Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年1月13日(2011.1.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
で示される染料と、式（２）：
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
で示される染料と、ＵＶ吸収剤と、場合により更なる染料との配合物を塗布するか、または組み込むこと、および、
そのように処理された担体材料を光源と保護される有機素材との間に配置すること、
を含む。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
式（１）および（２）の染料に加えて、他の染料も本発明の配合物に存在させることができる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
式（１）および（２）の染料ならびに式（３）：
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
で示される染料ならびにＵＶ吸収剤の配合物が好ましい。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
本発明の方法は例えば、押出機、ロールミルまたは混合もしくは粉砕装置を使用して、式（１）および（２）、そして場合により（３）の染料と、ＵＶ吸収剤とを、プラスチックフィルムまたはプラスチックシートを製造するために使用されるプラスチック粒子またはカラーポリマー粒子と共に混合することにより実施され、染料およびＵＶ吸収剤が高分子量材料中に溶解または微細に分散されるという結果を伴う。本発明に従って使用される配合物の染料成分およびＵＶ吸収剤の添加は、同時にまたは連続して行なうことができ、それらを添加する順序は要望どおりに選択される。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
染料およびＵＶ吸収剤の混合は、実際の加工工程の直前に、例えば本発明に従って使用される配合物の染料成分、粉状のＵＶ吸収剤および粒状または粉状の高分子量有機材料、そして場合により、追加成分、例えば添加剤も押出機の取り入れゾーンに直接、連続して同時に供給することによっても実施可能であり、成分は加工の直前に混合される。しかし一般に、本発明に従って使用される配合物を高分子量有機材料中にあらかじめ混合することが好ましい。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
脆化を減少させるために、フィルム製造前にいわゆる可塑剤を高分子量化合物に組み込むことが多くの場合望ましい。可塑剤として、例えばリン酸、フタル酸またはセバシン酸のエステルが使用される。本発明の方法において、本発明に従って使用される配合物の組み込み前または組み込み後に、可塑剤をポリマー中に組み込むことができる。色の各種の色調を実現するために、高分子量有機材料に、式（１）および（２）、そして場合により（３）の染料に加えて、所望の量の更なる染料または他の着色剤も、場合により更なる添加剤、例えばフィラーまたはドライヤーと共に添加することも可能である。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
本発明の方法の更なる実施態様は、例えば本発明に従って使用される配合物を吹付けまたは塗布することにより、あるいは本発明に従って使用される配合物の染料成分およびＵＶ吸収剤を互に独立に吹付けまたは塗布することにより、ガラスまたは事前に製造された透明プラスチックフィルムを処理することを含み、吹付けまたは塗布は任意の順序で実施される。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５５】
本発明は、光からの有機素材の保護における、式（１）および（２）、そして場合により（３）の染料、ならびにＵＶ吸収剤の配合物の使用にも関する。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５９】
実施例１
ポリエステルグラニュール（ＰＥＴ  Ａｒｎｉｔｅ  Ｄ０４−３００、ＤＳＭ）１２００．００ｇを１３０℃で４時間予備乾燥させ、次に
式（１）の染料０．１６ｇ、
式（２）の染料０．２２ｇ、および式（１１）：
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
実施例２
ポリエステルグラニュール（ＰＥＴ  Ａｒｎｉｔｅ  Ｄ０４−３００、ＤＳＭ）１２００．００ｇを１３０℃で４時間予備乾燥させ、次に
式（１）の染料０．１２ｇ、
式（２）の染料０．１８ｇ、
式（３）の染料０．１５ｇ、および
式（１１）のＵＶ吸収剤２．４ｇを「ローラーラック」混合装置内で６０回転／分で１５分間均質に混合した。
均質な混合物を、６個の加熱ゾーンを有する押出機［二軸スクリュー２５ｍｍ、（Ｃｏｌｌｉｎ，Ｄ−８５５６０，Ｅｂｅｓｂｅｒｇ）］で最高温度２７５℃で押出して、水で冷却し、造粒機［Ｔｕｒｂ  Ｅｔｕｖｅ  ＴＥ  ２５、（ＭＡＰＡＧ  ＡＧ，ＣＨ−３００１，Ｂｅｒｎ）］で造粒して、次に１３０℃で４時間乾燥させた。
全般にわたる良好な堅牢特性、特に光および高温の光に対する非常に良好な堅牢性を有する緑色に着色したポリエステルグラニュールが得られ、これを公知の方法により加工して、シートまたはフィルムに成形するか、あるいは成形物、例えば固体もしくは液体物質用の容器、例えば飲料用または医薬製剤（例えば丸剤または滴剤）用の容器もしくは瓶に成形した。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年8月16日(2011.8.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一種類以上の粒内賦形剤と組み合わせて、３０から９０ｍｇのオスペミフェン、またはその薬剤的に許容される塩を含有する顆粒を含む固体薬剤配合物であって、前記少なくとも１つの粒内賦形剤が崩壊剤であることを特徴とする固体薬剤配合物。
【請求項２】
前記オスペミフェンが遊離塩であることを特徴とする請求項１記載の薬剤配合物。
【請求項３】
前記崩壊剤が、ポビドン、クロスポビドン、カルボキシメチルセルロース、メチルセルロース、アルギン酸、クロスカルメロースナトリウム、デンプングリコール酸ナトリウム、デンプン、ホルムアルデヒド−カゼインおよびそれらの組合せからなる群より選択されることを特徴とする請求項１または２記載の薬剤配合物。
【請求項４】
前記粒内賦形剤の少なくとも１つが希釈剤であることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の薬剤配合物。
【請求項５】
前記粒内賦形剤の少なくとも１つが結合剤であることを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の薬剤配合物。
