【事件の表示】
　特願２００４−１８９３７２「多結晶シリコン層の製造方法及びこれを利用したスイッチング素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　４月１４日出願公開、特開２００５−１０１５３０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、平成１６年６月２８日の出願（パリ条約に基づく優先権主張：２００３年９月２４日、　大韓民国）であって、平成２０年５月９日に手続補正書が提出され、平成２１年３月１７日付けで拒絶査定がされ、これに対して、同年６月１９日に審判が請求されるとともに、同日に手続補正書が提出され、その後、当審において平成２２年１２月３日付けで審尋がされ、平成２３年２月１４日に回答書が提出されたものである。
　
　
第２　平成２１年６月１９日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正の却下の決定
　
【補正の却下の決定の結論】
　
　本件補正を却下する。　
　
【理由】　
１　補正の内容　
　本件補正のうち、特許請求の範囲についてする補正は、次のとおりである（下線を付した部分は、補正箇所である。）。　
　
ア　請求項１について、同項中に、「前記少なくとも１つの陰刻形態のアラインキーを基準に、前記第１領域の半導体層を結晶化する段階を含む」とあるのを、「前記少なくとも１つの陰刻形態のアラインキー
の境界
非結晶シリコンの
み、前記アラインキーの境界が、光源からの光の反射強度の差によって認識されることを特徴とする
　
イ　請求項１０について、同項中に、「前記少なくとも１つの陰刻形態のアラインキーを利用して、前記第１領域の半導体層を結晶化する段階と；　前記少なくとも１つのアラインキーを利用して前記第１領域の半導体層をパターニングすることによって、結晶質シリコンで構成されたアクティブ層を形成する段階を含む」とあるのを、「前記少なくとも１つの陰刻形態のアラインキー
の境界
の境界
非結晶シリコンの
み、前記アラインキーの境界が、光源からの光の反射強度の差によって認識されることを特徴とする
　
ウ　請求項１２について、同項中に、「前記少なくとも１つのアラインキーと第２マスクを利用して、前記第１領域上の半導体層を結晶化する段階を含む」とあるのを、「前記少なくとも１つのアラインキー
の境界
非結晶シリコンの
み、前記アラインキーの境界が、光源からの光の反射強度の差によって認識されることを特徴とする
　
エ　請求項２１について、同項中に、「前記少なくとも１つのアラインキーと第２マスクを利用して、前記第１領域の半導体層を結晶化する段階と；　前記少なくとも１つのアラインキーを利用して、前記第１領域の半導体層をパターニングすることによって、結晶質シリコンで構成されるアクティブ層を形成する段階を含む」とあるのを、「前記少なくとも１つのアラインキー
の境界
の境界
非結晶シリコン
み、前記アラインキーの境界が、光源からの光の反射強度の差によって認識されることを特徴とする
　
オ　請求項２５について、同項中に、「前記少なくとも１つのアラインキーを利用して、前記第１領域の半導体層を結晶化する」、「前記少なくとも１つのアラインキーを利用して、前記第１領域の半導体層をパターニングする」及び「各々連結されるソース電極及びドレイン電極を形成する段階を含む」とあるのを、それぞれ、「前記少なくとも１つのアラインキー
の境界
非結晶シリコンの
の境界
非結晶シリコンの
み、前記アラインキーの境界が、光源からの光の反射強度の差によって認識されることを特徴とする
　
カ　請求項３０について、同項中に、「前記少なくとも１つのアラインキーを利用して、前記第１領域の半導体層を結晶化する段階を含む」とあるのを、「前記少なくとも１つのアラインキー
の境界
非結晶シリコンの
み、前記アラインキーの境界が、光源からの光の反射強度の差によって認識されることを特徴とする
　
２　補正の目的の適否
