Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月4日(2011.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
身体運動を指導及び監督するフィードバック装置において、
ａ）ＣＰＵ及びメモリを持つコンピュータ装置と、
ｂ）反射表面を持つ従来の表示装置を有するミラー表示装置と、
ｃ）前記装置の前に配置された人に対する位置感知手段と、
を有するフィードバック装置。
【請求項２】
前記位置感知手段が、前記人の身体姿勢及び／又は身体動作を検出し、前記コンピュータ装置は、テンプレート姿勢及び／又は動作を表す前記ミラー表示装置に表示するアニメーションを生成し、前記コンピュータ装置は、前記テンプレート姿勢及び／又は動作が、前記反射表面において前記人の鏡像上に重ねられるように前記ミラー表示装置に前記テンプレート姿勢及び／又は動作を表示するのに前記人の前記検出された身体姿勢及び／又は身体動作を使用することを特徴とする、請求項１に記載のフィードバック装置。
【請求項３】
前記装置が、前記反射表面の透過性及び／又は反射性を制御する手段を有することを特徴とする、請求項１に記載のフィードバック装置。
【請求項４】
前記反射表面の透過性及び／又は反射性を制御する手段が、透過性、反射性又は半反射性のいずれかであるように表面の全体又は一部を調整する、前記ミラー表示装置上に配置された偏光フィルムを有することを特徴とする、請求項３に記載のフィードバック装置。
【請求項５】
前記人に対する前記位置感知手段が、
ａ）装着式センサ又はマーカ、及び／又は
ｂ）カメラシステム、
のいずれかを有することを特徴とする、請求項１に記載のフィードバック装置。
【請求項６】
前記カメラシステムがステレオカメラを有することを特徴とする、請求項５に記載のフィードバック装置。
【請求項７】
身体運動を指導及び監督するフィードバック方法において、
ａ）ＣＰＵ及びメモリ、反射表面を持つ従来の表示装置を有するミラー表示装置、並びに人に対する位置感知手段を有するフィードバック装置の前に前記人を配置するステップと、
ｂ）前記人の身体姿勢及び／又は身体動作を検出するステップと、
ｃ）テンプレート姿勢及び／又は動作を表すコンピュータ生成アニメーションを生成し、前記ミラー表示装置に表示するステップと、
を有するフィードバック方法。
【請求項８】
前記方法が、
ａ）前記テンプレート姿勢及び／又は動作と前記人の身体姿勢及び／又は身体動作との間のずれを検出するステップ、
を更に有することを特徴とする、請求項７に記載のフィードバック方法。
【請求項９】
前記方法が、
ｂ）前記ずれによってフィードバック情報を生成するステップ、
を更に有することを特徴とする、請求項８に記載のフィードバック方法。
【請求項１０】
前記方法が、
ａ）前記ミラー表示装置の前に配置される場合に前記人及び前記人の肢の３次元位置を検出するアルゴリズム、
ｂ）前記ミラー表示装置の表面における前記人及び／又は前記人の肢の鏡像の座標を計算するアルゴリズム、
ｃ）前記肢が前記ｂ）のアルゴリズムにより計算された前記鏡像と同じ前記ミラー表示装置の表面上の点に現れる図形のコンピュータ生成画像を作成するアルゴリズム、
ｄ）前記テンプレート姿勢及び／又は動作によって前記コンピュータ生成画像を動画化するアルゴリズム、及び／又は
ｅ）前記テンプレート姿勢及び／又は動作からの前記人の姿勢及び／又は動作のずれによってフィードバック情報を生成するアルゴリズム、
からなるグループから選択されたアルゴリズムの実行を有することを特徴とする、請求項７に記載のフィードバック方法。
【請求項１１】
請求項７ないし９のいずれか一項に記載の手順ステップを有する、身体運動及び動作を実行、指導及び／又は監督する方法。
【請求項１２】
身体運動及び動作を実行、指導及び監督するための請求項１ないし６のいずれか一項に記載のフィードバック装置の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月28日(2011.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基端部、先端部、基端部及び先端部の間のガイドワイヤポートを有する外側部材と、同外側部材の先端部は自己拡張型ステントを覆うように調整されることと、
基端部及び先端部を有する内側部材と、同内側部材の先端部はガイドワイヤを通過させるべくガイドワイヤチャネルを含み、該内側部材の先端部は自己拡張型ステントを受承するように調整されることと、該内側部材は、ステントを位置させるべく外側部材に対して長手方向に位置決め可能であることと、
先端部及び基端部を有するマンドレル部材とを備え、同マンドレルの先端部は傾斜部を有することと、該マンドレル部材の基端部は外側部材の基端部に連結され、これによりステントを位置させるべく内側部材が外側部材に対して長手方向に移動した場合に外側部材に対してマンドレルが長手方向に移動することが防止されることとを特徴とする自己拡張型ステントを位置させるべく調整される迅速交換型カテーテル。
【請求項２】
前記マンドレルは傾斜部が外側部材のガイドワイヤポートの近傍に位置されるように外側部材内に設けられることを特徴とする請求項１に記載のカテーテル。
【請求項３】
前記内側部材、外側部材、及びマンドレルはマンドレル及び内側部材が外側部材内に延びるような形状及び寸法に形成されることを特徴とする請求項１に記載のカテーテル。
【請求項４】
前記マンドレルは内側部材の長手方向部分の基端側部分にわたって内側部材に嵌入することを特徴とする請求項３に記載のカテーテル。
【請求項５】
前記マンドレルは内側部材の基端側部分に嵌入しないことを特徴とする請求項３に記載のカテーテル。
【請求項６】
前記マンドレル及び内側部材の基端部は通常並列構成により外側部材内に位置されることを特徴とする請求項３に記載のカテーテル。
【請求項７】
前記外側部材は内側部材に対して移動自在であることを特徴とする請求項１に記載のカテーテル。
【請求項８】
前記外側部材及びマンドレルは直接連結されることを特徴とする請求項１に記載のカテーテル。
【請求項９】
前記外側部材及びマンドレルは共通の要素によって連結されることを特徴とする請求項１に記載のカテーテル。
【請求項１０】
第１の基端側装置及び第２の基端側装置を更に備え、第１の基端側装置は外側部材の基端部及びマンドレルの基端部に取り付けられ、第２の基端側装置は内側部材の基端部に取り付けられることを特徴とする請求項１に記載のカテーテル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】迅速交換型カテーテル
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月3日(2011.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体流れシステムのための圧力制御システムにおいて、