【請求項６】
前記粒内賦形剤が、
−  少なくとも一種類の希釈剤と少なくとも一種類の崩壊剤の組合せ、
−  少なくとも一種類の崩壊剤と少なくとも一種類の結合剤の組合せ、または
−  少なくとも一種類の希釈剤と少なくとも一種類の崩壊剤と少なくとも一種類の結合剤の組合せ、
であることを特徴とする請求項１記載の薬剤配合物。
【請求項７】
前記崩壊剤が、前記顆粒の０．１から１０質量％の範囲であることを特徴とする請求項３記載の薬剤配合物。
【請求項８】
前記希釈剤が、マルトース、マルトデキストリン、ラクトース、フルクトース、デキストリン、微結晶セルロース、アルファー化デンプン、ソルビトール、スクロース、シリカ化微結晶セルロース、粉末セルロース、デキストリン、マンニトール、リン酸カルシウムおよびそれらの組合せからなる群より選択されることを特徴とする請求項４記載の薬剤配合物。
【請求項９】
前記結合剤が、アカシア、デキストリン、デンプン、ポビドン、カルボキシメチルセルロース、グアールガム、グルコース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、メチルセルロース、ポリメタクリレート、マルトデキストリン、ヒドロキシエチルセルロースおよびそれらの組合せからなる群より選択されることを特徴とする請求項５記載の薬剤配合物。
【請求項１０】
前記顆粒が乾式造粒法により製造されたことを特徴とする請求項１から９いずれか１項記載の薬剤配合物。
【請求項１１】
前記顆粒が湿式造粒法により製造されたことを特徴とする請求項１から９いずれか１項記載の薬剤配合物。
【請求項１２】
前記配合物が、外皮内に前記顆粒を被包してなるカプセルであることを特徴とする請求項１から１１いずれか１項記載の薬剤配合物。
【請求項１３】
前記配合物が粒外滑剤を含むことを特徴とする請求項１２記載の薬剤配合物。
【請求項１４】
前記滑剤が、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸、タルク、植物油、ポロキサマー、鉱油、ラウリル硫酸ナトリウム、ステアリルフマル酸ナトリウム、ステアリン酸亜鉛およびそれらの組合せからなる群より選択されることを特徴とする請求項１３記載の薬剤配合物。
【請求項１５】
前記配合物が、一種類以上の粒外賦形剤と組み合わせて前記顆粒を含む錠剤であることを特徴とする請求項１から１１いずれか１項記載の薬剤配合物。
【請求項１６】
前記粒外賦形剤が、一種類以上の崩壊剤、一種類以上の希釈剤、一種類以上の結合剤、一種類以上の滑剤、およびそれらの組合せからなる群より選択されることを特徴とする請求項１５記載の薬剤配合物。
【請求項１７】
前記粒外崩壊剤が、ポビドン、クロスポビドン、カルボキシメチルセルロース、メチルセルロース、アルギン酸、クロスカルメロースナトリウム、デンプングリコール酸ナトリウム、デンプン、ホルムアルデヒド−カゼインおよびそれらの組合せからなる群より選択されることを特徴とする請求項１６記載の薬剤配合物。
【請求項１８】
前記粒外希釈剤が、マルトース、マルトデキストリン、ラクトース、フルクトース、デキストリン、微結晶セルロース、アルファー化デンプン、ソルビトール、スクロース、シリカ化微結晶セルロース、粉末セルロース、デキストリン、マンニトール、リン酸カルシウムおよびそれらの組合せからなる群より選択されることを特徴とする請求項１６記載の薬剤配合物。
【請求項１９】
前記粒外結合剤が、アカシア、デキストリン、デンプン、ポビドン、カルボキシメチルセルロース、グアールガム、グルコース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、メチルセルロース、ポリメタクリレート、マルトデキストリン、ヒドロキシエチルセルロースおよびそれらの組合せからなる群より選択されることを特徴とする請求項１６記載の薬剤配合物。
【請求項２０】
前記粒外滑剤が、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸、タルク、植物油、ポロキサマー、鉱油、ラウリル硫酸ナトリウム、ステアリルフマル酸ナトリウム、ステアリン酸亜鉛およびそれらの組合せからなる群より選択されることを特徴とする請求項１６記載の薬剤配合物。
【請求項２１】
以下の成分：
オスペミフェン−３０質量％；
アルファー化デンプン−３８質量％；
トウモロコシデンプン−２５質量％；
ポビドン−２質量％；
デンプングリコール酸ナトリウム−４質量％；
ステアリン酸マグネシウム−１質量％；および
水（製造プロセス中に蒸発する）−２５質量％、
を含む固体薬剤配合物であって、前記配合物の少なくとも８０％が、前記配合物に米国薬局方の２４パドル法に従ってｐＨ９．８における溶解試験を行った後３０分以内に溶解することを特徴とする配合物。
【請求項２２】
前記顆粒が湿式造粒法により製造されたことを特徴とする請求項２１記載の薬剤配合物。
【請求項２３】
粒子形態のオスペミフェンを顆粒にする工程を含み、少なくとも１つの粒内賦形剤と共に、前記オスペミフェン粒子の９０％が５０マイクロメートル未満のサイズを有し、前記粒子の５０％が１５マイクロメートル未満のサイズを有することを特徴とするオスペミフェンを調製する方法。
【請求項２４】
前記顆粒が湿式造粒法により製造されたことを特徴とする請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
前記粒内賦形剤が崩壊剤であることを特徴とする請求項２３または２４記載の方法。
【請求項２６】
前記崩壊剤が、前記顆粒の０．１から１０質量％の範囲であることを特徴とする請求項２３から２５いずれか１項記載の方法。
【請求項２７】
前記崩壊剤が、ポビドン、クロスポビドン、カルボキシメチルセルロース、メチルセルロース、アルギン酸、クロスカルメロースナトリウム、デンプングリコール酸ナトリウム、デンプン、ホルムアルデヒド−カゼインおよびそれらの組合せからなる群より選択されることを特徴とする請求項２５または２６記載の薬剤配合物。
【請求項２８】
前記オスペミフェンが３０から９０ｍｇの量で存在することを特徴とする請求項２３から２７いずれか１項記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
二種類の錠剤の組成が以下に挙げられている：
【表１】
2007523210.tif 000001
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年11月9日(2010.11.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１９６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１９６】
