【事件の表示】
　特願２００１−３９５４４８「高誘電膜を備えた半導体素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　４月　４日出願公開、特開２００３−１００９０８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　
　本願は、平成１３年１２月２６日（パリ条約に基づく優先権主張　２００１年９月１４日、大韓民国）の出願であって、平成１９年１１月２１日付けで手続補正がされ、平成１９年１２月１３日付けで拒絶査定がされ、それに対して平成２０年３月２４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正がされ、その後、平成２２年５月２８日付けで審尋がされ、それに対して、同年８月３１日付けで回答がされたものである。
　
第２．補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　
　平成２０年３月２４日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
　
１．本件補正の内容
　平成２０年３月２４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜２９を、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜２７と補正するとともに、補正前の明細書の段落【００１２】〜【００１５】を補正するものであって、補正前後の本願の特許請求の範囲の記載は、次のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】半導体基板を提供するステップと、
前記半導体基板上にアルミニウムが含まれた第１ゲート酸化膜を形成するステップと、
前記第１ゲート酸化膜上に前記第１ゲート酸化膜より高誘電率を有する第２ゲート酸化膜を形成するステップと、
前記第２ゲート酸化膜上にゲート電極を形成するステップとを含み、
前記第１ゲート酸化膜は、Ａｌ２Ｏ３膜であり、前記第１ゲート酸化膜を形成するステップは、Ａｌ成分のＡｌ（ＯＣ２Ｈ５）３溶液をＭＦＣ（ｍａｓｓ　ｆｌｏｗ　ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を介して蒸発器または蒸発管に供給して酸素を添加させた後、所定の温度範囲内で蒸発させて行う低圧化学気相蒸着法により行われ、
前記第２ゲート酸化膜は、ＴａＯＮ膜であり、前記第２ゲート酸化膜を形成するステップは、低圧化学気相蒸着反応室内にＴａ化合物蒸気ガスと反応ガスであるＮＨ３ガスまたはＯ２ガスをＭＦＣを介して定量供給して、ウェーハ上で発生する表面化学反応を通じて行われる低圧化学気相蒸着法により行われることを特徴とする高誘電膜を備えた半導体素子の製造方法。
（請求項２及び３略）
【請求項４】前記第２ゲート酸化膜を形成するステップは、前記第１ゲート酸化膜を５０Å乃至１００Åの厚さに形成ことを特徴とする請求項１に記載の高誘電膜を備えた半導体素子の製造方法。
（請求項５〜１３略）
【請求項１４】半導体基板を提供するステップと、
前記半導体基板上に第１電極を形成するステップと、
前記第１電極上にアルミニウムが含まれた第１誘電膜を形成するステップと、
前記第１誘電膜上に前記第１誘電膜より高誘電率を有する第２誘電膜を形成するステップと、
前記第２誘電膜上に第２電極を形成するステップとを含み、
前記第１誘電膜は、Ａｌ２Ｏ３膜であり、前記第１誘電膜を形成するステップは、Ａｌ成分のＡｌ（ＯＣ２Ｈ５）３溶液をＭＦＣ（ｍａｓｓ　ｆｌｏｗ　ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を介して蒸発器または蒸発管に供給して酸素を添加させた後、所定の温度範囲内で蒸発させて行う低圧化学気相蒸着法により行われ、
前記第２誘電膜は、ＴａＯＮ膜であり、前記第２誘電膜を形成するステップは、低圧化学気相蒸着反応室内にＴａ化合物蒸気ガスと反応ガスであるＮＨ３ガスまたはＯ２ガスをＭＦＣを介して定量供給して、ウェーハ上で発生する表面化学反応を通じて行われる低圧化学気相蒸着法により行われることを特徴とする高誘電膜を備えた半導体素子の製造方法。
（請求項１５〜１７略）
【請求項１８】前記第２誘電膜を形成するステップは、前記第１誘電膜を５０Å乃至１００Åの厚さに形成ことを特徴とする請求項１４に記載の高誘電膜を備えた半導体素子の製造方法。
（請求項１９〜２９略）」　
　
（補正後）
「【請求項１】半導体基板を提供するステップと、
　前記半導体基板上にアルミニウムが含まれた第１ゲート酸化膜を形成するステップと、
　前記第１ゲート酸化膜上に前記第１ゲート酸化膜より高誘電率を有する第２ゲート酸化膜を形成するステップと、
　前記第２ゲート酸化膜上にゲート電極を形成するステップとを含み、
　前記第１ゲート酸化膜は、Ａｌ２Ｏ３膜であり、前記第１ゲート酸化膜を形成するステップは、Ａｌ成分のＡｌ（ＯＣ２Ｈ５）３溶液をＭＦＣ（ｍａｓｓ　ｆｌｏｗ　ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を介して蒸発器または蒸発管に供給し、所定の温度範囲内で蒸発させて酸素を添加する低圧化学気相蒸着法により行われ、
　前記第２ゲート酸化膜は、ＴａＯＮ膜であり、前記第２ゲート酸化膜を形成するステップは、低圧化学気相蒸着反応室内にＴａ化合物蒸気ガスと反応ガスであるＮＨ３ガスまたはＯ２ガスをＭＦＣを介して定量供給して、ウェーハ上で発生する表面化学反応を通じ低圧化学気相蒸着法により行われ、
　前記第１ゲート酸化膜を形成した後、前記第１ゲート酸化膜を急速熱処理による、または電気炉により行われる熱処理を行い、
　前記第２ゲート酸化膜を形成した後、前記第２ゲート酸化膜を急速熱処理による、または電気炉により行われる熱処理を行うステップをさらに含むことを特徴とする高誘電膜を備えた半導体素子の製造方法。
（請求項２及び３略）
【請求項４】前記第２ゲート酸化膜を形成するステップは、前記第２ゲート酸化膜を５０Å乃至１００Åの厚さに形成することを特徴とする請求項１に記載の高誘電膜を備えた半導体素子の製造方法。
（請求項５〜１２略）
【請求項１３】半導体基板を提供するステップと、
　前記半導体基板上に第１電極を形成するステップと、
　前記第１電極上にアルミニウムが含まれた第１誘電膜を形成するステップと、
