Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月20日(2011.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者の病室内で薬剤を分配するためのシステムにおいて、
前記病室内に配置された第１のディスペンサであって、任意薬剤を含むように構成され、また認可された職員だけが前記任意薬剤にアクセスできるように構成された第１のディスペンサと、
前記第１のディスペンサに任意薬剤を補充するための、任意薬剤を保管する中央保管場所と
を有するシステム。
【請求項２】
前記第１のディスペンサが前記病室内に固定されている請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記任意薬剤がＰＲＮ薬剤を含む請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記第１のディスペンサは、どの薬剤が前記第１のディスペンサ内に保管されているか、およびどの薬剤が前記第１のディスペンサから分配されたかを監視する請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記第１のディスペンサが、支払請求を目的として、前記第１のディスペンサから分配された薬剤を前記患者と関連付けるように構成されている請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記第１のディスペンサが、中央制御装置から提供される命令によって任意薬剤を分配するように構成されている請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記第１のディスペンサが、前記任意薬剤へのアクセスの要求に応じて、任意薬剤の一回分の投薬量だけへのアクセスを提供するように構成されている請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記患者への投薬のために必要薬剤を含むように構成された移動式ディスペンサをさらに有する請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記中央保管場所が、前記移動式ディスペンサを補充するために必要薬剤を保管している請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
介護施設において薬剤を分配するための方法において、
任意薬剤に対する要求を患者から受けた場合にディスペンサから第１の薬剤を分配するステップであって、前記ディスペンサは、前記患者が収容されている前記介護施設の部屋内または該部屋に隣接する場所に関連付けられ、且つ固定されているステップと、
中央保管場所に保管されている薬剤から前記第１の薬剤を前記ディスペンサに補充するステップと
を含む方法。
【請求項１１】
介護施設職員が前記患者に前記第１の薬剤を投薬するステップをさらに含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ディスペンサから前記第１の薬剤を分配するステップが、前記第１の装置のセキュリティ機構を解錠するステップを含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の薬剤を分配するステップが、前記第１の薬剤の一回分の投薬量へのアクセスを提供するステップを含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の薬剤を分配するステップが、ＰＲＮ薬剤を分配するステップを含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記ディスペンサ内の薬剤へのアクセスに対応した管理情報を記録するステップをさらに含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記ディスペンサからどの薬剤が分配されたかを前記ディスペンサによって自動的に追跡するステップをさらに含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
前記ディスペンサから分配された任意薬剤について患者に自動的に支払請求するステップをさらに含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１の薬剤を分配するステップが、前記患者に前記任意薬剤へのアクセスを可能にするように、前記ディスペンサに遠隔で命令を提供するステップを含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１の薬剤を補充するステップが、予想される前記患者の要望に基づいて、前記ディスペンサ内に任意薬剤を保管するステップを含む請求項１０に記載の方法。
【請求項２０】
前記ディスペンサが、錠と鍵のセット、指紋認識デバイス、および音声認識デバイスの少なくとも１つによってアクセスされる請求項１０に記載の方法。
【請求項２１】
複数の患者に異なるタイプの薬剤を分配するための方法であって、
任意薬剤に対する要求に応じて、各々の患者の病室内または病室に隣接して位置する固定および保護された装置から任意薬剤を選択的に分配するステップと、
各々の患者のための必要薬剤を可搬性装置から分配するステップと
を含む方法。
【請求項２２】
前記複数の患者一人一人に関して前記方法を繰り返すことをさらに含む請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記固定された装置から前記任意薬剤を分配するステップが、前記保護された装置のセキュリティ機構を解錠するステップを含む請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記固定および保護された装置からの分配に対応する管理情報を自動的に記録するステップと、
前記管理情報を中央制御装置から管理するステップと
をさらに含む請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
複数の患者に異なるタイプの薬剤を分配するための方法であって、
各々の患者から薬剤に対する要求を受けるステップと、
前記要求された薬剤が任意薬剤であるかどうかを決定するステップと、
各々の患者の病室内に位置する固定および保護された装置によって、現在前記各々の患者に与えられている薬剤に対する前記要求された薬剤の飲み合わせの適否を確認するステップと、
前記要求された薬剤が、現在前記各々の患者に与えられている薬剤と飲み合わせのよい任意薬剤である場合にのみ、前記固定および保護された装置から前記要求された薬剤を選択的に分配するステップと、
前記複数の患者のための要求された薬剤を運搬する移動装置を、患者の部屋間で移動させるステップと、
前記各々の患者のための前記要求された薬剤のうちの１つを前記移動装置から分配するステップと
を含む方法。
【請求項２６】
患者の部屋内から薬剤を分配するシステムであって、
前記患者の部屋内に配置された、前記患者の見込まれる要求に基づく任意薬剤のみを含む第１のディスペンサであって、認可された職員だけが前記任意薬剤にアクセスできるように構成された第１のディスペンサと、
