【事件の表示】
　特願２００８−１３５９３９「ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年１２月　３日出願公開、特開２００９−２８３７８５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯の概要
　本願は、平成２０年５月２３日の特許出願であって、平成２０年１０月９日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月１５日付けで手続補正がなされたところ、平成２１年２月２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月６日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされ、その後、当審において平成２２年６月２９日付けで拒絶理由が通知され、同年９月６日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
２　特許請求の範囲の記載不備（特許法３６条第６項第２号）
（１）平成２０年１０月９日付け拒絶理由通知書
　原審において、平成２０年１０月９日付けで通知された拒絶の理由のうち、記載不備に関して通知した事項は次のとおりである。
　
「３．この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項第１同及び第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
・・・
＜記載不備について＞
ａ．請求項１に記載された「ＡｌＮ結晶膜は、その縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されない」点は、この文言の通り解釈すると、ＡｌＮ結晶膜の縦断面ＴＥＭ写真の如何なる２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されない、すなわち、ＡｌＮ結晶膜の縦断面ＴＥＭ写真においては如何なる結晶粒界も存在しないととれる。
　しかしながら、明細書【００２８】欄には、「柱状結晶が全く存在しないことが理想であるが、少なくとも200nmの視野のなかで柱状結晶が観察できなければLEDの発光特性は飛躍的な改善が見込まれる。」と記載されており、請求項１の上記記載は如何なる技術的意味を有するのか不明瞭である。
　さらに、上記請求項１の記載は、たまたま観察した箇所に結晶粒界が存在しないとも解釈できないこともなく、如何なる箇所を観察しているのか不明であるから、「ＡｌＮ結晶膜」全体の構造が如何なるものか特定できない。
　同様に、請求項２に記載された「ＡｌＮ結晶膜は、その平面ＴＥＭ写真の２００ｎｍ四方観察視野において結晶粒界が観察されない」点、請求項１９に記載された「縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜を形成させる」点、及び、請求項２０に記載された「ＡｌＮ結晶膜は、その平面ＴＥＭ写真の２００ｎｍ四方観察視野において結晶粒界が観察されない」点も不明瞭である。」
　
（２）本願の特許請求の範囲及び明細書の記載
　ア　平成２２年９月６日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおりである（以下、請求項１に係る発明を「本願発明」という。）。
　
「　サファイア基板上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法であって、該サファイア基板表面にシード層として、ＡｌＮ結晶膜をスパッター法により形成させる際に、スパッター装置のチャンバー壁面と基板加熱用ヒーターの中間にＡｌ製の円筒形シールドを配置し、ＡｌＮ結晶膜中の酸素含有量が５原子％以下となるように制御して、縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜を形成させることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法。」
　
　なお、本願の出願当初の特許請求の範囲の請求項１は、「ＡｌＮ結晶膜は、その縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されない」との記載事項を含み、該記載事項に関して上記（１）のとおり、拒絶理由が通知され、同内容の記載を含む製造方法に係る独立請求項である請求項１９についても、同様である旨指摘されたところ、平成２０年１２月１５日付けで、上記記載事項を変更しつつ旧請求項１９を新請求項１とする手続補正がなされたが、平成２２年９月６日付け手続補正により、上記のとおり、再び、特許請求の範囲の請求項１に、上記記載事項と同一の、「縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜を形成させる」との記載事項が含まれることとなった。
　
　イ　本願明細書（平成２２年９月６日付け手続補正後のもの）には、以下の（ア）〜（ケ）の記載がある。
　
（ア）「【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　ＩＩＩ族窒化物半導体ＧａＮ，ＡｌＮ，ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮでは大型のバルク単結晶を成長することが極めて困難であるので、サファイアを基板として用いたヘテロエピタキシャル成長が一般に行われてきた。・・・しかし、サファイアとGaNとは格子定数が違い、熱膨張係数の違い、さらに化学的特性が違うために直接GaN単結晶は成長させることができないとされている。この結果、サファイア基板上に作製したＧａＮ系発光素子はいろいろな工夫で大幅な改善がなされてきたとはいえ内部にかなり高密度の欠陥を包含しており、発光効率や素子寿命を十分に向上させることに限界があるという問題があった。
【０００３】
　一般的に、格子不整合の大きなヘテロエピタキシャル成長で結晶性の良い単結晶膜を得る方法としては以下の2通りの考え方の流れがある。
（ｉ）基板とエピタキシャル膜の中間的な物理定数をもつ材料を介して成長を行うことによりエピタキシャル膜の品質を向上することができる。すなわち、格子定数、化学的性質、熱膨張係数などが中間的な性質を持つ薄膜を間に挟む。その場合には、基板の単結晶の性質をできるだけそのまま単結晶で受け継ぎたいので単結晶薄膜を挿入する必要がある。
（ｉｉ）目的の単結晶薄膜と同じ物質の多結晶あるいは非晶質の膜を挟む。通常、それを成膜する方法は単結晶成長温度よりも低い温度で成膜することによって作製する・・・
【０００４】
