(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層配線板の製造に用いる積層基板が、
支持基板の外側に半硬化絶縁樹脂シートと、
剥離可能な複数の金属層を有する多層構造の金属箔と、
を有し、
前記半硬化絶縁樹脂の絶縁樹脂材料で、前記多層構造の金属箔の外周部分を一体に覆う構造を備えることを特徴とする積層基板。
【請求項２】
支持基板の外側に半硬化の絶縁樹脂シートを重ね、該半硬化の絶縁樹脂シートの外側に、該半硬化の絶縁樹脂シートよりも寸法が小さく、両面に複数の金属層が剥離可能に積層されて成る積層金属シートを、その極薄銅箔層を外側にして重ねて積層する工程と、
前記積層金属シートの外側に第１の層間絶縁樹脂層を積層する時に前記層間絶縁樹脂層の絶縁樹脂が前記多層構造の金属箔の外縁部の表面の上に流れ出すことにより、前記絶縁樹脂により前記多層構造の金属箔の外周部分を覆った積層基板を形成する工程と、
前記層間絶縁樹脂層の外側から穴あけ加工用レーザー光線によって前記積層金属シートの前記積層金属シートに達するビアホール下穴を形成する工程と、
銅めっきにより前記ビアホール下穴を充填した第１のビアホール及び前記第１の層間絶縁樹脂層の外側に前記第１のビアホールのランドと第１の配線パターンを形成する工程と、
前記第１の層間絶縁樹脂層と第１の配線パターンの外側に次の層間絶縁樹脂層と配線パターンの層を交互に積層して多層配線構造を形成する工程と、
前記積層金属シートを剥離することで、前記支持基板から前記多層配線構造を分離する工程と、
前記多層配線構造の極薄銅箔層をクイックエッチングすることで、前記層間絶縁樹脂層に埋め込まれた、上底の径が下底の径より小さい円錐台状のビアホールの上底を外側に露出させた多層配線板を形成する工程とを有することを特徴とする多層配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子搭載用パッケージに用いる板厚が極めて薄い多層配線板とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、軽量化、多機能化が一段と進み、これに伴ない、配線の高集積化と小型化が急速に進み、配線の微細化が進んでいる。また、半導体チップとほぼ同等のサイズの、いわゆるチップサイズパッケージ（ＣＳＰ；Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ／Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）などの小型化したパッケージへの要求が強くなっている。一方、エッチングにより配線を形成するサブトラクティブ法で歩留り良く形成できる配線は、導体幅（Ｌ）／導体間隙（Ｓ）＝５０μｍ／５０μｍ程度である。
【０００３】
更に微細な導体幅／導体間隙＝３５μｍ／３５μｍ程度の配線を実現するために、特許文献１では、剥離可能なピーラブル銅箔を２枚向かい合わせた間にプリプレグを挟んで積層して硬化させた支持基板を作製する。そして、そのピーラブル銅箔上にめっきレジストを形成して、電解金属めっきで導体を必要な厚さに形成した配線層を形成し、レジストを剥離した後に、その配線層の上に層間絶縁樹脂層と配線パターンを順次ビルドアップして多層構造体を形成する。
【０００４】
そして、支持基板の両面に形成した多層構造体を、ピーラブル銅箔を剥離して分離し、多層構造体の表面に残ったピーラブル銅箔の薄い金属層をソフトエッチングで除去するというセミアディティブ法を利用した技術により、板厚が極めて薄い多層配線板を製造する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１０１１３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の技術では、支持基板の外側にプリプレグを介してピーラブル銅箔を積層することで硬化したプリプレグの絶縁樹脂材料の外側にピーラブル銅箔を貼り合せ、そのピーラブル銅箔上に銅めっきすることにより配線パターンを形成し、その上に層間絶縁樹脂層と配線パターンを複数層積層した後、ピーラブル銅箔を剥離していた。そして、ピーラブル銅箔の層をエッチングして除去することでその上に形成していた配線パターンと層間絶縁樹脂層の面とを露出させていた。
