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　特願２００４−２８２９７７「プリンタヘッド及びこれを備えた画像形成装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　４月１３日出願公開、特開２００６−　９５７８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、平成１６年９月２９日の出願であって、平成２０年７月７日付けで手続補正がなされ、同年９月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１１月６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年１２月５日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２０年１２月５日付け手続補正についての補正却下の決定
　
〔補正却下の決定の結論〕
　平成２０年１２月５日付け手続補正を却下する。
　
〔理由〕
１　本件補正の内容
（１）平成２０年１２月５日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲についてするもので、本件補正前の請求項１に、
「ライン状に配列された複数の画素部を有するプリンタヘッドであって、
　前記複数の画素部の各々は、
　　電流駆動型の発光素子と、
　　
データ信号に応じて前記発光素子に
　　一対の容量電極と、誘電体膜として前記一対の容量電極の間に介在する層間絶縁と、を有し、前記データ信号に応じた電荷を保持する保持容量と、
　を備え
、
　
一
　前記一対の容量電極の他方の電極の少なくとも一部は、前記駆動トランジスタのソース領域またはドレイン領域によって構成されており、
　前記保持容量に保持される前記電荷に応じた電圧が前記ゲート電極に印加され、
　少なくとも前記ゲート電極における前記容量電極の一方として機能する部分、及び、前記一対の容量電極の他方の電極の少なくとも一部が、前記複数の画素部の配列方向に交わる方向に沿って長手状に延び
ている
　
「ライン状に配列された複数の画素部を有するプリンタヘッドであって、
　前記複数の画素部の各々は、
　　電流駆動型の発光素子と、
　　
走査信号により選択された前記発光素子にデータ信号に応じた
　　一対の容量電極と、誘電体膜として前記一対の容量電極の間に介在する層間絶縁と、を有し、前記データ信号に応じた電荷を保持する保持容量と、
　を備え
、
　
前記複数の画素部のうち所定個数の画素部により、１つの画素ブロックが形成され、
　
前記画素ブロックの各画素部には、共通の前記走査信号が供給され、
　
一
　前記一対の容量電極の他方の電極の少なくとも一部は、前記駆動トランジスタのソース領域またはドレイン領域によって構成されており、
　前記保持容量に保持される前記電荷に応じた電圧が前記ゲート電極に印加され、
　少なくとも前記ゲート電極における前記容量電極の一方として機能する部分、及び、前記一対の容量電極の他方の電極の少なくとも一部が、前記複数の画素部の配列方向に交わる方向に沿って長手状に延び
ており、
　
前記画素ブロックの各画素部における前記保持容量の容量電極は、前記各画素部の配列方向に沿った長さが一定であり、前記容量電極の前記配列方向に交わる方向に沿った長さにより、前記保持容量の容量値が規定される
　を特徴とするプリンタヘッド。」と補正する内容を含むものである（下線は審決で付した。以下同じ。）。
　
（２）本件補正後の請求項１に係る発明についての上記（１）の補正内容は、本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「データ信号に応じて前記発光素子に駆動電流を供給する」ことを、「走査信号により選択された前記発光素子にデータ信号に応じた駆動電流を供給する」として、駆動電流を供給する発光素子が「走査信号により選択された」ものであること及びデータ信号に応じているのは「駆動電流」であることを限定するとともに、同じく本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「複数の画素部」について、「前記複数の画素部のうち所定個数の画素部により、１つの画素ブロックが形成され、前記画素ブロックの各画素部には、共通の前記走査信号が供給され」との限定を付加し、同じく本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「保持容量」について、「前記画素ブロックの各画素部における前記保持容量の容量電極は、前記各画素部の配列方向に沿った長さが一定であり、前記容量電極の前記配列方向に交わる方向に沿った長さにより、前記保持容量の容量値が規定される」との限定を付加するものである。
　
２　本件補正の目的
　本件補正後の請求項１に係る上記１（２）の補正内容は、本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
３　刊行物の記載
（１）原査定の拒絶の理由に引用された「本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１１−２７４５６９号公報（以下「引用例１」という。）」には、次の事項が図とともに記載されている。
　ア　「【００１０】一方、近年、大面積の基板上に薄膜で形成することができ、且つ
直流駆動可能な有機薄膜発光素子（以下、「有機ＬＥＤ素子」と記す）
