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　特願２００３−４１１２８７「シリコンウェーハの加工方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月３０日出願公開、特開２００５−１７５１０６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１５年１２月１０日の出願であって、平成２０年９月５日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成２０年１０月８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成２０年１０月３０日付で手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　平成２０年１０月３０日付の手続補正は、補正前の請求項１の「複数のエッチング層」を「複数のエッチング槽」に補正する補正事項を含むものであって、前記補正事項は、誤記の訂正を目的としたものに該当する。　
　よって、本願請求項１〜３に係る発明は、平成２０年１０月３０日付の手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、以下のとおりである。
　
「【請求項１】　ラッピング工程(11)に続いて洗浄工程(12)を経た加工変質層を有するシリコンウェーハに酸エッチングとアルカリエッチングとに順次施すエッチング工程(13)と、
　前記エッチングされたウェーハの片面を鏡面研磨する表面鏡面研磨工程(18)と、
　前記表面鏡面研磨されたウェーハを洗浄する洗浄工程(19)と
　を含むシリコンウェーハの加工方法において、
　前記エッチング工程(13)が酸エッチングの後にアルカリエッチングが行われる工程であって、
　前記酸エッチングが、前記ウェーハへ酸エッチング液を滴下し、前記ウェーハをスピンさせることにより前記滴下した酸エッチング液をウェーハ表面全体に拡げてエッチングするスピンコート法により行われ、
　前記アルカリエッチングが、複数のエッチング槽にアルカリエッチング液を貯え、前記ウェーハをアルカリエッチング液に浸漬することにより行われ、
　前記酸エッチング液がフッ酸及び硝酸を主成分とする酸水溶液１００重量％にリン酸３０重量％以上を含有し、
  前記酸エッチングによる合計取り代の割合を大きくした
　ことを特徴とするシリコンウェーハの加工方法。」
　
３．引用例とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００３−１００７０１号公報（以下、「引用例１」という。）、特開平１１−１３５４７４号公報（以下、「引用例２という。」）、及び特開２００２−２０３８２３号公報（以下、「引用例３」という。）には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
　
・引用例１：特開２００３−１００７０１号公報
（ａ）「【請求項１】  複数のエッチング槽に酸エッチング液とアルカリエッチング液をそれぞれ貯え、ラッピング工程に続いて洗浄工程を経た加工変質層を有するシリコンウェーハを酸エッチング液とアルカリエッチング液とに順次浸漬するシリコンウェーハのエッチング方法において、酸エッチングの後にアルカリエッチングが行われ・・・ることを特徴とするシリコンウェーハのエッチング方法。」（特許請求の範囲の請求項１）
　
（ｂ）「【請求項２】  酸エッチング槽の合計取り代をシリコンウェーハの表面と裏面を合わせた合計で１３〜２５μｍとし、アルカリエッチング槽の合計取り代をシリコンウェーハの表面と裏面を合わせた合計で５〜１３μｍとする請求項１記載のエッチング方法。」（特許請求の範囲の請求項２）
　
（ｃ）「【請求項３】  ・・・アルカリエッチング槽の数を１〜３槽とする請求項１又は２記載のエッチング方法。」（特許請求の範囲の請求項３）
　
（ｄ）「【請求項４】  酸エッチング液がフッ酸及び硝酸をそれぞれ含む請求項１ないし３いずれか記載のエッチング方法。
【請求項５】  酸エッチング液が酢酸、硫酸又はリン酸を少なくとも１種更に含む請求項４記載のエッチング方法。」（特許請求の範囲の請求項４、５）
　
（ｅ）「【請求項７】  請求項１ないし６いずれかに記載の方法によりエッチングされたシリコンウェーハの表面のみを鏡面研磨して前記ウェーハの表裏面を差別化する方法。」（特許請求の範囲の請求項７）
　
