【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年10月3日(2011.10.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ａ）および／または一般式（Ｂ）で示される有機シリコーン化合物を含んで成る表面改質剤：
F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”Si(X’)3-a(R1)a
(A)
［式中、ｑは、１〜３の整数であり；
ｍ、ｎ、およびｏは、それぞれ、０〜２００の整数であり；
ｐは、０、１または２であり；
Ｘは、酸素または二価の有機基であり；
Ｘ”は、二価の有機シリコーンスペーサー基であり；
Ｒ１は、Ｃ１−２２の直鎖または分岐の炭化水素基であり；
ａは０〜２の整数であり；ならびに
Ｘ’は、加水分解性基である。］
F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”(X’)2-a(R1)aSiO(F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”(X’)1-a(R1)aSiO)zF-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”(X’)2-a(R1)aSi
(B)
［式中、ｑは、１〜３の整数であり；
ｍ、ｎおよびｏは、それぞれ、０〜２００の整数であり；
ｐは、０、１または２であり；
Ｘは、酸素または二価の有機基であり；
Ｘ”は、二価の有機シリコーンスペーサー基であり；
Ｒ１は、Ｃ１−２２の直鎖または分岐の炭化水素基であり；
ａは０〜２の整数であり；
Ｘ’は、加水分解性基であり；ならびに
ａが０または１である場合に、ｚは、０〜１０の整数である。］。
【請求項２】
一般式（Ａ）および／または一般式（Ｂ）において、ｑは３であり、ｍは１０〜２００の整数であり、ｎは１であり、ｏは０であり、ｐは１であり、ＸはＯであり、Ｘ”は二価の有機シリコーン基であり、そして、ａは０または１である請求項１に記載の表面改質剤。
【請求項３】
一般式（Ａ）および／または一般式（Ｂ）において、ｑは３であり、ｍは１０〜２００の整数であり、ｎは１であり、ｏは０であり、ｐは１であり、Ｘは酸素であり、Ｘ”は、-R3Si(R2)2(O(R2)2Si)bR3-  （式中、Ｒ２は独立してＣ１−Ｃ２２炭化水素基、Ｒ３は独立して二価の有機基であり、ｂは１〜１００である。）であり、そして、ａは０または１である請求項１に記載の表面改質剤。
【請求項４】
一般式（Ａ）および／または一般式（Ｂ）において、ｑは３であり、ｍは１０〜２００の整数であり、ｎは１であり、ｏは０であり、ｐは１であり、Ｘは酸素であり、Ｘ’はアルコキシであり、Ｘ”は、-R3Si(R2)2(O(R2)2Si)bR3-  （式中、Ｒ２は独立してＣ１−Ｃ２２炭化水素基、Ｒ３は独立して二価の有機基であり、ｂは１〜１００である。）であり、そして、ａは０または１である請求項１に記載の表面改質剤。
【請求項５】
一般式（Ａ）および／または一般式（Ｂ）において、ｑは３であり、ｍは１０〜２００の整数であり、ｎは１であり、ｏは０であり、ｐは０であり、Ｘは酸素であり、Ｘ”は、-R3Si(R2)2(O(R2)2Si)bO-  （式中、Ｒ２は独立してＣ１−Ｃ２２炭化水素基、Ｒ３は二価の有機基であり、ｂは１〜１００である。）であり、そして、ａは０または１である請求項１に記載の表面改質剤。
【請求項６】
一般式（Ａ）および／または一般式（Ｂ）において、ｑは３であり、ｍは１０〜２００の整数であり、ｎは１であり、ｏは０であり、ｐは０であり、Ｘは酸素であり、Ｘ’はアルコキシであり、Ｘ”は、-R3Si(R2)2(O(R2)2Si)bO-  （式中、Ｒ２は独立してＣ１−Ｃ２２炭化水素基、Ｒ３は二価の有機基であり、ｂは１〜１００である。）であり、そして、ａは０または１である請求項１に記載の表面改質剤。
【請求項７】
一般式（Ａ）および／または一般式（Ｂ）において、ｑは３であり、ｍは１０〜２００の整数であり、ｎは１であり、ｏは０であり、ｐは０であり、ＸはアミドまたはＮ−置換アミドであり、Ｘ”は二価の有機シリコーン基であり、そして、ａは０または１である請求項１に記載の表面改質剤。
【請求項８】
