【事件の表示】
　特願２００３−１７９７７２「高効率３ポート回路」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　１月２９日出願公開、特開２００４−　３２７７８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１５年６月２４日（パリ条約による優先権主張２００２年６月２７日、米国）の出願であって、平成１９年５月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１９年９月３日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、当審において平成２１年１２月９日付けで拒絶理由通知がなされ、平成２２年６月１５日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２．特許法第２９条第２項について
　
１．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２２年６月１５日付け手続補正書の請求項１に記載された以下のとおりのものと認める。
　「無線周波数信号を処理する回路であって、
　第１の領域と少なくとも１つの第２の領域を有する誘電体層を少なくとも１つ有する基板と、
　前記基板に結合された少なくとも１つのグランドと、
　前記基板の前記第２の領域に結合された部分を少なくとも有する３ポート回路と、
　前記第２の領域の中又は上の複数の場所に設けられたメタマテリアルと
　を有し、前記第１の領域は第１の比誘電率及び第１の比透磁率の組を含む第１の基板特性を有し、前記第２の領域は第２の比誘電率及び第２の比透磁率の組を含む第２の基板特性を有し、前記第１の比誘電率及び前記第１の比透磁率は、前記第２の比誘電率及び前記第２の比透磁率とそれぞれ異なり、
　前記メタマテリアルは、前記誘電体層とは異なる誘電率を有するナノ粒子と、前記誘電体層とは異なる透磁率を有するナノ粒子とを含み、
　前記第２の領域の前記比誘電率及び前記比透磁率は、前記メタマテリアルにより及び前記メタマテリアルが設けられている前記複数の場所により決定される、回路。」
　　
２．引用例発明
　当審で通知した拒絶理由に引用された特開２００２−５２６４４号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の記載がある。
　
　イ．「【請求項１】  少なくともハイブリッド材により形成されている構成層と、
前記構成層の少なくとも１層に形成されている導電体層とを有し、この導電体層により所定の電気回路が構成され、
前記ハイブリッド材は、少なくとも１種または２種以上の誘電体材料粉、１種または２種以上の磁性材料粉、および１種または２種以上の誘電体被覆金属粉、または１種または２種以上の絶縁体被覆磁性金属粉から選択される２種以上の材料粉と、樹脂材料とを含有する電子部品。」（２頁１欄２〜１２行）
　
　ロ．「【００４７】本発明の電子部品は、１種または２種以上の磁性材料粉、および１種または２種以上の誘電体被覆金属粉、または１種または２種以上の絶縁体被覆磁性金属粉を有していてもよい。
【００４８】磁性材料であるフェライトとしては、Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｚｎ系などであり、特にこれらの単結晶、あるいはＭｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ系などが好ましい。
【００４９】磁性材料である強磁性金属としては、カーボニール鉄、鉄−シリコン系合金、鉄−アルミ−珪素系合金（商標名：センダスト）、鉄−ニッケル系合金（商標名：パーマロイ）、アモルファス系（鉄系、コバルト系）などが好ましい。
【００５０】これらを粉末にするための手段は、粉砕、造粒など公知の方法に従えばよい。
【００５１】磁性材料粉の粒径は０．０１〜１００μm 、特に０．０１〜５０μm であることが好ましく、平均粒径は１〜５０μm であることが好ましい。このような粒径とすることによって、磁性材料粉の分散性が良好となり、本発明の効果が向上する。これに対し、磁性材料粉の粒径がこれより小さいと、比表面積が大きくなり、高充填率化が困難になってくる。一方、これより大きくなるとペースト化した際に沈降し易くなり、均一に分散しにくくなってくる。また、肉薄の基板、プリプレグを形成しようとした場合に、表面の平滑性を得ることが困難になってくる。粒径をあまり小さくすることは実際上困難であり、０．０１μm 程度が限度である。
【００５２】磁性材料粉の粒度は均一であることが好ましく、必要に応じ、ふるい分けなどにより粒度をそろえてもよい。磁性材料粉の形状は、球形、扁平、楕円形のいずれのものでも良く、その用途により使い分ければよい。また、必要に応じて表面に酸化、カップリング、有機絶縁材のコーティングなどの処理を施してもよい。
【００５３】さらに、種類、粒度分布の異なる磁性材料粉を２種以上用いてもよい。その際の混合比は任意であり、用途により用いる材料、粒度分布、混合比を調整すればよい。
