【事件の表示】
　特願２０００−３２４６１３「半導体発光装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　５月１０日出願公開、特開２００２−１３４８２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
第１　手続の経緯 
　
　本願は、平成１２年１０月２４日の出願であって、平成２１年３月２３日付けで手続補正がなされたが、平成２２年２月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年５月１７日付けに拒絶査定不服審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである（以下、前記平成２２年５月１７日付けになされた手続補正を「本件補正」という。）。 
　 
第２　本件補正についての却下の決定 
　 
１　結論 
　
　 本件補正を却下する。 
　  
２　理由 
　
（１）補正の内容 
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１につき、補正前（平成２１年３月２３日付けの手続補正後のもの。）の 
「ＧａＮ基板上に窒化物系半導体の積層体を設けたウェハーを形成し、ＧａＮ基板における積層体を設けた面とは反対側の面に、第１の金属膜、第２の金属膜および第３の金属膜をこの順に形成する第１の工程と、
　該ウェハーを半導体発光素子に分割する第２の工程と、
　予めハンダを積層した支持基体と分割した該半導体発光素子とを熱処理により接着する第３の工程と、を含み、
　該第１の工程における該第１の金属膜は、ＧａＮ基板とオーミック接合をとることが可能で、Ｎ型電極として機能する材料からなり、
　該第１の工程における該第２の金属膜は、高融点金属からなり、第３の金属に対するバリア層として機能する材料からなり、
　該第１の工程における該第３の金属膜は、該第２の金属膜と比べてハンダと混合し易いＡｕを主成分とする材料からなり、
　該第３の工程において、該第３の金属膜とハンダとの合金層を形成する半導体発光装置の製造方法。」 
を 
「ＧａＮ基板上に窒化物系半導体の積層体を設けたウェハーを形成し、ＧａＮ基板における積層体を設けた面とは反対側の面に、第１の金属膜、第２の金属膜および第３の金属膜をこの順に形成する第１の工程と、
　該ウェハーを半導体発光素子に分割する第２の工程と、
　予めハンダを積層した支持基体と分割した該半導体発光素子とを熱処理により接着する第３の工程と、を含み、
　該第１の工程における該第１の金属膜は、ＧａＮ基板とオーミック接合をとることが可能で、Ｎ型電極として機能するＨｆ／Ａｌ層であり、
　該第１の工程における該第２の金属膜は、高融点金属からなり、第３の金属に対するバリア層として機能するＭｏを主成分として含む層であり、
　該第１の工程における該第３の金属膜は、該第２の金属膜と比べてハンダと混合し易いＡｕ層であり、
　該第３の工程において、該第３の金属膜とハンダとの合金層を形成する半導体発光装置の製造方法。」 
に補正する内容を含むものである。 
　 
（２）補正の目的 
　上記（１）の補正の内容は、補正前の請求項１の「第１の金属膜」、「第２の金属膜」、及び、「第３の金属膜」を、それぞれ「Ｈｆ／Ａｌ層」、「Ｍｏを主成分として含む層」、及び、「Ａｕ層」に特定ないし減縮するものであるから、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法第１条による改正前の特許法（以下「平成１４年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　 
（３）独立特許要件についての検討 
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、前記１において、本件補正後のものとして示したとおりのものと認められるところ、本願補正発明が、独立して特許を受けることができるものであるか（平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。 
　 
ア　刊行物の記載  
（ア）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前に頒布された特開平１１−３４０５７１号公報（以下「引用例１」という。）には、以下の記載がある。 
