【事件の表示】
　特願２００６−５０３８０１号「マイクロ電気機械システム式熱応動スイッチ」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　９月１０日国際公開、ＷＯ２００４／０７６３４１、平成１８年　８月１７日国内公表、特表２００６−５１８９２０号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１６年２月２３日［パリ条約による【優先日】２００３年（平成１５年）２月２１日【優先権主張国】米国］を国際出願日とする出願であって、平成２１年１０月１３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２２年２月１５日に拒絶査定に対する不服審判の請求がなされたもので、その各請求項に係る発明は、平成２１年８月１０日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載された事項によって特定されるものと認められ、そのうち請求項１は、次のとおりである。
　
「基板内のチャネルの対向する端に位置決めされたソース及びドレインと、
　前記基板から分離され、前記基板から梁をはなす複数の絶縁体の台によって支持されたバイメタルの梁と、
を有し、
　前記梁が、前記ソースと前記ドレインの間のチャネルの上方に配置されていることを特徴とする熱応動スイッチ。」
　
２．原査定の拒絶の理由に引用した文献等の開示事項
（１）本願の優先権主張日より前に頒布された刊行物である米国特許出願公開第２００３−３４８７０号明細書（公開日２００３年２月２０日）（以下、「引用例１」という）には、図面とともに次のア）〜オ）の事項が記載されている。（なお、下線部及び括弧｛｝内の翻訳は当審において付したものであり、上記刊行物の対応特許である特表２００５−５００６５５号公報を参照した。）
　
ア）「［0047］ According to one embodiment of the invention, the
 bimodal thermal actuation device or thermal actuator  12
 epitaxial silicon
《中略》
Furthermore, the driver material is different from the particular material used in forming the base structure  14  and has a second or driver thermal coefficient of expansion that results in a drive thermal expansion rate different from the base thermal expansion rate. For example, when the base structure  14  is formed of silicon, the driver structure  16  is formed of
 silicon oxide, silicon nitride,
｛【００３１】本発明の実施の一形態では、本発明の
２モード式熱アクチュエータデバイスまたは熱アクチュエータ１２
エピタキシャルシリコン
《中略》
　さらに、この駆動器材料は、基礎構造１４を形成する際に使用した具体的な材料とは異なると共に、第２の熱膨張率すなわち駆動器熱膨張率を有しており、このため駆動熱膨張率は基礎熱膨張率と異なる。たとえば、基礎構造１４がケイ素から形成されている場合、その駆動器構造１６は、ケイ素と異なる熱膨張率を有するような上で検討した一群の頑丈で実質的に非延性の材料から選択から選択される
二酸化ケイ素、窒化ケイ素、
　
イ）「［0057］ According to the embodiment of the invention illustrated in  FIGS. 1 and 2 , the thermal actuator  12  of the invention is provided in a simplified snap-action micromachined thermal switch  26 . When the thermal actuator  12  of the invention is practiced in the thermal switch  26 , in this second inverted configuration the electrical conductor portion  18  of the 
arch  20 
《中略》
Thus, according to one embodiment of the invention, the support  28  is formed of a monocrystalline silicon material in a substantially planar structure, similar to the base material used to form the base structure  14  of the thermal actuator  12 . According to another embodiment of the invention, 
the support  28  is formed of a glass material, such as Pyrex RTM glass.
｛【００４１】図１および２に示した本発明の実施形態では、本発明による熱アクチュエータ１２を簡略型スナップアクション式微細加工熱スイッチ２６の形で提供している。本発明によるこの熱アクチュエータ１２を熱スイッチ２６内で実施させる場合、この第２の反転した構成では、
アーチ形２０
《中略》
したがって、本発明の実施の一形態では、その支持体２８は、熱アクチュエータ１２の基礎構造１４の形成に使用する基礎材料と同様に、実質的に平面構造をした単結晶シリコン材料から形成させている。別の本発明の実施形態では、
その支持体２８はＰｙｒｅｘ　ＲＴＭガラスなどのガラス材料から形成させている。
　
　
ウ）「［0061］The thermal actuator  12  is coupled to the 
support plate  28 
thermal switch  26
 top or table portion of the mesas  32 
electrically isolating the thermal actuator  12  from the support  28
The insulating layer  39 
［0062］FIG. 2　illustrates  the thermal switch  26 havinng the thermal actuator 12 desposed in the second state of stability,whereby the inner concave surface24 of the central mobile portion20 is inverted to an outer convex surface24 spaced a distance away from the plane P of the border portion22.  In this second inxerted configuration the central mobile portion20 and  the electrode 18a  portion of the electrical conductor  portion18 are forced into contact with the electrical contact 30 of the support 28,thereby closing circuit .  　　《中略》
