(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端側に導入された光束を他端側に向けて集光しながら伝播するとともに、近接場光に生成した後に外部に発する近接場光発生素子の製造方法であって、
前記他端側に向けて前記光束を伝播させるコアと、
前記コアにおける前記一端側から前記他端側に向かう前記光束の伝播方向に沿って配置され、前記コアとの界面に沿って前記光束を伝播させて、前記光束から前記近接場光を発生させる近接場光発生部と、を有し、
前記近接場光発生部の母材を形成する近接場光発生部形成工程と、
前記近接場光発生部を覆うように前記コアの母材を形成するコア形成工程と、
前記コアの母材、及び前記近接場光発生部の母材をパターニングして、前記コア及び前記近接場光発生部を形成するパターニング工程と、を有し、
前記近接場光発生部形成工程の前段に、少なくとも前記近接場光発生部の形成領域に第１遮光膜を形成する第１遮光膜形成工程を有し、
前記パターニング工程では、前記コアの母材、及び前記近接場光発生部の母材とともに、前記第１遮光膜を同一工程で一括してパターニングすることを特徴とする近接場光発生素子の製造方法。
【請求項２】
前記パターニング工程の後段で、前記コア及び前記近接場光発生部を覆う第２遮光膜を形成する第２遮光膜形成工程を有し、
前記第２遮光膜形成工程では、前記伝播方向から見て、前記第２遮光膜の両端部が前記コアのうち前記近接場光発生部が配置された一側面の面方向に沿って延びる裾野部を有するように前記第２遮光膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の近接場光発生素子の製造方法。
【請求項３】
前記パターニング工程は、第１パターニング工程及び第２パターニング工程を有し、
前記第１パターニング工程では、前記コアの形成領域における前記コアの母材を、前記伝播方向から見て矩形状になるようにパターニングし、
前記第２パターニング工程では、前記コアの母材に対してプラズマ中でスパッタエッチングを行い、前記コアの母材を前記伝播方向から見て三角形状、または台形状になるようにパターニングすることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の近接場光発生素子の製造方法。
【請求項４】
前記第２パターニング工程では、前記コアの母材とともに前記近接場光発生部の母材に対してスパッタエッチングを行うことを特徴とする請求項３記載の近接場光発生素子の製造方法。
【請求項５】
前記第１パターニング工程では、前記コアの形成領域以外における前記コアの母材を、前記コアの形成領域における前記コアの母材よりも薄い状態で残存させておくことを特徴とする請求項３または請求項４記載の近接場光発生素子の製造方法。
【請求項６】
前記近接場光発生部は、金属材料からなり、
前記近接場光発生部形成工程と前記コア形成工程との間に、少なくとも前記一端側に形成された前記近接場光発生部の母材を除去する除去工程を有していることを特徴とする請求項１ないし請求項５の何れか１項に記載の近接場光発生素子の製造方法。
【請求項７】
前記パターニング工程の後、前記コアの他端面を研磨する研磨工程を有し、
前記研磨工程では、前記コアが形成される基板上に前記コアの前記他端面と面一になるようにＥＬＧ素子を形成し、前記ＥＬＧ素子の抵抗値をモニタしながら前記他端面及び前記ＥＬＧ素子を研磨することを特徴とする請求項１ないし請求項６の何れか１項に記載の近接場光発生素子の製造方法。
【請求項８】
一定方向に回転する磁気記録媒体を加熱するとともに、前記磁気記録媒体に対して記録磁界を与えることで磁化反転を生じさせ、情報を記録させる近接場光ヘッドの製造方法であって、
一端側に導入された光束を他端側に向けて集光しながら伝播するコアと、
前記コアにおける前記一端側から前記他端側に向かう前記光束の伝播方向に沿って配置され、前記コアとの界面に沿って前記光束を伝播させて、前記光束から近接場光を発生させる近接場光発生部と、を有し、
記録磁界を発生させる磁極の母材を形成する磁極形成工程と、
前記近接場光発生部の母材を形成する近接場光発生部形成工程と、
前記近接場光発生部を覆うように前記コアの母材を形成するコア形成工程と、
前記コアの母材、及び前記近接場光発生部の母材をパターニングして、前記コア及び前記近接場光発生部を形成するパターニング工程と、を有し、
前記パターニング工程では、前記コアの母材、及び前記近接場光発生部の母材とともに、前記磁極の母材を同一工程で一括してパターニングすることを特徴とする近接場光ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光束を集光した近接場光を利用して磁気記録媒体に各種の情報を記録再生する近接場光発生素子の製造方法、及び近接場光ヘッドの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンピュータ機器におけるハードディスク等の容量増加に伴い、単一記録面内における情報の記録密度が増加している。例えば、磁気ディスクの単位面積当たりの記録容量を多くするためには、面記録密度を高くする必要がある。ところが、記録密度が高くなるにつれて、記録媒体上で１ビット当たりの占める記録面積が小さくなっている。このビットサイズが小さくなると、１ビットの情報が持つエネルギーが、室温の熱エネルギーに近くなり、記録した情報が熱揺らぎ等のために反転したり、消えてしまったりする等の熱減磁の問題が生じてしまう。
【０００３】
一般的に用いられてきた面内記録方式では、磁化の方向が記録媒体の面内方向に向くように磁気を記録する方式であるが、この方式では上述した熱減磁による記録情報の消失等が起こり易い。そこで、このような不具合を解消するために、近年では記録媒体に対して垂直な方向に磁化信号を記録する垂直記録方式が採用されている。この方式は、記録媒体に対して、単磁極を近づける原理で磁気情報を記録する方式である。この方式によれば、記録磁界が記録膜に対してほぼ垂直な方向を向く。垂直な磁界で記録された情報は、記録膜面内においてＮ極とＳ極とがループを作り難いため、エネルギー的に安定を保ち易い。そのため、この垂直記録方式は、面内記録方式に対して熱減磁に強くなっている。
【０００４】
しかしながら、近年の記録媒体は、より大量且つ高密度情報の記録再生を行いたい等のニーズを受けて、さらなる高密度化が求められている。そのため、隣り合う磁区同士の影響や、熱揺らぎを最小限に抑えるために、保磁力の強いものが記録媒体として採用され始めている。そのため、上述した垂直記録方式であっても、記録媒体に情報を記録することが困難になっていた。
【０００５】
そこで、上述した不具合を解消するために、光を集光したスポット光、若しくは、近接場光を利用して磁区を局所的に加熱して一時的に保磁力を低下させ、その間に記録媒体への書き込みを行うハイブリッド磁気記録方式の記録再生ヘッドが提供されている。
このような記録再生ヘッドのうち、近接場光を利用した記録再生ヘッド（以下、近接場光ヘッドという）は、スライダと、スライダ上に配置された主磁極及び補助磁極を有する記録素子と、照射されたレーザ光から近接場光を発生させる近接場光発生素子と、近接場光発生素子に向けてレーザ光を照射するレーザ光源と、レーザ光源から発せられたレーザ光を近接場光発生素子まで導く光導波路と、を主に備えている（例えば、特許文献１参照）。近接場光発生素子は、レーザ光を反射させながら伝播させるコア、及びコアに密着してコアを封止するクラッドを有する光束伝播素子と、コア及びクラッド間に配置されてレーザ光から近接場光を発生させる金属膜と、を有している。コアは、一端側（光入射側）から他端側（光出射側）に向かうレーザ光の伝播方向に直交する断面積が漸次減少するように絞り成形されており、レーザ光を集光させながら他端側に向けて伝播させるようになっている。そして、コアにおける他端側の側面に上述した金属膜が配置されている。
【０００６】
このように構成された近接場光ヘッドを利用する場合には、近接場光を発生させると同時に記録磁界を印加することで、記録媒体に各種の情報を記録している。すなわち、レーザ光源から出射されたレーザ光は光導波路を介して光束伝播素子内に入射する。そして、光束伝播素子に入射したレーザ光は、コア内を伝播して金属膜に達する。すると、金属膜では、レーザ光によって内部の自由電子が一様に振動させられるのでプラズモンが励起され、コアの他端側に近接場光を局在化させた状態で発生させる。その結果、磁気記録媒体の磁気記録層は、近接場光によって局所的に加熱され、一時的に保磁力が低下する。
