Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月16日(2010.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像装置により生成されたデジタル画像内のノイズを低減する方法であって、
デジタル画像のフィールド位置の関数としてノイズレベルを示す情報を取得するステップと、
前記デジタル画像にノイズ低減アルゴリズムを適用すると共に、前記ノイズ低減アルゴリズムの１個以上のパラメータを、フィールド位置の関数として得られた前記ノイズレベルに基づいて前記デジタル画像内のフィールド位置の関数として変更するステップとを含む方法。
【請求項２】
前記デジタル画像が複数のピクセルを含み、各ピクセルが各々の信号値を有し、前記デジタル画像に対してノイズ低減アルゴリズムを適用するステップが、
フィルタリング対象ピクセルを覆うウィンドウであって前記デジタル画像内の複数のピクセルの一部を含むウィンドウを定義するステップと、
前記ウィンドウのフィールド位置で決定されたノイズレベルの関数であるフィルタ範囲を決定するステップと、
フィルタリング対象ピクセルの信号値のフィルタの範囲内に信号値を有するウィンドウ内にあるピクセルの信号値の平均であるように、平均信号値を決定するステップと、
前記フィルタリング対象ピクセルの信号値を前記平均信号値で代替するステップとを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法のステップを、プロセッサとメモリを含むプロセッサ搭載装置に実行させるべく動作するソフトウェアを含む機械可読媒体を含んでいる製品。
【請求項４】
ノイズレベルがフィールド位置の関数として決定されているデジタル画像内のノイズを低減する装置であって、
前記デジタル画像のフィールド位置の関数として決定されたノイズレベルを示すデータを保存すべく動作するメモリと、
前記メモリに接続されていて、前記デジタル画像にノイズ低減アルゴリズムを適用すると共に、前記ノイズ低減アルゴリズムの１個以上のパラメータを、フィールド位置の関数として得られた前記ノイズレベルに基づいて前記デジタル画像内のフィールド位置の関数として変更すべく動作するプロセッサとを含む装置。
【請求項５】
ノイズレベルがフィールド位置の関数として決定されているデジタル画像内のノイズを低減するシステムであって、
前記デジタル画像を取得すべく動作する撮像装置と、
メモリとプロセッサを備えたコンピュータにおいて、前記メモリがデジタル画像のフィールド位置の関数として決定されたノイズレベルを示すデータを保存すべく動作し、前記プロセッサが前記メモリに接続されていて、前記デジタル画像にノイズ低減アルゴリズムを適用すると共に、前記ノイズ低減アルゴリズムの１個以上のパラメータを、フィールド位置の関数として得られた前記ノイズレベルに基づいて前記デジタル画像内のフィールド位置の関数として変更すべく動作するコンピュータとを含むシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月13日(2010.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタル・メディア資産を記憶する記憶装置と；
前記資産のうち選択されたものに選択されたテーマ的処置を自動的に適用するテーマ記述子アプリケーションと；
前記テーマ的処置および前記資産の両方を、選択された資産および選択されたテーマを含むストーリー共有記述子ファイルを作成するために自動的に選択する作成器アプリケーションと；
前記ストーリー共有記述子ファイル中の情報を解釈し、前記ストーリー共有記述子ファイルに対応する少なくとも一つの出力記述子ファイルであって該少なくとも一つの出力記述子ファイルによって指示される少なくとも一つの選択された出力装置に対応する出力情報を含む出力記述子を生成する、レンダリング・アプリケーションと；
前記少なくとも一つの出力記述子ファイルに基づいて出力生成物の少なくとも一つの表現を表示するプレビュー・アプリケーションとを有するシステムであって、前記少なくとも一つの選択された出力装置は前記少なくとも一つの出力記述子ファイルに基づいて対応する出力生成物を表示する、
システム。
【請求項２】
前記テーマ記述子アプリケーションは、前記テーマ的処置とともに前記資産のうち前記選択されたものに自動適用するための効果を含み、当該システムがさらに：
テーマおよび効果の適用が前記選択された資産について実現可能であるかどうかを検査する、前記作成器アプリケーションによってアクセス可能な規則を有する規則データベースを有しており、前記資産のうち少なくとも一つが前記レンダリング・アプリケーションによって、前記規則データベースおよび前記少なくとも一つの出力記述子ファイルに従って修正される、
請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記規則が、テーマに関係した規則、ズーム規則、資産メタデータに基づくアルゴリズム適用可能性、複数資産動作、動作順序、動作代替規則、価格制約、ユーザー特権およびレンダリング規則のうちの一つまたは複数を含む、請求項２記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月13日(2010.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ストーリーを作成するシステムであって：
コンピュータによってアクセス可能な複数のマルチメディア資産と；
前記複数の資産に関連付けられたメタデータを抽出し、導出されたメタデータを生成するコンポーネントと；
前記複数の資産に適用可能な効果および前記複数の資産を呈示するためのテーマ的テンプレートを含むテーマ記述子ファイルと；
効果の適用を限定するための条件を含む規則データベースであって、効果の適用を、前記資産のうち前記規則データベースの条件を満たすものに限定するための条件を含む、規則データベースと；
前記規則データベースの条件に基づいて前記複数の資産をストーリー共有記述子ファイルにまとめるコンポーネントとを有する、
システム。
【請求項２】
前記マルチメディア資産が、写真、スチール画像、テキスト、グラフィック、音楽、ビデオ、オーディオ、マルチメディア呈示または記述子ファイルから選択されるデジタル資産である、請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記テーマ記述子ファイルが、位置情報、背景情報、特殊効果、遷移または音楽から選択されるデータを含む、請求項１記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月6日(2011.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
幾つかの製品コラムがある自動販売機の棚から幾つかの製品を分配する方法であって、
前記幾つかの製品コラムの第１のコラムを販売して減らすステップと、
１つ又は複数の残りの製品コラムを部分的又は完全に補充したままにしながら、幾つかの隣接コラムを１つずつ販売して減らすステップと、
前記販売して減らしたコラムに再補充するステップと、
