【事件の表示】
　特願２００３−３４７８８６「フラットパネルディスプレイ」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　４月３０日出願公開、特開２００４−１３３４５５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　平成１５年１０月　７日　特許出願（パリ条約による優先権主張　２００２年１０月７日、２００３年４月１７日、大韓民国）
　平成１９年　４月　４日　拒絶理由通知（同年４月１０日発送）
　平成１９年　７月１０日　意見書
　平成１９年　７月２６日　拒絶理由通知（同年７月３１日発送）
　平成１９年１１月１５日　意見書・手続補正書
　平成１９年１２月　６日　拒絶査定（同年１２月１１日発送）
　平成２０年　３月１０日　本件審判請求・手続補正書
　平成２１年　３月１７日　審尋（同年３月２４日発送）
　平成２１年　６月２４日　回答書
　平成２１年　９月　４日　拒絶理由通知（同年９月８日発送）
　平成２２年　３月　２日　意見書・手続補正書
　
２．当審拒絶理由通知における拒絶の理由の概要
　平成２１年９月４日付けで当審が通知した拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない旨の拒絶理由と、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない旨の拒絶理由である。そして、特許法第２９条第２項に関する拒絶理由の概要は、請求項１−１９に係る発明が、下記刊行物１に記載された発明と下記刊行物２−５に開示された周知技術とに基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許を受けることができないというものである。
　
　当審拒絶理由で引用した刊行物
　１：特開２００１−３４５１７９号公報
　２：特開２００２−　５０７６１号公報
　３：特開２０００−２９４７８７号公報
　４：特開平　　４−１１１４８０号公報
　５：特開平　　７−　２２６２７号公報
　
３．本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、平成２２年３月２日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　発光素子と、
　前記発光素子を駆動するためのソース／ドレイン領域を具備する第１及び第２のトランジスタと、
　を含み、
　前記第１及び第２のトランジスタは導通したときのそれぞれのソース領域からドレイン領域にかけての抵抗値が互いに相違し、
　前記第１のトランジスタは、前記発光素子を駆動するための駆動トランジスタであり、前記第２のトランジスタは、前記駆動トランジスタのオン／オフをスイッチするためのスイッチングトランジスタであり、前記駆動トランジスタは、ソース領域からドレイン領域にかけての半導体層が、前記スイッチングトランジスタのソース領域からドレイン領域にかけての半導体層よりも大きい抵抗値を有し、
　前記駆動トランジスタは、前記半導体層に対するゲート電極と、前記半導体層における前記ゲート電極の両側に形成された高濃度ソース／ドレイン領域と、前記ゲート電極と前記ドレイン領域との間に設けられるオフセット領域とを具備し、
　前記オフセット領域が、前記高濃度ソース／ドレイン領域と同一の導電形を有する低濃度不純物が全体としてまたは部分的にドープされた低濃度不純物領域または不純物がドープされていない真性領域からなる高抵抗領域である、
　ことを特徴とするフラットパネルディスプレイ。」（以下、「本願発明」という。）
　
４．引用する刊行物
４−１　刊行物１の記載事項
　当審拒絶理由で引用され、本願の優先日前に日本国内で頒布された刊行物１（特開２００１−３４５１７９号公報）には、以下の事項が図面とともに記載されている。
　
（Ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電極間に発光性材料を挟んだ素子（以下、発光素子という）を有する装置（以下、発光装置という）およびその作製方法に関する。特に発光性材料としてＥＬ（Electro　Luminescence）が得られる発光性材料（以下、ＥＬ材料という）を利用した発光素子（以下、ＥＬ素子という）を用いた発光装置（以下、ＥＬ発光装置）に関する。なお、有機ＥＬディスプレイや有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic　Light　Emitting　Diode）は本発明の発光装置に含まれる。」
