【事件の表示】
　特願２００３−５６０４９４「温度測定および熱処理方法およびシステム」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　７月２４日国際公開、ＷＯ０３／６０４４７、平成１７年　５月２６日国内公表、特表２００５−５１５４２５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は，平成１４年１２月２３日（パリ条約による優先権主張日　平成１３年１２月２６日，米国）を国際出願日とする出願であって，平成２０年１０月１７日付けで拒絶査定がされ，これに対し，平成２１年１月２２日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに，同日付けで手続補正がなされたものである。さらに，平成２２年３月８日付けで審尋がなされ，回答書が同年８月９日付けで請求人より提出されたものである。 
　
　
第２　平成２１年１月２２日付けの手続補正（以下，「本件補正」という。）についての補正却下の決定 
　
 　［補正却下の決定の結論］ 
 　　本件補正を却下する。 
　
 　［理由］ 
１　補正後の請求項１に記載された発明
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであって，そのうち請求項１についてする補正は，補正前の特許請求の範囲（平成２０年８月２８日付けで補正されたもの。以下，同様。）の 
「【請求項１】　
　温度測定方法であって，
　ａ）ワークピースの第１の表面から熱的に放射される放射の現在の強度を測定するステップと，
　ｂ）前記の現在の強度および各先の時間における前記第１の表面の先の温度および前記先の時間における前記第１の表面から熱的に放射された放射の先の強度に応答して，前記第１の表面の現在の温度を識別するステップと，
を含む，前記方法。」
を，
「【請求項１】　
　温度測定方法であって，
　ａ）ワークピースの第１の表面から熱的に放射される放射の現在の強度を測定するステップ
であって，前記ワークピースは半導体ウェハを含み，前記第１の表面は前記ウェハの装置側を含む，前記測定するステップと，
　ｂ）前記の現在の強度および各先の時間における前記第１の表面の先の温度および前記先の時間における前記第１の表面から熱的に放射された放射の先の強度に応答して，前記第１の表面の現在の温度を識別するステップ
であって，前記第１の表面が前記ワークピースの熱伝導時間より短い持続時間を有する照射フラッシュにさらされている間に，前記第１の表面の前記の現在の温度を識別することを含む，前記識別するステップと，
を含む，前記方法。」
と補正するものである。なお，上記において，下線は補正箇所を示す。
　
　上記補正は，補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「ワークピースの第１の表面から熱的に放射される放射の現在の強度を測定するステップ」について，「前記ワークピースは半導体ウェハを含み，前記第１の表面は前記ウェハの装置側を含む」との限定を付し，「前記の現在の強度および各先の時間における前記第１の表面の先の温度および前記先の時間における前記第１の表面から熱的に放射された放射の先の強度に応答して，前記第１の表面の現在の温度を識別するステップ」について，「前記第１の表面が前記ワークピースの熱伝導時間より短い持続時間を有する照射フラッシュにさらされている間に，前記第１の表面の前記の現在の温度を識別することを含む」との限定を付したものであるから，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前（以下，「平成１８年改正前」という。）の特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで，補正後の請求項１に係る発明（以下，「補正発明」という。）が特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について，以下検討する。
　
２　引用刊行物の記載事項
　本願優先日前に頒布され，原査定の拒絶の理由において引用された刊行物である特開平５−２９５５４３号公報（以下，「引用例１」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている。なお，以下において，下線は当審にて付与したものである。