　まず(i) の考え方は、基板とエピタキシャル膜の中間的な物理定数をもつ材料を介して成長を行うことによりエピタキシャル膜の品質を向上することができるとする考え方である。したがって、サファイア上のＧａＮ層を成長させるためにはＡｌＮ層を介した成長が有効であると考えられる。これはＡｌＮがサファイアとＧａＮの中間的な格子定数と熱膨張係数を持つため、格子不整合と熱歪みが効率的に緩和される結果である。また、ＡｌＮとＧａＮの化学的特性が近く、両者の間の界面エネルギも小さい。これは見方を変えると以下のようにも理解できる。サファイア、すなわちAl2O3は酸化物であり、これに化学的に最も近い窒化物はAlを共通にしているAlNである。格子の不整合は11%で比較的大きいが、Alを共通にしていることによりAlN単結晶が成長しやすい。またAlNはGaNが唯一全率固溶で混ざり合う化合物であるので、化学的性質は最も近いし、格子不整合は2%しかない。したがって、Al2O3/GaNを直接成長させるのは難しくても、Al2O3/AlN/GaNのようにAlNを挟めばサファイア（Al2O3）の結晶性を引き継いでGaNの単結晶を成長させ得る。したがって、平坦なＡｌＮ層を単結晶のまま形成できさえすればその上に成長するヘテロエピタキシャル膜のGaNの膜質を飛躍的に向上させることができる。
【０００５】
　以上の目的のＡｌＮ成膜方法としては以下の３つの方法が知られている。
Ｉ．サファイア基板をＮＨ3、Ｎ2Ｈ2 、有機アミン等の窒素原料ガス雰囲気中で熱処理することにより基板表面を単結晶ＡｌＮ化する方法・・・またはＮＨ3、Ｎ2Ｈ2雰囲気中でＡｌを蒸着させる化学蒸着方法・・・。
ＩＩ．ＡｌＮの単結晶成長が可能な高温に保ったサファイア基板上に有機アルミニウム，ハロゲン化アルミニウムあるいは金属アルミニウム蒸気等のアルミニウム原料ガスと窒素原料ガスを供給し単結晶ＡｌＮ層を堆積する方法・・・であり、通常1300℃程度の高温が必要となる。
ＩＩＩ．５００〜１０００℃の低温でアルミニウム原料ガスと窒素原料ガスを供給し、数１００〜１０００Åの多結晶もしくはアモルファスＡｌＮ層を堆積した後、これより高温でアニールすることにより単結晶化する方法・・・。
【０００６】
　上記Iの方法では、・・・。しかし、これらの方法で作製したＡｌＮ層は窒素化反応が均一に進まず１０Åのオーダーで表面荒れを起こしやすい。表面が荒れたＡｌＮ層上にエピタキシャル成長を行うと、膜厚の増加に伴いこの凹凸が強調され平坦な表面形状が得られない。
【０００７】
　一方、IIの方法で作製したＡｌＮ層は高温で膜成長を行うため、均一微細に一斉に成長核を発生させることができず、順次核発生するので三次元成長が避けられない。・・・
【０００８】
　以上のように、Ｉ及びＩＩの方法で作製した単結晶ＡｌＮ層は、その上に成長したエピタキシャル膜の結晶性を向上させ、ＰＬ（フォトルミネッセンス）特性などの光学的特性の向上に一定の働きはするものの、三次元成長はむしろ促進され凸凹の表面となるので電流を流しても信頼性のあるＬＥＤ素子を作れるエピウエハーを得ることは難しい。
【０００９】
　また、IIIの方法では、三次元成長が起こらないような低温でＡｌＮ膜を堆積するため平坦なアモルファス層の形成が可能となる。ところが、完全に単結晶化するまでアニールすると初めに結晶になった箇所と後から結晶になった箇所とで微妙に方位の違いが生じるため表面が乱れ始める。その上にGaNエピタキシャル膜を成長するとしだいに凹凸が生じてしまうことになる。
【００１０】
　以上のように、サファイア基板の上にＧａＮ単結晶を成長させるヘテロエピタキシャル成長において、中間的な物理定数をもつ単結晶AlNシード層を使う方法は古くから検討されてきたが、表面平坦性を維持することができずほとんど諦められているのが現状である。」
　
（イ）「【００１２】
　これに対して、均一な膜厚のAlNを得る方法としてスパッター法も古くから検討されてきた。・・・
【００１３】
・・・スパッター法でAlNを成膜した場合にはアモルファスか多結晶であることが多く、単結晶を成膜した報告は極めて少ない。特にプラズマダメージという言葉があるように単結晶をプラズマに曝すと結晶が壊れてしまうという考えるのが一般的である。以上より、基板の平坦性を維持して成膜する方法としてスパッターは極めて有利な方法であるが、結晶性を上げる方法としては省みられることは非常に少ない。
【００１４】
・・・そこで低温バッファーの成膜をスパッター法のAlNを使うというのが一つの方向として浮上した。AlあるいはGaターゲットを用いた反応スパッターでアモルファスAlNまたはGaN膜を成膜した後に装置から一度出し、MOCVDを使ってGaNを成長させることになる・・・。このように、スパッター法でサファイア基板上にAlNバッファー層を形成させることが検討されたが、それらのAlNはいずれも柱状結晶が存在するものである。
【００１５】
　Ｃuomoらは1972年にサファイア基板にGaターゲットを使った反応スパッターでGaNの方向が揃った多結晶薄膜を成膜するのに成功し・・・、さらに、その技術を発展させてスパッターでバッファー層と下地層とを作製する方法を提案した・・・。基板上にコラム（柱）状の結晶を多数発生させ、装置上の工夫とArとN2の比率、放電パワーなどの条件を変えることにより、その柱状結晶上で結晶方位がほぼ揃っているものだけが合体していくという横方向成長を使うことにより柱状結晶上に単結晶GaN薄膜を得ている。」
　
（ウ）「【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
　前記のとおり、・・・サファイア基板の平坦性を維持して薄膜を成膜する方法としてスパッター法が考えられ広く検討された。しかしながら、多結晶もしくは非晶質のバッファー層として有効であったが、平坦な単結晶シード膜として検討されたことはなかった。それはスパッターが単結晶を作る方法としては適さない方法であると一般には考えられているからである。
・・・
【００１９】
　これに対して、本発明は現在主流の（ｉｉ）の低温バッファー層とは異なり、現在ほとんど検討されていない（ｉ）の考え方に沿ってＧａＮ系結晶を得ようとするものである。従来（ｉ）の考え方に沿った方法がほとんど失敗してきたのはＡｌＮの薄膜を成膜した時点で表面の平坦度がサファイアウエハーの表面と比べて大きく荒れてしまっていたことによる。
【００２０】
・・・従来の結晶性では十分な発光効率と信頼性が得られないことがわかってきており、さらなる高結晶性の要求が強くなってきている。ヘテロエピタキシャル成長をする場合、以下の2つの方法がある。すなわち、第一の方法は物理的・化学的特性において中間的な特性を持つ単結晶シード層を挿入する方法であり、第二の方法は単結晶と同じ組成の物質を多結晶か非晶質で均一微細に一斉に核発生させて、方位が合っている結晶を横方向で合体させるバッファー層を用いる方法である。そのうち低温バッファーを用いる方法がGaN系半導体では現在は主流である。ところが、バッファー層を入れる限り、一度基板の単結晶がもつ規則正しい原子の配置を崩してしまうことになり、また低温バッファー層を成長温度まで昇温させる過程で部分的に結晶化が進むので結晶化のレベルの違う場所が発生し、表面の平坦性が損なわれる。したがって、現在要求されている高度の結晶性を達成することは非常に難しいと考えられる。
【００２１】