組織は、針葉樹針、木部、形成層、または師部から得られる。組織は、液体窒素で凍結して粉砕する。総RNAをコンサート植物RNA試薬（Invitrogen）を使用して抽出する。生じるRNA試料をフェノール：クロロホルム中に抽出して、DNaseで処理する。次いで、RNAを65℃で2分間インキュベートし、続いて4℃で30分間遠心分離する。遠心分離に続いて、混入物を除去するためにRNAを少なくとも10回フェノールに抽出する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年6月1日(2011.6.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３次元の単結晶ＣＶＤダイヤモンドの光学的透明度を改善する方法であって、
ＣＶＤダイヤモンドを設定温度および設定圧に上げる前に、４−５％Ｎ2／ＣＨ4を含む雰囲気下で１４００〜１４６０度Ｃの温度で、単結晶ダイヤモンドをＣＶＤダイヤモンドに成長させる第１の工程と、
ＣＶＤダイヤモンドをダイヤモンド安定相外の５．０ ＧＰaから７．０ＧＰaの設定圧に上げた後で１８００度Ｃから２９００度Ｃの設定温度に上げる第２の工程と、
１分から１時間の間にわたり、単結晶ＣＶＤダイヤモンドの温度および圧を設定温度および設定圧に維持する第３の工程と、
単結晶ＣＶＤダイヤモンドの圧を維持しながら単結晶ＣＶＤダイヤモンドの温度を環境温度に下げる第４の工程とを含む方法。
【請求項２】
ＣＶＤダイヤモンドが別の材料上の単結晶被覆物である、請求項１の方法。
【請求項３】
第３の工程が、１分から５分の間にわたり単結晶ＣＶＤダイヤモンドの設定温度および設定圧を維持する、請求項１の方法。
【請求項４】
第２の工程が、５．０ ＧＰaの圧でＣＶＤダイヤモンドの温度を２２００度Ｃに上げる、請求項１の方法。
【請求項５】
単結晶ＣＶＤダイヤモンドが、初めに茶色であり、そして無色になる、請求項１の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
反応容器を、従来のＨＰＨＴ装置に入れた。圧を約５．０ ＧＰａの圧に上げ、次いで、温度を迅速に約２０００度Ｃに上げた。試料を、これらの焼なまし条件で５分間維持し、次いで、圧を解除する前に、温度を約１分にわたり室温に下げた。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年4月19日(2011.4.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
他の実施の形態では、化合物は、腫瘍性疾患を治療するのに、例えば腫瘍、癌および他の腫瘍性組織の成長を阻害するのに使用される。本明細書中に開示する治療方法は、腫瘍状成長、癌または他の腫瘍性成長（良性または悪性のいずれか）を保有することが疑われる任意の患者に使用され得る（「腫瘍（単数）」または「腫瘍（複数）」は、本明細書中で使用する場合、腫瘍、癌、播種性腫瘍性細胞および限局性腫瘍性成長を包含する）。このような成長の例としては、乳癌；骨肉腫、血管肉腫、線維肉腫および他の肉腫；白血病；洞腫瘍；卵巣、尿管（uretal）、膀胱、前立腺および他の尿生殖器癌；結腸、食道、胃および他の胃腸癌；肺癌；リンパ腫；骨髄腫；膵臓癌；肝臓癌；腎臓癌；内分泌癌；皮膚癌；黒色腫；血管腫；および脳または中枢神経系（ＣＮＳ）癌が挙げられるが、これらに限定されない。概して、治療されるべき腫瘍または成長は、原発性もしくは続発性の任意の腫瘍または癌であり得る。ある特定の実施の形態は、動物における腫瘍性疾患を治療する方法に関する。上記方法は、例えば、有効量の化合物を、それらを必要とする患者に投与することを包含することができる。他の実施の形態は、腫瘍性疾患の治療用の医薬品または薬物の製造における化合物の使用に関する。該化合物は、化学療法剤と併用して投与することができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年6月6日(2011.6.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
小児、妊婦、およびホルモン治療、ホルモン避妊薬、または不妊薬を受けている女性は除外した。診断未確定の膣からの出血が報告された場合、体格指数BMIが３０より大きい場合、エタノールまたは違法医薬品濫用が認められた場合、活動性の血栓性静脈炎、乳癌、高血圧（薬物治療の有無を問わず、５分着席後に収縮期／拡張期血圧が１６０／９５を超えるもの）、または重大な皮膚疾患、座瘡もしくは多毛症を有する場合、女性を研究から除外した。登録に先立って、被験患者の血液について以下の一般健康基準に関する検査を行った（カッコ内は除外基準）：脂質プロファイルによる心臓リスク要因---空腹時総コレステロール（＞２４０ｍｇ／ｄＬ）、高密度リポタンパク質（＜３５ｍｇ／ｄＬ）、低密度リポタンパク質（＞２１０ｍｇ／ｄＬ）、トリグリセリド（＞３００ｍｇ／ｄＬ）；アラニンアミノトランスフェラーゼ（＞１．５×Ｎ（正常値）、正常値は０〜４０U/L）、アルカリホスファターゼ（＞２×Ｎ、正常値は４０〜１２０U/L）、アスパラギン酸アミノトランスフェラーゼ（＞１．５×Ｎ、正常値は１０〜３０U/L）、血清アルブミン（＞Ｎ、正常値は３．２〜５．２ｇ／ｄＬ）、総ビリルビン（＞Ｎ、正常値は０．２〜１．３ｍｇ／ｄＬ）、および直接（抱合型、可溶性）ビリルビン（＞Ｎ、正常値は０．０〜０．３ｍｇ／ｄＬ）による肝機能；血中尿素窒素（＞２×Ｎ、正常値は８〜１８U/ｄL）および血清クレアチン検査（＞Ｎ、正常値は０．７〜１．２ｍｇ／ｄＬ）による腎機能；血液学的機能は、ヘモグロビン（正常値、１２〜１６ｇ／ｄＬ）についての検査を含む完全血球計算により評価した。テストステロン治療が、被験患者の一般的な健康に不都合に作用したかを評価するために、研究の最後に血液検査および身体検査を行った。血清総テストステロン（＞０．４ｎｇ／ｍＬ）およびＦＳＨ（＜２２IU/L）を、基準範囲（reference range）の下半分（lower half）のテストステロン濃度を患者が有することを確認し（１８人中２人の患者がテストステロン濃度に基づき除外された）、閉経後状態を決定するために検査した（一晩絶食後の午前８時）。＜２２IU/LのＦＳＨ濃度は、閉経前または閉経周辺期状態であること、したがって、両方の卵巣摘出術を受けていない限り、適切な避妊が必要であることを示す。テストステロン血清濃度は、循環アンドロゲンの小幅な２４時間周期リズムのために午前８時に検査した。最も頻繁に適用される除外基準は、BMI＞３０であった。セイヨウオトギリソウは、肝臓で、解毒作用のある酵素複合体、CYP3Aの活性化によりホルモンの異化作用を誘発することが知られているため、患者はセイヨウオトギリソウの服用の中止を求められた。上記の適格基準に適合する１２人の患者について、圧痛点評価、線維筋痛症診断の確認および一般健康評価を含む身体検査の予定を組んだ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
