【事件の表示】
　特願２００３−１６８０２１「露光装置評価用フォトマスクの製造方法、露光装置評価用フォトマスクおよび収差評価方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　１月　６日出願公開、特開２００５−　　５５２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年（２００３年）年６月１２日の出願（特願２００３−１６８０２１号）であって、平成２１年７月２１日付けで手続補正がなされ、同年９月１５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１２月２５日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２１年１２月２５日付けの手続補正についての補正の却下の決定について
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２１年１２月２５日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正について
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１及び２に係る発明は、平成２１年７月２１日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２の、
　
「【請求項１】評価用パターンを含む原画パターンを設計する工程と、
　設計された前記原画パターンをグリッド上に位置づけられたパターンとする工程と、
　前記グリッド上に位置づけられたパターンを透明基板上のマスクパターンとして転写することで、前記透明基板と前記マスクパターンとを有するフォトマスクを形成する工程とを備える露光装置評価用フォトマスクの製造方法であって、
　前記評価用パターンの平面形状は直角三角形の部分を含んでおり、前記直角三角形における斜辺を除く２つの辺のうち一方の辺の長さを前記グリッドのｊ個（ｊは整数）のマス目の長さとし、他方の辺の長さを前記グリッドのｋ個（ｋは整数）のマス目の長さとして、前記斜辺と前記一方の辺とのなす角度が不連続な値に制限された前記原画パターンを前記グリッド上に位置づけ、
　前記ｊと前記ｋとは、ｊ＝ｋの関係を満たすことを特徴とする、露光装置評価用フォトマスクの製造方法。
【請求項２】請求項１に記載の露光装置評価用フォトマスクの製造方法を用いて製造された露光装置評価用フォトマスク。　」から　
　
「【請求項１】評価用パターンを含む原画パターンを設計する工程と、
　設計された前記評価用パターンを含む原画パターンをグリッド上に位置づけられたパターンとする工程と、
　前記グリッド上に位置づけられた前記評価用パターンを含む原画パターンを分割し、前記評価用パターンを含む原画パターンを分割した線上に図形の頂点が新たに発生する工程と、
　前記原画パターンを透明基板上のマスクパターンとして転写することで、前記透明基板と前記マスクパターンとを有するフォトマスクを形成する工程とを備える露光装置評価用フォトマスクの製造方法であって、
　前記評価用パターンの平面形状は直角三角形の部分を含んでおり、前記直角三角形における斜辺を除く２つの辺のうち一方の辺の長さを前記グリッドのｊ個（ｊは整数）のマス目の長さとし、他方の辺の長さを前記グリッドのｋ個（ｋは整数）のマス目の長さとして、前記斜辺と前記一方の辺とのなす角度が不連続な値に制限された前記原画パターンを前記グリッド上に位置づけ、
　前記ｊと前記ｋとは、ｊ＝ｋの関係を満たすことで、前記直角三角形の前記斜辺をグリッドの格子点を通るグリッド線で分割することを特徴とする、露光装置評価用フォトマスクの製造方法。
【請求項２】請求項１に記載の露光装置評価用フォトマスクの製造方法を用いて製造された露光装置評価用フォトマスク。」と補正された。
　
　そして、上記の請求項１についての補正は、本件補正前の請求項１において、
（１）「原画パターン」について「評価用パターンを含む原画パターン」であることを特定する補正事項、
（２）「評価用パターンを含む原画パターンを分割し、前記評価用パターンを含む原画パターンを分割した線上に図形の頂点が新たに発生する工程」を追加する補正事項、
（３）「記グリッド上に位置づけられ」「透明基板上のマスクパターンとして転写する」パターンについて「原画パターン」であることを限定して特定する補正事項、
