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　特願２００４−　２０１９９「太陽電池パネル」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　８月１１日出願公開、特開２００５−２１７０４６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成１６年１月２８日の出願であって、平成２１年４月１日付けで手続補正がなされたが、同年５月１５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月２６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２１年８月２６日付け手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２１年８月２６日付けの手続補正を却下する。 
　
［理由］ 
１．補正の内容 
　平成２１年８月２６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の請求項１を以下のとおりの請求項１に補正することを含むものである。
「太陽光の照射側に位置する非晶質の半導体膜と、前記太陽光の照射側の反対側に位置する微結晶の半導体膜とをタンデムした構成の太陽電池パネルにおいて、
　上記非晶質の半導体膜と上記微結晶の半導体膜との間に、微結晶のｎ型半導体膜で構成された中間層が設けられており、
　上記非晶質の半導体膜のうち上記中間層に接する層は、非晶質のｎ型半導体層であり、かつ上記微結晶の半導体膜のうち上記中間層に接する層は、微結晶のｐ型半導体層であって、上記中間層に接している上記非晶質のｎ型半導体層と上記中間層とが同一のドーパンドでドーピングされていることを特徴とする太陽電池パネル。」
　
２．補正の目的
　請求項１に係る本件補正は、補正前の請求項１の「非晶質の半導体膜と微結晶の半導体膜とをタンデムした構成」を「太陽光の照射側に位置する非晶質の半導体膜と、前記太陽光の照射側の反対側に位置する微結晶の半導体膜とをタンデムした構成」に限定するとともに、「上記非晶質の半導体膜のうち上記中間層に接する層は、非晶質のｎ型半導体層であり、かつ上記微結晶の半導体膜のうち上記中間層に接する層は、微結晶のｐ型半導体層であって」と限定するものであるので、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
３．独立特許要件
　本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下検討する。 
　
（１）引用例
　原査定の拒絶理由において引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−２３７６０９号公報（以下「引用例」という。）には下記の記載がある。
　
ア「【０００２】
【従来の技術】近年では薄膜太陽電池も多様化し、従来の非晶質薄膜太陽電池の他に結晶質薄膜太陽電池も開発され、これらを積層したタンデム型（ハイブリッド）薄膜太陽電池も実用化されつつある。
【０００３】半導体薄膜太陽電池は、一般に、少なくとも表面が絶縁性の基板上に順に積層された第１電極、１以上の半導体薄膜光電変換ユニット、および第２電極を含んでいる。そして、１つの光電変換ユニットはｐ型層とｎ型層でサンドイッチされたｉ型層を含んでいる。
【０００４】光電変換ユニットの厚さの大部分を占めるｉ型層は実質的に真性の半導体層であって、光電変換作用は主としてこのｉ型層内で生じる。したがって、ｉ型光電変換層は光吸収のためには厚い方が好ましいが、必要以上に厚くすればその堆積のためのコストと時間が増大することになる。
