【事件の表示】
　特願２００５−１５７３８６「磁気記録媒体および磁気記録装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１１月　４日出願公開、特開２００５−３１０３６８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年６月６日（優先権主張２０００年６月１２日、特願２０００−１７５５０７号、および、平成１３年３月３０日、特願２００１−１０２４５２号）に出願した特願２００１−１７１４１１号の一部を平成１７年５月３０日に新たな出願としたものであって、平成１９年１０月３１日付で通知した拒絶の理由に対し、平成２０年１月７日付で手続補正されたが、同年２月２２日付で拒絶査定がされ、これに対し、同年４月３日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　その後、平成２３年４月２０日付でなされた審尋に対し、同年６月２７日付で回答書が提出されたものである。
　
２．本願発明について
　（１）本願発明
　本願の請求項１乃至６に係る発明は，平成１７年５月３０日に出願した当初の特許請求の範囲の請求項１乃至６に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，次のとおりのものである。
　
　「基板と、該基板上に形成された、磁性体を含むベース層と、該ベース層上に形成された、磁性体を含むスイッチング層と、該スイッチング層上に形成された、複数の磁性粒子及びそれら磁性粒子間を埋める非磁性体壁を有する構造を有する記録層とを具備し、前記ベース層とスイッチング層と記録層とが交換結合相互作用を及ぼすように積層されており、
前記スイッチング層のキュリー温度をＴcS、前記ベース層のキュリー温度をＴcBとするとき、下記条件
　　ＴcS＜ＴcB
を満たすように前記ベース層、前記スイッチング層および前記記録層の構造が設定されていることを特徴とする磁気記録媒体。」　
　
　（２）引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である、特開２０００−６７４２５号公報（以下、「第１引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
(a)
「【請求項１】基板上に製膜した磁気記録膜に熱又は光磁気記録を行い、また磁気記録膜からの漏洩磁界を検知することで再生を行う磁気記録媒体において、
磁気記録膜が室温において磁気的に結合している少なくとも２層以上の磁性層からなり、室温において第一の磁性層よりも飽和磁化が大きい第二の磁性層は、第一の磁性層よりも基板側に配置されていることを特徴とする磁気記録媒体。」
「【請求項８】請求項１から６に記載の磁気記録媒体において、第一の磁性膜と第二の磁性層の間に、第一の磁性膜よりもキュリー温度の低い磁性層を持つことを特長とする磁気記録媒体。」（なお、「第一の磁性膜」なる記載は、「第一の磁性層」の誤記である。）
(b)
「【００１３】また、現在知られているCoCr系の記録材料は、製膜時に基板温度を200℃以上に上げることによって、多結晶構造の結晶粒界を制御する必要がある。しかし、アモルファス合金である希土類遷移金属材料を製膜した後に、基板温度を200℃以上に保持すると、希土類遷移金属材料は構造緩和を起こす。したがって、CoCrTa合金をTbFeCo系の光磁気記録層の後で製膜すると、光磁気記録層の磁気特性が大きく劣化してしまう。　
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、熱又は光磁気記録用の記録磁性層を使った高密度記録が可能で、かつ磁気センサーによる再生が可能であるような媒体は、従来の光磁気記録膜に対して、室温における飽和磁化の大きな磁性層を磁気的に結合させることで実現できるが、従来の磁気記録膜（CoCrTa系）磁性材料をただ単に転用するだけでは、目的の多層磁性膜を得ることが極めて難しい。」
「【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明では、実際に熱又は光磁気記録特性が良好である記録磁性層を製膜した後の工程において、熱磁気記録磁性層の特性に影響を与えずに製膜出来て、しかも、飽和磁化が大きく磁気センサーによる再生特性が良好である再生磁性層を用いることで、この問題を解決した。
