【事件の表示】
　平成　９年特許願第　９６４１１号「窒素含有半導体物質のデバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　２月１３日出願公開、特開平１０−　４１２３０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成９年３月３１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９６年４月２日、独国）の出願であって、平成１９年４月６日付けで拒絶理由通知がなされ、同年１０月１１日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がなされ、同年１１月１６日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、平成２０年２月１９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされ、その後、平成２２年４月５日付けで審尋がなされ、同年７月６日に回答書が提出されたものである。
　
第２．平成２０年２月１９日付けの手続補正についての却下の決定
　
　［補正の却下の決定の結論］
　平成２０年２月１９日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
１．平成２０年２月１９日付けの手続補正の内容
　平成２０年２月１９日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし１１を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし８と補正するものであり、そのうち補正前後の請求項１は以下のとおりである。 
　
（補正前）
　　【請求項１】
　基板及び窒化物ヘテロ構造を有するデバイスにおいて、
ａ）放射線の形成又はキャリアの制御のために備えられたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質から成る活性層を有し、
ｂ）この活性層中の周期系のＩＩＩ族の成分が少なくとも２０％のインジウム原子分量を含みまた周期系のＶ族の成分が窒素を含んでおり、
ｃ）この基板と活性層との間にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質から成る緩衝層を含んでおり、
ｄ）この緩衝層中の周期系のＩＩＩ族の成分がインジウムを含み、また周期系のＶ族の成分が窒素を含んでおり、
ｅ）活性層の半導体物質の組成が基板に面する側ではこの活性層に接している半導体の組成が異なるため、これらの半導体物質の界面にエネルギーギャップが生じ、
ｆ）活性層が、エピタキシャル成長時に、緩衝層の格子定数に相応する格子定数を示し、更に
ｇ）窒化物ヘテロ構造が緩衝層及び活性層の他に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質から成る少なくとも別の層を含んでおり、周期系のＩＩＩ族から成る成分がインジウムを含み、周期系のＶ族から成る成分が窒素を含み、この際該別の層内におけるＩＩＩ族の成分の組成が連続的に変化する
ことを特徴とする窒素含有半導体物質のデバイス。
　
（補正後）
　　【請求項１】
　基板及び窒化物ヘテロ構造を有するデバイスにおいて、
ａ）放射線の形成又はキャリアの制御のために備えられたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質から成る活性層を有し、
ｂ）この活性層中の周期系のＩＩＩ族の成分が少なくとも２０％のインジウム原子分量を含みまた周期系のＶ族の成分が窒素を含んでおり、
ｃ）この基板と活性層との間にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質から成る緩衝層を含んでおり、
ｄ）この緩衝層中の周期系のＩＩＩ族の成分がインジウムを含み、また周期系のＶ族の成分が窒素を含んでおり、
ｅ）活性層の半導体物質の組成が基板に面する側ではこの活性層に接している半導体の組成が異なるため、これらの半導体物質の界面にエネルギーギャップが生じ、
ｆ）活性層が、エピタキシャル成長時に、緩衝層の格子定数に相応する格子定数を示し、更に
ｇ）窒化物ヘテロ構造が緩衝層及び活性層の他に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質から成り、前記活性層に接する少なくとも別の層を含んでおり、周期系のＩＩＩ族から成る成分がインジウムを含み、周期系のＶ族から成る成分が窒素を含み、この際
　該別の層内におけるＩＩＩ族の成分の組成が連続的に変化し、この際
　ＩＩＩ族のインジウムが前記別の層内において連続的に変化する
