【事件の表示】
　特願２００１−２５２０４２「張り合わせシリコン基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　３月　７日出願公開、特開２００３−　６８９９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　 
　本願は、平成１３年８月２２日の出願であって、平成２０年５月２９日付けで拒絶査定がされ、それに対して、同年７月３日に審判が請求された。その後、平成２２年１２月２４日付けで当審により拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、これに対して、平成２３年３月７日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　 
　 
第２　本願発明 
　本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。 
　 
「【請求項１】　活性層用シリコンウェーハおよび支持基板用シリコンウェーハをアルカリ性エッチング液によりアルカリエッチするエッチング工程と、　
　上記エッチング工程後、活性層用シリコンウェーハおよびアルカリエッチされた支持基板用シリコンウェーハの各表面を鏡面研磨する鏡面研磨工程と、　
　上記鏡面研磨工程後、これらの活性層用シリコンウェーハの鏡面と支持基板用シリコンウェーハの鏡面とを重ね合わせてこれらの活性層用シリコンウェーハと支持基板用シリコンウェーハとを張り合わせることにより、張り合わせウェーハを得る張り合わせ工程と、
　上記張り合わせ工程後、この張り合わせウェーハを熱処理する熱処理工程とを備えた張り合わせシリコン基板の製造方法において、
　上記張り合わせ工程直前における、外力を加えていない条件で平面にこれらの活性層用シリコンウェーハおよび支持基板用シリコンウェーハを載置したときの外周立ちは、これらの活性層用シリコンウェーハおよび支持基板用シリコンウェーハの各表面中央部よりも、その外周縁部分の６ｍｍの領域が０．６μｍ以下の高さとする張り合わせシリコン基板の製造方法。」 
　 
　
第３　引用例の記載と引用発明 
１　引用例とその記載内容 
　当審拒絶理由に引用された、本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平４−２２６０３１号公報（以下「引用例」という。）には、「半導体ウエハの製造方法および該ウエハから成る半導体装置の製造方法」（発明の名称）について、次の記載がある（下線は当審で付加。以下同じ。）。 
　
（１）産業上の利用分野等 
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，いわゆるオリエンテーションフラット（ｏｒｉａｎｔａｔｉｏｎ　ｆｌａｔ：ＯＦ）やノッチ（ｎｏｔｃｈ）のような位置決め手段が設けられた半導体ウエハおよびこのウエハを用いて製造される半導体装置に関する。
【０００２】半導体装置の高集積化，高速度化，小型化の傾向は益々急速になりつつある。これに伴って半導体装置の構成要素のパターンが縮小しているが，半導体ウエハ上にサブミクロン規模の微細パターンを形成するために，
ウエハ表面の平坦性および厚さの均一性に対して１μｍないしそれ以下の値が要求されるようになっている。また，いわゆるＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）構造による高性能半導体装置の実用化において，二枚のシリコンウエハを絶縁層を挟んで結合（ｂｏｎｄｉｎｇ）した基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）を用いるアプローチが，現在のところ最も有望視されているが，この基板は，一方のシリコンウエハを数μｍの厚さに薄くすることが必要とされている。
（２）従来技術等
「【０００３】
【従来の技術】