　前記第１誘電膜上に前記第１誘電膜より高誘電率を有する第２誘電膜を形成するステップと、
　前記第２誘電膜上に第２電極を形成するステップとを含み、
　前記第１誘電膜は、Ａｌ２Ｏ３膜であり、前記第１誘電膜を形成するステップは、Ａｌ成分のＡｌ（ＯＣ２Ｈ５）３溶液をＭＦＣ（ｍａｓｓ　ｆｌｏｗ　ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を介して蒸発器または蒸発管に供給し、所定の温度範囲内で蒸発させて酸素を添加する低圧化学気相蒸着法により行われ、
　前記第２誘電膜は、ＴａＯＮ膜であり、前記第２誘電膜を形成するステップは、低圧化学気相蒸着反応室内にＴａ化合物蒸気ガスと反応ガスであるＮＨ３ガスまたはＯ２ガスをＭＦＣを介して定量供給して、ウェーハ上で発生する表面化学反応を通じ低圧化学気相蒸着法により行われ、
　前記第１誘電膜を形成した後、前記第１誘電膜を急速熱処理による、または電気炉により行われる熱処理を行い、
　前記第２誘電膜を形成した後、前記第２誘電膜を急速熱処理による、または電気炉により行われる熱処理を行うステップをさらに含むことを特徴とする高誘電膜を備えた半導体素子の製造方法。
（請求項１４〜１６略）
【請求項１７】前記第２誘電膜を形成するステップは、前記第２誘電膜を５０Å乃至１００Åの厚さに形成することを特徴とする請求項１３に記載の高誘電膜を備えた半導体素子の製造方法。
（請求項１８〜２７略）」　　
　
２．補正事項の整理
　本件補正による、本願の特許請求の範囲及び本願の明細書についての補正事項は、以下のとおりである。（下線は補正箇所を示し、当審で付加したもの。）
　
（補正事項１）
・　補正事項１−１
　補正前の請求項５及び請求項１９を削除するとともに、補正前の請求項６〜１８及び請求項２０〜２９を、それぞれ、請求項５〜１７及び請求項１８〜２７とする。
・　補正事項１−２
　補正前の請求項６〜１３、請求項１５〜１８及び請求項２０〜２９の各請求項に記載された引用請求項の番号を、上記請求項の削除による請求項の番号の付け替えに伴い、変更する。
　
（補正事項２）
　補正前の請求項１を下記のとおり補正し、補正後の請求項１とする。
・　補正事項２−１
　補正前の請求項１の「前記第１ゲート酸化膜は、Ａｌ２Ｏ３膜であり、前記第１ゲート酸化膜を形成するステップは、Ａｌ成分のＡｌ（ＯＣ２Ｈ５）３溶液をＭＦＣ（ｍａｓｓ　ｆｌｏｗ　ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を介して蒸発器または蒸発管に供給して酸素を添加させた後、所定の温度範囲内で蒸発させて行う低圧化学気相蒸着法により行われ、」を、「前記第１ゲート酸化膜は、Ａｌ２Ｏ３膜であり、前記第１ゲート酸化膜を形成するステップは、Ａｌ成分のＡｌ（ＯＣ２Ｈ５）３溶液をＭＦＣ（ｍａｓｓ　ｆｌｏｗ　ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を介して蒸発器または蒸発管に供給
し、所
酸素を添加する
・　補正事項２−２
　補正前の請求項１の「ウェーハ上で発生する表面化学反応を通じて行われる低圧化学気相蒸着法により行われる」を、「ウェーハ上で発生する表面化学反応を通
じ低
、
・　補正事項２−３
　補正前の請求項１の「ことを特徴とする高誘電膜を備えた半導体素子の製造方法。」の前に、「
前記第１ゲート酸化膜を形成した後、前記第１ゲート酸化膜を急速熱処理による、または電気炉により行われる熱処理を行い、前記第２ゲート酸化膜を形成した後、前記第２ゲート酸化膜を急速熱処理による、または電気炉により行われる熱処理を行うステップをさらに含む
　
（補正事項３）
　補正前の請求項４の「前記第２ゲート酸化膜を形成するステップは、前記第１ゲート酸化膜を５０Å乃至１００Åの厚さに形成こと」を、「前記第２ゲート酸化膜を形成するステップは、前記第
２
する
　
（補正事項４）
　補正前の請求項１４を下記のとおり補正し、補正後の請求項１３とする。
・　補正事項４−１
　補正前の請求項１４の「前記第１誘電膜は、Ａｌ２Ｏ３膜であり、前記第１誘電膜を形成するステップは、Ａｌ成分のＡｌ（ＯＣ２Ｈ５）３溶液をＭＦＣ（ｍａｓｓ　ｆｌｏｗ　ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を介して蒸発器または蒸発管に供給して酸素を添加させた後、所定の温度範囲内で蒸発させて行う低圧化学気相蒸着法により行われ、」を、「前記第１誘電膜は、Ａｌ２Ｏ３膜であり、前記第１誘電膜を形成するステップは、Ａｌ成分のＡｌ（ＯＣ２Ｈ５）３溶液をＭＦＣ（ｍａｓｓ　ｆｌｏｗ　ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を介して蒸発器または蒸発管に供給
し、所
酸素を添加する
・　補正事項４−２
　補正前の請求項１４の「ウェーハ上で発生する表面化学反応を通じて行われる低圧化学気相蒸着法により行われる」を、「ウェーハ上で発生する表面化学反応を通
じ低
、
・　補正事項４−３
　補正前の請求項１４の「ことを特徴とする高誘電膜を備えた半導体素子の製造方法。」の前に、「
前記第１誘電膜を形成した後、前記第１誘電膜を急速熱処理による、または電気炉により行われる熱処理を行い、　前記第２誘電膜を形成した後、前記第２誘電膜を急速熱処理による、または電気炉により行われる熱処理を行うステップをさらに含む
　
（補正事項５）
　補正前の請求項１８の「前記第２誘電膜を形成するステップは、前記第１誘電膜を５０Å乃至１００Åの厚さに形成こと」を、「前記第２誘電膜を形成するステップは、前記第
２
する
　
 （補正事項６）
　本願明細書の段落【００１２】〜【００１５】の記載を、補正後の請求項１〜２７の記載と一致するように補正すること。
　
３．　補正目的の適否、及び新規事項の追加の有無について
（１）補正事項１について
　補正事項１−１は、特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第１号に掲げる、請求項の削除を目的とするものに該当する。
　そして、補正事項１−２は、上記補正事項１−１に伴い、補正前の請求項６〜１３、請求項１５〜１８及び請求項２０〜２９の各請求項に記載された引用請求項の番号を、形式的に補正したものであるから、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる、請求項の削除を目的とするものに該当する。
