【事件の表示】
　特願２００７−１５６２０１「無収縮セラミック基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１２月２７日出願公開、特開２００７−３３５８７１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本件出願は、平成１９年６月１３日の出願（パリ条約による優先権主張２００６年６月１３日、大韓民国）であって、平成２１年４月３日付けで拒絶理由が通知され、平成２１年６月２５日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２１年７月１５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２１年１１月２４日付けで拒絶査定不服審判が請求されると同時に、同日付けで明細書及び特許請求の範囲を補正する手続補正書が提出され、その後、当審において平成２２年１２月８日付けで書面による審尋がなされ、これに対して平成２３年３月１０日付けで回答書が提出されたものである。
　 
　 
第２　平成２１年１１月２４日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年１１月２４日付けの手続補正を却下する。
　 
［理由］  
１　本件補正について  
（１）平成２１年１１月２４日付けの手続補正書による手続補正（以下、単に「本件補正」という。）は、特許請求の範囲に関して、本件補正により補正される前の（すなわち、平成２１年６月２５日付けの手続補正書によって補正された）特許請求の範囲の以下の（ａ）に示す請求項１ないし６を、（ｂ）に示す請求項１ないし４に補正するものである。
　
　（ａ）本件補正前の特許請求の範囲
「【請求項１】
　複数のグリーンシートを用意するステップと、
　前記それぞれのグリーンシートに内部電極及び導電性ビアを形成するステップと、
　前記複数のグリーンシートを積層して、多層セラミック基板を形成するステップと、
　前記多層セラミック基板の上下面に、前記グリーンシートの焼成温度で焼成されない拘束層を原子層堆積（ＡＬＤ）法、スパッタ法、化学気体堆積（ＣＶＤ）法及びゾル−ゲル法で構成された群から選択されるいずれか一つ以上の方法により形成するステップと、
　前記結果構造物を前記グリーンシートの焼成温度で焼成するステップであって、前記拘束層と前記多層セラミック基板との界面間に反応層が形成されるステップと、
　前記拘束層を除去するステップと、
　を含む無収縮セラミック基板の製造方法。
【請求項２】
　前記拘束層をＡＬＤ法により形成する場合、
　前駆体のＡｌＣｌ3及びＡｌ（ＯiＰｒ）3を流入させるステップと、
　パージガスのＡｒをパージさせるステップと、
　酸素反応ガスで水蒸気を流入させるステップと、
　パージガスのＡｒをパージさせるステップと、を一つのサイクルにし、このサイクルを繰り返し的に行なって、要求される厚さのＡｌ2Ｏ2薄膜を蒸着することを特徴とする請求項１に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
【請求項３】
　前記Ａｌ（ＯiＰｒ）3として（ＣＨ3）2ＡｌＯＣＨ（ＣＨ3）2、ジメチルアルミニウムイソプロポキシド（ＤＭＡＰ）、Ａｌ（ＯＣ（ＣＨ3）3）3及びジメチルアルミニウムｓｅｃ−ブトキシド（ＤＭＡＢ）のうちのいずれかを使用することを特徴とする請求項２に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
【請求項４】
　前記拘束層をスパッタ法により形成する場合、
　Ａｌ2Ｏ3をターゲット物質として使用し、Ａｒをキャリアガスとして使用してＡｌ2Ｏ3薄膜を蒸着することを特徴とする請求項１に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
【請求項５】
　前記拘束層をＣＶＤ法により形成する場合、
　ジメチルアルミニウムイソプロポキシド（ＤＭＡＰ）を前駆体として使用して、Ａｌ2Ｏ3薄膜を蒸着することを特徴とする請求項１に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
【請求項６】
　前記拘束層をゾル−ゲル法により形成する場合、
　スピンコーティング工程を適用することを特徴とする請求項１に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。」 
