【手続補正書】
【提出日】平成23年3月4日(2011.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）の化合物を調製するための方法であって、
ＳｉｘＧｅｙＨｚ−ａＸａ（Ｉ）
［ここでｘは１，２，３，または４であり；ｙは１，２，３，または４であり；ｚは２（ｘ＋ｙ＋１）であり；ａは１〜ｚであり；Ｘはハロゲンであり、ただし、ｘおよびｙの和は５以下である］
（ｉ）−８０℃〜２５℃の温度にて、分子式ＳｉｘＧｅｙＨｚの化合物を式ＢＸ３もしくはＡｌＸ３の化合物、または金属塩素化試薬で処理する工程を含む方法。
【請求項２】
ａは１〜２（ｘ＋ｙ）である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ａは１である請求項１に記載の方法。
【請求項４】
式ＳｉＧｅｙＨｚ−ａＸａの化合物を調製するための請求項２に記載の方法。
【請求項５】
式ＳｉＧｅｙＨｚ−ａＣｌａの化合物を調製するための請求項４に記載の方法。
【請求項６】
式ＳｉＧｅＨ６−ａＣｌａの化合物を調製するための請求項５に記載の方法。
【請求項７】
式（Ｉ）の化合物は、
クロロ（ゲルミル）シラン；
ジクロロ（ゲルミル）シラン；
クロロ（ジゲルミル）シラン；
ジクロロ（ジゲルミル）シラン；
クロロ（トリゲルミル）シラン；
１、２−ジゲルミル−１−クロロジシラン；
１、２−ジゲルミル−１、２−ジクロロジシラン；
１、２−ジゲルミル−１、１−ジクロロジシラン；
クロロ（クロロゲルミル）シラン；
ジクロロ（クロロゲルミル）シラン；
クロロ（ジクロロゲルミル）シラン；または
ジクロロ（ジクロロゲルミル）シラン
である請求項１に記載の方法。
【請求項８】
（ｉｉ）工程（ｉ）の生成物を分留する工程を含む請求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
反応温度は−２５℃〜５℃である請求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
式ＢＸ３の化合物はＢＣｌ３である請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
請求項８に記載の方法によって調製される純粋な化合物。
【請求項１２】
クロロ（ゲルミル）シランまたはジクロロ（ゲルミル）シランである、請求項１１に記載の純粋な化合物。
【請求項１３】
式ＳｉｘＧｅｙＨｚ−１Ｘの化合物を調製するための方法であって、
［ここで、ｘは１，２，３，または４であり；ｙは１，２，３，または４であり；ｚは２（ｘ＋ｙ＋１）であり；ａは１〜３であり；Ｘはハロゲンであり、ただし、（ｉ）ＸはＳｉにのみ結合されており；（ｉｉ）ｘおよびｙの和は５以下である］
（ｉ）−５０℃〜４０℃の温度にて、式ＳｉｘＧｅｙＨｚ−１Ｙの化合物を式ＣｓＸの化合物に接触させる工程を含む方法。
［ここで、Ｙは−ＯＳＯ２Ｒ１であり、Ｒ１はＣ１−Ｃ６ハロアルキル、Ｃ１−Ｃ６アルキル、またはフェニルであり、アルキルおよびフェニルは、随意で、各々に独立にハロゲン、Ｃ１−Ｃ２ハロアルキル、Ｃ１−Ｃ３アルキル、シアノ、ニトロ、Ｃ１−Ｃ３アルコキシ、−Ｃ（Ｏ）Ｃ１−Ｃ３アルコキシ、−Ｃ（Ｏ）Ｃ１−Ｃ３アルキル、−Ｓ（Ｏ）Ｃ１−Ｃ３アルキル、または−Ｓ（Ｏ）２Ｃ１−Ｃ３アルキルである１〜４個の基で置換されており、ただし、ＹはＳｉにのみ結合している］
【請求項１４】
式ＳｉＧｅｙＨｚ−１Ｘの化合物を調製するための請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
式ＳｉＧｅｙＨｚ−１Ｃｌの化合物を調製するための請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
式ＣｌＨ２ＳｉＧｅＨ３の化合物を調製するための請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
Ｒ１は、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル、Ｃ１−Ｃ４アルキル、またはフェニルであり、フェニルは随意でハロゲン、Ｃ１−Ｃ２ハロアルキル、またはＣ１−Ｃ３アルキルで置換されている請求項１３乃至１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
反応温度は−２５℃〜２５℃である請求項１３乃至１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
（ｉｉ）工程（ｉ）の生成物を分留する工程を含む請求項１３乃至１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
基板の上に式ＳｉｄＧｅ１−ｄの層を調製するための方法であって、
基板を、基板の上方にＳｉｄＧｅ１−ｄ層を堆積させるのに充分な温度および圧力で、式ＳｉｘＧｅｙＨｚ−ａＸａの化合物を含む化学物質の蒸気に接触させる工程を含む方法。
［ここで、ｘは１，２，３，または４であり；ｙは１，２，３，または４であり；ｚは２（ｘ＋ｙ＋１）であり；ａは１〜ｚであり；Ｘはハロゲンであり、ただし、ｘおよびｙの
和は５以下である］
【請求項２１】
化学物質の蒸気は式ＳｉＧｅｙＨｚ−ａＸａの化合物を含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