血中テストステロン濃度データの分析は、血清総テストステロン濃度が、線維筋痛症患者へのテストステロンゲルによるホルモン補充療法に応答して、確実に上昇することを明らかにした。１日目および２８日目の経時的な血清フリーテストステロン濃度のデータを図１に示す。血清テストステロンデータの、女性の血清総テストステロン濃度の標準基準範囲との比較により、本研究の線維筋痛症患者は、当初、基準範囲の下半分の総テストステロン濃度であったことが確認された。しかし、１日目におけるホルモンの最初の用量の適用の２４時間後、血清総テストステロン濃度の平均は、１日目の０時の血清濃度平均より有意に高く（図１、ｐ＝０．０１）、これは、血清濃度が、２８日間のタイムコース中、概して早い段階で、持続性となったことを示すものである。定常状態濃度には、２４時間サンプリングの初めと終わりの平均濃度が同様であったことにより証明されるように、２８日までに到達した（図１参照）。個人間をベースに分析した場合、血清テストステロンの２４時間プロファイルには違いがあり、これは、このホルモンについて知られている複雑な調節に一致する。薬学動態パラメータ分析の概要は、テストステロン治療に応答して、総テストステロン最大濃度の平均が有意に増加することを明らかにした：Ｃmaxは、１日目の１．２１ｎｇ／ｍＬと比較して２８日目で１．９２ｎｇ／ｍＬであり、ｐ＜０．０５であった。総テストステロンの濃度曲線下面積の平均（２４時間プロファイリング期間にわたって評価）の有意な増加もまた見いだされた：AUCは、１日目の１８．３６ｎｇ−ｈ／ｍＬと比較し、２８日目で２８．７５ｎｇ−ｈ／ｍＬであり、ｐ＜０．０５であった。総合して薬学動態データを考慮すると、治療により、血清総テストステロン濃度は、初期に、初めの３時間で素早く上昇し、その後、経時的に確実に持続することが明らかにされた。加えて、血清テストステロン濃度平均は、閉経前女性の基準範囲の下限から、ちょうど基準範囲の上限に上昇した。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
血清中の遊離テストステロンの濃度も検査し、薬学動態分析に供した。総テストステロンの結果に類似する結果が得られた。しかし、１２人の患者のうち２人が、治療前から治療の間中、異常に高い遊離テストステロン濃度を有した。残りの患者の個々のプロファイルは、閉経後の範囲から、閉経前の基準範囲および閉経後基準範囲の上部へと増加した濃度を示した。薬学動態パラメータ分析の概要は、遊離テストステロンのＣmaxの平均が、１日目で３．６８ｐｇ／ｍＬであるのに対し、２８日目は４．６９ｐｇ／ｍＬであり（ｐ＞０．０５）、遊離テストステロンのAUCの平均が、１日目で５４．３５ｐｇ−ｈ／ｍＬであるのに対し、２８日目で７１．３８ｐｇ−ｈ／ｍＬであることを示した。遊離テストステロンのＣmaxおよびAUCは、２８日目の値から１日目のベースラインを引き算することで証明されるように、治療により増加したが、例外的に高い遊離テストステロン濃度を有する２つの個体のために、統計的な有意性は、これらの薬学動態パラメータでは達成されなかった。これら２人の患者の遊離テストステロン濃度の高さは、これら特定の個人の総テストステロンプロファイルが正常であるのと対照的であり、これは、他の説明が存在するものの、これらの高い遊離ホルモン濃度が、血清中のグロブリンに結合した性ホルモン濃度が低いことによりもたらされた可能性を高めるものである。これら研究対象の両方により報告されたが、他のいずれの対象も使用していなかった薬剤またはサプリメントは、しょうが根のみであった（しょうが根が、遊離テストステロンの酵素結合免疫測定、または性ホルモン結合グロブリンの代謝もしくは結合パラメータに干渉することは知られていない）。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年7月29日(2011.7.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
図４は、上記の作業点ＡａおよびＡｂで製造されるＺｎＯ：Ａｌ膜の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）での表面写真を示している。製造後に膜を薄い塩酸（ＨＣｌ）でエッチング加工する。ＦＩＧ．４ａ）は本発明の範囲から選択される作業点Ａａでの膜の写真を示している。平均粗面度は約７０ｎｍである。
これに対して動作点Ａｂでの膜は太陽電池で使用した時に著しく低い性能水準を生じる明らかに小さい粗面度を有している。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
変更したエッチング挙動およびそれから得られる粗面度は太陽電池における電流収率を著しく増加させ得る（領域ＡおよびＭ参照）。これに対して増加した抵抗による損失は酸化スパッタリング加工した膜の場合に太陽電池の効率を制限する。高い抵抗のために接触膜として適していない膜Ｊ（領域Ｏ）は、極めて特別な場合である。動作点によって変更した電気的収率は残りの製造パラメータ、例えば基板温度および溶着圧と無関係に観察できる。太陽電池の開路電圧は使用される基板によって容易に影響され得る。しかしながらこの影響は比較的に低い。符号Ｋを付した膜Ｋ〜Ｍは基板温度Ｔｓ＜２２０℃で製造されそして珪素太陽電池のための良好なＺｎＯ：Ａｌ基板膜を製造するために、高い基板温度が必要とされることを明瞭に実証している。低すぎる温度でスパッタリング加工された基板の全ての太陽電池の特徴は悪い性能に反映されるという欠陥を示す。非反応的にスパッタリング加工された膜Ｎを比較用膜として示している。膜Ｎは太陽電池において最良の性質を示すが、溶着速度が遅い（１／１０）ためにソーラーモジュールの工業的生産では価格的に有効に使用することができない。後者および本発明に従う領域Ａからの膜は太陽電池において８％以上の良好な効率水準を示す。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年8月17日(2011.8.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６４】
実施例１
[4-(1,3,4-オキサジアゾール-2-イル)フェニル]ボロン酸
メチルリチウム溶液(ジエトキシメタン中8%w/w)(65 ml)を、−６５℃のテトラヒドロフラン(THF)(415 ml)中の2-(4-ブロモフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール(40g)懸濁液に加えた。１時間後、次いで、n-ブチルリチウム溶液(ヘキサン中2.5M)(78 ml)を、−６５℃で加えた。１時間後、次いで、トリイソプロピルボレート(90 ml)を、反応混合物を−６５℃に維持しながら加えた。１時間、−６５℃に反応混合物を維持し、次いで、−２０℃に温め、水中(222 ml)酢酸(28 ml)混合物中に入れた。得られた固体を単離し、THF及び水で洗浄し、乾燥すると標記化合物を得た(28.96 g @ 95.1% w/w, 82%); 400MHz NMR スペクトル: (DMSOd6) 8.00 (s, 4H), 8.31 (s, 2H), 9.35 (s, 1H); マススペクトル MH+ 191.0628 (１１−Bを使用して計算) 実測値 191.0633。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年6月3日(2011.6.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
