【事件の表示】
　特願２００２−　２０２３０「マイクロ波発振器」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　８月　８日出願公開、特開２００３−２２４４２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年１月２９日の出願であって、平成１９年５月３１日付けで拒絶理由通知がなされ、同年８月３日付けで手続補正がなされたが、平成２０年３月３１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月８日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、平成２０年５月８日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「発振素子としての電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴと称す）と、
　前記ＦＥＴに接続された共振回路と、
　前記ＦＥＴのゲートバイアス回路及びドレインバイアス回路と
　を有し、前記ＦＥＴのドレイン・ソース間電圧を負とすると共に、
　抵抗を並列接続したサーミスタに他の抵抗を直列に接続した回路を第１の回路部及び第２の回路部として２つ直列に接続し、その中点を出力として前記ＦＥＴのゲート電圧を制御する温度補償回路を備え、
　前記温度補償回路は、
　前記第１の回路部の合成抵抗と比較して前記第２の回路部の合成抵抗の温度に対する傾きを大きくして、温度に対し出力電圧が単調増加する第１の特性と、
　前記第２の回路部の合成抵抗と比較して前記第１の回路部の合成抵抗の温度に対する傾きを大きくして、温度に対し出力電圧が単調減少する第２の特性と、
　極大値を持つ温度を基準として、温度が低い点では前記第１の回路部の合成抵抗と比較して前記第２の回路部の合成抵抗の温度に対する傾きを大きくし、温度が高い点では前記第２の回路部の合成抵抗と比較して前記第１の回路部の合成抵抗の温度に対する傾きを大きくして、１つの極大値の変曲点を持つ第３の特性と、
　極小値を持つ温度を基準として、温度が低い点では前記第２の回路部の合成抵抗と比較して前記第１の回路部の合成抵抗の温度に対する傾きを大きくし、温度が高い点では前記第１の回路部の合成抵抗と比較して前記第２の回路部の合成抵抗の温度に対する傾きを大きくして、１つの極小値の変曲点を持つ第４の特性と
　を有し、温度に対する発振周波数の特性に応じて前記第１の回路部と前記第２の回路部の合成抵抗を調整することで、発振周波数の温度変動を抑制する
　ことを特徴とするマイクロ波発振器。」
　
３．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭５５−７９５０６号公報（以下、「引用例１」という。）、及び実公昭６０−１９３７１号公報（以下、「引用例２」という。）には、それぞれ、図面とともに次の事項が記載されている。
　
（引用例１）
Ａ．「２．特許請求の範囲
　電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を使用した発振器、サーミスタあるいはポジスタを備えこのサーミスタあるいはポジスタの抵抗の温度による変化により上記発振器の周波数の温度による変化に対する補償が行なわれるように構成された上記電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のゲートバイアス回路を備えたことを特徴とする発振装置。」（第１頁左下欄第４〜１１行）
　
Ｂ．「第１図はＦＥＴを使用した発振器による従来の発振装置を示す回路図であり、この図においてはこの発明の説明に必要な要部のみを示す。第１図(ａ)はソースより安定化共振回路を介しゲートに帰還を行なう場合、第１図(ｂ)はゲートに安定化共振回路を設けた場合、第１図(ｃ)は出力回路に安定化共振回路を設けた場合（帯域阻止フィルタ装荷形）、第１図(ｄ)は(ｃ)と同様出力回路に安定化共振回路を設けた場合（帯域通過フィルタ装荷形）である。図において(１)はＦＥＴ、(２)と(11)は出力整合回路あるいは出力取出し回路、(３)はゲート側の整合共振回路、(４)は安定化共振回路、(５)は出力取り出し用の端子、(６)はゲートにゲートバイアス電圧を供給する回路で同時に高周波を阻止する回路、(７)は直流をゲートに印加する端子、(８)，(９)はそれぞれゲート側に出力の一部を帰還する回路を示し(10)は発振装置を示す。
