Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月16日(2011.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリアレイを有する回路を動作させる方法であって：
ロジック電源ドメインを使用してメモリ制御ロジックを動作させること；
発振器の発振に応答して、前記ロジック電源ドメインの電圧よりも高い電圧を生成すること；
前記高い電圧を使用して前記メモリアレイを動作させること；
前記ロジック電源ドメインが少なくとも第１レベルにあるとき、前記メモリ制御ロジックによって前記発振器の動作を制御すること；
前記ロジック電源ドメインが前記第１レベルよりも低下したとき、低電圧インジケータ信号をアサートすること；
前記低電圧インジケータ信号をアサートすることに応答して前記発振器をディセーブルにすること
を備える方法。
【請求項２】
第１出力及び第２出力を有し、ロジック電源ドメインによって電源が供給されるメモリ制御ロジックと；
前記ロジック電源ドメインに接続され、出力を有する低電圧インジケータ回路と；
前記低電圧インジケータ回路の出力に接続される第１入力と、前記メモリ制御ロジックの第１出力に接続される第２入力と、出力とを有する発振器制御回路と；
前記発振器制御回路の出力に接続される制御入力と、発振器出力とを有する発振器と；
前記発振器の発振器出力に接続され、前記ロジック電源ドメインよりも大きい絶対値を有する高電圧を供給する複数の電圧乗算器と；
前記複数の電圧乗算器及び前記メモリ制御ロジックの第２出力に接続されるアレイ制御ロジックと；
前記アレイ制御ロジックに接続されるメモリアレイと
を備える回路。
【請求項３】
前記発振器制御回路は、前記高電圧の絶対値よりも低い値であるが前記ロジック電源ドメインよりも高い値を有するメモリ電源ドメインによって電源供給される、請求項２に記載の回路。
【請求項４】
前記発振器制御回路は：
前記メモリ制御ロジックの第１出力に接続される入力と、出力とを有する第１レベルシフタと；
前記低電圧インジケータ回路の出力に接続される入力と、出力とを有する第２レベルシフタと；
前記第１レベルシフタの出力に接続される入力と、前記第２レベルシフタの出力に接続される第２入力と、前記発振器の制御入力に接続される出力とを有する論理ゲートと
を含む、請求項３に記載の回路。
【請求項５】
前記アレイ制御ロジックは、前記メモリ制御ロジックの第２出力に応答して前記メモリアレイへの前記高電圧の印加を制御する手段を含み、前記メモリ制御ロジックの第２出力がマルチ信号である、請求項２に記載の回路。
【請求項６】
書き込み及び消去に高電圧を必要とするセル群により構成されるメモリアレイと；
ロジック電源ドメインによって電源供給され、読み出し動作、書き込み動作、及び消去動作の実行を指示する信号を供給するメモリ制御手段と；
前記ロジック電源ドメインが所定のレベルよりも低いことを通知する低電圧インジケータと；
少なくともメモリ電源ドメインによって電源供給され、出力を有する発振器と；
前記ロジック電源ドメインが前記所定のレベルより低いことを前記低電圧インジケータが示すとき前記発振器をディセーブルにし、前記ロジック電源ドメインが前記所定のレベル以上のとき前記メモリ制御手段により前記発振器を制御可能にする発振器制御手段であって、前記低電圧インジケータに接続された第１レベルシフタと、前記メモリ制御手段に接続された第２レベルシフタと、前記第１レベルシフタ、前記第２レベルシフタ、及び前記発振器に接続された論理ゲートとを含む発振器制御手段と；
前記発振器の出力に接続された複数の電圧乗算器であって、少なくとも前記メモリ電源ドメインによって電源供給され、前記メモリ電源ドメインよりも高い値を有する高電圧を供給する複数の電圧乗算器と；
前記複数の電圧乗算器及び前記メモリ制御手段に接続され、前記メモリ制御手段による実行の指示に従って書き込み及び消去を行う際に、前記高電圧を前記メモリアレイに印加するためのアレイ制御手段と
を備える回路。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月4日(2011.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
[0015]  本発明の一態様では、デバイス製造方法であって、放射ビームを発生させることと、放射ビームにパターン形成してパターン付き放射ビームを形成することと、パターン付き放射ビームを基板に投影することとを含み、発生させることは、カソードとアノードとの間に配置される放電空間に燃料を供給することと、燃料内でカソードとアノードとの間に放電を生成してプラズマを形成することと、プラズマによる放射放出を制御してプラズマにより画定される容積を調節することとを含み、調節することは、プラズマに物質を供給して放射放出を制御することを含む、方法が提供される。
例えば、一実施形態によれば、物質は、Ｇａ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｐｂ、またはＡｌのうち少なくとも１つを含むことができる。例えば、一実施形態によれば、燃料は、Ｓｎ、Ｘｅ、またはＬｉのうち少なくとも１つを含むことができる。
一実施形態によれば、物質および燃料は、放電空間に別々に供給されることができる。
一実施形態によれば、物質は、所定の波長範囲における放射放出を増加するように選択されることができる。
他の実施形態によれば、調節することは、プラズマを発生するように構成された放射源のエタンデュが放射ビームにパターン形成するように構成されたリソグラフィ装置のエタンデュと実質的に一致するように、プラズマによって画定される容積を減少することを含む。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
[0016]  本発明の一態様では、リソグラフィ装置用の放射を発生させるように構成された放射源であって、カソードおよびアノードを含み、カソードおよびアノードは、放電空間内に配置された燃料内に放電を生成してプラズマを発生させるように構成され、放電空間は、使用中、プラズマによる放射放出を調節してプラズマによって画定される容積を制御するように構成された物質を含む、放射源が提供される。
一実施形態によれば、例えば、燃料は、Ｓｎ、Ｘｅ、またはＬｉのうち少なくとも１つを含むことができる。
一実施形態によれば、放射源は、放電空間に前記燃料を供給する燃料供給源を更に含んでもよい。
また、あるいは他の実施形態によれば、放射源は、放電空間に物質を供給する供給源を更に含んでもよい。
一実施形態によれば、物質および燃料は、放電空間に別々に供給されることができる。
一実施形態によれば、物質は、燃料を含む混合体の一部であり得る。例えば、限定されない実施形態によれば、混合体は、固体または液体であり得る。混合体は、カソード上に配置されてもよい。パターニングデバイスは、プログラマブルミラーアレイを含んでもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置において使用するための放射を発生させる方法であって、
カソードとアノードとの間に配置される放電空間に燃料を供給することと、
前記燃料内で前記カソードと前記アノードとの間に放電を生成してプラズマを形成することと、
