【手続補正書】
【提出日】平成23年4月6日(2011.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）１種以上の半結晶性ポリオレフィンブロック又はグラフトコポリマー、及び（ｂ）１種以上の低分子量液状希釈剤の混合物を含むポリマーゲル組成物であって、
各半結晶性ポリオレフィンコポリマーが、１以上のアモルファスポリオレフィンＢのブロックでつながった２以上の半結晶性ポリオレフィンＡのブロック又はグラフトを含むＡ−Ｂブロック又はグラフトコポリマー材料であり；
各低分子量液状希釈剤が、半結晶性ブロックコポリマーのアモルファスＢブロックと混和又は部分的に混和し、使用温度で半結晶性ブロック又はグラフトコポリマーの半結晶性Ａブロック又はグラフトの結晶を溶解せず、そのガラス転移温度が使用温度以下であり；
１種以上の半結晶性ポリオレフィンブロック又はグラフトコポリマー及び１種以上の低分子量液状希釈剤を組み合わせることにより調製されたゲル組成物は、力学的又は熱力学的な処理によって変形され得る結晶を有し、１未満の歪みでの初期弾性係数と、破壊直前の大きな歪みでの弾性接線係数との、初期係数に対する破壊前の接線係数が５０を超える比であり、
応力又は規制力が取り除かれたときにその大きな歪みが７０％より大きく回復するポリマーゲル組成物。
【請求項２】
破壊直前の歪みが５より大きい請求項１記載の組成物。
【請求項３】
半結晶性ポリオレフィンブロックコポリマーがＡＢＡトリブロックコポリマー、ＡＢＡＢＡペンタブロックコポリマー、又は（ＡＢ）ｎ放射状ブロックコポリマーである請求項１記載の組成物。
【請求項４】
半結晶性ポリオレフィンブロックコポリマーが．．．ＡＢＡＢＡＢ．．．構造を有するマルチブロックコポリマーであり、統計的処理によって決定されるブロックサイズ及び鎖あたりのブロック数を有し、Ａ半結晶性ブロックの数平均分子量が５００ｇ／モルより大きく、Ｂアモルファスブロックの数平均分子量が１０００ｇ／モルより大きい請求項１記載の組成物。
【請求項５】
半結晶性ポリオレフィンブロックコポリマーが１０００ｇ／モルより大きい数平均分子量のアモルファスＢ主鎖を有するグラフトコポリマーであり、該コポリマーには５００ｇ／モルより大きい数平均分子量のグラフトである、半結晶性ポリマーＡの２以上のグラフト（枝）が結合している請求項１記載の組成物。
【請求項６】
半結晶性ポリオレフィンブロックコポリマーのアモルファスＢポリオレフィンブロックが使用温度以下のガラス転移温度を有し、Ａポリオレフィンブロック又はグラフトの結晶が使用温度以上で溶融し、半結晶性ポリオレフィンブロックコポリマー単独で熱可塑性エラストマーの力学的特性を有する請求項１記載の組成物。
【請求項７】
Ａポリマーブロック又はグラフトが、ポリエチレン、シンジオタクチックポリプロピレン、イソタクチックポリプロピレン、イソタクチックポリ（１−ブテン）、シンジオタクチックポリ（１−ブテン）、ポリ（１−ヘキセン）又はポリ（１−オクテン）を含むイソタクチック若しくはシンジオタクチック長鎖アルファオレフィン；ポリ（４−メチル−１−ペンテン）、ポリ（３−メチル−１−ブテン）、ポリ（４，４−ジメチル−１−ペンテン）又はポリ（ビニルシクロヘキサン）のイソタクチック若しくはシンジオタクチック変性体からなる群より選ばれた半結晶性ポリオレフィンである請求項１記載の組成物。
【請求項８】
アモルファスＢポリマーブロックが、アタクチック又は位置不規則性ポリプロピレン；ポリ（１−ブテン）、ポリ（１−ヘキセン）又はポリ（１−オクテン）を含むアタクチックポリ（アルファ−オレフィン）；ポリ（エチレン−ｒ−プロピレン）、ポリ（エチレン−ｒ−ブテン）、ポリ（エチレン−ｒ−ペンテン）、ポリ（エチレン−ｒ−ヘキセン）、ポリ（エチレン−ｒ−ヘプテン）、ポリ（エチレン−ｒ−イソブチレン）、及びポリ（エチレン−ｒ−オクテン）からなる群より選ばれたポリオレフィンランダム又は統計的コポリマー；プロピレンが１種以上の長鎖アルファ−オレフィンとエチレン又はエチレンなしで共重合されることにより作られるアタクチック、又は位置不規則性ランダム、又は統計的コポリマー、からなる群より選ばれたポリオレフィンである請求項１記載の組成物。
