【事件の表示】
　特願２００４−　８１６１８「平板表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月１６日出願公開、特開２００５−１５８６７２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
特許出願　　　　：平成１６年　３月１９日
（優先権主張２００３年１１月２６日　大韓民国）
拒絶理由　　　　：平成１９年　６月２８日（起案日）
意見及び手続補正：平成１９年１１月　９日
拒絶査定　　　　：平成２０年　９月１０日（起案日）
審判請求　　　　：平成２０年１２月１５日
手続補正　　　　：平成２０年１２月１５日
審尋　　　　　　：平成２２年　６月　１日（起案日）
回答　　　　　　：平成２２年　９月　７日
拒絶理由　　　　：平成２２年１１月　１日（起案日）
意見及び手続補正：平成２３年　２月　２日
　
第２　補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２３年２月２日付けの手続補正（以下［本件補正］という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正
　本件補正は，特許請求の範囲の請求項１を補正することを含むものであるところ，当該補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下，単に「特許法第１７条の２」という。）第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　そこで，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本件補正後発明」という。）について，特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか否か，すなわち，本件補正後発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かを以下で検討する。
　
２　本件補正後発明
　本件補正後発明は，本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される下記のとおりのものである。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　少なくともソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターを含む絶縁基板と，
　前記絶縁基板上に形成され，前記ソース／ドレーン電極のうち，一つを露出させるビアホールを備える絶縁膜と，
　前記絶縁膜上に形成されて前記ビアホールを通じて前記露出されている一つの電極に連結される下部電極，有機薄膜層及び上部電極を備える有機ＥＬ素子と，
　前記下部電極上部に形成されているテーパー緩和膜とを含み，
　前記ビアホールでの前記テーパー緩和膜のテーパー角は前記ビアホールのテーパー角よりも小さい第１テーパー角を有し，
　前記下部電極のエッジ部分での前記テーパー緩和膜は前記下部電極のエッジ部分のテーパー角よりも小さい第２テーパー角を有し，
　前記テーパー緩和膜が電荷輸送能力を有する導電性有機膜であることを特徴とする平板表示装置。
　
３　引用例
　本願の優先日よりも前に頒布された特開２００１−３１２２２３号公報（以下，「引用例」という。）には，各図とともに以下の事項が記載されている。
　
記載事項ア　
「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は，自発光装置（ＥＬ表示装置ともいう）に関する。特に陽極，陰極及びそれらの間にＥＬ（ElectroLuminescence）が得られる発光性有機材料（以下，有機ＥＬ材料という）を挟んだ構造からなるＥＬ素子を絶縁体上に形成した自発光装置及びその自発光装置を表示部（表示ディスプレイまたは表示モニター）として有する電気器具の作製方法に関する。」
　
記載事項イ　
「【０００２】【従来の技術】近年，発光性有機材料のＥＬ現象を利用した自発光素子としてＥＬ素子を用いた表示装置（ＥＬ表示装置）の開発が進んでいる。ＥＬ表示装置は自発光型であるため，液晶表示装置のようなバックライトが不要であり，さらに視野角が広いことから電気器具の表示部として有望視されている。
【０００３】ＥＬ表示装置にはパッシブ型（単純マトリクス型）とアクティブ型（アクティブマトリクス型）の二種類があり，どちらも盛んに開発が行われている。特に現在はアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置が注目されている。また，ＥＬ素子の中心とも言えるＥＬ層となる有機ＥＬ材料は，低分子系有機ＥＬ材料と高分子系（ポリマー系）有機ＥＬ材料とが研究されており，低分子系有機ＥＬ材料は蒸着法等で形成され，高分子系有機ＥＬ材料は，スピナーを用いた塗布方式により形成されている。
【０００４】低分子系有機ＥＬ材料と高分子系（ポリマー系）有機ＥＬ材料のいずれの場合に於いても成膜する面が平坦化されていないとＥＬ材料を均一な膜厚に成膜することができないという問題が生じる。
