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【手続補正書】
【提出日】平成21年11月24日(2009.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エンベロープと、
バリウムフリー電子放出材料を含有するバリウムフリー電極であって、該バリウムフリー電子放出材料が、プラズマ放電によってもたらされる熱励起に応じて電子を放出する作用をなす１種以上のバリウムフリー金属酸化物組成物を含んでいて、該金属酸化物が酸化ストロンチウムを含むバリウムフリー電極と、
エンベロープ内に収容された放電材料であって、定常状態作動条件下で２×１０1Ｐａ〜１×１０4Ｐａの全蒸気圧を発生する放電材料と
を備えるランプ。
【請求項２】
前記放電材料が、金属としてのＨｇ、Ｎａ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、希ガスとしてのＮｅ、Ａｒ、Ｈｅ、Ｋｒ、Ｘｅ及びこれらの組合せからなる群から選択される１種以上の材料を含有する、請求項１記載のランプ。
【請求項３】
前記放電材料が、金属化合物としてのＮａ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓの化合物及びこれらの組合せからなる群から選択される１種以上の材料を含有し、前記化合物がハロゲン化物、酸化物、カルコゲニド、水酸化物、水素化物、有機金属化合物及びこれらの組合せからなる群から選択される、請求項１記載のランプ。
【請求項４】
前記放電材料がヨウ化ガリウム、ヨウ化亜鉛及びヨウ化インジウムからなる群から選択される１種以上の材料を含有する、請求項１記載のランプ。
【請求項５】
前記ランプが、直管形蛍光ランプ、コンパクト形蛍光ランプ、環形蛍光ランプ、高輝度放電ランプ、フラットパネルディスプレイ、水銀非含有ランプ及びキセノンランプからなる群から選択される、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載のランプ。
【請求項６】
酸化ストロンチウムが全バリウムフリー金属酸化物組成物の２０重量％超の量で存在する、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載のランプ。
【請求項７】
酸化ストロンチウムが全バリウムフリー金属酸化物組成物の５０重量％超の量で存在する、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載のランプ。
【請求項８】
酸化ストロンチウムが全バリウムフリー金属酸化物組成物の８０重量％超の量で存在する、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載のランプ。
【請求項９】
前記バリウムフリー金属酸化物組成物が２種以上の金属酸化物の固溶体を含有する、請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載のランプ。
【請求項１０】
前記バリウムフリー金属酸化物組成物が基体上の皮膜として設けられる、請求項１乃至請求項９のいずれか１項記載のランプ。
【請求項１１】
前記バリウムフリー電子放出材料が、さらに、酸化カルシウム、酸化マグネシウム又はこれらの組合せを含む、請求項１乃至請求項１０のいずれか１項記載のランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月28日(2011.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４７】
試料を採取し、かつ、中和アッセイ法および直接滴定ELISAの両方を用いて分析した。このアッセイ法では、どのクローンが最も高いOD測定値を維持し得るかを調べるために、4倍段階希釈物を用いて、試料を滴定した。中和アッセイ法および滴定アッセイ法の両方の結果を用いて、最初の大元の各ウェルから特定のクローンを、先に進めるために選択した。もう1度中和スクリーニングを実施して、これらの試料すべてを同じアッセイ法で試験し、かつ、この時点で、細胞株の数を上位4つの精選物に絞りこんだ。これらをさらにもう1回のクローニングに供して、培養物の均質性を徹底し、かつ、直接ELISAによってスクリーニングした。もう1回、滴定アッセイ法を実施した後、2種の最終IL-21クローンを選択し、268.5.1.11.42.1.4.3.9(ATCCアクセッション番号PTA-10394)および272.21.1.3.4.2(ATCCアクセッション番号PTA-10395)に指定した。抗IL-21受容体モノクローナル抗体もまた選択され、285.134.3.22(ATCCアクセッション番号PTA-7141)の指定のもとで析出された。これらのハイブリドーマクローンによって産生されるモノクローナル抗体は、2mM L-グルタミン、100μg/mLペニシリン、および100μg/mL硫酸ストレプトマイシン、および10％ Fetal Clone I Serum(Hyclone Laboratories)を含む90％イスコフ改変ダルベッコ培地からなる増殖培地で培養することができる。これらのクローンは、2×105細胞/mlで培養を開始し、かつ、37℃、5％〜6％CO、1×105細胞/ml〜5×105細胞/mlの間で維持することによって、増殖させることができる。その後の移動の際に、細胞を無血清条件に順応させることができる。凍結した細胞を、90％血清、10％DMSO中で保存し、かつ、液体窒素冷凍器の気相中で保存する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月19日(2009.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸気マニホルドと排気マニホルドを有する内燃エンジンと、
高圧圧縮機に駆動連結された可変容量高圧タービンを有する高圧ターボチャージャーであって、該可変容量高圧タービンが該排気マニホルドからの排気ガスの第１部分によって駆動され、該高圧圧縮機が吸気を圧縮して、該吸気マニホルドに該圧縮された吸気を供給するように構成されている該高圧ターボチャージャーと、
低圧圧縮機に駆動連結された可変容量低圧タービンを有する低圧ターボチャージャーであって、該可変容量低圧タービンが該排気マニホルドからの該排気ガスの第２部分によって駆動され、該低圧圧縮機が該排気マニホルドからの該排気ガスの第３部分を圧縮して、該吸気マニホルドに該圧縮された第３部分を供給するように構成されており、該排気ガスの該第１部分と第２部分が互いに異なっている該低圧ターボチャージャーとからなる、システム。
【請求項２】
