【事件の表示】
　特願２００３−５６５２１６「構成要素をベースに埋め込み接触を形成する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　８月　７日国際公開、ＷＯ０３／６５７７８、平成１７年　６月　９日国内公表、特表２００５−５１７２８７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００３年　１月２８日（パリ条約による優先権主張：２００２年　１月３１日、フィンランド国）を国際出願日とする出願であって、平成２０年１１月　４日付けで拒絶理由通知がなされ、平成２１年　３月１１日付けで特許請求の範囲について手続補正がなされ、平成２１年　３月３１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２１年　８月　５日付けで拒絶査定不服の審判請求がなされた。
　　　　　
２．本願発明
　本願の請求項１〜２０に係る発明は、平成２１年　３月１１日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜２０に記載された事項により特定されるとおりのものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものと認める。
　
「【請求項１】
　マイクロ回路をベースに埋め込み、前記マイクロ回路との電気的接触を形成する方法であって、
　前記ベースとしてベース板を選択するステップと、
　前記ベース板においてホールを形成するステップと、
　前記ホール内にマイクロ回路を、前記マイクロ回路がその第１の表面において電気的接触を形成する接触領域又は接触突起を有するように配置するステップと、
　前記ベース板において形成された前記ホール内の前記マイクロ回路をその場所に固定するステップと、
　前記ベースの少なくとも１つの表面において形成された絶縁層を、前記絶縁層が前記マイクロ回路を覆うように形成するステップと、
　前記絶縁層において前記マイクロ回路に関する接触開口を形成するステップと、
　導体を、前記接触開口まで、前記絶縁層の上部において、前記マイクロ回路との電気的接触を形成するために形成するステップとを含むマイクロ回路をベースに埋め込み、前記マイクロ回路との電気的接触を形成する方法において、
　前記ベース板において導電パターンを形成するステップと、
　前記ベース板において形成された導電パターンに関連して前記ホールの位置を選択し、
前記マイクロ回路を整列させるステップと、
　テープ又はテープのようなフィルムを前記ベース板の第２の表面上に積層するステップと、
　前記マイクロ回路を前記ベース板に形成されたホール中に前記ベース板の第１の表面側から配置し、前記マイクロ回路の第１の表面が前記テープ又はテープのようなフィルムに向かい合って位置すると共に、前記ベース板の第２の表面と同じレベルになるようにするステップと、
　前記ベース板において形成されたホール中の前記マイクロ回路を、前記ホールを充填材料で満たすことによって、その場所で固定するステップと、
　前記マイクロ回路を固定した後、前記ベース板の第２の表面上に積層された前記テープ又はテープのようなフィルムを除去するステップとを含むことを特徴とするマイクロ回路をベースに埋め込み、前記マイクロ回路との電気的接触を形成する方法。」
　
３．引用刊行物記載の発明
（１）引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本願のパリ条約による優先権主張の日前である平成１３年１２月１４日に頒布された特開２００１−３４５５６０号公報（以下、「引用例」という。）には、「配線基板およびその製造方法、並びに電子部品」（発明の名称）が記載され、図面とともに、以下の記載がある。
　
（引ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電子部品を内蔵した配線基板およびその製造方法、並びに、この配線基板への内蔵に適した電子部品に関する」
　
（引イ）「【００３８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施例を図面と共に説明する。図１（ａ）は、実施例の方法により製造される配線基板１の内部構成を説明する図である。なお、本実施例の配線基板１は、分割により複数の回路基板（縦横約４０ｍｍ×４０ｍｍ）となる多数個取りの配線基板（縦横約３３０ｍｍ×３３０ｍｍ）である。
【００３９】図１（ａ）に示すように、この配線基板１においては、厚さ０．８ｍｍ程の、ガラス−エポキシ樹脂複合材料製の絶縁性基板である配線基板本体３の表裏の両面（第１主面３ａ及び第２主面３ｂ）には、厚さ約２５μｍ程度の第１導体層５ａ，５ｂが形成されている。
【００４０】配線基板本体３には、両主面３ａ，３ｂの一方から他方に貫通する貫通孔９の内壁にメッキが施された直径約２５０μｍ程度のスルーホール１１が形成されている。このスルーホール１１により、第１主面３ａ上の第１導体層５ａと第２主面３ｂ上の第１導体層５ｂとは相互に接続されている。なお、スルーホール１１の内部には樹脂が充填されている。
