Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月11日(2011.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】人間運搬用デバイス
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、人間運搬デバイスを操作する人が該デバイスによって操縦可能な経路に沿って制御された方式で前進できるようになる装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【図１】本発明の動作概略図である。
【図２】本発明の第２の動作概略図である。
【図３】本発明の第３の動作概略図である。
【図４】本発明の第４の動作概略図である。
【図５】本発明の斜視図である。
【図６】駆動ばねをその緩んだ形態と押し下げられた形態とで示す、本発明の側面図である。
【図７】参考例を示す図である。
【図８】本発明の第１のギア・システムの拡大側面図である。
【図９】本発明の第２のギア・システムの拡大側面図である。
【図１０】本発明のスプール・システムの拡大斜視図である。
【図１１】本発明の第３のギア・システムの拡大斜視図である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図７には参考例が示されている。やはり、人間運搬用デバイス２１０は、前輪１１２と後輪１３０とを備えたスクータとして示されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
参考例では、スクータ２１０は、前輪１１２と接続された、スクータを操縦するハンドル・バー１１６を有する。参考例では、後述するように、人間運搬用デバイス２１０を推進させるために一方の足を使用している間ユーザが他方の足を上に載せて休ませることができるよう、フット・レスト１１４が設けられる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
（１つもしくは複数の）前輪１１２は、フレーム部材１２２によって（１つもしくは複数の）後輪１３０に結合される。フレーム部材１２２は、（１つもしくは複数の）前輪１１２を（１つもしくは複数の）後輪１３０から一定距離のところに保つ。参考例では、後輪１３０は、フレーム部材プレート１２６によってフレーム部材１２２に回転可能に取り付けられる。参考例では、スクータ２１０を使用している間にユーザが自身の靴を（１つもしくは複数の）後輪１３０に擦り付ける危険を低減するために、後輪ガード１３２が設けられる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
この参考例では、駆動機構である折れ曲がり駆動装置１５２／１５４は、その緩んだ位置（例えば、ユーザが足で圧力を加えていない位置）で示されている。図からわかるように、折れ曲がり駆動装置１５２／１５４が圧迫されるとき（例えば、ユーザの足によって）、該折れ曲がり駆動装置１５２／１５４の尾端１６４は、後輪駆動機構を過ぎて後方に延びることになる。ユーザが自身の足を持ち上げた後で折れ曲がり駆動装置１５２／１５４をその元の位置に戻すために、ばね１５６が使用される。当該技術分野で公知の他のばね構成が予測される。参考例では、フット・プラットフォーム１５０が折れ曲がり駆動装置１５２／１５４に取り付けられて、ユーザが折れ曲がり駆動装置１５２／１５４を踏みつけるときにユーザの足により大きな快適性を提供する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
本発明に付随する利点の多くが、以上の説明によって理解されると考えられている。また、本発明の範囲および趣旨から逸脱することなく、またはその本質的な利点すべてを犠牲にすることなく、本発明の諸コンポーネントの形態、構造、および配置に様々な変更を加えることができることが明らかであると考えられている。
本明細書で前述した形態は、単に本発明の例示的／説明的な実施形態にすぎない。そのような変更を網羅して包含することが以下の特許請求の範囲の目的である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前輪と、
後輪と、
前記前輪を前記後輪に接続するフレーム部材とを含む人間運搬用デバイスであって、前記前輪が前記後輪から一定距離のところで保持されており、前記前輪および前記後輪が前記フレーム部材に回転可能に接続されており、前記人間運搬用デバイスがさらに、
下方への運動から後方への運動を生み出す手段と、
後方への運動を前記後輪の回転運動に変換する手段とを含み、後方への運動を生み出す手段が弧形ばねを含んでおり、前記弧形ばねの前部が前記フレーム部材に対して固定して保持されており、前記下方への運動が、前記弧形ばねを押し下げ、それによって前記弧形ばねの後端を前記後輪に対して後方に押す、人間運搬用デバイス。
【請求項２】
前記弧形ばねの前記後端が、スプロケット・システムおよびラチェット・システムを通じて前記後輪を回転させるように接続される、請求項１に記載の人間運搬用デバイス。
【請求項３】
前記フレーム部材が半剛体である、請求項１に記載の人間運搬用デバイス。
【請求項４】
前輪と、
後輪とを含む人間運搬用デバイスであって、前記後輪が、ラチェット駆動システムを通じてスプロケットに接続されており、前記ラチェット駆動システムが、前記スプロケットの前方回転に応答して前記後輪の前方回転を可能にし、また、前記スプロケットの自由後方回転を可能にしており、前記人間運搬用デバイスがさらに、
前記前輪を前記後輪に接続するフレームを含んでおり、前記前輪が前記後輪から一定距離のところで保持されており、前記前輪および前記後輪が前記フレームに回転可能に接続されており、前記人間運搬用デバイスがさらに、
弧形ばねを含んでおり、前記弧形ばねの前端が、前記前輪に近接して前記フレームに添着されており、前記弧形ばねの後端が、前記スプロケットに接続されたスプロケット・ギアを有しており、前記弧形ばねを押し下げると、前記弧形ばねの前記後端が前記後輪に対して後方に押され、前記スプロケット・ギアが前記スプロケットを前方回転方向に回転させる、人間運搬用デバイス。
【請求項５】
スクータである、請求項４に記載の人間運搬用デバイス。
【請求項６】
前記前輪と接続された、前記人間運搬用デバイスを操縦するハンドル・システムをさらに含む、請求項５に記載の人間運搬用デバイス。
【請求項７】
