【事件の表示】
　特願２００１−３７８０２７「画像表示装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　６月２７日出願公開、特開２００３−１７９０６８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　 
　本願は、平成１３年１２月１２日の出願であって、平成１９年４月２日に手続補正書が提出され、平成２０年２月７日付けで拒絶査定がされ、それに対して、同年３月１２日に審判が請求されるとともに、同年３月３１日に手続補正書が提出され、その後、平成２２年５月２８日付けで審尋がされ、同年７月２８日に回答書が提出されたものである。 
　 
　 
第２　平成２０年３月３１日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）について 
　 
１　補正の内容　 
　本件補正のうち、特許請求の範囲についてする補正は、次のとおりである。 
ア　請求項４について、同項中に、「前記表示装置の少なくとも１つの、表示画素アレイ周辺に接しない隅および表示画素アレイの周辺の一部に」とあるのを、「前記表示装置の長方形の表示画素アレイ領域の、長辺および短辺のいずれにも隣接せずに、頂点に隣接する４隅の領域のいずれかに、少なくとも１つの前記ブロックがあり、さらに表示画素アレイ領域の長辺および短辺に隣接する領域の一部に、少なくとも１つの、表示画素アレイ周辺に接しない隅および表示画素アレイの周辺の一部に」とすること。
イ　請求項６について、同項中に、「前記ブロックは、表示画素アレイ内部の画素駆動回路もしくは画素メモリもしくは画素インバータ回路を含む」とあるのを、「前記表示画素アレイ領域は、画素駆動回路もしくは画素メモリもしくは画素インバータ回路を含むブロックから構成される」とすること。
ウ　請求項７について、同項中に、「ソース、ドレインの配置方向が、結晶粒の長手方向とほぼ一致する」とあるのを、「ソース、ドレインの配置方向が、前記レーザ照射もしくは基板の走査方向に成長した結晶粒の長手方向と、ほぼ一致する」とすること。 
エ　請求項８を削除すること。
　　 
２　補正の目的の適否 
　上記補正ア〜ウは、請求項の記載をより明確化するためのものであるから、平成１８年法律５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明瞭でない記載の釈明に該当し、また、上記補正エは、同法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除に該当するから、同特許法第１７条の２第４項柱書きに規定する目的要件を満たす。 
　 
　
第３　進歩性についての検討 
１　本願発明 
　本件補正による補正後の請求項１〜７に係る発明のうち、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。 
　 
　「【請求項１】
　基板上に形成された薄膜トランジスタにより駆動される表示装置であって、前記薄膜トランジスタが前記基板上に形成された多結晶シリコン膜よりなり、該多結晶シリコン膜の結晶粒が該シリコン膜面内で特定の方向に成長することにより、成長方向に長くそれにほぼ直角の方向に短くなっており、前記薄膜トランジスタのソース、ドレインの配置方向が、前記結晶粒の長手方向とほぼ一致しており、前記薄膜トランジスタが該シリコン膜面内で、少なくとも１個以上の薄膜トランジスタが含まれるブロックに区分けされており、表示画素アレイの周辺に少なくとも１つの前記ブロックが存在し、前記ブロックに含まれる複数の薄膜トランジスタのソース、ドレインの配置方向が、同一ブロック内部において前記シリコン膜面内でみた水平方向もしくは垂直方向にそろっており、前記水平方向または垂直方向にそろった薄膜トランジスタが含まれる２種のブロックが、水平方向もしくは垂直方向の同一直線上でみて混在していることを特徴とする画像表示装置。」 
　 
２　引用例の記載と引用発明 
（１）引用例１とその記載内容 
