Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月11日(2011.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の波長域の励起光を発生するため動作可能である少なくとも１個の励起源と、励起光の少なくとも一部を吸収し、第２の波長域の光を放射する少なくとも１個の蛍光体材料を有する発光面とを含み、装置によって放射された光が、該発光面によって放射された第１の波長域および第２の波長域の組み合わされた光を含む、発光装置であって、
該発光面が、該少なくとも１個の蛍光体材料を含むことない少なくとも１個の窓エリアであって、第１の波長および第２の波長の光を実質的に透過する窓エリアを有することを特徴とする、発光装置。
【請求項２】
該発光面が、第１の波長および第２の波長の光を実質的に透過し、そして、該少なくとも１個の蛍光体材料を表面に有する基板を含む、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
該少なくとも１個の蛍光体材料が、蛍光体領域の間のギャップが前記少なくとも１個の窓エリアを画定する蛍光体領域のアレイを含む、請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
該蛍光体領域が実質的に該発光面の表面全体に亘って分布している、請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
該蛍光体領域が該発光面に実質的に一様に分布している、請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
該蛍光体領域の形状が、実質的に多角形、正方形、円形、楕円形、三角形、および、長方形から成る群から選択される、請求項３に記載の発光装置。
【請求項７】
該少なくとも１個の蛍光体材料が該発光面を実質的に覆い、そして、窓エリアのアレイを含む、請求項２に記載の発光装置。
【請求項８】
該窓エリアが実質的に該発光面の表面全体に亘って分布している、請求項７に記載の発光装置。
【請求項９】
該窓エリアが該発光面に実質的に一様に分布している、請求項８に記載の発光装置。
【請求項１０】
該窓エリアの形状が、実質的に多角形、正方形、円形、楕円形、三角形、および、長方形から成る群から選択される、請求項７に記載の発光装置。
【請求項１１】
該基板が導波媒体を含み、そして、該励起源が励起光を該基板の中へ結合するように構成されている、請求項２に記載の発光装置。
【請求項１２】
該基板が実質的に平面状の形であり、そして、励起光が該基板のエッジの少なくとも一部分に結合される、請求項１１に記載の発光装置。
【請求項１３】
該発光面と反対側で該基板の該表面の少なくとも一部分にリフレクタをさらに含む、請求項１２に記載の発光装置。
【請求項１４】
該発光面基板からの光の放射を促進するために表面トポロジを有する該基板の発光面をさらに含む、請求項１２に記載の発光装置。
【請求項１５】
少なくとも２種類の発光体材料のパターンをさらに含む、請求項２に記載の発光装置。
【請求項１６】
該基板が、アクリル、ポリカーボネート、ポリエチレン、および、ガラスから成る群から選択される、請求項２に記載の発光装置。
【請求項１７】
前記少なくとも１個の励起源が青色発光ダイオードを含む、請求項１に記載の発光装置。
【請求項１８】
該発光面を用いて該装置によって放射された光に加わる第３の波長域の光を発生させるため動作可能である少なくも１個の発光ダイオードをさらに含む、請求項１７に記載の発光装置。
【請求項１９】
該少なくとも１個の発光ダイオードが、橙色光、赤色光、および、緑色光から成る群から選択された第３の波長域の光を発生させるため動作可能である、請求項１８に記載の発光装置。
【請求項２０】
該少なくとも１個の蛍光体材料が、ケイ酸塩系蛍光体と、アルミン酸塩系蛍光体と、窒化物系蛍光体材料と、硫酸塩系蛍光体材料と、オキシ窒化物系蛍光体と、オキシ硫酸塩系蛍光体と、ガーネット材料と、Ｓｉがシリコンであり、Ｏが酸素であり、Ａがストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、マグネシウム（Ｍｇ）またはカルシウム（Ｃａ）を含み、Ｄが塩素（Ｃｌ）、フッ素（Ｆ）、窒素（Ｎ）または硫黄（Ｓ）を含む場合に、一般組成Ａ３Ｓｉ（ＯＤ）５のケイ酸塩系蛍光体と、ＡがＳｒ、Ｂａ、ＭｇまたはＣａを含み、ＤがＣｌ、Ｆ、ＮまたはＳを含む場合に、一般組成Ａ２Ｓｉ（ＯＤ）４のケイ酸塩系蛍光体と、ＭがＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｃｄ、Ｓｍまたはツリウム（Ｔｍ）を含む２価金属のうちの少なくとも１つである場合に、化学式Ｍ１−ｘＥｕｘＡｌｙＯ［１＋３ｙ／２］のアルミン酸塩系蛍光体とから成る群から選択される、請求項１に記載の発光装置。
【請求項２１】
反射内面を有するエンクロージャと、該エンクロージャの内部に収納され、第１の波長域の励起光を発生させるため動作可能である少なくとも１個の励起源と、該エンクロージャの開口部を覆い、励起光の少なくとも一部分を吸収し、第２の波長域の光を放射する少なくとも１個の蛍光体材料を有する発光面とを含み、装置によって放射された光が、該発光面によって放射された第１の波長域および第２の波長域の組み合わされた光を含む、発光装置であって、
該発光面が、少なくとも１個の蛍光体材料を含むことがない少なくとも１個のエリアであって、第１の波長および第２の波長の光を実質的に透過し、それによって、励起光の一部分と反射された蛍光体発生光とが該発光面を通り抜けることを可能にさせるエリアを有することを特徴とする、発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月30日(2011.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）導電性銀と；
ｂ）鉛フリーの１つまたは複数のフラックス材料と；
ｃ）有機媒体と
を含み、前記フラックス材料は、ＺｎＦ2、ＡｇＢｉ（ＰＯ3）4、ＡｇＺｎＦ3−ＡｇＦ、ＬｉＺｎ（ＰＯ3）3、およびＣｕ3Ｂ2Ｏ6からなる群から選択される１つまたは複数の成分を含み、前記導電性銀および前記１つまたは複数のフラックス材料は、前記有機媒体中に分散されていることを特徴とする伝導性組成物。
【請求項２】
前記伝導性組成物の重量を基準にして０．５〜１３重量％のフラックス材料を含む請求項１に記載の伝導性組成物。
【請求項３】
１つまたは複数の亜鉛含有添加剤をさらに含む請求項１に記載の伝導性組成物。
【請求項４】
１つまたは複数のガラスフリットをさらに含み、前記１つまたは複数のガラスフリットが、全伝導性組成物の０．５〜４重量％である請求項１に記載の伝導性組成物。
【請求項５】
（ｉ）厚膜組成物であって、
ａ）導電性銀と；
ｂ）鉛フリーの１つまたは複数のフラックス材料とを；
ｃ）有機媒体
