(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電トランスの２次側に発生した信号を１次側に帰還し、この帰還した信号に基づいて前記圧電トランスの１次側を駆動して自励振させる圧電トランス駆動装置において、
前記圧電トランスの２次側に発生した信号が入力され、この信号を直流的に絶縁するＡＣカップリング部と、
前記ＡＣカップリング部の出力信号に関連する信号が入力され、この信号の高周波成分を除去するローパスフィルタと、
前記ＡＣカップリング部の出力信号に関連する信号が入力され、位相シフト量を調整する位相調整部と、
前記ＡＣカップリング部の位相シフト量に影響する第１の抵抗部、前記ローパスフィルタの位相シフト量に影響する第２の抵抗部、および前記位相調整部の位相シフト量に影響する第３の抵抗部の抵抗値を調整する抵抗値調整部と、
を備えたことを特徴とする圧電トランス駆動装置。
【請求項２】
前記第１乃至第３の抵抗部は、抵抗およびこの抵抗と直列接続されたＭＯＳＦＥＴで構成され、
前記抵抗値調整部は、
高精度抵抗、および抵抗とＭＯＳＦＥＴの直列回路で構成された第４の抵抗部が内蔵され、この第４の抵抗部の抵抗値が前記高精度抵抗の抵抗値に一致するように、前記第４の抵抗部内のＭＯＳＦＥＴを制御すると共に、この第４の抵抗部内のＭＯＳＦＥＴを制御する信号を用いて、前記第１乃至第３の抵抗部内のＭＯＳＦＥＴを制御する
ようにしたことを特徴とする請求項１記載の圧電トランス駆動装置。
【請求項３】
前記第１乃至第４の抵抗部内のＭＯＳＦＥＴのオン抵抗と抵抗の抵抗値と比を同一にするようにしたことを特徴とする請求項２記載の圧電トランス駆動装置。
【請求項４】
前記ＡＣカップリング部、前記ローパスフィルタ、前記位相調整部は、入力された信号を抵抗部とコンデンサで分圧する構成を具備したことを特徴とする請求項１乃至請求項３いずれかに記載の圧電トランス駆動装置。
【請求項５】
前記抵抗値調整部は、基準電圧源およびカレントミラーを具備し、
前記高精度抵抗の両端電圧が前記基準電圧源の出力電圧に一致するように前記高精度抵抗に電流を流し、カレントミラーを用いて前記高精度抵抗に流れる電流と同じ電流を前記第４の抵抗部に流して、この第４の抵抗部の両端電圧が前記基準電圧源の出力電圧に一致するように、前記第４の抵抗部内のＭＯＳＦＥＴを制御するようにしたことを特徴とする請求項２乃至請求項４いずれかに記載の圧電トランス駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、小型化、低価格化が可能な圧電トランス駆動装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
圧電トランスは、圧電セラミックスの圧電効果と逆圧電効果の組み合わせを利用した素子である。圧電トランスの１次側に交流電圧を印加すると機械振動が生じ、この機械振動が２次側に伝搬して圧電効果による電荷を発生させる。この現象を用いて、入力電圧より高圧で、かつ直流的に絶縁された電圧を発生させることができる。圧電トランスを用いた電源装置は、例えばレコーダの絶縁電源に用いられる。
【０００３】
特許文献１の図１６には、自励振が可能で、かつ一般的な圧電トランスを使用することができる、圧電トランスの駆動装置が記載されている。以下、図３を用いてこの発明の概要を説明する。
【０００４】
図３において、ドライブ回路１０はＰチャンネルＦＥＴＱ１、ＮチャンネルＦＥＴＱ２およびＱ３、抵抗Ｒ１で構成され、電源１１から電力が供給される。ドライブ回路１０は圧電トランス１２の１次側を駆動する。この圧電トランスの２次側には、負荷である放電管１３が接続される。
【０００５】
フィードバック回路１４は抵抗Ｒ２、Ｒ３、増幅器１５、位相調整回路１６で構成される。圧電トランス１２の２次側の電圧は抵抗Ｒ２、Ｒ３で分圧され、増幅器１５で増幅されて位相調整回路１６に入力される。位相調整回路１６は、発振が継続するように入力信号の位相をシフトしてフィードバック信号を生成し、このフィードバック信号をドライブ回路１０のＮチャンネルＦＥＴＱ３のゲートに出力する。