　  
　（ｂ）本件補正後の特許請求の範囲 
「【請求項１】
　複数のグリーンシートを用意するステップと、
　前記それぞれのグリーンシートに内部電極及び導電性ビアを形成するステップと、
　前記複数のグリーンシートを積層して、多層セラミック基板を形成するステップと、
　前記多層セラミック基板の上下面に、前記グリーンシートの焼成温度で焼成されない拘束層を原子層堆積（ＡＬＤ）法、
及び
法で
　前記結果構造物を前記グリーンシートの焼成温度で焼成するステップであって、前記拘束層と前記多層セラミック基板との界面間に反応層が形成されるステップと、
　前記拘束層を除去するステップと、
　を含む無収縮セラミック基板の製造方法。
　　【請求項２】
　前記拘束層をＡＬＤ法により形成する場合、
　前駆体のＡｌＣｌ3（当審注；「ＡｌＣｌ3」の誤記と認める。）及びＡｌ（ＯiＰｒ）3を流入させるステップと、
　パージガスのＡｒをパージさせるステップと、
　酸素反応ガスとして水蒸気を流入させるステップと、
　パージガスのＡｒをパージさせるステップと、を一つのサイクルにし、このサイクルを繰り返し的に行なって、要求される厚さのＡｌ2Ｏ3薄膜を蒸着することを特徴とする請求項１に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
　　【請求項３】
　前記Ａｌ（ＯiＰｒ）3として（ＣＨ3）2ＡｌＯＣＨ（ＣＨ3）2、ジメチルアルミニウムイソプロポキシド（ＤＭＡＰ）、Ａｌ（ＯＣ（ＣＨ3）3）3及びジメチルアルミニウムｓｅｃ−ブトキシド（ＤＭＡＢ）のうちのいずれかを使用することを特徴とする請求項２に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
　　【請求項４】
　前記拘束層をスパッタ法により形成する場合、
　Ａｌ2Ｏ3をターゲット物質として使用し、Ａｒをキャリアガスとして使用してＡｌ2Ｏ3薄膜を蒸着することを特徴とする請求項１に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。」（なお、下線部は当審で付したものであり、補正箇所を示す。）
　 
（２）本件補正の目的 
　特許請求の範囲の請求項１についての本件補正は、「拘束層を形成するステップ」について、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１における発明特定事項である「前記多層セラミック基板の上下面に、前記グリーンシートの焼成温度で焼成されない拘束層を原子層堆積（ＡＬＤ）法、スパッタ法、化学気体堆積（ＣＶＤ）法及びゾル−ゲル法で構成された群から選択されるいずれか一つ以上の方法により形成するステップ」を「前記多層セラミック基板の上下面に、前記グリーンシートの焼成温度で焼成されない拘束層を原子層堆積（ＡＬＤ）法、
及び
法で
　したがって、特許請求の範囲の請求項１についての本件補正は、平成１８年法律第５５号附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
２　本件補正の適否についての判断 
　本件補正における請求項１に関する補正事項は、前述したように、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するので、本件補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下に検討する。
　
２−１　特開２００５−１２３４６０号公報（以下、「引用文献」という。） 
（１）引用文献の記載事項 
　原査定の拒絶理由に引用された、本件出願の優先日前に頒布された刊行物である引用文献には、例えば、以下の記載がある。（なお、下線は当審で付した。）  
　  
　（ａ）「【要約】
【課題】  焼成前に分割溝を形成した多層セラミック基板のXY面内の収縮ばらつきを小さくする。
【解決手段】  低温焼結セラミック材料と有機バインダ、可塑剤、溶剤からなるスラリーを用いて基体用グリーンシートを作製し、基体用グリーンシートに適宜内部電極、ビア電極、外部電極を形成し、これを積層して未焼成多層セラミック基板を作製し、これに分割溝を形成する。一方、
前記低温焼結セラミック材料の焼結温度では焼結しない平均粒径0.3〜4μｍの無機材料に有機バインダと溶剤を加えた無機組成物のペーストを作製し、前記未焼成多層セラミック基板の外部電極を含む上面および／または下面に前記ペーストを50μｍ以上、500μｍ以下の厚さに塗布して拘束層を形成し、それを圧着する
