【手続補正書】
【提出日】平成22年6月16日(2010.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型クラッド層と、
前記ｎ型クラッド層に隣接して形成されるｎ型導波路層と、
前記ｎ型導波路層に隣接して形成される活性領域と、
前記活性領域に隣接して形成されるｐ型導波路層と、
前記ｐ型導波路層に隣接して形成されるｐ型クラッド層とを備えた半導体レーザー装置であって、
少なくとも前記全体の活性領域を横断するｐ型ドーパント濃度が、第１の位置での最小濃度から第２の位置での最大濃度へ増加するのと、少なくとも前記全体の活性領域を横断するｎ型ドーパント濃度が、第３の位置での最大濃度から第４の位置での最小濃度に減少するのとの少なくとも一方の形でドープされる半導体レーザー装置。
【請求項２】
前記第１の位置が、前記活性領域と前記ｎ型導波路層との間の境界面にあり、前記第２の位置が、前記活性領域と前記ｐ型導波路層との間の境界面にあり、前記第３の位置が、前記活性領域と前記ｎ型導波路層との間の境界面にあり、前記第４の位置が、前記活性領域と前記ｐ型導波路層との間の境界面にある、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
ｐ型ドーパント濃度が、前記ｎ型クラッド層および前記ｎ型導波路層のうちの一層の少なくとも一部分で最小濃度から、前記活性領域を横断して、前記ｐ型導波路層および前記ｐ型クラッド層のうちの一層の少なくとも一部分で最大濃度へ増加するような形でドープされるのと、ｎ型ドーパント濃度が、前記ｎ型クラッド層および前記ｎ型導波路層のうちの一層の少なくとも一部分で最大濃度から、前記活性領域を横断して、前記ｐ型導波路層および前記ｐ型クラッド層のうちの一層の少なくとも一部分で最小濃度へ減少するような形でドープされるのとの少なくとも一方の形でドープされる、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記第１の位置が前記ｎ型導波路層内にあり、前記第２の位置が前記ｐ型導波路層内にあり、前記第３の位置が前記ｎ型導波路層内にあり、前記第４の位置が前記ｐ型導波路層内にある、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記第１の位置が前記ｎ型クラッド層内にあり、前記第２の位置が前記ｐ型クラッド層内にあり、かつ前記第３の位置が前記ｎ型クラッド層内にあり、前記第４の位置が前記ｐ型クラッド層内にある、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記活性領域が、前記活性領域と前記ｎ型導波路層との間の前記境界面でドープされない部分と、前記活性領域と前記ｐ型導波路層との間の前記境界面でドープされない部分とのうちの少なくとも一方を含み、前記ドープされない部分が、ｐ型ドーパントまたはｎ型ドーパントを含まない、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記ｐ型ドーパント濃度が、前記第１の位置で、約３．０×１０１８〜約１．５×１０１９原子毎立方センチメートル（原子／ｃｃ）の範囲内で最大濃度を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記ｎ型ドーパント濃度が、前記第３の位置で、約３．０×１０１８〜約１．５×１０１９原子毎立方センチメートル（原子／ｃｃ）の範囲で最大濃度を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記ｐ型ドーパントがマグネシウム（Ｍｇ）を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記ｎ型ドーパントがシリコン（Ｓｉ）を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記活性領域がインジウム窒化ガリウム（ＩｎＧａＮ）であり、前記ｐ型導波路層および前記ｎ型導波路層が窒化ガリウム（ＧａＮ）であり、前記ｐ型クラッド層および前記ｎ型クラッド層がアルミニウム窒化ガリウム（ＡｌＧａＮ）である、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
半導体レーザー装置を製造する方法であって、
ｎ型クラッド層を形成するステップと、
前記ｎ型クラッド層に隣接してｎ型導波路層を形成するステップと、
前記ｎ型導波路層に隣接して活性領域を形成するステップと、
前記活性領域に隣接してｐ型導波路層を形成するステップと、