【００５４】磁性材料粉の透磁率μは１０〜１００００００であることが好ましい。また、バルクの絶縁性は高い方が基板化した際の絶縁性が向上して好ましい。
【００５５】誘電体被覆金属粉は、望ましくは噴霧熱分解法で製造される。噴霧熱分解法は、特公昭６３−３１５２２号公報や特開平６−１７２８０２号公報、特開平６−２７９８１６号公報等に記載されているように、１種又は２種以上の熱分解性金属化合物を含む溶液を噴霧して微細な液滴にし、その液滴を該金属化合物の分解温度より高い温度、望ましくは該金属の融点近傍又はそれ以上の高温で加熱し、金属化合物を熱分解して金属又は合金の粉末を析出させる方法である。
【００５６】この方法によれば、結晶性が良く、高密度かつ高分散性の金属粉末又は合金粉末が得られ、粒径のコントロールも容易である他、原料の金属化合物溶液中に酸化物前駆体を添加しておくことにより、粉末の生成と同時にガラス被覆を行うことができ、新たに被覆工程を必要としないという優れた利点がある。即ち、噴霧熱分解法によって得られる金属粉末は結晶性が良好で、粒子内部に欠陥が少なく粒界をほとんど含まないので、熱分解により析出した酸化物は粒子内部には析出しにくく、金属粒子の表面に弾き出され、表面近傍に高濃度に偏析してセラミックス化する。しかも析出したセラミックス質は表面を比較的均一に覆うので、少量でも酸化や焼結に対する保護層として作用する。又噴霧熱分解法では、生成粒子の組成は基本的に溶液中の金属組成と一致するので、組成の抑制が容易であり、本発明の粉末の製造に適している。
【００５７】誘電体被覆金属粉において、金属粉末としては、例えば銀、金、白金、パラジウム等の貴金属や銅、ニッケル、コバルト、鉄、アルミニウム、モリブデン、タングステン等の卑金属などいかなるものでも良く、また単一の金属のほか合金粉末や混合粉末も含む。特に銀粉末および銀−パラジウム等の銀合金粉末の場合に有効である。金属粉末の出発塩としては硝酸塩、硫酸塩、塩化物、アンモニウム塩、リン酸塩、カルボン酸塩、金属アルコラート、樹脂酸塩などの熱分解性塩の１種または２種以上や複塩や錯塩が使用される。２種以上の金属の塩を混合使用すれば合金粉末や混合粉末を得ることができる。
【００５８】酸化物前駆体は、熱分解後生じる酸化物が、本法による金属粉末生成条件では金属粉末中にほとんど固溶せず、セラミックス化するようなものであれば制限はない。酸化物前駆体としては、例えば、硼酸、珪酸、燐酸や、各種硼酸塩、珪酸塩、燐酸塩、また種々の金属の硝酸塩、硫酸塩、塩化物、アンモニウム塩、燐酸塩、カルボン酸塩、アルコラート、樹脂酸塩などの熱分解性塩や、複塩、錯塩などから適宜選択されて使用される。
【００５９】主成分金属化合物と酸化物前駆体の混合溶液は超音波式、二流体ノズル式等の噴霧器により微細な液滴とし、次いで金属化合物及び酸化物前駆体の分解温度より高い温度で加熱することにより熱分解を行う。加熱処理は主成分金属の融点又はそれ以上の高温で行うことが望ましいが、融点より２００℃程度低い温度でも十分弾き出しの効果が得られる。特に高密度、形状の均一性等が要求されない場合は融点より相当低い温度でも差支えない。加熱時の雰囲気は、金属や酸化物前駆体の種類、加熱温度などに応じて酸化性、還元性、不活性雰囲気が適宜選択される。
【００６０】酸化物前駆体の添加量は、金属粉末に対して酸化物換算で０．０１重量％より少ないと効果がない。一方あまり多くなると表面に偏析しにくくなるので、析出するセラミックス質の密度にもよるが５０重量％程度までが実用的である。特に０．０５〜２０重量％の範囲で添加するのが望ましい。なお、必要であれば粉末生成後、表面に析出したセラミックス薄膜の少なくとも一部を洗浄又はエッチング等の方法で除去することにより、被覆量を調節することもできる。本発明の金属粉末を導電成分とする導体ペースト、抵抗ペースト等の厚膜ペーストは、常法に従って製造される。必要に応じて他の導電性粉末やセラミックス粉末等の無機結合剤、その他の添加剤を含有させてもよい。
【００６１】本発明で用いる絶縁体被覆磁性金属粉は、上記誘電体被覆金属粉と同様に噴霧熱分解法で製造される。この場合、誘電体材料の代わりに絶縁材料で被覆し、中心の金属材料は磁性金属である。
【００６２】中心の磁性金属としては、例えば、Ｆｅ、Ｎｉ、およびそれらを含む合金、特に少なくともＦｅを含む２種以上の成分からなる合金が好ましい。
【００６３】磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉の粒径は０．０１〜１００μm 、特に０．０１〜５０μm であることが好ましく、平均粒径は１〜５０μm であることが好ましい。このような粒径とすることによって、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉の分散性が良好となり、本発明の効果が向上する。これに対し、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉の粒径がこれより小さいと、比表面積が大きくなり、高充填率化が困難になってくる。一方、これより大きくなるとペースト化した際に沈降し易くなり、均一に分散しにくくなってくる。また、肉薄の基板、プリプレグを形成しようとした場合に、表面の平滑性を得ることが困難になってくる。粒径をあまり小さくすることは実際上困難であり、０．０１μm 程度が限度である。
