Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年1月24日(2011.1.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
０．５Ｊ／ｃｍ２以上５Ｊ／ｃｍ２以下のフルエンスを備えるレーザ照射装置を備えることを特徴とする眼球メラノーシスを治療するシステム。
【請求項２】
前記レーザ照射装置が、焦点が、眼の組織の表面から約０．３ｍｍ下方に位置することができるようなアパーチャを備えることを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記レーザ照射装置がＱスイッチレーザ照射装置であり、パルス幅が、１ナノ秒以上１００マイクロ秒以下の範囲であることを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項４】
前記パルス幅が、約０．１マイクロ秒以上約１０マイクロ秒以下の範囲であることを特徴とする請求項３記載のシステム。
【請求項５】
前記パルス幅が約１マイクロ秒であることを特徴とする請求項４記載のシステム。
【請求項６】
前記レーザ照射装置が、可視スペクトル光を照射することを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項７】
前記レーザ照射装置からのレーザ光の波長が約４００ｎｍ以上約５５０ｎｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項２記載のシステム。
【請求項８】
０．５Ｊ／ｃｍ２以上５Ｊ／ｃｍ２以下のフルエンスを備えるレーザ照射装置を備えることを特徴とする眼の強膜の色素沈着異常を軽減するシステム。
【請求項９】
前記レーザ照射装置が、焦点が、眼の組織の表面から約０．３ｍｍ下方に位置することができるようなアパーチャを備えることを特徴とする請求項８記載のシステム。
【請求項１０】
前記レーザ照射装置がＱスイッチレーザ照射装置であり、パルス幅が、１ナノ秒以上１００マイクロ秒以下の範囲であることを特徴とする請求項８記載のシステム。
【請求項１１】
前記パルス幅が、約０．１マイクロ秒以上約１０マイクロ秒以下の範囲であることを特徴とする請求項１０記載のシステム。
【請求項１２】
前記パルス幅が約１マイクロ秒であることを特徴とする請求項１１記載のシステム。
【請求項１３】
前記レーザ照射装置が、可視スペクトル光を照射することを特徴とする請求項８記載のシステム。
【請求項１４】
前記レーザ照射装置からのレーザ光の波長が約４００ｎｍ以上約５５０ｎｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項１３記載のシステム。
【請求項１５】
０．５Ｊ／ｃｍ２以上５Ｊ／ｃｍ２以下のフルエンスを備える出力レーザ光を照射することを特徴とする眼球メラノーシスの治療に使用するレーザ照射装置。
【請求項１６】
前記レーザ照射装置が、焦点が、眼の組織の表面から約０．３ｍｍ下方に位置することができるようなアパーチャを備えることを特徴とする請求項１５記載のレーザ照射装置。
【請求項１７】
前記レーザ照射装置がＱスイッチレーザ照射装置であり、パルス幅が、１ナノ秒以上１００マイクロ秒以下の範囲であることを特徴とする請求項１５記載のレーザ照射装置。
【請求項１８】
前記パルス幅が、約０．１マイクロ秒以上約１０マイクロ秒以下の範囲であることを特徴とする請求項１６記載のレーザ照射装置。
【請求項１９】
前記パルス幅が約１マイクロ秒であることを特徴とする請求項１７記載のレーザ照射装置。
【請求項２０】
前記レーザ照射装置が、可視スペクトル光を照射することを特徴とする請求項１５記載のレーザ照射装置。
【請求項２１】
前記レーザ照射装置からのレーザ光の波長が約４００ｎｍ以上約５５０ｎｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項２０記載のレーザ照射装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
本発明は、上述のパワー範囲で出力可能なシステムを提供する。このシステムにおいて、レーザ照射装置は、高いアパーチャ数を有するアパーチャを備える。レーザ照射装置の焦点は、眼の表面から約０．３ｍｍ下方に位置する。これにより、発散ビームは安全に眼に入射し、網膜に何ら損傷を与えない。しかし正面において、非常に効果的に眼球メラノーシスを破壊する。小さなスポットサイズでのレーザ照射と高いアパーチャ数の組み合わせは、システムを本質的に安全なものとする。そして、レーザ光が偶発的に瞳孔内に入射したとしても、小さなスポットサイズでのレーザ照射と高いアパーチャ数の組み合わせは、眼の損傷のリスクをほとんど或いは全く生じさせない。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年12月6日(2010.12.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２６】
前記薄膜層干渉層構造は真珠光沢層を有することを特徴とする、請求項１から２３のいずれか一つに記載のセキュリティエレメント。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
このとき薄膜層が透過性薄膜層または反射性薄膜層であり、薄膜層が複数の誘電層、複数の誘電層及び金属層、または真珠光沢層から成ることが可能である。さらに、部分的な反射層が複製ラッカー層と薄膜層との間に配置され、したがって例えば反射性光学的回折効果のみが可視できるような領域を作り出すことも可能である。透過性及び反射性領域を有するセキュリティエレメントを提供するために、部分的な反射層をその表面積全体にわたって透明である薄膜層に適用することもまた可能である。それらの変形及び組み合わせによって、本発明の基礎をなす発想に基づく複雑かつ光学的に魅力のあるセキュリティエレメントを実現することが可能となる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０７】
さらに、薄膜層２３は高い屈折率を有する金属酸化物の単一層、例えば厚さ２７５ｎｍのＴｉＯ２層を備える。このような薄膜層は真珠光沢層とも称される。この場合、薄膜層の厚さはλ／４あるいはλ／２という条件を満たさなければならない（反射性または透過性エレメントを用いるかどうかに依存して）。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
ここでは第二のレリーフ構造は、光学的回折効果を有する構造、例えばホログラムまたはキネグラム等によって形成されるのが望ましい。しかしながら、レリーフ構造が対応する光学的な変化効果をもたらすマクロ構造またはつや消し（マット）構造であってもよい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年2月7日(2011.2.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
