【事件の表示】
　特願２００４−１６６５７１号「ドライエッチング後の洗浄液組成物および半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１２月１５日出願公開、特開２００５−３４７５８７号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１６年６月４日の出願であって、平成２１年１２月２２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２２年４月１日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに同日付けで手続補正がされたものである。
　
２．平成２２年４月１日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２２年４月１日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、「ドライエッチング後の基板を洗浄する洗浄液組成物であって、
　少なくとも１種のフッ素化合物と、グリオキシル酸と、少なくとも１種の有機酸塩と
を含有する、有機溶剤を含まない水溶液であり、
　
前記有機酸塩が、シュウ酸アンモニウム、酒石酸アンモニウム、クエン酸アンモニウムおよび酢酸アンモニウムのうちの少なくとも１つであり、
　前記フッ素化合物の濃度が０．１〜５質量％であり、前記グリオキシル酸の濃度が０．０３〜０．３質量％であり、前記有機酸塩の濃度が０．３〜５．０質量％である
　ことを特徴とするドライエッチング後の洗浄液組成物。」と補正された。
　上記補正は、発明を特定するための事項である、洗浄液組成物に含有される水に関し、「
有機溶剤を含まない水溶液であ
シュウ酸アンモニウム、酒石酸アンモニウム、クエン酸アンモニウムおよび酢酸アンモニウムのうちの少なくとも１つであ
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用刊行物
ア．引用刊行物１
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された特開２００３−３１３５９４号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図１及び２とともに以下の事項が記載されている。
（ア）「さらに、従来の高濃度の有機溶媒とフッ素成分で構成された剥離液は、廃液処理が複雑であり、一般的な焼却施設では処理が非常に難しいという問題がある。また、リンス廃水等の廃水処理においても、フッ素処理と有機成分といった２系統の処理を必要とするため、工程数が増加するという問題がある。その結果、製造プロセスにおける環境負荷及び処理コストが増加するという問題が生じていた。本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、第一の目的として、最近の高集積化した基板上に形成された金属層上の層間絶縁膜のエッチング処理によるビアホール形成、続いて残存レジストのアッシング処理、等によって発生する残渣物、特にケイ素とその酸化物を主成分とする残渣物を除去する能力が優れるとともに、金属膜に対する防食性に優れ、かつ、層間絶縁膜、特に低誘電率膜の膜質へのダメージを実用レベルまで低減した剥離組成物及びこれを用いたデバイスの製造プロセスを提供する。第二の目的として、処理容易な成分で剥離組成物を構成し、剥離プロセスで発生する廃液、廃水の環境負荷を低減する。
　【課題を解決するための手段】上述したように、従来技術における素子基板上のレジスト、アッシング残渣あるいはエッチング残渣の除去は、高濃度の有機溶媒とフッ素成分を含んだレジスト剥離液が用いられている。しかし、このようなレジスト剥離液は、低誘電率膜や配線材料に対して腐食を生じ易く、使用後の廃液処理も複雑となるため、従来とは異なるタイプの洗浄液が必要である。」（段落【０００９】及び【００１０】）
（イ）「上述の洗浄液およびこれを用いた半導体装置の製造方法によれば、低抵抗金属膜および低誘電率膜を含む積層膜をドライエッチングした後、フッ化物イオン濃度が０．００１重量％以上１重量％以下、ｐＨが２以上７以下、酸化還元電位が銀／塩化銀電極基準で−５００ｍＶ以上２００ｍＶ以下の水溶液を用いて洗浄を行っている。これにより、強低抵抗金属膜、低誘電率膜に付着したレジストやエッチング残渣、アッシング残渣、パーティクルが効果的に除去される。フッ化物イオンを含む水溶液は、一般に金属酸化物や金属などの材料に対して、酸化および溶解作用を有するが、種々の組成の洗浄液を用いて実験を行った結果、フッ化物イオン濃度が０．００１重量％以上１重量％以下、ｐＨが２以上７以下、酸化還元電位が銀／塩化銀電極基準で−５００ｍＶ以上３００ｍＶ以下の条件にすることにより、低抵抗金属膜や低誘電率膜の変質や溶解を防止しつつ、レジストやエッチング残渣、アッシング残渣、パーティクルが選択的に除去できることが明らかになった。このことは、フッ化物イオンの濃度、ｐＨおよび酸化還元電位が低抵抗金属膜や低誘電率膜の変質や溶解防止に重要な役割を果たすことを示していると考えられる。また、レジストやエッチング残渣、アッシング残渣、パーティクルの除去に対しても、上記のフッ化物イオン濃度、ｐＨ、酸化還元電位の条件下では効果的に作用し、それ以外の条件では洗浄性が著しく低下することも明らかになった。」（段落【００１３】）
（ウ）「本発明における洗浄液は、フッ化物イオン濃度が、０．００１重量％以上１重量％以下、ｐＨが２以上７以下の水溶液であることが好ましい。このような、洗浄液は、低抵抗金属膜や低誘電率膜の溶解や変質を防止しつつ、レジストやエッチング残渣、アッシング残渣、パーティクルをより一層効果的に除去することができる。また、非常に希薄であると同時に高濃度の有機溶媒を含まないことから、安いコストで製造することができ、廃液処理も極めて容易であるという利点が得られる。