また、上述したレーザ光の照射と同時に記録素子に駆動電流を供給することで、主磁極の先端に近接する磁気記録媒体の磁気記録層に対して記録磁界を局所的に印加する。その結果、保磁力が一時的に低下した磁気記録層に各種の情報を記録することができる。つまり、近接場光と磁場との協働により、磁気記録媒体への記録を行うことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−１５２８９７号公報
【特許文献２】特許第３８２０８４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、上述した光束伝播素子を製造するには、例えば特許文献２に示すような方法が知られている。具体的には、まず基板の側面上にアンダークラッドを形成するとともに、アンダークラッド上に断面矩形状のコアを形成する。その後、コアをプラズマ中でスパッタエッチングし、断面三角形状のコアを形成し、その上にオーバークラッドを堆積させる。
そして、この方法を用いてコアの側面に金属膜を形成するには、アンダークラッド上に金属膜をパターニングした後、上述した特許文献２と同様の方法により、コア及びオーバークラッドを形成する方法が考えられる。
【０００９】
しかしながら、金属膜及びコアは、非常に微細なパターン（それぞれ寸法が数十ｎｍ程度）であるため、それぞれの位置合わせが難しいという問題がある。そして、金属膜とコアとが位置ずれした場合には、コアを伝播してきたレーザ光が金属膜に入射せずにコアから漏れてしまい、近接場光の発生効率が低下するという問題がある。
【００１０】
そこで、本発明は、このような事情に考慮してなされたもので、その目的は、近接場光発生部とコアとを精度良く位置決めして近接場光の発生効率を向上できる近接場光発生素子の製造方法、及び近接場光ヘッドの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る近接場光発生素子の製造方法は、一端側に導入された光束を他端側に向けて集光しながら伝播するとともに、近接場光に生成した後に外部に発する近接場光発生素子の製造方法であって、前記他端側に向けて前記光束を伝播させるコアと、前記コアにおける前記一端側から前記他端側に向かう前記光束の伝播方向に沿って配置され、前記コアとの界面に沿って前記光束を伝播させて、前記光束から前記近接場光を発生させる近接場光発生部と、を有し、前記近接場光発生部の母材を形成する近接場光発生部形成工程と、前記近接場光発生部を覆うように前記コアの母材を形成するコア形成工程と、前記コアの母材、及び前記近接場光発生部の母材をパターニングして、前記コア及び前記近接場光発生部を形成するパターニング工程と、を有し、前記近接場光発生部形成工程の前段に、少なくとも前記近接場光発生部の形成領域に第１遮光膜を形成する第１遮光膜形成工程を有し、前記パターニング工程では、前記コアの母材、及び前記近接場光発生部の母材とともに、前記第１遮光膜を同一工程で一括してパターニングすることを特徴としている。
【００１４】
この構成では、コアと近接場光発生部を同一のパターニング工程で一括してパターニングすることで、伝播方向から見てコアの他側面と近接場光発生部の両端面とが同一面上に配置されることになる。すなわち、伝播方向に直交する方向から見てコアと近接場光発生部とが重なり合うように形成される。
これにより、例えば、コアと近接場光発生部とをそれぞれ別工程でパターニングする場合と異なり、近接場光発生部とコアとを精度良く位置決めすることができる。よって、コアの他端側まで伝播した光束を漏れなく近接場光発生部に入射させることができるので、近接場光の発生効率を向上させることができる。
また、近接場光発生部でプラズモン共鳴を起こさずに、近接場光発生部を透過してしまった光束を第１遮光膜で反射させてコア内に戻すことで、再び近接場光発生部に光束を入射させることができる。これにより、近接場光の発生効率をより向上できる。
また、第１遮光膜をコアと同一のパターニング工程で一括してパターニングすることで、第１遮光膜とコアとを精度良く位置決めすることができる。これにより、近接場光発生部を透過した光束を漏れなくコア内に戻すことができる。
【００１６】
また、前記パターニング工程の後段で、前記コア及び前記近接場光発生部を覆う第２遮光膜を形成する第２遮光膜形成工程を有し、前記第２遮光膜形成工程では、前記伝播方向から見て、前記第２遮光膜の両端部が前記コアのうち前記近接場光発生部が配置された一側面の面方向に沿って延びる裾野部を有するように前記第２遮光膜を形成することを特徴としている。
この構成では、コアを覆うように遮光膜を形成することで、コアに入射した光束は、外部に漏れることなく、第２遮光膜とコアとの界面で反射されながら、他端側に向けて伝播する。これにより、光束を効率的に近接場光発生部に入射させることができ、近接場光の発生効率をより向上できる。
【００１７】
また、前記パターニング工程は、第１パターニング工程及び第２パターニング工程を有し、前記第１パターニング工程では、前記コアの形成領域における前記コアの母材を、前記伝播方向から見て矩形状になるようにパターニングし、前記第２パターニング工程では、前記コアの母材に対してプラズマ中でスパッタエッチングを行い、前記コアの母材を前記伝播方向から見て三角形状、または台形状になるようにパターニングすることを特徴としている。
この構成では、第１パターニング工程で矩形状に形成したコアの母材に対してスパッタエッチングを行うことで、コアの母材の角部が選択的にエッチングされて斜面が形成される。そして、この状態でさらにエッチングを続けると、斜面が底面に対して一定の角度を保ちながらエッチングされる。これにより、伝播方向から見て任意の幅や高さにコアを形成することができる。
【００１８】
また、前記第２パターニング工程では、前記コアの母材とともに前記近接場光発生部の母材に対してスパッタエッチングを行うことを特徴としている。
この構成では、コアの母材をスパッタエッチングした後、スパッタエッチングを続けると、コアの母材は相似形を保ったままエッチングされるとともに、金属膜の母材がエッチングされる。これにより、伝播方向から見てコアの他側面と近接場光発生部の両端面とが同一面上に配置されることになる。すなわち、伝播方向に直交する方向から見てコアと近接場光発生部とが重なり合うように形成される。
【００１９】
また、前記第１パターニング工程では、前記コアの形成領域以外における前記コアの母材を、前記コアの形成領域における前記コアの母材よりも薄い状態で残存させておくことを特徴としている。
この構成によれば、第１パターニング工程において、コアの形成領域以外におけるコアの母材を残存させておくことで、第２パターニング工程で近接場光発生部をエッチングする際に、近接場光発生部よりも下側の膜（例えば、第１クラッド）がオーバーエッチングされるのを防止できる。
【００２０】
また、前記近接場光発生部は、金属材料からなり、前記近接場光発生部形成工程と前記コア形成工程との間に、少なくとも前記一端側に形成された前記近接場光発生部の母材を除去する除去工程を有していることを特徴としている。
この構成では、近接場光発生部形成工程とコア形成工程との間に近接場光発生部の母材を除去しておくことで、少なくとも一端側ではコアと、金属材料よりもコアとの密着性が高い膜（例えば、第１クラッド）と、を密着させることができる。これにより、製造途中における膜剥がれを抑制できる。
【００２１】
また、前記パターニング工程の後、前記コアの他端面を研磨する研磨工程を有し、前記研磨工程では、前記コアが形成される基板上に前記コアの前記他端面と面一になるようにＥＬＧ素子を形成し、前記ＥＬＧ素子の抵抗値をモニタしながら前記他端面及び前記ＥＬＧ素子を研磨することを特徴としている。
この構成によれば、研磨工程においてＥＬＧを用いることで、コアの他端側の端面を高精度に位置だしすることができる。これにより、近接場光をより効果的に発生させることができる。
【００２２】
また、本発明に係る近接場光ヘッドの製造方法は、一定方向に回転する磁気記録媒体を加熱するとともに、前記磁気記録媒体に対して記録磁界を与えることで磁化反転を生じさせ、情報を記録させる近接場光ヘッドの製造方法であって、一端側に導入された光束を他端側に向けて集光しながら伝播するコアと、前記コアにおける前記一端側から前記他端側に向かう前記光束の伝播方向に沿って配置され、前記コアとの界面に沿って前記光束を伝播させて、前記光束から近接場光を発生させる近接場光発生部と、を有し、記録磁界を発生させる磁極の母材を形成する磁極形成工程と、前記近接場光発生部の母材を形成する近接場光発生部形成工程と、前記近接場光発生部を覆うように前記コアの母材を形成するコア形成工程と、前記コアの母材、及び前記近接場光発生部の母材をパターニングして、前記コア及び前記近接場光発生部を形成するパターニング工程と、を有し、前記パターニング工程では、前記コアの母材、及び前記近接場光発生部の母材とともに、前記磁極の母材を同一工程で一括してパターニングすることを特徴としている。
