Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年6月29日(2011.6.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次放射を発するエレクトロルミネッセント光源と、
前記一次放射の少なくとも一部を二次放射に変換するための、蛍光材料を有する光変換素子と、
フィルタ層に入射する前記二次放射のうち、発せられた前記二次放射のスペクトルの少なくとも１つの境界波長を超える波長成分を吸収する該フィルタ層とを含んでおり、
前記フィルタ層が、ＣｏＯ−Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２−ＣｏＯ−ＮｉＯ−ＺｒＯ２、ＣｅＯ−Ｃｒ２Ｏ３−ＴｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２−ＺｎＯ−ＣｏＯ−ＮｉＯ、ビスマスバナデート、（Ｐｒ，Ｚ，Ｓｉ）−Ｏ、（Ｔｉ，Ｓｂ，Ｃｒ）−Ｏ、Ｔａ酸化窒化物、（Ｚｎ，Ｃｒ，Ｆｅ）−Ｏ、ＣｄＳ−ＣｄＳｅ、ＴａＯＮまたはウルトラマリン（Ｎａ８−１０Ａｌ６Ｓｉ６Ｏ２４Ｓ２−４）を含む群から選択される、少なくとも１つの材料を含む色素材料を含んでいることを特徴とする蛍光変換型エレクトロルミネッセント装置。
【請求項２】
前記フィルタ層が、前記二次放射のうち、第１の境界波長より低波長の波長成分、および第２の境界波長より高波長の波長成分を吸収するものであることを特徴とする請求項１記載の蛍光変換型エレクトロルミネッセント装置。
【請求項３】
前記フィルタ層が、前記光変換素子の、前記エレクトロルミネッセント光源から遠い側の表面上に配されていることを特徴とする請求項１または２記載の蛍光変換型エレクトロルミネッセント装置。
【請求項４】
前記フィルタ層が、前記エレクトロルミネッセント光源および前記光変換素子とは別個の光学素子上に配されていることを特徴とする請求項１または２記載の蛍光変換型エレクトロルミネッセント装置。
【請求項５】
前記フィルタ層が、高い屈折率と低い屈折率とを交互に持つ複数の層を有する積層系を含んでいることを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の蛍光変換型エレクトロルミネッセント装置。
【請求項６】
前記光変換素子が、該光変換素子の表面の法線に対して平行な伝播方向を有する前記二次放射に対し、３０％よりも高い透過率を有することを特徴とする請求項１から５いずれか１項記載の蛍光変換型エレクトロルミネッセント装置。
【請求項７】
前記蛍光材料が、蛍光体単結晶、または理論密度の９５％よりも高い密度を有する多結晶セラミックであることを特徴とする請求項１から６いずれか１項記載の蛍光変換型エレクトロルミネッセント装置。
【請求項８】
前記光変換素子が、蛍光材料が埋め込まれたマトリックス材料を含み、前記マトリックス材料の屈折率と前記蛍光材料の屈折率との違いが、０．１未満であることを特徴とする請求項１から７いずれか１項記載の蛍光変換型エレクトロルミネッセント装置。
【請求項９】
前記蛍光材料が、
2009512130.tif 000001
の群から選択される少なくとも１つの材料を含んでいることを特徴とする請求項１から８いずれか１項記載の蛍光変換型エレクトロルミネッセント装置。
【請求項１０】
請求項１から９いずれか１項記載の蛍光変換型エレクトロルミネッセント装置の、乗物における光源としての使用。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
この場合におけるフィルタ層は、無機色素材料または有機色素材料の群から選択される少なくとも１つの材料を含むものとされる。ある好ましい実施形態では、この色素材料は、２００°Ｃまでの温度において熱的に安定なものとされ、これにより、高いパワー密度を有するエレクトロルミネッセント光源（いわゆるパワーＬＥＤ）を利用することが可能となる。フィルタ層内の色素材料の熱的安定性の結果、安定したフィルタリング作用が得られ、したがって、蛍光変換型エレクトロルミネッセント装置の動作寿命に亘って、安定した色点が得られる。この種の熱的安定性を有する材料には、ＣｏＯ−Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２−ＣｏＯ−ＮｉＯ−ＺｒＯ２、ＣｅＯ−Ｃｒ２Ｏ３−ＴｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２−ＺｎＯ−ＣｏＯ−ＮｉＯ、ビスマスバナデート、（Ｐｒ，Ｚ，Ｓｉ）−Ｏ、（Ｔｉ，Ｓｂ，Ｃｒ）−Ｏ、Ｔａ酸化窒化物、Ｆｅ２Ｏ３、（Ｚｎ，Ｃｒ，Ｆｅ）−Ｏ、ＣｄＳ−ＣｄＳｅ、ＴａＯＮまたはウルトラマリン（Ｎａ８−１０Ａｌ６Ｓｉ６Ｏ２４Ｓ２−４）を含む群から選択される材料が含まれる。ハイフンを用いて示されている材料は、無機色素材料の生成によく使用されるような、混合酸化物である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
この効率性は、蛍光体単結晶の形態、または理論密度の９５％よりも高い密度を有する多結晶セラミックの形態の蛍光材料によって、実現することができる。この種の蛍光材料は、二次放射に対して低い散乱能を有し、したがって二次放射に対して増大させられた光産出量を有する。１つの効率的な代替実施形態では、光変換素子は、蛍光材料が埋め込まれたマトリックス材料を含むものとされ、マトリックス材料の屈折率と蛍光材料の屈折率との違いが、０．１未満とされる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
熱的に安定した無機色素材料を、たとえば種々のスペクトル範囲について示すと、以下の材料を含み得る。
青色：ＣｏＯ−Ａｌ２Ｏ３
ウルトラマリン
緑色：ＴｉＯ２−ＣｏＯ−ＮｉＯ−ＺｒＯ２
ＣｅＯ−Ｃｒ２Ｏ３−ＴｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３
ＴｉＯ２−ＺｎＯ−ＣｏＯ−ＮｉＯ
黄色：ビスマスバナデート
（Ｐｒ，Ｚ，Ｓｉ）酸化物
（Ｔｉ，Ｓｂ，Ｃｒ）酸化物
Ｔａ酸化窒化物
赤色：Ｆｅ２Ｏ３
（Ｚｎ，Ｃｒ，Ｆｅ）酸化物
ＣｄＳ−ＣｄＳｅ
ＴａＯＮ
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
本発明に従う蛍光変換型エレクトロルミネッセント装置が、アプリケーション用に、境界波長を超える領域または２つの境界波長間の領域において、十分な光量を提供することができるようにするためには、特に高効率の蛍光材料（すなわち、二次放射に対して、可能な限り低い再吸収能を有する蛍光材料）が、光変換素子に使用されることが重要である。これらの材料は、二次放射に対して、（表面の法線に対して平行に光が入射する場合において）３０％を超える透過率を有するべきであり、４０％以上のより高い透過率値を有することがさらに有利である。この種の有機蛍光材料または無機蛍光材料は、以下のような様々なやり方で生成することができる。
