【事件の表示】
　特願２００２−２７７９３１「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　４月１５日出願公開、特開２００４−１１９４９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１４年９月２４日の出願であって、平成１９年７月３日付けと同年１２月１７日付けで手続補正がなされたものの、平成２０年２月１８日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年３月２７日に審判請求がなされるとともに、同年４月２８日付けで手続補正がなされ、その後、平成２２年８月２５日付けで当審による拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、これに対して、同年１０月１９日付けで意見書及び手続補正書が提出され、さらに、同年１０月２９日付けで再度意見書が提出されたものである。
　
第２．本願発明
　本願の請求項１及び２に係る発明は、平成２２年１０月１９日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　そして、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。 
　
「　【請求項１】　ウエハよりなる半導体基板の裏面を研削する工程と、
　前記半導体基板の裏面側に第１導電型の不純物層を形成するために、イオン注入をおこなう工程と、
　前記半導体基板の裏面に支持基板を粘着性物質によって貼り付ける工程と、
　前記半導体基板の表面に半導体素子の表面構造を作製し、ついで前記半導体基板の表面にポリイミドを塗布しパターニングする工程と、
　前記支持基板を加熱することによって、またはＵＶ光を照射することによって取り除く工程と、
　前記支持基板を取り除いた後に、前記半導体基板の裏面側に第２導電型の不純物層を形成するために、イオン注入をおこなう工程と、
　注入された第２導電型の不純物をレーザアニールにより拡散させる工程と、
　前記半導体基板の裏面側に金属蒸着層を形成する工程と、
　を順におこなうことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
第３．当審拒絶理由
　当審拒絶理由のうち、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないとした拒絶の理由（理由１）の概要は、以下のとおりである。（審決注：平成２２年８月２５日付けの拒絶理由通知書記載の「特許法第３６条第４項」は「特許法第３６条第４項第１号」の明らかな誤記であったが、平成２２年１０月１９日付け意見書及び平成２２年１０月２９日付け意見書の内容に照らしてみると、請求人は当該誤記がなかった場合の正当な拒絶の理由の意図を理解していたものと認められるから、当審は、改めて正当な拒絶の理由を通知し直すには及ばないものと判断する。なお、本審決中では、当該誤記を正しく読み替えている。）
　
「１．この出願は、発明の詳細な説明の記載について下記の点で、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。 」
「　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
理由１ 
ア　　本願の明細書及び図面の記載並びに出願時の技術常識に基づいて把握される請求項１−２に係る発明の『発明が解決しようとする課題』は、発明の詳細な説明の０００８段落−０００９段落に 
『　　【０００８】 
　　【発明が解決しようとする課題】 
　上述したように、従来の製造プロセスでは、基板裏面に金属蒸着層７を形成したときの反り量が、基板割れの発生確率が高くなる反り量の臨界値である±３ｍｍ（図４に実線で示す）を超えてしまうため、割れが発生しやすいという問題点がある。また、割れが発生しなくても、後にチップ化するためにダイシングする際に、ダイシングしにくいという問題点が生じる。 
　　　【０００９】 