前記第１のディスペンサに任意薬剤を補充するために任意薬剤を保管する中央保管場所と
を有するシステム。
【請求項２７】
介護施設において薬剤を分配するための方法において、
認可された職員だけがアクセスできるように構成されたディスペンサであって、患者が滞在している前記介護施設の部屋内の場所または部屋に隣接した場所に関連付けられ且つ固定されたディスペンサに、前記患者の見込まれる要求に基づく任意薬剤のみを保管するステップと、
前記ディスペンサに保管された任意薬剤に対する要求が前記患者からあった場合に、前記ディスペンサから前記薬剤を分配するステップと、
中央保管場所に保管された薬剤から、前記任意薬剤を前記ディスペンサに補充するステップと
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月21日(2011.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子画像データを圧縮する方法であって、
ａ）画像データから、各組の各要素が該画像データの複数の要素を代表する少なくとも２組の縮小サイズのデータを発生させる段階、
ｂ）前記画像データから、該画像データに対する近似を発生させるために前記縮小サイズのデータの組を組み合わせる方法に関する情報を符号化する変調データを発生させる段階、
ｃ）各フラッグが前記画像データのある一定の区域に対応し、かつ各フラッグの値が画像データの対応する区域が大きな不連続を含むか否かの評価に基づいている複数の不連続フラッグを発生させる段階、及び
ｄ）前記縮小サイズのデータの組、前記変調データ、及び前記不連続フラッグを圧縮データとして格納する段階、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記画像データは、カラー画像データであり、前記各不連続フラッグの値は、画像データの前記対応する区域が大きな色不連続を含むか否かの評価に基づいていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記縮小サイズのデータの組は、前記画像データの個別の部分に対応するブロックに分割され、
前記格納する段階は、前記縮小サイズのデータの組の対応するブロックを一緒に格納する段階を含む、
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
画像データの前記個別の部分は、均一なサイズのものであり、
各不連続フラッグは、画像の各個別の部分にサイズが等しい該画像の区域に関連する、
ことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
各不連続フラッグは、前記画像データの個別の部分からオフセットしているがそれと重なっている該画像データの区域に関連することを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の方法。
【請求項６】
各不連続フラッグは、前記画像データの４つの個別の部分と重なっている該画像データの区域に関連することを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記格納する段階は、前記縮小サイズのデータの組のブロックと、前記画像データの同じ部分に対応する変調データのブロックとを単一データブロック内の不連続フラッグと共に格納する段階を含むことを特徴とする請求項３から請求項６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
不連続フラッグとの組合せで前記対応する画像データのための解凍方法を示す変調モードフラッグを発生させて、各データブロックと共に格納する段階を更に含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
各組の各要素が画像データの複数の要素を表す少なくとも２組の縮小サイズのデータ、該画像データに対する近似を発生させるために該縮小サイズのデータの組を組み合わせる方法に関する情報を符号化する変調データ、及び各フラッグが該画像データのある一定の区域に対応する複数の不連続フラッグを含む圧縮電子画像データを解凍する方法であって、
ａ）対応する不連続フラッグの値に依存する縮小サイズのデータの組の各要素のための拡張方法により、各縮小サイズのデータの組を拡張して拡張したデータの組を生成する段階、及び
ｂ）オリジナル画像データの組に対する近似を発生させるために、変調データを使用して前記拡張したデータの組を組み合わせる段階、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記縮小サイズのデータの組は、ブロックに分割され、
前記圧縮データは、各フラッグが前記縮小サイズのデータのブロックに対応する変調データに関連する複数の変調モードフラッグを更に含み、
前記拡張したデータを組み合わせる前記段階は、拡張したデータのブロックを組み合わせて、対応する変調モードフラッグの値を読み取って前記変調データを各ブロックに対して解釈する方法を判断する段階を含み、そして
各不連続フラッグは、前記拡張データのブロックからオフセットしているがそれと重なっている前記画像データの区域に関連することを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
各不連続フラッグは、拡張データの４つのブロックと重なっている前記画像データの区域に関連することを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記拡張データの組を組み合わせる前記段階は、前記対応する不連続フラッグが関連する前記区域内の要素の位置に応じて該拡張データの組の各要素に対する前記変調データを解釈する段階を含むことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の方法。
【請求項１３】
縮小サイズのデータの各ブロックが、単一の色を符号化し、
拡張データの少なくとも２つのブロックが、前記画像データの各部分に対応し、
前記拡張データの組を組み合わせる前記段階は、解凍されたデータの各要素に対して、前記対応する不連続フラッグが重なっている縮小サイズのデータの対応するブロックの各々によって前記符号化された色から選択された色又は色の配合を選択する段階を含む、
ことを特徴とする請求項１０、１１、又は１２に記載の方法。
【請求項１４】
拡張データの各ブロックが、ピクセルの４ｘ４ブロックであり、
各不連続フラッグは、オフセット区域を形成している拡張データの４つの隣接ブロックの各々におけるピクセルの２ｘ２ブロックと重なっている区域に関連し、
前記オフセット区域内の各ピクセルが、４つの色の１つを取ることができ、
前記オフセット区域内の最上部左ピクセルが、縮小サイズのデータの組の最も近い対によって符号化された２つの色の１つ又は該２つの色の配合だけを取ることができ、
前記オフセット区域の最上部左側に沿った残りのピクセルの各々が、縮小サイズのデータの組の最も近い２つの対によって符号化された前記４つの色の１つを取ることができ、
前記オフセット区域内の残りの９ピクセルの各々が、縮小サイズのデータの組の最も近い４つの対によって符号化された４つの色の１つを取ることができる、
ことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
各組の各要素が画像データの複数の要素を表す少なくとも２組の縮小サイズのデータ、該画像データに対する近似を発生させるために該縮小サイズのデータの組を組み合わせる方法に関する情報を符号化する変調データ、及び各フラッグが該画像データのある一定の区域に対応する複数の不連続フラッグを含む圧縮した電子画像データを解凍するための装置であって、
ａ）圧縮データを受け取るための入力、
ｂ）対応する不連続フラッグの値に依存する縮小サイズのデータの組の各要素のための拡張方法により各縮小サイズのデータの組を拡張して拡張データの組を生成するために前記入力に連結された拡張手段、及び
ｃ）オリジナル画像データの組の一部分に対する近似を発生させるために変調データを使用して前記拡張データの組を組み合わせるために前記入力及び前記拡張手段に連結された結合器、
を含むことを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月5日(2011.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の低誘電率(low-k)誘電膜を硬化する方法であって、
当該方法は：
硬化システム内にlow-k誘電膜を有する基板を設ける工程；
前記硬化システム内で前記low-k誘電膜を紫外(UV)放射線に曝露することで、結合の解離及び架橋開始剤の生成、並びに前記low-k誘電膜内での部分的架橋を引き起こすUV曝露工程；
前記UV曝露中、前記基板と接する基板ホルダの温度を昇温させることによって前記low-k誘電膜を、200℃乃至600℃の範囲である硬化温度にまで加熱する加熱工程；及び
前記UV放射線に曝露する工程に続いて、前記誘電膜を赤外(IR)放射線に曝露する工程であって、前記IR放射線は狭い波長帯域を有する実質的に単色の電磁(EM)放射線である、IR曝露工程；
を有し、
前記low-k誘電膜の誘電率は4未満である、
方法。
【請求項２】
前記IR曝露工程中、前記基板と接する前記基板ホルダの温度を200℃から600℃の範囲である熱処理温度にまで昇温することによって前記low-k誘電膜を加熱する工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記熱処理温度が350℃から450℃の範囲である、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記硬化温度が300℃から500℃の範囲である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記IR曝露工程が前記硬化システムとは異なる処理システム内で行われる、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記誘電膜をUV放射線に曝露する工程は、1つ以上のUVランプ、1つ以上のUV  LED、1つ以上のUVレーザー、又は上記2つ以上の組合せからのUV放射線に前記誘電膜を曝露する工程を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記誘電膜をUV放射線に曝露する工程は、100nmから600nmの範囲の波長を有するUV放射線に前記誘電膜を曝露する工程を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記誘電膜をUV放射線に曝露する工程は、200nmから400nmの範囲の波長を有するUV放射線に前記誘電膜を曝露する工程を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記誘電膜をIR放射線に曝露する工程は、1つ以上のIRランプ、1つ以上のIR  LED、1つ以上のIRレーザー、又は上記2つ以上の組合せからのIR放射線に前記誘電膜を曝露する工程を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
前記誘電膜をIR放射線に曝露する工程は、1μmから25μmの範囲の波長を有するIR放射線に前記誘電膜を曝露する工程を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
前記誘電膜をIR放射線に曝露する工程は、8μmから14μmの範囲の波長を有するIR放射線に前記誘電膜を曝露する工程を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項１２】
前記誘電膜をUV放射線に曝露する工程は、該UV放射線の曝露中の少なくとも一部の期間又は前記UV放射線の曝露前で前記誘電膜をIR放射線に曝露する工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
【請求項１３】
前記誘電膜をIR放射線に曝露する工程は、8μmから14μmの範囲の波長を有するIR放射線に前記誘電膜を曝露する工程を有する、請求項12に記載の方法。
【請求項１４】
前記UV曝露工程前に前記基板を乾燥システムに設ける工程；
前記誘電膜上又は該膜中の汚染物除去又は部分的に除去するため、乾燥プロセスに従って前記誘電膜を乾燥させる工程；及び
真空条件を維持しながら前記基板を前記乾燥システムから前記硬化システムへ搬送する工程；
をさらに有する、請求項1に記載の方法。
【請求項１５】
前記IR曝露工程に続いて、前記誘電膜上への他の層の堆積、前記誘電膜の洗浄、又は前記誘電膜のプラズマへの曝露のうちの1つ以上を実行することによって前記誘電膜を処理する工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
【請求項１６】
前記low-k誘電膜の誘電率が2.5以下である、請求項1に記載の方法。
【請求項１７】
前記low-k誘電膜が、無機誘電膜、有機誘電膜、有機-無機ハイブリッド誘電膜、有孔性誘電膜、若しくは非有孔性誘電膜、又は上記2つ以上の組合せを有する、請求項16に記載の方法。
【請求項１８】
前記low-k誘電膜がシロキサンベースのオルガノシリケートlow-k材料を有し、
前記UV放射線が200nmから300nmの範囲の波長を有し、かつ
前記IR放射線が9μmから10μmの範囲の波長を有する、
請求項1に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月8日(2009.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光モジュールパッケージであって、
少なくとも１つの発光ダイオードを装着しかつ該発光ダイオードと電気的に接触する装着基板と、
発光ダイオードにより放射される光の経路内に配置され、波長変換材料を有するセラミック層と、
前記セラミック層と前記装着基板との間に配置された前記発光ダイオードと、
光モジュールパッケージから出る光の輝度および／または色を制御すべく、前記装着基板に配置され、前記発光ダイオードの発光出力を検出する光センサと、を備え、
前記光センサの感応領域は、前記セラミック層に直接対面しており、