ａ）蛍光材料を圧縮および焼結することにより、理論密度の９５％よりも高い密度で生成される、多結晶セラミック材料として。
ｂ）蛍光体単結晶として。
ｃ）マトリックス材料の屈折率と蛍光材料の屈折率との違いが０．１未満であるような、マトリックス材料に埋め込まれた無機蛍光材料または有機蛍光材料として。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月15日(2011.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉｂ）において、
【化１】
2007533752.tif 000001
ｍは０であり、
Aが、−N(R1)(R4)であり、
R1が、−C1-5アルキレン−CO2Hであり、
R4が、チエニルまたは−C1-4アルキレン−チエニルであり、
R6が、水素であり、そして、
R7が、
４−イソプロピルフェニル
４−トリル
４−フルオロフェニル
４−クロロフェニル
３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェニル
４−シアノフェニル
２−ナフチル
４−トリフルオロメトキシフェニル
３，４−ジ（ヒドロキシ）フェニル
ビフェニル−４−イル
３−メトキシフェニル
４−メトキシフェニル
５，５，８，８−テトラメチル−５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン−２−イル
３，５−ジ（tert-ブチル）−４−ヒドロキシフェニル
４−トリフルオロメチルフェニル
４−tert-ブチルフェニル
４−イソブチルフェニル
１−ナフチル
４−エトキシフェニル
４−イソブトキシフェニル
ビフェニル−３−イル、および
４−（４−メチルシクロヘキシルオキシ）フェニル
からなる群から選択される化合物、又は、その薬学的に許容可能な塩もしくは溶媒和物。
【請求項２】
R1が−（CH2）2-CO2Hである、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
R4がチオフェン−３−イルまたは−CH2-（チオフェン−２−イル）である、請求項２に記載の化合物。
【請求項４】
R7が４−イソプロピルフェニルまたは４−イソブチルフェニルである、請求項３に記載の化合物。
【請求項５】
3-[[4-(4-イソプロピル-フェニル)-チアゾール-2-イル]-[チオフェン-2-イルメチル]-アミノ]-プロピオン酸、
3-[(4-ビフェニル-4-イル-チアゾール-2-イル)-(チオフェン-2-イルメチル)-アミノ]-プロピオン酸、
3-([4-[4-(トランス-4-メチル-シクロヘキシルオキシ)-フェニル]-チアゾール-2-イル]-[チオフェン-2-イルメチル]-アミノ)-プロピオン酸、
3-[[4-(4-イソプロピル-フェニル)-チアゾール-2-イル]-[チオフェン-3-イル]-アミノ)-プロピオン酸、
3-[[4-(4-イソブチル-フェニル)-チアゾール-2-イル]-[チオフェン-2-イルメチル]-アミノ]-プロピオン酸、
5-[[4-(4-イソプロピル-フェニル)-チアゾール-2-イル]-[チオフェン-2-イルメチル]-アミノ]-ペンタン酸、
3-[[4-(4-イソプロピル-フェニル)-チアゾール-2-イル]-[2-チオフェン-2-イルメチル]-アミノ]-プロピオン酸、および
3-[[4-(4-イソプロピル-フェニル)-チアゾール-2-イル]-[3-チオフェン-2-イルプロピル]-アミノ]-プロピオン酸
からなる群から選択される化合物、又は、その薬学的に許容可能な塩もしくは溶媒和物。
【請求項６】
前記化合物が、3-[[4-(4-イソプロピル-フェニル)-チアゾール-2-イル]-[チオフェン-2-イルメチル]-アミノ]-プロピオン酸又はその薬学的に許容可能な塩である、請求項１に記載の化合物。
【請求項７】
前記化合物が、3-[[4-(4-イソプロピル-フェニル)-チアゾール-2-イル]-[チオフェン-2-イルメチル]-アミノ]-プロピオン酸である、請求項６に記載の化合物。
【請求項８】
前記化合物が、3-[[4-(4-イソプロピル-フェニル)-チアゾール-2-イル]-[チオフェン-2-イルメチル]-アミノ]-プロピオン酸ナトリウムである、請求項６に記載の化合物。
【請求項９】
前記化合物が、3-[[4-(4-イソブチル-フェニル)-チアゾール-2-イル]-[チオフェン-2-イルメチル]-アミノ]-プロピオン酸又はその薬学的に許容可能な塩である、請求項１に記載の化合物。
【請求項１０】
前記化合物が、3-[[4-(4-イソブチル-フェニル)-チアゾール-2-イル]-[チオフェン-2-イ
ルメチル]-アミノ]-プロピオン酸である、請求項９に記載の化合物。
【請求項１１】
前記化合物が、3-[[4-(4-イソブチル-フェニル)-チアゾール-2-イル]-[チオフェン-2-イルメチル]-アミノ]-プロピオン酸塩酸塩である、請求項９に記載の化合物。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の化合物および薬学的に許容可能な担体、賦形剤、または希釈剤を含む、医薬組成物。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年2月22日(2011.2.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
本発明は、情報技術（ＩＴ）インフラストラクチャに対するコンピュータ・セキュリティの脅威を特定するための装置を提供する。ネットワーク・スキャナは、少なくとも１つのタクソノミ（taxonomy）を利用して可能性のある侵入を特定する。侵入検出器は、少なくとも１つの実際の侵入を検出する。偽陽性／真陽性（true-positive）（ＦＰＴＰ）検出器は、特定された可能性のある侵入と検出された実際の侵入とを比較して、タクソノミを更新する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
