【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年4月1日(2011.4.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板（１）において第１の側部（１１）と第１の底部（１０）とを有した深い絶縁トレンチであって、
前記第１の側部及び第１の底部は、電気的絶縁材料（１２）で被覆され、該電気的絶縁材料は前記深い絶縁トレンチ内部に空のキャビティ（１３）を画定すると共に前記キャビティを閉塞するプラグ（１４）を形成し、前記深い絶縁トレンチの前記第１の側部は、前記プラグの深さを決定するネック（１５）と、前記第１の底部からの距離が増大するにつれて前記ネックから外方へ幅が広くなっていく第１の部分（１６）と、前記ネック（１５）と前記第１の底部（１０）との間の第２の部分（１７，１８，１９）と、を用いて構成されている深い絶縁トレンチと、
前記半導体基板内に掘られ、及び第２の底部（３２）及び第２の側部（３１）を備えており、及び内部が電気的絶縁体で満たされている浅い絶縁トレンチであって、前記深い絶縁トレンチ上部にさらに形成されており、前記第１の部分（１６）の最大幅の部分は前記第２の底部（３２）の内側に位置している浅い絶縁トレンチと、を備えた絶縁トレンチ。
【請求項２】
第１の部分（１６）は半導体基板（１）の０．２から１μｍの間の深さにあることを特徴とする請求項１に記載の絶縁トレンチ。
【請求項３】
第１の部分（１６）の傾斜の角度は５０°から８５°の間であることを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載の絶縁トレンチ。
【請求項４】
第１の部分（１６）の最大幅はネック（１５）の幅の２倍であることを特徴とする請求項
１から３のいずれか一項に記載の絶縁トレンチ。
【請求項５】
第１の側部（１１）はネック（１５）と第１の底部（１０）との間において平行な第２の部分（１７）を備えたことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の絶縁トレンチ。
【請求項６】
第１の側部（１１）はネック（１５）と第１の底部（１０）との間に第２の部分（１８）を備え、この第２の部分（１８）は第１の底部（１０）からの距離が減少するにつれてネック（１５）から外方へテーパが形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の絶縁トレンチ。
【請求項７】
第１の側部（１１）はネック（１５）と第１の底部（１０）との間に第２の部分（１８）を備え、この第２の部分（１８）は外方へテーパが形成されかつ凸状であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の絶縁トレンチ。
【請求項８】
第１の底部（１０）は平坦であることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の絶縁トレンチ。
【請求項９】
第１の底部（１０）は丸みを有することを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の絶縁トレンチ。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の少なくとも一の絶縁トレンチを備えたことを特徴とする集積回路。
【請求項１１】
請求項１０に記載の少なくとも一の集積回路を備えたことを特徴とする電子若しくは電気装置。
【請求項１２】
半導体基板（１）に絶縁トレンチを形成する方法において、該トレンチは、第１の底部（１０）、第１の側部（１１）、及び開口（９）を有する深い絶縁トレンチと、第２の側部（３１）及び第２の底部（３２）を有する浅い絶縁トレンチ（３０）と、を備えており、前記深い絶縁トレンチの開口（９）は、前記浅い絶縁トレンチ（３０）の前記第２の底部（３２）内に広がっており、
・前記半導体基板内に前記第２の側部（３１）及び前記第２の底部（３２）をエッチングにより形成して前記浅い絶縁トレンチを形成する段階と；
・前記浅い絶縁トレンチ（３０）の前記第２の側部（３１）と前記第２の底部（３２）とを被覆するようにハードマスク（６）を作成するために前記半導体基板上（１）に電気的絶縁材料の層を形成する段階と；
・前記ハードマスク（６）において、前記深い絶縁トレンチにおける前記開口（９）に対応する開口をエッチングする段階であって、前記開口は前記浅い絶縁トレンチの第２の底部内に位置している段階と；
