【手続補正書】
【提出日】平成22年12月8日(2010.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部スペースを有する加熱されたチャンバー内において、半導体ウェハを支持するサセプタであって、
当該半導体ウェハは、フロント面、該フロント面と反対のバック面、上記フロント面および上記バック面の外周に延在する外周側面を有し、
当該サセプタは、チャンバーの内部スペースに受容されかつ半導体ウェハを支持することができる大きさおよび形状に形成され、
当該サセプタは、
上面と、当該上面と反対の下面と、を有する本体と、
当該上面から当該本体に仮想の中央軸に沿って下方に延び、半導体ウェハを受容することができる大きさおよび形状に形成された凹部と、
上記本体を貫通し上記凹部から下面まで延びる複数のリフトピン開口部と、を有し、複数のリフトピン開口部のそれぞれは、ウェハを凹部に対して選択的に上昇または下降させるため、リフトピンを受容することができる大きさに形成され、
さらに、当該サセプタは、上記本体から上記中央軸に沿って上記凹部から上記下面まで延びる中央開口部を備えるサセプタ。
【請求項２】
上記凹部は、上記本体の上面に略対向する面を有する請求項１記載のサセプタ。
【請求項３】
上記面は、外側縁から内側縁に向かって下方に傾斜する請求項２記載のサセプタ。
【請求項４】
上記面は凹面であることを特徴とする請求項３記載のサセプタ。
【請求項５】
上記凹部は円形状を有する請求項１記載のサセプタ。
【請求項６】
上記開口部は円形状を有する請求項１記載のサセプタ。
【請求項７】
サセプタ本体の下面が、サセプタ支持体を受容することができる大きさおよび位置に形成された複数の開口部を有する請求項１記載のサセプタ。
【請求項８】
上記凹部が約０．０２７インチの深さを有する請求項１記載のサセプタ。
【請求項９】
上記凹部の面が、約６ミリメートルの幅長を有する請求項１記載のサセプタ。
【請求項１０】
内部スペースを有する加熱されたチャンバー内において、半導体ウェハを支持するサセプタであって、
当該半導体ウェハは、フロント面、該フロント面と反対のバック面、上記フロント面および上記バック面の外周に延在する外周側面を有し、
当該サセプタは、チャンバーの内部スペース内に受容されかつ半導体ウェハを支持することができる大きさおよび形状に形成され、
当該サセプタは、
上面と、当該上面と反対の下面と、を有する本体と、
当該上面から当該本体に仮想の中央軸に沿って下方に延びる凹部であって、半導体ウェハを受容することができる大きさおよび形状に形成され外側面から内側面に向かって下方に傾斜したウェハ係合面を含む凹部と、
上記本体を通って上記中央軸に沿って上記凹部から上記下面まで延びる中央開口部と、を備えるサセプタ。
【請求項１１】
上記ウェハ係合面は凹面である請求項１０記載のサセプタ。
【請求項１２】
上記凹部は円形状を有する請求項１０記載のサセプタ。
【請求項１３】
上記開口部は円形状を有する請求項１０記載のサセプタ。
【請求項１４】
上記開口部は約８．６６インチの直径を有する請求項１３記載のサセプタ。
【請求項１５】
上記サセプタ本体は、当該本体を貫通する複数のリフトピン開口部を有し、当該複数のリフトピン開口部のそれぞれは、上記ウェハを上記凹部に対して選択的に上昇および下降させるためリフトピンを受容することができる大きさに形成された請求項１０記載のサセプタ。
【請求項１６】
上記サセプタ本体の下面は、サセプタ支持体を受容することができる大きさおよび位置に形成された複数の開口部を有する請求項１０記載のサセプタ。
【請求項１７】
上記凹部は、約０．０２７インチの深さを有する請求項１０記載のサセプタ。
【請求項１８】
上記凹面は、約６ミリメートル（ｍｍ）の幅長を有する請求項１０記載のサセプタ。
【請求項１９】
上記サセプタが８００℃の初期温度を有し、約１１５０℃の温度を有するチャンバーに配置されたとき、１５秒未満で定常温度に達する請求項１０記載のサセプタ。
【請求項２０】
内部スペースを有する加熱されたチャンバー内において半導体ウェハを支持するサセプタであって、
当該ウェハは、フロント面、バック面、外周側面を有し、当該サセプタは、チャンバーの内部スペース内に半導体ウェハを支持することができる大きさおよび形状に形成され、
