【事件の表示】
　特願２００５−１４４５９８「表示装置，表示パネルおよび表示装置の駆動方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　１月１９日出願公開、特開２００６−　１８２３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　 
　本願は、平成１７年５月１７日（パリ条約による優先権主張２００４年６月３０日、大韓民国）の出願であって、平成２０年　８月２７日付けで特許請求の範囲及び明細書についての補正（以下、「補正１」という。）がなされ、平成２０年１０月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２１年　１月２６日に拒絶査定不服審判が請求され、同日付けで特許請求の範囲及び明細書についての補正（以下、「補正２」という。）がなされたものである。
　 
２．本願発明について 
　 
　補正２によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１５と、補正１によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２０とを比較すると、補正２に係る特許請求の範囲の請求項６の内容は補正１に係る特許請求の範囲の請求項８の内容に請求項９の内容を取り込んだものに相当するから、補正２により特許請求の範囲についてした補正は、請求項の削除を目的としたものといえる。
　以上のことから、補正２は、請求項の削除を目的とするものに該当し、適法な補正である。 
　
　よって、補正２により補正された、特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項６に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、請求項６に記載された次のとおりのものと認める。 
「データ電流を伝達する複数のデータ線と，選択信号を伝達する複数の走査線と，前記データ線と前記走査線にそれぞれ連結される複数の画素回路とを含む表示領域と；
　前記複数の画素回路に書き込まれるデータ電流を生成し，前記複数のデータ線に前記データ電流を印加するデータ駆動部と；
　前記選択信号を生成し，前記複数の走査線に前記選択信号を印加する走査駆動部と；
を含み，
　前記画素回路は，印加される電流に対応する光を発光する少なくとも二つの発光素子を含み，前記データ電流に対応する電流を逆多重化して前記発光素子に伝達し，
　前記画素回路は，
　第１電極，第１電源に連結される第２電極，および第３電極を備え，前記第１電極および前記第２電極間に印加される電圧に対応して第３電極に電流を出力する駆動トランジスタと；
　前記駆動トランジスタの前記第１電極および前記第２電極間に連結され，前記データ電流に対応する電圧を充電して一定期間維持するキャパシタと；
　前記駆動トランジスタの出力電流を逆多重化して前記発光素子に伝達する逆多重化部と；
を含み，
　前記逆多重化部は，前記駆動トランジスタの前記第３電極と前記発光素子との間にそれぞれ接続される少なくとも二つのスイッチング素子を含み，
　前記データ電流に対応する電圧が前記画素回路のキャパシタに充電された後，前記逆多重化部のスイッチング素子のいずれか一つがターンオンされることを特徴とする，表示装置。」 
　 
３．引用発明 
（１）引用刊行物の記載事項 
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前である平成１５年４月２５日に頒布された刊行物である特開２００３−１２２３０６号公報（以下「引用刊行物」という。）には、「アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置」（発明の名称）の発明に関して、以下の事項が記載されている。 
　 
＜記載事項１＞  
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各画素毎に能動素子を有して当該能動素子によって画素単位で表示制御が行われるアクティブマトリクス型表示装置に関し、特に、流れる電流によって輝度が変化する電気光学素子を画素の表示素子として用いるアクティブマトリクス型表示装置および電気光学素子として有機材料のエレクトロルミネッセンス(以下、有機ＥＬ(electroluminescence) と記す)素子を用いるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】表示装置、例えば画素の表示素子として液晶セルを用いた液晶表示装置などにおいては、多数の画素をマトリクス状に配列し、表示すべき画像情報に応じて画素毎に光強度を制御することによって画像の表示駆動が行われるようになっている。この表示駆動は、画素の表示素子として有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置などでも同様である。
【０００３】ただし、有機ＥＬ表示装置の場合には、画素の表示素子として発光素子を用いる、いわゆる自発光型の表示装置であるため、液晶表示装置に比べて画像の視認性が高い、バックライトが不要、応答速度が速い等の利点を有する。また、各発光素子の輝度はそれに流れる電流値によって制御される、即ち有機ＥＬ素子が電流制御型であるという点で、液晶セルが電圧制御型である液晶表示装置などとは大きく異なる。
【０００４】有機ＥＬ表示装置においては、液晶表示装置と同様、その駆動方式として、単純（パッシブ）マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とを採ることができる。ただし、前者は構造が単純であるものの、大型かつ高精細のディスプレイの実現が難しいなどの問題がある。このため、近年、画素内部の発光素子に流れる電流を、同様に画素内部に設けた能動素子（一般には、薄膜トランジスタ(ThinFilm Transistor；ＴＦＴ)によって制御する、アクティブマトリクス方式の開発が盛んに行われている。」 