前記プラズマによる放射放出を制御して前記プラズマにより画定される容積を調節することと、
を含み、
前記調節することは、前記プラズマに物質を供給して前記放射放出を制御することを含む、方法。
【請求項２】
前記物質は、Ｇａ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｐｂ、またはＡｌのうち少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記物質および前記燃料は、前記放電空間に別々に供給される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記物質は、前記燃料を含む混合体の一部である、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記物質は、所定の波長範囲における放射放出を増加するように選択される、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記プラズマにより画定される容積を調節することは、前記プラズマの半径方向のサイズを減少することを含む、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記調節することは、前記プラズマを発生させるように構成された放射源のエタンデュが前記リソグラフィ装置のエタンデュと実質的に一致するように、前記プラズマによって画定される前記容積を制御することを含む、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
リソグラフィ装置用の放射を発生させる放射源であって、
カソードおよびアノードを含み、前記カソードおよび前記アノードは、放電空間内に配置された燃料内に放電を生成してプラズマを発生させる構成され、前記放電空間は、使用中、前記プラズマによる放射放出を調節して前記プラズマによって画定される容積を制御する物質を含む、放射源。
【請求項９】
前記物質は、Ｇａ、Ｉｎ、Ｂｉ、またはＡｌのうち少なくとも１つを含む、請求項８に記載の放射源。
【請求項１０】
前記物質は、前記燃料を含む混合体の一部である、請求項８又は９に記載の放射源。
【請求項１１】
前記物質は、所定の波長範囲における前記放射放出を増加するように選択される、請求項８〜１０のいずれかに記載の放射源。
【請求項１２】
前記物質は、前記プラズマの半径方向のサイズを減少させる、請求項８〜１１のいずれかに記載の放射源。
【請求項１３】
前記放電空間に前記燃料と前記物質の両方を供給する供給源を更に含む、請求項８〜１２のいずれかに記載の放射源。
【請求項１４】
前記放射源のエタンデュは前記リソグラフィ装置のエタンデュと実質的に一致する、請求項８〜１３のいずれかに記載の放射源。
【請求項１５】
請求項８〜１４のいずれかに記載の放射源と、
パターニングデバイスを保持するパターンサポートであって、前記パターニングデバイスは、前記放射にパターン形成してパターン付き放射ビームを形成する、パターンサポートと、
基板を支持する基板サポートと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板上に投影する投影システムと、
を含む、リソグラフィシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月27日(2011.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記設定破壊層（４）に含まれる拡散性の設定破壊材料は、前記電極層（３）に含まれる拡散性の設定破壊材料よりも高い割合で含まれる、ことを特徴とする請求項２又は３に記載の多層圧電素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
前記設定破壊材料が、前記設定破壊層（４）から、より低い濃度の前記設定破壊材料を有する多層素子領域へと、拡散する、ことを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2010536160.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月28日(2011.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜中に形成され、銅又は銅合金からなる埋め込み配線とを備え、
前記絶縁膜と前記埋め込み配線との間に、白金族元素、又は白金族元素の合金からなるバリアメタル層を有しており、
前記バリアメタル層は、前記絶縁膜に接する部分は一部非晶質構造であって一部多結晶構造である第１の非晶質度を有し、前記埋め込み配線の方向に向かって、前記第１の非晶質度よりも非晶質度が段階的に減少するように構成されている領域があることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記バリアメタル層は、単層からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記バリアメタル層は、前記絶縁膜から前記埋め込み配線の方向に向かって、前記第１の非晶質度から非晶質度が段階的に減少するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜中に形成され、銅又は銅合金からなる埋め込み配線とを備え、
前記絶縁膜と前記埋め込み配線との間に、白金族元素、又は白金族元素の合金からなるバリアメタル層を有しており、
前記バリアメタル層は、前記絶縁膜から前記埋め込み配線の方向に向かって、一部非晶質構造であって一部多結晶構造である第１の非晶質度よりも非晶質度が段階的に増加して前記相対的にバリア性が高くなる非晶質度に変化すると共に、前記相対的にバリア性が高くなる非晶質度から段階的に減少して一部非晶質構造であって一部多結晶構造である第２の非晶質度へ変化するように構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記白金族元素は、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、又は白金であることを特徴とする請求項１〜４のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記バリアメタル層のうち、前記第１の非晶質度を有する部分の窒素濃度は２％〜１０％であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記バリアメタル層のうち、前記第１の非晶質度を有する部分の窒素濃度は４％〜１０％であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
半導体基板上の絶縁膜に凹部を形成する工程（ａ）と、
前記凹部に、白金族元素、又は白金族元素の合金からなるバリアメタル層を堆積する工程（ｂ）と、
前記バリアメタル層の上に、銅又は銅合金からなる第１の導電膜を順次堆積する工程（ｃ）と、
前記第１の導電膜上に、前記凹部が完全に埋まるように銅又は銅合金からなる第２の導電膜を成長させる工程（ｄ）と、
前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とを一体化して第３の導電膜を形成することにより、前記第３の導電膜からなる埋め込み配線を形成する工程（ｅ）とを備え、
