【事件の表示】
　特願２００３−１０２３３３号「多核型フェナントロリン誘導体よりなる電荷制御材料およびそれを用いた有機発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１１月　４日出願公開、特開２００４−３１１１８４号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯及び本願発明
　本願は、平成１５年４月４日の出願であって、平成２１年３月２４日付けで手続補正がなされ、平成２１年４月１３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２１年６月２２日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　本願の特許請求の範囲請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２１年３月２４日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　
「下記一般式（Ｉ）
【化１】
　　　　Ｚ（Ｙ）ｎ　　　　　　　　　　……（Ｉ）
〔式中、Ｚは２価または３価の芳香族炭化水素基、および２価または３価の複素環基よりなる群から選ばれた２価または３価の基であり、Ｙは
【化２】
　
　
で示されるフェナントロリン基であり、ｎは２または３であり、Ｒ１〜Ｒ５は、水素、アルキル基、アルコキシ基、アリール基（アルキル基で置換されていてもよい）、アリーロキシ基、アラルキル基（アリール基部分がアルキル基で置換されていてもよい）、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ＲＣＯＯ−（Ｒはアルキル基、アリール基およびアラルキル基よりなる群から選ばれる）、カルボキシル基、アミノ基、トリフルオロメチル基、ニトロ基、ハロゲン、シアノ基および
【化３】
　　　　−ＸＡ
（ＸはＯ、Ｓ、ＳｅおよびＴｅよりなる群から選ばれた元素であり、Ａはアルキル基またはアリール基である）
よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。〕
で示される多核型フェナントロリン誘導体よりなることを特徴とする電荷制御材料。」
　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された特開２００２−３５２９６１号公報（以下「引用例」という。）には、以下の技術事項が記載されている。
　
記載事項ア．
「【請求項１】基板上に形成された第一電極上に、少なくとも有機化合物からなる発光層および電子輸送層を含む薄膜層と、薄膜層上に形成された第二電極とを含む有機電界発光装置において、前記電子輸送層は分子量が４００以上の有機化合物からなり、前記電子輸送層の少なくとも一部分にドナー性不純物がドーピングされており、前記有機化合物がドナー性不純物のキレート配位可能なサイトを有することを特徴とする有機電界発光装置。……
【請求項５】有機化合物が複数個の１，１０−フェナントロリン骨格を有することを特徴とする請求項１記載の有機電界発光装置。」
　
記載事項イ．
「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来技術の問題を解決し、高発光効率、低駆動電圧でかつ高耐久性の有機電界発光装置を提供することを目的とするものである。」
　
記載事項ウ．
「【０００９】電子輸送性材料としては、陰極からの電子を効率良く輸送することが必要で、電子注入効率が高く、注入された電子を効率良く輸送することが望ましい。そのためには電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に発生しにくい物質であることが要求される。耐久性に優れた材料として、分子量が大きく耐熱性に優れた化合物が好ましい。特に膜厚を厚く積層する場合には、低分子量の化合物は結晶化するなどして膜質が劣化しやすいため、安定な膜質を保つ分子量４００以上の化合物が好ましく、６００以上であることがより好ましい。」
　
記載事項エ．
「【００１３】このような条件を満たす物質として、化１に示す化合物などが挙げられるが特に限定されるものではない。これらの電子輸送材料は単独でも用いられるが、異なる電子輸送材料と積層または混合して使用しても構わない。
【００１４】
【化１】
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
記載事項オ．
「【００３４】実施例１
　スパッタリング法によりＩＴＯ透明導電膜を１２０ｎｍ堆積させたガラス基板を３８×４６ｍｍに切断した後、ＩＴＯの不要部分をエッチング除去した。得られた基板をアルカリ洗浄液で１０分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。この基板を素子を作製する直前に１時間ＵＶ／オゾン処理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が５×１０−４Ｐａ以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、まず正孔輸送材料として銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を１０ｎｍ、次にＮ，Ｎ’−ジ−（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＤ）を６０ｎｍ蒸着し、続いて発光層としてゲスト材料（ＤＣＪＴＢ）とホスト材料トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）の混合物を２５ｎｍの厚さに積層した。ゲストはホストに対して１重量％とした。次に電子輸送層として、化５に示す電子輸送材料（ＥＴＬ−１）とセシウムをモル比で約３：１の割合で共蒸着して７０ｎｍの厚さに積層した。この電子輸送材料ＥＴＬ−１の分子量は６７３である。さらに電子輸送層表面をセシウムの蒸気に曝してドーピングした。第二電極用マスクを装着し、アルミニウムを１５０ｎｍ蒸着して陰極とした。
