【事件の表示】
　特願２００５−１４９７０５「バリスタ」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１２月　７日出願公開、特開２００６−３３２１２１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１７年５月２３日の出願であって，平成１９年１１月２２日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，平成２０年１月４日に審判請求がなされるとともに，同年１月３１日付けで手続補正がなされ，その後，当審において平成２２年７月２２日付けで審尋がなされ，同年９月２７日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２０年１月３１日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
　［補正却下の決定の結論］
　　平成２０年１月３１日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
　１　補正後の本願発明
　平成２０年１月３１日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の請求項１を補正後の請求項１として，
「【請求項１】　素体と，
　前記素体の一の外表面に形成された２つの外部電極と，
　前記２つの外部電極に対向するように前記素体内に配された内部電極と，を備えており，
　前記２つの外部電極と前記内部電極とは，対向する方向から見て互いに重なり合う領域を有し，
　前記素体における前記２つの外部電極と前記内部電極とに重なる領域は，電圧非直線特性を発現し，
　前記素体における一方の前記外部電極と前記内部電極とに重なる領域と，前記素体における他方の前記外部電極と前記内部電極とに重なる領域とが，前記内部電極を通して直列接続され，
　前記素体が，複数のバリスタ層が積層されることにより構成されると共に，前記複数のバリスタ層の積層方向に平行な４つの外表面を有し，
　前記内部電極が，前記複数のバリスタ層のうち一対のバリスタ層に挟まれるように配されており，
　前記一の外表面が，前記複数のバリスタ層の積層方向に垂直であり，
　前記内部電極は，前記４つの外表面に露出し，
　前記２つの外部電極は，前記４つの外表面に露出していないことを特徴とするバリスタ。」と補正するものである。
　上記補正は，補正前の請求項１の各構成について，「前記素体が，複数のバリスタ層が積層されることにより構成されると共に，前記複数のバリスタ層の積層方向に平行な４つの外表面を有し，前記内部電極が，前記複数のバリスタ層のうち一対のバリスタ層に挟まれるように配されており，前記一の外表面が，前記複数のバリスタ層の積層方向に垂直であり，前記内部電極は，前記４つの外表面に露出し，前記２つの外部電極は，前記４つの外表面に露出していない」ことを限定するものであるから，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
　２　独立特許要件について
（１）刊行物１の記載と引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された特開平１０−３３５１１４号公報（以下「刊行物１」という。）には，「サーミスタ素子」（発明の名称）に関して，図１及び図１４とともに，以下の事項が記載されている。（なお，下線は，引用箇所のうち特に強調する部分に付加したものである。以下同様。）
「【要約】
【課題】　
煩雑な操作を要することなくバンプ接合によりプリント回路基板やリードフレームに容易にかつ確実に接合し得るサーミスタ素子を提供する
【解決手段】　
サーミスタ素体２の一つの面において対向配置された第１，第２の電極３，４を有し
サーミスタ素子１
「【００２９】
【発明の実施の形態】
（第１の実施例）図１（ａ）及び（ｂ）は，本発明の第１の実施例に係る負特性サーミスタ素子を示す側面図及び底面図である。
サーミスタ素子１は，複数の遷移金属酸化物を用いて構成された負の抵抗温度特性を有する焼結体からなるサーミスタ素体２を有する。サーミスタ素体２は，直方体状の形状を有し，該サーミスタ素体２の下面２ａに，第１の電極３及び第２の電極４が形成されている
【００３０】本実施例では，第１の電極３が，下面２ａにおいて端面２ｂ側の端縁から中央方向に延びるように形成されている。また，第２の電極４は，端面２ｃ側の端縁から中央方向に延びるように形成されている。下面２ａの中央には電極が形成されておらず，従って，第１，第２の電極３，４は下面２ａにおいて対向されている。」
「【００３９】また，
第１，第２の電極３，４が，サーミスタ素体２の下面２ａにおいて対向配置されているため，プリント回路基板に，バンプ５，６を用いて実装することにより，容易に表面実装し得る
「【００４１】次に，