【０００７】
特許文献１の技術では、そのようにして多層配線板を製造していたので、ピーラブル銅箔側に面する絶縁樹脂層の面に接続端子の配線パターンを埋め込んで、その接続端子の配線パターンに位置を合わせたビアホールを絶縁樹脂層内に形成していた。
【０００８】
この従来技術では、接続端子とビアホールとのパターンの位置合せ精度の関係から、１３０μｍ以下のピッチで接続端子とビアホールとを安定して製造することができなかった。すなわち、接続端子をビアホールの径程度に小さく形成した場合に、その接続端子からビアホールの位置がずれて加工された場合、最終的に多層配線板の絶縁樹脂層の表面に露出する接続端子の形状が片側に飛び出る形になり、接続端子部分が絶縁樹脂層から露出する形状が異常になった。その異常な接続端子部分は半導体チップのバンプ（接続端子）との接続の信頼性が低い問題があった。また、その接続端子部分が隣接するバンプとの距離が近くなり、半導体チップのバンプを半田付けする際に、隣接するバンプと半田によるショートが発生するか、又は、絶縁信頼性が悪くなる問題があった。
【０００９】
本発明の課題は、上記の問題を解決して、ＩＣチップのピッチが１３０μｍ程度の高密度のバンプと高い信頼性で電気接続でき、かつ、板厚が極めて薄い多層配線板を得ることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上記課題を解決するために、多層配線板の製造方法に用いる積層基板が、支持基板の外側に半硬化絶縁樹脂シートと、剥離可能な複数の金属層を有する多層構造の金属箔と、を有し、前記半硬化絶縁樹脂の絶縁樹脂材料で、前記多層構造の金属箔の外周部分を一体に覆う構造を備えることを特徴とする積層基板である。
【００１３】
また、本発明は、支持基板の外側に半硬化の絶縁樹脂シートを重ね、該半硬化の絶縁樹脂シートの外側に、該半硬化の絶縁樹脂シートよりも寸法が小さく、両面に複数の金属層が剥離可能に積層されて成る積層金属シートを、その極薄銅箔層を外側にして重ねて積層する工程と、前記積層金属シートの外側に第１の層間絶縁樹脂層を積層する時に前記層間絶縁樹脂層の絶縁樹脂が前記多層構造の金属箔の外縁部の表面の上に流れ出すことにより、前記絶縁樹脂により前記多層構造の金属箔の外周部分を覆った積層基板を形成する工程と、
前記層間絶縁樹脂層の外側から穴あけ加工用レーザー光線によって前記積層金属シートの前記積層金属シートに達するビアホール下穴を形成する工程と、銅めっきにより前記ビアホール下穴を充填した第１のビアホール及び前記第１の層間絶縁樹脂層の外側に前記第１のビアホールのランドと第１の配線パターンを形成する工程と、前記第１の層間絶縁樹脂層と第１の配線パターンの外側に次の層間絶縁樹脂層と配線パターンの層を交互に積層して多層配線構造を形成する工程と、前記積層金属シートを剥離することで、前記支持基板から前記多層配線構造を分離する工程と、前記多層配線構造の極薄銅箔層をクイックエッチングすることで、前記層間絶縁樹脂層に埋め込まれた、上底の径が下底の径より小さい円錐台状のビアホールの上底を外側に露出させた多層配線板を形成する工程とを有することを特徴とする多層配線板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明により、層間絶縁樹脂層３１に埋め込まれた、上底の径が下底の径より小さい円錐台状のビアホール３２の、径が５０μｍ程度の上底を外側に露出させた多層配線構造３０から成る多層配線板を得ることができる。
