【事件の表示】
　特願２００１−２６５０５８「シリコンウェーハの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　３月１４日出願公開、特開２００３−　７７９２５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　 
　本願は、平成１３年８月３１日の出願であって、平成２０年１２月１５日に手続補正書が提出され、平成２１年３月３０日付けで拒絶査定がされ、それに対して、同年６月２３日に審判が請求されるとともに、同日に手続補正書が提出され、その後、平成２２年１２月１５日付けで審尋がされ、平成２３年２月１８日に回答書が提出されたものである。 
　 
　 
第２　平成２１年６月２３日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正の却下の決定 
　
【補正の却下の決定の結論】
　
　本件補正を却下する。　
　
【理由】　
１　補正の内容　
　本件補正のうち、特許請求の範囲についてする補正は、次のとおりである（下線を付した部分は、補正箇所である。）。
　
ア　請求項1について、同項中に、「このシリコンウェーハに前記熱処理を施す」とあるのを、「このシリコンウェーハに
１１５０℃以上１２５０℃以下の温度で急速加熱、急速冷却の
　
イ　請求項２は、請求項１を引用するものであり、上記アの補正に伴って補正されるものである。
　　
ウ　補正前の請求項３、４、５、６を削除すること。
　
２　補正の目的の適否
　上記補正ア、イは、いずれも、補正前の請求項に規定されている技術的事項をより限定する補正を含むものであり、平成１８年法律５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、上記補正ウは、同法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除に該当するから、同特許法第１７条の２第４項柱書きに規定する目的要件を満たす。
　
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、補正後の特許請求の範囲の請求項３に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、更に検討する。
　
３　独立特許要件（容易想到性）についての検討
（１）本願補正発明
　本件補正による補正後の請求項１〜２に係る発明のうち、請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、次のとおりである。
　
「【請求項１】　シリコンウェーハを窒化ガスを含む雰囲気ガス中で熱処理して内部に空孔を形成する工程を有するシリコンウェーハの製造方法であって、
　前記シリコンウェーハの窒素濃度を、１×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内（但し、窒素濃度が１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上のものは除く）とし、シリコン単結晶インゴット内での格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域を〔Ｉ〕とし、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域を〔Ｖ〕とし、格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域を〔Ｐ〕とするときに、ＯＳＦ領域を含まないパーフェクト領域〔Ｐ〕からなるインゴットから切り出された点欠陥の凝集体が存在しないシリコンウェーハであり、このシリコンウェーハに１１５０℃以上１２５０℃以下の温度で急速加熱、急速冷却の前記熱処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。」
　　
（２）引用例の記載と引用発明
（２−１）引用例１とその記載内容
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００１−１４６４９８号公報（以下「引用例１」という。）には、「シリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法並びにＳＯＩウエーハ」（発明の名称）について、次の記載がある（下線は当審で付加したもの。以下同じ。）。 
　 
ア　発明の属する技術分野等 
「 【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
窒素がドープされ、結晶欠陥が殆どない無欠陥シリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法
【０００２】