（４）「前記ｊと前記ｋとは、ｊ＝ｋの関係を満たすこと」について、「前記ｊと前記ｋとは、ｊ＝ｋの関係を満たすことで、前記直角三角形の前記斜辺をグリッドの格子点を通るグリッド線で分割すること」であることを限定して特定する補正事項、
を含むものである。
　そして、請求項２が請求項１を引用していることから、本件補正後の請求項２に係る発明ついても、本件補正前の請求項２に係る発明に対して、実質的に上記（１）ないし（４）の補正事項からなる補正がなされたものであるといえる。
　上記の請求項１及び２についての（１）ないし（４）の補正事項は、いずれも、特許請求の範囲のいわゆる限定的減縮を目的とする補正事項であるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下、「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものを含む。
　
　
２　独立特許要件違反についての検討
　そこで、次に、本件補正後の特許請求の範囲の請求項２に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　
（１）本願補正発明
　本願補正発明は、平成２１年１２月２５日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載されている事項により特定される次のとおりのものである。
　
「評価用パターンを含む原画パターンを設計する工程と、
　設計された前記評価用パターンを含む原画パターンをグリッド上に位置づけられたパターンとする工程と、
　前記グリッド上に位置づけられた前記評価用パターンを含む原画パターンを分割し、前記評価用パターンを含む原画パターンを分割した線上に図形の頂点が新たに発生する工程と、
　前記原画パターンを透明基板上のマスクパターンとして転写することで、前記透明基板と前記マスクパターンとを有するフォトマスクを形成する工程とを備える露光装置評価用フォトマスクの製造方法であって、
　前記評価用パターンの平面形状は直角三角形の部分を含んでおり、前記直角三角形における斜辺を除く２つの辺のうち一方の辺の長さを前記グリッドのｊ個（ｊは整数）のマス目の長さとし、他方の辺の長さを前記グリッドのｋ個（ｋは整数）のマス目の長さとして、前記斜辺と前記一方の辺とのなす角度が不連続な値に制限された前記原画パターンを前記グリッド上に位置づけ、
　前記ｊと前記ｋとは、ｊ＝ｋの関係を満たすことで、前記直角三角形の前記斜辺をグリッドの格子点を通るグリッド線で分割することを特徴とする、露光装置評価用フォトマスクの製造方法を用いて製造された露光装置評価用フォトマスク。」
　
（２）引用例
ア　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平５−１６００００号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の事項が記載されている。（後述の「イ　引用例１に記載された発明の認定」において発明の認定に直接関係する記載に下線を付した。）
　
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、第１面上のパターンを投影光学系を介して第２面上の基板に転写する露光装置に関する。このような露光装置は例えば半導体素子を製造する際のリソグラフィ工程で使用される。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子を製造するためのフォトリソグラフィ工程においては、通常フォトマスクやレチクル（以下、「レチクル」と総称する）と呼ばれる原版に形成された回路パターン等を、半導体ウェハ上に塗布されたレジスト層に焼き付け、しかる後現像処理により形成されたレジストパターンをマスクとしてフォトエッチングを行う。そのレチクルのパターンをウェハ上のレジスト層に転写する工程において高解像力の投影光学系を有する露光装置が使用される。この種の露光装置においては、レチクルのパターンを所定の倍率又は縮小率で正確にウェハ上に転写することが要求されており、投影光学系の結像特性、特に倍率の誤差又は歪曲（ディストーション）を補正する機構が設けられている。その補正を行うためには先ずその倍率の誤差又は歪曲の量を正確に計測する必要がある。
