【事件の表示】
　特願２００６−６０９９９号「窒化物系化合物半導体および化合物半導体の洗浄方法、これらの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１２月２８日出願公開、特開２００６−３５２０７５号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本件に係る出願（以下「本願」という。）は、平成１８年３月７日の出願であって、平成２２年２月２２日付けで拒絶査定がなされ（発送日：同年３月２日）、これに対し、同年６月１日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、その審判の請求と同時に手続補正がなされたものである。
　なお、平成２２年６月１日付け手続補正書における、特許請求の範囲の独立請求項１、１２〜１４、２１、２２において特定されている「ゼータ電位」に関する技術事項は、本願の優先権主張の基礎とされた先の出願である、特願２００５−１４４１０１号の願書に最初に添付した特許請求の範囲及び明細書並びに図面に記載されていない技術事項である。したがって、本願は適法な優先権主張の出願であるとは認められない。
　
第２．平成２２年６月１日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２２年６月１日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．本件補正発明
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１４について、本件補正前に「ＧａＡｓからなる化合物半導体を準備する工程と、ｐＨが５．７以上である洗浄液により前記化合物半導体を洗浄する洗浄工程とを備え、前記洗浄工程の後、続けて前記化合物半導体に対して成膜処理が実施される、化合物半導体の洗浄方法。」とあったものを「ＧａＡｓからなる化合物半導体を準備する工程と、ｐＨが５．７以上である洗浄液により前記化合物半導体を洗浄する洗浄工程とを備え、
前記洗浄液は、ｐＨが５．７以上とされることにより、前記化合物半導体と同じ材料からなる微粒子が前記洗浄液に含有された状態での、前記微粒子のゼータ電位がゼロより小さくなるように調整されており、
　上記補正について検討する。
　本件補正後の特許請求の範囲の請求項１４に記載された発明は、洗浄液について「
前記洗浄液は、ｐＨが５．７以上とされることにより、前記化合物半導体と同じ材料からなる微粒子が前記洗浄液に含有された状態での、前記微粒子のゼータ電位がゼロより小さくなるように調整されており
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１４に記載された発明（以下「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）否かについて検討する。 
　
２．刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶理由において提示された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−４３２７０号公報（以下「刊行物」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。 
a)「【請求項２】酸性溶液を用いて基板を洗浄する酸洗浄工程、及び／又は
アルカリ性溶液を用いて基板を洗浄するアルカリ洗浄工程
窒化ガリウム系化合物半導体成長用基板の洗浄方法
b)「【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオードや半導体レーザ等の発光素子に利用される窒化ガリウム系化合物半導体成長用基板の洗浄方法に関する。
【従来の技術】窒化ガリウム系化合物半導体は、発光ダイオードや半導体レーザ等の短波長発光素子用の半導体材料として利用されており、これらの発光素子は通常、基板上に窒化ガリウム系化合物半導体薄膜を積層した構造が用いられている。
　窒化ガリウム系化合物半導体に用いられる基板は、サファイアが一般的であり、その他にもＳｉＣ、ＧａＮ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ等がある。これらの基板上に高品質な窒化ガリウム系化合物半導体薄膜を作製するためには、基板表面に付着した有機物等の不純物をあらかじめ除去する必要がある。そこで、一般的に
基板の洗浄
c)「そこで本発明は、基板表面にハイドロカーボンが強固に付着することを防止する基板の洗浄方法、あるいは基板表面にハイドロカーボンが付着した場合でもその大半を除去する基板の洗浄方法を提供することにより、発光特性の低下のない窒化ガリウム系化合物半導体薄膜よりなる発光素子を作製可能とすることを目的とする。」（段落【0017】）
d)「（実施の形態２）本発明の実施の形態２では、図１（Ｂ）のフロ−チャ−トに示すように、有機溶媒中に基板を浸漬した状態で、超音波洗浄を行った後、窒素ブローによって基板表面の有機溶媒を乾燥除去する。
　次に、アルカリによる洗浄を行った後、純水オーバーフロー中での超音波洗浄によって、基板表面に付着したアルカリを置換除去し、窒素ブローによって基板表面の水分を乾燥除去する。
　続いて、酸による洗浄を行った後、純水の流水中での超音波洗浄によって、基板表面に付着した酸を置換除去する。最後は、窒素ブローにより、基板表面の水分を乾燥除去する。
　この方法では、有機洗浄の後になお基板表面に付着するハイドロカーボンを、酸やアルカリによる酸化分解作用によって分解し、除去することができる。
　また、酸には濃硫酸、硝酸、塩酸等、アルカリにはアンモニア過酸化水素の水溶液や水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等を用いることができる。
