【事件の表示】
　特願２００５−３５０４０７「ガス・フラッシング・システムを備える放射線露光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　７月１３日出願公開、特開２００６−１８６３５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１７年（２００５年）１２月５日（パリ条約による優先権主張　平成１６年１２月７日　米国　及び　平成１７年１月１８日　米国）の出願（特願２００５−３５０４０７号）であって、平成２１年４月２０日付けで手続補正がなされ、同年８月１７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１２月２１日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同日付けで手続補正がなされたものである。
　その後、平成２２年１１月４日付けで当審から審尋をし、平成２３年１月２７日付けで回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２１年１２月２１日付けの手続補正についての補正の却下の決定について
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２１年１２月２７日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正について
　本件補正により、特許請求の範囲は、平成２１年１２月２５日付けの手続補正書の請求項１ないし１５に記載されたとおりのものとなったところ、そのうちの請求項１０に係る発明については、平成２１年４月２０日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１５に記載の、
　
「放射線投影ビームを供給するように構成し配置した放射線システムと、
　所望のパターンに従って前記投影ビームをパターン化するように構成し配置したパターニング構造を支持するように構成し配置した支持構造と、
　基板を支持するように構成し配置した基板支持部と、
　前記パターン化ビームを前記基板の標的部分上に投影するように構成し配置した投影システムと、
　前記標的部分周辺の外部に配置され、前記投影システムと前記基板の間の空間に第１のフラッシング・ガスを流す第１のガス出口、及び、前記標的部分周辺の外部に、且つ前記投影システムと前記第１のガス出口の間に必ず配置され、前記標的部分と前記投影システムの間の領域のガスを除去する（ｅｘｔｒａｃｔ）ガス入口、を有するガス・フラッシング・システムと、
を備えるリソグラフィ投影装置。」が
　
「放射線投影ビームを供給するように構成し配置した放射線システムと、
　所望のパターンに従って前記投影ビームをパターン化するように構成し配置したパターニング構造を支持するように構成し配置した支持構造と、
　基板を支持するように構成し配置した基板支持部と、
　前記パターン化ビームを前記基板の標的部分上に投影するように構成し配置した投影システムと、
　前記標的部分周辺の外部に配置され、前記投影システムと前記基板の間の空間に第１のフラッシング・ガスを流す第１のガス出口、前記標的部分周辺の外部に、且つ前記投影システムと前記第１のガス出口の間に必ず配置され、前記標的部分と前記投影システムの間の領域のガスを除去する（ｅｘｔｒａｃｔ）ガス入口、第２のフラッシング・ガスのほぼ層状のガス流を生じるように構成し配置され、且つ前記投影システムの最後尾レンズと前記第１の出口ポートの間に、前記パターン化ビームの少なくとも一部分を横切って前記第２のフラッシング・ガスを流す第２の出口ポート、を有するガス・フラッシング・システムと、
を備えるリソグラフィ投影装置。」と補正されたものである。
　
　そして、この補正は、本件補正前の請求項１５のフラッシング・ガスの入口・出口に関して、「第２のフラッシング・ガスのほぼ層状のガス流を生じるように構成し配置され、且つ前記投影システムの最後尾レンズと前記第１の出口ポートの間に、前記パターン化ビームの少なくとも一部分を横切って前記第２のフラッシング・ガスを流す第２の出口ポート」を追加して限定する補正であるから、特許請求の範囲のいわゆる限定的減縮を目的とする補正であるといえる。
　すなわち、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下、「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものを含む。
　
２　独立特許要件違反についての検討
　そこで、次に、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１０に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に違反しないか）について検討する。
　
（１）本願補正発明
