【事件の表示】
　特願２００４−２５８８３５「発光表示装置，表示パネル，及び発光表示装置の駆動方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１２月１５日出願公開、特開２００５−３４６０２５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯　
　平成１６年　９月　６日　特許出願（パリ条約による優先権主張２００４年５月３１日、大韓民国）
　平成１９年　８月２８日　拒絶理由通知（同年９月４日発送）
　平成１９年１２月　４日　意見書・手続補正書
　平成２０年　７月３０日　拒絶査定（同年８月５日送達）
　平成２０年１１月　４日　本件審判請求
　
２．本願発明について
　平成１９年１２月４日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１には、
　
「【請求項１】
　データ信号を伝達する複数のデータ線、選択信号を伝達する複数の第１走査線、及び前記データ線と前記第１走査線にそれぞれ接続される複数の画素回路を含む発光表示装置において、
　前記画素回路は、
　印加される電流に対応して光を放出する発光素子と、
　前記第１走査線からの前記選択信号に応じて前記データ線からの前記データ信号を伝達する第１スイッチング素子と、
　前記第１スイッチング素子から前記データ信号が伝達される間、ダイオード接続されるトランジスタと、
　前記トランジスタの第１主電極と制御電極との間に接続され、前記第１スイッチング素子からの前記データ電流に対応する第１電圧を貯蔵する第１貯蔵素子と、
　前記トランジスタの前記制御電極と第１制御信号を伝達する第２走査線に電気的に接続され、前記第１制御信号が第１レベルから第２レベルに変更される場合、前記第１貯蔵素子とのカップリングにより、前記第１貯蔵素子の前記第１電圧を第２電圧に変更する第２貯蔵素子と、
　第２制御信号に応じて、前記トランジスタから出力される電流を前記発光素子に伝達する第２スイッチング素子と、
を含み、
　前記第１制御信号は水平周期の間、前記第１レベルを維持するように設定され、
　前記第２制御信号がディスエーブルレベルの期間は、前記水平周期を含み、前記水平周期の整数倍であることを特徴とする、発光表示装置。」
　
と記載されている。ここで、上記請求項１には、「前記トランジスタの第１主電極と制御電極との間に接続され、前記第１スイッチング素子からの前記
データ電流
データ信号
データ信号
データ電流
データ信号
　
「データ信号を伝達する複数のデータ線、選択信号を伝達する複数の第１走査線、及び前記データ線と前記第１走査線にそれぞれ接続される複数の画素回路を含む発光表示装置において、
　前記画素回路は、
　印加される電流に対応して光を放出する発光素子と、
　前記第１走査線からの前記選択信号に応じて前記データ線からの前記データ信号を伝達する第１スイッチング素子と、
　前記第１スイッチング素子から前記データ信号が伝達される間、ダイオード接続されるトランジスタと、
　前記トランジスタの第１主電極と制御電極との間に接続され、前記第１スイッチング素子からの前記
データ信号
　前記トランジスタの前記制御電極と第１制御信号を伝達する第２走査線に電気的に接続され、前記第１制御信号が第１レベルから第２レベルに変更される場合、前記第１貯蔵素子とのカップリングにより、前記第１貯蔵素子の前記第１電圧を第２電圧に変更する第２貯蔵素子と、
　第２制御信号に応じて、前記トランジスタから出力される電流を前記発光素子に伝達する第２スイッチング素子と、
を含み、
　前記第１制御信号は水平周期の間、前記第１レベルを維持するように設定され、
　前記第２制御信号がディスエーブルレベルの期間は、前記水平周期を含み、前記水平周期の整数倍であることを特徴とする、発光表示装置。」（以下、「本願発明」という。）
　
４．引用刊行物
４−１　引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由で引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００３−１４０６１２号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
（Ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機電界発光素子など、電流量により階調表示を行う表示装置に関する。」
　
（Ｂ）「【０００２】
【従来の技術】有機発光素子は、自発光素子であるため、液晶表示装置で必要とされるバックライトが不要であり、視野角が広いなどの利点から、次世代表示装置として期待されている。
【０００３】有機発光素子では素子の発光強度と素子に印加される電界が比例関係とならず、素子の発光強度と素子を流れる電流密度が比例関係にあるため、素子の膜厚のばらつき及び入力信号値のばらつきに対する発光強度のばらつきは電流制御により階調表示を行うほうが小さくすることができる。
【０００４】半導体層を有するスイッチング素子を用いたアクティブマトリクス型表示装置の例を図７に示す。各画素は７９に示すように、複数のスイッチング素子７３ａ〜７３ｄと蓄積容量７４ならびに有機電界発光素子７２からなる。
【０００５】スイッチング素子７３は１フレームのうち行選択期間（期間Ａ）にはゲートドライバ７０からの出力により７３ａ及び７３ｂのスイッチング素子を導通させ、７３ｄのスイッチング素子は非導通状態とする。非選択期間（期間Ｂ）には、逆に７３ｄを導通状態とし、７３ａ及び７３ｂを非導通状態とする。