前記１つ又は複数の残りのコラムのうち第１のコラムを販売して減らすステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記１つ又は複数の残りのコラムが涸渇するまで、前記１つ又は複数の残りのコラムの残部を１つずつ販売して減らすステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記再補充するステップが、前記複数の製品コラムそれぞれの前部から幾つかの新しい製品を押し込むことを含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月25日(2010.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リモート端末に向けて送信すべき更新データセットを生成するコンピュータシステムであって、前記更新データセットは、ソート済みのデータ要素を含む第１のデータセットとソート済みのデータ要素を含む第２のデータセットとの差分を記述する演算子を含み、
前記コンピュータシステムは、
前記第１のデータセット及び前記第２のデータセットを含むメモリと、
前記メモリに接続可能なコンパレータであって、前記第２のデータセット内のデータ要素と前記第１のデータセット内のデータ要素とを順次比較し、先の比較結果が、前記第１のデータセット内のどのデータ要素と前記第２のデータセット内のどのデータ要素が次の比較において比較されるかを制御し、各比較の後に前記メモリ内の変更パラメータを更新し、前記第２のデータセット内のデータ要素が前記第１のデータセット内のデータ要素に一致することを検出するとセレクタを起動するコンパレータと、
前記メモリ内に格納された前記変更パラメータに基づいて演算子を決定し、前記メモリ内に前記決定した演算子を格納する前記メモリ及び前記コンパレータに接続可能なセレクタと
を含み、
前記第２のデータセット及び前記第１のデータセットの差分を記述する演算子を含む前記リモート端末に送信すべき更新データセットを生成する
ことを特徴とするコンピュータシステム。
【請求項２】
前記更新データセットを含む更新メッセージを生成及び送信するセレクタに関連するコミュニケータ
を更に含むことを特徴とする請求項１記載のコンピュータシステム。
【請求項３】
前記第１のデータセット及び前記第２のデータセットは、
時間とともに変化する動的データ要素
を含むことを特徴とする請求項１記載のコンピュータシステム。
【請求項４】
前記第２のデータセットは、
前記第１のデータセットよりも新しいバージョンである
ことを特徴とする請求項１記載のコンピュータシステム。
【請求項５】
前記演算子は、
追加演算子、削除演算子、置換演算子を含むグループから決められる
ことを特徴とする請求項１記載のコンピュータシステム。
【請求項６】
前記変更パラメータは、
前記第１のデータセットに関連する第１のカウンタと、前記第２のデータセットに関連する第２のカウンタとを含む
ことを特徴とする請求項１記載のコンピュータシステム。
【請求項７】
前記セレクタは、
前記第１のデータセットに関連する前記第１のカウンタと、前記第２のデータセットに関連する前記第２のカウンタとの関係に基づいて演算子を選択する
ことを特徴とする請求項６記載のコンピュータシステム。
【請求項８】
前記変更パラメータは、
前記第１のデータセット及び前記第２のデータセット内の前記コンパレータの位置の追跡を維持するために、前記第１のデータセットに関連する第１の位置パラメータと、前記第２のデータセットに関連する第２の位置パラメータとを更に含む
ことを特徴とする請求項１記載のコンピュータシステム。
【請求項９】
前記演算子は、差分変更を含む
ことを特徴とする請求項１記載のコンピュータシステム。
【請求項１０】
各データ要素は、キー及びデータ部分を含む
ことを特徴とする請求項１記載のコンピュータシステム。
【請求項１１】
請求項１に係わるコンピュータシステムを含む電子商取引システム。
【請求項１２】
リモート端末に向けて送信すべき更新データセットを生成する方法であって、前記更新データセットは、ソート済みのデータ要素を含む第１のデータセットとソート済みのデータ要素を含む第２のデータセットとの差分を記述する演算子を含み、
前記方法は、
前記第１のデータセット内のデータ要素と前記第２のデータセット内のデータ要素とを順次比較するステップであって、先の比較結果が、前記第１のデータセット内のどのデータ要素と前記第２のデータセット内のどのデータ要素が次の比較において比較されるかを制御するステップと、
各比較の後にメモリ内の変更パラメータを更新するステップと、
前記第２のデータセット内のデータ要素が前記第１のデータセット内のデータ要素に一致することを検出すると、前記メモリに格納された前記変更パラメータに基づいて演算子を決定する選択処理を開始するステップと、
前記決定された演算子を前記メモリに格納するステップと
を含み、
前記第１のデータセット及び前記第２のデータセットの差分を記述する演算子を含む前記リモート端末に送信すべき更新データセットを生成する
ことを特徴とする方法。
【請求項１３】
前記決定された演算子と比較済みのデータ要素とを関連付けるステップ
を更に含むことを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
追加演算子、削除演算子、置換演算子を含むグループから少なくとも１つの演算子を決定するステップ
を更に含むことを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
前記変更パラメータは、
前記第１のデータセットに関連する第１のカウンタと、前記第２のデータセットに関連する第２のカウンタと
を含み、
前記第１のデータセットに関連する前記第１のカウンタと、前記第２のデータセットに関連する前記第２のカウンタとの関係に基づいて演算子を決定するステップ
を更に含むことを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１６】
各データ要素は、キー及びデータ部分を含み、
前記第１のデータセットの要素のキー及びデータ部分の少なくとも１つと、前記第２のデータセットの要素のキー及びデータ部分の少なくとも１つとを比較するステップ
を更に含むことを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１７】
前記第１のデータセット及び前記第２のデータセットは、時間とともに変化する動的情報を含む
ことを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１８】
請求項１２に係わる方法をコンピュータに実行させるコンピュータ・プログラムを格納するコンピュータ可読媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本発明の第４の側面においては、コンピュータ・プログラムにより上記及び他の目的を解決する。コンピュータ・プログラムは、上述した側面及び実施形態の少なくとも１つに係わり、コンピュータ可読媒体に格納される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月12日(2010.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス拡散層（ＧＤＬ）と、
