【事件の表示】
　特願２００３−３７９６４９「半導体装置、光プリントヘッド、及び画像形成装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　６月２４日出願公開、特開２００４−１７９６４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１５年１１月１０日（優先権主張平成１４年１１月１１日）の出願であって、平成２１年１月２２日付けで拒絶理由が通知され、同年３月２５日に手続補正がなされたが、同年６月２日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年９月９日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日に手続補正がなされたものである。（以下、この平成２１年９月９日になされた手続補正を「本件補正」という。）
　
II．本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、本願特許請求の範囲について、本件補正前の請求項１を削除するとともに、本件補正前の請求項２をさらに限定して、次のとおりの請求項１とすることを含むものであって、平成１８年法律第５５号による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであると認められるので、以下に、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について独立特許要件の検討を行う。
　
「【請求項１】
　端子領域を備えた集積回路を有する半導体基板と、
　前記基板の前記端子領域を有する面上の所定領域に密着形成された導電性材料層と、
　少なくとも一つの半導体素子を有し、前記導電性材料層の表面に貼り付けられた１０μｍ以下の厚さでシート状の半導体薄膜と、
　前記半導体薄膜の前記半導体素子上から前記基板の前記端子領域上に至る領域に形成され、前記半導体素子と前記基板上の端子領域とを電気的に接続する薄膜の個別配線層と、
　前記個別配線層下の前記個別配線層のコンタクト領域以外の部分に備えられた層間絶縁膜とを有し、
　前記導電性材料層は前記半導体薄膜を密着接合する接合面を有し、該接合面で前記半導体薄膜を固定するものであり、
　前記半導体素子は前記基板上に複数設けられており、前記端子領域は該半導体素子に一対一に対向されており、
　前記個別配線層は該対向する半導体素子と端子領域の間を接続する
　ことを特徴とする半導体装置。」　
　
２．引用例
　原査定の拒絶理由に引用された特開２００１−６８７９５号公報（以下「引用例」という。）には、次の記載がある。
　
「【請求項１】基板面に対して垂直に発光又は受光を行なう少なくとも１つの面型光素子において、該面型光素子の形成に必要な保持基板となる第１の基板を除去或は薄膜化して機能層および受・発光、電気的制御を行なう為に必要な該機能層の少なくとも一方の表面に形成された電極から成る面型光素子が、該第１の基板とは異なる第２の基板に、該機能層の表面に形成された電極と該第２の基板上に形成された電極とが電気的接触が得られる様に接着されており、且つ該第２の基板上に該面型光素子を独立に駆動、制御する為の電極配線が形成されていることを特徴とする面型光素子。」
　
「【請求項６】該第２の基板はＳｉであり、該面型光素子を駆動、制御する為のＳｉ集積回路が第２の基板に作製されていて請求項１乃至４の何れかに記載の面型光素子と集積化されていることを特徴とする光電子融合ＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ−Ｃｈｉｐ−Ｍｏｄｕｌｅ）。」
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、作製が容易で歩留まりの高い２次元アレイ型の構成に適した面型光素子、その製造方法、およびそれをＳｉ集積回路と集積化した光電子融合デバイス、それを用いた光配線装置、光記録装置などに関する。」
　
「【００２８】［実施例１］本発明による第１の実施例は、面型光素子として面発光レーザを用い、その発光層およびミラー層を含む機能層のみを熱伝導性の良いセラミック基板（ＡｌＮなど）に転写したものである。その断面斜視図を図１に示す。
【００２９】ＡｌＮセラミック基板１上の面発光レーザ３が実装される領域にはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる電極２が形成されており、共通電極となっている。面発光レーザ３は、該電極２上の一部に形成されたＡｕ／Ｓｎハンダ（不図示）によって、面発光レーザのｐ側電極として形成されたｎ／Ｐｔ／Ａｕ電極４が共通電極２と加熱により接合されている。このとき、接着方法は、ここでの例のように蒸着やメッキにより形成されたハンダを用いてもよいが、ハンダボールを用いる方法、あるいは導電性接着剤を用いる方法、Ａｕ同志の圧着による方法などでもよい。」
　
「【００３２】また、図１では４つの面発光レーザ３が２次元アレイ状に実装されているが、もちろん個数に限定はない。また、図７のように１次元アレイとして並べてもよい。この場合、面発光レーザ上を他の面発光レーザからの電気配線が通ることがないので、絶縁層としてのポリイミドはＧａＡｓ表面には必要なく、素子の端面に図２（ａ）の符号１９のような絶縁層を形成し、ＡｌＮ基板１側の電極２との絶縁を保てる膜を形成しておけばよい。素子間には分離溝を図１のように形成することが望ましいが、分離後に溝にポリイミドなどを埋め込んで平坦化してもよい。ｎ側電極９の形状がＬ字型になっているのも、これに限らず、発光領域１０からの光が取り出せるように窓が開いている構造であれば、全面に電極が形成されていてもよい。」
