(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層配線板の製造に用いる積層基板が、
支持基板の外側に半硬化絶縁樹脂シートと、
剥離可能な複数の金属層を有する多層構造の金属箔と、
を有し、
前記半硬化絶縁樹脂の絶縁樹脂材料で前記多層構造の金属箔の外周部分を一体に覆う構造を備え、かつ、前記多層構造の金属箔の外周部分を一体に覆う構造が粗面の表面を有することを特徴とする積層基板。
【請求項２】
支持基板の外側に半硬化の絶縁樹脂シートを重ね、該半硬化の絶縁樹脂シートの外側に、該半硬化の絶縁樹脂シートよりも寸法が小さく、両面に複数の金属層が剥離可能に積層されて成る多層構造の金属箔を、そのキャリア銅箔層を外側にして重ねて積層する工程と、
前記多層構造の金属箔の外側に第１の層間絶縁樹脂層を積層する時に粗面処理したフィルムを挟むことで、前記層間絶縁樹脂層の絶縁樹脂が前記多層構造の金属箔の外縁部の表面の上に流れ出すことにより、前記絶縁樹脂により前記多層構造の金属箔の外周部分を覆った積層基板を形成する工程と、
前記層間絶縁樹脂層の外側から穴あけ加工用レーザー光線によって前記多層構造の金属箔の前記キャリア銅箔層に達するビアホール下穴を形成する工程と、
銅めっきにより前記ビアホール下穴を充填した第１のビアホール及び前記第１の層間絶縁樹脂層の外側に前記第１のビアホールのランドと第１の配線パターンを形成する工程と、
前記第１の層間絶縁樹脂層と第１の配線パターンの外側に次の層間絶縁樹脂層と配線パターンの層を交互に積層して多層配線構造を形成する工程と、
前記多層構造の金属箔を剥離することで、前記支持基板から、前記キャリア銅箔層を含む前記多層配線構造を分離する工程と、
前記キャリア銅箔層をエッチングすることで前記第１のビアホールの位置に前記第１のビアホールを覆う凸端子のパターンを形成する工程とを有することを特徴とする多層配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子搭載用パッケージに用いる板厚が極めて薄い多層配線板とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、軽量化、多機能化が一段と進み、これに伴ない、配線の高集積化と小型化が急速に進み、配線の微細化が進んでいる。また、半導体チップとほぼ同等のサイズの、いわゆるチップサイズパッケージ（ＣＳＰ；Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ／Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）などの小型化したパッケージへの要求が強くなっている。一方、エッチングにより配線を形成するサブトラクティブ法で歩留り良く形成できる配線は、導体幅（Ｌ）／導体間隙（Ｓ）＝５０μｍ／５０μｍ程度である。
【０００３】
更に微細な導体幅／導体間隙＝３５μｍ／３５μｍ程度の配線を実現するために、特許文献１では、離脱が可能なピーラブル銅箔を２枚向かい合わせた間にプリプレグを挟んで積層して硬化させた支持基板を作製する。そして、そのピーラブル銅箔上にめっきレジストを形成して、電解金属めっきで導体を必要な厚さに形成した配線層を形成し、レジストを剥離した後に、その配線層の上に層間絶縁樹脂層と配線パターンを順次ビルドアップして多層構造体を形成する。
【０００４】
そして、支持基板の両面に形成した多層構造体を、ピーラブル銅箔を剥離して分離し、多層構造体の表面に残ったピーラブル銅箔の薄い金属層をソフトエッチングで除去するというセミアディティブ法を利用した技術により、板厚が極めて薄い多層配線板を製造する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１０１１３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の技術では、支持基板の外側にプリプレグを介してピーラブル銅箔を積層することで硬化したプリプレグの絶縁樹脂材料の外側にピーラブル銅箔を貼り合せ、そのピーラブル銅箔上に銅めっきすることにより配線パターンを形成し、その上に層間絶縁樹脂層と配線パターンを複数層積層した後、ピーラブル銅箔を剥離していた。そして、ピーラブル銅箔の層をエッチングして除去することでその上に形成していた配線パターンと層間絶縁樹脂層の面とを露出させていたので、その露出した配線パターンは層間絶縁樹脂層に埋め込まれていて、その表面からは突出していない構造に形成していた。