上記サーミスタ素子１の製造工程の一例を説明する。Ｍｎ酸化物，Ｎｉ酸化物及びＣｏ酸化物をバインダと共に混練し，スラリーを調製した。このスラリーを用い，ドクターブレード法によりシート状に成形し，得られた所定の厚みのシートを６５×６５ｍｍに切断し，複数枚のグリーンシートをを得た
【００４２】
次に，複数枚のグリーンシートを積層し，厚み方向に圧着した後，１３００℃程度の温度で１時間焼成し，５０×５０×０．５ｍｍのサーミスタ素体ウエハを得た
【００４３】次に，サーミスタ素体ウエハ上に，真空加熱蒸着により厚さ０．２μｍのＮｉ−Ｃｒ合金膜を形成し，引き続き，同じく厚さ０．２μｍのＡｕ膜を形成した。このようにして，積層金属膜をサーミスタ素体ウエハ上に形成した。
【００４４】次に，金属膜上に，スピンコートにより厚さ２０μｍとなるようにフォトレジストを成膜した。さらに，フォトマスクをフォトレジスト上に配置し，露光し，溶剤を用いてフォトレジストを現像した。
【００４５】次に，フォトレジストにより被覆されていない積層金属膜部分を酸を用いてエッチングした。すなわち，まず，積層金属膜のＡｕ膜を酸によりエッチングし，引き続きＮｉ−Ｃｒ膜を酸でエッチングし，フォトレジストで被覆されている積層金属膜のみを残した。
【００４６】さらに，レジストを剥離することにより，サーミスタ素体ウエハ上にパターニングされた積層金属膜を得た。次に，サーミスタ素体ウエハの表面にフォトレジストをスピンコートにより厚さ２０μｍとなるように塗工した後，バンプ形成予定部分の積層金属膜を露出させるような形状のフォトマスクを当接させて露光し，フォトレジストを現像し，フォトレジストが覆っていない積層金属膜上に，電解メッキによりＡｕバンプを形成した。
【００４７】
次に，上記サーミスタ素体ウエハを切断し，１．６ｍｍ×０．８ｍｍの平面形状を有するようにダイシングカットし，図１に示したサーミスタ素子１を多数得た
「【００８１】図１４〜図１６は，本発明に係るサーミスタ素子のさらに他の変形例を説明するための図であり，ここでは，サーミスタ素体内に少なくとも１つの内部電極が形成されている。なお，
図１４〜図１６に示す構造では，内部電極が形成されている点を除けば，図１に示したサーミスタ素子１と同様であるため，同一部分については，同一の参照番号を付することにより，その説明を省略する
【００８２】
図１４（ａ）〜（ｃ）に示すサーミスタ素子４６では，サーミスタ素体２内において，所定の高さ位置に，サーミスタ素体２の外周面に至るように内部電極４７が形成されている
「【００８７】
【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば，
サーミスタ素体の一面上において第１，第２の電極が対向配置されているので，本発明に係るサーミスタ素子は，第１，第２の電極が対向配置されている面側から，例えばプリント回路基板などに表面実装することができる
　
　さらに，以上の記載も考慮すると，図１４（ａ）〜（ｃ）には，
「サーミスタ素体２と，
　前記サーミスタ素体２の下面２ａに形成された第１，２の電極３，４と，
　前記第１，２の電極３，４に対向するように前記サーミスタ素体２内に配された内部電極４７と，を備えており，
　前記第１，２の電極３，４と前記内部電極４７とは，対向する方向から見て互いに重なり合う領域を有し，
　前記サーミスタ素体２における前記第１，２の電極３，４と前記内部電極４７とに重なる領域は，負の抵抗温度特性を発現し，
　前記サーミスタ素体２における一方の前記第１の電極３と前記内部電極４７とに重なる領域と，前記サーミスタ素体２における他方の前記第２の電極４と前記内部電極４７とに重なる領域とが，前記内部電極４７を通して直列接続され，
　前記サーミスタ素体２が，複数の負の抵抗温度特性を有するグリーンシートが積層されることにより構成されると共に，前記複数のグリーンシートの積層方向に平行な４つの外表面を有し，
　前記内部電極４７が，前記複数のグリーンシートのうち一対のグリーンシートに挟まれるように配されており，
　前記下面２ａが，前記複数のグリーンシートの積層方向に垂直であり，
　前記内部電極４７は，前記４つの外表面に露出し，
　前記第１，２の電極３，４は，前記４つの外表面に露出しているサーミスタ素子４６。」が記載されている。
　
　以上によれば，刊行物１には，
「サーミスタ素体２と，
　前記サーミスタ素体２の下面２ａに形成された第１，２の電極３，４と，
　前記第１，２の電極３，４に対向するように前記サーミスタ素体２内に配された内部電極４７と，を備えており，
　前記第１，２の電極３，４と前記内部電極４７とは，対向する方向から見て互いに重なり合う領域を有し，
　前記サーミスタ素体２における前記第１，２の電極３，４と前記内部電極４７とに重なる領域は，負の抵抗温度特性を発現し，
　前記サーミスタ素体２における一方の前記第１の電極３と前記内部電極４７とに重なる領域と，前記サーミスタ素体２における他方の前記第２の電極４と前記内部電極４７とに重なる領域とが，前記内部電極４７を通して直列接続され，
