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　特願２００２−１４２３６８「薄膜半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１１月２１日出願公開、特開２００３−３３２３５０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年５月１７日の出願であって、平成２０年５月１５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月１８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年７月１７日付けで手続補正がなされたものであって、その後、当審において平成２２年１２月１４日付けで拒絶理由通知がなされ、平成２３年２月１７日付けで意見書が提出されたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１ないし５に係る発明は、平成２０年７月１７日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　絶縁体基板と、前記絶縁体基板上に形成されたSi薄膜と、前記Si薄膜をチャネルとするトランジスタとを持ち、前記Si薄膜は細長い形を持った短冊状結晶粒が複数個並んで構成された多結晶であり、前記短冊状結晶粒は表面が粒界において窪んでおり、前記短冊状結晶粒において基板垂直方向の結晶面方位のうち最も多い方位が＜１００＞かつ前記短冊状結晶粒の長手方向の結晶面方位のうち最も多い方位が＜１００＞または＜１１０＞であること、または前記短冊状結晶粒において基板垂直方向の結晶面方位のうち最も多い方位が＜１１０＞かつ前記短冊状結晶粒の長手方向の結晶面方位のうち最も多い方位が＜１００＞であることを特徴とする薄膜半導体装置。」
　
３．当審の拒絶理由
　当審において平成２２年１２月１４日付けで通知した拒絶の理由の要点は、本願は、発明の詳細な説明の記載が以下の点で、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていないというものである。
　
「ア　　本願の明細書の発明の詳細な説明の段落【０００５】及び【０００６】には、本願に係る発明である「薄膜半導体装置」の製造方法及び上記「薄膜半導体装置」のチャネル部分の薄膜構造についての記載があり、当該記載から、本願の請求項１及び請求項１を引用請求項とする請求項４の各請求項に係る発明は、本願の明細書の発明の詳細な説明に記載された実施例１〜４の全てを含み、本願の請求項２、請求項３及び請求項５の各請求項に係る発明は、それぞれ、本願の明細書の発明の詳細な説明に記載された実施例２、実施例３及び実施例４に対応している。
　
イ　　上記アから、本願に係る発明である「薄膜半導体装置」の製造に際し、Ｓｉ薄膜に照射される実効エネルギーＥについて、ａをＳｉ完全溶融に必要なエネルギー、ｂをＳｉ液滴化に必要なエネルギー、ｃをＳｉ凝集に必要なエネルギー及びｄをＳｉ蒸発に必要なエネルギーとしたときに、実施例１では「ａ＜Ｅ＜ｃ」、実施例２では「ａ＜Ｅ＜ｂ」（ｂ＜＜ｃ、）、実施例３では「ｃ＜Ｅ＜ｄ」及び実施例４では「Ｅ＜ａ」と記載されているが、上記ａ〜ｄのそれぞれの技術用語としての定義及び具体的な値は、本願の明細書の発明の詳細な説明には記載されておらず、また、当該技術分野における技術常識を参酌しても不明である。
　そうすると、本願の明細書の発明の詳細な説明における実施例１〜４それぞれの記載からは、本願に係る発明である「薄膜半導体装置」の製造に際し、Ｓｉ薄膜に照射される実効エネルギーＥの具体的な値は不明である。
　
