Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月8日(2011.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抗ＣＤ７９ｂ抗体であって：
（ａ）以下：
（ｉ）ＫＳＳＱＳＬＬＤＳＤＧＫＴＹＬＮ（配列番号５９）である配列Ａ１〜Ａ１６を含んでいる、ＨＶＲ−Ｌ１と、
（ｉｉ）ＬＶＳＫＬＤＳ（配列番号６０）である配列Ｂ１〜Ｂ７を含んでいる、ＨＶＲ−Ｌ２と、
（ｉｉｉ）ＷＱＧＴＨＦＰＹＴ（配列番号６１）である配列Ｃ１〜Ｃ９を含んでいる、ＨＶＲ−Ｌ３と、
（ｉｖ）ＧＹＴＦＴＳＹＷＭＮ（配列番号６２）である配列Ｄ１〜Ｄ１０を含んでいる、ＨＶＲ−Ｈ１と、
（ｖ）ＧＭＩＤＰＳＤＳＥＴＨＹＮＨＩＦＫＤ（配列番号６３）である配列Ｅ１〜Ｅ１８を含んでいる、ＨＶＲ−Ｈ２と、
（ｖｉ）ＡＲＮＬＹＬ（配列番号６４）である配列Ｆ１〜Ｆ６を含んでいる、ＨＶＲ−Ｈ３、
からなる群より選択される少なくとも１つのＨＶＲ配列；および、
（ｂ）配列番号５９、６０、６１、６２、６３または６４に示される配列のうちの少なくとも１つの残基の改変を含んでいる、少なくとも１つの改変体ＨＶＲ、
を含む、抗ＣＤ７９ｂ抗体。
【請求項２】
２００６年７月１１日にＰＴＡ−７７１２としてＡＴＣＣに寄託されたハイブリドーマ細胞株によって産生される、抗体。
【請求項３】
ヒトＣＤ７９ｂに対する前記抗体のその二価型での親和性が、２．０ｎＭである、請求項１に記載の抗体。
【請求項４】
ヒトＣＤ７９ｂに対する前記抗体のその二価型での親和性が、２．０ｎＭ＋／−０．５３である、請求項１に記載の抗体。
【請求項５】
細胞毒性剤にコンジュゲートされたとき、腫瘍細胞増殖を阻害する、ヒト化抗ＣＤ７９ｂ  ２Ｆ２抗体。
【請求項６】
図１３に示されるＨＶＲ１−ＨＣ、ＨＶＲ２−ＨＣおよび／またはＨＶＲ３−ＨＣ配列（配列番号３１〜３３）を含んでいる重鎖可変ドメインを含む、抗体。
【請求項７】
図１３に示されるＨＶＲ１−ＬＣ、ＨＶＲ２−ＬＣおよび／またはＨＶＲ３−ＬＣ配列（配列番号２３〜２５）を含んでいる軽鎖可変ドメインを含む、抗体。
【請求項８】
配列番号１６のアミノ酸配列に対して少なくとも９０％のアミノ酸配列同一性を有している重鎖可変ドメインと、配列番号１２のアミノ酸配列に対して少なくとも９０％のアミノ酸配列同一性を有している軽鎖可変ドメインとを含む、ＣＤ７９ｂに結合する抗体。
【請求項９】
配列番号１４から選択されるアミノ酸配列に対して少なくとも９０％の配列同一性を有している重鎖可変ドメインと配列番号１０から選択されるアミノ酸配列に対して少なくとも９０％の配列同一性を有している軽鎖可変ドメインとを含む、ＣＤ７９ｂに結合する抗体。
【請求項１０】
請求項１、８または９に記載の抗体をコードするポリヌクレオチド。
【請求項１１】
抗ＣＤ７９ｂ抗体を作製する方法であって、該方法は、（ａ）請求項１、８、または９のいずれかに記載の抗体をコードするポリヌクレオチドの発現に適切な条件下で、真核生物細胞およびＣＨＯ細胞を含んでいる群から選択される宿主細胞を培養する工程と、（ｂ）該抗体を単離する工程とを包含する、方法。
【請求項１２】
細胞毒性剤に共有結合した請求項１、５、８、または９に記載の抗体を含んでいる、イムノコンジュゲート。
【請求項１３】
ＣＤ７９ｂを発現する細胞の増殖を阻害するための組成物であって、該組成物は、請求項１、８、９、または１２のいずれかに記載の抗体を含む、組成物。
【請求項１４】
請求項１、８、９、および１２のいずれかに記載の抗体の有効量を含む、ガンを有する被験体を処置するための組成物。
【請求項１５】
請求項１、８、９、および１２のいずれかに記載の抗体の有効量を含む、被験体の増殖性障害を処置するための組成物。
【請求項１６】
細胞の増殖を阻害するための組成物であって、該細胞の増殖がＣＤ７９ｂの増殖増強効果に少なくとも一部は依存しており、該組成物は、請求項１、８、９、および１２のいずれかに記載の抗体の有効量を含む、組成物。
【請求項１７】
請求項１２に記載のイムノコンジュゲートを含む、Ｂ細胞増殖を阻害するための組成物。
【請求項１８】
ＣＤ７９ｂを含有すると疑われるサンプル中のＣＤ７９ｂの存在を決定する方法であって、該方法は、該サンプルを請求項１、８、および９のいずれかに記載の抗体に対して曝露する工程と、該サンプル中でＣＤ７９ｂへの該抗体の結合を決定する工程とを包含し、該サンプル中でのＣＤ７９ｂへの該抗体の結合が該サンプル中での該タンパク質の存在の指標である、方法。
【請求項１９】
１つ以上の遊離のシステインアミノ酸を含んでいるシステイン操作された抗体であり、該システイン操作された抗体は、親抗体の１つ以上のアミノ酸残基を遊離のシステインアミノ酸で置き換える工程を包含するプロセスによって調製され、該親抗体は、請求項１、８、および９のいずれか一項に記載の抗体である、抗体。
【請求項２０】
Ｋａｂａｔナンバリング・コンベンションに従う軽鎖の１５、４３、１１０、１４４、１６８および２０５、ならびにＥＵナンバリング・コンベンションに従う重鎖の４１、８８、１１５、１１８、１２０、１７１、１７２、２８２、３７５、および４００から選択される１つ以上の位置で１つ以上の遊離のシステインアミノ酸を含む、システイン操作された抗体であり、該親抗体は、請求項１、８、および９のいずれか一項に記載の抗体である、抗体。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月2日(2011.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
1x10−７M以下のKＤにてヒトGlypican-3に結合する、単離されたヒトモノクローナル抗体、またはその抗原結合部分。
【請求項２】
5x10−９M以下のKＤにてヒトGlypican-3に結合する、請求項1記載の抗体、またはその抗原結合部分。
【請求項３】
ヒトGlypican-3が配列番号 36[ジーンバンク・アクセッション番号NM_004484]として示されるアミノ酸配列を有するポリペプチドを含む、請求項1または2記載の抗体、またはその抗原結合部分。
【請求項４】
a)配列番号 1を含む重鎖可変領域CDR1;
b)配列番号 4を含む重鎖可変領域CDR2;
c)配列番号 7を含む重鎖可変領域CDR3;
d)配列番号 10を含む軽鎖可変領域CDR1;
e)配列番号 13を含む軽鎖可変領域CDR2；および
f)配列番号 16を含む軽鎖可変領域CDR3を含む抗体、
a)配列番号 2を含む重鎖可変領域CDR1;
b)配列番号 5を含む重鎖可変領域CDR2;
c)配列番号 8を含む重鎖可変領域CDR3;
d)配列番号 11を含む軽鎖可変領域CDR1;
e)配列番号 14を含む軽鎖可変領域CDR2；および
f)配列番号 17を含む軽鎖可変領域CDR3を含む抗体、ならびに
a)配列番号 3を含む重鎖可変領域CDR1;
b)配列番号 6を含む重鎖可変領域CDR2;
c)配列番号 9を含む重鎖可変領域CDR3;
d)配列番号 12を含む軽鎖可変領域CDR1;
e)配列番号 15を含む軽鎖可変領域CDR2；および
f)配列番号 18を含む軽鎖可変領域CDR3を含む抗体、
からなる群から選択される、請求項1から3のいずれか記載の抗体、またはその抗原結合部分。
【請求項５】
a)配列番号 19のアミノ酸配列を含む重鎖可変領域および／または配列番号 22のアミノ酸配列を含む軽鎖可変領域を含む抗体またはその抗原結合部分；
b)配列番号 20のアミノ酸配列を含む重鎖可変領域および／または配列番号 23のアミノ酸配列を含む軽鎖可変領域を含む抗体またはその抗原結合部分；ならびに
