【事件の表示】
　特願２００４−７１５４８「半導体装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年９月２２日出願公開、特開２００５−２６００９１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１６年３月１２日の出願であって、平成１９年８月３１日付けで手続補正がなされたが、平成２０年２月１８日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年３月２７日に拒絶査定に対する審判が請求されるとともに、同年４月２８日付けで手続補正がなされ、その後、同年７月２３日に上申書が提出されたものである。
　
２．補正の却下の決定
　［補正の却下の決定の結論］
　平成２０年４月２８日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
（１）本件補正の内容
　平成２０年４月２８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜６を補正後の特許請求の範囲の請求項１〜６と補正するとともに、明細書の００１２段落〜００１４段落及び００２２段落を補正するものであって、補正前後の請求項１は各々以下のとおりである。
（補正前）
　「【請求項１】
タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）のいずれかまたはこれらの２種以上の組合せにより構成された電極と、この電極のラジカル酸化により形成された誘電体層とを有するキャパシタを備えた半導体装置であって、
　前記誘電体層は、クリプトン（Ｋｒ）またはキセノン（Ｘｅ）の少なくとも一方を含む酸素のマイクロ波励起により発生させたラジカルにより形成されたこと
を特徴とする半導体装置。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）のいずれかまたはこれらの２種以上の組合せにより構成された電極と、この電極のラジカル酸化により形成された誘電体層とを有するキャパシタを備えた半導体装置であって、
　前記誘電体層は、クリプトン（Ｋｒ）またはキセノン（Ｘｅ）の少なくとも一方を含む酸素のマイクロ波励起により発生させたラジカルにより形成され、前記電極の平面大きさが１００ｎｍ以下に形成されたこと
を特徴とする半導体装置。」
　
（２）補正事項の整理
（２−１）補正事項１
　補正前の請求項１の「前記誘電体層は、クリプトン（Ｋｒ）またはキセノン（Ｘｅ）の少なくとも一方を含む酸素のマイクロ波励起により発生させたラジカルにより形成されたこと」を、補正後の請求項１の「前記誘電体層は、クリプトン（Ｋｒ）またはキセノン（Ｘｅ）の少なくとも一方を含む酸素のマイクロ波励起により発生させたラジカルにより形成され、前記電極の平面大きさが１００ｎｍ以下に形成されたこと」と補正すること。
　
（２−２）補正事項２
　補正前の請求項２の「前記誘電体層は、クリプトン（Ｋｒ）またはキセノン（Ｘｅ）の少なくとも一方を含む酸素にアンモニアガスまたは窒素を加えてマイクロ波励起により発生させたラジカルにより形成された窒素混合酸化層であること」を、補正後の請求項２の「前記誘電体層は、クリプトン（Ｋｒ）またはキセノン（Ｘｅ）の少なくとも一方を含む酸素にアンモニアガスまたは窒素を加えてマイクロ波励起により発生させたラジカルにより形成された窒素混合酸化層であって、前記電極の平面大きさが１００ｎｍ以下に形成されたこと」を補正すること。
　
（２−３）補正事項３
　補正前の請求項３の「前記誘電体層をクリプトン（Ｋｒ）またはキセノン（Ｘｅ）の少なくとも一方を含む酸素のマイクロ波励起により発生させたラジカルにより形成すること」を、補正後の請求項３の「前記電極を１００ｎｍ以下に形成し、前記誘電体層をクリプトン（Ｋｒ）またはキセノン（Ｘｅ）の少なくとも一方を含む酸素のマイクロ波励起により発生させたラジカルにより形成すること」と補正すること。
　
（２−４）補正事項４
　補正前の明細書の００１２段落〜００１４段落を、補正後の明細書の００１２段落〜００１４段落と補正すること。
　
（２−５）補正事項５
　補正前の明細書の００２２段落を、補正後の明細書の００２２段落と補正すること。
　
（３）新規事項の追加の有無、及び補正の目的について
（３−１）補正事項１〜３について
　補正事項１〜３により追加された事項は、願書に最初に添付した明細書（以下、願書に最初に添付した明細書、願書に最初に添付した図面を、各々「当初明細書」、「当初図面」といい、これらをまとめて「当初明細書等」という。）の００２４段落及び００３７段落に記載されているから、当該補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであり、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものである。