【０００３】従来の露光装置ではそのような計測を行うために、レチクル上に特定のパターンを形成し、３次元的にウェハの位置決めを行うＸＹＺステージ上にスリット状の窓を有する光学部材を載置していた。そして、そのレチクル上の特定のパターンの投影光学系による像とそのスリット状の窓とを光学系を介して適当な大きさの拡大像に変換し、この拡大像よりそのレチクル上のパターンの像とスリット状の窓との間隔を計測し、この間隔の設計値とのずれより投影光学系の倍率の誤差又は歪曲の量を求めていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の計測方法では、ＸＹＺステージ及び計測用の光学系が複雑である不都合があった。また、レチクル上のパターンとＸＹＺステージ上のスリット状の窓との間隔を光学系で拡大しているために、この光学系の持つ収差及び光学系の特性の変動の影響により測定結果に誤差が混入する虞があった。本発明は斯かる点に鑑み、単純な構成で且つ常に安定に投影光学系の倍率の誤差又は歪曲量を測定できる露光装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による露光装置は、例えば図１に示す如く、第１面Ｒ上のパターンを投影光学系ＰＬを介して第２面上の基板Ｗに転写する露光装置において、その第１面Ｒ上に予め形成された複数個の特定のパターン（２０，２２）と、その第２面上にその基板Ｗとほぼ同じ高さに設置された受光面を有し、それら複数個の特定のパターン（２０，２２）のその投影光学系ＰＬによる像の所定の計測方向（例えばＸ方向）の間隔を検出する受光手段（１１）と、この検出された間隔よりその投影光学系ＰＬのその所定の計測方向の倍率及び歪曲を求める演算手段（１８）とを設けたものである。
【０００６】この場合、例えば図４に示すように、その特定のパターン（２０，２２）に所定幅ｇのパターンＱ１を含め、その受光手段（１１）はこの所定幅ｇのパターンＱ１の像の幅を検出し、その演算手段（１８）はこの検出された像の幅よりその受光手段（１１）の受光面のその投影光学系ＰＬの光軸方向の合焦位置を求めるようにしてもよい。
【０００７】また、例えば図４に示すように、その特定のパターン（２０，２２）にその所定の計測方向（Ｘ方向）に対してそれぞれ斜めに且つ互いに非平行に配置された１対の線分Ｑ１，Ｑ２を含め、例えば図５に示すように、その受光手段（１１）の受光面はそれら１対の線分Ｑ１，Ｑ２のその投影光学系ＰＬによる１対の像（２０Ｉ）に対してそれぞれ非平行の領域を有するようにしてもよい。更に、例えば図１１（ａ）に示すように、その特定のパターン（２０，２２）にその所定の計測方向（Ｘ方向）に対して非平行に配置された線分（３２）を含め、その受光手段（１１）の受光面は、例えば図１１（ｂ）に示すように、この線分（３０）のその投影光学系ＰＬによる像に対してそれぞれ斜めに且つ互いに非平行に配置された１対の領域（３３，３４）を有するようにしてもよい。
【０００８】
【作用】斯かる本発明によれば、第１面Ｒ上に形成された複数個の特定のパターン（２０，２１）の計測方向であるＸ方向の間隔を予め測定しておき、第２面上に基板Ｗとほぼ同じ高さに設置された受光面でそれら複数個の特定のパターンの投影光学系ＰＬによる像のＸ方向の間隔を検出する。この検出された間隔と元の間隔（上記測定値、または設計値）とよりその
投影光学系のＸ方向の倍率誤差を求めることができる。
【０００９】この場合、受光手段（１１）の受光面で直接にそれら特定のパターン（２０，２１）の像を検出するようにしているので、投影光学系以外の光学系の収差の影響等がないと共に、第２面等の構成が単純である。更に、その特定のパターン（２０，２２）に所定幅ｇのパターンＱ１を含め、このパターンＱ１の投影光学系ＰＬによる像を第２面上に投影すると、その受光手段（１１）の受光面が投影光学系ＰＬに合焦しているときにその像の幅が最も狭くなる。これを利用してその受光面の投影光学系ＰＬの光軸方向の合焦位置を求めることができる。
【００１０】次に、
その特定のパターン（２０，２２）にその所定の計測方向（Ｘ方向）
【００１１】交点Ｐ１とＰ２との間隔をｙ１、交点Ｒ１とＲ２との間隔をｙ２とすると、受光手段（２０）側ではΔｙ（＝ｙ１−ｙ２）が計測される。そして、像（２０Ｉ）の１つの辺が
計測方向（Ｘ方向）
Δｙ＝２・Δｘ・ｔａｎθ
の関係がある。従って、θ＞２７°が成立すれば、Δｙ＞Δｘが成立する。これは実際の変位であるΔｘをΔｙに拡大して観察できることを意味する。また、像（２０Ｉ）が計測方向に対して斜めの場合には、受光手段（１１）の受光面を計測方向に走査しなくとも或る程度の範囲の変位を１箇所で測定することができる。
【００１２】次に、その特定のパターン（２０，２２）にその所定の計測方向（Ｘ方向）に対して非平行に配置された線分（３２）を含め、その受光手段（１１）の受光面がその線分（３２）の投影光学系ＰＬによる像に対してそれぞれ斜めに且つ互いに非平行に配置された１対の領域（３３，３４）を有する場合とは、上述の発明に対して特定のパターンと受光手段の受光面との役割を逆にしたものである。この場合でも実際の変位を拡大して観察できると共に、或る程度の範囲の変位を１箇所で測定することができる。」