　・・・（中略）・・・
　本発明における洗浄液として、還元剤を含むものを用いることができる。還元剤とは、それ自体が酸化されて、素子材料の酸化を防止したり、洗浄液の酸化還元電位を低下させたりする効果のある成分をいう。具体的には、次亜硫酸、カルボン酸、アルデヒド、アルコール、アミン、糖類、またはこれらの塩が挙げられる。還元剤の含有量は、本発明の洗浄液に対して好ましくは０．０００１重量％以上１０重量％以下とする。この濃度が薄すぎると充分な洗浄効果が得られず、逆に濃すぎると基板表面に残存して半導体素子の性能を劣化させる要因になり、廃液の処理に費用がかかる。このような還元剤を用いれば、レジストやエッチング残渣、アッシング残渣、パーティクルの除去効果が高まるばかりでなく、いったん除去したレジストやエッチング残渣、アッシング残渣、パーティクルの再付着を効果的に防止することができる。」（段落【００１９】〜【００２１】）
（エ）「本発明における洗浄液として、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、および水酸化トリメチル（２−ヒドロキシ）エチルアンモニウムからなる群から選ばれる一または二以上の成分を含むことができる。このような成分を含有する洗浄液を用いれば、洗浄液のｐＨを適正な範囲に維持することができ、素子材料の変質を防止しつつレジストやエッチング残渣、アッシング残渣、パーティクルをより一層効果的に除去することができる。・・・（中略）・・・このうちアンモニア水が特に好ましい。洗浄液の残存を特に低減することができ、洗浄後のすすぎ工程を著しく簡略化できる。また洗浄液の濃度等の管理が容易であり、洗浄液組成の変動による処理のばらつきを低減できる。」（段落【００２３】）
（オ）「実施例１
・・・（中略）・・・Ｎｏ．１〜Ｎｏ．６のｐＨ調整にはアンモニアを添加した。」（段落【００２５】）
（カ）「実施例２
実施例１と同様のプロセスでビアホール底部にＣｕ配線を露出させた試料を用いて、洗浄液に還元剤を添加した場合について評価した。表２のＮｏ．７〜８組成物に、表１のＮｏ．１成分にグリオキシル酸を添加したものについて洗浄評価を行った。洗浄液はｐＨ３に調整した。洗浄方法および評価方法は実施例１と同じである。
　・・・（中略）・・・
　以上のように、還元剤成分を添加することでＣｕ防食性の向上が認められた（Ｎｏ．７）が、多量に添加すること（Ｎｏ．８）で還元剤が洗浄液中に析出し、洗浄性が大きく低下することが判った。」（段落【００２８】〜【００３０】）
（キ）段落【００２９】の【表２】には、Ｎｏ．７の洗浄液について、組成がＨＦが０．５％、グリオキシル酸０．１％、残部が水であって、洗浄性及びＣｕ防食性が二重丸で、総合評価がＡ（洗浄液として極めて有効である。）であることが記載されている。
　これらの記載事項（ア）〜（キ）及び図面を、特に実施例２の表２のＮｏ．７の洗浄液に着目して、総合すると、上記引用刊行物１には、
「ドライエッチングした後の残渣物を除去する能力が優れるとともに、金属膜に対する防食性に優れ、かつ、層間絶縁膜、特に低誘電率膜の膜質へのダメージを低減し、廃液、廃水の環境負荷を低減する、剥離組成物である洗浄液であり、
低抵抗金属膜や低誘電率膜の溶解や変質を防止しつつ、レジストやエッチング残渣、アッシング残渣、パーティクルを効果的に除去し、高濃度の有機溶媒を含まず安くて廃液処理も容易なフッ化物イオン濃度が０．００１重量％以上１重量％以下、ｐＨが２以上７以下、酸化還元電位が銀／塩化銀電極基準で−５００ｍＶ以上２００ｍＶ以下の、フッ化物イオン濃度、ｐＨ、酸化還元電位の条件下では効果的に作用する、水溶液であって、
それ自体が酸化されて、素子材料の酸化を防止したり、洗浄液の酸化還元電位を低下させたりする効果のある、薄すぎると充分な洗浄効果が得られず、濃すぎると半導体素子の性能を劣化させ、廃液の処理に費用がかかる、還元剤としてカルボン酸またはこれらの塩を、０．０００１重量％以上１０重量％以下含んでいる洗浄液の実施例としての、
　ドライエッチングした後、素子基板上のレジスト、アッシング残渣あるいはエッチング残渣の除去する洗浄液であって、
　ＨＦが０．５％、グリオキシル酸０．１％、残部が水であるｐＨ３に調整されたドライエッチング後の洗浄液。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
イ．引用刊行物２
　同じく引用され、本願の出願前に頒布された特開２００３−２８０２１９号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図１及び２とともに以下の事項が記載されている。
（ア）「本発明は、フォトレジスト残渣除去液組成物、更に詳しくは半導体回路素子の製造における層間絶縁膜材料や配線材料、キャパシタ、電極材料のドライエッチング後のフォトレジスト残渣を除去するためのフォトレジスト残渣除去液組成物に関する。」（段落【０００１】）
（イ）「本発明のフォトレジスト残渣除去液組成物は、フッ素化合物と上記の特定の化合物とを含むことにより、銅、アルミニウム等の配線材料や層間絶縁膜等にダメージを与えることなくフォトレジスト残渣の除去性に優れる。また、耐薬品性に劣る新しい材料である銅に対しても腐食しないばかりか、ダマシンプロセスによって銅を埋め込んだ際に形成されるＴａ、ＴａＮ等のバリアメタル層の銅に対してもその界面を腐食することのない、即ち、サイドスリットの発生を抑制するものである。さらに、ｌｏｗ−ｋ膜に用いた場合には、膜減り、構造変化、誘電率変化、機械的強度変化等を引き起こさないものである。また、有機溶剤を含まずに用いた場合には、環境への負荷の少ないものである。」（段落【００１５】）
