【手続補正書】
【提出日】平成23年4月25日(2011.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリア基板を有する複数の放射線放射半導体ボディを形成する方法であって、
キャリア基板ウェハ（１）を提供するステップと、
電磁放射線を生成するのに適した半導体層配列（２）を形成するステップと、
前記キャリア基板ウェハに接続する、前記半導体層配列の構造的接続部を形成するステップと、
前記半導体層配列（２）を前記半導体層配列（２）の切断部（６）によって複数の半導体層積層体（２００）に分割するステップと、
前記キャリア基板ウェハ（１）を前記キャリア基板ウェハ（１）の切断部（７）によって複数のキャリア基板（１００）に分割するステップと、
前記半導体層積層体（２００）を対応するキャリア基板（１００）で分離して個々の半導体ボディ（１０）を形成するステップと、を有し、
前記構造的接続部は、少なくとも１つの半導体層積層体（２００）が唯一の対応するキャリア基板（１００）に接続されるように形成され、
前記キャリア基板ウェハの少なくとも１つの切断部は、前記半導体層配列の切断部のいずれかによって延長されず、前記キャリア基板ウェハと前記半導体層配列との直線切断部が形成される、
複数の放射線放射半導体ボディを形成する方法。
【請求項２】
前記構造的接続部を形成するステップは、前記キャリア基板ウェハ（１）と前記半導体層配列（２）との間の全体領域にわたる接続部を形成し、その後に前記全体領域の接続部を所々で分離するステップを有する、
請求項１記載の複数の放射線放射半導体ボディを形成する方法。
【請求項３】
犠牲層（４）が形成されまたは識別され、前記犠牲層に沿って前記接続部が所々で分離される、
請求項２記載の複数の放射線放射半導体ボディを形成する方法。
【請求項４】
前記接続部は所々でレーザ光線（９）によって分離される、
請求項２または請求項３記載の複数の放射線放射半導体ボディを形成する方法。
【請求項５】
前記構造的接続部は、前記半導体層配列（２）を前記キャリア基板ウェハ（１）に所々でのみ接続することによって形成される、
請求項１記載の複数の放射線放射半導体ボディを形成する方法。
【請求項６】
前記キャリア基板ウェハ（１）と前記半導体層配列（２）との間の前記構造的接続部は、接続層（５）によって形成される、
請求項１から請求項５のいずれかに記載の複数の放射線放射半導体ボディを形成する方法。
【請求項７】
前記半導体層配列（２）および／または前記キャリア基板ウェハ（１）に加えて、前記接続層（５）も分割される、
請求項６記載の複数の放射線放射半導体ボディを形成する方法。
【請求項８】
前記構造的接続部を形成するステップははんだづけ処理を有する、
請求項６記載の複数の放射線放射半導体ボディを形成する方法。
【請求項９】
前記キャリア基板ウェハ（１）の切断部（７）および／または前記半導体層配列（２）の切断部（６）は、機械的処理、特にソーイングによって、または、レーザ光線によって、形成される、
請求項１から請求項８のいずれかに記載の複数の放射線放射半導体ボディを形成する方法。
【請求項１０】
接触層（１４）が少なくとも１つの半導体ボディ（１０）に適用され、前記接触層は、その半導体層積層体（２００）のキャリア基板（１００）に対向しない前側部（２０１）と、前記半導体層積層体（２００）によって覆われない対応するキャリア基板（１００）の少なくとも一部分とを、少なくとも部分的に覆う、
請求項１から請求項９のいずれかに記載の複数の放射線放射半導体ボディを形成する方法。
【請求項１１】
前記接触層（１４）は前記半導体層積層体（２００）の少なくとも１つにおける側面（２２１）を覆って伸延し、少なくとも幾つかの区域においてそれを覆う、
請求項１０記載の複数の放射線放射半導体ボディを形成する方法。
【請求項１２】
前記接触層の少なくとも小区域は少なくとも部分的に放射線を透過する、
請求項１０または請求項１１記載の複数の放射線放射半導体ボディを形成する方法。
【請求項１３】
前記接触層（１４）は、透明導電性酸化物、特にインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）に基づいて形成される、
請求項１から請求項１２のいずれかに記載の複数の放射線放射半導体ボディを形成する方法。
【請求項１４】
少なくとも１つの半導体ボディ（１０）について、第１の電気絶縁層（１３ａ）が、前記接触層（１４）が形成される前に、対応するキャリア基板（１００）の接続区域（１２０）の少なくとも一部分に適用される、