ことを特徴とする窒素含有半導体物質のデバイス。
　
２．補正事項の整理
　本件補正による補正事項を整理すると以下のようになる。
　
（１）補正事項１ 
　補正前の請求項１の「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質から成る少なくとも別の層を含んでおり」を、補正後の請求項１の「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質から成り、前記活性層に接する少なくとも別の層を含んでおり」と補正すること。 
　
（２）補正事項２ 
　補正前の請求項１の「この際該別の層内におけるＩＩＩ族の成分の組成が連続的に変化する」を、補正後の請求項１の「該別の層内におけるＩＩＩ族の成分の組成が連続的に変化し、この際ＩＩＩ族のインジウムが前記別の層内において連続的に変化する」と補正すること。 
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項８ないし１０を削除すること。
　
（４）補正事項４
　上記補正事項３についての補正に伴い、補正前の請求項１１の項番を、補正後の請求項８と補正するとともに、補正前の請求項１１の「請求項１乃至１０の１つに記載のデバイス」を、補正後の請求項８の「請求項１乃至７の１つに記載のデバイス」に補正すること。
　
３．補正の適否
（１）補正事項１について
　補正事項１についての補正は、補正前の請求項１の「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質から成る少なくとも別の層を含んでおり」について、その「別の層」の配置位置を「前記活性層に接する」と限定する内容のものであって、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項に対して技術的限定を付加するものであるから、当該補正事項１は、特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。また、当該補正事項１は、願書に最初に添付した明細書又は図面（以下「当初明細書等」という。）に記載された事項の範囲内でなされたもの（当初明細書等における０００８段落、０００９段落などの記載により裏付け）であり、特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすものであることは明らかである。
　
（２）補正事項２について
　補正事項１についての補正は、補正前の請求項１の「別の層内におけるＩＩＩ族の成分の組成が連続的に変化する」ことについて、「ＩＩＩ族のインジウムが前記別の層内において連続的に変化する」と組成が連続的に変化する元素を「インジウム」に限定する内容のものであって、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項に対して技術的限定を付加するものであるから、当該補正事項１は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。また、当該補正事項１は、願書に最初に添付した明細書又は図面（以下「当初明細書等」という。）に記載された事項の範囲内でなされたもの（当初明細書等における０００８段落、０００９段落などの記載により裏付け）であり、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものであることは明らかである。
　
（３）補正事項３及び４について
　補正事項３及び４についての補正は、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　
（４）補正の目的及び新規事項の追加の有無についてのまとめ 
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものであり、かつ、補正後の特許請求の範囲における請求項１は、それぞれ同法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する、本件補正による補正事項１及び２により補正されたものである。 
　したがって、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かにつき更に検討する。 
　 
４．独立特許要件についての検討 
（１）本件補正による補正後の発明 
　本件補正による補正後の請求項１〜８に係る発明は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜８に記載されている事項により特定されるとおりのものである。 
　そして、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、上記１．の「補正後」の箇所に記載したとおりのものである。 
