【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年1月31日(2011.1.31)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表層に銅薄膜を形成する段階と、
上記銅薄膜をパターニングして配線または電極を形成する段階と、
上記配線または電極が形成された基板を銀置換溶液に１０〜３０秒浸漬して、該配線または電極の表層に銀薄膜を形成する段階と、
ＳｉＨ４を含有する混合ガスを用いて、上記銀薄膜上にシリコン絶縁膜を被覆する段階と、
を含み、
上記銀置換溶液は、１８℃〜１００℃の温度範囲に保たれ、
上記銀置換溶液の銀イオン濃度は、１〜５Ｍであることを特徴とする液晶表示装置のための配線または電極の製造方法。
【請求項２】
上記銀置換溶液は、ＡｇＮＯ３及びＫＡｇ（ＣＮ２）よりなる群から選ばれる１種以上の銀イオン供給体を用いて調製したことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法にて製造された配線または電極であって、
上記電極の表層上に形成された銀薄膜を備えている配線または電極。
【請求項４】
上記銀薄膜の厚さは、１０〜３０ｎｍであることを特徴とする請求項３に記載の電極。
【請求項５】
基板と、
基板に形成された銅からなるゲート電極と、
ゲート電極を含む全面に形成されたゲート絶縁膜と、
上記絶縁膜上に形成された半導体層と、
上記半導体層上に分離した形態で形成された銅からなるソース電極及びドレイン電極と、
上記ソース電極及びドレイン電極と上記半導体層との間に介在されたオーミックコンタクト層と、
上記ドレイン電極と電気的に接続される画素電極と、を含む液晶表示装置において、
上記ゲート電極が形成された段階での基板、または上記ソース電極及びドレイン電極が形成された段階での基板を、１８℃〜１００℃の温度範囲に保たれ、及び１〜５Ｍである銀イオン濃度を有している銀置換溶液に１０〜３０秒浸漬することにより上記ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一つの電極の表層には銀薄膜が形成されており、
上記絶縁膜はシリコン系絶縁膜であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
基板に銅からなるゲート配線及びゲート電極を形成する段階と、
上記ゲート配線及びゲート電極に銀薄膜を形成するため、上記ゲート配線及びゲート電極が形成された上記ガラス基板を銀置換溶液に１０から３０秒浸漬する段階と、
上記銀薄膜上にシリコン絶縁膜を形成する段階と、
上記絶縁膜上の所定領域にチャンネル層を形成する段階と、
上記チャンネル層の両側に接続されるソース及びドレイン電極を形成する段階と、
上記ソース及びドレイン電極を含む全面に保護膜を形成する段階と、
上記ドレイン電極に接続されるように上記保護膜上に画素電極を形成する段階と、
を含み、
上記銀置換溶液は、１８℃〜１００℃の温度範囲に保たれ、
上記銀置換溶液の銀イオン濃度は、１〜５Ｍであることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
シリコン系絶縁膜が被覆された銅配線または銅電極の製造時、上記シリコン系絶縁膜を被覆する前に銀置換溶液を用いて上記銅配線または銅電極の表層に銀薄膜を形成して銅配線または銅電極におけるシリサイドの形成を抑制する方法であって、
上記銀置換溶液は、１８℃〜１００℃の温度範囲に保たれ、
上記銀置換溶液の銀イオン濃度は、１〜５Ｍであることを特徴とする銅配線または銅電極におけるシリサイドの形成を抑制する方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
そして、図２の（ｂ）に示すように、ゲート配線とゲート電極１０１が形成されたガラス基板１１０上に、多結晶シリコン（ａ−Ｓｉ）との界面特性に優れ、かつ上記ゲート電極１０１との密着性に優れ、絶縁耐圧が高いシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）などでゲート絶縁膜１０２を形成する。次いで、図２の（ｃ）に示すように、上記ゲート絶縁膜１０２上に多結晶シリコン（ａ−Ｓｉ）を用いて半導体層１０３を形成する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
一方、上記液晶表示装置において、上記電極または配線の絶縁膜或いは保護膜は、一般にシリコン系化合物からなる。上記シリコン系化合物は、蒸着により電極と配線を含む基板に形成されるが、前記シリコン系化合物の形成に用いられるＳｉＨ４と銅とが反応して配線及び電極の性能に障害を引き起こし得る。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
より詳述すれば、液晶表示装置では、基板上に種々の薄膜が蒸着されるが、この種の薄膜の蒸着方法として、金属膜及び透明電極の場合は、スパッタリング法を、シリコン及び絶縁膜の場合は、プラズマ化学気相蒸着法（ＰＥＣＶＤ法）を主に用いる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
