Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月5日(2011.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸水性ポリマー構造体の製造方法であって、
ｉ）（α１）重合性モノエチレン性不飽和酸性基含有モノマー又はその塩と、（α２）必要に応じて前記モノマー（α１）と重合可能なモノエチレン性不飽和モノマーと、（α３）必要に応じて架橋剤と、を含むモノマー水溶液を用意する工程と、
ｉｉ）前記モノマー水溶液をフリーラジカル重合させてポリマーゲルを得る工程と、
ｉｉｉ）必要に応じて前記ポリマーゲルを粉砕する工程と、
ｉｖ）必要に応じて粉砕された前記ポリマーゲルを乾燥して吸水性ポリマー構造体を得る工程と、
ｖ）必要に応じて前記吸水性ポリマー構造体を粉砕及び篩い分けする工程と、
ｖｉ）必要に応じて粉砕及び篩い分けされた前記吸水性ポリマー構造体を表面後架橋する工程と、を含み、
Ｉ）前記工程ｉｉ）の前又は前記工程ｉｉ）の実施中に熱可塑性ポリマーを前記モノマー水溶液に添加するか、
ＩＩ）前記工程ｉｉ）の後であって前記工程ｉｖ）の前に、混練装置によって熱可塑性ポリマーを前記ポリマーゲルに導入する方法。
【請求項２】
前記熱可塑性ポリマーを前記工程ｉｉ）の前に前記モノマー水溶液に添加する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記熱可塑性ポリマーのＩＳＯ  １１３５７に準拠して測定した溶解又はガラス転移温度が−１００℃〜２００℃である、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４】
前記熱可塑性ポリマーが、ポリアクリレート、（メタ）アクリル酸コポリマー、エチレン／（メタ）アクリル酸コポリマー、（メタ）アクリレートコポリマー、マレイン酸コポリマー、マレイン酸／プロピレンコポリマー、ポリウレタン、酢酸ビニルコポリマー、エチレン／酢酸ビニルコポリマー又は酢酸ビニル／アクリル酸ブチルコポリマー、スチレンコポリマー、ブチルアクリレート／スチレンコポリマー又はポリカーボネートである、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記熱可塑性ポリマーを、前記熱可塑性ポリマー、分散媒及び必要に応じて分散剤を含む分散液として使用する、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記分散液の２０℃で測定したブルックフィールド粘度が０．１〜１０，０００ｍＰａ・ｓである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記分散媒が水である、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記分散液における前記熱可塑性ポリマーの量が前記分散液の総重量の５〜９５重量％である、請求項５〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記分散液を前記工程ｉｉ）の前に前記モノマー水溶液に添加する場合に、前記分散液を前記モノマー水溶液の総重量の０．０１〜１０重量％の量で前記モノマー水溶液に添加する、請求項５〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記工程ｉｖ）の後に、前記吸水性ポリマー構造体の表面を、前記吸水性ポリマー構造体の重量の５重量％未満の微粒子と接触させる、請求項３〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記請求項のいずれか１項に記載の方法によって得られる吸水性ポリマー構造体であって、明細書に記載する試験方法に準拠して全粒子部分について測定した流動値が少なくとも５である吸水性ポリマー構造体。
【請求項１２】
以下の特性の少なくとも１つを有する、請求項１１に記載の吸水性ポリマー構造体。
（β１）明細書に記載する試験方法に準拠して全粒子部分について測定したダスト含有量が２％以下。
（β２）明細書に記載する試験方法に準拠して全粒子部分について測定した流動値が１５以下。
（β３）ＥＲＴ  ４４１．２−０２に準拠して測定した保持率が２５ｇ／ｇ未満において、明細書に記載する試験方法に準拠して測定したゲル床透過性（ＧＢＰ）が少なくとも５０ダルシー。
（β４）ＥＲＴ  ４４１．２−０２に準拠して測定した保持率が２５ｇ／ｇ以上、２７ｇ／ｇ未満において、明細書に記載する試験方法に準拠して測定したゲル床透過性（ＧＢＰ）が少なくとも４５ダルシー。
（β５）ＥＲＴ  ４４１．２−０２に準拠して測定した保持率が２７ｇ／ｇ以上、２９ｇ／ｇ未満において、明細書に記載する試験方法に準拠して測定したゲル床透過性（ＧＢＰ）が少なくとも４０ダルシー。
（β６）ＥＲＴ  ４４１．２−０２に準拠して測定した保持率が２９ｇ／ｇ以上、３１ｇ／ｇ未満において、明細書に記載する試験方法に準拠して測定したゲル床透過性（ＧＢＰ）が少なくとも３０ダルシー。
（β７）ＥＲＴ  ４４１．２−０２に準拠して測定した保持率が３１ｇ／ｇ以上、３３ｇ／ｇ未満において、明細書に記載する試験方法に準拠して測定したゲル床透過性（ＧＢＰ）が少なくとも２０ダルシー。
