【事件の表示】
　特願２００３−２９１７００「ナノＳＯＩウェーハの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　３月１１日出願公開，特開２００４−　８００３５〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１ 手続の経緯
　本願は，平成１５年８月１１日（パリ条約に基づく優先権主張　２００２年８月１０日，大韓民国）の出願であって，平成２０年１月２１日に手続補正がなされ，同年１２月１５日付けで拒絶査定がなされ，それに対して平成２１年３月１９日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，同年４月２０日に手続補正がなされ，その後，平成２２年１１月２日付けで審尋がなされ，平成２３年２月７日に回答がなされたものである。
　
第２ 補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２１年４月２０日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１ 本件補正の内容
　平成２１年４月２０日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１，２，９，１１を，補正後の特許請求の範囲の請求項１，２，９，１１と補正するとともに，補正前の請求項１５〜１７を削除し，補正前の段落【０００１】を補正後の段落【０００１】とし，段落【００１８】を削除するものであって，補正前後の特許請求の範囲は，以下のとおりである。
　
　（補正前）
「【請求項１】
　結合ウェーハの一方の面に絶縁膜を形成する段階と，
　前記結合ウェーハの前記絶縁膜が形成された面から所定深さに不純物イオンを低電圧で注入して不純物イオン注入部を形成する段階と，
　前記結合ウェーハの絶縁膜と基準ウェーハとを互いに接触させて接着する段階と，
　低温熱処理を行って前記結合ウェーハの不純物イオン注入部を劈開する段階と，
　前記基準ウェーハと接着された前記結合ウェーハの一部であって，前記劈開により露出された当該一部の表面をエッチングしてナノスケールの厚さを有する素子形成領域を形成する段階と，を含み，これらの段階を順に実施するものであり，
　前記不純物イオンは水素イオンであり，前記水素イオンは３０ｋｅＶ以下の低電圧下で注入され，
　前記結合ウェーハの不純物イオン注入部を劈開する段階は４００℃以下の低温で少なくとも約１分以上熱処理を行う，ナノＳＯＩウェーハの製造方法。
　　【請求項２】
　前記結合ウェーハは単結晶シリコンウェーハであり，前記結合ウェーハに絶縁膜を形成する前に，前記絶縁膜が形成される前記結合ウェーハの表面にシリコンゲルマニウム層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のナノＳＯＩウェーハの製造方法。
　　【請求項３】
…（中略）…
　　【請求項９】
　前記結合ウェーハの劈開された表面をエッチングして素子形成領域を形成する段階は，前記基準ウェーハと結合された前記結合ウェーハの劈開された表面をウェットエッチングする段階と，
　前記ウェットエッチングされた結合ウェーハの表面に対して水素熱処理を行う段階とを含むことを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のナノＳＯＩウェーハの製造方法。
　　【請求項１０】
…（中略）…
　　【請求項１１】
　前記結合ウェーハの劈開された表面をエッチングして素子形成領域を形成する段階は，
　前記結合ウェーハの劈開された表面に対して水素熱処理を行う段階と，
　前記水素熱処理された表面をウェットエッチングする段階と，
　前記ウェットエッチングされた結合ウェーハの表面に対して水素熱処理を行う段階とを含むことを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のナノＳＯＩウェーハの製造方法。
　　【請求項１２】
…（中略）…
　　【請求項１７】
　前記素子形成領域の厚さは５０ｎｍ以下であり，前記素子形成領域の表面のＲｍｓ値は２Å以下になることを特徴とする請求項１５または１６のいずれかに記載のナノＳＯＩウェーハ。」
　
　（補正後）
　「【請求項１】
　結合ウェーハの一方の面に絶縁膜を形成する段階と，
　前記結合ウェーハの前記絶縁膜が形成された面から所定深さに不純物イオンを低電圧で注入して不純物イオン注入部を形成する段階と，
　前記結合ウェーハの絶縁膜と基準ウェーハとを互いに接触させて接着する段階と，
　低温熱処理を行って前記結合ウェーハの不純物イオン注入部を劈開する段階と，
