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　特願２００１−　３４７３４「光記録媒体」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　８月２３日出願公開、特開２００２−２３７０９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成１３年２月９日の出願であって、平成１９年１月２３日付け拒絶理由通知に対して同年４月２日付けで手続補正がなさなれたが、同年１２月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２０年２月１２日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正がなされた。
　その後、平成２２年５月２４日付けで前置報告書（特許法第１６４条第３項）を利用した審尋がなされ、同年８月２５日付けで回答書が提出され、さらに同年１０月２８日付けで当審で拒絶の理由を通知し、これに対し、平成２３年１月１１日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、平成２３年１月１１日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりである。
　
「【請求項１】　光ビームを照射することにより記録層材料に光学的な変化を生じさせ、情報の記録、再生を行ない、かつ書換えが可能な相変化光記録媒体において、
蛇行溝を有する第１基板上に、少なくとも光学膜厚ｎｄ（ｎｄ＝屈折率ｎ×膜厚ｄ）が８０ｎｍ≦ｎｄ≦２００ｎｍの範囲にある第１の誘電体層と、消去状態における光学膜厚が２０ｎｍ≦ｎｄ≦５０ｎｍの範囲の相変化記録材料層、１０ｎｍ≦ｎｄ≦７０ｎｍの範囲の第２の誘電体層、及び金属反射層をこの順番で備え、さらにこの上に前記第１基板と同じ厚さの第２基板を有し、
蛇行溝に入力されるクロック情報は周期的な蛇行を用い、アドレスやディスクの情報は周期的な蛇行の位相を１８０度反転することによって入力し、蛇行溝の振幅は１５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であり、蛇行溝の深さが２２〜４０ｎｍであり、蛇行溝のＧｒｏｏｖｅ幅が０．１７〜０．３０μｍであ
り、前記相変化記録材料層がＡｇＩｎＳｂＴｅ組成の材料に対しＧｅ１原子％〜５原子％を添加したものである
とするものである。 
　
３．引用文献
　これに対して、当審において平成２２年１０月２８日付けで通知した拒絶の理由に引用した国際公開第００／１４７３５号公報（２０００年（平成１２年）３月１６日公開。以下「引用文献」とする）には、図面と共に以下の記載がある。（なお、下線は当審で付与した。）
　
　ア．「本発明は、書換え可能なＤＶＤなど、
相変化型記録層を有する高密度記録用の光記録媒体
　イ．「本発明の媒体の記録層３は相変化型の記録層であり、その厚みは一般的に５ｎｍから１００ｎｍの範囲が好ましい。
　記録層３の厚みが５ｎｍより薄いと十分なコントラストが得られ難く、また結晶化速度が遅くなる傾向があり、短時間での消去が困難となりやすい。
　一方１００ｎｍを越すとやはり光学的なコントラストが得にくくなり、また、クラックが生じやすくなる。
　さらに、
ＤＶＤなど再生専用ディスクと互換性をとれる
５ｎｍ以上２５ｎｍ以下が好ましい
５ｎｍ未満では反射率が低くなりすぎ、また、膜成長初期の不均一な組成、疎な膜の影響が現れやすいので好ましくない
　一方、
２５ｎｍより厚いと熱容量が大きくなり記録感度が悪くなるし、結晶成長が３次元的になるため、非晶質マークのエッジが乱れジッタが高くなる傾向にある
さらに、記録層の相変化による体積変化が顕著になり繰返しオーバーライト耐久性が悪くなるので好ましくない
