【事件の表示】
　特願２００３−４３０６４２「半田接合部および多層配線板」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　８月　５日出願公開、特開２００４−２２１５６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、特許法第４１条に基づく優先権主張を伴う平成１５年１２月２５日（優先日、平成１４年１２月２６日）の出願であって、平成２０年７月３１日付けの拒絶理由が通知され、同年１０月６日付けの手続補正がなされ、平成２１年２月２０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年３月２６日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同年４月２７日付けの手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２１年４月２７日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年４月２７日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理　由］
１．補正前及び補正後の本願発明
　本件補正は、特許請求の範囲及び明細書についてするもので、特許請求の範囲の請求項１については、補正前に
　
「【請求項１】
　絶縁層を貫通して、該絶縁層から突出している導体ポストの先端表面に形成された半田層と、該導体ポストに相対する層間接続用ランドを有する被接続層とを、接着剤層を介して半田接合させて得られる半田接合部であって、
前記導体ポストと前記層間接続用ランドとの接合部に、前記半田層、前記導体ポスト、および前記層間接続用ランドを形成する金属成分から構成される合金が形成され、
さらに前記半田接合部周辺に半田または半田の金属を含む合金からなるフィレットが形成されており、
前記半田層が、導体ポストの断面積よりも２倍以上７倍以下の大きさで濡れ広がって、層間接続用ランドと半田接合され、
前記導体ポストと前記被接続層の間に形成された合金が、半田よりも高い融点を有する、主として金とニッケルと錫の合金であり、
前記フィレットを形成する合金が、主にＡｕＳｎとＡｕＳｎ２を主成分とする金と錫の合金である
ことを特徴とする半田接合部。」
　
とあったものを、
　
「【請求項１】
　絶縁層を貫通して、該絶縁層から突出している導体ポストの先端表面に形成された半田層と、該導体ポストに相対する層間接続用ランドを有する被接続層とを、接着剤層を介して半田接合させて得られる半田接合部であって、
前記導体ポストと前記層間接続用ランドとの接合部に、前記半田層、前記導体ポスト、および前記層間接続用ランドを形成する金属成分から構成される合金が形成され、
さらに前記半田接合部周辺に半田または半田の金属を含む合金からなるフィレットが形成されており、
前記半田層が、導体ポストの断面積よりも２倍以上７倍以下の大きさで濡れ広がって、層間接続用ランドと半田接合され、
前記導体ポストと前記被接続層の間に形成された合金が、４００℃以上の融点を有する、主として金とニッケルと錫の合金であり、
前記フィレットを形成する合金が、主にＡｕＳｎとＡｕＳｎ２を主成分とする金と錫の合金である
ことを特徴とする半田接合部。」
と補正しようとするものである。
　
　次に、補正の適否について検討する。
　
　本件補正は、請求項１における、導体ポストと被接続層の間に形成された主として金とニッケルと錫の合金の融点について、補正前に「半田よりも高い融点を有する」であったものを、補正後の「４００℃以上の融点を有する」とする補正であり、半田よりも高い融点の範囲において、４００℃以上とさらに限定をするものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定する、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）について、特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
２．引用例
　原査定で拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に日本国内または外国において頒布された刊行物である特開２００２−３２９９６６号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