前記ハンドル・システムと接続された、ユーザの足を置くフット・レストをさらに含む、請求項６に記載の人間運搬用デバイス。
【請求項８】
前記フレームが半剛体である、請求項４に記載の人間運搬用デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月11日(2011.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨剤組成物であって、
ガラス状結合物質と、
研磨剤物質と、
該研磨剤組成物の約１〜約４０体積％の量で存在する寸法安定化添加剤（ＤＳＡ）と、
を含み、
該寸法安定化添加剤が前記結合物質に対して不活性であると共に４〜９のモース硬度を有し、
研磨剤組成物が中空の球状充填剤を含まない、研磨剤組成物。
【請求項２】
前記寸法安定化添加剤が、破砕された耐火煉瓦、酸化セリウム、アンダルサイト、シリマナイト、ウィレマイト又はこれらの組み合わせである、請求項１に記載の研磨剤組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月1日(2011.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
取得されたイメージング信号から、１つのシーンの出力イメージを形成するためのエレクトロニックカメラであり：
第1センサー出力を発生させるための第1イメージセンサーと、該第1イメージセンサー上のシーンの第1イメージを形成するための第1レンズと、第1焦点検出信号に反応し、前記第1レンズの焦点調節をするための第1レンズ焦点調節器とを含む第1イメージング段；
第2センサー出力を発生させるための第2イメージセンサーと、該第2イメージセンサー上のシーンの第2イメージを形成するための第2レンズと、及び第2焦点検出信号に反応し、前記第2レンズの焦点調節をするための第2レンズ焦点調節器とを含む第2イメージング段；及び
（a）前記第1イメージング段からのセンサー出力を、前記取得されたイメージシグ
ナルとして選択し、前記第2イメージング段からのセンサー出力を使用し、選択されたイメージング段に対して第1焦点検出信号を発生させる段階、又は（b）前記第2イメージング段からのセンサー出力を、前記取得されたイメージング信号として選択し、前記第1イメージング段からのセンサー出力を使用し、前記選択されたイメージング段に対して第2焦点検出信号を発生させる段階、のいずれか一方を含む処理段階であり、前記取得されたイメージング信号に関して前記センサー出力を提供するイメージの焦点調節をするために、該焦点検出信号が、前記選択されたイメージング段のレンズ焦点調節器に適用される段階；
を含む、エレクトロニックカメラ。
【請求項２】
ユーザーが焦点距離を選択することを可能にするユーザーコントロールをさらに含み、前記処理段階が、前記センサー出力の1つを、前記焦点検出信号を提供するように選択するため及び前記センサー出力のもう1つを、前記取得されたイメージング信号を提供するように選択するために、前記ユーザーコントロールに反応することを特徴とする、請求項1に記載されたエレクトロニックカメラ。
【請求項３】
取得されたイメージング信号からの1つのシーンの出力ビデオイメージを形成するためのビデオカメラであり：第1センサー出力を発生させるための第1イメージセンサーと、該第1イメージセンサー上のシーンの第1イメージを形成するための第1レンズと、焦点変化検出信号に反応し、前記第1レンズの焦点を連続的に再調節するための第1レンズ焦点調節器とを含む第1イメージング段；
第2センサー出力を発生させるための第2イメージセンサー及び前記第2イメージセンサー上のシーンの第2イメージを形成するための第2レンズを含む第2イメージング段；及び
前記第1イメージング段からのセンサー出力を、前記取得されたイメージング信号として使用し、前記シーンの出力ビデオイメージを形成するための処理段階であり、前記シーンのビデオイメージの焦点における変化を検出するため及び前記第1イメージング段に対して焦点変化検出信号を発生させるように、前記第2イメージング段からのセンサー出力を使用し、前記取得されたイメージング信号に対して出力を提供する前記第1イメージの焦点を連続的に再調節するために、前記焦点変化検出信号が、前記第1イメージング段のレンズ焦点調節器に利用される、処理段階；
を含むビデオカメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月8日(2010.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
限定された空間を有する器具に使用する光学コードのための小型走査装置であって、
光学コードからセンサに至る光路内に光学センサと結像用レンズとを備え、前記レンズが広角レンズであって、前記コードと共に直線状の光路内にあることを特徴とする小型走査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月15日(2010.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスにおいて使用するためのドープされた半導体接合を製造する方法であって、
(a)第一のドープされた半導体層が第一の極性を有し、該第一の層が半導体ナノ粒子を含むように、ドナーまたはアクセプターをドープされた第一の多結晶性半導体層を基材の上で形成し；
(b)該第一の半導体層と接触する第二の層を基材の上で形成して、該半導体接合を形成し;および
(c)該第二の層を形成する前または後のいずれかで、該付着した第一の層をアニーリングすること、
を含んでなる、方法。
【請求項２】
該第一の層が、ドナーまたはアクセプターをインサイチュまたはエクスサイチュでドープされる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
電子デバイスにおいて使用するためのドープされた半導体接合であって、
(a)第一のドープされた半導体層が第一の極性を有し、該第一の層は融合した半導体ナノ粒子を含むように、ドナーまたはアクセプターをドープされた、基材の上の第一の多結晶性半導体層；および
(b)該半導体接合を形成するように、該第一の半導体層と接触する、基材の上の第二の層、を含んでなるドープされた半導体接合。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月12日(2011.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つの支持体と複数の光源（１）を有し、
