【事件の表示】
　特願２００１−１３９０００「シリコンウェーハの熱処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１１月２２日出願公開、特開２００２−３３４８４８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、平成１３年５月９日の出願であって、平成２０年８月１３日に手続補正書が提出され、平成２１年２月２３日付けで拒絶査定がされ、それに対して、同年４月２日に審判が請求されるとともに、同日に手続補正書が提出され、その後、平成２２年１２月６日付けで審尋がされたものである。
　
　
第２　平成２１年４月２日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正の却下の決定
　
【補正の却下の決定の結論】
　
　本件補正を却下する。　
　
【理由】　
１　補正の内容　
　本件補正のうち、特許請求の範囲についてする補正は、次のとおりである。
ア　請求項１について、同項中に、「シリコンウェーハを内部に設置可能なかつ少なくとも一部の壁部が赤外領域から可視領域までの波長の光線を透過可能な反応室」とあるのを、「表面に自然酸化膜が形成されたシリコンウェーハを内部に設置可能なかつ少なくとも一部の壁部が赤外領域から可視領域までの波長の光線を透過可能な反応室」と限定すること。
イ　請求項１について、同項中に、「熱処理を行うこと」とあるのを、「熱処理を行い、前記シリコンウェーハ表面にシリコン窒化酸化膜を形成し、ＳｉＯ２ やＳｉＯｘ が昇華し難くすること」と限定すること。
　
２　補正の目的の適否
　上記補正ア、イは、いずれも、補正前の請求項に規定されている技術的事項をより限定するものであるから、請求項１に係る補正は、平成１８年法律５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、同特許法第１７条の２第４項柱書きに規定する目的要件を満たす。
　
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、更に検討する。
　
３　独立特許要件（容易想到性）についての検討
（１）本願補正発明
　本件補正による補正後の請求項１〜３に係る発明のうち、請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、次のとおりである。
　
　「【請求項１】　表面に自然酸化膜が形成されたシリコンウェーハを内部に設置可能なかつ少なくとも一部の壁部が赤外領域から可視領域までの波長の光線を透過可能な反応室と、該反応室内のシリコンウェーハに反応室外部から前記光線を照射して熱処理する光線照射機構と、前記熱処理中に前記反応室内に雰囲気ガスを供給するガス供給機構とを備えるシリコンウェーハの熱処理装置であって、　
　前記ガス供給機構は、ＮＨ３を含む前記雰囲気ガスを供給可能であり、前記シリコンウェーハに急加熱及び急冷却の熱処理を施す場合に、前記反応室内に前記シリコンウェーハを載置した後、前記ガス供給機構によりＮＨ３　を含んだ前記雰囲気ガスを、表面にシリコン酸化膜が形成された前記シリコンウェーハの表面に供給した状態で、８００℃から１２８０℃までの範囲の熱処理温度かつ１秒から５分までの範囲の熱処理時間で、前記熱処理を行い、前記シリコンウェーハ表面にシリコン窒化酸化膜を形成し、ＳｉＯ２ やＳｉＯｘ が昇華し難くすることを特徴とするシリコンウェーハの熱処理装置。」
　
（２）引用例の記載と引用発明
（２−１）引用例とその記載内容
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前に頒布された刊行物である国際公開第９８／３８６７５号（以下「引用例」という。）には、「IDEAL OXYGEN PRECIPITATING SILICON WAFERS AND OXYGEN OUT-DIFFUSION-LESS PROCESS THEREFOR」（発明の名称）について、次の記載がある（括弧の訳文は、日本語のファミリー出願（特表２００１−５０９３１９号公報）を参照した。下線は当審で付加したものである。以下同じ。）。
　
ア　発明の概要等　 
「The present invention is further directed to a process for heat-treating a single crystal silicon wafer sliced from a single crystal silicon ingot grown by the Czochralski method to influence the precipitation behavior of oxgen in the wafer in a subsequent thermal processing step.」（６頁１７〜２２行）　
　　 
 （本発明は、チョクラルスキー法により成長された単結晶シリコンインゴットから切り出された単結晶シリコンウエハを、後の熱処理工程におけるウエハ中の酸素の析出挙動に影響を与えるように熱処理する方法に関する。）
 　 
イ　好ましい態様の詳細な説明等
