(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の非金属部分（１０；２６）をろう付け接合層（１２；２８）を介してＭｏ、Ｍｏ基合金、ＷまたはＷ基合金から成る第２の金属部分に面状に接合することによる耐高温性接合体（２；２２）の製造方法において、以下の工程
Ａ）第１の部分（１０；２６）、第１のＺｒろう（３２）および中間層（３４）から成る第１の積層体をこの順序で作り、その際中間層（３４）の少なくとも９０原子％がＴａ、ＮｂおよびＷの少なくとも１つの元素から形成される、
Ｂ）第１のろう付け工程においてこの積層体を、Ｚｒろう（３２）は溶融するが中間層（３４）は溶融せずに部分接合体（３８）が得られるように加熱する、
Ｃ）部分接合体（３８）、中間層（３４）に境接する第２のろう（４０、４２）および第２の部分（６；２４）から成る第２の積層体をこの順序で作り、その際第２のろう（４０、４２）がＴｉ、Ｔｉ基ろう組み合わせ、Ｖ基ろう組み合わせ、ＺｒまたはＺｒ基ろう組み合わせの群の厳密に１つの材料から形成され、この材料が第２の積層体において第１のＺｒろう（３２）よりも低い温度で溶融するように選ばれる、
Ｄ）第２のろう付け工程において第２の積層体を、第２のろう（４０、４２）は溶融するが第１のＺｒろう（３２）から得られたろう付け接合は溶融しないように加熱する、
を有することを特徴とする耐高温接合体の製造方法。
【請求項２】
第２のろう付け工程において到達する最高炉温度が、第１のろう付け工程において到達する最高炉温度よりも少なくとも１００℃低いことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
第１のろう付け工程における最高炉温度が１８００℃〜２０００℃の範囲にあり、第２のろう付け工程における最高炉温度が１５５０℃〜１７２０℃の範囲に調整されることを特徴とする請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
第２のろうの材料が、第２の積層体において１５５０℃から１６８０℃の範囲の融点を有することを特徴とする請求項１から３の１つに記載の方法。
【請求項５】
第２のろう（４０、４２）が、以下のろう、
・Ｔｉろう、
・Ｔｉ−Ｖろう組み合わせ（４０、４２）、
・Ｚｒろう、または
・Ｚｒ−Ｔｉろう組み合わせ
の厳密に１つから形成されることを特徴とする請求項１から４の１つに記載の方法。
【請求項６】
第２のろうが、１２原子％〜５０原子％のＶと、残部がＴｉとからなるＴｉ−Ｖろう組み合わせ（４０、４２）により形成されることを特徴とする請求項１から５の１つに記載の方法。
【請求項７】
部分接合体（３８）の中間層（３４）の表面が、第２の積層体の製造前に機械加工されることを特徴とする請求項１から６の１つに記載の方法。
【請求項８】
中間層（３４）の平均厚さが、０．１ｍｍ〜２ｍｍの範囲であることを特徴とする請求項１から７の１つに記載の方法。
【請求項９】
第１のろう（３２）の平均厚さが８０μｍから５００μｍの範囲であり、第２のろう（４０、４２）の平均厚さが３０μｍから４００μｍの範囲であることを特徴とする請求項１から８の１つに記載の方法。
【請求項１０】
第１の部分（１０；２６）がＣ基材料から形成され、第２の部分（６；２４）がＭｏまたはＭｏ基合金から形成されることを特徴とする請求項１から９の１つに記載の方法。
【請求項１１】
第１の部分が、セラミックから形成されることを特徴とする請求項１から９の１つに記載の方法。
【請求項１２】
第１の部分（１０；２６）並びに第２の部分（６；２４）が、それぞれＸ線陽極（２；２２）の構成部材の一部を形成することを特徴とする請求項１から１１の１つに記載の方法。
【請求項１３】
第１の非金属部分（１０；２６）がろう接合層（１２；２８）を介してＭｏ、Ｍｏ基合金、ＷまたはＷ基合金から成る第２の金属部分（６；２４）に接合され、
その際第１の部分（１０；２６）が、Ｚｒろう（３２）から形成されるろう付け接合を介して少なくともコア範囲が少なくとも９０原子％のＴａ、ＮｂおよびＷの少なくとも１つの元素から形成される中間層（３４）に接合され、
その際中間層（３４）が、Ｔｉろう、Ｔｉ−Ｖろう組み合わせ、ＺｒろうまたはＺｒ−Ｔｉろう組み合わせから形成される第２のろう付け接合（４０、４２）を介して、第２の部分（６；２４）に接合されることを特徴とする耐高温性接合体。
【請求項１４】
第２のろう付け接合（４０；４２）が、１８６０℃を超えない再溶融温度を有するＴｉろうから形成されることを特徴とする請求項１３記載の耐高温性接合体。
【請求項１５】
第２のろう付け接合が、１７８０℃を超えない再溶融温度を有するＴｉ−Ｖろう組み合わせ（４０；４２）から形成されることを特徴とする請求項１３記載の耐高温性接合体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１の非金属部分がろう付け接合層を介して、Ｍｏ（モリブデン）、Ｍｏ基合金、Ｗ（タングステン）またはＷ基合金からなる第２の金属部分に接合される耐高温性接合体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の耐高温性接合体は、特にＸ線回転陽極の製造の分野において提供される必要がある。Ｘ線回転陽極は、Ｘ線管においてＸ線を発生するのに使用される。この種のＸ線回転陽極を備えたＸ線機器は、特に医療分野では画像診断において使用されている。使用中に電子がＸ線管の陰極から放出され、焦点合わせされた電子線の形で回転中のＸ線回転陽極上に向けて加速される。電子線のエネルギーの大半は、Ｘ線回転陽極において熱に変換されるのに対し、ごく一部はＸ線として反射される。Ｘ線回転陽極の回転により、局部的な過熱に対処している。
【０００３】