前記光源（１）は複数の発光ダイオード（２）を含み、
前記各発光ダイオード（２）は色位置Ｆiと輝度Ｈiを有し、
前記光源（１）は、色位置Ｆi及び／又は輝度Ｈiに依存して支持体の所定の位置に配設され、それによってＬＥＤモジュール（１０）が照射均一性ＨBLUを有し、該照射均一性ＨBLUは、ＬＥＤモジュール（１）内での光源（１）のランダム配置のもとで得られる照射均一性分布の統計的平均値Ｈ*よりも小さくなるように構成されていることを特徴とするＬＥＤモジュール。
【請求項２】
前記ＬＥＤモジュール（１０）の照射均一性ＨBLUは最大で、照射均一性分布の統計的平均値Ｈ*の半分の大きさである、請求項１記載のＬＥＤモジュール。
【請求項３】
前記発光ダイオード（２）は、プリント基板に取り付けられている、請求項１または２記載のＬＥＤモジュール。
【請求項４】
前記各光源（１）は、異なる波長のビームを発する少なくとも２つの発光ダイオード（２）を有している、請求項１から３いずれか１項記載のＬＥＤモジュール。
【請求項５】
前記各光源（１）は、少なくとも１つの赤色と緑色と青色の発光ダイオードを有している、請求項４記載のＬＥＤモジュール。
【請求項６】
前記各光源（１）は、白色光を発する少なくとも１つの発光ダイオード（２）を有している、請求項１から５いずれか１項記載のＬＥＤモジュール。
【請求項７】
前記各光源（１）は、２４の発光ダイオード（２）を有している、請求項１から６いずれか１項記載のＬＥＤモジュール。
【請求項８】
前記各光源（１）は、マトリクスの形態で支持体上に配設されている、請求項１から７いずれか１項記載のＬＥＤモジュール。
【請求項９】
前記マトリクスは１２の行と４つの列を有している、請求項８記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１０】
前記ＬＥＤモジュール（１０）はバックライト用または照明用に設けられている、請求項１から９いずれか１項記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１１】
請求項１から１０いずれか１項記載のＬＥＤモジュール（１０）の製造方法において、
複数の光源（１）を準備するステップと、
前記各光源（１）の個々の発光ダイオード（２）の色位置Ｆiと輝度Ｈiを測定するステップと、
支持体上で各光源（１）毎に色位置Ｆiと輝度Ｈiの値に依存して最適な位置を算出し、それによってＬＥＤモジュール（１０）が照射均一性ＨBLUを有し、該照射均一性ＨBLUは、ＬＥＤモジュール（１）内での光源（１）のランダム配置のもとで得られる照射均一性分布の統計的平均値Ｈ*よりも小さくなるようにするステップと、
支持体上で前記算出された位置に光源（１）を配置するステップとを有していることを特徴とする方法。
【請求項１２】
最適な位置の算出が焼きなまし法を用いて行われる、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記光源（１）の製造のためにそれぞれ複数の発光ダイオード（２）を複数のプリント基板に実装させる、請求項１１または１２記載の方法。
【請求項１４】
前記発光ダイオード（２）は、実装前に色位置Ｆiと輝度Ｈiに従ってグループ分けされる、請求項１３記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月31日(2011.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチングする方法であって、
６０℃以下の温度で遷移金属酸化物を一酸化炭素ベースのプラズマエッチングするステップを含み、
前記プラズマエッチングするステップは、本質的に一酸化炭素から成るソースガスを用いて実行される方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、
前記遷移金属酸化物は、酸化ニッケル、酸化鉄、および酸化コバルトから成るグループから選択される方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、
パッシバントガスを用いてエッチプロフィールを制御するステップをさらに含む方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、
前記プラズマエッチングするステップは、加えられた磁場を用いて実行される方法。
【請求項５】
エッチングする方法であって、
６０℃以下の温度で遷移金属酸化物を一酸化炭素ベースのプラズマエッチングするステップを含み、
前記プラズマエッチングするステップは、一酸化炭素および不活性希釈剤だけから成るソースガスを用いて実行される方法。
【請求項６】
メモリセルを形成する方法であって、
６０℃以下の温度で一酸化炭素ベースのソースガスを用いて遷移金属酸化物の冷却される薄膜をプラズマエッチングするステップを含み、
前記プラズマエッチングするステップは、本質的に一酸化炭素から成るソースガスを用いて実行される方法。
【請求項７】
請求項６記載の方法において、
前記遷移金属酸化物は、酸化ニッケル、酸化鉄、および酸化コバルトから成るグループから選択される方法。
【請求項８】
請求項６記載の方法において、
パッシバントガスを用いてエッチプロフィールを制御するステップをさらに含む方法。
【請求項９】
請求項６記載の方法において、
前記プラズマエッチングするステップは、加えられた磁場を用いて実行される方法。
【請求項１０】
メモリセルを形成する方法であって、
６０℃以下の温度で一酸化炭素ベースのソースガスを用いて遷移金属酸化物の冷却される薄膜をプラズマエッチングするステップを含み、
前記ソースガスは、一酸化炭素および不活性希釈剤だけから成る方法。
【請求項１１】
酸化ニッケルの薄膜をエッチングする方法であって、
本質的に一酸化炭素から成るソースガスを流すステップと、
前記薄膜の近傍にグロー放電を生成し、それによってプラズマ衝撃を誘発するステップと、
前記薄膜を６０℃以下まで冷却するステップと、
ガスを排出するステップと、
を含む方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の方法において、
前記酸化ニッケルの薄膜は、少なくとも１つの伝導材料と積み重ねられる方法。
【請求項１３】
請求項１１記載の方法において、
前記酸化ニッケルの薄膜は、少なくとも１つの絶縁材料と積み重ねられる方法。
【請求項１４】
請求項１１記載の方法において、