　前記基準ウェーハと接着された前記結合ウェーハの一部であって，前記劈開により露出された当該一部の表面をウェットエッチングして５０ｎｍ以下のナノスケールの厚さを有する素子形成領域を形成する段階と，を含み，これらの段階を順に実施するものであり，前記不純物イオンは水素イオンであり，前記水素イオンは３０ｋｅＶ以下の低電圧下で注入され，
前記結合ウェーハの不純物イオン注入部を劈開する段階は４００℃以下の低温で少なくとも約１分以上熱処理を行う，ナノＳＯＩウェーハの製造方法。
　　【請求項２】
　単結晶シリコンウェーハでなる結合ウェーハの一方の面にシリコンゲルマニウム層を形成する段階と，
　前記シリコンゲルマニウム層の上に絶縁膜を形成する段階と，
　前記結合ウェーハの前記絶縁膜が形成された面から所定深さに不純物イオンを低電圧で注入して不純物イオン注入部を形成する段階と，
　前記結合ウェーハの絶縁膜と基準ウェーハとを互いに接触させて接着する段階と，
　低温熱処理を行って前記結合ウェーハの不純物イオン注入部を劈開する段階と，
　前記基準ウェーハと接着された前記結合ウェーハの一部であって，前記劈開により露出された当該一部の表面をウェットエッチングして５０ｎｍ以下のナノスケールの厚さを有する素子形成領域を形成する段階と，を含み，これらの段階を順に実施するものであり，
　前記不純物イオンは水素イオンであり，前記水素イオンは３０ｋｅＶ以下の低電圧下で注入され，
　前記結合ウェーハの不純物イオン注入部を劈開する段階は４００℃以下の低温で少なくとも約１分以上熱処理を行う，ナノＳＯＩウェーハの製造方法。
　　【請求項３】
…（中略）…
　　【請求項９】
　前記ウェットエッチングされた結合ウェーハの表面に対して２次水素熱処理を行う段階をさらに含むことを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のナノＳＯＩウェーハの製造方法。
　　【請求項１０】
…（中略）…
　　【請求項１１】
　前記ウェットエッチングされる以前に結合ウェーハの表面に対して１次水素熱処理を行う段階をさらに含むことを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のナノＳＯＩウェーハの製造方法。
　　【請求項１２】
…（中略）…
　　【請求項１４】
　前記結合ウェーハの表面にシリコンゲルマニウム層を形成する段階はエピタクシー工程により行うことを特徴とする請求項２に記載のナノＳＯＩウェーハの製造方法。」
　　
２ 補正事項の整理
　本件補正による補正事項を整理すると，以下のとおりである。
　
（補正事項１）
　補正前の請求項１の「エッチングしてナノスケールの厚さを有する素子形成領域を形成する段階」を，補正後の請求項１の「ウェットエッチングして５０ｎｍ以下のナノスケールの厚さを有する素子形成領域を形成する段階」と補正すること。
　
（補正事項２）
　補正前の請求項２が請求項１を引用する引用請求項であったものを，補正後は独立請求項とすること。　　
　
（補正事項３）
　補正前の請求項９の「前記結合ウェーハの劈開された表面をエッチングして素子形成領域を形成する段階は，前記基準ウェーハと結合された前記結合ウェーハの劈開された表面をウェットエッチングする段階と，前記ウェットエッチングされた結合ウェーハの表面に対して水素熱処理を行う段階とを含むこと」を，補正後の請求項９の「前記ウェットエッチングされた結合ウェーハの表面に対して２次水素熱処理を行う段階をさらに含むこと」と補正すること。
　
（補正事項４）
　補正前の請求項１１の「前記結合ウェーハの劈開された表面をエッチングして素子形成領域を形成する段階は，　前記結合ウェーハの劈開された表面に対して水素熱処理を行う段階と，　前記水素熱処理された表面をウェットエッチングする段階と，　前記ウェットエッチングされた結合ウェーハの表面に対して水素熱処理を行う段階とを含むこと」を，補正後の請求項１１の「前記ウェットエッチングされる以前に結合ウェーハの表面に対して１次水素熱処理を行う段階をさらに含むこと」と補正すること。
　
（補正事項５）
　補正前の請求項１５〜１７を削除すること。
　
（補正事項６）
　補正前の明細書の０００１段落の「ウェーハの製造方法及びそれにより製造されたＳＯＩウェーハ」を補正後の明細書の０００１段落の「ウェーハの製造方法」と補正すること。
　
（補正事項７）
　補正前の明細書の００１８段落を削除すること。
　
３ 新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否について
（１）新規事項の追加の有無について　
（補正事項１）