一般式（Ａ）および／または一般式（Ｂ）において、ｑは３であり、ｍは１０〜２００の整数であり、ｎは１であり、ｏは０であり、ｐは０であり、ＸはアミドまたはＮ−置換アミドであり、Ｘ”は、-R3Si(R2)2(O(R2)2Si)bR3-  （式中、Ｒ２は独立してＣ１−Ｃ２２炭化水素基、Ｒ３は二価の有機基であり、ｂは１〜１００である。）であり、そして、ａは０または１である請求項１に記載の表面改質剤。
【請求項９】
一般式（Ａ）および／または一般式（Ｂ）において、ｑは３であり、ｍは１０〜２００の整数であり、ｎは１であり、ｏは０であり、ｐは０であり、ＸはアミドまたはＮ−置換アミドであり、Ｘ’はアルコキシであり、Ｘ”は、-R3Si(R2)2(O(R2)2Si)bR3-  （式中、Ｒ２は独立してＣ１−Ｃ２２炭化水素基、Ｒ３は二価の有機基であり、ｂは１〜１００である。）であり、そして、ａは０または１である請求項１に記載の表面改質剤。
【請求項１０】
一般式（Ａ）および／または一般式（Ｂ）において、ｑは３であり、ｍは１０〜２００の整数であり、ｎは１であり、ｏは０であり、ｐは０であり、ＸはアミドまたはＮ−置換アミドであり、Ｘ”は、-R3Si(R2)2(O(R2)2Si)bO-  （式中、Ｒ２は独立してＣ１−Ｃ２２炭化水素基、Ｒ３は二価の有機基であり、ｂは１〜１００である。）であり、そして、ａは０または１である請求項１に記載の表面改質剤。
【請求項１１】
一般式（Ａ）および／または一般式（Ｂ）において、ｑは３であり、ｍは１０〜２００の整数であり、ｎは１であり、ｏは０であり、ｐは０であり、ＸはアミドまたはＮ−置換アミドであり、Ｘ’はアルコキシであり、Ｘ”は、-R3Si(R2)2(O(R2)2Si)bO-  （式中、Ｒ２は独立してＣ１−Ｃ２２炭化水素基、Ｒ３は二価の有機基であり、ｂは１〜１００である。）であり、そして、ａは０または１である請求項１に記載の表面改質剤。
【請求項１２】
一般式（Ａ）および／または一般式（Ｂ）において、ｑは３であり、ｍは１０〜２００の整数であり、ｎは１であり、ｏは０であり、ｐは０であり、Ｘはエステルであり、Ｘ”は二価の有機シリコーン基であり、そして、ａは０または１である請求項１に記載の表面改質剤。
【請求項１３】
一般式（Ａ）および／または一般式（Ｂ）において、ｑは３であり、ｍは１０〜２００の整数であり、ｎは１であり、ｏは０であり、ｐは０であり、Ｘはエステルであり、Ｘ”は、-R3Si(R2)2(O(R2)2Si)bR3-  （式中、Ｒ２は独立してＣ１−Ｃ２２炭化水素基、Ｒ３は二価の有機基であり、ｂは１〜１００である。）であり、そして、ａは０または１である請求項１に記載の表面改質剤。
【請求項１４】
一般式（Ａ）および／または一般式（Ｂ）において、ｑは３であり、ｍは１０〜２００の整数であり、ｎは１であり、ｏは０であり、ｐは０であり、Ｘはエステルであり、Ｘ’はアルコキシであり、Ｘ”は、-R3Si(R2)2(O(R2)2Si)bR3-  （式中、Ｒ２は独立してＣ１−Ｃ２２炭化水素基、Ｒ３は二価の有機基であり、ｂは１〜１００である。）であり、そして、ａは０または１である請求項１に記載の表面改質剤。
【請求項１５】
一般式（Ａ）および／または一般式（Ｂ）において、ｑは３であり、ｍは１０〜２００の整数であり、ｎは１であり、ｏは０であり、ｐは０であり、Ｘはエステルであり、Ｘ”は、-R3Si(R2)2(O(R2)2Si)bO-  （式中、Ｒ２は独立してＣ１−Ｃ２２炭化水素基、Ｒ３は二価の有機基であり、ｂは１〜１００である。）であり、そして、ａは０または１である請求項１に記載の表面改質剤。
【請求項１６】
一般式（Ａ）および／または一般式（Ｂ）において、ｑは３であり、ｍは１０〜２００の整数であり、ｎは１であり、ｏは０であり、ｐは０であり、Ｘはエステルであり、Ｘ’はアルコキシであり、Ｘ”は、-R3Si(R2)2(O(R2)2Si)bO-  （式中、Ｒ２は独立してＣ１−Ｃ２２炭化水素基、Ｒ３は二価の有機基であり、ｂは１〜１００である。）であり、そして、ａは０または１である請求項１に記載の表面改質剤。
【請求項１７】
一般式（Ａ）および／または一般式（Ｂ）で示される化合物の比率は限定されない請求項１に記載の表面改質剤。
【請求項１８】
一般式（Ａ）および／または一般式（Ｂ）で示される化合物と触媒の比率が限定されない表面改質を促進する触媒が追加されている請求項１〜１７のいずれかに記載の表面改質剤。
【請求項１９】