拘束層を備えた未焼成多層セラミック基板を800〜1000℃で焼結し
前記拘束層を多層セラミック基板の表面から除去する
　 
　（ｂ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
低温焼結セラミック材料と有機バインダ、可塑剤、溶剤からなるスラリーを用いて基体用グリーンシートを作製する工程
  
前記基体用グリーンシートに適宜内部電極、ビア電極、外部電極を形成し、これを積層して未焼成多層セラミック基板を作製する工程
  
前記低温焼結セラミック材料の焼結温度では焼結しない平均粒径０．３〜４μｍの無機材料に有機バインダと溶剤を加えた無機組成物のペーストを作製する工程
  
前記未焼成多層セラミック基板の外部導体を含む上面および／または下面に前記無機組成物のペーストを５０μｍ以上、５００μｍ以下の厚さに塗布して拘束層を形成する工程
それを圧着する工程
  
前記拘束層を備えた未焼成多層セラミック基板を８００℃〜１０００℃で焼結する工程
  
前記拘束層を多層セラミック基板の表面から除去する工程
を有することを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
【請求項２】
低温焼結セラミック材料と有機バインダ、可塑剤、溶剤からなるスラリーを用いて基体用グリーンシートを作製する工程と、
  前記基体用グリーンシートに適宜内部電極、ビア電極、外部電極を形成し、これを積層して未焼成多層セラミック基板を作製する工程と、
  前記未焼成多層セラミック基板に分割溝を形成する工程と、
  前記低温焼結セラミック材料の焼結温度では焼結しない平均粒径０．３〜４μｍの無機材料に有機バインダと溶剤を加えた無機組成物のペーストを作製する工程と、
  前記未焼成多層セラミック基板の外部電極を含む上面および／または下面に前記無機組成物のペーストを５０μｍ以上、５００μｍ以下の厚さに塗布して拘束層を形成する工程と、それを圧着する工程と、
  前記拘束層を備えた未焼成多層セラミック基板を８００℃〜１０００℃で焼結する工程と、
  前記拘束層を多層セラミック基板の表面から除去する工程と、
を有することを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
【請求項３】
前記無機組成物中に含有する有機バインダは、４体積％以上、１０体積％未満であることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項４】
前記有機バインダは、セルロース系樹脂であることを特徴とする請求項３記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項５】
前記低温焼結セラミック材料は、少なくともＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３の酸化物と、少なくとも１種以上の炭酸塩との混合物を７００℃〜８５０℃で仮焼した後、粉砕したものであって、該粉砕粉はガラスとアルミナ結晶の複合物であることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項６】
前記低温焼結セラミック材料は、主成分であるＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，ＴｉをそれぞれＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｒＯ、ＴｉＯ２に換算したとき、Ａｌ２Ｏ３換算で１０〜６０質量％、ＳｉＯ２換算で２５〜６０質量％、ＳｒＯ換算で７．５〜５０質量％、ＴｉＯ２換算で２０質量％以下（０を含む）であり、その主成分１００質量％に対して
  副成分として、Ｂｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｏの群のうちの少なくとも１種をＢｉ２Ｏ３換算で０．１〜１０質量％、Ｎａ２Ｏ換算で０．１〜５質量％、Ｋ２Ｏ換算で０．１〜５質量％、ＣｏＯ換算で０．１〜５質量％含有し、
