【事件の表示】
　特許第６２４１５０２号発明「電気テスト用コンタクトおよびそれを用いた電気テスト用ソケット」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６２４１５０２号の請求項１及び請求項２に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　特許第６２４１５０２号（以下、「本件特許」という。）の請求項１及び請求項２に係る発明（以下、「本件発明１」及び「本件発明２」といい、本件発明１及び本件発明２を併せて「本件発明」という。）は、平成２５年６月２５日（優先権主張　平成２４年６月２５日）を国際出願日とする出願である特願２０１４−５２２６４０号の一部を平成２８年６月６日に新たな特許出願（特願２０１６−１１２９６８号）としたものに係る発明である。そして、平成２９年１１月１７日にその特許権の設定登録がされ、同年１２月６日にその特許掲載公報が発行された。
　これに対して、平成３０年６月４日に本件特許の全ての請求項について特許異議申立人海老原健雄による特許異議の申立てがされた。
第２　本件発明
　本件発明１及び本件発明２は、本件特許の特許請求の範囲の請求項１及び請求項２に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】
  被検体の端子に接触する接触部と、テストボードに固定される端子部と、を備え、前記被検体の検査に用いられる電気テスト用コンタクトであって、
  金属材料から成る基材と、該基材の表面に形成されたニッケルあるいはニッケル基合金から成る第１めっき層と、を有し、
  前記接触部および前記端子部には、前記第１めっき層に接して金あるいは金基合金から成る第２めっき層が形成され、さらに前記接触部のみに前記第２めっき層に接するパラジウムまたはパラジウム基合金から成る第３めっき層と、該第３めっき層に接する銀あるいは銀基合金から成る第４めっき層と、が積層して形成され、
  前記第２めっき層は、前記第１めっき層および第３めっき層間での応力緩和機能を果たすために、前記接触部において、０．０５μｍ以上の厚さに形成されていることを特徴とする電気テスト用コンタクト。
【請求項２】
  前記第２めっき層は、前記端子部において、前記第１めっき層の酸化防止機能を果たすために、０．３μｍ以下の厚さに形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気テスト用コンタクト。」
第３　特許異議申立ての理由の概要
１　理由１（進歩性欠如）
　本件発明１及び本件発明２は、後記の甲第１号証に記載された発明と後記の甲第２号証ないし甲第１０号証に記載された技術常識に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　すなわち、本件発明１及び本件発明２についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、同法第１１３条第２号に該当する。
　甲第１号証：国際公開第２００７／０３４９２１号
　甲第２号証：丸山清　毛利秀明、「機能めっき」、初版、日刊工業新聞社、昭和５９年２月２８日、第２００−２０３頁
　甲第３号証：特開平９−２３２０５７号公報
　甲第４号証：岩波国語辞典、第５版、岩波書店、１９９７年１２月１８日、第１１２４頁
　甲第５号証：特開２００４−７９４８６号公報
　甲第６号証：プレーティング研究会、「絵とき　機能めっき　基礎のきそ」、初版、日刊工業新聞社、２００７年１２月２８日、第２４−２５頁
　甲第７号証：木名瀬隆、「白金族ルテニウムめっき」、表面技術、一般社団法人　表面技術協会、２００５年９月５日、Ｖｏｌ．５５、Ｎ０．１０、第６３５−６３９頁
　甲第８号証：岡村康弘、「設計現場で役立つ　めっきの基礎とノウハウ」、初版、日刊工業新聞社、２００９年２月２０日、第１１８−１２７頁
　甲第９号証：特開２００７−２７１３４３号公報　
　甲第１０号証：特開２００８−６３４１５号公報
２　理由２（サポート要件違反、実施可能要件違反）
（１）理由２−１　
　本件特許の請求項１には、接触部のめっき層について「前記第２めっき層は、・・・前記接触部において、０．０５μｍ以上の厚さに形成されている」と記載されている。
　しかし、本件特許の課題は、接触抵抗の上昇を抑制することにより、信頼性の向上および長寿命化を図り、且つ、低コスト化を実現することであり、これらの課題は、一体的な課題といえる。そうすると、このような一体的な課題を解決するにあたって、本件特許の発明の詳細な説明において、第２めっき層の厚さについて、下限のみを設定する事項が開示されているとはいえない。
（２）理由２−２
ア　本件特許の請求項１には、端子部の第２めっき層について、厚さは限定されていない。
　本件特許の発明の詳細な説明によれば、端子部に関しても、特定の数値範囲とすることによって、信頼性、長寿命化及びコストという一体的な課題の解決を図っていると読み取れる。そうすると、このような一体的な課題を解決するにあたって、本件特許の詳細な説明において、端子部の厚みが任意であってもよいという事項が開示されているとはいえず、また、請求項２のように上限のみ設定する事項が開示されているともいえない。
イ　請求項２には、「第２のめっき層」について、「０．３μｍ以下の厚さに形成されている」と記載されている。この点について、明細書には、「０．３０μｍ以下」という数値は記載されているが、「０．３μｍ以下」の記載はない。
　「０．３μｍ」という数値は、明細書に裏付けのないものであり、また、その数値に臨界的意義を見いだすことができない。
（３）理由２−３　
ア　本件特許の発明の詳細な説明においては、ニッケルとパラジウムとの組み合わせの場合においても、０．０５μｍ以上の厚さの金めっき層であれば、層間の剥がれを防止出来ることについて、実証したデータの開示はなく、また、金属の性質との関係性に基づく論理的な説明も開示もされていない。
