(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シールドルーム室内への出入口を開閉する電磁シールド扉部分の構造において、
室内への方形の出入口を開閉する方形の導電性の扉と、
室内への出入口の周囲に形成され、導電性の扉の全周に対応して設けられた方形の導電性の扉枠と、
前記導電性の扉又は扉枠の正面縁部全周に亘り、導電性の扉又は扉枠の表面に貼付された誘電体とこの誘電体の表面にさらに貼付された複数の帯状のストリップ導体からなる導電パターンで形成され、その共振周波数がそれぞれ異なる複数の共振構造装荷誘電体を備え、
前記共振構造装荷誘電体は、導電性の扉又は扉枠の角部分は、角部以外の部分よりも多く備えることを特徴とする電磁シールド扉。
【請求項２】
導電性の扉又は扉枠の角部分に形成される前記共振構造装荷誘電体は、共振構造装荷誘電体を形成する導電パターンが円弧状に形成されることを特徴とする請求項１記載の電磁シールド扉。
【請求項３】
導電性の扉又は扉枠の角部分に形成される前記共振構造装荷誘電体は、導電パターンは角部以外の導電パターンに接続される所定長さの直線部とこの直線部を接続する円弧状に形成されることを特徴とする請求項１記載の電磁シールド扉。
【請求項４】
導電性の扉又は扉枠の角部分に形成される前記共振構造装荷誘電体は、角部以外に備えられた導電パターンに接続されない追加の導電パターンからなる前記共振構造装荷誘電体の共振周波数を、角部以外に備えられた導電パターンから形成される前記共振構造装荷誘電体の共振周波数と同じになるように形成することを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の電磁シールド扉。
【請求項５】
シールドルーム室内への出入口を開閉する電磁シールド扉部分の構造において、
室内への方形の出入口を開閉する方形の導電性の扉と、
室内への出入口の周囲に形成され、電磁シールド扉の全周に対応して設けられた方形の導電性の扉枠と、
前記電磁シールド扉又は扉枠の正面縁部全周に亘り、導電性の扉又は扉枠の表面に貼付された誘電体とこの誘電体の表面にさらに貼付された複数の帯状のストリップ導体からなる導電パターンで形成され、その共振周波数がそれぞれ異なる複数の共振構造装荷誘電体を備え、
角部における導体パターンは、直線部の縦方向に配置される導体パターンと横方向に配置される導体パターンをそれぞれ縦方向と横方向にそのまま延在させ、この縦方向と横方向にに延在された導体パターンが突き当たり角が直角となる鉤状を形成されることを特徴とする電磁シールド扉。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、シールドルームの出入り口等において、電磁波の漏洩と侵入を防止するために用いられる電磁シールド扉用の導電性の扉と扉枠に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の電磁シールド扉の構成例を図１２〜図１５に示す。図１２は従来のシールドルームの電磁シールド扉部分の正面図であり、図１３は、図１２の破線A-A’を通るXY断面の拡大部分断面図である。図１２、図１３において、1は扉、2は扉枠、3は扉1の端面と扉枠2の端面との間に備えられた共振構造装荷誘電体、7は扉１が片開きドアとなるように扉1を扉枠2に取り付けるヒンジ、8は扉1を開閉するため扉1に設けられた開閉レバーを示す。扉1と扉枠2は導電性材料で形成され、扉1はヒンジ7により扉枠2に取り付けられ、開閉レバー8の操作により片開きに開閉可能な構造とされている。共振構造装荷誘電体3は、所定の周波数で共振する構造を有し、扉1の奥行（厚さ）Y方向と扉枠2の奥行（厚さ）Y方向の互いに対向する端面において扉1の端面に配置されている。
【０００３】
次に、図１４、図１５を用いて共振構造装荷誘電体3に装荷されている共振構造について説明する。図１４は、図１３における共振構造装荷誘電体3を、扉1の端面への貼付面の反対側から見たYZ(扉1の厚さ方向と高さ方向）平面部分図であり、図１５は、図１４のB-B’破線を通るXY(扉1の横方向と厚さ方向）断面部分図である。図１４と図１５において、4a、4b、4c、4d、4e、4f、4g、4hはストリップ導体よりなる導体パターンを示し、共振構造装荷誘電体3の扉1の端面への貼付面と反対側表面に、Y(扉1の厚さ）方向にそれぞれ所定寸法で形成され、扉1の端面の全周方向に沿って配置された帯状の金属導体である。導体パターン4a、4b、4c、4d、4e、4f、4g、4hのY方向寸法は、それぞれLa、Lb、Lc、Ld、Le、Lf、Lg、Lhであり、この導体パターン4a、4b、4c、4d、4e、4f、4g、4hと導電性材料である扉1の端面との間に誘電体を挟み共振構造装荷誘電体3を形成する。また、各ストリップ導体のY方向寸法は、それぞれのストリップ導体と扉1の端面とで形成される共振構造装荷誘電体3の共振周波数fa、fb、fc、fd、fe、ff、fg、fhにおいて、共振構造装荷誘電体3上で4分の1波長の長さとなっている。なお、形成される共振構造装荷誘電体3の共振周波数は、ストリップ導体4aで形成される共振構造装荷誘電体の共振周波数をfaとすると、fb=1.5fa、fc=2fa、fd=2.5fa、fe=3.5fa、ff=4fa、fg=5.5fa、fh=6.5faとなるように設定される。