前記セラミック層は、周囲光から光センサを遮蔽するように一部分のみが半透明であることを特徴とする光モジュールパッケージ。
【請求項２】
前記光センサは装着基板内に一体化されていることを特徴とする請求項１記載の光モジュールパッケージ。
【請求項３】
前記セラミック層は、前記光センサを向いた光ガイドを有していることを特徴とする請求項１または２記載の光モジュールパッケージ。
【請求項４】
前記光ガイドはノーズ形であり、前記光ガイドの端部が、前記光センサに対して或る距離を隔てて配置されていることを特徴とする請求項３記載の光モジュールパッケージ。
【請求項５】
前記光ガイドは前記光センサまで延びていることを特徴とする請求項３記載の光モジュールパッケージ。
【請求項６】
前記セラミック層には、周囲光からの付加的な遮蔽体を形成する反射層が配置されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の光モジュールパッケージ。
【請求項７】
前記セラミック層には頂面および底面が形成されており、前記底面が前記装着基板を向いており、前記頂面上に前記反射層が配置されていることを特徴とする請求項６記載の光モジュールパッケージ。
【請求項８】
前記装着基板には、前記発光ダイオードおよび／または前記光センサの温度を測定するための温度センサが配置されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項記載の光モジュールパッケージ。
【請求項９】
前記セラミック層は、蛍光体粒子の固い凝集体を含むことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項記載の光モジュールパッケージ。
【請求項１０】
前記セラミック層は、互いに結合された少なくとも２つの単一セラミック層を備えた多層構造を有していることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項記載の光モジュールパッケージ。
【請求項１１】
前記光センサは、前記セラミック層に隣接して配置されていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項記載の光モジュールパッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
従って、少なくとも１つの発光ダイオードを装着しかつ該発光ダイオードと電気的に接触する装着基板と、発光ダイオードにより放射される光の経路内に配置され、波長変換材料を有するセラミック層と、セラミック層と装着基板との間に配置された発光ダイオードと、光モジュールパッケージから出る光の輝度および／または色を制御すべく、装着基板に配置され、発光ダイオードの発光出力を検出する光センサと、を備え、光センサの感応領域は、セラミック層に直接対面しており、セラミック層は、周囲光から光センサを遮蔽するように一部分のみが半透明であることを特徴とする光モジュールパッケージが提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
光センサの感応領域がセラミック層に直接対面するように本発明により光センサを配置することが本質的に有利である。これにより、光センサは、セラミック層の変換光を検出できる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月3日(2011.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体平面（５）の物体視野（４）を像平面（９）の像視野（８）内に結像し、結像光（１５）が通過するための貫通開口部（２１）をミラーの少なくとも１つ（Ｍ６，Ｍ７，Ｍ８；Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６）が含む複数のミラー（Ｍ１からＭ８；Ｍ１からＭ６）を含む結像光学系（７）であって、
少なくとも６つのミラー（Ｍ１からＭ８；Ｍ１からＭ６）、
を含み、
像視野（８）の前の最後から４番目のミラー（Ｍ５；Ｍ３）は、物体視野（４）と該像視野（８）の間の光路に貫通開口部を含まず、かつ該最後から４番目のミラー（Ｍ５；Ｍ３）の光学的有効面を取り囲む外縁（２２）により、結像光学系（７）の瞳平面（１７；２５，２６）に中心遮光をもたらす、
ことを特徴とする結像光学系（７）。
【請求項２】
前記最後から４番目のミラー（Ｍ５；Ｍ３）は、凸ミラーであることを特徴とする請求項１に記載の結像光学系。
【請求項３】
前記最後から４番目のミラー（Ｍ５；Ｍ３）は、結像光学系（７）の光軸（１９）上に位置することを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか１項に記載の結像光学系。
【請求項４】
前記最後から４番目のミラー（Ｍ３）は、結像光学系（７）の瞳平面（２６）の領域に配置されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の結像光学系。
【請求項５】
物体平面（５）の物体視野（４）を像平面（９）の像視野（８）内に結像し、結像光（１５）が通過するための貫通開口部（２１）をミラーの少なくとも１つ（Ｍ６，Ｍ７，Ｍ８；Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６）が含む複数のミラー（Ｍ１からＭ８；Ｍ１からＭ６）を含む結像光学系（７）であって、前記貫通開口部（２１）を含むミラー（Ｍ６，Ｍ７，Ｍ８；Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６）は、貫通開口部（２１）の周囲に用いられ、
少なくとも８つのミラー（Ｍ１からＭ８；Ｍ１からＭ６）、
を含み、
物体視野（４）と像視野（８）の間の光路の最後から４番目のミラー（Ｍ５；Ｍ３）と該光路の最後のミラー（Ｍ８；Ｍ６）との間の距離（Ｍ５からＭ８まで、Ｍ３からＭ６まで）が、該物体視野（４）と該像視野（８）の間の距離の少なくとも１０％である、
ことを特徴とする結像光学系（７）。
【請求項６】
物体平面（５）の物体視野（４）を像平面（９）の像視野（８）内に結像し、結像光（１５）が通過するための貫通開口部（２１）をミラーの少なくとも１つ（Ｍ６，Ｍ７，Ｍ８；Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６）が含む複数のミラー（Ｍ１からＭ８；Ｍ１からＭ６）を含む結像光学系（７）であって、前記貫通開口部（２１）を含むミラー（Ｍ６，Ｍ７，Ｍ８；Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６）は、貫通開口部（２１）の周囲に用いられ、
少なくとも６つのミラー（Ｍ１からＭ８；Ｍ１からＭ６）、
を含み、
物体視野（４）と像視野（８）の間の光路の最後から４番目のミラー（Ｍ５；Ｍ３）と該光路の最後のミラー（Ｍ８；Ｍ６）との間の距離（Ｍ５からＭ８まで、Ｍ３からＭ６まで）が、該物体視野（４）と該像視野（８）の間の距離の少なくとも１０％である、
ことを特徴とする結像光学系（７）。
【請求項７】
