【事件の表示】
　特願２００４−１５８７１６号「基板処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１月５日出願公開、特開２００６−４９５５号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯  
　本件に係る出願（以下「本願」という。）は、平成１６年５月２８日（国内優先権主張平成１５年５月３０日、平成１６年５月１９日、平成１６年５月１９日）の出願であって、平成２２年１月１３日付けで拒絶査定がなされ（発送日：同年１月１９日）、これに対し、同年４月１６日に審判請求がなされ、同日付けで手続補正がなされたものである。
 　 
第２．平成２２年４月１６日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］  
　平成２２年４月１６日付け手続補正を却下する。
 　  
［理由］
１．本件補正発明
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、「基板ホルダで保持した基板を回転させながら、基板の表面に向けて洗浄液と湿度が調整されたドライガスを供給し、同時に基板の裏面に向けて湿度が調整されたドライガスを供給して基板を洗浄し、
　基板ホルダで保持した基板を回転させながら、基板の表面に向けて湿度が調整されたドライガスを供給し、同時に基板の裏面に向けて湿度が調整されたドライガスを供給して基板を乾燥させることを特徴とする基板処理方法。」とあったものを「
表面を上向きにして
水平に
、基板の表面に向けて洗浄液を供給し
基板の上方に配置されて基板の表面の中央部に向けて開口する第１ドライガス供給部から
　
表面を上向きにして
水平に
前記第１ドライガス供給部から
前記第２ドライガス供給部
　上記補正について検討する。
　本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明は、「基板ホルダで保持した基板を回転させ」るとあったものを「
表面を上向きにして
水平に
基板の上方に配置されて基板の表面の中央部に向けて開口する第１ドライガス供給部から
前記第１ドライガス供給部から
前記第２ドライガス供給部
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）否かについて検討する。
　
２．刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由にて提示された、本願の優先権主張の主張の基礎となる出願前に頒布された刊行物である特開２００１−３１９９０９号公報（以下「刊行物」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている（下線は当審にて付与。）。 
a)「【発明の属する技術分野】本発明は、液処理装置及び
液処理方法
b)「【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の方法は、溶剤によるレジスト膜の除去に関する方法であり、除去には化学反応が必要な、金属薄膜の形成されたメッキ処理基板周縁の洗浄には単純には適用できない。また、この方法をメッキ処理基板周縁の洗浄に用いた場合には、噴射された洗浄液や薄膜の溶解物が、基板表面上に飛散し、デバイス作成領域に悪影響を与えるという問題があった。
　従って、本発明の目的は、基板の周縁を、デバイスへ悪影響を及ぼすことなく洗浄することのできる基板の液処理装置を提供することにある。また、本発明の他の目的は、半導体基板の周縁を、デバイスへ悪影響を及ぼすことなく洗浄することのできる、メッキ処理装置に適用可能な半導体基板の液処理装置を提供することにある。」（段落【0007】〜【0008】）
c)「なお、カセットステーション２１及び
処理ステーション２２には、清浄空気のダウンフローによって内部の雰囲気は清浄に保たれている
　処理ステーション２２は、ウェハに一枚ずつメッキ処理を行うメッキ処理ユニット２６およびメッキ処理後の洗浄と乾燥を行う洗浄乾燥ユニット２７を、それぞれ複数台、所定の位置に備える。」（段落【0025】〜【0026】）
d)「図５に示すように、裏面洗浄ノズル４０９は、第２シャフト４０８に固定された部分を中心として４本の棒状体が十字状に回転テーブル４０６の周縁まで伸びた構造を有する。棒状体の内部は中空であり、第２シャフト４０８の内部を通る管４１０と連通している。この管４１０を通って洗浄液が、裏面洗浄ノズル４０９の棒状体の上方に開いた穴５１から上方に供給される。
　さらに、第１シャフト４０７と第２シャフト４０８の間の空間には
ガス流路４１１が形成されており、不活性ガス、例えば窒素ガスが吹き出される
　この
不活性ガスは
ウェハＷに対して洗浄処理を行っている間は、回転テーブル４０６の下面中心から外方へと吹き出され
