【事件の表示】
　特願２００２−１１１２６１「異物の無害化方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月２４日出願公開、特開２００３−３０２７４５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１４年４月１２日の出願であって、平成２０年６月２７日付けで通知した拒絶の理由に対して、同年８月２８日付けで手続補正書が提出されたが、同年９月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１１月６日付けで審判請求がなされるとともに、同年１２月８日付けで手続補正書が提出され、その後、当審において審尋に対する回答書が平成２２年８月５日付けで提出されたものである。
　
　
第２　平成２０年１２月８日付けの手続補正の却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年１２月８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．補正後の本願発明
　本件補正には特許請求の範囲を次のように補正しようとする事項が含まれる。
　
（補正前）
　「【請求項１】ペリクルが装着されたレチクルの透過領域に存在する異物に対し、ペリクル膜を介してペリクル膜を透過する波長のレーザー光を、レーザー修正装置を用いて照射することにより、前記異物を無害化し、かつ、前記異物の無害化が、前記異物を前記レーザー光により透過領域外の領域に移動させるものであることを特徴とする異物の無害化方法。
　【請求項２】請求項１に記載の異物の無害化方法を用いた異物の無害化工程を有することを特徴とするレチクルの製造方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】ペリクルが装着されたレチクルの透過領域に存在する無機系の異物に対し、ペリクル膜を介してペリクル膜を透過する波長のレーザー光を、レーザー修正装置を用いて照射することにより、前記無機系の異物を無害化し、かつ、前記無機系の異物の無害化が、前記無機系の異物を前記レーザー光により透過領域外の領域に移動させるものであることを特徴とする異物の無害化方法。
　【請求項２】請求項１に記載の異物の無害化方法を用いた異物の無害化工程を有することを特徴とするレチクルの製造方法。」
　
　この補正事項は、補正前のペリクルが装着されたレチクルの透過領域に存在する「異物」を、「無機系の異物」に限定するものである。
　したがって、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて以下に検討する。
　
２．引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された特開２００２−２３３４６号公報（原査定の引用文献１。以下、「刊行物１」という。）、および、周知技術の例示文献として示された特開昭６１−１８１３０号公報（以下、「例示文献１」という。）、特開平１０−１８６６３５号公報（以下、「例示文献２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
（１）刊行物１
　（１ａ）「【０００１】本発明は、レーザシステムに関し、特に、表面粒子及び薄膜アブレーションのためのシステム及び方法に関する。」
　
　（１ｂ）「【０００４】従来の
フォトマスクパターンは、レーザビーム或いは電子ビームの直接描画によって作成される
レジスト材を塗布したブランクマスク
レーザビーム或いは電子ビームによって走査
露光
現像
エッチングが完了すると、レジスト材が取り除かれた箇所では、クロムも取り除かれる
クロム層付ガラス板（chrome on glass）」フォトマスクが製造され
【０００５】この工程は有用であるとみられていたが、
フォトマスク製造中にイメージ欠陥がしばしば形成
誤配置パターン欠陥
パターン欠損欠陥
異物すなわち汚染欠陥
【０００６】
一般に、誤配置パターン欠陥は、パターニング工程で基板から除去し損なった物質、例えば、もともと存在する物質のしみである
孤立スポット（isolated spots）
【０００７】ひるがえって、
パターン欠損欠陥
【０００８】
汚染欠陥
【０００９】一般に、欠陥密度と欠陥サイズは相反する関係にある。すなわち、欠陥密度が高くなると、欠陥のサイズは減少する。比較的小さなサイズの欠陥は許容される場合もあるが、小型で高速な装置の要求が益々高まるに伴い、最小欠陥の許容誤差はそれに応じて小さくなっている。
