【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年11月4日(2011.11.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移送基体上に配置した複数の半導体ナノワイヤーを供給する工程、
受取基体の１箇所以上の選択領域に沈着した高分子付着性材料を有する受取基体を供給する工程、
移送基体と受取基体とを合体させ、そこで移送基体上の半導体ナノワイヤーを受取基体の１箇所以上の選択領域上の高分子付着材料と接触させる工程、
移送基体及び受取基体の少なくとも一方を、他方の移送基体及び受取基体に対しほぼ平行に、移送基体上の半導体ナノワイヤーの平均長の範囲内で移動し、受取基体に付着した該半導体ナノワイヤーをほぼ整列させる工程、及び
受取基体の１箇所以上の選択領域に付着した半導体ナノワイヤーの集団を残すため、受取基体から移送基体を分離する工程、を含む、
半導体ナノワイヤーを基体上に沈着させる方法。
【請求項２】
複数の半導体ナノワイヤーが第ＩＩ族−第ＶＩ族半導体、第ＩＩＩ族−第Ｖ族半導体又は第ＩＶ族半導体から選ばれた半導体材料を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
半導体ナノワイヤーが移送基体上で合成される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
合体工程が、移送基体を受取基体の選択領域に押圧する工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
移送基体が可とう性平坦シート基体を含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
移送基体がロール上に配置される請求項５に記載の方法。
【請求項７】
移送基体のロールが受取基体上で転がる請求項６に記載の方法。
【請求項８】
受取基体が可とう性平坦シート基体を含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
受取基体がロール上に配置される請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
受取基体の１箇所以上の選択領域に付着した半導体ナノワイヤー集団中の半導体ナノワイヤーの少なくとも５０％が共通軸に対し３０°未満内に整列する請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
受取基体の１箇所以上の選択領域に付着した半導体ナノワイヤー集団中の半導体ナノワイヤーの少なくとも５０％が共通軸に対し１０°未満内に整列する請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
受取基体の１箇所以上の選択領域に付着した半導体ナノワイヤー集団中の半導体ナノワイヤーの少なくとも５０％が共通軸に対し５°未満内に整列する請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
受取基体の１箇所以上の選択領域に付着した半導体ナノワイヤー集団中の半導体ナノワイヤーの少なくとも８０％が共通軸に対し３０°未満内に整列する請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
受取基体の１箇所以上の選択領域に付着した半導体ナノワイヤー集団中の半導体ナノワイヤーの少なくとも８０％が共通軸に対し１０°未満内に整列する請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
受取基体の１箇所以上の選択領域に付着した半導体ナノワイヤー集団中の半導体ナノワイヤーの少なくとも９０％が共通軸に対し３０°未満内に整列する請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
受取基体の１箇所以上の選択領域に付着した半導体ナノワイヤー集団中の半導体ナノワイヤーの少なくとも９０％が共通軸に対し１０°未満内に整列する請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
分離工程に続いて、受取基体の表面から付着性材料が除去される請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
除去工程が受取基体のプラズマ清掃工程を含む請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