該内燃エンジンが圧縮点火エンジンである、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
該圧縮点火エンジンがディーゼルエンジンである、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
該低圧圧縮機の下流に配置され、該吸気マニホルドへの導入の前に排気ガスの該第３部分を冷却するように構成された冷却器をさらに有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
該高圧圧縮機の下流に配置され、該高圧圧縮機からの該圧縮された吸気を冷却するように構成された空気冷却器をさらに有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
該低圧圧縮機への該排気ガスの該第３部分の流れを制御するように構成された排気ガス再循環（ＥＧＲ）弁をさらに有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
エンジン運転条件、該低圧ターボチャージャーの性能、該高圧ターボチャージャーの性能、またはそれらの組み合わせに基づいて、該ＥＧＲ弁を介した該流れを制御するように構成された制御装置をさらに有する、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
該低圧圧縮機への該排気ガスの導入の前に、該排気ガスから粒子状物質を濾過するように構成された粒子フィルタをさらに有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
該吸気マニホルド圧力が該排気マニホルド圧力よりも大幅に高くなっている、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
該第３部分が該高圧タービンから出力された排気ガスの該第１部分の少なくとも一部である、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
該内燃エンジンの選択された運転条件で該低圧ターボチャージャーを駆動するように構成されたモータをさらに有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
該内燃エンジンがエンジン左および右バンクに配列された複数の燃焼シリンダを有し、該排気ガスの該第１および第２部分が該エンジン左および右バンクからの排気ガスである、請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
車両、機関車、船舶用途、または工業用途である、請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
内燃エンジンからの排気ガスの第１部分を送って、高圧ターボチャージャーの可変容量高圧タービンを駆動する段階と、
該排気ガスの第２部分を送って、低圧ターボチャージャーの可変容量低圧タービンを駆動する段階と、
該排気ガスの第３部分を低圧圧縮機に送って、該内燃エンジンに取り入れるために排気ガスの該第３部分を圧縮する段階とからなり、排気ガスの該第１部分と第２部分が互いに異なっている、エンジンシステムの動作方法。
【請求項１５】
内燃エンジンにおける汚染物質排出を削減する方法であって、
高圧圧縮機と可変容量高圧タービンとを有する高圧ターボチャージャーを該内燃エンジンに連結する段階と、
低圧圧縮機と可変容量低圧タービンとを有する低圧ターボチャージャーを該高圧ターボチャージャーと略並流構造で連結する段階とからなり、該略並流構造が該内燃エンジンから該可変容量高圧タービンまでの排気ガスの第１部分と、該内燃エンジンから該可変容量低圧タービンまでの該排気ガスの第２部分とを有する、方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年10月12日(2011.10.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
経口的に使用できる有効成分及び不活性成分を含んでなる、口腔ケア用の治療用及び予防用組成物であって、細菌沈着防止効果、抗炎症効果、歯垢蓄積防止効果及び再石灰化促進効果を生じさせる０．０１〜１重量％のブロメライン及び２．２〜１８重量％のキシリトール、並びに０．０５〜３．０重量％のグリセロリン酸カルシウム及び無機若しくは有機マグネシウム塩を含んでなる組成物。
【請求項２】
０．１〜０．８重量％のブロメラインを含有する、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
０．２〜２．５重量％のグリセロリン酸カルシウム及び無機若しくは有機マグネシウム塩を含有する、請求項１記載の組成物。
【請求項４】
モノフルオロリン酸ナトリウム、モノフルオロリン酸カリウム、モノフルオロリン酸カルシウム又はモノフルオロリン酸マグネシウムを０．５〜１．５重量％の量で含有する、請求項１記載の組成物。
【請求項５】
モノフルオロリン酸ナトリウム、モノフルオロリン酸カリウム、モノフルオロリン酸カルシウム、又はモノフルオロリン酸マグネシウムを０．８〜１．１重量％で含有する、請求項１記載の組成物。
【請求項６】
ペースト状の、請求項１記載の組成物であって、以下の不活性成分を含有する組成物：
研磨剤：５〜４０、
湿潤剤：５〜７０、
ゲル化剤：０．５〜２．５、
１つ以上の界面活性剤：０．５〜３．０、
１つ以上のフレーバ充填材：０．５〜２、
１つ以上の防腐剤：０．０１〜０．５（以上重量％）。
【請求項７】
ゲル状の、請求項１記載の組成物であって、以下の不活性成分を含有する組成物：
湿潤剤：５〜７０、
ゲル化剤：０．５〜２．５、
１つ以上の界面活性剤：０．５〜３．０、
１つ以上のフレーバ充填材：０．５〜２、
１つ以上の防腐剤：０．０１〜０．５（以上重量％）。
【請求項８】
液体状の、請求項１記載の組成物であって、以下の不活性成分を含有する組成物：
湿潤剤：５〜７０、
１つ以上の界面活性剤：０．５〜３．０、
１つ以上のフレーバ充填材：０．５〜２（以上重量％）、
水：残り。
【請求項９】
チューインガム状の、請求項１記載の組成物であって、以下の不活性成分を含有する組成物：
ポリマーベース：２０〜３０、
１つ以上の多価アルコール：４５〜６０、
１つ以上のフレーバ充填材：０．５〜２（以上重量％）。
【請求項１０】
ゼリー状の、請求項１記載の組成物であって、以下の不活性成分を含有する組成物：
果糖：２０〜５０、
１つ以上の構造形成剤：１〜３、
１つ以上のフレーバ充填材：０．２〜１（以上重量％）。
【請求項１１】
パステル状の、請求項１記載の組成物であって、以下の不活性成分を含有する組成物：
１つ以上の多価アルコール：４０〜６０、
１つ以上の構造形成剤：２〜１５、