　本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、薄型の半導体装置の製造段階において、半導体基板の反りを、割れが生じない程度に抑えることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。』 
と記載されるように、図５−図６に示される『従来の製造プロセス』における、『基板裏面に金属蒸着層７を形成したときの反り量が、基板割れの発生確率が高くなる反り量の臨界値である±３ｍｍを超えてしまう』との不具合を解消することを前提としている。 
　
イ　しかしながら、図１−図３及び明細書の『発明の実施の形態』欄に示される『本発明方法による製造プロセス』は、基板裏面に金属蒸着層２０を形成する直前の半導体基板１１において、もはや支持基板１５のような応力を小さく保つための部材は貼り付けられていないことにより、図５−図６に示される『従来の製造プロセス』において基板裏面に金属蒸着層７を形成する直前の半導体基板１とも、金属蒸着層蒸着時に発生する応力を小さくできる何らの工夫も見当たらない点で共通している。 
　そうすると、そのような『本発明方法による製造プロセス』を採用した際、基板裏面に金属蒸着層を形成したときの反り量が、図４に示されるようにその臨界値である±３ｍｍ以内に収まり、請求項１−２に係る発明の上記課題を解決できると何故いえるのか、発明の詳細な説明の記載からでは、当業者が十分に理解できるものとはいえない。 
　
ウ　また、本願の請求項１−２に係る発明は、上記課題が前提とする『基板裏面に金属蒸着層を形成すること』を構成として有するものでもないから、その点においても、上記課題との関係が不明確である。 
　
エ　以上のとおり、発明の詳細な説明の記載からでは、本願の請求項１−２に係る発明が、上記課題を解決するための手段を有することを十分に理解することができないから、発明の詳細な説明は、本願の請求項１−２に係る発明について、当業者が実施し得る程度に記載されているものとはいえない。」
　
第４．意見書における請求人の主張
　これに対して請求人は、平成２２年１０月１９日付けの意見書及び平成２２年１０月２９日付けの意見書において、それぞれ次のように主張している。なお、下線は当審において付加したもの（以下同じ）である。
　
１．平成２２年１０月１９日付けの意見書
「【意見の内容】
　出願人は、本日付けで手続補正書を提出し、特許請求の範囲を補正しました。
　本日付け手続補正書における、請求項１の『前記半導体基板の裏面側に金属蒸着層を形成する工程と、』という補正事項は、願書に最初に添付した明細書の、段落[0016]の『そして図３（Ｎ）の工程で、基板裏面にＡｌ、Ｔｉ、ＮｉおよびＡｕよりなる多層構造のおおよそ１．５μｍ厚の金属蒸着層２０を形成する』という記載に基づくものであります。
　
　審判官殿は、拒絶理由通知書において、理由１として、『発明の詳細な説明の記載からでは、本願の請求項１−２に係る発明が、上記課題を解決するための手段を有することを十分に理解することができないから、発明の詳細な説明は、本願の請求項１−２に係る発明について、当業者が実施し得る程度に記載されているものとはいえない。』と指摘され、理由２として、『本願の請求項１−２に係る発明は、発明の詳細な説明に記載された、発明の課題を解決するための手段が反映されているものとはいえず、発明の詳細な説明に記載した範囲を超えて特許を請求するものである。』と指摘され、理由３として、『本願出願時における技術常識に照らしても、そのような請求項１−２に係る発明の範囲にまで、当業者が発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえないから、請求項１−２に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものではなく、また、請求項１−２に係る発明は、明確でもない。』と指摘されています。
　
　上記とおり特許請求の範囲を補正したことにより、請求項１に係る発明が『半導体基板の裏面側に金属蒸着層を形成する工程』を構成として有することが明確になったと思料します。
　
　以上のとおり、
拒絶理由通知書で指摘のありました理由１〜３はすべて解消した