【０００６】
このように、位相調整回路１６を用いて圧電トランス１２の２次側に発生した信号の位相をシフトさせることにより、自励振を継続させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−８６８５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、このような圧電トランスの駆動装置には、次のような課題があった。
【０００９】
圧電トランス１２の１次側と２次側は直流的に絶縁されている。このため、図３では省略されているが、フィードバック回路１４が生成したフィードバック信号を直接ドライブ回路１０に入力することはできず、直流を遮断するＡＣカップリング回路が必要になる。また、高調波等のスプリアスで意図しない発振が生じないように、フィードバック信号の高調波成分を除去するローパスフィルタも必要になる。
【００１０】
ＡＣカップリング回路やローパスフィルタで位相シフトが発生するので、位相調整回路１６はこれらＡＣカップリング回路やローパスフィルタで発生した位相シフトをも補正しなければならない。
【００１１】
ＡＣカップリング回路、ローパスフィルタ、位相調整回路は抵抗を内蔵し、これら内蔵された抵抗値によってシフトする位相量が変化する。半導体プロセスでは抵抗値の絶対精度を保証することは困難なので、半導体プロセスを用いたＩＣでこれらＡＣカップリング回路、ローパスフィルタ、位相調整回路を実現しようとすると、位相のシフト量がばらつき、圧電トランス１２の共振周波数で発振させることができなくなるという課題があった。
【００１２】
圧電トランスの電圧ゲイン・効率は、所望の振動モードの共振周波数で最大になるという特性がある。このため、共振周波数以外の周波数で発振させると、圧電トランスをその電圧ゲイン・効率が最大の点で動作させることができないという課題があった。
【００１３】
このような課題を解決するために、ＡＣカップリング回路、ローパスフィルタ、位相調整回路内の位相シフト量に関係する抵抗を外付けすることも行われているが、高精度の抵抗が複数本必要であり、また外付けする端子を出さなければならない等回路が複雑になり、かつ部品点数が増加してしまうという課題もあった。
【００１４】
本発明の目的は、高精度抵抗を１本のみ用い、位相シフト量に影響する抵抗の抵抗値をこの高精度抵抗に合わせ込むことにより、位相シフト量のばらつきを小さくすることができる圧電トランス駆動装置を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
このような課題を達成するために、本発明のうち請求項１記載の発明は、
圧電トランスの２次側に発生した信号を１次側に帰還し、この帰還した信号に基づいて前記圧電トランスの１次側を駆動して自励振させる圧電トランス駆動装置において、
前記圧電トランスの２次側に発生した信号が入力され、この信号を直流的に絶縁するＡＣカップリング部と、
前記ＡＣカップリング部の出力信号に関連する信号が入力され、この信号の高周波成分を除去するローパスフィルタと、
前記ＡＣカップリング部の出力信号に関連する信号が入力され、位相シフト量を調整する位相調整部と、
前記ＡＣカップリング部の位相シフト量に影響する第１の抵抗部、前記ローパスフィルタの位相シフト量に影響する第２の抵抗部、および前記位相調整部の位相シフト量に影響する第３の抵抗部の抵抗値を調整する抵抗値調整部と、
を備えたものである。抵抗値がばらついても、位相シフト量を一定にできる。
【００１６】
請求項２記載の発明は、請求項１に記載の発明において、
前記第１乃至第３の抵抗部は、抵抗およびこの抵抗と直列接続されたＭＯＳＦＥＴで構成され、
前記抵抗値調整部は、
高精度抵抗、および抵抗とＭＯＳＦＥＴの直列回路で構成された第４の抵抗部が内蔵され、この第４の抵抗部の抵抗値が前記高精度抵抗の抵抗値に一致するように、前記第４の抵抗部内のＭＯＳＦＥＴを制御すると共に、この第４の抵抗部内のＭＯＳＦＥＴを制御する信号を用いて、前記第１乃至第３の抵抗部内のＭＯＳＦＥＴを制御するようにしたものである。抵抗値がばらついても、ＭＯＳＦＥＴで補正できる。