１つ以上のフレーバ充填材：０．５〜２（以上重量％）。
【請求項１２】
炭酸カルシウム、リン酸二カルシウム、シリカ、酸化アルミニウム、ピロリン酸カルシウム、メタリン酸ナトリウム、ポリメタクリル樹脂、炭酸マグネシウムからなる群から選択される１つ以上の物質を研磨剤として含有する、請求項６記載の組成物。
【請求項１３】
ソルビトール、グリセリン、ポリエチレングリコールからなる群から選択される１つ以上の物質を湿潤剤として含有する、請求項６又は７記載の組成物。
【請求項１４】
カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、キサンタンガム、カラゲナン、グアーガムからなる群から選択される１つ以上の成分をゲル形成剤として含有する、請求項６又は７記載の組成物。
【請求項１５】
ラウリル硫酸ナトリウム、アルキルアミドベタイン、ＰＥＧ−４０  硬化ヒマシ油、ポリソルベート−２０からなる群から選択される１以上の物質を界面活性剤として含有する、請求項６、７又は８記載の組成物。
【請求項１６】
ペパーミントオイル、スペアミントオイル、セージオイル、スキンリーフ（ｓｋｉｎｌｅａｆ）油、シトラスオイル、ユーカリオイル、モミノキ油、アニス油、チョウジ油、メントール、カルボン、アネトール、サリチル酸メチル、甘味料（サッカリン酸ナトリウム、乳糖、マルトース、アスパルテーム、シクラミン酸ナトリウム）からなる群から選択される１つ以上の物質をフレーバ充填材として含有する、請求項６から１１のいずれか１項記載の組成物。
【請求項１７】
メチルパラベン、プロピルパラベン、ブチルパラベン及びそのナトリウム塩、並びにフェノキシエタノール、安息香酸、安息香酸ナトリウムからなる群から選択される１つ以上の物質を防腐剤として含有する、請求項６又は７記載の組成物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
当該口腔ケア用の治療用及び予防用組成物は、経口的に使用できる有効成分及び他の成分を含んでなり、特に０．０１〜１重量％のブロメライン、１．５〜２０重量％のキシリトール、及び０．０５〜３．０重量％の抗カリエス性ミネラル添加剤を有効成分として含んでなる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年7月5日(2011.7.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面の曲率が不連続な形状のパネルを製造する方法であって、
互いに平行な長繊維及び又は連続繊維で強化された第１のポリマーである熱可塑性プラスチック製の第１の強化層を提供する工程と、
該第１のポリマーと相溶性である第２のポリマーである熱可塑性プラスチック製のコア層を提供する工程と、
互いに平行な長繊維又は連続繊維で強化された該第１のポリマーである熱可塑性プラスチック製の第２の強化層を提供する工程と、
２つの付加的な強化層を提供する工程と、
該コア層によって該強化層を離間するように該層を積層する工程と、
該積層をパネルの金型に導入すると共に該金型を少なくとも所定のポリマーの融点まで加熱し、該層を圧密化して該パネルを成形する工程とを備え、
該積層する工程において２つの付加的な強化層の一方は該コア層の一方の面側に配置され、他方は該コア層の他方の面側に配置され、
該積層する工程において、外層となる強化層の繊維は第一方向に延び、該内層となる強化層の繊維は該第一方向と直交する第２方向に延びるか又は擬似等方性配向で斜めに交差していることを特徴とするパネル製造方法。
【請求項２】
該コア材料は（ｉ）該第２のポリマーを約７０容量％含むか、又は（ｉｉ）該パネルの５０容量％を占めることを特徴とする請求項１に記載のパネル製造方法。
【請求項３】
成形された該パネルを火炎処理、コロナ放電又はプラズマ銃により処理する工程を更に備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載のパネル製造方法。
【請求項４】
該第１のポリマー及び該第２のポリマーが互いに同一のポリマーであるか、又は実質的に同じポリマーであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のパネル製造方法。
【請求項５】
該成形工程が真空圧密金型又はスタンププレス金型を用いて行われることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のパネル製造方法。
【請求項６】
該金型の少なくとも一部が加熱されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のパネル製造方法。
【請求項７】
塗装されるべき該パネルの側面の成形に対応する少なくとも１つの金型ツーリング面が加熱されることを特徴とする請求項６に記載のパネル製造方法。
【請求項８】
該積層を加熱する工程において、該金型の少なくとも一部を冷却する工程を備えることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のパネル製造方法。
【請求項９】
該ツーリング表面のみを冷却することを特徴とする請求項７に従属する請求項８に記載のパネル製造方法。
【請求項１０】
該パネルの厚さの約５０％を占めるように該コア層を提供することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載のパネル製造方法。
【請求項１１】
３つ以上の強化層を提供することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載のパネル製造方法。
【請求項１２】
該コア層の片面側に配置された複数の該強化層と、該コア層の反対面側に配置された複数の該強化層とは実質的に鏡像関係にあることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載のパネル製造方法。
【請求項１３】
該第１強化層と該第２強化層とを提供する工程において、該繊維を層中に組み込む前に該繊維を相互に編成することを特徴とする請求項１に記載のパネル製造方法。
【請求項１４】
該コア層を提供する工程において、該コア層は強化用繊維を含むことを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載のパネル製造方法。
【請求項１５】
該コアが、再生材料、産業用粉砕再生材料、又は再利用目的の材料から構成されることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載のパネル製造方法。
【請求項１６】
該パネルを自動車の製造に使用することを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載のパネル製造方法。