c)配列番号 21のアミノ酸配列を含む重鎖可変領域および／または配列番号 24のアミノ酸配列を含む軽鎖可変領域を含む抗体またはその抗原結合部分；
からなる群から選択される単離されたモノクローナル抗体またはその抗原結合部分であって、ヒトGlypican-3に結合する抗体またはその抗原結合部分。
【請求項６】
Glypican-3への結合について、請求項4記載の抗体と競合する、単離されたモノクローナル抗体、またはその抗原結合部分。
【請求項７】
ヒト抗体、キメラ抗体およびヒト化抗体からなる群から選択される、請求項4から6のいずれか記載の抗体、またはその抗原結合部分。
【請求項８】
治療剤と結合された、請求項1から7のいずれか記載の抗体、またはその抗原結合部分を含む免疫複合体。
【請求項９】
請求項1、4または5記載の抗体またはその抗原結合部分、または請求項8記載の免疫複合体および医薬上許容される担体を含む、組成物。
【請求項１０】
配列番号 25、26、27、28、29、および30からなる群から選択される、単離された核酸分子。
【請求項１１】
請求項10記載の核酸分子を含む、発現ベクター。
【請求項１２】
請求項11記載の発現ベクターを含む、宿主細胞。
【請求項１３】
請求項1、4または5記載の抗体またはその抗原結合部分を含む、Glypican-3を発現する腫瘍細胞の増殖を阻害するための医薬組成物。
【請求項１４】
腫瘍細胞が肝臓組織である、請求項13記載の医薬組成物。
【請求項１５】
抗体、またはその抗原結合部分が免疫複合体である、請求項13または14記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月17日(2011.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両であって、
受信機の場所を特定するように構成された衛星測位受信機と、
前記車両の固有の形状に関係する車両特有のパラメータを記憶するメモリと、
前記メモリと別個であり、前記車両から取り外し可能なコントローラであって、該コントローラは、
前記衛星測位受信機から位置情報を受信し、
前記メモリから車両特有のパラメータを受信し、
前記位置情報および前記車両特有のパラメータに少なくとも部分的に基づいて車両ガイダンス信号を生成し、
前記車両ガイダンス信号を、前記車両の１つまたは複数の構成要素に送信する
ように適応されたコントローラと
を備える車両。
【請求項２】
前記衛星測位受信機から位置情報を、および前記メモリから車両特有のパラメータを前記コントローラに送信するように適応された通信バス
を備える、請求項１に記載の車両。
【請求項３】
前記衛星測位受信機から位置情報を、および前記メモリから車両特有のパラメータを前記コントローラに送信するように適応された無線通信装置
をさらに備える、請求項１に記載の車両。
【請求項４】
前記コントローラから車両ガイダンス信号を受信し、前記車両ガイダンス信号に基づいて前記車両の操舵を実行するように適応された構成要素
をさらに備える、請求項１に記載の車両。
【請求項５】
入力を受信して前記入力を前記コントローラに送信するように適応されたユーザインターフェース
をさらに備える、請求項１に記載の車両。
【請求項６】
前記入力は、前記車両のための予め決められたルートの選択である、請求項５に記載の車両。
【請求項７】
車両常駐制御システムであって、
車両の制御を支援するように適応された装置であって、前記車両から取り外し可能な装置と、
前記車両の固有の形状に関係する車両特有のパラメータを記憶するメモリであって、前記装置から別個であるメモリと
を備え、
前記装置はさらに、
前記メモリから車両特有のパラメータを受信し、
前記車両特有のパラメータと、衛星測位受信機から受信した位置情報に基づいて車両ガイダンス信号を生成する
ように適応された、車両常駐制御システム。
【請求項８】
前記メモリはバルブ・コントローラである、請求項７に記載の車両常駐制御システム。
【請求項９】
前記メモリは表示装置である、請求項７に記載の車両常駐制御システム。
【請求項１０】
前記メモリは補助コントローラである、請求項７に記載の車両常駐制御システム。
【請求項１１】
前記車両常駐制御構成要素は前記車両を制御するようにさらに適応された、請求項７に記載の車両制御システム。
【請求項１２】
自動ガイダンスの方法であって、
車両の取り外し可能な車両コントローラによって、位置情報を受信することと、
前記車両コントローラと別個の車両常駐メモリによって、前記車両の固有の形状に関係する車両特有のパラメータを記憶することと、
前記車両コントローラによって、前記車両常駐メモリから前記車両特有のパラメータを受信することと、
前記受信された位置情報および前記車両特有のパラメータに少なくとも部分的に基づいて、前記車両の１つまたは複数の構成要素のための自動ガイダンス制御信号を生成することと
を備える方法。
【請求項１３】
前記車両特有のパラメータは、前記車両が始動されるときに前記車両コントローラに自動的に送信される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記受信された位置情報および前記車両特有のパラメータに少なくとも部分的に基づいて自動ガイダンス制御信号を生成することは、
車両の構成要素の現在の状態に関係する車両情報を受信し、前記受信された位置情報、前記車両特有のパラメータ、および前記車両情報に少なくとも部分的に基づいて自動ガイダンス制御信号を生成すること
をさらに備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記生成された自動ガイダンス制御信号を車両の１つまたは複数の構成要素に送信すること
をさらに備える請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
車両であって、
受信機の場所を特定するように構成された衛星測位受信機と、
車両の軸拒を規定する車両特有のパラメータを記憶するメモリと、
前記メモリと別個であり、車両から取り外し可能なコントローラであって、該コントローラは、
前記衛星測位受信機から位置情報を受信し、
前記メモリから車両特有のパラメータを受信し、
前記位置情報および前記車両特有のパラメータに少なくとも部分的に基づいて車両ガイダンス信号を生成し、
前記車両ガイダンス信号を、前記車両の１つまたは複数の構成要素に送信する
ように適応されたコントローラと
を備える車両。
【請求項１７】
前記車両特有のパラメータは、前記車両の高さをさらに規定する、請求項１６に記載の車両。
【請求項１８】
前記メモリはさらに、
前記コントローラが前記車両に設置されているか特定し、
前記車両に前記コントローラが設置されていると特定された場合、前記コントローラに前記車両固有のパラメータを送信する
ように適応された、請求項１に記載の車両。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月23日(2011.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材を含んで成り、当該基材上に、画像形成用輻射線への暴露によってアルカリ性現像液に可溶性となる一次ポリマーバインダーを含むインク受容性画像形成性層を有するポジ型画像形成性要素であって、当該要素はさらに輻射線吸収性化合物を含み、
前記一次ポリマーバインダーは、下記構造（Ｉ）：
【化１】
2010533312.tif 000001
［式中、Ｙは
【化２】