全く疎水性であり、水も、界面活性剤も、乳化剤も、溶剤の痕跡も全く含まず、表面を有する脂質固体粒子であって、少なくとも１種の疎水性蝋、少なくなくとも１種の脂肪酸及び有効成分を含み、前記疎水性蝋が１５℃〜７５℃の融点を有し、且つ、前記有効成分が前記脂質固体粒子の表面から完全に除去されていることを特徴とする、脂質固体粒子。
【請求項２】
４５℃までの温度で固体であることを特徴とする請求項１に記載の脂質固体粒子。
【請求項３】
３０℃〜４５℃の融点を有することを特徴とする請求項１に記載の脂質固体粒子。
【請求項４】
疎水性蝋は、植物蝋、動物蝋若しくは鉱蝋、又は少なくとも１種の蝋及び少なくとも１種の非両親媒性油の混合物であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の脂質固体粒子。
【請求項５】
蝋は、０．５％〜９９％の量であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の脂質固体粒子。
【請求項６】
蝋は、トリグリセリド、パーム油、カルナウバ蝋、カンデリラ蝋、アルファ蝋（ｌａ  ｃｉｒｅ  ｄ’Ａｌｆａ）、カカオ脂、オゾケライト、植物蝋、蜜蝋、変性蜜蝋およびこれらの混合物からなる群より選択されることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の脂質固体粒子。
【請求項７】
植物蝋は、オリーブワックス、ライスワックス、水素化ホホバワックス、又は無水フラワーワックスであることを特徴とする請求項４又は６に記載の脂質固体粒子。
【請求項８】
脂肪酸は、４〜１８個の炭素原子数を有する直鎖脂肪酸から選択されることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の脂質固体粒子。
【請求項９】
直鎖脂肪酸は、ミリスチン酸、ラウリン酸、パルミチン酸又はオレイン酸であることを特徴とする請求項８に記載の脂質固体粒子。
【請求項１０】
脂肪酸は、質量の０．５％〜７５％の脂肪酸比率であることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の脂質固体粒子。
【請求項１１】
０．５ミクロン〜１５００ミクロンの寸法を有することを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の脂質固体粒子。
【請求項１２】
有効成分を粒子に装入する能力は、粒子の重量に対して０．０２％〜７５％であることを特徴とする請求項１に記載の脂質固体粒子。
【請求項１３】
−  第１ステップにおいて、蝋、脂肪酸および有効成分を、攪拌下で、それらの混合物の融点より２℃又は３℃高く加熱して混合し、
−  第２ステップにおいて、第１ステップで得られた混合物を、非混和性であるゲル中に分散させて、有効成分を含む脂質小滴を形成し、そこで前記ゲルは第１ステップで得られた混合物と予め同じ温度にされ、且つ０．１ｇ／ｌ〜３０ｇ／ｌのゲル化剤濃度を有し、
−  第３ステップにおいて、分散ステップが終了すると、小滴を、混合物の凝固温度以下に直ちに冷却し、次にエタノールを含む水で洗浄し、
−  第４ステップにおいて、洗浄した粒子を、篩分けによって回収し、次に乾燥させることを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載の脂質固体粒子の調製方法。
【請求項１４】
洗浄混合物中、エタノールは、１％〜１０％の割合であることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
ゲル化剤は、カルボキシビニルポリマー、カラゲナン、多糖類ゲル化剤、増粘剤及びこれらの混合物からなる群より選択される流動性、非界面活性のゲル化剤であることを特徴とする請求項１３又は１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
請求項１から１２のいずれかに記載の少なくとも１種の脂質固体粒子を含む化粧、医薬、獣医学的又は食品組成物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
従って本発明は、全く疎水性であり、水も、界面活性剤も、乳化剤も、溶剤の痕跡も全く含まず、少なくとも１種の疎水性蝋及び少なくとも１種の非中和脂肪酸を含むことを特徴とする、脂質固体粒子形状のガレヌス製剤系を対象とする。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６５】
次に第２ステップにおいて、流動化（ｒｈｅｏｆｌｕｉｄｉｆｉａｎｔ）、非界面活性のゲル化剤によって調製されたゲルであって、前記混合物と非混和性であり、予め同じ温度に至らせ、かつ分散を凝結させるために十分に高い０．１ｇ／ｌ〜３０ｇ／ｌ、好ましくは０．２ｇ／ｌ〜２０ｇ／ｌのゲル化剤濃度を有する該ゲル中で、第１ステップで得られた混合物を分散させて、有効成分を含む脂質小滴を形成する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６７】
方法の第３ステップにおいて、注入が終了すると、小滴を、混合物の凝固温度以下に直ちに冷却し、次に洗浄する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年9月30日(2011.9.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
このプロセスのパラメータの設定値を受け取る手段；プロセスのセンサと第１のフィードバック・ループを介してプロセスのパラメータに関するフィードバック信号を受け取る手段；設定値とフィードバック信号を比較して誤差信号を生成する手段；並列ＰＩＤパスで誤差信号を処理する手段；およびフィードバック信号に基づいて少なくとも１つのＰＩＤパスの制御因子を自動的に調整する手段を含む、プロセスを制御する装置を開示する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
制御因子プロセッサ２１８などの手段は、フィードバック信号に基づいて少なくとも１つのＰＩＤパスの制御因子を自動調整するために設けられる。例として示す図２の実施例において、制御因子プロセッサ２１８は、出力をゲイン調整乗算器２２０、２２２、２２４の１つあるいはそれ以上に対し供給する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月21日(2011.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理チャンバ内で用いるためのガス分配器であって、
ガス注入口と、
ガス排出口と、
ガス注入口かららせん状ねじ山部分へと延びている第一円筒形ステム部分であって、該第一円形ステム部分が第一直径を特徴とし及び該らせん状ねじ山部分が内径及び外径を特徴とし、該外径が該内径及び該第一直径よりも大きい、第一円筒形ステム部分と、
外向きに放射状に延びているガス偏向面と該ガス偏向面から本体の反対側に配置された下面とを有する本体と、
該らせん状ねじ山部分から、第二円筒形ステム部分と該ガス偏向面の間に配置された横シートへと延びている第二円筒形ステム部分であって、該横シートが該ガス偏向面に隣接し、及び該横シートの周囲が該外径よりも大きい第三直径を特徴とする、第二円筒形ステム部分と、