「In a first embodiment of the process of the present invention the surface of wafer 1 is heat-treated in an oxygen-containing atmosphere in step S1 to grow a superficial oxide layer 9 which envelopes wafer 1. In general, the oxide layer will have a thickness which is greater than the native oxide layer which forms upon silicon (about 15 Angstroms); preferably, the oxide layer has a thickness of at least about 20 Angstroms and, in some embodiments, at least about 25 Angstroms or even at least about 30 Angstroms. Experimental evidence obtained to-date, however , suggests that oxide layers having a thicknesses greater than about 30 Angstroms, while not interfering with the desired effect, provide little or no additional benefit.」（１１頁３０行〜１２頁７行）
　
（本発明の方法の第１の態様において、ウエハ１は工程S1において酸素含有雰囲気中で熱処理され、ウエハ１を包囲する表面酸化物層９を成長させる。一般に、酸化物層は、シリコン上に形成する本来の酸化物層（約１５オングストローム）よりも大きい厚さを有する。好ましくは、酸化物層は、少なくとも約２０オングストロームの厚さを有する。いくつかの態様において、少なくとも約２５オングストローム、さらに少なくとも約３０オングストロームの厚さを有する。現在まで得られている実験的証拠は、約３０オングストローム越える厚さを有する酸化物層は、望ましい効果を阻害しない状態で、付加的な利点をほとんどまたは全く与えない。)
　
「In step S2 , the wafer is subjected to a heat-treatment step in which the wafers are heated to an elevated temperature to form and thereby increase the number density of crystal lattice vacancies 13 in wafer 1. Preferably, this heat-treatment step is carried out in a rapid thermal annealer in which the wafers are rapidly heated to a target temperature and annealed at that temperature for a relatively short period of time. In general, the wafer is subjected to a temperature in excess of 1150 ℃, preferably at least 1175℃, more preferably at least about 1200℃, and most preferably between about 1200℃ and 1275℃.」（１２頁８〜１９行）
　
（
工程S
2
において、ウエハを高温に加熱し、ウエハ１における結晶格子空孔１３の数密度を増加させる熱処理にウエハを付す。
ウエハは、１１５０℃以上、好ましくは少なくとも１１７５℃、より好ましくは少なくとも１２００℃、最も好ましくは少なくとも１２００℃〜１２７５℃の温度に付される。
　
「In the first embodiment of the present invention, the rapid thermal annealing step is carried out in the presence of a nitriding atmosphere, that is, an atmosphere containing nitrogen gas (N2) or a nitrogen-containing compound gas such as ammonia which is capable of nitriding an exposed silicon surface. The atomosphere may thus consist entirely of nitrogen or nitrogen compound gas, or it may additionally comprise a non-naitriding gas such as argon. An increase in vacancy concentration throughout the wafer is achieved nearly, if not immediately, upon achieving the annealing temperature.」（１２頁２０〜３１行） 
　
（本発明の第１の態様において、
急速熱的アニール工程は、窒化雰囲気、すなわち、露出シリコン表面を窒化できるアンモニアなどの窒素含有化合物ガスまたは窒素ガス（Ｎ
2
）を含有する雰囲気の存在下で、行う。
　