複数の装置へ供給すべき流体を貯留するための流体供給源と、
前記流体供給源から前記流体を受取る複数の装置と、
前記流体供給源から前記複数の装置へ向けて所定のライン高圧力値で前記流体を出力するための第１の手段と、
前記第１の手段と前記複数の装置との間に連通するように配設され、条件に応じて前記複数の装置の各々へ流通する前記流体が異なる低作動圧力値を有するように、前記流体供給源からの前記流体の圧力レベルを、前記所定のライン高圧力値から所定の低作動圧力値へ個別に調節するための第２の手段とを具備する圧力制御システム。
【請求項２】
前記流体供給源から出力するための第１の手段がピストンポンプを具備し、
前記ピストンポンプと前記複数の装置との間に連通するように配設された前記第２の手段が複数の減圧弁を具備する請求項1に記載の流体圧力制御システム。
【請求項３】
前記減圧弁の各々が、前記流体供給源から前記複数の装置の各々への前記流体の流れを効果的に絞り、以って前記所定のライン高圧力値を前記所定の低作動圧力値へ可変に調節するように、前記流体供給源から前記複数の装置の各々への前記流体の流れを制御するためのスプール弁部材を具備する請求項2に記載の流体圧力制御システム。
【請求項４】
更に、前記減圧弁の各々に画成されたシリンダと、
前記減圧弁の各々のシリンダの各々内に配設され、前記減圧弁の各々の前記スプール弁部材に連結されたピストンと、
前記減圧弁の各々のシリンダの各々に画成された制御空気室と、
前記所定のライン高圧力値を前記複数の装置への前記所定の低作動圧力値へ調節可能に制御するように、前記各シリンダの内における前記ピストンの各々の配置を制御し、以って前記各減圧弁内における前記スプール弁部材の各々の配置を調節するために、前記減圧弁の各々の前記制御空気室に連通し、制御空気を前記制御空気室の各々に供給するための制御空気供給手段とを具備する請求項3に記載の流体圧力制御システム。
【請求項５】
更に、前記減圧弁の前記シリンダの前記制御空気室の各々への前記制御空気の入力を個別に制御するように、前記制御空気供給手段と、前記減圧弁の各１つとの間に配設された複数の空圧変換器を具備する請求項4に記載の流体圧力制御システム。
【請求項６】
更に、前記複数の減圧弁を前記複数の装置へ個別に連通させる流体流れラインの各々に連結され、前記複数の減圧弁を前記複数の装置へ連通させる前記流体流れラインの各々を流通する前記流体の前記作動圧力値特性を検知するための複数の圧力変換器を具備する請求項5に記載の流体圧力制御システム。
【請求項７】
更に、前記複数の空圧変換器と前記圧力変換器との間に配設され、前記複数の圧力変換器によって検知された前記複数の減圧弁を前記複数の装置へ連通させる前記流体流れラインを流通する前記流体の特性である前記作動圧力値に応答して前記減圧弁を制御するように、前記空圧変換器を制御するための複数の電子制御装置を具備する請求項6に記載の流体圧力制御システム。
【請求項８】
更に、前記複数の圧力変換器によって検知された前記複数の減圧弁を前記複数の装置へ連通させる前記流体流れラインを流通する前記流体の特性である前記作動圧力値を示す第１の信号を前記複数の電子制御装置から受信し、かつ、前記複数の減圧弁を前記複数の装置へ連通させる前記流体流れラインを流通する前記流体の特性である前記作動圧力値を、所定の望ましい値に維持するように、前記減圧弁の前記シリンダの前記制御空気室の各々への前記制御空気の入力を制御するために、前記複数の電子制御装置が、前記複数の空圧変換器の各々を制御可能とするように、第２の信号を前記複数の電子制御装置へ送信するためのラマブル論理制御器(PLC)を具備する請求項7に記載の流体圧力制御システム。
【請求項９】
前記複数の減圧弁、前記複数の圧力変換器、前記複数の空圧変換器、前記複数の電子制御装置、および、前記プログラマブル論理制御器(PLC)が共に閉ループ圧力制御システムを構成する請求項7に記載の流体圧力制御システム。
【請求項１０】
複数の装置へ流体を供給するための複数の流体ライン内の作動圧力を個別に制御するための方法において、
複数の装置へ供給すべき流体を貯留するための流体供給源を準備し、
前記流体供給源から前記流体を受取る複数の装置を準備し、
前記流体を前記流体供給源から前記複数の装置へ向けて所定のライン高圧力値で出力し、
前記複数の装置の各々へ流通する前記流体が条件に応じて異なる低作動圧力値を有するように、前記所定のライン高圧力値によって特徴づけられる前記流体供給源からの前記流体の圧力レベルを所定の低作動圧力値へ個別に調節しするための減圧装置を前記流体供給源と前記複数の装置との間に各々配置することを含んで成る方法。
【請求項１１】
更に、前記流体供給源としてピストンポンプを使用し、
前記複数の装置の各々へ流通する前記流体が、要求される異なる低作動圧力値を有するように、前記所定のライン高圧力値によって特徴付けられる前記流体供給源からの前記流体の圧力レベルを前記所定の低作動圧力値へ個別に調節するための複数の減圧弁を使用することを含む請求項10に記載の方法。
【請求項１２】
更に、前記流体供給源から前記複数の装置の各々への前記流体の流れを効果的に絞り、以って、前記所定のライン高圧力値を前記所定の低作動圧力値へ可変に調節するように、前記流体供給源から前記複数の装置の各々への前記流体の流れを制御するためのスプール部材を前記各減圧弁内に配置することを含む請求項11に記載の方法。
【請求項１３】
更に、前記各減圧弁内にシリンダを準備し、
前記減圧弁の各々のシリンダの各々内にピストンを移動可能に配設し、該ピストンの各々が、前記各減圧弁内に配設された前記各スプール弁部材に連結されるようにし、
前記減圧弁の各々のシリンダの各々内に制御空気室を画成し、
前記所定のライン高圧力値を前記複数の装置の各々への前記所定の低作動圧力値へ調節可能に制御するように、前記各シリンダの内における前記ピストンの各々の配置、つまり前記各減圧弁内における前記スプール弁部材の各々の配置を制御するために、制御空気源を前記減圧弁の各々の前記制御空気室に連通させて、制御空気を前記制御空気室の各々内に供給することを含む請求項12に記載の方法。
【請求項１４】
更に、前記減圧弁の前記シリンダの前記制御空気室の各々への前記制御空気の入力を個別に制御するために、前記制御空気源と前記各減圧弁との間に複数の空圧変換器を個別に配置することを含む請求項13に記載の方法。
【請求項１５】
更に、前記複数の減圧弁を前記複数の装置へ連通させる複数の流体流れラインを流通する前記流体の前記作動圧力値特性を検知するための複数の圧力変換器を前記複数の流体流れラインに個別に連結することを含む請求項14に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月1日(2011.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