　
（Ｂ）「【００５８】〔実施例５〕本発明の発光装置における画素部の断面図を図６に、その上面図を図７（Ａ）に、その回路構成を図７（Ｂ）に示す。実際には画素がマトリクス状に複数配列されて画素部（画像表示部）が形成される。……。
【００６１】ここでは画素内に二つのＴＦＴを形成している。６０１はスイッチング用ＴＦＴであり、ｎチャネル型ＴＦＴで形成され、６０２は電流制御用ＴＦＴであり、ｐチャネル型ＴＦＴで形成されている。
　……
【００６３】スイッチング用ＴＦＴ６０１は、ソース領域１３、ドレイン領域１４、ＬＤＤ領域１５a〜１５d、高濃度不純物領域１６及びチャネル形成領域１７a、１７bを含む活性層、ゲート絶縁膜１８、ゲート電極１９a、１９b、第１層間絶縁膜２０、ソース配線２１並びにドレイン配線２２を有して形成される。
　……
【００６６】さらに、スイッチング用ＴＦＴ６０１においては、ＬＤＤ領域１５a〜１５dは、ゲート絶縁膜１８を挟んでゲート電極１９a、１９bと重ならないように設ける。このような構造はオフ電流値を低減する上で非常に効果的である。
【００６７】なお、チャネル形成領域とＬＤＤ領域との間にオフセット領域（チャネル形成領域と同一組成の半導体層でなり、ゲート電圧が印加されない領域）を設けることはオフ電流値を下げる上でさらに好ましい。また、二つ以上のゲート電極を有するマルチゲート構造の場合、チャネル形成領域の間に設けられた高濃度不純物領域がオフ電流値の低減に効果的である。
【００６８】次に、電流制御用ＴＦＴ６０２は、ソース領域３１、ドレイン領域３２及びチャネル形成領域３４を含む活性層、ゲート絶縁膜１８、ゲート電極３５、第１層間絶縁膜２０、ソース配線３６並びにドレイン配線３７を有して形成される。なお、ゲート電極３５はシングルゲート構造となっているが、マルチゲート構造であっても良い。
【００６９】図７（Ａ）に示すように、スイッチング用ＴＦＴのドレインは電流制御用ＴＦＴ６０２のゲートに接続されている。具体的には電流制御用ＴＦＴ６０２のゲート電極３５はスイッチング用ＴＦＴ６０１のドレイン領域１４とドレイン配線（接続配線とも言える）２２を介して電気的に接続されている。また、ソース配線３６は電流供給線であり、ＥＬ素子に流れる電流の供給源に接続される。
【００７０】電流制御用ＴＦＴ６０２はＥＬ素子６０３に注入される電流量を制御するための素子であるが、ＥＬ素子の劣化を考慮するとあまり多くの電流を流すことは好ましくない。そのため、電流制御用ＴＦＴ６０２に過剰な電流が流れないように、チャネル長（Ｌ）は長めに設計することが好ましい。望ましくは一画素あたり０．５〜２μＡ（好ましくは１〜１．５μＡ）となるようにする。
【００７１】また、スイッチング用ＴＦＴ６０１に形成されるＬＤＤ領域の長さ（幅）は０．５〜３．５μｍ、代表的には２．０〜２．５μｍとすれば良い。
　……
【００７４】また、アナログ階調方式により多階調表示を行う場合は電流制御用ＴＦＴ６０２を飽和領域で動作させることが好ましい。逆に、デジタル階調方式により多階調表示を行う場合は電流制御用ＴＦＴ６０２を線形領域で動作させることが好ましい。
　……
【００８９】また、本実施例の発光装置を作製するにあたって実施例１〜４のいずれの構成を用いることもできる。」
　
４−２　引用発明の認定
４−２−１　刊行物１における「【００６９】…電流制御用ＴＦＴ６０２のゲート電極３５はスイッチング用ＴＦＴ６０１のドレイン領域１４とドレイン配線（接続配線とも言える）２２を介して電気的に接続されている。また、ソース配線３６は電流供給線であり、ＥＬ素子に流れる電流の供給源に接続される。【００７０】電流制御用ＴＦＴ６０２はＥＬ素子６０３に注入される電流量を制御するための素子であるが、ＥＬ素子の劣化を考慮するとあまり多くの電流を流すことは好ましくない。そのため、電流制御用ＴＦＴ６０２に過剰な電流が流れないように、チャネル長（Ｌ）は長めに設計することが好ましい。望ましくは一画素あたり０．５〜２μＡ（好ましくは１〜１．５μＡ）となるようにする。」との記載から、刊行物１に記載のスイッチング用ＴＦＴ６０１と電流制御用ＴＦＴ６０２は、ＥＬ素子６０３を駆動するためのＴＦＴである。また、電流制御用ＴＦＴ６０２はＥＬ素子６０３に注入される電流量を制御するＴＦＴであり、そのチャネル長（Ｌ）は、過剰な電流が流れないよう、即ち、流れる電流値を小さくするように長めに設計される。
