Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月7日(2011.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次式を有する陰イオン交換ポリマー。
【化１】
2011506749.tif 000001
式中、Ｒは−［ＣＨ2−ＣＨ（ＯＨ）］2−Ｗであり、Ｒ1は水素又はＣ1〜Ｃ12アルキル基であり、ａは０〜０．７５であり、ｂ及びｃは各々が独立して０．２５〜１．０であり、Ｚは酸素又はＮ−Ｒ3であり、Ｒ2は−［ＣＨ2］n−であり、Ｒ3は水素又は−［ＣＨ2］m−ＣＨ3であり、Ｒ4及びＲ5は各々が独立して−［ＣＨ2］m−ＣＨ3であり、ＸはＣｌ、Ｂｒ、Ｉ及び酢酸イオンからなる群から選択され、Ｗは橋架け基又は原子であり、ｍは０〜２０の整数であり、ｎは１〜２０の整数であり、Ｙは次のものからなる群から選択される。
【化２】
2011506749.tif 000002
式中、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8は各々が独立して水素、−［ＣＨ2］q−ＣＨ3及び−ＣＨ（ＣＨ3）2からなる群から選択され、Ｒ9は−［ＣＨ2］pであり、ｐは３〜６の数であり、ｑは０〜３の数である。
【請求項２】
Ｒ1がメチル又はエチルであり、ＷがＣ1〜Ｃ30アルキル基、Ｃ1〜Ｃ30アルキルエーテル基、Ｃ6〜Ｃ30芳香族基、Ｃ6〜Ｃ30芳香族エーテル基又はシロキサンであり、ｍは０〜１０の整数であり、ｎは１〜１０の整数である、請求項１記載の陰イオン交換ポリマー。
【請求項３】
ａが０．２５〜０．５０である、請求項１記載の陰イオン交換ポリマー。
【請求項４】
第三アミン、酸抑制剤及びポリエポキシドを反応させて第四アンモニウムモノマーを形成し、第四アンモニウムモノマーを触媒の存在下で重合することを含んでなる、陰イオン交換ポリマーを製造する方法。
【請求項５】
第三アミンがエチレン性第三アミンである、請求項４記載の方法。
【請求項６】
第三アミンが、ジメチルアミノプロピルメタクリルアミド、ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、ジエチルアミノプロピルメタクリルアミド、ジメチルアミノエチルメタクリレート及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項５記載の方法。
【請求項７】
第三アミンモノマーがジメチルアミノプロピルメタクリルアミドである、請求項６記載の方法。
【請求項８】
ポリエポキシドがジグリシジルエーテル又はトリグリシジルエーテルである、請求項４記載の方法。
【請求項９】
ポリエポキシドが、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、ジグリシジル１，２−シクロヘキサンジカルボキシレート、Ｎ，Ｎ−ジグリシジル−４−グリシジルオキシアニリン、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールＡ  ジグリシジルエーテル、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、１，４−ブタンジオールジグリシジルエーテル、１，４−ブタンジイルジグリシジルエーテル、１，４−シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル、グリセロールジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、ビス［４−（グリシジルオキシ）フェニル］メタン、ビスフェノールＡプロポキシレートジグリシジルエーテル、ダイマー酸ジグリシジルエステル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、臭素化ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、ジグリシジルエーテル−終端ポリ（ジメチルシロキサン）、ポリ（エチレングリコール）ジグリシジルエーテル、ポリ（プロピレングリコール）ジグリシジルエーテル、１，２，３−プロパントリオールグリシジルエーテル、１，３−ブタンジオールジグリシジルエーテル、トリス（２，３−エポキシプロピル）イソシアヌレート、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタントリグリシジルエーテル２，６−トリレンジイソシアネート、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタントリグリシジルエーテル、グリセロールプロポキシレートトリグリシジルエーテル及びトリメチロールエタントリグリシジルエーテルからなる群から選択される、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記反応を、４０〜１５０℃に１分〜２時間加熱することで行う、請求項４記載の方法。
【請求項１１】
酸抑制剤が塩酸、メタンスルホン酸、硫酸又はリン酸である、請求項４記載の方法。
【請求項１２】
ポリエポキシドの当量モルに対する第三アミンのモル数の比が０．３〜１．５である、請求項４記載の方法。
【請求項１３】
さらに、エチレン性モノマーを添加することを含む、請求項４記載の方法。
【請求項１４】
エチレン性モノマーが、メタクリルアミン、Ｎ−メチルメタクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリジノン、Ｎ−ビニルカプロラクタム、メタクリルアミドプロピルトリメチルアンモニウムクロリド及びトリメチルアンモニウムエチルメタクリレートクロリドからなる群から選択される、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の陰イオン交換ポリマーを含んでなるイオン交換材料。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月16日(2011.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原子層堆積法によって基板上に有機薄膜を形成する方法であって、実質的に平行な細長チャネルに沿って一連のガス流を同時に方向付けする工程を含み、該一連のガス流は、順番に、少なくとも第１反応ガス材料と、不活性パージガスと、第２反応ガス材料とを含み、任意選択的に複数回繰り返される、この際、該第１反応ガス材料は、該第２反応ガス材料で処理された基板表面と反応することができ、そして該第２反応ガス材料は、該第１反応ガス材料で処理された表面と反応して、薄膜を形成することができ、該第１反応ガス材料、該第２反応ガス材料、又はその両方は、揮発性有機化合物であり、
該方法は、実質的に大気圧で、又は大気圧を上回る圧力で実施され、堆積中の該基板の温度は２５０℃未満であり、そして該堆積された有機薄膜は少なくとも２０原子量パーセントの炭素を含む、
原子層堆積法によって基板上に有機薄膜を形成する方法。
【請求項２】
該第１反応ガス材料が金属原子又は半金属原子を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該第１反応ガス材料が、炭素、窒素、酸素、又は水素に結合された金属原子又は半金属原子を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