【００１０】したがって、
誤配置パターンや異物欠陥などを含む
フォトリソグラフマスク上の比較的小さな欠陥を
除去するための
局所レーザ法
マスク修復を実行するためのレーザ放射装置
を備えた
フォトリソグラフマスク修復システム
　
　（１ｃ）「【００３２】本発明の別の目的は、ガラス基板から不透明な膜を、
フォトマスクから異物を、優先的に除去するためのレーザ加工プロセス
【００３３】本発明のさらに別の目的は、
ペリクル化したフォトマスク上の不透明欠陥及び異物を排除するとともに
フォトマスク修復の近傍における除去物質の堆積を排除する
　
　（１ｄ）「【００５１】図９に示されているように、レーザビームプロセッサ６０は、
レーザ放射装置３０から射出されたレーザビーム
【００５２】（略）
【００５３】ミラー７１を通過した光は、第２のビームスプリッタすなわち調節可能なプロセッサ回転ミラー７２に導かれる。このミラーもまた「リーキー」ミラーであることが好ましい。好ましくは、ミラー７２は、動作中には選択された固定位置にあり、レーザビームの第１のスプリット３２を電動アパーチャアセンブリ８０を通過するように導く。主要なビーム処理機能、特に、漸増的マスク修復は、アパーチャアセンブリによって実行される。図１及び図１１〜図１３に示されているように、ビーム３２は、最初にアセンブリのアパーチャ８１を通過し、次に像縮小用のレンズ８２を通過する。図１３に示されているように、アパーチャは動作状態すなわち全開状態にある。レンズ８２は、対応する、例えば約２００ｍｍの、焦点距離を有している。その後、ビームは、ビームスプリッタ８３に結合し、ビームスプリッタ８３はこのビームを一般には下向き方向に導く。
【００５４】上述した構成は、所望のターゲット領域、すなわちフォトマスクへのレーザビームの正確な動きを実行するために特に好適である。レーザ照射されたアパーチャの投影像を、中継レンズをビーム伝播と略直交する方向に並進移動すること（以下「ビーム精密移動」）により、マイクロスコープの対物レンズ視野内に移動させる。並進移動レンズは拡大の前とブレーキの係止中に作動するので、ビーム精密移動により正確度、精密度及び解像度が増す。ビーム位置の微少な変化をなすためには、レンズシステムの比較的大きな移動が必要である。
【００５５】次に、ビームは、選択されたレンズすなわち対物レンズ８４、換言すると、対物レンズ８５、８６、８７、８８、８９のいずれかを通過する。本発明の一態様によれば、対物レンズ８５〜８９は、それぞれ、５Ｘ、１０Ｘ、４０Ｘ、５０Ｘ、１００Ｘの倍率を有している。図１５及び図１６に示されるように、これらの対物レンズは、好ましくは、選択的電動操作、特に、フォトマスクに対する誘導のための電動レボルバーアセンブリ、すなわちマイクロスコープタレット５９に搭載されている。実施に際して、
ビーム３２は、フォトリソグラフマスク修復のために、フォトマスク（すなわち修復部位）上に導かれる
　
　（１ｅ）「【００７３】本発明の別の実施の形態は、フォトリソグラフマスク修復の方法に関する。最初に、フォトマスクは、相対的に静止しかつ分離された支持構造体上に載置される。つぎに、
レーザ放射装置を活性化して、マスク修復を行なう
【００７４】次に、レーザ放射装置から出射されるレーザビームに、レーザビームの連続的角度操作を実行するためにレーザプロセッサを通過させる。このレーザプロセッサは、レーザビームのオフアクシス照射を実行するための調節可能なビームスプリッタと、漸増的マスク修復を容易にするための電動アパーチャと、像縮小のための光学系と、修復中にマスクを観察するための装置とを含んでいる。その後、連続的角度操作は、ビームのほぼ完全な波形を獲得できるように制御される。連続的角度操作と同時に、マスクに対するビームの誘導中にマスクの多視点観察が行われ、ビームの動きの精密制御が行われ、連続的角度操作を実行するために電動アパーチャの制御された動きが行われ、支持構造体の動きが制御され、イメージデータが処理される。」
　
　（１ｆ）「【００７９】本発明の別の利点は、
修復箇所近傍における被除去物質の付着を除去あるいは分散する
アブレーションによって取り除かれた少量の物質は、通常、直径約３０ミクロンの円形領域内で均一な薄膜としてマスク上に堆積する
移動気体雰囲気を形成することにより、堆積される膜は、大幅に希釈され、その結果膜はより大きな領域に広がり、修復部位に隣接するクリア領域における光透過を増加させる
【００８０】
あるいは、修復結果は、欠陥物質を集める