【０００５】さらに，ＥＬ層の膜厚が均一でなく，段差部分でＥＬ層が一部成膜されていない場合には，陰極，ＥＬ層，陽極からなるＥＬ素子を形成した際に，陰極と陽極間が電気的に短絡してしまう。
【０００６】陰極と陽極の間で短絡が生じた場合には，陰極と陽極の間で電流が集中して流れてしまい，ＥＬ層を介する電流がほとんど流れなくなる。これにより，ＥＬ層が発光しなくなる。
【０００７】【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点を鑑みてなされたものであり，ＥＬ素子における構造を改良しＥＬ表示装置を作製する方法を提供することを課題とする。さらに，このようなＥＬ表示装置を表示部として有する電気器具を提供することを課題とする。」
　
記載事項ウ　
「【０００８】【課題を解決するための手段】上記課題を達成するために，本発明ではＥＬ層を形成する有機ＥＬ材料を成膜する際に成膜面の凹凸部を平坦化するように絶縁体を埋め込みＥＬ素子における陰極と陽極間の短絡を防ぐ構造にする。ここで本発明におけるＥＬ表示装置の画素部の断面構造を図１に示す。
【０００９】図１（Ａ）に示されるのは，画素電極４０に電気的に接続されたスイッチング素子（具体的には，薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：thinfilmtransistor））であり，本明細書中では，電流制御用ＴＦＴと呼ぶ。電流制御用ＴＦＴは，基板１１上に下地膜１２が形成された後，ソース領域３１，ドレイン領域３２及びチャネル形成領域３４を含む活性層，ゲート絶縁膜１８，ゲート電極３５，第１層間絶縁膜２０，ソース配線３６並びにドレイン配線３７を有して形成される。なお，ゲート電極３５はシングルゲート構造となっているが，マルチゲート構造であっても良い。
【００１０】次に，３８は第１パッシベーション膜であり，膜厚は１０ｎｍ〜１μm（好ましくは２００〜５００ｎｍ）とすれば良い。材料としては，珪素を含む絶縁膜（特に窒化酸化珪素膜又は窒化珪素膜が好ましい）を用いることができる。
【００１１】第１パッシベーション膜３８の上には，各ＴＦＴを覆うような形で第２層間絶縁膜（平坦化膜と言っても良い）３９を形成し，ＴＦＴによってできる段差の平坦化を行う。第２層間絶縁膜３９としては，有機樹脂膜が好ましく，ポリイミド，ポリアミド，アクリル樹脂及びシロキサンの高分子化合物を含む樹脂といった材料を用いると良い。勿論，十分な平坦化が可能であれば，無機膜を用いても良い。
【００１２】第２層間絶縁膜３９によってＴＦＴによる段差を平坦化することは非常に重要である。後に形成されるＥＬ層は非常に薄いため，段差が存在することによって発光不良を起こす場合がある。従って，ＥＬ層をできるだけ平坦面に形成しうるように画素電極を形成する前に平坦化しておくことが望ましい。
【００１３】また，４０は透明導電膜からなる画素電極（ＥＬ素子の陽極に相当する）であり，第２層間絶縁膜３９及び第１パッシベーション膜３８にコンタクトホール（開孔）を開けた後，形成された開孔部において電流制御用ＴＦＴのドレイン配線３７に接続されるように形成される。
【００１４】本願発明では，画素電極として酸化インジウムと酸化スズの化合物からなる導電膜を用いる。また，これに少量のガリウムを添加しても良い。さらに酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物や酸化亜鉛と酸化ガリウムの化合物を用いることもできる。
【００１５】なお，コンタクトホール上に画素電極を形成した後に生じる凹部を本明細書中では，電極ホールと呼ぶことにする。画素電極を形成したら，ＥＬ層を形成するためにＥＬ材料が成膜されるが，このとき電極ホール４６において図１（Ｂ）に示すように薄膜領域４７のＥＬ層の膜厚が薄くなる。膜厚が薄くなる程度は，電極ホールのテーパー角にもよるが，成膜面のうち成膜方向に対して垂直でない部分は，成膜されにくく膜厚が薄くなる傾向がある。
【００１６】しかし，ここで成膜されるＥＬ層が薄くなり，なおかつ断絶された部分が生じた際には，ＥＬ素子中の陰極と陽極が短絡して，この短絡部分に電流が集中して流れてしまう。これによりＥＬ層に電流が流れなくなってしまうのでＥＬ素子が発光しなくなる。
【００１７】そこでＥＬ素子中の陰極と陽極の短絡を防ぐために，画素電極上に電極ホール４６を充分に埋めこむように有機樹脂膜を成膜し，これをパターニングすることで保護部４１ｂを形成させる。つまり，保護部４１ｂは電極ホールを埋め込むように形成される。なお，画素電極間の隙間にも有機樹脂膜を用いてこれを埋め込むように保護部（図示せず）を形成させても良い。
【００１８】有機樹脂膜は，スピンコート法により成膜し，レジストマスクを用いて露光した後，エッチングを行うことにより図１（Ｃ）に示すような保護部４１ｂを形成させる。
【００１９】なお，保護部４１ｂは，断面から見て画素電極よりも盛り上がっている部分（図１（Ｃ）のＤａに示す部分）の厚さが０．１〜１μｍ，好ましくは０．１〜０．５μｍ，さらに好ましくは０．１〜０．３μｍとなるのがよい。
