【事件の表示】
　特願２００５−３７９８４６「熱伝導効率の高い回路板」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　７月１２日出願公開、特開２００７−１８０４３９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本件出願は、平成１７年１２月２８日の出願であって、平成２０年９月２６日付けで拒絶理由が通知され、平成２１年２月４日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、同年２月２７日付けで拒絶査定がなされ、同年６月５日に同拒絶査定に対する審判請求がなされ、同年６月２６日付けで審判請求の理由を補正する手続補正書（方式）が提出されるとともに特許請求の範囲を補正する手続補正書が提出され、その後、当審において平成２２年９月２９日付けで書面による審尋がなされたものである。 
　
第２　平成２１年６月２６日付けの手続補正について
１　本件補正の内容
　平成２１年６月２６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲について、本件補正により補正される前の（すなわち、平成２１年２月４日付けで提出された手続補正書により補正された）下記（１）に示す特許請求の範囲の請求項１ないし６を下記（２）に示す特許請求の範囲の請求項１ないし３と補正するものである。 
　
（１）本件補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし６
 　「【請求項１】
基板上をダイヤモンド膜で製造されている熱伝導絶縁層が被覆しており、熱伝導絶縁層上に回路が設置され、回路箇所は半導体チップの設置に利用され、回路の外部露出表面上はハンダマスク層が被覆しており、当該熱伝導絶縁層は回路を介して当該半導体チップの高熱を迅速に伝導して、当該半導体チップの正常な作用温度を維持する熱伝導効率の高い回路板。
　　【請求項２】
ダイヤモンド膜熱伝導絶縁層は熱フィラメント化学気相成長（Ｈｏｔ Ｆｉｌａｍｅｎｔ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で形成されている請求１記載の熱伝導効率の高い回路板。
　　【請求項３】
ダイヤモンド膜熱伝導絶縁層はマイクロ波プラズマ化学気相成長（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で形成されている請求項１記載の熱伝導効率の高い回路板。
　　【請求項４】
基板上をダイヤモンドライクカーボン膜で製造されている熱伝導絶縁層が被覆しており、熱伝導絶縁層上に回路が設置され、回路箇所は半導体チップの設置に利用され、回路の外部露出表面上はハンダマスク層が被覆しており、当該熱伝導絶縁層は回路を介して当該半導体チップの高熱を迅速に伝導して、当該半導体チップの正常な作用温度を維持する熱伝導効率の高い回路板。
　　【請求項５】
ダイヤモンドライクカーボン膜は陰極アーク物理気相成長（Ｃａｔｈｏｄｉｃ Ａｒｃ Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で形成されている請求項４記載の熱伝導効率の高い回路板。
　　【請求項６】
ダイヤモンドライクカーボン膜はスパッタリング物理気相成長（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で形成されている請求項４記載の熱伝導効率の高い回路板。」 
　
（２）本件補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし３ 
　「【請求項１】
基板上をダイヤモンドライクカーボン膜で製造されている熱伝導絶縁層が被覆しており、熱伝導絶縁層上に回路が設置され、回路箇所は半導体チップの設置に利用され、回路の外部露出表面上はハンダマスク層が被覆しており、当該熱伝導絶縁層は回路を介して当該半導体チップの高熱を迅速に伝導して、当該半導体チップの正常な作用温度を維持する熱伝導効率の高い回路板。