一般式（Ａ）および／または一般式（Ｂ）で示される化合物と触媒の比率が０．００１〜２である表面改質を促進する触媒が追加されている請求項１〜１７のいずれかに記載の表面改質剤。
【請求項２０】
Ｘ”は二価の有機シリコーン基であり、Ｘ’は加水分解性基であり、そして、ａは０である一般式（Ａ）：
F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”Si(X’)3-a(R1)a
(A)
で示される有機シリコーン化合物の製造方法であって、
方法は、遷移金属の存在下での、HMe2Si(OMe2Si)bR3Si(X')3-a(R1)a
（式中、Ｒ1は直鎖または分岐のＣ１−Ｃ２２炭化水素基、Ｒ３は二価の有機基であり、ａは０または１であり、ｂは１〜１００の整数である。）と下記の一般式（Ｃ）：
F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”’
(C)
［式中，ｑは１〜３の整数であり；ｍ、ｎ、およびｏは、それぞれ、０〜２００の整数であり；ｐは、０、１または２であり；そして、Ｘは、酸素または二価の有機基であり；Ｘ”’は、末端エチレン性不飽和を有する一価の有機基である。］
で示される化合物との間のヒドロシリル化反応を使用する製造方法。
【請求項２１】
Ｘ”は二価の有機シリコーン基であり、Ｘ’は加水分解性基であり、そして、ａは０である一般式（Ａ）
F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”Si(X’)3-a(R1)a
(A)
で示される有機シリコーン化合物の製造方法であって、
方法は、遷移金属の存在下での、HMe2Si(OMe2Si)bOSi(X’)3-a(R1)a（式中、Ｒ1は直鎖または分岐のＣ１−Ｃ２２炭化水素基、Ｒ３は二価の有機基であり、ａは０または１であり、ｂは０〜１００の整数である。）と下記の一般式（Ｃ）：
F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”’
(C)
［式中，ｑは１〜３の整数であり；ｍ、ｎ、およびｏは、それぞれ、０〜２００の整数であり；ｐは、０、１または２であり；そして、Ｘは、酸素または二価の有機基であり；X”’は、末端エチレン性不飽和を有する一価の有機基である。］
で示される化合物との間のヒドロシリル化反応を使用する製造方法。
【請求項２２】
Ｘ”は二価の有機シリコーン基であり、Ｘ’はアルコキシであり、そして、ａは０である一般式（Ａ）
F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”Si(X’)3-a(R1)a
(A)
で示される有機シリコーン化合物の製造方法であって、
方法は、遷移金属の存在下での、HMe2Si(OMe2Si)bR3Si(X’)3-a(R1)a  （式中、Ｒ1は直鎖または分岐のＣ１−Ｃ２２炭化水素基、Ｒ３は二価の有機基であり、ａは０または１であり、ｂは１〜１００の整数である。）と下記の一般式（Ｃ）：
F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”’
(C)
［式中，ｑは１〜３の整数であり；ｍ、ｎ、およびｏは、それぞれ、０〜２００の整数であり；ｐは、０、１または２であり；そして、Ｘは、酸素または二価の有機基であり；X”’は、末端エチレン性不飽和を有する一価の有機基である。］
で示される化合物との間のヒドロシリル化反応を使用する製造方法。
【請求項２３】
Ｘ”は二価の有機シリコーン基であり、Ｘ’はアルコキシであり、そして、ａは０である一般式（Ａ）
F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”Si(X’)3-a(R1)a
(A)
で示される有機シリコーン化合物の製造方法であって、
方法は、遷移金属の存在下での、HMe2Si(OMe2Si)bOSi(X’)3-a(R1)a  （式中、Ｒ1は直鎖または分岐のＣ１−Ｃ２２炭化水素基、Ｒ３は二価の有機基であり、ａは０または１であり、ｂは０〜１００の整数である。）と下記の一般式（Ｃ）：
F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”’
(C)
［式中，ｑは１〜３の整数であり；ｍ、ｎ、およびｏは、それぞれ、０〜２００の整数であり；ｐは、０、１または２であり；そして、Ｘは、酸素または二価の有機基であり；X”’は、末端エチレン性不飽和を有する一価の有機基である。］
