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　特願２００４−　９６３２１「半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１０月１３日出願公開、特開２００５−２８６０１７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
  
第１　手続の経緯 
　
　本願は、平成１６年３月２９日の出願であって、平成１８年１２月１５日付け、平成２１年８月３１日付け、及び、同年１２月２５日付けで手続補正がなされたが、平成２２年２月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年５月２１日付けで拒絶査定不服の審判請求がなされたものである。 　 
第２　本願発明について 
　 
１　本願発明 
　
　本願の請求項に係る発明は、平成２１年１２月２５日付け手続補正書による補正後の明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
「ＧａＰ基板と、
　前記ＧａＰ基板の上方に位置し、化合物半導体のｎ型層とｐ型層とを含む活性層と、
　前記ＧａＰ基板と前記活性層との間に位置し、エピタキシャル横方向成長(ELO:Epitaxial Lateral Overgrowth)により形成されたＥＬＯ層と、
　前記ＥＬＯ層の下に接して位置するマスクとを備え、
　前記ＥＬＯ層は、前記マスクに開けられた窓部を埋め込みそのマスクの上に接して横方向に成長しており、
　前記窓部は、閉領域を少なくとも３方向から囲むように配置されている、半導体発光素子。」（以下「本願発明」という。） 
　  
２　刊行物の記載 
　
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された特開平３−１３３１８２号公報（以下「引用例」という。）には、以下の記載がある。 
　
ア　「（１）化合物半導体基板表面に部分的に複数の窓部を設けた絶縁物薄膜又は高融点金属薄膜を有し、該薄膜上に上記窓部に露出した基板部分を種として、種部より基板表面に平行な方向に連続してかつ隣接する種部より成長したエピタキシャル成長部分と接合して一体化した化合物半導体エピタキシャル成長層を有することを特徴とする半導体基板。
（２）第１項記載の半導体基板上にＰＮ接合を有するエピタキシャル成長層を具備してなることを特徴とする半導体エピタキシャルウェハ。」（特許請求の範囲）。 
　
イ　「第３図において化合物半導体基板１上に絶縁物膜２を被覆し、その一部分を除去して窓部７を設ける。このようにした基板上にエピタキシャル成長を行なうと、基板に平行な方向に成長し、この際、基板中の転位６の大部分が絶縁膜２によって遮断され、横方向に成長した結晶３ｂ中の転位を実質的に消滅させることができる。転位は窓７上に成長した窓部成長層３ａにしか存在しない・・・」（第２頁右下欄第１２〜１９行）
　 
ウ　「先ず、化合物単結晶基板ｌの（１１１）面上に、スパッタ法等を用いて厚さ２００〜４００nmのＳｉＯ2等膜２を作成する（工程（ｂ））。次にフォトリソ法を用いて例えば＜２１１＞（審決注、＜２１１＞の「１」は、いずれも「１」にアッパーライン「￣」が付されたものである。以下同じ。）方向に幅ｄ＝２μm、間隔Ｄ＝１００μm程度に窓部７をあける加工を行う（工程（ｃ））、加工後の基板を上から見ると第２図のとおりとなる。
　方向を＜２１１＞としたのは、この方向に窓を設けた場合に最も横方向成長の伸びが大きくなるためであり、物質や基板面方位が異なる場合は適宜方向を選択する。また窓の幅ｄは狭いほど転位の伝播が少ないため、加工可能な範囲でなるべく狭い方が望ましい。またＤ／ｄを大きくすることで窓部に対する横方向成長部分の比を大きくすることにより、転位の低減効果をより大きくすることができるが、Ｄをあまり大きくすると隣接横方向成長同志が接続しなくなるため、エピタキシャル成長条件に応じて１０〜５００μmで適宜選択する必要がある。」（第３頁右上第４行〜左下欄第２行） 
　
エ　「この基板上にさらに液相エピタキシャル法等を用いてＬＥＤ用のＰＮ接合を形成するエピタキシャル成長を行い（工程（ｅ））半導体エピタキシャルウェハを得る。横方向成長部が接続した基板は、通常の単結晶基板と全く同様に扱うことができるため、ＰＮ接合形成は従来から一般的に行っている方法を用いればよい。」（第３頁左下欄第１１〜１７行） 
　
オ　「本発明の発光素子の製造方法による実施例を、GaP純緑色発光ダイオードの例を用いて説明する。