ここで3fa、5faはfaの第3、第5高調波であり、4.5faはfb(=1.5fa)、6faはfc(=2fa)それぞれの第3高調波であるから、これら周波数での電波の侵入・漏洩の防止はそれぞれfa、fb、fcが分担するので、fe〜fhではこれらの共振周波数への設定はしない。
【０００４】
5a、5b、5c、5dは貫通スルーホール列を示し、個々の貫通スルーホールは共振構造装荷誘電体3の表面であるストリップ導体の表面から共振構造装荷誘電体3の貼付面である扉1の端面にまで到達するように配設された棒状の金属導体であり、扉1の周方向であるZ軸方向に沿って列状に配置され、Z軸方向の終端からはX軸方向に沿って列状に配置されて、扉1の端面全周に亘って列状に配置されている。貫通スルーホール列5aはストリップ導体4aと4bを、貫通スルーホール列5bはストリップ導体4cと4dを、貫通スルーホール列5cはストリップ導体4eと4fを、貫通スルーホール列5dはストリップ導体4gと4hを、それぞれ扉1と電気的に接続している。
なお、ストリップ導体4aと4b、ストリップ導体4cと4d、ストリップ導体4eと4f、ストリップ導体4gと4hは、それぞれ1枚の帯状金属導体板で形成され、これ等帯状金属導体板間はそれぞれSa、Sb、Scの空隙を有しており、貫通スルーホール列5a、5b、5cによってそれぞれ別個の共振構造装荷誘電体として機能するように構成される。
【０００５】
次に、従来の電磁シールド扉の動作について説明する。ストリップ導体4aのY方向寸法Laは、周波数faにおいて、共振構造装荷誘電体3上で4分の1波長の長さとなっており、Y方向の一方の片端は開放端、Y方向の他方の片端は貫通スルーホール列5aに接続されているので、周波数faと、その高調波であるfaの奇数倍の周波数（3fa，5fa，…，（2n+1）fa，（nは自然数））において共振する片端短絡の共振器として動作する。同様に、ストリップ導体4b，4b，4c，4d，4e，4f，4g，4hは、それぞれ、ストリップ導体4aの共振周波数faに対し0.5倍ずつ増加していく周波数fb，fc，fd，fe，ff，fg，fh及び各々の奇数倍の周波数において共振する片端短絡の共振器として動作する。
但し、前述のように3fa、5fa、4.5fa、6faはfa、fb、fcの第3または第5高調波であるから、これらの共振周波数の電波の侵入・漏洩の防止はそれぞれfa、fb、fcが分担し、共振周波数への設定は行わない。
【０００６】
周波数faの電磁波が扉1と扉枠2の隙間をY方向に伝搬する場合を考えると、ストリップ導体4aによる共振構造装荷誘電体3が共振して周波数faの電磁波と電磁界結合し、扉1と扉枠2の隙間をY方向に伝搬する電磁波、即ちシールドルームへ侵入あるいはシールドルームから漏洩する電磁波は減衰する。同様に、周波数faの奇数倍の周波数、及び、周波数fb，fc，fd，fe，ff，fg，fhとそれら各々の奇数倍の周波数の電磁波が扉1と扉枠2の隙間をY方向に伝搬する場合、ストリップ導体4a，4b，4c，4d，4e，4f，4g，4hの何れかで形成する共振構造装荷誘電体3が共振してこれらの電磁波と電磁界結合するので、それらの周波数において、扉1と扉枠2の隙間をY方向に伝搬する電磁波も減衰する。その結果、周波数fa，fb，fc，fd，fe，ff，fg，fhと、それら各々の奇数倍の周波数において、扉1と扉枠2の隙間における電磁波の漏洩と浸入を防ぎ、それらの周波数における電磁シールド特性を得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１２−２１６７５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前述したように、従来の電磁シールド扉では、特定の周波数で共振する複数の共振回路を具備する共振構造装荷誘電体を、導電性の扉の端面と導電性の扉枠の端面の少なくとも一方に設ける。共振回路である共振構造装荷誘電体は導電性の扉端面に配置された誘電体とこの誘電体の表面にさらに配置されたストリップ導体と、ストリップ導体を電磁シールド扉端面に接続する貫通スルーホールとで構成される。これにより、ドアを閉めた状態において、扉と扉枠とが接触することなく、共振回路が共振する周波数において電磁シールド特性を実現していた。
しかしながら従来の共振構造装荷誘電体の構造では、導電性の扉1と扉枠2の間隙における角部からの電磁波を十分に遮蔽することが困難であった。
【０００９】
この発明は、前記のような課題を解決するためになされたものであり、扉1と扉枠2における角部の共振構造装荷誘電体の工夫をすることにより、主にGHz帯以上の高周波帯において、十分な電磁シールド特性を有する電磁シールド扉を実現する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成するため、この発明に係わる電磁シールド用の導電性の扉と扉枠は、シールドルーム室内への出入口を開閉する導電性の扉部分の構造において、
