【事件の表示】
　特願２００７−１６３２０４「半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　２月１４日出願公開、特開２００８−　３４８２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１９年６月２０日（優先権主張平成１８年６月２８日）の出願であって、平成２０年５月１日付けで拒絶理由が通知され、同年７月７日に手続補正がなされたが、平成２１年６月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年９月３０日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正がなされたものである。（以下、この平成２１年９月３０日になされた手続補正を「本件補正」という。）
　
II．本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、本願特許請求の範囲の請求項１について、補正前の
「【請求項１】
　第１，２導電型の半導体層と、該第１，２導電型の半導体層の同一面側に各々設けられた第１，２電極と、該第２電極が設けられ該第１，２導電型の半導体層を含む発光構造と、を有し、
　前記第１導電型半導体層の露出表面に設けられた第１電極が、透光性の第１層と、反射性の第２層と、を少なくとも有し、
　前記発光構造と前記第１電極を横断する素子の断面において、前記第１層が、前記第２層の両側から突出した突出部を有する半導体発光素子。」を　
「【請求項１】
　第１，２導電型の半導体層と、該第１，２導電型の半導体層の同一面側に各々設けられた第１，２電極と、該第２電極が設けられ該第１，２導電型の半導体層を含む発光構造と、を有し、
　前記第１導電型半導体層の露出表面に設けられた第１電極が、
下層側に設けられた
外部接続電極である上層側に設けられた
　前記発光構造と前記第１電極を横断する素子の断面において、前記第１層が、前記第２層の両側から突出した突出部を有する半導体発光素子。」
と補正することを含むものであって、特許法第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであると認められるので、以下に、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について独立特許要件の検討を行う。
　
２．引用例・引用発明
（１）引用例の記載
　原査定の拒絶理由に引用され、本願優先日前に頒布された特開２００５−３１７９３１号公報（以下「引用例」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
ア　「【請求項１】
第１導電型半導体層、発光層、第２導電型半導体層がこの順に積層され、前記第１導電型及び第２導電型半導体層にそれぞれ電極が接続されて構成される半導体発光素子であって、
  前記第２導電型半導体層に接続された電極が、下層導電性酸化物膜と、該下層導電性酸化物膜上に、該下層導電性酸化物膜の表面の一部が露出する領域を有するように形成された上層導電性酸化物膜と、該上層導電性酸化物膜上にのみ配置する金属膜とからなり、
  前記第１導電性半導体層に接続された電極が、導電性酸化物膜と、該導電性酸化物膜上に配置する金属膜とからなり、かつ
  前記上下層導電性酸化物膜及び導電性酸化物膜が、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）及びマグネシウム（Ｍｇ）からなる群から選択された少なくとも一種の元素を含む酸化物からなることを特徴とする半導体発光素子。」
　
イ　「【００４８】
　本発明の半導体発光素子においては、通常、半導体発光素子の一部の領域において、第２導電型半導体層及び発光層、任意に第１導電型半導体層の深さ方向の一部が除去されて、第１導電型半導体層の表面が露出されている。そして、その露出した第１導電型半導体層の表面（以下「第２の領域」と記す）に電極が形成されている。この電極は、例えば、第１導電型半導体層の上に、第１導電型コンタクト層を介して形成されており、導電性酸化物膜と金属膜とがこの順に積層されて構成される。」
　
ウ　「【００５１】
  導電性酸化物膜は、上述した上下層導電性酸化物膜と同様のものが挙げられる。…。」
　
エ　「【００２３】
  上下層導電性酸化物膜は、亜鉛、インジウム、スズ及びマグネシウムからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む酸化物からなる。具体的にはＺｎＯ、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＩＴＯ（ＩｎとＳｎとの複合酸化物）、ＭｇＯ等が挙げられる。なかでも、ＩＴＯ膜が好ましい。なお、上下層導電性酸化物膜は、異なる材料による膜でもよいが、同じ材料による膜であることが好ましい。
