、各工程を説明する。」
　
（ウ）段落００３６
「（６）最終研磨工程
次に、第１研磨工程で使用したタイプと同じ両面研磨装置を用い、ポリシャとして軟質ポリシャに変えて最終研磨工程を実施した。研磨条件は、
研磨液：コロイダルシリカ（平均粒径：０．１５μｍ、研磨剤濃度：３２ｗｔ％）＋ＮａＯＨ（濃度１ｍｏｌ／ｌ  添加量  ４００ｍｌ）＋水
（ｐＨ：１０．５（ＥＵＴＥＣ社製ｐＨ  Ｓｃａｎにより測定））
荷重：６０〜１２０ｇ／ｃｍ2
研磨時間：５〜４０分
除去量：０．５〜８μｍ
とした。図１に示すように、研磨速度は、０．０７μｍ／ｍｉｎであった。」
　
　これらの記載事項を、技術常識を考慮しながら補正発明に照らして整理すると、刊行物１には以下の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていると認める。
　
「研磨砥粒を含む研磨液を用いて、ガラス基板の両面を研磨する最終研磨工程を有し、前記研磨工程を終えたガラス基板に化学強化を施す磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、
　前記研磨液は、前記研磨砥粒として、コロイダルシリカ砥粒を含み、かつ、ｐＨが１０．２を越え１２以下である磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。」
　
イ．刊行物２
　同じく特開２００４−９８２７８号公報（以下「刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（ア）段落０００１〜０００６
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、基板表面に微小な凸状の表面欠陥のないマスクブランクス用ガラス基板、及びその製造方法、並びに該基板を用いたマスクブランクス、及びその製造方法、並びに、転写マスク及びその製造方法、及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　近年における超ＬＳＩデバイスの高密度化、高精度化により、マスクブランクス用ガラス基板などの電子デバイス用ガラス基板の平坦度や表面欠陥に対する要求は年々厳しくなる状況にある。ここで、従来のマスクブランクス用ガラス基板の表面粗さを低減するための精密研磨方法としては、例えば、特開平１−４０２６７号公報に記載されているものがある。この精密研磨方法は、酸化セリウムを主材とする研磨材を用いて研磨した後、コロイダルシリカを用いて仕上げ研磨するものである。この場合、上記公報によれば、一般的に市販されているコロイダルシリカは、安定性の点からｐＨが９〜１０．５の範囲にあるが、希釈して使う場合にはｐＨ値が低下するので、ＮａＯＨ、ＫＯＨ等の無機アルカリや、アミン等の有機アルカリを新たに添加し、ｐＨを〜１１と高めて使用する方がアルカリのガラスをエッチングする効果も相乗的に発揮されるので好ましいとされている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
　本願発明者は、上記コロイダルシリカを用いてｐＨを高めた状態で仕上げ研磨を行ったガラス基板の表面が、近年要求されている平坦度や表面欠陥に対する高いレベルの条件を満たすものであるか否かを克明に調べた。その結果、上記方法で仕上げ研磨を行ったガラス基板表面には、高さが数ｎｍ程度、大きさは数十ｎｍ〜２０００ｎｍの凸状の突起が形成されることがあることが判明した。これは、従来の目視検査では確認できない小さい高さの凸状の突起で、上記近年要請されるようになった高いレベルの表面欠陥フリーの要請を確認するために開発された欠陥検査装置によってはじめて確認することができたものである。
【０００４】
　この凸状の突起上に薄膜を形成し、マスクブランクス、転写マスクを作製した場合、凸状の突起の大きさが拡大化されるため、次世代の基板として要求される０．３μｍ欠陥フリー（０．３μｍ以上の欠陥がないこと）、更には０．１μｍフリー（０．１μｍ以上の欠陥がないこと）、０．０５μｍ欠陥フリー（０．０５μｍ以上の欠陥がないこと）であったとしてもマスクブランクス、マスクの欠陥検査を行った場合、問題となることがある。
【０００５】
　・・・。
【０００６】
　本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであり、コロイダルシリカを用いた研磨砥粒による精密研磨を行っても、基板表面に微小な凸状の表面欠陥が発生しないか又は発生率の低いマスクブランクス用ガラス基板、及び微小な凸状の表面欠陥に起因する位相欠陥のないマスクブランクスの製造方法を提供することを第一の目的とする。
　・・・。」
　
（イ）段落００１２〜００１４
「【００１２】
（実施の形態２）
　実施の形態２にかかるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法は、マスクブランクス用ガラス基板表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて研磨する研磨工程を有するマスクブランクス用ガラス基板の製造方法において、前記研磨液は、コロイダルシリカ砥粒を含むものであるとともに、中性であることを特徴とする。この実施の形態２にかかるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法は、以下の解明事実に基づいてなされたものである。すなわち、本発明者はまず、従来のコロイダルシリカスラリーによる研磨では、何故凸状の突起が形成されるかを考えた。種々の考えられる要因の中から、従来のコロイダルシリカスラリーが高いアルカリ質を有する（ｐＨが高い）点に着目し、以下の仮説を考えた。
【００１３】