マーク端のジッタ及び繰返しオーバーライト耐久性の観点からは２０ｎｍ以下とすることがより望ましい
　ウ．「本発明において、
記録層は上述の組成を有するＧｅＳｂＴｅ合金を主成分とする
記録層には必要に応じて他の元素を、合計１０原子％程度まで添加してもよい
　（・・・中略・・・）
　また、オーバーライト時の結晶化速度を低下させずに、経時安定性を増すために、V、Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｐｔ及びＺｒの少なくとも一種を、８原子％以下添加するのが好ましい。より好ましくは、０．１原子％以上５原子％以下添加する。
ＳｂＴｅに対する、これら添加元素とＧｅの合計の添加量は全部で１５原子％以下であることが望ましい
Ｇｅ含有量が３原子％以上、５原子％以下の場合には添加効果が大きい
　経時安定性の向上と屈折率の微調整のために、Ｓｉ、Ｓｎ、及びＰｂの少なくとも一種を、５原子％以下添加するのが好ましい。これら添加元素とＧｅの合計の含有量は１５原子％以下が好ましい。これら元素はＧｅと同じ４配位ネットワークを持つ。
　Ａｌ、Ｇａ、
Ｉｎを８原子％以下添加
　
Ａｇを８原子％以下添加
　エ．「本発明の層構成は、急冷構造と呼ばれる層構成の一種に属する。急冷構造は、放熱を促進し、記録層再凝固時の冷却速度を高める層構成を採用することで、非晶質マーク形成のときの再結晶化の問題を回避しつつ、高速結晶化による高消去比を実現する。このため
第２保護層膜厚は、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とする
　本発明の、第２保護層の膜厚は、繰返しオーバーライトにおける耐久性に大きく影響し、特にジッタの悪化を抑制する上でも重要である。膜厚が３０ｎｍより厚い場合には、記録時に、第２保護層の記録側と、反射層側とで温度差が大きくなり、保護層の両側における熱膨張差から、保護層自体が非対称に変形しやすくなる。この繰返しは、保護層内部に微視的塑性変形を蓄積させ、ノイズの増加を招くので好ましくない。
　本発明の記録層を用いると、最短マーク長０．５μｍ以下の高密度記録において低ジッタを実現できるが、本発明者らの検討によれば、高密度記録を実現するために短波長のレーザーダイオード（例えば、波長７００ｎｍ以下）を用いる場合には、上記急冷構造の層構成についても、一層の留意が必要になる。特に、波長が５００ｎｍ以下、開口数ＮＡが０．５５以上の小さな集束光ビームを用いた１ビームオーバーライト特性の検討において、マーク幅方向の温度分布を平坦化することが、高消去比及び消去パワーマージンを広く取るために重要であることが分かった。
　この傾向は、波長６３０〜６８０ｎｍ、ＮＡ＝０．６前後の光学系を用いた、ＤＶＤ対応の光学系においても同様である。このような光学系を用いた高密度マーク長変調記録においては、特に、熱伝導率の低い材料を
第２保護層として用いる。好ましくはその膜厚を１０ｎｍ以上２５ｎｍ以下とする
　オ．「第７図に、典型的な４層構成における反射率差の計算例を示した。
ポリカーボネート基板上に、（ＺｎＳ）
80
（ＳｉＯ
2
）
20
保護層、Ｇｅ
0.05
Ｓｂ
0.69
Ｔｅ
0.26
記録層、（ＺｎＳ）
80
（ＳｉＯ
2
）
20
保護層、Ａｌ
0.995
 Ｔａ
0.005
 反射層を設けた
　各層の屈折率は実測値を用いている。
波長６５０ｎｍにおける各材料の複素屈折率は、上下の保護層は２．１２−０．０ｉ
記録層は
初期化後の結晶状態で２．３−４．１ｉである
　また、記録層、第２保護層、反射層の膜厚はそれぞれ、１８ｎｍ、２０ｎｍ、２００ｎｍで一定とした。
　第１保護層膜厚依存性を見る限り、通常は振幅の変化は小さく、分母であるＩtop 、すなわち結晶状態の反射率に強く依存する。したがって、結晶状態反射率は可能な限り低いことが望ましい。
　第７図の計算例では、
第１保護層を、屈折率ｎ＝２．１２の（ＺｎＳ）