（ウ）「本発明のフォトレジスト残渣除去液組成物に用いるフッ素化合物とは、フッ化水素酸、アンモニウム又はアミンのフッ化物塩である。・・・（中略）・・・中でもフォトレジスト残渣除去能力が高く、金属不純物含有量が低く容易に入手できるフッ化アンモニウムが好ましい。
  ・・・（中略）・・・銅やｌｏｗ−ｋ膜に対してアタックを与えないと同時にフォトレジスト残渣を除去する成分として最適なものとしては、フッ素化合物が挙げられ、フッ素化合物を最適な濃度を適宜選択することによって適用可能である。
　また本発明のフォトレジスト残渣除去液組成物に用いるグリオキシル酸、アスコルビン酸、グルコース、フルクトース、ラクトース、マンノースは、銅やアルミニウムの腐食防止剤として機能する。・・・（中略）・・・
　一方、本発明のフォトレジスト残渣除去液組成物に用いるグリオキシル酸・・・（中略）・・・は、還元性物質であることから除去液の酸化還元電位を制御することによって、除去液と各種金属間の電子の授受を制御し腐食を防止すると考えられる。水溶液中の金属の腐食は、水溶液のｐＨ、酸化還元電位、温度、キレート剤の有無並びに水溶液中で共存している他の金属に影響され、中でも溶液のｐＨ、酸化還元電位が重要な因子を占める。これらの因子を制御することによって水溶液中の金属の腐食を防止することができると考えられる。
　フッ素化合物とグリオキシル酸・・・（中略）・・・を少なくとも１種含有する本発明のフォトレジスト残渣除去液組成物は、銅等の酸化物、更にフォトレジスト、層間絶縁膜、ドライエッチングガス等が混成した反応生成物等の除去性に優れ、かつ上述のように酸化還元電位を制御することにより銅配線の腐食、各種ｌｏｗ−ｋ膜へのアタックを最小限に抑制することができる。・・・（中略）・・・酸化還元電位に与える効果が大きく、又水溶液中で安定なグリオキシル酸が特に好ましい。本発明のフッ素化合物とグリオキシル酸・・・（中略）・・・を少なくとも１種含有するフォトレジスト残渣除去液組成物は、有機溶剤を含有しなくても銅や各種ｌｏｗ−ｋ膜にダメージを与えることなくフォトレジスト残渣の除去が可能であり、環境への負荷低減という観点からも利点がある。
　フッ素化合物の濃度はその除去対象によって、適宜決定されるが、・・・（中略）・・・０．１〜０．４重量％である。あまり低濃度では除去能力が弱く、高濃度過ぎても配線材料や各種ｌｏｗ−ｋ膜の腐食を引き起こす。グリオキシル酸・・・（中略）・・・は、配線材料等に使用される金属の腐食を防止するために用いられるが、使用濃度は、フォトレジスト残渣除去性、配線材料及び層間絶縁膜材料に対するダメージの抑制能力、経済性、更に沈殿物及び結晶発生の有無の観点から決定され、・・・（中略）・・・０．０３〜０．３重量％である。」（段落【００１６】〜【００２１】）
　これらの記載事項（ア）〜（ウ）及び図面を総合すると、上記引用刊行物２には、
「半導体回路素子の製造におけるドライエッチング後のフォトレジスト残渣を除去するためのフォトレジスト残渣除去液組成物であって、
　フッ素化合物の濃度は０．１〜０．４重量％であり、グリオキシル酸の濃度は０．０３〜０．３重量％であり、有機溶剤を含有せず、
　グリオキシル酸は還元性物質で除去液と各種金属間の電子の授受を制御し腐食を防止するものであり、重要な因子であるｐＨ、酸化還元電位を制御することによって水溶液中の金属の腐食を防止するものであり、
　銅等の配線材料や層間絶縁膜等にダメージを与えることなくフォトレジスト残渣の除去性に優れ、ｌｏｗ−ｋ膜に用いても、膜減り、構造変化、誘電率変化、機械的強度変化等を引き起こさず、環境への負荷の少ない
　ドライエッチング後のフォトレジスト残渣除去液組成物。」の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
ウ．引用刊行物３
　同じく引用され、本願の出願前に頒布された特開２００３−１４２４４３号公報（以下「引用刊行物３」という。）には、以下の事項が記載されている。
（ア）「洗浄工程（１）で剥離液と接触する基板は、表面に導電性金属層が形成された金属配線用基板上に、感放射線性樹脂パターンを形成した後、前記パターンをマスクとして非マスク領域の導電性金属層をエッチングして得られた基板である。・・・（中略）・・・このパターンをマスクとして、非マスク部分の導電性金属をフッ素や塩素系エッチングガスやプラズマ等によるドライ・エッチングやエッチング液を用いたウエット・エッチングを施して得られる。
　・・・（中略）・・・
　洗浄工程（２）で剥離液と接触する基板は、洗浄工程（１）を経た上述の基板である。」（段落【０００９】〜【００１１】）
（イ）「剥離処理に用いる剥離液は特に制限されず、公知のモノを用いることができるが、金属腐食性の観点から、フッ素化合物を含有するものが好ましい。フッ素化合物を含有する剥離液の中でも、ｐＨが４〜９であるものが好ましく、ｐＨが４.５〜８であるものがより好ましい。・・・（中略）・・・フッ素化合物の使用量は、剥離液中、０.１〜１０重量％、好ましくは０.１〜３重量％である。」（段落【００１６】）
（ウ）「本発明に用いる剥離液には、上述したフッ素化合物の他に、剥離液を構成するのに用いられる一般的な水溶性有機溶剤や水を含有させることができる。各成分は、任意の順番で混合すればよい。・・・（中略）・・・水溶性有機溶媒や水を用いる場合、その使用量は、剥離液中、水溶性有機溶媒が通常６０〜８０重量％、水が通常１０〜４０重量％程度である。」（段落【００１７】）
（エ）「金属腐食抑制と残渣低減の優位性があることから、更に剥離液には、有機酸と、有機酸と塩基との塩（以下、単に有機酸の塩ということがある）とを含有させるのが望ましい。この望ましい剥離液は、本発明の洗浄方法に適しているが、もちろん、従来の洗浄方法に用いることもできる。
　有機酸としては、・・・（中略）・・・酢酸、・・・（中略）・・・等の脂肪族モノカルボン酸、クエン酸、シュウ酸、・・・（中略）・・・酒石酸、クエン酸糖のオキシカルボン酸等が挙げられる。これらの有機酸のうち、酢酸のような脂肪族モノカルボン酸およびクエン酸のような脂肪族ポリカルボン酸が好ましい。・・・（中略）・・・
