【事件の表示】
　上記当事者間の特許第３９９５３４６号「薄板収納搬送容器用ポリカーボネート樹脂」の特許無効審判事件についてされた平成２０年１１月２５日付け審決に対し、知的財産高等裁判所において審決取消の判決（平成２０年（行ケ）第１０４９０号平成２１年９月１７日判決言渡）があったので、さらに審理のうえ、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１．手続の経緯
１．本件特許第３９９５３４６号に係る特許出願は、平成１０年８月２６日に出願され、平成１９年８月１０日にその特許権の設定の登録がされたものである。
２．請求人は、平成２０年１月２９日に特許無効審判を請求した。
３．被請求人は、同年４月１６日に答弁書を提出した。なお、訂正の請求はされていない。
４．同年１０月２日に第１回口頭審理が行われ、請求人及び被請求人は同日付けでそれぞれ提出した口頭審理陳述要領書のとおりに陳述した。
５．同年１１月５日付けで請求人及び被請求人に審理の終結が通知され、同月２５日付けで、
「本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。」
との審決がされた。
６．請求人から、同年１２月２６日に東京高等裁判所に当該審決に対する訴えが提起された（平成２０年（行ケ）第１０４９０号）。
７．当該訴えは知的財産高等裁判所において審理され、平成２１年８月１８日に口頭弁論が終結され、同年９月１７日に、
「１　特許庁が無効２００８−８０００１５号事件について平成２０年１１月２５日にした審決を取り消す。
　２　訴訟費用は被告の負担とする。」
との判決が言い渡された。その理由は概略次のとおりである。（なお、本項においては、本件特許の請求項１及び２に係る発明をそれぞれ本件発明１及び２と、また特開平１０−２１１６８６号公報（甲第２号証）に記載された発明を引用発明１という。）
（１）本件発明１及び引用発明１のいずれも、被収納物である半導体ウェーハ等の薄板の汚染を低減することができるポリカーボネート樹脂から成形された収納容器を提供することを目的とするものであるところ、その解決手段として、ポリカーボネート樹脂中に残存する塩素原子含有量を低く抑えることで、成型後の収納容器に収納される半導体ウェーハ等への揮発成分からの汚染を防止しようとするものであって、その解決課題及び解決手段は同様のものであるということができる。
　しかるところ、相違点ｂに係る本件発明１における「塩素原子含有量が１０ｐｐｍ」との構成については、塩素原子含有量がポリカーボネート樹脂中に少なければ少ないほどよいとの引用発明１と同様の技術思想を、専ら塩素系有機溶媒の残留量に着目して、かつ、臨界的意義が認められない最小値０を含む具体的な数値範囲でもって、単に規定したにすぎないものと解される。
　したがって、当業者において、相違点ｂの本件発明１に係る「塩素原子含有量が１０ｐｐｍ以下」との構成を想到することは、引用発明１から容易であるということができる。
（２）本件発明２は、本件発明１を引用して更に限定するものであるところ、本件審決は、本件発明１に係る主引例を引用例１又は２とする複数の相違点のうち、相違点ｂ又はロという１つの相違点に係る構成が引用発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでないと判断したことから、本件発明１が各引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものということができないとし、そのことを理由として、本件発明２もまた、各引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものということができないとしたものである。
　そうであるから、本件発明１と引用発明１との相違点ｂについての本件審決の判断を是認できず、本件発明１について更に審判における審理を要する本件においては、本件発明２についても更に審判における審理を要するということができる。
８．当該判決が確定したことにより先の審決は取り消されたので、本件は当審におけるさらなる審理に付されたものである。
　
第２．本件特許発明
　本件特許第３９９５３４６号の請求項１及び２に係る発明（以下、それぞれ「本件特許発明１」及び「本件特許発明２」という。）は、本件特許明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜２に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
「【請求項１】粘度平均分子量が１４０００〜３００００の芳香族ポリカーボネート樹脂であって、該ポリカーボネート樹脂中の塩素原子含有量が１０ｐｐｍ以下であり、炭素数が６〜１８であるフェノール化合物の合計含有量が１００ｐｐｍ以下であり、ナトリウム、カリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、ニッケルおよび鉄原子の含有量の合計が０.７ｐｐｍ以下であり、且つナトリウムの含有量が０.２ｐｐｍ未満である芳香族ポリカーボネート樹脂から成形されたことを特徴とする薄板収納搬送容器。
【請求項２】薄板収納搬送容器が、半導体ウエーハ用収納搬送容器である請求項１記載の薄板収納搬送容器。」
　
第３．請求人の主張
　請求人は、「特許第３９９５３４６号発明の特許請求の範囲の請求項１及び２に係る発明についての特許を無効とする。審判費用は被請求人の負担とする」との審決を求めるところ、特許を無効とする理由としては、審判請求書、請求人提出の口頭審理陳述要領書、及び、第１回口頭審理調書から判断して、次の２点にあるものと認められる。 
　
◎無効理由１
　本件特許発明１〜２は、その出願前に日本国内において頒布された甲第２号証刊行物に記載された発明と、同甲第１、３〜５号証刊行物に記載された発明とに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものについて特許されたものであり、本件特許は同法第１２３条第１項第２号に該当する。
◎無効理由２
　本件特許発明１〜２は、その出願前に日本国内において頒布された甲第１号証刊行物に記載された発明と、同甲第３〜５号証刊行物に記載された発明と、同甲第２号証刊行物に記載された発明とに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものについて特許されたものであり、本件特許は同法第１２３条第１項第２号に該当する。
　
＜証拠方法＞
甲第１号証：特開平２−２７６０３７号公報
甲第２号証：特開平１０−２１１６８６号公報
甲第３号証：特開平５−１４８３５５号公報
甲第４号証：特開平６−１００６８３号公報
甲第５号証：特開平３−１００５０１号公報
甲第６号証：本間精一編「ポリカーボネート樹脂ハンドブック」１９９２年８月２８日，日刊工業新聞社，81頁（口頭審理陳述要領書に添付して提出されたもの）
　
　なお、甲第１〜６号証の成立に争いはない。
　
第４．被請求人の主張
　被請求人は、「本件審判請求は成り立たない、審判費用は請求人の負担とする」との審決を求めるとともに、乙第１〜２号証を提出して、請求人が主張する、特許を無効とする理由に対して反論している。
　
＜証拠方法＞
乙第１号証：特開昭６３−９７６２７号公報
乙第２号証：本間精一編「ポリカーボネート樹脂ハンドブック」１９９２年８月２８日，日刊工業新聞社，46〜53頁
　
　なお、乙第１〜２号証の成立に争いはない。
　
第５．甲第１〜６号証刊行物に記載の事項
◎甲第１号証刊行物：特開平２−２７６０３７号公報
１ａ．「（１）ＩＡ族及びVIII族に属する金属のうち、一種類の金属の含有量が１ppm以下であるポリカーボネート樹脂からなることを特徴とした光学式ディスク基板。
（２）ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量が、１００００〜２２０００であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学式ディスク基板。
（３）塩素系溶媒残留量が１０ppm以下であることを特徴とした特許請求の範囲第１項記載の光学式ディスク基板。」（特許請求の範囲第１項〜第３項）
１ｂ．「［産業上の利用分野］
　本発明は、長期間にわたって高い信頼性を維持できる光学式ディスク基板及び該基板を用いた光学式情報記録媒体に関する。」（1頁右下欄2〜5行）
１ｃ．「［従来の技術と解決すべき課題］
　オーディオディスク，レーザーディスク，光ディスクメモリあるいは光磁気ディスク等のレーザ光を利用して情報の再生，追記，書換えを行なう光学式情報記録媒体の基板には、成形性，強度，光線透過率及び耐湿性等の点で優れているポリカーボネート樹脂が多く用いられている。
　しかしながら、このように優れた性質を有するポリカーボネート樹脂も、高温，高湿下において加水分解しやすく、分子量の低下，衝撃強度の低下等をきたしやすいという欠点がある。
　一方、光学式ディスク基板及び該基板を用いた光学式情報記録媒体に要求される特性の一つとして、長期間（十年以上）にわたって高い信頼性を維持できるようにすることがある。ところが、上述したようにポリカーボネート樹脂は高温，高湿下において加水分解による劣化が早く、この要求を満たすことが困難であった。
　……
　本発明は、上記事情にかんがみてなされたものであり、ポリカーボネート樹脂の劣化をきわめて有効に抑制し、長期間にわたって高い信頼性を維持できる光学式ディスク基板及び該基板を用いた光学式情報記録媒体の提供を目的とする。
［課題の解決手段］
　本発明者等は、上記目的を達成するために鋭意研究を重ねてきた結果、ポリカーボネート樹脂の加水分解の原因が、樹脂中に含まれる残留微量金属、特に特定の金属と、残留微量溶媒、特に塩素系溶媒との相互作用によるものであることを知見し、本発明をするに至った。」（1頁右下欄6行〜2頁右上欄7行）
１ｄ．「本発明の光学式ディスク基板において使用されるポリカーボネート樹脂としては、例えば、粘度平均分子量が１００００〜２２０００、好ましくは１２０００〜２００００のものであれば特に制限はなく、二価フェノール類とホスゲンまたは、ジフェニルカーボネートのような炭酸エステルとの反応により製造されるものがある。
　……。粘度平均分子量１００００〜２２０００の制御はポリカーボネートの製造時に、ｐ−ｔ−ブチルフェノールのような末端停止剤の添加により行なうことができる。
　……
　なお、粘度平均分子量［Ｍv］は、２０℃の塩化メチレン溶液中のポリカーボネート樹脂の比粘度ηspを測定し、式
　　ηsp/Ｃ＝[η](１＋０.２８ηsp)
［ここで、Ｃはポリカーボネート樹脂濃度（g/l）である］
および
　　[η]＝１.２３×１０-5Ｍv0.83　
によって算出することができる。」（2頁左下欄4行〜3頁左上欄6行）
１ｅ．「射出成形に用いる原料ポリカーボネート樹脂は、従来公知の方法により製造した後、溶液状態において酸洗，アルカリ洗，水洗を繰返したり、濾過処理をしたり、あるいは粒状の原料を、例えば加熱条件下でアセトンなどの貧溶媒で洗浄したりして低分子量成分，未反応成分，金属成分等の不純物や異物を除去することが好ましい。いずれにしても、射出成形前の原料は、異物，不純物，溶媒などの含有量を極力低くしておくことが必要である。」（3頁左上欄7〜16行）
１ｆ．「また、射出成形時における樹脂温度は３００〜４００℃とし、金型温度は通常５０〜１４０℃、好ましくは８０〜１３０℃とする。さらに、この射出成形時における金属成分の混入が少なくなるような材質の選定等を行なうことが好ましい。」（3頁左下欄16〜20行）
１ｇ．「このようにして製造した光学式ディスク基板中に残留するＩＡ属及びVIII属の金属は、一種類の金属の含有量を１ppm以下とする必要がある。
　本発明者達の実験によると、ＩＡ属及びVIII属に属する金属、特にＦe，Ｎa等の金属残留量が１ppmを超えると、ポリカーボネート樹脂の劣化が早まることが判明した、また、好ましくは塩素系溶媒の残留量を１０ppm以下、さらに好ましくは６ppm以下とする必要がある。
　すなわち、本発明者達の実験によると、Ｆe，Ｎa等の金属が１ppmを越えて残留しているときに、例えばＣＨ3Ｃl，ＣＨ2Ｃl2，ＣＨＣl3，ＣＣl4，ジクロルエタン等の塩素系溶媒が１０ppmを越えて残留していると、上記金属と塩素系溶媒が相互に作用し、ポリカーボネート樹脂の劣化をますます早めることが判明した。
　基板をなすポリカーボネート樹脂中におけるＩＡ属及びVIII属に属する金属残留量を１ppm以下とするためには、ポリカーボネート樹脂の製造工程でこれらの金属が混入しないようにする必要があり、例えば各装置，配管等にこれら金属を用いないようにすることが好ましい。
　また、金属残留量１ppm以下とするには、重合後の塩化メチレン溶液のアルカリ洗，酸洗，高純度の水による水洗を十分に行なう必要がある。さらに、塩素系溶媒の残留量を１０ppm以下にするには、粒状ポリマーにした後の貧溶媒（アセトン）による洗浄を十分行なって塩化メチレン等を除去し、さらに十分乾燥を行なう必要がある。
　なお、金属成分としては、上記ＩＡ属及びVIII属に属する金属の他にＡl，Ｓi，Ｃa，Ｍg等の金属も残留量を１ppm以下とすることが好ましい。」（3頁右下欄5行〜4頁左上欄18行）
１ｈ．「
実施例Ａ
　本発明実施例Ａ１，Ａ２，Ａ３の光学式ディスク基板と比較例Ａ１，Ａ２の光学式ディスク基板を比較する。
 ○　ポリカーボネート原料
（１）試料：各種の製造条件、処理条件の異なるペレット。
（２）粘度平均分子量　Ｍv＝約１４,０００〜１５,０００
（３）残留金属　Ｎa，Ｆe
　　　測定法：原子吸光法
（４）残留溶媒
　　　　　　塩素系溶媒としてＣＨ2Ｃl2　
　　　　　　測定法：ガスクトマトグラフ法
○　射出成形
　上記原料のうち、残留金属，残留溶媒量の異なる原料を成形（成形温度：３６０℃，金型温度：１２０℃）し、光ディスク基板を得た。
○　加速劣化テスト
（１）恒温恒湿槽　条件：８０℃　９０％ＲＨ
（２）評価：定期的にサンプルを取り出し、外観を検査及び分子量を測定（第１表参照）
」（4頁右上欄16行〜右下欄）
　
◎甲第２号証刊行物：特開平１０−２１１６８６号公報
２ａ．「【請求項１】　吸水率が０.０５重量％以下になるまで乾燥したポリカーボネート樹脂をガラス管に入れ、１mmＨg以下の圧力で封入した後、これを２８０℃で３０分間加熱し、ついで２３℃まで冷却後、３日間常温（２３℃）放置する間に封入したガラス管の気相部に揮発してくるＣlイオン量が３０ｐｐｂ以下であるポリカーボネート樹脂を基材とする精密部材用収納容器。
……
【請求項４】　ホスゲンを出発原料として製造したカーボネート結合を有する樹脂を所望の形状に成形した精密部材用収納容器において、該カーボネート結合を有する樹脂の製造に用いられる原料ホスゲン中の未反応塩素濃度が１０００ｐｐｂ以下のものである原料ホスゲンを用いて製造されたカーボネート結合を有する樹脂を基材として用いたことを特徴とする精密部材用収納容器。
【請求項５】　基材のポリカーボネート樹脂が、ジフェノールと塩素濃度が１,０００ｐｐｂ以下のホスゲンとを反応させて得られたものである、請求項１〜３のいずれかに記載の精密部材用収納容器。」（特許請求の範囲の請求項１、４及び５）
２ｂ．「【発明の属する技術分野】本発明は、ポリカーボネート樹脂を基材とした精密部材用収納容器に関するもので、特に、被収納物が極微量の汚染をも敬遠する電気部材、電子機器部材等の精密部材（生ウェハー、ディスクリートウェハー、回路加工途中のウェハー、バータントウェハー、ダイシングウェハーなどの半導体用各種ウェハーや、ＩＣチップ等の半導体材料など、フォトマスクなどの各種マスク類、リードフレーム、アルミディスクなどのディスク基板、液晶パネル、プラズマディスプレイ等の各種表示素子など）等の精密部材用収納（運搬、保管並びに各工程中の搬送を含む）容器に関するものである。」（段落0001）