【０００６】この操作により期間Ａにおいて、ソースドライバ７１から出力される電流値に応じて、７３ｃを流れる電流量が決められ、７３ｃのソースドレイン間電流とゲート電圧の関係からゲート電圧が決まり、ゲート電圧に応じた電荷が蓄積容量７４に蓄積される。期間Ｂでは期間Ａで蓄積された電荷量に応じて、７３ｃのゲート電圧が設定されるため、期間Ａで７３ｃに流れた電流と同一の電流が期間Ｂにおいても７３ｃを流れ、７３ｄを通じて、有機発光素子７２を発光させる。ソース信号線７６に流す電流量に応じ、蓄積容量７４の電荷量が変わり、有機発光素子７２の発光強度が変化する。」
　
（Ｃ）「【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、第一の期間（書き込み期間）において電流Ｉ１を設定し、第二の期間（表示期間）において電流Ｉ１に一意的に対応する電流Ｉ２を表示素子に流すように画素回路が構成されたアクティブマトリクス型表示装置において、各電流がＩ１＞Ｉ２なる関係を満たすことを特徴とするものである。
【００１４】またこれを実現する手段として、ゲート信号線と電流制御を行うトランジスタのゲート電極間に容量を接続し、同一ＥＬ電流を得るのに必要なソース電流を増加させ、トランジスタの見かけの抵抗値を小さくし波形のなまりを小さくしたことを特徴とする。」　
　
（Ｄ）「【００１５】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施例について、図面を参照しながら説明を行う。
【００１６】（発明の実施の形態１）図１は本発明の第１の実施の形態における表示装置の１画素分の回路を示したものである。従来の構成の１画素分の回路と比較して、容量Ｃｔ１８を設けたことが特徴である。また図２に主要な波形のタイミングチャートを示す。
【００１７】ゲート信号線１（１２）にトランジスタ１７ｂ、１７ｃを導通状態とする信号を流し、ＥＬ素子１６に所定の電流（Ｉ１とする）を流すために、ソース信号線１１にＩ１の電流を流す。このときのトランジスタ１７ａのゲート電位をＶ１とする。（トランジスタ１７ａの電流−電圧特性において電流がＩ１の時に電圧はＶ１であるとする）これが図２における第１の期間すなわち選択期間（水平走査期間）である。なお、トランジスタ１７ｄはこの期間非道通である。
【００１８】次にゲート信号線１（１２）にトランジスタ１７ｂ、１７ｃを非導通状態とする信号を、ゲート信号線２（１３）にトランジスタ１７ｄを導通にする信号を流す。図２における第２の期間である。この時容量Ｃｔ（１８）があるためゲート信号線１の電位変化に応じてトランジスタ１７ａのゲート電圧値はＶ１から変化する。
【００１９】この時の変化量ΔＶｐはトランジスタ１７ｂのゲートソース間容量をＣｇｓとすると、ΔＶｐ＝ΔＶｇ×（Ｃｇｓ＋Ｃｔ）／（Ｃｇｓ＋Ｃｔ＋Ｃｓ）で表される。ここでＣｓは蓄積容量１４の容量値、ΔＶｇはゲート信号線１の電位変化量を示す。図２に示すように、第１の期間と第２の期間の切り替わり時点においてゲート信号線電圧は大きくなることから、駆動トランジスタ１７ａのゲート電位は上昇する。上昇値は３つの容量の値により変化し、Ｃｇｓはトランジスタのサイズ、構成により決められるため、実際はＣｔとＣｓにより変化量を制御する。
【００２０】駆動トランジスタ１７ａのゲート電位の上昇はドレイン電流の低下を引き起こす。変化量ΔＶｐに相当する分だけドレイン電流が低下する。従ってゲート信号線２を導通状態としてＥＬ素子１６に流れる電流は所定の電流値Ｉ１に比べ小さい電流が流れることとなる。
【００２１】このことは逆に、第２の期間においてＥＬ素子にＩ１の電流を流すためには第１の期間においてトランジスタ１７ａにＩ１より大きな電流を流すことになることを示し、Ｃｓが小さいかもしくはＣｔが大きくなれば流す電流をより大きくすることができる。Ｃｓを小さくすると電荷の保持能力が小さくなるため、第２の期間での１７ａのゲート電位が変化しやすくなるので、現実には小さくできない。そこでＣｔを大きくすることで、実現することが望ましい。
【００２２】このようにソース信号線に流す電流を大きくすれば、図８（ｂ）に示す電流―電圧特性を持つトランジスタの見かけの抵抗値を小さくすることが可能となる。これにより抵抗と浮遊容量との積による時定数が小さくなることから、第１の期間において所定電流値へ変化する時間を短くすることができるのである。」
　
（Ｅ）「【００３９】容量Ｃｔ（１８）の一端はゲート信号線１に接続されているが、必ずしもゲート信号線に接続されている必要はなく、図１５に示すように別の信号線を電圧制御線１５９として接続してもよい。この電圧制御線１５９は図１６のように同一行の容量Ｃｔすべてに接続され、ゲートドライバにより制御されている。この時の各信号線波形を図１８に示す。電圧制御線はゲート信号線１がハイレベルになると同時もしくは数μ秒程度遅れてハイレベルとする。再びローレベルになるのはゲート信号線１がローレベルとなった時もしくは電圧制御線がハイレベルになったあと、トランジスタ１５７ｄが導通状態から非導通状態に変化した後である。
【００４０】これにより、電圧制御線１５９の電圧変化量ΔＶｇと容量比Ｃｔ／（Ｃｔ＋Ｃｓ）の積だけトランジスタ１５７ａのゲート電位が変化する。この図ではＶ１からΔＶｐだけ変化する。これにより電流は減少する。ＥＬ素子に所定の電流を流すにはソース信号線には所定の電流値よりも大きい電流を流すことになる。よってこれまでの説明と同様に、ＥＬ素子に流す電流が小さい領域でも容量Ｃｔ及び電圧変化量ΔＶｇを大きくすることで、ソース信号線に流す電流値を増大させ、トランジスタの抵抗値を下げ波形変化をはやくできるようになる。
