【事件の表示】
　平成　９年特許願第２９７１５８号「シリコン半導体基板及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　５月２１日出願公開、特開平１１−１３５５１１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年１０月２９日の出願であって、平成１９年４月９日付けで手続補正がなされ、平成２０年１月８日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年２月１３日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同年３月１４日付けで手続補正がなされ、その後当審において、平成２２年５月２８日付けで審尋がなされ、同年８月２日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成２０年３月１４日付けの手続補正についての補正却下の決定
【補正却下の決定の結論】
　平成２０年３月１４日付けの手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容
　平成２０年３月１４日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の請求項１を補正するとともに、請求項４を削除するものであって、その補正前の請求項１及び補正後の請求項１は各々以下のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】　シリコン半導体基板の表面酸化膜を１ｎｍ以下にする段階の後、
　表面酸化膜が１ｎｍ以下のシリコン半導体基板を不純物含有量が５ｐｐｍ以下希ガス雰囲気中で１０００℃以上１３００℃以下の温度範囲で１時間以上熱処理する半導体基板の製造方法。」
　
（補正後）
「【請求項１】　１ｎｍ以下の酸化膜をシリコン半導体基板の表面に形成する段階の後、
　シリコン半導体基板の炉内へ挿入時に雰囲気の純度の劣化を防ぐため、熱処理炉炉口にパージボックスを設け、挿入時に希ガスでパージを行い、炉口の雰囲気中の不純物濃度を５ｐｐｍ以下にする半導体基板の製造装置を用いて、前記酸化膜が形成されたシリコン半導体基板を不純物含有量が５ｐｐｍ以下希ガス雰囲気中で１０００℃以上１３００℃以下の温度範囲で１時間以上熱処理することを特徴とする、半導体基板の製造方法。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正における補正事項を整理すると、以下のとおりである。
　
（補正事項ａ）
　補正前の請求項１の「シリコン半導体基板の表面酸化膜を１ｎｍ以下にする段階の後、」を、補正後の請求項１の「１ｎｍ以下の酸化膜をシリコン半導体基板の表面に形成する段階の後、」と補正すること。
　
（補正事項ｂ）
  補正前の請求項１の「表面酸化膜が１ｎｍ以下のシリコン半導体基板を」の前に、「シリコン半導体基板の炉内へ挿入時に雰囲気の純度の劣化を防ぐため、熱処理炉炉口にパージボックスを設け、挿入時に希ガスでパージを行い、炉口の雰囲気中の不純物濃度を５ｐｐｍ以下にする半導体基板の製造装置を用いて、」という事項を追加すること。
　
（３）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についての検討
（３−１）補正事項ａについて
（３−１−１）補正後の請求項１の「１ｎｍ以下の酸化膜をシリコン半導体基板の表面に形成する」とは、シリコン半導体基板表面に
新たに酸化膜を形成すること
自然酸化膜などの酸化膜を除去し、ウエハ表面全面の酸化膜を１ｎｍ以下とした後に
　したがって、補正事項ａは、本願の当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものではないから、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（以下「特許法第１７条の２第３項」という。）に規定する要件を満たしていない。
　
（３−１−２）本願明細書の「【００１２】　この基板表面の酸素濃度は基板表面に酸化膜がない方が低下量が大きい。・・・従って、熱処理前に
自然酸化膜などの酸化膜を除去し、ウエハ表面全面の酸化膜を１ｎｍ以下とした後に
膜厚を減少させること
新たに酸化膜を形成すること
　
（３−２）補正事項ｂについて
　補正事項ｂは、補正前の請求項１に係る発明に、「シリコン半導体基板の炉内へ挿入時に雰囲気の純度の劣化を防ぐため、熱処理炉炉口にパージボックスを設け、挿入時に希ガスでパージを行い、炉口の雰囲気中の不純物濃度を５ｐｐｍ以下にする半導体基板の製造装置を用いて、」という新たな発明特定事項を付加するものであり、補正前の請求項１に係る発明を特定するためのいずれの事項を限定するものであるとも認められないので、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げられた特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当せず、また、同法第１７条の２第４項第１号、第３号、第４号に掲げる請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明を目的とするものにも該当しないから、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　なお、請求人は、平成２０年５月１５日付け手続補正書（方式）において、「本願発明は、平成２０年３月１４日付で提出された手続補正書により補正致しましたが、その主に補正した内容及び当該補正が願書に最初に添付した明細書（以下、単に「当初明細書」と称する）に記載した事項の範囲内である理由について以下に説明したします。