（ｆ）「本発明の目的は、表面を鏡面研磨したウェーハにおいて、良好な平坦度を得、かつ裏面粗さが小さくなるシリコンウェーハのエッチング方法を提供することにある。本発明の別の目的は、ウェーハ両面が高精度の平坦度及び小さい表面粗さを有しかつウェーハの表裏面を目視により識別可能にするシリコンウェーハの表裏面差別化方法を提供することにある。」（【０００６】）
　
（ｇ）「酸エッチングのエッチング機構は、硝酸等に含まれる・・・酸化種によるシリコンの酸化と、フッ酸等・・・による酸化物の除去から成り立っている。この酸エッチングのエッチングレートを制御するために、希釈剤として酢酸、硫酸、リン酸、水等が添加される。」（【００１３】）
　
（ｈ）「＜実施例１＞先ずラッピング工程に続いて洗浄工程を経た加工変質層を有するシリコンウェーハを用意した。次いでフッ酸・・・硝酸・・・酢酸・・・及び水を混合して・・・酸エッチング液を調製した。」（【００２０】）
　
・引用例２：特開平１１−１３５４７４号公報
　「【実施例】・・・本実施例の製造方法は、次の工程からなる。・・・
（３）・・・ウェハの表裏面をラッピングにより平坦化するラッピング工程。
（４）ラッピングされたウェハの表裏面をそれぞれ酸スピンエッチングして、ラッピングにより生じた加工歪層を除去する酸スピンエッチング工程。・・・
（５）表裏面を酸スピンエッチングされたウェハのおもて面を研磨して鏡面を得る。」（【００１０】）
　
・引用例３： 特開２００２−２０３８２３号公報
（ａ）「【請求項１】  単結晶棒をスライスして得た半導体ウエーハに、少なくとも面取り工程、ラッピング工程、エッチング工程、鏡面研磨工程を施す半導体ウエーハの加工方法において、前記エッチング工程をアルカリエッチングの後、酸エッチングを行うものとし、その際、酸エッチングをフッ酸、硝酸、リン酸、水からなる酸エッチング液で行うことを特徴とする半導体ウエーハの加工方法。」（特許請求の範囲の請求項１）
　
（ｂ）「【請求項１２】  前記酸エッチング液の使用時の組成比は・・・リン酸濃度が１８〜３３重量％であることを特徴とする請求項１・・・に記載した半導体ウエーハの加工方法。」（特許請求の範囲の請求項１２）
　
（ｃ）「・・・酸エッチングをフッ酸、硝酸、リン酸、水からなる酸エッチング液で行うと、従来使用されていたフッ酸、硝酸、酢酸系酸エッチング液よりもうねり（２ｍｍ以上の周期の面粗さ）が小さくなり、ピット深さも浅くすることができる。・・・これは、リン酸が持っている粘度が起因となり、ピット内に混酸の薬液が入り難くなり、ピット内のエッチング速度を他の平面よりも遅くしているためと考えられる。」（【００１６】）
　
４．当審の判断
（１）引用例記載の発明
　引用例１の記載事項（ａ）によれば、ラッピング工程に続いて洗浄工程を経た加工変質層を有するシリコンウェーハを酸エッチング液とアルカリエッチング液とに順次浸漬するシリコンウェーハのエッチング方法において、酸エッチングの後にアルカリエッチングが行われるシリコンウェーハのエッチング方法が記載され、記載事項（ｅ）によれば、上記エッチング方法によりエッチングされたシリコンウェーハの表面のみを、鏡面研磨するウェーハの表裏面を差別化する方法が記載されている。これらの記載によれば、上記一連の方法は、ラッピング工程に続いて洗浄工程を経た加工変質層を有するシリコンウェーハに酸エッチング液とアルカリエッチング液とに順次浸漬するエッチング工程と、前記エッチングされたウェーハの表面のみを鏡面研磨する表面鏡面研磨工程とを含むシリコンウェーハの加工方法において、前記エッチング工程が酸エッチングの後にアルカリエッチングが行われる工程であるウェーハの加工方法であるといえる。
　さらに、記載事項（ｃ）によれば、アルカリエッチング槽の数は複数である場合を含むこと、記載事項（ｄ）によれば、酸エッチング液は、フッ酸及び硝酸に、リン酸を更に含むこと、記載事項（ｂ）によれば、酸エッチング槽の合計取り代をシリコンウェーハの表面と裏面を合わせた合計で１３〜２５μｍとし、アルカリエッチング槽の合計取り代をシリコンウェーハの表面と裏面を合わせた合計で５〜１３μｍとする、すなわち、酸エッチングによる合計取り代の割合が大きい場合を含むことが、それぞれ記載されている。
　
　よって、引用例１の記載事項（ａ）〜（ｅ）を総合すると、引用例１には、「ラッピング工程に続いて洗浄工程を経た加工変質層を有するシリコンウェーハに酸エッチングとアルカリエッチングとに順次施すエッチング工程と、前記エッチングされたウェーハの表面のみを鏡面研磨する表面鏡面研磨工程とを含むシリコンウェーハの加工方法において、前記エッチング工程が酸エッチングの後にアルカリエッチングが行われる工程であって、前記酸エッチングが前記ウェーハを酸エッチング液に浸漬することにより行われ、前記アルカリエッチングが、複数のエッチング槽にアルカリエッチング液を貯え、前記ウェーハをアルカリエッチング液に浸漬することにより行われ、前記酸エッチング液がフッ酸、硝酸及びリン酸を含有し、前記酸エッチングによる合計取り代の割合を大きくしたシリコンウェーハの加工方法。」（以下、「引用例１発明」という。）が記載されているといえる。　
