【事件の表示】
　特願２００４−５２１４３９「非ドープ・クラッディング層及びマルチ量子ウェルを有するＩＩＩ族窒化物ＬＥＤ」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　１月２２日国際公開、ＷＯ２００４／００８５５２、平成１７年　９月２２日国内公表、特表２００５−５２８８０９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
理　由
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１５年５月２０日（パリ条約による優先権主張２００２年５月３０日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２１年１１月１６日付けで手続補正がなされ、平成２２年４月６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月１６日に拒絶査定不服審判請求がされたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２１年１１月１６日付け手続補正による補正後の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし４４に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１２に係る発明は次のとおりである。
　
「【請求項１】
電磁スペクトルの赤から紫外線部分までにおいて発光可能な発光素子の半導体構造であって、
　ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮの第１ｎ型クラッディング層であって、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１である、第１ｎ型クラッディング層と、
　ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮの第２ｎ型クラッディング層であって、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１であり、実質的にマグネシウムを含まない第２ｎ型クラッディング層と、
　前記第１及び第２クラッディング層の間にあり、複数のＩｎｘＧａ１−ｘＮウェル層を有し、０＜ｘ＜１であり、前記複数のＩｎｘＧａ１−ｘＮウェル層は対応する複数のＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮバリア層によって分離されており、０≦ｘ≦１及び０≦ｙ＜１であるマルチ量子ウェルの形態のアクティブ部と、
　ＩＩＩ族窒化物のｐ型層であって、前記第２ｎ型クラッディング層が前記ｐ型層と前記マルチ量子ウェルとの間に位置する、ｐ型層と
を備えており、
　前記第１及び第２ｎ型クラッディング層のそれぞれのバンドギャップは、各々、前記ウェル層のバンドギャップよりも大きい
ことを特徴とする半導体構造。
・・・
【請求項１２】
請求項１記載の半導体構造において、該半導体構造は更に、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮの第３ｎ型層を備えており、０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１であり、前記第３ｎ型層は、前記第２ｎ型クラッディング層と前記ｐ型層との間に位置することを特徴とする半導体構造。」（以下、請求項１を引用する請求項１２に係る発明を「本願発明」という。）
　
　
２　引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開第００／２１１４４号（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている（なお、和訳をかっこ書きした。）。
　
（１）「
FIELD OF THE INVENTION
（
発明の分野
　
（２）「
OBJECT AND SUMMARY OF THE INVENTION
（
発明の目的及び概要
　
（３）「
DETAILED DESCRIPTION
・・・
　As known to those familiar with electronic structures, a quantum well is typically formed of one or several thin layers of a semiconductive material that has active layers that are very thin.  ・・・As recognized by those familiar with such structures, the use of single or multiple quantum wells increases the electron density in the desired transitions and thus produces increased brightness in the resulting emissions. 
　Taken in more detail, the silicon carbide substrate 11 is n-type, and a first layer of n-type gallium nitride 20, typically doped with silicon, is on the conductive buffer layer 13 and borders the (second) undoped layer of gallium nitride 14 referred to above. 