室内への方形の出入口を開閉する方形の導電性材質からなる導電性の扉と、
室内への出入口の周囲に形成され、電磁シールド扉の全周に対応して設けられた方形の導電性材質からなる扉枠と、
前記導電性の扉又は扉枠の正面縁部全周に亘り、導電性の扉又は扉枠の表面に貼付された誘電体とこの誘電体の表面にさらに貼付された複数の帯状のストリップ導体で形成され、その共振周波数がそれぞれ異なる複数の共振構造装荷誘電体を備え、
前記共振構造装荷誘電体は、導電性の扉又は扉枠の角部分は、角部以外の部分よりも数多く備える構造とされる。
【発明の効果】
【００１１】
この発明の電磁シールド扉によれば、シールドルーム室内への出入口開閉用の導電性の扉又は扉枠の正面縁部分全周に、誘電体とストリップ導体からなり、各々所定周波数で共振する複数の共振構造装荷誘電体を備え、前記共振構造装荷誘電体は、導電性の扉又は扉枠の角部分は、角部以外の部分よりも多く備える構造とすることにより、導電性の扉と扉枠の間隙からの電磁波を十分に遮蔽することができる。特に、角部分は、角部以外の部分よりも共振構造装荷誘電体を数多く備えているので、導電性の扉と扉枠の間隙における角部においても十分な電磁シールド特性を有する電磁シールド扉を実現する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】この発明の実施の形態１に係わるシールドルームの電磁シールド扉部分の正面図である。
【図２】図１におけるＣ部分の拡大正面部分図である。
【図３】図１におけるＣ部分とは対称部分である図において右側部分の拡大正面部分図である。
【図４】この発明の実施の形態１に係わり、図３のA-A’断面の拡大断面図である。
【図５】この発明の実施の形態１における導電性の扉と扉枠の隙間をY方向（電磁シールド扉の厚さ方向）に伝搬する電磁波の透過係数を示す特性図である。
【図６】この発明の実施の形態２に係わるシールドルームの扉枠部分の拡大正面図である。
【図７】図６におけるＤ部分をさらに拡大した正面図である。
【図８】図７のB-B’断面の断面図である。
【図９】図７のE-E’断面の断面図である。
【図１０】この発明の実施の形態３に係わる扉枠部分の拡大正面図である。
【図１１】図１０のF-F’断面の断面図である。
【図１２】従来のシールドルームの電磁シールド扉部分の正面図である。
【図１３】図１２の破線A-A’を通るXY断面の拡大断面図である。
【図１４】図１３で、共振構造装荷誘電体を扉への貼付面と反対側から見たYZ部分のさらに拡大した平面図である。
【図１５】図１４の破線B-B’を通るXY断面の拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、この発明をより詳細に説明するために、この発明を実施するための形態１について、添付の図面に従って説明する。
実施の形態１．
図１〜図４を用いてこの発明の実施の形態１による電磁シールド扉部の構造について説明する。
図１は、実施の形態１に係わるシールドルームの電磁シールド扉部分の正面図であり、導電性の扉（以下単に扉という）1、扉枠2で構成される。扉1と扉枠2は導電性材料で形成され、扉1はヒンジ7により扉枠2に取り付けられ、開閉レバー8の操作により片開きに開閉可能な構造とされている。
図２は、図１のＣ部分の拡大正面部分図であり、扉枠2の角部を示し、扉枠2の扉1側の縁部近傍に装着された共振構造装荷誘電体を示している。また、図３は、図１において、扉1の上右側部分の扉枠2の角部を示し、図４は、図３に示すA-A’断面の断面図である。図２と図３は、扉1の上部の左と右に対応する扉枠2の左と右の部分を示し、左右対称に構成される。以下図３、図４を主にして説明する。
【００１４】
図２、図３、図４において、ストリップ導体よりなる導体パターン4a、4b、4c、4d、4e、4fは扉枠2の正面で扉1側の縁部近傍に全周に亘り貼付された所定幅の導電性材料の上側に、同じくこの導電性材料と同じ幅の誘電性の材料が扉枠2の正面で扉1側の縁部近傍に全周に亘り貼付され、この誘電性の材料の表面にさらに貼付された導電性材料から成る帯状のストリップ導体よりなる導体パターンであり、導体パターン4b、4cの間は寸法Sa、導体パターン4d、4eの間は寸法Sbの空隙が設けられている。
【００１５】
5a、5b、5cは貫通スルーホール列を示し、個々の貫通スルーホールは共振構造装荷誘電体3の表面である導体パターンの表面から共振構造装荷誘電体3の貼付面である扉枠2の扉1側の縁部近傍表面にまで到達するように配設された棒状の金属導体であり、扉枠2の正面で扉1側の縁部近傍の全周に亘って列状に配置されている。貫通スルーホール列5aは導体パターン4aと4bを、貫通スルーホール列5bは導体パターン4cと4dを、貫通スルーホール列5cは導体パターン4eと4fをそれぞれ扉枠2と電気的に接続している。
また、貫通スルーホール列5a、5b、5cは扉枠2の正面で扉1側の縁部近傍全周にわたり配置された誘電体を3a、3b、3c、3d（図示せず）と機能上で分割し、この誘電体3a、3b、3c、3d、導体パターン4a、4b、4c、4d、4e、4f、貫通スルーホール列5a、5b、5c及び扉枠2の導電性表面とでそれぞれ複数の共振構造装荷誘電体を形成する。なお、共振構造装荷誘電体は扉1と扉枠2を通過する電磁波に対し共振作用を起こす範囲の距離に設けられている。