前記ＧＤＬに接合されたガスケットであって、
第１のガスケット層、
前記第１のガスケット層及び前記ＧＤＬと接触するガスケット材料を含む第２のガスケット層であって、前記ガスケット材料が、前記第１のガスケット層に前記ＧＤＬを接合する第２のガスケット層、及び
前記第１のガスケット層の表面上に設けられた接着剤層
を備えるガスケットと
を備える、燃料電池の膜電極アセンブリ（ＭＥＡ）用のサブアセンブリであって、前記第２のガスケット層の前記ガスケット材料が、前記ＧＤＬに侵入する、燃料電池の膜電極アセンブリ（ＭＥＡ）用のサブアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月18日(2010.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】燃料電池サブアセンブリを作製する方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロール・ツー・ロールプロセスによって、ガス拡散層を組み込んだガスケット（ＧＩＧ）燃料電池サブアセンブリを作製する方法であって、
熱及び圧力のうちの一方又は両方によって加工可能であり、離間した開口を有する材料を、固着ステーションに移送する工程と、
第１のガスケット層の離間した開口に関連して配設されるガス拡散層を有する、前記第１のガスケット層を、前記固着ステーションに移送する工程と、
前記熱／圧力加工可能な材料を、前記第１のガスケット層及び前記ガス拡散層に整合させる工程と、
前記固着ステーションで、前記熱／圧力加工可能な材料を、前記第１のガスケット層及び前記ガス拡散層に固着する工程であって、前記熱／圧力加工可能な材料は、固着後、前記ガス拡散層を前記第１のガスケット層に付着させる第２のガスケット層を形成する、固着する工程と、を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月13日(2010.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理装置のシャワーヘッド電極組立体であって、
複数の第１のガス流路を備える電極であってプラズマに露出される表面を有する前記電極と、
前記電極に取り付けられ、前記第１のガス流路と流体連通している複数の第２のガス流路を有する裏当て部材と、
前記裏当て部材に形成され、前記第２のガス流路と流体連通している、一つ以上の第１のプレナムとを備え、
処理ガスが前記第１及び第２のガス流路を通って流れ、全圧の低下が前記第１及び第２のガス流路に沿って発生する場合、前記第２のガス流路に沿った前記全圧の低下の割合は、前記第１のガス流路に沿った前記全圧の低下の割合よりも大きいことを特徴とするシャワーヘッド電極組立体。
【請求項２】
二つ以上の前記第１のガス流路が一つの第２のガス流路と流体連通していることを特徴とする請求項１に記載のシャワーヘッド電極組立体。
【請求項３】
前記二つの第１のガス流路と前記一つの第２のガス流路とが、電極および裏当て部材の各々の中心に対して異なる半径方向の位置に配置されることを特徴とする請求項２に記載のシャワーヘッド電極組立体。
【請求項４】
前記二つの第１のガス流路と前記一つの第２のガス流路とが、電極および裏当て部材の各々の中心に対して実質的に同一の半径方向の位置に、異なる角度位置で配置されることを特徴とする請求項２に記載のシャワーヘッド電極組立体。
【請求項５】
前記電極が、シリコン、グラファイト、又はシリコンカーバイドから構成されることを特徴とする請求項１に記載のシャワーヘッド電極組立体。
【請求項６】
前記裏当て部材が、アルミニウム、グラファイト、又はシリコンカーバイドから構成されることを特徴とする請求項１に記載のシャワーヘッド電極組立体。
【請求項７】
前記一つ以上の第１のプレナムは、前記電極に面する前記裏当て部材の表面上に形成されることを特徴とする請求項１に記載のシャワーヘッド電極組立体。
【請求項８】
前記電極の向こう側に面している裏当て部材の表面上に一つ以上の第２のプレナムを更に備えることを特徴とする請求項１に記載のシャワーヘッド電極組立体。
【請求項９】
前記第１及び第２のプレナムは、半径方向に間隔を空けた環状流路であることを特徴とする請求項８に記載のシャワーヘッド電極組立体。
【請求項１０】
前記第１及び第２のプレナムは、連続している又はセグメント化されていることを特徴とする請求項８に記載のシャワーヘッド電極組立体。
【請求項１１】
プラズマ処理装置のシャワーヘッド電極組立体であって、
プラズマに露出される表面を有するシリコン電極であって、複数の軸方向に延びる第１のガス流路を有する前記電極と、
前記電極に取り付けられ、前記第１のガス流路と流体連通している複数の軸方向に延びる第２のガス流路を有する金属製の裏当て部材と、
前記金属製の裏当て部材に形成され、前記第２のガス流路と流体連通している、一つ以上の第１のプレナムとを備え、
処理ガスが前記第１及び第２のガス流路を通って流れ、全圧の低下が前記第１及び第２のガス流路に沿って発生する場合、前記第２のガス流路に沿った前記全圧の低下の割合は、前記第１のガス流路に沿った前記全圧の低下の割合よりも大きいことを特徴とするシャワーヘッド電極組立体。
【請求項１２】
前記金属製の裏当て部材は、アルミニウム又はアルミニウム合金から構成されることを特徴とする請求項１１に記載のシャワーヘッド電極組立体。
【請求項１３】
前記第１のプレナムを特徴付ける前記金属製の裏当て部材の表面が、陽極酸化アルミニウム、セラミック、又は高分子材料で覆われていることを特徴とする請求項１１に記載のシャワーヘッド電極組立体。
【請求項１４】
前記シリコン電極の向こう側に面している前記金属製の裏当て部材の表面に形成される一つ以上の第２のプレナムを更に備えることを特徴とする請求項１１に記載のシャワーヘッド電極組立体。
【請求項１５】
前記金属製の裏当て部材に取り付けられる熱制御板を更に備えることを特徴とする請求項１１に記載のシャワーヘッド電極組立体。
【請求項１６】
前記第１及び第２のプレナムは、連続している又はセグメント化されていることを特徴とする請求項１４に記載のシャワーヘッド電極組立体。
【請求項１７】
熱制御板に形成される一つ以上の第３のプレナムを更に備え、
各第３のプレナムは、一つ以上の第２のガス流路と流体連通していることを特徴とする請求項１６に記載のシャワーヘッド電極組立体。
【請求項１８】
プラズマ処理装置において半導体基板を処理する方法であって、前記方法は、
プラズマ処理装置の処理チャンバ内の基板支持部上に基板を配置する工程と、
処理ガスを、請求項１１に記載の前記シャワーヘッド電極組立体を有する反応チャンバに導入する工程と、
前記シャワーヘッド電極組立体と前記基板との間に、前記反応チャンバ内の処理ガスからプラズマを生成する工程と
前記基板を前記プラズマで処理する工程と、
を備えることを特徴とする半導体基板を処理する方法。
【請求項１９】
前記処理ガスがフッ素含有ガスであって、前記金属製の裏当て部材がアルミニウム又はアルミニウム合金から構成されることを特徴とする請求項１８に記載の半導体基板を処理する方法。
【請求項２０】
前記一つ以上の第１のプレナムを特徴付ける前記電極に面する前記裏当て部材の表面が被覆されており、
