【事件の表示】
　特願２００３−３２７７５４「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　４月　７日出願公開、特開２００５−　９３８７４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１５年９月１９日の出願であって、平成２０年９月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１０月１６日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、その後、当審において平成２３年１月１７日付けで拒絶理由通知がなされ、同年３月１８日付けで意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされ、さらに、当審において同年４月１４日付けで最後の拒絶理由通知がなされ、同年６月１６日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成２３年６月１６日付けの手続補正について
【補正の却下の決定の結論】
　平成２３年６月１６日付けの手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容
　平成２３年６月１６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の請求項１を補正するものであり、補正前後の請求項１は、以下のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】
　絶縁層上の半導体層に電界効果型トランジスタが形成された半導体装置であって、
　前記半導体層には、ボディ領域を挟んでソース領域とドレイン領域とが設けられ、
　前記半導体層を覆うようにゲート絶縁膜が設けられ、
　前記ボディ領域には、前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極が設けられ、
　前記ドレイン領域側の前記半導体層の膜厚が前記ソース領域側の前記半導体層の膜厚に比べて厚く、
　前記ボディ領域と前記ドレイン領域との間の前記半導体層に電界緩和領域が設けられ、
　前記ボディ領域と前記ソース領域とが接しており、前記ボディ領域と前記ソース領域との間の前記半導体層には他の領域は存在せず、
　前記ドレイン領域は、第１濃度を有する第１不純物層を有し、
　前記電界緩和領域は、
　前記第１不純物層と同一の導電型で第２濃度を有する第２不純物層と、
　前記第２不純物層と接しており、前記第１不純物層と同一の導電型で第３濃度を有する第３不純物層と、を有し、
　前記第３濃度は前記第２濃度よりも低濃度であり、前記第２濃度は前記第１濃度よりも低濃度であり、
　前記第２不純物層は前記ドレイン領域側に設けられ、
　前記第３不純物層は前記ボディ領域側から前記第２不純物層の下側にかけて連続して設けられ、
　前記第１不純物層と前記第２不純物層との界面は、断面視で、前記ゲート電極側から前記絶縁層側に向かうに従って、前記ゲート電極直下の前記半導体層から離れるように円弧状に湾曲して形成され、
　前記第１不純物層と前記第３不純物層との界面は、断面視で、前記ゲート電極側から前記絶縁層側に向かうに従って、前記ゲート電極直下の前記半導体層から離れるように円弧状に湾曲して形成され、
　前記第２不純物層と前記第３不純物層との界面は、断面視で、前記ゲート電極側から前記絶縁層側に向かうに従って、前記ゲート電極直下の前記半導体層から離れるように円弧状に湾曲して形成され、
　前記第３不純物層と前記ボディ領域との界面は、断面視で、前記ゲート電極側から前記絶縁層側に向かうに従って、前記ゲート電極直下の前記半導体層から離れるように円弧状に湾曲して形成されていることを特徴とする半導体装置。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　絶縁層上の半導体層に電界効果型トランジスタが形成された半導体装置であって、
　前記半導体層には、ボディ領域を挟んでソース領域とドレイン領域とが設けられ、
　前記半導体層を覆うようにゲート絶縁膜が設けられ、
　前記ボディ領域には、前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極が設けられ、
　前記ドレイン領域側の前記半導体層の膜厚が前記ソース領域側の前記半導体層の膜厚に比べて厚く、
　前記ボディ領域と前記ドレイン領域との間の前記半導体層に電界緩和領域が設けられ、
　前記ボディ領域と前記ソース領域とが接しており、前記ボディ領域と前記ソース領域との間の前記半導体層には他の領域は存在せず、
　前記ドレイン領域は、第１濃度を有する第１不純物層を有し、
　前記電界緩和領域は、
　前記第１不純物層と同一の導電型で第２濃度を有する第２不純物層と、
　前記第２不純物層と接しており、前記第１不純物層と同一の導電型で第３濃度を有する第３不純物層と、を有し、
　前記第３濃度は前記第２濃度よりも低濃度であり、前記第２濃度は前記第１濃度よりも低濃度であり、
　前記第２不純物層は前記ドレイン領域側に設けられ、
　前記第３不純物層は前記ボディ領域側から前記第２不純物層の下側にかけて連続して設けられ、