【００４１】またこの方法は、ゲート信号線にＣｔの一端を接続することに比べ、ΔＶｇの値を大きく取ることができるため、Ｃｔの値が小さくてもΔＶｇを大きくすることでトランジスタの電流値の変化量を大きくできる。ゲート信号線に接続した場合ΔＶｇはトランジスタの耐圧により最大値が決められおよそ２０Ｖ以下でないといけないが、本発明の形態による電圧制御線では２０Ｖ以上電位差があってもよい。従って、電圧値を大きくして、容量Ｃｔを小さくし、画素の開口率を上げられるという利点がある。」
　
（Ｆ）「【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態による画素の構成を示した図
【図２】図１の画素構成における各信号線の量の変化を示した図
【図３】異なる容量比に対するソース信号線電流とＥＬ電流の関係を示した図
　……
【図７】本発明の表示装置の構成を示した図
　……
【図１５】電圧制御線を設けた場合の１画素分の回路を示した図
【図１６】電圧制御線を設けた場合の表示装置とソースドライバ及びゲートドライバの構成を示した図
　……
【図１８】図１５の回路構成における各信号線波形を示した図
　……」
（当審注：【図７】の説明として「本発明の表示装置の構成を示した図」との記載があるが、図７は発明の詳細な説明の【従来の技術】を説明する段落【０００４】で引用されており、発明を説明する箇所では引用されていないから、「従来の表示装置の構成を示した図」の誤記と認める。）
　
（Ｇ）図１５は、「電圧制御線を設けた場合の１画素分の回路を示した図」であり、該図１５に記載された１画素分の回路から、以下の事項が看取できる。
（Ｇ−１）　１画素分の回路は、ＥＬ素子１５６、薄膜トランジスタ１５７ａ〜１５７ｄ、蓄積容量Ｃｓ１５４、容量Ｃｔ１５８を有すること。
（Ｇ−２）　薄膜トランジスタ１５７ｃは、そのゲート電極がゲート信号線１＿１５２に、その第１電極が薄膜トランジスタ１５７ａの第２電極に、その第２電極がソース信号線１５１に、それぞれ接続されていること。
（Ｇ−３）　薄膜トランジスタ１５７ｂは、そのゲート電極がゲート信号線１＿１５２に、その第１電極が薄膜トランジスタ１５７ａのゲート電極に、その第２電極が薄膜トランジスタ１５７ａの第２電極に、それぞれ接続されていること。
（Ｇ−４）　薄膜トランジスタ１５７ａは、そのゲート電極が薄膜トランジスタ１５７ｂの第１電極に、その第１電極がＥＬ電源線１５５に、その第２電極が薄膜トランジスタ１５７ｄの第１電極に、それぞれ接続されていること。
（Ｇ−５）　薄膜トランジスタ１５７ｄは、そのゲート電極がゲート信号線２＿１５３に、その第１電極が薄膜トランジスタ１５７ａの第２電極に、その第２電極がＥＬ素子１５６に、それぞれ接続されていること。
（Ｇ−６）　蓄積容量Ｃｓ１５４は、その一端が薄膜トランジスタ１５７ａの第１電極に、その他端が薄膜トランジスタ１５７ａのゲート電極に、それぞれ接続されていること。
（Ｇ−７）　容量Ｃｔ１５８は、その一端が電圧制御線１５９に、その他端が薄膜トランジスタ１５７ａのゲート電極に、それぞれ接続されていること。
　
４−２　引用刊行物に記載された発明
　以下、引用刊行物の段落【００３９】〜【００４１】、図１５、図１６、図１８に記載されている表示装置に基づいて引用発明を認定するが、該表示装置は、従来の表示装置（【０００２】〜【０００６】、図７）の１画素分の回路に容量Ｃｔ１８を付加して第１の実施の形態の表示装置（【００１６】〜【００２２】、図１、図２）とし、さらに前記容量Ｃｔ１８の一端を電圧制御線１５９に接続した表示装置であるから、引用発明の構成のうち、従来の表示装置、あるいは第１の実施の形態の表示装置と共通する構成については、従来の表示装置、あるいは第１の実施の形態の表示装置についての記載を参酌して認定する。
　
（イ）　上記摘記事項（Ｆ）より、図１６は、「電圧制御線を設けた場合の表示装置とソースドライバ及びゲートドライバの構成を示した図」であり、該図１６には、ソースドライバ、ゲートドライバとともに、ソース信号線、電圧制御線、ゲート信号線、マトリックス状に配列された複数の１画素分の回路が記載されているから、表示装置は、ソース信号線、電圧制御線、ゲート信号線、マトリックス状に配列された複数の１画素分の回路で構成される。そして、上記摘記事項（Ｆ）より、図１５は「電圧制御線を設けた場合の１画素分の回路を示した図」であるから、図１６中の１画素分の回路は、図１５に示され、上記摘記事項（Ｇ）に記載した構成を有する。
　してみると、段落【００３９】〜【００４１】、図１５、図１６、図１８には、以下の構成の表示装置が記載されている。なお、図１５と図１６に開示された１画素分の回路構成は同一であるものの、対応する素子や信号線に異なる参照番号が付されているから、以下では、図１６の参照番号に括弧を付し、図１５の参照符号の後に記載した。また、図１５中の「ＥＬ素子１５６」と図１６中の「有機電界発光素子１６２」は、同一の素子であるから、以下では、「有機電界発光素子」に統一し、「有機電界発光素子１５６（１６２）」と表記した。
　
　複数のソース信号線１５１（１６６ａ、１６６ｂ）、各１画素分の回路とゲートドライバ（１６０）とを接続する複数のゲート信号線１＿１５２（１６９ａ、１６９ｃ、１６９ｅ）及びゲート信号線２＿１５３（１６９ｂ、１６９ｄ、１６９ｆ）、前記複数のソース信号線１５１（１６６ａ、１６６ｂ）と前記ゲート信号線１＿１５２（１６９ａ、１６９ｃ、１６９ｅ）、２＿１５３（１６９ｂ、１６９ｄ、１６９ｆ）にそれぞれ接続される複数の１画素分の回路を含む表示装置において、
　前記１画素分の回路は、
　有機電界発光素子１５６（１６２）と、
　ゲート電極がゲート信号線１＿１５２（１６９ａ、１６９ｃ、１６９ｅ）に、第１電極が薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）の第２電極に、第２電極がソース信号線１５１（１６６ａ、１６６ｂ）に、それぞれ接続される薄膜トランジスタ１５７ｃ（１６３ｃ）と、