　平成１９年４月９日付の手続補正書による
補正後の請求項４の発明特定事項を補正後の請求項１に直列的付加した補正
　かかる補正は、
実質的には請求項１の削除補正である
　しかしながら、平成１９年４月９日付の手続補正書による補正後の特許請求の範囲（以下「拒絶査定時の特許請求の範囲」という。）において、請求項１を削除すると、補正後の特許請求の範囲は、平成１９年４月９日付の手続補正書による補正後の請求項１（以下「拒絶査定時の請求項１」という。請求項２以降についても同じ。）を引用する請求項２で特定される「半導体基板の製造方法」（以下「新請求項１」という。）、拒絶査定時の請求項１を引用する請求項３で特定される「半導体基板の製造方法」（以下「新請求項２」という。）、前記「新請求項１」、「新請求項２」を引用する拒絶査定時の請求項４で特定される「半導体基板の製造装置」（以下「新請求項３」という。）及び前記「新請求項１」、「新請求項２」を引用する拒絶査定時の請求項５で特定される「半導体基板」（以下「新請求項４」という。）から構成されることとなり、平成２０年３月１４日付の手続補正書による補正後の請求項１（以下「審判請求時の請求項１」という。請求項２以降についても同じ）に該当するものは存在しない。したがって、本件補正は、拒絶査定時の請求項１を削除する補正であるとはいえない。
　また、仮に、拒絶査定時の請求項４の発明特定事項を拒絶査定時の請求項１に直列的付加」するということが、拒絶査定時の請求項１を削除し、拒絶査定時の請求項１を引用する拒絶査定時の請求項４を独立請求項とすることを意味するものとすれば、当該独立請求項に係る発明は、拒絶査定時の請求項４に記載された発明と同じ「半導体基板の製造装置」という「物」の発明となるところ、審判請求時の請求項１は「半導体基板の製造方法」という「方法」の発明であるから、両者は、発明のカテゴリーが異なる。してみれば、本件補正は、実質的にみても拒絶査定時の請求項１を削除する補正であるとはいえない。
　したがって、請求人の前記主張は採用することができない。
　
（４）補正の却下についてのむすび
　本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項及び第４項の要件を満たしておらず、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成２０年３月１４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし５に係る発明は、平成１９年４月９日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される上記２．（１）の補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
４．引用刊行物に記載された発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内で頒布された特開平５−２９９４１３号公報（以下「引用刊行物」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、
良質な半導体基板を形成する工程を有する半導体装置の製造方法
【０００２】
【従来技術】従来より、ＣＺ（チョクラルスキ−）法等の成長法を用いて、単結晶のシリコンを形成していた。
【０００３】しかしながら、このような方法によって得られたシリコンには、１０18ｃｍ-3程度の酸素が含まれており、この酸素により半導体装置の各種特性が悪影響を受けるという問題があった。例えば、このようなシリコンで構成されたシリコン基板の表面に形成された熱酸化膜に、１０6 Ｖ／ｃｍ程度の高電界を印加すると、一定の確率で絶縁破壊を起こす。この原因は、シリコン基板の表面近傍に存在する酸素析出物であることが知られている。
【０００４】そこで、シリコン基板に高温熱処理を施して酸素析出物を除去する方法が提案された。この方法は、熱処理容炉に単結晶のシリコン基板を収容した後、シリコン表面に酸化膜、窒化膜等の半導体化合物の被膜が形成されないアルゴン等のガス雰囲気中で、上記シリコン基板に１０００℃〜１２００℃程度の高温熱処理を数時間ほど施すというものである。この高温熱処理によって、基板中の格子間酸素が、外方拡散して基板表面から外部へ離脱したり、還元したりするので、基板表面近傍の酸素析出物を除去できる。」
「【００１２】
【実施例】以下、図面を参照して実施例を説明する。図１は、本発明の第１の実施例に係る熱処理装置の概略構成図である。
