【事件の表示】
　特願２００６−　３７４６１「マスクブランク及びフォトマスク」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　８月３０日出願公開、特開２００７−２１９０３８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年２月１５日の出願であって、平成２１年３月１３日付けで拒絶理由が通知され、同年５月２５日付けで手続補正がなされ、同年６月１２日付けで拒絶査定がなされたところ、同年９月２４日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　その後、当審において平成２２年８月５日付けで審尋を行い、同年１０月１２日付けで回答書が提出された。
　
　
第２　補正の却下の決定
［結論］
　平成２１年９月２４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．本件補正後の請求項１
　本件補正は特許請求の範囲についてする補正であって、本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「透光性基板上に、遮光性膜、及び透過量を調整する機能を有する半透光性膜、のうちのを少なくとも一方を有するＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクであって、
　前記遮光性膜、及び前記半透光性膜は、５μｍ×５μｍの測定領域における膜表面の二乗平均平方根粗さＲｑが２．０ｎｍ以下であり、レジスト塗布装置によって前記膜面上にレジストが塗布される膜であって、かつ、
　前記レジスト塗布装置は、レジスト液を塗布すべき表面を下向きとなるように保持した基板に対し、毛管状のノズルにより毛細管現象を用いて上昇したレジスト液をノズル先端を基板に対して走査させることによって、レジストを塗布する装置
であり
　
前記遮光性膜、及び前記半透光性膜は、エッチング液でウエットエッチングされる膜であって、前記遮光性膜、及び前記半透光性膜の膜表面の最大高さＲｍａｘが１０ｎｍ以下
　
と補正された。（当審において、補正箇所に下線を付した。）
　
　
２．目的要件
　上記補正は、本件補正前（平成２１年５月２５日付けの手続補正書を参照）の請求項１に記載された発明の、「遮光性膜及び半透光性膜」について、「エッチング液でウエットエッチングされる膜」であるとの限定と、「膜表面の最大高さＲｍａｘが１０ｎｍ以下」であるとの限定とをそれぞれ付加するものである。なお、これら限定事項は、それぞれ本件補正前の請求項４及び請求項２の記載に基づくものである。
　そして、本件補正の前後において、産業上の利用分野及び発明の解決しようとする課題が同一であるので、当該補正は、いわゆる限定的減縮を目的とする補正に該当するから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下、「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むものである。
　
　
３．独立特許要件
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）を、請求項１に係る発明について、以下に検討する。
　
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明は、上記「１．」に記載したとおりのものである。（以下、「本願補正発明」という。）
　
　
（２）引用例
ア．引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開２００２−１９６４７５号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
（１ａ）「【請求項１】  露光光が透過する透明基板上に少なくとも一層の遮光性膜と少なくとも一層の反射防止膜を有するフォトマスクブランクスにおいて、上記透明基板と遮光膜又は反射防止膜との間にシード層を形成すると共に、このシード層を酸素、窒素及び炭素の少なくとも１種を含むクロムからなる材料で形成したことを特徴とするフォトマスクブランクス。
……
【請求項４】  上記フォトマスクブランクスの表面粗度（ＲＭＳ）を０．９ｎｍ以下とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のフォトマスクブランクス。」
　