物体平面（５）の物体視野（４）を像平面（９）の像視野（８）内に結像し、かつ結像光（１５）が通過するための貫通開口部（２１）をミラーの少なくとも３つ（Ｍ６からＭ８；Ｍ４からＭ６）が含む複数のミラー（Ｍ１からＭ８；Ｍ１からＭ６）を含み、前記貫通開口部（２１）を含むミラー（Ｍ６からＭ８；Ｍ４からＭ６）は、貫通開口部（２１）の周囲に用いられ、少なくとも１つの中間像平面（２０，２３；２７）が該物体平面（５）と該像平面（９）の間に存在する結像光学系（７）であって、
物体視野（４）と像視野（８）の間の光路において像平面（９）に最も近い中間像平面（２３；２７）が、該光路の最後のミラー（Ｍ８；Ｍ６）と該像平面（９）の間に空間的に配置される、
ことを特徴とする結像光学系（７）。
【請求項８】
前記像平面（９）からの前記中間像平面（２３；２７）の距離が、該像平面（９）からの前記光路の前記最後のミラー（Ｍ８；Ｍ６）の距離の高々０．９５倍であることを特徴とする請求項７に記載の結像光学系（７）。
【請求項９】
２０％よりも小さく、好ましくは、１５％よりも小さく、更に好ましくは、１０％よりも小さい瞳掩蔽率を特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の結像光学系。
【請求項１０】
８の縮小結像スケールを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の結像光学系。
【請求項１１】
結像光（１５）が通過するための貫通開口部（２１）を有する奇数個のミラー（Ｍ６からＭ８；Ｍ４からＭ６）を特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の結像光学系。
【請求項１２】
少なくとも１つの中間像平面（２０）が、結像光学系（７）の瞳平面（２５）の近くで折り畳まれ、特に、それと一致することを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の結像光学系。
【請求項１３】
主光線（１６）が、前記物体視野（４）から第１のミラー（Ｍ１）までの光路において隣接する視野点まで発散的に延びることを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の結像光学系。
【請求項１４】
厳密に６つのミラー（Ｍ１からＭ６）及び厳密に２つの中間像平面（２０，２３）を含むことを特徴とする請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の結像光学系。
【請求項１５】
マイクロリソグラフィのための投影露光装置であって、
請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の結像光学系（７）を含み、
照明及び結像光（３）のための光源（２）を含み、
前記照明光（３）を前記結像光学系（７）の物体視野（４）まで誘導するための照明光学系（６）を含む、
ことを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月6日(2010.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電気放電（ＥＳＤ）保護回路であって、
回路の第１電圧源ノードと第２電圧源ノードとの間に接続される第１電圧クランプであり、前記第１電圧源ノードは、回路の指定されたゲート酸化物信頼性電位より大きい第１電圧を受け取るようになっており、前記第２電圧源ノードは、前記第１電圧より小さい第２電圧を受け取るように動作する、第１電圧クランプと、
回路の前記第２電圧源ノードと電圧リターンとの間に接続される第２電圧クランプとを備え、
前記第１電圧クランプは、ＥＳＤイベント中に、前記第１電圧源ノード上の前記第１電圧を第１の値にクランプするように動作し、前記第２電圧クランプは、前記ＥＳＤイベント中に、前記第２電圧源ノード上の前記第２電圧を第２の値にクランプするように動作するＥＳＤ保護回路。
【請求項２】
前記第１電圧クランプは、
前記第１電圧源ノードと前記第２電圧源ノードとの間で前記ＥＳＤイベントを検出し、かつ、前記ＥＳＤイベントを指示する第１制御信号を発生するように動作するトリガー回路と、
前記トリガー回路に接続されるＥＳＤ保護構造であり、前記第１制御信号に応答して前記第１電圧源ノードと前記第２電圧源ノードとの間に電流放出経路を形成するように動作する、ＥＳＤ保護構造とを備える請求項１に記載のＥＳＤ保護回路。
【請求項３】
前記トリガー回路は、前記第１電圧源ノードと前記第２電圧源ノードとの間でＥＳＤ遷移を検出し、かつ、前記ＥＳＤ遷移を検出した後に、ＥＳＤ保護回路がアクティブのままである時間量を制御するように動作するタイミング回路を備える請求項２に記載のＥＳＤ保護回路。
【請求項４】
前記トリガー回路は、
前記タイミング回路に接続される入力を有する少なくとも第１インバータと、
前記第１インバータの出力に接続される入力および前記第１制御信号を発生する出力を有する出力段とをさらに備える請求項３に記載のＥＳＤ保護回路。
【請求項５】
前記ＥＳＤ保護構造は、前記第１電圧源ノードに接続される第１ソース／ドレイン、前記第２電圧源ノードに接続される第２ソース／ドレインおよび前記第１制御信号を受け取るゲートを有するＮＭＯＳトランジスタ・デバイスを備える請求項２に記載のＥＳＤ保護回路。
【請求項６】
前記第１電圧クランプは、少なくとも１つの金属酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタ・デバイスであって、金属酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタ・デバイスに関連する第１閾電圧を有する少なくとも１つの金属酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタ・デバイスを備え、前記第２電圧クランプは、少なくとも１つのＭＯＳトランジスタ・デバイスであって、ＭＯＳトランジスタ・デバイスに関連する第２閾電圧を有する少なくとも１つのＭＯＳトランジスタ・デバイスを備え、前記第１閾電圧は前記第２閾電圧より大きい請求項１に記載のＥＳＤ保護回路。
【請求項７】
前記第２電圧クランプは、
前記第２電圧源ノードと前記電圧リターンとの間で前記ＥＳＤイベントを検出し、かつ、前記ＥＳＤイベントに応答して第２制御信号を発生するように動作するトリガー回路と、
前記トリガー回路に接続されるＥＳＤ保護構造であって、前記第２制御信号に応答して前記第２電圧源ノードと前記電圧リターンとの間に電流放出経路を形成するように動作する、ＥＳＤ保護構造とを備える請求項１に記載のＥＳＤ保護回路。
【請求項８】
前記トリガー回路は、前記第２電圧源ノードと前記電圧リターンとの間でＥＳＤ遷移を検出し、かつ、前記ＥＳＤ遷移を検出した後に、ＥＳＤ保護回路がアクティブのままである時間量を制御するように動作するタイミング回路を備える請求項７に記載のＥＳＤ保護回路。
【請求項９】
回路の第１電圧源ノードと電圧リターンとの間および前記回路の第２電圧源ノードと前記電圧リターンとの間の少なくとも一方における静電気放電（ＥＳＤ）イベントから前記回路を保護する方法において、前記第１電圧源ノードは、前記回路の指定されたゲート酸化物信頼性電位より大きい第１電圧を受け取るようになっており、前記第２電圧源ノードは、前記第１電圧より小さい第２電圧を受け取るように動作する、方法であって、