上記のような半導体ウエハは，通常，図２に示すような工程に従って作製される。すなわち，（ａ）例えばＣｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ（ＣＺ：　チョコラルスキー）法によって所望の組成を有する半導体単結晶のインゴットを引き上げ，（ｂ）このインゴットを適当な長さに粗切りする。そして，（ｃ）インゴットの側面を円筒状に加工し，さらに，円筒の軸に平行な平面を側面に形成する。この平面が，後述するＯＦを構成する。次いで，（ｄ）回転刃式のスライサにより前記インゴットを多数の円板にスライスし，（ｅ）円板の周囲の面取り（ｃｈａｍｆｅｒ，または，ｂｅｖｅｌｉｎｇ）を行ったのち，（ｆ）少なくとも将来半導体装置が形成される面をラッピングし，さらに，（ｇ）薬液によるエッチング，および，（ｈ）いわゆる化学的・機械的研磨による鏡面仕上げを行い，最後に，（ｉ）洗浄して完了する。
【０００４】上記（ｇ）におけるエッチングは，（ｆ）のラッピングにおいてウエハ表面に生じた結晶欠陥を除去するために行われるのであるが，このときにエッチング液の循環や温度の不均一による表面におけるエッチング速度の相違によってむしろ平坦性が劣化する。しかし，（ｈ）の研磨により平坦性が回復される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし，上記従来の工程によって作製された半導体ウエハの平坦性は，ウエハ表面の高さの最大値と最小値の差で表したＴＴＶ（ｔｏｔａｌ　ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ　ｖａｒｉａｔｉｏｎ）の値で２μｍ程度が限界であり，このため，前述のような１μｍないしそれ以下の平坦性の要求に応じられるウエハの収率が極めて低かった。このことは，
前述のようなＳＯＩ構造の基板を作製する工程
【０００６】したがって，本発明は，高い平坦性，具体的には１μｍ以下のＴＴＶ値を有する半導体ウエハを収率よく作製可能とする実用的な方法を提供することを目的とする。また，本発明は，絶縁層を介して二つの半導体基板を接合して成るＳＯＩ構造の基板における一方のウエハを数μｍ以下の均一な厚さに形成可能とする方法を提供することを目的とする。」 
（３）実施例
「【００２７】
二枚の半導体ウエハを接合して成るＳＯＩ基板を本発明により作製する工程について，図１０を参照して説明する。図１における（ａ）〜（ｇ）の工程に従って少なくとも片面が化学的・機械的研磨された二枚のシリコンウエハを用意する。なお，これらのウエハの側面に，結晶方位を表示するマークを前述のようにして形成しておく。
【００２８】次いで，図１０Ａに示すように，上記二枚のシリコンウエハ２０または２１の少なくとも一方のウエハの表面に，例えば周知の熱酸化法により，図１０Ａに示すように厚さ約１μｍの酸化膜２２を形成する。そして，これらシリコンウエハ２０および２１を，前記研磨面が対向するように重ね合わせ，窒素ガス雰囲気中１１００℃で熱処理を施す。熱処理の前に，シリコンウエハ２０と２１間にパルス電圧を印加して接合力を高める方法も知られている。これにより，シリコンウエハ２０および２１は，酸化膜２２を介して互いに強固に結合される。
【００２９】次いで，例えばシリコンウエハ２１を３〜４μｍの厚さまで平面研削して，さらに，化学的・機械的研磨を施す。これにより，図１１Ｃに示すように，シリコンウエハ２１の厚さを均一に２μｍまで薄くする。そののち，シリコンウエハ２０の側面に残っている前記マーク１１を基準にして，図１１Ｄの断面図に示すように，シリコンウエハ２０および２１を切断してＯＦ２１ａを形成する。図１１Ｅは，対応する平面図である。シリコンウエハ２１の側面におけるマーク１１は，酸化膜２２の形成や前記平面研削あるいは研磨により薄くする工程において消失してしまう可能性がある。したがって，シリコンウエハ２０と２１を重ね合わせるときに，上記のように前記マーク１１を基準にして相互の結晶方位を関係付けておけば，ＯＦ２１ａからシリコンウエハ２１の結晶方位を知ることができる。このようにして，絶縁層を介して厚さ数１００μｍのシリコンウエハにより支持された厚さ２μｍのシリコン単結晶層から成るＳＯＩ基板が完成する。」
     　
２　引用発明 
　上記（１）及び（２）によれば、引用例には、従来技術として、ＳＯＩ構造の基板を作製するために、半導体単結晶のインゴットを円板にスライスし，薬液によるエッチング，および，化学的・機械的研磨による鏡面仕上げを行い，少なくとも片面が化学的・機械的研磨された二枚のシリコンウエハを用意することが記載されている。