（１ｂ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路及び高密度集積回路等の製造工程において使用されるフォトマスクブランクス及びフォトマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の高密度半導体集積回路、ＣＣＤ（電荷結合素子）やＬＣＤ（液晶表示素子）用のカラーフィルター、磁気ヘッド等の微細加工には、フォトマスクを使ったフォトリソグラフィー技術が用いられている。
【０００３】この微細加工には、石英ガラス、アルミノシリケートガラス等の透明な基板の上に一般的にはクロム膜からなる遮光膜をスパッタ又は真空蒸着等で形成したフォトマスクブランクスを用いて、この遮光膜に所定のパターンを形成したものをフォトマスクとして用いている。」
　
（１ｃ）「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、フォトマスクはパターンを正確に転写するためには、基板が平坦であることが強く要求されるが、いかに平坦な基板を用いても、クロム系膜を形成すると、特に２層構造の膜では遮光膜が基板表面で大きな粒状に成長する特徴があるため、表面の状態は悪くなる傾向がある。現在の欠陥検査及び回路パターン検査では、反射光及び透過光による検査が一般的であるが、高検出感度の検査では、膜表面の状態、面荒れを欠陥として検出する場合があるので、高感度の検査が行えない等の問題点がある。
【０００８】本発明者は、上記問題点を鑑みなされたもので、透明基板と遮光膜又は反射防止膜の間にシード層を形成することによって膜質の均一性が得られ、欠陥検査及び回路パターン検査おいても高感度検出が可能となり、所望とする微細なパターンを歪みなく正確に形成することが可能な高性能なフォトマスクブランクス及びフォトマスクを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本発明は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、透明基板上に少なくとも一層の遮光性膜と少なくとも一層の反射防止膜とを有するフォトマスクブランクス及びフォトマスクにおいて、透明基板と遮光膜又は反射防止膜との間にシード層を形成することによって、遮光膜又は反射防止膜の表面平坦度が高く、均一な膜質のフォトマスクブランクス及びフォトマスクが得られることを知見し、本発明をなすに至った。」
　
（１ｄ）「【００１１】本発明のシード層を持ったマスクブランクス及びフォトマスクによれば、透明基板上のシード層が、遮光膜又は反射防止膜の成長核となり、シード層の上の遮光膜及び反射防止膜の成長が微細な粒状成長になり、結果として表面粗度の小さいフォトマスクブランクス及びフォトマスクを得ることができる。」
　
（１ｅ）「【００１２】以下、本発明につき更に詳しく説明する。本発明のフォトマスクブランクスは、図１，３に示したように、露光光が透過する透明基板１上に少なくとも一層の遮光膜２と少なくとも一層の反射防止膜４を有し、上記透明基板１と遮光膜２または反射防止膜４との間にシード層３を形成すると共に、このシード層３が酸素、窒素及び炭素の少なくとも１種を含むクロムからなる材料で形成したことを特徴とし、これにより、フォトマスクブランクスの表面平坦度が向上するものである。
【００１３】この場合、図１に示したように、シード層の上に遮光膜が一層、反射防止膜が一層の３層構造の場合、基板上にシード層、このシード層の上に遮光膜、さらに遮光膜の上に反射防止膜を順次形成することが好ましい。」
　
（１ｆ）「【００２７】なお、本発明のフォトマスクブランクスの膜構成としてはシード層の上にＣｒ系の２層膜又は３層膜だけでなく、４層膜構造とすることもできる。更に露光波長の位相を変化させる位相シフター膜を組み合わせてもよい。また、透過型だけではなく、反射型マスクにも適応することができる。
【００２８】さらに、このようにシード層、遮光膜及び遮光膜を積層されたフォトマスクブランクスの表面粗度（ＲＭＳ）を０．９ｎｍ以下にすることが好ましい。より好ましくは０．７ｎｍ以下である。この表面粗度は、シード層を上述したように形成することで達成し得る。
【００２９】このようにして得られる本発明のフォトマスクブランクスをリソグラフィ法によりパターン形成することにより、図２，４に示したようなシード層と遮光膜と反射防止膜とからなる３層，４層構造のフォトマスクが得られる。