　そうすると、補正事項１は、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる、請求項の削除を目的とするものに該当する。
　
（２）補正事項２について
ア　　補正事項２−１について
　本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下「当初明細書等」という。）の段落【００２１】から、補正事項２−１が、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてしたもので、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであることは明らかであるから、補正事項２−１は、特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）の規定に適合する。
　また、補正事項２−１は、補正前の請求項１におけるＡｌ（ＯＣ２Ｈ５）３溶液の蒸発と酸素の添加時期に関する記載を明りょうにしたものであるから、特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　
イ　　補正事項２−２について
　補正事項２−２は、補正前の請求項１の「ウェーハ上で発生する表面化学反応を通じて行われる低圧化学気相蒸着法により行われる」という、「行われる」なる文言を繰り返す不自然な表現を明確な表現に訂正するものであるから、特許法第１７条の２第４項第３号に掲げる、誤記の訂正を目的とするものに該当し、また、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　
ウ　　補正事項２−３について
　補正事項２−３は、補正前の請求項１に、「前記第１ゲート酸化膜を形成した後、前記第１ゲート酸化膜を急速熱処理による、または電気炉により行われる熱処理を行い、
　前記第２ゲート酸化膜を形成した後、前記第２ゲート酸化膜を急速熱処理による、または電気炉により行われる熱処理を行うステップをさらに含む」という、発明を特定するために必要な事項を新たに付加するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる、特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものに該当しない。
　また、上記の発明を特定するために必要な事項の付加は、特許法第１７条の２第４項のその余のいずれの号に掲げる事項を目的とするものにも該当しない。
　そうすると、補正事項２−３は、特許法第１７条の２第４項の規定に適合しない。
　
エ　　小括
　補正事項２−３は、特許法第１７条の２第４項の規定に適合しないから、補正事項２−３を含む補正事項２は、特許法第１７条の２第４項の規定に適合しない。
　
（３）補正事項３について
　補正事項３は、補正前の請求項４の「前記第１ゲート酸化膜」という誤記及び「形成こと」という誤記を訂正するものであるから、特許法第１７条の２第４項第３号に掲げる、誤記の訂正を目的とするものに該当し、また、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　
（４）補正事項４について　
ア　　補正事項４−１について
　当初明細書等の段落【００２１】から、補正事項４−１が、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてしたもので、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであることは明らかであるから、補正事項４−１は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　また、補正事項４−１は、補正前の請求項１４におけるＡｌ（ＯＣ２Ｈ５）３溶液の蒸発と酸素の添加時期に関する記載を明りょうとし、補正後の請求項１３としたものであるから、特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　
イ　　補正事項４−２について
　補正事項４−２は、補正前の請求項１４の「ウェーハ上で発生する表面化学反応を通じて行われる低圧化学気相蒸着法により行われる」という、「行われる」なる文言を繰り返す不自然な表現を明確な表現に訂正し、補正後の請求項１３とするものであるから、特許法第１７条の２第４項第３号に掲げる、誤記の訂正を目的とするものに該当し、また、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　
ウ　　補正事項４−３について
　補正事項４−３は、補正前の請求項１４に、「前記第１誘電膜を形成した後、前記第１誘電膜を急速熱処理による、または電気炉により行われる熱処理を行い、前記第２誘電膜を形成した後、前記第２誘電膜を急速熱処理による、または電気炉により行われる熱処理を行うステップをさらに含む」という、発明を特定するために必要な事項を新たに付加し、補正後の請求項１３とするものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる、特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものに該当しない。
　また、上記の発明を特定するために必要な事項の付加は、特許法第１７条の２第４項のその余のいずれの号に掲げる事項を目的とするものにも該当しない。
　そうすると、補正事項４−３は、特許法第１７条の２第４項の規定に適合しない。
　
エ　　小括
　補正事項４−３は、特許法第１７条の２第４項の規定に適合しないから、補正事項４−３を含む補正事項４は、特許法第１７条の２第４項の規定に適合しない。
　
（５）補正事項５について
　補正事項５は、補正前の請求項１８の「前記第１誘電膜」という誤記及び「形成こと」という誤記を訂正し、補正後の請求項１７とするものであるから、特許法第１７条の２第４項第３号に掲げる、誤記の訂正を目的とするものに該当し、また、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　
（６）補正事項６について
　当初明細書等の段落【００２１】〜【００２５】から、補正事項６は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてしたもので、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであることは明らかであるから、補正事項６は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　