高い温度負荷のためにＸ線回転陽極の基材は通常は高融点材料から形成されるが、この材料はさらに熱を放散するための良好な熱伝導性を持たなければならない。さらに基材は、高温でも高い回転速度でも十分な機械的安定性を提供しなければならない。基材として好適な材料は、特にモリブデン並びにモリブデン基合金（たとえばＴＺＭ、ＭＨＣ）であり、またタングステンまたはタングステン基合金も可能である。これに関連してＭＨＣとしては、１．０〜１．３重量％のＨｆ（Ｈｆ＝ハフニウム）成分、０．０５〜０．１２重量％のＣ（炭素）成分、０．０６重量％以下のＯ（酸素）成分および残りはＭｏ（モリブデン）成分（不純物を除く）を有するモリブデン合金が挙げられる。有効な熱反射性を保証するためには、Ｘ線回転陽極の基体の背面の一部に非金属材料からなる反射体が設けられ、基体に面状に（通常はろう付けで）接合される。反射体の好適な材料は特に黒鉛であり、これはその反射特性、耐熱性および軽量の点で優れている。Ｘ線回転陽極が高い線出力用に設計すべきときにはまさに、高温、大きな温度勾配および（大きな回転速度による）大きな機械的負荷のために、Ｘ線回転陽極の基体の強度および基体と反射体との接合の安定性および長寿命性に対する特に大きな要求が課せられる。
【０００４】
専門分野では公知のように、成形（たとえば鍛造）によりＭｏ、Ｍｏ基合金（たとえばＴＺＭ、ＭＨＣ）、Ｗ、Ｗ基合金の特に高い強度を得ることができる。これらが成形工程後にその再結晶温度以上に加熱されると、その強度は減少する（熱老化）。したがって、Ｘ線回転陽極の製造時には基体の熱老化を最小にするため、成形工程後に過度の加熱が生じないように注意しなければならない。他方では、基体と反射体との間のろう付け接合のために高い使用温度でも十分な安定性を保証するようなろうが使用される必要がある。付加的にろう接合には、両接合パートナー間に発生する機械的応力に耐え得る、という要求も課せられる。特に、ろう接合面に作用する力成分を有するこのような機械的応力は、特に、両接合パートナーの熱膨張係数の相違、高い温度勾配および／または回転により作用する力により発生する。
【０００５】
Ｘ線回転陽極の分野では異なる構想も生まれているし生まれてきたが、この構想には非金属部分とＭｏ、Ｍｏ基合金、ＷまたはＷ基合金から成る金属部分との間に必要な面状接合に関して顕著な課題設定がある。さらに、このような面状接合に関する顕著な課題設定はＸ線陽極においても一般的であり（たとえば固定陽極）、並びに一部では上述の材料から成る耐高温性接合体でも一般的に生じている。
【０００６】
特許文献１には、モリブデン合金基板と黒鉛板を接合してＸ線回転陽極を作る方法が記載されているが、ここでは第１工程でモリブデン合金板が黒鉛板と純金属ろうによりろう付けされ、第２工程でメッキされた黒鉛裏地が特殊なろう合金の使用下にモリブデン合金基板とろう付けされる。好適なろう合金としては、特にＴｉ−Ｃｒ−Ｂｅ合金（チタン・クロム・ベリリウム合金）並びにＴｉ−Ｓｉ合金（チタン・けい素合金）が記載されている。
【０００７】
特許文献２には、Ｘ線陽極の製造方法が記載されており、ここではモリブデンまたはモリブデン合金から成る基材から出発して炭素基材に向かってＮｂ−Ｔｉ合金を有する第１のろう付け層、ＮｂまたはＮｂ合金を有する第２のろう付け層およびＺｒを有する第３のろう付け層が積層され、これらの積層体が一工程において１７３０℃〜１９００℃の範囲の温度でろう付けされる。特許文献３には、別のＸ線陽極の製造方法が記載されており、ここではモリブデンまたはモリブデン合金から成る基材から出発して黒鉛基材に向かってＴａ−Ｔｉ合金から成る第１のろう付け層、ＴａまたはＴａ合金から成る第２のろう付け層およびＺｒから成る第３のろう付け層が積層され、これらの積層が一工程において、１７５０℃〜１９００℃の範囲の温度でろう付けされる。特許文献２でも特許文献３でも、ＺｒおよびＭｏの拡散を回避するためにそれぞれ第２のろう付け層が設けられている。第１のろう付け層では、第２のろう付け層（ＮｂもしくはＴａ）の材料がＴｉに合金化され、第１のろう付け層の融点を第２のろう付け層の比較的高い融点と純Ｔｉの比較的低い融点との間に調整している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００２/００８５６７８号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１１/０１０３５５３号明細書
【特許文献３】特開２０１０−１４０８７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
したがって本発明の課題は、第１の非金属部分をろう付け接合を介してＭｏ、Ｍｏ基合金、ＷまたはＷ基合金から成る第２の金属部分に接合し、一方では金属部分の熱老化を大幅に回避し他方ではろう付け接合が両部分間の高い温度、高い温度勾配および高い機械的応力に耐えることのできる耐高温性接合体およびそのような耐高温性接合体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この課題は、請求項１に記載の方法および請求項１３に記載の耐高温性接合体により解決される。本発明の有利な実施態様は従属請求項に提示されている。
【００１１】
本発明によれば、第１の非金属部分をろう付け接合層を介してＭｏ（Ｍｏ＝モリブデン）、Ｍｏ基合金、Ｗ（Ｗ＝タングステン）またはＷ基合金から成る第２の金属部分との面状接合による耐高温性接合体の製造方法が提供される。この方法は、以下の工程、
Ａ）第１の部分、第１のＺｒ（Ｚｒ＝ジルコニウム）ろうおよび中間層から成る第１の積層体をこの順序で作り、その際中間層はＴａ（Ｔａ＝タンタル）、Ｎｂ（Ｎｂ＝ニオビウム）および/またはＷの少なくとも１つの元素の少なくとも９０原子％で形成される、
Ｂ）第１の積層体を第１のろう付け工程において、Ｚｒろうは溶融するが中間層は溶融しないようにして部分接合体が得られるように、加熱する、
