【事件の表示】
　特願２００３−　９６２４５「固体撮像装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１０月２８日出願公開，特開２００４−３０４０１２〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１５年３月３１日の出願であって，平成１８年１２月２０日付けの最後の拒絶理由通知に対して，平成１９年３月７日に手続補正書及び意見書が提出されたが，平成２０年３月２６日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年４月３０日に審判請求がされるとともに，同年５月２３日に手続補正書が提出されたものである。
　　
第２　平成２０年５月２３日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲と発明の詳細な説明を補正するものであり，特許請求の範囲については，以下のとおりである。
　
（１）請求項１について
　　ア　補正前の請求項１に「前記浮遊拡散層は，そのコンタクト部周辺以外は前記半導体基板の表面に露出するように形成されているとともに，前記コンタクト部周辺はサリサイド層が形成されており」とあるのを，「前記浮遊拡散層は，素子分離層で囲まれたコンタクト部周辺以外は前記半導体基板の表面に露出するように形成されているとともに，前記コンタクト部周辺にはサリサイド層が前記素子分離層に接触するように形成されており」と補正する。
　　イ　補正前の請求項１に「前記浮遊拡散層の不純物濃度は前記増幅トランジスタのソース／ドレイン拡散層の不純物濃度よりも低くなっている」とあるのを，「前記浮遊拡散層の不純物濃度は前記増幅トランジスタのソース／ドレイン拡散層の不純物濃度よりも低い，１×１０18ｃｍ-3以下になっている」と補正する。
　
（２）請求項８について
　　　　補正前の請求項８を削除する。
　
２　補正目的の適否及び新規事項の有無
（１）請求項１の補正内容について
　請求項１の補正のうち，補正前の「前記浮遊拡散層は，そのコンタクト部周辺以外は前記半導体基板の表面に露出するように形成されているとともに，前記コンタクト部周辺はサリサイド層が形成されており」との記載を，補正後の「前記浮遊拡散層は，素子分離層で囲まれたコンタクト部周辺以外は前記半導体基板の表面に露出するように形成されているとともに，前記コンタクト部周辺にはサリサイド層が前記素子分離層に接触するように形成されており」とする補正内容は，補正前に「そのコンタクト部周辺以外」とあるのを，「素子分離層で囲まれたコンタクト部周辺以外」と限定し，さらに，補正前に「サリサイド層が形成されており」とあるのを，「サリサイド層が前記素子分離層に接触するように形成されており」と限定するものであり，特許請求の範囲の減縮を目的とする補正と理解することができる。
　
（２）新規事項の有無について
　　ア　審判請求人は，審判請求の理由において，補正の根拠について次のように説明している。
「この補正は，出願当初明細書および図面における以下の記載に基づく。
　すなわち，本願図１４には従来の固体撮像装置の平面図が記載され，図１５には図１４に示す切断線ＸＹＺＷに沿った断面図が記載されている。また図１６は図１４に対応する，同じ切断線ＸＹＺＷに沿った製造工程断面図であるが，その両端に素子分離層として５０２が記載されている（段落０００９も参照。）。図１６と図１４とを対応させると，素子分離層５０２は図１４上の切断線ＸＹＺＷの両先端部に位置しており，この部分は，フォトダイオード領域やトランジスタ間の空白域であることが明らかである。
　一方，本願請求項１に係る固体撮像装置の構成に対応する平面図は図１１であり，図１４と同一の平面レイアウト図として描かれている。従って，図１１においてもフォトダイオード領域やトランジスタ間の空白域が素子分離層であることは明らかである。これを考慮して図１１を参照すると，浮遊拡散層１のコンタクト部２０３の周辺領域であり，サリサイド層が形成される周辺９０１は，三方を素子分離層で囲まれ，且つ素子分離層に接触していること，すなわちサリサイド層が素子分離層に接触するように形成されていることが明らかである。」
　　イ　しかし，本願の願書に最初に添付した明細書には，補正後の請求項１の「サリサイド層が前記素子分離層に接触するように形成されて」いることは記載されておらず，自明ともいえない。関連すると思われる本願の図１１を参照しても，浮遊拡散層１のコンタクト部２０３の周辺９０１が，素子分離層で囲まれていることは見て取れるが，「サリサイド層が前記素子分離層に接触するように形成されて」いることまでは読み取れない。