　ゲート電極がゲート信号線１＿１５２（１６９ａ、１６９ｃ、１６９ｅ）に、第１電極が薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）のゲート電極に、第２電極が薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）の第２電極に、それぞれ接続される薄膜トランジスタ１５７ｂ（１６３ｂ）と、
　ゲート電極が薄膜トランジスタ１５７ｂ（１６３ｂ）の第１電極に、第１電極が電源線１５５（１６５）に、第２電極が薄膜トランジスタ１５７ｄ（１６３ｄ）の第１電極に、それぞれ接続される薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）と、
　一端が薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）の第１電極に、他端が薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）のゲート電極に接続される蓄積容量１５４（１６４）と、
　ゲート電極がゲート信号線２＿１５３（１６９ｂ、１６９ｄ、１６９ｆ）に、第１電極が薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）の第２電極に、第２電極が有機電界発光素子１５６（１６２）に接続される薄膜トランジスタ１５７ｄ（１６７ｄ）と、
　その一端が電圧制御線１５９（１６７ａ、１６６ｂ、１６７ｃ）に、その他端が薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）のゲート電極にそれぞれ接続される容量１５８（１６８）と、
を含む表示装置。
　
（ロ）従来の表示装置における「【０００３】有機発光素子では…、素子の発光強度と素子を流れる電流密度が比例関係にあるため、…」との記載から、有機発光素子は、印加される電流に対応して光を放出する発光素子である。ここで、従来の表示装置の有機発光素子は、上記（イ）で認定した表示装置の有機電界発光素子１５６（１６２）に相当する。したがって、上記（イ）で認定した表示装置の有機電界発光素子１５６（１６２）は、印加される電流に対応して光を放出する発光素子である。
　
（ハ）従来の表示装置における「【０００５】…１フレームのうち行選択期間（期間Ａ）にはゲートドライバ７０からの出力により７３ａ及び７３ｂのスイッチング素子を導通させ、…。」との記載、「【０００６】この操作により期間Ａにおいて、ソースドライバ７１から出力される電流値に応じて、７３ｃを流れる電流量が決められ、」との記載と、従来の表示装置を示す図７から、薄膜トランジスタ７３ａは、そのゲート電極が第１接続線を介してゲートドライバ７０に、その第１電極が薄膜トランジスタ７３ｃの第２電極に、その第２電極がソース信号線７６ｂに、それぞれ接続されていることが看取できることから、薄膜トランジスタ７３ａは、行選択期間（期間Ａ）において、第１接続線を介して接続されたゲートドライバ７０からの出力により導通し、ソースドライバ７１から出力される電流値を薄膜トランジスタ７３ｃに伝達している。ここで、従来の表示装置における薄膜トランジスタ７３ａ、ゲートドライバ７０、ソースドライバ７１は、上記（イ）で認定した表示装置の薄膜トランジスタ１５７ｃ（１６３ｃ）、ゲートドライバ（１６０）、ソースドライバ（１６１）にそれぞれ相当する。したがって、上記（イ）で認定した表示装置の薄膜トランジスタ１５７ｃ（１６３ｃ）は、行選択期間（期間Ａ）において、ゲート信号線１＿１５２（１６９ａ、１６９ｃ、１６９ｅ）を介して接続されたゲートドライバ（１６０）からの出力により導通し、ソースドライバ（１６１）から出力される電流値を薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）に伝達している。
　
（ニ）従来の表示装置における「【０００５】…１フレームのうち行選択期間（期間Ａ）にはゲートドライバ７０からの出力により７３ａ及び７３ｂのスイッチング素子を導通させ、…。」との記載と、従来の表示装置を示す図７から、薄膜トランジスタ７３ｂは、そのゲート電極が接続線を介してゲートドライバ７０に、その第１電極が薄膜トランジスタ７３ｃのゲート電極に、その第２電極が薄膜トランジスタ７３ｃの第２電極に、それぞれ接続されているから、薄膜トランジスタ７３ｃは、行選択期間（期間Ａ）には、そのゲート電極と第２電極とが薄膜トランジスタ７３ｂを介して導通する。ここで、従来の表示装置における薄膜トランジスタ７３ｂ、７３ｃは、上記（イ）で認定した表示装置の薄膜トランジスタ１５７ｂ（１６３ｂ）、１５７ａ（１６３ａ）にそれぞれ相当する。したがって、上記（イ）で認定した表示装置の薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）は、行選択期間（期間Ａ）には、そのゲート電極と第２電極とが薄膜トランジスタ１５７ｂ（１６３ｂ）を介して導通する。
　