この構成によれば、コア、及び近接場光発生部の母材とともに磁極の母材を同一のパターニング工程で一括してパターニングすることで、伝播方向から見てコアの他側面、近接場光発生部の両端面、及び磁極の外側端面が同一面上に配置されることになる。これにより、例えば、コア、近接場光発生部、及び磁極をそれぞれ別工程でパターニングする場合と異なり、近接場光発生部、コア、及び磁極を精度良く位置決めすることができる。さらに、高価な位置合わせ装置を用いることなく、コア、近接場光発生部、及び磁極を位置決めができるので、装置コストを低減できる。
この場合、磁極が、近接場光発生素子を間に挟んでコアの反対側から近接場光発生部を覆うように形成される。そのため、近接場光の発生位置と、磁極からの磁場の発生位置とを高精度に位置決めでき、近接場光ヘッド自体の書き込みの信頼性を高め、高品質化を図ることができる。
また、仮に近接場光発生部でプラズモン共鳴を起こさずに、光束が近接場光発生部を透過してしまった場合であっても、光束を磁極で反射させてコア内に戻すことで、再び近接場光発生部に光束を入射させることができる。これにより、近接場光の発生効率をより向上できる。さらに、光束が近接場光発生部でプラズモン共鳴を起こさずに外部に漏れるのを抑制できるので、コアの近傍のみに極めて小さい近接場光のスポットを生成させることができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明に係る近接場光発生素子の製造方法によれば、近接場光発生部とコアとを精度良く位置決めして近接場光の発生効率を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施形態における情報記録再生装置の構成図である。
【図２】記録再生ヘッドの拡大断面図である。
【図３】記録再生ヘッドの流出端側の側面を拡大した断面図である。
【図４】図３のＡ矢視図である。
【図５】図３のＢ矢視図である。
【図６】レーザ光源の周辺を拡大した図である。
【図７】情報記録再生装置により情報を記録再生する際の説明図であって、図３に相当する拡大断面図である。
【図８】図５に相当する図であって、近接場光発生素子の製造方法を説明するための工程図である。
【図９】図５に相当する図であって、近接場光発生素子の製造方法を説明するための工程図である。
【図１０】図５に相当する図であって、第２実施形態における記録再生ヘッドを示す図である。
【図１１】図１０に相当する図であって、記録再生ヘッドの製造方法を説明するための工程図である。
【図１２】図５に相当する図であって、第３実施形態における記録再生ヘッドを示す図である。
【図１３】図１２に相当する図であって、記録再生ヘッドの製造方法を説明するための工程図である。
【図１４】図５に相当する図であって、記録再生ヘッドの他の製造方法を示す図である。
【図１５】図５に相当する図であって、第４実施形態における記録再生ヘッドを示す図である。
【図１６】図５に相当する図であって、記録再生ヘッドの他の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
次に、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
なお、本実施形態の情報記録再生装置１は、垂直記録層ｄ２を有するディスク（磁気記録媒体）Ｄに対して、近接場光Ｒと記録磁界とを協働させたハイブリッド磁気記録方式によりディスクＤに記録再生を行う装置である（図２参照）。
【００３０】
（第１実施形態）
（情報記録再生装置）
図１は情報記録再生装置の構成図である。
本実施形態の情報記録再生装置１は、図１に示すように、記録再生ヘッド（近接場光ヘッド）２と、記録再生ヘッド２を支持するビーム３と、記録再生ヘッド２にレーザ光（光束）Ｌ（図２参照）を入射させる光束入射機構４と、ビーム３を移動させるアクチュエータ５と、ディスクＤを一定方向に回転させるスピンドルモータ（回転駆動部）６と、上述した各構成品を総合的に制御する制御部８と、各構成品を内部に収容するハウジング９と、を備えている。
【００３１】
ハウジング９は、アルミニウム等の金属材料により、上面視四角形状に形成されているとともに、内側に各構成品を収容する凹部９ａが形成されている。また、このハウジング９には、凹部９ａの開口を塞ぐように図示しない蓋が着脱可能に固定されるようになっている。凹部９ａの略中心には、スピンドルモータ６が取り付けられており、スピンドルモータ６に中心孔を嵌め込むことでディスクＤが着脱自在に固定される。なお、本実施形態では、３枚のディスクＤがスピンドルモータ６に固定されている場合を例に挙げて説明している。但し、ディスクＤの数は３枚に限定されるものではない。
【００３２】
凹部９ａの隅角部には、アクチュエータ５が取り付けられている。このアクチュエータ５には、軸受１０を介してキャリッジ１１が取り付けられている。キャリッジ１１は、例えば金属材を切削加工によって形成されたものであり、軸受１０を介してアクチュエータ５に固定される基端部１１ａから先端に向かう部分が３枚のディスクＤの上面に配置されるように３層構造となっている。つまり、キャリッジ１１を側面から見た時に、Ｅ型になるように形成されている。そして、３層に分かれたキャリッジ１１の各先端には、ビーム３の基端側が固定されている。よって、アクチュエータ５は、キャリッジ１１を介してビーム３の基端側を支持しており、ビーム３をディスク面（磁気記録媒体の表面）Ｄ１（図２参照）に平行なＸＹ方向に向けてスキャン移動させることができるようになっている。
【００３３】
ビーム３は、上述したようにアクチュエータ５によってキャリッジ１１とともにＸＹ方向に移動可能とされているとともに、ディスク面Ｄ１に平行で且つ互いに直交する２軸（Ｘ軸、Ｙ軸）回りに回動自在な状態で記録再生ヘッド２を先端側で支持している。なお、ビーム３及びキャリッジ１１は、ディスクＤの回転停止時にアクチュエータ５の駆動によって、ディスクＤ上から退避するようになっている。
【００３４】
（記録再生ヘッド）
図２は記録再生ヘッドの拡大断面図であり、図３は記録再生ヘッドの流出端側の側面を拡大した断面図である。
記録再生ヘッド２は、図２，図３に示すように、レーザ光Ｌから生成した近接場光Ｒを利用して回転するディスクＤに各種の情報を記録再生するヘッドである。記録再生ヘッド２は、ディスク面Ｄ１から所定距離Ｈだけ浮上した状態でディスクＤに対向配置されたスライダ２０と、ディスクＤに情報を記録する記録素子２１と、ディスクＤに記録されている情報を再生する再生素子２２と、導入されたレーザ光Ｌを集光しながら伝播するとともに、近接場光Ｒに生成した後に外部に発する近接場光発生素子２６と、を備えている。
【００３５】
スライダ２０は、石英ガラス等の光透過性材料や、ＡｌＴｉＣ（アルチック）等のセラミック等によって直方体状に形成されている。このスライダ２０は、ディスクＤに対向する対向面２０ａを有しており、ジンバル部３０（図２参照）を介してビーム３の先端にぶら下がるように支持されている。このジンバル部３０は、Ｘ軸回り及びＹ軸回りにのみ変位するように動きが規制された部品である。これによりスライダ２０は、上述したようにディスク面Ｄ１に平行で且つ互いに直交する２軸（Ｘ軸、Ｙ軸）回りに回動自在とされている。
【００３６】
また対向面２０ａには、回転するディスクＤによって生じた空気流の粘性から、浮上するための圧力を発生させる凸条部２０ｂが形成されている。この凸条部２０ｂは、長手方向（Ｘ方向）に沿って延びるように形成されており、レール状に並ぶように間隔を空けて左右（Ｙ方向）に２つ形成されている。但し、凸条部２０ｂはこの場合に限定されるものではなく、スライダ２０をディスク面Ｄ１から離そうとする正圧とスライダ２０をディスク面Ｄ１に引き付けようとする負圧とを調整して、スライダ２０を最適な状態で浮上させるように設計されていれば、どのような凹凸形状でも構わない。なお、この凸条部２０ｂの表面はＡＢＳ（ＡＩＲ  ＢＥＡＲＩＮＧ  ＳＵＲＦＡＣＥ）２０ｃと呼ばれている。
【００３７】