　上記補正ア〜カは、いずれも、補正前の請求項に規定されている技術的事項をより限定するものであり、平成１８年法律５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するから、同特許法第１７条の２第４項柱書きに規定する目的要件を満たす。
　
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、独立特許要件を満たすものであるか否かについて、更に検討する。
　
３　独立特許要件（進歩性）についての検討
（１）本願補正発明
　本件補正による補正後の請求項１〜３３に係る発明のうち、請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、次のとおりである。
　
　「【請求項１】
　第１領域と、前記第１領域の周辺部に位置する第２領域が定義された基板を備える段階と；
　前記基板の上部に、非晶質シリコンの半導体層を形成する段階と；
　前記第２領域の半導体層にレーザービームを照射して、少なくとも１つの陰刻形態のアラインキーを形成する段階と；
　前記少なくとも１つの陰刻形態のアラインキーの境界を基準に、前記第１領域の非結晶シリコンの半導体層を結晶化する段階を含み、前記アラインキーの境界が、光源からの光の反射強度の差によって認識されることを特徴とする結晶質シリコン層の形成方法。」
　
（２）引用例の記載と引用発明
（２−１）引用例とその記載内容
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００３−１２４１３６号公報（以下「引用例」という。）には、「レーザアニール方法およびレーザアニール装置並びにＴＦＴ基板」（発明の名称）について、図１、１３〜１６、１９、２４、２５とともに、次の記載がある（下線は当審で付加。以下同じ。）。
　
ア　発明の属する技術分野　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は絶縁基板上に形成された非晶質または多結晶半導体膜に、レーザ光を照射して膜質の改善あるいは結晶粒の拡大あるいは単結晶化を行うのに好適なレーザアニール方法
　
イ　発明の実施の形態
「【００１４】
【発明の実施の形態】以下に、図に従って本発明を詳細に説明する。
図１は本発明の１実施例であるレーザアニール装置の構成を示す図である。
「【００３６】
レーザ光２を照射する試料２６表面は、照明光源１８からの落射照明により、ＣＣＤカメラ１９で撮像し、モニタ２２により観察することができる。
「【００３８】試料２６のアライメントは、対物レンズ２５、
ＣＣＤカメラ１９で試料２６上に形成してあるアライメントマークあるいは特定のパターンを複数箇所撮像し、それぞれ画像処理装置（図示せず）によって処理を行って、アライメントマークの重心位置などを検出し、ステージ２８を駆動することで、ＸＹθ３軸方向に対して行うことができる。
「【００３９】次に、
前述した本発明のレーザアニール装置を用いて実施する、本発明の１実施例であるレーザアニール方法について、図１３を用いて説明する。
図１３（ａ）に示すように、ガラス基板１０１の１主面に絶縁体薄膜１０２を介して非晶質シリコン薄膜を形成し、エキシマレーザ光を全面走査することで多結晶シリコン薄膜１０３に結晶化させた多結晶シリコン薄膜基板１００を用いる。
この多結晶シリコン薄膜基板１００には、図１３（ａ）に示すように、２箇所にアライメントマーク１０４、１０４’が２箇所に形成されている。
レーザアニールに使用するレーザ光２を電動矩形スリット１５で、例えば縦長と横長の矩形に、順次成形して多結晶シリコン薄膜を除去加工することで十字マークを形成し、アライメントマーク１０４、１０４’とすることができる。
【００４０】
アライメントマーク１０４，１０４’を基準に
アニール用のレーザ光１０５を対物レンズ２５で集光照射する。