該金属原子又は半金属原子は、アルミニウム、亜鉛、チタン、及びケイ素から成る群から選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
該金属原子又は半金属原子が、β−ジケトネート化合物と関連づけられている、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
該第２反応ガス材料該、ヒドロキシル基、チオール基、及びアミン基から成る群から選択された１つ又は２つ以上の官能基を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
該第２反応ガス材料が、ジオール、ジチオール、ジアミン、及びキノリネートから成る群から選択される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
該有機薄膜が、無機−有機ハイブリッド薄膜である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
該一連のガス流が、平面図において該基板に向いている、実質的に並行であり、該基板に近接して該基板上に配置され、堆積装置の出力面内にある、一連の開いた細長い出力開口を含む該堆積装置によって提供され、該出力面は、堆積を受ける基板表面から１ｍｍ内の間隔が開いており、任意選択的に、該第１反応ガス材料及び該第２反応ガス材料のための細長い出力開口の間に、排気チャネルがない、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
該方法が、
（ａ）  それぞれ少なくとも第１ガス材料、第２ガス材料、及び第３ガス材料のための少なくとも第１源、第２源、及び第３源を含む、それぞれ複数のガス材料のための複数の源；
（ｂ）（ｉ）該第１ガス材料、第２ガス材料、及び第３ガス材料をそれぞれ受容するための少なくとも第１、第２、及び第３流入ポートを含む複数の流入ポート；並びに
（ｉｉ）該基板から所定の距離だけ離され、該第１ガス材料、第２ガス材料、及び第３ガス材料のそれぞれのための実質的に平行な複数の細長出力開口を含む堆積出力面
を含む、該複数のガス材料を、薄膜堆積を受ける基板に供給するための少なくとも１つの供給ヘッドを含み、供給ヘッドが、該出力面内の該細長出力開口から該第１ガス材料、第２ガス材料、及び第３ガス材料を同時に供給するように構成されている、
堆積システム内で実施される、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
薄膜堆積のために該供給ヘッドから基板表面へのガス材料のうちの１種又は２種以上の流れによって、薄膜堆積中に該供給ヘッドの出力面と該基板表面との間の分離を維持する力の少なくとも一部が生成され、そして該堆積装置が、少なくとも該第１反応ガス材料及び該第２反応ガス材料のための実質的に平行な細長い出力開口の間に排気チャネルをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
該基板又は該基板のための支持体が、可動ウェブを含む、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
該方法が、周囲雰囲気に対して密閉されていない関係にある、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
該方法が、少なくとも２つの導電性電極間に配置された絶縁層を含有する電子デバイスの前記絶縁層を形成するために用いられる、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
該方法が、電子デバイスをその周囲雰囲気から保護するバリア層を形成するために用いられる、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月12日(2011.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマーと植物油に基づく組成物であって：
ポリラクチド・ホモポリマー；
上記ポリラクチド・ホモポリマー内に分散された植物油；及び
上記ポリラクチド・ホモポリマー内の植物油の分散を補助するために構成されたブロックコポリマーを含んでなり、ここで該ブロックコポリマーが約７０体積％以下のポリラクチドを含んでなるポリイソプレン−ポリラクチド・ブロックコポリマーである、組成物。
【請求項２】
前記ポリラクチド・ホモポリマーが、ポリ（Ｌ−ラクチド）、その立体異性体、又はこれらの組み合わせを含んでなる、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記植物油が、大豆油を含んでなる、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記ブロックコポリマーが、ポリ（イソプレン−ｂ−ラクチド）を含んでなる、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記ブロックコポリマーが、実質的に対称な界面活性剤である、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記ブロックコポリマーが、前記組成物の約０．１重量％〜約５重量％を含んでなる、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
前記植物油が、前記組成物の約５重量％〜約２０重量％を含んでなる、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記ポリラクチドが、前記組成物の約７０重量％〜約９０重量％を含んでなる、請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
前記植物油が、ポリラクチドマトリックス中に液滴として分散されている、請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
前記ポリラクチド・ホモポリマーがポリ（Ｌ−ラクチド）を含んでなり、前記植物油が大豆油を含んでなり、そして前記ブロックコポリマーがポリ（イソプレン−ｂ−ラクチド）を含んでなる、請求項１に記載の組成物。
【請求項１１】
ポリマーと植物油に基づく組成物であって：
植物油；
ポリラクチド・ホモポリマーであって、ここで該ポリラクチドの少なくとも一部が、上記植物油内に分散されている、ポリラクチド・ホモポリマー；及び
約７０体積％以下のポリラクチドを含むポリイソプレン−ポリラクチド・ブロックコポリマーであって、ここで該ブロックコポリマーは上記植物油内の分散を安定化するために構成されている、ブロックコポリマー、
を含んでなる、組成物。
【請求項１２】
前記ポリラクチド・ホモポリマーが、ポリ（Ｌ−ラクチド）、その立体異性体、又はこれらの組み合わせを含んでなる、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１３】
前記植物油が、大豆油を含んでなる、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１４】
前記ブロックコポリマーが、ポリ（イソプレン−ｂ−ラクチド）を含んでなる、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１５】
ポリマーと植物油に基づくエマルションにおける相を反転するための方法であって：
混合容器中に、ポリラクチド・ホモポリマー組成物、植物油組成物、及びブロックコポリマーを提供する工程；