【００２０】また，保護部４１ｂには，有機樹脂が好ましく，ポリイミド，ポリアミド，アクリル樹脂およびシロキサンの高分子化合物を含む樹脂といった材料を用いると良い。さらに，これらの有機樹脂を用いる際には，粘度を１０-3Ｐａ・ｓ〜１０-1Ｐａ・ｓとするとよい。
【００２１】保護部４１ｂが形成された後，図１（Ｃ）に示すようにＥＬ層４２が形成され，さらに陰極４３が形成される。なお，ＥＬ層４２を形成するＥＬ材料としては，低分子系有機ＥＬ材料であっても高分子系有機ＥＬ材料であっても良い。
【００２２】以上のようにして図１（Ｃ）に示す様な構造とすることで，電極ホール４６の段差部分で，ＥＬ層４２が切断された際に生じる画素電極４０と陰極４３間での短絡の問題を解決することができる。」
　
記載事項エ　
「【００２３】【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について，図２，図３を用いて説明する。図２に示したのは本発明であるＥＬ表示装置の画素部の断面図であり，図３（Ａ）はその上面図，図３（Ｂ）はその回路構成である。実際には画素がマトリクス状に複数配列されて画素部（画像表示部）が形成される。なお，図３（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図が図２に相当する。従って図２及び図３で共通の符号を用いているので，適宜両図面を参照すると良い。また，図３の上面図では二つの画素を図示しているが，どちらも同じ構造である。
【００２４】図２において，１１は基板，１２は下地となる絶縁膜（以下，下地膜という）である。基板１１としてはガラス，ガラスセラミックス，石英，シリコン，セラミックス，金属若しくはプラスチックからなる基板を用いることができる。
【００２５】また，下地膜１２は特に可動イオンを含む基板や導電性を有する基板を用いる場合に有効であるが，石英基板には設けなくても構わない。下地膜１２としては，珪素（シリコン）を含む絶縁膜を用いれば良い。なお，本明細書において「珪素を含む絶縁膜」とは，具体的には酸化珪素膜，窒化珪素膜若しくは窒化酸化珪素膜（ＳｉＯｘＮｙで示される）など珪素，酸素若しくは窒素を所定の割合で含む絶縁膜を指す。
【００２６】また，下地膜１２に放熱効果を持たせることによりＴＦＴの発熱を発散させることはＴＦＴの劣化又はＥＬ素子の劣化を防ぐためにも有効である。放熱効果を持たせるには公知のあらゆる材料を用いることができる。
【００２７】ここでは画素内に二つのＴＦＴを形成している。２０１はスイッチング用ＴＦＴであり，ｎチャネル型ＴＦＴで形成され，２０２は電流制御用ＴＦＴであり，ｐチャネル型ＴＦＴで形成されている。
【００２８】ただし，本発明において，スイッチング用ＴＦＴをｎチャネル型ＴＦＴ，電流制御用ＴＦＴをｐチャネル型ＴＦＴに限定する必要はなく，スイッチング用ＴＦＴをｐチャネル型ＴＦＴ，電流制御用ＴＦＴをｎチャネル型ＴＦＴにしたり，両方ともｎチャネル型又ｐチャネル型ＴＦＴを用いることも可能である。
【００２９】スイッチング用ＴＦＴ２０１は，ソース領域１３，ドレイン領域１４，ＬＤＤ領域１５a〜１５d，高濃度不純物領域１６及びチャネル形成領域１７a，１７bを含む活性層，ゲート絶縁膜１８，ゲート電極１９a，１９b，第１層間絶縁膜２０，ソース配線２１並びにドレイン配線２２を有して形成される。
【００３０】また，図３に示すように，ゲート電極１９a，１９bは別の材料（ゲート電極１９a，１９bよりも低抵抗な材料）で形成されたゲート配線２１１によって電気的に接続されたダブルゲート構造となっている。勿論，ダブルゲート構造だけでなく，シングルゲートもしくはトリプルゲート構造といったいわゆるマルチゲート構造（直列に接続された二つ以上のチャネル形成領域を有する活性層を含む構造）であっても良い。マルチゲート構造はオフ電流値を低減する上で極めて有効であり，本発明では画素のスイッチング素子２０１をマルチゲート構造とすることによりオフ電流値の低いスイッチング素子を実現している。
【００３１】また，活性層は結晶構造を含む半導体膜で形成される。即ち，単結晶半導体膜でも良いし，多結晶半導体膜や微結晶半導体膜でも良い。また，ゲート絶縁膜１８は珪素を含む絶縁膜で形成すれば良い。また，ゲート電極，ソース配線若しくはドレイン配線としてはあらゆる導電膜を用いることができる。
【００３２】さらに，スイッチング用ＴＦＴ２０１においては，ＬＤＤ領域１５a〜１５dは，ゲート絶縁膜１８を挟んでゲート電極１９a，１９bと重ならないように設ける。このような構造はオフ電流値を低減する上で非常に効果的である。
【００３３】なお，チャネル形成領域とＬＤＤ領域との間にオフセット領域（チャネル形成領域と同一組成の半導体層からなり，ゲート電圧が印加されない領域）を設けることはオフ電流値を下げる上でさらに好ましい。また，二つ以上のゲート電極を有するマルチゲート構造の場合，チャネル形成領域の間に設けられた高濃度不純物領域がオフ電流値の低減に効果的である。