前記絶縁膜に接する部分は一部非晶質構造であって一部多結晶構造である第１の非晶質度を有し、前記埋め込み配線の方向に向かって、前記第１の非晶質度よりも非晶質度が段階的に減少するように構成されている領域があることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記工程（ｂ）は、前記絶縁膜から前記埋め込み配線の方向に向かって、前記第１の非晶質度から非晶質度が段階的に減少するように、前記バリアメタル膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
半導体基板上の絶縁膜に凹部を形成する工程（ａ）と、
前記凹部に、白金族元素、又は白金族元素の合金からなるバリアメタル層を堆積する工程（ｂ）と、
前記バリアメタル層の上に、銅又は銅合金からなる第１の導電膜を順次堆積する工程（ｃ）と、
前記第１の導電膜上に、前記凹部が完全に埋まるように銅又は銅合金からなる第２の導電膜を成長させる工程（ｄ）と、
前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とを一体化して第３の導電膜を形成することにより、前記第３の導電膜からなる埋め込み配線を形成する工程（ｅ）とを備え、
前記工程（ｂ）は、前記絶縁膜から前記埋め込み配線の方向に向かって、一部非晶質構造であって一部多結晶構造である第１の非晶質度よりも非晶質度が段階的に増加して前記相対的にバリア性が高くなる非晶質度に変化すると共に、前記相対的にバリア性が高くなる非晶質度から段階的に減少して一部非晶質構造であって一部多結晶構造である第２の非晶質度へ変化するように、前記バリアメタル膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記白金族元素は、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、又は白金であることを特徴とする請求項８〜１０のうちのいずれか１項に記載の半導体製造装置の製造方法。
【請求項１２】
前記工程（ｅ）は、窒素雰囲気中において熱処理する工程を含むことを特徴とする請求項８〜１１のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記工程（ｂ）は、スパッタ法を用いて、同一チャンバー内で窒素流量を制御しながら行われることを特徴とする請求項８〜１２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月5日(2011.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマディスプレイパネルの前面パネルに形成されたプラズマディスプレイパネル用バス電極であって、黒色単層バス電極を含み、前記黒色単層バス電極が、酸化コバルト（Ｃｏ3Ｏ4）および銅−クロム−コバルト複合酸化物（Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｏ−Ｏ）を黒色顔料として含有する、バス電極。
【請求項２】
前記銅−クロム−コバルト複合酸化物の含有量が、前記酸化コバルトおよび銅−クロム−コバルト複合酸化物の総量に基づいて４５〜９０重量％である、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル用バス電極。
【請求項３】
前記銅−クロム−コバルト複合酸化物の含有量が、前記酸化コバルトおよび銅−クロム−コバルト複合酸化物の総量に基づいて５０〜８５重量％である、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル用バス電極。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
上記に示した結果によれば、本発明の電極ペーストは、単層と２層バス電極との間で同一の傾向を示す。Ｃｏ3Ｏ4およびＣｒ−Ｃｕ−Ｃｏ酸化物を黒色顔料として含有することにより、本発明の電極ペーストは、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｏ酸化物単独およびＣｏ3Ｏ4単独と比して、より高い黒度およびより低い抵抗値をもたらすことが可能である。
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
１．黒色顔料、ガラスフリット、有機バインダーおよび溶剤を含み、前記黒色顔料が、酸化コバルト（Ｃｏ3Ｏ4）および銅−クロム−コバルト複合酸化物（Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｏ−Ｏ）を含有するプラズマディスプレイパネル用電極ペースト。
２．前記銅−クロム−コバルト複合酸化物の含有量が、前記酸化コバルトおよび銅−クロム−コバルト複合酸化物の総量に基づいて４５〜９０重量％である、前記１に記載のプラズマディスプレイパネル用電極ペースト。
３．前記銅−クロム−コバルト複合酸化物の含有量が、前記酸化コバルトおよび銅−クロム−コバルト複合酸化物の総量に基づいて５０〜８５重量％である、前記１に記載のプラズマディスプレイパネル用電極ペースト。
４．導電性粒子をさらに含む、前記１に記載のプラズマディスプレイパネル用電極ペースト。
５．プラズマディスプレイパネルの前面パネルに形成されたプラズマディスプレイパネル用バス電極であって、黒色電極および白色電極を含む黒色／白色２層構造を有し、前記黒色電極が、酸化コバルト（Ｃｏ3Ｏ4）および銅−クロム−コバルト複合酸化物（Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｏ−Ｏ）を黒色顔料として含有する、バス電極。
６．前記銅−クロム−コバルト複合酸化物の含有量が、前記酸化コバルトおよび銅−クロム−コバルト複合酸化物の総量に基づいて４５〜９０重量％である、前記５に記載のプラズマディスプレイパネル用バス電極。
７．前記銅−クロム−コバルト複合酸化物の含有量が、前記酸化コバルトおよび銅−クロム−コバルト複合酸化物の総量に基づいて５０〜８５重量％である、前記５に記載のプラズマディスプレイパネル用バス電極。
８．プラズマディスプレイパネルの前面パネルに形成されたプラズマディスプレイパネル用バス電極であって、黒色単層バス電極を含み、前記黒色単層バス電極が、酸化コバルト（Ｃｏ3Ｏ4）および銅−クロム−コバルト複合酸化物（Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｏ−Ｏ）を黒色顔料として含有する、バス電極。
９．前記銅−クロム−コバルト複合酸化物の含有量が、前記酸化コバルトおよび銅−クロム−コバルト複合酸化物の総量に基づいて４５〜９０重量％である、前記８に記載のプラズマディスプレイパネル用バス電極。
１０．前記銅−クロム−コバルト複合酸化物の含有量が、前記酸化コバルトおよび銅−クロム−コバルト複合酸化物の総量に基づいて５０〜８５重量％である、前記８に記載のプラズマディスプレイパネル用バス電極。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月4日(2011.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンを移動させる電池において使用するための装置であって、
