【事件の表示】
　特願２００５−５００９３２「光ディスクの厚さ測定方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１２月２９日国際公開、ＷＯ２００４／１１３８２９、平成１９年　７月１２日国内公表、特表２００７−５１８９６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１５年６月２４日（パリ条約による優先権主張日　平成１５年６月２０日，韓国）を国際出願日とする出願であって，平成２０年９月１６日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年１２月２４日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに，平成２１年１月２３日付けで手続補正がなされたものである。そして，平成２２年６月２５日付けにて当審より拒絶理由を通知したところ，応答期間内の同年１０月５日に意見書および手続補正書が提出されたものである。
　
　
第２　本願発明
　本願の請求項１〜７に係る発明は，平成２２年１０月５日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜７に記載されたとおりのものと認められ，その請求項１は，次のとおりである。
　
「【請求項１】　
　複数のレイヤー光ディスクの干渉効果を用いて，スペーサーレイヤーおよびカバーレイヤーを有する複数層の光ディスクの厚さを測定する方法であって，
　複数の波長による反射光の強度を第１のスペクトルデータとして検出するステップと，　前記第１のスペクトルデータを，波長および前記スペーサーレイヤーおよび前記カバーレイヤーのうちの一つの屈折率の関数として可変の反射光の強度を表す第２のスペクトル値に変換処理するステップと，
　前記第２のスペクトル値を高速フーリエ変換によって変換するステップと，
　前記変換されたスペクトル値に基づいて，前記スペーサーレイヤーおよび前記カバーレイヤーの厚さを検出するステップと
　を含み，
　前記スペーサーレイヤーの第１の厚さは，前記高速フーリエ変換によって変換されたスペクトル値に基づいて反射光の強度の第１ピーク値を用いることによって得られる一方，前記カバーレイヤーの第２の厚さは，前記高速フーリエ変換によって変換されたスペクトル値に基づいて反射光の強度の第２ピーク値を用いることによって得られ，前記第１ピーク値は前記第２ピーク値より高いことを特徴とする光ディスクの厚さ測定方法。」（以下，「本願発明」という。）
　
　
第３　引用例およびその記載事項
　本願優先日前に頒布され，当審における拒絶理由において引用した刊行物である特開昭６２−７１８０４号公報（以下，「引用例１」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている。なお，以下において，下線は当審にて付与したものである。
（１−ア）
「２．特許請求の範囲
（１）
測定すべき透明膜を複数の波長を含む光で照明する照明系と，該透明膜の表裏両面からの反射干渉光を分光する分散素子と，該分散素子によって分光された光を検出する検出素子とを含み，該検出素子の出力する検出信号の周期から前記透明膜の膜厚を測定可能に構成したことを特徴とする膜厚測定装置
　
（１−イ）
「３．発明の詳細な説明
〔発明の技術分野〕
　本発明は，透明膜の膜厚測定装置に関し特に半導体製造においてフォトレジスト等の比較的厚い膜厚の測定に好適な膜厚測定装置に関する。」（１頁右下欄１１〜１５行）
　
（１−ウ）
「第１図は本発明の一実施例を示す光学系概略図で，ウェハＷ上に塗布された透明なフォトレジスト２は照明系１によりコリメートされた白色光Ｌによってビームスプリッタ３を介して照射される。フォトレジスト２およびウェハＷのそれぞれの表面で反射された光は，ビームスプリッタ３を透過し，一対のレンズ４，６および絞り５から成る空間フィルター系を通り，分光プリズム７で分光され，レンズ８によって例えば一次元ＣＣＤの如き光電検出素子９上に集光される。その際，
フォトレジスト２とウェハＷの表面からの反射光が干渉して光電検出素子９上で明暗の縞を作る
　この縞は，フォトレジスト２の厚さをｄ，屈折率をｎ，光の波長をλとすると，
２ｎｄ＝ｍλ（ｍ＝１．２．３・・・）を満たす波長で明るくなり，２ｎｄ＝（ｍ＋１／２）λを満たす波長で暗くなる。従って，