【００３４】次に，電流制御用ＴＦＴ２０２は，ソース領域３１，ドレイン領域３２及びチャネル形成領域３４を含む活性層，ゲート絶縁膜１８，ゲート電極３５，第１層間絶縁膜２０，ソース配線３６並びにドレイン配線３７を有して形成される。なお，ゲート電極３５はシングルゲート構造となっているが，マルチゲート構造であっても良い。
【００３５】図２に示すように，スイッチング用ＴＦＴのドレインは電流制御用ＴＦＴ２０２のゲートに接続されている。具体的には電流制御用ＴＦＴ２０２のゲート電極３５はスイッチング用ＴＦＴ２０１のドレイン領域１４とドレイン配線（接続配線とも言える）２２を介して電気的に接続されている。また，ソース配線３６は電源供給線２１２に接続される。
【００３６】電流制御用ＴＦＴ２０２はＥＬ素子２０３に注入される電流量を制御するための素子であるが，ＥＬ素子の劣化を考慮するとあまり多くの電流を流すことは好ましくない。そのため，電流制御用ＴＦＴ２０２に過剰な電流が流れないように，チャネル長（Ｌ）は長めに設計することが好ましい。望ましくは一画素あたり０．５〜２μＡ（好ましくは１〜１．５μＡ）となるようにする。
【００３７】また，スイッチング用ＴＦＴ２０１に形成されるＬＤＤ領域の長さ（幅）は０．５〜３．５μｍ，代表的には２．０〜２．５μｍとすれば良い。
【００３８】また，図３に示すように電流制御用ＴＦＴ２０２のゲート電極３５となる配線３６は５０で示される領域でゲート絶縁膜を介して活性層と同時に形成された半導体膜５１と重なる。このとき５０で示される領域ではコンデンサが形成され，電流制御用ＴＦＴ２０２のゲート電極３５にかかる電圧を保持するための保持容量５０として機能する。さらに保持容量５０はゲート電極となる配線３６，第一層間絶縁膜（図示せず）及び電源供給線２１２で形成される容量も形成している。なお，電流制御用ＴＦＴのドレインは，電源供給線２１２に接続され，常に一定の電圧が加えられている。
【００３９】また，流しうる電流量を多くするという観点から見れば，電流制御用ＴＦＴ２０２の活性層（特にチャネル形成領域）の膜厚を厚くする（好ましくは５０〜１００ｎｍ，さらに好ましくは６０〜８０ｎｍ）ことも有効である。逆に，スイッチング用ＴＦＴ２０１の場合はオフ電流値を小さくするという観点から見れば，活性層（特にチャネル形成領域）の膜厚を薄くする（好ましくは２０〜５０ｎｍ，さらに好ましくは２５〜４０ｎｍ）ことも有効である。
【００４０】次に，３８は第１パッシベーション膜であり，膜厚は１０ｎｍ〜１μm（好ましくは２００〜５００ｎｍ）とすれば良い。材料としては，珪素を含む絶縁膜（特に窒化酸化珪素膜又は窒化珪素膜が好ましい）を用いることができる。
【００４１】第１パッシベーション膜３８の上には，各ＴＦＴを覆うような形で第２層間絶縁膜（平坦化膜と言っても良い）３９を形成し，ＴＦＴによってできる段差の平坦化を行う。第２層間絶縁膜３９としては，有機樹脂を材料とする有機樹脂膜が好ましく，アクリル樹脂，ポリイミド，ポリアミドおよびシロキサンの高分子化合物を含む樹脂といった材料を用いると良い。勿論，十分な平坦化が可能であれば，無機材料からなる膜を用いても良い。
【００４２】第２層間絶縁膜３９によってＴＦＴによる段差を平坦化することは非常に重要である。後に形成されるＥＬ層は非常に薄いため，段差が存在することによって発光不良を起こす場合がある。従って，ＥＬ層をできるだけ平坦面に形成しうるように画素電極を形成する前に平坦化しておくことが望ましい。
【００４３】また，４０は透明導電膜からなる画素電極（ＥＬ素子の陽極に相当する）であり，第２層間絶縁膜３９及び第１パッシベーション膜３８にコンタクトホール（開孔）を開けた後，形成された開孔部において電流制御用ＴＦＴ２０２のドレイン配線３７に接続されるように形成される。
【００４４】本実施形態では，画素電極として酸化インジウムと酸化スズの化合物からなる導電膜を用いる。また，これに少量のガリウムを添加しても良い。さらに酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物を用いることもできる。
【００４５】次に，画素電極上の電極ホール４６を埋め込むように画素電極上に有機樹脂を材料とする有機樹脂膜をスピンコート法で成膜する。なお，ここでは，有機樹脂膜としては，アクリル樹脂を用いている。
【００４６】また，画素電極上に有機樹脂を材料とする有機樹脂膜を形成させているが，絶縁膜となりうる絶縁体を用いても良い。なお，絶縁体としては，酸化珪素や窒化酸化珪素及び窒化珪素といった珪素を含む無機材料を用いても良い。
【００４７】アクリル樹脂を全面に成膜した後，レジストマスクを用いて露光し，エッチングを行うことにより図２に示す保護部４１ａ，４１ｂを形成する。
【００４８】保護部４１ｂは，画素電極における電極ホールがアクリル樹脂で埋め込まれている部分をさす。また，保護部４１ａは，画素電極の隙間に設けられている。画素電極の隙間とは，複数の画素電極が形成されている画素部において，画素電極が形成されていない部分，例えば，画素電極と画素電極の間の部分等をさす。これは，保護部を形成するためにエッチングを行う際に，画素電極間において，第二層間絶縁膜を形成する材料が保護部を形成する材料であると第二層間絶縁膜も同時にエッチングされてしまう可能性があるためである。