「【００４４】図１５に示すように、本実施例では、多結晶シリコン薄膜１０３をエキシマレーザでアニールした基板を用いる。エキシマレーザによるアニールで得られた多結晶シリコン薄膜１０３は、結晶粒径が１ミクロン以下（数１００ｎｍ）の微細な結晶粒１２０、１２１の集合体である。図中に示した領域にレーザ光を照射すると、レーザ照射領域外の微細結晶粒１２０はそのまま残るが、レーザ照射領域内の微細結晶粒（例えば結晶粒１２１）は溶融する。その後、レーザエネルギが低減あるいは照射が停止されることにより、溶融したシリコンは溶融部周辺に残留している結晶粒を種結晶として、種結晶の結晶方位にならった結晶が温度勾配に従って低温側から高温側へ成長して行く。この時の結晶粒の成長速度は結晶方位によって異なるため、最終的には最も成長速度の早い結晶方位を持つ結晶粒だけが残る。即ち、
図１６に示すように、
最終的には成長速度の最も大きな結晶方位を持つ結晶粒１２５、１２６、１２７のみが成長を続ける。これら、最後まで結晶成長が続いた結晶粒１２５、１２６、１２７は、厳密な意味では独立した結晶粒であるが、ほとんど同じ結晶方位を有しており、溶融再結晶した部分は実効的にほぼ単結晶と見なすことができる。レーザ光を上記したように多結晶シリコン薄膜１０３に照射することにより、図１３（ｃ）に示すように、多結晶シリコン薄膜１０３中にレーザ光１０５を照射した部分のみが島状にアニールされて特定の結晶方位を有する結晶粒のみが成長し、厳密な意味では多結晶状態であるが、ほぼ単結晶に近い性質を有する領域１０６が形成されたことになる。特に、結晶粒界を横切らない方向においては、実質的に単結晶と考えても良い。
【００４５】多結晶シリコン薄膜基板１００を相対的に走査しながらこの手順を繰り返し、順次アニールの必要な部分にレーザ１０５を照射することにより、ドライバ回路のトランジスタを形成する領域をすべて、ほぼ単結晶に近い性質を有する領域１０６に変換することができる。更に、単結晶に近い性質を有する領域１０６は図１６に示したように、結晶粒が一定方向に成長しているため、トランジスタを形成した際に、電流が流れる方向と結晶粒の成長方向を一致させることにより、結晶粒界を横切るように電流が流れるのを避けることができる。結晶粒の成長方向は照射するレーザ光１０５のエネルギ密度分布およびレーザ光の走査方向（実際にはステージの走査方向）で制御することができる。即ち、図２１（ｂ）に示すように、エネルギ密度分布に傾きを持たせると、結晶粒はエネルギ密度の低い方（低温側）から結晶化が始まり、エネルギ密度の高い方（高温側）に成長する。また、
レーザ光１０５を走査することで、照射領域から外れた部分から温度が低下して結晶化が始まり、レーザ光の走査する方向に結晶が成長して、本実施例によれば、幅方向にはエキシマレーザでアニールして得られた結晶粒径１μｍよりも大きく成長し、長さ方向には１０μｍ以上に成長した大きな結晶粒を得ることができる。
「【００５０】即ち、
基板上に絶縁膜形成、ａ−Ｓｉ膜形成を行い、エキシマレーザアニールを行った後に本発明のレーザアニールを、駆動回路を形成する部分のみに行う。
レーザ加工によりアライメントマークを形成する。このアライメントマークを検出してアライメント（精アライメント）を行った後、設計データに従って駆動回路を形成する部分のみにレーザアニールを実施する。
所望の領域が全てアニールされるまで繰り返した後、基板を搬出する。この後、
図１４（ａ）に示すように、多結晶シリコン薄膜基板１００に駆動回路１０７、１０７’と画素部１０９
が形成され、ＴＦＴ基板が完成する。
【００５１】その後、配向膜形成、ラビングなどの工程を経たＴＦＴ基板に、図１４（ｂ）に示すようにカラーフィルタ１０９を重ねて液晶材料を封入するＬＣＤ工程（パネル工程）、および図１４（ｃ）に示すようにバックライト（図示せず）などと一緒にシャーシ１１０内に組み込むモジュール工程を経て、高速ドライバ回路を有する液晶表示装置が完成する。」　
　
ウ　図１３〜図１４について　
　上記イを参酌すると、図１３の（ａ）〜（ｃ）及び図１４（ａ）〜（ｃ）から、多結晶シリコン薄膜基板１００は、駆動回路１０７、１０７’及び画素部１０８が形成される領域と、その周辺部に位置する領域とからなり、前記周辺部に位置する領域にアライメントマーク１０４、１０４’が形成されていることが分かる。
　　