【００６４】樹脂と磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉との混合比としては、形成される構成層全体の透磁率が３〜２０となるように添加されていればよい。特にガラスクロスなどに塗布するペースト段階で、樹脂と磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉との比率で示した場合、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉の含有量は１０〜６５ 体積％、特に２０〜６０ 体積％であることが好ましい。このような磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉の含有量とすることで、構成層全体の透磁率が３〜２０となり、本発明の効果が向上する。これに対し、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉の含有量が多くなるとスラリー化して塗工することが困難になり、電子部品、基板、プリプレグの作製が困難になる。一方、磁性材料粉の含有量が少なくなると透磁率を確保できなくなる場合があり、磁気特性が低下してしまう。」（５頁８欄７行〜７頁１１欄５行）
　
　ハ．「【０１１０】＜実施例２＞図５〜図８は、本発明の第２の実施態様を示した積層フィルターを示している。ここで図５は斜視図、図６は分解斜視図、図７は等価回路図、図８は伝達特性図である。なお、この積層フィルターは２ポールとして構成されている。
【０１１１】図５〜８において、積層フィルター６０は、構成層６０ａ〜６０ｅが積層された積層体のほぼ中央に一対のストリップ線路６８と、一対のコンデンサ導体６７とを有する。コンデンサ導体６７は下部構成層群６０ｄ上に形成され、ストリップ線路６８はその上の構成層６０ｃ上に形成されている。構成層６０ｂおよび６０ｅの上部にはＧＮＤ導体６５が形成されていて、前記ストリップ線路６８とコンデンサ導体６７とを挟み込むようになっている。コンデンサ導体６７はそれぞれ端面に形成された端部電極（外部端子）６２とそれから僅かに上下面方向に形成されたランドパターン６１と接続されている。また、その両側面およびそこから僅かに上下面方向に形成されたＧＮＤパターン６６はＧＮＤ導体６５と接続されている。
【０１１２】ストリップ線路６８は、図７の等価回路図に示されるλg ／４長またはそれ以下の長さを有するストリップ線路７４ａ、７４ｂであり、コンデンサ導体６７は入出力結合容量Ｃｉを構成する。また、それぞれのストリップ線路７４ａ、７４ｂ間は、結合容量Ｃｍおよび結合係数Ｍにより結合されている。このような等価回路により、図８に示すような２ポール型の伝達特性を有する積層フィルタを得ることができる。
【０１１３】この積層フィルターの構成層６０ａ〜６０ｅは、少なくとも１種または２種以上の誘電体材料粉、１種または２種以上の磁性材料粉、および１種または２種以上の誘電体被覆金属粉、または１種または２種以上の絶縁体被覆磁性金属粉から選択される２種以上の材料粉と、樹脂材料とを含有する。
【０１１４】全ての層は、同じ構成材料により形成されている必要はなく、それぞれ異なっていてもよい。
【０１１５】また、素体強度を保つために、前記樹脂中にガラスクロス材を埋設してもよい。
【０１１６】積層フィルターを設計するに当たって、小型化を考えると前記λg ／４長の導体の長さを短くする必要がある。この長さは、ベース材料の誘電率ε、透磁率μにより、以下の式から導き出される。
λg ＝λ0 ／（ε×μ）１／２この式から明らかなように、長さを短くするためには、比誘電率ε、比透磁率μはできるだけ高い方がよい。従って、誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、および絶縁体被覆磁性金属粉を組み合わせることにより高比誘電率ε、高比透磁率μとすることができる。」（１２頁２１欄２３行〜２２欄１９行）
　
　ニ．「【０１６６】＜実施例１３＞図４０〜図４３は、本発明の第１３の実施態様を示したＲＦモジュールを示している。ここで図４０は斜視図、図４１は外装部材を外した状態での斜視図、図４２は各構成層の分解斜視図、図４３は断面図である。
【０１６７】図４０〜４３において、ＲＦモジュールは、構成層５００ａ〜５００ｉが積層された積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電子部品５６１と、この構成層５００ａ〜５００ｉ中およびその上下面に形成されている導体パターン５１３，５１５、５７２と、アンテナパターン５７３を有する。このＲＦモジュールは、上記のようにインダクタ、コンデンサ、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。
