【事件の表示】
　特願２００１−２０００９８「半導体装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　７月１２日出願公開，特開２００２−１９８３７４〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１３年６月２９日（優先権主張平成１２年１０月１６日）の出願であって，平成１８年１２月４日付けで拒絶理由が通知され，平成１９年２月９日に手続補正書及び意見書が提出され，同年３月１３日付けで最後の拒絶理由が通知され，同年５月１８日に手続補正書及び意見書が提出されたが，前記同年５月１８日付け手続補正書でした明細書についての補正は同年６月１１日付けの補正の却下の決定により却下されるとともに，同日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年７月２６日に審判請求がされるとともに，同年８月２０日付けで手続補正書が提出されたものである。
　
　
第２　平成１９年８月２０日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲と発明の詳細な説明を補正するものであり，特許請求の範囲については，以下のとおりである。
　
〈補正事項ａ〉
　　・補正前の請求項１の「外部との電気的接続のための，金バンプを含むボンディングパッド」を，補正後の請求項１の「外部との電気的接続のための，第２配線層の開口部と重なる位置に形成された金バンプを含むボンディングパッド」と補正し，補正前の請求項１の「上記配線の一部がボンディングパッドと接合されている一方，他の配線と金バンプとの間に絶縁膜が形成されている」を，補正後の請求項１の「上記配線の一部がボンディングパッドと接合されている一方，他の配線と金バンプとの間に絶縁膜が形成され，
　上記絶縁膜は，ボンディングパッド側から第２配線層に加わる衝撃を緩和するための有機高分子膜を含み，
　上記有機高分子膜は，上記第２配線層の配線の一部と上記ボンディングパッドとを接合するための開口部を有し，かつ，上記開口部を囲む内壁が，第２配線層に対する傾斜角が第２配線層から離れるに従って緩くなる形状である」と補正する。
〈補正事項ｂ〉
　　・補正前の請求項１２を補正後の請求項１０に繰り上げるとともに，補正前の請求項１２の「上記絶縁膜上と上記開口部内とに金属膜を形成することにより，外部との電気的接続のための，金バンプを含むボンディングパッドを形成する工程」を，補正後の請求項１０の「上記絶縁膜上と上記開口部内とに金属膜を形成することにより，外部との電気的接続のための，第２配線層の開口部と重なる位置に形成された金バンプを含むボンディングパッドを形成する工程」と補正し，補正前の請求項１２の「ボンディングパッドを形成する工程では，少なくとも一部が上記半導体素子と重なり，かつ，絶縁膜で覆われた配線の少なくとも１本と重なるように金バンプを形成し，かつ，露出された一部の配線にボンディングパッドを接合させる」を，補正後の請求項１０の「ボンディングパッドを形成する工程では，少なくとも一部が上記半導体素子と重なり，かつ，絶縁膜で覆われた配線の少なくとも１本と重なるように金バンプを形成し，かつ，露出された一部の配線にボンディングパッドを接合させ，
　上記絶縁膜は，ボンディングパッド側から第２配線層に加わる衝撃を緩和するための有機高分子膜を含み，
　上記有機高分子膜は，上記第２配線層の配線の一部と上記ボンディングパッドとを接合するための開口部を有し，かつ，上記開口部を囲む内壁が，第２配線層に対する傾斜角が第２配線層から離れるに従って緩くなる形状である」と補正する。
〈補正事項ｃ〉
　　・補正前の請求項２，５を削除する。
〈補正事項ｄ〉
　　・補正前の請求項３を補正後の請求項２に繰り上げ，補正前の請求項３の「請求項２記載の」を，補正後の請求項２の「請求項１記載の」と補正する。
〈補正事項ｅ〉
　　・補正前の請求項４を補正後の請求項３に繰り上げ，補正前の請求項４の「請求項２または３に記載の」を，補正後の請求項３の「請求項１または２に記載の」と補正する。
〈補正事項ｆ〉
　　・補正前の請求項６を補正後の請求項４に繰り上げ，補正前の請求項６の「請求項２ないし５のいずれか１項に記載の」を，補正後の請求項４の「請求項１ないし３のいずれか１項に記載の」と補正する。
〈補正事項ｇ〉
　　・補正前の請求項７を補正後の請求項５に繰り上げ，補正前の請求項７の「請求項６記載の」を，補正後の請求項５の「請求項４に記載の」と補正する。
〈補正事項ｈ〉
　　・補正前の請求項８を補正後の請求項６に繰り上げ，補正前の請求項８の「６または７に記載の」を，補正後の請求項６の「請求項４または５に記載の」と補正する。
〈補正事項ｉ〉
　　・補正前の請求項９を補正後の請求項７に繰り上げ，補正前の請求項９の「請求項６ないし８のいずれか１項に記載の」を，補正後の請求項７の「請求項４ないし６のいずれか１項に記載の」と補正する。
〈補正事項ｊ〉
　　・補正前の請求項１０を補正後の請求項８に繰り上げ，補正前の請求項１０の「請求項８または９に記載の」を，補正後の請求項８の「請求項６または７に記載の」と補正する。
〈補正事項ｋ〉
　　・補正前の請求項１１を補正後の請求項９に繰り上げ，補正前の請求項１１の「請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の」を，補正後の請求項９の「請求項１ないし８のいずれか１項に記載の」と補正する。
　
２　補正目的の適否
（１）補正事項ａについて
　補正事項ａは，補正前の請求項１の「外部との電気的接続のための，金バンプを含むボンディングパッド」を，補正後の請求項１の「外部との電気的接続のための，第２配線層の開口部と重なる位置に形成された金バンプを含むボンディングパッド」と限定的に減縮し，補正前の請求項１の「上記配線の一部がボンディングパッドと接合されている一方，他の配線と金バンプとの間に絶縁膜が形成されている」を，補正後の請求項１の「上記配線の一部がボンディングパッドと接合されている一方，他の配線と金バンプとの間に絶縁膜が形成され，
