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【手続補正書】
【提出日】平成23年2月10日(2011.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サンプルのエッチング方法であって、
パルス化プラズマ・プロセスを適用することによって前記サンプルの一部を除去する工程を含み、
前記パルス化プラズマ・プロセスは複数のデューティサイクルから成り、
各デューティサイクルは、プラズマのオン状態とオフ状態の組合せであり、
前記オン状態の持続時間が、前記サンプルに隣接した反応領域におけるマイクロ・ローディングを実質的に阻止するのに十分に短く、且つ前記オフ状態の持続時間が、前記サンプルに隣接した前記反応領域からのエッチング副産物のセットの除去を実質的に可能にするのに十分に長い、方法。
【請求項２】
前記オン状態の間に前記サンプルに負のバイアスを印加し、前記オフ状態の間に前記サンプルにゼロバイアスを印加する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記エッチング副産物のセットの少なくとも一部が前記プラズマのオン状態の間に生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記エッチング副産物のセットの一部は、前記プラズマのオン状態の後に続く前記プラズマのオフ状態の開始時に生成される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記オン状態から成る各デューティサイクルの部分を５〜９５％の範囲とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記複数のデューサイクルの振動数が１ヘルツ−２００キロヘルツである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
各デューティサイクルの持続時間が５マイクロ秒−１秒である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記プラズマの前記オフ状態の持続時間を、前記反応領域からエッチング副産物の５０％超が除去されるまでの時間と一致するように選択する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
不活性ガスを使用して、前記プラズマの前記オフ状態の間に前記エッチング副産物のセットの除去を強化する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記パルス化プラズマ・プロセスを適用することによって前記サンプルの一部を除去する工程の前に、連続プラズマ・プロセスを適用することによって前記サンプルのうちの他の部分を除去する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
サンプルのエッチングに用いられるシステムであって、
サンプル・ホルダーを備えたチャンバと、
前記チャンバに連結する排出デバイスであって、前記チャンバを減圧するための排出デバイスと、
前記チャンバに連結するガス注入デバイスであって、前記チャンバに反応ガスを注入するためのガス注入デバイスと、
前記チャンバに連結するプラズマ・イグニション・デバイスであって、前記反応ガスから誘導されるプラズマに点火するためのプラズマ・イグニション・デバイスと、
前記プラズマ・イグニション・デバイスに連結するコンピューティング・デバイスであって、プロセッサ及びメモリを備え、この場合前記メモリは、パルス化プラズマ・プロセスにおいて前記プラズマ・イグニション・デバイスを制御することによりプラズマのオン状態とオフ状態の間を切り換えるための命令セットを含み、前記パルス化プラズマ・プロセスは複数のデューティサイクルから成り、各デューティサイクルは前記プラズマの１つのオン状態と１つのオフ状態の組合せであるコンピューティング・デバイスと
を備えるシステム。
【請求項１２】
前記サンプル・ホルダーに連結される電圧源であって、前記サンプルにバイアスを印加するための電圧源を、さらに含む、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記負のバイアスは前記オン状態の間に前記サンプルに印加され、前記ゼロバイアスは前記オフ状態の間に前記サンプルに印加される、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記チャンバに連結する検出デバイスをさらに備え、前記検出デバイスが処理工程のエンドポイントを検出する、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１５】
前記オン状態の持続時間が、サンプルに隣接する反応領域においてマイクロ・ローディングを実質的に抑止するのに十分に短く、且つ前記オフ状態の持続時間が、前記サンプルに隣接する前記反応領域からのエッチング副産物のセットの除去を実質的に可能にするのに十分に長い、請求項１１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月9日(2011.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともアノードとカソードと、該アノードと該カソードとの間に配置された機能層（ＦＳ）とから成る層構成体（ＳＡ）を有するＯＬＥＤにおいて、
前記層構成体（ＳＡ）は基板（ＳＵ）上に配置されており、
前記アノードおよびカソードから選択された少なくとも１つの電極（Ｅ）は、前記機能層から放出された光に対して透過性であり、前記層構成体のエミッション面に配置されており、
前記層構成体の上側または下側の前記エミッション面に、色変換層（ＦＫＳ）として使用され量子ドットを含む少なくとも１つの層が配置されていることを特徴とする、ＯＬＥＤ。
【請求項２】
前記少なくとも１つの色変換層（ＦＫＳ）は、放出波長が異なる３つの量子ドットを有し、該量子ドットの加算された全体放出スペクトルは白色光に近い、請求項１記載のＯＬＥＤ。
【請求項３】
前記量子ドットは透明なマトリクス中に分散されている、請求項１または２記載のＯＬＥＤ。
【請求項４】
前記量子ドットは、有機ポリマーから成る透明マトリクス中に含まれる、請求項１から３までのいずれか１項記載のＯＬＥＤ。
【請求項５】
前記量子ドットはナノ粒子層として設けられ、該量子ドットには透明な保護層が被覆される、請求項１から４までのいずれか１項記載のＯＬＥＤ。
【請求項６】
前記層構成体（ＳＡ）を支持する基板（ＳＵ）は透明であり、前記エミッション面に配置されており、
前記色変換層（ＦＫＳ）は前記基板の表面に設けられている、請求項１から５までのいずれか１項記載のＯＬＥＤ。
【請求項７】
前記エミッション面は、前記層構成体（ＳＡ）の前記基板（ＳＵ）と対向する面に相応し、
前記色変換層（ＦＫＳ）は前記透明な電極に配置されている、請求項１から５までのいずれか１項記載のＯＬＥＤ。
【請求項８】
前記色変換層（ＦＫＳ）は少なくとも３つの部分層（ＴＳ）から構成され、該部分層（ＴＳ）は相互に重なって配置され、
前記部分層（ＴＳ）はそれぞれ１種類の量子ドットを有し、各種類の量子ドットには放出波長が割り当てられており、前記色変換層の少なくとも３つの部分層に設けられた量子ドットの放出波長は相互に異なる、請求項１から７までのいずれか１項記載のＯＬＥＤ。
【請求項９】
前記層構成体（ＳＡ）は前記基板（ＳＵ）と被覆部（ＡＤ）との間に封止されている、請求項１から８までのいずれか１項記載のＯＬＥＤ。
【請求項１０】