を含み、前記フラックス材料は、ＺｎＦ2、ＡｇＢｉ（ＰＯ3）4、ＡｇＺｎＦ3−ＡｇＦ、ＬｉＺｎ（ＰＯ3）3、およびＣｕ3Ｂ2Ｏ6からなる群から選択される１つまたは複数の成分を含み、前記導電性銀および前記１つまたは複数のフラックス材料は、前記有機ビヒクル中に分散されている厚膜組成物と；
（ii）１つまたは複数の絶縁膜と
（iii）１つまたは複数の半導体基材と
を含む構造物であって；
前記厚膜組成物が、前記１つまたは複数の絶縁膜上に形成され、焼成の際に、前記有機媒体が除去される構造物。
【請求項６】
太陽電池である請求項５に記載の構造物。
【請求項７】
半導体デバイスの製造方法であって、
（１）１つまたは複数の半導体基材、１つまたは複数の絶縁膜、および厚膜組成物を提供するステップであって、前記厚膜組成物が、ｉ）導電性銀と、ii）鉛フリーの１つまたは複数のフラックス材料と、iii）有機媒体とを含み、前記フラックス材料は、ＺｎＦ2、ＡｇＢｉ（ＰＯ3）4、ＡｇＺｎＦ3−ＡｇＦ、ＬｉＺｎ（ＰＯ3）3、およびＣｕ3Ｂ2Ｏ6からなる群から選択される１つまたは複数の成分を含み、前記導電性銀および前記１つまたは複数のフラックス材料は、前記有機ビヒクル中に分散されているステップと、
（２）前記半導体基材上に前記絶縁膜を適用するステップと、
（３）前記半導体基材の前記絶縁膜上に前記厚膜組成物を適用するステップと、
（４）前記半導体、絶縁膜および厚膜組成物を焼成するステップとを含み、
焼成の際、前記有機ビヒクルが除去され、前記銀とフラックス材料とが焼結される方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５８】
実施例
太陽電池効率に対する影響についての、フラックスベースの銀ペースト対それに相当するガラスベースのペーストの比較
表１０のペーストＡおよびＢを用いて、本明細書に記載の方法によって作製される、太陽電池の前面電極を形成した。図３は、得られる太陽電池の観測された効率を示す。前面電極を形成するのにペーストＡを用いた太陽電池の効率を、「ガラス」と記した列に示す。前面電極を形成するのにペーストＢを用いた太陽電池の効率を、「フラックス」と記した列に示す。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］  ａ）導電性銀と；
ｂ）鉛フリーの１つまたは複数のフラックス材料とを；
ｃ）有機ビヒクル
に分散させて含む伝導性組成物。
［２］  前記伝導性組成物の重量を基準にして０．５〜１３重量％のフラックス材料を含む［１］に記載の組成物。
［３］  前記伝導性組成物の重量を基準にして１．５〜５重量％のフラックス材料を含む［２］に記載の組成物。
［４］  前記フラックス材料が、ＺｎＦ2、ＡｇＢｉ（ＰＯ3）4、ＡｇＺｎＦ3−ＡｇＦ、ＬｉＺｎ（ＰＯ3）3、およびＣｕ3Ｂ2Ｏ6からなる群から選択される１つまたは複数の成分を含む［１］に記載の組成物。
［５］  １つまたは複数の亜鉛含有添加剤をさらに含む［１］に記載の組成物。
［６］  １つまたは複数のガラスフリットをさらに含む［１］に記載の組成物。
［７］  前記１つまたは複数のガラスフリットが、全組成物の０〜１重量％である［６］に記載の組成物。
［８］  （ａ）厚膜組成物であって、
ａ）導電性銀と；
ｂ）鉛フリーの１つまたは複数のフラックス材料とを；
ｃ）有機媒体
に分散させて含む厚膜組成物と；
（ｂ）１つまたは複数の絶縁膜と
を含む構造物であって；
前記厚膜組成物が、前記１つまたは複数の絶縁膜上に形成され、焼成の際に、前記有機媒体が除去される構造物。
［９］  前記１つまたは複数の絶縁膜に、前記組成物の成分が浸透する［８］に記載の構造物。
［１０］  １つまたは複数の半導体基材をさらに含む［８］に記載の構造物。
［１１］  太陽電池である［１０］に記載の構造物。
［１２］  前記絶縁膜が、酸化チタン、窒化ケイ素、ＳｉＮｘ：Ｈ、酸化ケイ素、および酸化ケイ素／酸化チタンから選択される１つまたは複数の成分を含む［８］に記載の構造物。
［１３］  半導体デバイスの製造方法であって、
（ａ）１つまたは複数の半導体基材、１つまたは複数の絶縁膜、および厚膜組成物を提供するステップであって、前記厚膜組成物が、ａ）導電性銀と、ｂ）鉛フリーの１つまたは複数のフラックス材料とを、ｃ）有機媒体に分散させて含むステップと、
（ｂ）前記半導体基材上に前記絶縁膜を適用するステップと、
（ｃ）前記半導体基材の前記絶縁膜上に前記厚膜組成物を適用するステップと、
（ｄ）前記半導体、絶縁膜および厚膜組成物を焼成するステップとを含み、
焼成の際、前記有機ビヒクルが除去され、前記銀とフラックス材料とが焼結される方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月30日(2011.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機電子デバイス用のバックプレーンであって、
複数の電極構造を上に有するＴＦＴ基板と；
前記電極構造を覆い、ピクセル領域を画定するバンク構造であって；前記電極構造から少なくとも０．１ミクロンの距離だけ離れており、前記電極構造と接触していないバンク構造と；
前記電極構造と前記バンク構造との間の絶縁無機材料の薄層と
を含むバックプレーン。
【請求項２】
前記バンク構造が、０．５〜３ミクロンの厚さを有する有機構造である請求項１に記載のバックプレーン。
【請求項３】
前記有機バンクと前記電極との間の距離が０．５〜５ミクロンである請求項２に記載のバックプレーン。
【請求項４】
前記距離が１〜３ミクロンである請求項３に記載のバックプレーン。
【請求項５】
前記バンク構造が、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、およびポリイミド樹脂からなる群から選択される有機材料を含む請求項２に記載のバックプレーン。
【請求項６】
前記バンク構造が、１０００〜４０００Åの厚さを有する無機構造である請求項１に記載のバックプレーン。
【請求項７】
前記無機バンクと前記電極との間の距離が０．１〜３ミクロンである請求項６に記載のバックプレーン。
【請求項８】
前記距離が０．５〜２ミクロンである請求項７に記載のバックプレーン。
【請求項９】
前記バンク構造が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される無機材料を含む請求項６に記載のバックプレーン。
【請求項１０】
前記絶縁無機材料の薄層が、５〜１００ｎｍの範囲の厚さを有する請求項１に記載のバックプレーン。
【請求項１１】
前記絶縁無機材料の薄層が、１０〜５０ｎｍの範囲の厚さを有する請求項１０に記載のバックプレーン。
【請求項１２】
前記絶縁無機材料の薄層が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む請求項１に記載のバックプレーン。
【請求項１３】
前記絶縁無機材料の薄層が、前記電極構造の縁部に部分的に重なる請求項１に記載のバックプレーン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