　そして，審判請求人は，審判請求の理由において，新に補正した事項に基づいて，引用発明に対する本願発明の技術的意義を説明している。
　　ウ　そうすると，上記補正内容は，明細書又は図面のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入しないものであるとはいえない。
　
（３）したがって，請求項１についての上記補正は，願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてするものといえないから，特許請求の範囲についての本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第３項の規定に違反するので，同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明の容易想到性について 
１　以上のとおり，本件補正（平成２０年５月２３日に提出された手続補正書による補正）は却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，本件補正前の請求項１（平成１９年３月７日に提出された手続補正書により補正された請求項１）に記載された，次のとおりのものである。 
 　 
【請求項１】
「半導体基板上の感光領域にマトリックス状に配置された複数の感光セルと，
　前記複数の感光セルを駆動するために設けられた駆動手段とを備えており，
　各感光セルは，入射光を光電変換して得られた信号電荷を蓄積するために前記半導体基板の表面に露出するように形成されたフォトダイオードと，
　前記フォトダイオードによって蓄積された前記信号電荷を転送するために前記半導体基板に形成された転送トランジスタと，
　前記転送トランジスタによって転送された前記信号電荷を一時的に蓄積するために前記半導体基板に形成された浮遊拡散層と，
　前記浮遊拡散層に一時的に蓄積された前記信号電荷を増幅するために前記半導体基板に形成された増幅トランジスタとを有しており，
　前記増幅トランジスタに設けられたソース／ドレイン拡散層はサリサイド層によって覆われており，前記浮遊拡散層は，そのコンタクト部周辺以外は前記半導体基板の表面に露出するように形成されているとともに，前記コンタクト部周辺はサリサイド層が形成されており，かつ前記浮遊拡散層の不純物濃度は前記増幅トランジスタのソース／ドレイン拡散層の不純物濃度よりも低くなっていることを特徴とする固体撮像装置。」
　
２　引用例の表示
　　引用例１：特開２００１−１１１０２２号公報
　　引用例２：特開２００２−１９０５８６号公報
　
３　各引用例の記載内容　
３−１　引用例１の記載内容と引用発明
（１）引用例１の記載内容
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００１−１１１０２２号公報（以下「引用例１」という。）には，「光電変換装置およびその製造方法，画像情報処理装置」（発明の名称）に関して，図１，図２，図１１〜図１３とともに，次の記載がある（下線は当審で付加，以下同じ）。
　
　　ア　発明の背景等
・「【０００１】【発明の属する技術分野】本
発明は，デジタルスチルカメラ，デジタルビデオカメラ，イメージスキャナーなどの情報処理装置に用いられる光電変換装置とその製造方法，および画像情報処理装置に関し，とくに受光部で発生した電荷を読み出すための周辺回路を有する光電変換装置とその製造方法，および画像情報処理装置に関する
・「【０００３】図１２は従来のＭＯＳ型の光電変換装置の回路図である。図１２において，１は受光素子としてのダイオード，２は受光素子１で発生した電荷を転送するための転送用ＭＯＳトランジスタ，３は転送された電荷をゲート電極にリセットパルスが印加されてリセット動作を行うリセット用ＭＯＳトランジスタである。４は選択パルスをゲート電極に印加してオンする選択用ＭＯＳトランジスタ，５はフローティングゲートに転送された電荷を増幅する増幅用ＭＯＳトランジスタである。信号電荷は，トランジスタ４，５からなるソースホロワから，転送パルスにより転送動作を行う転送用ＭＯＳトランジスタ８を介して，蓄積容量７に一旦蓄積され，その後，蓄積容量７の電荷を出力ＭＯＳトランジスタ１１，アンプ９を通じて増幅された信号として出力端子１０から出力される。