【請求項１７】
互いに平行な長繊維及び又は連続繊維で強化された第１のポリマーである熱可塑性プラスチック製の第１の強化層と、
該第１のポリマーと相溶性である第２のポリマーである熱可塑性プラスチック製のコア層と、
互いに平行な長繊維又は連続繊維で強化された該第１のポリマーである熱可塑性プラスチック製の第２の強化層と、
２つの付加的な強化層と、を有し、
該第１の強化層は該コア層の一方の面側に配置され、該第２の強化層は該コア層の他方の面側に配置され、
２つの付加的な強化層の一方は該コア層の一方の面側に配置され、他方は該コア層の他方の面側に配置されて積層体をなし、外層となる強化層の繊維は第一方向に延び、内層となる強化層の繊維は該第一方向と直交する第２方向に延びるか又は擬似等方性配向で斜めに交差しており、表面曲率が不連続であることを特徴とするパネル。
【請求項１８】
該コア材料は（ｉ）該第２のポリマーを約７０容量％含むか、又は（ｉｉ）該パネルの５０容量％を占めることを特徴とする請求項１７に記載のパネル。
【請求項１９】
該コア層の片面側に配置された複数の該強化層と、該コア層の反対面側に配置された複数の該強化層とは実質的に鏡像関係にあることを特徴とする請求項１７又は１８に記載のパネル。
【請求項２０】
該コア層は強化用繊維を含むことを特徴とする請求項１７〜１９のいずれか１項に記載のパネル。
【請求項２１】
該コアが、再生材料、産業用粉砕再生材料、又は再利用目的の材料から構成されることを特徴とする請求項１７〜２０のいずれか１項に記載のパネル。
【請求項２２】
自動車の一部に使用されることを特徴とする請求項17乃至２１のいずれか１項に記載のパネル。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
更に他の実施の形態において、強化層（単数又は複数）は、当該技術分野において「擬似等方性配向」配列と呼ばれるような、斜めに交わる繊維を含んでいてもよい。このような実施の形態においては、繊維を層中に組み込む前に繊維同士を編成する工程を有する。これにより、２つの強化材料層のみでも種々の方向の熱膨張を制限することができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７５】
本発明の範囲内で考えられる別の実施形態では３層のみであってもよい。即ち、編成繊維、二方向性繊維又は「擬似等方性」繊維（縦、横及び斜めに延びる繊維）で強化された2つの外層と、上述したコア層とである。代替的には、コア層は天然ポリプロピレンを含んでいなくてもよいが、代わりに「ランダム方向性繊維」強化ポリプロピレンを含んでいてもよく、また、塗装片等の不純物を用いた再生材料（例えば、バンパー等自動車部品の粉砕物）であってもよい。実際、複合体の層は、ポリプロピレン以外の熱可塑性プラスチックを含んでいてもよいが、当業者は、ポリマーの選択がプロセス全体に影響を与え、処理温度が異なり、且つ方法工程のいくつか（特に、塗装前のパネルの処理）が必要ではないことを理解するであろう。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年8月12日(2011.8.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２】
被覆層及び支持層のためのエラストマー材料が、ブロックコポリマー、エラストマーのポリウレタンまたはオレフィン性エラストマーまたはこれらエラストマーの混合物よりなる群から選択される熱可塑性エラストマーよりなる、請求項１に記載の弾性積層体。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
被覆層および支持層のための弾性物質は、ブロックコポリマー、エラストマーのポリウレタンまたはオレフィン性エラストマーまたはこれらエラストマーの混合物よりなる群から選択される熱可塑性エラストマーよりなり得る。ブロックコポリマーとしては特にスチレン／イソプレン−、ブタジエン−またはエチレン−ブチレン／スチレン−ブロックコポリマー（ＳＩＳ、ＳＢＳまたはＳＥＢＳ）が適している。オレフィン性エラストマーとしては例えばエチレン−プロピレン−エラストマー、エチレン−プロピレン−ジエン−ポリマー−エラストマーおよびメタロセン用いて製造したポリオレフィンエラストマーを使用することができる。更にエラストマーの組成はエチレン−酢酸ビニル−エラストマーも含有し得る。被覆層のエラストマー材料は支持層のエラストマー材料に相当し得る。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年7月14日(2011.7.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
エアブレーキを第１の位置から第２の位置に引っ込める操作は、着陸装置の負荷がかかるまでは不可逆的である。急角度でのこのような操舵では、エアブレーキの作用を補償するために航空機の設定（例えばアメリカ合衆国特許第３，５８９，６４８号のように、エンジン出力）が変更されることはない。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年9月21日(2011.9.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）、テルル（Ｔｅ）およびニオブ（Ｎｂ）の酸化物を含み、且つ本体構造の平均Ｍｏ組成に比べてＭｏ含有率を減少させた改質された表面構造を有する、炭化水素または部分的に酸化された炭化水素の酸化反応に使用するための金属酸化物触媒の製造方法であって、
（ｉ）Ｍｏ、Ｖ、ＴｅおよびＮｂの酸化物を含む焼成触媒材料を準備する工程、ただし前記工程は６３０〜６６０℃の温度での最終焼成工程を含む、
（ｉｉ）この材料を０〜４０℃の温度で、水および濃度が０．１ｍｏｌ／Ｌ以下の酸または塩基の水溶液から選択される処理剤で処理する工程、及び
（ｉｉｉ）処理された触媒を処理剤から分離する工程
を含む前記方法。
【請求項２】
工程（ｉ）で準備される触媒材料が一般式（Ｉ）：
ＭｏＶａＴｅｂＮｂｃＺｄＯｘ      （Ｉ）    
（式中、ａ＝０．１５〜０．５０、ｂ＝０．１０〜０．４０、ｃ＝０．０５〜０．２０、ｄ≦０．０５であり、ｘは式（Ｉ）中の酸素とは異なる元素の相対量および原子価に基づく数であり、そしてＺは、Ｒｕ、Ｍｎ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、ＰｂおよびＢｉから選択される少なくとも１種の元素であ
る）
の材料である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
