【事件の表示】
　特願２００６−３９３６３号「ポストＣＭＰ処理液、およびこれを用いた半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年８月３０日出願公開、特開２００７−２２０８９１号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯  
　本件に係る出願（以下「本願」という。）は、平成１８年２月１６日の出願であって、平成２３年１月２１日付けで拒絶査定がなされ（発送日：同年１月２５日）、これに対し、同年４月２２日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。  
 　 
２．本願発明について 
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、出願当初の特許請求の範囲、明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 
「水と、
　０．０１ｗｔ％以上１ｗｔ％以下の濃度で配合され、表面にカルボキシル基およびスルホニル基を有し、一次粒子径が１０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の樹脂粒子と、
　カルボキシル基を有する第一の界面活性剤と、
　スルホニル基を有する第二の界面活性剤と、
　テトラメチルアンモニウムヒドロキシドとを含有し、
　ｐＨが４以上９以下であり、絶縁膜および導電膜の研磨速度が１０ｎｍ／ｍｉｎ以下であることを特徴とするポストＣＭＰ処理液。」 
　
３．刊行物について 
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００４−１４６５８２号公報（以下「刊行物１」という。）には、図面と共に以下の事項が記載されている。 
a)「【請求項１】
表面に官能基を有する樹脂粒子
【請求項２】
樹脂粒子と、官能基を含む添加剤とが水に配合されてなり、絶縁膜および導電膜の研磨速度が１０ｎｍ／ｍｉｎ以下であることを特徴とするポストＣＭＰ処理液。
【請求項３】
前記樹脂粒子は、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリエチレングリコール、ポリ酢酸ビニル、ポリブタジエン、ポリイソブチレン、ポリプロピレン、およびポリオキシメチレンからなる群から選択される少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項１または２に記載のポストＣＭＰ処理液。
【請求項４】
前記
官能基は、カルボキシル基、アミノ基、およびスルホニル基からなる群から選択される少なくとも一種を含むこと
【請求項５】
前記樹脂粒子の一次粒子径は１０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載のポストＣＭＰ処理液。
【請求項６】
前記樹脂粒子の粒子濃度は、０．０１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載のポストＣＭＰ処理液。
【請求項７】
キレート錯体化剤をさらに含有することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載のポストＣＭＰ処理液。
【請求項８】
界面活性剤をさらに含有することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載のポストＣＭＰ処理液。」（【特許請求の範囲】。下線は当審にて付与。以下同様。） 
b)「【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造に用いられる処理液および半導体装置の製造方法に係り、特に
化学的機械的研磨（ＣＭＰ）後処理に使用される処理液
【従来の技術】
近年、ＬＳＩの高集積化に伴なって配線の微細化が急速に進みつつある。これに加えて、配線ＲＣの遅延を緩和するためには新材料の導入が必須とされ、現在、導電材料としては低抵抗のＣｕ（ρ：１．８μΩｃｍ）、絶縁材料としては低誘電率（ｋ：＜２．５）の絶縁膜が用いられようとしている。
