Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤスプライスを形成するための熱収縮可能な管状物であって、
熱収縮可能な外被材料と、
チキソ性を有し熱流動可能な接着剤の内層と
を具備し、
前記管状物は、15mm以下の最大内径及び100mm以下の最大長さの少なくともいずれか一方を有することを特徴とする熱収縮可能な管状物。
【請求項２】
前記管状物は、15mm以下の最大内径及び100mm以下の最大長さの両方を有することを特徴とする請求項１記載の熱収縮可能な管状物。
【請求項３】
前記接着剤は、５を超えるメルトフローインデクスを有することを特徴とする請求項１又は２記載の熱収縮可能な管状物。
【請求項４】
前記接着剤は、100を超えるメルトフローインデクスを有することを特徴とする請求項３記載の熱収縮可能な管状物。
【請求項５】
前記接着剤はエチレンビニルアセテート共重合体接着剤であることを特徴とする請求項１ないし４のうちいずれか１項記載の熱収縮可能な管状物。
【請求項６】
前記エチレンビニルアセテート共重合体接着剤は、ビニルアセテートを15〜40重量％含有することを特徴とする請求項５記載の熱収縮可能な管状物。
【請求項７】
前記接着剤にチキソ性を付与する添加剤が、シリカであることを特徴とする請求項１ないし６のうちいずれか１項記載の熱収縮可能な管状物。
【請求項８】
前記シリカは未処理のシリカであることを特徴とする請求項７記載の熱収縮可能な管状物。
【請求項９】
前記シリカは、100m2/gより大きな表面積を有することを特徴とする請求項７又は８記載の熱収縮可能な管状物。
【請求項１０】
前記管状物は、５mm未満の直径のワイヤ同士にスプライス接合に適することを特徴とする請求項１ないし９のうちいずれか１項記載の熱収縮可能な管状物。
【請求項１１】
前記接着剤にチキソ性を付与する添加剤が、大表面積の無機充填剤であることを特徴とする請求項１ないし１０のうちいずれか１項記載の熱収縮可能な管状物。
【請求項１２】
前記管状物は、13mm未満の最大内径を有することを特徴とする請求項１ないし１１のうちいずれか１項記載の熱収縮可能な管状物。
【請求項１３】
前記管状物中の前記接着剤は、150℃の温度で流動しないことを特徴とする請求項１ないし１２のうちいずれか１項記載の熱収縮可能な管状物。
【請求項１４】
前記管状物中の前記接着剤は、130℃の温度で流動しないことを特徴とする請求項１ないし１３のうちいずれか１項記載の熱収縮可能な管状物。
【請求項１５】
前記管状物は、透明な熱収縮可能な外被を具備することを特徴とする請求項１ないし１４のうちいずれか１項記載の熱収縮可能な管状物。
【請求項１６】
前記内層はライナの形態であることを特徴とする請求項１ないし１５のうちいずれか１項記載の熱収縮可能な管状物。
【請求項１７】
前記外被材料及び前記内層は同時に押し出しされることを特徴とする請求項１ないし１６のうちいずれか１項記載の熱収縮可能な管状物。
【請求項１８】
前記接着剤にチキソ性を付与する添加剤が、前記接着剤の重量の１〜15重量％であることを特徴とする請求項１ないし１７のうちいずれか１項記載の熱収縮可能な管状物。
【請求項１９】
２本以上のワイヤ間にスプライスシールを形成する方法であって、
熱収縮可能な外被材料及び熱流動可能なチキソ性接着剤の内層を有する熱収縮可能な管状物を加熱する工程と、
前記熱収縮可能な管状物を収縮させて前記スプライスシールを形成する工程と
からなることを特徴とするスプライスシール形成方法。
【請求項２０】
前記管状物は、15mm以下の最大内径及び100mm以下の最大長さの少なくともいずれか一方を有することを特徴とする請求項１９記載のスプライスシール形成方法。
【請求項２１】
前記接着剤は、５を超えるメルトフローインデクスを有することを特徴とする請求項１９又は２０記載のスプライスシール形成方法。
【請求項２２】
前記接着剤は、100を超えるメルトフローインデクスを有することを特徴とする請求項２１記載のスプライスシール形成方法。
【請求項２３】
前記接着剤はエチレンビニルアセテート共重合体接着剤であることを特徴とする請求項１９ないし２２のうちいずれか１項記載のスプライスシール形成方法。
【請求項２４】
前記エチレンビニルアセテート共重合体接着剤は、エチレンビニルアセテートを15〜40重量％含有することを特徴とする請求項２３記載のスプライスシール形成方法。
【請求項２５】
前記接着剤にチキソ性を付与する添加剤が、シリカであることを特徴とする請求項１９ないし２４のうちいずれか１項記載のスプライスシール形成方法。
【請求項２６】
前記シリカは未処理のシリカであることを特徴とする請求項２５記載のスプライスシール形成方法。
【請求項２７】
前記シリカは、100m2/gより大きな表面積を有することを特徴とする請求項２５又は２６記載のスプライスシール形成方法。
【請求項２８】
前記接着剤にチキソ性を付与する添加剤が、大表面積の無機充填剤であることを特徴とする請求項１９ないし２７のうちいずれか１項記載のスプライスシール形成方法。
【請求項２９】
前記管状物は、５mm未満の直径のワイヤ同士にスプライス接合に適することを特徴とする請求項１９ないし２８のうちいずれか１項記載のスプライスシール形成方法。
【請求項３０】
前記管状物は、13mm未満の内径を有することを特徴とする請求項１９ないし２９のうちいずれか１項記載のスプライスシール形成方法。
【請求項３１】
前記管状物は、透明な熱収縮可能な外被を具備することを特徴とする請求項１９ないし３０のうちいずれか１項記載のスプライスシール形成方法。
【請求項３２】
前記内層はライナの形態であることを特徴とする請求項１９ないし３１のうちいずれか１項記載のスプライスシール形成方法。
【請求項３３】
前記管状物中の前記接着剤は、150℃の温度で流動しないことを特徴とする請求項１９ないし３２のうちいずれか１項記載のスプライスシール形成方法。
【請求項３４】
前記管状物中の前記接着剤は、130℃の温度で流動しないことを特徴とする請求項１９ないし３３のうちいずれか１項記載のスプライスシール形成方法。
【請求項３５】
前記接着剤にチキソ性を付与する添加剤が、前記接着剤の重量の１〜15重量％であることを特徴とする請求項１９ないし３４のうちいずれか１項記載のスプライスシール形成方法。
【請求項３６】
ワイヤ間にスプライスシールを形成するのに適する熱収縮可能な管状物の形成方法であって、
熱収縮可能な外被材料及び熱流動可能なチキソ性接着剤の内層を同時に押し出す工程を
具備することを特徴とする熱収縮可能な管状物の形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月2日(2011.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の
−  運転中に第一の電荷の電荷担体を放出する第一の電極（１００）と、
−  第一の電荷の電荷担体を輸送しかつドーピングについて勾配を有し、第一の電極（１００）上に設置されているドーピングされた第一の輸送層（２００）と、
−  第一の発光材料を有し、かつドーピングされた第一の輸送層（２００）上に設置されている第一の発光層（４００）と、
−  第二の発光材料を有し、かつ第一の発光層（４００）上に設置されている第二の発光層（４１０）と、
−  運転中に第二の電荷の電荷担体を放出し、かつ第二の発光層（４１０）上に設置されている第二の電極（１１０）と
を含む放射線放出装置であって、