  更に、Ｃｕ、Ｍｎ、Ａｇの群のうちの少なくとも１種をＣｕＯ換算で０．０１〜５質量％、ＭｎＯ２換算で０．０１〜５質量％、Ａｇを０．０１〜５質量％含有し、その他不可避不純物を含有している混合物を７００℃〜８５０℃で仮焼し、これを粉砕して０．６〜２μmの微粉砕粒子からなることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の多層セラミック基板の製造方法。」（【特許請求の範囲】） 
　 
　（ｃ）「【０００１】
  
本発明は、多層セラミック基板の製造方法に関わり、特に基板表面の焼結収縮率がゼロに近く、その表面に形成する導体パターンあるいははんだパターン、導電性接着剤の形成パターンと高精度に整合する多層セラミック基板の製造方法に関する
　
　（ｄ）「【０００２】
  今日、多層セラミック基板は、携帯電話等の移動体通信端末機器の分野などにおいて、アンテナスイッチモジュール、ＰＡモジュール基板、フィルタ、チップアンテナ、各種パッケージ部品等の種々の電子部品を構成するために広く用いられている。
  
多層セラミック基板は、電子部品、半導体集積回路等を高密度に搭載すべく、セラミックグリーンシートにビアホールを開け、その穴に導体を印刷充填し、シート表面には配線パターンを印刷し、それらのシートを複数枚積層して圧着し、グリーンシート積層体を形成した後、それを焼成することにより製造されている
【０００３】
  例えば、
グリーンシートが主にアルミナ、ムライト等の高温焼結材料からなる場合、グリーンシート積層体は約１６００℃の高温で焼成され
グリーンシートが主にガラス、ガラスセラミックス等の低温焼結材料からなる場合、グリーンシート積層体は８００℃〜１０００℃の低温で焼成される
【０００４】
  
グリーンシート積層体を焼結することにより、その体積が減少し、緻密化する。すなわちグリーンシート積層体は、そのかさ密度とセラミック体の理論密度との比、すなわち相対密度が通常４５〜６５％であるのに対し、焼結によりその相対密度が約９５％以上になるからである
グリーンシート積層体は通常セラミック敷板に載せて電気炉で焼結される。焼結によるグリーンシート積層体の収縮率は一般的に線収縮率で１０〜２５％の範囲にあるが、各方向の線収縮率に相違・ばらつきがあるのが通常で、それが問題になる場合がある
【０００５】
  すなわち、グリーンシート積層体において、その表面にX-Y座標を取り、厚さ方向にZ座標を取ると、X-Y方向の収縮率とZ方向との収縮率に相違を生じる。その相違はほとんどの場合問題にならないが、X-Y面内の収縮率の相違・ばらつきが例えば０．５％あるとすると、それがないと設計した場合と比べると、基準点から５０mm離れたところで２５０μmの位置ずれを起こしており、その上に形成する配線パターンや搭載する部品接続のためのはんだパターンの設計位置と整合しないという問題が生じる。」（段落【０００２】ないし【０００５】）
　
　（ｅ）「【０００６】
  上記した問題点を解決する手段として例えば、以下の特許文献がある。
  特許文献１（特許第2554415号公報）では、
有機バインダ中に分散させたセラミック粉末と焼結性無機バインダとの混合物からなる基体用グリーンシートと、この基体用グリーンシートの焼結温度では焼結しない無機材料（アルミナ等）を有機バインダ中に分散させた混合物からなる拘束用グリーンシートを用意し、前記基体用グリーンシートを複数枚積層して形成した未焼成の多層セラミック基板を得て、その上面及び下面に前記拘束用グリーンシートを密着させた上で焼成する。すると焼成工程において、基体用グリーンシートに含まれる焼結性無機バインダ、即ち、ガラス成分が拘束用グリーンシート層に５０μｍ以下浸透し結合力を発揮する。このとき拘束グリーンシートに含まれる無機材料は実質的に焼結しないため収縮を拘束し、拘束グリーンシートが密接していたX-Y平面においては収縮が抑制される
【０００７】
  特許文献２（特許第2617643号公報）では、
上記特許文献１と同様の技術
【０００８】
  特許文献３（特開平6-100377号公報）では、
ガラスセラミックスのグリーンシート積層体の表面に、そのガラスセラミック材料の焼結温度では焼結しない無機組成物よりなるグリーンシートをその両面に積層・圧着して焼成し、その後焼結しない無機組成物を取り除くことにより、焼成時の収縮が平面方向で起こらないガラスセラミックス基板の製造方法が示されている
【０００９】
  特許文献４（特開平5-327220号公報）では、
未焼成の多層セラミック基板の表面に拘束層を形成する手段として、ペースト状の混合物を用いてスクリーン印刷法により拘束層を印刷形成し、乾燥後、切断する
　
　（ｆ）「【００１６】