【００１６】
なお、導体パターン4aと4b、導体パターン4cと4d、導体パターン4eと4fは、それぞれ１枚の帯状金属のストリップ導体で形成され、これ等帯状金属のストリップ導体間にそれぞれ設けられた空隙Sa、Sbと貫通スルーホール列5a、5b、5cによってそれぞれ別個の共振構造装荷誘電体として機能するように構成される。
【００１７】
導体パターン4a、4b、4c、4d、4e、4fのｒ方向寸法は、それぞれLa、Lb、Lc、Ld、Le、Lfであり、この導体パターン4a、4b、4c、4d、4e、4fと扉枠2の表面との間に誘電体を挟み共振構造装荷誘電体3を形成する。また、各導体パターンのX方向及びZ方向の寸法は、それぞれの導体パターンと扉枠2の表面とで形成される共振構造装荷誘電体3の共振周波数fa、fb、fc、fd、fe、ffにおいて、共振構造装荷誘電体3上で4分の1波長となっている。なお、形成される共振構造装荷誘電体3の共振周波数は、導体パターン4aで形成される共振構造装荷誘電体の共振周波数をfaとする。この共振周波数faは、電磁シールド特性が要求される基本共振周波数であり、導体パターン4a、4b、4c、4d、4e、4fは扉1に近い方からfa、fb、fc、fd、fe、ffになるように配置され、fb=1.5fa、fc=2fa、fd=2.5fa、fe=3.5fa、ff=4faとなるようにX方向及びZ方向の寸法が設定される。
【００１８】
図３、図４において、導体パターン14a、14b、14c、14d、14e、14f、14g、14h、14i、14jは扉1の角部に対応する扉枠2の角部に備えられた導電性材料から成る帯状のストリップ導体であり、15a、15b、15c、15d、15eは貫通スルーホール列を示す。導体パターン14a、14b、14c、14d、14e、14f、14g、14h、14i、14jと貫通スルーホール列15a、15b、15c、15d、15eは、ｒ方向に、導体パターン14a、貫通スルーホール列15a、導体パターン14b、導体パターン14c、貫通スルーホール列15b、導体パターン14d、導体パターン14e、貫通スルーホール列15c、導体パターン14f、導体パターン14g、貫通スルーホール列15d、導体パターン14h、導体パターン14i、貫通スルーホール列15e、導体パターン14jの順に配置されており、導体パターン14bと導体パターン14cのｒ方向の間隙はSa、導体パターン14dと導体パターン14eのｒ方向の間隙はSb、導体パターン14fと導体パターン14gのｒ方向の間隙はSc、導体パターン14hと導体パターン14iのｒ方向の間隙はSdとなっている。
また、ストリップ導体14a、14b、14c、14d、14e、14f、14g、14h、14i、14jは円弧状をなし、この角部以外の直線部分のストリップ導体4a、4b、4c、4d、4e、4fよりも14g、14h、14i、14jが数多く追加形成されている。
【００１９】
図３、図４に示す貫通スルーホール列15aは導体パターン14aと14bを、貫通スルーホール列15bは導体パターン14cと14dを、貫通スルーホール列15cは導体パターン14eと14fを、貫通スルーホール列15dは導体パターン14gと14hを、貫通スルーホール列15eは導体パターン14iと14jを、それぞれ扉枠2と電気的に接続している。
なお、ストリップ導体14aと14b、14cと14d、14eと14f、14gと14h、14iと14jは、それぞれ1枚の円弧状で帯状の金属導体板で形成され、貫通スルーホール列15a、15b、15c、15d、15eによって扉枠2の表面に形成された誘電体物質の層13をそれぞれ13a、13b、13c、13d、13e、13fと機能的に分離し、別個の共振構造装荷誘電体として機能するように構成する。
なお、図３及び図４は角部の一部分のみしか示していないが、前述のように導体パターン4a、4b、4c、4d、4e、4fと、導電性扉枠2の表面と、その導電性扉枠2の表面の間に備えられた誘電体とで構成される共振構造装荷誘電体3は扉枠2の正面で扉1側の縁部近傍に全周に亘り装着されている。
【００２０】
次に、実施の形態１による電磁シールド扉部の動作について説明する。導体パターン4aのZ方向寸法は、共振構造装荷誘電体3上で周波数faの4分の１波長となっており、Z方向の一方の片端は開放端、Z方向の他方の片端は貫通スルーホール列5aに接続されているので、導体パターン4aは、周波数faと、その周波数faの高調波であるfaの奇数倍の周波数（3fa、5fa、・・・、（2n＋1）fa（nは自然数））において共振する片端短絡の共振回路として動作する。同様に、導体パターン4b、4c、4d、4e、4fはそれぞれ、周波数ｆb、fc、fd、fe、ffとその各々の奇数倍の周波数において共振する片端回路の共振回路として動作する。
なお、ここで、共振周波数faは、電磁シールド特性が要求される基本共振周波数である。
【００２１】