光電検出素子（一次元ＣＣＤ）９からは，第２図に示す如き信号が得られる。この信号は波長λに関して非周期的であるが，１／λに座標変換すれば，第３図に示すように周期的な信号が得られる。この第３図の信号から周期を求めるためには，第３図の信号をフーリエ変換すればよい
その検出信号の周期から膜厚ｄを(1)式によって求めることができる
　
（１−エ）
「・・・
ＦＦＴ（高速フーリエ変換）
　
（１−オ）
「第７図はウェハＷ上に透明膜１０が形成されている場合，
第８図は，第７図の透明膜１０の上にさらにフォトレジスト２が塗布されている場合の反射光の様子を示す断面説明図である
第１０図は第７図（当審注：「第８図」の誤記。）に示す反射光に基づくフーリエ変換（ＦＦＴ）の結果を示す線図である
第８図のようにウェハＷ，透明膜１０およびフォトレジスト３（当審注：「フォトレジスト２」の誤記。）の表面からそれぞれ反射する３つの反射光束ａ，ｂ，ｃによる３光束干渉の場合には，第１０図に示すように３個所にピークが出る。このうち１個所は，ウェハＷとウェハ上の透明膜１０の表面からの反射光ａ−ｂによるもので，第９図と同じ位置に現われる。他の２個所のピークのうち，周波数の高いものは，ウェハＷとフォトレジスト２の表面からの反射光ａ−ｃによるものであり，残りの１個のピークがウェハＷ上の透明膜１０（すなわちフォトレジストの裏面）とフォトレジスト２の表面からの反射光ｂ−ｃによるものである
　
従って，フォトレジスト２の膜厚を求めるには
次に，フォトレジスト２を塗布して，同様にしてデータを取り，フーリエ変換をして，第１０図に示すようなピークを求め，記憶したデータから，それぞれのピークを決定して厚さを求めればよい
　
（１−カ）
「〔発明の効果〕
　以上の如く本発明によれば，被測定膜からの反射光を分光して，検出素子でその光を検出し，その検出信号の周期から膜厚を測定するようにしたから，面倒な操作無しに非接触で且つ
非常に高い精度で膜の厚さを測ることができる
　
（１−キ）
　第２図には，検出素子からの出力信号の強度を，波長λに対してプロットしたグラフが描かれている。
　
（１−ク）
　第３図には，第２図のグラフについて，横軸を波長λから１／λに座標変換したグラフが描かれている。
　
（１−ケ）
　第１０図には，ウェハ上の透明膜１０の表面からの反射光ａ−ｂによるピーク，ウェハＷとフォトレジスト２の表面からの反射光ａ−ｃによるピーク，および，ウェハＷ上の透明膜１０（すなわちフォトレジストの裏面）とフォトレジスト２の表面からの反射光ｂ−ｃによるピークが出る様子が描かれている。
　
　上記摘記事項からみて，引用例１には，以下の発明が記載されていると認められる。　
「ウェハＷ上に透明膜１０が形成され，該透明膜１０の上にさらにフォトレジスト２が塗布されている場合に，フォトレジスト２の膜厚を測定する方法であって，
　ウェハＷ，透明膜１０およびフォトレジスト２を複数の波長を含む光で照明する照明し，ウェハＷ，透明膜１０およびフォトレジスト２の表面からそれぞれ反射する３つの反射光束ａ，ｂ，ｃによる３光束干渉光を分光し，分光された光を光電検出素子９により検出するステップと，
　該光電検出素子９の出力する検出信号を１／λに座標変換して周期的な信号を得るステップと，
　該周期的な信号を高速フーリエ変換することにより該周期的な信号の周期を求めるステップと，
　該周期的な信号の周期から前記フォトレジスト２の膜厚を測定するステップと
　を含むフォトレジスト２の膜厚を測定する方法。」（以下，「引用発明」という。）
　
　同様に，本願優先日前に頒布され，当審における拒絶理由において引用した刊行物である米国特許第６１７２７５６号明細書（以下，「引用例２」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている。
（２−ア）
「I. BACKGROUND OF THE INVENTION
　This invention relates generally to the field of film thickness measurement and film etching and deposition end point detection, and more specifically, to the field of film measurement and end point detection in a noisy environment, such as CMP processing of semiconductor wafers.」（１欄４〜９行），