　The preferred structure also includes a first layer of undoped aluminum gallium nitride 21 on the other undoped gallium nitride layer 15 which is the third gallium nitride layer overall. A second layer of aluminum gallium nitride 22 that is p- type (preferably doped with magnesium) is on the first undoped layer 21. A p-type gallium nitride layer 23, the fourth gallium nitride layer overall, completes the device and is preferably doped with magnesium. As Figure 1 illustrates, an ohmic contact 16 is made to the conductive silicon carbide substrate and another ohmic contact 17 is made to the p-type gallium nitride layer 23. ・・・
　In preferred embodiments, the indium gallium nitride quantum well 12 is intrinsically n-type, and can comprise a single (SQW) or a multiple quantum well (MQW).」（第６頁第１０行〜第８頁第９行）
（
詳細な説明
・・・
  電子構造に精通している当業者には知られているように、量子井戸は、典型的には、極めて薄い活性層を有する半導体材料の１つの又はいくつもの薄層から形成される。・・・前記構造に精通している当業者によって認識されるように、単一量子井戸又は多重量子井戸を用いると、所望の遷移における電子密度が増大するので、得られる発光の輝度が増加する。
  更に詳しくは、炭化珪素基板１１はｎ型であり、典型的に珪素がドープされた第一ｎ型窒化ガリウム層２０は、導電性緩衝層１３上にあって、上記した（第二の）ドープされていない窒化ガリウム層１４に隣接している。
  好ましい構造は、全体的に見ると第三窒化ガリウム層である他のドープされていない窒化ガリウム層１５の上にドープされていない第一窒化アルミニウムガリウム層２１も含む。ｐ型である（好ましくはマグネシウムがドープされた）第二窒化アルミニウムガリウム層２２は、第一アンドープ層２１の上にある。全体的に見ると第四窒化ガリウム層であるｐ型窒化ガリウム層２３は、デバイスを完成させ、好ましくはマグネシウムがドープされる。図１に示してあるように、オーミックコンタクト１６は導電性炭化珪素基板に対して作られ、別のオーミックコンタクト１７はｐ型窒化ガリウム層２３に対して作られる。・・・
  好ましい態様では、窒化インジウムガリウム量子井戸１２は、本質的にｎ型であり、単一量子井戸（ＳＱＷ）及び多重量子井戸（ＭＱＷ）を含み得る。）
　
（４）「Both the undoped gallium nitride layer 15 and the undoped aluminum gallium nitride layer 21 are relatively thin. The gallium nitride layer 15 is on the order of 20- 30 angstroms and is grown at a temperature of between about 750°and 800°C. The undoped aluminum gallium nitride layer 21 has a thickness of between about 30 and 50 angstroms, and is grown at temperatures of about 800°to 850°C. 」（第１０頁第２０〜２４行）
（ドープされていない窒化ガリウム層１５及びドープされていない窒化アルミニウムガリウム層２１の双方とも比較的薄い。窒化ガリウム層１５は、２０〜３０オングストローム程度の厚さであり、約７５０℃〜８００℃の温度で成長される。ドープされていない窒化アルミニウムガリウム層２１は、３０〜５０オングストローム程度の厚さであり、約８００℃〜８５０℃の温度で成長される。）
　
（５）上記（３）に照らして図１を見ると、「縦型発光ダイオード」は、「導電性炭化珪素基板１１」上に、「導電性緩衝層１３」、「珪素がドープされた第一ｎ型窒化ガリウム層２０」、「ドープされていない窒化ガリウム層１４」、「窒化インジウムガリウム量子井戸１２」、「ドープされていない窒化ガリウム層１５」、「ドープされていない第一窒化アルミニウムガリウム層２１」、「ｐ型であり、マグネシウムがドープされた第二窒化アルミニウムガリウム層２２」及び「ｐ型窒化ガリウム層２３」を順に積層するとともに、前記「導電性炭化珪素基板１１」の下面には「オーミックコンタクト１６」を形成し、前記「ｐ型窒化ガリウム層２３」の上面には「オーミックコンタクト１７」を形成して構成されること、が見て取れる。
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「電磁スペクトルの赤色部分、緑色部分、青色部分、紫色部分及び紫外部分の光を放出することができる縦型発光ダイオードであって、
