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　特願２００５−　５４８７９「窒化物半導体の結晶の成長方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月２３日出願公開、特開２００５−１６７２８２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成８年１１月７日に出願した特願平８−２９４７１１号の一部を平成１７年２月２８日に新たな特許出願としたものであって、平成１７年３月２９日に手続補正がなされ、平成２０年９月２２日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月１日に手続補正がなされ、平成２１年１２月３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２２年３月８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日に手続補正がなされたものである。（以下、この平成２２年３月８日の手続補正を「本件補正」という。）
　
II．本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、本願特許請求の範囲の請求項１を　
「有機金属気相成長法により窒化物半導体の結晶を成長させる方法において、
第１の窒化物半導体層の上に、Ｓｉの有機金属化合物、水素化物、ハロゲン化物のいずれか１種のガスとアンモニアガスを原料ガスに用いて、穴があいたメタル層を成長する工程と、
前記メタル層成長後、前記原料ガスを切り替えて、前記第１の窒化物半導体層上と前記メタル層上とで選択的に成長させて、前記メタル層上よりも前記第１の窒化物半導体層上で厚い第２の窒化物半導体層を成長する工程と、を具備してなる窒化物半導体の結晶の成長方法。」と補正することを含むものである。
　
２．拒絶査定における指摘事項
　本件補正後の請求項１には、穴があいたメタル層を成長する工程に、Ｓｉの有機金属化合物、水素化物、ハロゲン化物のいずれか１種のガスを用いることが記載されているものと認められるところ、原査定は、平成２０年１２月１日にした手続補正について次の指摘をしている。
『なお、今時補正により、請求項１、２に「第１の窒化物半導体層の上に、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎからなる群から選択される少なくとも１種の元素の、有機金属化合物、水素化物、ハロゲン化物のいずれか１種のガスを原料ガスに用い」なる記載が追加されたが、当初明細書には、水素化物、ハロゲン化物に関する記載としては、【００２３】において「・・第１のｎ型層成長時にｎ型ドーパントガスにＳｉの有機金属化合物を用いることは非常に好ましい。なお、第２のｎ型層、活性層にｎ型ドーパントをドープする場合、ｎ型ドーパント源は有機金属化合物ガスを用いてもよいが、ｎ型不純物の水素化物、ハロゲン化物を用いることもできる。」なる記載があるのみで、「メタル層」に対して「水素化物」「ハロゲン化物」の原料ガスを用いることに関する記載はない。
　請求項６に関しても、Ｓｉの「水素化物」、「ハロゲン化物」を使用することに関する記載はない。』
　
３．請求人の主張
　これに対して、請求人は、審判請求書において、
『補正後の請求項１及び２に記載の発明において、「メタル層」は、同項の特定事項（ii）に記載のように、「Ｓｉの有機金属化合物、水素化物、ハロゲン化物のいずれか１種のガスとアンモニアガスを原料ガスに用いて」成長されるものとして特定され、このような「メタル層」は、出願当初明細書に記載した事項の範囲内のものであります。
　なお、出願当初明細書段落００１３第２文「このＳｉドーパントは窒化物半導体成長時にＳｉの有機金属化合物により供給されることが望ましい。」との記載、並びに段落００２３第５文「また第１の態様においても第１のｎ型層成長時にｎ型ドーパントガスにＳｉの有機金属化合物を用いることは非常に好ましい。」との記載等から、本件発明において、メタル層成長時に使用するｎ型ドーパント源ガスにＳｉの有機金属化合物以外のガスを用いることを排除しているわけではありません。また、出願当初明細書段落００２３に記載した事項は、メタル層（及び第１のｎ型層）成長時に使用するｎ型ドーパント源ガスに関して説明したものですから、同段落最終文の「なお、第２のｎ型層、活性層にｎ型ドーパントをドープする場合、ｎ型ドーパント源は有機金属化合物ガスを用いてもよいが、ｎ型不純物の水素化物、ハロゲン化物を用いることもできる。」との事項は、メタル層成長時に使用するｎ型ドーパント源ガスに関して記載したものであります。したがって、メタル層成長時のｎ型ドーパント源ガスとしてＳｉの水素化物、ハロゲン化物を使用することは、出願当初明細書に記載した事項の範囲内のものであります。』と主張し、