　そして、補正事項１〜３は、補正前の請求項１〜３に係る発明における発明特定事項である「電極」の大きさを限定する補正であるから、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項１〜３は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　
（３−２）補正事項４について
　補正事項４は、いずれも特許請求の範囲の補正と整合を取るためのものであり、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてなされたものであることは明らかである。
　したがって、当該補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
（３−３）補正事項５について
　補正事項５は、明らかな誤記の訂正であり、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてなされたものであることは明らかである。
　したがって、当該補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
（３−４）新規事項の追加の有無、及び補正の目的についてのまとめ
 　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。そして、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かにつき、更に検討を進める。
　
（４）独立特許要件について
（４−１）補正後の発明
　補正後の請求項１〜６に係る発明は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、上記２．（１）の「（補正後）」の箇所に記載したとおりのものである。
　
（４−２）引用刊行物に記載された発明
（４−２−１）引用例１：特開平４−２４２９６９号公報
（４−２−１−１）本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平４−２４２９６９号公報（以下「引用例１」という。）には、図２２及び２３とともに、以下の記載がある（なお、下線は当合議体にて付加したものである。以下同じ。）。
ａ．「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＤＲＡＭ（ダイナミックラム）メモリセルの製造方法にかかる
　
ｂ．「【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、製造が容易であり、歩留まりが高く、かつ、耐圧性に優れ、キャパシタ容量が大きなＤＲＡＭメモリセルの製造方法を提供することを目的とする
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明の要旨は、基板と反対導電型の第１の領域が形成されており、表面が絶縁膜で覆われている基板の該第１の領域の表面を露出する第１の工程と、少なくとも１層からなる金属薄膜を形成する第２の工程と、前記金属薄膜の表面を直接酸化することにより金属酸化物の薄膜を該金属薄膜の表面に形成する第３の工程と、少なくとも１層の導電性薄膜を形成する第４の工程と、層間絶縁膜形成後、配線ラインを形成する第５の工程と、を少なくとも有していることを特徴とするＤＲＡＭメモリセルの製造方法に存在する
　
ｃ．「【００２２】
第２の工程において形成する金属薄膜（下部電極）の材質としては、その酸化物の誘電率が高い材質が望ましい。例えば、Ｔａ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｎｂ等が例示される
【００２３】
なお、この金属薄膜は、一層構造でもよいが、２層以上の多層構造でもよい。２層以上の多層構造の場合、下層をＣｒにより形成することが金属薄膜と、基板表面を覆う絶縁膜との密着性を高める上で好ましい
【００２４】
一方、導電性薄膜（上部電極）の材質としては、例えば、Ｔａ，Ｔｉ、ポリシリコン、シリサイドその他の任意の導電性を有する材質を用いることができる。
【００２５】
本発明では、この金属薄膜を直接酸化することにより金属薄膜上にその金属の酸化物の薄膜を形成する
【００２６】
このように、金属薄膜の直接酸化を行うことにより耐圧特性に優れた絶縁膜を得ることができる
【００２７】直接酸化法としては、酸化性ガス（例えば、Ｏ２ガスあるいはＯ２＋Ｎ２ガスの混合ガス雰囲気中で基板を加熱する方法があげられる。
【００２８】