　
「【００３４】ｎ側電極９の配線やＳｉ−ＩＣ２０との接続の仕方を含めた断面図および平面図を図２に示す。図２（ａ）は面発光レーザ部分のみを説明するための図であり図２（ｂ）のＡ−Ａ’断面図である。図１と同じ部分に相当する部分には同じ番号を付している。
【００３５】面発光レーザ３の構造についてはすでに説明した通りであり、素子分離溝にはポリイミド１２を埋め込んでいる。面発光レーザの最表面には絶縁層として感光性ポリイミド１３を形成し、光取り出し部に窓１４を電極コンタクト部にホール１７をパターニングにより形成する。該ホール１７を介して電極コンタクトを取り、電極配線１５を介してセラミック基板１上まで引き出す。符号１６は電極配線のうち奥に見えているものである。面発光レーザ３のサイドウォールにも絶縁性を保つために、表面上のポリイミドパターニングのときにセルフアラインでポリイミド１９を形成している。すなわち、素子表面にポリイミドを塗布して全面を覆った後、Ｏ２プラズマなどでエッチングするとセルフアラインで該サイドウォールにポリイミドが残る。
【００３６】図２（ｂ）の平面図では、ロジック信号から面発光レーザを駆動させるためのＳｉ−ＩＣのベアチップ２０が同一セラミック基板１上にフリップチップ実装されており、配線１５（例えばＴｉ／Ａｕ）で面発光レーザ３と接続されている。面発光レーザのｐ側の共通電極となる部分２は配線１８を介して電源に接続される。
【００３７】このようにして光素子３とＳｉ−ＩＣ２０が同一基板１上に形成されたＭＣＭを提供することができる。ここで、光素子は成長基板を除去して薄膜化しているので、電気配線を表面プロセスによって形成することができ、歩留まり、小型化、高速性に問題があるワイヤボンディングを用いる必要がなくなる。」
　
「【００３９】さらに、接触抵抗が大きくなり易いｐ側電極４のコンタクト面積を大きくできる構造なので、素子抵抗が低減でき、熱特性、出力パワーなどの特性改善につながる。本実施例では、実装基板１としてセラミック基板を用いたが、Ｓｉ基板、金属板、ガラスエポキシ系のプリント回路基板などでもよい。必要に応じて基板表面に絶縁膜を形成するなどして素子間の絶縁を取ればよい。」
　
「【００４０】次に、図３をもとに作製プロセスを説明する。図３（ａ）において、ｎ−ＧａＡｓ基板３０上に有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）などで、ｎ−ＧａＡｓバッファ層、ｎ−ＡｌＡｓエッチストップ層、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層（以上不図示）、ｎ−ＡｌＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多層膜から成るＤＢＲミラー層８、アンドープのＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ３重量子井戸をＡｌＧａＡｓスペーサ層で挟んで１波長分の厚さとした活性層７、ｐ−ＡｌＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多層膜から成るＤＢＲミラー層６、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層（不図示）をエピタキシャル成長する。その後、発光領域１０を形成するためにドーナツ状に活性層７近傍までエッチングして、エッチ部にポリイミド１１を埋め込んで平坦化し、共通電極となるｐ型電極としてＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ４を全面に形成する。
【００４１】図３（ｂ）において、ＡｌＮ基板１上に共通電極となるＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極２を形成し、面発光レーザ３が接着される領域にＡｕ／Ｓｎハンダ（不図示）を蒸着などにより形成して、加熱圧着により接着する。
【００４２】図３（ｃ）において、面発光レーザ側のＧａＡｓ基板３０を除去するために、過酸化水素水とアンモニア水の混合液でＡｌＡｓエッチストップ層までエッチングを行い、ＡｌＡｓエッチストップ層はＨＣｌでエッチングして、ＧａＡｓコンタクト層を露出させる。その後、素子間の分離溝を形成してポリイミド１２で平坦化した後、ｎ側電極としてＡｕＧｅ／Ａｕ９を形成する。電極コンタクトを向上させるために、４００℃で２分程度のアニールを行ってもよい。このとき、ＡｌＮ基板１と面発光レーザ３の接着におけるＡｕ／Ｓｎはんだのリフローの工程を兼ねることになる。
【００４３】図３（ｄ）において、配線を形成するために感光性ポリイミド１３を用いてｎ−ＧａＡｓ表面をカバーし、光取り出し窓１４およびコンタクトホール１７の部分だけパターニングによりポリイミドを抜いている。その後、図２のようにＩＣとの配線パターン１５を形成してから、フリップチップ実装でＳｉ−ＩＣ２０を実装してやればよい。」
　
「【００４８】また、Ｓｉ−ＩＣをフリップチップ実装でハイブリッド化する構造について述べたが、Ｓｉ−ＩＣを作製した基板を符号１で示す基板として、ＩＣの形成されていない領域に光素子の転写を行ってもよい。この場合、図２（ｂ）の符号２０の部分がＩＣの作製された領域に相当する。」