【０００４】図１３は受光素子１と，転送ＭＯＳトランジスタ２，及びリセット用トランジスタ３からなる光電変換部４１の断面構造と，周辺回路部４２を構成しているＭＯＳトランジスタの断面構造を示している。２１は半導体基板，２２は半導体基板とは異なる導電型のウエル，２３はＬＯＣＯＳと呼ばれる選択酸化法により形成された素子分離領域，２５は受光素子１の受光部となる半導体拡散層，３８は絶縁層である。３２，３３はソース・ドレイン，３１はゲート電極である。絶縁層３８に形成されるべきコンタクトホールとその中に形成される電極は省略して図示している。
【０００５】また，
ＭＯＳトランジスタを用いたロジック回路では，高速動作を目的として，ソース・ドレイン，ゲート電極に高融点金属の半導体化合物を選択的に形成するサリサイド（セルフアラインシリサイド）構造が使用されている
・「【００１０】
一方，高速動作を目的として，図１４に示したようなサリサイド構造をＭＯＳ型の光電変換装置に採用すると，光電変換部のリーク電流が増大し，光電変換特性を劣化させることがあった
【００１１】
本発明の目的は，光電変換部の特性を劣化させることなく，高速動作可能な光電変換装置及びその製造方法を提供することにある
　　イ　発明の実施の形態
・「【００１６】【発明の実施の形態】本発明による光電変換装置について，図１，図２を用いて説明する。
【００１７】図１は光電変換装置の模式的断面図，図２はこの光電変換装置の１画素に相当する部分の回路図である。ここで，光電変換部は，受光素子１と転送用ＭＯＳトランジスタ２とリセットＭＯＳトランジスタ３と，増幅用ＭＯＳトランジスタ５と選択用ＭＯＳトランジスタ４を含んでいる。
【００１８】図１では，光電変換部４１のうち，このうち受光素子１，転送用ＭＯＳトランジスタ２，リセット用ＭＯＳトランジスタ３の断面構造と，その光電変換部４１からの信号を処理する周辺回路部４２を構成するＭＯＳトランジスタの断面構造を示している。
【００１９】各ＭＯＳトランジスタを接続する電極や配線は省略されているが，配線（回路）の一例は，図２に示すとおりである。
【００２０】受光素子１としてのホトダイオードに光が入射し発生した電荷（ここでは電子）は，ホトダイオードのカソードに蓄積される。この電荷は転送用ＭＯＳトランジスタ２により増幅用ＭＯＳトランジスタのゲートに転送されてゲート電位が変化する。選択用ＭＯＳトランジスタ４により増幅用ＭＯＳトランジスタ５のドレインに電圧が印加されると増幅用ＭＯＳトランジスタ５のソースから増幅された信号が読み出される。そして，信号が読み出される直前又は読み出した後に増幅用ＭＯＳトランジスタ５のゲートは基準電位にリセットされる。
【００２１】図２は本発明の光電変換装置に用いられる回路の一例であり，本発明はＭＯＳ型と呼ばれる全てのタイプの光電変換装置に用いることができる。
【００２２】
図１において，１２は転送用ＭＯＳトランジスタ２のゲート電極，１３はリセット用ＭＯＳトランジスタ３のゲート電極である
１４は受光部となる半導体拡散層であり，ウエル２２と反対導電型の半導体からなる
可視光における感度を良好にするために，必要に応じて接合深さを他の拡散層より深くするとよい
１５は浮遊拡散層であり，ウエル２２と反対導電型の半導体からなる。１６はリセット用の基準電圧が与えられる拡散層である
２６は，ＬＤＤ（ＬｉｇｈｔｌｙＤｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造を提供するための低不純物濃度拡散層であり，拡散層１５，１６，３２，３３と同じ導電型でかつそれらよりも不純物濃度が低い
【００２３】また，２７は絶縁材料などからなるサイドスペーサ，２９は，半導体拡散層１４などの表面において発生するリーク電流を抑制し，高融点金属の半導体化合物の形成を阻止するためにも機能する絶縁膜である。
【００２４】転送用ＭＯＳトランジスタのソースは受光部となる半導体拡散層１４と共通化されており，転送用ＭＯＳトランジスタのドレインとリセット用ＭＯＳトランジスタのドレインは共通化されており，浮遊拡散層１５を構成している。浮遊拡散層１５は増幅用ＭＯＳトランジスタ５に不図示の電極を通して接続されており，拡散層１６も不図示のリセット用基準電圧配線に電極を通して接続されている。
【００２５】周辺回路部４２のＭＯＳトランジスタにおいては，３１がポリシリコンなどからなるゲート電極，３２，３３はソース又はドレインとなる拡散層であり，ウエル２２と反対導電型の半導体からなり，低濃度不純物拡散層２６よりも不純物濃度が高い。
【００２６】３０が高融点金属の半導体化合物層であり，ＭＯＳトランジスタのポリシリコン製ゲート電極３１の上面及びソース・ドレインとなる拡散層３２，３３の上面に設けられており，それらの抵抗値を低くする役目を担っている。
【００２７】一方