　Ｃｕ配線は、ＣＭＰを用いてダマシン配線として形成されるのが主流である。ＣＭＰにより研磨を進めることによって、配線間の導電性物質が除去されるので、従来のＡｌ配線のようなＲＩＥにより形成された配線と比較して、ショートしにくい配線が得られる。
　ＣＭＰを経た絶縁膜および配線の表面には、ダスト（研磨粒子や削れかす）、未反応スラリーといった物質が不可避的に残留する。こうした物質は、従来、キレート錯体化剤および界面活性剤を含有する洗浄液によって除去されていたが、配線間隔が狭まるにしたがって、対応できなくなりつつある。
　次世代で要求される配線間隔は０．１μｍ以下と微細であるので、従来では大きな問題とならなかった少量の微小な残留物質が、配線間ショートや絶縁膜の耐圧劣化といった配線不良を引き起こすおそれがある。
　また、ほとんどの低誘電率絶縁膜には有機成分が含有されていることから、その表面は疎水性を示し、水に馴染みにくい。このため、ＣＭＰの処理中および洗浄中には、絶縁膜表面にダストが吸着されやすい。しかも、吸着したダストは、除去されにくく、正常に電気的分離がなされた配線が形成できない要因にもなっている。低誘電率絶縁膜はまた、スクラッチが生じやすいという欠点も有している。
　なお、上述したような導電材料や絶縁材料に対するＣＭＰの処理で用いられるスラリーとしては、樹脂粒子と無機粒子とを複合化させた複合粒子を水中に分散させてなるものが提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２および特許文献３参照）。
【特許文献１】
特開２０００−２６９１６９公報
【特許文献２】
特開２０００−２６９１７０公報
【特許文献３】
特開２００１−１５４６２公報
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、
配線層や絶縁膜表面の付着物質を効率よく除去することができるポストＣＭＰ処理液
を提供することを目的とする
c)「【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を説明する。
　本発明者らは、ＣＭＰ直後における配線層の表面に残留したダスト等の除去は、溶解、化学的作用、機械的作用、および界面活性といった４つの基本作用の組み合わせによって、従来達成されていたと考えた。例えば、化学的作用を付与するためのキレート錯体化剤と界面活性のための界面活性剤とが、溶解のための純水に含有されてなる処理液を用い、この処理液が供給された表面を研磨布で研磨することによって、機械的作用が与えられる。
　一方、化学的作用や界面活性といった作用が必ずしも存在しなくても、十分な機械的作用を与えることによって、ダスト等の残留物質を微細な配線層の表面から除去できることが本発明者らによって見出された。すなわち、本発明の態様の処理液を用い、安定して水中に分散された樹脂粒子により十分な機械的作用を与えれば、微細な配線層表面の付着物質を実質的に除去できることがわかった。
　本発明の実施形態においては、配線層や絶縁膜の表面から残留物質を除去することが目的であり、ＳｉＯ２のような絶縁膜、およびＣｕ、Ｔａなどの導電膜の研磨は求められない。むしろ、絶縁膜や導電膜は、本発明の実施形態にかかる処理液を用いた処理によって研磨されてはならないため、本発明の実施形態にかかる処理液の
絶縁膜や導電膜の研磨速度は、１０ｎｍ／ｍｉｎ以下に規定される
　樹脂粒子の材質としては、例えば、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリエチレングリコール、ポリ酢酸ビニル、ポリブタジエン、ポリイソブチレン、ポリプロピレン、およびポリオキシメチレンなどが挙げられる。樹脂粒子は、単一材質のものを単独で用いてもよいし、互いに異なる材質からなる２種以上の樹脂粒子を組み合わせて用いてもよい。
　残留物質の除去に研磨布が用いられる場合には、その材質は、不織布、スポンジ、発泡体、および無発泡体などとすることができる。いずれの材質でも樹脂粒子に十分な機械的作用を与えて、残留物質を効率よく除去することができる。
　こうした樹脂粒子を、純水やイオン水等の水中に分散させて、本発明の実施形態にかかる処理液が得られる。樹脂粒子は、官能基が存在することによって、水中に安定して分散させることができる。しかも、官能基の作用によって、樹脂粒子に界面活性効果が付与されるので、洗浄効果も高められる。残留物質への吸着を促進して洗浄効果をより高めるためには、水中において残留物質と逆の電位となる官能基を選択することが好ましい。