別々の実施形態の状況において、明確にするために本明細書に記載されている特定の複数の特徴は、１つの実施形態の中で組み合わせても提供できることを理解されたい。逆に、簡潔にするため１つの実施形態の状況において説明した種々の特徴も、別々に提供したり、あらゆる副次的な組み合わせで提供したりすることができる。さらに、範囲で記載される値への言及は、かかる値より上および下のわずかなばらつきを含み、かつ記載の範囲を使用して、その範囲内の値と実質的に同じ結果を得ることができる。また、これらの範囲の開示は、ある値の一部の成分を異なる値の一部の成分と混合した場合に生じうる分数値を含めて、最小平均値と最大平均値との間のすべての値を含む連続した範囲であることを意図している。さらに、より広い範囲およびより狭い範囲が開示される場合、ある範囲の最小値を別の範囲の最大値と一致させること、およびその逆のことが本発明の意図の範囲内である。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］  有機電子デバイス用のバックプレーンであって、
複数の電極構造を上に有するＴＦＴ基板と；
前記電極構造を覆い、ピクセル領域を画定するバンク構造であって；前記電極構造から少なくとも０．１ミクロンの距離だけ離れており、前記電極構造と接触していないバンク構造と；
前記電極構造と前記バンク構造との間の絶縁無機材料の薄層と
を含むバックプレーン。
［２］  前記バンク構造が、０．５〜３ミクロンの厚さを有する有機構造である［１］に記載のバックプレーン。
［３］  前記有機バンクと前記電極との間の距離が０．５〜５ミクロンである［２］に記載のバックプレーン。
［４］  前記距離が１〜３ミクロンである［３］に記載のバックプレーン。
［５］  前記バンク構造が、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、およびポリイミド樹脂からなる群から選択される有機材料を含む［２］に記載のバックプレーン。
［６］  前記バンク構造が、１０００〜４０００Åの厚さを有する無機構造である［１］に記載のバックプレーン。
［７］  前記無機バンクと前記電極との間の距離が０．１〜３ミクロンである［６］に記載のバックプレーン。
［８］  前記距離が０．５〜２ミクロンである［７］に記載のバックプレーン。
［９］  前記バンク構造が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される無機材料を含む［６］に記載のバックプレーン。
［１０］  前記絶縁無機材料の薄層が、５〜１００ｎｍの範囲の厚さを有する［１］に記載のバックプレーン。
［１１］  前記絶縁無機材料の薄層が、１０〜５０ｎｍの範囲の厚さを有する［１０］に記載のバックプレーン。
［１２］  前記絶縁無機材料の薄層が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む［１］に記載のバックプレーン。
［１３］  前記絶縁無機材料の薄層が、前記電極構造の縁部に部分的に重なる［１］に記載のバックプレーン。
［１４］  有機電子デバイスを形成するための方法であって、
複数の電極構造を上に有するＴＦＴ基板と；前記電極構造を覆い、ピクセル領域を画定するバンク構造と；前記電極構造と前記バンク構造との間の絶縁無機材料の薄層とを含むバックプレーンを形成する工程であって、前記バンク構造は、前記電極構造から少なくとも０．１ミクロンの距離だけ離れており、前記電極構造と接触していない工程と；
液体媒体中に第１の活性材料を含む第１の液体組成物を、前記ピクセル開口の少なくとも一部内に堆積させる工程と
を含む方法。
［１５］  （ｉ）複数の電極構造を上に有するＴＦＴ基板と；前記電極構造を覆い、ピクセル領域を画定するバンク構造と；前記電極構造と前記バンク構造との間の絶縁無機材料の薄層とを含むバックプレーンであって、前記バンク構造は、前記電極構造から少なくとも０．１ミクロンの距離だけ離れており、前記電極構造と接触していないバックプレーン；
（ｉｉ）少なくとも前記ピクセル開口における正孔輸送層；
（ｉｉｉ）少なくとも前記ピクセル開口における光活性層；
（ｉｖ）少なくとも前記ピクセル開口における電子輸送層；および
（ｖ）カソード
を含む電子デバイス。
［１６］  前記アノードと前記正孔輸送層との間に有機バッファ層をさらに含む［１５］に記載のデバイス。
［１７］  前記電子輸送層と前記カソードとの間に電子注入層をさらに含む［１５］に記載のデバイス。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2011501361.tif 000001
【図２】
2011501361.tif 000002
【図３】
2011501361.tif 000003
【図４】
2011501361.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月16日(2011.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加工物を貫通する直流磁界に対して相対的に加工物を回転することによって、金属加工物を目標温度にまで誘導加熱する方法において、
共通の軸の周りを回転可能な二つの把持ジョーの間に加工物を挟み込むことと、
それらの把持ジョーの中の少なくとも一方を回転駆動することと、
それらの把持ジョーの中の少なくとも一方を回転軸に沿って、或いは回転軸に対して平行に活発にスライドさせることが可能であることと、
それらの把持ジョーの中の少なくとも一方の押圧力を制御することと、
加工物の温度に相当する少なくとも一つの機械的なパラメータを実際値として測定して、目標温度に相当する、その機械的なパラメータの目標値と比較することと、
を特徴とする方法。
【請求項２】
当該の相当する機械的なパラメータの実際値を電気信号として測定するか、或いは電気信号に変換することと、
その値を目標値に対応する電気信号の値と比較することと、
を特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
当該の実際値を連続して測定して、保存することを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
同じ方法により誘導加熱した同形態の基準加工物にもとづき、目標温度に相当する目標値を求めることとし、そのために、基準加工物の温度とそれに対応する機械的なパラメータの実際値を検出するとともに、目標温度に到達した時に測定した機械的なパラメータの値を全ての同形態の加工物に関する目標値として取り扱うことを特徴とする請求項１から３までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項５】
当該の相当する機械的なパラメータとして、加工物の熱膨張を使用することを特徴とする請求項１から４までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項６】