請求項１から請求項１３のいずれかに記載の複数の放射線放射半導体ボディを形成する方法。
【請求項１５】
第２の電気絶縁層（１３ｂ）が少なくとも１つの半導体ボディ（１０）に適用され、前記半導体層積層体（２００）における少なくとも１つの側面（２２１）を少なくとも部分的に覆う、
請求項１から請求項１４のいずれかに記載の複数の放射線放射半導体ボディを形成する方法。
【請求項１６】
前記半導体層配列（２）の少なくとも１つの切断部（６）および前記キャリア基板ウェハ（１）の隣接する切断部（７）は、前記半導体層積層体の前側部の平面視において互いに、５０μｍ以上、特に１００μｍ以上オフセットする、
請求項１から請求項１５のいずれかに記載の複数の放射線放射半導体ボディを形成する方法。
【請求項１７】
前記半導体層積層体（２００）の前側部（２０１）に導電的に接続された第１の電気接続層（１５）は、少なくとも１つの半導体ボディ（１０）の、特に接触層（１４）上の、キャリア基板（１００）の接続区域（１２０）に形成される、
請求項１から請求項１６のいずれかに記載の複数の放射線放射半導体ボディを形成する方法。
【請求項１８】
前記半導体層積層体（２００）の、前側部（２０１）とは反対側である後側部（３０２）に導電的に接続された第２の電気接続層（１６）は、少なくとも１つの半導体ボディ（１０）のキャリア基板（１００）の接続区域（１２０）に形成される、
請求項１から請求項１７のいずれかに記載の複数の放射線放射半導体ボディを形成する方法。
【請求項１９】
少なくとも１つの半導体ボディ（１０）について、第２の電気接続層（１６）は、対応するキャリア基板（１００）のエッジ部（１１１）から突出する半導体層積層体の第１の小区域（２１０）の後側部（２１２）に形成される、
請求項１から請求項１８のいずれかに記載の複数の放射線放射半導体ボディを形成する方法。
【請求項２０】
前記半導体層積層体（２）は成長基板ウェハ（３）を有する、
請求項１から請求項１９のいずれかに記載の複数の放射線放射半導体ボディを形成する方法。
【請求項２１】
前記半導体層配列（２）は、III-V族化合物半導体材料に基づいており、特に窒素化合物半導体材料またはリン化合物半導体材料に基づいており、または、II-VI族化合物半導体材料に基づいている、
請求項１から請求項２０のいずれかに記載の複数の放射線放射半導体ボディを形成する方法。
【請求項２２】
サファイアを有するキャリア基板ウェハ（１）が提供される、
請求項１から請求項２１のいずれかに記載の複数の放射線放射半導体ボディを形成する方法。
【請求項２３】
前記キャリア基板（１）を拡張可能支持部（１１）に配置するステップと、
前記半導体ボディ（１０）が互いに引き離されるように前記拡張可能支持部（１１）を拡張するステップと、
を有する請求項１から請求項２２のいずれかに記載の複数の放射線放射半導体ボディを形成する方法。
【請求項２４】
前記拡張可能支持部（１１）は特にポリエチレンを有する膜を有する、
請求項２３記載の複数の放射線放射半導体ボディを形成する方法。
【請求項２５】
前記拡張可能支持部（１１）は拡張可能メッシュを有する、
請求項２３または請求項２４記載の複数の放射線放射半導体ボディを形成する方法。
【請求項２６】
少なくとも１つの半導体ボディ（１０）について、前記半導体層積層体（２００）の第１の小区域（２１２）、前記キャリア基板（１００）および平面の支持部によって境界づけられた中空部（１２）は、充填材料（１８）で少なくとも部分的に充填される、
請求項１から請求項２５のいずれかに記載の複数の放射線放射半導体ボディを形成する方法。
【請求項２７】
キャリア基板（１００）と、電磁放射線を生成するのに適した半導体層積層体（２００）とを有する放射線放射半導体ボディ（１０）であって、
前記半導体層積層体（２００）は、前記半導体層積層体の、前記キャリア基板（１００）に対向しない後側部の少なくとも一部分が、前記半導体層積層体に対向する前記キャリア基板（１００）の第１の区域の面を覆うように、かつ、前記半導体層積層体に対向する前記キャリア基板（１００）の接続区域（１２０）の面に前記半導体層積層体（２００）が配置されないように、前記キャリア基板（１００）に配置され、
前記半導体層積層体（２００）の第１の小区域（２１０）は、前記キャリア基板（１００）のエッジ部（１１１）から突出する、
放射線放射半導体ボディ。
【請求項２８】