　
回転テーブル４０６には
保持部材５２が
取り付けられている
　回転駆動体４０４によりウェハＷは高速で回転するので、ウェハＷを安定して保持する必要がある。このため、
保持部材５２はウェハＷを
保持する
　すなわち、ウェハＷは回転していない状態で保持部材５２に戴置され、その保持部５４に保持される。そして、回転テーブル４０６が回転すると、付勢部５５に作用する遠心力によって、付勢部５５はさらに外方へと移動しようとし、その結果、保持部材５２の保持部５４側は回転テーブル４０６の中心側へと押され、さらにウェハＷは強固に保持されることになる。また、保持部材５２の保持部５４は、図に示すように、前面から見た場合凸状に形成されていて、ウェハＷを保持部５４の段差で、点接触により保持している。
　回転テーブル４０６の上方には、主洗浄ノズル４１４とエッジ洗浄ノズル４１５が備えられている。主洗浄ノズル４１４は、第１洗浄液槽４１９につながっており、第１洗浄液槽に貯蔵された純水を所定の供給速度でノズル先から吐出する。また、主洗浄ノズル４１４は、回転テーブル４０６にウェハＷが戴置された場合に、そのノズル先端がウェハＷの中心部に来るように備えられ、第２搬送機構２９によるウェハＷの搬送を妨げないように可動な構成となっている。
　エッジ洗浄ノズル４１５は、第２洗浄液槽４２０につながっており、第２洗浄液槽４２０に貯蔵された洗浄液を所定の供給速度でノズル先端から噴出する。ここで、第２洗浄液槽４２０に貯蔵された洗浄液は、フッ酸、塩酸、硫酸等の無機酸または有機酸等の酸系薬液と過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）の混合液、例えば、希フッ酸とＨ２Ｏ２の混合液である。この実施形態では、フッ酸：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：１：２３の混合液を用いる。
　図７に示すように、
ウェハＷ周縁の表面上
Ｃｕシード層Ｌ１およびその上にメッキ処理により形成されたＣｕ層Ｌ２が存在する
　エッジ洗浄ノズル４１５は、主洗浄ノズルと同様に可動である。本実施形態では、エッジ洗浄ノズル４１５は、ウェハＷのエッジから２ｃｍ、ウェハＷの上方１ｃｍに配置される。また、エッジ洗浄ノズル４１５は、ウェハＷ平面に対して鋭角、例えば、３０°の角度で備えられ、かつ、ウェハＷ平面上で、ウェハＷの半径方向に対して０〜９０°、例えば、４５°で備えられている。
　エッジ洗浄ノズル４１５を上記配置とすることにより、ウェハＷ表面のデバイス作成領域への洗浄液や薄膜の溶解物の飛散を抑えながら、ウェハＷ周縁に所望の洗浄幅、例えば、２ｍｍ前後の洗浄幅を得ることができる。」（段落【0039】〜【0049】）
e)「
回転テーブル４０６の回転数が所定の回転数（２００〜３００ｒｐｍ）に達した後、ウェハＷの
洗浄が行われる
主洗浄ノズル４１４から
ウェハＷ表面上に純水が十分に供給された状態に達した後、エッジ洗浄ノズル４１５から洗浄液が供給される
f)「ウェハＷ裏面及び周縁の洗浄の後、同じ回転数としたまま、ウェハＷの両面の純水による洗浄が行われる。ウェハＷの純水洗浄は、ウェハＷ上方の主洗浄ノズル４１４、及び、下方の裏面洗浄ノズル４０９の穴５１から純水が供給されて、所定時間（約４０秒）行われる。
　ウェハＷ裏面の洗浄後、ウェハＷのスピン乾燥が行われる。この
スピン乾燥では
ウェハＷ上方の主洗浄ノズル４１４及び下方の裏面洗浄ノズル４０９の穴５１からＮ２が供給され
g)上記dの記載事項及び【図4】、【図6】、【図7】の図示内容によれば、
保持部材５２に、周縁にＣｕシード層Ｌ１およびその上にメッキ処理により形成されたＣｕ層Ｌ２が存在するウェハＷ表面を上向きにして保持する
　
　上記a〜fの記載事項、上記gの認定事項及び図面の図示内容を総合勘案すると、刊行物には、次の発明が記載されていると認められる。
「保持部材５２に、周縁にＣｕシード層Ｌ１およびその上にメッキ処理により形成されたＣｕ層Ｌ２が存在するウェハＷ表面を上向きにし、回転テーブル４０６に取り付けられている保持部材５２にウェハＷを保持し、回転テーブル４０６の回転数が所定の回転数（２００〜３００ｒｐｍ）に達した後、さらに、ウェハＷ表面上に主洗浄ノズル４１４から純水が十分に供給された状態に達した後、エッジ洗浄ノズル４１５から洗浄液が供給されるウェハＷの洗浄処理が行われ、ウェハＷに対して洗浄処理を行っている間は、ガス流路４１１からＮ２が、回転テーブル４０６の下面中心から外方へと吹き出され、
　スピン乾燥では、ウェハＷ上方の主洗浄ノズル４１４及び下方の裏面洗浄ノズル４０９の穴５１からＮ２が供給され、
　処理ステーション２２には、清浄空気のダウンフローによって内部の雰囲気は清浄に保たれている液処理方法。」
　
３．対比  
　本件補正発明と刊行物に記載された発明とを対比する。