　本願補正発明は、平成２１年１２月２１日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１０に記載されている事項により特定されるものである。（上記「第２　平成２１年１２月２１日付けの手続補正についての補正の却下の決定について」の「１　本件補正について」の記載参照。）
　
（２）引用例
ア　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００４−２６６０５１号公報（以下「引用例１」という。）には、以下の事項が記載されている。（後述の「イ　引用例１に記載された発明の認定」において発明の認定に直接関係する記載に下線を付した。）
　
「【請求項１】　露光光を投影光学系を介してウエハステージ上に配置された感光基板に照射する露光装置であって、
　前記投影光学系のウエハ側端部から前記ウエハステージ近傍に向かって露光光路を囲うカバーと、
　前記カバー内部に不活性ガスからなるパージガスを吹き出すための第１供給口と、
　前記第１供給口より供給されたパージガスを吸い込むための第１回収口と、
　前記第１供給口よりパージガスを吹き出して前記第１回収口より回収させて前記カバー内にパージガス流を形成し、前記第１回収口から回収されるパージガスの流量を前記第１供給口より供給されるパージガスの流量よりも少なくする制御手段とを備えることを特徴とする露光装置。」
　
「【請求項７】　露光光を投影光学系を介してウエハステージ上に配置された感光基板に照射する露光装置であって、
　前記投影光学系のウエハ側端部から前記ウエハステージ近傍に向かって露光光路を囲うカバーと、
　前記カバー内部に向けて不活性ガスからなるパージガスを吹き出すための第１供給口と、
　前記カバーの下側部分に設けられ、前記ステージ方向へ向けて前記パージガスを吹き出すための第２供給口と、
　前記第１及び第２供給口より供給されたパージガスを吸い込むための第１回収口とを備えることを特徴とする露光装置。」
　
「【請求項１９】　請求項１乃至１８のいずれかに記載
の露光装置を用いて基板上にパターン形成する工程を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、
露光光を投影光学系を介して感光基板に照射することにより、感光基板上にパターンを形成する露光装置に関し、
　
「【００２８】
（第１実施形態）
図１１は、第１実施形態によるステップ・アンド・スキャン型の投影露光装置の要部を示す模式図である。
【００２９】
図１１において、不図示の
紫外光源から露光装置内の照明系１に導かれた紫外光はレチクルステージ４上に載置されたレチクル３を照射する。照射されたレチクル３上のパターンは、投影光学系５によって、ウエハステージ１０上に載置されたウエハ１１上に縮小結像する。ウエハ１１上には感光剤が塗布されており、縮小結像によりパターンが転写される。投影光学系５のウエハ側端部からウエハステージ１０近傍に向かって紫外光を囲うカバー９が設けられ、
　
「【００５４】
（第３実施形態）
第３実施形態では、カバー９内の供給口６に加え、外部からの気体の侵入を防止するようにパージガスを供給するためのサブ供給口を設ける。
【００５５】
図１３は、第３実施形態による露光装置の要部構成を示す図である。図１３に示されるように、カバー９の内部に供給口６と回収口７を設けると共に、カバー９の下端部にサブ供給口１２を設け、ウエハ１１に向かってサブ供給口１２よりパージガスが供給される。供給口６や回収口７より供給／回収されるパージガスの流量制御に関しては第１実施形態と同様であるためここでの説明は省略する。
【００５６】
第３実施形態において、サブ供給口１２は露光エリアの外周を囲むように設けられ、サブ供給口１２より供給されるパージガスは、供給口６より供給されるパージガスと同程度にまで不純物濃度が下げられた不活性ガスである。サブ供給口１２より供給されるパージガスは、パージガス供給装置２３から配管３４を通してサブ供給口１２よりウエハ１１に向かって供給される。またパージガス供給装置２３とサブ供給口１２の間には流量制御装置４２が設けられ、主制御系４３からの制御情報に応じた流量でサブ供給口１２にパージガスが供給される。流量制御装置４２は、主制御系４３からの制御情報に基づいて、バルブ５２が所定のタイミングで開閉するようになっている。さらに、配管３４より流入するパージガスを整流化するため、サブ供給口１２には多孔板や多孔質体が用いられる。
【００５７】
第３実施形態の露光装置においてカバー９内部のパージを行う場合、まず主制御系４３から流量制御装置４０および流量制御装置４２に制御情報が伝達されてバルブ５０およびバルブ５２が開き、所定の流量でパージガスが供給口６およびサブ供給口１２より供給される。その後、主制御系４３から流量制御装置４１に制御情報が伝達されてバルブ５１が開き、所定の流量でパージガスが回収口７より回収される。
【００５８】
このとき、回収口７より回収されるパージガスの流量は、供給口６より供給されるパージガスの流量とサブ供給口１２より供給されるパージガスの流量の総流量よりも少なくなるように、主制御系４３から流量制御装置４１に制御情報が伝達される。このため、