（２−２）引用発明
　上記ア〜ウによれば、引用例には、次の発明が記載されているといえる（以下「引用発明」という。）。
　
「ガラス基板１０１の１主面に絶縁体薄膜１０２を介して非晶質シリコン薄膜を形成し、当該非晶質シリコン薄膜を多結晶シリコン薄膜１０３に結晶化させた、駆動回路１０７、１０７’及び画素部１０８を有する領域と、その周辺部に位置する領域とからなる、多結晶シリコン薄膜基板１００を用い、前記周辺部に位置する領域に、レーザ光２により、多結晶シリコン薄膜を除去加工することでアライメントマーク１０４、１０４’を形成し、当該アライメントマーク１０４、１０４’を基準に、前記駆動回路１０７、１０７’に、特定の結晶方位を有する結晶粒を成長する方法。」
　
（３）対比
（３−１）本願補正発明と引用発明とを対比すると、
ア　引用発明の「多結晶シリコン薄膜基板１００」は、本願補正発明の「基板」に相当するから、引用発明の「ガラス基板１０１の１主面に絶縁体薄膜１０２を介して非晶質シリコン薄膜を形成し、多結晶シリコン薄膜１０３に結晶化させた多結晶シリコン薄膜基板１００」は、本願補正発明と同様に、「基板の上部に、非晶質シリコンの半導体層を形成する」ことが分かる。　
　
イ　引用発明の「多結晶シリコン薄膜基板１００」、「駆動回路１０７、１０７’及び画素部１０８を有する領域」及び「周辺部に位置する領域」は、本願補正発明の「基板」、「第１領域」及び「第１領域の周辺部に位置する第２領域」に、それぞれ相当する。そうすると、引用発明は、「第１領域と、前記第１領域の周辺部に位置する第２領域が定義された基板」を備えていることが分かる。　
　
ウ　引用発明の「アライメントマーク１０４、１０４’」は、本願補正発明の「少なくとも１つのアラインキー」に相当する。そして、引用発明において、「レーザ光２により、多結晶シリコン薄膜を除去加工する」ことでアライメントマーク１０４、１０４’を形成していることから、半導体層にレーザービームを照射して、陰刻形態のアラインキーを形成する点で、本願補正発明と共通する。　
　
エ　結晶化は、核形成と結晶成長という２つの段階からなるので、引用発明の「結晶粒を成長する」ことは、結晶化のひとつであるといえる。そうすると、引用発明は、「多結晶シリコン薄膜」における、「特定の結晶方位を有する結晶粒を成長する方法」は、シリコンの半導体層を結晶化する結晶質シリコン層の形成方法という点で、本願補正発明と共通する。　
　
（３−２）したがって、本願補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりとなる。
　
〈一致点〉
「第１領域と、前記第１領域の周辺部に位置する第２領域が定義された基板を備える段階と；
　前記基板の上部に、非晶質シリコンの半導体層を形成する段階と；
　前記第２領域の半導体層にレーザービームを照射して、少なくとも１つの陰刻形態のアラインキーを形成する段階と；
　前記少なくとも１つの陰刻形態のアラインキーを基準に、前記第１領域のシリコンの半導体層を結晶化する段階を含む、結晶質シリコン層の形成方法。」
　
〈相違点〉
相違点１　
　本願補正発明は、「非結晶シリコンの半導体層」を結晶化するのに対し、引用発明は、「多結晶シリコン薄膜１０３」を結晶化する点。
　
相違点２　
　本願補正発明では、「アラインキーの境界」を基準に、結晶化する段階を含むとともに、「アラインキーの境界が、光源からの光の反射強度の差によって認識される」のに対し、引用発明では、基準が「アライメントマーク」であるものの、その「境界」か否かについての特定がなく、そして、アライメントマークの具体的な認識手段についても特定されていない点。
　
（４）相違点についての検討
（４−１）相違点１について
ア　本願の優先日前における半導体層の結晶化の技術水準
（ア）特公昭６３−１７３２９号公報（以下「周知例１」という。）には、以下の記載がある。
「発明の詳細な説明　
  
本発明は例えば絶縁物上に形成された非単結晶半導体層を、エネルギ線照射により単結晶化する方法の改良に関する。
　
半導体基板例えばシリコン（Si）基板表面を被覆する二酸化シリコン（SiO
