【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年3月7日(2011.3.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケイ素金属を含む合金を含み、該ケイ素金属中に少なくとも１種のホウ素を含む物質と少なくとも１種の炭素を含む物質が溶解しているマトリックス成分と、
炭化ホウ素を含む補強成分とを含み、前記マトリックス成分は２体積％未満のβ−ＳｉＣを含み、前記補強成分相が前記マトリックス全体に分散され、前記炭化ホウ素が前記合金によって影響を受けない複合材料。
【請求項２】
前記充填材料結晶の少なくとも９０体積％が直径５５ミクロンよりも小さい請求項１に記載の複合材料。
【請求項３】
前記補強成分が前記複合材料の少なくとも６５体積％を構成する請求項１に記載の複合材料。
【請求項４】
防弾装甲の構成材であって、前記構成材が、少なくとも１層のセラミック層と、前記セラミック層の後方に配置され接合された少なくとも１層の裏打ち層とを含み、
前記セラミック層が、
（ａ）ケイ素を含む合金と、前記ケイ素に溶解したホウ素とを含むマトリックス、および
（ｂ）前記マトリックス全体に分散された複数の炭化ホウ素充填体を含む少なくとも１種の補強材料を含む、
少なくとも１種の炭化ホウ素複合体を含み、
前記マトリックス成分は２体積％未満のβ−ＳｉＣを含み、
前記炭化ホウ素複合体が、１ｋｇの負荷を用いてビッカース圧子で測定して少なくとも９２６ｋｇ／ｍｍ２の硬度を有する防弾装甲構成材。
【請求項５】
前記合金が、前記ケイ素に溶解した炭素を含む少なくとも１種の物質をさらに含む請求項４に記載の防弾装甲構成材。
【請求項６】
前記形態学的形状の少なくとも９０体積％が、１００ミクロンよりも小さい請求項４に記載の防弾装甲構成材。
【請求項７】
前記複合材料が前記溶浸材相を３０体積％以上含まない請求項４に記載の防弾装甲構成材。
【請求項８】
炭化ホウ素を含む少なくとも１種の充填材料を含む多孔質の塊または予備成形品（但し、該多孔質の塊または予備成形品は実質上遊離炭素を含まない。）を提供するステップと、
炭素を含む少なくとも１種の物質が溶解している、ケイ素を含む溶融溶浸材を提供するステップと、
次いで、真空中または不活性雰囲気中で、前記溶融溶浸材を少なくとも１種の前記多孔質の塊または予備成形品に接触させるステップと、
前記溶融溶浸材を前記多孔質の塊または予備成形品中に溶浸させ、それによって前記溶浸材を含むマトリックス中に分散された前記炭化ホウ素を含む複合体を形成するステップと、
前記溶融溶浸材を固化するステップとを含む複合体の製造方法。
【請求項９】
前記溶浸が２０００℃を超えない温度で行われる請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記補強成分が少なくとも前記複合材料の６５体積％を占める、請求項４に記載の防弾装甲構成材。
【請求項１１】
前記炭化ホウ素を粒子として提供する、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記溶融溶浸材がさらに、前記ケイ素に溶解したホウ素を含む少なくとも１種の物質を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
β−ＳｉＣを含まない、請求項１に記載の複合材料。
【請求項１４】
β−ＳｉＣを含まない、請求項４に記載の防弾装甲構成材。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８４】
（参考例１）
［００９５］この参考例は、炭化ホウ素補強を含むＳｉ／ＳｉＣ複合体、すなわち、Ｓｉ／ＳｉＣ／Ｂ４Ｃの反応性溶浸による製造を例示する。さらに詳細には、この参考例は、樹脂性前駆体から誘導された相互接続炭素相、および炭化ケイ素と炭化ホウ素粒子を含む予備成形品へのケイ素含有溶融物の溶浸を例示する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９８】
（参考例２）
［０１０９］予備成形品の作製に炭化ケイ素粒子を使用せず、炭化ホウ素の粒子サイズ分布を、実質上全ての粒子が約４５ミクロンよりも小さくなるように修正したことを除いて、参考例１の技術を実質上繰り返した。熱分解工程に続いて、予備成形品は約７５体積％の炭化ホウ素粒子と約４体積％の炭素を含んだ。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１００
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１００】
（参考例３）
［０１１１］ケイ素溶浸材をレイアップに供給する前に、単層のＴＥＴＲＡＢＯＲ（登録商標）炭化ホウ素粒子（２２０グリット、ＥＳＫ）をフィーダーレール間の炭素布上に散布したことを除いて、参考例２の技術を実質上繰り返した。加えた炭化ホウ素を相殺し、約１０％の過剰のケイ素供給を維持するために、参考例１のように、付随してケイ素の量を増加させた。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０７】
［０１１８］胸当て予備成形品は、約７００グラムの質量を有し、長さ約３１８ｍｍ×幅約２４１ｍｍ×厚さ約４．４ｍｍの全体寸法を有した。胸当ては長さと幅寸法が僅かに湾曲した。フィーダーレール予備成形品は、断面に関して、四角いタイル予備成形品を溶浸する参考例１に用いたサイズと同じであった。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０９】
［０１２０］図４Ａおよび４Ｂを参照すれば、寸法約７９０ｍｍ×約２３０ｍｍ×約５１ｍｍ深さのグレードＡＴＪのグラファイトトレー３１（Ｕｎｉｏｎ  Ｃａｒｂｉｄｅ  Ｃｏｒｐ．、Ｃａｒｂｏｎ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ  Ｄｉｖ．、Ｃｌｅｖｅｌａｎｄ、ＯＨ）