図面のうちの図１を参照すると、参照番号１００は、サンプル・タクソノミを示すブロック図を全体として指定する。タクソノミ１００は、第１のレベル１２０、第２のレベル１２２、第３のレベル１２４、および第４のレベル１２６を有する。さらに第１のレベル１２０は、曜日カテゴリ１０２を有する。さらに第２のレベル１２２は、週末カテゴリ１０４および平日カテゴリ１０６を有する。さらに第３のレベルは、土曜日カテゴリ１０８、日曜日カテゴリ１１０、月曜日カテゴリ１１２、および金曜日カテゴリ１１４を有する。さらに第４のレベル１２６は、第１のタイムスタンプｔ１、第２のタイムスタンプｔ２、および第３のタイムスタンプｔ３を有する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
タクソノミを形成する場合、変化するレベルのそれぞれが相互に関係付けられる。タイムスタンプｔ１、ｔ２、およびｔ３は、週のうちの特定の時間に発生する。したがって、各タイムスタンプｔ１、ｔ２、およびｔ３は、土曜日１０８などの週のうちの特定の曜日としてカテゴリ化することが可能であり、週末１０４などの週のうちの時間としてカテゴリ化することが可能である。言い換えれば、後続の各レベルは、前のレベルの単一または複数のサブセットである。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
セキュリティ分析には、通常、イベントの組み合わせおよび順序とわかっている侵入とを相関させる必要がある。可能な組み合わせおよび順序は莫大な数であるため、有用なパターンを識別するのは極端に困難な可能性がある。図１のサンプル・タクソノミなどのタクソノミを利用するクラスタ分析は、可能な組み合わせおよび順序の数をリアルタイムでより速く処理されるサイズにまで削減するための効果的なデータ削減ツールである。クラスタリングは、オブジェクトをカテゴリまたはクラスタにグループ化することを追求し、カテゴリのオブジェクトは同様の特徴を有する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
ネットワーク・スキャナ２０２はシステム２００の他の要素である。ネットワーク・スキャナ２０２は、ＩＴコンピュータ・インフラストラクチャ２０３の脅威の事前評価（assessment）分析を提供する。ネットワーク・スキャナ２０２は、第３の通信チャネル２１２を介してＩＴコンピュータ・インフラストラクチャ２０３に結合される。ネットワーク・スキャナは、第１の通信チャネル２１０を介してコンピュータ・ネットワーク２０１にも結合される。加えてネットワーク・スキャナ２０２は、第４の通信チャネル２１３を介して偽陽性／真陽性検出器２０５にも結合される。攻撃のシミュレーションおよび様々な他の技法を介して、ネットワーク・スキャナは、攻撃に関する可能性のあるパターンを特定することができる。言い換えれば、ネットワーク・スキャナ２０２は、観察可能なデータを有意味の構造に編成するかまたはタクソノミを展開する。たとえば、特定の会社から検出された使用量それ自体は有用でない可能性があるが、他のデータと併用して攻撃に対応する相関関係が展開される場合がある。ＣｙｃＳｅｃｕｒｅ（登録商標）（Ｃｙｃｏｒｐ，Ｉｎｃ．，Ｓｕｉｔｅ １００， ３７２１ Ｅｘｅｃｕｔｉｖｅ Ｃｅｎｔｅｒ Ｄｒｉｖｅ， Ａｕｓｔｉｎ， ＴＸ ７８７３１の登録商標および製品）などの、ネットワーク・スキャンを提供してタクソノミを展開する、いくつかのサービスがある。さらに、前述の通信チャネルのいずれかが、無線回線、パケット交換チャネル、直接通信チャネル、およびこの３つの任意の組み合わせを包含することになる。さらに、図２に示されるように、前述の通信チャネルのいずれかを複数の通信チャネルまたは単一の通信を介して各構成要素に結合することができる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
【図１】サンプル・タクソノミを示すブロック図である。
【図２】関連するセキュリティの脅威を識別するためのシステムを示すブロック図である。
【図３】関連するセキュリティの脅威を識別するための方法を示す流れ図である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年5月23日(2011.5.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
有利には、低アルミニウムゼオライト、溶出ガラス、たとえばフューズドシリカ、活性炭、孔質シリカ担体またはＳｉＯ２担体から成る群からの担体に適用された触媒を使用することができる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
適切である場合には、その壁または壁の内表面が耐熱性ガラス、特にフューズドシリカ、耐熱性上薬（glaze）または耐熱性セラミックまたは特殊セラミックを含む反応器を使用する。さらに、反応器のために使用される材料は、本発明による方法において存在する成分に対して、大きく化学的に耐性であるべきである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
実施例
例１：
ＺＳＭ５を、０．１Ｎ  ＢａＣｌ２溶液で含浸させ、引き続いて乾燥させ、かつ水素雰囲気下で１時間に亘って４５０℃で燃焼させた。１０質量％の塩をこの方法で適用した。直径１５ｍｍおよび長さ２５０ｍｍを有するフューズドシリカ反応器中で、この金属塩を含有するゼオライト１．３ｇをフリット上に設置した。管状炉を用いて８４５℃まで電気的に加熱した。Ｈ２／ＳｉＣｌ４混合物を、反応器中７ｌ／ｈの流量で通過させた。反応器中で達成した変換率を、ガスクロマトグラフィーによってモニタリングした。第１表は、ＳｉＣｌ４のＨＳｉＣｌ３への変換率を、種々のｎ（Ｈ２）／ｎ（ＳｉＣｌ４）のモル比で示したものである。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
例２：
例１に記載したフューズドシリカ反応器を使用した。平均粒径１．５ｍｍを有する金属性バリウム１ｇを固体として使用し、かつ前調製した（Ｈ２／ＨＳｉＣｌ３雰囲気、７００℃で２時間に亘って加熱し、７００℃で２時間に亘って維持し（おそらくBa/BaSix/BaCl2/Si相を形成する）、かつ、操作温度まで加熱した）。変換率は、反応温度の関数として７ｌ／ｈの体積流量および一定のｎ（Ｈ２）／ｎ（ＳｉＣｌ４）比６：１で測定した。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
例３
例１に記載したフューズドシリカ反応器を使用した。平均粒径０．７ｍｍを有する無水ＳｒＣｌ２ １ｇを固体として使用した。変換率は、反応温度の関数として、７ｌ／ｈの体積流量および一定のｎ（Ｈ２）／ｎ（ＳｉＣｌ４）比６：１で測定した。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項４】