上記の発明のメタノールは、炭素源として、さらに液体炭素源中の余剰細菌および他の微生物の早期成長を防止する静菌薬としても試用される。しかし、メタノールは、低濃度では一般的に細菌には有害でない。メタノールに加えて、本発明では微生物の早期成長を防止するために幾つかの添加剤を使用することができる。これらの添加剤は、メタノールに加えて、またはメタノールがない状態で、単独の成分またはその組合せとして使用することができる。これには、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウムおよび重炭酸ナトリウム、およびｐＨが９より大きい他の塩基がある。その他の添加剤には、２−ブロモ−２−ニトロプロパン−１，３−ジオール（ＣＡＳ＃５２−５１−７）、５−ブロモ−５−ニトロ−１，３−ジオキサン（ＣＡＳ＃３０００７−４７−７）−ブロモ−ニトロプロパン−１，３−ジオール（ＣＡＳ＃５２−５１−７）などの窒素置換化合物と、５−クロロ−２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オン（ＣＭＩ）（ＣＡＳ＃２６１７２−５５−４）、２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オン（ＭＩ）（ＣＡＳ＃２６８２−２０−４）、ＣＭＩ：ＭＩが３：１の混合物（ＣＡＳ＃５５９６５−８４−９）、１，２−ベンジソチアゾリン−３−オン（ＣＡＳ＃２６３４−３３−５）などのイソチアゾロンと、ベンジル−Ｃ８−１８アルキルジメチル塩化アンモニウムおよび塩化ベンジルアルコニウム（ＣＡＳ＃６１７８９−７４−７、８００１−５４−５、６８３９３−０１−５、６８４２４−８５−１、８５４０９−２２−９）、Ｎ，Ｎ，Ｎ，−トリメチル−１−ヘキサデカン臭化アンモニウム（ＣＡＳ＃５７−０９−９）、Ｎ，Ｎ，Ｎ，−トリメチル−１−ヘキサデカン塩化アンモニウム（ＣＡＳ＃１１２−０２−７）、１−（３−クロロ−２−プロペニル）−３，５，７−トリアザ−１−アゾニアトリシクロ（３．３．１．１）塩化デカン（ＣＡＳ＃９０８０−３１−３、４０８０−３１−３、５１２２９−７８−８）などの第４級アンモニア化合物と、ブチル−４−ヒドロキシ安息香酸（ＣＡＳ＃９４−２６−８）、エチル−４−ヒドロキシ安息香酸（ＣＡＳ＃１２０−４７−８）、メチル−４−ヒドロキシ安息香酸（ＣＡＳ＃９９−７６−３）、プロピル−４−ヒドロキシ安息香酸（ＣＡＳ＃９４−１３−３）などのパラバンとがある。使用できる他の物質には、２，２，４’−トリクロロ−２’−ヒドロキシフェニルエーテル（ＣＡＳ＃３３８０−３４−５）、安息香酸ナトリウム（ＣＡＳ＃５３２−３２−１）、ベンジルアルコール（ＣＡＳ＃１００−５１−６）、クロロアセトアミド（ＣＡＳ＃７９−０７−２）、Ｎ−（１，３−ビスヒドロキシメチル）−２，５−ジオキソ−４−イミダゾリジニル  Ｎ，Ｎ’−ビス（ヒドロキシメチル）尿素（ジアゾリジニル尿素）（ＣＡＳ＃３５６９１−６５−７）と、１，２−ジブロモ−２，４−ジシアノブタン（ＣＡＳ＃３５６９１−６５−７）、４，４−ジメチルオキサゾリジン（ＣＡＳ＃５１２００−８７−４）、グルタルアルデヒド（ＣＡＳ＃１１１−３０−８）、ホルマリン、３７％ホルムアルデヒド（ＣＡＳ＃５０−００−０）がある。これも使用できる他の添加剤には、ナトリウムヒドロキシメチルグリシネート（ＣＡＳ＃７７３２−１���−５）、イミダゾリジニル尿素（ＣＡＳ＃３９２３６−４６−９）、ジアゾリジニル尿素（ＣＡＳ＃７８４９１−０２−８）および３−ヨード−２−プロピニルカルバミン酸ブチル（ＣＡＳ＃５５４０６−５３−６）がある。上記の添加剤は、水性炭素溶液中で細菌の早期成長を防止しながら、微生物治療反応に添加する場合に細菌を殺したり、阻止したりしないような濃度で添加される。有用な濃度範囲は、化合物ごとに異なり、０．０１％から５％の範囲に入ると予想される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年9月21日(2011.9.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロール間隙参照値を液圧式ロール圧下機構に送ることができ、ロール間隙（７）をこのロール圧下機構により、および／またはワークロール（１ａ；１ｂ）の撓みにより自動的に調節することができる、測定プローブ、路程センサ（６）、電気液圧式変換器、磁気歪み変換器（６ａ）の形態のロール間隙センサを用いて、幅狭かあるいは幅広の金属ストリップを圧延するための、冷間ロールスタンドあるいは熱間ロールスタンドのワークロール（１ａ；１ｂ）間のロール間隙（７）を測定する装置において、
路程センサ（６）が、ストリップの横方向の拡がりを抑えるために、
積極的かあるいは消極的に作用する撓みシリンダ（５ａ；５ｂ）を介して、ロール間隙参照測定を間接的に行うために、ワークロール（１ａ，１ｂ）のための少なくとも一つの撓みシリンダ（５ａ；５ｂ）内において、ロール間隙（７）に近接する位置に設けられていること、
路程センサ（６）が、シリンダスリーブ（８）を貫通しており、このシリンダスリーブの端部側において、磁気歪み変換器（６ａ）のセンサロッド（１０）用の磁石（９）が、
撓みシリンダ（５）のためのピストン（１１）の中央の空域（１１ａ）内に設けられていること、および
撓みシリンダ（５）のピストンロッド（１１ｂ）を貫通しているセンサロッド（１０）が、ピストンロッド（１１ｂ）の排気口の軸方向の中央孔（１２）内に延在しており、この中央孔が排気孔（１３）で終わっていること、
シリンダ（５ａ，５ｂ）がワークロールを撓ませるための撓みシリンダとして形成されていること、
路程センサ（６）が、撓みシリンダ（５ａ，５ｂ）の内部に設けられていること、
撓みシリンダに加えて、ワークロールのための液圧式ロール圧下機構が設けられていること、そして
路程センサ（６）を使用して、撓みシリンダ（５ａ，５ｂ）において測定されるロール間隙参照値が、ロール圧下機構にも送られ、従ってロール間隙（７）が、液圧式ロール圧下機構を介して、または共通して撓みシリンダ（５ａ，５ｂ）を介して制御されることを特徴とする装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
本発明は、ロール間隙参照値を液圧式ロール圧下装置に送ることができ、ロール間隙をロール圧下装置により、および／またはワークロールの撓みにより自動的に調節することができる、測定プローブ、路程センサ、電気液圧式変換器、磁気歪み変換器の形態のロール間隙センサを用いて、幅狭かあるいは幅広の金属ストリップを圧延するための、冷間ロールスタンドあるいは熱間ロールスタンドのワークロール間のロール間隙を測定する装置に関する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