そしてスライダ２０は、この２つの凸条部２０ｂによってディスク面Ｄ１から浮上する力を受けている。一方、ビーム３はディスク面Ｄ１に垂直なＺ方向に撓むようになっており、スライダ２０の浮上力を吸収している。つまり、スライダ２０は、浮上した際にビーム３によってディスク面Ｄ１側に押さえ付けられる力を受けている。よってスライダ２０は、この両者の力のバランスによって、上述したようにディスク面Ｄ１から所定距離Ｈ離間した状態で浮上するようになっている。しかもスライダ２０は、ジンバル部３０によってＸ軸回り及びＹ軸回りに回動するようになっているので、常に姿勢が安定した状態で浮上するようになっている。
なお、ディスクＤの回転に伴って生じる空気流は、スライダ２０の流入端側（ビーム３のＸ方向基端側）から流入した後、ＡＢＳ２０ｃに沿って流れ、スライダ２０の流出端側（ビーム３のＸ方向先端側）から抜けている。
【００３８】
記録素子２１は、図３に示すように、ディスクＤに記録磁界を作用させて情報を記録する素子であって、スライダ２０の流出端側の側面（先端面）に固定された補助磁極３１と、磁気回路３２を介して補助磁極３１に接続され、ディスクＤに対して垂直な記録磁界を補助磁極３１との間で発生させる主磁極（磁極）３３と、磁気回路３２を中心として磁気回路３２の周囲を螺旋状に巻回するコイル３４と、を備えている。つまり、スライダ２０の流出端側から順に、補助磁極３１、磁気回路３２、コイル３４、主磁極３３が並んだ状態で配置されている。
【００３９】
両磁極３１，３３及び磁気回路３２は、磁束密度が高い高飽和磁束密度（Ｂｓ）材料（例えば、ＣｏＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金等）により形成されている。また、コイル３４は、ショートしないように、隣り合うコイル線間、磁気回路３２との間、両磁極３１，３３との間に隙間が空くように配置されており、この状態で絶縁体３５によってモールドされている。そして、コイル３４は、情報に応じて変調された電流が制御部８から供給されるようになっている。すなわち、磁気回路３２及びコイル３４は、全体として電磁石を構成している。なお、主磁極３３及び補助磁極３１は、ディスクＤに対向する端面（Ｚ方向端面）がスライダ２０のＡＢＳ２０ｃと面一となるように設計されている。また、主磁極３３の先端部分３３ａ（レーザ光Ｌの出射側）は、絶縁体３５から再生素子２２側に向けて突出しており、後述する第１クラッド２４ａ内に埋設されている。なお、主磁極３３における先端部分３３ａを、基端部分と異なる材料（飽和磁束密度が高い材料）で構成しても構わない。
【００４０】
図４は図３のＡ矢視図であり、図５は図３のＢ矢視図である。
図３から図５に示すように、光束伝播素子２５は、レーザ光Ｌの入射側（Ｚ方向一端側）がスライダ２０の上方を向くとともに、出射側（Ｚ方向他端側）がディスクＤ側を向いた状態で、記録素子２１の主磁極３３のＸ方向側に隣接して固定されている。この光束伝播素子２５は、一端側から導入されたレーザ光ＬをディスクＤに対向する他端側に伝播させるコア２３と、コア２３に密着するクラッド２４とから構成されており、全体として略板状に形成されている。
【００４１】
コア２３は、一端側から他端側にかけて漸次絞り成形されており、レーザ光Ｌを内部で徐々に集光させながら伝播させることができるようになっている。具体的に、コア２３は一端側から反射面２３ａと、光束集光部２３ｂと、近接場光生成部２３ｃと、を有し、レーザ光Ｌの伝播方向（Ｚ方向）から見て三角形状に形成されている。
【００４２】
反射面２３ａは、後述する光導波路（光束導入手段）４２から導入されたレーザ光Ｌを導入方向とは異なる方向に反射させるものである。本実施形態では、レーザ光Ｌの向きが略９０度変わるように反射させている。この反射面２３ａによって光導波路４２から導入されたレーザ光Ｌは、コア２３内で全反射を繰り返しながら他端側に向けて伝播する。
光束集光部２３ｂは、一端側から他端側に向かうＺ方向に直交する断面積（ＸＹ方向の断面積）が漸次減少するように絞り成形された部分であり、導入されたレーザ光Ｌを集光させながら他端側に向けて伝播させている。つまり、光束集光部２３ｂに導入されたレーザ光Ｌのスポットサイズを、徐々に小さいサイズに絞ることができるようになっている。
近接場光生成部２３ｃは、光束集光部２３ｂの端部から他端側に向けてさらに絞り成形された部分である。具体的には、コア２３の他端側の近傍において、内部を伝播するレーザ光Ｌの光軸（Ｚ方向）に対して傾斜した状態で再生素子２２に対向するように形成された傾斜面２３ｈによって絞り成形されている。この傾斜面２３ｈによって、コア２３は他端側が尖形した状態となっている。
【００４３】
なお、本実施形態では、光束集光部２３ｂ及び近接場光生成部２３ｃがＺ方向に沿う３つの側面を有するように形成されており、そのうちの１つの側面（一側面）２３ｇが主磁極３３に対向配置されるようになっている。この場合、側面２３ｇの両端（Ｙ方向両端）からは、再生素子２２に向かって側面２３ｇのＹ方向（面方向）に交差する方向に沿って延在する一対の側面（他側面）２３ｄが形成され、これによりコア２３はＺ方向から見てＸ方向に向かって先細る三角形状に形成されている。そのため、図５に示すように、近接場光生成部２３ｃの他端側で外部に露出する端面２３ｅが三角形状に形成されている。また、この端面２３ｅはスライダ２０のＡＢＳ２０ｃと面一となるように設計されている。
【００４４】
クラッド２４は、図３から図５に示すように、コア２３よりも屈折率が低い材料で形成されており、コア２３の一端側と他端側の端面２３ｅとを外部に露出させた状態でコア２３の側面２３ｄ，２３ｇに密着して、コア２３を内部に封止している。具体的に、クラッド２４は、コア２３と記録素子２１（主磁極３３）との間でコア２３の側面２３ｇ側を覆うように形成された第１クラッド２４ａと、コア２３と再生素子２２との間で側面２３ｄ側を覆うように形成された第２クラッド２４ｂと、を備えている。このように、第１クラッド２４ａ及び第２クラッド２４ｂがコア２３の側面２３ｄ，２３ｇに密着しているので、コア２３とクラッド２４との間に隙間が生じないようになっている。なお、第１クラッド２４の他端側におけるスライダ２０の幅方向（Ｙ方向）中央部には、上述した主磁極３３の先端部分３３ａが埋設されるとともに、この先端部分３３ａは第１クラッド２４からコア２３側に露出している。
【００４５】
なお、クラッド２４及びコア２３として使用される材料の組み合わせの一例を記載すると、例えば、石英（ＳｉＯ2）でコア２３を形成し、フッ素をドープした石英でクラッド２４を形成する組み合わせが考えられる。この場合には、レーザ光Ｌの波長が４００ｎｍのときに、コア２３の屈折率が１．４７となり、クラッド２４の屈折率が１．４７未満となるので好ましい組み合わせである。
また、ゲルマニウムをドープした石英でコア２３を形成し、石英（ＳｉＯ2）でクラッド２４を形成する組み合わせも考えられる。この場合には、レーザ光Ｌの波長が４００ｎｍのときに、コア２３の屈折率が１．４７より大きくなり、クラッド２４の屈折率が１．４７となるのでやはり好ましい組み合わせである。
特に、コア２３とクラッド２４との屈折率差が大きいほど、コア２３内にレーザ光Ｌを閉じ込める力が大きくなるので、コア２３に酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5：波長が５５０ｎｍのときに屈折率が２．１６）を用い、クラッド２４に石英やアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等を用いて、両者の屈折率差を大きくすることがより好ましい。また、赤外領域のレーザ光Ｌを利用する場合には、赤外光に対して透明な材料であるシリコン（Ｓｉ：屈折率が約４）でコア２３を形成することも有効である。
【００４６】
ここで、コア２３と第１クラッド２４ａとの間には、金属膜（近接場光発生部）５１が形成されている。金属膜５１は、コア２３内を伝播してきたレーザ光Ｌから近接場光Ｒを発生させ、近接場光Ｒを光束伝播素子２５の他端側とディスクＤとの間に局在化させるものであり、例えば金（Ａｕ）や白金（Ｐｔ）等により構成されている。金属膜５１は、コア２３における近接場光生成部２３ｃの側面２３ｇ上に配置され、第１クラッド２４ａ及び第１クラッド２４ａから露出する主磁極３３の先端部分３３ａに接している。また、金属膜５１は、Ｚ方向において、一端側が近接場光生成部２３ｃと光束集光部２３ｂとの境界部分に位置するとともに、他端側がコア２３の端面２３ｅと面一になるように形成されている。
【００４７】
