【手続補正書】
【提出日】平成23年4月22日(2011.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直方向の放射方向を備えた表面発光型の半導体基体（１）において、
動作のために共振器（７１）が設けられており、
活性領域（３）を備えた半導体層列（２）と、前記活性領域の外側に配置されている少なくとも２つの半導体層とを有し、
前記活性領域は複数の量子構造（４０）を有し、
各量子構造（４０）には前記放射方向に沿った拡張部に関して幾何学的な中心点が対応付けられており、
前記量子構造（４０）の前記幾何学的な中心点は前記放射方向に沿って相互に平均光学距離Ｄをおいて配置されており、
前記活性領域の外側に配置されている前記半導体層のうちの１つの半導体層の光学的な層厚は前記平均光学距離Ｄの半分の整数倍に対して所期のように離調されており、
前記半導体基体（１）は前記活性領域（３）において増幅されるべき放射に対する放射通過面（２）を有し、
前記活性領域（３）の外側に配置されており、所期のように離調されている半導体層のうちの１つの半導体層は前記放射通過面（１１）に接している窓層（５２）として実施されていることを特徴とする、表面発光型の半導体基体。
【請求項２】
前記活性領域（３）の外側に配置されている前記半導体層のうちの１つの半導体層の光学的な層厚は、Ｄ／２に関してはＤ／２の奇数倍に対して、またはＤに関してはＤの整数倍に対して１％以上４５％以下で離調されている、請求項１記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項３】
前記活性領域（３）の外側に配置されている前記半導体層のうちの１つの半導体層の光学的な層厚は、Ｄ／２に関してはＤ／２の奇数倍に対して、またはＤに関してはＤの整数倍に対して２％以上３５％以下で離調されている、請求項１または２記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項４】
前記活性領域（３）の外側に配置されている前記半導体層のうちの１つの半導体層の光学的な層厚は、Ｄ／２に関してはＤ／２の奇数倍に対して、またはＤに関してはＤの整数倍に対して５％以上３０％以下で離調されている、請求項１または２記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項５】
前記活性領域（３）は該活性領域の外側に配置されている半導体層の間に配置されている、請求項１から４までのいずれか１項記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項６】
前記活性領域（３）の外側に配置されている２つの半導体層はＤの整数倍またはＤ／２の奇数倍に対して所期のように離調されている、請求項１から５までのいずれか１項記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項７】
前記活性領域（３）の外側に配置されている半導体層のうちの１つはＤ／２の整数倍よりも大きく、且つ前記活性領域の外側に配置されている半導体層のうちの１つはＤ／２の整数倍よりも小さい、請求項１から６までのいずれか１項記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項８】
共振器（７１）における半導体基体の動作時に、前記活性領域において形成された放射のピーク波長が所定の動作範囲では該活性領域において形成された放射の出力の変化に対して安定化されているように前記半導体基体は波長が安定化されて構成されている、請求項１から７までのいずれか１項表面発光型の半導体基体（１）。
【請求項９】
前記所定の動作範囲の下限は表面発光型の半導体基体のレーザ閾値によって規定されている、請求項８記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項１０】
前記所定の動作範囲の上限は表面発光型の半導体基体のレーザ活性の上限によって規定されている、請求項８または９記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項１１】
前記所定の動作範囲は表面発光型の半導体基体のレーザ活性の全体の範囲によって規定されている、請求項８から１０までのいずれか１項記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項１２】
前記活性領域において形成された前記放射の前記ピーク波長は前記所定の動作範囲では１０ｎｍまたはそれ以下で変化する、請求項８から１１までのいずれか１項記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項１３】
前記活性領域において形成された前記放射の前記ピーク波長は前記所定の動作範囲では５ｎｍまたはそれ以下で変化する、請求項８から１１までのいずれか１項記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項１４】
前記活性領域において形成された前記放射の前記ピーク波長は前記所定の動作範囲では１ｎｍまたはそれ以下で変化する、請求項８から１１までのいずれか１項記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項１５】
前記共振器（７１）は半導体基体（１）内に構成されているブラッグミラー（６）によって形成されている、請求項１から１４までのいずれか１項記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項１６】
前記ブラッグミラー（６）は、前記活性領域（３）の外側に配置されており、且つ所期のように離調されている半導体層のうちの１つの半導体層によって形成されている、請求項１から１５までのいずれか１項記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項１７】
前記ブラッグミラー（３）はＤ／２の奇数倍に対して所期のように離調されている別の半導体層を有する、請求項１６記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項１８】