ダイヤモンドライクカーボン膜は陰極アーク物理気相成長（Ｃａｔｈｏｄｉｃ Ａｒｃ Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で形成されている請求項１に記載の熱伝導効率の高い回路板。
　　【請求項３】
ダイヤモンドライクカーボン膜はスパッタリング物理気相成長（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で形成されている請求項１に記載の熱伝導効率の高い回路板。
（なお、下線は、補正箇所を示すためのものである。）
　
２　本件補正の目的
　本件補正は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし３を削除するとともに、請求項４ないし６を新たな請求項１ないし３とするものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号に規定する特許法第３６条第５項に規定する請求項の削除を目的とするものに該当する。
　
第３　本願発明
　本件出願の特許請求の範囲の請求項１ないし３に係る発明は、平成２１年６月２６日付け手続補正書並びに願書に最初に添付した明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記「第２　１（２）」の【請求項１】のとおりである。
　
第４　引用文献
１　引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本件出願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開２００４−１７９２５７号公報（以下、「引用文献１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。  
　 
（１）「【０００６】
本発明は上述の課題に鑑みてなされたもので、パワー系ＩＣ等の発熱素子からの熱を熱伝導層を介して効率良く伝達して放熱することができる放熱構造を備えた半導体装置の提供を目的とする。
また本発明は、アース回路と誘電体層と回路配線を備えた基板に発熱素子が実装される構造において発熱素子からの熱を熱伝導層を介して効率よく伝達して放熱することができる放熱構造を備えた半導体装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の照明装置は前述の目的を達成するために、パワートランジスタ等の発熱素子が搭載され、導電回路が形成される基板を備えた半導体装置であって、前記基板の内部にダイヤモンドライクカーボンからなる熱伝導層が形成され、前記基板の少なくとも一面側に前記熱伝導層に直接あるいは熱伝達部材を介して前記発熱素子が設けられるとともに、前記発熱素子が設けられた前記基板の前記素子取付面側と反対面側に前記基板外面の一部に開口し、前記熱伝導層に達する放熱孔が形成されたことを特徴とする。
ダイヤモンドライクカーボンの熱伝導層はＳｉ基板あるいは通常の金属材料に比べて熱伝導率の面において格段に優れているので、発熱素子からの熱を熱伝導層により効率良く伝達できる。熱伝導層が伝えた発熱素子からの熱は、発熱素子から離れた部分にまで速やかに伝達されるので、発熱素子まわりに熱が蓄積されることがない。」
（【０００６】及び【０００７】）
　
（２）「【００１２】
図１に示すように本発明に係る半導体装置としてのチップ実装基板Ａは、Ｓｉなどからなる基板１と、この基板１の上面のほぼ全面に被覆形成されたダイヤモンドライクカーボンからなる熱伝導層２と、この熱伝導層２の上の必要部分に形成されたアース回路３と、該アース回路３を覆った誘電体層５と、該誘電体層５の上に必要な形状に形成された回路配線６と、該回路配線６に接続された形で設置されたパワーＩＣ等の半導体素子としての半導体チップ（発熱素子）７とを具備して構成されている。