  本発明の多層セラミック基板の製造方法は、
低温焼結セラミック材料と有機バインダ、可塑剤、溶剤からなるスラリーを用いて基体用グリーンシートを作製する工程と、前記基体用グリーンシートに適宜内部電極、ビア電極、外部電極を形成し、これを積層して未焼成多層セラミック基板を作製する工程と、前記低温焼結セラミック材料の焼結温度では焼結しない平均粒径０．３〜４μｍの無機材料に有機バインダと溶剤を加えた無機組成物のペーストを作製する工程と、前記未焼成多層セラミック基板の外部電極を含む上面および／または下面に前記無機組成物のペーストを５０μｍ以上、５００μｍ以下の厚さに塗布する工程と、その後圧着する工程と、前記拘束層を備えた未焼成多層セラミック基板を８００℃〜１０００℃で焼結する工程と、前記拘束層を多層セラミック基板の表面から除去する工程とを有する
【００１７】
  また、本発明の多層セラミック基板の製造方法は、低温焼結セラミック材料と有機バインダ、可塑剤、溶剤からなるスラリーを用いて基体用グリーンシートを作製する工程と、前記基体用グリーンシートに適宜内部電極、ビア電極、外部電極を形成し、これを積層して未焼成多層セラミック基板を作製する工程と、前記未焼成多層セラミック基板に分割溝を形成する工程と、前記低温焼結セラミック材料の焼結温度では焼結しない平均粒径０．３〜４μｍの無機材料に有機バインダと溶剤を加えた無機組成物のペーストを作製する工程と、前記未焼成多層セラミック基板の外部電極を含む上面および／または下面に前記無機組成物のペーストを５０μｍ以上、５００μｍ以下の厚さに塗布する工程と、その後圧着する工程と、前記拘束層を備えた未焼成多層セラミック基板を８００℃〜１０００℃で焼結する工程と、前記拘束層を多層セラミック基板の表面から除去する工程とを有することを特徴とする。
  以上において、前記無機組成物中に含有する有機バインダは、４体積％以上、１０体積％未満とすることができる。また、前記有機バインダは、セルロース系樹脂であることが望ましい。」（段落【００１６】及び【００１７】）
　
　（ｇ）「【００２３】
  本発明は、拘束層をグリーンシートで形成する方法と比較して、特に未焼成の基板に分割溝を形成した場合に適している。分割溝があってもX-Y平面方向の収縮を抑え、収縮による寸法のばらつきを0.0７％以下とすることが出来る。また、拘束層のグリーンシート成形時に必要な有機フィルムや有機バインダの廃棄量を少なくする効果がある。
  また、低温焼結セラミックス材料の混合物を一旦仮焼きした仮焼き複合物を用いた場合、ガラス成分の流動性が低い状態で焼結できので、電極にガラス成分が付着することがなく外部電極の品質が安定する。また、アルミナなどの無機組成物が基板側に侵入することもなく、拘束層の除去を完全に行うことが出来る。」（段落【００２３】）
　
　（ｈ）「【００３５】
［未焼成多層セラミック基板への拘束層の形成］
  次に、
未焼成多層セラミック基板１０の上面及び／又は下面に拘束層６を形成するにあたっては、上記で用意したペーストを印刷手段により未焼成多層セラミック基板上に直接塗布し、所望厚さになるまで印刷と乾燥を繰り返して行った
この際、1回の印刷で可能な印刷厚以上にペースト層を形成する際には、印刷したペーストが乾燥した後に、重ねて印刷する方法を採った
  ここで、拘束層の厚みは片面で５０μｍ以上であることが必要である。この理由は、厚みにより拘束力を制御できるもので、５０μｍ未満の場合は、拘束力が不足し、ガラスセラミックス材料のXY収縮を抑制しがたい。５０μｍ以上ある場合はガラスセラミックス材料のXY収縮を１％以下に抑制できる。しかし５００μｍを超える厚さの印刷層には、クラックが発生し、収縮抑制効果は看られなくなる。適当な範囲は５０μｍ〜５００μｍである。
  印刷層を形成し８０℃で２時間乾燥した後に、熱圧着した。熱圧着条件は、温度が８５℃、圧力は１１０kg/cm2で行った。
【００３６】
［拘束層を備えた未焼成多層セラミック基板の本焼結］
  
焼成はバッチ炉において大気中で行い、５００℃で４時間保持して脱バインダを行った後、９００℃で２時間保持し、焼結を行った
焼結温度は従来の低温焼結セラミック材料からなる基体の焼結と同様に８００〜１００℃で行う
【００３７】
［拘束層の除去］
  
焼結後、表面に付着しているアルミナ粒子を除去する
　
　（ｉ）「【００４１】
  表１より、本発明による多層セラミック基板は、X-Y方向収縮率が１％以下、収縮率ばらつき３σが０．０７％以下に収めることが出来ている。また、緻密性、高周波特性および外部電極の状態についても共に良好な結果を得ることが出来ている。」（段落【００４１】）
