【事件の表示】
　特願２００４−３６２４８０「マイクロ構造体の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　６月２９日出願公開、特開２００６−１６７８４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯および本願発明
　本願は、平成１６年１２月１５日の出願であって、その請求項１ないし８に係る発明は、当審に提出された平成２２年８月２３日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲および明細書、ならびに願書に添付された図面の記載からみて、本願の特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。
　そして、その請求項１に記載された発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「　第１のシリコン層（１１）と第２のシリコン層（１２）とが犠牲層としての埋め込み酸化膜（１３）を介して積層されたシリコン基板（１０）に対して、前記第２のシリコン層（１２）の表面から前記埋め込み酸化膜（１３）まで到達するとともに前記シリコン基板（１０）の板面に水平な方向に延びる溝（１５）をエッチングにより形成した後、前記埋め込み酸化膜（１３）をドライエッチングすることにより、前記溝（１５）により区画された可動電極（１６）と、前記可動電極（１６）と前記溝（１５）を介して対向する固定電極（１７）とで構成された構造体（１６、１７）を形成する製造方法であって、前記埋め込み酸化膜（１３）がエッチングガスと反応することによりＨ２Ｏを含む反応生成物が生成されるマイクロ構造体の製造方法において、
　前記埋め込み酸化膜（１３）をエッチングする工程では、前記埋め込み酸化膜（１３）をエッチングするステップと、前記埋め込み酸化膜（１３）のエッチングにより生成された前記反応生成物としてのＨ２Ｏを除去するステップとを、繰り返し行うものであり、
　前記埋め込み酸化膜（１３）と反応する前記エッチングガスは、無水ＨＦガスとメタノールガスとの混合ガスであり、
　前記反応生成物としてのＨ２Ｏを除去するステップは、前記シリコン基板（１０）に対して乾燥した不活性ガスを用いたパージを行うものであり、
　前記パージに用いられる前記不活性ガスを、前記シリコン基板（１０）に対して、前記エッチングガスと同じ位置から前記溝（１５）の当該延びる方向に沿って導入することを特徴とするマイクロ構造体の製造方法。」
　
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、当審での平成２２年６月２５日付けの拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特表２００２−５０４０２６号公報（以下「引用例１」という。）、特開平１０−１０７３３９号公報（以下、「引用例２」という。）、特開平８−３１９２００号公報（以下、「引用例３」という。）、および特開平８−３０６６７４号公報（以下、「引用例４」という。）には、以下の発明、あるいは事項が記載されている。
　
２−１．引用例１の記載事項および引用発明
（ア）第５頁第７〜１２行
「  図１から４は，マイクロメカニックデバイスの製造を横断面図に基づいて説明するものである。図１は，その上にシリコン酸化物からなる犠牲層２が形成されるプレート形状のシリコン基板を示す。シリコン酸化物からなる犠牲層２上には，新たなシリコン層３が形成される。図１に示すように，エッチング工程により上部のシリコン層３に可動素子４を形成し，この可動素子はまだ犠牲層２上に固定されている。」
　
（イ）第５頁第１８〜１９行
「図１においては，かかる可動素子を概略的にのみ示す。これは，例えば・・・・・で周知である加速度センサが挙げられる。」
　
（ウ）第５頁第２６〜２８行
「好ましい実施形態は，シリコン基板１，シリコン酸化物からなる犠牲層２及び可動素子４となる上部シリコン層３により構成されるのが良い。」
　
（エ）第６頁第１９〜２１行
「  図２に，可動素子４の下部の犠牲層２を除去する他の製造工程を示す。犠牲層２の除去は，例えば・・・・・フッ化水素蒸気によるエッチング工程で行われる。」
　
（オ）図１〜２には、「可動素子４」として示されている部分に、凹状の空間が存在するように図示されている。
　
　以上の（ア）、（ウ）〜（オ）の記載事項から、引用例１には、「シリコン基板（１）と上部シリコン層（３）とがシリコン酸化物からなる犠牲層（２）を介して積層されたシリコン基板（１〜３）に対して、前記上部シリコン層（３）の表面から前記犠牲層（２）まで到達するとともに前記シリコン基板（１〜３）の板面に凹状の空間をエッチングにより形成した後、前記犠牲層（２）をフッ化水素蒸気によってエッチングすることにより、前記凹状の空間により区画された可動素子（４）で構成された構造体を形成する製造方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認める。
　
２−２．引用例２の記載事項
（カ）【００１１】〜【００１４】段落