80
（ＳｉＯ
2
）
20
膜とした。このとき、第１の極小値ｄ
1
 は膜厚５０〜７０ｎｍ
　結晶状態の反射率が極小となる第１保護層膜厚は、反射率が高い記録層であれば、実質上、保護層の屈折率のみで決まる。他の屈折率ｎにおける極小点膜厚は、ｄ1 、ｄ2 に２．１／ｎをかければほぼ求まるが、
通常、保護層として用いられる誘電体はｎ＝１．８〜２．３程度であり、ｄ
1
 は６０〜８０ｎｍ程度である
　第１保護層の屈折率ｎが１．８よりも小さいと、極小点における反射率が増加して変調度が著しく低下し、０．５未満となるので好ましくない。逆に、２．３以上とすると、極小点の反射率が低くなりすぎ２０％を達成できず、フォーカスやトラッキングサーボが困難になるので好ましくない。」（第３４頁２７行−第３５頁２３行） 
　カ．「さて、本発明媒体は、反射率以外の全ての信号特性において
ＤＶＤとの再生互換性を確保することができる。このためには溝内記録が望ましく
　キ．「例えば、記録再生波長が６３０〜６７０ｎｍ程度、対物レンズの開口数ＮＡが０．６〜０．６５では、
溝深さは２５〜４０ｎｍ
　また、ＤＶＤと同程度の容量を確保するには、溝のピッチを０．６〜０．８μｍとする。また、
溝ピッチを０．７４μｍとすると、ＤＶＤとの互換性がとりやすい
　
溝幅は０．２５〜０．５μｍであることが望ましい。０．２５μｍより狭いとプッシュプル信号が小さくなりすぎてしまう。０．５μｍより広いと溝間の幅が狭くなり基板の射出成形時に樹脂が入り込みにくく、溝形状の基板への正確な転写が困難になる
　ク．「例えば
ＤＶＤと互換性をとるために、溝ピッチを０．７４μｍとすると、溝幅はその半分である０．３７μｍより狭いことが好ましい
　一方、記録前の溝内の平均反射率をＲＧｂ、記録前の溝間の平均反射率をＲＬｂとするとき、上記ＲＧａ＜ＲＬａさえ満足すればＲＧｂ＞ＲＬｂであってもよい場合には、溝幅を０．４〜０．５μｍとすることで、溝内に記録される非晶質マークの幅を広げ、変調度を高めたり、ジッタを低減できることがある。
　さて、これら溝には、未記録の特定トラックにアクセスするために、また、
基板を一定線速度で回転させる同期信号を得るために、周期的な変形を設けることがある。一般的には、トラック横断方向に蛇行したウォブル（ｗｏｂｂｌｅ）が形成されることが多い
　
溝蛇行の振幅は、４０〜８０ｎｍ
であることが望ましい。４０ｎｍ未満では振幅が小さすぎてＳＮ比が悪くなるし、８０ｎｍを超えると、第６図に示す記録信号のエンベロープの上下端がウォブル信号に由来する低周波成分を多く含み、再生信号の歪みが大きくなってしまう
　ウォブルの周波数が、記録データの帯域に近い場合には、その振幅は８０ｎｍ以下であることが望ましい。
　さらに、該
蛇行周波数ｆwoを搬送波として、特定のアドレス情報に従って、周波数変調もしくは位相変調された蛇行を形成すれば、これを再生することでアドレス情報を取得できる
　
蛇行周波数ｆwoを一定として溝蛇行を形成すれば、ｆwoから生成された溝蛇行信号の基準周期Ｔw もしくはその倍数又は約数から、データ用の基準クロック信号Ｔを発生させることもできる
　ケ．「すなわち、
ＴＰ＝０．７４μｍに対して、ｖ0 ＝３．５ｍ／ｓ、Ｔ＝３８．２３ｎｓｅｃ、ｎ＝１とすると、ｍ≒３４．７となり、近似的にウォブル周期Ｔｗ0 ＝３５Ｔとすれば、一周ごとに含まれるウォブルの数が１個ずつ増えていく
　コ．「特に断らない限り、該基板上に、
第５図（ａ）に示すような４層構成を成膜後
もう１枚同じ層構成を有する０．６ｍｍ厚基板と貼り合わせた
　
成膜直後の記録層は非晶質
再結晶化させ初期（未記録）状態とした
　サ．「記録層として、本発明に係るＩｎＧｅＳｂＴｅ系と従来公知のＩｎＡｇＳｂＴｅ四元系とを比較するために、ＡｇとＧｅの組成以外はほぼ厳密に記録層組成及び層構成をそろえた媒体を表−１のように用意した。」（第６４頁８−１０行） 