【００３０】具体的には、本発明のフォトマスクブランクスを用いて図２に示したようなフォトマスクを製造する場合は、図５（Ａ）に示したように、透明基板１１の上にシード層１２、その上に遮光膜１３、遮光膜１３の上に反射防止膜１４を順次形成した後、反射防止膜１４の上にレジスト膜１５を形成し、図５（Ｂ）に示したように、レジスト膜１５をパターニングし、更に、図５（Ｃ）に示したように、シード層１２、遮光膜１３及び反射防止膜１４をドライエッチング又はウェットエッチングした後、図５（Ｄ）に示したように、レジスト膜１５を剥離する方法が採用され得る。この場合、レジスト膜の塗布、パターニング（露光、現像）、レジスト膜の除去は、公知の方法によって行うことができる。
【００３１】本発明のフォトマスクは、フォトマスクブランクスの表面平坦度が高く、欠陥検査及び回路パターン検査においても高感度検出が可能となり、所望とする微細なパターンを正確に形成することができ、更なる半導体集積回路装置等における高集積化に十分対応することができるものである。」
　
（１ｇ）【００３６】得られた膜の表面粗度（ＲＭＳ）をＡＦＭ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ社製  ＮａｎｏＳｃｏｐｅ  ＩＩＩａ）による１μｍ×１μｍの表面粗度を測定したところ、０．３９５ｎｍであった。その結果を表１に示す。」
　
（１ｈ）「【００４５】
【発明の効果】本発明のシード層を持つフォトマスク及びマスクブランクスでは、透明基板上に形成したシード層の上に遮光膜及び反射防止膜を形成すると膜の成長が微細な粒状成長になり、表面粗度の小さいマスクブランクスを得ることができ、また欠陥検査及び回路パターン検査おいても高感度検出が可能となり、高品質なフォトマスクブランクス及びフォトマスクが得られ、更なる半導体集積回路の微細化、高集積化に十分対応することができるものである。」
　
　
イ．引用発明１の認定
　上記記載事項（１ａ）〜（１ｈ）からして、引用例１には次の発明が記載されている。
　
「露光光が透過する透明基板上に、シード層、このシード層の上に遮光膜、さらに遮光膜の上に反射防止膜を順次形成したフォトマスクブランクスにおいて、１μｍ×１μｍの測定領域におけるフォトマスクブランクスの表面粗度（ＲＭＳ）を０．９ｎｍ以下とし、
　上記フォトマスクブランクスを用いてフォトマスクを製造する場合は、透明基板１１の上にシード層１２、その上に遮光膜１３、遮光膜１３の上に反射防止膜１４を順次形成した後、反射防止膜１４の上にレジスト膜１５を形成し、レジスト膜１５をパターニングし、更に、シード層１２、遮光膜１３及び反射防止膜１４をウェットエッチングした後、レジスト膜１５を剥離する方法が採用され得る、半導体集積回路及び高密度集積回路等の製造工程において使用されるフォトマスクブランクス。」（以下、「引用発明１」という。）
　
　
ウ．引用例２
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開２００５−３１７９２９号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
（２ａ）「【背景技術】
【０００２】
  従来、フォトマスクを用いたリソグラフィ技術により半導体装置や表示装置の製造が行われている。このフォトマスクは、ガラス等の基板上に金属等の薄膜からなる微細パターン（転写パターン）を形成したものであり、フォトマスクを搭載した露光装置（パターン転写装置）により、被転写体（レジスト膜付きデバイス基板）への微細パターンのパターン転写を行うのに用いられる。
  半導体装置は、一般的に、縮小投影露光装置（ステッパ）を用いて製造され、この場合、フォトマスク上のパターンが例えば１／５の大きさに縮小投影される。一方、液晶表示装置（Liquid Crystal Display：以下、ＬＣＤと呼ぶ）等の表示装置の製造においては、他に等倍の一括露光の方式を用いた露光装置であるマスクアライナが用いられる。ステッパ用のフォトマスクとマスクアライナ用のフォトマスクとでは、フォトマスクのサイズが異なる。ステッパ用のフォトマスク（レチクル）は、５インチ角（１２７ｍｍ×１２７ｍｍ）又は６インチ角（１５２．４ｍｍ×１５２．４ｍｍ）の正方形のものが一般的であるが、マスクアライナ用のフォトマスクの場合は、モニター及びＴＶ表示画面サイズに基づき長方形のものが一般的であり、サイズもレチクルに比べて大きい（何れの一辺が３００ｍｍ以上）ため、大型マスクと呼ばれている。そして、この大型マスクは、表示画面の大面積化及び多数画面を一度に製造する要求等により、基板のサイズが更に大型化する傾向にある。
【０００３】
