【事件の表示】
　特願２００６−２４４９６８「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　３月　８日出願公開、特開２００７−　５９９２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯 
　本願は、平成１３年８月２１日に出願した特願２００１−２５０４８２号（以下「原出願」という。）の一部を平成１８年９月１１日に新たな特許出願としたものであって、平成２０年１１月２５日付けの拒絶理由通知に対して、平成２１年１月２６日付けで手続補正がされたが、同年２月２７日付けで拒絶査定され、これに対し、同年４月１日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
　
２．本願発明
　本願の請求項１〜５に係る発明は、平成２１年１月２６日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものであると認める。
　
「【請求項１】
　回路素子が形成された第１の主表面と、前記第１の主表面に実質的に対向する第２の主表面と、前記第１の主表面と前記第２の主表面との間の複数の側面とを有する半導体基板と、
　前記第１の主表面上部に形成された封止樹脂と、
　前記第１の主表面上部に形成され、前記回路素子と電気的に接続された複数の外部端子であって、前記封止樹脂の表面から露出する前記外部端子とを備えた半導体装置であって、
　前記第２の主表面は、前記複数の側面のうちの第１の側面から該第１の側面に対向する第２の側面へと至る所定領域であって、前記半導体基板の前記第２の主表面の中心よりも前記第１及び第２の側面に隣接した第３の側面側に位置する前記所定領域内に形成された第１の段差部を有し、
　前記第１の段差部は、該第１の段差部を除く前記第２の主表面の粗さよりも粗いことを特徴とする半導体装置。」
　
　
３．引用例
　これに対し、原査定の拒絶の理由で引用された、原出願の出願前に国内において頒布された刊行物である特開平１０−７９３６２号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図面とともに次の記載事項がある。
　
刊行物１：特開平１０−７９３６２号公報（拒絶理由通知の引用文献１） 
　
（ａ）「【０１０３】先ず、図９（Ａ）及び（Ｂ）を用いて、図１乃至図８に示す製造方法により製造される本発明の第１実施例となる半導体装置１０について説明する。半導体装置１０は、大略すると半導体素子１１，突起電極となるバンプ１２，及び樹脂層１３等によりなる極めて簡単な構成とされている。
【０１０４】半導体素子１１（半導体チップ）は、半導体基板に電子回路が形成されたものであり、その実装側の面には多数のバンプ１２が配設されている。バンプ１２は、・・・・外部接続電極として機能するものである。本実施例では、バンプ１２は半導体素子１１に形成されている電極パッド（図示せず）に直接配設された構成とされている。
【０１０５】また、樹脂層１３（梨地で示す）は、・・・・半導体素子１１のバンプ形成側面の全面にわたり形成されている。従って、半導体素子１１に配設されているバンプ１２は、この樹脂層１３により封止された状態となるが、バンプ１２の先端部は樹脂層１３から露出するよう構成されている。・・・・
【０１０６】上記構成とされた半導体装置１０は、その全体的な大きさが略半導体チップ１１の大きさと等しい、いわゆるチップサイズパッケージ構造となる。・・・・」　　　　　　　　　（【０１０３】〜【０１０６】）
　
（ｂ）「【０１１２】続いて、上記構成とされた半導体装置１０の製造方法（第１実施例に係る製造方法）について、図１乃至図８を用いて説明する。半導体装置１０は、大略すると半導体素子形成工程，バンプ形成工程，樹脂封止工程，突起電極露出工程，及び分離工程等を実施することにより形成される。・・・・」　　　　　　　　　　　（【０１１２】）
　
（ｃ）「【０１４５】図８は分離工程を示している。同図に示されるように、分離工程では基板１６を半導体素子１１毎にダイサー２９を用いて樹脂層１３と共に切断する。これにより、先に説明した図９に示される半導体装置１０が製造される。・・・・」　　　（【０１４５】） 
　
（ｄ）「【０３１７】続いて、本発明の第２３実施例について説明する。図４５及び図４６は、第２３実施例に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。・・・・
　・・・・
【０３１９】この位置決め溝１２０を形成するには、例えば図４５に示されるように、ダイサー２９を用いて樹脂層１３にハーフスクライブを行なうことにより形成することができる。このように、ハーフスクライブを行なうことにより位置決め溝１２０を形成することにより、分離工程で一般的に使用するスクライビィング技術を用いて位置決め溝１２０を形成できる・・・・。」　　　　　　　　　　　　　　　（【０３１７】〜【０３１９】）
　
