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　特願２００６−３４６８２０「電子部品の実装方法、電子部品内蔵基板の製造方法、及び電子部品内蔵基板」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　７月１０日出願公開、特開２００８−１５９８１９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１８年１２月２２日に特許出願されたものであって、平成２１年１月１３日付けで拒絶の理由が通知され、平成２１年３月１０日付けで手続補正がなされたが、平成２１年６月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２１年７月１５日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
　そして、本願の請求項１に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「電子部品を絶縁層に固定して実装する方法であって、
　前記絶縁層を形成するための未硬化状態の樹脂上に前記電子部品を載置する載置工程と、
　圧力媒体を介して前記電子部品を等方的に加圧する加圧工程と、
　前記樹脂を加熱して前記絶縁層を形成する加熱工程と、
を備えており、
　前記加熱工程において少なくとも前記樹脂が軟化している間、前記加圧工程を実施し、
　前記加熱工程においては、前記樹脂を、一旦、該樹脂の融点付近の温度まで昇温した後、該樹脂を硬化開始温度以上の温度まで再昇温させ、該硬化開始温度以上の温度を所定時間保持する、
電子部品の実装方法。」
　
２．引用刊行物記載の発明
（１）引用刊行物１
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前である平成１５年１０月１７日に頒布された特開２００３−２９８００５号公報（以下、「引用刊行物１」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
ａ：「【発明の属する技術分野】この発明は半導体装置およびその製造方法に関する。」（第３頁左欄第５０行−同右欄第１行）
　
ｂ：「【００１４】次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図３に示すように、図２に示すベース板２１を複数枚採取することができるベース板２１の上面全体に接着層２２が設けられたものを用意する。ベース板２１に接着層２２を形成するには、ベース板２１上にエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂などのダイボンド材からなるダイボンドシートを載置し、加熱により仮硬化させた状態でベース板２１に接着しておく、あるいは、ベース板２１上にダイボンド材をスピンコーティング法、印刷法、転写法など適宜な方法で塗布し、乾燥させるなどの方法がある。そして、半導体チップ２３を加熱加圧しながら、接着層２２上に搭載し、仮固着し、次いで本硬化して、ベース板２１の上面の所定の複数箇所にそれぞれ半導体チップ２３のシリコン基板２４の下面を接着する。」（第５頁右欄第４９行−第６頁左欄第１３行）
　
ｃ：図３には、ベース板２１上に形成された接着層２２上に半導体チップ２３が接着された半導体装置が描かれている。
　
　これらの記載事項において、ダイボンド材は加熱により硬化する樹脂であると認められる。また、加熱された半導体チップを介してダイボンド材が本硬化のために加熱され、このとき、該ダイボンド材は硬化開始温度以上の温度まで昇温されていると認められる。したがって、引用刊行物１には、
「半導体チップを本硬化した接着層に固定して実装する方法であって、
　前記本硬化した接着層を形成するための未硬化状態のエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂などのダイボンド材上に前記半導体チップを搭載する工程と、
　前記半導体チップを加圧する加圧工程と、
　前記ダイボンド材を加熱して前記本硬化した接着層を形成する加熱工程と、
を備えており、
　前記加熱工程において前記加圧工程を実施し、
　前記加熱工程においては、前記ダイボンド材を硬化開始温度以上の温度まで昇温させる、
半導体チップの実装方法。」
の発明（以下、「引用刊行物１記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（２）引用刊行物２
　また、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前である平成１０年２月２０日に頒布された特開平１０−５０９３０号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
ａ：「【特許請求の範囲】【請求項１】基板上に複数個のチップを実装する方法であって、基板上の電極形成面とチップ電極間に接着剤を介在させ、基板の電極とこれに相対峙するチップの電極を位置合わせした状態で、静水圧下で加熱することを特徴とするマルチチップ実装法」（第２頁左欄第１−６行）
　