（７）まとめ
　以上検討したとおり、補正事項２及び４は、特許法第１７条の２第４項の規定に適合しないから、本件補正は、特許法第１７条の２第４項柱書きの補正目的に適合しない。
　
４．　独立特許要件についての検討
（１）検討の前提
　上記３で検討したとおり、本件補正は特許法第１７条の２第４項に規定する要件に適合しないが、仮に、上記補正事項２及び４が、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる、特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものに該当し、本件補正が特許法第１７条の２第４項に規定する要件に適合するとした場合において、補正後の特許請求の範囲に記載された事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かにつき、以下に検討する。　
　
（２）補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１〜２７に係る発明は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜２７に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの独立請求項である請求項１３に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項１３に記載されている事項により特定される、以下のとおりのものである。
「【請求項１３】半導体基板を提供するステップと、
　前記半導体基板上に第１電極を形成するステップと、
　前記第１電極上にアルミニウムが含まれた第１誘電膜を形成するステップと、
　前記第１誘電膜上に前記第１誘電膜より高誘電率を有する第２誘電膜を形成するステップと、
　前記第２誘電膜上に第２電極を形成するステップとを含み、
　前記第１誘電膜は、Ａｌ２Ｏ３膜であり、前記第１誘電膜を形成するステップは、Ａｌ成分のＡｌ（ＯＣ２Ｈ５）３溶液をＭＦＣ（ｍａｓｓ　ｆｌｏｗ　ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を介して蒸発器または蒸発管に供給し、所定の温度範囲内で蒸発させて酸素を添加する低圧化学気相蒸着法により行われ、
　前記第２誘電膜は、ＴａＯＮ膜であり、前記第２誘電膜を形成するステップは、低圧化学気相蒸着反応室内にＴａ化合物蒸気ガスと反応ガスであるＮＨ３ガスまたはＯ２ガスをＭＦＣを介して定量供給して、ウェーハ上で発生する表面化学反応を通じ低圧化学気相蒸着法により行われ、
　前記第１誘電膜を形成した後、前記第１誘電膜を急速熱処理による、または電気炉により行われる熱処理を行い、
　前記第２誘電膜を形成した後、前記第２誘電膜を急速熱処理による、または電気炉により行われる熱処理を行うステップをさらに含むことを特徴とする高誘電膜を備えた半導体素子の製造方法。」
　
（３）引用刊行物に記載された発明
　本願の優先権主張の日前に外国において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された韓国公開特許第２０００−００２７８３６号公報（以下「引用例」という。）には、「半導体装置のコンデンサの形成方法」に関して、図１〜６とともに以下の記載がある（なお、下線は当合議体にて付加したものである。以下同様）。
　
ア　「本発明は、半導体DRAM製造工程で使われる新しい電荷貯蔵電極(storage node electrode)およびコンデンサの形成方法に関するものであり、特にMIS(Metal/Insulator/Silicon)構造を持つ従来のタンタルオキサイドコンデンサにおいて、タンタルオキサイド薄膜蒸着時、Al2O3のような酸化膜(AlxOy)を界面に薄く形成させることにより、下部電極のポリシリコンが酸化されて電気的特性が劣化する問題点を改善させたコンデンサ形成方法に関するものである。
　DRAMの集積度が64Mから256Mに増加することにより、セルの大きさの減少はさらに加速化しており、これによってコンデンサの面積の減少は必然的要素となっている。したがって、限定された面積に大きい静電容量を持つコンデンサを実現させるために、誘電率の大きいコンデンサ誘電体を使用しようとする研究が続いてきた。このような努力の結果、従来使われてきたSi3N4より誘電率の高いタンタルオキサイド(Ta2O5)薄膜がコンデンサの誘電膜として使われるに至った。
　半導体DRAM素子に使われるタンタルオキサイドコンデンサを製造する方法は、図1に図示されている通り、電荷貯蔵電極(storage node)である下部電極(bottom electrode)にドープされたポリシリコン(doped polysilicon)を使い、その上層に誘電体膜としてタンタルオキサイド薄膜をPECVD,LPCVD、UV-photo-CVD、RFマグネチックスパッタリングなどと同じ方法を使って蒸着する。また、上部電極(plate electrode)は、TiNを使ったりポリシリコンを共に積層し、DRAM用コンデンサを形成して使っている。
　最近では、タンタルオキサイド薄膜の質のいいPECVDと、相対的に薄膜の質は落ちるがステップカバレッジ(step coverage)が優れたLPCVD方法を主に利用して、タンタルオキサイド薄膜を蒸着している。しかし、上記のいずれの方法を利用しても関係なしに、タンタルオキサイド薄膜はそれ自体が不安定な化学量論比(stoichiometry)を持っているため、TaとOの組成比の違いに起因した置換型Ta原子(vacancy atom)が薄膜内に存在するようになる。そして、タンタルオキサイドの前駆物質であるTa(OC2H5)5、TaCl5等の有機金属化合物(metal-organic)とO2(または、N2O)ガスの反応により、不純物である炭素原子と炭素化合物(C、CH4等)および水(H2O)も共に存在するようになる。
　結局、タンタルオキサイド薄膜内に不純物として存在する炭素原子、イオンおよびラジカルにより、コンデンサの漏洩電流が増加するようになり、誘電特性が劣化するという問題を内包している。
