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　特願２００４−　９４５５１「ＨＤＤサスペンション用積層体及びその使用方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１０月１３日出願公開、特開２００５−２８５１７８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１６年３月２９日の出願であって、平成１９年９月１３日付けで拒絶理由が通知され、平成１９年１１月２９日付けで手続補正されたが、平成２０年１月２８日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年３月６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年４月７日付けで手続補正がなされたものである。
　その後、平成２２年７月９日付けで、審査官による前置報告書（特許法第１６４条第３項）を利用した審尋を行ったが、回答書の提出はなかったものである。
　
２．平成２０年４月７日付けの手続補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　平成２０年４月７日付けの手続補正を却下する。
　
　[理由]
（１）補正の内容
　平成２０年４月７日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、補正前の平成１９年１１月２９日付け手続補正書の特許請求の範囲について、
（ｉ）
「【請求項１】
　ステンレス層A、絶縁性樹脂層B、第１シード層C、第２シード層D及びメッキ層Eからなる積層体であって、
（a）絶縁性樹脂層Bが、複数層のポリイミド系樹脂層（感光性ポリイミド系樹脂層を除く）からなり、且つ絶縁性樹脂層全体としての線膨張係数が１０×１０-6〜３０×１０-6/℃の範囲であり、ステンレス層A及び第１シード層Cと接するポリイミド系樹脂層が３００℃以下のガラス転移温度を有するものであり、上記線膨張係数及びガラス転移温度を与えるポリイミド系樹脂の前駆体溶液を複数層に塗布、熱処理することにより形成されたものであること、
（b）第１シード層Cがスパッタ法により形成される厚み２〜３００nmの金属層であること、
（C）第２シード層Dがスパッタ法により形成される厚み１５〜４００nmの良導電性の金属層であり、その導電性が第１シード層Cを形成する金属より良導電性であること、
（d）メッキ層Eが厚み５〜２０μmの銅又は銅合金からなる金属層であること、及び
（e）絶縁性樹脂層Bと第１シード層Cの間の接着力が０．６ｋN/m以上であること、
を特徴とするHDDサスペンション用積層体。
【請求項２】
　第１シード層Cと第２シード層Dの層間の接着力及び第２シード層Dとメッキ層Eの層間の接着力が、いずれも０．６ｋN/m以上であることを特徴とする請求項１記載のHDDサスペンション用積層体。
　【請求項３】
　第１シード層Cが、２〜１０nmの厚みのCr、Mo、Ni、Ti、Be、Si又はこれらの合金からなる金属層である請求項１又は２に記載のHDDサスペンション用積層体。
　【請求項４】
　第２シード層Dが、１００〜３００nmの厚みの金属層であり、第１シード層Cが２〜３０nm厚みの金属層である請求項１〜３のいずれかに記載のHDDサスペンション用積層体。
　【請求項５】
　メッキ層Eが、５〜１５μmの厚みの銅又は銅を主成分とする銅合金からなる金属層からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のHDDサスペンション用積層体。
　【請求項６】
　絶縁性樹脂層Bが、５〜１８μmの厚みである請求項１〜５のいずれかに記載のHDDサスペンション用積層体。
　【請求項７】
　ステンレス層Aが、５〜３０μmの厚みのSUS３０４からなる請求項１〜６のいずれかに記載のHDDサスペンション用積層体。
　【請求項８】