で示される化合物との間のヒドロシリル化反応を使用する製造方法。
【請求項２４】
遷移金属はプラチナまたはロジウムである請求項２０〜２３のいずれかに記載の有機シリコーン化合物の製造方法。
【請求項２５】
一般式（Ｃ）において、ｑは３であり、ｍは１０〜２００の整数であり、ｎは１であり、ｏは０であり、ｐは１であり、そして、Ｘは酸素である請求項２０〜２４のいずれかに記載の有機シリコーン化合物の製造方法。
【請求項２６】
一般式（Ｃ）において、ｑは３であり、ｍは１０〜２００の整数であり、ｎは１であり、ｏは０であり、ｐは０であり、そして、ＸはアミドまたはＮ−置換アミドである請求項２０〜２４のいずれかに記載の有機シリコーン化合物の製造方法。
【請求項２７】
一般式（Ｃ）において、ｑは３であり、ｍは１０〜２００の整数であり、ｎは１であり、ｏは０であり、ｐは０であり、そして、Ｘはエステルである請求項２０〜２４のいずれかに記載の有機シリコーン化合物の製造方法。
【請求項２８】
一般式（Ｂ）
F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”(X’)2-a(R1)aSiO(F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”(X’)1-a(R1)aSiO)zF-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX”(X’)2-a(R1)aSi
(B)
［式中、ｑは、１〜３の整数であり；
ｍ、ｎおよびｏは、それぞれ、０〜２００の整数であり；
ｐは、０、１または２であり；
Ｘは、酸素または二価の有機基であり；
Ｘ”は、二価の有機シリコーンスペーサー基であり；
Ｘ’は、加水分解性基であり；
Ｒ１は、Ｃ１−２２の直鎖または分岐の炭化水素基であり；
ａは０〜２の整数であり；ならびに
ａが０または１である場合に、ｚは、０〜１０の整数である。］
で示される有機シリコーン化合物の製造方法であって、
方法が、請求項２０〜２７のいずれかに記載の方法に従って得られる一般式（Ａ）で示される化合物の部分加水分解および縮合反応を使用する製造方法。
【請求項２９】
請求項１〜１９のいずれかに記載の表面改質剤を用いて得られた処理表面であって、１１０度以上の水接触角および５度以下の水転落角を有する処理表面。
【請求項３０】
請求項１〜１９のいずれかに記載の表面改質剤を用いて得られた処理表面であって、
処理表面が、単分子膜の形態のパーフルオロポリエーテルを含んで成る処理表面。
【請求項３１】
湿潤被覆法に従って請求項１〜１９のいずれかに記載の表面処理剤の被膜を基材上に形成する工程を有する請求項２９に記載の表面を製造する方法。
【請求項３２】
乾燥被覆法に従って請求項１〜１９のいずれかに記載の表面改質剤の被膜を基材上に形成する工程を有する請求項３０に記載の表面を製造する方法。
【請求項３３】
請求項１〜１９のいずれかに記載の表面改質剤を多孔性物品に含浸する工程、および
表面改質剤を含浸した多孔性物品を真空下で加熱して表面改質剤を蒸発させることによって基材上に処理層を形成する工程
を有してなる、表面を形成する方法。
【請求項３４】
多孔性物品は、SiO2, TiO2, ZrO2, MgO, Al2O3, CaSO4, Cu, Fe, Al,ステンレス鋼およびカーボンからなる群から選択された少なくとも一種を含んでなる請求項３３に記載の表面形成方法。
【請求項３５】
抵抗加熱、電子ビーム加熱、イオンビーム加熱、高周波加熱および光学加熱から選択される少なくとも一つの加熱法によって、多孔性物品に含浸された表面改質剤を蒸発させる請求項３３または３４に記載の表面形成方法。
【請求項３６】
プラズマの存在下で、請求項１〜１９のいずれかに記載の表面改質剤をノズル吹付けによって被膜を基材の上に形成する工程を有してなる請求項２９に記載の表面形成方法。
【請求項３７】
プラズマは、アルゴンまたはヘリウムの常圧プラズマである請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
透明基材、
透明基材の少なくとも一つの面の上に形成された反射防止フイルム、および
最外の表面の上に形成された処理層
を有して成る反射防止光学部材であって、
処理層が、請求項１〜１９のいずれかに記載の表面改質剤を含んでなる反射防止光学部材。