　後述するように、本発明の実施形態にかかる処理液は、キレート錯体化剤や界面活性剤などを添加することによって、洗浄効果をさらに高めることができる。こうした添加剤は、アニオン性のものが多いため、溶液中での安定分散を考慮すると、
樹脂粒子表面も同様にアニオン性であることが望ましい
水中でアニオン（例えば−ＣＯＯ
−
、−ＳＯ
３
−
など）を生じる官能基としては、カルボキシル基およびスルホニル基が挙げられ
　
官能基は、例えば樹脂粒子の表面に結合して存在し、この場合、極微量であっても樹脂粒子表面に存在していれば官能基の機能が発揮される。あるいは、官能基を含む添加剤を別途配合することも可能である
添加剤のうち、ドデシルベンゼンスルホン酸またはその塩は、疎水部にアルキル鎖とベンゼン環とが存在するため、疎水性材料に対する吸着性が良好である。しかも親水部には、水とも親和性が高いスルホン酸が存在するので、ドデシルベンゼンスルホン酸またはその塩は、それ自体で洗浄効果を高める界面活性剤としての作用も有する
・・・
　樹脂粒子と官能基とを含有する処理液には、必要に応じて、キレート錯体化剤、および界面活性剤などを加えてもよい。こうした成分を加えることによって、除去効果をよりいっそう高めることができる。
　キレート錯体化剤としては、例えば、シュウ酸、クエン酸、マロン酸、酒石酸、リンゴ酸、および乳酸などの有機酸；アンモニア、およびエチレンジアミンなどの塩基性塩などが挙げられる。こうしたキレート錯体化剤は、例えば０．０１〜１ｗｔ％程度の量で配合することができる。また界面活性剤としては、例えば、ポリアクリル酸、およびポリカルボン酸等が挙げられ、例えば０．００１〜１ｗｔ％程度の量で配合することができる。
　上述したような処理液をＣＭＰ後の表面に供給し、研磨布、ロール、またはペンシルといった部材により機械的作用をさらに与えることによって、配線層および絶縁膜の表面から残留物質を除去して、電気特性の高い半導体装置を得ることができる。」（段落【0015】〜【0028】） 
d)「本発明の一実施形態にかかる方法を用い、Ｃｕダマシン配線を形成した例について説明する。
　図１は、本発明の一実施形態にかかる方法を表わす工程断面図である。
　まず、図１（ａ）に示すように、素子（図示せず）が形成された
半導体基板１００上に
積層絶縁膜１０３
配線材料膜１０６を堆積する
　無機絶縁膜１０１には、Ｗ（タングステン）からなるプラグ１０２が埋め込まれている。積層絶縁膜は、
比誘電率が２．５未満の第１の絶縁膜１０３と
　第１の絶縁膜１０３は、例えば、ポリシロキサン、ハイドロジェンシロセスキオキサン、ポリメチルシロキサン、メチルシロセスキオキサンなどのシロキサン骨格を有する膜、ポリアリーレンエーテル、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾシクロブテンなどの有機樹脂を主成分とする膜、および多孔質シリカ膜などのポーラス膜からなる群から選択される少なくとも一種を用いて形成することができる。こうした材料からなる第１の絶縁膜は脆弱である。
　この上に形成される第２の絶縁膜１０４はキャップ絶縁膜として作用し、例えば、ＳｉＣ、ＳｉＣＨ、ＳｉＣＮ、ＳｉＯＣ、ＳｉＮ、およびＳｉＯＣＨからなる群から選択される少なくとも一種の比誘電率２．５以上の絶縁材料を用いて形成することができる。こうした材質から構成される第２の絶縁膜１０４の表面は、疎水性を有する。なお、ＳｉＯ、ＳｉＯＰ、ＳｉＯＦ、およびＳｉＯＮなどの親水性を有する絶縁膜でも、ＣＭＰ後に残留物質が付着することがある。こうした絶縁膜に対しても、本発明の実施形態にかかる処理液は好適に用いることができる。
　バリアメタル膜１０５および配線材料１０６は、上述したような積層絶縁膜に配線溝を設けた後、全面に堆積される。バリアメタル膜１０５は、Ｔａにより膜厚１０ｎｍで形成することができ、
配線材料膜１０６は、Ｃｕにより
形成する