低アルミニウムゼオライト、溶出ガラス、フューズドシリカ、活性炭、多孔性ケイ質担体またはＳｉＯ２担体からなる群から選択された担体上に適用された触媒を使用する、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項５】
使用された担持触媒が、元素として算定された０．１〜１０質量％の触媒含量を有する、請求項３または４に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年11月18日(2010.11.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
図５８から図６２は、回転式ディスク固定具システムを示す。埋め込む装置は、所望の場所に置かれた後、複数のカーブしたピンまたはフック５０１（図６２参照）を使用して組織に固定され、このピンまたはフックの先端は、アーク状に回転し、その最終移動末端において、ベースプレートの中または近くに再度受け入れられる。ベースプレート５１０内のディスク５２０が回転し、それにより、レバーアーム５２５がカーブしたフック５０１を押し、次に、フック５０１が、ベースプレート内で固定した軸を中心にディスクの回転移動が停止するまでアーク状に回転する。全展開位置（図５９、図６０参照）において、フック５０１の先端は、好ましくはベースプレート５１０に再度受け入れられ、クローズドループができる。あるいは、先端は、ループを作らなくてもよい。どちらかのケースにおいて、回転ディスク５２０はその移動の終端において固定し、フックを所定の位置に固定する。ディスクの後ろ向き回転を防ぐことによりフックを所定の位置に固定するために、停止具５１５または他の固定部材と連結するワンウエイの柔らかい固定タブ５２７を使用してもよい。装置を所定の位置に固定するために、展開ツール、または図５から図１９を参照してこれまでに説明したような送達システムを使用してもよい。プランジャー２２および押し機（pusher）２４も直線運動をギアーを使用した伝達装置もしくは、その他の既知の手段により回転運動に変換する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年3月8日(2011.3.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
足端と頭端とを有する複数パーツから構成されるマットレス支持部（７）と、
床上に配置された台（４１）と昇降ヘッド（３９）とを有し、前記マットレス支持部（７）が設置された、高さ調節が可能なベッド昇降機構（８）と、
前記台（４１）と前記昇降ヘッド（３９）とを接続し、前記昇降機構（８）のそれぞれの側面に設けられたレバー機構（４２，４３，４８，５０）と、を備え、
前記レバー機構は、
双方とも下側の端で台（４１）に接続された、足端側の下部レバー対及び頭端側の下部レバー対（４５）と、
前記足端側及び頭端側の両方の下部レバー対（４５）の上端に、回転可能に水平方向に接続された水平結合支柱（４８）と、
双方とも上側の端で昇降ヘッド（３９）に回転可能に接続されており、足端側の上部レバー対及び頭端側の上部レバー対（４４）と、
斜めに位置する上部レバー（４４）の一つと下部レバー（４５）の一つとに回転可能に接続され、斜めに延出する斜め結合支柱（５０）と、
前記台（４１）から前記昇降ヘッド（３９）に延びる線形駆動装置（５１）と、
から構成される介護用ベッド（１）。
【請求項２】
前記ベッド昇降機構（８）の二つの側面に設けられ、互いに対応する位置にあるレバー機構（４２，４３，４８，５０）のヒンジ軸は、互いに同軸に設置されることを特徴とする請求項１に記載の介護用ベッド。
【請求項３】
斜め方向に延びる前記結合支柱（５０）は、前記線形駆動装置（５１）と同じ方向に傾斜することを特徴とする請求項１に記載の介護用ベッド。
【請求項４】
斜め方向に延びる前記結合支柱（５０）は、前記線形駆動装置（５１）に対して逆方向に傾斜することを特徴とする請求項１に記載の介護用ベッド。
【請求項５】
前記ベッド昇降機構の一方の側面の少なくとも一つの前記レバー（４４，４５）と、前記ベッド昇降機構（７）の他方の側面の対応する一つの前記レバー（４４，４５）とは、不均一な負荷による互いの回転を最小化させるために、共通のトーション部材（５２）によって接続されることを特徴とする請求項１に記載の介護用ベッド。
【請求項６】
前記レバー対（４４，４５）は、前記台（４１）の外側の輪郭と比較し外側に設置されることを特徴とする請求項１に記載の介護用ベッド。
【請求項７】
前記台（４１）は、方形のフレームからなることを特徴とする請求項１に記載の介護用ベッド。
【請求項８】
前記方形のフレーム（４１）は、前記線形駆動装置（５１）のアバットメントとして機能する交差支柱を備える、ことを特徴とする請求項７に記載の介護用ベッド。
【請求項９】
前記線形駆動装置（５１）はスピンドルモータから構成されることを特徴とする請求項１に記載の介護用ベッド。
【請求項１０】
前記スピンドルモータは、オートロック式であることを特徴とする請求項９に記載の介護用ベッド。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
側面からみると、二つの下部レバーと水平方向の連結支柱とは、ロッドからなる平行四辺形を構成し、この平行四辺形はスピンドルモータで起こされる。二つの上部レバーも、同様に上部フレーム又は昇降ヘッドと共に平行四辺形を構成する。この平行四辺形は、斜めに延びる連結支柱によって起こされる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
これにより、従来技術とは全く異なる運動をする。従来技術の昇降機構は、基本的に互いに上に積み重ねられた二つの平行四辺形を備える。この二つの平行四辺形は線形駆動装置又は斜めの結合支柱のいずれかからなる別々の駆動装置によって起こされる。本願発明の構成では、レバー機構は平行な動作をする。水平動作と似た昇降工程中に生ずる水平方向の力は吸収される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本発明の構成では、斜めの結合支柱に生ずる力は、患者の重力の中心位置に依存する。仮に患者が頭側の端の昇降対（lifting pair）と足側の端の昇降対との間の中心に横たわったとすると、斜めの結合支柱に生じる力は、従来の構成の半分以下となる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
これにより、斜め方向の結合支柱と水平方向の結合支柱とをレバーに接続する接合部への負荷が効果的に減少する。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