　請求項１〜７のいずれかに記載のHDDサスペンション積層体の銅又は銅合金よりなるメッキ層Eをエッチング処理して不要な部分を除去して絶縁性樹脂層上にパターンを形成し、次に、露出した絶縁性樹脂層の不要部分を除去して所望のパターンを有する絶縁層を形成することにより回路加工してHDDサスペンションとすることを特徴とするHDDサスペンションの製造方法。」とあったものを、
　
（ｉｉ）
「【請求項１】
　ステンレス層Ａ、絶縁性樹脂層Ｂ、第１シード層Ｃ、第２シード層Ｄ及びメッキ層Ｅからなる積層体であって、
（a）絶縁性樹脂層Ｂが、複数層のポリイミド系樹脂層からなり、且つ絶縁性樹脂層全体としての線膨張係数が１０×１０-6〜３０×１０-6/℃の範囲であり、ステンレス層Ａ及び第１シード層Ｃと接するポリイミド系樹脂層が３００℃以下のガラス転移温度を有するものであり、上記線膨張係数及びガラス転移温度を与えるポリイミド系樹脂の前駆体溶液を複数層に塗布、熱処理することにより形成されたものであること、
（b）第１シード層Ｃがスパッタ法により形成される厚み２〜３００nmの
Cr、Mo、Ni、Ti、Be、Si又はこれらの合金からなる
（c）第２シード層Ｄがスパッタ法により形成される厚み１５〜４００nmの良導電性の金属層であり、その導電性が第１シード層Cを形成する金属より良導電性であること、
（d）メッキ層Ｅが厚み５〜２０μmの銅又は銅合金からなる金属層であること、
（e）絶縁性樹脂層Ｂと第１シード層Ｃの間の接着力が０．６ｋN/m以上であること、
（f）第１シード層Ｃと第２シード層Ｄの層間の接着力及び第２シード層Ｄとメッキ層Ｅの層間の接着力が、いずれも０．６ｋN/m以上であること、及び
（g）ステンレス層Ａの厚みが、５〜３０μmであること、
を特徴とするHDDサスペンション用積層体。
　【請求項２】
　第２シード層Dが、１００〜３００nmの厚みの金属層であり、第１シード層Cが２〜３０nm厚みの金属層であり、メッキ層Eが５〜１５μm厚みの金属層である請求項１に記載のHDDサスペンション用積層体。
　【請求項３】
　絶縁性樹脂層Bが、５〜１８μmの厚みである請求項１又は２に記載のHDDサスペンション用積層体。
　【請求項４】
　ステンレス層Aが、５〜３０μmの厚みのSUS３０４からなる請求項１〜３のいずれかに記載のHDDサスペンション用積層体。
　【請求項５】
　請求項１〜４のいずれかに記載のHDDサスペンション積層体の銅又は銅合金よりなるメッキ層Eをエッチング処理して不要な部分を除去して絶縁性樹脂層上にパターンを形成し、次に、露出した絶縁性樹脂層の不要部分を除去して所望のパターンを有する絶縁層を形成することにより回路加工してHDDサスペンションとすることを特徴とするHDDサスペンションの製造方法。」と補正するものである。
　
（２）補正の目的についての検討
　本件補正は、補正前の請求項１に記載された発明を特定する事項のうち、複数層のポリイミド系樹脂層について、「（感光性ポリイミド系樹脂層を除く）」とあった特定事項を削除するものであるから、明らかに限定を解除したものに相当する。したがって、前記特定事項の削除は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮に該当しないことは明らかで、さらには、同項第３号に掲げる誤記の訂正、同項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明にも該当しない。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　なお、請求人は、前記特定事項の削除は、拒絶査定の備考において、「感光性でないという記載は当初明細書にはない」と指摘されたことを受けて削除したものと主張する（【請求の理由】の３））が、審査官に指摘された新規事項の削除は、同法１７条の２第４項各号に掲げる事項のいずれかに該当するものではない。
　
（３）独立特許要件の検討