【００２４】
  下層導電性酸化物膜の膜厚は、透明性を確保する限り特に限定されるものではない…。」
　
オ　「【００５１】…。
　また、金属膜は、上述した金属膜と同様のものが挙げられる。第１導電型半導体層上に形成される金属膜は、第２導電型半導体膜上に形成される金属膜と必ずしも同一でなくてもよい。」
　
カ　「【００４０】
  第２導電型半導体層に接続された電極を構成する金属膜は、半田により接着され又はワイヤボンディング等される電極として機能し得る。金属膜の種類及び形態は特に限定されるものではなく、通常、電極として用いられるものであればどのようなものでも使用することができる。例えば、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ランタン（Ｌａ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、イットリウム（Ｙ）等の金属、合金の単層膜又は積層膜等が挙げられる。なかでも、抵抗が低いものが好ましく、具体的には、Ｗ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｌ等の単層膜又は積層膜が挙げられる。さらに、上層導電性酸化物膜、例えば、ＩＴＯ膜との密着性が良好なもの、具体的には、Ｗ、Ｒｈ、Ｐｔの単層膜又は積層膜が好ましい。また、反射特性が良好であるもの、具体的には、Ａｇ、Ｒｈの単層膜又は積層膜が好ましい。」　
　
キ　「【００４６】
  なお、２つの延長導電部５６は、直線状に形成してもよいし、図２に示すように、ｎ電極５３から等距離になるように円弧状に形成してもよい。なかでも、円弧状に形成した場合には、より均一な発光分布が得られるため、好ましい。
  また、後述するｎ型半導体層に接続されるｎ電極５３は、半導体発光素子の少なくとも１つの辺に近接するように形成される。例えば、１つの辺の中央部において、ｐ型半導体層及び発光層の一部をエッチングにより除去してｎ側コンタクト層５１が露出した切り欠き部５１ａを設け、その切り欠き部５１ａに形成される。なお、このｎ電極５３は、導電性酸化物膜（図示せず）の上に、これと同じ形状の金属膜が形成されて構成される。
【００４７】
  さらに、図３及び図４に示すように、後述するｎ電極６３は、半導体発光素子の１つの隅部に、２辺に近接するように設けられ、ｐ電極を構成する上層導電性酸化物膜（図示せず）と金属膜６５とはｎ電極６３が近接する隅部と対角をなす他の隅部に設けられることが好ましい。」
　
ク　「【００７０】
  図１６及び図１７に示した半導体発光素子は、基板１上にそれぞれ窒化物半導体からなるｎ型半導体層２、発光層３及びｐ型半導体層４がこの順に積層されて構成されている。ｎ型半導体層２は、その表面の一部に露出部を有しており、この露出部に、互いに分離された複数のｎライン電極１５３が形成されている。
  つまり、ｎ型半導体層２、発光層３及びｐ型半導体層４からなる積層体において、ｐ型半導体層４及び発光層３の一部がライン状に除去されることにより複数のスリットＳＬが形成されて、ｎ型半導体層がライン状に露出され、そのスリットＳＬにより露出されたｎ型半導体層上にそれぞれｎライン電極１５３が形成される。また、スリットに平行な１つの辺（発光素子の１つの辺：以下、第１の辺という。）に沿って、所定の幅にｎ型半導体層が露出され、そこにも１つのｎライン電極１５３が形成される。なお、第１の辺に対向する辺は、第２の辺という。
【００７１】
  この半導体発光素子では、ｎ型半導体層が露出された表面のｎライン電極形成領域と複数のスリットＳＬは互いに平行でかつｎライン電極形成領域とスリットＳＬとの間隔及び隣接するスリットＳＬ間の間隔は互いに等しくなるように形成される。
  各ｎライン電極１５３は、導電性酸化物膜及び／又は金属膜から構成される延長導電部（以下、ｎ側延長導電部という）１５３ａと、そのｎ側延長導電部１５３ａの一端に設けられ、導電性酸化物膜及び／又は金属膜から構成されるｎ側パッド電極１５３ｂとによって構成される。各ｎ側延長導電部の一端に設けられたｎ側パッド電極１５３ｂは、第１の辺に直角の１つの辺（第３の辺）に沿って形成される。
  また、ｎ側延長導電部１５３ａは、その一端部がｎ側パッド電極１５３ｂを形成するために広く形成され、その上にｎ側パッド電極１５３ｂが形成される。」
　
ケ　「【図面の簡単な説明】
【０１２２】…。
【図２】本発明における半導体発光素子の電極形状を説明するための平面図である。
【図３】本発明における半導体発光素子のさらに別の電極形状を説明するための平面図である。
…。
【図１６】本発明における半導体発光素子のさらに別の実施形態を示す平面図である。
【図１７】図１６のXVI−XVI’線断面図である。」
　
コ　「【符号の説明】
【０１２３】
  …
５１  ｎ側コンタクト層
