【事件の表示】
　平成１１年特許願第３０５９６６号「液面レベルセンサ」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　５月１１日出願公開、特開２００１−１２４６１７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１１年１０月２７日の出願であって、明細書又は図面について平成１９年１０月１５日付けで補正がなされ（以下、「補正１」という。）、平成２０年７月２３日付け（送達：同年７月２９日）で拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月２８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年９月２５日付けで補正がなされ（以下、「補正２」という。）たものである。
　その後、当審より平成２２年８月１７日付け（発送：同年同月２４日）で拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）を通知したところ、同年１０月２５日付けで意見書の提出があった。
　
２．本願発明
  審判請求の際になされた補正２は、補正前の請求項１及び請求項２を削除するとともに、補正前の請求項３（請求項１及び請求項２を引用している。）を、それぞれ新たに請求項１及び請求項２としたものである。
　よって、特許請求の範囲についてした補正２は、請求項の削除を目的としたものであり、しかも、本願の願書に最初に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内においてしたものであることも明らかであるから、補正２は適法である。
　してみると、本願の請求項１ないし３に係る発明は、補正２によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりである。 
「液面の上下動に連動して移動する磁石と、この磁石の位置に応じた電気量を出力する磁電変換素子とを有し、この磁電変換素子の出力により液面レベルを検出する液面レベルセンサにおいて、
　前記磁電変換素子の出力特性を演算処理により補正する演算処理手段を備え、
　前記演算処理手段は、少なくとも２カ所の基準位置における磁電変換素子の出力ＤSE、ＤSF、少なくとも２カ所の基準位置における基準センサ出力であるセンサ出力電圧設定値ＤOE、ＤOFを記憶するＰＲＯＭと、
　前記ＰＲＯＭに記憶されている前記出力ＤSE、ＤSF、前記センサ出力設定値ＤOE、ＤOF及び前記磁電変換素子からの出力ＤSθから補正出力ＤOθを演算する演算器とからなり、前記演算器は前記補正出力ＤOθを、
　ＤOθ＝ＤOE＋｛（ＤOF−ＤOE）／（ＤSF−ＤSE）｝・（ＤSθ−ＤSE）の演算式により演算することを特徴とする液面レベルセンサ。」（以下、「本願発明」という。）
　
３． 当審拒絶理由
　これに対し、当審拒絶理由の概要は、本願発明は、本願出願前に頒布された刊行物である特表平１１−５０６８３６号公報（発明の名称：スマート線形角度位置センサ、出願人：デュラクール　インコーポレイテッド、公表日：平成１１年６月１５日、以下、「引用例」という。）に記載された発明及び周知技術に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　
４．引用例記載の事項・引用発明
（１）記載事項
　引用例には、「スマート線形角度位置センサ」（発明の名称）に関し、次の事項（ａ）〜（ｈ）が図面とともに記載されている。
（ａ）「２．前記補償手段は所定の較正ポイントでの前記センサについての理論値を記憶する手段を含むことを特徴とする請求項１に記載の電子回路。（【特許請求の範囲】の請求項２）
（ｂ）「１．
発明の分野
（ｃ）「角度位置センサ２０の別の重要な形態は、例えば適当な締結具４０を用いてスロットル本体２７とかなり迅速にかつ簡単に固定されるような独立ユニットとして形成されることである。角度位置センサ２０を独立したユニットとして提供することにより、角度位置センサ２０の較正はセンサ・メーカーが工場で行なえる。これと対照的に、幾つかの既知の角度位置センサは、例えば米国特許第４，８９３，５０２号に開示されているように、スロットル本体内に直接組み込まれる。このような実例では、センサの較正はスロットル本体メーカーによって行なわれるのが普通で、当該センサに関する経験はセンサ・メーカーより当然少ない。」（７頁１７行〜２５行）