イ　応力緩和機能を発生する第２めっき層の厚みの臨界的意義について、それを裏付ける実験データの開示はなく、また、論理的な説明も開示されていない。
　すなわち、本件発明１及び本件発明２についての特許は、特許法第３６条第４項第１号及び第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、同法第１１３条第４号に該当する。
第４　理由１（進歩性欠如）について
１　甲第１号証ないし甲第１０号証に記載された発明等
（１）甲第１号証
ア　甲第１号証の記載
甲第１号証には、以下の記載がある。下線は、当審が付した。
「［０００１］
　この発明は、半導体装置（以下「ＩＣパッケージ」という）等の電気部品に電気的に接続される電気接触子及び、この電気接触子が配設された電気部品用ソケットに関するものである。」
「 ［０００６］
　そこで、この発明は、バーンイン試験を繰り返し行っても、電気抵抗値の上昇を抑制し、適切な試験が行える電気接触子及び電気部品用ソケットを提供することを課題としている。
課題を解決するための手段
  ［０００７］
　かかる課題を達成するために、本発明者らは鋭意検討した結果、以下のことを見出した。すなわち、従来では、コンタクトピンの最表層がＡｕメッキ層で、下地層がＮｉで成形されているため、鉛フリー半田の端子を有するＩＣパッケージを対象としたバーンイン試験を繰り返すうちにＡｕが端子側に溶け込んでＡｕメッキ層が無くなり、下地層Ｎｉが露出するようになる。そして、Ｎｉが空気中で酸化し、比抵抗の大きい酸化被膜を作る。その結果、コンタクトピンの端子に対する接触部分の電気抵抗値が大きくなることを見出した。
  ［０００８]
　このことにより、本発明者らは、電気接触子側の最表層が電気部品端子側に溶け込まず、下地層Ｎｉが露出しないように、電気部品端子の半田中のＳｎがバーンイン環境（高温）下で、電気接触子側に転写するようにし、且つ、最表層中に拡散して表面にＳｎが酸化物として蓄積され難いようにすれば、繰り返して使用しても、接触部分の電気抵抗の早期の上昇が抑制されるものと考えた。」
「 ［００４２]
　この実施の形態１の電気接触子は、ここでは、
バーンイン試験用のＩＣソケット
に配設されるコンタクトピン１１
コンタクトピン１１を介して、バーンイン試験時に、
ＩＣパッケージと配線基板とを電気的に接続する
  ［００４３]
　このＩＣパッケージは、方形状のパッケージ本体の下面に多数の端子が設けられ、この端子は、主成分がＳｎで鉛を含まないいわゆる鉛フリー半田により成形されている。
  ［００４４]
　その
ＩＣソケットは、配線基板上に取り付けられるソケット本体を有し、このソケット本体に、複数のコンタクトピン１１が配設されている。
  ［００４５]
　
そのコンタクトピン１１は、
基材１２と、下地層１３と、最表層１４とから構成されている。
基材１２は、導電性を有する材料から成形され、ここでは、リン青銅から成形されている。
下地層１３は、
Ｎｉメッキにより成形されている。
  ［００４６]
　さらに、
最表層１４は、熱を加えることによりＳｎが溶け込む材料
から構成され
  ［００４７]
　このＰｄ−Ａｇメッキ層は、例えばメッキによる製法又はイオンプレーティングによる製法により成形されている。
  ［００４８]
　そのメッキによる製法は、下地層１３としてＮｉメッキ２〜３μｍを施し、その上に密着層としてストライクＡｕメッキをした上で、最表層１４としてＰｄメッキ０．５μｍとＡｇメッキ０．５μｍを交互に重ねた後恒温槽にて所定の温度でＰｄ及びＡｇを熱拡散させるものである。このときＰｄとＡｇとの重量比は、Ｐｄ：Ａｇ＝５４：４６であるが、この比は、Ｐｄメッキ層及びＡｇメッキ層の膜厚を調整することで自由に変えることができる。
  ［００４９]
　また、イオンプレーティングによる製法は、下地層１３としてＮｉメッキ２〜３μｍを施し、その上に最表層１４としてＰｄ及びＡｇをイオンプレーティングにより１μｍ付着させた。この場合、ＰｄとＡｇとの重量比は、Ｐｄ：Ａｇ＝３６：６４で、Ａｇの方が大きい。  
  ［００５０]
　これによれば、かかる
コンタクトピン１１を、ＩＣパッケージの端子に接触させ、バーンイン試験を繰り返し行うことにより
  ［００５１]
　すなわち、従来では、コンタクトピン１１の最表層１４がＡｕメッキ層で、下地層１３がＮｉで成形されているため、鉛フリー半田の端子を有するＩＣパッケージを対象としたバーンイン試験を繰り返すうちにＡｕが端子側に溶け込んでＡｕメッキ層が無くなり、下地層１３のＮｉが露出するようになる。そして、Ｎｉが空気中で酸化し、比抵抗の大きい酸化被膜を作る。その結果、コンタクトピン１１の端子に対する接触部分の電気抵抗値が大きくなっていた。
  ［００５２]
　しかし、この実施の形態では、コンタクトピン１１の最表層１４にＰｄとＡｇからなるメッキ層を設けたため、バーンイン環境下（８０℃〜１７０℃）で、ＩＣパッケージ端子の半田中のＳｎが、コンタクトピン１１の最表層１４に転写して拡散する。従って、ＰｄとＡｇがＩＣパッケージ端子側に溶け込むことなく、下地層１３のＮｉが露出しないと共に、最表層１４の表面にＳｎが酸化物として蓄積され難い。」
「［００８３]
　ここで、
図１１乃至図１６には、それぞれ、発明の実施の形態１の異なる変形例を示す。
　［００８４]
　図１１に示すコンタクトピン１１は、Ｐｄ−Ａｇメッキ層１４ａと下地層１３との間に、Ｐｄメッキ層１４ｂが形成され、図１２に示すコンタクトピン１１は、Ｐｄ−Ａｇメッキ層１４ａと下地層１３との間に、Ａｇメッキ層１４ｃが形成され、図１３に示すコンタクトピン１１は、Ｐｄ−Ａｇメッキ層１４ａの上に、Ｐｄメッキ層１４ｂが形成され、図１４に示すコンタクトピン１１は、Ｐｄ−Ａｇメッキ層１４ａの上に、Ａｇメッキ層１４ｃが形成され、
