【手続補正書】
【提出日】平成23年6月16日(2011.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタリングチャンバのためのスパッタリングターゲットにおいて、
（ａ）前面及び裏面を有する円形プレートで構成された、第１の材料のバッキングプレートであって、上記前面が環状溝を含むようなバッキングプレートと、
（ｂ）上記バッキングプレートに装着された、前記第１の材料とは異なる第２の材料のスパッタリングプレートであって、スパッタリング面と、上記環状溝に適合する形状及びサイズにされた円形峰を有する裏面とを含むディスクで構成されたスパッタリングプレートと、
を備えたスパッタリングターゲット。
【請求項２】
前記バッキングプレートは、次の特性、即ち
（ｉ）前記環状溝は、前記スパッタリングプレートの隣接領域に対して高いターゲット浸食の観察領域に対応する形状及びサイズであること、
（ｉｉ）上記バッキングプレートの円形プレートの中心を対称軸とすること、
（ｉｉｉ）上記環状溝は、円形プレートの中心の周りで対称的且つ円形プレートの周囲から離間された円であること、
（ｉｖ）深さが約５ｃｍ未満であること、
（ｖ）深さが約０．３ｃｍから約２ｃｍであること、
（ｖｉ）幅が約１ｃｍから約７．５ｃｍであること、及び
（ｖｉｉ）上記環状溝は、内半径及び外半径を有し、内半径と外半径との間の差が約１ｃｍから約５ｃｍであること、
の少なくとも１つを備える環状溝を含む、請求項１に記載のターゲット。
【請求項３】
上記バッキングプレートの前面は、複数の環状溝を備え、上記スパッタリングプレートの裏面は、上記バッキングプレートの上記環状溝の１つに各々が適合する形状及びサイズとされた複数の円形峰を備えた、請求項１に記載のターゲット。
【請求項４】
上記バッキングプレートは、第１材料で構成され、前記スパッタリングプレートは、第２材料で構成され、更に、第３材料で構成されたリングを備え、これらの第１、第２及び第３材料は、互いに異なるものであり、上記リングは、上記環状溝に位置される、請求項１に記載のターゲット。
【請求項５】
次の特性、即ち
（ｉ）上記リングは、バンド又はコイルの形状にされること、
（ｉｉ）上記リングは、接着剤、拡散接合又は電着により上記バッキングプレートに取り付けられること、及び
（ｉｉｉ）複数のリング、
の少なくとも１つを含む、請求項４に記載のターゲット。
【請求項６】
（ｉ）請求項１に記載のスパッタリングターゲットと、
（ｉｉ）上記スパッタリングターゲットを向いた基板支持体と、
（ｉｉｉ）バッキングプレートの裏面の周りに位置された複数の回転可能な磁石で構成された磁界発生器と、
（ｉｖ）スパッタリングチャンバへガスを導入するガス分配器と、
（ｖ）スパッタリングチャンバからガスを排気するためのガス排気ポートと、
を備えたスパッタリングチャンバ。
【請求項７】
バッキングプレートに装着されたスパッタリングプレートを備えたスパッタリングターゲットの寿命を延ばす方法において、
（ａ）第１材料のバッキングプレートを形成するステップと、
（ｂ）上記バッキングプレートの表面に環状溝を形成するステップと、
（ｃ）上記環状溝にスパッタリング材料である第２の材料を埋めるステップと、
を備え、
前記第１の材料と前記第２の材料は、異なる方法。
【請求項８】
次の特性、即ち
（ｉ）前記スパッタリングプレートの隣接エリアに対して高いターゲット浸食の観察領域に対応する形状及びサイズにされる環状溝形成するステップと、
（ｉｉ）前記バッキングプレートの円形プレートの中心に対称軸を有する環状溝形成するステップと、
（ｉｉｉ）前記バッキングプレートの中心の周りで対称的な円である環状溝形成するステップと、
（ｉｖ）上記バッキングプレートの前面に複数の環状溝を形成するステップと、
（ｖ）上記スパッタリングプレートの裏面を形成し、複数の円形峰は、前記バッキングプレートの前記環状溝に各々が適合する形状及びサイズとするステップと、
（ｖｉ）第１材料のバッキングプレート、第２材料のスパッタリングプレートを形成し、更に、第３材料のリングを形成するステップを備え、これらの第１、第２及び第３材料は、互いに異なるものであり、上記リングを上記環状溝に位置させるステップと、
の少なくとも１つを有する環状溝を形成するステップを備えた、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
マグネトロンスパッタリングチャンバのスパッタリングターゲットの電磁的特性を制御する方法であって、前記スパッタリングターゲットは、バッキングプレートに装着されたスパッタリングプレートを備え、前記方法は、
（ａ）常磁性の第１材料からなるバッキングプレートを提供するステップと、
（ｂ）前記バッキングプレートの表面における環状溝を形成するステップと、