　前記サーミスタ素体２が，複数の負の抵抗温度特性を有するグリーンシートが積層されることにより構成されると共に，前記複数のグリーンシートの積層方向に平行な４つの外表面を有し，
　前記内部電極４７が，前記複数のグリーンシートのうち一対のグリーンシートに挟まれるように配されており，
　前記下面２ａが，前記複数のグリーンシートの積層方向に垂直であり，
　前記内部電極４７は，前記４つの外表面に露出し，
　前記第１，２の電極３，４は，前記４つの外表面に露出しているサーミスタ素子４６。」（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
（２）本願補正発明と引用発明との対比・判断
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
（ａ）引用発明の「サーミスタ素体２」と，本願補正発明の「素体」とは，「素体」である点で共通する。
（ｂ）引用発明の「素体２の下面２ａ」，「第１，２の電極３，４」は，それぞれ，本願補正発明の「素体の一の外表面」，「２つの外部電極」に相当する。
（ｃ）引用発明の「負の抵抗温度特性を発現」することと，本願補正発明の「電圧非直線特性を発現」することとは，「所定特性を発現」する点で共通する。
（ｄ）引用発明の「複数の負の抵抗温度特性を有するグリーンシート」と，本願補正発明の「複数のバリスタ層」とは，共に「複数の層」である点で共通する。
（ｅ）引用発明の「サーミスタ素子４６」と，本願補正発明の「バリスタ」とは，共に「抵抗素子」の一種である点で共通する。
　
　そうすると，両者は，
「素体と，
　前記素体の一の外表面に形成された２つの外部電極と，
　前記２つの外部電極に対向するように前記素体内に配された内部電極と，を備えており，
　前記２つの外部電極と前記内部電極とは，対向する方向から見て互いに重なり合う領域を有し，
　前記素体における前記２つの外部電極と前記内部電極とに重なる領域は，所定特性を発現し，
　前記素体における一方の前記外部電極と前記内部電極とに重なる領域と，前記素体における他方の前記外部電極と前記内部電極とに重なる領域とが，前記内部電極を通して直列接続され，
　前記素体が，複数の層が積層されることにより構成されると共に，前記複数の層の積層方向に平行な４つの外表面を有し，
　前記内部電極が，前記複数の層のうち一対の層に挟まれるように配されており，
　前記一の外表面が，前記複数の層の積層方向に垂直であり，
　前記内部電極は，前記４つの外表面に露出していることを特徴とする抵抗素子。」である点で一致し，以下の点で相違する。
　
［相違点１］本願補正発明は，複数の層が「バリスタ層」であり，「前記素体における前記２つの外部電極と前記内部電極とに重なる領域は，電圧非直線特性を発現」する「バリスタ」であるのに対して，引用発明は，複数の層が「負の抵抗温度特性を有するグリーンシート」であり，「前記サーミスタ素体２における前記第１，２の電極３，４と前記内部電極４７とに重なる領域は，負の抵抗温度特性を発現」する「サーミスタ素子４６」である点。
［相違点２］本願補正発明は，「前記２つの外部電極は，前記４つの外表面に露出していない」のに対して，引用発明は，「前記第１，２の電極３，４は，前記４つの外表面に露出している」点。
　
　そこで，上記相違点について検討する。
［相違点１について］
（ａ）サーミスタもバリスタも抵抗の一種であり，サーミスタの構造をバリスタにも適用できることは，以下の周知例１〜４にも示されるように周知技術である。
　周知例１：特開平１１−２８３８０４号公報（「【００４１】第１〜第６の実施例では，チップ型ＮＴＣ
サーミスタに応用した例を示したが，本発明は，
バリスタなどの他の抵抗器にも広く適用することができる
　周知例２：特開昭６４−６５８２５号公報（「
本発明は好適には積層コンデンサに関するが，これはＰＴＣ・サーミスタ又はバリスタにも使用することができる
　周知例３：特開平４−１７７７０３号公報（「なお，
上記実施例においては半導体素子が正特性を示すサーミスタ用半導体素子（いわゆるＰＴＣ素体）である場合について説明したが，この発明は半導体素子が負特性を有するサーミスタ用半導体素子などのいわゆるＮＴＣ素体である場合や，バリスタである場合などにも同様に適用することができる
　周知例４：特開平６−３１４６０２号公報（「【００１１】【実施例】図１は本発明に係るセラミック電子部品の正面断面図である。
セラミック電子部品には，ＮＴＣサーミスタ，ＰＴＣサーミスタ，コンデンサまたはバリスタ等が含まれる
（ｂ）そうすると，引用発明の構造をバリスタに適用し，本願補正発明のように，層を「バリスタ層」とし，「前記素体における前記２つの外部電極と前記内部電極とに重なる領域は，電圧非直線特性を発現」する「バリスタ」とすることは，当業者が適宜なし得たことである。
　
［相違点２について］
（ａ）刊行物１には，「【００８７】【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば，
