【事件の表示】
　特願２００４−１４７１８８「リトグラフ装置およびデバイス製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　２月２４日出願公開、特開２００５−　５１２０２、請求項の数（１３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１６年５月１８日（パリ条約による優先権主張２００３年５月１９日、欧州特許庁）の出願であって、原審において、平成１９年６月８日付けで通知した拒絶理由に対して、同年９月１８日付けで手続補正書が提出され、次いで、同年１２月２７日付けで最後の拒絶理由通知がなされ、これに対して、平成２０年４月２日付けで手続補正書が提出されたところ、同年９月２６日付けで、上記平成１９年９月１８日付けの手続補正書でした補正を却下する決定がなされるとともに、当該決定と同日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２０年１２月１９日付けで、上記決定に対する不服申立てを伴った審判請求がなされたものであって、その後、当審において、平成２２年６月２４日付けで拒絶の理由が通知され、これに対して、同年９月２２日付けで意見書が提出され、次いで、同年１０月２８日付けで拒絶理由が再度通知されたところ、平成２３年１月２６日付けで手続補正書が提出されたものである。
　
　
２．平成２０年９月２６日付けの補正の却下の決定の適否に関する判断
　
［結論］
　平成２０年９月２６日付けの補正の却下の決定を取り消す。
　
［理由］
　平成２０年９月２６日付けの補正の却下の決定（以下、「本件決定」という。）は、「平成１９年９月１８日付け手続補正書でした明細書、特許請求の範囲又は図面についての補正」を却下するものである。　
　そこで、検討すると、特許法第１７条の２第５項に規定する補正の制限は、最後に受けた拒絶理由に対する補正が対象になるところ、本件の場合、最後の拒絶理由の通知は、平成１９年１２月２７日付けの通知であり、本件決定で却下された補正は、当該通知の前である平成１９年９月１８日付けの補正であるから、当該補正は、上記の「最後に受けた拒絶理由に対する補正」に該当しないものである。
　そうすると、本件決定は、適法なものでない。
　よって、本件決定は取り消されるべきものである。
　
　
３．本願発明
　本願の請求項１〜１３に係る発明は、当審における拒絶理由通知に対して提出された平成２３年１月２６日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
　
　「【請求項１】
　放射投影ビーム（ＰＢ）を形成する放射系と、
　以下の部材を含むリトグラフ・パターン形成室と、
　所望のパターンに従って投影ビーム（ＰＢ）をパターン化する働きをするパターン形成手段（ＭＡ）を保持する支持構造（ＭＴ）、
　基板（Ｗ）を保持する基板テーブル（ＷＴ）、および
　パターン化したビームを基板（Ｗ）のターゲット箇所に投影する投影系（ＰＬ）、
　リトグラフ・パターン形成室（ＰＣ）から第二の環境に、または、その逆に、対象物（ＭＡ，Ｗ）を搬送するための装填装置（ＬＬ）であり、室を形成し、リトグラフ・パターン形成室に面する第一ドア（１１）と、第二の環境に面する第二ドア（１２）と、装填装置内を通気するためのガス入口（１３）と、を含む前記装填装置とを含むリトグラフ投影装置において、
　前記ガス入口（１３）がガス供給部（１７）に連結され、このガス供給部（１７）は、対象物（ＭＡ，Ｗ）の搬送の少なくとも一部の間にガス入口（１３）にガスを供給し、そのガスには、基本的に、粒子、酸素、炭化水素およびＨ2Ｏの少なくとも一つが含まれておらず、
　前記装填装置（ＬＬ）は、ガス出口（１５）を更に含み、
　前記ガス出口（１５）は、それを通して装填装置（ＬＬ）からガスをポンプ排気するポンプ（１６）に連結されており、前記ガス出口（１５）はガス供給部（１７）に連結されている、リトグラフ投影装置。」
　
　