このようなチップ実装基板Ａは、例えば、ＦＡＷ（加入者系無線アクセスシステム）等に用いられる小型・高性能な送受ＲＦモジュール用として、あるいは、小型高性能なＨｉｇｈ−Ｑフィルタ、アンテナ、薄膜素子搭載モジュール等のデータ転送カードモデム用として、または、追突防止レーダ、車車間通信システム等のＩＴＳ（インテリジェントトランスポートシステム）用として、更には、超高速無線ＬＡＮ、無線ホームリンク等のＭＭＣ（マルチメディア異動アクセス）用として、あるいはその他の種々の用途に供される種々の形態の高周波モジュール用などの半導体素子や各種発熱素子が実装された基板である。ここで用いられる発熱素子とは、発熱量が多いパワー系ＩＣなどの素子、あるいは、パワー系トランジスタ、ＩＣ、及びＭＭＩＣなどの素子である。なお、例えば、動作電流がトランジスタでは５ｍＡ以上、ＩＣでは２ｍＡ以上の素子が対象となる。」（【００１２】） 
　
（３）「【００１６】
前記熱伝導層２はダイヤモンドライクカーボンからなる。このダイヤモンドライクカーボンとは、ダイヤモンドが炭素原子のｓｐ３結合による結晶体であるのに対し、炭素原子のｓｐ３結合によるアモルファス構造体を主体としてなり、イオンビームデポジッション、イオンプレーティング、スパッタリング、電子ビーム蒸着法などのＰＶＤ法、炭化水素ガスによるプラズマＣＶＤ法などの種々の成膜法で製造可能な膜である。このダイヤモンドライクカーボンは、製造時のバイアスや雰囲気ガス等の条件により炭素原子のｓｐ３結合によるアモルファス相の他に、水素やグラファイト的なｓｐ２結合を多く含むものとなり、その製造状態により熱伝導率が変動するが、熱伝導率が概ね１０００〜１００（Ｗ／ｍｋ）程度、例えば１０００程度の優れたものである。
これらに対して、Ｃｕの熱伝導率は３９３（Ｗ／ｍｋ）、Ａｌ２Ｏ３の熱伝導率は１７（Ｗ／ｍｋ）、であるので、ＣｕやＡｌ２Ｏ３に比べて熱伝導率の差異は明らかである。なお、ダイヤモンドライクカーボンの比抵抗は５.０×１０７Ωｃｍ程度、Ｃｕの比抵抗は１.７×１０−８程度、Ａｌ２Ｏ３の比抵抗は１×１０１２程度であるので、ダイヤモンドライクカーボンの熱伝導層２での電気絶縁性は充分である。」（【００１６】） 
　 
（４）「【００２１】
以上の如く構成された半導体装置Ａにあっては、発熱素子としての半導体素子７が発熱すると、その熱がボールボンディング接続部７ｂ、サーマルビアの熱伝達部８、誘電体層５を介して、あるいは一部封止樹脂材９を介してダイヤモンドライクカーボン製の熱伝導層２に伝わり、熱伝導層２を伝わって半導体素子７から離れた部分に伝達され、基板１の放熱孔１ａ側であるいは基板１上で外部に露出されている熱伝導層２の部分から基板１の外部側に放出される。その際、熱伝導層２に対して熱を伝達するサーマルビアの熱伝達部８の近くに複数の放熱孔１ａが形成されているので、これらの放熱孔１ａ内部の空気と熱交換を行うことで熱を伝えるサーマルビアの熱伝達部８の直近で効率良く熱を放出できる。また、図１に示すように基板１の右端部側に示すように基板上に露出されている部分においては直接外気に放熱できる。従って半導体装置Ａにおいて熱交換効率の良好な排熱構造が提供される。
【００２２】
また、熱伝導層２は特に熱伝導率の優れたダイヤモンドライクカーボンから形成されているので、サーマルビアの熱伝達部８の周囲側に熱が速やかに伝達され、熱伝達部８から離れた位置に存在する放熱孔１ａからも積極的に排熱することができるとともに、図１に示すアース回路３と誘電体層５で覆われていない熱伝導層２の上面が露出された領域においても効率良く排熱することができる。従って放熱孔１ａは特に発熱素子７の近傍に配置する必要性は低く、基板１の任意の位置に設けることができ、その場合であっても良好な放熱効果を得ることができるが、放熱孔１ａを発熱素子７の近傍に配置した方が熱交換効率の面からより有利であることは勿論である。
なお、放熱性を重視すれば発熱素子７の下側の基板１に多くの放熱孔１ａを設けることが好ましいが、発熱素子７を回路配線６に接続する場合のチップボンドの耐性（機械強度）の関係でバンプ接続部７ａの下側はある程度の基板強度が必要なため、バンプ接続部７ａ部分とサーマルビア８の固定部分に必要以上に多くの放熱孔１ａを設けるのは好ましくない。」（【００２１】及び【００２２】）
　
　また、以下の事項を認定することができる。
　
（５）上記（１）及び（４）の記載から、