  ところで、このフォトマスクは、その原版となる基板上に前記薄膜を形成したマスクブランクスを用いて、その薄膜に所定の微細パターンを形成することにより得られる。フォトマスクの一般的な製造工程は図２を参照して説明すると、以下の通りである。
  まず、石英ガラス等の透明基板上に金属或いはその合金等の材質からなる遮光性薄膜を形成したマスクブランクスを準備する（Ｓ２１）。次に、このマスクブランクス上の全面にレジスト膜を形成する（Ｓ２２）。通常は、レジスト膜をマスクブランクス上に塗布してから、加熱処理（プリベーク）を行う。レジストとしては、露光された部位が架橋反応等により硬化して現像液に不溶化するネガ型レジストと、露光された部位が低分子化して現像液に溶解するポジ型レジストの２種類があるが、近年のマスクパターンの高微細化の要請に伴い、ポジ型レジストが多く使用されている。
【０００４】
  次に、このレジスト膜付きマスクブランクスに所定のパターン描画（露光）を行い（Ｓ２３）、現像液を用いて現像処理することにより（Ｓ２４）、マスクブランクス上にレジストパターンを形成する。
  次いで、このレジストパターンをマスクとして、露出した遮光性薄膜をエッチングにより除去する（Ｓ２５）。こうして、基板上に遮光性薄膜が所定のパターン状に形成されたフォトマスクが出来上がる。残存したレジストパターンは、専用のレジスト剥離液を用いて剥離除去する（Ｓ２６）。
【０００５】
  なお、この他にも、基板上に露光光を反射する多層反射膜と露光光を吸収するパターン状の吸収体膜を形成した反射型マスクや、基板上に位相シフト膜を形成した位相シフトマスク、或いは、液晶表示装置の製造に用いられる、基板上に遮光部、グレートーン部及び透光部を形成したグレートーンマスクなどが知られているが、これらのフォトマスクについても、上述と同様のフォトリソ工程を用いて製造される。
  また、フォトマスクを用いた半導体装置や液晶表示装置等の映像デバイスの製造においても、フォトリソ工程が用いられる。」
　
（２ｂ）「【００２４】
［実施の形態２］
  本発明の実施の形態２は、基板上に転写マスクパターンとなる薄膜を設けたマスクブランクス上に所定のポジ型レジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして、露出した上記薄膜をエッチングすることによりパターニング工程を行い、残存したレジストパターンを露光した後、現像液と接触させることにより、レジストパターンを剥離除去する露光用マスクの製造方法である。
  本実施の形態は、露光用マスクの製造工程において、不要となったレジストパターンを剥離除去する場合の実施形態である。
【００２５】
  図１は、本実施の形態に係る露光用マスクの製造工程を示したものである。
  まず、基板上に、被転写体（例えば半導体基板）に転写すべく転写パターンとなる薄膜（例えば、遮光膜）を形成したマスクブランクスを準備する（Ｓ１１）。
  本発明でいうマスクブランクスは、透過型マスクブランクス、反射型マスクブランクスの何れも指し、これらの構造は、基板上に、露光光に対し光学的変化をもたらして被転写体に転写すべく転写パターンとなる薄膜を有する。
【００２６】
  透過型マスクブランクスは、基板としてガラス基板等の透光性基板を使用する。露光光に対し光学的変化をもたらすとは、露光光を遮断する遮光膜や、露光光の位相を変化させる位相シフト膜（位相シフト膜には、遮光機能と位相シフト機能を有するハーフトーン膜を含む）などを指す。従って、透過型マスクブランクスは、遮光膜が形成されたフォトマスクブランクス、位相シフト膜（ハーフトーン膜を含む）が形成された位相シフトマスクブランクスなどを含む。
  なお、この他にも、液晶表示装置の製造に用いられる、基板上に遮光部、半透光部及び透光部を形成したグレートーンマスクが知られており、このグレートーンマスク製造の原版となる例えば基板上に半透光膜と遮光膜が形成されたマスクブランクスも含む。
【００２７】
　……
【００２８】
  次に、このマスクブランクス上の全面にポジ型レジスト膜を形成する（Ｓ１２）。ポジ型レジスト膜の形成は、ポジ型レジスト材料を溶媒に溶解して適当な粘度に調製したレジスト塗布液をマスクブランクス上に塗布することにより行なう。通常は、レジスト膜をマスクブランクス上に塗布してから、加熱処理（プリベーク）を行う。
  次に、このポジ型レジスト膜付きマスクブランクスに所定のパターン描画（露光）を行い（Ｓ１３）、現像液を用いて現像処理することにより（Ｓ１４）、マスクブランクス上にレジストパターンを形成する。レジストパターンを形成する際の露光は、通常単波長のレーザ光源を有するレーザ描画装置による走査露光である。