　・・・（中略）・・・
　この発明は・・・（中略）・・・ＦＥＴのゲートに直流を印加するゲートバイアス回路にサーミスタあるいはポジスタを取り付け発振器の出力周波数の温度補償作用をするように構成することにより、従来の装置より周波数の安定度の高い発振装置を提供することを目的とするものである。」（第１頁左下欄第１６行〜第２頁左上欄第１０行）
　
Ｃ．「第２図、第３図はそれぞれこの発明に係る一実施例を示す回路図であり、図において(６)，(７)は第１図の同一符号と同一部分を、(10)は第１図の同一符号が示す従来の発振装置に相当する部分を示し、(12)は温度補償回路部分、(13)はサーミスタあるいはポジスタ、(14)は抵抗、(15)は直流を印加する端子を示す。
　この発明はＦＥＴに印加するゲートバイアス電圧変化に対する出力周波数の変動を利用し、ゲートバイアス回路をサーミスタあるいはポジスタを備えた温度により抵抗値の変化する回路とし、この回路により発振装置の周波数の高安定化を実現するものである。
　第４図は従来の発振装置におけるゲートバイアス電圧に対する出力周波数変動の一例を示すグラフ図、第５図は従来の発振装置における温度変化に対する出力周波数変動の例を示すグラフ図である。第５図における(Ａ)，(Ｂ)の示す特性はほぼ使用されている安定化共振回路(４)により定まる。
　第２図、第３図において、端子(15)に印加された電圧Ｅは回路(12)を通り端子(７)にゲートバイアス電圧として下記のような電圧として印加される。
　第２図の場合
　・・・(ａ)式の摘記を省略・・・
　第３図の場合
　・・・(ｂ)式の摘記を省略・・・
　ここでＲ１は抵抗(14)の抵抗値、Ｒ２（１＋αＴ）はサーミスタあるいはポジスタの抵抗値でＲ２はその基準温度における値、αは温度係数、Ｔは温度変化量を示す。温度係数(α)はサーミスタの場合負、ポジスタの場合は正である。
　上記(ａ)，(ｂ)式において第１項はゲート回路に印加される固定電圧で第２項は温度変化により変動する電圧分となる。
　以下サーミスタを使用した実施例により説明する。第５図における(Ａ)の示す温度特性を持っている場合、温度Ｔの変化による周波数変化は−Ｋ２（Ｈｚ／℃）・Ｔ(℃)となる。この場合第３図に示す温度補償回路部分(12)を用いて
　・・・(ｃ)式の摘記を省略・・・
（ここではサーミスタが使用されているのでαは負である）になるようにＲ１を持つ抵抗(14)とＲ２およびαを持つサーミスタ(13)を選択する。上記(ｃ)式が成立する場合、ほぼ周波数変化の発生しない、あるいは従来の発振装置に比べ周波数安定度の高い発振装置が得られることになる。
　第５図における(Ｂ)の示す温度特性を持っている場合、温度Ｔの変化による周波数変化はＫ２（Ｈｚ／℃）・Ｔ(℃)となる。この場合第２図に示す温度補償回路部分(12)を用いて
　・・・(ｄ)式の摘記を省略・・・
になるようにＲ１を持つ抵抗(14)とＲ２およびαを持つサーミスタ(13)を選択することにより、ほぼ周波数変化の発生しないあるいは従来の発振装置に比べ周波数安定度の高い発振装置を得ることができる。
　・・・（中略）・・・
　また、適切なＲ２およびαを持つサーミスタあるいはポジスタが得られない場合は、抵抗とサーミスタあるいはポジスタを組合せることにより適切なＲ２およびαを実現することが可能である。」（第２頁左上欄第１１行〜第３頁左上欄第３行）
　
　上記Ｃの記載によれば、引用例１のものは、第３図に示す温度補償回路部分(12)を用いて第５図における(Ａ)の示す温度特性を補償し、第２図に示す温度補償回路部分(12)を用いて第５図における(Ｂ)の示す温度特性を補償するようにしている。
　ここで、第５図における(Ａ)，(Ｂ)の示す温度特性は、それぞれ、温度に対して出力周波数が単調に減少あるいは増加するものであるから、その温度特性を補償する第３図に示す温度補償回路部分(12)あるいは第２図に示す温度補償回路部分(12)は、それぞれ、温度に対して出力周波数（第４図に示されるように、これは、ゲート電圧と比例関係にあるパラメータである。）を単調に増加あるいは減少させるものである。
　すなわち、引用例１のものにおける「温度補償回路部分(12)」は、「サーミスタあるいはポジスタと抵抗に対して第１の設定をすることにより、温度に対し出力電圧が単調増加する第１の特性」と「サーミスタあるいはポジスタと抵抗に対して第２の設定をすることにより、温度に対し出力電圧が単調減少する第２の特性」とを有するものであるということができる。