　なお、図１（ａ）に示す例においては、バリアメタル膜１０５および配線材料膜１０６が設けられる絶縁膜は、第１の絶縁膜１０３と第２の絶縁膜１０４との積層構造であるが、単層の絶縁膜を用いてもよい。この場合の絶縁膜は、例えば、ブラックダイアモンド（アプライドマテリアル社製）等により形成することができる。こうした材料からなる絶縁膜もまた、表面は疎水性を有する。
　次いで、バリアメタル膜１０５および配線材料膜１０６の不要部分をＣＭＰにより除去し、図１（ｂ）に示すように第２の絶縁膜１０４の表面を露出した。ＣＭＰは、配線材料膜１０６の除去（１ｓｔポリッシュ）およびバリアメタル膜１０５の除去（２ｎｄポリッシュ）の２工程で行ない、その条件は以下のとおりとした。
　（１ｓｔポリッシュ）
スラリー：ＣＭＳ７３０３／７３０４（ＪＳＲ社製）
流量：２５０ｃｃ／ｍｉｎ
研磨パッド：ＩＣ１０００（ロデールニッタ社製）
荷重：３００ｇｆ／ｃｍ２キャリアおよびテーブルの回転数は、いずれも１００ｒｐｍとして、１分間の研磨を行なった。
　（２ｎｄポリッシュ）
スラリー：ＣＭＳ８３０１（ＪＳＲ社製）
流量：２００ｃｃ／ｍｉｎ
研磨パッド：ＩＣ１０００（ロデールニッタ社製）
荷重：３００ｇｆ／ｃｍ２キャリアおよびテーブルの回転数は、いずれも１００ｒｐｍとして、３０秒間の研磨を行なった。
　
２ｎｄポリッシュ直後には
研磨粒子１０７、研磨生成物１０８などの物質が
配線材料膜１０６上に付着している
　こうした
付着物質を
処理液により洗浄して除去する
e)「本発明の実施形態にかかる処理液は、以下のような手法により調製した。
（実施例１）
樹脂粒子として、表面にカルボキシル基を有するＰＭＭＡ粒子
一次粒子径：１０ｎｍ
純水に分散させ
（実施例２〜６）
樹脂粒子の濃度を
０．１ｗｔ％
に
した
・・・
（実施例１２）
官能基を含む添加剤としてドデシルベンゼンスルホン酸カリウム０．１ｗｔ％を含有する純水に、樹脂粒子としてのＰＭＭＡ粒子（一次粒子径：１０ｎｍ）０．１ｗｔ％を分散させて、実施例１２の処理液を調製した。本実施例の処理液においては、官能基は、樹脂粒子の表面に結合しているのではなく、ドデシルベンゼンスルホン酸カリウムから与えられる。
（実施例１３）
実施例３と同様の組成の処理液に、有機酸（キレート錯体化剤）としてのシュウ酸０．２ｗｔ％を添加して、実施例１３の処理液を調製した。
（実施例１４）
実施例３と同様の組成の処理液に、有機酸（キレート錯体化剤）としてのクエン酸０．２ｗｔ％を添加して、実施例１４の処理液を調製した。
（実施例１５）
実施例１４と同様の組成の処理液に、
界面活性剤としてのポリアクリル酸
を添加し
（実施例１６）
樹脂粒子として、表面にスルホニル基を有するポリスチレン粒子（一次粒子径：１０ｎｍ）を用意し、これを０．１ｗｔ％の濃度で純水に分散させて、実施例１６の処理液を調製した。
（実施例１７）
樹脂粒子として、表面にアミノ基を有するポリスチレン粒子（一次粒子径：１０ｎｍ）を用意し、これを０．１ｗｔ％の濃度で純水に分散させて、実施例１７の処理液を調製した。
（実施例１８）
官能基を含む添加剤としてアルケニルコハク酸０．１ｗｔ％を含有する純水に、樹脂粒子としてのＰＭＭＡ粒子（一次粒子径：１０ｎｍ）０．１ｗｔ％を分散させて、実施例１８の処理液を調製した。本実施例の処理液においては、官能基としてのカルボキシル基は、樹脂粒子の表面に結合しているのではなく、アルケニルコハク酸から与えられる。」（段落【0042】〜【0055】）
　
　上記a〜eの記載事項および図面の図示内容を総合勘案して、実施例１５を中心にまとめると、刊行物１には、次の発明が記載されていると認められる。 
「配線層や絶縁膜表面の付着物質を効率よく除去することができるポストＣＭＰ処理液を提供することを目的として、
　純水と、
　純水に分散され、０．１ｗｔ％の濃度にし、表面にカルボキシル基を有し、一次粒子径が１０ｎｍであるＰＭＭＡ粒子と、
　界面活性剤としてのポリアクリル酸とを含有し、
　絶縁膜や導電膜の研磨速度は、１０ｎｍ／ｍｉｎ以下に規定され、
　半導体基板１００上に、比誘電率が２．５未満の第１の絶縁膜１０３やＣｕにより形成された配線材料膜１０６等を堆積し、
　２ｎｄポリッシュ直後に配線材料膜１０６上に付着している研磨粒子１０７、研磨生成物１０８などの物質を洗浄して除去する、
　化学的機械的研磨（ＣＭＰ）後処理に使用される処理液。」