当該サセプタは、
上面と、
当該上面から下方に延び、半導体ウェハを受容するよう適合された第１凹部であって、略円形の第１壁部と、該第１壁部から上記第１凹部の中央に向かって延びる第１棚部と、を有し、該第１棚部は、外周部と内周部とを有し、上記第１棚部が、ウェハの支持を容易にするため上記外周部から内周部に向かって下方に傾斜する第１凹部と、
上記第１凹部から下方に延びる第２凹部であって、略円形の第２壁部と、該第２壁部から内側へ延びる第２棚部と、を有する第２凹部と、
上記第２凹部から下方に延びる第３凹部であって、略円形の第３壁部と、該第３壁部から内側に延在するフロアーと、を有する第３凹部と、を有し、
上記第１、第２、第３凹部は、共通の中央軸を有するサセプタ。
【請求項２１】
上記ウェハのバック面と上記第３凹部のフロアーとの間の距離が、約０．００５インチ〜約０．０３０インチである請求項２０記載のサセプタ。
【請求項２２】
上記ウェハのバック面と上記第３凹部のフロアーとの間の距離が、約０．００８インチ〜約０．０３０インチである請求項２０記載のサセプタ。
【請求項２３】
上記ウェハのバック面と上記第３凹部のフロアーとの間の距離が、約０．０１０インチ〜約０．０３０インチである請求項２０記載のサセプタ。
【請求項２４】
上記凹部のどの部分においてもサセプタ下面までサセプタが貫通されていない請求項２０記載のサセプタ。
【請求項２５】
上記凹部の棚部は略傾斜し凹状であり、
上記の略円形の第２壁部の下端と上記の略円形の第３壁部の上端との間の垂直距離が、約０．０１０インチを超えない請求項２０記載のサセプタ。
【請求項２６】
上記ウェハが、バック面の端部近郊の外周端部もしくは外周領域が、上記第１棚部と接触するようにサセプタ上に配置される請求項２０記載のサセプタ。
【請求項２７】
上記凹部が略円形状である請求項２０記載のサセプタ。
【請求項２８】
内部スペースと、チャンバーの内部スペースにプロセスガスを導入するためのガス入口と、プロセスガスをチャンバーの内部スペースから排気するためのガス出口と、を有するチャンバー内において半導体ウェハを支持するサセプタであって、
当該ウェハは、フロント面、バック面、および外周側面を有し、当該サセプタは、チャンバーの内部スペース内において半導体ウェハを支持することができる大きさおよび形状に形成され、
当該サセプタは、
上面と、
当該上面から下方に延び、半導体ウェハを受容するよう適合された第１凹部であって、略円形の第１壁部と、当該第１壁部から凹部の中央に向かって延びる第１棚部と、を含み、第１棚部が、外周部と内周部とを有する第１凹部と、
上記第１凹部から下方に延び、略円形の第２壁部と、当該第２壁部から内側に向かって延びる第２棚部と、を有する第２凹部と、
第２凹部から下方に延び、略円形の第３壁部と、当該第３壁部から内側に延在するフロアーと、を有し、加熱の間のウェハの歪みによりウェハの端部に近接する部分以外でウェハがサセプタと接触することを抑制するために、ウェハのバック面と第３凹部のフロアーとの間の距離が約０．００５インチ〜約０．０３０インチであるサセプタ。
【請求項２９】
上記第１および第２凹部の表面積の、上記第３凹部のフロアーの表面積に対する比率が、スリップを最小化するため、少なくとも約１３〜約１である請求項２８記載のサセプタ。
【請求項３０】
上記第１棚部は、上記ウェハの支持を容易にするため、外周部から内周部に向かって下方に傾斜する請求項２８記載のサセプタ。
【請求項３１】
内部スペースと、チャンバーの当該内部スペースにプロセスガスを導入するためのガス入口と、プロセスガスをチャンバーの内部スペースから排気するためのガス出口と、を有するチャンバー内において半導体ウェハを支持するサセプタであって、
当該ウェハは、フロント面、バック面、外周側面を有し、
当該サセプタは、チャンバーの内部スペース内に半導体ウェハを支持することができる大きさおよび形状に形成され、
当該サセプタは、
上面と、
当該上面から下方に延び、半導体ウェハを支持する棚部を含むウェハ受容凹部と、
当該ウェハ受容凹部と同軸上にあって当該ウェハ受容凹部よりも深くサセプタに延びる中央凹部と、を有し、
当該中央凹部の表面積に対するウェハ受容凹部の表面積の比率が、スリップを最小化するため少なくとも約１３〜約１であるサセプタ。