該有機ＬＥＤ素子からなる発光部を一次元状に配列した有機ＬＥＤ装置をプリンタヘッドとして用いる
【００１１】図１２は、このような有機ＬＥＤ装置の一例を模式的に示す平面図である。この例では、９
画素
【００１２】図１２中、１２０は透光性基板、１２１〜１２９は
画素
発光部
有機ＬＥＤ素子
画素
有機ＬＥＤ素子
有機ＬＥＤ素子
【００１３】図１３は、図１２中のＡ−Ａ’断面を示す模式図である。図中、１３１は有機ＬＥＤ素子１２１の陰極であり、その引き出し線にＭＴＸ１が接続されている。陰極１３１は、Ｌｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｍｇ−Ａｇ、Ａｌ−Ｌｉ、Ｉｎ等の薄膜からなる。また、
１３２は有機ＬＥＤ素子１２１の有機発光層であり、例えばアルミキノリノール錯体等の有機電子輸送材料よりなる電子輸送層と、トリフェニルアミン等の有機正孔輸送材料よりなる正孔輸送層とを積層して形成されている
　
　イ　「【００３０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもので、
基板上に、発光層を陽極及び陰極により挟持したＬＥＤ素子と、電荷を蓄積するコンデンサと、トランジスタと、を有し、データ信号に対応して該トランジスタを介して上記蓄積コンデンサに電荷を蓄積し、該蓄積された電荷によって上記ＬＥＤ素子を発光させるＬＥＤ装置を１画素として、ｎ×ｍ個（ｎ、ｍはいずれも２以上）の画素を一次元状に配列し、該複数の画素を相互に隣接するｎ個の画素を１ブロックとしてｍ個のブロックに分割し、各ブロックの画素をｍ本の共通配線によりブロック毎に共通に配線し、各ブロックより１画素ずつ選択してｎ本のマトリクス配線により異なるブロック間で共通に配線してなることを特徴とするＬＥＤ装置
【００３１】本発明においては、
蓄積コンデンサに一旦電荷を蓄積し、該蓄積電荷によってＬＥＤ素子を発光させる。該蓄積コンデンサへの電荷の蓄積はトランジスタによって制御されるため、複数の画素を配設した装置の任意の画素において、他の画素の蓄積コンデンサへ電荷を蓄積している期間にも、当該画素の蓄積コンデンサに蓄積された電荷によってＬＥＤ素子を発光させることができ、任意の画素において十分な期間ＬＥＤ素子の発光を行うことができ
【００３２】本発明においては、好ましくは、
画素毎に、蓄積コンデンサに蓄積された電荷量によってソース・ドレイン電極間に流れる電流が制御される第二のトランジスタを介してＬＥＤ素子に流れる電流を制御することによって、必要な電荷量が少なくて済むため、第一のトランジスタの大きさや蓄積コンデンサの大きさが小さくて済み、その分ＬＥＤ素子の面積を大きくでき、より大きな発光を得ることができ
【００３３】上記本発明のＬＥＤ装置においては、特に、上記共通配線を第一のトランジスタのソース或いはドレイン電極に接続し、上記マトリクス配線を該トランジスタのゲート電極に接続し、共通配線よりデータ信号を、マトリクス配線より選択信号を入力することにより、データ信号が互いに交差することのない共通配線から各画素に入力されるため、前記した当該交差部での容量結合によるクロストークの発生も防止される。
【００３４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の各構成について詳細に説明する。
【００３５】［実施形態１］図１に、本発明第１の実施形態のＬＥＤ装置の１画素の等価回路を示す。図中、
１は第一のトランジスタであるアドレストランジスタ
２は蓄積コンデンサ
３は第二のトランジスタである駆動トランジスタ
４は発光部たるＬＥＤ素子である
便宜上、各トランジスタのソース・ドレイン電極は信号入力側をソース電極と
【００３６】
アドレストランジスタ１のゲート電極にオンの選択信号が印加されると、該アドレストランジスタ１は導通状態となり、そのソース電極に印加されたデータ信号に応じた電荷が蓄積コンデンサ２に蓄積され
この信号電荷量に応じて、駆動トランジスタ３に電流が流れ、ＬＥＤ素子４が信号に応じた輝度で発光する
【００３７】
アドレストランジスタ１のゲート電極に印加された選択信号がオフになると、アドレストランジスタ１は非導通状態となるが、蓄積コンデンサ２に蓄積された信号電荷はそのまま保持されるので、駆動トランジスタ３を流れる電流はそのまま流れ続け、従ってＬＥＤ素子４もそのまま発光を持続する
【００３８】
その後、再びアドレストランジスタ１のゲート電極にオンの選択信号が印加されることがあると、再びアドレストランジスタ１が導通状態となり、その時点でアドレストランジスタ１のソース電極に印加されているデータ信号に応じた電荷が蓄積コンデンサ２に蓄積される。この新たな信号電荷に応じて、駆動トランジスタ３に流れる電流が変化し、ＬＥＤ素子４が新たな信号に応じた輝度で発光する
【００３９】図２は本発明第１の実施形態のＬＥＤ装置の全体の等価回路を示す図であり、図１の等価回路を１画素として複数の画素を
一次元状
【００４０】本実施形態は、画素１〜６の６画素からなるＬＥＤ装置である。図中、１１、２１、３１、４１、５１、６１は各画素のアドレストランジスタ、１２、２２、３２、４２、５２、６２は蓄積コンデンサ、１３、２３、３３、４３、５３、６３は駆動トランジスタ、１４、２４、３４、４４、５４、６４はＬＥＤ素子である。
【００４１】本実施形態において、画素１〜３のそれぞれのアドレストランジスタ１１、２１、３１のゲート電極は共に共通配線ＢＬＫ１に接続されている。また、画素４〜６のそれぞれのアドレストランジスタ４１、５１、６１のゲート電極は共に共通配線ＢＬＫ２に接続されている。