引用文献１記載の熱伝導層２はアース回路３、誘電体層５、及び回路配線６を介して発熱素子としての半導体素子７の高熱を迅速に伝導して基板１の外部側に放出するものであることを認定することができる。
　
（６）上記（５）において、熱伝導層２がアース回路３、誘電体層５、及び回路配線６を介して発熱素子としての半導体素子７の高熱を迅速に伝導して基板１の外部側に放出するのは、当該発熱素子としての半導体素子７の正常な作用温度を維持するためであることは技術常識から明らかであるから、
引用文献１記載の半導体装置Ａは、熱伝導層２がアース回路３、誘電体層５、及び回路配線６を介して発熱素子としての半導体素子７の高熱を迅速に伝導することによって、発熱素子としての半導体素子７の正常な作用温度を維持する熱伝導効率の高いものであることを認定することができる。
　
　上記（１）ないし（４）の記載事項、（５）及び（６）の認定事項、並びに図面の記載からみて、引用文献１には次の発明（以下、「引用文献１記載の発明」という。）が記載されていると認める。 
　
　「基板１上をダイヤモンドライクカーボンからなる熱伝導層２が被覆しており、熱伝導層２上にアース回路３、誘電体層５、及び回路配線６が設置され、アース回路３、誘電体層５、及び回路配線６の箇所は発熱素子としての半導体素子７の設置に利用され、当該熱伝導層２はアース回路３、誘電体層５、及び回路配線６を介して当該発熱素子としての半導体素子７の高熱を迅速に伝導して、当該発熱素子としての半導体素子７の正常な作用温度を維持する熱伝導効率の高い半導体装置Ａ。 」
　
２　引用文献２
　原査定の拒絶の理由に引用された、本件出願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開２００３−５１５６７号公報（以下、「引用文献２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。  
  
（１）「【特許請求の範囲】
【請求項１】　ベース基板の両主面に絶縁層及び配線層が交互且つ多層に形成されると共に、研磨することによってそれぞれ平坦化された両主面のうち何れか一方をビルドアップ形成面とするベース基板部と、
上記ベース基板部のビルドアップ形成面上に誘電絶縁層と配線部とが交互且つ多層に亘ってビルドアップ形成されると共に、当該配線部が成膜形成された受動素子部を有する配線パターンで形成されてなる高周波回路部とを備えることを特徴とする高周波モジュール用基板装置。
・・・（中略）・・・
【請求項１０】　上記高周波回路部は、最上層の主面上に上記配線部を外方に露出させる保護層を有していることを特徴とする請求項１記載の高周波モジュール用基板装置。
【請求項１１】　上記保護層は、ポリフェニールエチレン、ビスマレイドトリアジン、ポリイミド、液晶ポリマ、ポリノルボルネン、ベンゾシクロブテンのうち何れか一種又は複数種を混合した有機材、エポキシ系樹脂材、アクリル系樹脂材のうち何れか一種又は複数種混合した材料、もしくはソルダレジスト材によって形成されることを特徴とする請求項１０記載の高周波モジュール用基板装置。
・・・（中略）・・・
【請求項３６】　ベース基板の両主面に絶縁層と配線層とが交互且つ多層に亘って積層形成されたベース基板部を作製する第１の工程と、当該ベース基板部の両主面のうち何れか一方を平坦化されたビルドアップ形成面とするために、当該ベース基板部の両主面に研磨加工による平坦化処理をそれぞれ施す第２の工程と、当該ベース基板部のビルドアップ形成面上に、誘電絶縁層と、成膜形成された受動素子部を有する配線パターンが形成されてなる配線部とが交互且つ多層に亘って積層形成された高周波回路部をビルドアップ形成する第３の工程とを経て高周波モジュール基板を作製する基板作製工程と、
上記高周波モジュール基板の上記高周波回路部側の主面上で上記配線部と少なくとも１個以上の高周波集積回路素子とを電気的に接続することによって、上記高周波モジュール基板に当該高周波集積回路素子を実装する素子実装工程と、
上記高周波モジュール基板の上記ベース基板部側の主面上で上記配線層とマザー基板とを電気的に接続することによって、当該マザー基板に上記高周波モジュール基板を実装する基板実装工程とを有することを特徴とする高周波モジュール装置の製造方法。