【従来の技術】近年、ＤＲＡＭ等の半導体回路の高集積化に伴う素子の微細化に伴い、その基板となるチョクラルスキー法（以下、ＣＺ法と略記することがある）で作製されたシリコン単結晶に対する品質要求が高まってきている。特に、ＦＰＤ、ＬＳＴＤ、ＣＯＰ等のグローンイン（Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ）欠陥と呼ばれ、酸化膜耐圧特性やデバイスの特性を悪化させる、単結晶成長起因の欠陥が存在し、その密度の低減とサイズの縮小が重要視されている。
【０００３】これらの欠陥を説明するに当たって、先ず、
シリコン単結晶に取り込まれるベイカンシイ（Ｖａｃａｎｃｙ、以下Ｖと略記することがある）と呼ばれる空孔型の点欠陥と、インタースティシアル−シリコン（Ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ−Ｓｉ、以下Ｉと略記することがある）と呼ばれる格子間型シリコン点欠陥
【０００４】シリコン単結晶において、Ｖ−領域とは、Ｖａｃａｎｃｙ、つまりシリコン原子の不足から発生する凹部、穴のようなものが多い領域であり、Ｉ−領域とは、シリコン原子が余分に存在することにより発生する転位や余分なシリコン原子の塊が多い領域のことであり、そして
Ｖ−領域とＩ−領域の間には、原子の不足や余分が無い（少ない）ニュートラル領域（Ｎｅｕｔｒａｌ領域、以下Ｎ−領域と略記することがある）が存在している
【０００５】
この両点欠陥の濃度は、ＣＺ法における結晶の引上げ速度（成長速度）Ｆと結晶中の固液界面近傍の温度勾配Ｇとの関係から決まる
Ｖ−領域とＩ−領域との間のＮ−領域には、ＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥、Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  Ｉｎｄｕｓｅｄ  Ｓｔａｃｋｉｎｇ  Ｆａｕｌｔ）と呼ばれるリング状に発生する欠陥の存在が確認されている。
「【００３６】・・・この窒素ドープにより拡大したＯＳＦ領域を使用しても、
酸素濃度を８ｐｐｍａ以下にすることにより、ＯＳＦを不活性にできるということになり、ボイド型欠陥、転位クラスター、ＯＳＦ、およびＯＳＦ上の転位ループ等の無い無欠陥シリコン単結晶が、高生産性および高歩留まりで製造可能である
【００３７】・・・５ｐｐｍａ以下の酸素濃度のウエーハでは析出物もなく低酸素であるため、ゲッタリング能力が殆どなくなる。よって、
程良くゲッタリング能力（ＩＧ能力）も必要な場合の酸素濃度は５〜８ｐｐｍａまでの選択となる。 
【００３８】実際の
引上げ方法においては、ＯＳＦ領域の発生は窒素濃度によって変化する。例えば窒素濃度が１×１０
14
／ｃｍ
3 
以上
結晶を育成し、酸素濃度を８ｐｐｍａ以下に調整すれば、全面が潜在的にＯＳＦ核を持っている領域（潜在ＯＳＦ領域：酸素濃度が８ｐｐｍａを超えればＯＳＦが発生する領域）となる。
【００３９】ここで、酸素濃度の制御方法は従来より慣用されているように、ルツボ回転速度や磁場印加、そしてガス流の制御等によりコントロールすることができる。また、窒素濃度が高くなれば、この潜在ＯＳＦ領域もさらに拡大し、例えば
窒素を５×１０
14
／ｃｍ
3 
以上ドープした場合は、Ｆ／Ｇ値を引上げ結晶の面内すべての位置で、０．１２〜０．２４ｍｍ
2 
／Ｋ・ｍｉｎの範囲内で結晶を育成すればよい。
【００４０】
このような方法によれば、単結晶の育成が高速成長かつ広いマージンで可能となる。次いでこれを通常の方法に従い、スライス、面取り、研削、エッチング、鏡面仕上げ研磨等の工程を経てウエーハに加工すれば、ボイドもＯＳＦも転位クラスターも、さらにはＯＳＦ上の転位ループも存在しない無欠陥シリコン単結晶ウエーハを製造することができる。」
「【００４２】また、酸素濃度が８〜５ｐｐｍａの場合には、ＯＳＦは発生させないが、微小な析出物が残存している。よってゲッタリング能力は上記のウエーハよりもあるが、微小析出物が表面に出ると、若干耐圧特性を劣化させる場合がある。そこで、この場合は何らかの
熱処理を施すことにより、表面のみその微小な酸素析出物を溶解させてしまえば良く、例えば、ＲＴＡプロセスにおいて、アルゴン、水素、窒素等の雰囲気下でのアニールで簡単に消滅させることができる。
【００４３】
ここで、ＲＴＡプロセスとは、熱処理をＲＴＡ装置（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌｅｒ、急速加熱・急速冷却装置）を用いて行う工程
【００４４】さらに、どのウエーハに対しても、
より強力にゲッタリング能力を付加したい場合には、すでに良く知られている、窒素雰囲気下でのＲＴＡプロセス等により、ゲッタリング能力を増加させてもよい。
　
（２−２）引用発明
　上記ア及びイによれば、引用例１には、次の発明が記載されている（以下、この発明を「引用発明」という。）。 
　