　洗浄の手順としては、酸洗浄とアルカリ洗浄が逆でもよいし、酸とアルカリのどちらか片方のみの洗浄でも、基板表面に付着したハイドロカーボンの除去効果は得られる。」（段落【0032】〜【0037】）
e)「（実施の形態４）本発明の実施の形態４では、図１（Ｄ）のフロ−チャ−トに示すように、図１（Ｂ）の工程において、有機溶媒による洗浄を実施しないものである。
　まず最初に、
アルカリによる洗浄を行った後、純水オーバーフロー中での超音波洗浄によって、基板表面に付着したアルカリを置換除去する
　これは、表面の汚染レベルが低い基板を用いる場合に有効な洗浄方法であり、
基板表面に付着するハイドロカーボン等を
分解し、除去する
　また、酸には濃硫酸、硝酸、塩酸等、アルカリにはアンモニア過酸化水素水素や水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等を用いることができる。
　洗浄の手順としては、酸洗浄とアルカリ洗浄が逆でもよいし、
酸とアルカリのどちらか片方のみの洗浄
　ここで、実施の形態１〜４に共通する内容として、基板の乾燥は、窒素ブローによる方法以外に、他の清浄なガスでブローしてもよく、スピンドライや熱風循環乾燥、赤外線ランプ加熱乾燥による方法等で行ってもよい。
　
基板は
ＧａＡｓ
に対して
実施の形態
４の洗浄方法を用い
　そこで、本発明の洗浄方法を適用することにより、基板表面へのハイドロカーボンの付着が抑制又は防止できるため、表面が窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板上に作製する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の発光特性の低下をなくすことができる。」（段落【0044】〜【0051】）
f)上記cの「本発明は」「発光特性の低下のない
窒化ガリウム系化合物半導体薄膜
基板上に高品質な窒化ガリウム系化合物半導体薄膜を作製するためには
一般的に基板の洗浄が行われている
「純水オーバーフロー中での超音波洗浄」からなる
洗浄工程のあとに窒化ガリウム系化合物半導体薄膜の作製が行われる
　
　上記a〜eの記載事項、上記fの認定事項及び、図面の図示内容を総合勘案して、実施の形態４を中心にまとめると、刊行物には、次の発明が記載されていると認められる。
「窒化ガリウム系化合物半導体としてＧａＡｓ基板を用い、
　基板表面に付着するハイドロカーボン等を分解し、除去するためのアルカリ性溶液による洗浄を行った後、純水オーバーフロー中での超音波洗浄によって、基板表面に付着したアルカリを置換除去する洗浄工程を備え、
　洗浄工程の後にＧａＡｓ半導体薄膜を作製する
　ＧａＡｓ基板の洗浄方法。」
　
３．対比
　本件補正発明と刊行物に記載された発明とを対比する。
　刊行物に記載された発明の「窒化ガリウム系化合物半導体としてＧａＡｓ基板を用い」ることは、その構成及び機能からみて、本件補正発明の「ＧａＡｓからなる化合物半導体を準備する工程」に相当する。
　そして、刊行物に記載された発明の「基板表面に付着するハイドロカーボン等を分解し、除去するためのアルカリ性溶液による洗浄を行った後、純水オーバーフロー中での超音波洗浄によって、基板表面に付着したアルカリを置換除去する洗浄工程」と本件補正発明の「ｐＨが５．７以上である洗浄液により化合物半導体を洗浄する洗浄工程」とは、前者において、アルカリ性溶液のｐＨが７を超えることは明らかであるから、両者は、「ｐＨが７を超える洗浄液により化合物半導体を洗浄する洗浄工程」である点で共通し、同様に、
　「洗浄工程の後にＧａＡｓ半導体薄膜を作製する」ことと「洗浄工程の後、続けて化合物半導体に対して成膜処理が実施される」こととは、「洗浄工程の後、化合物半導体に対して成膜処理が実施される」ことで共通する。
　
　したがって、両者の一致点および相違点は、次のとおりである。
［一致点］
「ＧａＡｓからなる化合物半導体を準備する工程と、ｐＨが７を超える洗浄液により前記化合物半導体を洗浄する洗浄工程とを備え、
　前記洗浄工程の後、前記化合物半導体に対して成膜処理が実施される、化合物半導体の洗浄方法。」
　
［相違点１］
　ｐＨが７を超える洗浄液が、本件補正発明では、ｐＨが５．７以上であり、ｐＨが５．７以上とされることにより、化合物半導体と同じ材料からなる微粒子が洗浄液に含有された状態での、微粒子のゼータ電位がゼロより小さくなるように調整されているのに対して、刊行物に記載された発明では、アルカリ性溶液である点で相違する。
　
［相違点２］
　成膜処理が、本件補正発明では、ｐＨが５．７以上とされる洗浄液による洗浄工程の後、続けて実施されるのに対して、刊行物に記載された発明では、アルカリ性溶液による洗浄を行った後、純水オーバーフロー中での超音波洗浄によって、基板表面に付着したアルカリを置換除去する洗浄工程の後にＧａＡｓ半導体薄膜を作製する点。
　
４．当審の判断
（１）相違点１について
　ＧａＡｓ基板の洗浄の記述分野において、ｐＨ８内外の弱アルカリ性の洗浄液が、ＧａＡｓからなる微粒子が洗浄液に含有された状態での、ＧａＡｓからなる微粒子のゼータ電位をマイナスにシフトさせることにより、ＧａＡｓ基板表面の異物や残留物の除去効果を有することは、本願の出願前に周知の技術事項である（例えば、原査定の拒絶理由で提示された特開２００１−２８３５９号公報には、ｐＨ９の水素水がシリコンウェーハのゼータ電位をマイナスにシフトさせシリコンウェーハ表面の異物除去効果を有すること、この水素水をＧａＡｓウェーハにも適用可能なこと（段落【0016】〜【0019】）が、特開平７−２６３４３０号公報には、ｐＨ７を越え、ｐＨ９程度に至る弱アルカリ性でかつ還元性を持った陰極水が、ＧａＡｓなど化合物半導体のイオン性残留物除去に対しても有効であること（段落【0033】）が、国際公開第２００４／４２８１１号には、ｐＨ８〜１３のアルカリ性の各種薬液が、研磨に使用した砥石などのパーティクルのゼータ電位を負側に調節し、シリコンウエーハ表面に再吸着する現象を効果的に抑制すること、この洗浄液が特にＧａＡｓに対しても有用であること（第5ページ第12〜23行、第7ページ第3〜11行）が記載されている。）。