ポリラクチド・ホモポリマー、植物油、及びポリイソプレン−ポリラクチド・ブロックコポリマーを混合し、該ポリラクチド・ホモポリマー内に分散される植物油を含む第１エマルションを産生する工程；及び
上記ポリイソプレン−ポリラクチド・ブロックコポリマー内のポリラクチドの体積分率を約７０％以下に低下させ、第２エマルションを産生する工程、
を含んでなり、ここで上記ポリラクチド・ホモポリマーが植物油内に分散されることを特徴とする、方法。
【請求項１６】
前記ポリラクチド・ホモポリマーが、ポリ（Ｌ−ラクチド）、その立体異性体、又はこれらの組み合わせを含んでなる、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ブロックコポリマーが、植物油の添加の前に、粉末として混合容器に注入される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記植物油が、液滴として添加される、請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月4日(2011.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂並びに
エステル置換及び／又はアミド置換トリアニリノトリアジン材料を含む電荷添加剤
のブレンドを含む不織マイクロファイバーウェブを含むエレクトレット濾材であって、
前記エステル置換及び／又はアミド置換トリアニリノトリアジン材料が構造（ａ）：
【化１】
2011506783.tif 000001
（式中、Ｚ１、Ｚ２及びＺ３が各々独立して、−ＯＲ４又は−ＮＲ５Ｒ６であり、
式中、各Ｒ４が独立して、直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換アルキル基、ヘテロアルキル基、又はアリール基であり、
各Ｒ５が独立して、Ｈ又は直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、置換アルキル基、ヘテロアルキル基、若しくはアリール基であり、
各Ｒ６が独立して、直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換アルキル基、ヘテロアルキル基、又はアリール基である。）
構造（ｂ）〜（ｅ）
【化２】
2011506783.tif 000002
又はこれらの組み合わせを含む、エレクトレット濾材。
【請求項２】
前記熱可塑性マイクロファイバーが、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリカーボネート、又はポリエステルを含む、請求項１に記載のエレクトレット濾材。
【請求項３】
熱可塑性材料を提供する工程、
エステル置換及び／又はアミド置換トリアニリノトリアジン材料を含むホットメルト加工性電荷添加剤を提供する工程、
熱可塑性材料及び電荷添加剤をホットメルト混合する工程、
混合した熱可塑性材料及び電荷添加剤をメルトブローしてマイクロファイバーウェブを形成する工程、並びに
前記ウェブを帯電させる工程、を包含し、
前記エステル置換及び／又はアミド置換トリアニリノトリアジン材料が構造（ａ）
【化３】
2011506783.tif 000003
（式中、Ｚ１、Ｚ２及びＺ３が各々独立して、−ＯＲ４又は−ＮＲ５Ｒ６であり、
式中、各Ｒ４が独立して、直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換アルキル基、ヘテロアルキル基、又はアリール基であり、
各Ｒ５が独立して、Ｈ又は直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、置換アルキル基、ヘテロアルキル基、若しくはアリール基であり、
各Ｒ６が独立して、直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換アルキル基、ヘテロアルキル基、又はアリール基である。）
で表されるエレクトレットウェブの製造方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年1月18日(2011.1.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８５】
パワーチャンバーと貫流チャンバーとの容積比は、それぞれ関連するピストンの下死点において、２５から６０の間にあるのが有利とされる。パワーチャンバーと貫流チャンバーとの容積比は、それぞれ関連するピストンの下死点において、１５から２５の間とされる。パワーチャンバーの幾何学上の圧縮比は、２５から４０の間が有利とされる。貫流バルブがその上死点に達したときに閉止する吸気バルブは、パワーピストンの上死点の前でクランク角が２０から５度の間の範囲で閉止するのが有利とされる。上述の値は、単なる典型例であり、これに限定されるものではない。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月10日(2011.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのビード（１２）を有する少なくとも１つの金属製基礎支持材（１４）を含む平板ガスケット（１０）であって、該基礎支持材（１４）が、０．５０〜１．３０ｗｔ％のＣ、最大３．０ｗｔ％のＳｉ、最大３．０ｗｔ％のＭｎ、最大０．０３５ｗｔ％のＰ、最大０．０３５ｗｔ％のＳ、最大２．０ｗｔ％のＣｒを有し且つベイナイト組織が５０％以上の微細構造を有する鋼鉄から成形されていることを特徴とする前記平板ガスケット（１０）。
【請求項２】
前記鋼鉄が、０．７０〜１．０５ｗｔ％のＣ、０．１５〜０．３５ｗｔ％のＳｉ、０．３０〜０．９０ｗｔ％のＭｎ、最大０．０２５ｗｔ％のＰ、最大０．０２５ｗｔ％のＳおよび最大０．４ｗｔ％のＣｒ又は０．９０〜１．２０ｗｔ％のＣｒを含有する請求項１に記載の平板ガスケット（１０）。
【請求項３】
前記鋼鉄が、１３００ＭＰａ以上の引張強度および１０５０ＭＰａ以上の降伏強度を有している請求項１又は２に記載の平板ガスケット（１０）。
【請求項４】
前記少なくとも１つの金属製基礎支持材（１４）が、エナメル被覆膜、エラストマー被覆膜、リン酸亜鉛又はリン酸鉄−マンガン変換層、金属被覆膜又は金属めっきの形態の防食を有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の平板ガスケット（１０）。
【請求項５】
前記少なくとも１つの金属製基礎支持材（１４）が、少なくとも１つの変形制限装置（２０）を有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の平板ガスケット（１０）。
【請求項６】
前記少なくとも１つの金属製基礎支持材（１４）が、その上に一体成形されたエラストマーガスケットを有する請求項１〜５のいずれか１項に記載の平板ガスケット（１０）。
【請求項７】
前記少なくとも１つの金属製基礎支持材（１４）が、エラストマー被覆膜を有する請求項１〜６のいずれか１項に記載の平板ガスケット（１０）。
【請求項８】
前記少なくとも１つの金属製基礎支持材（１４）が、０．１〜２．５ｍｍの材料厚さを有する請求項１〜７のいずれか１項に記載の平板ガスケット（１０）。
【請求項９】
（ａ）０．５０〜１．３０ｗｔ％のＣ、最大３．０ｗｔ％のＳｉ、最大３．０ｗｔ％のＭｎ、最大０．０３５ｗｔ％のＰ、最大０．０３５ｗｔ％のＳ、最大２．０ｗｔ％のＣｒの化学組成を有する鋼鉄を製造する工程、