サブ供給口１２より供給されたパージガスの一部はカバー９内部へ流入して供給口６の下側近傍に渦が発生することを防ぐとともに、残りはカバー９とウエハ１１の隙間よりカバー９の周囲へ流出し、空気あるいは不純物濃度の高いパージ不活性ガスがカバー９内部へ侵入してくることに対しての抵抗となる。したがって、図７に示されているようにカバー９内部の圧力Ｐ３は均一化され、かつカバー９の外側の圧力Ｐ２よりも非常に高くなるため、カバー９内部を安定してパージすることができる。
【００５９】
なお、本実施形態では供給口６、サブ供給口１２および回収口７の流量をそれぞれ制御するようにしたが、いずれか１つまたは２つについて、入口の圧力を一定に保つことであらかじめ設定された流量に固定し、残りを制御情報に基づき流量制御しても良い。
【００６０】
次に、図２および図７を用いてカバー９の下端部に露光エリアの外周を囲むようにサブ供給口１２を設けた場合の効果を説明する。カバー９とウエハ１１の間に隙間が存在する場合、図２に示されているように供給口６（１０６）の下側近傍では渦が発生して圧力が降下する。したがって、供給口６（１０６）の下側近傍ではカバー９（１０９）の周囲より不純物が侵入するため、カバー９（１０９）内部の不純物濃度が悪化し、装置の生産性が悪化する。
【００６１】
これに対して、図７（ａ）はカバー９の下端部に、露光エリアの外周を囲むようにサブ供給口１２を設けた場合のカバー９内部中央における断面のパージガスの流線図を、図７（ｂ）は図７（ａ）と同じ場所における圧力分布の等高線模式図を示している。図７（ｂ）の等高線模式図では色が濃い部分ほど圧力が高く、薄い部分ほど圧力が低いことを示す。
【００６２】
まず供給口６の下側近傍の流れおよび圧力分布について説明する。図７（ａ）に示されているように、カバー９の下端部にサブ供給口１２を設けた場合、供給口６の下側近傍に侵入してくるのは、サブ供給口１２より供給されたパージガスである。したがってカバー９内部の不純物濃度は悪化せず、カバー９内部のパージは保たれる。さらに、
サブ供給口１２からパージガスを供給すると、サブ供給口１２からカバー９内部へ向かうパージガスの流れが生じるため、供給口６の下側近傍における渦が発生しない。したがって図７（ｂ）に示されているように、供給口６の下側近傍では圧力が降下せず、カバー９内部の圧力Ｐ３は均一となり、カバー９内部を安定してパージできる。
【００６３】
次に露光エリアの外周を囲むようにパージガス供給口を設けた場合の効果を説明する。カバー９の下端部に、露光エリアの外周を囲むようにサブ供給口１２を設けると、サブ供給口１２より供給されたパージガスの多くは、カバー９とウエハ１１の隙間よりカバー９の周囲へ流出する。つまり、サブ供給口１２より供給されたパージガスは放射状にカバー９の周囲へ流出することとなる。したがって、サブ供給口１２より供給されたパージガスは、周囲より空気あるいは不純物濃度の高いパージ不活性ガスの侵入に対して抵抗となり、カバー９内部の圧力Ｐ３は非常に高くなるため、より一層カバー９内部を安定してパージできる。
【００６４】
以上のように、
第３実施形態の露光装置は、露光光を投影光学系を介してウエハステージ上に配置された感光基板に照射する露光装置（図１３）であって、投影光学系（５）のウエハ側端部からウエハステージ（１０）近傍に向かって露光光路を囲うカバー（９）と、カバー（９）内部に向けて不活性ガスからなるパージガスを吹き出すための第１供給口（６）と、カバー（９）の下側部分に設けられ、ウエハステージ（１０）へ向けてパージガスを吹出すための第２供給口（１２）と、第１及び第２供給口（６、１２）より供給されたパージガスを吸い込むための第１回収口（７）とを備える。
【００６５】
以上のような構成によれば、第２供給口（１２）より供給されたパージガスは感光基板（１１）に衝突した後、感光基板面に沿って放射状に流れ、その一部はカバー（９）の外側へ流出し、カバー（９）の周囲より空気あるいは不純物濃度の高いパージ不活性ガスが侵入してくることに対して抵抗となる。このため、カバー（９）内部を安定してパージできる。
【００６６】
特に、第１回収口（７）から回収されるパージガスの流量を第１および第２供給口（６、１２）より供給されるパージガスの総流量よりも少なくすることにより、パージがより安定化する。また、第２供給口を露光エリアの外周を囲むように設けることが好ましい。」
　
「【図７】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
「【図１１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
「【図１３】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
イ　引用例１に記載された発明の認定
