【事件の表示】
　特願２００２−５６０１２７「磁気ヘッド及びそれを製作する方法、並びにハード・ディスク・ドライブ」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　８月　１日国際公開、ＷＯ０２／５９８８２、平成１６年　８月２６日国内公表、特表２００４−５２６２７１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年１２月２１日（パリ条約に基づく優先権主張外国受理平成１３年１月１６日　米国）を国際出願日とする出願であって、平成１８年３月１７日付け拒絶理由通知に対する応答時、同年５月３０日付けで手続補正がなされ、平成１９年１月９日付け拒絶理由通知に対する応答時、同年５月２８日付けで手続補正がなされたが、平成２０年１月２９日付けで補正却下の決定がなされ、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年３月３１日付けで拒絶査定不服審判請求及び手続補正がなされた。
　その後、平成２２年６月４日付けで審尋がなされ、同年８月１８日付けで回答書が提出され、当審がした同年１１月５日付け拒絶理由通知に対する応答時、平成２３年１月１２日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２３年１月１２日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものである。
「【請求項１】
　第１の磁極と材料がＮｉＦｅである第２の磁極とを含む書込みヘッド部を有する磁気ヘッドであって、
　前記第１の磁極と前記材料がＮｉＦｅである第２の磁極との間に、タングステン、チタン及びタンタルからなる群から選択される導電性材料からなり且つ厚さが５００Åから２０００Åである下部シード層と該下部シード層の上に該下部シード層と接して設けられ材料がＮｉＦｅであり且つ厚さが１００Åの厚さである上部シード層とからなるシード層が設けられ、前記第１の磁極に前記下部シード層の下面が接し、前記上部シード層の上面に前記材料がＮｉＦｅである第２の磁極が接していることを特徴とする磁気ヘッド。」
　
３．引用例
　これに対して、当審が通知した拒絶の理由に引用された特開平１０−４０５１２号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。
（１）「【請求項２】
基板上に形成した下部磁性層の上に絶縁層およびコイル層を順次積層し、その上に上部磁性層を形成する薄膜磁気ヘッド
　上記絶縁層およびコイル層を順次積層した後、
上記下部磁極膜および最上絶縁層の上に導電性かつ非磁性体のギャップ層を形成し、当該ギャップ層を下地導電膜として通電し上記上部磁極層を電気メッキによって形成する
【請求項３】
上記ギャップ層をＴｉ、ＴｉＣ、Ｔａによって形成した
　
（２）「【００１８】Ｓ８は、パターニングする。Ｓ９は、上部磁極層のメッキを行う。これらＳ８およびＳ９は、右側に記載した図２の（ｄ）に示すように、レジストを塗布・露光・現像して上部磁極層７を形成する部分に穴を開け、
Ｓ６で形成したメッキ導体層（ギャップ層８）に通電し当該穴の部分に磁性体（例えばＮｉＦｅ）を電気メッキして形成した後、レジストを溶剤で除去し、図示のように上部磁極層７を形成する
【００１９】Ｓ１０は、不要部分の除去を行う。これは、右側に記載した図２の（ｆ）、（ｇ）に示すように、不要部分を除去する。Ｓ１１は、銅端子の形成を行う。これは、右側に記載した図３の（ｈ）に示すように、銅端子１０を形成する。」
　
　上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「基板上に形成した下部磁性層の上に絶縁層およびコイル層を順次積層し、その上にＮｉＦｅの上部磁性層を形成する薄膜磁気ヘッドにおいて、
　上記下部磁極膜および最上絶縁層の上に導電性かつ非磁性体のＴｉ、ＴｉＣ、Ｔａによってギャップ層を形成し、当該ギャップ層を下地導電膜として通電し上記上部磁極層を電気メッキによって形成した薄膜磁気ヘッド。」
　
４．対比
　そこで、本願発明と引用発明とを対比すると、
（１）引用発明における「下部磁性層」、「ＮｉＦｅの上部磁性層」、「薄膜磁気ヘッド」は、それぞれ本願発明における「第１の磁極」、「材料がＮｉＦｅである第２の磁極」、「磁気ヘッド」に相当し、
　引用発明における「基板上に形成した下部磁性層の上に絶縁層およびコイル層を順次積層し、その上にＮｉＦｅの上部磁性層を形成する薄膜磁気ヘッド」は、下部磁性層、コイル層、上部磁性層が書込みヘッド部を構成していることは明らかであるから、本願発明における「第１の磁極と材料がＮｉＦｅである第２の磁極とを含む書込みヘッド部を有する磁気ヘッド」に相当する。
　
（２）引用発明における「Ｔｉ」、「Ｔａ」は、本願発明における「チタン」、「タンタル」に相当し、