上記ＰＥＣＶＤ法は、プラズマによって励起された電子が中性状態で流入された気体化合物と衝突して気体化合物を分解し、この時に形成されたガスイオンの相互反応及び基板としてのガラスなどから提供される熱エネルギーに助けられて再結合することで薄膜が形成される原理である。このとき、流入される気体の種類は形成したい膜の種類に応じて変わるが、一般に、水素化非晶質シリコン膜（ａ−Ｓｉ：Ｈ）を形成したい場合は、ＳｉＨ４、Ｈ２を用い、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）を形成したい場合は、ＳｉＨ４、Ｈ２、ＮＨ３、Ｎ２の混合ガスが用いられる。Ｎ型不純物であるリンをドープしたｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を形成したい場合は、ＰＨ３が添加される。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
上記のような方法でシリコン化合物を蒸着する時、銅電極または銅配線が保護されないと、蒸着に用いられたＳｉＨ４と銅とが反応してシリサイドを形成し、このようなシリサイドによって漏れ電流及びブレイクダウンが発生することで配線及び電極の性能に障害を引き起こし、素子の信頼性を低下させるという問題点がある。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
即ち、銅電極または配線の表層に銀置換により銀薄膜を形成するだけでも酸化に対する抵抗性が強まり、電極及び配線の表面における酸化による不純物の発生が抑制される。その結果、電極または配線の上層膜として形成されるシリコン系絶縁膜との接着力が向上し、不要な反応が抑制され、抵抗特性に優れた高品質の配線及び電極を得ることができる。特に、電極または配線におけるシリコン化合物の蒸着時に流れ込まれるＳｉＨ４との反応によるシリサイドの形成が抑制され、漏れ電流及びブレイクダウンの発生が抑制されるため、素子の信頼性の回復にも大きく寄与するという効果を奏する。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
以上で説明したように、配線または電極材として銅を用いる場合、銅配線または電極の表層に銀置換により銀薄膜を形成するだけでも銅の酸化に対する抵抗性が強まり、電極または配線の上層膜としての絶縁膜との接着力が向上し、抵抗特性に優れた高品質の配線または電極を得ることができる。特に、銅とシリコン化合物の蒸着時に用いられるＳｉＨ４との反応によるシリサイドの形成が抑制され、シリサイドによる漏れ電流及びブレイクダウンの発生が抑制されるため、素子の信頼性の増進に大きく寄与するという効果を奏する。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
図４ｂに示すように、上記ゲート配線とゲート電極２０１に銀薄膜２０２ａを形成し、その上に絶縁耐圧特性に優れた無機物としてのシリコン系化合物で絶縁膜２０２ｂを形成する。上記銀薄膜は、銀置換溶液浸漬法によって形成することが好ましい。即ち、上記ゲート配線とゲート電極２０１が形成されたガラス基板２１０を銀置換溶液に浸漬することによって銅電極及び銅配線表層の銅を銀に置換することで銀薄膜を容易に形成することができる。この場合、銅電極及び配線が形成された基板を直ぐ銀置換溶液に浸漬させる一つの連続工程によって銀薄膜を形成することができる。この場合、パターニング後に残留するフォトレジスト残渣も一緒に除去することができるため、工程の単純化を図る上で非常に有用である。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
絶縁膜２０２ｂの蒸着は、一般にＰＥＣＶＤ法にて施す。この時、銀薄膜２０２ａは、シリコン窒化物の蒸着時に用いるＳｉＨ４と銅との反応を抑制し、シリサイドの形成を防止する役割を果たす。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
次いで、図４ｃに示すように、上記絶縁膜２０２ｂ上に薄膜トランジスターのチャンネルとして用いられる半導体層２０３、オーミックコンタクト層２０４を形成する。好ましくは、上記半導体層２０３は、多結晶シリコン（ａ−Ｓｉ）を用いてなる、上記オーミックコンタクト層２０４は、リンをドープしたｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈを用いてなる。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
＜実施例３＞
上記実施例１から得た電極及び配線に絶縁膜としてＰＥＣＶＤ法にてシリコン窒化物を蒸着して、絶縁膜で保護された電極及び配線を有する基板を製造した。上記蒸着されたシリコン窒化物の厚さは２００ｎｍであった。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５７】
１６８ｍｌのイオン除去水に０．２６ｇのＡｇＮＯ３、６ｇの（ＮＨ４）２ＳＯ４、１ｍｌのＮＨ４ＯＨを混合して銀置換溶液を調製し、該銀置換溶液の温度を２５℃に保ちながらその中に上記ゲート配線とゲート電極２０１が形成された基板を１０秒間浸漬して銀薄膜２０２ａを形成し、絶縁耐圧特性に優れた無機物としてのシリコン窒化物で絶縁膜２０２ｂを形成した（図４ｂ参照）。上記絶縁膜２０２ｂの蒸着は、ＰＥＣＶＤ法にて行った。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５８】
次いで、図４ｃに示すように、上記絶縁膜２０２ｂ上に薄膜トランジスターのチャンネルとして用いられる半導体層２０３、オーミックコンタクト層２０４を形成した。半導体層２０３の材料は、多結晶シリコン（ａ−Ｓｉ）を用い、オーミックコンタクト層２０４の材料としては、リンをドープしたｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈを用いた。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