　有機酸の塩を構成する有機酸としては、上述の有機酸が例示され、酢酸のような脂肪族モノカルボン酸およびクエン酸のような脂肪族ポリカルボン酸が好ましい。また、有機酸の塩を形成するのに用いる塩基としては、・・・（中略）・・・特にｐＨを安定させる観点からアンモニア水であるのが好ましい。従って、有機酸の塩基との塩として好ましい化合物は、有機酸のアンモニウム塩である。
　また、剥離液中に存在する有機酸と、有機酸の塩を構成する有機酸とは同じ有機酸であるのが、ｐＨ安定性の観点から好ましい。
　有機酸の使用量は、剥離液中０．１〜３０重量％、好ましくは０．５〜２０重量％であり、有機酸の塩の使用量は、剥離液中０．１〜３０重量％、好ましくは０．５〜２０重量％である。
　有機酸と、有機酸の塩との使用割合は、剥離液のｐＨを好ましくは４〜９、より好ましくは４．５〜８に調整する緩衝液として機能を果たす割合であるのが望ましく、例えば、酢酸と酢酸アンモニウムとを４：５（重量比）の割合で、クエン酸とクエン酸アンモニウムとを６：７（重量比）の割合である。」（段落【００１８】〜【００２３】）
（オ）表２の剥離液２及び３として、それぞれ、フッ化アンモニウム０．５部及び１部、極性溶剤としてジメチルアセトアルデヒド６５部及び５７．５部、有機酸として酢酸２部及びクエン酸３部、有機酸の塩として酢酸アンモニウム２．５部及びクエン酸アンモニウム３．５部、水３０部及び３５部、ｐＨ４．５及び４．１が示される。
エ．引用刊行物４
　同じく引用され、本願の出願前に頒布された国際公開第０３／０８３５８２号（以下「引用刊行物４」という。）には、「PH BUFFERED COMPOSITIONS FOR CLEANING SEMICONDUCTOR SUBSTRATES」（半導体基板洗浄のためのＰＨ緩衝組成物）の発明が記載されており、以下の事項が記載されている。（なお、和訳はファミリーである特表２００５−５２２０２７号公報を参照した。）
（ア）「Therefore, it is one object of the present invention to provide an improved cleaning formulation that removes organic materials, organometallic residues, organosilicon residues, sidewall polymers and inorganic residues from a semiconductor wafer surface when low dielectric constant films and conductive lines containing aluminum and/or copper are exposed to plasma etch and resist ash conditions
　
It is a further object of the present invention to produce a cleaning formulation having a pH in a range that does not corrode metal and/or dielectric films and that is not effected by small changes in the concentration of acidic and or basic components.」（第３頁第２３〜末行、和訳：段落【００１６】及び【００１７】したがって、本発明の１つの目的は、アルミニウム及び／又は銅を含む低誘電率膜と導電性ラインが、プラズマ・エッチングおよびレジスト・アッシング状態に暴露された場合に、半導体ウエハー表面から有機物質、有機金属の残留物、有機珪素残留物、側壁ポリマーおよび無機残留物を除去する改善された洗浄調合物を提供することである。
　本発明のさらなる目的は、金属及び／又は誘電体膜を腐食せず、かつ、酸及び／又は主要成分濃度の小さな変化により影響されない範囲のｐＨを有する洗浄調合物を生成することである。）
（イ）「In a further aspect, the present invention relates to a semi-aqueous cleaning formulation comprising a buffering system, a fluoride salt and a polar organic solvent and water.」（第４頁第１５及び１６行、和訳：段落【００２２】さらなる態様において、本発明は、緩衝系、フッ化物塩、および極性有機溶剤、および水を含む半水溶性洗浄調合物に関する。）
（ウ）「In one embodiment, the present invention relates to a semi-aqueous cleaning formulation comprising a buffering system, wherein said buffering system comprises at least one organic acid, the salt of the organic acid or other conjugate base, and water, such that the buffer system provides a buffering capacity of from about 100 to 1000 mM to change the pH one unit.・・・（中略）・・・
　
As used herein, the termsemi-aqueousrefers to a mixture of water and organic components. 