前記第１の小区域は、前記キャリア基板に並んで配置される、
請求項２７記載の放射線放射半導体ボディ。
【請求項２９】
前記半導体層積層体（２００）および前記キャリア基板（１００）の互いに対向する面は、同一の辺の長さ（ｌ１、ｌ３；ｌ２、ｌ４）を有する、
請求項２７記載の放射線放射半導体ボディ。
【請求項３０】
前記キャリア基板は、サファイア、ＧａＮおよびＳｉＣから成るグループから選択された材料から成り、または前記キャリア基板は、金属プレート、プラスチックパネルおよびガラスパネルから成るグループから選択される、
請求項２７から請求項２９のいずれかに記載の放射線放射半導体ボディ。
【請求項３１】
動作中に前記半導体層積層体（２００）によって生成される電磁放射線を少なくとも部分的に透過する接触層（１４）をさらに有し、
前記接触層（１４）は、前記半導体ボディに適用され、前記半導体層積層体（２００）の前側部（２０１）から少なくとも１つの側面（２２１）を越えて前記キャリア基板（１００）の前記接続区域（１２０）へと引き延ばされて、前記半導体層積層体（２００）の前記前側部（２０１）の少なくとも一部分と、前記半導体層積層体（２００）の前記側面（２２１）の少なくとも一部分と、前記キャリア基板（１００）の前記接続区域（１２０）の少なくとも一部分と、を覆う、
請求項２７から請求項３０のいずれかに記載の放射線放射半導体ボディ。
【請求項３２】
前記半導体層積層体（２００）の前記第１の小区域（２１０）、前記キャリア基板（１００）および平面の支持部によって境界づけられた中空部（１２）は、充填材料（１８）で少なくとも部分的に充填される、
請求項２７から請求項３１のいずれかに記載の放射線放射半導体ボディ。
【請求項３３】
第１の電気絶縁層（１３ａ）は、前記キャリア基板（１００）の前記接続区域（１２０）の少なくとも一部分に適用される、
請求項２７から請求項３２のいずれかに記載の放射線放射半導体ボディ。
【請求項３４】
第２の電気絶縁層（１３ｂ）は、前記半導体層積層体（２００）の側面（２２１）の少なくとも１つに適用され、少なくとも幾つかの区域において前記側面を覆う、
請求項３３記載の放射線放射半導体ボディ。
【請求項３５】
第１の電気接続層（１５）は、前記キャリア基板（１００）の前記接続区域（１２０）、特に接触層（１４）に配置され、前記半導体層積層体（２００）の、前記キャリア基板（１００）に対向しない前側部（２０１）に導電的に接続される、
請求項２７から請求項３４のいずれかに記載の放射線放射半導体ボディ。
【請求項３６】
第２の電気接続層（１６）は、前記キャリア基板（１００）の前記接続区域（１２０）に配置され、前記半導体層積層体（２００）の前側部（２０１）の反対側の後側部（３０２）に導電的に接続される、
請求項３５記載の放射線放射半導体ボディ。
【請求項３７】
第２の電気接続層（１６）は、前記半導体層積層体（２００）の前記第１の小区域（２１０）の後側部（２１２）に配置される、
請求項２７から請求項３６のいずれかに記載の放射線放射半導体ボディ。
【請求項３８】
前記半導体層積層体（２００）は成長基板（３）を有する、
請求項２７から請求項３７のいずれかに記載の放射線放射半導体ボディ。
【請求項３９】
前記接触層（１４）は透明導電性酸化物、特にインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を有する、
請求項３１記載の放射線放射半導体ボディ。
【請求項４０】
前記半導体層積層体（２００）はIII-V族化合物半導体材料に基づいており、特に窒素化合物半導体材料またはリン化合物半導体材料に基づいており、またはII-VI族化合物半導体材料に基づいている、
請求項２７から請求項３９のいずれかに記載の放射線放射半導体ボディ。
【請求項４１】
前記キャリア基板（１００）の前記接続区域（１２０）のエッジ部（１２１）および前記半導体層積層体（２００）の隣接する側面（２２１）は、前記半導体層積層体の前側部の平面視において互いに、５０μｍ以上、特に１００μｍ以上オフセットしている、
請求項２７から請求項４０のいずれかに記載の放射線放射半導体ボディ。
【請求項４２】
前記半導体層積層体（２００）の前記第１の小区域（２１０）の側面（２１１）および前記キャリア基板（１００）の隣接するエッジ部（１１１）は、前記半導体層積層体（２００）の前側部の平面視において、５０μｍ以上オフセットしている、
請求項２７から請求項４０のいずれかに記載の放射線放射半導体ボディ。