Ｃ）部分接合体、中間層に境接する第２のろうおよび第２の部分から成る第２の積層体をこの順序で作り、その際第２のろうはＴｉ、Ｔｉ基ろう組み合わせ、Ｖ基ろう組み合わせ、ＺｒまたはＺｒ基ろう組み合わせの群の厳密に１つの材料から形成され、この材料が第２の積層体において第１のＺｒろうよりも低い温度で溶融する、
Ｄ）第２の積層体を第２のろう付け工程において、第２のろうは溶融するが第１のＺｒろうから得られたろう付け接合は溶融しないように、加熱する、
を有する。
【００１２】
本発明は、さらにこのような本発明方法により製造された耐高温性接合体に関する。本発明方法では、さらに以下に述べる実施形態および発展形態の１つまたは多数も実現可能である。
【００１３】
第１のＺｒろうの使用により、特に炭素基材料（たとえば黒鉛）から形成される第１の非金属部分における良好な支持が達成される。上述のＴａ、Ｎｂおよび/またはＷの材料から成る中間層は高い融点を有するので両ろう付け工程では溶融しないので、中間層を介しての元素の拡散を効果的に防ぐ。特に第１の部分が炭素基材料から形成される場合には、（たとえばＭｏまたはＭｏ合金から成る）第２の金属部分への炭素の拡散が回避される。さらに中間層により、第２の金属部分がＭｏまたはＭｏ基合金から形成されている限り、拡散による第１のＺｒろうからのＺｒと第２の部分からのＭｏとの混合が生じて共融混合物が形成されることが回避される。比較的低い融点を有するこのような共融混合物の形成は特に高い使用温度用に設定される接合体では望ましくない。
【００１４】
第２のろうとして、第２の積層体において第１のろうよりも低い温度で溶融する材料が選ばれることにより、第２のろう付け工程は、第１のろう付け工程よりも低い温度で実施することができる。第２のろうに要求されるろう材は（単独でまたはこれに境接する第２の部分との組み合わせで）低い溶融温度を有し、特に中間層と第２の金属部分との耐負荷性の接合の形成に好適である。第２の金属部分は、第２のろう付け工程を実施する場合にのみ（比較的低い温度に）加熱されるので、第２の部分の熱老化は大幅に避けられる。これは特に、第２の部分および／またはこれに固く接合された部分が成形材料から成るときに特に有利である。
【００１５】
さらに本発明による方法は、３層の（または場合によってはさらに多層の）ろう付け接合層により、第１と第２の部分の間に生じる応力を効果的に相殺する接合が作られるので有利である。この相殺効果は、特に、中間層の材料としてＴａおよび／またはＮｂを使用するときに達成される。この場合、特に中間層がＴａおよび/またはＮｂの少なくとも９０原子％、特にＴａ単独で少なくとも９０原子％またはＮｂ単独で少なくとも９０原子％から形成されると有利である。なぜなら、この両材料では中間層は使用温度で弾性の部分的に塑性の特性を有し、両部分間に生じる応力並びに境接するろう層の一部に形成される亀裂を効果的に相殺するからである。中間層は、Ｔａおよび/またはＮｂの少なくとも９９原子％、特に厳密に１つの元素、すなわちＴａ単独またはＮｂ単独の少なくとも９９原子％から形成されると有利である。Ｎｂは、低価であり軽量の点で有利である。弾性塑性特性は、中間層が主として１つの元素からのみ成り、できるだけ高い純度で形成されると特に顕著になる。逆に、ほかの元素の添加（たとえば１０原子％まで、特に５原子％まで）により中間層の大きな強度を所期通りに調整することができる。Ｗ（すなわち少なくとも９０原子％、特に少なくとも９９原子％）から成る中間層が使用されると、この中間層は効果的な拡散バリアを形成し、高い使用温度でも殆ど維持される大きな強度を示す。
【００１６】
冒頭に述べたように、本発明方法はＸ線回転陽極の製造の枠内においてＭｏ、Ｍｏ基合金（特にＴＺＭまたはＭＨＣ）、ＷまたはＷ基合金から成る金属基体と、特に黒鉛から形成される非金属部分との接合に特に好適である。特に、ＴＺＭ（または場合によってはたとえばＭＨＣなどのほかのＭｏ基合金）から成る基体と黒鉛から成る反射体との接合に好適である。過去においてまた将来的な発展においてＸ線回転陽極の分野では第１および第２の部分に対してほかの材料の組み合わせも可能である。このような組み合わせは、特に、基体および/または反射体用にほかの材料を使用する（たとえば基体用に純Ｍｏ、ＷまたはＷ基合金、反射体用に炭素繊維強化炭素または炭素繊維強化炭化けい素）ことにより、Ｘ線回転陽極のほかの部材が本発明方法により接合される（たとえばＸ線回転陽極の領域で）またはＸ線回転陽極の実現化のためのほかの構想が開発されることにより、生じる。ほかの構想とはたとえば、（重量の最適化の観点から）Ｘ線回転陽極の基体がＣ基材料（たとえば炭素繊維強化炭素）またはセラミック（たとえば炭化けい素（ＳｉＣ）、窒化けい素（Ｓｉ3Ｎ4）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化ほう素（Ｂ4Ｃ）、炭素繊維強化炭化けい素（Ｃ−ＳｉＣ）または炭化けい素繊維強化炭化けい素（ＳｉＣ−ＳｉＣ）から形成され、これに焦点軌道（たとえばＷまたはたとえばタングステン・レニウム合金などのＷ基合金から成る）が直接ろう付けされ、その際接合用に本発明方法が適用されるような開発が考えられる。代替的に、このような非金属基体にまず金属接合部分（たとえばＭｏまたはたとえばＴＺＭまたはＭＨＣなどのＭｏ基合金から成る）が本発明方法によりろう付けされ、接合部分に次いで焦点軌道（たとえばＷまたはＷ基合金から成る）が載置されるようにすることもできる。さらに本発明方法は、非金属基体を別の金属接合パートナーに、たとえば所望の領域で接合するのに適用することもできる。
【００１７】
さらに本発明方法は一般に、実施形態によっては同様に相応する材料から成る２つの部分の耐高温接合が要求されるＸ線陽極（たとえば固定陽極）にも応用可能である。さらに、またＸ線回転陽極の分野以外においても、それぞれ負荷を受ける材料から成る２つの部分を耐高温接合により、互いに接合するため本発明の方法を適用する用途が生じている。
【００１８】