　前記第１不純物層と前記第２不純物層との界面は、断面視で、前記ゲート電極側から前記絶縁層側に向かうに従って、前記ゲート電極直下の前記半導体層から離れるように湾曲して形成され、
　前記第１不純物層と前記第３不純物層との界面は、断面視で、前記ゲート電極側から前記絶縁層側に向かうに従って、前記ゲート電極直下の前記半導体層から離れるように湾曲して形成され、
　前記第２不純物層と前記第３不純物層との界面は、断面視で、前記ゲート電極側から前記絶縁層側に向かうに従って、前記ゲート電極直下の前記半導体層から離れるように湾曲して形成され、
　前記第３不純物層と前記ボディ領域との界面は、断面視で、前記ゲート電極側から前記絶縁層側に向かうに従って、前記ゲート電極直下の前記半導体層から離れるように湾曲して形成され、
　前記第３濃度を有する前記第３不純物層は、
　前記第２不純物層と接しており、前記第２不純物層と同一の導電型で第４濃度を有する第４不純物層と、
　前記第４不純物層と前記ボディ領域とに接しており、前記第４不純物層と同一の導電型で第５濃度を有する第５不純物層と、を含み、
　前記第５濃度は前記第４濃度よりも低濃度であり、
　前記第４不純物層と前記第５不純物層との界面は、断面視で、前記ゲート電極側から前記絶縁層側に向かうに従って、前記ゲート電極直下の前記半導体層から離れるように湾曲して形成されていることを特徴とする半導体装置。」
　
（２）補正事項の整理
（補正事項ａ）補正前の請求項１の「前記ゲート電極直下の前記半導体層から離れるように円弧状に湾曲して形成され」を、補正後の請求項１の「前記ゲート電極直下の前記半導体層から離れるように湾曲して形成され」と補正すること。
　
（補正事項ｂ）
　補正前の請求項１に、
「前記第３濃度を有する前記第３不純物層は、
　前記第２不純物層と接しており、前記第２不純物層と同一の導電型で第４濃度を有する第４不純物層と、
　前記第４不純物層と前記ボディ領域とに接しており、前記第４不純物層と同一の導電型で第５濃度を有する第５不純物層と、を含み、
　前記第５濃度は前記第４濃度よりも低濃度であり、
　前記第４不純物層と前記第５不純物層との界面は、断面視で、前記ゲート電極側から前記絶縁層側に向かうに従って、前記ゲート電極直下の前記半導体層から離れるように湾曲して形成されている」
という事項を追加すること。
　
（３）補正の目的の適否および新規事項の追加の有無についての検討
（３−１）補正事項ａについて
　補正前の請求項１の「円弧状に湾曲して形成され」を、補正後の請求項１の「湾曲して形成され」と拡張するものであり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）の第１ないし４号に掲げる請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれの事項をも目的とするものではないので、補正事項ａは、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
（３−２）補正事項ｂについて
　補正前の請求項１の発明特定事項である「第３濃度を有する第３不純物層」について、「前記第２不純物層と接しており、前記第２不純物層と同一の導電型で第４濃度を有する第４不純物層と、
　前記第４不純物層と前記ボディ領域とに接しており、前記第４不純物層と同一の導電型で第５濃度を有する第５不純物層と、を含み、
　前記第５濃度は前記第４濃度よりも低濃度であり、
　前記第４不純物層と前記第５不純物層との界面は、断面視で、前記ゲート電極側から前記絶縁層側に向かうに従って、前記ゲート電極直下の前記半導体層から離れるように湾曲して形成されている」と限定的に減縮する事項を付加する補正である。
　そして、この補正は、本願の願書に最初に添付した明細書の【００３９】ないし【００４１】段落及び図６の記載に基づく補正である。
　したがって、補正事項ｂは、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（以下「特許法第１７条の２第３項」という。）に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしており、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げられた特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（４）小括
上記（３−１）で検討したとおり、補正事項ａは、特許法１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
（５）本件補正が適法なものとした場合
（５−１）検討の前提
　上記（３−１）において検討したとおり、補正事項ａは、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていないが、仮に当該要件を満たすものであるとした場合、すなわち、補正事項ａが明りょうでない記載の釈明に該当するとした場合、上記（３−２）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項（以下「特許法第１７条の２第５項」という。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて、一応検討する。
　
（５−２）当審において平成２３年４月１４日付けで通知した拒絶の理由