（ｄ）「図２および図３は本発明による角度位置センサ２０の基本原理を示す。特に、角度位置センサ２０は磁石４２望ましくは対向する北磁極と南磁極を有する標準的な棒磁石と、磁気検出素子４３、通例Ｌ字状の磁束コンセントレータ４４と４６の対、および調節に使用する追加の（補助）磁束コンセントレータ４８を含む。以下でさらに詳細に説明するように、磁石４２は図１に図示してあるように対向する南北磁極を相互連結する磁軸５２に対して通例直交する軸５０（図１）の周りを回転できるように駆動アーム２４に取り付けるのに適応している。以下でさらに詳細に説明するように、磁石４２は磁石の回転軸５０がバタフライ弁軸２６と同軸となるように駆動アーム２４内部に装着され、バタフライ弁軸２６の回転によってその回転に対応する量だけ磁石４２が回転軸５０の周りを回転するように、磁軸５２に対し通例直角に取り付けられる。
  磁気検出素子４３はオンチップ増幅回路を備えたホール効果ＩＣ例えばアレグロ型番３５０６番（Allegro Model No．3506）などが望ましい。・・・
  図１３に最も良く図示してあるように、磁気検出素子４３は磁軸５２に対して通例平行な磁石４２の表面５８に対して一定のエアギャップ（空隙）５４をおいてハウジング２２に対して固定的に取り付けてある。通例Ｌ字状の磁束コンセントレータ４４および４６は磁気検出素子４３に対して堅固に配置されてアセンブリ６０を形成する。特に、磁気検出素子４３は通例Ｌ字状の磁束コンセントレータ４４および４６の間にサンドイッチされてアセンブリ６０を形成する。このアセンブリ６０は磁気検出素子４３によって画定される検出平面６２が磁石４２の回転軸５０と通例平行になるように配置される。図示したように、磁気検出素子４３としてホール効果ＩＣを使用する。このような実施例では、検出平面６２は図４に図示してある対向する表面６４および６６に対して通例平行な平面として形成される。・・・
　図４の図示では、角度位置センサ２０は静止状態にある。この状態で参照番号６８で識別される矢印で表わしてある磁束密度Ｂは磁気検出素子４３の検出平面６２に対して通例平行である。この状態で磁気検出素子４３は静止電圧を出力する。アレグロ型番３５０６のホール効果ＩＣでは、静止出力電圧がＤＣ約２．５ボルトとなるのが典型的である。図５または図６に図示してあるように磁石４２を反時計回りに回転させるか、時計回りに（図示していない）回転させると、磁束密度６８のさらに増加する量が磁気検出素子４３の検出平面６２に加えられるので、検出平面６２に平行な軸６３と軸６５の間で定まる角度θの関数として磁気検出素子４３の出力電圧が変化する。アレグロ型番３５０６のホール効果ＩＣでは、出力電圧振幅は角度回転の方向に依存するＤＣ±約２．０ボルトである。」（７頁下から３行〜９頁下から５行）
（ｅ）「
角度位置自動調節式センサ
（ｆ）「 図１８を参照すると、総括参照番号３００で識別される電子回路は、アナログ−デジタル・コンバータ（ＡＤＣ）３０２、例えばリニア・テクノロジ社で製造し、本明細書で参照文献に含めているリニア・テクノロジ社発行「ＬＴＣ１２８６／ＬＴＣ１２９８マイクロパワー・サンプリング１２ビットＡ／ＤコンバータＳＯ−８パッケージ版」６−１４０ページ〜６−１６２ページ（LTC1286 / LTC1298 MICROPOWER SAMPLING TWELVE BIT A/D CONVERTERS IN SO-8 PACKAGES，by L inear Technology，Inc.，pages 6-140 to 6-162）に詳細に記載されている１２ビットシリアルＡＤＣ型番ＬＴＣ１２９８を含む。ＡＤＣ３０２の一方の入力はホール効果デバイスの出力で、例えばホール効果デバイス２０４（図１６）の出力信号２４８である。ホール効果デバイスはリニアデバイス、例えばアレグロ社型番３５０６のホール効果ＩＣで、図１９に図示しまた後述するようにホール効果デバイスの有効出力範囲にわたって比較的リニア（線形）な出力信号を提供するものである。