　
ａ　「【請求項１】ｎ型窒化物半導体からなる窒化物半導体基板の第１の主面側に、ｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層を有する素子構造が形成され、その窒化物半導体基板の第２の主面側にｎ電極が形成され、そのｎ電極と支持体とが対向して、素子が支持体にダイボンディングされてなる窒化物半導体素子であって、前記ｎ電極は、第２の主面に接近した側から、ｎ型窒化物半導体と良好なオーミック接触が得られる金属を含む第１の層と、Ａｌよりも高融点金属を含む第２の層と、Ｓｎ若しくはＩｎを含む第３の層とを有する少なくとも３層構造を具備することを特徴とする窒化物半導体素子。」（特許請求の範囲）。 
　 
ｂ「【０００１】【産業上の利用分野】本発明は窒化物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）からなる発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザダイオード（ＬＤ）、スーパールミネッセントダイオード（ＳＬＤ）等の発光素子、光センサー、太陽電池等の受光素子、あるいはトランジスタ、パワーデバイス等の電子デバイスに使用される窒化物半導体素子に関する。」
　 
ｃ　「【０００５】また、ｎ電極側を支持体にダイボンドすると、ダイボンド材料により電極のオーミック性が失われる可能性がある。特にレーザ素子のように局所的に高温となる素子では時間経過と共に、熱によりオーミック性が失われると、駆動電圧が上昇し、素子寿命に直接関わってくる。また、窒化物半導体基板を用いた新規な構造の素子では、ｎ電極と支持体とを強固に接着させる接着技術も良く知られていないのが実状である。
【０００６】従って、本発明はＧａＮ基板を用いた素子を実用化するに際し、ＧａＮ基板の裏面側に設けられたｎ電極と支持体との接着性、及びｎ電極のオーミック性を維持できる信頼性に優れた窒化物半導体素子を実現することにある。」 
　 
ｄ　「【００１５】窒化物半導体基板の第１の主面上に素子構造を形成して、第２の主面側に電極を形成して、第２の主面側をダイボンディングする場合、その接着性、電極材料の安定性が非常に重要である。本発明の素子では、第１の層によりｎ型窒化物半導体と良好なオーミック接触を得ている。さらに、第２の層はバリア層であり、素子駆動中、電極形成時あるいはメタライジング等の熱処理により、電極材料が拡散して、オーミックを損なわないようにしている。さらに第３の層は支持体との低温での接着強化層であり、Ｓｎ、若しくはＩｎを含む層とすることにより、例えばヒートシンク、サブマウント、リードフレームのような支持体のの密着性を向上させることができる。しかし前記のように、熱処理等でＳｎ、Ｉｎが拡散すると、ｎ電極のオーミック性を悪くする恐れがある。本発明ではＡｌよりも高融点金属を有する第２の層がバリア層として作用しているため、第３の層に含まれるＳｎ、Ｉｎが拡散することが無く、安定したオーミックが得られることができる。さらに、通常ウェーハからチップ状の素子を作製する場合、基板裏面側にｎ電極を形成してから、劈開、ダイシング等により分離される。本発明の素子ではｎ電極が３層構造を有しているために、劈開時、ダイシング等の物理的作用により電極と基板との界面にストレスが係っても、電極が基板から剥がれにくくなる。」
　
ｅ　「【００１６】第１の層はＷ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂからなる群から選択された少なくとも一種の金属を含み、好ましくはこの内の少なくとも２種類、少なくとも一種とＡｕを加えた、少なくとも２種類とすることが望ましい。第１の層は合金の状態でも、あるいは多層膜構造でも良い。好ましい具体例としては、Ｗ／Ａｌ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ａｕ、Ｖ／Ａｌ、Ｖ／Ａｕが挙げられ、これらの組み合わせにおいて、金属の比は特に限定しない。
【００１７】第２の層はＷ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｉからなる群から選択された少なくとも一種の金属を含み、特に好ましくはＷ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｎｉを用いる。これらの金属はバリア層として作用し、第３の層のＳｎ、Ｉｎが第１の層に拡散するのを防止できる。第２の層は第１の層よりも厚く形成する方がバリア層として好ましい。