上記の課題は、路程センサが、ストリップの横方向の拡がりを抑えるために、積極的かあるいは消極的に作用する撓みシリンダを介して、ロール間隙参照測定を間接的に行うために、ワークロールのための少なくとも一つの撓みシリンダ内において、ロール間隙に近接する位置に設けられていること、  路程センサが、シリンダスリーブを貫通しており、このシリンダスリーブの端部側において、磁気歪み変換器のセンサロッド用の磁石が、撓みシリンダのためのピストンの中央の空域内に設けられていること、および撓みシリンダのピストンロッドを貫通しているセンサロッドが、ピストンロッドの排気口の軸方向の中央孔内に延在しており、この中央孔が排気孔で終わっていること、シリンダがワークロールを撓ませるための撓みシリンダとして形成されていること、路程センサが、撓みシリンダの内部に設けられていること、撓みシリンダに加えて、ワークロールのための液圧式ロール圧下機構が設けられていること、そして路程センサを使用して、撓みシリンダにおいて測定されるロール間隙参照値が、ロール圧下機構にも送られ、従ってロール間隙が、液圧式ロール圧下機構を介して、または共通して撓みシリンダを介して制御されることにより解決される。これにより、ロール間隙の変化を間接的に捕捉することができる長所を有するロール間隙近くでの路程測定ができる。さらに、ロール間隙を測定する装置は、ロール間隙に対して近いだけでなく、同時に撓みシリンダ内で十分保護されて設けられている。さらにこのように設置されると、メンテナンスの経費はわずかで済む。測定値の評価により、撓みシリンダ内に路程センサを内蔵することが、ロール間隙を横方向へのストリップの拡がりに抗した制御に関して十分正確に現示している。それどころか１０μｍよりも小さい解析が達せられる。ストリップの測定される傾斜の制御が、圧下および／または様々な曲げ力により、ピストンシリンダユニット内で行われる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
他の長所は、ロール間隙参照値が、液圧式ロール圧下機構に送ることが可能であることにより達せられ、この場合ロール間隙がロール圧下機構によってか、あるいは共通してワークロールの撓みにより制御可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月27日(2009.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メッシュネットワーク中の複数のノード間でデータグラムをルーティングするステップと、
前記複数のノードのうちの１つ以上にメッセージをルーティングするステップと
を含み、前記ルーティングメッセージはハローパケットとアップデートパケットとを含む、方法。
【請求項２】
前記ハローパケットは、ネイバー関係を確立し維持する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記アップデートパケットは、前記複数のノードに格納されたルーティングテーブルを維持する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ルーティングテーブルは、宛先ＩＰアドレス、宛先マーク、ルータＩＤ、最大シーケンス番号ルート、最小メトリックルート、即時アップデートフラグ、およびメッセンジャー情報を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記アップデートパケットは、定期アップデートパケット、即時トリガアップデートパケット、および通常のトリガされたアップデートパケットを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
データグラムをルーティングするステップは、最大宛先シーケンス番号を有するルートを選択するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記アップデートパケットは、メッセンジャーを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
１つ以上のネイバーノードとのリンクが壊れているかどうかを監視するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
宛先ノードへのリンクが壊れているときにローカル修復手順を実行するステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
複数の命令を格納したコンピュータ読み取り可能な媒体であって、前記複数の命令は、コンピュータにより実行されると、前記コンピュータに、
メッシュネットワーク中の複数のノード間でのデータグラムのルーティングと、
前記複数のノードのうちの１つ以上へのメッセージのルーティングと
を実行させ、ルーティングメッセージはハローパケットとアップデートパケットとを含む、コンピュータ読み取り可能な媒体。
【請求項１１】
前記ハローパケットは、ネイバー関係を確立し維持する、請求項１０に記載のコンピュータ読み取り可能な媒体。
【請求項１２】
前記アップデートパケットは、前記複数のノードに格納されたルーティングテーブルを維持する、請求項１０に記載のコンピュータ読み取り可能な媒体。
【請求項１３】
前記ルーティングテーブルは、宛先ＩＰアドレス、宛先マーク、ルータＩＤ、最大シーケンス番号ルート、最小メトリックルート、即時アップデートフラグ、およびメッセンジャー情報を含む、請求項１２に記載のコンピュータ読み取り可能な媒体。
【請求項１４】
前記アップデートパケットは、定期アップデートパケット、即時トリガアップデートパケット、および通常のトリガされたアップデートパケットを含む、請求項１１に記載のコンピュータ読み取り可能な媒体。
【請求項１５】
追加命令を格納し、前記追加命令は、データグラムのルーティングのためにコンピュータにより実行されると、前記コンピュータに、最大宛先シーケンス番号を有するルートの選択をさらに実行させる、請求項１０に記載のコンピュータ読み取り可能な媒体。
【請求項１６】
前記アップデートパケットは、メッセンジャーを含む、請求項１０に記載のコンピュータ読み取り可能な媒体。
【請求項１７】
追加命令を格納し、前記追加命令は、コンピュータにより実行されると、前記コンピュータに、１つ以上のネイバーノードとのリンクが壊れているかどうかの監視をさらに実行させる、請求項１０に記載のコンピュータ読み取り可能な媒体。
【請求項１８】
追加命令を格納し、前記追加命令は、コンピュータにより実行されると、前記コンピュータに、宛先ノードへのリンクが壊れているときのローカル修復手順の実行をさらに実行させる、請求項１１に記載のコンピュータ読み取り可能な媒体。
【請求項１９】
メッシュルータであって、
プロセッサと、
前記プロセッサに結合されたメモリと、