，ホトダイオードの受光部となる半導体拡散層１４の上面やＭＯＳトランジスタ２，３のゲート電極の上面やソース・ドレインの上面には高融点金属の半導体化合物層は形成されておらず，これらの上面は絶縁層２９に接している
半導体拡散層１４や浮遊拡散層１５の上面に低抵抗の層があるとその表面においてリーク電流が発生しやすい
とくに半導体拡散層１４や浮遊拡散層１５の端部，即ち素子分離領域２３やゲート電極との境界付近でＰＮ接合が終端するところでは，リーク電流が起こりやすい
よって，少なくともこれらの半導体拡散層１４や浮遊拡散層１５の端部には高融点金属の半導体化合物層のような低抵抗の層を設けないようにして，酸化シリコンのような絶縁膜で端部表面を覆うことが望ましい
，受光部での光電変換効率を高めるためにも半導体拡散層の光入射側には高融点金属の半導体化合物層を設けないようにする
【００２８】
但し，絶縁層にコンタクトホールを形成してゲート電極や拡散層に電気的に接続される電極を設ける場合には，そのコンタクトホール底部においては導電体材料の層として高融点金属やその半導体化合物の層が形成され得る
・「【００３２】本発明において，高融点金属の半導体化合物層を設けずに，絶縁膜で表面を覆う個所は，受光部となる半導体拡散層１４だけであってもよい。或いは半導体拡散層１４と転送用ＭＯＳトランジスタ２のゲート電極とソース・ドレインだけは高融点金属の半導体化合物層を設けないようにしてもよい。更には，リセット用ＭＯＳトランジスタ３，増幅用ＭＯＳトランジスタ５，選択用ＭＯＳトランジスタ４のうち少なくともいずれか一種と受光部となる半導体拡散領域１４には高融点金属の半導体化合物層を設けないようにしてもよい。」
・「【００３５】
以上説明したように，光電変換部の回路構成は多種類に及ぶが，いずれにしても，少なくとも受光部となる半導体拡散層には高融点金属の半導体化合物層を設けない
そして，半導体拡散層以外のゲート電極やソース・ドレインは必要に応じて高融点金属の半導体化合物層を設けるか否かを選択する
・「【００４６】本発明に用いられる半導体拡散層１４の不純物濃度は１×１０16cm-3から１×１０18cm-3，接合深さは０．２μmから０．５μm，本発明に用いられる低不純物濃度のソース・ドレイン拡散層２６の不純物濃度は１×１０17cm-3から１×１０19cm-3，接合深さは０．０５μmから０．３μm，本発明に用いられる高不純物濃度のソース・ドレイン拡散層１５，１６，３２，３３の不純物濃度は１×１０19cm-3から１×１０21cm-3，接合深さは０．１μmから０．５μm，から選択するとよい。」
・「【００９５】又，本発明の光電変換装置は，受光部を一列に並べたリニアセンサとして用いることもできるし，２次元行列状に並べたエリアセンサとして用いることもできる。
【００９６】
エリアセンサの回路構成の一例を図１１に示す。ここでは光電変換部４１として２行２列の画素のみ示しているが，実用上は，例えば１０万〜１０００万画素が配列される
４２Ａは読み出し画素の選択用シフトレジスタや，リセット用画素の選択用シフトレジスタなどの行選択回路で構成される周辺回路，４２Ｂは，水平シフトレジスタやサンプル＆ホールド回路や低電流源を含む信号読み出し回路などで構成される周辺回路であ
　　ウ　図面の記載
・
図１には，浮遊拡散層１５の周辺に，前記浮遊拡散層１５よりも不純物濃度が低い，ＬＤＤ構造を提供するための低不純物濃度拡散層が設けられたものが示されている
　
（２）引用発明
　上記ア〜ウによれば，引用例１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「半導体基板２１上の光電変換部４１に，例えば，２行２列に配置された画素と，
　読み出し画素の選択用シフトレジスタとを少なくとも備えており，
　前記各画素は，半導体拡散層１４を有する受光素子１としてのホトダイオードと，ソースが前記半導体拡散層１４と共通化されている転送用ＭＯＳトランジスタ２と，前記転送用ＭＯＳトランジスタのドレインからなる浮遊拡散層１５と，前記浮遊拡散層１５に接続される増幅用ＭＯＳトランジスタ５とを有しており，
　前記増幅用ＭＯＳトランジスタ５のソース・ドレインには高融点金属の半導体化合物層を設け，前記半導体拡散層１４と前記転送用ＭＯＳトランジスタ２のソース・ドレインには高融点金属の半導体化合物層を設けないようし，前記浮遊拡散層１５の周辺に，前記浮遊拡散層１５よりも不純物濃度が低い，ＬＤＤ構造を提供するための低不純物濃度拡散層が設けられていることを特徴とする光電変換装置。」
　
　また，引用例１の段落【００２８】における，
「