　補正後の請求項１の「ウェットエッチングして５０ｎｍ以下のナノスケールの厚さを有する素子形成領域を形成する段階」は，本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲及び図面をまとめて「当初明細書等」という。）に「劈開された素子形成部１０ｂの表面に対してウェットエッチングを行う（Ｓ４２）。エッチング液にはＮＨ４ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２０＝０．５：１：５のエッチング液を使用し，エッチング温度は６５ないし１００℃の範囲で行い，エッチング時間及びエッチング厚さは所望の最終素子形成領域（図７の１０ｃ）の厚さを考慮して設定した。ナノスケールＳＯＩの場合に素子形成領域１０ｃの厚さが５０ｎｍ以下になるようにエッチングを続ける。」（段落【００６１】）と記載されているから，本件補正は当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　
（補正事項２）
　補正前の請求項２は補正前の請求項１を引用する引用請求項であったものを，補正後は独立請求項としたものであるから，実質的にその内容を変更するものではなく，当然新たな技術的事項を導入しないものである。
　
（補正事項３）
　補正後の請求項９の「前記ウェットエッチングされた結合ウェーハの表面に対して２次水素熱処理を行う段階」は，当初明細書に「劈開面に対するエッチング工程が完了した後，最終的にエッチングされた素子形成領域１０ｃの表面に対して２次水素熱処理工程を行う（Ｓ４４）。」（段落【００６３】）と記載されているから，本件補正は当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　
（補正事項４）
　補正後の請求項１１の「前記ウェットエッチングされる以前に結合ウェーハの表面に対して１次水素熱処理を行う段階」は，当初明細書に「低温熱処理で結合ウェーハ１０の水素イオン注入部１４を劈開した後，劈開された素子形成部１０ｂの表面に対して１次水素熱処理を行う（Ｓ４０）。」（段落【００５９】）及び，「１次水素熱処理を行った後，劈開された素子形成部１０ｂの表面に対してウェットエッチングを行う（Ｓ４２）。」（段落【００６１】）と記載されているから，本件補正は当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　
（補正事項５〜７）
　補正事項５は，物の発明である「ナノＳＯＩウェーハ」に係る補正前の請求項１５〜１７を削除するものであり，補正事項６，７は，それに対応する発明の詳細な説明の文言，及び段落の削除であるから，本件補正は新たな技術的事項を導入しないものである。
　
（２）補正の目的の適否について
（２−１）補正事項１について
　この補正は，補正前の請求項１の「エッチング」につき，「ウェットエッチング」と「エッチング」に関して技術的限定を加えるものであり，また，「ナノスケールの厚さを有する素子形成領域」につき，「５０ｎｍ以下のナノスケールの厚さを有する素子形成領域」と「素子形成領域」の厚さに関して技術的限定を加えるものであり，特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（２−２）補正事項２について
　この補正事項は，補正前の請求項２が，引用する請求項１との関係で明りょうでない記載となっていたものを，補正後の請求項２において，独立請求項とすることにより明りょうな記載と改めたものであるから，特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　
（２−３）補正事項３，４について　
　段落【００２４】に「前記結合ウェーハの劈開された表面をエッチングして素子形成領域を形成する段階は，前記基準ウェーハと結合された前記結合ウェーハの劈開された表面をウェットエッチングした後，前記ウェットエッチングされた結合ウェーハの表面に対して水素熱処理を行って実施される。前記基準ウェーハと結合された前記結合ウェーハの劈開された表面をウェットエッチングする段階以前に，前記結合ウェーハの劈開された表面に対して水素熱処理を行う段階をさらに含む…」と記載されており，本願発明に含まれる“水素熱処理”には，ウェットエッチング前の水素熱処理と，ウェットエッチング後の水素熱処理とが分かる。そこで，段落【００５９】〜段落【００６３】の記載においては，ウェットエッチング前の水素熱処理を「１次水素熱処理」，ウェットエッチング後の水素熱処理を「２次水素熱処理」と記載されているので，「水素熱処理」をそれぞれ「１次水素熱処理」，「２次水素熱処理」と明りょうな記載に改める補正事項３，４に係る補正は，特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　
（２−４）補正事項５について　
　この補正は，補正前の請求項１５〜１７を削除するものであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　
（３）小括