基材と、
各々が前記基材に根ざして成長させられ、イオンと相互作用する分子を有する外表面を有している複数のナノワイヤと、
第１及び第２の集電体であって、前記集電体の一方が、前記基材及び前記ナノワイヤを含んでいる、前記第１及び第２の集電体と、
前記集電体の間に位置するリチウム主体のイオン輸送体と、
を備えている装置。
【請求項２】
前記リチウム主体のイオン輸送体が、前記ナノワイヤへの半径方向の拡散のためにリチウムイオンを提供する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ナノワイヤが、電子を１次元においてのみ移動させるように充分に小さい、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記ナノワイヤが、ケイ素を含んでいる、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記ナノワイヤが、１０ナノメートル〜１００ナノメートルの範囲の平均外径を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
電気化学的に活性化されたイオンを移動させるための液体電解質を含むセパレータと、
前記セパレータの一方の面上の第１の電極と、
前記セパレータの他方の面上に位置され、金属製の基材及び該金属製の基板に根ざして成長されられた複数の固体ナノワイヤを含む第２の電極と、
を備え、
前記複数の固体ナノワイヤが、シリコン、ゲルマニウム、又はそれらの合金を含み、電池のサイクルにおいて見られる体積変化に耐えるように構成されている、
電池。
【請求項７】
前記複数の固体ナノワイヤが、１０ナノメートル〜３００ナノメートルの範囲の平均外径を有する、請求項６に記載の電池。
【請求項８】
放電状態において、前記複数の固体ナノワイヤが、Ｓｉ又はその合金を含んでいる、請求項６に記載の電池。
【請求項９】
前記第２の電極が負極である、請求項６に記載の電池。
【請求項１０】
前記金属製の基材が、ステンレス鋼、銅及びニッケルの内から選択される１つ以上の材料を含み、
前記複数の固体ナノワイヤが、前記金属製の基材に直接接続されている、
請求項６に記載の電池。
【請求項１１】
前記第１の電極と前記第２の電極が同心の円筒の様相で配置されており、
前記液体電解質が有機溶媒に溶解させたリチウム塩を含む、
請求項６に記載の電池。
【請求項１２】
前記金属製の基材が、少なくともいくつかの触媒を含む、請求項６に記載の電池。
【請求項１３】
前記複数の固体ナノワイヤが、前記金属製の基材上の複数の位置において付着された複数の触媒から、前記複数の位置に根ざして成長させられる、請求項６に記載の電池。
【請求項１４】
前記セパレータが、前記液体電解質で満たされた多孔質材料である、請求項６に記載の電池。
【請求項１５】
前記複数の固体ナノワイヤが、非晶質材料若しくは結晶構造、又は非晶質材料及び結晶構造の両方を含み、リチウムイオンによるサイクルで約２０００ｍＡｈ／ｇよりも大きい安定なエネルギ容量を有する、請求項６に記載の電池。
【請求項１６】
前記安定なエネルギ容量が、少なくとも約Ｃ／２という速度のサイクルにおいて得られる、請求項１５に記載の電池。
【請求項１７】
前記第２の電極が、液体電解質内で２つの自由端と有して終端し、
前記複数の固体ナノワイヤが、１０００ｍＡｈ／ｇよりも大きい安定なエネルギ容量を提供する、
請求項６に記載の電池。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月11日(2011.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
植物を育成する照明アセンブリであって、
ａ）６００乃至７５０ｎｍの第１の波長範囲において支配的に光を放出する、少なくとも１つの発光ダイオード(ＬＥＤ)を具備する第１の光源（３）と、
ｂ）３７５乃至５００ｎｍの第２の波長範囲において支配的に光を放出する、少なくとも１つの発光ダイオード(ＬＥＤ)を具備する第２の光源（５）と、
ｃ）前記第２の光源の出力から独立して、前記第１の光源の出力を制御する制御装置（７）と、
を具備する、照明アセンブリであって、
透明なハウジング（１５）を具備する管であって、前記透明なハウジング（１５）の中に前記第１と第２の光源の少なくとも一方が置かれている、管と、
前記透明なハウジング（１５）の中の前記発光ダイオードを冷却するために、前記管を通って流れることができる冷却液（１３）と、
を更に具備することを特徴とする、
照明アセンブリ。
【請求項２】
前記管の外径は、５ｃｍ未満、好ましくは３ｃｍ未満、より好ましくは２ｃｍ未満を有する、請求項１の照明アセンブリ。
【請求項３】
前記第１の光源は、ＡｌＩｎＧａＰのＬＥＤを具備する、請求項１又は２の照明アセンブリ。
【請求項４】
前記第１の光源は、回路の中に、一部を直列にし、一部を並列にして接続された幾つかのＬＥＤを具備する、請求項１乃至３の何れか１項の照明アセンブリ。
【請求項５】
植物を育成するエンクロージャであって、
ａ）前記エンクロージャの中に日光を入れる透明パネルと、
ｂ）前記エンクロージャ内に備えられた、請求項１乃至４の何れか１項に記載の照明アセンブリと、
を具備する、エンクロージャ。
【請求項６】
複数の照明アセンブリは、二次元グリッドで配置されている、請求項５のエンクロージャ。
【請求項７】
前記二次元グリッドは、１５乃至４０Ｗ／ｍ２のエネルギ密度を有する光を放出する、請求項６のエンクロージャ。
【請求項８】
前記二次元グリッドは、育成用培地から０．５乃至１０ｍの距離において吊るされている、請求項６又は７のエンクロージャ。
【請求項９】
水と、請求項１乃至４の何れか１項に記載の複数の照明アセンブリとを備えて、藻類のような水生植物を育成する、エンクロージャ（４１）であって、
前記照明アセンブリは水中に沈められている、エンクロージャ。
【請求項１０】
植物を育成する方法であって、
請求項１乃至４の何れか１項に記載の照明アセンブリを提供するステップと、
日光と、前記照明アセンブリの中の前記第１の光源からの、６００乃至７５０ｎｍの波長範囲において支配的に放出される光と、３７５乃至５００ｎｍの波長範囲において支配的に光を放出する、前記照明アセンブリの中の前記第２の光源からの光とに、前記植物を当てるステップと、
前記第１の光源の出力から独立して、前記第２の光源の出力を制御することによって、前記第１と第２の光源のスペクトル分布を制御するステップと、
前記透明なハウジングを具備する前記管を通して冷却液を流すことを可能にすることによって、前記第１と第２の光源を冷却するステップと、
を具備する、方法。
【請求項１１】
前記第１と第２の光源を二次元グリッドで提供するステップ、を更に具備する、請求項１０の方法。
【請求項１２】
育成用培地から０．５ｍ乃至１０ｍの距離において前記二次元グリッドを吊るすステップ、を更に具備する、請求項１１の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月24日(2011.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性領域およびチップ角部を有するチップと、