【００４２】一方、画素１〜３のアドレストランジスタ１１、２１、３１のソース電極は、それぞれ異なるマトリクス配線、ＭＴＸ１〜ＭＴＸ３に接続されている。また、画素４〜６のアドレストランジスタ４１、５１、６１のソース電極もそれぞれ異なるマトリクス配線ＭＴＸ１〜ＭＴＸ３に接続されている。ＢＬＫ１、ＢＬＫ2はそれぞれ引き出されて、例えばシフトレジスタのような選択信号回路１６に接続されている。
【００４３】また、マトリクス配線ＭＴＸ１〜ＭＴＸ３はそれぞれに動作する信号源を有するデータ信号回路１５に接続されている。各信号源は、電圧信号を発生する電圧源として作用しても良いし、電流信号を発生する電流源として作用しても良い。図３は上記第一の実施形態のＬＥＤ装置の駆動タイミングを示す図である。図中、ｓｅｌ１、ｓｅｌ２はＢＬＫ１、ＢＬＫ２に印加される選択信号、ｄａｔａ１〜ｄａｔａ３はＭＴＸ１〜ＭＴＸ３に印加されるデータ信号、Ｌ１４〜Ｌ６４は画素１〜６の各ＬＥＤ素子１４、２４、３４、４４、５４、６４の発光輝度を表わしている。
【００４４】時刻ｔ１で共通配線ＢＬＫ１に印加される選択信号ｓｅｌ１がオンである高電位状態、ＢＬＫ２に印加されるｓｅｌ２がオフである低電位状態となる。すると、ＢＬＫ１に接続された画素１〜３のアドレストランジスタ１１、２１、３１はいずれも導通状態となり、蓄積コンデンサ１２、２２、３２にその時点でマトリクス配線ＭＴＸ１〜ＭＴＸ３に印加されているデータ信号ｄａｔａ１〜ｄａｔａ３の電位に応じた信号電荷が蓄積される。そして画素１〜３の駆動トランジスタ１３、２３、３３が上記蓄積された信号電荷量に応じた導通状態となり、該
信号電荷量に応じた電流が各トランジスタのソース・ドレイン電極間に流れ、信号電荷量に応じた輝度でＬＥＤ素子１４、２４、３４が発光し始める
【００４５】時刻ｔ２になると、ＢＬＫ１に印加されるｓｅｌ１はオフである低電位状態、ＢＬＫ２に印加されるｓｅｌ２がオンである高電位状態となる。その結果、アドレストランジスタ１１、２１、３１は非導通状態となるが、ＬＥＤ素子１４、２４、３４は蓄積コンデンサ１２、２２、３２に蓄積された電荷によって発光をそのまま持続する。一方、ｓｅｌ２のオン信号によって、画素４〜６のアドレストランジスタ４１、５１、６１が導通状態となり、上記画素１〜３と同様にしてＬＥＤ素子４４、５４、６４が発光し始める。アドレストランジスタ４１、５１、６１は時刻ｔ３には非導通状態となるが、ＬＥＤ素子４４、５４、６４は蓄積コンデンサ４３、５３、６３に蓄積された電荷によってｔ３以降も発光を持続する。また、ｔ３には、ｓｅｌ１が再びオンとなり、画素１〜３の画素が新たなデータ信号によって書き換えられる。
【００４６】以上のようにして、画素１〜３と画素４〜６が少しずつタイミングをずらして書き換えを行いながら、データ信号に応じた輝度で発光してゆく。
【００４７】本発明においては、アドレストランジスタを介して蓄積コンデンサに蓄積した電荷によってＬＥＤ素子を発光させるため、アドレストランジスタが非選択の期間（例えば画素１〜３ではτ２）においてもＬＥＤ素子の発光を持続させることができ、発光輝度の低い有機ＬＥＤ素子でも、一走査時間のトータルな光エネルギーとしては画像を形成するために十分な光量が得られる。また、そのため、有機ＬＥＤ素子の劣化が少なく、エネルギーの利用効率も高いという利点もある。
【００４８】図４は図２の構成のＬＥＤ装置を駆動するための異なる駆動タイミングを示す図であり、図３においてＬＥＤ素子の発光輝度の制御をデータ信号ｄａｔａ１〜ｄａｔａ３の電位を変えることによって行う代わりに、データ信号のパルス幅を変えることによって行うものである。
【００４９】図５は、上記した図２の構成のＬＥＤ装置を模式的に示す平面図である。
【００５０】また、図６は上記ＬＥＤ装置の製法の一例を、図５に示したＡ−Ａ’断面に沿って示した工程図である。以下に当該製法を説明する。尚、本発明のＬＥＤ装置が当該製法に限定されるものではない。また、図６の（ａ）〜（ｇ）は下記工程−ａ〜ｇに相当する断面模式図である。
【００５１】工程−ａ
基板１０１として洗浄した平面性の良いガラス基板を用い、該
基板１０１上の発光部
となるべき部分に
ＩＴＯ層１０２を
パターン形成
【００５２】工程−ｂ
駆動トランジスタ１１、蓄積コンデンサ１２、アドレストランジスタ１３、マトリクス配線ＭＴＸ
１
となるべき部分に
Ａｌ／Ｃｒ層１０３
のパターンを形成
【００５３】工程−ｃ
基板１０１上にプラズマＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ４ガス及びＮＨ３ガスまたはＮ２ガスを原料としてＲＦグロー放電により、窒化シリコンからなる
絶縁層１０４を
半導体層１０５
ｎ
＋
層１０６を
堆積
【００５４】工程−ｄ
フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、ＣＦ４ガスを用いてドライエッチングを行い、部分的に
ｎ
＋
層１０６、半導体層１０５、絶縁層１０４を取り除いてコンタクトホール１０７を形成
【００５５】工程−ｅ
真空堆積法により
Ａｌ／Ｃｒ層１０８を
堆積
部分的にＡｌ／Ｃｒ層１０８及びｎ
＋
層１０６を取り除いて上層電極配線を形成
マトリクスに形成された下層電極配線と上層電極配線はコンタクトホールを通して電気的導通
アドレス及び駆動トランジスタのチャネルが形成
【００５６】工程−ｆ
窒化シリコンにより
パッシベーション膜１０９を形成
【００５７】工程−ｇ
フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、ＣＦ４ガスを用いたドライエッチングを行い、