【０００７】
特許文献１の技術では、そのようにして多層配線板を製造していたので、ピーラブル銅箔側の面の配線パターンは、絶縁樹脂層に埋め込まれた構造であり、絶縁樹脂層から突出した金属による凸電極が形成できなかった。そのため、その多層配線板のピーラブル銅箔側の面には、凸電極上にＩＣチップのバンプを接合して、ＩＣチップと層間絶縁樹脂層の表面の間にアンダーフィル樹脂を注入してＩＣチップを固定するフリップチップ実装を行うことは難しい問題があった。
【０００８】
本発明の課題は、上記の問題を解決して、その製造に用いるピーラブル銅箔側の面にＩＣチップをフリップチップ実装することができる、絶縁樹脂層の面から突出した凸電極を
形成した、板厚が極めて薄い多層配線板を得ることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するために、多層配線板の製造に用いる積層基板が、
支持基板の外側に半硬化絶縁樹脂シートと、剥離可能な複数の金属層を有する多層構造の金属箔と、を有し、前記半硬化絶縁樹脂の絶縁樹脂材料で前記多層構造の金属箔の外周部分を一体に覆う構造を備え、かつ、前記多層構造の金属箔の外周部分を一体に覆う構造が粗面の表面を有することを特徴とする積層基板である。
【００１２】
また、本発明は、支持基板の外側に半硬化の絶縁樹脂シートを重ね、該半硬化の絶縁樹脂シートの外側に、該半硬化の絶縁樹脂シートよりも寸法が小さく、両面に複数の金属層が剥離可能に積層されて成る多層構造の金属箔を、そのキャリア銅箔層を外側にして重ねて積層する工程と、前記多層構造の金属箔の外側に第１の層間絶縁樹脂層を積層する時に粗面処理したフィルムを挟むことで、前記層間絶縁樹脂層の絶縁樹脂が前記多層構造の金属箔の外縁部の表面の上に流れ出すことにより、前記絶縁樹脂により前記多層構造の金属箔の外周部分を覆った積層基板を形成する工程と、前記層間絶縁樹脂層の外側から穴あけ加工用レーザー光線によって前記多層構造の金属箔の前記キャリア銅箔層に達するビアホール下穴を形成する工程と、銅めっきにより前記ビアホール下穴を充填した第１のビアホール及び前記第１の層間絶縁樹脂層の外側に前記第１のビアホールのランドと第１の配線パターンを形成する工程と、前記第１の層間絶縁樹脂層と第１の配線パターンの外側に次の層間絶縁樹脂層と配線パターンの層を交互に積層して多層配線構造を形成する工程と、前記多層構造の金属箔を剥離することで、前記支持基板から、前記キャリア銅箔層を含む前記多層配線構造を分離する工程と、前記キャリア銅箔層をエッチングすることで前記第１のビアホールの位置に前記第１のビアホールを覆う凸端子のパターンを形成する工程とを有することを特徴とする多層配線板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の多層配線板の製造方法によると、凸端子１がビアホール３２の下側（下底側）の、ビアホール３２とビアホールのランド３２ｂとの接続部分を覆って、その接続部分に応力が集中することを回避させる効果がある。また、ビアホールのランド３２ｂが、凸端子１の下面とビアホール３２の上面との接続境界部分を下側から覆うので、凸端子１の下面とビアホール３２の上面との接続境界部分に応力が集中することを回避させる効果がある。それにより、ビアホール３２と凸端子１との接続信頼性を高くできる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の製造方法の実施形態を示す部分断面図である（その１）。
