【事件の表示】
　特願２００３−５３２２４９「基板、特に半導体ウェハの加工」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　４月１０日国際公開、ＷＯ０３／２８９４９、平成１７年　２月１０日国内公表、特表２００５−５０４４４５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本件出願は、平成１４年１０月１日（優先権主張、平成１３年１０月１日アイルランド国）を国際出願日とする出願であって、平成１６年６月１日に手続補正がなされ、平成２０年４月９日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月１５日に手続補正がなされたが、平成２１年４月１３日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、平成２１年８月２１日に本件審判の請求とともに手続補正（以下「本件補正」という。）がなされ、当審において平成２２年７月９日付けで審尋がなされ、平成２３年１月１２日に回答書が提出されたものである。
　
第２．本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲について補正をするものであって、特許請求の範囲の請求項１について補正前後の記載を補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
　
（１）補正前
「基板を加工する方法であって、
（ａ）可視または紫外放射を発するレーザで、前記基板の第１の面内に、前記基板の全深さには満たない、前記第１の面から所定の深さまでの
構造
（ｂ）続いて、化学的エッチング、プラズマエッチングおよびレーザアブレーションのうちの一つを用いて、前記構造に通じるように、前記第１の面に対向する、前記基板の第２の面から、材料を、前記第１の面からの深さが所定のところまで除去するステップと、
　を有する方法。」
　
（２）補正後
「基板を加工する方法であって、
（ａ）可視または紫外放射を発するレーザで、前記基板の第１の面内に、前記基板の全深さには満たない、前記第１の面から所定の深さまでの
溝
当該加工で生成される破片を除去するために前記基板に対して反応性のある
、
、前記基板のレーザ加工中に前記基板の酸化を十分に防ぐために前記基板に対して不活性な
（ｂ）続いて、化学的エッチング、プラズマエッチングおよびレーザアブレーションのうちの一つを用いて、前記構造に通じるように、前記第１の面に対向する、前記基板の第２の面から、材料を、前記第１の面からの深さが所定のところまで除去するステップと、
　を有する方法。」
　
２．補正の適否　　　
　本件補正の特許請求の範囲の請求項１についての補正は、「所定の深さまでの構造の加工」を「所定の深さまでの溝の加工」とし、「反応ガス」について「当該加工で生成される破片を除去するために前記基板に対して反応性のある」なる事項を付加し、「パッシブガス」について「前記基板のレーザ加工中に前記基板の酸化を十分に防ぐために前記基板に対して不活性な」なる事項を付加するものであり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）が、改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否か（いわゆる独立特許要件）について検討する。
　
（１）補正発明
　補正発明は、本件補正により補正された明細書、図面の記載からみて、上記１．（２）のとおりのものと認める。
　ただし、補正発明中の「構造に通じるように」は、回答書によれば「レーザ加工された構造に通じるように」の意である。
　
（２）刊行物に記載された発明
　これに対し、原査定の拒絶理由で引用され、本件優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−２９４５２２号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
ア．段落０００１
「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法に関し、更に詳しくは、ウェーハ上に形成された半導体素子を個々のチップに切断分離し、外囲器に封止する工程に関し、外囲器の小型薄厚化やウェーハの大口径化時に好適なものである。」
　
イ．段落００１３
「【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明のウェーハの分割方法は、半導体素子が形成されたウェーハのダイシングラインに沿って、先端部に曲面を有するダイシング用ブレードを用いて、前記半導体素子の形成面側から完成時のチップの厚さよりも深く、且つ底部に曲面を有する溝を形成する工程と、前記ウェーハにおける前記半導体素子の形成面上に保持部材を貼り付ける工程と、前記ウェーハの裏面を研削及び研磨して、ウェーハを個々のチップに分離し、研削及び研磨によってウェーハが個々のチップに分割された後も研削及び研磨を続け、前記完成時のチップの厚さにする工程とを具備し、前記ウェーハの研削及び研磨面が前記溝の底部に達してから、完成時のチップ厚になるまでの研削及び研磨量と、前記溝の底部における曲面を有する領域の深さとの比が０．３以上であることを特徴としている。」
　
ウ．段落００４７
「【００４７】もちろん、上述した機械的あるいは化学的な形成方法だけでなく、レーザースクライバー等のような光学的な方法を用いて溝２２を形成することもできる。この図１に示した工程で重要なのは、どのような方法で溝２２を形成するかではなく、溝２２の深さを、完成時のチップの厚さよりも少なくとも５μｍ、好ましくは５μｍ乃至６０μｍ深く（但し、ウェーハ２１が個々のチップに分離されないように）することである。」
　
エ．図２〜４、６
　材料が、半導体素子形成面２１'からの深さが所定のところまで除去されることが看取できる。
　
　これらの記載事項を、図面を参照しつつ、技術常識を考慮しながら補正発明に照らして整理すると、刊行物１には以下の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていると認める。
　
「ウェーハ２１を切断分離する方法であって、
（ａ）レーザで、前記ウェーハ２１の半導体素子形成面２１'内に、前記ウェーハの全深さには満たない、前記半導体素子形成面２１'から所定の深さまでの溝２２の形成が、行われるステップと、
（ｂ）続いて、研削及び研磨を用いて、前記溝２２に通じるように、前記半導体素子形成面２１'に対向する、前記ウェーハの裏面から、材料を、前記第１の面からの深さが所定のところまで除去するステップと、