　 
　引用刊行物の他の従来例の説明として、以下の事項が記載されている。 
＜記載事項２＞  
「【００２３】他の従来例（以下、従来例２と称す）に係る画素回路として、図１２に示す電流書き込み型の画素回路が本願発明者によって提案されている（その詳細については、国際公開番号ＷＯ０１−０６４８４公報参照）。
【００２４】この従来例２に係る画素回路は、図１２から明らかなように、カソードが接地された有機ＥＬ素子１４１と、有機ＥＬ素子１４１のアノードにドレインが接続され、正電源Ｖｃｃにソースが接続されたＴＦＴ１４２と、このＴＦＴ１４２のゲートとグランド（当審注：「正電源Ｖｃｃ」の誤記と認める。）との間に接続されたキャパシタ１４３と、ＴＦＴ１４２のゲートにドレインが接続されたＴＦＴ１４４と、ＴＦＴ１４４のソースがゲートおよびドレインが（当審注：「ドレインに」の誤記と認める。）接続され、正電源Ｖｃｃにソースが接続されたＴＦＴ１４５と、ＴＦＴ１４５のゲート・ドレインとデータ線１４７との間に接続されたＴＦＴ１４６とを有し、ＴＦＴ１４４，１４６の各ゲートに走査線１４８を通して走査パルスが与えられる構成となっている。
【００２５】この従来例２に係る画素回路は、図８および図１０の各画素回路では輝度データが電圧の形で与えられるのに対して、輝度データが電流の形で与えられることが大きな特徴である。その動作は次の通りである。
【００２６】先ず、輝度データの書き込み時には、走査線１４８を選択状態（高レベル）にし、データ線１４７に輝度データに応じた書き込み電流Ｉｗを流す。この書き込み電流Ｉｗは、ＴＦＴ１４６を通してＴＦＴ１４５に流れる。このとき、ＴＦＴ１４４がオン状態にあることから、ＴＦＴ１４２とＴＦＴ１４５とはカレントミラー回路を形成する。ここで、両トランジスタ１４２，１４５は小さな画素内部に近接して配置されるためほぼ同一の特性を有している。
【００２７】その結果、ＴＦＴ１４２には、書き込み電流Ｉｗに比例した駆動電流Ｉｄが流れる。駆動電流Ｉｄと書き込み電流Ｉｗとの比は、ＴＦＴ１４２とＴＦＴ１４５とのチャネル幅／チャネル長の比を適宜設定することによって自由に選ぶことができ、ＴＦＴ１４２，１４５の閾値電圧やキャリアの移動度の値そのものには影響されないので、全画面（全画素領域）に亘って閾値電圧やキャリアの移動度のばらつきによらず、所望の輝度で各画素の有機ＥＬ素子１４１を発光させることが可能である。」 
　 
　引用刊行物の発明の解決しようとする課題の説明として、以下の事項が記載されている。
＜記載事項３＞  
「【発明が解決しようとする課題】上述したことから明らかなように、ＴＦＴの特性ばらつきの補償機能を有する画素回路、即ち図１０に示す従来例１に係る画素回路あるいは図１２に示す従来例２に係る画素回路では、ＴＦＴの閾値電圧やキャリアの移動度のばらつきによらず、所望の輝度で各画素の発光素子を発光させることができるという大きな特長を持つのであるが、その反面、図８に示す電圧書き込み型の基本的な画素回路に比べて素子数が増加するという欠点がある。
【００２９】すなわち、図８に示す画素回路の場合にはトランジスタ２個で構成されるのに対し、図１０および図１２に示す各画素回路の場合にはトランジスタが４個必要であり、図１０の画素回路ではさらにキャパシタの数も１個多くなる。ＴＦＴの特性ばらつきによる画質劣化の対策としては、図１０や図１２に示す画素回路以外にも種々の回路的工夫がなされた画素回路が提案されているが、いずれも素子数の増加は免れない。このように、１画素当たりの画素回路の素子数が多いと、製造歩留まりの低下を招き易く、さらには画素面積を縮小し難いことから、画素ピッチを大きくとらざるを得なく、高解像度化の妨げとなる。
【００３０】本発明は、上記課題に鑑みて為されたものであり、その目的とするところは、１画素当たりの画素回路の素子数を削減することにより、製造歩留まりの向上、さらには画素面積の縮小化、それに伴う高解像度化を可能としたアクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置を提供することにある。」 
　 
　引用刊行物の第１実施形態の説明として、以下の事項が記載されている。
＜記載事項４＞  
「【００３４】［第１実施形態］図１は、本発明の第１実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の構成を示すブロック図である。図１において、画素毎に設けられる発光素子として、流れる電流によって輝度が変化する電気光学素子、例えば有機ＥＬ素子１１（１１Ａ，１１Ｂ）が用いられており、この有機ＥＬ素子１１が画素単位でマトリクス状（行列状）に配置されている。ここでは、２ｎ行×ｍ列の画素配列を例に採って示している。
【００３５】この画素配列において、複数の画素、例えば上下に隣り合う２画素の各有機ＥＬ素子１１Ａ，１１Ｂに対して、輝度情報に応じた電流を流す画素回路１２が共通に設けられている。すなわち、１つの画素回路１２を、上下に隣り合う２画素分の有機ＥＬ素子１１Ａ，１１Ｂの駆動に共用する構成となっている。したがって、２ｎ行×ｍ列の画素配列に対して、画素回路１２を行単位で選択するｎ本の走査線１３−１〜１３−ｎと、各画素回路１２に輝度データを供給するｍ本のデータ線１４−１〜１４−ｍがマトリクス状に配線されている。
【００３６】また、画素の各々には、上下に隣り合う２画素分の有機ＥＬ素子１１Ａ，１１Ｂを駆動選択するための一対の選択スイッチ１５Ａ，１５Ｂが２行単位で設けられている。これに伴い、これら選択スイッチ１５Ａ，１５Ｂを行単位で順に時分割的に駆動して、駆動対象の有機ＥＬ素子１１Ａ／１１Ｂを選択する２系統の選択線１６Ａ−１〜１６Ａ−ｎ，１６Ｂ−１〜１６Ｂ−ｎが２行単位で配線されている。
【００３７】有機ＥＬ素子１１が行列状に配置されてなる画素部に対して、例えば、図の左側にはｎ本の走査線１３−１〜１３−ｎを選択駆動する走査線駆動回路１７が、図の右側には２系統の選択線１６Ａ−１〜１６Ａ−ｎ，１６Ｂ−１〜１６Ｂ−ｎを選択駆動する選択線駆動回路１８が、図の下側にはｍ本のデータ線１４−１〜１４−ｍに対して輝度データを供給するデータ線駆動回路１９がそれぞれ配置されている。