刊行物１：特開２００２−３２９９６６号公報（拒絶理由通知の引用文献１）
　
（１ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項1】  導体回路と、該導体回路の少なくとも一部と接している絶縁層とを有し、かつ、該導体回路とは反対側の面に、該絶縁層を貫通して、該絶縁層表面から突出している導体ポストを有する多層配線板製造用配線基板であって、該導体ポストが先端表面から順に、半田被膜、拡散防止金属層、銅ポストからなることを特徴とする、多層配線板製造用配線基板。
・・・・
【請求項４】  該導体回路が、該絶縁層と接している側から順に、少なくとも、銅回路、拡散防止金属層、金被膜の順で構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層配線板製造用配線基板。
・・・・
【請求項６】  該拡散防止金属層が、ニッケルからなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の多層配線板製造用配線基板。
【請求項７】  請求項１〜６のいずれかに記載の多層配線板製造用配線基板を、接着剤層を介して、複数枚積層することにより得られることを特徴とする多層配線板。
・・・・」（【特許請求の範囲】）
　
（１ｂ）「【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体チップを搭載する多層配線板における、層間接続のこのような現状の問題点に鑑み、確実に層間接続でき、且つ信頼性の高い多層配線板を提供することを目的とする。」（【００１５】）
　
（１ｃ）「【００４０】最後に、複数の多層配線板製造用配線基板１２０とコア基板１３０とを熱圧着する（図３（ｂ））。熱圧着工程では、例えば真空プレスを用いて、半田被膜１０６の半田が溶融するまで加熱するとともに、加圧して半田被膜１０６と導体回路１１０ａとを半田接合させ、更に加熱して接着剤層１１１を硬化させて、一体化させる。以上の工程により、導体回路１１０ａと導体ポスト１０７とを半田被膜１０６にて半田接合し、各層間を接着剤層１１１にて接着した多層配線板１４０を得ることができる。」（【００４０】）
　
（１ｄ）「【００４３】一方、拡散防止金属層１０８、２０８の表面に金被膜を形成する目的は、多層配線板製造用配線基板１２０、２２０を複数枚積層して多層配線板１４０、２４０を得る際に、導体ポスト１０７、２０７の半田被膜１０６、２０６と拡散防止金属層１０８、２０８とが半田接合しやすいようにするためである。拡散防止金属層１０８、２０８は大気中の酸素により酸化しており、そのままでは半田接合させることはできない。そこで、半田中に拡散しやすい金被膜を形成しておくことにより、半田接合を促進させることができるというわけである。・・・・。」（【００４３】）
　
（１ｅ）「【００４４】本発明に用いる接着剤層１１１、２１１としては、表面清浄化機能を有しており、且つ絶縁信頼性の高い接着剤であるところに最も特徴がある。・・・・この接着剤層の表面清浄化機能により、半田と接続するための表面との濡れ性が十分に高まる。そのため、接着剤層は、金属表面を清浄化するために、半田と接続するための表面に、必ず接触している必要がある。両表面を清浄化することで、半田が、被接合表面に対して濡れ拡がろうとする力が働き、その半田の濡れ拡がりの力により、半田接合部における接着剤層が排除される。これより、接着剤層を用いた半田接合には、樹脂残りが発生しにくく、且つその電気的接続信頼性は高いものとなる。」（【００４４】）
　
（１ｆ）「【００５８】次に、ＵＶ−ＹＡＧレーザーを用いて、絶縁層にトップ径が４５μｍ、ボトム径が２５μｍのビア（ビア２０３）を形成した。・・・・、裏面の圧延銅板を電解めっき用リード（給電用電極）として電解銅めっきを行ってビアを銅で充填し、銅ポスト（銅ポスト２０４）を形成した。・・・・次に、銅ポストの表面に、ニッケル層（拡散防止金属層２０５）を電解めっきによって２μｍの厚みで形成し、続いて、Ｓｎ−Ｐｂ共晶半田被膜（半田被膜２０６）を電解めっきによって５μｍの厚みで形成して、導体ポスト（導体ポスト２０７）を得た。なお、Ｓｎ−Ｐｂ共晶半田被膜の先端表面の絶縁層表面から突出している高さは、１２μｍであった。・・・・」（【００５８】）