前記ｐ型導波路層に隣接してｐ型クラッド層を形成するステップとを含み、
少なくとも前記全体の活性領域を横断するｐ型ドーパント濃度が、第１の位置での最小濃度から第２の位置での最大濃度に増加するのと、少なくとも前記全体の活性領域を横断するｎ型ドーパント濃度が、第３の位置の最大濃度から第４の位置での最小濃度へ減少するのとの少なくとも一方の形で、ドープ濃度が、前記各形成ステップのうちの少なくとも１ステップで調整される方法。
【請求項１３】
前記活性領域を形成するステップ中に、前記第１の位置が、前記活性領域と前記ｎ型導波路層との間の境界面であり、前記第２の位置が、前記活性領域と前記ｐ型導波路層との間の境界面であり、前記第３の位置が、前記活性領域と前記ｎ型導波路層との間の前記境界面であり、前記第４の位置が、前記活性領域と前記ｐ型導波路層との間の前記境界面であるような形で、ドーピング濃度が調整される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記活性領域を形成するステップおよび前記導波路領域を形成する各ステップ中に、前記第１の位置が前記ｎ型導波路層内にあり、前記第２の位置が前記ｐ型導波路層内にあり、前記第３の位置が前記ｎ型導波路層内にあり、前記第４の位置が前記ｐ型導波路層内にあるような形で、ドーピング濃度が調整される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記活性領域を形成するステップ、前記導波路領域を形成する各ステップ、および前記クラッド領域を形成する各ステップ中に、前記第１の位置が前記ｎ型クラッド層内にあり、前記第２の位置が前記ｐ型クラッド層内にあり、前記第３の位置が前記ｎ型クラッド層内にあり、前記第４の位置が前記ｐ型クラッド層内にあるような形で、ドーピング濃度が調整される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記活性領域を形成するステップが、前記活性領域と前記ｎ型導波路層との間の前記境界面でドープされない部分と、前記活性領域と前記ｐ型導波路層との間の前記境界面でドープされない部分とのうち少なくとも一方を形成するステップを含み、前記ドープされない部分が、ｐ型ドーパントまたはｎ型ドーパントを含まない、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記ｐ型ドーパントがマグネシウム（Ｍｇ）を含み、前記ｎ型ドーパントがシリコン（Ｓｉ）を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記活性領域がインジウム窒化ガリウム（ＩｎＧａＮ）であり、前記ｐ型導波路層および前記ｎ型導波路層が窒化ガリウム（ＧａＮ）であり、前記ｐ型クラッド層および前記ｎ型クラッド層がアルミニウム窒化ガリウム（ＡｌＧａＮ）である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
ｎ型クラッド層と、
前記ｎ型クラッド層に隣接して形成されるｎ型導波路層と、
前記ｎ型導波路層に隣接して形成される活性領域と、
前記活性領域に隣接して形成されるｐ型導波路層と、
前記ｐ型導波路層に隣接して形成されるｐ型クラッド層とを備えた、レーザー光を光記憶媒体へ向けるように構成された半導体レーザーの光源を備え、
少なくとも前記全体の活性領域を横断するｐ型ドーパント濃度が、第１の位置での最小濃度から第２の位置での最大濃度まで増加するのと、少なくとも前記全体の活性領域を横断するｎ型ドーパント濃度が、第３の位置での最大濃度から第４の位置での最小濃度への減少するのとの少なくとも一方の形で、前記半導体レーザーの光源がドープされる、光学記憶装置であって、さらに
前記光記憶媒体から反射した光を受光するように構成された受光器であって、
前記光記憶媒体から反射した前記光が、前記光記憶媒体の上に保存された情報を表す受光器を、
備えた光学記憶装置。
【請求項２０】
ｐ型ドーパント濃度が、前記ｎ型クラッド層および前記ｎ型導波路層のうちの一層の少なくとも一部分で最小濃度から、前記活性領域を横断して、前記ｐ型導波路層および前記ｐ型クラッド層のうちの一層の少なくとも一部分で最大濃度へ増加するような形でドープされるのと、ｎ型ドーパント濃度が、前記ｎ型クラッド層および前記ｎ型導波路層のうちの一層の少なくとも一部分で最大濃度から、前記活性領域を横断して、前記ｐ型導波路層および前記ｐ型クラッド層のうちの一層の少なくとも一部分で最小濃度へ減少するような形でドープされるのとの少なくとも一方の形で、前記半導体レーザーの光源がドープされる、請求項１９に記載の装置。