該ガス注入口から、該第一円筒形ステム部分と該らせん状ねじ山部分と該第二円筒形ステム部分と本体を通って該ガス排出口に延びているガス通路と、
を備えている前記ガス分配器。
【請求項２】
該第一円筒形ステム部分の長さが０．２〜２．０インチである、請求項１記載のガス分配器。
【請求項３】
該横シートがシーリング部材を保持するように適合される、請求項１記載のガス分配器。
【請求項４】
該シーリング部材がＯリングである、請求項３記載のガス分配器。
【請求項５】
該Ｏリングが、アルミニウム及びフルオロポリマー樹脂からなる群より選ばれる材料から製造される、請求項４記載のガス分配器。
【請求項６】
該ガス分配器がアルミナである、請求項１記載のガス分配器。
【請求項７】
基板処理システムであって、
中央円形開口部を含む内部上面を有する処理チャンバと、
該処理チャンバ内に配置された基板支持部材と、
該チャンバの該上面の該円形開口部を通って該基板支持部材に向かって延びているガス分配器であって、該ガス分配器が、ガス注入口と、ガス排出口と、ガス注入口かららせん状ねじ山部分へと延びている第一円筒形ステム部分であって、該第一円形ステム部分が第一直径を特徴とし及び該らせん状ねじ山部分が内径及び外径を特徴とし該外径が該内径及び該第一直径よりも大きい第一円筒形ステム部分と、外向きに放射状に延びているガス偏向面と該ガス偏向面から本体の反対側に配置された下面とを有する本体と、該らせん状ねじ山部分から、第二円筒形ステム部分と該ガス偏向面の間に配置された横シートへと延びている第二円筒形ステム部分であって、該横シートが該ガス偏向面に隣接し及び該横シートの周囲が該外径よりも大きい第三直径を特徴とする第二円筒形ステム部分と、該ガス注入口から、該第一円筒形ステム部分と該らせん状ねじ山部分と該第二円筒形ステム部分と本体を通って該ガス排出口へと延びているガス通路と、を備えているガス分配器と、
ガス分配器に外接するガス排出口と、
を備えている前記システム。
【請求項８】
該チャンバの該上面の該中央円形開口部の上に横たわるガス分配ブロックを更に備え、該ガス分配ブロックが該ガス分配器の該第一円筒形ステム部分の該らせん状ねじ山部分にねじ結合するらせん状ねじ山を備えている、請求項７記載の装置。
【請求項９】
該ガス分配ブロックが、該ガス分配器の該ガス注入口と流体で連通している第一ガス通路と該ガス分配器に外接する該ガス排出口と流体で連通している第二ガス通路を更に備えている、請求項８記載の装置。
【請求項１０】
該ガス分配ブロックが冷却水源に結合される、請求項９記載の装置。
【請求項１１】
第一圧力が該ガス分配器の該ガス注入口と流体で連通している該ガス通路に存在し、第二圧力が該処理チャンバの内部に存在する、請求項９記載の装置。
【請求項１２】
該第一圧力が該第二圧力より大きい、請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
該第一圧力が約５トールであり、該第二圧力が約５ミリトールである、請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
該処理チャンバが高密度プラズマチャンバである、請求項７記載の装置。
【請求項１５】
該横シートがシーリング部材を保持するように適合される、請求項７記載の装置。
【請求項１６】
該シーリング部材がＯリングである。請求項１５記載の装置。
【請求項１７】
該Ｏリングがアルミニウム及びフルオロポリマー樹脂からなる群より選ばれる材料から製造される、請求項１６記載の装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年3月14日(2011.3.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項８】
ロールをなす金属ストリップ１の制動をコンピュータ・プログラムにより制御するために、
−  金属ストリップ（１）の搬送速度の調節に関するデータの入力／受信、
−  回転磁石システム（３．２）の制動力の調節に関するデータの入力／受信／出力、
−  回転磁石システム（３．２）の回転速度の調節に関するデータの入力／受信／出力、 
−  回転磁石システム（３．２）の位置の調節に関するデータの入力／受信／出力、 
−  回転磁石システム（３．２）と対向軸受（４）との間の空隙の調節に関するデータの入力／受信／出力、
−  コイル（１．１）の寸法に関するデータの入力／受信／出力、及び
−  対向軸受（４）の位置の調節に関するデータの入力／受信／出力
からなるプログラムステップの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１８】
周波数変換器と、制御回路（５）と、前記金属ストリップの応力或いは制動力を測定するための装置と、対向ローラ（４．１）をなす対向軸受（４）に対する距離（ａ）を調節するための手段（６）とを有し、
前記距離調節手段が、
ａ）プログラム可能論理制御装置のデータライン（６．１）と、
ｂ）入力ユニット（６．２）と、
ｃ）フィードライン（６．３）及びデータ表示用のディスプレイ（６．４）を備えた制御ユニットと、
ｄ）対向ローラ（４．１）をなす対向軸受（４）に対する距離（ａ）を変更するための手段（６）のための第１の制御ライン（６．５）と、
ｅ）回転磁石システム（３．２）のモータ（３．４）のための第２の制御ライン（６．６）と、
ｆ）金属ストリップ（１）の搬送速度及び金属ストリップ（１）の応力／制動力を測定する信号ライン（６．７）とを有することを特徴とする請求項１２乃至１７のいずれか１に記載の装置。 
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
図示されない周波数変換器、図４に示された制御回路５、図３に示されたストリップの応力或いは制動力を測定するための装置及び対向ローラ４．１をなす対向軸受４に対する距離を調節するための手段６が設けられている。この距離調節手段は、
ａ）データラインＳＰＳ（プログラム可能論理制御装置のデータライン）６．１と、
ｂ）入力ユニット６．２と、
ｃ）フィードライン６．３及びデータ表示用のディスプレイ６．４を備えた制御ユニットと、
ｄ）対向ローラ４．１をなす対向軸受４に対する距離ａを変更するための手段６のための第１の制御ライン６．５と、
ｅ）回転磁石システム３．２のモータ３．４のための第２の制御ライン６．６と、
ｆ）金属ストリップ１の搬送速度及び金属ストリップ１の応力／制動力を測定する信号ライン６．７とを有する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
本発明の方法及び装置によれば、回転磁石システム３．２を用いることにより、金属ストリップ１の制動をコンピュータ・プログラムにより制御することが可能となり、その場合、
−  金属ストリップの搬送速度の調節に関するデータの入力／受信／出力、
−  回転磁石システム３．２の制動力の調節に関するデータの入力／受信／出力、
−  回転磁石システム３．２の回転速度の調節に関するデータの入力／受信／出力、
−  回転磁石システム３．２の位置の調節に関するデータの入力／受信／出力、
−  回転磁石システム３．２と対向軸受４との間の空隙の調節に関するデータの入力／受信／出力、