図１５に示すコンタクトピン１１は、下地層１３の上に、Ｐｄメッキ層１４ｂとＡｇメッキ層１４ｃとが順に積層され
  ［００８５]
　このようなものにあっても、コンタクトピン１１の最表層１４にＰｄとＡｇからなるメッキ層を設けたため、バーンイン環境下（８０℃〜１７０℃）で、ＩＣパッケージ端子の半田中のＳｎが、コンタクトピン１１の最表層１４に転写して拡散する。従って、ＰｄとＡｇがＩＣパッケージ端子側に溶け込むことなく、下地層１３のＮｉが露出しないと共に、最表層１４の表面にＳｎが酸化物として蓄積され難い。その結果、バーンイン試験を繰り返しても、コンタクトピン１１の接触部分の電気抵抗の早期の上昇が抑制されることとなる。」
【図１５】
イ　甲第１号証に記載された発明
上記アの記載によれば、以下のことが認められる。
（ア）甲第１号証には、バーンイン試験用のＩＣソケットに配設されるコンタクトピン１１の発明が記載されている。（[００４２]）
（イ）甲第１号証の「コンタクトピン１１」は、バーンイン試験用のＩＣソケットのソケット本体であって、配線基板上に取り付けられるソケット本体に配設され、バーンイン試験時にＩＣパッケージの端子に接触し、ＩＣパッケージと配線基板とを電気的に接続する。（[００４２]、[００４４]、[００５０]）
（ウ）甲第１号証の「コンタクトピン１１」は、基材１２と、下地層１３と、最表層１４とから構成されている。（[００４５]）
（エ）甲第１号証の「基材１２」は、導電性を有する材料であるリン青銅から成形されている。（[００４５]）
（オ）甲第１号証の「下地層１３」は、Ｎｉメッキにより成形されている。（[００４５]）
（カ）甲第１号証の「最表層１４」は、熱を加えることによりＳｎが溶け込む材料から構成されている。（[００４６]）
 
（キ）甲第１号証の「最表層１４」の一例は、下地層１３の上に、Ｐｄメッキ層１４ｂとＡｇメッキ層１４ｃを順に積層したものである。（[００８３]、[００８５]、図１５）
　以上のことをまとめると、 甲第１号証には、図１５に示された「変形例」として、以下の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されているものと認められる。
「バーンイン試験用のＩＣソケットのソケット本体であって、配線基板上に取り付けられるソケット本体に配設され、バーンイン試験時にＩＣパッケージの端子に接触し、ＩＣパッケージと配線基板とを電気的に接続するコンタクトピン１であって、
　基材１２と、下地層１３と、最表層１４とから構成され、
　基材１２は、導電性を有する材料であるリン青銅から成形され、
　下地層１３は、Ｎｉメッキにより成形され、
　最表層１４は、下地層１３の上に、熱を加えることによりＳｎが溶け込む材料であるＰｄメッキ層１４ｂとＡｇメッキ層１４ｃを順に積層したものである、
  コンタクトピン１１。」　
（２）甲第２号証
　甲第２号証には、接点として必要な部分だけをめっきする部分めっきが開発され、貴金属の節約によるコストダウンがなされているという技術事項が記載されている。
（３）甲第３号証
ア　甲第３号証の記載
　甲第３号証には以下の記載がある。下線は、当審が付した。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣパッケージを装着して、前記ＩＣパッケージのリードとＩＣパッケージの検査用回路との電気的接続をさせるためのＩＣソケットに用いられるコンタクトピンに関する。」
「【００１２】
【実施例】図１は、
フラット型ＩＣパッケージ用ＩＣソケットに用いられるコンタクトピン
１はコンタクトピンで、斜線部１ａはＩＣパッケージのリードと接触する接触部、斜線部１ｂはＩＣパッケージの検査用回路基盤に半田付けされることによって接続される実装接続部である
【００１３】ます、
ベリリウム銅をプレス加工することによって
コンタクトピン１の形状に加工する。
コンタクトピン１全体をニッケルメッキし、さらにその上に金メッキを全体に施す。
金メッキを施されたコンタクトピンの接触部１ａの上のみ、
半田濡れ性が悪く、しかも電気抵抗の低い物質、例えば、Ａｇ−Ｃ，
Ｐｄ−Ｐ等の物質をメッキする。
イ　甲第３号証に記載された技術事項
 上記アの記載をまとめると、甲第３号証には、以下の技術事項が記載されている。
「ＩＣパッケージのリードと接触する接触部１ａと、ＩＣパッケージの検査用回路基盤に半田付けされることによって接続される実装接続部１ｂと、を備えるフラット型ＩＣパッケージ用ＩＣソケットに用いられるコンタクトピン１であって、
　コンタクトピン１は、ベリリウム銅をプレス加工したものであり、
　コンタクトピン１全体はニッケルメッキされ、さらにその上に金メッキを全体に施され、
　金メッキを施されたコンタクトピンの接触部１ａの上のみ、例えばＡｇ−Ｃ，Ｐｄ−Ｐ等の、半田濡れ性が悪く、しかも電気抵抗の低い物質がメッキされた、
　フラット型ＩＣパッケージ用ＩＣソケットに用いられるコンタクトピン１。」
（４）甲第４号証
　甲第４号証には、「密着」の用語について、「ぴったりと、くっつくこと」と記載されている。
（５）甲第５号証
　甲第５号証には、以下の記載がある。下線は、当審が付した。
「【００１０】
【発明の実施の形態】
＜導電性基体＞
本発明に用いられる導電性基体は、電気、電子製品や半導体製品等の接続用のコネクタや各種の基板における接続用のパターン等に用いられる従来公知の導電性基体であればいずれのものであっても用いることができる。たとえば、リン青銅、黄銅、ベリリウム銅等の銅合金系素材、鉄（Ｆｅ）、ステンレス鋼等の鉄系素材、その他ニッケル系素材や各種基板上の銅パターン等を挙げることができる。」
「【００１１】
＜ルテニウム層＞
本発明のルテニウム層は、上記導電性基体上に形成されるものであって、
「【００１３】
＜下地層＞