　
The buffering system of the present invention should comprise from about 1.0 to 70% weight by volume, and more preferably from about 5.0 to 45% weight by volume of the total composition.The pH of the present solution should be maintained within the range of 3.0 to 8.0, more preferably about 4 to 7 and, most preferably about 4.0 to 6.5. The termbuffer systemrefers to a combination of compounds that provide a buffering system in solution that exhibits buffering capacity, that is, the capacity to neutralize within limits, either acids or bases (alkali) with relatively little or no change in the original pH. The buffering system of the present invention serves to maintain the pH of the instant formulation to within a pH of ±1, and as such the potential for oxide etching and/or metal corrosion is limited.」（第５頁第８〜２５行、和訳：段落【００２６】〜【００２８】一の実施態様において、本発明は緩衝系を含む半水溶性洗浄調合物に関し、この緩衝系は少なくとも１つの有機酸と、有機酸の塩あるいは他の共役塩基と、水とを含み、この結果、上記緩衝系は、ｐＨを１単位変化させるための約１００から１０００ｍＭの緩衝能を与える。・・・（中略）・・・
　ここで用いたように、用語「半水溶性」は、水と有機成分の混合物をさす。
　本発明の緩衝系は、全組成物の約１．０〜７０ｗ／ｖ％を含むべきであり、より好ましくは約５．０〜４５ｗ／ｖ％を含むべきである。本溶液のｐＨは、３．０〜８．０の範囲内に維持されるべきであり、より好ましくは約４〜７、最も好ましくは約４．０〜６．５の範囲内に維持されるべきである。用語「緩衝系」は、緩衝能、すなわち、元のｐＨが相対的にほとんど変化しないかあるいは全く変化しない酸あるいは塩基（アルカリ）のいずれかを適度に中和する緩衝能を発揮する溶液中の緩衝系を与える化合物の組み合わせをさす。本発明の緩衝系は、本調合物のｐＨを±１のｐＨ内に維持するのに役立ち、それゆえ、酸化物エッチング及び／又は金属腐食の可能性が制限される。）
（エ）「Organic acids useful in the buffering system of the instant invention include but are not limited to:・・・（中略）・・・oxalic acid, ・・・（中略）・・・and citric acid. Conjugate bases useful in the buffering system of the present invention include but are not limited to: a salt of the organic acid, ammonia・・・（中略）・・・.」（第６頁第１〜１１行、和訳：段落【００３０】本発明の緩衝系で有用な有機酸としては、限定しないが、・・・（中略）・・・シュウ酸、・・・（中略）・・・およびクエン酸を含む。本発明の緩衝系において有用な共役塩基としては、限定しないが、有機酸の塩、アンモニア、・・・（中略）・・・を含む。）
（オ）「In a further embodiment, the present invention relates to a semi-aqueous cleaning formulation comprising a buffering system, and optionally a fluoride source. Preferably, the fluoride source is present in an amount ranging from about 0 to 25.0% weight by volume, more preferably from about 0 to 8.0 % weight by volume and most preferably from about 0 to 1.0 percent weight by volume.」（第６頁第１５〜１９行、和訳：段落【００３２】さらなる実施態様において、本発明は、緩衝系を含む半水溶性洗浄調合物と、任意のフッ化物源に関する。好ましくは、このフッ化物源は、約０〜２５．０ｗ／ｖ％の範囲、より好ましくは約０〜８．０ｗ／ｖ％、最も好ましくは、約０〜１．０ｗ／ｖ％の範囲で存在する。）
（カ）「In a further embodiment, the semi-aqueous cleaning formulation of the present invention may further and optionally comprise a corrosion inhibitor and/or a cleaning agent.・・・（中略）・・・The corrosion inhibitor may be present in a concentration ranging from about 0 to 2.5% weight by volume of the total cleaning formulation, preferably 0 to 1.0% weight by volume of the total cleaning formulation and most preferably about 0 to 0.5% weight by volume of the total cleaning formulation. 