サーミスタ３３０などの温度センサもＡＤＣ３０２に印加できる。アナログ温度およびセンサ信号は、・・・マイクロコントローラ３０４の制御下でＡＤＣ３０２によりデジタル化される。マイクロコントローラ３０４はＡＤＣ３０２からのデジタル化したセンサ出力信号値と、・・・ＣＭＯＳ・ＥＥＰＲＯＭなどの電子メモリ３０６に記憶された補償値とを比較する。ＡＤＣ３０２からの実際の値と電子メモリ３０４からの記憶してある補償値の間の偏差をマイクロコントローラ３０４で用いて補償出力値を生成し、この補償出力値をデジタル−アナログ・コンバータ（ＤＡＣ）３０８に印加する。ＤＡＣ３０８は、本明細書で参照文献に含めているマキシム・インテグレーテッド・プロダクツ社発行「マキシム５Ｖ低電力電圧出力シリアル１２ビットＤＡＣ・ＭＡＸ５３１／ＭＡＸ５３８／ＭＡＸ５３９」（MAXIM 5V，LOW-POWER，VOLTAGE OUTPUT，SERIAL 12-BIT DAC'S MAX531/MAX538/MAX539 by Maxim Integrated Products，Copyright 1994）に詳細に記載されているマキシム社製型番ＭＡＸ５３９の１２ビットＤＡＣなどとすることができる。ＤＡＣ３０８はその後、補償アナログ出力電圧信号Ｖoutを提供する。
  電子回路３００は、例えばセンサ・メーカーで補償値を決定でき、また電子メモリ３０６に組み入れることができるようにする試験インタフェース３１０を含む。試験インタフェース３１０は一対のケーブル３１０および３１４に電子回路３００のバランス（平衡）に接続してある。ケーブル３１２は試験インタフェース３１０とマイクロコントローラ３０４の間に接続され、一方ケーブル３１４は試験インタフェース３１０と電子メモリ３０６の間に接続される。これらのケーブル３１０および３１４により電子回路３００と試験インタフェース３１０の間のシリアル通信で補償値を決定できるようにする。さらに詳しくは、さらに詳細に後述するように、較正モードにおいて、角度位置センサを所定数の較正ポイント（即ち角度位置）で試験する。所定の較正ポイントでのセンサからの出力信号を各々の点での理論値と比較して補償値からの実際の値の偏差を決定する。これらの偏差はセンサの各角度位置での補償値を決定するために使用される。この後補償値を電子メモリ３０６に組み込む。補償値を電子メモリ３０６に組み込んでしまえば、試験インタフェース３１０を電子回路３００から切断してかまわない。」（２０頁１０行〜２２頁４行）
（ｇ）「 本発明のかぎとなる重要な形態は、較正値を決定する方法である。前述のように、検査装置４０２は様々な所定の較正ポイントにセンサ４３を配置して各々のポイントでのセンサ出力値を測定する。所定の温度例えば２５℃で取得したこれらの較正ポイントでの値は次に理論値と比較される。実際の値と偏差値間の偏差を用いてＥＥＰＲＯＭ３０に書き込む補償値を生成する。補償値を決定するための方法は図２４および図２５を参照すると最も良く理解できる。さらに詳しく説明すると、センサ４３の出力電圧は所定数の較正角度で測定される。図２４および図２５に図示してある較正角度ならびにその他の値は例示である。実際に何個の較正角度であってもどのような較正角度値であっても本発明の範囲内にあることは理解されるべきである。図２４を参照すると、センサ出力電圧は８個の較正角度θ0〜θ7で測定されているが、これは説明の目的のため、例えば１４．４°と９２．４°の間で選択してある。特定の較正角度はセンサの用途の違いを関数として変化するものである。次に、較正角度θ0〜θ7の各々でのセンサ出力電圧を測定し図２５に図示したようにＸ軸にそってプロットする。実際の、または測定した値を較正角度θ0〜θ7の各々で理論値と比較して、これを図２５に図示したようにＹ軸にそってプロットする。前述のように、センサの有効範囲全体で、センサ出力電圧は図１９に図示したようにリニアであると仮定している。つまり、較正角度θ0〜θ7の各々の間で応答がリニアであると仮定している。このような補償値は線分４３２（図２５）の傾きｍとｙ切片ｂを各々の較正角度θ0〜θ7について求めることで決定される。