加工物の塑性変形が始まる、温度に依存した面圧よりも小さい面圧と一致する値となるまで、当該の押圧力を温度に応じて制御することを特徴とする請求項１から５までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項７】
把持ジョーの押圧力を油圧方式で発生させるとともに、その油圧の値から押圧力の値を求めることを特徴とする請求項１から６までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項８】
当該の相当する機械的なパラメータとして、加工物に加えた機械的な仕事量を使用することを特徴とする請求項１から７までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項９】
当該の機械的なパラメータの基準加工物を用いて測定した基準値と加工物を用いて測定した実際値とを連続してプロセス計算機に保存しておき、そのプロセス計算機が、誘導加熱中に測定した加工物の実際値を保存しておいた基準値と比較して、実際の温度に相当する信号を出力することを特徴とする請求項４から８までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項１０】
加熱する加工物の少なくとも材料とサイズをプロセス計算機に入力することと、
プロセス計算機は、少なくとも把持ジョーの押圧力、加工物の回転数及び誘導を所定のプログラムにもとづき時間に依存して制御することと、
を特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
加工物の目標温度に到達したら、熱放射による損失と加えられる熱量がほぼ均衡する値にまで、少なくとも加工物の回転数を低下させることを特徴とする請求項１から１０までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項１２】
加工物の目標温度に到達したら、熱放射による損失と加えられる熱量がほぼ均衡する値にまで、磁気誘導を低下させることを特徴とする請求項１から１１までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項１３】
少なくとも一つの超伝導コイルを用いて、直流磁界を発生させることを特徴とする請求項１から１２までのいずれか一つに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月29日(2011.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１整列要素を含むキャリアと、
前記キャリアによって保持される複数の成端ケーブリアセンブリであって、各前記成端ケーブルアセンブリは１つ以上の第２整列要素を含む、成端ケーブルアセンブリと、を備える電気コネクタアセンブリであって、
前記第１及び第２整列要素が協働して、前記複数の成端ケーブルアセンブリを前記キャリア内に整列させるよう構成されている、電気コネクタアセンブリ。
【請求項２】
キャリア内への挿入に適した電気コネクタであって、
１つ以上の導体及び前記１つ以上の導体を囲む接地シールドを含む電気ケーブルと、
前記１つ以上の導体に接続される１つ以上の電気接触子と、
前記１つ以上の電気接触子の周囲に配置される絶縁体と、
前記絶縁体の周囲に配置され、前記接地シールドに接続される導電性遮蔽要素と、
前記キャリアの少なくとも１つの第１整列要素と協働して、前記電気コネクタを前記キャリア内に整列させるよう構成されている少なくとも１つの第２整列要素と、を備える、電気コネクタ。
【請求項３】
複数の成端ケーブルアセンブリをキャリア内に整列させるために、前記複数の嵌合する成端ケーブルアセンブリの複数の第２整列要素と協働するよう構成されている複数の第１整列要素を含む、キャリア。
【請求項４】
複数の第１整列要素を含むキャリアと、
前記キャリアによって保持され、複数の第２整列要素を含む複数の成端ケーブルアセンブリと、
前記キャリアと嵌合するよう構成されているヘッダーと、を備える電気コネクタシステムであって、
前記第１及び第２整列要素が協働して、前記複数の成端ケーブルアセンブリをキャリア内に整列させるよう構成されている、電気コネクタシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月20日(2011.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の信号ピン、及び複数のグランドピンを有するヘッダーと、
複数の電気ケーブル端子と、を含み、前記複数のケーブル端子のそれぞれが、
導電性ハウジング、
前記ハウジングの内部に配置され、前記ハウジングから電気的に絶縁されている少なくとも１つの信号コンタクト、及び、
前記ハウジングの外部から延びている少なくとも２つのグランドコンタクトを含み、
それぞれのケーブル端子において、少なくとも１つの信号コンタクトが対応する複数の信号ピンの１つに係合するように、前記ケーブル端子が前記ヘッダーと嵌合の構成にあり、前記ヘッダーと前記ケーブル端子が嵌合の構成であるとき、前記グランドコンタクトが前記複数のグランドピンの対応するものに係合し、２つ以上の隣接するケーブル端子が２つ以上の共通グランドを共有し、随意に、前記少なくとも一つの信号コンタクトと少なくとも２つのグランドコンタクトが直線状に整列されている、電気信号送信用の電気コネクタアセンブリ。
【請求項２】
隣接する前記シグナル及び前記グランドピンの列がＧＳＳＧＳＳＧの順序を形成するように配置されている、請求項１に記載の電気コネクタアセンブリ。
【請求項３】
複数の信号トレースと少なくとも１つのグランドトレースを有するプリント回路基板と、
前記プリント回路基板に取り付けられ、複数の信号ピンと複数のグランドピンを支える前記ヘッダーボティであって、複数の前記信号ピンが複数の前記信号トレースに電気的に接続され、複数の前記グランドピンが少なくとも１つの前記グランドトレースに電気的に接続される、ヘッダーボティと、
前記ヘッダーボティと嵌合するように構成されたキャリアボティと、
前記キャリアボティ内に保持された複数の電気ケーブル端子であって、複数の前記ケーブル端子のそれぞれが導電性ハウジングの内部に配置された一対の信号コンタクトと、少なくとも２つのグランドコンタクトを含み、少なくとも１つの前記グランドコンタクトが前記ハウジングの外部から延びる、電気ケーブル端子と、を含み、
前記ヘッダーボティ及び前記ケーブル端子が、前記ヘッダーボティとキャリアボティが嵌合構成され、一対の前記信号ピンが一対の前記グランドピンの間に配置されているときに、複数のケーブル端子のそれぞれが、一対の前記信号ピンと一対の前記グランドピンに電気的に接触するように構成され、前記ハウジングがシールドボックスでヘッダと対になり、２つを越える側面でグランドされている、プリント回路基板と電気ケーブル間の電気信号送信用の電気コネクタアセンブリ。
【請求項４】