【０００５】他方、ｐ型やｎ型の導電型層は光電変換ユニット内に拡散電位を生じさせる役目を果たし、この拡散電位の大きさによって薄膜太陽電池の重要な特性の１つである開放端電圧の値が左右される。しかし、これらの導電型層は光電変換に直接寄与しない不活性な層であり、導電型層にドープされた不純物によって吸収される光は発電に寄与しない損失となる。したがって、ｐ型とｎ型の導電型層は、十分な拡散電位を生じさせ得る範囲内で、できるだけ小さな厚さを有することが好ましい。
【０００６】このようなことから、光電変換ユニットまたは薄膜太陽電池は、それに含まれるｐ型とｎ型の導電型層が非晶質か結晶質かにかかわらず、その主要部を占めるｉ型の光電変換層が非晶質のものは非晶質ユニットまたは非晶質薄膜太陽電池と称され、ｉ型層が結晶質のものは結晶質ユニットまたは結晶質薄膜太陽電池と称される。
【０００７】ところで、薄膜太陽電池の変換効率を向上させる方法として、２以上の光電変換ユニットを積層してタンデム型にする方法がある。この方法においては、薄膜太陽電池の光入射側に大きなバンドギャップを有する光電変換層を含む前方ユニットを配置し、その後ろに順に小さなバンドギャップを有する（たとえばＳｉ−Ｇｅ合金などの）光電変換層を含む後方ユニットを配置することにより、入射光の広い波長範囲にわたって光電変換を可能にし、これによって太陽電池全体としての変換効率の向上が図られる。このようなタンデム型薄膜太陽電池の中でも、非晶質光電変換ユニットと結晶質光電変換ユニットの両方を含むものは特にハイブリッド薄膜太陽電池と称されることもある。
【０００８】たとえば、ｉ型非晶質シリコンが光電変換し得る光の波長は長波長側において８００ｎｍ程度までであるが、ｉ型結晶質シリコンはそれより長い約１１００ｎｍ程度の波長の光までを光電変換することができる。ここで、光吸収係数の大きな非晶質シリコン光電変換層は光吸収のためには単層でも０．３μｍ以下の厚さで十分であるが、光吸収係数の小さな結晶質シリコン光電変換層は長波長の光をも十分に吸収するためには単層では２〜３μｍ程度以上の厚さを有することが好ましい。すなわち、結晶質光電変換層は、通常は、非晶質光電変換層に比べて１０倍程度に大きな厚さを有することが望まれる。」
　
イ「【００２１】まず図１において、本発明の実施の形態の一例による製法によって作製されたタンデム型薄膜太陽電池セルが模式的な断面図で示されている。すなわち、この太陽電池セルでは、ガラスなどの透明絶縁基板１上に透明導電性酸化物（ＴＣＤ）からなる透明電極２が形成される。透明電極２上には、第１の光電変換ユニット３に含まれるｐ型層３ｐ、実質的に真性半導体の非晶質または結晶質の光電変換層３ｉ、およびｎ型層３ｎがプラズマＣＶＤで順次に堆積される。
【００２２】ここで、ｎ型層３ｎのドーパント濃度は、通常の光電変換ユニットに含まれるｎ型層に比べて低くされ、具体的には１．５×１０20ｃｍ-3以下にされる。これは、ｎ型層３ｎのドーパント濃度が低くなるに従って、そのｎ型層３ｎの表面が酸化されにくくなるとともにポーラスになりにくくなるからである。
【００２３】その後、基板１がプラズマＣＶＤ装置から大気中に引出され、それによってｎ型層３ｎの表面が大気に露呈される。その後に、基板１が他のプラズマＣＶＤ装置内に導入され、好ましくは、大気中露呈によって汚染または変質させられたｎ型層３ｎの表面層を浄化または改質するように水素プラズマへの暴露処理がなされる。ただし、この水素プラズマ暴露処理は不可欠なものではなく、省略することも可能である。
【００２４】ｎ型層３ｎ上には次に形成される結晶質光電変換ユニット４の結晶化を容易にするように作用し得るフレッシュな付加的ｎ型微結晶中間層５ｎがプラズマＣＶＤで堆積される。ここで、このｎ型中間層５ｎのドーパント濃度は、ｎ型層３ｎの低ドーパント濃度を補うように比較的高濃度にされ、具体的には５×１０20ｃｍ-3以上にされる。すなわち、ｎ型中間層５ｎは第１光電変換ユニット３のｎ型層３ｎの機能を補充するようにも作用し、第１光電変換ユニット３に含まれるｎ型層の一部と考えることもできる。