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特表２００３−５１２７４１号公報（以下「刊行物２」という。）には、図面と共に以下の事項が記載されている。 
a)「【請求項１５】
（ａ）水
　
（ｂ）ヒドロキシルアンモニウム塩
　
（ｃ）カルボン酸、および
　
（ｄ）フッ素含有化合物からなる組成物を金属基板に塗布する工程を含む、低ｋ中間層を有する金属基板上の残留物を除去するための方法
【請求項１６】組成物がさらに塩基を含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】組成物がさらに水混和性有機溶媒を含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】組成物が約２〜６のｐＨを有する請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
金属基板が銅基板である
【請求項２０】前記塗布工程を、基板を浸漬するかまたは基板上へ前記組成物を噴霧することによって実施する請求項１５に記載の方法。」（【特許請求の範囲】）
b)「【発明の技術分野】
　本発明は、マイクロエレクトロニクスの用途で使用するための組成物に関する。より詳しくは、本発明は、低誘電率（低ｋ）中間層を有する金属基板をプラズマエッチングおよび／または
化学機械研摩（ＣＭＰ）した後に残っている
c)「製造プロセスにおける必須工程は、ウエハー表面からの残留物の除去である。シリコンまたはアルミニウムウエハー表面を洗浄するための洗浄組成物は、当分野でよく知られている。しかし、低ｋ中間層を含む金属基板から酸化物残留物を選択的にエッチングするのに有効な組成物は、容易に入手可能でない。銅および低いｋ材料に対する業界の動きに伴って、低ｋ中間層を傷つけることなく金属基板すなわち銅から残留物を除去するために特別に処方されたこのような組成物の必要性が生じてきた。」（段落【0005】）
d)「場合により、
組成物は塩基を含む
塩基は組成物のｐＨを調節するために用い、それは約２〜６でなければならない
ｐＨは、塩基を加えることによって調節される
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）
e)「本発明は、さらに添加剤を含むことができる。キレート性化合物または界面活性剤といったような添加剤は、ウエハー表面から微粒子および／または金属の汚染物を除去する際に本発明の組成物の有効性を高めることができる。適切な添加剤は、例えば非イオン性界面活性剤、特にＣＳ-１として知られているキレート性基の付いたポリオキシエチレンタイプの界面活性剤であり、それはＢＡＳＦから商業的に入手可能である。」（段落【0017】）
f)「また、本発明は、（ａ） 水、（ｂ）ヒドロキシルアンモニウム塩、（ｃ）カルボン酸、および（ｄ）フッ素含有化合物からなる組成物を金属基板に塗布する工程からなる、低ｋ中間層を有する、銅、アルミニウム、タンタルまたはタングステンといったような金属基板上の残留物を除去するための方法を含む。例えば、組成物は、超音波処理を用いてまたは用いずに、金属基板上に組成物を浸すかまたは噴霧することによって塗布することができる。また、組成物は、塩基および／または水-混和性有機溶媒を含むことができる。また、組成物は約２〜６のｐＨを有することが好ましい。より好ましくは、ｐＨは約３.０〜４.５でなければならない。」（段落【0019】）
　
　上記a〜fの記載事項および図面の図示内容を総合勘案すると、刊行物２には、次の発明が記載されていると認められる。 
「(a)水、
　(b)ヒドロキシルアンモニウム塩、
　(c)カルボン酸、
　(d)フッ素含有化合物、および
　(e)ｐＨを約２〜６に調節するために用いられる塩基としてのテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）からなる、
　低ｋ中間層を有する銅基板に塗布され、化学機械研摩（ＣＭＰ）した後の銅基板上残留物を除去するための組成物。」
　
４．対比 
　本願発明と刊行物１に記載された発明とを対比する。 
　刊行物１に記載された発明の「純水」は、その構成および機能からみて、本願発明の「水」に相当し、以下同様に、 
　「絶縁膜や導電膜の研磨速度は、１０ｎｍ／ｍｉｎ以下に規定される」ことは、「絶縁膜および導電膜の研磨速度が１０ｎｍ／ｍｉｎ以下である」ことに、