　
The corrosion inhibitor serves to react with the substrate surface, which may be metal or non-metal, to passivate the surface and prevent excessive etching during cleaning.・・・（中略）・・・The corrosion inhibitor and cleaning agent for the instant invention are preferably a carboxylic acid. More specifically, the carboxylic acid may be chosen from, but not limited to・・・（中略）・・・ oxalic acid,・・・（中略）・・・citric acid, tartaric acid,・・・（中略）・・・ their salts and mixtures thereof.」（第７頁第１８行〜第８頁第１行、和訳：段落【００３４】及び【００３５】さらなる実施態様において、本発明の半水溶性洗浄調合物は、さらに、腐食抑制剤及び／又は洗浄剤を含むことができる。・・・（中略）・・・上記腐食抑制剤は、全体の洗浄調合物の約０〜２．５ｗ／ｖ％の濃度範囲で存在してよく、好ましくは全体の洗浄調合物の０〜１．０ｗ／ｖ％、そして最も好ましくは全体の洗浄調合物の約０〜０．５ｗ／ｖ％の濃度範囲で存在してよい。
　上記腐食抑制剤は、それが金属あるいは非金属でもよい基板表面と反応し、該表面を不動態化し、洗浄中に過度のエッチングを防ぐ役目を果たす。・・・（中略）・・・本発明のための腐食抑制剤と洗浄剤は好ましくはカルボン酸である。より具体的には、このカルボン酸としては、限定しないが・・・（中略）・・・シュウ酸、・・・（中略）・・・クエン酸、酒石酸、・・・（中略）・・・それらの塩や、それらの混合物から選択できる。）
（３）対比・判断
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、後者の「ドライエッチングした後、素子基板上のレジスト、アッシング残渣あるいはエッチング残渣の除去する洗浄液」はその機能からみて前者の「ドライエッチング後の基板を洗浄する洗浄液組成物」に相当する。
　また、後者の「ＨＦ」は前者の「フッ素化合物」に相当し、後者のドライエッチング後の洗浄液は「ＨＦが０．５％、グリオキシル酸０．１％、残部が水であ」って「水溶液であ」るから、前者のドライエッチング後の洗浄液組成物と同様に「有機溶剤を含まない水溶液」であるといえる。
　また、後者の「ＨＦが０．５％、グリオキシル酸０．１％」であることについて、「フッ化物イオン濃度が０．００１重量％以上１重量％以下」「の、フッ化物イオン濃度、ｐＨ、酸化還元電位の条件下では効果的に作用する、水溶液であって、」「還元剤としてカルボン酸またはこれらの塩を、０．０００１重量％以上１０重量％以下含んでいる洗浄液の実施例として」のものであるから、ＨＦは０．５重量％、グリオキシル酸は０．１重量％であるといえ、前者の「フッ素化合物の濃度が０．１〜５質量％であり、」「グリオキシル酸の濃度が０．０３〜０．３質量％」の範囲内の濃度であって、フッ素化合物の濃度が０．５質量％であり、グリオキシル酸の濃度が０．１質量％である点で共通するといえる。
　そうすると、両者は、「ドライエッチング後の基板を洗浄する洗浄液組成物であって、
　１種のフッ素化合物と、グリオキシル酸とを含有する、有機溶剤を含まない水溶液であり、
　前記フッ素化合物の濃度が０．５質量％であり、前記グリオキシル酸の濃度が０．１質量％である
　ドライエッチング後の洗浄液組成物。」である点で一致し、以下の点で相違すると認められる。
相違点：本願補正発明は「少なくとも１種の有機酸塩とを含有する」ものであって、「前記有機酸塩が、シュウ酸アンモニウム、酒石酸アンモニウム、クエン酸アンモニウムおよび酢酸アンモニウムのうちの少なくとも１つであり、」「前記有機酸塩の濃度が０．３〜５．０質量％である」のに対して、引用発明は有機酸塩を含有していない点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
ア．引用発明は、「低抵抗金属膜や低誘電率膜の溶解や変質を防止しつつ、レジストやエッチング残渣、アッシング残渣、パーティクルを効果的に除去し、高濃度の有機溶媒を含まず安くて廃液処理も容易なフッ化物イオン濃度が０．００１重量％以上１重量％以下、ｐＨが２以上７以下、酸化還元電位が銀／塩化銀電極基準で−５００ｍＶ以上２００ｍＶ以下の、フッ化物イオン濃度、ｐＨ、酸化還元電位の条件下では効果的に作用する」ものであり、さらに「それ自体が酸化されて、素子材料の酸化を防止したり、洗浄液の酸化還元電位を低下させたりする効果のある、薄すぎると充分な洗浄効果が得られず、濃すぎると半導体素子の性能を劣化させ、廃液の処理に費用がかかる、還元剤としてカルボン酸」として「グリオキシル酸」を含有するものである。つまりｐＨを２以上７以下、実施例ではｐＨ３に制御するものであるといえる。