　
２．平成２２年１０月２９日付けの意見書
「【意見の内容】
　審判官殿は、拒絶理由通知書において、理由１として、『発明の詳細な説明の記載からでは、本願の請求項１−２に係る発明が、上記課題を解決するための手段を有することを十分に理解することができないから、発明の詳細な説明は、本願の請求項１−２に係る発明について、当業者が実施し得る程度に記載されているものとはいえない。』と指摘され、理由２として、『本願の請求項１−２に係る発明は、発明の詳細な説明に記載された、発明の課題を解決するための手段が反映されているものとはいえず、発明の詳細な説明に記載した範囲を超えて特許を請求するものである。』と指摘され、理由３として、『本願出願時における技術常識に照らしても、そのような請求項１−２に係る発明の範囲にまで、当業者が発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえないから、請求項１−２に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものではなく、また、請求１−２に係る発明は、明確でもない。』と指摘されています。
　
　まず、理由１について検討します。
　審判官殿は、理由１において、
『イ　しかしながら、図１−図３及び明細書の「発明の実施の形態」欄に示される「本発明方法による製造プロセス」は、基板裏面に金属蒸着層２０を形成する直前の半導体基板１１において、もはや支持基板１５のような応力を小さく保つための部材は貼り付けられていないことにより、図５−図６に示される「従来の製造プロセス」において基板裏面に金属蒸着層７を形成する直前の半導体基板１とも、金属蒸着層蒸着時に発生する応力を小さくできる何らの工夫も見当たらない点で共通している。
　そうすると、そのような「本発明方法による製造プロセス」を採用した際、基板裏面に金属蒸着層を形成したときの反り量が、図４に示されるようにその臨界値である±３ｍｍ以内に収まり、請求項１−２に係る発明の上記課題を解決できると何故いえるのか、発明の詳細な説明の記載からでは、当業者が十分に理解できるものとはいえない。
ウ　また、本願の請求項１−２に係る発明は、上記課題が前提とする「基板裏面に金属蒸着層を形成すること」を構成として有するものでもないから、その点においても、上記課題との関係が不明確である。』と指摘されています。
 
　本出願の、願書に最初に添付した明細書（以下、当初明細書といいます）の段落〔０００６〕に『図６（ｆ）の工程で、厚さ３μｍのレジスト３を剥離すると、圧縮応力が発生するが、図６（ｇ）の裏面アニール工程により再び引っ張り応力が作用し、反り量は＋２．２ｍｍとなる。図６（ｈ）の工程で、おおよそ１０μｍの厚さのポリイミド６を塗布することにより、反り量は＋２．７ｍｍとなる。さらに、図６（ｉ）のパターニング工程により引っ張り応力が大きくなり、反り量は＋３．７ｍｍとなる。そして図６（ｊ）の工程で、基板裏面にＡｌ、Ｔｉ、ＮｉおよびＡｕよりなる多層構造のおおよそ１．５μｍ厚の金属蒸着層７を形成すると、大きな圧縮応力が作用し、−１０．０ｍｍの反り量となる。』と記載されていますように、図５−図６に示される『従来の製造プロセス』において、基板裏面に金属蒸着層７を形成する直前の図６（ｆ）〜（ｉ）の工程で、半導体基板１には、上記の応力が印加されています。
　これに対して、図１−図３及び明細書の『発明の実施の形態』欄に示される『本発明方法による製造プロセス』においては、基板裏面に金属蒸着層２０を形成する直前の図２（Ｇ）〜（Ｊ）の工程で、半導体基板１１は支持基板１５にて支持されています。そして、薄型化された半導体基板１１の裏面に支持基板１５を貼り付けた状態で、半導体装置の製造（図２（Ｇ）〜（Ｊ）の工程）を進めるため、半導体基板１１に作用する応力を小さく保ちながら図２（Ｇ）〜（Ｊ）の工程を進めることができます（当初明細書段落〔００１７〕参照）。
 
　拒絶理由通知書の『理由１ イ』で、『本発明方法による製造プロセス』は『従来の製造プロセス』と金属蒸着層蒸着時に発生する応力を小さくできる何らの工夫も見当たらない点で共通している、と指摘がありました。
　