４．引用刊行物の記載事項
　これに対して、当審における平成２２年１０月２８日付けで通知した拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である、
　刊行物１：特開平４−９４１１４号公報、 
　刊行物２：特開２００１−２９７９７８号公報、 
　刊行物３：特開２００１−１４３９９２号公報、 
　刊行物４：特開２００２−３５９１８０号公報 
には、以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
（１）刊行物１ 
　（１ａ）「〔産業上の利用分野〕 
　本発明は、半導体集積回路装置の製造工程で用いられる電子線描画技術に関するものである。 
〔従来の技術〕 
　半導体ウエハやホトマスクなどの試料に所定の集積回路パターンを描画する電子線描画装置は、真空排気した処理室内で試料（ウエハ、ホトマスクなど）に描画処理を施すため、処理室に隣接した予備排気室（ロードチャンバ）を備えている。 
　処理室および予備排気室のそれぞれには、真空排気系が接続されており、外部から試料が予備排気室に搬入されると、まず予備排気室内が処理室と同じ真空度まで排気され、続いて処理室と予備排気室とを隔てるゲートバルブが開放されて試料が処理室に搬入される。その後、描画処理の終わった試料がゲートバルブを通じて真空の予備排気室に搬出されると、今度は予備排気室に窒素などの不活性ガスがリークされ、予備排気室内が大気圧まで戻された後に前記処理済の試料が外部に搬出され、続いて新たな試料が予備排気室に搬入される。・・・（中略）・・・ 
〔発明が解決しようとする課題〕 
　前記のように、電子線描画装置においては、
試料の交換時に予備排気室内が外部の大気に曝されるため、大気が予備排気室内に入り込んでくる。ところが、大気中に含まれる水分子などの極性分子は、一般に窒素などの非極性分子に比べて予備排気室の内壁に付着する力が強いため、これらの極性分子が予備排気室内に入り込むと、予備排気室内を排気するのに長時間を要し、描画処理のスループットが低下してしまうという問題があった
　本発明は、上記した問題点に着目してなされたものであり、
その目的は、電子線描画処理のスループットを向上させること
　本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。 
〔課題を解決するための手段〕 
　本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。 
　内部が所定の真空度に排気される処理室と前記処理室に隣接した予備排気室とを備え、外部から前記予備排気室に搬入された未処理の試料を前記処理室に搬入する際には、前記予備排気室内を前記処理室と同じ真空度まで排気し、前記処理室から前記予備排気室に搬出された処理済の試料を外部に搬出する際には、前記予備排気室に不活性ガスをリークして前記予備排気室内を大気圧に戻す電子線描画装置を使用して描画処理を行うにあたり、試料の交換中、すなわち前記処理済の試料を予備排気室から外部に搬出し、続いて未処理の試料を外部から予備排気室に搬入する間、前記予備排気室に不活性ガスをリークし続ける。 
〔作用〕 
　上記した手段によれば、試料の交換中、予備排気室に不活性ガスをリークし続けることにより、試料交換中における予備排気室内の気圧は、常に大気圧よりも高くなる。すなわち試料交換中は、予備排気室内が外部に対して常に陽圧となり、外部の大気が予備排気室に入り込むことがないので、大気中に含まれる水分子などの極性分子が予備排気室の内壁に付着することもない。」（第１頁左下欄〜第２頁左下欄） 
　 
　（１ｂ）「〔実施例〕 
　本実施例で用いる
電子線描画装置
　この電子線描画装置１は、
処理室２と上記処理室２に隣接した予備排気室３とを備えており、上記処理室２と予備排気室３とは、開閉可能なゲートバルブ４によって隔成されている