また、導体パターン14aのｒ方向寸法は、周波数faにおいて、共振構造装荷誘電体13a上で4分の1波長となっており、ｒ方向の一方の片端は開放端、ｒ方向の他方の片端は貫通スルーホール列15aに接続されているので、導体パターン14aは、周波数faと、その周波数faの高調波であるfaの奇数倍の周波数（3fa、5fa、・・・、（2n＋１）fa（nは自然数））において共振する片端短絡の共振回路として動作する。同様に、導体パターン14b、14c、14d、14e、14f、14g、14h、14i、14jは、それぞれ、周波数fb、fc、fd、fe、ff、fg、fh、fi、fj及びその各々の奇数倍の周波数において共振する片端回路の共振回路として動作する。
【００２２】
ここで、周波数faの電磁波が扉1と扉枠2の隙間をY方向に伝搬する場合を考えると、導体パターン4aが共振して電磁波と電磁界結合し、扉1と扉枠2の隙間をY方向に伝搬する周波数ｆaおよびその周波数ｆaの奇数倍の電磁波は減衰する。同様に、周波数fb、fc、ｆd、fe、ff及び各々の奇数倍の周波数の電磁波が扉1と扉枠2の隙間をY方向に伝搬する場合、導体パターン4a、4b、4c、4d、4e、4fのいずれかが共振して電磁波と結合するので、扉1と扉枠2の隙間をY方向に伝搬するこれらの周波数も減衰する。この結果、周波数ｆa、fb、fc、fd、fe、ff及び各々の奇数倍の周波数において、扉１と扉枠2の隙間における電磁波の漏洩と浸入を防ぎ、図５に示す周波数fa、1.5fa（＝fb）、2fa（＝fc）、2.5fa（＝fd）、3fa、3.5fa（＝fe）、4fa（＝ff）、4.5faに極を有する広帯域な減衰特性となり、その結果、広帯域な電磁シールド特性が得られる。
なお、3faは周波数faの第3高調波であり、4.5faは周波数fb(＝1.5fa）の第3高調波であるから、導体パターン4a及び導体パターン4bで形成される共振構造装荷誘電体によって減衰される。
【００２３】
また、周波数faの電磁波が扉1と扉枠2の隙間の角部をｒ方向に伝搬する場合を考える。扉1と扉枠2の隙間をｒ方向に伝搬する周波数faの電磁波は、導体パターン14aが共振して電磁波と電磁界結合して減衰する。同様に、周波数fb、fc、ｆd、fe、ff及び各々の奇数倍の周波数の電磁波が扉1と扉枠2の隙間をｒ方向に伝搬する場合、導体パターン14a、14b、14c、14d、14e、14fのいずれかが共振して電磁波と結合するので、扉1と扉枠2の隙間をｒ方向に伝搬するこれらの周波数も減衰する。
なお、導体パターン14g、14h、14i、14jは、扉枠2の平面の角部に新たに追加された導体パターンであり、そのｒ方向寸法Lg、Lh、Li、Ljを周波数fa、fb、fc、fdで共振するように設定する。このように構成することにより、周波数fa、fb、fc、fd及び各々の奇数倍の高調波で減衰率がさらに大きくできる。
【００２４】
また、扉枠2の平面の角部に新たに追加された導体パターン14g、14h、14i、14jのｒ方向寸法Lg、Lh、Li、Ljを周波数fg、fh、fi、fj及びその各々の奇数倍の高調波で共振する様に設定しても良い。この場合、共振周波数fg、fh、fi、fjは、fg＝5.5fa、fh＝6.5fa、fi＝8fa、fj＝8.5fa、となるようにする。このような構成にするとより高次の高調波が減衰できる。
【００２５】
また、実施の形態１によれば、導体パターン14a、14b、14c、14d、14e、14fのｒ方向寸法La、Lb、Lc、Ld、Le、Lfを周波数fa、1.5fa（＝fb）、2fa（＝fc）、2.5fa（＝fd）、3.5fa（＝fe）、4fa（＝ff））において、共振構造装荷誘電体3上で4分の１波長となるように分散化することにより、図５に示すように周波数faから4.5faまでの広帯域な電磁シールド特性を実現できる。
【００２６】
なお、実施の形態１では、角部の２箇所について説明しているが、角部４箇所全てに同様な共振構造装荷誘電体を配置することで、電磁波の減衰率を高くしているが、この角部に配置される共振構造装荷誘電体は角部４箇所全てでなく、電磁波の侵入と漏洩の多い部分のみでも良い。
【００２７】
なお、実施の形態１では、共振構造装荷誘電体を扉枠2の扉1側の縁部近傍で扉1と扉枠2を通過する電磁波に対し共振作用を起こす範囲の距離に全周に亘り備えられているが、扉枠2側でなく、扉1の正面で扉枠2側の縁部近傍で扉1と扉枠2を通過する電磁波に対し共振作用を起こす範囲の距離に全周に亘り前記説明と同様な構成の共振構造装荷誘電体を備えてもよい。また、扉枠2側と扉1側の双方に備えても良い。
【００２８】
また、実施の形態１では、共振構造装荷誘電体に配置する共振構造として片端短絡の共振回路に適用しているが、共振装荷誘電体3及び13に配置する共振構造は、片端短絡の共振回路に限定する必要はなく、例えば、両端開放、両端短絡、リング型等の共振回路を適用してもよい。なお、両端開放の共振回路の場合、開放端間の最短距離が半波長となる周波数をfとすると、周波数f、2f、3f、・・・、n×ｆで共振する。また、リング型の共振回路の場合、リングの周長が1波長となる周波数をfとすると、周波数f、2f、3f、・・・、n×ｆで共振する。
【００２９】