パッシバントガスを用いてエッチプロフィールを制御するステップをさらに含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月31日(2011.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像ビットストリームの処理方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像ビットストリームの処理方法であって、
（ａ）マルチレイヤの画像ビットストリームから、画像部分に関連するシンボルを抽出するステップと、
（ｂ）上記シンボルから変換係数を生成するステップと、
（ｃ）上記画像部分がパルス符号変調で符号化されていないという第１の条件を判定するステップと、
（ｄ）マルチレイヤから単一レイヤへの書き換え処理が有効であるという第２の条件を判定するステップと、
（ｅ）上記画像部分が画像の最初の画像部分ではないという第３の条件を判定するステップと、
（ｆ）上記画像部分が１６×１６ブロックを用いた画面内予測モードで符号化されていないという第４の条件を判定するステップと、
（ｇ）上記変換係数が非ゼロ係数を全く含んでいないという第５の条件を判定するステップと、
（ｈ）上記第１の条件を満たさない場合、第１の量子化パラメータを用いて上記画像部分を処理するステップと、
（ｉ）上記第１の条件を満たすが上記第２の条件から第５の条件までの少なくとも１つの条件を満たさない場合、上記シンボルにおいて識別された量子化パラメータを用いて上記画像部分を処理するステップと、
（ｊ）上記第１の条件から第５の条件までの全ての条件を満たす場合、前の画像部分から得た量子化パラメータを用いて上記画像部分を処理するステップと、を含む画像ビットストリームの処理方法。
【請求項２】
上記画像部分がパルス符号変調で符号化されていないという第１の条件を判定する上記ステップは、I_PCM flagを読み出すステップを含む請求項１に記載の画像ビットストリームの処理方法。
【請求項３】
マルチレイヤから単一レイヤへの書き換え処理が有効であるという第２の条件を判定する上記ステップは、tcoeff_level_prediction_flagに１が設定されていることを判定するステップを含む請求項１に記載の画像ビットストリームの処理方法。
【請求項４】
上記画像部分が画像の最初の画像部分ではないという第３の条件を判定する上記ステップは、マクロブロックアドレスが０よりも大きいことを判定するステップを含む請求項１に記載の画像ビットストリームの処理方法。
【請求項５】
上記画像部分が１６×１６ブロックを用いた画面内予測モードで符号化されていないという第４の条件を判定する上記ステップは、マクロブロックタイプフラグを読み出すステップを含む、請求項１に記載の画像ビットストリームの処理方法。
【請求項６】
上記変換係数が非ゼロ係数を含んでいないという第５の条件を判定する上記ステップは、上記変換係数内の非ゼロ変換係数の数を計算するステップを含む請求項１に記載の画像ビットストリームの処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月7日(2011.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）
（ｉ）示差走査熱量測定により測定し、ガラス転移点の終点から２３０℃までで測定されたときの約−１５Ｊ／ｇ〜約５Ｊ／ｇの正味ピーク面積、及び
（ｉｉ）ポリエチレンテレフタレートフィルムを不透明化するための添加剤を有する、ポリエチレンテレフタレートフィルムと、
ｂ）ポリエチレンテレフタレートフィルムに接着してソーラーパネル裏面フィルムを構成する高分子層であって、該ソーラーパネル裏面フィルムが、可視光域のある点で、５０％以上の反射率を有し、該ソーラーパネル裏面フィルムが、ソーラーパネルに適用され、８５℃及び相対湿度８５％に２０００時間曝露されたとき、ポリエチレンテレフタレートフィルムに剥脱又は目に見える亀裂を生じさせない高分子層とを含む、ソーラーパネル裏面フィルム。
【請求項２】
前記高分子層が、フルオロポリマーを含む、請求項１に記載のソーラーパネル裏面フィルム。
【請求項３】
（ａ）０．６０以上の固有粘度を有するポリエチレンテレフタレートフィルムと、
（ｂ）該ポリエチレンテレフタレートフィルムに接着してソーラーフィルムを構成する、少なくとも１層の他の高分子層であって、該ソーラーフィルムが、ソーラーパネルに適用され、８５℃及び相対湿度８５％に２０００時間曝露されたとき、該ポリエチレンテレフタレートフィルムが、目に見える亀裂又は剥脱を呈しない高分子層とを含む、フィルム。
【請求項４】
（ａ）ガラスと、
（ｂ）ポリマーに封入され、該ガラスに接着された複数の太陽電池と、
（ｃ）ガラスの反対側の表面上で該ポリマーに接着された請求項１に記載のソーラーパネル裏面フィルムとを含む、ソーラーパネル。
【請求項５】
（ａ）ガラスと、
（ｂ）ポリマーに封入され、該ガラスに接着された複数の太陽電池と、
（ｃ）ガラスの反対側の表面上で該ポリマーに接着された請求項３に記載のソーラーパネル裏面フィルムとを含む、ソーラーパネル。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月2日(2011.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】呼制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端末装置によって、回線交換ドメインアダプタとの間に回線交換呼レッグを確立することと、
前記回線交換ドメインアダプタによって、パケット交換ドメインサーバの制御の下で、第２のパーティとの間にパケット交換呼レッグを確立することと、
前記回線交換ドメインアダプタによって、前記端末装置との間の前記回線交換呼レッグと前記第２のパーティとの間の前記パケット交換呼レッグとを結合することにより、前記端末装置と前記第２のパーティとの間に呼接続を確立することと、
前記パケット交換ドメインサーバによって、第３のパーティによって前記端末装置へ送信された呼要求を受信して、前記呼要求を前記回線交換ドメインアダプタへ転送することと、
前記回線交換ドメインアダプタによって、前記呼要求を、前記端末装置へ配信することと、
前記端末装置によって、前記回線交換ドメインアダプタへの前記呼要求を受け取るための応答を送信すること、
前記回線交換ドメインアダプタによって、前記応答を受信し、前記第２のパーティとの間の前記パケット交換呼レッグを保留することと、