【図２】本発明の製造方法の実施形態を示す部分断面図である（その２）。
【図３】本発明の製造方法の実施形態を示す部分断面図である（その３）。
【図４】本発明の製造方法の実施形態を示す部分断面図である（その４）。
【図５】本発明の製造方法の実施形態を示す部分断面図である（その５）。
【図６】本発明の製造方法の実施形態を示す部分断面図である（その６）。
【図７】本発明の変形例３の積層基板構造の部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。図１から図７の側断面図に、本発明の多層配線板の製造方法の一実施形態を工程順に示す。
【００１６】
構造に用いる材料、構成については、製造方法の実施形態を例に以下に説明する。
（支持基板）
先ず、図１（ａ）のように、支持基板１０として、厚み０．０４ｍｍから０．４ｍｍの基板で、両面に厚み１８μｍの銅箔１１を有する、有機樹脂をガラスやポリイミド、液晶などから成る補強繊維に含浸させた材料から成る銅張積層板（例えば、サイズが６１０×５１０ｍｍ）を用いる。
【００１７】
この支持基板１０を構成する有機樹脂材料は、エポキシ系、アクリル系、ウレタン系、エポキシアクリレート系、フェノールエポキシ系、ポリイミド系、ポリアミド系、シアネート系、液晶系を主体とする有機樹脂を用いることができる。また、その有機樹脂にシリカやブチル系有機材料、炭酸カルシウムなどによるフィラーを含ませた基板を用いることもできる。
【００１８】
（支持基板の銅箔粗化処理工程）
先ず、支持基板１０の銅箔１１の表面を、過水硫酸等のエッチング液によるソフトエッチング処理により粗化処理する。次に、支持基板１０の表面に、ピーラブル銅箔などの多層構造の金属箔１３を重ねる位置合せマークとして、銅箔１１をエッチングしたパターンで位置合せマークを形成する。
【００１９】
（変形例１）
変形例１として、この支持基板１０として、ガラス（青板、無アルカリガラス、石英）、又は、金属（ステンレス、鉄、銅、チタン、タングステン、マグネシウム、アルミニウム、クロム、モリブデンなどを主体とする）を用いることもできる。
【００２０】
（多層構造の金属箔の積層工程）
次に、図１（ｂ）のように、サイズが例えば６１０×５１０ｍｍの支持基板１０を中心にし、その支持基板１０の外側に、平面視で支持基板１０と同じサイズの寸法が６１０×５１０ｍｍのプリプレグもしくは樹脂フィルムから成る半硬化絶縁樹脂シート１２ａを重ね、その外側に、半硬化絶縁樹脂シート１２ａより小さいサイズの寸法が６００×５００ｍｍの多層構造の金属箔１３を重ねる。そして、その多層構造の金属箔１３の外側に離型フィルム２０を重ねて、真空積層プレスにより、支持基板１０の外側に半硬化絶縁樹脂シート１２ａを介して多層構造の金属箔１３を積層する。
【００２１】
真空積層プレス装置によって加熱・加圧する積層処理によって、支持基板１０の外側の半硬化絶縁樹脂シート１２ａを硬化させて絶縁樹脂材料１２にし、その支持基板１０と絶縁樹脂材料１２とからなる支持基板の外側の面に多層構造の金属箔１３が一体となった積層基板１００を製造する。
【００２２】
（半硬化絶縁樹脂シート）
ここで用いる半硬化絶縁樹脂シート１２ａとしては、厚さが０．０４ｍｍから０．４ｍｍの（例えば厚さが０．０７ｍｍの）、有機樹脂が補強繊維に含浸されて成るプリプレグを半硬化絶縁樹脂シート１２ａとして用いる。プリプレグは、樹脂リッチに調整している方が好ましい。必要なハンドリング性を確保できる場合は、補強繊維を含まない樹脂フィルムの半硬化絶縁樹脂シート１２ａを用いても構わない。
【００２３】
半硬化絶縁樹脂シート１２ａの有機樹脂の材料としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミ
ド−トリアジン樹脂（以下、ＢＴ樹脂と称す）、ポリイミド樹脂、ＰＰＥ樹脂、フェノール樹脂、ＰＴＦＥ樹脂、珪素樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、ＰＰＳ樹脂、ＰＰＯ樹脂、シアネート樹脂、シアネートエステル樹脂などの有機樹脂を使用することができる。
【００２４】
また、補強繊維は、ガラス繊維、アラミド不織布やアラミド繊維、ポリエステル繊維、ポリアミド繊維、液晶繊維などを用いることができる。また、半硬化絶縁樹脂シート１２ａの有機樹脂には、シリカやブチル系有機材料、炭酸カルシウムなどによるフィラーを含ませることもできる。
【００２５】
（複数の金属層が剥離可能に積層されて成る多層構造の金属箔）
複数の金属層が剥離可能に積層されて成る多層構造の金属箔１３として、例えば、厚さ１０μｍ〜３５μｍ（例えば１８μｍ）のキャリア銅箔層１３ｂの金属層に、厚さ１μｍ〜８μｍ（例えば５μｍ）の極薄銅箔層１３ａの金属層を剥離可能に積層したピーラブル金属箔を用いる。キャリア銅箔層１３ｂと極薄銅箔層１３ａの金属層を剥離可能に積層する手段は、剥離可能に接着剤で接着する方法や、その他の剥離可能な積層方法を用いる。
【００２６】
この多層構造の金属箔１３を、キャリア銅箔層１３ｂを外側にし極薄銅箔層１３ａを内側にして半硬化絶縁樹脂シート１２ａの外側に重ねる。
【００２７】
図１（ｂ）のように、多層構造の金属箔１３の外側に、離型フィルム２０を重ねて真空積層プレスにより、支持基板１０の外側に半硬化絶縁樹脂シート１２ａを介して多層構造の金属箔１３を積層する。真空積層プレスの条件は、適用する半硬化絶縁樹脂シート１２ａの材料に合わせて昇温速度や圧力、加圧タイミングを調整して実施する。流動性が高い材料を用いる場合は、昇温速度や加圧タイミングを遅くする調整を施しても構わない。
【００２８】
そして、半硬化絶縁樹脂シート１２ａを固化させて絶縁樹脂材料１２にした後に離型フィルム２０を剥離して、図２（ｃ）のように、サイズ６００×５００ｍｍの多層構造の金属箔１３の外周部を絶縁樹脂材料１２による幅５ｍｍの額縁部１４が囲み、多層構造の金属箔１３の外縁部の表面の上に、額縁部１４の絶縁樹脂材料１２と連結している薄い樹脂薄膜１５を形成させた支持基板である積層基板１００を製造する。この状態に置いて、多層構造の金属箔１３の内側の面、側壁、外側の端部が一体の絶縁樹脂材料にて覆われる。
【００２９】
（変形例３）
変形例３として、支持基板１０を用いずに、２枚の多層構造の金属箔１３の間に、その多層構造の金属箔１３より大きいサイズの、積層による硬化後に剛性が十分に確保できる厚さ及び剛性を有する絶縁樹脂材料１２になる半硬化絶縁樹脂シート１２ａを挟んで真空積層プレスにより積層処理して積層基板１００を製造することもできる。その積層基板１００は、図７のように、２枚の多層構造の金属箔１３の間に絶縁樹脂材料１２が形成された構造であり、その２枚の多層構造の金属箔１３のサイズは積層基板１００のサイズより小さい。そして、多層構造の金属箔１３の外側の面の端部を絶縁樹脂材料１２の一部である樹脂薄膜１５が覆う構造が形成される。結局、変形例３によっても、多層構造の金属箔１３の内側の面と多層構造の金属箔１３の外側の面の端部とが、一体構造に形成された絶縁樹脂材料１２で覆われている積層基板１００を製造することができる。
【００３０】
（離型フィルム）
図１（ｂ）の工程で、真空積層プレスの際に真空積層プレス装置のステンレス製のプレス板との間に挟む離型フィルム２０としては、ポリフェニレンスルフィド、ポリイミド等の樹脂材料とステンレス、真鍮等の金属材料とを組み合わせた複合材料からなるフィルムを用いる。
【００３１】
離型フィルム２０の熱収縮率は、加熱加圧処理を施す温度において、０．０１〜０．９％の熱収縮率を持つ離型フィルム２０を用いる。また、離型フィルム２０の加熱加圧処理後における伸びの低下率が加熱加圧処理前の３０％以下である離型フィルム２０を用いる。
【００３２】
離型フィルム２０の形態は、厚みが、１０〜２００μｍの樹脂材料からなり、特に、離型フィルム２０の表面に、ＪＩＳ  Ｂ０６０１に規定される平均粗さＲａを３００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下に粗面化処理（マット処理）を施した離型フィルム２０を用いる。