前記基板（ＳＵ）および前記被覆部（ＡＤ）はガラス層を含む、請求項９記載のＯＬＥＤ。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの色変換層（ＦＫＳ）は前記被覆部（ＡＤ）の表面に設けられている、請求項１から８までのいずれか１項記載のＯＬＥＤ。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの色変換層（ＦＫＳ）は、前記被覆部（ＡＤ）の前記層構成体（ＳＡ）を向く内側に設けられている、請求項１１項記載のＯＬＥＤ。
【請求項１３】
前記色変換層（ＦＫＳ）中に前記量子ドットのナノ粒子が、ナノ粒子層としてのみ形成されている、請求項１または２記載のＯＬＥＤ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月1日(2011.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の構造を有するビニレンカーボネート添加剤を含む電解質、
【化１】
2010519718.tif 000001
（式中、Ｒ１はＣ１〜Ｃ４のアルキル若しくはアルケニル基である）と、
式、ＳｉｘＳｎｑＭ１ｙＣｚを有する材料を含む組成物であって、式中、ｑ、ｘ、ｙ、及びｚは、モル百分率を表し、各モル百分率は、組成物中のＬｉ以外の全ての元素のモル数に基づいており、
（ｑ＋ｘ）＞２ｙ＋ｚであり、ｑ及びｚは０以上であり、Ｍ１は、遷移金属、Ｙ、又はこれらの組み合わせから選択され、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｍ１、及びＣ元素は、Ｓｉを含む非晶相、金属シリサイドを含むナノ結晶相、Ｓｎを含む非晶相（ｑ＞０の場合）、及び炭化ケイ素を含む相（ｚ＞０の場合）からなる多相ミクロ構造の形態で配置されている組成物を含むアノード組成物と、を含むリチウムイオン電気化学電池。
【請求項２】
次の構造を有するエチレンカーボネートを含む電解質添加剤、
【化２】
2010519718.tif 000002
（式中、Ｘは、Ｈ、Ｆ、又はＣｌであり；かつＱは、Ｆ若しくはＣｌ又はＣ１〜Ｃ４のアルキル若しくはアルケニル基である）と、
式、ＳｉａＡｌｂＭ２ｃＳｎｄＥ１ｅＩｎｐを有する材料を含む組成物であって、式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、及びｐはモル百分率を表し、各モル百分率は、組成物中のＬｉ以外の全ての元素のモル数に基づいており、Ｍ２は遷移金属又は遷移金属の組み合わせから選択され、Ｅ１はＹ、ランタニド、アクチニド、又はこれらの組み合わせを含み、３５≦ａ≦７０、１≦ｂ≦４５、５≦ｃ≦２５、１≦ｄ≦１５、２≦ｅ≦１５、及び０≦ｐ≦１５であり、合金組成物がＳｉを含む非晶相及びＥ１及びＳｎを含む（ｐが０の場合）又はＥ１、Ｓｎ、及びＩｎを含む（ｐ＞０の場合）ナノ結晶相の混合物である組成物を含むアノード組成物と、を含むリチウムイオン電気化学電池。
【請求項３】
（ａ）次の構造を有するビニレンカーボネート、
【化３】
2010519718.tif 000003
又は
ｂ）次の構造を有するエチレンカーボネートのうちの少なくとも１つを含む電解質添加剤であって、
【化４】
2010519718.tif 000004
式中、Ｒ１はＣ１〜Ｃ４のアルキル若しくはアルケニル基であり；Ｘは、Ｈ、Ｆ、又はＣｌであり；Ｑは、Ｆ若しくはＣｌ又はＣ１〜Ｃ４のアルキル若しくはアルケニル基であり；および
約１μｍ〜約５０μｍの範囲の平均粒径を有する粒子を有する電極組成物、を含み
前記粒子が、少なくとも１つの共通の相境界を共有する、電気化学的活性相と電気化学的不活性相とを含み、
前記電気化学的不活性相が、金属間化合物、固溶体、又はこれらの組み合わせの形態にある少なくとも２つの金属元素を含み、
（ｉ）各相は、サイクリング前には１００ｎｍ超の微結晶を有せず、
（ｉｉ）前記電気化学的活性相が、リチウムイオン電池において、前記電極が１回の完全な充電−放電サイクルを経てサイクルした後、非晶質であるエチレンカーボネートである、電気化学電池。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月31日(2011.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パルス状線狭化ガス放電レーザリソグラフィ光源、
を含み、
前記光源が、
ハロゲンを含むレーザ発振媒体ガスを収容するレーザチャンバと、
経過時間及びショットカウントの一方又は両方を含む要素によって判断される規則的間隔で発生するインジェクト機会で補充スキームを実行するコントローラを含むガス補充システムと、
を含み、
前記補充スキームは、全てのインジェクト機会で同じ量の非ハロゲン含有ガス組成物を注入する段階、及び、少なくとも１回のインジェクト機会の間に所定量のハロゲン含有ガス組成物を注入する段階を含み、前記量は１つ又はそれより多数のレーザパラメータ入力を用いて算出される、
ことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記ハロゲンは、フッ素を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記非ハロゲンの量は、前記制御システムが前記インジェクト前の前記チャンバ内の圧力に近似するレベルまで該チャンバ内の圧力を低減する時に前記レーザ発振媒体ガスからの有意な量の汚濁物質の除去を可能にするのに十分である、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記非ハロゲンの量は、延長期間にわたって前記レーザ発振ガス媒体の成分のほぼリフィル百分率の維持を可能にする、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記ガスコントローラは、前記チャンバにおける実際のハロゲン消費量の推定に従ってハロゲン含有ガスの量を修正し、前記実際のハロゲン消費量の推定は、少なくとも２つのレーザパラメータ入力を用いて得られる、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２、３又は４に記載の装置。
【請求項６】
各レーザパラメータ入力は、前記レーザ発振媒体ガスにおけるハロゲン含有量の変化と共に既知の方法で変動するレーザシステム入力又は出力作動パラメータの測定値に基づいている、
ことを更に含むことを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記レーザシステムは、主発振器及び増幅器を含み、前記レーザパラメータは、主発振器のハロゲン消費についての主発振器と増幅器との間の放電タイミングの差及び帯域幅並びに増幅器のハロゲン消費についての増幅器の放電電圧及び主発振器のパルスエネルギーを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項８】
パルスガス放電レーザ源を用意する段階であって、前記レーザ源はハロゲンを含むレーザ発振媒体ガスを収容するレーザチャンバを有する、前記段階、
経過時間及びショットカウントの一方又は両方を含む要素によって判断される規則的間隔で発生するインジェクト機会でガス補充スキームを実行する段階、
を含み、
前記補充スキームが、
全てのインジェクト機会で同じ量の非ハロゲン含有ガス組成物を注入する段階、及び、
少なくとも１回のインジェクト機会の間に所定量のハロゲン含有ガス組成物を注入する段階、
を含み、
前記量は１つ又はそれより多数のレーザパラメータ入力を用いて算出される、
ことを特徴とする方法。
【請求項９】