　
（１ｇ）図３（ｂ）には、導体回路における導電ポストと接続される部分の半田が広がって導電ポストの径より大きいようす、及び、接続部の周囲にフィレットが形成されたようすが見て取れる。
　
　
（ア）記載事項（１ｆ）の「銅ポストの表面に、ニッケル層（拡散防止金属層２０５）を電解めっきによって２μｍの厚みで形成し、続いて、Ｓｎ−Ｐｂ共晶半田被膜（半田被膜２０６）を電解めっきによって５μｍの厚みで形成して、導体ポスト（導体ポスト２０７）を得た。なお、Ｓｎ−Ｐｂ共晶半田被膜の先端表面の絶縁層表面から突出している高さは、１２μｍであった。」という記載に基づくと、半田被膜の先端表面の絶縁層表面から突出している高さである「１２μｍ」より、半田被膜２０６の厚みである「５μｍ」を引いた値が、半田被膜を除く導電ポストの絶縁層表面から突出している高さであり、その値が７μｍと正の値であるから、「絶縁層から突出している導電ポスト」であることは、明らかである。
　また、記載事項（１ｆ）の「銅ポストの表面に、ニッケル層・・・・を電解めっきによって・・・・形成し、続いて、Ｓｎ−Ｐｂ共晶半田被膜（半田被膜２０６）を電解めっきによって・・・・形成して」との記載から、「半田被膜は導電ポストの先端表面に形成された」ものと見るのが自然である。
　
（イ）記載事項（１ｅ）の「本発明に用いる接着剤層１１１、２１１としては、表面清浄化機能を有しており、且つ絶縁信頼性の高い接着剤であるところに最も特徴がある。・・・・この接着剤層の表面清浄化機能により、半田と接続するための表面との濡れ性が十分に高まる。そのため、接着剤層は、金属表面を清浄化するために、半田と接続するための表面に、必ず接触している必要がある。両表面を清浄化することで、半田が、被接合表面に対して濡れ拡がろうとする力が働き、その半田の濡れ拡がりの力により、半田接合部における接着剤層が排除される。・・・・。」との記載から、「接着剤層を介して半田接合させて得られる半田接合部」であるといえる。
　
（ウ）記載事項（１ｅ）の「両表面を清浄化することで、半田が、被接合表面に対して濡れ拡がろうとする力が働き、その半田の濡れ拡がりの力により、半田接合部における接着剤層が排除される。」との記載から、半田が濡れ広がって半田接合部を形成していることは明らかである。また、前述したように「半田が濡れ広がっている」こと、視認事項（１ｇ）に基づけば、半田接合部周辺に半田または半田を含む合金からなるフィレットが形成されているといえる。
　
（エ）本願の出願当初明細書の段落【００１６】の「半田層と導体ポストと層間接続用ランドとの半田接合部に、主として金とニッケルと錫の合金が形成されていることが高融点合金接続部を得る上で好ましく、・・・・具体的には、銅層、ニッケル層、金層で形成した層間接続用ランド・・・・と、銅ポストと錫を主成分とする半田層との間にもニッケル層を形成し、接合することにより、導体ポストと被接続層との間に前記合金を得ることができる。」という記載、及び、同明細書の段落【００１３】〜【００１４】の「・・・・接続層１１０の半田層１０５と被接続層１２０の層間接続用ランド１０７が相対するように位置合わせする・・・・次いで、接続層１１０と被接続層１２０とを、半田層１０５を形成する半田の融点以上の温度に加熱し半田を溶融させた後、加圧して圧着する（・・・・）。加熱、加圧工程では、例えば、真空プレスを用いて、半田層１０５が、その半田の融点温度以上にまで加熱される・・・・。」という記載によれば、銅ポスト上にニッケル層を介して形成された錫を主成分とする半田層と、銅層、ニッケル層、金層で形成された層間接続用ランドとが相対するように位置合わせし、加熱し半田を溶融させた後、加圧して圧着することで、半田接合部には、主として金とニッケルと錫の合金が形成できると認められる。
　
　そして、刊行物１において、記載事項（１ａ）の「【請求項1】 ・・・・導体ポストが先端表面から順に、半田被膜、拡散防止金属層、銅ポストからなる・・・・。
・・・・ 
【請求項４】 該導体回路が、該絶縁層と接している側から順に、少なくとも、銅回路、拡散防止金属層、金被膜の順で構成されている・・・・・。 
・・・・