本発明の下地層は、導電性基体の種類により上記ルテニウム層が剥離し易くなる場合に必要に応じ形成されるものである。
該ルテニウム層は導電性基体がニッケル系の素材で構成されている場合には自己の応力により剥離することはほとんどないが、導電性基体がニッケル系素材以外の素材で構成されている場合には容易に剥離することがあり、このような場合に該下地層を形成させる必要がある。
該下地層は、ルテニウム層の剥離を防止する作用を有するものである。
該下地層は、導電性基体とルテニウム層の間に（すなわち、ルテニウム層の下層として）形成され
該下地層を複数層として形成する場合は、ルテニウム層の厚さや導電性基体の種類を考慮してそれぞれの層を構成する金属の種類や厚さを決定することが好ましい。たとえば、導電性基体が銅合金系素材の場合には、導電性基体上に厚さ０．０５〜５μｍのＮｉからなる第１の下地層を形成し、その上に厚さ０．０５〜１μｍのＡｕまたはＡｇからなる第２の下地層を形成することが好ましい。
（６）甲第６号証
　甲第６号証には、Ａｕ、Ｐｄ、Ｎｉ等の各種金属のめっき皮膜の硬さ（ビッカース硬度）が記載されている。
（７）甲第７号証
　甲第７号証には、ルテニウムめっき皮膜とパラジウムめっき皮膜の硬さ（ビッカース硬度）が記載されている。
（８）甲第８号証
　甲第８号証には、接合表面を担う代表的なめっきが金めっきであることと、その理由が記載されている。
（９）甲第９号証
ア　甲第９号証の記載
　甲第９号証には、以下の記載がある。下線は、当審が付した。
「【００１３】
  （コンタクトプローブ）
  本発明のカンチレバー型のコンタクトプローブを図１に例示する。図１（ａ）はコンタクトプローブの全体を示す平面図であり、図１（ｂ）〜図１（ｄ）は先端部とその近傍の拡大図である。また、図１（ｂ）は平面図であり、図１（ｃ）は底面図であり、図１（ｄ）は側面図である。図１（ａ）に示すように、この
コンタクトプローブは、被測定面に接触する先端部１と、先端部１に接続するバネ部２と、バネ部２に接続して基板
上でバネ部２を支持する支持部３とを備える
先端部１とバネ部２は、弾性変形する方向
に沿って平面を有する板状構造体である。
【００１４】
  コンタクトプローブは、検査を促進するため高温条件下で、十万回以上も被検査体である電極に圧接され、先端部１とバネ部２の界面に繰り返し荷重がかかるため、先端部１とバネ部２との間で層間剥離が生じやすい。しかし、本発明では、図１（ｄ）に示すように、先端部１のうちバネ部２との接続部分が、バネ部２の平面２ａに埋め込まれた構造を有するため、先端部をバネ部上に単に積層した構造に比べて、層間剥離による先端部の脱離を抑制する効果が大きい。また、図１（ｄ）に示すように、先端部１の厚さｔ1を薄くすることにより、接触圧力を高め、電気抵抗を下げ、安定した導通を得ることが可能である。また、バネ部２の厚さｔ2を厚くすることによりバネ力が得られ、アセンブリが容易となる。本発明のコンタクトプローブにおける先端部１は、弾性変形する方向（矢印の方向）に沿って平面を有する板状構造体であるため、リソグラフィと電鋳により容易に製造することができ、形状を自在に実現できる。また、先端部に接触性のよい材料を用い、バネ部にバネ性の良好な材料を用いることで、高い特性のプローブを得ることができる。」
「【００１６】
  図９に、本発明のコンタクトプローブにおいて、先端部とバネ部との間に接合層９３を有する態様を示す。図９（ａ）は底面図であり、図９（ｂ）は側面図である。図９（ｂ）に示すように、先端部９１とバネ部９２との間に接合層９３を有すると、先端部９１とバネ部９２との密着性が高まり、層間剥離を抑制する効果を高めることができる点で好ましい。接合層としては、Ａｕ、Ａｕ−Ｓｎ、半田などからなる層であり、厚さは、０．５μｍ〜３．０μｍが好ましい。
【００１７】
  前述のとおり、検査を促進するために、コンタクトプローブは高温下で使用されることが多く、さらに、検査中は通電によりプローブの温度が上がるため、
先端部とバネ部の熱膨張率の相違により、先端部とバネ部の界面に大きな応力が発生し、層間剥離が生じやすくなる。このため、層間剥離を抑制する点で、先端部とバネ部の接続面に、ＡｕまたはＣｕなどからなる応力緩和層を有する態様が好ましく、応力緩和層の厚さは、０.５μｍ〜１０μｍが好ましい。
「【００２１】
  後述する製造方法によれば、
コンタクトプローブの先端部と、バネ部
は、別個の電鋳工程を経て形成する
先端部には、ロジウムまたはパラジウム系合金などを使用することにより電極への接触特性を高め、バネ部にはニッケルまたはニッケル系合金などの材質を採用する
イ　甲第９号証に記載の技術事項　
　上記アの記載をまとめると、甲第９号証には、以下の技術事項が記載されている。
「被測定面に接触する先端部１と、先端部１に接続するバネ部２と、バネ部２に接続して基板上でバネ部２を支持する支持部３とを備えるコンタクトプローブであって（【００１３】）、
　先端部１とバネ部２は、別個の電鋳工程を経て形成され（【００２１】）、弾性変形する方向に沿って平面を有する板状構造体であり（【００１３】）、
　先端部には、ロジウムまたはパラジウム系合金などを使用することにより電極への接触特性を高め、バネ部にはニッケルまたはニッケル系合金などの材質を採用し（【００２１】）、
　先端部とバネ部の熱膨張率の相違により、先端部とバネ部の界面に大きな応力が発生し、層間剥離が生じやすくなるため、層間剥離を抑制する点で、先端部とバネ部の接続面に、ＡｕまたはＣｕなどからなり、厚さは、０.５μｍ〜１０μｍが好ましい応力緩和層を有する（【００１７】）、コンタクトプローブ。」
（１０）甲第１０号証
　甲第１０号証には、酸化防止及び電気的接触性を高めるために、金等の貴金属又は貴金属の合金で被覆する技術事項が記載されている。
２　本件発明１について
（１）対比
　本件発明１と甲１発明とを対比すると、以下のとおりである。