　また、平成２２年８月２３日提出の回答書において、
『審判請求書で説明しましたとおり、出願当初明細書段落００１３第２文「このＳｉドーパントは窒化物半導体成長時にＳｉの有機金属化合物により供給されることが望ましい。」との記載、並びに段落００２３第５文「また第１の態様においても第１のｎ型層成長時にｎ型ドーパントガスにＳｉの有機金属化合物を用いることは非常に好ましい。」との記載等から、本願発明において、メタル層成長時に使用するｎ型ドーパント源ガスにＳｉの有機金属化合物以外のガスを用いることを排除しているわけではありません。また出願当初明細書段落００２３に記載した事項は、メタル層（及び第１のｎ型層）成長時に使用するｎ型ドーパント源ガスに関して説明したものですから、同段落最終文の記載は「なお、第２のｎ型層、活性層にｎ型ドーパントをドープする場合、（メタル層成長時に使用する）ｎ型ドーパント源は有機金属化合物ガスを用いてもよいが、ｎ型不純物の水素化物、ハロゲン化物を用いることもできる。」と解釈されます。すなわち、出願当初明細書において、メタル層成長時に使用するｎ型ドーパント源は、有機金属化合物を前提としてはおりますが、第２のｎ型層、活性層成長時に使用するｎ型ドーパント源と同様に、水素化物、ハロゲン化物を用いてもよいことを示唆しております。したがって、メタル層成長時のｎ型ドーパント源ガスとしてＳｉの水素化物、ハロゲン化物を使用することは、出願当初明細書に記載した事項の範囲内のものであり、本補正は、特許法第１７条の２第３項の要件を満たすものと思料いたします。』と主張している。
　
４．当審の判断
　本件補正が本願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本願当初明細書等」という。）に記載された事項の範囲内でなされたものであるかについて検討する。
　すなわち、穴があいたメタル層を成長する工程に、Ｓｉの水素化物、Ｓｉのハロゲン化物のガスを用いることが本願当初明細書等に記載された事項の範囲内のものであるかについて検討する。
　
　本願当初明細書等の段落【００１３】の第２文は、「…窒化物半導体成長時にＳｉの有機金属化合物により供給されることが望ましい。」との記載から明らかなように、「窒化物半導体成長時」について記載するものであり、また、「Ｓｉの有機金属化合物」を記載するだけであるから、この第２文がメタル層成長時に使用するｎ型ドーパント源ガスにＳｉの水素化物、Ｓｉのハロゲン化物を使用することを記載するものでないことは明らかである。
　次に、本願当初明細書等の段落【００２３】の記載は、次のとおりである。
「また、本発明の製造方法の態様ではメタル層成長時に、ｎ型ドーパントの有機金属化合物を用いる。メタル層の成長温度は３００℃以上、９００℃以下、さらに好ましくは４００℃〜８００℃の温度で成長させる。メタル層成長時にドーパントとして有機金属化合物ガスを用いると、素子の出力が向上する。この原因はよくわからないが、Ｓｉ有機化合物ガスの一部が例えばＳｉＣ、若しくはＳｉＮに変化して、メタル層と共に形成されていることにより、活性層に何らかの好影響を及ぼしているものと推察される。また第１の態様においても第１のｎ型層成長時にｎ型ドーパントガスにＳｉの有機金属化合物を用いることは非常に好ましい。なお、第２のｎ型層、活性層にｎ型ドーパントをドープする場合、ｎ型ドーパント源は有機金属化合物ガスを用いてもよいが、ｎ型不純物の水素化物、ハロゲン化物を用いることもできる。」
　この段落第５文の「また第１の態様においても第１のｎ型層成長時にｎ型ドーパントガスにＳｉの有機金属化合物を用いることは非常に好ましい。」との記載は、この段落の第１文が「ｎ型ドーパントの有機金属化合物を用いる」ことを記載するものであり、本願当初明細書等の段落【０００８】に「ｎ型ドーパントとしては、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ等が挙げられるが、特に好ましくはＳｉを用いる。」と記載され、また、段落【００１１】にも「ｎ型ドーパントは第１の態様と同じく、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ等が挙げられるが、特に好ましくはＳｉを用いる。」と記載されていることからみて、「ｎ型ドーパントの有機金属化合物を用いる」ことについて、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ等のｎ型ドーパントの有機金属化合物のガスが挙げられるところ、特にＳｉの有機金属化合物ガスが好ましいことを記載するものであって、Ｓｉの水素化物やハロゲン化物の使用を記載するものとはいえない。