また、基板を低温に保ったまま酸化する方法としては、金属膜表面に酸素ガス分子を供給するとともに、その表面に運動エネルギーが９０ｅＶ以下の不活性ガスイオンを照射することにより行う方法がある。この方法は、例えば、Ａｒイオンで、金属表面をたたくと、欠陥を生じないで表面の原子層を活性化できる。２５ｅＶのイオンは表面の２〜３原子層内にとどまるため表面にのみにそのエネルギーを与える。そして、実効的に金属表面の温度を上昇させることができる。同時に酸素ガスを成膜室内に導入すると、酸素分子や放電によって生じた酸素ラジカルが金属表面に吸着し、Ａｒイオン照射により高温になった金属表面で金属と反応を起こす。これにより金属の酸化が進行する
【００２９】従って、基板温度を４００℃まで上昇させなくとも、例えば、１５０から２００℃でも５〜１０ｎｍの金属酸化膜（例えば、Ｔａ２Ｏ５膜）を形成することができる。なお、照射するイオンのエネルギーを９０ｅＶ以下に保てば下地にダメージを与えることはない。
【００３０】
なお、このように、９０ｅＶ以下のイオンを照射するための装置をしては、例えば、図２２あるいは図２３に示すような装置を用い、Ｏ
２
ガスとＡｒガスとを装置内に導入し、基板側の周波数を５０ＭＨｚ、ターゲット側の周波数を２００ＭＨｚ、ＲＦパワーを１０〜５０Ｗとし、１ｍＴｏｒｒ〜数１０ｍＴｏｒｒの雰囲気中でプラズマを発生させて行えばよい
　
（４−２−１−２）以上を総合すると、引用例１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「Ｔａ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｎｂ等の材料で形成された金属薄膜（下部電極）と、前記金属薄膜（下部電極）の直接酸化を行うことにより形成された絶縁膜と、導電性薄膜（上部電極）を備えたＤＲＡＭメモリセルであって、
　前記絶縁膜は、Ｏ２ガスとＡｒガスとを成膜室内に導入し、基板側の周波数を５０ＭＨｚ、ターゲット側の周波数を２００ＭＨｚ、ＲＦパワーを１０〜５０Ｗとし、１ｍＴｏｒｒ〜数１０ｍＴｏｒｒの雰囲気中でプラズマを発生させることにより、金属表面を運動エネルギーが９０ｅＶ以下のＡｒイオンでたたき、実効的に金属表面の温度を上昇させ、酸素分子や放電によって生じた酸素ラジカルが金属表面に吸着し、Ａｒイオン照射により高温になった金属表面で金属と反応を起こすことにより形成されることを特徴とするＤＲＡＭメモリセル。」
　
（４−２−２）引用例２：特開２００１−１６０５５５号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開２００１−１６０５５５号公報（以下「引用例２」という。）には、以下の記載がある。
ａ．「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、１１１面方位のシリコンをその表面に有するシリコンに形成されるトランジスタを複数含む半導体装置およびその形成方法に係る
【０００２】
【従来の技術】ＭＩＳ（金属／絶縁膜／シリコン）トランジスタのゲート絶縁膜には、低リーク電流特性、低界面準位密度、高ホットキャリア耐性などの高性能電気特性、高信頼性が要求される。これらの要求を満たすゲート絶縁膜形成技術として、従来は、８００℃以上の熱酸化技術が用いられてきた。この熱酸化技術を使用して、良好な酸化膜／シリコン界面特性、酸化膜の耐圧特性、リーク電流特性が得られるのは、従来、表面が１００面方位に配向したシリコンを用いたときであった。１００以外の他の面方位に配向したシリコンに熱酸化技術を使用したゲート酸化膜を形成しても、１００面方位に配向したシリコンのシリコン酸化膜に比べて、酸化膜／シリコン界面の界面準位密度が高く、また酸化膜の耐圧特性、リーク電流特性が悪いなど電気的特性が劣ってしまっていた。また、ＭＩＳトンジスタ（審決注：「ＭＩＳトランジスタ」の誤記。以下そのように読み替える。）のモビリティに関しても１００面方位に配向したシリコンを使用したときが良く、他の面方位のシリコンでは高い駆動力のあるＭＩＳトランジスタを作成できなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、１０ＧＨｚオーダーの高速動作素子を実現するためには、信号を減衰させることなく伝播させたりクロストークを抑制させたりするために、半導体基体に金属材料を導入する必要があるが、５５０℃以上の高温プロセスを用いると金属と半導体が反応を起こすことによって素子の動作性能が劣化してしまうという問題や、また、不純物が再拡散することによって正確な不純物分布の形成が難しくなり、微細な高速素子の形成が困難となるという問題が発生し、８００℃以上の熱酸化技術が使用できないという課題が生じていた。」
　