ウ　　さらに、当業者が本願に係る発明である「薄膜半導体装置」を製造するためには、Ｓｉ薄膜の膜厚、絶縁性基板の表面材質、基板表面の下地膜の有無と下地膜の材質及び膜厚等を含むエネルギー照射対象物の具体的な構成、並びにエネルギー照射手段、実効エネルギーＥの値、エネルギー照射時間、エネルギー照射終了後のＳｉ薄膜の温度制御条件等を含む具体的な製造条件を示したうえで、Ｓｉ薄膜にエネルギー照射して製造された「短冊状結晶粒」の基板に垂直な結晶方位及び長手方向の結晶方位に、それぞれ、どのような結晶方位がどの程度の割合で生じているのかを示した具体的な実験結果が、本願の明細書の発明の詳細な説明に記載されている必要があると認められるが、上記アから、本願の明細書の発明の詳細な説明における実施例１〜４には、このような具体的な実験結果は記載されていない。
　そうすると、本願の明細書の発明の詳細な説明には、当業者が本願に係る発明である「薄膜半導体装置」を製造することができるように記載されているとはいえない。」
　
４．当審の拒絶理由に対する請求人の主張
　請求人は、平成２３年２月１７日付けで提出した意見書において、当審の拒絶理由に対して、非特許文献１（堀田和明、レーザアプレーションプロセスとその応用、１６−１９頁、２０００年４月）、非特許文献２（原明人、岡部正博、ＴＦＴ−ＬＣＤ用の高性能ポリシリコン成長技術、ＦＵＪＩＴＳＵ．４９、３、１９１−１９５頁、１９９８年５月）、非特許文献３（吉田岳人、小澤英一、志村洋文、レーザープロセスによる超微粒子の作製技術、レーザー研究、６７０−６７５頁、１９９９年１０月）及び非特許文献４（波多野睦子、山口伸也、田井光春、芝健夫、モバイル用ディスプレイに向けた低温ポリシリコンＴＦＴのプロセス技術、クリーンテクノロジー、１１−１５頁、２００３年４月）を提示し、以下のように主張している（下線は当審で付加）。
　
「（２）レーザ照射エネルギーの基準値について
　
（ａ）審判官殿は、Ｓｉ薄膜に照射される実効エネルギーＥの基準値（ａ〜ｄ）のそれぞれの技術用語としての定義及び具体的な値が、不明であると、ご指摘されております。
　
（ｂ）しかしながら、これら基準値の技術用語は、レーザ技術分野において使用されているものであります。
　図１には、６本の斜め線によって、７つの領域に分類されており、左下から右上にかけて、順に、「加熱加工」「溶融加工」「焼き入れ」「溶接」「溶断」「穴明け／切断」「蒸発除去加工」になります。なお、この図は、レーザ照射対象として、プラスチック、セラミクスなど多様な試料を用いた場合の分類を示しているので、Ｓｉ薄膜を照射対象とするときには用いない加工名称も含まれています。当該加工名称のうち、Ｓｉ薄膜に対しては、「加熱加工」「溶融加工」「蒸発除去加工」などがよく用いられます。
　（ｃ）本願の「ａ：Ｓｉ完全溶融に必要なエネルギー」は、非特許文献１の図１に示す「加熱加工」と「溶融加工」の境界となる斜め線に対応しています。
　また、本願の「ｄ：Ｓｉ蒸発に必要なエネルギー」は、非特許文献１の図１に示す「蒸発除去加工」と「穴明け／切断」の境界となる斜め線に対応しています。
　本願の「ｂ：Ｓｉ液滴化に必要なエネルギー」と「ｃ：Ｓｉ凝集に必要なエネルギー」は、非特許文献１の図１には明記されておりませんが、上述の「ａ」と「ｄ」の間に位置するエネルギーであり、「Ｓｉ液滴」「Ｓｉ凝集」という用語は、後述する通り、当業者によって一般に用いられています。
　本願の「ｃ：Ｓｉ凝集に必要なエネルギー」は、本願（実施例３：段落０００６）に「一般的にＳｉ薄膜２と絶縁体基板１との間のぬれ性が最も高くＳｉ薄膜２の膜厚が５０ｎｍ以下のときにこのような凝集型の粒界および粒内の構造が形成されやすい。」と明記されているように、特定のぬれ性条件等を満たす場合に出現します。同様に、本願の「ｂ：Ｓｉ液滴化に必要なエネルギー」は、本願（実施例２：段落０００６）に「一般にＳｉ薄膜２と絶縁体基板１との間にぬれ性が最も低くかつＳｉ薄膜２の膜厚が５０ｎｍより大きいときにこのような平坦粒界および粒内の構造が形成されやすい。」と明記されているように、特定のぬれ性条件等を満たす場合に出現します。