As such,the solidstate relay 40 discussd above and either the alternative power transistor or the field effect transistor(FET) discussd below can be easily and inexpensively incorporated on the same chip  as the temperature switch  26 forminng an integrated circuit.」（段落［0061］〜［0062］）
｛【００４５】熱アクチュエータ１２は、可動性部分２０の電極１８ａが床面３４から上に突き出た１つまたは複数の電気接点３０と接触するようにして
支持プレート２８
熱スイッチ２６
メサ構造３２の最上部すなわち台状部分
熱アクチュエータ１２を支持体２８から電気的に隔絶させる
絶縁層３９
【００４６】図２は、熱アクチュエータ１２を第２の安定状態に配置させ、これによって中央の可動性部分２０の内側に凹の表面２４が縁取り部分２２の面Ｐからある距離だけ離間した外側に凸の表面２４になるまで反転しているような熱スイッチ２６を表している。この第２の反転した構成では、その中央の可動性部分２０および電気導体部分１８の電極部分１８ａは支持構造２８の電気接点３０と接触するように押され、これにより回路が閉じる。
　《中略》
上で検討した半導体リレー４０や、代替的なパワートランジスタと以下で検討する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のいずれかは、１つの集積回路を形成するように温度スイッチ２６と同じチップ上に容易かつ廉価に組み込むことが可能である。（段落【００４５】〜【００４６】）｝
　
　
エ）「［0064］According to the alternative embodiment illustrated in  FIG. 4 , the temperature switch  26  is configured for high side switching a field effect transistor (FET)  44 , which is incorporated into the same chip along with the temperature switch  26 . Accordingly, 
the temperature switch  26  is connected between the gate and the drain terminal of the FET
｛【００４８】図４に表した代替的な実施形態では、その温度スイッチ２６は、温度スイッチ２６と一緒に同じチップ内に組み込んだ電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）４４を高側（ｈｉｇｈ  ｓｉｄｅ）切り替えするように構成させている。したがって、
温度スイッチ２６は、ＦＥＴのゲートとドレイン端子の間に接続させており
　
　
オ）「［0096］FIG. 9 illustrates the MEMS thermal switch of the invention in an alternative embodiment as a double contact thermal switch 200　　《中略》
As illustrated in  FIG. 10 , the driver structure  16 , when formed of a suitably electrically conductive material, may also provide the contact electrode  18 a  on the central mobile portion  20  of the actuator  12 . The actuator  12  is provided with at least the central contact electrode  18 a  that is large enough to contact the two otherwise mutually isolated electrical contacts  30 a ,  30 b  when the actuator  12  snaps through to its inverted state, thereby 
closing a circuit interrupted by the break between the two electrical contacts  30 a ,  30 b
｛【００８０】図９では、本発明のＭＥＭＳ式熱スイッチを、・・・ダブル接触式熱スイッチ２００として表しており、　《中略》　　　　　　　　
図１０に示すように、適当な導電性材料から形成させた場合に駆動器構造１６も、アクチュエータ１２の中央の可動性部分２０上に接触電極１８ａを提供することがある。アクチュエータ１２には、このアクチュエータ１２をその反転状態を介してスナップ動作させるときに、通常は相互に分離している２つの電気接点３０ａ、３０ｂが接触するのに十分な大きさとした少なくとも中央の接触電極１８ａを設けており、これによって図１０に示すように２つの
電気接点３０ａ、３０ｂ間の断絶によって遮断された回路を閉じる
　
　上記引用例１の記載事項ア）〜オ）及び図面に示された内容を総合すると、引用例１には、以下の発明が記載されていると認められる。 
　
「
支持プレート２８
断絶によって遮断された回路
　
支持体２８
支持体２８
アーチ形２０
メサ構造３２の最上部すなわち台状部分
２モード式熱アクチュエータデバイスまたは熱アクチュエータ１２
アーチ形２０
を有し、
　前記
アーチ形２０
電気接点３０ａ、３０ｂ間
断絶によって遮断された回路
熱スイッチ２００
　　
（２）本願の優先権主張日より前に頒布された刊行物２である米国特許５４６３２３３号明細書（以下「引用例２」という）には、図面とともに次のカ）、キ）の事項が記載されている。（なお、下線部及び括弧（）内の翻訳は当審において付したものである。）
　
　カ）FIG. 1の説明箇所である第３欄６４行ないし第４欄４行の記載事項「Referring to FIG. 1, the present invention relates to a thermal or temperature switch, generally identified with the reference numeral 20, which includes a temperature sensing element 22 and a pair of 
electrical contacts 24
fixed electrical contacts 26 and 28
temperature sensing element 22 may be formed from a bimetallic element as illustrated in FIG. 1
 bimetallic element （
electrical contacts 24（電気接点24）
fixed electrical contacts 26 and 28（固定電気接点26と28）
　
　キ）FIG.7〜FIG.10の説明箇所である第１０欄３１行ないし第５０行の記載事項「An alternative embodiment of the invention is illustrated in FIGS. 7-10. 