−  コイル１．１の寸法に関するデータの入力／受信／出力、及び
−  対向軸受４の位置の調節に関するデータの入力／受信／出力を含むプログラムのステップを選択的に或いは包括的に行う。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月20日(2011.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（ＨＳｉＯ3/2）a（ＲＳｉＯ3/2）b（ＳｉＯ4/2）cを有するシロキサン樹脂であって、式中、Ｒが、Ｚ、Ｚ（ＣＨ2）nもしくはＺＯ（ＣＨ2）nであり、式中、Ｚが、フェニルもしくは置換フェニル基であり、ｎが、１〜６の値を有し、ａが、０．０１〜０．７の値を有し、ｂが、０．０５〜０．７の値を有し、ｃが、０．１〜０．９の値を有し、ａ＋ｂ＋ｃ≒１であるシロキサン樹脂。
【請求項２】
Ｚが、置換フェニル基であり、該置換基が、ＨＯ−、ＭｅＯ−、ＣＨ3−、ＣＨ3ＣＨ2−およびＣｌ−から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
ａが、０．２〜０．５の値を有し、ｂが、０．１５〜０．３５の値を有し、ｃが、０．２５〜０．６の値を有し、ａ＋ｂ＋ｃ≒１である、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
水、ＨＳｉＸ3、ＲＳｉＸ3およびＳｉＸ4（式中、Ｘが、加水分解可能な基である）ならびに有機溶媒を含む反応混合物を形成させること、該反応混合物を反応させて、シロキサン樹脂を生成させることを含む、シロキサン樹脂の調製方法。
【請求項５】
ＲＳｉＸ3が、ＰｈＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣｌ3および（２−ＨＯ）Ｃ6Ｈ4ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＥｔ）3（式中、Ｅｔがエチル基を表し、Ｐｈがフェニル基を表す）から選択される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
１〜７０モル％のＨＳｉＸ3、５〜７０モル％のＲＳｉＸ3および１０〜９０モル％のＳｉＸ4があり、但し、ＨＳｉＸ3、ＲＳｉＸ3およびＳｉＸ4の量が、ＨＳｉＸ3、ＲＳｉＸ3およびＳｉＸ4の合計モルに基づきおよそ１００モル％である、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記溶媒が、前記反応混合物の全重量に基づき７０〜９９重量％の量で存在している、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
（Ａ）式（ＨＳｉＯ3/2）a（ＲＳｉＯ3/2）b（ＳｉＯ4/2）cを有するシロキサン樹脂であって、式中、Ｒが、Ｚ、Ｚ（ＣＨ2）nもしくはＺＯ（ＣＨ2）nであり、式中、Ｚが、フェニルもしくは置換フェニル基であり、ｎが、１〜６の値を有し、ａが、０．０１〜０．７の値を有し、ｂが、０．０５〜０．７の値を有し、ｃが、０．１〜０．９の値を有し、ａ＋ｂ＋ｃ≒１であるシロキサン樹脂と、
（Ｂ）溶媒と
を含む、抗反射コーティング組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】シロキサン樹脂、シロキサン樹脂の調製方法および抗反射コーティング組成物
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、式（ＨＳｉＯ3/2）a（ＲＳｉＯ3/2）b（ＳｉＯ4/2）cを有するシロキサン樹脂に関し、式中、Ｒが、Ｚ、Ｚ（ＣＨ2）nもしくはＺＯ（ＣＨ2）nであり、式中、Ｚが、フェニルもしくは置換フェニル基であり、ｎが、１〜６の値を有し、ａが、０．０１〜０．７の値を有し、ｂが、０．０５〜０．７の値を有し、ｃが、０．１〜０．９の値を有し、ａ＋ｂ＋ｃ≒１である。本シロキサン樹脂は、抗反射コーティング組成物において有用である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年2月23日(2011.2.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリプロピレン組成物の総量に基づいて計算した質量％で表して、
（ｉ）３０〜８０質量％のポリプロピレン、
（ｉｉ）９１０ｋｇ／ｍ3と９３５ｋｇ／ｍ3の間の密度および８ｇ／１０分と８０ｇ／１０分の間のメルトフローインデックス（ＭＦＩ）を有する２〜２０質量％の分岐低密度ポリエチレン、
（ｉｉｉ）８４０ｋｇ／ｍ3と８９０ｋｇ／ｍ3の間の密度および０．１ｇ／１０分と１００ｇ／１０分の間のメルトフローインデックス（ＭＦＩ）を有する、エチレンおよびＣ3〜Ｃ20αオレフィンの、１〜２０質量％のコポリマー、および
（ｉｖ）０．５〜６０質量％の充填剤、
を有してなるポリプロピレン組成物。
【請求項２】
前記分岐低密度ポリエチレンの量が５質量％と１５質量％の間にあることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項３】
前記分岐低密度ポリエチレンの密度が９１５ｋｇ／ｍ3と９２５ｋｇ／ｍ3の間にあることを特徴とする請求項１または２記載の組成物。
【請求項４】
前記エチレンとＣ3〜Ｃ20αオレフィンのコポリマーの量が１質量％と１８質量％の間であることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の組成物。
【請求項５】
前記エチレンとＣ3〜Ｃ20αオレフィンのコポリマーが、８６０ｋｇ／ｍ3と８８０ｋｇ／ｍ3の間の密度を有することを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の組成物。
【請求項６】
前記エチレンとＣ3〜Ｃ20αオレフィンのコポリマーのメルトフローインデックスが、０．１ｇ／１０分と１０ｇ／１０分の間にあることを特徴とする請求項１から５いずれか１項記載の組成物。
【請求項７】
スリップ剤をさらに含むことを特徴とする請求項１から６いずれか１項記載の組成物。
【請求項８】
前記充填剤の量が１〜４５質量％であることを特徴とする請求項１から７いずれか１項記載の組成物。
【請求項９】
請求項１から８いずれか１項記載の組成物から製造された製品。
【請求項１０】
請求項１から８いずれか１項記載の組成物から製造された自動車内装部品。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
本発明は、ポリプロピレン組成物が、ポリプロピレン組成物の総量に基づいて計算した質量％で表して、
（ｉ）３０〜８０質量％のポリプロピレン（ＰＰ）、
（ｉｉ）９１０ｋｇ／ｍ3と９３５ｋｇ／ｍ3の間の密度および８ｇ／１０分と８０ｇ／１０分の間のメルトフローインデックス（ＭＦＩ）を有する２〜２０質量％の長鎖分岐低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、
（ｉｉｉ）８４０ｋｇ／ｍ3と８９０ｋｇ／ｍ3の間の密度および０．１ｇ／１０分と１００ｇ／１０分の間のメルトフローインデックス（ＭＦＩ）を有する、エチレンおよびＣ3〜Ｃ20αオレフィンの、１〜２０質量％のコポリマー、および