パッシベーション膜１０９を部分的に取り除いて発光部のＩＴＯ層１０２面を露出させ
【００５８】
半導体層１０５を介して電気的に接続していた各素子を独立分離させ、必要な電極配線のみで電気的接続を行
【００５９】このようにして
得られた駆動回路基板
発光部のＩＴＯ層の上部に発光層及び陰極層を堆積
【００６０】先ず、真空堆積法により
発光部のＩＴＯ層の上部に有機正孔輸送材料を
堆積して、有機正孔輸送層を形成
【００６１】
【化１】
…略…（Ｉ）
【００６２】
次に、上記有機正孔輸送層の上部に有機電子輸送材料を
堆積して有機電子輸送層を形成
【００６３】
【化２】
…略…（ＩＩ）
【００６４】次に、
上記有機電子輸送層の上部に
陰極層を形成
【００６５】有機正孔輸送層及び有機電子輸送層はフォトリソグラフィに用いられる溶剤等に侵され易く、これをパターニングするのは困難である。本例では、有機正孔輸送層、有機電子輸送層、及び陰極層のパターニングは適当な開口を有するマスクを介して真空堆積を行う、いわゆるマスク蒸着方法とした。
【００６６】
最後に、発光部、或いは発光部及びその周辺を含む部分に、
パッシベーション膜を被覆
　
　ウ　「【００７３】また、有機ＬＥＤ素子の製法も上記に限らず、真空蒸着法の他に塗布法やラングミュアブロジェット法など、各種の成膜法が利用できる。
【００７４】
基板上に薄膜トランジスタや蓄積コンデンサを形成する方法についても、前記した製法の他
【００７５】また、いわゆる電界効果型の
薄膜トランジスタではなく、
他の種類のトランジスタでも代替可能である。
【００７６】また、ダイオードの構成についても、上記に限定されず、例えば非晶質シリコン以外にも、多結晶シリコンや、単結晶シリコンを用いたダイオードとしても良い。また、金属と半導体の間のショットキー接合を用いたＭＩＳ構造のダイオードではなく、ｐ型半導体とｎ型半導体とのＰＮ接合を用いたものであっても良い。」
　
　エ　図２及び図５の記載から、一次元状に配列された複数の画素（１〜６）のうち３個の画素（１〜３又は４〜６）により１つのブロックが形成され、該ブロックの各画素には共通の選択信号（ＢＬＫ１又はＢＬＫ２）が供給されていることが見て取れる。
　
　オ　図５及び図６の記載から、次のことが見て取れる。
（ア）蓄積コンデンサ１２となるべき部分に形成した、下層電極配線となる第１Ａｌ／Ｃｒ層１０３と、上層電極配線となる第２Ａｌ／Ｃｒ層１０８と、第１及び第２Ａｌ／Ｃｒ層に挟まれている絶縁層１０４、半導体層１０５及びｎ＋層１０６とが、前記蓄積コンデンサ１２を構成していること。
（イ）第１Ａｌ／Ｃｒ層１０３は、駆動トランジスタ１１の第１ゲート電極及び蓄積コンデンサ１２の下層電極、アドレストランジスタ１３の第２ゲート電極及び共通の選択信号配線ＢＬＫ１、マトリクス配線ＭＴＸ１、及びマトリクス配線ＭＴＸ２を、それぞれ一体に構成していること。
（ウ）部分的に第２Ａｌ／Ｃｒ層１０８及びｎ＋層１０６を取り除いて形成した、各蓄積コンデンサ１２、２２、３２、４２、５２、６２に共通する蓄積コンデンサの上層電極は、各駆動トランジスタ１３、２３、３３、４３、５３、６３のソース電極と一体に構成されていること。
（エ）第１Ａｌ／Ｃｒ層１０３及び第２Ａｌ／Ｃｒ層１０８が互いに重なっている部分で構成している各蓄積コンデンサ１２、２２、３２、４２、５２、６２は、複数の画素の配列方向に交わる方向に沿って長手状に延びている長方形であり、各蓄積コンデンサの互いに重なって下層電極及び上層電極となっている第１Ａｌ／Ｃｒ層１０３及び第２Ａｌ／Ｃｒ層１０８の長方形の部分の各々の、前記配列方向の長さ及び前記交わる方向の長さは各蓄積コンデンサにおいていずれも一定であること。
　
　カ　上記アないしオから、引用例１には、次の発明が記載されているものと認められる。
「直流駆動可能な有機薄膜発光素子である有機ＬＥＤ素子からなる発光部を一次元状に配列した有機ＬＥＤ装置を用いるプリンタヘッドであって、
　便宜上、各トランジスタのソース・ドレイン電極は信号入力側をソース電極として、基板上に、発光層を陽極及び陰極により挟持した有機ＬＥＤ素子と、電荷を蓄積する蓄積コンデンサと、信号入力側をソース電極とした第一のトランジスタであるアドレストランジスタと、信号入力側をソース電極とした第二のトランジスタである駆動トランジスタとを有し、データ信号に対応してアドレストランジスタを介して上記蓄積コンデンサに電荷を蓄積し、該蓄積された電荷によって発光させる有機ＬＥＤ素子を１画素として、ｎ×ｍ個（ｎ、ｍはいずれも２以上）の画素を一次元状に配列し、該複数の画素を相互に隣接するｎ個の画素を１ブロックとしてｍ個のブロックに分割し、各ブロックの画素をｍ本の共通配線によりブロック毎に共通に配線し、各ブロックより１画素ずつ選択してｎ本のマトリクス配線により異なるブロック間で共通に配線し、
　前記ブロックの各画素に共通の選択信号を供給し、アドレストランジスタのゲート電極にオンの選択信号が印加されると、該アドレストランジスタは導通状態となり、そのソース電極に印加されたデータ信号に応じた電荷が蓄積コンデンサに蓄積され、このデータ信号電荷量に応じて、駆動トランジスタに電流が流れ、有機ＬＥＤ素子がデータ信号に応じた輝度で発光し、アドレストランジスタのゲート電極に印加された選択信号がオフになると、アドレストランジスタは非導通状態となるが、蓄積コンデンサに蓄積されたデータ信号電荷はそのまま保持されるので、駆動トランジスタを流れる電流はそのまま流れ続け、従って有機ＬＥＤ素子もそのまま発光を持続し、その後、再びアドレストランジスタのゲート電極にオンの選択信号が印加されることがあると、再びアドレストランジスタが導通状態となり、その時点でアドレストランジスタのソース電極に印加されているデータ信号に応じた電荷が蓄積コンデンサに蓄積され、この新たなデータ信号電荷に応じて、駆動トランジスタに流れる電流が変化し、有機ＬＥＤ素子が新たなデータ信号に応じた輝度で発光するようになして、