（β８）ＥＲＴ  ４４１．２−０２に準拠して測定した保持率が３３ｇ／ｇ以上、３５ｇ／ｇ未満において、明細書に記載する試験方法に準拠して測定したゲル床透過性（ＧＢＰ）が少なくとも１５ダルシー。
（β９）ＥＲＴ  ４４１．２−０２に準拠して測定した保持率が３５ｇ／ｇ以上において、明細書に記載する試験方法に準拠して測定したゲル床透過性（ＧＢＰ）が少なくとも８ダルシー。
【請求項１３】
前記特性（β１）、（β２）、（β３）〜（β９）を有する、請求項１２に記載の吸水性ポリマー構造体。
【請求項１４】
５重量％未満の微粒子を含む、請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の吸水性ポリマー構造体。
【請求項１５】
請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の吸水性ポリマー構造体を含む複合体。
【請求項１６】
請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の吸水性ポリマー構造体と、基材と、任意の添加剤とを接触させる、複合体の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法により得られる複合体。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月18日(2010.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ
【化１】
2010513510.tif 000001
（式中、ＡｒはＣ６〜Ｃ２０単環または多環式芳香族核であり、Ｒは一価の有機基であり、ｎおよびｍはそれぞれ独立してゼロではない値であり、そしてｎ＋ｍは８以下である）の構造によって表される芳香族酸のエーテルの製造方法であって、
（ａ）式ＩＩ
【化２】
2010513510.tif 000002
（式中、各Ｘは独立してＣｌ、ＢｒまたはＩであり、そしてＡｒ、ｎおよびｍは上述の通りである）
の構造によって表されるようなハロゲン化芳香族酸を、
（ｉ）アルコラートＲＯ−Ｍ＋（ここで、ＭはＮａまたはＫである）を含有する極性プロトン性溶媒、極性非プロトン性溶媒またはアルコール溶媒、ここで極性プロトン性溶媒、極性非プロトン性溶媒またはアルコール溶媒がＲＯＨであるか、ＲＯＨより酸性度の低い溶媒であるかのどちらかである、
（ｉｉ）銅（Ｉ）または銅（ＩＩ）源、および
（ｉｉｉ）シッフ塩基を含む、銅に配位する配位子
と接触させて反応混合物を形成する工程と、
（ｂ）反応混合物を加熱して式ＩＩＩ
【化３】
2010513510.tif 000003
の構造によって表されるような、工程（ａ）の生成物のｍ−塩基の塩を形成する工程と、
（ｃ）場合により、式ＩＩＩｍ−塩基の塩を、それが形成される反応混合物から分離する工程と、
（ｄ）式ＩＩＩｍ−塩基の塩を酸と接触させてそれから芳香族酸のエーテルを形成する工程と
を含む方法。
【請求項２】
工程（ａ）で、ハロゲン化芳香族酸の１当量当たり合計ｎ＋ｍ〜ｎ＋ｍ＋１規定当量のＲＯ−Ｍ＋を反応混合物に添加する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
銅源がＣｕ（Ｉ）塩、Ｃｕ（ＩＩ）塩、またはそれらの混合物を含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
配位子が式ＩＶ
【化４】
2010513510.tif 000004
（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３はそれぞれ独立して、置換および非置換Ｃ１〜Ｃ１６のｎ−アルキル、イソ−アルキルおよび第三アルキル基；および置換および非置換Ｃ６〜Ｃ３０のアリールおよびヘテロアリール基から選択される）
の構造によって表される請求項１に記載の方法。
【請求項５】
配位子が式Ｖ
【化５】
2010513510.tif 000005
（式中、Ａは、
【化６】
2010513510.tif 000006
からなる群から選択され、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ独立して、置換および非置換Ｃ１〜Ｃ１６のｎ−アルキル、イソ−アルキルおよび第三アルキル基；および置換および非置換Ｃ６〜Ｃ３０のアリールおよびヘテロアリール基から選択され；
Ｒ５は、Ｈ、置換および非置換Ｃ１〜Ｃ１６のｎ−アルキル、イソ−アルキルおよび第三アルキル基；および置換および非置換Ｃ６〜Ｃ３０のアリールおよびヘテロアリール基；およびハロゲンから選択され；
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８およびＲ９はそれぞれ独立して、Ｈまたは置換もしくは非置換Ｃ１〜Ｃ１６のｎ−アルキル、イソ−アルキルもしくは第三アルキル基から選択され、そして
ｎ＝０または１である）
の構造によって表される請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ｎ＝０、またはＲ３およびＲ４が一緒になって２つの窒素原子に結合したＣＨ３−Ｃ−Ｃ−ＣＨ３部分を形成する請求項５に記載の方法。
【請求項７】