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−２４３９７０号公報（以下「引用例１」という。）には、「薄膜トランジスタとその製造方法及びそれを用いた液晶表示装置とその製造方法」（発明の名称）について、図１〜３とともに、次の記載がある（下線は当審で付加。以下同じ。）。 
　 
ア　発明の属する技術分野 
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及び液晶表示装置（ＬＣＤ）に関し、特に薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域を構成する能動層として多結晶シリコン薄膜を用いたものに関する。
イ　発明の実施の形態等 
「【００３１】本発明者は、多結晶シリコン薄膜をトランジスタの能動層として用いた大画面の液晶表示装置においても、十分な特性を得ることの可能な薄膜トランジスタを得るためには、非晶質シリコン薄膜を加熱処理して多結晶化する際のエキシマレーザーアニールの方法とともに薄膜トランジスタを形成する方向を制御することが極めて有効であることを見出した。
【００３２】（実施の形態１）以下、本発明の実施の形態１における薄膜トランジスタ及び液晶表示装置について図面を参照しながら説明する。
【００３３】まず図１に、本発明の液晶表示装置において画素スイッチ用の薄膜トランジスタ及び液晶表示のドライバー回路用の薄膜トランジスタ群が形成されたアレイ側の透明性を有する絶縁基板の平面図を示す。
【００３４】
図１（ａ）に示すように、１１はガラス等の透明性を有する絶縁基板であり、絶縁基板１１上の画素部１２、ゲート駆動回路（ゲートドライバ）部１３、ソース駆動回路（ソースドライバ）部１４には各々多結晶シリコン薄膜をトランジスタの能動層として用いた薄膜トランジスタ群が形成されている。
【００３５】ここで、画素部１２に形成されている薄膜トランジスタアレイは画素スイッチ用のものであり、ゲート駆動回路部１３及びソース駆動回路部１４に形成されている薄膜トランジスタはドライバー回路用の薄膜トランジスタである。本実施の形態では、ドライバー回路はシフトレジスタを含んでいる。   　
【００３６】
そして本実施の形態における液晶表示装置においては、画素部１２、ゲート駆動回路部１３及びソース駆動回路部１４の全ての領域において、下記に示すような方法で薄膜トランジスタを形成する。
【００３７】基本的な製造工程そのものは上記した図３に示したものと同様であるが、本実施の形態では、予め形成された非晶質シリコン薄膜を熱処理により多結晶化する工程が上記した従来のものとは異なっている。
【００３８】本実施の形態では、エキシマレーザービームの形状を帯状のものとしている。詳細には、エネルギーが長手方向に均一で短手方向に強度分布を有する帯状のレーザービームを整形し、このレーザービームを照射しながらその長手方向とほぼ直交する方向に基板またはレーザービームを移動させて（通常は、基板を移動させる）照射加熱することにより非晶質シリコン薄膜の多結晶化を行う。
【００３９】より具体的には、予めガラス基板表面にＳｉＯ2層を形成し、前記ＳｉＯ2層を介してプラズマＣＶＤ法を用いてアモルファスシリコン層を膜厚およそ１００ｎｍで形成しる。次に、
形成する薄膜トランジスタのゲート長方向と基板の移動方向が略平行になるようにセット（図１（ｂ）では、それぞれの方向がアレイ基板端とビーム長手方向がほぼ垂直に寝るように設定）し、レーザービームの長手方向とほぼ直交する方向で、かつ、レーザービームの短手方向の強度が強くなる方向に照射しながら基板またはレーザービームを移動させる。
【００４０】
具体的なエキシマレーザーの照射方法を図１（ｂ）に示す。この図において、１５はエキシマレーザーのビーム形状を示しており、矢印１６は相対的なエキシマレーザーの走査方向を示している。
【００４１】
このとき、短手方向に強度分布を有するエキシマレーザーを用いて上記のような加熱処理を行うと、多結晶化されたシリコン薄膜の結晶粒（ドメインまたはグレインとも言う）は円形形状とはならず、走査方向に細長い楕円形状となり、結晶粒は明らかに長手方向と短手方向が存在するような形状となる。