（ホ）従来の表示装置を示す図７から、蓄積容量７４は、その一端が薄膜トランジスタ７３ｃの第１電極に、その他端が薄膜トランジスタ７３ｃのゲート電極に接続されていること、従来の表示装置における「【０００６】この操作により期間Ａにおいて、ソースドライバ７１から出力される電流値に応じて、７３ｃを流れる電流量が決められ、７３ｃのソースドレイン間電流とゲート電圧の関係からゲート電圧が決まり、ゲート電圧に応じた電荷が蓄積容量７４に蓄積される。」との記載から、蓄積容量７４は、薄膜トランジスタ７３ｃの第１電極とゲート電極との間に接続され、ソースドライバ７１から出力される電流値に応じて薄膜トランジスタ７３ｃを流れる電流量が決まり、該薄膜トランジスタ７３ｃを流れる電流量で決まるゲート電圧に応じた電荷が蓄積容量７４に蓄積されることが開示されている。ここで、従来の表示装置における蓄積容量７４、ソースドライバ７１、薄膜トランジスタ７３ｃは、上記（イ）で認定した表示装置の蓄積容量１５４（１６４）、ソースドライバ（１６１）、薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）にそれぞれ相当する。したがって、上記（イ）で認定した表示装置の蓄積容量１５４（１６４）は、薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）の第１電極とゲート電極との間に接続され、ソースドライバ（１６１）から出力される電流値に応じて薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）に流れる電流量が決まり、該薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）を流れる電流量で決まるゲート電圧に応じた電荷が蓄積容量１５４（１６４）に蓄積される。
　
（ヘ）従来の表示装置における「【０００５】…行選択期間（期間Ａ）にはゲートドライバ７０からの出力により…、７３ｄのスイッチング素子は非導通状態とする。非選択期間（期間Ｂ）には、逆に７３ｄを導通状態とし、…。【０００６】…。期間Ｂでは期間Ａで蓄積された電荷量に応じて、７３ｃのゲート電圧が設定されるため、期間Ａで７３ｃに流れた電流と同一の電流が期間Ｂにおいても７３ｃを流れ、７３ｄを通じて、有機発光素子７２を発光させる。…。」との記載から、薄膜トランジスタ７３ｄは、ゲートドライバ７０からの出力により、薄膜トランジスタ７３ｃに流れる電流を有機電界発光素子７２に流すことが開示されている。ここで、従来の表示装置における薄膜トランジスタ７３ｃ、７３ｄ、有機発光素子７２は、上記（イ）で認定した表示装置の薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）、１５７ｄ（１６３ｄ）、有機電界発光素子１５６（１６２）にそれぞれ相当する。したがって、上記（イ）で認定した表示装置の薄膜トランジスタ１５７ｄ（１６３ｄ）は、ゲートドライバ（１６０）からの出力により、薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）に流れる電流を有機電界発光素子１５６（１６２）に流すことが実質的に開示されている。
　
（ト）第１の形態の表示装置における、「【００１７】ゲート信号線１（１２）にトランジスタ１７ｂ、１７ｃを導通状態とする信号を流し、ＥＬ素子１６に所定の電流（Ｉ１とする）を流すために、ソース信号線１１にＩ１の電流を流す。このときのトランジスタ１７ａのゲート電位をＶ１とする。（トランジスタ１７ａの電流−電圧特性において電流がＩ１の時に電圧はＶ１であるとする）これが図２における第１の期間すなわち選択期間（水平走査期間）である。なお、トランジスタ１７ｄはこの期間非道通である。」との記載から、第１の期間すなわち選択期間（水平走査期間）、トランジスタ１７ｄは非導通である。ここで、第１の形態の表示装置における「トランジスタ１７ｄ」は、上記（イ）で認定した表示装置の薄膜トランジスタ１５７ｄ（１６３ｄ）に相当する。したがって、上記（イ）で認定した表示装置の薄膜トランジスタ１５７ｄ（１６３ｄ）は、第１の期間すなわち選択期間（水平走査期間）、非導通である。
　
（チ）図８より、第１の期間の間、ゲート信号線１と電圧制御線の電位は、ローレベルであることが看取できる。
　
　上記（イ）〜（チ）より、上記刊行物の段落【００３９】〜【００４１】、図１５、図１６、図１８には、実質的に以下の表示装置が開示されている。
「複数のソース信号線１５１（１６６ａ、１６６ｂ）、各１画素分の回路とゲートドライバ（１６０）とを接続する複数のゲート信号線１＿１５２（１６９ａ、１６９ｃ、１６９ｅ）及びゲート信号線２＿１５３（１６９ｂ、１６９ｄ、１６９ｆ）、前記複数のソース信号線１５１（１６６ａ、１６６ｂ）と前記ゲート信号線１＿１５２（１６９ａ、１６９ｃ、１６９ｅ）、２＿１５３（１６９ｂ、１６９ｄ、１６９ｆ）にそれぞれ接続される複数の１画素分の回路を含む表示装置において、
　前記１画素分の回路は、
　印加される電流に対応して光を放出する有機電界発光素子１５６（１６２）と、
　ゲート電極がゲート信号線１＿１５２（１６９ａ、１６９ｃ、１６９ｅ）に、第１電極が薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）の第２電極に、第２電極がソース信号線１５１（１６６ａ、１６６ｂ）に、それぞれ接続され、行選択期間（期間Ａ）において、ゲート信号線１＿１５２（１６９ａ、１６９ｃ、１６９ｅ）を介して接続されたゲートドライバ（１６０）からの出力により導通し、ソースドライバ（１６１）から出力される電流値を薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）に伝達する薄膜トランジスタ１５７ｃ（１６３ｃ）と、
　ゲート電極がゲート信号線１＿１５２（１６９ａ、１６９ｃ、１６９ｅ）に、第１電極が薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）のゲート電極に、第２電極が薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）の第２電極に、それぞれ接続される薄膜トランジスタ１５７ｂ（１６３ｂ）と、