　補正後の請求項１について、「（感光性ポリイミド系樹脂層を除く）」との特定を削除しても、「感光性ポリイミド樹脂層ではないことには変わりはありません。」との請求人の主張を考慮して、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「第１シード層Ｃ」について「Cr、Mo、Ni、Ti、Be、Si又はこれらの合金からなる」金属層と限定を付加し、「（f）第１シード層Ｃと第２シード層Ｄの層間の接着力及び第２シード層Ｄとメッキ層Ｅの層間の接着力が、いずれも０．６ｋN/m以上であること、及び（g）ステンレス層Ａの厚みが、５〜３０μmであること」の限定を付加する点について、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するとして、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下，「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に適合するか）についても、以下に検討する。
　
（４）引用例
　（４）−１．原査定の拒絶の理由に引用された特開２００２−２４５６０９号公報（以下、「引用例１」という。）には、ＨＤＤ用サスペンションの積層体について、図面と共に次の事項が記載されている（なお、以下、摘記事項の下線は当審で付した。）。
　
ア．「【請求項１】  
ステンレス基体上に絶縁樹脂層及び金属箔層が順次積層された積層体
絶縁樹脂層のステンレス基体及び金属箔層と接する層がガラス転移温度３００℃以下のポリイミド系樹脂層（B）であり、
ＨＤＤ用サスペンション
　
イ．「【０００２】
【従来の技術】現在、インターネットの普及等によりパーソナルコンピューターの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴い、パーソナルコンピューターに組み込まれているハードディスクドライブ（ＨＤＤ）も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。
ＨＤＤに用いられる磁気を読み取るヘッドを支持しているサスペンションといわれる部品も、従来の金ワイア等の信号線を接続するタイプから、高密度化等の対応のための、ステンレスのばねに直接銅配線等の信号線が形成されている
　
ウ．「【００１９】本発明に用いられる
積層体におけるポリイミド系樹脂層と金属箔との接着力及びポリイミド系樹脂層とステンレス基体との接着力は、何れも０．５kN/m以上であることが必要であり
エ．「【００３９】本発明に用いられる積層体において、例えばステンレス基体又は金属箔の一方をエッチング除去した際の反り等を低減するためには、金属箔と絶縁樹脂層の熱膨張性の差が小さいことが望ましく、具体的には
絶縁樹脂層全体の熱膨張係数としては30×10
-6
／℃以下であることが好ましい
　
オ．「【００４４】以下に
本発明のＨＤＤ用サスペンション
図１の（１）は積層体の断面を示し、ステンレス基体１、絶縁樹脂層２及び金属箔３から積層体が構成されている
　
カ．「【００６１】［線熱膨張係数の測定］サーモメカニカルアナライザー(セイコーインスツルメンツ社製)を用い、２５０℃まで昇温し更にその温度で１０分保持した後、５℃/分の速度で冷却し、２４０℃から１００℃までの
平均熱膨張係数(線熱膨張係数)
　
キ．「【００６３】［接着力の測定］
金属箔とポリイミド系樹脂との間の接着力は、ステンレス箔上にポリイミド系樹脂層を形成した後、更に銅箔を熱圧着して両面金属箔を形成した積層体
【００６４】以下に、ポリイミド前駆体溶液の合成例を示す。
合成例１は、ポリイミド系樹脂層(A)に適した低熱膨張性ポリイミド前駆体溶液の合成例
合成例２〜６は、ポリイミド系樹脂層(B)に適した低ガラス転移温度（Tg)ポリイミド前駆体溶液の合成例
　
ク．「【００７３】実施例１
バーコーターを用いて
合成例2で得られたポリイミド前駆体溶液Ｂをステンレス箔(新日本製鐵株式会社製、SUS304、テンションアニール処理品、厚み20μm)上に、硬化後の厚みが1μmになるように塗布し、
その上に合成例１で得られたポリイミド前駆体溶液Aを硬化後の厚さが１４μmになるように塗布し、１１０℃で１０分乾燥し、更にその上に合成例３で得られたポリイミド前駆体溶液Ｃを硬化後の厚みが１μmになるように塗布し、１１０℃で３分乾燥した後、更に１３０℃,１６０℃,２００℃,２５０℃,３００℃,３６０℃で各３分間段階的な熱処理を行いイミド化を完了させ、ステンレス上に３層のポリイミド樹脂層からなる厚み１６μmの絶縁層を形成した