５１ａ  切り欠き部
５２  ｐ型半導体層
５３、６３  ｎ電極
５４、６４  透明電極
５５、６５  ｐ側パッド電極
５６、６６  延長導電部
　…
１５３  ｎライン電極
１５３ａ  ｎ側延長導電部
１５３ｂ  ｎ側パッド電極
１５５  電流拡散電極
１５５ａ  ｐ側延長導電部
１５５ｂ  ｐ側パッド電極」
　
（２）引用発明
　上記ア及びイの記載によれば、引用例には、
「第１導電型半導体層、発光層、第２導電型半導体層がこの順に積層され、前記第１導電型及び第２導電型半導体層にそれぞれ電極が接続されて構成される半導体発光素子であって、
  前記第２導電型半導体層及び発光層の一部が除去されて、前記第１導電型半導体層の表面が露出され、その露出した第１導電型半導体層の表面に電極が形成され、この電極は、導電性酸化物膜と金属膜とがこの順に積層されている半導体発光素子。」が記載されているものと認められる。
　ここで、第１導電型半導体層の表面に形成された電極の導電性酸化物膜は、上記ウ及びエの記載より、透明性であることが理解される。
　また、第１導電型半導体層の表面に形成された電極の金属膜は、上記オ及びカの記載より、半田により接着され又はワイヤボンディング等される電極として機能し得るものであり、反射特性の良好なものが使用されることが理解される。
　
　以上のことから、引用例には
「第１導電型半導体層、発光層、第２導電型半導体層がこの順に積層され、前記第１導電型及び第２導電型半導体層にそれぞれ電極が接続されて構成される半導体発光素子であって、
  前記第２導電型半導体層及び発光層の一部が除去されて、前記第１導電型半導体層の表面が露出され、その露出した第１導電型半導体層の表面に電極が形成され、この電極は、透明性の導電性酸化物膜と、半田により接着され又はワイヤボンディング等される電極として機能し得る反射特性の良好な金属膜とがこの順に積層されている半導体発光素子。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。　
　　
３．対比・判断
（１）対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。　
　引用発明の「第１導電型半導体層」、「第２導電型半導体層」、「第１導電型半導体層に接続される電極」及び「第２導電型半導体層に接続される電極」がそれぞれ本願補正発明の「第１導電型の半導体層」、「第２導電型の半導体層」、「第１電極」及び「第２電極」に相当するところである。
　そして、引用発明は、第１導電型半導体層、発光層、第２導電型半導体層がこの順に積層されたものであり、その第１導電型半導体層に接続される電極は、第２導電型半導体層及び発光層の一部が除去されて露出した第１導電型半導体層の表面に形成されているから、引用発明は、本願補正発明と同様に「第１，２導電型の半導体層と、該第１，２導電型の半導体層の同一面側に各々設けられた第１，２電極と、該第２電極が設けられ該第１，２導電型の半導体層を含む発光構造と、」を有するものといえ、また、その第１導電型半導体層に接続される電極は「第１導電型半導体層の露出表面に設けられた」ものといえる。
　
　また、引用発明の第１導電型半導体層に接続される電極は、「透明性の導電性酸化物膜と、半田により接着され又はワイヤボンディング等される電極として機能し得る反射特性の良好な金属膜とがこの順に積層されている」ものであり、この電極の「透明性の導電性酸化物膜」及び「半田により接着され又はワイヤボンディング等される電極として機能し得る反射特性が良好な金属膜」が本願補正発明の「下層側に設けられた透光性の第１層」及び「外部接続電極である上層側に設けられた反射性の第２層」にそれぞれ相当するところである。
　
（３）一致点
　以上のことから、本願補正発明と引用発明は、
「第１，２導電型の半導体層と、該第１，２導電型の半導体層の同一面側に各々設けられた第１，２電極と、該第２電極が設けられ該第１，２導電型の半導体層を含む発光構造と、を有し、
　前記第１導電型半導体層の露出表面に設けられた第１電極が、下層側に設けられた透光性の第１層と、外部接続電極である上層側に設けられた反射性の第２層と、を少なくとも有する半導体発光素子。」の点で一致する。
　
（３）一応の相違点
　一方、次の点で一応相違する。
　本願補正発明は、「前記発光構造と前記第１電極を横断する素子の断面において、前記第１層が、前記第２層の両側から突出した突出部を有する」ものであるのに対し、引用発明がこのようなものであるか不明な点。
　
（４）一応の相違点についての検討
　上記一応の相違点について検討する。　
　引用例の図２には、上記ケ及びコに記載されるように「本発明における半導体発光素子の電極形状を説明するための平面図」として、ｎ側コンタクト層５１が露出した領域に「ｎ型半導体層に接続されるｎ電極５３」が示されており、このｎ電極５３について、上記キの段落【００４６】には「このｎ電極５３は、導電性酸化物膜（図示せず）の上に、これと同じ形状の金属膜が形成されて構成される。」と記載されている。