　当審において平成２３年４月１４日付けで通知した拒絶の理由の概要は、以下のとおりである。
（５−２−１）平成２３年３月１８日付けでした手続補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。（以下「拒絶理由１」という。）
（５−２−２）本願発明は、その出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平５−３２６５５６号公報及び特開平４−１８０６３４号公報に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。（以下「拒絶理由２」という。）
（５−２−３）この出願は、発明の詳細な説明の記載が、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。（以下「拒絶理由３」という。）
　
（５−３）拒絶理由２についての検討
（５−３−１）補正後の請求項１に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「補正後の発明」という。）は、上記２．（１）において、補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（５−３−２）引用刊行物に記載された発明
（５−３−２−１）当審において平成２３年４月１４日付けで通知した拒絶の理由に引用された、本願の出願前である平成５年１２月１０日に頒布された刊行物である特開平５−３２６５５６号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図１とともに、以下の事項が記載されている。（なお、下線は、当審において付与したものである。以下同様。）
　
　「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、半導体装置，特に薄膜ＳＯＩ（Silicon On Insulator）ＭＯＳトランジスタの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】絶縁膜上に成長させた単結晶シリコン膜（以下ＳＯＩ膜という）に形成したＭＯＳトランジスタ（以下ＳＯＩ素子という）は、シリコン基板上に形成したＭＯＳトランジスタ（以下バルク素子という）にはない特長を有する。例えば、ラッチアップが起こり難いこと，放射線耐性が高いこと，浮遊容量が低いこと，そして三次元ICへ適用が可能であること等である。
【０００３】しかしながら、従来のＳＯＩ素子はＳＯＩ膜の結晶性が良好ではないため、キャリアの移動度がバルク素子よりも小さく、動作性能がバルク素子には及ばなかった。また、ＳＯＩを接地しないことにより、ドレイン飽和電流が一定しないキンク効果が生じて動作性能を悪化させ、回路設計上の障害となる等の欠点があった。
【０００４】このような欠点の対策として、1982年にＳＯＩ膜の膜厚を従来の5000〜8000Åから略1000Åとした薄膜ＳＯＩ素子が考えられた。薄膜ＳＯＩ素子はＳＯＩ膜を充分薄くすることにより、トランジスタが動作するときに、ＳＯＩ膜が全て空乏化され、これによりキャリアの移動度が大きくなる。また、この薄膜ＳＯＩ素子は、キンク効果を抑制するという報告がなされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、薄膜ＳＯＩ素子ではＳＯＩ膜が薄膜化されるに伴い、ドレイン電界が強化されるために、薄膜ＳＯＩ素子のドレイン破壊電圧が低下する。また、ドレイン電界が強化されるために、シリコン原子がイオン化し、インパクトイオン率が増加するという問題があった。
【０００６】これらの問題を解決し、ＳＯＩ素子の利点を損なわない薄膜ＳＯＩ素子が考えられている（財団法人新機能素子研究開発協会編“三次元回路素子研究開発プロジェクト (1981年度〜1990年度) −研究成果概要，波及効果と展望−”, p 97〜p104）。
【０００７】
図１はこの薄膜ＳＯＩ素子の模式的断面図である。Si基板１上に絶縁膜２が堆積され、この上に厚膜のＳＯＩ層３が形成される。その後に、リソグラフィ工程を行ってドレイン領域６にマスクを形成し、反応性イオンエッチングまたは、熱酸化してHFで除去することにより、ドレイン領域６以外のＳＯＩ層３の領域を薄くする。そしてゲート電極形成領域下部の反転領域11上にゲート酸化膜７を形成し、その上にゲート電極４を形成する。そしてイオン注入を行ってドレイン領域６及びソース領域５を形成する。
　
　したがって、引用刊行物１には、以下の発明（以下「刊行物発明１」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「Si基板１上に堆積された絶縁膜２の上のＳＯＩ層３に形成され、ドレイン領域６以外のＳＯＩ層３の領域が薄くされ、反転領域11上にゲート酸化膜７が形成され、その上にゲート電極４が形成され、反転領域11を挟んでドレイン領域６及びソース領域５が形成された薄膜ＳＯＩＭＯＳトランジスタ。」
　
（５−３−２−２）当審において平成２３年４月１４日付けで通知した拒絶の理由に引用された、本願の出願前である平成４年６月２６日に頒布された刊行物である特開平４−１８０６３４号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、第１及び２図とともに、以下の事項が記載されている。