　そして、刊行物に記載された発明において、アルカリ性溶液は、弱アルカリの領域の溶液もその技術的範囲に含むものであり、しかも、アルカリ性溶液による洗浄が、基板表面に付着するハイドロカーボン等を分解し、除去するために行われるものである。したがって、刊行物に記載された発明において、アルカリ性溶液による洗浄は、上記周知の技術事項と同様に、少なくとも弱アルカリの領域において、ＧａＡｓからなる微粒子が洗浄液に含有された状態での、ＧａＡｓからなる微粒子のゼータ電位をゼロより小さくなるように調整し、ＧａＡｓ基板表面の異物や不純物の除去効果を有することは明らかである。
　また、刊行物に記載された発明において、洗浄液としてどの種類の洗浄液を用いるか、及び、用いられる洗浄液のｐＨの下限値をどのような値とするかといった技術事項は、洗浄される基板の種類や、洗浄により除去される対象物の種類や、半導体薄膜を作製するうえで必要とされる基板表面の洗浄精度等を考慮して当業者が決定し得たものである。
　さらに、本件補正発明において、用いられる洗浄液の種類、洗浄により除去される対象物の種類等の諸条件を十分特定することなく、洗浄液のｐＨを５．７以上としたことに、臨界的意義を確認することはできない。
　したがって、刊行物に記載された発明において、上記相違点１に係る本件補正発明の構成を採用することは、当業者にとっての格別の創意工夫が見いだせない。
　
（２）相違点２について
　刊行物に記載された発明において、アルカリ性溶液による洗浄を行った後に、純水オーバーフロー中での超音波洗浄を行うか否かは、半導体薄膜を作製するうえで求められる基板表面の清浄度に応じて、超音波洗浄による基板表面に付着したアルカリ性溶液を置換除去する必要性を考慮することにより、当業者が決定し得る事項である。
　また、化合物半導体の技術分野において、洗浄工程の後、純水によるリンス工程を経ることなく、成膜処理を続けて実施することは、本願の出願前に周知の技術事項である（例えば、特開平１１−２０４４７１号公報の段落【0002】、段落【0022】や、特開昭６３−２６６８３５号公報の従来の技術の項や、特開２００４−１９３４０７号公報の【請求項1】、段落【0020】を参照。）。
　これらのことから、刊行物に記載された発明において、アルカリ性溶液による洗浄の後に、ＧａＡｓ半導体薄膜の作製を続けて行うことは、当業者が容易になし得たものである。
　
（３）小括
　本件補正発明の奏する効果は、刊行物に記載された発明及び周知の技術事項から当業者が予測できた効果の範囲内のものである。
　したがって、本件補正発明は、刊行物に記載された発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものである。
　ゆえに、本件補正発明は、刊行物に記載された発明及び周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５．まとめ
　以上のとおりであるから、本件補正は、改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
 　  
第３．本願発明について
１．本願発明
　平成２２年６月１日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１４に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２１年９月３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１４に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「ＧａＡｓからなる化合物半導体を準備する工程と、ｐＨが５．７以上である洗浄液により前記化合物半導体を洗浄する洗浄工程とを備え、前記洗浄工程の後、続けて前記化合物半導体に対して成膜処理が実施される、化合物半導体の洗浄方法。」
　
２．刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用した刊行物、刊行物の記載事項及び刊行物に記載された発明は、前記「第２．［理由］２．刊行物に記載された発明」に記載したとおりである。
　
３．対比および判断
　本願発明は、前記「第２．［理由］」において検討した本件補正発明において、洗浄液について「
前記洗浄液は、ｐＨが５．７以上とされることにより、前記化合物半導体と同じ材料からなる微粒子が前記洗浄液に含有された状態での、前記微粒子のゼータ電位がゼロより小さくなるように調整されており
　そうすると、実質的に本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに、他の発明特定事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記「第２．［理由］３．対比および４．当審の判断」に記載したとおり、刊行物に記載された発明及び周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様に、刊行物に記載された発明及び周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。  
 　  
４．むすび  
　以上のとおりであるから、本願発明は、刊行物に記載された発明及び周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　したがって、本願のその他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。