前記窓層（５２）と前記活性領域（３）との間には別の半導体層（５１）が配置されている、請求項１から１７までのいずれか１項記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項１９】
前記活性領域（３）と前記放射通過面（１１）との間に配置されている半導体層の光学的な層厚はＤに関してはＤの整数倍に対して１％以上４５%以下で離調されている、請求項１から１８までのいずれか１項記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項２０】
前記活性領域（３）の前記放射通過面（１１）側とは反対側に配置されている半導体層の光学的な層厚はＤ／２に対して１％以上４５%以下で離調されている、請求項１から１９までのいずれか１項記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項２１】
前記活性領域（３）の前記放射通過面（１１）側とは反対側に配置されている半導体層の光学的な層厚はＤ／２に対して２％以上３５%以下離調されている、請求項１から１９までのいずれか１項記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項２２】
前記活性領域（３）の前記放射通過面（１１）側とは反対側に配置されている半導体層の光学的な層厚はＤ／２に対して５％以上２０％以下離調されている、請求項１から１９までのいずれか１項記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項２３】
前記活性領域（３）は５つ以上の量子構造（４０）を有する、請求項１から２２までのいずれか１項記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項２４】
前記活性領域（３）は１０以上の量子構造（４０）を有する、請求項１から２２までのいずれか１項記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項２５】
隣り合う２つの量子構造（４０）はバリア（４５）によって相互に隔てられている、請求項１から２４までのいずれか１項記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項２６】
前記バリア（４５）はＧａＡｓ1-yＰy、ただし０≦ｙ≦１、またはＡｌzＧａ1-zＡｓ、ただし０≦ｚ≦１、を含有する、請求項２５記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項２７】
量子構造（４０）は量子層（４１）によって形成されている、請求項１から２６までのいずれか１項記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項２８】
量子構造（４０）は２以上５以下の量子層（４１）を有し、該量子層（４１）は前記量子構造（４０）において中間層（４２）によって相互に隔てられている、請求項１から２６までのいずれか１項記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項２９】
量子層（４１）はＩｎxＧａ1-xＡＳ、ただし０≦ｘ≦１、有利には０．０５≦ｘ≦０．２５、を含有する、請求項１から２８までのいずれか１項記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項３０】
前記共振器（７１）は外部共振器として構成されている、請求項１から２９までのいずれか１項記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項３１】
半導体基体（１）の外側における前記外部共振器（７１）内の光学的な放射路にはモード選択素子が設けられていない、請求項３０記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項３２】
前記共振器（７１）内には非線形の光学素子（７５）が配置されている、請求項１から３１までのいずれか１項記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項３３】
前記非線形の光学素子（７５）は前記活性領域において増幅されるべき放射の周波数倍加のために設けられている、請求項３２記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項３４】
前記半導体基体（１）はポンプ放射源（１５）による前記活性領域（３）の光学的なポンピングのために構成されている、請求項１から３３までのいずれか１項記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項３５】
半導体基体（１）の前記活性領域（３）において増幅されるべき前記放射の前記ピーク波長が、前記活性領域（３）において吸収される光学的なポンプ出力の変化時に５ｎｍ／Ｗ以下で変化するように半導体基体（１）は波長が安定化されて構成されている、請求項３４記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項３６】
前記ポンプ放射源（１５）は半導体基体（１）の横方向のポンピングのために設けられている、請求項３４または３５記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項３７】
前記ポンプ放射源（１５）および前記半導体基体はモノリシックに集積されている、請求項３４から３６までのいずれか１項記載の表面発光型の半導体基体。
【請求項３８】
請求項１から３７までのいずれか１項記載の表面発光型の半導体基体（１）および共振器（７１）を有することを特徴とする、半導体レーザモジュール（１００）。
【請求項３９】
半導体レーザモジュールはレーザ（９０）を光学的にポンピングするために設けられている、請求項３８記載の半導体レーザモジュール。
【請求項４０】
前記レーザ（９０）は固体レーザまたはファイバレーザまたは半導体レーザである、請求項３９記載の半導体レーザモジュール。
【請求項４１】
半導体レーザモジュール（１００）は表示装置（９５）における作動のために設けられている、請求項３８から４０までのいずれか１項記載の半導体レーザモジュール。
【請求項４２】
半導体レーザモジュール（１００）はプロジェクタ装置の作動のために設けられている、請求項３８から４０までのいずれか１項記載の半導体レーザモジュール。