　本発明は、高度の結晶性を有し、平坦なAｌN結晶膜シード層を得ることにより、特に直径100mm以上の大型基板を用いる場合でも全面均一に平坦なAｌN結晶膜シード層を用いることにより、結晶性の良いＧａＮ系薄膜を得、信頼性の高い高輝度のＬＥＤ素子等を得ることを目的とする。」
　
（エ）「【課題を解決するための手段】
【００２２】
　上記の課題を解決するために、本発明は以下の発明を提供する。
（１）サファイア基板上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法であって、該サファイア基板表面にシード層として、ＡｌＮ結晶膜をスパッター法により形成させる際に、スパッター装置のチャンバー壁面と基板加熱用ヒーターの中間にＡｌ製の円筒形シールドを配置し、ＡｌＮ結晶膜中の酸素含有量が５原子％以下となるように制御して、縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜を形成させることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
・・・」
　
（オ）「【発明の効果】
【００２３】
　本発明によれば、高度の結晶性を有し、平坦なAｌN結晶膜シード層を得ることができ、特に直径100mm以上の大型基板を用いる場合でも全面均一に平坦なAｌN結晶膜シード層を用いることで信頼性の高い高輝度のＬＥＤ等を得ることができる。」
　
（カ）「【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
　以下に、本発明の好適な実施態様例について、図１〜６を適宜用いて説明する。本発明のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体（１０）は、サファイア基板（１１）上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型半導体層（１４）、発光層（１５）およびｐ型半導体層（１６）を積層してなり、そのサファイア基板（11）表面（１１ａ）にシード層（１２）としてＡｌＮ結晶膜を有し、ＡｌＮ結晶膜は、その縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の、基板に平行な方向の少なくとも２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないこと、すなわち結晶粒界の間隔が２００ｎｍ以上であることを特徴とする。ここで、縦断面TEMとは基板表面に対して垂直な面を観察したTEM像であり、平面TEMとは基板表面と平行な面を観察したTEM像である。
【００２５】
　ＩＩＩ族窒化物半導体としては、ＧａＮ，ＡｌＮ，ＩｎＧａＮ，ＡｌＧａＮ等のＧａＮ系半導体（以下、単に「GaN」または「GaN系半導体」ということがある。）が好適である。
【００２６】
　本発明のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体において、さらにＡｌＮ結晶膜は、その平面ＴＥＭ写真の少なくとも２００ｎｍ四方観察視野において結晶粒界が観察されない、すなわち結晶粒界の間隔が２００ｎｍ以上であるが、少なくとも５００ｎｍ四方観察視野において結晶粒界が観察されないのがさらに好適である。
【００２７】
　縦断面ＴＥＭ写真または平面ＴＥＭ写真は、集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工で試料を作成し、イオンシニング加工後、高分解能透過電子顕微鏡ＵＨＲ−ＴＥＭ（Ｈ−９０００ＵＨＲ）（日立製作所製）にて加速電圧２００ｋＶで観察して得られる。
【００２８】
　X線解析は薄膜全体の広い範囲にわたって平均的な欠陥密度を定量化している。それに対し直接的に結晶欠陥を観察する方法が透過電子顕微鏡（Transparent Electron Microscopy）である。基板面に垂直な方向から観察する方法（平面ＴＥＭ）と平行な方向を観察する方法（（縦）断面ＴＥＭ）がある。断面ＴＥＭでは高分解能仕様で電子線入射方向を＜１１−２０＞方向にすると（０００１）面の格子像を見ることができる。格子像の一つの点は原子列に対応しており、原子が一つだけ抜けている点欠陥をＴＥＭで見ることはできない。格子像にずれがあるところは面が1枚抜けており、それは転位に相当する。もし明確な粒界が存在し、面方位がそこで完全に違う方向に向いていると、格子像はそこで切れるはずである。Hiramatsuらが1991年にAlN低温バッファーで成膜したsapphire/AlN/GaNの断面TEMを詳細に検討した結果、AlN層は柱状結晶の集合体と報告している・・・。柱状結晶と柱状結晶の界面は明確な粒界ではなく、格子像が両方とも見えているが、詳細に見るとずれているところがあり、そのずれがC軸方向に並んでいる場所があり、その両側で明視野での像に濃淡がある。本発明において粒界が観察できないというのはHiramatsuらが定義する柱状結晶が観察されないということである。柱状結晶か否かを明確に同定するためには２百万倍程度の倍率が必要であり、一回の視野は50nm程度の範囲が限界である。したがって、200nmの視野を見るためには4回程度場所をずらして観察する必要がある。本発明はヘテロエピタキシャル成長させる場合に基板と成長させたい結晶との中間的な物理特性を持つ結晶を間に挟む方法であり、その層に粒界があるとそこから欠陥が引き継がれてしまうので、粒界を極力なくす必要がある。・・・柱状結晶が全く存在しないことが理想であるが、少なくとも200nmの視野のなかで柱状結晶が観察できなければLEDの発光特性は飛躍的な改善が見込まれる。
【００２９】
　また、平面TEMの場合は柱状結晶を同定することが比較的容易である。柱状結晶の（０００１）面に垂直に電子線を入射すると面方位がぴったり合っている場所と合っていない場所とで明視野像の濃淡が生じる。柱状結晶の一つに正確に合わせると粒内が濃くなり、境界は微妙に方位がずれているので薄くなる。少なくとも200nm四方の視野で柱状結晶が観察されないこと、好ましくは500nm四方の視野で柱状結晶が観察されないこと、を本発明では粒界が観察できないと表現する。」
　
（キ）「【００５９】
　続いてＡｌＮシード層（12）を成膜する。単結晶とは結晶粒界がない結晶のことですべての部分で同じ結晶方位を持っている結晶のことである。しかし、完全結晶ではない限り、何らかの欠陥は存在しておりその欠陥の配置によって微妙に結晶方位が結晶の中で変化していく。したがってどの程度欠陥が入ると多結晶でどこからが単結晶かを区切るのは実は難しい。ここではサファイア基板上のAlNシード層でＴＥＭ断面観察で少なくとも２００nm視野で粒界が見えないためには以下の条件を満足する必要がある。
【００６０】