【０１６８】この例では、アンテナ構成、ストリップライン構成および配線構成層５００ａ〜５００ｄ、５００ｇには、使用する周波数に合わせて調整された本発明の少なくとも１種または２種以上の誘電体材料粉、１種または２種以上の磁性材料粉、および１種または２種以上の誘電体被覆金属粉、または１種または２種以上の絶縁体被覆磁性金属粉から選択される２種以上の材料粉と、樹脂材料とを含有する層が効果的である。
【０１６９】コンデンサ構成層５００ｅ〜５００ｆには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が１０〜４０となるような誘電体セラミック破砕粉を含有するハイブリット材を用いることが好ましい。電源ライン層５００ｈ〜５００ｉには、透磁率が３〜２０となるように調整されたフェライト磁性材料粉を含有するハイブリッド材を用いることが好ましい。
【０１７０】そして、これらの構成層５００ａ〜５００ｉの表面には、内部導体５１３、ＧＮＤ導体５１５、アンテナ導体５７３等が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール５１４により上下に接続され、表面にはマウントされた電子部品５６１が搭載されてＲＦモジュールが形成される。
【０１７１】このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。」（１７頁３１欄５〜４３行）
　
　上記摘記事項ニ．には、ハイブリッド材により形成されている複数の構成層が積層された積層体を用いたＲＦモジュールが開示されている。当該構成層には、導体パターンやＧＮＤ導体が形成されている。
　複数の構成層は、「アンテナ構成、ストリップライン構成および配線構成層」、「コンデンサ構成層」及び「電源ライン層」とからなっており、これらの構成層は、その機能に適した比誘電率及び比透磁率に調整されている。
　「アンテナ構成、ストリップライン構成および配線構成層」は、ストリップライン等が形成されてＲＦモジュールの電気回路が構成される部分であり、ストリップラインが形成される領域を「第２の領域」と呼ぶことにする。
　また、「コンデンサ構成層」は、導体パターンを形成してコンデンサを構成する部分であり、この導体パターンの形成される領域を「第１の領域」と呼ぶことにすると、「第１の領域」と「第２の領域」は、その機能に適するように比誘電率及び比透磁率が調整されており、所定の基板特性を有するものであるといえるから、「第１の領域は、第１の比誘電率及び第１の比透磁率の組みを含む第１の基板特性を有し、第２の領域は、第２の比誘電率及び第２の比透磁率の組みを含む第２の基板特性を有し、前記第１の比誘電率及び第１の比透磁率は、前記第２の比誘電率及び第２の比透磁率とそれぞれ異なる」ものであるということができる。
　上記摘記事項ハ．【０１１６】段落の記載を参照すると、積層フィルターのような電気回路を小型化するには、構成層の比誘電率、比透磁率を大きくする必要が有り、誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、および絶縁体被覆磁性金属粉を組み合わせることにより高比誘電率ε、高比透磁率μとすることが示されている。
　上記摘記事項ロ．【００６３】段落には、「磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉の粒径は０．０１〜１００μm 、特に０．０１〜５０μm であることが好ましく、」と記載されている。
　
　引用例１の上記摘記事項及び技術常識を考慮すると、引用例１には、
　「ハイブリッド材により形成されている複数の構成層が積層された積層体と、
　前記積層体の構成層に形成されているＧＮＤ導体と、
　前記積層体の構成層の第１の領域に形成されている導体パターンとを有し、導体パターンによりコンデンサが構成され、
　前記積層体の構成層の第２の領域に形成されているストリップラインとを有し、ストリップラインによりＲＦモジュールの電気回路が構成され、
　前記第１の領域は、第１の比誘電率及び第１の比透磁率の組みを含む第１の基板特性を有し、前記第２の領域は、第２の比誘電率及び第２の比透磁率の組みを含む第２の基板特性を有し、前記第１の比誘電率及び第１の比透磁率は、前記第２の比誘電率及び第２の比透磁率とそれぞれ異なり、
　前記ハイブリッド材は、樹脂材料に、誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉から選択される材料粉を含有させることにより、構成層の比誘電率及び比透磁率が調整されており、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉の粒径は、０．０１〜１００μｍである電子部品。」
との発明（以下、「引用例１発明」という。）が開示されていると認めることができる。
　
　同じく当審で通知した拒絶理由に引用された特開平８−１５４００６号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに以下の記載がある。
