【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年11月7日(2011.11.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
本発明は、（ａ）砥材、（ｂ）水性キャリア、（ｃ）標準水素電極に対して０．７Ｖより大きく１．３Ｖより小さい標準還元電位を有する酸化剤、及び（ｄ）所望により、ホウ酸アニオン源を含む、ｐＨが７〜１２である化学機械研磨組成物を提供する。酸化剤が、過ホウ酸塩、過炭酸塩、または過リン酸塩以外の過酸化物を含むときに、化学機械研磨組成物はホウ酸アニオン源をさらに含む。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本発明は、（ｉ）基板を準備する工程；（ｉｉ）（ａ）砥材、（ｂ）水性キャリア、（ｃ）標準水素電極に対して０．７Ｖより大きく１．３Ｖより小さい標準還元電位を有する酸化剤、及び（ｄ）所望により、ホウ酸アニオン源（ただし、酸化剤が、過ホウ酸塩、過炭酸塩、または過リン酸塩以外の過酸化物を含むときに、化学機械研磨組成物がホウ酸アニオン源を含む）を含み、ｐＨが７〜１２である化学機械研磨組成物を準備する工程；（ｉｉｉ）基板と、研磨パッド及び化学機械研磨組成物とを接触させる工程；並びに（ｉｖ）研磨パッド及び化学機械研磨組成物を、基板に対して相対的に動かし、基板の表面の少なくとも一部を磨耗して、基板を研磨する工程、を含む基板の研磨方法をさらに提供する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
本発明は、基板を研磨するための化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物を提供する。ＣＭＰ組成物は、（ａ）砥材、（ｂ）水性キャリア、（ｃ）標準水素電極に対して０．７Ｖより大きく１．３Ｖより小さい標準還元電位を有する酸化剤、及び（ｄ）所望により、ホウ酸アニオン源（ただし、酸化剤が、過ホウ酸塩、過炭酸塩、または過リン酸塩以外の過酸化物を含むときに、化学機械研磨組成物がホウ酸アニオン源を含む）を含み、ＣＭＰ組成物のｐＨは７〜１２である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
ＣＭＰ組成物は、所望により、ホウ酸アニオン源をさらに含む。したがって、酸化剤は単独で、あるいはホウ酸アニオン源と組み合わせて、用いられ得る。酸化剤が、過ホウ酸塩、過炭酸塩、または過リン酸塩以外の過酸化物を含むときに、ＣＭＰ組成物はホウ酸アニオン源をさらに含む。ホウ酸アニオン源は、任意の好適なホウ酸塩化合物、例えば無機塩、部分塩、またはホウ酸アニオンを含む酸であることができる。好ましいホウ酸アニオン源には、限定するものではないが、四ホウ酸カリウム四水和物及び四ホウ酸アンモニウム四水和物が含まれる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）砥材、
（ｂ）水性キャリア、
（ｃ）標準水素電極に対して０．７Ｖより大きく１．３Ｖより小さい標準還元電位を有する酸化剤、及び
（ｄ）所望により、ホウ酸アニオン源（ただし、該酸化剤が、過ホウ酸塩、過炭酸塩、または過リン酸塩以外の過酸化物を含むときに、化学機械研磨組成物がホウ酸アニオン源を含む）、
を含む、化学機械研磨組成物。
【請求項２】
該酸化剤が、ルテニウムを＋３酸化状態に酸化する、請求項１に記載の化学機械研磨組成物。
【請求項３】
該酸化剤が、ルテニウムを＋４酸化状態に酸化する、請求項１に記載の化学機械研磨組成物。
【請求項４】
該酸化剤が、過ホウ酸塩、過炭酸塩、過リン酸塩、過酸化水素、またはそれらの組み合わせを含む、請求項１に記載の化学機械研磨組成物。
【請求項５】
ホウ酸アニオン源をさらに含む、請求項４に記載の化学機械研磨組成物。
【請求項６】
該酸化剤が、０．０５質量％〜１０質量％の濃度で該化学機械研磨組成物中に存在する、請求項１に記載の化学機械研磨組成物。
【請求項７】
アンモニウム含有化合物、ヒドロキシルアミン、メチルアミン、及びそれらの組み合わせからなる群から選択されるアンモニア誘導体をさらに含む、請求項１に記載の化学機械研磨組成物。
【請求項８】
該アンモニア誘導体が、０．０１質量％〜２質量％の濃度で該化学機械研磨組成物中に存在する、請求項７に記載の化学機械研磨組成物。
【請求項９】
該砥材が、アルミナ、シリカ、セリア、ジルコニア、チタニア、酸化ゲルマニウム、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される金属酸化物である、請求項１に記載の化学機械研磨組成物。
【請求項１０】
該金属酸化物の砥材がシリカである、請求項９に記載の化学機械研磨組成物。
【請求項１１】
該酸化剤が過ホウ酸塩を含む、請求項１に記載の化学機械研磨組成物。
【請求項１２】
（ｉ）基板を準備する工程；
（ｉｉ）（ａ）砥材、
（ｂ）水性キャリア、
（ｃ）標準水素電極に対して０．７Ｖより大きく１．３Ｖより小さい標準還元電位を有する酸化剤、及び
（ｄ）所望により、ホウ酸アニオン源（ただし、該酸化剤が、過ホウ酸塩、過炭酸塩、または過リン酸塩以外の過酸化物を含むときに、化学機械研磨組成物がホウ酸アニオン源を含む）
を含み、ｐＨが７〜１２である化学機械研磨組成物を準備する工程；
（ｉｉｉ）該基板と、研磨パッド及び該化学機械研磨組成物とを接触させる工程；並びに
（ｉｖ）該研磨パッド及び該化学機械研磨組成物を、該基板に対して相対的に動かし、該基板の表面の少なくとも一部を磨耗して、該基板を研磨する工程、
を含む基板の研磨方法。
【請求項１３】
該基板が、ルテニウム、タンタル、銅、ＴＥＯＳ、またはそれらの組み合わせを含み、該基板の少なくとも一部を磨耗して該基板を研磨する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
該基板がルテニウムを含み、該ルテニウムの少なくとも一部を磨耗して該基板を研磨する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
該酸化剤が、ルテニウムを＋３酸化状態に酸化する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
該酸化剤が、ルテニウムを＋４酸化状態に酸化する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
該酸化剤が、過ホウ酸塩、過炭酸塩、過リン酸塩、過酸化水素、またはそれらの組み合わせを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
該酸化剤が、０．０５質量％〜１０質量％の濃度で該化学機械研磨組成物中に存在する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
該酸化剤が、過ホウ酸カリウム、過ホウ酸ナトリウム一水和物、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
該酸化剤が過酸化水素であり、且つ該化学機械研磨組成物が、四ホウ酸カリウム四水和物、四ホウ酸アンモニウム四水和物、及びそれらの組み合わせからなる群から選択されるホウ酸アニオン源をさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
該化学機械研磨組成物が、アンモニウム含有化合物、ヒドロキシルアミン、メチルアミン、及びそれらの組み合わせからなる群から選択されるアンモニア誘導体をさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項２２】
該アンモニア誘導体が、０．０１質量％〜２質量％の濃度で該化学機械研磨組成物中に存在する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
該アンモニア誘導体が、ルテニウムの開路電位を、標準水素電極に対して、０．１Ｖ〜０．３Ｖ減少する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
該砥材が、アルミナ、シリカ、セリア、ジルコニア、チタニア、酸化ゲルマニウム、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される金属酸化物である、請求項１２に記載の方法。
【請求項２５】
該金属酸化物の砥材がシリカである、請求項２４に記載の方法。