　Ｃ面の薄膜を考えた場合、いわゆる結晶性は（0002）面の回折ピークの幅がまず問題である。回折ピークが十分シャープになっているということは抜けのない面が面間隔が一定で並んでいるということである。次にどの場所でも同じ方向を向いているかの尺度がロッキングカーブのシャープさ（ＦＷＨＭ）になる。これが乱れていると勝手な方向に成長してしまう可能性があり、平滑な面を確保できない。したがってシード層としての結晶性では（0002）面と(10-10)面の両方について考慮する必要がある。(0002)面のFWHMは基板表面に対しての角度の分布を示す指標であるので、非常にシャープであることが前提条件となる。次に、（10-１0）面のロッキングカーブの半値幅は基板表面と垂直な方向から見た場合、部分的に回転している場所がどの程度あるかを示す指標になる。これは大きくなるとＣ軸方向に貫通する欠陥ができていくことになるので、リーク電流を極力少なくするためには重要なパラメーターである。しかしシード層としては不連続な境界がなければよいと考えられる。本発明のAlNシード層は（10-10）面のロッキングカーブの半値幅が1．７度以下の試料を平面TEMで200ｎｍ×200ｎｍの観察視野で不連続な粒界がないことを確認し得る。ＡｌＮの（0002）面と（10-10）面のX線回折のロッキングカーブの半値幅(FWHM)が好適にはそれぞれ100arcsecおよび1.7度以下であれば、その上にＧａＮ系半導体をエピタキシャル成長させることができ、ＬＥＤ構造を成長させた最後の層であるｐ−ＧａＮコンタクト層の結晶性がＸＲＣ　ＦＷＨＭが(0002)面、(10-10)面で好適にはそれぞれ60arcsecおよび250arcsecのレベルで得ることができる。
【００６１】
　本発明のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法においては、上記のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を得るために、得られるＡｌＮ結晶膜中の酸素含有量が５原子％以下になるように制御するのが好適である。その制御方法は前記の方法によることができる。」
　
（ク）「【実施例】
【００９１】
実施例１
（１）ＡｌＮ結晶膜シード層
・・・成膜条件は次のとおりであり、表面を整えるための表面プラズマ処理とＡｌＮ成膜のための処理の2段階になっている。
【００９２】
　（表面プラズマ処理）
・・・
　（ＡｌＮ成膜）
　ヒーター温度　６００℃、Ａｒ流量　２５ｓｃｃｍ、Ｎ2流量　７５ｓｃｃｍ、印加パワー　１５００Ｗ，トータルガス圧　０．５Ｐａ、ベース圧力　４×１０-6Pa、ＴＳ距離　６０ｍｍ、印加時間１００秒
【００９３】
・・・
　図３および図４は、それぞれ得られたＡｌＮ結晶膜のシード層（１２）の縦断面ＴＥＭ写真および平面ＴＥＭ写真を示す。図3において見られる2つの層は、下層がサファイア基板、上層がAlN結晶膜シード層を示す。図3の視野は約６０nmであるが、それをずらしながら4視野観察したが、格子像の濃淡は見られず結晶粒界は観察されなかった。図4においては50nm x 60nmの視野であるが、少しずつずらして２００ｎｍ四方観察した結果、柱状結晶に対応する結晶粒界は観察できなかった。
・・・
【００９７】
　積層構造体は、サファイアのC面（（０００１）結晶面）からなる基板上に、ＡＩＮ単結晶のシード層25nm,　その上にアンドープＧａＮ下地層（膜厚＝６μｍ）、Ｓｉドープｎ型ＧａＮコンタクト層（膜厚＝２μｍ）、Ｓｉドープｎ型I n0.01Ga0.99Nクラッド層（膜厚＝50ｎｍ）、６層のＳｉドープＧａＮバリア層（膜厚＝１４．０ｎｍ）と５層のアンドープIn0.08Ga0.92Nの井戸層（層厚＝２．５ｎｍ）からなる多重量子構造の発光層、Ｍｇドープｐ型A l 0.07Ga0.93Nクラッド層（層厚＝１０ｎｍ）及びＭｇドープｐ型GaNコンタクト層（層厚＝１５０ｎｍ）を積層して構成した。」
　
（ケ）「【０１３２】
・・・
比較例１
　AlN成長条件においてベース圧力を４×１０-4Paとすること以外は実施例１と同様な方法でＬＥＤチップを作製した。得られたAlNシード膜の特性は次のとおりであった。
【０１３５】
・・・
　図５および図６は、それぞれ得られたＡｌＮ結晶膜シード層の縦断面ＴＥＭ写真および平面ＴＥＭ写真を示す。図5において見られる3つの層は下からそれぞれサファイア基板、AlN結晶膜シード層およびGaN下地層を示す。図３および図４と同様にして、それぞれの視野をずらして観察した。その結果、２００ｎｍ観察視野において、そして200ｎｍ四方観察視野において、それぞれ結晶粒界が観察された。すなわち、縦断面ＴＥＭ写真においては柱状結晶に特徴的な格子像の濃淡が見られた。一方、平面ＴＥＭ写真においては、六角形状の粒界が見られ、柱状結晶が観察された。」
　
（３）当審の判断
　請求項１の「縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜を形成させる」との記載事項が、ＡｌＮ結晶膜をどのような状況で観測する際のものであるかについて、本願明細書の「柱状結晶が全く存在しないことが理想であるが、少なくとも200nmの視野のなかで柱状結晶が観察できなければLEDの発光特性は飛躍的な改善が見込まれる」（上記（２）イ（カ）【００２９】）との記載に照らすと、上記記載事項は、ＡｌＮ結晶膜に柱状結晶が存在する（観察できる）ことを前提として、ある位置において基板を観察する際の「２００ｎｍ観察視野の縦断面ＴＥＭ写真」において結晶粒界が存在しないことをいうものと考えられる。
　しかし、ＡｌＮ結晶膜の結晶性がきわめて良いとしても、柱状結晶が皆無でない限り、柱状結晶（結晶粒界）が存在する位置を観察した場合には、縦断面ＴＥＭ写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されると考えられるため、請求項１の上記記載事項の充足の有無を特定するためには、ＡｌＮ結晶膜の縦断面ＴＥＭ写真の観察の条件（観察視野の位置等）を定める必要があると考えられるところ、本願明細書を見ても、「縦断面ＴＥＭ写真の２００ｎｍ観察視野」がＡｌＮ結晶膜のどのような位置での観察視野であるかを示す記載はなく、その他、ＡｌＮ結晶膜の縦断面ＴＥＭ写真の観察の条件については何ら記載されていない。
　してみると、本願明細書の記載を参酌したとしても、請求項１の「縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜を形成させる」との記載事項の充足の有無がどのように定まるのか明確でなく、「ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法」に係る発明を具体的にどのように特定（限定）するものか明らかとはいえない。
　
　したがって、本願の請求項１に係る発明は明確であるとはいえないから、本願は、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
　
３　進歩性（特許法第２９条第２項）
（１）引用刊行物の記載事項
　当審における拒絶理由に引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００８−１１５４６３号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
　ア　「【特許請求の範囲】
・・・
【請求項８】