　引用発明における「上記下部磁極膜および最上絶縁層の上に導電性かつ非磁性体のＴｉ、ＴｉＣ、Ｔａによってギャップ層を形成し、当該ギャップ層を下地導電膜として通電し上記上部磁極層を電気メッキによって形成した」によれば、導電性かつ非磁性体のＴｉ、ＴｉＣ、Ｔａからなるギャップ層は、上部磁性層を電気メッキによって形成するための下地導電膜、すなわちシード層としても用いられるものであることから、結局、引用発明と本願発明とは「前記第１の磁極と前記材料がＮｉＦｅである第２の磁極との間に、チタン及びタンタルからなる群から選択される導電性材料からなるシード層が設けられ、前記第１の磁極に前記シード層の下面が接し、前記シード層の上面に前記材料がＮｉＦｅである第２の磁極が設けられている」点で共通するといえる。
　
　よって、本願発明と引用発明とは、
「第１の磁極と材料がＮｉＦｅである第２の磁極とを含む書込みヘッド部を有する磁気ヘッドであって、
　前記第１の磁極と前記材料がＮｉＦｅである第２の磁極との間に、チタン及びタンタルからなる群から選択される導電性材料からなるシード層が設けられ、前記第１の磁極に前記シード層の下面が接し、前記シード層の上面に前記材料がＮｉＦｅである第２の磁極が設けられていることを特徴とする磁気ヘッド」
である点で一致し、次の点で相違する。
［相違点１］
　チタン及びタンタルからなる群から選択される導電性材料からなるシード層が、本願発明では厚さが５００Åから２０００Åであると特定するのに対して、引用発明ではそのような厚さ範囲の特定がない点。
　
［相違点２］
　本願発明では、チタン及びタンタルからなる群から選択される導電性材料からなるシード層は「下部」シード層であり、該「下部」シード層の上に該「下部」シード層と接して設けられ材料がＮｉＦｅであり且つ厚さが１００Åの厚さである「上部」シード層が設けられ、該「上部」シード層の上面に材料がＮｉＦｅである第２の磁極が接しているのに対し、引用発明では、チタン及びタンタルからなる群から選択される導電性材料からなるシード層の上面に材料がＮｉＦｅである第２の磁極が接している点。
　
５．判断
　上記相違点について検討する。
［相違点１］について
　引用発明における、導電性かつ非磁性体のＴｉ、Ｔａによって形成される下地導電膜は、上部磁極層を電気メッキによって形成するためのシード層であるとともにギャップ層でもあるから、当然、シード層として機能する最低限の厚さが必要であるばかりでなく、ギャップ層として機能するための適切な厚さ範囲が必要とされることは明らかであるところ、導電性かつ非磁性材料からなる記録ギャップ層の厚さを、例えば特開平１１−２８３２１４号公報（段落【００５７】）には２０〜２００ｎｍ（２００〜２０００Å）とすることが記載され、特開平１１−１４９６２３号公報（段落【００１７】）には０．１〜０．５μｍ（１０００〜５０００Å）とすることが記載され、本願発明が特定する範囲と重複する範囲が例示されているところであり、また、本願発明の数値範囲により格別顕著な作用効果が得られるとする根拠もないから、引用発明においても、導電性かつ非磁性体のＴｉ、Ｔａによって形成される下地導電膜の厚さを５００〜２０００Åを満たすようなものとすることは当業者が適宜なし得ることである。
　
［相違点２］
　結局、本願発明ではシード層が二層構造であり、チタン及びタンタルからなる群から選択される導電性材料からなる「下部」シード層と、材料がＮｉＦｅである第２の磁極との間に、材料がＮｉＦｅであり且つ厚さが１００Åの厚さである「上部」シード層が設けられているのに対し、引用発明ではシード層が一層であり、ＮｉＦｅである第２の磁極との間に材料がＮｉＦｅであり且つ厚さが１００Åの厚さである「上部」シード層が設けられていない点で相違するということができる。
　しかしながら、シード層と形成されるメッキ層とが異なる材料の場合には、シード層とメッキ層との密着力向上（剥がれ防止）、メッキ層の膜厚均一化のためにシード層を多層構造とし、メッキ層と接する最上のシード層をメッキ層と同じ材料の極めて薄い層〔上記の特開平１１−２８３２１６号公報では数十ｎｍ（数百Å）、特開平１１−１７５９１４号公報では０．０１μｍ（１００Å）〕で形成することが、例えば当審が通知した拒絶の理由に引用された特開平１１−２８３２１６号公報（特に段落【００２５】、【００３６】を参照）や特開平１１−１７５９１４号公報（特に【請求項７】、【請求項８】、段落【００１７】を参照）に記載されているように周知といえる技術事項であり、引用発明においても、密着力向上（剥がれ防止）等のためにシード層を二層構造とし、導電性かつ非磁性体のＴｉ、Ｔａによって形成される下地導電膜と、ＮｉＦｅの上部磁性層との間に、材料が上部磁性層と同じＮｉＦｅであり且つ厚さが極めて薄い１００Åの厚さである「上部」シード層を設けるようにすることも当業者が容易になし得ることである。
　
　なお、請求人は平成２３年１月１２日付け意見書において、本願発明の技術的課題は、タングステン、チタン、またはタンタルからなるシード層上に酸化物表面被膜が形成されるのを防止することである旨述べているが、結局、シード層上に酸化物表面被膜が形成されると、メッキ層との密着力が低下したり、メッキ層の膜厚が不均一になり、適切なメッキ層の形成ができなくなることに結びつくと考えられる点を考慮すると、上記各相違点を総合的に判断してみても本願発明が奏する効果は、引用発明及び周知の技術事項から当業者が十分に予測できたものであって、格別顕著なものがあるとはいえない。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。