較正角度θ0〜θ7の各々の間の傾きｍとｙ切片ｂを求め、これをアナログ入力による測定値の自動保証を提供するためＥＥＰＲＯＭ３０６に書き込む。さらに詳しくは、本システムはセンサ出力の実際の値Ｘを測定する。理論値は実際の値とリニアに相関するものと想定しているので、実際の値を傾きｍに乗算しｙ切片ｂを加算して理論値を発生する。傾きｍとｙ切片ｂの補償値は各々の較正角度の間で変化するので、マイクロコントローラ３０４は使用すべき特定の補正傾きｍとｙ切片ｂを最初に決定する。これは測定した出力電圧を理論電圧と比較して使用すべき特定の補正傾きｍとｙ切片ｂを決定することによって行なう。例えば、図２４を参照すると、１．４０の値をセンサで測定したと仮定する。システムはこの測定値１．４と理論値とを比較して、較正角度が２０．４と３４．８の間であると確かめる。このような状況で、補償値が連続した所定の較正角度の間でリニアであると仮定しているので、角度２０．４に関連する傾き補償値とｙ切片補償値を使用することとする。つまり、この例では、電圧１．４ボルトを（図２４に図示した典型的なデータを用いると）値１．４４８で乗算する。ｙ切片ｂの−０．８６２をその演算結果の値から減算してその範囲での理論電圧を与えることとなる。」（３０頁５行〜３１頁１１行）
（ｈ）「これに加えて、前述したように、ＥＥＰＲＯＭ３０６に書き込みの準備をする。ステップ４９６，４９８，５００，５０２で、システムは全ての較正ポイントを書き込み、さらに詳しくは、ＥＥＰＲＯＭ３０６へ較正ポイントθ0〜θ7の各々についての傾きｍとｙ切片ｂを書き込む。」（３４頁下から７行〜下から３行）
　
（２）引用発明　
・前記記載（ｂ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、図１ないし６、及び角度位置センサの断面図である図１３より、
（ア）「旋回自在に装着されたスロットルバルブなどのデバイスと共に回転する磁石４２と、この磁石４２の回転角度θの関数としてその出力電圧が変化するホール効果ＩＣ４３を有し、このホール効果ＩＣ４３の出力電圧により角度位置を検出する角度位置センサであって、ホール効果ＩＣ４３のセンサ出力信号値から補償出力値を生成する電子回路３００を備える角度位置センサ。」との技術事項が読み取れる。
・前記記載（ａ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、及び角度位置センサの出力信号を自動補償する電子回路のブロック図である図１８より、
（イ）「電子回路３００は、各所定の較正角度θ０、θ１、・・・θ７におけるセンサ出力信号の値、較正ポイントでのセンサの理論値を書き込むＥＥＰＲＯＭ３０６と・・・マイクロコントローラ３０４とからなる。」との技術事項が読み取れる。
・前記記載（ａ）、（ｇ）、（ｈ）、複数の所定の較正値にある測定値と理論値の典型的な値のテーブル図である図２４及び理論値の関数としての測定値を示すグラフである図２５より、
（ウ）「ＥＥＰＲＯＭ３０６に書き込まれている各所定の較正角度θ０、θ１、・・・θ７におけるセンサ出力信号の値、各所定の較正角度θ０、θ１、・・・θ７でのセンサの理論値及びセンサ出力の実際の値Ｘから、ホール効果ＩＣ４３の対応する理論値を演算するマイクロコントローラ３０４。」との技術事項が読み取れる。
・前記記載（ｇ）より、
（エ）「マイクロコントローラ３０４は、ホール効果ＩＣ４３の対応する理論値を、センサ出力の実際の値Ｘを傾きｍに乗算し、ｙ切片ｂを加算する演算式により演算する。」との技術事項が読み取れる。
　以上の技術事項（ア）ないし（エ）を総合勘案すると、引用例には次の発明が記載されているものと認められる。
「旋回自在に装着されたスロットルバルブなどのデバイスと共に回転する磁石４２と、この磁石４２の回転角度θの関数としてその出力電圧が変化するホール効果ＩＣ４３とを有し、このホール効果ＩＣ４３の出力により旋回自在に装着されたスロットルバルブなどのデバイスの角度位置を検出する角度位置センサにおいて、
　前記ホール効果ＩＣ４３のセンサ出力信号値から補償出力値を生成する電子回路３００を備え、
　前記電子回路３００は、各所定の較正角度θ０、θ１、・・・θ７におけるホール効果ＩＣ４３の出力信号の値、前記各所定の較正角度θ０、θ１、・・・θ７でのセンサの理論値を書き込むＥＥＰＲＯＭ３０６と、
