【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年9月6日(2011.9.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成され、前記基板からは電気的に分離された天井および２つの側壁を備えるシリコン・ゲルマニウム・ボディと、
前記シリコン・ゲルマニウム・ボディの前記２つの側壁上に形成され、ｐ型のドーパントを有し、チャネルを形成するストレインド・シリコン層と、
前記ストレインド・シリコン層上に形成されたゲート誘電体と、
前記ゲート誘電体上に形成されたゲートと、
前記ストレインド・シリコン層内に形成されたソースおよびドレインと、
を備える、
非平面トランジスタ。
【請求項２】
前記シリコン・ゲルマニウム・ボディは、５％から８０％の間の濃度のゲルマニウムを備える、
請求項１に記載の非平面トランジスタ。
【請求項３】
前記シリコン・ゲルマニウム・ボディは、１５％の濃度のゲルマニウムを備える、
請求項２に記載の非平面トランジスタ。
【請求項４】
前記ゲート誘電体は、２酸化シリコン、酸化ハフニウム、ケイ酸ハフニウム、酸化ランタン、アルミン酸ランタン、酸化ジルコニウム、ケイ酸ジルコニウム、酸化タンタル、酸化チタン、チタン酸バリウム・ストロンチウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、酸化イットリウム、酸化アルミニウム、タンタル酸鉛スカンジウム、および、ニオブ酸鉛亜鉛から構成されるグループから選択された物質を備える、
請求項１から請求項３までの何れか一項に記載の非平面トランジスタ。
【請求項５】
前記ゲートは、ポリシリコン、金属、および、それらの組合せから構成されるグループから選択された物質を備える、
請求項１から請求項４までの何れか一項に記載の非平面トランジスタ。
【請求項６】
前記シリコン・ゲルマニウム・ボディは、実質的に矩形の断面を有し、
前記ストレインド・シリコン層は、前記シリコン・ゲルマニウム・ボディの前記天井および前記２つの側壁の両方の側壁上に形成される、
請求項１から請求項５までの何れか一項に記載の非平面トランジスタ。
【請求項７】
前記シリコン・ゲルマニウム・ボディは、実質的に台形の断面を有し、
前記ストレインド・シリコン層は、前記シリコン・ゲルマニウム・ボディの前記天井および前記２つの側壁の両方の側壁上に形成される、
請求項１から請求項５までの何れか一項に記載の非平面トランジスタ。
【請求項８】
前記ストレインド・シリコン層は、２ナノメートルから１０ナノメートルの間の厚みを有する、
請求項１から請求項７までの何れか一項に記載の非平面トランジスタ。
【請求項９】
前記ストレインド・シリコン層は、４ナノメートルから５ナノメートルの間の厚みを有する、
請求項８に記載の非平面トランジスタ。
【請求項１０】
天井側の表面および２つの側壁側の表面を有し、インシュレータの上に形成されたシリコン・ゲルマニウム・フィンと、
前記シリコン・ゲルマニウム・フィンの前記天井側の表面および前記２つの側壁側の表面の上に形成され、ｐ型のドーパントを有し、チャネルを形成するストレインド・シリコン・フィルムと、
前記ストレインド・シリコン・フィルムの上に形成されたゲート誘電体と、
前記ゲート誘電体の上に形成され、前記シリコン・ゲルマニウム・フィンの前記天井側の表面を覆って広がるゲートと、
前記ストレインド・シリコン・フィルムに形成されたソースおよびドレインと
を備える、
３ゲート・トランジスタ。
【請求項１１】
前記シリコン・ゲルマニウム・フィンは、５％から８０％の濃度のゲルマニウムを備える、
請求項１０に記載の３ゲート・トランジスタ。
【請求項１２】
前記シリコン・ゲルマニウム・フィンは、１５％の濃度のゲルマニウムを備える、
請求項１１に記載の３ゲート・トランジスタ。
【請求項１３】
前記ストレインド・シリコン・フィルムは、２ナノメートルから１０ナノメートルの間の厚みを有する、
請求項１０から請求項１２までの何れか一項に記載の３ゲート・トランジスタ。
【請求項１４】
前記ストレインド・シリコン・フィルムは、４ナノメートルから５ナノメートルの間の厚みを有する、
請求項１３に記載の３ゲート・トランジスタ。
【請求項１５】
前記シリコン・ゲルマニウム・フィンが、ドープされている、
請求項１０から請求項１４までの何れか一項に記載の３ゲート・トランジスタ。
【請求項１６】
前記シリコン・ゲルマニウム・フィンのｐドーパントの濃度は、６×１０１９／ｃｍ３以下である、
