【手続補正書】
【提出日】平成22年6月24日(2010.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータによって実現される、設計段階またはシミュレーション段階で装置を設計する方法であって：
設計者からの入力に少なくとも一部は依存して、装置上で過渡的な電気イベントに対処するための１つ以上の基準を特定し、
前記１つ以上の基準から、電圧で切替え可能な絶縁性（ＶＳＤ）材料を、前記装置の少なくとも一部における内部または表面の１つの層として、前記過渡的な電気イベントから前記装置の１つ以上の電気的構成要素を保護するように配置して集積するための１つ以上の特性を決定する、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
ＶＳＤ材料を集積するための前記１つ以上の特性の決定が、前記基準の少なくとも１つに基づいて、１つ以上の種別のＶＳＤ材料を選択することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記１つ以上の基準の特定が、前記過渡的なイベントから前記１つ以上の構成要素を保護するために、前記ＶＳＤ材料を絶縁状態から導通状態に切り替えることを開始するエネルギーのしきい値指標を特定することを含み、１つ以上の種別のＶＳＤ材料を選択することが、既知のエネルギーの特性指標を有するＶＳＤ材料の種別を特定することを含み、該種別の指定量のＶＳＤ材料が絶縁状態から導電状態に切り替わることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記１つ以上の特性の決定が、前記１つ以上の構成要素を保護電気経路から離隔させる層の直線寸法を決定することを含み、前記１つ以上の特性を決定することが、前記ＶＳＤ材料を導通状態に切り替えるエネルギーの前記しきい値指標を決定するに際し、前記既知の特性指標のエネルギーを前記直線寸法に印加することを含み、前記エネルギーのしきい値指標が前記１つ以上の構成要素の耐性レベルよりも低いことを特徴とする請求項３の方法。
【請求項５】
ＶＳＤ材料を集積するための１つ以上の特性を決定することが、前記ＶＳＤ材料の層が前記過渡的な電気イベントから前記１つ以上の構成要素を保護すべき複数の場所を、前記装置の少なくとも１つの層上で決定することを含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記１つ以上の基準の特定が、基準のうちの１つとして、エネルギーのしきい値指標を特定することを含み、該エネルギーのしきい値指標は、前記過渡的な電気イベントの結果として超えられると、前記ＶＳＤ材料を絶縁状態から導通状態に切り替えることを開始し、
前記１つ以上の特性の決定が、保護されるべき構成要素と前記装置の保護電気経路との間のギャップ離隔を規定するＶＳＤ材料の直線寸法を選択することを含み、
前記ＶＳＤ材料を絶縁状態から導通状態に切り替えるエネルギーのしきい値指標は、前記ＶＳＤ材料の直線寸法に依存し、
前記直線寸法の選択は、前記エネルギーのしきい値指標を前記１つ以上の構成要素によって対処可能なエネルギーの耐性指標よりも低くすることに少なくとも一部は基づくことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記直線寸法の選択が、所定寸法の前記ＶＳＤ材料の特性電圧レベルを特定することを含み、前記直線寸法の選択が、前記特性電圧レベルを使用して、前記ＶＳＤ材料を導通状態に切り替えるしきい値電圧レベルを、前記エネルギーのしきい値指標が前記１つ以上の構成要素または装置の耐電圧レベルよりも低くなるようにする直線寸法を決定することを含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記１つ以上の基準の特定が、保護されるべき装置の上で１つ以上の構成要素の１つ以上の電圧耐性または電流耐性を特定することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記１つ以上の耐性が、前記１つ以上の構成要素または前記装置のその他の要素を故障させそうな電圧レベルに相当する破壊電圧を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記１つ以上の基準の特定が、前記１つ以上の構成要素の漏洩電流に対する耐性を特定することを含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記１つ以上の基準の特定が、前記１つ以上の構成要素の漏洩電流の耐性を特定することを含み、前記漏洩電流が前記直線寸法に依存し、該直線寸法の選択が、該直線寸法の前記ＶＳＤ材料の漏洩電流を決定することに少なくとも一部は基づくことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項１２】