【００１５】
この露出させたビアホール３２の上底の径が５０μｍ程度で小さいので、その上底にＩＣチップのバンプ（接続端子）を接続することで、ＩＣチップのピッチが１３０μｍ程度の高密度の部品端子と高い信頼性で電気接続することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の製造方法の実施形態を示す部分断面図である（その１）。
【図２】本発明の製造方法の実施形態を示す部分断面図である（その２）。
【図３】本発明の製造方法の実施形態を示す部分断面図である（その３）。
【図４】本発明の製造方法の実施形態を示す部分断面図である（その４）。
【図５】本発明の製造方法の実施形態を示す部分断面図である（その５）。
【図６】本発明の変形例２の多層配線板の部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。図１から図６の側断面図に、本発明の多層配線板の製造方法の一実施形態を工程順に示す。
【００１８】
構造に用いる材料、構成については、製造方法の実施形態を例に以下に説明する。
（支持基板）
先ず、図１（ａ）のように、支持基板１０として、厚み０．０４ｍｍから０．４ｍｍの基板で、両面に厚み１８μｍの銅箔１１を有する、有機樹脂をガラスやポリイミド、液晶などから成る補強繊維に含浸させた材料から成る銅張積層板（例えば、サイズが６１０×５１０ｍｍ）を用いる。
【００１９】
この支持基板１０を構成する有機樹脂材料は、エポキシ系、アクリル系、ウレタン系、エポキシアクリレート系、フェノールエポキシ系、ポリイミド系、ポリアミド系、シアネート系、液晶系を主体とする有機樹脂を用いることができる。また、その有機樹脂にシリカやブチル系有機材料、炭酸カルシウムなどによるフィラーを含ませた基板を用いることもできる。
【００２０】
（支持基板の銅箔粗化処理工程）
先ず、支持基板１０の銅箔１１の表面を、過水硫酸等のエッチング液によるソフトエッチング処理により粗化処理する。次に、支持基板１０の表面に、ピーラブル銅箔などの多層構造の積層金属シート１３を重ねる位置合せマークとして、銅箔１１をエッチングしたパターンで位置合せマークを形成する。
【００２１】
（変形例１）
変形例１として、この支持基板１０として、ガラス（青板、無アルカリガラス、石英）、又は、金属（ステンレス、鉄、銅、チタン、タングステン、マグネシウム、アルミニウム、クロム、モリブデンなどを主体とする）を用いることもできる。
【００２２】
（積層金属シートを支持基板へ積層する工程）
次に、図１（ｂ）のように、サイズが例えば６１０×５１０ｍｍの支持基板１０を中心にし、その支持基板１０の外側に、平面視で支持基板１０と同じサイズの寸法が６１０×５１０ｍｍのプリプレグもしくは樹脂フィルムから成る半硬化絶縁樹脂シート１２ａを重ね、その外側に、半硬化絶縁樹脂シート１２ａより小さいサイズの寸法が６００×５００ｍｍの多層構造の積層金属シート１３を重ねる。そして、その積層金属シート１３の外側に離型フィルム２０を重ねて、真空積層プレスにより、支持基板１０の外側に半硬化絶縁樹脂シート１２ａを介して積層金属シート１３を積層する。
【００２３】
真空積層プレス装置によって加熱・加圧する積層処理によって、支持基板１０の外側の半硬化絶縁樹脂シート１２ａを硬化させて絶縁樹脂材料１２にし、その支持基板１０と絶縁樹脂材料１２とからなる支持基板の外側の面に積層金属シート１３が一体となった積層基板１００を製造する。
【００２４】
（半硬化絶縁樹脂シート）
ここで用いる半硬化絶縁樹脂シート１２ａとしては、厚さが０．０４ｍｍから０．４ｍ
ｍの（例えば厚さが０．０７ｍｍの）、有機樹脂が補強繊維に含浸されて成るプリプレグを半硬化絶縁樹脂シート１２ａとして用いる。プリプレグは、樹脂リッチに調整している方が好ましい。必要なハンドリング性を確保できる場合は、補強繊維を含まない樹脂フィルムの半硬化絶縁樹脂シート１２ａを用いても構わない。