ｂ．「【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、係る従来の課題を解決するためになされたものであり、１１１面方位のシリコンをその表面に有するシリコン基体にトランジスタを複数含む半導体装置において、前記シリコンの表面に形成された絶縁膜の少なくとも一部がＫｒを含有するシリコン酸化膜ないしはＡｒまたはＫｒを含有するシリコン窒化膜であることを特徴とする。また、少なくとも１層の金属層上方に絶縁膜を介して設けられた１１１面方位をその表面に主体に有するシリコン層にトランジスタを複数含む半導体装置において、前記シリコン層の表面に形成された絶縁膜の少なくとも一部がＫｒを含有するシリコン酸化膜ないしはＡｒまたはＫｒを含有するシリコン窒化膜であることを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明によれば、５５０℃以下の低温のプラズマ酸化で成膜したにも関わらず、１０００℃程度の高温で成膜したシリコン熱酸化膜より優れた特性、信頼性を有するシリコン酸化膜を１１１面配向のシリコン（ポリシリコンを含む）上に形成することが可能となり、高性能なトランジスタ集積回路を実現できる。
【００１０】また、本発明によれば、１０００℃程度の高温で成膜したシリコン熱酸化膜と同程度の優れた特性、信頼性を有するシリコン窒化膜を５５０℃以下の低温で１１１面配向のシリコン（ポリシリコンを含む）上に形成することが可能となり、高誘電率ゲート絶縁膜をもった高性能なトランジスタ集積回路を実現できる。」
　
ｃ．「【００１５】
【実施例１】
まずは、プラズマを用いた低温の酸化膜形成について述べる。図１は、本発明の酸化方法を実現するための、ラジアルラインスロットアンテナを用いた装置の一例を示す断面図である（特許願９−１３３４２２参照）。本実施例においては、酸化膜形成時のためにＫｒをプラズマ励起ガスとして使用していることに新規な特徴がある。真空容器（処理室）１０１内を真空にし、シャワープレート１０２からＫｒガス、Ｏ
２
ガスを導入し、処理室内の圧力を１Ｔｏｒｒ程度に設定する。シリコンウェハ等の円形状の基板１０３を、加熱機構を持つ試料台１０４に置き、試料の温度が４００度になるように設定する。この温度設定は２００−５５０度の範囲内で以下に述べる結果はほとんど同様のものとなる。同軸導波管１０５から、ラジアルラインスロットアンテナ１０６、誘電体板１０７を通して、処理室内に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を供給し、処理室内に高密度のプラズマを生成する。また、供給するマイクロ波の周波数は、９００ＭＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の範囲にあれば以下に述べる結果はほとんど同様のものとなる。シャワープレート１０２と基板１０３の間隔は、本実施例では６ｃｍにしてある。この間隔は狭いほうがより高速な成膜が可能となる。本実施例では、ラジアルラインスロットアンテナを用いたプラズマ装置を用いて成膜した例を示したが、他の方法を用いてマイクロ波を処理室内に導入してもよい
【００１６】
ＫｒガスとＯ
２
ガスが混合された高密度励起プラズマ中では、中間励起状態にあるＫｒ
＊
とＯ
２
分子が衝突し、原子状酸素Ｏ
＊
が効率よく発生する。この原子状酸素により、基板表面は酸化される。従来の、シリコン表面の酸化は、Ｈ
２
Ｏ分子、Ｏ
２
分子により行われ、処理温度は、８００℃以上と極めて高いものであったが、本発明の原子状酸素による酸化は、５５０℃以下と十分に低い温度で可能とある。Ｋｒ
＊
とＯ
２
の衝突機会を大きくするには、処理室圧力は高い方が望ましいが、あまり高くすると、発生したＯ
＊
同志が衝突し、Ｏ
２
分子に戻ってしまう。当然、最適ガス圧力が存在する。図２に、処理室内の圧力比を、Ｋｒ９７％酸素３％に保って、処理室のガス圧を変えたときの、シリコン基板温度４００度、１０分間の酸化処理により成長する酸化膜厚を示す。処理室のガス圧が１Ｔｏｒｒの時に最も酸化膜は厚くなり、この圧力ないしはその近傍の酸化条件が最適である。この最適圧力は基板シリコンの面方位が１００面でも１１１面でも変わらない
　
（４−２−３）引用例３：特開２０００−２９４５５０号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開２０００−２９４５５０号公報（以下、「引用例３」という。）には、以下の記載がある。
ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の製造方法に係り、更に詳細には、ＭＩＳ型半導体装置におけるゲート絶縁膜形成方法に関する。」
　
ｂ．「【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来の問題点を解決するためになされたものである。即ち、本発明は、シリコン基板とＳｉＮ膜との界面での膜質制御を首尾よく行うことのできる半導体の製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。
