【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年4月26日(2011.4.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセスの目標設定に基づいて、バッチ中の半導体ウェハに処理ステップを実行する段階であって、前記プロセスの目標設定は前記半導体ウェハの目標特性に関連する少なくとも１つのパラメータを含む段階と、
処理された半導体ウェハに関連する製造データを取得する段階であって、前記製造データは前記処理された半導体ウェハに関連する計測データと、処理装置の装置状態に関連する装置状態データのうちの少なくとも１つを含む段階と、
前記バッチ中の他の半導体ウェハがプロセス制御下にある時間期間中に、前記処理された半導体ウェハに関連する電気的データを少なくとも部分的に取得する段階と、
前記電気的データと前記製造データとの相関に基づいて前記プロセスの目標設定を動的に調整する段階とを含む、半導体ウェハの処理を動的に調整する方法。
【請求項２】
前記プロセスの目標設定に基づいて、少なくとも１つの半導体ウェハに処理ステップを実行する段階は、前記半導体ウェハ上に形成された構造に関連する目標の限界寸法に基づいて、前記半導体ウェハに処理ステップを実行する段階をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記プロセスの目標設定に基づいて、少なくとも１つの半導体ウェハに処理ステップを実行する段階は、前記半導体ウェハ上に形成された層に関連する目標の厚みに基づいて、前記半導体ウェハに処理ステップを実行する段階をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記処理された半導体ウェハに関連する前記計測データを取得する段階は、計測装置を使用して計測データを取得する段階をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記処理された半導体ウェハに関連する前記装置状態データを取得する段階は、温度データ、湿度データ、圧力データおよび気体流量データのうちの少なくとも一つを取得する段階をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記処理された半導体ウェハに関連する電気的データを動的に取得する段階は、前記処理された半導体ウェハに関連する電気的データを動的に取得するために監視制御を採用する段階をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記処理された半導体ウェハに関連する電気的データを動的に取得する段階は、電圧レベルデータ、電流レベルデータ、抵抗率データのうちの少なくとも一つを取得する段階をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記抵抗率データを取得する段階は、前記処理された半導体ウェハの層の厚みに関連する抵抗率データを取得する段階を更に含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記電流レベルデータを取得する段階は、前記半導体ウェハに形成される構造の極限寸法に関連する駆動電流レベルを取得する段階を更に含む、請求項７記載の方法。
【請求項１０】
前記プロセスの目標設定を動的に調整する段階は、前記プロセスの目標を、前記電気的データと、前記計測データおよび前記装置状態データの少なくとも１つとの相関関係に基づいて、実時間での監視で更新する段階を更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
半導体ウェハの処理を動的に調整する方法であって、
半導体ウェハを、バッチの前記半導体ウェハの歩留まり、品質および性能のうちの少なくとも一つに関連するプロセス目標設定に基づいて処理する段階と、
予定された間隔またはきっかけとなる事象の少なくとも一つに基づいて処理された前記半導体ウェハに関連する計測データを取得する段階と、
バッチの処理中に実時間で前記処理された半導体ウェハに関連する電気的データを取得する段階と、
前記電気的データおよび前記計測データの分析に基づいて、前記プロセス目標設定を動的に調整する段階とを含む、方法。
【請求項１２】
前記半導体ウェハの前記処理に関連する装置状態データを取得する段階と、
前記電気的データ、前記計測データ、および前記装置状態データの分析に基づいて、前記プロセス目標設定を動的に調整する段階を更に含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
半導体ウェハを処理するための目標設定システムを動的に調整する方法であって、
処理目標に基づいてバッチの半導体ウェハを処理する段階と、
前記処理された半導体ウェハに関連する製造データを取得する段階と、
前記バッチの処理中に前記処理された半導体ウェハに関連する電気的データを取得する段階と、
前記製造データおよび前記電気的データに基づいて前記目標設定システムを動的に調整する段階とを含み、
前記製造データは、前記処理された半導体ウェハに関連する計測データまたは処理装置の装置状態に関連する装置状態データのうちの少なくとも１つを含むものである、方法。
【請求項１４】