　また、上記（３）によれば、引用例には、二枚のシリコンウエハからＳＯＩ構造の基板を作製するための具体的な工程として、シリコンウエハ２０および２１を，前記研磨面が対向するように重ね合わせ，熱処理を施す、二枚の半導体ウエハを接合して成るＳＯＩ基板を作製する工程が記載されている。
　そうすると、引用例には、次の発明が記載されているといえる（以下、この発明を「引用発明」という。）。 
　 　 
「半導体単結晶のインゴットを円板にスライスし、薬液によるエッチング、および、化学的・機械的研磨による鏡面仕上げを行うことで、二枚のシリコンウエハを用意し、これらシリコンウエハ２０および２１を研磨面が対向するように重ね合わせ、熱処理を施すことにより、二枚の半導体ウエハを接合して成るＳＯＩ基板の製造方法。」
　
　 
第４　対比 
１　本願発明と引用発明とを対比すると、 
（１）引用発明において、「二枚のシリコンウエハ」は、接合して「ＳＯＩ基板」を製造することから、本願発明の「活性層用シリコンウェーハ」および「支持基板用シリコンウェーハ」に相当することは、当業者にとって明らかである。　
　そして、引用発明では、「化学的・機械的研磨による鏡面仕上げ」を行うことにより、「シリコンウエハ」を用意していることから、「シリコンウェーハ」の表面を鏡面研磨することも明らかである。
　そうすると、引用発明の「半導体単結晶のインゴットを円板にスライスし、薬液によるエッチング、および、化学的・機械的研磨による鏡面仕上げを行うことで、二枚のシリコンウエハを用意」することは、本願発明の「活性層用シリコンウェーハおよび支持基板用シリコンウェーハをエッチング液によりエッチするエッチング工程と、上記エッチング工程後、活性層用シリコンウェーハおよびエッチされた支持基板用シリコンウェーハの各表面を鏡面研磨する鏡面研磨工程」に相当する。
（２）引用発明の「研磨面」は、「鏡面仕上げ」がされていることから、引用発明の「二枚のシリコンウエハを用意し、これらシリコンウエハ２０および２１を研磨面が対向するように重ね合わせ」ることは、本願発明の「活性層用シリコンウェーハの鏡面と支持基板用シリコンウェーハの鏡面とを重ね合わせてこれらの活性層用シリコンウェーハと支持基板用シリコンウェーハとを張り合わせること」に相当する。
　 
２　したがって、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりとなる。
　 
〈一致点〉 
「活性層用シリコンウェーハおよび支持基板用シリコンウェーハをエッチング液によりエッチするエッチング工程と、上記エッチング工程後、活性層用シリコンウェーハおよびエッチされた支持基板用シリコンウェーハの各表面を鏡面研磨する鏡面研磨工程と、上記鏡面研磨工程後、これらの活性層用シリコンウェーハの鏡面と支持基板用シリコンウェーハの鏡面とを重ね合わせてこれらの活性層用シリコンウェーハと支持基板用シリコンウェーハとを張り合わせることにより、張り合わせウェーハを得る張り合わせ工程と、上記張り合わせ工程後、この張り合わせウェーハを熱処理する熱処理工程とを備えた張り合わせシリコン基板の製造方法。」
　 
〈相違点〉 
相違点１について　 
　本願発明では、「アルカリ性エッチング液によりアルカリエッチする」のに対し、引用発明では、「薬液によるエッチング」であり、該薬液について特定がされていない点。 
　
相違点２について 
　本願発明では、「張り合わせ工程直前における、外力を加えていない条件で平面にこれらの活性層用シリコンウェーハおよび支持基板用シリコンウェーハを載置したときの外周立ちは、これらの活性層用シリコンウェーハおよび支持基板用シリコンウェーハの各表面中央部よりも、その外周縁部分の６ｍｍの領域が０．６μｍ以下の高さとする」のに対し、引用発明では、外周立ちについて規定がされていない点。
　
　
第５　相違点についての検討 
・相違点１に対して、　 
 　ウェーハの作製におけるラッピング後のエッチングにおいて、ラッピングにより生じる加工歪を除去するために、薬液として、アルカリ性エッチング液を用いることは、例えば、周知例１、周知例２に記載されているように、本願出願前に周知の技術である。