　一方、このような電気的特性を改善するために、O2、N2OまたはUV-O3雰囲気で高温アニーリング工程を、追加で進行させ、タンタルオキサイド薄膜蒸着時に併行している。このような過程を通じて、酸化剤であるO2成分がポリシリコンとタンタルオキサイド薄膜の界面に移動し、低誘電率層の酸化膜(SiO2)(5)が形成されることにより、等価酸化膜が増加するようになる。結局、
タンタルオキサイドの誘電率(ε)が25
　
イ　「したがって、本発明が達成しようとする技術的課題は、TiN/Ta2O5/ドープされたポリシリコンのようなMIS(Metal/Isulator/Silicon)構造を持つタンタルオキサイドコンデンサにおいて、下部電極の上にAl2O3のような酸化膜(AlxOy)を薄く形成させ、従来のタンタルオキサイドコンデンサでタンタルオキサイド薄膜蒸着時、下部電極のポリシリコンが酸化し、電気的特性が劣化する問題点を改善させたコンデンサ形成方法を提供することにある。」（「発明が達成しようとする技術的課題」欄の訳文）
　
ウ　「上記の技術的課題を達成するため、本発明によるコンデンサ形成方法は、半導体コンデンサ素子の誘電体薄膜形成工程において、ドープされたポリシリコンと感光膜を蒸着し、エッチングして下部電極を形成する段階、Al2O3薄膜を形成する段階、およびタンタルオキサイド薄膜を蒸着する段階を含むことを特徴とする。
　本発明のコンデンサ形成方法において、Al2O3薄膜形成段階およびタンタルオキサイド薄膜形成段階は、LPCVD方法で遂行するのが望ましく、300〜600℃、1torr以下のLPCVDチャンバー内で気相反応を抑制させながら、Al(OC2H5)3溶液とTa(OC2H5)5溶液を各々180〜250℃と150〜200℃の温度範囲内で蒸発させて得た化学蒸気を利用して形成できる。
　本発明のコンデンサ形成方法では Al2O3薄膜形成段階およびタンタルオキサイド薄膜形成段階において、薄膜形成後追加としてアニーリングする段階を含むことができ、このアニーリング方法はRTP(Rapid Thermal Process)または電気炉(furnace)を使い、800〜900℃でN2OまたはO2雰囲気で30秒〜30分程度アニーリングさせるのが望ましく、この過程を経ることにより結晶化を誘導し、一部残存している炭素および水素成分を酸化除去して誘電率を増加させることができる。
　以下、本発明の望ましい実施例を添付した図面を参照して説明する。  　
　図2〜図6は、
本発明の実施例によるコンデンサ形成方法
　まず、図2のようにコンタクトが形成された
シリコン基板上にドープされたポリシリコン(10)を蒸着し
図3のように簡単なスタック構造の下部電極を形成する
　ここに、
MFC(Mass Flow Controller)のような流量調節器を通じて、蒸発器または蒸発管に供給された一定量のAl(OC
2
H
5
)
3
溶液を、180〜250℃の温度範囲で蒸発させて得たAl成分の化学蒸気を、反応ガスである過剰O
2
ガスと共に、300〜600℃、1torr以下のLPCVDチャンバー内で気相反応を抑制させながら表面反応させ、図4のようにAl
2
O
3
薄膜(30)を形成する。
　
その次に、Al
2
O
3
薄膜形成過程と同様に、流量調節器を通じて蒸発器または蒸発管に供給された一定量のTa(OC
2
H
5
)
5
溶液を、150〜200℃の温度範囲内で蒸発させて得たTa成分の化学蒸気を、反応ガスである過剰O
2
ガスと共に300〜600℃、1torr以下のLPCVDチャンバー内で気相反応を抑制させながら表面反応させ、図5のようにタンタルオキサイド薄膜(40)を形成する。
　
このようにして得られたタンタルオキサイド薄膜(40)を、800〜900℃、N
2
O(またはO
2
)雰囲気で、RTP(Rapid Thermal Process)または電気炉で1〜30分程度アニーリングさせてから、
　本発明のまた別の実施例としては、
上記実施例のように下部電極を形成し、 Al
2
O
3
薄膜を形成した後、追加として800〜900℃、N
2
O(またはO
2
)雰囲気で、RTPまたは電気炉で30秒〜30分程度アニーリングさせ、後続の上部電極を形成させるコンデンサ形成工程を提供する。
　
エ　「本発明によれば、下部電極であるポリシリコンの酸化により、低誘電層であるSiO2(ε=3.9)膜が形成されるのを防止し、
誘電率が大きいAl
2
O
3
薄膜(ε=9.3)を界面に形成させることにより、従来のタンタルオキサイドコンデンサより大きな充電容量を得ることができるため、コンデンサモジュールが簡単なスタック構造であっても256M級以上のDRAMで要求される25fF/cell以上の充電容量を十分に得ることができる。
　また、同じ充電容量を得るために、従来のように二重または三重構造のコンデンサモジュールを形成する従来の工程よりも工程時間を短縮でき、生産原価を節減できる。
　また、従来のタンタルオキサイド薄膜形成時、下部電極のポリシリコンの酸化によるシリコン酸化膜形成を防ぐための前処理洗浄工程、およびRTN(Rapid Thermal Nitridation)のような別途の窒化工程が必要でないため、より経済的である。
　一方、構造的にも機械的、電気的強度が優れたAl2O3のような酸化膜が、タンタルオキサイド薄膜と界面間に薄く形成され、漏洩電流に対する障壁の役割をするため、
従来のタンタルオキサイド コンデンサより漏洩電流の水準が低くなり、
」（「発明の効果」欄の訳文）
　以上を総合すると、引用例には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「シリコン基板上にドープされたポリシリコン(10)を蒸着して下部電極を形成し、
　MFC(Mass Flow Controller)のような流量調節器を通じて、蒸発器または蒸発管に供給された一定量のAl(OC2H5)3溶液を、180〜250℃の温度範囲で蒸発させて得たAl成分の化学蒸気を、反応ガスである過剰O2ガスと共に、300〜600℃、1torr以下のLPCVDチャンバー内で気相反応を抑制させながら表面反応させAl2O3薄膜(30)を形成し、
　その次に、流量調節器を通じて蒸発器または蒸発管に供給されたTa(OC2H5)5溶液を、150〜200℃の温度範囲内で蒸発させて得たTa成分の化学蒸気を、反応ガスである過剰O2ガスと共に300〜600℃、1torr以下のLPCVDチャンバー内で気相反応を抑制させながら表面反応させ、タンタルオキサイド薄膜(40)を形成し、　
