【事件の表示】
　特願２００２−１３７３３０「ケイ素酸化膜」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１１月１９日出願公開、特開２００３−３２８１３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本件は、平成１４年５月１３日の出願であって、平成１９年１０月３日付けの拒絶理由通知書が送付され、同年１１月２０日付けで手続補正がされ、平成２０年３月１１日付けで拒絶査定がされたところ、この査定を不服として、同年４月１６日に審判請求がされたものであり、平成２２年６月２８日付けで審尋を送付したところ、同年８月２７日付けで回答書が提出されたものである。　 
　　 
第２　本件発明について
　　
Ｉ．本件発明
  本件出願に係る発明は、平成１９年１０月３日付け手続補正で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、次のとおりのものと認められる。
　　
「プラズマＣＶＤ法によりプラスチック基材の表面に形成されたケイ素酸化
膜において、
　前記ケイ素酸化膜は、プラスチック基材との界面側に位置する第一層と、第一層上の第二層とからなる２層構造を有しており、該第一層には、メチル基及びメチレン基が存在しており、
　前記第一層について測定した第１の赤外吸収スペクトルは、波数が１０００〜１３００ｃｍ−１の領域にＳｉＯに由来する赤外吸収ピークを有し、且つ波数が２８００〜３０００ｃｍ−１の領域にメチル基に由来する赤外吸収ピークとメチレン基に由来する赤外吸収ピークとを有しており、
　前記第２層について測定した第２の赤外吸収スペクトルは、波数が８４５〜８３３ｃｍ−１におけるＳｉＣＨ３に由来する赤外吸収ピークが実質上ゼロであり、波数が１２１５乃至１２５０ｃｍ−１の領域に吸収ピークを有しているとともに、該第２の赤外吸収スペクトルにおいて、下記式（１）：
　　Ｒｉ＝Ａ１／Ａ２×１００　　…（１）
　　　式中、Ａ１は、波数１２１５乃至１２５０ｃｍ−１の範囲の吸光度の
　　　　　　面積を示し、
　　　　　　Ａ２は、波数９８５乃至１２５０ｃｍ−１の範囲の吸光度の面
　　　　　　積を示す、
で定義される吸光度比が１％以上となっていることを特徴とするケイ素酸化膜。」
　　
II．原査定の理由の概要  
　　
　原査定の本件発明に対する拒絶の理由は、
「本件発明は、その出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物１に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
刊行物１：特開平０８−２９１２２５号公報」
というものである
　　
III．刊行物及びその記載事項
　刊行物１には、次の事項が記載されている。
　　
（１ａ）【特許請求の範囲】
「【請求項１】　プラスチック材に無機薄膜を被覆した包装材において、該プラスチック材が環状オレフィンを３０モル％以上含有する環状オレフィン共重合体で形成されていることを特徴とする、ガス遮断性に優れた包装材。
　・・・(中略)・・・
　【請求項４】　プラスチック材に被覆した無機薄膜が、低温プラズマ法により有機シリコン化合物モノマーをプラズマとなし、このプラズマでプラスチックス材を処理して表面に有機シリコン化合物重合体の被膜を形成し、ついでこの有機シリコン化合物重合体の被膜上にシリコン酸化物膜を被覆した無機薄膜である、請求項１ないし３のいずれか１項に記載されたガス遮断性に優れた包装材。」
　　
（１ｂ）【００２０】
「実施例２