仮に水平方向の結合支柱が線形駆動装置の方向と交差するように設置されている場合、負荷がかかった状態では、対応する張力が水平方向の結合支柱に生ずる。張力と圧縮力とが一旦入れ替わると、斜めの結合支柱は線形駆動装置の方向にほぼ並行に横たわる。負荷がかかった状態では、圧力は水平方向の結合支柱に働く。にもかかわらず、上述した説明は、昇降ヘッドの線形駆動装置の結合によって圧力支柱（pressure brace）内に生ずる力の状態が改善される、換言すれば生ずる力が小規模となるように負荷分散にも適応することができる。これは当然に接合部にも適用できる。これは特に重要である。なぜなら、斜めの結合支柱とレバーとの結合は、支持されていない形、例えばヒンジ軸のような形式でなされるからである。ヒンジ軸は、二つの構造の構成要素とを互いに接続し、せん断応力だけでなく曲げ応力にもさらされる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
斜めに広がる結合支柱５０は、台８のそれぞれの側面に設けられたトグルレバー対４２の上部トグルレバーアーム４４を、トグルレバー対４３の下部トグルレバーアーム４５に接続する。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６０】
高さ調節可能な介護用ベッドは、合計４つのトグルレバー対によって互いに接続された上部フレームと下部フレームを備える台に特徴がある、ベッドのそれぞれの側面に設置されたトグルレバー対は、更に水平方向且つ斜めに延びる結合支柱によって接続されている。斜めの結合支柱が、下部トグルレバーアームを上部トグルレバーアームに接続する場合、水平方向の結合支柱は、トグルリンクがなされた領域で、トグルレバーを接続する。下部フレームに対して上部フレームを昇降させるモータは、トグルレバーと結合支柱とが、ヒンジ接合部によって模擬平行動作することが可能なようにこれら二つのフレーム内に直接設置される。また、摺動手段を省略することができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年7月26日(2011.7.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
1つの態様において、マイクロアレイ（または他の種類のサンプル）の各スポットが放射255で照射される際に、放射255の強度が変調される。放射の強度を変調するのは強度変調器210である。図2において、強度変調器210は、放射源からの発光に続いて放射255の強度を変化させるものとして示されているが、強度変調器は、放射源の1つまたは複数のパラメータを変化させるように構成されていてもよく、これにより、放射源から放出される放射の強度が変化してもよい。例えば、強度変調器は、ダイオードレーザーなどのレーザーを含む放射源の電流供給を変化させるよう構成された装置であってもよく、これにより、ダイオードレーザーにより生成されるレーザー放射の強度を変化させてもよい。強度変調器210は、放射強度を変調させるよう構成された種々の装置を含んでいてもよい。例えば強度変調器は、図4に示すように、クロス偏光子（crossed polarizer）405および410の間に配置された電気光学変調器（例、ニオブ酸リチウム結晶）400を含んでいてもよい。または強度変調器は、図5に示すように、放射源からの放射の放出に続いて放射強度を変調させるよう構成された音響光学変調器500を含んでいてもよい。強度変調器は、段階的減光フィルタ、および、段階的減光フィルタをフィルタ勾配に沿って放射を通るように動かすことによって放射強度を変調するよう構成されたコントローラを含んでいてもよい。図6Aにおいて、強度変調器は、検流計などを含んでいてもよいコントローラ605に連結された段階的減光フィルタ600を含むものとして示されている。図6Bにおいて、強度変調器は、圧電装置などを含んでいてもよいコントローラ620に連結された段階的減光フィルタ615を含むものとして示されている。いくつかの態様において、強度変調器は、放射を細断するよう構成された光学チョッパー（図には示していない）を含んでいてもよく、これにより、マイクロアレイスポットの照射と非照射が交互に起きるような時間ウィンドウが生成される。1つの態様において、放射ウィンドウの時間的長さは、標的の蛍光標識の励起遅延より長い。例えば光学チョッパーは、蛍光発光時間が例えば約2〜3ナノ秒である標識に対して、マイクロアレイスポットを約10ナノ秒から最大100マイクロ秒にわたって照射するように構成されていてもよい。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
【図１】様々な放射強度を有するマイクロアレイスポットの複数の画像スポットを含む、マイクロアレイの簡略画像である。
【図２】本発明の1つの態様に基づく画像化システム200の簡略ブロック図である。
【図３】その上にマイクロアレイスポットのセットが形成される基質を含む、マイクロアレイの簡略配置図である。
【図４】本発明の1つの態様に基づく、クロス偏光子の間に配置された電気光学変調器（例、ニオブ酸リチウム結晶）を含む強度変調器の簡略図である。
【図５】本発明の別の態様に基づく、音響光学変調器を含む強度変調器の簡略図である。
【図６】図6Aは、本発明の別の態様に基づく、コントローラに連結された段階的減光フィルタを含む強度変調器の簡略図であり、コントローラは、段階的減光フィルタをフィルタ勾配に沿ってレーザー放射を通るように動かすことによってレーザー放射強度を変調するよう構成された検流計などを含んでいてもよい。図6Bは、本発明の別の態様に基づく、コントローラに連結された段階的減光フィルタを含む強度変調器の簡略図であり、コントローラは、段階的減光フィルタをフィルタ勾配に沿ってレーザー放射を通るように動かすことによってレーザー放射強度を変調するよう構成された圧電装置などを含む。
【図７】本発明の1つの態様に基づいてマイクロアレイ画像を生成するための段階を有する高レベルフローチャートである。
【図８】様々な放射強度を有するマイクロアレイスポットの複数の画像スポットを含む、マイクロアレイの簡略画像である。
【図９】本発明の別の態様に基づく、2つのレーザーとこれらレーザーにそれぞれ関連する2つの強度変調器とを有する画像化システムの簡略ブロック図である。
【図１０】本発明の別の態様に基づく、2つのレーザーとこれらレーザーにそれぞれ関連する2つの検出器とを有する画像化システムの簡略ブロック図である。
【図１１】本発明の別の態様に基づく強度変調器の簡略図である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年5月6日(2011.5.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸気状の還元金属及び／又はそれらの水素化物を用いて、バルブ金属酸化物粉末を還元することにより、バルブ金属粉末を製造する方法において、