「The wafer will generally be maintained at this temperature for at least one second, typically for at least several seconds (e.g., at least 3) preferably for several tens of seconds (e.g., 20, 30, 40, or 50 seconds) and, depending upon the desired characteristics of the wafer, for a period which may range up to about 60 seconds (which is near the limit for commercially available rapid thermal annealers). The resulting wafer will have a relatively uniform vacancy concentration (number density) profile in the wafer.」（１２頁３１行〜１３頁４行）
　
（
ウエハは、少なくとも１秒間、典型的には少なくとも数秒間（例えば少なくとも３秒間）、好ましくは数十秒間（例えば、２０、３０、４０または５０秒間）、ウエハの所望特性に応じて、約６０秒までの時間で（これは、市販の急速熱的アニーラーの限界に近い）、ほぼこの温度で一般に保持される。
 
「The rapid thermal anneal may be carried out in any of a number of commercially available rapid thermal annealing (RTA) furnaces in which wafers are individually heated by banks of high power lamps. RTA furnaces are capable of rapidly heating a silicon wafer, e.g., they are capable of heating a wafer from room temperature to 1200℃ in a few seconds. One such commercially available RTA furnace is the model 610 furnace available from AG Associates (Mountain View, CA).」(１４頁３〜１１行) 
　
（
急速加熱アニール（rapid thermal anneal）は、ウエハを別々に一群の高電力ランプによって加熱するような、種々の市販の急速加熱アニール（RTA）炉によって、実施することができる。
　
「Upon completion of step S2, the wafer is rapidly cooled in step S3 through the range of temperatures at which crystal lattice vacancies are relatively mobile in the single crystal silicon.」
(１４頁３０〜３３行) 
　
（
工程S
2
の完了後、ウエハは、工程S
3
において、結晶格子空格子点が単結晶において比較的移動しやすい温度範囲を通って、急速に冷却される。
　
「Conveniently, the cooling step may be carried out in the same atomosphere in which the heating step is carried out.」(１５頁２９〜３１行) 
 　
（
好適には、冷却工程は、加熱工程が実施されるのと、同じ雰囲気下に実施することができる。
　　
「In a third embodiment of the present invention, step S1(the thermal oxidation step) is omitted and the starting wafer has no more than a native oxide layer.」(１９頁６〜８行) 
　
（本発明の第３具体例によれば、工程S1（熱酸化工程）は、省略し、
出発ウエハは、天然酸化物層以外の酸化物層を有しない。
 
（２−２）引用発明
　引用例に明記はないものの、引用例が記述する内容は、一群の高電力ランプによって加熱するアニール（RTA）炉を用いて、シリコンウエハの急速加熱及び急速冷却アニールを実施する方法に係る技術であるから、引用例１の「アニール（RTA）炉」が、ガスをシリコンウエハの表面に供給するガス供給機構と、急速加熱及び急速冷却アニールの対象であるシリコンウエハを内部に載置可能とするための反応室とを備えることは、当業者に自明である。　
　したがって、引用例には、次の発明が記載されているといえる（以下「引用発明」という。）。
　
「シリコンウエハを内部に載置可能な反応室と、加熱のための一群の高電力ランプと、前記加熱中に前記反応室内に雰囲気ガスを供給するガス供給機構とを備えるシリコンウエハの急速加熱及び急速冷却アニール（RTA）炉であって、前記ガス供給機構は、アンモニアなどの窒素含有化合物ガスを供給可能であり、前記シリコンウェーハに急加熱及び急冷却アニールを行う場合に、前記反応室内に前記シリコンウェーハを載置した後、前記ガス供給機構によりアンモニアなどの窒素含有化合物ガスを、前記シリコンウェーハの表面に供給した状態で、１２００℃〜１２７５℃の温度かつ１秒から約６０秒までの時間で、前記熱処理を行うシリコンウエハのアニール（RTA）炉。」
　
（３）対比
（３−１）本願補正発明と引用発明とを対比すると、