【００１７】
請求項３記載の発明は、請求項２記載の発明において、
前記第１乃至第４の抵抗部内のＭＯＳＦＥＴのオン抵抗と抵抗の抵抗値との比を同一にするようにしたものである。抵抗値がばらついても、ＭＯＳＦＥＴで補正できる。
【００１８】
請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求項３いずれかに記載の発明において、
前記ＡＣカップリング部、前記ローパスフィルタ、前記位相調整部は、入力された信号を抵抗部とコンデンサで分圧する構成を有する。抵抗値がばらついても、位相シフト量を一定にできる。
【００１９】
請求項５記載の発明は、請求項２乃至請求項４いずれかに記載の発明において、
前記抵抗値調整部は、基準電圧源およびカレントミラーを具備し、
前記高精度抵抗の両端電圧が前記基準電圧源の出力電圧に一致するように前記高精度抵抗に電流を流し、カレントミラーを用いて前記高精度抵抗に流れる電流と同じ電流を前記第４の抵抗部に流して、この第４の抵抗部の両端電圧が前記基準電圧源の出力電圧に一致するように、前記第４の抵抗部内のＭＯＳＦＥＴを制御するようにしたものである。抵抗値調整部の構成を簡単にできる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば以下のような効果がある。
請求項１、２、３、４、および５の発明によれば、圧電トランスの２次側に発生する信号をＡＣカップリング部、ローパスフィルタ、位相調整部を介して圧電トランスの１次側に帰還する構成の圧電トランス駆動装置であって、抵抗値調整部を用いて前記ＡＣカップリング部、ローパスフィルタ、位相調整部内の、位相シフト量に影響をする抵抗部の抵抗値を調整するようにした。
【００２１】
ＡＣカップリング部、ローパスフィルタ、位相調整部の位相シフト量を一定にするためには、位相シフト量に影響する抵抗として高精度抵抗が必要になるが、半導体プロセスでは抵抗値の絶対値を正確にコントロールすることは難しいので、装置をＩＣ化すると、複数の高精度抵抗を外付けしなければならなかった。
【００２２】
本発明では抵抗値調整部によって抵抗値を高精度抵抗に比例させることができるので、外付け抵抗を１本に抑えることができる。このため、外付け抵抗の数を少なくすることができるので、装置のサイズを小さくすることができ、かつコストを抑えることができるという効果がある。
【００２３】
また、位相シフト量に影響を与える抵抗部を抵抗とＭＯＳＦＥＴの直列回路で構成して、抵抗値調整部内の抵抗部の抵抗値を高精度抵抗の抵抗値と一致させ、この信号を用いてＡＣカップリング部、ローパスフィルタ、位相調整部の抵抗部のＭＯＳＦＥＴを制御することにより、簡単な構成で抵抗値を合わせ込むことができるという効果もある。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一実施例を示した構成図である。
【図２】本発明の一実施例を示した構成図である。
【図３】従来の圧電トランスの駆動装置の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下本発明を、図面を用いて詳細に説明する。図１は本発明に係る圧電トランス駆動装置の一実施例を示した構成図である。
【００２６】
図１において、２０はＡＣカップリング部、３０は位相調整部、４０はローパスフィルタ、５０は抵抗値調整部、６０は増幅部、６１は圧電トランス駆動部、６２は圧電トランス、６３は圧電トランス６２によって電力が供給される負荷部である。
【００２７】
圧電トランス６２の１次側は、圧電トランス駆動部６１によって駆動される。圧電トランス駆動部６１は、例えば図３のドライブ回路１０のような構成を有している。
【００２８】