前記ハロゲンは、フッ素を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記非ハロゲンの量は、前記制御システムが前記インジェクト前の前記チャンバ内の圧力に近似するレベルまで該チャンバ内の圧力を低減する時に前記レーザ発振媒体ガスからの有意な量の汚濁物質の除去を可能にするのに十分である、
ことを更に含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記非ハロゲンの量は、延長期間にわたって前記レーザ発振ガス媒体の成分のほぼリフィル百分率の維持を可能にする、
ことを更に含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記チャンバにおける実際のハロゲン消費量の推定に従ってハロゲン含有ガスの量を修正し、前記実際のハロゲン消費量の推定は、少なくとも２つのレーザパラメータ入力を用いて得られる、
ことを更に含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
各レーザパラメータ入力は、前記レーザ発振媒体ガスにおけるハロゲン含有量の変化と共に既知の方法で変動するレーザシステム入力又は出力作動パラメータの測定値に基づいている、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記レーザシステムは、主発振器及び増幅器を含み、前記レーザパラメータは、主発振器のハロゲン消費についての主発振器と増幅器との間の放電タイミングの差及び帯域幅並びに増幅器のハロゲン消費についての増幅器の放電電圧及び主発振器のパルスエネルギーを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月25日(2011.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ部位でＥＵＶ放射線とプラズマを出るイオンとを生成するプラズマを発生させるシステムと、
前記部位から距離ｄだけ隔てられた近垂直入射ＥＵＶミラーと、
前記プラズマ及び前記ミラーの間に配置され、前記イオンが該ミラーに到達する前にイオンエネルギを１００ｅＶ未満に低減するように前記距離ｄにわたって作動するのに十分なガス圧を確立する流動ガスと、
を含むことを特徴とする装置。
【請求項２】
プラズマ部位でＥＵＶ放射線とプラズマを出るイオンとを生成するプラズマを発生させるシステムと、
前記部位から距離ｄだけ隔てられた光学器械と、
ハロゲン含み、前記プラズマ及び光学器械の間に配置され、前記イオンが該光学器械に到達する前にイオンエネルギを１００ｅＶ未満に低減するように前記距離ｄにわたって作動するのに十分なガス圧を確立するガスと、
を含むことを特徴とする装置。
【請求項３】
前記ガスは、水素を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記ガスは、５０体積パーセントよりも多い水素を含むことを特徴とする請求項２又は３に記載の装置。
【請求項５】
前記ガスは、重水素を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。
【請求項６】
前記プラズマは、Ｓｎを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。
【請求項７】
前記ミラー又は前記光学器械は、多層ミラーであることを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。
【請求項８】
前記システムは、液滴を供給する液滴発生器と、液滴を照射して前記プラズマを生成するレーザとを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。
【請求項９】
前記システムは、チャンバを含み、前記ミラー又は前記光学器械及びプラズマは、該チャンバ内に配置され、
前記ガスは、前記チャンバ内に導入されてプラズマ発生中にそこから排気される、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。
【請求項１０】
オンデマンド水素発生システムを更に含むことを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項１１】
前記ガスは、水素を含み、
放出前に排気水素と混合する希釈ガスの供給源、
を更に含むことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記ガスは、水素を含み、その圧力は、１００ｍＴｏｒｒよりも高いことを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。
【請求項１３】
前記ガスの流量が、１００ｓｃｃｍよりも多いことを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。
【請求項１４】
前記ミラー又は前記光学器械が、ＥＵＶ光を中間位置に誘導し、
前記プラズマと前記中間位置の間に配置された多重チャンネル減圧構造体、
を更に含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。
【請求項１５】
前記ハロゲンは、臭素を含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月15日(2011.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ．陸地的に凹凸化された半導体表面を形成する工程と、
ｂ．前記半導体に関連する接合部を形成する工程と、
ｃ．前記表面の第１ゾーンに液体を塗布する工程であって、前記塗布は、少なくとも部分的には前記表面構成によって導かれ、前記液体は、前記第１ゾーンと連続している前記表面の第２ゾーンからは排除されたままであり、前記排除が、少なくとも部分的には、前記表面構成が原因で生じるような工程と、
ｄ．前記表面の第１ゾーンと前記第２ゾーンとの双方同時ではなく、いずれか一つと反応を起こす工程と
を含む光起電装置の製造方法。
【請求項２】
さらに、前記半導体表面に、前記半導体から電力を収集し、かつさらに電気系に配電することができる金属被覆を塗布する工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記液体は、反応性液体を含み、科学反応が前記第１ゾーンで起きる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
さらに、前記第１ゾーン内で、化学反応が原因で化学的に修正された材料の体積体を作る工程を含み、前記体積体は前記半導体との電気コンタクトを有する請求項３に記載の方法。
【請求項５】
さらに、前記第１ゾーンは、光起電装置の金属化領域を有する請求項３に記載の方法。
【請求項６】
さらに、前記第１ゾーンは、光起電装置の母線領域と光起電装置の格子線領域とを有する請求項５に記載の方法。
【請求項７】
さらに、前記第１ゾーンは、光起電装置の格子線領域を有する請求項５に記載の方法。
【請求項８】
さらに、前記化学反応は、前記第１ゾーン内で金属被覆部を形成する請求項３に記載の方法。
【請求項９】
さらに、前記化学反応は、前記第１ゾーン内で、具体的には無電解メッキによる金属膜の形成を可能にする触媒を用いた触媒反応である請求項３に記載の方法。
【請求項１０】
さらに、前記化学反応は、前記第１ゾーン内で無電解メッキにより金属被覆部を形成する請求項３に記載の方法。
【請求項１１】
さらに、前記化学反応は、前記第１ゾーン内で、有機金属材料を用いて金属被覆部を形成する請求項３に記載の方法。
【請求項１２】
