【事件の表示】
　特願２００３−５４３０８３「薄膜形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　５月１５日国際公開、ＷＯ０３／４１１４２、平成１７年　４月　７日国内公表、特表２００５−５０９０９３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本願は、２００２年１１月８日（パリ条約による優先権主張２００１年１１月８日、韓国）を国際出願日とする出願であって、原審にて平成１９年１０月３日付けで拒絶理由通知がなされ、これに対し平成２０年１月１６日付けで明細書と特許請求の範囲の手続補正がなされたが、同年６月６日付けで拒絶査定がなされたものである。
　本件審判は、この査定を不服として、同年９月１２日に請求がなされたものであり、同年１０月１０日付けで特許請求の範囲の手続補正もなされた。
　その後、当審にて平成２２年１０月２０日付けで、上記１０月１０日付けの手続補正を却下すると共に拒絶理由通知がなされ、これに対し平成２３年１月２４日付けで明細書と特許請求の範囲の手続補正がなされている。
　
２．本願発明の認定
　
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２３年１月２４日付けで手続補正がなされた特許請求の範囲において、請求項１に記載された次の事項により特定されるとおりものと認められる。
　
【請求項１】
　（ａ）基板に対する薄膜形成のための反応が起こる反応器内に、前記薄膜を構成する元素を含むと共にパージガスとは反応しない第１原料ガスを第１ガス供給管を通じて供給すると共にパージガスを主ガス供給管を通じて供給する段階と、
　（ｂ）前記反応器に前記主ガス供給管を通じて前記パージガスを供給し続けつつ、前記第１原料ガスの供給を遮断する段階と、
　（ｃ）前記反応器内に前記主ガス供給管を通じて前記パージガスを供給し続けつつ、前記反応器内に、前記薄膜を構成する元素を含むと共に前記パージガスとは反応しないガスであって活性化されていない状態では前記第１原料ガスとも反応しない第２原料ガスを第２ガス供給管を通じて供給し、反応器内に高周波電力を印加してプラズマを発生させる段階と、
　（ｄ）前記反応器に前記主ガス供給管を通じて前記パージガスを供給し続けつつ、前記高周波電力及び前記第２原料ガスの供給を遮断する段階と、
　（ｅ）前記反応器内に前記主ガス供給管を通じて前記パージガスを供給し続けつつ、前記（ｄ）段階後、前記反応器内に、前記薄膜を構成する元素を含み、パージガスとは反応しない第３原料ガスを第３ガス供給管を通じて供給する段階と、
　（ｆ）前記反応器に前記パージガスを供給し続けつつ、前記第３原料ガスの供給を遮断する段階と、
　（ｇ）前記（ｆ）段階後、前記反応器に前記主ガス供給管を通じて前記パージガスを供給し続けつつ、前記反応器内に前記第２原料ガスであって活性化されていない状態では前記第３原料ガスとも反応しない第２原料ガスを供給し、前記反応器内に高周波電力を印加してプラズマを発生させる段階と、
　（ｈ）前記反応器に前記主ガス供給管を通じて前記パージガスを供給し続けつつ、前記高周波電力及び前記第２原料ガスの供給を遮断する段階と、を含み、
　前記パージガスは前記（ａ）段階から前記（ｈ）段階まで反応器内に連続的に供給され、
　前記第２原料ガスは前記プラズマの発生によって活性化されて、基板に吸着された第１原料ガス及び第３原料ガスと夫々感応し、
　前記第１ガス供給管と第２ガス供給管は前記主ガス供給管に連結されることを特徴とする薄膜形成方法。
　
３．当審拒絶の理由
　
　当審で通知した拒絶の理由の一つは、「本願発明は、その優先日前に日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物、
　　特開２００１−２００３６３号公報　（以下、「引用例１」という。）
　　国際公開２０００／６３９５７号　　（以下、「引用例２」という。）
 　（パテントファミリー：特表２００３−５２１５７９号公報参照） 
　　特開平８−７８３３６号公報　　　　（以下、「引用例３」という。）
に記載された発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」というものである。
　
４．引用例の記載
　
　引用例１〜３には、それぞれ次の記載がある。
　
4-1．引用例１
　
摘記1-1
【００２０】
【課題を解決するための手段】発明の要約
この必要性を満たすため、本明細書では、テクスチャ加工されたボトム電極表面上に誘電体および上部電極材料を堆積する方法が提供される。有利には、該方法は、高いコンフォーマリティ(conformality)を達成し、その結果、ライニング層に必要な最小要求厚が全表面上で形成されることを必要とする。該方法は、シリコン電極を維持するのに好ましい条件下で、半球状粒子(HSG)シリコン上に高い誘電率(高k)材料の堆積を可能にする。