複数列の雄型コンタクトを有し、各列の雄型コンタクトがそれぞれ信号ピン、グランドピン、及び電源ピンの１つ又はそれ以上を含むヘッダーと、
複数の電気ケーブル端子であって、前記複数のケーブル端子のそれぞれが、
導電性のハウジング、
前記ハウジングの内部に配置され前記ハウジングから電気的に絶縁されている少なくとも１つの内部コンタクトと、信号コンタクト、グランドコンタクト、電源コンタクトの１つを含む内部コンタクト、及び
前記ハウジングの外部から延びている少なくとも２つの外部コンタクトで、それぞれの外部コンタクトがグランドコンタクト及び電源コンタクトの１つを含む電気ケーブル端子と、
少なくとも１つの内部コンタクトと少なくとも２つの外部コンタクトが直線状に配列されており、
それぞれのケーブル端子において、少なくとも１つの内部コンタクトと前記グランドコンタクトが、前記ヘッダーとケーブル端子が嵌合構成されているときに、複数の雄型コンタクトの対応するものに係合するように、前記ケーブル端子が前記ヘッダーと嵌合の構成にあり、２つ以上の隣接するケーブル端子が２つ以上の共通グランドを共用する、電気信号送信用の電気コネクタアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月8日(2011.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
携帯装置または固定装置の内部に配置されるＩＣカード装置であって、
前記ＩＣカード装置上に統合されたＲＦアンテナと、
前記ＩＣカード装置上に統合され、前記ＲＦアンテナを介して他のＲＦ装置とデータを交換するよう構成されたＲＦインタフェース装置と、
前記ＩＣカード装置上に統合され、前記携帯装置または前記固定装置と物理的に接続され、前記携帯装置または前記固定装置とデータを直接交換するよう構成されたインタフェース装置と、
を備え、
前記ＲＦは、極超短波（ＵＨＦ）または超高周波（ＳＨＦ）の周波数帯である
ことを特徴とするＩＣカード装置。
【請求項２】
前記携帯装置または前記固定装置は、携帯電話、ＰＤＡ、コンピュータを含むグループのなかから選択された装置である
ことを特徴とする請求項１記載のＩＣカード装置。
【請求項３】
前記インタフェース装置は、ＩＳＯ７８１６、ＳＤＩＯ、ＳＤ、またはＭＭＣ規格を用いて、前記携帯装置または前記固定装置に直接接続されるように構成されている
ことを特徴とする請求項１記載のＩＣカード装置。
【請求項４】
前記ＩＣカード装置上に統合され、前記ＩＣカード装置を一意に識別するように構成されたＩＣ装置を備える
ことを特徴とする請求項１記載のＩＣカード装置。
【請求項５】
前記ＩＣ装置は、ＳＩＭ装置を含むことを特徴とする請求項４記載のＩＣカード装置。
【請求項６】
ＩＣカード装置に取り付けるように構成されたＲＦ  ＩＣ装置であって、
前記ＲＦ  ＩＣ装置上に統合されたＲＦアンテナと、
前記ＲＦ  ＩＣ装置上に統合され、前記ＲＦアンテナを介して他のＲＦ装置とデータを交換するよう構成されたＲＦインタフェース装置と、
を備え、
前記ＲＦは、極超短波（ＵＨＦ）または超高周波（ＳＨＦ）の周波数帯であり、
前記ＲＦ  ＩＣ装置は、外側面上で前記ＩＣカード装置に取り付け、前記ＩＣカード装置にＲＦ機能を追加するように構成されている
ことを特徴とするＲＦ  ＩＣ装置。
【請求項７】
前記ＲＦ  ＩＣ装置は可撓性を有し、
前記ＩＣカード装置は、前記ＲＦ  ＩＣ装置に取り付けられた状態で、前記ＩＣカード装置を受け入れるスロットに適合するように構成されている
ことを特徴とする請求項６記載のＲＦ  ＩＣ装置。
【請求項８】
前記ＩＣカード装置は、携帯電話の内部で用いるＳＩＭカードとして構成されている
ことを特徴とする請求項１記載のＩＣカード装置。
【請求項９】
前記ＲＦアンテナは、前記携帯電話によって少なくとも一部が遮蔽され、前記携帯電話の構成部品の間隙から屈折出射するＵＨＦ信号またはＳＨＦ信号を受け取り、伝送するように構成されている
ことを特徴とする請求項８記載のＩＣカード装置。
【請求項１０】
請求項１から５のいずれか、請求項８、もしくは請求項９記載のＩＣカード装置、
または、
請求項６もしくは請求項７記載のＲＦ  ＩＣ装置を備える
ことを特徴とする携帯または固定装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月7日(2011.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの無機厚膜ＡＣエレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子に基づく少なくとも単層のエレクトロルミネセンス（ＥＬ）発光システムであって、ＥＬ発光システムに用いられる少なくとも１つのＥＬ素子は、少なくとも２つの導電性平坦電極および１つのＥＬ層を有し、電極面が完全には重ならないように、電極面は互いに対して配置されることを特徴とする、エレクトロルミネセンス発光システム。
【請求項２】
ＥＬ発光システムは、マルチ層の形態であり、直接隣り合うＥＬ素子の直接隣り合う電極は、単一の電極を形成することを特徴とする、請求項１に記載のＥＬ発光システム。
【請求項３】
少なくとも１つのＥＬ層は、ＥＬ層に含有されるＥＬ色素がポリマーバインダーマトリックスに大部分は均一に分散する形態、および／またはポリマーバインダーマトリックスが絶縁特性を有する形態であることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のＥＬ発光システム。
【請求項４】
少なくとも１つのＥＬ素子は、大部分が透明および／または半透明であることを特徴とする、請求項１〜請求項３のいずれかに記載のＥＬ発光システム。
【請求項５】
エレクトロルミネセンス発光アレンジメントは、少なくとも１つのエレクトロルミネセンス素子および少なくとも１つの、好ましくは２つの、特に好ましくは３つの、とりわけ４つの図柄的な層を有することを特徴とする、請求項１〜請求項４のいずれかに記載のＥＬ発光システム。
【請求項６】
ＥＬ発光システムは、異なるＥＬ層を有する少なくとも２つのＥＬ素子を有して成り、ＥＬ層のＥＬ色素が異なる発光波長を有することを特徴とする、請求項１〜請求項５のいずれかに記載のＥＬ発光システム。
【請求項７】
数１０〜約１００ｎｍのストークス変位の観点から、ＥＬ層の少なくとも１つは、ポリマーバインダーマトリックスおよび／または添加される色変換物質を含有することを特徴とする、請求項１〜請求項６のいずれかに記載のＥＬ発光システム。
【請求項８】
ＥＬ発光システムの少なくとも１つのＥＬ色素層は、点に構成されていることを特徴とする、請求項１〜請求項７のいずれかに記載のＥＬ発光システム。
【請求項９】
個々のＥＬ色素箇所は、幾何学的に正確な形状または不規則な図柄的に構成した形状を形成することを特徴とする、請求項８に記載のＥＬ発光システム。
【請求項１０】
スクリーン印刷および／または積層による、請求項１〜請求項９のいずれかに記載の少なくとも単層の平坦ＥＬ発光システムの製造方法。
【請求項１１】