　前記蓄積コンデンサに一旦電荷を蓄積し、該蓄積電荷によって有機ＬＥＤ素子を発光させ、該蓄積コンデンサへの電荷の蓄積はアドレストランジスタによって制御されるため、複数の画素を配設した装置の任意の画素において、他の画素の蓄積コンデンサへ電荷を蓄積している期間にも、当該画素の蓄積コンデンサに蓄積された電荷によって有機ＬＥＤ素子を発光させることができ、任意の画素において十分な期間有機ＬＥＤ素子の発光を行うことができ、画素毎に、前記蓄積コンデンサに蓄積された電荷量によってソース・ドレイン電極間に流れる電流が制御される駆動トランジスタを介して有機ＬＥＤ素子に流れる電流を制御することによって、必要な電荷量が少なくて済むため、アドレストランジスタの大きさや蓄積コンデンサの大きさが小さくて済み、その分有機ＬＥＤ素子の面積を大きくでき、より大きな発光を得ることができるプリンタヘッドにおいて、
　前記有機ＬＥＤ装置は、基板１０１上の発光部となるべき部分にＩＴＯ層１０２をパターン形成し、駆動トランジスタ１１、蓄積コンデンサ１２、アドレストランジスタ１３、マトリクス配線ＭＴＸ１となるべき部分に下層電極配線となる第１Ａｌ／Ｃｒ層１０３のパターンを形成し、絶縁層１０４、半導体層１０５及びｎ＋層１０６を順に堆積し、ｎ＋層１０６、半導体層１０５、絶縁層１０４を取り除いてコンタクトホール１０７を形成し、第２Ａｌ／Ｃｒ層１０８を堆積し、部分的に第２Ａｌ／Ｃｒ層１０８及びｎ＋層１０６を取り除いて上層電極配線を形成して、マトリクスに形成された下層電極配線と上層電極配線はコンタクトホールを通して電気的導通させるとともに、アドレストランジスタ及び駆動トランジスタのチャネルを形成し、パッシベーション膜１０９を形成し、パッシベーション膜１０９を部分的に取り除いて発光部のＩＴＯ層１０２面を露出させ、半導体層１０５を介して電気的に接続していた各素子を独立分離させ、必要な電極配線のみで電気的接続を行って駆動回路基板を得た後、発光部のＩＴＯ層の上部に有機正孔輸送材料を堆積して、有機正孔輸送層を形成し、次に、上記有機正孔輸送層の上部に有機電子輸送材料を堆積して有機電子輸送層を形成し、上記有機電子輸送層の上部に陰極層を形成して、発光層及び陰極層を堆積し、最後に、発光部、或いは発光部及びその周辺を含む部分に、パッシベーション膜を被覆したものであるが、基板上に薄膜トランジスタや蓄積コンデンサを形成する方法についても、前記した製法の他の製法でもよく、前記した薄膜トランジスタではなく、他の種類のトランジスタでも代替可能であり、
　蓄積コンデンサ１２となるべき部分に形成した、下層電極配線となる第１Ａｌ／Ｃｒ層１０３と、上層電極配線となる第２Ａｌ／Ｃｒ層１０８と、第１及び第２Ａｌ／Ｃｒ層に挟まれている絶縁層１０４、半導体層１０５及びｎ＋層１０６とが、前記蓄積コンデンサ１２を構成し、
　第１Ａｌ／Ｃｒ層１０３は、駆動トランジスタ１１の第１ゲート電極及び蓄積コンデンサ１２の下層電極、アドレストランジスタ１３の第２ゲート電極及び共通の選択信号配線ＢＬＫ１、マトリクス配線ＭＴＸ１、及びマトリクス配線ＭＴＸ２を、それぞれ一体に構成し、
　部分的に第２Ａｌ／Ｃｒ層１０８及びｎ＋層１０６を取り除いて形成した、各蓄積コンデンサ１２、２２、３２、４２、５２、６２に共通する蓄積コンデンサの上層電極を、各駆動トランジスタ１３、２３、３３、４３、５３、６３のソース電極と一体に構成し、
　第１Ａｌ／Ｃｒ層１０３及び第２Ａｌ／Ｃｒ層１０８が互いに重なっている部分で構成している各蓄積コンデンサ１２、２２、３２、４２、５２、６２は、複数の画素の配列方向に交わる方向に沿って長手状に延びている長方形であり、各蓄積コンデンサの互いに重なって下層電極及び上層電極となっている第１Ａｌ／Ｃｒ層１０３及び第２Ａｌ／Ｃｒ層１０８の長方形の部分の各々の、前記配列方向の長さ及び前記交わる方向の長さは各蓄積コンデンサにおいていずれも一定である
　プリンタヘッド。」（以下「引用発明１」という。）
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用された「本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００１−１９５０１５号公報（以下「引用例２」という。）」には、次の事項が図とともに記載されている。
　ア　「【０００４】ＥＬ表示装置にはパッシブ型（単純マトリクス型）とアクティブ型（アクティブマトリクス型）の二種類があり、どちらも盛んに開発が行われている。特に現在はアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置が注目されている。また、ＥＬを発する発光層となるＥＬ材料は、有機ＥＬ材料と無機ＥＬ材料があり、さらに有機ＥＬ材料は、低分子系（モノマー系）有機ＥＬ材料と高分子系（ポリマー系）有機ＥＬ材料とに区別される。特に、低分子系有機ＥＬ材料よりも取り扱いが容易で耐熱性の高いポリマー系有機ＥＬ材料が注目されている。なお、
有機ＥＬ材料を用いた発光装置を欧州ではＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diodes）