ア　引用発明の「シリコンウエハ」、「加熱のための一群の高電力ランプ」、「アンモニアなどの窒素含有化合物ガス」及び「アニール（RTA）炉」は、それぞれ、本願補正発明の「シリコンウェーハ」、「光線を照射して熱処理する光線照射機構」、「ＮＨ３を含む前記雰囲気ガス」及び「熱処理装置」に相当する。
イ　引用例の「In a third embodiment of the present invention, step S1 (the thermal oxidation step) is omitted and the starting wafer has no more than a native oxide layer.」(１９頁６〜８行）との記載によれば、工程S1（熱酸化工程）は、省略し、出発ウエハは、天然酸化物層以外の酸化物層を有しないのであるから、引用発明において、「シリコンウエハ」の表面が天然酸化物層、すなわち、自然酸化膜が形成されていることは当業者にとって明らかである。したがって、引用発明の「シリコンウエハ」は、本願補正発明の「表面に自然酸化膜が形成されたシリコンウェーハ」に相当する。
ウ　引用発明の「１２００℃〜１２７５℃の温度かつ１秒から約６０秒までの時間で、前記熱処理を行う」ことは、本願補正発明の「８００℃から１２８０℃までの範囲の熱処理温度かつ１秒から５分までの範囲の熱処理時間で、前記熱処理を行」うことに相当する。
　
（３−２）したがって、本願補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりとなる。
　
〈一致点〉
「表面に自然酸化膜が形成されたシリコンウェーハを内部に設置可能な反応室と、光線を照射して熱処理する光線照射機構と、前記熱処理中に前記反応室内に雰囲気ガスを供給するガス供給機構とを備えるシリコンウェーハの熱処理装置であって、前記ガス供給機構は、ＮＨ３を含む前記雰囲気ガスを供給可能であり、前記シリコンウェーハに急加熱及び急冷却の熱処理を施す場合に、前記反応室内に前記シリコンウェーハを載置した後、前記ガス供給機構によりＮＨ３を含んだ前記雰囲気ガスを、表面にシリコン酸化膜が形成された前記シリコンウェーハの表面に供給した状態で、８００℃から１２８０℃までの範囲の熱処理温度かつ１秒から５分までの範囲の熱処理時間で、前記熱処理を行う、シリコンウェーハの熱処理装置。」
　
〈相違点〉
相違点１について
　本願補正発明では、「少なくとも一部の壁部が赤外領域から可視領域までの波長の光線を透過可能な反応室」であるのに対し、引用発明の「反応室」には、光線の透過についての特定がない点。
　
相違点２について
　本願補正発明では、「シリコンウェーハ表面にシリコン窒化酸化膜を形成し、ＳｉＯ２ やＳｉＯｘ が昇華し難くする」のに対し、引用発明では、そのような特定がない点。
　
（４）相違点についての検討
（４−１）相違点１
　光線を照射して熱処理する光線照射機構と、ガス供給機構とを備える半導体装置の熱処理装置において、反応室に載置された熱処理対象である半導体装置を熱処理するために、石英チューブからなる反応室を採用することは、例えば、以下の周知例１及び２において記載されていることからも明らかなように、本願の出願日前の周知技術である。
　そして、引用発明のアニール（RTA）炉と上記周知技術とは、反応室に載置されたシリコンウエハである半導体装置を熱処理するためのものであるという点で、共通するから、引用発明において、反応室に載置されたシリコンウエハを熱処理するための反応室として、上記周知技術である石英チューブからなる反応室を採用することは、当業者にとって容易であったといえる。そして、一般に、石英チューブを構成する石英が、赤外領域から可視領域までの波長の光線を透過可能なものであることは、例えば、周知例３の特に図４にも記載されているように技術常識であるから、上記相違点１のうち、「壁部が赤外領域から可視領域までの波長の光線を透過可能」との構成は、引用発明の反応室に周知の石英チューブから成る反応室を採用することにより、自然に達成されることが明らかである。
　
（周知例１：特開昭６３−１９７３３０号公報）
　上記周知例１には、第１図とともに、次の記載がある（２頁左上欄１０〜１８行）。
「従来の
ランプ・アニール装置は１石英チューブ内１に半導体装置２を挿入し、石英チューブ１外の上部下部に設置しているランプヒーター３によって瞬時に半導体装置２を加熱アニールする。
石英チューブ内１に不純物ガスを供給できるガス供給装置５を具備している。
　
（周知例２：特開昭６２−１９５１１６号公報）
　上記周知例２には、第４図とともに、次の記載がある（１頁左下欄１６行〜右下欄７行）。
「従来の技術　
従来のランプアニーリング装置は、第４図に示すように、枚葉式で１枚ずつ石英管チューブに挿入することにより行なっていた。
　第４図において、石英チューブ３の中のウェハー台８上にウェハー４を置く。石英チューブ３の上下には、ランプ光反射板２および光源用ランプ１があり、ウェハー４の上下から均一なランプ光をウェハー面に照射することにより、ウェハー４を熱処理する。
熱処理に際しては、ガス入口６よりＮ
２
，Ａｒ等のガスを導入し
　
（周知例３：実願昭６０−１２９５３７号（実開昭６２−３７９２７号）のマイクロフィルム）
　上記周知例３には、第１〜４図とともに、次の記載がある（４頁１５行〜７頁５行）。
「（考案の構成と作用）　
　第１図は本考案を実施した半導体基板の熱処理装置の基本的な構成例と示す断面図である。・・・４は石英製チャンバ（密閉室）・・・第２図は石英板５と７の作用の説明図で、図中の矢印は熱の流れを理想的に示したもので、加熱ランプ３，３’からの放射光によって図中の実線矢印のような熱の流れがランプ３，３’からウエハ１に向かって生じる。この