【００１８】第３の層はＡｕ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ａｇからなる群から選択された少なくとも一種の金属と、Ｓｎ若しくはＩｎとを含む層とすることが望ましい。好ましい組み合わせとしては、Ａｕ／Ｓｎ（Ｉｎ）、Ａｕ／Ｇｅ／Ｓｎ（Ｉｎ）、Ａｕ／Ａｇ／Ｓｎ（Ｉｎ）が挙げられ、第３の層も合金の状態でも、多層膜の状態でも良い。これらの組み合わせからなる層は、特に支持体と強い接着力を有する。」
　
ｆ　「【００２１】［実施例１］２インチ角のＳｉドープＧａＮよりなる窒化物半導体基板１０を用意する。この窒化物半導体基板１０は、以下のようにして成長させたものである。
【００２２】（窒化物半導体基板１０）２インチφ、Ｃ面を主面とするサファイアよりなる異種基板１をＭＯＶＰＥ反応容器内にセットし、５００℃で、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、アンモニア（ＮＨ3）を用い、ＧａＮよりなる低温バッファ層を２００オングストロームの膜厚で成長させる。低温バッファ層成長後、１０５０℃で同じくＧａＮよりなる下地層を４μｍの膜厚で成長させる。下地層成長後、ウェーハを反応容器から取り出し、この下地層の表面に、ストライプ幅１０μｍ、ストライプ間隔（窓部）２μｍのＳｉＯ2よりなる保護膜を形成する。保護膜形成後、ウェーハを再度ＭＯＶＰＥの反応容器内にセットし、温度を１０５０℃にして、ＴＭＧ、アンモニアを用い、アンドープＧａＮ層を５μｍ成長させ、ＳｉＯ2の表面を覆う。
【００２３】第１のＧａＮ層１１：成長後、ウェーハをＭＯＶＰＥ装置からＨＶＰＥ装置に移送しＧａメタルと、アンモニア、ＨＣｌ、不純物ガスとしてシランガスを用い、Ｓｉを３×１０17／cm3ドープしたｎ型ＧａＮ層よりなる第１のＧａＮ層１１を２００μｍの膜厚で成長させる。
【００２４】中間層１２：次に８００℃において、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、ＴＭＧ、アンモニアを用い、アンドープＩｎ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなる中間層１２を５００オングストローム成長させる。
【００２５】第２のＧａＮ層１３：次に、９００℃にして、Ｓｉを１×１０18／cm3ドープしたＧａＮよりなる第２のＧａＮ層１３を１μｍの膜厚で成長させる。第２のＧａＮ層１３は、中間層１２の成長温度とほぼ同じ、若しくは中間層の成長温度より高温で、かつｎ側クラッド層２１の成長温度よりも低温で成長させることにより、Ｉｎを含む中間層の分解を防止でき、結晶性の良い層を成長できる。なおこの第２のＧａＮ層は窒化第１のＧａＮ層と同一組成とすることが望ましい。第２のＧａＮ層成長後、サファイア基板側から研磨して、サファイア基板、低温成長バッファ層、下地層、保護膜及びアンドープＧａＮ層を除去することにより、総膜厚１７０μｍの第１のＧａＮ層１１、中間層１２及び第２のＧａＮ層１３からなる窒化物半導体基板１０を作製する。なお、中間層１２及び第２のＧａＮ層１３は、第１のＧａＮ層１１成長後、サファイア基板からアンドープＧａＮ層までを除去した後、as-grown側の第１のＧａＮ層の表面に形成しても良い。
【００２６】（素子構造成長）次に、第２のＧａＮ層１３の上に、３０オングストロームのアンドープＡｌ0.16Ｇａ0.84Ｎ層／３０オングストロームのＳｉドープｎ型ＧａＮ層との超格子構造からなる総膜厚１．２μｍのｎ側クラッド層１４
０．１μｍのアンドープＧａＮからなるｎ側光ガイド層１５、１００オングストロームのＳｉドープＩｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ障壁層／４０オングオングストロームのアンドープＩｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ井戸層との多重量子井戸構造からなる総膜厚３８０オングストロームの活性層１６
０．１μｍのアンドープＧａＮからなるｐ側光ガイド層１７