　上記絶縁膜は，ボンディングパッド側から第２配線層に加わる衝撃を緩和するための有機高分子膜を含み，
　上記有機高分子膜は，上記第２配線層の配線の一部と上記ボンディングパッドとを接合するための開口部を有し，かつ，上記開口部を囲む内壁が，第２配線層に対する傾斜角が第２配線層から離れるに従って緩くなる形状である」と限定的に減縮したものであるから，補正事項ａは，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものである。
（２）補正事項ｂについて
　補正事項ｂは，補正前の請求項１２の「上記絶縁膜上と上記開口部内とに金属膜を形成することにより，外部との電気的接続のための，金バンプを含むボンディングパッドを形成する工程」を，補正後の請求項１０の「上記絶縁膜上と上記開口部内とに金属膜を形成することにより，外部との電気的接続のための，第２配線層の開口部と重なる位置に形成された金バンプを含むボンディングパッドを形成する工程」と限定的に減縮し，補正前の請求項１２の「ボンディングパッドを形成する工程では，少なくとも一部が上記半導体素子と重なり，かつ，絶縁膜で覆われた配線の少なくとも１本と重なるように金バンプを形成し，かつ，露出された一部の配線にボンディングパッドを接合させる」を，補正後の請求項１０の「ボンディングパッドを形成する工程では，少なくとも一部が上記半導体素子と重なり，かつ，絶縁膜で覆われた配線の少なくとも１本と重なるように金バンプを形成し，かつ，露出された一部の配線にボンディングパッドを接合させ，
　上記絶縁膜は，ボンディングパッド側から第２配線層に加わる衝撃を緩和するための有機高分子膜を含み，
　上記有機高分子膜は，上記第２配線層の配線の一部と上記ボンディングパッドとを接合するための開口部を有し，かつ，上記開口部を囲む内壁が，第２配線層に対する傾斜角が第２配線層から離れるに従って緩くなる形状である」と限定的に減縮したものであるから，補正事項ｂは，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものである。
（３）補正事項ｃについて
　補正事項ｃは，請求項の削除を目的とするものである。
（４）補正事項ｄ〜ｋについて
　補正事項ｄ〜ｋは，補正事項ｃによる請求項の削除に伴って，請求項を繰り上げ，引用する請求項を変更したものである。
　
　したがって，特許請求の範囲についての本件補正は，平成１８年法律５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
　そこで，以下，本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項に規定する独立特許要件を満たすか）どうかを，請求項１に係る発明について検討する。
　
３　独立特許要件を満たすかどうかの検討
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は，次のとおりである。
　
【請求項１】
「半導体素子が形成された領域である活性領域を有する半導体基板と，
　上記半導体基板上に形成され，上記活性領域と電気的に接続された第１配線層と，
　上記第１配線層上に層間絶縁膜を介して形成された第２配線層と，
　少なくとも一部が上記活性領域と重なるように形成された，外部との電気的接続のための，第２配線層の開口部と重なる位置に形成された金バンプを含むボンディングパッドとを備える半導体装置において，
　上記第２配線層は，上記金バンプと重なる領域内に複数の配線を有し，
　上記配線の一部がボンディングパッドと接合されている一方，他の配線と金バンプとの間に絶縁膜が形成され，
　上記絶縁膜は，ボンディングパッド側から第２配線層に加わる衝撃を緩和するための有機高分子膜を含み，
　上記有機高分子膜は，上記第２配線層の配線の一部と上記ボンディングパッドとを接合するための開口部を有し，かつ，上記開口部を囲む内壁が，第２配線層に対する傾斜角が第２配線層から離れるに従って緩くなる形状であることを特徴とする半導体装置。」
　
（２）引用例の表示
　　引用例１：特開平１−１５５６４１号公報
　　引用例２：特開平１１−８２４７号公報
　　引用例３：特開平５−２２６４０４号公報
　　引用例４：特開平１１−２９７６７４号公報
　
（３）引用例１〜４の記載及び引用発明
（３−１）引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平１−１５５６４１号公報（以下「引用例１」という。）には，「半導体集積回路装置」（発明の名称）に関して，第１図，第２図，第５図とともに，次の記載がある。（下線は当審において付加。以下同様。）
　
　　ア　発明の背景等
・「〔産業上の利用分野〕
　本発明は，半導体集積回路装置に関するものであり，特に，外部電極としてのバンプ電極を有した半導体集積回路装置に関するものである。
〔従来技術〕
　近年，半導体集積回路装置の実装密度を高めるため，外部電極としてバンプ電極が用いられるようになってきている。このバンプ電極は，最終保護膜に開口を形成して下のアルミニウム配線を露出させ，このアルミニウム配線の露出した部分に接続される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
　本発明者は，前記バンプ電極を検討した結果，次の問題点を見出した。
　半導体集積回路装置の集積密度がそれほど高くない間は，バンプ電極をアルミニウム配線に接続させるための開口の径を５０〜６０μｍ程度に大きく取ることができた。この時のバンプ電極と下のアルミニウム配線の接続抵抗値は，バンプ電極１個当り，１００ｍΩ以下と非常に小さかった。ところが，半導体集積回路装置の高集積化に伴って，バンプ電極の配置密度も高くなるため，前記バンプ電極をアルミニウム配線に接続するための開口の径が１０μｍ以下に縮小される。これによって，バンプ電極と下のアルミニウム配線との接続抵抗値が，バンプ電極１個当り１Ω以上に増大するという問題があった。