　シ．表−１（実施例１）によれば、下保護層、記録層、上保護層の膜厚は、それぞれ６８ｎｍ、１６ｎｍ、２０ｎｍ、である。
　ス．「
基板は０．６ｍｍ厚のポリカーボネート樹脂
溝ピッチ０．７４μｍ
　セ．「（実施例４）
　層構成は、下部保護層（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20 を膜厚２１５ｎｍ、
記録層Ｇｅ
0.05
Ｓｂ
0.69
Ｔｅ
0.26
を１８ｎｍ
　ソ．「（実施例１１）
　実施例２（ｇ１）の層構成において、
記録層をＩｎ
0.03
Ｇｅ
0.05
Ｓｂ
0.71
Ｔｅ
0.21
とした
　ウォブルの変調方式としては、搬送波の周期Ｔw が基準データクロック周期
Ｔ＝３８．２ナノ秒の３２倍である、２値位相変調とした
デジタルデータ信号の０又は１に対応して、ウォブル波の位相をπだけ、ずらすものである
　すなわち、
周波数ｆc ＝１／Ｔw ＝１／（３２Ｔ）の無変調搬送波（余弦波もしくは正弦波）が、アドレス用のデジタルデータの０から１、あるいは１から０の切り替えで、ちょうど位相πだけずれる
　タ．「まず、溝内に線速３．５ｍ／ｓにおいて記録を行い、Ｒｔｏｐ及び変調度を測定した。また、３．５ｍ／ｓ及び７ｍ／ｓで記録信号のジッタを測定した。結果を表−８に示す。
　まず、
実施例１１（ｋ）は、深さ１８ｎｍと非常に浅い溝を有するが、プッシュプル信号がほとんど検出できず、トラッキングサーボをかけることができなかった
　図３２（ａ）（ｂ）に変調度とＲｔｏｐの溝形状依存性を示した。
実施例１１（ｈ）〜（ｊ）は、深さ４２ｎｍの溝を有するが、深さ２７ｎｍの場合に比べて反射率が大幅に低下し、５％以上低くなって好ましくない
幅０．２３μｍでは、深さ３５ｎｍでも、変調度低下が著しかった
　なお、本実施例は層構成は同じとしたが、もし、深さ４２ｎｍの場合に、反射率低下を補うために、反射率の高い層構成にすると、変調度低下は一層顕著になる。すなわち、
深さ４２ｎｍの溝は、溝内用記録には適さない
　溝深さ４０ｎｍ以上では、溝幅が０．３μｍ未満のときに、ウォブル信号が記録データ信号へ著しく漏れ込む。溝幅が０．３μｍ以上のときに比べ、線速３．５ｍ／ｓではジッタが１〜２％以上悪化し、線速７ｍ／ｓでは２〜３％も悪化する。」（第８４頁２２行−第８５頁１３行）
　チ．表−７（実施例１１）によれば、好ましくないとされなかった実施例の
グルーブ深さは２７ｎｍ，３５ｎｍ、グルーブ幅は０．２７μｍ，０．３３μｍ
　ツ．表−３（実施例２）によれば、下部保護層の膜厚は４５ｎｍ，５８ｎｍ，６４ｎｍ，７０ｎｍ、記録層の膜厚は１６ｎｍ，１８ｎｍ，２０ｎｍ、上部保護層の膜厚は２０ｎｍ，３０ｎｍ、である。 
 　
　上記イ，エ，オ，ク，コ，ソ，タ，チの事項、特に下線部の記載事項からみて、引用文献には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。 
　
「集束光ビームを相変化型記録層に照射して、情報の記録再生及び書換えが可能な光学的情報記録用媒体において、 
　ウォブルを有する基板上に、膜厚が５０〜７０ｎｍである下部保護層と、膜厚が５〜２５ｎｍでＧｅ，Ｓｂ，Ｔｅを主成分とする記録層と、膜厚が１０〜２５ｎｍである上部保護層、及び反射層をこの順番で備え、さらにこの上に前記基板と同じ厚さの基板を有し、 
　溝蛇行信号の基準周期もしくはその倍数又は約数からデータ用の基準クロック信号を発生させ、ウォブル波の位相をπだけずらすことによってアドレス用のデジタルデータ信号を発生させ、溝蛇行の振幅は４０〜８０ｎｍであり、グルーブ深さが２５〜４０ｎｍであり、グルーブ幅（溝幅）が０．２５〜０．３７μｍである、光学的情報記録用媒体。」 
　
４．対比 
　本願発明と引用発明とを比較する。
　引用発明の光学的情報記録用媒体は、その相変化型記録層に対して集光ビームを照射し、当該相変化型記録層の組成材料に光学的な変化を生じさせることで、情報を記録ないし書換えていることは明らかである。