前記ＥＳＤイベント中に、前記第１電圧源ノード上の前記第１電圧を第１の値にクランプするステップと、
前記ＥＳＤイベント中に、前記第２電圧源ノード上の前記第２電圧を第２の値にクランプするステップとを含む方法。
【請求項１０】
少なくとも１つの静電気放電（ＥＳＤ）保護回路を含む集積回路であって、前記少なくとも１つのＥＳＤ保護回路は、
回路の第１電圧源ノードと第２電圧源ノードとの間に接続される第１電圧クランプであり、前記第１電圧源ノードは、回路の指定されたゲート酸化物信頼性電位より大きい第１電圧を受け取るようになっており、前記第２電圧源ノードは、前記第１電圧より小さい第２電圧を受け取るように動作する、第１電圧クランプと、
回路の前記第２電圧源ノードと電圧リターンとの間に接続される第２電圧クランプとを備え、
前記第１電圧クランプは、ＥＳＤイベント中に、前記第１電圧源ノード上の前記第１電圧を第１の値にクランプするように動作し、前記第２電圧クランプは、前記ＥＳＤイベント中に、前記第２電圧源ノード上の前記第２電圧を第２の値にクランプするように動作する集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月13日(2011.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）
ａ）導電性銀と；
ｂ）１つまたは複数のガラスフリットとを；
ｃ）有機媒体
に分散させて含む厚膜組成物と；
（ｂ）１つまたは複数の基材と
を含む構造物であって；
前記厚膜組成物が、前記１つまたは複数の基材上に４本以上の母線が形成されるように印刷される構造物。
【請求項２】
前記基材が、半導体基材上に形成された絶縁膜を含む請求項１に記載の構造物。
【請求項３】
請求項１に記載の構造物を含む半導体デバイスであって、前記組成物が焼成されており、前記焼成により、前記有機ビヒクルが除去され、前記銀とガラスフリットとが焼結される半導体デバイス。
【請求項４】
請求項２に記載の構造物を含む半導体デバイスであって、前記組成物が焼成されており、前記焼成により、前記有機ビヒクルが除去され、前記銀とガラスフリットとが焼結され、前記導電性銀とフリットとの混合物が前記絶縁膜に浸透する半導体デバイス。
【請求項５】
請求項１または２に記載の構造物を含む太陽電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４３】
【表９】
2011502345.tif 000001
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
１．（ａ）
ａ）導電性銀と；
ｂ）１つまたは複数のガラスフリットとを；
ｃ）有機媒体
に分散させて含む厚膜組成物と；
（ｂ）１つまたは複数の基材と
を含む構造物であって；
前記厚膜組成物が、前記１つまたは複数の基材上に４本以上の母線が形成されるように印刷される構造物。
２．前記基材が半導体基材である前記１に記載の構造物。
３．前記基材が、半導体基材上に形成された絶縁膜を含む前記１に記載の構造物。
４．１組または複数組の接続線をさらに含む前記１に記載の構造物。
５．第１の組の接続線が１つの母線に接触しており、１つの母線と接触している前記第１の組の接続線は、別の母線と接触している別の組の接続線と互いに入り込んでいる前記４に記載の構造物。
６．１つの母線が、２組の接続線によって接触される前記５に記載の構造物。
７．前記厚膜組成物が添加剤をさらに含む前記１に記載の構造物。
８．前記添加剤がＺｎＯまたはＭｇＯである前記７に記載の構造物。
９．前記ガラスフリットが、８〜２５重量パーセントのＢｉ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3を含み、ＳｉＯ2、Ｐ2Ｏ5、ＧｅＯ2、およびＶ2Ｏ5からなる群から選択される１つまたは複数の成分をさらに含む前記１に記載の構造物。
１０．前記絶縁膜が、酸化チタン、窒化ケイ素、ＳｉＮx：Ｈ、酸化ケイ素、および酸化ケイ素／酸化チタンから選択される１つまたは複数の成分を含む前記３に記載の構造物。
１１．前記組成物が、光起電デバイスの製造に有用である前記１に記載の構造物。
１２．前記１に記載の構造物を含む半導体デバイスであって、前記組成物が焼成されており、前記焼成により、前記有機ビヒクルが除去され、前記銀とガラスフリットとが焼結される半導体デバイス。
１３．前記３に記載の構造物を含む半導体デバイスであって、前記組成物が焼成されており、前記焼成により、前記有機ビヒクルが除去され、前記銀とガラスフリットとが焼結され、前記導電性銀とフリットとの混合物が前記絶縁膜に浸透する半導体デバイス。
１４．前記１２の構造物を含む太陽電池。
１５．前記１３の構造物を含む太陽電池。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記化合物Ａ
【化１】
2011502147.tif 000001
、その活性代謝産物、塩および溶媒和物から選択される化合物。
【請求項２】
化合物が、化合物Ａの塩酸塩である、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
化合物が、
【化２】
2011502147.tif 000002
その塩または溶媒和物から選択される、化合物Ａの活性代謝産物である、請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
薬学的に許容されるビヒクルアジュバントまたは希釈剤と共に、有効量の請求項１に記載の化合物を含む薬学的組成物。
【請求項５】
患者における腫瘍を治療するための、請求項４に記載の薬学的組成物。
【請求項６】
血管形成が阻害される、請求項５に記載の薬学的組成物。
【請求項７】
腫瘍成長が阻害される、請求項５に記載の薬学的組成物。
【請求項８】
腫瘍サイズが低下される、請求項５に記載の薬学的組成物。
【請求項９】
転移が阻害される、請求項５に記載の薬学的組成物。
【請求項１０】
少なくとも１種の追加の治療薬剤をさらに含む、請求項５に記載の薬学的組成物。
【請求項１１】
化合物Ａ
【化３】
2011502147.tif 000003
、その塩および溶媒和を調製するための方法であって、下記式Ｉ
【化４】
2011502147.tif 000004
の化合物を、下記式ＩＩ
【化５】
2011502147.tif 000005
［式中、Ｒｘは任意選択で置換されたアリールまたはヘテロアリールである］の化合物と、
（１）極性溶媒、および
（２）塩基
の存在下で接触させるステップを含む方法。
【請求項１２】
極性溶媒が、酢酸エチルを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
極性溶媒が、酢酸エチルおよび２０体積％までのＮ−メチルピロリジノンの混合物である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
塩基が、カリウムｔ−ブトキシドである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
塩基が、カリウムｔ−ブトキシドである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