−  前記の第一及び／又は第二の発光材料はリン光性であり、かつ第一の発光材料は、第二の発光材料とは別の波長で放射線を放出する、放射線放出装置。
【請求項２】
第一の発光層（４００）と第二の発光層（４１０）の間には、第一の電荷輸送層（５００）が設置されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
第一の電荷輸送層（５００）は、第一と第二の電荷の電荷担体を輸送するマトリックス材料を有するマトリックスを含むか、又は第一の電荷の電荷担体を輸送する第一のマトリックス材料と、第二の電荷の電荷担体を輸送する第二のマトリックス材料の混合物が存在する、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
第三の発光材料を有し、かつ第二の発光層（４１０）と第二の電極（１１０）の間に設置されている第三の発光層（４２０）が存在し、その際、前記の第三の発光材料は第一と第二の発光材料とは別の波長で放射線を放出する、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
第三の発光層（４２０）は第二の電荷の電荷担体を輸送する、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
第二の発光層（４１０）と第三の発光層（４２０）の間に設置されている第二の電荷輸送層（５１０）が存在する、請求項４又は５に記載の装置。
【請求項７】
第二の電荷輸送層（５１０）は、第一と第二の電荷の電荷担体を輸送するマトリックス材料、又は第一の電荷の電荷担体を輸送する第一のマトリックス材料と、第二の電荷の電荷担体を輸送する第二のマトリックス材料を有するマトリックスを含んでいる、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
第一の発光層（４００）及び／又は第二の発光層（４１０）及び／又は第三の発光層（４２０）は、第一と第二の電荷の電荷担体を輸送するマトリックス材料、又は第一の電荷の電荷担体を輸送する第一のマトリックス材料と、第二の電荷の電荷担体を輸送する第二のマトリックス材料を有するマトリックスを含んでいる、請求項４から７までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
第一の電極（１００）は、第一及び／又は第二の発光材料から発光される放射線に反射性である、請求項１から８までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
第一の電極（１００）は、第一及び／又は第二の発光材料及び／又は第三の発光材料から発光される放射線に反射性である、請求項４に記載の装置。
【請求項１１】
発光層（４００、４１０，４２０）から反射電極までの距離が増えるに従って、それぞれの発光材料は、より長い波長で放射線を放出する、請求項９又は１０に記載の装置。
【請求項１２】
第二の電極（１１０）は、第一及び／又は第二の発光材料から発光される放射線に対して透過性である、請求項１から１１までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】
第二の電極（１１０）は、第一及び／又は第二の発光材料及び／又は第三の発光材料から発光される放射線に対して透過性である、請求項４に記載の装置。
【請求項１４】
発光層（４００、４１０，４２０）の方向を向いた第一の電極（１００）及び／又は第二の電極（１１０）の表面は一定の高さを有する凹凸を有する、請求項１から１３までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項１５】
第一の電極（１００）及び／又は第二の電極（１１０）に境界を成す層は、凹凸の高さよりも大きな層厚を有する、請求項１４に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月26日(2011.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と接触している絶縁シールド層を備えた電力ケーブルであって、絶縁シールド層は、主として少なくとも４５重量％のエチレンコポリマー、表面積２００〜１，０００ｍ２／ｇのカーボンブラックおよび０．１重量％〜２０重量％のスチレン性ポリマーのブレンドを含み、絶縁層はポリオレフィンポリマーを含む、電力ケーブル。
【請求項２】
エチレンコポリマーがＥＶＡコポリマーである、請求項１に記載の電力ケーブル。
【請求項３】
スチレン性ポリマーが、ポリスチレン、ポリ（メチルスチレン）、ポリ（エチルスチレン）、ポリ（イソプロピルスチレン）、ポリ（ｔｅｒｔ−ブチルスチレン）、ポリ（ジビニルベンゼン）、ポリ（クロロスチレン）、ポリ（ブロモスチレン）、ポリ（フルオロスチレン）、ポリ（メトキシスチレン）、およびポリ（エトキシスチレン）の少なくとも１つである、請求項２に記載の電力ケーブル。
【請求項４】
絶縁層のポリオレフィンポリマーが、ポリプロピレンホモポリマーまたはポリエチレンホモポリマーである、請求項１に記載の電力ケーブル。
【請求項５】
ポリオレフィンポリマーが直鎖状低密度ポリエチレンである、請求項１に記載の電力ケーブル。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月26日(2011.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と該基板に対して配置されたフリットパターンを備えたＯＬＥＤデバイスを封止する方法であって、
形状、サイズおよび強度プロファイルの特徴を有するレーザビームを前記フリットパターンに集束させる工程、
前記レーザビームが前記フリットパターンを辿るときに該レーザビームの前記強度プロファイルを変更する工程、
を有してなる方法。
【請求項２】
前記レーザビームが前記フリットパターンを辿るときに該レーザビームの前記形状を変更する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記レーザビームが前記フリットパターンを辿るときに該レーザビームの前記サイズを変更する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記フリットパターンが直線部分と湾曲部分を含み、前記レーザビームを集束させる工程が前記直線部分に行われ、前記レーザビームの強度プロファイルを変更させる工程が前記湾曲部分に行われることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
集束された前記レーザビームが前記フリットパターン上に、中央部分と縁部分を有する第１のレーザビームスポットを形成し、該レーザビームスポットの縁部分での出力が、該第１のレーザビームスポットの中央部分での出力よりも強いことを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記レーザビームの形状が、前記フリットパターンの直線部分を辿っている間の楕円形から、該レーザビームが該フリットパターンの湾曲部分を辿るときに、円形に変えられることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項７】