【００２５】ｎ型微結晶中間層５ｎ上には、第２の光電変換ユニット４に含まれるｐ型層４ｐ、実質的に真性の結晶質光電変換層４ｉおよびｎ型層４ｎが順次プラズマＣＶＤで堆積され、最後に裏面電極１０が形成される。
【００２６】なお、水素プラズマ暴露処理は、それに引続くｎ型中間層５ｎおよびｐ型層４ｐのプラズマＣＶＤの際と実質的に同一のガス圧の下で行なうことができる。すなわち、水素プラズマ暴露処理とｎ型中間層５ｎの形成の工程を付加しても、それに伴って必要となるガス圧調整時間を非常に短くすることができる。
【００２７】このようなタンデム型薄膜太陽電池セルの製造方法においては、第１光電変換ユニット３のｎ型層３ｎが大気中に露呈されてもそのドーパント濃度が低いのでその表面層が劣化しにくく、少し劣化したとしても水素プラズマ暴露処理によって浄化または改質することもできる。水素プラズマはｎ型層３ｎの表面を浄化するとともにその結晶化を促し、または非晶質成分を除去するように作用する。そして、そのｎ型層３ｎ上に新たに形成されるフレッシュなｎ型微結晶中間層５ｎがその上に堆積される結晶質光電変換ユニット４の結晶化を容易にさせる効果とも相俟って、結晶質ユニット４は大気に露呈された通常のドーパント濃度のｎ型層３ｎ上に水素プラズマ暴露処理を経ることなく直接堆積される場合に比べて良好な結晶性を有し、基板１が一旦大気中に取出されることによる悪影響を顕著に軽減することができる。
【００２８】このようにして第１ユニット３と第２ユニット４とが別々のＣＶＤ装置で形成することが可能になれば、それぞれのユニットに求められる最良の特性を実現するために最も適合するＣＶＤ条件を別々に設定することができ、タンデム型薄膜太陽電池セル全体としての性能をむしろ改善し得ると期待される。また、それぞれのユニットのために複数の製造ラインを利用することができるので生産効率を高めることができ、さらに複数のプラズマＣＶＤ装置の利用によってそれらの装置のメンテナンスを順次円滑に行なうことができるようになる。
【００２９】なお、上述のような実施形態の製造方法によって得られるタンデム型薄膜太陽電池において、各光電変換ユニットが効率的に光を吸収することができるように、光電変換されるべき光は各光電変換ユニットのｐ型層側から入射させられる。また、タンデム型薄膜太陽電池が非晶質ユニットと結晶質ユニットとの両方を含むハイブリッド薄膜太陽電池である場合には、より短い波長の光を吸収し得る非晶質光電変換ユニットが光入射側に近い前方ユニットとして配置され、より長い波長の光を吸収し得る結晶質光電変換ユニットは光入射側から遠い後方ユニットとして配置される。」
　
ウ「【００３２】（実施例１）図２は、実施例１において作製された集積型ハイブリッド薄膜太陽電池を模式的な断面図で図解している。この太陽電池の製造において、まず、ガラス基板１上に、微細な表面凹凸構造（表面テクスチャ）を有する酸化スズ膜からなる透明電極層２が形成された。この透明電極層２は、ＹＡＧレーザを用いたレーザスクライブによって形成された溝２ａによって複数の短冊状の透明電極領域に分離された。すなわち、透明電極分離溝２ａは、図２の紙面に対して垂直方向に延びている。
【００３３】その後、透明電極層２上には、１７５℃の基板温度のもとで、ｐｉｎ型の非晶質光電変換ユニット層３がＳｉＨ4とＨ2を含む原料ガスを利用してプラズマＣＶＤによって形成された。この非晶質光電変換ユニット層３に含まれるｐ型シリコン層３ｐは、１０ｎｍの厚さに堆積された。ノンドープのｉ型非晶質シリコン光電変換層３ｉは、０．２７μｍの厚さに堆積された。そして、ｎ型シリコン層３ｎは、ＳｉＨ4／ＰＨ3（Ｈ2ベースで０．５％ドープの希釈ガス）／Ｈ2混合ガス中のそれぞれのガス流量比が１／０．４／１００のもとで８ｎｍの厚さの微結晶層として堆積された。このとき、Ｓｉに対するＰのドーピング濃度は１×１０20ｃｍ-3になる。