【００２５】
半硬化絶縁樹脂シート１２ａの有機樹脂の材料としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂（以下、ＢＴ樹脂と称す）、ポリイミド樹脂、ＰＰＥ樹脂、フェノール樹脂、ＰＴＦＥ樹脂、珪素樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、ＰＰＳ樹脂、ＰＰＯ樹脂、シアネート樹脂、シアネートエステル樹脂などの有機樹脂を使用することができる。
【００２６】
また、補強繊維は、ガラス繊維、アラミド不織布やアラミド繊維、ポリエステル繊維、ポリアミド繊維、液晶繊維などを用いることができる。また、半硬化絶縁樹脂シート１２ａの有機樹脂には、シリカやブチル系有機材料、炭酸カルシウムなどによるフィラーを含ませることもできる。
【００２７】
（積層金属シート）
複数の金属層が剥離可能に積層されて成る多層構造の積層金属シート１３として、例えば、厚さ１０μｍ〜３５μｍ（例えば１８μｍ）のキャリア銅箔層１３ａの金属層に、厚さ１μｍ〜８μｍ（例えば５μｍ）の極薄銅箔層１３ｂの金属層を剥離可能に積層したピーラブル金属箔を用いる。キャリア銅箔層１３ａと極薄銅箔層１３ｂの金属層を剥離可能に積層する手段は、剥離可能に接着剤で接着する方法や、その他の剥離可能な積層方法を用いる。
【００２８】
この積層金属シート１３を、極薄銅箔層１３ｂを外側にしキャリア銅箔層１３ａを内側にして半硬化絶縁樹脂シート１２ａの外側に重ねる。
【００２９】
図１（ｂ）のように、積層金属シート１３の外側に、離型フィルム２０を重ねて真空積層プレスにより、支持基板１０の外側に半硬化絶縁樹脂シート１２ａを介して積層金属シート１３を積層する。真空積層プレスの条件は、適用する半硬化絶縁樹脂シート１２ａの材料に合わせて昇温速度や圧力、加圧タイミングを調整して実施する。流動性が高い材料を用いる場合は、昇温速度や加圧タイミングを遅くする調整を施しても構わない。
【００３０】
そして、半硬化絶縁樹脂シート１２ａを固化させて絶縁樹脂材料１２にした後に離型フィルム２０を剥離して、図２（ｃ）のように、サイズ６００×５００ｍｍの積層金属シート１３の外周部を絶縁樹脂材料１２による幅５ｍｍの額縁部１４が囲み、積層金属シート１３の外縁部の表面の上に、額縁部１４の絶縁樹脂材料１２と連結している薄い樹脂薄膜１５を形成させた支持基板である積層基板１００を製造する。この状態に置いて、積層金属シート１３の内側の面、側壁、外側の端部が一体の絶縁樹脂材料にて覆われる。
【００３１】
（変形例２）
変形例２として、支持基板１０を用いずに、２枚の積層金属シート１３の間に、その積層金属シート１３より大きいサイズの、積層による硬化後に剛性が十分に確保できる厚さ及び剛性を有する絶縁樹脂材料１２になる半硬化絶縁樹脂シート１２ａを挟んで真空積層プレスにより積層処理して積層基板１００を製造することもできる。その積層基板１００は、図６のように、２枚の積層金属シート１３の間に絶縁樹脂材料１２が形成された構造であり、その２枚の積層金属シート１３のサイズは積層基板１００のサイズより小さい。そして、積層金属シート１３の外側の面の端部を絶縁樹脂材料１２の一部である樹脂薄膜１５が覆う構造が形成される。結局、変形例２によっても、積層金属シート１３の内側の面と積層金属シート１３の外側の面の端部とが、一体構造に形成された絶縁樹脂材料１２
で覆われている積層基板１００を製造することができる。
【００３２】
（離型フィルム）
図１（ｂ）の工程で、真空積層プレスの際に真空積層プレス装置のステンレス製のプレス板との間に挟む離型フィルム２０としては、ポリフェニレンスルフィド、ポリイミド等の樹脂材料とステンレス、真鍮等の金属材料とを組み合わせた複合材料からなるフィルムを用いる。
【００３３】