【００２９】
  次いで、このレジストパターンをマスクとして、露出した薄膜をエッチングにより除去し、薄膜をパターン状に形成する（Ｓ１５）。反射型マスクの場合は、最上層の光吸収体膜をパターン状に形成する。
  こうして、基板上に薄膜が所定のパターン状に形成された露光用マスクが出来上がる。
　不要となったレジストパターンは、前述の実施の形態と同様、露光工程（Ｓ１６）及び現像液による処理工程（Ｓ１７）を施して剥離除去する。……」
　
（２ｃ）「【００３９】
  以下、実施例により、本発明の実施の形態を更に具体的に説明する。
（実施例１）
  基板サイズが３３０ｍｍ×４５０ｍｍの合成石英ガラス基板上に、スパッタリング法によりクロム膜と酸化クロム膜を順次積層し、基板上に遮光膜と反射防止膜が形成された液晶表示装置製造用大型マスクブランクスを得た。
  得られたマスクブランクス上に、スピンナー（回転塗布装置）を用いて、ポジ型レジスト液を回転塗布し、ポジ型レジスト膜を形成した。ポジ型レジストとしては、高分子量型レジストＰＢＳ（ポリブテン−１−スルホン）を使用し、これをメチルセルソルブアセテートに溶解したものをレジスト液とした。なお、上記レジスト液を塗布後、加熱乾燥装置を用いて所定の加熱乾燥処理を行なった。
  次に、ポジ型レジスト膜付きマスクブランクスに対して、露光装置（レーザ描画装置）による露光を行い、次いで水酸化カリウム（ＫＯＨ）を主成分とする現像液による現像処理を行なって、マスクブランクス上に所定のレジストパターンを形成した。なお、上記現像処理は、２３℃、６０秒で行なった。
【００４０】
  次に、上記レジストパターンをマスクとして、露出した酸化クロム膜及びクロム膜をウェットエッチング処理により除去し、基板上にクロム遮光膜及び反射防止膜を所定のパターン状に形成した。エッチング液は、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸の水溶液を使用した。
  次いで、残存するレジストパターンを剥離除去する為に、露光処理及び現像液による処理を行った。この場合の露光処理は、水銀ランプを光源とする露光装置を用いて全面露光を行った。レジストパターン表面が上記エッチング液により改質していることが考えられる為、通常レジストパターン形成に必要な露光量よりも多くなるように、露光時間を長めに設定した。また、現像液による処理は前述のレジストパターン形成時の現像と略同様の条件で行なった。こうして、露光処理及び現像液を用いた処理を行うことにより、残存するレジストパターンを剥離除去することができた。
  以上のようにして、ガラス基板上に所定のパターン状に形成されたクロム遮光膜及び反射防止膜を有する透過型の露光用マスク（液晶表示装置製造用大型マスク）が得られた。
【００４１】
（実施例２）
  実施例１と同様にして作製した液晶表示装置製造用大型マスクブランクス上に、レジストの塗布をＣＡＰコーターを用いて行った。本実施例で用いたＣＡＰコーターは、具体的には、図７に示されるような装置であり、レジスト液４１によって満たされた液槽４２の内部に毛細管状隙間Ｗを備えたノズル４３を沈めておき、ノズル４３を上昇させることによって、主表面を下方に向けた基板４０の主表面近傍に位置させ、毛細管状隙間Ｗから毛細管現象を用いてノズル４３の先端に上昇したレジスト液４１を基板４０の主表面に接液しながら基板４０を図示する矢印方向へ移動させて基板４０表面にレジスト膜を塗布するものである。このような塗布方法を用いた場合、基板の側面や裏面にレジストが回り込んで塗布されることがないので、本発明のレジスト剥離方法を好適に用いることができる。
【００４２】
  次に、このポジ型レジスト膜付きマスクブランクスに対して、実施例１と同様に、所定のレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして、酸化クロム膜及びクロム膜をエッチング処理して、基板上にクロム遮光膜及び反射防止膜を所定のパターン状に形成した。
  次いで、残存するレジストパターンを剥離除去するために、前記実施の形態３において説明したレジスト剥離装置を用いた。尚、露光室における露光条件は適宜設定し、処理室で供給する処理液は、レジストパターン形成時の現像液を使用した。こうして、レジスト剥離装置を使用して、レジストパターンへの光照射と現像液を用いた処理とを連続的に行うことにより、残存するレジストパターンを剥離除去することができた。