【００４１】また、配線基板本体３には電子部品を配置する「収容部」としての貫通孔２１（縦横約１２ｍｍ×１２ｍｍ）が形成されており、その内部には電子部品として複数のコンデンサ素子１３（約３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．７ｍｍ）が設けられている。コンデンサ素子１３は、ＢａＴｉＯ3を主成分とする高誘電体セラミックから成る素子本体（電子部品本体）１５と、Ｃｕからなる外部接続部１４と、Ｎｉからなる内部電極層（図１では図示しない）から構成されている。
【００４２】貫通孔２１の内部において、コンデンサ素子１３は、硬化した充填樹脂４により固定されている。コンデンサ素子１３は、配線基板１に設けられることとなるＩＣチップ１６にて発生されるスイッチングノイズの抑制や、またＩＣチップ１６に供給すべき動作電源電圧の安定化などを図るためのものである。
【００４３】そして第１導体層５ａ，５ｂの上には、第１層間絶縁層１０３ａ，１０３ｂ（厚さ約３０μｍ程度）が積層され、更に、第１層間絶縁層１０３ａ，１０３ｂの上には、第２導体層１０５ａ，１０５ｂ（厚さ約１５μｍ程度。幅約２５μｍ程度）が形成されている。即ち、この第１導体層５ａ（５ｂ）と第２導体層１０５ａ（１０５ｂ）とは、第１層間絶縁層１０３ａ（１０３ｂ）を間に挟んで積層されている。また第１導体層５ａ（５ｂ）と第２導体層１０５ａ（１０５ｂ）とは、第１層間絶縁層１０３ａ（１０３ｂ）に形成された開口径約５０μｍ程度のフィルドビア１０４ａ（１０４ｂ）、１１５ａ（１１５ｂ）により接続されている。このフィルドビア１０４ａ（１０４ｂ）、１１５ａ（１１５ｂ）は、請求項の「バイアホール導体」に相当する。
【００４４】そして第２導体層１０５ａ，１０５ｂの上には更に第２層間絶縁層１０７ａ，１０７ｂが積層されている。この内、第１主面３ａ側の第２層間絶縁層１０７ａの上には、破線で示すＩＣチップ１６と配線基板１の配線とを接続するためフリップチップパッド１１１が多数形成され、各フリップチップパッド１１１上には、高温はんだから成る略半球状のフリップチップバンプ１１２が形成されている。なお第１主面３ａ側の第２層間絶縁層１０７ａ上において、フリップチップパッド１１１の周囲には、フリップチップバンプ１１２の形成時に、フリップチップパッド１１１の周囲に半田が流れ出すのを防ぐためのソルダレジスト層１０９ａ（厚さ約２０μｍ程度）が形成されている。
【００４５】一方、第２主面側の第２層間絶縁層１０７ｂの上には、マザーボードなどの他の配線基板の配線と、当該配線基板１の配線と接続するためのＬＧＡパッド１１３が多数形成されている。そして、第２主面３ｂ側の第２層間絶縁層１０７ｂ上において、ＬＧＡパッド１１３の周囲にもソルダレジスト層１０９ｂが形成されている。
【００４６】なお、第１主面３ａ側において第２導体層１０５ａとフリップチップパッド１１１とは、第２層間絶縁層１０７ａに形成されたフィルドビア１１７ａにより互いに接続されている。そして、第２主面３ｂ側において、第２導体層１０５ｂとＬＧＡパッド１１３とは、第２層間絶縁層１０７ｂに形成されたフィルドビア１１７ｂを介して互いに接続されている。この様に層間接続にフィルドビアを用いることで、コンデンサ素子の外部接続部１４とフリップチップパッド１１１を一直線で結ぶことができる（即ち、スタックトビアを形成できる）。そのため、ＩＣチップ１６とコンデンサ素子１３とを短い距離で結ぶことが可能となり、電気的特性の向上を図ることが可能となる。」
　
（引ウ）「【００５５】さて、以上の構成のコンデンサ素子１３を内蔵した配線基板１を、どの様に製造するか、その方法について、図３を参照しながら説明する。図３は、１つの貫通孔２１の近傍を拡大して示している。図３（ａ）に示す様に、配線基板本体３としては、予め銅張積層板の一部として構成されたものを使用すると好ましい。銅張積層板は、樹脂製の絶縁性基板の両面に銅箔を載せ、加熱および加圧により、絶縁性基板に銅からなる導体層２０ａ，２０ｂを積層したものである。なお、配線基板本体３として、こうした導体層２０ａ，２０ｂが積層されていない絶縁性基板を使用しても良い。
【００５６】そして、この配線基板本体３に、スルーホール１１を構成するための貫通孔９を多数個形成（例えばドリルにより）すると共に、コンデンサ素子１３を配置するための貫通孔２１を形成（例えばパンチングにより）する。貫通孔９や、貫通孔２１は、レーザ（ＣＯ2、ＹＡＧ、エキシマ等）で穿孔することとすれば、径を小さくすることも可能である。なお、図１（ａ）に示す他、配線基板１には、多数の貫通孔２１が形成される。
【００５７】次に図３（ｂ）に示す様に、電子部品配設用の貫通孔２１の開口部の一方（第２主面３ｂ側の開口部２１ａ）を、片面にシリコン系の粘着剤２４を有するポリイミドからなるシート材２３で覆う。その際、粘着剤２４を有する面２３ａが配線基板本体３側に向けられ、シート材２３は配線基板本体３に張り付けられる。