2010533312.tif 000002
であり、ａは９０〜９９モル％であり、ｂは１〜１０モル％であり、Ｒ1 及びＲ3 は独立に水素またはヒドロキシ、アルキルもしくはアルコキシ基であり、Ｒ2 は水素またはアルキル基であり、Ｘはアルキレン、オキシ、チオ、−ＯＣ（＝Ｏ）Ａｒ−、−ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ＝ＣＨ−または−ＯＣＯ（ＣＨ2）n4−基（ここで、Ａｒはアリール基である）であり、ｍ及びｐは独立に１または２であり、ｎ1は０または５以下の整数であり、ｎ2は０または５以下の整数であり、ｎ3は０または１であり、ｎ4は少なくとも１であり、Ｚは−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＨ）2または−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）2である］
により表される反復単位を含むフェノール系ポリマーである、ポジ型画像形成性要素。
【請求項２】
前記一次ポリマーバインダーは、画像形成用輻射線への暴露によって、７〜１１のｐＨを有するアルカリ性現像液にのみ可溶性となる、請求項１に記載の要素。
【請求項３】
Ｒ1 及びＲ3 が独立に水素またはヒドロキシ、メチルもしくはメトキシ基であり、Ｒ2 が水素またはメチル基であり、Ｘがメチレン、オキシ、チオ、−ＯＣ（＝Ｏ）フェニル−、−ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ＝ＣＨ−または−ＯＣＯ（ＣＨ2）n4−基であり、ｎ2が０、１または２であり、ｎ3が０であり、ｎ4が１〜８であり、Ｚが−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨである、請求項１または２に記載の要素。
【請求項４】
前記画像形成性層が唯一の画像形成性層であり、前記輻射線吸収性化合物及び前記一次ポリマーバインダーの両方を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の要素。
【請求項５】
前記基材上に、順に、第１のポリマーバインダー及び前記輻射線吸収性化合物を含む内層と、
第２のポリマーバインダーを含むインク受容性外層であって、第２のポリマーバインダーが、
（１）前記第１のポリマーバインダーとは異なり、（２）画像形成用輻射線への暴露によってアルカリ性現像液に可溶性になり、及び（３）前記一次ポリマーバインダーである、インク受容性外層、
とを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の画像形成性要素。
【請求項６】
Ａ）請求項１〜５のいずれか一項に記載の画像形成性要素を像様露光して、当該画像形成性要素中に露光領域と非露光領域の両方をもたらし、
Ｂ）像様露光された画像形成性要素を現像して、前記露光領域のみを除去すること、
を含む、画像形成された要素の製造方法。
【請求項７】
前記現像が、７〜１１のｐＨを有し、かつ、ベンジルアルコール、２−フェノキシエタノールまたはこれらの両方を含むアルカリ性現像液を使用して行われる、請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月25日(2011.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロレンズの表面を有するシートにエネルギー光線を照射してシート内に複数の画像を形成することを含む方法であって、
エネルギー光線の中心は前記シートの表面法線からずれており、シート内に形成される少なくとも１つの画像は部分的に完全な画像であり、かつ前記画像は前記シートの異なるマイクロレンズに関連しており、
前記マイクロレンズは、シート内で形成される画像から、シートの表面に対して浮いているように見える１つ又はそれ以上の合成画像を生成するために、シート内の複数の位置に光を送る屈折性表面を有する、方法。
【請求項２】
シート内に複数の画像を形成するマイクロレンズの表面を有する材料層を含むシートであって、
前記シート内に形成される少なくとも１つの画像は部分的に完全な画像であり、かつ前記画像はシートの異なるマイクロレンズに関連しており、
前記マイクロレンズは、シート内で形成される画像から、シートの表面に対して浮いているように見える１つ又はそれ以上の合成画像を生成するために、シート内の複数の位置に光を送る屈折性表面を有する、シート。
【請求項３】
シートに画像形成して合成画像を生成するための光学アセンブリーであって、
レーザー光線を送るための光ファイバーケーブルと、
複数の異なる角度で複数の焦点にレーザー光線を向けるための複数の光学対物レンズ（ここで複数の焦点は１つの位置に存在する）とを含んでなる光学アセンブリー。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月11日(2011.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なる周期パターンを有する複数のサイトを備えた多層構造を有する物体の特性を特性評価するための方法であって、
幾何学的パラメータ及び物質パラメータの少なくとも一つが共通である対応するサイトの幾何学的及び物質パラメータによって定義される異なる積層体の光学特性を示す予測の理論モデルを提供する段階と、
前記物体の少なくとも二つの異なる積層体に対して光学測定を実施して、各測定された積層体に対する幾何学的パラメータ及び物質組成パラメータを示す光学測定データを生成する段階と、
前記光学測定データを処理する段階とを備え、該処理する段階が、複数の測定された積層体に対する前記光学測定データを前記理論モデルに同時にフィッティングし、少なくとも一つの共通パラメータを導出することによって、単一の物体内の多層構造の特性を特性評価することを可能にする段階を備える、方法。
【請求項２】
前記少なくとも二つの異なる積層体が、（ａ）前記物体の異なる位置にそれぞれ関連している積層体を含む構成、（ｂ）前記物体の同一の位置に関連していて前記物体に適用される異なるプロセス段階に対応している積層体を含む構成、（ｃ）少なくとも一つのパターン化サイトを含む構成、及び（ｄ）一つ以上の異なるパターンのパラメータを備えた周期パターンを含む構成のうち少なくとも一つの構成を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記幾何学的パラメータが層の厚さのパラメータ及びパターンのパラメータのうち少なくとも一つを含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記パターンのパラメータが、ピッチ、臨界寸法、特徴部の形状、特徴部の高さ、デューティサイクルのうち少なくとも一つを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記特徴部の形状が、壁角度、壁の形状、パターンの特徴部の丸みのうち少なくとも一つを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記光学測定が、スペクトル反射測定及び／又は偏光解析に基づいた測定を含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記異なる積層体が、前記物体の製品領域内に位置している構成、及び前記物体の製品領域の外側の試験領域内に位置している構成のうち少なくとも一つの構成を有する、