【請求項３９】
透明基材は、有機基材、例えば、透明プラスチック基材、または無機基材、例えば、ガラス基材である請求項３８に記載の反射防止光学部材。
【請求項４０】
請求項３８または３９に記載の反射防止光学部材、および
反射防止光学部材に取り付けた機能的な光学部材を有して成る光学機能部材。
【請求項４１】
機能的な部材は、偏光板である請求項４０に記載の光学機能部材。
【請求項４２】
ディスプレイスクリーン表面の前パネルの前面に接着剤で取り付けたコーティング部材を有してなる表示装置であって、
コーティング部材が請求項４０または４１に記載の光学機能部材である表示装置。
【請求項４３】
ディスプレイは、液晶ディスプレイ、ＣＲＴディスプレイ、投影ディスプレイ、プラズマディスプレイ、またはＥＬディスプレイである請求項４２に記載の表示装置。
【請求項４４】
請求項１〜１９のいずれかに記載の表面改質剤を使用して得られた表面を有するガラス。
【請求項４５】
自動車使用または航空機使用のための請求項４４に記載のガラス。
【請求項４６】
請求項１〜１９のいずれかに記載の表面改質剤を使用して得られた表面を有する眼鏡レンズまたは光学レンズ。
【請求項４７】
請求項１〜１９のいずれかに記載の表面改質剤を使用して得られた表面を有する衛生製品。
【請求項４８】
離型剤として請求項１〜１９のいずれかに記載の表面改質剤を使用する離型方法。
【請求項４９】
ナノインプリントのために請求項１〜１９のいずれかに記載の表面改質剤を使用する離型方法。
【請求項５０】
請求項１〜１９のいずれかに記載の表面改質剤を使用することによって得られたミクロ構造。
【請求項５１】
リソグラフィーまたは装置製造における請求項５０に記載のミクロ構造の使用。
【請求項５２】
請求項１〜１９のいずれかに記載の表面改質剤を使用して得られた表面を有する石製品。
【請求項５３】
Ｘ”が、少なくとも１つのシロキサン基および少なくとも１つのメチレン基を有する基である請求項１に記載の表面改質剤。
【請求項５４】
Ｘ”が、式：
-R3Si(R2)2(OSi(R2)2)bO- または -R3Si(R2)2(OSi(R2)2)bR3-  
（式中、Ｒ２はＣ１−Ｃ２２の直鎖または分岐の置換されていてよいアルキル、Ｃ６−Ｃ２０の非置換または置換のアリール基、Ｒ３は独立的に二価の有機基、例えば、Ｃ１−Ｃ２２の直鎖または分岐の置換されていてよいアルキル、およびｂは１〜１００の整数である。）
で示される請求項１に記載の表面改質剤。
【請求項５５】
Ｘ”が、-CH2CH2CH2Si(Me2)2OSi(Me2)2O- または -CH2CH2CH2Si(Me2)2OSi(Me2)2C2H4-である請求項１に記載の表面改質剤。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
一般式（Ｂ）において、ｑは、１〜３の整数であり；
ｍ、ｎおよびｏは、それぞれ、０〜２００の整数であり；
ｐは、０、１または２であり；
ＸおよびＸ”は、スペーサー基であり；
Ｒ１は、Ｃ１−２２の直鎖または分岐の炭化水素基であり；
ａは、０〜２の整数であり；
Ｘ’は、加水分解性基であり；ならびに
ａが０または１である場合に、ｚは、０〜１０の整数である。
好ましくは、一般式（Ａ）および（Ｂ）において、Ｘは、酸素原子または二価の有機基（例えばＣ１−２２の直鎖または分岐のアルキレン基）であり；
Ｒ１は、Ｃ１−２２アルキル基、より好ましくはＣ１−１２アルキル基であり；
Ｘ”は、少なくとも１つのシロキサン基および少なくとも１つのメチレン基を有する基であり；ならびに
Ｘ’は、塩素、アルコキシ（−ＯＲ）基またはＯ−Ｎ＝ＣＲ２（ただし、ＲはＣ１−２２の直鎖または分岐の炭化水素基（特に、直鎖または分岐のアルキル基である。）である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
一般式（Ａ）または（Ｂ）における加水分解性基（Ｘ’）として、下記の基が例示される：