【００３４】その後、基板１がＣＶＤ装置のアンロードチャンバ内に搬送され、そのチャンバが速やかにＮ2ガスで満たされた後に、基板１が大気中に取出されて、ｎ型微結晶シリコン層３ｎの表面が４０時間だけ大気に露呈された。
【００３５】さらにその後、基板１が他のＣＶＤ装置のロードチャンバ内にセットされ、１７５℃に昇温された後に、０．１〜０．２Ｗ／ｃｍ2のＲＦ（高周波）パワー密度条件の下の水素プラズマにｎ型微結晶シリコン層３ｎの表面が３０〜６０秒の間暴露された。その後にＲＦ電源を切って、一旦高真空に真空引きすることなく、ＳｉＨ4／ＰＨ3（希釈ガス）／Ｈ2＝１／４／９６の混合ガスにて調圧した後に厚さ３０ｎｍのｎ型微結晶シリコン中間層５ｎが堆積されるとともに、これに続いてｐｉｎ型の結晶質光電変換ユニット層４が堆積された。このとき、ｎ型中間層５ｎ中のＰのドーピング濃度は１×１０21ｃｍ-3になる。
【００３６】結晶質光電変換ユニット層４に含まれるｐ型微結晶シリコン層４ｐは１５ｎｍの厚さに堆積され、ノンドープのｉ型結晶質シリコン光電変換層４ｉが１．７μｍの厚さに堆積され、そしてｎ型微結晶シリコン層４ｎが２０ｎｍの厚さに堆積された。さらに、裏面電極層１０の一部として働く厚さ６０ｎｍの酸化亜鉛膜が、結晶質光電変換ユニット層４上を覆うようにスパッタリングによって形成された。
【００３７】その後、基板が大気中に取出され、ＹＡＧレーザを用いたレーザスクライブによって半導体層分割溝４ａが形成された。そして、さらに裏面電極１０に含まれる厚さ３０ｎｍの酸化亜鉛膜、２００ｎｍの銀膜、および厚さ５ｎｍのチタン膜がそれぞれスパッタリングによって形成された。最後に、裏面電極層１０を複数の短冊状裏面電極に分離するために、ＹＡＧレーザを用いたレーザスクライブによって裏面電極分離溝１０ａが形成された。こうして、図２に示されているように左右に隣接する短冊状ハイブリッドセルが互いに電気的に直列接続された集積型ハイブリッド薄膜太陽電池が製造された。」
　
エ「【００５３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、タンデム型薄膜太陽電池の性能を低下させることなくその製造工程の融通性を高めかつ生産効率を改善し得る製造方法を提供することができる」
　
　上記ウから、引用例には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「ガラス基板１上に、微細な表面凹凸構造（表面テクスチャ）を有する酸化スズ膜からなる透明電極層２が形成され、その後、透明電極層２上には、１７５℃の基板温度のもとで、ｐｉｎ型の非晶質光電変換ユニット層３がＳｉＨ4とＨ2を含む原料ガスを利用してプラズマＣＶＤによって形成され、この非晶質光電変換ユニット層３に含まれるｐ型シリコン層３ｐは、１０ｎｍの厚さに堆積され、ノンドープのｉ型非晶質シリコン光電変換層３ｉは、０．２７μｍの厚さに堆積され、ｎ型シリコン層３ｎは、ＳｉＨ4／ＰＨ3（Ｈ2ベースで０．５％ドープの希釈ガス）／Ｈ2混合ガス中のそれぞれのガス流量比が１／０．４／１００のもとで８ｎｍの厚さの微結晶層として堆積され、Ｓｉに対するＰのドーピング濃度は１×１０20ｃｍ-3になり、その後、基板１がＣＶＤ装置のアンロードチャンバ内に搬送され、そのチャンバが速やかにＮ2ガスで満たされた後に、基板１が大気中に取出されて、ｎ型微結晶シリコン層３ｎの表面が４０時間だけ大気に露呈され、さらにその後、基板１が他のＣＶＤ装置のロードチャンバ内にセットされ、１７５℃に昇温された後に、０．１〜０．