【００３８】走査線駆動回路１７は例えばｎ段の転送段のシフトレジスタからなり、各転送段の出力端に走査線１３−１〜１３−ｎの各一端が接続されている。選択線駆動回路１８は例えば２ｎ段の転送段のシフトレジスタからなり、各転送段の出力端の前半部分に選択線１６Ａ−１〜１６Ａ−ｎの各一端が、後半部分に選択線１６Ｂ−１〜１６Ｂ−ｎの各一端がそれぞれ接続されている。すなわち、選択線駆動回路１８による駆動により、先ず、奇数行の選択線１６Ａ−１〜１６Ａ−ｎが順に選択され、次いで偶数行の選択線１６Ｂ−１〜１６Ｂ−ｎが順に選択されるようになっている。」 
　
＜記載事項５＞  
「【００４２】次に、上記構成の第１実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置、即ちアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置における具体的な動作について、図３のタイミングチャートを用いて説明する。
【００４３】先ず、フレームの最初に、走査線駆動回路１７による駆動により、先頭の走査線である走査線１３−１を選択状態（高レベル）にし、１行目の各画素回路１２のＴＦＴ２３をオン状態とする。これにより、データ線１４−１〜１４−ｍを通して与えられる輝度データが、ＴＦＴ２３を介してキャパシタ２２に書き込まれる。このとき、選択線駆動回路１８の駆動により、選択線１６Ａ−１が選択状態（低レベル）にあり、選択線１６Ｂ−１が非選択状態（高レベル）にあるので、ＴＦＴ１５Ａがオン状態、ＴＦＴ１５Ｂがオフ状態となる。
【００４４】この状態において、ＴＦＴ２１は、キャパシタ２２に書き込まれた輝度データに応じた電流を、オン状態にあるＴＦＴ１５Ａを通して有機ＥＬ素子１１Ａに流す。その結果、１行目の有機ＥＬ素子１１Ａが発光状態となり、流れる電流に応じた輝度で発光する。一方、ＴＦＴ１５Ｂがオフ状態にあるため、２行目の有機ＥＬ素子１１Ｂには電流が流れず、当該有機ＥＬ素子１１Ｂは消灯状態となる。
【００４５】次に、走査線駆動回路１７による駆動により、走査線１３−２を選択する。この走査線１３−２の選択時にも、走査線１３−１の選択時と同様の画素回路１２の回路動作により、３行目の有機ＥＬ素子１１Ａが発光状態となり、４行目の有機ＥＬ素子１１Ｂが消灯状態となる。以降、同様にして、走査線１３−３，…，１３−ｎを選択しながら輝度データの書き込み動作を行うことにより、画面の奇数行の有機ＥＬ素子１１Ａが発光する。
【００４６】しかる後、走査線駆動回路１７による駆動により、再び走査線１３−１を選択し、１行目の各画素回路１２のＴＦＴ２３を介してキャパシタ２２に輝度データを書き込む。このとき、選択線駆動回路１８の駆動により、選択線１６Ａ−１が非選択状態にあり、選択線１６Ｂ−１が選択状態にあるため、ＴＦＴ１５Ａがオン状態、ＴＦＴ１５Ｂがオフ状態となる。これにより、キャパシタ２２に書き込まれた輝度データに応じた電流が、ＴＦＴ２１およびＴＦＴ１５Ｂを通して有機ＥＬ素子１１Ｂに流れる。
【００４７】その結果、２行目の有機ＥＬ素子１１Ｂが発光状態となり、流れる電流に応じた輝度で発光する。一方、ＴＦＴ１５Ａがオフ状態にあるため、１行目の有機ＥＬ素子１１Ａには電流が流れず、当該有機ＥＬ素子１１Ａは消灯状態となる。以降、同様にして、走査線１３−２，…，１３−ｎを選択しながら輝度データの書き込み動作を行うことにより、画面の偶数行の有機ＥＬ素子１１Ｂが発光し、１フレーム分の輝度データの書き込みが完了する。」
　
　図３には、引用刊行物の第１回路例に係る画素回路の回路動作のタイミングチャートに関し、以下の事項が図示されている。
＜事項１＞
・１フレーム分の輝度データの書き込みに関し、１つの走査線１３−ｉ（ただし、１≦ｉ≦ｎ）は、奇数行の選択（選択線１６Ａ−ｉの選択）と、偶数行の選択（選択線１６Ｂ−ｉの選択）と１フレーム中に２回選択され、選択線１６Ａ−ｉ、１６Ｂ−ｉの選択状態は、走査線１３−ｉの次の選択まで維持されている。
・選択線１６Ａ−ｉが選択状態にある間、走査線１３−ｉに接続された有機ＥＬ素子１１Ａは発光状態であり、選択線１６Ｂ−ｉが選択状態にある間、走査線１３−ｉに接続された有機ＥＬ素子１１Ｂは発光状態である。
　
　引用刊行物の画素回路１２の第３回路例の説明として、以下の事項が記載されている。 
＜記載事項６＞  
「【００７１】（第３回路例）図７は、画素回路１２の第３回路例を示す回路図であり、図中、図２と同等部分には同一符号を付して示している。また、図７でも、上下に隣り合う２画素分の回路構成を示している。
【００７２】図７において、上下に隣り合う２画素分の有機ＥＬ素子１１Ａ，１１Ｂは、各カソードが接地されている。有機ＥＬ素子１１Ａ，１１Ｂの各アノードには、選択スイッチ１５Ａ，１５Ｂの各一端、例えばＰｃｈのＴＦＴ１５Ａ，１５Ｂの各ドレインが接続されている。これらＴＦＴ１５Ａ，１５Ｂは、各ソースがノードＮに共通に接続され、各ゲートが選択線１６Ａ（１６Ａ−１〜１６Ａ−ｎ），１６Ｂ（１６Ｂ−１〜１６Ｂ−ｎ）にそれぞれ接続されている。
【００７３】ノードＮには、例えばＰｃｈのＴＦＴ４１のドレインが接続されている。ＴＦＴ４１のソースは正電源Ｖｃｃに接続されている。ＴＦＴ３１（当審注：「ＴＦＴ４１」の誤記と認める。）のゲートと正電源４２（当審注：「正電源Ｖｃｃ」の誤記と認める。）との間にはキャパシタ４２が接続されている。ＴＦＴ４１のゲートにはさらに、例えばＮｃｈのＴＦＴ４３のドレインが接続されている。ＴＦＴ４３のゲートは、走査線１３に接続されている。ＴＦＴ４３のソースには、例えばＰｃｈのＴＦＴ４４のゲートおよびドレインが共通に接続されている。ＴＦＴ４４のソースは正電源Ｖｃｃに接続されている。ＴＦＴ４４のゲート・ドレインとデータ線１４との間にはＴＦＴ４５が接続されている。ＴＦＴ４５のゲートは走査線１３に接続されている。