請求項１５に記載の３ゲート・トランジスタ。
【請求項１７】
前記ストレインド・シリコン・フィルムのｐドーパントの濃度は、６×１０１９／ｃｍ３以下である、
請求項１０から請求項１６までの何れか一項に記載の３ゲート・トランジスタ。
【請求項１８】
絶縁層を有する基板上のシリコン層を準備する段階と、
シリコン基板上に、シリコン・ゲルマニウム層を成長させる段階と、
前記シリコン・ゲルマニウム層を、前記絶縁層を有する基板の前記シリコン層に結合させる段階と、
前記絶縁層を有する基板上の前記シリコン・ゲルマニウム層上に、前記シリコン基板のシリコンの層が残るように、前記シリコン基板の一部を除去する段階と、
前記シリコン・ゲルマニウム層から、前記絶縁層を有する基板上の前記シリコン層および前記シリコン基板の一部が除去されて得られたシリコンの層の中に、ゲルマニウムが拡散して、前記絶縁層を有する基板上の前記シリコン層、前記シリコン・ゲルマニウム層および前記シリコン基板の一部が除去されて得られたシリコンの層から、緩和されたシリコン・ゲルマニウム層を形成するように、前記絶縁層を有する基板をアニールする段階と、
前記緩和されたシリコン・ゲルマニウムの中に、天井側の表面および２つの側壁側の表面を有するフィンを形成する段階と、
前記フィンの前記天井側の表面および２つの側壁側の表面の上に、ｐ型のドーパントを有し、チャネルを形成するストレインド・シリコン・フィルムを形成する段階と、
前記ストレインド・シリコン・フィルム上に、ゲート誘電体を配置する段階と、
前記ゲート誘電体上に、ゲート電極を形成する段階と、
を備える、
方法。
【請求項１９】
２酸化シリコン、酸化ハフニウム、ケイ酸ハフニウム、酸化ランタン、アルミン酸ランタン、酸化ジルコニウム、ケイ酸ジルコニウム、酸化タンタル、酸化チタン、チタン酸バリウム・ストロンチウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、酸化イットリウム、酸化アルミニウム、タンタル酸鉛スカンジウム、および、ニオブ酸鉛亜鉛から構成されるグループから選択されたゲート誘電体物質のゲート誘電体を、前記ストレインド・シリコン・フィルム上に形成する段階を更に備える、
請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記ゲート電極は、ポリシリコン、金属、および、それらの組合せから構成されるグループから選択される、
請求項１８または請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
ソースおよびドレインを形成するために、前記ストレインド・シリコン・フィルムをドープする段階を更に備える、
請求項１８から請求項２０までの何れか一項に記載の方法。
【請求項２２】
基板上に形成され、前記基板からは電気的に分離された天井および２つの側壁を備えるシリコン・ゲルマニウム・ボディと、
前記シリコン・ゲルマニウム・ボディの前記２つの側壁上に形成され、ｐ型のドーパントを有し、チャネルを形成するストレインド・シリコン・フィルムと、
ドープされた前記ストレインド・シリコン・フィルム上に形成されたゲート誘電体と、
前記ゲート誘電体上に形成されたゲートと、
ドープされた前記ストレインド・シリコン・フィルム内に形成されたソースおよびドレインと、
を備え、
前記シリコン・ゲルマニウム・ボディは、シリコン層にゲルマニウムが拡散して、前記シリコン層と実質的に均一なゲルマニウム濃度を有することになったシリコン・ゲルマニウム層を有する、
非平面トランジスタ。
【請求項２３】
前記シリコン・ゲルマニウム・ボディは、実質的に矩形の断面を有し、
前記ストレインド・シリコン・フィルムは、前記シリコン・ゲルマニウム・ボディの前記天井および前記２つの側壁の両方の側壁上に形成される、
請求項２２に記載の非平面トランジスタ。
【請求項２４】
前記シリコン・ゲルマニウム・ボディが、ドープされている、
請求項２２または請求項２３に記載の非平面トランジスタ。
【請求項２５】
前記シリコン・ゲルマニウム・ボディのｐドーパントの濃度は、６×１０１９／ｃｍ３以下である、
請求項２４に記載の非平面トランジスタ。
【請求項２６】
前記ストレインド・シリコン・フィルムが、ドープされている、
請求項２２から請求項２５までの何れか一項に記載の非平面トランジスタ。
【請求項２７】
前記ストレインド・シリコン・フィルムのｐドーパントの濃度は、６×１０１９／ｃｍ３以下である、