また、図５に示すように、金属膜５１は、Ｚ方向から見て再生素子２２側に向けて先細る等脚台形状に形成されている。このとき、金属膜５１の上底５１ａのＹ方向における幅は、コア２３の側面２３ｇと同一の幅に形成されている。さらに、金属膜５１の斜面５１ｂは、コア２３の側面２３ｄと同一面上に配置されている。この場合、金属膜５１のＹ方向両端部の角度θ１（斜面５１ｂと下底５１ｃとのなす角度）は、近接場光生成部２３ｃのＹ方向両端部の角度θ２（側面２３ｇと側面２３ｄとのなす角度）と同等に形成されている。すなわち、コア２３及び金属膜５１の積層体は、Ｚ方向から見てコア２３の相似形状に形成されている（図５参照）。
【００４８】
また、コア２３と第２クラッド２４ｂとの間には、遮光膜（第２遮光膜）５２が形成されている。遮光膜５２は、アルミニウム（Ａｌ）等の高反射率の材料からなり、近接場光生成部２３ｃの側面２３ｄを覆うように形成されている。すなわち、近接場光生成部２３ｃは、側面２３ｇが金属膜５１に覆われ、側面２３ｄが遮光膜５２に覆われている。遮光膜５２は、Ｚ方向において、金属膜５１よりも広範囲に亘って形成されている。具体的に、遮光膜５２は、一端側が光束集光部２３ｂの他端側に位置するとともに、他端側はコア２３の端面２３ｅと面一になるように形成されている。なお、遮光膜５２は、Ｚ方向において金属膜５１と同等以上の範囲で形成されていれば構わない。また、遮光膜５２のＹ方向両端部は、第１クラッド２４ａ上をＹ方向に沿って延在する裾野部５２ａが形成されているが、少なくともコア２３の側面２３ｄを覆っていれば構わない。
【００４９】
ところで、図３に示すように、スライダ２０の上面（Ｚ方向一端側）には光導波路４２が固定されている。この光導波路４２は、コア４２ａと、コア４２ａを覆うように形成されたクラッド４２ｂと、からなり、コア４２ａ内をレーザ光Ｌが伝播するようになっている。光導波路４２の先端は、光束伝播素子２５のコア２３の一端側に接続されており、レーザ光Ｌを反射面２３ａに向けて出射させている。なお、コア４２ａ及びクラッド４２ｂは、上述したコア２３及びクラッド２４と同様の材料により構成されている。
【００５０】
一方、光導波路４２の基端側は、図１に示すように、ビーム３及びキャリッジ１１に沿って引き出された後、レーザ光源（光源）４３に接続されている。このレーザ光源４３は、図１及び図６に示すように、キャリッジ１１の基端部１１ａの側面に取り付けられた制御基板４４上に図示しないＩＣチップ等の各種電子部品とともに実装されている。特にレーザ光源４３は、レーザ光Ｌを直線偏光の状態で出射するようになっている。すなわち、レーザ光源４３及び光導波路４２は、記録再生ヘッド２にレーザ光Ｌを直線偏光の状態で入射させる光束入射機構４として機能する。なお、図６はレーザ光源の周辺を拡大した図である。
【００５１】
レーザ光源４３が実装されている制御基板４４は、可撓性のフラットケーブル（フレキシブル基板）４５によって制御部８に接続されている。これにより制御部８は、各構成品に電気的な信号を送って総合的な制御を行っている。特にレーザ光源４３は、レーザ光Ｌを出射するタイミングが制御部８によって制御されている。
【００５２】
再生素子２２は、ディスクＤの垂直記録層ｄ２（図２参照）から漏れ出ている磁界の大きさに応じて電気抵抗が変換する磁気抵抗効果膜であり、光束伝播素子２５を間に挟んで記録素子２１とは反対側のクラッド２４（第２クラッド２４ｂ）の表面に形成されている。この再生素子２２には、図示しないリード膜等を介して制御部８からバイアス電流が供給されている。これにより制御部８は、ディスクＤから漏れ出た磁界の変化を電圧の変化として検出することでき、この電圧の変化から信号の再生を行うことができるようになっている。
【００５３】
なお、本実施形態のディスクＤは、図２に示すように、ディスク面Ｄ１に垂直な方向に磁化容易軸を有する垂直記録層ｄ２と、高透磁率材料からなる軟磁性層ｄ３との少なくとも２層で構成される垂直２層膜ディスクＤを使用する。このようなディスクＤとしては、例えば、基板ｄ１上に、軟磁性層ｄ３と、中間層ｄ４と、垂直記録層ｄ２と、保護層ｄ５と、潤滑層ｄ６とを順に成膜したものを使用する。
基板ｄ１としては、例えば、アルミ基板やガラス基板等である。軟磁性層ｄ３は、高透磁率層である。中間層ｄ４は、垂直記録層ｄ２の結晶制御層である。垂直記録層ｄ２は、垂直異方性磁性層となっており、例えばＣｏＣｒＰｔ系合金が使用される。保護層ｄ５は、垂直記録層ｄ２を保護するためのもので、例えばＤＬＣ（ダイヤモンド・ライク・カーボン）膜が使用される。潤滑層ｄ６は、例えば、フッ素系の液体潤滑材が使用される。
【００５４】
（情報記録再生方法）
次に、このように構成された情報記録再生装置１により、ディスクＤに各種の情報を記録再生する場合について以下に説明する。
まず、図１に示すように、スピンドルモータ６を駆動させてディスクＤを一定方向に回転させる。次いで、アクチュエータ５を作動させて、キャリッジ１１を介してビーム３をＸＹ方向にスキャンさせる。これにより、ディスクＤ上の所望する位置に記録再生ヘッド２を位置させることができる。この際、記録再生ヘッド２は、スライダ２０の対向面２０ａに形成された２つの凸条部２０ｂによって浮上する力を受けるとともに、ビーム３等によってディスクＤ側に所定の力で押さえ付けられる。記録再生ヘッド２は、この両者の力のバランスによって、図２に示すようにディスクＤ上から所定距離Ｈ離間した位置に浮上する。
【００５５】
また、記録再生ヘッド２は、ディスクＤのうねりに起因して発生する風圧を受けたとしても、ビーム３によってＺ方向の変位が吸収されるとともに、ジンバル部３０によってＸＹ軸回りに変位することができるようになっているので、うねりに起因する風圧を吸収することができる。そのため、記録再生ヘッド２を安定した状態で浮上させることができる。
【００５６】
図７は情報記録再生装置により情報を記録再生する際の説明図であって、図７は図３に相当する拡大断面図である。
ここで、図７に示すように、情報の記録を行う場合、制御部８はレーザ光源４３を作動させて直線偏光のレーザ光Ｌを出射させるとともに、情報に応じて変調した電流をコイル３４に供給して記録素子２１を作動させる。
まず、レーザ光源４３からレーザ光Ｌを光導波路４２に入射させて、レーザ光Ｌをスライダ２０側に導く。レーザ光源４３から出射されたレーザ光Ｌは、光導波路４２のコア４２ａ内を先端（流出端）側に向かって進み、光束伝播素子２５のコア２３内に伝播する。コア２３内に伝播したレーザ光Ｌは、反射面２３ａで略９０度反射された後、光束集光部２３ｂ内を伝播する。光束集光部２３ｂを伝播するレーザ光Ｌは、ディスクＤ側に位置する他端側に向かってコア２３とクラッド２４との間で全反射を繰り返しながら伝播する。特に、コア２３の側面２３ｄ，２３ｇにはクラッド２４が密着しているので、コア２３の外部に光が漏れることはない。よって、導入されたレーザ光Ｌを無駄にすることなく絞りながら他端側に伝播させて、近接場光生成部２３ｃに入射させることができる。
この際、コア２３は、Ｚ方向に直交する断面積が漸次減少するように絞り成形されている。そのため、レーザ光Ｌは光束集光部２３ｂ内を伝播するにしたがって徐々に絞り込まれてスポットサイズが小さくなる。
【００５７】
スポットサイズが小さくなったレーザ光Ｌは、続いて、近接場光生成部２３ｃに入射する。この近接場光生成部２３ｃは、他端側に向けてさらに絞り成形されており、端面２３ｅが光の波長以下のサイズとされている。この場合、近接場光生成部２３ｃの２つの側面２３ｄは、遮光膜５２によって遮光されている。よって、近接場光生成部２３ｃに入射したレーザ光Ｌは、第２クラッド２４ｂ側に漏れることなく、遮光膜５２と近接場光生成部２３ｃとの界面で反射されながら伝播する。そして、近接場光生成部２３ｃを伝播するレーザ光Ｌが金属膜５１に入射すると、金属膜５１には表面プラズモンが励起される。励起された表面プラズモンは、共鳴効果によって増強されながら金属膜５１とコア２３（近接場光生成部２３ｃ）との界面に沿いながら、コア２３の他端側に向かって伝播する。そして、他端側に達した時点で、光強度の強い近接場光Ｒとなって外部に漏れ出す。つまり、光束伝播素子２５の他端側とディスクＤとの間に近接場光Ｒを局在化させることができる。するとディスクＤは、この近接場光Ｒによって局所的に加熱されて一時的に保磁力が低下する。
【００５８】