「【００１１】犠牲層である酸化膜蒸気相エッチングにおいて、酸化膜エッチング反応段階は、次のような化１および化２の段階によりなされる。
【００１２】
【化１】
　化１
　２ＨＦ　＋　Ｍ　←→　ＭＦ２−　＋　ＭＨ＋　（Ｍ＝ＣＨ３ＯＨ　ｏｒ　Ｈ２Ｏ）
【００１３】
【化２】
　化２
　ＳｉＯ２　＋　２ＨＦ２−　＋　２ＭＨ＋　←→　ＳｉＦ４　＋　２Ｈ２Ｏ　＋　２Ｍ
【００１４】まず、酸化膜（ＳｉＯ２ ）の表面において、メタノールは触媒であって、ＨＦ分子イオン化を発生させ、発生されたＨＦ２−イオンは酸化膜と反応してより多くのＨ２　Ｏを発生することになる。ＨＦ２−イオン増加により発生されたＨ２　Ｏは、ＨＦ分子のイオン化反応を増加させ、このような反応が繰り返して酸化膜エッチングがなされる。」
　
２−３．引用例３の記載事項
（キ）【００１０】段落
「本発明は一つの面において、・・・・・基板から多孔性ケイ素酸化物層を選択的に除去する方法であって、・・・・・以下の工程：・・・・・ガス状環境に無水フッ化水素ガスを添加し、前記フッ化水素および多孔性酸化物のエッチングにより生成した水蒸気を除去するのに十分な時間、ガス状環境に無水不活性ガスをフラッシュ（流出）し、そして前記多孔性酸化物層が除去されるまで、前記添加およびフラッシュ工程を繰り返す、からなる前記方法である。」
　
（ク）【００１２】〜【００１３】段落
「【００１２】
【発明の実施の形態】米国特許第４７４９４４０号は下記のような二酸化ケイ素の気相エッチングを記載している：
【化１】
　　　　　　　　　　　水蒸気
　４ＨＦ　＋　ＳｉＯ２　　→　　ＳｉＦ４（蒸気）＋　２Ｈ２Ｏ（蒸気）
【００１３】上記特許公報は水蒸気が触媒として作用することを指摘し、そして上記式はエッチングされた二酸化ケイ素の各分子に対し、２分子の水蒸気が生成されることを示す。それ故に、反応は自己促進される。・・・・・」
　
２−４．引用例４の記載事項
（ケ）【０００９】段落
「【０００９】加工すべきプローブからのＳｉＯ２層の剥離は本発明では何回も繰返される短時間のエッチング工程により行われる。まずエッチングに必要な水蒸気及び気体のフッ化水素を容器２内に入れる。・・・・・次いでＳｉＯ２に対するエッチング作用が行われる。エッチング工程の進行中に前記の反応方程式に相応して更に水蒸気が生じる。・・・・・可能なエッチング率の範囲内でエッチング時間は、水滴がエッチングされた表面に生じないように長くなり過ぎないように選択すべきである。水蒸気の臨界濃度、例えば容器内にあるガスが水蒸気で飽和状態に達する前に（その際水の凝縮が生じる恐れがある）エッチング工程を中断し、容器２内に存在するガスをガス排出口４を介して排出させる。これは例えば窒素のような不活性ガスをガス取入れ口３を介して容器２内に導入するようにして行われ、このようにして余分のガスは容器２から排除される。水蒸気を全て容器から除去してしまうか又は容器内にあるガス中の水蒸気の濃度を少なくとも十分に低下させてから、フッ化水素及び場合によっては水蒸気をガス取入れ口３を介して容器内に導入することによって新たなエッチング工程が開始される。エッチングプロセスのこれらの個々の工程を繰り返すことによってエッチングが予定の程度に行われる。・・・・・」
　
（コ）図１には、「ＨＦ」と示されたガスと、「Ｎ２」と示されたガスとが、「ガス取入れ口３」と示された同じ位置から「容器２」に導入されることの図示がある。
　
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「シリコン基板（１）」や「上部シリコン層（３）」が本願発明の「シリコン層」に相当することは明らかであるし、「シリコン酸化物からなる犠牲層（２）」は、酸化物であるうえに、その層の厚みは「シリコン基板（１）」や「上部シリコン層（３）」に比べて薄いから、本願発明の「犠牲層としての埋め込み酸化膜」に相当する。
　そして、引用発明の「フッ化水素蒸気によってエッチングすること」とは、気相でのエッチングを意味するから、本願発明のドライエッチングに相当する。
　また、引用発明の「凹状の空間」は、水平な方向に延びているかどうか明らかではないが、凹状の空間が形成されているという点で、本願発明の溝と共通するし、引用発明の「可動素子」は、シリコンで構成され、可動な素子であるという点で、本願発明の「可動電極」と共通する。
　以上から、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致および相違する。
　
＜一致点＞
「　第１のシリコン層と第２のシリコン層とが犠牲層としての埋め込み酸化膜を介して積層されたシリコン基板に対して、前記第２のシリコン層の表面から前記埋め込み酸化膜まで到達するとともに前記シリコン基板の板面に凹状の空間をエッチングにより形成した後、前記埋め込み酸化膜をドライエッチングすることにより、前記凹状の空間により区画された可動な素子で構成された構造体を形成する製造方法。」
　
＜相違点１＞
　本願発明で製造される構造体が、水平な方向に延びている溝により区画された可動電極と、前記可動電極と前記溝を介して対向する固定電極を有するマイクロ構造体であるのに対して、引用発明で製造される構造体は、凹状の空間や可動な素子を有しているものの、当該凹状の空間が水平な方向に延びているかどうか、明らかでなく、可動な素子が電極であるかどうか、明らかでなく、固定電極を有するかどうかも、明らかでない点。