  以上のようにして、ガラス基板上に所定のパターン状に形成されたクロム遮光膜及び反射防止膜を有する透過型の露光用マスク（液晶表示装置製造用大型マスク）が得られた。」
　
　
エ．引用発明２の認定
　上記記載事項（２ａ）〜（２ｃ）からして、引用例２には次の発明が記載されている。
　
「合成石英ガラス基板上に、スパッタリング法によりクロム膜と酸化クロム膜を順次積層し、基板上に遮光膜と反射防止膜を形成して作製した液晶表示装置製造用大型マスクブランクス上に、レジストの塗布をＣＡＰコーターを用いて行い、
　当該ＣＡＰコーターは、レジスト液４１によって満たされた液槽４２の内部に毛細管状隙間Ｗを備えたノズル４３を沈めておき、ノズル４３を上昇させることによって、主表面を下方に向けた基板４０の主表面近傍に位置させ、毛細管状隙間Ｗから毛細管現象を用いてノズル４３の先端に上昇したレジスト液４１を基板４０の主表面に接液しながら基板４０を移動させて基板４０表面にレジスト膜を塗布する装置であり、
　このレジスト膜付きマスクブランクスに対して、所定のレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして、露出した酸化クロム膜及びクロム膜をウェットエッチング処理により除去し、基板上にクロム遮光膜及び反射防止膜を所定のパターン状に形成し、残存するレジストパターンを剥離除去し、
　以上のようにして、ガラス基板上に所定のパターン状に形成されたクロム遮光膜及び反射防止膜を有する透過型の液晶表示装置製造用大型マスクを得る方法。」（以下、「引用発明２」という。）
　
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明１とを、対比する。
　引用発明の「露光光が透過する透明基板」は本願補正発明の「透光性基板」に相当し、以下同様に、「遮光膜」は「遮光性膜」、「フォトマスクブランクス」は「マスクブランク」に、それぞれ相当する。
　よって、引用発明１の「露光光が透過する透明基板上に、シード層、このシード層の上に遮光膜、さらに遮光膜の上に反射防止膜を順次形成したフォトマスクブランクス」は、本願補正発明の「透光性基板上に、遮光性膜、及び透過量を調整する機能を有する半透光性膜、のうちのを少なくとも一方を有するマスクブランク」に相当する。
　
　次に、引用発明１の「１μｍ×１μｍの測定領域におけるフォトマスクブランクスの表面粗度（ＲＭＳ）を０．９ｎｍ以下とし、上記フォトマスクブランクスを用いてフォトマスクを製造する場合は、透明基板１１の上にシード層１２、その上に遮光膜１３、遮光膜１３の上に反射防止膜１４を順次形成した後、反射防止膜１４の上にレジスト膜１５を形成」している点と、本願補正発明の「前記遮光性膜、及び前記半透光性膜は、５μｍ×５μｍの測定領域における膜表面の二乗平均平方根粗さＲｑが２．０ｎｍ以下であり、レジスト塗布装置によって前記膜面上にレジストが塗布される膜であ」って、かつ「前記遮光性膜、及び前記半透光性膜の膜表面の最大高さＲｍａｘが１０ｎｍ以下である」点とを対比する。
　レジストはマスクブランクの表面に形成するものであることは、当業者の技術常識であるから、引用発明１においてレジスト膜１５を形成している「反射防止膜１４」は、フォトマスクブランクス表面の膜であり、本願補正発明においてレジストが塗布される膜である「前記遮光性膜、及び前記半透光性膜」は、マスクブランク表面の膜である。
　そして、引用発明１の「表面粗度（ＲＭＳ）」は本願補正発明の「膜表面の二乗平均平方根粗さＲｑ」に相当し、引用発明１の表面粗度（ＲＭＳ）が「０．９ｎｍ以下」という数値範囲が、本願補正発明の「膜表面の二乗平均平方根粗さＲｑが２．０ｎｍ以下」に包含されることも明らかである。
　よって、上記点について両発明は、「マスクブランク表面の膜は、膜表面の二乗平均平方根粗さＲｑが２．０ｎｍ以下であり、レジスト形成装置によって前記膜面上にレジストが形成される膜であ」る点で一致する。
　
　また、ウェットエッチングがエッチング液を用いることは技術常識であるから、引用発明１の「更に、シード層１２、遮光膜１３及び反射防止膜１４をウェットエッチング」する点と、本願補正発明の「前記遮光性膜、及び前記半透光性膜は、エッチング液でウエットエッチングされる膜であ」る点とは、「マスク部材は、エッチング液でウエットエッチングされる膜であ」る点で一致する。
　
　以上のとおりであるから、本願補正発明と引用発明１とは、次の一致点及び相違点を有する。
　
［一致点］
「透光性基板上に、遮光性膜、及び透過量を調整する機能を有する半透光性膜、のうちのを少なくとも一方を有するマスクブランクであって、