　ゲート電極が薄膜トランジスタ１５７ｂ（１６３ｂ）の第１電極に、第１電極が電源線１５５（１６５）に、第２電極が薄膜トランジスタ１５７ｄ（１６３ｄ）の第１電極に、それぞれ接続され、行選択期間（期間Ａ）には、そのゲート電極と第２電極とが薄膜トランジスタ１５７ｂ（１６３ｂ）を介して導通する薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）と、
　一端が薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）の第１電極に、他端が薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）のゲート電極に接続され、ソースドライバ（１６１）から出力される電流値に応じて薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）に流れる電流量が決まり、該薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）を流れる電流量で決まるゲート電圧に応じた電荷が蓄積される蓄積容量１５４（１６４）と、
　ゲート電極がゲート信号線２＿１５３（１６９ｂ、１６９ｄ、１６９ｆ）に、第１電極が薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）の第２電極に、第２電極が有機電界発光素子１５６（１６２）に接続され、ゲートドライバ（１６０）からの出力により、薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）に流れる電流を有機電界発光素子１５６（１６２）に流す薄膜トランジスタ１５７ｄ（１６７ｄ）と、
　その一端が電圧制御線１５９（１６７ａ、１６６ｂ、１６７ｃ）に、その他端が薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）のゲート電極にそれぞれ接続される容量１５８（１６８）と、
を含み、
　第１の期間すなわち選択期間（水平走査期間）、ゲート信号線１＿１５２（１６９ａ、１６９ｃ、１６９ｅ）の電位と電圧制御線１５９（１６７ａ、１６６ｂ、１６７ｃ）の電位がローレベルであり、薄膜トランジスタ１５７ｄ（１６３ｄ）は非導通である、
　表示装置。」（以下、「引用発明」という。）　
　
５．対比・判断
５−１　本願発明と引用発明とを対比する。
５−１−１　引用発明の「ソース信号線１５１（１６６ａ、１６６ｂ）」は、本願発明の「データ線」に相当し、以下同様に、「ゲート信号線１＿１５２（１６９ａ、１６９ｃ、１６９ｅ）」は「第１走査線」に、それぞれ相当し、「前記複数のソース信号線１５１（１６６ａ、１６６ｂ）と前記ゲート信号線１＿１５２（１６９ａ、１６９ｃ、１６９ｅ）、２＿１５３（１６９ｂ、１６９ｄ、１６９ｆ）にそれぞれ接続される複数の１画素分の回路」は「前記データ線と前記第１走査線にそれぞれ接続される複数の画素回路」に相当する。また、引用発明の「表示装置」は、「光を放出する有機電界発光素子１５６（１６２）」を備える表示装置であるから、「発光表示装置」である。してみると、引用発明における「複数のソース信号線１５１（１６６ａ、１６６ｂ）、各１画素分の回路とゲートドライバ（１６０）とを接続する複数のゲート信号線１＿１５２（１６９ａ、１６９ｃ、１６９ｅ）及びゲート信号線２＿１５３（１６９ｂ、１６９ｄ、１６９ｆ）、前記複数のソース信号線１５１（１６６ａ、１６６ｂ）と前記ゲート信号線１＿１５２（１６９ａ、１６９ｃ、１６９ｅ）、２＿１５３（１６９ｂ、１６９ｄ、１６９ｆ）にそれぞれ接続される複数の１画素分の回路を含む表示装置」は、本願発明における「データ信号を伝達する複数のデータ線、選択信号を伝達する複数の第１走査線、及び前記データ線と前記第１走査線にそれぞれ接続される複数の画素回路を含む発光表示装置」に相当する。
　
５−１−２　引用発明における「印加される電流に対応して光を放出する有機電界発光素子１５６（１６２）」は、本願発明における「印加される電流に対応して光を放出する発光素子」に相当する。
　
５−１−３　引用発明における「ゲート電極がゲート信号線１＿１５２（１６９ａ、１６９ｃ、１６９ｅ）に、第１電極が薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）の第２電極に、第２電極がソース信号線１５１（１６６ａ、１６６ｂ）に、それぞれ接続され、行選択期間（期間Ａ）において、ゲート信号線１＿１５２（１６９ａ、１６９ｃ、１６９ｅ）を介して接続されたゲートドライバ（１６０）からの出力により導通し、ソースドライバ（１６１）から出力される電流値を薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）に伝達する薄膜トランジスタ１５７ｃ（１６３ｃ）」は、本願発明における「前記第１走査線からの前記選択信号に応じて前記データ線からの前記データ信号を伝達する第１スイッチング素子」に相当する。
　
