【事件の表示】
　特許第６０５１２４５号発明「荷電粒子顕微鏡内で試料を検査する方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６０５１２４５号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−１０〕、１１について訂正することを認める。
　特許第６０５１２４５号の請求項１ないし１１に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６０５１２４５号の請求項１ないし１１に係る特許についての出願は、平成２８年１２月２日にその特許権の設定登録がされ、平成２８年１２月２７日に特許掲載公報が発行され、その後、その特許について、平成２９年６月２７日に特許異議申立人伊東妙子（以下「特許異議申立人」という。）により異議の申立てがされ、平成２９年９月２６日付けで取消理由が通知され、その指定期間内である平成２９年１２月２７日に意見書の提出及び訂正の請求があり、その訂正の請求（以下「本件訂正請求」という。）に対して特許異議申立人から平成３０年２月１５日に意見書が提出され、平成３０年３月２３日付けで訂正拒絶理由が通知され、平成３０年４月１２日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
第２　訂正の適否についての判断
１　訂正の内容
　平成３０年３月２３日付けの訂正拒絶理由において、平成２９年１２月２７日に提出された訂正請求書に添付された特許請求の範囲における訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号ないし第４号に規定する何れの事項を目的とする訂正ではない訂正事項が含まれていることを通知した。
　これに対して、平成３０年４月１２日に特許権者から訂正請求書についての手続補正書が提出され、当合議体は、当該手続補正書による補正は、軽微な瑕疵の補正で、訂正請求書の要旨を変更しないものであり、そして、当該補正によって上記訂正拒絶理由は解消したものと判断した。
　よって、本件訂正請求による訂正の内容は、上記訂正請求書についての手続補正書に記載されているとおりであり、以下の訂正事項１及び２からなる。
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に「走査透過型荷電粒子顕微鏡内で試料を検査する方法であって：前記試料に照射するため、・・・（略）・・・セグメントからの信号を結合して、各走査位置での前記検出器からのベクトル出力を生成するとともに、・・・（略）・・・」と記載されているものを、「走査透過型荷電粒子顕微鏡内で
非磁性の
静電気勾配の
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項１１に「走査透過型の荷電粒子顕微鏡であって：試料を保持する試料ホルダと、・・・（略）・・・ 前記制御装置は、各走査位置で前記検出器からのベクトル出力を生成するように前記検出器の異なるセグメントからの信号を結合し、・・・（略）・・・」と記載されているものを、「走査透過型の荷電粒子顕微鏡であって：
非磁性の
静電気勾配の
２　訂正の目的の適否、一群の請求項、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）訂正事項１について
　訂正事項１に関連する記載として、明細書の発明の詳細な説明には「試料」の具体例として「非磁性試料」が記載されていることから、「試料」として「非磁性試料」を用いてなる発明は明細書に記載されているものと認められる。
　また、訂正事項１に関連する記載として、明細書の発明の詳細な説明には「ベクトル出力」の具体例として「そのようなベクトル出力の例は、大きさ（傾斜値）と方向（最大傾斜線）の両方を有する静電場勾配又は電場である。」が記載されていることから、「ベクトル出力」として「静電場勾配のベクトル出力」を用いてなる発明は明細書に記載されているものと認められる。
　したがって、上記訂正事項１の訂正は、明細書に記載された事項の範囲内において、訂正前の「走査透過型荷電粒子顕微鏡内で試料を検査する方法」を「走査透過型荷電粒子顕微鏡内で非磁性の試料を検査する方法」と限定したもの及び訂正前の「検出器からのベクトル出力」を「検出器からの静電気勾配のベクトル出力」と限定したものといえるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正であって、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（２）訂正事項２について
　訂正事項２に関連する記載として、明細書の発明の詳細な説明には「試料」の具体例として「非磁性試料」が記載されていることから、「試料」として「非磁性試料」を用いてなる発明は明細書に記載されているものと認められる。