Ｍｏ基もしくはＷ基合金とは、少なくとも５０原子％のＭｏもしくはＷ、特に少なくとも９０原子％のＭｏもしくはＷを有する合金を考慮している。特に、第２の金属部分はＭｏ合金から形成され、その際ＴＺＭはＸ線回転陽極の分野において特に実績のあるＭｏ合金である。さらに、ＭＨＣもしばしば使用される。「面状接合」は、接合すべき面が平坦であるか曲面であるかとは無関係である。「耐高温接合体」とは、ろう付け接合が特に（局部的にろう付け接合にかかる）１０００−１６００℃の範囲の温度に耐え、第１および／または第２の部分が使用中に高温を示すことのできる（たとえばＸ線回転陽極では焦点軌道の範囲では２５００℃までは通常である）接合体が考慮される。
【００１９】
（第１並びに第２のろうにおける）Ｚｒろうとは、主として、特に少なくとも９０原子％が純Ｚｒから成るろうが考慮される。この際注意すべきことは、通常使用されるＺｒろうが一般に典型的には５原子％の範囲にある比較的高い不純物もしくは添加物成分（たとえばＨｆ；Ｈｆ＝ハフニウム）を有することである。通常、たとえばＨｆ成分は２．３５原子％である。「ろう組み合わせ」とは、当該元素がすでに合金としてまたは微細混合ペースト（液状バインダー相を有する金属粉末）である場合も、並びにろう組み合わせが異なる組成の２つ以上の箔または個別層、特にそれぞれ個別元素から成る箔または個別層から形成される場合も考慮される。さらに（第１および第２の）ろうは、専門分野で公知のように、なかんずく箔、金属層（たとえばＣＶＤ，プラズマ射出などにより載置）またはペーストとして施される。第２のろうに関しては、Ｔｉ、ＶまたはＺｒ基のろう組み合わせとともに、当該元素がＴｉ、ＶもしくはＺｒを少なくとも５０原子％有するろうが考慮される。第２のろうは、厳密に１つまたは最大で２つの元素から形成されると有利である（最大５原子％の成分となり得る不純物または添加物を除く）。Ｔｉろうとは、主として特に少なくとも９５原子％が純Ｔｉから成るろうが考慮される。第２のろうとして、Ｖ基またはＺｒ基のろう組み合わせが使用される場合には、ろう組み合わせの第２の（および好適には唯一の別の）成分はＴｉであると有利である。これにより、第２のろう組み合わせの比較的低い融点が達成される。第２のろうに対しては、本発明の実施態様の範囲内で第１のろうよりも低い融点を有する材料が選ばれる。これは、当業者には公知のように、２成分系もしくは３成分系相図により求められる。場合によっては、第２のろうだけが第１のろうよりも高いか同じ融点を有することもでき、この場合低い融点は第２の部分への当接によって初めてもしくは場合によっては中間層への当接によっても生じるので、ろう付け中に生じる拡散により融点の低下が生じ、第２のろうは当接面の側から溶融することになる。これが生じるのはたとえば、Ｍｏにより（第２の部分から）低い溶融温度の共融混合物を形成するＺｒろうおよびＺｒ基のろう組み合わせである。第２のろう付け工程中の加熱工程（工程Ｄ）では、加熱は比較的低い温度でのみおよび／または比較的短時間でのみ行われ、第２のろうだけが溶融し、第１のろうは溶融しないようにする。
【００２０】
第１部分および第２部分は、場合によってはそれぞれ大きな部材または部材群の一部とすることができる。本発明によるろう付け接合層は、厳密に３つの層（第１のろう、中間層、第２のろう）から形成される。基本的には、第１および第２の部分間に別の層を設けることも可能である。
【００２１】
１つの実施態様によれば、第２のろう付け工程での最大炉温度は第１のろう付け工程での最大炉温度よりも少なくとも１００℃低くされる。このようにすれば、第２の部分の熱老化が効果的に回避される。特に温度差が２００℃から４００℃の間の範囲であると、この有利な効果がさらに高められる。この温度差をどのような大きさにするか（もしくは各ろう付け工程における最小温度をどのように設定すべきか）は、それぞれ使用されるろうに関係する。「最大炉温度」とはこの場合、温度プロフィルの通過時に最大に達する炉温度が考慮される（通常は５−１０分間保持される）。さらに１つの実施態様では、第１のろう付け工程で最大炉温度は１８００℃から２０００℃、特に１９００℃から１９８０℃の範囲に調整され、第２のろう付け工程では最大炉温度は１５５０℃から１７２０℃、特に１５５０℃から１６５０℃の範囲に調整される。第２のろうのろう材次第では、第２のろう付け工程ではたとえば最大炉温度は１６２０℃（＋／−１０℃）、場合によっては１５５０℃（＋／−１０℃）も可能である。この最大炉温度は所定の時間、特に３分から２０分、好適には５分から１０分の間保持されると有利である。通常はこの場合前提となるのは、溶融すべき各ろうがほぼこの最大炉温度に達していることである。
【００２２】
１つの実施態様によれば、第２のろうの材料は、第２の積層体において１５５０℃〜１６８０℃、特に１６００℃（たとえばＴｉ−Ｖろう組み合わせ）〜１６７０℃（たとえばＴｉろう）の範囲の融点を有するように選ばれる。このようにすれば、第２のろう付け工程の温度は相応して低く選択でき、第２の部分の熱老化が避けられる。各ろうがろうの組み合わせから形成される場合には、基本的には融点は、このようなろう組み合わせがどのようなものであるか（たとえば合金、ペースト、別個の箔の形をとるかどうかなど）に関係なく、当該ろうの（相図による）組成により生じるものが規準とされる。なぜなら別個の箔として設けられる場合にも、この組成範囲がまず境界面に拡散効果により生じ、ろう組み合わせは境界面から溶融することから出発すべきであるからである。さらにろうおよびこのろうに接する材料によっては、この境界面の範囲にも拡散効果に基づき融点の低下が生じ得る。特にＺｒろう並びにＺｒ基のろう組み合わせでは、Ｍｏとの組み合わせにおいて共融混合物を形成することに注意しなければならない。したがって、ＭｏまたはＭｏ基合金から成る部分へのろうの当接によりおよび拡散効果により、ろう単独の融点よりも低い融点（一般には共融混合物の融点）が生じる。