　基板上に、スパッタ法によって成膜されたＩＩＩ族窒化物よりなる第１の層を備え、少なくとも第１の層に接してＩＩＩ族窒化物材料からなる第２の層を備えたＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造を製造する方法において、前記第１の層を成膜装置のチャンバ内において到達真空度、１．０×１０−３Ｐａ以下の条件で、単結晶組織として製造することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法。
・・・
【請求項１０】
　前記第１の層を成膜装置のチャンバ内において到達真空度、６．０×１０−６Ｐａ以下の条件で製造することを特徴とする請求項８に記載のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法。
・・・
【請求項１２】
　前記第１の層を形成する際の基板温度を４００℃〜８００℃の範囲とすることを特徴とする、請求項８〜請求項１１のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる積
層構造体の製造方法。
・・・
【請求項１４】
　前記第１の層の膜厚を１０ｎｍから５００ｎｍの範囲とすることを特徴とする、請求項８〜請求項１３のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法。
【請求項１５】
　前記第１の層のＸロッキングカーブの半値幅を、０．０２度から１．０度とすることを特徴とする、請求項８〜請求項１４のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法。
【請求項１６】
　前記第１の層がＡｌＮであり、前記第２の層がＧａＮであることを特徴とする請求項８〜請求項１５のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法。
・・・
【請求項２０】
　前記第１の層を成膜法により製造する際、成膜雰囲気のＯ２分圧を２．０×１０−５Ｐａ 以下とすることを特徴とする請求項８〜請求項１９のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法。」
　
　イ　「【発明の効果】
【００１２】
　本発明によれば、ＩＩＩ族窒化物の第１の層と第２の層を備えた積層構造において、第１の層が到達真空度、１．０×１０−３Ｐａ以下のチャンバで単結晶組織として形成されたものであるので、半導体特性に有害となる水分と酸素分を一般的な減圧状態のチャンバで製造する場合よりも削減できる結果としてＩＩＩ族窒化物の第１の層あるいは第２の層の結晶性が向上する。また、これに伴い、ＩＩＩ族窒化物の第１の層あるいは第２の層を備えた積層構造が本来具備する優れた半導体特性を得ることが可能となる。
　前述の到達真空度により第１の層あるいは第２の層に含まれる酸素分と水分を極めて微量の範囲、例えば、Ｈ２Ｏ分圧を２．５×１０−４Ｐａ以下の範囲とするか、Ｏ２分圧を２．０×１０−５Ｐａ以下の範囲とすることにより、第１の層は結晶性の良好な単結晶層として成長し、その上に生成される第２の層の膜質も良好とされるので、ＩＩＩ族窒化物の第１の層と第２の層を備えた積層構造が本来具備する優れた半導体特性を得ることができる。
　更に、成膜時のチャンバの到達真空度を更に向上させると酸素分と水分を更に削減できるので、特性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造が得られる。」
　
　ウ　「【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
　以下に本願発明について最良の実施形態を基に説明する・・・。
　図１は、本発明に係るＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の第１の実施形態の断面構造を示すものである。
　この形態の積層構造Ａは、サファイアなどからなる基板９の上に、単結晶組織からなる層であるＩＩＩ族窒化物としてのＡｌＮなどからなる第１の層（バッファ層）８と、その上に積層されたＩＩＩ族窒化物としてのＧａＮなどからなる第２の層（ｎ型半導体層）７と、その上に積層されているＧｅなどの原子ドープ型のＩＩＩ族窒化物としてのＧａＮなどからなるドープ型ＩＩＩ族窒化物層（ｎ型半導体層）６と、クラッド層５と、該クラッド層５上に障壁層３と井戸層４とを交互に積層形成した多重量子井戸層２０と、その上に積層された拡散防止層２と、ＩＩＩ族窒化物としてのＰ型半導体層１とを主体とした構造とされている。
【００１４】
　図１に示す積層構造Ａは、例えば図２と図３に示す構造のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子に応用される。この形態のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子Ｂは、基本的に図１に示す積層構造Ａを具備し、Ｐ型半導体層１の上に透光性の正極１３が形成され、その上に正極ボンディングパッド１２が設けられ、ｎ型半導体層６の一部を露出させた部分に負極ボンディングパッド１０が形成された素子構造とされている。・・・
【００１５】
　本発明の開示する技術とは、基板９へのＩＩＩ族窒化物半導体結晶のエピタキシャル成長において、スパッタ法によって成膜した第１の層８をバッファ層として結晶成長をさせるに際し、少なくとも第１の層８を、到達真空度１．０×１０−３Ｐａ以下としたチャンバを用いて成膜することである。このチャンバ内の到達真空度において、更に望ましくは到達真空度３．５×１０−５Ｐａ以下であり、最も望ましいのは到達真空度６．０×１０−６Ｐａ以下である。・・・到達真空度の悪いチャンバを用いて成膜すると、成膜した第１の層の結晶性の向上が図れない。この種のＩＩＩ族窒化物半導体結晶のエピタキシャル成長において、結晶性はＸ線ロッキングカーブの半値幅などで議論することが一般的であるが、到達真空度の悪いチャンバを用いて成膜した場合には、Ｘ線ロッキングカーブの測定を行ってもピークが現れないことがある。
　到達真空度の悪いチャンバにおいて、成膜した第１の層８の結晶性を低下させる要因となるのは、残留ガスの大部分を占める水分および酸素である。これらは、成膜のためにチャンバ内に発生させたプラズマにより活性化される。一般に、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶を構成するＩＩＩ族金属は安定な酸化物を形成する。そのため、窒化物結晶中に酸素原子が不純物として微量でも取り込まれると、あるいは酸化物結晶の偏析が生じると、窒化物半導体の結晶性の低下を引き起こす。
【００１６】
　チャンバにおける到達真空度を上げるための要因は、１つには部材の接合部からのリークの防止であり、もう１つには、チャンバ内壁に付着した有機物、水分、酸素などの分子の脱離防止である。
・・・