前記回線交換ドメインアダプタによって、前記パケット交換ドメインサーバの制御下で、前記第３のパーティとの間に前記パケット交換呼レッグを確立することと、
前記回線交換ドメインアダプタによって、前記回線交換呼レッグと、前記第３のパーティとの間の前記パケット交換呼レッグとを結合することにより、前記端末装置と前記第３のパーティとの間に呼接続を確立することと、
を含む呼制御方法。
【請求項２】
前記回線交換ドメインアダプタによって前記端末装置への呼要求を配信することは、
前記回線交換ドメインアダプタによって、前記パケット交換アクセスネットワーク又は回線交換アクセスネットワークを介して呼転送要求を配信すること、を含み、
前記端末装置によって、前記呼要求を受け取るための応答を前記回線交換ドメインアダプタへ送信することは、
前記端末装置によって、前記呼要求を受け取るための応答を前記回線交換ドメインアダプタへ送信すること、
を含む、請求項１に記載の呼制御方法。
【請求項３】
前記端末装置によって、前記回線交換ドメインアダプタに、呼を再開するように要求することと、
前記回線交換ドメインアダプタによって、前記第３のパーティとの間の前記パケット交換呼レッグを保留することと、
前記回線交換ドメインアダプタによって、前記回線交換呼レッグと前記第２のパーティとの間の前記パケット交換呼レッグとを結合することによって、前記端末装置と前記第２のパーティとの間に呼接続を再開することと、
を更に含む、請求項１又は２に記載の呼制御方法。
【請求項４】
前記端末装置によって、前記回線交換ドメインアダプタに、呼を再開するように要求することは、
前記端末装置によって、パケット交換アクセスネットワーク又は回線交換アクセスネットワークを介して、前記呼再開要求を前記回線交換ドメインアダプタに送信することを含む、請求項３に記載の呼制御方法。
【請求項５】
前記回線交換ドメインアダプタによって、前記パケット交換ドメインサーバの制御の下で、第３のパーティとの間に前記パケット交換呼レッグを確立した後に、
前記端末装置によって、呼転送要求を前記回線交換ドメインアダプタに送信することと、
前記回線交換ドメインアダプタによって、呼接続を確立するように前記第２のパーティと前記第３のパーティとを制御することと、
を更に含む、請求項１記載の呼制御方法。
【請求項６】
前記第２のパーティによって、前記第３のパーティとの間の呼接続を確立した後に、
前記回線交換ドメインアダプタと前記端末装置との間の前記回線交換呼レッグを解放することを更に含む、請求項５に記載の呼制御方法。
【請求項７】
前記端末装置によって、前記呼転送要求を前記回線交換ドメインアダプタに送信することは、
前記端末装置によって、パケット交換アクセスネットワーク又は回線交換アクセスネットワークを介して前記呼転送要求を送信することを含む、請求項５に記載の呼制御方法。
【請求項８】
前記回線交換ドメインアダプタによって、呼接続を確立するように前記第２のパーティと前記第３のパーティとを制御する前に、
前記回線交換ドメインアダプタによって、前記第３のパーティとの間の前記パケット交換呼レッグを保留することを更に含む、請求項５に記載の呼制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月9日(2011.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部共振器の第１の端部ミラーを形成する外部ミラーと、
前記外部共振器の第２の端部ミラーを形成する、レーザ発生波長に対する分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ；distributed Bragg reflector）と、
前記分布ブラッグ反射器の内側に設けられる、発光のための活性化領域と、
前記活性化領域及び前記分布ブラッグ反射器が少なくとも自身の一部を形成する積層部に取り付けられる、前記外部共振器の内部の光学的に透明な基板と、
前記分布ブラッグ反射器の外側で前記積層部に取り付けられるヒートシンクとを少なくとも有し、
電流注入層が、前記活性化領域と前記光学的に透明な基板との間に挟まれ、レーザ動作を可能にするように設計され又は設けられ、
追加の金属層が、前記電流注入層と前記透明な基板との間に挟まれる、垂直外部共振器形面発光レーザ（ＶＥＣＳＥＬ; vertical extended cavity surface emission laser）。
【請求項２】
追加の分布ブラッグ反射器が、前記活性化領域と前記電流注入層との間に挟まれ、前記第２の端部ミラーを形成する前記分布ブラッグ反射器の反射率よりもレーザ発生波長に対して低い反射率をもち、
前記追加の分布ブラッグ反射器は、４〜１３対の層で形成される、請求項１に記載の垂直外部共振器形面発光レーザ。
【請求項３】
前記透明な基板は、前記第２の端部ミラーを形成する前記分布ブラッグ反射器の反射率よりもレーザ発生波長に対して低い反射率を伴うダイクロイックのコーティングを有する、請求項１に記載の垂直外部共振器形面発光レーザ。
【請求項４】
前記光学的に透明な基板は、ガラス基板である、請求項１に記載の垂直外部共振器形面発光レーザ。
【請求項５】
他の光学部品が、前記外部ミラーと前記透明な基板との間の前記外部共振器の内部に設けられる、請求項１に記載の垂直外部共振器形面発光レーザ。
【請求項６】
前記第２の端部ミラーを形成する前記分布ブラッグ反射器は、２０よりも多い対の層で形成される、請求項２に記載の垂直外部共振器形面発光レーザ。
【請求項７】
前記金属層は、前記活性化領域における電流分布、及び／又は、レーザの光学的挙動に影響を与えるように構造化される、請求項１に記載の垂直外部共振器形面発光レーザ。
【請求項８】
前記金属層は、外部共振器内に形成するレーザ放射の定常波のノードに設けられる、請求項１に記載の垂直外部共振器形面発光レーザ。
【請求項９】
前記ヒートシンクは、前記積層部に電気的に接触するための導体構造を有する、請求項１に記載の垂直外部共振器形面発光レーザ。
【請求項１０】
前記透明な基板は、光学機能を実行するように設計される、特に、偏光子、レンズ又は周波数倍増結晶を形成するように設計される、請求項１に記載の垂直外部共振器形面発光レーザ。
【請求項１１】
前記透明な基板は、少なくとも幾つかが異なる光学機能を有する複数の異なる材料層のサンドイッチで形成される、請求項１に記載の垂直外部共振器形面発光レーザ。
【請求項１２】