　一方、引用例の図３には、上記ケ及びコに記載されるように「本発明における半導体発光素子のさらに別の電極形状を説明するための平面図」が図示され、この図では、ｎ電極が「ｎ電極６３」として図示されている。
　ここで、図２のｎ電極５３は、ｎ電極の「導電性酸化物膜」と「金属膜」が「同じ形状」であり、ｎ側コンタクト層５１の領域に１つの円として示されているだけであるが、図３のｎ電極６３においては、ｎ側コンタクト層５１の領域に、円とこの円を隙間を有して取り囲む隅部の丸い四角い形状の線が示されている。
　
　この四角い形状の線について直接説明する記載は引用例にないが、引用例の図１６には、上記ケ及びコに記載されるように、ｎライン電極１５３が円形のｎ側パッド電極１５３ｂとこれを取り囲んで図示されているｎ側延長導電部１５３ａで構成されている様子が図示されている。
　そして、上記クの記載を参照すれば、このｎライン電極１５３は、ｎ型半導体層２の露出部に形成されたものであることが理解され、また、図１６の断面図である図１７及び段落【００７１】の「ｎ側延長導電部１５３ａは、その一端部がｎ側パッド電極１５３ｂを形成するために広く形成され、その上にｎ側パッド電極１５３ｂが形成される」との記載を参照すれば、図１６において、円形のｎ側パッド電極１５３ｂを取り囲んで図示されている線は、ｎ側パッド電極１５３ｂの下部に広く形成され、ｎ側パッド電極１５３ｂとともにｎ側電極１５３を構成する導電部材の層であることが理解される。
　
　してみれば、引用例の図３において円とこの円を取り囲む隅部の丸い四角い形状の線で示されるｎ電極６３についても、図１６における電極１５３の構造と同様であり、円の部分が引用発明における「半田により接着され又はワイヤボンディング等される電極として機能し得る反射特性の良好な金属膜」を示し、この円を囲んで表示される隅部の丸い四角い形状の線がこの金属膜の下部に広く形成されている「透明性の導電性酸化物膜」を示しているものと認められるところである。
　そして、この隅部の丸い四角い形状の線と円の間には隙間が形成されているから、引用例の図３に示されるものは、本願補正発明の上記一応の相違点に係る「前記発光構造と前記第１電極を横断する素子の断面において、前記第１層が、前記第２層の両側から突出した突出部を有する」との構成を具備するものといえる。
　
　なお、請求人は、審判請求書において、「ＧａＮ系発光ダイオードは、通常、電極表面を保護するため、電極表面に絶縁性の保護膜が設けられ、保護膜は、金属ワイヤや金属バンプ等を形成するための領域が除去されて開口される（例えば、特開２００５−２４４１２９参照）」ものであり、「引用文献１の図３に記載のｎ電極上の線は、保護膜を表したものと解するのが当業者にとって自然である。」と主張するが、保護膜は、特開２００５−２４４１２９号公報の図１に示されるようにｐ側のパッド電極６及びｎ電極７の中央部のみで開口し、他の部分は被覆するものであるから、引用例の図３に保護膜が示されているとすれば、この保護膜は、ｐ側パッド電極６５の中央部に開口を有し、ｐ側パッド電極６５の周縁部を被覆するものとして図示されなければならないところ、引用例の図３は、このような様子を示すものではないから、引用例の図３が保護膜を表すものであるとの請求人の主張は採用できない。
　
　以上のとおりであって、上記（３）の点は、本願補正発明と引用発明の実質的な相違点とはいえず、本願補正発明は、引用例に記載された発明である。　
　
４．むすび
　上記のとおり、本願補正発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができない。　
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２０年７月７日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記II.１．に補正前の請求項１として摘記したとおりのものである。
　
２．判断
　本願発明は、本願補正発明から第１電極の第１層及び第２層それぞれの限定事項である「下層側に設けられた」及び「外部接続電極である上層側に設けられた」を省いたものであって、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに限定したものである本願補正発明が上記II．２．〜３．において検討したように引用例に記載された発明であることから、本願発明が引用例に記載されたものであることは明らかである。
　
３．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明であるので、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。