２Ｗ／ｃｍ2のＲＦ（高周波）パワー密度条件の下の水素プラズマにｎ型微結晶シリコン層３ｎの表面が３０〜６０秒の間暴露され、その後にＲＦ電源を切って、一旦高真空に真空引きすることなく、ＳｉＨ4／ＰＨ3（希釈ガス）／Ｈ2＝１／４／９６の混合ガスにて調圧した後に厚さ３０ｎｍのｎ型微結晶シリコン中間層５ｎが堆積されるとともに、これに続いてｐｉｎ型の結晶質光電変換ユニット層４が堆積され、このとき、ｎ型中間層５ｎ中のＰのドーピング濃度は１×１０21ｃｍ-3になり、結晶質光電変換ユニット層４に含まれるｐ型微結晶シリコン層４ｐは１５ｎｍの厚さに堆積され、ノンドープのｉ型結晶質シリコン光電変換層４ｉが１．７μｍの厚さに堆積され、そしてｎ型微結晶シリコン層４ｎが２０ｎｍの厚さに堆積され、さらに、裏面電極層１０の一部として働く厚さ６０ｎｍの酸化亜鉛膜が、結晶質光電変換ユニット層４上を覆うようにスパッタリングによって形成され、その後、基板が大気中に取出され、さらに裏面電極１０に含まれる厚さ３０ｎｍの酸化亜鉛膜、２００ｎｍの銀膜、および厚さ５ｎｍのチタン膜がそれぞれスパッタリングによって形成される、集積型ハイブリッド薄膜太陽電池。」
　
（２）対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
　
ア　引用発明の、「ｐｉｎ型の非晶質光電変換ユニット層３」、「ｎ型微結晶シリコン中間層５ｎ」、「ｐｉｎ型の結晶質光電変換ユニット層４」及び「集積型ハイブリッド薄膜太陽電池」は、それぞれ本願補正発明の「非晶質の半導体膜」、「（上記非晶質の半導体膜と上記微結晶の半導体膜との間に、微結晶のｎ型半導体膜で構成された）中間層」、「微結晶の半導体膜」及び「太陽電池パネル」に相当する。
　
イ　引用発明はハイブリッド薄膜太陽電池であるところ、ハイブリッド薄膜太陽電池は、上記（１）イの段落【００２９】に記載されるように、短い波長の光を吸収し得る非晶質光電変換ユニットが光入射側に近い前方ユニットとして配置され、より長い波長の光を吸収し得る結晶質光電変換ユニットは光入射側から遠い後方ユニットとして配置されるタンデム型薄膜太陽電池であることから、引用発明の「ｐｉｎ型の非晶質光電変換ユニット層３」が太陽光の照射側に位置し、「ｐｉｎ型の結晶質光電変換ユニット層４」が前記太陽光の照射側の反対側に位置することは明らかであり、引用発明は、本願補正発明の「太陽光の照射側に位置する非晶質の半導体膜と、前記太陽光の照射側の反対側に位置する微結晶の半導体膜とをタンデムした構成」を具備する。
　
ウ　引用発明は、「非晶質光電変換ユニット層３に含まれるｎ型シリコン層３ｎは、ＳｉＨ4／ＰＨ3（Ｈ2ベースで０．５％ドープの希釈ガス）／Ｈ2混合ガス中のそれぞれのガス流量比が１／０．４／１００のもとで８ｎｍの厚さの微結晶層として堆積され、Ｓｉに対するＰのドーピング濃度は１×１０20ｃｍ-3になり、その後、ＳｉＨ4／ＰＨ3（希釈ガス）／Ｈ2＝１／４／９６の混合ガスにて調圧した後に厚さ３０ｎｍのｎ型微結晶シリコン中間層５ｎが堆積されるとともに、これに続いてｐｉｎ型の結晶質光電変換ユニット層４が堆積され、このとき、ｎ型中間層５ｎ中のＰのドーピング濃度は１×１０21ｃｍ-3になり、結晶質光電変換ユニット層４に含まれるｐ型微結晶シリコン層４ｐは１５ｎｍの厚さに堆積され、ノンドープのｉ型結晶質シリコン光電変換層４ｉが１．７μｍの厚さに堆積され、そしてｎ型微結晶シリコン層４ｎが２０ｎｍの厚さに堆積される」ものであるので、引用発明と本願補正発明とは、「上記非晶質の半導体膜のうち上記中間層に接する層は、ｎ型半導体層であり、かつ上記微結晶の半導体膜のうち上記中間層に接する層は、微結晶のｐ型半導体層であって、上記中間層に接している上記ｎ型半導体層と上記中間層とが同一のドーパンドでドーピングされている」点で一致する。
　
エ　上記アないしウから、本願補正発明と引用発明とは、