　 
（２）引用例に記載された発明 
（２−１）本願の優先権主張日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由に引用された特開平０７−２４９７９５号公報（以下「引用例」という。）には、図１及び図２とともに、以下の事項が記載されている。なお、下線は当合議体が付加したものである（以下同じ。）。 
　 
「【００２３】なお、本発明でバッファ層とは核形成、極性制御、熱歪み緩和等の目的を持った膜状若しくは粒状の結晶層のことを言う。
このように本発明によれば、サファイア等の単結晶基板上にＡｌＮ等の多孔質状のバッファ層を形成することにより、基板上にＡｌＮの微結晶が疎らに形成される。これは、半導体層の横方向エピタキシャル成長の核となる。
【００２４】また、ＡｌＮ等の第１バッファ層上にＩｎＮやＧａＩｎＮ等の第２バッファ層を形成することにより、第２バッファ層が熱歪み緩和層として機能することになり、バッファ層上に形成する複数の半導体層の結晶品質向上により有効となる。
【００２５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
（実施例１）
図１は、本発明の第１の実施例に係わる青色発光ダイオードの素子構造を示す断面図である。即ち、サファイア基板（単結晶基板）１０のｃ面上に成長核形成と極性制御用のＡｌＮ第１バッファ層１１（９ｎｍ）が５８０℃にて成長形成され、さらに熱歪み緩和用のＩｎＮ第２バッファ層１２（０．５μｍ）が５００℃にて成長形成され、その上にＩｎ蒸発防止用のＧａＮキャップ層１３（０．１μｍ）が成長形成されている。
【００２６】
これらの各層１１〜１３が形成された後に、１０５０℃まで昇温され、結晶欠陥低減用のＧａ
0.7
 Ｉｎ
0.3
 Ｎ欠陥低減層１４（３．０μｍ）、素子として動作するＳｉドープのｎ型Ａｌ
0.2
 Ｇａ
0.5
 Ｉｎ
0.35
Ｎクラッド層（１．０μｍ）１５、Ｇａ
0.7
 Ｉｎ
0.3
 Ｎ層活性層（０．５μｍ）１６、Ｍｇドープのｐ型Ａｌ
0.2
 Ｇａ
0.5
 Ｉｎ
0.35
Ｎクラッド層（１．０μｍ）１７、Ｍｇドープのｐ型ＧａＮコンタクト層（０．５μｍ）１８が順次形成されている。
【００２７】そして、コンタクト層１８上にはｐ側電極２１としてＡｕ／Ｃｒ／Ｐｄが形成され、欠陥低減層１４上にはｎ側電極２２としてＡｕ／ＡｕＧｅが形成されている。
【００２８】
このような構造では、ＡｌＮ第１バッファ層１１は基板１０上に疎らに粒状に形成されて多孔質状となり、後続する素子作成のためのＡｌＧａＩｎＮ系半導体層の成長の際の有効な成長核となる。
【００２９】
図２は、活性層１６のバンドギャップを変えて発光波長を変えたものである。図２（ａ）は緑色発光ダイオードの例であり、欠陥低減層１４′の組成をＧａ
0.5
 Ｉｎ
0.5
 Ｎ、クラッド層１５′，１７′の組成をＡｌ
0.2
 Ｇａ
0.25
Ｉｎ
0.55
Ｎ、活性層１６′の組成をＧａ
0.5
 Ｉｎ
0.5
 Ｎとしている
　 
（２−２）ここで、引用例には、００２９段落に記載される「活性層１６′」をエピタキシャル成長することに関し、直接的な記載こそなされてはいないが、００２９段落に記載の引用符号「１４′」、「１５′」、「１６′」、「１７′」で示される各層は、それぞれ、００２６段落に記載の引用符号「１４」、「１５」、「１６」、「１７」で示される各層と同様、「各層１１〜１３が形成された後に」「順次形成されている」ものであることは明らかであり、さらに、００２３段落の「このように本発明によれば、サファイア等の単結晶基板上にＡｌＮ等の多孔質状のバッファ層を形成することにより、基板上にＡｌＮの微結晶が疎らに形成される。これは、半導体層の横方向エピタキシャル成長の核となる。」との記載、及び００２８段落の「このような構造では、ＡｌＮ第１バッファ層１１は基板１０上に疎らに粒状に形成されて多孔質状となり、後続する素子作成のためのＡｌＧａＩｎＮ系半導体層の成長の際の有効な成長核となる。」との記載との対応関係に照らし、かかる「活性層１６′」も、エピタキシャル成長により形成されるものと解される。
　また、引用例の００２９段落に記載された「Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｎ」から成る「活性層１６′」は、明らかに緑色の発光を行うために備えられた層である。
　また、図２（ａ）に開示された緑色発光ダイオードの素子構造に照らしても、サファイア基板１０と活性層１６との間にＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｎから成る欠陥低減層１４′が含まれ、かつ、Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｎから成る活性層１６′はサファイア基板１０に面する側でＡｌ0.2 Ｇａ0.25Ｉｎ0.55Ｎから成るクラッド層１５′と接していることも明らかである。