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記光学測定が、前記物体の製造プロセスの複数の段階において実施される、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記理論モデルを最適化するのに用いるために、前記物体の一つ以上のパラメータを選択する段階を備えた請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記選択する段階が、各選択されたパラメータの変化に対する前記理論モデルの感度を分析する段階と、該選択されたパラメータ間の相関を分析することによって、前記相関が所定の条件を満たさないことを識別する際に、前記積層体のうち一つの幾何学的パラメータを少なくとも一つ変更し、測定されるパラメータ間の区別を可能にする段階とを備えた、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記相関を分析する段階が共分散分析法を備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記処理する段階が、対応する理論モデルによって、複数の測定された積層体から分離された少なくとも一つの積層体に対して光学測定データをフィッティングして、前記分離された少なくとも一つの積層体の少なくとも一つのパラメータを導出して、該分離された積層体の少なくとも一つのパラメータを用いて同時にフィッティングすることを実施する段階を備えた、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記理論モデルを最適化する段階を備え、該最適化する段階が、前記理論モデルと前記光学測定データとの間のフィッティングの程度に対する共通パラメータの寄与の評価に従って、共通パラメータをランク付けする段階を備えた、請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記寄与の評価が、共通パラメータ間の相関及び／又はパラメータの変化に対するモデルの感度を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
複数の異なる周期パターンを備えた構造を有する物体の特性を特性評価するのに用いられるシステムであって、
前記物体の測定されるエリアの幾何学的パラメータ及び物質組成パラメータを示す光学測定データを受信するように構成された制御ユニットを備え、該制御ユニットが、少なくとも一つの幾何学的パラメータ及び／又は少なくとも一つの物質パラメータが共通である対応するサイトの幾何学的及び物質パラメータによって定義される多層構造の異なる積層体の光学特性を示す予測の理論モデルを備えた参照データを記憶するためのメモリ設備と、前記光学測定データを処理及び分析するように構成され動作可能なプロセッサ設備とを備え、該処理及び分析することが、複数の測定されたパターンに対する前記光学測定データを前記理論モデルに同時にフィッティングして、少なくとも一つの共通パラメータを導出することによって、単一の物体内の多層構造の特性を特性評価することを可能にする、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月21日(2011.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
他のピアの近くにあるピアを決定する方法であって、
各ピアは、既知の固定された位置を有し、ランドマークとして知られる一部の通信ノードを含む複数の通信ノードを有する通信ネットワークの通信ノードに接続される少なくとも１つの通信装置を有し、
当該方法は、新たなピアが検出されると、
ｉ）前記ネットワーク内において、前記新たなピアに最も近いランドマークを決定するステップと、
ｉｉ）前記複数のノードから、前記新たなピアを前記決定されたランドマークに接続するパスを規定する中継ノードとして知られるノードを決定するステップと、
ｉｉｉ）前記パスの規定と、前記ネットワークに接続される他のピアを少なくとも前記決定されたランドマークに接続するパスの規定とに少なくとも従って、前記新たなピアの近くにあるピアのグループを決定するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
前記新たなピアに最も近いランドマークは、ｉ）前記新たなピアから前記ネットワークの各ランドマークにレスポンスを要求する第１照会メッセージを送信し、ｉｉ）その後、第１照会メッセージの送信時と前記ランドマークの１つにより送信されたレスポンスの受信時との間の各経過時間を決定し、ｉｉｉ）最短の経過時間に対応するランドマークを保持することによって、決定される、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記新たなピアに最も近いランドマークは、ｉ）前記新たなピアからリストに指定された前記ネットワークの各ランドマークにレスポンスを要求する第１照会メッセージを送信し、ｉｉ）その後、第１照会メッセージの送信時と前記リストに指定された前記ランドマークの１つにより送信されたレスポンスの受信時との間の各経過時間を決定し、ｉｉｉ）最短の経過時間に対応するランドマークを保持することによって、決定される、請求項１記載の方法。
【請求項４】
各第１照会メッセージは、ピングタイプのものである、請求項２又は３記載の方法。
【請求項５】
前記パスを規定する中継ノードは、ｉ）前記新たなピアから前記決定されたランドマークに、該ランドマーク及び該ランドマークに前置する各中継ノードに関するレスポンスを要求する第２照会メッセージを送信し、ｉｉ）その後、前記第２照会メッセージの受信後にレスポンスメッセージを前記新たなピアに送信した各中継ノードの識別子を保持することによって、決定される、請求項１乃至４何れか一項記載の方法。
【請求項６】
ピアの通信装置と接続される通信ネットワークであって、既知の固定された位置を有し、ランドマークとして知られる一部の通信ノードを含む複数の通信ノードを有する通信ネットワークのサーバであって、
当該サーバは、新たなピアが検出されると、
ｉ）前記新たなピアに最も近いランドマークに前記新たなピアを接続するパスを規定する中継ノードとして知られる前記複数のノードの中のノードと、
ｉｉ）少なくとも前記新たなピアに最も近いランドマークと前記ネットワークに接続される他のピアとを接続するパスを規定する前記複数のノードの中の中継ノードと、
の情報に少なくとも従って、前記新たなピアの近くにあるピアのグループを決定するよう構成されるサーバ。
【請求項７】
当該サーバは、前記新たなピアに最も近いランドマークに前記新たなピアを接続するパス上の少なくとも１つの中継ノードを通過するパスに係るピアに少なくとも従って、前記新たなピアに最も近いピアのグループを決定するよう構成される、請求項６記載のサーバ。
【請求項８】
当該サーバはさらに、少なくとも１つの基準に従って前記新たなピアに最も近いピアのグループを決定するよう構成される、請求項６又は７記載のサーバ。
【請求項９】
各基準は、前記新たなピアからピアを分ける中継ノードの個数と、前記新たなピアとピアとの間で利用可能な帯域幅の大きさとを少なくとも有する群から選択される、請求項８記載のサーバ。
【請求項１０】
当該サーバは、前記決定されたグループのピアを有するピアのリストを生成するよう構成され、
前記リストは、前記ピアを接続するのに要するスキップ数に従って分類されるピアから構成される、請求項６乃至９何れか一項記載のサーバ。
【請求項１１】