前記チップは、スクライブ領域をクラックストップの外側にさらに備え、前記クラックストップは前記活性領域を少なくとも部分的に取り囲むことと、
前記チップは、クラック阻止構造をさらに備え、前記クラック阻止構造の少なくとも一部分が前記チップの前記スクライブ領域に形成されることとを備えた半導体デバイスにおいて、前記チップは、
基板と、
前記基板を被覆し、かつ金属を含有する第１層と、
前記第１層を被覆し、かつ金属を含有する第２層と、
前記第２層を被覆し、かつ金属を含有する第３層とを備え、
前記クラック阻止構造は、
前記第１層に形成され、かつ前記チップ角部から第１距離に位置する第１外側角部を有する第１部分と、
前記第２層に形成され、かつ前記チップ角部から、前記第１距離よりも長い第２距離に位置する第２外側角部を有する第２部分と、
前記第３層に形成され、かつ前記チップ角部から、前記第２距離よりも長い第３距離に位置する第３外側角部を有する第３部分とを備え、
前記クラック阻止構造は前記スクライブ領域の第１の端縁から第２の端縁に延びるとともに、前記スクライブ領域の前記第１の端縁と第２の端縁が画成する領域から離隔していることを特徴とする、半導体デバイス。
【請求項２】
エッジシールをさらに備え、前記エッジシールは前記活性領域を少なくとも部分的に取り囲む、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記チップは、コーナー領域群と非コーナー領域とをさらに備え、前記非コーナー領域には、前記クラック阻止構造が配設されず、これらのコーナー領域のうちの少なくとも１つのコーナー領域は前記クラック阻止構造を備える、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記クラック阻止構造は、前記第１層に形成される第４部分をさらに備え、前記第４部分は、前記チップ角部から第４距離に位置する第４外側角部を有し、前記第１距離は前記第４距離よりも長い、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記クラック阻止構造は、
前記第２層に形成され、かつ前記チップ角部から第５距離に位置する第５外側角部を有する第５部分であって、前記第２距離が前記第５距離よりも長い、前記第５部分と、
前記第３層に形成され、かつ前記チップ角部から第６距離に位置する第６外側角部を有する第６部分であって、前記第３距離が前記第６距離よりも長い、前記第６部分とをさらに備える、請求項１に記載の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界効果トランジスタ装置であって、
ソース領域と第２導電タイプのドレーン領域との間に位置する第１導電タイプの溝領域を含んだ少なくとも１本の半導体ファイバと、
前記溝領域に位置するグラスゲート絶縁層と、
前記ガラスゲート絶縁層に隣接して位置するゲート電極と、
を含んでいることを特徴とする電界効果トランジスタ装置。
【請求項２】
前記ゲート電極がバイアスされると前記溝領域には反転領域が創出され、
前記ガラスゲート絶縁層のガラスは、パイレックス（登録商標）ガラス、バイコールガラス、ケイ酸ホウ素ガラス、ケイ酸アルミニウムガラス、石英ガラス、テルル化鉛ケイ酸ガラス、酸化ケイ素ガラス、酸化鉛ガラス、又は二酸化テルルガラス、あるいはそれらのいずれかの組み合わせであり、
前記ソール領域と前記ドレーン領域は、前記ガラスゲート絶縁層で覆われていないことを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記の少なくとも１本の半導体ファイバは、１本のファイバであり、前記トランジスタの溝領域全体は、該１本のファイバ内に位置することを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記の少なくとも１本の半導体ファイバは、複数のガラス被覆半導体ファイバを含むケーブルであり、前記トランジスタの溝領域は、該複数のガラス被膜ファイバ内に位置することを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項５】
ガラスゲート絶縁層は、前記の少なくとも１本の半導体ファイバ内の溝領域を包囲し、前記ゲート電力は、該ガラスゲート絶縁層を包囲する筒体を含んでいることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項６】
ガラスゲート絶縁層は、前記の少なくとも１本の半導体ファイバ内の溝領域の片側だけに位置し、前記ゲート電力は、該ガラスゲート絶縁層上に位置していることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項７】
前記ソース領域に連結された第１導体と、前記ドレーン領域に連結された第２導体とをさらに含んでいることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項８】
電界効果トランジスタの製造方法であって、
半導体材料を含んだ密封ガラス管を加熱装置内に導入するステップと、
該可熱装置内で、前記半導体材料の融点を超えるまで温度を上昇させて該半導体材料を溶融させ、前記ガラス管を引き延ばすのに十分である温度に加熱するステップと、
前記ガラス管を引き延ばし、第１導電タイプのガラス被覆半導体ファイバを形成するステップと、
前記半導体ファイバのガラス被覆が前記トランジスタのゲート絶縁層を形成し、前記第１導電タイプの前記半導体材料が前記トランジスタの溝領域を形成するように前記ガラス被覆導電体ファイバに隣接させてゲート電極を形成するステップと、
前記半導体ファイバの両端をドープし、該ファイバの両端に第２導電タイプのソース領域とドレーン領域とを形成するステップと、
を含んでいることを特徴とする製造方法。
【請求項９】
前記ガラス管の１端を封止し、該ガラス管に開口端と閉鎖端とを備えさせるステップと、
顆粒形態で前記ガラス管の内側に半導体材料を導入するステップと、
該ガラス管を排気処理するステップと、
該ガラス管の一部を加熱し、そのガラスを部分的に溶融させて封止されたガラス管を形成するステップと、
をさらに含んでいることを特徴とする請求項８記載の製造方法。
【請求項１０】
前記ゲート電極がバイアスされると前記溝領域内に反転領域が創出され、
前記ガラスゲート絶縁層のガラスは、パイレックス（登録商標）ガラス、バイコールガラス、ケイ酸ホウ素ガラス、ケイ酸アルミニウムガラス、石英ガラス、テルル化鉛ケイ酸ガラス、酸化ケイ素ガラス、酸化鉛ガラス、又は二酸化テルルガラス、あるいはそれらのいずれかの組み合わせであり、
前記ゲート電極を形成するステップは、該ゲート電極を前記ガラスで被覆された半導体ファイバと共に引き延ばすことを特徴とする請求項８記載の製造方法。
【請求項１１】
前記ゲート電極を形成するステップは、中空筒体ゲート電極を提供するステップと、該中空筒体ゲート電極を前記ガラス被覆半導体ファイバ上に挿入するステップとを含んでいることを特徴とする請求項８記載の製造方法。
【請求項１２】
前記ゲート電極を形成するステップは、該ゲート電極を前記ガラス被覆半導体ファイバ上または周囲に取り付けるステップを含んでいることを特徴とする請求項８記載の製造方法。
【請求項１３】