前記レーザビームが電極に遭遇したときに、該レーザビームの出力が変えられることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記レーザビームが前記フリットパターンを辿るときに、該レーザビームのアスペクト比を変更する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月13日(2011.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣｏａＮｉｂＭｎｃ（式中、ａは０．６０〜０．９６であり、ｂは０．０２〜０．２０であり、ｃは０．０２〜０．２０であり、ａ、ｂ、及びｃはそれぞれコバルト、ニッケル、及びマンガンのモル量であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝１である）を有する遷移金属酸化物を有する第１の別個の相と、
ＣｏｘＮｉｙＭｎｚ（式中、ｘは０．４０〜０．６０であり、ｙは０．２０〜０．３０であり、ｚは０．２０〜０．３０であり、ｘ、ｙ、及びｚはそれぞれコバルト、ニッケル、及びマンガンのモル量であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１である）を有する遷移金属酸化物を有する第２の別個の相と、を含む粒子を有するカソード組成物であって、
前記第１の別個の相及び前記第２の別個の相がそれぞれ層状Ｏ３結晶構造を含む、カソード組成物。
【請求項２】
ＣｏａＮｉｂＭｎｃ（ａは０．００〜０．３０であり、ｂは０．６０〜０．９０であり、ｃは０．００〜０．２０であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝１である）を有する遷移金属酸化物を含む第１の別個の相と、
ＣｏｘＮｉｙＭｎｚ（式中、ｘは０．００〜０．３０であり、ｙは０．４０〜０．６０であり、ｚは０．２０〜０．４０であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１である）を有する遷移金属酸化物を含む第２の別個の相と、を含む粒子を有するカソード組成物であって、
前記第１の別個の相及び前記第２の別個の相がそれぞれ層状Ｏ３結晶構造を含む、カソード組成物。
【請求項３】
請求項１または２に記載の組成物を含むカソードを備えるリチウムイオン電池。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月12日(2011.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
使用中、リソグラフィ装置において物体を固定面で保持する静電クランプであって、
前記クランプはバールが設けられたサポートを含み、それによって前記バールの頂部は前記物体が保持される平面を決定し、絶縁体に囲われた電極が前記バール間に設けられており、前記サポートは低膨張材料から形成されている、
静電クランプ。
【請求項２】
前記サポートは、１０ｍ／ｍ．Ｋ×１０−６より少ない膨張係数を有する材料から形成されている、
請求項１に記載の静電クランプ。
【請求項３】
前記サポートは、４ｍ／ｍ．Ｋ×１０−６より少ない膨張係数を有する材料から形成されている、
請求項１または２に記載の静電クランプ。
【請求項４】
前記バールが設けられた前記サポートは、１個の低膨張材料から形成されている、
請求項１〜３のいずれかに記載の静電クランプ。
【請求項５】
前記静電クランプには、温度制御システムが設けられている、
請求項１〜４のいずれかに記載の静電クランプ。
【請求項６】
前記温度制御システムは水管を含む、
請求項５に記載の静電クランプ。
【請求項７】
前記バールが設けられた前記サポートは、非金属から形成されている、
請求項１〜６のいずれかに記載の静電クランプ。
【請求項８】
前記絶縁体は誘電材料であり、該誘電材料は、Ｐａｒｙｌｅｎｅ（登録商標）、Ｋａｐｔｏｎ（登録商標）、Ｍｙｌａｒ（登録商標）、石英、液晶ポリマー、又は、窒化ホウ素(borium nitride)である、
請求項１〜７のいずれかに記載の静電クランプ。
【請求項９】
前記静電クランプには、前記物体と前記サポートとの間にバックフィルガスを供給するためにバックフィルガスシステムが設けられている、
請求項１〜８のいずれかに記載の静電クランプ。
【請求項１０】
前記クランプには電極制御に接続された内側電極および外側電極が設けられており、
前記電極制御は、前記物体の取り外し中に前記内側電極より前に前記外側電極を非活動化させ、それによってバックフィルガスが前記物体の取り外しの前に逃げることができるように構成されている、
請求項１〜９のいずれかに記載の静電クランプ。
【請求項１１】
リソグラフィ装置において物体を物体サポートに静電的にクランプするように構成された静電クランプを製造する方法であって、
材料層にバールを設けることと、
絶縁体および／または誘電材料に囲われた電極を前記バール間に配置することと、
を含む方法。
【請求項１２】
前記製造方法は、前記絶縁体および／または誘電材料を提供するためにスパッタリング法、化学蒸着法、またはそれらの組み合わせを用いることを含む、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
放射ビームのビームパス内の物体を支持するように構成された物体サポートと、前記物体を前記物体サポートに対して静電的にクランプするように構成された静電クランプとを含むリソグラフィ装置であって、
前記クランプはバールが設けられたサポートを含み、それによって前記バールの頂部は前記物体が保持される平面を決定し、絶縁体に囲われた電極が前記バール間に設けられており、前記サポートは低膨張材料から形成されている、
リソグラフィ装置。
【請求項１４】
放射ビームのビームパス内の物体を支持するように構成された物体サポートと、
前記物体を前記物体サポートに対してクランプするように構成された請求項１〜１０のいずれかに記載の静電クランプと、
を含むリソグラフィ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月27日(2011.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層列を有する半導体本体（２）を備えているオプトエレクトロニクスコンポーネント（１）であって、
−  前記半導体本体（２）の前記半導体層列が、ポンプ放射を発生させるように設けられているポンプ領域（３）と、発光放射を発生させるように設けられている発光領域（４）と、を備えており、
−  前記ポンプ領域（３）および前記発光領域（４）が、上下に積み重なって配置されており、
−  前記発光領域（４）および前記ポンプ領域（３）が２つのクラッド層（２０，２３）の間に配置されており、前記クラッド層（２０，２３）によって、前記ポンプ放射および前記発光放射が共通して横方向に導波され、
−  前記オプトエレクトロニクスコンポーネント（１）の動作時、前記ポンプ放射が前記発光領域（４）に光ポンピングを行い、
−  前記オプトエレクトロニクスコンポーネント（１）の動作時、前記発光放射が前記半導体本体（２）から横方向に現れる、
オプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項２】
前記発光放射および前記ポンプ放射が横方向に伝搬する、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項３】
前記発光放射および前記ポンプ放射は、共線的に進行する、