　
　「第１図は本発明の第１の実施例を説明するための半導体チップの断面図である。
　第１図に示すように、Ｐ型シリコン基板１の一主面に選択的にフィールド酸化膜２を形成して素子形成領域を区画し、素子形成領域の表面にゲート酸化膜３を設ける。次に、ゲート酸化膜３の上にゲート電極４を選択的に設け、ゲート電極４及びフィールド酸化膜２をマスクとして
リンイオンを加速エネルギー１０ｋｅＶ、ドーズ量１×１０
１３
cm
−２
でイオン注入し、第１のＮ型低濃度拡散層８を形成する。
リンイオンを加速エネルギー２０ｋｅＶ、ドーズ量１．２×１０
１３
cm
−２
でイオン注入し、低濃度拡散層８に接続した第２のＮ型低濃度拡散層９を設ける。
リンイオンを加速エネルギー３０ｋｅＶ、ドーズ量１．４×１０cm
−２
で（当審注：「１．４×１０
１３
cm
−２
」の誤記と認められる。）イオン注入し、第３のＮ型低濃度拡散層１０を設ける。
ヒ素イオンを加速エネルギー５０ｋｅＶ、ドーズ量１×１０
１4
cm
−２
でイオン注入し、Ｎ型の高濃度拡散層１１を形成する。
　第２図は本発明の第２の実施例を説明するための半導体チップの断面図である。
　
第２図に示すように、イオン注入の加速エネルギーを順次低下させて、低濃度拡散層８，９，１０の拡散深さを順次浅くして設けた以外は第１の実施例と同じ構成
〔発明の効果〕
　以上説明したように本発明は、
ゲート電極側から高濃度拡散層側へ濃度勾配をゆるやかに変化させた複数の低濃度拡散層を形成することにより、チャネル側の電界強度を低下させる事ができる。
　
　上記記載からは、
　「Ｐ型シリコン基板１の主表面にゲート酸化膜を介して形成されたゲート電極４と前記ゲート電極を挟むように、前記Ｐ型シリコン基板１の前記主表面に形成された１対のＮ型の高濃度拡散層１１と、
　前記ゲート電極４の下方の前記Ｐ型シリコン基板１の前記主表面と前記Ｎ型の高濃度拡散層１１に接し、前記Ｐ型シリコン基板１の前記主表面に形成された第１のＮ型低濃度拡散層８と、
　前記Ｎ型の高濃度拡散層１１に接し、前記第１のＮ型低濃度拡散層８内の前記主表面に形成された第２のＮ型低濃度拡散層９と、
　前記Ｎ型の高濃度拡散層１１に接し、前記第２のＮ型低濃度拡散層９内の前記主表面に形成された第３のＮ型低濃度拡散層１０を有し、
　第１のＮ型低濃度拡散層８の濃度は、第２のＮ型低濃度拡散層９の濃度よりも小さく、
　第２のＮ型低濃度拡散層９の濃度は、第３のＮ型低濃度拡散層１０の濃度よりも小さく、
　第３のＮ型低濃度拡散層１０の濃度は、Ｎ型の高濃度拡散層１１の濃度よりも小さい、ＬＤＤ構造のＭＯＳトランジスタ。」の構造が読み取れる。
　
　ここで、「第１のＮ型低濃度拡散層８」、「第２のＮ型低濃度拡散層９」、「第３のＮ型低濃度拡散層１０」及び「Ｎ型の高濃度拡散層１１」は、イオン注入を用いて形成されていることから、イオン注入後に熱処理を行って不純物の活性化を行っていることは、当業者にとって自明である。そうすると、「第１のＮ型低濃度拡散層８」、「第２のＮ型低濃度拡散層９」、「第３のＮ型低濃度拡散層１０」及び「Ｎ型の高濃度拡散層１１」の底面角部は、熱処理の際の拡散現象により湾曲して形成されているものと認められる。
　以上のことから、引用刊行物２には、以下の発明（以下「刊行物発明２」という。）が記載されているものと認められる。
　
「Ｐ型シリコン基板１の主表面にゲート酸化膜を介して形成されたゲート電極４と前記ゲート電極を挟むように、前記Ｐ型シリコン基板１の前記主表面に形成された１対のＮ型の高濃度拡散層１１と、
　前記ゲート電極４直下の前記Ｐ型シリコン基板１の領域と前記Ｎ型の高濃度拡散層１１に接し、前記Ｐ型シリコン基板１の前記主表面に形成された第１のＮ型低濃度拡散層８と、
　前記Ｎ型の高濃度拡散層１１に接し、前記第１のＮ型低濃度拡散層８内の前記主表面に形成された第２のＮ型低濃度拡散層９と、
　前記Ｎ型の高濃度拡散層１１に接し、前記第２のＮ型低濃度拡散層９内の前記主表面に形成された第３のＮ型低濃度拡散層１０を有し、
　第１のＮ型低濃度拡散層８の濃度は、第２のＮ型低濃度拡散層９の濃度よりも小さく、
　第２のＮ型低濃度拡散層９の濃度は、第３のＮ型低濃度拡散層１０の濃度よりも小さく、
　第３のＮ型低濃度拡散層１０の濃度は、Ｎ型の高濃度拡散層１１の濃度よりも小さい、ＬＤＤ構造のＭＯＳトランジスタであって、
　前記型の高濃度不純物層１１と前記第３のＮ型低濃度拡散層１０との界面は、断面視で、ゲート電極４側からＰ型シリコン基板１の内部に向かうに従って、前記ゲート電極４直下の前記Ｐ型シリコン基板１の前記領域から離れるように湾曲して形成され、
　前記Ｎ型の高濃度不純物層１１と前記第１のＮ型低濃度拡散層８、前記第２のＮ型低濃度拡散層９との界面は、断面視で、前記ゲート電極４側から前記Ｐ型シリコン基板１の内部に向かうに従って、前記ゲート電極４直下の前記Ｐ型シリコン基板１の前記領域から離れるように湾曲して形成され、
　前記第３のＮ型低濃度拡散層１０と前記第２のＮ型低濃度拡散層９との界面は、断面視で、前記ゲート電極４側から前記Ｐ型シリコン基板１の内部に向かうに従って、前記ゲート電極４直下の前記Ｐ型シリコン基板１の前記領域から離れるように湾曲して形成され、
　前記第１のＮ型低濃度拡散層８と前記ボディ領域との界面は、断面視で、前記ゲート電極４側から前記Ｐ型シリコン基板１の内部に向かうに従って、前記ゲート電極４直下の前記Ｐ型シリコン基板１の前記領域から離れるように湾曲して形成され、