（１−ア）
「【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体を環境温度に制御し，赤外線輻射率を測定するための温度校正ステージと；基体の輻射熱を測定する第１の赤外線輻射温度計と；前記第１の赤外線輻射温度計の出力から前記基体の既知の温度に基づいて輻射率を求め，前記第１の赤外線輻射温度計により前記基体の温度を正しく表示せしめるための赤外線感度補正値を演算する手段と；該ステージと同一ないしは異なる基体が置載されるステージと，この基体を所定の設定温度に加熱または冷却する手段と，前記基体に真空処理する手段とを備えた真空処理チェンバと；前記基体の輻射熱を測定する第２の赤外線輻射温度計と；前記第２の赤外線輻射温度計の出力から前記温度校正チェンバで求めた赤外線感度補正値に基づき真空処理チェンバ内に置かれた基体の真の温度を算出する手段と
を具備して成る真空処理装置
　
（１−イ）
「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は，真空内で基体に様々な処理を施す真空処理装置
に関するものである
　
（１−ウ）
「【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造に用いるプロセス装置では，良く制御された反応等を実現するためプロセス温度の正確な制御が重要である
・・・
【０００４】従来，半導体製造装置において
真空中でのウエハの正確な温度制御
・・・
【０００７】また，
赤外線の輻射によってウエハを加熱する場合
・・・
【００１１】以上述べるように，
いずれの加熱手段をとるにしても，真空中で非接触でウェハの温度を測定する必要がある。その方法の一つとして赤外線輻射温度計を用いて赤外領域のウエハからの輻射強度を測定する方法が提案されている
　
（１−エ）
「【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかし，
この方法には以下に述べるようにウェハの輻射率は必ずしも一定しないために，正確な測温は困難であり幾つかの問題点がある
・・・
【００１９】
この輻射率の温度に対する変動のために
【００２０】しかしながら，他方非常に高精度の温度制御を必要とするプロセスに対しては，プロセス温度にできる限り近い温度でウェハ毎に輻射率を補正することも必要である。
・・・
【００２３】したがって，
本発明の目的は，上記従来の問題点を解消することに有り，その第１の目的は，真空中の基体の温度を正確に計測し，制御できる改良された真空処理装置を
提供することにある
　
（１−オ）
「【００３８】
例えば，スパッタ装置の真空処理チェンバ内で基体の昇温を行う場合，予め赤外線輻射温度計が校正されていれば，ヒートブロックを用いる代わりに，ランプによる輻射加熱を行うことができ，より安価なスパッタ装置を構成することができる
　
（１−カ）
「【００５０】実施例１．図１は，本発明真空処理装置をスパッタ成膜装置に適用した一実施例を示した概略構成図である。・・・
・・・
【００５２】ウェハ温度校正ステージ５には，ウェハ温度校正ステージ５の温度を正確に測定するための熱電対１２が設けられている。そしてウェハ温度制御器１３の演算処理部に熱電対１２の出力と第１の赤外線輻射温度計１１で測定したウェハ１０の赤外線輻射率を入力し，この赤外線輻射率に基づき該ウェハ１０についての測定対象温度範囲での該ウェハの持つ赤外線輻射率をウェハの温度の関数として演算によって推定する手段と，第２の温度計によって該ウェハの真空処理中の温度を観察し，該ウェハについて上記温度の関数として定めた赤外線輻射率に基づいて，第２の温度計の電気出力を温度に換算する手段により，それぞれのステージ上のウェハ１０の正しい温度を計測する。また，最終的にはこれらの計測データに基づき所定のステージ温度に設定する指令を各々ステージの加熱及び冷却手段にフィードバックしてステージの温度を所定値に設定コントロールする，所謂真空処理装置全体の温度を管理するためのウェハ温度制御器１３を備えている。