上記のとおり、『本発明方法による製造プロセス』では、基板裏面に金属蒸着層２０を形成する直前の図２（Ｇ）〜（Ｊ）の工程を、半導体基板１１の裏面に支持基板１５を貼り付けた状態で進める点で、『従来の製造プロセス』と相違するものであります。
　
そして、半導体基板１１に作用する応力を小さく保ちながら図２（Ｇ）〜（Ｊ）の工程を進めることができます。
　
そして、当初明細書の段落〔００１９〕に記載されているように、薄型化された半導体基板の裏面に支持基板が貼り付けられた状態で、半導体装置の製造がおこなわれるため、半導体基板に作用する応力を小さく保ちながら工程を進めることができるので、半導体基板の反り量を小さく抑えることができ、基板割れを減らすことがで、高い生産性で薄型の半導体装置を製造することができる、という格別の効果を奏するものであります。
　
　なお、同じく『理由１ ウ』で、『本願の請求項１−２に係る発明は、上記課題が前提とする「基板裏面に金属蒸着層を形成すること」を構成として有するものでもないから、その点においても、上記課題との関係が不明確である。』と指摘されました点につきまして、出願人は、手続補正書を提出し、特許請求の範囲を補正しました。
　手続補正書における、請求項１の『前記半導体基板の裏面側に金属蒸着層を形成する工程と、』という補正事項は、願書に最初に添付した明細書の、段落[0016]の『そして図３（Ｎ）の工程で、基板裏面にＡｌ、Ｔｉ、ＮｉおよびＡｕよりなる多層構造のおおよそ１．５μｍ厚の金属蒸着層２０を形成する』という記載に基づくものであります。
　
　上記の補正により、同じく理由２，３で指摘のありました点も明確になったものと思料します。
　
　以上のとおり、
拒絶理由通知書で指摘のありました理由１〜３はすべて解消した
　
第５．本願の明細書の発明の詳細な説明の記載内容
　平成２２年１０月１９日付けの手続補正後の本願の明細書の発明の詳細な説明には、図１−６に関し、以下の記載がある。
　なお、以下に摘記した段落のうち、００１０段落は平成２２年１０月１９日付けの手続補正で補正されたものであり、その他の段落は当初明細書等に記載のとおりである。
　
「【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【発明の属する技術分野】
　本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に薄型のＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）やＭＯＳＦＥＴ（絶縁ゲート型電界効果トランジスタ）やＦＷＤ（フリーホイールダイオード）などの電力用半導体装置の製造方法に関する。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　近年、電力用半導体装置では、より低いオン電圧や、より低い損失が望まれている。これらの要求を満たすには、半導体装置を小型化したり、薄型化すればよい。薄型の電力用半導体装置の従来の製造プロセスを、フィールドストップ型ＩＧＢＴ（たとえば、下記の非特許文献１参照。）を例にして説明する。
図５および図６は、従来の製造プロセスを示す工程図である。
　　　【０００３】
　
まず、図５に示すように、半導体基板１を用意し、その表面側にＩＧＢＴの表面構造部２を形成する（同図（ａ）の工程）。なお、表面構造部２の詳細な構造については、図示を省略するが、プレーナ型またはトレンチ型のいずれでもよく、ｐ型のベース層、ｎ型のエミッタ層、ゲート酸化膜およびゲート電極を備えている。そして、表面構造部２の上にレジスト３を塗布する（図５（ｂ）の工程）。ついで、半導体基板１の裏面を研削し（図５（ｃ）の工程）、その研削した面を研磨し、洗浄する（図５（ｄ）の工程）。
　　　【０００４】
　
ついで、半導体基板１の裏面側にｎ型不純物層４とｐ型不純物層５を形成するため、ｎ型不純物およびｐ型不純物をイオン注入する（図５（ｅ）の工程）。ついで、図６に示すように、レジスト３を剥離し（同図（ｆ）の工程）、半導体基板１の裏面をアニールする（図６（ｇ）の工程）。ついで、半導体基板１の表面にポリイミド６を塗布し（図６（ｈ）の工程）、パターニングをおこなう（図６（ｉ）の工程）。そして、半導体基板１の裏面に金属蒸着層７を形成する（図６（ｊ）の工程）。