前記１つ以上の特性の決定が、前記直線寸法のギャップ離隔に前記エネルギーのしきい値指標を印加することに使用されるＶＳＤ材料から得られる漏洩電流に少なくとも一部は基づいて前記ＶＳＤ材料の種別を決定することを含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記１つ以上の特性の決定が、（ｉ）前記ギャップ離隔の直線寸法に基づいて前記ＶＳＤ材料によって与えられるエネルギーのしきい値指標、および、（ｉｉ）前記しきい値エネルギーレベルを供給するために必要なギャップ離隔の直線寸法の少なくとも一方を特定することを含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記１つ以上の基準の特定が、少なくとも前記装置の前記ＶＳＤ材料の層が供給される部分における空間的な制約を特定することを含むことを特徴とする請求項１の方法。
【請求項１５】
前記１つ以上の特性の決定が、前記特定された空間的制約に一部は基づいて前記ＶＳＤ材料の種別を選択することを含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ＶＳＤ材料の種別の選択が：
前記過渡的な電気イベントから前記１つ以上の構成要素を保護するために、選択された種別のＶＳＤ材料であって、所定量の該選択された種別のＶＳＤ材料を絶縁状態から導電状態に切り替えるエネルギーの既知の特性指標を有するＶＳＤ材料を、絶縁状態から導通状態に切り替えることを開始するエネルギーのしきい値指標を特定すること;および
前記１つ以上の構成要素を前記保護電気経路から隔離する前記層の直線寸法を、前記ＶＳＤ材料を導通状態に切り替えるエネルギーのしきい値指標を決定する際に前記１つ以上の構成要素の耐性レベルよりも低いエネルギーの既知の特性指標を前記直線寸法に印加することによって、特定すること；
に少なくとも一部は依存し、
前記直線寸法が前記空間的制約を満たすことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記１つ以上の特性の決定が、保護すべき前記１つ以上の構成要素のうちの１つを前記保護電気経路から隔離する際に前記ＶＳＤ材料によって占有される面積を決定することを含み、該面積が前記空間的制約を満たすことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記１つ以上の特性の決定が、前記保護電気経路から前記１つ以上の構成要素のうちの前記１つを隔離するＶＳＤ材料の直線寸法を決定することを含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記ＶＳＤ材料を集積するための１つ以上の特性の決定が、前記１つ以上の基準から、前記集積回路装置上の１つ以上の位置に在るＶＳＤ材料の層の厚みを決定することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記面積の決定がエリアの形状を決定することを含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記形状の決定が、複数の曲率半径を有するＶＳＤ材料の形状を決定することを含むことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
基板装置の少なくとも一部の設計またはシミュレーションを可能にするシステムであって：
１つ以上の特性を有する第１のＶＳＤ材料の第１の種別の電圧で切替え可能な絶縁（ＶＳＤ）材料を表す第１のエントリーを参照させるデータを保存するデータ格納部であって、前記１つ以上の特性が指定長あたりの特性電圧を表す値を含み、該指定長あたりの特性電圧が、前記指定長の第１のＶＳＤ材料に印加されると前記第１のＶＳＤ材料を絶縁状態から導通状態に切り替える既知の又は指定された電圧レベル値に対応するデータ格納部；および
システムの設計者との１つ以上の相互作用から、（ｉ）基板又は基板部分の１つ以上の空間的制約に基づく１つ以上の寸法パラメータ、および、（ｉｉ）前記基板装置の部分上で保護されるべき１つ以上の電気的構成要素によって耐えられる電圧レベルを決定する構成用モジュール、
を備え、