当審仮訳
「Ｉ．発明の背景
　この発明は，一般的に，薄膜厚の測定，および，薄膜のエッチングおよび堆積の末端部の検出の分野に関連するものであり，より具体的には，半導体ウェハの化学機械平坦化（CMP）プロセスのようなノイズを伴う環境下における，薄膜測定および末端部検出の分野に関するものである。」　
　
（２−イ）
「Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method and apparatus for achieving rapid and accurate thin film measurement and end point detection in a noisy environment.」（２欄５２〜５５行），
当審仮訳
「したがって，本発明の目的は，ノイズを伴う環境下において，
薄膜測定
を高速かつ正確に実施するための方法
を提供することにある
　
（２−ウ）
「This embodiment also comprises a light source 11 coupled to an optical fiber or fiber bundle 12 for delivering light from the light source to the CMP station 1. Preferably, the light source is a white light source. Advantageously, the light source is a tungsten-halogen lamp or the like in which the output is regulated so that it is substantially invariant over time.
　Also included are fiber/fiber bundle 16, spectrometer 15, and computer 15. Light from the CMP station 1 is passed to spectrometer 15 by means of fiber/fiber bundle 16, and data produced by the spectrometer responsive to the light received over fiber/fiber bundle 16 is provided to computer 17 over one of more signal lines 18.」（４欄３８〜５０行），
当審仮訳
「この具体例は，また，光源11，および，光源からの光をCMPステーション1へと導く光ファイバ又は光ファイバ束12とを有する。光源は，好ましくは，白色光源である。好都合には，光源は，タングステン−ハロゲンランプや同様のものであって，その出力は時間に対して実質的に不変なように調整される。
　さらに，ファイバ／ファイバ束16，スペクトロメータ15，および，コンピュータ15（当審注：「コンピュータ17」の誤記。）を含む。CMPステーション1からの光は，ファイバ／ファイバ束16を介してスペクトロメータ15を通過し，ファイバ／ファイバ束16からの光に対するスペクトロメータ15の応答データは，１又はそれ以上の信号線18を介してコンピュータ17に送られる。」
　
（２−エ）
「Spectrometer 15 is configured to dissect light 16 into its constituent wavelengths, which are hereinafter referred to with the symbol λ.」（５欄３２〜３４行），
当審仮訳
「スペクトロメータ15は，光16をその構成成分である波長，−以下において「λ」で表現する−，に分解する。」
　
（２−オ）
「Thus, it can be seen that spectrometer 15 provides a plurality of digitized electrical signals or data, each representative of the intensity of the light received from fiber/fiber bundle 16 at a particular wavelength.
