【手続補正書】
【提出日】平成23年9月30日(2011.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）
ａ）銀金属、酸化銀、銀塩およびこれらの混合物からなる群から選択される導電性金属；
ｂ）全ガラス組成物の重量％を基準にして、０．１〜８重量％のＳｉＯ２、８〜２５重量％のＢ２Ｏ３、０〜１５重量％のＢｉＦ３、および２８〜８５重量％のＢｉ２Ｏ３を含むガラスフリット；
ｃ）Ｍｇ、Ｍｇの金属酸化物、焼成の際にＭｇの金属酸化物を生成することができる任意の化合物、およびそれらの混合物からなる群から選択されるＭｇ含有添加剤であって、前記Ｍｇ含有添加剤が、全組成物の０．１〜１０重量％であるもの、および
ｄ）有機媒体を含み、
前記導電性金属、前記ガラスフリット、および前記Ｍｇ含有添加剤が、全て前記有機媒体中に分散されている厚膜組成物と；
（２）１つまたは複数の基材と；
（３）１つまたは複数の絶縁膜と
を含む構造物であり；
焼成の際に、前記有機媒体が除去され、前記ガラスフリットと銀粉末とが焼結され、前記１つまたは複数の絶縁膜に前記圧膜組成物の成分が浸透し、且つ、前記構造物が半導体デバイスである構造物。
【請求項２】
前記Ｍｇ含有添加剤がＭｇＯである請求項１に記載の構造物。
【請求項３】
前記半導体デバイスが太陽電池である請求項１または２に記載の構造物。
【請求項４】
前記厚膜組成物が、（ａ）Ｚｎ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｕおよびＣｒから選択される金属；（ｂ）Ｚｎ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｕおよびＣｒから選択される金属の１つまたは複数の金属酸化物；（ｃ）焼成の際に（ｂ）の金属酸化物を生成することができる任意の化合物；ならびに（ｄ）それらの混合物からなる群から選択される追加の添加剤をさらに含む請求項１に記載の構造物。
【請求項５】
（１）１つまたは複数の半導体基材、１つまたは複数の絶縁膜、および厚膜組成物を提供するステップであって、前記厚膜組成物が、
ａ）銀金属、酸化銀、銀塩およびこれらの混合物からなる群から選択される導電性金属、
ｂ）全ガラス組成物重量％を基準にして、０．１〜８重量％のＳｉＯ２、８〜２５重量％のＢ２Ｏ３、０〜１５重量％のＢｉＦ３、および２８〜８５重量％のＢｉ２Ｏ３を含むガラスフリット、
ｃ）Ｍｇ、Ｍｇの金属酸化物、焼成の際にＭｇの金属酸化物を生成することができる任意の化合物、およびそれらの混合物からなる群から選択されるＭｇ含有添加剤であって、前記Ｍｇ含有添加剤が、全組成物の０．１〜１０重量％であるもの、および
ｄ）有機媒体を含み、
前記導電性金属、前記ガラスフリット、および前記Ｍｇ含有添加剤が、全て前記有機媒体中に分散されているステップと、
（２）前記半導体基材上に前記絶縁膜を適用するステップと、
（３）前記半導体基材上の前記絶縁膜上に前記厚膜組成物を適用するステップと、
（４）前記半導体、絶縁膜および厚膜組成物を焼成するステップとを含み、
焼成の際に、前記有機媒体が除去され、前記銀粉末とガラスフリットとが焼結され、且つ、前記１つまたは複数の絶縁膜に前記圧膜組成物の成分が浸透する
半導体デバイスの製造方法。
【請求項６】
ａ）銀金属、酸化銀、銀塩およびこれらの混合物からなる群から選択される導電性金属と；
ｂ）全ガラス組成物重量％を基準にして、０．１〜８重量％のＳｉＯ２、８〜２５重量％のＢ２Ｏ３、０〜１５重量％のＢｉＦ３、および２８〜８５重量％のＢｉ２Ｏ３を含むガラスフリットと；
ｃ）Ｍｇ、Ｍｇの金属酸化物、焼成の際にＭｇの金属酸化物を生成することができる任意の化合物、およびそれらの混合物から選択されるＭｇ含有添加剤であって、前記Ｍｇ含有添加剤が、全組成物の０．１〜１０重量％であるものと、
ｄ）有機媒体とを含み、
前記導電性金属、前記ガラスフリット、および前記Ｍｇ含有添加剤が、全て前記有機媒体中に分散されている厚膜組成物。
【請求項７】
前記Ｍｇ含有添加剤がＭｇＯである請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
前記厚膜組成物が、（ａ）Ｚｎ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｕおよびＣｒから選択される金属；（ｂ）Ｚｎ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｕおよびＣｒから選択される金属の１つまたは複数の金属酸化物；（ｃ）焼成の際に（ｂ）の金属酸化物を生成することができる任意の化合物；ならびに（ｄ）それらの混合物からなる群から選択される追加の添加剤をさらに含む請求項６に記載の組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４６】