　また、一度チャンバを空気中に開放してしまうと、空気中の水分や酸素を内壁に吸着させてしまうので、これを除去するための工程を実施する必要がある。たとえば、長時間の真空引きや、サイクルパージ、ヒータを用いての昇温、などが用いられる。また、スパッタ装置の場合、プラズマを立てることで炉内の昇温を図る事ができ、スパッタされた金属の粒子も内壁に付着した分子を除去するのに役立つ。つまり、スパッタチャンバにおいてダミー成膜を行うことでも、到達真空度を向上させることが可能である。
【００１７】
　チャンバ内の到達真空度を測るための手段の一つとして、チャンバから排出される気体中に含有される水分や酸素分を管理する方法がある。例えば、排気系の後段に四重極マススペクトロメータを設置し、これによりチャンバ内に残った水分、酸素分を知ることができる。チャンバ内のＨ２Ｏ分圧としては、２．５×１０−４Ｐａ以下である必要がある。Ｏ２分圧としては、２．０×１０−５Ｐａ以下である必要がある。
【００１７】
　チャンバ内の到達真空度を測るための手段の一つとして、チャンバから排出される気体中に含有される水分や酸素分を管理する方法がある。例えば、排気系の後段に四重極マススペクトロメータを設置し、これによりチャンバ内に残った水分、酸素分を知ることができる。チャンバ内のＨ２Ｏ分圧としては、２．５×１０−４Ｐａ以下である必要がある。Ｏ２分圧としては、２．０×１０−５Ｐａ以下である必要がある。
【００１８】
　第１の層８の成膜に用いるスパッタ装置としては、ＲＦスパッタ装置であることが望ましい。・・・
【００１９】
　また、スパッタを用いて第１の層８を成膜する場合、重要なパラメータは、基板温度以外では、チャンバ内の圧力や窒素分圧である。チャンバ内の圧力は、０．３Ｐａ以上であることが望ましい。・・・
　第１の層８を成膜する場合の成膜レートは、０．０１ｎｍ／ｓから１０ｎｍ／ｓの範囲とすることが望ましい。これ以上の成膜レートでは膜が結晶体とならずに非晶質となる。この範囲以下の成膜レートでは、第１の層８を構成するべき膜は層とならずに島状に成長してしまい、基板９の全表面を覆うことができない。
・・・
【００２２】
　本発明者らの実験では、成膜時の基板温度は、３００〜８００℃の範囲であることが望ましいことが判明している。・・・
【００２３】
　上述のような第１の層８をなすＩＩＩ族窒化物化合物の結晶は、六方晶系の結晶構造を持ち、成膜条件をコントロールすることにより、単結晶膜とすることができる。第１の層８は、単結晶構造であることが、バッファ機能の面から好ましい。・・・このような単結晶構造を有する第１の層８を基板９上に成膜した場合、第１の層８のバッファ機能が有効に作用するため、その上に成膜されるＩＩＩ族窒化物半導体の層は、良好な配向性及び結晶性を持つ結晶膜となる。
【００２４】
　以上のような単結晶からなるバッファ層としての機能を有する第１の層８は、隙間なく基板上を覆っていることが望ましい。・・・
【００２５】
　また、第１の層８の膜厚は、１０ｎｍから５００ｎｍの範囲が望ましい。第１の層８がこれ以上薄いと充分にバッファ層としての機能を果たすことができず、これ以上厚くても機能には変化がないため、いたずらに処理時間を延ばすのみである。更に望ましくは第１の層の膜厚が、２０ｎｍから１００ｎｍの範囲である。
　次に、到達真空度が１×１０−３Ｐａに達しないような悪い状態のチャンバを用いて第１の層の成膜を行った場合、第１の層８の結晶性が悪くなる。結晶性の良悪は、Ｘ線ロッキングカーブによって測定することが可能である。六回対称性を持つＩＩＩ族窒化物化合物半導体の（０００１）面の場合、Ｘ線ロッキングカーブの半値幅が、０．０２度から１．０度の間であることが望ましい。更に望ましくは０．０２度から０．５度であり、０．０２度から０．１度であることが最も望ましい。・・・
【００２６】
　前記バッファ層としての第１の層８を構成する材料としては、一般式ＡｌＧａＩｎＮで表される、ＩＩＩ族窒化物半導体であればどのような材料をも用いることができる。更に、Ｖ族としてＡｓやＰを含んでも構わない。しかし、中でも、Ａｌを含んだ組成とすることが望ましい。また、特に、ＧａＡｌＮとすることが望ましく、Ａｌの組成は５０％以上であることが好適である。また、第１の層をＡｌＮからなる組成とすることにより、効率的に単結晶組織からなる層とすることができる。」
　
　エ　「【実施例】
【００３４】
　以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。
（実施例１）
　本発明に係わる、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体結晶の積層構造を用いて半導体発光素子を製造した例について説明する。本実施例１では、ｃ面サファイア基板上に、第１の層としてＲＦスパッタ法を用いてＡｌＮの単結晶層を形成し、その上に第２の層としてＭＯＣＶＤ法を用いてＧａＮの層を形成した。このＧａＮ層の上に同じくＭＯＣＶＤ法を用いて発光素子構造を積層した。
【００３５】
　まず、成膜を行うためのスパッタ装置に関しては、メンテナンスのために空気中に開放した後のものを使用した。使用するスパッタ装置は、高周波式の電源を持ち、ターゲット内でマグネットの位置を動かすことができる機構を持っている。
　スパッタ装置のメンテナンス後、到達真空度は２．０×１０−３Ｐａであったが、Ａｌターゲットを用いたダミー成膜を５０ラン行った結果、到達真空度を２．０×１０−５Ｐａとすることができた。
【００３６】
　まず、片面のみをエピタキシャル成長に使用できる程度に鏡面研磨したサファイア基板を、特に湿式の前処理を行わずにスパッタ装置の中へ導入した。
　はじめに、スパッタ装置内で基板を５００℃まで加熱し、窒素ガスだけを１５ｓｃｃｍの流量で導入した後、チャンバ内の圧力を１．０Ｐａに保持して、基板側に５０Ｗの高周波バイアスを印加し、窒素プラズマに晒すことで、基板表面を洗浄した。
【００３７】
　続いて、アルゴンガスおよび窒素ガスを導入した後、基板温度を５００℃に保ち、２０００Ｗの高周波バイアスを金属Ａｌターゲット側に印加し、炉内の圧力を０．５Ｐａに保ち、アルゴンガスを５ｓｃｃｍ、窒素ガスを１５ｓｃｃｍ流通させた条件（ガス全体に対する窒素の比は７５％）で、サファイア基板上にＡｌＮ層を成膜した。成長レートは０．１２ｎｍ／ｓであった。
・・・
　予め測定した成膜速度に従って規定した時間の処理を行い、５０ｎｍのＡｌＮを成膜した後、プラズマを立てるのを止め、基板温度を低下させた。
【００３８】
　続いて、スパッタ装置から取り出した基板をＭＯＣＶＤ炉に導入した。
　導入後、ＧａＮ層を含む試料の作製は、ＭＯＣＶＤ法を用いて以下の手順で行った。まず、サファイア基板を反応炉の中に導入した。サファイア基板は、窒素ガス置換されたグローブボックスの中で、加熱用のカーボン製のサセプタ上に載置した。
　窒素ガスを流通した後、ヒータを作動させて基板温度を１１５０℃に昇温させた。１１５０℃で温度が安定したのを確認した後、アンモニアガス配管のバルブを開き、アンモニアガスの反応炉内への流通を開始した。続いてＴＭＧの蒸気を含む水素を反応炉内へ供給して、サファイア基板上に第２の層を構成するＩＩＩ族窒化物半導体を付着させる工程を開始した。アンモニアの量はＶ／ＩＩＩ比が６０００となるように調節した。約１時間に渡って前記のＧａＮ層の成長を行ったあと、ＴＭＧの配管のバルブを切り替え、原料の反応炉への供給を終了して成長を停止した。ＧａＮ層の成長を終了した後、ヒータへの通電を停止して、基板の温度を室温まで降温した。