　引用発明２も「半導体回路素子の製造におけるドライエッチング後のフォトレジスト残渣を除去するためのフォトレジスト残渣除去液組成物であって、フッ素化合物の濃度は０．１〜０．４重量％であり、グリオキシル酸の濃度は０．０３〜０．３重量％であり、有機溶剤を含有」せず、「銅等の配線材料や層間絶縁膜等にダメージを与えることなくフォトレジスト残渣の除去性に優れ、ｌｏｗ−ｋ膜に用いても、膜減り、構造変化、誘電率変化、機械的強度変化等を引き起こさず、環境への負荷の少ないドライエッチング後のフォトレジスト残渣除去液組成物」であって、引用発明と同様の洗浄液組成物といえ、引用発明２でも、「グリオキシル酸は還元性物質で除去液と各種金属間の電子の授受を制御し腐食を防止するものであり、重要な因子であるｐＨ、酸化還元電位を制御することによって水溶液中の金属の腐食を防止するもの」であって、ｐＨが重要な因子である。
　つまり、引用発明のみならず引用発明２にも示されるように、低抵抗金属膜や低誘電率膜に対応したドライエッチング後の洗浄液組成物として、０．１〜５重量％の範囲内のフッ素化合物と０．０３〜０．３重量％の範囲内のグリオキシル酸を含む水溶液において、濃度のみでなく、ｐＨ、酸化還元電位が重要であるといえる。
イ．一方、引用刊行物３には、ドライ・エッチング後の基板の洗浄工程で用いるフッ素化合物を含んだ剥離液について、水だけでなく水溶性有機溶剤も含有するものの、ｐＨが４.５〜８で、フッ素化合物を剥離液中０.１〜３重量％とすることや、金属腐食抑制と残渣低減の優位性から、有機酸と、有機酸と塩基との塩を含有させること、そして、有機酸として酢酸、クエン酸、シュウ酸、酒石酸等のカルボン酸が例示され、好ましい有機酸の塩基との塩として有機酸のアンモニウム塩が示され、ｐＨを安定させる緩衝液として機能を果たすことが望ましいとされている。
　また、引用刊行物４には、銅や低誘電率膜に対応し、かつ、酸及び／又は主要成分濃度の小さな変化により影響されない範囲のｐＨを有する、プラズマ・エッチングおよびレジスト・アッシング後の残留物を除去する、緩衝系、フッ化物塩、および極性有機溶剤、および水を含み、さらに腐食抑制剤を含む半水溶性洗浄調合物であって、フッ化物塩は約０〜１．０ｗ／ｖ％の範囲のフッ化物源からなり、緩衝系は、少なくとも１つの有機酸と、有機酸の塩あるいは他の共役塩基からなり、約１．０〜７０ｗ／ｖ％の量で、調合物のｐＨは約４．０〜６．５の範囲に制御しつつ±１以内のｐＨに維持するもので、有機酸としてシュウ酸やクエン酸が例示され、有用な共役塩基として、有機酸の塩、アンモニアが示され、そして、腐食抑制剤は、全体の洗浄調合物の約０〜０．５ｗ／ｖ％の濃度範囲で、シュウ酸、クエン酸、酒石酸等のカルボン酸であるものが示されている。
　つまり、水溶性有機溶剤を含有するものの、ドライエッチング後のフッ素化合物を含んだ洗浄液について、フッ素化合物に加えて、金属腐食抑制や、調合物のｐＨを約４．０〜６．５の範囲に制御すると共に、ｐＨを安定に維持するために、酢酸、クエン酸、シュウ酸、酒石酸等の有機酸と、有機酸のアンモニウム塩を含有することが示されており、このようなｐＨの緩衝剤は従来より周知のものでもある。
ウ．そうすると、引用発明や引用発明２において重要とされるｐＨについて、これを安定に維持すべく、引用刊行物３や４に示される酢酸、クエン酸、シュウ酸、酒石酸等の有機酸のアンモニウム塩を含有させることは当業者が容易になし得たことといえる。
　一方、その濃度については、引用刊行物３では有機酸の塩の使用量として０．５〜２０重量％とし、実施例として、有機酸として酢酸２部及びクエン酸３部、有機酸の塩として酢酸アンモニウム２．５部及びクエン酸アンモニウム３．５部が例示され、引用刊行物４では緩衝系全体で約１．０〜７０ｗ／ｖ％の量が例示されている。
　そして、引用刊行物３及び４のｐＨの緩衝剤は、有機酸と、有機酸と塩基との塩であって、緩衝剤としてだけでなく、弱酸である有機酸及び有機酸塩によるｐＨの調整、金属腐食抑制をもおこなうものである。
　引用発明は、ＨＦが０．５％、グリオキシル酸０．１％、残部が水であって、ｐＨ３に調整されたものであり、また、引用発明２は、フッ素化合物の濃度は０．１〜０．４重量％であり、グリオキシル酸の濃度は０．０３〜０．３重量％であり、ｐＨはグリオキシル酸により調整されたものである。
　そうすると、引用発明２は既にそのｐＨが調整され、その機能を果たすようになされたものであるから、緩衝剤を加えるにあたり、その具体的な量について、その機能をなすフッ素化合物及びグリオキシル酸の濃度やｐＨをあまり変化させることがないように、有機酸や有機酸の塩の濃度を緩衝剤として働く限りで少なくしようとすることは当業者が容易になし得たこととであって、上記引用刊行物３や４の有機酸を最小限にするかまたは加えずに、有機酸の塩のみを最小限である０．５や１．０としてみようとする程度のことは当業者が、格別の困難性を要することなく、試行・実験し、想到し得たことといえる。