当該サーバは、第３メッセージにより存在を通知したピアから前記ピアのグループを決定するよう構成される、請求項６乃至１０何れか一項記載のサーバ。
【請求項１２】
当該サーバは、受信したパスを集計することによって、前記通信ネットワークを表す全体トポロジーを再構成するよう構成される、請求項６乃至１１何れか一項記載のサーバ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月13日(2011.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光コヒーレンストモグラフィー用のクロック制御方法であって、掃引光源を均一周波数サンプリングクロック経路に連結するステップと、掃引光源を特徴付けるステップと、特徴付けステップによってクロック制御信号のディジタル表現を作成するステップと、経路長領域に直接フーリエ変換するための線形サンプリングを提供するために、デジタイザの外部クロック入力への出力としてクロック制御信号を生成するステップと、を含む光コヒーレンストモグラフィー用のクロック制御方法。
【請求項２】
掃引光源から離れた光トリガ発生器で誘発されるデジタイザに、各掃引に関してクロック制御信号を出力するステップ、をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
掃引光源の出力から電気同期パルスによってトリガが誘発される掃引光源の各掃引に関してクロック信号を出力するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
任意波形発生器に少なくとも１つの波形を提供するステップと、任意波形発生器にその波形を格納するステップと、トリガ誘発事象中に、波形を生成するステップと、デジタイザの外部クロック入力に波形を連結するステップと、をさらに含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
連結する前記ステップは、補助波長計を掃引光源に連結するステップと、補助波長計の出力を処理して、クロック制御信号を生成するステップと、をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
掃引光源の出力から電気同期パルスによってトリガが誘発される掃引光源の各掃引に関してクロック信号を出力するステップをさらに含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記処理ステップは、ディジタル処理ステップをさらに含む請求項６に記載の方法。
【請求項８】
任意波形発生器によってディジタル処理された信号を反復的に出力するステップをさらに含む請求項６に記載の方法。
【請求項９】
掃引検出器によって掃引の強度プロフィールを収集するステップと、遅延発生器によって強度プロフィールを整形するステップと、整形された強度プロフィールを切り替え回路に連結するステップと、をさらに含む請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
補助波長計の出力を切り替え回路に連結するステップと、第１の状態の下で電子切り替え回路からクロック信号を出力するステップと、をさらに含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記処理ステップは、アナログ処理ステップをさらに含む請求項５に記載の方法。
【請求項１２】
掃引光源の限定されたデューティーサイクル中に、補助波長計をサンプリング回路に連結するステップと、各デューティーサイクルの非掃引セグメント中に予め固定された電圧制御型発振器からクロック信号を導出するステップと、をさらに含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記処理ステップは、アナログ処理出力をディジタイザに連結するステップと、ディジタイザの出力をディジタル・アナログ・プロセッサに連結して、クロック信号を生成するステップと、をさらに含むアナログ処理ステップをさらに含む請求項４に記載の方法。
【請求項１４】
連結するステップは、掃引光源を均一周波数サンプリングクロック発生器に連結するステップと、クロック制御信号を生成するステップと、をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記均一周波数サンプリングクロック発生器は、ディジタル化されたサンプリング時間で、絶対値の出力波長における測定基準を提供するガスセルと、サンプリング時間と出力波長との間の関係を提供するディジタイザに連結される光波長計と、をさらに備え、掃引光源の波数バイアスを決定することをさらに含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記均一周波数サンプリングクロック発生器は、検出器チャネルおよびガスセルチャネルを備えて、ガスセルパルスを生成し、ガスセルパルスを微分して、最大吸収ガスセル線をゼロ交差電圧で置き換えるステップと、吸収ガスセル線の中心波長に対応する立ち上がりで、トランジスタ‐トランジスタ論理パルスを生成するステップと、光源掃引の形状を反復的に出力するステップと、ウィンドウパルスを生成してガスセルパルスの１つを選択するステップと、をさらに含む請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月7日(2011.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者の目とレンズを位置合わせするための装置であって、眼鏡を装用する患者の画像を取り込み記憶する手段と、
患者の瞳孔中心を画像上で決定し、患者の瞳孔とレンズの光学中心が位置合わせされた状態にて、患者の目の上にレンズの位置を表示画面上で示す処理手段を含むことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記処理手段が画像中の端部を強調する輪郭線強調アルゴリズムを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記処理手段が画像中の円形を認識する円認識アルゴリズムを含む請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記処理手段が画像中の暗領域を検出する暗領域認識アルゴリズムを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記処理手段が画像中の患者の瞳孔中心を検出するアルゴリズムを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の装置
【請求項６】
前記装置が、装置から患者の距離を計算する距離測定手段を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
前記距離測定手段が、既知の距離で離れた二重光学組立体と、立体画像を用いて装置から患者の距離を測定する光学処理手段を含む、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記距離測定手段が、電動の単一光学組立体と、組立体を駆動させて鮮明な画像を得るよう構成された焦点検出手段とを含み、単一光学組立体が前記焦点検出手段で較正され、装置から患者の距離を測定する、請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記距離測定手段が、超音波信号送信用の超音波送信機及び超音波信号受信用の超音波受信機、並びに装置から患者の距離を測定する超音波処理手段を含む、請求項６に記載の装置。