　
　ホ．「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、誘電体基板に関し、詳しくは、例えば、マイクロストリップラインを用いたローパスフィルタ、モノリシックＩＣなどの２導体伝送線路素子に用いられる誘電体基板に関する。」（２頁１欄８〜１２行）
　
　ヘ．「【００１０】
【実施例】以下に、この発明の実施例を示して、その特徴とするところをさらに具体的に説明する。
【００１１】なお、この実施例では、誘電体基板を用いる２導体伝送線路素子のうち、ローパスフィルタを例にとって説明する。
【００１２】図１は、この発明の一実施例にかかる誘電体基板を用いたローパスフィルタを示す図であり、(ａ)は平面図、(ｂ)は正面図である。
【００１３】このローパスフィルタは、図１(ａ)，(ｂ)に示すように、誘電体基板２の上面側に各部の幅が均一な電極パターン（伝送線路）１を配設し、下面側に裏面電極３を配設することにより形成されている。そして、この実施例では、電極パターン１の幅Ｗは０．５２８mmに形成されている。
【００１４】また、このローパスフィルタにおいては、特性インピーダンスが５０．０Ωの部分１ａと、２５．３Ωの部分１ｂが梯子状に形成されており、梯子を構成するそれぞれの段の長さが、１０ＧＨｚでの波長の１／２になるように設計されている。
【００１５】一方、この実施例のローパスフィルタに用いられている誘電体基板２は、図１に示すように、
（１）比誘電率εｒ＝１７．０で、長さＬ１＝４．３１０mmの部分２ａと
（２）比誘電率εｒ＝６０．０で、長さＬ２＝２．１７８mmの部分２ｂと、を交互に配設するとともに、両端側に、
（３）比誘電率εｒ＝１７．０で、長さＬ３＝１０．００mmの部分２ｃを配設することにより形成されている。
【００１６】そして、このローパスフィルターにおいては、電極パターン（伝送線路）１（図１）のうち、誘電体基板２の比誘電率εｒの小さい部分２ａに形成された部分１ａが特性インピーダンス５０．０Ωの部分となり、比誘電率εｒの大きい部分２ｂに形成された部分１ｂが特性インピーダンス２５．３Ωの部分となっている。」（２頁２欄６〜４０行）
　
　引用例２の上記摘記事項及び技術常識を考慮すると、引用例２には、
「比誘電率の小さい部分と大きい部分とからなる、マイクロストリップラインが形成される誘電体基板」
との発明（以下、「引用例２発明」という。）が開示されていると認めることができる。
　
３．対比
　本願発明と引用例１発明とを対比する。
　引用例１発明の「電子部品」は、「ＲＦモジュールの電気回路」が構成されたものであるから、「無線周波数信号を処理する回路」であるといえる。
　引用例１発明の「構成層」、「積層体」は、本願発明の「誘電体層」、「基板」に相当する。
　引用例１発明の「前記積層体の構成層に形成されているＧＮＤ導体」は、本願発明の「前記基板に結合された少なくとも１つのグランド」に相当する。
　引用例１発明の「ストリップライン」は「ＲＦモジュールの電気回路」を構成するものであり、本願発明の「３ポート回路」とは、「電気回路」である点で共通するものである。
　引用例１発明の「第２の領域に形成されている」ことは、本願発明の「第２の領域に結合された部分を少なくとも有する」ことに相当する。
　本願明細書の【００４７】段落の「用語「メタ−マテリアル」は、一般的には、所望の電磁特性を有するように人工的に形成された複合材料として定義され」という記載を考慮すると、引用例１発明の「誘電体被覆金属粉」及び「絶縁体被覆磁性金属粉」は、それを含有させることにより所望の誘電率や透磁率を実現するものであるから、本願発明の「メタマテリアル」の概念に含まれるものである。
　引用例１発明は、「誘電体被覆金属粉」及び「絶縁体被覆磁性金属粉」を「第２の領域」に含有させるものであるから、「メタマテリアル」が「第２の領域」の中の複数の場所に設けられているといえる。
　引用例１発明の「誘電体被覆金属粉」及び「絶縁体被覆磁性金属粉」は、その粒径が０．０１〜１００μｍであるから、本願明細書の【００５６】段落の記載を考慮すれば、「ナノ粒子」であるといえるので、引用例１発明の「メタマテリアル」は、前記誘電体層とは異なる誘電率を有するナノ粒子と、前記誘電体層とは異なる透磁率を有するナノ粒子とを含むものであるといえる。
　
　したがって、本願発明と引用例１発明とは、
「無線周波数信号を処理する回路であって、
　誘電体層を少なくとも１つ有し、第１の領域と少なくとも１つの第２の領域とを有する基板と、
　前記基板に結合された少なくとも１つのグランドと、
　前記基板の第２の領域に結合された部分を少なくとも有する電気回路と、
　前記第２の領域の中の複数の場所に設けられたメタマテリアルとを有し、
　前記第１の領域は第１の比誘電率及び第１の比透磁率の組を含む第１の基板特性を有し、前記第２の領域は第２の比誘電率及び第２の比透磁率の組を含む第２の基板特性を有し、前記第１の比誘電率及び前記第１の比透磁率は、前記第２の比誘電率及び前記第２の比透磁率とそれぞれ異なり、
　前記メタマテリアルは、前記誘電体層とは異なる誘電率を有するナノ粒子と、前記誘電体層とは異なる透磁率を有するナノ粒子とを含む、回路。」
