【事件の表示】
　特願２００２−　２３７２６「薄膜トランジスタパネルの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　１月３１日出願公開，特開２００３−　３１７８０〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は，平成１４年１月３１日の出願（優先権主張２００１年６月７日，台湾）であって，平成１８年８月２２日付けの拒絶理由通知に対して，平成１９年２月２７日に手続補正書及び意見書が提出されたが，同年５月１８日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年８月２０日に審判請求がされるとともに，同年９月１９日に手続補正書が提出され，その後当審において，平成２１年１２月１８日付けで審尋がされたものである。
　
　
第２．平成１９年９月１９日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は，補正前の特許請求の範囲の請求項１〜２６を，補正後の特許請求の範囲の請求項１〜２２と補正するものであり，補正事項を整理すると，次のとおりである。
（１）補正事項１
　補正前の請求項８，９，２１，２２を削除し，補正前の請求項１０〜２０
，２３〜２６をそれぞれ補正後の請求項８〜１８，１９〜２２に繰り上げるとともに，必要に応じて引用する請求項の番号を変更すること。
（２）補正事項２
　補正前の請求項１の「シリコン基体を提供すること，　前記シリコン基体の前面に透明絶縁体を形成すること，　複数の薄膜トランジスタ構造及び対応する複数の透明電極を，前記透明絶縁体上に形成すること，　前記シリコン基体の前面に透明基体を結合させること，　前記シリコン基体を，エッチングプロセスを含む方法で除去すること，及び　前記透明絶縁体をエッチングして，前記透明電極を露出させること，を少なくとも含む，薄膜トランジスタパネルの製造方法。」を，補正後の請求項１の「シリコン基体を提供すること，　前記シリコン基体の前面に透明絶縁体を形成すること，　前記透明絶縁体上に位置合わせマークを形成すること，　複数の薄膜トランジスタ構造及び対応する複数の透明電極を，前記透明絶縁体上に形成すること，　前記シリコン基体の前面に透明基体を結合させること，　前記シリコン基体を，エッチングプロセスを含む方法で除去すること，及び　前記透明絶縁体をエッチングして，前記透明電極を露出させること，を少なくとも含む，薄膜トランジスタパネルの製造方法。」と補正すること。
（３）補正事項３
　補正前の請求項１４の「シリコン基体を提供すること，　前記シリコン基体の前面に透明絶縁体を形成すること，　複数の薄膜トランジスタ構造を，前記透明絶縁体上に形成すること，　前記シリコン基体の前面に透明基体を結合させること，　前記シリコン基体を，エッチングプロセスを含む方法で除去すること，及び　前記透明絶縁体の底部表面に，前記薄膜トランジスタ構造に対応する複数の透明電極を形成すること，を少なくとも含む，薄膜トランジスタパネルの製造方法。」を，補正後の請求項１２の「シリコン基体を提供すること，　前記シリコン基体の前面に透明絶縁体を形成すること，　前記透明絶縁体上に位置合わせマークを形成すること，　複数の薄膜トランジスタ構造を，前記透明絶縁体上に形成すること，　前記シリコン基体の前面に透明基体を結合させること，　前記シリコン基体を，エッチングプロセスを含む方法で除去すること，及び　前記透明絶縁体の底部表面に，前記薄膜トランジスタ構造に対応する複数の透明電極を形成すること，を少なくとも含む，薄膜トランジスタパネルの製造方法。」と補正すること。
　
２．補正の目的の適否
（１）補正事項１は，平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下，単に「特許法第１７条の２第４項」という。）第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