「シリコン単結晶ウエーハを熱処理するシリコン単結晶ウエーハの製造方法であって、前記シリコン単結晶ウエーハは、窒素濃度が１×１０14／ｃｍ3 以上にドープされ、全面Ｎ−領域からなり、ボイド型欠陥、転位クラスター、ＯＳＦ、およびＯＳＦ上の転位ループ等の無い無欠陥シリコン単結晶ウエーハであり、前記シリコン単結晶ウエーハに、急速加熱・急速冷却の前記熱処理を施す、シリコン単結晶ウエーハの製造方法。」
　
（２−３）引用例２とその記載内容
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特表２００１−５０９３１９号公報（以下「引用例２」という。）には、「理想的な酸素析出シリコンウエハおよびそれのための酸素外方拡散の無い方法」（発明の名称）について、次の記載がある。 
　
ア　発明の背景等
「発明の背景
  本発明は、電子部品の製造において使用される半導体材料基板、特にシリコンウエハの製造に関する。特に、本発明は、本質的にいずれかの任意の
電子デバイス製造法の熱処理サイクル中に、酸素析出物の理想的な不均一深さ分布をウエハが形成することを可能にするシリコンウエハの処理法
　半導体電子部品のほとんどの製造方法のための出発材料である
単結晶シリコンは、種単結晶を溶融シリコンに浸漬し次いで遅い引出によって成長させるいわゆるチョクラルスキー法によって一般に製造されている。
ウエハのバルクに位置する酸素析出物は、ウエハに接触するようになり得る望ましくない金属不純物を捕捉し得る。金属を捕捉するウエハのバルクに位置する酸素析出物の使用は、内的または本質的なゲタッリング（ＩＧ）と一般に呼ばれる。
　歴史的に、電子デバイス製造法は、酸素析出物の無いウエハの表面付近の領域または地域（一般に、「デニューデッドゾーン」または「無析出領域」と呼ばれる。）を有するシリコンを製造するように設計されている一連の工程を有していた。なお、
ウエハの残り、すなわちウエハバルクは、ＩＧ目的のために充分な数の酸素析出物を有する。
イ　発明の概要
「発明の概要
　
本発明の目的の中には、本質的にいずれかの電子デバイス製造法の熱処理サイクル間に、酸素析出物の理想的な不均一深さ分布を形成する単結晶シリコンウエハを提供すること；ウエハバルクにおける酸素析出物の充分な密度および充分な深さのデニューデッドゾーンを最適にかつ再現性よく形成するそのようなウエハを提供すること
表面層、および
バルク層を有する単結晶シリコンウエハを提供する。特に、ウエハは、バルク層中の空格子点濃度が表面層中の空格子点濃度よりも高く、空格子点が空格子点ピーク密度は中央面上またはその近傍にある濃度分布を有し、該濃度が一般にピーク密度位置からウエハの前表面の方向に減少するという結晶空格子点の非均一分布
　さらに、本発明は、・・・特に、
バルク層は実質的に均一な酸素濃度と、以下のような結晶空格子点濃度を有する：
酸素析出熱処理に付した場合に、ウエハは、バルク層中の酸素析出物のピーク密度が中央面またはその近傍にあり、バルク層中の酸素析出物の濃度が前表面層の方向に一般に減少する濃度分布を持つ酸素析出物
「さらに、本発明は、
チョクラルスキー法により成長された単結晶シリコンインゴットから切り出された単結晶シリコンウエハを、後の熱処理工程におけるウエハ中の酸素の析出挙動に影響を与えるように熱処理する方法に関する。
ウエハを少なくとも約１１７５℃の温度で加熱処理して、表面層およびバルク層に結晶空格子点を形成する工程；（ｉｉｉ）９００℃未満の温度にウエハを冷却する工程；（ｉｖ）加熱温度と９００℃との間で加熱処理されたウエハの冷却速度を制御して、空格子点ピーク密度は中央面上またはその近傍にある空格子点濃度分布を有し、該濃度は、ウエハの前表面の方向に一般に減少し、表面層とバルク層との間の空格子点濃度の差は、７５０℃を越える温度でのウエハの熱処理によって表面層中にデニューデッドゾーンおよびバルク層中に酸素クラスターまたは析出物を形成することができ、バルク層中の酸素クラスターまたは析出物の濃度は主として空格子点濃度に依存しているような差であるウエハを製造する工程を含んでなる。
ウ　好ましい態様の詳細な説明
「本発明の理想的な析出ウエハのための出発材料は、従来のチョクラルスキー結晶成長法に従って成長された単結晶インゴットからスライスされた単結晶シリコンウエハである。」（１５頁下から７行〜下から５行）
「本発明の方法の第１の態様において、ウエハ１は工程Ｓ1において酸素含有雰囲気中で熱処理され、ウエハ１を包囲する表面酸化物層９を成長させる。・・・
　
工程Ｓ2において、ウエハを高温に加熱し、ウエハ１における結晶格子空孔１３の数密度を増加させる熱処理にウエハを付す。好ましくは、この熱処理工程は、ウエハを急速に目標温度に加熱し、かなり短時間で該温度でアニールする急速熱的アニーラーにおいて行われる。一般に、ウエハは、１１５０℃以上、好ましくは少なくとも１１７５℃、より好ましくは少なくとも１２００℃、最も好ましくは少なくとも１２００℃〜１２７５℃の温度に付される。
　本発明の第１の態様において、