　また、訂正事項２に関連する記載として、明細書の発明の詳細な説明には「ベクトル出力」の具体例として「そのようなベクトル出力の例は、大きさ（傾斜値）と方向（最大傾斜線）の両方を有する静電場勾配又は電場である。」が記載されていることから、「ベクトル出力」として「静電場勾配のベクトル出力」を用いてなる発明は明細書に記載されているものと認められる。
　したがって、上記訂正事項２の訂正は、明細書に記載された事項の範囲内において、訂正前の「試料を保持する試料ホルダ」を「非磁性の試料を保持する試料ホルダ」と限定したもの及び訂正前の「検出器からのベクトル出力」を「検出器からの静電気勾配のベクトル出力」と限定したものといえるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正であって、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　そして、これら訂正は一群の請求項ごとに対して請求されたものである。
３　小括
　以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項、及び、同条第９項において準用する同法第１２６条第４項から第６項までの規定に適合するので、訂正後の請求項〔１−１０〕、１１について訂正することを認める。
第３　特許異議の申立てについて
１　本件発明
　本件訂正請求により訂正された請求項１ないし１１に係る発明（以下、それぞれ順に「本件特許発明１」ないし「本件特許発明１１」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１ないし１１に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】
　走査透過型荷電粒子顕微鏡内で非磁性の試料を検査する方法であって：
　前記試料に照射するため、線源から照射体を通るように導かれる荷電粒子のビームを提供する段階と、
　前記試料を横断する荷電粒子の束を検出する検出器を提供する段階であって、前記検出器は、複数の検出セグメントを有するように構成される、段階と、
　前記試料の表面にわたって前記ビームを走査させ、走査位置の関数として前記検出器の出力を記録することで、前記試料の荷電粒子画像を蓄積する段階と、
　前記検出器の異なるセグメントからの信号を結合して、各走査位置での前記検出器からの静電気勾配のベクトル出力を生成するとともに、このデータをまとめることでベクトル場を得る段階と、
　前記ベクトル場に２次元積分操作を施すことにより、前記ベクトル場を数学的に処理し、これにより、スカラー場である積分ベクトル場画像を生成する段階と、
　を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
　前記検出器は、四分円を含むように構成され、
　前記ベクトル出力は、四分円の相補的な組の間で差分信号を計算することにより、生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
　前記検出器は、画素のアレイを含む画素化検出器として構成され、
　前記ベクトル出力は、
　　画素値を比較することで前記検出器上の前記束の重心の位置を決定する段階、
　　前記検出器上の前記重心の座標位置を表す段階、
　を含む処理を用いて生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
　前記検出器は、位置感応検出器である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
　前記積分ベクトル場画像は、フィルタリング、開口角補正、デコンボリューション補正、及び上記の組み合わせを含む群から選ばれる少なくとも１つの操作を実施することにより、後処理される、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
　前記積分ベクトル場画像は、ラプラシアン操作を実施することにより、さらに操作される、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
　前記積分ベクトル場画像は、一回微分操作を実施することにより、さらに操作される、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
　前記ベクトル場（チルダ）Ｅの数学的処理は、デカルト座標（ｘ，ｙ）で、前記試料上での前記ビームの走査経路に沿って、次式
【数２７】
で定義される目的関数Ｊの関数最小化を含むフィッティング問題として、ポテンシャルφの推定値（ハット）φを見出す段階を有する、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
　前記関数最小化は、ポアソン解法、基底関数の再構成、Ｌｐノルムに基づく目的関数を用いた残差の最小化、Ｍ推定量（エスティメータ）を用いた残差の最小化、異方的重み付け、拡散テンソルの適用、規則化関数の適用、およびこれらの組み合わせを含む群から選ばれる少なくとも１つの手法の支援により実現される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