次に、銅合金箔(オーリンソマーズ社製、C7025、厚み１８μm)を粗面側がポリイミド絶縁層と接するように重ね合わせ、真空プレス機を用いて、面圧１５MPａで、３２０℃でプレス時間２０分の条件で加熱圧着してステンレス／低Ｔg樹脂層／低熱膨張樹脂層／低Ｔg樹脂層／銅合金箔からなる積層体を得た
【００７４】得られた
積層体のステンレス−ポリイミド間及び銅合金箔−ポリイミド間の接着力はそれぞれ２．０ｋＮ／ｍ、２．４ｋＮ／ｍ
３層のポリイミド絶縁層の線熱膨張係数２４．０×１０
-6
／℃であった
　
　上記アないしクの記載によれば、引用例1には次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されている。
「ステンレス基体、絶縁樹脂層、金属箔層が順次積層された積層体であり、
　絶縁樹脂層は、３層のポリイミド系樹脂層からなり、３層のポリイミド系樹脂層の線熱膨張係数が２４．０×１０-6／℃であり、絶縁樹脂層のステンレス基体及び金属箔層と接する層がガラス転移温度３００℃以下のポリイミド系樹脂層であり、低ガラス転移温度ポリイミド前駆体溶液を塗布して乾燥した後、その上に低熱膨張性ポリイミド前駆体溶液を塗布して乾燥し、更にその上に低熱膨張性ポリイミド前駆体溶液を塗布して乾燥した後、更に熱処理することにより形成され、
　金属箔層が厚み１８μmの銅合金箔からなり、
　ステンレス基体−絶縁樹脂層間及び銅合金箔−絶縁樹脂層間の接着力がそれぞれ２．０ｋＮ／ｍ、２．４ｋＮ／ｍ であり、
　ステンレス基体の厚みが２０μｍであること、
　とするＨＤＤ用サスペンションの積層体。」
　
　（４）−２．同じく原査定の拒絶の理由に引用された特開２０００−４８５１０号公報（以下、「引用例２」という。）には、ハードディスクヘッド用サスペンションについて、次の事項が記載されている。
　
ケ．「【０００２】
【従来の技術】従来、コンピューターの記憶装置である
ハードディスクの磁気ヘッドとこれを懸架するサスペンション
サスペンション上に配線を形成することによりワイヤーを省略して上記の要求に応じようとする、いわゆる「ワイヤーレス・サスペンション」が開発され、既に一部で実用化されている
【０００３】現在この種の「ワイヤーレス・サスペンション」の製造方法としては、フレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）をサスペンションに接着するＦＰＣ法、銅箔、ポリイミド樹脂膜およびステンレス箔がラミネートされた基板を用いてエッチング法によって所望の形状にパターニングするエッチング法、あるいは
ステンレス箔表面にポリイミド樹脂膜を形成して所望の形状にパターニングした後、導電層およびめっきレジスト層を形成し、銅めっきによって所望の回路を形成
　
コ．「【００１４】
【実施例】つぎに実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。
［実施例］縦５０ｍｍ、横１０ｍｍ、
厚さ２０μｍのステンレス箔
ステンレス箔を陽極とし、チタンと白金のクラッド材を陰極とし、両電極間に８０Ｖの電圧を５分間印加することによってステンレス箔の露出部分にポリイミド樹脂膜を析出させた
　
サ．「【００１６】以上の処理によって
ステンレス箔表面の所望の箇所に厚さ１０μｍのポリイミド樹脂膜が形成され、その後このポリイミド樹脂膜および該ポリイミド樹脂膜が形成されたステンレス箔表面にスパッタリング法により厚さ５００オングストロームのクロム皮膜を形成し、さらに厚さ１０００オングストロームの銅皮膜を形成した後、該銅皮膜表面に電気めっき法によって厚さ１８μｍの銅めっき皮膜を形成した
　
　（４）−３．同じく原査定の拒絶の理由に引用された特開２００１−１０１６３９号公報（以下、「引用例３」という。）には、磁気ヘッドサスペンション用の金属基板について、次の事項が記載されている。
　
シ．「【００３０】図３に示すように、
磁気ヘッドサスペンション１は、ステンレス鋼からなる長尺状の基板１０により形成されるサスペンション本体部２０を備える
　
ス．「【００３６】その後、図５（ｃ）に示すように、