　　　【０００５】
　
従来例として、６インチのｎ型ＦＺウェハよりなる厚さ５２５μｍの半導体基板１を、研削および研磨により７０μｍの厚さまで薄くし、これを用いて半導体装置を製造する際に、上述した図５（ａ）〜（ｅ）および図６（ｆ）〜（ｊ）の各工程において、応力による半導体基板の反り量を測定した結果を図４に示す。ここで、反り量とは、半導体基板の中央と周縁との高さの差である。本明細書では、半導体基板の表面側が凹状になるときに半導体基板に引っ張り応力が作用しており、凸状になるときに圧縮応力が作用しているとする。そして、半導体基板に引っ張り応力が作用している場合の反り量を正の値で表し、圧縮応力が作用している場合の反り量を負の値で表す。なお、図４において、横軸の（ａ）〜（ｊ）は、上述した図５および図６の（ａ）〜（ｊ）の各工程に対応している。
　　　【０００６】
　
図４に示すように、図５（ａ）の表面形成工程から図５（ｅ）の裏面不純物層形成工程までは、引っ張り応力が作用する。裏面不純物層形成直後の反り量は＋１．６ｍｍである。図６（ｆ）の工程で、厚さ３μｍのレジスト３を剥離すると、圧縮応力が発生するが、図６（ｇ）の裏面アニール工程により再び引っ張り応力が作用し、反り量は＋２．２ｍｍとなる。図６（ｈ）の工程で、おおよそ１０μｍの厚さのポリイミド６を塗布することにより、反り量は＋２．７ｍｍとなる。さらに、図６（ｉ）のパターニング工程により引っ張り応力が大きくなり、反り量は＋３．７ｍｍとなる。そして図６（ｊ）の工程で、基板裏面にＡｌ、Ｔｉ、ＮｉおよびＡｕよりなる多層構造のおおよそ１．５μｍ厚の金属蒸着層７を形成すると、大きな圧縮応力が作用し、−１０．０ｍｍの反り量となる。
　　　【０００７】
　　　　【非特許文献１】
　　　　　Ｔ．Ｌａｓｋａ，外４名「Ｔｈｅ　Ｆｉｅｌｄ　Ｓｔｏｐ　ＩＧＢＴ（ＦＳＩＧＢＴ）　Ａ　Ｎｅｗ　Ｐｏｗｅｒ　Ｄｅｖｉｃｅ　Ｃｏｎｃｅｐｔ　ｗｉｔｈ　ａ　Ｇｒｅａｔ　Ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ　Ｐｏｔｅｎｔｉａｌ」ＩＳＰＳＤ’２０００．ｍａｙ　２２〜２５，　Ｐ．３５５〜Ｐ．３５８
　　　【０００８】
　　【発明が解決しようとする課題】
　上述したように、従来の製造プロセスでは、基板裏面に金属蒸着層７を形成したときの反り量が、基板割れの発生確率が高くなる反り量の臨界値である±３ｍｍ（図４に実線で示す）を超えてしまうため、割れが発生しやすいという問題点がある。また、割れが発生しなくても、後にチップ化するためにダイシングする際に、ダイシングしにくいという問題点が生じる。　
　　　【０００９】
　
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、薄型の半導体装置の製造段階において、半導体基板の反りを、割れが生じない程度に抑えることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする
「【００１０】
　　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するため、本発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板の裏面を研削する工程と、前記半導体基板の裏面側に第１導電型の不純物層を形成するために、イオン注入をおこなう工程と、前記半導体基板の裏面に支持基板を貼り付ける工程と、前記半導体基板の表面に半導体素子の表面構造を作製する工程と、前記支持基板を取り除く工程と、を順におこなうことを特徴とする。また、前記支持基板を取り除いた後に、前記半導体基板の裏面側に第２導電型の不純物層を形成するために、イオン注入をおこなう工程と、注入された第２導電型の不純物をレーザアニールにより拡散させる工程と、前記半導体基板の裏面側に金属蒸着層を形成する工程をさらに有することを特徴とする。ここで、前記支持基板は、前記半導体基板と同種の半導体でできているとよい。この発明によれば、薄型化された半導体基板の裏面に支持基板が貼り付けられた状態で、半導体装置が製造される。」