　
（ｄ）また、具体的な値が不明であるとのご指摘ですが、具体的なエネルギー値は、Ｓｉ薄膜の膜厚、絶縁体基板の表面材質やぬれ性などに依存する複合的なパラメータになります。
　Ｓｉ膜厚が大きい場合、照射エネルギーが低いと、膜表面付近のみが溶融します。照射エネルギーを上げていくに伴い、溶融領域が厚くなり、非溶融領域が薄くなっていきます。さらに、照射エネルギーを上げていくと、Ｓｉ薄膜が完全に溶融します。このように、照射エネルギー領域については、照射対象の状態で記述することが一般的です。
　たとえば、非特許文献２（添付）１９３頁には、２層のＳｉ薄膜のレーザプロセスが記載されています。ここで、照射エネルギーを、３つのエネルギー領域に分類していますが、「低エネルギー：第２層ａ−Ｓｉ層は完全溶融するが、第１層ｐ−Ｓｉが溶融しない」「中エネルギー：第２層ａ−Ｓｉ層が完全溶融し、第１層ｐ−Ｓｉが不完全溶融する」「高エネルギー：第１層ｐ−Ｓｉ層も完全溶融する」と、対象となるＳｉ層の溶融状態によって照射エネルギーを記述しています。
　同様に、非特許文献３（添付）には、「液滴」「凝集」「蒸発」について記載されており、前述の通り、レーザ技術分野において、広く使用されている技術用語であり、当業者にとって、エネルギー基準値の定義は明瞭なものになります。
　
（ｅ）具体的なエネルギー値は、レーザプロセスに用いるレーザ装置と、照射対象である「絶縁基板上に形成されるＳｉ薄膜」とによって決まる値であり、当業者は実験的にそれを決定することが出来ます。また、実際のレーザプロセスにおいても、実験的に照射エネルギーを決定しています。
（３）薄膜半導体装置の製造条件について
　
本願に係る発明である「薄膜半導体装置」の各部材の材質や膜厚などは、一般的に製造される薄膜半導体装置に用いられているものであり、当業者であれば、自らの製造目的に従い、薄膜半導体装置の照射対象物の材質や膜厚などを選択し、作製することが出来ます。その際に、形成された照射対象物に照射するエネルギー値を、上述の通り、実験的に決定します。
　Ｓｉ薄膜の膜厚、絶縁性基板の表面材質や下地膜の材料などについては、たとえば、本願（実施例１：段落０００５）に、「絶縁性基板１がガラスかつＳｉ薄膜２の膜厚が５０ｎｍの場合」「基板１の表面にＳｉＯ２やＳｉＮなどの下地膜の有無やそれらの膜厚によって異なる」とありますが、これら材質や膜厚は、一般的な薄膜半導体装置に用いられているものであり、当業者であれば、その製造条件を再現することが出来ます。
　
そして、照射対象物に照射するレーザ光のエネルギー条件についても、当業者であれば、再現することが出来、当該薄膜半導体装置を製造することが出来ます。それゆえ、当業者は、製造された薄膜半導体装置のＳｉ薄膜の結晶方位についての実験結果を得ることが出来ます。
　なお、非特許文献４（添付）は、発明者らが著者であり、本願の出願後に発行されています。「固体レーザを用いて時間空間的変調光を照射（本願明細書の段落０００４）」することにより形成されたＳｉ薄膜の結晶方位について、非特許文献４（添付）の図７に、測定結果が示されています。非特許文献４の図７に示すＳｉ薄膜は、照射される実効エネルギーＥが、ａ＜Ｅ＜ｂを満たす条件下で作製されたものであり、本願明細書の実施例２に該当します。非特許文献４の図７（ｂ）に示す通り、「短冊状結晶粒３の基板に垂直な結晶方位７は、（中略）最も多いものが＜１１０＞であり（本願明細書の実施例１：段落０００５）」、同様に、非特許文献４の図７（ｃ）に示す通り、「結晶粒の長手方向の結晶方位８で最も多いのは＜１００＞で（本願明細書の実施例１：段落０００５）」あり、さらに、本願明細書の実施例２（段落０００６）に「結晶方位７、結晶方位８については実施例１と同じことが成り立つ」との記載があります。本願明細書に記載の実施例のうち、実効エネルギーＥがａ＜Ｅ＜ｂを満たす条件下（本願の実施例２）で作製されたＳｉ薄膜の実験結果については、非特許文献４に記載があり、本願の他の実施例での実効エネルギーＥにおいても、同様の結晶方位となるＳｉ薄膜を作製することが可能であると考えられます。よって、本願の実施例には技術的な矛盾がないと思料いたします。（当審注：以下「主張ｂ」という。）」