式ＩＩの化合物が、
【化６】
2011502147.tif 000006
である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
式ＩＩの化合物が、
【化７】
2011502147.tif 000007
を、下記式ＩＩＩ
【化８】
2011502147.tif 000008
の化合物と、
（１）極性溶媒、および
（２）塩基
の存在下で接触させることにより調製される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
式ＩＩＩの前記化合物が、
【化９】
2011502147.tif 000009
である、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
極性溶媒が、酢酸エチルである、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
塩基が、炭酸カリウムである、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
塩基が、炭酸カリウムである、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
式Ｉの化合物が、式ＩＶ
【化１０】
2011502147.tif 000010
の化合物を、式Ｖ
【化１１】
2011502147.tif 000011
の化合物と、Ｎ−メチルピロリジノンおよびカリウムｔ−ブトキシドの存在下で接触させることにより調製される、請求項１１に記載の方法。
【請求項２３】
式ＩＶの化合物が、式ＶＩ
【化１２】
2011502147.tif 000012
の化合物を、ＢＨ３、ＭｅＯＨおよびＨＣｌと接触させることにより調製される、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
式ＶＩの化合物が、式ＶＩＩ
【化１３】
2011502147.tif 000013
の化合物を、式ＶＩＩＩ
【化１４】
2011502147.tif 000014
の化合物と、炭酸カリウムおよびトルエンの存在下で接触させることにより調製される、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
請求項１１に記載の方法により作製される化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月23日(2011.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペプチドのアミノ酸配列が、プロリン-グルタミン-グルタメート-X(P-Q-E-X)からなり、Xはリジン(K)又はイソロイシン(I)である、単離ペプチド。
【請求項２】
アミノ酸配列は、SEQ ID NO: 14又はSEQ ID NO: 15からなる請求項１のペプチド。
【請求項３】
ペプチドは、SEQ ID NO: 1又はSEQ ID NO: 2である請求項２のペプチド。
【請求項４】
ペプチドは、アミド化されるか、脂質化されるか、担体分子に結合されるか、又はD-鏡像異性体形態のアミノ酸残基を有する請求項１のペプチド。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れかに記載のペプチドと、薬剤として許容される担体とを含んでいる組成物。
【請求項６】
ペプチドは、0.1μg/mL〜50μg/mLの範囲の濃度で存在する請求項５の組成物。
【請求項７】
組成物は、プロテアーゼ阻害剤をさらに含んでいる請求項５の組成物。
【請求項８】
組成物は、エアロゾル、エマルジョン、液体、ローション、クリーム、ペースト、軟膏、粉末又はフォームの形態である請求項５の組成物。
【請求項９】
哺乳動物の皮膚又は該皮膚に関連する粘膜組織の炎症部位に対して、治療に有効な量を有効時間投与することにより、哺乳動物の皮膚又は該皮膚に関連する粘膜組織における炎症を治療するのに有用である、請求項５乃至８の何れかに記載の組成物。
【請求項１０】
炎症は、擦り傷、水膨れ、火傷、裂傷、潰瘍、打撲、発疹若しくはび瘢痕であるか、又は紫外線照射に曝露されることで生じる請求項９の組成物。
【請求項１１】
紫外線により損傷した上皮細胞、角化細胞又は線維芽細胞によるインターロイキン(IL)-6又はマトリックスメタロプロテイナーゼ(MMP)-1の発現を阻害する方法に用いる組成物であって、前記方法は、細胞を、請求項１乃至４の何れかに記載のペプチドに曝露することを含んでおり、前記ペプチドに曝露された細胞は、インターロイキン(IL)-6又はマトリックスメタロプロテイナーゼ(MMP)-1の発現量が減少する、組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月5日(2011.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）触媒的に活性なペプチド鎖または抗体のＦｃもしくはＦａｂフラグメントを含むペプチド鎖；および
ｂ）触媒的に活性なペプチド鎖または抗体のＦｃもしくはＦａｂフラグメントを含むペプチド鎖の、動物の中枢神経系への鼻内投与を強化するために十分な濃度の浸透強化剤
を含んでなる製薬学的組成物。
【請求項２】
触媒的に活性なペプチド鎖が酵素である請求項１に記載の製薬学的組成物。
【請求項３】
抗体のＦｃもしくはＦａｂフラグメントを含むペプチド鎖が完全な抗体である、請求項１に記載の製薬学的組成物。
【請求項４】
抗体のＦｃもしくはＦａｂフラグメントを含むペプチド鎖がミメティボディである請求項１に記載の製薬学的組成物。
【請求項５】
液体状態の請求項１に記載の製薬学的組成物。
【請求項６】
粉末または凍結乾燥状態の請求項１に記載の製薬学的組成物。
【請求項７】
ａ）触媒的に活性なペプチド鎖または抗体のＦｃもしくはＦａｂフラグメントを含むペプチド鎖；および
ｂ）製薬学的組成物の１００ｍｌあたり約０．１〜約１ｇのキトサングルタメートまたは対応する量の別のキトサン塩を含んでなり；ここで希釈剤が標準状態の水性バッファーである製薬学的組成物。
【請求項８】
製薬学的組成物の１００ｍｌあたり約０．５ｇのキトサングルタメートを含む請求項７に記載の製薬学的組成物。
【請求項９】
ａ）触媒的に活性なペプチド鎖または抗体のＦｃもしくはＦａｂフラグメントを含むペプチド鎖；および
ｂ）製薬学的組成物の１００ｍｌあたり約５ｍｌ〜約２０ｍｌのプロピレングリコールを含んでなり；ここで希釈剤が標準状態の水性バッファーであり、そしてプロピレングリコールが標準状態である製薬学的組成物。
【請求項１０】
製薬学的組成物の１００ｍｌあたり約１０ｍｌ〜約２０ｍｌのプロピレングリコールを含む請求項９に記載の製薬学的組成物。
【請求項１１】
ａ）触媒的に活性なペプチド鎖または抗体のＦｃもしくはＦａｂフラグメントを含むペプチド鎖；および
ｂ）製薬学的組成物の１００ｍｌあたり約１ｇ〜約１０ｇのヘプタキス（２，６−ジ−Ｏ−メチル）−ベータ−シクロデキストリンを含んでなり；ここで希釈剤が標準状態の水性バッファーである製薬学的組成物。
【請求項１２】
製薬学的組成物の１００ｍｌあたり約５ｇのヘプタキス（２，６−ジ−Ｏ−メチル）−ベータ−シクロデキストリンを含んでなる請求項１１に記載の製薬学的組成物。