　さらに、引用例の００２９段落に記載された「欠陥低減層１４′」及び「活性層１６′」は、どちらも「Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｎ」から成る点において共通している。
　
（２−３）以上を総合すると、引用例には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。 
　 
「サファイア基板１０のｃ面上に成長核形成と極性制御用のＡｌＮ第１バッファ層１１が成長形成され、さらに熱歪み緩和用のＩｎＮ第２バッファ層１２が成長形成され、その上にＩｎ蒸発防止用のＧａＮキャップ層１３が成長形成され、これらの各層１１〜１３が形成された後に、欠陥低減層１４′、クラッド層１５′、活性層１６′、クラッド層１７′が順次形成されている構造を有する緑色発光ダイオードにおいて、
　緑色の発光を行うために備えられたＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｎから成る活性層１６′を有し、
　このサファイア基板１０と活性層１６′との間にＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｎから成る欠陥低減層１４′を含んでおり、
　Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｎから成る活性層１６′はサファイア基板１０に面する側でＡｌ0.2 Ｇａ0.25Ｉｎ0.55Ｎから成るクラッド層１５′と接しており、
　活性層１６′はエピタキシャル成長され、かつ、欠陥低減層１４′と組成が同じくＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｎから成るものであり、更に
　クラッド層１５′，１７′はＡｌ0.2 Ｇａ0.25Ｉｎ0.55Ｎから成る
ことを特徴とする緑色発光ダイオード」
　 
（２−４）本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された特開昭６０−７２２８３号公報（以下「周知例１」という。）には、第２図、第３図及び第４図とともに、以下の事項が記載されている。 
　 
「
そこで、第２図に見られるエネルギ・バンド・ダイアグラムで示される特性を有する半導体発光装置、即ち、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ（ｇｒａｄｅｄ　ｉｎｄｅｘ　ｗａｖｅｇｕｉｄｅ　ｓｅｐａｒａｔｅ　ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ　ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）レーザが開発された。
　
図から判るように、ＧＲＩＮ−ＳＣＨレーザはｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層とｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層の組成を連続的に変化させることに依り屈折率勾配を生ずるようにし、キャリヤと光の閉じ込めを別個に制御することができるようにして、より一層の低閾値化を達成しようとするものである。
　このＧＲＩＮ−ＳＣＨレーザは、現在の報告されているレーザのなかでは最低のＣＷ（ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ　ｗａｖｅ）閾値を有している。」（第２ページ左上欄第１７行−右上欄第１２行）
「　　　　　　　発明の目的
　
本発明は、前記ＧＲＩＮ−ＳＣＨレーザに若干の改変を施すのみで、温度特性を大きく改善した半導体発光装置を得ようとするものである
「　　　　　　　
発明の実施例
　
第３図は本発明一実施例の要部切断正面図である。
　図に於いて、１はｎ＋型ＧａＡｓ半導体基板、２はｎ＋型ＧａＡｓバッファ層、３はｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓクラッド層、４はｎ型ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓグレーデッド・クラッド層、５はＧａＡｓ活性層、６はｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓクラッド層、７はｐ＋型ＧａＡｓコンタクト層をそれぞれ示している。
　前記実施例に於いて、各層について主な特徴を列挙すると、
ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓクラッド層について