（ｃ）前記環状溝に前記第１材料とは異なる電磁特性を持つ強磁性の第２材料を埋めるステップと、
を備え、前記強磁性の材料は、前記バッキングプレートの渦電流を増加させて、前記スパッタリングプレートに対して、正味のより低い磁場を発生させることを特徴とする方法。
【請求項１０】
マグネトロンスパッタリングチャンバのためのスパッタリングターゲットにおいて、
（ａ）常磁性の第１材料で構成された円形プレートであって前面及び裏面を有する円形プレートで構成されたバッキングプレートと、
（ｂ）上記バッキングプレートの前面に装着され、第２材料のスパッタリング面を含むディスクで構成されたスパッタリングプレートであって、上記ディスクが裏面を有するようなスパッタリングプレートと、
（ｃ）上記ディスクの裏面に装着され、前記プレートにおいて渦電流を増加させて、前記スパッタリングプレートに対して正味のより低い磁場を発生させる強磁性の第３材料で構成されたリングと、
を備え、
前記第１、第２及び第３の材料は、異なる材料である、スパッタリングターゲット。
【請求項１１】
上記第１材料は、銅、クロム、ステンレス鋼又はアルミニウムの少なくとも１つを含み、上記第２材料は、アルミニウム、銅、タングステン、チタン、コバルト、ニッケル又はタンタルの少なくとも１つを含み、上記第３材料は、ニッケル、ステンレス鋼又はアルミニウムの少なくとも１つを含む、請求項１０に記載のターゲット。
【請求項１２】
次のもの、即ち
（ｉ）上記リングは、バンド又はコイルであること、
（ｉｉ）上記リングは、内径が約１０から約１５ｃｍであること、及び
（ｉｉｉ）複数のリング、
の少なくとも１つを含む請求項１０に記載のターゲット。
【請求項１３】
マグネトロンスパッタリングチャンバのためのスパッタリングターゲットにおいて、
（ａ）常磁性の第１材料より構成される円形プレートを備えるバッキングプレートと、
（ｂ）上記バッキングプレート上に装着され、第２材料で構成されたディスクを備えるスパッタリングプレートと、
（ｃ）上記円形プレート内の強磁性の第３材料で構成されたリングと、
を備え、前記リングは、前記バッキングプレートの渦電流を増加させて、前記スパッタリングプレートに対して、正味のより低い磁場を発生させ、上記第１、第２及び第３材料は異なる材料である、スパッタリングターゲット。
【請求項１４】
次のもの、即ち
（ｉ）上記リングは、ある厚みの円形プレートに埋設されること、
（ｉｉ）上記リングは、上記スパッタリングプレートのディスクの裏面に装着されること、又は
（ｉｉｉ）複数のリング、
（ｉｖ）バンド、
（ｖ）螺旋状プレート、
（ｖｉ）複数のネストリング、及び
（ｖｉｉ）一緒に接合された複数のネストリングで構成される複合リング、
の少なくとも１つを更に含む、請求項１３に記載のターゲット。
【請求項１５】
上記第１材料は、銅、クロム、ステンレス鋼又はアルミニウムの少なくとも１つを含み、上記第２材料は、アルミニウム、銅、タングステン、チタン、コバルト、ニッケル又はタンタルの少なくとも１つを含み、上記第３材料は、ニッケル、ステンレス鋼又はアルミニウムの少なくとも１つを含む、請求項１４に記載のターゲット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
別の態様では、バッキングプレート２４は、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、互いに同
心的で且つターゲット２０の軸６２を中心とする複数の環状溝６０を前面３２が有するよ
うな円形プレート３０を備えている。例えば、円形プレート３０は、約１本から約６本の
数の環状溝６０を有することができる。図示された実施例において、円形プレート３０は
、半径方向内側の溝６０ａと、それを囲む外側の円形溝６０ｂとを有する。これら環状溝
６０ａ、ｂは、各環状溝６０ａ、ｂの周りに延びるか又はそれらの間にある円形メサ６８
ａ−ｃにより分離される。更に、図示された変形において、外側環状溝６０ａは、その幅
が、内側環状溝６０ｂより大きい。というのは、このスパッタリングターゲット２０は、
その中央領域７０に対してその周囲領域７２で、より幅の広い浸食溝に耐えるように設計
されているからである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図３に示す別の態様では、第３材料で構成される複数のリング８０ａ、ｂがバッキング
プレート２４の円形プレート３０の溝６０ａ、ｂに取り付けられて、バッキングプレート
２４に流れる渦電流を変更させる。これらリング８０ａ、ｂは、環状溝６０ａ、ｂに取り
付けられずに環状溝に置くこともできるし、又は環状溝に接合することもできる。１つの
態様では、リング８０ａ、ｂは、バッキングプレート２４の環状溝６０ａ、ｂ内に接着剤
、拡散接合又は電着により取り付けられる。リング８０ａ、ｂの除去は、接着剤を溶媒で