（２）補正事項２及び補正事項３は，それぞれ，補正前の請求項１及び請求項１４に「前記透明絶縁体上に位置合わせマークを形成すること，」を追加するものであり，いずれも特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（３）したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第４項第１号及び第２号に掲げる事項を目的とするものに該当する。
　
　そこで，次に，本件補正後の請求項１２に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項（以下，単に「特許法第１７条の２第５項」という。）において準用する特許法第１２６条第５項の規定（独立特許要件）を満たすか否かについて検討する。
　
３．独立特許要件（容易想到性）
（１）本願補正発明
　平成１９年９月１９日に提出された手続補正書の特許請求の範囲の請求項１２の記載によれば，本願補正発明は，次のとおりである。
　
「シリコン基体を提供すること，
　前記シリコン基体の前面に透明絶縁体を形成すること，
　前記透明絶縁体上に位置合わせマークを形成すること，
　複数の薄膜トランジスタ構造を，前記透明絶縁体上に形成すること，
　前記シリコン基体の前面に透明基体を結合させること，
　前記シリコン基体を，エッチングプロセスを含む方法で除去すること，及び
　前記透明絶縁体の底部表面に，前記薄膜トランジスタ構造に対応する複数の透明電極を形成すること，
を少なくとも含む，薄膜トランジスタパネルの製造方法。」
　
（２）引用例の記載内容と引用発明
（２−１）引用例の記載
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平１−１８１５７０公報（以下「引用例」という。）には，第１，２図とともに，次の記載がある。（下線は当審で付加したもの，以下同じ。）
　
ア．第１図（ａ）〜（ｅ）を参照して，
「（実施例）
　本発明の実施例を図面を用いて説明する。第１図（ａ）〜（ｅ）に本発明の
薄膜トランジスタの製造方法の一実施例
イ．第１図（ａ）を参照して，
「第１図において，
ｐ型Ｓｉ基板１に選択研磨用絶縁層２として熱酸化膜を７００ｎｍ形成したのち
多結晶Ｓｉ膜３を１５０ｎｍ形成し，島状にパターニング
ウ．第１図（ｂ）を参照して，
「続いて，
ゲート絶縁膜４として熱酸化膜を多結晶Ｓｉ膜３上に１５０ｎｍ形成
この熱酸化膜４の上に多結晶Ｓｉ膜を３００ｎｍ成膜し島状にパターニングしてゲート電極５を形成
１６０ＫＶの加速電圧で５×１０
１５
ｃｍ
−２
の燐をゲート電極をマスクとして用いて多結晶Ｓｉ膜３に注入し，９００℃，２０分間アニールして，ソース，ドレイン領域６，７を形成
保護層としてＣＶＤ法によりＳｉＯ
２
膜８を５００ｎｍ形成し８００℃，３０分アニール
ＭＯＳＦＥＴ構造にする
エ．第１図（ｃ）を参照して，
「更に，
透明接着材９（たとえばエポキシ樹脂）を用いてＭＯＳＦＥＴが形成されたＳｉ基板をゲート電極４
ゲート電極５
がガラス等の透明絶縁性基板１０と貼りあわせられるように接着する
オ．第１図（ｄ）を参照して，
「この後，
Ｓｉ基板１は化学研磨を用いて除去し，薄膜化する
カ．第１図（ｅ）を参照して，
「さらに，ドライエッチングにより
コンタクトホールを選択研磨用絶縁層２に開け
Ａｌを８００ｎｍ形成し島状にパターニングして４００℃３０分間アニール
ソース，ドレイン電極１１，１２を形成
キ．第２図を参照して，
「更に，
液晶ディスプレイ用薄膜トランジスタアレイを形成する場合
ソース電極１２と接続されるように透明電極１３として酸化インジウム　（ＩＴＯ）をスパッタ法で１００ｎｍ形成し，パターニングして画素電極を形成
　
（２−２）引用発明
ア．上記（２−１）ア，キによれば，「
薄膜トランジスタの製造方法
液晶ディスプレイ用薄膜トランジスタアレイ
イ．上記（２−１）イによれば，「ｐ型
Ｓｉ基板１に選択研磨用絶縁層２として熱酸化膜を
形成
ウ．上記（２−１）イ，ウによれば，「
多結晶Ｓｉ膜３を
形成し
島状にパターニング
熱酸化膜を
形成
多結晶Ｓｉ膜を
成膜し島状にパターニングしてゲート電極５を形成
燐を
多結晶Ｓｉ膜３に注入し
アニールして
ソース，ドレイン領域６，７を形成
保護層として
ＳｉＯ
２
膜８を
形成し
アニール
ＭＯＳＦＥＴ構造
　また，この「ＭＯＳＦＥＴ構造」を形成する工程は，上記（２−１）イによれば，「