処理室２および予備排気室３のそれぞれには、真空ポンプ５、５が接続され、室内を所望の真空度まで排気できるようになっている。上記処理室２のほぼ中央には、ステージ６が設置されており、ステージ６上には、半導体ウエハやホトマスクなどの試料７が位置決めされるようになっている
ステージ６の上方には、電子光学系８が配置されており、ステージ６を移動させることにより、試料７の描画領域が電子光学系８の直下に位置決めされ、順次描画処理が行われる
予備排気室３には、試料７を出し入れするための開閉部９が設けられている
上記予備排気室３には、不活性ガス供給部１０が接続されている
　上記電子線描画装置１を用いて試料７の表面に所定の集積回路パターンを描画するには、あらかじめレジスト塗布装置を用いて試料７の表面に電子線レジストを均一に塗布した後、この試料７を開閉部９を通じて装置１の予備排気室３に搬入する。このとき、処理室２の内部は、あらかじめ所定の真空度に排気しておく。次に、
予備排気室３の真空ポンプ５を作動して予備排気室３内を処理室２内と同じ真空度まで排気
　次に、描画処理が済んだ上記試料７を装置１の外部に搬出する方法を第１図と前記第２図とを用いて説明する。 
　第１図は、予備排気室３内の圧力状態を示すシーケンス図であり、処
理室２内で描画処理が行われている間、および処理済の試料７がゲートバルブ４を通じて搬入された直後の予備排気室３は真空になっている
次に、不活性ガス供給部１０のバルブ１１を開放して予備排気室３内に窒素などの不活性ガスをリークすることによって予備排気室３内を大気圧にする
そして予備排気室３内に不活性ガスをリークし続けながら開閉部９を開き、処理済の試料７を外部に搬出した後、予備排気室３内に未処理の試料７を搬入する
この試料７交換中、予備排気室３内には不活性ガス供給部１０から常時不活性ガスがリークされ、予備排気室３内の気圧は大気圧よりも幾分高くなっている
すなわち、試料７の交換中の予備排気室３内は、外部に対して常時陽圧となっており、外部の大気が入り込むことはないので、大気中に含まれる水分子などの極性分子が予備排気室３の内壁に付着することはない
試料７を交換した後
開閉部９を閉じ
再び予備排気室３の真空ポンプ５を作動して予備排気室３内を処理室２内と同じ真空度まで排気した後
ゲートバルブ４を開放して試料７を処理室２に搬入し、この試料７に描画処理を施す
　 
　（１ｃ）第２図は、次のとおり。  
　
　（１ｄ）「〔発明の効果〕 
　本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。 
　内部が所定の真空度に排気される処理室と前記処理室に隣接した予備排気室とを備え、外部から前記予備排気室に搬入された未処理の試料を前記処理室に搬入する際には、前記予備排気室内を前記処理室と同じ真空度まで排気し、前記処理室から前記予備排気室に搬出された処理済の試料を外部に搬出する際には、前記予備排気室に不活性ガスをリークして前記予備排気室内を大気圧に戻す電子線描画装置を使用して描画処理を行うにあたり、
試料の交換中に前記予備排気室に不活性ガスをリークし続けることにより、外部の大気中に含まれる水分子などの極性分子が予備排気室の内壁に付着するのを防止できるので、排気に要する時間を従来よりも短縮することができ
 　 
　これら記載によれば、刊行物１には次の発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。 
 　 
　「処理室２と、 
　処理室２に隣接し、外部の大気に面して試料７を出し入れするための開閉部９を含む予備排気室３と、 
　処理室２と予備排気室３とを隔成する、開閉可能なゲートバルブ４と、 
　を含む電子線描画装置において、 
　処理室２のほぼ中央には、ステージ６が設置されており、ステージ６上には、半導体ウエハやホトマスクなどの試料７が位置決めされ、ステージ６の上方には、電子光学系８が配置されており、ステージ６を移動させることにより、試料７の描画領域が電子光学系８の直下に位置決めされ、順次描画処理が行われるようになっており、 