【００７４】上記構成の第３回路例に係る画素回路は、その基本的な機能については、従来例２として挙げた図１２の画素回路と同様であるが、本例では、例えば上下に隣り合う２画素間で共用化されている点が特徴となっている。すなわち、第３回路例に係る画素回路を、第１，第２回路例に係る画素回路と同様に、図１あるいは図４に示す如くマトリクス状に配置すれば、アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置を構成することができる。
【００７５】このように、第３回路例に係る画素回路を例えば上下に隣り合う２画素間で共用化することにより、６個のＴＦＴ１５Ａ，１５Ｂ，４１，４２（当審注：「４３」の誤記と認める。），４４，４５および１個のキャパシタ４２で２画素分の画素回路を構成できる。すなわち、図１２の画素回路を各画素毎に配した場合は、２画素分で８個のＴＦＴおよび１個のキャパシタが必要となるのに対して、トランジスタ２個とキャパシタ１個を削減できる。したがって、その分だけ製造歩留まりを向上できる。また、大きな面積を占有しがちなキャパシタを１個削減できる分だけ画素面積を縮小できるため、画素ピッチを狭くすることが可能となり、ディスプレイの高解像度化、高精細化が図れる。」 
　 
（２）引用刊行物に記載された発明 
　上記引用刊行物の段落【００７１】〜【００７５】、【図７】に記載されるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置に基づいて引用発明を認定する。なお、認定するに際し、該表示装置は、段落【００７１】に「図７は、画素回路１２の第３回路例を示す回路図であり、図中、図２と同等部分には同一符号を付して示している。また、図７でも、上下に隣り合う２画素分の回路構成を示している。」と記載され、段落【００７４】に「上記構成の第３回路例に係る画素回路は、その基本的な機能については、従来例２として挙げた図１２の画素回路と同様であるが、本例では、例えば上下に隣り合う２画素間で共用化されている点が特徴となっている。すなわち、第３回路例に係る画素回路を、第１，第２回路例に係る画素回路と同様に、図１あるいは図４に示す如くマトリクス状に配置すれば、アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置を構成することができる。」と記載されているように、［第１実施形態］において、１画素分の回路として、図７に記載のカレントミラー構成の画素回路を採用した表示装置として認定し、選択スイッチ１５Ａ，１５Ｂ、有機ＥＬ素子１１Ａ，１１Ｂの動作に関しては、第１回路例を説明する図３と同様の動作をするものとして認定する。そして、図７の画素回路は、従来例２の画素回路（段落【００２３】〜【００２７】、【図１２】）において、有機ＥＬ素子１４１に代えて、ノードＮ、選択スイッチ１５Ａ、１５Ｂ及び有機ＥＬ素子１１Ａ、１１Ｂを設けたものであるから、これらの構成を除く構成については、従来例２の画素回路についての記載を参酌する。
　
（２−１） 
　上記記載事項１には、「【０００１】・・・本発明は、・・・アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置に関する。」と記載されている。 
　この記載によれば、引用刊行物には、「アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置」の発明が記載されている。 
　 
（２−２） 
　引用刊行物の他の従来例を説明する上記記載事項２には、「【００２５】この従来例２に係る画素回路は、図８および図１０の各画素回路では輝度データが電圧の形で与えられるのに対して、輝度データが電流の形で与えられることが大きな特徴である。・・・【００２６】先ず、輝度データの書き込み時には、走査線１４８を選択状態（高レベル）にし、データ線１４７に輝度データに応じた書き込み電流Ｉｗを流す。・・・【００２７】・・・全画面（全画素領域）に亘って閾値電圧やキャリアの移動度のばらつきによらず、所望の輝度で各画素の有機ＥＬ素子１４１を発光させることが可能である。」と記載され、また、引用刊行物の第１実施形態を説明する上記記載事項４には、「【００３４】・・・図１において、画素毎に設けられる発光素子として、流れる電流によって輝度が変化する電気光学素子、例えば有機ＥＬ素子１１（１１Ａ，１１Ｂ）が用いられており、この有機ＥＬ素子１１が画素単位でマトリクス状（行列状）に配置されている。ここでは、２ｎ行×ｍ列の画素配列を例に採って示している。【００３５】この画素配列において、複数の画素、例えば上下に隣り合う２画素の各有機ＥＬ素子１１Ａ，１１Ｂに対して、輝度情報に応じた電流を流す画素回路１２が共通に設けられている。すなわち、１つの画素回路１２を、上下に隣り合う２画素分の有機ＥＬ素子１１Ａ，１１Ｂの駆動に共用する構成となっている。したがって、２ｎ行×ｍ列の画素配列に対して、画素回路１２を行単位で選択するｎ本の走査線１３−１〜１３−ｎと、各画素回路１２に輝度データを供給するｍ本のデータ線１４−１〜１４−ｍがマトリクス状に配線されている。」と記載されている。 
　そして、引用刊行物の「アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置」において、上下に隣り合う２画素の各有機ＥＬ素子１１Ａ，１１Ｂに対して、輝度情報に応じた電流を流す画素回路１２が共通に設けられており、画素配列が２ｎ行×ｍ列であるから、画素回路１２の配列は、ｎ行×ｍ列である。
　よって、これらの記載によれば、引用刊行物に記載された「アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置」は、「画素回路１２のｎ行×ｍ列の配列に対して、各画素回路１２に電流の形の輝度データである書き込み電流Ｉｗを供給するｍ本のデータ線１４−１〜１４−ｍと、画素回路１２を行単位で選択するｎ本の走査線１３−１〜１３−ｎとがマトリクス状に配線されている全画素領域」を有している。 
　 
（２−３） 