但し，絶縁層にコンタクトホールを形成してゲート電極や拡散層に電気的に接続される電極を設ける場合には，そのコンタクトホール底部においては導電体材料の層として高融点金属やその半導体化合物の層が形成され得る
との記載から，引用例１には，引用発明において，拡散層につながるコンタクトホール部は，その底部に高融点金属やその半導体化合物層を形成すると，電気抵抗が小さくなり有効であることが示唆されているものといえる。
　
３−２　引用例２の記載内容
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００２−１９０５８６号公報（以下「引用例２」という。）には，「固体撮像装置およびその製造方法」（発明の名称）に関して，図１，図１３〜図１５とともに，次の記載がある。
　
　　ア　発明の背景等
・「【０００１】【発明の属する技術分野】
本発明は，固体撮像素子を有する半導体装置，すなわち，固体撮像装置に関する
【０００２】【従来の技術】図１３は，固体撮像装置の回路構成を示す図である。単位画素あるいは単位セルＣがマトリックス状に配置され，各単位セルＣが垂直シフトレジスタおよび水平シフトレジスタにそれぞれ接続されている。
【０００３】各単位セルＣは，フォトダイオードＰＤと，転送スイッチＭ１と，リセットスイッチＭ２と，アンプＭ３と，選択スイッチＭ４とを有している。転送スイッチＭ１，リセットスイッチＭ２，アンプＭ３および選択スイッチＭ４の各々は，ＭＯＳトランジスタよりなっている。フォトダイオードＰＤ（Photo Diode）は，入射光を電気信号に変換する役割を担っている。フォトダイオードＰＤによって得られた信号電荷Ｑは，転送スイッチＭ１によって，信号電荷変換用の拡散層ＦＤ（Floating Diffusion）に転送される。ＦＤの容量がＣであるとすると，信号電荷はＶ＝Ｑ／Ｃの電圧に変換される。各要素のパターンレイアウトを，図１４に示す。図１４におけるＸＶ−ＸＶ線に関する矢視断面図を，図１５に示す。
【０００４】図１５に示すように，半導体基板１の主表面には，ＬＯＣＯＳ（local oxidation of silicon）法によって分離酸化膜２が形成されている。分離酸化膜２によって囲まれて露出する半導体基板１の活性領域にはそれぞれ所定の不純物が注入されており，少なくともＰＤとしての領域（以下，「ＰＤ領域」という。）と，ＦＤとしての領域（以下，「ＦＤ領域」という。）とが存在する。ＰＤ領域とＦＤ領域とは，半導体基板１の主表面の上方に形成されたゲート電極８を挟んで隣接する位置関係にある。ゲート電極８の側壁は，サイドウォールスペーサによって覆われている。
【０００５】【発明が解決しようとする課題】半
導体基板１中には，分離酸化膜２を形成した際の力学的負荷が作用したことによって生じた応力ダメージ層３１と，サイドウォールスペーサを形成するためのエッチングで生じたエッチングダメージ層３２と，活性領域への不純物注入で生じたイオン注入ダメージ層３３とが含まれる
これらのダメージ層の欠陥を介して電荷Ｑの一部ΔＱがリーク電流として失われると，固体撮像装置としての感度が低下することとなり，画素特性が悪化する
【０００６】
そこで，本発明は，ダメージ層をできるだけなくした固体撮像装置を提供することを目的とする
　　イ　発明の実施の形態
・「【００２３】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）
（構成）図１を参照して，本発明に基づく実施の形態１における固体撮像装置の構成について説明する。図１は，図１４におけるＩ−Ｉ線に関する矢視断面図に相当する部分に本発明を適用した状態の断面図である。
Ｐ型の半導体基板１の主表面にＬＯＣＯＳ法による分離酸化膜２と，スイッチＭ２としてのＭＯＳトランジスタのゲート電極９が形成されている
スイッチＭ２に隣接する位置にＦＤ領域が配置されている
図１には表れてこないが，ＦＤ領域に対してスイッチＭ１を挟んで隣接する位置にＰＤ領域が存在する
ＰＤ領域，ＦＤ領域には，それぞれ不純物が注入されていることから，ここでは，ＰＤ領域を第１の拡散層，ＦＤ領域を第２の拡散層とも呼ぶものとする
一方，図１においてスイッチＭ２を挟んでＦＤ領域と対向する位置（図１においてスイッチＭ２の右側）にある拡散層は，ＦＤ領域ではなく，ここでは第３の拡散層と呼ぶこととする
第１の拡散層としてのＰＤ領域で入射光によって生じた信号電荷は，スイッチＭ１によって第２の拡散層に転送され，第２の拡散層としてのＦＤ領域によって電圧に変換され，スイッチＭ２によってさらに第３の拡散層に伝えられる
【００２４
】図１に示すようにＦＤ領域には，Ｎ型の拡散層が存在するが，このＮ型拡散層としては，１０