除去工程が受取基体表面の溶剤による清掃工程を含む請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
付着性材料がホトレジストを含み、かつ除去工程が付着性材料を露光する工程及び付着性材料を現像液と接触させる工程を含む請求項１７に記載の方法。    
【請求項２１】
第一表面を有する基体と、
該第一表面に沈着した高分子付着性材料と、
各々、主軸を有すると共に、第一表面上に沈着し、かつ付着性材料に付着してなり、複数の半導体ナノワイヤーが、前記基体の前記第１表面に対して非垂直である共通軸と平行にほぼ配向された該複数の半導体ナノワイヤーと、
を備えた物品。
【請求項２２】
複数の半導体ナノワイヤーの少なくとも５０％が、共通軸に対し、３０°以内に配向されている請求項２１に記載の物品。
【請求項２３】
複数の半導体ナノワイヤーの少なくとも５０％が、共通軸に対し、１０°以内に配向されている請求項２２に記載の物品。
【請求項２４】
複数の半導体ナノワイヤーの少なくとも５０％が、共通軸に対し、５°以内に配向されている請求項２２に記載の物品。
【請求項２５】
複数の半導体ナノワイヤーの少なくとも６０％が、共通軸に対し、３０°以内に配向されている請求項２２に記載の物品。
【請求項２６】
複数の半導体ナノワイヤーの少なくとも６０％が、共通軸に対し、１０°以内に配向されている請求項２２に記載の物品。
【請求項２７】
複数の半導体ナノワイヤーの少なくとも６０％が、共通軸に対し、５°以内に配向されている請求項２２に記載の物品。
【請求項２８】
複数の半導体ナノワイヤーの少なくとも８０％が、共通軸に対し、３０°以内に配向されている請求項２２に記載の物品。
【請求項２９】
複数の半導体ナノワイヤーの少なくとも８０％が、共通軸に対し、１０°以内に配向されている請求項２２に記載の物品。
【請求項３０】
複数の半導体ナノワイヤーの少なくとも８０％が、共通軸に対し、５°以内に配向されている請求項２２に記載の物品。
【請求項３１】
複数の半導体ナノワイヤーの少なくとも９０％が、共通軸に対し、３０°以内に配向されている請求項２２に記載の物品。
【請求項３２】
複数の半導体ナノワイヤーの少なくとも９０％が、共通軸に対し、１０°以内に配向されている請求項２２に記載の物品。
【請求項３３】
複数の半導体ナノワイヤーの少なくとも９０％が、共通軸に対し、５°以内に配向されている請求項２２に記載の物品。
【請求項３４】
高分子付着性材料がレジストを含む請求項２２に記載の物品。
【請求項３５】
レジストがホトレジストを含む請求項３４に記載の物品。
【請求項３６】
付着性材料及び付着性材料に付着した半導体ナノワイヤーが、第一表面の選択領域に配置される請求項２２に記載の物品。
【請求項３７】
移送基体の、高分子付着材料を含む第一表面に複数の半導体ナノワイヤーを配置してなる移送基体と、
該移送基体の第一表面とは対向面に第一表面を配置してなる受取基体と、  
移送基体及び受取基体の少なくとも一方の基体に連結し、移送基体の第一表面と受取基体の第一表面とを互いに接触させた後、受取基体の第一表面から移送基体の第一表面を分離するための自動移動モジュール、とを備えたシステムであって、
該自動移動モジュールは、移送基体及び受取基体の少なくとも一方を、他方の移送基体及び受取基体に対しほぼ平行に、移送基体上の半導体ナノワイヤーの平均長の範囲内で移動させて、受取基体に付着した半導体ナノワイヤーをほぼ整列させる、該システム。
【請求項３８】
自動移動モジュールが、移送基体のシートを受取基体のシートと接触させる方向に向けるため、１個以上のローラーを有する請求項３７に記載のシステム。
【請求項３９】
移動システムが移動して移送基体の第一表面を受取基体の第一表面と接触させる前に受取基体の第一表面上に高分子付着性材料を沈着させるため、受取基体の第一表面上に配置された高分子付着性材料沈着用アプリケーターを更に備える請求項３７に記載のシステム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
一方の基体から他方の基体への相対移動は、通常、沈着、整列している平均的ナノワイヤーの長さの範囲内で、通常、それ以下である。したがって、これらの基体は、互いに対し５ｍｍ以下（最初の接触位置から）移動する。多くの場合、これより短い移動でよく、例えばこれらの基体は、互いに対し１ｍｍ、１００μｍ、１０μｍ又は１μｍ以下、更には１μｍ未満シフトさせてよい。幾つかの場合、高密度沈着のナノワイヤー又はナノ構造は、基体上の引きずり距離を長くするか、又は一箇所に更にナノワイヤー又は他のナノ構造を沈着させるため、分離及び再接触工程を間に入れて、短距離の引きずり工程を繰り返すことにより達成できる。