基板１０上および絶縁層１１上に、クロムおよび銅の連続的なスパッタリングにより、厚さ１００〜６００Åのクロム膜１２および厚さ５００〜２０００Åで０．６Ω／□以下のシート抵抗を有する銅めっきベース１３を順に形成する
　　
（５）対比
　引用例1発明と本願補正発明を対比する。
　引用例１発明の「ＨＤＤ用サスペンションの積層体」は、本願補正発明の「ＨＤＤサスペンション用積層体」に相当する。
　引用例1発明の「ステンレス基体」「絶縁樹脂層」は、本願補正発明の「ステンレス層Ａ」「絶縁性樹脂層Ｂ」にそれぞれ相当する。
　引用例1発明の「金属箔層」は、「ＨＤＤ用サスペンション」に形成された銅の配線を形成するものであって、本願補正発明の「ＨＤＤ用サスペンション」用の銅の配線を形成する「メッキ層Ｅ」とは、いずれも「導体層」である点で共通する。
　
　引用例１発明の「絶縁樹脂層」が「３層のポリイミド系樹脂層からなり」は、本願補正発明の（a）の「絶縁性樹脂層Ｂが、複数層のポリイミド系樹脂層からなり」に相当する。
　引用例１発明の「３層のポリイミド系樹脂層の線熱膨張係数が２４．０×１０-6／℃であり」は、「２４．０×１０-6／℃」の数値が１０×１０-6〜３０×１０-6/℃の範囲内にあること、引用例１の上記「エ」の「絶縁樹脂層全体の熱膨張係数としては30×10-6／℃以下であることが好ましい」ことから、本願補正発明の「絶縁性樹脂層全体としての線膨張係数が１０×１０-6〜３０×１０-6/℃の範囲であり」に相当する。
　引用例１発明の「絶縁樹脂層のステンレス基体と金属箔層と接する層がガラス転移温度３００℃以下のポリイミド系樹脂層であり」は、「ガラス転移温度３００℃以下のポリイミド系樹脂層」が「ステンレス基体」に接している点で、本願補正発明の「ステンレス層Ａ」「と接するポリイミド系樹脂層が３００℃以下のガラス転移温度を有するものであり」に相当する。
　引用例１発明の「低ガラス転移温度ポリイミド前駆体溶液を塗布して乾燥した後、その上に低熱膨張性ポリイミド前駆体溶液を塗布して乾燥し、更にその上に低熱膨張性ポリイミド前駆体溶液を塗布して乾燥した後、更に熱処理することにより形成され」は、本願補正発明の「上記線膨張係数及びガラス転移温度を与えるポリイミド系樹脂の前駆体溶液を複数層に塗布、熱処理することにより形成されたものであること」に相当する。
　
　引用例１発明の「金属箔層が厚み１８μmの銅合金箔からなり」は、本願補正発明の（ｄ）の「導体層」に相当するメッキ層が「厚み５〜２０μmの銅又は銅合金からなる金属層であること」に相当する。
　
　引用例１発明の「ステンレス基体の厚みが２０μｍであること」は、本願補正発明の（ｇ）の「ステンレス層Ａの厚みが、５〜３０μmであること」に相当する。
　
（一致点）
　以上のことからすると、引用例1発明と本願補正発明は次の点で一致する。
「ステンレス層Ａ、絶縁性樹脂層Ｂ、及び（導体層）からなる積層体であって、
（a）絶縁性樹脂層Ｂが、複数層のポリイミド系樹脂層からなり、且つ絶縁性樹脂層全体としての線膨張係数が１０×１０-6〜３０×１０-6/℃の範囲であり、ステンレス層Ａと接するポリイミド系樹脂層が３００℃以下のガラス転移温度を有するものであり、上記線膨張係数及びガラス転移温度を与えるポリイミド系樹脂の前駆体溶液を複数層に塗布、熱処理することにより形成されたものであること、
（d）導体層が厚み５〜２０μmの銅又は銅合金からなる金属層であること、及び、
（g）ステンレス層Ａの厚みが、５〜３０μmである、
HDDサスペンション用積層体。」
　
（相違点）
　一方、引用例1発明と本願補正発明は次の点で相違する。
　積層体の導体層を、本願補正発明は「メッキ層」とし、積層体が「第１シード層Ｃ、第２シード層Ｄ及びメッキ層Ｅ」を有し、「第１シード層Ｃと接するポリイミド系樹脂層が３００℃以下のガラス転移温度を有するものであり」、「（b）第１シード層Ｃがスパッタ法により形成される厚み２〜３００nmのCr、Mo、Ni、Ti、Be、Si又はこれらの合金からなる金属層であること、（c）第２シード層Ｄがスパッタ法により形成される厚み１５〜４００nmの良導電性の金属層であり、その導電性が第１シード層Cを形成する金属より良導電性であること」、「（e）絶縁性樹脂層Ｂと第１シード層Ｃの間の接着力が０．６ｋN/m以上であること、（f）第１シード層Ｃと第２シード層Ｄの層間の接着力及び第２シード層Ｄとメッキ層Ｅの層間の接着力が、いずれも０．６ｋN/m以上であること」とするのに対して、引用例1発明は「導体層」が「金属箔層」であり、積層体が「第１シード層、第２シード層及びメッキ層」を有しないことから、これらの層に関する特定もない点。