選択研磨用絶縁層２として熱酸化膜を
形成したのち
　さらに，上記アのとおり「液晶ディスプレイ用薄膜トランジスタアレイ」を想定した場合に，「薄膜トランジスタ」が複数となることも，明らかである。
　よって，引用例には，選択研磨用絶縁層２上に複数の薄膜トランジスタ構造を形成する工程が開示されている。
エ．上記（２−１）エによれば，「透明接着材９（たとえばエポキシ樹脂）を用いて
ＭＯＳＦＥＴが形成されたＳｉ基板をゲート電極５が
透明絶縁性基板１０と貼りあわせられるように接着する
オ．上記（２−１）オによれば，「
Ｓｉ基板１
化学研磨を用いて除去し，薄膜化する
カ．上記（２−１）キによれば，「
ソース電極１２と接続されるように
透明電極１３として酸化インジウム　（ＩＴＯ）を
形成し，パターニングして画素電極を形成
ソース，ドレイン電極１１，１２
コンタクトホールを選択研磨用絶縁層２に開け
Ａｌを
形成し島状にパターニング
　さらに，上記ア，ウのとおり「液晶ディスプレイ用薄膜トランジスタアレイ」を想定した場合に，「薄膜トランジスタ」構造が複数となれば，それに対応して「透明電極１３」からなる「画素電極」が複数となることも，明らかである。
　よって，引用例には，選択研磨用絶縁層２の透明絶縁性基板１０が接着された側とは反対側の表面に，複数の薄膜トランジスタ構造に対応する複数の透明電極１３からなる画素電極を形成する工程が開示されている。
キ．したがって，引用例には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「Ｓｉ基板１に熱酸化膜からなる選択研磨用絶縁層２を形成する工程と，
　選択研磨用絶縁層２上に複数の薄膜トランジスタ構造を形成する工程と，
　薄膜トランジスタ構造が形成されたＳｉ基板１をゲート電極５が透明絶縁性基板１０と貼りあわせられるように接着する工程と，
　Ｓｉ基板１を化学研磨を用いて除去し，薄膜化する工程と，
　選択研磨用絶縁層２の透明絶縁性基板１０が接着された側とは反対側の表面に，複数の薄膜トランジスタ構造に対応する複数の透明電極１３からなる画素電極を形成する工程と，
　を少なくとも含む，液晶ディスプレイ用薄膜トランジスタアレイの製造方法。」
　
（３）本願補正発明と引用発明の一致点及び相違点
　
（３−１）対比
ア．引用発明の「Ｓｉ基板１」は，本願補正発明の「シリコン基体」に相当し，引用発明の「熱酸化膜からなる選択研磨用絶縁層２」は，（シリコンの）「熱酸化膜」が透明であることは明らかであるから，本願補正発明の「透明絶縁体」に相当する。また，引用発明の「Ｓｉ基板１に熱酸化膜からなる選択研磨用絶縁層２を形成する工程」が，その前に「Ｓｉ基板１」を提供する工程を必然的に伴うことは明らかである。
　よって，引用発明の「Ｓｉ基板１に熱酸化膜からなる選択研磨用絶縁層２を形成する工程」は，本願補正発明の「シリコン基体を提供すること，　前記シリコン基体の前面に透明絶縁体を形成すること」に相当する。
イ．引用発明の「選択研磨用絶縁層２上に複数の薄膜トランジスタ構造を形成する工程」は，本願補正発明の「複数の薄膜トランジスタ構造を，前記透明絶縁体上に形成すること」に相当する。
ウ．引用発明の「透明絶縁性基板１０」は，本願補正発明の「透明基体」に相当する。また，引用発明の「薄膜トランジスタ構造が形成されたＳｉ基板１をゲート電極５が透明絶縁性基板１０と貼りあわせられるように接着する工程」において，「ゲート電極５が透明絶縁性基板１０と貼りあわせられるように接着する」とは，「Ｓｉ基板１」からみて，「熱酸化膜からなる選択研磨用絶縁層２」と同じ側に「透明絶縁性基板１０」を接着することであるから，引用発明の「ゲート電極５が透明絶縁性基板１０と貼りあわせられるように接着する工程」は，本願補正発明の「前記シリコン基体の前面に透明基体を結合させること」に相当する。
　よって，引用発明の「薄膜トランジスタ構造が形成されたＳｉ基板１をゲート電極５が透明絶縁性基板１０と貼りあわせられるように接着する工程」は，本願補正発明の「前記シリコン基体の前面に透明基体を結合させること」に相当する。
エ．本願補正発明の「前記シリコン基体を，エッチングプロセスを含む方法で除去すること」と，引用発明の「Ｓｉ基板１を化学研磨を用いて除去し，薄膜化する工程」とは，「前記シリコン基体を，」「除去すること」である点で共通する。