【００３３】
図１（ｂ）の工程で、支持基板１０の外側に、樹脂リッチに調整した半硬化絶縁樹脂シート１２ａを重ね、その外側に多層構造の金属箔１３を重ね、その外側に、平均粗さＲａを３００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下に粗面化処理（マット処理）した離型フィルム２０を重ねて、プレス板の間に挟んで、そのプレス板で加熱・加圧する真空積層プレス装置を用いて積層して積層基板１００を製造する。
【００３４】
その際に、離型フィルム２０の面のマット処理の効果により、図２（ｃ）のように、多層構造の金属箔１３の外縁部の表面の上に、額縁部１４の絶縁樹脂材料１２と連結している薄い樹脂薄膜１５が形成される。
【００３５】
この樹脂薄膜１５が適切に形成されるように、離型フィルム２０の面のマット処理と半硬化絶縁樹脂シート１２ａの樹脂リッチな度合いと真空積層プレスの加熱・加圧条件を調整する。それにより、加熱・加圧された半硬化絶縁樹脂シート１２ａの樹脂材料が多層構造の金属箔１３の外縁部の表面の上に適切に流れ出して、多層構造の金属箔１３の外縁部の上に絶縁樹脂材料１２の樹脂薄膜１５が厚さが３μｍ以下で、幅が０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲の幅で形成される。
【００３６】
これにより、積層基板１００を、多層構造の金属箔１３のサイズが、積層基板１００全体のサイズより小さく形成する。そして、図２（ｃ）の部分断面図に示すとおり、多層構造の金属箔１３の外側である額縁部１４の絶縁樹脂材料１２が、多層構造の金属箔１３の内側の面と外側の端部と、多層構造の金属箔１３の露出面の外周部分とを、一体に覆うようにする。それにより積層基板を用いた基板製造工程での金属箔１３の層の剥離を効果的に防止することができる。
【００３７】
積層基板１００の樹脂薄膜１５は、額縁部１４の絶縁樹脂材料１２と連結して、多層構造の金属箔１３の極薄銅箔層１３ａとキャリア銅箔層１３ｂとの剥離の界面の境界線を絶縁樹脂材料１２内に埋め込んで保護する効果がある。それにより、以降の製造工程のストレスで、多層構造の金属箔１３の、極薄銅箔層１３ａとキャリア銅箔層１３ｂの剥離の境界面が剥離することを防止でき、その界面の剥離による製造不良を防止できる効果がある。
【００３８】
特に、樹脂薄膜１５の幅を０．１ｍｍ以上にすることで、多層構造の金属箔の剥離の界面の境界線が十分に保護される効果があり、それにより、基板の以降の製造工程において多層構造の金属箔１３が予期せず剥離する不具合を防止できる効果がある。一方、樹脂薄膜１５の幅を１０ｍｍより大きくすると、多層構造の金属箔１３が樹脂薄膜１５で覆われない有効領域の面積が狭くなり製品コストを増加させてしまう。なお、好ましくは、この樹脂薄膜１５が多層構造の金属箔１３を覆う幅を０．５μｍ以上５ｍｍ以下の幅となるように製造条件を調整することが望ましい。 
【００３９】
この樹脂薄膜１５と額縁部１４の絶縁樹脂材料１２の表面には、マット処理された離型
フィルム２０の、平均粗さＲａが３００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下の粗度の粗さが転写されている。それにより、後に形成する金属めっき層と、この樹脂薄膜１５の表面及び額縁部１４の絶縁樹脂材料１２の表面との密着力を強くできる効果がある。Ｒａが３００ｎｍより小さくなると発現される密着力が弱く、工程中に絶縁樹脂材料１２表面に設けられる金属めっき層が剥離する。また、Ｒａが１５００ｎｍより大きくなる場合、凸部となる絶縁樹脂材料１２が脱離しやすく、この脱離物により工程中の歩留低下を発生させる。
【００４０】