例えば、電極が修復箇所の近傍に配置される。イオン化粒子が放出され、表面に堆積する前に集められ、修復部位に隣接するクリア領域における光透過を増加させる
　
　（１ｇ）「【００８２】要するに、本発明のレーザ射出システムは、以下の特徴を提供する。種々の厚さのフォトマスクを装填し上面基準を保持する。フォトマスクの照射と同時にフォトマスク上のパターンを観察しフォトマスクの修復を可能とする。像倍率や、照射波長や、照射角度及び/または偏光を変更することにより画像を向上させる。オフアクシスレーザ照射を用いて欠陥観察を向上させる。機械視覚を用いて欠陥修復工程を繰り返し制御する。バックラッシュなしに焦点メカニズムを駆動する。マイクロスコープシステムを自動焦点合わせする。空気ベアリングステージシステムをロックする。レーザターゲット相互作用領域を定める。ビームをターゲット領域に正確に移動させる。修復結果のプレビューを行なう。
ペリクル化したフォトマスク上の不透明欠陥を修復する
修復箇所近傍の除去された材料の堆積を排除する
あるいは、除去された材料を収集する
　
　（１ｈ）ここで、上記（１ｇ）の「不透明欠陥」は、上記（１ｂ）の「誤配置パターン欠陥」（本来、透明であるべき箇所における、パターニング工程で基板から除去し損なった物質のしみである欠陥）と、実質的に同義であるといえる。
　
　これら記載によれば、刊行物１には次の発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が実質的に記載されているものと認められる。
　
　「ペリクル化したフォトマスク上の不透明欠陥または誤配置パターン欠陥をレーザ放射装置からのビームにより修復する方法であって、
　前記フォトマスクは、レジスト材を塗布したブランクマスクに、レーザビーム或いは電子ビームで走査して描画し、現像し、エッチングによりレジスト材とともにクロムを取り除き、余剰レジスト材を剥がして、製造された、「クロム層付ガラス板」フォトマスクであって、前記不透明欠陥または誤配置パターン欠陥は、フォトマスク製造中において、パターニング工程で基板から除去し損なった物質しみ（孤立スポット等）であり、
　アブレーションによって取り除かれた少量の物質（欠陥の物質）は、円形領域内で均一な薄膜としてマスク上に堆積するが、移動気体雰囲気を形成することにより、堆積される膜は、大幅に希釈され、その結果膜はより大きな領域に広がり、修復部位に隣接するクリア領域における光透過を増加させるか、あるいは、マスク表面に堆積する前に、欠陥物質を集めて、修復部位に隣接するクリア領域における光透過を増加させる、
　ペリクル化したフォトマスク上の不透明欠陥または誤配置パターン欠陥を修復する方法。」
　
　
（２）例示文献１
　（２ａ）「特許請求の範囲
１．
基体表面にレーザ光を照射することによって、前記基体表面における異物を前記基体から飛ばし
の飛んだ異物を気体の流れを利用して基体外部に取り除く
異物除去方法
２．前記
基体は、半導体装置の製造に用いるホトマスクあるいはレティクルである
３．前記
基体は、表面に金属のマスクパターンを有する
４．前記レーザ光の照射径は、前記異物の大きさよりも大である、特許請求の範囲第１項記載の異物除去方法。
５．前記気体の流れは、真空吸引によって行なうものである、特許請求の範囲第１項記載の異物除去方法。」
　
　（２ｂ）「［技術分野］
　本発明は、基体表面に付着した塵埃等の異物を除去する技術に関し、特に半導体装置の製造に用いるホトマスクあるいはレティクル上の異物除去に利用して有効な技術に関するものである。」（第１頁右下欄）
　
　（２ｃ）「［背景技術］
　半導体装置の製作にあたっては、ホトリソグラフィ技術を多用して微細パターンを得ることが行なわれている。この際、
ホトマスクあるいはホトマスク製作原版であるレティクルに塵埃等の有害な異物がどうしても付着
　・・・（中略）・・・
　上述したホトマスクやレティクルの異物除去からもわかるように、基体上の異物を基体自体を損傷させずに確実に取り除くことは困難である。しかも、異物除去の作業が、新たな異物を付着させる可能性が高い。
異物には、空気中に飛散している塵埃、作業者の人体から出る汚れ等があり、その多くが有機物である
　
　（２ｄ）「［発明の目的］
　本発明の目的は、基体表面に存在する有害な異物を有効に除去することができる異物除去技術を提供することにある。
　本発明の別の目的は、ドライプロセスで管理の面でも有利な異物除去技術を提供することにある。
　本発明のこれらならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