2
）膜のような絶縁物上に、多結晶シリコン層または非晶質シリコン層を形成し、これにレーザビーム或いは荷電粒子線［以下エネルギ線と総称する］を照射することにより単結晶化する方法が既に種々提晶されている。
「以下本発明を実施例により詳細に説明する。
　第２図及び第３図は本発明の一実施例を示す要部上面図であつて、第１図ａ及びｂに示した従来例とは断面形状が走査の進行方向に凸の「く」の字状及び単結晶側が先に進む傾斜パターンとしたことが異なる。
　
先ず第２図は第１本目の走査の模様を示す図
　
図に示す如く本実施例ではレーザビーム１５の断面形状を進行方向に凸状とした
　
中央部は前述した如く開口３部において、露呈された基板１表面の結晶方位に従つて成長した単結晶層である。
　
（イ）特開平１１−６４８８３号公報（以下「周知例２」という。）には、以下の記載がある。
「【００２９】
【実施例】
（実施例１）図１は、本発明による多結晶Ｓｉ薄膜の形成方法の実施例１を示す図である。図１においてステージ６上に、大きさ３００×４００ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのガラス基板１を設置し、基板１上の厚さ５０ｎｍの非晶質Ｓｉ薄膜３にＸｅＣｌレーザービーム５をマスク１３を介して照射する。基板ステージ６は図中に示された方向にピッチＳｐで送られ、Ｓｉのアニール領域４は順次移動する。
「【００３０】図２はマスク１３のパターンを示すものであり、石英基板上にＣｒ膜でストライプ状のパターン２２が形成されている。パターン２２（ビーム不透過領域）の幅ＷB は１．５μｍ、透過領域２１の幅ＷL は１μｍである。レーザービーム５はストライプパターンと平行の方向で照射した。図２に得られた多結晶Ｓｉの粒径をマスクパターンとの関係で示してある。
ストライプパターンの方向と垂直の方向に長さ１．２- １．３μｍ、平行の方向に０．３μｍの大きさの結晶粒が得られた。
「【００３４】（実施例２）以下の実施例は、実施例１と異なる部分を中心に説明することとし、同一部分は同一番号を付し、その詳しい説明を省略する。
【００３５】
図６は、本発明による多結晶Ｓｉ薄膜の形成方法の実施例２を示す図である。
ストライプパターンで粒径成長を行う場合、あらかじめＳｉ薄膜を多結晶化しておくことにより、安定に粒径拡大が行えるようになる。即ち、照射回数を少なくしても大きな粒径が得られる。
【００３６】
このような処理は実施例１の場合で、あらかじめマスクなしで全面をレーザーアニールにより多結晶化して、しかる後マスク照射アニールを実施しても良い。本実施例では、１回の処理で多結晶化と粒径拡大結晶化が行える。その他の効果は実施例１と同様であった。
　
（ウ）特表２０００−５０５２４１号公報（以下「周知例３」という。）には、実施例３として以下の記載がある。
「第３実施例
　
図７の投影露光装置は、エキシマレーザ７１
サンプル７０はサンプルステージ７７上に配置する。この装置を用いて鮮明なビームを発生させることにより、順次横方向凝集（ＳＬＳ）プロセスで単一結晶のシリコン領域を段階成長させることができる。或いは、近接マスク又は接触マスクを用いてビーム、成形することができる。
　
図８のサンプル構造体は、基板８０、熱酸化膜８１、及びアモルファスシリコン膜８２を有する。
　以下の説明において、図９Ａ〜９Ｆ、第１の変形例の２個の例を示す図１０Ａ〜１０Ｆ及び第２の変形例を示す図１１Ａ〜１１Ｂを参照して第３実施例の技術を説明する。
　
本例において矩形にパターン化されているアモルファスシリコン膜８２からスタートし（図９Ａ）、２本の破線により境界されているシリコン膜８２の領域９１をパルスで露光し、この領域のシリコンを完全に溶融させ（図９Ｂ）、次に領域９１の溶融シリコンを再凝固させる（図９Ｃ）。」
「
大面積の単一結晶領域は、図１１Ａに図示され、テイル領域１１１、細いボトルネック領域１１２及び主アイランド領域１１３を有するパターン化されたアモルファスシリコン膜に順次シフト（ステップ状に）した露光領域を形成することにより成長させることができる。