　
（６）判断
　上記相違点について検討する。
　引用例２には、ハードディスク磁気ヘッドのサスペンションについて、ステンレス箔を陽極とし、チタンと白金のクラッド材を陰極とし、両電極間に電圧を印加することによって析出させたステンレス箔上のポリイミド樹脂膜上に、スパッタリング法により厚さ５００オングストローム（５０ｎｍ）のクロム皮膜を形成し、さらに厚さ１０００オングストローム（１００ｎｍ）の銅皮膜を形成した後、厚さ１８μｍの銅めっき皮膜を形成した構成が記載されている。
　引用例３には、磁気ヘッドサスペンション用の金属基板について、絶縁層上に、クロムおよび銅の連続的なスパッタリングにより、厚さ１００〜６００Å（１０ｎｍ〜６０ｎｍ）のクロム膜および厚さ５００〜２０００Å（５０ｎｍ〜２００ｎｍ）の、銅メッキベースを形成した構成が記載されている。
　これらの引用例の他にも、導体層を銅メッキ層で形成する際に、ポリイミドフィルム上に、スパッタ法でクロム層を形成し、次にスパッタ法で銅層を形成し、その上に銅メッキ層を形成することが周知である。
　例えば、平成１９年８月９日付けの刊行物提出書（平成１９年９月１１日付けで通知）に示された特開２００２−２９３９６５号公報（以下、「周知例１」という。）の【００３４】〜【００４３】には、接着力が改善されたポリイミドフィルム上に第一蒸着層、第二蒸着層、銅メッキ層が順次積層形成されたフレキシブルプリント板について、第一蒸着層がニッケル、クロム、コバルト、パラジウム、モリブデン、タングステン、チタン、ジルコニウムの群から選択した１種以上を用い、製造方法としてはスパッタ法も採用され、１〜３０ｎｍに形成されたこと、第二蒸着層は１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲でメッキ用の下地層としてスパッタ法により銅で形成され、銅メッキ層は第二蒸着層上に２０μｍ以下の厚みで形成されたことが記載されている。
　また、特開２００３−８６９３７号公報（以下、「周知例２」という。）には、３層型メッキプリント基板について、【００４７】〜【００５６】の実施例１〜実施例５には、ポリイミドフィルム上の芳香族テトラカルボン酸とジアミン成分からなる耐熱性のポリイミド系樹脂の塗工面に、スパッタ装置でＣｒをスパッタ（実施例１：4ｎｍ、実施例２〜５：１０ｎｍ）し、次いでその上にＣｕをスパッタ（実施例１〜５　２００ｎｍ）し、スパッタ後、銅をメッキ（実施例１〜５　８μｍ）することが記載されている。
　これら引用例及び周知技術は、いずれも積層体の構造、製造方法に関する発明である点で、引用例１発明と共通するものであって、引用例１発明のＨＤＤサスペンション用積層体に適用するに際して格別の困難もないものである。
　してみれば、引用例１発明のＨＤＤ用サスペンションの積層体の導体層を、銅メッキで形成するメッキ層Ｅとし、当該メッキ層Ｅの下地層として第２シード層Ｄをスパッタ法で良導電性の銅からなる金属層で形成し、当該第２シード層の下にさらに第１シード層Ｃをスパッタ法によりクロムからなる金属層で形成する積層体とし、第１シード層Ｃがガラス転移温度３００℃以下のポリイミド系樹脂層と接する積層体とすることは、引用例２，３の記載及び周知技術を参照することにより、当業者が容易になしうることである。
　この場合において、銅がクロムより良導電性であることは周知の事項であるから、第２シード層Ｄが「良導電性の金属層であり、その導電性が第１シード層Ｃを形成する金属より良導電性であること」との要件を満たすこととなるのは当然である。
　
　第１シード層Ｃのクロム層厚みについて検討すると、引用例２にはクロム皮膜が５００オングストローム（５０ｎｍ）、引用例３には厚さ１００〜６００Å（１０ｎｍ〜６０ｎｍ）のクロム膜、また、周知例２にはクロム層を4ｎｍ、１０ｎｍで形成することが記載され、これらの厚みはいずれも本願補正発明の範囲に含まれるものである。