（ｉｖ）０．５〜６０質量％の充填剤、
を有してなることにより特徴付けられる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月4日(2011.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの協調装置に含まれる第１の協調装置からの第１のメッセージを符号化するステップと、
前記少なくとも２つの協調装置に含まれる第２の協調装置からの第２のメッセージを受信するステップと、
前記第２のメッセージを復号化するステップと、
少なくとも１つの協調直列連接畳み込み符号（ＳＣＣＣ）と少なくとも１つの共同ユーザ再帰的体系的畳み込み（ＲＳＣ）内部符号とに基づいて、前記第２のメッセージの少なくとも一部分を前記第１のメッセージの少なくとも一部分とともに再符号化して組み合わせメッセージを生成するステップと、
を備える方法。
【請求項２】
前記第２のメッセージを通信するために、前記少なくとも２つの協調装置の空間ダイバーシチに関係なく、ビット誤り率を減少させるステップをさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記組み合わせメッセージの少なくとも一部分を送信するステップをさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記組み合わせメッセージの前記少なくとも一部分を送信するステップが、前記組み合わせメッセージのパリティビットの少なくとも一部分を送信するステップを備える請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の協調装置から少なくとも１つの他の装置に前記第１のメッセージを送信するステップ、
をさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項６】
通信の失敗を検出するステップをさらに備える請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記通信の失敗を検出するのに応じて、少なくとも１つの装置との通信を利用できないようにするステップをさらに備える請求項６に記載の方法。
【請求項８】
少なくとも第２の協調装置から第２のメッセージを受信するように構成された無線通信コンポーネントと、
少なくとも第１の協調装置から受信された少なくとも第１のメッセージを符号化するように構成され、かつ、前記少なくとも第２の協調装置からの前記第２のメッセージを復号化メッセージに復号化するように構成された符号器／復号器であって、前記符号器／復号器が、共同再帰的体系的畳み込み（ＲＳＣ）内部符号を用いて、前記復号化メッセージの少なくとも一部分を前記第１の協調装置の前記第１のメッセージの少なくとも一部分とともに再符号化して組み合わせメッセージを生成する、前記符号器／復号器と、
を備える装置。
【請求項９】
前記符号器／復号器が、協調直列連接畳み込み符号（ＳＣＣＣ）に基づいて、前記復号化メッセージの前記少なくとも一部分を再符号化するように構成される請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記無線通信コンポーネントが、前記組み合わせメッセージの少なくとも一部分を少なくとも１つの他の協調装置に送信するように構成される請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記無線通信コンポーネントが、空間ダイバーシチに関係なく前記第２のメッセージを通信するために、ビット誤り率を減少させるように構成される請求項８に記載の装置。
【請求項１２】
前記無線通信コンポーネントが、前記第１のメッセージまたは前記第２のメッセージを少なくとも１つの他の装置に送信するように構成される請求項８に記載の装置。
【請求項１３】
少なくとも２つの協調装置から受信したデータから符号化された共同メッセージを処理するように構成された受信器であって、前記共同メッセージが、
第１のメッセージの少なくとも一部分と、
第２のメッセージの少なくとも一部分と、
前記第１のメッセージと前記第２のメッセージを処理するように構成され、前記少なくとも２つの協調装置の空間ダイバーシチに関係なく前記第２のメッセージを通信するためにビット誤り率を減少させるように構成された協調直列連接畳み込み（ＳＣＣ）符号器と、
を含む、受信器を、
備えるシステム。
【請求項１４】
共同ユーザ再帰的体系的畳み込み（ＲＳＣ）内部符号器をさらに備える請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記協調ＳＣＣ符号器が、少なくとも１つの復調器を含み、該復調器の出力が、前記第２のメッセージに関して判定するための根拠を提供する請求項１３に記載のシステム。
【請求項１６】
前記共同メッセージを復号化するように構成されたコンポーネントをさらに備える請求項１３に記載のシステム。
【請求項１７】
前記コンポーネントが、複数の単一入力単一出力（ＳＩＳＯ）復号器を含む請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】
前記共同メッセージが、適応システムにおいてか、または、相当な見通し特性を備えた伝搬環境において、送信される請求項１３に記載のシステム。
【請求項１９】
ユーザ間チャンネルを保護するためのしきい値最小距離を処理するコンポーネントをさらに備える請求項１３に記載のシステム。
【請求項２０】
前記システムの前記ビット誤り率が、少なくとも前記第１のメッセージおよび前記第２のメッセージのブロックサイズが増加したときに減少する請求項１３に記載のシステム。
【請求項２１】
前記システムの前記ビット誤り率が、協調装置の数が前記少なくとも２つの協調装置よりも増加したときに、減少する請求項１３に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月19日(2011.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ反応チャンバ内の半導体加工物に対してプラズマ浸漬イオン注入を実行する方法において、
前記反応器の中に前記加工物を導入する前に、部分的導電性のシーズニング膜を前記チャンバの内面上に堆積するステップであって、前記シーズニング膜が、シリコン、酸素および水素を含み、かつ７０％と８５％との間のシリコン含有量を有するステップと、
加工物支持面の下にあって前記加工物支持面から絶縁されている電極に静電クランプ電圧を印加することにより、前記反応チャンバ内の前記加工物支持面上の前記加工物を静電的にクランプするステップと、
ＲＦ源パワー発生器からのＲＦプラズマ源パワーをプロセスガスに結合することにより、前記加工物の中にイオン注入されることになる種を含む前記プロセスガスから前記チャンバ内にプラズマを発生するステップと、
ＲＦバイアスパワー発生器から、前記加工物の下にあって前記加工物から絶縁され、前記加工物の円周端の下にある円周端を有する円盤状の電極にＲＦバイアスパワーを印加するステップであって、前記ＲＦバイアスパワーが、注入されることになる前記種の前記加工物の面より下の所望のイオン注入深さ分布に対応する５〜２０ｋＶ程度の高いＲＦバイアス電圧を前記加工物に対して生成するのに十分なものであり、前記静電クランプ電圧が、前記ＲＦバイアス電圧の直流成分程度、またはそれを上回るものであるステップと、