オ．引用発明の「透明電極１３からなる画素電極」は，本願補正発明の「透明電極」に相当する。また，引用発明の「選択研磨用絶縁層２の透明絶縁性基板１０が接着された側とは反対側の表面」において，「透明絶縁性基板１０が接着された側」は上記ウのとおり本願補正発明において「前面」であるから，引用発明の「選択研磨用絶縁層２の透明絶縁性基板１０が接着された側とは反対側」が，本願補正発明における「前記透明絶縁体の底部」に相当することは明らかである。
　よって，引用発明の「選択研磨用絶縁層２の透明絶縁性基板１０が接着された側とは反対側の表面に，複数の薄膜トランジスタ構造に対応する複数の透明電極１３からなる画素電極を形成する工程」は，本願補正発明の「前記透明絶縁体の底部表面に，前記薄膜トランジスタ構造に対応する複数の透明電極を形成すること」に相当する。
カ．引用発明の「液晶ディスプレイ用薄膜トランジスタアレイの製造方法」は，本願補正発明の「薄膜トランジスタパネルの製造方法」に相当する。
　
（３−２）そうすると，本願補正発明と引用発明との一致点及び相違点は，次のとおりとなる。
　
《一致点》
「シリコン基体を提供すること，
　前記シリコン基体の前面に透明絶縁体を形成すること，
　複数の薄膜トランジスタ構造を，前記透明絶縁体上に形成すること，
　前記シリコン基体の前面に透明基体を結合させること，
　前記シリコン基体を，除去すること，及び
　前記透明絶縁体の底部表面に，前記薄膜トランジスタ構造に対応する複数の透明電極を形成すること，
を少なくとも含む，薄膜トランジスタパネルの製造方法。」
　
《相違点》
《相違点１》
　本願補正発明は，「前記透明絶縁体上に位置合わせマークを形成すること」を含むのに対し，引用発明は，「熱酸化膜からなる選択研磨用絶縁層２」上に位置合わせマークを形成する工程を含まない点。
《相違点２》
　「前記シリコン基体を，除去すること」を，本願補正発明では「エッチングプロセスを含む方法で」行っているのに対し，引用発明では「化学研磨を用いて」行っている点。
　
（４）相違点についての検討
　上記各相違点について，それぞれ検討する。
　
（４−１）相違点１について
ア．上記（２−１）カ，キによれば，引用例には，「
コンタクトホールを
開け
Ａｌを
パターニング
酸化インジウム　（ＩＴＯ）を
パターニング
　また，上記の各工程が，「選択研磨用絶縁層２」に対して反対側に位置する「薄膜トランジスタ」と接続させるものであることを考えれば，「薄膜トランジスタ」に対して位置を合わせることも，当然求められているといえる。
　
イ．ここで，透明な膜の一方の側に位置合わせマークを設けておき，上記透明な膜を通して上記位置合わせマークを参照することにより，上記透明な膜の他方の側からの位置合わせに利用することは，以下の周知例１，２にも記載されているように，本願の優先権主張の日前において，半導体装置製造の技術分野における周知技術である。
　
・周知例１：特開平５−２６７５６３号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平５−２６７５６３公報（以下「周知例１」という。）には，第１図（ａ）〜（ｅ）とともに，次の記載がある。
「【００１４】
【実施例】実施例１
以下，この発明の一実施例を工程断面図に基づいて説明する。図１(a) は本発明の一実施例による半導体装置が形成される半導体基板を説明するもので，
半導体基板１上に絶縁体層２を介して半導体層３が形成された，いわゆるＳＯＩ基板である
シリコン基板１上に絶縁体層（二酸化シリコン）２が
その上にシリコン単結晶膜３が
それぞれ形成されている
・・・
【００１７】・・・
このように絶縁体層２が露出されれば，図１(e) のように
容易に裏面側に配線層１６，１７を形成することができる
この後，絶縁体層２にデバイス層（配線層を含む）へ電気的接触を取るための接続孔を形成する際に，デバイス層を形成するときに使用した位置合わせマークが絶縁体層（ガラス）２を透過してその裏面から見えるため，これをを用いて位置合わせを行なうことができるため，パターン合わせ精度も高い
　