　
「【００４１】次に本発明の他の実施例につき図１０を参照して説明する。図１０（ａ）はこの実施例の
レチクルＲ上のパターン
投影光学系ＰＬのＸ方向の倍率誤差等を計測することができる。
【００４２】なお、図１０（ａ）の例では隣合うエッジパターンＱ３とＱ４とは共にＸ軸に対して斜めになっているが、例えば一方のエッジパターンがＸ軸に平行になってもよい。図１０（ｂ）はそのような場合のレチクルＲ上のパターンを示し、この図１０（ｂ）において、３０は直角三角形をＹ方向に繰り返した遮光パターンである。
この遮光パターン３０の隣合う１対のエッジパターンの一方のパターンＱ５はＸ軸に平行であり、他方のパターンＱ６はＸ軸に角度θで交差しており、この１対のエッジパターンＱ５及びＱ６をＹ方向に繰り返すことにより鋸歯状のエッジパターン３１が形成される。
【００４３】なお、図１０（ｂ）の例では、Ｘ方向の位置ずれΔｘと実際に計測されるＹ方向の位置ずれΔｙとの関係は次のようになる。
【数５】Δｘ＝Δｙ／ｔａｎθ
これを（数２）と比較すると、この実施例では検出感度が１／２になっているが、θ＞４５°であれば、Δｘ＜Δｙとなる。従って、
他方のエッジパターンＱ６のＸ軸に対する交差角を４５°以上に設定する
【００４４】上述実施例では、レチクルＲ上のパターンが三角波状又は鋸歯状であり、光電センサ１１の受光面が直線状であるが、逆の関係でもよいことは明かである。この逆の関係の場合には、レチクルＲ上のＸ方向を測定方向とするパターンは例えば図１１（ａ）に示すように、遮光パターンの間に光透過性のＸ方向に略々垂直な直線状のパターン３２が形成されたものとなる。一方、ウェハステージ１０上に載置される光電センサの受光面の形状は、例えば図１１（ｂ）に示すように、Ｘ方向に時計回りに角度θで交差するラインセンサ３３とＺ方向に反時計方向に角度θで交差するラインセンサ３４とよりなる基本ユニットをＹ方向に繰り返した形状となる。このような組合せでも投影光学系ＰＬのＸ方向の倍率誤差等を計測できることは明かである。」
　
「【図１０】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
イ　引用例１に記載された発明の認定
　【００４２】の「この遮光パターン３０の隣合う１対のエッジパターンの一方のパターンＱ５はＸ軸に平行であり、他方のパターンＱ６はＸ軸に角度θで交差しており、この１対のエッジパターンＱ５及びＱ６をＹ方向に繰り返すことにより鋸歯状のエッジパターン３１が形成される。」及び【図１０】の記載から、【図１０】の（ｂ）のレチクル上のパターンは、隣合う１対のエッジパターンの一方のパターンＱ５はＸ軸に平行であり、他方のパターンＱ６はＸ軸に角度θで交差している「直角三角形」の遮光パターン３０であることといえることから、上記記載（図面の記載も含む）から、引用例１には、
「投影光学系ＰＬのＸ方向の倍率誤差等を計測することができるレチクルＲ上のパターンであって、
　隣合う１対のエッジパターンの一方のパターンＱ５はＸ軸に平行であり、他方のパターンＱ６はＸ軸に角度θで交差しており、この１対のエッジパターンＱ５及びＱ６をＹ方向に繰り返すことにより鋸歯状のエッジパターン３１が形成される複数の直角三角形状の遮光パターン３０からなり、他方のエッジパターンＱ６のＸ軸に対する交差角を４５°以上に設定するレチクルＲ上のパターン。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
（３）本願補正発明と引用発明の対比
ア　対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
　
　引用発明の「レチクルＲ上のパターン」が、本願補正発明の「フォトマスク」における「マスクパターン」に相当する。
　
　また、本願補正発明における「評価用パターンを含む原画パターン」を「透明基板上のマスクパターンとして転写することで」形成された「フォトマスク」は、原画パターンにおける評価用パターンと同じ形状の「（フォトマスクにおける）評価用パターン」を有することは当然である。そして、引用発明における（パターンが）「投影光学系ＰＬのＸ方向の倍率誤差等を計測することができる」ことが、本願補正発明の「評価用」であることに相当するから、引用発明の「投影光学系ＰＬのＸ方向の倍率誤差等を計測することができるレチクルＲ上のパターン」が、本願補正発明の上記の「（フォトマスクにおける）評価用パターン」に相当する。