前記被覆はアルミニウムフッ化物形成を低減するのに適していることを特徴とする請求項１９に記載の半導体基板を処理する方法。
【請求項２１】
前記シリコン電極の向こう側に面している前記裏当て部材の表面に形成される一つ以上の第２のプレナムを更に備え、
各第２のプレナムは、一つ以上の第２のガス流路と流体連通していることを特徴とする請求項２０に記載の半導体基板を処理する方法。
【請求項２２】
プラズマ処理装置のシャワーヘッド電極組立体であって、
第１の部分と、前記第１の部分よりも幅の広い第２の部分とを持つ複数の第１のガス流路を有する第１の部材であって、前記第１の部材はプラズマに露出される表面を有し、前記第２の部分は、前記プラズマに露出される表面に隣接している、前記第１の部材の背面に取り付けられる第２の部材であって、前記第１のガス流路と流体連通している複数の第２のガス流路を有する第２の部材と、
処理ガスが前記第１及び第２のガス流路を通って流れ、全圧の低下が前記第１のガス流路の前記第１及び第２の部分に沿って発生する場合、前記第２の部分に沿った前記全圧の低下の割合は、前記第１の部分に沿った前記全圧の低下の割合よりも大きいことを特徴とするシャワーヘッド電極組立体。
【請求項２３】
前記第１の部材がシリコン電極であることを特徴とする請求項２２に記載のシャワーヘッド電極組立体。
【請求項２４】
前記第２の部材が金属製の裏当て部材であることを特徴とする請求項２３に記載のシャワーヘッド電極組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月19日(2010.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビームを傾斜させる手段と、回折図形の強度分布の方向依存性を算出する手段とを有する電子顕微鏡において、
電子ビームの傾斜と関連させた、電子顕微鏡で撮影した少なくとも一つの回折図形におけるコヒーレントな環状縞の包絡線の方向に依存した狭隘化から、電子顕微鏡のデフォーカス偏差又は焦点分布を算出する手段を備えた評価ユニットを特徴とする電子顕微鏡。
【請求項２】
透過電子顕微鏡として構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子顕微鏡。
【請求項３】
電子顕微鏡の少なくとも一つの収差、特に、デフォーカス、球面収差及び非点収差から成るグループの中の少なくとも一つの収差を決定する手段を特徴とする請求項１又は２に記載の電子顕微鏡。
【請求項４】
当該の評価ユニットが、回折図形用のローパスフィルターを有することを特徴とする請求項１から３までのいずれか一つに記載の電子顕微鏡。
【請求項５】
少なくとも一つの対数変換ユニットを有することを特徴とする請求項１から４までのいずれか一つに記載の電子顕微鏡。
【請求項６】
当該の評価ユニットが、回折図形の強度分布用の数学モデルを有することを特徴とする請求項１から５までのいずれか一つに記載の電子顕微鏡。
【請求項７】
電子ビームを傾斜させる工程と、
物体の少なくとも一つの回折図形を撮影する工程と、
その回折図形の強度分布の方向依存性を算出する工程と、
その回折図形におけるコヒーレントな環状縞の包絡線の方向に依存した狭隘化と電子ビームの傾斜から、電子顕微鏡のデフォーカス偏差又は焦点分布を算出する工程と、
を有する、電子顕微鏡のデフォーカス偏差又は解像限界を算出する方法。
【請求項８】
非結晶物体を選定することを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
電子顕微鏡として、透過電子顕微鏡を選定することを特徴とする請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
デフォーカス偏差又は焦点分布から電子顕微鏡の解像限界を算出することを特徴とする請求項７から９までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項１１】
電子顕微鏡の少なくとも一つの収差、特に、デフォーカス、球面収差及び非点収差から成るグループの中の収差を決定する、特に、測定するか、電子顕微鏡において、そのような収差を周知の大きさに調節するか、或いはその両方を実施することを特徴とする請求項７から１０までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項１２】
当該の回折図形に対して、ローパスフィルターを用いたフィルター処理、対数変換及びその原点の周りの円周ラインに沿った評価の中の一つ以上を実施することを特徴とする請求項７から１１までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項１３】
当該の回折図形の強度分布の数学モデルを、撮影した回折図形に適合させることを特徴とする請求項７から１２までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項１４】
当該の電子顕微鏡のデフォーカス偏差を、適合させるためのパラメータとして使用することを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
当該の適合を、パラメータを最適化する方法にもとづき実施することを特徴とする請求項１３又は１４に記載の方法。
【請求項１６】
異なるビーム傾斜で撮影した一連の少なくとも三つの回折図形を評価することを特徴とする請求項７から１５までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項１７】
ビームを光軸に対して一定の角度に傾斜させるとともに、その傾斜角の方位を一様に分散させて、当該の一連の回折図形を撮影することを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
当該の焦点分布を評価するために、回折図形内のＭ個の離散的な点に関して、それらの点における回折図形の強度値を、それぞれ画像のＮ個の異なるサブ焦点における焦点分布の値の関数として表したＭ個の式とＮ個の未知数から成る連立方程式、特に線形連立方程式を立てることを特徴とする請求項７から１７までのいずれか一つに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月17日(2010.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信プラグを受け入れて通信コネクターを形成するように構成される通信ジャックであって、
前記通信プラグを受け入れるように構成された空洞と、
前記空洞内に延びる複数のプラグインターフェース接触子と、
を備え、
前記空洞内のプラグが、前記プラグインターフェース接触子のプラグ／ジャックインターフェース部において前記プラグインターフェース接触子と電気的に接触し、前記プラグインターフェース接触子の少なくとも１つが、同じ材料で形成される個々の複数層導電性条片を備え、
前記導電性条片の少なくとも１つは、制約体により横方向に制約されて、被制約層を形成しており、
前記制約体は、前記被制約層の少なくとも一側面に隣接した、他の前記導電性条片の少なくとも１つであることを特徴とする通信ジャック。
【請求項２】