　「化学的機械的研磨（ＣＭＰ）後処理に使用される処理液」は、「ポストＣＭＰ処理液」に、
それぞれ相当する。
　そして、刊行物１に記載された発明の「純水に分散され、０．１ｗｔ％の濃度にし、表面にカルボキシル基を有し、一次粒子径が１０ｎｍであるＰＭＭＡ粒子」と本願発明の「０．０１ｗｔ％以上１ｗｔ％以下の濃度で配合され、表面にカルボキシル基およびスルホニル基を有し、一次粒子径が１０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の樹脂粒子」とは、前者における「０．１ｗｔ％」は、０．０１ｗｔ％以上１ｗｔ％以下に含まれ、また、前者における「一次粒子径が１０ｎｍである」ことは、一次粒子径が１０ｎｍ以上６０ｎｍ以下に含まれることから、両者は、「０．０１ｗｔ％以上１ｗｔ％以下の濃度で配合され、表面にカルボキシル基を有し、一次粒子径が１０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の樹脂粒子」である点で共通し、同様に、
　「界面活性剤としてのポリアクリル酸」と「カルボキシル基を有する第一の界面活性剤と、スルホニル基を有する第二の界面活性剤」とは、前者の「ポリアクリル酸」が、カルボキシル基を含むことから、両者は、「カルボキシル基を有する界面活性剤」である点で共通する。
　
　したがって、上記両者の一致点および相違点は、次のとおりである。
［一致点］  
「水と、
　０．０１ｗｔ％以上１ｗｔ％以下の濃度で配合され、表面にカルボキシル基を有し、一次粒子径が１０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の樹脂粒子と、
　カルボキシル基を有する界面活性剤とを含有し、
　絶縁膜および導電膜の研磨速度が１０ｎｍ／ｍｉｎ以下であるポストＣＭＰ処理液。」
　 
［相違点１］
　樹脂粒子が、本願発明では、表面にカルボキシル基およびスルホニル基を有するのに対して、刊行物１に記載された発明では、表面にカルボキシル基を有するが、表面にスルホニル基を有するか否か明らかでない点。
　
［相違点２］
　界面活性剤として、本願発明では、カルボキシル基を有する第一の界面活性剤と、スルホニル基を有する第二の界面活性剤とを含むのに対して、刊行物１に記載された発明では、カルボキシル基を有する界面活性剤を含むが、スルホニル基を有する界面活性剤を含むか否か明らかでない点。
　
［相違点３］
　本願発明では、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドを含有し、ｐＨが４以上９以下であるのに対して、刊行物１に記載された発明では、当該発明特定事項を具備するか否か明らかでない点。
　
５．当審の判断  
（１）上記相違点１について
　刊行物１の前記３．（１）cの「
官能基は、例えば樹脂粒子の表面に結合して存在し、この場合、極微量であっても樹脂粒子表面に存在していれば官能基の機能が発揮される。あるいは、官能基を含む添加剤を別途配合することも可能である
添加剤のうち、ドデシルベンゼンスルホン酸またはその塩は、疎水部にアルキル鎖とベンゼン環とが存在するため、疎水性材料に対する吸着性が良好である。しかも親水部には、水とも親和性が高いスルホン酸が存在するので、ドデシルベンゼンスルホン酸またはその塩は、それ自体で洗浄効果を高める界面活性剤としての作用も有する
　また、刊行物１の前記３．（１）aの「
表面に官能基を有する樹脂粒子
官能基は、カルボキシル基、アミノ基、およびスルホニル基からなる群から選択される少なくとも一種を含む
樹脂粒子表面も同様にアニオン性であることが望ましい
水中でアニオン（例えば−ＣＯＯ
−
、−ＳＯ
３
−
など）を生じる官能基としては、カルボキシル基およびスルホニル基が挙げられ
　してみると、刊行物１に記載された発明において、ＰＭＭＡ粒子の表面にカルボキシル基を有することに加えて、スルホニル基の機能を考慮してカルボキシル基とスルホニル基とを併せ有することは、当業者が容易になし得たものである。
　
（２）上記相違点２について
　上記（１）において検討したように、刊行物１には、処理液にスルホニル基を有する界面活性剤を添加すると、疎水性材料に対する吸着性が良好であるのみならず、洗浄効果を高める作用も有することが記載されている。