　
４−２−２　刊行物１における「【００６３】スイッチング用ＴＦＴ６０１は、ソース領域１３、ドレイン領域１４、…を有して形成される。」との記載から、刊行物１に記載のスイッチング用ＴＦＴ６は、ソース領域１３、ドレイン領域１４を有している。
　
４−２−３　刊行物１における「【００６８】…電流制御用ＴＦＴ６０２は、ソース領域３１、ドレイン領域３２…を有して形成される。」との記載から、刊行物１に記載のものは、電流制御用ＴＦＴ６０２が、ソース領域３１、ドレイン領域３２を有している。
　
４−２−４　刊行物１における「【００６９】図７（Ａ）に示すように、スイッチング用ＴＦＴのドレインは電流制御用ＴＦＴ６０２のゲートに接続されている。」、「【００７４】また、アナログ階調方式により多階調表示を行う場合は電流制御用ＴＦＴ６０２を飽和領域で動作させることが好ましい。逆に、デジタル階調方式により多階調表示を行う場合は電流制御用ＴＦＴ６０２を線形領域で動作させることが好ましい。」との記載から、刊行物１には、スイッチング用ＴＦＴ６０１が、前記電流制御用ＴＦＴ６０２のオン／オフをスイッチすることが開示されている。
　
４−２−５　刊行物１における「【０００１】…なお、有機ＥＬディスプレイや有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic　Light　Emitting　Diode）は本発明の発光装置に含まれる。」との記載、「【００５８】〔実施例５〕本発明の発光装置における画素部の断面図を図６に、その上面図を図７（Ａ）に、その回路構成を図７（Ｂ）に示す。実際には画素がマトリクス状に複数配列されて画素部（画像表示部）が形成される。」との記載から、刊行物１に記載されたものは、画素がマトリクス状に配列された有機ＥＬディスプレイである。
　
４−２−６
　以上のことから、刊行物１には、以下の発明が開示されている。
「ＥＬ素子６０３と、
　前記ＥＬ素子を駆動するためのソース領域１３、ドレイン領域１４を具備するスイッチング用ＴＦＴ６０１、および、ソース領域３１、ドレイン領域３２を具備する電流制御用ＴＦＴ６０２と、
を含み、
　前記電流制御用ＴＦＴ６０２は前記ＥＬ素子６０３を駆動するための駆動トランジスタであり、
　前記スイッチング用ＴＦＴ６０１は、前記電流制御用ＴＦＴ６０２のオン／オフをスイッチするためのスイッチング用のＴＦＴであり、
　前記電流制御用ＴＦＴ６０２は、過剰な電流が流れて前記ＥＬ素子６０３が劣化しないよう、そのチャネル長（Ｌ）が長めに設計され、電流値が小さく設定されている、
　有機ＥＬディスプレイ。」（以下、「引用発明」という。）
　
５．対比・判断
５−１
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明における「ＥＬ素子６０３」が本願発明の「発光素子」に相当し、以下同様に、「スイッチング用ＴＦＴ６０１」が「第２のトランジスタ」に、「電流制御用ＴＦＴ６０２」が「第１のトランジスタ」に、「有機ＥＬディスプレイ」が「フラットパネルディスプレイ」に相当する。
　してみると、両者は、
「発光素子と、
　前記発光素子を駆動するためのソース／ドレイン領域を具備する第１及び第２のトランジスタと、
　を含み、
　前記第１のトランジスタは、前記発光素子を駆動するための駆動トランジスタであり、前記第２のトランジスタは、前記駆動トランジスタのオン／オフをスイッチするためのスイッチングトランジスタである、
　フラットパネルディスプレイ。」
の点で一致するものの、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　本願発明は、「前記第１及び第２のトランジスタは導通したときのそれぞれのソース領域からドレイン領域にかけての抵抗値が互いに相違し」ているのに対し、引用発明は明確でない点。
　
（相違点２）
　本願発明では、第１のトランジスタである「前記駆動トランジスタは、ソース領域からドレイン領域にかけての半導体層が」、第２のトランジスタである「前記スイッチングトランジスタのソース領域からドレイン領域にかけての半導体層よりも大きい抵抗値を有し」ているのに対し、引用発明では、明確でない点。
　
（相違点３）
　本願発明は「前記駆動トランジスタは、前記半導体層に対するゲート電極と、前記半導体層における前記ゲート電極の両側に形成された高濃度ソース／ドレイン領域と、前記ゲート電極と前記ドレイン領域との間に設けられるオフセット領域とを具備し、