17
〜１０
18
／ｃｍ
3
程度のたとえばＰ（リン）からなる拡散層（以下，この濃度および注入種の条件による拡散層を「Ｎ−拡散層」という。）４ａのみが含まれている
Ｎ−拡散層４ａは，一般に「低濃度拡散層」と呼ぶ場合もある。第３の拡散層では，Ｎ−拡散層４ａに加えて，１０
20
〜１０
21
／ｃｍ
3
程度のたとえばＡｓ（砒素）からなる拡散層（以下，この濃度および注入種の条件による拡散層を「Ｎ＋拡散層」という。）４ｂも形成されている
【００２５】このような構造は，たとえば，Ｎ＋拡散層４ｂ形成のためのイオン注入に先立って，ＦＤ領域上を覆うようなフォトレジストパターンを形成しておくなどして，非ＦＤ領域である第３の拡散層に選択的に注入することによって実現される。
【００２６】（作用・効果）
本実施の形態における固体撮像装置では，ＦＤ領域には，Ｎ＋拡散層４ｂを形成しないため，ＦＤ領域における半導体基板１中のイオン注入ダメージ層３３の形成を抑えることができる
したがって，ダメージ層の欠陥に起因するリーク電流を低減することができる
また，拡散層自体の濃度が低下することにより，ＰＮ接合界面における電界も緩和され，リーク電流を低減できる
　　ウ　発明の効果
・「【００４７】
【発明の効果】
本発明によれば，第２の拡散層としてのＦＤ領域には高濃度拡散層を形成しないため，ＦＤ領域における半導体基板中のイオン注入ダメージ層の形成を抑えることができる
したがって，ダメージ層の欠陥に起因するリーク電流を低減することができる
また，拡散層自体の濃度が低下することにより，ＰＮ接合界面における電界も緩和され，リーク電流を低減できる
　
４　対比
（１）次に，本願発明と引用発明とを対比する。
　　ア　引用発明の「半導体基板２１」，「光電変換部４１」，「例えば，２行２列」，「画素」，「読み出し画素の選択用シフトレジスタ」は，それぞれ，本願発明の「半導体基板」，「感光領域」，「マトリックス状」，「感光セル」，「前記複数の感光セルを駆動するために設けられた駆動手段」に対応するので，
　引用発明の「半導体基板２１上の光電変換部４１に，例えば，２行２列に配置された画素と，読み出し画素の選択用シフトレジスタとを少なくとも備えて」いるとの構成は，本願発明の「半導体基板上の感光領域にマトリックス状に配置された複数の感光セルと，前記複数の感光セルを駆動するために設けられた駆動手段とを備えて」いるとの構成に相当する。
　　イ　引用発明の「半導体拡散層１４を有する受光素子１としてのホトダイオード」は，本願発明の「入射光を光電変換して得られた信号電荷を蓄積するために前記半導体基板の表面に露出するように形成されたフォトダイオード」に対応し，引用発明の「ソースが前記半導体拡散層１４と共通化されている転送用ＭＯＳトランジスタ２」は，本願発明の「前記フォトダイオードによって蓄積された前記信号電荷を転送するために前記半導体基板に形成された転送トランジスタ」に対応し，引用発明の「前記転送用ＭＯＳトランジスタのドレインからなる浮遊拡散層１５」は，本願発明の「前記転送トランジスタによって転送された前記信号電荷を一時的に蓄積するために前記半導体基板に形成された浮遊拡散層」に対応し，引用発明の「前記浮遊拡散層１５に接続される増幅用ＭＯＳトランジスタ５」は，本願発明の「前記浮遊拡散層に一時的に蓄積された前記信号電荷を増幅するために前記半導体基板に形成された増幅トランジスタ」に対応するから，
　引用発明の，
「前記各画素は，半導体拡散層１４を有する受光素子１としてのホトダイオードと，ソースが前記半導体拡散層１４と共通化されている転送用ＭＯＳトランジスタ２と，前記転送用ＭＯＳトランジスタのドレインからなる浮遊拡散層１５と，前記浮遊拡散層１５に接続される増幅用ＭＯＳトランジスタ５とを有しており」との構成は，
　本願発明の，
「各感光セルは，入射光を光電変換して得られた信号電荷を蓄積するために前記半導体基板の表面に露出するように形成されたフォトダイオードと，
　前記フォトダイオードによって蓄積された前記信号電荷を転送するために前記半導体基板に形成された転送トランジスタと，
　前記転送トランジスタによって転送された前記信号電荷を一時的に蓄積するために前記半導体基板に形成された浮遊拡散層と，
　前記浮遊拡散層に一時的に蓄積された前記信号電荷を増幅するために前記半導体基板に形成された増幅トランジスタとを有しており」
との構成に相当する。
　　ウ　引用発明の「高融点金属の半導体化合物層」は，本願発明の「サリサイド層」に対応するから，引用発明の「前記増幅用ＭＯＳトランジスタ５のソース・ドレインには高融点金属の半導体化合物層を設け」ることは，本願発明の「前記増幅トランジスタに設けられたソース／ドレイン拡散層はサリサイド層によって覆われて」いることに相当する。