前記プラグインターフェース接触子の少なくとも１つは、ジャックの側面に最も近いプラグインターフェース接触子であることを特徴とする請求項１に記載の通信ジャック。
【請求項３】
前記制約体はタブであり、前記被制約層は、前記タブが配設されるノッチを有していることを特徴とする請求項１に記載の通信ジャック。
【請求項４】
前記複数のプラグインターフェース接触子を、その一端近傍で、横方向に互いに分離する絶縁分離部材を更に備え、前記制約体は、前記空洞内において、前記絶縁分離部材よりは前記プラグ／ジャックインターフェース部の近くに配設されていることを特徴とする請求項１に記載の通信ジャック。
【請求項５】
通信プラグを受け入れて通信コネクターを形成するように構成される通信ジャックであって、
前記通信プラグを受け入れるように構成された空洞と、
前記空洞内に延びる複数のプラグインターフェース接触子と、
を備え、
前記空洞内のプラグが、前記プラグインターフェース接触子のプラグ／ジャックインターフェース部において前記プラグインターフェース接触子と電気的に接触し、前記プラグインターフェース接触子の少なくとも１つが、その金属層の少なくとも一端において互いに長手方向に移動可能な複数の導電性層を備え、
前記導電性層の少なくとも一層は、制約体により横方向に制約されて、被制約層を形成しており、
前記制約体は、前記被制約層の少なくとも一側面に隣接した、他の前記導電性条片の少なくとも１つであることを特徴とする通信ジャック。
【請求項６】
前記導電性層の少なくとも一層は、前記導電性層の一端の近傍において、前記導電性層の他の層に接続されていることを特徴とする請求項５に記載の通信ジャック。
【請求項７】
前記複数の導電性層のいずれも互いに固着されていないことを特徴とする請求項５に記載の通信ジャック。
【請求項８】
前記プラグインターフェース接触子の少なくとも１つは、前記ジャックの側面に最も近いプラグインターフェース接触子であることを特徴とする請求項５に記載の通信ジャック。
【請求項９】
前記制約体はタブであり、前記被制約層は、前記タブが配設されるノッチを有していることを特徴とする請求項７に記載の通信ジャック。
【請求項１０】
前記複数のプラグインターフェース接触子を、その一端近傍で、横方向に互いに分離する絶縁分離部材を更に備え、前記制約体は、前記空洞内において、前記絶縁分離部材よりは前記プラグ／ジャックインターフェース部の近くに配設されていることを特徴とする請求項７に記載の通信ジャック。
【請求項１１】
通信プラグを受け入れて通信コネクターを形成するように構成される通信ジャックであって、
前記通信プラグを受け入れるように構成された空洞と、
前記空洞内に延びる複数のプラグインターフェース接触子と、
を備え、
前記空洞内のプラグが、前記プラグインターフェース接触子のプラグ／ジャックインターフェース部において前記プラグインターフェース接触子と電気的に接触し、前記プラグインターフェース接触子の少なくとも１つが、その厚さ方向には制約されているが、その少なくとも一端において互いに長手方向に移動可能な複数の導電性層を備え、
前記導電性層は、その一端の近傍に配設された制約体により制約されていることを特徴とする通信ジャック。
【請求項１２】
前記プラグインターフェース接触子の少なくとも１つは、前記ジャックの側面に最も近いプラグインターフェース接触子であることを特徴とする請求項１１に記載の通信ジャック。
【請求項１３】
前記導電性層の少なくとも一層は、制約体により横方向に制約されて、被制約層を形成していることを特徴とする請求項１１に記載の通信ジャック。
【請求項１４】
前記制約体は、前記被制約層の少なくとも一側面に隣接した、他の前記導電性条片の少なくとも１つであることを特徴とする請求項１３に記載の通信ジャック。
【請求項１５】
前記制約体はタブであり、前記被制約層は、前記タブが配設されるノッチを有していることを特徴とする請求項１４に記載の通信ジャック。
【請求項１６】
前記複数のプラグインターフェース接触子を、その一端近傍で、横方向に互いに分離する絶縁分離部材を更に備え、前記制約体は、前記空洞内において、前記絶縁分離部材よりは前記プラグ／ジャックインターフェース部の近くに配設されていることを特徴とする請求項１３に記載の通信ジャック。
【請求項１７】
前記プラグインターフェース接触子の少なくとも１つは、前記複数の導電性層の間の前記プラグ／ジャックインターフェース部のところに配設された誘電体層を更に備えることを特徴とする請求項１１に記載の通信ジャック。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月6日(2011.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光装置において、
−少なくとも１つの第１の波長のビーム（１１）を放射するビーム源（５）と、
−前記ビーム源（５）から放射された前記ビーム（１１）が入力結合され、且つ入力結合された前記第１の波長のビーム（１１）に基づき、長手軸に対して角度を有するように光（１２）を出力結合させる、伸長され湾曲された光導体ボディ（２０）と、
−前記光導体ボディ（２０）の損傷を検出する検出装置（２５）とを有することを特徴とする、発光装置。
【請求項２】
前記ビーム源（５）は赤色、緑色および青色に対応するビームを放射する、請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記光導体ボディ（２０）は変換材料（１５）を有し、該変換材料（１５）は前記第１の波長のビーム（１１）をより長い第２の波長の光（１２）に変換する、請求項１または２記載の装置。
【請求項４】
前記ビーム源（５）は短波長のビーム源を含む、請求項３記載の装置。
【請求項５】
前記変換材料（１５）は以下の化合物を含むグループから選択されている：Ｃａ8Ｍｇ（ＳｉＯ4）4Ｃｌ2：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+；Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ2+，Ｂｉ3+；（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）5（ＰＯ4）3Ｃｌ：Ｅｕ2+；ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+；ＳｒＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+；Ｂａ3Ａｌ28Ｏ45：Ｅｕ2+；（Ｓｒ，Ｂａ）2Ａｌ5Ｏ11：Ｅｕ2+；ＳｒＡｌ2Ｏ4：Ｅｕ2+；Ｍ2Ｓｉ5Ｎ5Ｎ8：Ｅｕ2+、ただしＭ＝ＣａまたはＳｒ；ＡＧａ2Ｓ4：Ｅｕ2+，Ｃｅ2+、ただしＡはＣａ，Ｓｒ，Ｂａ，ＺｎおよびＭｇ；（Ａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ2+ただしＡ＝アルカリ土類金属イオン；およびＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ2+、請求項３または４記載の装置。
【請求項６】
前記光導体ボディ（２０）の表面には前記変換材料（１５）がコーティングまたはプリントされている、請求項３から５までのいずれか１項記載の装置。