（ｅ）「【０３２０】続いて、本発明の第２４実施例について説明する。図４７は、第２４実施例に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。尚、図４７において、図１乃至図９を用いて説明した第１実施例と同一構成については同一符号を附してその説明を省略するものとする。
【０３２１】本実施例に係る製造方法では、少なくとも樹脂封止工程の実施後で、かつ分離工程を実施する前に、図４７に示されるように、基板１６の背面に位置決め溝１２１を形成することを特徴とするものである。尚、図４７（Ｂ）は図４７（Ａ）の部分拡大図である。
【０３２２】このように、基板１６の背面に位置決め溝１２１を形成することにより、第２３実施例と同様に位置決め溝１２１を基準として半導体装置の位置決めを行なうことができる。・・・・
【０３２３】しかるに、本実施例のように基板１６の背面に位置決め溝１２１を形成しておくことにより、半導体装置の実装時においても位置決め溝１２１を認識することができ、精度の高い実装処理を行なうことが可能となる。尚、位置決め溝１２１の形成は、第２３実施例と同様にダイサー２９を用いて基板１６の背面にハーフスクライブを行なうことにより形成することができる。」　　　　　　　　　　　（【０３２０】〜【０３２３】） 
　
（ｆ）「【０３５０】本実施例に係る半導体装置１０Ｊは、大略すると基板１６（半導体素子），樹脂層１３，及び外部接続電極１４０等により構成されている。基板１６は半導体素子として機能するものであり、その表面には電子回路と共に外部端子と電気的に接続される外部接続電極１４０が形成されている。また、樹脂層１３は基板１６の表面を覆うように形成されており、よって外部接続電極１４０も樹脂層１３に封止された構成となっている。」　　　　　　　　　　　　　　　　　（【０３５０】） 
　
（ｇ）「本発明の第１実施例である半導体装置を説明するための図である」図９には、「半導体素子１１の樹脂層側の面と前記樹脂層側の面に対向する背面との間に複数の側面を有する」様子が示されている。
　
（ｈ）「位置決め溝が形成された半導体装置を示す斜視図である」図４６には、「樹脂層１３に位置決め溝１２０が、一側面から該一側面に対向する他の側面へと至る所定領域に形成された」様子が示されている。
　
（ｉ）「本発明の第２４実施例である半導体装置の製造方法を説明するための図である」図４７には、「基板１６において樹脂層１３が設けられた面に対向する背面に位置決め溝１２１が形成された」様子が示されている。
　 
　 
（ア）前記記載事項（ｆ）における「基板１６は半導体素子として機能するものであり、その表面には電子回路・・・・が形成されている。」との記載から、半導体素子の表面には電子回路が形成され、また、同記載事項（ｆ）における「樹脂層１３は基板１６の表面を覆うように形成されており」との記載から、電子回路が形成された半導体素子の表面は樹脂層で覆われていることは明らかである。
　
（イ）前記記載事項（ａ）「・・・・バンプ１２は、・・・・外部接続電極として機能するものである。本実施例では、バンプ１２は半導体素子１１に形成されている電極パッド（図示せず）に直接配設された構成とされている。」との記載から、バンプは電子回路と電気的に接続されているといえる。
　
（ウ）前記記載事項（ｄ）及び（ｇ）から、第２３実施例において、ダイサーを用いてハーフスクライビングを行うことにより形成される位置決め溝は、樹脂層に一側面から該一側面に対向する他の側面へと至る所定領域に形成されているといえ、前記記載事項（ｅ）の「位置決め溝１２１の形成は、第２３実施例と同様にダイサー２９を用いて基板１６の背面にハーフスクライブを行なうことにより形成することができる。」との記載に基づけば、基板１６の背面に形成された「位置決め溝１２１」は、「一側面から該一側面に対向する他の側面へと至る所定領域に形成されている」と見るのが自然である。
　
　そこで、前記（ア）〜（ウ）の検討を踏まえて、前記記載事項（ａ）〜（ｉ）を整理すると、刊行物１には、次の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（刊行物１発明） 
「電子回路が形成された表面と、前記表面に実質的に対向する背面と、前記表面と前記背面との間の複数の側面とを有する半導体素子と、
　前記表面上部に形成された樹脂層と、
　前記表面上部に形成され、前記電子回路と電気的に接続された複数の外部接続電極として機能するバンプであって、前記樹脂層の表面から露出する前記外部接続電極として機能するバンプとを備えた半導体装置であって、
　前記背面は、前記複数の側面のうちの一側面から該一側面に対向する他の側面へと至る所定領域に形成された位置決め溝を有する半導体装置。」
　
　
４．対比・判断
　本願発明と刊行物１発明を対比すると、
　刊行物１発明における「電子回路」、「表面」、「背面」、「半導体素子」、「樹脂層」、「外部接続電極として機能するバンプ」、「一側面」、「他の側面」及び「位置決め溝」は、本願発明における「回路素子」、「第１の主表面」、「第２の主表面」、「半導体基板」、「封止樹脂」、「外部端子」、「第１の側面」、「第２の側面」及び「第１の段差部」にそれぞれ相当する。
　