【００１８】記録磁性層としては、熱磁気記録を行うために適した磁気特性を持っているものが好適である。その代表的なものは、従来から光磁気ディスクに用いられてきたTb、Fe、Coを主原料とした希土類遷移金属合金（もしくは超構造膜）である。この他にも記録に適した材料として、Ptなど貴金属とCoなど遷移金属の合金（もしくは超構造膜）、ビスマス置換ガーネット等の材料がある。これらの材料はいずれも、磁化容易軸が膜面に対して垂直方向（垂直磁化膜）である。また、通常の半導体レーザーによる熱磁気記録にとって適当なキュリー温度（100℃〜400℃）となるよう、膜組成や構造を選ぶ必要がある。
【００１９】上述のような記録磁性膜に対して、少なくとも室温において磁気的に結合するように、磁気再生層を製膜する。この時、CoCr系の磁気再生層では前述のような問題点がある。そこで磁気再生層も記録磁性層と同じ、希土類遷移金属合金（もしくは超構造膜）やPtなど貴金属とCoなど遷移金属の合金（もしくは超構造膜）を用いるとよい。これらの材料は、いままでも光磁気ディスク材料として基板を加熱しないプロセスによって製膜が行われており、記録磁性層を製膜した後工程で製膜しても、記録磁性膜にそのものに影響を与えない。また、特定の結晶構造を持つ下地でなくとも大きな垂直磁気異方性エネルギーを誘起することが可能である。」
「【００３０】（実施例１）図４(a)に本発明による磁気記録媒体構造の一実施例を示す。ポリカーボネート製の基板に窒化アルミニウムの下地層65nmを設け、Tb23.5Fe49Co26Nb1.5（いずれもat%）からなる第一の磁性層とTb8Dy24Fe34Co34からなる第二の磁性層層を順に積層した。」、
「【００３５】（実施例３）ポリカーボネート基板に窒化シリコンの下地層を設け、実施例１と同じTb23.5Fe49Co26Nb1.5からなる第一の磁性層とNd22Fe48Co29Al1からなる第二の磁性層層を順に積層した。Ndは大気によって特に酸化されやすいので、さらに窒化シリコンの保護膜を20nm設けた。第一の磁性層の膜厚は40nm、第二の磁性層の膜厚としては20nm、40nm、60nm、80nmの４種類を用意した。この第二の磁性層の飽和磁化は表１に示す通り、膜厚によってやや異なるが、飽和磁化が約650emu/ccであり、垂直磁気異方性エネルギーは約1.8×106erg/ccである。飽和磁化が大きいため、形状異方性から第二の磁性層の磁化容易軸は面内である。」、
「【００４１】（実施例４）強化ガラス基板に窒化シリコンの下地層を設け、磁性膜としてTb23.5Fe49Co26Nb1.5からなる記録層を30nm、Tb21.5Fe75Co3.5からなる切断層を10nm、Tb4Gd10Fe54Co30からなるMR再生層40nmを順に積層した。さらに磁性層の保護膜として窒化シリコン層20nmを製膜した。
【００４２】本実施例に対する比較例１として、記録層の膜厚を40nmとし、切断層をなくした磁性膜を用意した。また、比較例２としてMR再生層をTb10Dy4Fe48Co38にした記録磁性膜も用意した。
【００４３】このMR再生層と切断層の飽和磁化の温度依存性を測定した結果を図１１に示す。記録層のキュリー温度は、図５に示したとおり約330℃である。MR再生層のキュリー温度は380℃であり、記録層より高い。一方、切断層はキュリー温度が２２０℃であり、記録層より低くなっている。」
　
　上記記載事項および図面の記載、および、「実施例１」（段落【００３０】）、「実施例３」（段落【００３５】）では第二の磁性層は、第一の磁性層よりも基板から遠い側に配置されているので、請求項１の「第二の磁性層は、第一の磁性層よりも基板側に配置されている」という記載は、「第二の磁性層は、第一の磁性層よりも基板から遠い側に配置されている」の誤記であると判断することが妥当であること、を総合勘案すると、上記第１引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　「基板上に製膜した磁気記録膜に熱磁気記録を行い、また磁気記録膜からの漏洩磁界を検知することで再生を行う磁気記録媒体において、