　　エ　引用発明の「前記半導体拡散層１４と前記転送用ＭＯＳトランジスタ２のソース・ドレインは高融点金属の半導体化合物層を設けないようにする」ことにおいて，「前記転送用ＭＯＳトランジスタ２の」「ドレイン」は，「浮遊拡散層１５」のことであるから，引用発明の「前記半導体拡散層１４と前記転送用ＭＯＳトランジスタ２のソース・ドレインは高融点金属の半導体化合物層を設けないようにする」ことは，本願発明の「前記浮遊拡散層は，」「前記半導体基板の表面に露出するように形成されている」ことに相当する。
　　オ　引用発明の「光電変換装置」は，本願発明の「固体撮像装置」に相当する。
　
（２）そうすると，本願発明と引用発明の一致点と相違点は，次のとおりとなる。
　
〈一致点〉
　「半導体基板上の感光領域にマトリックス状に配置された複数の感光セルと，
　前記複数の感光セルを駆動するために設けられた駆動手段とを備えており，
　各感光セルは，入射光を光電変換して得られた信号電荷を蓄積するために前記半導体基板の表面に露出するように形成されたフォトダイオードと，
　前記フォトダイオードによって蓄積された前記信号電荷を転送するために前記半導体基板に形成された転送トランジスタと，
　前記転送トランジスタによって転送された前記信号電荷を一時的に蓄積するために前記半導体基板に形成された浮遊拡散層と，
　前記浮遊拡散層に一時的に蓄積された前記信号電荷を増幅するために前記半導体基板に形成された増幅トランジスタとを有しており，
　前記増幅トランジスタに設けられたソース／ドレイン拡散層はサリサイド層によって覆われており，
　前記浮遊拡散層は，前記半導体基板の表面に露出するように形成されていることを特徴とする固体撮像装置。」
　
〈相違点〉
〈相違点１〉
　本願発明は，「前記浮遊拡散層は，そのコンタクト部周辺以外は前記半導体基板の表面に露出するように形成されているとともに，前記コンタクト部周辺はサリサイド層が形成されて」いるのに対して，引用発明では，「コンタクト部周辺はサリサイド層が形成されて」いるものではない点。
　
〈相違点２〉
　本願発明は，「前記浮遊拡散層の不純物濃度は前記増幅トランジスタのソース／ドレイン拡散層の不純物濃度よりも低くなっている」のに対して，引用発明では，「浮遊拡散層１５」の不純物濃度と「増幅用ＭＯＳトランジスタ５のソース・ドレイン」の不純物濃度の関係が不明である点。
　
５　相違点についての検討
（１）相違点１について
　　ア　先に述べたように，引用例１には，「
但し，絶縁層にコンタクトホールを形成してゲート電極や拡散層に電気的に接続される電極を設ける場合には，そのコンタクトホール底部においては導電体材料の層として高融点金属やその半導体化合物の層が形成され得る
　　イ　したがって，相違点１は，当業者が容易に想到し得たものである。
　
（２）相違点２について
　　ア　上記３−２のア〜ウによれば，引用例２には，固体撮像装置を構成する各単位セルＣが，フォトダイオードＰＤと，転送スイッチＭ１と，リセットスイッチＭ２と，アンプＭ３と，選択スイッチＭ４とを有し，転送スイッチＭ１，リセットスイッチＭ２，アンプＭ３および選択スイッチＭ４の各々が，ＭＯＳトランジスタより成るものにおいて，スイッチＭ２に隣接する位置に配置されるＦＤ領域（Ｎ型拡散層）を，１０17〜１０18／ｃｍ3程度のたとえばＰ（リン）からなる比較的低濃度の拡散層で構成することにより，リーク電流を低減させ，固体撮像装置の感度を向上させることができることが開示されている。
　　イ　この技術を，引用発明に係る固体撮像素子の浮遊拡散層（ＦＤ層）に適用し，固体撮像装置の感度を向上させることは，当業者にとって容易である。
　　ウ　ところで，引用例１の固体撮像装置においては，光電変換部は，転送用ＭＯＳトランジスタ２とリセット用ＭＯＳトランジスタ３と，増幅用ＭＯＳトランジスタ５と選択用ＭＯＳトランジスタ４を含んでいる（段落【００１７】）ところ，ソース・ドレイン拡散層の不純物濃度には低不純物濃度のものと高不純物濃度のものの２種類があって，転送用ＭＯＳトランジスタ２のソース領域１４は低不純物濃度，リセット用ＭＯＳトランジスタ３及び周辺回路部４２のＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン拡散層は高不純物濃度とされている（段落【００４６】）。