２ｃ．「【従来の技術】ポリカーボネート樹脂製収納容器は、透明もしくは半透明で被収納物が透視可能であり耐衝撃性等に優れている点から従来より広く使用されてきた。ところが近年対象とされる被収納物の種類が広がり、汚染を極度に嫌う電気部材、電子機器部材等の精密部材の分野にも使用されるようになってきた。しかし、ウェハー、ＩＣ等の半導体材料等の精密部材に見られるように、その高性能化に伴い、被収納物を組み込み、もしくは加工したものに誤作動が生じることもあることが判明した。
　この誤作動の原因を追及したところ、ポリカーボネート樹脂製の収納容器から精密部材収納中に揮発してくるＣl（塩素）であることが判明した。ポリカーボネート樹脂として、成形時の金型腐食を防止するためにＣl量を低減させるべく特開昭６２−２９７３２０号公報や特開昭６２−２９７３２１号公報には、ホスゲン中の不純物としてホスゲンより高沸点の四塩化炭素が含有していることが記載されており、成形時において加熱した場合に塩酸を発生させるため、ホスゲン中の四塩化炭素含有量を一定量以下とすることが報告されている。
　この場合、成形中加熱されている間に分解し発生する塩酸に関して議論しているものであり、成形後、収納中、特には常温に放置している間に徐々に揮発する現象に関して何等教えるところではない。本発明者らは、ポリカーボネート樹脂の成形品の常温における揮発性Ｃlに関して鋭意検討した結果、この揮発性Ｃlとポリカーボネート樹脂製造に原料として用いられたホスゲン中に不純物として含有される塩素との間に相関関係があることが判った。
　すなわち、ホスゲン中に残存する不純物塩素はポリカーボネート樹脂製造工程における初期のジフェノールのアルカリ金属塩水溶液とホスゲンとの反応段階でジフェノール類の特定箇所を何らかの形で塩素化し、最終工程まで変化しないまま残存したもので、成形後、放置する間に徐々に揮発してくるような形態のものであることが判明した（検出はＣlイオンとして認められる）。
　但し、前記したような四塩化炭素がポリカーボネート樹脂中に残留している場合や、二相界面法によるポリカーボネート樹脂製造工程途中で生成するクロロホーメート基が残留している場合は、これらから溶融成形時にＨＣlの発生が認められ、このための生成と区別が付きにくい場合がある。即ち、反応性の非常に高いＣl基の場合、溶融成形の際の熱で直ぐにＨＣlに変化するが、上記のＣl化された部位の場合では溶融成形で外れるよりもむしろ、成形後、常温下で光分解等により徐々に生成してゆくものであることが判った。
　従って、四塩化炭素がポリカーボネート樹脂中に残留している場合や二相界面法によるポリカーボネート樹脂製造工程途中で生成するクロロホーメート基が残留している場合には、溶融成形後、成形品を一旦純水で洗浄することで除去される。一方、上記の残存Ｃl2により塩素化された部位の場合、溶融成形時にポリカーボネート樹脂に熱がかかることにより一時的にＣlが発生するものもあるが、一旦純水により洗浄してもなお完全に除去されず、成形後放置しておくと徐々に発生してくることが判った（検出はＣlイオンとして認められる）。この様なＣlを「揮発性Ｃl」と云う。即ちポリカーボネート樹脂成型品を放置する際、一定の飽和吸水状態に移行しようと水分を吸水する時、あるいはその反対で一定の飽和吸水状態からドライ（DRY）な環境下に置かれ水分を吐き出す時にＣlイオンが成形品から揮発される（この様なＣlを揮発性Ｃlと云う）。
　被収納物に対する汚染性のうち、とりわけ塩素不純物は、腐食の要因とされており、汚染の重要な要因となっている。通常これらの収納容器は使用前に十分な洗浄が行なわれ容器表面の塩素不純物については除去可能であるが、いったん被収納物を収納した後、輸送、保管中などの環境下で放置されている間に容器を構成している樹脂から徐々に揮発してくる塩素については何ら有効な手段がなかった。」（段落0002〜0008）
２ｄ．「【発明が解決しようとする課題】本発明は、収納された精密部材を組み込み、もしくは加工したものに誤作動することのない精密部材用収納容器の提供を目的とする。」（段落0009）
２ｅ．「【作用】精密部材用収納容器（以下、単に容器という。）の素材樹脂として揮発性塩素の少ないポリカーボネート樹脂を基材として用いることにより、容器内に収納された精密部材への塩素不純物による汚染を低減することができる。」（段落0011）
２ｆ．「【発明の実施の形態】本発明の容器は、揮発性塩素イオン量が３０ｐｐｂ（パート パー ビリオン）以下、好ましくは２０ｐｐｂ以下、より好ましくは１０ｐｐｂ以下のポリカーボネート樹脂を基材とし、これを射出成形、押出成形、インフレーション成形、中空成形、差圧成形、真空成型、圧空成形等の成形方法で容器に成形したものである。……
　
ポリカーボネート樹脂の製造
　上記従来のカーボネート結合を有する樹脂の製造方法としては、
１）ホスゲンとジフェノールとを界面重縮合条件下もしくは溶液重合条件下で反応させる方法、
２）ホスゲンとフェノールとを反応させてジフェニルカーボネートを製造し、これとジフェノールとを溶融縮合条件下で反応させる方法
等を挙げることができる。……」（段落0012〜0014）
２ｇ．「（ｄ）重縮合反応
　……。重縮合完結後は、残存するクロロホーメート基が０.０１μeq/g以下になるまで、ＮaＯＨのようなアルカリで洗浄処理する。その後は、電解質が無くなるまで、有機相を洗浄し、最終的には有機相から適宜不活性有機溶媒を除去、ポリカーボネート樹脂を分離する。」（段落0033〜0034）
２ｈ．「
ポリカーボネート樹脂
このようにして得られるポリカーボネート樹脂の平均分子量（Ｍv）は、通常１０,０００〜１００,０００程度である。なお、平均分子量（Ｍv）とは、オリゴマーまたはポリカーボネートの濃度（Ｃ）が０.６g/dl塩化メチレン溶液を用いて、温度２０℃で測定した比粘度（ηsp）から、下記の式（１）及び（２）を用いて算出した値である。
　ηsp/Ｃ＝[η](１＋０.２８ηsp)　　　　　式（１）
　[η]＝１.２３×１０-5Ｍv0.83　　　　　　式（２）
　また、このようにして得られるポリカーボネート樹脂は、加熱発生Ｃl量（ポリマー当たりのＣl発生量（ｐｐｂ））を３０ｐｐｂ以下、好ましくは２０ｐｐｂ以下、特に好ましくは１〜２０ｐｐｂ程度にまで低下することができる。従って、容器への成形加工時においても変色し難い等の利点がある。……」（段落0035〜0037）
２ｉ．「実施例１〜５
ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）１５.０９kg/時、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）５.４９kg/時及び水９３.５kg/時を、ハイドロサルファイト０.０１７kg/時の存在下に、３５℃で溶解した後、２５℃まで冷却した水相並びに５℃に冷却した塩化メチレン６１.９kg/時の有機相を、各々内径６mm、外径８mmのテフロン製配管に供給し、これに接続する内径６mm、長さ３４ｍのテフロン製パイプリアクターにおいて、ここに別途導入される０℃に冷却した表−１に示すＣl量の液化ホスゲン７.２kg/時と接触させた。
　上記原料（ビスフェノールＡ・水酸化ナトリウム溶液）はホスゲンとパイプリアクター内を、１.７ｍ/秒の線速にて２０秒間流通する間に、ホスゲン化、オリゴマー化反応を行った。この時、反応温度は、断熱系で塔頂温度６０℃に達した。反応温度は、調整しいずれも次のオリゴマー化槽に入る前に３５℃迄外部冷却を行った。オリゴマー化に際し、触媒トリエチルアミン０.００５kg/時及び分子量調節剤のｐ−ｔ−ブチルフェノール０.３９kg/時は、各々、オリゴマー化槽に導入した。
　このようにしてパイプリアクターより得られるオリゴマー化された乳濁液を、さらに内容積５０リットルの攪拌機付き反応槽に導き、Ｎ2雰囲気下３０℃で撹拌し、オリゴマー化することで、水相中に存在する未反応のビスフェノールＡのナトリウム塩（ＢＰＡ-Ｎａ）を完全に消費させた後、水相と油相を静置分離し、オリゴマーの塩化メチレン溶液を得た。
　上記オリゴマーの塩化メチレン溶液のうち、２３kgを、内容積７０リットルのファウドラー翼付き反応槽に仕込み、これに希釈用塩化メチレン１０kgを追加し、さらに２５重量％ＮａＯＨ水溶液２.２kg、水６kg及びトリエチルアミン２.２ｇを加え、窒素ガス（Ｎ2）雰囲気下３０℃で撹拌し、６０分間重縮合反応を行って、ポリカーボネート樹脂を得た。この反応液に、塩化メチレン３０kg及び水７kgを加え、２０分間撹拌した後、撹拌を停止し、水相と有機相を分離した。分離した有機相に、０.１Ｎ塩酸２０kgを加え１５分間撹拌し、トリエチルアミン及び少量残存するアルカリ成分を抽出した後、撹拌を停止し、水相と有機相を分離した。更に、分離した有機相に、純水２０kgを加え、１５分間撹拌した後、撹拌を停止し、水相と有機相を分離した。この操作を抽出排水中の塩素イオンが検出されなくなるまで（３回）繰り返した。
　得られた精製ポリカーボネート樹脂溶液を、４０℃温水中にフィードすることで粉化し、乾燥後粒状粉末（フレーク）を得た。……
　各実施例で得られた、オリゴマーについて平均分子量を、フレークについて平均分子量及び分子量分布を、成形品について、色調をそれぞれ測定した。その結果を表−１に示す。なお、表−１中のポリカーボネート樹脂の物性評価は、次のようにして行った。
（１）分子量分布（Ｍw/Ｍn）：……
（２）色調（ＹＩ）：
……
（３）揮発性Ｃl測定：フレークを、３０mm二軸押出機（池貝鉄鋼製）、樹脂温度２９０℃にて混練後、ペレット化した。このとき操作上Ｃl混入が懸念される点（人の手や汗及び冷却に使用するＨ２Ｏ）に関し、十分の注意を払い処理した。得られたペレット１０ｇを乾燥して吸水率を０.０５重量％以下とし、これをイオンクロマト水で洗浄済みの内径１０mmのガラス管に仕込み、真空（１mmＨg以下）下、溶封した（封管の長さは２０cmで一定とした）。このガラス管全体を２８０℃のオイルバス中に３０分間立てた状態で保持後、冷却、外部に付着したオイル等を綺麗に洗浄した後、同ガラス管をそのままの状態で３日間室温保持した。ポリマーの浸析部の直上を切断（焼き玉）し上部ガラス内部を純水１mlで洗浄、捕集、イオンクロマト分析、ポリマー１ｇ当たりの揮発性Ｃl量として求めた。
（４）収納容器：ペレットをシリンダー温度２９０℃、金型温度８０℃、成形サイクル４０秒で射出成形し、図１に示すような、２５枚の直径が６インチのウェハーを５mm間隔をおいて配列担持可能な溝２ｂを並列するようにリブ２ａを２６個突設して、Ｖ溝状のウェハー収納溝を形成したケース状のウェハーキャリア２、ウェハーを収納する容器本体３、および該本体３に開閉自在に設けられる蓋体４とからなる直径６インチの半導体ウェハー用収納容器の３点を得た。一方、シリンダー温度２２０℃、金型温度５０℃、成形サイクル４０秒の条件下で、その製造工程、原料、添加剤中に塩素成分を検出しえなかった熱可塑性ポリエステルエラストマーを用い蓋体４の内面に嵌装されるウェハー押え５と、シール用のパッキン６を射出成形した。
　上記条件で構成された収納容器１０個をクリーンルーム内に移し、イオンクロマトグラフィーで測定されるＣlイオン量が検出下限１ｐｐｂ以下である純水を用い、その洗浄水のＣlイオン量が同様に検出下限１ｐｐｂ以下に達するまで、各部品を洗浄後、同クリーンルーム内で室温にて十分乾燥した。その後、キャリア２に、酸、純水で十分洗浄し、後述する測定法で測定したＣlイオン量がそれぞれ検出下限１ｐｐｂ以下の清浄な直径６インチ、厚さ４００μmの半導体用シリコンウェハー１枚をキャリア２の中央位置の２'，２'のＶ溝に接触するよう挿入した。
　次に、ウェハーを収納したキャリア２を図１に示す構成で組み立て後、さらに個々の収納容器をアルミラミネート袋に入れて開封部をヒートシールにより密閉し、この状態でクリーンルーム内に常温で１２０時間放置した。なお、これらのウェハーを挿入する操作はクリーンルーム内に設置したブース内の窒素ガス雰囲気下において行った。
　１２０時間放置後、アルミラミネート袋、容器を開封、ウェハーを取り出し、純水２０ml表面を洗浄、表面に付着しているＣlイオンを捕集した。こうして得られた液をイオンクロマトグラフィーで分析し、同水中に含有されるＣlイオン量を測定した。得られた数値の１０個の平均値をポリカーボネート樹脂当りに換算し、表−１に記載した。……。また、容器に３０日間保管されたウエハーを加工して得たＩＣチップは誤作動を何ら生じなかった。
【表１】
」（段落0043〜0056）
　
◎甲第３号証刊行物：特開平５−１４８３５５号公報
３ａ．「【請求項１】エステル交換触媒の存在下で、２価ヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルをエステル交換法により溶融重縮合させて得られるポリカーボネート中に含まれる鉄濃度が５ｐｐｍ以下であることを特徴とするポリカーボネート。
【請求項２】エステル交換触媒の存在下で、２価ヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルをエステル交換法により溶融重縮合させて得られるポリカーボネート中に含まれる鉄濃度が５ｐｐｍ以下であり、かつクロム、ニッケル濃度が共に１ｐｐｍ以下であることを特徴とするポリカーボネート。
【請求項３】ポリカーボネートの全末端のうち、水酸基末端が２０ｍｏｌ％以下であることを特徴とする請求項１，２記載のポリカーボネート。
【請求項４】ポリカーボネート中のナトリウム濃度が１ｐｐｍ以下であり、かつ塩素濃度が１０ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１，２，３記載のポリカーボネート。」（特許請求の範囲の請求項１〜４）
３ｂ．「【産業上の利用分野】本発明は、エステル交換触媒の存在下で２価ヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとを重縮合させて得られる鉄、クロム、ニッケル、ナトリウム、塩素含量が少なく水酸基末端濃度が低くかつ着色のない高分子量ポリカーボネートに関するものである。」（段落0001）
３ｃ．「【従来技術及び発明が解決しようとする課題】本発明の高分子量ポリカーボネートは、幅広い用途、特に射出成形用または窓ガラスの代わりのガラスシートとしての用途を有する汎用エンジニアリングサーモプラスチックスである。
　エステル交換反応においては、２価のフェノールと炭酸ジエステルにエステル交換触媒を加えて、加熱減圧下、フェノールを留出させながらプレポリマーを合成し、最終的に高真空下、２９０℃以上に加熱してフェノールを留出させ高分子量のポリカーボネートを得ている（米国特許４３４５０６２号明細書）が、高分子量のポリカーボネートは他のエンジニアリングプラスチックスと異なって、溶融粘度が極めて大きいので、反応条件として２９０℃以上の高温を必要とし、また、沸点の高いフェノールを留去させるために高真空（１〜１０-2Ｔｏｒｒ）を必要とするため、設備の面からも工業化は難しく、さらに生成するポリカーボネートの色相や物性に好ましくない影響を及ぼすことが知られている。
　例えば、特開昭６３−２１０１２６にはポリカーボネートの高処理温度（２８０〜３５０℃）において樹脂の変色と分子量の低下をもたらす不純物をいずれも含有していないことが重要であり、鉄はこの点に関し特に望ましくない影響を及ぼしうる不純物の一つであると記載されている。しかしながら、エステル交換法で製造されたポリカーボネート中の鉄含量を規定したものはなかった。
　また、ポリマー デグラデーション アンド スタビリティー ３１, (１９９１) １６３−１８０には、ポリカーボネート鎖の末端ビスフェノール骨格が熱分解した結果、低分子フェノールが生成することが記載されており、末端ＯＨ基濃度が高くなると樹脂の着色が見られ、さらに、高分子量化が達成しにくいことを示唆している。」（段落0002〜0005）