　引用刊行物の他の従来例を説明する上記記載事項２には、「【００２６】先ず、輝度データの書き込み時には、走査線１４８を選択状態（高レベル）にし、データ線１４７に輝度データに応じた書き込み電流Ｉｗを流す。」と記載され、また、引用刊行物の第１実施形態を説明する上記記載事項４には、「【００３７】有機ＥＬ素子１１が行列状に配置されてなる画素部に対して、例えば、図の左側にはｎ本の走査線１３−１〜１３−ｎを選択駆動する走査線駆動回路１７が、図の右側には２系統の選択線１６Ａ−１〜１６Ａ−ｎ，１６Ｂ−１〜１６Ｂ−ｎを選択駆動する選択線駆動回路１８が、図の下側にはｍ本のデータ線１４−１〜１４−ｍに対して輝度データを供給するデータ線駆動回路１９がそれぞれ配置されている。」と記載されている。 
　これらの記載によれば、引用刊行物に記載された「アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置」は、「データ線１４−１〜１４−ｍに対して輝度データに応じた書き込み電流Ｉｗを流すデータ線駆動回路１９」と「輝度データの書き込み時に、走査線１３−１〜１３−ｎを選択状態（高レベル）にし、選択駆動する走査線駆動回路１７」とを有している。 
　 
（２−４）
　引用刊行物の第１実施形態を説明する上記記載事項４には、「【００３５】この画素配列において、複数の画素、例えば上下に隣り合う２画素の各有機ＥＬ素子１１Ａ，１１Ｂに対して、輝度情報に応じた電流を流す画素回路１２が共通に設けられている。すなわち、１つの画素回路１２を、上下に隣り合う２画素分の有機ＥＬ素子１１Ａ，１１Ｂの駆動に共用する構成となっている。・・・【００３６】また、画素の各々には、上下に隣り合う２画素分の有機ＥＬ素子１１Ａ，１１Ｂを駆動選択するための一対の選択スイッチ１５Ａ，１５Ｂが２行単位で設けられている。これに伴い、これら選択スイッチ１５Ａ，１５Ｂを行単位で順に時分割的に駆動して、駆動対象の有機ＥＬ素子１１Ａ／１１Ｂを選択する２系統の選択線１６Ａ−１〜１６Ａ−ｎ，１６Ｂ−１〜１６Ｂ−ｎが２行単位で配線されている。・・・【００３８】・・・選択線駆動回路１８による駆動により、先ず、奇数行の選択線１６Ａ−１〜１６Ａ−ｎが順に選択され、次いで偶数行の選択線１６Ｂ−１〜１６Ｂ−ｎが順に選択されるようになっている。」と記載され、また、上記記載事項５には、「【００４４】この状態において、ＴＦＴ２１は、キャパシタ２２に書き込まれた輝度データに応じた電流を、オン状態にあるＴＦＴ１５Ａを通して有機ＥＬ素子１１Ａに流す。その結果、１行目の有機ＥＬ素子１１Ａが発光状態となり、流れる電流に応じた輝度で発光する。」と記載されている。
　これらの記載によれば、引用刊行物に記載された「アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置」の「画素回路１２」は、「１つの画素回路１２を、上下に隣り合う２画素分の有機ＥＬ素子１１Ａ，１１Ｂの駆動に共用する構成となっており、画素回路１２の各々には、上下に隣り合う２画素分の有機ＥＬ素子１１Ａ，１１Ｂを駆動選択するための一対の選択スイッチ１５Ａ，１５Ｂが２行単位で設けられ、これら選択スイッチ１５Ａ，１５Ｂは行単位で順に時分割的に駆動され、駆動選択された有機ＥＬ素子１１Ａ，１１Ｂが流れる電流に応じた輝度で発光する」ものである。
　
（２−５）
　引用刊行物の他の従来例を説明する上記記載事項２には、「【００２６】先ず、輝度データの書き込み時には、走査線１４８を選択状態（高レベル）にし、データ線１４７に輝度データに応じた書き込み電流Ｉｗを流す。この書き込み電流Ｉｗは、ＴＦＴ１４６を通してＴＦＴ１４５に流れる。このとき、ＴＦＴ１４４がオン状態にあることから、ＴＦＴ１４２とＴＦＴ１４５とはカレントミラー回路を形成する。ここで、両トランジスタ１４２，１４５は小さな画素内部に近接して配置されるためほぼ同一の特性を有している。【００２７】その結果、ＴＦＴ１４２には、書き込み電流Ｉｗに比例した駆動電流Ｉｄが流れる。駆動電流Ｉｄと書き込み電流Ｉｗとの比は、ＴＦＴ１４２とＴＦＴ１４５とのチャネル幅／チャネル長の比を適宜設定することによって自由に選ぶことができ、・・・所望の輝度で各画素の有機ＥＬ素子１４１を発光させることが可能である。」と記載され、また、引用刊行物の画素回路１２の第３回路例を説明する上記記載事項６には、「【００７３】ノードＮには、例えばＰｃｈのＴＦＴ４１のドレインが接続されている。ＴＦＴ４１のソースは正電源Ｖｃｃに接続されている。ＴＦＴ４１のゲートと正電源４２との間にはキャパシタ４２が接続されている。ＴＦＴ４１のゲートにはさらに、例えばＮｃｈのＴＦＴ４３のドレインが接続されている。」と記載されている。
　これらの記載によれば、引用刊行物に記載された「アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置」の「画素回路１２」は、「そのドレインにはノードＮが接続され、そのソースには正電源Ｖｃｃが接続され、そのゲートと正電源Ｖｃｃの間にキャパシタが接続され、書き込み電流Ｉｗに比例した駆動電流Ｉｄが流れるＴＦＴ４１」を有している。
　
（２−６）
　引用刊行物の第１実施形態を説明する上記記載事項４には、「【００３６】・・・これら選択スイッチ１５Ａ，１５Ｂを行単位で順に時分割的に駆動して、駆動対象の有機ＥＬ素子１１Ａ／１１Ｂを選択する・・・」と記載され、また、引用刊行物の画素回路１２の第３回路例を説明する上記記載事項６には、「【００７２】図７において、上下に隣り合う２画素分の有機ＥＬ素子１１Ａ，１１Ｂは、各カソードが接地されている。有機ＥＬ素子１１Ａ，１１Ｂの各アノードには、選択スイッチ１５Ａ，１５Ｂの各一端、例えばＰｃｈのＴＦＴ１５Ａ，１５Ｂの各ドレインが接続されている。これらＴＦＴ１５Ａ，１５Ｂは、各ソースがノードＮに共通に接続され、各ゲートが選択線１６Ａ（１６Ａ−１〜１６Ａ−ｎ），１６Ｂ（１６Ｂ−１〜１６Ｂ−ｎ）にそれぞれ接続されている。」と記載されている。