負荷部６３は圧電トランス６２の２次側に接続される。負荷部６３は例えば放電管であり、圧電トランス６２の２次側から電力が供給される。負荷部６３が直流電力を必要とする機器の場合には、圧電トランス６２の２次側に発生した交流を整流、平滑して直流に変換する整流平滑部も、負荷部６３に含まれる。
【００２９】
圧電トランス６２の２次側に発生した電圧は、ＡＣカップリング部２０に入力される。ＡＣカップリング部２０はコンデンサを内蔵し、このコンデンサを用いて直流成分をカットすることにより、圧電トランス６２の１次側と２次側の直流的な絶縁を確保する。
【００３０】
位相調整部３０には、ＡＣカップリング部２０で直流的に絶縁された圧電トランス６２の２次側電圧が入力される。位相調整部３０は、圧電トランス６２の共振周波数で自励振するように、入力された信号の位相を調整し、この調整した信号を出力する。
【００３１】
位相調整部３０の出力はローパスフィルタ４０に入力される。ローパスフィルタ４０は、入力された信号の高調波成分（圧電トランス６２の共振周波数より高い成分）を除去して出力する。これによって、圧電トランス６２がスプリアスで発振することを防止する。
【００３２】
ローパスフィルタ４０の出力信号は増幅部６０に入力される。増幅部６０は、入力された信号を増幅し、圧電トランス駆動部６１に出力する。圧電トランス駆動部６１は、入力された信号に基づいて圧電トランス６２の１次側を駆動する。
【００３３】
５０は抵抗値調整部であり、ＡＣカップリング部２０、位相調整部３０、およびローパスフィルタ４０に内蔵されている、位相シフト量に影響を与える抵抗の抵抗値を所望の値に調整する。抵抗値調整部５０は外付け、あるいはレーザなどでトリミングされた高精度抵抗を内蔵し、この高精度抵抗を基準にしてＡＣカップリング部２０、位相調整部３０、ローパスフィルタ４０の抵抗値を調整する。
【００３４】
なお、この図１実施例は圧電トランス６２の２次側に発生する電圧信号の位相を調整して自励振させるものであり、圧電トランス６２を駆動する基本的な動作は図３従来例と同じである。従って、動作の説明は省略する。
【００３５】
図２に、図１実施例の具体的な構成を示す。なお、図１と同じ要素には同一符号を付し、説明を省略する。
【００３６】
図２において、ＡＣカップリング部２０は、コンデンサ２１および抵抗部２２で構成される。抵抗部２２は、直列接続された抵抗２３とＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）２４で構成される。抵抗部２２はＡＣカップリング部２０の位相シフト量に影響を与える抵抗であり、第１の抵抗部に相当する。
【００３７】
コンデンサ２１の一端は圧電トランス６２の２次側端子の一方に接続され、他端は抵抗２３の一端に接続される。抵抗２３の他端はＭＯＳＦＥＴ２４のドレインに接続され、そのソースは１次側の共通電位点（黒三角印で表す）に接続される。出力信号は、コンデンサ２１と抵抗２３の接続点からとられる。
【００３８】
位相調整部３０は、差動増幅器３１、抵抗３２および３３、コンデンサ３４、抵抗部３５で構成される。抵抗部３５は、直列接続された抵抗３６とＭＯＳＦＥＴ３７で構成される。抵抗部３５は位相調整部３０の位相シフト量に影響を与える抵抗であり、第３の抵抗部に相当する。
【００３９】
抵抗３２の一端とコンデンサ３４の一端は共通接続され、この共通接続点にはＡＣカップリング部２０の出力信号が入力される。抵抗３２の他端と抵抗３３の一端は差動増幅器３１の反転入力端子に接続され、抵抗３３の他端は差動増幅器３１の出力端子に接続される。コンデンサ３４の他端および抵抗３６の一端は差動増幅器３１の非反転入力端子に接続される。抵抗３６の他端とＭＯＳＦＥＴ３７のドレインは接続され、このＭＯＳＦＥＴのソースは１次側の共通電位点に接続される。
【００４０】
入力信号は、コンデンサ３４と抵抗部３５で構成されたハイパスフィルタを介して差動増幅器３１に入力されるので、位相量をシフトさせることができる。なお、抵抗３２と３３は、差動増幅器３１のゲインを決める抵抗である。
【００４１】