　引用発明の「ウォブルを有する基板」は、本願発明の「蛇行溝を有する第１基板」に相当する。
　引用発明の「膜厚が５０〜７０ｎｍである下部保護層」は、本願発明の「第１の誘電体層」に相当し、引用発明では、屈折率（ｎ）が２．１２である（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20を用いているから（上記オ）、その光学膜厚ｎｄは、１０６．０≦ｎｄ≦１４８．４ｎｍ（５０×２．１２〜７０×２．１２）であるから、本願発明の「８０ｎｍ≦ｎｄ≦２００ｎｍ」の範囲に包含される。
　引用発明の「膜厚が５〜２０ｎｍで、Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅを主成分とする記録層」は、本願発明の「相変化記録材料層」に相当する。
　引用発明の「膜厚が１０〜２５ｎｍである上部保護層」は、本願発明の「第２の誘電体層」に相当し、引用発明では、屈折率（ｎ）が２．１２である（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20を用いているから（上記オ）、その光学膜厚ｎｄは、２１．２≦ｎｄ≦５３．０ｎｍ（１０×２．１２〜２５×２．１２）であるから、本願発明の「１０ｎｍ≦ｎｄ≦７０ｎｍ」の範囲に包含される。
　引用発明の「反射層」は、本願発明の「金属反射層」に相当し、引用発明では、基板、下部保護層、記録層、上部保護層、反射層の順であるから、本願発明の「（第１基板、第１の誘電体層、相変化記録材料層、第２の誘電体層、）金属反射層をこの順番で備え」と同じ構成を備えている。
　引用発明において、蛇行溝信号の基準周期もしくはその倍数又は約数からからデータ用の基準クロック信号を発生させており、ウォブルの位相をπだけずらすことによってアドレス用のデジタルデータを発生させているから、引用発明は、本願発明の「蛇行溝に入力されるクロック情報は周期的な蛇行を用い、アドレスやディスクの情報は周期的な蛇行の位相を１８０度反転することによって入力し」との構成を備えている。
　引用発明の「溝蛇行の振幅」「グルーブ深さ」及び「グルーブ幅（溝幅）」は、本願発明の「蛇行溝の振幅」「蛇行溝の深さ」及び「蛇行溝のＧｒｏｏｖｅ幅」にそれぞれ相当する。
 　 
　したがって、本願発明は、次の点で引用発明と一致する。 
 　 
（一致点）
「光ビームを照射することにより記録層材料に光学的な変化を生じさせ、情報の記録、再生を行ない、かつ書換えが可能な相変化光記録媒体において、
　蛇行溝を有する第１基板上に、光学膜厚ｎｄが８０ｎｍ≦ｎｄ≦２００ｎｍの範囲にある第１の誘電体層と、相変化記録材料層、１０ｎｍ≦ｎｄ≦７０ｎｍの範囲の第２の誘電体層、及び金属反射層をこの順番で備え、さらにこの上に前記第１基板と同じ厚さの第２基板を有し、 
　蛇行溝に入力されるクロック情報は周期的な蛇行を用い、アドレスやディスクの情報は周期的な蛇行の位相を１８０度反転することによって入力し、蛇行溝の振幅、蛇行溝の深さ、蛇行溝のＧｒｏｏｖｅ幅がそれぞれ所定の範囲である、光記録媒体、である点。」 
 　 
　一方、本願発明は、次の点で引用発明と相違している。 
 　 
（相違点１）
「本願発明の相変化記録材料層はＡｇＩｎＳｂＴｅ組成の材料に対しＧｅ１原子％〜５原子％を添加したものであって、その消去状態における光学膜厚ｎｄが２０ｎｍ≦ｎｄ≦５０ｎｍの範囲であるのに対し、引用発明の記録層の材料はＧｅ，Ｓｂ，Ｔｅを主成分とするものであって、膜厚ｄが５ｎｍ≦ｄ≦２５ｎｍの範囲であるが光学膜厚について特定されていない点。」
　
（相違点２）
「本願発明の蛇行溝の振幅は１５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であり、蛇行溝の深さが２２〜４０ｎｍであり、蛇行溝のＧｒｏｏｖｅ幅が０．１７〜０．３０μｍであるのに対し、引用発明はかかる数値範囲においてそれぞれ、４０〜８０ｎｍ、２５〜４０ｎｍ、及び、０．２５〜０．３７μｍである点。」