である点で一致し、以下の点で相違している。
　　
［相違点１］
　「第１の領域」と「第２の領域」に関して、本願発明は１つの誘電体層が「第１の領域」と「第２の領域」を有するのに対して、引用例１発明では、「第１の領域」と「第２の領域」は別の誘電体層に存在するものである点。
［相違点２］
　「基板の第２の領域に結合された部分を少なくとも有する電気回路」が、本願発明では、「３ポート回路」であるのに対して、引用例１発明では、「ＲＦモジュールの電気回路」である点。
［相違点３］
　第２の領域の比誘電率及び比透磁率について、本願発明は、「前記メタマテリアルにより及び前記メタマテリアルが設けられている前記複数の場所により決定される」のに対して、引用例１発明は、「前記メタマテリアルを含有させることにより決定される」ものである点。
　
４．当審の判断
［相違点１］について
　引用例２には、比誘電率の小さい部分と大きい部分とからなる、マイクロストリップラインが形成される誘電体基板が開示されている。マイクロストリップラインは、無線周波数信号を伝送し処理するものであるから、引用例２発明は、「比誘電率の小さい第１の領域と比誘電率の大きい第２の領域とを有する、無線周波数信号を処理する回路に用いられる基板」と表現することができる。
　引用例１発明では、第１の領域と第２の領域とを別の誘電体層に存在させ、複数の誘電体層を積層するものであるが、引用例２発明を考慮すれば、第１の領域と第２の領域とを同じ誘電体層に設けるようにすることは、当業者が容易になし得ることである。
　
［相違点２］について
　３ポート回路は、無線周波数信号を処理する回路において一般的に使用されるものであり、引用例１発明の「ＲＦモジュールの電気回路」を「３ポート回路」に特定することは、格別の事項ではない。
　
［相違点３］について
　引用例１発明において、メタマテリアルを含有させることにより、メタマテリアルは、第２の領域の中の複数の場所に設けられているわけであるから、第２の領域の比誘電率及び比透磁率が、メタマテリアルにより及びメタマテリアルが設けられている複数の場所により決定されるのは、技術的に自明の事項であり格別の事項ではない。
　
　そして、本願発明の作用効果も、引用例１発明及び引用例２発明から当業者が予測できる範囲のものである。
　　　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１発明及び引用例２発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　
　
第３．特許法第３６条について
　
１．特許法第３６条についての拒絶理由
　当審において、平成２１年１２月９日付けで、特許法第３６条について以下の拒絶の理由が通知された。
　
 「【理由Ｂ】 
 　本件出願は、明細書及び図面の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第４項１号、第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていない。 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
 　 
 １．請求項１の「前記３ポート回路の少なくとも一部分は前記第２の領域に結合され、前記第２の領域の少なくとも一部はメタ−マテリアルで形成され、前記メタ−マテリアルは、電気的な絶縁コーティングを有する金属コアを有する粒子で構成される」という記載は不明瞭であり、発明の詳細な説明の記載との対応関係も不明である。例えば、「粒子」と「メタ−マテリアル」とが、どのような関係にあるのか不明である。 
 　 
 ２．請求項４〜６の「オルガノファンクション複合粒子」とは何か不明である。当該用語は、発明の詳細な説明に記載されていないものである。 
 　 
 ３．請求項５の「フェライト有機セラミック」、請求項６の「ニオブ有機セラミック」とは何か不明である。 
　 
 ４．明細書の【００４７】段落には、「ここで、規定するように、用語”メタ−マテリアル”は、分子又はナノメートルのレベルのような、非常に微細なレベルで、２つ又はそれ以上の異なる材料を混合又は配置して構成される複合材料を指す。」と記載されているが、当該記載は不明瞭であり、「メタ−マテリアル」という用語の定義が不明である。例えば、「分子又はナノメートルのレベルのような、非常に微細なレベル」が具体的にどの程度の長さをいうのか不明である。 
 　 
 ５．明細書の【００５７】段落には、有機的に機能化された複合粒子について記載されているが、「有機的に機能化」が何を意味するのか不明である。また、「電気的絶縁コーティング」、「金属コア」の寸法や材質が不明であり、有機的に機能化された複合粒子の製造方法や入手方法が不明である。 
 　 
 ６．明細書の【００５８】段落に記載された「フェライト有機セラミック」、「ニオブ有機セラミック」が何か不明である。 
 　 
 ７．請求項１に記載された「電気的な絶縁コーティングが設けられた金属コアを有する粒子」について、発明の詳細な説明には、当業者が実施をすることができる程度に記載されていない。 」