　先ず、GaP単結晶基板１の（１１１）面上に、スパッタ法を用いて厚さ　４００nmのＳｉＯ2膜２を作成する（工程（ｂ））。フォトリソ法を用いて＜２１１＞方向に幅ｄ＝２μm、間隔Ｄ＝１００μmに窓部７をあける加工を行った（工程（ｃ））。
 方向を＜２１１＞としたのはGaP（１１１）Ｂ面を用いた場合は、この方向に窓を設けた場合に最も横方向成長の伸びが大きくなるためである。
　次にこの窓部７を持つＳｉＯ2膜２をつけた単結晶基板上に、液相エピタキシャル成長法によって横方向成長を行って横方向成長結晶３を得た（工程（ｄ））。液相エピタキシャル成長は通常行われているいずれの方法でもよいが、ここでは徐冷法を用いた例を示した。・・・２℃冷却してガリウム溶液を過飽和にした状態でGaP基板に接触させエピタキシャル成長を開始し、１時間経過後に再び基板とガリウム溶液を分離してエピタキシャル成長を終了させた。」（第４頁右上欄第４行〜左下欄第１４行） 
　
カ　「この基板上にさらに液相エピタキシャル法を用いて純緑色ＬＥＤ用の成長を行った（工程（ｅ））。横方向成長部が接続した基板は通常の単結晶基板と全く同様に扱うことができるため、従来から一般的に行っている方法を用いればよい。我々の場合は、スライドボートを用いた徐冷法を用い、Ｎ型ドーパントとしてH2Sを用いてＳを、Ｐ型ドーパントとしてＺｎをガス状で順冷添加するオーバーコンベンモーション法を用いた。この様にして作成したＬＥＤエピタキシャル基板は、そのままチップ化を行ってもよいが、我々はエッチングにより基板部及びＳｉＯ2膜２を除却した後に通常の方法で、電極形成、素子分離を行い、ＬＥＤ素子を作成した（工程（ｆ））」（第４頁右下欄第５〜１８行） 
　
（２）引用発明 
ア　上記（１）アによれば、引用例には、「化合物半導体基板表面に部分的に複数の窓部を設けた絶縁物薄膜又は高融点金属薄膜を有し、該薄膜上に上記窓部に露出した基板部分を種として、種部より基板表面に平行な方向に連続してかつ隣接する種部より成長したエピタキシャル成長部分と接合して一体化した化合物半導体エピタキシャル成長層を有する半導体基板を具備するとともに、該半導体基板上にＰＮ接合を有するエピタキシャル成長層を具備してなる半導体エピタキシャルウェハ。」の発明が記載されているものと認められる。
　
イ　上記（１）オによれば、上記アの発明における「化合物半導体基板」は、「GaP単結晶基板」であってよいものと認められる。
　
ウ　上記（１）カにおける「ＬＥＤエピタキシャル基板」は、上記アの発明に係る「半導体エピタキシャルウェハ」に相当するものと認められるところ、上記（１）カによれば、引用例には、該ＬＥＤエピタキシャル基板をチップ化してＬＥＤ素子を形成することが記載されていることが認められる。
　
エ　以上によれば、引用例には、次の発明が記載されているものと認められる。
「半導体エピタキシャルウェハをチップ化して形成したＬＥＤ素子であって、前記半導体エピタキシャルウェハは、GaP単結晶基板である化合物半導体基板表面に部分的に複数の窓部を設けた絶縁物薄膜又は高融点金属薄膜を有し、該薄膜上に上記窓部に露出した基板部分を種として、種部より基板表面に平行な方向に連続してかつ隣接する種部より成長したエピタキシャル成長部分と接合して一体化した化合物半導体エピタキシャル成長層を有する半導体基板を具備するとともに、該半導体基板上にＰＮ接合を有するエピタキシャル成長層を具備してなるものである、半導体エピタキシャルウェハをチップ化して形成したＬＥＤ素子。」（以下「引用発明」という。）
　  
３　対比・判断 
　
（１）本願発明と引用発明とを対比する。 
ア　引用発明の「GaP単結晶基板」、「窓部」及び「ＬＥＤ素子」は、本願発明の「ＧａＰ基板」、「窓部」及び「半導体発光素子」にそれぞれ相当する。
　
イ　引用発明の「絶縁物薄膜」は、上記２（１）オ、及び、カの「本発明の発光素子の製造方法・・・先ず、GaP単結晶基板１の（１１１）面上に、スパッタ法を用いて・・・ＳｉＯ2膜２を作成する（工程（ｂ））。フォトリソ法を用いて・・・窓部７をあける加工を行った（工程（ｃ））。・・・次にこの窓部７を持つＳｉＯ2膜２をつけた単結晶基板上に、液相エピタキシャル成長法によって横方向成長を行って横方向成長結晶３を得た（工程（ｄ））。・・・この基板上にさらに液相エピタキシャル法を用いて純緑色ＬＥＤ用の成長を行った（工程（ｅ））」での機能からみて、本願発明のマスクに対応すると認められる。
　
ウ　引用発明の「GaP単結晶基板である化合物半導体基板表面・・・該半導体基板上にＰＮ接合を有するエピタキシャル成長層を具備してなるもの」は、上記２（１）カに照らして、引用発明の「エピタキシャル成長層」が「純緑色ＬＥＤ用の成長」であって、本願発明でいう「活性層」に対応するから、引用発明は、本願発明の「前記ＧａＰ基板の上方に位置し、化合物半導体のｎ型層とｐ型層とを含む活性層」の構成を備える。