３ｄ．「【課題を解決するための手段】本発明者らは、カーボネート結合を生成する化合物として２価ヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとをエステル交換触媒の存在下、重縮合させることによって、得られるポリカーボネート中の鉄、クロム、ニッケル、ナトリウム、塩素濃度及びポリカーボネートの全末端のうちの水酸基末端濃度を測定した。この際、本発明者らは、エステル交換法で得られるポリカーボネート中の特に、鉄、クロム、ニッケル濃度と樹脂の着色とに相関関係があることを見出だした。すなわち、これら金属濃度が低いほど着色のないポリカーボネートが得られる事実を見出すに至った。
　特に、鉄、クロム、ニッケル等の金属成分の含有量を少なくするためには、重合装置としてこれらの金属成分の含量、特に鉄含量の少ない材質のものを用いれば良いということを見出だした。」（段落0006〜0007）
３ｅ．「【実施例１】２，２−ビス(４−ヒドロキシフェニル)プロパン２２.８ｇ（０.１モル）、ジフェニルカーボネート２１.９ｇ（０.１０２５モル）と４−ジメチルアミノピリジン０.０２４ｇ（２×１０-4モル）をハステロイ製のセパラブルフラスコに入れ窒素下、１８０℃で溶融させよく攪拌し、徐々に減圧しながら昇温させ、最終的に０.１Ｔｏｒｒ，２７０℃にし、生成するフェノールを留去せて、無色透明なポリカーボネートを得た。色相値はＡ380−Ａ580＝０.０９であった。色相の評価は、……、この値が大きいほど着色していることを示す。得られたポリカーボネートの粘度平均分子量（Ｍv）を測定するとＭv＝２９,０００であった。……
　ポリカーボネート中の鉄濃度は０.５ｐｐｍであった。また、クロム、ニッケル濃度は、共に０.１ｐｐｍ以下であった。……尚、この際、鉄、クロム、ニッケルの検出限界はいずれも０.１ｐｐｍである。
　水酸基末端濃度は、８モル％であった。……
　ポリカーボネート中のナトリウム濃度は０.１ｐｐｍであり、塩素濃度は、１ｐｐｍであった。ナトリウム濃度の測定は、……。検出限界は０.０５ｐｐｍである。ポリカーボネート中の塩素濃度の測定は、……。検出限界は０.５ｐｐｍである。
【実施例２】実施例１と全く同様な条件下で４−ジメチルアミノピリジンの代わりに酢酸カリウム０.０９８mg（１×１０-6モル）を加え、実施例１と同様の方法で重縮合反応を行い無色透明なポリカーボネートを得た。色相値はＡ380−Ａ580＝０.０８であった。粘度平均分子量は２８,０００でありガラス転移温度は１４９℃であった。鉄、クロム、ニッケル濃度は、それぞれ０.７ｐｐｍ、０.１ｐｐｍ以下、０.１ｐｐｍ以下であった。水酸基末端濃度は、１０モル％であった。ナトリウム、塩素濃度は、それぞれ０.２ｐｐｍ、０.８ｐｐｍであった。
【実施例３】実施例１と全く同様な条件下で、エステル交換触媒として、４−ジメチルアミノピリジン０.００２４ｇ（２×１０-5モル）と酢酸カリウム０.２０mg（２×１０-6モル）を加え、実施例１と同様の方法で重縮合反応を行い無色透明なポリカーボネートを得た。色相値はＡ380−Ａ580＝０.０９であった。粘度平均分子量は２８,５００であり、ガラス転移温度は１５０℃であった。鉄、クロム、ニッケル濃度は、それぞれ０.５ｐｐｍ、０.１ｐｐｍ以下、０.１ｐｐｍ以下であった。水酸基末端濃度は、１８モル％であった。ナトリウム、塩素濃度は、それぞれ０.３ｐｐｍ、０.５ｐｐｍであった。
【実施例４】２，２−ビス(４−ヒドロキシフェニル)プロパン１１.４ｇ（０.０５モル）、２，２−ビス(４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔブチルフェニル)プロパン１７.０ｇ（０.０５モル）、ジフェニルカーボネート２２.５ｇ（０.１０５モル）とイミダゾール０.０６８ｇ（１×１０-3モル）を窒素下、溶融後攪拌しながら実施例１と同様な方法で重縮合反応を行い無色透明なポリカーボネートを得た。色相値はＡ380−Ａ580＝０.０９であった。粘度平均分子量は２５,５００であり、ガラス転移温度は１２５℃であった。鉄、クロム、ニッケル濃度は、それぞれ１.０ｐｐｍ、０.１ｐｐｍ以下、０.１ｐｐｍ以下であった。水酸基末端濃度は、１３モル％であった。ナトリウム、塩素濃度は、それぞれ０.３ｐｐｍ、０.９ｐｐｍであった。」（段落0023〜0029）
　
◎甲第４号証刊行物：特開平６−１００６８３号公報
４ａ．「【請求項１】　不純物としての塩化メチレンの含有量が２０ppm以下であることを特徴とするディスク基板用ポリカーボネート。
【請求項２】　不純物として塩化メチレンの含有量が２０ppm以下であって、かつ未反応ビスフェノール類の含有量が２０ppm以下である請求項１記載のディスク基板用ポリカーボネート。」（特許請求の範囲の請求項１〜２）
４ｂ．「【産業上の利用分野】本発明はディスク基板用ポリカーボネートに関し、詳しくは不純物としての塩化メチレンの含有量が極めて少なく、ディスク基板の素材として有用な高純度のポリカーボネートに関する。」（段落0001）
４ｃ．「【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】一般に、ポリカーボネートは光ディスクや磁気ディスク等のディスク基板の素材として利用されている。しかし、このポリカーボネートは、ディスク基板として成形使用するにあたって、○１記録膜中に存在する鉄，ガリウム，テルビウム等の金属が徐々に腐食を受ける、あるいは○２この基板と記録膜との密着性が不充分である等様々な問題があった。そこで本発明者らは、ポリカーボネートをディスク基板として使用するにあたっての上記の如き問題を解消すべく種々の検討を重ねたところ、従来のポリカーボネート、特にホスゲン法によって得られるポリカーボネートには、用いた溶媒としての塩化メチレンが不純物として含有されており、このような不純物が上述した様々な問題を引き起こす大きな原因になっていることが判明した。
【課題を解決するための手段】本発明者らは、このような知見に基いてさらに研究を続けたところ、これら不純物を含有するポリカーボネートをアセトン等の有機溶剤で処理すると、不純物である塩化メチレン含量が極めて少なく高純度のポリカーボネートとなり、これが上述した問題、特に記録膜の腐食性の問題を解消し、ディスク基板として非常にすぐれた性能を発揮することを見出した。」（段落0002〜0003）（なお、「○１」及び「○２」と記載している箇所は、甲第４号証刊行物においては数字を○で囲んでいる丸数字である。）
４ｄ．「本発明のポリカーボネートは、従来のポリカーボネートに比べて不純物（特に塩化メチレン）の含有量が少なく、純度の高いものである。一般に、従来のポリカーボネートには様々な不純物が含有されているが、特に溶媒として用いた塩化メチレンあるいは未反応ビスフェノール類（ビスフェノールＡなど）や低分子量成分（ポリカーボネートオリゴマーなど）が多く、またこれらの不純物、特に塩化メチレンはポリカーボネートをディスク基板に用いたときに、前述した如き種々の問題を引き起こす。
　本発明のポリカーボネートは、上述した不純物である塩化メチレンの含有量は２０ppm以下、好ましくは１５ppm以下である。また、更に好適なポリカーボネートは、塩化メチレンの含有量が２０ppm以下（好ましくは１５ppm以下）であって、かつ未反応ビスフェノール類の含有量が２０ppm以下、好ましくは１０ppm以下である。ここで、塩化メチレンが２０ppmを越えると、記録膜が腐食を受けやすくなる。また、未反応ビスフェノール類が２０ppmを越えると、ディスク基板と記録膜との接着性が不充分になることがある。」（段落0004〜0005）
４ｅ．「本発明のポリカーボネートは、様々な手法によって得ることが可能であるが、通常は各種方法で得られた不純物を含有する粉末状ポリカーボネートをアセトン等の有機溶媒で抽出処理することによって得られる。この不純物を含有する粉末状ポリカーボネートを製造する方法としては、特に制限はないが、通常はホスゲン法、特にビスフェノールＡ等のビスフェノール類とホスゲンを原料とし、塩化メチレンを溶媒とする界面重縮合法、とりわけ連続界面重縮合法をあげることができる。そのほか、エステル交換法やホスゲン法のうちのピリジンを溶媒とする所謂ピリジン重合法をあげることもできる。上記の粉末状ポリカーボネートとは、厳密な意味での粉末状のものに限定するわけではなく、フレーク状等のものをも包含する。つまり、ホスゲン法やエステル交換法で得られた粉末状，粒状，フレーク状等のポリカーボネートであって、ペレット化する前のものすべてを包含する。たとえば、上述の連続界面重縮合により得られる粉末状ポリカーボネートは、通常はフレーク状であって、不純物としてポリカーボネートのオリゴマー等の低分子量成分を４〜８重量％，ビスフェノールＡ等の未反応ビスフェノール類を７０〜１５０ppmおよび溶媒として用いた塩化メチレンを５０〜１５０ppm程度含有している。
　本発明のポリカーボネートは、このような不純物を含有する粉末状ポリカーボネートを、ヘキサン，メタノールやアセトン，メチルエチルケトンなどのケトン類、トルエン，キシレンなどのポリカーボネートに対しては弱い沈澱効果があるとされている有機溶媒にて抽出処理することによって得られる。抽出処理にあたっては、上記有機溶媒を粉末状ポリカーボネートの０.５〜２０倍量の範囲で使用し、温度を４０℃以上、用いる有機溶媒の沸点以下の範囲に設定することが好ましい。なお、この抽出処理は、通常は常圧下で行うが、加圧下で行うことも可能である。」（段落0006〜0007）
４ｆ．「【実施例】次に、本発明を実施例および比較例によりさらに詳しく説明する。
実施例１
低分子量成分４重量％，未反応ビスフェノールＡ１００ppmおよび塩化メチレン１００ppmを含有するフレーク状のポリカーボネート１００kgに、ヘキサン２２５kgを加えて４０℃で１時間撹拌して接触処理（抽出処理）を行った。その後、ヘキサンを除去し、１２０℃，３０〜１mmＨgの減圧下で２０時間乾燥した。得られたフレーク状のポリカーボネート中の不純物含量は第１表の通りであった。次に、このフレーク状のポリカーボネートにリン系酸化防止剤４ppm（リン換算）および脂肪族エステル２００ppmを添加した後に、押出機でペレット化し、射出成形機で直径１３cmのディスク基板を成形した。……
実施例２
実施例１において、抽出処理をヘキサンの代わりにメタノールを用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。結果を第１表に示す。
実施例３
実施例１において、ポリカーボネートとして低分子量成分４重量％，未反応ビスフェノールＡ１０ppmおよび塩化メチレン１０ppmを含有するフレーク状ポリカーボネートを用いたこと及びヘキサンによる抽出処理を行わなかったこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。結果を第１表に示す。
……
【表１】
」（段落0008〜0014）
　
◎甲第５号証刊行物：特開平３−１００５０１号公報
５ａ．「（１）末端水酸基の含有量が、重合の繰り返し単位当り０.３モル％以下であるポリカーボネート樹脂からなることを特徴とした光学用成形品。
（２）残留ナトリウム量が１ppm以下であることを特徴とする請求項１記載の光学用成形品。」（特許請求の範囲の請求項１及び２）
５ｂ．「［産業上の利用分野］
　本発明は、長期間にわたって高い信頼性を維持できる光学用成形品、及び該成形品のうち光学式ディスク基板を用いた光学式情報記録媒体に関する。」（1頁左下欄17行〜右下欄2行）
５ｃ．「［従来の技術と解決すべき課題］
　オーディオディスク，レーザーディスク，光ディスクメモリ，光磁気ディスクあるいは光カード等のレーザ光を利用して情報の再生，追記，書換えを行なう光学式情報記録媒体の基板、並びに、レンズ，プリズムあるいは光ファイバ等の光学部材として利用される光学用成形品には、成形性，強度，光線透過率及び耐湿性等の点で優れているポリカーボネート樹脂が多く用いられている。
　しかしながら、このように優れた性質を有するポリカーボネート樹脂も、高温，高湿下において白点を発生するという欠点がある。
　一方、光学用成形品のうち光学式ディスク基板あるいは光カード等の光学式情報記録媒体に要求される特性の一つとして、長期間（十年以上）にわたって高い信頼性を維持できるようにすることが必要である。ところが、上述したようにポリカーボネート樹脂は高温，高湿下において、成形品に白点を発生させるためビットエラー率（ＢＥＲ）の増加をもたらし、光学式情報記録媒体の寿命を縮める大きな原因となっていた。
　このため、従来よりポリカーボネート樹脂の精製処理法が種々研究されており、次のようなディスク基板用のポリカーボネート樹脂あるいはその製造方法が提案されている。
　例えば、○１特開平1-146926号においては、重合鎖の繰り返し単位数ｎが１〜３の低分子量体を０.２重量％以下、未反応ビスフェノールを１０ppm以下としたポリカーボネート樹脂成形材料が、また、○２特開昭64-56729号においては、低分子量成分４〜８重量％、未反応ビスフェノール類７０〜１５０ppm、及び塩化メチレン５０〜１５０ppmを含有する粉末状ポリカーボネートを４０℃以上でケトン類を用いて抽出処理する方法が、さらに、○３特開昭63-316313号においては、低分子量成分３重量％以下、未反応ビスフェノール類２０ppm以下、及び塩化メチレン20ppm以下としたポリカーボネート樹脂がそれぞれ提案されている。
　しかしながら、……
　さらに、上述した従来のものにおいては、ポリカーボネート樹脂成形品の高温，高湿下における白点発生が何に起因するものかも明らかではなかった。
　本発明は、上記事情にかんがみてなされたものであり、白点の発生を最小限に抑制し、ひいては信頼性の高い光学用成形品及び光学式情報記録媒体の提供を目的とする。
［課題の解決手段］
　本発明者等は、上記目的を達成するために鋭意研究を重ねてきた結果、ポリカーボネート樹脂を用いた成形品に発生する白点の原因が、樹脂中に含まれる末端水酸基の量、もしくは末端水酸基の量と残留微量金属、特にナトリウムとの相互作用によるものであることを見い出した。
　そして、ポリカーボネート樹脂中における末端水酸基の量と残留微量ナトリウムの量を、それぞれある基準値以下にすると、成形品に発生する白点を最小限に抑制できることを知見し、本発明に至った。」（1頁右下欄3行〜2頁左下欄12行、6頁左下欄末行〜右下欄4行の(1)、(2)の補正事項）（なお、「○１」、「○２」及び「○３」と記載している箇所は、甲第５号証刊行物においては数字を○で囲んでいる丸数字である。）
５ｄ．「本発明の光学用成形品において使用されるポリカーボネート樹脂としては、例えば、粘度平均分子量が１００００〜４００００、成形品が光学式ディスク基板である場合には１２０００〜２００００のものであれば特に制限はなく、二価フェノール類とホスゲンまたは、ジフェニルカーボネートのような炭酸エステルとの反応により製造されるものがある。」（2頁右下欄9〜16行）
５ｅ．「射出成形に用いる原料ポリカーボネート樹脂は、従来公知の方法により製造した後、溶液状態において酸洗，アルカリ洗，水洗を繰返したり、酸，アルカリの濃度を変更したり、濾過処理をしたり、あるいは粒状の原料を、例えば加熱条件下でアセトンなどの貧溶媒で洗浄したりして低分子量成分，未反応成分，金属成分などの不純物や異物を除去することが好ましい。
　いずれにしても、射出成形前の原料は、これらの処理の組合せによって異物，不純物，溶媒などの含有量を極力低くしておくとともに、重縮合条件をも含めて、末端水酸基の量を低く制御することが必要である。」（3頁右上欄15行〜左下欄7行）
５ｆ．「射出成形時における樹脂温度は３００〜４００℃とし、金型温度は通常５０〜１４０℃、好ましくは８０〜１３０℃とする。さらに、この射出成形時における金属成分の混入が少なくなるような材質の選定等を行なうことが好ましい。」（3頁左下欄15〜20行）
５ｇ．「このようにして製造した光学式ディスク基板中の末端水酸基の量は、重合鎖の繰り返し単位当り０.３モル％以下に、また残留微量金属（ナトリウム）の量は１ppm以下とする必要がある。
　本発明者達の実験によると、末端水酸基及びナトリウムの量がそれぞれ上記の量を越えると、光学式ディスク基板に発生する白点が急激に増加することが判明した。」（3頁右下欄6〜13行）