急速熱的アニール工程は、窒化雰囲気、すなわち、露出シリコン表面を窒化できるアンモニアなどの窒素含有化合物ガスまたは窒素ガス（Ｎ
2
）を含有する雰囲気の存在下で、行う。
「
急速加熱アニール（rapid thermal anneal）は、ウエハを別々に一群の高電力ランプによって加熱するような、種々の市販の急速加熱アニール（RTA）炉によって、実施することができる。
「
工程S2の完了後、ウエハは、工程S3において、結晶格子空格子点が単結晶において比較的移動しやすい温度範囲を通って、急速に冷却される。
好適には、冷却工程は、加熱工程が実施されるのと、同じ雰囲気下に実施することができる。
　
（２−４）引用例２
　上記ア〜ウによれば、引用例２には、次の技術が記載されている。 
　
「単結晶シリコンからなるウエハ１における結晶格子空孔１３の数密度を増加させるための熱処理工程であって、急速に加熱し、１１５０℃以上、好ましくは少なくとも１１７５℃、より好ましくは少なくとも１２００℃、最も好ましくは少なくとも１２００℃〜１２７５℃の温度に付され、窒化雰囲気下で行い、そして、同じ雰囲気下で急速に冷却される熱処理工程。」
　
（３）対比
（３−１）本願補正発明と引用発明とを対比すると、
ア　引用発明の「シリコン単結晶ウエーハ」は、本願補正発明の「シリコンウェーハ」に相当する。
　
イ　引用発明は、「窒素濃度が１×１０14／ｃｍ3 以上にドープされ」、本願補正発明は、「シリコンウェーハの窒素濃度を、１×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内（但し、窒素濃度が１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上のものは除く）とし」ていることから、両者は、シリコンウェーハに窒素がドープされている点で共通する。  　
　
ウ　引用例１の「シリコン単結晶に取り込まれるベイカンシイ（Ｖａｃａｎｃｙ、以下Ｖと略記することがある）と呼ばれる空孔型の点欠陥と、インタースティシアル−シリコン（Ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ−Ｓｉ、以下Ｉと略記することがある）と呼ばれる格子間型シリコン点欠陥」（段落【０００３】）との記載、「Ｖ−領域とＩ−領域の間には、原子の不足や余分が無い（少ない）ニュートラル領域（Ｎｅｕｔｒａｌ領域、以下Ｎ−領域と略記することがある）」（段落【０００４】）との記載から、引用発明の「Ｎ−領域」は、「空孔型の点欠陥」と「格子間型シリコン点欠陥」が存在しない領域であるから、「格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体が存在しない」ことは明らかである。　
　そして、引用発明の「ＯＳＦ、およびＯＳＦ上の転位ループ等の無い」ことは、本願補正発明の「ＯＳＦ領域を含まない」ことに相当する。
　さらに、引用例１の「単結晶の育成が高速成長かつ広いマージンで可能となる。次いでこれを通常の方法に従い、スライス、面取り、研削、エッチング、鏡面仕上げ研磨等の工程を経てウエーハに加工すれば、ボイドもＯＳＦも転位クラスターも、さらにはＯＳＦ上の転位ループも存在しない無欠陥シリコン単結晶ウエーハを製造する」（段落【００４０】）との記載から、技術常識を参酌すれば、引用発明の「シリコン単結晶ウエーハ」は、インゴットから切り出されたものであることは明らかである。　
　そうすると、引用発明の「全面Ｎ−領域からなり、ボイド型欠陥、転位クラスター、ＯＳＦ、およびＯＳＦ上の転位ループ等の無い無欠陥シリコン単結晶ウエーハ」は、本願補正発明の「シリコン単結晶インゴット内での格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域を〔Ｉ〕とし、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域を〔Ｖ〕とし、格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域を〔Ｐ〕とするときに、ＯＳＦ領域を含まないパーフェクト領域〔Ｐ〕からなるインゴットから切り出された点欠陥の凝集体が存在しないシリコンウェーハ」に相当する。
　
（３−２）したがって、本願補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりとなる。
　
〈一致点〉
「シリコンウェーハを熱処理する工程を有するシリコンウェーハの製造方法であって、前記シリコンウェーハに窒素がドープされ、シリコン単結晶インゴット内での格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域を〔Ｉ〕とし、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域を〔Ｖ〕とし、格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域を〔Ｐ〕とするときに、ＯＳＦ領域を含まないパーフェクト領域〔Ｐ〕からなるインゴットから切り出された点欠陥の凝集体が存在しないシリコンウェーハであり、このシリコンウェーハに、急速加熱、急速冷却の前記熱処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。」