（ｂ）この鋼鉄を機械加工して予め定めた厚さを有する金属薄板を形成する工程、
（ｃ）鋼鉄に熱処理を施して５０％以上のベイナイトからなる微細構造を形成する工程、
（ｄ）鋼鉄に打ち抜き作業工程を施して１つ以上の開口を有する工作物を形成する工程、
（ｅ）工作物を成形して少なくとも１つのビード（１２）を有する少なくとも１つの金属製基礎支持材（１４）を形成する工程、
（ｆ）ミクロシール性のために被覆、任意的に部分的被覆を適用する工程、を含む平板ガスケットの製造方法。
【請求項１０】
前記圧延鋼板が、０．７０〜１．０５ｗｔ％のＣ、０．１５〜０．３５ｗｔ％のＳｉ、０．３０〜０．９０ｗｔ％のＭｎ、最大０．０２５ｗｔ％のＰ、最大０．０２５ｗｔ％のＳおよび最大０．４ｗｔ％のＣｒ又は０．９０〜１．２０ｗｔ％のＣｒを含有している請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの金属製基礎支持材が、０．１〜２．５ｍｍの材料厚さを有する請求項９又は１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記方法が、工程（ｂ）又は（ｃ）による追加の金属層を適用する工程を含む請求項９〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記方法が、工程（ｃ）又は（ｄ）あるいは（ｅ）による防食被覆膜を適用する工程を含む請求項９〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記方法が、変形制限装置の適用の工程および／又は工程（ｅ）によるエラストマーガスケットの一体成形の工程を含む請求項９〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月21日(2011.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＴＳ−１ゼオライトを調製するためのプロセスであって、ケイ素源、チタン源及びテトラプロピルアンモニウムヒドロキシドを含有し、モル比としての以下の組成：
Ｓｉ／Ｔｉ＝３５〜１５０、
ＴＰＡ−ＯＨ／Ｓｉ＝０．２〜０．５（ＴＰＡ＝テトラプロピルアンモニウム）、
Ｈ2Ｏ／Ｓｉ＝４以上１０未満、
Ｈ2Ｏ／Ｔｉ＝３２０以上
を有する混合物を、自生圧力において、温度１９０〜２３０℃で、０．５〜１０時間、アルカリ金属の不在下で水熱処理に供することを含むことを特徴とするプロセス。
【請求項２】
前記水熱処理の終わりに、ゼオライト結晶を単離し、乾燥の後、焼成に供する、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記乾燥を温度１００〜１５０℃で１時間〜１５時間行い、前記焼成を温度５００〜６００℃で２〜１０時間行う、請求項２に記載のプロセス。
【請求項４】
３２０以上かつ６００以下のＨ2Ｏ／Ｔｉモル比で行う、請求項１に記載のプロセス。
【請求項５】
前記ケイ素源が、シリカゲル、コロイド状シリカ又はテトラアルキルオルトシリケートから選択される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項６】
前記チタン源が、ハロゲン化チタン及びテトラアルキルオルトチタネートから選択される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項７】
前記チタン源がテトラアルキルオルトチタネートである、請求項６に記載のプロセス。
【請求項８】
前記ケイ素源がテトラエチルオルトシリケートである、請求項５に記載のプロセス。
【請求項９】
ゼオライト結晶の単離工程、結合相又は結合相前駆体との混合工程、及び形成処理を含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１０】
テトラアルキルオルトシリケートを含有する、前記水熱処理から得られる混合物を噴霧乾燥機による急速乾燥に供し、得られるマイクロスフェアを焼成する、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１１】
テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドの存在下でのテトラアルキルオルトシリケートの加水分解から得られるオリゴマーシリカゾルを、前記水熱処理から得られる混合物に添加し、前記混合物を、温度２５℃〜その沸点で、１〜４８時間、攪拌下に維持し、次いで、噴霧乾燥機による急速乾燥に供し、得られるマイクロスフェアを焼成する、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１２】
前記オリゴマーシリカが、シリカ源、場合によってはアルミニウム源、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド（ＴＡＡ−ＯＨ）を含み以下のモル組成：
ＴＡＡ−ＯＨ／ＳｉＯ2＝０．０４〜０．４０、
Ｈ2Ｏ／ＳｉＯ2＝１０〜４０、
Ａｌ2Ｏ3／ＳｉＯ2＝０〜０．０２
を有する混合物を、温度２０〜１２０℃で、０．２〜２４時間、加水分解することによって調製される、請求項１１に記載のプロセス。
【請求項１３】
主軸が４００〜５０ｎｍの細長い六方晶形態を有する結晶であることを特徴とするＴＳ−１ゼオライト。
【請求項１４】
結晶格子中のＳｉＯ2／ＴｉＯ2モル比が４０〜２００の範囲内である、請求項１３に記載のゼオライト。
【請求項１５】
オリゴマーシリカ及び請求項１３に記載のゼオライトを含む、５〜３００μｍの寸法を有するマイクロスフェアの形態のゼオライト系触媒。
【請求項１６】
前記オリゴマーシリカと前記ゼオライトとの質量比が０．０５〜０．７０である、請求項１５に記載のゼオライト系触媒。
【請求項１７】
前記オリゴマーシリカと前記ゼオライトとの質量比が０．０５〜０．３０である、請求項１６に記載のゼオライト系触媒。
【請求項１８】
請求項１３に記載のゼオライト又は請求項１５に記載のゼオライト系触媒の存在下で行われる、ケトンをオキシム化するためのプロセス。
【請求項１９】
アンモニア及びＨ2Ｏ2を用いてケトンをアンモオキシム化するための、請求項１８に記載のプロセス。
【請求項２０】
シクロヘキサノンをシクロヘキサノンオキシムにアンモオキシム化するための、請求項１８又は１９に記載のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月20日(2011.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トロンビン様酵素を含有することを特徴とする、抗癌剤の副作用軽減剤。
【請求項２】
トロンビン様酵素がフィブリノーゲンからフィブリンＩを生成するプロテアーゼである、請求項１に記載の副作用軽減剤。
【請求項３】
トロンビン様酵素がバトロキソビン、アンクロッド及びクロタラーゼからなる群より選ばれる、請求項１に記載の副作用軽減剤。
【請求項４】
トロンビン様酵素がバトロキソビンである、請求項１に記載の副作用軽減剤。
【請求項５】
抗癌剤が細胞障害性抗癌剤である、請求項１に記載の副作用軽減剤。
【請求項６】
細胞障害性抗癌剤がアルキル化剤、抗癌性抗生物質及び白金製剤からなる群より選ばれる、請求項５に記載の副作用軽減剤。
【請求項７】
細胞障害性抗癌剤がシクロホスファミド、アドリアマイシン及びシスプラチンからなる群より選ばれる、請求項５に記載の副作用軽減剤。
【請求項８】
副作用が抗癌剤による骨髄抑制又は心臓毒性である、請求項１に記載の副作用軽減剤。
【請求項９】
