【事件の表示】
　特願２０００−３４０００２「ドライエッチング方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　５月２４日出願公開、特開２００２−１５１４６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１２年１１月８日に特許出願されたものであって、平成１８年３月３日付けで手続補正がなされ、平成２０年１２月１５日付けで拒絶の理由が通知され、平成２１年１月１９日付けで手続補正がなされたが、平成２１年２月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２１年３月１２日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　そして、本願の請求項１に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「塩素と三塩化硼素を含むエッチングガスにより、ガリウムと砒素を含む化合物基板をエッチングするドライエッチング方法であって、前記エッチングガスにアルゴンガスを前記エッチングガス全体の体積の２〜２０％添加し、ＩＣＰコイルに高周波電力を印加することでプラズマを発生させ前記基板をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。」
　
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前である平成５年１１月５日に頒布された特開平５−２９１１９８号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、次の事項が記載されている。
ａ：「【特許請求の範囲】【請求項１】エッチング容器内に導入されるエッチング用反応性ガスを励起し、そのエッチング用反応性ガスによって化合物半導体をエッチングするエッチング方法において、上記エッチング用反応性ガスとして三塩化ホウ素ガス、塩素ガスおよびアルゴンガスの混合ガスを用いるとともに、この混合ガス中の上記塩素ガスの割合を約１０〜２０Vol ％、アルゴンガスの割合を約２０〜３０Vol ％に設定することを特徴とする化合物半導体のエッチング方法。」（第２頁左欄第１−１０行）
ｂ：「エッチング技術にはドライエッチングとウエットエッチングとがあり、最近ではエッチング条件の選択によって異方性エッチングを実現することができるドライエッチングが注目されている。ドライエッチングの一般的な装置の構造としては、エッチング容器を有し、このエッチング容器内にエッチング用反応性ガスを導入するとともに、このエッチング用反応性ガスを放電などの手段によって励起してプラズマ状態にし、ハロゲンラジカルやイオン等の活性種を作り、その活性種と上記エッチングチャンバ内に配置された化合物半導体との反応あるいはスパッタ作用によってエッチングを行うようになっている。」（第２頁左欄第２７−３８行）
ｃ：「図１に示すエッチング装置はエッチング容器１を備えている。このエッチング容器１の上部開口は上部電極２によって閉塞され、内底部には載置台を兼ねる下部電極３が絶縁物４によって上記エッチング容器１と電気的に絶縁されて設けられている。上記下部電極３は整合器５を介して高周波電源６に接続され、上記上部電極２はエッチング容器１を介してア−スされている。上記下部電極３上にはＧａＡｌＡｓおよびＧａＡｓからなる化合物半導体７が載置され、その結晶が後述するごとくエッチングされる。」（第２頁右欄第４７行−第３頁左欄第６行）
ｄ：「上記エッチング容器１に供給された混合ガスは一対の電極２、３間に高周波電圧を印加することで発生する放電によって励起される。それによって、塩素ラジカルやアルゴンイオンを含むプラズマが発生するから、そのプラズマ中の塩素ラジカルとの化学的反応やアルゴンイオンのスパッタ効果などによって上記化合物半導体７の結晶が図２（ａ）に示す状態から図２（ｂ）に示す状態にエッチングされる。なお、図２（ａ）、（ｂ）において７ａはマスクである。」（第３頁左欄第２５−３３行）
ｅ：【図３】には、アルゴンガスの流量がゼロのときにはエッチング速度が４μｍ／min、サイドエッチング量が約2.4μｍでそれぞれ最大となり、アルゴンガスの流量を徐々に増大してゆくと、その流量が約２０ＳＣＣＭでサイドエッチング量が最小となり、その後、アルゴンガスの流量を増大しても、サイドエッチング量はほとんど減少する傾向を見せず、エッチング速度は減少する傾向を示すグラフが記載されている。
　これらの記載事項によると、引用刊行物には、
「塩素ガスと三塩化ホウ素ガスを含むエッチング用反応性ガスにより、ＧａＡｌＡｓおよびＧａＡｓからなる化合物半導体をエッチングするドライエッチング方法であって、前記エッチング用反応性ガスにアルゴンガスを前記エッチング用反応性ガス全体の体積の約２０〜３０％添加し、一対の電極間に高周波電圧を印加することでプラズマを発生させ前記半導体をエッチングするドライエッチング方法。」
の発明（以下、「引用刊行物記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
　
３．対比
　本願発明と引用刊行物記載の発明とを対比すると、引用刊行物記載の発明の「塩素ガス」、「三塩化ホウ素ガス」、「エッチング用反応性ガス」及び「ＧａＡｌＡｓおよびＧａＡｓからなる化合物半導体」は、本願発明の「塩素」、「三塩化硼素」、「エッチングガス」及び「ガリウムと砒素を含む化合物基板」にそれぞれ相当するから、両者は
「塩素と三塩化硼素を含むエッチングガスにより、ガリウムと砒素を含む化合物基板をエッチングするドライエッチング方法であって、前記エッチングガスにアルゴンガスを添加し、プラズマを発生させ前記基板をエッチングするドライエッチング方法。」
で一致し、以下の点で相違する。
相違点１：本願発明では、エッチングガスにアルゴンガスを前記エッチングガス全体の体積の２〜２０％添加しているのに対して、引用刊行物記載の発明では、エッチングガスにアルゴンガスを前記エッチングガス全体の体積の約２０〜３０％添加している点。
相違点２：本願発明では、ＩＣＰコイルに高周波電力を印加することでプラズマを発生させているのに対して、引用刊行物記載の発明では、一対の電極間に高周波電圧を印加することでプラズマを発生させている点。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
（１）相違点１について
　引用刊行物記載の発明では、エッチングガスに添加されるアルゴンガスの体積のエッチングガス全体の体積に対する割合が少ない場合にはエッチング速度は速いもののサイドエッチング量が多くなり、該割合が多い場合にはエッチング速度は遅いもののサイドエッチング量が少なくなるという相関関係を見出して、エッチング速度及びサイドエッチング量ともに許容し得る該割合として約２０〜３０％と定めているが、エッチング速度及びサイドエッチング量がどの程度であれば許容し得るかは、生産性や化合物基板に成形する貫通孔に要求される形状、精度等に応じて定める事項であり、該割合を２０％以下とすることは当業者が適宜なし得た設計的事項に過ぎない。さらに、本願発明において該割合を２〜２０％とすることの臨界的な意義も認められない。
（２）相違点２について
　ドライエッチング方法におけるプラズマを発生させる方法としてＩＣＰコイルに高周波電力を印加することは周知の技術に過ぎず（例えば特開平８−３１８０１号公報の【００６２】等参照。）、引用刊行物記載の発明において、一対の電極間に高周波電圧を印加することでプラズマを発生させることに換えて、ＩＣＰコイルに高周波電力を印加することでプラズマを発生させる方法を採用することは当業者が容易になし得たことである。また、そのことによる効果に格別のものはない。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用刊行物記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。