担持されたまたは結合したヘテロポリ酸化合物触媒であって、
ａ）  一般化学式：
Ｍｏ12ＶaＰbＣｓcＯx
ここで、Ｍｏはモリブデンであり、Ｖはバナジウムであり、Ｐはリンであり、Ｃｓはセシウムであり、Ｏは酸素であり、ａは０．０１から５．０であり、ｂは０．５から３．５であり、ｃは０．０１から２．０であり、ｘは原子価を満たすものである、
のヘテロポリ酸化合物、および
ｂ）  前記ヘテロポリ酸化合物のための、１．０ｍ2／ｇ未満の表面積および０．２ｃｃ／ｇより大きい細孔体積を有する担体または結合剤、
を有してなる触媒。
【請求項２】
前記ヘテロポリ酸化合物が、一般化学式：
Ｍｏ12ＶaＰbＣｓcＣｕdＭ’eＭ”fＯx
ここで、Ｍｏはモリブデンであり、Ｖはバナジウムであり、Ｐはリンであり、Ｃｓはセシウムであり、Ｃｕは銅であり、Ｍ’はビスマスおよび／またはホウ素であり、Ｍ”は、アンチモン、タングステン、セリウム、ニオブ、インジウム、鉄、クロム、コバルト、ニッケル、マンガン、ヒ素、銀、亜鉛、鉛、スズ、チタン、アルミニウム、ケイ素、タンタル、ゲルマニウム、ガリウム、ジルコニウム、マグネシウム、バリウムおよびランタンの内の１種類以上であり、Ｏは酸素であり、ａは０．０１から５．０であり、ｂは０．５から３．５であり、ｃは０．１から２．０であり、ｄは０．０から１．５であり、ｅは０．０から２．０であり、ｆは０．０から５．０であり、ｘは原子価を満たすものである、
のものであることを特徴とする請求項１記載の触媒。
【請求項３】
前記ヘテロポリ酸化合物の質量の前記担体または結合剤の質量に対する比が、１：１０から１０：１にあることを特徴とする請求項１記載の触媒。
【請求項４】
前記比が１：３から３：１であることを特徴とする請求項３記載の触媒。
【請求項５】
前記比が１：２から２：１であることを特徴とする請求項４記載の触媒。
【請求項６】
前記担持されたまたは結合したヘテロポリ酸触媒が水に不溶性であることを特徴とする請求項１記載の触媒。
【請求項７】
前記担体または結合剤が、アルミナ、シリカまたはシリカアルミナであることを特徴とする請求項１記載の触媒。
【請求項８】
前記担体または結合剤が、三峰性細孔アルミナ、単一細孔アルミナ、シリカまたはシリカアルミナであることを特徴とする請求項７記載の触媒。
【請求項９】
前記担体または結合剤が、単一細孔アルミナ、シリカまたはシリカアルミナであることを特徴とする請求項８記載の触媒。
【請求項１０】
請求項１から９いずれか１項記載の担持されたまたは結合したヘテロポリ酸化合物を調製する方法であって、
ａ）  一般化学式：
Ｍｏ12ＶaＰbＣｓcＯx
ここで、Ｍｏはモリブデンであり、Ｖはバナジウムであり、Ｐはリンであり、Ｃｓはセシウムであり、Ｏは酸素であり、ａは０．０１から５．０であり、ｂは０．５から３．５であり、ｃは０．０１から２．０であり、ｘは原子価を満たすものである、
のヘテロポリ酸化合物を調製し、
ｂ）  前記ヘテロポリ酸化合物を、１．０ｍ2／ｇ未満の表面積および０．２ｃｃ／ｇより大きい細孔体積を有する担体または結合剤と接触させて、担持されたまたは結合したヘテロポリ酸触媒前駆体を形成する、
各工程を有してなる方法。
【請求項１１】
前記ヘテロポリ酸化合物を、
ａ）  モリブデン化合物、バナジウム化合物、リン化合物およびセシウム化合物の溶液を混合し、
ｂ）  固体粒子を沈殿させ、
ｃ）  液体を蒸発させて、固体粒子を残し、
ｄ）  前記固体粒子を乾燥させ、
ｅ）  前記固体粒子をか焼する、
各工程により調製し、
前記担体または結合剤を、工程ｂ）、ｃ）、ｄ）またはｅ）の後に前記ヘテロポリ酸化合物と接触させることを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記担体または結合剤を、工程ｃ）の後に前記ヘテロポリ酸化合物と接触させることを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記溶液が、前記化合物の溶解を促進するように酸により酸性化されていることを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
前記酸が硝酸であることを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記酸性化された溶液が、塩基の添加によって完全にまたはある程度中和されていることを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
前記塩基がアンモニウム含有化合物であることを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記塩基が水酸化アンモニウムであることを特徴とする請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
飽和および／または不飽和アルデヒドを不飽和カルボン酸に転化する方法であって、請求項１から９いずれか１項記載の担持されたまたは結合したヘテロポリ酸化合物の存在下で、飽和および／または不飽和アルデヒドを酸化剤と接触させる工程を有してなる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月20日(2011.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一及び第二のガス状成分を含むガス流を処理する方法であって、
該ガス流を液体環状ポンプに運ぶ工程、
該ポンプに、液体環を該ポンプ中に形成し且つ該第一のガス状成分を該ガス流から除去するための液体を供給する工程、
該液体及び該ガス流を該ポンプから排出する工程、
該ガス流を該液体から分離する工程、及び
それに続いて該第二のガス状成分を該ガス流から除去する工程、
を含む方法。
【請求項２】
前記第一のガス状成分が前記ガス流の酸性成分である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記酸性化学種が硫黄含有化学種又はハロゲン含有化学種を含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記ハロゲン含有化学種が、HF、HCl、BCl3、HBr、Cl2及びBr2の1種を含む、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記第二のガス状成分が燃焼性ガスである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記燃焼性ガスが、炭化水素、CO、H2、NH3の1種を含む、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記炭化水素が、C2H2、C2H4、CH2F2及びCH3Fの1種を含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記第二のガス状成分が、前記ガス流から熱分解によって除去される、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記燃焼性ガスが熱分解触媒を用いて熱分解される、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記燃焼性ガスが加熱された装置を用いて熱分解される、請求項８又は９記載の方法。