・前記ハードマスク（６）の開口を介して前記半導体材料内に深い絶縁トレンチの前記第１の側部（１１）と前記第１の底部（１０）をエッチングにより形成して前記深い絶縁トレンチを形成する段階であって、前記第１の底部（１０）と前記開口（９）との間にネック（１５）を形成し、前記開口（９）から前記ネック（１５）へと幅が小さくなっていく前記第１の側部（１１）の第１の部分（１６）と、前記ネック（１５）と前記第１の底部（１０）との間に前記第１の側部（１１）の第２の部分（１７，１８，１９）を形成する段階と、
・前記ハードマスク（６）を除去する段階と；
・前記深い絶縁トレンチの前記第１の側部（１１）と前記第１の底部（１０）とを被覆する電気的絶縁材料（１２）を非コンフォーマルに堆積する段階であって、前記電気的絶縁材料は、前記第１の側部の第２の部分と第１の底部において空のキャビティ（１３）を前記深い絶縁トレンチ内に画定すると共に、前記空のキャビティ（１３）を閉塞するプラグ（１４）を形成し、及び前記浅い絶縁トレンチ（３０）を満たす段階と；を備えたことを特徴とする絶縁トレンチを形成する方法。
【請求項１３】
エッチング段階は、前記第１の側部（１１）の第１の部分（１６）を形成するための第１の気体と前記第１の側部（１１）の第２の部分（１７，１８，１９）を形成するための第２の気体との混合気体を用いたプラズマによって行うことを特徴とする請求項１２に記載の絶縁トレンチを形成する方法。
【請求項１４】
混合気体が、臭化水素酸ＨＢｒと酸素Ｏ２と六フッ化硫黄ＳＦ６を含むことを特徴とする請求項１３に記載の絶縁トレンチを形成する方法。
【請求項１５】
混合気体が、前記第１の側部（１１）の第１の部分（１６）を形成するためでなく、前記第１の側部（１１）の第２の部分（１７，１８，１９）を形成するために、六フッ化硫黄ＳＦ６の割合が大きいことを特徴とする請求項１３又は１４のいずれかに記載の絶縁トレンチを形成する方法。
【請求項１６】
前記第１の側部（１１）と前記第１の底部（１０）とを被覆するために堆積された電気的絶縁材料（１２）にドーピングし、堆積段階の後に、電気的絶縁材料（１２）にクリープ変形を与える熱アニーリング段階を備えたことを特徴とする請求項１２から１５のいずれか一項に記載の絶縁トレンチを形成する方法。
【請求項１７】
前記第１の側部（１１）と前記第１の底部（１０）とを被覆するために堆積された電気的絶縁材料（１２）を表面除去する段階を備え、必要ならその後に表面レベリング段階を備えたことを特徴とする請求項１２から１６のいずれか一項に記載の絶縁トレンチを形成する方法。
【請求項１８】
前記第１の側部（１１）及び前記第１の底部（１０）の表面状態を回復するために、エッチング段階の後に、熱アニーリング段階を備えたことを特徴とする請求項１２から１７のいずれか一項に記載の絶縁トレンチを形成する方法。
【請求項１９】
エッチング段階の後に、トレンチにイオン注入を行う段階を備え、このイオン注入の種類は半導体基板（１）の注入の種類のものと反対のものであることを特徴とする請求項１２から１８のいずれか一項に記載の絶縁トレンチを形成する方法。
【請求項２０】
前記電気的絶縁材料（１２）を非コンフォーマルに堆積する段階は、前記浅い絶縁トレンチ（３０）の内部を電気的絶縁材料で充填することを特徴とする請求項１２から１９のいずれか一項に記載の絶縁トレンチを形成する方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
深い絶縁トレンチは通常、半導体材料に掘られた浅い絶縁トレンチと協同（関連、接続）して、かつ全体が電気的絶縁材料から成る。これは底部と側部とを備える。従って、第１の部分の最大幅の部分は、浅い絶縁トレンチの底部において開口している。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
深い絶縁トレンチが側部と底部とを有する浅い絶縁トレンチとが協同し、深い絶縁トレンチにおける開口が浅い絶縁トレンチの底部にあるとき、方法は、電気的絶縁材料を堆積してハードマスクを作製する段階の前に浅い絶縁トレンチをエッチングする段階を備えてもよい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
この実施形態では、電気的絶縁材料のコンフォーマルでない堆積が浅い絶縁トレンチを充填するのに寄与する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６１】
バイポーラ及びＢｉＣＭＯＳ回路では、深い絶縁トレンチは浅い絶縁トレンチ（shallow Trench Isolation：ＳＴＩ）と協同する。浅い絶縁トレンチは、トランジスタが配置する区画の深さより浅い深さを有するトレンチである。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