　前記第２のＮ型低濃度拡散層９と前記第１のＮ型低濃度拡散層８との界面は、断面視で、前記ゲート電極４側から前記Ｐ型シリコン基板１の内部に向かうに従って、前記ゲート電極４直下の前記Ｐ型シリコン基板１の前記領域から離れるように湾曲して形成されている、
ＬＤＤ構造のＭＯＳトランジスタ。」
　
（５−３−３）補正後の発明と刊行物発明１との対比
（５−３−３−１）刊行物発明１の「薄膜ＳＯＩＭＯＳトランジスタ」は、補正後の発明の「絶縁層上の半導体層に電界効果型トランジスタが形成された半導体装置」に相当する。
　
（５−３−３−２）刊行物発明１の「絶縁膜２」、「ＳＯＩ層３」、「反転領域11」及び「ゲート酸化膜７」は、各々補正後の発明の「絶縁層」、「半導体層」、「ボディ領域」及び「ゲート絶縁膜」に相当する。
　
（５−３−３−３）刊行物発明１において、「反転領域11」と「ソース領域５」とが接しており、「反転領域11」と「ソース領域５」との間の「ＳＯＩ層３」には他の領域が存在しないことは明らかである
　
（５−３−３−４）すると、補正後の発明と刊行物発明１とは、
「絶縁層上の半導体層に電界効果型トランジスタが形成された半導体装置であって、
　前記半導体層には、ボディ領域を挟んでソース領域とドレイン領域とが設けられ、
　前記半導体層を覆うようにゲート絶縁膜が設けられ、
　前記ボディ領域には、前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極が設けられ、
　前記ドレイン領域側の前記半導体層の膜厚が前記ソース領域側の前記半導体層の膜厚に比べて厚く、
　　前記ボディ領域と前記ソース領域とが接しており、前記ボディ領域と前記ソース領域との間の前記半導体層には他の領域は存在せず、
　前記ドレイン領域は、第１濃度を有する第１不純物層を有する半導体装置。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点）
　補正後の発明では、「前記ボディ領域と前記ドレイン領域との間の前記半導体層に電界緩和領域が設けられ、」
「前記電界緩和領域は、
前記第１不純物層と同一の導電型で第２濃度を有する第２不純物層と、
　前記第２不純物層と接しており、前記第１不純物層と同一の導電型で第３濃度を有する第３不純物層と、を有し、
　前記第３濃度は前記第２濃度よりも低濃度であり、前記第２濃度は前記第１濃度よりも低濃度であり、
　前記第２不純物層は前記ドレイン領域側に設けられ、
　前記第３不純物層は前記ボディ領域側から前記第２不純物層の下側にかけて連続して設けられ、
　前記第１不純物層と前記第２不純物層との界面は、断面視で、前記ゲート電極側から前記絶縁層側に向かうに従って、前記ゲート電極直下の前記半導体層から離れるように湾曲して形成され、
　前記第１不純物層と前記第３不純物層との界面は、断面視で、前記ゲート電極側から前記絶縁層側に向かうに従って、前記ゲート電極直下の前記半導体層から離れるように湾曲して形成され、
　前記第２不純物層と前記第３不純物層との界面は、断面視で、前記ゲート電極側から前記絶縁層側に向かうに従って、前記ゲート電極直下の前記半導体層から離れるように湾曲して形成され、
　前記第３不純物層と前記ボディ領域との界面は、断面視で、前記ゲート電極側から前記絶縁層側に向かうに従って、前記ゲート電極直下の前記半導体層から離れるように湾曲して形成され、
　前記第３濃度を有する前記第３不純物層は、
　前記第２不純物層と接しており、前記第２不純物層と同一の導電型で第４濃度を有する第４不純物層と、
　前記第４不純物層と前記ボディ領域とに接しており、前記第４不純物層と同一の導電型で第５濃度を有する第５不純物層と、を含み、
　前記第５濃度は前記第４濃度よりも低濃度であり、
　前記第４不純物層と前記第５不純物層との界面は、断面視で、前記ゲート電極側から前記絶縁層側に向かうに従って、前記ゲート電極直下の前記半導体層から離れるように湾曲して形成されている」のに対して、刊行物発明１では、「電界緩和領域」に相当するものが形成されていない点。
　
（５−３−４）判断
　刊行物発明２において、「第３のＮ型低濃度拡散層１０」、「第２のＮ型低濃度拡散層９」及び「第１のＮ型低濃度拡散層８」から構成される部分と、補正後の発明において、「第２不純物層」、「第４不純物層」及び「第５不純物層」から構成される部分は、ともにＭＯＳトランジスタにおける電界緩和領域であって、刊行物発明２の「Ｎ型の高濃度不純物層１１」、「第３のＮ型低濃度拡散層１０」、「第２のＮ型低濃度拡散層９」及び「第１のＮ型低濃度拡散層８」は、各々補正後の発明の「第１不純物層」、「第２不純物層」、「第４不純物層」及び「第５不純物層」に相当し、刊行物発明２において「第１のＮ型低濃度拡散層８」と「第２のＮ型低濃度拡散層９」を合わせた領域は、補正後の発明の「第３不純物層」に相当する。
　そして、引用刊行物２には、「ゲート電極側から高濃度拡散層側へ濃度勾配をゆるやかに変化させた複数の低濃度拡散層を形成することにより、チャネル側の電界強度を低下させることができる。よって、ホットキャリア効果による基板電流を低減できる事になり、半導体装置の信頼性を向上させる効果がある。」（第２頁右下欄第５〜１１行）と記載されており、刊行物発明２が、ＭＯＳトランジスタにおけるチャネル側の電界強度を低下させることを課題の一つとしていることは明らかである。