　前記オフセット領域が、前記高濃度ソース／ドレイン領域と同一の導電形を有する低濃度不純物が全体としてまたは部分的にドープされた低濃度不純物領域または不純物がドープされていない真性領域からなる高抵抗領域である」のに対し、引用発明の電流制御用ＴＦＴ６０２は、過剰な電流が流れてＥＬ素子６０３が劣化しないよう、そのチャネル長（Ｌ）が長めに設計されて導通したときに流れる電流値が小さく設定されている点。
　
６．当審の判断
　　最初に、上記（相違点３）について検討し、次に、上記（相違点１）、（相違点２）について検討する。
　
６−１　（相違点３）について
６−１−１　（相違点３）に係る本願発明の特定事項の技術的意義
　本願の明細書には、以下の記載がある。
（Ａ）　「【０００６】
　図２は、従来の有機電界発光ディスプレイにおける駆動トランジスタの平面構造を示す図である。
　……
【０００８】
　前記駆動トランジスタとして低温ポリシリコン膜を用いて製造されたＴＦＴを使用するが、この低温ポリシリコンＴＦＴは、図１３に示すように、移動度が大きく、オフ状態の電流（ｏｆｆ　ｃｕｒｒｅｎｔ）が小さいため、電流駆動方式のＡＭＯＬＥＤに適する。１８０ｐｐｉ以上のＡＭＯＬＥＤは、画素サイズが縮小され、アノード電極の大きさが小さくなるため、駆動トランジスタを通じてＥＬ素子を流れる電流量が大きくなり、輝度が高くなりすぎる。結局、単位面積当たりの電流密度が高くなり、ＥＬ素子の寿命が減少するという不具合があった。
　……
【００１１】
　即ち、駆動トランジスタのゲート電圧（Ｖｇ）に対するドレイン電流（Ｉｄ）との関係が示された図１３を参照すると、従来の有機電界発光ディスプレイでは、１８０ｐｐｉ以上のディスプレイに適するオン電流（ｏｎ　ｃｕｒｒｅｎｔ）値である９０ｎＡより１−オーダー（ｏｒｄｅｒ）程度大きい１μＡまたはそれ以上の電流量が駆動トランジスタ１５５を流れるようになる。したがって、１８０ｐｐｉ以上の有機電界発光ディスプレイに適する輝度を得るためには、駆動トランジスタのオン状態の電流を減少する必要があるという不具合があった。」
　
（Ｂ）　「【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
　そこで、本発明は、上記従来の技術の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、適正な輝度を得て、長寿命化が図られるアクティブマトリクス有機電界発光ディスプレイを提供することである。
【００１４】
　本発明の他の目的は、有機電界発光素子を流れる電流量を制御し、単位面積当たりに適正な輝度が得られるアクティブマトリクス有機電界発光ディスプレイを提供することである。
【００１５】
　本発明のまた他の目的は、駆動トランジスタの抵抗値を変更して有機電界発光素子を流れる電流量を制御することにより、ディスプレイに適する輝度が得られるアクティブマトリクス有機電界発光ディスプレイを提供することである。
【００１６】
　本発明の更なる目的は、スイッチングトランジスタは高速のスイッチング動作を行い、駆動トランジスタにより有機電界発光素子を流れる電流を制御し、適正の輝度が得られる高速フラットパネルディスプレイを提供することである。…」
　
（Ｃ）　「【発明の効果】
【００２９】
　本発明のフラットパネルディスプレイによると、…、駆動トランジスタは、抵抗値を増大するために多重ゲートのドーピング濃度または幾何学的な形状を変更するか、またはドレイン領域及びドレインオフセット領域のドーピング濃度または幾何学的な形状を変更して形成する。ゆえに、…、駆動トランジスタは、抵抗値に応じてＥＬ素子を流れる電流量を制御することにより所望の適正な輝度を得ることができる。また、ＥＬ素子を流れる電流量を制御することにより、フラットパネルディスプレイに適する輝度を発生するため、素子の寿命を延長させることができる。
【００３０】
　また、各画素当たりの駆動トランジスタが占める面積を増大することなく、有機電界発光素子を流れる電流量のみを調節することにより、開口率の減少という問題を解決し、信頼性を向上させることができるという効果を奏する。」
　
６−１−２