　０＜ｘ≦１
　例えばｘ≒０．５
　不純物濃度Ｃ＝１×１０１７〜３×１０１８〔ｃｍ−２〕
　厚みｄ≒１．５〔μｍ〕
ｎ型ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓグレーデッド・クラッド層４について
　０＜ｙ≦１
　例えばｙ≒０．５乃至０．２
　不純物濃度Ｃ＝１×１０１７〜３×１０１８〔ｃｍ−２〕
　厚みｄ≒０．２〔μｍ〕
ＧａＡｓ活性層５について
　ｎ，ｐ，ｉ，アンドープの何れでも可
　厚みｄ≒７５〔Å〕
　厚みは通常のこの種のＤＨ構造で採用されるｄ≒０．１５〔μｍ〕近傍のみでなく、量子サイズ効果が現われる数１０〔Å〕〜数１００〔Å〕程度の厚みを採用することができる。
ｐ型ＡｌｚＧａ１−ｚＡｓクラッド層６について
　０＜ｚ≦１
　例えばｚ≒０．４
　ｚの範囲はｎ型ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓグレーデッド・クラッド層４のｙ値と同様とし、特に〜０．２より大きい値とする。
　不純物濃度Ｃ＝１×１０１７〜１０１８〔ｃｍ−２〕
　厚みｄ≒１．５〔μｍ〕
ｐ＋型ＧａＡｓコンタクト層７について
　不純物濃度Ｃ≧１０１９〔ｃｍ−２〕
　厚みｄ≒０．２〔μｍ〕
等である。
　
前記ｎ型Ａｌ
ｙ
Ｇａ
１−ｙ
Ａｓグレーデッド・クラッド層４の組成変化は放物線型であることが好ましいが、直線型であっても実用上は支障ない。
　第４図は第３図に関して説明した実施例のエネルギ・バンド・ダイアグラムである。」（第２ページ右下欄第６行−第３ページ右上欄第１３行）
※審決注：周知例１に記載された「横棒の上に波型」を書いた記号は、当該審決中に表記することできないため、「≒」の記号表記で代用した。
　 
（２−５）本願の優先権主張日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由に引用された特開平０５−２４３６１４号公報（以下「周知例２」という。）には、図５とともに、以下の事項が記載されている。 
　 
「【００５９】
さらに、クラッド層３０３及び３０５のＧａ
1-X
Ａｌ
x
Ｎ層又はＩｎ
x
Ｇａ
y
Ａｌ
1-x-y
Ｎ層の組成比であるｘ又は／及びｙは積層方向に沿って変化していてもよく、ＳＣＨ構造やＧＤＩＮ−ＳＣＨ構造も可能である。
　 
（２−６）本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された特開平０２−０２５１７６号公報（以下「周知例３」という。）には、第２図及び第３図とともに、以下の事項が記載されている。
　 
「２．　特許請求の範囲
　　１．　活性領域となる活性薄層の両面を、それより禁止帯幅の大きいｎ型およびｐ型のクラッド層で各々接合した２重ヘテロ結合構造を有する半導体発光素子であって、
クラッド層から活性層に向けて、クラッド層の組成比を変化させて、活性層とクラッド層との界面における活性層への電流注入効率を妨げる障壁を低減させた
「〔作　用〕
　上記の様な構成を有するこの発明では、以下の様に作用すると考えられる。
　第３図に示すＧａＡｓ系の半導体発光素子のエネルギー準位の第２図を参照しながら、この発明の発光素子の機能・作用を説明する。
　Ａｌ成分の含有率が一定であるｎ型の
Ａｌｘ１Ｇａ（１−ｘ１）Ａｓクラッド・バルク層２ａは、伝導帯レベルＡを示し、
活性層と接合するｎ型クラッド層の境界のｎ型のＡｌ
ｘ２
Ｇａ
（１−ｘ２）
Ａｓクラッド・中間層２ｂは、Ａｌ含有率ｘ２がバルク層のｘ１から活性層のＡｌ
ｙ
Ｇａ
（１−ｙ）
Ａｓ（ｙ＝０）まで変化してＡｌ成分が連続的にまたは段階的に減少するために、クラッド・中間層の伝導帯レベルＢは、クラッド・バルク層の伝導帯レベルＡおよび活性層の伝導帯レベルＣと凹凸なく連続的に繋がり、従来の２重ヘテロ結合半導体レーザの接合部分に見られたエネルギー差（バリアー）が生じない。したがって、クラッド・バルク層から活性層に向かって注入される電子は、接合部で抵抗を受けることなく活性層に到達することができる
　
（３）補正発明と引用発明との対比 