照明器具として、広告物としておよび／または審美的な構造物としての、請求項１〜請求項９のいずれかに記載の少なくとも単層の平坦ＥＬ発光システム（１）の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５４】
［表４］
2011501372.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月25日(2011.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路において、動作中に、複数のアドレス指定可能ユニットを含むメモリのセンスアンプ差動マージンを動的に制御するための方法であって、
前記複数のアドレス指定可能ユニットに対応する前記センスアンプ差動マージンを第１の値に設定する段階と、
前記複数のアドレス指定可能ユニットの一組からデータを読み出す際に読み出しデータ誤りが発生した場合、前記複数のアドレス指定可能ユニットに対応する前記センスアンプ差動マージンを第２の値に設定する段階であって、前記第２の値が前記第１の値より大きい、前記段階と、
を備える方法。
【請求項２】
集積回路において、複数のアドレス指定可能ユニットを含むメモリのセンスアンプ差動マージンを動的に制御するための方法において、前記複数のアドレス指定可能ユニットは、少なくとも一つの故障予知アドレス指定可能ユニットを備え、前記故障予知アドレス指定可能ユニットは、残りの複数のアドレス指定可能ユニットよりも前に故障するように構成された、前記方法であって、
前記複数のアドレス指定可能ユニット及び前記少なくとも一つの故障予知アドレス指定可能ユニットに対応する前記センスアンプ差動マージンを第１の値に設定する段階と、
前記故障予知アドレス指定可能ユニットからデータを読み出す際に読み出しデータ誤りが発生した場合、前記複数のアドレス指定可能ユニットに対応する前記センスアンプ差動マージンを第２の値に設定する段階であって、前記第２の値が前記第１の値より大きい、前記段階と、
を備える方法。
【請求項３】
集積回路において、複数のアドレス指定可能ユニット及び少なくとも一つの冗長アドレス指定可能ユニットを含むメモリのセンスアンプ差動マージンを動的に制御するための方法であって、
前記複数のアドレス指定可能ユニット及び前記少なくとも一つの冗長アドレス指定可能ユニットに対応する前記センスアンプ差動マージンを第１の値に設定する段階と、
前記複数のアドレス指定可能ユニットの内のいずれか一つからデータを読み出す際に読み出しデータ誤りが発生した場合、前記複数のアドレス指定可能ユニット及び前記少なくとも一つの冗長アドレス指定可能ユニットに対応する前記センスアンプ差動マージンを第２の値に設定する段階であって、前記第２の値が前記第１の値より大きい、前記段階と、
前記複数のアドレス指定可能ユニットの内のいずれか一つについて読み出しデータ誤りが継続して起こる場合、前記センスアンプ差動マージンを最大値まで漸増させる段階と、
不良アドレス指定可能ユニットを前記冗長アドレス指定可能ユニットで置き換える段階であって、前記不良アドレス指定可能ユニットは、前記センスアンプ差動マージンが前記最大値に設定された場合でも読み出しデータ誤りを発生させる前記複数のアドレス指定可能ユニットの内の一つである、前記段階と、
を備える方法。
【請求項４】
メモリを含む集積回路であって、前記メモリは、複数のアドレス指定可能ユニットを備え、更に、前記メモリは、
複数のセンスアンプに接続されたメモリアレイと、
フィードバック経路であって、
前記複数のセンスアンプのセンスアンプ差動マージンを第１の値に設定する段階と、
前記複数のアドレス指定可能ユニットの内の少なくとも一つからデータを読み出す際の読み出しデータ誤りを検出する段階と、
前記複数のアドレス指定可能ユニットの前記センスアンプ差動マージンを第２の値に設定する段階であって、前記第２の値は、前記第１の値より大きい前記段階と、
のために構成された前記フィードバック経路と、
を備える集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月3日(2011.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体および該支持体上に順番に配置される記録層および光透過層を備える光学記録媒体であって、該支持体が、射出成形部品、成形表面層および成形コア層を有する射出成形サンドイッチ構造体または紫外線結合される２つの射出成形部品、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される１以上の部品を備え、該支持体のＡＳＴＭ  Ｅ  ７５６−０５に従って２５℃において２０００Ｈｚで測定されるヤング率Ｅが少なくとも２．１５ＧＰａであり、かつ、Ｑファクターが１６０以下である、光学記録媒体。
【請求項２】
該支持体のＡＳＴＭ  Ｅ  ７５６−０５に従って２５℃において２０００Ｈｚで測定されるヤング率Ｅが少なくとも２．１５ＧＰａであり、かつ、Ｑファクターが１００以下である、請求項１に記載の光学記録媒体。
【請求項３】
該支持体のＡＳＴＭ  Ｅ  ７５６−０５に従って２５℃において２０００Ｈｚで測定されるヤング率Ｅが少なくとも２．９３ＧＰａであり、かつ、Ｑファクターが１６０以下である、請求項１に記載の光学記録媒体。
【請求項４】
該光透過層が、屈折率の実部ｎが少なくとも１．４１である紫外線硬化性スピンコート性樹脂を含有する、請求項１に記載の光学記録媒体。
【請求項５】
該光透過層が、紫外線硬化性スピンコート性樹脂を含有し、（ｉ）屈折率の実部ｎが少なくとも１．７０であり、かつ、虚部ｋが０．０１６以下である複素屈折率を有し；（ｉｉ）表面粗度Ｒａが２０ｎｍ以下であり；（ｉｉｉ）掻き傷の深さが０．７５μｍ以下である耐引掻き性を有し、該複素屈折率の実部ｎおよび虚部ｋが波長４００〜４１０ｎｍにおいて測定され；該表面粗度Ｒａが原子間力顕微鏡によって測定され；該掻き傷の深さが半径５０μｍのチップを有するダイヤモンド針を適用重量４０ｇのもとで該光透過層上を前進速度１．５ｃｍ／秒で動かすことによって測定される、請求項１に記載の光学記録媒体。
【請求項６】
該光透過層が、平均粒度（ｄ５０）１００ｎｍ以下のナノ粒子を含有する紫外線硬化性スピンコート可能樹脂を含有する、請求項１に記載の光学記録媒体。
【請求項７】
該光透過層の厚さが１ｎｍ〜３０００ｎｍである、請求項１に記載の光学記録媒体。
【請求項８】
該光透過層の厚さが２００ｎｍ〜２０００ｎｍである、請求項１に記載の光学記録媒体。
【請求項９】
該光透過層の厚さが５００ｎｍ〜１５００ｎｍである、請求項１に記載の光学記録媒体。
【請求項１０】
該支持体が１−Ｋ射出成形法によって製造されるパーツを備える、請求項１に記載の光学記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月17日(2011.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つのルーチン内で異なるスレッド間の切り替えを行なう方法をコンピューターに実行させるためのコンピューター実行可能命令を格納したコンピューター読み取り可能な記録媒体であって、