【０００５】アクティブマトリクス型ＥＬ表示装置は、画素部を形成する各画素に電界効果トランジスタ、最近では薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）を設け、ＥＬ素子に流す電流量を前記ＴＦＴで制御する点に特徴がある。このようなアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置の代表的な画素構造として、特開平８−２４１０４８号公報の図１に示すような構造が知られている。
【０００６】同公報記載の画素構造は、
一つの画素内に二つのトランジスタ（Ｔ１、Ｔ２）を設け、トランジスタ（Ｔ１）のドレインにはトランジスタ（Ｔ２）と並列にコンデンサ（Ｃｓ）が設けられている。このコンデンサは１フィールド期間もしくは１フレーム期間、トランジスタ（Ｔ２）のゲートにかかる電圧を保持する
【０００７】
しかしながら、二つのトランジスタとコンデンサとを画素内に形成するとこれらの素子が画素面積の殆どを占めてしまい、有効発光面積（発光層で発した光を取り出しうる面積）を落とす要因となっていた
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点を鑑みてなされたものであり、
有効発光面積の大きい画素構造を用いることで明るい画像表示が可能な電子装置を提供することを課題と
【０００９】さらに、上記高輝度の画像表示が可能な電子装置の製造コストを低減するためのプロセスを提供することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明では、
ＥＬ素子に電流を供給するためのＴＦＴ（以下、電流制御用ＴＦＴという）のゲートにかかる電圧を、電流制御用ＴＦＴのゲート容量（ゲートと活性層との間に形成される寄生容量）で保持する点
コンデンサ（Ｃｓ）の代わりに電流制御用ＴＦＴ（特開平８−２４１０４８号公報の図１ではトランジスタ（Ｔ２）に相当する）のゲート容量を積極的に利用
【００１１】そこで本発明では、
ｐチャネル型ＴＦＴでなる電流制御用ＴＦＴのドレイン領域側に、ゲート絶縁膜を挟んでゲート電極と重なるようにＬＤＤ領域を形成する点
【００１２】
このような構造とすることで実質的にコンデンサの専有面積を省略することができるため、有効発光面積を大幅に広げることができる
【００１３】また、本発明では大型基板から複数の電子装置を形成するプロセスを用いることで電子装置の製造コストの低減、即ち電子装置の低コスト化を図る。その際、既存の液晶ラインを転用しうるプロセスとし、設備投資を最小限に抑えることで大幅な製造コストの低減を図る点に特徴がある。」
　
　イ　上記アの記載から、引用例２には、次の発明が記載されているものと認められる。
「ＯＬＥＤとも呼ばれる有機ＥＬ材料を用いた発光装置において、
　一つの画素内に二つのトランジスタ（Ｔ１、Ｔ２）を設け、トランジスタ（Ｔ１）のドレインにはトランジスタ（Ｔ２）と並列にコンデンサ（Ｃｓ）を設けて、該コンデンサでトランジスタ（Ｔ２）のゲートにかかる電圧を保持する従来のＥＬ表示装置では、二つのトランジスタとコンデンサとを画素内に形成するとこれらの素子が画素面積の殆どを占めてしまい、有効発光面積（発光層で発した光を取り出しうる面積）を落とす要因となっていたので、有効発光面積の大きい画素構造を用いることで明るい画像表示が可能な電子装置を提供することを課題として、
　コンデンサ（Ｃｓ）の代わりに電流制御用ＴＦＴ（Ｔ２）のゲート容量を積極的に利用し、
　ＥＬ素子に電流を供給するためのＴＦＴ（以下、電流制御用ＴＦＴという）のゲートにかかる電圧を、電流制御用ＴＦＴのゲート容量（ゲートと活性層との間に形成される寄生容量）で保持するようにし、このような構造とすることで実質的にコンデンサの専有面積を省略することができるため、有効発光面積を大幅に広げることができる発光装置であって、
　ｐチャネル型ＴＦＴでなる電流制御用ＴＦＴのドレイン領域側に、ゲート絶縁膜を挟んでゲート電極と重なるようにＬＤＤ領域を形成した発光装置。」（以下「引用発明２」という。）
　
４　対比
　本願補正発明と引用発明１とを対比する。
（１）引用発明１の「一次元状に配列」、「画素」、「ｎ×ｍ個（ｎ、ｍはいずれも２以上）の画素」、「プリンタヘッド」、「直流駆動可能な有機薄膜発光素子である有機ＬＥＤ素子」、「選択信号」、「データ信号」、「駆動トランジスタに電流が流れ、有機ＬＥＤ素子４がデータ信号に応じた輝度で発光」、「信号入力側をソース電極とした第二のトランジスタである駆動トランジスタ」、「蓄積コンデンサ１２となるべき部分に形成した、下層電極配線となる第１Ａｌ／Ｃｒ層１０３と、上層電極配線となる第２Ａｌ／Ｃｒ層１０８」、「第１及び第２Ａｌ／Ｃｒ層に挟まれている絶縁層１０４、半導体層１０５及びｎ＋層１０６」、「電荷」、「電荷を蓄積する蓄積コンデンサ」、「相互に隣接するｎ個」、「ｎ個の画素を１ブロック」、「共通の選択信号」、「『第１Ａｌ／Ｃｒ層１０３』により『一体に構成』された『駆動トランジスタ１１の第１ゲート電極及び蓄積コンデンサ１２の下層電極』」及び「各蓄積コンデンサ１２、２２、３２、４２、５２、６２に共通する蓄積コンデンサの上層電極」は、それぞれ、本願補正発明の「ライン状に配列」、「画素部」、「複数の画素部」、「プリンタヘッド」、「電流駆動型の発光素子」、「走査信号」、「データ信号」、「発光素子にデータ信号に応じた駆動電流を供給」、「『駆動用トランジスタ』及び『駆動トランジスタ』」、「一対の容量電極」、「層間絶縁」、「電荷」、「保持容量」、「所定個数」、「画素ブロック」、「共通の前記走査信号」、「『前記駆動トランジスタのゲート電極によって構成され』た『一対の容量電極の一方の電極』」及び「一対の容量電極の他方の電極」に相当する。