【請求項１０】
前記装置が輻輳制御装置を含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
前記輻輳制御装置がレーザースペックル生成手段を含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記輻輳制御装置が輻輳を補正するための処理手段を含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
前記装置が、装置の向きを検出する、または画像を拡大縮小する向き検出器を含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
前記向き検出器が電磁チルトセンサである、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記向き検出器が加速度計である、請求項１３に記載の装置。
【請求項１６】
前記装置が画像上の寸法を測定するよう設計された、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１７】
前記装置が広角チルトを計算するよう構成された、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１８】
前記装置が、レンズを表す画像である円を、画像上の患者の目の上に重ねるよう構成されている、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれか一項に記載の前記装置と、
前記装置と係合可能であり、この装置に対して通信及び電力供給を行うよう構成された装置係合可能ドッキングステーションと、
印刷出力装置を含むことを特徴とするシステム。
【請求項２０】
患者の目とレンズの位置を合わせる方法であって、
眼鏡を装用する患者の装置上の画像の取込み、かつ記憶し、
画像を処理して患者の瞳孔中心を決定し、装置の表示画面上で、患者の瞳孔上にレンズの光学中心の正確な位置を示すことを含むことを特徴とする方法。
【請求項２１】
前記方法が患者の無限遠視の誘導を含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
装置の使用者が画像中のレンズの位置を修正することを含む、請求項２０または２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記方法が装置から患者の距離の測定を含む、請求項２０〜２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記方法が装置から患者の距離を利用して、画像の拡大縮小をすることを含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記方法が、表示画面に表示されたレンズ素材のセレクションからのレンズ素材の選択を含む、請求項２０〜２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
前記方法が、レンズの種類及び眼鏡に対するその位置の製造者への通信を含む、請求項
２０〜２５のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月12日(2011.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１の軸を中心として回転自在な表面センサを有する座標位置決め装置の操作方法であって、
前記表面センサを第１の角方向に置いて第１の測定結果を取得するステップと、
前記表面センサを第２の角方向に置いて少なくとも第２の測定結果を取得するステップであって、前記第１と第２の角方向は相互に異なり、前記表面センサの推定位置からのオフセットが前記第１と第２の測定に対して少なくとも部分的に反する影響を有する、ステップと、
を含み、
前記第１と第２の測定結果を用いて、前記表面センサの推定位置からのオフセットを設定し、前記オフセットを用いて、前記表面センサによって取得された測定結果の誤差を修正することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第２の角方向は前記第１の角方向と異なり、前記表面センサの想定位置からのオフセットが前記第２の測定に与える影響は、その第１の測定に対する影響と略同等かつ反対であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の角方向が前記第１の角方向の略逆であることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１と第２の測定結果を取得するステップは、前記表面センサがそれ自体に関して第１の次元における測定のみを行うように、前記表面センサを移動させるステップを含むことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記第１と第２の測定結果を取得するステップは、前記表面センサがそれ自体に関して第１と第２の次元において測定を行うように、加工物に関して前記表面センサを移動させるステップを含むことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
オフセットを補正するステップは、少なくとも第１の次元における前記表面センサのオフセットを判定するステップを含むことを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
オフセットを補正するステップは、少なくとも第２の次元における前記表面センサのオフセットを判定するステップを含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
少なくとも第１と第２のオフセット要因を判定するステップを含むことを特徴とする請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１のオフセット要因は、前記少なくとも第１の軸の実際の位置と想定位置との差を含み、前記第２のオフセット要因は、前記第１の軸に関する前記表面センサの実際の位置と想定位置の差を含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
オフセットを補正するステップは、前記第１と第２の測定から得られた結果的測定結果を判定するステップを含むことを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記第２の測定は、前記表面センサを異なる角方向に置いて行われる、前記第１の測定の反復であることを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記第１と第２の測定結果の各々を取得するステップは、ある加工物の複数の地点を測定するステップを含むことを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記第１と第２の測定結果を取得するステップは、円形の形状構成部の第１と第２の測定結果を取得するステップを含むことを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記表面センサは、前記第１の軸に対して垂直な少なくとも第２の軸を中心として回転自在であることを特徴とする請求項１から１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記第１と第２の角方向は、前記第１の軸を中心として定められて、前記第２の軸に関して測定されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１と第２の測定結果を取得するステップは、前記第２の軸を中心として前記表面センサを回転させるステップを含むことを特徴とする請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１と第２の測定結果を取得するステップは、前記第２の軸の直線位置を保持するステップを含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記第２の角方向は、前記第１の角方向と略同等かつ反対であることを特徴とする請求項１４から１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