 　 
５．当審の判断 
　上記相違点について検討する。
（相違点１について）
　引用文献には、Ｇｅ0.05Ｓｂ0.69Ｔｅ0.26の組成からなる記録層の初期化後の結晶状態における波長６５０ｎｍにおける複素屈折率（ｎ＋ｋｉ）は、２．３−４．１ｉであり（上記オ）、記録層がこれと同一組成の実施例４における膜厚ｄは１８ｎｍであるから（上記セ）、消去状態（結晶状態）における光学膜厚ｎｄは４１．４ｎｍであることが記載されており、これは本願発明における「２０ｎｍ≦ｎｄ≦５０ｎｍ」の範囲内である。
　また、引用発明において好ましい膜厚ｄは５〜２０ｎｍであるから（上記イ）、記録層の屈折率ｎが同じものであれば、光学膜厚ｎｄの範囲は１１．５ｎｍ≦ｎｄ≦４６．０ｎｍであって、本願発明の範囲はこの範囲に概ね一致する。
　なお、記録層の膜厚が薄ければ反射率が低く（したがって、十分な変調度が得られない）、厚すぎると繰返しオーバーライト特性が悪くなることは引用文献が開示するところであり（上記イ）、本願明細書の実施例と比較例を参照しても、引用文献と同様な効果を開示するに過ぎない。
　そして、本願明細書には「Ａｇ０．５原子％、Ｉｎ５原子％、Ｓｂ６４原子％、Ｔｅ２５原子％、Ｇｅ２原子％付近の組成の記録層を用いたブランクディスクでは、記録層の屈折率は約２．３となり、この場合の膜厚Ｄｐｃは９ｎｍ≦Ｄｐｃ≦２３ｎｍの範囲が望ましく・・」（段落【００１３】）と記載されており、引用発明における膜厚ｄの範囲と大差はなく、記録層の膜厚ｎｄの数値範囲に特段の臨界的意義があるということはできない。
　
　次に、当審が通知した拒絶理由通知に対して補正により追加された事項である、「相変化記録材料として、ＡｇＩｎＳｂＴｅ組成の材料に対しＧｅ１原子％〜５原子％を添加したもの」を用いる点について検討する。
　
　本願出願当時、ＡｇＩｎＳｂＴｅ組成の材料に対しＧｅ１原子％〜５原子％を添加した材料は周知であり（例えば、特開平１０−３２６４３６号公報の実施例８等参照）、一方、本願明細書には、「記録層は、ＣＤ−ＲＷに用いられているＡｇＩｎＳｂＴｅ組成の材料に対しＧｅｌ原子％から５原子％を添加したものを用いた」（段落【００１３】）と記載されているにとどまり、かかる材料を用いることにより、従来の材料を用いた場合と比較して、いかなる効果が奏されるかについては何ら記載されていない。
　
（相違点２について）
　引用文献には、ＤＶＤとの再生互換性を考慮しつつ、隣接する溝との関係（トラックピッチ）や良好なＳＮ比を得るため、或いは、基板製造工程における歩留まり等を考慮して、溝幅、溝蛇行の振幅、溝深さを所定の範囲とすることが記載されている（上記キ，ク，タ）。
　そして、溝深さ及び溝幅の範囲については、本願発明と引用発明とでほとんど重なっており、本願発明における数値範囲に特段の臨界的意義があるということはできない。
　また、本願発明の振幅の範囲は、引用発明において望ましいとされる範囲と異なるが、引用文献には（かかる振幅が）小さすぎると（再生信号の）ＳＮ比が悪くなり、大きすぎると再生信号の歪みが大きくなることが記載されているから（上記ク）、再生信号の品質が好ましい状態となるように振幅を設定することは当業者にとって設計事項にすぎない。
　
　上記各相違点について総合的に検討しても、本願発明が引用発明からみて当業者が予測し得ない顕著な効果を奏するものと認めることはできない。
　
　したがって、本願発明は、その出願日前に頒布された刊行物である引用文献及び周知例に記載された周知技術等に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、その他の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。