　上記引用例１の第３実施形態は、【図１１】に示される第１実施形態の露光装置（全体図）における要部構成（カバー９内部）を【図１３】で示されるものとしたものである。また、【図７】は、第３の実施形態における投影露光装置のウエハ付近におけるパージガスの流線と圧力分布を示す図であり、【００５８】【００６２】段落及び【図７】の記載を参酌すれば、第１供給口６から供給されるガスはほぼ層状のガス流を生じているとともに、ウエハステージ近傍のパターン転写のための紫外光の少なくとも一部を横切るものであるといえるから、【図７】、【図１１】及び【図１３】の記載も参酌して総合判断すれば、引用例１には、
「紫外光源から露光装置内の照明系１に導かれた紫外光はレチクルステージ４上に載置されたレチクル３を照射し、照射されたレチクル３上のパターンは、投影光学系５によって、ウエハステージ１０上に載置されたウエハ１１上に縮小結像し、ウエハ１１上には感光剤が塗布されており、縮小結像によりパターンが転写され、投影光学系５のウエハ側端部からウエハステージ１０近傍に向かって紫外光を囲うカバー９が設けられる露光装置に関し、
　カバー９内部に向けて不活性ガスからなるパージガスを吹き出すための第１供給口６と、カバー９の下側部分に設けられ、ウエハステージ１０へ向けてパージガスを吹出すための第２供給口１２と、第１及び第２供給口６、１２より供給されたパージガスを吸い込むための第１回収口７とを備え、
　第２供給口１２は、縮小結像によりパターンが転写される部分の外周部であって、投影光学系５とウエハ１１の間に配置され、
　第１供給口６及び第１回収口７は、縮小結像によりパターンが転写される部分の外周部であって、投影光学系５と第２供給口１２の間に配置され、
　第１供給口６から供給されるガスはほぼ層状のガス流を生じているとともに、ウエハステージ近傍のパターン転写のための紫外光の少なくとも一部を横切るものである露光装置及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
（３）本願補正発明と引用発明との対比
ア　対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「紫外光」が「紫外光源から露光装置内の照明系１に導かれ」る構造が、本願補正発明の「放射線投影ビームを供給するように構成し配置した放射線システム」に相当する。
　
　引用発明の「（その）パターン」を「ウエハ」上に「転写」するための「レチクル３」が、本願補正発明の「所望のパターンに従って前記投影ビームをパターン化するように構成し配置したパターニング構造」であり、引用発明の「レチクル３」を「載置」する「レチクルステージ４」が、本願補正発明の「パターニング構造を支持するように構成し配置した支持構造」に相当する。
　
　引用発明の「ウエハ１１」が、本願補正発明の「基板」に相当し、引用発明の「ウエハ１１」を載置する「ウエハステージ１０」が、本願補正発明の「基板を支持するように構成し配置した基板支持部」に相当する。
　
　引用発明の「照射されたレチクル３上のパターン」を「ウエハステージ１０上に載置されたウエハ１１上に縮小結像し」、「転写」する「投影光学系５」が、本願補正発明の「前記パターン化ビームを前記基板の標的部分上に投影するように構成し配置した投影システム」に相当する。
　
　引用発明の「縮小結像によりパターンが転写される部分の外周部であって、投影光学系５とウエハ１１の間に配置され」「カバー９の下側部分に設けられ、ウエハステージ１０へ向けてパージガスを吹出すための第２供給口１２」と、本願補正発明の「前記標的部分周辺の外部に配置され、前記投影システムと前記基板の間の空間に第１のフラッシング・ガスを流す第１のガス出口」とは、「前記標的部分周辺の外部に配置され、前記投影システムと前記基板の間の空間に第１のガスを流す第１のガス出口」である点で一致する。
　
　引用発明の「縮小結像によりパターンが転写される部分の外周部であって、投影光学系５と第２供給口１２の間に配置され」「第１及び第２供給口６、１２より供給されたパージガスを吸い込むための第１回収口７」が、本願補正発明の「前記標的部分周辺の外部に、且つ前記投影システムと前記第１のガス出口の間に必ず配置され、前記標的部分と前記投影システムの間の領域のガスを除去する（ｅｘｔｒａｃｔ）ガス入口」に相当する。
　
　引用発明の「縮小結像によりパターンが転写される部分の外周部であって、投影光学系５と第２供給口１２の間に配置され」「カバー９内部に向けて不活性ガスからなるパージガスを吹き出すための第１供給口６」であって、「供給されるガスはほぼ層状のガス流を生じているとともに、ウエハステージ近傍のパターン転写のための紫外光の少なくとも一部を横切るものである」「第１供給口６」と、本願補正発明の「第２のフラッシング・ガスのほぼ層状のガス流を生じるように構成し配置され、且つ前記投影システムの最後尾レンズと前記第１の出口ポートの間に、前記パターン化ビームの少なくとも一部分を横切って前記第２のフラッシング・ガスを流す第２の出口ポート」とは、「第２のガスのほぼ層状のガス流を生じるように構成し配置され、且つ前記投影システムの最後尾レンズと前記第１の出口ポートの間に、前記パターン化ビームの少なくとも一部分を横切って前記第２のガスを流す第２の出口ポート」である点で一致する。
　
　引用発明の「露光装置」が、本願補正発明の「リソグラフィ投影装置」に相当する。
　