【請求項１１】
前記ガス流をプラズマ処理装置で処理することにより、前記第二のガス状成分を該ガス流から除去する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記第二のガス状成分と反応させるためにガス状酸化剤を前記ガス流に供給することにより、前記第二のガス状成分を該ガス流から除去する、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記ガス状酸化剤が酸素を含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記ガス状酸化剤が前記ポンプに空気流内で供給される、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記ガス状酸化剤が前記ポンプに供給される、請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記液体が水又は水溶液を含む、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記ガス流を前記液体から分離する工程に続き、該ガス流を液体を該ガス流から除去するためのガス処理装置に運ぶ、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
前記ガス処理装置が、フィルター及びサイクロン分離器の1種を含む、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
燃焼性ガスを含有するガス流を処理する方法であって、
該ガス流を液体環状ポンプに運ぶ工程、
該ポンプに、液体環を該ポンプ内に形成するための液体を供給する工程、
該液体及び該ガス流を該ポンプから排出する工程、
該ガス流を該液体から分離する工程、及び
該燃焼性ガスを該液体から分離された該ガス流内で熱分解する工程、
を含む方法。
【請求項２０】
第一及び第二のガス状成分を含有するガス流を処理するための装置であって、
該ガス流を受け取るための液体環状ポンプ、
該ポンプに、液体環を該ポンプ内に形成し且つ該第一のガス状成分を該ガス流から除去するための液体を供給するための手段（該ポンプは該液体及び該ガス流を該ポンプから排出するための排出口を含む）、
該ガス流を該ポンプから排出される液体から分離するための分離手段、及び
該分離手段から下流に位置する、第二のガス状成分を該ガス流から除去するための手段、を含む装置。
【請求項２１】
前記第二のガス状成分を前記ガス流から除去するための手段が熱分解装置を含む、請求項２０記載の装置。
【請求項２２】
前記熱分解装置が熱分解触媒を含む、請求項２１記載の装置。
【請求項２３】
前記熱分解装置を加熱してそこでの水の凝縮を抑制するための手段を含む、請求項２１又は２２記載の装置。
【請求項２４】
前記第二のガス状成分を前記ガス流から除去するための手段がプラズマ処理装置を含む、請求項２０〜２３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２５】
前記分離手段から下流に位置する、液体を前記ガス流から除去するための手段を含む、請求項２０〜２４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２６】
液体を前記ガス流から除去するための手段がフィルターを含む、請求項２５記載の装置。
【請求項２７】
液体を前記ガス流から除去するための手段がサイクロンを含む、請求項２５記載の装置。
【請求項２８】
前記第二のガス状成分を該ガス流から除去するための手段において該第二のガス状成分と反応させるために、ガス状酸化剤を前記ガス流に供給するための手段を含む、請求項２０〜２７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２９】
前記酸化剤供給手段を設置して、空気流を前記ガス流に供給する、請求項２８記載の装置。
【請求項３０】
前記酸化剤供給手段を設置して、前記ガス状酸化剤を前記ポンプに供給する、請求項２８又は２９記載の装置。
【請求項３１】
燃焼性ガスを含有するガス流を処理するための装置であって、
該ガス流を受け取るための液体環状ポンプ、
該ポンプに、液体環を該ポンプ内に形成するための液体を供給するための手段（該ポンプは該液体及び該ガス流を該ポンプから排出するための排出口を含む）、
該ガス流を該ポンプから排出される液体から分離するための分離手段、及び
該分離手段から下流に位置する、該燃焼性ガスを該ガス流内で熱分解するための手段、
を含む装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月1日(2011.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水性媒体中における固体非晶質サブミクロン粒子の安定な分散体を製造する方法であって、次の工程を含む、方法：
１)
ａ)  水性連続相を提供する水性媒体；
油性相を提供し、水性媒体に分散している粒子間の物質の流れにより粒子成長を阻害する阻害剤；
ドクサートナトリウム；
を含むエマルジョンと
ｂ)  非晶質および／または結晶状態で存在する実質的に水不溶性の物質(ここで、実質的に水不溶性物質対阻害剤の比率は１０：１(ｗ／ｗ)より小さい)；および
ｃ)  所望によりエマルジョン滴および／または該粒子の凝集を阻止する第二の安定化剤
を合わせ、
２)  結晶状態の実質的に水不溶性の物質が存在するならば、混合物の温度を実質的に水不溶性の物質の融解温度付近まで上げ、そして
３)  実質的に水不溶性の物質を該油性層に移動させ、工程２)で温度を上昇させていたならば温度を低下させ、それにより該非晶質粒子の安定な分散体を提供する。
【請求項２】
該水性媒体に分散している粒子の成長が、製造後環境温度で１時間にわたり、平均粒子径の１０％の未満である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
実質的に水不溶性の物質をその結晶状態で添加する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
実質的に水不溶性の物質をその非晶質状態で添加する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