前記ソース領域と前記ドレーン領域を、前記ガラスゲート絶縁層で被覆されないように露出させるステップと、該ソース領域に連結された第１導体と、該ドレーン領域に連結された第２導体とを形成するステップとをさらに含んでいることを特徴とする請求項８記載の製造方法。
【請求項１４】
前記ガラス被覆ファイバに、第１導電タイプの複数の束状ガラス被覆連続半導体ファイバを提供するステップと、
該束状ガラス被覆ファイバを１回以上引き延ばし、ガラス被覆によって互いに絶縁されている複数の連続半導体ファイバを備えた多芯ケーブルを製造するステップと、
をさらに含んでいることを特徴とする請求項８記載の製造方法。
【請求項１５】
前記ガラス被覆ファイバに隣接して前記ゲート電極を形成するステップは、前記ファイバの前記ガラス被覆が前記トランジスタの前記ゲート絶縁層を形成し、前記ファイバの前記第１導電タイプの前記半導体材料が前記トランジスタの溝領域を形成するように前記ケーブルに隣接して前記ゲート電極を形成するステップを含み、
前記ファイバの両端をドープするステップは、前記ケーブル内の前記ファイバの両端をドープし、該ケーブル内の該ファイバの両端に前記第２導電タイプのソース領域とドレーン領域とを形成するステップを含んでいることを特徴とする請求項１４記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月25日(2011.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表面及び前記第１の表面とは別の第２の表面を有する基板と、
第１の電極及び前記第１の電極とは別の第２の電極を含み、前記基板の前記第２の表面に結合され、外部刺激器から体組織を通した電流の伝送を容易にするように構成された電極アセンブリと、
前記基板に結合され、前記外部刺激器に電力を供給するように構成された電源と、
前記基板の前記第１の表面に結合された第１の機械式コネクタ及び第２の機械式コネクタを含む接続アセンブリであって、前記第１の機械式コネクタ及び前記第２の機械式コネクタが前記外部刺激器に電気的に結合された第１の構成、及び前記第１の機械式コネクタ及び前記第２の機械式コネクタが前記外部刺激器から電気的に分離された第２の構成を有する接続アセンブリであって、前記第１の構成にあるときに、前記電源及び前記外部刺激器の間の電力回路、及び前記外部刺激器及び前記電極アセンブリの間の刺激回路を形成するように構成された接続アセンブリと、
を備える装置。
【請求項２】
前記基板が第１の層及び第２の層を含み、前記電源、前記第１の機械式コネクタ、前記第２の機械式コネクタ及び電気回路のうちの少なくとも１つが、前記第１の層に少なくとも部分的に埋め込まれており、前記基板の前記第２の層が、前記電極アセンブリの一部分の上に形成された、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記基板が第１の層及び第２の層を含み、前記第１の層が第１の材料から形成され、前記第２の層が、前記第１の材料とは別の第２の材料から形成され、前記第２の材料が非導電性である、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記基板が可撓性であり、前記基板の前記第１の表面の第１の部分が、前記基板の前記第１の表面の第２の部分と平行でなく、前記第１の機械式コネクタと、前記第２の機械式コネクタと、が、前記基板の前記第１の表面の前記第１の部分上に配置されている、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記電源が正端子及び負端子を有し、前記接続アセンブリの前記第１の機械式コネクタが、前記外部刺激器を、前記電源の前記正端子及び前記第１の電極に電気的に結合するように構成された、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記電源が正端子及び負端子を有し、前記接続アセンブリの前記第２の機械式コネクタが、前記外部刺激器を、前記電源の前記負端子及び前記第２の電極に電気的に結合するように構成された、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記第１の電極と前記第２の電極の間を前記電流が第１の方向に流れるように構成されたダイオードをさらに備え、前記ダイオードが、前記第１の電極と前記第２の電極の間を前記電流が、前記第１の方向とは反対の第２の方向に流れることを実質的に阻止するように構成された、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
交流電流を直流電流から分離するように構成されたコンデンサをさらに備え、前記コンデンサが、前記電源から前記第１の電極に前記直流電流が流れることを実質的に阻止するように構成された、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
交流電流を直流電流から分離するように構成されたコンデンサをさらに備え、前記コンデンサが、前記交流電流及び前記直流電流のうちの少なくとも一方を前記外部刺激器から前記第１の電極に送達するように構成された、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記接続アセンブリのコネクタが、前記電池と前記外部刺激器の間の無線電気通信を提供するように構成された、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記接続アセンブリのコネクタが、前記電極アセンブリの電極と前記外部刺激器の間の無線電気通信を提供するように構成された、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記接続アセンブリのコネクタが、前記外部刺激器に電気出力を無線伝送するように構成されたコイルである、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
基板に結合された発振器をさらに備え、前記発振器が、前記基板に結合されたコイルに振動を送達して、前記コイルから前記外部刺激器への電気出力の無線伝送を開始させるように構成された、
請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
前記接続アセンブリのコネクタが、前記電源及び前記電極アセンブリのうちの少なくとも一方と、前記外部刺激器と、の間で電流を無線で伝達するように構成されたアンテナである、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
前記基板の前記第１の表面に配置された電気回路をさらに備え、
前記基板がタブ部分を含み、前記電気回路の少なくとも一部が前記タブ部分上の前記基板の前記第１の表面上に配置され、前記基板の前記タブ部分が前記基板の前記第２の表面と接触するよう、かつ前記基板の前記第１の表面上に配置された前記電気回路が折り返しの外縁に沿って延伸するよう、前記タブ部分が折り返されるように構成された、請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
前記基板の一部の上に配置可能なハウジングをさらに備え、
前記ハウジングの表面が、前記外部刺激器の少なくとも一部を取り外し可能に受け取る凹みを画定する、
請求項１に記載の装置。