【００５３】次に各チェンバの機能について説明すると，ウェハ温度校正チェンバ２は，通常，校正ステージ５上に置載されたウェハ１０を該校正ステージと同一の温度の環境温度に保持し，ウェハ１０の赤外線輻射率を温度の関数として推定し，該ウェハ１０固有の温度計出力と温度の関係を求める機能を持つ。
【００５４】ウェハ温度調整チェンバ３は，次のスパッタ成膜チェンバ４にウェハを搬送する前の温度調整機能をもち，スパッタ成膜チェンバ４は，ウェハにスパッタにより成膜を行う機能を持つ。
・・・
【００５６】まず，真空雰囲気におかれたウェハ温度校正チェンバ２内において，ウェハ１０は校正ステージ５上に静電チャック機構により接触され，当該校正ステージ５とウェハ１０との間の空間に５パスカルのＡｒガスを図示しないガス導入機構により導入し，環境温度２０℃に制御され，ウエハ１０の裏面を，第１の赤外線輻射温度計１１と熱電対１２で観察及び測定し，ウェハ温度制御器１３の演算処理部でウェハ１０の赤外線輻射率を温度の関数として求め，ウェハ１０固有の温度計出力ウェハ温度の関係を演算し，温度計出力−温度換算表の作成を行なう。なお，上記輻射率，温度計出力−温度換算表の作成についての詳細は後述する。
【００５７】各ステージ上でのウェハ１０の温度は，この第１の赤外線輻射温度計１１から得られた温度計出力−温度換算表から求めることができるので，以後の真空中でのウェハ温度調整チェンバ３とスパッタ成膜チェンバ４上でのウェハ１０の処理温度は，このウェハ１０固有の温度計電気出力−温度換算表を使用し，第２，第３の赤外線輻射温度計１４，１５からの電気出力を温度に換算して読み取る。」
　
（１−キ）
「【００６８】実施例２．図４のスパッタ装置１を用いて，ウェハ１０上にアルミ膜をスパッタリングにより成膜する他の実施例を説明する。
【００６９】ウェハ１０は，温度校正チェンバ２で熱電対１２で測温されると共にこれをベースとして赤外線輻射温度計１１の輻射率の測定を行い，ウェハ１０固有の輻射率補正，温度計出力電圧と温度との換算値を求め，この温度計出力電圧と温度との換算値を用いてウェハ温度調整チェンバ３，スパッタ成膜チェンバ４での温度計測を行う。次いでウェハ１０はロードロック室２３に搬送され，真空排気した後，ウェハ温度調整チェンバ３に搬送される。ウェハ温度調整チェンバ３に搬送されたウェハ１０はランプヒータ２５により加熱され，その際赤外線輻射温度計１４で測温され，４００℃に制御される。次にスパッタ成膜チェンバ４に搬送される。このスパッタ成膜チェンバ４内でウェハ１０は，図５に示すような温度プロファイルによってスパッタされる。ターゲット８は１％Ｓｉ−３％Ｃｕ−Ａｌの組成のものを用いた。」
　
（１−ク）
「【００８９】始めに，校正ステージにより既知の温度にてウェハの輻射率を測定し，測定温度を例えばＴ０で測定した場合，輻射率＝ε０が求まる。次にＴmaxでの輻射率は，Ｓｉウェハのような半導体では，５００℃以上の高温になると金属化するため一定となることがわかっており，εmaxに収束する。このウェハ温度と赤外線輻射率の関係をコンピュータ３２により直線補間の演算によって温度の関数ε（Ｔ）として求める。この一例を表２に示す。」
　
（１−ケ）
「【００９６】始めに，輻射率の演算方法について説明する。図１４はこれから温度を測定するウェハの輻射率の温度変化について別に測定した結果を示したものである。例えば，該ウェハの輻射率を１５０℃で測定し，０.３を得た場合，測定した１５０℃での輻射率０.３と高温で一定となる輻射率０.５（５００℃）の値との間で直線的な補間を行い表２に示すような輻射率を得ることができる。次に，この輻射率と黒体の温度計出力と温度の関係とからウェハの温度計出力と温度の関係を演算し，表３，４に示す輻射率が例えば０.３０，０.３１それぞれの時の温度計出力と換算温度との関係を求めることが出来る。輻射率が０.３０，０.３１の場合，表１の黒体のものと比較すると，ウエハは同一の測定温度を与える赤外線輻射温度計の出力で電圧値が，単純に０.３０，０.３１倍になっている。これは物体の輻射の定義から当然である。
【００９７】次に，コンピュータ内部での演算処理について以下に述べる。
【００９８】表２から，１５０℃から１５１℃の区間ではウェハの輻射率は０.３を用いればよいことが判り，１５０℃を与える温度計の出力電圧は表３から０.５１０Ｖである。また表２から１５２℃では輻射率が０.３１０となっていることから，１５２℃を与える温度計の出力電圧は表４から０.５３０Ｖであることが判る。」