　したがって，本件補正は特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　
　そして，本件補正は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものに該当する補正を含むものであるから，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かにつき，以下において更に検討する。
　
４　独立特許要件について
（１）補正発明
　本件補正による補正後の請求項１〜９に係る発明は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜９に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は，補正後の請求項１に記載されている事項により特定される，以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　結合ウェーハの一方の面に絶縁膜を形成する段階と，
　前記結合ウェーハの前記絶縁膜が形成された面から所定深さに不純物イオンを低電圧で注入して不純物イオン注入部を形成する段階と，
　前記結合ウェーハの絶縁膜と基準ウェーハとを互いに接触させて接着する段階と，
　低温熱処理を行って前記結合ウェーハの不純物イオン注入部を劈開する段階と，
　前記基準ウェーハと接着された前記結合ウェーハの一部であって，前記劈開により露出された当該一部の表面をウェットエッチングして５０ｎｍ以下のナノスケールの厚さを有する素子形成領域を形成する段階と，を含み，これらの段階を順に実施するものであり，前記不純物イオンは水素イオンであり，前記水素イオンは３０ｋｅＶ以下の低電圧下で注入され，
前記結合ウェーハの不純物イオン注入部を劈開する段階は４００℃以下の低温で少なくとも約１分以上熱処理を行う，ナノＳＯＩウェーハの製造方法。」
　
（２）刊行物に記載された発明
（２−１）本願の優先権主張日前に日本国内において頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開２０００−３６５８３公報（以下「引用例」という。）には，「半導体基板の作製方法」に関して，図１〜８とともに以下の記載がある（なお，下線は当合議体にて付加したものである。）。
　
　ア　「【００４０】このような工程を経ることにより，均一な膜厚でかつ，ＯＳＦ，ＣＯＰ等の
欠陥の非常に少ない薄膜（ＳＯＩ層）を有するＳＯＩ基板を作製することができる
【００４１】図２から図６を用いて，本発明をより具体的に説明する。
【００４２】まず，図２に示すように，一主表面に水素アニール処理された表層部１２を有する第１の基板１０を用意する。表層部１２は，シードとなるバルクウエハを水素を含む還元性雰囲気中で熱処理（以下，「水素アニール」という。）することにより形成することができる。本発明にいう「表層部」とは，ＯＳＦ，ＣＯＰ，ＦＰＤといったバルクウエハであることに起因する欠陥の数が低減された層（低欠陥層）を意味する（以下，「表層部」を「低欠陥層」と記述する場合もある。）。
【００４３】１１は，水素アニールによるＯＳＦ，ＣＯＰ等の欠陥の低減の効果が低い領域である。もちろん，第１の基板１０全体が，低欠陥層１２となっていてもよい。なお，図２においては，低欠陥層１２と領域１１がある境界をもって急峻に分かれているように図示してあるが，実際には厳密な境界はなく，徐々に変化している。また，第１の基板１０の表面及び裏面が低欠陥層となっていてもよい。
【００４４】また，低欠陥層１２中にＭＯＳＦＥＴ等の素子構造を形成した後に以降の工程をおこなってもよい。
【００４５】次に，
図３に示すように，前記第１の基板１０に，水素等のイオン注入を行ない，分離層１４を形成する。
【００４６】
分離層１４は，前記低欠陥層１２内部あるいは，領域１１と低欠陥層１２との界面に形成することが望ましい。低欠陥層１２の内部に分離層１４を形成した場合，低欠陥層１２は，分離層１４の上部に位置する層１６（以下，「ＳＯＩ層」という。）と，下部に位置する層１７に分かれる。また，分離層１４を領域１１の内部に形成しても良い。
【００４７】なお，
イオン注入を行なう前後に，必要に応じて絶縁層１３を形成してもよい。
【００４８】特に，
低欠陥層１２表面を酸化することで絶縁層を形成しておけば，絶縁層１３はこのまま貼り合わせてＳＯＩウエハの埋め込み酸化膜として使用可能である。
【００４９】次に，
前記第１の基板１０を第２の基板１５と低欠陥層１２が内側に位置するように貼り合わせ，多層構造体１８を形成する（図４）。