イ　一致点
　よって、本願補正発明と引用発明は、
「放射線投影ビームを供給するように構成し配置した放射線システムと、
　所望のパターンに従って前記投影ビームをパターン化するように構成し配置したパターニング構造を支持するように構成し配置した支持構造と、
　基板を支持するように構成し配置した基板支持部と、
　前記パターン化ビームを前記基板の標的部分上に投影するように構成し配置した投影システムと、
　前記標的部分周辺の外部に配置され、前記投影システムと前記基板の間の空間に第１のガスを流す第１のガス出口、前記標的部分周辺の外部に、且つ前記投影システムと前記第１のガス出口の間に必ず配置され、前記標的部分と前記投影システムの間の領域のガスを除去する（ｅｘｔｒａｃｔ）ガス入口、第２のガスのほぼ層状のガス流を生じるように構成し配置され、且つ前記投影システムの最後尾レンズと前記第１の出口ポートの間に、前記パターン化ビームの少なくとも一部分を横切って前記第２のガスを流す第２の出口ポートと、
を備えるリソグラフィ投影装置。」の発明である点で一致し、次の点で相違する。
　
ウ　本願補正発明と引用発明との相違点
　第１、２のガス出口から流されるガスに関して、本願補正発明においては「フラッシング」ガスであるのに対して、引用発明においては、その点の限定がない点。
　
（４）当審の判断
ア　上記の本願補正発明と引用発明との相違点について検討する。
　光学素子の汚染において、基板側（基板に塗布されたレジスト等）からの発生ガスが光学素子表面の汚染の原因になることは周知の技術的事項である。（例えば、特開２００１−２９７９７２号公報参照。）
　引用例１（引用発明が記載されている刊行物）においては、第１，２供給口（６，１２）から供給され、第１回収口（７）において回収される不活性ガスが、ウエハ（基板）側から生じる汚染ガスを流し去る働きがあることは明記されていないが、上記周知の技術的事項を勘案すれば、引用発明においても、ウエハ（基板）側から光学素子表面を汚染するガスが発生している可能性があり、その場合は、第１，２供給口（６，１２）から供給され、第１回収口（７）において回収される不活性ガスは、当然にウエハ（基板）側から生じる汚染ガスを流し去る働きを有するものと認められるから、それを「フラッシング」ガスとして、引用発明のガスにフラッシング作用を持たせることにより、上記の本願補正発明と引用発明との相違点に係る本願補正発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　また、仮に、引用発明においては、ウエハ（基板）側から光学素子表面を汚染するガスが発生していないとしても、引用発明の技術を周知のウエハ（基板）側から汚染ガスが生じるものに適用して、上記の本願補正発明と引用発明との相違点に係る本願補正発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
イ　本願補正発明の奏する作用効果
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明及び上記の周知の技術的事項から当業者が予測し得る程度のものである。
　
ウ　まとめ
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明及び周知の技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
３　むすび
　したがって、本願補正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるということができないから、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
 第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２１年１２月２１日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲は、平成２１年４月２０日付けの手続補正により補正された請求項１ないし２５に記載されたとおりのものとなったところ、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記の平成２１年４月２０日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
「放射線ビームを供給すること、
　前記放射線ビームをパターン化すること、
　投影システムによって、放射線感光層を含む基板の標的部分上に前記パターン化放射線ビームを投影すること、
　前記標的部分周辺の外部に配置した第１のガス出口から、前記投影システムと前記基板の間の空間に第１のフラッシング・ガスを流すことであって、前記投影の間に前記第１のフラッシング・ガスの少なくとも一部分を前記標的部分の方に流すこと、
　前記標的部分周辺の外部に、且つ前記投影システムと前記第１のガス出口の間に必ず配置したガス入口から、前記標的部分と前記投影システムの間の領域のガスを除去する（ｅｘｔｒａｃｔ）こと、
を含むデバイス製造方法。」