実質的に水不溶性の物質が実質的に水不溶性の薬理学的活性化合物である、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
水不溶性物質の融点が２２５℃以下である、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
水性媒体が水から成る、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
阻害剤が実質的に水不溶性の物質と十分に混和性であり、実質的に単相混合物の本物質と本阻害剤を含む固体粒子を分散体中に形成する、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
水不溶性物質および阻害剤の比が重量で２：１ｗ／ｗである、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
工程１ａ)におけるエマルジョンがさらに共阻害剤を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
分散体から固体粒子を単離する工程をさらに含む、請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
ドクサートナトリウムまたは１種以上の付加的安定化剤、またはその混合物を懸濁液に添加する、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれかに記載の方法により得られる、非晶質サブミクロン粒子の分散体。
【請求項１４】
医薬として使用するための、請求項１３に記載の分散体。
【請求項１５】
請求項１４に記載の分散体を薬学的に許容される担体または希釈剤と共に含む、医薬組成物。
【請求項１６】
請求項１５に記載の医薬組成物を投与することによる、患者における疾患の処置方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月27日(2011.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硬化シリコーン組成物とプラスチックとを分別する方法であって、
Ｉ）硬化シリコーン組成物及びプラスチックを該硬化シリコーン組成物の比重と該プラスチックの比重との間の比重を有する液体と併せること、
ＩＩ）硬化シリコーン組成物層及びプラスチック層を形成するために、該硬化シリコーン組成物及び該プラスチックを該液体中で層別化させること、及び
ＩＩＩ）該硬化シリコーン組成物層又は該プラスチック層のいずれかを該液体から除去することによって、該硬化シリコーン組成物及び該プラスチックを物理的に分別すること、
を含む硬化シリコーン組成物とプラスチックとを分別する方法。
【請求項２】
前記硬化シリコーン組成物が、オルガノポリシロキサンと中空粒子とを含み、該中空粒子が、前記硬化シリコーン組成物の比重を１未満に低減させるのに十分な量で該硬化シリコーン組成物中に存在する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記オルガノポリシロキサンが、（Ａ）各分子中に少なくとも２つのケイ素結合アルケニル基を含有するアルケニルポリシロキサン、（Ｂ）各分子中に少なくとも２つのケイ素結合水素原子を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン及び（Ｃ）白金触媒を含む組成物から形成され、ここで、該（Ｂ）成分中に含有されるケイ素結合水素原子と、該（Ａ）成分中に含有されるケイ素結合アルケニル基とのモル比が０．３：１〜５：１の範囲内である請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記硬化シリコーン組成物を射出成形によって形成する請求項１に記載の方法。
【請求項５】
硬化シリコーン組成物とプラスチックとを含み、請求項１に記載の方法に従って再利用可能である組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月31日(2011.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ミル盤（１０）と、少なくとも１つのミルローラー（１１，１２）と、ローラーミル（１）を駆動するための少なくとも２つの駆動装置（１３，１４）と、前記駆動装置のための補償制御システムとを有するローラーミル（１）により、前記駆動装置の補償制御動作を実施しながら被粉砕材料を粉砕する方法であって、
前記補償制御システムを電力補償制御システム（２）によって形成し、少なくとも一方の駆動装置（１３，１４）の速度を制御することによって、各駆動装置の電力を相互に所定の比率に制御することを特徴とする方法。
【請求項２】
少なくとも２つの被駆動ミルローラー（１１，１２）を設け、駆動装置（１３，１４）を各ミルローラーと関連づけることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
ミル盤（１０）の駆動を少なくとも２つのミルローラー（１１，１２）と被粉砕材料（３）とだけで行うことを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記電力補償制御システム（２）が、前記ミル盤（１０）の速度制御装置をさらに含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記駆動装置（１３，１４）の速度の制御を、前記ミル盤（１０）の所定の速度がさらに維持されるように行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記電力補償制御システム（２）がモーターモデルを含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記駆動装置（１３，１４）の速度の制御を、周波数変換器（２０，２１）によって行うことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記駆動装置（１３，１４）の消費電力を検出することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
独立した駆動装置を前記ミル盤（１０）と関連づけて設けることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
ミル盤（１０）と、少なくとも１つのミルローラー（１１，１２）と、ローラーミル（１）を駆動するための少なくとも２つの駆動装置（１３，１４）と、前記駆動装置のための補償制御システムとを有するローラーミル（１）であって、