【００５０】その後，図５に示すように，多層構造体１８を分離層１４を利用して分離する。分離は，分離層１４の内部であっても，分離層１４の領域１１側の界面であっても，若しくは分離層１４の第２の基板１５側の界面であってもよい。また，一部は分離層１４内部で分離され，他の一部は界面で分離されてもよい。
【００５１】こうして図５に示すように第２の基板１５上にＳＯＩ層１６が移設された半導体基板が完成する。このＳＯＩ層は，低欠陥層１２を元に形成されているため，ＯＳＦ，ＣＯＰ等のバルクウエハに特有の欠陥の無い，あるいは非常に低減されたＳＯＩ層となる。
【００５２】分離層１４を領域１１の内部に形成した場合には，移設工程後に，ＳＯＩ層１６（低欠陥層１２）が表出するまで，領域１１等の不要な部分を研磨，
エッチング液を用いたエッチング
【００５３】本発明において，特に低欠陥層１２内部に分離層１４を形成した場合には，分離の際に注入されるイオンがＯＳＦやＣＯＰ等の欠陥によって散乱されることが少なくなる。従って，ＣＯＰ等の欠陥の多い領域に分離層を形成する場合に比べて，より均一な厚さの分離層１４を形成することが可能となる。換言すれば，ＳＯＩ層１６の厚さの均一性の向上を図ることが可能となる。
【００５４】また，分離後に，ＳＯＩ層１６上に分離層１４の一部及び／又は領域１１の一部が残存する場合には，それらを除去することにより本発明の意図する半導体基板が完成する。」
　
　イ　「【００９３】（イオン注入）
 分離層１４形成の為にイオン注入される元素としては，水素
【００９４】
加速電圧の１ＫｅＶから１０ＭｅＶの範囲で行なうことができるが，加速電圧によりイオン注入層の厚さが変化するため，所望の条件を満たすよう数１０ＫｅＶから５００ＫｅＶ程度で行なうことが好ましい。
【００９５】いずれにしても，イオン注入により形成される分離層で分離しやすいように行なうことが重要である。
【００９６】
本発明において，低欠陥層１２内部に，イオン注入の投影飛程Ｒ
p
 （注入深さ）があるようイオン注入を行なうことが，均一な注入深さを得るという点でも好ましいものである。ＳＯＩ層１６の厚さは，一般的には，数ｎｍ〜５μｍである。
【００９７】イオン注入により形成される分離層１４の層厚は，一般的には０．５ミクロン以下，特に第２の基板１５上に移設される薄膜１２を均質な厚さに形成するためにも数千Å以下であることがより好ましい。分離層１４は，その一例としてイオン注入の投影飛程を含むものである。」
　
　ウ　「【０１１１】
（分離） 多層構造体１８の分離は，熱処理することにより行なうことができる。
好ましくは４００℃以上，６００℃以下である。
【０１１２】上述のような
熱処理を行なうと，分離層１４において，結晶の再配列作用とともにマイクロバブル層の凝集により分離層１４内に圧力がかかり，低欠陥層１２の一部あるいは全部である薄膜１２が剥離する。
　
　エ　「【０１２９】（第２の基板上の残存物除去）
多層構造体１８を分離層１４を利用して分離した場合，ＳＯＩ層１６上に分離層１４が残存する場合には，これらを除去することが好ましい。
【０１３０】残存物の除去には，研磨，研削，とくに化学的機械的研磨（CMP）を行なうことも好ましいものである。その際の，研磨剤としては，シリカガラス（borosilicate glass），二酸化チタン，窒化チタン，酸化アルミニウム，硝酸鉄（iron nitrate），酸化セリウム，コロイダルシリカ，窒化シリコン，炭化シリコン，グラファイト，ダイアモンドなどの研磨粒，あるいはこれら研磨粒とＨ2 Ｏ2 やＫＩＯ3 などの酸化剤やＮａＯＨ，ＫＯＨ等のアルカリ溶液を混合した砥粒液を用いることができる。
【０１３１】本発明の分離層の除去は，その機械的強度の低さと膨大な表面積を有することから，単結晶層を研磨ストッパーとして選択研磨により行うことも可能となる。
【０１３２】また，
エッチングにより除去することも好ましいものである。
エッチング液としては，
【０１３４】分離層１４の残存物が薄い場合や，実質的にＳＯＩ層１６と分離層１４の界面で分離する場合には，
分離後に水素アニールを行なうことで，ＳＯＩ層表面の平滑化ができる。
【０１３５】
水素アニールは，水素を含む還元性雰囲気で熱処理することにより行われるが，その雰囲気は，１００％水素ガス
で行なうことができる。
【０１３６】水素アニール時の温度は，８００℃以上１３５０℃以下，より好ましくは８５０℃以上１２５０℃以下で行なうことが望ましい。」
　
　オ　「【０１９３】図２において，まず，
第１のＳｉ単結晶基板１０を用意して，
【０１９４】その後，
表面層にＳｉＯ
２
１３を形成し
【０１９５】次に，
第１基板の主表面から
水素，
１種の元素をイオン注入し，分離層（イオン注入溜り）１４を形成する（図３）。
【０１９６】次に，
図４に示すように，第２の基板１５と第１の基板１０とを前記絶縁層１３が内側に位置するよう室温で貼り合わせる。
【０１９７】図３は
第２の基板１５と第１の基板１０とを絶縁層１３を介して貼り合わせ