＜比較例１＞
銅配線及び銅電極に銀薄膜を形成しないことを除いては、実施例３と同法にて銅配線及び銅電極上に絶縁膜としてシリコン窒化物を形成した。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６３】
＜比較例２＞
銅配線と銅電極を形成し、それらを銀置換溶液で処理する過程を施すことなく、その上にＢＣＢ（benzocyclobutene）を用いて有機絶縁膜（第１の絶縁膜）を形成し、その上に実施例４と同様なシリコン窒化物膜を形成した。以下、実施例４と同様にして液晶表示装置を製造した。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６７】
図７ｂに示すように、銅電極の表面が不規則であれば、その上に絶縁膜シリコン窒化物を形成する過程で空隙が生じる可能性が非常に高くなる。一方、このような空隙は、薄膜のストレスとして働き、電極成分である銅が絶縁膜へ拡散していき、シリサイドの形成を促進する虞がある。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６８】
図９ａは、銅電極の表層に絶縁膜としてシリコン窒化物を蒸着した状態（比較例１）を示す写真であり、図９ｂは、銅電極の表層に銀薄膜を形成した後にシリコン窒化膜を蒸着した状態（実施例３）を示す写真である。図９ａに示すように、上記言及した悪い線粗さによって銅配線または電極の表層にシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）を蒸着する時に空隙が生じる可能性が大きくなるが、薄膜のストレスによってかかる空隙が上記シリコン窒化膜に向けて拡散していくと、その部分では銅の酸化が起こり易くなる。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７０】
銅は、シリコン窒化物中での拡散速度が速くてシリサイド形成が起こり易いのに対し、銀がシリコン窒化物と反応する速度は、銅の反応速度の１／１００に過ぎないため、銅配線及び電極の表層に銀薄膜を形成した場合、シリサイドの形成を著しく低減できるようになる。本発明によれば、簡単な方法にて銅配線及び電極の表層に銀薄膜を形成することができる。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７６】
＜試験例２＞
電極と絶縁膜シリコン窒化膜との接着力を評価するために、Ｘ線回折試験を行った。その結果を、図１１に示している。
【誤訳訂正２１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７８】
上記実施例３の結果において銀薄膜を形成した後のシリコン絶縁膜の蒸着時に銅の（１１１）ピークの位置変化が小さいことは、電極とシリコン絶縁膜との接着力が良くてストレスを少なく受けるためであると言える。このような良好な接着力によって銀薄膜が形成された電極の表層は、銅のみからなる電極の表層とは異なる優れた特性を示すのである。
【誤訳訂正２２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７９】
【図１】従来技術による液晶表示装置の概略的な断面図である。
【図２】従来技術による液晶表示装置の製造方法を説明するための工程の断面図である。
【図３】本発明による銅配線または電極の表層に銀薄膜が形成された構造を示す断面図である。
【図４ａ】本発明による液晶表示装置の製造方法を説明するための工程の断面図である。
【図４ｂ】本発明による液晶表示装置の製造方法を説明するための工程の断面図である。
【図４ｃ】本発明による液晶表示装置の製造方法を説明するための工程の断面図である。
【図４ｄ】本発明による液晶表示装置の製造方法を説明するための工程の断面図である。
【図４ｅ】本発明による液晶表示装置の製造方法を説明するための工程の断面図である。
【図５ａ】銅薄膜からなる銅配線または電極を形成した後、銀置換を施していない銅配線または電極の表面を電子顕微鏡で撮った写真である。
【図５ｂ】銅薄膜からなる銅配線または電極を形成した後、銀置換を施していない銅配線または電極の断面を電子顕微鏡で撮った写真である。
【図６ａ】本発明による基板に銅配線または電極を形成した後、これを銀置換溶液に浸漬してなる銀薄膜の表面を電子顕微鏡で撮った写真である。
【図６ｂ】本発明による基板に銅配線または電極を形成した後、これを銀置換溶液に浸漬してなる銀薄膜の断面を電子顕微鏡で撮った写真である。
【図７ａ】銅薄膜をパターニングして銅配線または電極を形成した後、銀置換を施していない銅配線または電極の状態を示す表層写真である。
【図７ｂ】銅薄膜をパターニングして銅配線または電極を形成した後、銀置換を施していない銅配線または電極の状態を示す表層写真である。
【図８ａ】銅薄膜をパターニングした後、これを銀置換溶液に浸漬してなる配線または電極の状態を示す表層写真である。
【図８ｂ】銅薄膜をパターニングした後、これを銀置換溶液に浸漬してなる配線または電極の状態を示す表層写真である。
【図９ａ】銅配線または電極の表層に絶縁膜としてシリコン窒化物を蒸着した状態を示す写真である。
【図９ｂ】銅配線または電極の表層に銀薄膜を形成した後、シリコン窒化膜を蒸着した状態を示す写真である。
【図１０】絶縁膜への銅成分の拡散及び銅の酸化によって素子に短絡現象が生じた状態を示す図である。
【図１１】銅配線または電極と絶縁膜（シリコン窒化膜）との接着力を評価するためにＸ−線回折試験を行った結果を示すグラフである。