【請求項６】 該拡散防止金属層が、ニッケルからなる・・・。」との記載、記載事項（１ｆ）の「銅ポストの表面に、ニッケル層（拡散防止金属層２０５）を・・・・形成し、続いて、Ｓｎ−Ｐｂ共晶半田被膜（半田被膜２０６）を・・・・形成して、導体ポスト（導体ポスト２０７）を得た。」との記載、及び、記載事項（１ｃ）の「【００４０】・・・・熱圧着工程では、例えば真空プレスを用いて、半田被膜１０６の半田が溶融するまで加熱するとともに、加圧して半田被膜１０６と導体回路１１０ａとを半田接合させ・・・・。以上の工程により、導体回路１１０ａと導体ポスト１０７とを半田被膜１０６にて半田接合し・・・・」との記載から、先端表面から順に、Ｓｎ−Ｐｂ共晶半田被膜、ニッケル層、銅ポストからなる導電ポストと、銅、ニッケル層、金被膜の順で構成された導体回路とを、真空プレスを用いて、半田被膜の半田が溶融するまで加熱するとともに加圧して半田接続したものと解すことができ、また、Ｓｎ−Ｐｂ共晶半田は、錫（Ｓｎ）が６３％のものであるから、Ｓｎ−Ｐｂ共晶半田被膜は錫を主成分とするものである。
　
　よって、刊行物１には、本願明細書に記載されたものと同じ構成の導体ポスト、導体回路とを、錫を主成分とする半田を溶融し、加圧して接合するという本願明細書に記載されたものと同じ方法で接合しているから、接続部分には、本願明細書に記載されたものと同じ成分を含む合金、つまり、主として金とニッケルと錫の合金が形成されていると見るのが自然であり、それゆえに、導体ポストと多層配線板製造用配線基板の一部である導体回路との間には主として金とニッケルと錫の合金からなる接合部が存在するといえる。
　したがって、「前記導体ポストと多層配線板製造用配線基板の間に形成された合金が、主として金とニッケルと錫の合金で」あるといえ、また、半田被覆層には錫、導電ポストにはニッケル、導体回路には金及びニッケル、がそれぞれを形成する金属成分であるから、「導体ポストと導体回路との接合部に、半田被覆層、前記導体ポスト、および前記導体回路を形成する金属成分から構成される合金が形成され」ているといえる。
　
　
　そこで、上記（ア）〜（エ）の検討を踏まえて、記載事項（１ａ）、（１ｃ）〜（１ｆ）を本願補正発明の記載ぶりに則して整理すると、刊行物１には、
「絶縁層を貫通して、該絶縁層から突出している導体ポストの先端表面に形成された半田被膜と、該導体ポストに相対する導体回路を有する多層配線板製造用配線基板とを、接着剤層を介して半田接合させて得られる半田接合部であって、
前記導体ポストと前記導体回路との接合部に、前記半田層、前記導体ポスト、および前記導体回路を形成する金属成分から構成される合金が形成され、
さらに前記半田接合部周辺に半田または半田の金属を含む合金からなるフィレットが形成されており、
前記半田被覆が、濡れ広がって、導体回路と半田接合され、
前記導体ポストと前記他の多層配線板製造用基板の間に形成された合金が、主として金とニッケルと錫の合金である
半田接合部。」の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されているといえる。 
　
３． 対比・判断 
　
　本願補正発明と刊行物１発明を対比すると、
　
（１）刊行物１発明における「半田被膜」、「導体回路」及び「多層配線板製造用配線基板」は、本願補正発明における「半田層」、「層間接続用ランド」及び「被接続層」にそれぞれ相当する。
　
　そうすると、両者は、「絶縁層を貫通して、該絶縁層から突出している導体ポストの先端表面に形成された半田層と、該導体ポストに相対する層間接続用ランドを有する被接続層とを、接着剤層を介して半田接合させて得られる半田接合部であって、
前記導体ポストと前記層間接続用ランドとの接合部に、前記半田層、前記導体ポスト、および前記層間接続用ランドを形成する金属成分から構成される合金が形成され、
さらに前記半田接合部周辺に半田または半田の金属を含む合金からなるフィレットが形成されており、
前記半田層が、濡れ広がって、層間接続用ランドと半田接合され、
前記導体ポストと前記被接続層の間に形成された合金が、主として金とニッケルと錫の合金である
半田接合部。」である点で一致し、以下の点で相違している。
　
［相違点１］
　半田層が、濡れ広がって、層間接続用ランドと半田接合されている事項において、本願補正発明では「半田層が、導体ポストの断面積よりも２倍以上７倍以下の大きさで濡れ広がって」いるのに対し、刊行物１発明では、半田層が濡れ広がっている大きさについて記載がない点。
　
［相違点２］
　導体ポストと被接続層の間に形成された主として金とニッケルと錫の合金について、本願補正発明では「４００℃以上の融点を有する」のに対し、刊行物１発明では、合金の融点の記載がない点。