　
エ　引用発明の「前記半導体エピタキシャルウェハは、GaP単結晶基板である化合物半導体基板表面に部分的に複数の窓部を設けた絶縁物薄膜又は高融点金属薄膜を有し、該薄膜上に上記窓部に露出した基板部分を種として、種部より基板表面に平行な方向に連続してかつ隣接する種部より成長したエピタキシャル成長部分と接合して一体化した化合物半導体エピタキシャル成長層を有する半導体基板」は、上記２（１）オ、及び、カの「次にこの窓部７を持つＳｉＯ2膜２をつけた単結晶基板上に、液相エピタキシャル成長法によって横方向成長を行って横方向成長結晶３を得た（工程（ｄ））。・・・この基板上にさらに液相エピタキシャル法を用いて純緑色ＬＥＤ用の成長を行った（工程（ｅ））。 」に照らして、「液相エピタキシャル成長法による横方向成長と「エピタキシャル横方向成長(ELO:Epitaxial Lateral Overgrowth)」が対応するということができるから、引用発明は、本願発明の「前記ＧａＰ基板と前記活性層との間に位置し、エピタキシャル横方向成長(ELO:Epitaxial Lateral Overgrowth)により形成されたＥＬＯ層」の構成を備える。
　
オ   引用発明の「絶縁物薄膜・・・該薄膜上に上記窓部に露出した基板部分を種として、種部より基板表面に平行な方向に横方向成長を行った横方向成長結晶層を有し」は、上記イ、及び、エに照らして、「マスク上に窓部に露出した基板部分を種として、種部より基板表面に平行な方向に横方向成長を行ったＥＬＯ層を有し」ということができ、ＥＬＯ層とマスクが接していることは明らかであるから、引用発明は、本願発明の「前記ＥＬＯ層の下に接して位置するマスクとを備え」の構成を備える。
　
カ　引用発明の「該薄膜上に上記窓部に露出した基板部分を種として」は、上記イに照らして「マスクに開けられた窓部を埋め込」んでいるということができ、また、引用発明の「種部より基板表面に平行な方向に連続してかつ隣接する種部より成長したエピタキシャル成長部分」は、上記イ、及び、エに照らして「マスクの上に接して横方向に成長して」いる「ＥＬＯ層」ということができるから、引用発明の「該薄膜上に上記窓部に露出した基板部分を種として、種部より基板表面に平行な方向に連続してかつ隣接する種部より成長したエピタキシャル成長部分と接合して一体化した化合物半導体エピタキシャル成長層」は、引用発明は、本願発明の「前記ＥＬＯ層は、前記マスクに開けられた窓部を埋め込みそのマスクの上に接して横方向に成長して」いる構成を備える。
　
キ　以上によれば両者は
「ＧａＰ基板と、前記ＧａＰ基板の上方に位置し、化合物半導体のｎ型層とｐ型層とを含む活性層と、前記ＧａＰ基板と前記活性層との間に位置し、エピタキシャル横方向成長(ELO:Epitaxial Lateral Overgrowth)により形成されたＥＬＯ層と、前記ＥＬＯ層の下に接して位置するマスクとを備え、前記ＥＬＯ層は、前記マスクに開けられた窓部を埋め込みそのマスクの上に接して横方向に成長している、半導体発光素子。」
である点で一致し、
　
ク　本願発明は、窓部が「閉領域を少なくとも３方向から囲むように配置されている」のに対して、引用発明は、「部分的に複数の窓部を設けた」点（以下「相違点」という）で相違するものと認められる。 
　 
（２）判断
　上記相違点について検討する。 
　引用発明において窓部を具体的にどのような配置とするかは、当業者が設計上適宜定める事項というべきところ、「閉領域を少なくとも３方向から囲むように配置」することに格別の困難があるものとは認められない。
　請求人は審判請求の理由において、「上記構成ｆ１を備えることにより、窓部により３方向から囲まれることで平面形状が規定される当該閉領域を覆うように（つまり所定の平面形状となるように）ＥＬＯ層を容易に成長させ、結晶性に優れた当該ＥＬＯ層を半導体発光素子の構造として利用することができる。」と主張するが、窓部を「閉領域を少なくとも３方向から囲むように配置」することに設計的事項の域を超える格別の意義は認められない。
　したがって、引用発明の窓部を、「閉領域を少なくとも３方向から囲むように配置」することは、当業者が容易に想到できたことである。
 　
４　小括 
　
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。 
　  
第３　むすび 
　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。 
　 
　よって、結論のとおり審決する。