　
　よって、上記Ａ〜Ｃの記載及び関連する図面を参照すると、引用例１には、次の発明が記載されているものと認められる。（以下、「引用例１記載の発明」という。）
「発振素子としての電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴと称す）と、
　前記ＦＥＴに接続された共振回路と、
　前記ＦＥＴのゲートバイアス回路と
　を有し、
　サーミスタあるいはポジスタと抵抗を直列に接続し、その中点を出力として前記ＦＥＴのゲート電圧を制御する温度補償回路を備え、
　前記温度補償回路は、
　前記サーミスタあるいはポジスタと抵抗に対して第１の設定をすることにより、温度に対し出力電圧が単調増加する第１の特性と、
　前記サーミスタあるいはポジスタと抵抗に対して第２の設定をすることにより、温度に対し出力電圧が単調減少する第２の特性と
　を有し、温度に対する発振周波数の特性に応じて前記サーミスタあるいはポジスタと抵抗を調整することで、発振周波数の温度による変化の補償が行なわれるようにした発振装置。」
　
（引用例２）
Ｄ．「即ち制御電圧源３より温度補償回路２に供給された直流安定化電圧はこの温度補償回路２にて温度変動に伴なって変化する電圧に変換され、この温度依存性電圧を可変リアクタンス素子１ｃに供給し、圧電振動子１ｂの温度特性による周波数浮動を抑制するようにし、全体として温度補償型圧電発振器が構成されている。このため温度補償回路２においては例えばサーミスタの如き感温素子２ａ，２ｂが用いられ、この感温素子２ａ，２ｂの抵抗値を周囲温度の変動に伴なって可変させ、その出力電圧に温度特性を持たせるようにしたものである。
　このようにして圧電発振器１の発振周波数の温度特性は補償され、温度変動に対し発振周波数の浮動の巾を小さくするようにしている。
　ところでこの種圧電発振器によって温度特性を高安定化するには温度補償回路２の回路構成を複雑にせざるを得なくなり、且つ感温素子２ａ，２ｂと直列及び並列に接続される抵抗器の抵抗値決定が面倒である。」（第１頁第２欄第１９行〜第２頁第３欄第１２行）
　
　上記Ｄの記載及び第１図の「温度補償回路２」を参照すると、引用例２には、次の発明が記載されているものと認められる。（以下、「引用例２記載の発明」という。）
「抵抗を並列接続したサーミスタに他の抵抗を直列に接続した回路を第１の回路部及び第２の回路部として２つ直列に接続し、その中点に得られる電圧を抵抗を介して出力し、発振器の発振周波数の温度特性を補償するための電圧として用いる温度補償回路。」
　
４．対比
　本願発明と引用例１記載の発明とを対比すると、次のことがいえる。
　
（あ）引用例１記載の発明の「発振装置」は、第１図を見ると、分布定数回路を用いたものとなっており、「マイクロ波発振器」であると解される。
　
（い）引用例１記載の発明において、「サーミスタあるいはポジスタ」を「第１の回路部」と称し、「抵抗」を「第２の回路部」と称すること、あるいは、「サーミスタあるいはポジスタ」を「第２の回路部」と称し、「抵抗」を「第１の回路部」と称することは、どちらも可能なことである。
　よって、引用例１記載の発明における「サーミスタあるいはポジスタと抵抗を直列に接続し、その中点を出力としてＦＥＴのゲート電圧を制御する温度補償回路」と、本願発明における「抵抗を並列接続したサーミスタに他の抵抗を直列に接続した回路を第１の回路部及び第２の回路部として２つ直列に接続し、その中点を出力としてＦＥＴのゲート電圧を制御する温度補償回路」とは、ともに、「第１の回路部及び第２の回路部を直列に接続し、その中点を出力としてＦＥＴのゲート電圧を制御する温度補償回路」である点において、共通するということができる。
　
（う）本願発明と引用例１記載の発明における「温度補償回路」は、ともに、「所定の第１の設定をすることにより温度に対し出力電圧が単調増加する第１の特性」と「所定の第２の設定をすることにより温度に対し出力電圧が単調減少する第２の特性」とを有するものである点においては、共通するものである。
　