　これらの記載によれば、引用刊行物に記載された「アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置」の「画素回路１２」の「選択スイッチ１５Ａ，１５Ｂ」は、「各ソースがノードＮに共通に接続され、各ドレインにそれぞれ有機ＥＬ素子１１Ａ，１１Ｂが接続されている選択スイッチＴＦＴ１５Ａ，１５Ｂとを有し、これら選択スイッチＴＦＴ１５Ａ，１５Ｂを行単位で順に時分割的に駆動して、駆動対象の有機ＥＬ素子１１Ａ／１１Ｂを選択する」ものである。
　
（２−７）
ア　引用刊行物の第１実施形態を説明する上記記載事項５には、「【００４３】先ず、フレームの最初に、走査線駆動回路１７による駆動により、先頭の走査線である走査線１３−１を選択状態（高レベル）にし、１行目の各画素回路１２のＴＦＴ２３をオン状態とする。これにより、データ線１４−１〜１４−ｍを通して与えられる輝度データが、ＴＦＴ２３を介してキャパシタ２２に書き込まれる。このとき、選択線駆動回路１８の駆動により、選択線１６Ａ−１が選択状態（低レベル）にあり、選択線１６Ｂ−１が非選択状態（高レベル）にあるので、ＴＦＴ１５Ａがオン状態、ＴＦＴ１５Ｂがオフ状態となる。【００４４】この状態において、ＴＦＴ２１は、キャパシタ２２に書き込まれた輝度データに応じた電流を、オン状態にあるＴＦＴ１５Ａを通して有機ＥＬ素子１１Ａに流す。その結果、１行目の有機ＥＬ素子１１Ａが発光状態となり、流れる電流に応じた輝度で発光する。一方、ＴＦＴ１５Ｂがオフ状態にあるため、２行目の有機ＥＬ素子１１Ｂには電流が流れず、当該有機ＥＬ素子１１Ｂは消灯状態となる。・・・【００４６】しかる後、走査線駆動回路１７による駆動により、再び走査線１３−１を選択し、１行目の各画素回路１２のＴＦＴ２３を介してキャパシタ２２に輝度データを書き込む。このとき、選択線駆動回路１８の駆動により、選択線１６Ａ−１が非選択状態にあり、選択線１６Ｂ−１が選択状態にあるため、ＴＦＴ１５Ａがオン状態、ＴＦＴ１５Ｂがオフ状態となる。これにより、キャパシタ２２に書き込まれた輝度データに応じた電流が、ＴＦＴ２１およびＴＦＴ１５Ｂを通して有機ＥＬ素子１１Ｂに流れる。【００４７】その結果、２行目の有機ＥＬ素子１１Ｂが発光状態となり、流れる電流に応じた輝度で発光する。一方、ＴＦＴ１５Ａがオフ状態にあるため、１行目の有機ＥＬ素子１１Ａには電流が流れず、当該有機ＥＬ素子１１Ａは消灯状態となる。以降、同様にして、走査線１３−２，…，１３−ｎを選択しながら輝度データの書き込み動作を行うことにより、画面の偶数行の有機ＥＬ素子１１Ｂが発光し、１フレーム分の輝度データの書き込みが完了する。」と記載されている。
　この記載によれば、引用刊行物に記載された「アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置」は、「各画素回路１２のキャパシタ４２に輝度データを書き込み、キャパシタ４２に書き込まれた輝度データに応じた電流を、オン状態にある選択スイッチＴＦＴ１５Ａ／１５Ｂを通して有機ＥＬ素子１１Ａ／１１Ｂに流す」ものである。
　
イ　また、引用刊行物の第１回路例に係る画素回路の回路動作のタイミングチャートに関し、図３から、上記事項１として、「１フレーム分の輝度データの書き込みに関し、１つの走査線１３−ｉ（ただし、１≦ｉ≦ｎ）は、奇数行の選択（選択線１６Ａ−ｉの選択）と、偶数行の選択（選択線１６Ｂ−ｉの選択）と１フレーム中に２回選択され、選択線１６Ａ−ｉ、１６Ｂ−ｉの選択状態は、走査線１３−ｉの次の選択まで維持されている」こと、「選択線１６Ａ−ｉが選択状態にある間、走査線１３−ｉに接続された有機ＥＬ素子１１Ａは発光状態であり、選択線１６Ｂ−ｉが選択状態にある間、走査線１３−ｉに接続された有機ＥＬ素子１１Ｂは発光状態である」ことが読み取れる。
　すなわち、引用刊行物の「アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置」は、１フレームのうち、選択線１６Ａ−ｉ／１６Ｂ−ｉが選択状態にある間は、選択された有機ＥＬ素子１１Ａ／１１Ｂは発光状態を維持するものである。
　そして、上記アによれば、引用刊行物に記載された「アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置」は、「キャパシタ４２に書き込まれた輝度データに応じた電流を、オン状態にある選択スイッチＴＦＴ１５Ａ／１５Ｂを通して有機ＥＬ素子１１Ａ／１１Ｂに流す」ものであり、また、（２−５）によれば、引用刊行物の「画素回路１２」は「駆動電流Ｉｄ」を流すものである。そして、「選択線１６Ａ−ｉ／１６Ｂ−ｉが選択状態にある間」は、「選択スイッチ１５Ａ／１５Ｂがオン状態にある間」であるから、つまるところ、引用刊行物に記載された「アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置」は、「各画素回路１２のキャパシタ４２に輝度データを書き込み、キャパシタ４２に書き込まれた輝度データに応じた駆動電流Ｉｄを、オン状態にある選択スイッチＴＦＴ１５Ａ／１５Ｂを通して、１フレームのうち選択スイッチＴＦＴ１５Ａ／１５Ｂがオン状態である間、有機ＥＬ素子１１Ａ／１１Ｂに流し続ける」ものである。
　
（２−８） 
　したがって、（２−１）〜（２−７）によれば、引用刊行物には、以下の発明が記載されている。 
「画素回路１２のｎ行×ｍ列の配列に対して、各画素回路１２に電流の形の輝度データである書き込み電流Ｉｗを供給するｍ本のデータ線１４−１〜１４−ｍと、画素回路１２を行単位で選択するｎ本の走査線１３−１〜１３−ｎとがマトリクス状に配線されている全画素領域と、
　前記データ線１４−１〜１４−ｍに対して前記輝度データに応じた書き込み電流Ｉｗを流すデータ線駆動回路１９と、
　前記輝度データの書き込み時に、前記走査線１３−１〜１３−ｎを選択状態（高レベル）にし、選択駆動する走査線駆動回路１７とを有し、
　前記画素回路１２は、１つの画素回路１２を、上下に隣り合う２画素分の有機ＥＬ素子１１Ａ，１１Ｂの駆動に共用する構成となっており、前記画素回路１２の各々には、上下に隣り合う２画素分の前記有機ＥＬ素子１１Ａ，１１Ｂを駆動選択するための一対の選択スイッチ１５Ａ，１５Ｂが２行単位で設けられ、前記選択スイッチ１５Ａ，１５Ｂは行単位で順に時分割的に駆動され、駆動選択された前記有機ＥＬ素子１１Ａ，１１Ｂが流れる電流に応じた輝度で発光し、