［発明の概要］
　本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
　すなわち、
基体表面に基体それ自体を損傷させない程度のエネルギをもつレーザ光を照射することによって
基体表面のいたるところに散在する異物のみを基体上から飛ばし
その飛んだ異物を真空吸引等によって基体外部に取り除くことにより
基体に異物が再付着することなく異物を確実に除去する
　
　（２ｅ）「
第１図
　同図において、基体としてのホトマスク１は、透光性のガラス基板２とその一面に形成された遮光膜であるマスクパターン（図示せず）とからなる。
マスクパターンはクロムあるいはその酸化物等の金属材料からなり
ホトマスク１は、透明材料からなるチャンバ４内に配置される
チャンバ４の内部に浮遊する塵埃等は排気機能により管５を通してチャンバ４の外部に排気気体とともに排出し掃引できる
　また、チャンバ４の近傍には基体表面にレーザ照射するためのレーザ装置６が配置されている。レーザ装置６は、レーザ発振器７、およびレーザ発振器７からのレーザ光８をホトマスク１の上面に導く回転ミラー９を備えている。回転ミラー９は数度の角度にわたって揺動可能であり、それにより、レーザ光８はホトマスク１の上面において、矢印１０のように数ｍないしは数ｃｍの範囲で移動可能である。こうした回転ミラー９を主体とした走査機構およびＸＹテーブル３の移動機構とによって、レーザ光８はホトマスク１の上面全体を走査可能となっている。
　以下、上述した構成の異物除去装置の作用を説明する。ＸＹテーブル３の移動および回転ミラー９の揺動によってレーザ光８がホトマスク１の表面を照射すると、その
マスク１の上面に存在する塵埃等の有害な異物１１は
まずレーザ光８のエネルギーにより燃えるものは燃え
他のものは熱衝撃によってホトマスク１の上方に飛散する
そして、飛散した異物１１は前述した排気機能により管５を通してチャンバ４の外部に排出される
　ここで、異物１１の飛散効率を上げるには、レーザ光８のエネルギーを高める方が良いが、そうすることによってホトマスク１自体の機能を損ねるようなことがあってはならない。そこで、
レーザ光８のエネルギーは、ホトマスク１のガラスおよびマスクパターンを損なわないようなエネルギー値に設定
レーザ光８は数μｍ程度の径に絞って用いるが、その径をホトマスク１上の異物の大きさよりも大きく設定すると飛散効率はかなり高まる
　こうした一連の異物除去プロセスはドライプロセスであるため、ホトマスク１はその処理後ただちに有害な異物付着のない状態のホトマスクとして使用することができる。
　異物除去用試料としては、前述したホトマスクに限定されることなく、レティクル、精密加工品など種々のものが適用できる。
　この実施例１からも明らかなように本発明にかかわる異物除去装置をホトリピータあるいは投影式の縮小アライナ等に付属させることができ、異物除去後そのままホトマスクあるいはレティクル等を使用することにより、被加工物の微細加工を異物による不良品の発生を防止して行なうことができる。したがって、新たな汚れ（異物）が付くことを回避することができる。」（第２頁左下欄第８行〜第３頁右上欄第１６行）
　
　（２ｆ）「第２図は本発明の他の実施例を示す図であって、ホトマスクの製作に用いるレティクルの異物除去用としての装置の概略全体図である。なお、第１図と同様の構成部分には同一符号を付し、その説明を簡略化する。
　・・・（中略）・・・
　したがって、作業者は図示しないたとえば実体顕微鏡等によってレティクル１２上を観察し、ＸＹテーブル３の移動機構によって異物１１をレーザ光８の照射可能位置におくことができる。
視野下にある異物１１に対して、レーザ光８をパルスとして照射すると
これによる衝撃で異物１１は飛散す
飛散した異物１１はノズル１４によって吸引され、排気機能によって装置外部に排出される
　この実施例２の場合、異物除去装置をホトリピータあるいは投影式の縮小アライナ等に付属させることができ、異物除去後そのままレティクル１２等を原版として使用することができる。したがって、新たな汚れ（異物）が付くことが回避することができる。
　また、実施例１と比較して、実施例２ではチャンバ４が不要となるので、観察系の設置の自由度を増すことができる。」（第３頁右上欄第１７行〜右下欄第１６行）
　　
（３）例示文献２
　（３ａ）「【０００２】
【従来の技術】
フォトマスク
パターン形成用の遮光膜材料には主にクロムが用いられ