ここで、両面に銅箔１１を有する支持基板１０とその両面の外側に半硬化絶縁樹脂シート１２ａを重ねて積層する場合は、それらを多層構造の金属箔１３の間に挟んで積層して積層基板１００を製造すると、その積層基板１００が銅箔１１で補強される効果がある。また、銅箔１１により、積層基板１００の表面の熱膨張係数が銅の熱膨張係数に整合され、後に積層基板１００の外側にビルドアップして形成する銅の配線パターン３３と積層基板１００の表面の熱膨張係数の差が小さくなり、製造工程での熱処理により積層基板１００と配線パターン３３の界面に生じる熱ストレスを軽減できる効果がある。
【００４１】
（層間絶縁樹脂層の形成工程）
次に、層間絶縁樹脂層３１の形成のための前処理として、多層構造の金属箔１３の表面を、粒界腐食のエッチング処理により粗化処理するか、酸化還元処理による黒化処理、又は、過水硫酸系のソフトエッチング処理により粗化処理する。
【００４２】
次に、図２（ｄ）のように、多層構造の金属箔１３上に層間絶縁樹脂層３１を、ロールラミネートまたは積層プレスで熱圧着させる。例えば厚さ４５μｍのエポキシ樹脂をロールラミネートする。ガラスエポキシ樹脂を使う場合は任意の厚さの銅箔を重ね合わせ積層プレスで熱圧着させる。
【００４３】
層間絶縁樹脂層３１の樹脂材料として、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂（以下、ＢＴ樹脂と称す）、ポリイミド樹脂、ＰＰＥ樹脂、フェノール樹脂、ＰＴＦＥ樹脂、珪素樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、ＰＰＳ樹脂、ＰＰＯ樹脂、シアネート樹脂、シアネートエステル樹脂などの有機樹脂を使用することができる。また、これらの樹脂単独でも、複数樹脂を混合しあるいは化合物を作成するなどの樹脂の組み合わせも使用できる。更に、これらの材料に、ガラス繊維の補強材を混入させた層間絶縁樹脂層３１を用いることができる。補強材には、アラミド不織布やアラミド繊維、ポリエステル繊維を用いることができる。
【００４４】
（ビアホール及び配線パターンの形成工程）
次に、図３（ｅ）のように、層間接続用のビアホール下穴３２ａを、穴あけ加工用レーザー光線によって形成する。なお、層間絶縁樹脂層３１の熱圧着に銅箔を使用した場合は、ビアホール下穴３２ａを形成する前処理として、その銅箔を全面エッチングするか、銅箔にビアホール下穴３２ａ用の開口を形成するエッチング処理を行うか、あるいは、銅箔の表面処理を行うことでビアホール下穴３２ａ部分の銅箔のレーザー吸収性を改善してレーザー光線によってビアホール下穴３２ａを形成する。このビアホール下穴３２ａは円錐状に形成される。
【００４５】
次に、図３（ｆ）のように、ビアホール下穴３２ａの壁面および層間絶縁樹脂層３１の表面に無電解めっきを施し、その外側に電解銅めっきの層を形成し、銅めっきで充填したビアホール３２を形成する。ビアホール３２は、支持基板側を上側にし基板の外側を下側にすると、円錐台状に形成される。
【００４６】
次に、電解銅めっきの層の面に感光性めっきレジストフィルムを形成して露光・現像することで、エッチングレジストのパターンを形成し、そのエッチングレジストで保護して
電解銅めっきのパターンをエッチングし、次に、エッチングレジストのパターンを剥離することで、図３（ｇ）のように、層間絶縁樹脂層３１上にビアホールのランド３２ｂと配線パターン３３を形成する。
【００４７】
そして、その配線パターン３３と層間絶縁樹脂層３１上に、同様のビルドアップ工法による層間絶縁樹脂層３４の形成工程と、ビアホール３５及び配線パターンの形成工程を繰り返して、図４（ｈ）のように、積層基板１００上に、層間絶縁樹脂層３１及び３４とビアホール３２及び３５と配線パターンを複数層ビルドアップした多層配線構造３０を形成する。
【００４８】
次に、多層配線構造３０の表面をマイクロエッチング剤で粗化処理した上にアゾール化合物の厚い被膜を形成させてソルダーレジストの接着性を向上させる処理を行う。次に、感光性のソルダーレジスト３６の膜を形成し、露光・現像しパッド部分を開口させ、加熱硬化させる。粗化処理後に多層配線構造３０とソルダーレジスト３６との密着が確保できる場合は、アゾール化合物による処理は実施しなくても構わない。