　
［相違点３］
　本願補正発明では「フィレットを形成する合金が、主にＡｕＳｎとＡｕＳｎ２を主成分とする金と錫の合金である」のに対し、刊行物１発明におけるフィレットの成分について記載がない点。
　
　
　これら相違点について検討する。
［相違点１について］
　刊行物１の記載事項（１ｅ）の「半田が、被接合表面に対して濡れ拡がろうとする力が働き、その半田の濡れ拡がりの力により、半田接合部における接着剤層が排除される。これより、接着剤層を用いた半田接合には、樹脂残りが発生しにくく、且つその電気的接続信頼性は高いものとなる。」と記載されているように、刊行物１発明は、濡れ広がることにより、電気的接続信頼性を高くすること、つまり、接合部の接合強度を高めたものであるといえる。そして、接合において、接合に寄与する面積を広げることで接合強度を高めることは、技術常識であり、接合に寄与する面積を広げることは当業者においては適宜になし得る事項である。また、本願明細書には、接合に寄与する半田層が導電ポストの断面積よりも２倍以上７倍以下の大きさにすることでの顕著な効果を有する根拠となる記載もないことから、半田層が導電ポストの断面積よりも２倍以上７倍以下の大きさに設定することは、単に、数値範囲を設定した設計的事項と認められ、当業者においては容易に想到し得るものであり、そのことによる作用効果も、当業者が予想しうるものにすぎない。
　
［相違点２について］
　ビルドアップ型の多層配線基板の層間を確実に接続するために、電子部品を実装する際のフロー又はリフロー時の温度においても溶融しない融点の高い合金で接続部を形成することは、下記周知文献１〜３に記載されたように、従来から周知の事項である。
　そして、刊行物１発明は、前記記載事項（１ｂ）の「本発明は、半導体チップを搭載する多層配線板における、・・・・確実に層間接続でき、且つ信頼性の高い多層配線板を提供することを目的とする。」との記載より、半導体チップ、つまり、電子部品を搭載する多層配線板において、確実に層間接続することを目的としていると認められるから、接合部を融点の高いものとすることは、当業者において容易になし得るものといえる。
　また、本願補正発明において、４００℃以上の融点を有する合金とすることは、本願明細書の段落【０００８】に「一般に、半導体チップが実装される際のリフロー工程の温度は４００℃を超えることはない。従って、本発明の半田接合部を有する多層配線板に、半導体チップが実装されるリフロー工程においては、多層配線板の半田接合部が溶融することが無いため、半田接合部が断線することが無く、安定した導通を維持することができる。」と記載されているように、「半導体チップが実装されるリフロー工程においては、多層配線板の半田接合部が溶融することが無い」ようにすることが目的と認められ、そのことは従来から周知の課題である。
　さらに、本願明細書には、主として金とニッケルと錫の合金である接合部において、４００℃以上の融点であることの顕著な効果を示す実験結果等も記載されていないことから、接合部の合金を４００℃以上の融点を有するものとすることは、リフロー工程時に接合部が溶融しない温度範囲中で当業者が適宜に設定する事項であるといえる。
　よって、刊行物１発明において相違点２の事項の限定を加えることは当業者においては容易に想到し得るものである。
　
　
周知文献１：特開２００２−３３５０８２号公報（なお、下線は当審で付した。）
（周１−１）「【００１１】そこで、本発明は、各導電層を低温で接続した後、高融点化することにより電子部品の表面実装時に融解しないはんだを用いることにより耐熱性及び接続信頼性を高めた多層プリント配線基板及び多層プリント配線基板の製造方法を提供することを目的とする。」（【００１１】）
　
（周１−２）「【００２１】また、接続部１６を構成する低融点金属と高融点金属との合金は、高融点金属の組成比を多くすることにより、融点が高融点金属の融点側に上昇する。したがって、接続部１６は、他方のバンプの材料としてコア基板１０〜１２の耐熱温度以上の温度で融解する高融点金属を選択し、低融点金属よりも組成比を多くすることによりコア基板１０〜１２の耐熱温度より高い温度の融点を有する合金とすることができる。