「　　【００１１】
　　【発明の実施の形態】
　
以下に、本発明の実施の形態を、フィールドストップ型ＩＧＢＴを製造する場合を例にして、図面を参照しつつ詳細に説明する。図１〜図３は、本発明の実施の形態にかかる製造プロセスを示す工程図である。まず、図１に示すように、半導体基板１１を用意し、その表面側に酸化膜１２を形成する（同図（Ａ）の工程）。そして、酸化膜１２の上にレジスト１３を塗布する（図１（Ｂ）の工程）。ついで、半導体基板１１の裏面を研削し（図１（Ｃ）の工程）、その研削した面を研磨し、洗浄する（図１（Ｄ）の工程）。
　　　【００１２】
　
ついで、半導体基板１１の裏面側にｎ型不純物層１４を形成するため、ｎ型不純物をイオン注入する（図１（Ｅ）の工程）。ついで、半導体基板１１（以下、第１の半導体基板１１とする）の裏面に、支持基板１５となる第２の半導体基板を加熱発泡テープまたはＵＶ硬化テープなどの粘着性物質１６を介して貼り付ける（図１（Ｆ）の工程）。ついで、図２に示すように、レジスト１３を剥離し（同図（Ｇ）の工程）、酸化膜１２を除去した後、第１の半導体基板１１の表面側にＩＧＢＴの表面構造部１７を形成する（同図（Ｈ）の工程）。なお、表面構造部１７の詳細な構造については、図５の表面構造部２と同じであるので、図示および説明を省略する。ついで、第１の半導体基板１１の表面にポリイミド１８を塗布し（図２（Ｉ）の工程）、パターニングをおこなう（図２（Ｊ）の工程）
　　　【００１３】
　
ついで、図３に示すように、第１の半導体基板１１から支持基板１５を、加熱することによってまたはＵＶ光を照射することによって取り除く（同図（Ｋ）の工程）。ついで、第１の半導体基板１１の裏面側にｐ型不純物層１９を形成するため、ｐ型不純物をイオン注入し（図３（Ｌ）の工程）、第１の半導体基板１１の裏面をアニールしてｐ型不純物層１９を形成する（図３（Ｍ）の工程）。ここで、基板裏面のアニールをレーザアニール法でおこなうことにより、表面構造部１７に影響を与えることなく、高濃度のｐ型不純物層１９を形成することができる。そして、第１の半導体基板１１の裏面に金属蒸着層２０を形成する（図３（Ｎ）の工程）。
　　　【００１４】
　
つぎに、上述した図１（Ａ）〜（Ｆ）、図２（Ｇ）〜（Ｊ）および図３（Ｋ）〜（Ｎ）の各工程において、応力による半導体基板の反り量を測定した結果を実施例として図４に示す。実施例では、６インチのｎ型ＦＺウェハよりなる厚さ５２５μｍの第１の半導体基板１１を、研削および研磨工程で７０μｍの厚さまで薄くした。なお、図４において、横軸の（Ａ）〜（Ｎ）は、上述した図１〜図３の（Ａ）〜（Ｎ）の各工程に対応している。
　　　【００１５】
　
図４に示すように、図１（Ａ）の酸化膜形成工程から図１（Ｅ）のｎ型不純物注入工程までは、引っ張り応力が作用する。ｎ型不純物注入直後の反り量は＋１．６ｍｍである。図１（Ｆ）の工程で、支持基板１５を貼り付けると、圧縮応力が発生し、反り量は−０．１ｍｍとなる。図２（Ｇ）の工程で、厚さ３μｍのレジスト１３を剥離すると、圧縮応力が発生するが、図２（Ｈ）の表面構造形成工程により再び引っ張り応力が発生し、反り量は＋０．０ｍｍとなる。図２（Ｉ）の工程で、おおよそ１０μｍの厚さのポリイミド１８を塗布することにより、反り量は＋０．２ｍｍとなる。さらに、図２（Ｊ）のパターニング工程では、引っ張り応力が作用し、反り量は＋０．３ｍｍとなる。
　　　【００１６】
　
図３（Ｋ）の工程で、支持基板１５を取り除くと、引っ張り応力が大きくなり、反り量は＋２．０ｍｍとなる。図３（Ｌ）のｐ型不純物注入工程および図３（Ｍ）のレーザアニール工程では、引っ張り応力が作用し、反り量は＋２．５ｍｍとなる。そして図３（Ｎ）の工程で、基板裏面にＡｌ、Ｔｉ、ＮｉおよびＡｕよりなる多層構造のおおよそ１．５μｍ厚の金属蒸着層２０を形成すると、圧縮応力が作用し、−２．０ｍｍの反り量となる。
　　　【００１７】
　