【請求項１７】
前記外部刺激器を取り外し可能に前記基板に結合させる結合機構をさらに備え、
当該結合機構は、前記外部刺激器の少なくとも一部を受け取る受け取り部を画定し、
当該結合機構は、前記外部刺激器が当該結合機構の前記受け取り部に受け取られたときに、前記外部刺激器の表面を係合する突起を含む、
請求項１に記載の装置。
【請求項１８】
前記接続アセンブリが、前記外部刺激器を前記電源及び前記電極アセンブリのそれぞれに電気的に結合するための前記第１の機械式コネクタ及び前記第２の機械式コネクタのみを含む、請求項１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月26日(2011.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）シリカ、酸化ゲルマニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたはそれらの混合物からなる群から選択される第１酸化物と、
（２）第３族金属酸化物と、
（３）触媒担体の１０質量％以下の量での陰イオンと
を少なくとも含む非晶質触媒担体であって、前記第３族金属酸化物が分子レベルで前記第１酸化物構造中に組み込まれている触媒担体。
【請求項２】
前記第３族金属酸化物が、ＮＭＲ分析によって示される、四面体配置で存在する、請求項１に記載の触媒担体。
【請求項３】
前記第１酸化物が、シリカ、またはケイ藻土を含み、前記第３族金属酸化物がアルミナを含む、請求項１または２に記載の触媒担体。
【請求項４】
前記シリカが、シリカゲルビーズである、請求項３に記載の触媒担体。
【請求項５】
前記シリカゲルビーズの平均直径が２０〜４０００μｍである、請求項４に記載の触媒担体。
【請求項６】
前記第３族金属酸化物の濃度が触媒担体の１〜５０質量％である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の触媒担体。
【請求項７】
前記陰イオンが、Ｃｌ-、（ＣＯ3）2-、（ＳＯ4）2-、ＮＯ3-およびそれらの混合物から選択される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の触媒担体。
【請求項８】
陰イオンの量が多くとも５質量％である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の触媒担体。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の触媒担体と、白金、パラジウム、イリジウム、ロジウム、金、銀またはそれらの混合物からなる群から選択される触媒活性成分とを含む触媒。
【請求項１０】
前記触媒活性成分がパラジウムである触媒であって、過酸化水素の製造のためのアルキルアントラキノン法における水素化反応の触媒作用に使用される、請求項９に記載の触媒。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の触媒担体の調製方法であって、
（ａ）前記第１酸化物を、第３族金属酸化物の無水源、および水と１１より上のｐＨで混合し、こうして懸濁液を形成する工程と、
（ｂ）任意選択的に前記触媒担体を水で洗浄する工程と、
（ｃ）前記触媒担体を水から分離する工程と、
（ｄ）任意選択的に前記触媒担体を乾燥させる工程および／またはカ焼する工程と
を含む方法。
【請求項１２】
工程（ａ）の温度が３０〜９０℃の範囲にある、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第３族金属酸化物の無水源が金属−［第３族金属］酸化物を含む、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
工程（ａ）における混合物が５〜９０分間撹拌される、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
還元反応を触媒するための触媒としての触媒活性成分と請求項１〜１０のいずれか一項に記載の触媒担体との使用。
【請求項１６】
水素化反応を触媒するための触媒としての触媒活性成分と請求項１５に記載の触媒担体との使用。
【請求項１７】
過酸化水素の製造のためのアルキルアントラキノン法における水素化反応を触媒するための触媒としての触媒活性成分と請求項１６に記載の触媒担体との使用。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月13日(2011.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２７】
前記カセットのうちの１個以上が、前記流通路に備えられた少なくとも１個の相互作用誘導通路（５）を備え、前記ソケット（８）は流体相互作用部材が該ソケットに存在する時に該相互作用誘導通路内を流れる前記流体が、前記流体相互作用部材と相互作用するように、該相互作用誘導通路（５）に拡張する、請求項１５または、前記カセットのうちの１個以上が、前記流体相互作用部材を収容するように適応されたソケット（８）を備える場合の請求項１６から請求項２６のいずれかに記載の流体処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３０】
前記相互作用誘導通路の形状が、該相互作用誘導通路を通る前記流体の加速をもたらす請求項３、または、前記カセットのうちの１個以上が、前記流通路に相互作用誘導通路を備える場合の請求項４から請求項２９のいずれかに記載の流体処理装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３３】
１個以上の相互作用部材が、前記ソケットに配置される請求項１５または、前記カセットのうちの１個以上が、前記流体相互作用部材を収容するように適応されたソケット（８）を備える場合の請求項１６から請求項３２のいずれかに記載の流体処理装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６８】
前記ソケット（８）のうちの１個以上が、前記流体相互作用部材が該ソケットから取り外され、またそれらに挿入されて可逆的であり得るように解放可能な様式で１個以上の流体相互作用部材を収容するように適応されている請求項１５または、前記カセットのうちの１個以上が、前記流体相互作用部材を収容するように適応されたソケット（８）を備える場合の請求項１６から請求項６７のいずれかに記載の流体処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月18日(2011.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程：
１．排ガスから二酸化硫黄を、第一のスクラバー段階（ｃ）においてアンモニア又はアンモニウム化合物によって部分的に分離し、
２．該排ガスを、次いで第二のスクラバー段階（ｄ）に移送し、
３．第一のスクラバー段階（ｃ）において分離されなかった二酸化硫黄を、第二のスクラバー段階（ｄ）に酸化剤を添加することによって硫酸へと酸化し、且つ分離し、それによって、第一のスクラバー段階（ｃ）から放出されたアンモニアを同時に、形成された硫酸により第二のスクラバー段階（ｄ）において分離する、