５−１−４　引用発明における薄膜トランジスタ１５７ｃ（１６３ｃ）のゲート電極と、薄膜トランジスタ１５７ｂ（１６３ｂ）のゲート電極とは、何れもゲート信号線１＿１５２（１６９ａ、１６９ｃ、１６９ｅ）に接続しているから、薄膜トランジスタ１５７ｃ（１６３ｃ）と１５７ｂ（１６３ｂ）とは同じタイミングで導通する。また、引用発明の薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）のゲート電極と第２電極とが薄膜トランジスタ１５７ｂ（１６３ｂ）を介して導通することは、薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）がダイオード接続されることである。してみると、引用発明において、薄膜トランジスタ１５７ｃ（１６３ｃ）が導通してソースドライバ（１６１）から出力される電流値を薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）に伝達する期間と、薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）がダイオード接続される期間は一致することから、引用発明における「ゲート電極が薄膜トランジスタ１５７ｂ（１６３ｂ）の第１電極に、第１電極が電源線１５５（１６５）に、第２電極が薄膜トランジスタ１５７ｄ（１６３ｄ）の第１電極に、それぞれ接続され、行選択期間（期間Ａ）には、そのゲート電極と第２電極とが薄膜トランジスタ１５７ｂ（１６３ｂ）を介して導通する薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）」は、本願発明における「前記第１スイッチング素子から前記データ信号が伝達される間、ダイオード接続されるトランジスタ」に相当する。
　
５−１−５　引用発明における「一端が薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）の第１電極に、他端が薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）のゲート電極に接続され、ソースドライバ（１６１）から出力される電流値に応じて、薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）に流れる電流量が決まり、該薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）を流れる電流量で決まるゲート電圧に応じた電荷が蓄積される蓄積容量１５４（１６４）」は、本願発明における「前記トランジスタの第１主電極と制御電極との間に接続され、前記第１スイッチング素子からの前記データ信号に対応する第１電圧を貯蔵する第１貯蔵素子」に相当する。
　
５−１−６　引用発明の「電圧制御線１５９（１６７ａ、１６６ｂ、１６７ｃ）」が本願発明の「第２走査線」に相当し、引用発明の「電圧制御線１５９（１６７ａ、１６６ｂ、１６７ｃ）の電位」が本願発明の「第１制御信号」に相当する。そして、容量１５８（１６８）の一端の電位が変更されると、蓄積容量１５４（１６４）とのカップリングにより、蓄積容量１５４（１６４）の電圧が変更されることは技術的にみて明らかであるから、引用発明における「その一端が電圧制御線１５９（１６７ａ、１６６ｂ、１６７ｃ）に、その他端が薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）のゲート電極にそれぞれ接続される容量１５８（１６８）」は、本願発明における「前記トランジスタの前記制御電極と第１制御信号を伝達する第２走査線に電気的に接続され、前記第１制御信号が第１レベルから第２レベルに変更される場合、前記第１貯蔵素子とのカップリングにより、前記第１貯蔵素子の前記第１電圧を第２電圧に変更する第２貯蔵素子」に相当する。
　
５−１−７　引用発明では、「ゲートドライバ（１６０）」から出力される「ゲート信号線２＿１５３（１６９ｂ、１６９ｄ、１６９ｆ）」の電位に応じて、薄膜トランジスタ１５７ｄ（１６７ｄ）が、薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）に流れる電流を有機電界発光素子１５６（１６２）に流しているから、引用発明における「ゲートドライバ（１６０）」から出力される「ゲート信号線２＿１５３（１６９ｂ、１６９ｄ、１６９ｆ）の電位」は、本願発明の「第２制御信号」に相当する。したがって、引用発明における「ゲート電極がゲート信号線２＿１５３（１６９ｂ、１６９ｄ、１６９ｆ）に、第１電極が薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）の第２電極に、第２電極が有機電界発光素子１５６（１６２）に接続され、ゲートドライバ（１６０）からの出力により、薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）に流れる電流を有機電界発光素子１５６（１６２）に流す薄膜トランジスタ１５７ｄ（１６７ｄ）」は、本願発明の「第２制御信号に応じて、前記トランジスタから出力される電流を前記発光素子に伝達する第２スイッチング素子」に相当する。
　
５−１−８　一般に、「水平走査期間」は水平同期信号の１周期期間を指し、該期間に一つの水平走査線が駆動されるから、「水平走査期間」は一つの走査線に割り当てられた時間を意味する。そうすると、引用発明における「第１の期間すなわち選択期間（水平走査期間）」は、液晶表示装置の一つの走査線に割り当てられた時間である。
　次に、本願発明の「水平期間」は、本願明細書の発明の詳細な説明における「【００６７】  具体例としては，発光信号ｅｍｉｔ［ｍ］のパルスを、一つの走査線に割り当てられた時間の水平周期と実質的に同一に設定し、…」との記載から、一つの走査線に割り当てられた時間を意味するものと認められる。