　　
５．当審の判断
（１）本願発明の「薄膜半導体装置」は、請求項１に記載のとおり、「前記Si薄膜は細長い形を持った短冊状結晶粒が複数個並んで構成された多結晶であり、前記短冊状結晶粒は表面が粒界において窪んでおり、前記短冊状結晶粒において基板垂直方向の結晶面方位のうち最も多い方位が＜１００＞かつ前記短冊状結晶粒の長手方向の結晶面方位のうち最も多い方位が＜１００＞または＜１１０＞であること、または前記短冊状結晶粒において基板垂直方向の結晶面方位のうち最も多い方位が＜１１０＞かつ前記短冊状結晶粒の長手方向の結晶面方位のうち最も多い方位が＜１００＞である」ことをその構成としている。
　そして、本願発明の「薄膜半導体装置」の製造方法について、本願の明細書には、次の記載がある。
　
「【０００５】
【発明の実施の形態】
 以下に本発明について図面を参照して詳細に説明する。
本明細書では結晶方位[100]、[010]、[001]のように等価な方位郡をまとめて100のように表記している。他の方位（110、111）についても全く同様のことが成り立つことはいうまでもない。
（実施例１）
 図１は本発明の第１の実施例に係わる薄膜半導体装置のチャネル部分の薄膜構造を説明する図である。（ａ）が斜め上からみた立体図、（ｂ）は粒界部分の断面図である。絶縁体基板１上にSi薄膜２があり、Si薄膜２は細長い形を持った短冊状結晶粒３が複数個並んで構成された多結晶であり、短冊状結晶粒３は特に表面が粒界４において窪んでいる。短冊状結晶粒３の平均的長さは５μｍ、平均的幅は0.8〜3μｍである。粒界には単に長手方向に連続したもの以外にも、結晶粒の途中から発生する粒界５や二つの粒界が途中で交わる粒界６のような形状を持ったものも所々存在する。・・・
このような形状は、固体レーザ光を方位８と平行に走査させて形成するが、そのときの走査速度と照射エネルギーの関係において、Si薄膜に照射される実効エネルギーEがａ＜E＜ｃの関係を満たすような条件で結晶化した場合に形成される。ここでａはSi完全溶融に必要なエネルギー、ｃはSi凝集に必要なエネルギーである。
前述の粒界窪み部の膜厚差およびこれらの面方位はSi薄膜２の膜厚や絶縁体基板１の表面材質および基板１の表面にSiO2やSiNなどの下地膜の有無やそれらの膜厚によって異なる。一般的にSi薄膜２と絶縁体基板１との間のぬれ性が高いほど前記窪み部の凹凸は大きくなり、それにつれて結晶方位７で最も多いものが100となりやすい。
上述のようにSi薄膜の膜厚、下地膜の材料および膜厚を制御することで方位７を100、方位８を100または110とすることが可能である。
【０００６】
　図１（ｂ）に粒界部の断面を示したが、ここで窪み部の凹凸とは粒界部の平均膜厚と粒内の平均膜厚との膜厚差９で表現できる。もう一つの表現としては粒界におけるSi薄膜表面の法線と基板法線との角度１０も考えられる。これら両者の値は互いに相関がある。・・・上記の膜構成およびレーザ照射条件で結晶化した場合、この膜厚差は10〜20nm、角度１０は60〜80度程度が最も多く形成される。
このような形状を持つ結晶をチャネルとして利用し、高移動度と高いゲート耐圧を持ったトランジスタをなおかつ高いプロセススループットで形成できるという利点が本実施例の特徴である。
（実施例２）