　前記荷電粒子が電子である、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
　走査透過型の荷電粒子顕微鏡であって：
　非磁性の試料を保持する試料ホルダと、
　荷電粒子のビームを生成する荷電粒子源と、
　前記試料が照射されるように前記ビームを誘導する照射体と、
　前記照射に応じて前記試料を横断する荷電粒子の束を検出する検出器であって、複数の検出セグメントを有するように構成された検出器と、
　前記ビームを前記試料の表面に対して走査運動させる走査手段と、
　走査位置の関数として、前記検出器の出力を記録することで、前記試料の荷電粒子画像を蓄積する制御装置と、
　を有し、
　前記制御装置は、
　各走査位置で前記検出器からの静電気勾配のベクトル出力を生成するように前記検出器の異なるセグメントからの信号を結合し、このデータをまとめることでベクトル場を得るとともに、
　前記ベクトル場に２次元積分操作を施すことにより、前記ベクトル場を数学的に処理し、これにより、スカラー場である積分ベクトル場画像を生成する、
　という追加の動作を実行するように構成される、走査透過型の荷電粒子顕微鏡。」
２　取消理由の概要
　訂正前の請求項１ないし１１に係る特許に対して平成２９年９月２６日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
（１）請求項１、２、１０、１１に係る特許は、甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものである。
（２）請求項１ないし１１に係る特許は、甲第１号証に記載された発明及びそれぞれ、甲第２ないし１０号証に記載された周知技術、技術的事項に基いて、当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
甲第１号証：特開２０００−１８７８３４号公報 
甲第２号証：H.ROSE 「NONSTANDARD IMAGING METHODS IN ELECTRON  
 MICROSCOPY」Ultramicroscopy 2(1977) p.251-267、および、その部分訳 
甲第３号証：特開２００９−２７７６１９号公報 
甲第４号証：特開２０１２−０４９１３０号公報 
甲第５号証：特開２００４−３８３６２号公報 
甲第６号証：特開２０１２−８３１４７号公報 
甲第７号証：特開２００９−１３４９９１号公報 
甲第８号証：特開２０１０−１８２４２３号公報 
甲第９号証：特開２００７−３２９０８１号公報 
甲第１０号証：特開２００７−２３４７７８号公報 
３　甲号証の記載事項
　甲第１号証の請求項１には「
収束電子線を生成する機構、上記収束電子線が試料透過時に被る偏向の向きと大きさを検出する機構、上記収束電子線を走査する機構から構成される電子顕微鏡
　段落【０００５】には「上記ローレンツ電子顕微鏡法においては、図２に示したように、検出器上に形成される透過電子線のスポットのシフトを、４分割型にした検出器の各検出部（図２中のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）からの信号に演算を施して決定する。例えば図２において、スポットのＸ軸方向のシフトを得るためには、
検出部Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄからの信号（それぞれ、単にＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄと称する）に、
演算を施す
　段落【０００６】には「
【数１】 Ｉｘ＝（Ａ−Ｂ−Ｃ＋Ｄ）／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）
多くの場合、スポットのシフトはスポットの径の１／１００程度とわずかであるので、この演算の結果（Ｉｘ）は、スポットのＸ軸方向へのシフト（δｘとする）に比例する。同様に、数２の演算結果（Ｉｙ）は、スポットのＹ軸方向へのシフト（δｙとする）に比例する。」、 
　段落【０００７】には「
【数２】 Ｉｙ＝（Ａ＋Ｂ−Ｃ−Ｄ）／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）
　段落【００４０】には「電子源、加速機構などから成る電子銃１より供給される
電子線２は、収束レンズ系３により収束されて試料４を透過する。試料４を透過した電子線２は、拡大レンズ系５を通り検出器６に至る。検出器６は四分割型であり、
各分割部からの信号（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄとする）は演算装置７に導かれ、演算装置７内ではこれらの信号について
演算を行う
面内積分磁場のＸ成分∫ｄｚＢｘとＹ成分∫ｄｚＢｙ、位相関数Φ、さらに異なる基準点（ｘｉ，ｙｉ）（ｉ＝１，…，Ｎ）で生成した位相関数Φの平均Φａｖ（平均位相関数と称する）の画像を、
生成する
生成した
画像は、
記憶され
　段落【００６１】には「このような機能を備えた電子線装置による