【００５８】このとき、粘着剤２４は、貫通孔２１の内側に露出する。また、配線基板１には多数の貫通孔２１が形成されているが、これらの開口部２１ａを１枚のシート材２３で覆う。シート材２３で貫通孔２１を塞いだ後、図３（ｃ）に示す様に、コンデンサ素子１３を、粘着剤２４を介してシート材２３に粘着するよう、貫通孔２１の内部に配置する。なお、これが、請求項の「配置工程」に相当する。
【００５９】この際、コンデンサ素子１３は、その外部接続部１４の部分にてシート材２３に粘着すると共に、その素子本体１５とシート材２３との間には充填樹脂４が流入可能な隙間が形成されるよう配置される。また、外部接続部１４は互いに反対方向に向いている端部１４ａ，１４ｂを備えており、各端部１４ａ，１４ｂが夫々第１主面３ａ側、第２主面３ｂ側に向けられる。ここでは、第１主面３ａ方向に向けられる端部が上端部１４ａであり、第２主面３ｂ側に向けられる端部が下端部１４ｂである。
【００６０】また、コンデンサ素子１３を貫通孔２１内に配置する際、コンデンサ素子１３の位置は、次の様に調整される。即ち、外部接続部１４の上端（図３（ｃ）中、Ａ１で示す）が第１主面３ａを基準面（Ｂ１で示す）として上側に位置し、素子本体１５の上端（Ｃ１で示す）は、第１主面３ａを基準面（Ｂ１）として下側に位置し、そして、外部接続部１４の下端（Ａ２で示す）が第２主面３ｂを基準面（Ｂ２で示す）として下側に位置し、更に、素子本体１５の下端（Ｃ２で示す）が第２主面３ｂを基準面（Ｂ２）として上側に位置する。このような位置関係が形成されるようコンデンサ素子１３を配設するのである。
【００６１】以上の様にして貫通孔２１の内部にコンデンサ素子１３を配置した状態とした上で、図３（ｄ）の様に、貫通孔２１の内部に充填樹脂４を注入し、充填樹脂４を硬化させる。これは、請求項の「固定工程」に相当する。これにより、配線基板本体３の内部に電子部品としてのコンデンサ素子１３が埋設されることとなる。また、コンデンサ素子１３の素子本体１５とシート材２３との間にも、充填樹脂４が充填される。充填樹脂４を貫通孔２１に注入した後、硬化させる前には、充填樹脂４から真空脱泡により気泡を抜く。
・・・（略）・・・
【００６９】さて充填樹脂４を硬化させた後、次に、シート材２３を、コンデンサ素子１３の外部接続部１４、充填樹脂４および配線基板本体３（詳しくは、導体層２０ａ）から除去し、その後、充填樹脂４および配線基板本体３の各主面３ａ，３ｂを、ベルトサンダーにより研磨する（図３（ｅ））。これは、請求項の「研磨工程」に相当する。
【００７０】第１主面３ａ側における充填樹脂４の研磨によって、外部接続部１４の上端部１４ａが、第１主面３ａ側から充填樹脂４の外部に露出される。第２主面３ｂ側からは、シート材２３の除去によって、外部接続部１４の下端部１４ｂが、充填樹脂４の外部に露出される。また、コンデンサ素子１３の素子本体１５は、充填樹脂４の中に埋没した状態となっている。
【００７１】また、各主面３ａ，３ｂの研磨の際には、コンデンサ素子１３の周囲に形成した充填樹脂４が平坦化されると共に、導体層２０ａ，２０ｂの表面と充填樹脂４の表面との高さが揃えられる。即ち、第１主面３ａ側において、導体層２０ａと充填樹脂４とが同一平面をなすと共に、第２主面３ｂ側においても導体層２０ｂと充填樹脂４とが同一平面をなすこととなる。その結果、両主面３ａ，３ｂ上には、周知のビルドアップ法により、平坦な導体層および層間絶縁層を形成することが可能となる。」　
　
（引エ）「【００８０】さて、以上の様に各主面３ａ，３ｂ側を研磨した後、次に図３（ｆ）に示す様に、スルーホール１１の形成、及び、各主面３ａ，３ｂ上への第１導体層５ａ，５ｂの形成を行う。第１導体層５ａ，５ｂの形成は、次の様にして行われる。即ち、貫通孔２１内にコンデンサ素子１３を内蔵した配線基板本体３全体に、Ｃｕにて無電解メッキを施した後、更にＣｕにて電解メッキを施すことにより、配線基板本体３全体にパネルめっきを行う。そして、エッチングによって導体層の不要部分を除去することにより、第１導体層５ａ，５ｂを形成する。
【００８１】なお、パネルめっきの際には、コンデンサ素子１３の外部接続部１４の露出部分にもメッキが形成される。即ち、外部接続部１４は、メッキにより、配線基板１の配線（ここでは、第１導体層５ａ，５ｂ）と接続されることになる。しかも、その接続は、配線の形成と同時に実現される。
・・・（略）・・・
【００８５】以上の様な第１導体層５ａ，５ｂの形成後、第１主面３ａ側及び第２主面３ｂ側において、充填樹脂４、第１導体層５ａ，５ｂ並びに上端部１４ａ及び下端部１４ｂの上に、エポキシ樹脂を主成分とするフィルム化された感光性樹脂を貼付する。そして、この感光性樹脂を露光・現像することにより、上端部１４ａ及び下端部１４ｂを露出すべき位置にビアホールを形成し、感光性樹脂を硬化させて、第１層間絶縁層１０３ａ，１０３ｂを形成する。なお、ビアホールは、第１層間絶縁層１０３ａ，１０３ｂを感光性のない樹脂で形成した後、レーザなどを用いて穿設しても良い。