銅が、ハロゲン化芳香族酸のモルを基準として０．１〜５モル％の量で供される請求項１に記載の方法。
【請求項８】
配位子が、銅の１モル当たり１〜２モル当量の量で供される請求項１に記載の方法。
【請求項９】
Ｒが、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、アリール基および次式：
【化７】
2010513510.tif 000007
の構造によって表される基からなる群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
芳香族酸のエーテルを、それから化合物、モノマー、オリゴマーまたはポリマーを製造するための反応にかける工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
製造されたポリマーが、ピリドビスイミダゾール、ピリドビスチアゾール、ピリドビス
オキサゾール、ベンゾビスイミダゾール、ベンゾビスチアゾール、およびベンゾビスオキサゾール部分からなる群の少なくとも１つのメンバーを含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
製造されたポリマーがピリドビスイミダゾール−２，６−ジイル（２，５−ジアルコキシ−ｐ−フェニレン）ポリマーを含む請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月16日(2010.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その上に白金が堆積されるアルミニウム・ケイ素・ゲルマニウム・ゼオライトを含有する触媒を再生する方法であって、
ａ）  最初に、前記触媒を、塩素または塩素含有化合物、水および酸素を、それぞれ、絶対圧で、約０．０１４ｐｓｉから約０．０９４ｐｓｉ（約９７Ｐａから約６５０Ｐａ）、約０ｐｓｉから約０．７５ｐｓｉ（約０Ｐａから約５２００Ｐａ）、および約０．１４ｐｓｉから約０．９４ｐｓｉ（約９７０Ｐａから約６５００Ｐａ）の分圧で含有するガス流と接触させる工程、
ｂ）  二番目に、前記触媒を、塩素または塩素含有化合物、水および酸素を、それぞれ、絶対圧で、約０．０１４ｐｓｉから約０．０９４ｐｓｉ（約９７Ｐａから約６５０Ｐａ）、約０．０１５ｐｓｉから約０．７５ｐｓｉ（約１００Ｐａから約５２００Ｐａ）、および約０．２ｐｓｉから約２．２４ｐｓｉ（約１４００Ｐａから約１５ｋＰａ）の分圧で含有するガス流と接触させる工程であって、工程ｂ）の酸素の分圧が工程ａ）の酸素の分圧よりも高い工程、
ｃ）  三番目に、前記触媒を、塩素または塩素含有化合物、水および酸素を、それぞれ、絶対圧で、約０．０２９ｐｓｉから約０．３７ｐｓｉ（約２００Ｐａから約２６００Ｐａ）、約０ｐｓｉから約０．１９ｐｓｉ（約０Ｐａから約１３００Ｐａ）、および約０．２ｐｓｉから約２．２４ｐｓｉ（約１４００Ｐａから約１５ｋＰａ）の分圧で含有するガス流と接触させる工程であって、工程ｃ）の塩素の分圧が工程ｂ）の塩素の分圧よりも高い工程、
ｄ）  前記触媒を、酸素および水で、それぞれ、絶対圧で、約０．２ｐｓｉから約２．２４ｐｓｉ（約１４００Ｐａから約１５ｋＰａ）および約０．０２９ｐｓｉから約０．７５ｐｓｉ（約２００Ｐａから約５２００Ｐａ）の分圧で蒸気処理する工程、および
ｅ）  前記触媒を、絶対圧で、約０．７ｐｓｉから約１９．７ｐｓｉ（約４８００Ｐａから約１４０ｋＰａ）の分圧で還元する工程、
を有してなる方法。
【請求項２】
工程ａ）が、約５０分から約２４時間に亘り、約４００℃から約５５０℃の温度であり、工程ｂ）が、約６０分から約２４時間に亘り、約４００℃から約５５０℃の温度であり、工程ｃ）が、約６０分から約４８時間に亘り、約４００℃から約５５０℃の温度であり、工程ｄ）が、約１５分から約１２時間に亘り、約２００℃から約５５０℃の温度であり、工程ｅ）が、約３０分から約２４時間に亘り、約２００℃から約５５０℃の温度であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
不安定コークスの少なくとも５０質量％が工程ａ）において除去され、残りの不安定コークスの実質的に全てが工程ｂ）において除去されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
再生された前記触媒が、
ｆ）  前記再生された触媒を、約２５℃から約５５０℃の温度範囲で約１０／時から約８０００／時のガス空間速度で硫黄化合物と接触させる工程、および
ｇ）  硫化された前記触媒を、約２５℃から約５５０℃の温度範囲で約１０／時から約８０００／時のガス空間速度でストリッピングガスと接触させる工程、
によりさらに硫化されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記硫黄化合物が硫化水素または有機硫化物化合物であることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記ストリッピングガスが、約１／９９から約１００／０のモル／モル比のストリッピングガスと不活性ガスとの混合物であることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項７】