　これは，以下の理由による。アルミニウム配線には，基板中へ拡散するのを防止するためのシリコンが含有されており，またエレクトロマイグレーションを防止するための銅が含有されている。これら不純物を含有したアルミニウム膜は非常に酸化され易いため，最終保護膜に開口を形成すると，露出したアルミニウム配線の表面に酸化膜が形成される。この酸化膜が，バンプ電極とアルミニウム配線の間に介在するため，それらの接続抵抗を著しく増大させる。この酸化膜は，最終保護膜に開口を形成した後，バンプ電極を形成する以前に，スパッタエッチングによって除去されるのであるが，そのスパッタエッチング中にアルミニウム配線中に不純物が混入されたり，またスパッタ装置内に水分や酸素が残存しているため，再度酸化膜が形成されてしまう。すなわち，アルミニウム膜の表面の酸化膜を完全に除去することは不可能である。
　本発明の目的は，バンプ電極と，下の金属配線との接続抵抗値を低減することができる技術を提供することにある。」（１頁右下欄６行〜２頁右上欄１３行）
　
　　イ　実施例
・「〔発明の実施例〕
　以下，本発明の一実施例を図面を用いて説明する。
　
第１図は，半導体集積回路装置をバンプ電極のところで切断して示した断面図であり，第２図は，バンプ電極と下の金属配線との接続部分を拡大して示した断面図である
　
第１図において，１はＰ
−
型単結晶シリコンからなる基板であり
基板１の表面には，Ｎ
＋
型埋込み層４と，Ｎ
−
型コレクタ５と，Ｐ型ベース６と，Ｎ
＋
型エミッタ７と，Ｎ
＋
型コレクタ引き出し領域８とからなるバイポーラトランジスタが形成してある
９は例えばＣＶＤによる酸化シリコン膜からなる第１層目の層間絶縁膜であり，この上に例えばスパッタによるアルミニウム膜からなる第１層目の金属配線１０が延在している。金属配線１０は，接続孔１９を通して基板１の表面に接続している
金属配線１０の上は，例えば基板バイアススパッタによる酸化シリコン膜からなる第２層目の層間絶縁膜１１が覆っている。絶縁膜１１の上には，第２層目すなわち，本実施例においては最上層である金属配線１３が延在している
　第２図に示したように，前記最上層の金属配線１３は，下から，シリコンあるいはシリコンと銅を含有させたアルミニウム（Ａｌ）膜１３Ｃ，タングステン（Ｗ）膜又はモリブデン（Ｍｏ）膜からなる拡散防止膜１３Ｂ，シリコン（Ｓｉ）や銅（Ｃｕ）等の不純物を含んでいないアルミニウムあるいは金（Ａｕ）からなる接続金属層１３Ａを積層して構成したものである。拡散防止膜１３Ｂは，上の接続金属層１３Ａがアルミニウム膜１３Ｃ中へ拡散するのを防止するためのものである。アルミニウム膜１３Ｃの膜厚は，例えば１μｍ程度，拡散防止膜１３Ｂの膜厚は，例えば５００〜７００Å程度，接続金属層１３Ａの膜厚は，例えば２０００Å程度にしている。１２は金属配線１３を金属配線１０に接続するための接続孔である。
そして，金属配線１３を例えばプラズマＣＶＤによる窒化シリコン膜１４で覆い，さらにその上に，例えば基板バイアススパッタによる酸化シリコン膜からなる最終保護膜１５が覆っている。最終保護膜１５の所定の金属配線１３の上には開口１６が形成してあり，この開口１６を通して下地金属膜１７を接続させ，下地金属膜１７の上に半田バンプ電極１８が形成されている
　前記金属配線１３の最上層の接続金属層１３Ａは，シリコンや銅等の酸化し易い不純物を含ませてないアルミニウム膜，又はＡｕで形成したものであるため酸化されにくい。したがって，製造工程中に，接続金属層１３Ａの表面に酸化膜が形成されて，接続金属層１３Ａと下地金属膜１７の実効的な接続面積を減少させることがない。このため，開口１６の開口径Ｄを１０μｍ程度に縮小しても，下地金属膜１７と接続金属層１３Ａの接続抵抗値は１００ｍΩ以下の十分に小さな値にできる。
　バンプ電極１８は，例えば鉛（Ｐｂ）が９７ｗｔ％，鈴（Ｓｎ）が３ｗｔ％の半田からなっている。
　以上，説明したように，金属配線１３の最上層に酸化されにくい金属からなる接続金属層１３Ａを形成し，ここに下地金属膜１７を接続させ，この上にバンプ電極１８を設けていることにより，金属配線１３と下地金属１７を接続するための開口１６の径Ｄを１０μｍ程度に縮小しても十分に小さな接続抵抗値にすることができる。」（２頁左下欄１４行〜３頁左下欄１１行）
・「次に，第５図に示すように，例えばプラズマＣＶＤにより基板１上の全面に窒化シリコン膜１４を形成する。次に，基板バイアススパッタにより，酸化シリコン膜の堆積と，Ａｒによるエッチングを同時に行わせることにより，上面が平担な層間絶縁膜１５を形成する。次に，絶縁膜１５の上にネガレジスト膜２２を塗布し，これにホトリソ技術により所定部に開口２８を形成する。そして，層間絶縁膜１５の開口２８から露出している部分を，まず例えば弗酸とフッ化アンモニウムの１：６（容積比）の混合したエッチング液でエッチングし，この後さらにＣＦ４＋Ｏ２混合ガスを使用したプラズマエッチング法を併用して開口１６を形成する。
開口１６はテーパ状に形成される
　
　　ウ　発明の効果
・「〔発明の効果〕
　本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば，下記のとおりである。
　金属配線のバンプ電極が接続される部分に設けられる接続金属膜は，前記金属配線より酸化されにくく，その表面に酸化膜が形成されにくい。このため，バンプ電極と接続金属膜との間に酸化膜が介在することが少ないため，バンプ電極と金属配線の接続抵抗値を低減することができる。」（５頁左上欄１４行〜同頁右上欄３行）
　
　　エ　図面の記載
・第１図の第１層目の金属配線１０と接続する
接続孔１９は，基板１の表面のバイポーラトランジスタのＮ
＋
型コレクタ引き出し領域８と接続している
・第１図の
バンプ電極１８は，バイポーラトランジスタと重なるように形成されている
・第１図の
バンプ電極１８は，第２層目の金属配線１３と接続する開口１６と重なる位置に形成されている
・第１図の
第２層目の金属配線１３は，バンプ電極１８と重なる領域内に，右側の配線と左側の配線からなる複数の配線を有している