　したがって、両者は、「回路素子が形成された第１の主表面と、前記第１の主表面に実質的に対向する第２の主表面と、前記第１の主表面と前記第２の主表面との間の複数の側面とを有する半導体基板と、
　前記第１の主表面上部に形成された封止樹脂と、
　前記第１の主表面上部に形成され、前記回路素子と電気的に接続された複数の外部端子であって、前記封止樹脂の表面から露出する前記外部端子とを備えた半導体装置であって、
　前記第２の主表面は、前記複数の側面のうちの第１の側面から該第１の側面に対向する第２の側面へと至る所定領域に形成された第１の段差部を有する半導体装置。」である点で一致し、次の点で相違する。 
　
（相違点１）
　第１の段差部について、本願発明では「半導体基板の第２の主表面の中心よりも第１及び第２の側面に隣接した第３の側面側に位置する所定領域内に形成された」ものであるのに対し、刊行物１発明では、背面における位置決め溝の形成される位置は記載されていない点。
　
（相違点２）
　本願発明では「第１の段差部は、該第１の段差部を除く第２の主表面の粗さよりも粗い」のに対し、刊行物１発明では、背面における粗さに関する事項は記載されていない点。
　
　これら相違点について検討する。
（相違点１について）
　半導体装置において、位置決めのために、中心よりも側面に隣接した位置に該側面と平行する溝を設けることは、下記周知文献１及び２に記載されたように従来から周知の事項であり、刊行物１発明における「位置決め溝」を、中心よりも第１及び第２の側面に隣接した第３の側面側に位置する所定領域内に形成することは、当業者において容易に想到し得ることである。
　
周知文献１：実願平１−９５４２２号（実開平３−３４２４３号）のマイクロフィルム
（周１）「半導体パッケージの裏面における中心線よりも一辺側に偏った位置に、この一辺と平行状に凹設された通し溝を形成したので、半導体パッケージの平面視形状が等方形となっていても、この通し溝によって前後及び左右の方向性をもたせることができる。」（第７頁第３行〜第８行）
　
周知文献２：実願昭５７−８３６５０号（実開昭５８−１８７１４６号）のマイクロフィルム
（周２）「本考案装置における外囲体樹脂６の直線状溝８の形状は、第３図のように・・・・。なお、この直線状溝８は、整列用の位置規制と外部リードの極性とを同時に判断するものであるから、外囲体上面の中央より一端部側に偏って配置されることが適切である。」（第４頁第２行〜第１９行）
　
　
（相違点２について）
　アライメントマークの認識を容易に行うために、アライメントマークの表面を粗面化することは、下記周知文献３及び４に記載されたように従来から周知の事項である。
　また、刊行物１発明において、位置決め溝は、前記記載事項（ｃ）に「分離工程では基板１６を半導体素子１１毎にダイサー２９を用いて樹脂層１３と共に切断する。」及び前記記載事項（ｅ）に「位置決め溝１２１の形成は、第２３実施例と同様にダイサー２９を用いて基板１６の背面にハーフスクライブを行なうことにより形成する」と記載されているように、半導体装置の製造における分離工程で使用するダイサー２９により、半導体素子の背面の位置決め溝を形成している。
　そして、半導体装置の製造における分離工程で使用するダイサー２９により、半導体素子の背面の位置決め溝を形成している事項、及び、前述したアライメントマークの表面を粗面化するという周知事項を考慮すれば、刊行物１発明における「位置決め溝」は、該位置決め溝を除く背面の粗さよりも粗いものと解される。
　よって、相違点２は、実質的に相違するものではない。
　
周知文献３：特開２０００−２４３７２７号公報
（周３）「半導体ウェハ１０の裏面のアライメントマーク１１，１２を認識してダイシング位置を特定する。このとき、アライメントマーク１１，１２の上面は粗面状に形成されるとともに、アライメントマーク１１，１２以外の部分は鏡面状に形成されているので、アライメントマーク１１，１２を容易に認識することができるため、ダイシング位置を容易に特定できる。」 　　　　　　　　　　　　　　　　　（【００１８】）
　
周知文献４：特開平３−２６８３１６号公報
（周４）「露光工程におけるフォトマスクとウェハのアライメントの際に、　ウェハ上に形成されたアライメントマークの表面に粗面化処理を施した後にアライメントを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。」　　　　　　　　　　　　　　　（第１頁左欄第５行〜第９行）
　
　
　すなわち、相違点１及び２に係る事項を、本願発明の発明特定事項として採用することは、刊行物１発明及び従来から周知の事項に基いて容易に想到し得たものであり、その作用効果も当業者が予測するものにすぎない。
　
　
５．むすび  
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明及び従来から周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は特許を受けることができないものであり、他の請求項２〜５に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。