【０００３】フォトマスクの加工に必要な保護膜材料には主にＥＢ（Ｅｌｅｃｔｏｒｎ  Ｂｅａｍ）レジストが用いられている。ＥＢレジストの膜厚は約３００〜５００ｎｍであり、スピン・オン法により塗布される。このＥＢレジストはＥＢ描画と現像によりパターニングされる。透明基板上の遮光膜や半透明膜又は位相シフト膜等は、ウエットエッチング法またはドライエッチング法によりパターニングされる。このパターニングされたマスクがフォトマスクとして半導体装置の加工等のフォトリソグラフィ工程に用いられる。
【０００４】具体的な例として、
クロムから成る遮光膜だけを有するフォトマスクの製造工程
【０００５】まず、透明基板上にスパッタ、真空蒸着等により約１１０ｎｍのクロム膜を成膜したブランクマスクを作製する。続いて、レジストを約５００ｎｍ塗布する。尚、レジストとしてはクロム膜のエッチングの際、エッチング耐性に優れたものでなければならない。ＥＢ描画工程において、遮光領域は未描画、透過領域は完全にレジストを除去し得る必要電荷量に設定し、電子ビームを照射する。レジストには、ネガ形とポジ形とがあり、ポジ形レジストを用いた場合、電子ビームが当たらなかった部分が次の現像工程で、レジストパターンとして残り、電子ビームの当たった部分は現像液に溶解し、クロム膜が部分的に露出される。
【０００６】現像した後、
露出したクロム膜のドライエッチングを行う
【０００７】
一般に知られているフォトマスクの欠陥は、エッチングされてマスクパターンのない石英の露出された透過面上にパターン形成用膜のエッチング残りや異物がある等の黒欠陥と
白欠陥とがある
黒欠陥は集束イオンビーム法（ＦＩＢ：Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ）若しくはレーザによりエッチング残りや異物を飛ばす方法
　
　
３．対比・判断
　本願補正発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、
　刊行物１記載の発明の「ペリクル化したフォトマスク上の不透明欠陥または誤配置パターン欠陥」は、「フォトマスク製造中において、パターニング工程で基板から除去し損なった物質しみ（孤立スポット等）で」あり、フォトマスクの透過領域に存在する異物ということができるから、
　刊行物１記載の発明の上記事項と、本願補正発明の「ペリクルが装着されたレチクルの透過領域に存在する無機系の異物」とは、「ペリクルが装着されたレチクルの透過領域に存在する異物」の点で共通する。
　
　次に、本願補正発明の「異物の無害化」は、特に「異物を前記レーザー光により透過領域外の領域に移動させるもの」であるが、本願明細書の【００１７】によれば、一般概念としては、「異物の無害化とは、ペリクル付きレチクルを用いてウェハ等にパターンを転写する際、異物の陰影がステッパー等の転写装置に認識されずに、不適切なパターンがウェハに転写されない状態に異物が処理されたことを意味する。」というものであるから、
　刊行物１記載の発明の、「不透明欠陥または誤配置パターン欠陥をレーザ放射装置からのビームにより修復する方法」であって、「アブレーションによって取り除かれた少量の物質（欠陥の物質）は、円形領域内で均一な薄膜としてマスク上に堆積するが、移動気体雰囲気を形成することにより、堆積される膜は、大幅に希釈され、その結果膜はより大きな領域に広がり、修復部位に隣接するクリア領域における光透過を増加させるか、あるいは、マスク表面に堆積する前に、欠陥物質を集めて、修復部位に隣接するクリア領域における光透過を増加させる」ことは、本願明細書の「異物の無害化」の概念に含まれるから、
　刊行物１記載の発明の上記事項と、
　本願補正発明の「無機系の異物に対し、ペリクル膜を介してペリクル膜を透過する波長のレーザー光を、レーザー修正装置を用いて照射することにより、前記無機系の異物を無害化し、かつ、前記無機系の異物の無害化が、前記無機系の異物を前記レーザー光により透過領域外の領域に移動させるものであることを特徴とする異物の無害化方法」とは、
　「異物に対し、レーザー光をレーザー修正装置を用いて照射することにより、異物を無害化する方法」の点で共通するといえる。
　
　そうすると、両者は、
　「ペリクルが装着されたレチクルの透過領域に存在する異物に対し、レーザー光をレーザー修正装置を用いて照射することにより、異物を無害化する方法。」の点で一致し、
　次の点で一応相違する。
　
［相違点１］
　異物が、本願補正発明は、無機系の異物であるのに対し、刊行物１記載の発明は、無機系の異物と明示されていない点。
　
［相違点２］
