【手続補正書】
【提出日】平成22年11月4日(2010.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電型の材料から成る第１の層と；
前記第１の層に重なる活性層であって、前記活性層は正孔と電子が再結合する場合に光をその中で生成し；
第２の導電型の材料から成る第２の層であって、前記活性層に重なる第１の面と、前記第１の面と反対の第２の面であって、前記第２の面にぶつかる光を散乱する機構を有する前記第２の面とを有する前記第２の層と；
前記第２の面に重なる、透明な電気伝導材料の層と；
前記透明な電気伝導材料の層に重なる前記活性層によって発生した前記光を透過させる誘電材料の第１の層であって、前記透明な電気伝導材料の層と接触する第１の誘電体面と、前記第１の誘電体面と反対の第２の誘電体面であって、前記第２の誘電体表面が前記第１の誘電体面より平滑であるものを有し；
前記誘電材料の第１の層に重なるミラー層と；
を備えることを特徴とする装置。
【請求項２】
請求項1の装置において、さらに前記ミラー層に重なる誘電材料の第２の層を有し、前記ミラー層が前記第１と第２の誘電材料の層によって封入されることを特徴とする請求項1の装置。
【請求項３】
前記ミラー層が９０パーセントを越える反射率を有することを特徴とする請求項1の装置。
【請求項４】
前記ミラー層が金属から成ることを特徴とする請求項3の装置。
【請求項５】
前記誘電体の第１の層がスピンオンガラスから成ることを特徴とする請求項1の装置。
【請求項６】
前記ミラー層が銀から成ることを特徴とする請求項1の装置。
【請求項７】
前記透明な電気伝導材料がインジウム錫オキサイドから成ることを特徴とする請求項1の装置。
【請求項８】
前記第１の層、前記第２の層および前記活性層がGaN族の材料からの材料から成ることを特徴とする請求項1の装置。
【請求項９】
電気伝導ビアによって前記第１の層と前記第２の層の一方に前記ミラー層が結合されることを特徴とする請求項1の装置。
【請求項１０】
請求項９の装置において、さらに前記ミラー層に重なるコンタクト層を有し、電気伝導ビアによって前記第１の層と前記第２の層の他方に前記コンタクト層が結合されることを特徴とする請求項９の装置。
【請求項１１】
請求項１０の装置において、前記コンタクト層と前記第１の層と前記第２の層の他方を接続する電気伝導ビアが、前記ミラー層の開口部を通過することを特徴とする請求項１０の装置。
【請求項１２】
請求項１０の装置において、前記装置が上面と底面、前記底面から放射される前記活性層で発生される光、並びに前記上面が前記ミラー層に電気的に結合された第１の電気伝導構造を有することを特徴とする請求項１０の装置。
【請求項１３】
請求項１２の装置において、前記上面が、前記コンタクト層に電気的に結合される第２の電気伝導構造を有することを特徴とする請求項１２の装置。
【請求項１４】
請求項１２の装置において、前記ミラー層と前記コンタクト層が誘電体の第２の層によって分離されることを特徴とする請求項１２の装置。
【請求項１５】
請求項１４の装置において、前記コンタクト層が前記上面を構成する表面を有する誘電体の第３の層の下層になることを特徴とする請求項１４の装置。
【請求項１６】
請求項１３の装置において、前記第１と第２の電気伝導構造は、同一平面であり、且つ外部装置にハンダ付けされることに適応する外側表面を有することを特徴とする請求項１３の装置。
【請求項１７】
請求項１３の装置において、前記上面上に熱伝導構造をさらに含み、前記熱伝導構造が前記第１と第２の電気伝導構造と同一平面上の外側表面を有することを特徴とする請求項１３の装置。
【請求項１８】
上面と底面を有するウェーハを供給するステップであって、前記ウェーハは第１の導電型の材料から成る第１の層を有し；