前記クランプ電圧をオフにすることにより前記加工物を取り外し、前記加工物支持面を覆う前記シーズニング膜の一部分を介して前記加工物が放電するのを待ち、その後、前記加工物支持面から前記加工物を持ち上げるステップとを含む方法。
【請求項２】
シーズニング膜を堆積するステップが、前記チャンバの中へ十分な量のシリコン含有ガスを流し込むことにより、シリコン含有量が前記シーズニング膜に１０９Ωｍ程度の電気抵抗率をもたらすステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記加工物支持面からの加工物の取外しの後に、
（ａ）遠隔プラズマ源で発生されたプラズマでフッ素含有ガスを解離し、
（ｂ）前記チャンバ内に前記遠隔プラズマ源からのプラズマ副産物を供給することにより、前記シーズニング膜を除去するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記シーズニング膜の除去の期間中、前記チャンバ内でプラズマを発生させるのをやめるステップをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記シーズニング膜が、前記膜に約１０１０Ωｍ未満の電気抵抗率をもたらすのに十分なシリコン含有量を有し、この含有量は、二酸化シリコンの粘着性に類似の粘着性をもたらすように十分に制限されたものである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
シーズニング膜を堆積するステップが、前記チャンバの中へ、シリコン含有ガスおよび酸素ガスを、ＲＦプラズマ源パワーを印加しながらそれぞれ約２００〜４００ｓｃｃｍおよび５０〜１００ｓｃｃｍの流速で流し込むステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ＲＦプラズマ源パワーが、前記加工物支持面の直径の両端に分離された対のポートに結合された、１対の互いに交差する外部の再入可能な管路に印加される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
プラズマ反応チャンバ内の半導体加工物に対してプラズマ浸漬イオン注入を実行する方法において、
前記反応器の中に前記加工物を導入する前に、部分的導電性のシーズニング膜を前記チャンバの内面上に堆積するステップであって、前記シーズニング膜が、シリコン、酸素および水素を含み、かつ前記膜に約１０１０Ωｍ未満の電気抵抗率をもたらすのに十分なシリコン含有量を有し、この含有量は、前記膜が非粉状の固体のコーティングとして堆積するように十分に制限されるステップと、
加工物支持面の下にあって前記加工物支持面から絶縁されている電極に静電クランプ電圧を印加することにより、前記反応チャンバ内の前記加工物支持面上の前記加工物を静電的にクランプするステップと、
ＲＦ源パワー発生器からのＲＦプラズマ源パワーをプロセスガスに結合することにより、前記加工物の中にイオン注入されることになる種を含む前記プロセスガスから前記チャンバ内にプラズマを発生するステップと、
ＲＦバイアスパワー発生器から、前記加工物の下にあって前記加工物から絶縁され、前記加工物の円周端の下にある円周端を有する円盤状の電極にＲＦバイアスパワーを印加するステップであって、前記ＲＦバイアスパワーが、注入されることになる前記種の前記加工物の面より下の所望のイオン注入深さ分布に対応する５〜２０ｋＶ程度の高いＲＦバイアス電圧を前記加工物に対して生成するのに十分なものであり、前記静電クランプ電圧が、前記ＲＦバイアス電圧の直流成分程度、またはそれを上回るものであるステップと、
前記クランプ電圧をオフにすることにより前記加工物を取り外し、前記加工物支持面を覆う前記シーズニング膜の一部分を介して前記加工物が放電するのを待ち、その後、前記加工物支持面から前記加工物を持ち上げるステップとを含む方法。
【請求項９】
シーズニング膜を堆積するステップが、前記チャンバの中へ十分な量のシリコン含有ガスを流し込むことにより、シリコン含有量が前記シーズニング膜に１０９Ωｍ程度の電気抵抗率をもたらすステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記加工物支持面からの加工物の取外しの後に、
（ａ）遠隔プラズマ源で発生されたプラズマでフッ素含有ガスを解離し、
（ｂ）前記チャンバ内に前記遠隔プラズマ源からのプラズマ副産物を供給することにより、前記シーズニング膜を除去するステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記シーズニング膜の除去の期間中、前記チャンバ内でプラズマを発生させるのをやめるステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
シーズニング膜を堆積するステップが、前記チャンバの中へ、シリコン含有ガスおよび酸素ガスを、ＲＦプラズマ源パワーを印加しながらそれぞれ約２００〜４００ｓｃｃｍおよび５０〜１００ｓｃｃｍの流速で流し込むステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
ＲＦプラズマ源パワーが、前記加工物支持面の直径の両端に分離された対のポートに結合された、１対の互いに交差する外部の再入可能な管路に印加される、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月1日(2011.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の装置で、前記第１の装置に関するセンサからの信号を受信するステップと、
前記第１の装置が、前記信号に基づいてタップを検出するステップと、
前記第１の装置が、検出した前記タップに関するパラメータを抽出するステップと、
前記第１の装置が、抽出した前記パラメータが第２の装置によってタップから取得されたパラメータと一致するかどうかを検証する要求を、前記第２の装置に送信するステップと、
前記第１の装置が、前記第２の装置によりタップから取得されたパラメータを含む前記第２の装置からの応答に基づいて、検出した前記タップが有効なユーザ入力であるかどうかを判定するステップと、
前記タップが有効なユーザ入力であると判定された場合、前記第１の装置を用いて、通信チャネルによって前記第２の装置と相互作用するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記信号を受信するステップは、加速度計からの前記信号を受信するステップを含み、
前記方法は、前記第１の装置が前記第２の装置に対してタップされたかどうかを判定するステップを更に含み、
前記第１の装置が前記第２の装置に対してタップされたかどうかを判定するステップは、前記信号のサンプルが所定の加速度パターンと一致するかどうかを判定するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