　そして、引用例の 段落【０００３】の「【従来の技術】上記のような半導体ウエハは，通常，図２に示すような工程に従って作製される。すなわち，（ａ）例えばＣｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ（ＣＺ：　チョコラルスキー）法によって所望の組成を有する半導体単結晶のインゴットを引き上げ，（ｂ）このインゴットを適当な長さに粗切りする。そして，（ｃ）インゴットの側面を円筒状に加工し，さらに，円筒の軸に平行な平面を側面に形成する。この平面が，後述するＯＦを構成する。次いで，（ｄ）回転刃式のスライサにより前記インゴットを多数の円板にスライスし，（ｅ）円板の周囲の面取り（ｃｈａｍｆｅｒ，または，ｂｅｖｅｌｉｎｇ）を行ったのち，（ｆ）少なくとも将来半導体装置が形成される面をラッピングし，さらに，（ｇ）薬液によるエッチング，および，（ｈ）いわゆる化学的・機械的研磨による鏡面仕上げを行い，最後に，（ｉ）洗浄して完了する。」との記載から、引用発明の「薬液によるエッチング」は、ラッピング後のエッチングであるので、ラッピングにより生じる加工歪が生じ、それを除去するという技術的課題を有するものである。
　そうすると、引用発明において、ラッピングにより生じる加工歪を除去するために、薬液として、上記周知技術であるアルカリ性エッチング液を用いることは、当業者が容易になし得たものである。
　
（周知例１：特開平１０−９２７７７号公報、当審拒絶理由で引用。）
　上記周知例１には、次の記載がある。
「【０００２】
【従来の技術】従来、
ラッピングや平面研削により平坦化されたウェハには、その表裏両面に平坦化処理による加工歪が生じるため、これを除去するためにエッチングされている。このエッチングのエッチング液としては、ＫＯＨやＮａＯＨなどのアルカリエッチング液と、混酸などの酸エッチング液とがある。
【０００３】ここで、それぞれのエッチングについて比較する。例えば、アルカリエッチング液としてＮａＯＨの４０％水溶液を使用した場合のエッチングレートは４．０μｍ／分である。一方、酸エッチング液として混酸が４０％の混酸液を使用した場合のエッチングレートは１０μｍ／分である。したがって、同程度の濃度のエッチング液であっても、酸エッチングのレートがかなり大きいと言える。
【０００４】さらに、
アルカリエッチングの特徴としては、上記したように酸エッチングに比べてそのエッチングレートが遅いのに加え、図４に示すように、表面のＰ−Ｖ値は高く、いわゆるラフネスの大きな状態となるものの、ラッピングで得られた平坦度は維持される。
【０００５】そこで、デバイス工程における歩留りの向上を意図して、近年のバッチ方式の
エッチング工程においては平坦度の維持が容易なアルカリエッチングが多く採用されるようになってきている。
「【００１２】
【実施例】以下、本発明の各実施例を図面に基づいて説明する。
実施例１
図１は実施例１の製造方法の工程図、図２は実施例１の製造方法により製造された半導体ウェハの金属汚染レベルの変化を示すグラフである。
【００１３】図１に示すように、本実施例１の製造方法は次の工程からなる。
（１）半導体インゴットを切断しウェハを得る。
（２）切断されたウェハの周縁部を面取りする。
（３）面取りされたウェハの表面および裏面の切断面をラッピングにより平坦化する。この際、ラッピングにより表面および裏面には加工歪が生じる。
【００１４】（４）
平坦化されたウェハをアルカリエッチングし、ラッピングにより生じた加工歪を除去する。このアルカリエッチング液としてはＮａＯＨを使用し、その取代として片面を５〜３０μｍ程度エッチングすることにより、加工歪は取り除かれる。さらに、ウェハ全体としての平坦度は維持され、このアルカリエッチング後のＴＴＶ値は約１．０μｍ程度となる。
　
（周知例２：特開２００１−８５６４８号公報、当審拒絶理由で引用。）
　上記周知例２には、従来の技術として、次の記載がある。
「【００１０】ＰＷの製造方法は従来から知られている通り、シリコンインゴットをスライスし、得られたシリコンウエーハに少なくとも面取り、ラッピング、酸エッチング、片面鏡面研磨および洗浄する工程から構成されている。これらの工程は目的により、その一部の工程が入れ替えられたり、複数回繰り返えされたり、あるいは熱処理、研削等他の工程が付加、置換されたりして、種々の工程が行われる。ここで、上記の工程の内、酸エッチングは、スライス、面取り、ラッピング等の機械的加工時に導入された表面加工変質層の除去を目的として行われ、例えば、フッ酸、硝酸、酢酸、水からなる混酸水溶液により表面から数〜数十μｍエッチングする工程であるが、次のような問題点が指摘されている。