これにより、接続部１６は、外層パターンとなる導体パターン８，９に電子部品を実装する際のフロー又はリフロー時の温度においても合金が融解せず、導体パターン４〜９の電気的接続を維持することができる。また、接続部１６の融点が上昇することにより、多層プリント配線基板１は、高温環境下における導体パターン４〜９の接続信頼性の向上を図ることができる。
　
周知文献２：特開平８−１８１４５０号公報（なお、下線は当審で付した。）
（周２−１）「【特許請求の範囲】
【請求項１】熱硬化性樹脂層の両面に配設された配線層と、樹脂層を貫通して配設された導体ビアとを備えたシート状の配線回路板を複数枚積層して構成される電子回路基板であって、各々の配線層が耐熱性を有する熱可塑性樹脂層と熱硬化性樹脂層との絶縁層で交互に絶縁されて積層構造を形成して成る電子回路基板。
【請求項２】熱硬化性樹脂層の両面に配設された配線層と、樹脂層を貫通して配設されたビアスタッドとを備えた配線シートを複数枚積層した積層体で構成される電子回路基板であって、上記積層体を構成する配線シート樹脂層間の接続が、耐熱性を有する熱可塑性樹脂層からなる接着シートを介して接着、接続されると共に、配線シート間の電気的接続が、接着シートに配設された導体ビア金属を介して接続されて成る電子回路基板。
・・・・
【請求項４】上記配線モジュールを単位配線モジュールとして、さらに導体ビア金属の配設された接着シートを介して前記単位配線モジュール同士を複数組積層構成した多層配線モジュールを有して成る請求項１もしくは２記載の電子回路基板。
・・・・
【請求項７】上記接着シートに形成された導体ビア金属の少なくとも接合部を金で構成し、この導体ビアの接合部と接続する配線シートに形成された接続パッドの接合部を錫で構成し、これら両者の電気的接続を金−錫拡散層で形成して成る請求項３乃至６何れか一つに記載の電子回路基板。」（【特許請求の範囲】）
　
（周２−２）「【００３３】（３）配線モジュールの作成方法
図４は、図１の製造工程で作られたビア付き接着シート１００と、図２及び図３の製造工程で作られた２枚の配線シート２００を積層する前の状態を示す斜視図である。配線シート２００の配線層はＸ方向に走る配線シート２００ＡとＹ方向に走る配線シート２００Ｂとを相対して、各々のシートに設けられた接続パッド２１４と、接着シート１００に設けられたビア金属部１０４との位置が互いに重なり合うように位置決めして圧着、加熱する。
【００３４】圧着時の圧力を２ＭＰａ（２０ｋｇ／ｃｍ2）として２４０℃で１０分間加熱すると、まず配線シート２００に設けられた接続パッド２１４の表面金属である錫２１５（図示せず）が溶け、これに接着シート１００のビア金属１０４である金が溶解する。錫中の金濃度が増加するに従って金属間化合物のη相が成長して金属の融点が増加し、接合部が固体化して接合が完了する。
【００３５】次に温度を３００℃に上げ、１０分間加熱すると接着シート１００の材料である熱可塑性ポリイミドのガラス転移点（Ｔｇ）２５０℃を越えるため、樹脂が流動して配線シート２００間の接着が完了する。この時、
接合部の合金相はε相も生じ、融点が一層上昇して強固な接続となる。
　
周知文献３：特開平１１−２０４９３９号公報
（周３）「【００３０】図１ｇは、図１ｆまでの工程で得られたフィルム回路を３枚重ねて熱圧着した後の状態を示している。・・・・熱圧着時には、先ずエポキシ樹脂が溶けて流動し、金めっきビアと錫めっき銅箔パータンが接触し、金と錫が合金化する。この合金に更に下地銅が溶け込んで金／錫／銅の三元合金が形成されて、金属の融点が上昇することにより接合部が凝固することにより安定な接合が得られる。」（【００３０】）
　
　
［相違点３について］
　本願明細書の段落【００１６】の「半田層と導体ポストと層間接続用ランドとの半田接合部に、主として金とニッケルと錫の合金が形成されていることが高融点合金接続部を得る上で好ましく、・・・・、導体層および銅ポストと半田層の間に拡散防止金属層となるニッケル層を形成し、さらに半田濡れ性を向上させるために拡散防止金属層表面に金層を形成して接合することにより、合金を得ることができるが、さらに具体的には、銅層、ニッケル層、金層で形成した層間接続用ランドあるいは接続層の導体回路と、銅ポストと錫を主成分とする半田層との間にもニッケル層を形成し、接合することにより、導体ポストと被接続層との間に前記合金を得ることができる。また、接合部周囲に形成されるフィレット部分は主にＡｕＳｎとＡｕＳｎ２を主成分とする金と錫の合金が形成される。・・・・」との記載によれば、本願補正発明において「フィレットを形成する合金が、主にＡｕＳｎとＡｕＳｎ２を主成分とする金と錫の合金である」ものを形成する方法は、銅層、ニッケル層、金層で形成した層間接続用ランドと、銅ポストと錫を主成分とする半田層との間にもニッケル層を形成し、接合することにより、導体ポストと被接続層との間に前記合金を得ることができ、その際に、接合部周囲に形成されるフィレット部分は主にＡｕＳｎとＡｕＳｎ２を主成分とする金と錫の合金が形成されるものと認められる。