「【００４５】次に、
上記のようにして形成された多結晶シリコン薄膜を用い、上にゲート絶縁膜を介してそれぞれのＴＦＴのゲート電極を形成する。この工程も、図３に示した工程と同様であるが、本実施の形態では、薄膜トランジスタのゲート長方向と結晶粒の長手方向がほぼ平行となるように薄膜トランジスタを形成する。その後、上記の図３に示した工程と同様の工程を経ることにより、図２で示した多結晶シリコン薄膜トランジスタを得た。
【００４６】
ここで、Ｓはソース電極２１、Ｄはドレーン電極２２、Ｇはゲート電極２３を示し、結晶化されたポリシリコン薄膜は２４で示す。なお、この図において小さな楕円形状は、異方性成長されたシリコン結晶のグレイン２５を示す。
【００４７】
以上のようにして形成された本実施の形態の薄膜トランジスタによれば、薄膜トランジスタのゲート長方向と細長く成長形成された多結晶シリコンの結晶粒の長手方向が略平行になっている
ウ　図面について
　図１は、本発明の実施の形態における液晶表示装置の駆動用薄膜トランジスタ群が形成されるアレイ基板の平面概念図である。
　上記イの発明の実施の形態の説明も参照すると、 
図１（ａ）からは、画素部１２の周辺にゲート駆動回路部１３、ソース駆動回路部１４が存在している
図１（ｂ）からは、結晶化のためのエキシマレーザーの走査方向が、ゲート駆動回路部１３、ソース駆動回路部１４の内部では、それぞれ、絶縁基板１１の平面内でみた水平方向もしくは垂直方向に、そろっている
　図２は、本発明の実施の形態における薄膜トランジスタのゲート長方向と結晶粒の関係を示すＴＦＴの平面概念図である。
　上記イの発明の実施の形態の説明も参照すると、
図２から、多結晶シリコン薄膜の結晶粒は、該シリコン薄膜面内で走査方向に細長い楕円形状で異方性成長されたものであり、薄膜トランジスタのソース、ドレインの配置方向が、前記薄膜トランジスタを形成する前記結晶粒の長手方向とほぼ平行となっている
　 
（２）引用発明 
　上記ア〜ウによれば、引用例１には、次の発明が記載されているといえる（以下、この発明を「引用発明」という。）。 
　 
「絶縁基板１１上に形成された薄膜トランジスタからなる液晶表示装置であって、前記薄膜トランジスタは、前記絶縁基板１１上の多結晶シリコン薄膜を能動層として用い、該多結晶シリコン薄膜の結晶粒は、該シリコン薄膜面内で走査方向に細長い楕円形状で異方性成長されたものであり、成長方向に長くそれにほぼ直角の方向に短くなっており、前記薄膜トランジスタのソース、ドレインの配置方向が、前記結晶粒の長手方向とほぼ平行となっており、画素部１２の周辺にゲート駆動回路部１３、ソース駆動回路部１４が存在し、画素部１２、ゲート駆動回路部１３及びソース駆動回路部１４の全ての領域において、薄膜トランジスタが形成されており、結晶化のためのエキシマレーザーの走査方向が、ゲート駆動回路部１３、ソース駆動回路部１４の内部では、それぞれ、絶縁基板１１の平面内でみた水平方向もしくは垂直方向にそろっている液晶表示装置。」
　
（３）引用例２とその記載内容
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１０−２８４４１８号公報（以下「引用例２」という。）には、「薄膜半導体装置およびその製造方法」（発明の名称）について、図６〜７とともに、次の記載がある（下線は当審で付加。以下同じ。）。 
　 
ア　発明の属する技術分野 
「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、断面矩形状のレーザービームをスキャンするレーザーアニール法を用いて製造される薄膜半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、多結晶シリコン薄膜トランジスタ等で構成される薄膜半導体装置を用いた液晶表示装置は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路を画素駆動用トランジスタと共にガラス基板上に一体形成できることから、液晶表示装置の小型化、高精細化、および低コスト化の有力技術として、技術開発および商品化が進んでいる。」（４欄１０行〜２２行） 