前記目標設定システムによって提供された処理目標に基づいて半導体ウェハを処理する方法は、前記半導体ウェハに関連する目標イールド、目標品質および目標性能のうちの少なくとも一つに基づいて前記半導体ウェハを処理する段階を更に含む、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記目標設定システムを動的に調整する方法は、前記半導体ウェハに関連する前記目標イールド、目標品質、および目標性能のうちの少なくとも１つに基づいて実時間で調整する段階を更に含む、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
命令群が符号化されているコンピュータ読み取り可能なプログラム記録媒体であって、コンピュータによって実行されると次の方法を実行するもの。
プロセスの目標設定に基づいて、バッチ中の半導体ウェハに処理ステップを実行する段階であって、前記プロセスの目標設定は前記半導体ウェハの目標特性に関連する少なくとも１つのパラメータを含む段階と、
処理された半導体ウェハに関連する製造データを取得する段階であって、前記製造データは、前記処理された半導体ウェハに関連する計測データまたは処理装置の装置状態に関連する装置状態データのうちの少なくとも１つを含む段階と、
前記バッチ中の他の半導体ウェハがプロセス制御下にある時間期間中に、前記処理された半導体ウェハに関連する電気的データを少なくとも部分的に取得する段階と、
前記電気的データと前記製造データとの相関に基づいて前記プロセスの目標設定を動的に調整する段階とを含む、半導体ウェハの処理を動的に調整する方法。
【請求項１７】
命令群が符号化されているコンピュータ読み取り可能なプログラム記録媒体であって、コンピュータによって実行されると請求項１６記載の方法を実行し、
前記プロセスの目標設定に基づいて、少なくとも１つの半導体ウェハに処理ステップを実行する段階は、前記半導体ウェハ上に形成された構造に関連する目標の極限寸法に基づいて、前記半導体ウェハに処理ステップを実行する段階を更に含むもの。
【請求項１８】
命令群が符号化されているコンピュータ読み取り可能なプログラム記録媒体であって、コンピュータによって実行されると請求項１６記載の方法を実行し、
前記プロセスの目標設定に基づいて、少なくとも１つの半導体ウェハに処理ステップを実行する段階は、前記半導体ウェハ上に形成された層に関連する目標の厚みに基づいて、前記半導体ウェハに処理ステップを実行する段階を更に含むもの。
【請求項１９】
命令群が符号化されているコンピュータ読み取り可能なプログラム記録媒体であって、コンピュータによって実行されると請求項１６記載の方法を実行し、
前記処理された半導体ウェハに関連する前記計測データを取得する段階は、計測装置を使用して計測データを取得する段階を更に含むもの。
【請求項２０】
命令群が符号化されているコンピュータ読み取り可能なプログラム記録媒体であって、コンピュータによって実行されると請求項１６記載の方法を実行し、
前記処理された半導体ウェハに関連する前記装置状態データを取得する段階は、温度データ、湿度データ、圧力データ、及び気体流量データのうちの少なくとも１つを取得する段階を更に含むもの。
【請求項２１】
命令群が符号化されているコンピュータ読み取り可能なプログラム記録媒体であって、コンピュータによって実行されると請求項１６記載の方法を実行し、
前記処理された半導体ウェハに関連する電気的データを動的に取得する段階は、前記処理された半導体ウェハに関連する電気的データを動的に取得するために制御監視を採用する段階を更に含むもの。
【請求項２２】
命令群が符号化されているコンピュータ読み取り可能なプログラム記録媒体であって、コンピュータによって実行されると請求項２１記載の方法を実行し、
前記処理された半導体ウェハに関連する電気的データを動的に取得する段階は、電圧レベルデータ、電流レベルデータ、および抵抗率データのうちの少なくとも１つを取得する段階を更に含むもの。
【請求項２３】
命令群が符号化されているコンピュータ読み取り可能なプログラム記録媒体であって、コンピュータによって実行されると請求項２２記載の方法を実行し、
前記抵抗率データを取得する段階は、前記処理された半導体ウェハの層の厚みに関連する抵抗を取得する段階を更に含むもの。
【請求項２４】
命令群が符号化されているコンピュータ読み取り可能なプログラム記録媒体であって、コンピュータによって実行されると請求項２２記載の方法を実行し、
前記電流レベルデータを取得する段階は、前記半導体ウェハに形成される特性の極限寸法に関連する駆動電流レベルを取得する段階を更に含むもの。
【請求項２５】
命令群が符号化されているコンピュータ読み取り可能なプログラム記録媒体であって、コンピュータによって実行されると請求項１６記載の方法を実行し、
前記プロセスの目標設定を動的に調整する段階は、前記プロセスの目標を、前記電気的データと、前記計測データまたは前記装置状態データのうちの少なくとも１つとの相関関係に基づいて、実時間での監視でアップデートする段階を更に含むもの。
【請求項２６】
プロセス制御システムのための動的目標設定を行うシステムであって、
半導体ウェハを処理する処理装置と、
前記処理装置に動作可能に結合され、前記半導体ウェハの処理に関連する一以上のパラメータを目標設定するために、前記処理された半導体ウェハに関連する電気的データおよび前記処理された半導体ウェハに関連する計測データの分析に基づく、前記一以上のパラメータに関連するプロセス目標設定の動的調整が含まれる動的目標設定分析を実行するプロセス制御装置とを備えるシステム。
【請求項２７】