５ｈ．「末端水酸基の量を、重合鎖の繰り返し単位当り０.３モル％以下に、また残留微量金属（ナトリウム）の量を１ppm以下とするには、重縮合，重縮合後の塩化メチレン溶液のアルカリ洗，酸洗，高純度の水による水洗及び/または粒状ポリマーにした後の貧溶媒（アセトン）による洗浄等の有効な除去方法を組み合わせることによって行う。
　なお、より好ましい方法としては、重縮合、溶液状態での十分な洗浄によって得られた溶液により、例えば特開平1-74231号記載の方法により温水中で粒状体を得、この粒状体を塩化メチレンとアセトンなどからなる混合溶液で洗浄する方法を採用できる。この方法によれば分子量が低くても、１mm程度の粒状体が得られ、取扱いや、溶融成形が容易にできる。」（4頁左上欄4行〜19行）
５ｉ．「［実施例］
　本発明実施例１〜４の光学式ディスク基板と比較例１〜３の光学式ディスク基板を比較する。
○　ポリカーボネート樹脂基板
（１）使用原料
　ａ．重縮合条件
　ｂ．酸洗，アルカリ洗，水洗条件を種々変更
　ｃ．粒状化条件の変更
　ｄ．粒状体の抽出条件
　　　ポリカーボネートの良溶媒である塩化メチレンと、貧溶媒であるアセ
　　トンとの混合溶液で粒状ポリカーボネートを抽出処理する。
　　（粒状ポリカーボネート：溶液＝１：３）
　　　　　　　塩化メチレン：アセトン　温度　時間　回数
実施例１　　　　　　　　２：８　　　　50℃　１Ｈ　　２
実施例２　　　　　　　　２：８　　　　50℃　１Ｈ　　１
実施例３，４　　　　　　１：９　　　　50℃　１Ｈ　　１
比較例１　　　　　　　　０：１０　　　50℃　１Ｈ　　１
比較例２，３　　　　　　　　　市販品
（２）粘度平均分子量Ｍv＝約１４,０００〜１５,０００
　　　測定法： Schnellの粘度式
　　　　［η］＝１.２３×１０-5Ｍv0.83　
　　　　　　　ここでηは、固有粘度
（３）末端水酸基
　　　測定法： 1Ｈ-ＮＭＲ
　　　　　　　　　　　　　　　末端水酸基数
末端水酸基量（モル％）＝―――――――――――×１００％
　　　　　　　　　　　　重合鎖の繰返し単位数ｎ
　　末端水酸基量は０.３モル％以下、好ましくは０.２モル％以下とする。
（４）残留ナトリウム量
　　　測定法：原子吸光法
　　残留ナトリウム量は１ppm以下、好ましくは０.５ppm以下とする。
○　射出成形
　上記原料のうち、末端水酸基量、残留ナトリウム量の異なる原料を成形（成型温度：３４０℃，金型温度１２０℃）し、光ディスク基板を得た。
　　基板サイズ：１３０mmφ，厚み１.２mm
○　加速劣化テスト
（１）高温高湿条件：７０℃　９０％ＲＨ
　　　　　　　　　　８０℃　９０％ＲＨ
（２）定期的にサンプルを取り出し、目視により５０μm以上の白点の数を測定した。これを１０枚の光学式ディスク基板について行ない、その平均値を求めた（第１表参照）。
　この結果、本発明実施例のポリカーボネート樹脂基板の場合には、従来のものに比べて白点の発生が大幅に減少していることが判明した。」（4頁右上欄15行〜5頁右上欄3行、6頁右下欄5〜10行の(3)〜(5)の補正事項、7頁の表１）
　
◎甲第６号証刊行物：本間精一編「ポリカーボネート樹脂ハンドブック」１９９２年８月２８日，日刊工業新聞社，81頁
６ａ．「4.3.3 耐温水性グレード（耐蒸気性グレード）
　ポリカーボネートは炭酸エステル結合を有しているため、温水中で長時間使用すると，加水分解を起こし劣化する．ポリカーボネートの加水分解性を本質的に改良することは困難であるが，温水中で使用したときの白濁やクラック（スタークラック）の発生するまでの時間をできるだけ長時間側にシフトするような改良は可能である．白濁やクラック（スタークラック）に関しては添加剤（熱安定剤など）や樹脂中に含まれる異物（ごみ，無機塩類）が悪影響を与える．耐温水グレードとしては，添加剤の選定や異物をできるだけ減らした材料が使用されている．」（81頁1〜9行）
　
第６．乙第１〜２号証刊行物に記載の事項
◎乙第１号証刊行物：特開昭６３−９７６２７号公報
（イ）「ポリカーボネート樹脂よりなる基体上に光学的に信号が読み取られる情報記録層を設けてなる光学式情報記録媒体において、
　上記基板は残留塩素量が１.０ppm以下とされたことを特徴とする光学式情報記録媒体。」（特許請求の範囲）
（ロ）「〔発明が解決しようとする問題点〕
　ところで、上述の金属系記録材料により情報記録層が形成されてなる光学式情報記録媒体においては、その実用化にあたって耐蝕性の改善が大きな課題となる。
　実際、ポリカーボネート樹脂成形体を基板とする光学式情報記録媒体（例えばコンパクトディスクや光磁気ディスク）を高温高湿下で保存すると、記録膜や反射膜等に腐食が発生する。この腐食の発生は、再生不良等をもたらし、信頼性を保証しなければならない光学式情報記録媒体において大きな問題となる。
　そこで、本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案されたものであって、ポリカーボネート樹脂成形体を基板とする光学式情報記録媒体における腐食の発生を抑制することを目的とし、再生不良の発生が少なく信頼性の高い光学式情報記録媒体を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
　本発明者等は、ポリカーボネート樹脂を基板材料とする光学式情報記録媒体における腐食発生のメカニズムを究明すべく長期に亘り鋭意検討を重ねた結果、基板に残存する残留塩素が深く関わっているとの知見を得るに至った。」（2頁左上欄14行〜右上欄18行）
　
◎乙第２号証刊行物：本間精一編「ポリカーボネート樹脂ハンドブック」１９９２年８月２８日，日刊工業新聞社，46〜53頁
「3.3.3 エステル交換法
　……
　エステル交換反応は，理論的には１molのビスフェノールＡと１molのジフェニルカーボネートとの等モル反応である．このとき２molのフェノールが副生してくるので，高分子量ポリカーボネートをえるにはこのフェノールを反応系から除去してやる必要がある．エステル交換反応中は150〜300℃のもと真空下で行い，反応の終わり頃にはさらに真空度を上げてやる必要がある．」（48頁下から7〜3行）
　
第７．判断
１．無効理由１について
（１）本件特許発明１について
（Ａ）甲第２号証刊行物に記載された発明
　甲第２号証刊行物において、精密部材用収納容器を成形するために使用される「ポリカーボネート樹脂」は、ホスゲンとジフェノール（例えば、ビスフェノールＡ）とを反応させる方法で製造されたものである〔摘示２ａ、２ｆ、２ｉ〕から、「芳香族ポリカーボネート樹脂」であると言える。そして、ポリカーボネート樹脂の平均分子量（Ｍv）についての記載〔摘示２ｈ〕、及び、Ｃlイオン量についての記載〔摘示２ａ、２ｆ、２ｈ〕を踏まえると、甲第２号証刊行物には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「平均分子量（Ｍv）が１０,０００〜１００,０００の芳香族ポリカーボネート樹脂であって、吸水率が０.０５重量％以下になるまで乾燥した芳香族ポリカーボネート樹脂をガラス管に入れ、１mmＨg以下の圧力で封入した後、これを２８０℃で３０分間加熱し、ついで２３℃まで冷却後、３日間常温（２３℃）放置する間に封入したガラス管の気相部に揮発してくるＣlイオン量が３０ｐｐｂ以下である芳香族ポリカーボネート樹脂を基材とする精密部材用収納容器」
　
（Ｂ）対比
　次に、本件特許発明１と引用発明１とを対比する。
　本件特許発明１における「薄板収納搬送容器」とは、本件特許明細書の段落0001や段落0026にその説明があるとおり、コンパクトディスク、ハードディスクやＭＯに代表される磁気ディスクあるいは集積回路チップへと加工されるウエーハなどの薄板を収納あるいは運搬するための容器である。一方、引用発明１における「精密部材用収納容器」とは、摘示２ｂのとおり、「被収納物が極微量の汚染をも敬遠する電気部材、電子機器部材等の精密部材（生ウェハー、ディスクリートウェハー、回路加工途中のウェハー、バータントウエハー、ダイシングウエハーなどの半導体用各種ウェハーや、ＩＣチップ等の半導体材料など、フォトマスクなどの各種マスク類、リードフレーム、アルミディスクなどのディスク基板、液晶パネル、プラズマディスプレイ等の各種表示素子など）等の精密部材用収納容器であり、また、ここで言う「収納」とは、同じく摘示２ｂにおける「収納（運搬、保管並びに各工程中の搬送を含む）容器」との記載からみて、運搬・保管・搬送を含むものである。よって、引用発明１における「精密部材用収納容器」は、本件特許発明１における「薄板収納搬送容器」に相当する。
　ところで、「芳香族ポリカーボネート樹脂」の「分子量」に関して、本件特許発明１では「粘度平均分子量」で特定しているが、この「粘度平均分子量」とは、本件特許明細書の段落0020で次のように定義されている。
「本発明でいう粘度平均分子量Ｍは塩化メチレン１００mlに芳香族ポリカーボネート樹脂０.７ｇを２０℃で溶解した溶液から求めた比粘度（ηsp）を次式に挿入して求める。
ηsp/ｃ＝[η]＋０.４５×[η]2ｃ（但し[η]は極限粘度）
[η]＝１.２３×１０-4Ｍ0.83　
ｃ＝０.７」
　一方、引用発明１における「平均分子量（Ｍv）」とは、摘示２ｈに示されているように、「平均分子量（Ｍv）とは、オリゴマーまたはポリカーボネートの濃度（Ｃ）が０.６g/dl塩化メチレン溶液を用いて、温度２０℃で測定した比粘度（ηsp）から、下記の式（１）及び（２）を用いて算出した値である。
ηsp/Ｃ＝[η](１＋０.２８ηsp)　　　式（１）
[η]＝１.２３×１０-5Ｍv0.83　　　　式（２）」
と定義されるものであり、これら二つの定義は異なっており、よって、本件特許発明１における「粘度平均分子量」と引用発明１における「平均分子量（Ｍv）」とはその数値を直接比較することはできない。
　これを踏まえた上で、本件特許発明１と引用発明１とを対比すると、両者は、次の一致点、相違点を有する。
　
○一致点
「芳香族ポリカーボネート樹脂から成形された薄板収納搬送容器」の点。
　
○相違点ａ
　芳香族ポリカーボネート樹脂の分子量について、本件特許発明１では「粘度平均分子量が１４０００〜３００００」と規定しているのに対して、引用発明１では「平均分子量（Ｍv）が１０,０００〜１００,０００」と規定している点。
○相違点ｂ
　芳香族ポリカーボネート樹脂中の塩素に関した含有量について、本件特許発明１では「塩素原子含有量が１０ｐｐｍ以下」と特定しているのに対して、引用発明１では「吸水率が０.０５重量％以下になるまで乾燥した芳香族ポリカーボネート樹脂をガラス管に入れ、１mmＨg以下の圧力で封入した後、これを２８０℃で３０分間加熱し、ついで２３℃まで冷却後、３日間常温（２３℃）放置する間に封入したガラス管の気相部に揮発してくるＣlイオン量が３０ｐｐｂ以下」と規定している点。
○相違点ｃ
　芳香族ポリカーボネート樹脂中の塩素以外の不純物の含有量に関して、本件特許発明１では「炭素数が６〜１８であるフェノール化合物の合計含有量が１００ｐｐｍ以下であり、ナトリウム、カリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、ニッケルおよび鉄原子の含有量の合計が０.７ｐｐｍ以下であり、且つナトリウムの含有量が０.２ｐｐｍ未満」と特定しているのに対して、引用発明１では、これらの含有量についての規定がない点。
　
（Ｃ）相違点の検討
　そこで、上記相違点について検討する。
　
○相違点ｃについて
　本件特許明細書には次の記載がある。
「【発明の属する技術分野】
　本発明は、磁気ディスクあるいは集積回路チップへと加工されるウエーハなどを収納あるいは運搬するために使用される薄板収納搬送容器用のポリカーボネート樹脂に関するものである。さらに詳しくは、半導体ウエーハや磁気ディスクの表面汚れとして支障を及ばさない程度まで金属原子および揮発性ガスの発生を抑制した薄板収納搬送容器用のポリカーボネート樹脂に関するものである。」（段落0001）
「最近の半導体ウエーハの大口径化と共に容器からのウエーハ表面への汚染に対する要求がより厳しくなり、同時により高強度の材料が求められるようになった。そして、ウエーハだけでなく磁気ディスク収納搬送容器に関しても同様の要求がある。この要求に適した成形材料としてポリカーボネート樹脂あるいはこれを主成分とする樹脂組成物を用いる試みがなされるようになった。
　これら薄板収納搬送容器用材料の理想は、揮発あるいは漏出の可能性のある不純物成分が材料中に全く存在しないことである。しかしながら、現実には、揮発あるいは漏出の可能性のあるすべての不純物成分を材料からなくすことは技術的に不可能である。重要なのは、シリコンウエーハ等の薄板に影響を与える不純物の種類や量およびその組み合わせを実害のない程度に抑制することが肝要である。さらに、例えば加熱時における揮発分測定の際に検出されるもの中で注意すべき成分は何か、そして、それに関し目的材料として揮発量はどのくらい減らせばよいかを知ることである。
　しかしながら、“ポリカーボネート樹脂あるいはこれを材料とした成形品から漏出する有機物や無機不純物の種類”と“ウエーハ表面の汚染度”との関係については、明確な知見がなく、成形材料について最適の選択をすることは現在極めて困難な状態にある。」（段落0005〜0007）
「【発明が解決しようとする課題】
　本発明は、表面汚染に敏感とされる半導体ウエーハや磁気ディスク等の薄板の表面汚染を低減できるポリカーボネート樹脂から成形された薄板収納搬送容器を提供することを目的とする。
　本発明者は鋭意検討の結果、ポリカーボネート樹脂において、粘度平均分子量、特定成分の含有量を規制し、さらに特定の加熱試験における特定成分の揮発量を規制することによって上記目的を達成できることを見出し、本発明に到達した。」（段落0008）
「本発明で使用される芳香族ポリカーボネート樹脂は、二価フェノールとカーボネート前駆体とを溶液法または溶融法で反応させて得られるものである。」（段落0010）
「本発明のポリカーボネート樹脂の分子量は、粘度平均分子量（Ｍ）で１４,０００〜３０,０００が好ましく、１４,５００〜２５,０００がより好ましく、１５,０００〜２３,０００がさらに好ましい。かかる粘度平均分子量を有する芳香族ポリカーボネート樹脂は、一定の機械的強度を有し成形時の流動性も良好であり好ましい。分子量が１４,０００未満の場合は、成形品に強度がでないため実用的な材料が得られず、分子量が３０,０００を超える場合は、成形流動性が劣るという問題が生じる。さらにこの場合、シリコンウエーハ等の薄板汚染の原因となるフェノール化合物や塩素系有機溶媒が、押出加工中に樹脂中から揮発しにくくなる問題が生じ、それを解消しようと押出温度を上げると、塩素系有機溶媒は低減されるが、樹脂の分解が進みフェノール化合物量が増える結果となる。」（段落0019）
「本発明におけるポリカーボネート樹脂中の塩素原子含有量は、ポリカーボネート樹脂に対して１０ｐｐｍ以下であり、特に好ましいのは８ｐｐｍ以下である。塩素原子は、製造中に使用した前記の塩素系有機溶媒がポリカーボネート樹脂中に残留したものがほとんどであり、これに加えて、ポリマー鎖に残った微量の未反応のクロロホーメート基に由来するものである。残存する塩素系有機溶媒が多くなると樹脂から漏出してウエーハなどの薄板汚染につながり、ポリマー鎖に残った未反応のクロロホーメート基はそれ自体ポリマーより漏出することはないが、その量が多くなると成形加工においてポリマーの分解を微妙に促進して低分子量分つまり揮発成分をふやし結果的に薄板汚染につながる。」（段落0021）
「本発明において、炭素数が６〜１８であるフェノール化合物とは、ポリカーボネート樹脂の製造の際に用いられる末端封鎖用の１価フェノール化合物、原料の２価フェノールおよび添加剤を構成するフェノール化合物である。
　それらは、未反応フェノール化合物が残留したものあるいはポリカーボネート樹脂や添加剤の分解によるものである。炭素数が１８を超えるフェノール化合物は揮発性が低くなるため、炭素数が１８を超えるフェノール化合物の含有量だけがふえても本発明の達成に関する影響は小さい。