　
　（ｊ）「【００４７】
  本発明は
多層セラミック基板表面の焼結収縮率がゼロに近く
　
（２）上記（１）（ａ）ないし（ｊ）及び図面の記載から分かること 
　  
　（ア）上記（１）（ａ）ないし（ｊ）及び図面の記載から、引用文献には、焼結収縮率がゼロに近いセラミック基板の製造方法が記載されていることが分かる。
　
　（イ）上記（１）（ａ）ないし（ｊ）及び図面の記載から、引用文献に記載されたセラミック基板の製造方法は、複数の基体用グリーンシートを作成する工程と、前記基体用グリーンシートに内部電極及びビア電極を形成する工程と、前記複数の基体用グリーンシートを積層して、未焼成多層セラミック基板を作成する工程と、前記未焼成多層セラミック基板の上面および／または下面に無機組成物のペーストを塗布して拘束層を形成する工程と、前記拘束層を備えた未焼成多層セラミック基板を８００℃〜１０００℃で焼結する工程と、前記拘束層を除去する工程と、を有するものであることが分かる。
　
　（ウ）上記（１）（ａ）ないし（ｊ）及び図面の記載から、引用文献に記載されたセラミック基板の製造方法において、基体用グリーンシートの焼成温度は８００〜１０００℃であり、拘束層は、前記基体用グリーンシートの焼成温度で焼成されないものであることが分かる。
　
（３）引用文献に記載された発明  
　上記（１）及び（２）並びに図面の記載から、引用文献には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。  
　
　「複数の基体用グリーンシートを作成する工程と、
　前記基体用グリーンシートに内部電極及びビア電極を形成する工程と、
　前記複数の基体用グリーンシートを積層して、未焼成多層セラミック基板を作成する工程と、
　前記未焼成多層セラミック基板の上面および／または下面に前記基体用グリーンシートの焼成温度で焼成されない拘束層を形成する工程と、
　前記拘束層を備えた未焼成多層セラミック基板を前記基体用グリーンシートの焼成温度で焼成する工程と、
　前記拘束層を除去する工程と、
　を含む焼結収縮率がゼロに近いセラミック基板の製造方法。」
　
２−２　本願補正発明と引用発明との対比  
　本願補正発明と引用発明とを対比するに、引用発明における「基体用グリーンシート」は、その構造及び機能又は技術的意義からみて、本願補正発明における「グリーンシート」に相当し、以下同様に、「ビア電極」は「導電性ビア」に、「上面および／または下面」は「上下面」に、「未焼成多層セラミック基板」は「多層セラミック基板」に、「工程」は「ステップ」に、「拘束層を備えた未焼成多層セラミック基板」は「結果構造物」に、「焼結収縮率がゼロに近い」は「無収縮」に、それぞれ相当する。
　また、引用発明における「グリーンシートを作成する」は、その技術的意義からみて、本願補正発明における「グリーンシートを用意する」に相当する。
　また、引用発明における「前記基体用グリーンシートの焼成温度で焼成されない拘束層を形成する工程」は、「前記グリーンシートの焼成温度で焼成されない拘束層を形成するステップ」である限りにおいて、本願補正発明における「前記グリーンシートの焼成温度で焼成されない拘束層を原子層堆積（ＡＬＤ）法、及びスパッタ法で構成された群から選択されるいずれか一つ以上の方法により形成するステップ」に相当する。
　
　してみると、本願補正発明と引用文献に記載された発明は、  
「複数のグリーンシートを用意するステップと、
　前記グリーンシートに内部電極及び導電性ビアを形成するステップと、
　前記複数のグリーンシートを積層して、多層セラミック基板を作成するステップと、
　前記多層セラミック基板の上下面に前記グリーンシートの焼成温度で焼成されない拘束層を形成するステップと、
　前記結果構造物を前記グリーンシートの焼成温度で焼成するステップと、
　前記拘束層を除去するステップと、
　を含む無収縮セラミック基板の製造方法。」
　である点で一致し、次の（１）及び（２）の点で相違する。
　
＜相違点＞ 
　（１）「拘束層を形成するステップ」に関して、本願補正発明においては、「前記グリーンシートの焼成温度で焼成されない拘束層を原子層堆積（ＡＬＤ）法、及びスパッタ法で構成された群から選択されるいずれか一つ以上の方法により形成する」のに対して、引用発明においては、「前記基体用グリーンシートの焼成温度で焼成されない拘束層を形成する」ものの、「原子層堆積（ＡＬＤ）法、及びスパッタ法で構成された群から選択されるいずれか一つ以上の方法により形成する」のではない点（以下、「相違点１」という。）。