【００８６】さらに、Ｃｕにて無電解メッキおよび電解メッキを施し、第１層間絶縁層１０３ａ、１０３ｂに形成したビアホールに導電体を充填すると共に、パネルメッキを行ってメッキ層を形成する。このメッキ層の上にドライフィルムを貼り付け、露光現像してエッチングレジストを形成し、メッキ層の内の不要部分をエッチングにより除去する。これにより、第２導体層１０５ａ、１０５ｂから成る配線が形成される。なお、導体層の形成には、周知のサブトラクティブ法の他、フルアディティブ法やセミアディティブ法を用いてもよい。
【００８７】以降は、同様にして第２層間絶縁層１０７ａ，１０７ｂ、フィルドビア１１７ａ，１１７ｂ、フリップチップパッド１１１（ＬＧＡパッド１１３）を順に形成し、その後ソルダレジスト層１０９ａ，１０９ｂを形成する。そして、ソルダレジスト層１０９ａから露出したフリップチップパッド１１１の上には、Ｎｉ−Ａｕメッキ層を形成し、更にハンダペーストを塗布しリフローすることで、フリップチップバンプ１１２を形成する。以上、第１導体層５ａ，５ｂ、第２導体層１０５ａ、１０５ｂなどを形成する工程が、請求項の「配線形成工程」に相当する。なお、フィルドビア１１７ａ，１１７ｂの一部は、フィルドビア１１５ａ，１１５ｂ等の直上に形成される。」
　
（引オ）「【０１１３】また、上記実施例では、電子部品として、コンデンサ素子１３を配線基板に内蔵するものとして説明したが、これに限らず、チップ状の抵抗体、インダクタ、フィルタ（ＳＡＷフィルタ、ＬＣフィルタ等）、カプラ、ダイプレクサ、アンテナスイッチモジュール等の受動部品や、トランジスタ、メモリ、ローノイズアンプ（ＬＮＡ）、ＦＥＴ等の能動部品など、各種の電子部品を内蔵させてもよい。」
　
　すなわち、引用例には、
「絶縁性基板に銅からなる導体層２０ａ、２０ｂを積層した配線基板本体３に、スルーホール１１を構成するための貫通孔９を多数個形成するステップと、
　配線基板本体３に、電子部品であるコンデンサ素子１３を配置するための貫通孔２１を形成するステップと、
　電子部品配設用の貫通孔２１の開口部の一方を、シリコン系の粘着剤２４を片面に有する面２３ａを配線基板本体３側に向けて、ポリイミドからなるシート材２３で覆って、シート材２３は配線基板本体３に張り付けるステップと、
　コンデンサ素子１３を、粘着剤２４を介してシート材２３に粘着するように、貫通孔２１の内部に配置するステップと、
　貫通孔２１の内部に充填樹脂４を注入し、充填樹脂４を硬化させ、配線基板本体３の内部に電子部品としてのコンデンサ素子１３を埋設するステップと、
　シート材２３を、コンデンサ素子１３の外部接続部１４、充填樹脂４及び配線基板本体３から除去するステップと、
　充填樹脂４及び配線基板本体３の各主面３ａ、３ｂを、ベルトサンダーにより研磨し、外部接続部１４の上端部１４ａを、第１主面３ａ側から充填樹脂４の外部に露出させ、外部接続部１４の下端部１４ｂを充填樹脂４の外部に露出させるステップと、
　配線基板本体３全体にパネルめっきを行い、エッチングによって導体層の不要部分を除去して、各主面３ａ、３ｂ上への第１導体層５ａ、５ｂを形成し、コンデンサ素子１３の外部接続部１４の露出部分にもメッキが形成されて、配線基板１の配線である第１導体層５ａ、５ｂと接続するステップと、
　第１主面３ａ側及び第２主面３ｂ側において、充填樹脂４、第１導体層５ａ，５ｂ並びに上端部１４ａ及び下端部１４ｂの上に、エポキシ樹脂を主成分とするフィルム化された感光性樹脂を貼付するステップと、
　この感光性樹脂を露光・現像することにより、上端部１４ａ及び下端部１４ｂを露出すべき位置にビアホールを形成し、感光性樹脂を硬化させて、第１層間絶縁層１０３ａ，１０３ｂを形成するステップと、
　Ｃｕにて無電解メッキおよび電解メッキを施し、第１層間絶縁層１０３ａ、１０３ｂに形成したビアホールに導電体を充填すると共に、パネルメッキを行ってメッキ層を形成するステップと、
　このメッキ層の上にドライフィルムを貼り付け、露光現像してエッチングレジストを形成し、メッキ層の内の不要部分をエッチングにより除去して、第２導体層１０５ａ、１０５ｂから成る配線を形成するステップと有する、
　配線基板１を製造する配線基板の製造方法」（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　また、電子部品は、コンデンサ素子に限定されるものではなく、メモリ等の各種の電子部品であってもよいことも記載されている。
　
（２）周知例１
　原審の拒絶の査定の理由で引用された本願のパリ条約による優先権主張の日前である平成１３年１０月　５日に頒布された特開２００１−２７４０３４号公報（以下、「周知例１」という。）には、「電子部品パッケージ」（発明の名称）が記載され、図面とともに、以下の記載がある。
　
（周１ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品パッケージに関し、さらに詳細には半導体チップ、コンデンサ、インダクタ等の電子部品をコア材中に埋め込んで搭載した電子部品パッケージに関する。」
　
（周１イ）「【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る電子部品パッケージの好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