【００４９】
次に、多層配線構造３０の表面に、所望のサイズのエッチングレジストを張り付け、図４（ｉ）の切断線１６で多層配線構造３０と積層基板１００を切断することで額縁部１４を切り離し、その切断面に多層構造の金属箔１３の剥離の境界線を露出させる。そして、図５（ｊ）のように、露出させた剥離の境界線から多層構造の金属箔１３の極薄銅箔層１３ａからキャリア銅箔層１３ｂを剥離することで、厚さ０．４ｍｍの積層基板１００から多層配線構造３０を分離する。
【００５０】
次に、そうして分離した多層配線構造３０に対し、多層配線構造３０のキャリア銅箔層１３ｂの表面にエッチングレジストのパターンを形成してキャリア銅箔層１３ｂをエッチングすることで、図５（ｋ）のように、凸端子１を層間絶縁樹脂層３１から突出させて形成した多層配線構造３０を得る。なお、必要な凸端子１の高さに合わせるため、エッチングする前にパネルめっきを実施したり、ハーフエッチングを実施しても構わない。
【００５１】
この凸端子１の部分の形状は、図６のように、円錐台状のビアホール３２の上面（上底）の高さと層間絶縁樹脂層３１の上面の高さと凸端子１の下面の高さが略一致する形であり、かつ、ビアホール３２と凸端子１との接続界面が存在する。一方、凸端子１がビアホール３２の下側（下底側）では、ビアホール３２の内側とビアホールのランド３２ｂが銅を代表とする金属にて一体で設けられ、接続界面がビアホール３２の下側には接続界面が存在しない構成となる。
【００５２】
凸端子１が、層間絶縁樹脂層３１下面に密着することで、凸端子１近傍の層間絶縁樹脂層３１は凸端子１に拘束され変形しない状態とすることができ、この凸端子１に拘束された層間絶縁樹脂層３１の領域内にビアホール３２の上面に存在する接続界面周囲の変形を効果的に低減できる。
【００５３】
特にＬＳＩなど部品を接続したときに熱膨張係数差を主として発生する応力がかかる状況において、ビアホール３２の上側では凸端子１による層間絶縁樹脂層３１の変形抑制が、ビアホール３２の下側では樹脂が変形しやすい領域でのくびれた構造よりビアホール３２の上側より高い応力が集中する。つまり、ビアホール３２の下側に接続界面が存在すると接続部での破断を引き起こす確率が高くなる。特にＬＳＩを接続する端子は、反対面に設けられるＢＧＡやＬＧＡ端子より小さいことから、応力が集中しやすく、ビアの接続界面の位置が重要となる。
【００５４】
（ランド部分のめっき）
次に、ソルダーレジスト３６の開口部の部分及び凸端子１に、無電解Ｎｉめっきを３μｍ以上形成し、その上に無電解Ａｕめっきを０．０３μｍ以上形成する。無電解Ａｕめっきは１μｍ以上形成しても良い。更にその上にはんだをプリコートすることも可能である。あるいは、ソルダーレジスト開口部に、電解Ｎｉめっきを３μｍ以上形成し、その上に電解Ａｕめっきを０．５μｍ以上形成しても良い。更に、ソルダーレジスト開口部に、金属めっき以外に、有機防錆皮膜を形成しても良い。
（外形加工）
次に、多層配線構造３０の外形をダイサーなどで加工して個片の多層配線板に分離する。
【符号の説明】
【００５５】
１・・・凸端子
１０・・・支持基板
１１・・・銅箔
１２・・・絶縁樹脂材料
１２ａ・・・半硬化絶縁樹脂シート
１３・・・多層構造の金属箔
１３ａ・・・極薄銅箔層
１３ｂ・・・キャリア銅箔層
１４・・・額縁部
１５・・・樹脂薄膜
１６・・・切断線
２０・・・離型フィルム
３０・・・多層配線構造
３１、３４・・・層間絶縁樹脂層
３２、３５・・・ビアホール
３２ａ・・・ビアホール下穴
３２ｂ・・・ビアホールのランド
３３・・・配線パターン
３６・・・ソルダーレジスト
１００・・・積層基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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