　プラスチック材に環状ポリオレフィン含有量を３０、３２、３３モル％に調整した三井石油化学株式会社製のアペルを使用し、射出成形したプレートに２軸延伸を行い厚み３００μｍのシートを作製した。各シートは図１の試料用治具を使用して、高周波プラズマＣＶＤ装置内の高周波電極とアース電極に設置した。真空チャンバー内にヘキサメチルジシロキサンを真空度８．０×１０−３３ｔｏｒｒ導入し、高周波出力を１００Ｗで１分間反応させ、アース電極と向い合う基板表面に約１００Åの有機ケイ素化合物被膜を作製した。続いてヘキサメチルジシロキサンを真空度１．０×１０−３ｔｏｒｒ、と酸素ガスを真空度２．０×１０−３ｔｏｒｒを混入し、高周波出力を２００Ｗで１０分間反応させ、基板表面に約７００Åのシリコン酸化物膜を作製した。」
　（合議体注：上記摘示事項において、「ヘキサメチルジシロキサンを真空度８．０×１０−３３ｔｏｒｒ」は、「ヘキサメチルジシロキサンを真空度８．０×１０−３ｔｏｒｒ」の誤記と認められる。）
　　
IV．当審の判断
　　
［１］刊行物１に記載された発明
　　
　刊行物１の摘示（１ａ）の記載によれば、刊行物１には、「プラズマ法によりプラスチック材の表面に被覆した無機薄膜であって、前記無機薄膜はプラスチック材の表面に形成された有機シリコン化合物重合体の被膜と、該有機シリコン化合物重合体の被膜上にシリコン酸化物膜を被覆した無機薄膜」が記載されているといえる。そして、刊行物１の摘示（１ｂ）には、その実施例として、前記「プラズマ法」は、高周波プラズマＣＶＤであること、前記「有機シリコン化合物重合体膜」は、約１００Åの有機ケイ素化合物被膜であること、前記有機ケイ素化合物の被膜上に被覆する「シリコン酸化物膜」は、前記有機ケイ素化合物被膜を作製した後、続いてヘキサメチルジシロキサンを真空度１．０×１０−３ｔｏｒｒ、と酸素ガスを真空度２．０×１０−３ｔｏｒｒを混入し、高周波出力を２００Ｗで１０分間反応させることにより作製した、約７００Åのシリコン酸化物膜であることが記載されている。
　　
　以上の記載及び認定事項を、本件発明の記載振りに則り整理して記載すると、刊行物１には、次の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されているといえる。
  　　
『高周波プラズマＣＶＤ法によりプラスチック基材の表面に形成された無機薄膜において、
　前記無機薄膜は、プラスチック基材表面に作製された有機ケイ素化合物被膜と、該有機ケイ素化合物被膜の上に、ヘキサメチルジシロキサンを真空度１．０×１０−３ｔｏｒｒ、と酸素ガスを真空度２．０×１０−３ｔｏｒｒを混入し、高周波出力を２００Ｗで１０分間反応させ、シリコン酸化膜を作製した無機薄膜。』
 　　
［２］対比・判断
　本件発明（前者）と刊行物１発明（後者）とを対比すると、後者の『プラスチック基材表面に作製された有機ケイ素化合物被膜と、該有機ケイ素化合物被膜の上に、・・・、シリコン酸化膜を作製した』無機薄膜は、前者の「プラスチック基材との界面側に位置する第一層と、第一層上の第二層とからなる２層構造を有して」いるケイ素酸化膜に相当する。
　してみると、両者は、
　　
「プラズマＣＶＤ法によりプラスチック基材の表面に形成されたケイ素酸化
膜において、
　前記ケイ素酸化膜は、プラスチック基材との界面側に位置する第一層と、第一層上の第二層とからなる２層構造を有しているケイ素酸化膜。」
　　
で一致するものの、次の点で一応相違する。
　　
相違点１：本件発明では、第一層には、「メチル基及びメチレン基が存在」しており、「第一層について測定した第１の赤外吸収スペクトルは、波数が１０００〜１３００ｃｍ−１の領域にＳｉＯに由来する赤外吸収ピークを有し、且つ波数が２８００〜３０００ｃｍ−１の領域にメチル基に由来する赤外吸収ピークとメチレン基に由来する赤外吸収ピークとを有して」いるのに対して、刊行物１発明では、プラスチック基材表面に作製した有機ケイ素化合物被膜には「メチル基及びメチレン基が存在」し、また、その測定した赤外吸収スペクトルにおいて、ＳｉＯ、メチル基、メチレン基に由来する赤外吸収ピークを有するか不明である点。