　……
　本発明において炭素数が６〜１８であるフェノール化合物の合計含有量はポリカーボネート樹脂に対して１００ｐｐｍ以下であり、好ましくは７０ｐｐｍ以下である。含有量が１００ｐｐｍを超えると、揮発するフェノール化合物の量も多くなり、ウエーハ等の薄板を汚染することになる。」（段落0022〜0025）
「本発明のポリカーボネート樹脂において、樹脂中のカリウム、ナトリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、ニッケルおよび鉄原子の含有量の合計は、ポリカーボネート樹脂に対して０.７ｐｐｍ以下であることが好ましい。０.７ｐｐｍを超えるとかかる金属により成形加工において樹脂の分解が促進され易くなり、結果として薄板表面を汚染する揮発分を生じやすくなる。
　本発明のポリカーボネート樹脂において、これを１５０℃で１時間加熱した場合、揮発する塩素系有機溶媒量の合計量は、測定に使用したポリカーボネート樹脂に対して０.０５ｐｐｍ以下であり、且つ揮発する炭素数が６〜１８であるフェノール化合物の合計量が、測定に使用したポリカーボネート樹脂に対して０.２ｐｐｍ以下であることが好ましい。揮発する塩素系有機溶媒量の合計量が０.０５ｐｐｍを超えるか、あるいは揮発する炭素数が６〜１８であるフェノール化合物の合計量が０.２ｐｐｍを超えるポリカーボネート樹脂を使用すると、ウエーハ等の薄板を汚染することとなる。」（段落0027〜0028）
「本発明のポリカーボネート樹脂が発明の目的とするウエーハ等の薄板収納搬送容器用に適合した材料であるか確認するために、薄板表面のわずかの汚染状況を測定する必要がある。その測定方法として、容器に長時間放置した際に、ウエーハ表面と水との接触角が放置前と放置後でどのくらい変わったっかを判定する方法がある。ミクロのレベルでわずかに表面が汚染されただけもこの接触角は大きく変化することから、簡便な評価法として用いることができる。」（段落0031）
「本発明において、ポリカーボネート樹脂中に残存する塩素系有機溶媒や炭素数６〜１８のフェノール化合物を少なくする方法としては、例えば、ポリカーボネート樹脂の乾燥を強化する方法、表面積を大きくしたポリカーボネート樹脂を乾燥する方法、そして、貧溶媒でポリカーボネート樹脂粉粒体の洗浄を行なう方法などが挙げられる。」（段落0032）
「貧溶媒でポリカーボネート樹脂、殊に樹脂パウダーの洗浄を行なう方法を採用することにより、ポリカーボネート樹脂中のフェノール化合物が貧溶媒へ抽出される。さらに、この方法はかかる貧溶媒がポリカーボネート樹脂中の塩素系有機溶媒と置換され塩素系有機溶媒を少なくする効果もある。貧溶媒としては、アセトン、メタノール、ヘプタン等が挙げられ、なかでもアセトンが好ましく用いられる。
　また、金属原子を少なくする方法としては、良溶媒に溶かしたポリカーボネート樹脂溶液を純水と混合、分液を繰り返し洗浄する方法やフィルターでろ過する方法等が用いられる。」（段落0035〜0036）
「［製造例１］
温度計、撹拌機及び還流冷却器付き反応器にイオン交換水２１９４部、４８％水酸化ナトリウム水溶液４０２部を仕込み、これに２，２−ビス(４−ヒドロキシフェニル)プロパン５７５部（２.５２モル）およびハイドロサルファイト１.２部を溶解した後、塩化メチレン１８１０部を加え、撹拌下１５〜２５℃でホスゲン２８３部を４０分要して吹込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、４８％水酸化ナトリウム水溶液７２部およびｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１９.６部を加え、撹拌を始め、乳化後トリエチルアミン０.６部を加え、さらに２８〜３３℃で１時間撹拌して反応を終了した。反応終了後生成物を塩化メチレンで希釈して水洗した後塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン交換水と殆ど同じになったところで、ポリカーボネート樹脂の塩化メチレン溶液を分液した。この塩化メチレン溶液にトリス(ノニルフェニル)ホスファイトをポリカーボネート樹脂に対して２５ｐｐｍとなる量添加した。
　得られたポリカーボネート樹脂の塩化メチレン溶液を６０℃の温水（ニーダー内部空間容量の１０％程度を占める量）が仕込まれたニーダーに攪拌下に投入し、スチームを吹き込みながら塩化メチレンを蒸発除去させてポリカーボネート樹脂の造粒を行なった。１時間かけてかかる塩化メチレン溶液を投入し、投入終了後もそのまま攪拌を１０分間継続して行い、ポリカーボネート粉粒体の水スラリーを得た。得られた水スラリーは、ポリカーボネート粉粒体の量が水スラリーの量に対して２５重量％であり、塩化メチレン量が水スラリーの量に対して２５重量％であった。かかる水スラリーを粉砕機に通してスラリー中のポリカーボネート粉粒体を粉砕し、さらに遠心脱水を行ないポリカーボネート粉体を得た。このポリカーボネート粉体を乾燥機に入れて１２０℃で７時間乾燥し、次いで２８０℃で溶融押出を行ない、粘度平均分子量１８,５００のポリカーボネート樹脂ペレットを得た。このペレット中に残存するｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールの量は３０ｐｐｍであり、ビスフェノールＡの量は１９ｐｐｍであり、塩素原子含有量は７ｐｐｍであり、金属としてのＦeの量が０.１１ｐｐｍであった。」（段落0053〜0054）
「［実施例１］
製造例１で得られたペレットを使用して、半導体ウエーハ用収納搬送容器を成形した。この半導体ウエーハ用収納搬送容器に所定枚数の半導体ウエーハを挿入し、密閉容器内で１週間常温保持した後、半導体ウエーハをとりだし表面５カ所で、水とウエーハ表面との接触角を測定した。測定した接触角の平均、および挿入前ブランクの接触角の平均を表１に示した。また、製造例１で得られたペレットを１５０℃、１時間処理した時の揮発量を表１に示した。」（段落0057）
「【表１】
」（段落0061の表１の実施例１の部分）
「【発明の効果】
　本発明のポリカーボネート樹脂は、表面汚染に敏感とされる半導体ウエーハや磁気ディスク等の薄板の表面汚染を低減できる薄板収納搬送容器の材料として好適に使用され、その奏する工業的効果は格別のものがある。」（段落0064）
　
　以上の本件特許明細書の記載によると、本件発明１は、表面汚染に敏感とされる半導体ウエーハや磁気ディスク等の薄板の表面汚染を低減できるポリカーボネート樹脂から成形された薄板収納搬送容器を提供するものということができるところ（段落0001及び0008）、薄板収納搬送容器用材料の理想は、揮発あるいは漏出の可能性のある不純物成分が材料中に全く存在しないことであるが、現実には、揮発あるいは漏出の可能性のあるすべての不純物成分を材料からなくすことは技術的に不可能であるとして、シリコーンウエーハ等の薄板に影響を与える不純物の種類や量およびその組み合わせを実害がない程度に抑制することとし（段落0005〜0007）、具体的にはポリカーボネート樹脂中の塩素原子含有量を１０ppm以下、好ましくは８ppm以下とし（段落0021）、炭素数が６〜１８であるフェノール化合物の合計含有量を１００ppm以下、好ましくは７０ppm以下とし（段落0025）、ナトリウム、カリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、ニッケルおよび鉄原子の含有量の合計を０.７ppm以下、且つナトリウムの含有量を０.２ppm未満とするものである（段落0027及び請求項１）。
　そして、実際に、塩素原子含有量が７ppm、ビスフェノールＡ（芳香族ポリカーボネート樹脂原料としての二価フェノール：炭素原子数が１５のフェノール化合物）の量が１９ppm、p-tert-ブチルフェノール（末端停止剤としての単官能フェノール：炭素原子数が１０のフェノール化合物）の量が３０ppm、鉄原子含有量が０.１１ppmであり、ナトリウム、カリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン及びニッケルがそれぞれ検出限界以下である粘度平均分子量が１８.５×１０3の芳香族ポリカーボネート樹脂ペレットを使用して成形された半導体ウエーハ用収納搬送容器に、半導体ウエーハを挿入し、密閉容器内で１週間常温保持した後、その半導体ウエーハについて水とウエーハ表面との接触角を測定している（実施例１及び表１）。
　すなわち、半導体ウエーハ等の薄板の収納搬送容器を成形する材料である芳香族ポリカーボネート樹脂中に塩素系有機溶媒や炭素数が６〜１８であるフェノール化合物等の不純物が残存していると、これらの不純物が揮発あるいは漏出して被収納物であるウエーハ等の薄板の表面を汚染することになるため、本件特許発明１では、これらの不純物の含有量が所定値以下の芳香族ポリカーボネート樹脂を製造し、このような芳香族ポリカーボネート樹脂を用いて成形して、被収納物である半導体ウエーハ等の薄板の表面の汚染を低減し得る薄板収納搬送容器を得たものである。
　なお、ポリカーボネート樹脂に残存する塩素原子のうち塩素系有機溶媒に由来するもの、及び炭素数が６〜１８であるフェノール化合物は直接薄板の表面汚染につながるものであり（段落0021及び0025）、また、残存する塩素原子のうちポリマー鎖に残った未反応のクロロホーメート基に由来するものやナトリウム、カリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、ニッケル及び鉄原子は成形加工の際にポリカーボネート樹脂を分解して揮発成分を生じさせ、結果的に薄板の表面汚染につながるものである（段落0021及び0027）。
　
　ところで、甲第２号証刊行物には、摘示２ｃ〜２ｅに記載されているように、本件特許発明１と同じく容器に収納されるウエーハ等の薄板の汚染を低減し得る芳香族ポリカーボネート樹脂製の薄板収納搬送容器に係るものであるが、その薄板汚染の原因物質としては塩素が記載されているのみであり、相違点ｃに係る、炭素数が６〜１８であるフェノール化合物や、ポリカーボネート樹脂の分解を促進し、間接的に汚染物質を生じさせるナトリウム、カリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、ニッケル及び鉄原子については記載も示唆もない。なお、摘示２ｇには、「重縮合完結後は、残存するクロロホーメート基が０.０１μeq/g以下になるまで、ＮａＯＨのようなアルカリで洗浄処理する。その後は、電解質が無くなるまで、有機相を洗浄し、最終的には有機相から適宜不活性有機溶媒を除去、ポリカーボネート樹脂を分離する。」との記載があるが、この電解質が具体的に何を意味しているか不明である上、薄板の表面汚染を低減させることとの関係も明らかではない。そして、摘示２ｉにおける実施例の記載において、「分離した有機相に、純水２０kgを加え、１５分間撹拌した後、撹拌を停止し、水相と有機相を分離した。この操作を抽出排水中の塩素イオンが検出されなくなるまで（３回）繰り返した。」と記載されているところ、この操作について、上記「電解質が無くなるまで，有機相を洗浄する」との関係は定かではないが、同一の操作を意図しているものとしても、「電解質が無くなるまで」は「塩素イオンが検出されなくなるまで」を意味するものにとどまり、ナトリウム、カリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、ニッケル及び鉄原子の低減を図ることまでその意味に含めるものであるということはできない。
　したがって、上記相違点ｃについての検討に当たり、薄板収納搬送容器に収納される半導体ウエーハ等の薄板の表面汚染を低減するために、その基材樹脂である芳香族ポリカーボネート樹脂中の「炭素数が６〜１８であるフェノール化合物の合計含有量が１００ｐｐｍ以下」とし、「ナトリウム、カリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、ニッケルおよび鉄原子の含有量の合計が０.７ｐｐｍ以下であり、且つナトリウムの含有量が０.２ｐｐｍ未満」とすることが容易に想到し得るものであるか否かについて検討する。
　
（ａ）甲第１号証刊行物
　甲第１号証刊行物は「ＩＡ族及びVIII族に属する金属のうち、一種類の金属の含有量が１ppm以下であり、塩素系溶媒残留量が１０ppm以下であり、ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量が１００００〜２２０００であることを特徴とする長期間にわたって高い信頼性を維持できる光学式ディスク基板」に関する発明が記載されている〔摘示１ａ、１ｂ〕。そして、同刊行物には、そのような発明をした背景として、ポリカーボネート樹脂が、「高温，高湿下において加水分解しやすく、分子量の低下，衝撃強度の低下等をきたしやすいという欠点」を有しており、それ故、そのようなポリカーボネート樹脂を用いた光学式ディスク基板及び該基板を用いた光学式情報記録媒体では、「長期間（十年以上）にわたって高い信頼性を維持できるようにする」ことが困難であったが、「ポリカーボネート樹脂の加水分解の原因が、樹脂中に含まれる残留微量金属、特に特定の金属と、残留微量溶媒、特に塩素系溶媒との相互作用によるものである」ことを知見したことを挙げ、上記した構成とすることにより、「ポリカーボネート樹脂の劣化をきわめて有効に抑制し、長期間にわたって高い信頼性を維持できる光学式ディスク」を提供できるとの記載がある〔摘示１ｃ〕。
　しかし、甲第１号証刊行物には、ポリカーボネート樹脂をウエーハ等の薄板収納搬送容器の成形材料として使用することに関しては一切記載されていない。
　また、甲第１号証刊行物には「ＩＡ族及びVIII族に属する金属のうち、一種類の金属の含有量が１ppm以下」とすることが記載されている〔摘示１ａ〕が、具体的に記載されているのはＦeとＮaのみであり〔摘示１ｇ〕、本件特許発明１で特定されているカリウム及びニッケルについてはそれぞれＩＡ族及びVIII族に属する金属に該当するものではあるが、同刊行物には具体的には示されていない。また、同刊行物にはＩＡ族及びVIII族に属する金属以外の金属について、「Ａl、Ｓi、Ｃa、Ｍg等の金属も残留量を１ppm以下とすることが好ましい」〔摘示１ｇ〕と記載されているが、本件特許発明１で特定されている亜鉛及びチタンについては全く記載がない。そして、同刊行物で示されているいずれの金属についても残留量１ppm以下との数値が示されているのみであって〔摘示１ａ、１ｇ〕、それらの合計含有量についての規定はない。（なお、摘示１ｈには、Ｎaについては０.２ppmと０.３ppm、Ｆeについては０.１ppmと０.２ppmをそれぞれ含有する３つの実施例の記載があるが、これは、ナトリウム及び鉄原子の個々の含有量を示すもので，この含有量からナトリウム、カリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、ニッケル及び鉄原子の含有量の合計を特定することはできないだけでなく、いずれの実施例においてもナトリウムの含有量は０.２ppm以上であり、本件特許発明１で特定する０.２ppm未満ではない。）
　さらに、甲第１号証刊行物には、ポリカーボネート樹脂中の「炭素数が６〜１８であるフェノール化合物」の含有量については何ら記載がない。
　なお、摘示１ｅには、射出成形に用いる原料ポリカーボネート樹脂について、低分子量成分、未反応成分、金属成分等の不純物や異物を除去することが記載されており、「炭素数が６〜１８であるフェノール化合物」は未反応成分に該当するものといえるが、この記載は一般的な樹脂の精製について触れるものであって、その精製の程度（残存量）について何らかの規定を設けようとするものではない。