　　
〈相違点〉
相違点１について
　熱処理について、本願補正発明は、「窒化ガスを含む雰囲気ガス中」で、「シリコンウェーハ」の「内部に空孔を形成する」熱処理であって、「１１５０℃以上１２５０℃以下の温度で急速加熱、急速冷却の熱処理」を施すのに対し、引用発明は、「急速加熱・急速冷却」の熱処理を施すものの、内部に空孔を形成することの特定がない点。
　
相違点２について
　ドープされているシリコンウェーハの窒素濃度について、本願補正発明は、「１×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内（但し、窒素濃度が１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上のものは除く）」とするのに対し、引用発明では、「１×１０14／ｃｍ3 以上」とする点。
　
（４）相違点についての検討
（４−１）相違点１
ア　引用例２の「ウエハのバルクに位置する酸素析出物は、ウエハに接触するようになり得る望ましくない金属不純物を捕捉し得る。金属を捕捉するウエハのバルクに位置する酸素析出物の使用は、内的または本質的なゲタッリング（ＩＧ）」（１０頁下から７行〜下から４行）との記載から、引用例２の技術においては、ゲッタリングとバルクに位置する酸素析出物が関係付けられ、また、「バルク層中の酸素クラスターまたは析出物の濃度は主として空格子点濃度に依存している」（１４頁３行〜４行）との記載から、バルク層中の酸素析出物と空格子点濃度が依存関係にあることが分かる。　
　
イ　また、引用例２の「電子デバイス製造法は、酸素析出物の無いウエハの表面付近の領域または地域（一般に、「デニューデッドゾーン」または「無析出領域」と呼ばれる。）を有するシリコンを製造するように設計されている一連の工程を有していた。なお、ウエハの残り、すなわちウエハバルクは、ＩＧ目的のために充分な数の酸素析出物を有する。」（１０頁下から３行〜１１頁２行）との記載から、引用例２の技術は、「ＩＧ」すなわち、ゲッタリングすることを前提とする技術であることが分かる。
　
ウ　そうすると、引用例２の熱処理工程の技術において、前記（２−４）に記載の「結晶格子空孔１３の数密度を増加させる」ことは、上記ア及びイを参酌すれば、酸素析出物を増加させ、ゲッタリングするためのものであることが理解できる。　
　　
エ　ここで、シリコン単結晶ウエーハの製造方法において、品質を高めるために、ゲッタリングすることは技術常識であるから、引用発明の「シリコン単結晶ウエーハの製造方法」においても、ゲッタリングするという技術課題を有することは、当業者が普通に思い付くものである。　
　このことは、引用例１の「より強力にゲッタリング能力を付加したい場合には、すでに良く知られている、窒素雰囲気下でのＲＴＡプロセス等により、ゲッタリング能力を増加させてもよい。」（段落【００４４】）のように、ゲッタリングすることを示唆する記載とも符合する。
 　　
オ　上記ウ及びエを参酌すれば、引用発明は、引用例２に記載の技術と、ゲッタリングするという技術課題を有する点で共通する。
　
カ　したがって、引用発明の「シリコン単結晶ウエーハの製造方法」において、ゲッタリングのために、引用例２に記載の、ウエハのバルク層中の空格子点濃度を高める「熱処理工程」の技術を採用することは、当業者が容易になし得たことである。　
　そして、その際、前記熱処理温度を引用例２に記載の「１１５０℃以上、・・・少なくとも１２００℃〜１２７５℃の温度」を、本願補正発明の「１１５０℃以上１２５０℃以下の温度」とすることは、当業者が必要とする空格子点濃度に応じて適宜設定し得るものである。
　
（４−２）相違点２
ア　引用例１の「実際の引上げ方法においては、ＯＳＦ領域の発生は窒素濃度によって変化する。例えば窒素濃度が１×１０14／ｃｍ3 以上のときは、Ｆ／Ｇ値を引上げ結晶の面内全ての位置で、０．１４〜０．２２ｍｍ2 ／Ｋ・ｍｉｎの範囲内で結晶を育成し、酸素濃度を８ｐｐｍａ以下に調整すれば、全面が潜在的にＯＳＦ核を持っている領域（潜在ＯＳＦ領域：酸素濃度が８ｐｐｍａを超えればＯＳＦが発生する領域）となる。」（段落【００３８】）、「窒素濃度が高くなれば、この潜在ＯＳＦ領域もさらに拡大し、例えば窒素を５×１０14／ｃｍ3 以上ドープした場合は、Ｆ／Ｇ値を引上げ結晶の面内すべての位置で、０．１２〜０．２４ｍｍ2 ／Ｋ・ｍｉｎの範囲内で結晶を育成すればよい。」（段落【００３９】）との記載から、引用発明の窒素濃度は、酸素濃度の影響を受けるものの、シリコン単結晶ウエーハの品質に関係する潜在ＯＳＦ領域の発生に寄与するものであることが分かる。