前記プロセス制御装置および前記処理装置に動作可能に結合され、前記処理装置によって実行される処理に関連する装置状態データを取得する装置状態データセンサユニットと、
前記プロセス制御装置および前記処理装置に動作可能に結合され、前記処理された半導体ウェハに関連する計測データを取得する計測装置と、
前記プロセス制御装置に動作可能に結合され、前記処理された半導体ウェハに関連する電気的試験データを動的に取得する電気試験ユニットと、
前記プロセス制御装置に動作可能に結合され、前記装置状態データ、前記計測データ、および前記電気的データを分析して、前記プロセス目標設定に対して動的な調整を実行する動的目標設定ユニットと、
前記動的目標設定ユニットを前記プロセス制御装置に動作可能に結合し、前記プロセス目標設定に対する前記動的調整に応答して、前記半導体ウェハに対して実行する処理を変更するプロセス制御モデルとをさらに備える、請求項２６記載のシステム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
図３に本発明の実施形態に従ったシステム３００を示す。システム３００のプロセス制御装置３１０は処理装置８１０に関連する様々な操作を制御することができる。システム３００は、処理される半導体ウェハ１０５に関連する計測データ、装置状態データなどの製造関連データを取得することができる。システム３００は処理される半導体ウェハ１０５に関連する計測データを取得するための計測装置８５０をさらに備えていてもよい。処理装置８１０によって実行される処理は、通常プロセス制御モデル３６０によって制御されてもよい。このプロセス制御モデル３６０は様々な制御パラメータを定義し、処理装置８１０の動作を管理する他の制御機能を実行してもよい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
システム３００はデータベースユニット３４０をさらに備えていてもよい。データベースユニット３４０は、製造関連データ、システム３００の動作に関連するデータ（例えば、処理装置８１０の状態、半導体ウェハ１０５の状態など）などの複数のタイプのデータを記憶するために提供される。データベースユニット３４０は、処理装置８１０によって実行される複数のプロセスラン（process run）に関連する装置状態データを記憶することができる。データベースユニット３４０は、装置状態データおよび／または半導体ウェハ１０５の処理に関連するその他の製造データをデータベース記憶ユニット３４５に記憶するためのデータベースサーバ３４２を備えていてもよい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
システム３００は、装置状態データを取得するための装置状態データセンサユニット３２０をさらに備えていてもよい。この装置状態データは、圧力データ、温度データ、湿度データ、気体流量データ、様々な電気的データ等々を含む。エッチング装置に関する装置状態データの一例には、気体流量、チャンバ圧力、チャンバ温度、電圧、反射電力、バックサイドヘリウム圧力、RF同調パラメータなどが含まれる。この装置状態データには処理装置８１０外部のデータ、例えば環境温度、湿度、圧力なども含まれる。装置状態データセンサユニット３２０のさらに詳細な図および説明は、図４および以下のそれに伴う説明において提供される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
図９は、本発明の実施形態に従った方法の流れ図である。システム３００は、半導体ウェハ１０５の処理に関連する調整または仕様の初期の目標、および／または処理される半導体ウェハ１０５に関連する初期の目標特性を決定する（ブロック９１０）。この初期の目標は、半導体ウェハ１０５に対して実行される処理のタイプに関連する。この初期の目標はさらに、限界寸法の測定値、膜厚など最初の目標設定の結果生じる、処理された半導体ウェハ１０５に関する特定の測定値に関連する調整値および／または目標値にも関連する。この最初の目標は、最初の目標設定の結果生じる、処理された半導体ウェハ１０５のイールド（歩留まり）、品質および性能に関連する目標特性をも含んでいてもよい。この最初の目標設定を用いて、システム３００は半導体ウェハ１０５に対してプロセス処理を実行する（ブロック９２０）。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
次に、システム３００は通常、処理された半導体ウェハ１０５に関連する計測データを取得し、分析する（ブロック９３０）。この計測データは通常計測装置８５０から取得される。システム３００は、装置状態データセンサユニット３２０から取得できる装置状態データをも取得して、分析してもよい（ブロック９４０）。分析された計測データおよび分析された装置状態データに基づいて、システム３００は動的目標設定プロセスを実行してもよい（ブロック９５０）。場合によっては、この動的目標設定プロセスが半導体ウェハ１０５に対して実行される処理ステップに組み込むことができる動的調整を提供する。さらに詳細には、場合によっては、動的目標設定処理はロット内の第２加工物に対して実行されるプロセスに対して、同じロットの第１加工物の処理の分析に基づいて、実時間（リアルタイム）の調整を提供する。図９のブロック９５０に示された動的目標設定処理の実行についてのさらに詳細な図および説明は、図１０および以下のそれに伴う説明において提供される。