【００２３】
１つの実施態様によれば第２のろうは厳密に以下のろう、すなわち
・Ｔｉろう、
・Ｔｉ−Ｖろう組み合わせ、
・Ｚｒろう、または
・Ｚｒ−Ｔｉろう組み合わせ
の１つにより形成される。このろう組み合わせでは、以下に詳述するように、特に低い融点が達成される。これにより、第２の金属部分の熱老化は大幅に避けられる。２成分のろう組み合わせは、それぞれ液状状態において完全な溶解性を示すので、ろう付けの実施に当たっては有利である。さらにこれらのろうは、特に第２の金属部分との確実な接合に適している。このような有利な特性は、特に第２のろうがＴｉ−Ｖろう組み合わせにより形成されるときに達成される。なぜなら、ＴｉおよびＶの２成分系は最小融点を示すので、純Ｔｉの場合よりも低い融点が達成されるからである。特にＴｉ−Ｖろう組み合わせは、１２原子％〜５０原子％のＶ成分と残りＴｉ成分を有する。Ｔｉ−Ｖろう組み合わせのＶ成分は、特に２０原子％〜４０原子％の範囲である。Ｔｉ−Ｖろう組み合わせのＶ成分は、厳密に３１原子％または３１原子％（たとえば＋/−４原子％）の範囲であると、２成分系の最小融点に相当するので特に有利である。
【００２４】
本発明による方法はさらに、第１の部分との中間層の接合後に中間層の（自由）表面の後加工を行うことを可能にする。１つの実施態様によれば、部分接合体の中間層の表面は第１のろう付け工程後および第２の積層体の製造前に機械的および／または化学的に加工されるが、特に機械的加工が有利である。このようにすれば、（比較的高温で実施される）第１のろう付け工程中に安定した中間層が使用できる。したがって、第１のろう付け工程に生じ得る不所望な変形またはひずみが効果的に回避される。続いて、中間層は所望の厚みまたは所望の厚みプロフィルに減少させることができる。特に、中間層により用意される局部的な均一化効果を所期通りに調整することができる。たとえば、焦点軌道の範囲では、残りの範囲よりも種々の厚みを調整することができる。代替的にまたは付加的に所望のパターンを施して、たとえば第２のろうの粘着性を高めることができる。１つの実施態様によれば、部分接合体の中間層の表面は第１のろう付け工程後および第２の積層体の製造前に機械的に加工して、少なくとも２つの異なるレベルを有するようにされる。たとえば、Ｘ線回転陽極では中間層に一定のより低いレベルの環状の凹みが加工される。レベル差は、（中間層の全体の厚さ次第では）たとえば０．２〜０．８ｍｍの範囲にすることができる。特に、少なくとも１つのレベル差の段階的形成が有利である。これにより、第２の金属部分の接合すべき面部分の相応する形状形成の際に材料結合に付加して形状的な結合も用意されるので、使用中の安定性が（特に半径方向において）さらに高められる。後者の場合、中間層と第２の金属部分との間に挿入される少なくとも１つのろう箔も相応して複数の部分ろう箔に分割されるので、中間層および第２の金属部分の各エッジへの良好なアクセスが可能となるので有利である。
【００２５】
１つの実施態様によれば、中間層の平均厚みは１００μｍから２０００μｍの範囲にある。良好な成果は特に６００μｍの範囲の層厚で得られたが、この範囲（＋/−５０μｍ）はコストの理由からも有利である。中間層の主成分としてＮｂおよび/またはＴａを使用する場合、問題となる使用温度におけるそれらの弾性塑性特性に基づきこれらは比較的厚く形成し（たとえば１２００μｍから２０００μｍまでの範囲も可能である）、第１の部分と第２の部分との間の特に良好な補償機能を用意すると有利である。第１のろう付け工程後に中間層を加工して材料を削減するときには、上述の厚みに中間層の減少された（場合によっては平均）層厚が参考にされる。中間層の加工前に使用された層厚は特に相応して高く、たとえば３５０μｍから３０００μｍまでの範囲である。第１のろう付け後に中間層の加工がおこなわれると、１０００μｍの範囲の（初期の）層厚において特に良好な成果が達成され、この場合、この範囲（＋/−５０μｍ）はコストの理由からも有利である。一般に（ろう付け前後の）層厚の呈示に際しては、当該層に対し垂直方向の断面（Ｘ線回転陽極では特に半径方向の断面）で測定した厚さが参考にされる。当該断面内の経過上の層厚が変化すると、これは平均化され、このため断面に沿った層経過上に均等に分布された多数の測定点の算術平均が利用される。
【００２６】
１つの実施態様によれば、第１のろうの平均厚さは８０μｍから５００μｍの範囲にあり、２５０μｍ（＋／−５０μｍ）の範囲の厚さが特に好適である。１つの実施態様によれば、第２のろうの平均厚さは３０μｍから４００μｍまでの範囲であり、１８０μｍ（＋／−５０μｍ）の範囲の厚さが特に好適である。この場合、ろうの工程前の厚さが参酌される（少なくともそれぞれ純ろう材から成る箔または被層が使用される場合に対して）が、ペーストの場合には（組成に応じて）若干高い層厚が生じ得る。ろう付け工程後に、少なくとも境界面の範囲では拡散効果が発生する。
【００２７】
１つの実施態様によれば、第１の部分はＣ基材料から形成される。好適な材料は特に黒鉛または炭素繊維強化炭素（ＣＦＣ英語＝carbon-fiber-reinforced carbon）である。１つの実施態様によれば、第１の部分はセラミックから形成される。好適なセラミックは特に炭化けい素（ＳｉＣ）、窒化けい素（Ｓｉ3Ｎ4）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）および炭化ほう素（Ｂ4Ｃ）である。１つの実施態様によれば、セラミックは繊維強化セラミックより形成される。好適な繊維強化セラミックはなかんずく炭素繊維強化炭化けい素（Ｃ−ＳｉＣ）および炭化けい素繊維強化炭化けい素（ＳｉＣ−ＳｉＣ）である。さらに１つの実施態様によれば、第２の部分はＭｏまたはＭｏ基合金から形成される。上述のように、これは特にＸ線陽極の分野で使用される材料である。特に用いられている材料は特に第１の部分に対しては黒鉛であり、第２の部分に対してはＭｏ基合金（特にＴＺＭまたはＭＨＣ）である。１つの実施態様によれば、第１の部分も第２の部分もそれぞれＸ線陽極、特にＸ線回転陽極の構成部材の一部を形成する。特に、（上述のように）第１の部分は反射体により、第２の部分はＸ線回転陽極の基体により形成される。上述のように、本発明の方法はＸ線回転陽極のほかの構成部材の接合にも好適である。さらに本発明方法は、Ｘ線回転陽極の別様の構想の実現に際しても、Ｘ線回転陽極またはそれに当接する構成部材の相応する部分を接合すべきときには使用することができる。