請求項２に記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項４】
前記オプトエレクトロニクスコンポーネントの動作時、前記ポンプ領域（３）が電気的ポンピングされ、一方の種類の電荷の電荷担体が前記発光領域（４）を通って前記ポンプ領域（３）に注入される、
請求項１から請求項３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項５】
電荷担体バリア（５０）が前記半導体本体（２）に形成されている、
請求項１から請求項４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項６】
前記電荷担体バリア（５０）が前記発光領域（４）と前記ポンプ領域（３）との間に配置されている、
請求項５に記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項７】
電荷担体バリア（５０）がトンネルバリア（５１）として具体化されている、
請求項５または請求項６に記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項８】
前記発光領域（４）と前記ポンプ領域（３）との間の距離が、前記ポンプ放射の所定の割合が前記発光領域（４）に光学的に結合するように、設定されている、
請求項１から請求項７のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項９】
前記発光領域（４）および前記ポンプ領域（３）が、各場合において、同じ次数の光学モードにおいて動作するように、垂直方向に設けられている、
請求項１から請求項８のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項１０】
前記発光領域（４）および前記ポンプ領域（３）が、互いに異なる次数を有する光学モードにおいて動作するように、垂直方向に設けられている、
請求項１から請求項８のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項１１】
前記発光領域（４）もしくは前記ポンプ領域（３）、またはその両方が、ＩＩＩ−Ｖ属半導体材料、具体的には、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＳｂ、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＡｓ、またはＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＰを含んでおり、各場合において０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１である、あるいは、最大で５％の窒素含有量を有するＩＩＩ−Ｖ属半導体材料を含んでいる、
請求項１から請求項１０のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項１２】
前記発光領域（４）もしくは前記ポンプ領域（３）、またはその両方が、量子構造を備えており、前記発光領域（４）および前記ポンプ領域（３）が、それぞれ、量子井戸層（３１，４１）を備えており、前記発光領域（４）の前記量子井戸層（４１）に隣接する半導体層（５，２１）のバンドギャップが、前記ポンプ領域（３）の前記量子井戸層（３１）に隣接する半導体層（３２，２２，５）のバンドギャップに一致している、
請求項１から請求項１１のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項１３】
前記半導体本体（２）が、前記ポンプ放射に対する反射率よりも低い、前記発光放射に対する反射率を有するように具体化されている放射通過領域（２６）、を有する、
請求項１から請求項１２のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項１４】
前記半導体本体（２）が、前記発光放射（４）および前記ポンプ放射（２）が共線的に通過する放射通過領域（２６）、を有する、
請求項１から請求項１２のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項１５】
放射受信器（２００）を備えており、前記放射受信器（２００）がさらなる半導体層列（２１０）を備えており、前記半導体層列（２１０）の層構造が、前記ポンプ領域（３）および前記発光領域（４）を有する前記半導体層列の層構造に少なくとも部分的に一致している、
請求項１から請求項１４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月26日(2011.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンパクト・ディスク・データ層とデジタル・ビデオ・ディスク・データ層の一方と、ブルーレイ・データ層と、を含む基板を有する、読み取り装置による再生用の光ディスク構造体。
【請求項２】
前記コンパクト・ディスク・データ層が前記基板の第１の表面に形成されている、請求項１に記載の光ディスク構造体。
【請求項３】
前記ブルーレイ・データ層が前記基板の第２の表面に形成されている、請求項２に記載の光ディスク構造体。
【請求項４】
前記基板が第１の部分と第２の部分とを有している、請求項１に記載の光ディスク構造体。
【請求項５】
前記デジタル・ビデオ・ディスク・データ層が前記第１の部分と前記第２の部分との間に形成されている、請求項４に記載の光ディスク構造体。
【請求項６】
前記ブルーレイ・データ層が前記基板の外側表面に形成されている、請求項５に記載の光ディスク構造体。
【請求項７】
コンパクト・ディスク・データ層とデジタル・ビデオ・ディスク・データ層の一方を含む基板の上にブルーレイ・データ層を形成するステップを有する、
読み取り装置による再生用の光ディスク構造体を製造する方法。
【請求項８】
前記ブルーレイ・データ層を、前記基板の表面に形成された樹脂層をエンボス加工することによって形成する、請求項７に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
ブルーレイ・データ層２０４も、１つ又は複数の樹脂材料層（図示せず）で構成することが出来る。例えば、第１の樹脂層を、ＤＶＤ基板２０２の表面に直接形成されたスペーサー層で構成できる。第２の樹脂層を、この第１の樹脂層の表面に形成できる。通常は、この第２の樹脂層はブルーレイ・データ面を含んでいる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図３には、本原理のブルーレイ・ディスク２００の製造方法が示されている。ステップ３０１に示されているように、表面にＤＶＤデータ層２０３が形成された廃棄及び／又は未使用のＤＶＤ基板２０２がクリーニングされる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
次に、図３のステップ３０３に示されているように、樹脂層２０４が硬化される。樹脂層２０４の硬化は、例えば紫外線照射により行うことが出来る。次に、硬化済み樹脂２０４は、通常のブルーレイ・ウェット・エンボス加工に用いられるような１ミクロンから１０ミクロンの厚さの「ピット樹脂」の層で被覆される。図３のステップ３０４に示されているように、この「ピット樹脂」の使用によりブルーレイ・ディスク２００のブルーレイ・データ面が形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月27日(2010.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ転送システムであって、復号システムが、