　以上の工程により、サファイア基板上に、ＡｌＮの単結晶層からなる第１の層を形成し、その上にアンドープで２μｍの膜厚のＧａＮ層を形成した試料を作製した。取り出した基板は無色透明のミラー状を呈した。
【００３９】
　次に、前記の方法で成長を行ったアンドープＧａＮ層のＸ線ロッキングカーブ（ＸＲＣ）測定を行った。測定には、Ｃｕβ線Ｘ線発生源を光源として用いて、対称面である（０００２）面と非対称面である（１０−１０）面で行った。一般的に、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体の場合、（０００２）面のＸＲＣスペクトル半値幅は結晶の平坦性（モザイシティ）の指標となり、（１０−１０）面のＸＲＣスペクトル半値幅は転位密度（ツイスト）の指標となる。
　この測定の結果、本発明の方法で作製したアンドープＧａＮ層は、（０００２）面の測定では半値幅０．１８度、（１０−１０）面では半値幅０．３度を示した。
【００４０】
　本試料の断面を、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察したところ、サファイア基板と窒化ガリウム層（ＧａＮ層）との界面に、粒界を持たないＡｌＮ層が形成されていることを観察できた。このＡｌＮ層の膜厚は５０ｎｍ程度であった。」
　
（２）引用発明
　ア　上記（１）の摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物には、次の発明が記載されていると認められる。
　
「　基板上に、スパッタ法によって成膜されたＩＩＩ族窒化物よりなる第１の層を備え、少なくとも第１の層に接してＩＩＩ族窒化物材料からなる第２の層を備えたＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造を製造する方法において、
　前記第１の層を成膜装置のチャンバ内において到達真空度、６．０×１０−６Ｐａ以下の条件で、単結晶組織として製造し、
　前記第１の層を成膜法により製造する際、成膜雰囲気のＯ２分圧を２．０×１０−５Ｐａ 以下とし、
　これによって、半導体特性に有害となる水分と酸素分を一般的な減圧状態のチャンバで製造する場合よりも削減できる結果としてＩＩＩ族窒化物の第１の層あるいは第２の層の結晶性が向上するものであり、前記到達真空度により第１の層あるいは第２の層に含まれる酸素分と水分を極めて微量の範囲とすることにより、第１の層は結晶性の良好な単結晶層として成長し、
　前記第１の層がＡｌＮであり、前記第２の層がＧａＮであり、
　前記ＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造は、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子に応用され、サファイア基板９の上に、単結晶組織からなる層であるＩＩＩ族窒化物としてのＡｌＮからなる第１の層（バッファ層）８と、その上に積層されたＩＩＩ族窒化物としてのＧａＮからなる第２の層（ｎ型半導体層）７と、その上に積層されているＧｅなどの原子ドープ型のＩＩＩ族窒化物としてのＧａＮなどからなるドープ型ＩＩＩ族窒化物層（ｎ型半導体層）６と、クラッド層５と、該クラッド層５上に障壁層３と井戸層４とを交互に積層形成した多重量子井戸層２０と、その上に積層された拡散防止層２と、ＩＩＩ族窒化物としてのＰ型半導体層１とを含む積層構造を具備し、Ｐ型半導体層１の上に透光性の正極１３が形成され、その上に正極ボンディングパッド１２が設けられ、ｎ型半導体層６の一部を露出させた部分に負極ボンディングパッド１０が形成されたものである、
ＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造を製造する方法。」
　
　イ　また、上記（１）エによると、引用刊行物には、引用発明の実施例として、サファイア基板上に、ＡｌＮの単結晶層からなる第１の層を形成し、その上にアンドープで２μｍの膜厚のＧａＮ層を形成した試料を作製し、該試料の断面を、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察したところ、サファイア基板と窒化ガリウム層（ＧａＮ層）との界面に、粒界を持たないＡｌＮ層が形成されていることを観察できたこと、が示されている。
　
（３）対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
　ア　引用発明の「サファイア基板」、「Ｇｅなどの原子ドープ型のＩＩＩ族窒化物としてのＧａＮなどからなるドープ型ＩＩＩ族窒化物層（ｎ型半導体層）」、及び「ＩＩＩ族窒化物としてのＰ型半導体層」は、それぞれ、本願発明の「サファイア基板」、「（ＩＩＩ族窒化物半導体からなる）ｎ型半導体層」、「（ＩＩＩ族窒化物半導体からなる）ｐ型半導体層」に相当する。
　また、引用発明において、「ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子に応用される」「ＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造」における「障壁層３と井戸層４とを交互に積層形成した多重量子井戸層」が、本願発明の「（ＩＩＩ族窒化物半導体からなる）発光層」に相当する。
　
　イ　上記アを踏まえると、引用発明の「ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子に応用される」「ＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造」は、「（サファイア基板上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなる）ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体」に相当し、
　引用発明の「ＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造を製造する方法」は、本願発明の「サファイア基板上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法」に一致する。
　
　ウ　引用発明は、「スパッタ法によって成膜されたＩＩＩ族窒化物よりなる第１の層を備え」「たＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造を製造する方法」であり、該積層構造は、「サファイア基板９の上に、単結晶組織からなる層であるＩＩＩ族窒化物としてのＡｌＮからなる第１の層（バッファ層）８」を含むものであるから、