上述した実施の形態によれば、薄型化された第１の半導体基板１１の裏面に支持基板１５を貼り付けた状態で、半導体装置の製造をおこなうため、第１の半導体基板１１に作用する応力を小さく保ちながら工程を進めることができる。したがって、第１の半導体基板１１の反り量を基板割れの臨界値内に抑えることができるので、基板割れを減らすことができ、高い生産性で薄型の半導体装置を製造することができる。
　　　【００１８】
　以上において本発明は、フィールドストップ型ＩＧＢＴの製造に限らず、ノンパンチスルー型のＩＧＢＴや、ＭＯＳＦＥＴや、ＦＷＤなどの製造にも適用することができる。また、上述した厚さや反り量等の数値は一例であり、これに限定されるものではない。
　　　【００１９】
　　【発明の効果】
　本発明によれば、薄型化された半導体基板の裏面に支持基板が貼り付けられた状態で、半導体装置の製造がおこなわれるため、半導体基板に作用する応力を小さく保ちながら工程を進めることができるので、半導体基板の反り量を小さく抑えることができ、基板割れを減らすことができる。したがって、高い生産性で薄型の半導体装置を製造することができる。」
　
第６．当審の判断
１．検討内容について
　本願発明に関し、発明の詳細な説明の記載が、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしているか否かについて、以下、詳細に検討する。
  
２．本願発明に対応する発明の詳細な説明における発明の実施の形態について
　本願の明細書の発明の詳細な説明において「本発明の実施の形態」として記載された箇所のうち、００１１段落−００１４段落には、「本発明方法による製造プロセスを示す工程図」（図面の簡単な説明）である図１−３に関し、本願発明の各発明特定事項に対応して、工程を追った説明がなされており、かつ、００１５−００１７段落には、「実施例および従来例について、製造プロセスの各工程における半導体基板の反り量の測定結果を示す図」（図面の簡単な説明）である図４を参照しつつ、本願発明が奏する効果についての説明がなされているから、当該「本発明の実施の形態」は、本願発明に対応する発明の実施の形態である。
　
３．本願発明が解決しようとする課題について
　本願の明細書の発明の詳細な説明の０００８段落には「従来の製造プロセスでは、基板裏面に金属蒸着層７を形成したときの反り量が、基板割れの発生確率が高くなる反り量の臨界値である±３ｍｍ（図４に実線で示す）を超えてしまうため、割れが発生しやすいという問題点がある。また、割れが発生しなくても、後にチップ化するためにダイシングする際に、ダイシングしにくいという問題点が生じる。」との記載があり、また、これを受けて０００９段落には、「本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、薄型の半導体装置の製造段階において、半導体基板の反りを、割れが生じない程度に抑えることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。」との、発明が解決しようとする課題が記載されている。そして、本願の明細書及び図面全体の記載並びに出願時の技術常識に基づき検討しても、発明の詳細な説明の記載から当業者が把握できる発明が解決しようとする課題は、上記した「薄型の半導体装置の製造段階において、半導体基板の反りを、割れが生じない程度に抑えること」以外、見いだすことはできない。なお、そのように把握される発明が解決しようとする課題において、上記「半導体基板の反りを、割れが生じない程度に抑えること」との表現は抽象的であるが、上記０００８段落の記載に照らし、これは具体的に、半導体基板の「反り量」を「基板割れの発生確率が高くなる反り量の臨界値である±３ｍｍ」以内に抑えることを意味するものと解される。
　
４．本願発明が解決しようとする課題と本願発明を実施することとの整合性
　本願の明細書の発明の詳細な説明において、図１−３に関する「本発明方法による製造プロセス」（本願発明に対応する発明の実施の形態）と図５−６に関する「従来の製造プロセス」とを対比すると、両者は「半導体基板の裏面側に金属蒸着層を形成する工程」を有し、かつ、その工程が行われる際には、半導体基板に支持基板が貼り付けられていない点において共通している。また、両者は、「半導体基板の裏面側に金属蒸着層を形成する工程」に供される構造体、すなわち、その時点における半導体装置が製造される途中段階の構造体に関し、その物が特段相違しているとも認められない。