　
（１−コ）
「【０１０１】実施例５．以下，ウェハとしてＳｉウェハの輻射率を測定する方法を図１５によって説明する。
【０１０２】図１５はウェハの輻射率を測定する方法を示す概念図である。ウェハ温度校正ステージ５の上にウエハ１０が置載されている。ウェハ１０の上方には鏡面反射体４０が設置されている。この鏡面反射体４０は目的とする測定波長域で充分に高い反射率を有するものでなければならない。
【０１０３】ウェハ温度校正ステージ５の下方にはビームスプリッタ４１が設置されている。参照光発生器４２は本例では適宜フィルタを用いて約１０μｍの波長を主成分とした出力光を得られるものであり，参照出力光４３はビームスプリッタ４１を通過し，ウエハ１０に入射する。ウエハ１０からの反射光４４はビームスプリッタ４１によって曲げられ，光検出器４５に入射する。
【０１０４】ウエハ１０の上方に輻射又は透過した光は鏡面反射体４０によって反射され，その全てが，ウェハ１０に戻される。
【０１０５】一般に輻射率は入射光強度をＩｏ，透過光強度Ｉｔ，反射光強度Ｉｒを既知とした場合の吸収率αに等しく，以下の式で表わされる。
【０１０６】α＝（Ｉｏ−Ｉｔ−Ｉｒ）／Ｉｏ
図１４に示す例では，鏡面反射体４０のために透過光Ｉｔ＝０となる。従ってウェハ１０への入射光強度Ｉｏと反射光強度Ｉｒを知ることで，吸収率，または輻射率を算出することができる。このように知りえた輻射率を例えば，蒸着前のウェハ１０等のウェハに適用するには，赤外線輻射温度計にて例えば裏面から温度を測定するようにして，その際にウェハ１０表面側に鏡面反射体を設置する。金属膜を蒸着中または，蒸着後では金属膜自身が当該鏡面反射体であるからこの鏡面反射体４０は不必要である。」
　
　上記摘記事項からみて，引用例１には，以下の発明が記載されていると認められる。
　
「温度校正チャンバにおいて，基体を既知の環境温度に制御する工程と，第１の赤外線輻射温度計により基体の輻射熱を測定する工程と，前記第１の赤外線輻射温度計の出力から前記基体の既知の環境温度に基づいて輻射率を求め，前記第１の赤外線輻射温度計により前記基体の温度を正しく表示せしめるための赤外線感度補正値を演算する工程とを有し，
　基体が置載されるステージと，この基体を所定の設定温度に加熱または冷却する手段と，前記基体に真空処理する手段とを備えた真空処理チェンバにおいて，第２の赤外線輻射温度計により前記基体の輻射熱を測定する工程と，前記第２の赤外線輻射温度計の出力から前記温度校正チェンバで求めた赤外線感度補正値に基づき真空処理チェンバ内に置かれた基体の真の温度を算出する工程とを有する，真空処理装置における基体温度の測定方法。」（以下，「引用発明」という。）
　
　また，本願優先日前に頒布された刊行物である特開昭６０−２５８９２８号公報（以下，「引用例２」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている。
（２−ア）
「パルスランプ列のパルス発光時間は，５マイクロ秒から１０００マイクロ秒にすることができる。・・・
　例えば，等温加熱を用いて，ウエーハ全体の温度を約１１００℃まで均一に高められる。数秒後，
パルス源にエネルギが加えられて立ち上がり（第９図）を形成し，ウエーハの上部表面域だけをピーク温度まで高めている
パルスの持続時間は，（特に，等温加熱の後）シリコンパネルのスリツプを極力少なくし，さらにウエーハの導体全体を加熱することのほとんどない充分に短いものである。ウエーハ全体を加熱することがないため，ウエーハ全体の温度は，前記実施例で説明した１１００℃から数度上昇するにすぎない
　
　また，同様に，本願優先日前に頒布された刊行物である特開昭６２−１５８２６号公報（以下，「引用例３」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている。
（３−ア）
「しかし，
近年，特に半導体集積回路の製造工程において
試料表面のみを短時間アニールする必要性が高まり，フラッシュランプアニール法や電子ビームアニール法，レーザーアニール法が考案されている
　