ア　甲１発明の「ＩＣパッケージ」及び「配線基板」は、それぞれ、本件発明１の「被検体」及び「テストボード」に相当する。
イ　上記アを踏まえると、甲１発明の「バーンイン試験時に」「ＩＣパッケージと配線基板とを電気的に接続するコンタクトピン１」は、本件発明１の「被検体の検査に用いられる電気テスト用コンタクト」に相当する。
ウ　甲１発明の「コンタクトピン１」は、「バーンイン試験時に、ＩＣパッケージの端子に接触し、ＩＣパッケージと配線基板とを電気的に接続する」ものであるから、「ＩＣパッケージの端子に接触」する部分と、「配線基板」に「電気的に接続」する部分があると認められる。
　一方、本件発明１は、電気的にＩＣパッケージをテストする「電気テスト用コンタクト」であることから、本件発明１の「テストボードに固定される端子部」は、「テストボード」と電気的に接続していることは明らかである。
　よって、上記ア及びイを踏まえると、甲１発明の「バーンイン試験用のＩＣソケットのソケット本体であって、配線基板上に取り付けられるソケット本体に配設され、バーンイン試験時に、ＩＣパッケージの端子に接触し、ＩＣパッケージと配線基板とを電気的に接続するコンタクトピン１」は、本件発明１の「被検体の端子に接触する接触部と、テストボードに固定される端子部と、を備え、前記被検体の検査に用いられる電気テスト用コンタクト」と、「被検体の端子に接触する接触部と、テストボードに電気的に接続される端子部と、を備え、前記被検体の検査に用いられる電気テスト用コンタクト」である点で共通する。　
エ　甲１発明の「導電性を有する材料であるリン青銅から成形され」た「基材１２」は、本件発明１の「金属材料から成る基材」に相当する。
オ　甲１発明の「Ｎｉメッキにより成形され」た「下地層１３」は、本件発明１の「該基材の表面に形成されたニッケル」「から成る第１めっき層」に相当する。
カ　上記ウを踏まえると、甲１発明の、「ＩＣパッケージの端子に接触」する部分と、「配線基板」に「電気的に接続」する部分がある「コンタクトピン１１」の「最表層１４」が、「Ｐｄメッキ層１４ｂとＡｇメッキ層１４ｃを順に積層したものである」ことは、本件発明１の「電気テスト用コンタクト」が、「前記接触部のみに前記第２めっき層に接するパラジウムまたはパラジウム基合金から成る第３めっき層と、該第３めっき層に接する銀あるいは銀基合金から成る第４めっき層と、が積層して形成され」ていることと、「前記接触部において、パラジウムから成る第３めっき層と、該第３めっき層に接する銀から成る第４めっき層と、が積層して形成され」ている点で共通する。
（２）一致点及び相違点
　上記（１）の対比の結果をまとめると、本件発明１と甲１発明との一致点及び相違点は、以下のとおりである。
（一致点）
「被検体の端子に接触する接触部と、テストボードに電気的に接続される端子部と、を備え、前記被検体の検査に用いられる電気テスト用コンタクトであって、
　金属材料から成る基材と、該基材の表面に形成されたニッケルから成る第１めっき層と、を有し、
　前記接触部において、パラジウムから成る第３めっき層と、該第３めっき層に接する銀から成る第４めっき層と、が積層して形成されていることを特徴とする電気テスト用コンタクト。」
　
（相違点）
（相違点１）
　本件発明１の「電気テスト用コンタクト」の「端子部」が、「テストボードに固定される」のに対し、甲１発明の「コンタクトピン１１」の「配線基板」に「電気的に接続」する部分（本件発明１の「端子部」に相当）が、「配線基板」（本件発明１の「テストボード」に相当）に固定されるのか否か不明な点。
（相違点２）
　本件発明１の「電気テスト用コンタクト」の「前記接触部および前記端子部」には、「前記第１めっき層に接して金あるいは金基合金から成る第２めっき層が形成され、」「前記第２めっき層は、前記第１めっき層および第３めっき層間での応力緩和機能を果たすために、前記接触部において、０．０５μｍ以上の厚さに形成されている」のに対し、甲１発明の「コンタクトピン１１」には、「Ｎｉメッキにより成形され」る「下地層１３」（本件発明１の「第１めっき層」に相当）に接して金あるいは金基合金から成るめっき層が形成されているのか否か不明な点。
（相違点３）
　本件発明１の「電気テスト用コンタクト」は、「前記接触部のみに前記第２めっき層に接するパラジウムまたはパラジウム基合金から成る第３めっき層と、該第３めっき層に接する銀あるいは銀基合金から成る第４めっき層と、が積層して形成され」ているのに対し、甲１発明の「コンタクトピン１１」は、「Ｐｄメッキ層１４ｂとＡｇメッキ層１４ｃを順に積層したものである」「最表層１４」（本件発明１の「第３めっき層」及び「第４めっき層」に相当）が、「ＩＣパッケージの端子に接触」する部分（本件発明１の「接触部」に相当）のみに成形されているのか否か不明な点。
（３）判断
　事案に鑑み、相違点２について検討する。
ア　甲第１号証について
　甲第１号証には、「最表層１４」である「Ｐｄ−Ａｇメッキ層」を成形する製法として、「メッキによる製法」及び「イオンプレーティングによる製法」が例示されている。つまり、
（ア）「メッキによる製法」により「Ｐｄ−Ａｇメッキ層」を成形する場合は、下地層１３としてＮｉメッキを施し、その上に密着層としてストライクＡｕメッキをした上で「Ｐｄ−Ａｇメッキ層」を成形すること
（イ）「イオンプレーティングによる製法」により「Ｐｄ−Ａｇメッキ層」を成形する場合は、下地層１３としてＮｉメッキを施し、その上に最表層１４としてＰｄ及びＡｇをイオンプレーティングにより付着させること
が記載されている。（段落［００４７］−［００４９］参照。）
　しかし、甲第１号証には、ストライクＡｕメッキの厚さについて記載されていないばかりではなく、「Ｎｉメッキにより成形され」た「下地層１３」の上に「Ｐｄメッキ層１４ｂ」が成形されている場合に、バーンインテストの繰り返しに伴い、「Ｐｄメッキ層１４ｂ」中のＳｎが増加することによる体積増加や、昇降温による体積膨張および収縮等の原因により、両メッキ層の間に剥がれが生じやすいという課題があることも記載されていない。