・・・（中略）・・・
【請求項４７】　上記基板作製工程の上記第３の工程において、上記高周波回路部の最上層の主面上に、上記配線部を外方に露出させる保護層を形成する工程を有することを特徴とする請求項３６記載の高周波モジュール装置の製造方法。
【請求項４８】　上記基板作製工程の上記第３の工程において、上記保護層をポリフェニールエチレン、ビスマレイドトリアジン、ポリイミド、液晶ポリマ、ポリノルボルネン、ベンゾシクロブテンのうち何れか一種又は複数種を混合した有機材、エポキシ系樹脂材、アクリル系樹脂材のうち何れか一種又は複数種混合した材料、もしくはソルダレジスト材によって形成することを特徴とする請求項４７記載の高周波モジュール装置の製造方法。」（【特許請求の範囲】の【請求項１】ないし【請求項４８】）　
　
（２）「【０１２０】次に、図３０に示すように、高周波回路部４の表面全面及びベース基板部２の第４の配線層９ａが露出している面全面に永久レジスト層４４ａ、４４ｂを形成する。このとき、永久レジスト層４４ａ、４４ｂには、フォトリソグラフ法等により所定の位置に開口部４５ａ、４５ｂが設けられる。一方の開口部４５ａは、第２の配線パターン１８が外法に臨むようになされ、他方の開口部４５ｂは、第４の配線層９ａが外方に臨むようになされている。そして、この第４の配線層９ａは、マザー基板９３に電気的に接続される入出力端子部３０となる。
・・・（中略）・・・
【０１２９】そして、以上のようにして製造されたモジュール基板１は、上述したように高周波回路部４の実装面４ａ上に、電極端子４６ａを介して高周波ＩＣ９０やチップ部品９１がフリップチップ実装法等の適宜の実装方法によって搭載される。また、モジュール基板１は、ベース基板部２のマザー基板実装面２ａが、電極端子４６ｂを介してフリップチップ実装法や半田ボール等によりマザー基板９３に搭載される。モジュール基板１は、高周波ＩＣ９０等を実装した状態において、電磁ノイズの影響を排除するためのシールドカバー９２が組み付けられて高周波回路部４の実装面４ａが覆われて高周波モジュール装置９４を構成する。」（【０１２０】ないし【０１２９】）
　
３　引用文献３
　本件出願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開２００４−３９８６８号公報（以下、「引用文献３」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
　「【００６２】
第２の配線層３０には、保護層形成工程が施されて、その主面上に保護層３１が成膜形成される。保護層３１は、例えばソルダレジストや層間絶縁層材料等の保護層材がスピンコート法等により均一に塗布されて形成される。第２の配線層形成工程においては、保護層３１に対してマスクコーティング処理及びフォトリソグラフ処理を施して、図１３に示すように第２の配線層３０に形成された電極３０ａに対応して多数個の開口部３８が形成される。第２の配線層形成工程においては、開口部３８を介して露出された電極３０ａに対して例えば無電解Ｎｉ−Ａｕめっき処理或いはＮｉ−Ｃｕめっき処理等を施すことによって、図１４に示すように電極３０ａ上にＮｉ−Ａｕ層を成膜して電極形成を行う。
【００６３】
一方、ベース基板部２には、上述したように両面基板１１の底面側に形成された第２の配線パターン１１ｃを被覆して保護層１３が形成されている。保護層１３には、上述した高周波回路部４側の保護層３１と同様にソルダレジスト等をスピンコート法等により均一に塗布されて形成される。なお、保護層１３と保護層３１は、例えばディップ法により同時に形成することも可能である。保護層１３には、開口部３８の形成工程と同様にマスクコーティング処理及びフォトリソグラフ処理を施すことにより、図１３に示すように第２の配線パターン１１ｃに形成された電極に対応して多数個の開口部３９が形成される。ベース基板部２は、開口部３９を介して第２の配線パターン１１ｃの電極上に無電解Ｎｉ−Ａｕめっき処理を施して入出力端子電極１４が形成される。
【００６４】