イ　発明の実施の形態等 
「【００７１】（第２実施形態）また、図６はこの発明の第２実施形態のレーザーアニール装置の機能ブロック図を示している。このレーザーアニール装置は、ガラス基板６０を搭載するステージ６１と、上記ステージ６１を制御するステージ制御部６２とを備えている。また、このレーザーアニール装置は、レーザービーム６８を出射するレーザー光源６３と、上記レーザー光源６３からレーザービーム６８のビーム形状を矩形にする光学系６４と、上記レーザー光源６３から出射されるレーザービーム６８のビーム出力を制御するビーム出力制御部６５と、上記レーザー光源６３から出射されるレーザービーム６８のビーム幅を調整するために光学系６４を制御する光学系制御部６６と、上記ステージ制御部６２,ビーム出力制御部６５および光学系調整部６６の各動作を制御する制御部６７とを備えている。上記ステージ６１とステージ制御部６２でレーザービーム走査部と走査方向制御部とを構成している。
【００７２】上記構成のレーザーアニール装置は、第１実施形態と同様にしてガラス基板６０上に形成されたアモルファスシリコン膜をレーザーアニールするとき、レーザービームのビーム幅,スキャンの移動量,レーザー出力またはスキャン方向を適宜変更して、レーザーアニールを行う。
【００７３】例えば、
図７に示すような薄膜半導体装置のシリコンアイランドパターンを形成するために上記レーザーアニール装置を用いて、ガラス基板６０上に多結晶シリコン膜を形成する
【００７４】まず、上記制御部６７よりの制御信号に基づいて、ステージ制御部６２は、ステージ６１を水平面に沿って回転させて、レーザービーム６８のスキャン方向をＹ方向にする。つまり、上記ステージ６１の移動方向がガラス基板６０に対してＹ方向になるようにするのである。
【００７５】次に、上記ステージ６１を所定のピッチでＹ方向に移動と停止を繰り返して、
レーザービーム６８をＹ方向にスキャンし、図７に示す走査線駆動回路に用いられるトランジスタのシリコンアイランドパターン７６と、増幅回路に用いられるトランジスタのシリコンアイランドパターン７７とに応じたα領域２１Ａとβ領域２１Ｂを形成する。
【００７６】
次に、上記制御部６７よりの制御信号に基づいて、ステージ制御部６２は、ステージ６１を水平面に沿って９０degに回転させて、レーザービーム６８のスキャン方向をＸ方向にする。
【００７７】そうして、上記ステージ６１を所定のピッチでＸ方向に移動と停止を繰り返して、
レーザービーム６８をＸ方向にスキャンして、図７に示すデータ線駆動回路に用いられるトランジスタのシリコンアイランドパターン７１,７２と、サンプリング回路に用いられるトランジスタのシリコンアイランドパターン７３と、ロジック回路に用いられるトランジスタのシリコンアイランドパターン７４,７５と、画素電極用スイッチング回路に用いられるトランジスタのシリコンアイランドパターン７８とに応じたα領域２２Ａ,２３Ａとβ領域２２Ｂ,２３Ｂを形成する。
「【００８２】
こうして、上記レーザーアニール装置を用いてガラス基板上に多結晶シリコン膜を形成した後、
液晶表示装置を得る。
ウ　図面について    　
　図７は、レーザアニール装置を用いた薄膜半導体装置の製造工程においてパターニングされたシリコンアイランドの一部の平面図である。
　上記イの発明の実施の形態の説明も参照すると、図７から、シリコンアイランドパターン７６、７７は、それぞれ、パターン７１〜７５と、Ｙ方向（水平方向）の同一直線上でみて混在する配置を取ることが分かる。
　
　以上によれば、引用例２には、薄膜トランジスタからなる液晶表示装置において、画素電極用スイッチング回路の周辺に、多結晶シリコン膜を形成するためのレーザービーム６８をＹ方向にスキャンし形成した走査線駆動回路、増幅回路と、Ｘ方向にスキャンして形成したデータ線駆動回路、サンプリング回路、ロジック回路、すなわち、２種のブロックが、同一直線上でみて混在する配置を取る技術が記載されている。
　　 