データ信号に基づいて軟出力を供給するデータ検出器、
該軟出力及び該データ信号を受信するよう動作し、該欠陥検出器が該軟出力及び該データ信号に少なくともある程度基づいて欠陥表示をアサートするよう動作する欠陥検出器、及び
該欠陥表示がアサートされると該検出器の軟出力を修正するように動作するゲート制御回路
からなるデータ転送システム。
【請求項２】
請求項１のシステムにおいて、該データ検出器が、ビタビ検出器及び最大事後確率検出器からなるグループから選択されるものであるシステム。
【請求項３】
請求項１のシステムにおいて、該システムがハードディスクドライブであり、該ハードディスクドライブが記憶媒体を含み、前記データ信号が該記憶媒体から引き出され、前記データ検出器が該記憶媒体から引き出されたデータ信号を受信し、該データ信号に少なくともある程度基づいて前記軟出力を供給し、前記欠陥検出器が該記憶媒体の欠陥領域を検出するよう動作するシステム。
【請求項４】
請求項３のシステムにおいて、前記欠陥検出器が、
前記データ信号の絶対値をデータ閾値に対して比較するよう動作する第１のコンパレータを含むデータ解析回路、
該データ信号の絶対値が該データ閾値未満となる期間の数を特定するよう動作する第１のカウンタ回路、
前記軟出力を軟閾値に対して比較するよう動作する第２のコンパレータを含む軟解析回路、及び
該軟出力が該軟閾値未満となる期間の数を特定するよう動作する第２のカウンタ回路
を含むシステム。
【請求項５】
請求項４のシステムにおいて、前記データ閾値がプログラム可能であるシステム。
【請求項６】
請求項４のシステムにおいて、前記軟閾値がプログラム可能であるシステム。
【請求項７】
請求項４のシステムにおいて、前記欠陥表示は前記第１のカウンタ及び前記第２のカウンタの少なくとも一方がカウント閾値以上になるとアサートされるシステム。
【請求項８】
請求項１のシステムにおいて、前記システムが通信装置であり、該通信装置が通信チャネルを介して情報を受信し、該データ信号が該通信チャネルから引き出され、前記データ検出器が該通信チャネルから引き出されたデータ信号を受信して該データ信号に少なくともある程度基づいて前記軟出力を供給し、前記欠陥検出器が該通信チャネルの欠陥期間を検出するように動作するシステム。
【請求項９】
欠陥検出のための方法であって、
データ信号を受信するステップ、
該データ信号上で軟出力を供給する検出プロセスを実行するステップ、
該データ信号をデータ閾値に比較するステップであって、該データ信号が第１の所定期間にわたって該データ閾値未満となるとデータ比較結果がアサートされる、ステップ
該軟出力を軟閾値に比較するステップであって、該出力軟が第２の所定期間にわたって該軟閾値未満となると軟比較結果がアサートされる、ステップ、及び
該軟比較結果及び該データ比較結果の少なくとも一方がアサートされると欠陥表示をアサートするステップ
からなる方法。
【請求項１０】
請求項９の方法において、前記欠陥表示をアサートするステップが、前記軟比較結果及び前記データ比較結果の両方がアサートされたときのみ行われる方法。
【請求項１１】
請求項９の方法において、前記第１の所定期間及び前記第２の所定期間が同じ期間であり、その共通の期間がプログラム可能である、方法。
【請求項１２】
請求項９の方法であって、さらに、
前記データ信号の絶対値を特定するステップを備え、前記データ閾値と比較される該データ信号が該データ信号の絶対値である、方法。
【請求項１３】
請求項９の方法であって、さらに、
前記軟出力の絶対値を特定するステップを備え、前記軟閾値と比較される該軟出力が該軟出力の絶対値である、方法。
【請求項１４】
記憶システムであって、
記憶媒体と、
読取り／書込み回路を備え、該読取り／書込み回路の少なくとも一部分が該記憶媒体との関連で位置決めされ、該読取り／書込み回路が、
軟出力を供給するデータ検出器と、  
該軟出力を受信するように動作して、該軟出力に少なくともある程度基づいて欠陥表示をアサートするよう動作する欠陥検出器と、
該欠陥表示がアサートされると該検出器の軟出力を修正するように動作するゲート制御回路を含み、
さらに、
該記憶媒体に関連して該読取り／書込み回路の少なくとも一部分を位置決めするよう動作する位置決めコントローラを備えたシステム。
【請求項１５】
請求項１４のシステムにおいて、前記記憶システムが電子システムに内蔵され、該電子システムが、コンピュータ、オーディオプレーヤー、ビデオプレーヤー、スタンドアロン記憶システム及びセルラ電話機からなるグループから選択されるものであるシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月23日(2011.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを蓄積しかつ読み出す方法であって、
（ａ）複数のセル（１５１〜１５９）を含むメモリ（１；１１；６２）を提供するステップであって、データを表すセル（１５１〜１５９）の物理的特性の各値を設定することにより前記セル（１５１〜１５９）にデータを蓄積し、その後、各値の測定値を得るために各値を測定することにより前記セル（１５１〜１５９）を読み出すステップと、
（ｂ）前記セルのいずれか１セル（１５１）と、前記１セル（１５１）の少なくとも１つの近傍セル（１５２〜１５９）とを読み出し、これにより前記１セル（１５１）と前記近傍セル（１５２〜１５９）の各測定値を得るステップと、
（ｃ）各近傍セル（１５２〜１５９）が前記１セル（１５１）の読み出しを妨害するそれぞれの程度を算出するステップであって、前記算出するステップは前記妨害の線形または非線形モデルに基づくステップと、
（ｄ）各測定値と、各近傍セル（１５２〜１５９）が前記１セル（１５１）の読み出しを妨害する前記算出されたそれぞれの程度とに基づき、前記１セル（１５１）に蓄積されたデータを推定するステップであって、前記推定するステップは各測定値の再設定を含まない計算であるステップと、
を含む方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、
前記セル（１５１〜１５９）は、フラッシュセル（１５１〜１５９）であり、
前記物理的特性は、前記フラッシュセル（１５１〜１５９）のしきい値電圧である方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、
前記算出するステップは、
前記推定するステップとは別に遂行されるか、
前記推定するステップとともに繰り返し遂行されるか、あるいは
前記１セル（１５１）と各近傍セル（１５２〜１５９）とを読み出すことによって得られる各測定値に基づく方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、
（ｅ）前記１セルと少なくとも１つの近傍セルとは別の少なくとも１つのさらなるセル（１５２〜１５９）を読み出し、これにより少なくとも１つのさらなる測定値を得るステップをさらに含み、
前記算出するステップは、前記少なくとも１つのさらなる測定値にも基づく方法。
【請求項５】
請求項４記載の方法において、
前記メモリ（１；１１；６２）は、フラッシュメモリであり、