３０オングストロームのＭｇドープＡｌ0.16Ｇａ0.84Ｎ層／３０オングストロームのアンドープＧａＮ層との超格子構造からなる総膜厚０．６μｍｐ側クラッド層１８
１５０オングストロームのＭｇドープｐ型ＧａＮからなるｐ側コンタクト層１９を順に積層する。
【００２７】（ｎ側コンタクト層４０）活性層を含むダブルへテロ構造の素子構造成長後、ウェーハを反対にひっくり返し、サファイア基板除去側の窒化物半導体基板１０を上にする。そしてこの研磨側の窒化物半導体基板１０の上に、Ｓｉを３×１０18／cm3ドープしたＧａＮよりなるｎ側コンタクト層４０を５μｍの膜厚で成長させる。」
　
ｇ 「【００３１】（ｎ電極３０形成工程）
第１の層３１：次に、ｎ側コンタクト層４０のほぼ全面にＴｉを０．０１μｍ、その上にＡｌを０．０５μｍ製膜する。
第２の層３２:第１の層と同一面積で、Ｔｉ０．０５μｍを製膜し、その上にとＮｉ０．０５μｍを製膜して第２の層３２を０．１μｍ製膜する。
第３の層３３：第２の層の上にＡｕ(８０％）／Ｓｎ（２０％）合金よりなる第３の層を1μｍ製膜する。
【００３２】その後、ウェーハを３００℃で熱処理する。熱処理後、電極を部分的にエッチングして、電極間の電流、電圧をオーミックコンタクトを測定したところ、ほぼ直線を示し、良好なオーミックコンタクトが得られていることが確認された。」
　
ｈ　「【００３３】以上のようにしてｐ、ｎ両電極形成後、窒化物半導体基板１０のＭ面で基板１０を劈開して、ウェーハをバー(bar）状と成し、そのバーの劈開面に共振面を作製する。さらに共振面に垂直な方向でバーをダイシングして４００μｍ（共振器長）×４００μｍ角のレーザチップとする。レーザチップ作製後、ｎ電極がｎ側コンタクト層４０から剥がれたものはなかった。
【００３４】レーザチップ作製後、ｎ電極３０側をＡｕでメタライズされたヒートシンクに熱圧着して、図１に示すようにＡｕ線をワイヤーボンディングしてレーザ素子とする。このレーザ素子に室温でレーザ発振を試みたところ、発振波長４０８．５ｎｍ、閾値電流密度２ｋＡ／cm2において室温連続発振を示し、閾値における電圧は従来のものに比較して、約１０％低下した。さらに電流値を上げて出力を上げ、４０ｍＷとして２０時間連続発振させた後も、４０ｍＷにおける電圧、電流とも、最初とほとんど変化しなかった。また素子の長辺の方向から、真横に１ｋｇの加重を負荷して素子を剥がそうと試みたところ、強固に付着しており、素子の剥がれは無かった。
【００３５】さらに実施例１において、第２の層をＴｉ／Ｎｉに代えて、Ｗ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ａｕをそれぞれ０．１μｍ厚で形成したところ、実施例１とほぼ同一の特性を有するレーザ素子が得られた。」
　
ｉ　「アンドープＩｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ井戸層との多重量子井戸構造からなる総膜厚３８０オングストロームの活性層１６・・・活性層を含むダブルへテロ構造の素子構造成長後、ウェーハを反対にひっくり返し、サファイア基板除去側の窒化物半導体基板１０を上にする。そしてこの研磨側の窒化物半導体基板１０の上に、Ｓｉを３×１０18／cm3ドープしたＧａＮよりなるｎ側コンタクト層４０を５μｍの膜厚で成長させる。」（上記（３）ア（ア）ｆ参照）との記載からみて、［実施例１］として示された窒化物半導体素子の製造方法は、窒化物半導体基板上に、アンドープＩｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ井戸層からなる活性層を含むダブルへテロ構造の素子構造を設けたウェーハを形成する工程を含むと認められる。
　
ｊ　「（ｎ電極３０形成工程）第１の層３１：次に、ｎ側コンタクト層４０のほぼ全面にＴｉを０．０１μｍ、その上にＡｌを０．０５μｍ製膜する。第２の層３２:第１の層と同一面積で、Ｔｉ０．０５μｍを製膜し、その上にとＮｉ０．０５μｍを製膜して第２の層３２を０．１μｍ製膜する。第３の層３３：第２の層の上にＡｕ(８０％）／Ｓｎ（２０％）合金よりなる第３の層を1μｍ製膜する。」（上記（３）ア（ア）ｇ参照）との記載から、［実施例１］として示された窒化物半導体素子の製造方法は、第１の層、第２の層、第３の層がこの順に形成されていることは明らかであり、上記（３）ア（ア）ｇの記載、及び、「活性層を含むダブルへテロ構造の素子構造成長後、ウェーハを反対にひっくり返し、・・・ＧａＮよりなるｎ側コンタクト層４０を５μｍの膜厚で成長させる。」（上記（３）ア（ア）ｆ参照）との記載からみて、［実施例１］として示された窒化物半導体素子の製造方法は、ＧａＮ基板における含むダブルへテロ構造の素子構造を設けた面とは反対にひっくり返した面に、第１の層、第２の層、第３の層をこの順に形成する工程を含むと認められる。