【００４９】なお，保護部４１ａおよび４１ｂは，断面から見て画素電極よりも盛り上がっている部分の厚さが０．１〜１μｍ，好ましくは０．１〜０．５μｍ，さらに好ましくは０．１〜０．３μｍとなるのがよい。
【００５０】また，保護部４１ａ及び４１ｂには，有機樹脂としてアクリル樹脂を用いた場合を示したが，ポリイミド，ポリアミド，およびシクロテンのようにシロキサンの高分子化合物を含む樹脂を材料として用いても良い。さらに，これらの有機樹脂を用いる際には，粘度を１０-3Ｐａ・ｓ〜１０-1Ｐａ・ｓとするとよい。
【００５１】以上のようにして保護部４１ｂを設けて，電極ホールを有機樹脂で埋め込むことで，ＥＬ層４２が切断された際に生じる画素電極４０（陽極）と陰極４３間での短絡の問題を解決することができる。」
　
記載事項オ　
「【００５２】保護部４１ｂの作製方法について，図４を用いて説明する。図４（Ａ）は，画素電極４０上に有機樹脂膜を成膜した後パターニングにより保護部４１ｂを形成させたものである。Ｄａは，有機樹脂膜の膜厚であるが，この膜厚が薄くなると図４（Ａ）の保護部４１ｂのように上部に窪みが生じる。
【００５３】この窪みの度合いは，電極ホールのテーパー角及び有機樹脂膜の膜厚に依存するが，有機樹脂膜の膜厚が極端に薄くなると電極ホールを完全に埋め込むことができなくなり，保護部としての役割が果たせなくなることも考えられる。
【００５４】一方，有機樹脂膜の膜厚が厚くなると再び段差が生じてしまう。そこで，これを解決する方法として，図４（Ｂ）に示すように有機樹脂膜をＤｂの膜厚で成膜した後，パターニングによって保護部４１ｂを形成させ，さらに全面をエッチングして膜厚をＤａとする。これにより，図４（Ｃ）に示すように上部が平坦化され，かつ適度な膜厚の保護部４１ｂを形成させることができる。」
　
記載事項カ　
「【０１５４】ここで本発明におけるＥＬ表示装置の画素部の断面構造を図１３に示す。
【０１５５】図１３（Ａ）に示されるのは，画素電極１０４０及び画素電極１０４０に電気的に接続される電流制御用ＴＦＴである。電流制御用ＴＦＴは，基板１０１１上に下地膜１０１２が形成された後，ソース領域１０３１，ドレイン領域１０３２及びチャネル形成領域１０３４を含む活性層，ゲート絶縁膜１０１８，ゲート電極１０３５，第１層間絶縁膜１０２０，ソース配線１０３６並びにドレイン配線１０３７を有して形成される。なお，ゲート電極１０３５はシングルゲート構造となっているが，マルチゲート構造であっても良い。
【０１５６】次に，１０３８は第１パッシベーション膜であり，膜厚は１０ｎｍ〜１μm（好ましくは２００〜５００ｎｍ）とすれば良い。材料としては，珪素を含む絶縁膜（特に窒化酸化珪素膜又は窒化珪素膜が好ましい）を用いることができる。
【０１５７】第１パッシベーション膜１０３８の上には，各ＴＦＴを覆うような形で第２層間絶縁膜（平坦化膜と言っても良い）１０３９を形成し，ＴＦＴによってできる段差の平坦化を行う。第２層間絶縁膜１０３９としては，有機樹脂膜が好ましく，ポリイミド，ポリアミド，アクリル樹脂，シロキサンの高分子化合物を含む樹脂を材料として用いると良い。勿論，十分な平坦化が可能であれば，無機膜を用いても良い。
【０１５８】第２層間絶縁膜１０３９によってＴＦＴによる段差を平坦化することは非常に重要である。後に形成されるＥＬ層は非常に薄いため，段差が存在することによって発光不良を起こす場合がある。従って，ＥＬ層をできるだけ平坦面に形成しうるように画素電極を形成する前に平坦化しておくことが望ましい。
【０１５９】また，１０４０は透明導電膜からなる画素電極（ＥＬ素子の陽極に相当する）であり，第２層間絶縁膜１０３９及び第１パッシベーション膜１０３８にコンタクトホール（開孔）を開けた後，形成された開孔部において電流制御用ＴＦＴのドレイン配線１０３７に接続されるように形成される。
【０１６０】本実施形態では，画素電極として酸化インジウムと酸化スズの化合物からなる導電膜を用いる。また，これに少量のガリウムを添加しても良い。さらに酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物を用いることもできる。
【０１６１】次に，画素電極上に有機樹脂を材料とする有機樹脂膜１０４１を形成する。有機樹脂としては，ポリアミド，ポリイミド，アクリル樹脂およびシロキサンの高分子化合物を含む樹脂といった材料があり，これらを使っても良いが，ここでは，アクリル樹脂であるアクリル酸エステル樹脂，アクリル酸樹脂，メタクリル酸エステル樹脂，メタクリル酸樹脂といった樹脂を用いている。なお，シロキサンの高分子化合物を含む樹脂としては，シクロテンがある。
【０１６２】また，ここでは画素電極上に有機樹脂を材料とする有機樹脂膜を形成させているが，絶縁膜となりうる絶縁体を用いても良い。
【０１６３】絶縁体としては，酸化珪素や窒化酸化珪素及び窒化珪素といった珪素を含む絶縁膜を用いると良い。
【０１６４】有機樹脂膜１０４１の膜厚（Ｄｃ）は，０．１〜２μｍが好ましいが，さらに好ましくは０．２〜０．６μｍとするのがよい。