ｂ：「【０００６】図２は、電極の位置合わせを終了したチップの電極と基板の電極を、静水圧に耐えることが可能な密閉容器６の内部に入れて加熱加圧し、同一基板に複数個のチップの電気的接続を得る。密閉容器５としては、圧力鍋、プレッシャクッカ、オ−トクレ−ブ等がある。密閉容器６には吸排気孔７を設けることにより、加圧減圧の操作が簡単であり、圧力制御も可能なことから好ましい。また図示してないが試料の出し入れ口を設けてもよい。本発明でいう静水圧とは、物体の外部表面に垂直に一定の圧力が作用する状態を示す（図２のＰの矢印で例示）。」（第３頁左欄第８−１８行）
　
ｃ：「【０００８】本発明に用いる接着剤３は、熱可塑性材料や、熱や光により硬化性を示す材料が広く適用できる。これらは接続後の耐熱性や耐湿性に優れることから、硬化性材料の適用が好ましい。なかでも潜在性硬化剤を含有したエポキシ系接着剤は、短時間硬化が可能で接続作業性が良く、分子構造上接着性に優れるので特に好ましい。潜在性硬化剤は、熱およびまたは圧力による反応開始の活性点が比較的明瞭であり、熱や圧力工程を伴う本発明に好適である。」（第３頁左欄第３２−４０行）
　
ｄ：「【００１０】本発明のマルチチップ実装法によれば、密閉容器内の圧力は場所が変わっても一定であるので、多数枚のＭＣＭを一度に処理できるので量産効果が高い。また気体での加圧であるため高価な金型が不要であり、気体の種類を変更することで熱、湿気、嫌気性などの各種接着剤に適用可能である。密閉容器は、例えば加熱ガスの導入や容器を加熱炉中に保持することで加熱加圧操作を一度に行うことが可能であり、比較的接着剤の硬化に長時間のかかる場合も一度の操作で多数枚の基板について作製可能である。」（第４頁左欄第１−１０行）
　
ｅ：「また、活性温度以上で密閉容器内で加熱加圧するので、接着剤の硬化時間を長くするなど自由に設定でき、接続後の容器からの取り出しも冷却して接着剤の凝集力が十分に高い状態で行えるので、マルチチップの信頼性に優れた接続が得られる。」（第４頁左欄第２２−２７行）
　
ｆ：「【００１２】（２）電極の位置合わせと接続
前記の接着剤付き基板に、ＩＣチップ３個（高さ０．３、０．５５、１．０ｍｍ）を配置し、ＣＣＤカメラによる電極の位置合わせを行った。接着剤は室温でも若干の粘着性がある状態であり、室温で接着面に押しつけることで基板に簡単に保持でき、チップの仮付け基板を得た。チップの仮付け基板を、プレッシャ−クッカ試験機の圧力釜に入れて、１２０℃、２０ｋｇｆ／ｍｍ2 、１０分間空気圧で処理後に室温に冷却して取出した。」（第４頁左欄第４８行−同右欄第６行）
　
　これらの記載事項より、引用刊行物２には
「チップを硬化した接着剤層に固定して実装する方法であって、
　前記硬化した接着剤層を形成するための未硬化状態のエポキシ系接着剤上に前記チップを配置する配置工程と、
　気体を介して前記チップを静水圧下で加圧する加圧工程と、
　前記エポキシ系接着剤を加熱して前記硬化した接着剤層を形成する加熱工程と、
を備えており、
　前記加熱工程を実施している間、前記加圧工程を実施し、
　前記加熱工程においては、前記エポキシ系接着剤を硬化開始温度以上の温度まで昇温させ、該硬化開始温度以上の温度を所定時間保持する、
チップの実装方法。」
の発明（以下、「引用刊行物２記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（３）引用刊行物３
　また、原査定で引用された、本願の出願日前である平成１４年１０月１８日に頒布された特開２００２−３０５３６４号公報（以下、「引用刊行物３」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
ａ：「【０１１３】（実施例２）実施例２は、実施形態２で説明した方法で回路部品内蔵モジュールを作製した一例である。
【０１１４】本実施例に使用した電気絶縁性基板の組成は、Ａｌ2Ｏ3（昭和電工（株）製ＡＳ−４０、球状、平均粒子径１２μｍ）が９０重量％、液状エポキシ樹脂（日本レック（株）製、ＥＦ−４５０）が９．５重量％、カーボンブラック（東洋カーボン（株）製）が０．２重量％、カップリング剤（味の素（株）製、チタネート系、４６Ｂ）が０．３重量％である。
【０１１５】上記材料を実施例１と同様の条件で処理することによって、板状体（厚み５００μｍ）を作製した。上記板状体を所定の大きさに切断し、炭酸ガスレーザを用いてインナービアホール接続をするための貫通孔（直径０．１５ｍｍ）を形成した（図２（ｂ）参照）。
【０１１６】この貫通孔に、導電性樹脂組成物をスクリーン印刷法によって充填した（図２（ｃ）参照）。導電性樹脂組成物は、球状の銅粒子８５重量％と、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ製、エピコート８２８）３重量％と、グルシジルエステル系エポキシ樹脂（東都化成製、ＹＤ−１７１）９重量％と、アミンアダクト硬化剤（味の素製、ＭＹ−２４）３重量％とを混練して作製した。
【０１１７】次に、厚さ３５μｍの銅箔の片面を粗化し、粗化した面に導電性接着剤を用いて半導体素子をフリップチップボンディングした（図２（ｄ）参照）。
【０１１８】次に、半導体素子を実装した銅箔と、導電性樹脂組成物を充填した板状体と、別途作製した銅箔（片面を粗化処理した銅箔で厚さ３５μｍ）とを位置合わせして重ねた（図２（ｆ）参照）。この時、銅箔の粗化面は、板状体側になるように重ねた。
【０１１９】次に、これを熱プレス機によってプレス温度１２０℃、圧力１０ｋｇ／ｃｍ2で５分間加熱加圧した。硬化温度より低い温度での加熱によって、板状体中の熱硬化性樹脂が軟化するため、半導体素子が板状体中に容易に埋没した。