【０１９８】次に，
分離層１４で基板を分離する（図５）。分離は，４００℃から６００℃で熱処理することにより行う。
【０１９９】分離後に，
第２の基板１５上に残留する分離層１４には微小孔が転位等の欠陥が残留していることがあるので，分離層１４を選択的に除去する。選択的な除去は，所望のエッチング液を用いて行う。
　
　以上を総合すると，引用例には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「第１の基板１０の表面に絶縁層１３を形成し，
水素のイオン注入を行ない，分離層１４を形成し，
前記第１の基板１０を第２の基板１５とを絶縁層１３を介して貼り合わせ，
熱処理することにより分離を行い，
第２の基板上の分離層１４をエッチング液を用いて選択的に除去するもので，
イオン注入の加速電圧は１ＫｅＶから１０ＭｅＶの範囲で，
多層構造体１８の分離は，４００℃以上，１３５０℃以下の熱処理で行われ，
ＳＯＩ層１６の厚さは，数ｎｍ〜５μｍである半導体基板の作製方法。」　
　
（４−３）対比
　以下，補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「第１の基板１０」は，絶縁層を１３を形成し，第２の基板１５と貼り合わせるものであるから，補正発明の「結合ウェーハ」に，
　引用発明の「第２の基板１５」は，第１の基板１０に貼り合わせるものであるから，補正発明の「基準ウェーハ」に，
　引用発明の「絶縁層１３」は，補正発明の「絶縁膜」に，
　引用発明の「分離層１４」は，水素イオンを注入して形成するものであるから，補正発明の「イオン注入部」に，それぞれ相当する。
　そして，引用例の図３の記載，及び段落【０１９３】〜【０１９４】の記載によれば「第１の基板１０」の「表面層にＳｉＯ２１３を形成」していることから，第１の基板１０の一方の面に絶縁層１３を設けていることが分かるので，引用発明の「第１の基板１０の表面に絶縁層１３を形成」することは，補正発明の「結合ウェーハの一方の面に絶縁膜を形成する」ことに相当し，
　引用発明は，絶縁層１３を形成した後に，「低欠陥層１２内部に，イオン注入の投影飛程Ｒp （注入深さ）があるようイオン注入を行」（段落【００９６】）っていることから，絶縁層が形成された面から所定深さに不純物イオンを注入していることは明らかであるから，引用発明の「水素のイオン注入を行ない，分離層１４を形成」することは，補正発明の「前記結合ウェーハの前記絶縁膜が形成された面から所定深さに不純物イオンを注入して不純物イオン注入部を形成する」ことに相当し，
　引用発明の「貼り合わせ」ることとは，接触させて接着することを意味するものであるから，引用発明の「前記第１の基板１０を第２の基板１５とを絶縁層１３を介して貼り合わせ」ることは，補正発明の「前記結合ウェーハの絶縁膜と基準ウェーハとを互いに接触させて接着する」ことに相当する。
　また，引用発明における「分離層１４」のところでの「分離」が，いわゆる劈開により生ずることは，当業者の技術常識であるから，引用発明の「熱処理することにより分離を行」うことは，補正発明の「熱処理を行って前記結合ウェーハの不純物イオン注入部を劈開する」ことに相当する。
　また，引用発明の「第２の基板上の分離層１４」は，「分離」することによって第２の基板の表面に露出することとなった部分であり，「エッチング液を用いて」「除去する」ことは，「ウェットエッチング」することにほかならないから，引用発明の「第２の基板上の分離層１４をエッチング液を用いて選択的に除去する」ことは，補正発明の「前記基準ウェーハと接着された前記結合ウェーハの一部であって，前記劈開により露出された当該一部の表面をウェットエッチング」することに相当する。
　引用発明の「低欠陥層１２」の一部である「ＳＯＩ層１６」は，「素子形成領域」であることは自明であり，引用例の「低欠陥層１２中にＭＯＳＦＥＴ等の素子構造を形成した後に以降の工程をおこなってもよい。」（段落【００４４】）という記載からもこれが分かる。よって，引用発明の「ＳＯＩ層１６」は，補正発明の「素子形成領域」に相当する。
　また，引用発明は，「ＳＯＩ基板を作製」（段落【００４０】）を作製しているから，引用発明の「半導体基板の作製方法」は，補正発明の「ＳＯＩウェーハの製造方法」に対応する。
　
（一致点）
　したがって，補正発明と引用発明とは，
　「結合ウェーハの一方の面に絶縁膜を形成する段階と，
　前記結合ウェーハの前記絶縁膜が形成された面から所定深さに不純物イオンを低電圧で注入して不純物イオン注入部を形成する段階と，
　前記結合ウェーハの絶縁膜と基準ウェーハとを互いに接触させて接着する段階と，
　熱処理を行って前記結合ウェーハの不純物イオン注入部を劈開する段階と，