　刊行物に記載された発明の「保持部材５２に、周縁にＣｕシード層Ｌ１およびその上にメッキ処理により形成されたＣｕ層Ｌ２が存在するウェハＷ表面を上向きにし、回転テーブル４０６に取り付けられている保持部材５２にウェハＷを保持し、回転テーブル４０６の回転数が所定の回転数（２００〜３００ｒｐｍ）に達」することは、その構成および機能からみて、本件補正発明の「表面を上向きにして基板ホルダで水平に保持した基板を回転させ」ることに相当し、同様に、
　「液処理方法」は「基板処理方法」に、
相当する。
　また、刊行物に記載された発明の「ウェハＷ表面上に主洗浄ノズル４１４から純水が十分に供給された状態に達した後、エッジ洗浄ノズル４１５から洗浄液が供給されるウェハＷの洗浄処理が行われ、ウェハＷに対して洗浄処理を行っている間は、ガス流路４１１からＮ２が、回転テーブル４０６の下面中心から外方へと吹き出され」ることと本件補正発明の「基板の表面に向けて洗浄液を供給しながら、基板の上方に配置されて基板の表面の中央部に向けて開口する第１ドライガス供給部から基板の表面に向けて湿度が調整されたドライガスを供給し、同時に基板の下方に配置されて基板の裏面の中央部に向けて開口する第２ドライガス供給部から基板の裏面に向けて湿度が調整されたドライガスを供給して基板を洗浄」することとは、「基板の表面に向けて洗浄液を供給し、同時に基板の下方に配置されて基板の裏面の中央部に向けて開口する第２ガス供給部から基板の裏面に向けてガスを供給して基板を洗浄」することで共通し、同様に、
　「スピン乾燥では、ウェハＷ上方の主洗浄ノズル４１４及び下方の裏面洗浄ノズル４０９の穴５１からＮ２が供給され」ることと「表面を上向きにして基板ホルダで水平に保持した基板を回転させながら、第１ドライガス供給部から基板の表面に向けて湿度が調整されたドライガスを供給し、同時に第２ドライガス供給部から基板の裏面に向けて湿度が調整されたドライガスを供給して基板を乾燥させる」こととは、「表面を上向きにして基板ホルダで水平に保持した基板を回転させながら、第１ガス供給部から基板の表面に向けてガスを供給し、同時に第２ガス供給部から基板の裏面に向けてガスを供給して基板を乾燥させる」ことで共通する。
　
　したがって、上記両者の一致点および相違点は、次のとおりと認められる。
［一致点］
「表面を上向きにして基板ホルダで水平に保持した基板を回転させ、基板の表面に向けて洗浄液を供給し、同時に基板の下方に配置されて基板の裏面の中央部に向けて開口する第２ガス供給部から基板の裏面に向けてガスを供給して基板を洗浄し、
　表面を上向きにして基板ホルダで水平に保持した基板を回転させながら、第１ガス供給部から基板の表面に向けてガスを供給し、同時に前記第２ガス供給部から基板の裏面に向けてガスを供給して基板を乾燥させる基板処理方法。」
　
［相違点１］
　第１及び第２ガス供給部から供給されるガスが、本件補正発明では、湿度が調整されたドライガスであるのに対して、刊行物に記載された発明では、Ｎ２である点。
　
［相違点２］
　基板の表面に向けて洗浄液を供給し、同時に基板の下方に配置されて基板の裏面の中央部に向けて開口する第２ガス供給部から基板の裏面に向けてガスを供給しての基板の洗浄が、本件補正発明では、「基板の表面に向けて洗浄液を供給しながら、基板の上方に配置されて基板の表面の中央部に向けて開口する第１ドライガス供給部から基板の表面に向けて湿度が調整されたドライガスを供給」するものであるのに対して、刊行物に記載された発明では、「ウェハＷ表面上に主洗浄ノズル４１４から純水が十分に供給された状態に達した後、エッジ洗浄ノズル４１５から洗浄液が供給されるウェハＷの洗浄処理が行われ（る）」点。
　
４．当審の判断
　上記相違点１及び２について検討する。
　基板洗浄処理の技術分野において、ウォーターマークの発生や、パーティクルの発生を防止するために、基板の中央表面部を含む表面に向けて洗浄液と、クリーンルーム内へダウンフローされる清浄空気や不活性ガスとを上方から同時に供給することは、本願の優先権主張時に周知の技術事項である（例えば、特開平１１−２８３９４８号公報の段落【0004】、【0018】、【0024】及び【0036】には、ウエハＷの表面への処理液の供給処理中に、クリーンルーム内へダウンフローされる清浄な空気を処理チャンバ５内に取り込み、基板の中央部を含む全面に向けて供給し、処理中のウエハＷの雰囲気を効率的に置換し、ウエハＷに対する処理を清浄な雰囲気中で良好に行うことにより、スピンチャック周辺の空間に生じている処理液ミストがすみやかにウエハよりも下方の空間に導かれ、ウエハへの処理液ミストの再付着に起因するパーティクルの発生を抑制することが記載され、また、特開平１０−４１２６１号公報には、「薬液による洗浄処理が終了すると、次に、洗浄液噴射ノズル１２から純水が噴射され、基板Ｗ表面の純水洗浄処理が行われる。このときに、洗浄中の純水に空気中の酸素が溶込み、基板Ｗの表面にコロイダルシリカ（不揮発性ケイ酸塩）や自然酸化膜が生成されやすい。これを防ぐ目的で、純水洗浄処理中は、ガス供給ノズル１３から基板Ｗに向かって不活性ガスが噴射され、基板Ｗの表面付近は不活性ガス雰囲気で満たされる。」（段落【0006】）こと、「表面洗浄処理が終了すると、次に、純水洗浄処理が行われる。この純水洗浄処理においては、純水が供給されるのに先立って、ガス噴射口２３から基板Ｗの中心部に向かって不活性ガスである窒素が噴射され、基板Ｗと遮蔽板２２との間の空間が窒素で満たされ、やがて図１に示すような気流Ｆが生じる。そして、