　また、「実施例１において、第２の層をＴｉ／Ｎｉに代えて、・・・Ｍｏ・・・を・・・形成したところ、実施例１とほぼ同一の特性を有するレーザ素子が得られた。」（上記（３）ア（ア）ｈ参照）と記載され、窒化物半導体基板１０とｎ側コンタクト層４０を介して第１の層は「良好なオーミックコンタクトが得られ」（上記（３）ア（ア）ｇ参照）るものであるから、第１の層は窒化物半導体基板とｎ側コンタクト層を介して良好なオーミックコンタクトが得られる、ＴｉとＡｌを製膜したもので、第２の層はＭｏを製膜したもので、第３の層はＡｕ(８０％）／Ｓｎ（２０％）合金を製膜したものであると認められる。
　
ｋ　「以上のようにしてｐ、ｎ両電極形成後、窒化物半導体基板１０のＭ面で基板１０を劈開して、ウェーハをバー(bar）状と成し、そのバーの劈開面に共振面を作製する。さらに共振面に垂直な方向でバーをダイシングして４００μｍ（共振器長）×４００μｍ角のレーザチップとする。」（上記（３）ア（ア）ｈ参照）との記載からみて、［実施例１］として示された窒化物半導体素子の製造方法は、上記（３）ア（ア）ｉのウェハーを形成する工程の後、ウェーハをレーザチップに分割する工程を含むと認められる。
　
ｌ　「レーザチップ作製後、ｎ電極３０側をＡｕでメタライズされたヒートシンクに熱圧着して、図１に示すようにＡｕ線をワイヤーボンディングしてレーザ素子とする。」（上記（３）ア（ア）ｈ参照）との記載からみて、［実施例１］として示された窒化物半導体素子の製造方法は、上記（３）ア（ア）ｋのウェーハをレーザチップに分割する工程の後、Ａｕでメタライズしたヒートシンクと分割したレーザチップを熱圧着する工程を含むと認められる。
　
　上記（３）ア（ア）ａ〜ｌによれば、引用例１には、次の発明が記載されているものと認められる。 
「ＳｉドープＧａＮよりなる窒化物半導体基板上に、アンドープＩｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ井戸層からなる活性層を含むダブルへテロ構造の素子構造を設けたウェーハを形成する工程、ＧａＮ基板における含むダブルへテロ構造の素子構造を設けた面とは反対にひっくり返した面に、第１の層、第２の層、第３の層をこの順に形成する工程、ウェーハを形成する工程の後、ウェーハをレーザチップに分割する工程、Ａｕでメタライズしたヒートシンクと分割したレーザチップを熱圧着する工程とを含み、
　第１の層は窒化物半導体基板とｎ側コンタクト層を介して良好なオーミックコンタクトが得られる、ＴｉとＡｌを製膜したもので、第２の層はＭｏを製膜したもので、第３の層はＡｕ(８０％）／Ｓｎ（２０％）合金を製膜したものである、窒化物半導体素子の製造方法。」（以下「引用発明」という。） 
　  
（イ）引用例２  
　本願の出願日前に頒布された刊行物である「寺野　昭久、後藤　順、丹羽　敦子、内田　憲治　ｎ型ＧａＮに対するＨｆ系オーミック電極の検討，大６０回応用物理学会学術講演会講演予稿集　１９９９年秋季　Ｎｏ．１，１９９９年９月１日、Extended Abstracts (The 60th Autumn Meeting, 1999)　ｐ．３０２」（以下「引用例２」という。）には、次の記載がある。
　
ａ　「ＧａＮ系窒化物半導体は青色発光デバイスへの応用のほか，高融点，ワイドバンドギャップ等の特徴を有することから，耐環境性に優れた高出力，高周波用電子デバイスとしても期待されている。これらのデバイスにおいて，ｎ型オーミック電極にはＴｉ／Ａｌ電極が一般的に用いられており，アニール処理によって比接触抵抗ρｃ〜１Ｃ−６Ωｃｍ２の良好な特性が得られることが示されている。今回我々は，Ｔｉ／Ａｌのρｃのアニール温度依存性を評価するとともに，Ｔｉと同族でかつＴｉより高融点な金属であるＨｆを半導体とのコンタクト層に用いたＨｆ／Ａｌ電極の特性についても検討したので報告する。」
　