　前記基準ウェーハと接着された前記結合ウェーハの一部であって，前記劈開により露出された当該一部の表面をウェットエッチングして素子形成領域を形成する段階と，を含み，これらの段階を順に実施するものであり，前記不純物イオンは水素イオンであるＳＯＩウェーハの製造方法。」
　である点で一致し，以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　補正発明は，素子形成領域の厚さが「５０ｎｍ以下のナノスケールの厚さを有する」とされているのに対し，引用発明は素子形成領域の厚さがそのようには特定されていない点。
　
（相違点２） 
　補正発明は，「水素イオン」を「３０ｋｅＶ以下の低電圧下で注入」しているのに対し，引用発明はイオンの注入の加速電圧はそのようには特定されていない点。
　
（相違点３） 
　補正発明は，「前記結合ウェーハの不純物イオン注入部を劈開する段階」における「熱処理」が「低温熱処理」であり，「４００℃以下の低温で少なくとも約１分以上熱処理を行なうものである」のに対し，引用発明はそのようには特定されていない点。
　
（４−４）判断 
（４−４−１）相違点１について
　引用例の段落【００９６】の「ＳＯＩ層（審決注：補正発明の「素子形成領域」に相当）１６の厚さは，一般的には，数ｎｍ〜５μｍである。」という記載から，素子形成領域の厚さとして，引用発明は数ｎｍ〜５μｍの範囲であり，補正発明は５０ｎｍ以下であってその範囲が重なっており，補正発明の数値範囲はごく一般的な範囲であるといえる。また，本願の明細書又は図面の記載を参照しても，補正発明において，「素子形成領域」の厚さを５０ｎｍ以下に限定したことの臨界的意義は認められない。
　したがって，引用発明において，素子形成領域の厚さを「５０ｎｍ以下」とすることは，当業者が必要に応じて適宜設定し得る設計的事項である。
　
（４−４−２）相違点２について
　引用例の段落【００９４】には，「加速電圧の１ＫｅＶから１０ＭｅＶの範囲で行なうことができるが，加速電圧によりイオン注入層の厚さが変化するため，所望の条件を満たすよう数１０ＫｅＶから５００ＫｅＶ程度で行なうことが好ましい。」と記載され，イオンの加速電圧の「１ＫｅＶから１０ＭｅＶ」という範囲は，補正発明の「３０ｋｅＶ以下」と範囲が重なっている。また，この記載から，イオン注入層の厚さを考慮して，イオンの加速電圧が数１０ＫｅＶから５００ＫｅＶと低い範囲であることが好ましいことも分かる。
　よって，イオン注入層の厚さを考慮してイオンの加速電圧を１Ｋｅｖから１０ＭｅＶの範囲の中で低い範囲である３０ｋｅＶ以下に好適化することは，当業者にとって格別な困難性はなく，かつ，本願の明細書又は図面の記載を参照しても，イオンの加速電圧を３０ｋｅＶ以下としたことによる顕著な効果も認められない。
　したがって，引用発明において水素イオンを３０ｋｅＶ以下の低電圧下で注入することは，当業者が容易になし得たものである。
　
（４−４−３）相違点３について
　引用例の段落【０１１１】には，「多層構造体１８の分離は，熱処理することにより行なうことができる。具体的には，４００℃以上，１３５０℃以下，より好ましくは４００℃以上，１０００℃以下，さらに好ましくは４００℃以上，６００℃以下である。」と記載され，熱処理温度として，「４００℃以上，１３５０℃以下」のうちで，高温寄りよりも低温寄りの方が好ましいことが示されている。
　よって，引用発明において，熱処理温度を４００℃とすることは当業者にとって容易になし得たものといえる。
　また，本願の明細書及び図面（図１４，１６〜１９）の記載を参照しても，熱処理温度を４００℃以下とした実験例もなく，熱処理温度を４００℃以下としたことによる臨界的意義は認められない。
　また，熱処理時間については，１分以上熱処理を行うことは，以下の周知例１〜２にも記載されているように，当業者にとって周知の技術である。
　
　ア　周知例１：特開２００１−２７４３６８号公報
「【００４９】
【実施例】以下，本発明の実施例および比較例を示して，本発明を具体的に説明するが，本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）第１ウエーハとして，熱酸化により表面に４００ｎｍのシリコン酸化膜を形成した，直径１５０ｍｍ，面方位（１００），厚さ６２５μmのシリコン単結晶ウエーハを用意した。このウエーハを，図１に示したようなイオン注入装置のウエーハホルダ７にセットして，温度調節器１１を用いて−５５℃の低温に保持した状態で，ウエーハ表面から酸化膜を通して，注入エネルギー８８ｋｅＶ，ドーズ量５×１０１６／ｃｍ２の条件で水素イオンを注入した。次に，イオン注入後のウエーハと，このウエーハと同一形状で表面に酸化膜の形成されていないシリコン単結晶ウエーハ(第２ウエーハ)とを室温で密着させ，この密着させたウエーハに窒素雰囲気下，
４２０℃，３０分の剥離熱処理を施した。