Ｚが存在し、ＲｕおよびＭｎから選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
式（Ｉ）において、ａ＝０．２５〜０．４０、ｂ＝０．１５〜０．３０、ｃ＝０．０７〜０．１６、およびｄ≦０．０３である、請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
ａ＝０．２５〜０．３５、ｂ＝０．２０〜０．２５、ｃ＝０．０９〜０．１４、およびｄ≦０．０１である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
式（Ｉ）において、Ｚが、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｃｅ、Ｔａ、Ｗ、ＰｔおよびＢｉから選択される少なくとも１種の元素である、請求項２、４または５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
式（Ｉ）において、ｄ＝０である、請求項２および４〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
工程（ｉｉ）が、工程（ｉ）の触媒材料を、攪拌しながら処理剤中に懸濁させることによって行われる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
処理剤が、硝酸、硫酸およびシュウ酸から選択される酸の水溶液、または水性アンモニア溶液である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
処理剤が水である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
水が、水道水、蒸留水およびイオン交換水から選択される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
工程（ｉｉ）が０．１〜１００時間行われる、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
焼成される触媒出発材料が残留水分を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）、テルル（Ｔｅ）およびニオブ（Ｎｂ）の酸化物を含み、そしてＭｏ、Ｖ、ＴｅおよびＮｂの酸化物を含む焼成触媒材料を、水および酸または塩基の水溶液から選択される処理剤で処理することによって得られる、炭化水素または部分的に酸化された炭化水素の酸化反応に使用するための触媒であって、
本体構造の平均Ｍｏ組成に比べてＭｏ含有率を減少させた、改質された表面領域を有することを特徴とし、ＸＰＳで測定可能な平均Ｍｏ表面含有率が、１００原子％の本体金属組成を基準として、本体構造の平均Ｍｏ含有率よりも１〜２０原子％少ない、前記触媒。
【請求項１５】
Ｘ線回折で測定した工程（ｉｉ）の後の本体構造が工程（ｉｉ）の前の本体構造と比較して変化していない、請求項１４に記載の触媒。
【請求項１６】
本体構造の平均Ｔｅ組成に比べてＴｅ含有量が増加している、少なくとも１つの改質された表面領域を含む、請求項１４または１５に記載の触媒。
【請求項１７】
マンガンを含む、請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の触媒。
【請求項１８】
本体構造の平均Ｍｎ組成に比べてＭｎ含有量が増加している、少なくとも１つの改質された表面領域を含む、請求項１７に記載の触媒。
【請求項１９】
ＭｏＶ０．１８Ｔｅ０．３１Ｎｂ０．１１Ｍｎ０．０１Ｏ３．６８の平均組成を有する少なくとも１つの表面領域を含む、請求項１７または１８に記載の触媒。
【請求項２０】
炭化水素または部分的に酸化された炭化水素の酸化反応における触媒としての請求項１４〜１９のいずれか一項に記載の触媒の使用。
【請求項２１】
炭化水素または部分的に酸化された炭化水素が、プロパン、ブタン、プロペン、ブテンおよび（メト）アクロレインから選択される、請求項２０に記載の使用。
【請求項２２】
酸化反応の酸化生成物がアクリル酸またはメタクリル酸である、請求項２０または２１に記載の使用。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０７】
実施例７
本体組成Ｍｏ１Ｖ０．３０Ｔｅ０．２３Ｎｂ０．１２５Ｍｎ０．００５Ｏｘおよび平均表面組成ＭｏＶ０．１８Ｔｅ０．３１Ｎｂ０．１１Ｍｎ０．０１Ｏ３．６８を有する未希釈マンガン含有触媒を、混合前に水性酢酸マンガン溶液の必要量をＭｏ含有溶液に加え、そして最終焼成（３時間以上）を６５０℃で行った以外は、実施例５に記載の方法と同じように製造した。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年9月15日(2011.9.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通ハウジング内に配置された、回路の少なくとも半導体コンポーネントであって、該半導体コンポーネントは、リードフレーム又は他の熱伝導性及び導電性を有する基板上に平面状に配置されている複数のフリップチップダイを含み、前記複数のフリップチップダイがワイヤーボンディングを用いることなく互いに接続されており、
前記共通ハウジングがパッケージ構造を含み、
該パッケージ構造は、前記リードフレーム又は他の熱伝導性及び導電性を有する基板のうち、上部に前記複数のフリップチップダイが配置されている領域の全表面をカバーして、該複数のフリップチップダイを互いに接続する接続部分と、該接続部分から延びて、該リードフレーム又は他の熱伝導性及び導電性を有する基板の一部と接触する接触部分である、少なくとも１つのウェブ部分とを含む、回路の少なくとも半導体コンポーネント。
【請求項２】
前記共通ハウジングは、前記パッケージ構造を封入する樹脂または他の非導電性材料を含む、請求項１の共通ハウジング内に配置された回路の少なくとも半導体コンポーネント。
【請求項３】
前記複数のフリップチップダイは、少なくとも１つのＩＣを含む、請求項１記載の共通ハウジング内に配置された回路の少なくとも半導体コンポーネント。
【請求項４】
前記複数のフリップチップダイは、少なくとも１つのＭＯＳＦＥＴを含む、請求項１記載の共通ハウジング内に配置された回路の少なくとも半導体コンポーネント。
【請求項５】
前記回路は、バックコンバータ回路である、請求項１記載の共通ハウジング内に配置された回路の少なくとも半導体コンポーネント。
【請求項６】
前記パッケージ構造の少なくとも１つのウェブ部分は、複数のウェブ部分を含む、請求項１記載の共通ハウジング内に配置された回路の少なくとも半導体コンポーネント。
【請求項７】