　前記ＥＥＰＲＯＭ３０６に書き込まれている前記各所定の較正角度θ０、θ１、・・・θ７におけるセンサ出力信号の値、前記各較正較正角度θ０、θ１、・・・θ７でのセンサの理論値及びセンサ出力の実際の値Ｘからホール効果ＩＣ４３の対応する理論値を演算するマイクロコントローラ３０４とからなり、前記マイクロコントローラ３０４は前記ホール効果ＩＣ４３の対応する理論値を、
　センサ出力の実際の値Ｘを傾きｍに乗算し、ｙ切片ｂを加算する演算式により演算する角度位置センサ。」（以下、「引用発明」という。）
　
５．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）まず、引用発明における、「磁石４２」、「ホール効果ＩＣ４３」、「電子回路３００」、「書き込む」、「ＥＥＰＲＯＭ３０６」及び「マイクロコントローラ３０４」が、本願発明における、「磁石」、「磁電変換素子」、「演算処理手段」、「記憶する」、「ＰＲＯＭ」及び「演算器」にそれぞれ相当することは明らかである。
（２）上記の相当関係を踏まえると、引用発明における、「ホール効果ＩＣ４３のセンサ出力信号値から補償出力値を生成する電子回路３００」は、本願発明における「磁電変換素子の出力特性を演算処理により補正する演算処理手段」に相当し、引用発明における「各所定の較正角度θ０、θ１、・・・θ７におけるセンサ出力信号の値」は、本願発明における「少なくとも２カ所の基準位置における磁電変換素子の出力ＤSE、ＤSF」に相当し、以下同様に、引用発明における「各所定の較正角度θ０、θ１、・・・θ７でのセンサの理論値」、「センサ出力の実際の値Ｘ」、及び「ホール効果ＩＣ４３の対応する理論値」は、本願発明における「少なくとも２カ所の基準位置における基準センサ出力であるセンサ出力電圧設定値ＤOE、ＤOF」、「磁電変換素子からの出力ＤSθ」及び「補正出力ＤOθ」にそれぞれ相当するといえる。
（３）また、引用発明における「旋回自在に装着されたスロットルバルブなどのデバイスと共に回転する磁石４２」も、本願発明における「液面の上下動に連動して移動する磁石」も、共に、「測定対象の動きに連動して動く磁石」である点で共通し、また、引用発明における「この磁石４２の回転角度θの関数としてその出力電圧が変化するホール効果ＩＣ４３」も、本願発明における「この磁石の位置に応じた電気量を出力する磁電変換素子」も、共に、「この磁石と磁電変換素子との位置関係に応じた電気量を出力する磁電変換素子」である点で共通し、さらに、引用発明における「このホール効果ＩＣ４３の出力により旋回自在に装着されたスロットルバルブなどのデバイスの角度位置を検出する角度位置センサ」も、本願発明における「この磁電変換素子の出力により液面レベルを検出する液面レベルセンサ」も、共に、「この磁電変換素子の出力により測定対象の変位量を検出する変位量センサ」である点で共通する。
　よって、引用発明における「旋回自在に装着されたスロットルバルブなどのデバイスと共に回転する磁石４２と、この磁石４２の回転角度θの関数としてその出力電圧が変化するホール効果ＩＣ４３を有し、このホール効果ＩＣ４３の出力により旋回自在に装着されたスロットルバルブなどのデバイスの角度位置を検出する角度位置センサ」も、本願発明における「液面の上下動に連動して移動する磁石と、この磁石の位置に応じた電気量を出力する磁電変換素子とを有し、この磁電変換素子の出力により液面レベルを検出する液面レベルセンサ」も、共に「測定対象の動きに連動して動く磁石と、この磁石と磁電変換素子との位置関係に応じた電気量を出力する磁電変換素子を有し、この磁電変換素子の出力により測定対象の変位量を検出する変位量センサ」である点で共通するといえる。
（４）次に、本願発明の特徴点でもある演算式について検討する。
　本願発明における演算式は、「ＤOθ＝ＤOE＋｛（ＤOF−ＤOE）／（ＤSF−ＤSE）｝・（ＤSθ−ＤSE）」であるところ、これは、ふたつの座標点（ＤSE、ＤOE）、（ＤSF、ＤOF）を通過する直線の式（ＤOθ＝ＤOE＋｛（ＤOF−ＤOE）／（ＤSF−ＤSE）｝・（ＤSθ−ＤSE））を決定し、該式を用いて磁電変換素子の出力ＤSθから補正出力ＤOθを求める演算式に外ならない。