また、実施の形態１では、導体パターン14a、14b、14c、14d、14e、14fのｒ方向寸法La、Lb、Lc、Ld、Le、Lfをそれぞれ周波数fa、1.5fa、2fa、2.5fa、3.5fa、4faにおいて、共振構造装荷誘電体13上で4分の1波長となるようにし分散化して、また、扉枠2の平面の角部に新たに追加された導体パターン14g、14h、14i、14jのｒ方向寸法Lg、Lh、Li、Ljを周波数fg、fh、fi、fj及びその各々の奇数倍の高調波で共振する様に設定しているが広帯域な電磁シールド特性が得られるのであれば、分散化する周波数を前記の周波数に限定する必要はない。
【００３０】
また、実施の形態１では、10個の導体パターン14a、14b、14c、14d、14e、14f、14g、14h、14i、14jと5つの貫通スルーホール列15a、15b、15c、15d、15eを適用しているが、導体パターンの数及び貫通スルーホール列の数は前記の数に限定する必要はない。
また、実施の形態１では、導体パターン14a、14b、14c、14d、14e、14f、14g、14h、14i、14jの短絡手段として貫通スルーホール列15を用いているが貫通スルーホール列15に限定する必要はなく、例えば、導電性ネジや金属板等により短絡するようにしても構わない。
【００３１】
以上のように、この発明の実施の形態１における導電性の扉枠2と、扉枠2に開閉自在に取り付けけられた導電性の扉1と有するシールドルームの扉１部分の構造において、
扉枠2の扉1側の縁部近傍に全周に亘り貼付された所定幅の導電性材料の上側に、同じくこの導電性材料と同じ幅の誘電性の材料が扉枠2の扉1側の縁部近傍に全周に亘り貼付され、この誘電性の材料の表面にさらに貼付された導電性材料から成る複数の帯状ストリップ導体よりなる複数の導体パターン備え、この複数の導体パターンの幅を電磁シールド特性が要求される帯域内の周波数の4分の１波長に設定して、複数の共振構造装荷誘電体を備え、さらに扉枠2の角部では、角部以外の直線部に比べ、導体パターンが追加装備されているので、電磁シールド特性、主にGHz帯以上の高周波帯において電磁シールド特性を得ることができる。特に、扉枠2の角部では、特に導体パターンが角部のみに追加されており電磁波の減衰率をさらに大きくできる。
【００３２】
実施の形態２．
図１と図６〜図９を用いて、この発明の実施の形態２による電磁シールド扉部について説明する。図１は電磁シールド扉部分の正面図で、実施の形態１と同じなので説明は省略する。
図６は、図１における扉1の右上側部分の扉枠2の角部を示し、実施の形態１の図３に相当する部分の拡大正面図である。図７は図６のD部分の拡大図である。図８は図７のB-B’断面の断面図である。図９は図７のE-E’断面の断面図である。
共振構造装荷誘電体は、実施の形態１と同様に扉枠2の正面で扉1側の縁部近傍に装着される。図６において、ストリップ導体よりなる導体パターン4a、4b、4c、4d、4e、4fは扉枠2の正面で扉1側の縁部近傍の表面に全周に亘り貼付された所定幅の導電性材料の上側に、同じくこの導電性材料と同じ幅の誘電性の材料が扉枠2の扉1側の縁部近傍に全周に亘り貼付され、この誘電性の材料の表面にさらに貼付された導電性材料から成る。なお、図示していないが導体パターン4b、4cの間は寸法Sa、導体パターン4d、4eの間は寸法Sｂの空隙が設けられている。
貫通スルーホール列5a、5b、5cは、X軸方向及びZ軸方向に列状に設けられる。なお、導体パターン4a、4b、4c、4d、4e、4f及び貫通スルーホール列5a、5b、5cは、実施の形態１に示した図３、図４と同様なのでここでは説明しない。
【００３３】
図７は図６のD部分の拡大図であり、扉1の角部に対応する扉枠2の角部である。導体パターン34a、34b、34c、34d、34e、34f、34g、34h、34i、34jは円弧状をなし、導体パターン34a、34b、34c、34d、34e、34fは、図６に示される導体パターン4a、4b、4c、4d、4e、4fに導体パターン24a、24b、24c、24d、24e、24fを介して接続される。導体パターン24a、24b、24c、24d、24e、24fは、角部に含まれるが、長さDaの直線状の導体パターンである。これ等の導体パターン24a、24b、24c、24d、24e、24fの長さDaは図７において円弧状の導体パターン34gの内径が角部の外側の辺と接する点と角部が始まる点との間の距離である。
【００３４】
導体パターン34g、34h、34i、34jは図６における直線部分の導体パターン4a、4b、4c、4d、4e、4fよりも追加されて設けられた導体パターンである。貫通スルーホール列35a、35b、35c、35d、35eが導体パターン34a、34b、34c、34d、34e、34f、34g、34h、34i、34j部に設けられ、誘電体と導電性の扉枠2の表面とによって、それぞれ別個の共振構造装荷誘電体として機能するように作用する。
【００３５】
図７のB-B’断面の断面図である図８を用いて共振構造装荷誘電体の共振構造について説明する。図８には、共振構造装荷誘電体23の扉枠2への貼付面と反対側表面に、扉枠2の周方向に沿って配置された帯状の金属ストリップ導体よりなる導体パターン24a、24b、24c、24d、24e、24fと共振構造装荷誘電体23の内部に、扉枠2の周方向であるX軸方向に沿ってスルーホールが列状に配置された貫通スルーホール列25a、25b、25cが示されている。