　
＜相違点２＞
　埋め込み酸化膜と反応するエッチングガスについて、本願発明のエッチングガスは、無水ＨＦガスとメタノールガスとの混合ガスであり、埋め込み酸化膜がエッチングガスと反応することによりＨ２Ｏを含む反応生成物が生成されるのに対して、引用発明の製造方法で用いられるエッチングガスは、フッ化水素蒸気であって、反応生成物の有無について、明らかでない点。
　
＜相違点３＞
　埋め込み酸化膜をエッチングする工程について、本願発明は、埋め込み酸化膜をエッチングするステップと、前記埋め込み酸化膜のエッチングにより生成された反応生成物としてのＨ２Ｏを除去するステップとを、繰り返し行うものであり、前記反応生成物としてのＨ２Ｏを除去するステップは、シリコン基板に対して乾燥した不活性ガスを用いたパージを行うものであり、前記パージに用いられる前記不活性ガスを、前記シリコン基板に対して、前記エッチングガスと同じ位置から溝の延びる方向に沿って導入するのに対して、引用発明は、そのような工程について、明らかでない点。
　
４．当審の判断
　上記の各相違点について検討する。
　
４．１　＜相違点１＞について
　引用例１における上記の（イ）の記載を参照すると、引用発明の構造体について、周知の加速度センサが例示されており、図１での「可動素子」の図示は、概略的に示されたものであることが理解できる。
　そして、そのような加速度センサの構造体において、水平な方向に延びている溝により区画された可動電極と、前記可動電極と前記溝を介して対向する固定電極を有するマイクロ構造体は、例えば特開２００４−１３６３９６号公報の図１〜２，４に示すように周知の技術的事項である。
　引用例１には、構造体の例示として周知の加速度センサが明記されているから、概略的に示された「可動素子」等の構造体の具体的構成が、水平な方向に延びている溝により区画された可動電極と、前記可動電極と前記溝を介して対向する固定電極を有するマイクロ構造体として構成されていることは、当業者にとって自明といえる事項である。
　
４．２　＜相違点２＞について
　本願発明でエッチングしている酸化膜の具体的な材質は、【０００５】段落を参照すると、ＳｉＯ２が示されており、引用発明の「シリコン酸化物」と同じ材質といえる。
　そして、そのようなＳｉＯ２をエッチングするガスとして、無水ＨＦガスとメタノールガスとの混合ガスが存在し、そのガスとの反応により、Ｈ２Ｏを含む反応生成物が生成されることは、上記の（カ）に示すように公知であるから、引用発明の酸化膜をエッチングするガスとして、公知の無水ＨＦガスとメタノールガスとの混合ガスを採用することは、当業者にとって格別困難な事項ではないし、そのガスを採用することによって、Ｈ２Ｏを含む反応生成物が生成されることは、当然である。
　
４．３　＜相違点３＞について
　引用発明の「シリコン酸化物」がＳｉＯ２を意味することは明らかであるし、ＳｉＯ２をフッ化水素でエッチングすると、Ｈ２Ｏを含む反応生成物が生成されることは、上記の（キ）〜（ケ）に示すように周知の技術的事項であるから、引用発明は、エッチングによりＨ２Ｏを含む反応生成物が生成されることについての課題を内在しているといえる。
　そして、そのようなＨ２Ｏを含む反応生成物を除去することは、上記の（キ）〜（ケ）に示すように周知の技術的事項であるし、そのための具体的手段として、不活性ガスを用いたパージを行うことや、エッチングのステップと、パージのステップとを繰り返し行うことも、上記の（キ）〜（ケ）に示すように周知の技術的事項である。
　また、パージに用いられる不活性ガスを、エッチングガスと同じ位置から導入させることは、上記の（コ）に示すように周知の技術的事項である。
　さらに、溝状の部分を有する物体を清浄するにあたり、溝に沿って清浄材料が搬送される場合には、効果的に洗浄を行うことができることは、日常生活を通じて経験的に知得できる技術的事項であるし、例えば、特開平６−３１０４８３号公報の【００１３】段落および図１３に示すように周知の技術的事項である。
　以上を考慮すると、エッチングによりＨ２Ｏを含む反応生成物が生成されることについての課題を内在している引用発明に対して、そのＨ２Ｏを除去するための具体的手段として、埋め込み酸化膜をエッチングするステップと、前記埋め込み酸化膜のエッチングにより生成された反応生成物としてのＨ２Ｏを除去するステップとを、繰り返し行うものであり、前記反応生成物としてのＨ２Ｏを除去するステップは、シリコン基板に対して乾燥した不活性ガスを用いたパージを行うものであり、前記パージに用いられる前記不活性ガスを、前記シリコン基板に対して、前記エッチングガスと同じ位置から溝の延びる方向に沿って導入する手段を採用したことは、上記の各周知の技術的事項を適用して、当業者が容易に想到できた事項である。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、上記の引用発明ならびに従来周知の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、本願の請求項２ないし８に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。