【００５０】その結果，４２０℃と従来に比べ低温で熱処理をしているにもかかわらず，イオン注入を行った第１ウエーハはイオン注入層できれいに剥離し，膜厚約０．４μｍのＳＯＩ層を有するＳＯＩウエーハが作製された。」
　
　イ　周知例２：国際公開第０１／９３３３４号
「（実施例１）
図１に示した工程に従って貼り合わせウエーハを１０枚作製した。
（ａ）第１ウエーハの準備：直径２００ｍｍ，方位＜１００＞，酸化膜厚さ４００ｎｍのシリコン単結晶ウエーハを用意した。
（ｂ）第１回水素イオン注入:注入エネルギー１００ｋｅＶ，注入線量５×１０１６／ｃｍ２。
（ｃ）洗浄：ＳＣ−１（Ｈ２Ｏ／Ｈ２Ｏ２／ＮＨ４ＯＨ系洗浄液，７０℃，３分間浸漬）にて洗浄後，超音波リンスにかけ，ＩＰＡで乾燥する。
（ｄ）第２回水素イオン注入:注入エネルギー１００ｋｅＶ，注入線量３×１０１６／ｃｍ２。
（ｅ）洗浄：ＳＣ−１，ＳＣ−２（Ｈ２Ｏ／Ｈ２Ｏ２／ＨＣｌ系洗浄液，８０℃，３分間浸漬），ＳＣ−１の順に洗浄し，ＩＰＡで乾燥する。
（ｆ）密着：室温にてシリコン単結晶第２ウエーハ（酸化膜なし）と密着させる。
（ｇ）
剥離：窒素雰囲気注，５００℃で３０分間熱処理して剥離する。
　
　したがって，引用発明において４００℃以下の低温で少なくとも約１分以上熱処理を行うことは，当業者が容易になし得たものである。
　
（４−４−４）判断についてのまとめ 
　以上検討したとおり，補正発明は，当業者における周知の技術を勘案することにより，引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
　
（４−５）独立特許要件についてのまとめ
　本件補正は，補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから，特許法第１７条の２第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項をいう。以下同じ。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。 
　
（５）補正却下の決定についてのむすび 
　以上のとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから，特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
　
第３　本願発明 
　本件補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１〜７に係る発明は，平成２０年１月２１日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲１〜１７に記載された事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　結合ウェーハの一方の面に絶縁膜を形成する段階と，
　前記結合ウェーハの前記絶縁膜が形成された面から所定深さに不純物イオンを低電圧で注入して不純物イオン注入部を形成する段階と，
　前記結合ウェーハの絶縁膜と基準ウェーハとを互いに接触させて接着する段階と，
　低温熱処理を行って前記結合ウェーハの不純物イオン注入部を劈開する段階と，
　前記基準ウェーハと接着された前記結合ウェーハの一部であって，前記劈開により露出された当該一部の表面をエッチングしてナノスケールの厚さを有する素子形成領域を形成する段階と，を含み，これらの段階を順に実施するものであり，
　前記不純物イオンは水素イオンであり，前記水素イオンは３０ｋｅＶ以下の低電圧下で注入され，
　前記結合ウェーハの不純物イオン注入部を劈開する段階は４００℃以下の低温で少なくとも約１分以上熱処理を行う，ナノＳＯＩウェーハの製造方法。」
　
第４　引用例に記載された発明 
　引用例には，上記第２，４，（４−２）に記載したとおり，引用発明が記載されている。 
　
第５　判断 
　本願発明は，補正発明から，上記第２，２に記載した補正事項１についての補正によりなされた技術的限定を省いたものである。　 
　そうすると第２，４，（４−４）において検討したとおり，補正発明は，周知の技術を勘案することにより，引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，補正発明から技術的限定を省いた本願発明についても，当然に，周知の技術を勘案することにより，引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって，本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第６　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。 
　
　よって，結論のとおり審決する。