磁気記録膜がMR再生層と切断層と記録層とからなり、基板側から前記記録層、前記切断層、前記MR再生層の順に配置されており、前記切断層は、前記記録膜よりもキュリー温度が低く、室温において前記MR再生層と前記切断層と前記記録層とが磁気的に結合していることを特徴とする磁気記録媒体。」
　
　（３）対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「基板上に製膜した磁気記録膜」を有し、該「磁気記録膜がMR再生層と切断層と記録層とからなり」、「基板側から前記記録層、前記切断層、前記MR再生層の順に配置されて」おり、「室温において前記MR再生層と前記切断層と前記記録層とが磁気的に結合している」と、
　本願発明の「基板と、該基板上に形成された、磁性体を含むベース層と、該ベース層上に形成された、磁性体を含むスイッチング層と、該スイッチング層上に形成された」「記録層とを具備」しており、「前記ベース層とスイッチング層と記録層とが交換結合相互作用を及ぼすように積層されて」とは、
　基板と、該基板上に形成された第一の磁性層と、その上に形成された第二の磁性層と、その上に形成された第三の磁性層とを具備し、
前記第一の磁性層と前記第二の磁性層と前記第三の磁性層とが交換結合相互作用を及ぼすように積層されている点で共通している。
　
　引用発明の「前記切断層は、前記記録膜よりもキュリー温度が低く」と、
　本願発明の「前記スイッチング層のキュリー温度をＴcS、前記ベース層のキュリー温度をＴcBとするとき、下記条件　　ＴcS＜ＴcBを満たす」とは、
　前記「第一の磁性層」に該当する層のキュリー温度が前記「第二の磁性層」に該当する層のキュリー温度よりも高い点で共通している。
　
　次に、前記「第一の磁性層」に対応する、本願発明の「ベース層」と引用発明の「記録層」とを比較する。
　本願発明に関し、「ベース層」という技術用語は、本願発明に限って使用されている独自の技術用語であるところ、その定義（特にベース層が備えるべき特性）に関する記載を明細書等に見いだせないので、請求項１に記載されているとおり、　「基板上に形成された」、「磁性体を含む」、「ベース層とスイッチング層とが交換結合相互作用を及ぼすように積層されている」、「ＴcS＜ＴcBを満たす」、の４つの条件を満足する層が「ベース層」である（ベース層に該当する）とすることが妥当であるが、上記のとおり、引用発明の「記録層」は、該４つの条件をいずれも満足している。
　したがって、引用発明の「記録層」は、本願発明の「ベース層」に相当する。
　
　前記「第二の磁性層」に対応する、本願発明の「スイッチング層」と引用発明の「切断層」とを比較する。
　本願発明に関し、「スイッチング層」という技術用語は、本願発明に限って使用されている独自の技術用語であるところ、その定義（特にスイッチング層が備えるべき特性）に関する記載を明細書等に見いだせないので、請求項１に記載されているとおり、　「ベース層上に形成された」、「磁性体を含む」、「ベース層とスイッチング層と記録層とが交換結合相互作用を及ぼすように積層されている」、「ＴcS＜ＴcBを満たす」、の４つの条件を満足する層が、「スイッチング層」である（スイッチング層に該当する）とすることが妥当であるが、上記のとおり、引用発明の「切断層」は、該４つの条件をいずれも満足している。
　したがって、引用発明の「切断層」は、本願発明の「スイッチング層」に相当する。
　
　本願発明の「磁気記録媒体」は、引用発明の「磁気記録膜に熱磁気記録を行い、また磁気記録膜からの漏洩磁界を検知することで再生を行う磁気記録媒体」に相当する。
　
　そうすると、本願発明と引用発明とは次の点で一致する。
　
　一致点
　「基板と、該基板上に形成された、磁性体を含むベース層と、該ベース層上に形成された、磁性体を含むスイッチング層と、該スイッチング層上に形成された、第三の磁性層とを具備し、前記ベース層と前記スイッチング層と前記第三の磁性層とが交換結合相互作用を及ぼすように積層されており、
前記スイッチング層のキュリー温度をＴcS、前記ベース層のキュリー温度をＴcBとするとき、下記条件
　　ＴcS＜ＴcB
を満たすように前記ベース層、前記スイッチング層および前記第三の磁性層の構造が設定されていることを特徴とする磁気記録媒体。」
　
　一方、次の点で相違する。
　
　相違点
　本願発明は、「第三の磁性層」が「複数の磁性粒子及びそれら磁性粒子間を埋める非磁性体壁を有する構造を有する記録層」であるのに対し、引用発明では「MR再生層」である点。