【００２８】
本発明はさらに、第１の非金属部分がろう付け接合層を介して、Ｍｏ、Ｍｏ基合金、ＷまたはＷ基合金から成る第２の金属部分に接合される耐高温性接合体に関する。この場合、第１の部分はＺｒろうから形成される第１のろう付け接合を介して、少なくともコア範囲において少なくとも９０原子％がＴａ、Ｎｂおよび/またはＷの少なくとも１つの元素からなる中間層に接合される。同様に中間層は、Ｔｉろう、Ｔｉ−Ｖろう組み合わせ、ＺｒろうまたはＺｒ−Ｔｉろう組み合わせから形成される第２のろう付け接合を介して第２の部分に接合される。本発明による耐高温性接合体では、本発明方法とほぼ同じ利点が達成される。上述のように、特に上述のろう材料（Ｔｉろう、Ｔｉ−Ｖろう組み合わせ、Ｚｒろう、Ｚｒ−Ｔｉろう組み合わせ）は、それらの低い融点に基づいて第２のろう付け接合を実現するために比較的低いろう付け温度を必要とすることを可能にする。したがって、（ろう付け法が２段階で実施される限り）金属部分の熱老化は大幅に回避される。特に金属部分は接合体内において、強度が第２のろう付け工程中に減少しないかごくわずかに減少するだけなので、高い強度を示す。さらに、本発明による接合体の第２の部分が第２のろう付け工程中の低いろう付け温度のために高い平均曲げ破壊強度を示し、さらに（曲げ破壊強度の値の）分布の統計的幅がＺｒろうの溶融に必要な最大（より高い）ろう付け温度での統一的なろう付け工程の実施の場合より狭い、という第２の部分の統計的評価が生じる。曲げ破壊強度の高い値も狭い分布曲線も特に、生産の枠内において接合体内での第２の金属部分の所望の比較的高い強度が求められるときには有利である。
【００２９】
各ろう接合が上述のろうの１つから形成される特徴とともに、ろうがそれぞれの部分と中間層との間の接合を形成するため専ら上述のろう材料から形成される態様が参考にされる。しかし、ろう付け中に拡散が生じ、したがってろう付け層内に（各ろう付け工程後）特に中間層からの材料と各部分からの材料とが含まれることも考慮しなければならない。さらに、第１および／または第２の部分および／または中間層に、たとえば拡散バリアまたは各部分の保護として役立つ皮膜（たとえばＣＶＤ皮膜、ＰＶＤ皮膜、プラズマ射出皮膜）を設けるようにすることもできる。しかし有利なのは、ろうがそれぞれ第１および／または第２の部分ならびに中間層の基材に直接境接することである。
【００３０】
特に、ＴｉろうおよびＴｉ−Ｖろう組み合わせを使用する場合および部分的に一般にＴｉ基ろう組み合わせにおいても、これらが比較的低い融点を有するという有利な効果がある。さらに、第２のろう付け工程の実施中に接合体の（第２）積層体において、材料が境接する中間層からおよび材料が境接する第２の部分からろう付け層に拡散することが有利である。これらのろうにおいては、このような拡散は当該の材料において融点の上昇を生じさせる。その結果、（中程度の温度での）ろう付けの実施中にろう付け層の材料は第２の部分および中間層に境接する境界面から始まってろう付け層の中心に向かって凝固する。このような凝固工程の進行は、ろう付け層の形成にとって有利である。さらに、特に比較的高い使用温度での用途では、第２のろう付け接合の再溶融温度が第２の純ろうの溶融温度よりも高いので有利である。第２のろう付け温度が高ければ高いほどおよび／または期間が長ければ長いほど拡散効果は著しく高まり、したがって再溶融温度は相応してさらに高まる。第２のろう付け工程が主として比較的低い温度で実施されると、拡散効果は、たとえば特許文献２および特許文献３に記載されているような統一的なろう付け工程に比較して小さくなる。したがって、第２のろう付け工程中における比較的低い温度に帰せられる第２のろう付け接合を特徴づける１つの特徴は、それぞれ使用されるろうに対する比較的低い再溶融温度である。
【００３１】
１つの実施態様によれば、第２のろう付け接合は最大１８６０℃の再溶融温度を有するＴｉろうから形成される。特に、再溶融温度は１７４０℃〜１７９０℃の範囲にある。１つの実施態様によれば、第２のろう付け接合は１７８０℃を超えない再溶融温度を有するＴｉ―Ｖろうから形成される。特に、再溶融温度は１６５０℃〜１７００℃の範囲にある。この場合、これらの値は新規状態（すなわちろう付けの実施後）における接合体に関連する。なぜなら、高温での使用に際してはさらに拡散が生じ、再溶融温度のさらなる上昇を生じる恐れがあるからである。再溶融温度を求めるために適用可能な測定方法は、以下に図を参照して説明する。
【００３２】
（ろう付けされた）耐高温性接合体内の第１のろう付け接合、中間層のコア範囲および第２のろう付け接合の平均厚さに対する好適な範囲は、それぞれ第１のろう、中間層および第２のろうの平均厚さに対して上述した値に相応する。ろう付け工程の実施中に、上述の拡散効果が境界面の範囲に生じる。ろう付けされた状態における１つの層もしくは１つの部分の境界面としては特に、当該層もしくは当該部分の材料の濃度が９０原子％に降下する面が選ばれる。さらに考慮すべきことは、ろうの一部がろう付け工程の実施中に縁部範囲で漏洩する恐れがあることである。したがってこのような作用は、ろう付けされた耐高温性接合体において層の一定の厚さが所望される場合には考慮しなければならない。
【００３３】