　 Al2O3薄膜を形成した後、800〜900℃、N2O(またはO2)雰囲気で、RTP(Rapid Thermal Process)または電気炉で30秒〜30分程度アニーリングし、
　前記タンタルオキサイド薄膜(40)を、800〜900℃、N2O(またはO2)雰囲気で、RTPまたは電気炉でアニーリングしてから、
上部電極を形成することを特徴とするコンデンサ形成方法」
　
（４）対比
　以下に、補正発明と引用発明とを対比する。
　まず、引用発明の「シリコン基板」は補正発明の「半導体基板」に相当し、引用発明はシリコン基板上にコンデンサを形成するため、当然「シリコン基板を提供するステップ」を有していることは明らかである。しがたって、補正発明の「半導体基板を提供するステップ」に相当するステップを引用発明は含んでいる。
　引用発明の「下部電極」は、補正発明の「第１電極」に相当するので、引用発明の「シリコン基板上にドープされたポリシリコン(10)を蒸着して下部電極を形成」することは、補正発明の「半導体基板上に第１電極を形成」することに相当する。
　また、引用発明の「ＬＰＣＶＤ」、「Al2O3薄膜」は、それぞれ補正発明の「低圧化学気相蒸着法」「アルミニウムが含まれた誘電膜」に相当するので、引用発明の「MFC(Mass Flow Controller)のような流量調節器を通じて、蒸発器または蒸発管に供給された一定量のAl(OC2H5)3溶液を、180〜250℃の温度範囲で蒸発させて得たAl成分の化学蒸気を、反応ガスである過剰O2ガスと共に、300〜600℃、1torr以下のLPCVDチャンバー内で気相反応を抑制させながら表面反応させAl2O3薄膜(30)を形成」することは、補正発明の「Ａｌ成分のＡｌ（ＯＣ２Ｈ５）３溶液をＭＦＣ（ｍａｓｓ　ｆｌｏｗ　ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を介して蒸発器または蒸発管に供給し、所定の温度範囲内で蒸発させて酸素を添加する低圧化学気相蒸着法により行われ」ること、及び「前記半導体基板上にアルミニウムが含まれた第１誘電膜を形成するステップ」に相当する。
　引用例に、「タンタルオキサイドの誘電率（ε）が２５」及び「Ａｌ２Ｏ３薄膜（ε＝９．３）」と記載されているとおり、タンタルオキサイドはＡｌ２Ｏ３よりも高誘電率であるから、引用発明の「その次に、流量調節器を通じて蒸発器または蒸発管に供給されたTa(OC2H5)5溶液を、150〜200℃の温度範囲内で蒸発させて得たTa成分の化学蒸気を、反応ガスである過剰O2ガスと共に300〜600℃、1torr以下のLPCVDチャンバー内で気相反応を抑制させながら表面反応させ、タンタルオキサイド薄膜(40)を形成」することは、補正発明の「前記第１誘電膜上に前記第１誘電膜より高誘電率を有する第２誘電膜を形成するステップ」に相当する。
　引用発明の「ＲＴＰ」及び「アニーリング」は、それぞれ補正発明の「急速熱処理」及び「熱処理」に相当するから、引用発明の「Al2O3薄膜を形成した後、800〜900℃、N2O(またはO2)雰囲気で、RTP(Rapid Thermal Process)または電気炉で30秒〜30分程度アニーリング」することは、補正発明の「前記第１誘電膜を形成した後、前記第１誘電膜を急速熱処理による、または電気炉により行われる熱処理」を行うことに相当する。
　また、引用発明では「前記タンタルオキサイド薄膜(40)を、」「アニーリングしてから、上部電極を形成」していることから、タンタルオキサイド膜上に上部電極が形成されていることは明らかであるから、引用発明は、補正発明の「前記第２誘電膜上に第２電極を形成」するステップを有している。
　引用発明は、「シリコン基板上」に「コンデンサ」を「形成」する「方法」であり、その誘電体として高誘電率の「タンタルオキサイド薄膜」を用いているから、補正発明の「高誘電膜を備えた半導体素子の製造方法」に対応する。
　
　したがって、補正発明と引用発明とは、
　「半導体基板を提供するステップと、
　前記半導体基板上に第１電極を形成するステップと、
　前記第１電極上にアルミニウムが含まれた第１誘電膜を形成するステップと、
　前記第１誘電膜上に前記第１誘電膜より高誘電率を有する第２誘電膜を形成するステップと、
　前記第２誘電膜上に第２電極を形成するステップとを含み、
　前記第１誘電膜は、Ａｌ２Ｏ３膜であり、前記第１誘電膜を形成するステップは、Ａｌ成分のＡｌ（ＯＣ２Ｈ５）３溶液をＭＦＣ（ｍａｓｓ　ｆｌｏｗ　ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を介して蒸発器または蒸発管に供給し、所定の温度範囲内で蒸発させて酸素を添加する低圧化学気相蒸着法により行われ、
　前記第１誘電膜を形成した後、前記第１誘電膜を急速熱処理による、または電気炉により行われる熱処理を行うステップをさらに含むことを特徴とする高誘電膜を備えた半導体素子の製造方法。」
　である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点）
　補正発明では「前記第２誘電膜は、ＴａＯＮ膜であり、前記第２誘電膜を形成するステップは、低圧化学気相蒸着反応室内にＴａ化合物蒸気ガスと反応ガスであるＮＨ３ガスまたはＯ２ガスをＭＦＣを介して定量供給して、ウェーハ上で発生する表面化学反応を通じ低圧化学気相蒸着法により行われ」、「前記第２誘電膜を形成した後、前記第２誘電膜を急速熱処理による、または電気炉により行われる熱処理を行うステップをさらに含む」のに対し、引用発明では「流量調節器を通じて蒸発器または蒸発管に供給されたTa(OC2H5)5溶液を、150〜200℃の温度範囲内で蒸発させて得たTa成分の化学蒸気を、反応ガスである過剰O2ガスと共に300〜600℃、1torr以下のLPCVDチャンバー内で気相反応を抑制させながら表面反応させ、タンタルオキサイド薄膜(40)を形成し」、「前記タンタルオキサイド薄膜(40)を、800〜900℃、N2O(またはO2)雰囲気で、RTP(Rapid Thermal Process)または電気炉でアニーリング」するものである点。　
　
（５）判断 
（５−１）相違点について 