前記頂部表面は、突条を有する、請求項１記載の共通ハウジング内に配置された回路の少なくとも半導体コンポーネント。
【請求項８】
前記回路は、更に共通ハウジング内に配置された少なくとも１つの受動的デバイスを含む、請求項１記載の共通ハウジング内に配置された回路の少なくとも半導体コンポーネント。
【請求項９】
前記少なくとも１つの受動的デバイスは、少なくとも１つの抵抗器と、少なくとも１つのコンデンサと、少なくとも１つのインダクタから成る群から選択されたものである、請求項８記載の共通ハウジング内に配置された回路の少なくとも半導体コンポーネント。
【請求項１０】
第１および第２ＭＯＳＦＥＴダイと、共通パッケージ内にすべてが含まれる前記第１および第２ＭＯＳＦＥＴを制御するための制御ＩＣダイとを備える半導体デバイスにおいて、
前記共通パッケージは、導電性実装表面を有し、前記第１ＭＯＳＦＥＴダイは１つの表面にソース電極およびゲート電極を有し、その反対の表面にドレイン電極を有し、前記第２ＭＯＳＦＥＴダイは、１つの表面にドレイン電極およびゲート電極を有し、その反対の表面にソース電極を有し、前記第１ダイおよび第２ダイは、それらのソースおよびゲートならびにドレイン電極において、前記導電性実装表面に導電的に固定されており、更に互いに横方向に離間しており、
前記第１および第２ＭＯＳＦＥＴダイと前記制御ＩＣダイとは、平面状に配置されており、
前記共通パッケージは、パッケージ構造を含み、該パッケージ構造が、前記第１ＭＯＳＦＥＴダイ及び前記第２ＭＯＳＦＥＴダイを互いに接続する前記１つの表面側の接続部分と、該接続部分から延びて、前記反対の表面の一部と接触する接触部分である少なくとも１つのウェブ部分とを含む、半導体デバイス。
【請求項１１】
前記ＩＣダイは、前記導電性実装表面に導電的に固定された１つの表面を有するフリップチップＩＣである、請求項１０記載のデバイス。
【請求項１２】
前記パッケージ構造の少なくとも１つのウェブ部分は、複数のウェブ部分を含む、請求項１０記載のデバイス。
【請求項１３】
前記接続部分の頂部表面には、突条が設けられている、請求項１２記載のデバイス。
【請求項１４】
前記共通パッケージは、前記パッケージ構造を封入する樹脂または他の非導電性材料を更に含む、請求項１２記載のデバイス。
【請求項１５】
前記共通パッケージ内に含まれる少なくとも１つの受動的デバイスを更に含む、請求項１０記載のデバイス。
【請求項１６】
前記少なくとも１つの受動的デバイスは、少なくとも１つの抵抗器と、少なくとも１つのコンデンサと、少なくとも１つのインダクタから成る群から選択されたものである請求項１５記載のデバイス。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
ステップダウンコンバータとしても知られているこのバックコンバータ回路は、一般に、電圧を下げるために使用されている。従って、入力電圧ＶＩＮは、出力電圧ＶＯＵＴよりも高くなっている。ＭＯＳＦＥＴダイ１５とＭＯＳＦＥＴダイ２５とＩＣダイ９４は、共通するハウジング２１内に配置されている。ダイ１５、２５、９４は、熱伝導性及び導電性であるリードフレーム２０または他の基板上に平面状に配置されている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
リードフレームまたは基板の伝導性は、後により詳細に説明するように、ＩＣ９４とＭＯＳＦＥＴ１５、２５との間の電気接続を可能にすると共に、入力電圧ＶＩＮ及び出力電圧Ｖ１（図２を参照）を、共通のハウジング２１へ及びハウジングからそれぞれ伝送するのに必要である。熱伝導性且つ導電性であるリードフレーム以外の基板として、ダイレクトボンド銅（ＤＢＣ）、プリント回路基板（ＰＣＢ）、プリント配線基板（ＰＷＢ）およびフレキシブル回路を挙げることができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年3月11日(2011.3.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端末機固有番号のメーカーコードを端末機に再割り当てる段階と、
前記割り当てが何番目の再割り当てかを表す再割り当てタイプ（ＲＥＣＹＣＬＥＤ＿ＴＹＰＥ）情報を端末機に転送する段階と、
を備えてなる、端末機固有番号割り当て方法。
【請求項２】
前記端末機は、前記再割り当てられた端末機固有番号と再割り当てタイプを用いて共用ロングコードマスク（ＰＬＣＭ）を生成することを特徴とする、請求項１に記載の端末機固有番号割り当て方法。
【請求項３】
前記端末機固有番号は、端末機一連番号（Electronic Serial Number：ＥＳＮ）または端末機識別番号（User Identification ModuleID：ＵＩＭ＿ＩＤ）であることを特徴とする、請求項１に記載の端末機固有番号割り当て方法。
【請求項４】
前記再割り当てタイプは、一つの固定された値を有することを特徴とする、請求項１に記載の端末機固有番号割り当て方法。
【請求項５】
前記端末機は、前記再割り当てタイプに対応するステーションクラスマーク（Station Class Mark：ＳＣＭ）とＰＬＣＭの５ビット部分をテーブル形態に保存することを特徴とする、請求項１に記載の端末機固有番号割り当て方法。
【請求項６】
前記端末機は、前記再割り当てタイプによってＰＬＣＭの５ビット部分を決定することを特徴とする、請求項５に記載の端末機固有番号割り当て方法。
【請求項７】
前記端末機は、前記５ビット部分を現在使用されている全てのロングコードマスクと衝突しない値に設定することを特徴とする、請求項６に記載の端末機固有番号割り当て方法。
【請求項８】
端末機固有番号のメーカーコードを端末機に再割り当て、何番目の再割り当てかを表す再割り当てタイプ（ＲＥＣＹＣＬＥＤ＿ＴＹＰＥ）を端末機に転送する段階と、
前記再割り当てタイプによって端末機が保存されるステーションクラスマークの値を決定する段階と、
を備えることを特徴とする、端末機固有番号の運営方法。
【請求項９】
前記端末機固有番号は、端末機一連番号（Electronic Serial Number：ＥＳＮ）または端末機識別番号（User Identification ModuleID：ＵＩＭ＿ＩＤ）であることを特徴とする、請求項８に記載の端末機固有番号の運営方法。
【請求項１０】
前記端末機は、自分が再割り当て端末機固有番号を具現した端末機か否かを表す情報及び再割り当てタイプ情報（ＲＥＣＹＣＬＥＤ＿ＴＹＰＥ）を永久メモリに保存することを特徴とする、請求項８に記載の端末機固有番号の運営方法。
【請求項１１】
前記端末機が再割り当て固有番号を具現した端末機かを表す情報と前記再割り当てタイプ情報を含む前記ステーションクラスマーク（ＳＣＭｐ）を基地局に知らせる段階をさらに備えることを特徴とする、請求項８に記載の端末機固有番号の運営方法。