　前記画素回路１２は、そのドレインにノードＮが接続され、そのソースに正電源Ｖｃｃが接続され、そのゲートと正電源Ｖｃｃの間にキャパシタが接続され、書き込み電流Ｉｗに比例した駆動電流Ｉｄが流れるＴＦＴ４１を有し、
　前記選択スイッチ１５Ａ，１５Ｂは、各ソースが前記ノードＮに共通に接続され、各ドレインにそれぞれ前記有機ＥＬ素子１１Ａ，１１Ｂが接続されている選択スイッチＴＦＴ１５Ａ，１５Ｂとを有し、前記選択スイッチＴＦＴ１５Ａ，１５Ｂを行単位で順に時分割的に駆動して、駆動対象の前記有機ＥＬ素子１１Ａ／１１Ｂを選択し、
　前記各画素回路１２の前記キャパシタ４２に前記輝度データを書き込み、前記キャパシタ４２に書き込まれた輝度データに応じた駆動電流Ｉｄを、オン状態にある前記選択スイッチＴＦＴ１５Ａ／１５Ｂを通して、１フレームのうち選択スイッチＴＦＴ１５Ａ／１５Ｂがオン状態である間、有機ＥＬ素子１１Ａ／１１Ｂに流し続ける
　アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置。」（以下、「引用発明」という。）
　 
４．対比 
　本願発明と引用発明とを比較する。 
　 
（１） 
　引用発明の「書き込み電流Ｉｗ」は、本願発明の「データ電流」に相当し、以下同様に、「電流の形の輝度データである書き込み電流Ｉｗを供給するｍ本のデータ線１４−１〜１４−ｍ」は「データ電流を伝達する複数のデータ線」に相当する。そして、引用発明の「データ線駆動回路１９」は前記データ線１４−１〜１４−ｍに対して前記輝度データに応じた書き込み電流Ｉｗを流すものであるから、書き込み電流Ｉｗを生成している。よって、引用発明の、書き込み電流Ｉｗを生成し、前記データ線１４−１〜１４−ｍに対して前記輝度データに応じた書き込み電流Ｉｗを流す、「データ線駆動回路１９」は、本願発明の、前記複数の画素回路に書き込まれるデータ電流を生成し，前記複数のデータ線に前記データ電流を印加する、「データ駆動部」に相当する。
　
（２）
　また、引用発明の「ｎ本の走査線１３−１〜１３−ｎ」は、画素回路１２を行単位で選択し、輝度データの書き込み時に、「選択状態（高レベル）」にされるものであるから、引用発明の「ｎ本の走査線１３−１〜１３−ｎ」は、本願発明の「複数の走査線」に相当し、引用発明の「走査線１３−１〜１３−ｎ」を「選択状態（高レベル）」にする信号は、本願発明の「選択信号」に相当し、引用発明の「前記輝度データの書き込み時に、前記走査線１３−１〜１３−ｎを選択状態（高レベル）にし、選択駆動する走査線駆動回路１７」は、本願発明の「前記選択信号を生成し，前記複数の走査線に前記選択信号を印加する走査駆動部」に相当する。
　 
（３）
　引用発明の「全画素領域」は、画素回路１２のｎ行×ｍ列の配列に対して、ｍ本のデータ線１４−１〜１４−ｍと、ｎ本の走査線１３−１〜１３−ｎとがマトリクス状に配線されているものであって、選択状態（高レベル）にされた走査線に接続された画素回路１２に対して、データ線から書き込み電流Ｉｗが流されるものであるから、引用発明の「画素回路１２」は、データ線と走査線に接続されている。
　よって、引用発明の、データ線と走査線に接続されている、「画素回路１２」は、本願発明の、データ線と走査線にそれぞれ連結される、「画素回路」に相当する。そして、引用発明の、ｍ本のデータ線１４−１〜１４−ｍと、ｎ本の走査線１３−１〜１３−ｎと画素回路１２のｎ行×ｍ列の配列を有する、「全画素領域」は、本願発明の、複数のデータ線と、複数の走査線と、複数の画素回路とを含む、「表示領域」に相当する。
　
（４）
　引用発明の「画素回路１２」は、書き込み電流Ｉｗに比例した駆動電流Ｉｄが流れるＴＦＴ４１を有するものである。そして、（１）の相当関係によれば、引用発明の「書き込み電流Ｉｗ」は本願発明の「データ電流」に相当するから、引用発明の「書き込み電流Ｉｗに比例した駆動電流Ｉｄ」は、本願発明の「データ電流に対応する電流」に相当する。
　また、引用発明の「画素回路１２」は、１つの画素回路１２を、上下に隣り合う２画素分の有機ＥＬ素子１１Ａ，１１Ｂの駆動に共用する構成となっていて、選択スイッチ１５Ａ，１５Ｂを介して有機ＥＬ素子１１Ａ，１１Ｂに接続されており、これら選択スイッチ１５Ａ，１５Ｂは行単位で順に時分割的に駆動され、駆動選択された有機ＥＬ素子１１Ａ，１１Ｂが流れる電流に応じた輝度で発光するものである。
　よって、引用発明の「有機ＥＬ素子１１Ａ，１１Ｂ」は、本願発明の「二つの発光素子」に相当し、引用発明の「１つの画素回路１２」に、流れる電流に応じた輝度で発光する「有機ＥＬ素子１１Ａ，１１Ｂ」が接続されていることは、本願発明の「画素回路」が、「印加される電流に対応する光を発光する少なくとも二つの発光素子を含」むことに相当し、引用発明の「書き込み電流Ｉｗに比例した駆動電流Ｉｄが流れる」「画素回路１２」が「有機ＥＬ素子１１Ａ，１１Ｂを行単位に時分割駆動する」ことは、本願発明の「画素回路」が「前記データ電流に対応する電流を逆多重化して前記発光素子に伝達」することに相当する。
　
（５）
　引用発明の「ＴＦＴ４１」は、そのドレインにノードＮが接続され、そのソースに正電源Ｖｃｃが接続され、そのゲートと正電源Ｖｃｃの間にキャパシタ４２が接続され、キャパシタ４２に書き込まれた書き込み電流Ｉｗに応じて、駆動電流Ｉｄを流すものである。そして、引用発明の「ＴＦＴ４１」の「ソース」と「キャパシタ４２」の一端は共に、正電源Ｖｃｃに接続されているものであるから、引用発明の「ＴＦＴ４１」の「ゲート」と「正電源Ｖｃｃ」に接続されている引用発明の「キャパシタ４２」は、引用発明の「ＴＦＴ４１」の「ゲート」と「ソース」間に接続されているものともいえる。
　よって、引用発明の「ゲート」電極は、本願発明の「第１電極」に、以下同様に、「第１電源」は「正電源Ｖｃｃ」に、「ソース」電極は「第２電極」に、「ドレイン」電極は「第３電極」に、「ＴＦＴ４１」は「駆動トランジスタ」に相当する。
　