ｂ　「ｎ型層として，ＭＯＣＶＤ法によりサファイア基板上に成長したＳｉドープｎ型ＧａＮ層・・・を用いた。評価した電極構造はＴｉ／Ａｌ及びＨｆ／Ａｌであり，ＴＬＭ法によりρｃを求めた。アニールはＮ２雰囲気中において，４００℃〜６００℃の範囲で３０分間行った。
図１にρｃのアニール温度依存性評価結果を示す。４００℃アニールにおけるρｃを比較すると，Ｈｆ／Ａｌの方がＴｉ／Ａｌよりも２桁低い値が得られた。」
　
ｃ　「以上の結果から，Ｈｆ／ＡｌはＴｉ／Ａｌと同等の低抵抗なρｃを得ることが可能な構造であり，かつ低抵抗なオーミック接触を維持できる温度範囲がＴｉ／Ａｌよりも広い熱的安定性に優れた構造であることが明らかとなった。」
　
ｄ　上記（イ）ａ〜ｃによれば、引用例２には、ＧａＮ系窒化物半導体のｎ型オーミック電極として、一般的に用いられるＴｉ／Ａｌ電極に代えて、Ｔｉと同族でかつＴｉより高融点な金属であるＨｆをＨｆ／Ａｌ電極として半導体とのコンタクト層に用いる技術が記載されているものと認められる。
　
イ　対比・判断 
（ア）　本願補正発明と引用発明とを対比する。 
ａ　引用発明の「ＳiドープＧａＮよりなる窒化物半導体基板」、「アンドープＩｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ井戸層からなる活性層を含むダブルへテロ構造の素子構造」、「ウェーハ」、「第１の層」、「第２の層」、「第３の層」、「レーザチップ」、「ヒートシンク」、「熱圧着する」、及び、「窒化物半導体素子の製造方法」は、それぞれ本願補正発明の「ＧａＮ基板」、「窒化物系半導体の積層体」、「ウェハー」、「第１の金属膜」、「第２の金属膜」、「第３の金属膜」、「半導体発光素子」、「支持基体」、「熱処理により接着する」、及び、「半導体発光装置の製造方法」に相当する。 
　
ｂ　ここで、引用発明の「ＧａＮ基板における含むダブルへテロ構造の素子構造を設けた面」、及び、「反対にひっくり返した面」が、本願補正発明の「ＧａＮ基板における積層体を設けた面」、及び、「反対側の面」に相当することは明らかである。
　
ｃ　また、引用発明の「第１の層は窒化物半導体基板とｎ側コンタクト層を介して良好なオーミックコンタクトが得られる」との事項が、本願補正発明の「オーミック接合をとることが可能で、Ｎ型電極として機能する」との事項に相当することは明らかである。
　
ｄ　以上によれば両者は
「ＧａＮ基板上に窒化物系半導体の積層体を設けたウェハーを形成し、ＧａＮ基板における積層体を設けた面とは反対側の面に、第１の金属膜、第２の金属膜および第３の金属膜をこの順に形成する工程と、該ウェハーを半導体発光素子に分割する工程と、支持基体と分割した該半導体発光素子とを熱処理により接着する工程と、を含み、
　該第１の工程における該第１の金属膜は、ＧａＮ基板とオーミック接合をとることが可能で、Ｎ型電極として機能する層である、半導体発光装置の製造方法。」
である点で一致し、
　
（ａ）第１の工程における第１の金属膜が、本願補正発明では「Ｈｆ／Ａｌ」層であるのに対して、引用発明では「ＴｉとＡｌを製膜した」層である点（以下「相違点１」という）
　
（ｂ）第１の工程における第２の金属膜が、本願補正発明では「高融点金属からなり、第３の金属に対するバリア層として機能するＭｏを主成分として含む」層であるのに対して、引用発明では「Ｍｏを製膜した」層である点（以下「相違点２」という）、及び、
　
（ｃ）本願補正発明は、支持基体が「予めハンダを積層した支持基体」であって、第１の工程における第３の金属膜が、「第２の金属膜と比べてハンダと混合し易いＡｕ層であり、該第３の工程において、該第３の金属膜とハンダとの合金層を形成する」のに対して、引用発明は、支持基体が「Ａｕでメタライズした支持基体」であって、第３の金属膜が「Ａｕ(８０％）／Ｓｎ（２０％）合金を製膜したもの」である点（以下「相違点３」という）
で相違するものと認められる。 
　 
（イ）判断
ａ　上記相違点１について検討する。 
　上記ア（イ）によれば、引用例２には、ＧａＮ系窒化物半導体のＮ型オーミック電極として、一般的に用いられるＴｉ／Ａｌ電極に代えて、Ｔｉと同族でかつＴｉより高融点な金属であるＨｆをＨｆ／Ａｌ電極として半導体とのコンタクト層に用いる技術が記載されているものと認められる。そして当該技術は、ＧａＮ系窒化物半導体のＮ型オーミック電極である点で引用発明と共通するものであるから、引用発明のＴｉ／Ａｌに代えて、Ｈｆ／Ａｌを用いることは、当業者が容易になし得たことである。