【００１３】熱処理炉１は、単結晶のシリコン基板１０を高温熱処理するための容器で、熱加熱ヒ−タ（不図示）によって加熱されるようになっている。熱処理炉１の上部にはガス導入管５が設けられており、一方、下部にはガス排気管６が設けられている。ガス導入管５は高純度アルゴンガス源（不図示），高純度酸素ガス源（不図示）に繋がっており、それぞれのガス源のガスは、バルブ３，４の開閉により選択的に熱処理炉１に導入することができる。次に上記の如きに構成された熱処理装置を用いたシリコン基板１０の熱処理方法を説明する。
【００１４】先ず、バルブ４を閉じた後、バルブ３を開けて、
水分等の不純物含有量が０．１ｐｐｍ以下、流量が２０リットル／分の高純度アルゴンガスをガス導入管５を介して熱処理炉１内へ導入する。この高純度アルゴンガスはガス排気管６を介して外部に排気され、これにより熱処理炉１内の水分などを除去する。
熱処理炉１内の中央部にシリコン基板１０を搭載した支持台２を設置する。
【００１５】次に上記工程に伴って熱処理炉１内に混入した酸素ガス，水分などを高純度アルゴンガスと置換するために、常圧で３０分間ほど７００℃のまま放置する。こ常圧での後、
熱処理炉１内の温度を１２００℃まで昇温し、この状態を６０分間ほど保持し、シリコン基板１０の表面近傍の酸素析出物を除去する。なお、ここでは、酸素析出物を除去するために、熱処理炉１内の温度を１２００℃に設定したが、９００℃上であれば、酸素析出物の除去は可能である。
【００１６】次に
常圧のまま熱処理炉１内の温度を７００℃まで降温した後、バルブ３を閉じる。次いでバルブ４を開けて、水分等の不純物含有量が０．１ｐｐｍ以下，流量が２０リットル／分の高純度酸素ガスを熱処理炉１内に導入する。
この状態を３０分間ほど保持することにより、酸素析出物が除去されたシリコン基板１０の表面に厚さ０．５ｎｍ程度のシリコン酸化膜を形成する。
【００１７】以上の方法により得られたシリコン基板１０を観察したところ、その表面には微小な起伏すらなく、非常に平坦であった。しかも、酸素析出物も完全に除去されていた。このような良質な単結晶のシリコン基板１０が得られたのは次のように説明される。」
「【００２２】また、
基板表面の起伏発生を防止するために、高温熱処理の前に基板表面に酸化膜を形成する方法も考えられるが、この方法では、高温熱処理の目的である基板表面の酸素析出物の除去が妨げられる。
　
（２）そうすると、引用刊行物には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「水分等の不純物含有量が０．１ｐｐｍ以下の高純度アルゴンガスが導入された熱処理炉１内にシリコン基板１０を搭載した支持台２を設置し、熱処理炉１内の温度を１２００℃まで昇温し、この状態を６０分間ほど保持する半導体装置の製造方法。」
　
 ５．対比・判断
（１）刊行物発明の「シリコン基板１０」、「水分等の不純物含有量が０．１ｐｐｍ以下の高純度アルゴンガス」及び「半導体装置の製造方法」は、各々本願発明の「シリコン半導体基板」、「不純物含有量が５ｐｐｍ以下希ガス」及び「半導体基板の製造方法」に相当する。
　
（２）刊行物発明の「熱処理炉１内の温度を１２００℃まで昇温し、この状態を６０分間ほど保持する」ことは、本願発明の「１０００℃以上１３００℃以下の温度範囲で１時間以上熱処理する」ことに相当する。
　
（３）そうすると、本願発明と刊行物発明とは、
「シリコン半導体基板を不純物含有量が５ｐｐｍ以下希ガス雰囲気中で１０００℃以上１３００℃以下の温度範囲で１時間以上熱処理する半導体基板の製造方法。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点）本願発明では、「シリコン半導体基板の表面酸化膜を１ｎｍ以下にする段階の後、表面酸化膜が１ｎｍ以下のシリコン半導体基板を・・・熱処理する」のに対し、刊行物発明では、「熱処理炉１内にシリコン基板１０を搭載した支持台２を設置し、熱処理炉１内の温度を１２００℃まで昇温」する前に、「シリコン基板１０」の「表面酸化膜を１ｎｍ以下にする段階」を含むかどうかが明らかでない点。
　
（４）以下、上記相違点について、検討する。
　引用刊行物の「【００１４】・・・常圧のまま熱処理炉１内の温度を７００℃に保持した後、
熱処理炉１内の中央部にシリコン基板１０を搭載した支持台２を設置する。
熱処理炉１内の温度を１２００℃まで昇温し、この状態を６０分間ほど保持し
熱処理炉１内の温度を７００℃まで降温した後
シリコン基板１０の表面に厚さ０．５ｎｍ程度のシリコン酸化膜を形成する。
　そして、引用刊行物の「【００２２】また、
基板表面の起伏発生を防止するために、高温熱処理の前に基板表面に酸化膜を形成する方法も考えられるが、この方法では、高温熱処理の目的である基板表面の酸素析出物の除去が妨げられる。
１ｎｍ以下
　よって、上記相違点は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５）まとめ
　以上、検討したとおり、本願発明と刊行物発明との相違点は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶するべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。