　
（２）引用発明１の「プリントヘッド」は、直流駆動可能な有機薄膜発光素子である有機ＬＥＤ素子からなる発光部を「ライン状（一次元状）」に配列した有機ＬＥＤ装置を用いるものであって、有機ＬＥＤ素子を１「画素部（画素）」として、ｎ×ｍ個（ｎ、ｍはいずれも２以上）の画素を一次元状に配列したものであるから、本願補正発明の「プリントヘッド」と、「ライン状に配列された複数の画素部を有する」点で一致する。ここで、引用発明１の「ｎ×ｍ個（ｎ、ｍはいずれも２以上）の画素」が本願補正発明の「複数の画素部」に相当する。
　
（３）引用発明１の「プリントヘッド」は、相互に隣接するｎ個の「画素部（画素）」を１「画素ブロック（ブロック）」とした「画素ブロック」の各「画素部」に共通の「走査信号（選択信号）」を供給し、アドレストランジスタのゲート電極にオンの「走査信号」が印加されると、該アドレストランジスタは導通状態となり、そのソース電極に印加された「データ信号」に応じた電荷が「保持容量（蓄積コンデンサ）」に蓄積され、このデータ信号電荷量に応じて、「駆動用トランジスタ（駆動トランジスタ）」に電流が流れ、「発光素子（有機ＬＥＤ素子）」が「データ信号」に応じた輝度で発光し、アドレストランジスタのゲート電極に印加された「走査信号」がオフになると、アドレストランジスタは非導通状態となるが、「保持容量」に蓄積されたデータ信号電荷はそのまま保持されるので、「駆動用トランジスタ」を流れる電流はそのまま流れ続け、従って「発光素子」もそのまま発光を持続し、その後、再びアドレストランジスタのゲート電極にオンの「走査信号」が印加されることがあると、再びアドレストランジスタが導通状態となり、その時点でアドレストランジスタのソース電極に印加されている「データ信号」に応じた電荷が「保持容量」に蓄積され、この新たなデータ信号電荷に応じて、「駆動用トランジスタ」に流れる電流が変化し、「発光素子」が新たな「データ信号」に応じた輝度で発光するようになされているから、引用発明１の「駆動用トランジスタ（駆動トランジスタ）」と本願補正発明の「駆動用トランジスタ」とは「走査信号により選択された発光素子にデータ信号に応じた駆動電流を供給するための」ものである点で一致し、引用発明１の「保持容量（蓄積コンデンサ）」と本願補正発明の「保持容量」とは「データ信号に応じた電荷を保持する」点で一致し、引用発明１の「複数の画素部」の各々と本願補正発明の「複数の画素部」の各々とは「発光素子と、駆動用トランジスタと、保持容量と、を備え」ている点及び「画素ブロックの各画素部には、共通の前記走査信号が供給され」る点で一致する。
　
（４）引用発明１の「保持容量（蓄積コンデンサ）」は、「一対の容量電極（蓄積コンデンサとなるべき部分に形成した、下層電極配線となる第１Ａｌ／Ｃｒ層１０３と、上層電極配線となる第２Ａｌ／Ｃｒ層１０８）」と、「一対の容量電極（第１及び第２Ａｌ／Ｃｒ層）」に挟まれている「層間絶縁（絶縁層１０４、半導体層１０５及びｎ＋層１０６）」とから構成されているから、本願補正発明の「保持容量」と、「一対の容量電極と、誘電体膜として前記一対の容量電極の間に介在する層間絶縁と、を有」する点で一致する。
　
（５）引用発明１の「プリントヘッド」は、「複数の画素部（ｎ×ｍ個（ｎ、ｍはいずれも２以上）の画素）」を一次元状に配列し、該「複数の画素部」を相互に隣接するｎ個の「画素部」を１「画素ブロック（ブロック）」としてｍ個の「画素ブロック」に分割しているから、引用発明１の「複数の画素部」の各々と本願補正発明の「複数の画素部」の各々とは「前記複数の画素部のうち所定個数の画素部により、１つの画素ブロックが形成され」ている点で一致する。
　
（６）引用発明１において、部分的に第２Ａｌ／Ｃｒ層１０８及びｎ＋層１０６を取り除いて形成した、「一対の容量電極の他方の電極（各蓄積コンデンサ１２、２２、３２、４２、５２、６２に共通する蓄積コンデンサの上層電極）」は、各「駆動用トランジスタ（駆動トランジスタ）」１３、２３、３３、４３、５３、６３のソース電極と一体に構成されているから、引用発明１の「一対の容量電極の他方の電極」の少なくとも一部と本願補正発明の「『駆動トランジスタのソース領域またはドレイン領域』によって構成されている『一対の容量電極の他方の電極』」の少なくとも一部とは、「駆動トランジスタのソース部分」によって構成されている点で一致するといえる。
　
（７）引用発明１において、データ信号に応じた電荷が蓄積コンデンサに蓄積され、このデータ信号電荷量に応じて、駆動トランジスタに電流が流れ、かつ、引用発明１においても、本願補正発明と同様に「一対の容量電極の一方の電極は、前記駆動トランジスタのゲート電極によって構成され」ている（上記（１）参照。）から、引用発明１の「駆動トランジスタ」のゲート電極と本願補正発明の「駆動トランジスタ」のゲート電極とは、「保持容量に保持されるデータ信号に応じた電荷に応じた電圧が印加され」る点で一致するといえる。
　
（８）引用発明１において、第１Ａｌ／Ｃｒ層１０３及び第２Ａｌ／Ｃｒ層１０８が互いに重なっている部分で構成している各蓄積コンデンサ１２、２２、３２、４２、５２、６２は、複数の画素の配列方向に交わる方向に沿って長手状に延びている長方形であり、各蓄積コンデンサの互いに重なって下層電極及び上層電極となっている第１Ａｌ／Ｃｒ層１０３及び第２Ａｌ／Ｃｒ層１０８の長方形の部分の各々の、前記配列方向の長さ及び前記交わる方向の長さは各蓄積コンデンサにおいていずれも一定であり、かつ、複数のコンデンサが、その電極の長さのみ異なる場合、各コンデンサの容量値はその電極の長さで規定されることは、当業者に自明であるから、引用発明１は、本願補正発明の「少なくとも前記ゲート電極における前記容量電極の一方として機能する部分、及び、前記一対の容量電極の他方の電極の少なくとも一部が、前記複数の画素部の配列方向に交わる方向に沿って長手状に延びており、前記画素ブロックの各画素部における前記保持容量の容量電極は、前記各画素部の配列方向に沿った長さが一定であり、前記容量電極の前記配列方向に交わる方向に沿った長さにより、前記保持容量の容量値が規定される」との事項を有しているといえる。