　また，同様に，本願優先日前に頒布された刊行物である特開平７−２０１７６５号公報（以下，「引用例４」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている。
（４−ア）
「【従来の技術】
半導体装置の製造における熱処理は，被処理体を短時間に熱処理温度まで加熱する
レーザアニール法が提案されている
このような急速加熱処理では，温度測定および熱処理温度の制御が重要になる。上記温度測定には，放射温度計を用いた非接触な測定法が採用されている。この測定方法では，腐食性雰囲気のウエハ温度を測定することが可能になる
　
　
　また，同様に，本願優先日前に頒布された刊行物である特開昭６２−１１２３２２号公報（以下，「引用例５」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている。
（５−ア）
「〔発明の技術分野〕
　本発明はレーザアニール装置にかかるものであり，特にアニール温度制御方式の改良に関するものである。
〔発明の背景〕
　一般にレーザアニール装置は局所的にアニーリング効果を得ることができる点できわめて有効なアニーリング手段であり，半導体デバイスの製造等に広く利用されている。
　ところで
レーザアニールにおいて，集光点の温度をモニタする
　
（５−イ）
　第１図には，半導体ウエハ１２の表面にレーザ光を入射し，当該表面からの反射光を検出して，当該表面の温度をモニタする様子が描かれている。
　
　また，同様に，本願優先日前に頒布された刊行物である特開平３−２２１８２１号公報（以下，「引用例６」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている。
（６−ア）
「（産業上の利用分野）
　本発明は，物体からの輻射を利用した温度計測に基づく，物体表面の温度制御方法に関する。」（１頁左下欄１４〜１６行）
　
（６−イ）
「この他，
本発明は
ランプアニール，レーザーアニール等の表面熱処理なども適用対象に含むものである
　
　また，同様に，本願優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−３８７５号公報（以下，「引用例７」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている。
（７−ア）
「【００５３】上記レーザー光を用いる代わりに，
フラッシュランプを使用して短時間に１０００〜１２００℃（シリコンウェハーに設置されたモニターの温度）まで上昇させて試料を加熱する
　
　また，同様に，本願優先日前に頒布された刊行物である特開平８−２５５８００号公報（以下，「引用例８」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている。
（８−ア）
「【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスの多くでは，要求される高いレベルのデバイスの性能，収率及びプロセスの再現性は，処理中に基板の温度（例えば，半導体ウエハ）がきちんと制御された場合に限って達せられる。このような制御のレベルを達するためには，基板温度をリアルタイムに且つインシチュウ(in situ )に測定して不測の温度変動が直ちに検出され補正される必要がある場合がしばしばである。
【０００３】例えば，急速熱アニーリング(rapid thermal annealing) （ＲＴＡ）・・・を考える。・・・」
　
（８−イ）
「【０００６】・・・理想的な条件下では，ε（λ，Ｔ）がわかればウエハの温度は正確に決定できる。
【０００７】しかし，これは半導体産業において広く用いられているにもかかわらず，光学的放射温度測定はなお，基板の放射率を正確に測定することの不可能さから来る制限を受けている。更に，
仮に基板の放射率が所定の温度で既知であっても，温度によって変化する
　
　また，同様に，本願優先日前に頒布された刊行物である国際公開第９７／２２１４２号（以下，「引用例９」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている。
（９−ア）
「
次に本願発明の半導体膜にアニール処理を施して結晶化させる方法について説明する。本願発明で殊の外有用なアニール処理はレーザー光や高エネルギー光を照射して半導体膜の溶融結晶化やＶＳＴ−ＳＰＣを行う方法で有る