　ところで、刊行物発明１は、絶縁膜上のシリコン薄膜に形成されたＭＯＳトランジスタであるから、刊行物発明２のようなバルクシリコンに形成されたＭＯＳトランジスタと異なり、基板電流が流れることはない。
　しかしながら、絶縁膜上のシリコン薄膜に形成されたＭＯＳトランジスタであっても、チャネル側の電界強度が高くなれば、リーク電流の増大等の種々の悪影響が生ずることは当業者における技術常識であり、電界強度を低下させるために、例えば、後記周知例１及び２にも記載されているように、電界緩和領域を設けることが従来から行われてきているところである。
　したがって、当業者であれば、刊行物発明１においても、チャネル側の電界強度を低下させるという課題が存在することは直ちに察知し得たことであるから、刊行物発明１に対して刊行物発明２の電界強度緩和のための構成を適用することは、当業者が容易になし得たことである。
　さらに、ＭＯＳトランジスタにおいて、電界緩和領域をボディ領域とドレイン領域の間のみに形成することは、以下の周知例１、２に記載されているように、周知の技術である。
　
（周知例１）特開平１０−１５４８１４号公報には、図３とともに、以下の記載がなされている。
　「【００３７】続いて、図３（Ｃ）に示すように、Ｎ型の駆動回路用ＴＦＴ１０およびＮ型の画素用ＴＦＴ３０の形成領域をレジストマスク７１で覆ったままの状態で、約１０15ｃｍ-2のドーズ量でボロンイオン（高濃度の第２導電型不純物）を斜め上方（不純物の導入方向を矢印Ｄで示す。）から打ち込む。その結果、Ｐ型の駆動回路用ＴＦＴ２０では、不純物濃度が約１０20ｃｍ-3の高濃度ソース・ドレイン領域２６を備えるソース領域２８およびドレイン領域２９が形成される。但し、Ｐ型の駆動回路用ＴＦＴ２０では、図２（Ｂ）を参照して説明したように、ゲート電極２４は平面的には不純物の導入方向に直交する方向に延びているため、ドレイン領域２９のうちゲート電極２４の影になった部分には不純物が導入されない。従って、この部分の低濃度Ｐ型領域２３は不純物濃度が約１０18ｃｍ-3のＬＤＤ領域２７として残る。このようにして、
ドレイン領域２９がＬＤＤ構造で、ソース領域２８がセルフアライン構造のＰ型の駆動回路用ＴＦＴ２０を形成する。
　
（周知例２）特開２００１−２９０１７１号公報には、図３とともに、以下の記載がなされている。
　「【００３６】次に、ｎチャネル型ＴＦＴにおいて、ソース領域またはドレイン領域として機能する不純物領域の形成を行った。レジストのマスク１２５〜１２８を形成し、ｎ型を付与する不純物元素が添加して不純物領域１２９〜１３２を形成した。これは、フォスフィン（ＰＨ3）を用いたイオンドープ法で行い、この領域のリン（Ｐ）濃度を１×１０20〜１×１０21atoms／cm3とした。本明細書中では、ここで形成された不純物領域１２９〜１３２に含まれるｎ型を付与する不純物元素の濃度を（ｎ+）と表す。
マスク１２６により、後の第１のｎチャネル型ＴＦＴの活性層となる半導体層には、チャネル形成領域とドレイン領域との間だけに不純物が添加されない領域を形成する。
【００３７】不純物領域１２９〜１３２には、既に前工程で添加されたリン（Ｐ）またはボロン（Ｂ）が含まれているが、それに比して十分に高い濃度でリン（Ｐ）が添加されるので、前工程で添加されたリン（Ｐ）またはボロン（Ｂ）の影響は考えなくても良い。また、不純物領域１２９に添加されたリン（Ｐ）濃度は図３（Ａ）で添加されたボロン（Ｂ）濃度の１／２〜１／３なのでｐ型が確保され、ＴＦＴの特性に何ら影響を与えることはなかった。
【００３８】そして、
画素ＴＦＴのＬＤＤ領域を形成するためのｎ型を付与する不純物添加の工程を行った。ここではゲート電極１２２をマスクとして自己整合的にｎ型を付与する不純物元素をイオンドープ法で添加した。添加するリン（Ｐ）の濃度は１×１０
16
〜５×１０
18
atoms／cm
3
であり、図３（Ａ）および図３（Ｂ）で添加する不純物元素の濃度よりも低濃度で添加することで、実質的には不純物領域１３３、１３４、が形成される。
　
　そうすると、刊行物発明１の「反転領域11」と「ドレイン領域６」の間の電界を緩和するために、周知技術を勘案しつつ、刊行物発明２に記載された構成を適用し、補正後の発明のように、
「前記ボディ領域と前記ドレイン領域との間の前記半導体層に電界緩和領域が設けられ、」
「前記電界緩和領域は、
前記第１不純物層と同一の導電型で第２濃度を有する第２不純物層と、
　前記第２不純物層と接しており、前記第１不純物層と同一の導電型で第３濃度を有する第３不純物層と、を有し、
　前記第３濃度は前記第２濃度よりも低濃度であり、前記第２濃度は前記第１濃度よりも低濃度であり、
　前記第２不純物層は前記ドレイン領域側に設けられ、
　前記第３不純物層は前記ボディ領域側から前記第２不純物層の下側にかけて連続して設けられ、
　前記第１不純物層と前記第２不純物層との界面は、断面視で、前記ゲート電極側から前記絶縁層側に向かうに従って、前記ゲート電極直下の前記半導体層から離れるように湾曲して形成され、
　前記第１不純物層と前記第３不純物層との界面は、断面視で、前記ゲート電極側から前記絶縁層側に向かうに従って、前記ゲート電極直下の前記半導体層から離れるように湾曲して形成され、
　前記第２不純物層と前記第３不純物層との界面は、断面視で、前記ゲート電極側から前記絶縁層側に向かうに従って、前記ゲート電極直下の前記半導体層から離れるように湾曲して形成され、