　
　本願補正発明における「（フォトマスクにおける）評価用パターン」は「評価用パターンを含む原画パターン」を「透明基板上のマスクパターンとして転写することで」形成されたものであるから、原画パターンにおける評価用パターンと同じ形状を有するものである。したがって、露光装置評価用フォトマスクという物の発明において「前記（原画パターンにおける）評価用パターンの平面形状は直角三角形の部分を含んで」いることは、「評価用フォトマスク」における「評価用パターンの平面形状」が「直角三角形の部分を含んで」いることを意味している。
　よって、引用発明における（「レチクルＲ上のパターン」が）「隣合う１対のエッジパターンの一方のパターンＱ５はＸ軸に平行であり、他方のパターンＱ６はＸ軸に角度θで交差しており、この１対のエッジパターンＱ５及びＱ６をＹ方向に繰り返すことにより鋸歯状のエッジパターン３１が形成される複数の直角三角形状の遮光パターン３０からなる」ことが、露光装置評価用フォトマスクという物の発明である本願補正発明の「（前記評価用パターンの平面形状は）直角三角形の部分を含んで」いることに相当する。
　
イ　一致点
　よって、本願補正発明と引用発明は、
「評価用パターンの平面形状は直角三角形の部分を含んでいる露光装置評価用フォトマスク」の発明である点で一致し、次の点で相違する。
　
ウ　相違点
　本願補正発明は、
（i）「評価用パターンを含む原画パターンを設計する工程と、
　設計された前記評価用パターンを含む原画パターンをグリッド上に位置づけられたパターンとする工程と、
　前記グリッド上に位置づけられた前記評価用パターンを含む原画パターンを分割し、前記評価用パターンを含む原画パターンを分割した線上に図形の頂点が新たに発生する工程と、
　前記原画パターンを透明基板上のマスクパターンとして転写することで、前記透明基板と前記マスクパターンとを有するフォトマスクを形成する工程とを備える露光装置評価用フォトマスクの製造方法であって」、
（ii）「（原画パターンにおける評価用パターンの）直角三角形における斜辺を除く２つの辺のうち一方の辺の長さを前記グリッドのｊ個（ｊは整数）のマス目の長さとし、他方の辺の長さを前記グリッドのｋ個（ｋは整数）のマス目の長さとして、前記斜辺と前記一方の辺とのなす角度が不連続な値に制限された前記原画パターンを前記グリッド上に位置づけ、
　前記ｊと前記ｋとは、ｊ＝ｋの関係を満たすことで、前記直角三角形の前記斜辺をグリッドの格子点を通るグリッド線で分割する露光装置評価用フォトマスクの製造方法を用いて製造された」のに対して、引用発明においては、その点の限定がない点。
　
（４）当審の判断
ア　上記各相違点について検討する。
（ア）本願補正発明のような「製造方法」によって「製造された物」を特定しようとする記載がある発明の特定について、特許庁の審査基準においては、第II部（特許要件）　第２章（新規性・進歩性）1.5.2（特定の表現を有する請求項における発明の認定の具体的手法）の（３）において次のように記載されている。
　
「(3)製造方法によって生産物を特定しようとする記載がある場合（プロダクト・バイ・プロセス・クレーム）
　請求項中に製造方法によって生産物を特定しようとする記載がある場合には、1.5.1(2)にしたがって異なる意味内容と解すべき場合を除き、その記載は最終的に得られた生産物自体を意味しているものと解する（注）。したがって、請求項に記載された製造方法とは異なる方法によっても同一の生産物が製造でき、その生産物が公知である場合は、当該請求項に係る発明は新規性が否定される。」
「(注)このように解釈する理由は、生産物の構造によってはその生産物を表現することができず、製造方法によってのみ生産物を表現することができる場合（例えば単離されたタンパク質に係る発明等）があり、生産物の構造により特定する場合と製造方法により特定する場合とで区別するのは適切でないからである。したがって、出願人自らの意思で、「専らＡの方法により製造されたＺ」のように、特定の方法によって製造された物のみに限定しようとしていることが明白な場合であっても、このように解釈する。」
　
　なお、審査基準の上記の1.5.1(2)には次の事項が記載されている。
「(2)ただし、請求項の記載が明確であっても、請求項に記載された用語（発明特定事項）の意味内容が明細書及び図面において定義又は説明されている場合は、その用語を解釈するあたってその定義又は説明を考慮する。なお、請求項の用語の概念に含まれる下位概念を単に例示した記載が発明の詳細な説明又は図面中にあるだけでは、ここでいう定義又は説明には該当しない。