In this embodiment, the electrical contacts 24
FIG. 7 illustrates an embodiment with an N-channel junction type field effect transistor. FIG. 8 
FIG. 9 relates to an N-channel and FIG. 10 relates to a P-channel.
drain and source terminals 100 and 102, respectively, and a movable mounted gate terminal 104
electrical contacts 24（
channel
　
　
　
３．対比
　先ず、本願発明の「熱応動スイッチ」はマイクロ機械電気システム（MEMS）式熱応動スイッチであり、基板内にソースとドレインを有するＦＥＴと、基板から分離された梁を含んで、梁は、ソースとドレインの上方に所定の空隙だけ離して配置され、熱的設定点に達するとソースをドレインに電気的に接続するものである。（本願明細書【０００４】参照）
　引用発明の「
熱スイッチ２００
熱スイッチ２００
  引用発明の「支持プレート２８」及び「支持体２８」は、本願発明の「基板」に相当し、以下同様に、「２モード式熱アクチュエータまたは熱アクチュエータ１２」は「バイメタル」に、「アーチ形２０」は「梁」に、「Ｐｙｒｅｘ  ＲＴＭガラスなどのガラス材料」は「絶縁体」に、「支持体２８から電気的に隔絶させ」は「基板から分離され」に、「Ｐｙｒｅｘ  ＲＴＭガラスなどのガラス材料」は「絶縁体」に、「メサ構造３２ａ、３２ｂの最上部すなわち台状部分」は「（基板から梁をはなす）複数の（絶縁体の）台」に、それぞれ相当する。
　引用発明の「２モード式熱アクチュエータまたは熱アクチュエータ１２」はシリコンを用いているが、本願発明ではシリコンを用いているものもバイメタルの範疇に入れている（本願明細書【００１３】〜【００１４】参照）ので、本願発明の「バイメタル」に相当するということができる。〈前記２．（１）ア）参照〉
引用発明の「メサ構造３２ａ、３２ｂの最上部すなわち台状部分」は、アーチ形２０を支持体２８からはなして支持しているから、本願発明の「バイメタルの梁」を支持している「基板から梁をはなす複数の絶縁体の台」に相当している。
　
「断絶によって遮断された回路」は「チャネルの対向する端に位置決めされたソース及びドレイン」の上位概念に相当する。両者は「断絶によって遮断された回路」という概念で共通する。
　
　本願発明と引用発明の一致点と相違点は以下のとおりである。
（一致点）　
「基板内の断絶によって遮断された回路と、
　前記基板から分離され、前記基板から梁をはなす複数の絶縁体の台によって支持されたバイメタルの梁と、
を有し、
　前記梁が、断絶によって遮断された回路の上方に配置されていることを特徴とする熱応動スイッチ。」の点で一致し、
（相違点）　
「断絶によって遮断された回路」は、本願発明では、「チャネルの対向する端に位置決めされたソース及びドレイン」であり「梁がソースとドレインの間のチャネルの上方に配置され」、ソースとドレインを電気的に接続するのに対し、引用発明では「電気接点３０ａ、３０ｂ」であり「アーチ形２０が電気接点３０ａ、３０ｂの間の支持体２８の上方に配置されて」電気的に接続する点で相違する。
　
４．当審の判断
　一般に、温度検知のセンサーにFETトランジスタ（電界効果トランジスタ）を用いることは周知であり、引用発明のスナップアクション式熱計測デバイスでも「温度スイッチ２６」にFETトランジスタ（電界効果トランジスタ）が組み込まれている例も記載されている。（上記２．（１）ウ）参照）
　また、上記引用例２から「 field effect transistor 98（電界効果トランジスタ 98）の
electrical contacts 24（
channel
　ここで、
electrical contacts 24（
channel
　そうすると、引用例２には「電界効果トランジスタについて、チャネルの対向する端に位置決めされたソース及びドレイン間で基板の上方に配置されている梁でソースとドレインを電気的に接続すること」が記載されているといえる。
　引用発明の温度スイッチとして、FETトランジスタ（電界効果トランジスタ）を適用することに何ら阻害要因はないので、上記相違点に関して、引用発明に引用例２に示されている事項を適用し、引用発明の「断絶によって遮断された回路」を「チャネルの対向する端に位置決めされたソース及びドレイン」とし、「梁」を該「ソースとドレインの間のチャネルの上方に配置」してソースとドレインを電気的に接続することによって、本願発明のように構成することは当業者であれば容易に想到し得たものと認められる。
　したがって、本願発明（本願請求項１に係る本願発明）は、引用発明及び引用例２に記載された事項から、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用発明と引用例２に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるので、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　そうすると、このような特許を受けることができない発明を包含する本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。　  
　よって、結論のとおり審決する。