　前記第３不純物層と前記ボディ領域との界面は、断面視で、前記ゲート電極側から前記絶縁層側に向かうに従って、前記ゲート電極直下の前記半導体層から離れるように湾曲して形成され、
　前記第３濃度を有する前記第３不純物層は、
　前記第２不純物層と接しており、前記第２不純物層と同一の導電型で第４濃度を有する第４不純物層と、
　前記第４不純物層と前記ボディ領域とに接しており、前記第４不純物層と同一の導電型で第５濃度を有する第５不純物層と、を含み、
　前記第５濃度は前記第４濃度よりも低濃度であり、
　前記第４不純物層と前記第５不純物層との界面は、断面視で、前記ゲート電極側から前記絶縁層側に向かうに従って、前記ゲート電極直下の前記半導体層から離れるように湾曲して形成されている」構成とすることは、当業者が容易になし得たものである。
　よって、上記相違点は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものであり、補正後の発明は、引用刊行物１、２に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明できたものである。
　
（５−３−５）拒絶理由２についてのまとめ
　以上、検討したとおり、補正後の発明と刊行物発明１との相違点は、当業者が、刊行物発明２及び周知技術を勘案することにより容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、補正後の発明は、引用刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定を満たしていない。
　
（５−４）拒絶理由３についての検討
（５−４−１）当審の判断
　補正後の発明は、本願明細書の第３実施形態に係るものと認められるところ、本願明細書の「【００３９】
　図６は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。
　図６において、半導体基板３１上には絶縁層３２が形成され、絶縁層３２上には単結晶半導体層３３が形成されている。ここで、単結晶半導体層３３には、膜厚の異なる領域が形成されとともに、膜厚の異なる領域間には傾斜面３３ａが形成されている。
　そして、ゲート電極３５の一端が単結晶半導体層３３の薄膜領域にかかるとともに、ゲート電極３５の他端が単結晶半導体層３３の厚膜領域にかかるようにして、ゲート絶縁膜３４を介してゲート電極３５が傾斜面３３ａ上に配置されている。そして、単結晶半導体層３３の薄膜領域側にソース層３７ａが配置されるとともに、単結晶半導体層３３の厚膜領域側にドレイン層３７ｂが配置されている。
　【００４０】
　そして、ゲート電極３５下のボディ領域とドレイン層３７ｂとの間には、電界緩和層３６ａ〜３６ｃが形成されている。ここで、電界緩和層３６ａ〜３６ｃは、ドレイン層３７ｂの不純物濃度よりも薄い不純物拡散層から構成することができる。そして、
電界緩和層３６ａ〜３６ｃは、単結晶半導体層２３の深さ方向にずらして配置され、電界緩和層３６ａ〜３６ｃの形成位置が浅くなるに従って不純物濃度を高くすることができる。
　【００４１】
　例えば、ｎチャネルトランジスタの場合、不純物としてリンＰを用いることができ、
電界緩和層３６ａを形成するための条件として、注入エネルギー４０ｋｅＶ、不純物濃度５Ｅ１２ｃｍ
-3
、電界緩和層３６ｂを形成するための条件として、注入エネルギー３０ｋｅＶ、不純物濃度８Ｅ１２ｃｍ
-3
、電界緩和層３６ｃを形成するための条件として、注入エネルギー２０ｋｅＶ、不純物濃度１Ｅ１３ｃｍ
-3
とすることができる。
　【００４２】
　これにより、しきい値電圧に影響を与えることなく、ドレイン層３７ｂ側の電界を緩和することが可能となるとともに、
イオン注入用のレジストマスクを付け直すことなく、電界緩和層３６ａ〜３６ｃを形成することができる。
　よって、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が補正後の発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでない。
　
（５−４−２）請求人の主張
　この点につき、請求人は、平成２３年６月１６日付け意見書において、
「電界緩和層３６ａ〜３６ｃの形成において、不純物をイオン注入する場合、飛程（即ち、不純物が打ち込まれる距離）は同じイオン種であれば、打ち込みエネルギーが高くなる程、深くなります。従って、例えばリン（Ｐ）を４０ｋｅＶで打ち込んだ飛程をｄ１、３０ｋｅＶで打ち込んだ飛程をｄ２、２０ｋｅＶで打ち込んだ飛程をｄ３とすると、
ｄ１＞ｄ２＞ｄ３
の関係が成り立ちます。この時、注入するＰのドーズ量に応じて不純物濃度を調整することもできます。さらに、４０ｋｅＶ、３０ｋｅＶ、２０ｋｅＶと打ち込みエネルギーを変えるとともに、
不純物の打ち込み位置を変えることもできます。
イオン注入用のレジストマスクを付け直すことなく、
　しかしながら、レジストマスクを用いてイオン注入を行う場合、レジストマスクで覆われていない領域は、すべて同じ条件で一様にイオン注入されるはずであり、レジストマスクで覆われていない領域内において、不純物の打ち込み位置を変えるということ、すなわち、図６の３６ａないし３６ｃの構成が実現できるということは、技術常識からみて考えがたいことである。
　したがって、請求人の主張は、採用できない。　