還元を５〜１１０hPaの還元金属／金属水素化物の蒸気圧で実施し、かつ反応空間中の全圧が還元期間の全部又は一部で１０００hPa未満であることを特徴とする、バルブ金属粉末の製造方法。
【請求項２】
還元金属の蒸気圧が８０hPa未満である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
還元金属の蒸気圧が８〜５０hPaである、請求項２記載の方法。
【請求項４】
バルブ金属酸化物としてチタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、モリブデン及び／又はタングステンの酸化物を使用する、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
バルブ金属酸化物として五酸化タンタルを使用する、請求項４記載の方法。
【請求項６】
還元を不活性キャリヤーガスの存在で実施する、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
不活性キャリヤーガスの分圧が５０〜８００hPaである、請求項６記載の方法。
【請求項８】
不活性キャリヤーガスの分圧が６００hPa未満である、請求項７記載の方法。
【請求項９】
不活性キャリヤーガスの分圧が１００〜５００hPaである、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
還元金属又は水素化物の源が還元すべきバルブ金属酸化物と場所的に離れている、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
蒸気状の還元金属としてマグネシウム蒸気を使用する、請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
バルブ金属酸化物粉末として五酸化タンタルを使用し、生じるタンタル金属粉末を別の工程においてマグネシウムと混合し、６８０〜８５０℃に加熱して、タンタル金属粉末の比表面積を別の処理前のタンタル金属粉末の比表面積の１／３未満に減少させる、請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
プレス及び１２００〜１２５０℃での焼結により６０，０００〜１６０，０００μFV/gの比容量を有するキャパシタが製造可能であるタンタル粉末の製造方法において、五酸化タンタル粉末をマグネシウム蒸気を用いて５〜１１０hPaの蒸気圧で及び８８０℃未満の温度で還元して、６〜１５m2/gの比表面積を有する金属粉末が生じるので、金属粉末の表面積を引き続いて、金属粉末の酸素含量に関して化学量論的に少し過剰量のマグネシウムとの混合後に６８０〜８５０℃の温度で少なくとも３分の１だけ０．９〜４m2/gに減少させることを特徴とする、タンタル粉末の製造方法。
【請求項１４】
ASTM B 822によるＤ５０値及び超音波処理後に測定されるＤ５０US値の商として測定されるアグロメレート安定性２未満を有する、０．９〜６m2/gの比表面積を有するタンタル粉末。
【請求項１５】
ASTM B 822によるＤ５０値及び超音波処理後に測定されるＤ５０US値の商として測定されるアグロメレート安定性１．７未満を有する、請求項１４記載のタンタル粉末。
【請求項１６】
ASTM B 822によるＤ５０値及び超音波処理後に測定されるＤ５０US値の商として測定されるアグロメレート安定性１．５未満を有する、請求項１５記載のタンタル粉末。
【請求項１７】
１．５〜２m2/gの比表面積及び１．７未満のアグロメレート安定性値Ｄ５０／Ｄ５０USを有する、請求項１５記載のタンタル粉末。
【請求項１８】
２．７〜３．３m2/gの比表面積及び１．７未満のアグロメレート安定性値Ｄ５０／Ｄ５０USを有する、請求項１５記載のタンタル粉末。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
大きな比表面積を有する本発明により得られるタンタル粉末は、脱酸する一次構造粗大化、アノード構造体へのプレス、アノード体へのアノード構造体の焼結、対電極の形成及び取り付けによる本来公知の方法での２００，０００〜３００，０００μFV/gの範囲内の比容量を有する電解質キャパシタの製造に適している。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
Ｂ）タンタル粉末の脱酸
例１〜１６の粉末をリン酸二水素アンモニウム溶液に浸漬し、乾燥させたので、１５０ppmのリンドープが生じる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
本発明の対象は、それに応じて、バルブ金属粉末を、蒸気状の還元金属、例えばアルカリ金属、アルミニウム、マグネシウム、カルシウム、バリウム及び／又はランタン及び／又はそれらの水素化物を用いて相応するバルブ金属酸化物粉末を還元することにより製造する方法であり、前記方法は還元を５〜１１０hPaの還元金属／金属水素化物の蒸気分圧で実施し、かつ反応空間中の全圧が還元期間の全部又は一部で１０００hPa未満であることにより特徴付けられている。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
【表２】
2007533854.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月3日(2011.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リポソームを含む、患者への非経口投与用組成物であって、
前記リポソームは、それと安定的に会合してダウノルビシン及びシタラビンを約１：５のダウノルビシン対シタラビンのモル比で有し； 
前記ダウノルビシン及びシタラビンは、患者への投与後少なくとも１時間血中において前記比を維持するよう前記リポソームと安定的に会合されることを特徴とする組成物。
【請求項２】
前記ダウノルビシン及びシタラビンは、共カプセル化されている請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記リポソームは、平均直径４．５〜５００ｎｍである請求項１又は２に記載の組成物。
【請求項４】
前記リポソームは、平均直径２５０ｎｍ未満である請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
前記リポソームは、ホスファチジルコリン含有脂質、及び／又は荷電脂質及び／又はステロールを含む請求項１〜４何れか一項に記載の組成物。