　上記記載によれば、本願発明は、駆動トランジスタを通じてＥＬ素子に流れる電流量を制御して適正な輝度を得るとともに、ＥＬ素子の長寿命化を図ることを目的とするもので、駆動トランジスタの多重ゲートのドーピング濃度または幾何学的な形状を変更するか、または駆動トランジスタのドレイン領域及びドレインオフセット領域のドーピング濃度または幾何学的な形状を変更して形成することで、駆動トランジスタが導通したときの抵抗値を増大させてＥＬ素子を流れる電流量が小さくなるよう制御したものと認められる。
　そうすると、上記（相違点３）に係る本願発明の特定事項である
「前記駆動トランジスタは、前記半導体層に対するゲート電極と、前記半導体層における前記ゲート電極の両側に形成された高濃度ソース／ドレイン領域と、前記ゲート電極と前記ドレイン領域との間に設けられるオフセット領域とを具備し、
　前記オフセット領域が、前記高濃度ソース／ドレイン領域と同一の導電形を有する低濃度不純物が全体としてまたは部分的にドープされた低濃度不純物領域または不純物がドープされていない真性領域からなる高抵抗領域である」
は、駆動トランジスタが導通したときのソース領域からドレイン領域にかけての抵抗値を増大させ、導通時に流れる電流値を小さくするという技術的意義を有するものと認められる。
　
６−１−３　判断
　本願発明における相違点３に係る発明を特定する事項である
「前記駆動トランジスタは、前記半導体層に対するゲート電極と、前記半導体層における前記ゲート電極の両側に形成された高濃度ソース／ドレイン領域と、前記ゲート電極と前記ドレイン領域との間に設けられるオフセット領域とを具備し、
　前記オフセット領域が、前記高濃度ソース／ドレイン領域と同一の導電形を有する低濃度不純物が全体としてまたは部分的にドープされた低濃度不純物領域または不純物がドープされていない真性領域からなる高抵抗領域である」
との事項と、引用発明における電流制御用ＴＦＴ６０２のチャネル長（Ｌ）が長めに設計され、電流値が小さく設定されていることとは、何れも駆動トランジスタが導通したときのソース領域からドレイン領域にかけての抵抗値を大きくしている点で共通し、何れもＥＬ素子に流れる電流値を小さくしてＥＬ素子の長寿命化（劣化防止）を図るものである。
　
　ところで、薄膜トランジスタが導通したときに流れる電流値を小さくする手段として、「半導体層に対するゲート電極と、前記半導体層における前記ゲート電極の両側に形成された高濃度ソース／ドレイン領域と、前記ゲート電極と前記ドレイン領域との間に設けられるオフセット領域とを具備し、前記オフセット領域が、前記高濃度ソース／ドレイン領域と同一の導電形を有する低濃度不純物がドープされた低濃度不純物領域または不純物がドープされていない真性領域からなる高抵抗領域である」手段は、周知の技術手段である。
（例えば、当審拒絶理由で引用した刊行物２（特開２００２−５０７６１号公報）の次の記載箇所を参照されたい。
　「【００３２】図２（a）で示された駆動回路のｎ型ＴＦＴ2001は、…前記ソースもしくはドレイン部分2005と、チャネル部分2006の間には、オフセット領域もしくはＬＤＤ領域2007が形成される。…。
【００３３】図２（a）で示された駆動回路のｐ型ＴＦＴ2002は、…前記ソースもしくはドレイン部分2008と、チャネル部分2009の間には、オフセット領域もしくはＬＤＤ領域2010が形成される。…。【００３５】以上のオフセット領域もしくはＬＤＤ領域の形状は、必要な特性に応じて設計する。例えば駆動回路のｐ型ＴＦＴにおいては、ソースもしくはドレイン部分と、チャネル部分の間隔は２μｍ以下が適当であり、これ以上の長さではオン電流が小さくなってしまう。」
　「【００４５】以上の構成で動作可能な、液晶表示装置について評価する。半導体層を結晶化した場合、ＣＭＯＳ回路を作製することが可能となる。このとき全ての素子にオフセット領域またはＬＤＤ領域を設けることで、オフリーク電流を小さくすることができる。しかしながらP型ＴＦＴからなる駆動回路を形成するとき、オフセット領域またはＬＤＤ領域によって、オン電流が小さくなることが予想される。…」
　また、当審拒絶理由で引用した刊行物３（特開２０００−２９４７８７号公報）の次の記載箇所を参照されたい。
　「【０００６】また、ＬＤＤ構造は、図７に示すように、チャネル領域と高濃度不純物領域であるソース領域およびドレイン領域との間の一方または両方に、ソース領域およびドレイン領域と同一導伝型の低濃度不純物領域を形成するものである。この低濃度不純物領域はＬＤＤ領域と呼ばれている。