基板Ｗと遮蔽板２２との間の空間に窒素が噴射されつつ、基板Ｗを回転させながら噴射ノズル２５から純水を基板Ｗの回転中心近傍に噴射して、基板Ｗ表面の汚染物質を除去する
ウォーターマークの発生を防止することができる
　さらに、基板処理の技術分野において、クリーンルーム内へダウンフローされる清浄な空気の湿度を調整し、清浄な空気を乾燥状態で供給することは、本願の優先権主張時周知の技術事項である（例えば、特開２００２−１１０５３５号公報の段落【0066】、【0083】や、特開２０００−３０４３２２号公報の段落【0001】、【0011】を参照。以下「周知の技術事項２」という。）。
　これらのことから、刊行物に記載された発明において、ウォーターマークの発生や、パーティクルの発生を防止するために、上記周知の技術事項１に倣って、ウェハＷの表面の洗浄処理を行うと同時に、処理ステーション２２内部へダウンフローされる清浄空気をウェハＷの表面の中央部に向けて上方から供給するとともに、清浄空気を上記周知の技術事項２に倣って、ウェハＷへ供給されるガスを湿度の調整された乾燥状態の清浄空気とすることも、当業者が容易になし得たものである。
　そして、上記適用に際して、洗浄処理時に加えて、スピン乾燥時にも、主洗浄ノズル４１４からＮ２をウェハＷ上方へ供給することに換えて、処理ステーション２２内部へダウンフローされる乾燥状態の清浄空気をウェハＷ上方へ供給する程度のことは、当業者が適宜なし得たものである。
　また、本件補正発明の奏する効果についてみても、刊行物に記載された発明及び周知の技術事項から当業者が予測できた範囲内のものである。
　したがって、本件補正発明は、刊行物に記載された発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものである。  
　ゆえに、本件補正発明は、刊行物に記載された発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。　  
　
５．まとめ
　以上のとおりであるから、本件補正は、改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　平成２２年４月１６日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２１年８月３１日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。  
「基板ホルダで保持した基板を回転させながら、基板の表面に向けて洗浄液と湿度が調整されたドライガスを供給し、同時に基板の裏面に向けて湿度が調整されたドライガスを供給して基板を洗浄し、
　基板ホルダで保持した基板を回転させながら、基板の表面に向けて湿度が調整されたドライガスを供給し、同時に基板の裏面に向けて湿度が調整されたドライガスを供給して基板を乾燥させることを特徴とする基板処理方法。」 
 　  
２．刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由にて提示された刊行物の記載事項及び刊行物に記載された発明及び刊行物に記載された技術事項は、前記「第２．［理由］２．刊行物に記載された発明」に記載したとおりである。 
 　 
３．対比および判断  
　本願発明は、前記「第２．［理由］１．本件補正発明」において検討した本件補正発明について、「
表面を上向きにして
水平に
基板の上方に配置されて基板の表面の中央部に向けて開口する第１ドライガス供給部から
前記第２ドライガス供給部
　そうすると、本願発明の構成要件の全てを含む本件補正発明が前記「第２．［理由］３．対比および４．当審の判断」に記載したとおり、刊行物に記載された発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様に、刊行物に記載された発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。  
 　 
４．むすび  
　以上のとおりであるから、本願発明は、刊行物に記載された発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
 　  
　よって、結論のとおり審決する。