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　特願２００７−１７９１５８「半導体レーザ素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　９月２７日出願公開、特開２００７−２５１２２１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１５年２月７日に出願された特願２００３−３１４１６号（以下「先の出願」という。）に基づく優先権主張を伴って平成１６年２月４日に出願された特願２００４−２７４７７号（以下「原出願」という。）の一部を平成１９年７月９日に新たな特許出願としたものであって、平成２０年１月２４日付けで拒絶理由通知がなされ、同年３月３１日に手続補正がなされ、さらに、同年６月１７日付けで拒絶理由通知がなされ、同年１０月１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１１月６日に本件審判請求がなされたものであり、その請求項に係る発明は、平成２０年３月３１日に補正された本願特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
「半導体基板の表面上に形成され、少なくとも表面の一部に転位の集中している表面領域を有するとともに、活性層を含む半導体素子層と、
　前記転位の集中している前記表面領域以外の前記半導体素子層の表面の領域に接触するように形成された表面側電極と、
　前記半導体基板の裏面上に形成された裏面側電極とを備え、
　前記半導体素子層は、リッジ部を有し、
　前記転位の集中している前記表面領域は、前記リッジ部から離れた位置に形成され、
　前記転位の集中している前記表面領域の上面は、所定の厚み分除去されているとともに
、除去された上面は、前記活性層よりも下方に位置する、半導体レーザ素子。」
　
　ここで、本願明細書及び図面の記載からみて、本願発明の実施形態は、本願明細書の段落【０１３８】〜【０１５１】及び本願図面の図３９〜図４５に記載される第１０実施形態であると認められるところ、この第１０実施形態は、先の出願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載されていない。
　したがって、本願発明は、先の出願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明とは認められず、本願発明についての優先権主張は、認められない。
　
２．引用例
　原査定の拒絶理由に引用された特開平１１−２３３８９３号公報（以下「引用例」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子に関し、特に、基板上に基板とは格子定数または熱膨張係数の異なる半導体材料にて形成された信頼性の高い半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体発光素子を構成する結晶材料とは格子定数が３％以上異なる基板上へ形成する場合や、熱膨張係数が１０％以上異なる基板上へ半導体結晶を成長する場合には、まず基板の上に半導体発光素子を構成する材料と格子定数や熱膨張係数がほぼ等しい（格子定数、熱膨張係数とも１％以内）結晶材料を厚く成長させ連続膜半導体層を形成した上に半導体発光素子を形成する試みがなされている。連続膜半導体層の上に積層した半導体層は結晶欠陥が低減することが報告されている。このような発光素子の代表例として、図８に、サファイア基板８００上に、ＧａＮ層を厚く結晶成長させて連続膜半導体層を形成し、その上に青色発光ダイオード（ＬＥＤ）を形成した従来技術による例を示す。
【０００３】この従来例のＬＥＤの作製方法を説明する。サファイア基板８００上に、まずハライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）によりＧａＮ層８０１を５μｍ厚に厚く成長させる。次に、ＧａＮ層８０１表面にＳｉＯ2からなる選択成長マスク８０２を格子状（２００μｍピッチの２０μｍ幅のＳｉＯ2ストライプが互いに直交する形）に形成する。以上までに作製された工程断面図を図８（ａ）に示す。
【０００４】次に、このサファイア基板８００上にＨＶＰＥ法によりｎ型ＧａＮ連続膜半導体層８０３を３００μｍ厚成長させる。この時、ＨＶＰＥ工程により成長されたｎ型ＧａＮ連続膜半導体層８０３は、サファイア基板８００が露出した部分から成長が始まるが、その厚さが増すに伴い、ＳｉＯ2からなる選択成長用マスク８０２上へ張り出すように左右へも成長し、最終的には２０μｍ幅のＳｉＯ2からなる選択成長マスク８０２上を覆った。このようにして、表面が平坦なｎ型ＧａＮ連続膜半導体層８０３が形成された。