　When the intensity data obtained from the signals 18 are plotted as a function of
　　z=n/λ
in which n is the refractive index of the material making up the film, and λ is the wavelength of the light, curves such as those illustrated in FIGS. 5(a) and 5(b) result. Each of these curves generally follows an equation of the following form:
　　R=A+Bcos(2π/λ・nd)
In this equation, A and B are constants, n is the refractive index of the material making up film 4a, λ is the wavelength of the light, and d is the thickness of the film. Generally speaking, the value of n varies with λ.」（６欄２１〜４６行），
当審仮訳
「このように，スペクトロメータ15は，複数のデジタル化された電気信号又はデータを提供し，その各々は，ファイバ／ファイバ束16からの光の特定波長における強度を表している。
　
信号18から得られた強度データは，z=n/λの関数としてプロットされ，−ここで，nは薄膜を構成する材料の屈折率，λは光の波長を表す−，Fig.5(a)，5(b)で描かれた曲線が得られる。これらの曲線の各々は，一般的に，R=A+Bcos(2π/λ・nd)の形式の方程式に従う。ここで，AとBは定数，nは薄膜を構成する材料の屈折率，λは光の波長，dは薄膜の厚さである。一般的に，nの値はλによって変化する
　
（２−カ）
「These curves exhibit a periodicity with the value
　　z=n/λ
which is representative of the thickness d of the film 4a. In fact, the length of the period which is exhibited will be inversely proportional to the thickness of film 4a. Thus, in FIG. 5(a), the period of the curve which is exhibited, indicated by T1 in the figure, is representative of a thickness d1, and in FIG. 5(b), the period of the curve which is exhibited, indicated by T2 in the figure, is representative of a film having a thickness d2 which is greater than d1.」（７欄７〜１９行），
当審仮訳
「
これらの曲線は，z=n/λの値に対して周期性を示し，その周期は，薄膜4aの厚さdを代理的に表すものである
　
（２−キ）
「Graphically, the procedure is illustrated in FIGS. 6(a) and 6(b), which illustrate exemplary PSDs. In FIG. 6(a), the estimated film thickness would be a value derived from d1, since that is the value of the dependent variable which corresponds to the peak of the waveform there illustrated. Similarly, in FIG. 6(b), the estimated film thickness would be a value derived from d2, since that is the value of the dependent variable which corresponds to the peak of the waveform there illustrated.
　A mathematical description of the procedure will now be provided. Letting z refer to the variable
　　n/λ,
R to the intensity data provided by spectrometer 15, and R(z) to the intensity data ordered as a function of z, the Fourier transform of R(z), FT(d), is obtained in which the dependent variable is d, potential film thickness.」（８欄１５〜３３行），
当審仮訳
「グラフでは，その手順がFig.6(a)および(b)図において示され，それは，典型的なパワースペクトル密度を示している。
Fig.6(a)図では，測定膜厚は，d1から導かれる値であり，この値は，ここで示されている波形のピークに対応して従属して変化する値である。同様に，Fig.6(b)図では，測定膜厚は，d2から導かれる値であり，この値は，ここで示されている波形のピークに対応して従属して変化する値である
　ここで，以下において，手順の数学的描写が提供される。
zを変数n/λと定義し，スペクトロメータ15によって得られる強度データをR，R(z)をzの関数で表した強度データとすると，R(z)のフーリエ変換であるFT(d)を得ることができる。ここで，従属変数dは，薄膜の厚さである
　
（２−ク）
「A method of estimating film thickness in accordance with the foregoing embodiment will now be described. With reference to FIG. 8, in step 35, light reflected from the film being measured is received, and in step 36, the intensity of each or substantially each of the constituent wavelengths of the light is obtained.
　In step 37, this intensity data, R, is arranged as a function of
　　z=n/λ,
Then, in step 38, the Fourier Transform, FT, of this intensity data is determined as a function of d, potential film thickness. Mathematically, this step can be described by equation (2), set forth above.