前記補償制御システムは、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法を実施するために構成された電力補償制御システム（２）によって形成されていることを特徴とするローラーミル。
【請求項１１】
前記電力補償制御システム（２）は、前記駆動装置（１３，１４）と関連付けられた周波数変換器（２０，２１）と、電力補償制御部（２２）と、ミル盤速度センサー（２３）と、ミル盤速度制御部（２４）とを有することを特徴とする請求項１０に記載のローラーミル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2010517753.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月17日(2010.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイグリカン又はバイグリカン活性のエンハンサーを有効成分として含む、細胞保護に基づく抗虚血作用による、アテローム性動脈硬化症及び／又は虚血性（例えば、心臓）疾患を予防及び治療するための医薬組成物。
【請求項２】
前記有効成分が、以下の群：バイグリカン、バイグリカンの類似体、好ましくはデコリン、バイグリカンの誘導因子又は活性化因子、バイグリカンをコードする核酸を含む送達系、及びバイグリカンをコードする核酸（裸の核酸）から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記有効成分が、内因性（天然）バイグリカンの過剰発現の活性化因子又は誘導因子である、請求項１又は２に記載の組成物。
【請求項４】
前記有効成分が、バイグリカンをコードする核酸を含む遺伝子送達系であり、前記遺伝子送達系が、好ましくは遺伝子又は細胞（幹細胞を含む）療法技術によるバイグリカンの組換え過剰発現を確実にする、請求項１又は２に記載の組成物。
【請求項５】
前記虚血性疾患が急性又は慢性の虚血性心疾患であり、心臓保護作用が脂質異常症の存在下又は不在下で発揮される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項６】
前記抗アテローム性動脈硬化作用が、例えば冠動脈硬化症、頸動脈硬化症、末梢動脈硬化症などの、任意の動脈硬化性プラークの形成と関連する疾患に対して発揮される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項７】
細胞保護に基づく抗虚血作用による、アテローム性動脈硬化症及び／又は虚血性（例えば、心臓）疾患の予防及び治療において有効成分として使用するためのバイグリカン又はバイグリカン活性のエンハンサー。
【請求項８】
以下の群：バイグリカン、バイグリカンの類似体、好ましくはデコリン、バイグリカンの誘導因子又は活性化因子、バイグリカンをコードする核酸を含む送達系、及びバイグリカンをコードする核酸（裸の核酸）から選択される、請求項７に記載のバイグリカン又はバイグリカン活性のエンハンサー。
【請求項９】
バイパス手術、好ましくは冠動脈バイパス手術の場合、移植前にエクスビボで自家移植片に組み込まれているものである、請求項７又は８に記載のバイグリカン又はバイグリカン活性のエンハンサー。
【請求項１０】
前記虚血性疾患が急性又は慢性の虚血性心疾患であり、心臓保護作用が脂質異常症の存在下又は不在下で発揮される、請求項７〜９のいずれか一項に記載のバイグリカン又はバイグリカン活性のエンハンサー。
【請求項１１】
前記抗アテローム性動脈硬化作用が、例えば冠動脈硬化症、頸動脈硬化症、末梢動脈硬化症などの、任意の動脈硬化性プラークの形成と関連する疾患に対して発揮される、請求項７〜９のいずれか一項に記載のバイグリカン又はバイグリカン活性のエンハンサー。
【請求項１２】
抗アテローム性動脈硬化作用及び／又は抗虚血作用を発揮するバイグリカン活性のエンハンサーを特定する方法であって、
ａ）候補エンハンサーを基本細胞と、前記基本細胞におけるバイグリカンの発現に適した条件下で接触させ、
ｂ）前記基本細胞における、バイグリカンの抗アテローム性動脈硬化作用及び／又は抗虚血作用に特異的な遺伝子又はタンパク質の発現レベル及び／又は活性を検出し、
ｃ）検出された発現レベル及び／又は活性レベルを、
候補エンハンサーを用いずに基本細胞において得られた基準レベル、及び／又は
バイグリカンを過剰発現する他の細胞において得られた基準レベル
と比較し、
前記特異的遺伝子又はタンパク質のレベル又は活性が、基本細胞及び／又は過剰発現する他の細胞において規定された基準レベルと比較して増強されると、それぞれの候補エンハンサーが抗アテローム性動脈硬化作用及び／又は抗虚血作用を発揮するバイグリカン活性のエンハンサーである事実を示すものとみなされる
ことを特徴とする方法。
【請求項１３】
タンパク質レベルがステップｂ）において検出され、ステップｃ）の基準レベルがバイグリカンを過剰発現する細胞に由来する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
バイグリカンの抗アテローム性動脈硬化作用及び／又は抗虚血作用に特異的な前記検出タンパク質が、以下の群：ｉ−ＮＯＳ、ｎ−ＮＯＳ、ｅ−ＮＯＳ、シナプタグミン、Ｍｃｌ−１及びＰｙｋ２から選択される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
バイグリカン、好ましくはデコリン又はバイグリカン活性のエンハンサーを公知の助剤と共に含む、細胞培養液若しくは組織培養液、又は移植前の器官の保存に使用する溶液への補助剤。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月27日(2011.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【図１】(R)-5-(2-アミノエチル)-1-(6,8-ジフルオロクロマン-3-イル)-1,3-ジヒドロイミダゾール-2-チオン塩酸塩の結晶形態Aは、4.9、8.3、12.9、15.0、16.2、19.8、21.8、22.9、24.2、及び26.8±0.2 °2θにピークを伴うXRPDパターンを有する。該XRPDパターンを図1に示す。
【図２】さらに、 (R)-5-(2-アミノエチル)-1-(6,8-ジフルオロクロマン-3-イル)-1,3-ジヒドロイミダゾール-2-チオン塩酸塩の結晶形態Aは、3053.30、2939.70、1599.80、1491.90、1448.30、1406.10、1330.70、1287.60、1244.50、1220.70、1194.00、1117.50、1039.50、985.50、851.80、747.00、及び713.70cm-1に特徴的なFT-IRピークを有する。該FT-IRスペクトルを図2に示す。