副作用が細胞傷害性抗癌剤による骨髄抑制である、請求項１に記載の副作用軽減剤。
【請求項１０】
細胞障害性抗癌剤がアルキル化剤、抗癌性抗生物質及び白金製剤からなる群より選ばれる、請求項９に記載の副作用軽減剤。
【請求項１１】
細胞障害性抗癌剤がシクロホスファミド、アドリアマイシン及びシスプラチンからなる群より選ばれる、請求項９に記載の副作用軽減剤。
【請求項１２】
副作用が抗癌性抗生物質による心臓毒性である、請求項１に記載の副作用軽減剤。
【請求項１３】
抗癌性抗生物質がアドリアマイシンである、請求項１２に記載の副作用軽減剤。
【請求項１４】
抗癌剤の副作用軽減剤を製造するためのトロンビン様酵素の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月3日(2010.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式の化合物：
2011506265.tif 000001
式中、R1はH、一リン酸、二リン酸、または三リン酸であり、
R2はHまたはOHであり、
塩基はシトシン、ウラシル、チミン、アデニン、もしくはグアニン、またはその天然誘導体であり、
開裂性停止部分（cleavable terminating moiety）は化合物にポリメラーゼ停止特性を与える基であり、
リンカーは二官能性基であり、かつ
色素は蛍光体である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月15日(2011.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスペンサーであって、
フレームと、
前記フレーム上に位置付けられる両面接着テープのロールであって、末端を有するテープのロールと、
前記フレーム上に配置されたタブピース保存及び付設ユニットであって、第１及び第２の端部を備える伸張した形状を有し、前記第１と第２の端部との間で少なくとも部分的に延在する少なくとも第１及び第２の主要対向壁を含み、第１及び第２の対向した主要表面を含む積層体内に複数の個々のタブピースを更に含み、前記タブピース積層体は、前記第１と第２の主要対向壁との間に配置される、ユニットと、を含み、
前記第１の主要対向壁は、前記タブピース保存及び付設ユニットの前記第１の端部に隣接し、かつ前記タブピース積層体の前記第１の主要表面の少なくとも一部分を暴露する窓を有し、
前記第１の主要対向壁は、前記窓と、前記伸張したタブピース保存及び付設ユニットの前記第２の端部との間に位置する非窓部分を更に含み、
前記タブピース保存及び付設ユニットと前記テープのロールは、前記テープの末端が、前記窓と重複する関係に位置付けられる際、前記テープが、前記タブピース保存及び付設ユニットの前記第１の主要対向壁の非窓部分と重複する関係ではないように、配置される、ディスペンサー。
【請求項２】
両面接着テープの末端に付設されたタブを有する、ある長さの前記接着テープを分配する方法であって、
第１及び第２の主要表面を有する積層体に配置された複数の個々のタブピースを含むタブピース保存及び付設ユニットを提供する工程であって、前記タブピース保存及び付設ユニットは、第１及び第２の端部を備えた伸張した形状を有し、前記第１と第２の端部との間に少なくとも部分的に延在する少なくとも第１及び第２の主要対向壁を含み、
前記第１の主要対向壁は、前記タブピース保存及び付設ユニットの前記第１の端部に隣接し、かつ前記タブピース積層体の前記第１の主要表面の一部分を暴露する窓を含む、工程と、
第１及び第２の主要接着面を含み、かつ末縁を含む末端を含む、ある長さの両面接着テープを提供する工程と、
前記窓と重複する関係にある前記接着テープの前記末端の前記第１の主要接着面を位置付ける工程と、
前記テープの前記第１の主要接着面が、前記タブ積層体の前記第１の主要表面に接触して、前記タブピース積層体の最上部の個々のタブピースを、前記接着テープの前記第１の主要接着面に付設させるように、前記窓と重複する関係にある前記接着テープの末端の前記第２主要表面の少なくとも一部分に押し付ける工程と、
前記窓から前記テープの末端を引抜して、前記タブピース積層体の最上部の個々のタブピースを、前記タブピース保存及び付設ユニットから除去させ、これによって、前記テープの末端の前記第１の主要接着面に付設され、かつ前記テープの前記末端を過ぎて突出するタブを有する、ある長さの両面接着テープを提供する工程と、
前記タブの一部分が、前記テープの前記末端を過ぎて突出するように、前記テープの前記末端を越えて前記タブの突出部分を巻きつけ、前記接着テープの前記第２の主要表面に、前記タブの前記第１の主要表面を付設する工程と、
これによって、前記接着テープの双方の主要表面に付設され、かつ前記ある長さの接着テープの末端を過ぎて突出するタブを有する、ある長さの両面接着テープを提供する工程と、を含む、方法。
【請求項３】
伸張した長さの両面接着テープの末端に、突出するタブを付設するためのデバイスであって、該デバイスは、
第１及び第２の主要表面を有する積層体に配置された複数の個々のタブピースを含有する、タブピース保存及び付設ユニットであって、前記タブピース保存及び付設ユニットは、第１及び第２の端部を備えた伸張した形状を有し、前記第１と第２の端部との間に少なくとも部分的に延在する少なくとも第１及び第２の主要対向壁を含む、タブピース保存及び付設ユニットを含み、
前記第１の主要対向壁は、前記タブピース積層体の前記第１の主要表面の少なくとも一部分を暴露する窓を含み、該窓は、縁により全側面を画定され、前記縁は、前記伸張したユニットの縦軸に対して実質的に横方向に配向される前縁及び後縁と、前記伸張したユニットの縦軸に対して実質的に平行に配向される第１及び第２の側縁とを含み、
前記タブピース保存及び付設ユニットは、前記窓の前記前縁に位置付けられるフランジを含み、該フランジは、前記タブピース積層体の前記第１の主要表面の一部分と重複する関係にある、デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月9日(2011.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
無水アンチモン酸亜鉛（Ｂ）及び有機溶媒（Ｄ）を含有する分散液（ｄ１）、ポリビニルアセタール（Ａ１）、無水アンチモン酸亜鉛（Ｂ）及び有機溶媒（Ｄ）を含有しポリビニルアセタール（Ａ１）が溶解した分散液（ｄ２）、及び分散液（ｄ３）の少なくともいずれかに対して粉砕処理を施す請求項１１〜１３のいずれか記載の合わせガラス用中間膜の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