　予備排気室３には、真空ポンプ５が接続され、室内を所望の真空度まで排気できるようになっており、
　予備排気室３には、不活性ガス供給部１０が接続され、 
　外部の大気に面する開閉部９を開いて、試料７を交換している間は、予備排気室３内には不活性ガス供給部１０から常時不活性ガスをリークし、これにより、予備排気室３内の気圧を大気圧よりも幾分高くして、外部の大気が入り込むことがなく、大気中に含まれる水分子などの極性分子が予備排気室３の内壁に付着することはないようにされており、真空ポンプ５による排気に要する時間を短縮することが可能になっている、 
　電子線描画装置。」 
　 
（２）刊行物２ 
　（２ａ）「【０００７】 
 【発明が解決しようとする課題】光リソグラフィの高解像度化を狙って、露光光をＡｒＦエキシマレーザやＦ２エキシマレーザにまで短波長化すると、これらの露光光は大気中に含まれる酸素の存在で著しく減衰する。特に、Ｆ２エキシマレーザを用いる場合、雰囲気中の許容酸素濃度は１０ｐｐｍ以下とされている。したがって、光源から照明光学系、マスク、投影光学系を介してウエーハ表面に至る全ての光路において、
酸素濃度を１０ｐｐｍ以下に制御
【０００８】そこで、光源や各種光学系内は、それぞれ密封に近い状態で個別に環境制御する方法が提案されている。例えば雰囲気を窒素に置換することにより、酸素濃度を許容値以下にできる。また、半導体ウエーハを載置するウエーハステージの領域も、密封された空間として外気と遮断し、
酸素濃度を許容値以下に保つ
電子線描画装置のように、露光すべきウエーハを一旦予備室に入れて真空状態にし、ウエーハステージの領域も真空とすればよい。あるいは、真空状態を保たなくても、窒素等の不活性ガスで置換してもよい
 　 
　（２ｂ）「【００２０】（実施例１）図１は、本発明を実施する装置の構成を示す図である。図中、従来の装置を示す図５と共通する部分は一部分省略して示すとともに、図５に示す番号と同一の番号が付して有る。F2エキシマレーザ（図示せず）から発した光１を導く光路や光源絞り部４、照明光学系５〜７、及び投影レンズ１１は窒素封入された状態で個別に酸素濃度を１０ｐｐｍ以下となるよう制御されている。 
【００２１】また、
マスク搭載室１０７は大気圧の窒素が充填されており、他の光学系部材とは独立に環境制御されている
これらの領域は、酸素濃度の他に、更に水分（Ｈ2Ｏ）の濃度も所定値以下（ここでは３０ｐｐｍ以下）になるように制御する
【００２２】マスク８は、マスクステージ９に載置するに先立って、まず専用の密封ケース１０３に収納された状態１０２で、マスク搭載室１０７とバルブ１０１を隔てて隣接するマスク準備室１０４に準備される。マスクは、従来マスクと同様にペリクルが貼り付けられているが、図１ではペリクルを省略し、マスク基板のみを示した。
このマスク準備室１０４の内部は、最初は通常の大気が満たされている状態であるが、マスク収納ケース１０３が搬入されると、窒素パージ手段１０５により真空排気と窒素充填を繰り返し行なって、窒素置換を行なう
そして、酸素濃度モニタ１０６により酸素濃度が１０ｐｐｍ以下になったと判断した時点でバルブ１０１が開放される
　 
（３）刊行物３ 
　（３ａ）「【００３６】
接続気密室２８、照明気密室３０及び投影気密室３５には、パージガス供給系３８が接続
不活性ガスからなる所定のガスとしてのパージガスが供給される
【００３７】前記パージガス供給系３８の給気配管４０中には、フィルタ４１及び温調乾燥器４２が介装されている。
前記フィルタ４１は、パージガス中に含まれる不純物を除去する
この不純物には、
例えば有機ケイ素化合物
酸素等の異物
【００３８】また、前記温調乾燥器４２は、前記主制御系１８の制御の下で、前記パージガスの温度を所定の温度に調整するとともに、そのパージガス中に含まれる水分を例えば数％以下に抑える役割を担っている。つまり、これらフィルタ４１及び温調乾燥器４２により、このパージガスは、酸素、有機ケイ素化合物、アンモニア、アミン及びそれらの塩、硫酸、硝酸及びそれらの塩等の不純物及び水分が十分に除去され、化学的に清浄でかつ十分に乾燥されたものとなっている。」 