【請求項１３】
ａ）触媒的に活性なペプチド鎖または抗体のＦｃもしくはＦａｂフラグメントを含むペプチド鎖；および
ｂ）製薬学的組成物の１００ｍｌあたり約１ｇ〜約５ｇの１，２−ジデカノイル−ｓｎ−グリセロ−３−ホスホコリンを含んでなり；ここで希釈剤が標準状態の水性バッファーであり、そして１，２−ジデカノイル−ｓｎ−グリセロ−３−ホスホコリンが水性バッファー中に乳化されている製薬学的組成物。
【請求項１４】
製薬学的組成物の１００ｍｌあたり約２ｇの１，２−ジデカノイル−ｓｎ−グリセロ−３−ホスホコリンを含んでなり；ここで希釈剤が標準状態の水性バッファーであり、そして１，２−ジデカノイル−ｓｎ−グリセロ−３−ホスホコリンが水性バッファー中に乳化されている、請求項１３に記載の製薬学的組成物。
【請求項１５】
ａ）触媒的に活性なペプチド鎖または抗体のＦｃもしくはＦａｂフラグメントを含むペプチド鎖；および
ｂ）製薬学的組成物の１００ｍｌあたり約０．１ｇ〜約１ｇのグリココール酸ナトリウム水和物、タウロコール酸ナトリウム塩水和物およびタウロウルソデオキシコール酸ナトリウムからなる群から選択される化合物を含んでなり；ここで希釈剤が標準状態の水性バッファーである製薬学的組成物。
【請求項１６】
製薬学的組成物の１００ｍｌあたり約１ｇのグリココール酸ナトリウム水和物、タウロコール酸ナトリウム塩水和物およびタウロウルソデオキシコール酸ナトリウムからなる群から選択される化合物を含んでなり、ここで希釈剤が標準状態の水性バッファーである、請求項１５に記載の製薬学的組成物。
【請求項１７】
ａ）触媒的に活性なペプチド鎖または抗体のＦｃもしくはＦａｂフラグメントを含むペプチド鎖；および
ｂ）製薬学的組成物の１００ｍｌあたり約１ｍｌ〜約１０ｍｌのテトラヒドロフルフリル−ポリエチレングリコールを含んでなり；ここで希釈剤が標準状態の水性バッファーであリ、そしてテトラヒドロフルフリル−ポリエチレングリコールが標準状態である製薬学的組成物。
【請求項１８】
抗体のＦｃフラグメントを含むペプチド鎖が、配列番号２に示すアミノ酸配列を含むメラノコルチン４レセプターに結合する、請求項１、７、９、１１、１３、１５および１７のいずれかに記載の製薬学的組成物。
【請求項１９】
抗体のＦｃフラグメントを含むペプチド鎖が、配列番号３に示すアミノ酸配列を含んでなる請求項１、７、９、１１、１３、１５および１７のいずれかに記載の製薬学的組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月31日(2011.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
fliCポリペプチドをコードする第一のポリヌクレオチド配列およびCD154ポリペプチドをコードする第二のポリヌクレオチド配列を含むワクチンであって、前記CD154ポリペプチドがCD40と結合することができ、前記CD154ポリペプチドが50未満のアミノ酸を有しさらに配列番号:8のアミノ酸140−149またはそのホモローグを含む、前記ワクチン。
【請求項２】
fliCポリペプチドが配列番号:1、配列番号:2、配列番号:10、配列番号:11、配列番号:12、配列番号:１の免疫原性フラグメント、配列番号:2の免疫原性フラグメント、配列番号:10の免疫原性フラグメント、配列番号:11の免疫原性フラグメント、または配列番号:12の免疫原性フラグメントである、請求項1に記載のワクチン。
【請求項３】
CD154ポリペプチドが配列番号:3、配列番号:4、配列番号:5、配列番号:6、配列番号:7を含む、請求項1または2に記載のワクチン。
【請求項４】
ワクチンが細菌性ワクチンである、請求項1−3のいずれかに記載のワクチン。
【請求項５】
細菌がfliCポリペプチドおよびCD154ポリペプチドの少なくとも1つをその表面に含む、請求項4に記載のワクチン。
【請求項６】
細菌が、サルモネラ属（Salmonella）の種、エシェリキア属（Escherichia）の種、バシルス属の種（Bacillus）およびラクトバシルス属（Lactobacillus）の種から成る群から選択される、請求項4または5に記載のワクチン。
【請求項７】
第一のポリヌクレオチドおよび第二のポリヌクレオチドの少なくとも1つがトランスメンブレンタンパク質の外部部分をコードするポリヌクレオチド配列に挿入される、請求項1から6のいずれかに記載のワクチン。
【請求項８】
ワクチンが第一のポリヌクレオチド配列の2つ以上のコピー、第二のポリヌクレオチド配列の2つ以上のコピー、又は、その両方を含む、請求項1から７のいずれかに記載のワクチン。
【請求項９】
第一のポリヌクレオチド配列が第二のポリヌクレオチド配列とインフレームで連結される、請求項1から8のいずれかに記載のワクチン。
【請求項１０】
サルモネラ・エンテリティディス13Aの変種を含むワクチンであって、前記サルモネラがfliCポリペプチドをコードする外因性の第一のポリヌクレオチド配列を含む、前記ワクチン。
【請求項１１】
非ヒト対象に、請求項１〜１０のいずれかに記載のワクチンを投与する工程を含む、非ヒト対象で鞭毛細菌に対して免疫応答を強化する方法であって、前記ワクチンが前記鞭毛細菌に対する非ヒト対象の免疫応答を強化するために有効な量で投与される、前記免疫応答を強化する方法。
【請求項１２】
ワクチンが細菌性ワクチンベクターであり、該細菌が経口、鼻内、非経口および卵内から成る群から選択される方法によって投与される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
免疫応答の強化が抗体応答の強化又はT細胞応答の強化を含む、請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項１４】
非ヒト対象が家禽の種のメンバー又は非ヒト哺乳動物である、請求項１１〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
非ヒト対象に投与する前に細菌を死滅させる、請求項１１〜１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
細菌が非ヒト対象で複製することができない、請求項１１〜１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
非ヒト対象に、請求項１〜１０のいずれかに記載のワクチンを投与する工程を含む、鞭毛細菌による感染に付随する罹病率を非ヒト対象で低下させる方法であって、前記ワクチンが前記鞭毛細菌に対する非ヒト対象の免疫応答を強化するために有効な量で投与される、前記罹病率を低下させる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月26日(2011.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
嫌気硬化性組成物であって、
（ａ）（メタ）アクリレート成分；
（ｂ）嫌気硬化システム；および
（ｃ）ＩＡ族またはＩＩＡ族元素と、ハロゲン、サルフェートまたはスルホネートとの化合物；および
（ｄ）任意に、ポリオレフィン、ハロゲン化ポリオレフィンまたはこれらの組合せ；を含む、組成物。