【請求項７】
前記変換材料（１５）はナノ粒子を含み、該ナノ材料は前記光導体ボディ（２０）に封止されている、請求項３から６までのいずれか１項記載の装置。
【請求項８】
前記第１の波長のビームを反射し、前記第２の波長の光（１２）に対しては透過性である層（４５）が前記光導体ボディ（２０）に設けられている、請求項３から７までのいずれか１項記載の装置。
【請求項９】
前記光導体ボディ（２０）はグラスファイバを含む、請求項１から８までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１０】
前記光導体ボディ（２０）は二次元の領域を形成する、請求項１から９までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１１】
前記光導体ボディ（２０）はメアンダ状または螺旋状または蛇行状に構成されている、請求項１０記載の装置。
【請求項１２】
前記光導体ボディ（２０）から出力結合される光（１２）の放射路内に光学素子（６０）が配置されている、請求項１から１１までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１３】
前記光導体ボディ（２０）の前記表面は粗面化されている、請求項１から１２までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１４】
光導体（１０）が設けられており、該光導体（１０）を介して前記第１の波長の放射（１１）が前記光導体ボディ（２０）に入力結合される、請求項１から１３までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１５】
前記光導体（１０）はファイバを含み、該ファイバはガラスおよびプラスチックから選択されている物質を含有する、請求項１４記載の装置。
【請求項１６】
前記検出装置（２５）は前記光導体（１０）および前記光導体ボディ（２０）の損傷を検出する、請求項１４または１５記載の装置。
【請求項１７】
前記検出装置（２５）は第３の波長のビーム（１３）を放射する第２のビーム源（２５Ｅ）と、前記第３の波長のビーム（１３）を検出する検出器（２５Ｄ）とを含み、前記第３の波長のビーム（１３）の検出は前記光導体（１０）および前記光導体ボディ（２０）の機能性を指示する、請求項１６記載の装置。
【請求項１８】
前記光導体（１０）および前記光導体ボディ（２０）は前記第２のビーム源（２５Ｅ）と前記検出器（２５Ｄ）との間に配置されている、請求項１７記載の装置。
【請求項１９】
前記第２のビーム源（２５Ｅ）および前記検出器（２５Ｄ）は前記光導体（１０）の一方の端部（１０Ａ）に配置されており、前記光導体ボディ（２０）は前記光導体（１０）の他方の端部（１０Ｂ）に配置されている、請求項１７記載の装置。
【請求項２０】
前記光導体（１０）および前記光導体ボディ（２０）内に導電接続部（２５Ａ）が延在し、
前記導電接続部（２５Ａ）の機能性を検査する手段（２５Ｃ）が設けられており、
前記導電接続部（２５Ａ）の機能性は前記光導体（１０）および前記光導体ボディ（２０）の機能性を指示する、請求項１６から１９までのいずれか１項記載の装置。
【請求項２１】
前記検出装置（２５）は、前記光導体（１０）または前記光導体ボディ（２０）の損傷の検出に依存して、前記放射源（５）のエネルギ供給を遮断する、請求項１６から２０までのいずれか１項記載の装置。
【請求項２２】
請求項１から２１までのいずれか１項記載の発光装置を含む照明装置（１００）。
【請求項２３】
請求項１から２１までのいずれか１項記載の発光装置を含むディスプレイ。
【請求項２４】
請求項１から２１までのいずれか１項記載の発光装置から出力結合される前記光（１２）の放射路内に配置されている液晶マトリクスとして構成されている、請求項２３記載のディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月18日(2010.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
実施例１４〜２８、比較例５〜９
電極バインダー組成物のＡｌへの接着
官能基を備えたフルオロポリマー、試料Ｂ、Ｃ、Ｄ、ＥおよびＦを、ＮＭＰに溶解し、１０ｗｔ％溶液を形成する。チタンキレート化合物、チタンアセチルアセトネート（ＤｕＰｏｎｔ（商標）Ｔｙｚｏｒ（商標）ＡＡ）をＮＭＰ中で希釈して、１０ｗｔ％溶液を形成する。２つの溶液を均一に混合することにより、一連の電極組成物を生成する。３ｇの混合溶液をアルミニウムカップに入れ、１５０℃で２時間、１００トルの圧力で加熱してから、室温まで冷却する。得られたバインダー樹脂フィルムとアルミニウム基材との間の接着状態を目視で観察する。結果を表６に示す。
【表６】
2010514140.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
以上、本発明を要約すると下記のとおりである。
１．少なくとも１つの金属キレート化合物と少なくとも１つのフルオロポリマーとを含む
、リチウムイオン二次電池または電気二重層キャパシタのための電極バインダー組成物。２．フルオロポリマーが、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレン、トリフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、フッ素化ビニルエーテル、フッ素化アルキルアクリレート／メタクリレート、３〜１０個の炭素原子を有するパーフルオロオレフィン、パーフルオロＣ１〜Ｃ８アルキルエチレンおよびフッ素化ジオキソールからなる群から選択される少なくとも１つのモノマーから製造されるホモポリマーまたはコポリマーである上記１に記載の電極バインダー組成物。
３．フルオロポリマーが、フッ化ビニルベースのコポリマーである上記１に記載の電極バインダー組成物。
４．コポリマーのフッ化ビニル含量が、約１０〜約９０モル％である上記３に記載の電極バインダー組成物。
５．コポリマーのフッ化ビニル含量が、約３０〜約７５モル％である上記３に記載の電極バインダー組成物。
６．コポリマーのフッ化ビニル含量が、約４０〜約７０モル％である上記３に記載の電極バインダー組成物。
７．フッ化ビニルベースのコポリマーが、少なくとも２つの高フッ素化モノマーを含み、高フッ素化モノマーのうち少なくとも１つが、ポリマーに少なくとも１炭素原子の側鎖を導入する上記３に記載の電極バインダー組成物。
８．ポリマーに少なくとも１炭素原子の側鎖を導入する高フッ素化モノマーが、３〜１０個の炭素原子を有するパーフルオロオレフィン、パーフルオロＣ１〜Ｃ８アルキルエチレン、フッ素化ジオキソールおよび式ＣＹ２＝ＣＹＯＲまたはＣＹ２＝ＣＹＯＲ’ＯＲのフッ素化ビニルエーテルを含み、式中、ＹはＨまたはＦ、−Ｒおよび−Ｒ’は、独立に、１〜８個の炭素原子を含有する完全フッ素化または部分フッ素化アルキルまたはアルキレン基であり、好ましくはパーフルオロ化されている、上記７に記載の電極バインダー組成物。
９．フッ化ビニルコポリマーが、ポリマーに少なくとも１炭素原子の側鎖を導入する前記少なくとも１つの高フッ素化モノマーを約１〜約１５モル％含む上記７に記載の電極バインダー組成物。