・・・
　It should be appreciated that step 37 in the foregoing embodiment can be eliminated or modified such that the Fourier Transform is performed on the incoming intensity spectra as a function of a variable other than z, such as, for example, λ or
　　1/λ,
In the case in which n is relatively constant over the wavelength region of interest, for example, the data can be left ordered as a function of λ, or it can be ordered as a function of
　　1/λ,」（９欄１〜４９行），
当審仮訳
「
ここで，以下において，前述の具体例による薄膜の厚さの測定方法が示される。Fig.8を参照すると，ステップ35において，測定対象の薄膜からの反射光が受光され，ステップ36において，光の構成成分である各々の波長の強度が得られる
　
ステップ37では，強度データRがz=n/λの関数として整理される。そして，ステップ38では，この強度データから，薄膜の厚さdの関数としてのフーリエ変換FTが求められる
・・・
　
ここで，前述の具体例におけるステップ37を
修正したりすることも可能である。ここで，修正の例としては，z以外の変数，例えば，λ又は1/λの関数として強度スペクトルを表し，その強度スペクトルに対してフーリエ変換を行うこと等がある。例えば，nが，関心領域における波長に対して概ね一定である場合には，データはλ又は1/λの関数として整理することが可能である
　
　
第４　対比・判断
　
１　対比
　本願発明と，引用発明とを対比する。 
　
ア　本願発明における「光ディスクの厚さを測定する」は，「レイヤーの厚さを検出する」こと，すなわち，測定対象物である光ディスクを構成するレイヤーの厚さを測定することを意味するものであって，基板を含む光ディスク全体の厚さを測定することを意味するものでないことが明らかである。また，本願発明では，「レイヤー」との記載，および，「層」との記載が用いられているが，両者が同義であることは明らかである。
　引用発明の「透明膜１０」および「フォトレジスト２」が「層」であることは技術常識である。そして，引用発明の「フォトレジスト２」は「透明膜１０」よりも上にあり，本願発明の「カバーレイヤー」は「スペーサーレイヤー」よりも上にあるから，引用発明の「フォトレジスト２」および「透明膜１０」と，本願発明の「カバーレイヤー」および「スペーサーレイヤー」とは，「上層」および「下層」である点において共通する。
　また，引用発明において「ウェハＷ上に透明膜１０が形成され，該透明膜１０の上にさらにフォトレジスト２が塗布されている」ものと，本願発明の「スペーサーレイヤーおよびカバーレイヤーを有する複数層の光ディスク」とは，「複数層の測定対象物」である点において共通する。
　さらに，引用例１に関する上記摘記事項（１−ウ）における「・・・フォトレジスト２とウェハＷの表面からの反射光が干渉して光電検出素子９上で明暗の縞を作る。・・・」の記載，および，上記摘記事項（１−オ）における「・・・第８図は，第７図の透明膜１０の上にさらにフォトレジスト２が塗布されている場合の反射光の様子を示す断面説明図である。・・・第８図のようにウェハＷ，透明膜１０およびフォトレジスト３（当審注：『フォトレジスト２』の誤記。）の表面からそれぞれ反射する３つの反射光束ａ，ｂ，ｃによる３光束干渉の場合には，第１０図に示すように３個所にピークが出る。このうち１個所は，ウェハＷとウェハ上の透明膜１０の表面からの反射光ａ−ｂによるもので，第９図と同じ位置に現われる。他の２個所のピークのうち，周波数の高いものは，ウェハＷとフォトレジスト２の表面からの反射光ａ−ｃによるものであり，残りの１個のピークがウェハＷ上の透明膜１０（すなわちフォトレジストの裏面）とフォトレジスト２の表面からの反射光ｂ−ｃによるものである。」の記載からみて，引用発明では，複数層の測定対象物の干渉効果を用いていることが明らかである。