化学物質の蒸気は式ＳｉＧｅｙＨｚ−ａＣｌａの化合物を含む請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
化学物質の蒸気は式ＳｉＧｅＨ６−ａＣｌａの化合物を含む請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
化学物質の蒸気は、
クロロ（ゲルミル）シラン；
ジクロロ（ゲルミル）シラン；
クロロ（ジゲルミル）シラン；
ジクロロ（ジゲルミル）シラン；
クロロ（トリゲルミル）シラン；
１、２−ジゲルミル−１−クロロジシラン；
１、２−ジゲルミル−１、２−ジクロロジシラン；
１、２−ジゲルミル−１、１−ジクロロジシラン；
クロロ（クロロゲルミル）シラン；
ジクロロ（クロロゲルミル）シラン；
クロロ（ジクロロゲルミル）シラン；もしくは
ジクロロ（ジクロロゲルミル）シラン；の化合物、または
それらの混合物
を含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２５】
前記温度は２００℃〜６００℃である請求項２０乃至２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
前記温度は３５０℃〜４５０℃である請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
層は結晶である請求項２０乃至２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２８】
前記温度は２００℃〜６００℃である請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記温度は３５０℃〜４５０℃である請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
基板はシリコンを含む請求項２０乃至２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３１】
堆積される層はＳｉｘＧｅｙの実験式を有する請求項２０乃至２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３２】
前記圧力は１．３３×１０−６Ｐａ（１０−８トル）〜１０１ｋＰａ（７６０トル）である請求項２０乃至２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３３】
前記圧力は１３３×１０−３Ｐａ（１０−３トル）〜１０１ｋＰａ（７６０トル）である請求項２８に記載の方法。
【請求項３４】
ＳｉｄＧｅ１−ｄ層は完全に歪んでいる請求項２０乃至２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３５】
前記層はプラズマ化学蒸着法によって形成される請求項２０乃至２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３６】
式ＳｉｘＧｅｙＨｚ−ａＸａの化合物。
［ここで、ｘは１，２，３，または４であり；ｙは１，２，３，または４であり；ｚは２（ｘ＋ｙ＋１）であり；ａは１〜２（ｘ＋ｙ）であり、Ｘはハロゲンであり、ただし、（ｉ）ｘおよびｙの和は５以下であり；（ｉｉ）各ＳｉおよびＧｅ原子には２つ以下のＸ基しか結合しておらず；（ｉｉｉ）前記化合物は、
ブロモ（ゲルミル）シラン；
ジフルオロ（ゲルミル）シラン；
１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロ−（１−ゲルミル）トリシラン；
（ジフルオロゲルミル）ジフルオロシラン；
ジクロロ（ゲルミル）シラン；
１，１，２，２−テトラフルオロ−（１−ゲルミル）ジシラン；
フルオロ（フルオロゲルミル）シラン；
フルオロ（ゲルミル）シラン；
１，１−ジクロロ−（３−ゲルミル）トリシラン；
１，１−ジクロロ−（４−ゲルミル）テトラシラン；および
１，１−ジクロロ−（２−ゲルミル）ジシラン；でない］
【請求項３７】
式ＳｉＧｅｙＨｚ−ａＸａの請求項３６に記載の化合物。
【請求項３８】
式ＳｉＧｅｙＨｚ−ａＣｌａの請求項３７に記載の化合物。
【請求項３９】
式ＳｉＧｅＨ６−ａＣｌａの請求項３８に記載の化合物。
【請求項４０】
式ＳｉｘＧｅＨｚ−ａＸａの請求項３６に記載の化合物。
【請求項４１】
式ＳｉｘＧｅＨｚ−ａＣｌａの請求項４０に記載の化合物。
【請求項４２】
ａは１である、請求項３６乃至４１のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項４３】
ａは２（ｘ＋ｙ）である、請求項３６乃至４１のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項４４】
クロロ（ゲルミル）シラン；
クロロ（ジゲルミル）シラン；
ジクロロ（ジゲルミル）シラン；
クロロ（トリゲルミル）シラン；
１、２−ジゲルミル−１−クロロジシラン；
１、２−ジゲルミル−１、２−ジクロロジシラン；
１、２−ジゲルミル−１、１−ジクロロジシラン；
クロロ（クロロゲルミル）シラン；
ジクロロ（クロロゲルミル）シラン；
クロロ（ジクロロゲルミル）シラン；または
ジクロロ（ジクロロゲルミル）シラン
である請求項３６に記載の化合物。
【請求項４５】
式ＳｉＧｅｙＨｚ−ａＣｌａの純粋な化合物。
［ここで、ｙは１，２，３，または４であり；ｚは２（ｙ＋２）であり；ａは１〜３であり、ただし、各ＸはＳｉにのみ結合している］
【請求項４６】