　
（２）対比・判断
　本願発明１と引用例１発明とを対比すると、引用例１発明の「ウェーハの表面のみを鏡面研磨する表面鏡面研磨工程」は、本願発明１の「ウェーハの片面を鏡面研磨する表面鏡面研磨工程」に相当し、本願発明１の「フッ酸及び硝酸を主成分とする酸水溶液１００重量％にリン酸３０重量％以上を含有」する酸エッチング液は、フッ酸、硝酸及びリン酸を含有する点で引用例１発明の酸エッチング液と共通するから、両者は、
　「ラッピング工程に続いて洗浄工程を経た加工変質層を有するシリコンウェーハに酸エッチングとアルカリエッチングとに順次施すエッチング工程と、前記エッチングされたウェーハの片面を鏡面研磨する表面鏡面研磨工程とを含むシリコンウェーハの加工方法において、前記エッチング工程が酸エッチングの後にアルカリエッチングが行われる工程であって、前記アルカリエッチングが、複数のエッチング槽にアルカリエッチング液を貯え、前記ウェーハをアルカリエッチング液に浸漬することにより行われ、前記酸エッチング液がフッ酸、硝酸及びリン酸を含有し、前記酸エッチングによる合計取り代の割合を大きくしたシリコンウェーハの加工方法。」で一致し、次の点で相違する。
　
相違点：
（イ）本願発明１は、「表面鏡面研磨されたウェーハを洗浄する洗浄工程」を含むのに対し、引用例１発明は、この点が記載されていない点
　
（ロ）本願発明１は、酸エッチングが、「ウェーハへ酸エッチング液を滴下し、ウェーハをスピンさせることにより滴下した酸エッチング液をウェーハ表面全体に拡げてエッチングするスピンコート法」により行われるのに対し、引用例１発明は、酸エッチングがウェーハを酸エッチング液に浸漬することにより行われる点
　
（ハ）本願発明１は、酸エッチング液が、「フッ酸及び硝酸を主成分とする酸水溶液１００重量％にリン酸３０重量％以上を含有」するのに対し、引用例１発明は、フッ酸、硝酸及びリン酸を含有する点
　
　上記相違点について検討する。
（イ）について
　引用例１発明において、表面鏡面研磨工程の後にウェーハの洗浄工程を設けることは、清浄なウェーハを得るために当業者が当然なすべき常套手段であって、創意を要することではない。
　してみると、相違点（イ）は、当業者が適宜なし得たことである。
　
（ロ）について
　引用例２の記載事項によれば、ラッピングされたウェーハの表裏面を、酸スピンエッチングすることにより、ラッピングにより生じた加工歪層を除去することが記載されているから、引用例１発明の酸エッチングを、酸スピンエッチングにより行うことは、当業者にとって格別困難なことではない。
　してみると、引用例１発明において、相違点（ロ）に係る本願発明１の特定事項を備えたものとすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
（ハ）について
　引用例１発明の酸エッチング液は、フッ酸、硝酸及びリン酸を含有するものであるが、引用例１の記載事項（ｇ）、（ｈ）によれば、実施例として、酸エッチング液が水を含有する、すなわち、水溶液であることが示されていることから、この点においては、本願発明１と実質的に相違しない。
　また、引用例３の記載事項（ａ）によれば、フッ酸、硝酸、リン酸、水からなる酸エッチング液が記載され、また、記載事項（ｂ）によれば、この酸エッチング液は、リン酸濃度が１８〜３３重量％であることが記載されている。これらの記載によれば、引用例３の酸エッチング液は、フッ酸、硝酸及びリン酸を含有する水溶液であって、フッ酸及び硝酸を主成分とする酸水溶液１００重量％にリン酸１８〜３３重量％を含有するものであるといえる。
　そうであれば、引用例１発明の酸エッチング液として、フッ酸及び硝酸を主成分とする酸水溶液１００重量％にリン酸３０重量％以上を含有するものを用いることは、当業者にとって格別困難なことではない。
　してみると、相違点（ハ）は、引用例３から当業者が適宜なし得たことである。
　　　　　
　そして、本願発明１が引用例１〜３の記載からは予測しえない効果を奏するものとも認められない。
　
　したがって、本願発明１は、引用例１発明、及び引用例２、３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願請求項２、３に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
  よって、結論のとおり審決する。