「太陽光の照射側に位置する非晶質の半導体膜と、前記太陽光の照射側の反対側に位置する微結晶の半導体膜とをタンデムした構成の太陽電池パネルにおいて、
　上記非晶質の半導体膜と上記微結晶の半導体膜との間に、微結晶のｎ型半導体膜で構成された中間層が設けられており、
　上記非晶質の半導体膜のうち上記中間層に接する層は、ｎ型半導体層であり、かつ上記微結晶の半導体膜のうち上記中間層に接する層は、微結晶のｐ型半導体層であって、上記中間層に接している上記ｎ型半導体層と上記中間層とが同一のドーパンドでドーピングされている太陽電池パネル」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点：
　本願補正発明は、「上記非晶質の半導体膜のうち上記中間層に接する層は、非晶質のｎ型半導体層」であるのに対し、引用発明は、ｎ型微結晶シリコン中間層５ｎが堆積される非晶質光電変換ユニット層３に含まれるｎ型シリコン層３ｎは、微結晶層として堆積される点。
　
（３）判断
　より短い波長の光を吸収し得る非晶質光電変換ユニットが光入射側に近い前方ユニットとして配置され、より長い波長の光を吸収し得る結晶質光電変換ユニットは光入射側から遠い後方ユニットとして配置されるハイブリッド薄膜太陽電池において、非晶質光電変換ユニットのｎ型の導電型層が非晶質であるものは周知（例えば、特開２００３−２８２９０２号公報の【００４５】〜【００５０】、特開２００３−２７３３８３号公報の段落【０１８６】〜【０１８９】を参照）であるので、引用発明の非晶質光電変換ユニット層３に含まれるｎ型シリコン層３ｎを非晶質として堆積して、引用発明を本願補正発明の上記相違点に係る構成を具備するものとすることは、当業者が容易に想到できたことである。
　
　そして、本願補正発明の奏する作用効果も、引用発明が奏する作用効果（上記（１）エ）以上の格別なものとは認められない。
　
　よって、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　　
　
　
第３　本願発明について
　
１．本願発明
　平成２１年８月２６日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願特許請求の範囲は、平成２１年４月１日付け手続補正書に記載されたとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。 
「非晶質の半導体膜と微結晶の半導体膜とをタンデムした構成の太陽電池パネルにおいて、
　上記非晶質の半導体膜と上記微結晶の半導体膜との間に、微結晶のｎ型半導体膜で構成された中間層が設けられており、前記中間層に接している前記非晶質のｎ型半導体層と前記中間層とが同一のドーパンドでドーピングされていることを特徴とする太陽電池パネル。」（以下「本願発明」という。）
 　 
２．引用例
　上記「第２　３．（１）　」に記載のとおりのものである。
　
３．対比・判断 
　本願発明は、本願補正発明において、「非晶質の半導体膜と微結晶の半導体膜とをタンデムした構成」を「太陽光の照射側に位置する非晶質の半導体膜と、前記太陽光の照射側の反対側に位置する微結晶の半導体膜とをタンデムした構成」とする限定及び「上記非晶質の半導体膜のうち上記中間層に接する層は、非晶質のｎ型半導体層であり、かつ上記微結晶の半導体膜のうち上記中間層に接する層は、微結晶のｐ型半導体層であって」とする限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　３．（３）」で検討したとおり、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび 
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。