　
「【００５７】…このとき、ＧａＡｓ基板をエッチングしてＳｉ基板８０表面に残っている面発光レーザの機能層の厚さは５μｍ程度なので、ホトリソグラフィーによる一括表面プロセスが可能となっている。」
　
「【００６３】…ここで、面発光レーザ１０４は実施例１のようにＧａＡｓ基板を除去して５μｍ程度の機能層のみが実装されており、それに合わせて、Ｓｉ−ＩＣ１０６もＣＭＰによって５μｍ程度まで薄膜化した状態で実装されている。…」
　
　上記段落【００２８】〜【００２９】、【００３４】〜【００３７】及び【００４０】〜【００４３】の記載によれば、引用例には、
「ＡｌＮセラミック基板１上の面発光レーザ３が実装される領域にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる電極２が形成されており、面発光レーザ３は、面発光レーザのｐ側電極として形成されたＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極４がＡｕ／Ｓｎハンダによって前記電極２に加熱により接合されており、面発光レーザの最表面及びサイドウォールには絶縁層として感光性ポリイミド１３及び１９が形成され、前記絶縁層には電極コンタクト部にホール１７が形成されており、該ホール１７を介して電極コンタクトを取った電極配線１５がセラミック基板１上まで引き出され、面発光レーザを駆動させるためのＳｉ−ＩＣのベアチップ２０が同一セラミック基板１上にフリップチップ実装され、配線１５で面発光レーザ３と接続されている、光素子３とＳｉ−ＩＣ２０が同一基板１上に形成されたＭＣＭ。」が記載されているものと認められる。
　
　ここで、図２を参照すれば、前記「配線１５」は、絶縁層としての前記「感光性ポリイミド１３」及び「ポリイミド１９」の上に設けられていることが理解される。
　また、面発光レーザ３は、上記段落【００２８】に記載されているように「発光層およびミラー層を含む機能層のみ」で構成されるものであるところ、上記段落【００５７】には「面発光レーザの機能層の厚さは５μｍ程度」と記載され、また、段落【００６３】にも「５μｍ程度の機能層」と記載されていることから、面発光レーザ３の厚さは５μｍ程度であると認められる。
　また、上記段落【００３２】には、面発光レーザ３を１次元アレイとして並べることが記載され、図７には、１次元アレイとして並べられた面発光レーザのそれぞれからアレイに直交する方向に配線１５が基板上に伸びている様子を見てとることができる。
　また、上記段落【００３９】及び【００４８】には、それぞれ、基板を「Ｓｉ基板」とすること及び基板を「Ｓｉ−ＩＣを作製した基板」とすることが記載され、さらに、上記【請求項６】には、Ｓｉ集積回路が作製されたＳｉ基板を用いることが記載されている。
　なお、請求項６によれば、上記「Ｓｉ−ＩＣ」及び「ＭＣＭ」は、それぞれ、「Ｓｉ集積回路」及び「Ｍｕｌｔｉ−Ｃｈｉｐ−Ｍｏｄｕｌｅ」であることが理解される。
　
　以上のことから、引用例には、
「Ｓｉ集積回路が作製されたＳｉ基板上の面発光レーザが実装される領域にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる電極２が形成されており、面発光レーザは、１次元アレイとして並べられ、その厚さが５μｍ程度であり、そのｐ側電極として形成されたＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極４がＡｕ／Ｓｎハンダによって前記電極２に加熱により接合されており、その最表面及びサイドウォールには絶縁層が形成され、前記絶縁層には電極コンタクト部にホールが形成されており、前記絶縁層上に形成され、前記ホールを介して電極コンタクトを取った電極配線が１次元アレイとして並べられた面発光レーザのそれぞれからアレイに直交する方向にＳｉ基板上まで引き出され、前記Ｓｉ集積回路に電気的に接続されているＭＣＭ。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　　
３．対比・判断
　本願補正発明と引用発明を対比する。
　
（１）引用発明の「Ｓｉ集積回路」には、「電極配線」が電気的に接続されるから、引用発明の「Ｓｉ集積回路が作製されたＳｉ基板」がそのための端子領域を備えることは、当業者に明らかである。
　また、引用発明の「Ｓｉ基板」が「半導体基板」であることも明らかである。
　したがって、引用発明は、本願補正発明と同様に「端子領域を備えた集積回路を有する半導体基板」を有するものであるといえる。
（２）引用発明の「Ｓｉ集積回路が作製されたＳｉ基板上の面発光レーザが実装される領域」及び「（この領域に形成された）Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる電極２」が本願補正発明の「前記基板の前記端子領域を有する面上の所定領域」及び「密着形成された導電性材料層」に相当するところであり、引用発明は、本願補正発明と同様に「前記基板の前記端子領域を有する面上の所定領域に密着形成された導電性材料層」を有するものであるといえる。
（３）引用発明の「面発光レーザ」は、引用例の段落【００４０】〜【００４３】に記載されているように半導体材料であるＧａＡｓ系材料で形成されているから、これが「半導体素子」であることは明らかであり、引用発明は、本願補正発明と同様に「少なくとも一つの半導体素子」を有するものであるといえる。