【０１２０】次に、加熱温度を上昇させて１７５℃で６０分間加熱した（図２（ｇ）参照）。この加熱によって、板状体中のエポキシ樹脂および導電性樹脂組成物中のエポキシ樹脂が硬化し、半導体素子および銅箔と板状体とが機械的に強固に接続された。また、この加熱によって、導電性樹脂組成物と銅箔とが電気的（インナービア接続）、機械的に接続された。」（第１０頁左欄第３７行−同右欄第２９行）
　
　この記載事項より、引用刊行物３には
「半導体素子を電気絶縁性基板に固定して実装する方法であって、
　前記電気絶縁性基板を形成するための未硬化状態の熱硬化性樹脂を含む板状体に前記半導体素子を埋設する工程と、
　前記板状体を加熱して前記電気絶縁性基板を形成する加熱工程と、
を備えており、
　前記加熱工程においては、前記板状体を、一旦、前記熱硬化性樹脂の融点付近の温度まで昇温した後、該板状体を前記熱硬化性樹脂の硬化開始温度以上の温度まで再昇温させ、該硬化開始温度以上の温度を所定時間保持する、
半導体素子の実装方法。」
の発明（以下、「引用刊行物３記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
　
３．対比
　本願発明と引用刊行物１記載の発明とを対比すると、引用刊行物１記載の発明の「半導体チップ」、「本硬化した接着層」、「エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂などのダイボンド材」及び「搭載」は、本願発明の「電子部品」、「絶縁層」、「樹脂」及び「載置」にそれぞれ相当する。
　よって、以上の事項を考慮すれば、両発明は
「電子部品を絶縁層に固定して実装する方法であって、
　前記絶縁層を形成するための未硬化状態の樹脂上に前記電子部品を載置する載置工程と、
　前記電子部品を加圧する加圧工程と、
　前記樹脂を加熱して前記絶縁層を形成する加熱工程と、
を備えており、
　前記加熱工程において前記加圧工程を実施し、
　前記加熱工程においては、前記樹脂を硬化開始温度以上の温度まで昇温させる、
電子部品の実装方法。」
で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１：
　本願発明では、加圧工程では圧力媒体を介して電子部品を等方的に加圧するのに対して、引用刊行物１記載の発明では、具体的にどのように加圧しているのかが限定されていない点。
　
相違点２：
　本願発明では、加熱工程において少なくとも樹脂が軟化している間、加圧工程を実施するのに対して、引用刊行物１記載の発明では、加圧工程が加熱工程のいつ実施されているのかが限定されていない点。
　
相違点３：
　本願発明では、加熱工程においては、樹脂を、一旦、該樹脂の融点付近の温度まで昇温した後、該樹脂を硬化開始温度以上の温度まで再昇温させ、該硬化開始温度以上の温度を所定時間保持するのに対して、引用刊行物１記載の発明では、樹脂を具体的にどのような温度に加熱しているのかが限定されていない点。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　
（１）相違点１について
　上記引用刊行物２記載の発明の「気体」及び「静水圧下で加圧する」は、本願発明の「圧力媒体」及び「等方的に加圧する」にそれぞれ相当する。
　そして、引用刊行物１記載の発明及び引用刊行物２記載の発明はともに電子部品の実装方法という同一の技術分野に属し、電子部品を加圧し未硬化状態の樹脂を加熱して硬化するという点で共通する工程を有するものであるから、引用刊行物１記載の発明における電子部品を加圧する方法として引用刊行物２記載の発明における圧力媒体を介して等方的に加圧する方法を採用することは当業者が容易になし得たことである。また、そのことによる効果に格別のものはない。
　
（２）相違点２について
　上記引用刊行物２記載の発明の「エポキシ系接着剤」は、本願発明の「樹脂」に相当する。
　そして、引用刊行物１記載の発明及び引用刊行物２記載の発明はともに電子部品の実装方法という同一の技術分野に属し、電子部品を加圧し未硬化状態の樹脂を加熱して硬化するという点で共通する工程を有するものであるから、引用刊行物１記載の発明における加圧工程を実施する時期について、引用刊行物２記載の発明における加熱工程を実施している間、すなわち、少なくとも樹脂が軟化している間、加圧工程を実施する点を採用することは当業者が容易になし得たことである。また、そのことによる効果に格別のものはない。
　
（３）相違点３について
　本願発明の「前記樹脂を、一旦、該樹脂の融点付近の温度まで昇温した後、該樹脂を硬化開始温度以上の温度まで再昇温させ」との工程は、例えば融点付近の温度で所定時間保持するといった特定の工程を表すものではなく、単に樹脂を融点付近の温度を経て硬化開始温度以上の温度まで昇温させているに過ぎない。してみると、例えば引用刊行物３記載の発明にもあるように、一般に熱硬化性の樹脂を硬化するために加熱すると、該樹脂の融点付近の温度まで昇温した後、該樹脂の硬化開始温度以上の温度まで再昇温するという温度変化を経るものであるから、引用刊行物１記載の発明において樹脂を融点付近の温度まで昇温した後、該樹脂を硬化開始温度以上の温度まで再昇温させることは当業者が容易になし得たことである。また、そのことによる効果に格別のものはない。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用刊行物１乃至３記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。