磁性膜の検査を含む
方法
　以上の記載によれば、甲第１号証には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められ、引用発明を電子顕微鏡と装置として記載した引用発明１が記載されていると認められる。 
　「収束電子線を生成する機構、上記収束電子線が試料透過時に被る偏向の向きと大きさを検出する機構、上記収束電子線を走査する機構から構成される電子顕微鏡による試料の検査する方法であって、電子線は、収束レンズ系により収束されて試料を透過し、試料を透過した電子線は、拡大レンズ系を通り検出器に至り、検出器は四分割型であり、生成した画像は記憶され、検出部Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄからの信号（それぞれ、単にＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄと称する）は演算装置に導かれ、演算装置内ではこれらの信号について、 
 【数１】 Ｉｘ＝（Ａ−Ｂ−Ｃ＋Ｄ）／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）、 
 【数２】 Ｉｙ＝（Ａ＋Ｂ−Ｃ−Ｄ）／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ） 
の演算を施し、面内積分磁場のＸ成分∫ｄｚＢｘとＹ成分∫ｄｚＢｙ、位相関数Φ、さらに異なる基準点（ｘｉ，ｙｉ）（ｉ＝１，…，Ｎ）で生成した位相関数Φの平均Φａｖ（平均位相関数と称する）の画像を、生成する方法。」 
４　判断
（１）取消理由通知に記載した取消理由について
ア　特許法第２９条第１項第３号について
　本件特許発明１と引用発明を対比すると、引用発明は、「試料」が「非磁性試料」ではない点、「ベクトル出力」が「静電場勾配のベクトル出力」ではない点で相違し、本件特許発明１１と引用発明１を対比すると、引用発明１は、「試料」が「非磁性試料」ではない点、「ベクトル出力」が「静電場勾配のベクトル出力」ではない点で相違していることから、本件特許発明１、１１は、甲第１号証に記載された発明でない。
　また、本件特許発明２、１０は、本件特許発明１を引用する発明であり、本件特許発明１と同様に上記相違点を有するので、本件特許発明２、１０は、甲第１号証に記載された発明でない。
イ　特許法第２９条第２項について
　上記アの相違点について検討する。
　上記甲第１号証は発明の名称には「磁性薄膜評価装置およびそれを用いた磁気ディスク製造方法」と記載され、また、上記甲第１号証の【発明が解決しようとする課題】には「【００１７】本発明の目的は、より単純な装置構成で簡便に画像が得られるローレンツ電子顕微鏡法において、面内積分磁場の２成分のみならず任意の間隔での磁力線分布を観察可能にし、観察者が容易に磁場分布状態を把握できるようにした磁性薄膜評価装置を提供することにある。」と記載されており、上記甲第２号証、さらに甲第３ないし１０号証を考慮しても、「磁性薄膜評価装置およびそれを用いた磁気ディスク製造方法」の「磁性試料」を「非磁性試料」とすること、「ベクトル出力」を「静電場勾配のベクトル出力」とすることの動機付けは存在しない。
　よって、本件特許発明１、１１に係る特許は、甲第１号証に記載された発明及び周知技術から当業者が容易に発明することができたものではない。
　また、本件特許発明２ないし１０は、本件特許発明１を引用する発明であり、そうすると、本件特許発明１と同様に、本件特許発明２ないし１０は、
甲第１号証に記載された発明及び周知技術から当業者が容易に発明することができたものではない。
ウ　特許異議申立人の意見について
　特許異議申立人は、平成３０年２月１５日に提出された意見書の「３　意見の内容」で、「甲第３号証（特開２００９−２７７６１９号公報）には、以下の記載がある。『【００２８】 また、磁性体試料に代えて、場所によって電場状態（帯電状態）が異なる試料を観察対象とし、上記の磁性体試料観察と同じ手法でその試料を観察するようにしてもよい。そうすれば、試料の電場状態を解析することができる。』甲第３号証に記載されているように、磁性体試料観察と同じ手法で、試料の電場状態を観察することは、技術常識ないし周知技術であり」、「甲第２号証には、『ベクトル場を得た後、積分ベクトル場画像を生成する段階を有するＳＴＥＭ』が記載されている。甲第２号証には、単に試料のポテンシャルと記載されているが、甲第２号証には、試料のポテンシャルとして知られている磁場ポテンシャルと静電ポテンシャルから、静電ポテンシャルを排除する記載や示唆もない。」、「したがって、本件特許発明の請求項１ないし１１は、依然として、甲第１号証ないし甲第１０号証に記載の発明により進歩性を有さず、取り消されるべきものである。」旨主張している。
　しかし、上記（１）イで説示したように、甲第１号証は「磁性薄膜評価装置およびそれを用いた磁気ディスク製造方法」であることから、甲第１号証に「非磁性試料」、「静電場勾配のベクトル出力」の周知技術を組み合わせる動機付けがなく、特許異議申立人の主張は採用されない。