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例の記載事項及び引用発明については、上記「第２　平成２１年１２月２１日付けの手続補正についての補正の却下の決定について」の「２　独立特許要件違反についての検討」の「（２）引用例」に記載したとおりである。
　
３　本願発明と引用発明の対比
（１）本願発明と引用発明を対比する。
　引用発明の「紫外光源から露光装置内の照明系１に」「紫外光」を「導」くことが、本願発明の「放射線ビームを供給すること」に相当する。
　
　引用発明の「紫外光はレチクルステージ４上に載置されたレチクル３を照射し、照射されたレチクル３上のパターン」を形成することが、本願発明の「前記放射線ビームをパターン化すること」に相当する。
　
　引用発明の「照射されたレチクル３上のパターンは、投影光学系５によって、ウエハステージ１０上に載置されたウエハ１１上に縮小結像し、ウエハ１１上には感光剤が塗布されており、縮小結像によりパターンが転写され」ることが、本願発明の「投影システムによって、放射線感光層を含む基板の標的部分上に前記パターン化放射線ビームを投影すること」に相当する。
　
　引用発明の「縮小結像によりパターンが転写される部分の外周部であって、投影光学系５とウエハ１１の間に配置され」「カバー９の下側部分に設けられ」た「第２供給口１２」から「ウエハステージ１０へ向けてパージガスを吹出す」ことと、本願発明の「前記標的部分周辺の外部に配置した第１のガス出口から、前記投影システムと前記基板の間の空間に第１のフラッシング・ガスを流すことであって、前記投影の間に前記第１のフラッシング・ガスの少なくとも一部分を前記標的部分の方に流すこと」とは、「前記標的部分周辺の外部に配置した第１のガス出口から、前記投影システムと前記基板の間の空間に第１のガスを流すことであって、前記投影の間に前記第１のガスの少なくとも一部分を前記標的部分の方に流すこと」で一致する。
　
　引用発明の「縮小結像によりパターンが転写される部分の外周部であって、投影光学系５と第２供給口１２の間に配置され」た「第１回収口７」が「第１（及び第２）供給口６（、１２）より供給されたパージガスを吸い込む」ことが、本願発明の「前記標的部分周辺の外部に、且つ前記投影システムと前記第１のガス出口の間に必ず配置したガス入口から、前記標的部分と前記投影システムの間の領域のガスを除去する（ｅｘｔｒａｃｔ）こと」に相当する。
　
（２）一致点
　よって、本願発明と引用発明とは、
  「放射線ビームを供給すること、
　前記放射線ビームをパターン化すること、
　投影システムによって、放射線感光層を含む基板の標的部分上に前記パターン化放射線ビームを投影すること、
　前記標的部分周辺の外部に配置した第１のガス出口から、前記投影システムと前記基板の間の空間に第１のガスを流すことであって、前記投影の間に前記第１のガスの少なくとも一部分を前記標的部分の方に流すこと、
　前記標的部分周辺の外部に、且つ前記投影システムと前記第１のガス出口の間に必ず配置したガス入口から、前記標的部分と前記投影システムの間の領域のガスを除去する（ｅｘｔｒａｃｔ）こと、
を含むデバイス製造方法。」の発明である点で一致し、次の点で相違する。
　
（３）本願発明と引用発明との相違点
　第１、２のガス出口から流されるガスに関して、本願発明においては「フラッシング」ガスであるのに対して、引用発明においては、その点の限定がない点。
　
４　当審の判断
（１）上記の本願発明と引用発明との相違点は、「第２　平成２１年１２月２１日付けの手続補正についての補正の却下の決定について」の「２　独立特許要件違反についての検討」の「（３）本願補正発明と引用発明との対比」の「ウ　本願補正発明と引用発明との相違点」において、本願補正発明を本願発明と読み替えたものであり、実質的に上記の本願補正発明と引用発明との相違点と同じ相違点である。
　そして、当該相違点については、「第２　平成２１年１２月２１日付けの手続補正についての補正の却下の決定について」の「２　独立特許要件違反についての検討」の「（４）当審の判断」の「ア」において検討したとおりである。
　すなわち、上記の本願発明と引用発明との相違点に係る本願発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（２）本願発明の奏する作用効果
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、本願補正発明によってもたらされる効果と同様に、引用発明及び周知の技術的事項から当業者が予測し得る程度のものである。
　
（３）まとめ
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知の技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明（本願の請求項１に係る発明）は、引用発明及び周知の技術的事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。