　導電性炭化珪素基板１１上に、導電性緩衝層１３、珪素がドープされた第一ｎ型窒化ガリウム層２０、ドープされていない窒化ガリウム層１４、窒化インジウムガリウム量子井戸１２、ドープされていない窒化ガリウム層１５、ドープされていない第一窒化アルミニウムガリウム層２１、ｐ型であり、マグネシウムがドープされた第二窒化アルミニウムガリウム層２２及びｐ型窒化ガリウム層２３を順に積層するとともに、前記導電性炭化珪素基板１１の下面にはオーミックコンタクト１６を形成し、前記ｐ型窒化ガリウム層２３の上面にはオーミックコンタクト１７を形成して構成され、
　窒化インジウムガリウム量子井戸１２は多重量子井戸（ＭＱＷ）を含み得、
　ドープされていない窒化ガリウム層１５は、２０〜３０オングストローム程度の厚さであり、ドープされていない窒化アルミニウムガリウム層２１は、３０〜５０オングストローム程度の厚さである、縦型発光ダイオード。」
　
　
３　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
　
（１）引用発明の「縦型発光ダイオード」は、「電磁スペクトルの赤色部分、緑色部分、青色部分、紫色部分及び紫外部分の光を放出することができる」ものであり、それ自体が発光可能な発光素子の半導体構造であるといえるから、引用発明の「縦型発光ダイオード」は、本願発明の「（電磁スペクトルの赤から紫外線部分までにおいて発光可能な発光素子の）半導体構造」に相当する。
　
（２）引用発明の「縦型発光ダイオード」は、「導電性炭化珪素基板１１上に、・・・ドープされていない窒化ガリウム層１４、窒化インジウムガリウム量子井戸１２、ドープされていない窒化ガリウム層１５、ドープされていない第一窒化アルミニウムガリウム層２１、ｐ型であり、マグネシウムがドープされた第二窒化アルミニウムガリウム層２２・・・を順に積層する」ものであるところ、本願明細書（【００２９】）によれば、「第２ｎ型クラッディング層１２は、・・・ドープされていてもまたドープされていなくてもよい」ものであり、また、ＧａＮ系材料はアンドープでもｎ型を示すことは本願の優先日時点で周知であるから（必要なら、特開平１０−２３３５３１号公報（【００３５】）、特開２００１−１０２６２３号公報（【００１９】）、特開２００１−１１９０６４号公報（【００２０】）参照。）、引用発明の「ドープされていない窒化ガリウム層１４」、「ドープされていない窒化ガリウム層１５」及び「ドープされていない第一窒化アルミニウムガリウム層２１」は、それぞれ、ｎ型を示すものであるといえる。また、引用発明の「窒化インジウムガリウム量子井戸１２」は、「多重量子井戸（ＭＱＷ）を含み得る」ものであって、複数のウェル層を有し、対応する複数のバリア層によって分離されているといえる。よって、
　ア　引用発明の「ドープされていない窒化ガリウム層１４」は、本願発明の「ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮの第１ｎ型クラッディング層であって、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１である、第１ｎ型クラッディング層」と、ｘ＝ｙ＝０である場合において一致し、
　イ　引用発明の「ドープされていない窒化ガリウム層１５」は、本願発明の「ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮの第２ｎ型クラッディング層であって、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１であり、実質的にマグネシウムを含まない第２ｎ型クラッディング層」と、ｘ＝ｙ＝０である場合において、「ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮの第２ｎ型クラッディング層であって、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１である、第２ｎ型クラッディング層」である点で一致し、
　ウ　引用発明の「窒化インジウムガリウム量子井戸１２」は、本願発明の「前記第１及び第２クラッディング層の間にあり、複数のＩｎｘＧａ１−ｘＮウェル層を有し、０＜ｘ＜１であり、前記複数のＩｎｘＧａ１−ｘＮウェル層は対応する複数のＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮバリア層によって分離されており、０≦ｘ≦１及び０≦ｙ＜１であるマルチ量子ウェルの形態のアクティブ部」と、「前記第１及び第２クラッディング層の間にあり、複数のウェル層を有し、前記複数のウェル層は対応する複数のバリア層によって分離されているマルチ量子ウェルの形態のアクティブ部」である点で一致し、
　エ　引用発明の「ｐ型であり、マグネシウムがドープされた第二窒化アルミニウムガリウム層２２」は、本願発明の「ＩＩＩ族窒化物のｐ型層であって、前記第２ｎ型クラッディング層が前記ｐ型層と前記マルチ量子ウェルとの間に位置する、ｐ型層」に相当し、
　オ　引用発明の「ドープされていない第一窒化アルミニウムガリウム層２１」は、本願発明の「ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮの第３ｎ型層であって、０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１であり、前記第２ｎ型クラッディング層と前記ｐ型層との間に位置する第３ｎ型層」と、０＜ｘ＜１、ｙ＝０である場合において一致する。そして、