導体パターン24a、24b、24c、24d、24e、24fは、角部に含まれるが、前述のように長さDaの直線状導体パターンである。
【００３６】
導体パターン24a、24b、24c、24d、24e、24fのｒ方向寸法は、それぞれLa、Lb、Lc、Ld、Le、Lfであり、各導体パターンのｒ方向寸法La、Lb、Lc、Ld、Le、Lfは、それぞれ共振周波数fa、fb、fc、fd、fe、ffにおいて、共振構造装荷誘電体23上で4分の1波長になっている。
【００３７】
ここで、周波数faの電磁波が扉1と扉枠2の隙間に伝搬する電磁波のY方向成分を考えると、導体パターン24aが共振して電磁波を吸収し、扉1と扉枠2の隙間の角部を伝搬するY方向成分の周波数faの電磁波は減衰する。同様に、周波数fb、fc、ｆd、fe、ff及び各々の奇数倍の周波数の電磁波が扉1と扉枠2の隙間に伝搬するY方向成分の場合、導体パターン24a、24b、24c、24d、24e、24fのいずれかが共振して電磁波を吸収するので、扉1と扉枠2の隙間を伝搬するY方向成分の周波数も減衰する。この結果、周波数ｆa、fb、fc、fd、fe、ff及び各々の奇数倍の周波数において、扉1と扉枠2の隙間における電磁波の漏洩と浸入を防ぎ、図５に示す周波数fa、1.5fa（＝fb）、2fa（＝fc）、2.5fa（＝fd）、3.5fa（＝fe）、4fa（＝ff）、4.5faに極を有する広帯域な減衰特性となり、その結果、広帯域な電磁シールド特性が得られる。
なお、ここで、3faは周波数faの第3高調波であり、4.5faは周波数fb(＝1.5fa）の第3高調波であるから、導体パターン4a及び導体パターン4bで形成される共振構造装荷誘電体によって減衰される。
【００３８】
図９は、図７に示すE-E‘断面の断面図である。扉枠２の平面の角部に新たに追加された導体パターン34g、34h、34i、34jは、そのｒ方向寸法Lg、Lh、Li、Ljを周波数fa、fb、fc、fdで共振するように設定される。周波数faの電磁波が扉1と扉枠2の隙間の角部をｒ方向に伝搬する場合を考える。扉1と扉枠2の隙間の角部をｒ方向に伝搬する周波数faの電磁波は、導体パターン34aが共振して電磁波と電磁界結合して、減衰する。同様に、周波数fb、fc、ｆd、fe、ff及び各々の奇数倍の周波数の電磁波が扉1と扉枠2の角部の隙間をｒ方向に伝搬する場合、導体パターン34a、34b、34c、34d、34e、34f、34g、34h、34i、34jのいずれかが共振して電磁波と結合するので、扉1と扉枠2の図５に示す周波数fa、1.5fa（＝fb）、2fa（＝fc）、2.5fa（＝fd）、3.5fa（＝fe）、4fa（＝ff）、4.5faに極を有する広帯域な減衰特性となり、その結果、広帯域な電磁シールド特性が得られる。
【００３９】
また、扉枠2の平面の角部に新たに追加された導体パターン34g、34h、34i、34jは、そのｒ方向寸法Lg、Lh、Li、Ljを周波数fa、fb、fc、fdで共振するように設定されているので、周波数fa、fb、fc、fd及び各々の奇数倍の高調波で減衰率がさらに大きくできる。
【００４０】
また、扉枠2の平面の角部に新たに追加された導体パターン34g、34h、34i、34jのｒ方向寸法Lg、Lh、Li、Ljを周波数fg、fh、fi、fj及びその各々の奇数倍の高調波で共振する様に設定しても良い。この場合、共振周波数fg、fh、fi、fjは、fg＝5.5fa、fh＝6.5fa、fi＝8fa、fg＝8.5faとなるようにする。このような構成にするとより高次の高調波が減衰できる。
【００４１】
なお、実施の形態２では、角部の１箇所について説明しているが、角部４箇所全てに同様な共振構造装荷誘電体を配置することで、電磁波の減衰率を高くしている。しかし、この角部に配置される共振構造装荷誘電体は角部４箇所全てでなく、電磁波の侵入と漏洩の多い部分のみでも良い。
【００４２】
その他、実施の形態２の構造、効果は実施の形態１と同じである。なお、実施の形態２では角部において、円弧状の導電パターンの外に所定長さの直線上の導電パターンを有しているので、実施の形態１に比べ、ｒ方向成分よりY方向成分（またはX方向成分）が大きい場合に対して有効であり、電磁波の方向によって使い分ける必要がある。
【００４３】
実施の形態３．
図１、図１０、図１１を用いて、この発明の実施の形態３による電磁シールド扉と扉枠について説明する。図１は電磁シールド扉部分の正面図で、実施の形態１と同じなので説明は省略する。
図１０は、図１における扉1の右上側部分の扉枠2の角部を示し、実施の形態１の図３に相当する部分の拡大正面図であり、図１１は図１０のF-F’断面の断面図である。
共振構造装荷誘電体は、実施の形態１と同様に扉枠2の正面で扉1側の縁部近傍に装着される。図１０、図１１において、ストリップ導体よりなる導体パターン4a、4b、4c、4d、4e、4fは扉枠2の正面で扉1側の縁部近傍表面に全周に亘り貼付された所定幅の導電性材料の上側に、同じくこの導電性材料と同じ幅の誘電性の材料が扉枠2の扉1側の縁部近傍に全周に亘り貼付され、この誘電性の材料の表面にさらに貼付された導電性材料から成る。図１１に示されるように導体パターン44b、44cの間は寸法Sa、導体パターン44d、44eの間は寸法Sｂの空隙が設けられている。