【０１６５】有機樹脂膜１０４１を成膜した後，有機樹脂膜１０４１を全面エッチングしてＤｃ＝０となるところでエッチングを終了させると，電極ホールに埋め込まれたアクリル樹脂が残り，保護部１０４１ｂが形成される。
【０１６６】なお，エッチング方法としてはドライエッチングが好ましい。まず，真空チャンバー内にエッチングすべき有機樹脂材料に合わせたエッチングガスを導入した後，電極に高周波電圧を印加してプラズマを発生させ，プラズマ雰囲気でエッチングガスを分解させる。
【０１６７】プラズマ雰囲気で分解されたエッチングガス中には，正イオン，負イオン，電子などの荷電粒子と中性活性種がバラバラの状態で存在している。なお，これらのエッチング種が，被エッチング材料に吸着されると表面化学反応が生じてエッチング生成物が生成し，このエッチング生成物が除去されると，エッチングがなされる。
【０１６８】また，保護膜の材料としてアクリル樹脂を用いる場合，エッチングにおけるエッチングガスとして酸素を主成分とするガスを用いることが望ましい。
【０１６９】なお，本実施例では酸素を主成分とするエッチングガスとして，酸素，ヘリウム及び四フッ化炭素（ＣＦ4）からなるエッチングガスを用いている。また，その他の材料として，六フッ化二炭素（Ｃ2Ｆ6）といったフッ化炭素系のガスを用いても良い。
【０１７０】なお，これらのエッチングガスにおいては，酸素が，エッチングガス全体の６０％以上になることが望ましい。
【０１７１】本実施例に示すように画素電極上に有機樹脂膜をスピンコート法を用いて成膜した後，これを全面エッチングして，図１３（Ｂ）に示すように電極ホール１０４６に保護部１０４１ｂが形成されるように矢印の方向にエッチングさせる。なお，ここで形成された保護部１０４１ｂの露呈面及び画素電極１０４０の露呈面は，図１３（Ｂ）に示すように同一面内にある。
【０１７２】なお，このときのエッチング時間は予めエッチングレートを調べておき，保護部１０４１ｂを除く画素電極１０４０上の有機樹脂膜がちょうど除去されたところでエッチングが終了するようにする。これにより，画素電極１０４０の上面と保護部１０４１ｂの上面が同一の平坦面になる。
【０１７３】また，これらの有機樹脂を用いる際には，粘度を１０-3Ｐａ・ｓ〜１０-1Ｐａ・ｓとするとよい。
【０１７４】保護部１０４１ｂを形成したら，図１３（Ｃ）に示すようにＥＬ層１０４２を形成するためにＥＬ材料を溶媒に溶解させたものがスピンコート法により成膜される。
【０１７５】ＥＬ層１０４２が形成されると，さらに陰極１０４３及び保護電極１０４４が形成される。
【０１７６】以上のようにして図１３（Ｃ）に示す様な構造とすることで，電極ホールの段差部分で，ＥＬ層１０４２が切断された際に生じる画素電極１０４０と陰極１０４３間での短絡の問題を解決することができる。
【０１７７】なお，本実施例で示したように画素電極１０４０上の保護部１０４１ｂが電極ホール１０４６と同一の形状である場合の上面図を図１３（Ｄ）に示す。」
　
記載事項キ　
「【０２２８】【発明の効果】本発明を実施することで，有機ＥＬ材料を成膜する際に生じる電極ホールの成膜不良を改善することができる。また，本発明においては，様々な方法及び形状で電極ホールを保護部で埋め込む方法を示しているので，条件や用途に応じて成膜する事が可能であり，陰極と陽極の間の短絡によるＥＬ層の発光不良を防ぐことができる。」
　
　ここで，図１及び記載事項ウからは，引用例１に記載された自発光装置は，基板（１１）上に，順に（下から上へ），下地膜（１２），活性層，ゲート絶縁膜（１８），ゲート電極（３５），第１層間絶縁膜（２０），ソース配線（３６）及びドレイン配線（３７），第１パッシベーション膜（３８），第２層間絶縁膜（３９），画素電極（４０），保護部（４１ａ，ｂ），ＥＬ層（４２），並びに，陰極（４３）が形成されたものであることが理解できる。
　また，図２及び図１３に開示されたものは，図１に開示されたものの実施の形態である。
　
　これら記載事項及び各図からみて，引用例１には，下記の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されている。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　基板（１１）上に下地膜（１２）が形成された後，ソース領域（３１），ドレイン領域（３２）及びチャネル形成領域（３４）を含む活性層，ゲート絶縁膜（１８），ゲート電極（３５），第１層間絶縁膜（２０），ソース配線（３６）並びにドレイン配線（３７）を有して形成された電流制御用ＴＦＴ，
　第１パッシベーション膜（３８），
　平坦化膜と言っても良い第２層間絶縁膜（３９），
　第２層間絶縁膜（３９）及び第１パッシベーション膜（３８）にコンタクトホール（開孔）を開けた後，形成された開孔部において電流制御用ＴＦＴのドレイン配線（３７）に接続されるように形成された，ＥＬ素子の陽極に相当する画素電極（４０），
　コンタクトホール上に画素電極（４０）が形成された後に生じる電極ホール（４６），
　画素電極（４０）上に有機樹脂膜を成膜しこれをパターニングすることで形成された，電極ホール（４６）及び画素電極間の隙間を埋め込む保護部（４１ａ，４１ｂ），