　したがって、甲１発明と甲第１号証の記載から、甲１発明において、「Ｐｄメッキ層１４ｂとＡｇメッキ層１４ｃを順に積層したもの」である「最表層１４」を、上記メッキによる製法により成形することとし、甲１発明の「Ｎｉメッキにより成形され」た「下地層１３」と「Ｐｄメッキ層１４ｂ」の間に、密着層としてストライクＡｕメッキを成形することを、当業者が容易に思い付くことができたとしても、さらに進んで、ストライクＡｕメッキに成形されるＡｕメッキ層を、例えば「Ｎｉメッキにより成形され」た「下地層１３」と「Ｐｄメッキ層１４ｂ」との間で剥がれが生じるという課題を解決するために、応力緩和機能を果たす厚さとすることまでは、当業者が容易に思い付くものであるということはできない。
　
イ　甲第３号証について
　甲第３号証には、「ニッケルメッキ」と「Ａｇ−Ｃ，Ｐｄ−Ｐ等の、半田濡れ性が悪く、しかも電気抵抗の低い物質」の間に金メッキを施すことが記載されているが、「ニッケルメッキ」とパラジウムめっきの間に剥がれが生じやすいこと、及び、前記剥がれが生じないように金メッキの厚さを決定することについては記載されていないから、相違点２に係る本件発明１の構成について記載も示唆もされていない。
ウ　甲第５号証について
（ア）甲第５号証の段落【００１３】には、導電性基体上にルテニウム層を形成した場合、導電性基体の種類により上記ルテニウム層が剥離し易くなるため、導電性基体とルテニウム層の間にルテニウム層の剥離を防止する作用を有する下地層を形成するという技術事項が記載されており、一具体例として、「導電性基体が銅合金系素材の場合には、導電性基体上に厚さ０．０５〜５μｍのＮｉからなる第１の下地層を形成し、その上に厚さ０．０５〜１μｍのＡｕまたはＡｇからなる第２の下地層を形成する」と記載されている。
　しかし、同段落【００１３】に「下地層は、導電性基体の種類により上記ルテニウム層が剥離し易くなる場合に必要に応じ形成されるものである。」、及び「該下地層を複数層として形成する場合は、ルテニウム層の厚さや導電性基体の種類を考慮してそれぞれの層を構成する金属の種類や厚さを決定することが好ましい。」と記載されていることから、上記具体例におけるＡｕからなる第２の下地層の厚さの数値（０．０５〜１μｍ）は、導電性基体が銅合金系素材の上に銅合金系素材に対して剥離し易いルテニウム層を形成する場合であって、かつ、下地層を２つの層から形成する場合に適したものであると認められる。つまり、上記厚さの数値（０．０５〜１μｍ）は、Ｎｉからなる第１の下地層とルテニウム層との剥離を防止するためにＡｕからなる第２の下地層を設ける、という着想から決定された数値ではない。
　よって、甲第５号証には、上記相違点２に係る本件発明１の構成である、「第２めっき層」（甲第５号証における「第２の下地層」に対応する。）は、「第１めっき層」（甲第５号証における「第１の下地層」に対応する。）および「第３めっき層」（甲第５号証における「ルテニウム層」に対応する。）間での「応力緩和機能を果たすために」、「０．０５μｍ以上の厚さに形成されている」点について記載も示唆もされていない。
（イ）また、甲第５号証の段落【００１０】には、導電性基体に用いられる銅合金系素材として「リン青銅、黄銅、ベリリウム銅等」が例示されている。
　しかし、上記甲第５号証の上記（ア）の具体例には、「銅合金系素材」としてベリリウム銅を用いた場合に、下地層の層数や金属の種類、厚さをどのように決定するのか何ら記載されていない。また、甲１発明と異なって甲第５号証では「Ｐｄメッキ層１４ｂ」ではなく「ルテニウム層」を用いており、甲第５号証には、「Ｐｄメッキ層１４ｂ」が、導電性基体上に形成された「Ｎｉメッキ」（上記（ア）でいう第１の下地層）に対して剥離しやすいことを示唆する記載もないから、甲第５号証に記載された、銅合金形素材の導電性基体とルテニウム層の剥離防止ために例示された、２つの層（第１の下地層と第２の下地層）から形成された下地層の構成のうち、特に第２の下地層の構成（金属の種類と厚み）のみを、ベリリウム銅合金からなる導電性基体上に形成された「Ｎｉメッキ」（甲第５号証における「第１の下地層」に対応する。）と、（ルテニウム層とは異なる）パラジウム層との剥離防止のために、甲１発明に適用すべき動機付けを見いだすこともできない。
エ　甲第９号証について
　甲第９号証には、ロジウムまたはパラジウム系合金などを使用する先端部と、ニッケルまたはニッケル系合金などの材質を採用したバネ部の界面が、先端部とバネ部の熱膨張率の相違により、先端部とバネ部の界面に大きな応力が発生し、層間剥離が生じやすくなるため、層間剥離を抑制するために、先端部とバネ部の接続面に、ＡｕまたはＣｕなどからなり、厚さが０.５μｍ〜１０μｍの応力緩和層を形成するという技術事項が記載されているが、上記「先端部」と「バネ部」は、別個の電鋳工程を経て形成された「板状構造体」であり、甲１発明のような導電性基体の上にめっきにより積層して形成された２層ではないから両者を同一視できると直ちに認めることはできない。
　よって、甲第９号証に記載された技術事項は、甲１発明の「Ｐｄメッキ層１４ｂ」が導電性基体上の「Ｎｉメッキ」に対して剥離しやすいこと、及び、その具体的な解決手段として「Ｐｄメッキ層１４ｂ」と導電性基体上の「Ｎｉメッキ」との間に、Ａｕからなる所定厚さの応力緩和層を形成することを示唆するものではない。
オ　甲第２、４、６ないし８、１０号証について
　甲第２、４、６ないし８、１０号証には、相違点２に係る本件発明１の構成について、記載も示唆もされていない。
カ　まとめ
　以上のとおり相違点２に係る本件発明１の構成は、甲１発明、甲第１号証ないし甲第１０号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に思い付くものであるということはできない。