　（２）「焼成するステップ」に関して、本願補正発明においては、「前記結果構造物を前記グリーンシートの焼成温度で焼成するステップであって、前記拘束層と前記多層セラミック基板との界面間に反応層が形成されるステップ」であるのに対して、引用発明においては「前記拘束層を備えた多層セラミック基板を前記グリーンシートの焼成温度で焼成するステップ（工程）」ではあるものの、「前記拘束層と前記多層セラミック基板との界面間に反応層が形成されるステップ（工程）」であるかどうか明らかでない点（以下、「相違点２」という。）。
　  
　  
２−３　相違点についての検討及び判断 
（１）相違点１について 
　本願補正発明の実施例及び引用発明の実施例においては、「拘束層」はＡｌ２Ｏ３で形成されている。ところで、基板の表面にＡｌ２Ｏ３層を原子層堆積（ＡＬＤ）法、及びスパッタ法で構成された群から選択されるいずれか一つ以上の方法により形成する技術は、周知技術（以下、「周知技術１」という。例えば、特表２００５−５３４８０９号公報の段落【０００３】、特開２００３−５９０１６号公報の段落【００２０】、特開２００４−１９３２８３号公報の段落【００１６】及び【００１７】、特開平４−４９８７９号公報の特許請求の範囲及び第２ページ左上欄第１行ないし第６行、特開平７−９３７２０号公報の段落【０００３】、特開昭６２−５４０７８号公報の特許請求の範囲及び第５ページ右下欄第１７行ないし第６ページ左上欄第２行、等の記載を参照。）にすぎない。
　また、スパッタ法により形成された層がグリーンシートの焼成時における積層体の収縮を抑制できるということも周知技術（以下、「周知技術２」という。例、特開２００６−６６６８４号公報（平成１８年３月９日公開。）の段落【００１２】等の記載を参照。）である。
　したがって、引用発明において、拘束層を形成するに際して、周知技術２を勘案しつつ周知技術１を適用することにより、相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項をなすことは、当業者が容易に想到できたことである。
　
　この点につき、請求人は、平成２３年３月１０日付け回答書において、「引用文献１の段落[００１９]では、「無機組成物のペーストによる拘束層の厚みが５０μｍ未満であると、拘束力を発揮できず、５００μｍを超えると膜形成が困難になる。」と記載されています。引用文献１の上記記載を参照すると、引用文献１の目的は、少なくとも「薄膜形成を排除」することと思料されます。一方、本願の明細書には、「ＡＬＤ法を利用して形成する場合、…数十Å〜数百Åの厚さに蒸着できる」（段落[００４０]）、「スパッタ法により拘束層を形成する場合には、…数μｍの厚さにＡｌ２Ｏ３薄膜を蒸着できる」（段落[００４２]）と記載されており、また、「ＡＬＤ法、スパッタ法…などの測定方法で拘束層４０を極めて薄い薄膜に形成することによって、焼成後に拘束層４０の除去を容易にすることができる」と記載されています（段落[００４６]）。このように、ＡＬＤ法の場合には、５０〜３００Åの厚さの薄膜を形成することができ、拘束層の取り除きを容易に行え、そして、反応層の形成も容易にすることができます。スパッタ法の場合には、０．２〜０．５μｍの厚さの薄膜を形成することができ、基板の反りや歪みに対する効果が優れています。上述のように、本願の請求項１に係る発明（本願発明１）は、「ＡＬＤ法やスパッタ法を用いた取り除きが容易な薄膜拘束層の形成」を目的にしています。このように、引用文献１に記載の発明と本願発明１とは、その目的が明らかに相反しているものです。」（回答書第３ページ第１２行ないし第４ページ第６行）と主張している。
　しかしながら、本願補正発明においては、拘束層の厚みについて何ら限定されていないから、請求人の主張は本願補正発明に基づくものではない。
　また、請求人が主張するように、本願の明細書には、「ＡＬＤ法を利用して形成する場合、…数十Å〜数百Åの厚さに蒸着できる」（段落【００４０】）、「スパッタ法により拘束層を形成する場合には、…数μｍの厚さにＡｌ２Ｏ３薄膜を蒸着できる」（段落【００４２】）と記載されており、ＡＬＤ法またはスパッタ法を１回行った場合に、それぞれ所定の厚さに蒸着することができることは理解できるが、本願明細書の【表１】に示される実施例には、拘束層の厚さが記載されておらず、ＡＬＤ法またはスパッタ法により、実際にどれほどの厚さの拘束層が形成されたのかは不明である。