・第１図の
バンプ電極１８と重なる領域内の第２層目の金属配線１３の内の右側の配線は，バンプ電極１８に接続されており，また，バンプ電極１８と重なる領域内の第２層目の金属配線１３の内の左側の配線とバンプ電極との間には，最終保護膜１５が形成されている
　
（３−２）引用発明
　上記ア〜エによれば，引用例１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「バイポーラトランジスタが形成されたＰ−型単結晶シリコンからなる基板１と，接続孔１９を通して前記バイポーラトランジスタのＮ＋型コレクタ引き出し領域８と接続する第１層目の金属配線１０と，前記第１層目の金属配線１０の上を覆う層間絶縁膜１１と，前記層間絶縁膜１１の上に延在する第２層目の金属配線１３と，前記バイポーラトランジスタと重なるように形成され，前記第２層目の金属配線１３と接続する開口１６と重なる位置に形成されたバンプ電極１８とを備える半導体集積回路装置において，
　前記第２層目の金属配線１３は，前記バンプ電極１８と重なる領域内に複数の配線を有し，前記バンプ電極１８と重なる領域内の前記第２層目の金属配線１３の内の所定の配線は前記バンプ電極１８に接続されており，また，前記バンプ電極１８と重なる領域内の前記第２層目の金属配線１３の内の前記所定の配線以外の配線と前記バンプ電極との間には，最終保護膜１５が形成されており，前記最終保護膜１５は，前記バンプ電極１８と重なる領域内の前記第２層目の金属配線１３の内の前記所定の配線と前記バンプ電極１８とを接続するための前記開口１６を有し，前記開口１６はテーパ状に形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。」
　
（３−３）引用例２の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平１１−８２４７号公報（以下「引用例２」という。）には，「半導体装置」（発明の名称）に関して，図１，図２０，図２３とともに，次の記載がある。
　
　　ア　発明の背景等
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，例えば液晶ドライバー等に利用される半導体集積回路装置（以下，単に半導体装置と記載する）に関するものであり，特に半導体装置の電極パッド構造に関するものである。」
・「【０００８】ところで，最近では，図２０に示すように，電気回路のアクティブ素子５０上に電極パッド７０を形成する，いわゆるエリアパッド技術を用いた半導体チップが量産されている。この技術によれば，アクティブ素子５０上に電極パッド７０を形成するので，元来使用されていなかったパッド下地を有効的に利用することができ，チップの縮小化を図ることができる。また，電極パッド７０をチップ上のどの部分にも配置できるようになるので，半導体チップの設計の自由度を上げることができる。以下，この種の半導体チップのウエハ作製工程について，図２０，および図２１（ａ）ないし図２１（ｄ）に基づいて説明する。」
・「【００１６】一方，ＩＬＢ法による接合方式を用いる場合は，チタンやチタンタングステン等の高融点金属からなるバリアメタル６６をスパッタ法で２層目メタル６４およびパッシベーション膜６５ａ・６５ｂ上に形成し，その後，
電気メッキ法により金バンプ６７を形成
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】ところが，従来のエリアパッド構造の半導体チップの構成では，ワイヤボンディングやＩＬＢ時のボンディング条件が強い場合，あるいはボンディング後に外力が加わった場合に，図２３に示すように，電極パッド７０下層部が局部ダメージを受けて破壊されると共に，バリアメタル６３が第３層間絶縁膜６０ｃから剥がれるという「オープン不良」が発生し，最終的に電極パッド７０が取れて「断線不良」が発生するという品質上大きな問題が生ずる。
【００１８】その原因としては，ＳＯＧのような機械的に脆い物質からなる第２層間絶縁膜６０ｂが電極パッド７０下に存在していること，および，ＰＳＧやＢＰＳＧ等からなるバリアメタル６３と，チタンタングステン等の高融点金属からなる第３層間絶縁膜６０ｃとの密着性がないことが挙げられる。
【００１９】このように，従来の半導体チップの構成では，ボンディングの際におけるパッド下層部の破壊やパッド部の剥離といった不良の発生を防止することが十分ではない。そのため，上記不良の発生を防止し得る構造を有する半導体装置が求められている。
【００２０】本発明は，上記の問題点を解決するためになされたもので，その目的は，パッド下層部の破壊およびパッド部の剥離を防止することのできるエリアパッド構造の半導体装置を提供することにある。」
 
　　イ　実施例
・「【００６７】そして，２層目メタル１４およびパッシベーション膜１５ａ・１５ｂ上には，チタンやチタンタングステン等の高融点金属からなるバリアメタル１６が形成され，
このバリアメタル１６上に，インナーリード（図示せず）と電気的に接続される金バンプ１７が形成されている
　
（３−４）引用例３の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平５−２２６４０４号公報（以下「引用例３」という。）には，「半導体装置」（発明の名称）に関して，図１，図２とともに，次の記載がある。
　
　　ア　発明の背景等
・「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置，特にボンディングパッドの配置が改良された半導体装置に関する。」
・「【０００６】本発明は上記従来技術の有する課題に鑑みなされたものであり，その目的はチップ面積を縮小し，かつ動作スピードに優れた半導体装置を提供することにある。」
 
　　イ　実施例
・「【０００９】
【実施例】以下，図面を用いながら本発明に係る半導体装置の好適な実施例を説明する。図１には本実施例の半導体装置の断面図が示されており，また図２には本実施例の半導体装置の平面図が示されている。半導体基板１００上にはトランジスタやコンデンサ，抵抗などの回路素子が周知の技術で形成され，これら回路素子をアルミニウム線で配線して素子領域１０を形成している。