　
　（４）判断
　引用発明の「MR再生層」に関し「第一引用例」には、「基板温度を200℃以上に保持すると、希土類遷移金属材料は構造緩和を起こす。したがって、CoCrTa合金をTbFeCo系の光磁気記録層の後で製膜すると、光磁気記録層の磁気特性が大きく劣化してしまう。」（段落【００１３】）、「従来の磁気記録膜（CoCrTa系）磁性材料をただ単に転用するだけでは、目的の多層磁性膜を得ることが極めて難しい。」（段落【００１５】）、「記録磁性層を製膜した後の工程において、熱磁気記録磁性層の特性に影響を与えずに製膜出来て、しかも、飽和磁化が大きく磁気センサーによる再生特性が良好である再生磁性層を用いることで、この問題を解決した。」（段落【００１７】）と記載されており、「MR再生層」を構成する「磁性材料」として「記録磁性層を製膜した後の工程において、熱磁気記録磁性層の特性に影響を与えずに製膜出来て、しかも、飽和磁化が大きく磁気センサーによる再生特性が良好である」ことを満足するものが好ましいことが記載されている。
　
　周知の磁性材料に関し磁気記録媒体の技術分野において、基板加熱をしないで磁性膜を製膜する方法が周知であるが（例えば、特開平１０−３３４４４２号公報の段落【０００６】、特開２０００−２０９５２号公報、特開２０００−３０２５１号公報を参照。）、この基板加熱をしない製膜方法は、「基板温度を200℃」より低いことから「記録磁性層を製膜した後の工程において、熱磁気記録磁性層の特性に影響を与えずに製膜出来」る製膜方法であることが明らかである。また、「磁気センサーによる再生特性が良好である」に関し、磁気センサーによる再生が可能な磁性膜はいずれも（判断基準を低く設定することにより）「磁気センサーによる再生特性が良好である」を満足させることが可能である。
　したがって、周知の磁性材料は、いずれも「記録磁性層を製膜した後の工程において、熱磁気記録磁性層の特性に影響を与えずに製膜出来て、しかも、飽和磁化が大きく磁気センサーによる再生特性が良好である」ことを満足する。
　
　該「周知の磁性材料」を特に「複数の磁性粒子及びそれら磁性粒子間を埋める非磁性体壁を有する構造を有する記録層」に限定したことにより、そうでない場合と比較して当業者に予測できない格別顕著な効果が奏されることを具体的に確認することができる根拠も見いだせないことを勘案すると、「複数の磁性粒子及びそれら磁性粒子間を埋める非磁性体壁を有する構造を有する記録層」を「MR再生層」に転用する程度のことは当業者であれば容易になしうることである。
　
　なお、審判請求人は、審判請求書の請求の理由において「本願発明に係る磁気記録媒体の記録原理は、段落００８０、００８１および図７（平成２０年１月７日付け手続補正書）に示されています。・・温度が上昇し、スイッチング層のキュリー温度ＴcSに達するとスイッチング層は磁性を失い、記録層とベース層との交換結合はなくなります。この時点でＫutotalは急減に低下します。」と主張しているが、「この時点でＫutotalは急減に低下」する点は特許請求の範囲に記載されていない事項に関する主張であるから、上記主張は採用できない。
　また、「記録層をいわゆるグラニュラー型に限定している理由は以下のとおりです。・・したがって、本願は熱揺らぎ限界の問題が発生するグラニュラー型記録層を前提とした発明であり、記録層は必然的にグラニュラー型になります。」（回答書）とも主張しているが、請求項１には単に「複数の磁性粒子及びそれら磁性粒子間を埋める非磁性体壁を有する構造を有する記録層」としか記載されていない（熱揺らぎ限界の問題が発生するものに限定されていない）ので、この主張も特許請求の範囲に記載されていない事項に関する主張であるから、上記主張は採用できない。
　
　したがって，本願発明は，「第１引用例」に記載された発明、および周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
　（３）むすび
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，「第１引用例」に記載された発明、および周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。