（４）特許異議申立人の主張について
ア　甲第５号証について
　特許異議申立人は、
「層と層との剥がれを防止するためのめっき層を形成する場合、その厚みを「０．０５μｍ以上」に設定することは、当該技術分野の技術常識である。」と主張し（特許異議申立書、第２５ページ下から４行目〜下から１行目）、続けて
「ｉｖ）この点について、より詳細に説明する。」とし（特許異議申立書、第２６ページ第３行）、
「しかしながら、甲第５号証において、第３めっき層の金属が本件発明１と相違すること、並びに、第４めっき層を有さないことは、重要ではない。甲第５号証は、密着機能および応力緩和機能のいずれを利用するにもかかわらず、層と層との剥離を防止するために、０．０５〜１μｍの厚さの金めっき層が利用でき、その厚さが０．０５μｍ未満であると剥離を防止できない、という公知技術を示す文献であるということが重要である。」と主張している。（特許異議申立書、第２６ページ第１５〜２１行）
　しかし、上記（３）ウで述べたように、甲第５号証に記載されているＡｕからなる第２の下地層の厚さの数値（０．０５〜１μｍ）は、銅合金系素材からなる導電性基体の上に銅合金系素材に対して剥離し易いルテニウム層を形成する場合であって、かつ、下地層を２つの層から形成する場合についてのものである。つまり、上記厚さの数値（０．０５〜１μｍ）は、Ｎｉからなる第１の下地層とルテニウム層との剥離を防止するためにＡｕからなる第２の下地層を設ける、という着想から決定された数値ではない。よって、甲第５号証に、導電性基体上に形成されたＮｉメッキ層（つまり、第１の下地層）とＰｄメッキ層との剥離を防止するために、０．０５〜１μｍの厚さの単層の金めっき層（つまり、第２の下地層）が利用でき、その厚さが０．０５μｍ未満であると剥離を防止できないという技術事項が記載されているとは認められない。
　よって、特許異議申立人の主張は、採用することができない。
イ　甲第９号証について
　特許異議申立人は、
「つまり、甲第９号証には、本件特許発明１と同様に、ニッケルめっき層とパラジウムめっき層との間における剥離を防止するために、応力緩和機能を示す金めっき層を形成することが記載されているに他ならない。」と主張する。（特許異議申立書、第３１ページ第７−１０行）
　しかし、上記（３）エで述べたように、甲第９号証に記載の「先端部」と「バネ部」は、別個の電鋳工程を経て形成された「板状構造体」であり、導電性基体上にめっきにより積層されたものではないから、ベリリウム銅からなる導電性基体上に積層されたニッケルめっき層とパラジウムめっき層との間における剥離を防止するために、応力緩和機能を果たす金めっき層を形成することが記載されているものではない。
　よって、特許異議申立人の主張は、採用することができない。
（５）本件発明１についてのまとめ
　上記（３）で述べたとおり、相違点２係る本件発明１の構成は、甲１発明と甲第１号証ないし甲第１０号証に記載された事項とに基づいて当業者が容易に思い付くものであるということはできないから、相違点１及び３について検討するまでもなく、本件発明１は、甲第１号証ないし甲１０号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　
　したがって、本件発明１についての特許は、理由１によって取り消すべきであるということはできない。
３　本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１の構成を全て含むから、少なくとも本件発明１と甲１発明との相違点１ないし３において甲１発明と相違する。そして、上記２（３）のとおり、相違点２に係る本件発明１の構成は、甲１発明と甲第１号証ないし甲第１０号証に記載された事項とに基づいて当業者が容易に思い付くものであるということはできない。
　そうすると、本件発明２は、甲第１号証ないし甲第１０号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　したがって、本件発明２についての特許は、理由１によって取り消すべきであるということはできない。
第５　理由２（サポート要件違反、実施可能要件違反）について
１　理由２−１について
　本件特許の明細書の段落【０００９】には「その電気テスト用コンタクトに要するコストと共に、上記対処に要するコスト（作業コストや交換コスト）も大幅に増大するようになる。」及び「上述した電気テスト用コンタクトの接触抵抗の上昇を抑制しその長寿命化が大きな課題になってきている。」と、解決するべき課題が複数記載されている。
　このように、本件特許の明細書の記載から、複数の課題が把握できる場合、複数の課題のうちのいずれかの課題を解決するための手段が請求項に反映されていれば足りると解される。
　そして、明細書段落【００２５】には、「ここで、第２めっき層１３は、その厚さが０．０５μｍ未満になると、第１めっき層１２と第３めっき層１４の間での剥がれを生じ易くする。」と記載され、段落【００４１】には、「また、第２めっき層１３は第３めっき層１４の剥がれを防止する機能を有している。この第２めっき層１３が介挿されない場合には、例えばバーンインテストにおける昇降温により生じる第１めっき層１２および第３めっき層１４の体積膨張および収縮に起因して、それ等の間における剥がれが起こり易い。更に、バーンインテストの繰り返し回数が増えてくると、第３めっき層１４の体積増加に起因する剥がれも生じてくるようになる。第２めっき層１３は第１めっき層１２、第３めっき層１４および第３めっき混合層１４ａに較べて軟質であるので、その応力緩和の作用により上述したような剥がれを防止する。」と記載されており、これらの記載から、本件発明１が「前記第２めっき層は、前記第１めっき層および第３めっき層間での応力緩和機能を果たすために、前記接触部において、０．０５μｍ以上の厚さに形成されている」ことにより、「第１めっき層１２と第３めっき層１４」の間での剥がれが生じやすいという課題を解決していることは明らかである。