１０．コポリマーが、フッ化ビニルを３０〜７５モル％、ポリマーに少なくとも１炭素原子の側鎖を導入する少なくとも１つの高フッ素化モノマーを１〜１５モル％含み、残部が、フッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレン、トリフルオロエチレンおよびクロロトリフルオロエチレンの群から選択される少なくとも１つのＣ２オレフィンである上記７に記載の電極バインダー組成物。
１１．フッ化ビニルコポリマー中のＣ２オレフィンが、１テトラフルオロエチレンを含む上記１０に記載の電極バインダー組成物。
１２．フルオロポリマーが、ヒドロキシル、チオール、カルボニル、カルボン酸、カーボネート、スルホニル、スルホン酸、スルホネート、リン酸、ホウ酸、エステル、アミン、アミド、ニトリル、エポキシおよびイソシアネートからなる群から選択される少なくとも１つの官能基を含有する上記１に記載の電極バインダー組成物。
１３．金属キレート化合物が、チタンキレート化合物である上記１に記載の電極バインダー組成物。
１４．金属キレート化合物が、ジルコニウムキレート化合物である上記１に記載の電極バインダー組成物。
１５．金属キレート化合物およびフルオロポリマーを、水に分散して、分散液を形成させる上記１に記載の電極バインダー組成物。
１６．金属キレート化合物およびフルオロポリマーを、有機溶媒に分散して、溶液またはオルガノゾルを形成させる上記１に記載の電極バインダー組成物。
１７．活性電極材料および電極バインダーを含み、該電極バインダーが上記１に記載の電極バインダー組成物を含む、リチウムイオン二次電池または電気二重層キャパシタのための電極。
１８．活性電極材料が、金属、金属酸化物および炭素からなる群から選択される粉末である上記１７に記載の電極。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの金属キレート化合物と少なくとも１つのフルオロポリマーとを含む、リチウムイオン二次電池または電気二重層キャパシタのための電極バインダー組成物。
【請求項２】
活性電極材料および電極バインダーを含み、該電極バインダーが請求項１に記載の電極バインダー組成物を含む、リチウムイオン二次電池または電気二重層キャパシタのための電極。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月9日(2010.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面上に陽イオンを、前記基板の表面上の原子の全原子量に基づいて少なくとも０．１原子量パーセントの量で含有する基板；
陽イオン感受性物質を含み、前記基板の表面上に配置された陽イオン感受性層；および
前記基板と前記陽イオン感受性層の間に配置され、前記基板から前記陽イオン感受性層への陽イオンの移動を防ぐための硬化シリコーン組成物を含むシリコーン層（ここで、前記硬化シリコーン組成物がヒドロシリル化硬化シリコーン組成物、縮合反応硬化シリコーン組成物、およびフリーラジカル硬化シリコーン組成物の群から選ばれる）
を含んでなる複合品。
【請求項２】
前記硬化シリコーン組成物がヒドロシリル化硬化シリコーン組成物であり、かつ前記ヒドロシリル化硬化シリコーン組成物が、触媒量のヒドロシリル化触媒（Ｃ）の存在下において、
次式を有するシリコーン樹脂（Ａ）：
（Ｒ１Ｒ２２ＳｉＯ１／２）ｗ（Ｒ２２ＳｉＯ２／２）ｘ（Ｒ２ＳｉＯ３／２）ｙ（ＳｉＯ４／２）ｚ
（ここで、Ｒ１はＣ１からＣ１０のヒドロカルビル基またはＣ１からＣ１０のハロゲン置換ヒドロカルビル基であり、いずれも脂肪族不飽和を含まず、Ｒ２はＲ１またはアルケニル基であり、ｗは０から０．９であり、ｘは０から０．９であり、ｙは０から０．９９であり、ｚは０から０．８５であり、ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であり、ｙ＋ｚ／（ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ）は０．１から０．９９であり、およびｗ＋ｘ／（ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ）は０．０１から０．９であり、ただし前記シリコーン樹脂は分子あたり平均して少なくとも２個のケイ素結合アルケニル基を有する）；および
分子あたり平均して少なくとも２個のケイ素結合水素原子を有し、前記シリコーン樹脂を硬化するのに十分な量の有機ケイ素化合物（Ｂ）；
の反応生成物を含んでなる、請求項１記載の複合品。
【請求項３】
前記硬化シリコーン組成物が縮合反応硬化シリコーン組成物であり、かつ前記縮合反応硬化シリコーン組成物が、場合により触媒量の縮合反応用触媒（Ｃ’）の存在下において、
次式を有するシリコーン樹脂（Ａ”）：
（Ｒ１Ｒ６２ＳｉＯ１／２）ｗ’（Ｒ６２ＳｉＯ２／２）ｘ’（Ｒ６ＳｉＯ３／２）ｙ’（ＳｉＯ４／２）ｚ’
（ここで、Ｒ１はＣ１からＣ１０のヒドロカルビル基またはＣ１からＣ１０のハロゲン置換ヒドロカルビル基であり、いずれも脂肪族不飽和を含まず、Ｒ６はＲ１、−Ｈ、−ＯＨまたは加水分解性基であり、ｗ’は０から０．８であり、ｘ’は０から０．９５であり、ｙ’は０から１であり、ｚ’は０から０．９９であり、ｗ’＋ｘ’＋ｙ’＋ｚ’＝１であり、および前記シリコーン樹脂（Ａ”）が分子あたり平均して少なくとも２個のケイ素結合水素原子、ヒドロキシ基または加水分解性基を有する）；および
場合によりケイ素結合加水分解性基を有する架橋剤（Ｂ’）
の反応生成物を含んでなる、請求項１記載の複合品。
【請求項４】
前記硬化シリコーン組成物がフリーラジカル硬化シリコーン組成物であり、かつ前記フリーラジカル硬化シリコーン組成物が式：
（Ｒ１Ｒ９２ＳｉＯ１／２）ｗ”（Ｒ９２ＳｉＯ２／２）ｘ”（Ｒ９ＳｉＯ３／２）ｙ”（ＳｉＯ４／２）ｚ”
（ここで、Ｒ１はＣ１からＣ１０のヒドロカルビル基またはＣ１からＣ１０のハロゲン置換ヒドロカルビル基であり、いずれも脂肪族不飽和を含まず、Ｒ９はＲ１、アルケニル基、またはアルキニル基であり；ｗ”は０から０．９９であり；ｘ”は０から０．９９であり、ｙ”は０から０．９９であり、ｚ”は０から０．８５であり；およびｗ”＋ｘ”＋ｙ”＋ｚ”＝１である）
を有するシリコーン樹脂から形成される、請求項１記載の複合品。
【請求項５】
前記基板が０．５ｍｍ以下の厚さを有する、請求項１から４のいずれか一項記載の複合品。
【請求項６】
前記陽イオン感受性物質がさらに有機発光物質と定義される、請求項１から５のいずれか一項記載の複合品。
【請求項７】
ｙが０．２５から０．８である、請求項２記載の複合品。
【請求項８】
前記シリコーン樹脂（Ａ）がＲ１Ｒ２２ＳｉＯ１／２単位および／またはＲ２２ＳｉＯ２／２単位と組み合わせて、Ｒ２ＳｉＯ３／２単位および／またはＳｉＯ４／２単位を含む共重合体である、請求項２記載の複合品。
【請求項９】
Ｒ２がアリール基またはアルケニル基である、請求項２記載の複合品。
【請求項１０】