　
ｂ　上記相違点２について検討する。 
　引用例１には「本発明ではＡｌよりも高融点金属を有する第２の層がバリア層として作用しているため、第３の層に含まれるＳｎ、Ｉｎが拡散することが無く、安定したオーミックが得られることができる。」（上記ア（ア）ｄ参照）、及び、「第２の層はＷ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｉからなる群から選択された少なくとも一種の金属を含み・・・これらの金属はバリア層として作用し、第３の層のＳｎ、Ｉｎが第１の層に拡散するのを防止できる。」（上記ア（ア）ｅ参照）と記載されているから、引用発明のＭｏを製膜した層である第２の金属膜も、高融点金属であって、第３の金属に対するバリア層として機能するＭｏを主成分をして含む層であるということができる。
　よって、相違点２は実質的な相違ではない。
　
ｃ　上記相違点３について検討する。
　引用発明は、第３の金属膜の「Ａｕ(８０％）／Ｓｎ（２０％）合金」が、支持基体の「Ａｕ」との熱圧着に用いられるものであって、上記ア（ア）ｃ、ｄのとおり、これによりレーザチップを支持基体（ヒートシンク）にダイボンディングするものである。
　しかるところ、「Ａｕ(８０％）／Ｓｎ（２０％）合金」は、ハンダといえるものであって、「Ａｕ」と「Ａｕ(８０％）／Ｓｎ（２０％）合金」（ハンダ）を熱圧着すれば、熱圧着した部分が「Ａｕ」と「Ａｕ(８０％）／Ｓｎ（２０％）合金」（ハンダ）の合金層となるものと解されるところである。
　そして、かかるダイボンディングの際に、「Ａｕ」ないし「Ａｕ(８０％）／Ｓｎ（２０％）合金」（ハンダ）が、それぞれレーザチップあるいは支持基体のどちら側に設けなければならないというものではなく、「Ａｕ」と「Ａｕ(８０％）／Ｓｎ（２０％）合金」（ハンダ）を、適宜の側に設ければダイボンディング可能なことは当業者にとって明らかなことである。
　してみると、引用発明において、支持基体側に「Ａｕ(８０％）／Ｓｎ（２０％）合金」（ハンダ）を製膜するとともに、第３の金属膜を「Ａｕ」とすることは、当業者が適宜なし得る程度のことというべきであり、これにより、相違点３に係る本願補正発明の構成が得られるものと認められる。
　
ウ　小括 
　以上の検討によれば、本願補正発明は、引用発明及び引用例２の記載の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　  
４　むすび 
　
　以上のとおり、本件補正は、平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　 
第３　本願発明について 
　 
１　本願発明 
　
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２１年３月２３日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記第２、２（１）において、補正前のものとして示したとおりのものである。 
　  
２　刊行物の記載及び引用発明 
　
　前記第２、２（３）ア（ア）のとおりである。 
　 
３　対比・判断 
　
　前記第２、２（３）イ（イ）ｃでの検討に照らして、本願発明と引用発明とを対比すると、本願発明は、支持基体に予め積層する金属が「ハンダ」であり、「第３の工程において、該第３の金属膜とハンダとの合金層を形成する」のに対して、引用発明は、支持基体に予め積層する金属は「Ａｕ」であって、「第３の工程において、該第３の金属膜とＡｕとの合金層を形成する」点で相違し、その余の点において一致するものと認められる。 
　そして、上記相違点は、前記第２、２（３）イ（イ）ｃで検討した相違点３の内容に含まれるものであるところ、同検討に照らして、引用発明において、支持基体に「ハンダ」を製膜し、その結果として「第３の金属膜とハンダとの合金層を形成する」発明と成すことは当業者が容易になし得たことである。
　したがって、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。 
　 
第４　むすび 
　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。 
　 
　よって、結論のとおり審決する。