　 
 （４）刊行物４ 
　（４ａ）「【請求項１】  少なくともレチクル、レチクルステージ、縮小投影レンズ及びウェーハステージを含む
露光装置を気密性のあるチャンバーで覆うことにより閉じた空間が形成された、ガス循環システム
少なくとも前記空間内に画成されて前記露光装置を通る
不活性ガスの循環経路
前記循環経路に不活性ガスを導入するための
ガス導入口
前記循環経路から不活性ガスを排出するための
ガス排出口
前記循環経路内で不活性ガスを循環させる
循環手段
前記循環経路に配置された１個以上の
ガス捕捉手段
前記ガス導入口を介した不活性ガスの導入のみ
前記ガス排出口を介した不活性ガスの排出のみ
該導入及び排出の両方
該導入及び排出の両停止の間でガス循環の形態を切り替え可能な切り替え手段
を備えたことを特徴とする、ガス循環システム。」
　
 （４ｂ）「【請求項１１】  
前記ガス捕捉手段は、前記循環経路内のガス中に含まれる酸素、水分、有機系ガス及び粒子のうち少なくとも１つを除去するケミカルフィルター
　
　（４ｃ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
露光装置の光学系を気密性のあるチャンバー内に設置し、該チャンバーに囲まれた空間内に不活性ガスを満たし、循環・再利用することにより高価な不活性ガスの消費を抑え
これに加えて、常に不純物の無い一定温度の不活性ガスをチャンバー内に供給することができるガス循環システムに関するもの
　
　（４ｄ）「【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記事実に鑑みなされたもので、不活性ガスの消費を抑えると共に、Ｆ２レーザーの能力を低下させる有害物質、例えば空気（酸素）、水分、有機系ガス及び粒子等のシステム内への混入をよりいっそう防止することができる、ガス循環システムを提供することを目的とする。」
　
　（４ｅ）「【００１３】本発明の第２の態様によれば、露光装置を気密性のあるチャンバーで覆うことにより、外部からの空気侵入を防止しつつ、少なくともチャンバー内の空間に露光装置を通る循環経路を画成している（チャンバー外部に循環経路の一部分を設ける場合を含んでいる）。ここで、切り替え手段が、ガス導入口を介した不活性ガスの導入及びガス排出口を介した不活性ガスの排出を同時に行うようガス循環形態を切り替える。この場合、ガス循環システムが開放系の状態で不活性ガスが循環経路内を循環するので、空間内の有害ガスを効率的に外部に追い出すことができる。更に、循環経路内に設けられたガス捕捉手段が、有害ガスをその中に捕捉するので、有害ガスを更に減少させることができる。次に、例えば有害ガスが十分外部に追い払われたと考えられる後、切り替え手段が、導入及び排出を両方停止させてもよい。このとき、
循環手段が作動すれば、ガス循環システムが閉鎖系の状態で不活性ガスが循環経路内を循環する。即ち、高価な不活性ガスの消費を抑制することができる。この場合でも、ガス捕捉手段が有害ガスを捕捉していくので、有害ガスの減少は保証される
　
　（４ｆ）「【００２９】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明の各実施形態を説明する。
（ガス循環システムの第１の実施形態）図１は、本発明の第１の実施形態に係るガス循環システムの構成を示す図である。
【００３０】ガス入口１２及びガス出口１３を備え、密封性を有するチャンバー１に囲まれた空間の中に、露光装置の光学部品であるレチクル／レチクルステージ２と、投影レンズ３と、ウェーハステージ５と、ウェーハ４とが設置されている。
チャンバーガス出口１３から接続された循環配管は、切り替えバルブ１８を経由してフィルタ６、ラジエター７、循環ファン８、ヒーター９、フィルター１１を経由後、チャンバー内部の空気を置換した後、ガス出口へ至って排出される