　レーザー光の波長が、本願補正発明は、ペリクル膜を介してペリクル膜を透過する波長であるのに対し、刊行物１記載の発明は、そのような明示がない点。
　
［相違点３］
　レーザー光の照射による異物の無害化方法が、
　本願補正発明は、無機系の異物をレーザー光により透過領域外の領域に移動させるものであるのに対して、
　刊行物１記載の発明は、「アブレーションによって取り除かれた少量の物質（欠陥の物質）は、円形領域内で均一な薄膜としてマスク上に堆積するが、移動気体雰囲気を形成することにより、堆積される膜は、大幅に希釈され、その結果膜はより大きな領域に広がり、修復部位に隣接するクリア領域における光透過を増加させるか、あるいは、マスク表面に堆積する前に、欠陥物質を集めて、修復部位に隣接するクリア領域における光透過を増加させる」ものである点。
　
　そこで、相違点について検討する。
　
（１）相違点１について
　刊行物１記載の発明の「ペリクル化したフォトマスク上の不透明欠陥または誤配置パターン欠陥」は、そのフォトマスクが「レジスト材を塗布したブランクマスクに、レーザビーム或いは電子ビームで走査して描画し、現像し、エッチングによりレジスト材とともにクロムを取り除き、余剰レジスト材を剥がして、製造された、「クロム層付ガラス板」フォトマスクであって、前記不透明欠陥または誤配置パターン欠陥は、フォトマスク製造中において、パターニング工程で基板から除去し損なった物質しみ（孤立スポット等）であ」るから、「ペリクル化したフォトマスク上の不透明欠陥または誤配置パターン欠陥」は、クロムの異物（無機系の異物）を含むことは明らかである。
　また、このような「フォトマスク上の不透明欠陥または誤配置パターン欠陥」は、一般に「黒欠陥」と呼ばれ、無機系の異物を含むことは、周知である（例えば、例示文献２、特開昭６３−３６２４９号公報の従来技術の欄、特開平１−１０７２５７号公報の第２頁、特開平２−４６４５９号公報の従来技術の欄を参照）。
　
　したがって、刊行物１記載の発明において、無害化する異物が、クロムの異物、すなわち、無機系の異物であることは、明らかであるから、相違点１は実質的に相違点でない。
　
　なお、請求人は、回答書で、次のように主張する。
　『しかしながら、誤配置パターン欠陥と、無機系の異物による欠陥とは、明確に異なるものであり、両者を同一視することは妥当ではないと思料いたします。ここで、欠陥の種類は、引用文献１の［０００６］段落に記載されていますように、（ｉ）誤配置パターン欠陥と、（ii）パターン欠損欠陥と、（iii）異物すなわち汚染欠陥と、に大別されます。 
　誤配置パターン欠陥は、一般的に、パターニング工程（主にエッチング工程）の際に、意図せずに基板に残存した欠陥をいい、その残留した欠陥（遮光層）は、基板に強固に結合しています。 
　これに対して、無機系の異物による欠陥は、遮光層（例えばＣｒ、ＭｏＳｉ）が剥がれたものや、基板（例えば石英基板）が欠けたものに由来する欠陥をいい、無機系の異物は、基板に接触してはいるものの、誤配置パターン欠陥のように、基板に強固に結合したものではありません。 
　このように、誤配置パターン欠陥と、無機系の異物による欠陥とは、基板に対する結合の強さが全く異なるものであり、当業者であれば、明確に両者を区別できると思料いたします。そのため、誤配置パターン欠陥を、ジャンルの異なる無機系の異物であると認定された審査官殿の判断は、妥当ではないと思料いたします。さらに、引用文献１には、異物による欠陥として、有機系の異物による欠陥しか記載されていないことは、審査官殿も認められています。 
　このように、引用文献１には、無機系の異物について記載されていませんので、本発明は新規性を有すると思料いたします。さらに、この無機系の異物について、引用文献１には全く示唆されていませんので、本発明は進歩性を有すると思料いたします。』
　
　これについて検討すると、請求人は、「誤配置パターン欠陥と、無機系の異物による欠陥とは、基板に対する結合の強さが全く異なるもの」と主張するが、本願補正発明は、「無機系の異物」の定義を、基板に対する結合の強さにより行っているものではなく、あくまで、物質の種類である「無機系」という定義をしているに過ぎない。また、本願明細書をみても、「【０００５】ところが、このようなペリクルを装着した後に、内部の気圧変化による有機系材料の結晶化や、ペリクル枠およびレチクル表面等に付着していた異物の移動等により、ペリクル付きレチクルの透過領域に、異物が存在するといった問題が発生する場合がある。」等の記載があるものの、基板に対する結合の強さにより「異物」を限定していない。したがって、本願補正発明は、誤配置パターン欠陥である無機系の異物を排除していない。