前記半導体は、シリコン、ゲルマニウムおよびヒ化ガリウムからなる群より選択される請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記凹凸化された表面の前記第１ゾーンは、第１部分と第２部分とを有する少なくとも１つのチャンネルを有する請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記半導体表面は、半導体ウェハーの面を有する請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記凹凸化された半導体表面は、凹凸化された基板により支持されている半導体薄膜を有する請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記半導体表面は、凹凸化されたスーパーストレートにより支持された半導体薄膜を有する請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記スーパーストレートは、ガラスを有する請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記サブストレート（基板）は、ガラスを有する請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記液体は、遮断材料を含有し、化学反応が前記第２ゾーンで生じる請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記遮断材料は、塗布後に硬化する請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
さらに、前記液体を塗布する工程の前に、前記第１ゾーンおよび前記第２ゾーンを反射防止材料で被覆する工程を含み、ここで、前記遮断材料を塗布する工程は、化学エッチャントから前記反射防止被覆部を保護する材料を塗布する工程を含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
さらに、除去液体を前記第１ゾーンおよび第２ゾーンに塗布する工程を含み、前記除去液体は、前記除去液体が前記反射防止材料と接触するゾーンからは、前記反射防止材料を除去し、これにより前記反射防止材料は、前記第２ゾーンからは除去され、遮断材料が塗布された前記第１ゾーンからは除去されない請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
さらに、
ａ．第１ゾーンおよび第２ゾーンに、第２活性材料を塗布する工程と、
ｂ．前記第２ゾーンにおいて、化学反応を起こす工程と、
を含み、
ここで、前記第１ゾーンでは、前記遮断材料の存在が原因で前記化学反応が起こらない請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】
前記第２活性材料は、反射防止被覆部媒体、無電解メッキ触媒、無電解メッキ用化学物質、反射防止材料、および、電気メッキ用化学物質からなる群から選択される請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記第１液体は、続く被覆部が前記半導体表面に対して確実に結合することを塞ぐ材料であり、更に以下の、
ａ．第１ゾーンおよび第２ゾーンを続く被覆部のために露出する工程であって、前記続く被覆部は、該第２ゾーンで生じる化学反応によって前記第２ゾーンに強力に接着され、前記第１液体による被覆部の存在が原因で、前記第１ゾーンには弱く接着されるような工程と、
ｂ．前記半導体の第１ゾーンから前記続く被覆部を除去する工程と
を含む請求項１９記載の光起電装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月20日(2011.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対のリードに取り付けられた少なくとも１つの放射発生フィラメントを包囲し、内面及び外面を有する電球と、
前記一対のリードを受け入れるように構成されたランプベースと、
該ランプベースを囲み、ポッティングコンパウンドが充填された、銅又はアルミニウムのスリーブと、
を具備するランプアセンブリであって、
前記銅のスリーブが少なくとも約０.０２０インチの壁厚を有し、
基板処理チャンバ内で少なくとも約１１００℃までの温度に基板を加熱するのに使用するよう適応された、ことを特徴とするランプアセンブリ。
【請求項２】
前記スリーブが銅である、請求項１に記載のランプアセンブリ。
【請求項３】
前記スリーブが、アルミニウムであって、少なくとも約０.０４０インチの壁厚を有する、請求項１に記載のランプアセンブリ。
【請求項４】
前記スリーブが、ポッティングコンパウンドを内部に含まない又はほとんど含まない管、を具備する、請求項１に記載のランプアセンブリ。
【請求項５】
前記管が、ワイヤのために設けられたコンジットを有する、実質的に中実なものである、請求項４に記載のランプアセンブリ。
【請求項６】
一対のリードに取り付けられた少なくとも１つの放射発生フィラメントを包囲し、内面、外面を有している電球と、
上記一対のリードを受け入れるように構成されたランプベースと、
上記ランプベースを囲み、更に、ポッティングコンパウンドが充填された金属製スリーブと、
を備えるランプアセンブリであって、
上記スリーブは、壁厚が少なくとも約０．０１３インチで、且つ上記ポッティングコンパウンドは、熱伝導率が約１００Ｗ／（Ｋ−ｍ）を越え、基板処理チャンバ内で少なくとも約１１００℃までの温度に基板を加熱するのに使用するよう適応された、前記ランプアセンブリ。
【請求項７】
上記ポッティングコンパウンドは、熱伝導率が約１５０Ｗ／（Ｋ−ｍ）を越える、請求項６に記載のランプアセンブリ。
【請求項８】
上記ポッティングコンパウンドは、熱伝導率が約２００Ｗ／（Ｋ−ｍ）を越える、請求項６に記載のランプアセンブリ。
【請求項９】
上記スリーブの壁厚は、約０．０４０インチを越える、請求項７に記載のランプアセンブリ。
【請求項１０】
上記スリーブの壁厚は、約０．０５０インチを越える、請求項８に記載のランプアセンブリ。
【請求項１１】
上記スリーブは、銅又はアルミニウムで形成される、請求項６に記載のランプアセンブリ。
【請求項１２】
上記ポッティングコンパウンドは、リン酸マグネシウム結合の窒化アルミニウムを含む、請求項６に記載のランプアセンブリ。
【請求項１３】
上記ポッティングコンパウンドは、エポキシ系ポッティングコンパウンドを備える、請求項６に記載のランプアセンブリ。
【請求項１４】
上記エポキシ系ポッティングコンパウンドは、銅又は銀を更に備える、請求項１３に記載のランプアセンブリ。
【請求項１５】
上記スリーブの断面形状は、ランプベースの断面形状に実質的に適合する、請求項６に記載のランプアセンブリ。
【請求項１６】
上記スリーブの断面形状は、実質的に長方形である、請求項１５に記載のランプアセンブリ。
【請求項１７】
一対のリードに取り付けられた少なくとも１つの放射発生フィラメントを包囲し、内面、外面を有している電球と、
上記一対のリードを受け入れるように構成されたランプベースと、
上記ベースを囲み、熱伝導率が約１００Ｗ／（Ｋ−ｍ）を越える第１のポッティングコンパウンドと、
を備え、基板処理チャンバ内で少なくとも約１１００℃までの温度に基板を加熱するのに使用するよう適応されたランプアセンブリ。
【請求項１８】
上記ポッティングコンパウンドの熱伝導率は、約１５０Ｗ／（Ｋ−ｍ）を越える、請求項１７に記載のランプアセンブリ。
【請求項１９】
上記ポッティングコンパウンドの熱伝導率は、約２００Ｗ／（Ｋ−ｍ）を越える、請求項１７に記載のランプアセンブリ。
【請求項２０】
上記ポッティングコンパウンドを囲む銅又はアルミニウムのスリーブを更に備えた、請求項１７に記載のランプアセンブリ。