前記１セル（１５１）と少なくとも１つのさらなるセル（１５２〜１５９）は、前記メモリ（１；１１；６２）の同じ消去ブロックにある方法。
【請求項６】
請求項５記載の方法において、
前記１セル（１５１）と少なくとも１つのさらなるセル（１５２〜１５９）は、前記メモリ（１；１１；６２）の同じワード線にある方法。
【請求項７】
請求項１記載の方法において、
（ｅ）前記１セル（１５１）と少なくとも１つの各近傍セル（１５２〜１５９）とにデータを蓄積するステップをさらに含む方法。
【請求項８】
請求項７記載の方法において、
前記算出するステップは、
前記蓄積するステップの前に遂行されるか、
前記蓄積するステップの後に遂行されるか、あるいは
前記１セル（１５１）が読み出されるたびに遂行される方法。
【請求項９】
請求項１記載の方法において、
前記推定するステップは、
少なくとも１つの近傍セル（１５２〜１５９）による妨害のために前記１セル（１５１）の各測定値を補正することと、
前記１セル（１５１）の各値の分布のパラメータの少なくとも１つの期待値を推定することと、
を含む方法。
【請求項１０】
メモリデバイスであって、
（ａ）複数のセル（１５１〜１５９）を含むメモリ（１；１１；６２）と、
（ｂ）回路（２〜８，２０〜２２；１３，１５，１７，１９，２３，２５，２６ａ〜２６ｃ，２７，２９，３１，３３，３５，４１，４３，４４）であって、
（ｉ）データを表すセル（１５１〜１５９）の物理的特性の各値を設定することにより前記セル（１５１〜１５９）にデータを蓄積し、かつ
（ｉｉ）その後、各値の測定値を得るために各値を測定することにより前記セル（１５１〜１５９）を読み出す回路と、
（ｃ）前記セルのいずれか１セル（１５１）の各測定値と、前記１セル（１５１）の少なくとも１つの近傍セル（１５２〜１５９）の各測定値とに基づき、かつ各近傍セル（１５２〜１５９）が前記１セル（１５１）の読み出しを妨害するそれぞれの程度に基づき、前記１セル（１５１）に蓄積されたデータを、各測定値を再設定することなく、推定する機構であって、各近傍セル（１５２〜１５９）が前記１セル（１５１）の読み出しを妨害するそれぞれの程度を、前記妨害の線形または非線形モデルに基づき算出するように構成される機構と、
を備えるメモリデバイス。
【請求項１１】
請求項１０記載のメモリデバイスにおいて、
前記推定する機構は、
前記セルのいずれか１セル（１５１）の各測定値と、前記１セルの少なくとも１つの近傍セル（１５２〜１５９）の各測定値とに基づき、かつ各近傍セル（１５２〜１５９）が前記１セル（１５１）の読み出しを妨害するそれぞれの程度に基づき、前記１セル（１５１）に蓄積されたデータを推定するコードを含む、前記メモリデバイスのためのドライバコードを蓄積する不揮発性メモリと、
前記コードを実行するプロセッサと、
を備えるメモリデバイス。
【請求項１２】
請求項１〜９のいずれか記載の方法によって規定されたプログラム命令を組み入れたコンピュータ可読蓄積媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月29日(2011.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータ実行可能命令を処理するように構成された１つまたは複数の処理装置の制御下で、
特許情報にアクセスするステップと、
企業の株式情報を含む財政情報にアクセスするステップと、
前記特許情報と、前記財政情報とを統合するステップと、
前記特許情報および前記財政情報を共通インターフェース上に表示するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記統合するステップは、特許事象および財政事象を時間軸に対して並べるステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ユーザに異なる時間から選択させるステップと、
前記特許情報および前記財政情報を前記選択された時間について更新するステップと、
前記特許情報および前記財政情報を更新された状態で前記共通インターフェース上に表示するステップと
をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
コンピュータ実行可能命令を処理するように構成された１つまたは複数の処理装置の制御下で、
特許番号または特許出願シリアル番号のうち少なくとも１つと関連付けられた情報にアクセスするステップであって、前記情報は、特許審査情報および特許譲受人情報を含むステップと、
前記特許譲受人情報を用いて、特許譲受人の株式情報を含む財政情報にアクセスするステップと、
前記特許審査情報および前記財政情報を紙文書または電子文書のうち少なくとも１つにおいて提示するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
前記特許譲受人情報を用いて訴訟情報にアクセスするステップと、前記訴訟情報を前記紙文書または前記電子文書内に提示するステップとをさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記紙文書は単一のページを含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記電子文書は、追加情報にリンクするアクティブ制御を含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記電子文書は、アクティブ制御と関連付けられた共通時間軸を含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項９】
コンピュータ実行可能命令を処理するように構成された１つまたは複数の処理装置の制御下で、
１つの特許請求項における固有の単語の数を決定するステップと、
前記特許請求項中の前記固有の単語の数に少なくとも基づいて測定基準を決定するステップと、
前記測定基準を二次元形状の次元として用いるステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記測定基準は、前記固有の単語の数によって除算されたものを含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記形状は円形を含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記二次元形状の領域は、前記固有の単語の数が増加するにつれて縮小することを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記特許請求項の補正に応答して前記方法を繰り返すステップをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
意味的フィルタを用いて前記請求項をフィルタリングするステップをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記特許請求項中の合計単語数を決定するステップと、
前記固有の単語の数および前記合計単語数を用いて点をプロットするステップと
をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