【請求項１２】
前記ステーションクラスマークは、基地局の要請無しに登録メッセージ、発信メッセージ、ページ応答メッセージ及び端末情報（TerminalInformation）メッセージを通じて基地局に伝達され、前記再割り当てタイプによって既存に使用されなかった（Reserved）値にセッティングされることを特徴とする、請求項１１に記載の端末機固有番号の運営方法。
【請求項１３】
前記ステーションクラスマークは、基地局の要請に応じて、状態メッセージ、状態応答メッセージ、拡張された状態応答メッセージ及び端末情報メッセージのうちいずれか一つを通じて基地局に伝達されることを特徴とする、請求項１１に記載の端末機固有番号の運営方法。
【請求項１４】
下りリンク共通シグナリングチャネルを通じて複数のメッセージを転送する無線システムにおいて、
基地局は、チャネル割り当てまたは情報を知らせるメッセージのＭＳＧ＿ＩＤを、既存に使用されなかった（Reserved）ＭＳＧ＿ＩＤと設定し、自分が端末に再割り当て固有番号及び前記端末機に割り当てられる端末機固有番号のメーカーコードが何番目に再割り当てられるものであるかを表す再割り当てタイプ（ＲＥＣＹＣＬＥＤ＿ＴＹＰＥ）を具現した基地局であることを知らせる段階と、
前記端末機がＭＳＧ＿ＩＤをチェックしてＰＬＣＭを生成する段階と、
を備えることを特徴とする、端末機固有番号の運営方法。
【請求項１５】
前記メッセージは、ＥＣＡＭ、ＧＨＤＭまたはＵＨＤＭメッセージであることを特徴とする、請求項１４に記載の端末機固有番号の運営方法。
【請求項１６】
前記端末機は、ＭＳＧ＿ＩＤが既存に使用されなかった（Reserved）ＭＳＧ＿ＩＤと設定された場合、ＰＬＣＭの５ビット部分を、再割り当てタイプによって決定されたマッピングテーブル内の値に設定することを特徴とする、請求項１４に記載の端末機固有番号の運営方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
好ましくは、端末機にメーカーコードを再割り当てる際には、既存に割り当てられたメーカーコードを該当の端末機に優先的に再割り当てることによって、可能な限り、使用される端末機間のメーカーコードが同一になることを避ける。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年8月31日(2011.8.31)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
図３を参照すると、本発明による好ましい工程の手順が列挙されたブロック図が示されている。手順１において、コネクタ及び通路のための穴をプリント配線板（ＰＷＢ）に形成する。手順２において、予備形成コネクタピンをＰＷＢの電気側に結合することによって、コネクタ穴位置を画定する。手順３は、後続の重合体層の適用を補助するために、ＰＷＢを適当な薬剤で洗浄し、電気表面及び光学表面に対して接着促進材を付与する工程を含む。手順４は、光学表面に保護層を適用する工程を含む。手順５は、ＰＷＢの電気表面上の開口通路内にクラッド層を適用する工程を含む。手順６は、手順２で結合されたコネクタピンを参照位置として、窓、通路又は小型レンズアレイをＰＷＢの電気表面上にミクロ鋳造及び重合化する工程を含む。手順７は、ＰＷＢの電気表面を後続の工程手順から保護するために、ＰＷＢに接着フィルム又は半田マスクを適用する工程を含む。手順８は、ＰＷＢの光学表面から保護フィルムを取り除く工程を含む。手順９は、光学表面上に下部クラッド層を適用する工程を含む。下部クラッド層は、スピンコート法、メニスカスコート法、浸漬コート法、カーテンコート法、スクリーンプリント法で形成される。下部クラッド層は、下部クラッド層の適用の後に平面化され、その後硬化される。下部クラッド層は、裏面接着フィルム上に被覆され、その後、板に積層される。下部クラッド層は、有機材料及び無機材料のような重合体からなり、好ましい材料は、上述した性質を備える重合体由来の無機シロキサンを含む。手順１０は、ＰＷＢ上の導波路の位置に対応する下部クラッド層への接着促進処理の随意的な適用工程を含む。手順１１は、所望のフィルム高さを得るために、コア重合体層を積層させる工程を含む。コア重合体層を、スピンコーティング法、メニスカスコーティング法、カーテンコーティング法又は好ましくはスクリーンプリント法により適用することができる。追加的に、コア重合体層を、スペーサーを備えるパターンマスクの直接的な接触により積層してもよい。手順１２は、コアパターンを通路の位置に整合させることで導波路を側方に画定し、その後、好ましくはＵＶ硬化法により、コア重合体を硬化させる工程を含む。手順１３は、フォトリソグラフィーあるいはスクリーンプリント又はステンシルプリントのための他の代替手段に必要であれば、機械的に補助された溶剤を用いて、コア層から硬化していない重合体を洗い落とす工程を含む。手順１４は、残りのコア重合体材料を完全に硬化させるために、ＰＷＢをＵＶ光にさらす工程を含む。手順１５は、下部クラッド層及び導波路に接着促進処理を施す工程を含む。手順１６は、導波路及び下部クラッド層上に充填材を含む上部クラッド層を適用する工程を含む。上部クラッド層は、メニスカスコート法、カーテンコート法、あるいはキャスティングのようなブランケットコート法により適用することができるが、上部クラッド層は選択的に、スクリーンプリントされることが好ましい。上部クラッド層は有機材料及び無機材料のような重合体を有し、好ましい材料は、上述した特性を備える重合体由来の無機シロキサンを含む。手順１７において、平面外ミラー位置を含まないがその付近の領域は、ＵＶ光の投光露光、マスクを用いたあるいは直接のスポット露光を適用することでＵＶ硬化法により硬化及び重合化される。手順１８は、低接着スタイラスあるいはファイバーチップを用いて、硬化していない上部クラッド層において、平面外ミラーを成形する工程を含む。図２を参照すると、平面外ミラーを成形する手順を図解する線図が記載されている。好ましくは、ミラーは、重合体システムの紫外光硬化法と組み合わせて、マイクロ鋳造工程により成形される。図２から分かるように、平面外ミラーの成形工程は４つの基本手順を含む。手順Ａにおいて、４５°に磨かれたファイバーチップに少量のコア重合体材料が適用される。ファイバーチップは典型的には１００ミクロンか又はそれ以上である。ファイバーチップは、４５°の向きの平面表面を備えることが好ましく、これにより本発明の平面外ミラーを形成する重合体にこの角度を転写することができる。また、ファイバーチップは、ＵＶ硬化光を、平面外ミラーが配置される基板表面上の位置に案内する。好ましい側面として、ファイバーチップは、形成される平面外ミラーの重合体を数ミクロンだけ硬化させ、これにより他の成形される平面外ミラーが手順および繰返し工程で連続的に成形できる。