【請求項２１】
上記電球に隣接して配置された第２のポッティングコンパウンドを更に備え、この第２のポッティングコンパウンドは、上記第１のポッティングコンパウンドよりも熱伝導率が低く且つ反射率が高い、請求項２０に記載のランプアセンブリ。
【請求項２２】
上記第１のポッティングコンパウンドは、エポキシ系窒化アルミニウムコンパウンドを含み、上記第２のポッティングコンパウンドは、ジルコニア系ポッティングコンパウンドを含む、請求項２１に記載のランプアセンブリ。
【請求項２３】
上記第２のポッティングコンパウンドは、厚みが約１ｍｍ未満の層で存在する、請求項２１に記載のランプアセンブリ。
【請求項２４】
上記金属製スリーブは、壁厚が少なくとも約０．０２０インチである、請求項２０に記載のランプアセンブリ。
【請求項２５】
上記金属製スリーブは、壁厚が少なくとも約０．０４０インチである、請求項２１に記載のランプアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月4日(2011.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子回路基板の表面上に半田ペーストを堆積するためのステンシル印刷装置において、
フレームと、
前記フレームに結合され複数の小孔を有したステンシルと、
前記フレームに結合されたディスペンサーであって、前記ステンシルおよび前記ディスペンサーが、電子回路基板上に半田ペーストを堆積するように形成されたディスペンサーと、
電子回路基板の画像を取込むように構成された画像システムであって、前記電子回路基板の表面の少なくとも一部の画像を取込むように構成されたカメラ要素と、長波長光を生成することによって前記電子回路基板の表面の少なくとも一部を照明するように構成された長波長光源を備えた第１の照明要素であって、前記電子回路基板の表面に対して概ね垂直な第１の軸に沿って長波長光を生成する軸内照明要素と、前記第１の軸に対して傾斜した第２の軸に実質的に沿って光を生成する軸外照明要素とを含む第１の照明要素とを具備した画像システムと、
画像システムに結合され、画像を取込むために前記画像システムの動作を制御する制御装置とを具備するステンシル印刷装置。
【請求項２】
前記長波長光が赤外線を含む請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記赤外線が近赤外線を含む請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記長波長光が、670nmより長い波長有する光を含む請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記長波長光が825nmより短い波長有する光を含む請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記長波長光が約735nmの波長を有する光を含む請求項５に記載の装置。
【請求項７】
長波長光源が、前記長波長光を生成する少なくとも１つの長波長LEDを具備する請求項１に記載の装置。
【請求項８】
少なくとも１つの長波長LEDが複数の長波長LEDを含む請求項７に記載の装置。
【請求項９】
軸内照明要素が、更に、実質的に第１の軸に沿って白色光を生成することによって、前記電子回路基板の表面の少なくとも一部を照明する白色光源を更に具備する請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記画像が電子回路基板のパッド上の半田ペーストの対象部分を含む請求項１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月2日(2010.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御放出組成物の製造方法であって、以下の工程：
−組換えゼラチンおよび医薬を含む混合物を調製する；
−この混合物中の組換えゼラチンを架橋させて、内部に医薬が閉じ込められた三次元網状構造体を提供する；
を含み、ここで、該組換えゼラチンはヒドロキシリジン架橋および／またはヒドロキシプロリン残基を本質的に含まない、前記方法。
【請求項２】
得られた、内部に医薬が閉じ込められた三次元網状構造体を乾燥させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
組換えゼラチンが架橋性の基で化学修飾されている、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
架橋したゼラチンが、レドックス重合、ラジカル重合または化学架橋により得られる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
レドックス重合またはラジカル重合が、ペルオキソ二硫酸カリウムおよびＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミンの混合物により開始される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
組換えゼラチンが、グリコシル化を本質的に有しない、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
組換えゼラチンが約２．５〜約１００ｋＤの分子量を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
医薬、並びに、ヒドロキシリジン架橋および／またはヒドロキシプロリンを本質的に含まない、少なくとも１の化学架橋した組換えゼラチンを含む、制御放出組成物。
【請求項９】
組換えゼラチンが、グリコシル化を本質的に有しない、請求項８に記載の制御放出組成物。
【請求項１０】
組換えゼラチンが約２．５〜約１００ｋＤの分子量を有する、請求項８または９に記載の制御放出組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月3日(2010.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：１に対して少なくとも７５％の配列同一性を有する配列を含むか、またはそれからなる、組換えゼラチン。
【請求項２】
ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：１に対して少なくとも９５％の配列同一性を有する、請求項１に記載の組換えゼラチン。
【請求項３】
請求項１に記載する配列のマルチマーを含むか、またはそれからなる、請求項１または２に記載の組換えゼラチン。
【請求項４】
マルチマーが、それぞれＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：１に対して少なくとも７５％の配列同一性を有する少なくとも３、４または５つの配列を含むか、またはそれからなる、請求項３に記載の組換えゼラチン。
【請求項５】
ゼラチンがＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：２、３、４、５、６、７、８、９または１０を含むか、またはそれからなる、請求項３または４に記載の組換えゼラチン。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の組換えゼラチンを含む、細胞支持体。
【請求項７】
細胞支持体が、組換えゼラチンでコートしたインプラントまたは移植材料、組換えゼラチンでコートした組織工学用骨格、歯科製品（の一部）、創傷修復製品（の一部）、人工皮膚マトリックス材料（の一部）、および組織接着剤（の一部）よりなる群から選択される、請求項６に記載の細胞支持体。