【請求項６】
前記ホスファチジルコリン含有脂質は、ジパルミトイルホスファチジルコリン（ＤＰＰＣ）、ジステアロイルホスファチジルコリン（ＤＳＰＣ）又はジアラキドイルホスファチジルコリン（ＤＡＰＣ）であるか、及び／又は前記荷電脂質は、ホスファチジルグリセロール、及び／又はホスファチジルイノシトールであるか、及び／又は前記ステロールは、コレステロールである請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記リポソームは、ジステアロイルホスファチジルコリン（ＤＳＰＣ）、ジステアロイルホスファチジルグリセロール（ＤＳＰＧ）及びコレステロールを約７：２：１のモル比で含む請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
白血病の治療用である請求項１〜７何れか一項に記載の組成物。
【請求項９】
前記白血病は、ＡＬＬ又はＡＭＬである請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
リポソームを含む、患者への非経口投与用組成物であって、
前記リポソームは、それと安定的に会合してダウノルビシン及びシタラビンを有し；かつ
（ａ）前記ダウノルビシン及びシタラビンは、共カプセル化され；
（ｂ）前記投与比は、患者への投与後少なくとも４時間、血中において維持され；
（ｃ）前記ダウノルビシン対シタラビンのモル比は、約１：５であり；
（ｄ）前記リポソームは、平均直径２５０ｎｍ未満であり；
（ｅ）前記組成物は、前記ダウノルビシン及びシタラビン以外にいかなる治療薬も含まず；並びに
（ｆ）前記リポソームは、ジステアロイルホスファチジルコリン（ＤＳＰＣ）、ジステアロイルホスファチジルグリセロール（ＤＳＰＧ）及びコレステロールを約７：２：１のモル比で含む
ことを特徴とする組成物。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年1月6日(2011.1.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ビデオ信号における画像安定性エラーを補正する装置であって、
補正されるべきビデオ信号の順次連続する画像における偏差に依存して補正信号を導出する装置と、
補正されるべきビデオ信号を受け取る入力側と、導出された補正信号の供給のための調整入力側と、補正されたビデオ信号を出力する出力側とを備えた調整素子と、
入力側で、順次連続する画像間の動きのベクトルを示す運動ベクトル信号を受け取り、受け取った前記運動ベクトル信号から補正信号を導出して、出力側で出力するフィルタであって、加算器を介して前記運動ベクトル信号が入力される複数の第１のレジスタと、該第１のレジスタにそれぞれ割り当てられた複数の第２のレジスタと、前記第１及び第２のレジスタを制御する論理ユニットとからなる、フィルタと、
を備え、
順次連続する画像の少なくとも１つの運動ベクトル信号が前記フィルタに供給されると、
（ａ）  前記第１のレジスタの内容が有効である場合に、前記第２のレジスタに対して状態変数を割り当て、
（ｂ）  前記状態変数のセットされた前記第２のレジスタの内容を、新たな運動ベクトル信号が入力される度に累算し、
（ｃ）  前記第１のレジスタ内容が所定の閾値を上回っている場合には前記状態変数をリセットし、上回っていない場合には前記状態変数に１をセットし、
（ｄ）  上記（ａ）〜（ｃ）の処理を前記複数の第１のレジスタのすべてについて完了するまで繰り返し、
（ｅ）  完了すると、状態変数に１がセットされた第２のレジスタと対応付けられた第１のレジスタの内容の合計値を当該第１のレジスタの数で割って平均値を算出し、
（ｆ）  前記算出した平均値に反対の符号を付して前記調整素子に供給する、
ことを特徴とする、ビデオ信号における画像安定性エラーを補正する装置。
【請求項２】  前記運動ベクトルの各成分に対してそれぞれフィルタが設けられている、請求項１記載の装置。
【請求項３】  フィルムスキャナーによって生成されたビデオ信号における走査されたフォルム画像の画像安定性補正に使用される、請求項１記載の装置。
【請求項４】  携帯撮影装置の生成されたビデオ信号における画像の画像安定性補正に使用される、請求項１記載の装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本発明の有利な構成では、
・順次連続する画像の少なくとも１つの運動ベクトル（ｓ（Ｋ））がそれぞれフィルタ（８）に供給され、
・フィルタ（８）は複数のレジスタ（Ｒｉ（ｋ））を有しており、これらのレジスタには少なくとも１つの運動ベクトル（ｓ（ｋ））が供給可能であり、各レジスタの内容が有効である場合には状態変数（Ｂｉ（ｋ））が割り当てられ、
・セットされた状態変数を有するレジスタ（Ｒｉ（ｋ））の内容は、新たな運動ベクトル（ｓ（Ｋ））の入力時に運動ベクトル分だけ累算され、
・状態変数が新たな運動ベクトル（ｓ（Ｋ））の入力前にセットされており、各レジスタの内容が所定の閾値（Ｄ）を上回っている場合には状態変数（Ｂｉ（ｋ））がリセットされ、
・リセットされた状態変数（Ｂｉ（ｋ））を有するレジスタのうちの１つのレジスタの内容が０にセットされ、状態変数（Ｂｉ（ｋ））は１にセットされ、
・セットされた状態変数（Ｂｉ（ｋ））を有するレジスタの内容から平均値が形成され、この平均値は反対の符号を有して調整素子（９）に供給される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
図２には非常に簡単にフィルタ８（図１）の構造が、具体的に示すためにブロック回路図として示されている。しかし本発明によるフィルタは有利にはプログラムとしてプロセッサ内で実現される。これは後で図４と関連して説明される。図２の実施例には１２で運動ベクトルｓ（ｋ）が供給され、加算器１４. ０〜１４. ｎでレジスタ１５. ０〜１５. ｎの内容Ｒ＿０〜Ｒ＿ｎがこれに加えられる。各レジスタ１５. ０〜１５. ｎにはレジスタ１６. ０〜１６. ｎが割り当てられている。ここでは各レジスタの内容Ｒ＿０〜Ｒ＿ｎに割り当てられた状態変数Ｂ０〜Ｂｎがそれぞれ記憶されている。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