　マスクブランク表面の膜は、膜表面の二乗平均平方根粗さＲｑが２．０ｎｍ以下であり、レジスト形成装置によって前記膜面上にレジストが形成される膜であって、かつ、マスク部材は、エッチング液でウエットエッチングされる膜であるマスクブランク。」
　
　
［相違点１］
　マスクブランク表面の膜が、本願補正発明では「前記遮光性膜、及び前記半透光性膜」であり、レジストを「塗布される」膜であるのに対し、引用発明１では「反射防止膜１４」であり、そこへのレジスト形成法については不明である点。
［相違点２］
　マスクブランク表面の表面粗さについて、本願補正発明では「５μｍ×５μｍの測定領域における膜表面の二乗平均平方根粗さＲｑが２．０ｎｍ以下」であり、「膜表面の最大高さＲｍａｘが１０ｎｍ以下」であるのに対し、引用発明１は、１μｍ×１μｍの測定領域におけるマスクブランクの表面の表面粗度（ＲＭＳ）を０．９ｎｍ以下としたことが記載されているのみである点。
［相違点３］
　膜面上にレジストを形成する際に、本願補正発明が「レジスト液を塗布すべき表面を下向きとなるように保持した基板に対し、毛管状のノズルにより毛細管現象を用いて上昇したレジスト液をノズル先端を基板に対して走査させることによって、レジストを塗布する装置」を用いてレジストを形成しているのに対し、引用発明１はこのような発明特定事項を有していない点。
［相違点４］
　本願補正発明のマスクブランクは「ＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク」であるのに対し、引用発明１はこのような発明特定事項を有していない点。
　
　
（４）判断
ア．相違点１について
　当業者にとって、基板上に遮光性膜及び半透光性膜を形成したマスクブランク、及びマスクを形成する場合は、このマスクブランク上の全面にレジスト膜を形成すること、は当業者に周知の技術的事項であるから（上記記載事項（２ｂ）を参照）、引用発明１では、反射防止膜１４をマスクブランク表面の膜としているが、これを「遮光性膜または半透光性膜」に変えることは、当業者が適宜変更し得る設計的事項である。
　よって、引用発明１に上記周知の技術的事項を適用して、上記相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になし得たことである。
　
イ．相違点２について
　まず、マスクブランク表面の「二乗平均平方根粗さＲｑ」（引用発明１の「表面粗度（ＲＭＳ）」に相当）の測定領域の広さについて検討すると、計測に際し、測定領域を広げれば測定精度が向上することは技術常識であり、本願の明細書または図面を参照しても、「５μｍ×５μｍ」としたことに格別有利な効果は認められないから、引用発明１の測定領域を適宜選択・拡張することは、当業者が容易になし得たことである。
　
　次に、フォトマスクブランク表面の「最大高さＲｍａｘ」について検討する。
　引用例１には、「フォトマスクはパターンを正確に転写するためには、基板が平坦であることが強く要求されるが、いかに平坦な基板を用いても、クロム系膜を形成すると、……表面の状態は悪くなる傾向がある。」（記載事項（１ｃ））及び「本発明のフォトマスクは、フォトマスクブランクスの表面平坦度が高く、欠陥検査及び回路パターン検査においても高感度検出が可能となり、所望とする微細なパターンを正確に形成することができ」（記載事項（１ｆ）の段落【００３１】）と記載されているから、引用例１には、フォトマスクブランクの表面平坦度が高いと、所望とする微細なパターンを正確に形成することができる、ことが記載されているといえる。
　引用発明１には、Ｒｍａｘについて何ら開示されていないが、表面平坦度を表す単位としてＲｍａｘは周知の単位にすぎず、本願の明細書または図面を参照しても、本願補正発明の「最大高さＲｍａｘが１０ｎｍ以下」という数値範囲に引用例１にない格別有利な効果は認められないから、引用発明１の表面平坦度を、二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ、ＲＭＳ）に加えて周知の単位であるＲｍａｘで１０ｎｍ以下としたことは、当業者にとって格別のことということはできない。
　
　したがって、引用発明１から上記相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になし得たことというべきである。
　
　
ウ．相違点３〜４について