【００１０】
そして，この素子領域１０上にポリイミド等の絶縁層１０２が積層され，さらにこの絶縁層１０２上に格子状に複数のボンディングパッド１２ａが形成されてボンディングパッド領域１２が形成される
ここで，ポリイミド等の絶縁層１０２は素子領域１０とボンディングパッド領域１２とを電気的に分離するとともに，パッケージの外部リードとワイヤボンディングする際の衝撃をやわらげて素子領域が損傷するのを防ぐ緩衝層としても機能する
【００１１】このように，素子領域上にボンディングパッドを格子上に配置することにより，チップ面積を増大させることなく多数のボンディングパッドを配置することが可能となる。また，素子の直近にボンディングパッドを設けることができるので，配線長を短くすることも可能であり，配線遅延を防止することもできる。」
　
　　ウ　発明の効果
・「【００１３】
【発明の効果】以上説明したように，本発明に係る半導体装置によればボンディングパッド領域を素子領域上に形成したので，チップ面積を縮小し，ボンディングパッド数を増加させ，かつ配線長も短縮して動作スピードを向上することができる効果がある。」
　
（３−５）引用例４の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平１１−２９７６７４号公報（以下「引用例４」という。）には，「半導体装置の製造方法」（発明の名称）に関して，図１，図２とともに，次の記載がある。
　
　　ア　発明の背景等
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は，有機膜を用いた半導体装置の製造方法に関する。」
・「【０００７】この発明は，以上のような問題点を解消するためになされたものであり，有機膜が表面に存在している状態で行われるスパッタ現象を用いたクリーニングにおいて，そのクリーニングを行う処理装置内におけるゴミの発生を抑制することを目的とする。」
 
　　イ　実施例
・「【０００９】
【発明の実施の形態】以下この発明の実施の形態を図を参照して説明する。ＬＳＩのチップは，一般に，図１（ａ）に示すように，まず，トランジスタなどの素子やそれらを接続する多層配線構造が形成されている上に，酸化シリコンからなる層間絶縁膜１０１が形成されている。また，その上に最上層のアルミニウムなどからなる金属配線層１０２が形成されている。また，これを覆うように酸化シリコンからなるカバー膜１０３が形成されている。そして，その上に保護膜となるポリイミドから構成されたパシベーション膜１０４が形成された状態となっている。なお，図１では，素子や多層配線などは省略して図示していない。
【００１０】このように製造されたチップにおいて，まず，図１（ｂ）に示すように，ハンダバンプを形成する金属配線層１０２上の領域に，開口部１０５ａを有するレジストパターン１０５を形成し，このレジストパターン１０５をマスクとしてパシベーション膜１０４を選択的にエッチングする。このレジストパターン１０５の形成は，公知のフォトリソグラフィ技術により形成すればよい。また，このエッチングは，有機物であるポリイミドのエッチングなので，酸素ガスをエッチングガスとした反応性イオンエッチングにより行えばよい。この結果，パシベーション膜１０４の金属配線層１０２上の所定領域に開口部１０６が形成される。
【００１１】なお，
パシベーション膜１０４として感光性を有するポリイミドを用いる
【００１２】
次に，レジストパターン１０５を除去した後，加熱してパシベーション膜１０４を軟化させ，図１（ｃ）に示すように，開口部１０６の断面をなだらかな状態にする
【００１３】次に，図１（ｅ）に示すように，開口部１０７底部に露出した金属配線層１０２表面および，開口部１０６，１０７側面を含むパシベーション膜１０４全域に，チタンとタングステンとからなるＴｉＷをスパッタにより堆積し，ＴｉＷ膜１０８を形成する。ここで，このスパッタ成膜の直前に，基板１０１がアノード結合された状態で，アルゴンガス（不活性ガス）のプラズマを用いたスパッタクリーニングを行い，引き続き基板１０１を大気中に暴露させることなく，前述したＴｉＷ膜１０８の成膜を行う。このスパッタクリーニングでは，開口部１０７底部に露出した金属配線層１０２表面に堆積している有機膜や，形成されている自然酸化膜を除去するために行う。
【００１４】そして，この実施の形態では，そのスパッタクリーニングを行う前に，スパッタクリーニングをするプラズマ処理装置において，酸化シリコンからなるダミー基板をスパッタクリーニング処理する前処理を行うようにした。すなわち，ダミー基板をスパッタクリーニング処理してから，前述した基板１０１の開口部１０７底部に露出した金属配線層１０２表面のスパッタクリーニング処理を行うようにした。
【００１５】酸化シリコンからなるダミー基板のスパッタクリーニングでは，ダミー基板すなわち酸化シリコンがスパッタエッチされる。そして，スパッタエッチされた酸化シリコンは，プラズマ処理室の内壁や他の構造体表面に堆積し，それら表面に酸化シリコンの膜を形成することになる。ここで，この前処理は，アルゴンガスの流量３０ｓｃｃｍ，印加するＲＦパワーは３００Ｗ，処理室内の真空度は２ｍＴｏｒｒとし，また，酸化シリコンのエッチング量は，ダミー基板の膜厚量にして１０〜５０ｎｍ程度とした。
【００１６】そして，このように，酸化シリコンの膜が形成されることで，プラズマ処理室の内壁や他の構造体表面に付着していた異物が，その膜に覆われることになる。この結果，次の開口部１０７底部に露出した金属配線層１０２表面のスパッタクリーニング処理において，プラズマ処理室の内壁や他の構造体表面に付着していた異物が剥がれ落ちることが抑制されることになる。すなわち，基板１０１の開口部１０７底部に露出した金属配線層１０２表面のスパッタクリーニング処理を行うときは，プラズマ処理室内に異物発生が起こらない状態となっている。この結果，従来とは異なり，スパッタクリーニングした開口部１０７底部に露出した金属配線層１０２表面に，異物が付着する問題が発生しなくなる。