・周知例２：特開平４−２５９２４９号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平４−２５９２４９公報（以下「周知例２」という。）には，図１，３〜６とともに，次の記載がある。
「【００２６】まず，図３に示すように，
シリコン単結晶基板１上に酸化膜からなる下地の絶縁膜２を形成する
絶縁膜２上にシリコン単結晶層（ＳＯＩ層）５を形成する
このＳＯＩ層５は，ＮＭＯＳＦＥＴのフィールド（素子形成領域）として用いる
第１のアライメントマーク１００１（１００２）および第２のアライメントマーク１００３（１００４）を形成する
・・・
【００２９】次に，図６に示すように，支持基板１２を下にして
厚みが薄くなったシリコン単結晶基板１を
パターニングする
この際，第２のアライメントマーク１００３（１００４）を用いてマスク合わせを行なう
以下のプロセスも同様に第２のアライメントマーク１００３（１００４）を用いてマスク合わせを行なう
素子形成領域（単結晶シリコン層）５０１に対するコンタクト孔１３と，先に形成したＮＭＯＳＦＥＴの配線８に対する上下配線用コンタクト孔１４とを開口する
【００３０】最後に，図１に示したように，
アルミニウム（Ａｌ）からなる配線１５を形成する
これにより，上層のＰＭＯＳＦＥＴ内の電気的接続と下層のＮＭＯＳＦＥＴとの電気的接続が行なわれる
【００３１】なお，本実施例では，上層のＰＭＯＳＦＥＴの最初の写真製版工程（図６参照）において，単結晶シリコン層５０１の膜厚が１０００Åになるように研磨される。このため，
ヘリウム−ネオンレーザ光は十分単結晶シリコン層５０１を透過して下層のＭＮＯＳＦＥＴの層内に形成されたマスク合わせパターンに達する
上下配線用コンタクト孔１４を開口することが可能となる
　
ウ．したがって，引用発明において，位置合わせマークを形成するに際し，上記アのコンタクトホールを開ける工程，Ａｌをパターニングする工程，酸化インジウム（ＩＴＯ）をパターニングする工程のような「選択研磨用絶縁層２」の底部から行う工程においても，マスクの位置合わせが可能となるように，透明な膜である「熱酸化膜からなる選択研磨用絶縁層２」上に位置合わせマークを形成することにより，本願補正発明の「前記透明絶縁体上に位置合わせマークを形成すること」を含むものとすることは，上記周知技術を勘案すれば，当業者が容易になし得たことである。
　
（４−２）相違点２について
ア．シリコン基板を裏側から除去する方法として，エッチングプロセスを含む方法を用いることは，例えば，以下の周知例３〜６に，エッチングを単独で行う方法，エッチングと研磨を併用する方法，化学的機械的研磨（ＣＭＰ）を行う方法（なお，ＣＭＰが化学的なエッチングの作用と機械的な研磨の作用とを融合させたプロセス技術であることは，例えば特開平１０−３０３４２８号の段落【００３０】に「ＣＭＰ技術は薬液による化学的なエッチングと研磨材（砥粒）による機械的な研磨によって薄膜表面を平坦化する技術である。」と記載されているように，当業者における技術常識である。）等の様々な方法が記載されていることからも分かるように，本願の優先権主張の日前において，半導体装置製造の技術分野における周知技術である。
　
・周知例３：特開平６−２７３７９７号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平６−２７３７９７公報（以下「周知例３」という。）には，図２（ａ），（ｂ）とともに，次の記載がある。
「【００１６】次に，図２（ｂ）に示したように，ＳＯＩ基板６０１を接着剤層１０６を介して透明な支持基板１０７と接着する。  ここで接着剤層１０６と支持基板１０７は透明材料であるため光透過型の装置，例えば光弁用基板を作製できる。次に，
シリコン単結晶基板４０１をエッチング除去する
このエッチングはエッチャントにＫＯＨ溶液やヒドラジン溶液を用いることにより行われ
　
・周知例４：特開平４−２５５２６８号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平６−２７３７９７公報（以下「周知例４」という。）には，図４（ｂ），（ｃ）とともに，次の記載がある。
「【００１６】続いて図４ｃに示すように
ＳＯＩを構成している支持基板１１１の除去を行う
この除去はエッチングによる