ローパスフィルタ４０は、抵抗部４１およびコンデンサ４４で構成される。抵抗部４１は、直列接続された抵抗４２とＭＯＳＦＥＴ４３で構成される。抵抗部４１はローパスフィルタ４０の位相シフト量に影響を与える抵抗であり、第２の抵抗部に相当する。
【００４２】
抵抗４２の一端は差動増幅器３１の出力端子に接続され、他端はＭＯＳＦＥＴ４３のドレインに接続される。このＭＯＳＦＥＴ４３のソースはコンデンサ４４の一端に接続される。コンデンサ４４の他端は、１次側の共通電位点に接続される。このローパスフィルタの出力信号は、ＭＯＳＦＥＴ４３のソースとコンデンサ４４の接続点からとられる。
【００４３】
ローパスフィルタ４０の出力信号は増幅部６０で増幅され、圧電トランス駆動部６１に入力される。圧電トランス駆動部６１は、入力された信号に基づいて圧電トランス６２の１次側を駆動する。圧電トランス６２の２次側に発生した交流電圧は、負荷部６３に入力される。
【００４４】
抵抗値調整部５０は、差動増幅器５１および５６、カレントミラー５２、抵抗部５３、ＭＯＳＦＥＴ５７、抵抗５８、基準電圧源５９で構成される。抵抗部５３は、直列接続された抵抗５４とＭＯＳＦＥＴ５５で構成される。抵抗部５３は第４の抵抗部に相当する。
【００４５】
抵抗５８は、外付け等によって抵抗値のばらつきが小さい高精度抵抗を用いる。この抵抗５８は、抵抗値のばらつきが少ないものを用いる。抵抗５８は高精度抵抗に相当する。
【００４６】
差動増幅器５６の非反転入力端子には基準電圧源５９の出力電圧が入力され、その出力端子はＭＯＳＦＥＴのゲートに接続される。ＭＯＳＦＥＴ５７のソースは差動増幅器５６の反転入力端子および抵抗５８の一端に接続され、そのドレインはカレントミラー５２の一方の出力端子に接続される。抵抗５８の他端、および基準電圧源５９の他端は１次側の共通電位点に接続される。
【００４７】
抵抗５４の一端はカレントミラー５２の他方の出力端子に接続され、他端はＭＯＳＦＥＴ５５のドレインに接続される。このＭＯＳＦＥＴ５５のソースは、１次側の共通電位点に接続される。差動増幅器５１の反転入力端子には基準電圧源５９の出力電圧が入力され、その非反転入力端子はカレントミラー５２の他方の出力端子に接続される。
【００４８】
差動増幅器５１の出力端子は、ＭＯＳＦＥＴ５５、２４、３７、４３のゲートに接続される。すなわち、ＭＯＳＦＥＴ５５、２４、３７、４３は、差動増幅器５１の出力電圧で制御される。
【００４９】
このような構成において、基準電圧源５９の出力電圧をＶｒ、抵抗５８の抵抗値をＲ５８とすると、カレントミラー５２の一方の出力端子から出力される電流（＝抵抗５８に流れる電流）ｉ５８は、下記（１）式で表される。
ｉ５８＝Ｖｒ／Ｒ５８  ・・・・・・  （１）
【００５０】
カレントミラー５２の特性により、抵抗部５３にも同じｉ５８の電流が流れる。差動増幅器５１の作用により、抵抗部５３の両端電圧は基準電圧源５９の出力電圧Ｖｒに等しくなるので、抵抗部５３の抵抗値は抵抗５８の抵抗値Ｒ５８に等しくなる。すなわち、差動増幅器５１は、抵抗部５３の抵抗値がＲ５８に等しくなるように、ＭＯＳＦＥＴ５５の抵抗値を制御する。差動増幅器５１の出力電圧はＭＯＳＦＥＴ２４、３７、４３にも入力されるので、これらのＭＯＳＦＥＴの抵抗値も、同様に差動増幅器５１の出力電圧によって制御される。
【００５１】
次に、この実施例の動作を説明する。コンデンサ２１と抵抗部２２、およびコンデンサ３４と抵抗部３７でハイパスフィルタが構成されるので、ＡＣカップリング部２０と位相調整部３０の出力信号は、その入力信号より位相が進む。抵抗部４１とコンデンサ４４でローパスフィルタが構成されるので、ローパスフィルタ４０の出力信号は入力信号より位相が遅れる。このため、圧電トランス６２の共振周波数で自励振するように、コンデンサ３４の容量値、および抵抗部３５の抵抗値を調整する。このため、抵抗部２２、３５、４１の抵抗値が設計値からばらつくと、安定に自励振させることができなくなる。
【００５２】