を有する方法。」
　
（３）対比
　補正発明と刊行物１発明とを対比する。
　刊行物１発明の「ウェーハ２１」は、補正発明の「基板」に相当し、同様に、「切断分離」は「加工」に、「半導体素子形成面２１'」は「第１の面」に、「形成」は「加工」に、「裏面」は「第２の面」に、それぞれ相当する。
　また、補正発明の「構造」は、上記（１）のとおり「レーザ加工された構造」の意であるから、刊行物１発明の「溝２２」は、補正発明の「構造」に相当する。　
　
　したがって、補正発明と刊行物１発明とは、次の点で一致している。
「基板を加工する方法であって、
（ａ）レーザで、前記基板の第１の面内に、前記基板の全深さには満たない、前記第１の面から所定の深さまでの溝の加工が、行われるステップと、
（ｂ）続いて、前記構造に通じるように、前記第１の面に対向する、前記基板の第２の面から、材料を、前記第１の面からの深さが所定のところまで除去するステップと、
　を有する方法。」
　
　そして、補正発明と刊行物１発明とは、以下の点で相違している。
　相違点１：レーザについて、補正発明では、「可視または紫外放射を発する」ものであるが、刊行物１発明では、明らかでない点。 
　相違点２：レーザによる溝加工について、補正発明では、「レーザ加工前、レーザ加工中及びレーザ加工後の少なくともいずれかにおいて、当該加工で生成される破片を除去するために前記基板に対して反応性のある反応ガス、及び、前記基板のレーザ加工中に前記基板の酸化を十分に防ぐために前記基板に対して不活性なパッシブガスの少なくとも一方を用いて、非雰囲気制御ガス環境で」行われるが、刊行物１発明では、明らかでない点。
　相違点３：材料を除去するステップについて、補正発明では、「化学的エッチング、プラズマエッチングおよびレーザアブレーションのうちの一つ」によるが、刊行物１発明では、「研削及び研磨」による点。
　
（４）相違点の検討
　相違点１について検討する。
　レーザとして、加工に適したレーザを選択することは当然であり、しかも、「可視または紫外放射を発する」レーザは、拒絶理由で引用した特表平１１−５０５６６６号公報の第１１ページ第２０〜２５行（空行を含む）、新たに示す特開平１１−３２０１５８号公報の段落０００２、特開平１１−５１８５号公報の段落０００６、特開平１０−３０５４２０号公報の段落００２５〜００２６、００３８にみられるごとく周知である。
　よって、刊行物１発明において、「可視または紫外放射を発する」レーザとすることに困難性は認められない。
　
　相違点２について検討する。
　レーザ加工中に、加工で生成される破片を除去するために加工物に対して反応性のある反応ガスを用いることは、原査定で引用した特公平５−１４４３２号公報の第４欄第１５〜２５行にみられるごとく周知である。
　また、レーザ加工中に加工物の酸化を防ぐために加工物に対して不活性ガスを用いることは、審尋で引用した特開平４−３６４０８８号公報の段落００１２、００１６〜００１７、同じく実願昭５８−１５１４１８号（実開昭６０−６０１７６号）のマイクロフイルムの第３ページ第１８行〜第４ページ第５行、新たに示す特開平７−３１４１６９号公報の請求項３、実願昭６０−１５６８９９号（実開昭６２−６５８３３号）のマイクロフイルムの第６ページ第１３〜２０行にみられるごとく周知である。
　かかるガスの利用にあたっては、適切な環境下で行うことは当然であり、ガス環境を制御する要素として、「流速、濃度、温度、ガスタイプ及びガス混成等」は周知である。
　よって、刊行物１発明に周知技術を適用し、レーザによる溝加工を、「レーザ加工中」に、「反応ガス」及び「不活性なパッシブガス」の少なくとも一方を用いて、「非雰囲気制御ガス環境で」行うことに困難性は認められない。
　
　相違点３について検討する。
　材料を除去する手段として、化学的エッチングは、拒絶理由で引用した特開昭５２−７９６５４号公報の第２ページ右上欄第１０〜１５行にみられるごとく、プラズマエッチングは、同じく特開平３−２７０１５６号公報の第３ページ左下欄第１１〜１４行にみられるごとく、いずれも周知である。
　加工手段は、必要に応じて適宜選択されるべきものであるから、刊行物１発明の「研削及び研磨」に代え、「化学的エッチング」又は「プラズマエッチング」とすることに困難性は認められない。
　
　さらに、これら相違点を総合しても、格別な技術的意義が生じるとは認められない。
　
　以上のことから、補正発明は、刊行物１発明、周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができないものである。
　
３．むすび
　したがって、本件補正は、改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
４．回答書の補正案について
　請求人は、回答書で補正案を示している。
　補正案には、法的根拠はないが、請求人の便宜のため、一応検討する。
　補正案は「基板を構成する層の各々に応じた非雰囲気制御ガス環境を与える」なる事項を加えるものであるが、かかる事項は、当初明細書等に記載されていない。
　請求人が主張するとおり、「基板を構成する層」が「複数」であることは明らかであるが、「層の各々に応じた非雰囲気制御ガス環境を与える」点は、当初明細書等に記載がなく、自明とも認められない。
　仮に、自明であるなら、同様の理由により容易である。
　よって、補正案により、審決の結論に変わりはない。
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項に係る発明は、平成２０年１０月１５日に補正された明細書、図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし３１に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２．１．（１）に示す請求項１に記載されたとおりである。
　
２．刊行物等
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された刊行物及びその記載内容は、上記第２．２．（２）に示したとおりである。
　
３．対比・検討
　本願発明は、上記第２．２．で検討した補正発明において、付加された限定事項を削除するものである。
　そうすると、本願発明を構成する事項のすべてを含み、さらに他の事項を付加する補正発明が、上記第２．２．（４）で示したとおり、刊行物１発明、周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないことから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。