本発明のさらなる利点および合目的的性は添付の図面を参照して以下の実施例の説明に基づき明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】図１はＸ線回転陽極の概略横断面図である。
【図２】図２は寸法を付けた引っ張り試験片の概略図である。
【図３】図３はＴｉ−Ｖ−Ｍｏの３元系の相図である。
【図４】図４はＴｉ−Ｖ−Ｔａの３元系の相図である。
【図５】図５は本発明の第１の実施形態の第１のろう付け工程を説明するための概略横断面図である。
【図６】図６は第２のろう付け工程を説明するための概略横断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
図１には、Ｘ線回転陽極２の１実施形態の概略構造が示されている。Ｘ線回転陽極２は、回転対称軸４に対し回転対称に形成されている。Ｘ線回転陽極２は、相応する軸に取り付け可能な皿状の基体６を有している。基体６の蓋側には、環状の焦点軌道箔８が施されている。環状焦点軌道箔８が設けられている部分は、（平坦な円錐の）栽頭円錐形を示している。焦点軌道箔８は、使用中に電子線で走査される基体６の範囲を少なくとも覆っている。基体６は、裏側および焦点軌道箔８の対向面では反射体１０と面状に接合されている。基体６は、反射体１０とろう付け接合層１２を介して接合され、このようにして全体が本発明による耐高温性接合体の一実施例を形成する。この実施形態では基体６は成形されたＴＺＭから成り、反射体１０は黒鉛から形成される。この場合反射体１０は、Ｚｒろうから成る第１のろう付け接合を介して純Ｔａ（少なくともＴａ９８原子％）から成る中間層に接合される。中間層は、Ｔｉ−Ｖろう組み合わせから成る第２のろう付け接合を介して基体６に接合される。
【００３６】
以下に、再溶融温度を求めるのに適用可能な測定方法を概略説明する。この場合考慮すべきことは、この測定方法により求められる再溶融温度は典型的に＋/−２０℃の範囲の変動を有することである。まず、ろう付けされた接合体から引っ張り試験片１４が取り出され、その延在方向は検査すべきろう付け接合層１６の面に対して垂直であり、ろう付け接合層１６は中央に配置されている。引っ張り試験片１４の主要な寸法は図２に示されており、ミリメータで示されている。重要な寸法値は、特に引っ張り試験片１４の中央範囲における円形断面の直径ｄの１２ｍｍであり、これは２２ｍｍの長さｌにわたり一定である。引っ張り試験片１４の全長ｇは５０ｍｍであり、端部側部分１８、２０は拡大された円形断面を有する。引っ張り試験を実施するための固定用に端部側部分１８、２０には外ねじが形成されており、これは１ピッチのメートルＭ２４ねじ（すなわち外径２４ｍｍ）により形成される。
【００３７】
引っ張り試験片は加熱引っ張り炉に入れられ９０Ｎ（Ｎ＝ニュートン）の一定のバイアス力を加えられる。高温で生じる拡散効果は再溶融温度の測定結果に影響する恐れがあるので、温度は極めて迅速に５０℃/ｍｉｎ（ｍｉｎ＝分）の加熱率で予期される再溶融温度の５０℃下まで高められる。再溶融温度が１６５０℃と仮定すると引っ張り試験片はたとえばこの高い加熱率で１６００℃の炉温度まで加熱される。引っ張り試験片の完全加熱に役立つ１０ｍｉｎの保持時間後温度は５℃/ｍｉｎ（ｍｉｎ＝分）の十分に小さい加熱率でさらに高められる。この加熱中に、引っ張り試験片に加えられるバイアス力がいつゼロ（０Ｎ）もしくはほぼゼロに降下するかが測定され、この時点で測定された炉温度が再溶融温度の基準値として求められる。引っ張り試験片が６０分に亘って１０００℃以上の炉温度に保持されても再溶融温度に達しなかった場合には、この引っ張り試験片での実験は中止される。なぜならそうでなければ拡散効果が測定結果に過度に影響する恐れがあるからである。このときには新しい引っ張り試験片による新しい実験が開始され、高い加熱率で相応するより高い温度値に加熱され、実験を相応に実施する。
【００３８】
１０００℃以上の温度で高真空での温度測定は高い精度を示さない恐れがあるので、一定に測定可能な溶融温度を有する引っ張り試験片で試験装置を校正すると有利である。それゆえ、Ｚｒろうから形成され少なくとも一方の側が、ＭｏまたはＭｏ基合金から成る部分に境接する（Ｚｒろう付け接合の他方の側は黒鉛部分に境接する）ただ１つのろう付け接合を有する（上述の寸法を有する）Ｚｒろう付け引っ張り試験片が、加熱引っ張り炉に入れられ上述の測定法で測定される。ＺｒとＭｏの（確実に実現可能な）共融混合物の形成により、１５５０℃の溶融温度から出発する。この融点が測定により確かめられる（すなわち測定された融点は１５５０℃の予期される融点の＋／−２５℃の範囲にある）と、行われた温度測定は許容可能である。そうでなければこの予期される融点が確かめられるまで温度測定の相応する適合を実施しなければならない。代替的に、ほかの同等な校正法も加熱引っ張り炉内での正確な温度測定に使用できる。
【００３９】
以下に図５、６を参照してＸ線回転陽極２２により形成される本発明の接合体の製造の実施例を説明する。この実施例では、ＴＺＭから形成される基体２４が黒鉛から成る反射体２６とろう接合層２８を介して面状に接合される。まず、黒鉛反射体２６の接合すべき表面が機械加工により、パターン、特に溝パターンを施される。溝パターンは約３５０μｍの深さを有する。続いて、黒鉛反射体２６の熱衝撃洗浄および高真空焼きなましが行われる。さらに、ろう付け中の各部品の位置決めに役立つ位置決めアダプタ３０が黒鉛から作られる。１ｍｍ厚のＴａろう箔（少なくともＴａ９８原子％）と０．２ｍｍ厚のＺｒろう箔（少なくともＺｒ９５原子％）がレザー刃により切断され超音波洗浄にかけられる。続いて、第１の積層体を作るため黒鉛反射体２６、Ｚｒろう箔３２およびＴａろう箔３４がこの順序で上下に被層され（図５参照）、位置決めアダプタ３０が各層の位置決めに用いられる。第１の積層体は、高真空炉内で第１のろう付け工程に処せられる。この場合、第１の積層体は、まず平均加熱率が１０℃/ｍｉｎから２０℃/ｍｉn（ｍｉｎ＝分）、特に１５℃/ｍｉｎの加熱率で高真空下で１６００℃に加熱される。１６００℃で１０〜２０分の範囲（特に１５分）の保持時間が、各成分の完全加熱を保証するために設定される。続いて温度が、１０℃/ｍｉｎから２０℃/ｍｉｎ（ｍｉｎ＝分）の範囲の加熱率、特に１５℃/ｍｉｎの加熱率で最高温度１９１５℃まで高められる。１９１５℃の温度に達した後に、改めて（この温度での）保持時間が５〜１０分（特に８分）の範囲に設定される。その後、第１の積層体は緩慢に炉内で高真空下で室温に冷却される。これにより得られた部分接合体３８が、非破壊試験（超音波試験）に供される。