請求項２６に記載の非平面トランジスタ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
図１は、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）の基板の断面を説明する。ＳＯＩ基板は、他の機能と共に、不純物層（例えば、平面ＭＯＳ構造のソースおよびドレイン領域をドープする不純物）および基板の間の接合キャパシタンス層内で発生する接合キャパシタンスを減らすことで、トランジスタの性能を向上させることで、当該技術において有名である。例えば、ある実施例において、基板１００はシリコンを備える。基板１００の上には埋められた酸化物層１０１がある。ある実施例において、その埋められた酸化物層は、２酸化シリコンを備える。その埋められた酸化物層１０１の上には、シリコン１０２がある。商業的に利用可能な、そのＳＯＩ基板は、一般的に、略５００オングストロームの厚みのシリコン１０２を有する。ある実施例は、その接合キャパシタンス領域を更に減少させるために、そのシリコン１０２を略２０から１００オングストロームの間に平坦化および研磨する（例えば、化学機械研磨またはＣＭＰにより）。しかしながら、当該技術において理解されるように、基板１００、埋められた酸化物層１０１、および、シリコン１０２によるＳＯＩの組合せは、注入酸素（ＳＩＭＯＸ）、ボンドおよびエッチバック（ＢＥＳＯＩ）またはＢＥＳＯＩプロセス（スマートカット）の前の酸素注入により別々に準備されてもよいことが、理解されるべきである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
図２は、それぞれをシリコン２０１にスマートカット移動させる前における、ストレインド・シリコン・ゲルマニウム２０１およびシリコン２０２を含む、基板１００の図１における断面を示す。そして、スマートカット移動は、当該技術において有名であり、ＳＯＩＴＥＣにより開発されている。スマートカット法の特徴的な応用は、図２により説明されるように、大きな犠牲的なシリコン２０２の層を有する分離した基板として、シリコン２０２上にストレインド・シリコン・ゲルマニウム２０１の層を成長させることを含む。高い線量（即ち、１０１７／ｃｍ２）の水素が、ストレインド・シリコン・ゲルマニウム２０１に隣接したそのシリコン２０２の深さ、あるいは、水素注入２０３により説明される（シリコン２０２の内部に配置される）ようにそのシリコン・ゲルマニウム層２０１の範囲内の深さに注入される。シリコン２０２およびストレインド・シリコン・ゲルマニウム２０１から成るその分離した基板は、埋められた酸化物層１０１およびシリコン１０２を含む基板１００に接触させられている。特に、シリコン１０２、および、ストレインド・シリコン・ゲルマニウム２０１の表面は、高温のアニールの後に化学的な酸素ボンディングにより結合されている。言い換えれば、そのストレインド・シリコン・ゲルマニウム２０１は共有結合の力によりそのシリコン１０２に接着している。ある実施例において、そのアニールは略１時間について略８００℃から９００℃の間である。そのアニールは、さらに、シリコン２０２における高い線量の水素注入２０３に基づいて、徹底して弱体化させたシリコン２０２の層をもたらす。シリコン１０２およびストレインド・シリコン・ゲルマニウム２０１の間の接着力が、その徹底的に水素注入２０３が弱体化させたシリコン２０２の層が支えることのできる力よりも強いと、シリコン２０２の犠牲的な部分（もし水素注入２０３がシリコン・ゲルマニウム２０１内にある場合においてはシリコン・ゲルマニウム２０１およびシリコン２０２）が削られて、図３により説明される構造を後に残す。ある実施例において、その残ったシリコン２０２（あるいはシリコン・ゲルマニウム２０１）は、化学的・機械的に磨かれて、後続のプロセス・ステップのために適切なシリコン２０２（またはシリコン・ゲルマニウム２０１）の表面を形成してよい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