前記コンピューター実行可能命令は、実行されるときに、
コルーチンを実行させる要求を、前記コルーチンに含まれる機能を実行する必要がある元のルーチンから受信する手順と、
最初のスレッド上で前記コルーチンを実行する手順と、
前記コルーチンの終了に到達する前に前記コルーチンをリターンさせるｒｅｔｕｒｎステートメントに基づいて前記コルーチンがリターンをするときに、前記コルーチンからのレスポンスバックを受信する手順と、
リターンをするときに前記コルーチンが前記レスポンスバックで示した、前記コルーチンを次回に実行させるべきである最初のスレッドとは異なる後続のスレッド上で、前記コルーチンを次回に実行する手順と
を含む方法をコンピューターに実行させることを特徴とするコンピューター読み取り可能な記録媒体。
【請求項２】
もっとも近くのリターンにおいてコルーチンにより示されたもっとも近くの後続のスレッド上のコルーチンを実行するたびごとに、コルーチンの終了に到達するまで複数回コルーチンを実行する手順
を実行させるコンピューター実行可能な命令をさらに有することを特徴とする請求項１に記載のコンピューター読み取り可能な記録媒体。
【請求項３】
前記後続のスレッドは、パラメーターとしてｒｅｔｕｒｎステートメントに含まれることを特徴とする請求項１に記載のコンピューター読み取り可能な記録媒体。
【請求項４】
前記後続のスレッドは、ワーカー・スレッド・ロジックを処理するために使用されることを特徴とする請求項１に記載のコンピューター読み取り可能な記録媒体。
【請求項５】
ルーチンを部分的に終えてスレッドを切り替える方法であって、
第一のスレッド上のルーチンの実行を開始するステップと、
第一のｒｅｔｕｒｎステートメントにより前記ルーチンを部分的に終えたポイントでの前記ルーチンの終了をさせるステップであって、前記第一のｒｅｔｕｒｎステートメントが後続のスレッドの識別子を有する、前記ルーチンの終了をさせるステップと、
前記後続のスレッドの識別子において指定された後続のスレッド上におけるルーチンのコードの実行を再開するステップと、
前記第一のｒｅｔｕｒｎステートメントに続くコードの行での前記ルーチンにおけるコードの実行の続きをするステップと
を備えた方法。
【請求項６】
前記第一のスレッドと前記後続のスレッドとのうちの少なくとも１つは、グラフィカル・ユーザー・インターフェース・ロジックを処理するために使用されるスレッドであることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第一のスレッドと前記後続のスレッドとのうちの少なくとも１つは、ワーカー・ロジックを処理するために使用されるワーカー・スレッドであることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記ルーチンは、コルーチンであることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記第一のスレッドは、第二のスレッドと異なる型の動作を処理するのに使用されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記後続のスレッドの識別子は、パラメーターとして前記第一のｒｅｔｕｒｎステートメントに含まれることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項１１】
前記ルーチンの終了に到達するまで複数回、前記終了をさせるステップと、前記再開するステップと、続きをするステップとを繰り返すステップ
をさらに備えたことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項１２】
前記ルーチンに含まれるコードの第一の行は、前記第一のｒｅｔｕｒｎステートメントであることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項１３】
前記第一のｒｅｔｕｒｎステートメントは、前記ルーチンのコードをさらに処理する前に第一の所望の実行スレッドを前記後続のスレッドの識別子に指定できるように前記コードの第一の行に置かれることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
グラフィカル・ユーザー・インターフェース・ロジックおよびワーカー・スレッド・ロジックを、ただ１つのルーチンにコミングルする方法であって、
コルーチンに含まれる最初のロジックのコードの実行を開始するステップであって、前記最初のロジックがユーザー入力を受信するために第一のスレッド上に実行される、最初のロジックのコードの実行を開始するステップと、
前記ユーザー入力を受信するステップと、
第二のスレッドに切り替えるために部分的に終えて前記コルーチンの終了をさせるステップであって、前記第二のスレッドが前記第一のスレッドと異なるスレッドである、前記コルーチンの終了をさせるステップと、
前記ユーザー入力に応答してワーカーを実行するために前記第二のスレッド上のコルーチンにおけるコードの実行を再開するステップと
を備えた方法。
【請求項１５】
前記終了をさせるステップは、ｒｅｔｕｒｎステートメントに到達すると実行されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ｒｅｔｕｒｎステートメントは、実行を再開するべき次のスレッドを指定するスレッドの識別子をパラメーターとして含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
複数のｒｅｔｕｒｎステートメントが、スレッドの切り替えを行うべきときに示すルーチンに含まれることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記コルーチンは、適したスレッド上のコルーチンの呼び出しを確実にするコントローラールーチンにより複数回呼び出しをされることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記コントローラールーチンは、元のルーチンにより呼び出しをされることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記元のルーチンは、前記コルーチンの呼び出しをする要求を含むことを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月14日(2011.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スプレッドシート・ファイルの第１の特徴と第１の動作とのうち少なくともひとつに対する更新を第１のスプレッドシート・クライアントから受け取るステップと、
前記スプレッドシート・ファイルの第２の特徴と第１の動作とのうち少なくともひとつに対する更新を第２のスプレッドシート・クライアントから受け取るステップと、