垂直外部共振器形面発光レーザ（ＶＥＣＳＥＬ; vertical extended cavity surface emission laser）の発光部品を製造する方法であって、
発光のための活性化領域、上部の分布ブラッグ反射器を形成する上部層シーケンス、及び、半導体基板と前記活性化領域との間に挟まれたｎ又はｐドープ電流注入層を形成する少なくとも複数の層を有する積層部を、前記半導体基板上にエピタキシャルに成長させるステップと、
機械的サポート又はサブマウントを前記積層部の上側に取り付けるステップと、
前記半導体基板を除去するステップと、
光学的に透明な基板を前記積層部の下側に接合させるステップとを少なくとも有し、
メタライズ層は、前記半導体基板を除去するステップと光学的に透明な基板を前記積層部の下側に接合させるステップとの間において、前記積層部の下側に堆積される、方法。
【請求項１３】
エピタキシャルに成長された前記積層部は、前記活性化領域と前記ｎ又はｐドープ電流注入層との間に下部の分布ブラッグ反射器を形成する下部層シーケンスを有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記機械的サポートは、前記積層部の上側に接合され、前記光学的に透明な基板を前記積層部の下側に接合させるステップの後に除去される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記サブマウントは、前記積層部の上側に接合又ははんだ付けされる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記メタライズ層は、光伝送のためのホールを提供するために、及び／又は、偏光子若しくはモデル制御のような追加の光学機能性を提供するために、構造化される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記半導体基板は、ウエハー基板であり、
前記積層部は、前記ウエハー基板に複数の垂直発光部品を並べて形成するためにエピタキシャルに成長され、前記光学的に透明な基板の結合の後に、生ずる基板及び前記積層部が、各部品が１又は幾つかの発光部品を有する単一の部品に切断される、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月11日(2011.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質誘電体基板材料（１）に誘電体（１８）を被膜する方法であって、
・誘電体（１８）の前駆体化合物と少なくとも１種の溶媒（１２）を含み、沸点ＴSと架橋温度ＴNを有する溶液（２）を基板材料（１）に浸透させる工程、及び
・溶液（２）を浸透させた基板材料（１）を、溶液（２）の沸点ＴS及び架橋温度ＴNより低い乾燥温度ＴTで、溶媒（１２）の７５質量％を超過する質量が蒸発するまで乾燥させる工程、
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記溶液（２）の架橋温度ＴNを高める少なくとも１種の添加剤を前記溶液（２）に加えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１種の添加剤は、以下の構造を有する少なくとも１種の化合物、
【化１】
2010521803.tif 000001
（ここで、ｎ＝０、１、２又は３であり、Ｘ、Ｙは、互いに独立に、
【化２】
2010521803.tif 000002
から選ばれ、Ｒ、Ｒ’は、互いに独立に、Ｈ、メチル、エチル、n-プロピル、イソ-プロピル、n-ブチル、i-ブチル、sec-ブチル及びtert-ブチルから選ばれる。）を有していることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記乾燥は、標準圧力に比して減ぜられた圧力下で実行されることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記乾燥は、前記溶液の沸点と乾燥温度の差ＴS−ＴTが１〜４０Ｋの間となる乾燥温度で行われることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記乾燥の後に、浸透され乾燥された前記基板材料（１）の熱後処置が２００〜６００℃の温度で行われることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の方法。
【請求項７】
浸透され乾燥された前記基板材料（１）の熱後処置は、５００〜１５００℃の温度で行われることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記浸透、前記乾燥及び前記熱後処理を複数回繰り返すことを特徴とする請求項６又は７に記載の方法。
【請求項９】
請求項１〜８の何れか１項に記載の方法にしたがって製造される誘電体による被膜であって、キャパシタの誘電体（１８）として使用することを特徴とする被膜。
【請求項１０】
多孔質導電性基板（１）を有し、該基板の内側及び外側表面に請求項１〜８の何れか１項に記載の方法により製作した誘電体（１８）の第１の層と第２の導電体の層が形成されたことを特徴とするキャパシタ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月25日(2010.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の増幅器のＲＦ出力を結合し、点火周波数該点火周波数とは異なる操作周波数とを有するガス放電レーザーへ結合出力を与える電力結合器であって、
等長及び等特性インピーダンスを有する複数の同軸伝送ラインを備え、
その各々の同軸伝送ラインは、関連する電力増幅器から電力増幅器出力インピーダンスを受け取る入力端と、伝送ライン出力インピーダンスを受け取る出力接続点へ接続された出力端とを有すると共に、
各々の同軸伝送ラインは、接地された外部導体を有し、前記共通伝送ライン出力インピーダンスはガス放電レーザーの電極へ接続するように適合されており、
前記複数の伝送ラインは、前記点火周波数と前記操作周波数との両方を操作するのに充分である帯域幅を有する電力結合器。
【請求項２】
請求項１の電力結合器において、前記各々の同軸伝送ラインは連続的である電力結合器。
【請求項３】
バイナリ電力結合器回路であって、
第１の出力増幅器から受け取られる出力と第２の出力増幅器から受け取られる出力とを結合して、第１の変圧器出力を与える第１の変圧器と、