　
　また、引用発明において、周知技術１（ＡＬＤ法又はスパッタ法）を適用する際、Ａｌ２Ｏ３の層の厚さを、周知技術１（ＡＬＤ法又はスパッタ法）により形成するのに適した厚さとすることは、当然のことである。
　
　次に、請求人は、上記回答書において、「他の利点として、ＡＬＤ法／スパッタ法を利用すれば、拘束層を取り除く時、ＣＭＰやＰｏｌｉｓｈｉｎｇなどの物理的／化学的方法を共に使うことができ、工程の効率を高めることができる、という効果を奏します。」（回答書第５ページ第１１行ないし第１３行）と主張しているが、本願補正発明及び発明の詳細な説明には、いかなる方法で拘束層を取り除くのか開示されていないから、請求人のこの主張も本願補正発明に基づくものではない。
　
　なお、本願補正発明においては、「
反応層
反応層
反応層
　
（２）相違点２について 
　結果構造物（拘束層を備えた未焼成多層セラミック基板）をグリーンシートの焼成温度で焼成するステップにおいて、拘束層と多層セラミック基板との界面間に反応層が形成されることは、周知技術（以下、「周知技術３」という。例えば、特開２００２−１８５１３６号公報の段落【００１１】及び【００５３】、特開２００３−１７８５１号公報の段落【００１１】、特開２００１−２９１９５５号公報の段落【００８８】、特許第３６４９２４６号公報の第２ページ第５０行ないし第３ページ第５行等の記載を参照。）にすぎない。
　そして、引用発明においても、拘束層を備えた未焼成多層セラミック基板を焼成する際には、周知技術３のように、拘束層と多層セラミック基板との界面に反応層が形成され得ると認められる。
　
　したがって、引用文献に記載された発明において、周知技術３を適用することにより、相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項をなすことは、当業者が容易に想到し得たことである。
　また、本願補正発明は、全体としてみても、引用文献に記載された発明及び周知技術１ないし３から想定される以上の格別の作用効果を奏するものではない。
　
（３）小括 
　以上のように、本願補正発明は、引用文献に記載された発明並びに周知技術１ないし３に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　 
　 
２−４　まとめ 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
　  
　よって、結論のとおり決定する。 
　  
　  
第３　本願発明について 
１　本願発明 
　平成２１年１１月２４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記第２　の［理由］の１（１）（ａ）の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　
２　引用文献 
　原査定の拒絶理由に引用された引用文献（特開２００５−１２３４６０号公報）の記載事項及び引用発明は、前記第２の［理由］の２　２−１（１）ないし（３）に記載したとおりである。
　
３　対比・判断 
　本願発明は、前記第２の［理由］の１（２）で検討したように、実質的に、本願補正発明における発明特定事項の一部の特定事項を省いたものに相当する。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含む本願補正発明が、前記第２の［理由］の２　２−１ないし２−４に記載したとおり、引用文献に記載された発明及び周知技術１ないし３に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知技術１ないし３に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　また、本願発明は、全体としてみても、引用発明及び周知技術１ないし３から想定される以上の格別の作用効果を奏するものではない。
　
　
４　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、その出願前日本国内において頒布された引用文献に記載された発明及び周知技術１ないし３に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。