検出した前記タップが有効なユーザ入力であるかどうかを判定するステップは、抽出した前記パラメータが、前記第２の装置への前記タップから取得された前記パラメータと一致するかどうかを示す前記応答を受信するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記タップが有効なユーザ入力であると判定された場合、アプリケーション特定動作を行うステップと、
前記第１の装置と前記第２の装置との間の１または２以上の後続のタップに応じて、第２のアプリケーション特定動作を行うステップをさらに含み、
前記第２のアプリケーション特定動作は、
前記第２の装置から個人連絡先情報を受信するステップ、
前記第２の装置との商業取引を行うステップ、または
前記第２の装置からビデオクリップ、オーディオクリップ、画像、またはテキストを受信するステップ
のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記タップが有効なユーザ入力であると判定された場合、アプリケーション特定動作を行うステップと、
前記第１の装置と前記第２の装置との間の１または２以上の後続のタップに応じて、第２のアプリケーション特定動作を行うステップをさらに含み、
第２のアプリケーション特定動作を行うステップは、
前記第１の装置と前記第２の装置との間のタップに基づいて確立された通信セッションを終了させるステップ、または
前記第１の装置と第３の装置との間のタップ以前に確立された通信セッションを前記第１の装置に終了させるステップ
のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
センサと、
前記センサからの信号を受信し、
前記信号に基づいてタップを検出し、
検出した前記タップに関するパラメータを抽出し、
抽出した前記パラメータが、第２の装置によってタップから取得されたパラメータと一致するかどうかを検証する要求を、前記第２の装置に送信し、
前記第２の装置によりタップから取得されたパラメータを含む前記第２の装置からの応答に基づいて、検出した前記タップが有効なユーザ入力であるかどうかを判定し、
前記タップが有効なユーザ入力である場合、通信チャネルによって前記第２の装置と相互作用する処理部と
を備える装置。
【請求項７】
前記パラメータは、連続するタップの間の時間またはタップの発生時刻のうちの少なくとも１つを含み、
前記通信チャネルはBluetooth通信チャネルを備える、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記第２の装置は、表示部またはスピーカを有するセル電話、ヘッドセット、またはラップトップのうちの少なくとも１つを備え、
前記装置はセル電話を備える、請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記要求は、抽出した前記パラメータを含み、前記応答は、抽出した前記パラメータが、前記第２の装置によりタップから取得されたパラメータと一致するかどうかを示す情報を含む、請求項６に記載の装置。
【請求項１０】
前記処理部は、さらに、
前記第２の装置と第３の装置との間で検出されたタップ以前に確立された通信セッションを前記第２の装置に終了させること、または
前記装置と前記第２の装置との間で検出されたタップに基づいて、確立された通信セッションを終了させること
のうちの１つを行う、請求項６に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月28日(2011.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の別個の小部分の形に構成された複数の回路素子であって、該小部分の各々が該それぞれの小部分へ電力を伝達するための別々の電圧供給接続部を有する、複数の回路素子と、
複数の出力部を含み、該出力部の各々は該電圧供給接続部のうちの対応する１つに接続される、コントローラであって、（ｉ）該小部分のうちの所与の１つが少なくとも１つの弱い回路素子を含まないときに、該対応する電圧供給接続部を介して該所与の小部分へ第１の電圧レベルを供給し、（ｉｉ）該所与の小部分が少なくとも１つの弱い回路素子を含むときに、該対応する電圧供給接続部を介して該所与の小部分へ少なくとも第２の電圧レベルを供給するように動作し、該第２の電圧レベルは該第１の電圧レベルよりも高い、コントローラとを備える電子回路。
【請求項２】
該コントローラは、該所与の小部分が少なくとも１つの弱い回路素子を含むかどうかを検出するようにさらに動作する、請求項１に記載の回路。
【請求項３】
該コントローラに接続されたメモリをさらに備え、該メモリは該第１の電圧レベルと該少なくとも第２の電圧レベルのうちのどれが該小部分の各々に供給されるべきであるかに関係する情報を記憶するように動作する、請求項１に記載の回路。
【請求項４】
該コントローラは複数のスイッチ素子を備え、該スイッチ素子の各々は該第１の電圧レベルを受けるための第１の端子と、該少なくとも第２の電圧レベルを受けるための第２の端子と、該スイッチ素子に与えられる制御信号の機能として該電圧供給接続部のうちの対応する１つに接続された出力部とを含む、請求項１に記載の回路。
【請求項５】
該第１の電圧レベルは電子回路の指定された最低作動電圧に実質的に等しい、請求項１に記載の回路。
【請求項６】
該第２の電圧レベルは該少なくとも１つの弱い回路素子の指定された最低作動電圧に実質的に等しい、請求項１に記載の回路。
【請求項７】
複数のメモリセルを含むメモリ回路を備え、該複数の回路素子の少なくともサブセットの各々は該メモリセルのうちの所与の１つを備え、該コントローラは、（ｉ）該所与の小部分が少なくとも１つの弱いメモリセルを含まないときに、該対応する電圧供給接続部を介して該所与の小部分へ該第１の電圧レベルを供給し、（ｉｉ）該所与の小部分が少なくとも１つの弱いメモリセルを含むときに、該対応する電圧供給接続部を介して該所与の小部分へ該少なくとも第２の電圧レベルを供給するように動作する、請求項１に記載の回路。
【請求項８】
該コントローラは、該所与の小部分が少なくとも１つの弱いメモリセルを含むかどうかを検出するようにさらに動作する、請求項７に記載の回路。
【請求項９】
複数の小部分の形に構成された複数の回路素子を含み、該小部分の各々が、該小部分に対応する別々の電圧供給接続部を有する電子回路において歩留りを向上させるための方法において、
弱い回路素子を含まない少なくとも第１の小部分へ第１の電圧レベルを印加するステップと、
少なくとも１つの弱い回路素子を含んでいるとして識別された少なくとも第２の小部分へ少なくとも第２の電圧レベルを印加するステップであって、該第２の電圧レベルは該第１の電圧レベルよりも高い、ステップとを含む方法。
【請求項１０】
少なくとも１つの弱い回路素子を含んでいる該少なくとも第２の小部分を識別することをさらに備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
該電子回路内の各小部分を該第１の電圧レベルと該少なくとも第２の電圧レベルとのうちの１つに関連付ける情報を記憶することをさらに備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