一方、制御部８によってコイル３４に電流が供給されると、電磁石の原理により電流磁界が磁気回路３２内に磁界を発生させるので、主磁極３３と補助磁極３１との間にディスクＤに対して垂直方向の記録磁界を発生させることができる。すると、主磁極３３側から発生した磁束が、ディスクＤの垂直記録層ｄ２を真直ぐ通り抜けて軟磁性層ｄ３に達する。これによって、垂直記録層ｄ２の磁化をディスク面Ｄ１に対して垂直に向けた状態で記録を行うことができる。また、軟磁性層ｄ３に達した磁束は、軟磁性層ｄ３を経由して補助磁極３１に戻る。この際、補助磁極３１に戻るときには磁化の方向に影響を与えることはない。これは、ディスク面Ｄ１に対向する補助磁極３１の面積が、主磁極３３よりも大きいので磁束密度が大きく磁化を反転させるほどの力が生じないためである。つまり、主磁極３３側でのみ記録を行うことができる。
【００５９】
その結果、近接場光Ｒと両磁極３１，３３で発生した記録磁界とを協働させたハイブリッド磁気記録方式により情報の記録を行うことができる。しかも垂直記録方式で記録を行うので、熱揺らぎ現象等の影響を受け難く、安定した記録を行うことができる。よって、書き込みの信頼性を高めることができる。
【００６０】
また、ディスクＤに記録された情報を再生する場合には、ディスクＤの保磁力が一時的に低下している時に、再生素子２２がディスクＤの垂直記録層ｄ２から漏れ出ている磁界を受けて、その大きさに応じて電気抵抗が変化する。よって、再生素子２２の電圧が変化する。これにより制御部８は、ディスクＤから漏れ出た磁界の変化を電圧の変化として検出することができる。そして制御部８は、この電圧の変化から信号の再生を行うことで、ディスクＤに記録されている情報の再生を行うことができる。
【００６１】
（記録再生ヘッドの製造方法）
次に、上述した近接場光発生素子２６を有する記録再生ヘッド２の製造方法について説明する。図８，図９は図５に相当する図であって、近接場光発生素子の製造方法を説明するための工程図である。なお、以下の説明では、記録再生ヘッド２の製造工程のうち、主として近接場光発生素子の製造工程について具体的に説明する。
本実施形態では、複数のスライダ２０形成領域がＹ方向及びＺ方向に沿って連なってなる基板１２０（例えば、ＡｌＴｉＣ（アルチック）等）を用意し、この基板１２０におけるスライダ２０の各形成領域上に記録素子２１、近接場光発生素子２６、及び再生素子２２を順に形成して、Ｙ方向及びＺ方向に沿って連なる複数の記録再生ヘッド２とした後、記録再生ヘッド２の形成領域毎にダイシングすることで、記録再生ヘッド２を製造する。なお、図８，図９では、説明を分かり易くするため、基板１２０上に形成される記録素子２１のうち、補助磁極３１や、磁気回路３２、コイル３４と、それらをモールドする絶縁体３５の記載を省略する。
【００６２】
まず図８（ａ）に示すように、基板１２０上に記録素子２１を形成した後、その上に光束伝播素子２５及び金属膜５１の母材を成膜する（第１クラッド形成工程、近接場光発生部形成工程、及びコア形成工程）。具体的には、基板１２０（主磁極３３）上に第１クラッド２４ａ、金属膜５１（例えば、２０ｎｍ程度）、コア２３（数μｍ程度）の順で母材（第１クラッド母材１２４ａ、金属膜母材１５１、及びコア母材１２３）を成膜する。なお、各母材１２３，１２４ａ，１５１の成膜後には、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ)等でそれぞれの表面を研磨して、平坦面とする。
【００６３】
なお、金属膜母材１５１は、第１クラッド母材１２４ａ上の全面に成膜した後、所定の領域のみ残存するように予めパターニングしておくことが好ましい。本実施形態では、少なくともＺ方向において、コア母材１２３における近接場光生成部２３ｃ（図３参照）に相当する領域に金属膜母材１５１が残存するように（反射面２３ａ及び光束集光部２３ｂ（図３参照）に相当する領域の金属膜母材１５１を除去するように）パターニングしている。この場合には、近接場光生成部２３ｃに相当する領域では、コア母材１２３と第１クラッド母材１２４ａとの間に金属膜母材１５１が挟持され、それ以外の領域では、コア母材１２３と第１クラッド母材１２４ａとが密着することになる。これにより、コア母材１２３と第１クラッド母材１２４ａとの密着性を向上させることができるので、製造途中における膜剥がれを抑制できる。
【００６４】
また、上述した近接場光発生素子２６（図２，３参照）では、Ｚ方向においてコア２３の光束集光部２３ｂにも金属膜５１が形成されていると、光束集光部２３ｂを伝播するレーザ光Ｌが金属膜５１で吸収されて損失となり、レーザ光Ｌの伝播効率が低下する虞がある。これに対して、近接場光生成部２３ｃに相当する領域にのみ金属膜５１を形成することで、近接場光生成部２３ｃまではコア２３とクラッド２４との間でレーザ光Ｌを全反射条件で伝播させることができる。そのため、より多くのレーザ光Ｌを近接場光生成部２３ｃまで導くことができ、レーザ光Ｌの伝播効率を向上できる。
【００６５】
続いて、図８（ｂ）に示すように、コア母材１２３上にフォトリソグラフィ技術を用いてコア母材１２３を除去すべき領域が開口したマスクパターン（不図示）を形成し、このマスクパターンを介して反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行う（第１パターニング工程）。これにより、マスクパターンが開口した領域のコア母材１２３がエッチングされ、Ｚ方向から見て矩形状のコア母材１２３が形成される。また、コア母材１２３は、Ｘ方向から見て一端側から他端側にかけて先細る台形状に形成される。なお、第１パターニング工程においては、マスクパターンが開口した領域のコア母材１２３は、完全に除去せず僅かに残存させることが好ましい（図８（ｂ）中残存部６０参照）。
【００６６】
次に、図８（ｃ）に示すように、アルゴン（Ａｒ）等のプラズマ中でコア母材１２３及び金属膜母材１５１をスパッタエッチングする（第２パターニング工程）。第２パターニング工程において、断面矩形状のコア母材１２３をスパッタエッチングすると、コア母材１２３の角部が選択的にエッチングされて斜面６１が形成される。そして、この状態でさらにエッチングを続けると、斜面６１が底面（図５中側面２３ｇに相当）に対して一定の角度を保ちながらエッチングされることで、図８（ｄ）に示すような断面三角形状のコア母材１２３が形成される。
【００６７】
その後、さらにエッチングを続けると、図９（ａ）に示すように、コア母材１２３は相似形を保ちながら幅（Ｙ方向における幅）、及び高さ（Ｘ方向における高さ）が縮小するとともに、残存部６０が除去される。その結果、３つの側面２３ｄ，２３ｇを有する三角形状のコア２３が形成される。このように、第１パターニング工程で矩形状に形成したコア母材１２３に対してスパッタエッチングを行うことで、Ｚ方向から見て任意の幅や高さにコア２３を形成することができる。
【００６８】
ここで、残存部６０を除去した後、さらにエッチングを続けると、コア２３は相似形を保ったままエッチングされるとともに、金属膜母材１５１がエッチングされる。この場合、図９（ｂ）に示すように、金属膜母材１５１のＹ方向における端部（図５における斜面５１ｂに相当）は、コア２３の側面２３ｄと側面２３ｇとのなす角度と同一の角度にエッチングされる。
以上により、上底５１ａがコア２３の側面２３ｇと同一の幅を有するとともに、斜面５１ｂがコア２３の側面２３ｄと同一面上に配置された金属膜５１が形成される。なお、コア２３以外の領域の金属膜母材１５１を完全に除去するためには、第１クラッド母材１２４ａも僅かにエッチングされる。この場合、上述した第１パターニング工程において、コア母材１２３に残存部６０を形成しておくことで、第２パターニング工程で第１クラッド母材１２４ａがオーバーエッチングされるのを防止できる。
【００６９】
次に、図９（ｃ）に示すように、コア２３及び金属膜５１を覆うように遮光膜５２を形成する（遮光膜形成工程）。具体的には、コア２３の側面２３ｄにおける近接場光生成部２３ｃに相当する領域に、遮光膜５２が残存するようにパターニングする。
そして、図９（ｄ）に示すように、コア２３及び遮光膜５２を覆うように、第２クラッド２４ｂを形成する（第２クラッド形成工程）。その後、ＣＭＰ等で第２クラッド２４ｂの表面を研磨して、平坦面に形成する。そして、第２クラッド２４ｂ上に再生素子２２を形成する。これにより、基板１２０上に記録素子２１、近接場光発生素子２６、及び再生素子２２が形成される。
【００７０】