浅い絶縁トレンチ３０は側部３１と底部３２を備え、電気的絶縁材料３３から成る。その底部３２は、深い絶縁トレンチ基準２０において外方へテーパ形成された第１の部分１６に開放している。この協同を図３に示す。浅い絶縁トレンチ３０の底部３２は深い絶縁トレンチの開口９より広く、すなわち、外方へテーパ形成する第１の部分１６の最大幅より広い。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６３】
浅い絶縁トレンチは、深い絶縁トレンチが形成された後に形成することができる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６４】
しかし、深い絶縁トレンチを形成する前に浅い絶縁トレンチを形成し始めることも可能であり、この場合は、２つの絶縁トレンチを形成するのに共通ないくつかの段階がある。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６５】
浅い絶縁トレンチを形成する段階を含む深い絶縁トレンチを形成する段階を示す。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６６】
酸化物層４と犠牲窒化物層５とを有する図２Ａで示した基板と同じ性質の基板１から始める。第１の段階は浅い絶縁トレンチ３０をエッチングすることである。リソグラフィ段階は、窒化物層５上に樹脂堆積物４０を用いて行い、その後、樹脂上にトレンチの開口９に対応する適当なパターンを転写し、樹脂４０を現像する。浅いトレンチはプラズマによってエッチングする。このとき、エッチングは異方的である（図４Ａ）。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６８】
次いで、浅い絶縁トレンチ３０をエッチングするためのハードマスクとして機能する電気的絶縁材料６を堆積する。この材料は、浅い絶縁トレンチ３０の側部３１と底部３２とを被覆する。この段階は図２Ｂを参照して上述した。次いで、図２Ｂ及びその後の図に示した段階を実施する、すなわち、ハードマスク６のエッチング（図４Ｂ）及び樹脂４１の除去につながる樹脂４１を用いたリソグラフィ段階を行う。このとき、上述のような深い絶縁トレンチのエッチングを開始することが可能である。この段階は図４Ｃで示しており、浅い絶縁トレンチ３０の底部３２から始めて行う。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７２】
次の段階は、深い絶縁トレンチ２０に空のスペースを形成し、浅い絶縁トレンチ３０全体を充填することによって、トレンチにおける充填を行う段階である。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７３】
前述のように、この段階は、基板１上にプラグ１４を形成し、浅い絶縁トレンチを形成するのに使用される電気的絶縁材料１２の非コンフォーマルな堆積を用いることによって行うことができる（図４Ｄ）。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７４】
浅い絶縁トレンチ３０はこの段階の終わりに完全に充填されることが必要なわけではない。従って、最後の段階は、例えば、ＣＶＤによってコンフォーマルな電気的絶縁材料の堆積を行うことによってそれを充填することである。実施例では、最後の段階は、平坦な面にするために窒化物５で機械的化学的研磨を停止することであってもよい（図４Ｅ）。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７７】
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）本発明による深い絶縁トレンチの実施例の断面図である。（Ｂ）本発明に
よる深い絶縁トレンチの実施例の断面図である。（Ｃ）本発明による深い絶縁トレンチの実施例の断面図である。
【図２】本発明による深い絶縁トレンチを形成する方法の各段階を示す断面図である。
【図３】浅い絶縁トレンチと協同する本発明による深い絶縁トレンチの断面図である。
【図４】本発明による深い絶縁トレンチを形成する方法の各段階を示す図であって、この
深い絶縁トレンチは同時に形成される浅い絶縁トレンチと協同するものである。
【図５】本発明による電子装置もしくは電気装置の模式図である。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７８】
１  半導体基板
６  ハードマスク
９  開口
１０  底部
１１  側部
１２  電気的絶縁材料
１３  空のキャビティ
１４  プラグ
１５  ネック
１６  第１の部分
１７，１８，１９  第２の部分
３０  浅い絶縁トレンチ
３１  側部
３２  底部