（３）対比 
（３−１）本願発明と引用発明とを対比すると、 
ア　引用発明の、「絶縁基板１１」、「液晶表示装置」は、それぞれ、本願発明の、「基板」、「表示装置」に相当する。 
イ　引用発明の「多結晶シリコン薄膜」は、本願発明の「多結晶シリコン膜」に相当することから、引用発明の「前記薄膜トランジスタは、前記絶縁基板１１上の多結晶シリコン薄膜を能動層として用」いることは、本願発明の「前記薄膜トランジスタが前記基板上に形成された多結晶シリコン膜よりなる」ことに相当する。 
ウ　引用発明の「画素部１２、ゲート駆動回路部１３及びソース駆動回路部１４の全ての領域において、薄膜トランジスタを形成」は、本願発明の「少なくとも１個以上の薄膜トランジスタが含まれるブロックに区分け」されていることに相当することは、当業者にとって明らかである。
エ　引用発明において、「結晶化のためのエキシマレーザーの走査方向が、ゲート駆動回路部１３、ソース駆動回路部１４の内部では、それぞれ、絶縁基板１１の平面内でみた水平方向もしくは垂直方向にそろって」いることから、各回路部、すなわち、各ブロックの内部においては、走査方向に異方性成長された結晶粒の長手方向も同様にそろうものである。そして、引用例１の段落【００４５】の「本実施の形態では、薄膜トランジスタのゲート長方向と結晶粒の長手方向がほぼ平行となるように薄膜トランジスタを形成する。」との記載を参酌すると、引用発明において、上記各ブロックの内部において、ゲート長方向であるソース、ドレインの配置方向が、上記走査方向、すなわち、絶縁基板１１の平面内でみた水平方向もしくは垂直方向にそろっていることは、当業者にとって明らかである。
　 
（３−２）したがって、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりとなる。
　 
〈一致点〉 
「基板上に形成された薄膜トランジスタにより駆動される表示装置であって、前記薄膜トランジスタが前記基板上に形成された多結晶シリコン膜よりなり、該多結晶シリコン膜の結晶粒が該シリコン膜面内で特定の方向に成長することにより、成長方向に長くそれにほぼ直角の方向に短くなっており、前記薄膜トランジスタのソース、ドレインの配置方向が、前記結晶粒の長手方向とほぼ一致しており、前記薄膜トランジスタが該シリコン膜面内で、少な
くとも１個以上の薄膜トランジスタが含まれるブロックに区分けされており、表示画素アレイの周辺に少なくとも１つの前記ブロックが存在し、前記ブロックに含まれる複数の薄膜トランジスタのソース、ドレインの配置方向が
、同一ブロック内部において前記シリコン膜面内でみた水平方向もしくは垂直方向にそろっている画像表示装置。」
　 
〈相違点〉 
　本願発明では、「水平方向または垂直方向にそろった薄膜トランジスタが含まれる２種のブロックが、水平方向もしくは垂直方向の同一直線上でみて混在している」のに対し、引用発明では、そのような構成がない点 
　 
（４）相違点についての検討 
　薄膜トランジスタからなる回路を内蔵した画像表示装置において、２種のブロックについて、水平方向の同一直線上でみて混在する配置を取る技術は、例えば、引用例２に記載されており、本願出願前に公知となっていたものである。そして、引用発明のように２種のブロックが、水平方向もしくは垂直方向の同一直線上でみて混在しない配置とするか、あるいは、引用例２に記載の技術のように２種のブロックが水平方向もしくは垂直方向の同一直線上でみて混在する配置とするかは、設計上の選択の問題であり、当業者が目的に応じて適宜選択し得る設計事項にすぎない。
　 
（５）小括 
　以上検討したとおり、本願発明は、引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。 
　 
　
第４　結言 　 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　 
　したがって、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。 
　 
　よって、結論のとおり審決する。