図４は、高温かつ長期間のアニールの後における、図３の基板１００の断面を示す。ある実施例において、そのアニールは、略１秒から３時間の間について、略８００℃から１１００℃の間である。ある実施例のあるアニールにおいて、その温度は略１０００℃であり、そして、その期間は略２時間である。その高温かつ長期間のアニールの間、そのストレインド・シリコン・ゲルマニウム２０１内のゲルマニウムはシリコン１０２およびシリコン２０２に中で拡散する。そのゲルマニウムは、そのストレインド・シリコン２０１、シリコン１０２、および、シリコン２０２に渡ってほぼ均一な濃度で拡散するので、それは緩和されたシリコン・ゲルマニウム４０１を形成する。もはや隣接するシリコンによって圧縮可能に歪められることはないので、緩和されたシリコン・ゲルマニウム４０１の格子定数は、その緩和されたシリコン・ゲルマニウム４０１の中のゲルマニウムの濃度に基づいて増加する。ある実施例において、その緩和されたシリコン・ゲルマニウム４０１は、略５％から８０％の範囲の濃度のゲルマニウムを有する（即ち、シリコン・ラティスが存在する場所の約５％から８０％がゲルマニウムにより占有される）。ある実施例において、その緩和されたシリコン・ゲルマニウム４０１は、約１５％の濃度のゲルマニウムを有する。その緩和されたシリコン・ゲルマニウム４０１は、シリコン１０２、ストレインド・シリコン・ゲルマニウム２０１、シリコン２０２、または、それらの組合せを、予めアニールし、ドープすることに基づいて、当該技術において知られた如何なるｐドーパントによってｐにドープされてもよい。緩和されたシリコン・ゲルマニウム４０１の実施例におけるそのｐドーパントの濃度レベルは、略ドープされていない状態および６×１０１９／ｃｍ３の間であってよい。ある実施例において、緩和されたシリコン・ゲルマニウム４０１のｐタイプのドーパントの濃度レベルは、略１０１７／ｃｍ３である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
ストレインド・シリコン６０１は、結晶のシリコンを配置する技術において知られた如何なる方法によって配置されてもよい。ある実施例において、そのストレインド・シリコン６０１は、緩和されたシリコン・ゲルマニウム・フィン５０１のパターンニングの間に、その緩和されたシリコン・ゲルマニウム・フィン４０１の表面が露光され、かつ、その埋められた酸化物層１０１の表面は露光されないように、選択エピタキシーにより配置される。たとえば、ある実施例において、低圧化学蒸気配置プロセスの実施例は、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ４）、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）、および、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３）を、シリコン源として利用し、そして、ＨＣＬを、選択的な成長のためのエッチング・ガスとして利用する。ある実施例において、配置室の圧力は略５００ミリトールから５００トールの間であり、そして、基板１００の温度は略４００℃から１１００℃の間であり、そして、合計の前駆ガスフロー率は、略１０ｓｃｃｍから１０００ｓｃｃｍの間である。それらの配置の条件は、その配置室のサイズに依存して変化し得ることが理解されるべきである。エピタキシャルの配置は実質的に単結晶のストレインド・シリコン６０１を形成することも更に理解されるべきである。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
ある実施例において、そのストレインド・シリコン６０１はｐ型のドーパントによってドープされる。ある実施例において、ストレインド・シリコン６０１におけるそのｐ型のドーパントの濃度レベルは、略ドープされていない状態から６×１０１９／ｃｍ３までの間に広がる。特に、低圧化学配置プロセスの実施例において、そのストレインド・シリコン６０１は、配置の間に、ドーパントの前駆物質と合体させることにより、その場でドープされてもよい。ストレインド・シリコン６０１は、代わりに、外方拡散または注入によりドープされてもよい。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
図８は、埋められた酸化物層１０１、緩和されたシリコン・ゲルマニウム・フィン５０１、ストレインド・シリコン６０１、ゲート誘電体７０１およびゲート７０２を含む、図７に示す基板１００の、斜視図の説明図である。ある実施例において、ゲート誘電体７０１およびゲート７０２のブランケット配置は、上述のように、緩和されたシリコン・ゲルマニウム・フィン５０１を露光するようにエッチされる。非平面３ゲートＭＯＳトランジスタのアレイを生成するために、１つの緩和されたシリコン・ゲルマニウム・フィン５０１が、多数のゲート７０２に対して動作し、そして、１つのゲート７０２が多数の緩和されたシリコン・ゲルマニウム・フィン５０１と共に動作することが、理解されるべきである。