【００１４】また、本発明は、短時間で高品質のＳｉＮ膜を形成することのできる半導体の製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的達成のため、本発明の半導体製造方法は、処理ガス雰囲気下で、ケイ素を主成分とする被処理基体に、複数のスリットを有する平面アンテナ部材を介してマイクロ波を照射することにより酸素、又は窒素、又は酸素と窒素とを含むプラズマを形成し、このプラズマを用いて前記被処理基体表面に直接に酸化、窒化、又は酸窒化を施して１ｎｍ以下の膜厚（シリコン酸化膜換算）の絶縁膜を形成することを特徴とする。
【００１６】本発明の半導体製造方法では、絶縁膜厚が１ｎｍ以下であるため、シリコン基板の窒化は拡散ではなくプラズマにより生成された窒素原子又は酸素原子又は窒素原子と酸素原子がシリコン基板表面と反応する工程が主な工程となり、窒化速度は３０秒程度の短時間で行うことができる。
【００１７】この直接窒化又は酸化又は酸窒化した薄膜絶縁膜上にＣＶＤ法により残りの絶縁膜を形成する場合、３ｎｍ／ｍｉｎ以上の製膜速度が比較的容易に達成できるため、トータル４ｎｍの膜厚の絶縁膜でも２分以内で形成できる。
【００１８】更に本発明の半導体製造方法では、直接窒化又は酸化又は酸窒化によりシリコン基板との界面に良質な絶縁膜を形成する工程とその上にＣＶＤ法により残りの絶縁膜を形成する工程とを独立に行うことができるため、全て、直接窒化又はＣＶＤ法によって絶縁膜を形成する方法に比べてシリコン基板界面での膜質制御性が向上し、より良質な絶縁膜を形成することができる。
【００１９】この半導体製造方法において、前記処理ガスは、例えば、Ｎ２又はＮ２Ｏ又はＮＯ又はＮＨ３を含むガスが挙げられる。この処理ガスはアルゴンなどの希ガスを含んでいても良い。
【００２０】
また、本発明の他の半導体製造方法は、処理ガス雰囲気下で、ケイ素を主成分とする被処理基体に、複数のスリットを有する平面アンテナ部材を介してマイクロ波を照射することにより酸素、又は窒素、又は酸素と窒素とを含むプラズマを形成し、このプラズマを用いて前記被処理基体表面に直接に酸化、窒化、又は酸窒化を施して第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程と、を具備することを特徴とする
　
ｃ．「【００５７】図６は本発明の方法の各工程の流れを示したフローチャートである。
【００５８】まず、前段の工程でウエハＷ表面にフィールド酸化膜１１を形成する。
【００５９】次いで真空容器５０の側壁に設けたゲートバルブ（図示省略）を開いて搬送アーム３７，３８により、前記シリコン基板１表面にフィールド酸化膜１１が形成されたウエハＷを載置台５２上に載置する。
【００６０】
続いてゲートバルブを閉じて内部を密閉した後、真空ポンプ５５により排気管５３を介して内部雰囲気を排気して所定の真空度まで真空引きし、所定の圧力に維持する。一方マイクロ波電源部５６より例えば２．４５ＧＨｚ（３ｋＷのマイクロ波を発生させ、このマイクロ波を導波路５１こより（審決注：「５１により」の誤記。以下そのように読み替える。）案内してＲＬＳＡ６０及びガス供給室５４を介して真空容器５０内に導入し、これにより真空容器５０内の上部側のプラズマ領域Ｐにて高周波プラズマを発生させる
【００６１】ここでマイクロ波は矩形導波管６３Ｄ内を矩形モードで伝送し、同軸導波変換器６３Ｃにて矩形モードから円形モードに変換され、円形モードで円筒形同軸導波管６３Ｂを伝送し、さらに円形導波管６３Ａにて拡げられた状態で伝送していき、ＲＬＳＡ６０のスロット６０ａより放射され、ガス供給室５４を透過して真空容器５０に導入される。この際マイクロ波を用いているので高密度のプラズマが発生し、またマイクロ波をＲＬＳＡ６０の多数のスロット６０ａから放射しているのでプラズマが高密度なものとなる。
【００６２】そして載置台５２の温度を調節してウエハＷを例えば４００℃に加熱しながら、ガス供給管７２より第１のガスであるＸｅガスと、Ｎ２ガスと、Ｈ２ガス及びＯ２ガスとを、夫々５００ｓｃｃｍ、２５ｓｃｃｍ、１５ｓｃｃｍ、１．０ｓｃｃｍの流量で導入して第１の工程を実施する。
【００６３】この工程では、導入されたガスは真空容器３にて発生したプラズマ流により活性化（プラズマ化）され、このプラズマにより図７（ａ）に示すように、シリコン基板１の表面が酸窒化されて第１の絶縁膜（ＳｉＯＮ膜）２１が形成される。こうしてこの窒化処理を例えば３０秒間行い、１ｎｍの厚さの第１の絶縁膜（ＳｉＯＮ膜）２１を形成する。
【００６４】次に、ゲートバルブを開き、真空容器５０内に搬送アーム３７，３８を進入させ、載置台５２上のウエハＷを受け取る。搬送アーム３７，３８はウエハＷをプラズマ処理ユニット３２から取り出した後、隣接するＣＶＤ処理ユニット３３内の載置台８７にセットする。」