離型フィルム２０の熱収縮率は、加熱加圧処理を施す温度において、０．０１〜０．９％の熱収縮率を持つ離型フィルム２０を用いる。また、離型フィルム２０の加熱加圧処理後における伸びの低下率が加熱加圧処理前の３０％以下である離型フィルム２０を用いる。
【００３４】
離型フィルム２０の形態は、厚みが、１０〜２００μｍの樹脂材料からなり、特に、離型フィルム２０の表面に、ＪＩＳ  Ｂ０６０１に規定される平均粗さＲａを３００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下に粗面化処理（マット処理）を施した離型フィルム２０を用いる。
【００３５】
図１（ｂ）の工程で、支持基板１０の外側に、樹脂リッチに調整した半硬化絶縁樹脂シート１２ａを重ね、その外側に積層金属シート１３を重ね、その外側に、平均粗さＲａを３００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下に粗面化処理（マット処理）した離型フィルム２０を重ねて、プレス板の間に挟んで、そのプレス板で加熱・加圧する真空積層プレス装置を用いて積層して積層基板１００を製造する。
【００３６】
その際に、離型フィルム２０の面のマット処理の効果により、図２（ｃ）のように、積層金属シート１３の外縁部の表面の上に、額縁部１４の絶縁樹脂材料１２と連結している薄い樹脂薄膜１５が形成される。
【００３７】
この樹脂薄膜１５が適切に形成されるように、離型フィルム２０の面のマット処理と半硬化絶縁樹脂シート１２ａの樹脂リッチな度合いと真空積層プレスの加熱・加圧条件を調整する。それにより、加熱・加圧された半硬化絶縁樹脂シート１２ａの樹脂材料が積層金属シート１３の外縁部の表面の上に適切に流れ出して、積層金属シート１３の外縁部の上に絶縁樹脂材料１２の樹脂薄膜１５が厚さが３μｍ以下で、幅が０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲の幅で形成される。
【００３８】
これにより、積層基板１００を、積層金属シート１３のサイズが、積層基板１００全体のサイズより小さく形成する。そして、図２（ｃ）の部分断面図に示すとおり、積層金属シート１３の外側である額縁部１４の絶縁樹脂材料１２が、積層金属シート１３の内側の面と外側の端部と、積層金属シート１３の露出面の外周部分とを、一体に覆うようにする。それにより積層基板を用いた基板製造工程での積層金属シート１３の層の剥離を効果的に防止することができる。
【００３９】
積層基板１００の樹脂薄膜１５は、額縁部１４の絶縁樹脂材料１２と連結して、積層金属シート１３のキャリア銅箔層１３ａと極薄銅箔層１３ｂとの剥離の界面の境界線を絶縁樹脂材料１２内に埋め込んで保護する効果がある。それにより、以降の製造工程のストレスで、積層金属シート１３の、キャリア銅箔層１３ａと極薄銅箔層１３ｂとの剥離の境界面が剥離することを防止でき、その界面の剥離による製造不良を防止できる効果がある。
【００４０】
特に、樹脂薄膜１５の幅を０．１ｍｍ以上にすることで、積層金属シート１３の剥離の界面の境界線が十分に保護される効果があり、それにより、基板の以降の製造工程において積層金属シート１３が予期せず剥離する不具合を防止できる効果がある。一方、樹脂薄
膜１５の幅を１０ｍｍより大きくすると、積層金属シート１３が樹脂薄膜１５で覆われない有効領域の面積が狭くなり製品コストを増加させてしまう。なお、好ましくは、この樹脂薄膜１５が積層金属シート１３を覆う幅を０．５μｍ以上５ｍｍ以下の幅となるように製造条件を調整することが望ましい。 
【００４１】
この樹脂薄膜１５と額縁部１４の絶縁樹脂材料１２の表面には、マット処理された離型フィルム２０の、平均粗さＲａが３００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下の粗度の粗さが転写されている。それにより、後に形成する金属めっき層と、この樹脂薄膜１５の表面及び額縁部１４の絶縁樹脂材料１２の表面との密着力を強くできる効果がある。Ｒａが３００ｎｍより小さくなると発現される密着力が弱く、工程中に絶縁樹脂材料１２表面に設けられる金属めっき層が剥離する。また、Ｒａが１５００ｎｍより大きくなる場合、凸部となる絶縁樹脂材料１２が脱離しやすく、この脱離物により工程中の歩留低下を発生させる。