（３−１）引用発明の「サファイア基板１０」、「ＡｌＮ第１バッファ層１１」と「ＩｎＮ第２バッファ層１２」と「ＧａＮキャップ層１３」と「Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｎから成る欠陥低減層１４′」と「Ａｌ0.2 Ｇａ0.25Ｉｎ0.55Ｎから成るクラッド層１５′」と「Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｎから成る活性層１６′」と「Ａｌ0.2 Ｇａ0.25Ｉｎ0.55Ｎから成る」「クラッド層１７′」とからなる構造、「緑色の発光を行うために備えられた」、「Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｎ」、「活性層１６′」、「欠陥低減層１４′」、「Ａｌ0.2 Ｇａ0.25Ｉｎ0.55Ｎ」、「クラッド層１５′、１７′」及び「緑色発光ダイオード」は、それぞれ、補正発明の「基板」、「窒化物ヘテロ構造」、「放射線の形成のために備えられた」、「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質」、「活性層」、「緩衝層」、「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質」、「別の層」及び「デバイス」に相当する。また、引用発明の「緑色発光ダイオード」は、明らかに補正発明のような「窒素含有半導体物質」が用いられた「デバイス」である。そうすると、引用発明は、「基板及び窒化物ヘテロ構造を有するデバイスにおいて、ａ）放射線の形成又はキャリアの制御のために備えられたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質から成る活性層を有し、」「ｃ）この基板と活性層との間にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質から成る緩衝層を含んでおり、」「ｇ）窒化物ヘテロ構造が緩衝層及び活性層の他に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質から成り、前記活性層に接する少なくとも別の層を含んで」いる「ことを特徴とする窒素含有半導体物質のデバイス」である点において、補正発明と共通している。
　また、引用発明の「Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｎ」から成る「活性層１６′」は、その層中の周期系のＩＩＩ族の成分が５０％のインジウム原子分量を含みまた周期系のＶ族の成分が窒素を含んでいることも明らかであり、この点、補正発明の「ｂ）この活性層中の周期系のＩＩＩ族の成分が少なくとも２０％のインジウム原子分量を含みまた周期系のＶ族の成分が窒素を含んでおり、」との構成と共通している。
　また、引用発明の「Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｎ」から成る「欠陥低減層１４′」は、層中の周期系のＩＩＩ族の成分がインジウムを含み、また周期系のＶ族の成分が窒素を含んでいることも明らかであり、この点、補正発明の「ｄ）この緩衝層中の周期系のＩＩＩ族の成分がインジウムを含み、また周期系のＶ族の成分が窒素を含んでおり、」との構成と共通している。
　また、引用発明では、「Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｎから成る活性層１６′はサファイア基板１０に面する側でＡｌ0.2 Ｇａ0.25Ｉｎ0.55Ｎから成るクラッド層１５′と接して」おり、 これら「活性層１６′」と「クラッド層１５′」とは、半導体の組成が異なり、また、その界面にエネルギーギャップが生じていることも明らかであり、この点、補正発明の「ｅ）活性層の半導体物質の組成が基板に面する側ではこの活性層に接している半導体の組成が異なるため、これらの半導体物質の界面にエネルギーギャップが生じ、」との構成と共通している。
　また、引用発明の「Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｎから成る活性層１６′」は、「欠陥低減層１４′と組成が同じ」であり、エピタキシャル成長時には、「欠陥低減層１４′」の格子定数に相応する格子定数を当然に示すものと認められる点において、補正発明の「ｆ）活性層が、エピタキシャル成長時に、緩衝層の格子定数に相応する格子定数を示し、」との構成と共通している。
　さらに、引用発明の「Ａｌ0.2 Ｇａ0.25Ｉｎ0.55Ｎ」から成る「クラッド層１５′，１７′」は、層中の周期系のＩＩＩ族の成分がインジウムを含み、周期系のＶ族の成分が窒素を含んでいることも明らかであり、この点、補正発明の「ｇ）」における「周期系のＩＩＩ族から成る成分がインジウムを含み、周期系のＶ族から成る成分が窒素を含み」との「別の層」に係る構成と共通している。
　 
（３−２）そうすると、補正発明と引用発明とは、 
「基板及び窒化物ヘテロ構造を有するデバイスにおいて、
ａ）放射線の形成又はキャリアの制御のために備えられたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質から成る活性層を有し、
ｂ）この活性層中の周期系のＩＩＩ族の成分が少なくとも２０％のインジウム原子分量を含みまた周期系のＶ族の成分が窒素を含んでおり、
ｃ）この基板と活性層との間にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質から成る緩衝層を含んでおり、