さらに上記課題は、ポリビニルアセタール（Ａ１）、無水アンチモン酸亜鉛（Ｂ）、可塑剤（Ｃ）及び有機溶媒（Ｄ）を含有し、ポリビニルアセタール（Ａ１）が溶解した分散液（ｄ３）を予め調製してから、分散液（ｄ３）をポリビニルアセタール（Ａ２）と溶融混合し、フィルム状に成形することを特徴とする、前記合わせガラス用中間膜の製造方法を提供することによっても解決される。このとき、ポリビニルアセタール（Ａ１）、無水アンチモン酸亜鉛（Ｂ）及び有機溶媒（Ｄ）を含有し、ポリビニルアセタール（Ａ１）が溶解した分散液（ｄ２）を予め調製してから、分散液（ｄ２）と可塑剤（Ｃ）を混合して分散液（ｄ３）を調製することが好ましい。さらに、無水アンチモン酸亜鉛（Ｂ）及び有機溶媒（Ｄ）を含有する分散液（ｄ１）とポリビニルアセタール（Ａ１）とを混合して分散液（ｄ２）を調製することが好ましい。無水アンチモン酸亜鉛（Ｂ）及び有機溶媒（Ｄ）を含有する分散液（ｄ１）、ポリビニルアセタール（Ａ１）、無水アンチモン酸亜鉛（Ｂ）及び有機溶媒（Ｄ）を含有しポリビニルアセタール（Ａ１）が溶解した分散液（ｄ２）、及び分散液（ｄ３）の少なくともいずれかに対して粉砕処理を施すことも好ましい。ポリビニルアセタール（Ａ１）が、粘度平均重合度が６００〜２５００のポリビニルアルコールをアセタール化して得られたものであることも好ましい。ポリビニルアセタール（Ａ１）とポリビニルアセタール（Ａ２）のアセタール化度の差が８モル％以下であることも好ましい。また、ポリビニルアセタール（Ａ１）とポリビニルアセタール（Ａ２）の重量比（Ａ１／Ａ２）が０．２／１００〜１０／１００であることも好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月18日(2011.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気外科手術用ＨＦジェネレータ（１）からの電気エネルギーが、接続ライン（１１，１２）とその先端に接続された電極（１３）とを介し、更に、イオン化したガスの対象生体組織（４）への通路又はアーク（１４）を介し、かつ、中性電極（２）を介して、前記電気外科手術用ジェネレータ（１）に戻るように伝達するために、可撓性内視鏡（５）の作業チャネル（６）に設けたチューブ状又はホース形状のプローブ（１０）を備え、
所定のインピーダンスを有する抵抗素子（２０）が、前記接続ライン（１１，１２）の先端と前記電極（１３）との間に配設され、前記素子は、前記ガスのイオン化の後に確実に治療電流が制限されるように寸法づけられていること
を特徴とするプラズマアプリケータ。
【請求項２】
前記抵抗素子（２０）は、キャパシタンスを有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマアプリケータ。
【請求項３】
前記抵抗素子（２０）は、市販の構成要素、特に市販の抵抗体又はコンデンサとして具現化されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のプラズマアプリケータ。
【請求項４】
前記抵抗素子（２０）は、前記接続ライン（１２）及び／又は前記電極（１３）のセグメントを備えることを特徴とする請求項１乃至請求項３のうち、いずれか１に記載のプラズマアプリケータ。
【請求項５】
前記抵抗素子（２０）は、平行に敷設された、又は撚り合わされた、又は同軸に配置された、前記接続ライン（１２）のセグメントと、前記電極（１３）へのライン（２４）とによって、及び／又は前記電極（１３）自身とによって、形成されることを特徴とする請求項４に記載のプラズマアプリケータ。
【請求項６】
前記セグメントは、可能な限り低いインダクタンスを有し、特にバイファイラ巻の配置として具現化されることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載のプラズマアプリケータ。
【請求項７】
前記抵抗素子は、１０ｐＦから１，０００ｐＦの範囲のキャパシタンスを有することを特徴とする請求項１乃至請求項６のうち、いずれか１に記載のプラズマアプリケータ。
【請求項８】
前記抵抗素子（２０）は、絶縁体及び／又は誘電体としてのセラミック材を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項７のうち、いずれか１に記載のプラズマアプリケータ。
【請求項９】
希ガス、特にアルゴンが、イオン化のガスとして前記電極（１３）と前記対象組織（４）との間のチャンバ内に供給可能となるように、前記電極（１３）は、プローブ（１０）のチューブ又はホース（９）の内部又は近傍に取り付けられることを特徴とする請求項１乃至請求項８のうち、いずれか１に記載のプラズマアプリケータ。
【請求項１０】
前記セラミック材は、粉状であることを特徴とする請求項８に記載のプラズマアプリケータ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月21日(2011.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空洞を有する略円筒状のハウジングと；
前記ハウジングに固定され、流入口および流出口を有する底板と；
前記流入口と前記流出口との間を流れる流体を濾過するように配置される前記空洞内に設けられたフィルター媒体のリングと；
前記フィルター媒体の一端に取り付けられる端部キャップと；
前記端部キャップと前記底板との間に介在する環状のガスケットと；
前記端部キャップと前記底板部との間に介在し、前記環状のガスケットに隣接するガスケットロケータとを備える；
フィルターカートリッジ。
【請求項２】
前記ガスケットロケータは前記底板部に一体的に形成される、請求項１に記載のフィルターカートリッジ。
【請求項３】
前記ガスケットロケータは前記底板部の底側にモールド成形される環状の壁である、請求項１又は請求項２に記載のフィルターカートリッジ。
【請求項４】
前記環状のガスケットは前記端部キャップと前記底板部との間に軸方向に圧縮され、前記ガスケットは軸方向において前記環状の壁よりも厚く設けられた、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のフィルターカートリッジ。
【請求項５】
前記底板は、径方向に延在するフランジ部により接続される外側のリムと中央のハブとを有し、前記中央のハブは前記端部キャップの内の１つの中央開口部へと軸方向の内方に突出し、前記ガスケットロケータは前記中央のハブと前記外側のリムとの中間に配設される、請求項１に記載のフィルターカートリッジ。
【請求項６】
前記ガスケットロケータは前記フランジ部の底側に一体的に形成される環状の壁である、請求項１又は請求項５に記載のフィルターカートリッジ。
【請求項７】
前記環状のガスケットは前記ガスケットロケータの径方向の外側寄りに配置され、前記流入口は前記ハウジングと前記フィルター媒体の外側との間に画成された領域に高圧の流体を流入するように配置され、前記高圧の流体は、前記フィルター媒体を越える際に圧力降下を生じるとともに、前記ガスケットを挟んで圧力差を生じるように構成され、前記ガスケットロケータは前記高圧に対して前記環状のガスケットを支持するように配置される、請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載のフィルターカートリッジ。
【請求項８】
前記リムは中実であるとともに孔がなく、前記流入口は前記フランジ部に形成される複数の流入孔により構成された、請求項５乃至請求項７のいずれか一項に記載のフィルターカートリッジ。
【請求項９】
前記ハブは、干渉されることなく自由に、その間にシールが設けられることなく、前記端部キャップの開口部に摺動可能かつ自由に嵌合する、請求項５乃至請求項８のいずれか一項に記載のフィルターカートリッジ。
【請求項１０】
前記底板はプラスチック部材であり、前記リムは複数のねじを画成する、請求項５乃至請求項９のいずれか一項に記載のフィルターカートリッジ。
【請求項１１】
前記環状のガスケットは、前記流入口と前記流出口との間に介在して前記端部キャップと前記底板部との間における前記フィルター媒体の迂回を防止する、請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載のフィルターカートリッジ。
【請求項１２】