第１の出力増幅器の出力と第２の出力増幅器の出力との間に接続された第１の差分抵抗と、
第３の出力増幅器から受け取られる出力と第４の出力増幅器から受け取られる出力とを結合して、第２の変圧器出力を与える第２の変圧器と、
第３の出力増幅器の出力と第４の出力増幅器の出力との間に接続された第２の差分抵抗と、
第１の変圧器出力と第２の変圧器出力との間に接続された第３の差分抵抗と、
第１の変圧器出力と第２の変圧器出力とを結合して、第３の変圧器出力を直接に負荷へ与える第３の変圧器とを備える回路。
【請求項４】
４方向バイナリ電力結合器回路であって、
第１の出力増幅器の出力から受け取られる５０オーム出力インピーダンスと第２の出力増幅器の出力から受け取られる５０オーム出力インピーダンスとを結合して、第１の変圧器出力において２５オームの第１の変圧器出力インピーダンスを与える第１の１：１変圧器と、
第１の出力増幅器の出力と第２の出力増幅器の出力との間に接続された第１の１００オーム差分抵抗と、
第３の出力増幅器の出力から受け取られる５０オーム出力インピーダンスと第４の出力増幅器の出力から受け取られる５０オーム出力インピーダンスとを結合して、第２の変圧器出力において２５オームの第２の変圧器出力インピーダンスを与える第２の１：１変圧器と、
第３の出力増幅器の出力と第４の出力増幅器の出力との間に接続された第２の１００オーム差分抵抗と、
第１の変圧器出力と第２の変圧器出力との間に接続された５０オーム差分抵抗と、
第３の変圧器であり、２５オームの第１の変圧器出力インピーダンスを２５オームの第２の変圧器出力インピーダンスへ組み合わせて、第３の変圧器において１２．５オーム出力インピーダンスを与え、その第３の変圧器の出力は負荷への直接接続に適合されている第３の変圧器とを備える４方向バイナリ電力結合器。
【請求項５】
請求項３の４方向バイナリ電力結合器において、前記負荷は、レーザーへ出力を与えるインピーダンス整合ネットワークを含む４方向バイナリ電力結合器。
【請求項６】
修正されたウィルキンソン電力結合器であって、
等長及び等特性インピーダンスを有する複数の四分の１波長伝送ラインであり、その各々の伝送ラインは、関連する電力増幅器の出力から出力インピーダンスを受け取るように接続された入力端を有し、各々の伝送ラインは、共通伝送ライン出力接続点へ接続された出力端を更に有する複数の四分の１波長伝送ラインを備え、
各々の前記伝送ラインについて、差分抵抗が前記伝送ラインの前記入力端と共通差分抵抗接続点との間に接続されており、
前記共通伝送ライン出力接続点は負荷への直接接続に適合されている電力結合器。
【請求項７】
修正された４方向ウィルキンソン電力結合器であって、
等長及び５０オーム特性インピーダンスを有する第１、第２、第３、及び第４の四分の一波長同軸伝送ラインを備え、各々の同軸伝送ラインは、入力端及び出力端を有する内側導体と外側導体とを有し、前記内側導体の前記入力端は、関連する電力増幅器の出力から５０オーム出力インピーダンスを受け取るように適合されており、前記内側導体の前記出力端は、１２．５オーム出力インピーダンスを受け取る共通伝送ライン出力接続点へ接続され、前記外側導体は接地へ接続されており、
各々の前記同軸伝送ラインについて、５０オーム差分抵抗が前記同軸伝送ラインの前記内側導体と共通差分抵抗接続点との間に接続されており、
前記共通伝送ライン出力接続点は負荷への直接接続に適合されている電力結合器。
【請求項８】
請求項７の修正された４方向ウィルキンソン電力結合器であって、前記負荷は、レーザーへ出力インピーダンスを与えるインピーダンス整合ネットワークを含む電力結合器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月20日(2011.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信接続を管理するコンピューター実装方法であって、
外部ネットワークと内部ネットワークのワイヤレス・デバイスとの間に、ネットワーク境界デバイスを介してＩＰ接続を確立する動作と、
前記外部ネットワークから前記ネットワーク境界デバイスに入るキープアライブ・パケットを受信する動作と、
前記キープアライブ・パケットを受信したときに、接続タイマをリセットする動作と、
前記外部ネットワークからのみの前記キープアライブ・パケットの受信に基づいて、前記外部ネットワークと前記ワイヤレス・デバイスとの間に、前記ネットワーク境界デバイスを介して前記ＩＰ接続を維持する動作と、
強化キープアライブ・パケット処理モードの利用に基づいて、前記ネットワーク境界デバイスの前記ＩＰ接続を監視する動作と、
接続状態の品質低下に基づいて、標準的キープアライブ・パケット処理モードに自動的に変更する動作と、
メモリに格納された命令を実行するプロセッサを利用して、前記の確立する動作、受信する動作、リセットする動作、維持する動作、監視する動作および自動的に変更する動作を実行する動作と、
を備えた、コンピューター実装方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、更に、前記ワイヤレス・デバイスにおいて前記キープアライブ・パケットを受信しない場合、前記ワイヤレス・デバイスからの応答を受信する動作を備えた、方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法であって、更に、前記ネットワーク境界デバイスへの前記キープアライブ・パケットの移行時間に基づいて、存続時間（ＴＴＬ）値を計算し、前記パケットを欠落させるために前記ＴＴＬ値を前記キープアライブ・パケットの中に設定する動作を備えた、方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法であって、更に、ｎＴＴＬ値を含むように、前記キープアライブ・パケットを設定する動作を備えており、前記ｎＴＴＬ値は、前記ネットワーク境界デバイスによって処理されると、前記ワイヤレス・デバイスが前記キープアライブ・パケットを受信しないように、前記境界デバイスにおいて前記キープアライブ・パケットを終了させる、方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法であって、更に、前記キープアライブ・パケットが前記ワイヤレス・クライアントに到達する前にこれを欠落させる強化キープアライブ・パケット処理を、ＮＡＴルータである前記ネットワーク境界デバイスが扱うことができるか否か判断するために、前記ネットワーク境界デバイスに質問する動作を備えた、方法。
【請求項６】