（４）引用発明の「面発光レーザ」は、その厚さが「５μｍ程度」であり、また、「そのｐ側電極として形成されたＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極４がＡｕ／Ｓｎハンダによって前記電極２に加熱により接合されて」いるから、引用発明は、本願補正発明と同様に「前記導電性材料層の表面に貼り付けられた１０μｍ以下の厚さでシート状の半導体薄膜」を有するものであるといえる。
（５）引用発明の「電極配線」は、面発光レーザに電極コンタクトを取って、「面発光レーザのそれぞれからアレイに直交する方向にＳｉ基板上まで引き出され、前記Ｓｉ集積回路に電気的に接続されている」から、本願補正発明の「個別配線層」に相当し、引用発明は、本願補正発明と同様に「前記半導体薄膜の前記半導体素子上から前記基板の前記端子領域上に至る領域に形成され、前記半導体素子と前記基板上の端子領域とを電気的に接続する薄膜の個別配線層」を有するものであるといえる。
（６）引用発明の「絶縁層」及び「（コンタクト部に形成された）ホール」が本願補正発明の「層間絶縁膜」及び「コンタクト領域」にそれぞれ相当するところであり、また、引用発明の「電極配線」は、「前記絶縁層上に形成され」ているから、引用発明は、本願補正発明と同様に「前記個別配線層下の前記個別配線層のコンタクト領域以外の部分に備えられた層間絶縁膜」を有するものであるといえる。
（７）引用発明の「（Ｓｉ基板上に形成された）Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる電極２」には、「（面発光レーザの）ｐ側電極として形成されたＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極４がＡｕ／Ｓｎハンダによって前記電極２に加熱により接合されて」おり、引用発明のＳｉ基板上に形成された「Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる電極２」と面発光レーザの「ｐ側電極として形成されたＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極４」を接合したものが本願補正発明の「導電性材料層」に相当するところであり、引用発明は、本願補正発明の「前記導電性材料層は前記半導体薄膜を密着接合する接合面を有し、該接合面で前記半導体薄膜を固定するものであり」との発明特定事項を具備するものであるといえる。
（８）引用発明の「面発光レーザ」は、「１次元アレイとして並べられ」ており、また、その「電極配線」は、「１次元アレイとして並べられた面発光レーザのそれぞれからアレイに直交する方向にＳｉ基板上まで引き出され、前記Ｓｉ集積回路に電気的に接続されている」から、引用発明が本願補正発明の「前記半導体素子は前記基板上に複数設けられており、前記端子領域は該半導体素子に一対一に対向されており」との発明特定事項及び「前記個別配線層は該対向する半導体素子と端子領域の間を接続する」との発明特定事項を具備するものであることは明らかである。
（９）引用発明の「ＭＣＭ」は、Ｓｉ集積回路が作製されたＳｉ基板上に半導体素子である面発光レーザを集積化したものであるから、「半導体装置」といえるものであることは明らかである。　
　
　以上のとおりであって、本願補正発明と引用発明に格別の相違は認められない。
　
４．むすび
　したがって、本願補正発明は、引用例に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができない。　
　よって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２１年３月２５日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３４に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項２に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「【請求項２】
　端子領域を有する基板と、
　前記基板の前記端子領域を有する面上の所定領域に密着形成された導電性材料層と、
　少なくとも一つの半導体素子を有し、前記導電性材料層の表面に貼り付けられた１０μｍ以下の厚さでシート状の半導体薄膜と、
　前記半導体薄膜の前記半導体素子上から前記基板の前記端子領域上に至る領域に形成され、前記半導体素子と前記基板上の端子領域とを電気的に接続する薄膜の個別配線層と、
　前記個別配線層下の前記個別配線層のコンタクト領域以外の部分に備えられた層間絶縁膜とを有し、
　前記導電性材料層は前記半導体薄膜を密着接合する接合面を有し、該接合面で前記半導体薄膜を固定するものである
　ことを特徴とする半導体装置。」
　
２．判断
　本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに限定したものが本願補正発明であるところ、上記II．２．〜３．において検討したように、本願補正発明と引用発明に格別の相違は認められず、本願補正発明は引用例に記載された発明であると認められることから、本願発明が引用例に記載されたものであることは明らかである。
　
３．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明であるので、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。