以上の工程を経てベース基板部２上に積層形成された高周波回路部４には、電極３０ａにより保護層３１上に高周波ＩＣ５やチップ部品６がフリップチップ法等の適宜の表面実装法により実装される。実装工程は、高周波ＩＣ５やチップ部品６に詳細を省略するそれぞれの接続パッドに金バンプ４１が設けられており、印刷法等によって電極３０ａ上にはんだを供給された高周波回路部４に対して位置決めされて載置される。実装工程は、この状態でリフローはんだを施すことにより、高周波ＩＣ５及びチップ部品６が高周波回路部４上に電気的に接続されて実装され高周波モジュール１が製造される。なお、実装工程においては、必要に応じて洗浄工程を施すとともに、高周波ＩＣ５と保護層３１との間にアンダーフィル樹脂４２が充填される。」（【００６２】ないし【００６４】）
　
第５　対比
　本願発明と引用文献１記載の発明を対比する。 
　
　引用文献１記載の発明における「基板１」は、その機能、構成、又は技術的意義からみて、本願発明における「基板」に相当し、以下、同様に、
「ダイヤモンドライクカーボンからなる」は「ダイヤモンドライクカーボン膜で製造されている」に、
「熱伝導層２」は「熱伝導絶縁層」に、
「アース回路３、誘電体層５、及び回路配線６」は「回路」に、
「アース回路３、誘電体層５、及び回路配線６の箇所」は「回路箇所」に、
「発熱素子としての半導体素子７」は「半導体チップ」に、
「半導体装置Ａ」は「回路板」に、それぞれ相当する。
　
（審判請求人は、平成２２年６月２６日付けの手続補正書（方式）において、引用文献１記載の発明において、本願発明における「回路」に相当するものは「回路配線６」であって、「アース回路３」及び「誘電体層５」を有するものではない旨主張するが、「アース回路３」、「誘電体層５」、及び「回路配線６」は、まとめて「回路」として把握できるものであるから、審判請求人の主張は採用できない。なお、回路配線に直接半導体チップを設置することは、平成２２年９月２９日付け審尋で引用した、本件出願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開昭６３−１２４５５５号公報（特許請求の範囲、第２ページ左上欄第２０行ないし左下欄第１６行、及び図面等を参照。）に記載されているように周知でもある。）
　
　したがって、本願発明と引用文献１記載の発明は、以下の点で一致する。
　
　「基板上をダイヤモンドライクカーボン膜で製造されている熱伝導絶縁層が被覆しており、熱伝導絶縁層上に回路が設置され、回路箇所は半導体チップの設置に利用され、当該熱伝導絶縁層は回路を介して当該半導体チップの高熱を迅速に伝導して、当該半導体チップの正常な作用温度を維持する熱伝導効率の高い回路板。」 
　 
　そして、以下の点で相違する。  
　 
＜相違点＞ 
　本願発明では、「回路」の「外部露出表面上」は「ハンダマスク層」が「被覆」しているのに対し、引用文献１記載の発明では、本願発明における「回路」に相当する「アース回路３、誘電体層５、及び回路配線６」の「外部露出表面上」は「ハンダマスク層」が「被覆」していない点。　 
　
第６　当審の判断 
　そこで、上記相違点について、以下に検討する。
　
　基板上に形成された回路の外部露出表面上にハンダマスクを形成することは、上記「第４　２」及び「第４　３」のとおり周知（以下、「周知技術」という。）であるから、引用文献１記載の発明において、周知技術を適用し、本願発明における「回路」に相当する「アース回路３、誘電体層５、及び回路配線６」の「外部露出表面上」に「ハンダマスク層」を「被覆」するようにして、相違点に係る本願発明の発明特定事項とすることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　
　そして、本願発明を全体としてみても、本願発明のようにしたことにより奏するとされる効果は、引用文献１記載の発明及び周知技術からみて格別のものともいえない。
　
第７　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、このような特許を受けることができない発明を包含する本件出願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。