該少なくとも第２の小部分へ該少なくとも第２の電圧レベルを印加する該ステップは、該記憶した情報を読み出し、該記憶した情報の機能として該少なくとも第２の小部分へ該少なくとも第２の電圧レベルを印加することを備える、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
該電子回路は複数のメモリセルを含むメモリ回路を備え、該複数の回路素子の少なくともサブセットの各々は該メモリセルのうちの所与の１つを備える、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月11日(2011.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
旋回混合気流を発生する方法であって、
前記方法は以下のステップが含まれること、即ち、
空気と燃焼ガスを一回混合させ、旋回混合ガスが形成され、
旋回混合ガスを二回目に混合させ、渦巻混合ガスが形成され、
渦巻混合ガスを底部が細く前部が大きい反射旋回混合燃焼気流が形成される、
ことを特徴とする旋回混合気流を発生する方法。
【請求項２】
燃焼器であって、
燃焼ガスと空気をそれぞれ吸入するためのガス分離ボックス（３０）と、
ガス分離ボックス（３０）からの空気と燃焼ガスを混合させ、旋回混合気流にするための混合装置と、
前記旋回混合気流を反射によって炎口（１１）に突出させ、立ち上がる底部が細く前部が大きい旋回混合気流にするための第三混合装置とを備え、
その中、前記混合装置は、第一混合装置と第二混合装置が構成されるコンロ上蓋（１０）とガス混合ボックス（２０）を備え、前記コンロ上蓋（１０）はスリーブ状であり、
前記第一混合装置は、ガス分離ボックス（３０）からの空気と燃焼ガスを一回混合させて斜め上向きの旋回空気流にし、前記第二混合装置は、第一混合装置からの旋回空気流とガス分離ボックス（３０）からの燃焼ガスを旋回混合気流にする、
ことを特徴とする燃焼器。
【請求項３】
前記ガス混合ボックス（２０）は箱体であり、前記箱体内に前記中央口（３１）に連通するコンロ孔（２５）が設けられ、前記箱体の側壁に互いに間隔を空ける凹溝（２１）が設けられ、前記凹溝（２１）の数及び位置は前記燃焼ガスの排気口（３７）に対応する、
ことを特徴とする請求項２記載の燃焼器。
【請求項４】
前記ガス分離ボックス（３０）に空気を吸入する中央口（３１）と、少なくとも一つの燃焼ガスを吸入する吸気口（３２）とが設けられ、前記ガス分離ボックス（３０）の頂面に燃焼ガスを排気する燃焼ガス排気口（３７）が数個設けられる、
ことを特徴とする請求項２記載の燃焼器。
【請求項５】
前記ガス混合ボックス（２０）は箱体であり、前記箱体内に前記中央口（３１）に連通するコンロ孔（２５）が設けられ、前記箱体の側壁に相互に間隔を空ける凹溝（２１）が設けられ、前記凹溝（２１）の数及び位置は前記燃焼ガスの排気口（３７）に対応し、前記凹溝（２１）の表面に連通孔（２１０）が設けられ、前記連通孔（２１０）は前記コンロ孔（２５）中の空気に連通され、前記凹溝（２１）は空気と燃焼ガスを初期混合させ、斜め上向きの旋回混合気流が形成される、
ことを特徴とする請求項２記載の燃焼器。
【請求項６】
前記凹溝（２１）は斜め上向きの凹溝であり、前記凹溝（２１）と前記ガス混合ボックス（２０）の底面との夾角は１０度〜８０度であり、前記凹溝（２１）の長さは少なくとも５０ｍｍであり、前記凹溝（２１）の断面形状は逆台形又は正方形である、
ことを特徴とする請求項５記載の燃焼器。
【請求項７】
前記コンロ上蓋（１０）は混合気流を立ち上げる炎口（１１）に円錐台の斜面を有し、前記渦巻混合気流を前記ガス混合ボックス（２０）上の反射板（４０）の表面に跳ね返させ、さらに炎口（１１）へ直接に突出し、且つ底部が細く前部が大きい旋回混合燃焼気流が形成され、前記炎口（１１）の面積は前記上蓋の面積の１／５〜１／３である、
ことを特徴とする請求項２記載の燃焼器。
【請求項８】
前記燃焼ガスの排気口（３７）は均一に分布し、前記連通孔（２１０）は均一に分布する連通孔であり、前記燃焼ガスの排気口（３７）は０．５〜３ｍｍであり、前記連通孔（２１０）の直径は０．５〜３ｍｍであり、前記コンロ上蓋（１０）と前記ガス分離ボックス（３０）とがネジで連結される、
ことを特徴とする請求項７記載の燃焼器。
【請求項９】
前記ガス混合ボックス（２０）の頂面に貫通の取付孔（２９）が設けられ、前記取付孔（２９）に絶縁カバー（５０）が設けられ、前記絶縁カバー（５０）は前記コンロ孔（２５）内に取り付けられた円形板及び前記取付孔（２９）と嵌合する円リング（５１）を備え、前記絶縁カバー（５０）上に反射板（４０）が設けられ、前記反射板（４０）にイオン火炎検知器のアース線が接続され、前記ガス混合ボックス（２０）にパルス発火棒（６０）が二本設けられる、
ことを特徴とする請求項７記載の燃焼器。
【請求項１０】
燃焼器の燃焼方法であって、
以下のステップが含まれること、即ち、
Ｓ０１は、まず空気と燃焼ガスが二つの通路に分岐され、第一通路の空気は中央口（３１）中に進入し、さらに均一に分布する連通孔（２１０）により凹溝（２１）中に進入し、第二通路の燃焼ガスは排気口（３７）により凹溝（２１）中に進入し、第一通路の空気と混合させ、さらに傾斜の凹溝（２１）に沿って上へ進み、斜め上向きの旋回混合気流が形成され、
Ｓ０２は、斜め上向きの旋回混合気流を第二ガス混合室（１００）中に進入させ、旋回しながら第二回目の混合を行い、渦巻混合気流が形成され、
Ｓ０３は、渦巻混合気流と旋回混合気流とを相互に衝突させて周囲へ流動させ、炎口（１１）の円錐台の斜面により混合ガスを反射板の表面に跳ね返させ、さらに炎口（１１）に直接に突出し、底部が細く前部が大きい旋回混合燃焼気流が形成され、発火した後に底部が細く前部が大きい竜巻のような火炎が形成される、
ことを特徴とする燃焼器の燃焼方法。
【請求項１１】
燃焼器の燃焼方法であって、
以下のステップが含まれること、即ち、
Ｓ０１は、空気はガス分離ボックス（３０）に進入し、ガス混合ボックス（２０）が均一に分布する凹溝（２１）により上へ進み、斜め上向きの旋回気流が形成され、
Ｓ０２は、斜め上向きの旋回気流と燃焼ガス出口の燃焼ガスを第二ガス混合室（１００）中に進入させ、旋回且つ混合を行い、渦巻混合気流が形成され、
Ｓ０３は、渦巻混合気流と旋回混合気流とを相互に衝突させて周囲へ流動させ、炎口（１１）の円錐台の斜面により混合ガスを反射板の表面に跳ね返させ、さらに炎口（１１）に直接に突出し、底部が細く前部が大きい旋回混合燃焼気流が形成され、発火した後に底部が細く前部が大きい竜巻のような火炎が形成される、
ことを特徴とする燃焼器の燃焼方法。
【請求項１２】
燃焼器の燃焼方法であって、
以下のステップが含まれること、即ち、
１）空気は空気吸入口（２００）から燃焼器に進入し、旋回気流（９００）が形成され、
２）気流（９００）の一部は円周に沿って流動させ、もう一部は連通孔（２１０）の燃焼ガスと混合させ、外周渦巻気流が形成され、
３）外周渦巻気流と旋回混合気流とを相互に衝突させて周囲へ流動させ、炎口（１１）の円錐台の斜面により混合ガスを反射板の表面に跳ね返させ、さらに炎口（１１）に直接に突出し、底部が細く前部が大きい旋回混合燃焼気流が形成され、発火した後に底部が細く前部が大きい竜巻のような火炎が形成される、
ことを特徴とする燃焼器の燃焼方法。