　第２シード層Ｄの銅層の厚みについて検討すると、引用例２に１０００オングストローム（１００ｎｍ）であること、、引用例３には５００〜２０００Å（５０ｎｍ〜２００ｎｍ）であること、また、周知例２には２００ｎｍの厚みの例が記載され、これらの厚みはいずれも本願補正発明の範囲に含まれるものである。
　これらの厚みを参照すると、第１シード層Ｃのクロム層の厚み２〜３００ｎｍとすること、第２シード層Ｄを銅層の厚み１５〜４００ｎｍとすることは、引用例２，３の記載を参照することにより、当業者が容易に設定しうることである。　
　
　次に、層間の接着力について検討すると、引用例１発明のステンレス基体−絶縁樹脂層間及び銅合金箔−絶縁樹脂層間の接着力をそれぞれ２．０ｋＮ／ｍ、２．４ｋＮ／ｍ とし、引用例１の上記「ウ」には、「本発明に用いられる積層体におけるポリイミド系樹脂層と金属箔との接着力及びポリイミド系樹脂層とステンレス基体との接着力は、何れも０．５kN/m以上であることが必要であり、好ましくは１．０〜５．０kN/mの範囲であることがよい。」と記載され、各層間の剥がれを防止するために、接着力を所定の値以上に設定することが引用例１に記載されているから、これらの記載に接した当業者が、ＨＤＤサスペンション用積層体において、ポリイミド系樹脂層と金属箔との接着力、及びポリイミド系樹脂層とステンレス基体との接着力について、何れも所定の値以上の強度が必要であり、適宜設定されるべきであると認識するのは当然のことである。先に検討したように、引用例２、３及び周知技術を適用することにより金属箔に代えて、第１シード層、第２シード層、メッキ層を形成する構造とした場合には、絶縁性樹脂層Ｂと第１シード層Ｃの間、第１シード層Ｃと第２シード層Ｄの層との間、及び第２シード層Ｄとメッキ層Ｅとの間でも剥離が生じうることは自明であるから、絶縁性樹脂層Ｂと第１シード層Ｃの間の接着力、第１シード層Ｃと第２シード層Ｄの層間の接着力、及び第２シード層Ｄとメッキ層Ｅの層間の接着力について特定することとなるのは当然のことにすぎない。
　接着力の数値範囲については上限値が特定されておらず、また、０．６ｋN/mとの下限値にも臨界的意義を認めるべき根拠は何ら示されていない。したがって、接着力について、絶縁性樹脂層Ｂと第１シード層Ｃの間の接着力、第１シード層Ｃと第２シード層Ｄの層間の接着力、及び第２シード層Ｄとメッキ層Ｅの層間の接着力が、いずれも０．６ｋN/m以上であるとの特定は、各層間の剥がれを防止するために、いずれの層間の接着力についても、ある程度以上の強さが必要であることを特定するにすぎないものである。
　以上のとおりであるから、積層体における絶縁樹脂層と第１シード層Ｃの間の接着力を０．６ｋN/m以上とし、第１シード層Ｃと第２シード層Ｄの層間の接着力及び第２シード層Ｄとメッキ層Ｅの層間の接着力を、いずれも０．６ｋN/m以上として、各層間の剥がれの発生を防止するようにすることは、引用例１の接着力に関する記載を参照することにより、当業者が適宜に設定しうることである。
　なお、上記層間の接着力について参考までに付言する。
　本願の詳細な説明を参照すると、「引張試験機（東洋精機株式会社製、ストログラフ−Ｍ１）を用いて、各金属箔を９０°方向に引き剥がし強さを測定した。（【００２４】段落）」とあり、一方で、引用例１には、【００６３】段落に、「引張試験機（東洋精機株式会社製、ストログラフ−Ｍ１）を用いて、各金属箔を１８０°方向に引き剥がし強さを測定した。」と記載され、同じ引張試験機を使用しているものの、引き剥がし強さの測定方法に相違があるが、本願補正発明には、引き剥がし強さの測定方法について特定されているわけでもなく、また、仮に、特定されていたとしても、引き剥がし強さの測定方法を特定することで積層体として格別の作用効果が生じるとも、接着力の下限値に臨界的意義が生じるとも、認めるべき根拠はない。しかも、たとえ９０°方向に引き剥がす場合と１８０°方向に引き剥がす場合とで、技術常識上、２ないし３倍程度の相違があるとしても、引用例１に記載された前記の数値範囲、とりわけ、「好ましくは」とされる「１．０〜５．０kN/m」の範囲が、本願補正発明の０．６ｋN/m以上の範囲を含むことが明らかで、数値自体、格別な特定でないことが明らかである。