ｄ）この緩衝層中の周期系のＩＩＩ族の成分がインジウムを含み、また周期系のＶ族の成分が窒素を含んでおり、
ｅ）活性層の半導体物質の組成が基板に面する側ではこの活性層に接している半導体の組成が異なるため、これらの半導体物質の界面にエネルギーギャップが生じ、
ｆ）活性層が、エピタキシャル成長時に、緩衝層の格子定数に相応する格子定数を示し、更に
ｇ）窒化物ヘテロ構造が緩衝層及び活性層の他に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質から成り、前記活性層に接する少なくとも別の層を含んでおり、周期系のＩＩＩ族から成る成分がインジウムを含む
ことを特徴とする窒素含有半導体物質のデバイス。」である点で一致し、以下の点で相違する。 
　
（相違点）
　補正発明は、「該別の層内におけるＩＩＩ族の成分の組成が連続的に変化し、この際ＩＩＩ族のインジウムが前記別の層内において連続的に変化する」ものであるのに対し、引用発明は、そのような構成を有していない点。
　
（３−３）相違点についての当合議体の判断
　一般に、引用発明の「緑色発光ダイオード」のようなＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質から成る活性層の両隣にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質から成るクラッド層を設けた構造の半導体発光素子に関し、クラッド層のＩＩＩ族の成分の組成が連続的に変化するようにすることにより、キャリヤと光の閉じ込めを別個に制御することができるＧＲＩＮ−ＳＣＨ（ｇｒａｄｅｄ　ｉｎｄｅｘ　ｗａｖｅｇｕｉｄｅ　ｓｅｐａｒａｔｅ　ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ　ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）構造を実現する、または、クラッド層と活性層との界面における活性層への電流注入効率を妨げる障壁を低減させることは、いずれも当業者における周知技術である。
　例えば、上記周知例１には、
「そこで、第２図に見られるエネルギ・バンド・ダイアグラムで示される特性を有する半導体発光装置、即ち、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ（ｇｒａｄｅｄ　ｉｎｄｅｘ　ｗａｖｅｇｕｉｄｅ　ｓｅｐａｒａｔｅ　ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ　ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）レーザが開発された。
　図から判るように、ＧＲＩＮ−ＳＣＨレーザはｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層とｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層の組成を連続的に変化させることに依り屈折率勾配を生ずるようにし、キャリヤと光の閉じ込めを別個に制御することができるようにして、より一層の低閾値化を達成しようとするものである。」
と記載されており、そこには直接、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層及びｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層それぞれのＩＩＩ族の成分の組成が連続的に変化することまで示唆はされていないものの、「本発明は、前記ＧＲＩＮ−ＳＣＨレーザに若干の改変を施すのみで、温度特性を大きく改善した半導体発光装置を得ようとするものである」との記載を受けて、「発明の実施例」として第３図に関して説明される「前記ｎ型ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓグレーデッド・クラッド層４の組成変化は放物線型であることが好ましいが、直線型であっても実用上は支障ない。」等の記載に照らせば、第２図のｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層とｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層においても、ＩＩＩ族の成分の組成が連続的に変化しているものと解される。（ＧＲＩＮ−ＳＣＨ構造を実現している１つ目の周知例）