　そして、上記「ＩＡ族及びVIII族に属する金属のうち、一種類の金属の含有量が１ppm以下」との構成を採用する目的は、光学式ディスク基板の材料としてのポリカーボネート樹脂の劣化（特に、加水分解）の抑制であり〔摘示１ｃ〕、そのことは薄板収納搬送容器に収納されたウエーハ等の薄板の表面汚染の低減とは何らの関係もないことから、ポリカーボネート樹脂に含まれる「ＩＡ族及びVIII族に属する金属のうち、一種類の金属の含有量が１ppm以下」とすることによって薄板収納搬送容器に収納されたウエーハ等の薄板表面の汚染を低減できることを何ら示唆するものではない。すなわち、光学式ディスク基板の材料であるポリカーボネート樹脂の劣化の抑制のためにポリカーボネート樹脂中の「ＩＡ族及びVIII族に属する金属のうち、一種類の金属の含有量が１ppm以下」とする技術を、収納されたウエーハ等の薄板の表面汚染を低減する薄板収納搬送容器の基材としてのポリカーボネート樹脂に採用する動機づけは存在しない。
　そうすると、甲第１号証刊行物の記載からは、薄板収納搬送容器の基材としてのポリカーボネート樹脂中に残存する炭素数が６〜１８であるフェノール化合物の合計含有量を１００ppm以下としたり、ナトリウム、カリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、ニッケル及び鉄原子の含有量の合計を０.７ppm以下とすることについて、当業者が容易に想到できるものとはいえない。
　
（ｂ）甲第３号証刊行物
　甲第３号証刊行物は「エステル交換触媒の存在下で、２価ヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルをエステル交換法により溶融重縮合させて得られるポリカーボネート中に含まれる鉄濃度が５ｐｐｍ以下であり、かつクロム、ニッケル濃度が共に１ｐｐｍ以下であり、またナトリウム濃度が１ｐｐｍ以下であり、かつ塩素濃度が１０ｐｐｍ以下であり、さらにポリカーボネートの全末端のうち水酸基末端が２０ｍｏｌ％以下であることを特徴とする着色のないポリカーボネート」に関するものであり〔摘示３ａ、３ｂ、３ｄ〕、「幅広い用途、特に射出成形用または窓ガラスの代わりのガラスシートとしての用途を有する」ポリカーボネートである〔摘示３ｃ〕。そして、従来技術として、エステル交換反応によるポリカーボネートの製造においては、「反応条件として２９０℃以上の高温を必要とし、また、沸点の高いフェノールを留去させるために高真空（１〜１０-2Ｔｏｒｒ）を必要とするため、設備の面からも工業化は難しく、さらに、生成するポリカーボネートの色相や物性に好ましくない影響を及ぼす」こと、「ポリカーボネートの高温処理（２８０〜３５０℃）において樹脂の変色と分子量の低下をもたらす不純物をいずれも含有していないことが重要であり、鉄はこの点に関し特に望ましくない影響を及ぼしうる不純物の一つである」こと、及び「ポリカーボネート鎖の末端ビスフェノール骨格が熱分解した結果、低分子フェノールが生成」し、「末端ＯＨ基濃度が高くなると樹脂の着色が見られ、さらに、高分子量化が達成しにくい」ことが知られているところ〔摘示３ｃ〕、「エステル交換法で得られるポリカーボネート中の特に、鉄、クロム、ニッケル濃度と樹脂の着色とに相関関係がある」ことを見出し、「これら金属濃度が低いほど着色のないポリカーボネートが得られる」ことを見出したというものである〔摘示３ｄ〕。
　すなわち、甲第３号証刊行物には、エステル交換法で得られるポリカーボネート樹脂に含まれる鉄濃度を５ppm以下、クロム及びニッケル濃度を共に１ppm以下とすることにより、当該ポリカーボネート樹脂の着色を防止できることが記載されているにとどまり、ポリカーボネート樹脂に含まれる鉄、クロム及びニッケルの各濃度を低減すること、さらにはナトリウム、カリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、ニッケル及び鉄原子の含有量の合計を低減することが、当該樹脂を用いて成形した薄板収納搬送容器に収納したウエーハ等の薄板の表面汚染を低減することに関連するものであることについては何ら記載も示唆もないものである。
　また、甲第３号証刊行物においては、ナトリウム濃度について１ppm以下と規定し〔摘示３ａ〕、実施例においてもナトリウム濃度を測定し０.１ppm、０.２ppm、０.３ppmのものを得ているが〔摘示３ｅ〕、必ずしも本件特許発明１で特定する０.２ppm未満を満足するものではないことに加え、同刊行物の全記載を見ても、ナトリウム濃度を規定する技術的意義は記載されておらず、甲第３号証刊行物におけるナトリウム濃度に関する記載から、薄板収納搬送容器に収納したウエーハ等の薄板の表面汚染を低減することを想起することに結びつくことはない。
　すなわち、エステル交換法で製造されたポリカーボネート樹脂の着色を防止するためにポリカーボネート樹脂に含まれる「鉄濃度を５ｐｐｍ以下、クロム、ニッケル濃度を共に１ｐｐｍ以下」とする技術を、さらにはその目的が不明の「ナトリウム濃度を１ｐｐｍ以下」とする技術を、被収納物であるウエーハ等の薄板の表面汚染を低減する薄板収納搬送容器の基材としてのポリカーボネート樹脂に採用する動機づけは存在しない。
　なお、甲第３号証刊行物には、上記したとおり「ポリカーボネートの全末端のうち、水酸基末端が２０ｍｏｌ％以下であること」について規定はあるが〔摘示３ａ〕、同刊行物の全記載を見ても、このような規定をする技術的意味は必ずしも明確ではなく、おそらく課題として指摘されている「末端ＯＨ基濃度が高くなると樹脂の着色が見られ、さらに高分子量化が達成しにくい」〔摘示３ｃ〕ことを解決しようとするものと解されるところ、このことからは、やはり薄板収納搬送容器に収納したウエーハ等の薄板の表面汚染を低減することとの関係は何ら見出せないだけでなく、そもそも本願発明１で特定する「炭素数が６〜１８であるフェノール化合物」との関係も見出せないことから、甲第３号証刊行物にポリカーボネートにおける水酸基末端の含有量についての規定があることが、本願発明１におけるポリカーボネート樹脂中の「炭素数６〜１８であるフェノール化合物の合計含有量が１００ｐｐｍ以下」に特定することの示唆にはなり得ない。
　また、摘示３ｃには、エステル交換反応によるポリカーボネートの製造の際に、高真空下でフェノールを留去することが記載されているが、これは、エステル交換反応が平衡反応であり、副生するフェノールを反応系から除去しないとエステル交換反応が進まないことから、高分子量のポリカーボネートを製造する際の通常の操作にすぎない（乙第２号証刊行物参照）。この目的からすると、フェノールの除去は高いレベルを必要とするものではなく、したがって、この記載から「炭素数６〜１８であるフェノール化合物の合計含有量が１００ｐｐｍ以下」にするという残存量の程度を導くことにはつながらない。
　そうすると、甲第３号証刊行物の記載からは、薄板収納搬送容器の基材としてのポリカーボネート樹脂中に残存する炭素数が６〜１８であるのフェノール化合物の合計含有量を１００ppm以下としたり、ナトリウム、カリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、ニッケル及び鉄原子の含有量の合計を０.７ppm以下とし、且つナトリウムの含有量を０.２ppm未満とすることについて、当業者が容易に想到できるものとはいえない。
　
（ｃ）甲第４号証刊行物
　甲第４号証刊行物は、「不純物としての塩化メチレンの含有量が２０ppm以下であって、かつ未反応ビスフェノール類の含有量が２０ppm以下であるディスク基板用ポリカーボネート」に関するものである〔摘示４ａ、４ｂ〕。ここで、未反応ビスフェノール類の含有量を２０ppm以下とする目的は、ポリカーボネートを光ディスクや磁気ディスク等のディスク基板として成形使用するにあたり、(1)記録膜中に存在する鉄，ガリウム，テルビウム等の金属が徐々に腐食を受ける、あるいは(2)この基板と記録膜との密着性が不充分である等様々な問題があったところ〔摘示４ｃ〕、従来のポリカーボネートには様々な不純物が含有されているが、特に溶媒として用いた塩化メチレンあるいは未反応ビスフェノール類（ビスフェノールＡなど）や低分子量成分（ポリカーボネートオリゴマーなど）が多く、またこれらの不純物、特に塩化メチレンはポリカーボネートをディスク基板に用いたときに、前述した如き種々の問題を引き起こし、ここで、塩化メチレンが２０ppmを越えると、記録膜が腐食を受けやすくなり、未反応ビスフェノール類が２０ppmを越えると、ディスク基板と記録膜との接着性が不充分になることがあるからという課題〔摘示４ｄ〕を解決しようというものである。
　しかし、上記した未反応ビスフェノールの含有量を低減する目的は、本件発明１が「炭素数が６〜１８であるフェノール化合物」の含有量を低減する目的である薄板収納運搬容器に収納したウエーハ等の薄板の表面の汚染を低減することとは何の関係もないことであり、したがって、甲第４号証刊行物に、ポリカーボネート中の不純物としての未反応ビスフェノール類の含有量を２０ppm以下とする技術についての記載があるとしても、当該技術を被収納物であるウエーハ等の薄板の表面汚染を低減し得る薄板収納搬送容器の基材としてのポリカーボネート樹脂に採用する動機づけは存在しない。すなわち、甲第４号証刊行物の記載は本件発明１の中の「炭素数が６〜１８であるフェノール化合物の合計含有量を１００ｐｐｍ以下」とすることを何ら示唆するものではない。
　その上、ナトリウム、カリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、ニッケル及び鉄原子を特定量以下とすることについては、甲第４号証刊行物には何ら記載も示唆もないものである。
　そうすると、甲第４号証刊行物の記載からは、薄板収納搬送容器の基材としてのポリカーボネート樹脂中に残存する炭素数が６〜１８であるのフェノール化合物の合計含有量を１００ppm以下としたり、ナトリウム、カリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、ニッケル及び鉄原子の含有量の合計を０.７ppm以下とし、且つナトリウムの含有量を０.２ppm未満とすることについて、当業者が容易に想到できるものとはいえない。
　
（ｄ）甲第５号証刊行物
　甲第５号証刊行物は、「末端水酸基の含有量が、重合の繰り返し単位当り０.３モル％以下であり、残留ナトリウム量が１ppm以下であるポリカーボネート樹脂からなることを特徴とする長期間にわたって高い信頼性を維持できる光学用成形品及び該成形品のうち光学式ディスク基板を用いた光学式情報記録媒体」に係るものであり〔摘示５ａ、５ｂ〕、そして、同刊行物には、ポリカーボネート樹脂が、「高温，高湿下において白点を発生するという欠点」を有しており、それ故、そのようなポリカーボネート樹脂を用いた光学用成形品のうち光学式ディスク基板あるいは光学式情報記録媒体では、「長期間（十年以上）にわたって高い信頼性を維持できるようにすることが必要」であるにもかかわらず、白点の発生が「ビットエラー率（ＢＥＲ）の増加をもたらし、光学式情報記録媒体の寿命を縮める大きな原因」となっていたが、「ポリカーボネート樹脂を用いた成形品に発生する白点の原因が、樹脂中に含まれる末端水酸基の量、もしくは末端水酸基の量と残留微量金属、特にナトリウムとの相互作用によるものである」ことを見出し、「ポリカーボネート樹脂中における末端水酸基の量と残留微量ナトリウムの量を、それぞれある基準値以下にすると、成形品に発生する白点を最小限に抑制できる」との記載がある〔摘示５ｃ〕。
　しかし、甲第５号証刊行物には、ポリカーボネート樹脂をウエーハ等の薄板収納搬送容器の成形材料として使用することに関しては一切記載されていない。
　また、同刊行物には、ポリカーボネート樹脂中の「残留ナトリウム量が１ppm以下」（なお、摘示５ｉの表１によれば、４つの実施例では残留ナトリウム量はいずれも０.１ppm未満である。）であることが記載されているが、ナトリウム、カリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、ニッケル及び鉄原子の含有量の合計については記載されていない。
　さらに、同刊行物には、ポリカーボネート樹脂の「末端水酸基の含有量が、重合の繰り返し単位当り０.３モル％以下」とすることについて規定されているが、このことは、そもそも「末端水酸基の含有量」は、本願発明１で特定する「炭素数が６〜１８であるフェノール化合物」の含有量とは何の関係もないことであるから、当該規定があることが、本願発明１におけるポリカーボネート樹脂中の「炭素数６〜１８であるフェノール化合物の合計含有量が１００ppm以下」に特定することの示唆にはなり得ない。
　なお、摘示５ｅには、射出成形に用いる原料ポリカーボネート樹脂について、低分子量成分、未反応成分、金属成分等の不純物や異物を除去することが記載されており、「炭素数が６〜１８であるフェノール化合物」は未反応成分に該当するものといえるが、この記載は一般的な樹脂の精製について触れるものであって、その精製の程度（残存量）について何らかの規定を設けようとするものではない。
　また、摘示５ｉには、表１の欄外下に「ビスフェノールＡは測定限界以下（全サンプル）」との記載があるが、このことと薄板搬送容器に収納されたウエーハ等の薄板の表面汚染を低減することとの関連性については、同刊行物には記載も示唆もない。
　そして、ポリカーボネート樹脂の「末端水酸基の含有量が、重合の繰り返し単位当り０.３モル％以下」とすることも、「残留ナトリウム量が１ppm以下」とすることも、いずれも成形品に発生する白点を最小限に抑制するための手段であり、この手段を「被収納物であるウエーハ等の薄板の表面汚染を低減し得る薄板収納搬送容器の基材としてのポリカーボネート樹脂」に採用する動機づけは存在しない。
　結局、甲第５号証刊行物の記載からは、薄板収納搬送容器の基材としてのポリカーボネート樹脂中に残存する炭素数が６〜１８であるフェノール化合物の合計含有量を１００ppm以下としたり、ナトリウム、カリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、ニッケル及び鉄原子の含有量の合計を０.７ppm以下とすることについて、当業者が容易に想到できるものとはいえない。
　
（ｅ）小括
　以上、甲号証各刊行物の記載から相違点ｃについて検討したが、甲第１、３〜５号証刊行物はいずれも薄板収納搬送用容器に関するものではなく、当該容器に係る問題点やその解決手段について何ら記載もなく、また示唆するものでもないので、甲第２号証刊行物に記載された発明と甲第１、３〜５号証刊行物に記載された発明とを組み合わせる動機づけが存在しない
　
（Ｄ）まとめ
　したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本件特許発明１は、甲第２号証刊行物に記載された発明と、甲第１、３〜５号証に記載された発明とに基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとは認められない。
　
（２）本件特許発明２について
　本件特許発明２は、本件特許発明１を引用してさらに限定するものであるから、本件特許発明１が、甲第１〜５号証刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない以上、本件特許発明２もまた、甲第１〜５号証刊行物に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
２．無効理由２について
（１）本件特許発明１について
（Ａ）甲第１号証刊行物に記載された発明
　甲第１号証刊行物において、「光学式ディスク基板」に使用されている「ポリカーボネート樹脂」とは、摘示１ｄのとおり、「二価フェノール類とホスゲンまたは、ジフェニルカーボネートのような炭酸エステルとの反応により製造されるもの」であるから、「芳香族ポリカーボネート樹脂」に該当する。