【請求項９】
アモルファスポリオレフィンＢの１以上のブロックによってつながった半結晶性ポリオレフィンＡの２以上のブロック又はグラフトを有するＡ−Ｂブロック又はグラフトコポリマーが、アモルファスポリオレフィンＤの１以上のブロックによってつながった半結晶性ポリオレフィンＣの２以上のブロック又はグラフトを有する第２のポリオレフィンＣ−Ｄブロック又はグラフトコポリマー材料と混合されており、ポリマーＢ及びＤが、同じであるか又は異なり、低分子量液状希釈剤が、アモルファスＢ及びＤブロックと混和性又は一部混和性であり、半結晶性Ａ及びＣブロック又はグラフトの結晶を溶解せず、Ａ及びＣの結晶が変形されうる請求項１記載のポリマーゲル組成物。
【請求項１０】
半結晶性ポリオレフィンブロックコポリマーが、ＡＢＡトリブロックコポリマー及びＣＤＣトリブロックコポリマーの混合物である請求項９記載の組成物。
【請求項１１】
半結晶性ポリオレフィンブロックコポリマーが、統計的工程で決定されるブロックサイズ及び鎖あたりのブロック数を有する．．．ＡＢＡＢＡＢ．．．構造のマルチブロックコポリマーと、ＣＤＣトリブロック構造又は統計的工程で決定されるブロックサイズ及び鎖あたりのブロック数を有する．．．ＣＤＣＤＣ．．．構造の第２の半結晶性ポリオレフィンブロックコポリマーとの混合物であって、Ａ半結晶性ポリオレフィンブロックが５００ｇ／モルより大きい数平均分子量を有し、Ｂアモルファスポリオレフィンブロックが１０００ｇ／モルより大きい数平均分子量を有し、Ｃ半結晶性ポリオレフィンブロックが５００ｇ／モルより大きい数平均分子量を有し、Ｄアモルファスポリオレフィンブロックが１０００ｇ／モルより大きい数平均分子量を有し、ポリマーＢ及びＤが同じ場合を含む請求項９記載の組成物。
【請求項１２】
半結晶性ポリオレフィンブロックコポリマーのアモルファスＢ及びＤポリオレフィンブロックが使用温度以下のガラス転移温度を有し、Ａ及びＣポリオレフィンブロック又はグラフトの結晶が使用温度以上で溶融し、半結晶性ブロックコポリマー混合物単独で熱可塑性エラストマーの力学的特性を有する請求項９記載の組成物。
【請求項１３】
Ａ及びＣポリオレフィンブロック又はグラフトが、半結晶性ポリエチレン、シンジオタクチックポリプロピレン、イソタクチックポリプロピレン、イソタクチックポリ（１−ブテン）、シンジオタクチックポリ（１−ブテン）、ポリ（１−ヘキセン）又はポリ（１−オクテン）を含むイソタクチック若しくはシンジオタクチック長鎖アルファオレフィン；又はポリ（４−メチル−１−ペンテン）、ポリ（３−メチル−１−ブテン）、ポリ（４，４−ジメチル−１−ペンテン）又はポリ（ビニルシクロヘキサン）のイソタクチック若しくはシンジオタクチック変性体、からなる群より選ばれた化合物である請求項９記載の組成物。
【請求項１４】
アモルファスＢ及びＤポリオレフィンブロックが、
アタクチック又は位置不規則性ポリプロピレン；ポリ（１−ブテン）、ポリ（１−ヘキセン）又はポリ（１−オクテン）を含むアタクチックポリ（アルファ−オレフィン）；ポリ（エチレン−ｒ−プロピレン）、ポリ（エチレン−ｒ−ブテン）、ポリ（エチレン−ｒ−ペンテン）、ポリ（エチレン−ｒ−ヘキセン）、ポリ（エチレン−ｒ−ヘプテン）、ポリ（エチレン−ｒ−イソブチレン）、及びポリ（エチレン−ｒ−オクテン）からなる群より選ばれたポリオレフィンランダム又は統計的コポリマー；プロピレンが１種以上の長鎖アルファ−オレフィンと、エチレン又はエチレンなしで共重合されることにより作られるアタクチック、又は位置不規則性ランダム、又は統計的コポリマー、からなる群より選ばれたものである請求項９記載の組成物。
【請求項１５】
アモルファスＢポリマーブロックが、ポリイソプレン、ポリブタジエン、又はそれらのランダムコポリマーの水素添加により作られるポリオレフィン化合物であり、半結晶性Ａポリマーブロック又はグラフトが、ポリブタジエンの水素添加により作られるポリオレフィン化合物である請求項１又は９記載の組成物。
【請求項１６】
低分子量液状希釈剤が、鉱物オイル、パラフィンオイル、可塑剤、低揮発性溶剤、粘着付与剤のような低揮発性の低分子量液状有機化合物；又は、デカリンのような高揮発性の低分子量液状有機化合物である請求項１又は９記載の組成物。