【００４０】
図示の実施形態では、蓋側に焦点軌道箔３６が設けられる基体２４が機械加工され、続いて超音波洗浄に処される。この実施形態では、部分接合体３８のＴａ中間層もＴａ中間層の所望の厚さを作るために機械加工される。続いて、部分接合体３８も超音波洗浄に処せられる。第２のろう付け工程の準備の枠内で新しい位置決めアダプタ３０が（必要とされる限り）作られる。Ｔｉ−Ｖろう組み合わせの用意のため、０．１ｍｍ厚のＶろう箔（少なくともＶ９８原子％）と０．２５ｍｍ厚のＴｉろう箔（少なくともＴｉ９８原子％）がレザー刃により切断され、続いて超音波洗浄に処せられる。続いて第２の積層体を作るため部分接合体３８、Ｔｉろう箔４０、Ｖろう箔４２および基体２４がこの順序で上下に被層され（図６参照）、その際各層の位置決めのため位置決めアダプタ３０が用いられる。第２の積層体は、高真空炉内で高真空下に第２のろう付け工程に処せられる。この場合、第２の積層体はまず２０℃／ｍｉｎ〜４０℃／ｍｉｎ（ｍｉｎ＝分）の範囲の平均加熱率、特に３０℃/ｍｉｎの加熱率で１５００℃に加熱される。１５００℃で１０〜２０分（特に１５分）の範囲の保持時間が、各成分の完全加熱を保証するために設定される。続いて、１０℃／ｍｉｎから３０℃／ｍｉｎ（ｍｉｎ＝分）の範囲の加熱率、特に２０℃/ｍｉｎの加熱率で最高温度１６５０℃まで高められる。１６５０℃の温度に達した後に、改めて（この温度での）保持時間が５〜１０分（特に８分）の範囲に設定される。その後、得られた接合体は緩慢に高真空炉内で高真空下で室温に冷却される。得られた接合体は、非破壊試験（超音波試験）に供される。
【００４１】
上述の製造方法は、Ｔａ中間層の代わりに別の上述の中間層が使用される場合には相応して実施可能である。さらに、第２のろうに対してもほかの上述の材料が使用可能であり、使用材料に応じて第２の積層体内の予期される融点が評価され、それに応じて第２のろう付け工程中の最高温度が適合される。
【００４２】
第２のろうに対する特に有利な材料は、特にＴｉろう、Ｔｉ−Ｖろう組み合わせ、並びにＺｒ−Ｔｉろう組み合わせである。これらの材料では、以下に詳述するように特に低い融点が達成され、これは少なくとも一定の組成範囲内の上述のろう組み合わせで有効である。これにより、第２の金属部分の熱老化が大幅に回避できる。
【００４３】
有利な材料のグループの１つは、融点が１６７０℃のＴｉろうと最小融点が１６００℃で組成がＶ３１原子％、Ｔｉ６９原子％のＴｉ−Ｖろう組み合わせである。Ｔｉ−Ｖろう組み合わせの比較的低い融点はしかしＶが２０〜４０原子％の比較的広い組成範囲に亘り得られる。この関係は、図３、４に示した三元系Ｔｉ−Ｖ−Ｍｏ（図３）およびＴｉ−Ｖ−Ｔａ（図４）の相図から見て取れる。さらに図３、４の相図から、当該ろう（ＴｉろうもしくはＴｉ−Ｖろう組み合わせ）へのＭｏおよび／またはＴａの拡散の増大とともに第２のろうの融点の相応する上昇が（相応してＮｂ中間層においても）生じることも明らかである。したがって、ＴｉろうおよびＴｉ−Ｖろう組み合わせは、第２のろう付け工程を比較的低い炉温度で実施することを可能にする。特に第２のろう付け工程に対しては、１６００℃〜１７２０℃の範囲の最大炉温度が、ろうの溶融を確実にするために融点との温度安全距離をどの程度高く選ぶ（通常は予期される融点より５０℃上）かに応じて選ばれる。さらに、これらのろうは上述の拡散効果に基づき、それから得られたろう付け接合が比較的高い使用温度に耐えることを可能にする。
【００４４】
有利な材料のほかのグループは、Ｚｒろう並びにＺｒ−Ｔｉろう組み合わせである。上述の拡散効果に基づき、これらのろうがＭｏまたはＭｏ合金から成る第２の部分に直接境接しているときには、融点が１５５０℃のＺｒとＭｏの共融混合物が確実に形成される。Ｚｒ−Ｔｉろう組み合わせが使用されると、このろう組み合わせの約１５５４℃の最小融点の範囲で作業が行われる。特に第２のろう付け工程に対しては、１５５０℃〜１６３０℃の範囲の最大炉温度が、ろうの溶融を確実にするために融点との温度安全距離をどの程度高く選ぶ（通常は予期される融点より５０℃上）かに応じて適している。したがって、これらのろうでは第２のろう付け工程に特に低いろう付け温度が可能となる。材料に応じて耐温度負荷は、上述のＴｉろうおよびＴｉ−Ｖろう組み合わせの場合よりも部分的に若干低くすることができる。
【００４５】
さらに考慮すべきことは、第２のろうに対して２つのろう箔から形成されたＴｉ−Ｖろう組み合わせの場合に、Ｔｉろう箔が中間層に境接して形成されるのが有利であることである。
【符号の説明】
【００４６】
２    Ｘ線回転陽極
４    回転対称軸
６    基体
８    焦点軌道箔
１０  反射体
１２  ろう付け接合層
１４  引っ張り試験片
１６  ろう付け接合層
１８  端部部分
２０  端部部分
２２  Ｘ線回転陽極
２４  ＴＺＭ基体
２６  黒鉛反射体
２８  ろう付け接合層
３０  位置決めアダプタ
３２  Ｚｒろう箔
３４  Ｔｉろう箔
３６  焦点軌道箔
３８  部分接合体
４０  Ｔｉろう箔
４２  Ｖろう箔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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