【請求項８】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の組換えゼラチンを含む、制御放出組成物。
【請求項９】
組換えゼラチンが架橋している、請求項８に記載の制御放出組成物。
【請求項１０】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の組換えゼラチンを製造するための方法であって、下記：
ａ）請求項１〜５に記載のポリペプチドをコードする核酸配列が適切なプロモーターに作動可能な状態で連結したものを含む発現ベクターを調製し；
ｂ）前記の核酸配列をメチロトローフ酵母において発現させ；
ｃ）前記の核酸配列を発現させるのに適切な発酵条件下でその酵母を培養し；そして
ｄ）場合により前記ポリペプチドを培養物から精製する。
を含む、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月10日(2011.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ：
【化１】
2010519260.tif 000001
［式中、
【化２】
2010519260.tif 000002
は、二重結合であってもよく；
Ｘは、−ＣＯＯＨ又はテトラゾリルであり；
Ｒ１及びＲ２は、独立して、ハロ、Ｃ１−４アルキル、Ｃ１−４フルオロアルキル、Ｃ１−４アルコキシ、Ｃ１−４フルオロアルコキシ、及びアセチルからなる群より選択される］
で示される化合物、又はその薬学的に許容され得る塩。
【請求項２】
式Ｉａ：
【化３】
2010519260.tif 000003
［式中、置換基Ｒ１及びＲ２は、上記の通り定義される］
で示される請求項１に記載の化合物又はその薬学的に許容され得る塩。
【請求項３】
式Ｉｂ：
【化４】
2010519260.tif 000004
［式中、置換基Ｒ１及びＲ２は、上記の通り定義される］
で示される請求項２に記載の化合物又はその薬学的に許容され得る塩。
【請求項４】
式Ｉｃ：
【化５】
2010519260.tif 000005
［式中、置換基Ｒ１及びＲ２は、上記の通り定義される］
で示される請求項３に記載の化合物又はその薬学的に許容され得る塩。
【請求項５】
以下：
【化６】
2010519260.tif 000006
から選択される請求項１に記載の化合物、又は上記化合物のいずれかの薬学的に許容され得る塩。
【請求項６】
請求項５に記載の化合物のジエチルアミン、ナトリウム、カリウム、又はＬ−リジン塩。
【請求項７】
１種又はそれ以上の生理学的に許容され得る担体又は賦形剤と混合した、請求項１ないし６のいずれか１項に記載の化合物又はその薬学的に許容され得る塩を含む医薬組成物。
【請求項８】
ヒト又は動物医薬において使用するための、請求項１ないし６のいずれか１項に記載の化合物又は薬学的に許容され得るその誘導体。
【請求項９】
ＥＰ４受容体におけるＰＧＥ２の作用により媒介される症状を治療するための医薬組成物であって、１種又はそれ以上の生理学的に許容され得る担体又は賦形剤と混合した、請求項１ないし６のいずれか１項に記載の化合物又はその薬学的に許容され得る塩を含む前記医薬組成物。
【請求項１０】
ＥＰ４受容体におけるＰＧＥ２の作用により媒介される症状を治療するための治療薬製造のための、請求項１に記載の化合物の使用。
【請求項１１】
急性又は慢性疼痛、偏頭痛、変形性関節症、関節リウマチ、若年性関節リウマチ、痛風、滑液包炎、強直性脊椎炎、原発性月経困難症、癌、又はアテローム性動脈硬化症を治療するための医薬組成物であって、１種又はそれ以上の生理学的に許容され得る担体又は賦形剤と混合した、請求項１ないし６のいずれか１項に記載の化合物又はその薬学的に許容され得る塩を含む前記医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月3日(2010.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも３つのＲＧＤモチーフを含む組換えゼラチンであって、一対の２つの続くＲＧＤモチーフ間のアミノ酸の数が０〜１００であり、そしてそれは異なる対の２つの続くＲＧＤモチーフ間のアミノ酸の数０〜１００とは異なる、前記組換えゼラチン。
【請求項２】
少なくとも５つのＲＧＤモチーフを含み、少なくとも４対の２つの続くＲＧＤモチーフ間においてアミノ酸の数が異なる、請求項１に記載の組換えゼラチン。
【請求項３】
いずれかの対の続くＲＧＤモチーフ間のアミノ酸の数が１０〜７５である、請求項１または２に記載の組換えゼラチン。
【請求項４】
ゼラチンがＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：２、３、４、５、６、７、８、９または１０を含むか、またはそれからなる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の組換えゼラチン。
【請求項５】
ゼラチンが５％未満のヒドロキシプロリン残基を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の組換えゼラチン。
【請求項６】
グリコシル化されていない、請求項１〜５のいずれか１項に記載の組換えゼラチン。
【請求項７】
ｐＨ７〜７．５において＋２、＋３、＋４、＋５、＋１０またはそれ以上の正味正電荷を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の組換えゼラチン。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の組換えゼラチンを含む、細胞支持体。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の組換えゼラチンを含む、制御放出組成物。
【請求項１０】
組換えゼラチンが架橋している、請求項９に記載の制御放出組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月10日(2011.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コリン作用の影響を受ける障害を有する患者を処置するためのボツリヌス毒素含有組成物であって、
a）細胞外マトリックス消化酵素を含有する第1組成物を患者の表面領域に投与するステップ、
b）細胞外マトリックス消化酵素が表面領域を通して拡散してターゲットに達するように、十分な時間を経過させるステップ、
d）ボツリヌス毒素含有組成物を表面領域に投与するステップ；および
e）ボツリヌス毒素が表面領域を通して拡散してターゲットに達するのに十分な時間をとるステップ
を含み、それによって、コリン作用の影響を受ける障害に関連する少なくとも1つの症状を軽減し、コリン作用の影響を受ける障害を有する患者を処置する方法において用いられる組成物。
【請求項２】
表面領域が管腔表面領域である、請求項1に記載の組成物。
【請求項３】
管腔表面領域が膀胱管腔表面領域である、請求項2に記載の組成物。
【請求項４】
ターゲットが排尿筋を含み、
（i）  膀胱管腔表面領域への細胞外マトリックス消化酵素およびボツリヌス毒素の投与を、膀胱内への細胞外マトリックス消化酵素およびボツリヌス毒素の点滴注入によって行うか、または
（ii） 細胞外マトリックス消化酵素の投与を、膀胱の膀胱壁への第1組成物の注射によって行い、ボツリヌス毒素含有組成物の投与を膀胱内への点滴注入によって行うか、または
（iii）細胞外マトリックス消化酵素の投与を膀胱内への第1組成物の点滴注入によって行い、ボツリヌス毒素の投与を膀胱の膀胱壁へのボツリヌス毒素含有組成物の注射によって行う、請求項3に記載の組成物。
