【手続補正書】
【提出日】平成23年8月30日(2011.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セルフアニール処理タイプ半導体パッケージであって、
第１の不揮発性半導体メモリ・ダイと、
前記第１の不揮発性半導体メモリ・ダイをその中の電荷捕獲欠陥を減らす温度に加熱するために前記第１の不揮発性半導体メモリ・ダイに熱的に結合された加熱素子と
を備えるセルフアニール処理タイプ半導体パッケージ。
【請求項２】
前記第１の不揮発性半導体メモリ・ダイが、フラッシュメモリを含む請求項１に記載のセルフアニール処理タイプ半導体パッケージ。
【請求項３】
前記第１の不揮発性半導体メモリ・ダイが、電荷捕獲不揮発性メモリを含む請求項１に記載のセルフアニール処理タイプ半導体パッケージ。
【請求項４】
前記電荷捕獲不揮発性メモリが、ＳＯＮＯＳ、ＴＡＮＯＳ、およびナノ結晶メモリ・デバイスからなる群から選択されるメモリ・デバイスを含む請求項３に記載のセルフアニール処理タイプ半導体パッケージ。
【請求項５】
前記加熱素子が、約１５０℃と、前記セルフアニール処理タイプ半導体パッケージが変形せずに耐えることができる最高温度との間の温度に前記第１の不揮発性半導体メモリ・ダイを加熱するように構成される請求項１に記載のセルフアニール処理タイプ半導体パッケージ。
【請求項６】
前記電荷捕獲欠陥を減らす温度が、前記第１の不揮発性半導体メモリ・ダイ内の電荷捕獲欠陥の数を減らす温度を含む請求項１に記載のセルフアニール処理タイプ半導体パッケージ。
【請求項７】
前記第１の不揮発性半導体メモリ・ダイに信号を提供するために前記第１の不揮発性半導体メモリ・ダイに電気的に結合された第１の組の電気的コンタクトをさらに備える請求項１に記載のセルフアニール処理タイプ半導体パッケージ。
【請求項８】
前記加熱素子に電力を提供するために前記加熱素子に電気的に結合された第２の組の電気的コンタクトをさらに備える請求項７に記載のセルフアニール処理タイプ半導体パッケージ。
【請求項９】
前記加熱素子のための電力および前記第１の不揮発性半導体メモリ・ダイに向かう電気信号を受け取るために第１表面上に電気的コンタクトを有する基板をさらに備え、
前記第１の不揮発性半導体メモリ・ダイおよび前記加熱素子が、前記基板の第２の表面上に積層される請求項１に記載のセルフアニール処理タイプ半導体パッケージ。
【請求項１０】
前記加熱素子と前記基板の前記第１の表面上の前記電気的コンタクトの第１のサブセットとの間の電気的接続を可能にするために前記基板中に延在する第１の複数の導電性構造と、
前記第１の不揮発性半導体メモリ・ダイと前記基板の前記第１の表面上の前記電気的コンタクトの第２のサブセットとの間の電気的接続を可能にするために前記基板中に延在する第２の複数の導電性構造と
をさらに備える請求項９に記載のセルフアニール処理タイプ半導体パッケージ。
【請求項１１】
前記セルフアニール処理タイプ半導体パッケージが、前記第１の複数の導電性構造と前記加熱素子の電気的コンタクトとの間に結合された第３の複数の導電性構造と、前記第２の複数の導電性構造と前記第１の不揮発性半導体メモリ・ダイの電気的コンタクトとの間に結合された第４の複数の導電性構造とをさらに含む請求項１０に記載のセルフアニール処理タイプ半導体パッケージ。
【請求項１２】
前記第３の複数の導電性構造または前記第４の複数の導電性構造のいずれかの中に含まれる少なくとも１つの導電性構造が、ワイヤボンドを含む請求項１１に記載のセルフアニール処理タイプ半導体パッケージ。
【請求項１３】
前記加熱素子および前記第１の不揮発性半導体メモリ・ダイの上で前記基板の前記第２の表面上に配置されたハウジングをさらに備える請求項９に記載のセルフアニール処理タイプ半導体パッケージ。
【請求項１４】
前記ハウジングが、前記加熱素子および前記第１の不揮発性半導体メモリ・ダイを封じ込める成形材料を含む請求項１３に記載のセルフアニール処理タイプ半導体パッケージ。
【請求項１５】
前記加熱素子を前記第１の不揮発性半導体メモリ・ダイに熱的に結合するために前記加熱素子と前記第１の不揮発性半導体メモリ・ダイとの間に配置された熱伝導性接着層を備える請求項１に記載のセルフアニール処理タイプ半導体パッケージ。
【請求項１６】