　
ｄ．「
【００７６】例えば、第一の絶縁膜ＳｉＯＮの形成について、ＲＬＳＡプラズマを用いて圧力１００ｍＴｏｒｒ、Ｘｅ、Ｎ
２
、Ｈ
２
、Ｏ
２
のガス流量を各々５００ｓｃｃｍ、２５ｓｃｃｍ、１５ｓｃｃｍ、１ｓｃｃｍ温度４００℃で成膜すると、図９に示したように、１ｎｍのＳｉＯＮ膜を３０秒程度で形成できる
【００７７】しかし、同条件で３ｎｍのＳｉＯＮ膜を形成するには２４５秒必要とした。この成膜速度でＯ２流量をゼロにしてもほとんど変化しなかった。一方、ＣＶＤではＸｅ、ＳｉＨ４、Ｎ２ガス流量を各々５００ｓｃｃｍ、１５ｓｃｃｍ、２０ｓｃｃｍ、温度４００℃において４．５ｎｍ／ｍｉｎ程度の成膜速度が達成された。従って、２ｎｍの膜厚では３０秒程度以内で形成された。この結果、本発明の半導体製造方法ではトータル６０秒程度以内で３ｎｍの絶縁膜を形成できるため、直接窒化法に比べて大幅に成膜速度を向上させることができる。
【００７８】
また、上記ＲＬＳＡプラズマによる直接酸窒化の成膜による膜厚変化は図１−に示すように１ｎｍ程度までは時間に比例しており、表面反応律速であることが分かる。しかし、これ以上になると、拡散律速となり、成膜速度が徐々に低下する。従って、本発明の半導体製造方法では、直接酸窒化により１ｎｍのＳｉＯＮ膜を形成し、この後ＣＶＤ法によりＳｉＮ膜を形成した
　
（４−３）補正発明と引用発明との対比
（４−３−１）引用発明の「Ｔａ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｎｂ等の材料で形成された金属薄膜（下部電極）」は、補正発明の「タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）のいずれかまたはこれらの２種以上の組合せにより構成された電極」に相当する。
　また、引用発明の「Ｔａ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｎｂ等の材料で形成された金属薄膜（下部電極）と、前記金属薄膜（下部電極）の直接酸化を行うことにより形成された絶縁膜と、導電性薄膜（上部電極）」によりキャパシタが構成されていることは当業者にとって明らかである。
　したがって、引用発明の「絶縁膜」は補正発明の「誘電体層」に相当するとともに、引用発明の「ＤＲＡＭメモリセル」はキャパシタを備えているものと認められる。
　そして、引用発明の「絶縁膜」は、「酸素ラジカルが金属表面に吸着し、Ａｒイオン照射により高温になった金属表面で金属と反応を起こすことにより形成される」ものであるから、補正発明の「誘電体層」と同様に、「電極のラジカル酸化により形成された」ものと認められる。
　また、引用発明の「ＤＲＡＭメモリセル」が補正発明の「半導体装置」に相当することは当業者にとって自明である。
　したがって、引用発明の「Ｔａ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｎｂ等の材料で形成された金属薄膜（下部電極）と、前記金属薄膜（下部電極）の直接酸化を行うことにより形成された絶縁膜と、導電性薄膜（上部電極）を備えたＤＲＡＭメモリセル」は、補正発明の「タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）のいずれかまたはこれらの２種以上の組合せにより構成された電極と、この電極のラジカル酸化により形成された誘電体層とを有するキャパシタを備えた半導体装置」に相当する。
　
（４−３−２）引用発明の「Ｏ２」が補正発明の「酸素」に相当し、引用発明の「酸素ラジカル」がラジカルの一種であることは自明であるから、引用発明の「前記絶縁膜は、Ｏ２ガスとＡｒガスとを成膜室内に導入し、基板側の周波数を５０ＭＨｚ、ターゲット側の周波数を２００ＭＨｚ、ＲＦパワーを１０〜５０Ｗとし、１ｍＴｏｒｒ〜数１０ｍＴｏｒｒの雰囲気中でプラズマを発生させることにより、金属表面を運動エネルギーが９０ｅＶ以下のＡｒイオンでたたき、実効的に金属表面の温度を上昇させ、酸素分子や放電によって生じた酸素ラジカルが金属表面に吸着し、Ａｒイオン照射により高温になった金属表面で金属と反応を起こすことにより形成される」という構成は、補正発明の「前記誘電体層は、クリプトン（Ｋｒ）またはキセノン（Ｘｅ）の少なくとも一方を含む酸素のマイクロ波励起により発生させたラジカルにより形成され、前記電極の平面大きさが１００ｎｍ以下に形成され」るという構成に対応しており、両者は、「前記誘電体層は、不活性ガスを含む酸素に高周波電力を印加することにより発生させたラジカルにより形成される構成」である点で共通する。
　
（４−３−３）したがって、補正発明と引用発明とは、