【０００５】次に、このサファイア基板８００上にｎ型ＧａＮ連続膜半導体層８０３が形成されたウェハーに、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）によりｎ−ＧａＮクラッド層８０４、ＩｎＧａＮ活性層８０５、ｐ−ＧａＮコンタクト層８０６が形成された。以上までに作製された工程断面図を図８（ｂ）に示す。
【０００６】次に、図９の（ａ）従来例のＬＥＤの上面構造図と（ｂ）従来例ＬＥＤのＡ−Ａ’断面図に示すように、３００μｍ角の発光領域８１０を残し、その回りを取り囲むように通常のフォトリソグラフィー技術とドライエッチング技術を用いてｐ−ＧａＮコンタクト層８０６、ＩｎＧａＮ活性層８０５、ｎ−ＧａＮクラッド層８０４を貫通するように除去し、ｎ型ＧａＮ連続膜半導体層８０３を露出させた。最後に、ｎ型ＧａＮ連続膜半導体層８０３の表面にｎ型電極８０７を、３００μｍ角のｐ−ＧａＮコンタクト層８０６の表面に光透過性を有するｐ型電極８０８をそれぞれ形成した。このようにして、作製したウェハーから、発光領域８１０の周辺でスクライブし、個々のＬＥＤを切り出し素子とした。このようにして作製する従来例のＬＥＤが報告されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このようにして作製したＬＥＤの特性を当該発明者が試験した結果、２０ｍＡの電流を注入した場合の発光効率（電子の光子への変換効率）が個々の素子により０．３％から１０％と大きく異なり、所望の５％以上の発光効率が得られる歩留まりが２％と非常に低いことや、８０℃の条件下での約１００時間の初期信頼性試験にて全ての素子の発光効率が試験開始時の約３０％以下に激減することが新たに判明した。
【０００８】これらの従来素子の不良について、当該発明者が詳細な検討を行った結果、下記のような事実が判明した。
（１）選択成長マスク８０２の存在する選択成長マスク直上領域８１１に位置するＩｎＧａＮ活性層８０５部分での発光が非常に小さい。また、この発光効率の低下はチップの発光領域８１０の周辺領域より発光領域８１０の中央領域に選択成長マスク直上領域８１１が位置する場合に特に顕著になることも分かった。これにより、選択成長マスク直上領域８１１が発光領域８１０のどの部分に位置しているかにより、大きく発光効率が変化する。
（２）上記の信頼性不良の素子においても、１００時間の信頼性試験走行後では、選択成長マスク直上領域８１１（幅２０μｍ）のＩｎＧａＮ活性層８０５はその近傍の両側約３０μｍを含め、合計８０μｍの領域で発光がほとんど認められない。
【０００９】さらに従来例素子の結晶解析を行った結果、選択成長マスク直上領域８１１に位置するＩｎＧａＮ活性層８０５には、厚さ３００μｍのｎ型ＧａＮ連続膜半導体層８０３を貫通して結晶転移が集中して導入されていることが明確になった。図１０にＩｎＧａＮ活性層８０５における結晶転移の密度を、選択成長マスク８０２端からの距離をパラメータとして測定した結果を示す。幅２０μｍの選択成長マスク直上領域８１１のＩｎＧａＮ活性層８０５には密度１０12ｃｍ-2の結晶転移が集中しており、さらに選択成長マスク８０２の端から１０μｍ離れた位置でも１０11ｃｍ-2の転移が観測された。選択成長マスク８０２の端から離れるにつれて結晶転移は減少し、３０μｍ以上離れた場所のＩｎＧａＮ活性層８０５では結晶転移は１０7〜１０8ｃｍ-3にまで減少した。このような傾向は、上記のように作製されたウェハーのいずれの部分でも観測された。」
　
イ　「【００１７】
【発明の実施の形態】以下に本発明を実施した例を用いて説明する。
（実施の形態１）図１に本発明を実施した半導体レーザ素子の一例を示す。本半導体レーザ素子は、ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２、ｎ−ＧａＮバッファ層１０３、ｎ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層１０４、多重量子井戸活性層１０５、ｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層１０６、ｐ−ＧａＮコンタクト層１０７から構成されており、リッジ導波路としてレーザの発光領域を規定するためのメサストライプ１１０、さらには、電流注入用のｐ型電極１１１、ｎ型電極１１２から構成されている。