　引用発明は、「該サファイア基板表面にシード層として、ＡｌＮ結晶膜をスパッター法により形成させる」ものである点で、本願発明の「該サファイア基板表面にシード層として、ＡｌＮ結晶膜をスパッター法により形成させる際に、スパッター装置のチャンバー壁面と基板加熱用ヒーターの中間にＡｌ製の円筒形シールドを配置し、ＡｌＮ結晶膜中の酸素含有量が５原子％以下となるように制御して、縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜を形成させる」との特定事項と一致する。
　
　したがって、本願発明と引用発明とは、
「　サファイア基板上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法であって、該サファイア基板表面にシード層として、ＡｌＮ結晶膜をスパッター法により形成させる、ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
ａ．ＡｌＮ結晶膜をスパッター法により形成させる際に、本願発明では、「ＡｌＮ結晶膜中の酸素含有量が５原子％以下となるように制御して、縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜を形成させる」いるのに対して、引用発明では、そのような事項を有しているか明らかではない点（以下「相違点１」という。）。
ｂ．本願発明では、「スパッター装置のチャンバー壁面と基板加熱用ヒーターの中間にＡｌ製の円筒形シールドを配置」するのに対して、引用発明では、そのような特定事項を有していない点（以下「相違点２」という。）。
　
（４）判断
　上記各相違点について検討する。
　ア　相違点１について
（ア）上記２に示したとおり、相違点１に係る本願発明の特定事項の「縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜を形成させる」との記載は、その特定しようとする事項の範囲が不明確である。
　しかしながら、上記２（２）イに示した本願明細書の記載（特に、（ウ）【００２１】、（エ）【００２２】、（カ）【００２８】〜【００２９】、及び（キ）【００５９】を参照。）によれば、相違点１に係る本願発明の特定事項は、「高度の結晶性を有し、平坦なAｌN結晶膜シード層を得ることにより、特に直径100mm以上の大型基板を用いる場合でも全面均一に平坦なAｌN結晶膜シード層を用いることにより、結晶性の良いＧａＮ系薄膜を得」るという本願発明の目的を実現するための手段であり、「縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜を形成させる」とは、その特定する範囲が明確とは言えないが、ＡｌＮ結晶膜として、柱状結晶が全く存在しない、すなわち、完全結晶である、とまでは言えないが、所定程度以上の高い結晶性を有し、大型基板を用いる場合でも全面均一に平坦性を得ることができるようなＡｌＮ結晶膜を示す程度の技術的意味を有するものと解することができる。
　そして、このような高い結晶性のＡｌＮ結晶膜をスパッター法により形成させる際の条件の１つが、「ＡｌＮ結晶膜中の酸素含有量が５原子％以下となるように制御」することであると認められる。
（イ）これに対して、引用発明は、「半導体特性に有害となる水分と酸素分を一般的な減圧状態のチャンバで製造する場合よりも削減できる結果としてＩＩＩ族窒化物の第１の層あるいは第２の層の結晶性が向上するものであり、前記到達真空度により第１の層あるいは第２の層に含まれる酸素分と水分を極めて微量の範囲とすることにより、第１の層は結晶性の良好な単結晶層として成長」するものであり、その目的において本願発明と一致し、第１の層（シード層としてのＡｌＮ結晶膜）を良好な単結晶層、すなわち、高い結晶性を有するものとするために、該層に含まれる「酸素分と水分を極めて微量の範囲とする」という手段を含むものである。
　そして、上記（２）イに示したように、引用発明の実施例においては、「試料の断面を、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察したところ、サファイア基板と窒化ガリウム層（ＧａＮ層）との界面に、粒界を持たないＡｌＮ層が形成されていることを観察できた」ものであり、観察視野が特定されていないものの、上記引用発明の目的とする良好な単結晶層が得られたことを確認する観測手法として、本願発明と同様の手法が用いられている。
（ウ）以上によると、引用発明は、ＡｌＮ結晶膜中の酸素含有量をより少なくすることにより、より良好な単結晶が得られるというものであるから、「きわめて微量の範囲」の「酸素分」の範囲として、ＡｌＮ結晶膜中の酸素含有量が５原子％以下との範囲を設定することは、当業者が設計上適宜なし得ることであり、また、第１の層（シード層）として良好な単結晶層を得ることを目的とするものであるから、その観測手法である試料の断面の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による観察視野を適宜の範囲に設定することに、格別の困難性は認められない。
　そして、本願明細書の記載を見ても、本願発明において、ＡｌＮ結晶膜中の酸素含有量が５原子％以下であると設定すること、及び縦断面ＴＥＭ写真の観察視野を２００ｎｍと設定することに、設計的事項の域を超えるほどの格別の技術的意義は認められない。
　
　イ　相違点２について
　スパッター法による膜形成に際して、スパッター装置のチャンバー内にシールドを配置することは、本願の明細書の記載（段落【００４１】）にもあるように、きわめて一般的なことであり、そのようなシールドとして、形状が円筒形であるもの、その材料がＡｌ製のもの、チャンバー壁面と基板加熱用ヒーターの中間に配置したものは、本願出願時において周知のものである（例えば、特開平１０−１５８８３２号公報（【００３１】、図１等参照。）、特開２００２−９１４１号公報（【００２０】、図１等参照。）、特開２００２−１９４５４０号公報（特許請求の範囲、【０００８】、図１等参照。）を参照。また、特開平１０−２５９４７７号公報には、スパッタされる材料に応じて、シールド材料を選択することも示されている（特に、【００２６】、【００２８】、請求項６−７、図１−２を参照。）。）。
　したがって、引用発明におけるＩＩＩ族窒化物よりなる第１の層（ＡｌＮ結晶膜）をスパッタ法によって成膜する際に、そのスパッター装置のチャンバー内に、上記のごとく周知のシールドを配置し、相違点２に係る本願発明の特定事項とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　ウ　小括
　以上の検討から、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者であれば容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願は、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしておらず、拒絶をすべきものである。
　また、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。