　そうすると，引用発明の「ウェハＷ上に透明膜１０が形成され，該透明膜１０の上にさらにフォトレジスト２が塗布されている場合に，フォトレジスト２の膜厚を測定する方法」と，本願発明の「複数のレイヤー光ディスクの干渉効果を用いて，スペーサーレイヤーおよびカバーレイヤーを有する複数層の光ディスクの厚さを測定する方法」とは，「複数層の測定対象物の干渉効果を用いて，下層および上層を有する複数層の測定対象物の厚さを測定する方法」である点において共通する。
　
イ　引用発明では，「ウェハＷ，透明膜１０およびフォトレジスト２を複数の波長を含む光で照明する照明し」ているから，「ウェハＷ，透明膜１０およびフォトレジスト２の表面からそれぞれ反射する３つの反射光束ａ，ｂ，ｃ」は，「複数の波長による反射光」であるといえる。また，上記摘記事項（１−キ）の記載からみて，引用発明における「光電検出素子９の出力する検出信号」は，反射光の強度が波長λに対してプロットされたものであるから，スペクトルデータであるといえる。
　そうすると，引用発明の「ウェハＷ，透明膜１０およびフォトレジスト２を複数の波長を含む光で照明する照明し，ウェハＷ，透明膜１０およびフォトレジスト２の表面からそれぞれ反射する３つの反射光束ａ，ｂ，ｃによる３光束干渉光を分光し，分光された光を光電検出素子９により検出するステップ」は，本願発明の「複数の波長による反射光の強度を第１のスペクトルデータとして検出するステップ」に相当する。
　
ウ　上記摘記事項（１−ク）の記載からみて，引用発明の「該光電検出素子９の出力する検出信号を１／λに座標変換して」得られた「周期的な信号」は，反射光の強度が波長１／λに対してプロットされたものであるから，本願発明の「第２のスペクトル値」に相当する。そして，反射光の強度が波長１／λに対して可変であることは明らかである。
　そうすると，引用発明の「該光電検出素子９の出力する検出信号を１／λに座標変換して周期的な信号を得るステップ」と，本願発明の「前記第１のスペクトルデータを，波長および前記スペーサーレイヤーおよび前記カバーレイヤーのうちの一つの屈折率の関数として可変の反射光の強度を表す第２のスペクトル値に変換処理するステップ」とは，「前記第１のスペクトルデータを，可変の反射光の強度を表す第２のスペクトル値に変換処理するステップ」である点において共通する。
　
エ　引用発明の「該周期的な信号を高速フーリエ変換する」ことは，本願発明の「前記第２のスペクトル値を高速フーリエ変換によって変換するステップ」に相当する。
　
オ　引用発明では，高速フーリエ変換された周期的信号，すなわち，「変換されたスペクトル値」に基づいて，周期的な信号の周期を求め，周期的な信号の周期からフォトレジスト２の厚さを検出している。そして，上記「ア」で検討のとおり，フォトレジスト２は，層である。
　そうすると，引用発明の「該周期的な信号の周期から前記フォトレジスト２の膜厚を測定するステップ」と，本願発明の「前記変換されたスペクトル値に基づいて，前記スペーサーレイヤーおよび前記カバーレイヤーの厚さを検出するステップ」とは，「前記変換されたスペクトル値に基づいて，層の厚さを検出するステップ」である点において共通する。
　
　そうすると，両者は，
　
（一致点）
「複数層の測定対象物の干渉効果を用いて，下層および上層を有する複数層の測定対象物の厚さを測定する方法であって，
　複数の波長による反射光の強度を第１のスペクトルデータとして検出するステップと，
　前記第１のスペクトルデータを，可変の反射光の強度を表す第２のスペクトル値に変換処理するステップと，
　前記第２のスペクトル値を高速フーリエ変換によって変換するステップと，
　前記変換されたスペクトル値に基づいて，層の厚さを検出するステップと
を含む測定対象物の厚さ測定方法。」
の点で一致し，以下の点で相違する。 
　
（相違点１）
　本願発明では，下層および上層を有する複数層の測定対象物が「スペーサーレイヤーおよびカバーレイヤーを有する複数層の光ディスク」であり，層の厚さを検出することが「前記スペーサーレイヤーおよび前記カバーレイヤーの厚さを検出する」ことであり，「前記スペーサーレイヤーの第１の厚さは，前記高速フーリエ変換によって変換されたスペクトル値に基づいて反射光の強度の第１ピーク値を用いることによって得られる一方，前記カバーレイヤーの第２の厚さは，前記高速フーリエ変換によって変換されたスペクトル値に基づいて反射光の強度の第２ピーク値を用いることによって得られ，前記第１ピーク値は前記第２ピーク値より高い」のに対し，引用発明では，そのような構成でない点。