【図３】(R)-5-(2-アミノエチル)-1-(6,8-ジフルオロクロマン-3-イル)-1,3-ジヒドロイミダゾール-2-チオン塩酸塩の結晶形態Cは、13.9、15.3、16.2、16.7、17.7、18.1、20.2、21.0、22.1、24.2、25.1、及び25.7±0.2 °2θにピークを伴うXRPDパターンを有する。該XRPDパターンを図3に示す。
【図４】さらに、 (R)-5-(2-アミノエチル)-1-(6,8-ジフルオロクロマン-3-イル)-1,3-ジヒドロイミダゾール-2-チオン塩酸塩の結晶形態Cは、3041.70、1596.50、1492、1403.40、1333.80、1290.90、1220.2、1173.20、1117.4、1078.10、1033.4、984.90、845.2、792.6、750.1、及び713.20cm-1に特徴的なFT-IRピークを有する。該FT-IRスペクトルを図4に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月28日(2011.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Vの化合物、又はその医薬として許容し得る塩若しくはエステル:
【化１】
2010517998.tif 000001
。
【請求項２】
式VIIIの化合物、又はその医薬として許容し得るエステル：
【化２】
2010517998.tif 000002
。
【請求項３】
式IIの化合物、又はその医薬として許容し得る塩若しくはエステル：
【化３】
2010517998.tif 000003
。
【請求項４】
単離した形態である請求項1、2、又は3記載の化合物。
【請求項５】
前記医薬として許容し得る塩が塩酸塩である、請求項1又は3記載の化合物。
【請求項６】
医薬として効果的な担体と組合わせて、治療上効果的な量の請求項1、2、又は3記載の化合物を含む、医薬組成物。
【請求項７】
薬剤として使用するための請求項1、2、又は3記載の化合物。
【請求項８】
ドーパミンからノルアドレナリンへのヒドロキシル化の低減が治療上有益である場合の、疾患の治療のための薬剤の製造における、請求項1、2、又は3記載の化合物の使用。
【請求項９】
1つ以上の不安障害に罹患した対象、偏頭痛、1つ以上の心血管障害に罹患した対象、若しくは、高血圧、慢性心不全、うっ血性心不全、狭心症、不整脈、又は、レイノー現象などの循環障害を治療するための薬剤の製造における、請求項1、2、又は3記載の化合物の使用。
【請求項１０】
ドーパミン-β-ヒドロキシラーゼの阻害に使用するための薬剤の製造における、請求項1、2、又は3記載の化合物の使用。
【請求項１１】
式IIの化合物の製造方法であって、
【化４】
2010517998.tif 000004
実質的に不活性な溶媒系において、塩基の存在下で下記化合物1をアセチル化試薬でアセチル化することを含む、前記方法；
【化５】
2010517998.tif 000005
。
【請求項１２】
前記アセチル化試薬が無水酢酸である、請求項11記載の方法。
【請求項１３】
前記塩基がトリエチルアミンである、請求項11又は12記載の方法。
【請求項１４】
前記溶媒系がメタノール及びジクロロメタンである、請求項11〜13のいずれか一項記載の方法。
【請求項１５】
下記工程を含む式Vの化合物の製造方法：
【化６】
2010517998.tif 000006
a)1,2,4-ブタントリオールの反応により式6の化合物を形成する工程
【化７】
2010517998.tif 000007
b)式6の化合物から式7の化合物への変換工程：
【化８】
2010517998.tif 000008
c) 式7の化合物を用いるN,O-ジ-Boc-ヒドロキシルアミンのアルキル化工程；
d)工程c)の生成物からのイソプロピリデン保護の除去工程；
e)工程d)の生成物のシリル化、続いて、酸化による式11の化合物の形成工程：
【化９】
2010517998.tif 000009
f)式2の化合物
【化１０】
2010517998.tif 000010
と式11の化合物
【化１１】
2010517998.tif 000011
及び水溶性チオシアン酸塩とを環化縮合し、式12の化合物を形成する工程；及び
【化１２】
2010517998.tif 000012
g)式12の化合物からのBoc保護基の除去工程。
【請求項１６】
前記工程f)が有機酸の存在下で行われる、請求項15記載の方法。
【請求項１７】
前記水溶性チオシアン酸塩がアルカリ金属チオシアン酸塩、好ましくはチオシアン酸カリウムである、請求項15又は16記載の方法。
【請求項１８】
式Vの化合物の塩酸塩の製造方法であって、
【化１３】
2010517998.tif 000013
工程g)がジオキサン中HClとギ酸との混合物を使用して行われる、請求項15又は16記載の方法を用いて、式Vの遊離塩基を生成することを含む、前記方法。
【請求項１９】
式VIIIの化合物の製造方法であって：
【化１４】
2010517998.tif 000014
式18の化合物の
【化１５】
2010517998.tif 000015
SO3-錯体を用いた処理、続いて、カチオン交換反応を含む、前記方法。
【請求項２０】
前記SO3-錯体がSO3-トリメチルアミン錯体である、請求項19記載の方法。
【請求項２１】
前記カチオン交換反応がamberlyst XN 1010のナトリウム型を用いて行われる、請求項19又は20記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月31日(2011.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
比表面積が少なくとも１５ｍ２／ｇであり、
室温（２３℃）でのリチウム量が、バルク形状または約１０ｍ２／ｇより小さい比表面積をもつ粉末として製造された同じ組成のリン酸リチウム遷移金属のリチウム量より少なくとも２モル％少ない、リン酸リチウム遷移金属粉末。
【請求項２】
上記粉末の比表面積が少なくとも２０ｍ２／ｇ、少なくとも２５ｍ２／ｇ、または少なくとも３０ｍ２／ｇである、請求項１に記載されたリン酸リチウム遷移金属粉末。
【請求項３】
上記リン酸リチウム遷移金属はかんらん石構造を持つ、請求項１に記載されたリン酸リチウム遷移金属粉末。
【請求項４】
上記リン酸リチウム遷移金属の組成はＬｉ１−ｘＭＰＯ４（ここでＭは１以上の第１列遷移金属である）である、請求項３に記載されたリン酸リチウム遷移金属粉末。
【請求項５】
室温で単一のかんらん石構造の結晶相を形成し、Ｌｉ１−ｘＦｅＰＯ４の固溶体組成を持ち、
ｘは０．０１より大きい、ｘは０．０２より大きい、ｘは０．０３より大きい、ｘは０．０４より大きい、ｘは０．０５より大きい、ｘは０．０６より大きい、ｘは０．０７より大きい、ｘは０．０８より大きい、ｘは０．０９より大きい、またはｘは０．１０より大きい、リン酸リチウム鉄組成物。
【請求項６】