請求項１記載の方法であって、更に、対応する接続の状態を維持するために、前記外部ネットワークからキープアライブ・パケットを受信することによって、前記境界デバイスの複数の接続を同時に管理する動作を備えた、方法。
【請求項７】
公衆ネットワークと、私設ネットワークの移動体クライアントとの間においてＩＰ接続を確立する手段と、
前記ＩＰ接続を確立する手段にキープアライブ・パケットを送る手段と、
前記キープアライブ・パケットが受信されたときに、接続タイマをリセットする手段と、
キープアライブ・パケットを送る前記手段からのみのキープアライブ・パケットの受信に基づいて、前記ＩＰ接続を確立する前記手段を介して、前記外部ネットワークと前記移動体クライアントとの間に前記ＩＰ接続を維持する手段と、
強化キープアライブ・パケット処理モードの利用に基づいて、前記ＩＰ接続を監視する手段と、
接続状態の品質低下に基づいて、標準的キープアライブ・パケット処理モードに自動的に変更する手段と、
を備えた、システム。
【請求項８】
請求項７記載のシステムであって、更に、前記移動体クライアントに到達する前に、終了するように前記キープアライブ・パケットを構成する手段を備えた、システム。
【請求項９】
請求項７記載のシステムにおいて、前記移動体クライアントは、キープアライブ・パケットが受信されないとき、否定承認を送る、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月17日(2010.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ装置において、６４ＱＡＭ以上の高い多値数の変調を下りリンクのデータ伝送に使用可能な場合に、下りリンクの瞬時のチャネル品質情報（ＣＱＩ）を測定し、測定した前記ＣＱＩをネットワークへ報告する方法であって、
少なくとも１つのネットワーク制御パラメータと、測定したチャネル品質パラメータとに基づいて、実ＣＱＩを導出するステップと、
新たなＣＱＩがＣＱＩ値の特定の範囲に収まるように、前記実ＣＱＩ値を該新たなＣＱＩ値へスケーリングするステップと、
報告範囲の全体にわたるあらゆるＣＱＩ値を同一の数のビットを用いて報告するために、前記導出されたＣＱＩ値をスケーリングすることによって得られる前記新たなＣＱＩを報告するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記導出されたＣＱＩは、前記ユーザ装置で測定される信号対干渉比（ＳＩＲ）の関数であるスケーリング係数を用いてスケーリングされることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記導出されたＣＱＩは、ＣＤＭＡシステムにおけるＨＳ−ＰＤＳＣＨで推定される前記ＳＩＲの関数であるスケーリング係数を用いてスケーリングされることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記導出されたＣＱＩは、ＣＤＭＡシステムにおける共通パイロット・シンボルで推定される前記ＳＩＲの関数であるスケーリング係数を用いてスケーリングされることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記導出されたＣＱＩは、ＤＬ−ＳＣＨで推定される前記ＳＩＲの関数であるスケーリング係数を用いてスケーリングされることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記導出されたＣＱＩは、下りリンク参照信号で推定される前記ＳＩＲの関数であるスケーリング係数を用いてスケーリングされることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記ユーザ装置は、
所定の閾値に関連して前記導出されたＣＱＩの値に応じて、該導出されたＣＱＩをスケーリングするために、第１の電力オフセット値が第２の電力オフセット値より大きい、ネットワークで伝達される少なくとも２つの電力オフセット値を考慮に入れることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記ユーザ装置は、最初に、前記第１の電力オフセット値、即ち、大きい方の値を使用してＣＱＩを導出することを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ユーザ装置は、前記導出されたＣＱＩが前記閾値より小さい場合、前記第１の電力オフセット値によって当該ＣＱＩをスケーリングし、それ以外の場合、前記導出されたＣＱＩをスケーリングするために前記第２の電力オフセット値を使用することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記高い多値数の変調は、６４ＱＡＭであることを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記ユーザ装置によって測定される第２のチャネル品質パラメータの関数であるスケーリング係数を用いて、前記実ＣＱＩ値を新たなＣＱＩ値へスケーリングするステップをさらに含むことを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２のチャネル品質パラメータは、第１のチャネル品質パラメータと同一であることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
無線通信ネットワークにおける無線基地局と通信するユーザ装置であって、
請求項１乃至１２の何れか１項に記載の方法を用いて、下りリンクの瞬時のチャネル品質情報を測定し、測定したチャネル品質情報をネットワークへ報告することを特徴とするユーザ装置。
【請求項１４】
基地局において、下りリンクのチャネル品質情報（ＣＱＩ）をユーザ装置から受信するとともに、データを送信するために、及び必要であれば６４ＱＡＭのような高い多値数の変調を使用するために、受信したＣＱＩを使用する方法であって、
導出された実ＣＱＩに対して前記ユーザ装置によって適用されたスケーリングに応じて、報告されたＣＱＩを解釈するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
複数のユーザ装置と通信するとともに、無線通信ネットワークにおける無線ネットワーク制御装置と接続する手段を有する無線基地局であって、
請求項１４に記載の方法を用いて、下りリンクのチャネル品質情報をユーザ装置から受信することを特徴とする無線基地局。