【００１８】次に、図２を用いて本実施例素子の作製工程を説明する。まず、サファイア基板１００の上にＭＯＣＶＤ法によりＧａＮバッファ層１０１を１μｍ厚成長させる。次に、ＧａＮバッファ層１０１の表面上に通常のスパッタ法によりＳｉＯ2膜を０．４μｍ厚形成させた後、通常のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術により幅１０μｍでピッチ１５０μｍの周期的ＳｉＯ2からなる選択成長マスク１５０と幅１０μｍでピッチ５００μｍの周期的ＳｉＯ2からなる選択成長マスク１５１とが互いに直交する形状に形成した。以上までに作製された半導体レーザ素子の工程断面図を図２（ａ）に示す。
【００１９】続いて、このウェハー上にＨＶＰＥ法により、ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２を１５０μｍ厚成長させた。基板温度は１０２０℃として３５分の成長により１５０μｍ厚の成長が完了した。この成長時、選択成長マスク１５０、１５１が成長抑制構造として働くため、従来例にて説明のように、成長初期にはＧａＮバッファ膜１０１が露出した領域でのみ成長は起こり、次第に、選択成長マスク１５０、１５１上に横方向に成長が進み、最終的に１５０μｍ厚の成長が終了した段階では、ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２は連続膜を呈しており、その表面はスムースになった。
【００２０】次に、引き続きＭＯＣＶＤ法により、このｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２の上に、ｎ−ＧａＮバッファ層１０３を０．５μｍ厚、ｎ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層１０４を０．２μｍ厚、４ｎｍ厚のＩｎ0.25Ｇａ0.75Ｎ井戸層２層と３ｎｍ厚のＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎバリア層３層からなる多重量子井戸活性層１０５、ｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層１０６を０．２μｍ厚、ｐ−ＧａＮコンタクト層１０７を０．７μｍ厚成長させた。以上までに作製された半導体レーザ素子の工程断面図を図２（ｂ）に示す。
【００２１】続いて、幅２μｍ、高さ０．７μｍのメサストライプ１１０を選択成長マスク１５０の直上領域１５２以外の領域に選択成長マスク１５０とほぼ平行に形成した。この時、メサストライプ１１０が素子の上方から観察して隣り合う選択成長マスク１５０のほぼ中央に位置するようにした。このメサストライプ１１０の形成には通常のフォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術を適用した。この後、メサストライプ１１０を上面にストライプ状のｐ型電極１１１を形成した後、ウェハー裏面を研磨することによりウェハー厚さを約１２０μｍとし（すなわち、サファイア基板１００、ＧａＮバッファ層１０１、選択成長マスク１５０、１５１を完全に除去し、ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２がウェハー裏面に露出するようにし）、ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２の露出した裏面の全面にｎ型電極１１２を形成した。以上までに作製された半導体レーザ素子の工程断面図を図２（ｃ）に示す。
【００２２】次に、劈開によりレーザ共振器を構成するミラー面を形成した。この劈開工程は以下のようにして実施した。まず、ウェハー裏面（すなわちｎ−ＧａＮ連続膜層１０３側）の隅近傍の２箇所にけがき傷を入れ、このけがき傷の位置において、選択成長マスク１５１を形成した方向と平行方向に劈開してレーザ共振器ミラーを形成した。この時、２箇所のけがき傷は互いに隣接する選択成長マスク１５１のエッジ部分から５０μｍ離れた位置に形成し、選択成長マスク１５１の直上領域１５３がレーザ素子に含まれないようにした。従って、レーザ共振器長は４００μｍであった。最後に、選択成長マスク１５０の直上領域１５２の部分をスクライブし、個々のレーザチップに分割した。以上の工程を経て図１に示すレーザ素子が完成する。」
　