（エ）特開平６−２５２０４８号公報（以下「周知例４」という。）には、従来技術として以下の記載がある。
「【０００３】
多結晶シリコン薄膜の製造方法の１つに、エキシマレーザ等の短波長レーザ光を用いた再結晶化法がある。
非晶質シリコン薄膜６が形成されたガラス基板７を配置し、
次いで、エキシマレーザ１からレーザビーム（パルスエネルギービーム）ｌ1を出射する。このレーザビームｌ1は、ミラー２により反射され、均一光学系３を透過する際に照射方向の断面形状が矩形状とされるとともにビームが均一化され、石英窓５を透過し、ガラス基板７上の非晶質シリコン薄膜６に照射される。該非晶質シリコン薄膜６はレーザビームｌ1によりナノ秒オーダで高速熱処理され、多結晶化される。
【０００４】
非晶質シリコン薄膜６が大面積である場合、図６に示す様に、レーザビームｌ1の照射方向の断面形状を正方形または長方形とし、該レーザビームｌ1を非晶質シリコン薄膜６の面内の２方向、すなわちＸ軸方向またはＹ軸方向へ走査することにより、該非晶質シリコン薄膜６を多結晶化し、多結晶シリコン薄膜８とする。
　
（オ）以上、（ア）〜（エ）からも分かるように、半導体層の結晶化において、「非結晶」の半導体層をレーザービームにより横方向に結晶化する技術は、本願の優先日前において技術常識として、当業者に普通に知られていたものである。　
　そして、非結晶又は多結晶の半導体層のいずれを結晶化の対象として選択するかについても、周知例１の「多結晶シリコン層または非晶質シリコン層を形成し、これにレーザビーム或いは荷電粒子線［以下エネルギ線と総称する］を照射することにより単結晶化する方法が既に種々提晶されている。」（１欄２０〜２４行）、周知例２の「このような処理は実施例１の場合で、あらかじめマスクなしで全面をレーザーアニールにより多結晶化して、しかる後マスク照射アニールを実施しても良い。本実施例では、１回の処理で多結晶化と粒径拡大結晶化が行える。その他の効果は実施例１と同様であった。」（段落【００３６】）の記載からも分かるように、両者は相互に代替的な手段として、本願の優先日前に当業者に普通に知られていたものである。　  　　
イ　相違点１についての検討  　
　引用発明は、半導体層の結晶化に関するものであるところ、引用例の段落【００４５】の「・・・レーザ光１０５を走査することで、照射領域から外れた部分から温度が低下して結晶化が始まり、レーザ光の走査する方向に結晶が成長して、本実施例によれば、幅方向にはエキシマレーザでアニールして得られた結晶粒径１μｍよりも大きく成長し、長さ方向には１０μｍ以上に成長した大きな結晶粒を得ることができる。」との記載から明らかなように、上記周知例１〜４と同様に、半導体層をレーザービームにより横方向に結晶化する技術に関するものである。　
　さらに、引用例の段落【０００１】には、引用例に記載された発明の属する技術分野として、「絶縁基板上に形成された非晶質または多結晶半導体膜に、レーザ光を照射して膜質の改善あるいは結晶粒の拡大あるいは単結晶化を行うのに好適なレーザアニール方法」と記載されているから、引用例は、引用発明が、多結晶半導体膜と同様に非晶質半導体膜すなわち「非結晶の半導体層」も結晶化の対象とするものであることを示唆している。　
　このような示唆及び上記の技術常識を参酌すれば、引用発明において、「非晶質シリコン薄膜を形成し、当該非晶質シリコン薄膜を多結晶シリコン薄膜１０３に結晶化させた」「多結晶シリコン薄膜基板１００を用い」、「特定の結晶方位を有する結晶粒を成長」することに代えて、「非晶質シリコンの半導体層を形成」し、「非結晶シリコンの半導体層を結晶化」することは、引用発明に接した当業者が容易になし得たものといえる。　
　したがって、相違点１は、当業者が容易に想到し得たものである。
　
（４−２）相違点２について
　ＣＣＤカメラとは、撮影対象物からの光を受光平面に結像させ、その像の光による明暗を電荷の量に光電変換し、それを順次読み出して電気信号に変換するものである。