　「タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）のいずれかまたはこれらの２種以上の組合せにより構成された電極と、この電極のラジカル酸化により形成された誘電体層とを有するキャパシタを備えた半導体装置であって、
　前記誘電体層は、不活性ガスを含む酸素に高周波電力を印加することにより発生させたラジカルにより形成されたことを特徴とする半導体装置。」
　
　である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　「前記誘電体層」を「不活性ガスを含む酸素に高周波電力を印加することにより発生させたラジカルにより形成」するに際し、補正発明は、「クリプトン（Ｋｒ）またはキセノン（Ｘｅ）の少なくとも一方を含む酸素のマイクロ波励起により発生させたラジカルにより形成」しているのに対し、引用発明は、「Ｏ２ガスとＡｒガスとを成膜室内に導入し、基板側の周波数を５０ＭＨｚ、ターゲット側の周波数を２００ＭＨｚ、ＲＦパワーを１０〜５０Ｗとし、１ｍＴｏｒｒ〜数１０ｍＴｏｒｒの雰囲気中でプラズマを発生させることにより、金属表面を運動エネルギーが９０ｅＶ以下のＡｒイオンでたたき、実効的に金属表面の温度を上昇させ、酸素分子や放電によって生じた酸素ラジカルが金属表面に吸着し、Ａｒイオン照射により高温になった金属表面で金属と反応を起こすことにより形成」している点。
　
（相違点２）
　補正発明は、「電極の平面大きさが１００ｎｍ以下に形成された」ものであるのに対し、引用発明は、「電極の平面大きさ」が特定されていない点。
　
（４−４）相違点についての当審の判断
（４−４−１）相違点１について
（４−４−１−１）引用例２の「本実施例においては、酸化膜形成時のためにＫｒをプラズマ励起ガスとして使用していることに新規な特徴がある。真空容器（処理室）１０１内を真空にし、シャワープレート１０２からＫｒガス、Ｏ２ガスを導入し、処理室内の圧力を１Ｔｏｒｒ程度に設定する。シリコンウェハ等の円形状の基板１０３を、加熱機構を持つ試料台１０４に置き、試料の温度が４００度になるように設定する。・・・同軸導波管１０５から、ラジアルラインスロットアンテナ１０６、誘電体板１０７を通して、処理室内に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を供給し、処理室内に高密度のプラズマを生成する。・・・ＫｒガスとＯ２ガスが混合された高密度励起プラズマ中では、中間励起状態にあるＫｒ＊とＯ２分子が衝突し、原子状酸素Ｏ＊が効率よく発生する。この原子状酸素により、基板表面は酸化される。」（００１５段落〜００１６段落）という記載から、引用例２には、クリプトン（Ｋｒ）を含む酸素のマイクロ波励起により発生させたラジカルにより酸化膜を形成する発明が記載されているものと認められる。
　
　また、引用例３の「続いてゲートバルブを閉じて内部を密閉した後、真空ポンプ５５により排気管５３を介して内部雰囲気を排気して所定の真空度まで真空引きし、所定の圧力に維持する。一方マイクロ波電源部５６より例えば２．４５ＧＨｚ（３ｋＷのマイクロ波を発生させ、このマイクロ波を導波路５１により案内してＲＬＳＡ６０及びガス供給室５４を介して真空容器５０内に導入し、これにより真空容器５０内の上部側のプラズマ領域Ｐにて高周波プラズマを発生させる。」（００６０段落）、及び「例えば、第一の絶縁膜ＳｉＯＮの形成について、ＲＬＳＡプラズマを用いて圧力１００ｍＴｏｒｒ、Ｘｅ、Ｎ２、Ｈ２、Ｏ２のガス流量を各々５００ｓｃｃｍ、２５ｓｃｃｍ、１５ｓｃｃｍ、１ｓｃｃｍ温度４００℃で成膜すると、図９に示したように、１ｎｍのＳｉＯＮ膜を３０秒程度で形成できる。」（００７６段落）という記載と、「また、本発明の他の半導体製造方法は、処理ガス雰囲気下で、ケイ素を主成分とする被処理基体に、複数のスリットを有する平面アンテナ部材を介してマイクロ波を照射することにより
酸素
酸化
　
（４−４−１−２）そして、引用例１の「酸素ガスを成膜室内に導入すると、酸素分子や放電によって生じた酸素ラジカルが金属表面に吸着し、Ａｒイオン照射により高温になった金属表面で金属と反応を起こす。これにより金属の酸化が進行する。」（００２８段落）という記載、引用例２の「ＫｒガスとＯ２ガスが混合された高密度励起プラズマ中では、中間励起状態にあるＫｒ＊とＯ２分子が衝突し、原子状酸素Ｏ＊が効率よく発生する。この原子状酸素により、基板表面は酸化される。」（００１６段落）という記載、及び引用例３の「処理ガス雰囲気下で、ケイ素を主成分とする被処理基体に、複数のスリットを有する平面アンテナ部材を介してマイクロ波を照射することにより酸素、又は窒素、又は酸素と窒素とを含むプラズマを形成し、このプラズマを用いて前記被処理基体表面に直接に酸化、窒化、又は酸窒化を施して第１の絶縁膜を形成する」（００２０段落）という記載等から明らかなように、引用発明と引用例２に記載された発明及び引用例３に記載された発明とは、酸素ラジカルを用いて酸化物を形成するという同一の技術分野に属するものである。