レーザーパルスの強度半値幅（即ちアニール処理時間）は１０ｎｓ程度から５００ｎｓ程度の短時間で有る
レーザー照射は基板を室温（２５℃）程度から４００℃程度の間とし，空気中乃至は背景真空度が１０
−４
Ｔｏｒｒ程度から１０
−９
Ｔｏｒｒ程度の真空中
　
　
３　対比・判断
　
（１）対比 
　補正発明と引用発明とを対比する。
　
ア　引用発明の「基体温度の測定方法」は，補正発明の「温度測定方法」に相当する。
　
イ　引用発明の「基体」は，補正発明の「ワークピース」に相当し，引用発明の「基体」は半導体ウェハを含むものである。また，引用発明において，第２の赤外線輻射温度計により前記基体の輻射熱を測定している時点を「現在」と定義すれば，引用発明の「第２の赤外線輻射温度計により前記基体の輻射熱を測定する工程」は，基体から熱的に放射される放射の現在の強度を測定する工程であるといえる。
　してみると，引用発明の「第２の赤外線輻射温度計により前記基体の輻射熱を測定する工程」と，補正発明の「ａ）ワークピースの第１の表面から熱的に放射される放射の現在の強度を測定するステップであって，前記ワークピースは半導体ウェハを含み，前記第１の表面は前記ウェハの装置側を含む，前記測定するステップ」とは，「ワークピースから熱的に放射される放射の現在の強度を測定するステップであって，前記ワークピースは半導体ウェハを含む，前記測定するステップ」である点で共通する。
　
ウ　本願明細書の段落【０１２４】における「・・・さらに特に，本実施例において，少なくとも１つの先の熱特性は，照射フラッシュの開始直前のウェハ１２０の装置側１２２の先の温度ＴDEVICE（ｔ０），および，これに対応する照射フラッシュの開始直前の装置側からの熱放射の先の強度ＩDEVICE（ｔ０）を含む。」の記載からみて，補正発明の「各先の時間における前記第１の表面の先の温度および前記先の時間における前記第１の表面から熱的に放射された放射の先の強度」は，「所定の先の時間における前記第１の表面の先の温度および前記所定の先の時間における前記第１の表面から熱的に放射された放射の先の強度」を含むものといえる。
　これに対し，引用発明において，「前記第１の赤外線輻射温度計の出力」を得ている時間は，「第２の赤外線輻射温度計により前記基体の輻射熱を測定している時点」に先行する時間であるから，当該時間は，「所定の先の時間」であるといえる。また，引用発明では，上記「所定の先の時間」において，基体は既知の環境温度に制御されていることが明らかである。
　そうすると，引用発明の「既知の環境温度」および「前記第１の赤外線輻射温度計の出力」と，補正発明の「各先の時間における前記第１の表面の先の温度」および「前記先の時間における前記第１の表面から熱的に放射された放射の先の強度」とは，「各先の時間における前記ワークピースの先の温度」および「前記先の時間における前記ワークピースから熱的に放射された放射の先の強度」である点で共通する。
　また，引用発明の「前記第１の赤外線輻射温度計の出力から前記基体の既知の環境温度に基づいて輻射率を求め」る点に関し，引用例１の【発明の詳細な説明】の欄には，上記摘記事項（１−コ）の実施例５．において，参照光発生器によるウエハ１０への入射光強度Ｉｏと反射光強度Ｉｒとから輻射率を測定することが記載されているものの，「前記第１の赤外線輻射温度計の出力から前記基体の既知の環境温度に基づいて輻射率を求め」ることについては，具体的な手法の記載がない。しかし，赤外線輻射温度計の出力と，基体の既知の環境温度とに基づいて輻射率が求められることは，例えば，特開２００１−３０４９７１号公報の段落【０００６】および【０００７】に記載されているように，物理学における技術常識である。
　そして，引用発明では，「前記第１の赤外線輻射温度計の出力から前記基体の既知の環境温度に基づいて輻射率を求め，前記第１の赤外線輻射温度計により前記基体の温度を正しく表示せしめるための赤外線感度補正値を演算」し，「前記第２の赤外線輻射温度計の出力から前記温度校正チェンバで求めた赤外線感度補正値に基づき真空処理チェンバ内に置かれた基体の真の温度を算出」しているのであるから，引用発明は，「前記第１の赤外線輻射温度計の出力」すなわち「前記先の時間における前記ワークピースから熱的に放射された放射の先の強度」と，「前記基体の既知の環境温度」すなわち「各先の時間における前記ワークピースの先の温度」と，「前記第２の赤外線輻射温度計の出力」すなわち「現在の強度」とに基づいて，演算により，「真空処理チェンバ内に置かれた基体の真の温度」すなわち「前記ワークピースの現在の温度」を算出しているといえる。