前記第１の層に重なる活性層であって、前記活性層は正孔と電子が再結合する場合に光をその中で生成し；
前記活性層に重なる第２の導電型の材料から成る第２の層であって、前記第２の層は前記活性層に隣接して重なる第１の面と、第２の面にぶつかる光を散乱する機能を構成する面を有する前記第２の面とを有し；
前記第２の面に隣接する、透明な電気伝導材料の層と；
前記活性層によって発生した前記光を透過させる誘電材料の第１の層と；
ミラー層と；
前記上面上の複数の第１の電気伝導構造であって、前記第１の層に電気的に結合されている各第１の電気伝導構造と；
前記第１の電気伝導構造から間隔を置いて配置されると共に前記第２の層に電気的に結合されている、前記上面上の複数の第２の電気伝導構造と； 
前記第１の電気伝導構造の一つと前記第２の電気伝導構造の一つを有する発光デバイス装置を提供するために、前記第１と第２の電気結合構造の間のポイントで前記ウェーハをダイシングするステップであって、前記電位差が前記発光デバイス装置上の前記第１と第２の電気伝導構造の間に印加される間、前記発光デバイス装置が光を放射すること；
を特徴とする発光デバイス装置を製造する方法。
【請求項１９】
請求項１８の方法において、前記ミラー層が９０パーセントを越える反射率を有することを特徴とする請求項１８の方法。
【請求項２０】
請求項１８の方法において、前記ウェーハの供給には、
基板上に前記第１の層、前記活性層および前記第２の層を堆積させるステップと；
前記第２の層に前記の機構を提供するように処理するステップと；
前記の機構上に前記透明な電気伝導材料の層を堆積するステップと；
前記誘電体の第１の層を堆積するステップと；
前記ミラー層を堆積するステップであって、前記誘電体の第１の層は、前記ミラー層が堆積される表面を残す処理によって堆積され、前記表面が前記ミラー層に９０パーセントを越える反射率を提供するのに十分な平滑がある；
ことが含まれることを特徴とする方法。
【請求項２１】
請求項１８の方法において、前記ウェーハのダイシングには、さらに、電気伝導装置（electrically conducting devices）の一方から、前記第１と第２の電気伝導構造の一つを取り除くように構成されることを特徴とする方法。
【請求項２２】
第１のソース表面がある半導体発光エミッターであって、前記半導体発光エミッターが前記第１のソース表面を通過する波長の光を生成し；
前記第１のソース表面に重なる透明誘電体層であって、前記透明誘電体層は第１と第２の誘電体表面を有し、前記第１の誘電体表面が前記第１のソース表面に接しており；
前記第２の誘電体表面に堆積させられたミラー層であって、前記第２の誘電体表面は前記第１のソース表面より平滑であり、そして前記ミラー層が前記波長の光に対して９０%以上の反射率を提供する；
装置。
【請求項２３】
前記ミラー層が金属の層から成ることを特徴とする請求項２２の装置。
【請求項２４】
前記ミラー層が分布ブラッグ反射器から成ることを特徴とする請求項２２の装置。
【請求項２５】
前記透明誘電体層がスピンオンガラスから成ることを特徴とする請求項２２の装置。
【請求項２６】
所定波長の光が粗表面を透過して放射される前記粗表面を有する発光源の上に鏡を製造する方法であって；
前記粗表面上に透明誘電体層を堆積するステップと；
前記透明誘電体層の表面にミラー層を堆積するステップであって、前記透明誘電体層の前記表面は前記粗表面より平滑であり、前記ミラー層が前記所定波長の光に対して９０%以上の反射率を提供すること；
を特徴とする方法。
【請求項２７】
前記ミラー層が金属の層から成ることを特徴とする請求項２６の方法。
【請求項２８】
前記ミラー層が分布ブラッグ反射器から成ることを特徴とする請求項２６の方法。
【請求項２９】
前記透明誘電体層がスピンオン工程によって堆積されることを特徴とする請求項２６の方法。