　また、請求項の記載が明確でなく理解が困難であるが、明細書及び図面の記載並びに出願時の技術常識を考慮して請求項中の用語を解釈すれば請求項の記載が明確にされる場合は、その用語を解釈するにあたってはこれらを考慮する。」
　
　そして、「製造方法によって生産物を特定しようとする記載がある場合（プロダクト・バイ・プロセス・クレーム）」についての上記のような審査基準の考え方については、原審の拒絶査定において備考欄に示されたように、平成１１年（行ケ）４３７号の判決において支持されているところである。
　
（イ）本願補正発明のような「製造方法」によって「製造された物」を特定しようとする記載がある発明について認定するに際して、上記のような審査基準の考え方を参酌すると、本願補正発明は、審査基準の上記の1.5.1(2)に記載された「請求項に記載された用語（発明特定事項）の意味内容が明細書及び図面において定義又は説明されている場合」にも、「請求項の記載が明確でなく理解が困難である」場合にも当てはまらないから、本願補正発明における記載内容は最終的に得られた生産物自体を意味しているものと解することができる。
　
（ウ）相違点の(i)の製造方法に関する事項について
　そうすると、「（３）本願補正発明と引用発明の対比」の「ウ　相違点」の(i)  の製造方法に関する事項については、最終的に得られた生産物自体である「露光装置評価用フォトマスク」の構成には何らの影響をあたえるものではないから、上記(i)の事項は、実質的な相違点とはならない。
　
（エ）相違点の(ii)の製造方法に関する事項について
ａ　また、「（３）本願補正発明と引用発明の対比」の「ウ　相違点」の(ii)の製造方法に関する事項については、原画パターンをグリッド上に位置づけた場合に、「一方の辺の長さを前記グリッドのｊ個（ｊは整数）のマス目の長さ」と「他方の辺の長さを前記グリッドのｋ個（ｋは整数）のマス目の長さ」について「ｊ＝ｋの関係を満たす」ことを特定するものであるから、原画を転写して形成したフォトマスクの構成に影響を与える可能性があるといえる。
　
ｂ　しかしながら、まず、本願補正発明の発明特定事項である「グリッド」に関して、発明の詳細な説明を参酌しても「グリッド」についての明確な定義はなく、グリッドの１つのマス目の一方の辺の長さと他方の辺の長さが同じであるか否かは不明であるから、上記の「ｊ＝ｋの関係を満たす」という特定があったとしても、両者が同じ長さであるということはできない。すなわち、上記特定からは、最終生成物である「評価用フォトマスク」についても、２つの辺の長さは何ら特定されないから、原画を転写して形成したフォトマスクの構成に影響を与えるものではない。
　
ｃ　次に、仮に、技術常識等を参酌して、上記「グリッド」に関して、１つのマス目の一方の辺の長さと他方の辺の長さが同じであるということができたとした場合においては、上記の「ｊ＝ｋの関係を満たす」という特定から、最終生成物である「評価用フォトマスク」については、その「評価用パターンの平面形状」である「直角三角形」が「直角二等辺三角形」となることを意味するといえるから、その場合について検討する。
　第１に、引用発明においては「他方のエッジパターンＱ６のＸ軸に対する交差角を４５°以上に設定する」ものであり、上記文言上は、「エッジパターンＱ６のＸ軸に対する交差角を４５°」とすることを含むものである、すなわち、「評価用パターンの平面形状」である「直角三角形」が「直角二等辺三角形」となるものを含むのであるから、上記相違点は実質的な相違点とはならない。
　第２に、引用例１（引用発明が記載された刊行物）の記載の趣旨を参酌して、引用発明においては「エッジパターンＱ６のＸ軸に対する交差角を４５°」とすることを含まないと解したとしても、評価用パターンの平面形状を具体的にどのような形状とするかは、当業者が必要に応じて適宜選択し得ることであり、また、マスクの形状のパターンとして直角二等辺三角形を用いたパターンとすることも、例えば、特開平１０−１０４１６８号公報（【０００１】【０００２】【００２７】【図１】参照）、特開平１−１０７５３０号公報（第２ページ左下欄第１０〜１７行、第１図参照）にも記載されているよう周知の技術であることを踏まえると、引用発明において「評価用パターンの平面形状」である「直角三角形」を「直角二等辺三角形」とすることは当業者が容易に想到し得たことである。
　