　
　以上のことから，引用発明の「『前記第１の赤外線輻射温度計の出力から前記基体の既知の環境温度に基づいて輻射率を求め，前記第１の赤外線輻射温度計により前記基体の温度を正しく表示せしめるための赤外線感度補正値を演算する工程』，および，『前記第２の赤外線輻射温度計の出力から前記温度校正チェンバで求めた赤外線感度補正値に基づき真空処理チェンバ内に置かれた基体の真の温度を算出する工程』」と，補正発明の「前記の現在の強度および各先の時間における前記第１の表面の先の温度および前記先の時間における前記第１の表面から熱的に放射された放射の先の強度に応答して，前記第１の表面の現在の温度を識別するステップ」とは，「前記の現在の強度および各先の時間における前記ワークピースの先の温度および前記先の時間における前記ワークピースから熱的に放射された放射の先の強度に応答して，前記ワークピースの現在の温度を識別するステップ」である点で共通する。
　
　してみると，両者は， 
　
（一致点）
「温度測定方法であって，
　ａ）ワークピースから熱的に放射される放射の現在の強度を測定するステップであって，前記ワークピースは半導体ウェハを含む，前記測定するステップと，　
　ｂ）前記の現在の強度および各先の時間における前記ワークピースの先の温度および前記先の時間における前記ワークピースから熱的に放射された放射の先の強度に応答して，前記ワークピースの現在の温度を識別するステップを含む，前記方法。」
の点で一致し，以下の点で相違する。
　
（相違点）補正発明では，ワークピースから熱的に放射される放射が「ウェハの装置側」の「第１の表面」から放射される放射であり，ワークピースの温度が前記「第１の表面」の「温度」であり，温度を識別するステップが「前記第１の表面が前記ワークピースの熱伝導時間より短い持続時間を有する照射フラッシュにさらされている間に，前記第１の表面の前記の現在の温度を識別することを含む」のに対して，引用発明では，そのような構成でない点。
　
（２）判断
　上記相違点について検討する。
　半導体ウエハの処理の分野において，フラッシュ光，または，レーザー光を短時間照射フラッシュすることにより，ウエハ表面以外の加熱，すなわち，熱伝導を抑えつつ，ウエハの表面のみ輻射熱によりアニールする技術が存在することは，例えば，引用例２に関する上記摘記事項（２−ア），引用例３に関する上記摘記事項（３−ア）に記載されているように，本願優先日前の技術常識であり，照射フラッシュによるアニールに際して，ウエハの温度測定を行うことも，例えば，引用例４に関する上記摘記事項（４−ア），引用例５に関する上記摘記事項（５−ア），引用例５に関する上記摘記事項（５−ア），引用例６に関する上記摘記事項（６−イ）および引用例７に関する上記摘記事項（７−ア）に記載されているように，本願優先日前に周知である。
　また，照射フラッシュにより，ウエハの表面のみ輻射熱によりアニールする際には，温度監視すべき場所は，照射フラッシュが照射される側のウエハ表面，すなわち，補正発明でいうところの「第１の表面」であることが自明である。
　そして，引用発明も上記周知技術も，半導体ウエハの処理という同一の技術分野に属し，温度測定を行う点で共通しており，引用発明において，ウエハの輻射率が温度に対して一定でないという技術的課題は，引用例８に関する上記摘記事項（８−イ）に記載されているようにアニールの際の温度測定においても当然に存在する技術的課題であるから，上記周知技術も当該技術的課題を有していることが明らかであり，また，引用発明は真空処理装置に関するものであるが，上記周知技術が真空状態においても適用可能なものであることは，引用例９に関する上記摘記事項（９−ア）に記載されているように，技術常識である。
　してみると，引用発明の温度測定方法を上記周知技術における温度測定に適用し，上記相違点における補正発明のようにすることは，当業者であれば，何ら困難性はなく，容易に想到し得る事項であるといえる。
　