（え）引用例１記載の発明において「温度に対する発振周波数の特性に応じてサーミスタあるいはポジスタと抵抗を調整することで、発振周波数の温度による変化の補償が行なわれるように」することと、本願発明において「温度に対する発振周波数の特性に応じて第１の回路部と第２の回路部の合成抵抗を調整することで、発振周波数の温度変動を抑制する」こととは、ともに、「温度に対する発振周波数の特性に応じて第１の回路部と第２の回路部の抵抗を調整することで、発振周波数の温度変動を抑制する」ことである点において、共通するということができる。
　
　上記（あ）〜（え）の事項を踏まえると、本願発明と引用例１記載の発明とは、次の点で一致し、また、相違するものと認められる。
　
（一致点）
　本願発明と引用例１記載の発明とは、ともに、
「発振素子としての電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴと称す）と、
　前記ＦＥＴに接続された共振回路と、
　前記ＦＥＴのゲートバイアス回路と
　を有し、
　第１の回路部及び第２の回路部を直列に接続し、その中点を出力としてＦＥＴのゲート電圧を制御する温度補償回路を備え、
　前記温度補償回路は、
　所定の第１の設定をすることにより温度に対し出力電圧が単調増加する第１の特性と、
　所定の第２の設定をすることにより温度に対し出力電圧が単調減少する第２の特性と
　を有し、温度に対する発振周波数の特性に応じて前記第１の回路部と前記第２の回路部の抵抗を調整することで、発振周波数の温度変動を抑制するマイクロ波発振器。」
である点。
　
（相違点）
　相違点１：本願発明は、「ドレインバイアス回路」を有するものであり、「ＦＥＴのドレイン・ソース間電圧を負とする」ものであるのに対し、引用例１のものは、「ドレインバイアス回路」についての明示の記載がなく、また、「ＦＥＴのドレイン・ソース間電圧を負とする」ものであるとはされていない点。
　
　相違点２：本願発明においては、「温度補償回路」が、「抵抗を並列接続したサーミスタに他の抵抗を直列に接続した回路を第１の回路部及び第２の回路部として２つ直列に接続し」たものであって、「所定の第１の設定をすることにより温度に対し出力電圧が単調増加する第１の特性」を「第１の回路部の合成抵抗と比較して第２の回路部の合成抵抗の温度に対する傾きを大きくして」得るものであり、「所定の第２の設定をすることにより温度に対し出力電圧が単調減少する第２の特性」を「第２の回路部の合成抵抗と比較して第１の回路部の合成抵抗の温度に対する傾きを大きくして」得るものであるとともに、「極大値を持つ温度を基準として、温度が低い点では第１の回路部の合成抵抗と比較して第２の回路部の合成抵抗の温度に対する傾きを大きくし、温度が高い点では前記第２の回路部の合成抵抗と比較して前記第１の回路部の合成抵抗の温度に対する傾きを大きくして、１つの極大値の変曲点を持つ第３の特性」及び「極小値を持つ温度を基準として、温度が低い点では第２の回路部の合成抵抗と比較して第１の回路部の合成抵抗の温度に対する傾きを大きくし、温度が高い点では前記第１の回路部の合成抵抗と比較して前記第２の回路部の合成抵抗の温度に対する傾きを大きくして、１つの極小値の変曲点を持つ第４の特性」をも有するものであり、かつ、第１の回路部と前記第２の回路部の「合成」抵抗を調整することで発振周波数の温度変動を抑制するものであるのに対し、引用例１記載の発明においては、そのようなものではない点。
　
５．当審の判断
　そこで、上記相違点１，２について検討する。
　
（相違点１について）
　引用例１のものにおいては、「ドレインバイアス回路」が示されていないが、引用例１の上記Ｂに、「第１図はＦＥＴを使用した発振器による従来の発振装置を示す回路図であり、この図においてはこの発明の説明に必要な要部のみを示す。」と記載されているように、単に「必要な要部のみを示」したものであるために、記載が省略されたにすぎないものであると解される。
　そして、この種のＦＥＴを使用した回路において、「ドレインバイアス回路」は、ごく普通に用いられる回路にすぎないから、引用例１記載の発明において、「ドレインバイアス回路」を設けるようにすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　次に、「ＦＥＴのドレイン・ソース間電圧を負とする」点については、ＦＥＴを用いたマイクロ波発振器において、その「ドレイン・ソース間電圧」を負とすることは、例えば、実願昭６０−１５３２８５号（実開昭６２−１２９８１２号）のマイクロフィルムの第２頁第１１〜１４行の「次に動作について説明する。