（第１の実施の形態）電子部品パッケージ１０の構造について説明する。コア材１２には凹部１４が形成されている。本実施の形態では、コア材１２は、銅等の導電性金属を板状に形成したものである。そしてこの凹部１４はルーター等の機器を使用してコア材１２の表面を削って形成したり、またエッチングで形成する。また、凹部１４の平面形状は、凹部１４に埋め込まれる電子部品の大きさを考慮して、電子部品が収容可能な形状に設定されている。電子部品パッケージ１０に搭載される電子部品の平面形状は通常四角形であるため、凹部１４の平面形状もこれに合わせて四角形とするのが一般的であるが、これに限定されることは無く、円形や四角形以外の多角形とすることも可能である。
【００１０】また、凹部１４の深さは、ノイズに対するシールド効果を高めるために、電子部品が完全に収容され、電子部品が凹部１４から突出しない程度の深さが望ましいが、これに限定されるものではない。また、コア材１２には凹部１４のほか、コア材１２の表面および裏面に配置された配線層１６同士を電気的に接続するビア１８を通すための貫通孔２０が、凹部１４と同様の手段によって形成されている。
【００１１】そして、凹部１４内には電子部品の一例として半導体チップ２２が埋め込まれている。半導体チップ２２の埋め込み構造は、半導体チップ２２をその電極（電極端子とも言う）２４が形成された面（以下、電極端子形成面とも言う）を凹部１４の開口側にむけて、逆側の面（背面）を凹部１４の底面に接着剤２６を用いて接着して凹部１４に収容・固定する。
【００１２】そしてコア材１２の表裏両面には、電気的絶縁層（以下、単に絶縁層とも言う）２８と配線層１６とが、この順番で、凹部１４の開口側のコア材１２の表面に、凹部１４を覆うように多層に積層されて形成されている。そして、各配線層１６は、絶縁層２８やコア材１２を貫通するビア１８によって電気的に接続されている。本実施の形態では、コア材１２の表裏両面に、絶縁層２８と配線層１６とがそれぞれ一例として２層ずつ積層されて形成されているが、３層以上の場合も考え方は同じである。絶縁層２８は、第１絶縁層２８ａとその上層の第２絶縁層２８ｂとから成る。また、配線層１６は、第１絶縁層２８ａの表面に形成された第１配線層１６ａと、第２絶縁層２８ｂの表面に形成された第２配線層１６ｂとから成る。また、ビア１８は、コア材１２の一方の面側に配置された絶縁層２８を貫通し、この一方の面側に配置された配線層１６同士、または配線層１６とコア材１２、または配線層１６と半導体チップ２２の電極端子２４を電気的に接続する第１ビア１８ａと、コア材１２の貫通孔２０を貫通してコア材１２の表裏に形成された配線層１６同士を電気的に接続する第２ビア１８ｂとから構成されている。
【００１３】そして、第２絶縁層２８ｂや第２配線層１６ｂの表面には、電子部品パッケージ１０に搭載される半導体チップ３０のバンプ３２や電子部品パッケージ１０の外部接続端子３４が取り付けられるランド部となる第２配線層１６ｂの所定の部位のみが露出するように、ソルダーレジストによる被覆層３６が形成されている。以上が、電子部品パッケージ１０の構成である。なお、第２配線層１６ｂのランド部に外部接続端子３４を取り付けた状態で電子部品パッケージ１０とすることもある。また、コア材１２に形成する凹部１４の数は２つ以上形成し、複数の電子部品をコア材１２中に埋め込む構成としても良いし、コア材１２の一方の表面だけでなく、両面に凹部１４を形成して電子部品を埋め込む構造とすることも可能であり、さらなる高密度化が図れる。」
　
（３）周知例２
　本願のパリ条約による優先権主張の日前である平成　９年１２月１２日に頒布された特開平９−３２１４０８号公報（以下、「周知例２」という。）には、「電子回路基板の高密度実装構造」（発明の名称）が記載され、図面とともに、以下の記載がある。
　
（周２ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子回路基板の高密度実装構造に関し、特に、半導体チップやＳＭＤ（表面実装デバイス）およびＭＣＭ（小型チップモジュール）などをプリント基板へ高密度に実装するのに使用して好適な電子回路基板の高密度実装構造に関する。」
　
（周２イ）「【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面にもとづいて本発明の実施形態を説明する。図１（ａ）〜（ｄ）及び図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態にかかる電子回路基板の高密度実装構造の製造過程を断面図により示している。同図において、電子部品である半導体チップ１０は半導体を内蔵する矩形状のモジュールであり、図３に示すように、裏面にはボンディングパッドとなる接続端子１１を形成してある。この接続端子１１上には金のスタッドバンプ１２をボンディングにより形成してある。
【００１７】このスタッドバンプ１２は、図２に拡大して示すように、タマネギ状をしており、ボールの部分は径で約８０μｍ、高さ約２５μｍ、部分的に突き出た部分はワイヤーの太さ２５μｍ、長さが約３０μｍである。なお、スタッドバンプ１２は、ワイヤーボンディングを行なうマシーンにてソフト的にキャピラリーの動きを変えて形成してある。