ウ　「【００３４】（実施形態３）次に、成長抑制構造自体をレーザ素子に残存させた実施形態について説明する。図６に本実施形態の素子構造図を示す。本実施形態の素子構造はｎ−ＳｉＣ基板６００と、ＧａＮバッファ層６０１、ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層６０２、ｎ−ＧａＮバッファ層６０３、ｎ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層６０４、３ｎｍ厚のＩｎ0.1Ｇａ0.85Ａｌ0.05Ｎバリア層３層と３ｎｍ厚のＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層２層からなる多重量子井戸活性層６０５、ｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層６０６、ｐ−ＧａＮコンタクト層６０７、からなる半導体層構造と、ｐ型電極６１１、ｎ型電極６１２、さらには、導波路と電流通路を規定するメサストライプ６１０、共振器ミラーとなるエッチドミラー６１３を有している。
【００３５】以下に、本実施形態のレーザ素子の作製方法について説明する。（工程図は図２と類似しているのでここでは省略する。）まず、ｎ−ＳｉＣ基板６００上に、ＳｉＮxからなる幅１０μｍで周期が１００μｍの選択成長マスク６５０と、幅が１０μｍで周期が４００μｍの選択成長マスク６５１とが互いに直交するように形成した。このウェハー上にＭＯＣＶＤ法によりＧａＮバッファ層６０１を３０ｎｍ厚、ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層６０２を１００μｍ厚、ｎ−ＧａＮバッファ層６０３を０．１μｍ、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層６０４を０．３μｍ厚、多重量子井戸活性層６０５、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層６０６を０．３μｍ厚、ｐ−ＧａＮコンタクト層６０７を１．０μｍ厚連続的に結晶成長させる。この時、ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層６０２の成長においては、厚さが３０μｍ以下の状態では選択成長マスク６５０、６５１上では未成長部分が残存しており、結晶は連続した膜を呈していなかったが、さらに成長を続けて厚さが１００μｍに達した段階では、ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層６０２表面は実施形態１と同様に平坦で連続した単膜を呈しており、その上に連続的に形成された積層構造に含まれる各層６０３〜６０７もまた平坦な層として成長された。
【００３６】次に、通常のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術を利用し、高さ０．８μｍ、幅２μｍのメサストライプ６１０を選択成長マスク６５１と平行に形成した。このメサストライプ６１０はレーザ導波路を活性層６０５に形成するばかりでなく、活性層６０５に注入される電流の通路もメサストライプ６１０直下近傍部分に規定し、効率よく電子をレーザ光に変換する働きをする。本工程において、メサストライプ６１０は、両側の選択成長マスク６５１の直上領域６５３の中央、すなわち選択成長マスク６５１の端とメサストライプ６１０の端の間隔が３９μｍとなるように形成した。
【００３７】次に、通常のエッチドミラー形成のためのフォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術を利用し、レーザ共振器ミラーとなるエッチドミラー６１３を形成した。この時、エッチドミラー６１３が選択成長マスク６５０に平行であり、かつ選択成長マスク６５０の直上領域６５２の活性層６０５をエッチングより除去するように、選択成長マスク６５０の直上領域６５２を中心として全幅１００μｍの領域にエッチングを施し、ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層６０２がエッチング底面に露出するまでエッチングを行った。この工程によりレーザ共振器となるべき一組の共振器ミラーが形成され、本実施形態のレーザ素子における共振器長は３００μｍとした。すなわち、選択成長マスク６５０の周期と同じ４００μｍ周期でエッチドミラー形成のためのエッチングを実施したことになる。
【００３８】最後に、メサストライプ６１０上面にｐ型電極６１１を、ｎ−ＳｉＣ基板６００裏面全面にｎ型電極６１２を形成した後、選択成長マスク６５０、６５１の直上領域６５２、６５３の部分でスクライブすることにより個々のレーザ素子に分割した。」
　