【００３１】本方法で不純物等が除去できない場合は、チャンバー及び循環ラインを高温でベーキングすることも可能である。
循環配管及びチャンバー内に不活性ガスを十分に充填し、空間内の空気及び水分等が除去されたら切り替えバルブ１９、２０を閉め、切り替えバルブ１８を開けて循環ファンを起動させ不活性ガスの循環を開始する
【００３２】ウェーハの露光プロセスが終了し、処理済みのウェーハをチャンバー１の外に搬出し、次のウェーハをチャンバー１に搬入するには仕切弁１７を空け、処理済みのウェーハをウェーハ保持部を備えるカセットに収め、処理前のウェーハをカセットからチャンバー１内のウェーハステージに設置後、仕切弁を締めて、次のプロセスを開始する。ウェーハ保持部とは、ウェーハを直接支える（収容する）部分（溝）を示す。例えば、ウェーハ保持部は、ＦＯＵＰ容器の内壁から各々略平行に突出する複数の棚状プレートとして形成され、隣接する棚状プレートの間（溝）にウェーハが収容される。ウェーハへの帯電を防ぐために、ウェーハ保持部、カセットを導電性材料で形成するのが好ましい。カセット内のウェーハの処理が全て終了すれば、第２仕切弁２２を開け、ウェーハカセットを取り出し、処理前のウェーハカセットを第２チャンバー１６に設置する。この時、第２チャンバー内は空気で満たされているので、不活性ガスを第２チャンバー１６内に導入後、仕切り弁１７を開け、露光プロセスを再開する。ウェーハカセットを大気中ではなく、第２チャンバー１６内の不活性ガス内に設置することにより、ウェーハ交換時にチャンバー１内への酸素等の不純物の混入を防ぎプロセスの安定化が図れる。
【００３３】また、一定時間循環後の不活性ガスの交換は、切り替えバルブ１８を締め、切り替えバルブ１９、２０を開けた後、ガス導入口１４から新しい不活性ガスを供給した後、前述の動作を繰り返せばよい。」
　
　図１は次のとおり。　
　
　
５．対比・判断
　本願発明１と刊行物１記載の発明とを対比すると、 
　刊行物１記載の発明の（ア）「処理室２」、（イ）「予備排気室３」、（ウ）「外部の大気」、（エ）「開閉部９」、（オ）「開閉可能なゲートバルブ４」、（カ）「電子線描画装置」、（キ）半導体ウエハやホトマスクなどの試料７が位置決めされる「ステージ６」、（ク）「電子光学系８」、（ケ）「真空ポンプ５」、（コ）「不活性ガス供給部１０」は、 
　それぞれ、本願発明１の（ア）「リトグラフ・パターン形成室」、（イ）「装填装置（ＬＬ）」、（ウ）「第二の環境」、（エ）「第二の環境に面する第二ドア（１２）」、（オ）「リトグラフ・パターン形成室に面する第一ドア（１１）」、（カ）「リトグラフ投影装置」、（キ）「基板（Ｗ）を保持する基板テーブル（ＷＴ）」、（ク）「ビームを基板（Ｗ）のターゲット箇所に投影する投影系（ＰＬ）」、（ケ）「ポンプ（１６）」、（コ）「ガス供給部（１７）」に相当する。 
　 
　また、刊行物１記載の発明に、明記はないが、予備排気室３には、不活性ガス供給部１０が接続されるガス入口や、真空ポンプ５が接続されるガス出口が形成されていることは、当然である。 
 　 
　そうすると、両発明の一致点、相違点は、次のとおりと認められる。 
　 
［一致点］ 
　以下の部材を含むリトグラフ・パターン形成室と、 
　・基板（Ｗ）を保持する基板テーブル（ＷＴ）、および 
　・ビームを基板（Ｗ）のターゲット箇所に投影する投影系（ＰＬ）、 
　リトグラフ・パターン形成室（ＰＣ）から第二の環境に、または、その逆に、対象物（Ｗ）を搬送するための装填装置（ＬＬ）であり、室を形成し、リトグラフ・パターン形成室に面する第一ドアと、第二の環境に面する第二ドアと、装填装置内を通気するためのガス入口とを含む前記装填装置とを含むリトグラフ投影装置において、 
　前記ガス入口がガス供給部に連結され、このガス供給部は、対象物（Ｗ）の搬送の少なくとも一部の間にガス入口にガスを供給し、 
　前記装填装置（ＬＬ）は、ガス出口を更に含み、前記ガス出口は、それを通して装填装置（ＬＬ）からガスをポンプ排気するポンプに連結されている、 
　リトグラフ投影装置。」 