エッチング液はＫＯＨ溶液あるいはヒドラジン溶液を用いる
ウェットエッチングを用いたが，ドライエッチングや，これに研磨を組み合わせた方法によってもよい
　
・周知例５：特開平７−３２１２９８号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平７−３２１２９８号公報（以下「周知例５」という。）には，図５とともに，次の記載がある。
「【００２１】半導体スライス１を支持スライス１５に固定した後，絶縁層３が露出されるまで
半導体スライスの第２面１７から材料除去される
第２面１７を先ず通常の化学機械研磨処理で露出して
ＫＯＨを含むエッチング槽に露出する
エッチング処理は，層３に到達すると自動的に停止する
　
・周知例６：特開平８−２９８０７号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平８−２９８０７公報（以下「周知例６」という。）には，図２（ｅ），（ｆ）とともに，次の記載がある。
「【００４７】図２（ｆ）は，
単結晶Ｓｉ基板１の裏面を
エッチングまたは研削，研磨する工程であり
この工程において，特にＣＭＰ（Chemical and Mechanical Polishing：化学的機械研磨）を用いる
　
イ．したがって，引用発明において，「Ｓｉ基板１を」「除去し，薄膜化する工程」として，上記周知技術であるエッチングプロセスを含む方法を採用することにより，本願補正発明のように「前記シリコン基体を，エッチングプロセスを含む方法で除去すること」とすることは，当業者が必要に応じて適宜なし得たことである。
　
（５）以上検討したとおり，本願補正発明は，引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
４．補正の却下の決定についてのまとめ
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合しないので，特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３．本願発明
１．前記「第２．」のとおり，本件補正は却下されたので，本願の請求項１４に係る発明（以下「本願発明」という。）は，平成１９年２月２７日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１４に記載された，次のとおりのものである。
　
「シリコン基体を提供すること，
　前記シリコン基体の前面に透明絶縁体を形成すること，
　複数の薄膜トランジスタ構造を，前記透明絶縁体上に形成すること，
　前記シリコン基体の前面に透明基体を結合させること，
　前記シリコン基体を，エッチングプロセスを含む方法で除去すること，及び
　前記透明絶縁体の底部表面に，前記薄膜トランジスタ構造に対応する複数の透明電極を形成すること，
を少なくとも含む，薄膜トランジスタパネルの製造方法。」
　
２．引用例の記載及び引用発明については，それぞれ，前記「第２．」「３．」の（２−１）及び（２−２）において認定したとおりである。
　
３．対比・判断
　前記「第２．」「２．」で検討したように，本件補正後の請求項１２の内容（本願補正発明）は，本件補正前の請求項１４に対して，「前記透明絶縁体上に位置合わせマークを形成すること，」を追加して限定的に減縮したものである。逆に言えば，本件補正前の発明（本願発明）は，本願補正発明から，上記の限定をなくしたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定した本願補正発明が，引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものなのであるから，本願発明も，同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第４．結言
　以上のとおり，本願発明（本願の請求項１４に係る発明）は，引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　したがって，本願は，その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。