　高誘電率を持つ誘電体膜を備えた半導体メモリ素子のキャパシタの製造方法において、タンタル酸化膜を上記誘電体膜とする場合に、キャパシタのリーク電流を増加させ、大容量のキャパシタを得にくいという課題が存在すること及びこの課題を解決するために、上記誘電体膜としてＴａＯＮ膜を用い、このＴａＯＮ膜を、低圧化学気相蒸着反応室内にＴａ化合物蒸気ガスと反応ガスであるＮＨ３ガスまたはＯ２ガスをＭＦＣを介して定量供給して、ウェーハ上で発生する表面化学反応を通じ低圧化学気相蒸着法により形成し、その後、上記ＴａＯＮ膜を結晶化するために、急速熱処理による、または電気炉により行われる熱処理を行うことは、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定において提示された刊行物である特開２００１−３６０４５公報（以下「周知例１」という。）、特開２００１−１４４２７１号公報（以下「周知例２」という。）にみられるように、当該技術分野では周知の技術である。
　
ａ．　周知例１：特開２００１−３６０４５号公報
　図２〜３とともに以下の記載がある。
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
半導体メモリ素子のキャパシタ及びその製造方法
リーク電流の発生なしに、電荷貯蔵容量を増大させることができる半導体メモリ素子のキャパシタ及びその製造方法
　
イ　「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、
タンタル酸化膜を誘電体とする従来のキャパシタは、次のような問題点がある。まず、一般的なタンタル酸化膜は不安な化学量論比(stoichiometry)を持つため、ＴａとＯの造成比に差が発生する。このため、置換型Ｔａ原子すなわち空孔原子(vacancy  atom)が薄膜内に発生する。この空孔原子は酸素空孔(oxygen  vacancy)であるから、リーク電流の原因になる。
【０００５】現在は、・・・
　　　　　　　　　　(中略)
　　　　　　　　　　・・・低下する。
【０００６】また、
前駆体(precusor)として用いられるＴａ(ＯＣ
２
Ｈ
５
)
５
の有機物とＯ
２
(またはＮ
２
Ｏ)ガスとの反応により、炭素原子(Ｃ)、炭素化合物(ＣＨ
４
、Ｃ
２
Ｈ
４
)及びＨ
２
Ｏの様な不純物がタンタル酸化膜内に発生する。この不純物はキャパシタのリーク電流を増大させ、タンタル酸化膜の誘電特性を低下させるため、大容量のキャパシタを得にくい。
【０００７】さらに、・・・
　　　　　　　　　　(中略)
　　　　　　　　　　・・・複雑になる。
【０００８】従って、
本発明の目的は、リーク電流の発生が少なくて高誘電率を持つ誘電体膜を備えることで、大容量を確保できる半導体素子のキャパシタを提供する
　
ウ　「【００１６】
図２（ｂ）は、誘電体としてＴａＯＮ膜４３が下部電極４０表面に形成されていることを示す。本発明のＴａＯＮ膜４３は化学気相蒸着方式、例えばＬＰＣＶＤ方式にて形成され、Ｔａ(ＯＣ
２
Ｈ
５
)
５
(tantalum  ethylate)、Ｔａ(Ｎ(ＣＨ
３
)
２
)
５
(penta-dimethyl-amino-tantalum)物質が前駆体として用いられる。ここで、Ｔａ(ＯＣ
２
Ｈ
５
)
５
、Ｔａ(Ｎ(ＣＨ
３
)
２
)
５
は公知のように、液体状態であるから、蒸気状態に変換させた後、ＬＰＣＶＤチャンバ内に供給される。すなわち、溶液状態の前駆体はＭＦＣ(Mass  Flow  Controller)と同様な流量調節器を用いて定量化した後、オリフィス(orifice)またはノズル(nozzle)を含む蒸発器または蒸発管で蒸発されてＴａ化学蒸気となる。
ＬＰＣＶＤチャンバ内に供給されたＴａ化学蒸気、反応ガスのＯ
２
ガス(excess  gas)及びＮＨ
３
ガスは互いに反応して、ＨＳＧ膜４１上に非晶質状態のＴａＯＮ膜４３が約１００乃至１５０Å厚さで形成される。
Ｔａ化学蒸気、Ｏ
２
ガス及びＮＨ
３
ガスは、チャンバ内の気相反応(gas  phase  reaction)は抑制させながら、ウェーハ表面のみで化学反応が起きるようにする。
【００１７】その後、図２（ｃ）に示すように、ＴａＯＮ膜４３はより安定した状態を持つ様に熱処理工程にて結晶化する。このとき、
結晶化工程はin-situまたはex-situにてＮ
２
ＯまたはＯ
２
雰囲気及び６００乃至９５０℃の温度を維持するチャンバ内で３０秒乃至１０分間ＲＴＰ処理を行う。この結晶化工程により、非晶質ＴａＯＮ膜４３は結晶質ＴａＯＮ膜４３ａになり
結晶化工程はＮ
２
Ｏ、Ｏ
２
またはＮ
２
ガス雰囲気及び６００乃至９５０℃の温度を維持する電気炉で行われる事も出来る。
　
ｂ．　周知例２：特開２００１−１４４２７１号公報
　図３〜５とともに以下の記載がある。
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は
半導体メモリ素子のキャパシタ形成方法に関し、詳しくは、ＴａＯＮ膜を誘電体膜として用いる半導体メモリ素子のキャパシタ形成方法
　
イ　「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、タンタル酸化膜を誘電体とする従来のキャパシタは、次のような問題点がある。まず、
一般的なタンタル酸化膜は、不安な化学量論比(stoichiometry)を持つため、ＴａとＯの造成比に差が発生する。このため、置換型Ｔａ原子、すなわち空孔原子(vacancy  atom)が薄膜内に発生する。この空孔原子は、酸素空孔(oxygen  vacancy)であるから、リーク電流の原因になる
【０００５】現在は、・・・
　　　　　　　　　　(中略)
　　　　　　　　　　・・・低下する。
【０００６】また、
前駆体(precusor)として用いられるＴａ(ＯＣ
２
 Ｈ
５
)
５
の有機物とＯ
２
(またはＮ
２
Ｏ)ガスとの反応により、炭素原子(Ｃ)、炭素化合物(ＣＨ
４
、Ｃ
４
Ｈ
４
)及びＨ
２
Ｏの様な不純物がタンタル酸化膜内に発生する。この不純物はキャパシタのリーク電流を増大させ、タンタル酸化膜の誘電特性を低下させるため、大容量のキャパシタを得にくい。
【０００７】さらに、・・・
　　　　　　　　　　(中略)
　　　　　　　　　　・・・複雑になる。
【０００８】従って、
本発明の目的は、リーク電流の発生が少なくて高誘電率を持つ誘電体膜を備えることで、大容量を確保できる半導体素子のキャパシタを提供する
　
ウ　「【００１３】図３を参照して、誘電体として非晶質ＴａＯＮ膜４３が、表面処理された下部電極４０上に５０乃至１５０Åの厚さで形成される。このとき、非晶質ＴａＯＮ膜４３は、in-situまたはex-situに形成できる。ここで、