【００４４】
図１１を用いて共振構造装荷誘電体の共振構造について説明する。図１１には、共振構造装荷誘電体43の扉枠2への貼付面と反対側表面に、扉枠2の周方向に沿って配置された帯状の金属導体である導体パターン44a、44b、44c、44d、44e、44fと、共振構造装荷誘電体3の内部に、扉枠2の周方向であるZ軸方向に沿ってスルーホールが列状に配置された貫通スルーホール列45a、45b、45cが設けられている。なお、導体パターン44a、44b、44c、44d、44e、44f及び貫通スルーホール列45a、45b、45cは、実施の形態１に示した図３と同様なのでここでは説明を省略する。
導体パターン44a、44b、44c、44d、44e、44fのZ方向及びX方向の寸法は、それぞれLa、Lb、Lc、Ld、Le、Lfであり、それぞれ周波数fa、fb、fc、fd、ｆe、ffにおいて、共振構造装荷誘電体3上で4分の1波長になっている。
【００４５】
この実施の形態３の角部における導体パターン44a、44b、44c、44d、44e、44fの構成は、実施の形態１及び実施の形態２とは異なり、直線部の導体パターン4a、4b、4c、4d、4e、4fをX方向とZ方向にそのまま延在させ、このX方向（横方向）とZ方向（縦方向）に延在された導体パターン4a、4b、4c、4d、4e、4fが突き当たり角が直角となる鉤状を成している。
また、この実施の形態３では角部において、直線部の導体パターン4a、4b、4c、4d、4e、4fよりも多くの導体パターンは備えていない。
なお、この実施の形態３で直線部分の共振構造装荷誘電体の構造は、実施の形態１及び実施の形態２と同様に導体パターン4a、4b、4c、4d、4e、4fと貫通スルーホール列5a、5b、5c、導電性の扉枠2及び導体パターン4a、4b、4c、4d、4e、4fと導電性の扉枠2に挟持された誘電体で構成される。
【００４６】
ここで、周波数faの電磁波が扉1と扉枠2の隙間の角部に伝搬する電磁波のY方向成分を考えると、導体パターン44aが周波数faの電磁波と共振して電磁波を吸収し、扉1と扉枠2の隙間の角部を伝搬するY方向成分の周波数faの電磁波は減衰する。同様に、周波数fb、fc、ｆd、fe、ff及び各々の奇数倍の周波数の電磁波が扉1と扉枠2の隙間の角部に伝搬するY方向成分の場合、導体パターン44a、44b、44c、44d、44e、44fのいずれかが共振して電磁波を吸収するので、扉1と扉枠2の隙間の角部を伝搬するY方向成分の周波数も減衰する。この結果、周波数fa、fb、fc、fd、fe、ff及び各々の奇数倍の周波数において、扉1と扉枠2の隙間の角部における電磁波の漏洩と浸入を防ぎ、図５に示すように周波数fa、1.5fa（＝fb）、2fa（＝fc）、2.5fa（＝fd）、3fa、3.5fa（＝fe）、4fa（＝ff）、4.5faに極を有する広帯域な減衰特性となり、その結果、広帯域な電磁シールド特性が得られる。
【００４７】
この実施の形態３の構造によれば、角部の導体パターン44a、44b、44c、44d、44e、44fは、直線部の導体パターン4a、4b、4c、4d、4e、4fがX方向とZ方向にそのまま延在されて、当接し角が直角となる鉤状を成しているので、実施の形態２に比べてｒ方向成分よりY方向成分（またはX方向成分）が大きい場合に対してさらに有効である。
その他、実施の形態３の構造、効果は実施の形態１や実施の形態２と同じであり、これ等の実施の形態は電磁波の方向によって使い分ける必要がある。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
この発明に係る電磁シールド扉と扉枠は、シールドルームの出入り口を開閉する扉と、その開閉扉を支持する扉枠に適用される可能性がある。
【符号の説明】
【００４９】
1；扉、2；扉枠、3、13、23、33、43；共振構造装荷誘電体、7；ヒンジ、8；開閉レバー、3a,3b、3c、3d、13a、13b、13c、13d；誘電体、4a、4b、4c、4d、4e、4f、14a、14b、14c、14d、14e、14f、14g、14h、14i、14j、24a、24b、24c、24d、24e、24f、34a、34b、34c、34d、34e、34f、34g、34h、34i、34j、44a、44b、44c、44d、44e、44f；導体パターン、5a、5b、5c、15a、15b、15c、15d、15e、25a、25b、25c、25d、25e、35a、35b、35c、35d、35e、45a、45b、45c、；貫通スルーホール列、Sa、Sb、Sc；導体パターン間隔、La、Lb、Lc、Ld、Le、Lf、Lg、Lh、Li、Lj；導体パターン幅。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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