ｄ　なお、引用例１において、【００４３】に「他方のエッジパターンＱ６のＸ軸に対する交差角を４５°以上に設定することにより位置ずれを拡大して計測することができる。」と記載されており、また、引用例１の【０００２】〜【００１１】の記載からして、引用例１の請求項に係る発明が上記の「拡大して計測する」ことを特徴とした発明であったとしても、引用発明において、「他方のエッジパターンＱ６のＸ軸に対する交差角を４５°」とすること（すなわち、位置ずれを拡大せずに計測するようにすること）が技術的に困難なことであるいということはできず、また、「拡大して計測する」ことよりも優先すべき技術的事項があれば、そちらを優先させ、計測に関しては「拡大して計測する」ことに拘束されないとすることは当業者が容易に選択し得ることに過ぎないといえるから、引用発明において、位置ずれを拡大せずに計測するような構成である「「他方のエッジパターンＱ６のＸ軸に対する交差角を４５°」となる構成を採用することが阻害要因であるということはできない。
　
イ　本願補正発明の奏する作用効果
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
ウ　まとめ
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
３　むすび
　したがって、本願補正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるということができないから、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
 第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２１年１２月２５日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項２に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２１年７月２１日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
「評価用パターンを含む原画パターンを設計する工程と、
　設計された前記原画パターンをグリッド上に位置づけられたパターンとする工程と、
　前記グリッド上に位置づけられたパターンを透明基板上のマスクパターンとして転写することで、前記透明基板と前記マスクパターンとを有するフォトマスクを形成する工程とを備える露光装置評価用フォトマスクの製造方法であって、
　前記評価用パターンの平面形状は直角三角形の部分を含んでおり、前記直角三角形における斜辺を除く２つの辺のうち一方の辺の長さを前記グリッドのｊ個（ｊは整数）のマス目の長さとし、他方の辺の長さを前記グリッドのｋ個（ｋは整数）のマス目の長さとして、前記斜辺と前記一方の辺とのなす角度が不連続な値に制限された前記原画パターンを前記グリッド上に位置づけ、
　前記ｊと前記ｋとは、ｊ＝ｋの関係を満たす露光装置評価用フォトマスクの製造方法を用いて製造された露光装置評価用フォトマスク。」
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例の記載事項及び引用発明については、上記「第２　平成２１年１２月２５日付けの手続補正についての補正の却下の決定について」の「２　独立特許要件違反についての検討」の「（２）引用例」に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　上記「第２　平成２１年１２月２５日付けの手続補正についての補正の却下の決定について」の「１　本件補正について」に記載したように、本願発明に対して、（１）ないし（４）の補正事項によって限定して特定したものが本願補正発明である。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、本願発明をさらに限定して特定したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　平成２１年１２月２５日付けの手続補正についての補正の却下の決定について」の「２　独立特許要件違反についての検討」の「（３）本願補正発明と引用発明との対比」及び「（４）当審の判断」において記載したとおり、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様に、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明（本願の請求項２に係る発明）は、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。