【００２１】一般に、該方法は、反応物フェーズを交互に行なうサイクルを含み、そこでは、各フェーズは、自己制限的(self-limiting)効果を有する。約10超の誘電率を有する金属酸化物および三元材料が、リガンド交換反応により、自己終結式金属またはシリコン複合体単層を交互に吸着することによって、形成され得る。吸着された金属またはシリコン複合体上に存在するリガンドは、続いて、酸素含有種の存在によって除去され、ハロゲン化物または有機単層の代わりにOH基および酸素架橋を残す。本明細書では、単純な二元金属酸化物、金属シリケートのような三元材料および異なる組成の交互の超薄型誘電体層を交互に含むナノラミネートに関する例を示す。
　
摘記1-2
【００３３】図５に示されるように、好ましい二元材料の実施態様に従う方法は、集積回路中におけるボトム電極構造の形成１００で始まる。基本的なボトム電極構造は、EEPROMデバイス中でフローティングゲートのような平面であり得る。しかしながら、好ましくはボトム電極は、メモリーセルで占められる基板フットプリントよりも大きい表面積を有する三次元折り畳み構造に適合する。より好ましくは、キャパシタボトム電極は、図１に例示されるスタッド型コンフィギュレーションまたは図２に例示される円筒型コンフィギュレーションのようなスタック型キャパシタの形態を採る。当業者は、本明細書に開示される方法が、王冠、ひれ付構造、櫛、ピンなどのような他のスタック型キャパシタデザインにも適用されることを容易に認識する。他のアレンジメントでは、キャパシタボトム電極は、図３に例示されるように、半導体基板内に形成されるトレンチの壁を、導電性にドープする及び／又は導電性にライニング(lining)することによって形成される。
　
摘記1-3
【００４２】金属含有反応性種は、好ましくは、ガス状形態で供給され、従って、以下で金属源ガスと称される。第１成分は、続いて、反応チャンバーから除去される１０６。例示される実施態様では、工程１０６は、キャリアガスを充分な時間流し続けながら、単に第１成分の流動を停止させることを必要とし、好ましくは反応チャンバー体積の約２倍以上、より好ましくは、チャンバー体積の約３倍以上のパージガスを用いて反応チャンバーから過剰な反応物および反応物副生成物を拡散しまたはパージする。例示される実施態様では、除去１０６は、第１成分の流動を停止後、約0.1秒〜20秒の間、パージガスの流動を持続させることを包含する。
　・・・(中略）・・・
【００４９】図6を参照して、更なる成分も、各サイクル中に含まれ得る。図6では、図5のものに対応する工程は、図5の１００シリーズよりも、２００シリーズ中の同じ最後の２桁を有する数で参照される。従って、工程２００−２１０は、図5の対応する工程１００−１１０と類似している。
【００５０】しかしながら、図6の例示されるサイクル２１５は、２つの更なるフェーズを含むように拡大する。第１フェーズ２０７および第２フェーズ２１１は、自己終結式金属酸化物またはシリコン酸化物単層を形成する。第３フェーズ２１９および第４フェーズ２２３は、別の自己終結式金属酸化物またはシリコン酸化物単層を形成する。第２単層の組成は、好ましくは、レシピデザイナーの裁量により、第１単層の組成と異なる。例えば、下記の表VIの金属ケイ酸塩の例を参照。
【００５１】特に、第１金属／シリコンフェーズ２０７および第１酸素フェーズ２１１が第１金属酸化物またはシリコン酸化物単層を形成した後、第２金属またはシリコン源ガスが供給され２１６、先に形成された金属／シリコン酸化物上に、自己制限的(self-limiting)もしくは自己終結式(self-terminating)金属またはシリコン複合体単層を形成する。第１金属／シリコンフェーズ２０７と同様に、金属／シリコンガス源は、先に形成された金属／シリコン酸化物上で、リガンド交換(化学吸着)によって反応し得る。反応物の別の除去(排気または好ましくはパージによる)２１８の後、第２酸素ガス源が供給され２２０、続いて、除去される２２２。第２酸素工程２２０(または酸素フェーズ２２３)も、自己制限的である。第１酸素工程２０８の場合のように、酸素ガス源は、リガンド交換(化学吸着)によって反応し得る。
【００５２】例示される方法は、各サイクル２１５中の４フェーズを含むけれども、サイクル２１５は、それが三元誘電体を生じるので、本明細書中で「三元サイクル２１５」と称される。これは、第２フェーズ２１１および第４フェーズ２２３が共に、成長する誘電体層に同じ元素(酸素)を寄与するという事実による。・・・(後略）・・・
　
摘記1-4
【図６】
　