　引用発明２の「レジスト液４１によって満たされた液槽４２の内部に毛細管状隙間Ｗを備えたノズル４３を沈めておき、ノズル４３を上昇させることによって、主表面を下方に向けた基板４０の主表面近傍に位置させ、毛細管状隙間Ｗから毛細管現象を用いてノズル４３の先端に上昇したレジスト液４１を基板４０の主表面に接液しながら基板４０を移動させて基板４０表面にレジスト膜を塗布する装置」である「ＣＡＰコーター」は、本願補正発明の「レジスト塗布装置」に相当する。
　そして、引用発明２には「液晶表示装置製造用大型マスクブランクス」を用いて液晶表示装置製造用大型マスクを得る技術が開示されているから、引用発明２には、マスクブランクを用いて「ＦＰＤデバイスを製造するための」マスクを製造する際に、ＣＡＰコーターを用いてマスクブランク上にレジストを塗布する技術が開示されているといえる。
　
　本願補正発明は「マスクブランク」という物の発明であるが、上記相違点３〜４に係る本願補正発明の発明特定事項は実質的に物を特定するものではなく、マスクブランクの用途を特定するものである。
　そして、フォトマスクブランクを半導体の製造やＦＰＤデバイスの製造に用いることは当業者に周知の技術的事項にすぎず（記載事項（１ｂ）、（２ａ）を参照）、引用発明１のフォトマスクブランクスの用途である「半導体集積回路及び高密度集積回路
等
　
　
エ．本願補正発明の効果について
　本願補正発明が奏する作用効果も、引用発明１、引用発明２及び周知の技術的事項から当業者が想定できる範囲のものであって、格別のものということができない。
　
　
オ．まとめ
　したがって、本願補正発明は、引用発明１、引用発明２及び周知の技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　
（３）本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本願補正発明は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、本件補正は、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり、決定する。
　
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成２１年５月２５日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
　
「透光性基板上に、遮光性膜、及び透過量を調整する機能を有する半透光性膜、のうちのを少なくとも一方を有するＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクであって、
　前記遮光性膜、及び前記半透光性膜は、５μｍ×５μｍの測定領域における膜表面の二乗平均平方根粗さＲｑが２．０ｎｍ以下であり、レジスト塗布装置によって前記膜面上にレジストが塗布される膜であって、かつ、
　前記レジスト塗布装置は、レジスト液を塗布すべき表面を下向きとなるように保持した基板に対し、毛管状のノズルにより毛細管現象を用いて上昇したレジスト液をノズル先端を基板に対して走査させることによって、レジストを塗布する装置であることを特徴とする、ＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク。」（以下、「本願発明」という。）　
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用した引用例、その記載事項及び引用発明の認定は、上記「第２」の「３．（２）引用例」に記載したとおりである。
　
　
３．対比・判断
　本願発明は、上記「第２」の「２．目的要件」で検討したとおり、本願補正発明の「遮光性膜及び半透光性膜」について、「エッチング液でウエットエッチングされる膜」であるとの限定と、「膜表面の最大高さＲｍａｘが１０ｎｍ以下」であるとの限定とをそれぞれ解除したものに相当する。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、かつその発明特定事項を限定したものに相当する本願補正発明が、前記「第２」の「３．独立特許要件」に記載したとおり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本願発明も、同様の理由により特許を受けることができないものである。
　
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　そして、本願発明が特許を受けることができない以上、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。