　そして、当該課題を解決することにより、上記複数の課題の内の一つである「電気テスト用コンタクト」の「長寿命化」という課題が解決されることは明らかである。
　
　特許異議申立人は、発明の詳細な説明には、第２めっき層１３の厚みの下限値とともに上限値が定められており、下限値のみを設定する事項は開示されていないと主張するが、第２めっき層１３の厚さの上限値について、明細書段落【００２５】に「また、その厚さが０．３０μｍ超となると、テストボードのランド等との端子部１０ｂの半田接合の信頼性が低下するようになる。」と記載されていることから、厚さの上限値は、「端子部１０ｂ」において半田接合の信頼性が低下しないようにするという、上記「電気テスト用コンタクト」の「長寿命化」とは異なる課題を解決するために決定されたものと認められる。よって、第２めっき層の厚さの上限値が記載されていないからといって、本件特許の請求項１及び２に課題を解決するための手段が反映されていないということにはならない。
　また、特許異議申立人は、「そして、本件特許の課題は、接触抵抗の上昇を抑制することにより、信頼性の向上および長寿命化を図り、且つ、低コスト化を実現することがであり、これらの課題は、一体的な課題といえる。」と主張するが（特許異議申立書、第３４ページ第１５−１７行）、上記複数の課題が一体的な課題であり、当該一体的な課題を同時に解決する発明のみが、発明の詳細な説明に記載されているとは認められない。
　よって、特許異議申立人の主張は、採用することができない。
　以上により、本件特許の請求項１及び２には、課題を解決するための手段が反映されているから、本件特許の請求項１及び２は、発明の詳細な説明に記載したものである。
２　理由２−２について
（１）　理由２−２のアについて
　上記１で述べたとおり、本件特許の請求項１及び２には、「第１めっき層１２と第３めっき層１４」の間での剥がれが生じやすいという課題を解決することにより「電気テスト用コンタクト」の「長寿命化」という課題を解決する手段が反映されている。
　よって、 本件特許の請求項１及び２は、発明の詳細な説明に記載したものである。
　特許異議申立人は、請求項１及び２に「端子部」における「第２めっき層１３」の厚さが記載されていない、又は、厚さの上限のみしか記載されていないと主張するが、上記「第１めっき層１２と第３めっき層１４」の間での剥がれが生じやすいという課題は、「第１めっき層１２と第３めっき層１４」が形成されている「接触部」においてのみ生じる課題であるから、請求項１及び２に「端子部」における「第２めっき層１３」の厚さが記載されていない、又は、厚さの上限のみしか記載されていないからといって、本件特許の請求項１及び２に課題を解決するための手段が反映されていないということにはならない。
　よって、特許異議申立人の主張は採用できない。
（２）　理由２−２のイについて
　請求項２に記載された第２めっき層１３の厚さの上限値（０．３μｍ）は、明細書段落【００２５】に「その厚さが０．３０μｍ超となると、テストボードのランド等との端子部１０ｂの半田接合の信頼性が低下するようになる。」と記載されているとおり、端子部１０ｂにおいて半田接合の信頼性が低下しない範囲に定められたものである。
　よって、「第２のめっき層」について、「０．３μｍ以下の厚さに形成されている」ことは、発明の詳細な説明に記載されているから、本件特許の請求項１及び２は、発明の詳細な説明に記載したものである。
　特許異議申立人は「有効数字が極めて重要である。」（特許異議申立書、第３５ページ第１４行）とし、明細書には「０．３０μｍ以下」との記載はあるが、「０．３μｍ」という数字は記載されていないと主張している。しかし、一般的に有効数字は測定値を表記する際に考慮されるものであり、明細書における「０．３０μｍ」の記載は、有効数字を考慮した測定値の数値表現の１例にすぎないものである。よって、特許請求の範囲における数値表現と明細書における数値表現とが異なっているからといって、本件発明１及び本件発明２が、明細書に記載されていないということにはならない。
　したがって、特許異議申立人の主張は採用できない。
３　理由２−３のア及びイについて 
　上記１で述べたように、「第１めっき層１２と第３めっき層１４」の間での剥がれを生じにくくするために、「０．０５μｍ以上」と「第２めっき層１３」の厚さの下限を定めたことが明らかであり、応力緩和により剥がれを防止する機能が、厚さが厚くなるに従い連続的に変化するものであるか、ある厚さを境に急激に向上するものであるかはともかくとして、上記「０．０５μｍ」という下限値が、所望の応力緩和機能、すなわち、所望の剥がれ防止機能に従い決定した値であることは明らかである。
　よって、「第２めっき層１３」を「０．０５μｍ以上」とすることにより、所望の応力緩和機能、すなわち所望の剥がれ防止機能が得られ、本件発明の「電気テスト用コンタクト」の「長寿命化」という課題を解決できることは明らかであるから、本件特許の発明の詳細な説明は、当業者が実施することができる程度に明確かつ十分に記載されている。　
４　小括
　上記１ないし３で述べた理由により、本件発明１及び本件発明２についての特許は、理由２によって取り消すべきであるということはできない。
第６　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由によっては、本件発明１及び本件発明２についての特許を取り消すべきであるということはできない。
　また、他に、本件発明１及び本件発明２についての特許を取り消すべきであるとする理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成３０年９月２１日（２０１８．９．２１）