摘記1-5
　・・・(前略）・・・
三元誘電体層を形成する方法
図6に関して論じたように、金属酸化物キャパシタ誘電体に関する上記ＡＬＤの原理は、三元材料及びより複雑な材料の堆積にも拡張され得る。
【００９９】図8に関して、ガスフロー構成図は、三元構造を形成する一般的なプロセス、特に混合又はコンパウンド金属酸化物或いは金属シリケートの形成について示す。金属シリケートに関連する下記表VIの例は、金属／酸素１／シリコン／酸素２フェーズの順番で形成されているが、開示された順序がシリケート材料（例えば、シリコン／酸素／金属／酸素）に変更され、又は複合金属酸化物（例えば、第一金属／酸素／第二金属／酸素）に適応されうることは当業者が容易に理解するであろう。さらに、図示された順序は、複数の元素を組み入れたより複合的な材料を包含するよう拡張され得る。便宜的に、図6中の参照数字は、同様なプロセス工程、フェーズ及び順序の参照に利用される。
【０１００】図示されるように、プロセスは各サイクル毎に四つのフェーズを含み、各フェーズは反応物フェーズ及びパージフェーズを含む。第一金属又はシリコンフェーズ207、続いて、第一酸素フェーズ211、第二金属又はシリコンフェーズ219、及び第二酸素フェーズ223の順番である。次いでサイクルを繰り返す。・・・(後略）・・・
　
摘記1-6
【図８】
　
　　
4-2．引用例２（審決注：和訳はパテントファミリーの公表公報による。）
　
摘記2-1
　以下、本発明の第1実施例による装置を図３Ｂ及び図３Ｃのグラフを参照して説明する。
　図３Ｂは、一連の蒸着ガス１３'、パージガス１２、反応ガス１１'及びパージガス１２'順の供給サイクルにてプロセスガスが炉へ供給されることを示したグラフである。先ず、蒸着ガス１３'を炉に供給して基板上に吸着されるようした後、パージガス１２を供給して炉内に残留した蒸着ガスを取除く。その次、反応ガス１１`を炉へ供給すると共に、スイッチ３１０を閉じて反応ガス１１'をプラズマにより活性化して、基板上に吸着された蒸着ガス１３'との化学反応を促進させる。反応ガスの供給を中断する時には、スイッチ３１０を開いてプラズマ発生を中断させ、パージガス１２'を供給して炉内に残留した反応ガスを取除く。このような方法において、蒸着ガス１３'と反応ガス１１との間の化学反応が低い場合にも、反応ガスがプラズマにより活性化されるので薄膜形成が可能である。
　例えば、金属有機化合物を化学蒸着（ＣＶＤ）原料として用いる場合、プラズマで活性化された反応ガスが金属有機化合物の分解を促進させることによって膜の炭素汚染度を減らすことができる。また、プラズマを通じて膜に供給された活性化エネルギーによって、膜の結晶性、物理的特性及び電気的特性を大きく向上させることができる。
　このような工程の具体的な例として、銅化合物を還元して金属銅膜を形成することが挙げられる。蒸着ガスの熱分解温度以下では、蒸着ガスと反応ガスとしての水素ガスとの間の化学反応が生じなくて金属銅膜を形成することができない。従って、図３Ａに示したプラズマ発生器を設け、水素ガスを炉内に供給しプラズマを生成して、水素ガスと基板表面に吸着された銅原料との間の化学反応を促進させることによって金属銅膜を形成することができる。蒸着ガスを供給する時、プラズマ発生器の電源をオン状態にすれば、銅原料が気相にて分解され、粒子汚染が発生するか或いは段差被覆性が悪くなる恐れがある。従って、蒸着ガスの供給の際にはプラズマ発生器の電源をＯＦＦさせ、反応ガスの供給の際にはＯＮさせることによって、プラズマ発生器へ供給されるべきＲＦ電力をガス供給サイクルと同期させることが好ましい。
（原文）
　First embodiment of the present invention which is carried out by the apparatus shown in FIG. 3A will be described in reference to the graphs in FIG. 3B and FIG. 3C. 
　FIG. 3B is a graph showing that the process gases are supplied into the reactor in the supply cycle of deposition gas 13', purge gas 12', reactant gas 11'and purge gas 12'. At first, the deposition gas 13'is supplied into the reactor to be adsorbed to the substrate, and then the purge gas 12 is supplied to remove the remaining deposition