　他方、引用発明における演算式は、「センサ出力の実際の値Ｘを傾きｍに乗算し、ｙ切片ｂを加算する」ものであるところ、これは、傾きｍ、ｙ切片ｂを有する直線の演算式を決定し、該演算式を用いて、センサ出力の実際の値Ｘ（「磁電変換素子の出力ＤSθ」に相当）からホール効果ＩＣ４３の対応する理論値（「補正出力ＤOθ」に相当）を求めていることに外ならない。
　ところで、本願発明における前記直線の式（ＤOθ＝ＤOE＋｛（ＤOF−ＤOE）／（ＤSF−ＤSE）｝・（ＤSθ−ＤSE））と、引用発明における前記傾きｍ、ｙ切片ｂを有する直線の演算式（センサ出力の実際の値Ｘを傾きｍに乗算し、ｙ切片ｂを加算する演算式）とを比較すると、傾きｍが（ＤOF−ＤOE）／（ＤSF−ＤSE）に相当すること、そしてｙ切片ｂがＤOE−（ＤOF−ＤOE）／（ＤSF−ＤSE）・ＤSEに相当することは、いずれも初等数学的常識から明らかである。
　そうしてみると、結局、引用発明における「ホール効果ＩＣ４３の対応する理論値を、センサ出力の実際の値Ｘを傾きｍに乗算し、ｙ切片ｂを加算する演算式により演算する」ことは、本願発明における「補正出力ＤOθを、ＤOθ＝ＤOE＋｛（ＤOF−ＤOE）／（ＤSF−ＤSE）｝・（ＤSθ−ＤSE）の演算式により演算する」ことに相当するといえる。
　
　してみると、両者の一致点、相違点は次のとおりである。
（一致点）
「測定対象の動きに連動して動く磁石と、この磁石と磁電変換素子との位置関係に応じた電気量を出力する磁電変換素子を有し、この磁電変換素子の出力により測定対象の変位量を検出する変位量センサにおいて、
　前記磁電変換素子の出力特性を演算処理により補正する演算処理手段を備え、
　前記演算処理手段は、少なくとも２カ所の基準位置における磁電変換素子の出力ＤSE、ＤSF、少なくとも２カ所の基準位置における基準センサ出力であるセンサ出力電圧設定値ＤOE、ＤOFを記憶するＰＲＯＭと、
　前記ＰＲＯＭに記憶されている前記出力ＤSE、ＤSF、前記センサ出力設定値ＤOE、ＤOF及び前記磁電変換素子からの出力ＤSθから補正出力ＤOθを演算する演算器とからなり、前記演算器は前記補正出力ＤOθを、
　ＤOθ＝ＤOE＋｛（ＤOF−ＤOE）／（ＤSF−ＤSE）｝・（ＤSθ−ＤSE）の演算式により演算することを特徴とする変位量センサ。」
（相違点）
　相違点：測定対象とその変位量センサに関し、
　本願発明は、「液面の上下動に連動して移動する磁石と、この磁石の位置に応じた電気量を出力する磁電変換素子とを有し、この磁電変換素子の出力により液面レベルを検出する液面レベルセンサ」とあるように、液面レベルを測定対象とする液面レベルセンサであり、そのため、液面の上下動に連動して移動する磁石を備え、この磁石の位置に応じた電気量を出力する磁電変換素子の出力により液面レベルを検出するようにしているのに対し、引用発明は、「旋回自在に装着されたスロットルバルブなどのデバイスと共に回転する磁石４２と、この磁石４２の回転角度θの関数としてその出力電圧が変化するホール効果ＩＣ４３とを有し、このホール効果ＩＣ４３の出力により旋回自在に装着されたスロットルバルブなどのデバイスの角度位置を検出する角度位置センサ」とあるように、旋回自在に装着されたスロットルバルブなどのデバイスを測定対象とした角度位置センサであり、そのため、旋回自在に装着されたスロットルバルブなどのデバイスと共に回転する磁石４２を備え、この磁石４２の回転角度θの関数としてその出力電圧が変化するホール効果ＩＣ４３の出力により角度位置を検出するようにしている点。
　
６．判断
　上記相違点について、検討する。
　一般に、液面レベルを測定対象とする液面レベルセンサであって、液面の上下動に連動して移動する磁石を備え、この磁石の回転位置に応じた電気量を出力する磁電変換素子の出力により、磁石の回転位置を検出し、ひいては液面レベルを検出するようにしたものは、周知である（以下、「周知技術」という。）。この点については、例えば、当審拒絶理由で引用した実願平２−９４７２３号（実開平３−１１５８２４号）のマイクロフィルム（考案の名称：燃料量表示装置、出願人：マンドー　マシーナリイ　コーポレイシヨン、公開日：平成３年１２月２日、特に第３図及び対応する考案の詳細な説明の箇所を参照のこと。）や、特許第２６６４８７４号公報（発明の名称：液面レベル測定装置、特許権者：日本ビニロン株式会社、発行日：平成９年１０月２２日、特に、段落【００１１】〜【００１６】及び図１ないし３を参照のこと。）からも裏付けられる。