　カ　引用発明の「ドープされていない窒化ガリウム層１４、窒化インジウムガリウム量子井戸１２、ドープされていない窒化ガリウム層１５、ドープされていない第一窒化アルミニウムガリウム層２１、ｐ型であり、マグネシウムがドープされた第二窒化アルミニウムガリウム層２２・・・を順に積層する」との事項は、本願発明の「ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮの第１ｎ型クラッディング層であって、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１である、第１ｎ型クラッディング層と、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮの第２ｎ型クラッディング層であって、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１であり、実質的にマグネシウムを含まない第２ｎ型クラッディング層と、前記第１及び第２クラッディング層の間にあり、複数のＩｎｘＧａ１−ｘＮウェル層を有し、０＜ｘ＜１であり、前記複数のＩｎｘＧａ１−ｘＮウェル層は対応する複数のＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮバリア層によって分離されており、０≦ｘ≦１及び０≦ｙ＜１であるマルチ量子ウェルの形態のアクティブ部と、ＩＩＩ族窒化物のｐ型層であって、前記第２ｎ型クラッディング層が前記ｐ型層と前記マルチ量子ウェルとの間に位置する、ｐ型層とを備えており」との事項と、「ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮの第１ｎ型クラッディング層であって、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１である、第１ｎ型クラッディング層と、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮの第２ｎ型クラッディング層であって、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１であり、第２ｎ型クラッディング層と、前記第１及び第２クラッディング層の間にあり、複数のウェル層を有し、前記複数のウェル層は対応する複数のバリア層によって分離されており、マルチ量子ウェルの形態のアクティブ部と、ＩＩＩ族窒化物のｐ型層であって、前記第２ｎ型クラッディング層が前記ｐ型層と前記マルチ量子ウェルとの間に位置する、ｐ型層とを備えており」、「該半導体構造は更に、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮの第３ｎ型層を備えており、０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１であり、前記第３ｎ型層は、前記第２ｎ型クラッディング層と前記ｐ型層との間に位置する」、との点で一致する。
　
（３）引用発明において、「ドープされていない窒化ガリウム層１４」及び「ドープされていない窒化ガリウム層１５」のそれぞれのバンドギャップは、各々、「（窒化インジウムガリウム量子井戸１２の）ウェル層」のバンドギャップより大きいことは明らかであるから、引用発明は、本願発明の「前記第１及び第２ｎ型クラッディング層のそれぞれのバンドギャップは、各々、前記ウェル層のバンドギャップよりも大きい」との事項を備える。
　
　よって、本願発明と引用発明とは、
「電磁スペクトルの赤から紫外線部分までにおいて発光可能な発光素子の半導体構造であって、
　ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮの第１ｎ型クラッディング層であって、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１である、第１ｎ型クラッディング層と、
　ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮの第２ｎ型クラッディング層であって、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１であり、第２ｎ型クラッディング層と、
　前記第１及び第２クラッディング層の間にあり、複数のウェル層を有し、前記複数のウェル層は対応する複数のバリア層によって分離されているマルチ量子ウェルの形態のアクティブ部と、
　ＩＩＩ族窒化物のｐ型層であって、前記第２ｎ型クラッディング層が前記ｐ型層と前記マルチ量子ウェルとの間に位置する、ｐ型層と
を備えており、
　前記第１及び第２ｎ型クラッディング層のそれぞれのバンドギャップは、各々、前記ウェル層のバンドギャップよりも大きく、
　該半導体構造は更に、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮの第３ｎ型層を備えており、０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１であり、前記第３ｎ型層は、前記第２ｎ型クラッディング層と前記ｐ型層との間に位置する半導体構造。」
の点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。  
 　  
　ａ　第２ｎ型クラッディング層が、本願発明では、実質的にマグネシウムを含まないのに対し、引用発明では、実質的にマグネシウムを含まないか否か明らかではない点（以下「相違点１」という。）。