前記構成用モジュールは、（ｉ）前記基板の少なくとも前記部分上で前記第１のＶＳＤ材料の層によって提供され、且つ、（ｉｉ）過渡的なイベントのため前記基板上の保護電気経路から少なくとも１つの電気的構成要素を隔離するギャップ離隔を決定し、前記構成用モジュールは、（ｉ）前記第１のＶＳＤ材料を前記導通状態に切り替えそうなしきい値電圧レベルを、（ｉｉ）指定長あたりの特性電圧およびギャップ離隔のサイズに少なくとも一部分は基づいてギャップ離隔を決定し、前記しきい値電圧レベルは前記１つ以上の電気的構成要素の耐電圧レベルよりも低いことを特徴とするシステム。
【請求項２３】
第１のプログラム構成要素は、それぞれが対応する種別のＶＳＤ材料を参照させる複数のエントリーを参照し、該複数のエントリーは、前記第１のＶＳＤ材料を参照させる第１のエントリーを含み、前記複数のエントリーのそれぞれの対応するＶＳＤ材料は異なる組成を有することを特徴とする請求項２２に記載のシステム。
【請求項２４】
基板装置の少なくとも一部の設計またはシミュレーションを可能にする最適化システムであって：
複数の種別の電圧で切替え可能な絶縁（ＶＳＤ）材料に関する、１つ以上の種別のＶＳＤ材料の各ＶＳＤ材料の指定長あたりの特性電圧を含む情報であって、前記指定長あたりの特性電圧が、前記指定長の特定の種別のＶＳＤ材料に印加されて、該種別のＶＳＤ材料を絶縁状態から導通状態に切り替えるようにトリガーしそうな電圧レベルに対応する情報を保存するデータ格納部；および
前記システムの設計者との１つ以上の相互作用から、（ｉ）基板または基板部分の空間的な制約に基づく１つ以上の寸法パラメータ、および、（ｉｉ）基板装置の部分で保護されるべき１つ以上の電気的な構成要素が耐えられる電圧レベルを決定する構成用モジュール、
を備え、
前記構成用モジュールは、複数種別のＶＳＤ材料の何れの種別についても、（ｉ）前記基板の少なくとも一部で前記種別のＶＳＤ材料によって占有され、（ｉｉ）過渡的なイベントに対して保護電気経路から少なくとも１つの電気的要素を隔離するギャップ離隔を決定するように構成され、前記構成用モジュールは、更に複数種別のＶＳＤ材料の何れの種別に対しても、前記保護電気経路から少なくとも１つの電気的要素を隔離するように、前記ＶＳＤ材料の層を使用するために必要なギャップ離隔を決定するように構成されており、前記システムは、更に
（ｉ）複数種別のＶＳＤ材料のうちから選択された種別のＶＳＤ材料、および、（ｉｉ）選択された種別のＶＳＤ材料のギャップ離隔のサイズのうち少なくとも一方を選択するように構成され、１つ以上の最適化基準に基づいて選択をするように構成される最適化構成要素を備えることを特徴とする最適化システム。
【請求項２５】
前記最適化構成要素は、前記複数種別のＶＳＤ材料の何れの種別をも導通状態に切り替えるために必要なしきい値電圧レベルの決定を使用することに少なくとも一部は基づいて、選択を行うように構成され、前記しきい値電圧レベルは、（ｉ）前記種別のＶＳＤ材料の指定長あたりの特性電圧、および、（ｉｉ）ギャップ離隔のサイズから決定され、前記最適化構成要素は、前記しきい値電圧レベルが前記１つ以上の構成要素の耐電圧レベルよりも低くなるように前記選択を行うことを特徴とする請求項２４に記載のシステム。
【請求項２６】
前記１つ以上の最適化基準は、（ｉ）複数種別のＶＳＤ材料の各種別を使用するコスト、（ｉｉ）複数種別のＶＳＤ材料の各種別の性能、（ｉｉ）複数種別のＶＳＤ材料の各種別の特性、および、（ｉｉｉ）各種別のＶＳＤ材料を使用することにより必要となるギャップ離隔のサイズの最小化のうち少なくとも１つに相当することを特徴とする請求項２４に記載のシステム。
【請求項２７】
電圧で切替え可能な絶縁材料の基板装置への適用を最適化するシステムであって：
前記基板装置の設計者から１つ以上の基準を受け取るように構成されるインターフェイス；
少なくとも１つの基板、および、様々な種別の電圧で切替え可能な絶縁（ＶＳＤ）材料の少なくとも１つの種別に関する情報を格納するメモリ資源；および
前記インターフェイスおよびメモリ資源に接続され、入力および前記メモリ資源に保存された情報を使用するように構成されるプロセッサ資源、
を備え、
該プロセッサ資源は：
前記基板装置上で過渡的な電気イベントに対処するための１つ以上の基準を特定し；
前記１つ以上の基準から、前記基板装置の少なくとも一部の内部又は表面上に前記過渡的な電気条件から前記基板の１つ以上の構成要素を保護するように配置された層としてＶＳＤ材料を集積するための１つ以上の特性を決定し、
前記基板の少なくとも一部に前記ＶＳＤ材料を集積するための１つ以上の基準を特定し、
前記１つ以上の最適化基準に基づいて前記ＶＳＤ材料の層を最適化することを特徴とするシステム。