【００１７】以上のように，前処理をしてからスパッタクリーニングをした後，前述したように，ＴｉＷ膜１０８を形成する。次いで，そのＴｉＷ膜１０８の形成に引き続き，図２（ｆ）に示すように，スパッタ法によりＣｕを堆積し，ＴｉＷ膜１０８上にＣｕ膜１０９を形成する。なお，メッキ法によりＣｕ膜１０９を形成するようにしてもよい。次に，図２（ｇ）に示すように，開口部１０７上の位置を中心とした所定の領域が覆われるようにレジストパターン１１０を形成し，これをマスクとしてＣｕ膜１０９およびＴｉＷ膜１０８を選択的にエッチング除去する。次に，レジストパターン１１０を除去した後，図２（ｈ）に示すように，Ｃｕ膜１０９上にハンダバンプ１１１を形成することで，フリップチップ接続ができる状態となる。」
　
　　ウ　発明の効果
・「【００２２】
【発明の効果】以上説明したように，この発明では，絶縁性を有する有機物からなる有機絶縁膜の所定領域に開口を形成して配線層の一部表面を露出させる第１の工程と，プラズマ処理装置の処理室内に基板を載置し，不活性ガスのプラズマに暴露させて不活性ガスのイオンを基板表面に衝撃させることで少なくとも配線層の露出面をスパッタクリーニングする第２の工程とを少なくとも備え，プラズマ処理装置の処理室内に酸化シリコンからなるダミー基板を載置し，不活性ガスのプラズマに暴露させて不活性ガスのイオンをダミー基板に衝撃させてダミー基板を所定量スパッタエッチングした後で引き続き前述の第２の工程を行うようにした。したがって，スパッタクリーニングを行う第２の工程の前に，プラズマ処理装置内の内壁や構造体表面に酸化シリコンの薄膜が形成される。この結果，プラズマ処理装置内の内壁や構造体表面に付着していた異物が，酸化シリコンの薄膜で覆われるようになり，それら異物が剥がれ落ちて基板表面に付着することが抑制されるようになる。」
　
　
（４）対比
（４−１）次に，本願補正発明と引用発明とを対比する。
　　ア　引用発明の「バイポーラトランジスタが形成されたＰ−型単結晶シリコンからなる基板１」において，引用発明の「バイポーラトランジスタ」は，本願補正発明の「半導体素子」に対応するから，引用発明の「バイポーラトランジスタが形成された」部分は，本願補正発明の「半導体素子が形成された領域である活性領域」に対応し，引用発明の「Ｐ−型単結晶シリコンからなる基板１」は，本願補正発明の「半導体基板」に対応するので，引用発明の「バイポーラトランジスタが形成されたＰ−型単結晶シリコンからなる基板１」は，本願補正発明の「半導体素子が形成された領域である活性領域を有する半導体基板」に相当する。
　　イ　引用発明の「接続孔１９を通して前記バイポーラトランジスタのＮ＋型コレクタ引き出し領域８と接続する第１層目の金属配線１０」において，引用発明の「接続孔１９を通して前記バイポーラトランジスタのＮ＋型コレクタ引き出し領域８と接続する」ことは，本願補正発明の「上記活性領域と電気的に接続された」ことに対応し，引用発明の「第１層目の金属配線１０」は，本願補正発明の「第１配線層」に対応する。また，引用発明の「第１層目の金属配線１０」が引用発明の「Ｐ−型単結晶シリコンからなる基板１」の上に形成されていることは明らかである。
　したがって，引用発明の「接続孔１９を通して前記バイポーラトランジスタのＮ＋型コレクタ引き出し領域８と接続する第１層目の金属配線１０」は，本願補正発明の「上記半導体基板上に形成され，上記活性領域と電気的に接続された第１配線層」に相当する。
　　ウ　引用発明の「前記第１層目の金属配線１０の上を覆う層間絶縁膜１１」は，本願補正発明の「上記第１配線層上に」設けられた「層間絶縁膜」に対応し，引用発明の「前記層間絶縁膜１１の上に延在する第２層目の金属配線１３」は，本願補正発明の「層間絶縁膜を介して形成された第２配線層」に対応するから，引用発明の「前記第１層目の金属配線１０の上を覆う層間絶縁膜１１と，前記層間絶縁膜１１の上に延在する第２層目の金属配線１３」は，本願補正発明の「上記第１配線層上に層間絶縁膜を介して形成された第２配線層」に相当する。
　　エ　引用発明の「前記バイポーラトランジスタと重なるように形成され，前記第２層目の金属配線１３と接続する開口１６と重なる位置に形成されたバンプ電極１８」において，引用発明の「前記バイポーラトランジスタと重なるように形成され」ることは，本願補正発明の「少なくとも一部が上記活性領域と重なるように形成され」ることに対応し，引用発明の「前記第２層目の金属配線１３と接続する開口１６と重なる位置に形成された」ことは，本願補正発明の「第２配線層の開口部と重なる位置に形成された」ことに対応し，また，引用発明の「バンプ電極１８」は，外部との電気的接続のためのものであることは，明らかであり，本願補正発明の「バンプを含むボンディングパッド」に対応するから，引用発明の「前記バイポーラトランジスタと重なるように形成され，前記第２層目の金属配線１３と接続する開口１６と重なる位置に形成されたバンプ電極１８」は，本願補正発明の「少なくとも一部が上記活性領域と重なるように形成された，外部との電気的接続のための，第２配線層の開口部と重なる位置に形成された」「バンプを含むボンディングパッド」に相当する。
　　オ　引用発明の「半導体集積回路装置」は，本願補正発明の「半導体装置」に相当する。
　　カ　引用発明の「前記第２層目の金属配線１３は，前記バンプ電極１８と重なる領域内に複数の配線を有」することは，本願補正発明の「上記第２配線層は，上記」「バンプと重なる領域内に複数の配線を有」することに相当する。
　　キ　引用発明の「前記バンプ電極１８と重なる領域内の前記第２層目の金属配線１３の内の所定の配線は前記バンプ電極１８に接続されて」いることは，本願補正発明の「上記配線の一部がボンディングパッドと接合されている」ことに対応し，引用発明の「最終保護膜１５」は，本願補正発明の「絶縁膜」に対応するから，引用発明の「前記バンプ電極１８と重なる領域内の前記第２層目の金属配線１３の内の所定の配線は前記バンプ電極１８に接続されており，また，前記バンプ電極１８と重なる領域内の前記第２層目の金属配線１３の内の前記所定の配線以外の配線と前記バンプ電極との間には，最終保護膜１５が形成されて」いることは，本願補正発明の「上記配線の一部がボンディングパッドと接合されている一方，他の配線と」「バンプとの間に絶縁膜が形成され」ていることに相当する。