図２は本発明の第２の実施例に係わる薄膜半導体装置のチャネル部分の薄膜構造を説明する図である。（ａ）が斜め上からみた立体図、（ｂ）は粒界部分の断面図である。上記実施例１と異なるのは実施例１で見られた粒界部の窪みが実施例２では極めて平坦であり、また短冊状結晶粒３の表面も粒内で平坦なことである。短冊状結晶粒３の平均的長さは実施例と同じく５μｍ、平均的幅は0.8〜3μｍである。粒界には単に連続したもの以外にも、結晶粒の途中から発生する粒界５や二つの粒界が途中で交わる粒界６のような形状を持ったものも所々存在することも実施例１と等しい。・・・
このような形状は、そのときの走査速度と照射エネルギーの関係において、Si薄膜に照射される実効エネルギーEがａ＜E＜ｂの関係を満たすような条件で結晶化した場合に形成される。ここでａはSi完全溶融に必要なエネルギー、ｂはSi液滴化に必要なエネルギーであり実施例１で説明したSi凝集エネルギーｃに対し（ｂ＜＜ｃ）である。
このような平坦な粒界および粒内は前述した照射条件以外にもSi薄膜２の膜厚や絶縁体基板１の表面材質および基板１の表面にSiO2やSiNなどの下地膜の有無およびそれらの膜厚によって異なる。一般的にSi薄膜２と絶縁体基板１との間のぬれ性が最も低くかつSi薄膜２の膜厚が50nmより大きいときにこのような平坦粒界および粒内の構造が形成されやすい。
このような形状を持つ結晶をチャネルとして利用し、高移動度と非常に高いゲート耐圧を持ったトランジスタを最も高性能が必要とされる回路部に適用することで高機能な半導体装置を得られるという利点がある。
（実施例３）
図３は本発明の第３の実施例に係わる薄膜半導体装置のチャネル部分の薄膜構造を説明する図である。（ａ）が斜め上からみた立体図、（ｂ）は粒界部分の断面図である。本実施例では上記実施例２と異なり粒界部の窪みがSi薄膜２の膜厚より大きくなったため、粒界部分でSi薄膜２が分離し基板１の表面が現れた完全分離型粒界１１を持っている。また短冊状結晶粒３の表面は大きく上に凸となっている。短冊状結晶粒３の平均的長さは実施例と同じく５μｍ、平均的幅は0.5〜2μｍである。完全分離型粒界には結晶粒の途中から発生する粒界１２や二つの粒界が途中で交わる粒界１３のような形状を持ったものも所々存在することも実施例１と等しい。・・・
このような形状は、そのときのレーザ走査速度と照射エネルギーの関係において、Si薄膜に照射される実効エネルギーEがｃ＜E＜ｄの関係を満たすような条件で結晶化した場合に形成される。ここでｃは実施例１と同じSi凝集に必要なエネルギー、ｄはSi蒸発に必要なエネルギーである。
このような凝集型の粒界および粒内は前述した照射条件以外にもSi薄膜２の膜厚や絶縁体基板１の表面材質および基板１の表面にSiO2やSiNなどの下地膜の有無およびそれらの膜厚によって異なる。一般的にSi薄膜２と絶縁体基板１との間のぬれ性が最も高くかつSi薄膜２の膜厚が50nm以下のときにこのような凝集型の粒界および粒内の構造が形成されやすい。
このような形状を持つ結晶をチャネルとして利用し、最も高移動度のトランジスタを最も高性能が必要とされる論理回路部に適用することで高機能な半導体装置を得られるという利点がある。
（実施例４）
図４は本発明の第４の実施例に係わる薄膜半導体装置のチャネル部分の薄膜構造を説明する図である。（ａ）が斜め上からみた立体図、（ｂ）は粒界部分の断面図である。本実施例では上記実施例１〜実施例３と異なり結晶粒が短冊状ではなく多角形状となっているが、粒界部は実施例１〜実施例３と同様に窪んだ形状をもっている。この結晶粒３の平均的直径は１〜２μｍである。・・・
このような形状は、そのときのレーザ走査速度と照射エネルギーの関係において、Si薄膜に照射される実効エネルギーEがE＜ａの関係を満たすような条件で結晶化し、その後Siの異方性溶液でエッチングし結晶結合の弱い粒界部を選択的に削減することで得ることができる。ここでａは実施例１と同じSi完全溶融に必要なエネルギーである。