【００４２】
ここで、両面に銅箔１１を有する支持基板１０とその両面の外側に半硬化絶縁樹脂シート１２ａを重ねて積層する場合は、それらを積層金属シート１３の間に挟んで積層して積層基板１００を製造すると、その積層基板１００が銅箔１１で補強される効果がある。また、銅箔１１により、積層基板１００の表面の熱膨張係数が銅の熱膨張係数に整合され、後に積層基板１００の外側にビルドアップして形成する銅の配線パターン３３と積層基板１００の表面の熱膨張係数の差が小さくなり、製造工程での熱処理により積層基板１００と配線パターン３３の界面に生じる熱ストレスを軽減できる効果がある。
【００４３】
（層間絶縁樹脂層の形成工程）
次に、層間絶縁樹脂層３１の形成のための前処理として、積層金属シート１３の表面を、粒界腐食のエッチング処理により粗化処理するか、酸化還元処理による黒化処理、又は、過水硫酸系のソフトエッチング処理により粗化処理する。
【００４４】
次に、図２（ｄ）のように、積層金属シート１３上に層間絶縁樹脂層３１を、ロールラミネートまたは積層プレスで熱圧着させる。例えば厚さ４５μｍのエポキシ樹脂をロールラミネートする。ガラスエポキシ樹脂を使う場合は任意の厚さの銅箔を重ね合わせ積層プレスで熱圧着させる。
【００４５】
層間絶縁樹脂層３１の樹脂材料として、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂（以下、ＢＴ樹脂と称す）、ポリイミド樹脂、ＰＰＥ樹脂、フェノール樹脂、ＰＴＦＥ樹脂、珪素樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、ＰＰＳ樹脂、ＰＰＯ樹脂、シアネート樹脂、シアネートエステル樹脂などの有機樹脂を使用することができる。また、これらの樹脂単独でも、複数樹脂を混合しあるいは化合物を作成するなどの樹脂の組み合わせも使用できる。更に、これらの材料に、ガラス繊維の補強材を混入させた層間絶縁樹脂層３１を用いることができる。補強材には、アラミド不織布やアラミド繊維、ポリエステル繊維を用いることができる。
【００４６】
（ビアホール及び配線パターンの形成工程）
次に、図３（ｅ）のように、層間接続用のビアホール下穴３２ａを、穴あけ加工用レーザー光線によって形成する。なお、層間絶縁樹脂層３１の熱圧着に銅箔を使用した場合は、ビアホール下穴３２ａを形成する前処理として、その銅箔を全面エッチングするか、銅箔にビアホール下穴３２ａ用の開口を形成するエッチング処理を行うか、あるいは、銅箔の表面処理を行うことでビアホール下穴３２ａ部分の銅箔のレーザー吸収性を改善してレーザー光線によってビアホール下穴３２ａを形成する。このビアホール下穴３２ａは外側の穴径を８０μｍ程度にし穴底の穴径を５０μｍ程度に加工し、外側の穴径が穴底の径より大きい、円錐台を逆さにした形状に形成する。
【００４７】
次に、図３（ｆ）のように、ビアホール下穴３２ａの壁面および層間絶縁樹脂層３１の表面に無電解めっきを施し、その外側に電解銅めっきの層を形成し、銅めっきで充填したビアホール３２を形成する。ビアホール３２は、支持基板側を上側にし基板の外側を下側にすると、円錐台状に形成される。
【００４８】
次に、電解銅めっきの層の面に感光性めっきレジストフィルムを形成して露光・現像することで、エッチングレジストのパターンを形成し、そのエッチングレジストで保護して電解銅めっきのパターンをエッチングし、次に、エッチングレジストのパターンを剥離することで、図３（ｇ）のように、層間絶縁樹脂層３１上にビアホールのランド３２ｂと配線パターン３３を形成する。