続いて、基板１２０を、Ｚ方向に沿って各スライダ２０形成領域ごとに間隔をあけた状態でＹ方向に沿ってダイシングし、一方向（Ｙ方向）に沿って複数のスライダ２０が連なった状態のバー（不図示）を形成する。その後、ダイシングしたバーの側面（切断面）を研磨する（研磨工程）。この研磨工程では、ＥＬＧ（ｅｌｅｃｔｒｏ  ｌａｐｐｉｎｇ  ｇｕｉｄｅ）を用い、バーの側面の位置だしを行う。ＥＬＧとは、ＥＬＧ素子の抵抗値を確認しながら研磨を行って研磨量を制御するものである。本実施形態では、例えばバーのＥＬＧエリア（後述するスライダ工程におけるダイシング代）に、ＥＬＧ素子と、ＥＬＧ素子の両端に接続された一対のパッドと、を形成し、パッドを介してＥＬＧ素子に通電しながら研磨する。すると、バーの側面とともにＥＬＧ素子も研磨され、ＥＬＧ素子のＺ方向における幅が減少し、電気抵抗が増加する。そこで、ＥＬＧ素子の電気抵抗と研磨量との相関を予め求めておき、ＥＬＧ素子の抵抗値をモニタしながら研磨して、抵抗値が所定の値に達した時点で所望の研磨量が得られたと判断して研磨を終了する。なお、ＥＬＧ素子やパッドは研磨時に電気抵抗の変化を検出するのが基本的な機能であるため、極端な微細構造とする必要はない。
【００７１】
その後、各スライダ２０ごとの大きさになるようにバーをＺ方向に沿って切断する（スライダ工程）。
以上により、上述した近接場光発生素子２６を有する記録再生ヘッド２が完成する。
【００７２】
このように、本実施形態では、成膜工程において第１クラッド母材１２４ａとコア母材１２３との間に金属膜母材１５１を形成し、第２パターニング工程において、コア母材１２３及び金属膜母材１５１のエッチングを一括して行う構成とした。
この構成によれば、コア母材１２３と金属膜母材１５１を同一のパターニング工程で一括してパターニングすることで、上底５１ａがコア２３の側面２３ｇと同一の幅を有するとともに、斜面５１ｂがコア２３の側面２３ｄと同一面上に配置された金属膜５１を簡単に形成できる。すなわち、Ｘ方向から見てコア２３と金属膜５１とが重なり合うように形成される。
これにより、例えば、コア２３と金属膜５１とをそれぞれ別工程でパターニングする場合と異なり、金属膜５１とコア２３とを精度良く位置決めすることができる。よって、近接場光生成部２３ｃまで伝播されたレーザ光Ｌを漏れなく金属膜５１に入射させることができるので、近接場光Ｒの発生効率を向上させることができる。
【００７３】
また、本実施形態では、コア２３の側面２３ｄを覆うように遮光膜５２を形成することで、近接場光生成部２３ｃに入射したレーザ光Ｌは、第２クラッド２４ｂ側に漏れることなく、遮光膜５２と近接場光生成部２３ｃとの界面で反射されながら伝播する。これにより、レーザ光Ｌを効率的に金属膜５１に入射させることができ、近接場光Ｒの発生効率を向上できる。
また、研磨工程においてＥＬＧを用いることで、スライダ２０の端面（例えば、近接場光発生素子２６の他端側の端面２３ｅ）を高精度に位置だしすることができる。これにより、近接場光Ｒをより効果的に発生させることができる。
【００７４】
そして、本発明の情報記録再生装置１（記録再生ヘッド２）は、上述した近接場光発生素子２６を備えているので、情報の記録再生を正確且つ高密度に行うことができ、高品質化を図ることができる。
【００７５】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図１０は、図５に相当する図であって、第２実施形態における記録再生ヘッドを示す図である。本実施形態では、コア２３の側面２３ｄ、及び金属膜５１の斜面５１ｂとともに主磁極３３の先端部分３３ａ（後述する突出部２１１の斜面２１１ｂ）を同一面上に配置する点で、上述した実施形態と相違している。なお、以下の説明では、上述した第１実施形態と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
図１０に示すように、本実施形態の記録再生ヘッド２０２における主磁極３３の先端部分３３ａは、第１クラッド２４ａ内に埋設されたベース部２１０と、ベース部２１０からコア２３側に向けてＸ方向に沿って突出する突出部２１１と、を有している。
【００７６】
突出部２１１は、Ｚ方向から見てコア２３側に向けて先細る等脚台形状に形成されている。具体的に、突出部２１１の上底２１１ａのＹ方向における幅は、金属膜５１の下底５１ｃと同一の幅に形成されている。さらに、突出部２１１の斜面２１１ｂは、コア２３の側面２３ｄ、及び金属膜５１の斜面５１ｂと同一面上に配置されている。この場合、突出部２１１のＹ方向両端部の角度θ３（斜面２１１ｂとベース部２１０とのなす角度）は、上述した金属膜５１の角度θ１や近接場光生成部２３ｃの角度θ２と同等に形成されている。すなわち、コア２３、金属膜５１、及び突出部２１１の積層体は、Ｚ方向から見てコア２３の相似形状に形成されている。
【００７７】
本実施形態の記録再生ヘッド２０２は、上述した第１実施形態の記録再生ヘッド２の製造方法とほぼ同等の工程を経ることで製造することができる。図１１は、図１０に相当する図であって、記録再生ヘッドの製造方法を説明するための工程図である。
まず、図１１（ａ）に示すように、第１クラッド母材１２４ａにおいて、主磁極３３の先端部分３３ａの形成領域に開口部１２４ｂが形成されるようにパターニングし、この開口部１２４ｂを埋めるように、第１クラッド母材１２４ａ上に主磁極３３の先端部分３３ａの母材（以下、磁極母材２２０という）を成膜する（磁極形成工程）。なお、第１クラッド１２４ａの開口部１２４ｂは、絶縁体３５、及び絶縁体３５内にモールドされた主磁極３３の基端部分が露出する深さまで形成する。これにより、図示しないが磁極母材２２０は、絶縁体３５内で主磁極３３の基端部分と接続される。
【００７８】
次に、図１１（ｂ）に示すように、上述した第１実施形態と同様に金属膜母材１５１、及びコア母材１２３を成膜した後、上述した第１パターニング工程と同様の方法により、コア母材１２３に対してマスクパターン（不図示）を介して反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行う。この場合、Ｚ方向から見て、コア母材１２３における矩形状に残存した部分のＹ方向における幅が、磁極母材２２０における第１クラッド１２４ａの開口部１２４ｂ内に埋設された部分の幅（Ｙ方向の沿う開口部１２４ｂの幅）よりも狭くなるように、コア母材１２３をパターニングする。
【００７９】
その後、上述した第２パターニング工程と同様の方法により、スパッタエッチングを行い、コア母材１２３、金属膜母材１５１、及び磁極母材２２０を一括してエッチングする。その後は、上述した第１実施形態の工程と同様の工程を経ることで、上述した図１０に示す記録再生ヘッド２０２を製造できる。
【００８０】
このように、本実施形態では、コア２３、及び金属膜５１とともに主磁極３３の先端部分３３ａの母材を同一のパターニング工程で一括してパターニングすることで、Ｚ方向から見てコア２３の側面２３ｄ、金属膜５１の斜面５１ｂ、及び主磁極３３の突出部２１１における斜面２１１ｂが同一面上に配置されることになる。これにより、例えば、コア２３、金属膜５１、及び主磁極３３をそれぞれ別工程でパターニングする場合と異なり、コア２３、金属膜５１、及び主磁極３３を精度良く位置決めすることができる。さらに、高価な位置合わせ装置を用いることなく、コア２３、金属膜５１、及び主磁極３３を精度良く位置決めすることができるので、装置コストを低減できる。
この場合、主磁極３３の先端部分３３ａが、金属膜５１を間に挟んでコア２３の反対側から金属膜５１を覆うように形成される。そのため、近接場光Ｒの発生位置と、主磁極３３からの磁場の発生位置とを高精度に位置決めでき、記録再生ヘッド２０２自体の書き込みの信頼性を高め、高品質化を図ることができる。
【００８１】
また、仮に金属膜５１でプラズモン共鳴を起こさずに、光束が金属膜５１を透過してしまった場合であっても、光束を突出部２１１の上底２１１ａで反射させてコア２３内に戻すことで、再び金属膜５１に光束を入射させることができる。これにより、近接場光Ｒの発生効率をより向上できる。さらに、光束が金属膜５１でプラズモン共鳴を起こさずに外部に漏れるのを抑制できるので、コア２３の近傍のみに極めて小さい近接場光Ｒのスポットを生成することができる。
【００８２】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について説明する。図１２は、図５に相当する図であって、第３実施形態における記録再生ヘッドを示す図である。