　してみると、引用発明における「第１の期間すなわち選択期間（水平走査期間）」は、本願発明の「水平周期」に相当する。さらに、上記５−１−６に記載したとおり、引用発明の「電圧制御線１５９（１６７ａ、１６６ｂ、１６７ｃ）の電位」が本願発明の「第１制御信号」に相当するから、引用発明における「第１の期間すなわち選択期間（水平走査期間）、…電圧制御線１５９（１６７ａ、１６６ｂ、１６７ｃ）の電位がローレベルであ」ることは、本願発明における「前記第１制御信号は水平周期の間、前記第１レベルを維持する」ことに相当する。
　
５−１−９　
　上記５−１−７に記載したとおり、引用発明における「ゲートドライバ（１６０）」から出力される「ゲート信号線２＿１５３（１６９ｂ、１６９ｄ、１６９ｆ）の電位」は、本願発明の「第２制御信号」に相当する。また、引用発明において、「薄膜トランジスタ１５７ｄ（１６３ｄ）は非導通である」ことは、薄膜トランジスタ１５７ｄ（１６３ｄ）のゲート電極に接続されるゲート信号線２＿１５３（１６９ｂ、１６９ｄ、１６９ｆ）の電位がトランジスタ１５７ｄ（１６３ｄ）を非導通にする電位、すなわち、ディスエーブルレベルであることを意味する。してみると、引用発明における「第１の期間すなわち選択期間（水平走査期間）、…薄膜トランジスタ１５７ｄ（１６３ｄ）は非導通である」ことは、薄膜トランジスタ１５７ｄ（１６３ｄ）が非導通である期間が、第１の期間すなわち選択期間（水平走査期間）を含むと言えるから、本願発明の「前記第２制御信号がディスエーブルレベルの期間は、前記水平周期を含」むことに相当する。
　
　以上のことから、本願発明と引用発明とは、
「データ信号を伝達する複数のデータ線、選択信号を伝達する複数の第１走査線、及び前記データ線と前記第１走査線にそれぞれ接続される複数の画素回路を含む発光表示装置において、
　前記画素回路は、
　印加される電流に対応して光を放出する発光素子と、
　前記第１走査線からの前記選択信号に応じて前記データ線からの前記データ信号を伝達する第１スイッチング素子と、
　前記第１スイッチング素子から前記データ信号が伝達される間、ダイオード接続されるトランジスタと、
　前記トランジスタの第１主電極と制御電極との間に接続され、前記第１スイッチング素子からの前記データ信号に対応する第１電圧を貯蔵する第１貯蔵素子と、
　前記トランジスタの前記制御電極と第１制御信号を伝達する第２走査線に電気的に接続され、前記第１制御信号が第１レベルから第２レベルに変更される場合、前記第１貯蔵素子とのカップリングにより、前記第１貯蔵素子の前記第１電圧を第２電圧に変更する第２貯蔵素子と、
　第２制御信号に応じて、前記トランジスタから出力される電流を前記発光素子に伝達する第２スイッチング素子と、
を含み、
　前記第１制御信号は水平周期の間、前記第１レベルを維持するように設定され、
　前記第２制御信号がディスエーブルレベルの期間は、前記水平周期を含んでいる、発光表示装置」
の点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点：「水平周期を含」む「第２制御信号がディスエーブルレベルの期間」が、本願発明では、「前記水平周期の整数倍」であるのに対し、引用発明では、「第１の期間すなわち選択期間（水平走査期間）」である点。
　
５−２　以下上記相違点について検討する。
　引用発明の「第１の期間すなわち選択期間（水平走査期間）」は、上記５−１−８に記載したとおり、本願発明の「水平周期」に相当する。そして、整数は、「１から始まり、次々に１を加えて得られる数（自然数、正の整数）」[株式会社岩波書店 広辞苑第六版]であるから、１を含んでいる。また、本願明細書の発明の詳細な説明の段落【００８０】には、「（ここで、ｉは１〜ｍの整数）」との記載があり、本願明細書においても、整数は１を含むものとして定義されている。したがって、本願発明の「前記水平周期の整数倍」は、「水平周期」を包含しているといえる。
　してみると、本願発明と引用発明とは、「水平周期を含」む「第２制御信号がディスエーブルレベルの期間」が、水平周期の１倍である限りにおいて格別相違するものではない。
　また、整数倍が２以上の整数倍である場合について検討しても、スイッチングするトランジスタ回路を設計する際にスイッチング時間のマージンを考慮して設計することは、当業者が当然為し得る事項であり、どの程度のマージンを設定するかは、設計する回路に要求される信頼性等に応じて決まる設計的事項である。そして、引用発明では、「ゲートドライバ（１６０）」から出力される「ゲート信号線２＿１５３（１６９ｂ、１６９ｄ、１６９ｆ）の電位」に応じて、薄膜トランジスタ１５７ｄ（１６７ｄ）が、薄膜トランジスタ１５７ａ（１６３ａ）に流れる電流を有機電界発光素子１５６（１６２）に流しており、薄膜トランジスタ１５７ｄ（１６７ｄ）のスイッチング時間のマージンの設定は「ゲートドライバ（１６０）」においてなされる。してみると、スイッチング時間のマージンを「ゲートドライバ（１６０）」において設定する際に、「ゲートドライバ（１６０）」において使用されている「第１の期間すなわち選択期間（水平走査期間）」を用い、「第１の期間すなわち選択期間（水平走査期間）」の２以上の整数倍に設定することは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　以上のとおりであるから、引用発明において、ゲート信号線２＿１５３（１６９ｂ、１６９ｄ、１６９ｆ）の電位が、薄膜トランジスタ１５７ｄ（１６３ｄ）を非導通とする電位である期間を、前記水平周期の整数倍とすることに格別の困難性は無く、上記相違点に係る構成と為すことは、当業者が容易に想到し得たものである。
　そして、本願発明が奏する作用効果も、引用発明に基いて当業者が容易に予測しうる程度のものにすぎず、格別顕著なものではない。
　
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。