上記リン酸リチウム鉄の比表面積は、１５ｍ２／ｇより大きい、２０ｍ２／ｇより大きい、２５ｍ２／ｇより大きい、または３０ｍ２／ｇより大きい、請求項５に記載されたリン酸リチウム鉄組成物。
【請求項７】
室温で単一のかんらん石構造の結晶相としてのＬｉｙＦｅＰＯ４の固溶体組成を含み、
ｙは０．０１より大きい、ｙは０．０２より大きい、ｙは０．０３より大きい、ｙは０．０４より大きい、ｙは０．０５より大きい、ｙは０．０６より大きい、ｙは０．０７より大きい、ｙは０．０８より大きい、ｙは０．０９より大きい、またはｙは０．１０より大きい、部分的にリチウム化されたリン酸リチウム鉄組成物。
【請求項８】
上記リン酸リチウム鉄の比表面積が、１５ｍ２／ｇより大きい、２０ｍ２／ｇより大きい、２５ｍ２／ｇより大きい、または３０ｍ２／ｇより大きい、請求項７に記載された部分的にリチウム化されたリン酸リチウム鉄組成物。
【請求項９】
対向電極がリチウム金属である標準電気化学電池におけるリチウム貯蔵電極として用いられるとき、５０％の充電状態に充電し少なくとも１２時間保持した後に測定された電気化学電池の開路電圧より高い５０ｍＶの一定の過ポテンシャルでの定電圧間欠性滴定法（ＰＩＴＴ）において、充電時または放電時に充電電流が連続的に低下する、リン酸リチウム遷移金属化合物。
【請求項１０】
上記開路電圧は、５０％の充電状態に充電され、２５℃に、または約−２０℃〜約５５℃の温度範囲に、少なくとも１２時間保持された後に、測定される、請求項９に記載された電圧である、リン酸リチウム遷移金属化合物。
【請求項１１】
上記化合物はリン酸リチウム遷移金属Ｌｉ１−ｘＭＰＯ４であり、ここにＭは１以上の第１列遷移金属であり、ｘは０と１の間の値をもつ、請求項９に記載されたリン酸リチウム遷移金属化合物。
【請求項１２】
上記リン酸リチウム遷移金属はかんらん石構造を持つ、請求項９または１１に記載されたリン酸リチウム遷移金属化合物。
【請求項１３】
請求項１、５、７、または９のいずれかに記載されたリン酸リチウム遷移金属化合物を含むリチウム貯蔵バッテリー。
【請求項１４】
請求項９に記載されたリチウム貯蔵バッテリーを、少なくとも２ＣのＣレート、少なくとも５ＣのＣレート、少なくとも１０ＣのＣレート、少なくとも１５ＣのＣレート、少なくとも２０ＣのＣレート、少なくとも３０ＣのＣレート、少なくとも４０ＣのＣレート、または少なくとも５０ＣのＣレートで充電し、
上記Ｃレートは、少なくとも５秒の期間、少なくとも１０秒の間、少なくとも２０秒の間、または少なくとも３０秒の間印加されている電流についての平均Ｃレートである、電気エネルギーを貯蔵する方法。
【請求項１５】
請求項９に記載されたリチウム貯蔵バッテリーを少なくとも２ＣのＣレート、または少なくとも５Ｃから少なくとも５０Ｃまでの範囲のＣレートで充電し、
少なくとも２Ｃのレート、または少なくとも５Ｃから少なくとも５０Ｃまでの範囲のＣレートで放電する、電気エネルギーを貯蔵し放出する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月12日(2011.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学蒸着（ＣＶＤ）、たとえば、熱フィラメント化学蒸着（ＨＦＣＶＤ）によるナノメートルの先端の頂点における独立したカーボンナノチューブの触媒反応による成長のための方法であって、
チタンおよびコバルトの２重層で完全にもしくは部分的に前記先端を予め被覆することからなる工程を含み、
前記チタン層が０．１ｎｍと０．２ｎｍとの間の厚みを有し、前記コバルト層が０．３ｎｍと２ｎｍとの間の厚みを有する方法。
【請求項２】
前記先端が、シリコンもしくは窒化シリコンで、またはシリコンおよび窒化シリコンで作製された先端である請求項１の方法。
【請求項３】
前記先端が、シリコンで、またはシリコンおよび窒化シリコンで作製された先端である請求項１または２の方法。
【請求項４】
前記結合されたナノチューブが、ナノチューブの小さい束である請求項１乃至３のいずれか１項の方法。
【請求項５】
前記コバルト層が前記チタン層上に形成されるか、または前記チタン層が前記コバルト層上に形成される請求項１乃至４のいずれか１項の方法。
【請求項６】
蒸着法で前記２重層の前記堆積が実施される請求項１乃至５のいずれか１項の方法。
【請求項７】
前記化学蒸着が、メタン、エチレンまたはアセチレンなどのガス状炭化水素、好ましくはメタンおよび／または水素の雰囲気が存在している中で、７００℃と９００℃との間の温度で実施される請求項１乃至６のいずれか１項の方法。
【請求項８】
前記２重層で完全にまたは部分的に被覆される前記先端がピラミッド形状もしくは円錐形状である請求項１乃至７のいずれか１項の方法。
【請求項９】
先端のバッチでそれが実施される点を特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項の方法。
【請求項１０】
チタン／コバルト２重層で完全にまたは部分的に被覆された少なくとも１つの先端を含む基板であって、
前記チタン層が０．１ｎｍと０．２ｎｍとの間の厚みを有し、前記コバルト層が０．３ｎｍと２ｎｍとの間の厚みを有する。
【請求項１１】
シリコン、窒化シリコンまたはシリコン／窒化シリコンの結合／組み合わせを含むか、またはそれで形成される請求項１０の基板。
【請求項１２】
ナノデバイス、プローブ、またはカンチレバーである請求項１０または１１の基板。
【請求項１３】
１つまたは２以上のデバイス、先端もしくはカンチレバーを含み、チタン／コバルト２重層で完全にまたは部分的に被覆された基板であって、
前記チタン層が０．１ｎｍと０．２ｎｍとの間の厚みを有し、前記コバルト層が０．３ｎｍと２ｎｍとの間の厚みを有する。
【請求項１４】
シリコン、窒化シリコンまたはシリコン／窒化シリコンの結合／組み合わせを含むか、またはそれで形成される請求項１３の基板。
【請求項１５】
単層のまたは４未満の層数、一般的には２〜３層を有する、頂点で独立したカーボンナノチューブまたは２〜３本のナノチューブの小さな独立した束と接合し、チタンおよびコバルトの２重層で被覆され、前記チタン層が０．１ｎｍと０．２ｎｍとの間の厚みを有し、前記コバルト層が０．３ｎｍと２ｎｍとの間の厚みを有するナノメートルの先端。
【請求項１６】
シリコン、窒化シリコンまたはシリコン／窒化シリコンの結合／組み合わせを含むか、またはそれで形成される請求項１５の先端。
【請求項１７】
前記ナノチューブ（複数可）が、２０ｎｍと３〜４μｍとの間の長さを有する請求項１５または１６の先端。
【請求項１８】
前記先端の前記頂点で、±２０°で前記先端の軸に沿った方向に、前記ナノチューブ（複数可）が実質的に接合される請求項１５乃至１７のいずれか１項の先端。
【請求項１９】
近接場顕微鏡または原子間力顕微鏡用のプローブとしての請求項１０乃至１８のいずれか１項の先端または基板の使用。