溶かすだけでよい。複数のリング８０ａ、ｂが示されているが、このターゲット２０には
リング８０ａ又は８０ｂの１つだけ使用してもよいことを理解されたい。また、ここに示
す態様では、リング８０ａ、ｂが、バッキングプレート２４の環状溝６０ａ、ｂ内部に入
れられて、環状溝６０ａ、ｂの表面とスパッタリングプレート２６の円形峰７６ａ、ｂと
の間に示されている。しかしながら、リング８０ａ、ｂは、溝をもたないフラットな前面
３２に置くこともできるし、又は環状溝６０ａ、ｂ間のメサ上に置くことさえもできる。
リング８０ａ、ｂは、在来の固体バッキングプレート２４の領域である溝６０ａ、ｂに発
生する渦電流を減少し、これにより、これら領域においてスパッタリングプレート２６の
過剰な浸食も減少する。渦電流を変更するために、リング８０ａ、ｂは、スパッタリング
材料又はバッキングプレート材料とは異なる金属で作られる。一実施例において、スパッ
タリングプレート２６がアルミニウムで形成され、且つバッキングプレート２４がアルミ
ニウムで構成されるときには、適切なリング８０は、ステンレス鋼で作られる。リング８
０は、約１００ｃｍ未満の内径を持つ、例えば、約１０ｃｍから約２０ｃｍの円形リングで
よい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
動作中、ガス供給部１５０を通してチャンバ１０２へプロセスガスが導入され、ガス供
給部は、プロセスガス源１５２ａ、ｂを備え、これらは、質量流量コントローラのような
ガス流量制御バルブ１５６ａ、ｂを有するコンジット１５４ａ、ｂにより接続される。チ
ャンバ１０２の圧力は、ガス流量制御バルブ１５６ａ、ｂを使用してチャンバへのガスの
流量を制御することによって制御される。コンジット１５４ａ、ｂは、ガス分配器１５８
に供給を行い、これは、少なくとも１つのガス出口１５７をチャンバに有する。１つの態
様において、ガス出口１５７は、基板１０４の周囲に配置される。典型的に、チャンバ１
０２内のスパッタリングガスの圧力は、大気圧レベルより数桁低い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
プロセスガスは、チャンバ１０２のプロセスゾーン１０８においてプロセスガスにエネ
ルギを結合するガスエナジャイザー１６０により基板１０４を処理するためにエネルギが
与えられる。例えば、ガスエナジャイザー１６０は、プロセスガスにエネルギを与えるた
めに電源により通電することのできるプロセス電極を備えてもよい。プロセス電極は、チ
ャンバ１０２の側壁１０３、シールド１２０又は支持体１０６のような、壁又はその中に
ある電極を含んでもよく、この電極は、基板１０４の上のターゲット２０のような別の電
極に容量性結合することができる。ターゲット２０は、電源１６２によりプロセスガスに
エネルギを与えてターゲット２０からの材料を基板１０４へスパッタするために他のコン
ポーネントに対して電気的にバイアスされる。それによりゾーン１０８に形成されるプラ
ズマは、ターゲット２０のスパッタリング面５４に力強く当たって衝撃を与え、その面か
ら基板１０４へ材料をスパッタさせる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
チャンバ１００は、チャンバ１００内で基板１０４を処理するようにチャンバ１００の
コンポーネントを動作するインストラクションセットを有するプログラムコードを備えた
コントローラ１０５によって制御される。例えば、コントローラ１０５は、基板支持体
１０６及び基板移送メカニズムを動作するための基板位置付けインストラクションセット
と、チャンバ１００へのスパッタリングガスの流量をセットするようにガス流量制御バル
ブを動作するためのガス流量制御インストラクションセットと、チャンバ１００内の圧力
を維持するためのガス圧力制御インストラクションセットと、ガスにエネルギを与える電
力レベルをセットするようにガスエナジャイザー１６０を動作するためのガスエナジャイ
ザー制御インストラクションセットと、磁界発生器１４０を動作するための磁界発生器イ
ンストラクションセットと、チャンバ１００の種々のコンポーネントの温度をセットする
ように支持体又は壁１１４における温度制御システムを制御するための温度制御インスト
ラクションセットと、プロセス監視システム１８０を経てチャンバ１００内のプロセスを
監視するためのプロセス監視インストラクションセットと、を含むプログラムコードを備
えることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２Ａ】
2011517329.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2011517329.tif 000002