　また、引用発明の「画素回路１２」は、キャパシタ４２に書き込まれた輝度データに応じた電流である駆動電流Ｉｄを、オン状態にある選択スイッチＴＦＴ１５Ａ／１５Ｂを通して、１フレームのうち選択スイッチＴＦＴ１５Ａ／１５Ｂがオン状態である間、有機ＥＬ素子１１Ａ／１１Ｂに流し続けるものであるから、引用発明の「キャパシタ４２」は、１フレームのうち選択スイッチＴＦＴ１５Ａ／１５Ｂがオン状態である間、キャパシタ４２に書き込まれた輝度データに対応した電圧を維持するものである。
　よって、引用発明の「ＴＦＴ４１」の「ゲート」と「ソース」間に接続され、１フレームのうち選択スイッチＴＦＴ１５Ａ／１５Ｂがオン状態である間、書き込まれた輝度データに対応した電圧を維持する「キャパシタ４２」は、本願発明の「前記駆動トランジスタの前記第１電極および前記第２電極間に連結され，前記データ電流に対応する電圧を充電して一定期間維持するキャパシタ」に相当する。
　
（６）
　引用発明の「選択スイッチ１５Ａ，１５Ｂ」は、各ソースがノードＮに共通に接続され、各ドレインにそれぞれ有機ＥＬ素子１１Ａ，１１Ｂが接続されている選択スイッチＴＦＴ１５Ａ，１５Ｂとを有し、選択スイッチＴＦＴ１５Ａ，１５Ｂを行単位で順に時分割的に駆動して、駆動対象の有機ＥＬ素子１１Ａ／１１Ｂを選択して駆動電流Ｉｄを流すものである。そして、引用発明の「ノードＮ」は、ＴＦＴ４１のドレインに接続されているところ、（５）の相当関係から、引用発明の「ＴＦＴ４１」の「ドレイン」は、本願発明の「駆動トランジスタ」の「第３電極」に相当する。
　よって、引用発明の、「ＴＦＴ４１」の「ドレイン」に共通接続され、それぞれが「有機ＥＬ素子１１Ａ／１１Ｂ」に接続されている「選択スイッチＴＦＴ１５Ａ，１５Ｂ」は、本願発明の、「前記駆動トランジスタの前記第３電極と前記発光素子との間にそれぞれ接続される少なくとも二つのスイッチング素子」に相当する。また、引用発明の、「選択スイッチＴＦＴ１５Ａ，１５Ｂ」を有し、「選択スイッチＴＦＴ１５Ａ，１５Ｂを行単位で順に時分割的に駆動して、駆動対象の前記有機ＥＬ素子１１Ａ／１１Ｂを選択」して「駆動電流Ｉｄ」を流す、「選択スイッチ１５Ａ，１５Ｂ」は、本願発明の、「少なくとも二つのスイッチング素子を含み」、「前記駆動トランジスタの出力電流を逆多重化して前記発光素子に伝達する」、「逆多重化部」に相当する。
　
（７） 
　したがって、本願発明と引用発明の両者は、 
「データ電流を伝達する複数のデータ線と，選択信号を伝達する複数の走査線と，前記データ線と前記走査線にそれぞれ連結される複数の画素回路とを含む表示領域と；
　前記複数の画素回路に書き込まれるデータ電流を生成し，前記複数のデータ線に前記データ電流を印加するデータ駆動部と；
　前記選択信号を生成し，前記複数の走査線に前記選択信号を印加する走査駆動部と；
を含み，
　前記画素回路は，印加される電流に対応する光を発光する少なくとも二つの発光素子を含み，前記データ電流に対応する電流を逆多重化して前記発光素子に伝達し，
　前記画素回路は，
　第１電極，第１電源に連結される第２電極，および第３電極を備え，前記第１電極および前記第２電極間に印加される電圧に対応して第３電極に電流を出力する駆動トランジスタと；
　前記駆動トランジスタの前記第１電極および前記第２電極間に連結され，前記データ電流に対応する電圧を充電して一定期間維持するキャパシタと；
　前記駆動トランジスタの出力電流を逆多重化して前記発光素子に伝達する逆多重化部と；
を含み，
　前記逆多重化部は，前記駆動トランジスタの前記第３電極と前記発光素子との間にそれぞれ接続される少なくとも二つのスイッチング素子を含む表示装置。」の点で一致し、以下の点で相違する。 
　
[相違点] 
　スイッチング素子のターンオンされるタイミングに関し、本願発明では「前記データ電流に対応する電圧が前記画素回路のキャパシタに充電された後，前記逆多重化部のスイッチング素子のいずれか一つがターンオンされる」のに対し、引用発明ではそのような発明特定事項が限定されていない点。
　
５．判断
　上記相違点について検討する。
　
　「有機ＥＬ表示装置の駆動制御」の技術分野において、電流書き込み方式の有機ＥＬ表示装置として、信号電流を書き込む時から有機ＥＬ素子に発光電流を流すこと、及び、信号電流を書き込んだ後に有機ＥＬ素子に発光電流を流し始めることはいずれも、引用刊行物の段落【００２３】で引用されている国際公開第０１／０６４８４号の第１６頁第６行〜第１８頁第２１行、図５、６に、又は、第２３頁第５行〜第１４行、第１１図に記載されているように、周知技術である。
　
　よって、引用発明において、書き込み電流Ｉｗ（データ電流）を用いて各画素回路１２のキャパシタ４２に書き込んでいるところ、周知技術を適用して、書き込み電流（データ電流）を書き込んだ後に、有機ＥＬ素子に発光電流を流し始めることを選択すること、すなわち、書き込み電流Ｉｗ（データ電流）に対応する電圧が画素回路１２のキャパシタ４２に充電された後に、選択スイッチＴＦＴ１５Ａ／１５Ｂのいずれか一つをターンオンして、有機ＥＬ素子１１Ａ／１１Ｂのいずれか一つに発光電流を流し始めることを選択することは、当業者が容易になし得たことである。
　
　したがって、上記相違点に係る本願発明の発明特定事項は、当業者が引用発明及び上記周知技術に基いて容易に想到し得たことである。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明及び上記周知技術から想定することができない格別のものと認めることもできない。
　
　したがって、本願発明は、引用発明及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
６．むすび 
　したがって、本願発明は、引用発明及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　以上のとおりであるから、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　 
　よって、結論のとおり審決する。