　
（４−２）そうすると，本願補正発明と引用発明の一致点と相違点は，次のとおりとなる。
　
《一致点》
　「半導体素子が形成された領域である活性領域を有する半導体基板と，
　上記半導体基板上に形成され，上記活性領域と電気的に接続された第１配線層と，
　上記第１配線層上に層間絶縁膜を介して形成された第２配線層と，
　少なくとも一部が上記活性領域と重なるように形成された，外部との電気的接続のための，第２配線層の開口部と重なる位置に形成されたバンプを含むボンディングパッドとを備える半導体装置において，
　上記第２配線層は，上記バンプと重なる領域内に複数の配線を有し，
　上記配線の一部がボンディングパッドと接合されている一方，他の配線とバンプとの間に絶縁膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。」
　
《相違点》
《相違点１》
　本願補正発明は，「金バンプを含むボンディングパッド」を有するのに対して，引用発明は，本願補正発明の「バンプを含むボンディングパッド」に対応する「バンプ電極１８」を有するものの，「バンプ電極１８」の材料が金である「金バンプ」ではない点。
　
《相違点２》
　本願補正発明は，「上記絶縁膜は，ボンディングパッド側から第２配線層に加わる衝撃を緩和するための有機高分子膜を含」むのに対して，引用発明は，本願補正発明の「上記絶縁膜」に対応する「最終保護膜１５」が，衝撃を緩和するための有機高分子膜を含むものではない点。
　
《相違点３》
　本願補正発明は，「上記有機高分子膜は，上記第２配線層の配線の一部と上記ボンディングパッドとを接合するための開口部を有し，かつ，上記開口部を囲む内壁が，第２配線層に対する傾斜角が第２配線層から離れるに従って緩くなる形状である」のに対して，引用発明は，「前記最終保護膜１５は，前記バンプ電極１８と重なる領域内の前記第２層目の金属配線１３の内の前記所定の配線と前記バンプ電極１８とを接続するための前記開口１６を有し，前記開口１６はテーパ状に形成されている」ものの，本願補正発明のこのような構成を有していない点。
　
（５）相違点についての判断
（５−１）相違点１について
　　例えば，引用例２に従来の技術として，「電気メッキ法により金バンプ６７を形成」すること（段落【００１６】，図２０，図２３を参照），及び実施例として，「このバリアメタル１６上に，インナーリード（図示せず）と電気的に接続される金バンプ１７が形成されている」（段落【００６７】，図１を参照）ことが記載されているように，バンプとして金バンプを用いることは，当該技術分野の慣用技術である。
　　それゆえ，引用発明の「バンプ電極１８」として，当該技術分野の慣用技術である金バンプを採用することは，当業者が適宜なし得た程度のことである。
　
（５−２）相違点２について
　　ア　引用例３には，「そして，この素子領域１０上にポリイミド等の絶縁層１０２が積層され，さらにこの絶縁層１０２上に格子状に複数のボンディングパッド１２ａが形成されてボンディングパッド領域１２が形成される。」，及び「ここで，
ポリイミド等の絶縁層１０２は
パッケージの外部リードとワイヤボンディングする際の衝撃をやわらげて素子領域が損傷するのを防ぐ緩衝層としても機能する
　　イ　ここで，上記アの記載とともに引用発明の構成を見ると，バンプ電極１８が右側の第２層目の金属配線１３と重なるように形成され，さらに当該配線がバイポーラトランジスタと重なるように形成されていることから，引用発明に係る半導体集積回路装置の実装時において，バンプ電極１８を介して右側の第２層目の金属配線１３に，さらに当該配線を介して前記バイポーラトランジスタに機械的な衝撃が加わることは当業者に明らかな事項である。それゆえ，そのような機械的な衝撃を緩和するために，引用発明に対して上記引用例３に記載された技術を適用して，最終保護膜１５を「ポリイミド等の絶縁層」により構成し，本願補正発明に係る「上記絶縁膜は，ボンディングパッド側から第２配線層に加わる衝撃を緩和するための有機高分子膜を含」むようにすることは，当業者が適宜になし得たことである。
　
（５−３）相違点３について
　　ア　例えば，引用例４に，「なお，
パシベーション膜１０４として感光性を有するポリイミドを用いる
開口部１０６の断面をなだらかな状態にする
　
　周知例：特開昭６３−１０４４２５号公報
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開昭６３−１０４４２５号公報には，第１図とともに次の記載がある。
・「Ｅ．実施例
　第１ａ図には，半導体チップの一部の断面図が示されている。基板２０は，金属の付着または他のタイプのデバイス相互接続線の形成に先立って処理された半導体チップの一部をあらわす。基板２０上には既に第１レベルのメタラージ（金属）２２が付着されている。第１レベルのメタラージのためにどのような金属を選択するかは本発明にとって重要ではなく，通常使用されている任意の金属でよい。ＶＬＳＩの設計においては，複数レベルの相互接続メタラージが必要とされることがきわめて一般的である。金属レベル間のショートを防止するために，金属レベル間には絶縁またはパシベーション層が付着される。この最良の態様においては，約０．２〜１．０μｍ厚の窒化シリコンの共形層２４が基板２０及び金属線２２上に先ず付着される。窒化シリコンを付着する方法としては，ＣＶＤまたはこの目的に一般的に使用される他の技術がある。窒化シリコン層２４上には，ポリイミドの平坦化層２６が付着される。このポリイミドは，この分野でよく知られているように，０．４〜２．５μｍ厚の範囲でスピンまたはスプレー被覆される。