　また、刊行物１には、除去対象として、誤配置パターン欠陥とは別に、異物欠陥（汚染欠陥）があげられているところ、異物欠陥（汚染欠陥）が有機系の異物であったとしても、異物はそれに留まらず、誤配置パターン欠陥も異物が存在することによる欠陥であるから、誤配置パターン欠陥における無機系の異物が除去対象であることを否定することはできない。
　よって、請求人の主張を採用することができない。
　
（２）相違点２について
　刊行物１には、レーザー光の波長が、ペリクル膜を介してペリクル膜を透過する波長である旨の記載はないが、ペリクル膜に悪影響を与えず、かつ、効果的に異物の無害化する観点から、刊行物１記載の発明において、レーザー光の波長を、ペリクル膜を介してペリクル膜を透過する波長に設定することは、当業者が当然に想起することである。
　
（３）相違点３について
　刊行物１記載の発明は、「アブレーションによって取り除かれた少量の物質（欠陥の物質）は、円形領域内で均一な薄膜としてマスク上に堆積するが、移動気体雰囲気を形成することにより、堆積される膜は、大幅に希釈され、その結果膜はより大きな領域に広がり、修復部位に隣接するクリア領域における光透過を増加させるか、あるいは、マスク表面に堆積する前に、欠陥物質を集めて、修復部位に隣接するクリア領域における光透過を増加させる」ものである。
　これは、レーザーにより溶融して蒸発した物質が、（ａ）マスク上に堆積する際にできる限り広範囲に薄く堆積するようにするか、あるいは、（ｂ）堆積する前に物質を集めてしまう、というものである。このうち、前者（ａ）は、異物を細かく分解して、クリア領域における光透過を妨げない程度に広範囲に堆積させるものであるが、後者（ｂ）は、細かく分解された異物を、クリア領域に堆積しないように、収集してしまうものであるから、異物をクリア領域外（透過領域外）に移動させているものといえる。ここで、後者（ｂ）の収集は、刊行物１の（１ｆ）によれば、「例えば、電極が修復箇所の近傍に配置される。イオン化粒子が放出され、表面に堆積する前に集められ」というものであり、電極などの収集手段を伴うものである。
　これに対して、本願補正発明は、「異物を前記レーザー光により透過領域外の領域に移動させる」ものであるが、異物をレーザー光により透過領域外の領域に移動させる場合、異物が最初にあった場所から移動させることは簡単であるにしても、移動させた異物を、透過領域内に止まらないように、精確に透過領域外に移動させ、しかも透過領域外にとどまらせることは、かなり微妙な操作を必要とするものである。通常、異物を移動させるだけでは、その後、再移動してしまい、再度、透過領域（異物が元あった透過領域とは異なる別の透過領域を含む）内に入ってくる可能性があるので、実際は、異物を移動させつつも、何らかの手段で異物を収集または固定することが必要である。そして、本願補正発明は、収集や固定は規定されていないことからして、本願補正発明の「異物を前記レーザー光により透過領域外の領域に移動させる」は、「異物を前記レーザー光により
一旦
　これを勘案すると、刊行物１記載の発明の、異物（欠陥物質）をレーザーにより溶融して蒸発させ、「マスク表面に堆積する前に、欠陥物質を集めて、修復部位に隣接するクリア領域における光透過を増加させる」（上記（ｂ））ものは、レーザー光と収集手段により異物を移動させており、本願補正発明の「異物を前記レーザー光により透過領域外の領域に移動させる」と、実質的な差異はないというべきである。
　
　なお、請求人は、回答書で、「分解」と「移動」とは明確に異なる旨を主張しているが、「分解」したものも「移動」するから、「分解」と「移動」とを明確に区別することはできないし、また、本願補正発明の「移動」は、請求項の記載からみて、「分解せずに移動するもの」に限定して解釈できず、「分解してから移動するもの」や「基板から剥ぎ取られて移動するもの」を排除していないと解釈される。
　また、本願補正発明の「ペリクルが装着されたレチクルの透過領域に存在する無機系の異物」は、ペリクル装着
後
　
　加えて、レチクルまたはフォトマスク上の異物をレーザー光により「移動させる」ことは、本願出願前に周知のことである。
　例えば、例示文献１には、「異物１１に対して、レーザ光８をパルスとして照射すると、これによる衝撃で異物１１は飛散する。飛散した異物１１はノズル１４によって吸引され、排気機能によって装置外部に排出される。」という技術が記載されている。そして、例示文献１には、「マスク１の上面に存在する塵埃等の有害な異物１１は、まずレーザ光８のエネルギーにより燃えるものは燃え、他のものは熱衝撃によってホトマスク１の上方に飛散する。」とも記載されており、レーザー光のエネルギーの程度や異物の種類によって、異物が、燃えて分解（溶融して蒸発）したり、あるいは、衝撃で飛散（移動）したりすることが記載されている。