　そして，本願明細書に記載された補正発明によってもたらされる効果は，引用例１の記載事項および周知の事項から，当業者であれば予測することができる程度のものであり，格別顕著なものとはいえない。
　
　したがって，補正発明は，引用発明および周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（３）付記（回答書における請求人の主張について）
　請求人は，平成２２年８月９日付けで提出された審尋に対する回答書の２頁１４〜２４行において「しかしながら，引用例１では，『現在の強度』および『温度計出力−温度換算表』に基づいて，『温度』を識別するのに対し，本願発明では，『現在の強度』，『先の温度』および『先の強度』に基づいて，『現在の温度』を識別する点で，本願発明は引用例１とは異なります。 
　ここで，引用例１の表５に示される通り，『温度計出力−温度換算表』には，『先の温度』および『先の強度』のいずれも含まれておりません。また，引用例１の表５に示される値は，表３または表４等の値から導出された値であり，表３または表４等の値は，表１の温度計出力の電圧値と表２から導出された放射値とを掛けて求めたものです。即ち，引用例１の表５に示される値は，ウェハの温度や強度の実際の測定値ではなく，計算によって求められた『推定値』であり，この点で本願発明と異なります。」と主張している。
　しかし，引用発明では，確かに，赤外線感度補正値を演算しているが，当該演算は，実際の測定値である「基体の既知の環境温度」および「第１の赤外線輻射温度計からの出力」に基づくものであるから，補正発明と同様に，「先の時間における基体の先の温度および前記先の時間における前記基体から熱的に放射された放射の先の強度に応答して」いるといえる。
　よって，請求人の上記主張は，採用することができない。
　
４　まとめ
　以上のとおりであるから，本件補正は，平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により，却下すべきものである。 
　
　
第３　本願発明について
　
１　本願発明
　以上のとおり，本件補正は，却下されることとなったから，本件特許出願人が特許を受けようとする発明として特定する事項は，平成２０年８月２８日付けの手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜４０に記載されたとおりのものと認められ，そのうち請求項１は，次のとおりである。（以下，「本願発明」という。）　
「【請求項１】　
　温度測定方法であって，
　ａ）ワークピースの第１の表面から熱的に放射される放射の現在の強度を測定するステップと，
　ｂ）前記の現在の強度および各先の時間における前記第１の表面の先の温度および前記先の時間における前記第１の表面から熱的に放射された放射の先の強度に応答して，前記第１の表面の現在の温度を識別するステップと，
を含む，前記方法。」
　
２　引用刊行物の記載事項　
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例およびその記載事項は，上記「第２　２　引用刊行物の記載事項」に記載したとおりである。
　
３　判断　
　本願発明は，補正発明から，「前記ワークピースは半導体ウェハを含み，前記第１の表面は前記ウェハの装置側を含む」および「前記第１の表面が前記ワークピースの熱伝導時間より短い持続時間を有する照射フラッシュにさらされている間に，前記第１の表面の前記の現在の温度を識別することを含む」との限定を省いたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，さらに他の構成要件を付加したものに相当する補正発明が，上記「第２　３　対比・判断」において検討のとおり，引用発明および周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，引用発明および周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるというべきである。
　
４　むすび　
　以上のとおり，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。　
　
　よって，結論のとおり審決する。