アルコキシ基またはアルコキシ基置換アルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシおよびメトキシエトキシ基；アシルオキシ基、例えば、アセトキシ、プロピオニルオキシおよびベンゾイルオキシ基；アルケニルオキシ基、例えば、イソプロペニルオキシおよびイソブテニルオキシ基；イミンオキシ基、例えば、ジメチルケトキシム、メチルエチルケトキシム、ジエチルケトキシム、シクロヘキサンオキシム基；置換アミノ基、例えば、メチルアミノ、エチルアミノ、ジメチルアミノおよびジエチルアミノ基；アミド基、例えば、Ｎ−メチルアセトアミドおよびＮ−エチルアミド基；置換アミノオキシ基、例えば、ジメチルアミノオキシおよびジエチルアミンオキシ基；ハロゲン、例えば、塩素など。加水分解性基の中で、-OCH3, -OC2H5, および -O-N=C(CH3)2 が特に好ましい。種々のＸ’基は所望に応じて、平衡、例えば、≡Si(OMe) + メチルエチルケトオキシム → ≡Si(ケトオキシム) + MeOHにより、あるいは反応、例えば、≡Si(OMe) + AcCl → =SiCl + AcOMeにより交換してよい。加水分解性基は、１種として、または、２種以上の組合せとして、本発明の防汚剤の有機シリコーン化合物に含めることができる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
一般式（Ａ）および（Ｂ）のスペーサー基ＸおよびＸ”は、パーフルオロポリエーテルへのヒドロシリル化によって、加水分解可能なシリコン官能基［Si(X’)3-a(R1)a］の連結を促進するために必要とされる。Ｘは下記式の基によって例示することができる: 酸素、二価の有機基、例えば、アミド、N-メチルアミド、N-エチルアミド、エステル、エーテル、組み合わせて、Ｘ”は、独立的に二価の有機シリコーン基、例えば、-R3Si(R2)2(OSi(R2)2)bO- または -R3Si(R2)2(OSi(R2)2)bR3-  （式中、Ｒ２は独立的にＣ１−Ｃ２２の直鎖または分岐の置換されていてよいアルキル、Ｃ６−Ｃ２０の非置換または置換のアリール基、Ｒ３は独立的に二価の有機基、例えば、Ｃ１−Ｃ２２の直鎖または分岐の置換されていてよいアルキル、およびｂは１〜１００の整数である。）である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXCH2CH=CH2 
+ HMe2SiOMe2SiC2H4Si(OMe)3
→
F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXCH2CH2CH2Me2SiOMe2SiC2H4Si(OMe)3
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
上記の反応スキームにおいて、ｑは、１〜３の整数であり；ｍ、ｎおよびｏは、それぞれに０〜２００の整数であり；ｐは、１または２であり；Ｘは、酸素または二価の有機基であり；構造CH2CH=CH2のＸ”’は、構造-CH2CH2CH2-のＸ”の成分に転化する。他の好ましい化合物は、上記反応スキームにおいてHMe2SiOMe2SiC2H4Si(OMe)3 をHMe2Si(OSiMe2)3OSi(OMe)3 または、より大きなオリゴマーに置き換えることによって製造できる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
ヒドロシリル化反応は、反応を駆動する水素化ケイ素が過剰の状態で適当な時間および温度で反応させることによって進行する。必要により、適当な溶媒を、混合を容易にするために加えることができる。核磁気共鳴または赤外分光学のようなさまざまな器械による方法を、反応進行を監視するために用いることができる。
例えば、好適な条件は、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン触媒との白金錯体（すなわちＶＩＩＩ族遷移金属）として供給される０．０１〜１０ｍｍｏｌの白金を使用してフッ素化合物1モルにつき１．０５〜３モルのHSiによる１〜１０時間および３０〜９０℃の反応である。過剰の水素化ケイ素は、充分に揮発性であれば、真空蒸留によって反応生成物から容易に除去できる。成分の相溶を促進するように、ヒドロシリル化反応のために、溶媒をも用いてもよい。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５６】
使用可能な材料の例は、既知の添加剤、例えば、帯電防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、潤滑油、着色剤、抗酸化剤、難燃剤を、これら有機基材の有機ポリマーに添加することによって製造されたものを含む。