　ｂ　本願発明は、マルチ量子ウェルの形態のアクティブ部の複数のウェル層がＩｎｘＧａ１−ｘＮであって、０＜ｘ＜１であり、前記複数のウェル層を分離する複数のバリア層がＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮであって、０≦ｘ≦１及び０≦ｙ＜１であるのに対し、引用発明は、マルチ量子ウェルの形態のアクティブ部の複数のウェル層及び複数のバリア層がどのような組成のものであるのか明らかではない点（以下「相違点２」という。）。
　
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
　
相違点１について
　本願発明の「『第２ｎ型クラッディング層』が、『実質的にマグネシウムを含まない』」との事項に関し、本願明細書には、以下のように記載されている。
　
　ア　「図１は、本発明によるＬＥＤの半導体構造の断面概略図である。・・・半導体構造１０は、ＡｌｘＩｎｙＧａｌ−ｘ−ｙＮの第２ｎ型クラッディング層も含み・・・」（【００２９】）
　イ　「ｎ型アクティブ層１３は・・・第１ｎ型クラッディング層と第２ｎ型クラッディング層１２との間に位置する。」（【００３０】）
　ウ　「半導体構造は、更に、ｐ型ＩＩＩ族窒化物層１８によって特徴付けられる。・・・第２ｎ型クラッディング層１２がｐ型層１８とアクティブ層１３との間にくるように、半導体構造に位置付けられている。」（【００３１】）
　エ　「尚、ｐ型層１８がマグネシウムをドープした窒化ガリウムで作られる実施形態では、第２ｎ型クラッディング層１２は、ｐ型層１８からアクティブ層１３へのマグネシウムの移動を阻止するには十分厚く、しかもアクティブ層１３における電子と正孔の再結合が容易に行われる程度に薄くなければならない・・・」（【００３２】）
　オ　「また、半導体素子は、ＡｌｘＩｎｙＧａｌ−ｘ−ｙＮの追加のｎ型層も含むことができ・・・。図３に示す一実施形態では、第３ｎ型層１９が、第２ｎ型クラッディング層１２とｐ型層１８との間に位置付けられている。」（【００４２】）
　カ　「アクティブ層とｐ−ｎ接合との間にある１つ又は複数の層の厚さは、素子の機能性に影響を及ぼす。層が薄すぎると、適切な閉じ込めを行うことができず、一方層が厚すぎると、その厚い層において過度に多くの再結合が行われてしまい、再結合を必要とするアクティブ層では行われなくなってしまう。したがって、図１に示した実施形態に関して、クラッド層１２の厚さは、約３０及び７０Åの間にするとよい。図３に示した実施形態に関しては、クラッド層１２の厚さは、約２０及び５０Åの間とするとよく、層１９の厚さは、約３０及び５０Åの間とするとよい。」（【００６６】）
　
　上記ア〜カによれば、本願発明の「『第２ｎ型クラッディング層』が、『実質的にマグネシウムを含まない』」との事項は、該「第２ｎ型クラッディング層（クラッド層１２）」が、「（マグネシウムをドープした窒化ガリウムで作られる）ｐ型層１８」から「アクティブ層１３」へのマグネシウムの移動を阻止する十分な厚さを有することを意味するものであって、その具体的な厚さは、追加のｎ型層である「第３ｎ型層１９」を含む図３の実施形態においては、「約２０及び５０Åの間」であることが理解される。
　しかるところ、引用発明の「ドープされていない窒化ガリウム層１５」は、その厚さが「２０〜３０オングストローム程度」なのであるから、引用発明の「ドープされていない窒化ガリウム層１５」は、本願発明の「第２ｎ型クラッディング層（クラッド層１２）」（厚さが約２０及び５０Åの間）と同程度の厚さを有するものであるといえ、本願発明の「第２ｎ型クラッディング層」と同様に「実質的にマグネシウムを含まない」ものであるといえる。
　また、引用発明において、「（厚さが２０〜３０オングストローム程度である）ドープされていない窒化ガリウム層１５」について、その厚みを、「（ｐ型であり、マグネシウムがドープされた）第二窒化アルミニウムガリウム層２２」から「窒化インジウムガリウム量子井戸１２」へのマグネシウムの移動を阻止する十分なものとなし、「実質的にマグネシウムを含まない」ものとなすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
相違点２について
　複数の井戸層と複数の障壁層と交互に積層した多重量子井戸構造を有する窒化ガリウム系発光ダイオードにおいて、該井戸層をＩｎｘＧａ１−ｘＮ層（０＜ｘ＜１）、障壁層をＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ層（０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１）で構成するものは本願の優先日時点で周知であるから（必要なら、特開平６−２６８２５７号公報（【００１１】、図１）、特開平６−２１５１１号公報（【００１４】、図３）、特開２００２−８４０００号公報（【００１７】、図７）、特開２００１−２８４５８号公報（【００６３】、図１）参照。）、引用発明の「窒化インジウムガリウム量子井戸１２」として、井戸層がＩｎｘＧａ１−ｘＮ層（０＜ｘ＜１）、障壁層がＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ層（０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１）の多重量子井戸構造を採用して、上記相違点２に係る本願発明の構成となすことは、当業者が適宜になし得ることである。
　
　また、本願発明の奏する効果が、引用発明及び上記周知技術から当業者が予測困難な程の格別顕著なものということはできない。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。