【００４９】
そして、その配線パターン３３と層間絶縁樹脂層３１上に、同様のビルドアップ工法による層間絶縁樹脂層３４の形成工程と、ビアホール３５及び配線パターンの形成工程を繰り返して、図４（ｈ）のように、積層基板１００上に、層間絶縁樹脂層３１及び３４とビアホール３２及び３５と配線パターンを複数層ビルドアップした多層配線構造３０を形成する。
【００５０】
次に、多層配線構造３０の表面をマイクロエッチング剤で粗化処理した上にアゾール化合物の厚い被膜を形成させてソルダーレジストの接着性を向上させる処理を行う。粗化処理後に多層配線構造３０とソルダーレジスト３６との密着が確保できる場合は、アゾール化合物による処理は実施しなくても構わない。次に、感光性のソルダーレジストをロールコーター又は印刷により多層配線構造３０の外面に塗布し、７０℃で乾燥させてソルダーレジスト３６の膜を形成する。
【００５１】
次に、ソルダーレジススト３６の膜に露光・現像しパッド部分を開口させ、１８０℃で加熱硬化させた後に１００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線照射処理によりソルダーレジスト３６の膜の絶縁化処理を行う。
【００５２】
次に、多層配線構造３０の表面に、所望のサイズのエッチングレジストを張り付け、図４（ｉ）の切断線１６で多層配線構造３０と積層基板１００を切断することで額縁部１４を切り離し、その切断面に積層金属シート１３の剥離の境界線を露出させる。そして、図５（ｊ）のように、露出させた剥離の境界線から積層金属シート１３のキャリア銅箔層１３ａから極薄銅箔層１３ｂを剥離することで、厚さ０．４ｍｍの積層基板１００から多層配線構造３０を分離する。
【００５３】
次に、そうして分離した多層配線構造３０に対し、多層配線構造３０の極薄銅箔層１３ｂをクイックエッチングで除去し、図５（ｋ）のように、層間絶縁樹脂層３１に埋め込まれた逆円錐台状のビアホール３２の、下底の径８０μｍよりも径が小さい径が５０μｍの上底を外側に露出させた多層配線構造３０を得る。
【００５４】
この露出させたビアホール３２の上面（上底）の径は５０μｍ程度で小さいので、そのビアホール３２の上底にＩＣチップのバンプ（接続端子）を接続することで、ピッチが１３０μｍ程度のＩＣチップの高密度の部品端子と高い信頼性で電気接続することができる効果がある。
【００５５】
（ランド部分のめっき）
次に、ソルダーレジスト３６の開口部の部分及びビアホール３２の上底面に、無電解Ｎｉめっきを３μｍ以上形成し、その上に無電解Ｐｄめっきを介して無電解Ａｕめっきを０．０３μｍ以上形成する。無電解Ａｕめっきは１μｍ以上形成しても良い。更にその上にはんだをプリコートすることも可能である。あるいは、ソルダーレジスト開口部に、電解Ｎｉめっきを３μｍ以上形成し、その上に電解Ａｕめっきを０．５μｍ以上形成しても良い。更に、ソルダーレジスト開口部に、金属めっき以外に、有機防錆皮膜を形成しても良い。
（外形加工）
次に、多層配線構造３０の外形をダイサーなどで加工して個片の多層配線板に分離する。
【符号の説明】
【００５６】
１０・・・支持基板
１１・・・銅箔
１２・・・絶縁樹脂材料
１２ａ・・・半硬化絶縁樹脂シート
１３・・・積層金属シート
１３ａ・・・キャリア銅箔層
１３ｂ・・・極薄銅箔層
１４・・・額縁部
１５・・・樹脂薄膜
１６・・・切断線
２０・・・離型フィルム
３０・・・多層配線構造
３１、３４・・・層間絶縁樹脂層
３２、３５・・・ビアホール
３２ａ・・・ビアホール下穴
３２ｂ・・・ビアホールのランド
３３・・・配線パターン
３６・・・ソルダーレジスト
１００・・・積層基板
【図１】
0005998644.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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