前記第１と第２の測定結果を取得するステップは、前記第１と第２の軸の直線位置を移動させるステップと、前記表面センサの前記第１と第２の軸を中心とする回転位置を保持するステップと、を含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記表面センサが接触プローブの接触先端であることを特徴とする請求項１から１９のいずれかに記載の方法。
【請求項２１】
座標位置決め装置であって、少なくとも第１の軸を中心として回転自在な表面センサと、実行されたときに前記装置に請求項１から２０のいずれかに記載の方法を行なわせる命令によって構成されたコントローラと、を備えることを特徴とする座標位置決め装置。
【請求項２２】
少なくとも第１の軸を中心として回転自在な表面センサを有する測定システムのコントローラによって実行されたときに、前記測定システムに請求項１から２０のいずれかに記載の方法を実行させる命令を含むことを特徴とするコンピュータプログラムコード。
【請求項２３】
請求項２２に記載のコンピュータプログラムコードが記録されていることを特徴とするコンピュータ読取可能媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月8日(2010.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
携帯型ハウジングに設けられ、そして変化する光によって動的な火炎をシミュレートするパターンを表示するように適合された複数の光源を含むディスプレイと、
携帯型ハウジングに設けられ、そして消火器及び消火器シミュレーターのうちの１つにより放出される刺激を検出し、そして検出した刺激に対応する信号を出力するように適合された複数のセンサーと、
前記の複数のセンサーの少なくとも１つからの出力を受信し、そして、動的な火炎の変化をシミュレートするために複数の光源の少なくともいくつかのイルミネーションをディスプレイ上で変化させるように適合された１以上のプロセッサーと
を含む携帯型消火器訓練装置。
【請求項２】
前記１以上のプロセッサーが、ディスプレイ上にセンサーの周辺部における動的な火炎の変化をシミュレートするために、刺激を検出するハウジング上のセンサーの周辺部における複数の光源の少なくともいくつかのイルミネーションを変化させるように適合された、請求項１に記載の消火器訓練装置。
【請求項３】
前記ディスプレイが、変化する光の前に設けられ、変化する光のパターンにより放出される光の経路を変化させるように適合された少なくとも１つの第１パネルを更に含む、請求項１に記載の消火器訓練装置。
【請求項４】
前記ディスプレイが、第１パネルの前に設けられ、変化する光のパターンにより放出される光の経路を更に変化させるように適合された少なくとも１つの第２パネルを更に含む、請求項３に記載の消火器訓練装置。
【請求項５】
ディスプレイが、消火器及び消火器シミュレーターのうちの１つにより放出される刺激のディスプレイ上における衝撃の周辺部を検出するように適合された少なくとも１つのセンサーを更に含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の消火器訓練装置。
【請求項６】
衝撃の前記周辺部が、ディスプレイ上における衝撃の地点を含む、請求項５に記載の消火器訓練装置。
【請求項７】
消火器及び消火器シミュレーターのうちの１つにより放出される刺激が、電磁信号、圧力波信号、固体粒子の流れ及び流体の流れのうちの１つを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の消火器訓練装置。
【請求項８】
刺激が圧力波信号を含み、そして圧力波信号が音波を含む、請求項７に記載の消火器訓練装置。
【請求項９】
装置の操作を調節するように適合されたコントローラーを更に含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の消火器訓練装置。
【請求項１０】
前記コントローラーが、変化する光のパターンをディスプレイ上で調節する、請求項９に記載の消火器訓練装置。
【請求項１１】
前記コントローラーが、所定のアルゴリズムに従って、装置の操作を調節する、請求項９に記載の消火器訓練装置。
【請求項１２】
前記の１以上のプロセッサーが、前記の少なくとも１つのセンサーからの出力を受信し、そして刺激の衝撃の少なくとも周辺部をディスプレイ上で表示するように更に適合されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の消火器訓練装置。
【請求項１３】
前記複数のセンサーが電磁放射を検出するように適合された、請求項１〜３のいずれか一項に記載の消火器訓練装置。
【請求項１４】
前記電磁放射が、可視光を含む、請求項１３に記載の消火器訓練装置。
【請求項１５】
前記複数のセンサーが、流体を検出するように適合された、請求項１〜３のいずれか一項に記載の消火器訓練装置。
【請求項１６】
前記流体が、水を含む、請求項１５に記載の消火器訓練装置。
【請求項１７】
前記の複数の光源が、複数の発光ダイオードを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の消火器訓練装置。
【請求項１８】
携帯型ハウジングに設けられたディスプレイ上の変化する光のパターンを表示し、ここで変化する光のパターンは、動的火炎をシミュレートする複数の光源を含み、
ハウジングに設けられた複数のセンサーの少なくとも１つのセンサーによって消火器及び消火器シミュレーターのうちの１つにより放出される刺激を検出し、そして検出した刺激に対応する出力信号を発生し、
少なくとも１つのセンサーからの出力を処理し、そしてディスプレイ上の動的火炎の変化をシミュレートするためにディスプレイ上の光のパターンの複数の光源の少なくともいくつかのイルミネーションを変化すること
を含む消火器訓練方法。
【請求項１９】
複数の光源の少なくともいくつかの変化するイルミネーションが、ディスプレイ上に刺激を検出するセンサーの周辺部における動的火炎の変化をシミュレートするために、ディスプレイ上に刺激を検出するセンサーの周辺部における複数の光源の少なくともいくつかの変化するイルミネーションを含む、請求項１８に記載の、消火器訓練方法。
【請求項２０】
消火器訓練方法が、シミュレートされた火炎の外観を向上するために、光のパターンの経路を変化させることを更に含む、請求項１８に記載の消火器訓練方法。
【請求項２１】