前記プロセッサおよびメモリを結合するバスと
を備え、前記メモリは、メッシュネットワーク中の複数のノード間でデータグラムをルーティングするため、および前記複数のノードのうちの１つ以上にメッセージをルーティングするための、前記プロセッサにより実行される命令を格納し、ルーティングメッセージはハローパケットとアップデートパケットとを含む、メッシュルータ。
【請求項２０】
前記ハローパケットは、ネイバー関係を確立し維持する、請求項１９に記載のルータ。
【請求項２１】
前記アップデートパケットは前記メモリに格納されたルーティングテーブルを維持する、請求項１９に記載のルータ。
【請求項２２】
前記ルーティングテーブルは、宛先ＩＰアドレス、宛先マーク、ルータＩＤ、最大シーケンス番号ルート、最小メトリックルート、即時アップデートフラグ、およびメッセンジャー情報を含む、請求項２１に記載のルータ。
【請求項２３】
前記アップデートパケットは、定期アップデートパケット、即時トリガアップデートパケット、および通常のトリガされたアップデートパケットを含む、請求項２０に記載のルータ。
【請求項２４】
データグラムをルーティングするステップは、最大宛先シーケンス番号を有するルートを選択するステップを含む、請求項１９に記載のルータ。
【請求項２５】
前記アップデートパケットは、メッセンジャーを含む、請求項１９に記載のルータ。
【請求項２６】
前記メモリは、１つ以上のネイバーノードとのリンクが壊れているかどうかを監視するように、前記プロセッサにより実行される命令をさらに格納する、請求項１９に記載のルータ。
【請求項２７】
前記メモリは、宛先ノードへのリンクが壊れているときにローカル修復手順を実行するように、前記プロセッサにより実行される命令をさらに格納する、請求項２６に記載のルータ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月5日(2011.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の縁を研磨するように構成された装置において、
基板に輪郭が合うように構成された柔軟な研磨膜と、
上記柔軟な研磨膜の少なくとも第１の長さに張力をかけるように構成されたフレームであって、上記柔軟な研磨膜の第１の長さが基板との接触に先んじて第１の面を成す、フレームと、
上記第１の長さの一部分に沿って上記柔軟な研磨膜に対して上記基板を回転させるように構成された基板回転駆動装置であって、それにより上記基板が上記第１の面内に延び、且つ上記柔軟な研磨膜が、
上記基板に張力を付与し、
少なくとも外縁及び第１斜面を含む上記基板の縁に輪郭が合い、
上記基板が回転されるときに上記外縁及び第１斜面を研磨する、
ように構成される、基板回転駆動装置と、
を備え、
上記基板の縁が上記基板回転駆動装置を越えて延び、
上記フレームが更に、上記柔軟な研磨膜を上記基板の縁の周りで角度を付けて並進移動させるように構成されている、装置。
【請求項２】
上記フレームは、上記柔軟な研磨膜のための供給スプールと巻き取りスプールを含み、更に、上記フレームは、上記柔軟な研磨膜の上記基板に接触する部分を交換できるように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
上記柔軟な研磨膜は、上記供給スプールと上記巻き取りスプールとの間で長手方向に延び、及び、上記基板回転駆動装置は、上記柔軟な研磨膜の上記長手方向に上記基板の上記縁を移動させる、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
上記柔軟な研磨膜及び上記フレームは、交換可能なカセットに収容される、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
上記フレームは、更に、上記柔軟な研磨膜を上記基板の外縁、第１斜面及び第２斜面に接触させるために、上記基板の上記外縁に接する軸の周りで上記研磨膜を角度を付けて並進移動させるように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
上記フレームは、更に、上記基板の上記縁の周りで上記柔軟な研磨膜を、上記基板に対して周囲方向に回転させるように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
流体供給チャンネルを更に備え、該流体供給チャンネルは、上記基板の上記縁へ流体を送出するように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
上記流体供給チャンネルは、更に、上記柔軟な研磨膜を経て上記基板の上記縁に流体を送出するように構成されている、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
上記流体供給チャンネルは、上記基板の上記縁に音波エネルギーを送出するように構成されている、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
上記流体は、水及び洗浄化学物質の少なくとも１つを含む、請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
基板の縁を研磨するように構成された装置において、
基板に輪郭が合うように構成された複数の柔軟な研磨膜と、
各柔軟な研磨膜の少なくとも第１の長さに沿って複数の柔軟な研磨膜のそれぞれに張力をかけるように構成された少なくとも１つのフレームであって、上記各柔軟な研磨膜の第１の長さが基板との接触に先んじて第１の面を成す、フレームと、
少なくとも１つの上記柔軟な研磨膜の第１の長さの一部分に対して基板を回転させるように構成された基板回転駆動装置であって、上記基板が上記第１の面内に延び、且つ上記基板に接触する柔軟な研磨膜がいずれも、基板に圧力を付与し、上記基板の縁に輪郭が合い、及び、上記基板が回転されるときに上記縁を研磨するようにできた、基板回転駆動装置と、
を備え、
上記基板の縁が上記基板回転駆動装置を越えて延び、
上記少なくとも１つのフレームが更に、上記柔軟な研磨膜を上記基板の縁の周りで角度を付けて並進移動させるように構成されている、装置。
【請求項１２】
上記複数の柔軟な研磨膜は、異なる研磨材を有する膜を含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
少なくとも１つのフレームは複数のヘッドを備え、各ヘッドは少なくとも１つの柔軟な研磨膜を支持するように構成され、及び、上記複数のヘッドはほぼ同時に、支持された柔軟な研磨膜を上記基板の縁に接触させるように構成されている、請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
少なくとも１つのフレームは複数のヘッドを備え、各ヘッドは少なくとも１つの柔軟な研磨膜を支持するように構成され、及び、各ヘッドは、支持された柔軟な研磨膜を異なる時間に基板の縁に接触保持するように構成されたパッドを含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１５】