前記シリコーン樹脂（Ａ）が以下の式：（Ｖｉ２ＭｅＳｉＯ１／２）０．２５（ＰｈＳｉＯ３／２）０．７５、（ＶｉＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．２５（ＰｈＳｉＯ３／２）０．７５、（ＶｉＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．２５（ＭｅＳｉＯ３／２）０．２５（ＰｈＳｉＯ３／２）０．５０、（ＶｉＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．１５（ＰｈＳｉＯ３／２）０．７５（ＳｉＯ４／２）０．１、及び（Ｖｉ２ＭｅＳｉＯ１／２）０．１５（ＶｉＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．１（ＰｈＳｉＯ３／２）０．７５を有する樹脂から選択され、ここで、Ｍｅはメチルであり、Ｖｉはビニルであり、Ｐｈはフェニルであり、括弧の外の下付き数字は、ｗ、ｘ、ｙまたはｚのいずれかに相当するモル分率を示す、請求項２記載の複合品。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月26日(2010.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
標準的な動作条件下において自己回復特性を有する順応的な構造を製作する方法において、
１００ＭＰａ未満の弾性係数を有するエラストマー材料を備える誘電体薄膜を提供し、
機械的疲労に起因する破壊を伴うことなく０．１％を超える繰り返しひずみに耐え得る順応的な伝導性材料を含んだ電極層を、前記誘電体薄膜の各面に設け、
該構造内の欠陥は、該欠陥の発生とともに、数ミリ秒から数秒の桁数の速度で解消されるようにする、
ことを特徴とする、方法。
【請求項２】
欠陥の解消がなされる間に、前記電極層が、前記誘電体薄膜が除去されるよりも速く絶縁されるかまたは除去されるように、前記エラストマーおよび伝導性の材料が選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記伝導性材料は、金属を備え、
該金属は伸長可能である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
伝導性のナノクラスタを前記伸長可能な金属上に堆積する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
伝導性のナノフィラメントのマットを前記伸長可能な金属上に提供する、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記伸長可能な金属の断面において起伏を形成する、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記伸長可能な金属において微小クラックを形成する、請求項３に記載の方法。
【請求項８】
さらに前記電極層をカプセル化する、請求項３に記載の方法。
【請求項９】
標準的な動作条件下において自己回復特性を有する容量性の構造において、
１００ＭＰａ未満の弾性係数を有するエラストマー材料を備える誘電体薄膜と、
該誘電体薄膜の各面上に配置され、機械的疲労に起因する破壊を伴うことなく０．１％を超える繰り返しひずみに耐え得る順応的な伝導性材料を含んだ、電極層と、
を備え、
構造内の欠陥が、該欠陥の発生とともに、数ミリ秒から数秒の桁数の速度で解消される、
ことを特徴とする、容量性の構造。
【請求項１０】
前記エラストマー材料は、シリコーン、アクリルおよびポリウレタンのうちの１つである、請求項９に記載の容量性の構造。
【請求項１１】
前記伝導性材料は、ポリ３，４−エチレンジオキシチオフェン、ポリアニリン、カーボンナノチューブまたはそれらの組み合わせである、請求項９に記載の容量性の構造。
【請求項１２】
前記伝導性材料は、伸長可能な金属を備える、請求項９に記載の容量性の構造。
【請求項１３】
前記伝導性材料は、平らでない形状を備える、請求項９に記載の容量性の構造。
【請求項１４】
前記平らでない形状は、前記金属内のナノクラスタ、微小フィラメント、波形のしわ、および微小クラックのうちの１つである、請求項１３に記載の容量性の構造。
【請求項１５】
前記電極層は、カプセル化される、請求項９に記載の容量性の構造。
【請求項１６】
前記構造は、トランスデューサの一部分を形成する、請求項９に記載の容量性の構造。
【請求項１７】
前記トランスデューサは、アクチュエータ、ジェネレータまたはセンサの一部分を形成する、請求項１６に記載の容量性の構造。
【請求項１８】
請求項９に記載の容量性の構造と、
電流を供給するための電源回路であって、該供給される電流は、容量性の構造内の欠陥解消の開始の際に、選択された最大の電流を超え、該最大の電流は、該容量性の構造の前記電極層の温度を、前記伝導性材料が除去または絶縁される温度まで上げることに対して十分であり、前記エラストマー材料は、該温度による損傷が実質的にないままである、電源回路と
を備える、システム。
【請求項１９】
前記電源によって供給される電流を、前記選択された最大の電流に制限するように適合された電流制限回路網をさらに備える、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記電流制限回路網は、電流制限抵抗器を備える、請求項１９に記載のシステム。
【請求項２１】
前記容量性の構造内の欠陥を検出するように、かつ該欠陥解消の遅延化を可能にするために、前記供給される電流を調整するように構成された回路網をさらに備える、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２２】
請求項９に記載の容量性の構造と、
電流を供給するための電源回路であって、該供給される電流は、一連の電流パルスを備え、該容量性の構造内の欠陥解消がなされる際の電気アークは、パルス間で消され、該欠陥への電力送達の正味速度は、十分に低く、前記エラストマー材料は、該電気アークの温度による損傷が実質的にないままである、電源回路と、
を備える、システム。
【請求項２３】
前記電源は、スポットノッキング回路を備える、請求項２２に記載のシステム。
【請求項２４】
前記電源の平均出力電力は、０．２５Ｗ未満である、請求項２２に記載のシステム。
【請求項２５】
請求項９に記載の容量性の構造の作動方法において、
電流を該容量性の構造に供給し、
欠陥解消の開始の際に、選択された最大の電流において該電流を維持し、
該最大の電流は、前記電極層の温度を、前記伝導性材料が除去または絶縁される温度まで上げることに対して十分であり、前記エラストマー材料は、該温度による損傷が実質的にないままである、
ことを特徴とする、方法。
【請求項２６】
さらに、前記供給される電流を、前記選択された最大の電流に制限する、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
請求項９に記載の容量性の構造の作動方法において、
動作電流を該容量性の構造に供給し、
欠陥解消の開始の際に、該動作電流を該動作電流から一連の電流パルスに変更し、
該容量性の構造内の該欠陥解消がなされる際の電気アークは、パルス間で消され、該欠陥解消がなされる際に送達される電力の平均速度は、十分に低く、前記エラストマー材料は、該電気アークの温度による損傷が実質的にないままであるようにする、
ことを特徴とする、方法。
【請求項２８】
各電流パルスの持続期間は、１０マイクロ秒未満であり、相互のパルス間隔は、１０ミリ秒から１秒までである、請求項２７に記載の方法。