　そして、引用発明と、かかる周知な液面レベルセンサとは、共に、測定対象の動きに連動して動く磁石と、この磁石と磁電変換素子との位置関係に応じた電気量を出力する磁電変換素子を有し、この磁電変換素子の出力により測定対象の変位量を検出する変位量センサである点で共通するから、引用発明である角度位置センサ技術を、周知の液面レベルセンサにおける磁石の回転位置の検出に適用し、本願発明のように構成することは、当業者ならば容易に推考し得たことである。
　そして、本願発明の作用効果も、引用発明及び周知技術から当業者が予測可能なものであって、格別のものではない。
　
７．請求人の主張について
　審判請求人は、前記意見書において、概略、以下のように主張しているので、検討する。
（１）請求人の主張の概要
「引用例には、理論値（基準値）に対する実際の値の偏差を補償値として用いている点が開示されているが、引用例におけるセンサ出力とは、センサ部分のみの出力値であって、例えば機器内に組み込まれた状態でのセンサ出力値ではない。
　すなわち、引用例の「・・・センサメーカーがセンサ部分を製造し、これを最終使用者に出荷してしまえば、最終使用者は単にセンサを取り付けるだけで済む。」（１９頁第１６行〜１９行）との記載から判断して、引用例では、電子回路によってセンサ部分の補償はしているが、機器に組み込まれた状態でのセンサ出力値を用いているわけではなく、従って、引用例では、最終使用者へ納品されて機器へ組み込まれた状態での、機器に生じている誤差を補償することはできない。
　これに対して、本願発明では、センサを実際に機器に組み付けた状態での出力値と理論値（基準値）を用いることにより、回転支点によって回動するフロートアーム１の回転動作の誤差や、フロート体４とフロートアーム１との組付誤差をも補正することができる点で、引用発明と全く異なる。」
（２）まず、請求人が本願発明の作用効果として主張する、「センサを実際に機器に組み付けた状態での出力値と理論値（基準値）を用いる」ことを規定する構成は、特許請求の範囲の記載には見い出せない。
　すなわち、本願発明を規定する特許請求の範囲の請求項１には、「少なくとも２カ所の基準位置における磁電変換素子の出力ＤSE、ＤSF、少なくとも２カ所の基準位置における基準センサ出力であるセンサ出力電圧設定値ＤOE、ＤOFを記憶するＰＲＯＭ」と記載されているにとどまり、それがセンサを実際に機器に組み付けた状態で行われることを意味することにはならない。
　請求人の上記主張は、むしろ、基準位置を特定した請求項３（【請求項３】請求項１又は請求項２記載の液面レベルセンサであって、　前記液面の少なくとも２カ所の基準位置は、液面が最下面となる位置と、液面が最上面となる位置であることを特徴とする液面レベルセンサ。）の記載に基づく主張といえる。
　したがって、審判請求人の主張は採用できない。
（３）予備的検討
  引用例には、既知の角度位置センサに関し、センサがスロットル本体（機器）に直接組み込まれ、センサの較正は、（センサが機器に組み込まれた状態で）スロットル本体メーカーによって行われるのが普通である旨記載されている（前記４．（ｃ））。
　そうすると、引用発明において、センサを機器に直接組込んだ状態でセンサの較正を行っても良いことは、当業者ならば明らかである。
　したがって、仮に、本願発明において「実際に機器に組み付けた状態での出力値と理論値（基準値）を用いて」センサの補償を行うことが請求項１の記載から読み取れたとしたところで、本願発明は引用発明及び周知技術から当業者が容易に想到し得る発明であるということになる。
　よって、いずれにせよ、審判請求人の主張は採用できない。
  　
８．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は当審拒絶理由によって拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。