上記各ヘッドのパッドは、アクチュエータがそのパッドを押すのに応答して、回転する基板に対してヘッドの柔軟な研磨膜を押し付けるように構成されている、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
各柔軟な研磨膜及び各ヘッドは交換可能なカセットに収容される、請求項１４に記載の装置。
【請求項１７】
上記フレームは、更に、上記柔軟な研磨膜を上記基板の外縁、第１斜面、及び第２斜面に接触させるために、上記基板の外縁に接する各軸の周りで各ヘッドの柔軟な研磨膜を角度を付けて並進移動させるように構成されている、請求項１４に記載の装置。
【請求項１８】
上記フレームは、更に、上記基板の縁の周りで各ヘッドの柔軟な研磨膜を、上記基板に対して周囲方向に回転させるように構成されている、請求項１４に記載の装置。
【請求項１９】
流体供給チャンネルを更に備え、該流体供給チャンネルは、上記基板の縁へ流体を送出するように構成されている、請求項１１に記載の装置。
【請求項２０】
流体供給チャンネルを更に備え、該流体供給チャンネルは、更に、各ヘッドの柔軟な研磨膜を経て上記基板の縁へ流体を送出するように構成されている、請求項１４に記載の装置。
【請求項２１】
上記流体供給チャンネルは、上記基板の縁に音波エネルギーを送出するように構成されている、請求項１９に記載の装置。
【請求項２２】
前記流体は、水及び洗浄化学物質の少なくとも１つを含む、請求項１９に記載の装置。
【請求項２３】
基板の縁を研磨するように構成された装置において、
基板に輪郭が合うように構成された柔軟な研磨膜と、
基板の縁の輪郭に適合するように予め形成された輪郭合わせされたパッドであって、上記基板の縁に一致するように構成されたパッドと、
上記柔軟な研磨膜の少なくとも第１の長さに張力をかけるように構成されたフレームであって、上記柔軟な研磨膜の第１の長さが上記基板との接触に先んじて第１の面を成す、フレームと、
上記第１の長さの一部分に沿って上記柔軟な研磨膜に対して上記基板を回転させるように構成された基板回転駆動装置であって、それにより上記基板が上記第１の面内に延び、且つ上記柔軟な研磨膜が、
上記基板に張力を付与し、
少なくとも外縁及び第１斜面を含む上記基板の縁に輪郭が合い、
上記基板が回転されるときに上記外縁及び第１斜面を研磨する、
ように構成される、基板回転駆動装置と、
を備え、
上記基板の縁が上記基板回転駆動装置を越えて延び、
上記フレームが更に、上記柔軟な研磨膜を上記基板の縁の周りで角度を付けて並進移動させるように構成されている、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月3日(2010.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的に絶縁する材料と、
前記電気的に絶縁する材料に埋め込まれた少なくとも１つのファイバーと
を備え、それぞれのファイバーが量子閉じ込めを示す熱電材料を含む、ケーブル。
【請求項２】
熱電装置に用いられる複合ファイバーであって、
電気的に絶縁するガラス基材と、
前記電気的に絶縁するガラス基材に埋め込まれた複数のファイバーと、
を含んでおり、複数のファイバーのそれぞれが、熱電材料である、複合ファイバー。
【請求項３】
前記電気的に絶縁するガラス基材は、二成分、三成分のガラス構造体を含んでおり、
ファイバーは、線引機を使って自動的に線引されるか、手動により線引され、
各ファイバーは、２ミクロンと２フィートとの間の長さを有し、
前記熱電材料は、ＰｂＴｅ、Ｂｉ２Ｔｅ３、ＳｉＧｅおよびＺｎＳｂから成るグループから選択される、請求項２に記載の熱電装置に用いられる複合ファイバー。
【請求項４】
前記熱電装置のＺＴ係数は、少なくとも１．５である、請求項２に記載の熱電装置に用いられる複合ファイバー。
【請求項５】
ガラスクラッド中の熱電活性材料を線引する方法であって、
ガラス管が開端と閉端とを有するようにガラス管の一端を封じるステップと、
前記熱電活性材料を前記ガラス管の内部に導入し、開端を真空ポンプに取り付けて管を排気するステップと、
部分的に溶けたガラスが真空中で潰れ、前記部分的に溶けたガラス管が最初の線引作業に使用される熱電材料を含んだアンプルを提供するように、ガラス管の一部を加熱するステップと、
前記熱電活性材料を含むアンプルを加熱装置に導入するステップと、
ガラス管が線引されるのにちょうど充分なほどに溶けるように加熱装置内部の温度を上げるステップと、
前記熱電活性材料が量子閉じ込めを示すようにガラスクラッドした熱電活性材料のファイバーを線引するステップとを含むガラスクラッド中の熱電活性材料を線引する方法。
【請求項６】
ガラスクラッドしたワイヤーを線引する方法であって、
ガラスクラッドした複数の束ねられた連続する半導体ワイヤーを提供するステップと、
ガラスクラッドにより互いに絶縁されている複数の連続する半導体ワイヤーを有する複芯ケーブルを製造するために前記半導体ワイヤーを１回あるいはそれより多く線引するステップと、
を含むガラスクラッドしたワイヤーを線引する方法。
【請求項７】
ガラス管が開端と閉端とを有するようにガラス管の一端を封じるステップと、
半導体材料をそのガラス管の内部に導入するステップと、
ガラス管を排気するステップと、
ガラスが部分的に溶けて密閉されたガラス管を形成するように、ガラス管の一部を加熱するステップと、
半導体材料を包含する前記密閉されたガラス管を加熱装置に導入するステップと、
材料が溶けてガラス管が線引されるのにちょうど充分なほどにガラス管が加熱されるように半導体材料溶解温度を超えて加熱装置内部の温度を上げるステップと、
ガラスクラッドした複数の連続する半導体ワイヤーの一つを含むガラスクラッドしたワイヤーを線引するステップと、
ガラスクラッドした複数の束ねられた連続する半導体ワイヤーを形成するために複数のガラスクラッドしたワイヤーを束ねるステップと、
を含む請求項６に記載のガラスクラッドしたワイヤーを線引する方法。
【請求項８】
半導体材料を導入するステップは、ガラス管内に粒状半導体材料を導入するステップを含んでおり、
ガラスに埋め込まれたワイヤーの電気抵抗が１オーム／ｃｍより小さく、ガラスクラッドした複数の束ねられたワイヤーは、ガラスクラッドした複数の連続する熱電半導体ワイヤーと、
テルル化鉛、テルル化ビスマス、シリコンゲルマニウム、アンチモン化亜鉛、またはアンチモン化カドミウムを含む、ガラスクラッドした複数の連続する半導体ワイヤーと、
ＰｂＴｅからなる、ガラスクラッドした複数の連続する熱電半導体ワイヤーであって、ケーブルのＺＴ係数が少なくとも１．５である熱電半導体ワイヤーと、
を少なくとも一つ含む請求項７に記載のガラスクラッドしたワイヤーを線引する方法。
【請求項９】
前記ケーブルの少なくとも一部を熱電装置の一部に形成することを更に含む、請求項８に記載のガラスクラッドしたワイヤーを線引する方法。