【００１８】一方、プリント基板２０には、同半導体チップ１０を埋め込み可能な凹部２１を形成してある（図１（ａ））。同凹部２１は削り出しで形成されており、上記半導体チップ１０の厚みとスタットバンプ１２のボール部の厚みを加えた深さ、すなわち、４００μｍ＋２５μｍの深さとなっている。なお、この意味で、プリント基板２０の最小限の厚さは半導体チップ１０の厚さ＋スタッドバンプ１２のボール部の高さ以上となる。むろん、凹部２１としては打ち抜かれていてもよい。
【００１９】半導体チップ１０にスタッドバンプ１２をボンディングした後、プリント基板２０の凹部２１へ実装し（図１（ｂ））、その表面および裏面にビルドアップ層の樹脂を５０μｍの厚みでコーティングする（図１（ｃ））。この樹脂は絶縁層３０であり、半導体チップ１０を保護する封止も兼ねて利用できるため、わざわざ封止する工程をとることなく半導体チップ１０の封止と絶縁層の形成が同時に行なわれる。また、この絶縁材料は後述するようにレーザで孔明け可能な素材となっている。
【００２０】絶縁層３０が形成された後、スタッドバンプ１２にＣＯ2　レーザまたはエキシマレーザを照射し、孔４０を形成する（図１（ｄ））。また、孔４０はプリント基板２０の配線パターン２２と接続を取る部分にも明ける。孔明けのための位置あわせは、プリント基板２０の凹部２１の端面と、半導体チップ１０の端面の位置合わせであり、配線を形成するときとの位置ずれが生ずる可能性がある。しかしながら、スタッドバンプ１２はタマネギ状で最大径が約８０μｍであり、孔４０の開口径が１００μｍとなるようにレーザで明けると、孔４０は断面すり鉢状になり、スタッドバンプ１２のボールの部分では約５０μｍとなる。従って、この程度であれば位置ずれを十分に吸収可能である。なお、このレーザによる穴明けは、位置を認識させてから明けることも可能であり、ファインな接続も可能になる。むろん、ドライフィルムではこのような位置認識を行なうことは不可能である。
【００２１】また、レーザで孔４０をあけるため、半導体チップ１０を現像液等の化学処理にさらさなくてもよくなる。さらに、レーザであるのでビルドアップの絶縁層３０はドライフィルムのような感光性である必要が無くなり、有機材料であれば材質に制約が無くなる。また、低誘電率のものとすることも可能であり、使用者にとって広く要求に応えることができる。
【００２２】孔明け後、絶縁層３０の上にメタライズ５０を形成する（図２（ａ））。このメタライズ５０の形成は、レーザにより穴明けした後、スパッタリングなどにより約１８μｍの厚みの銅を全体に付けて行なわれる。そして、ドライフィルムによって配線パターン５１を感光させ、エッチングによって不要部分を取り除き配線を形成する（（図２（ｂ）））。このようにして配線パターン５１を形成するときに、プリント基板２０の配線パターン２２やスタッドバンプ１２との接続が行なわれる。
【００２３】この場合、配線パターンのファインの程度によって電気メッキによって配線パターンを形成しても良いし、ドライメッキ、即ちスパッタリングによって形成することも可能である。スパッタリングの場合、厚さを薄くすることができるので、その分ファイン化が可能である。
【００２４】ビルドアップ層の上にメタライズによって形成する配線パターン５１は、従来のサブトラという工法に比べてファイン化が可能であり、厚みによって異なるものの一般には、１８μｍの厚みでライン／スペースが１００／１００μｍのファイン化が可能といわれ、１０μｍの厚みでは５０／５０μｍのファイン化が可能とされている。一方、サブトラの工法では１５０／１５０μｍのファイン化が限度であるため、より高密度化できるといえる。」
　
４．対比
　本願の図面の図１Ｇ、図２Ａ〜２Ｃ等に、「マイクロ回路８」に「ＩＣ」と記載されていること、及び、本願の明細書の段落【００５９】に、「図２の例に基づいて、本方法が、多くの種類の三次元回路構造を製造するのに使用できることは明らかである。例えば、本方法は、いくつかのメモリ回路が互いの上部において配置された、したがって、いくつかのメモリ回路を含むパケットを形成するのと同様な方法において使用することができ、前記パケットにおいて、メモリ回路は互いに接続され、動作的な全体性を形成する。このようなパケットは、三次元マルチチップモジュールと呼ぶこともできる。このようなモジュールにおけるチップは、自由に選択することができ、チップ間の接触は、選択された回路によって容易に形成することができる。」と記載されていることから、本願発明において、「マイクロ回路」とは、ＩＣ、メモリ、チップ等の電子部品を意味する用語であることは明らかである。
　また、引用発明の「エポキシ樹脂を主成分とするフィルム化された感光性樹脂」は、これを硬化させて、第１層間絶縁層を形成するのであるから、絶縁層であることは明らかである。
　
　そこで、本願発明と引用発明とを比較すると、引用発明の「配線基板本体３」は本願発明の「ベース」及び「ベース板」に相当する。