　そして、甲第１号証刊行物においては「ポリカーボネート樹脂」は「ＩＡ族及びVIII族に属する金属のうち、一種類の金属の含有量が１ppm以下である」と規定しているところ〔摘示１ａ〕、同刊行物には、「ＩＡ族」に属する全ての金属、「VIII族」に属する全ての金属についての開示があるわけではなく、具体的な開示がなされているのは、「ＩＡ族」に属する金属の中のＮa、「VIII族」に属する金属の中のＦeのみであり〔摘示１ｇ、１ｈ〕、より具体的には、Ｎa、Ｆeの含有量として、
・Ｎa：０.３ppm　Ｆe：０.２ppm　の例（実施例Ａ１）
・Ｎa：０.２ppm　Ｆe：０.１ppm　の例（実施例Ａ２〜Ａ３）
が開示されているのみである〔摘示事項１ｈ〕。ここで、実施例Ａ１〜Ａ３で使用されたポリカーボネート樹脂の、その他の性状は、次のとおりである〔摘示事項１ｈ〕。
　　　　　　　　粘度平均分子量　CH2Cl2（ppm）
　実施例Ａ１　　　　14,200　　　　　 3
　実施例Ａ２　　　　14,300　　　　　 2
　実施例Ａ３　　　　14,400　　　　　10
　以上の点を踏まえると、甲第１号証刊行物には、
「粘度平均分子量が１４,２００、１４,３００又は１４,４００である、三種類の芳香族ポリカーボネート樹脂であって、
塩素系溶媒としてのＣＨ2Ｃl2含有量が、上記三種類の順に３ppm、２ppm又は１０ppmであり、
Ｎaの含有量が、同じく順に０.３ppm、０.２ppm又は０.２ppmであり、
Ｆeの含有量が、同じく順に０.２ppm、０.１ppm又は０.１ppmである
三種類の芳香族ポリカーボネート樹脂の何れかを用いて作成された光学式ディスク基板」
の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
（Ｂ）対比
　次に、本件特許発明１と引用発明２とを対比する。
　「芳香族ポリカーボネート樹脂」の「分子量」に関して、本件特許発明１は「粘度平均分子量」で特定しているが、この「粘度平均分子量」とは、本件特許明細書の段落0020で次のように定義されている。
「本発明でいう粘度平均分子量Ｍは塩化メチレン１００mlに芳香族ポリカーボネート樹脂０.７ｇを２０℃で溶解した溶液から求めた比粘度（ηsp）を次式に挿入して求める。
ηsp/ｃ＝[η]＋０.４５×[η]2ｃ（但し[η]は極限粘度）
[η]＝１.２３×１０-4Ｍ0.83　
ｃ＝０.７」
　一方、引用発明２における「粘度平均分子量［Ｍv］」とは、摘示１ｄに示されているように、「粘度平均分子量［Ｍv］は、２０℃の塩化メチレン溶液中のポリカーボネート樹脂の比粘度ηspを測定し，式
　ηsp/Ｃ＝[η](１＋０.２８ηsp)
［ここで、Ｃはポリカーボネート樹脂濃度（g/l）である］
および
　[η]＝１.２３×１０-5Ｍv0.83　
によって算出することができる。」と定義されるものであり、これら二つの定義は異なっており、よって、本件発明１における「粘度平均分子量」と引用発明２における「粘度平均分子量［Ｍv］」とはその数値を直接比較することはできない。
　これを踏まえた上で、本件特許発明１と引用発明２とを対比すると、両者は、次の一致点、相違点を有する。
　
○一致点
「芳香族ポリカーボネート樹脂から成形された成形品」の点。
　
○相違点イ
　芳香族ポリカーボネート樹脂の分子量について、本件特許発明１では「粘度平均分子量が１４０００〜３００００」と規定しているのに対して、引用発明２では「粘度平均分子量が１４,２００、１４,３００又は１４,４００」である点。
○相違点ロ
　芳香族ポリカーボネート樹脂中の塩素に関した含有量について、本件特許発明１では「塩素原子含有量が１０ppm以下」と特定しているのに対して、引用発明２では「塩素系溶媒としてのＣＨ2Ｃl2含有量が３ppm、２ppm又は１０ppm」である点。
○相違点ハ
　芳香族ポリカーボネート樹脂中の塩素以外の不純物の含有量に関して、本件特許発明１では「炭素数が６〜１８であるフェノール化合物の合計含有量が１００ppm以下であり、ナトリウム、カリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、ニッケルおよび鉄原子の含有量の合計が０.７ppm以下であり、且つナトリウムの含有量が０.２ppm未満」と特定しているのに対して、引用発明２では、「ナトリウムの含有量が０.３ppm又は０.２ppm」であるが、「炭素数が６〜１８であるフェノール化合物の含有量」及び「ナトリウム、カリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、ニッケル、鉄原子の含有量の合計」については規定がない点。
○相違点ニ
　芳香族ポリカーボネート樹脂を成形して得た成形品の用途について、本件特許発明１では「薄板収納搬送容器」と特定しているのに対して、引用発明２では「光学式ディスク基板」である点。
　
（Ｃ）相違点の検討
　そこで、上記相違点について検討する。
　
○相違点ハについて
　上記「第７．１．（１）（Ｃ）相違点の検討」において示したとおり、本件特許明細書の記載によれば、半導体ウエーハ等の薄板の収納搬送容器を成形する材料である芳香族ポリカーボネート樹脂に残存する塩素原子のうち塩素系有機溶媒に由来するもの、及び炭素数が６〜１８であるフェノール化合物は直接薄板の表面汚染につながるものであり、また、残存する塩素原子のうちポリマー鎖に残った未反応のクロロホーメート基に由来するものやナトリウム、カリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、ニッケル及び鉄原子は成形加工の際にポリカーボネート樹脂を分解して揮発成分を生じさせ、結果的に薄板の表面汚染につながるものであることから、本件特許発明１では、これらの不純物の含有量が所定値以下の芳香族ポリカーボネート樹脂を製造し、このような芳香族ポリカーボネート樹脂を用いて成形して、被収納物である半導体ウエーハ等の薄板の表面の汚染を低減し得る薄板収納搬送容器を得たものである。
　すなわち、本件特許発明１において、相違点ハに係る「炭素数が６〜１８であるフェノール化合物の合計含有量が１００ｐｐｍ以下であり、ナトリウム、カリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、ニッケルおよび鉄原子の含有量の合計が０.７ｐｐｍ以下であり、且つナトリウムの含有量が０.２ｐｐｍ未満である」との構成は、薄板収納搬送容器に収納された半導体ウエーハ等の薄板の表面汚染を抑制するために欠くべからざるものであることが明らかである。
　
　ところで、引用発明２は、「第７．１．（１）（Ｃ）（ａ）甲第１号証刊行物」で述べたように、「ＩＡ族及びVIII族に属する金属のうち、一種類の金属の含有量が１ppm以下であり、塩素系溶媒残留量が１０ppm以下であり、ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量が１００００〜２２０００であることを特徴とする長期間にわたって高い信頼性を維持できる光学式ディスク基板」に関するものであり〔摘示１ａ、１ｂ〕、そして、甲第１号証刊行物には、ポリカーボネート樹脂が、「高温，高湿下において加水分解しやすく、分子量の低下，衝撃強度の低下等をきたしやすいという欠点」を有しており、それ故、そのようなポリカーボネート樹脂を用いた光学式ディスク基板及び該基板を用いた光学式情報記録媒体では、「長期間（十年以上）にわたって高い信頼性を維持できるようにする」ことが困難であったが、「ポリカーボネート樹脂の加水分解の原因が、樹脂中に含まれる残留微量金属、特に特定の金属と、残留微量溶媒、特に塩素系溶媒との相互作用によるものである」ことを知見し、その解決のために上記構成を採用し、それにより「ポリカーボネート樹脂の劣化をきわめて有効に抑制し、長期間にわたって高い信頼性を維持できる光学式ディスク」を提供するものであるとの記載がある〔摘示１ｃ〕。
　しかし、上記相違点ニに関することではあるが、甲第１号証刊行物には、ポリカーボネート樹脂をウエーハ等の薄板収納搬送用容器の成形材料として使用することに関しては一切記載されていない。
　上記したような甲第１号証刊行物の記載に鑑みれば、同刊行物には、ポリカーボネート樹脂中の「ＩＡ族及びVIII族に属する金属のうち、一種類の金属の含有量が１ppm以下」、具体的には「ナトリウムの含有量が０.３ppm又は０.２ppm」とすることは記載されているとしても、この「ＩＡ族及びVIII族に属する金属のうち、一種類の金属の含有量が１ppm以下」との構成を採用する目的は、上記したとおり光学式ディスク基板の材料としてのポリカーボネート樹脂の劣化（特に、加水分解）の抑制であり、そのことは薄板収納搬送容器に収納されたウエーハ等の薄板の表面汚染の低減とは何らの関係もないことから、ポリカーボネート樹脂に含まれる「ＩＡ族及びVIII族に属する金属のうち、一種類の金属の含有量が１ppm以下」とすることによって薄板収納搬送容器に収納されたウエーハ等の薄板表面の汚染を低減できることを何ら示唆するものではない。
　また、同刊行物には「炭素数が６〜１８であるフェノール化合物の合計含有量を１００ppm以下」とすることや「ナトリウム、カリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、ニッケル及び鉄原子の含有量の合計を０.７ppm以下」とすることについては全く触れるところがない。
　
　そして、相違点ハに関して、引用発明２と甲第２〜５号証刊行物にそれぞれ記載された発明とを組み合わせることが可能か否かについて検討するに当たっても、引用発明２は光学式ディスク基板に係るものであり、これは芳香族ポリカーボネート樹脂の用途として薄板収納搬送容器とは何ら関係のないものであるから、本件特許発明１の相違点ハに係る事項である、芳香族ポリカーボネート樹脂中の「炭素数が６〜１８であるフェノール化合物の合計含有量が１００ｐｐｍ以下であり、ナトリウム、カリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、ニッケルおよび鉄原子の含有量の合計が０.７ｐｐｍ以下であり、且つナトリウムの含有量が０.２ｐｐｍ未満である」との点は、薄板収納搬送容器に収納される半導体ウエーハ等の薄板の表面汚染を低減するために採用されるものであることと関連させて検討する必要がある。以下、この観点から検討する。
　
（ａ）甲第４号証刊行物
　甲第４号証刊行物には、「第７．１．（１）（Ｃ）（ｃ）甲第４号証刊行物」で述べたように、「不純物としての塩化メチレンの含有量が２０ppm以下であって、かつ未反応ビスフェノール類の含有量が２０ppm以下であるディスク基板用ポリカーボネート」に関するものであり〔摘示４ａ、４ｂ〕、そして、同刊行物には、従来のポリカーボネートには、溶媒として用いた塩化メチレンあるいは未反応ビスフェノールや低分子量成分などの不純物が多く含有されており、塩化メチレンが２０ppmを越えると光ディスク等の記録膜が腐食を受けやすくなり、未反応ビスフェノール類が２０ppmを越えるとディスク基板と記録膜との接着性が不充分になることがあるという課題〔摘示４ｄ〕を上記構成を採用することにより解決しようとするものである旨の記載がある。
　しかし、同刊行物には、ポリカーボネート樹脂を用いてウエーハ等の薄板収納搬送用容器を成形することに関しては何ら記載されていない。
　そして、上記したような甲第４号証刊行物の記載に鑑みれば、同刊行物には、ポリカーボネート樹脂中の「不純物としての未反応ビスフェノール類の含有量が２０ppm以下」とすることは記載されており、かつポリカーボネート樹脂の用途としては引用発明２と同じ光学式ディスク基板であるから、引用発明２に対し、ポリカーボネート樹脂における「不純物としての未反応ビスフェノール類の含有量が２０ppm以下」にするとの構成を適用する動機づけは存在するということもできる。しかし、この「不純物としての未反応ビスフェノール類の含有量が２０ppm以下」にするとの構成を採用する目的は、上記したとおり光学式ディスク基板と記録膜との接着性が不十分になる点の解決のためであって、そのことは薄板収納搬送容器に収納されたウエーハ等の薄板の表面汚染の低減とは何らの関連性も認められないことから、薄板収納搬送容器に収納されたウエーハ等の薄板表面の汚染を低減するためにポリカーボネート樹脂に含まれる「不純物としての未反応ビスフェノール類の含有量が２０ppm以下」とすることを何ら示唆するものではない。また、光学式ディスク基板の基材としてのポリカーボネート樹脂を特別の機能を有する薄板収納搬送容器の基材用樹脂に転用できる点についても示唆する記載はない。
　そうすると、引用発明２に対し、甲第４号証刊行物の記載事項を考慮しても、薄板収納搬送容器の基材としてのポリカーボネート樹脂中に残存する炭素数が６〜１８であるフェノール化合物の合計含有量を１００ppm以下としたり、ナトリウム、カリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、ニッケル及び鉄原子の含有量の合計を０.７ppm以下とすることについて、当業者が容易に想到できるものとはいえない。
　
（ｂ）甲第５号証刊行物
　甲第５号証刊行物には、「第７．１．（１）（Ｃ）（ｄ）甲第５号証刊行物」で述べたように、「末端水酸基の含有量が、重合の繰り返し単位当り０.３モル％以下であり、残留ナトリウム量が１ppm以下であるポリカーボネート樹脂からなることを特徴とする長期間にわたって高い信頼性を維持できる光学用成形品及び該成形品のうち光学式ディスク基板を用いた光学式情報記録媒体」に関するものであって〔摘示５ａ、５ｂ〕、そして、同刊行物には、ポリカーボネート樹脂が、高温，高湿下において白点を発生し、この白点の発生が光学式情報記録媒体のビットエラー率（ＢＥＲ）の増加をもたらすという欠点を有しており、それ故、そのようなポリカーボネート樹脂を用いた光学式ディスク基板及び該基板を用いた光学式情報記録媒体では、「長期間（十年以上）にわたって高い信頼性を維持できるようにする」ことが困難であったが、白点の発生の原因がポリカーボネート樹脂中に含まれる末端水酸基の量、もしくは末端水酸基の量と残留微量金属、特にナトリウムとの相互作用によるものであることを知見し、その解決のために上記構成を採用し、それにより「ポリカーボネート樹脂成形品に発生する白点を最小限に抑制でき、長期間にわたって高い信頼性を維持できる光学式ディスク基板を提供するものである旨の記載がある〔摘示５ｂ、５ｃ〕。
　しかし、同刊行物には、ポリカーボネート樹脂を用いてウエーハ等の薄板収納搬送用容器を成形することに関しては何ら記載されていない。
　そして、上記したような甲第５号証刊行物の記載に鑑みれば、同刊行物には、ポリカーボネート樹脂中の「末端水酸基の含有量が、重合の繰り返し単位当り０.３モル％以下であり、残留ナトリウム量が１ppm以下」とすることは記載されており、かつポリカーボネート樹脂の用途としては引用発明２と同じ光学式ディスク基板であるから、引用発明２に対し、ポリカーボネート樹脂における「末端水酸基の含有量が、重合の繰り返し単位当り０.３モル％以下であり、残留ナトリウム量が１ppm以下」にするとの構成を適用する動機づけは存在するということもできる。しかし、この「末端水酸基の含有量が、重合の繰り返し単位当り０.３モル％以下であり、残留ナトリウム量が１ppm以下」にするとの構成を採用する目的は、上記したとおりポリカーボネート樹脂成形品に発生する白点の抑制のためであって、そのことは薄板収納搬送容器に収納されたウエーハ等の薄板の表面汚染の低減とは何らの関連性も認められないことから、薄板収納搬送容器に収納されたウエーハ等の薄板表面の汚染を低減するためにポリカーボネート樹脂における「末端水酸基の含有量が、重合の繰り返し単位当たり０.３モル％以下であり、残留ナトリウム量が１ppm以下」とすることを何ら示唆するものではない。なお、「末端水酸基の含有量が、重合の繰り返し単位当り０.３モル％以下」であるとの構成は、樹脂の末端水酸基の量を規定するものであって、そのことは未反応モノマー等に係る「炭素数が６〜１８であるフェノール化合物の合計含有量を１００ppm以下」とすることとは直接関連することではない。また、光学式ディスク基板の基材としてのポリカーボネート樹脂を特別の機能を有する薄板収納搬送容器の基材用樹脂に転用できる点についても示唆する記載はない。