このような多角形型の結晶粒および粒界は前述した固体レーザのみならず従来のエキシマレーザ結晶化で得られた結晶粒に対して粒界の選択的エッチング工程を施すことでも形成することができる。」
　
（２）ところで、発明の実施可能要件を定める特許法第３６条第４項第１号は、「・・・発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであること」と規定する。したがって、明細書及び図面に記載された事項と出願時の技術常識とに基づいて、当業者が発明を実施しようとした場合に、どのように実施するかが理解できないとき（例えば、どのように実施するかを発見するために、当業者に期待しうる程度を超える試行錯誤等を行う必要があるとき）には、実施可能要件は満たされない。ここで、発明の「実施」とは、「物の発明」の場合、その物を製造、使用することであるから、当業者がその物を製造することができる程度に明確かつ十分に記載されていなければならない。
　
（３）本件についてみると、上記（１）のとおり、本願発明は、「前記Si薄膜は細長い形を持った短冊状結晶粒が複数個並んで構成された多結晶であり、前記短冊状結晶粒は表面が粒界において窪んでおり、前記短冊状結晶粒において基板垂直方向の結晶面方位のうち最も多い方位が＜１００＞かつ前記短冊状結晶粒の長手方向の結晶面方位のうち最も多い方位が＜１００＞または＜１１０＞であること、または前記短冊状結晶粒において基板垂直方向の結晶面方位のうち最も多い方位が＜１１０＞かつ前記短冊状結晶粒の長手方向の結晶面方位のうち最も多い方位が＜１００＞である」ことを不可欠の構成としているから、実施可能要件を満たすためには、明細書、図面全体の記載及び技術常識に基づき特許出願時の当業者がその物を製造できるような場合を除き、具体的な製造方法、すなわち、上記構成を有する「薄膜半導体装置」を形成するための要件であるＳｉ薄膜の膜厚、絶縁性基板の表面材質、基板表面の下地膜の有無と下地膜の材質及び膜厚等を含む
エネルギー照射対象物の具体的な構成
具体的な製造条件などの
　
（４）そこで、上記の観点から、本願明細書の記載について検討する。
（４−１）本願発明である「薄膜半導体装置」の製造に際し、Ｓｉ薄膜に照射される実効エネルギーＥについて、本願明細書の段落【０００５】、【０００６】には、ａをＳｉ完全溶融に必要なエネルギー、ｂをＳｉ液滴化に必要なエネルギー、ｃをＳｉ凝集に必要なエネルギー及びｄをＳｉ蒸発に必要なエネルギーとしたときに、実施例１では「ａ＜Ｅ＜ｃ」、実施例２では「ａ＜Ｅ＜ｂ」（ｂ＜＜ｃ、）、実施例３では「ｃ＜Ｅ＜ｄ」及び実施例４では「Ｅ＜ａ」と記載されているのみであり、上記ａ〜ｄの技術用語としての定義及び具体的な値は記載されておらず、また、当該技術分野における技術常識を参酌しても、それらの技術用語としての定義及び具体的な値は不明である。
　そうすると、本願明細書の発明の詳細な説明における実施例１〜４それぞれの記載からは、本願発明である「薄膜半導体装置」の製造する際にＳｉ薄膜に照射される実効エネルギーＥの具体的な値は不明である。
　
（４−２）また、本願発明が、本願明細書の発明の詳細な説明に記載された実施例１〜４の全てを含むことを考えれば、本願発明である「薄膜半導体装置」を製造するためにＳｉ薄膜に照射される実効エネルギーＥは、実施例１〜４に記載された「ａ＜Ｅ＜ｃ」、「ａ＜Ｅ＜ｂ」（ｂ＜＜ｃ、）、「ｃ＜Ｅ＜ｄ」及び「Ｅ＜ａ」のいずれかの範囲、すなわち、「Ｅ＜ｄ」（ｄはＳｉ蒸発に必要なエネルギー）であればどのような値でもよいことになり、具体的な実効エネルギーＥの範囲を特定したものとはいえず、技術的意義を理解することができない。
　