　そして、引用発明の「電子部品配設用の貫通孔２１」、「外部接続部１４ｂ」がある側の「電子部品」の面、「外部接続部１４ｂ」、「充填樹脂４、第１導体層５ａ，５ｂ並びに上端部１４ａ及び下端部１４ｂの上に貼付されたエポキシ樹脂を主成分とするフィルム化された感光性樹脂」、「感光性樹脂」に形成された「上端部１４ａ及び下端部１４ｂ」を露出すべき位置に形成された「ビアホール」、「ビアホール」に充填された「導電体」、「配線基板１の配線である第１導体層５ａ、５ｂ」、「第１主面３ａ」、「第２主面３ｂ」、及び、「貫通孔２１」の内部に注入された「充填樹脂４」は、本願発明の「ホール」、「マイクロ回路」の「第１の表面」、「マイクロ回路」の「第１の表面」において「電気的接触を形成する接触領域又は接触突起」、「絶縁層」、「マイクロ回路」に関する「接触開口」、「マイクロ回路との電気的接触を形成するために形成」された「導体」、「ベース板」において形成された「導電パターン」、「ベース板の第１の表面」、「ベース板の第２の表面」、及び、「充填材料」に、それぞれ相当する。
　
　また、引用発明の「シート材」に関して、一般に、「シート【sheet】」とは、「薄板や紙などの1枚。」（［株式会社岩波書店　広辞苑第六版]）である。
　一方、本願発明の「フィルム」に関して、一般に、「フィルム【film】」とは、「薄皮。薄膜。」（［株式会社岩波書店　広辞苑第六版]）であり、これと異なる特段の定義もされていないから、引用発明の「シート材」と本願発明の「フィルム」とに、語句自体の意味に相違は見出せない。
　しかも、引用発明において、シリコン系の粘着剤２４を片面に有するポリイミドからなる「シート材２３」と、本願発明の「フイルム」とは、両者とも、電子部品の保持に用いられているものであり、作用効果においても差異を見出せない。
　
　そして、引用発明において、所定の「配線基板本体３」を用いて「コンデンサ素子１３を内蔵した配線基板１」を製造していることから、「配線基板本体３」を選択するステップ、すなわち、「ベースとしてベース板を選択するステップ」を有していることは明らかである。
　また、引用発明において、「コンデンサ素子１３」は、回路部品として所望の機能を奏するように「配線基板本体３」の「貫通孔２１」内部に配置され、「配線基板本体３」に形成される「配線基板１の配線である第１導体層５ａ、５ｂ」と接続されるのであるから、「貫通孔２１」は前記「第１導体層５ａ、５ｂ」に関連して、「貫通孔２１」の位置を選択して、整列されて配置されることは、明らかなことであって、また、実施に際して考慮される設計的事項である。
　
　したがって、本願発明と引用発明とは、
「電子部品をベースに埋め込み、前記電子部品との電気的接触を形成する方法であって、
　前記ベースとしてベース板を選択するステップと、
　前記ベース板においてホールを形成するステップと、
　前記ホール内に電子部品を、前記電子部品がその第１の表面において電気的接触を形成する接触領域又は接触突起を有するように配置するステップと、
　前記ベース板において形成された前記ホール内の前記電子部品をその場所に固定するステップと、
　前記ベースの少なくとも１つの表面において形成された絶縁層を、前記絶縁層が前記電子部品を覆うように形成するステップと、
　前記絶縁層において前記電子部品に関する接触開口を形成するステップと、
　導体を、前記接触開口まで、前記絶縁層の上部において、前記電子部品との電気的接触を形成するために形成するステップとを含む電子部品をベースに埋め込み、前記電子部品との電気的接触を形成する方法において、
　前記ベース板において導電パターンを形成するステップと、
　フィルムを前記ベース板の第２の表面上に積層するステップと、
　前記電子部品を前記ベース板に形成されたホール中に前記ベース板の第１の表面側から配置し、前記電子部品の第１の表面がフィルムに向かい合って位置すると共に、前記ベース板の第２の表面と同じレベルになるようにするステップと、
　前記ベース板において形成されたホール中の前記電子部品を、前記ホールを充填材料で満たすことによって、その場所で固定するステップと、
　前記電子部品を固定した後、前記ベース板の第２の表面上に積層された前記フィルムを除去するステップとを含む電子部品をベースに埋め込み、前記電子部品との電気的接触を形成する方法。」である点で一致し、以下の相違点１〜３で相違している。
　
　ア．相違点１
　電子部品が、本願発明では、「マイクロ回路」であるのに対し、引用発明では、「コンデンサ素子」である点。　
　
　イ．相違点２
　本願発明では、「前記ベース板において形成された導電パターンに関連して前記ホールの位置を選択し、前記電子部品を整列させるステップ」を備えているのに対し、引用発明では、電子部品を整列して配置した後に、ベース板に導電パターンを形成するステップを備えたものであり、前記ベース板において形成された導電パターンに関連して前記ホールの位置を選択し、前記電子部品を整列させるステップを備えていない点
　
　ウ．相違点３
　本願発明では、「フイルム」が「テープ又はテープのようなフィルム」であるのに対し、引用発明では、「シート材」であって、「テープ又はテープのようなフィルム」とまでは特定されていない点。
　