gas from the reactor. Then, the reactant gas 11'is supplied into the reactor and at the same time the switch 310 is closed to activate the reactant gas 11'with plasma, and thus facilitate chemical reaction with the deposition gas 13' adsorbed onto the substrate. When supply of the reactant gas is interrupted, the switch 310 is opened to stop plasma generation and the purge gas 12'is introduced to remove the remaining reactant gas. In this method, the film can be formed even if the reaction between the deposition gas 13'and reactant gas 11 is weak because the reactant gas I I is activated with plasma. 
　For example, when a metal-organic compound is used as chemical vapor deposition source, plasma-activated reactant gas may accelerate decomposition of the metal-organic compound and reduce carbon contamination of the film. Also, the activation energy applied to the film by the plasma may enhance crystalization, physical characteristics and electrical characteristics of the film. 
　As a detailed example of this process, a copper compound may be reduced to form a metallic copper film. In the temperature no higher than thermal decomposition temperature of the deposition gas, chemical reaction between the deposition gas and hydrogen gas, i. e. the reactant gas, does not take place and thus a metallic copper film cannot be formed. Therefore, a plasma generator as shown in FIG. 3A is installed, and plasma is generated as hydrogen gas is supplied into the reactor so that chemical reaction between the hydrogen gas and the copper source adsorbed to the substrate surface may be accelerated and thus form a metallic copper film. If the plasma generator is powered on while supplying the deposition gas, the copper source may decompose in gas phase so that particle contamination or poor step coverage may take place. Therefore, it is advantageous to synchronize RF power applied to the plasma generator with the supply cycle in such a manner that the plasma generator is powered off when the deposition gas is supplied and on only when the reactant gas is supplied. 