　
イ　そして、引用発明の窒素濃度は、「１×１０14／ｃｍ3 以上」であり、本願補正発明の「１×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内（但し、窒素濃度が１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上のものは除く）」と、近接する濃度範囲であり、両者の差異によって格別異なる技術的意義が生じるわけでもない。　
　
ウ　そうすると、窒素濃度を「１×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内（但し、窒素濃度が１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上のものは除く）」と設定することは、「シリコン単結晶ウエーハ」の酸素濃度や必要とする品質レベルに応じて、当業者が適宜設定し得る設計事項と言える。　
　
（５）小括
　以上検討したとおり、本願補正発明と引用発明との相違点１及び２は、引用例２に記載の技術を適用することにより、当業者が容易に想到し得たものである。  　
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び引用例２に記載の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。
　
（６）独立特許要件についてのまとめと補正却下の結び
　以上のとおり、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものでないから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に違反するので、同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明
　
１　以上のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２０年１２月１５日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載の次のとおりのものである。
　
「【請求項１】 シリコンウェーハを窒化ガスを含む雰囲気ガス中で熱処理して内部に空孔を形成する工程を有するシリコンウェーハの製造方法であって、
　前記シリコンウェーハの窒素濃度を、１×１０１２ ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ から５×１０１５ ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ の範囲内（但し、窒素濃度が１×１０１４ ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上のものは除く）とし、シリコン単結晶インゴット内での格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域を〔Ｉ〕とし、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域を〔Ｖ〕とし、格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域を〔Ｐ〕とするときに、ＯＳＦ領域を含まないパーフェクト領域〔Ｐ〕からなるインゴットから切り出された点欠陥の凝集体が存在しないシリコンウェーハであり、このシリコンウェーハに前記熱処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。」
　
２　引用例の記載と引用発明
　引用例の記載と引用発明については、前記第２の３（２）で認定したとおりである。
　
３　対比・判断
　 前記第２の１及び２で検討したように、本願補正発明は、補正前の請求項１の規定をより技術的に限定するものである。逆に言えば、本願発明（補正前の請求項１に係る発明）は、本願補正発明から、このような限定をなくしたものである。  　
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、これより限定したものである本願補正発明が、前記第２の３で検討したとおり、引用発明及び引用例２に記載の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、当業者が容易に発明することができたということができる。 
　
第４　結言
　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用例２に記載の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　したがって、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。