５．当審の判断
　ア．相違点１について
　マイクロ回路である半導体チップを基板の中に埋め込むことは、周知例１に記載されたコア材中に埋め込まれた半導体チップ、周知例２に記載されたプリント基板２０に埋め込まれた半導体チップ１０に開示されるように周知である。
　しかも、引用例には、電子部品をコンデンサ素子に限定する記載はなく、配線基板に内蔵できる電子部品であればどのような素子であってもいことは明らかであるから、引用発明において、電子部品として、周知例１、２に開示されたようなマイクロ回路を用いることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　また、引用例には、電子部品としては、マイクロ回路であるメモリ等であってもいいと記載されているのであるから、引用発明において、電子部品として、周知例１、２に開示されたようなマイクロ回路を用いることに何ら困難性を見出せない。
　
　イ．相違点２について
　ベース板に電子部品を配置するものにおいて、ベース板に導電パターンを形成してから電子部品を配置しても、ベース板に電子部品を配置した後にベース板に導電パターンを形成しても、製造方法において格別顕著な差異を生じるものではなく、ベース板の導電パターンをどの時点で形成するかは、ベース板に導電パターンを形成することが可能な工程中において、当業者が適宜決定する設計的事項にすぎない。
　ちなみに、周知例２では、配線パターンが形成されたプリント基板に対して半導体チップを配置している。
　
　ウ．相違点３について
　本願発明において、「テープ又はテープのようなフィルム」について、本願の明細書の段落【００２５】に、「段階Ｆにおいて、テープ７等は、ホール６上に積層される。テープ７は、これをホール６上にまっすぐ、ベースボードの第２表面１ｂに沿って引っ張ることによって積層される。テープは、構成要素が最終的な取り付け方法を使用してベースボードに固定されるまで、組み立てられるべき構成要素を次の段階において適所に保持することを目的とする。」と記載され、同段落【００２７】に、「マイクロ回路８は、これらがホール６の“底”におけるテープ７の粘着性表面に粘着するような方法で組み立てられる。」と記載され、同段落【００２９】に、「段階Ｉにおいて、段階Ｆにおいて積層されたテープは除去される。」と記載されており、「テープ」等は、粘着性表面を有し、構成要素（マイクロ回路）を保持するものであって、後に除去されることは記載されているものの、形状や材質等の特段の定義はされていない。
　
　そして、一般に、「テープ【tape】」とは、「幅がせまく長い、うすい帯状のもの。」（[株式会社岩波書店 広辞苑第六版]）であるから、本願発明において、「テープ又はテープのようなフィルム」とは、粘着性表面を有し、構成要素（マイクロ回路）を保持し、後に除去されるものであって、「幅がせまく長い、うすい帯状のもの。」、又は、「幅がせまく長い、うすい帯状のフィルム。」であると解することができる。
　
　一方、引用発明において、「シート材２３」は、「粘着剤２４」を片面に有し、この「粘着剤２４」を介して「コンデンサ素子１３（電子部品）」を「シート材２３」に粘着させ、その後、除去されるものである。また、上記４．で述べたように、「シート」とは、一般に、薄板や紙といった薄いものを示す用語である。
　
　してみると、本願発明における「テープ又はテープのようなフィルム」と、引用発明における「シート材２３」とは、その機能、作用、及び、効果において差異があるものではなく、形状が、本願発明では、「幅がせまく長い、うすい帯状のもの。」であるのに対し、引用発明では、そのような特定がされていない点で相違している。
　
　そして、引用発明において「シート材２３」は必要な領域に対して積層されればいいものであり、換言すれば、用いられる「配線基板本体（ベース板）」の形状等によって適宜変更され得るものである。
　一方、引用発明において、様々な形状の「配線基板本体（ベース板）」を採用し得るものであることは明らかであり、どのような形状の「配線基板本体（ベース板）」を採用するかは、当業者が適宜決定する設計的事項にすぎないものである。
　しかも、「配線基板本体（ベース板）」として細長いものは周知であって、引用発明において、「配線基板本体（ベース板）」が細長いものであれば、「シート材２３」が「幅がせまく長い、うすい帯状のもの。」となる場合があることは明らかである。
　また、本願発明において、「テープ又はテープのようなフィルム」の形状を、「幅がせまく長い、うすい帯状のもの。」としたことによって、格別顕著な作用効果を奏するようになったものとは認められない。
　したがって、引用発明の「シート材」を、「テープ又はテープのようなフィルム」とすることは、当業者が適宜なし得る設計的事項にすぎないものである。
　
６．むすび　
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知例１、２に開示されたような周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。　
　よって結論のとおり審決する。