ａは１である請求項４５に記載の純粋な化合物。
【請求項４７】
ａは２である請求項４５に記載の純粋な化合物。
【請求項４８】
クロロ（ゲルミル）シラン；
ジクロロ（ゲルミル）シラン；
クロロ（ジゲルミル）シラン；
ジクロロ（ジゲルミル）シラン；または
クロロ（トリゲルミル）シラン
である請求項４５に記載の純粋な化合物。
【請求項４９】
ＳｉｄＧｅ１−ｄ層を選択的に堆積させるための方法であって、２つ以上の部分を含む表面層を有する基板を、前記表面の第１の部分の上方にのみ所定の厚みを有するＳｉｄＧｅ１−ｄ層を所定の速度で選択的に堆積させるのに充分な条件で、分子式ＳｉｘＧｅｙＨｚ−ａＸａの化合物を含む化学物質の蒸気に接触させることを含む方法。
［ここで、表面層の第１の部分は半導体の表面層を含み、表面層の第２の部分は酸化物、窒化物、または酸窒化物の表面層を含み、
ｘは１，２，３，または４であり；ｙは１，２，３，または４であり；ｚは２（ｘ＋ｙ＋１）であり；ａは１〜ｚであり；Ｘはハロゲンであり、ただし、ｘおよびｙの和は５以下である］
【請求項５０】
ＳｉｄＧｅ１−ｄ層はガスソース分子線エピタキシーまたは化学蒸着によって堆積される請求項４９に記載の方法。
【請求項５１】
化学物質の蒸気は純粋な形態で導入される請求項４９に記載の方法。
【請求項５２】
化学物質の蒸気は単一のガスソースとして導入される請求項４９に記載の方法。
【請求項５３】
化学物質の蒸気は不活性なキャリアガスと混合して導入される請求項４９に記載の方法。
【請求項５４】
不活性なキャリアガスはＨ２を含む請求項５３に記載の方法。
【請求項５５】
不活性なキャリアガスはＮ２を含む請求項５３に記載の方法。
【請求項５６】
接触は３００〜５００℃で行われる請求項４９に記載の方法。
【請求項５７】
接触は１．３３×１０−６Ｐａ〜１３３ｋＰａ（１ｘ１０−８〜１０００トル）で行われる請求項４９に記載の方法。
【請求項５８】
所定の速度は２．０ｎｍ／ｍｉｎより大きい請求項４９に記載の方法。
【請求項５９】
所定の速度は２．０〜１０．０ｎｍ／ｍｉｎである請求項５８に記載の方法。
【請求項６０】
所定の厚みは２５〜３００ｎｍである請求項４９に記載の方法。
【請求項６１】
前記化合物は式ＳｉＧｅｙＨｚ−ａＸａである請求項４９乃至６０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６２】
前記化合物は式ＳｉＧｅｙＨｚ−ａＸａである請求項６１に記載の方法。
【請求項６３】
前記化合物はＳｉＧｅｙＨｚ−ａＸａである請求項６２に記載の方法。
【請求項６４】
前記化合物はＳｉＧｅｙＨｚ−ａＣｌａである請求項６２に記載の方法。
【請求項６５】
前記化合物は、
クロロ（ゲルミル）シラン；
ジクロロ（ゲルミル）シラン；
クロロ（ジゲルミル）シラン；
ジクロロ（ジゲルミル）シラン；
クロロ（トリゲルミル）シラン；
１、２−ジゲルミル−１−クロロジシラン；
１、２−ジゲルミル−１、２−ジクロロジシラン；
１、２−ジゲルミル−１、１−ジクロロジシラン；
クロロ（クロロゲルミル）シラン；
ジクロロ（クロロゲルミル）シラン；
クロロ（ジクロロゲルミル）シラン；
ジクロロ（ジクロロゲルミル）シラン；または
それらの混合物を含む請求項４９に記載の方法。
【請求項６６】
ｙは２であり、ｚは２または３である請求項４９乃至６０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６７】
ＳｉｄＧｅ１−ｄ層は圧縮歪みを有する請求項４９乃至６０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６８】
ＳｉｄＧｅ１−ｄ層は完全に歪んでいる請求項６７に記載の方法。
【請求項６９】
第１の部分はＳｉ（１００）またはＳｉ（１１１）を含む請求項４９乃至６０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７０】
第２の部分は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、またはそれらの混合物を含む請求項４９乃至６０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７１】
ｄは０．０５〜０．５５である請求項４９乃至６０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７２】
ｄは０．４５〜０．５５である請求項４９乃至６０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７３】
ｄは０．２０〜０．３０である請求項４９乃至６０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７４】
ＳｉｄＧｅ１−ｄ層の表面は原子レベルで平坦である請求項４９乃至６０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７５】
表面層は、ゲート領域、ソース領域、およびドレイン領域を各々含む１つ以上のトランジスタ構造を含み、表面層の第１の部分はソース領域およびドレイン領域を含み、表面層の第２の部分はゲート領域を含む、請求項４９乃至６０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７６】
ゲート領域は、酸化物、窒化物、または酸窒化物のハードマスクを有するポリシリコンゲートを含む請求項７５に記載の方法。