状態変数（以下では状態ビットとも称される）は、レジスタ内容および閾値Ｄに依存してセットされるまたはリセットされる。これは図４との関連でより詳細に説明される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年3月4日(2011.3.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  明確に定められた方向にあるｓｍＣ* 相の層法線ｚを有するモノドメインの形態で液晶層を含有する単安定強誘電性アクティブマトリックスディスプレイであって、層法線ｚとネマティックまたはコレステリック相（Ｎ* 相）の配向方向ｎとが、５゜よりも大きい角度を形成しており、当該液晶層は、少なくとも１種の式（Ｉ）で表わされる化合物を含有する、上記アクティブマトリックスディスプレイ：
【化１】
2002517597.tif 000001
式中、
Ａ3 はフッ素化ピリジンまたはフッ素化ピリミジンであり、
Ｒ1 およびＲ2 は、相互に独立して、同一または相違しており、それぞれ水素であるか、または炭素原子２〜１６個を有するアルキル基またはアルキルオキシ基であり、この基中に存在する１個または２個の−ＣＨ2 −基は、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−（Ｏ＝）Ｃ−Ｏ−、−Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 −またはシクロプロパン−１，２−ジイルにより置き換えられていてもよく、またこの基中に存在する１個または２個以上のＨ原子は、Ｆにより置き換えられていてもよいが、ただしＲ1 およびＲ2 は両方ともに、水素であることはできなく、もしくは、
Ｒ1 およびＲ2 は、基Ｍ7 −Ｒ7 であり、
ここでＲ7 は、少なくとも１個の不斉炭素原子を有する基であり、この不斉炭素原子は、炭素原子３〜１６個を有するアルキル基の一部であり、この基中に存在する１〜４個の−ＣＨ2 −基はまた、−Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−または−（Ｏ＝）Ｃ−Ｏ−により置き換えられていてもよく、またこの不斉炭素原子の置換基の１個は、−ＣＨ3 、−ＣＦ3 、−ＯＣＨ3 、Ｃｌ、ＦまたはＣＮでなければならない、
もしくはこの不斉炭素原子は、３員〜７員の炭素環の一部であり、この環に存在する１個の−ＣＨ2 −基または隣接していない２個の−ＣＨ2 −基はまた、−Ｏ−により置き換えられていてもよく、または１個の−ＣＨ2 −基は、−ＯＣ（＝Ｏ）−または−（Ｏ＝）Ｃ−Ｏ−により置き換えられていてもよく、
Ｍ7 は、不斉炭素原子がアルキル鎖の一部である場合、単結合であり、また不斉炭素原子がＲ7 につい定義されている炭素環の一部である場合、単結合、−ＯＣＨ2 −、−ＣＨ2 Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−またはＣ（＝Ｏ）Ｏ−であり；
Ａ1 、Ａ2 、Ａ4 およびＡ5 は、相互に独立して、同一または相違しており、それぞれ１，４−フェニレン（この基は未置換であるか、またはＦにより単置換または二置換されている）であり；
Ｍ1 、Ｍ2 、Ｍ4 およびＭ5 は、相互に独立して、同一または相違しており、それぞれ単結合、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−（Ｏ＝）Ｃ−Ｏ−、−ＯＣＨ2 −、−ＣＨ2 −Ｏ−、−ＣＨ2 ＣＨ2 −、−ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ2 −または−Ｃ≡Ｃ−であり；
ａ、ｂ、ｃおよびｄはそれぞれ、０または１であるが、ただし１≦｛ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ｝≦３であり、および相当する指数が０である場合、（ＡX −ＭX ）は単結合である。
【請求項２】  Ａ3 が、下記基である、請求項１に記載のアクティブマトリックスディスプレイ：
【化２】
2002517597.tif 000002
【請求項３】  ｓｍＣ* 相の層法線ｚとネマティックまたはコレステリック相（Ｎ* 相）の配向方向ｎとが、ｓｍＣ* チルト角の０．５〜１．０倍の範囲にある、請求項１または２のいずれか一項に記載のアクティブマトリックスディスプレイ。
【請求項４】  強誘電性液晶層が下記相配列を有し：
Ｉ* −Ｎ* −ｓｍＣ* 
ここで、２゜よりも大きくない存在範囲を有するｓｍＡ* が、Ｎ* 相とｓｍＣ* 相との間に存在することができる、請求項１〜３のいずれか一項に記載のアクティブマトリックスディスプレイ。
【請求項５】  強誘電性液晶媒体の自発分極値が、２５ｎＣ／ｃｍ2 よりも小さい、請求項１〜４のいずれかに記載のアクティブマトリックスディスプレイ。
【請求項６】  液晶層のカイラルネマティックまたはコレステリックピッチの長さが、スメクティック相転移温度以上少なくとも２℃の温度範囲内で５０μｍよりも長い、請求項１〜５のいずれか一項に記載のアクティブマトリックスディスプレイ。
【請求項７】  請求項１〜６のいずれか一項に記載のアクティブマトリックスディスプレイの製造方法であって、アクティブマトリックスディスプレイのラビングした上方基板とラビングした下方基板との間の空隙に、液晶層を導入し、ここで上記上方基板のラビング方向および上記下方基板のラビング方向とは基本的に平行であり、次いでこの液晶相をアイソトロピック相から冷却させることを含み、ここで少なくともＮ* →ｓｍＣ* またはＮ* →ｓｍＡ* →ｓｍＣ* 相転移中、当該ディスプレイに直流電流を印加する、上記製造方法。
【請求項８】  請求項７に記載の方法により得られるアクティブマトリックスディスプレイ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
ここでＲ7 は、少なくとも１個の不斉炭素原子を有する基であり、この不斉炭素原子は、炭素原子３〜１６個を有するアルキル基の一部であり、この基中に存在する１〜４個、好ましくは１個または２個の−ＣＨ2 −基は、−Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−または−（Ｏ＝）Ｃ−Ｏ−により置き換えられていてもよく、またこの不斉炭素原子の置換基の１個は、−ＣＨ3 、−ＣＦ3 、−ＯＣＨ3 、Ｃｌ、ＣＮまたはＦでなければならない、
もしくはこの不斉炭素原子は、３員〜７員の炭素環の一部であり、この環に存在する１個の−ＣＨ2 −基または隣接していない２個の−ＣＨ2 −基は、−Ｏ−により置き換えられていてもよく、または１個の−ＣＨ2 −基は−ＯＣ（＝Ｏ）−または−（Ｏ＝）Ｃ−Ｏ−により置き換えられていてもよく、
Ｍ7 は、不斉炭素原子がアルキル鎖の一部である場合、単結合であり、また不斉炭素原子がＲ7 につい定義されている炭素環の一部である場合、単結合、−ＯＣＨ2 −、−ＣＨ2 Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−またはＣ（＝Ｏ）Ｏ−であり；