　　
相違点２：本件発明では、
「第２層について測定した第２の赤外吸収スペクトルは、波数が８４５〜８３３ｃｍ−１におけるＳｉＣＨ３に由来する赤外吸収ピークが実質上ゼロであり、波数が１２１５乃至１２５０ｃｍ−１の領域に吸収ピークを有しているとともに、該第２の赤外吸収スペクトルにおいて、下記式（１）：
　　Ｒｉ＝Ａ１／Ａ２×１００　　…（１）
　　　式中、Ａ１は、波数１２１５乃至１２５０ｃｍ−１の範囲の吸光度の
　　　　　　面積を示し、
　　　　　　Ａ２は、波数９８５乃至１２５０ｃｍ−１の範囲の吸光度の面
　　　　　　積を示す、
で定義される吸光度比が１％以上となっている」（以下、「条件Ｘ」とする。）
のに対して、刊行物１発明では、シリコン酸化膜の赤外吸収スペクトルが不明である点。
　　
　上記相違点について検討する。
　　
（１）相違点１について
　刊行物１の摘示（１ｂ）にあるように、刊行物１発明の有機ケイ素化合物被膜は、ヘキサメチルジシロキサンを原料とし、「有機ケイ素化合物」の被膜を得るものであるから、「有機ケイ素化合物」の被膜の赤外吸収スペクトルには、当然ＳｉＯやメチル基、メチレン基由来の赤外吸収ピークが含まれるものといえる。
　してみると、当該相違点１は、結局、実質的な相違点とはなり得ない。
　　
　なお、この点については、請求人も、刊行物１発明の有機ケイ素化合物被膜（刊行物１の摘示（１ａ）の記載における「有機ケイ素重合体膜」）は、本件発明の「第一層」の条件を満たしている旨、意見書及び審判請求書のいずれにおいても認めている。
　　
（２）相違点２について
　刊行物１発明のシリコン酸化膜は、「有機ケイ素化合物被膜の上に、ヘキサメチルジシロキサンを真空度１．０×１０−３ｔｏｒｒ、と酸素ガスを真空度２．０×１０−３ｔｏｒｒを混入し、高周波出力を２００Ｗで１０分間反応させ、作製した」ものである。
　この刊行物１発明の「シリコン酸化膜」の作製条件は、製膜時の出力を２００Ｗ乃至５００Ｗの高出力で行うとする本件発明（本件明細書段落【００５８】参照）と一致するものであり、その原料ガスも「ヘキサメチレンジシロキサン」を用いる点で一致している。
　さらに、刊行物１発明（及び本件発明）の発明者の一人である、並木恒久氏が発表した、
　・「表面技術」Vol.45,No.12,1994、第1270〜1275頁、「高周波プラズマＣＶＤ法によって形成された酸化ケイ素膜のガス透過性」（以下、「提示文献１」とする。）
の、「3.1　ＨＭＤＳＯ／酸素プラズマ生成膜」の項の記載によると、「高周波プラズマＣＶＤ装置を用い、ＨＭＤＳＯと酸素の混合比は１：１，高周波出力は２００Ｗ」で１０分間成膜した際のＦＴ−ＩＲスペクトルがＦｉｇ．３に「ＨＭＤＳＯ−Ｏ２　Ｐｌａｓｍａ」として示されており、かかるＦＴ−ＩＲスペクトルのＳｉＯと付されたピークからみるに、Ｒｉが少なくとも１％以上であることが見てとれるから、刊行物１発明の「シリコン酸化膜」においてもＲｉが少なくとも１％以上となると推認される。
　してみると、当該相違点２も、結局、実質的な相違点にはなり得ない。
　なお、この点について審尋にて、請求人に提示文献１を提示しつつ釈明を求めたところ、回答書において、Ｒｉが１％以上となっているとの考えが正しい旨認めている。
　
（３）小括
　上記検討より、本件発明は、刊行物１発明と同一である。
　　
IV．まとめ
　上記のとおり、本件発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものである。　　
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、原査定の理由により本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。