サーミスタ素体の一面上において第１，第２の電極が対向配置されているので，本発明に係るサーミスタ素子は，第１，第２の電極が対向配置されている面側から，例えばプリント回路基板などに表面実装することができる
（ｂ）チップ部品において，フリップチップ実装の際に，はんだが端面からはみ出さないように，一対の電極を端面から離隔させることにより，実装密度の向上を図ることは，以下の周知例５〜９にも示されるように周知技術である。
　周知例５：特開２００３−７５０１号公報（図７及び「０００５】かかる構造を有するチップ型部品１の有利な点は，
一対の電極５，６がチップ型部品１の端面１ｂ，１ｃから距離α離隔しているため，はんだ１０，１１がチップ型部品１の端面１ｂ，１ｃから外側にはみ出さないことにある。したがって，チップ型部品１を密集配置する際に，その隣接間隔を極限まで狭めることができ，それだけ実装密度の向上を図ることができる
　周知例６：特開平８−３３５５２８号公報（図３及び「【０００２】【従来の技術】近年，
プリント基板上における実装密度を上げるため，ランド寸法を，取り付けられる電子部品の側面から極力はみ出さないようにすることが考えられている。このため，図３に示すように，電子部品の外部電極２０が部品素子１０の一側面に並んで形成されたものが案出されている
　周知例７：特開２００２−３１４０２９号公報（図３及び「【請求項４】  前記
半導体チップが前記部品実装面にフリップチップ実装されている
　周知例８：特開２０００−５８５８４号公報（図１及び「【００２１】また，
回路基板にＩＣチップをフリップチップ実装し
　周知例９：実願昭５７−７０３７５号（実開昭５８−１７３２３８号）のマイクロフィルム（第１図及び「
第１図はフェイスダウンボンディングの実施例を示すもので，フリップチップ１の表面をひっくり返して面（フェイス）を下に（タウン）付ける構成を為している
（ｃ）そして，引用発明においても，フリップチップ実装の実装密度の向上を図ることは当然に求められることであるから，引用発明において，上記周知技術の電極を採用して，本願補正発明のように，「前記２つの外部電極は，前記４つの外表面に露出していない」ようにすることは，当業者が適宜なし得たことである。
　
　したがって，本願補正発明は，刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　３　むすび
　以上のとおり，請求項１についての補正を含む本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
　平成２０年１月３１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，平成１９年８月６日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される，以下のとおりのものである。
「【請求項１】　素体と，
　前記素体の一の外表面に形成された２つの外部電極と，
　前記２つの外部電極に対向するように前記素体内に配された内部電極と，を備えており，
　前記２つの外部電極と前記内部電極とは，対向する方向から見て互いに重なり合う領域を有し，
　前記素体における前記２つの外部電極と前記内部電極とに重なる領域は，電圧非直線特性を発現し，
　前記素体における一方の前記外部電極と前記内部電極とに重なる領域と，前記素体における他方の前記外部電極と前記内部電極とに重なる領域とが，前記内部電極を通して直列接続されていることを特徴とするバリスタ。」
　
第４　刊行物に記載された発明
　刊行物１の記載事項及び刊行物１に記載された発明は，上記「第２　２（１）」で認定したとおりである。　
　
第５　本願発明と引用発明との対比・判断
　本願発明は，前記第２で検討した本願補正発明から「前記素体が，複数のバリスタ層が積層されることにより構成されると共に，前記複数のバリスタ層の積層方向に平行な４つの外表面を有し，前記内部電極が，前記複数のバリスタ層のうち一対のバリスタ層に挟まれるように配されており，前記一の外表面が，前記複数のバリスタ層の積層方向に垂直であり，前記内部電極は，前記４つの外表面に露出し，前記２つの外部電極は，前記４つの外表面に露出していない」との構成を省いたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，更に他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が，前記「第２　２（２）」で検討したとおり，刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由（ただし，相違点２を除く。）により，刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　むすび
　以上のとおり，本願発明は，刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。