非晶質ＴａＯＮ膜４３はＬＰＣＶＤチャンバ内で前駆体から得られるＴａ化学蒸気、Ｏ
2
ガス及びＮＨ
3
ガスの反応により形成される。
ウェーハ表面のみで化学反応するようにし
ＴａＯＮ膜の形成前、下部電極４０表面がＨＦのみによって洗浄された場合、ＴａＯＮ膜の蒸着時、ＬＰＣＶＤチャンバ内にＮＨ
3
ガスのみが先に注入され、下部電極４０表面を窒化させた後、残りの反応ガスが注入されて、ＴａＯＮ膜が蒸着される。また、前駆体はタンタルを含む有機金属物質例えばＴａ(ＯＣ
2
Ｈ
5
)5(tantalum　ethylate)、Ｔａ(Ｎ(ＣＨ
3
)
2
 )
5
(penta-dimethyl-amino-tantalum)物質が用いられる。
Ｔａ(Ｏ(Ｃ
2
 Ｈ
5
 )
5
 、Ｔａ(Ｎ(ＣＨ
3
)
2
)
5
 の様な前駆体は、公知のように液状であるため、蒸気状すなわちＴａ化学蒸気に変換した後、ＬＰＣＶＤチャンバ内に供給されるべきである。すなわち、液状の前駆体は、ＭＦＣ(Mass　Flow　Controller)の様な流量調節器を用いて定量化した後、オリフィス(orifice)またはノズル(nozzle)を含む蒸発器または蒸発管で蒸発されてＴａ化学蒸気となる。
【００１４】その後、
図４に示すように、非晶質ＴａＯＮ膜４３は、より安定した状態を持つ様に熱処理工程にて結晶化する。このとき、結晶化工程はin-situまたはex-situにてＮ
２
Ｏ、Ｏ
2
またはＮ
２
雰囲気及び６００乃至９５０℃の温度を維持するチャンバまたは電気炉で熱処理される。この熱処理により、非晶質ＴａＯＮ膜４３は結晶質ＴａＯＮ膜４３ａに変換
　
　そして、上記（３）エから、引用発明においてコンデンサの充電容量を大きくするとともに、コンデンサの漏洩電流の水準を低くすることは、当業者が当然に考慮することと理解され、かかる思想は、「キャパシタのリーク電流を増加させ、大容量のキャパシタを得にくい」との課題を解決する上記周知の技術とも、問題点の認識において共通している。
　そうすると、引用発明においてコンデンサの充電容量を大きくするとともに、コンデンサの漏洩電流の水準を低くするために、「タンタルオキサイド薄膜（40）」に代えてＴａＯＮ膜を用い、このＴａＯＮ膜を、「低圧化学気相蒸着反応室内にＴａ化合物蒸気ガスと反応ガスであるＮＨ３ガスまたはＯ２ガスをＭＦＣを介して定量供給して、ウェーハ上で発生する表面化学反応を通じ低圧化学気相蒸着法により」形成し、その後、上記ＴａＯＮ膜を結晶化するために、「急速熱処理による、または電気炉により行われる熱処理を行う」こと、したがって、引用発明において相違点にかかる構成とすることは、上記周知の技術を適用することにより、当業者が容易に想到し得たものである。
　
（５−２）判断についてのまとめ 
　以上検討したとおり、補正発明は、当業者における周知の技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
　
（５−３）独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、特許法第１７条の２第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項をいう。以下同じ。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　
５．　補正却下の決定についてのむすび 
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件に適合せず、また、仮に当該要件に適合するものであったとしても、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、いずれにしても、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
第３．本願発明 
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜２９に係る発明は、平成１９年１１月２１日付けの手続補正により補正された明細書及び
図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜２９に記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１４に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１４に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　
第４．引用刊行物に記載された発明 
　引用例には、上記第２．４．（３）に記載したとおり、引用発明が記載されている。 
　
第５．対比・判断
　本願発明は、補正発明から、前記第２．２．に記載した、補正事項４−１及び４−２の明りょうでない記載の釈明及び誤記の訂正を省き、且つ補正事項４−３で加入された事項を省いたものであるから、前記第２．４．（４）から、本願発明と引用発明とは、下記の点で相違し、その余の点で一致する。
　
（相違点）
　本願発明では「前記第２誘電膜は、ＴａＯＮ膜であり、前記第２誘電膜を形成するステップは、低圧化学気相蒸着反応室内にＴａ化合物蒸気ガスと反応ガスであるＮＨ３ガスまたはＯ２ガスをＭＦＣを介して定量供給して、ウェーハ上で発生する表面化学反応を通じて行われる低圧化学気相蒸着法により行われる」のに対し、引用発明では「流量調節器を通じて蒸発器または蒸発管に供給されたTa(OC2H5)5溶液を、150〜200℃の温度範囲内で蒸発させて得たTa成分の化学蒸気を、反応ガスである過剰O2ガスと共に300〜600℃、1torr以下のLPCVDチャンバー内で気相反応を抑制させながら表面反応させ、タンタルオキサイド薄膜(40)を形成」するものである点。
　
　そして、前記第２．４．で検討したとおり、引用発明において、上記相違点に係る構成とすることは、上記周知例１及び２にみられるような周知の技術を適用することにより、当業者が容易に想到し得たものである。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
第６．むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１４に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。