　 
［相違点１］ 
　リトグラフ投影装置が、 
　本願発明１では、 
　放射投影ビーム（ＰＢ）を形成する放射系と、 
　以下の部材を含むリトグラフ・パターン形成室と、 
　　・所望のパターンに従って投影ビーム（ＰＢ）をパターン化する働きをするパターン形成手段（ＭＡ）を保持する支持構造（ＭＴ）、 
　　・基板（Ｗ）を保持する基板テーブル（ＷＴ）、及び 
　　・パターン化したビームを基板（Ｗ）のターゲット箇所に投影する投影系（ＰＬ）、 
　を含むのに対して、 
　刊行物１記載の発明では、 
　処理室２のほぼ中央には、ステージ６が設置されており、ステージ６上には、半導体ウエハやホトマスクなどの試料７が位置決めされ、ステージ６の上方には、電子光学系８が配置されており、ステージ６を移動させることにより、試料７の描画領域が電子光学系８の直下に位置決めされ、順次描画処理が行われるようになっており、 
　放射投影ビーム（ＰＢ）を形成する放射系、パターン形成手段（ＭＡ）を保持する支持構造（ＭＴ）については、特定がない点。 
　 
［相違点２］ 
　ガス供給部の供給するガスには、 
　本願発明１は、基本的に、粒子、酸素、炭化水素およびＨ2Ｏの少なくとも一つが含まれていないのに対して、
　刊行物１記載の発明は、その点が特定されていない点。 
 　 
［相違点３］
　本願発明１は、ガス出口（１５）はガス供給部（１７）に連結されているのに対して、
　刊行物１記載の発明は、そのような特定がない点。
 　 
　そこで、相違点について検討する。 
　 
（相違点１について） 
　刊行物１記載の発明には、明記はないが、何らかの放射投影ビーム（ＰＢ）を形成する放射系を設けることは、当然であり、また、パターン形成手段（ＭＡ）を使用することも常套手段であるから、相違点１に係る構成を採用することは、当業者が適宜なし得る程度のことである。 
　 
（相違点２について） 
　まず、Ｈ2Ｏ（水分）について検討する。
　刊行物１には、従来技術の問題点として、「試料の交換時に予備排気室内が外部の大気に曝されるため、大気が予備排気室内に入り込んでくる。ところが、大気中に含まれる水分子などの極性分子は、一般に窒素などの非極性分子に比べて予備排気室の内壁に付着する力が強いため、これらの極性分子が予備排気室内に入り込むと、予備排気室内を排気するのに長時間を要し、描画処理のスループットが低下してしまうという問題」があげられており、これに対応して、刊行物１記載の発明が採用されたものであり、「試料の交換中に前記予備排気室に不活性ガスをリークし続けることにより、外部の大気中に含まれる水分子などの極性分子が予備排気室の内壁に付着するのを防止できるので、排気に要する時間を従来よりも短縮することができ」るという効果を奏するものである。 
　したがって、刊行物１には、水分子などの極性分子の存在が、有害であるとの認識が前提にあり、また、水分子などの極性分子を取り除くために時間がかかることが、真空ポンプ５による排気に要する時間の短縮を妨げており、その対策として、試料の交換中に予備排気室に不活性ガスをリークし続けることで、外気が予備排気室に入ってこないようにしている。 
　一方、真空ポンプによる排気における課題ではないが、一般に、露光装置のパージガス（不活性ガス）として水分を実質的に含まないガスを用いることは、周知である。 
　例えば、本願でいう「リトグラフパターン形成室（ＰＣ）」に不活性ガスを充填するタイプではあるが、刊行物２には、不活性ガスの水分濃度を所定値以下（３０ｐｐｍ以下）に制御する旨、刊行物３には、不活性ガスに含まれる水分を数％以下に抑える旨が記載されている。 
　また、原審の補正却下の決定において、周知の例示文献としてあげられた国際公開第０１／７３８２５号には、通常の空気では、水分子、二酸化炭素などの吸光物質によって、真空紫外光が吸光されて好ましくないこと、パージガスで置換する際、減圧排気に伴って「ロードロック室内壁に吸着した物質（主に水や炭化水素）が脱離してレチクルやウェハに付着し、正確な製品を製造する際の妨げになる」ことが記載されており（第２頁）、露光室（リトグラフパターン形成室）に水分を存在させないことが好ましいことが示されている。 