　第１の金属２２とその後のレベルの金属（図示しない）との間に電気的接続をはかるために，第１ａ図点線３０で示したプロフィールをもつ，
窒化シリコン層２４とポリイミド層２６を貫通するバイア
尚，バイアのなだらかな傾斜は，連続的な金属の被覆を保証するために必要である
　　イ　ここで，周知例に記載された「バイアのなだらかな傾斜」に関して，周知例の第１ａ図及び第１ｅ図を見ると，バイアの内壁の形状は，該内壁の金属２２の上面に対する傾斜角が，前記金属２２から離れるに従って緩くなる形状となっていることが明らかである。
　また，引用例４に記載された「次に，レジストパターン１０５を除去した後，加熱してパシベーション膜１０４を軟化させ，図１（ｃ）に示すように，開口部１０６の断面をなだらかな状態にする」（段落【００１２】）に関して，引用例４の図１（ｃ）を見ると，「保護膜となるポリイミドから構成されたパシベーション膜１０４」の「開口部１０６の断面」は，一見，単純なテーパー形状として表されている。しかしながら，引用例４の図１（ｂ）に示されているように略垂直であった開口部１０６の断面を「加熱してパシベーション膜１０４を軟化させ，」「開口部１０６の断面をなだらかな状態にする」というプロセスを考慮すると，開口部１０６の断面は，軟化に伴う表面張力の作用により，実際には単純テーパー形状よりも凸状にふくらみを持っており，すなわち，開口部１０６内壁の形状は，該内壁の金属配線層１０２の上面に対する傾斜角が，前記金属配線層１０２から離れるに従って緩くなる形状となっていると見るのが自然である。
　　ウ　そうすると，引用発明において，最終保護膜１５を「ポリイミド等の絶縁層」により構成するにあたり，「前記バンプ電極１８と重なる領域内の前記第２層目の金属配線１３の内の前記所定の配線と前記バンプ電極１８とを接続するための前記開口１６」を形成するに際して，上記周知の技術を採用して，本願補正発明に係る「上記有機高分子膜は，上記第２配線層の配線の一部と上記ボンディングパッドとを接合するための開口部を有し，かつ，上記開口部を囲む内壁が，第２配線層に対する傾斜角が第２配線層から離れるに従って緩くなる形状である」構成を備えるようにすることは，当業者が適宜になし得たことである。
　
（６）以上のとおり，上記相違点１〜３に係る構成とすることは，当業者が容易に想到できたものである。
　
　したがって，本願補正発明は，引用発明および引用例２〜４の記載，並びに周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４　以上の次第で，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に違反するので，同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により，却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明
１　以上のとおり，本件補正（平成１９年８月２０日に提出された手続補正書による補正）は却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，本件補正前の請求項１（平成１９年２月９日に提出された手続補正書により補正された請求項１）に記載された，次のとおりのものである。
　
【請求項１】
「半導体素子が形成された領域である活性領域を有する半導体基板と，
　上記半導体基板上に形成され，上記活性領域と電気的に接続された第１配線層と，
　上記第１配線層上に層間絶縁膜を介して形成された第２配線層と，
　少なくとも一部が上記活性領域と重なるように形成された，外部との電気的接続のための，金バンプを含むボンディングパッドとを備える半導体装置において，
　上記第２配線層は，上記金バンプと重なる領域内に複数の配線を有し，
　上記配線の一部がボンディングパッドと接合されている一方，他の配線と金バンプとの間に絶縁膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。」
　
２　引用例１の記載，引用発明と，引用例２〜４の記載については，前記第２，３，（３−１）〜（３−５）において認定したとおりである。
　
３　対比・判断 
　前記第２，１〈補正事項ａ〉及び前記第２，２，（１）で検討したように，本願補正発明は，本件補正前の発明の「外部との電気的接続のための，金バンプを含むボンディングパッド」を，「外部との電気的接続のための，第２配線層の開口部と重なる位置に形成された金バンプを含むボンディングパッド」と限定し，また，本件補正前の発明の「上記配線の一部がボンディングパッドと接合されている一方，他の配線と金バンプとの間に絶縁膜が形成されている」を，「上記配線の一部がボンディングパッドと接合されている一方，他の配線と金バンプとの間に絶縁膜が形成され，　上記絶縁膜は，ボンディングパッド側から第２配線層に加わる衝撃を緩和するための有機高分子膜を含み，　上記有機高分子膜は，上記第２配線層の配線の一部と上記ボンディングパッドとを接合するための開口部を有し，かつ，上記開口部を囲む内壁が，第２配線層に対する傾斜角が第２配線層から離れるに従って緩くなる形状である」と限定したものである。逆に言えば，本件補正前の発明（本願発明）は，本願補正発明から，上記の限定をなくしたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである本願補正発明が，前記第２，３において検討したとおり，周知技術を勘案することにより，引用発明及び引用例２〜４の記載に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第４　結言 
　以上のとおり，本願発明は，引用発明及び引用例２〜４の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により，特許を受けることができない。 
　したがって，本願は，他の請求項について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。