（ａ）第１の端部と第２の端部とを有する深絞りされた金属製の容器であって、前記第２の端部が前記第１の端部よりも直径が小さく、前記金属製の容器が、複数の段付きの領域を有する前記第１の端部と前記第２の端部との間において略円筒状の側壁を有する、深絞りされた金属製の容器と；
（ｂ）プラスチック材料より形成される底板であって、前記底板を覆う前記第１の端部の変形によって直接的に前記第１の端部に取り付けられ、径方向に延在するフランジ部により接続される中央のハブと外側のリムとを有し、前記ハブおよび前記リムは前記フランジ部から軸方向における反対方向に延在し、
（ｉ）前記フランジ部を貫通するように形成される複数の流入開口部と
（ｉｉ）前記底板の底側に形成される環状のシール支持壁と
（ｉｉｉ）前記ハブにより画成される複数の流出開口部と
（ｉｖ）前記ハブと一体的に形成されるバルブを作動する手段とをさらに有する
底板と；
（ｃ）前記容器に収容される内蔵型フィルターエレメントであって、フィルター媒体の円筒状のリングと、フィルター媒体の前記リングの対向する端部に密封状に結合される上側の端部キャップおよび下側の端部キャップとを含み、前記上側の端部キャップは前記ハブを受容する開口部を有する、内蔵型のフィルターエレメントと；
（ｄ）前記容器内において前記フィルターエレメントを前記底板に対して付勢する前記段付きの領域の１つにより支持されるばねと；
（ｅ）前記容器の前記第２の端部により固定され、排水口を画成するねじリングと；
（ｆ）前記リム上に配置される第１の外側ガスケットと；
（ｇ）前記ハブ上に配置される第２の外側ガスケットと；
（ｈ）前記環状の壁の径方向の外側寄りに配置される環状のガスケットとを備え、前記流入開口部は前記ハウジングと前記フィルター媒体の外側との間に画成される領域に高圧の流体を流入するように配置され、前記高圧の流体は、前記フィルター媒体を越える際に圧力降下を生じるとともに、前記ガスケットを挟んで圧力差を生じるように構成され、前記環状のシール支持壁は前記高圧に対して前記環状のガスケットを支持するように配置される、フィルターカートリッジ。
【請求項１３】
前記環状のガスケットは前記端部キャップと前記底板部との間において軸方向に圧縮され、軸方向において前記環状の壁よりも厚く設けられ、前記環状の壁は、前記環状のガスケットの最大の圧縮量を制御するとともに、前記環状のガスケットの過圧縮を防止するような大きさに設けられ、前記環状の壁は過圧縮を防止するために前記上側の端部キャップが底を打つように設けられた、請求項１２に記載のフィルターカートリッジ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月5日(2011.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
工業プロセスにおける装置表面の生物汚損を低減する方法であって、プロセスに供給される液体を、プロセス装置に導入される前に、強電場に付して菌体を破壊することによって前処理することを含む方法。
【請求項２】
工業用水システムにおける生物汚損を防止する方法であって、水を、プロセス装置に導入される前に、パルス電場を用いた高電圧プロセスに付すことによって前処理することを含む方法。
【請求項３】
強電場が、パルス電場を用いた高電圧プロセスを含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記電場が短い高電圧パルスを含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記パルスが矩形波からなる、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記矩形波の持続時間が１０-4〜１０１９秒である、請求項５記載の方法。
【請求項７】
印加される電場の強さが1０〜８０ｋＶ／ｃｍである、請求項１又は請求項２記載の方法。
【請求項８】
高電圧プロセスの後、プロセス装置に入る前の水に、殺生物剤、殺菌消毒剤又はこれらの組合せを添加することをさらに含む、請求項１又は請求項２記載の方法。
【請求項９】
工業用水システムにおける生物汚損を低下させる方法であって、マイクロ秒又はマイクロ秒未満のパルスからなる放電に水を付すことによって水を前処理することを含む方法。
【請求項１０】
水中に空気又は気泡を導入することをさらに含む、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
１以上の電極チップを気水界面又は水カラム表面に配置する、請求項９記載の方法。
【請求項１２】
電極の表面が誘電体又は絶縁体で被覆されていて、電極チップの一部分だけが水に露出される、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
殺生物剤の活性を増強するために適用される請求項２又は請求項９記載の方法であって、放電プロセスの後、プロセス装置に入る前の水に、殺生物剤、殺菌消毒剤又はこれらの組合せを添加することをさらに含む方法。
【請求項１４】
前記水システムが膜、伝熱装置又はこれらの組合せを含む、請求項１、請求項２又は請求項９記載の方法。
【請求項１５】
工業用水システムにおける生物汚損を防止する方法であって、マイクロ秒パルスからなる放電に水を付すことによって、水を前処理することを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月13日(2011.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リアクター内で、少なくとも１つの第１反応性物質を含む反応媒体を加熱し、第１反応性物質中、または第１と第２の反応性物質の間で化学結合を形成または修飾することにより目的化合物を製造するための化学反応を行う方法であって、電磁誘導により加熱することができ、かつリアクターの内側にあり反応媒体により囲まれている固形熱媒体と反応媒体を接触させ、前記熱媒体を誘導子を用いて電磁誘導により加熱し、目的化合物を第１反応性物質からまたは第１反応性物質と第２反応性物質とから形成し、前記目的化合物を電熱媒体から分離する方法であり、リアクター内の反応媒体が液体として存在し、誘導子が１〜１００ｋＨｚの範囲の交番磁場を生じる方法。
【請求項２】
熱媒体が導電性および／または磁化性固体の粒子から選択され、該粒子の平均粒度径が１〜１０００ｎｍである請求項１に記載の方法。
【請求項３】
熱媒体が磁化性固体の粒子から選択され、各粒子が非磁性物質によりカプセル化された少なくとも１つの磁化性物質のコアを含んでなる請求項２に記載の方法。
【請求項４】
熱媒体が磁化性固体の粒子から選択され、これらが電磁誘導により加熱できないさらなる粒子との混合物中に存在している、請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
固形熱媒体が、化学反応に対する触媒活性物質により表面被覆されている、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
化学反応をバッチ式で行い、反応中、反応媒体および固形熱媒体が互いに移動し合う、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
反応媒体が反応槽中に熱媒体の粒子とともに存在し、反応媒体に誘導子として配置された可動素子により反応媒体を移動させることにより熱媒体の粒子を加熱する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