エ　「【００４０】ところで、実施形態の１においてはレーザ素子の劈開位置は選択成長マスク１５０の直上領域１５２外の部分に限られていた。これは、選択成長マスク１５０の直上領域１５２で劈開した場合に、レーザの発光領域となるメサストライプ１１０内の破壊し易い劈開面近傍に結晶欠陥が多く含まれる選択成長マスクの直上領域１５２が包含され、素子を動作させた時に瞬時に劣化することを避けるためである。しかし、実施形態１におけるように選択成長マスク１５０の直上領域１５２の近傍にて選択成長マスク１５０の直上領域１５２に平行に劈開をした場合、部分的に劈開面に段差が生じ、結果として一部の素子にてメサストライプ１１０に選択成長マスク１５０の直上領域１５２が含まれてしまう場合があった。これは、選択成長マスク１５０の直上領域１５２に結晶欠陥が多く含まれており、結晶として弱く、より割れやすいことが原因と考えられる。すなわち、選択成長マスク１５０の直上領域１５２で結晶が劈開しやい性質を持ち合わせているのに関わらず、実施形態１ではその近傍を劈開していたためである。この現象は、劈開により素子を分割する場合のみならず、スクライブにより素子を分割する場合にも同様の現象が観測され、選択マスク１５１の直上領域１５３でスクライブすした場合に比べて、選択マスク１５１の直上領域１５３近傍で選択マスク１５１の直上領域１５３と平行に制御性良くスクライブした場合の歩留まりは低かった。
【００４１】一方、本実施形態素子では、素子を分割する際の４面全てのスクライブによる素子分割位置を選択成長マスク６５０、６５１の直上領域６５２、６５３に限定できるため、素子分割時に所定の位置にてスクライブが起こり、メサストライプ６１０に選択マスクの直上領域６５２が含まれたり、所定の形状（上方から観察して図６に示すように直方形）から素子の形状がずれることは無かった。これにより、素子をマウントする際の素子形状認識においても、エラーを低下させることができ、素子マウント歩留まりも改善することができた。この点も、本実施形態素子における大きなメリットであった。」
　
　上記記載のイ及び引用例の図１を参照すれば、引用例には、
「ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２、ｎ−ＧａＮバッファ層１０３、ｎ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層１０４、多重量子井戸活性層１０５、ｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層１０６、ｐ−ＧａＮコンタクト層１０７、リッジ導波路としてレーザの発光領域を規定するためのメサストライプ１１０、メサストライプ１１０の上面に形成された電流注入用のｐ型電極１１１、ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２の裏面に形成されたｎ型電極１１２から構成されている半導体レーザ素子であって、メサストライプ１１０から離れた両側面の領域が選択成長マスクの直上領域１５２となっており、この領域１５２はｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層１０６の表面に達している半導体レーザ素子。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
３．対比
　本願発明と引用発明を対比する。
　引用発明の「ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２」、「多重量子井戸活性層１０５」及び「半導体レーザ素子」は、それぞれ、本願発明の「半導体基板」、「活性層」及び「半導体レーザ素子」に相当する。
　引用発明の「選択成長マスクの直上領域１５２」は、上記２．イに記載される方法により形成されたものであるから、上記２．アの段落【０００９】の記載からみて、転位の集中している領域であると認められ、また、ｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層１０６の表面に達しているから、引用発明の「ｎ−ＧａＮバッファ層１０３、ｎ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層１０４、多重量子井戸活性層１０５、ｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層１０６、ｐ−ＧａＮコンタクト層１０７、リッジ導波路としてレーザの発光領域を規定するためのメサストライプ１１０」は、本願発明の「半導体基板の表面上に形成され、少なくとも表面の一部に転位の集中している表面領域を有するとともに、活性層を含む半導体素子層」であるといえる。