　そして，リセット用ＭＯＳトランジスタと増幅用ＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン拡散層をともに高不純物濃度とすることが，固体撮像装置の慣用技術であることに照らせば（例えば，以下の特開平１０−３２２５９９号公報（周知例１）及び特開平１１−３５５６６８号公報（周知例２）を参照），引用例１の固体撮像装置においても，リセット用ＭＯＳトランジスタと増幅用ＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン拡散層は，通常，ともに高不純物濃度とされているものと理解するのが自然である。
　　（ア）周知例１（特開平１０−３２２５９９号公報）には，図１，図２とともに，次の記載がある。
・「【００１９】
【発明の実施の形態】以下，図面を参照してこの発明の実施の形態を説明する。図１及び図２（ａ）は，この発明の固体撮像装置の第１の実施の形態の構成を示すもので，図１は単位セルを概略的に示した構成図，図２（ａ）は断面構造を示した図である。尚，
図には示されないが，この固体撮像装置は単位セルが行列２次元状に配列されてなるものとする
【００２０】ｐ型のシリコン基板２０の一方の主面側にはｐウェル領域２１が形成される。そして，
このｐウェル領域２１の表面には，島状に複数のｎ+ 層２２ａ〜２２ｊが形成される
【００２１】上記フォトダイオード２４は，転送トランジスタ２５のソースに接続されている。そして，この転送トランジスタ（Ｔｒ）２５のドレインは，後述するサンプルホールドコンデンサ３２ａ，３２ｂに電荷を転送するためのサンプルホールドトランジスタ２６ａ，２６ｂのドレインと，リセットトランジスタ２７のドレインと，
増幅トランジスタ２８のゲートに接続されている。この増幅トランジスタ２８のドレインには，アドレストランジスタ２９のドレインが接続されている
【００２２】
上記増幅トランジスタ２８のソースには垂直信号線３０が，そしてリセットトランジスタ２７のソース及びアドレストランジスタ２９のソースには，配線３１が接続されている
・
図２には，「増幅トランジスタ２８」のソース及びドレインが「ｎ
＋
層２２ｂ」と「ｎ
＋
層２２ｃ」とで構成されたものが示されている
　　（イ）周知例２（特開平１１−３５５６６８号公報）には，図１，図２とともに，次の記載がある。
・「【００１０】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１１】図１は，本発明の第１実施形態に係るＣＭＯＳイメージセンサを示す概略構成図である。図１において，単位画素１０が２次元配置されて画素部を構成しており，ここでは簡略化のために，
ｎ行ｍ列の単位画素１０ｎ，ｍおよびｎ＋１行ｍ列の単位画素１０ｎ＋１，ｍの２画素のみを示す
【００１２】
単位画素１０ｎ，ｍは，光電変換素子である例えばフォトダイオード１１，転送スイッチ１２，電荷蓄積部であるフローティングディフュージョン（ＦＤ）１３，リセットスイッチ１４および増幅トランジスタ１５を有する構成となっている
【００１３】また，本例では，転送スイッチ１２としてＮｃｈエンハンスメント型トランジスタが，リセットスイッチ１４としてＮｃｈデプレッション型トランジスタが，
増幅トランジスタ１５としてＮｃｈエンハンスメント型トランジスタがそれぞれ用いられる
「【００１６】図２に，第１実施形態に係る単位画素１０および垂直信号線２３のポテンシャル分布を示す。同図において，ＰＤはフォトダイオード１１を，ＴＳは転送スイッチ１２を，ＦＤはフローティングディフュージョン１３を，ＲＳはリセットスイッチ１４を，
ＡＴは増幅トランジスタ１５をそれぞれ表している
・
図２には，「増幅トランジスタ２８」のソース及びドレインが「Ｎ
＋
」で構成されたものが示されている
　　エ　そうすると，引用発明に係る固体撮像素子の浮遊拡散層（ＦＤ層）に，引用例２に記載の技術を適用して，浮遊拡散層に低不純物層を採用した場合には，「浮遊拡散層」の不純物濃度は，「増幅トランジスタ」のソース／ドレイン拡散層の不純物濃度よりも低くなると考えるのが合理的である。
　　オ　以上によれば，相違点２は，引用発明に引用例２に記載の技術を適用することにより，自然に導かれるものといえる。仮にそうでないとしても，固体撮像装置における上記慣用技術に照らし，相違点２は，技術上の設計事項である。　
　
（３）以上のとおり，本願発明は，引用発明及び引用例２に記載の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　　
第４　結言 
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶をすべきものである。
　
 　よって，結論のとおり審決する。