　そうすると、本願の明細書の発明の詳細な説明の記載に基づき、そのような「本発明方法による製造プロセス」を採用した際に、基板裏面に金属蒸着層を形成したときの反り量が、基板割れの発生確率が高くなる反り量の臨界値である±３ｍｍ以内に収まり、本願発明の上記課題を解決できるとなぜいえるのかが、出願時の技術常識を考慮したとしても、当業者が図５−６に関する「従来の製造プロセス」との比較において十分に理解できる程度のものではない。
　したがって、発明の詳細な説明の記載は、本願発明が、上記したような発明の解決しようとする課題をどのように解決したか、換言すれば、どのような技術上の意義を有するかということについて、特許法第３６条第４項第１号において「その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に、記載したものであること」という規定が満たされる程度にまで、当業者が十分に理解できるものではない。
　よって、この出願は、本願発明に関する発明の詳細な説明の記載が、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　なお、上記第４．で摘記をした両意見書における請求人の主張では、「半導体基板の裏面側に金属蒸着層を形成する工程」を含む本願発明が、上記で指摘した発明の解決しようとする課題をどのように解決したかについて、何ら言及していない。請求人は、平成２２年１０月２９日付けの意見書において、
「上記のとおり、『本発明方法による製造プロセス』では、基板裏面に金属蒸着層２０を形成する直前の図２（Ｇ）〜（Ｊ）の工程を、半導体基板１１の裏面に支持基板１５を貼り付けた状態で進める点で、『従来の製造プロセス』と相違するものであります。
　そして、半導体基板１１に作用する応力を小さく保ちながら図２（Ｇ）〜（Ｊ）の工程を進めることができます。
　そして、当初明細書の段落〔００１９〕に記載されているように、薄型化された半導体基板の裏面に支持基板が貼り付けられた状態で、半導体装置の製造がおこなわれるため、半導体基板に作用する応力を小さく保ちながら工程を進めることができるので、半導体基板の反り量を小さく抑えることができ、基板割れを減らすことがで、高い生産性で薄型の半導体装置を製造することができる、という格別の効果を奏するものであります。」
と主張しており、確かに、図１−３に関する「本発明方法による製造プロセス」の途中工程において、図５−６に関する「従来の製造プロセス」よりも、半導体基板に作用する応力が小さく保たれていること自体は、そのとおりの記載がなされている。しかしながら、それはあくまでも本願発明のうちの一部の発明特定事項のみを取り出し、その部分のみをもって本願発明が構成されるかのごとく、発明の効果を主張しているに等しいものである。すなわち、「半導体基板の裏面側に金属蒸着層を形成する工程」までをも含めた本願発明全体に対応する図１−３に関する「本発明方法による製造プロセス」として、発明の解決しようとする課題をどのように解決したかという点については、依然として当業者が十分に理解できる程度にまで説明するものではない。
　したがって、「拒絶理由通知書で指摘のありました理由１〜３はすべて解消した」との、上記両意見書における請求人の主張は、当審拒絶理由のうち、少なくとも理由１に関して採用することはできない。
　
５．判断のまとめ
　以上のとおり、本願発明に関する発明の詳細な説明の記載は、本願発明の解決しようとする課題をどのように解決するものか、換言すれば、どのような技術上の意義がもたらされるのかについて、当業者が十分に理解できる程度のものではないから、特許法第３６条第４項第１号が「その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に、記載したものであること」と定める要件を満たしていない。
　
第７．むすび
　以上検討したとおりであるから、他の理由について検討するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。