   　
２．請求人の対応
　上記拒絶理由通知に対して、請求人は、平成２２年６月１５日付けで意見書と手続補正書を提出した。
　
３．当審の判断
（１）上記拒絶理由の『６．明細書の【００５８】段落に記載された「フェライト有機セラミック」、「ニオブ有機セラミック」が何か不明である。』との指摘に対して、請求人は、【００５８】段落を『ここで説明する種々の応用のための誘電体層の磁気特性を制御するのに一般的に適する磁気メタ−マテリアル粒子は、フェライトを含みかつカルシウム、ストロンチウム又はバリウムを含む有機セラミック（ＦｅｘＣｙＨｚ）−（Ｃａ／Ｓｒ／Ｂａ−セラミック）を含む。これらの粒子は、周波数範囲８−４０ＧＨｚの応用で良好に動作する。代わりに、又は、更にそれに加えて、ニオブを含みかつカルシウム、ストロンチウム又はバリウムを含む有機セラミック（ＮｂＣｙＨｚ）−（Ｃａ／Ｓｒ／Ｂａ−セラミック）は、周波数範囲１２−４０ＧＨｚで有益である。高周波数のために設計された材料は、低周波数の応用にも適用可能である。これらのそして他の形式の複合粒子は、商業上入手できる。』と補正した。
  また、意見書において、「フェライトを含みかつカルシウム、ストロンチウム又はバリウムを含む有機セラミック（ＦｅｘＣｙＨｚ）−（Ｃａ／Ｓｒ／Ｂａ−Ｃｅｒａｍｉｃ）」、及び「ニオブを含みかつカルシウム、ストロンチウム又はバリウムを含む有機セラミック（ＮｂＣｙＨｚ）−（Ｃａ／Ｓｒ／Ｂａ−Ｃｅｒａｍｉｃ）」等の材料自体は、当該技術分野において既知であるとして、以下の文献を提示している。
　ａ）Ｍｅｓｓｅｒｓｍｉｔｈ等の論文
　ｂ）米国特許第６，８４１，８５７号明細書
　ｃ）米国特許第５，６７０，２５７明細書
　しかしながら、請求人の提示した文献は、「フェライトを含みかつカルシウム、ストロンチウム又はバリウムを含む有機セラミック（ＦｅｘＣｙＨｚ）−（Ｃａ／Ｓｒ／Ｂａ−Ｃｅｒａｍｉｃ）」及び「ニオブを含みかつカルシウム、ストロンチウム又はバリウムを含む有機セラミック（ＮｂＣｙＨｚ）−（Ｃａ／Ｓｒ／Ｂａ−Ｃｅｒａｍｉｃ）」を開示するものではなく、これらの材料が既知であることを示すものではない。さらに、文献ｂ）は、本願の優先権主張日の後に頒布されたものであり、本願の優先権主張日前の技術水準を示すものでもない。
　また、意見書において、『例えば、「ＡＶＥＫＡ，Ｉｎｃ」、「ＧＦＳ　Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ」、「Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｅｌｅｍｅｎｔｓ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ」等を通じて、これらの材料を本願出願前に入手できていました。例えば上記の有機セラミックについては、「ＯＲＭＯＣＥＲ」（登録商標）という名称で市販されています。』とも主張しているが、具体的な入手方法や時期について何ら明らかにしておらず、また、「ＯＲＭＯＣＥＲ」（登録商標）と、「フェライトを含みかつカルシウム、ストロンチウム又はバリウムを含む有機セラミック（ＦｅｘＣｙＨｚ）−（Ｃａ／Ｓｒ／Ｂａ−Ｃｅｒａｍｉｃ）」、及び「ニオブを含みかつカルシウム、ストロンチウム又はバリウムを含む有機セラミック（ＮｂＣｙＨｚ）−（Ｃａ／Ｓｒ／Ｂａ−Ｃｅｒａｍｉｃ）」との関係についても全く不明であるので、請求人の主張は採用できない。
　したがって、「フェライトを含みかつカルシウム、ストロンチウム又はバリウムを含む有機セラミックス（ＦｅｘＣｙＨｚ）−（Ｃａ／Ｓｒ／Ｂａ−Ｃｅｒａｍｉｃ）」及び「ニオブを含みかつカルシウム、ストロンチウム又はバリウムを含む有機セラミクス（ＮｂＣｙＨｚ）−（Ｃａ／Ｓｒ／Ｂａ−Ｃｅｒａｍｉｃ）」が何か依然として不明である。
　
（２）上記拒絶理由の『２．請求項４〜６の「オルガノファンクション複合粒子」とは何か不明である。当該用語は、発明の詳細な説明に記載されていないものである。 ３．請求項５の「フェライト有機セラミック」、請求項６の「ニオブ有機セラミック」とは何か不明である。』 との指摘に対して、特許請求の範囲の記載が補正された。
　補正された請求項４には、「カルシウム、ストロンチウム及びバリウムの内の何れか１つを有するセラミックと、フェライトとにより形成されたナノ粒子、又は
　カルシウム、ストロンチウム及びバリウムの内の何れか１つを有するセラミックと、ニオブとにより形成されたナノ粒子」という事項が記載されている。
　しかしながら、上記（１）で検討したように、補正後の【００５８】段落に記載された「フェライトを含みかつカルシウム、ストロンチウム又はバリウムを含む有機セラミック（ＦｅｘＣｙＨｚ）−（Ｃａ／Ｓｒ／Ｂａ−セラミック）」及び「ニオブを含みかつカルシウム、ストロンチウム又はバリウムを含む有機セラミック（ＮｂＣｙＨｚ）−（Ｃａ／Ｓｒ／Ｂａ−セラミック）」が何か不明であるから、それらに対応すると推定される補正後の請求項４の「カルシウム、ストロンチウム及びバリウムの内の何れか１つを有するセラミックと、フェライトとにより形成されたナノ粒子」及び「カルシウム、ストロンチウム及びバリウムの内の何れか１つを有するセラミックと、ニオブとにより形成されたナノ粒子」についても依然として不明である。