　そして、引用発明の「ｐ型電極１１１」、「ｎ型電極１１２」及び「メサストライプ１１０」は、それぞれ、本願発明の「表面側電極」、「裏面側電極」及び「リッジ部」に相当している。
　
　以上のことから、両者は、
「半導体基板の表面上に形成され、少なくとも表面の一部に転位の集中している表面領域を有するとともに、活性層を含む半導体素子層と、
　前記転位の集中している前記表面領域以外の前記半導体素子層の表面の領域に接触するように形成された表面側電極と、
　前記半導体基板の裏面上に形成された裏面側電極とを備え、
　前記半導体素子層は、リッジ部を有し、
　前記転位の集中している前記表面領域は、前記リッジ部から離れた位置に形成されている半導体レーザ素子。」の点で一致する。
　
　一方、次の点で相違する。
　本願発明は、「前記転位の集中している前記表面領域の上面は、所定の厚み分除去されているとともに、除去された上面は、前記活性層よりも下方に位置する」ものであるのに対し、引用発明はこのようなものでない点。
　
４．相違点についての検討
　相違点について検討する。
　引用発明の「選択成長マスクの直上領域１５２」は、上記２．ア段落【０００９】の「選択成長マスク直上領域８１１に位置するＩｎＧａＮ活性層８０５には、厚さ３００μｍのｎ型ＧａＮ連続膜半導体層８０３を貫通して結晶転移が集中して導入されていることが明確になった。」との記載からみて、貫通転位の集中した領域であると認められるところ、貫通転位において漏れ電流が生じることは、例えば、特開２００１−８５７３５号公報（【０１０９】の「貫通転位を通じて流れる漏れ電流」との記載参照。）、特開２００３−２７３４７０号公報（【００４０】の「転位集中領域Ｘ３や転位集中領域Ｘ１には電流が流れやすく」、【００４９】の「分割された端面に露出した転位集中領域Ｘ３の部分は、ウェットエッチングや研磨などにより除去すれば、チップのエッジ部分を介して流れるリーク電流も抑止でき、素子特性向上に効果が高い。または、リッジ構造と転位集中領域Ｘ３の間の部分で分割し、転位集中領域Ｘ３そのものをチップ内部から追い出してしまえば、転位集中領域Ｘ３を介して流れるリーク電流を、未然に防止することができる。」との記載参照。）に記載されるように、原出願当時において周知であるから、引用発明においても、貫通転位の集中した領域である「選択成長マスクの直上領域１５２」において漏れ電流のおそれがあることは、当業者に明らかであり、この部分を除いた構造とすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　そして、貫通転位の集中した領域を除くことについて、上記特開２００３−２７３４７０号公報には、転位集中領域とリッジ部の間で分割することが記載されているが、引用例には、貫通転位の集中した領域を分割により除くことには、上記２．エに記載されるように歩留まりの点で不都合があるので、上記２．ウに記載されるように、成長抑制構造自体すなわち選択成長マスクの直上領域をレーザ素子に残存させる構造とすることが記載されているのであるから、引用発明においてメサストライプ１１０から離れた両側の選択成長マスクの直上領域１５２の部分を除いた構造とするに際し、この選択成長マスクの直上領域１５２をレーザ素子に残存させる構造を採用して、すなわち、引用例の段落【００３７】及び【００３８】に記載されるように、選択成長マスクの直上領域の活性層を除去するように選択成長マスクの直上領域を中心とする領域にエッチングを施し、この直上領域の部分で分割するようにして、上記相違点に係る本願発明の構成とすることは当業者が容易に成し得たものと認められる。
　なお、本願発明では、転位の集中している表面領域が半導体素子層の表面にあるとされているのに対し、引用例の上記段落【００３７】では、ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層がエッチング底面に露出するまでエッチングを行っているが、エッチングをｎ−ＧａＮ連続膜半導体層の表面まで行うか、その上層のｎ−ＧａＮバッファ層やｎ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層の途中まで行うかによって作用効果に格別の差異は認められず、何処までエッチングを行うかは単なる設計事項にすぎない。
　
　また、本願発明が奏する効果も上記引用例に記載された事項及び上記周知の技術事項に基づいて当業者が予測可能なものであって、格別のものとはいえない。　
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。