（２）取消理由通知は、本件特許発明１、１１について、特許異議申立理由を採用しており、本件特許発明２ないし１０は、本件特許発明１を引用する発明である。
　よって、上記（１）で検討したとおり取消理由通知に記載した取消理由によっては、本件特許発明１ないし１１を取り消すことができないのであるから、全ての特許異議申立理由で本件特許発明１ないし１１を取り消すことはできない。
　
第４　むずび
　以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１ないし１１に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１ないし１１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成３０年６月２５日（２０１８．６．２５）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　走査透過型荷電粒子顕微鏡内で
非磁性の
　前記試料に照射するため、線源から照射体を通るように導かれる荷電粒子のビームを提供する段階と、
　前記試料を横断する荷電粒子の束を検出する検出器を提供する段階であって、前記検出器は、複数の検出セグメントを有するように構成される、段階と、
　前記試料の表面にわたって前記ビームを走査させ、走査位置の関数として前記検出器の出力を記録することで、前記試料の荷電粒子画像を蓄積する段階と、
　前記検出器の異なるセグメントからの信号を結合して、各走査位置での前記検出器からの
静電場勾配の
　前記ベクトル場に２次元積分操作を施すことにより、前記ベクトル場を数学的に処理し、これにより、スカラー場である積分ベクトル場画像を生成する段階と、
　を有することを特徴とする方法。
　【請求項２】
　前記検出器は、四分円を含むように構成され、
　前記ベクトル出力は、四分円の相補的な組の間で差分信号を計算することにより、生成される、請求項１に記載の方法。
　【請求項３】
　前記検出器は、画素のアレイを含む画素化検出器として構成され、
　前記ベクトル出力は、
　画素値を比較することで前記検出器上の前記束の重心の位置を決定する段階、
　前記検出器上の前記重心の座標位置を表す段階、
　を含む処理を用いて生成される、請求項１に記載の方法。
　【請求項４】
　前記検出器は、位置感応検出器である、請求項１に記載の方法。
　【請求項５】
　前記積分ベクトル場画像は、フィルタリング、開口角補正、デコンボリューション補正、及び上記の組み合わせを含む群から選ばれる少なくとも１つの操作を実施することにより、後処理される、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
　【請求項６】
　前記積分ベクトル場画像は、ラプラシアン操作を実施することにより、さらに操作される、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
　【請求項７】
　前記積分ベクトル場画像は、一回微分操作を実施することにより、さらに操作される、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
　【請求項８】
　前記ベクトル場（チルダ）Ｅの数学的処理は、デカルト座標（ｘ，ｙ）で、前記試料上での前記ビームの走査経路に沿って、次式
　【数２７】
で定義される目的関数Ｊの関数最小化を含むフィッティング問題として、ポテンシャルφの推定値（ハット）φを見出す段階を有する、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。
　【請求項９】
　前記関数最小化は、ポアソン解法、基底関数の再構成、Ｌｐノルムに基づく目的関数を用いた残差の最小化、Ｍ推定量（エスティメータ）を用いた残差の最小化、異方的重み付け、拡散テンソルの適用、規則化関数の適用、およびこれらの組み合わせを含む群から選ばれる少なくとも１つの手法の支援により実現される、請求項８に記載の方法。
　【請求項１０】
　前記荷電粒子が電子である、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の方法。
　【請求項１１】
　走査透過型の荷電粒子顕微鏡であって：
　
非磁性の
　荷電粒子のビームを生成する荷電粒子源と、
　前記試料が照射されるように前記ビームを誘導する照射体と、
　前記照射に応じて前記試料を横断する荷電粒子の束を検出する検出器であって、複数の検出セグメントを有するように構成された検出器と、
　前記ビームを前記試料の表面に対して走査運動させる走査手段と、
　走査位置の関数として、前記検出器の出力を記録することで、前記試料の荷電粒子画像を蓄積する制御装置と、
　を有し、
　前記制御装置は、
　各走査位置で前記検出器からの
静電場勾配の
　前記ベクトル場に２次元積分操作を施すことにより、前記ベクトル場を数学的に処理し、これにより、スカラー場である積分ベクトル場画像を生成する、
　という追加の動作を実行するように構成される、走査透過型の荷電粒子顕微鏡。