　
（９）上記（１）ないし（８）によれば、本願補正発明と引用発明１とは、
「ライン状に配列された複数の画素部を有するプリンタヘッドであって、
　前記複数の画素部の各々は、
　　電流駆動型の発光素子と、
　　走査信号により選択された前記発光素子にデータ信号に応じた駆動電流を供給するための駆動用トランジスタと、
　　一対の容量電極と、誘電体膜として前記一対の容量電極の間に介在する層間絶縁と、を有し、前記データ信号に応じた電荷を保持する保持容量と、
　を備え、　
　前記複数の画素部のうち所定個数の画素部により、１つの画素ブロックが形成され、　
　前記画素ブロックの各画素部には、共通の前記走査信号が供給され、　
　一対の容量電極の一方の電極は、前記駆動トランジスタのゲート電極によって構成されており、
　前記一対の容量電極の他方の電極の少なくとも一部は、前記駆動トランジスタのソース部分によって構成されており、
　前記保持容量に保持される前記電荷に応じた電圧が前記ゲート電極に印加され、
　少なくとも前記ゲート電極における前記容量電極の一方として機能する部分、及び、前記一対の容量電極の他方の電極の少なくとも一部が、前記複数の画素部の配列方向に交わる方向に沿って長手状に延びており、　
　前記画素ブロックの各画素部における前記保持容量の容量電極は、前記各画素部の配列方向に沿った長さが一定であり、前記容量電極の前記配列方向に交わる方向に沿った長さにより、前記保持容量の容量値が規定される
　プリンタヘッド。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点：
　前記ソース部分が、本願補正発明では「ソース領域またはドレイン領域」であるのに対して、引用発明１では「ソース電極」である点。
　
５　判断
　上記相違点について検討する。
（１）引用例２には、上記３（２）で述べたとおりの引用発明２が記載されている（上記３（２）イ参照。）
　
（２）引用発明１の「プリントヘッド」は、「一対の容量電極の一方の電極」は、「駆動トランジスタのゲート電極」によって構成するとともに、「一対の容量電極の他方の電極」の少なくとも一部は、便宜上、各トランジスタのソース・ドレイン電極は信号入力側をソース電極としたとき、前記「駆動トランジスタ」のソース電極によって構成するものであるが、引用発明１の有機ＬＥＤ装置は、基板上に薄膜トランジスタや蓄積コンデンサを形成する方法は他の製法でもよく、前記薄膜トランジスタではなく、他の種類のトランジスタでも代替可能なものであるから、引用発明１において、前記「駆動用トランジスタ」を引用発明２と同様の種類のものとし、「一対の容量電極と、誘電体膜として前記一対の容量電極の間に介在する層間絶縁と、を有し、前記データ信号に応じた電荷を保持する保持容量」として、蓄積コンデンサに代えて、あるいは蓄積コンデンサに加えて、有機ＬＥＤ素子に電流を供給するための駆動トランジスタのゲート容量（ゲートと活性層との間に形成される寄生容量）を採用して、「一対の容量電極の他方の電極」の少なくとも一部を、前記「駆動トランジスタ」の「ソース領域またはドレイン領域（活性層）」によって構成されるものとなすことは、当業者が引用発明２に基づいて適宜なし得た程度のことである。
　
（３）本願補正発明の奏する効果は、引用発明１の奏する効果及び引用発明２の奏する効果から、当業者が予測できた程度のものである。
　
（４）まとめ
　したがって、本願補正発明は、当業者が引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
６　小括
　本願補正発明は、以上のとおり、当業者が引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし７に係る発明は、平成２０年７月７日付け手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項によって特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２〔理由〕１（１）」に本件補正前の請求項１として記載したものである。
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１及び２並びにそれらの記載事項は、前記「第２〔理由〕３」に記載したとおりである。
　
３　対比・判断　
　上記「第２〔理由〕２」で述べたとおり、本願補正発明は、本願発明を特定するために必要な事項について限定を付加したものに相当する。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「第２〔理由〕５」に記載したとおり、当業者が引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、当業者が引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび 
　本願発明は、当業者が引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。