　また、段落【００２３】の記載は、第１文でメタル層の成長にはｎ型ドーパントの有機金属化合物を使用すると明記した上で、最終文でメタル層と異なる第２のｎ型層、活性層に対して水素化物またはハロゲン化物を用いうる旨の記載となっているのであり、水素化物またはハロゲン化物の使用は、第２のｎ型層、活性層に対するものとして記載されているのであって、メタル層形成に対するものでないことは明らかである。
　したがって、請求人の主張は採用できない。
　
　また、本願当初明細書等のメタル層を成長する工程に関する請求項をみても、【請求項１０】に「有機金属気相成長法により窒化物半導体を成長させる方法において、ｎ型ドーパントをドープした第２のｎ型窒化物半導体層を成長させた後、原料ガスにｎ型ドーパントの有機金属化合物を用い、ｎ型ドーパントよりなるメタル層を成長させ、そのメタル層に接して、少なくともインジウムを含む活性層を成長させることを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。」と記載されているように、原料ガスに「ｎ型ドーパントの有機金属化合物」を用いることは記載されていても、水素化物またはハロゲン化物を用いることの記載はない。
　さらに、本願当初明細書等のメタル層を成長する工程に関する実施例の記載をみても、その段落【００５４】及び【００６８】に「テトラエチルシランガス」が記載されるだけであり、「テトラエチルシランガス」については、その段落【００３２】に「有機金属Ｓｉガス」と記載されているところである。
　
　以上のことから、本願当初明細書等には、メタル層を成長する工程に、Ｓｉの有機金属化合物のガスを用いることの記載はあっても、Ｓｉの水素化物やハロゲン化物のガスを用いることは記載されておらず、本件補正は、本願当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであるとはいえず、本願当初明細書等に記載された事項の範囲内でなされたものとはいえない。
　
５．むすび
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反しているものと認められるので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願について
１．本願請求項１の記載
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１（以下「本願請求項１」という。）は、平成２０年１２月１日に補正された次のとおりである。
　
「窒化物半導体の結晶の成長方法において、
第１の窒化物半導体層の上に、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎからなる群から選択される少なくとも１種の元素の、有機金属化合物、水素化物、ハロゲン化物のいずれか１種のガスを原料ガスに用いて、穴があいたメタル層を成長する工程と、
前記メタル層成長後、前記原料ガスを切り替えて、前記第１の窒化物半導体層上と前記メタル層上とで選択的に成長させて第２の窒化物半導体層を成長する工程と、を具備してなる窒化物半導体の結晶の成長方法。」
　
２．判断
　本願請求項１には、穴があいたメタル層を成長する工程に、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎからなる群から選択される少なくとも１種の元素の、有機金属化合物、水素化物、ハロゲン化物のいずれか１種のガスを用いることが記載されているものと認められるが、メタル層を成長する工程に水素化物、ハロゲン化物を用いることは、上記II．の本件補正後の請求項１についての検討から明らかなように、本願当初明細書等に記載されておらず、上記平成２０年１２月１日にした補正は、本願当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであるとはいえず、原査定における指摘のとおり、本願当初明細書等に記載された事項の範囲内でなされたものとはいえない。
　
３．むすび
　したがって、本願は、上記平成２０年１２月１日にした補正が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないので、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。