図１２に示すように、本実施形態の記録再生ヘッド３０２では、主磁極３３の先端部分３０３が第１クラッド２４ａと金属膜５１との間に配置されている。主磁極３３の先端部分３０３は、Ｚ方向に沿う一端側が絶縁体３５内にモールドされた主磁極３３の基端部分に接続される一方、他端側がコア２３の端面２３ｅと面一となるように形成されている。また、先端部分３０３は、Ｚ方向から見てコア２３側に向けて先細る等脚台形状に形成されている。具体的に、先端部分３０３の上底３０３ａのＹ方向における幅は、金属膜５１の下底５１ｃと同一の幅に形成されている。さらに、先端部分３０３の斜面３０３ｂは、コア２３の側面２３ｄ、及び金属膜５１の斜面５１ｂと同一面上に配置されている。すなわち、コア２３、金属膜５１、及び先端部分３０３の積層体は、Ｚ方向から見てコア２３の相似形状に形成されるとともに、上述した積層体の各側面（及び斜面）全体が遮光膜５２により覆われている。
【００８３】
図１３は、図１２に相当する図であって、記録再生ヘッドの製造方法を説明するための工程図である。
図１３（ａ）に示すように、本実施形態の記録再生ヘッドは３０２を製造するためには、まず第１クラッド２４ａ上に磁極母材３０４を成膜する（磁極形成工程）。なお、図示しないが、磁極母材３０４は、第１クラッド２４ａ、及び絶縁体３５を通して主磁極３３の基端部分と接続されている。
次に、図１３（ｂ）に示すように、上述した第１実施形態と同様に金属膜母材１５１、及びコア母材１２３を成膜した後、上述した第１パターニング工程と同様の方法により、コア母材１２３に対してマスクパターン（不図示）を介して反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行う。本実施形態の第１パターニング工程では、コア母材１２３、金属膜母材１５１、及び磁極母材３０４をＸ方向に沿って一括してエッチングすることで、Ｚ方向から見てコア母材１２３、金属膜母材１５１、及び磁極母材３０４の積層体が矩形状に残存する。
【００８４】
次に、図１３（ｃ）に示すように、上述した第２パターニング工程と同様の方法により、スパッタエッチングを行い、コア母材１２３、金属膜母材１５１、及び磁極母材３０４を一括してエッチングする。この際、第１クラッド２４ａの表面が僅かに除去されるまでエッチングを行うことで、磁極母材３０４の角部、及び側面が全て除去され、コア２３の側面２３ｄ、及び金属膜５１の斜面５１ｂと同一面（斜面３０３ｂ）を有する先端部分３０３が形成される。
【００８５】
その後は、上述した第１実施形態の工程と同様の工程を経ることで、上述した図１２に示す記録再生ヘッド３０２を製造できる。
【００８６】
このように、本実施形態によれば、上述した第２実施形態と同様の効果を奏するとともに、金属膜５１から発生する近接場光Ｒと、主磁極３３の先端部分３０３から発生する磁場とをより縮小させ、高密度記録化に対応することができる。なお、上述した第３実施形態では、第２パターニング工程において、磁極母材３０４の角部、及び側面を全て除去する構成について説明したが、これに限らず、図１４に示すように、磁極母材３０４の側面を残存させた状態でエッチングを終了しても構わない。
【００８７】
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態について説明する。図１５は、図５に相当する図であって、第４実施形態における記録再生ヘッドを示す図である。
図１５に示すように、本実施形態の記録再生ヘッド４０２では、金属膜５１と主磁極３３の先端部分３０３との間に両者をＸ方向で画成する離間膜４０１が形成されている。この離間膜４０１は、絶縁材料により構成されていることが好ましく、本実施形態では上述したコア２３と同材料により形成されている。なお、Ｚ方向から見て離間膜４０１の外側端面は、コア２３の側面２３ｄ、金属膜５１の斜面５１ｂ、及び主磁極３３の先端部分３０３における斜面３０３ｂと同一面上に配置されている。
本実施形態によれば、金属膜５１と主磁極３３の先端部分３０３とを電気的に絶縁できるとともに、金属膜５１の合金化を抑制できるので、金属膜５１での自由電子の運動に悪影響が及ぶことがない。そのため、近接場光Ｒの発生効率をより向上できる。
【００８８】
なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、上述した実施形態で挙げた構成等はほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
例えば、上述の実施形態では、記録再生ヘッドを浮上させた空気浮上タイプの情報記録再生装置を例に挙げて説明したが、この場合に限られず、ディスク面に対向配置されていればディスクと記録再生ヘッドとが接触していても構わない。つまり、本発明の記録再生ヘッドは、コンタクトスライダタイプの記録再生ヘッドであっても構わない。この場合であっても、同様の作用効果を奏することができる。
さらに、上述した実施形態では、記録素子２１に対してスライダ２０の先端側に近接場光発生素子２６を隣接配置した場合について説明したが、これに限らず近接場光発生素子２６の先端側に記録素子２１を隣接配置する等、スライダ２０の先端側における近接場光発生素子２６、記録素子２１、及び再生素子２２の順番は適宜設計変更が可能である。
【００８９】
光束伝播素子２５のコア２３が一端側から他端側に向けて漸次絞り成形されている場合を例に挙げたが、この場合に限られず、ストレートに形成されていても構わない。また、コア２３とクラッド２４とをそれぞれ異なる材料で一体的に形成した光束伝播素子２５を例に挙げたが、中空状に形成しても構わない。この場合には、中空となった空気部分がコアとなり、その周囲を囲んでいる部分がクラッドとなる。このように構成された光束伝播素子であっても、レーザ光Ｌを伝播させて近接場光発生素子２６に入射させることができる。
また、上述した実施形態では、本発明の記録再生ヘッド２をディスクＤに対して垂直な記録磁界を与える垂直磁気記録方式に採用する場合について説明したが、これに限らず、ディスクＤに対して水平な記録磁界を与える面内記録方式に採用しても構わない。
【００９０】
また、上述した第１パターニング工程において、コア２３の残存部６０を形成する方法について説明したが、残存部６０を残さずにコア２３の形成領域以外のコア２３を全て除去しても構わない。
【００９１】
さらに、図１６に示すように、金属膜５１と第１クラッド２４ａとの間にも遮光膜（第１遮光膜）５２を形成しても構わない。すなわち、コア２３の全周に亘って遮光膜５２を形成しても構わない。この場合には、金属膜５１でプラズモン共鳴を起こさずに、金属膜５１を透過してしまったレーザ光Ｌを反射させてコア２３内に戻すことで、再び金属膜５１にレーザ光Ｌを入射させることができる。これにより、近接場光Ｒの発生効率をより向上できる。
【００９２】
なお、図１６に示す近接場光発生素子２６を形成するには、上述した成膜工程において第１クラッド母材１２４ａと金属膜母材１５１との間に遮光膜５２の母材を形成しておき、上述した第２パターニング工程において、コア母材１２３及び金属膜母材１５１とともに遮光膜５２の母材を一括してエッチングすればよい。これにより、遮光膜５２とコア２３とを精度良く位置決めすることができ、金属膜５１を透過したレーザ光Ｌを漏れなくコア２３内に戻すことができる。
【００９３】
また、上述した実施形態では、Ｚ方向から見て三角形状のコア２３について説明したが、これに限らず、コア２３のＺ方向から見た断面形状は台形状や五角形状等の多角形状に適宜設計変更が可能である。
【００９４】
また、上述した実施形態では、コア２３の側面２３ｇが平坦面の場合について説明したが、これに限らず、コア２３の側面２３ｇが湾曲面等であっても構わない。何れにせよ、金属膜５１の側面５１ｂや主磁極３３の側面が、コア２３の側面２３ｇのＹ方向両側に角部を介して隣接する側面２３ｄと同一面上に配置されれば構わない。
【符号の説明】
【００９５】
１…情報記録再生装置  ２…記録再生ヘッド（近接場光ヘッド）  ３…ビーム  ５…アクチュエータ  ６…スピンドルモータ（回転駆動部）  ８…制御部  ２０…スライダ  ２１…記録素子  ２３…コア  ２３ｄ…側面（他側面）  ２３ｇ…側面（一側面）  ２４…クラッド  ２４ａ…第１クラッド  ２４ｂ…第２クラッド  ２６…近接場光発生素子  ３１…補助磁極  ３３…主磁極  ４２…光導波路（光束導入手段）  ４３…レーザ光源（光源）  ５１…金属膜（近接場光発生部）  ５１ａ…上底（界面）  ５２…遮光膜（第１遮光膜、第２遮光膜）  １２３…コア母材（コアの母材）  １２４ａ…第１クラッド母材（第１クラッドの母材）  １５１…金属膜母材（近接場発光部の母材）  ２２０，３０４…磁極母材  ４０１…離間膜  Ｄ…ディスク（磁気記録媒体）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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