第２の不揮発性半導体メモリ・ダイをさらに備え、前記加熱素子が、前記第２の不揮発性半導体メモリ・ダイをその中の電荷捕獲欠陥を減らす温度に加熱するために前記第２の不揮発性半導体メモリ・ダイにさらに熱的に結合される請求項１に記載のセルフアニール処理タイプ半導体パッケージ。
【請求項１７】
前記加熱素子が、前記第１の不揮発性メモリ・ダイと前記第２の不揮発性メモリ・ダイとの間に配置される請求項１６に記載のセルフアニール処理タイプ半導体パッケージ。
【請求項１８】
前記加熱素子が前記第１の不揮発性半導体メモリ・ダイを加熱する温度を検出する温度センサをさらに備える請求項１に記載のセルフアニール処理タイプ半導体パッケージ。
【請求項１９】
前記不揮発性半導体メモリ・ダイが、前記加熱素子が前記第１の不揮発性半導体メモリ・ダイを加熱する温度を検出する一体型温度センサを含む請求項１に記載のセルフアニール処理タイプ半導体パッケージ。
【請求項２０】
セルフアニール処理タイプ半導体パッケージ内の動作方法であって、
前記セルフアニール処理タイプ半導体パッケージに含まれる第１の不揮発性半導体メモリ・ダイ内に電荷捕獲欠陥を生成するステップと、
前記第１の不揮発性半導体メモリ・ダイをその中の電荷捕獲欠陥を減らす温度に加熱するために前記セルフアニール処理タイプ半導体パッケージに含まれる加熱素子に電力を送るステップと
を含む方法。
【請求項２１】
前記第１の不揮発性半導体メモリ・ダイが、フラッシュメモリを含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記第１の不揮発性半導体メモリ・ダイが、電荷捕獲不揮発性メモリを含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記電荷捕獲不揮発性メモリが、ＳＯＮＯＳ、ＴＡＮＯＳ、およびナノ結晶メモリ・デバイスからなる群から選択されるメモリ・デバイスを含む請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記セルフアニール処理タイプ半導体パッケージに含まれる第２の不揮発性半導体メモリ・ダイ内に電荷捕獲欠陥を生成するステップをさらに含み、前記第１の不揮発性半導体メモリ・ダイをその中の電荷捕獲欠陥を減らす温度に加熱するために前記セルフアニール処理タイプ半導体パッケージに含まれる加熱素子に電力を送るステップが、前記第２の不揮発性半導体メモリ・ダイをその中の電荷捕獲欠陥を減らす温度に加熱するステップを含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２５】
第２の不揮発性半導体メモリ・ダイをその中の電荷捕獲欠陥を減らす温度に加熱するために前記加熱素子に電力を送るステップをさらに含む請求項２０に記載方法。
【請求項２６】
前記第１の不揮発性半導体メモリ・ダイをその中の電荷捕獲欠陥を減らす温度に加熱するためにセルフアニール処理タイプ半導体パッケージに含まれる加熱素子に電力を送るステップが、約１５０℃と、前記セルフアニール処理タイプ半導体パッケージが変形せずに耐えることができる最高温度との間の温度に前記第１の不揮発性半導体メモリ・ダイを加熱するステップを含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２７】
前記加熱素子が前記第１の不揮発性半導体メモリ・ダイを加熱する温度を検出するステップをさらに含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２８】
前記加熱素子が前記第１の不揮発性半導体メモリ・ダイを加熱する温度を検出するステップが、前記セルフアニール処理タイプ半導体パッケージに含まれる個別の温度センサを介して前記温度を検出するステップを含む請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記加熱素子が前記第１の不揮発性半導体メモリ・ダイを加熱する温度を検出するステップが、前記第１の不揮発性メモリ・ダイと一体的に形成された温度センサを介して前記温度を検出するステップを含む請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
不揮発性データ記憶のための手段と、
前記不揮発性データ記憶のための手段をその中の電荷捕獲欠陥を減らす温度に加熱するための手段と
を備えるセルフアニール処理タイプ半導体パッケージ。