　また、例示文献２や、特開平７−１０４４５９号公報の【０００１】〜【０００６】等にも、遮光膜のエッチング残渣である黒欠陥を除去するために、レーザ光を照射して黒欠陥を飛散させることが記載され、また、後者の特開平７−１０４４５９号公報には、一度吹き飛ばされた遮光膜残渣がマスクに再付着することが問題であることも示されている。
　これら「飛散させる」ことは、本願補正発明の「移動させる」ことに相当することは明らかである。
　
　そうすると、仮に刊行物１記載の発明における、レーザー光の照射による異物の無害化方法が、本願補正発明の「異物をレーザー光により透過領域外の領域に移動させるもの」と異なるとしても、刊行物１記載の発明において、上記周知の方法に置き換えて、レーザー光により異物を飛散（すなわち移動）させて、少なくとも一旦は「無機系の異物をレーザー光により透過領域外の領域に移動させる」ようにすることは、当業者が適宜なし得ることである。
　ここで、刊行物１記載の発明の「ペリクル化したフォトマスク上の不透明欠陥または誤配置パターン欠陥」は、フォトマスク製造中において、パターニング工程で基板から除去し損なった物質しみ（孤立スポット等）であ」り、クロムの異物（無機系の異物）を含むものであるところ、この「不透明欠陥または誤配置パターン欠陥」は、請求人が主張するように、遮光層から単に剥がれ落ちたものに比べて、基板に強く結合しているといえるものの、当業者であれば、レーザー光のエネルギーの程度や基板への結合の程度（エッチング残渣でも結合の程度は様々である）などに応じて、クロムの異物（無機系の異物）を、燃やして分解（溶融して蒸発）させたり、あるいは、衝撃で飛散（移動）させたりすることを、適宜選択したり、あるいは、両手法を併用したりすることができるものであり、「不透明欠陥または誤配置パターン欠陥」を衝撃で飛散（移動）させることは、十分にあり得ることである。
　
（本願補正発明の効果について）
　そして、全体として、本願補正発明によってもたらされる効果も、刊行物１記載の事項や周知技術から当業者であれば予測し得る程度のものであって、格別なものとはいえない。
　
（まとめ）
　よって、本願補正発明は、刊行物１記載の発明（単独）、または、刊行物１記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
４．むすび
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１．本願の請求項１に係る発明
　平成２０年１２月８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１，２に係る発明は、平成２０年８月２８日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１，２に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、上記「第２　１．（補正前）」に記載したとおりである。
　
２．引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献、拒絶査定で周知技術として例示された文献は、上記「第２　２．」で示した刊行物１、例示文献１、例示文献２であり、その記載事項も、上記「第２　２．」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明１は、本願補正発明の「無機系の異物」から、「無機系」という限定を省いたものに相当する。
　そうすると、本願発明１の構成要件を全て含み、更に構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、刊行物１記載の発明（単独）、または、刊行物１記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１も、同様の理由により、刊行物１記載の発明（単独）、または、刊行物１記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるので、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。