（４−３）さらに、当業者が本願発明である「薄膜半導体装置」を製造するためには、Ｓｉ薄膜の膜厚、絶縁性基板の表面材質、基板表面の下地膜の有無と下地膜の材質及び膜厚等を含むエネルギー照射対象物の具体的な構成、並びにエネルギー照射手段、実効エネルギーＥの値、エネルギー照射時間、エネルギー照射終了後のＳｉ薄膜の温度制御条件等を含む具体的な製造条件を示したうえで、Ｓｉ薄膜にエネルギー照射して製造された「短冊状結晶粒」の基板に垂直な結晶方位及び長手方向の結晶方位に、それぞれ、どのような結晶方位がどの程度の割合で生じているのかを示した具体的な実験結果を示すことにより、その実験結果と本願発明の所望の効果との関係を明らかにする必要があるが、本願明細書の段落【０００５】、【０００６】には、上記製造条件に関して、実施例１では、「前述の粒界窪み部の膜厚差およびこれらの面方位はSi薄膜２の膜厚や絶縁体基板１の表面材質および基板１の表面にSiO2やSiNなどの下地膜の有無やそれらの膜厚によって異なる。一般的にSi薄膜２と絶縁体基板１との間のぬれ性が高いほど前記窪み部の凹凸は大きくなり、それにつれて結晶方位７で最も多いものが100となりやすい。結晶方位７が変わるとそれと垂直な方位８は幾何学的にゆるされる方位、つまり100または110のみが主となる。本発明では方位７が110、方位８が100の場合を主として記述するが、上述のようにSi薄膜の膜厚、下地膜の材料および膜厚を制御することで方位７を100、方位８を100または110とすることが可能である。」、実施例２では「結晶方位７、結晶方位８については実施例１と同じことが成り立つ。このような平坦な粒界および粒内は前述した照射条件以外にもSi薄膜２の膜厚や絶縁体基板１の表面材質および基板１の表面にSiO2やSiNなどの下地膜の有無およびそれらの膜厚によって異なる。一般的にSi薄膜２と絶縁体基板１との間のぬれ性が最も低くかつSi薄膜２の膜厚が50nmより大きいときにこのような平坦粒界および粒内の構造が形成されやすい。」、実施例３では、「結晶方位７、結晶方位８については実施例１と同じことが成り立つ。このような凝集型の粒界および粒内は前述した照射条件以外にもSi薄膜２の膜厚や絶縁体基板１の表面材質および基板１の表面にSiO2やSiNなどの下地膜の有無およびそれらの膜厚によって異なる。一般的にSi薄膜２と絶縁体基板１との間のぬれ性が最も高くかつSi薄膜２の膜厚が50nm以下のときにこのような凝集型の粒界および粒内の構造が形成されやすい。」と記載されているのみであり、具体的な製造条件や実験結果は記載されておらず、また、出願時の技術常識とに基づいて、当業者が発明を実施しようとしても、どのように実施するかが理解できない。
　
（４−４）そうすると、本願の明細書の発明の詳細な説明には、エネルギー照射対象物の具体的な構成、具体的な製造条件をどのようにすれば、上記（３）で述べた構成を有する「薄膜半導体装置」が形成できるのかが理解できるように記載されたものでないから、当業者が本願に係る発明である「薄膜半導体装置」を製造するには、Ｓｉ薄膜の膜厚、絶縁性基板の表面材質、基板表面の下地膜の有無と下地膜の材質及び膜厚等を含むエネルギー照射対象物の具体的な構成、並びにエネルギー照射手段、実効エネルギーＥの値、エネルギー照射時間、エネルギー照射終了後のＳｉ薄膜の温度制御条件等を含む具体的な製造条件に選択するために、過度の試行錯誤を強いられるものである。
　
（５）小括　
  したがって、本願明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものとはいえない。
　
６．当審拒絶理由に対する審判請求人の主張について
（１）主張ａについて