　また、引用発明は、ｐＨ３への調整がどの程度の量のアンモニアによりなされたか不明ではあるが、上記引用刊行物３や４に示される緩衝剤は有機酸のアンモニウム塩を含むものであるから、緩衝剤が同様の調整を同時になすように有機酸のアンモニウム塩を加え、その濃度やｐＨを調整することも、当業者が容易になし得たことである。
　引用刊行物３及び４の洗浄剤が水だけでなく水溶性有機溶剤も含有するとしても、引用発明や引用発明２と同様にドライエッチング後の基板の洗浄に用いるフッ素化合物を含んだ洗浄液においてｐＨの緩衝を行うものであり、酢酸アンモニウム等は緩衝剤として周知のものでもあるから、上記のように重要とされるｐＨについてこれを安定に維持すべく、これらに記載された技術的事項を適用することに格別の困難性はない。
　さらにいえば、引用刊行物４では、さらにグリオキシル酸を包含するカルボン酸を銅や低誘電率膜の腐食抑制剤として含むことも記載されていて、このことからも、フッ素化合物及びグリオキシル酸を含有する引用発明や引用発明２に、引用刊行物３及び４の緩衝剤を適用することに困難性はない。
エ．付言すると、引用刊行物３に記載のドライ・エッチング後のフッ素化合物と水溶性有機溶剤を含んだ剥離液について、フッ素化合物と水溶性有機溶剤を、引用発明や引用発明２の廃液処理が容易で、環境負荷が小さい、ＨＦとグリオキシル酸を含んだ水溶液とし、引用刊行物３に記載の剥離液で金属腐食抑制と残渣低減、またｐＨを安定させる緩衝液として用いられる、酢酸、クエン酸、シュウ酸、酒石酸等のカルボン酸である有機酸と有機酸のアンモニウム塩を同様の目的でそのまま用いようと検討することも当業者にとって格別、困難であるとはいえず、その値についても上記と同様である。
オ．また、本願補正発明は、グリオキシル酸とフッ化アンモニウムの水溶液のみではプラズマＴＯＥＳ法により成膜された酸化シリコン膜は腐食されるが、これに有機酸塩を一定の濃度で加えて腐食しないようにしたものであるが、上記したように、引用発明、引用発明２並びに引用刊行物３及び４に記載の事項から本願補正発明の洗浄液組成物の組成は容易になし得たものであるから、同様の効果を奏するものといえる。引用発明、引用発明２及び引用刊行物４に記載のものも、本願補正発明と同様のドライエッチング後の洗浄液であって、低誘電率膜を含む絶縁膜、銅などへの腐食を防ぎつつ、残渣物を除去するものである。
　なお、本願明細書では、フッ素化合物及びグリオキシル酸に加える有機酸塩について、シュウ酸アンモニウム、酒石酸アンモニウム、クエン酸アンモニウムおよび酢酸アンモニウムが実施例として挙げられているが、その他の有機酸が同様の機能をしないとまでは記載されておらず、上記したように、シュウ酸アンモニウム、酒石酸アンモニウム、クエン酸アンモニウムおよび酢酸アンモニウムはｐＨの緩衝剤として当業者が通常よく用いるものである。
　
　以上述べたようであるから、上記相違点に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　よって、本願補正発明は、引用発明、引用発明２並びに引用刊行物３及び４に記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２１年８月２４日付けで手続補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「ドライエッチング後の基板を洗浄する洗浄液組成物であって、
　少なくとも１種のフッ素化合物と、グリオキシル酸と、少なくとも１種の有機酸塩と、水とを含有し、
　前記フッ素化合物の濃度が０．１〜５質量％であり、前記グリオキシル酸の濃度が０．０３〜０．３質量％であり、前記有機酸塩の濃度が０．３〜５．０質量％である
　ことを特徴とするドライエッチング後の洗浄液組成物。」
　
（１）引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物の記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明は、前記「２．（１）」で検討した本願補正発明を特定するための事項である、洗浄液組成物に含有される水に関し、「
有機溶剤を含まない水溶液であ
シュウ酸アンモニウム、酒石酸アンモニウム、クエン酸アンモニウムおよび酢酸アンモニウムのうちの少なくとも１つであ
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに、他の発明特定事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（３）」に記載したとおり、引用発明、引用発明２並びに引用刊行物３及び４に記載の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様に、引用発明、引用発明２並びに引用刊行物３及び４に記載の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用発明２並びに引用刊行物３及び４に記載の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。そうすると、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。