【請求項５】
ボツリヌス毒素含有組成物の投与を、膀胱壁への20未満の注射数、または膀胱壁への10未満の注射数、または膀胱壁への1〜5の注射数で行う、請求項4に記載の組成物。
【請求項６】
ボツリヌス毒素がA、B、C1、D、E、FおよびG型ボツリヌス毒素からなる群より選択される、請求項4に記載の組成物。
【請求項７】
方法が、ステップ（a）の前に膀胱を空にするステップ、ステップ（b）の後に膀胱を空にするステップ、およびステップ（e）の後に膀胱を空にするステップをさらに含む、請求項4に記載の組成物。
【請求項８】
コリン作用の影響を受ける障害が、膀胱障害および前立腺障害からなる群より選択される泌尿器障害である、請求項2に記載の組成物。
【請求項９】
膀胱障害が、過活動膀胱、肥大膀胱頚部および排尿筋反射亢進からなる群より選択される、請求項8に記載の組成物。
【請求項１０】
前立腺障害が、良性前立腺肥大、前立腺炎および前立腺がんからなる群より選択される、請求項8に記載の組成物。
【請求項１１】
方法が、場合によってはステップ（b）の後に第1組成物を除去するステップ、および場合によってはステップ（e）の後にボツリヌス毒素含有組成物を除去するステップをさらに含む、請求項1に記載の組成物。
【請求項１２】
コリン作用の影響を受ける障害が多汗症であり、患者の表面領域が、腋窩皮膚表面領域、手掌皮膚表面領域および足底皮膚表面領域からなる群より選択される、請求項11に記載の組成物。
【請求項１３】
細胞外マトリックス消化酵素が、ヒアルロニダーゼ、組織プラスミノゲン活性化因子またはコラゲナーゼである、請求項1に記載の組成物。
【請求項１４】
細胞外マトリックス消化酵素を含有する第1組成物、およびボツリヌス毒素を含有する第2組成物からなるキット。
【請求項１５】
細胞外マトリックス消化酵素が、ヒアルロニダーゼ、組織プラスミノゲン活性化因子またはコラゲナーゼである、請求項14に記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月14日(2011.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学式
【化１】
2010519270.tif 000001
［式中、
ＲはＣ1〜Ｃ20−アルキル、ヒドロキシ−Ｃ2〜Ｃ8−アルキル、Ｃ1〜Ｃ20−アルカノイル、Ｃ7〜Ｃ13−アロイル、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニル、Ｏ、ＳおよびＮからなる群から選択される少なくとも１つのヘテロ原子によって中断されたＣ1〜Ｃ20−アルキルあるいはＣ2〜Ｃ20−アルケニル、Ｃ6〜Ｃ20−アリール、Ｃ1〜Ｃ12−アルキル−Ｃ6〜Ｃ20−アリール、Ｃ6〜Ｃ20−アリール−Ｃ1〜Ｃ4−アルキル、単環あるいは二環式のＣ5〜Ｃ20−シクロアルキル、単環あるいは二環式のＣ1〜Ｃ12−アルキル−Ｃ5〜Ｃ20−シクロアルキル、あるいは単環あるいは二環式のＣ5〜Ｃ20−シクロアルキル−Ｃ1〜Ｃ4−アルキルを表し、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は互いに独立に水素あるいはＣ1〜Ｃ3−アルキルを表し、
Ｒ5は水素あるいはメチルを表し、且つ
Ｒ’、Ｒ1’、Ｒ2’、Ｒ3’、Ｒ4’およびＲ5’はＲ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5の定義と同じである］
の化合物。
【請求項２】
請求項１に記載の化合物（Ｉ）において、
ＲがＣ1〜Ｃ8−アルキル、ヒドロキシ−Ｃ2〜Ｃ8−アルキル、Ｃ1〜Ｃ8−アルカノイル、フェニル、（Ｃ1〜Ｃ4−アルキル）1〜3フェニル、フェニル−Ｃ1〜Ｃ4−アルキル、Ｃ5〜Ｃ6−シクロアルキル、（Ｃ1〜Ｃ4−アルキル）1〜3Ｃ5〜Ｃ6−シクロアルキル、あるいは（Ｃ1〜Ｃ4−アルキル）1〜3Ｃ5〜Ｃ6−シクロアルキル−Ｃ1〜Ｃ4−アルキルを表し、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4がメチルを表すか、または
Ｒ1およびＲ2の１つ、およびＲ3およびＲ4の１つがメチルを表し且つ他の１つがエチルを表し、
Ｒ5が水素を表し、且つ
Ｒ’、Ｒ1’、Ｒ2’、Ｒ3’、Ｒ4’およびＲ5’はＲ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5の定義と同じであることを特徴とする化合物。
【請求項３】
請求項１に記載の化合物（Ｉ）において、
ＲがＣ1〜Ｃ8−アルキル、ヒドロキシ−Ｃ2〜Ｃ8−アルキル、Ｃ1〜Ｃ8−アルカノイル、フェニル、あるいはＣ5〜Ｃ6−シクロアルキルを表し、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4がメチルを表し、且つ
Ｒ5が水素を表し、且つ
Ｒ’、Ｒ1’、Ｒ2’、Ｒ3’、Ｒ4’およびＲ5’はＲ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5の定義と同じであることを特徴とする化合物。
【請求項４】
請求項１に記載の化合物（Ｉ）において、
ＲがＣ1〜Ｃ4−アルキル、ヒドロキシ−Ｃ2〜Ｃ4−アルキル、Ｃ1〜Ｃ4−アルカノイル、フェニル、あるいはＣ5〜Ｃ6−シクロアルキルを表し、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4がメチルを表し、且つ
Ｒ5が水素を表し、且つ
Ｒ’、Ｒ1’、Ｒ2’、Ｒ3’、Ｒ4’およびＲ5’はＲ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5の定義と同じであることを特徴とする化合物。
【請求項５】
請求項１に記載の化合物（Ｉ）において、
【化２】
2010519270.tif 000002
からなる群から選択される化合物。
【請求項６】
以下の（ｃ）および（ｄ）、
ｃ）  ポリマー基材、および
ｄ）  化学式
【化３】
2010519270.tif 000003
［式中、
ＲはＣ1〜Ｃ20−アルキル、ヒドロキシ−Ｃ2〜Ｃ8−アルキル、Ｃ1〜Ｃ20−アルカノイル、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニル、Ｏ、ＳおよびＮからなる群から選択される少なくとも１つのヘテロ原子によって中断されたＣ1〜Ｃ20−アルキルあるいはＣ2〜Ｃ20−アルケニル、Ｃ2〜Ｃ20−アルキニル、Ｃ5〜Ｃ20−アリール、Ｃ1〜Ｃ12−アルキル−Ｃ5〜Ｃ20−アリール、Ｃ5〜Ｃ20−アリール−Ｃ1〜Ｃ4−アルキル、単環あるいは二環式のＣ5〜Ｃ20−シクロアルキル、単環あるいは二環式のＣ1〜Ｃ12−アルキル−Ｃ5〜Ｃ20−シクロアルキル、あるいは単環あるいは二環式のＣ5〜Ｃ20−シクロアルキル−Ｃ1〜Ｃ4−アルキルを表し、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は互いに独立に水素あるいはＣ1〜Ｃ3−アルキルを表し、
Ｒ5は水素あるいはメチルを表し、且つ
Ｒ’、Ｒ1’、Ｒ2’、Ｒ3’、Ｒ4’およびＲ5’はＲ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5の定義と同じである］の化合物
を含む組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月8日(2011.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感染性又は新生物性疾患の治療又は予防におけるクラスＩ ＭＨＣ制限Ｔ細胞応答を刺激するための免疫原性組成物であって、該免疫原性組成物は複数回の順次用量として哺乳類に投与され、初回用量後の各用量が直前用量より多い、免疫原性組成物。