ＡＣカップリング部２０、位相調整部３０、ローパスフィルタ４０、抵抗値調整部５０はＩＣ化され、半導体プロセスで同一基板上に製作される。半導体プロセスの特徴として、素子の特性（例えば抵抗値）の絶対値のばらつきを小さくすることは難しいが、相対値（抵抗比）のばらつきを小さくすることは、比較的簡単にできる。この特性を利用して、差動増幅器５１の出力電圧によってＭＯＳＦＥＴ２４、３７、４３の抵抗値を変化させ、抵抗部２２、３５、４１の抵抗値を抵抗５８の抵抗値に比例するようにする。
【００５３】
このため、抵抗部２２、３５、４１、５３について、
抵抗２３の抵抗値／ＭＯＳＦＥＴ２４のオン抵抗＝ｋ
抵抗３６の抵抗値／ＭＯＳＦＥＴ３７のオン抵抗＝ｍ
抵抗４２の抵抗値／ＭＯＳＦＥＴ４３のオン抵抗＝ｎ
抵抗５４の抵抗値／ＭＯＳＦＥＴ５５のオン抵抗＝ｐ
とし、
ｋ＝ｍ＝ｎ＝ｐ  ・・・・・・・・・・・・  （２）
となるようにＭＯＳＦＥＴ２４、３７、４３、５５のサイズを設計する。前述した半導体プロセスの特性により、抵抗比ｋ、ｍ、ｎ、ｐのばらつきを小さくすることは、比較的簡単にできる。また、抵抗２３、３６、４２、５４の抵抗比のばらつきも、同様の理由によって小さくなる。
【００５４】
前述したように、ＭＯＳＦＥＴ２４、３７、４３、５５のゲートは差動増幅器５１の出力電圧によって制御され、かつ抵抗部５３の抵抗値は抵抗５８の抵抗値Ｒ５８に等しくなる。このため、たとえ抵抗２３、３６、４２の抵抗値がばらついても、ＭＯＳＦＥＴ２４、３７、４３の抵抗値がこれらの抵抗値のばらつきを補償するように変化するので、抵抗部２２、３５、４１の抵抗値は抵抗５８の抵抗値Ｒ５８比例した値になる。
【００５５】
従って、抵抗部２２、３５、４１の抵抗値のばらつきは小さくなり、ＡＣカップリング部２０、位相調整部３０、ローパスフィルタ４０の位相シフト量のばらつきも小さくなる。その結果、安定して圧電トランス６２を自励振させることができる。
【００５６】
例えば、抵抗２３の抵抗値が設計値よりも小さくなったとする。前述した半導体プロセスの特性により、抵抗３６、４２、５４の抵抗値も抵抗２３の抵抗値と同じ割合で小さくなる。前述したように、抵抗部５３の抵抗値はばらつきが少ない抵抗５８の抵抗値に等しくなるようにＭＯＳＦＥＴ５５の抵抗値が大きくなるので、同じ電圧でゲートが制御されるＭＯＳＦＥＴ２４、３７、４３の抵抗値も大きくなる。
【００５７】
このため、前記（２）式に示すように比が同じ値になるようにしておけば、抵抗部２２の抵抗値は設計値と同じ値に自動的に調整される。抵抗部３５、４１についても同様に設計値と同じ抵抗値に調整される。
【００５８】
なお、図１、図２実施例では位相調整部３０をローパスフィルタ４０の前段に配置したが、ローパスフィルタ４０の後段に位相調整部３０を配置するようにしてもよい。
【００５９】
また、前記（２）式では抵抗部２２、３５、４１内のＭＯＳＦＥＴのオン抵抗と抵抗の比率は抵抗部５３のそれと同一としたが、必ずしも同一でなくてもよい。抵抗部５３の比率と一定の比率を保つようにすればよい。
【００６０】
また、増幅部６０は必ずしも必要ではない。ローパスフィルタ４０、あるいは位相調整部３０の出力を直接圧電トランス駆動部６１に入力し、この圧電トランス駆動部６１に適切な大きさに増幅するようにしてもよい。
【００６１】
さらに、ＡＣカップリング部２０、位相調整部３０、ローパスフィルタ４０、抵抗値調整部５０は、図２実施例の構成に限定されることはなく、他の構成を用いることもできる。
【符号の説明】
【００６２】
２０  ＡＣカップリング部
２１、３４、４４  コンデンサ
２２、３５、４１、５３  抵抗部
２３、３２、３３、３６、４２、５４、５８  抵抗
２４、３７、４３、５５、５７  ＭＯＳＦＥＴ
３１、５１、５６  差動増幅部
３０  位相調整部
４０  ローパスフィルタ
５０  抵抗値調整部
５２  カレントミラー
５９  基準電圧源
６０  増幅部
６１  圧電トランス駆動部
６２  圧電トランス
６３  負荷部
【図１】
0005854222.tif 000002
【図２】
0005854222.tif 000003
【図３】
0005854222.tif 000004