　
（５−４−３）拒絶理由３についてのまとめ　
　以上、検討したとおり、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が補正後の発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでないから、特許法第３６条第４項第１号の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定を満たしていない。
　
（６）むすび
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしておらず、また、仮に、当該要件を満たすものであったとしても、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定を満たしていないから、いずれにしても、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
 　
３．本願発明について
（１）拒絶理由１についての検討
　平成２３年６月１６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年３月１８日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、上記２．（１）において、補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　ここで、請求人は、平成２３年３月１８日付け手続補正において、請求項１に以下の事項を追加している。
　「前記第１不純物層と前記第２不純物層との界面は、断面視で、前記ゲート電極側から前記絶縁層側に向かうに従って、前記ゲート電極直下の前記半導体層から離れるように円弧状に湾曲して形成され、
　前記第１不純物層と前記第３不純物層との界面は、断面視で、前記ゲート電極側から前記絶縁層側に向かうに従って、前記ゲート電極直下の前記半導体層から離れるように円弧状に湾曲して形成され、
　前記第２不純物層と前記第３不純物層との界面は、断面視で、前記ゲート電極側から前記絶縁層側に向かうに従って、前記ゲート電極直下の前記半導体層から離れるように円弧状に湾曲して形成され、
　前記第３不純物層と前記ボディ領域との界面は、断面視で、前記ゲート電極側から前記絶縁層側に向かうに従って、前記ゲート電極直下の前記半導体層から離れるように円弧状に湾曲して形成されている」
　ここで、上記「第１不純物層」、「第２不純物層」及び「第３不純物層」は、各々本願明細書の第３実施形態における「電界緩和層３６ｃ」、「電界緩和層３６ｂ」及び「電界緩和層３６ａ」を指すものと認められるが、これらの界面が「
円弧状に
　仮に、上記「
円弧状に
電界緩和層３６ｃと電界緩和層３６ａとが界面を有し、
　よって、上記事項を追加する補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものであり、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてしたものとはいえない。
　したがって、平成２３年３月１８日付け手続補正は、特許法第１７条の２第３項の規定を満たさないものである。
　
（２）拒絶理由２についての検討
（２−１）本願発明
　本願発明は、上記２．（１）において、補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（２−２）引用刊行物に記載された発明
　これに対して、当審において平成２３年４月１４日付けで通知した拒絶の理由に引用された引用刊行物１及び２には、上記２．（５−３−２）に記載したとおりの事項及び上記２．（５−３−２）において認定したとおりの発明が記載されているものと認められる。
　
 （２−３）判断
　上記２．（３）において検討したとおり、補正後の発明は、補正前の請求項１の発明特定事項である「第３濃度を有する第３不純物層」について、「前記第２不純物層と接しており、前記第２不純物層と同一の導電型で第４濃度を有する第４不純物層と、
　前記第４不純物層と前記ボディ領域とに接しており、前記第４不純物層と同一の導電型で第５濃度を有する第５不純物層と、を含み、
　前記第５濃度は前記第４濃度よりも低濃度であり、
　前記第４不純物層と前記第５不純物層との界面は、断面視で、前記ゲート電極側から前記絶縁層側に向かうに従って、前記ゲート電極直下の前記半導体層から離れるように湾曲して形成されている」と限定したものである。逆に言えば本件補正前の請求項１に係る発明（本願発明）は，補正後の発明から上記の限定をなくしたものである。
　そうすると、上記２．（５−３）において検討したように、補正後の発明が，引用刊行物１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものといえる。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
（３）拒絶理由３についての検討
　上記２．（５−４）において検討したとおり、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでないから、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。