　
4-3．引用例３
　
摘記3-1
【０００９】図１３は従来のＭＯＣＶＤ装置の配管例を示す模式図である。反応室１内には被処理物である結晶基板２を載置するサセプタ３が配設されている。また、前記サセプタ３の上下に亘って前記結晶基板２を所定の温度に加熱するための高周波コイル４が配設されている。
【００１０】また、前記反応室１には混合ガス供給管７が接続されているとともに、混合ガス供給管７内を流れるガスの流れ方向に沿って順次特定ガス供給管９が複数接続されている。図１３の場合はあくまでも説明の便宜上のものであるが、３本の特定ガス供給管９は、特定ガス供給管９Ｋ，９Ｍ，９Ｎとなり、それぞれのバルブ１０Ｋ，１０Ｍ，１０Ｎを開くことによって、原料ガス１１Ｋ，１１Ｍ，１１Ｎを流すようになっている。
【００１１】前記混合ガス供給管７にはキャリアガス１２が流され、前記原料ガス１１Ｋ，１１Ｍ，１１Ｎを反応室１内に輸送するようになっている。同図では、キャリアガス１２を始めとして原料ガス１１Ｋ，１１Ｍ，１１Ｎは直線的に流れるように図示してあるが、実際には混合しながら流れて反応ガスとなり、反応室１内に流れ込む。原料ガス１１Ｋ，１１Ｍ，１１Ｎは、混合ガス供給管７内を移動する間に前述のように順次混合されて、混合ガス供給管７の内端部分である導入部１３から反応室１内に送り込まれる。
　
摘記3-2
　
５．引用発明の認定
　
　引用例１には、反応チャンバー内にて、基板に形成されたボトム電極上に、金属酸化物や金属シリケートのような二元、三元材料の薄型誘電体層をリガンド交換（化学吸着）反応により形成する方法（摘記1-1,1-2参照）について、フローチャート（摘記1-3,1-4参照）と、ガスフロー構成図（摘記1-5,1-6参照）が記載され、これによると、プロセスは各サイクル毎に四つのフェーズを含み、各フェーズは反応物フェーズ及びパージフェーズから構成され、すべてのフェーズにおいてキャリアガスが供給し続けられると共に、第一金属／シリコン源ガス、第一オキシダント源ガス、第二金属／シリコン源ガス、第二オキシダント源ガスが順次供給されることが開示されている。
　してみると、これらの記載から、引用例１には、例えば、複合金属酸化物（摘記1-5参照）からなる三元誘電体層の形成方法として、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「204）基板に薄型誘電体層を形成するためのリガンド交換（化学吸着）反応が起こる反応チャンバー内に、キャリアガスと共に第一金属源ガスを供給する反応物フェーズと、
　206）キャリアガスを供給し続けると共に第一金属源ガスを停止し、反応物及び副生物を除去するパージフェーズと、
　208）単層と反応させるためキャリアガスと共に酸素源ガスを供給する反応物フェーズと、
　210）キャリアガスを供給し続けると共に酸素源ガスを停止し、反応物及び副生物を除去するパージフェーズと、
　216）キャリアガスと共に第二金属源ガスを供給する反応物フェーズと、
　218）キャリアガスを供給し続けると共に第二金属源ガスを停止し、反応物及び副生物を除去するパージフェーズと、
　220）単層と反応させるためキャリアガスと共に酸素源ガスを供給する反応物フェーズと、
　222）キャリアガスを供給し続けると共に酸素源ガスを停止し、反応物及び副生物を除去するパージフェーズと、を含み、
　キャリアガスは、204フェーズから222フェーズまで反応チャンバー内に連続的に供給され、酸素源ガスは、基板に吸着された第一金属源ガス及び第二金属源ガスとそれぞれ反応する三元誘電体層の形成方法。」
　
６．発明の対比
　
　本願発明と引用発明を対比する。
　
　引用発明の「薄型誘電体層」「反応チャンバー」「フェーズ」「反応」は、それぞれ本願発明の「薄膜」「反応器」「段階」「感応」に相当し、キャリアガスが被キャリアガスと反応しないのは自明であるから、引用発明の「キャリアガス」「第一金属源ガス」「酸素源ガス」「第二金属源ガス」は、それぞれ本願発明の「パージガス」「第１原料ガス」「第２原料ガス」「第３原料ガス」に相当する。
　
　すなわち、本願発明のうち、