【００３５】このようにして作製した発光素子を４ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で発光させたところ、発光輝度は１０２ｃｄ／ｍ２、駆動電圧は４．８Ｖ、発光効率は１．７ｌｍ／Ｗで発光した。この素子を初期輝度２００ｃｄ／ｍ２で連続駆動したところ、１０００時間後も輝度が半減しなかった。
【００３６】
【化５】
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
　記載事項ア．〜オ．の記載内容からして、引用例には、
「【化１】
　
　より選ばれる電子輸送性材料。」
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（ａ）引用発明の
「
　　　　　　　　　　　　　　　　」の構造の化合物は、本願発明の一般式（Ｉ）で定義される多核型フェナントロリン誘導体のうち、Ｚが３価の芳香族炭化水素基であり、Ｙは【化２】で示されるフェナントロリン基であり、ｎは３であり、Ｒ１〜Ｒ４は水素で、Ｒ５はアルキル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である多核型フェナントロリン誘導体に相当する。
　
（ｂ）引用発明の
「
　　　　　　　　　　　　　　　　」の構造の化合物は、本願発明の一般式（Ｉ）で定義される多核型フェナントロリン誘導体のうち、Ｚが２価の芳香族炭化水素基であり、Ｙは【化２】で示されるフェナントロリン基であり、ｎは２であり、Ｒ１〜Ｒ５は水素である多核型フェナントロリン誘導体に相当する。
　
（ｃ）引用発明の
「
　　　　　　　　　　　　　　　　」の構造の化合物は、本願発明の一般式（Ｉ）で定義される多核型フェナントロリン誘導体のうち、Ｚが３価の芳香族炭化水素基であり、Ｙは【化２】で示されるフェナントロリン基であり、ｎは３であり、Ｒ１〜Ｒ５は水素である多核型フェナントロリン誘導体に相当する。
　
（ｄ）引用発明の
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　」の構造の化合物は、本願発明の一般式（Ｉ）で定義される多核型フェナントロリン誘導体のうち、Ｚが２価の複素環基であり、Ｙは【化２】で示されるフェナントロリン基であり、ｎは２であり、Ｒ１〜Ｒ５は水素である多核型フェナントロリン誘導体に相当する。
　
（ｅ）引用発明の
「
　　　　　　　　　　　　　　　　」の構造の化合物は、本願発明の一般式（Ｉ）で定義される多核型フェナントロリン誘導体のうち、Ｚが２価の芳香族炭化水素基であり、Ｙは【化２】で示されるフェナントロリン基であり、ｎは２であり、Ｒ１〜Ｒ５は水素である多核型フェナントロリン誘導体に相当する。
　
（ｆ）引用発明の
「
　　　　　　　　　　　　　　　　」の構造の化合物は、本願発明の一般式（Ｉ）で定義される多核型フェナントロリン誘導体のうち、Ｚが２価の芳香族炭化水素基であり、Ｙは【化２】で示されるフェナントロリン基であり、ｎは２であり、Ｒ１〜Ｒ５は水素である多核型フェナントロリン誘導体に相当する。
　
　（ａ）〜（ｆ）に記載したことからして、本願発明と引用発明の両者は、
「下記一般式（Ｉ）
【化１】
　　　Ｚ（Ｙ）ｎ　・・・・（Ｉ）
〔式中、Ｚは２価または３価の芳香族炭化水素基、および２価または３価の複素環基よりなる群から選ばれた２価または３価の基であり、Ｙは
【化２】
　
　
で示されるフェナントロリン基であり、ｎは２または３であり、Ｒ１〜Ｒ５は、水素、アルキル基、アルコキシ基、アリール基（アルキル基で置換されていてもよい）、アリーロキシ基、アラルキル基（アリール基部分がアルキル基で置換されていてもよい）、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ＲＣＯＯ−（Ｒはアルキル基、アリール基およびアラルキル基よりなる群から選ばれる）、カルボキシル基、アミノ基、トリフルオロメチル基、ニトロ基、ハロゲン、シアノ基および
【化３】
　　　　　−ＸＡ
（ＸはＯ、Ｓ、ＳｅおよびＴｅよりなる群から選ばれた元素であり、Ａはアルキル基またはアリール基である）
よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。〕
で示される多核型フェナントロリン誘導体よりなる材料。」
である点で一致し、一応次の相違点が存在する。
　
相違点：多核型フェナントロリン誘導体よりなる材料が、本願発明は、電荷制御材料であるのに対して、引用発明は、電子輸送性材料である点。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　
　本願明細書の段落【０１４６】には、多核型フェナントロリン誘導体よりなる電荷制御層に関して、「なお、本発明における電荷制御層とは、電子輸送能力を有する層、または電子輸送能力と電荷制御能力を有する層の意味で使用している。」と記載されており、該記載を参酌すると、電子輸送能力を有する層に用いられる電子輸送能力を有する材料は本願発明の電荷制御材料といえるから、引用発明の電子輸送性材料は電荷制御材料といえ、上記相違点は実質的な相違点とはいえない。
　
　したがって、本願発明は、引用発明である。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。