【表１】
2011503772.tif 000001
本出願は、特許請求の範囲に記載の発明を含め、以下の発明を包含する。
（１）  （ａ）
ａ）導電性銀粉末と；
ｂ）１つまたは複数のガラスフリットと；
ｃ）（ａ）Ｍｇ、（ｂ）Ｍｇの金属酸化物、（ｃ）焼成の際にＭｇの金属酸化物を生成することができる任意の化合物、および（ｄ）それらの混合物から選択されるＭｇ含有添加剤とを、
ｄ）有機媒体
に分散させて含む厚膜組成物と；
（ｂ）１つまたは複数の基材と
を含む構造物であって；
焼成の際に、前記有機媒体が除去され、前記ガラスフリットと銀粉末とが焼結される構造物。
（２）  前記Ｍｇ含有添加剤がＭｇＯである（１）に記載の構造物。
（３）  前記Ｍｇ含有添加剤が、全組成物の０．１〜１０重量パーセントである（２）に記載の構造物。
（４）  半導体デバイスである（１）に記載の構造物。
（５）  前記半導体デバイスが、１つまたは複数の絶縁膜をさらに含む（４）に記載の構造物。
（６）  焼成の際に、前記１つまたは複数の絶縁膜に、前記厚膜組成物の成分が浸透する（５）に記載の構造物。
（７）  前記半導体デバイスが太陽電池である（４）に記載の構造物。
（８）  前記厚膜組成物が、（ａ）Ｚｎ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｕおよびＣｒから選択される金属；（ｂ）Ｚｎ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｕおよびＣｒから選択される金属の１つまたは複数の金属酸化物；（ｃ）焼成の際に（ｂ）の金属酸化物を生成することができる任意の化合物；ならびに（ｄ）それらの混合物からなる群から選択される追加の添加剤をさらに含む（１）に記載の構造物。
（９）  前記ガラスフリットが、前記ガラスフリットの８〜２５重量パーセントのＢｉ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3を含み、ＳｉＯ2、Ｐ2Ｏ5、ＧｅＯ2、およびＶ2Ｏ5からなる群から選択される１つまたは複数の成分をさらに含む（１）に記載の構造物。
（１０）  前記絶縁膜が、酸化チタン、窒化ケイ素、ＳｉＮx：Ｈ、酸化ケイ素、および酸化ケイ素／酸化チタンから選択される１つまたは複数の成分を含む（５）に記載の構造物。
（１１）  半導体デバイスの製造方法であって、
（ａ）１つまたは複数の半導体基材、１つまたは複数の絶縁膜、および厚膜組成物を提供するステップであって、前記厚膜組成物が、ａ）導電性銀と、ｂ）１つまたは複数のガラスフリットと、ｃ）Ｍｇ含有添加剤とを、ｄ）有機媒体に分散させて含むステップと、
（ｂ）前記半導体基材上に前記絶縁膜を適用するステップと、
（ｃ）前記半導体基材上の前記絶縁膜上に前記厚膜組成物を適用するステップと、
（ｄ）前記半導体、絶縁膜および厚膜組成物を焼成するステップとを含み、
焼成の際に、前記有機ビヒクルが除去され、前記銀とガラスフリットとが焼結される方法。
（１２）  ａ）導電性銀と；
ｂ）１つまたは複数のガラスフリットと；
ｃ）（ａ）Ｍｇ、（ｂ）Ｍｇの金属酸化物、（ｃ）焼成の際にＭｇの金属酸化物を生成することができる任意の化合物、および（ｄ）それらの混合物から選択されるＭｇ含有添加剤とを、
ｄ）有機媒体
に分散させて含む厚膜組成物。
（１３）  前記Ｍｇ含有添加剤がＭｇＯである（１２）に記載の組成物。
（１４）  前記Ｍｇ含有添加剤が、全組成物の０．１〜１０重量パーセントである（１３）に記載の組成物。
（１５）  前記厚膜組成物が、（ａ）Ｚｎ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｕおよびＣｒから選択される金属；（ｂ）Ｚｎ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｕおよびＣｒから選択される金属の１つまたは複数の金属酸化物；（ｃ）焼成の際に（ｂ）の金属酸化物を生成することができる任意の化合物；ならびに（ｄ）それらの混合物からなる群から選択される追加の添加剤をさらに含む（１２）に記載の組成物。
（１６）  前記ガラスフリットが、前記ガラスフリットの８〜２５重量パーセントのＢｉ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3を含み、ＳｉＯ2、Ｐ2Ｏ5、ＧｅＯ2、およびＶ2Ｏ5からなる群から選択される１つまたは複数の成分をさらに含む（１２）に記載の組成物。