　そして、刊行物１発明も、本願補正発明と同様に、銅回路、ニッケルからなる拡散防止金属層、金被膜で形成した導体回路と、銅ポストと錫を主成分とする半田層との間にニッケルからなる拡散防止金属層を形成し、接合することで、フィレットが形成されるものと解すことができ、また、金が半田中に拡散しやすいものであり、拡散防止を目的とするニッケルは半田に拡散しにくいものと考えられることから、刊行物１発明におけるフィレットにも、主にＡｕＳｎとＡｕＳｎ２を主成分とする金と錫の合金から形成されていると認められる。
　それゆえに、相違点３は、実質的に相違するものではない。
　
４．むすび  
　以上のとおり、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明及び従来より周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際に独立して特許を受けることはできない。  
　
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
　
　
 第３　本願発明について 
１．本願発明 
　平成２１年４月２７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし３に係る発明は、平成２０年１０月６日付けの手続補正書により補正された請求項１ないし３に記載されたとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
 「【請求項１】
　絶縁層を貫通して、該絶縁層から突出している導体ポストの先端表面に形成された半田層と、該導体ポストに相対する層間接続用ランドを有する被接続層とを、接着剤層を介して半田接合させて得られる半田接合部であって、
前記導体ポストと前記層間接続用ランドとの接合部に、前記半田層、前記導体ポスト、および前記層間接続用ランドを形成する金属成分から構成される合金が形成され、
さらに前記半田接合部周辺に半田または半田の金属を含む合金からなるフィレットが形成されており、
前記半田層が、導体ポストの断面積よりも２倍以上７倍以下の大きさで濡れ広がって、層間接続用ランドと半田接合され、
前記導体ポストと前記被接続層の間に形成された合金が、半田よりも高い融点を有する、主として金とニッケルと錫の合金であり、
前記フィレットを形成する合金が、主にＡｕＳｎとＡｕＳｎ２を主成分とする金と錫の合金である
ことを特徴とする半田接合部。」 
　
２．引用例 
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は前記「第２　［理由］２．」に記載したとおりである。 
　
３．対比・判断
　本願発明は、上記「第２［理由］」で検討した本願補正発明から、半田よりも高い融点について「４００℃以上」であるとの限定を解除したものに相当する。 
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含む本願補正発明が前記「第２　［理由］３．」に記載したとおり、刊行物１に記載された発明及び従来からの周知事項に基いて容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、刊行物１に記載された発明及び従来の周知事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび 
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明及び従来の周知事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は特許を受けることができないものであり、他の請求項２及び３に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。