の内部表面を、実質上参考例１に説明したものと同じようにして、窒化ホウ素スラリーまたはペイント３３を噴霧塗布した。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１７】
（比較例２）
［０１２８］炭化ケイ素粒子が炭化ホウ素粒子の代わりに用いられたことを除いて、参考例２の技術を実質上繰り返した。しかし、参考例２のように、炭化ケイ素混合物の粒子サイズ分布は、実質上全ての粒子が約４５ミクロンよりも小さいようにした。熱分解工程に続いて、予備成形品は約７５体積％の炭化ケイ素粒子と約４体積％の炭素を含んだ。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１９】
［０１３０］光学顕微鏡写真において、元のＳｉＣと反応形成したＳｉＣの相違を識別することはできなかった。参考例２の反応結合Ｂ４Ｃのように、図５に示した反応結合ＳｉＣセラミックはＳｉＣの相互連結と集団化を少しも示さず、したがって比較的微細な微小構造を維持することが可能であった。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２０】
（比較例３）
［０１３１］この比較例は、反応性溶浸工程による複合体の製造を示し、複合体は炭化ホウ素補強を特徴とする。工程は、以下を除いて参考例１に類似していた。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２２】
［０１３３］８個の予備形成タイルを溶浸する後続の熱処理のために、約６０２グラムの塊状ケイ素２１（グレードＬＰ、Ｅｉｋｅｍ  Ｍｅｔａｌｓ  Ｃｏ．、Ｐｉｔｔｓｂｕｒｇｈ、ＰＡ）を炭化ケイ素複合材レール（例えば、溶浸された）の間の炭化ケイ素織物の上に分配した。参考例１のように窒化ホウ素を塗布した８個の予備成形タイルを溶浸されたレール上に置き、参考例１のように窒化ホウ素を塗布したグラファイトドエル棒で支持した。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２３】
［０１３４］両方の溶浸作業のための加熱計画は、参考例１に述べたものと実質上同じであった。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１４４】
＜弾道衝撃試験：第２回＞
［０１５１］この第２回弾道衝撃試験において、参考例２の本ＲＢＢＣ材料を候補の装甲として評価し、比較例２のＳｉＣ充填ＲＢＳＣ材料ならびに市販のホットプレスＢ４Ｃ（対照）と比較した。一連の試験の中で、弾道発射体として弾丸群に対して反応結合ＳｉＣおよび市販のホットプレスＢ４Ｃを試験し、第２回の試験の組において、装甲貫通（ＡＰ）群に対して反応結合Ｂ４ＣおよびホットプレスＢ４Ｃを試験した。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１５０】
（参考例４）
［０１５５］以下のことを除いて、実質上参考例１の手順を繰り返した。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１５７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１５７】
［０１６２］適切なサイズのグラファイト製トレーの内部表面を、参考例４で述べた窒化ホウ素に浸漬したアルミナ繊維シート材料で裏打ちし、乾燥した。次いで、参考例４で述べた約７０グラムの炭化ホウ素セラミック粒子混合物を、予備形成の形成によらず、代わりに単純に乾燥粒子を裏打ちしたグラファイト製トレー中に注ぎ、乾燥粉を一種のピラミッド形状に整えることによってゆるく形状加工した。次いで、このセラミック粒子の山の中央に、約１２５グラムの塊状ケイ素金属（Ｅｌｋｅｍ）を保持するのに十分大きな窪みを形成した。次いで、裏打ちしたグラファイト製トレーとその内容物を、ゆるく固定されたグラファイト製蓋を備えるさらに大きなグラファイト製室の中に置き、これを室温および大気圧の真空炉の中に置いた。炉を封止し、真空粗引きし、温度を約２００℃／時間の速度で、約２０℃から約１５２５℃の温度まで上昇させた。約１５２５℃の温度で約４時間維持した後、温度を約２００℃／時間の速度で降下させた。約１００℃以下の温度で、真空炉中の圧力を大気に戻し、炉を開き、グラファイト室を取り出して分解した。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１６１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１６１】
［０１６６］次いで、素焼きにした炭化ホウ素予備成形品は、実質上参考例１と同じようにして溶浸する。得られるケイ素化した炭化ホウ素体は、いくらかのホウ素および炭素とのケイ素金属のマトリックス、およびケイ素金属マトリックス中に埋め込まれた炭化ホウ素を含む。炭化ホウ素は溶浸工程によって実質上化学的に影響を受けず、例えば、溶融溶浸材による溶解または化学的攻撃の兆候を示さない。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１６３】
［０１６８］フルクトースの代わりにメチルセルロースを用いること以外は参考例１のようにして予備成形品組成物をバッチで沈降成形し、タイル予備成形品を調製する。次いで、沈降成形タイルをアルゴン雰囲気下、参考例１の加熱計画を用いて約１２０℃の温度で加熱し、水を除去する。約１２０℃の温度で約４時間保持した後、次いで予備成形品を約２００℃／時間の速度で約２０５０℃の温度に加熱して一時的な結合材を除去し、Ｂ４ＣおよびＳｉＣ粒子を軽く焼結する。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１６４】
［０１６９］次いで、素焼きにした炭化ホウ素予備成形品を、溶浸が約１７５０℃で行われること以外は実質上参考例１と同じようにして溶浸する。得られるケイ素化した炭化ホウ素体は、いくらかのホウ素および炭素とのケイ素金属のマトリックス、およびケイ素金属マトリックス中に埋め込まれた炭化ホウ素を含む。