　
（３）補正された請求項４の「カルシウム、ストロンチウム及びバリウムの内の何れか１つを有するセラミックと、フェライトとにより形成されたナノ粒子」及び「カルシウム、ストロンチウム及びバリウムの内の何れか１つを有するセラミックと、ニオブとにより形成されたナノ粒子」と発明の詳細な説明の記載とを対比すると、【００５８】段落の「フェライトを含みかつカルシウム、ストロンチウム又はバリウムを含む有機セラミック（ＦｅｘＣｙＨｚ）−（Ｃａ／Ｓｒ／Ｂａ−セラミック）」及び「ニオブを含みかつカルシウム、ストロンチウム又はバリウムを含む有機セラミック（ＮｂＣｙＨｚ）−（Ｃａ／Ｓｒ／Ｂａ−セラミック）」に関連するものと推定されるが、補正された請求項４の記載は、「有機セラミック」に限定されないものであるから、発明の詳細な説明に記載されたものであるということはできない。
　
（４）上記拒絶理由の『４．明細書の【００４７】段落には、「ここで、規定するように、用語”メタ−マテリアル”は、分子又はナノメートルのレベルのような、非常に微細なレベルで、２つ又はそれ以上の異なる材料を混合又は配置して構成される複合材料を指す。」と記載されているが、当該記載は不明瞭であり、「メタ−マテリアル」という用語の定義が不明である。例えば、「分子又はナノメートルのレベルのような、非常に微細なレベル」が具体的にどの程度の長さをいうのか不明である。』との指摘に対して、請求人は、【００４７】段落を『ここで規定するように、用語「メタ−マテリアル」は、一般的には、所望の電磁特性を有するように人工的に形成された複合材料として定義され、本願における複合材料は、２つ又はそれ以上の異なる材料を含むナノ粒子が、分子レベル又はナノメートルレベルで混合又は配置されている複合材料である。誘電体基板に加えられるメタ−マテリアルは、ナノ粒子から形成され、誘電体基板とは異なる誘電率及び／又は透磁率を有する。本願により説明される一実施例における粒子は、調整された配置を与えるように誘電体基板の複数の特定の場所に設けられる。メタ−マテリアルは、複合材料の電磁気特性の調整を可能にし、電磁気特性は、実効電気的誘電率εｅｆｆ（又は誘電率）及び実効磁気透磁率μｅｆｆを含む実効電磁気パラメータにより定義される。』と補正した。
　この記載からすると、メタ−マテリアルは、ナノ粒子から形成されるものであるが、【００５６】段落には、「追加の材料は、複数の金属及び／又はセラミック粒子を含むことが可能である。金属粒子は、鉄、タングステン、コバルト、バナジウム、マンガン、ある希土類金属、ニッケル又は、ニオブ粒子を含むことが好ましい。粒子は、一般的には、サブミクロンの物理的な寸法を有し、以後ナノ粒子と呼ぶ、ナノサイズの粒子であることが好ましい。」と記載されており、この記載からすると、ナノ粒子は、サブミクロンの粒子であると理解されるが、【００４７】段落の「ナノ粒子が、分子レベル又はナノメータレベルで混合又は配置されている」という記載との整合がとれておらず、明細書の記載全体として不明瞭なものとなっている。
　また、【００４７】段落の「２つ又はそれ以上の異なる材料を含むナノ粒子が、分子レベル又はナノメータレベルで混合又は配置されている」という記載において、「分子レベル又はナノメータレベルで混合又は配置されている」ことが具体的にどのような状態なのか、また、どのようにして「混合又は配置」を行うのか不明であり、その概念を明確に把握することができないものである。
　また、請求人は、意見書において、『これらの定義を考慮すると、「メタマテリアル」とは、一般的には、「自然には存在しない電磁特性を有するように人工的に形成された複合材料」ということができます。』と主張しているが、この主張は、補正された【００４７】段落の記載と相違するものであり、採用できない。
　
（５）請求項１について、補正により、「前記第２の領域の中又は上の複数の場所に設けられたメタマテリアル」及び「前記メタマテリアルは、前記誘電体層とは異なる誘電率を有するナノ粒子と、前記誘電体層とは異なる透磁率を有するナノ粒子とを含み、前記第２の領域の前記比誘電率及び前記比透磁率は、前記メタマテリアルにより及び前記メタマテリアルが設けられている前記複数の場所により決定される」という事項が追加されたが、上記（４）で検討したように、本願明細書における「メタマテリアル」及び「ナノ粒子」という用語は、その概念が不明瞭であるので、請求項１の当該事項も不明瞭である。
　
　したがって、本件出願は、明細書の記載が不備のため、特許法第３６条第４項第１号、第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本件出願は、明細書の記載に不備があり、特許法第３６条第４項第１号、第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていない。
　
　よって、結論のとおり審決する。