【００１１】すなわち、１）ラッピング後の、ＴＴＶ［Ｔｏｔａｌ  ＴｈｉｃｋｎｅｓｓＶａｒｉａｔｉｏｎ］（μｍ）、ＬＴＶmax ［Ｌｏｃａｌ  ＴｈｉｃｋｎｅｓｓＶａｒｉａｔｉｏｎ］（μｍ）等で表現される厚さのバラツキを示すウエーハの平坦度が、エッチング代が多い程損なわれる。
２）エッチング表面に周期がｍｍオーダーのうねりやピールと呼ばれる凹凸が発生する。
３）エッチングにより有害なＮＯx が発生する。等であり、
これらの問題点を考慮してアルカリエッチングが用いられる場合がある。
【００１２】
このアルカリエッチングの得失を列挙すると、先ず利点は、ａ）ラッピング後の平坦度が、エッチング後も維持される。
「【００１４】
この様な理由から、従来、貼り合わせウエーハのベースウエーハ用のＰＷとしては、平坦度の優れたアルカリエッチングを行った化学エッチングウエーハ（以下ＣＷということがある）の一方の面を鏡面研磨したＰＷが用いられていた。
 　
・相違点２に対して、　 
　ＳＯＩ基板の製造方法において、ウェーハの平坦性を高め、ボイド発生を防止することは、例えば、以下の周知例３、周知例４に記載されているように、当業者に当然求められる配慮事項であるから、引用発明のＳＯＩ基板の製造方法においても、ボイド発生を防止するためにウェーハの平坦性を高めることは、当業者に普通に期待できることである。　
　その際の平坦性の程度として、本願発明のように、シリコンウェーハの中央部よりも外周縁部分の６ｍｍの領域において、０．６μｍ以下の高さとすることは、より望まれる高いの平坦性の数値範囲を明示したということ以上の技術的意義を認めることができない。このことは、「０．６μｍ以下の高さとする」数値限定が、本願明細書の詳細な説明の欄において、従来技術として記載されている、段落【０００４】の「０．２〜１．０μｍ程度」の外周立ちと一部重なることからも、裏付けられる。
　　
（周知例３：特開平４−３４０２１５号公報、当審拒絶理由で引用。）
　上記周知例３には、従来の技術として、次の記載がある。
「【０００３】
図２〜図６は、直接基板接合法によりＳＯＩ構造基板を製造する方法を示した図である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のような直接基板接合法は、接合界面にバルクと同程度の結晶性が得られるという点では他の接合法よりも優れているが、次のような問題点を有している。その１つは基板接合時に生じる接合不良である。すなわち、シリコン基板１を互いに重ね合わせる（コンタクト）とき、その表面にパーティクル（外来付着粒子）が存在する。また、
シリコン基板１の表面の平坦度が悪いと、その後上記図４に示したような熱処理を経ても接合しないボイド領域が発生する。このようなボイド領域は、図５に示したように研磨により薄くする工程で、あるいはその後のデバイス製造工程で、剥離し、このような剥離が生じると、基板自体が不良品になり、歩留りが低下するだけでなく、関係するデバイスも汚染するという問題点がある。
　
（周知例４：特開２０００−３１５６３４号公報、当審拒絶理由で引用。）
　上記周知例４には、従来技術として、次の記載がある。
「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、
従来の張り合わせ基板の製造方法にあっては、
ボイルにより平坦度が低下した張り合わせ界面からＨ
２
Ｏが抜け出る際、このＨ
２
Ｏが凝集してウェーハ外周部にボイド（未接合部分）が発生しやすくなっていた。これにより、良品基板の収率が低くなっていた。
【０００４】
【発明の目的】
そこで、この発明の目的は、ボイドの少ない強固な張り合わせを行うことができる張り合わせ基板の製造方法を提供するものである。
　
　以上検討したとおり、本願発明は、周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　 
　
第６　結言 　 
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。 
　 
　よって、結論のとおり審決する。