　そして、引用例の段落【００３６】の「レーザ光２を照射する試料２６表面は、照明光源１８からの落射照明により、ＣＣＤカメラ１９で撮像し、モニタ２２により観察することができる。」との記載、段落【００３８】の「試料２６のアライメントは、対物レンズ２５、ＣＣＤカメラ１９で試料２６上に形成してあるアライメントマークあるいは特定のパターンを複数箇所撮像し、それぞれ画像処理装置（図示せず）によって処理を行って、アライメントマークの重心位置などを検出し、ステージ２８を駆動することで、ＸＹθ３軸方向に対して行うことができる。」との記載から、引用発明は、照明光源１８からの光によるアライメントマークからの光の明暗、すなわち反射強度を、ＣＣＤカメラにより認識していることが分かる。　
　さらに、引用発明は、「多結晶シリコン薄膜を除去加工することでアライメントマーク１０４、１０４’を形成」していることから、アライメントマーク１０４、１０４’の境界における除去部分とそうでない部分とで段差を生じ、上記照明光源１８からの光によるアライメントマークの上記境界の段差からの反射光の強度に差が生ずることは、当業者にとって明らかである。　そうすると、引用発明において、「アラインキーの境界を基準」とされるとともに、その境界は、光源からの光の反射強度の差によって認識されているものであることが分かる。
　したがって、相違点２は実質的なものではない。　
　
（５）小括
　以上検討したとおり、本願補正発明と引用発明との相違点１は、技術常識を勘案することにより、当業者が容易に想到し得たものであり、相違点２は実質的なものでないから、本願補正発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。
　
（６）独立特許要件についてのまとめと補正却下の結び
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　よって、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に違反するので、同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明
　
１　以上のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２０年５月９日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載の次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　第１領域と、前記第１領域の周辺部に位置する第２領域が定義された基板を備える段階と；
　前記基板の上部に、非晶質シリコンの半導体層を形成する段階と；
　前記第２領域の半導体層にレーザービームを照射して、少なくとも１つの陰刻形態のアラインキーを形成する段階と；
　前記少なくとも１つの陰刻形態のアラインキーを基準に、前記第１領域の半導体層を結晶化する段階を含む結晶質シリコン層の形成方法。」
　
２　引用例の記載と引用発明
　引用例の記載と引用発明については、前記第２の３（２）で認定したとおりである。
　
３　対比・判断
　 前記第２の１及び２で検討したとおり、本願補正発明は、補正前の請求項１の規定をより技術的に限定するものである。したがって、逆に言えば、本願発明（補正前の請求項１に係る発明）は、本願補正発明から、このような限定をなくしたものである。  　
   そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、これより限定したものである本願補正発明が、前記第２の３で検討したとおり、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、当業者が容易に発明することができたということができる。 
　
第４　結言
　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　したがって、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。