　
　また、引用例２に記載された発明及び引用例３に記載された発明は、シリコン基板にＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜としての酸化膜を形成するものであり、金属にキャパシタ誘電膜としての酸化膜を形成する引用発明とは、酸化膜を形成する部分の材料、及び酸化膜の用途が異なるものであるが、引用例２に記載された発明及び引用例３に記載された発明は、いずれも酸素ラジカルを表面に吸着させることにより酸化物を形成するというメカニズムにより酸化が行われるものであるから、酸化膜を形成する部分がシリコンであるか金属であるかにかかわらず適用可能であることは当業者であれば直ちに察知し得たことであり、また、シリコン基板、ゲート絶縁膜及びゲート電極からなるＭＯＳ構造がキャパシタと極めて類似するものであることは、当該構造を利用した「ＭＯＳキャパシタ」が当業者において周知であることからも分かるように、当業者の技術常識である。
　
　さらに、引用例２に記載された発明及び引用例３に記載された発明は、いずれも不揮発性ガスイオンの運動エネルギーを制御する必要がなく十分な速度で酸化膜を形成することができるものであるところ、製造方法の簡略化は、半導体装置の製造の分野において、更に言えば製造業全般において、当業者が常に念頭に置いている技術課題であることは論を待たないところである。
　
（４−４−１−３）したがって、引用発明、並びに引用例２に記載された発明及び引用例３に記載された発明に接した当業者であれば、引用発明において、製造方法の簡略化を図るため、不活性ガスの運動エネルギーの制御を必要としない引用例２に記載された発明又は引用例３に記載された発明を適用し、補正後の補正発明のように、「前記誘電体層」を「クリプトン（Ｋｒ）またはキセノン（Ｘｅ）の少なくとも一方を含む酸素のマイクロ波励起により発生させたラジカルにより形成」する構成とすることは、容易になし得たことである。
　よって、相違点１は当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度ものである。
　
（４−４−２）相違点２について
　メモリセルの微細化は、メモリの分野における不断の課題といえるものであるから、引用発明の半導体装置において、メモリセルの電極を微細化することは、当業者が容易になし得たことである。
　そして、本願の明細書及び図面を精査しても、補正発明において、「前記電極の平面大きさ」の上限値を「１００ｎｍ」としたことにより格別の効果が生じているとは認められないから、「１００ｎｍ」という上限値に臨界的意義は認められない。
　したがって、引用発明において、補正発明のように、「前記電極の平面大きさが１００ｎｍ以下に形成された」ものとすることは当業者が容易になし得たことである。
　よって、相違点２も当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−４−３）判断についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正発明は、引用例１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（４−５）独立特許要件についてのまとめ
　本件補正は、補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しないものである。
　
（５）補正の却下の決定についてのむすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜６に係る発明は、平成１９年８月３１日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載された事項により特定される上記２．（１）の「（補正前）」の箇所に記載したとおりのものである。
　また、本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平４−２４２９６９号公報（引用例１）、特開２００１−１６０５５５号公報（引用例２）及び特開２０００−２９４５５０号公報（引用例３）には、上記２．（４−２）に記載したとおりの事項が記載されており、引用例１には上記２．（４−２−１−２）に記載したとおりの発明（引用発明）が記載されているものと認められる。
　そして、上記２．（４）において検討したとおり、補正発明は、引用例１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、補正発明から技術的限定を省いた本願発明についても、当然に、引用例１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。