　
（相違点２）
　第２のスペクトル値に変換処理することが，本願発明では，「波長および前記スペーサーレイヤーおよび前記カバーレイヤーのうちの一つの屈折率の関数として可変の反射光の強度を表す第２のスペクトル値に変換処理する」ことであるのに対し，引用発明では，「１／λに座標変換する」ことである点。
　
２　相違点１について
　干渉効果を用いて，複数層の光ディスクを構成する各層の膜厚を測定することは，例えば，特開平１０−９８２９号公報の【特許請求の範囲】【請求項１】〜【請求項４】，および，特開２０００−２４９５２０号公報の【特許請求の範囲】【請求項１】および段落【０００１】に記載されているように，本願優先日前に周知である。
　そして，引用発明も，上記周知の技術的事項も，薄膜の膜厚測定という同一の技術分野に属するものである。また，引用発明では，測定対象物が「ウェハＷ上に透明膜１０が形成され，該透明膜１０の上にさらにフォトレジスト２が塗布されている」ものであるが，膜厚測定方法を，種々の異なる測定対象物に対して使用できることは，例えば，特開２０００−９４３７号公報の段落【０００２】にも記載されているように，技術常識である。さらに，引用発明は，フォトレジスト２の膜厚を測定するものであるが，引用例１に関する上記摘記事項（１−オ）における「・・・第１０図に示すように３個所にピークが出る。このうち１個所は，ウェハＷとウェハ上の透明膜１０の表面からの反射光ａ−ｂによるもので，第９図と同じ位置に現われる。他の２個所のピークのうち，周波数の高いものは，ウェハＷとフォトレジスト２の表面からの反射光ａ−ｃによるものであり，残りの１個のピークがウェハＷ上の透明膜１０（すなわちフォトレジストの裏面）とフォトレジスト２の表面からの反射光ｂ−ｃによるものである。・・・」の記載からみて，フォトレジスト２の膜厚に加えて透明膜１０の膜厚を測定すること，すなわち，測定対象物を構成する各層の厚さを検出することも可能であることが自明である。してみると，引用発明の「膜厚を測定する方法」において，測定対象物として，「ウェハＷ上に透明膜１０が形成され，該透明膜１０の上にさらにフォトレジスト２が塗布されている」ものに代えて，上記周知の「複数層からなる光ディスク」を選択するとともに，光ディスクを構成する各層の厚さを検出するようにすることは，当業者であれば，何ら困難性はなく，容易に想到し得る事項であるといえる。
　また，複数層からなる光ディスクにおいて，「スペーサーレイヤー」および「カバーレイヤー」を有するものは，特開２００２−３６７２３５号公報の段落【０００８】に記載されているように，本願優先日前に周知であるから，上記のとおり測定対象物として「複数層からなる光ディスク」を選択するに際して，「スペーサーレイヤーおよびカバーレイヤーを有する複数層の光ディスク」を選択するとともに，「前記スペーサーレイヤーおよび前記カバーレイヤーの厚さを検出する」ようにすることは，当業者が適宜なし得る事項である。
　さらに，引用例１に関する上記摘記事項（１−オ）および（１−ケ）の記載，特開２０００−９４３７号公報の段落【００４９】における「・・・よってそれぞれの角周波数ωi(i=1,2および3)と膜厚ｄiとの関係は数４で表される。このように，分光反射率分布波形に対して周波数解析を行い波形の持つ周波数成分を求めることにより各部の膜厚を算出することができる（数５）。」，【図３】および【図６】の記載，および，特開平７−５５４３５号公報の段落【００５１】における「・・・このスペクトル波形の横軸は実効光路長（＝屈折率×膜厚）を示し，縦軸はスペクトル成分の強度を示している。ここで，同図からわかるように，パワースペクトルには複数のピークが現れており，各層の屈折率と膜厚の関係から，シリコン酸化膜３，１に関連するピークＰ3 ，Ｐ1 が実効光路長の短い領域（同図の左手側）に現れ，その領域よりも実効光路長が長い領域にシリコン膜２に関連するピークＰ2 が現れる。・・・」および【図７】の記載からみて，引用発明において，上記のとおり，「前記スペーサーレイヤーおよび前記カバーレイヤーの厚さを検出する」ようにした場合には，「前記スペーサーレイヤーの第１の厚さは，前記高速フーリエ変換によって変換されたスペクトル値に基づいて反射光の強度の第１ピーク値を用いることによって得られる一方，前記カバーレイヤーの第２の厚さは，前記高速フーリエ変換によって変換されたスペクトル値に基づいて反射光の強度の第２ピーク値を用いることによって得られ」ることが技術常識である。