第１の手順Ａにおいて、重合体をスクリーンプリント又はステンシルプリントにより積層し、重合体を手順Ａのファイバーチップ上に運搬する必要を取り除くことができる。手順Ｂにおいて、ファイバーは、平面外ミラーが成形される位置の上に移送され、重合体がコア重合体層に対して堆積される。手順Ｃ及びＤにおいて、重合体は、平面外ミラーをコア重合体層と一体的に成形するために硬化され、その後手順Ｄにおいて、ファイバーは取り除かれ、あるいは引っ込められる。この工程により、ミラー表面において０．１ｄＢ未満の損失を備える平面外ミラーが製造できることが実証されている。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年7月22日(2011.7.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１８９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１８９】
実施例1.1.b
6.10g（0.020mol）のN-(4-フルオロ-3-アミノベンゾイル)-N'-イソプロピル-N'-メチルスルファミド、
3.87g（0.041mol）のピコリン
2.97g（0.027mol）のクロロギ酸エチルを用いて、
6.1g（理論値の95％）の標題化合物を得た。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１９１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１９１】
実施例1.1.d
6.00g（0.020mol）のN-(4-フルオロ-3-アミノベンゾイル)-N'-イソプロピル-N'-メチルスルファミド
3.72g（0.027mol）のK2CO3
3.00g（0.027mol）のクロロギ酸エチルを用いて、
6.0g（理論値の76％）の標題化合物を得た。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１９２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１９２】
実施例1.1.e
5.90g（0.020mol）のN-(4-フルオロ-3-アミノベンゾイル)-N'-イソプロピル-N'-メチルスルファミド
2.47g（0.062mol）のトリエチルアミン
0.24g（0.062mol）のジメチルアミノピリジン（DMAP）
2.89g（0.027mol）のクロロギ酸エチルを用いて、
6.1g（理論値の52％）の標題化合物を得た。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２０３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２０３】
7.36g（0.053mol）のn-クロロギ酸ブチルを小分けして115〜125℃にて12.50g（0.042mol）のN-(4-フルオロ-3-アミノベンゾイル)-N'-イソプロピル-N'-メチルスルファミドのクロロベンゼン中の溶液に加え、次いでその混合物を125℃にて2時間攪拌した。次いで、溶媒と過剰のn-クロロギ酸ブチルを除去した。18.0g（理論値の93％）の標題化合物を得た。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２１３】
実施例3.1.a
9.13g（0.049mol）の3-アミノ-4,4,4-トリフルオロ-2-ブテン酸エチルを最初にDMF中に室温にて供給した。12.84g（0.059mol）のカリウムメトキシド溶液（メタノール中に32％）を加えて、その混合物をさらに30分間攪拌したまま放置した。その後、20g（0.049mol）のN-(2-クロロ-4-フルオロ-5-[(エトキシカルボニル)アミノ]-ベンゾイル)-N'-イソプロピル-N'-メチルスルファミドを加えた。反応混合物を加熱して十分なアルコールを蒸留除去すると119℃に達した。アルコールを蒸留除去する一方、次いで11.75g（0.054mol）のカリウムメトキシド溶液（メタノール中に32％）を小分けして数時間内に加えた。仕上げのために、冷却しながら反応混合物を滴状で希塩酸に加えて、その終りにpHは＜2であった。沈降した生成物を濾過して取り出し、洗浄しかつ乾燥した。22.5g（理論値の92.7％）の標題化合物を得た[融点238℃（分解）]。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２１４】
実施例3.1.b
1.2g（6.8mmol）の3-アミノ-4,4,4-トリフルオロ-2-ブテン酸エチルを最初にDMF中に室温にて供給した。1.9g（13.7mmol）の炭酸カリウムを加えて、その混合物を50℃にて1時間、攪拌したまま放置した。その後、2.4g（5.7mmol）のN-(2-クロロ-4-フルオロ-5-[(エトキシカルボニル)アミノ]ベンゾイル)-N'-イソプロピル-N'-メチルスルファミドを加え、温度を120℃に上げ、そしてその混合物をさらに4.5時間攪拌した。仕上げのために、冷却しながら反応混合物を滴状で希塩酸に加えて、その終りにpHは＜2であった。沈降した生成物を濾過して取り出し、洗浄しかつ乾燥した。2.3g（理論値の73％）の標題化合物を得た。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２１６】
1.14g（9.04mmol）のジメチル硫酸および0.283g（2.055mmol）のK2CO3を、80mlのN,N-ジメチルホルムアルデヒド中の2.0g（4.11mmol）の2-クロロ-5-[3,6-ジヒドロ-2,6-ジオキソ-4-(トリフルオロメチル)-1(2H)ピリミジニル-4-フルオロ-N-[[メチル(1-メチルエチル)アミノ]スルホニル]ベンズアミド（実施例3.1から得た）に加え、次いでその混合物を25℃にて16時間攪拌した。その後、N,N-ジメチルホルムアルデヒドを30℃でかつ減圧にて蒸留除去し、そして残留物をほぼ250mlの酢酸エチル中に移し取った。反応混合物を10％HClを用いて酸性化し、次いで２回水を用いて抽出した。有機相をMgSO4上で乾燥して溶媒を蒸留除去して1.95gの粗生成物を得た。1H NMRおよびHPLCによると、目的生成物の純度は77％（73％の収率に対応する）であった。精製するために、0.92gのこの粗生成物をシリカゲル（28x4.5cmカラム）上のクロマトグラフィで9/1〜1/1シクロヘキサン/酢酸エチルを用いて処理して４画分を得た。第3画分（0.58g；59％単離収率に対応する）は所望の生成物を純粋な形態で含有した。