　そして、予備排気室（装填装置）での水分は、露光室（リトグラフパターン形成室）へ簡単に移行してしまうことは、当業者に自明なことであるから、予備排気室（装填装置）において水分を含ませないような配慮が好ましいことは、当業者であれば、簡単に思い付くことであるといえる。 
　 
　そうすると、刊行物１の上記記載事項及び上記周知技術に接した当業者であれば、刊行物１記載の発明において、不活性ガスをリークし続けることに加えて、不活性ガス自体における水分量に着目して、予備排気室（装填装置）に供給するガス（不活性ガス）に基本的にＨ2Ｏが含まれないようにすることを、容易に想起できるものである。また、それは、真空ポンプによる排気に要する時間の短縮という刊行物１の目的にも沿うものである。 
　
　次に、粒子、酸素、炭化水素について検討する。
　一般に、露光室（リトグラフパターン形成室）では、露光プロセスに悪影響を与える因子である粒子、酸素、炭化水素などの不純物をパージガス（不活性ガス）から取り除いておくことは、周知技術である。例えば、刊行物２〜４や、上記国際公開第０１／７３８２５号（第２頁）を参照。
　そうすると、刊行物１記載の発明において、この周知技術を応用して、予備排気室（装填装置）から露光室（リトグラフパターン形成室）に粒子、酸素、炭化水素を持ちこまないように、予備排気室（装填装置）にリークする不活性ガスとして、本願発明１のように、基本的に粒子、酸素、炭化水素を含まないものを用いることは、当業者であれば容易に想到し得ることである。
　
（相違点３について）
　本願発明１は、ガス出口（１５）をガス供給部（１７）に連結することにより、「装填装置（ＬＬ）と第二の環境との間で対象物（ＭＡ，Ｗ）を搬送する際に、ガス供給部（１７）から装填装置（ＬＬ）を経てガス出口（１５）から排気されるガスをガス供給部（１７）に還流させることにより、対象物（ＭＡ，Ｗ）の搬送の際における装填装置（ＬＬ）内の圧力を調整するガスの再利用が可能となり、リソグラフィ工程の低コスト化を実現できる。」（平成２３年１月２６日付け意見書）というものである。
　しかし、刊行物４には、露光装置を覆うチャンバー（露光室、リトグラフパターン形成室）におけるパージガス（不活性ガス）について、高価な不活性ガスの消費を抑える等の目的で、チャンバー内部のガス出口１３から出たガスを、フィルターで不純物を除去しつつ、循環配管を通して、再びチャンバー内部に導入するという技術が記載されている。
　ここで、刊行物１記載の発明における不活性ガスは、予備排気室（装填装置）内の気圧を大気圧より幾分高くするために用いられるものであり、刊行物４のパージガス（不活性ガス）とは役割が異なるものの、不活性ガスをチャンバー（室）内に出し入れして所与の目的を達成する技術という点で共通するから、刊行物１と刊行物４に接した当業者であれば、高価な不活性ガスの消費を抑える目的で、刊行物４の上記技術を、刊行物１記載の発明における予備排気室（装填装置）に対する不活性ガスの出し入れに応用して、本願発明１のごとく「ガス出口はガス供給部に連結されている」構成を採用することは、容易に想到し得ることである。
　
（効果について）
　また、全体として、本願発明１によってもたらされる効果は、刊行物１〜４に記載された事項や周知技術から当業者であれば当然に予測することができる程度のものであって、格別なものとはいえない。
　
（まとめ）
　したがって、本願発明１は、刊行物１〜４に記載された発明および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
　　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないので、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。