【請求項１７】
低分子量液状希釈剤が、液状、気体状若しくは超臨界流体状態の二酸化炭素である請求項１又は９記載の組成物。
【請求項１８】
半結晶性ブロックコポリマーが、アモルファスポリオレフィンＢによってつながった半結晶性Ａ及びＣのポリオレフィンブロックを有するＡ−Ｂ−Ｃポリオレフィントリブロックコポリマーであり、各低分子量液状希釈剤は、半結晶性ブロックコポリマーのアモルファスＢブロックと混和性又は一部混和性であり、半結晶性ブロックコポリマーの半結晶性Ａ及びＣブロックの結晶を使用温度で溶解せず、そのガラス転移温度が使用温度以下である請求項１記載の組成物。
【請求項１９】
半結晶性ポリオレフィンブロック又はグラフトコポリマーのＡブロック又はグラフトが結晶化した後、力学的又は熱力学的処理によって結晶が続いて変形される前又は後のいずれかに、低分子量液状希釈剤を組成物から取り除いた時、１未満の歪みでの初期弾性係数と、破壊直前の大きな歪みでの弾性接線係数とで、初期係数に対する破壊前の接線係数が５０を超える比であり、応力又は規制力が取り除かれたときにその大きな歪みが７０％より大きく回復する材料を作る結果をもたらす請求項１記載の組成物。
【請求項２０】
半結晶性ポリオレフィンブロック又はグラフトコポリマーのＡ及びＣブロック又はグラフトが結晶化した後、適当な力学的又は熱力学的処理によって結晶が続いて変形される前又は後のいずれかに、低分子量液状希釈剤を組成物から取り除いた時、１未満の歪みでの初期弾性係数と、破壊直前の大きな歪みでの弾性接線係数とで、初期係数に対する破壊前の接線係数が５０を超える比であり、応力又は規制力が取り除かれたときにその大きな歪みが７０％より大きく回復する材料を作る結果をもたらす請求項９記載の組成物。
【請求項２１】
１種以上の半結晶性ポリオレフィンブロック又はグラフトコポリマーと１種以上の低分子量液状希釈剤とを混合し、
混合物を加熱し、
混合物をアニーリングし、
混合物を冷却することを含むポリマーゲル組成物の製造方法。
【請求項２２】
１種以上の半結晶性ポリオレフィンブロック又はグラフトコポリマーと、１種以上の低分子量液状希釈剤とを混練機、混合機、押出機のような標準的なポリマー加工装置を用いて昇温しつつ機械的に混ぜ合わせること、
混合物を冷却すること、をさらに含むポリマーゲル組成物の製造方法。
【請求項２３】
エラストマー又はゲル液状マトリックスによって隔てられた結晶へとゲル組成物を変化させる力学的又は熱力学的処理をさらに含み、結晶は、負荷が取り除かれた時に７０％を超えて回復する歪みである大きな歪みで、大きな弾性係数（接線係数）を生み出すために適当な構造である請求項２１又は２２記載の製造方法。
【請求項２４】
力学的又は熱力学的処理が、引張による単純延伸、より大きい最大歪みが延伸と緩和との各サイクルにおいてなされた引張と緩和による繰り返し単純延伸、二軸延伸、単純引張を例とする漸進性二軸延伸及び緩和、適当に形成されたダイを通して又は適当に形成された空洞へ材料を押出すること、ダイを通して材料を押出した後に延伸方向に沿った伸張を適用すること、ダイを通して材料を押出した後に延伸方向及びそれと直交する方向の両方に沿った伸張を適用すること、厚さ減少を可能にする一対のローラ又は連続した一対のローラの間で圧迫することで材料の厚さの減少をもたらす変形、緩和、さらなる厚さの減少、緩和などからなる群より選ばれた請求項２３記載の製造方法。
【請求項２５】
温度変化が処理のどの段階中又は段階間でも与えられる請求項２４記載の製造方法。
【請求項２６】
低分子量液状希釈剤を、半結晶性ブロックコポリマーが結晶化した後に組成物から取り除き、適当な力学的又は熱力学的処理によって続いて結晶が変形される前又は後のいずれかに、１未満の歪みでの初期弾性係数と、破壊直前の大きな歪みでの弾性接線係数とで、初期係数に対する破壊前の接線係数が５０を超える比であり、応力又は規制力が取り除かれたときにその大きな歪みが７０％より大きく回復する材料を作る請求項２４記載の製造方法。
【請求項２７】
請求項２３記載の製造方法で製造されたポリマーゲル組成物。
【請求項２８】
請求項２６記載の製造方法で製造されたポリマーゲル組成物。