複数の請求項について複数の点をプロットするステップをさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記複数の請求項は、１つ以上の特許からの請求項を含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記請求項の補正に応答して前記方法を繰り返すステップをさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
コンピュータ実行可能命令を処理するように構成された１つまたは複数の処理装置の制御下で、
知的所有権（ＩＰ）資産に関連する機関記録を処理して、前記記録の局面のうち前記ＩＰ資産の範囲に関連するものを特定するステップと、
グラフを生成して、前記ＩＰ資産の範囲と、前記範囲が前記機関記録によって取得されたように変化したかとについて視覚表示により伝達するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２０】
前記ＩＰ資産は特許を含み、前記グラフは、審査において特許クレームの範囲がどのように変化したかについて視覚的に伝達することを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
コンピュータ実行可能命令を処理するように構成された１つまたは複数の処理装置の制御下で、
世界の１つ以上の領域のグラフマップを提示するステップと、
前記グラフマップ上に、特定の技術または製品に関連するマーケット関連情報を示すステップと、
前記グラフマップ上に、前記特定の技術または製品と関連付けられた１つ以上の特許に関連する特許関連情報を示すステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２２】
前記グラフマップは、異なるマーケット関連情報を示すように色分けされた複数の領域を有することを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
相互に並置された第１のおよび第２のグラフマップをさらに含み、前記マーケット関連情報は前記第１のグラフマップ上に示され、前記特許関連情報は前記第２のマップ上に示されることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月12日(2011.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コネクタ（１０，４１０）であって、
前記コネクタ（１０，４１０）は、
該コネクタ（１０，４１０）の後側に取り付けられた少なくとも一つのシールド（２１０）を有し、
ケーブルシールド（２１８）を有するケーブル（２２０，４３７）が前記後側から接続可能であり、
コネクタシールド（２１４，４１４）と、少なくとも一つのエクステンション（２１６、４３１）とを有し、
前記エクステンション（２１６，４３１）は、前記ケーブルシールド（２１８）と接続可能であり、前記コネクタシールド（２１４、４１４）の少なくとも２つの異なる入口部分（２３４、４１１）に装着可能であり、及び／又は前記コネクタシールド（２１４、４１４）に沿って前記コネクタシールド（２１４、４１４）の少なくとも２つの異なる入口部分（２３４、４１１）へ同様に変位可能であり、
少なくとも１つの入口部分（２３４、４１１）が、少なくとも１つのブレイクアウト部分（２４４、４２４）を有する、コネクタ。
【請求項２】
前記コネクタが、ワイヤが前記コネクタ（１０、４１０）の内側で接続可能である接点（１２）と、少なくとも３つのワイヤ開口部（１６、１１６、４１１）とを有し、各開口部（１６、１１６）が、少なくとも２つのワイヤを収容するように適合され、及び前記接点から遠位の前記コネクタ（１０、４１０）の外側で露出されており、前記ワイヤ開口部（１６、１１６、４１１）が、少なくとも３つの異なる方向で露出される、請求項１に記載のコネクタ。
【請求項３】
前記コネクタ（１０、４１０）が、ハウジング（１８、４１２）と、少なくとも１つのワイヤ開口部（１６、１１６、４１１）が形成される少なくとも１つのガイドピース（２０、１２０）とを有する、請求項２に記載のコネクタ。
【請求項４】
前記ガイドピース（２０、１２０、４１３）が前記接点（１２）に向かって駆動するように適合する少なくとも１つの駆動ピース（２４）を前記ハウジング（１８、４１２）が備え、前記駆動ピースが旋回可能なフラップ（２４，４１４）であり、前記フラップは該フラップ（２４，４１４）が旋回したとき前記ガイドピース（２０，１２０，４１３）を駆動するように構成された少なくとも一つの突起（２６，４２３）を有する、請求項３に記載のコネクタ。
【請求項５】
前記旋回可能なフラップ（４１４）が前記コネクタシールド（４１４）である、請求項４のコネクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月30日(2011.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニッケル−亜鉛バッテリセルであって、
（ａ）電流コレクタおよび酸化亜鉛ベースの電気化学的活性層を含む陰極層と；
（ｂ）ニッケルを含む陽極層と；
（ｃ）前記陰極層と前記陽極層とを隔離する隔離層と、を含み、
前記電流コレクタは銅あるいは真鍮の下地層およびCu3Snと１０％以下のCu6Sn5とから構成される金属間化合物層を含むものである、ニッケル−亜鉛バッテリセル。
【請求項２】
請求項１に記載のニッケル−亜鉛バッテリセルであって、
前記金属間化合物層が、
（ａ）前記銅あるいは真鍮の下地層上に錫を１．０１６ないし２．３２μｍの厚みでメッキをし、
（ｂ）酸化亜鉛ベースの電気化学的活性物の層を前記銅あるいは真鍮の下地層に塗り、
（ｃ）前記銅あるいは真鍮の下地層を焼成する、
ことにより形成される、ニッケル−亜鉛バッテリセル。
【請求項３】
請求項２に記載のニッケル−亜鉛バッテリセルであって、
前記焼成は、前記銅あるいは真鍮の下地層を２００ないし３５０℃の温度で３０分間ないし２時間保持することを含む、ニッケル−亜鉛バッテリセル。
【請求項４】
ニッケル−亜鉛バッテリセルであって、
（ａ）電流コレクタおよび酸化亜鉛ベースの電気化学的活性層を含む陰極層と；
（ｂ）ニッケルを含む陽極層と；
（ｃ）前記陰極層と前記陽極層とを隔離する隔離層と、を含み、
前記電流コレクタは銅あるいは真鍮の下地層およびCu3Snと１０％以下のCu6Sn5とを含有する金属間化合物層を含むものである、ニッケル−亜鉛バッテリセル。
【請求項５】
請求項４に記載のニッケル−亜鉛バッテリセルであって、
前記金属間化合物層が、
（ａ）前記銅あるいは真鍮の下地層上に錫を１．０１６ないし２．０３２μｍの厚みでメッキをし、
（ｂ）酸化亜鉛ベースの電気化学的活性物の層を前記銅あるいは真鍮の下地層に塗り、
（ｃ）前記銅あるいは真鍮の下地層を焼成する、
ことにより形成される、ニッケル−亜鉛バッテリセル。
【請求項６】
請求項５に記載のニッケル−亜鉛バッテリセルであって、
前記焼成は、前記銅あるいは真鍮の下地層を摂氏２００ないし３５０℃の温度で３０分間ないし２時間保持することにより行われる、ニッケル−亜鉛バッテリセル。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月31日(2011.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気通信技術におけるコネクタであって、
ワイヤが前記コネクタ（１０）の内部で接続可能である複数の接点（１２）と、
筐体（１８）と、