　そして、刊行物１に記載された発明の処理液は、カルボキシル基を有する界面活性剤として、ポリアクリル酸を含むものである。
　また、上記（１）において検討したように、刊行物１に記載された発明において、樹脂粒子の表面に、カルボキシル基およびスルホニル基を同時に有することが容易である。
　してみると、刊行物１に記載された発明において、ＰＭＭＡ粒子表面に、カルボキシル基とスルホニル基とを併せ有することと同様にして、添加剤として、カルボキシル基を有する界面活性剤と、スルホニル基を有する界面活性剤のそれぞれの界面活性剤の有する機能を考慮して、両者を同時に処理液に含有させることは、当業者が容易になし得たものである。
　
（３）上記相違点３について
　本願発明と刊行物２に記載された発明とを対比する。 
　刊行物２に記載された発明の「ｐＨを約２〜６に調節するために用いられる塩基としてのテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）」と本願発明の「テトラメチルアンモニウムヒドロキシド」「を含有し、ｐＨが４以上９以下」であることとは、本願明細書の「
ｐＨを調整することができ
　そして、刊行物２に記載された発明の「低ｋ中間層を有する銅基板に塗布され、化学機械研摩（ＣＭＰ）した後の銅基板上残留物を除去するための組成物」は、その構成及び機能からみて本願発明の「ポストＣＭＰ処理液」に相当する。
　したがって、刊行物２に記載された発明は、
「ｐＨを４〜６に調整するために用いられるテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを含むポストＣＭＰ処理液」と言い換えることができる。
　また、半導体基板処理の技術分野において、処理液のｐＨを４〜９に調整するｐＨ調整剤として、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）を使用することは本願出願前に周知の技術事項である（例えば、国際公開第２００５／７５７１１号には、ＴＭＡＨによりｐＨを２〜１０に調整すること（段落【0071】）が、国際公開第２００５／７３４２９号には、ＴＭＡＨによりｐＨを７〜１２に調整すること（段落【0057】）が示されている。）。
　さらに、刊行物１に記載された発明と刊行物２に記載された発明とは、低ｋ中間層を有する銅配線膜に塗布され、ＣＭＰ後の銅基板上残留物を除去するための処理液という同一の技術分野に属する発明である。
　そのうえ、本願発明が、絶縁膜や導電膜の種類や材質、樹脂粒子の材料や強度、及び、ＣＭＰ処理の内容等を十分に特定せずに、ポストＣＭＰ処理液のｐＨを４以上９以下としたことに臨界的意義を確認することはできない。　してみると、刊行物１に記載された発明に、絶縁膜や導電膜表面の付着物質を効率よく除去するために、刊行物２に記載された発明を適用して、ｐＨ調整剤としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）を用いること、その際に、絶縁膜や導電膜表面の付着物質を効率よく除去するために、処理液による処理対象物の種類や、量を考慮して、ｐＨ調整剤であるテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）によりｐＨを４以上９以下に調整して、上記相違点３に係る本願発明が具備する発明特定事項に到達することは、当業者が容易になし得たものである。
　
（４）小括
　本願発明の奏する効果は、刊行物１〜２に記載された発明及び周知の技術事項から当業者が予測できた効果の範囲内のものである。
　したがって、本願発明は、刊行物１〜２に記載された発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものである。
　
６．むすび  
　以上のとおりであるから、本願発明は、刊行物１〜２に記載された発明および周知の技術事項から当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　 
　したがって、本願は他の請求項について検討するまでもなく拒絶すべきものである。　　  
 　 
　よって、結論のとおり審決する。