工程を含む排ガスの浄化法であって、第二のスクラバー段階（ｄ）における酸化を、過酸化水素の添加により実施する排ガスの浄化法。
【請求項２】
第一のスクラバー段階（ｃ）において、可変の所望のｐＨ値を、アンモニアの制御された添加によって４〜６の間の範囲に調節することを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】
所望のｐＨ値を、２〜４の範囲にある第二のスクラバー段階（ｄ）におけるｐＨ値に基づいてカスケード制御によって調節することを特徴とする、請求項２記載の方法。
【請求項４】
排ガス中の二酸化硫黄対アンモニアのモル濃度比が、第二のスクラバー段階（ｄ）に入る前に０．５〜２の間にあることを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
第一のスクラバー段階後の排ガス中の二酸化硫黄チャージに対しての添加する酸化剤のモル質量流束比が１〜２であることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
第一のスクラバー段階後の排ガス中の二酸化硫黄チャージに対しての酸化剤のモル質量流束比が１〜１．５であることを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
第一のスクラバー段階後の排ガス中の二酸化硫黄に対しての酸化剤のモル質量流束比が１．２〜１．３であることを特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
第二のスクラバー段階（ｄ）におけるｐＨ値が１〜５の間にあることを特徴とする、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
第二のスクラバー段階におけるｐＨ値が２〜４の間にあることを特徴とする、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
第二のスクラバー段階におけるｐＨ値が約３であることを特徴とする、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
水、硫酸及び硫酸アンモニウム及び過剰の過酸化水素の混合物を、第二のスクラバー段階から第一のスクラバー段階へと分離することを特徴とする、請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
塵埃（ａ）の分離が、２つのスクラバー段階（ｃ、ｄ）に対して予め据え付けてられていることを特徴とする、請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
織物フィルター又は電子フィルター（ａ）を、塵埃の分離のために用いることを特徴とする、請求項１から１２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
塵埃の分離後及び二酸化硫黄の分離前に、塩酸及びフッ化水素酸及びＨｇＣｌ2を分離することを特徴とする、請求項１から１３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
排ガスを、塩酸及びフッ化水素酸の分離中に水噴射によって飽和温度に冷却することを特徴とする、請求項１から１４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１６】
ＨＣｌ分離中にｐＨ値を−１〜３に調節することを特徴とする、請求項１から１５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１７】
ＨＣｌ分離中にｐＨ範囲を０〜２の間に調節することを特徴とする、請求項１から１６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１８】
請求項１から１７までのいずれか１項記載の方法を実施するための装置であって、
ａ）フライアッシュ（６）を分離するための塵埃分離器（ａ）
ｂ）急冷装置（１７）及び塩酸及びフッ化水素酸を分離するための分離管（７）を有するスクラバー装置（ｂ）
ｃ）アンモニアのための供給管（１０）及び硫酸アンモニウム／亜硫酸アンモニウム水溶液のための分離管（１９）及び排ガスを第二のスクラバー段階（ｄ）に移送するための導管（１１）を有する第一のスクラバー段階（ｃ）
ｄ）過酸化水素水溶液を供給するための供給管（１２）、処理ガスのための分離管（１３）及び硫酸及び硫酸アンモニウム及び過剰の過酸化水素の水溶液を第一のスクラバー段階（ｃ）に返送するための導管（５）を有する酸化プロセスのための第二のスクラバー段階（ｄ）を含む装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰｔＣｏ、ＰｔＮｉ、ＰｔＦｅ、ＰｔＲｕ、ＰｔＰｄ、ＰｔＣｕ、及びＰｄＦｅからなる群から選択される合金を含む触媒であって、
前記合金は、異なる合金化の程度を有する少なくとも２種の相中に存在し、
個々の相は、それぞれ不規則な配置で並列して存在する金属微結晶を形成し、これにより前記合金の個々の相の金属微結晶からなる不均質な微細構造が生じ、且つ
個々の相中の前記金属微結晶の大きさは、１〜１０ｎｍの範囲であることを特徴とする触媒。
【請求項２】
前記触媒が支持体を含み、該支持体に前記合金が施され又は前記合金が該支持体に不均一に混合されることを特徴とする請求項１に記載の触媒。
【請求項３】
前記支持体が、炭素の支持体であることを特徴とする請求項２に記載の触媒。
【請求項４】
前記相が、異なる格子定数を有する立方晶であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の触媒。
【請求項５】
前記合金が、０．３８８ｎｍ及び０．３６９ｎｍの格子定数を有する前記相を伴うＰｔＣｏ合金であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の触媒。
【請求項６】
ＰｔＣｏ、ＰｔＮｉ、ＰｔＦｅ、ＰｔＲｕ、ＰｔＰｄ、ＰｔＣｕ、及びＰｄＦｅからなる群から選択される合金を含む触媒の製造方法であって、
（ａ）支持体の存在下において溶液から前記合金を形成する複数の金属の塩の連続沈殿により合金化される前記金属から合金を形成する工程、及び
（ｂ）窒素及び水素の存在下において前記合金を、該合金のタンマン温度より高く、且つ該合金の融点より低い温度で加熱処理する工程
を含む方法。
【請求項７】
保護ガスの存在下での乾燥処理が、前記沈殿後に実施されることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記保護ガスが、Ｎ2であることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
第１の金属の塩がＰｔ（ＮＯ3）2であり、第２の金属の塩がＣｏ（ＮＯ3）2であることを特徴とする請求項６〜８の何れか１項に記載の方法。
【請求項１０】
触媒が、燃料電池の電極材料として使用される請求項１〜５の何れか１項に記載の触媒。
【請求項１１】
前記燃料電池が、メタノール燃料電池であることを特徴とする請求項１０に記載の触媒。
【請求項１２】
前記触媒に使用される電極が、カソードであることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の触媒。