放射光はほとんどが石英に吸収されずに透過する。ランプ３，３’として通常用いられるハロゲンランプのフィラメントに用いられているタングステンの放射光はタングステンの色温度によって異なるが、一般にほぼ１μｍ近傍の波長にピークを持った可視光及び赤外光であるが、４μm以上の長波長の光は石英製のランプの管壁に吸収される。
第４図は代表的な石英板の波長対透過率特性図である。
　
（４−２）相違点２　
　引用例の「In the first embodiment of the present invention, the rapid thermal annealing step is carried out in the presence of a nitriding atmosphere, that is, an atmosphere containing nitrogen gas (N2) or a nitrogen-containing compound gas such as ammonia which is capable of nitriding an exposed silicon surface. The atomosphere may thus consist entirely of nitrogen or nitrogen compound gas, or it may additionally comprise a non-naitriding gas such as argon. An increase in vacancy concentration throughout the wafer is achieved nearly, if not immediately, upon achieving the annealing temperature.」（１２頁２０〜３１行）との記載によれば、急速熱的アニール工程は、露出シリコン表面を窒化できるアンモニアなどの窒素含有化合物ガスを含有する雰囲気の存在下で行われるから、露出された半導体装置の表面を窒化するものであることが分かる。      　
　一方、前述の（３−１）イの検討から明らかなとおり、引用発明においては、「シリコンウエハ」の表面には自然酸化膜が形成されている。そうすると、引用発明に係るアニール炉を用いた場合も、急速熱的アニール工程をアンモニアなどの窒素含有化合物ガスを含有する雰囲気の存在下で行うことで、露出表面である該自然酸化膜が窒化され、シリコン窒化酸化膜がその表面に形成されることは、当業者にとって明らかである。　
　そして、該シリコン窒化酸化膜が形成されると、上記自然酸化膜の露出表面が覆われることになるから、引用発明においても、「ＳｉＯ２ やＳｉＯｘ が昇華し難く」なっているものと認められる。　
　したがって、相違点２は実質的なものではない。
　　
（５）小括
　以上検討したとおり、上記相違点は、周知技術を勘案することにより、当業者が容易に想到し得たものである。
　
（６）独立特許要件についてのまとめと補正却下の結び
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。
　よって、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に違反するので、同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明
　
１　以上のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２０年８月１３日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載の次のとおりのものである。
　
「【請求項１】シリコンウェーハを内部に設置可能なかつ少なくとも一部の壁部が赤外領域から可視領域までの波長の光線を透過可能な反応室と、該反応室内のシリコンウェーハに反応室外部から前記光線を照射して熱処理する光線照射機構と、前記熱処理中に前記反応室内に雰囲気ガスを供給するガス供給機構とを備えるシリコンウェーハの熱処理装置であって、前記ガス供給機構は、ＮＨ3を含む前記雰囲気ガスを供給可能であり、前記シリコンウェーハに急加熱及び急冷却の熱処理を施す場合に、前記反応室内に前記シリコンウェーハを載置した後、前記ガス供給機構によりＮＨ3を含んだ前記雰囲気ガスを、表面にシリコン酸化膜が形成された前記シリコンウェーハの表面に供給した状態で、８００℃から１２８０℃までの範囲の熱処理温度かつ１秒から５分までの範囲の熱処理時間で、前記熱処理を行うことを特徴とするシリコンウェーハの熱処理装置。」
　
２　引用例の記載と引用発明
　引用例の記載と引用発明については、前記第２の３（２）で認定したとおりである。
　
３　対比・判断
　 前記第２の１及び２で検討したように、本願補正発明は、補正前の請求項１の規定をより技術的に限定するものである。したがって、逆に言えば、本願発明（補正前の請求項１に係る発明）は、本願補正発明から、このような限定をなくしたものである。  　
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、これより限定したものである本願補正発明が、前記第２の３で検討したとおり、引用発明に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、当業者が容易に発明することができたということができる。 
　
第４　結言
　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　したがって、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。