　さらには、前記前置報告書で示された周知例（特開２００３−１９１４１２号公報）には、導電性金属層とポリイミドフィルムとの積層体の剥離強度について、本願の明細書に記載されたと同様の９０°剥離法による測定で、銅箔剥離強度：２．０ｋｇｆ／ｃｍ以上、ステンレス箔剥離強度：１．０ｋｇｆ／ｃｍの数値が得られており（【００４６】ないし【００４８】参照）、同記載からも、本願補正発明の剥離強度に関する数値が格別な特定でないことが明らかである。
　
　以上のとおりであるから、引用例１の発明の「ＨＤＤ用サスペンションの積層体」を、ステンレス層Ａ、絶縁性樹脂層Ｂ、第１シード層Ｃ、第２シード層Ｄ及びメッキ層Ｅからなる積層体とするとともに、第１シード層Ｃと接する層が３００℃以下のガラス転移温度のポリイミド系樹脂層とし、（b）第１シード層Ｃがスパッタ法により形成される厚み２〜３００nmのCrからなる金属層であること、（c）第２シード層Ｄがスパッタ法により形成される厚み１５〜４００nmの良導電性の金属層であり、その導電性が第１シード層Cを形成する金属より良導電性であること、（d）メッキ層Ｅが厚み５〜２０μmの銅からなる金属層であること、（e）絶縁樹脂層と第１シード層Ｃの間の接着力が０．６ｋN/m以上であること、（f）第１シード層Ｃと第２シード層Ｄの層間の接着力及び第２シード層Ｄとメッキ層Ｅの層間の接着力が、いずれも０．６ｋN/m以上とすることは、引用例２及び引用例３に記載された発明及び周知技術を参照することにより、当業者が容易に想到しうることである。
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用例１ないし３に記載された発明及び周知技術から当業者が予測しうる範囲のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１ないし３に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（７）独立特許要件についてのむすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
　
３．本願発明について
　平成２０年４月７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、前記２．［理由］（１）の（ｉ）に記載のとおりのものである。
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、及びその記載事項は、前記「２．（４）」に記載したとおりである。　
　
（２）対比・判断
　本願発明は、前記「２．」で検討した本願補正発明から「第１シード層Ｃ」について「Cr、Mo、Ni、Ti、Be、Si又はこれらの合金からなる」との限定を削除し、「（f）第１シード層Ｃと第２シード層Ｄの層間の接着力及び第２シード層Ｄとメッキ層Ｅの層間の接着力が、いずれも０．６ｋN/m以上であること、及び（g）ステンレス層Ａの厚みが、５〜３０μmであること」の限定を削除したものに相当する。
　なお、ポリイミド系樹脂層について、「（感光性ポリイミド系樹脂層を除く）」との特定が加わることになるが、引用例１発明との対比において新たな相違点となるものではない。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（６）」に記載したとおり、引用例１ないし３に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例１ないし３に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に記載された発明は、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について論及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。