…【００１２】【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来のＬＤＤ構造はＴＦＴの高耐圧化およびオフ電流低減に顕著な効果がある反面、ＴＦＴの駆動電流（以下、オン電流と呼ぶ）が低下してしまうという問題点を有している。従来のＬＤＤ構造においては、ＬＤＤ領域はゲート電極の外側に配置されている。そのためＬＤＤ領域はゲート電位による変調を受けることがなく、その分オン電流が低下してしまうのである。特に、ソース領域側にこのＬＤＤ領域を設けるとオン電流が大幅に低下する。」）
　
　そうすると、引用発明における電流制御用ＴＦＴ６０２が導通した時の電流値を小さくする技術手段として、引用発明におけるチャネル長（Ｌ）を長めに設計する技術手段に代えて、「半導体層に対するゲート電極と、前記半導体層における前記ゲート電極の両側に形成された高濃度ソース／ドレイン領域と、前記ゲート電極と前記ドレイン領域との間に設けられるオフセット領域とを具備し、前記オフセット領域が、前記高濃度ソース／ドレイン領域と同一の導電形を有する低濃度不純物がドープされた低濃度不純物領域または不純物がドープされていない真性領域からなる高抵抗領域である」周知の技術手段を採用し、上記（相違点３）に係る構成と為すことに格別の困難性は認められない。
　
６−２　（相違点１）、（相違点２）について
　次に、上記（相違点１）、（相違点２）について、まとめて検討する。　
　引用発明の電流制御用ＴＦＴ６０２は、そのチャネル長（Ｌ）が長めに設計されているから、導通したときのソース領域からドレイン領域にかけての半導体層の抵抗値は、チャネル長（Ｌ）が長めに設計されていないものに比して相対的に大きくなっている。
　他方、引用発明のスイッチング用ＴＦＴ６０１は、導通したときにデータライン１２０に印加されるデータ信号の電位に応じてキャパシタ１５３を充電し、遮断したときにキャパシタ１５３の充電電位を保つ機能を有するものである（例えば、特開２００２−１７５８８３号公報【０１９１】〜【０１９８】参照）から、ソース領域からドレイン領域にかけての抵抗値は、導通したときはスキャン信号が印加されている間に充電が完了するように小さい抵抗値が、遮断したときは次のスキャン信号が印加されるまで充電電位を保持できるよう大きい抵抗値が望ましいことは当業者に明らかである。
　そして、トランジスタの特性値は、そのトランジスタが使用される場所や求められる機能に応じて当業者が適宜設定する設計事項である。このことは、例えば、特開２０００−３４０３５８号公報【００１８】【００１９】には、第１のスイッチング素子（本願発明の「駆動トランジスタ」に相当する。）と第２のスイッチング素子（本願発明の「スイッチングトランジスタに」に相当する。）を形成する際に、ドーピング材料、ドーピング条件を変えることが記載されており、また、特開平７−１５３５７６号公報【００２４】には、第１のＴＦＴと第２のＴＦＴ（それぞれ、本願発明の「スイッチングトランジスタ」、「駆動トランジスタ」に相当する。）のゲート幅を異ならせることが記載されているように、有機ＥＬディスプレイのトランジスタについても、変わるものではない。
　さらに、電流制御用ＴＦＴ６０２が導通したときのソース領域からドレイン領域にかけての半導体層の抵抗値と、スイッチング用ＴＦＴ６０１が導通したときのソース領域からドレイン領域にかけての半導体層の抵抗値とは、直接的に関連するものではないから、引用発明における電流制御用ＴＦＴ６０２は、導通したときのソース領域からドレイン領域にかけての半導体層の抵抗値を、スイッチング用ＴＦＴ６０１の抵抗値よりも大きくすることは当業者が適宜為し得る事項であり、上記（相違点１）、（相違点２）に係る構成と為すことに困難性は無い。
　
６−３　作用効果
　そして、本願発明が奏する作用効果は、引用発明と周知の技術手段とに基いて、当業者が予測しうる程度のものである。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明と周知の技術手段とに基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
７．むすび
　以上のとおり、本願発明は、当審拒絶理由通知に記載した特許法第２９条第２項についての拒絶の理由が依然として解消しておらず、特許を受けることができない。したがって、本願は、その余の請求項について検討するまでもなく、上記の拒絶理由によって拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。