【請求項２】
前記順次用量が前記初回用量の線形関数または指数関数として増大する、請求項１記載の免疫原性組成物。
【請求項３】
前記免疫原性組成物が免疫原＋免疫賦活剤又は生物学的応答修飾剤を含む、請求項１または２記載の免疫原性組成物。
【請求項４】
前記免疫賦活剤又は生物学的応答修飾剤がサイトカイン、ケモカイン、ＰＡＭＰ、ＴＬＲ−リガンド、免疫刺激配列、ＣｐＧ含有ＤＮＡ、ｄｓＲＮＡ、エンドサイトーシスパターン認識受容体（ＰＲＲ）リガンド、ＬＰＳ、キラヤ・サポニン及びツカレゾルから成る群から選択される、請求項３記載の免疫原性組成物。
【請求項５】
前記指数関数が指数因子≧２n-1により定義される、請求項２〜４のいずれか１項記載の免疫原性組成物。
【請求項６】
前記指数因子が５n-1である、請求項５記載の免疫原性組成物。
【請求項７】
前記複数回の用量が２〜６回用量を含む、請求項１〜６のいずれか１項記載の免疫原性組成物。
【請求項８】
前記複数回の用量が２回より多くの用量を含む、請求項１〜７のいずれか１項記載の免疫原性組成物。
【請求項９】
前記複数回の用量が６回より多くの用量を含む、請求項８記載の免疫原性組成物。
【請求項１０】
最終回用量が前記初回用量の６日以内に投与される、請求項１〜９のいずれか１項記載の免疫原性組成物。
【請求項１１】
順次増大用量を伴わない同一累積用量を利用する免疫感作と比較して増強された応答が得られる、請求項１〜１０のいずれか１項記載の免疫原性組成物。
【請求項１２】
前記増強応答が応答Ｔ細胞の数増大、サイトカインの産生増大、または細胞溶解活性における増大を包含する、請求項１１記載の免疫原性組成物。
【請求項１３】
前記サイトカインがＩＬ−２又はＩＦＮ−γである、請求項１２記載の免疫原性組成物。
【請求項１４】
前記増強応答が免疫抑制性サイトカインのピーク産生における遅延を包含する、請求項１１記載の免疫原性組成物。
【請求項１５】
前記免疫抑制性サイトカインがＩＬ−１０である、請求項１４記載の免疫原性組成物。
【請求項１６】
前記免疫原性組成物を哺乳類に投与することがリンパ系への直接送達を包含する、請求項１〜１５のいずれか１項記載の免疫原性組成物。
【請求項１７】
前記リンパ系への前記直接送達が節内送達を包含する、請求項１６記載の免疫原性組成物。
【請求項１８】
前記免疫原性組成物を哺乳類に投与することが皮下、筋肉内、皮内、経皮、経粘膜、鼻、気管支、経口又は直腸投与を包含する、請求項１〜１７のいずれか１項記載の免疫原性組成物。
【請求項１９】
前記免疫原性組成物がタンパク質、ペプチド、ポリペプチド、裸ＤＮＡワクチン、ＲＮＡワクチン、合成エピトープ又はミモトープとして提供される免疫原を含む、請求項１〜１８のいずれか１項記載の免疫原性組成物。
【請求項２０】
前記免疫原がウイルス抗原、細菌抗原、真菌抗原、分化抗原、腫瘍抗原、胎児性抗原、癌遺伝子及び突然変異化腫瘍抑制遺伝子の抗原、染色体転座に起因する独自腫瘍抗原、並びにその誘導体から成る群から選択される抗原に対する応答を刺激する、請求項３〜１９のいずれか１項記載の免疫原性組成物。
【請求項２１】
前記抗原が自己抗原である、請求項２０記載の免疫原性組成物。
【請求項２２】
前記免疫賦活剤がＴＬＲ−リガンドである、請求項３〜２１のいずれか１項記載の免疫原性組成物。
【請求項２３】
前記ＴＬＲ−リガンドがＣｐＧ−含有ＤＮＡである、請求項２２記載の免疫原性組成物。
【請求項２４】
前記免疫原性組成物が細胞を含む、請求項１〜２３のいずれか１項記載の免疫原性組成物。
【請求項２５】
前記細胞が腫瘍細胞または抗原提示細胞である、請求項２４記載の免疫原性組成物。
【請求項２６】
前記抗原提示細胞が樹状細胞である、請求項２５記載の免疫原性組成物。
【請求項２７】
前記より多い用量がより多数の細胞を含む、請求項１〜２６のいずれか１項記載の免疫原性組成物。
【請求項２８】
前記より多い用量が前記細胞の表面のより多数のエピトープ−ＭＨＣ複合体を含む、請求項２７記載の免疫原性組成物。
【請求項２９】
免疫原＋免疫賦活剤又は生物学的応答修飾剤を含む免疫原性組成物の一組であって、前記一組の個々の成員の投与量が指数級数として関連づけられる一組。
【請求項３０】
請求項２９記載の免疫原性組成物の一組及びそれを必要とする被療体に前記組成物を投与するための使用説明書を含むキット。
【請求項３１】
順次増大用量の免疫原性組成物を含む注射器の一組であって、初回用量後の各用量が該注射器の一組の各注射器中の直前用量より多く、そして被検体におけるＴ細胞応答を増強するために前記免疫原性組成物が免疫原及び免疫賦活剤又は生物学的応答修飾剤を含む一組。
【請求項３２】
順次増大用量の免疫原性組成物を含むバイアルの一組であって、初回用量後の各用量が該バイアルの一組の各バイアル中の直前用量より多く、そして被検体におけるＴ細胞応答を増強するために前記免疫原性組成物が免疫原及び免疫賦活剤又は生物学的応答修飾剤を含む一組。
【請求項３３】
免疫原及び免疫賦活剤又は生物学的応答修飾剤を含む免疫原性組成物の複数回の順次用量を製剤化することを含み、初回用量後の各用量が直前用量より多い、新生物性疾患又は感染性疾患の治療又は予防のための薬剤の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月7日(2011.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の式を有する化合物、またはその製薬上許容し得る塩：
【化１】
2010519208.tif 000001
(式中、Yは、有機酸官能基またはその14個までの炭素原子を含むアミドもしくはエステルであるか；或いは、Yは、ヒドロキシメチルまたはその14個までの炭素原子を含むエーテルであるか；或いは、Yは、テトラゾリル官能基であり；
Aは、‐(CH2)6‐、シス‐CH2CH=CH‐(CH2)3‐または‐CH2C≡C‐(CH2)3‐であり、これらにおいて、１個または２個の炭素原子はSまたはOによって置きかえることができ；或いは、Aは、‐(CH2)m‐Ar‐(CH2)o‐であり、Arはインターアリーレンまたはヘテロインターアリーレンであり、mとoの和は1、2、3または4であり、1個の‐CH2‐はSまたはOによって置きかえることができ、1個の‐CH2‐CH2‐は‐CH=CH‐または‐C≡C−によって置きかえることができ；そして、
Bは、置換アリールまたはヘテロアリールである)。
【請求項２】
下記の式を有する請求項１記載の化合物、またはその製薬上許容し得る塩：
【化２】
2010519208.tif 000002
(式中、点線は、結合の存在または不存在を示し；そして、
Gは、‐CH‐、‐CH2‐、OまたはSである)。
【請求項３】
Gが、Oである、請求項２記載の化合物。
【請求項４】
Gが、‐CH2‐である、請求項２記載の化合物。
【請求項５】
Bが、置換フェニルである、請求項１または２記載の化合物。
【請求項６】
Bが、ジクロロフェニルである、請求項５記載の化合物。
【請求項７】
下記の式を有する請求項２記載の化合物、またはその製薬上許容し得る塩：
【化３】
2010519208.tif 000003
(式中、Raは、H、1〜6個の炭素原子を有するアルキル、またはフェニルである)。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項記載の化合物を含む、緑内障または上昇眼内圧の治療用医薬組成物。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか１項記載の化合物の、緑内障または上昇眼内圧の治療用医薬品の製造における使用。