　請求人が意見書に添付した非特許文献１の図１には、レーザアブレ−ションとその応用に関し、レーザのエネルギー密度と照射時間（レーザのパルス幅）によるレーザプロセスの分類として、「加熱加工」、「溶融加工」、「焼き入れ」、「溶接」、「溶断」、「穴明け／切断」及び「蒸発除去」の用語が記載され、同じく非特許文献２には、ＴＦＴ−ＬＣＤ用の高性能ポリシリコン成長技術に関し、「完全溶融」なる用語が記載され、同じく非特許文献３には、レーザープロセスによる超微粒子の作成技術に関し、「凝集」及び「蒸発」なる用語が記載されている。しかしながら、非特許文献１及び３に記載された技術は、本願発明に係る薄膜半導体装置の製造方法の属する技術分野とは異なるものであり、非特許文献１に記載された「加熱加工」、「溶融加工」及び「蒸発除去」という用語、非特許文献３に記載された「凝集」及び「蒸発」という用語をもって、本願明細書の実施例に記載された「ａ：Ｓｉ完全溶融に必要なエネルギー」、「ｂ：Ｓｉ液滴化に必要なエネルギー」、「ｃ：Ｓｉ凝集に必要なエネルギー」及び「ｄ：Ｓｉ蒸発に必要なエネルギー」という技術用語を定義しているとはいえない。
　また、仮に、これらの技術用語の定義が明らかであったとしても、その具体的な値については、具体的な証拠が提示されておらず、不明であるが、請求人が主張するように、「当業者は実験的にそれを決定することが出来」るとしても、請求人が意見書において主張するように、「（ｄ）・・・具体的なエネルギー値は、Ｓｉ薄膜の膜厚、絶縁体基板の表面材質やぬれ性などに依存する複合的なパラメータになり」、「（ｅ）具体的なエネルギー値は、レーザプロセスに用いるレーザ装置と、照射対象である「絶縁基板上に形成されるＳｉ薄膜」とによって決まる値であ」るというのであれば、当業者は、「Ｓｉ薄膜の膜厚」、「絶縁体基板の表面材質やぬれ性」、「レーザプロセスに用いるレーザ装置」、「照射対象である「絶縁基板上に形成されるＳｉ薄膜」」について、あらゆる場合を想定して実験を行う必要があり、過度の試行錯誤を強いられるものである。
　したがって、請求人の主張ａは、採用できない。
　
（２）主張ｂについて
　確かに請求人が主張するように、「本願に係る発明である「薄膜半導体装置」の各部材の材質や膜厚などは、一般的に製造される薄膜半導体装置に用いられているものであ」るが、当業者が本願発明である「薄膜半導体装置」を製造するためには、Ｓｉ薄膜の膜厚、絶縁性基板の表面材質、基板表面の下地膜の有無と下地膜の材質及び膜厚等を含むエネルギー照射対象物の具体的な構成、並びにエネルギー照射手段、実効エネルギーＥの値、エネルギー照射時間、エネルギー照射終了後のＳｉ薄膜の温度制御条件等を含む具体的な製造条件を示したうえで、Ｓｉ薄膜にエネルギー照射して製造された「短冊状結晶粒」の基板に垂直な結晶方位及び長手方向の結晶方位に、それぞれ、どのような結晶方位がどの程度の割合で生じているのかを示した具体的な実験結果が、本願の明細書の発明の詳細な説明に記載されている必要があると認められるところ、本願の明細書の発明の詳細な説明には、Ｓｉ薄膜の膜厚、絶縁性基板の表面材質、基板表面の下地膜の有無と下地膜の材質及び膜厚等を含むエネルギー照射対象物の具体的な構成、並びにエネルギー照射手段、実効エネルギーＥの値、エネルギー照射時間、エネルギー照射終了後のＳｉ薄膜の温度制御条件等を含む具体的な製造条件は記載されていないから、当業者が本願に係る発明である「薄膜半導体装置」を製造するためには、Ｓｉ薄膜の膜厚、絶縁性基板の表面材質、基板表面の下地膜の有無と下地膜の材質及び膜厚等を含むエネルギー照射対象物の具体的な構成、並びにエネルギー照射手段、実効エネルギーＥの値、エネルギー照射時間、エネルギー照射終了後のＳｉ薄膜の温度制御条件等を含む具体的な製造条件に選択するために、過度の試行錯誤を強いられるものである。
　したがって、請求人の主張ｂは、採用できない。
　
（３）まとめ
　よって、本願明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものとは言えない。
　
７．むすび
　以上の次第で、本願明細書の発明の詳細な説明の記載は、特許法第３６条第４項の規定を満たさないから、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。