ＦＥＴ(１)のゲート(10)とドレイン(11)にソースに対して負の電圧を印加すると、・・・となる。」との記載、特開昭５６−２４８０７号公報の第４頁左上欄第１８〜２０行の「・・・ソース電極とドレイン電極を逆にしたリバースチャンネルでＦＥＴを動作させることもできる。」との記載、特開昭５９−２２４９０４号公報の第１頁左下欄第１６〜１７行及び特開昭６２−８８４０４号公報の第１頁左下欄第１５〜１６行の「ドレイン接地がリバース・チャンネル型で実現されている・・・」との記載に見られるように、周知技術にすぎないから、引用例１記載の発明において、該周知技術を適用して「ＦＥＴのドレイン・ソース間電圧を負とする」ことは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
（相違点２について）
　「発振器の発振周波数の温度特性を補償するための電圧」として「抵抗を並列接続したサーミスタに他の抵抗を直列に接続した回路を第１の回路部及び第２の回路部として２つ直列に接続し、その中点に得られる電圧を抵抗を介して出力」した電圧を用いることは、引用例２記載の発明に見られる公知の技術にすぎない。
　引用例２記載の発明においては、「第１の回路部」及び「第２の回路部」の直列接続回路の中点に得られる電圧を「抵抗」を介して出力するようにしているが、これを、「抵抗」を介さずに直接出力するようにして、流れる電流の電圧降下の影響を受けないようにすることは、当業者が適宜に設計できる事項にすぎない。
　また、引用例２記載の発明の温度補償回路は、引用例２の上記Ｄに「ところでこの種圧電発振器によって温度特性を高安定化するには温度補償回路２の回路構成を複雑にせざるを得なくなり、且つ感温素子２ａ，２ｂと直列及び並列に接続される抵抗器の抵抗値決定が面倒である」との記載があるものの、たとえ面倒であったとしても、第１の回路部の合成抵抗と第２の回路部の合成抵抗の温度特性の設定により、本願発明にいう第１〜第４の特性を得ることは可能であるということは、当業者にとって明らかなことである。
　そして、温度補償回路というものは、そもそも、補償対象となる回路の温度特性を打ち消すように、逆特性の温度特性を加えるようにする回路なのであるから、補償対象となる回路の温度特性に応じて、該補償対象となる回路の温度特性を打ち消すような温度特性を持った温度補償回路を、第１〜第４の特性を持つ温度補償回路の中から選んで用いるようにすることは、当業者が適宜に選択設計できる事項にすぎない。
　以上の事情を考慮すれば、引用例１記載の発明において、「温度補償回路」を、「抵抗を並列接続したサーミスタに他の抵抗を直列に接続した回路を第１の回路部及び第２の回路部として２つ直列に接続し」たものとし、「所定の第１の設定をすることにより温度に対し出力電圧が単調増加する第１の特性」を「第１の回路部の合成抵抗と比較して第２の回路部の合成抵抗の温度に対する傾きを大きくして」得るものとし、「所定の第２の設定をすることにより温度に対し出力電圧が単調減少する第２の特性」を「第２の回路部の合成抵抗と比較して第１の回路部の合成抵抗の温度に対する傾きを大きくして」得るものとするとともに、「極大値を持つ温度を基準として、温度が低い点では第１の回路部の合成抵抗と比較して第２の回路部の合成抵抗の温度に対する傾きを大きくし、温度が高い点では前記第２の回路部の合成抵抗と比較して前記第１の回路部の合成抵抗の温度に対する傾きを大きくして、１つの極大値の変曲点を持つ第３の特性」及び「極小値を持つ温度を基準として、温度が低い点では第２の回路部の合成抵抗と比較して第１の回路部の合成抵抗の温度に対する傾きを大きくし、温度が高い点では前記第１の回路部の合成抵抗と比較して前記第２の回路部の合成抵抗の温度に対する傾きを大きくして、１つの極小値の変曲点を持つ第４の特性」をも有するものとし、かつ、第１の回路部と前記第２の回路部の「合成」抵抗を調整することで発振周波数の温度変動を抑制するものとすることは、当業者が適宜に設計できる事項にすぎない。
　
（本願発明の作用効果について）
　そして、本願発明の構成によってもたらされる効果も、引用例１，２に記載の発明及び周知技術から当業者が容易に予測することができる程度のものであって、格別のものとはいえない。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１，２に記載の発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。