　即ち、コロイダルシリカがアルカリ溶液と反応してゲル状物質を生成し、そのゲル状物質が基板に付着し、ＯＨ基を触媒とした縮結合が発生して、基板に強固に付着する凸状の突起になるのではないか、という仮説である。そこで、この仮説を検証すべく、コロイダルシリカ砥粒を用いた研磨液としてそのｐＨが６〜８のものを使用して実験した。その結果、凸状の突起の発生を非常によく抑えられることがわかった（発生率が低減した）。なお、この場合、用いる研摩液のｐＨは、好ましくは７〜７．６が、使いやすさや安定性の観点から望ましいこともわかった。
【００１４】
　さらに、本発明者の研究によれば、ＳｉＯ２は、アルカリ雰囲気では単一分散で安定的であるが、高ｐＨ領域（高いアルカリ性領域）では、研磨粒子の表層部で研磨剤表面の水酸基を介して脱水縮合反応が生じ、この反応の繰り返しにより、最終的には数百ｎｍ以上の凝集体が形成されると推察される。突起欠陥は、このような反応により生じた研磨剤粒子もしくはその一部が残渣物として基板上に付着（ゲル状残渣物として）し、又は、この残渣物によって基板が被覆されることで研磨レート差が生じ、この研磨レート差によって結果的に形成されるものと推察される。なお、上述の有機ケイ素化合物を加水分解することで生成したコロイダルシリカは中性域において安定であるために、容易にコロイダルシリカ砥粒を含む中性（ｐＨが６〜８）の研磨液を得ることができる。」
　
　ここで、上記（ア）段落０００２の「ｐＨが９〜１０．５の範囲にあるが、希釈して使う場合にはｐＨ値が低下するので、・・・ｐＨを〜１１と高めて使用する」なる記載から、刊行物２における従来のものは「ｐＨが１０．５〜１１」と解される。
　
　これらの事項を、技術常識を考慮しながら整理すると、刊行物２には以下の事項（以下、「刊行物２事項」という。）が記載されていると認める。
　
「マスクブランクス用ガラス基板の表面粗さを低減するための精密研磨方法であり、従来のｐＨを１０．５〜１１で使用するコロイダルシリカ研磨液によるものに代え、ｐＨを６〜８の中性とし有機ケイ素化合物を加水分解することで生成したコロイダルシリカ研磨液により、基板表面に、高さが数ｎｍ程度の微小な凸状の表面欠陥が、発生しないか又は発生率を低くするもの。」
　
（３）対比
　補正発明と刊行物１発明とを、技術常識を踏まえ、対比する。
　刊行物１発明は「両面」を研磨するから、当然「主表面」も研磨されることとなる。
　刊行物１発明の「最終研磨工程」は、補正発明の「研磨工程」に含まれる。
　刊行物１発明の「磁気記録媒体」は、補正発明の「磁気ディスク」に相当する。
　
　したがって、補正発明と刊行物１発明とは、次の点で一致している。
「研磨砥粒を含む研磨液を用いて、ガラス基板の主表面を研磨する研磨工程を有し、前記研磨工程を終えたガラス基板に化学強化を施す磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
　前記研磨液は、前記研磨砥粒として、コロイダルシリカ砥粒を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。」
　
　そして、補正発明と刊行物１発明とは、以下の点で相違している。
　研磨液について、補正発明は「有機ケイ素化合物を加水分解することで生成した」コロイダルシリカ砥粒を含み、ｐＨが「６〜８」であるが、刊行物１発明はコロイダルシリカ砥粒を含み、ｐＨが「１０．２を越え１２以下」である点。
　
（４）相違点の検討
　相違点について検討する。
　刊行物１発明において、磁気ヘッドの浮上量を十数ｎｍとするために磁気ディスク用ガラス基板の表面粗さを数ｎｍにするという課題は周知である（例えば、審尋で引用した特開２０００−３４８３３７号公報の段落０００４〜０００５、特開２００１−１９１２４７号公報の段落０００６、特開２００２−０９２８６７号公報の段落００５１、００５４、００５９）。
　刊行物２事項は、上記のとおり、概略「マスクブランクス用ガラス基板の表面粗さを高さが数ｎｍ程度以下に低減するため、従来のアルカリ性コロイダルシリカ研磨液に代え、中性（ｐＨ６〜８）の有機ケイ素化合物を加水分解することで生成したコロイダルシリカ研磨液によるもの」である。
　刊行物２事項は、「マスクブランクス用」ではあるものの、「ガラス基板の研磨において表面粗さを低減するもの」という点で、刊行物１発明、周知技術と技術分野が共通している。
　刊行物１発明、刊行物２事項は、研磨対象はともに「ガラス基板」であり、しかも、刊行物１発明において利用している「アルカリ性コロイダルシリカ研磨液」を、刊行物２事項は「中性の有機ケイ素化合物を加水分解することで生成したコロイダルシリカ研磨液」に代えることで、表面粗さを数ｎｍにするという周知の課題を解決するものである。
　してみると、刊行物１発明において、上記周知課題解決にあたり、同一技術分野の刊行物２事項の適用を試みることに困難性は認められない。
　請求人は回答書で、刊行物２事項の適用に阻害要因がある旨、主張しているが、研磨液の特性を代えることで課題を解決しえたという刊行物２事項に接した者が、刊行物１発明への適用を断念するほどのものではない。
　
　以上のことから、補正発明は、刊行物１発明、刊行物２事項、周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができないものである。
　
３．むすび
　したがって、本件補正は、改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１〜８に係る発明は、平成２１年１月１０日付けで補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２．１．（１）に示す請求項１に記載されたとおりである。
　
２．刊行物等
　これに対して、原査定の際にあげられた刊行物及びその記載内容は、上記第２．２．（２）に示したとおりである。
　
３．対比・検討
　本願発明は、補正発明において付加された事項を削除するものである。
　そうすると、本願発明も、上記第２．２．（４）と同様の理由により、刊行物１発明、刊行物２事項、周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないことから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。