消火器訓練方法が、消火器及び消火器シミュレーターの方向を検出し、そして刺激の衝撃の周辺部をディスプレイ上で表示することを更に含む、請求項１８に記載の消火器訓練方法。
【請求項２２】
消火器訓練方法が、所定の消火器操作プロトコルにあてはめるために、前記訓練方法を実施するための前記訓練装置の操作を変化させることを更に含む、請求項１８に記載の消火器訓練方法。
【請求項２３】
消火器訓練方法が、少なくとも１つの所定の消火器操作プロトコルにあてはめるために、前記訓練方法を実施するための前記訓練装置の操作を変化させることを更に含む、請求項２２に記載の消火器訓練方法。
【請求項２４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の消火器訓練装置により検出可能な刺激を放出するように適合された消火器シミュレーターであって、
前記消火器訓練シミュレーターが、
訓練を受ける者により保持されるように適合されたハウジングと、
ハウジング内に設けられた刺激源と、
刺激源を作動する手段と
を含む、前記消火器シミュレーター。
【請求項２５】
動的な火炎をシミュレートするように適合された複数の光源を有するディスプレイを提供し、
ハウジング上に設けられ、そして火災鎮静装置及び火災鎮静装置シミュレーターのうちの１つにより放出される刺激を検出し、そして検出された刺激に対応する信号を出力するように適合された複数のセンサーを提供し、
火災鎮静装置及び火災鎮静装置シミュレーターのうちの１つから刺激を放出し、
複数のセンサーの少なくとも１つからの刺激を検出し、そしてセンサー出力を発生し、
センサー出力からの火炎制御信号を発生し、ここで前記火炎制御信号はディスプレイ上に刺激を検出するセンサーの周辺部における動的火炎の変化をシミュレートするために、ディスプレイ上に刺激を検出するセンサーの周辺部における複数の光源の少なくともいくつかを変化させるように適合され、そして
少なくとも１つの所定のアルゴリズムに従って火炎制御信号を変化すること
を含む、消火器訓練方法。
【請求項２６】
前記の少なくとも１つの所定のアルゴリズムが、火災のクラスに対応する複数のアルゴリズムを含む、請求項２５に記載の消火器訓練方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月29日(2011.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスを形成する方法であって、
基板の表面上に所望の厚さを持つ誘電体層を形成するステップと、
低エネルギースパッタリングプロセスを用いて形成された該誘電体層の該厚さの少なくとも一部内に第一物質の濃度勾配を形成するステップと、
を含み、該低エネルギースパッタリングプロセスが、
ＲＦジェネレータを用いてＲＦエネルギーを低エネルギースパッタリングチャンバの処理領域に第一ＲＦ周波数と第一ＲＦ電力でパルスするステップと、
該処理領域内に配置されたターゲットにＤＣソースアセンブリから分配されるＤＣ電圧をパルスするステップと、
該ターゲットから除去された該第一物質の量が該誘電体層内に配置されうるように該パルスしたＲＦエネルギーと該パルスしたＤＣ電圧とを同期するステップと、
該誘電体層と該第一物質を、窒素を含むＲＦプラズマにさらすステップと、
該誘電体層の上に第二物質を堆積させるステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
該第一物質が、ジルコニウム、ハフニウム、ランタン、ストロンチウム、鉛、イットリウム、及びバリウムからなる群より選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該誘電体層が、二酸化シリコン、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、ハフニウムシリケイトオキシド、酸化ランタン、及び酸化アルミニウムからなる群より選ばれる物質を含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
窒素を含むＲＦプラズマに該誘電体層をさらす前に該誘電体層内に第三物質の量を配置するステップであって、該第三物質が、ハフニウム、ランタン、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、ストロンチウム、鉛、イットリウム、及びバリウムからなる群より選ばれる元素を含有する、前記ステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
該誘電体層と該第一物質と該第三物質を酸化環境にさらすステップであって、該酸化環境が熱酸化プロセス又はプラズマ酸化プロセスを用いる、前記ステップを更に含む、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
該第二物質が、多結晶シリコン、タンタル、窒化タンタル、炭化タンタル、タングステン、窒化タングステン、窒化シリコンタンタル、ハフニウム、アルミニウム、ルテニウム、コバルト、チタン、ニッケル、及び窒化チタンからなる群より選ばれる物質を含有する、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月9日(2010.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
注目すべきは、湿気からの負極１１の保護を更に強化するために、電池は多孔性金属基板１７、１９及び２１、並びにガラスバリア層１６、１８及び２０の複数の層を含むことができ、これらは、それぞれの正極半体１３及び１４が３つのそのような複合層を含む好ましい実施態様に示されている。そのように、好ましい実施態様は、第２ガラスバリア１８がその上に堆積した第２多孔性金属基板１９、及び第３ガラスバリア２０がその上に堆積した第３多孔性金属基板２１を示し、全てのガラスバリアは同じ様式で第１ガラスバリアに堆積している。多孔性基板及びガラスバリアの多層化は、１つの層におけるピンホール４４が全体の保護構造を通じて広がるのを防ぐ、即ち、プロセスの中で発生したいかなるピンホール４４も、図４に示すように、複数の層を通して互いに一直線に並ぶことは起こりそうもない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
更なる代わりの実施態様は、多孔性金属基板１７の代わりに、多孔性セラミック又は多孔性ポリマー材料を使用することである。適切な多孔性セラミック材料は、Whatman, Inc.社製のAnodic Inorganic Membranesである。この材料は、膜を横切って拡がっている細孔を持ち高い空隙率を有する陽極酸化したアルミニウムである。膜の厚みはおおよそ６０μｍであり、細孔の直径はおおよそ２００ｎｍであるが、他の細孔の直径も許容される。一方、電池の製造で通常使用される、多孔性親水性テフロンセパレータ材料を用いても良い。この場合、もしピンホールを詰めれば、ガラス電解質層の下に薄い金属層を析出することができる。このシード層は、メッキプロセスのための電気的導通を提供するには十分な厚みであるが、基板の細孔が閉鎖されない又は覆われないためには十分薄い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
更なる代わりの実施態様は、単一のバリア層のみを使用することであり、ここで基板は、正極ポリマー結合物質によって正極に直接結合している。この場合、ピンホール閉塞の選択肢は、実施しても良いし、又は代わりに実施しなくても良い。