　そうすると、引用発明２に対し、甲第５号証刊行物の記載事項を考慮しても、薄板収納搬送容器の基材としてのポリカーボネート樹脂中に残存する炭素数が６〜１８であるフェノール化合物の合計含有量を１００ppm以下としたり、ナトリウム、カリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、ニッケル及び鉄原子の含有量の合計を０.７ppm以下とすることについて、当業者が容易に想到できるものとはいえない。
　
（ｃ）甲第３号証刊行物
　甲第３号証刊行物は、「第７．１．（１）（Ｃ）（ｂ）甲第３号証刊行物」で述べたように、エステル交換法により製造したポリカーボネート中に含まれる「鉄濃度が５ｐｐｍ以下であり、かつクロム、ニッケル濃度が共に１ｐｐｍ以下であり、またナトリウム濃度が１ｐｐｍ以下であり、かつ塩素濃度が１０ｐｐｍ以下であり、さらにポリカーボネートの全末端のうち水酸基末端が２０ｍｏｌ％以下」とすることにより、ポリカーボネートの着色を防止する技術に関するものであり〔摘示３ａ、３ｂ、３ｄ〕、そのポリカーボネートの用途として「幅広い用途、特に射出成形用または窓ガラスの代わりのガラスシートとしての用途」が記載されている〔摘示３ｃ〕。
　しかし、同刊行物には、ポリカーボネート樹脂を用いて具体的にウエーハ等の薄板収納搬送用容器を成形することに関しては何ら記載されていない。
　そして、上記したような甲第３号証刊行物の記載に鑑みれば、同刊行物には、ポリカーボネート樹脂中の「鉄濃度が５ｐｐｍ以下であり、かつクロム、ニッケル濃度が共に１ｐｐｍ以下であり、またナトリウム濃度が１ｐｐｍ以下であり、さらにポリカーボネートの全末端のうち水酸基末端が２０ｍｏｌ％以下」とすることは記載されており、光学式ディスク基板の基材として使用されるポリカーボネート樹脂も光学的な用途に関連するものであることに鑑みれば、着色のないものが求められているといえることから、引用発明２に対し、ポリカーボネート樹脂中の「鉄濃度が５ｐｐｍ以下であり、かつクロム、ニッケル濃度が共に１ｐｐｍ以下であり、またナトリウム濃度が１ｐｐｍ以下であり、さらにポリカーボネートの全末端のうち水酸基末端が２０ｍｏｌ％以下」にするとの構成を採用するための動機づけは存在するということもできる。しかし、この「鉄濃度が５ｐｐｍ以下であり、かつクロム、ニッケル濃度が共に１ｐｐｍ以下であり、またナトリウム濃度が１ｐｐｍ以下であり、さらにポリカーボネートの全末端のうち水酸基末端が２０ｍｏｌ％以下」にするとの構成を採用する目的は、上記したとおり着色のないポリカーボネート樹脂を得る点にあり、そのことは薄板収納搬送容器に収納されたウエーハ等の薄板の表面汚染の低減とは直接的には関連性が認められないことから、薄板収納搬送容器に収納されたウエーハ等の薄板表面の汚染を低減するためにポリカーボネート樹脂における「鉄濃度が５ｐｐｍ以下であり、かつクロム、ニッケル濃度が共に１ｐｐｍ以下であり、またナトリウム濃度が１ｐｐｍ以下であり、さらにポリカーボネートの全末端のうち水酸基末端が２０ｍｏｌ％以下」とすることを何ら示唆するものではない。なお、「ポリカーボネートの全末端のうち水酸基末端が２０ｍｏｌ％以下」であるとの構成は、樹脂の水酸基末端の量を規定するものであって、そのことは未反応モノマー等に係る「炭素数が６〜１８であるフェノール化合物の合計含有量を１００ppm以下」とすることとは直接関連することではない。また、光学式ディスク基板の基材としてのポリカーボネート樹脂を特別の機能を有する薄板収納搬送容器の基材用樹脂に転用できる点についても示唆する記載はない。
　そうすると、引用発明２に対し、甲第３号証刊行物の記載事項を考慮しても、薄板収納搬送容器の基材としてのポリカーボネート樹脂中に残存する炭素数が６〜１８であるフェノール化合物の合計含有量を１００ppm以下としたり、ナトリウム、カリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、ニッケル及び鉄原子の含有量の合計を０.７ppm以下とすることについて、当業者が容易に想到できるものとはいえない。
　
（ｄ）甲第２号証刊行物
　ところで、甲第２号証刊行物には、上記したとおり、本件特許発明１と同じく、容器に収納されたウエーハ等の薄板の汚染を低減させる芳香族ポリカーボネート樹脂製の薄板収納搬送容器が記載されている。
　しかし、同刊行物には、被収納物であるウエーハ等の薄板の汚染を低減するために，薄板収納搬送容器の基材樹脂であるポリカーボネート樹脂に含まれる揮発性塩素を減少させることのみが記載されており、相違点ハに係る「炭素数が６〜１８であるフェノール化合物の合計含有量が１００ｐｐｍ以下であり、ナトリウム、カリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、ニッケルおよび鉄原子の含有量の合計が０.７ｐｐｍ以下であり、且つナトリウムの含有量が０.２ｐｐｍ未満である」とする点は何ら記載も示唆もない。
　したがって、本件特許発明１における相違点ハに係る技術的事項については甲第２号証刊行物を考慮しても、当業者が容易に想到できるものとはいえない。
　その上、引用発明２は「光学式ディスク基板」に係るものであり、光学式ディスク基板において必要とされる芳香族ポリカーボネート樹脂中の不純物の含有量については特定されているところであるが、このような光学式ディスク基板という用途に適するポリカーボネート樹脂が、甲第２号証刊行物に記載された発明に係る「薄板収納搬送容器」が解決しようとする課題である「薄板収納搬送容器に収納された表面汚染に敏感とされる半導体ウエーハや磁気ディスク等の薄板の表面汚染」を解決するものであるということを、たとえ甲第３〜５号証刊行物の記載や本件特許の出願前の周知技術を参酌したとしても当業者が認識することはできない。
　そうすると、引用発明２係る「光学式ディスク基板」の発明に対し、甲第２号証刊行物に記載された技術的事項を組み合わせるための動機づけが存在しないものであり、光学式ディスク基板を構成する芳香族ポリカーボネート樹脂をもって「薄板収納搬送容器」の基材樹脂として使用することを当業者が容易に想到し得るものではない。
　
（ｅ）小括
　以上、甲号証各刊行物の記載から相違点ハについて検討したが、甲第１号証刊行物に記載された発明と、甲第３〜５号証刊行物に記載された発明とをどのように組み合わせようとも、薄板収納搬送容器に収納される半導体ウエーハ等の薄板の表面汚染を低減するために、芳香族ポリカーボネート樹脂中の「炭素数が６〜１８であるフェノール化合物の合計含有量が１００ｐｐｍ以下であり、ナトリウム、カリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、ニッケルおよび鉄原子の含有量の合計が０.７ｐｐｍ以下であり、且つナトリウムの含有量が０.２ｐｐｍ未満である」との構成を当業者が想起し得るとすることはできず、さらに引用発明２に対して甲第２号証刊行物に記載された発明を組み合わせるための動機づけも存在しないことから、これらの刊行物に記載された発明を組み合わせることにより、本件特許発明１に到達することには無理があると言わざるを得ない。
　
（Ｄ）まとめ
　したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本件特許発明１は、甲第１号証刊行物に記載された発明と、甲第３〜５号証刊行物に記載された発明及び甲第２号証刊行物に記載された発明とに基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（２）本件特許発明２について
　本件特許発明２は、本件特許発明１を引用してさらに限定するものであるから、本件特許発明１が、甲第１〜５号証刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない以上、本件特許発明２もまた、甲第１〜５号証刊行物に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
３．審判請求人の主張について
（１）請求人は平成２０年１０月２日付け口頭審理陳述要領書において、「審査基準においては、動機づけになり得るものとして、(1)技術分野の関連性のほかに、(2)課題の共通性、(3)作用、機能の共通性、(4)引用発明の内容中の示唆、が示されているところ、甲第１〜５号証に記載の発明は、上記「(2)課題の共通性」を有するから、甲第１〜５号証に記載の発明を組み合わせることの動機づけは充分に存在する。」と主張し、「甲第１、第３〜５号証記載の発明と甲第２号証記載の発明とが共通の課題を有していること、および、これら甲各号証記載の発明と本件特許発明とが共通の課題を有していること」について詳述している。（同書面の５．（５−１）動機づけについて参照）
　この主張によると、「本件特許発明の課題は、あくまで、材料中に含まれる不純物量をできるだけ低くすることにほかならない」とし、「甲第１号証および甲第３〜５号証では、いずれも、材料中に含まれる不純物成分を低くしようとする必要性が教示されているといえる」と認定した上で、「甲第２号証においても「精密部材用収納容器の素材樹脂として揮発性塩素の少ないポリカーボネート樹脂を基材として用いる」ことが記載され（段落0011）、材料中に含まれる不純物成分を低くしようとする必要性が教示されている」から、「甲第１号証、甲第３〜５号証に記載された発明と甲第２号証とは、材料中に含まれる不純物成分を低くしようとする点でそれぞれ課題が共通し、これらを組み合わせることの動機づけがあるといえる。たとえ、技術分野が異なるからといって、これらを組み合わせることに阻害事由があるということはできない。」と結論している。
　しかし、甲第２号証刊行物において、ウエーハ等の精密部材（薄板）を収納搬送するための容器から収納中に揮発してくる薄板表面汚染成分として特定しているのは塩素のみである。それ以外の成分については何ら記載されておらず、したがって、塩素以外の不純物の含有量を低減させることについては記載も示唆もないことは上記したとおりである。そして、甲第１、３〜５号証刊行物には薄板収納搬送容器に収納された薄板の表面汚染が当該容器を構成するポリカーボネート樹脂に含まれる特定の不純物に起因することについては何ら記載されておらず、これらの刊行物の記載をみても、薄板収納搬送容器に収納された薄板の表面汚染を低減するために、「炭素数が６〜１８であるフェノール化合物」や「ナトリウム、カリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、ニッケルおよび鉄原子」の含有量をそれぞれ所定値以下に低減させようとする動機づけは存しない。
　請求人は、この点につき「材料中に含まれる不純物を低くしようとする必要性が教示されている」と認定しているが、甲第２号証刊行物には、材料中に含まれる塩素を低減させることが記載されているとしても、不純物全体を低減させることについてまでの記載はない。そして、甲第１、３、５号証刊行物に金属原子含有量を一定量以下に低減させること、甲第４号証刊行物には未反応ビスフェノール含有量を一定量以下に低減させることが示されているとしても、甲第１、４、５号証刊行物は光学式ディスク基板におけるポリカーボネート樹脂中の不純物による問題を解決しようとするものであり、甲第３号証刊行物ではポリカーボネートの着色という問題を解決しようとするものであって、これらは、薄板収納搬送容器における課題とは直接関係しないことから、「課題の共通性」は認められず、したがって、上記請求人の主張は採用できない。
　なお、請求人は、甲第５号証刊行物は光学式ディスク基板に限定されるものではないと主張しているが、ポリカーボネート樹脂成形品における白点の発生を光学式情報記録媒体のビットエラー率（BER）の増加と結びつけて評価するのみであり、また、甲第６号証刊行物を参酌してもこの白点が半導体ウエーハ等の薄板の表面汚染にどのように関係するものかは明らかではないから、結局光学式ディスク基板における課題しか示されていないものである。
　
（２）請求人は同じく口頭審理陳述要領書において、「本件発明の目的（技術分野）は、「揮発あるいは漏出の可能性のある不純物成分が材料中に全く存在しないポリカーボネート樹脂」を提供することにある。……すなわち、本件発明の目的（技術分野）である「揮発あるいは漏出の可能性のある不純物成分が材料中に全く存在しないＰＣ樹脂」とは、「金属やフェノール化合物などの不純物の含有量が少ないＰＣ樹脂」であることになる。甲第１〜５号証は、いずれも、ポリカーボネート樹脂を用いた製品に係る技術分野に属するものであるとともに、不純物の低減が望まれる点で共通の課題を有するものであるから、同一の技術分野に属し、また本件発明の技術分野とも一致するというべきである。」と主張した上で、「甲第３号証には、「幅広い用途、特に射出成形用または窓ガラスの代わりにガラスシートとしての用途」（段落0002）と記載されており、ポリカーボネート樹脂が射出成形品や押出成形品（シート）などの「幅広い用途」に用いられることを想定している。従って、甲第３号証を甲第２号証などと組み合わせることを阻害すべき理由はない。」、「甲第５号証には「光学用成形品…に関する（1頁左下欄第1行目〜右下欄2行目）」と記載されており、光学用成形品の例が1ページ右下欄4〜12行目に非限定的に記載されているが、光学式ディスク基板には限定されていない。従って、甲第５号証を甲第２号証などと組み合わせることを阻害すべき理由はない。」と述べている。
　しかし、本件特許発明１及び２はいずれも「ポリカーボネート樹脂」の発明ではなく、「薄板収納搬送容器」の発明であるから、本件特許発明１及び２の目的（技術分野）は、「揮発あるいは漏出の可能性のある不純物成分が材料中に全く存在しないポリカーボネート樹脂」を提供することではなく、「半導体ウエーハや磁気ディスクの表面汚れとして支障を及ぼさない程度まで金属原子および揮発性ガスの発生を抑制したポリカーボネート樹脂製の薄板収納搬送容器」を提供することである。したがって、薄板収納搬送容器として、被収納物である薄板の表面汚染を防止するために、どのような不純物をどの程度まで低減させるかを検討することが必要となるが、先に検討したとおり、甲第１、３〜５号証刊行物にはこのことについて、何ら記載も示唆もしていない。請求人が特に触れている甲第３号証刊行物には、ポリカーボネートの着色を防止するための技術が開示されており、そのために、ポリカーボネート樹脂中の鉄、クロム、ニッケル等の金属成分の含有量を低減させることについて記載されているとしても、この記載から薄板収納搬送容器に収納された薄板の表面汚染を低減するために必要な技術について導き出すことはできず、また、同じく甲第５号証刊行物には、ポリカーボネート樹脂を用いた成形品に発生する白点を抑制するための技術が開示されており、そのために末端水酸基量と残留微量金属、特にナトリウムの含有量を低減することについて記載されているとしても、そのことからはやはり薄板収納搬送容器に収納された薄板の表面汚染を低減するために必要な技術について想起することはできないものである。
　そうすると、請求人が主張する甲第１〜５号証は同一の技術分野に属するとした点は首肯できず、甲第２号証刊行物に記載された発明と甲第１、３〜５号証刊行物に記載された発明とを組み合わせることは、その技術分野が異なることから、その動機づけがないということになる。
　したがって、上記請求人の主張は採用できない。
　
第８．むすび
　以上のとおりであるから、請求人の主張及び証拠方法によっては、本件請求項１及び２に係る発明についての特許はいずれも特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものとはいえないから、同法第１２３条第１項第２号に該当せず、本件特許を無効とすることができない。
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。
　よって、結論のとおり審決する。