「（ａ）基板に対する薄膜形成のための反応が起こる反応器内に、前記薄膜を構成する元素を含むと共にパージガスとは反応しない第１原料ガスを供給すると共にパージガスを供給する段階と、
　（ｂ）前記反応器に前記パージガスを供給し続けつつ、前記第１原料ガスの供給を遮断する段階と、
　（ｃ）前記反応器内に前記パージガスを供給し続けつつ、前記反応器内に、前記薄膜を構成する元素を含むと共に前記パージガスとは反応しないガスである第２原料ガスを供給する段階と、
　（ｄ）前記反応器に前記パージガスを供給し続けつつ、前記第２原料ガスの供給を遮断する段階と、
　（ｅ）前記反応器内に前記パージガスを供給し続けつつ、前記（ｄ）段階後、前記反応器内に、前記薄膜を構成する元素を含み、パージガスとは反応しない第３原料ガスを供給する段階と、
　（ｆ）前記反応器に前記パージガスを供給し続けつつ、前記第３原料ガスの供給を遮断する段階と、
　（ｇ）前記（ｆ）段階後、前記反応器に前記パージガスを供給し続けつつ、前記反応器内に第２原料ガスを供給する段階と、
　（ｈ）前記反応器に前記パージガスを供給し続けつつ、前記第２原料ガスの供給を遮断する段階と、を含み、
　前記パージガスは前記（ａ）段階から前記（ｈ）段階まで反応器内に連続的に供給され、
　前記第２原料ガスは第１原料ガス及び第３原料ガスと夫々感応する薄膜形成方法。」
の点は、引用発明と一致し、次の点で両者は相違する。
　
相違点１
　
相違点２
　
７．容易性の判断
　
　上記相違点について検討する。
　
相違点１
　引用例２には、蒸着ガス、パージガス、反応ガス、パージガスの順にプロセスガスを炉に供給して、蒸着ガスの吸着と反応ガスの化学反応により薄膜を形成する方法において、反応ガスを供給すると共に、炉内にＲＦ電力を供給しプラズマを生成し、反応ガスを活性化することが記載されており、この方法によれば、蒸着ガスと反応ガスの間で化学反応を生じない場合にも薄膜形成ができ、また、膜の結晶性等も向上することが記載されている（摘記2-1参照）。
　してみると、引用発明の「第一，第二金属源ガス」「酸素源ガス」「反応チャンバー」は、薄膜形成手段として、引用例２記載の「蒸着ガス」「反応ガス」「炉」に相当するから、引用発明において、反応チャンバー内にＲＦ電力を印加してプラズマを発生させるようにして、酸素源ガスが、活性化されていない状態では各金属源ガスと反応しない場合にも、プラズマにより活性化させ、基板に吸着された各金属源ガスと反応させること、すなわち、上記相違点１を解消することは、当業者にとって、引用例２の記載から容易になし得たことである。
　
相違点２
　引用例３には、ＭＯＣＶＤ装置の配管例として、反応室に接続された混合ガス供給管に順次特定ガス供給管を複数接続すると共に、混合ガス供給管には、キャリアガスが流され、特定ガス供給管には原料ガスを流すことが記載されている（摘記3-1,3-2参照）。
　してみると、引用発明の「反応チャンバー」「第一，第二金属源ガス及び酸素源ガス」は、薄膜形成手段として、引用例３記載の「反応室」「原料ガス」に相当するから、引用発明において、キャリアガス、第一金属源ガスガス、酸素源ガス、第二金属源ガスを、それぞれの供給管を通じて供給すると共に、第一金属源ガス供給管と酸素源ガス供給管はキャリアガス供給管に連結すること、すなわち、上記相違点２を解消することは、当業者にとって、引用例３の記載から容易になし得たことである。
　
　そして、引用発明において、上記相違点１，２を共に解消することにも格別の困難性はないし、本願発明が、上記相違点１，２により、引用例１〜３の記載から予期し得ない程の顕著な効果を奏するとも認められない。
　
８．むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、その優先日前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である引用例１〜３に記載された発明に基いて、その優先日前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、当審拒絶の理由により拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。