　また、上記周知例２には、「さらに、クラッド層３０３及び３０５のＧａ1-XＡｌxＮ層又はＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ層の組成比であるｘ又は／及びｙは積層方向に沿って変化していてもよく、ＳＣＨ構造やＧＤＩＮ−ＳＣＨ構造も可能である。」と記載されているところ、ここに記載の「ＧＤＩＮ−ＳＣＨ構造」は、明らかに「ＧＲＩＮ−ＳＣＨ構造」の誤記であり、また、かかる構造が、上記周知例１にも記載されているように、クラッド層の組成を連続的に変化させたものと当該技術分野一般に解されていたと認められることからしても、Ｇａ1-XＡｌxＮ層又はＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ層からなるクラッド層において、ＩＩＩ族の成分の組成が積層方向に沿って連続的に変化することが示されている。（ＧＲＩＮ−ＳＣＨ構造を実現している２つ目の周知例）
　そして、上記周知例３には、「クラッド層から活性層に向けて、クラッド層の組成比を変化させて、活性層とクラッド層との界面における活性層への電流注入効率を妨げる障壁を低減させた」との特許請求の範囲の記載に関し、発明の詳細な説明には「活性層と接合するｎ型クラッド層の境界のｎ型のＡｌｘ２Ｇａ（１−ｘ２）Ａｓクラッド・中間層２ｂは、Ａｌ含有率ｘ２がバルク層のｘ１から活性層のＡｌｙＧａ（１−ｙ）Ａｓ（ｙ＝０）まで変化してＡｌ成分が連続的にまたは段階的に減少するために、クラッド・中間層の伝導帯レベルＢは、クラッド・バルク層の伝導帯レベルＡおよび活性層の伝導帯レベルＣと凹凸なく連続的に繋がり、従来の２重ヘテロ結合半導体レーザの接合部分に見られたエネルギー差（バリアー）が生じない。したがって、クラッド・バルク層から活性層に向かって注入される電子は、接合部で抵抗を受けることなく活性層に到達することができる。」と説明されており、ｎ型のＡｌｘ２Ｇａ（１−ｘ２）Ａｓクラッド・中間層２ｂにおいて、ＩＩＩ族の成分の組成が連続的に変化することが示されている。（クラッド層と活性層との界面における活性層への電流注入効率を妨げる障壁を低減させている周知例）
　
　したがって、上記周知技術を勘案すれば、引用発明における「クラッド層１５′，１７′」（補正発明における「別の層」に相当）の少なくともいずれかについて、その組成を「Ａｌ0.2 Ｇａ0.25Ｉｎ0.55Ｎから成る」一定のものとすることに変えて、ＡｌＧａＩｎＮにおけるＩＩＩ族の成分の組成を連続的に変化させたものとすることは、当業者が容易に想到しえたことであり、その際、そこに開示されたＩＩＩ族の成分の一つである「Ｉｎ」（補正発明における「インジウム」に相当）を連続的に変化させるよう具体化することは、単なる設計的事項にすぎない。
　
（３−４）相違点についての判断のまとめ
　以上検討したとおりであるから、補正発明は、当業者における周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（４）独立特許要件についてのまとめ 
　本件補正は、補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。 
　 
５．補正の却下の決定のむすび 
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
　 
第３．本願発明について 
　平成２０年２月１９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１１に係る発明は、平成１９年１０月１１日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１１に記載されている事項により特定されるとおりのものである。 
　そして、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される、上記第２．１．の「補正前」の箇所に記載したとおりのものである。　
　 
　一方、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由に引用された引用例（特開平０７−２４９７９５号公報）には、上記第２．４．（２）で認定したとおりの事項、及び発明（引用発明）が記載されているものと認められる。 
　そして、本願発明に対して技術的限定を付加した発明である補正発明は、上記第２．４．において検討したとおり、当業者における周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、当業者における周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであることは明らかである。 
　したがって、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　 
第４．むすび 
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。 
　よって、上記結論のとおり審決する。