前記各更新を前記スプレッドシート・ファイルに統合し、及び適用できるように、モジュールが、前記各更新をマージできるかどうかを判定するステップと、
前記モジュールが、前記各更新をマージできる場合は、前記各更新を結合し、前記各更新を前記スプレッドシート・ファイルに適用し、前記第１のスプレッドシート・クライアントと前記第２のスプレッドシート・クライアントとに送信し戻すための逆方向の更新を計算するステップと、
前記モジュールが、前記各更新をマージできない場合は、変換不能な変更に対するポリシに従って更新を処理するステップであって、前記ポリシは、
すべてのスプレッドシート・クライアントが、すべての以前の変更を受け取ったかを確認することと、
前記交換不能な変更を前記スプレッドシート・ファイルに適用すること
を含むポリシである、ステップと
を含むプロセスを実施するためのコンピュータ実行可能命令を記憶させたコンピュータ可読媒体。
【請求項２】
前記第１のスプレッドシート・クライアントと前記第２のスプレッドシート・クライアントとは、共にリッチ・クライアントであることを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項３】
前記第１のスプレッドシート・クライアントはリッチ・クライアントであり、前記第２のスプレッドシート・クライアントはブラウザ・クライアントであることを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項４】
前記プロセスはリアルタイムな共同作業環境で実施されることを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項５】
前記各更新はほぼ同時に受け取られることを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項６】
前記プロセスは、
前記スプレッドシート・ファイルに対する更新の要求をスプレッドシート・クライアントから受け取るステップと、
前記スプレッドシート・クライアントによって前記スプレッドシート・ファイルに対して以前に受け取られていない更新を全て含むリビジョン・レコードを送信するステップと
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項７】
スプレッドシート・ファイルの第１の特徴と第１の動作とのうち少なくともひとつに対する変更を、第１のスプレッドシート・クライアントから受け取るステップと、
前記スプレッドシート・ファイルの第２の特徴と第２の動作とのうち少なくともひとつに対する変更を、第２のスプレッドシート・クライアントから受け取るステップと、
前記各変更を前記スプレッドシート・ファイルに統合しかつ適用できるように、１又はそれより多くのコンピュータプロセッサにより、モジュールが前記各変更をマージできるかどうかを判定するステップと、
前記モジュールが、前記各変更をマージできる場合は、前記１又はそれより多くのプロセッサにより、前記各変更を結合して、前記各変更を前記スプレッドシート・ファイルに適用し、前記第１のスプレッドシート・クライアントと前記第２のスプレッドシート・クライアントとに送信し戻すための逆方向の更新を計算するステップと、
前記モジュールが、前記各変更をマージできない場合は、前記１又はそれより多くのプロセッサにより、変換不能な変更に対するポリシに従って変更を処理するステップであって、前記ポリシは、
すべてのスプレッドシート・クライアントが、すべての以前の変更を受け取ったかを確認することと、
前記交換不能な変更を前記スプレッドシート・ファイルに適用すること
を含むポリシである、ステップと
を含むことを特徴とするスプレッドシート共同作業のための方法。
【請求項８】
前記第１のスプレッドシート・クライアントと前記第２のスプレッドシート・クライアントとは共にリッチ・クライアントであることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１のスプレッドシート・クライアントはリッチ・クライアントであり、前記第２のスプレッドシート・クライアントはブラウザ・クライアントであることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記方法はリアルタイムな共同作業環境で実施されることを特徴とする請求項７に記載
の方法。
【請求項１１】
前記各変更はほぼ同時に受け取られることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記スプレッドシート・ファイルに対する更新の要求をスプレッドシート・クライアントから受け取るステップと、
前記スプレッドシート・クライアントによって前記スプレッドシート・ファイルに対して以前に受け取られていない更新を全て含むリビジョン・レコードを送信するステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
コンピュータ実行可能命令を実行するように動作するプロセッサと、
スプレッドシート・ファイルの第１の特徴と第１の動作とのうち少なくともひとつに対する第１の変更を第１のスプレッドシート・クライアントから受け取るステップと、
前記スプレッドシート・ファイルの第２の特徴と第２の動作とのうち少なくともひとつに対する第２の変更を第２のスプレッドシート・クライアントから受け取るステップと、
前記各変更を前記スプレッドシート・ファイルに統合しかつ適用できるように、モジュールが前記各変更をマージできるかどうかを判定するステップと、
前記モジュールが、前記各更新をマージできる場合は、前記各変更を結合し、前記各変更を前記スプレッドシート・ファイルに適用するステップと、
前記モジュールが、前記各更新をマージできない場合は、変換不能な変更に対するポリシに従って変更を処理するステップであって、前記ポリシは、
すべてのスプレッドシート・クライアントが、すべての以前の変更を受け取ったかを確認することと、
前記交換不能な変更を前記スプレッドシート・ファイルに適用すること
を含むポリシである、ステップと
を含むプロセスを実施するためのコンピュータ実行可能命令を記憶させたメモリと
を備えることを特徴とするスプレッドシート共同作業のためのシステム。
【請求項１４】
前記プロセスはリビジョン・マネージャによって実施されることを特徴とする請求項１
３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記第１のクライアントはリッチ・クライアントであり、前記第２のクライアントはブラウザ・クライアントであることを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項１６】
前記プロセスはリアルタイムな共同作業環境で実施されることを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項１７】
前記各更新は同時に受け取られることを特徴とする請求項１３に記載のシステム。