少なくとも部分的に固形熱媒体が充填されることにより、電磁誘導によって加熱し得る少なくとも１つの加熱領域を有するフロー型リアクターで化学反応を行い、反応媒体がフロー型リアクター内を流れ、誘導子がリアクター外部に配置されている、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
反応媒体と熱媒体との総接触時間が１秒〜２時間の範囲になるような速度で、反応媒体がフロー型リアクター内を１回または複数回流れる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
リアクターが圧力リアクターとして構成され、化学反応を大気圧より高い圧力で、好ましくは少なくとも１．５ｂａｒの圧力下で行う、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
熱媒体が強磁性体であって、４０〜２５０℃の範囲のキュリー温度を示し、かつ、キュリー温度が選択された反応温度から２０℃より大きく異ならないように熱媒体を選択する、請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
化学反応において、化学結合を２つの炭素原子の間に、または炭素原子と原子Ｘ〔Ｘは、Ｈ、Ｂ、Ｏ、Ｎ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉおよびハロゲンから選択される〕との間に形成する、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月25日(2011.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの噛み合い歯付き部（７、８）の歯（７、８）の間に歯面間隔（４）を設けるために、金属歯付き部（１、２）の歯（７、８）の表面上に磨耗性ポリマーコーティング（５）を形成することによって、少なくとも１つの歯付き部（７、８）の歯（７）の表面の少なくとも一部分に磨耗性ポリマーコーティング（５）を適用する方法であって、該ポリマーコーティング（５）を適用する前にプラズマ中で被コーティング表面を処理して、この表面に該ポリマーコーティング（５）を直接適用することを特徴とする方法。
【請求項２】
磨耗性ポリマーコーティング（５）は少なくとも１つの固体潤滑油を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
使用されるプラズマが酸素プラズマであることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
プラズマ処理が、４０℃の下限値及び１００℃の上限値を有する範囲から選択される温度で行なわれることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
プラズマ処理が、０．０１ｍｂａｒの下限値及び２００ｍｂａｒの上限値を有する範囲から選択される圧力で行われることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
歯付き部（１、２）の金属表面の表面張力が、処理前の表面張力より少なくとも３０％増加し、その表面張力が被コーティング領域において少なくとも４０ｍＮ／ｍである歯付き部が使用されることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
プラズマ処理が、１０ｋＨｚの下限値及び３ＧＨｚの上限値を有する範囲から選択される周波数を有する交流電圧で行われることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
プラズマによって処理する前に、被コーティング表面を油溶性洗浄剤による少なくとも１回限りの洗浄プロセスに供することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
洗浄プロセスが、真空下で部分的に行なわれることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
パークロロエチレンが洗浄剤として使用されることを特徴とする、請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１１】
コーティングが、焼結により製造された歯付き部（１、２）に適用されることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
表面の少なくとも一部分上に磨耗性ポリマーコーティング（５）を有する、その外周に沿って歯（７）を持つ本体を有する金属歯付き部（１）であって、該ポリマーコーティング（５）が、金属表面に直接適用されていることを特徴とする金属歯付き部（１）。
【請求項１３】
本体が焼結成分であることを特徴とする、請求項１２に記載の歯付き部（１）。
【請求項１４】
本体が、少なくとも表面付近の領域において、０．１％の下限値及び２０％の上限値を有する範囲から選択される多孔度を有することを特徴とする、請求項１３に記載の歯付き部。
【請求項１５】
少なくとも２つの噛み合い歯付き部（１、２）を有する伝動装置（３）であって、少なくとも１つの歯付き部（１、２）が、請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の歯付き部であることを特徴とする伝動装置（３）。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月1日(2011.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図３の設計は、水供給８０からの水の供給を受けるための水入口４２及びパージ水の排出のための水出口４４、パイプ１２からの酸素供給物供給を受けるためのガス入口５０及びスクラビングされた酸素ガスの除去のためのガス出口５４を有する容器３０を特徴とする。容器３０には、複数個のバブルキャップ７２が含まれ、基本的に、キャップは、酸素ガスがキャップを通って出て行くための小さい開口を有する。容器３０には、バブルキャップ７２を越える水の流れを支持するための、トレー７０の形での水保有要素（water containment features）が含まれる。バブルキャップ７２は、ガス入口５０から内部導管（図示せず）を経て酸素ガスを受け取る。水が、バブルキャップを完全に覆うレベルで、トレー７０の上に存在する。酸素ガスは、バブルキャップ内の開口を通って排出され、バブルキャップを越えて流れる水を通ってバブリングされる。酸素ガス中の同伴された粒状物質は、水の流れによって捕捉され、水出口４４を経て容器３０から除去される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
トレー７２は、バブルキャップ７２を越える水７４の流れを支持する、複数の垂直に積み重ねられたトレーで、容器３０内に配置されて示されている。水入口４２は、図３に示されるように、容器３０内の最頂部トレー７０又はその上に配置されている。始動時に、水７４は、最も上のトレー７０を充満し、次いで、エッジを越えて降水管（ダウンカマー）７６を下のトレーに流れ、下のトレーを、バブルキャップ７２が水中に沈むレベルまで充満し、降水管７６の上を下のトレーに流れ、以下同様に流れる。最終的に、全てのトレーは、バブルキャップを水面下に沈めた水で完全に充満され、水は、水が頂部４２の中に導入される速度から水がガス流の中に吸収され、容器から外に導かれる速度を差し引いた速度で、容器３０の底部に蓄積される。