　また，「前記第１のピーク値は前記第２のピーク値より高い」か否かは，各ピーク値に対応する層の上下面における光の反射率および各層における光の透過率等，すなわち，各層の材質等に応じて決まる事項であって，各層の厚さの検出とは関係のない事項である。そうすると，各層の材質等を適宜選択し，結果として「前記第１のピーク値は前記第２のピーク値より高く」なることは，当業者が適宜なし得る事項であるといえる。さらに言えば，引用例１の第１０図には，下層である透明膜１０に対応する第１のピーク値（ａ−ｂ）が，上層であるフォトレジスト２に対応する第２のピーク値（ｂ−ｃ）より高い様子が記載され，上記特開２０００−９４３７号公報の【図３】および【図６】には，下層であるｄ２に対応する第１のピーク値が，上層であるｄ１に対応する第２のピーク値より高い様子が記載されていることからみても，下層であるスペーサーレイヤーに対応する第１のピーク値が，上層であるカバーレイヤーに対応する第２のピーク値より高い点は，当業者が適宜なし得る事項であるといえる。
　
３　相違点２について
　引用例２に関する上記摘記事項（２−オ）における「信号18から得られた強度データは，z=n/λの関数としてプロットされ，・・・，Fig.5(a)，5(b)で描かれた曲線が得られる。・・・一般的に，nの値はλによって変化する。」の記載，および，上記摘記事項（２−ク）における「ステップ35において，測定対象の薄膜からの反射光が受光され，ステップ36において，光の構成成分である各々の波長の強度が得られる。ステップ37では，強度データRがz=n/λの関数として整理される。そして，ステップ38では，この強度データから，薄膜の厚さdの関数としてのフーリエ変換FTが求められる。」の記載からみて，引用例２では，反射光の強度データを，「z=n/λ」，すなわち，「波長λおよび屈折率ｎ」の関数として可変の反射光の強度を表す第２のスペクトル値に変換処理しているといえる。
　そして，引用発明も，引用例２に記載の上記技術的事項も，薄膜の膜厚測定という同一の技術分野に属し，高い精度で膜厚を測定するという点において技術的課題が共通しており（上記摘記事項（１−カ）および（２−イ）），屈折率ｎが波長λに対して変化する場合には，引用発明のように「１／λに座標変換」するよりも，引用例２に記載のように「n/λの関数として整理」した方がより精度が高くなることは，引用例２に関する上記摘記事項（２−ク）における「関心領域における波長に対して概ね一定である場合には，データはλ又は1/λの関数として整理することが可能である」の記載からも自明であるから，引用発明において，引用例２に記載の上記技術的事項を適用し，「波長および屈折率の関数として可変の反射光の強度を表す第２のスペクトル値に変換処理する」ようにすることは，当業者であれば，何ら困難性はなく，容易に想到し得る事項であるといえる。
　また，上記「２　相違点１について」で検討のとおり，測定対象物として「スペーサーレイヤーおよびカバーレイヤーを有する複数層の光ディスク」を選択すれば，スペーサーレイヤーの膜厚を測定する際には，上記「波長および屈折率の関数」における「屈折率」はスペーサレイヤーの屈折率，カバーレイヤーの膜厚を測定する際には，上記「波長および屈折率の関数」における「屈折率」はカバーレイヤーの屈折率とすべきことが自明である。
　
　そして，本願明細書に記載された本願発明によってもたらされる効果は，引用例１，引用例２の記載および上記周知技術から当業者であれば予測することができる程度のものであり，格別顕著なものとはいえない。
　
４　まとめ  
　上記のとおり，本願発明は，引用発明，引用例２に記載の技術的事項および周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。　 
　
　
第５　むすび　 
　以上のとおり，本願発明は，引用発明，引用例２に記載の技術的事項および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　
　そうすると，他の請求項について言及するまでもなく，本願は，拒絶すべきものである。　
　
　よって，結論のとおり審決する。