少なくとも３つのワイヤ開口部（１６、１１６）を有し、その各開口部（１６、１１６）が、少なくとも２本のワイヤを収容するように構成され、かつ前記接点の遠位側である前記コネクタ（１０）の外側に露出している、少なくとも１つのガイド部品（２０、１２０）と、を備え、
前記ワイヤ開口部（１６、１１６）は、少なくとも３つの異なる方向に露出している、コネクタ。
【請求項２】
前記ガイド部品（２０、１２０）は、少なくとも１つのワイヤを収容するための少なくとも１つの凹部（２２、１２２）を有し、該凹部は、前記接点（１２）に対向しており、
前記ガイド部品（２０、１２０）は、少なくとも１つの接点（１２）を収容するための少なくとも１つのスロット（１４８）を有し、
少なくとも１つのスロット（１４８）と少なくとも１つの凹部（１２２）とが、互いに交差する、請求項１に記載のコネクタ。
【請求項３】
前記筐体（１８）は、前記接点（１２）に向かって前記ガイド部品（２０、１２０）を駆動するように構成された少なくとも１つの駆動部品（２４）を備え、
前記駆動部品は、旋回可能なフラップ（２４）であり、該フラップ（２４）は、旋回するときに前記ガイド部品（２０、１２０）を駆動するように構成された少なくとも１つの突出部を有する、請求項１に記載のコネクタ。
【請求項４】
前記コネクタ（１０）は、ジャック又はソケットである、請求項１に記載のコネクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月19日(2011.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信機において使用される方法であって、
受信したシンボルのシーケンスを提供するための、関連する信号フレーム構造を有する信号を受信するステップと、
少なくとも２信号フレーム分離間し、Ｓ個のサンプル分前方または後方にシフトした前記受信したシンボルの各群を自己相関させることによって受信した信号におけるフレーム・タイミングに同期化するステップと、
を含む、前記方法。
【請求項２】
前記信号フレーム構造は、複数のフレーム・ヘッダ・モードを含み、各フレーム・ヘッダ・モードは、擬似シーケンスを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記信号は、ディジタル・マルチメディア放送地上波テレビジョン信号であり、前記同期化ステップは、フレーム・ヘッダ・モード１およびフレーム・ヘッダ・モード３で実行される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
サンプル・シフト値内で少なくとも２信号フレーム分離間した受信したシンボルの各群に亘って自己相関値を判定するステップと、
前記自己相関値から、信号フレームがシンボルにおいて開始する場所を表すピーク自己相関値を判定するステップと、を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記サンプル・シフト値が±１の範囲内である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
受信したシンボルのシーケンスを提供するための、関連する信号フレーム構造を有する信号を受信するダウンコンバータと、
少なくとも２信号フレーム分離間し、Ｓ個のサンプル分前方または後方にシフトした前記受信したシンボルの各群を自己相関させることによって受信した信号におけるフレーム・タイミングに同期化するプロセッサと、
を含む、装置。
【請求項７】
前記信号フレーム構造は、複数のフレーム・ヘッダ・モードを含み、各フレーム・ヘッダ・モードは、擬似シーケンスを有する、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記信号は、ディジタル・マルチメディア放送地上波テレビジョン信号であり、前記プロセッサは、フレーム・ヘッダ・モード１およびフレーム・ヘッダ・モード３でフレーム・タイミングの同期化を実行する、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記プロセッサは、
（ａ）サンプル・シフト値内で少なくとも２信号フレーム分離間した受信したシンボルの各群に亘って自己相関値を判定し、
（ｂ）前記自己相関値から、信号フレームがシンボルにおいて開始する場所を表すピーク自己相関値を判定する、請求項６に記載の装置。
【請求項１０】
前記サンプル・シフト値が±１の範囲内である、請求項６に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月16日(2011.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信機において使う方法であって：
受信シンボルのシーケンスを与えるための信号を受信する段階であって、受信される信号はフレームを含むスーパーフレームを表し、各フレームは受信シンボルのグループを有し、各フレームは異なる初期位相を有していてもよい擬似ノイズ・シーケンスをもつヘッダを有する、段階と、
隣接し合う信号フレーム内の受信シンボルのグループの自己相関を取ることによって、前記スーパーフレーム内の各フレームについてのフレーム番号を決定する段階であって、自己相関を取られるシンボルは異なるフレーム・ヘッダの擬似ノイズ・シーケンスを含む、段階とを有する、
方法。
【請求項２】
前記信号がデジタル・マルチメディア放送‐地上波（Digital  Multimedia  Broadcasting-Terrestrial）テレビジョン信号であり、前記決定する段階が、フレーム・ヘッダ・モード１およびフレーム・ヘッダ・モード３について実行される、請求項１記載の方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法であって、前記決定する段階が：
右シフト相関から最大右シフト相関値を判別し；
左シフト相関から最大左シフト相関値を判別し；
前記最大右シフト相関値の大きさが前記最大左シフト相関値の大きさ以上である場合には、前記最大右シフト相関値を使ってルックアップテーブルからフレーム番号を取得し；
そうでない場合には、前記最大左シフト相関値に負号を付けた値を使って、前記ルックアップテーブルからフレーム番号を取得することを含む、
方法。
【請求項４】
受信シンボルのシーケンスを与えるための信号を受信し、ここで、受信される信号はフレームを含むスーパーフレームを表し、各フレームは受信シンボルのグループを有し、各フレームは異なる初期位相を有していてもよい擬似ノイズ・シーケンスをもつヘッダを有する、ダウンコンバータと；
隣接し合う信号フレーム内の受信シンボルのグループの自己相関を調べることによって、前記スーパーフレーム内の各信号フレームについてのフレーム番号を決定するプロセッサであって、自己相関を調べられるシンボルは異なるフレーム・ヘッダの擬似ノイズ・シーケンスを含む、プロセッサとを有する、
装置。
【請求項５】
前記信号がデジタル・マルチメディア放送‐地上波（Digital  Multimedia  Broadcasting-Terrestrial）テレビジョン信号であり、前記プロセッサが、フレーム・ヘッダ・モード１およびフレーム・ヘッダ・モード３についてのフレーム・タイミングに同期する、請求項４記載の装置。
【請求項６】
請求項４記載の装置であって、前記プロセッサが、右シフト相関から最大右シフト相関値を判別し、左シフト相関から最大左シフト相関値を判別し、両者を比較して前記フレーム番号を決定するためのルックアップテーブルへのポインタを決定する、装置。