　ＥＬ層（４２），
　陰極（４３），
　を含み，
　基板（１１）としてはガラス，ガラスセラミックス，石英，シリコン，セラミックス，金属若しくはプラスチックからなる基板を用いることができ，
　下地膜（１２）としては，珪素を含む絶縁膜を用いれば良く，
　基板（１１）上に，下から順に，下地膜（１２），活性層，ゲート絶縁膜（１８），ゲート電極（３５），第１層間絶縁膜（２０），ソース配線（３６）及びドレイン配線（３７），第１パッシベーション膜（３８），第２層間絶縁膜（３９），画素電極（４０），保護部（４１ａ，４１ｂ），ＥＬ層（４２），並びに，陰極（４３）が形成され，
　保護部（４１ａ，４１ｂ）は，ＥＬ層を形成する有機ＥＬ材料を成膜する際に成膜面の凹凸部を平坦化するように埋め込み，ＥＬ素子における陰極と陽極間の短絡を防ぐ構造にする，
　陽極，陰極及びそれらの間にＥＬ（ElectroLuminescence）が得られる発光性有機材料（以下，有機ＥＬ材料という）を挟んだ構造からなるＥＬ素子を絶縁体上に形成した自発光装置。
　
４　対比及び判断
　本件補正後発明と引用発明を対比すると以下のとおりとなる。
(1)　絶縁基板
　引用発明の基板（１１）及び下地膜（１２）は，それぞれ，「ガラス，ガラスセラミックス，石英，シリコン，セラミックス，金属若しくはプラスチックからなる基板を用いることができ」，「珪素を含む絶縁膜を用いれば良く」，また，引用発明の電流制御用ＴＦＴは，「基板（１１）上に下地膜（１２）が形成された後，ソース領域（３１），ドレイン領域（３２）及びチャネル形成領域（３４）を含む活性層，ゲート絶縁膜（１８），ゲート電極（３５），第１層間絶縁膜（２０），ソース配線（３６）並びにドレイン配線（３７）を有して形成された」ものである。
　したがって，引用発明の基板（１１）ないし電流制御用ＴＦＴは，本件補正後発明の「少なくともソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターを含む絶縁基板」に相当する。
　
(2)　絶縁膜
　引用発明の自発光装置は，「基板（１１）上に，下から順に，下地膜（１２），活性層，ゲート絶縁膜（１８），第１層間絶縁膜（２０），ソース配線（３６）及びドレイン配線（３７），第１パッシベーション膜（３８），第２層間絶縁膜（３９），画素電極（４０），保護部（４１ａ，ｂ），ＥＬ層（４２），並びに，陰極（４３）が形成され」，また，引用発明の画素電極（４０）は，「第２層間絶縁膜（３９）及び第１パッシベーション膜（３８）にコンタクトホール（開孔）を開けた後，形成された開孔部において電流制御用ＴＦＴのドレイン配線（３７）に接続されるように形成された，ＥＬ素子の陽極に相当する」ものである。
　したがって，引用発明の第１パッシベーション膜（３８）及び／又は第２層間絶縁膜（３９）は，本件補正後発明の「前記絶縁基板上に形成され，前記ソース／ドレーン電極のうち，一つを露出させるビアホールを備える絶縁膜」に相当する。
　
(3)　有機ＥＬ素子
　引用発明の画素電極（４０）は，「第２層間絶縁膜（３９）及び第１パッシベーション膜（３８）にコンタクトホール（開孔）を開けた後，形成された開孔部において電流制御用ＴＦＴのドレイン配線（３７）に接続されるように形成された，ＥＬ素子の陽極に相当する」ものであり，また，引用発明は，更にＥＬ層（４２）及び陰極（４３）を含み，「陽極，陰極及びそれらの間にＥＬ（ElectroLuminescence）が得られる発光性有機材料（以下，有機ＥＬ材料という）を挟んだ構造からなるＥＬ素子を絶縁体上に形成した自発光装置」である。
　したがって，引用発明の画素電極（４０），ＥＬ層（４２）及び陰極（４３）からなるＥＬ素子は，本件補正後発明の「前記絶縁膜上に形成されて前記ビアホールを通じて前記露出されている一つの電極に連結される下部電極，有機薄膜層及び上部電極を備える有機ＥＬ素子」に相当する。
　
(4)　自発光装置
　引用発明の「自発光装置」は，本件補正後発明の「平板表示装置」に相当する。
　
　そうしてみると，本件補正後発明と引用発明とは，
「少なくともソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターを含む絶縁基板と，
　前記絶縁基板上に形成され，前記ソース／ドレーン電極のうち，一つを露出させるビアホールを備える絶縁膜と，
　前記絶縁膜上に形成されて前記ビアホールを通じて前記露出されている一つの電極に連結される下部電極，有機薄膜層及び上部電極を備える有機ＥＬ素子と，
を有する平板表示装置。」
の点で一致し，以下の点で相違する。
　
（相違点）
　本件補正後発明の平板表示装置は，「前記下部電極上部に形成されているテーパー緩和膜」を含み，また，「前記ビアホールでの前記テーパー緩和膜のテーパー角は前記ビアホールのテーパー角よりも小さい第１テーパー角を有し，前記下部電極のエッジ部分での前記テーパー緩和膜は前記下部電極のエッジ部分のテーパー角よりも小さい第２テーパー角を有し」，さらに，「前記テーパー緩和膜が電荷輸送能力を有する導電性有機膜である」のに対し，引用発明の自発光装置は，これが明らかではない点。
　
（相違点に対する判断）
　引用例には，
「【０００４】低分子系有機ＥＬ材料と高分子系（ポリマー系）有機ＥＬ材料のいずれの場合に於いても成膜する面が平坦化されていないとＥＬ材料を均一な膜厚に成膜することができないという問題が生じる。
【０００５】さらに，ＥＬ層の膜厚が均一でなく，段差部分でＥＬ層が一部成膜されていない場合には，陰極，ＥＬ層，陽極からなるＥＬ素子を形成した際に，陰極と陽極間が電気的に短絡してしまう。
【０００６】陰極と陽極の間で短絡が生じた場合には，陰極と陽極の間で電流が集中して流れてしまい，ＥＬ層を介する電流がほとんど流れなくなる。これにより，ＥＬ層が発光しなくなる。」（記載事項イ）
という従来技術の問題点，及び，
「【０００８】【課題を解決するための手段】上記課題を達成するために，本発明ではＥＬ層を形成する有機ＥＬ材料を成膜する際に成膜面の凹凸部を平坦化するように絶縁体を埋め込みＥＬ素子における陰極と陽極間の短絡を防ぐ構造にする。」（記載事項ウ）
という課題解決手段が記載されているところ，「ＥＬ層を形成する有機ＥＬ材料を成膜する際に成膜面の凹凸部を平坦化する」ことができるものとして，ポリマーの陽極バッファ層（正孔輸送層）の膜は周知である（必要ならば，欧州特許公開第１３３１６６７号明細書の[0010]，特開２００３−３１３６５５号公報の【０１５７】（２３欄３７ないし４１行）を参照。）。
　そうしてみると，引用発明の保護部（４１ａ，４１ｂ）の構成に替えて周知の陽極バッファ層の膜をテーパー緩和膜として採用し，あるいは，引用発明の保護部（４１ａ，４１ｂ）の構成に加えてその上に周知の陽極バッファ層の膜をテーパー緩和膜として採用し，その結果として，引用発明の平板表示装置を「前記下部電極上部に形成されているテーパー緩和膜」を含み，また，「前記ビアホールでの前記テーパー緩和膜のテーパー角は前記ビアホールのテーパー角よりも小さい第１テーパー角を有し，前記下部電極のエッジ部分での前記テーパー緩和膜は前記下部電極のエッジ部分のテーパー角よりも小さい第２テーパー角を有し」，さらに，「前記テーパー緩和膜が電荷輸送能力を有する導電性有機膜である」ものとすることは，当業者が容易になし得たことである。
　
　また，本件補正後発明の作用効果は，引用発明及び周知技術から当業者が予測できる範囲内のものであって，格別なものということはできない。
　
５　小括
　以上のとおり，本件補正後発明は，引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって，本件補正は特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから，同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明
１　本願発明
　平成２３年２月２日付けの手続補正は却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，下記のものである。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　少なくともソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターを含む絶縁基板と，
　前記絶縁基板上に形成され，前記ソース／ドレーン電極のうち，一つを露出させるビアホールを備える絶縁膜と，
　前記絶縁膜上に形成されて前記ビアホールを通じて前記露出されている一つの電極に連結される下部電極，有機薄膜層及び上部電極を備える有機ＥＬ素子と，
　前記下部電極上部に形成されているテーパー緩和膜とを含み，
　前記ビアホールでの前記テーパー緩和膜のテーパー角は前記ビアホールのテーパー角よりも小さい第１テーパー角を有し，
　前記下部電極のエッジ部分での前記テーパー緩和膜は前記下部電極のエッジ部分のテーパー角よりも小さい第２テーパー角を有することを特徴とする平板表示装置。
　
２　引用発明
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は「第２　補正の却下の決定」の「３　引用例」に記載したとおりである。
　
３　対比及び判断
　本願発明は，本件補正後発明から「前記テーパー緩和膜が電荷輸送能力を有する導電性有機膜である」という発明特定事項を削除したものである。
　そうすると，本願発明の構成要件を全て含み，さらに他の構成要件を付加したものに相当する本件補正後発明が「第２　補正の却下の決定」で述べた理由により引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　小括
　以上のとおり，本願発明は引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明することができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　総括
　したがって，その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。