再生された前記触媒が、該再生された触媒を前記供給原料中の硫黄化合物に接触させることによってさらに硫化されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記ゼオライトの構造がＭＦＩであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記Ｓｉ／Ａｌ比が３５：１を超えていることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記Ｓｉ／Ａｌ比が３５から６０までであることを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１１】
シリコン・ゲルマニウムのアルミニウムに対する原子比（Ｓｉ−Ｇｅ：Ａｌ）が２５：１より大きいことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１２】
白金が０．０５質量％から３質量％の範囲で存在することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１３】
前記触媒が、前記再生工程中に白金の結合部位として働かない不活性材料と結合していることを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記不活性材料が、シリカ、硫酸アルミナ、粘土またはゼオライトであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１５】
炭化水素の芳香族化方法において、
ａ）  １分子当たり２から８の炭素原子を含有する１種類以上のアルカンの供給原料を、その上に白金が堆積したアルミニウム・ケイ素・ゲルマニウム・ゼオライトを含有する触媒１種類以上と接触させる工程、
ｂ）  芳香族生成物を回収する工程、および
ｃ）  前記触媒を請求項１から１４いずれか１項記載の方法により再生する工程、
を有してなる方法。
【請求項１６】
前記アルカンが、１分子当たり２から４の炭素原子または１分子当たり６から８の炭素原子を含有することを特徴とする請求項１５記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月18日(2010.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
【化１】
2010513502.tif 000001
の構造によって表される化合物の合成方法であって、
非希釈液体アンモニア中で、または液体アンモニアと極性非プロトン溶媒との混合物中で、
式（ＩＩ）
【化２】
2010513502.tif 000002
の構造によって表される化合物を、化学酸化剤および／または脱水素触媒と接触させて反応混合物を形成させる工程と、該反応混合物を加熱して、式（Ｉ）の化合物を生成させる工程とを含み、
式中、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、（ａ）水素、（ｂ）ヒドロカルビル基、（ｃ）ＮＲ３Ｒ４（式中、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して、Ｈおよびヒドロカルビル基から選択される）、（ｄ）
【化３】
2010513502.tif 000003
（式中、Ｒ５はヒドロカルビル基である）、および（ｅ）ＹＲ６［式中、Ｙは、ＯおよびＳから選択され、Ｒ６は、Ｈ、ヒドロカルビル基および
【化４】
2010513502.tif 000004
（式中、Ｒ５はヒドロカルビル基である）
から選択される］
から選択される、方法。
【請求項２】
（ａ）Ｒ１とＲ２の一方または両方がＨであるか、
（ｂ）Ｒ１とＲ２の一方または両方がＮＨ２であるか、または
（ｃ）Ｒ１とＲ２の一方または両方がＮ（ＣＨ３）２である
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
反応混合物が
（ａ）非希釈液体アンモニア；
（ｂ）液体アンモニアと極性非プロトン溶媒
（ｃ）脱水素触媒なしでの化学酸化剤；
（ｄ）化学酸化剤なしでの脱水素触媒；または
（ｅ）化学酸化剤と脱水素触媒
とを含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
化学酸化剤が、硫黄、二酸化硫黄、酸素、セレニウム、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノ−ｐ−ベンゾキノン、２，３，５，６−テトラクロロ−ｐ−ベンゾキノン、塩化アルミニウム、酸化ヒ素、二酸化マンガン、フェリシアン化カリウム、ニトロベンゼン、塩素、臭素およびヨウ素からなる群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項５】
（ａ）脱水素触媒が、第ＶＩＩＩ族の元素および該元素の塩から選択される少なくとも１つの金属または金属塩を含む均一系触媒を含むか、または
（ｂ）脱水素触媒が、少なくとも１つの金属または金属塩と担体とを含み、ここで金属または金属塩が周期律表の第ＩＶＡ族、第ＶＡ族、第ＶＩＡ族、第ＶＩＩＡ族、第ＶＩＩＩ族、第ＩＢ族および第ＩＩＢ族の元素および該元素の塩から選択される不均一系触媒を含む
請求項３に記載の方法。
【請求項６】
担体が、アルミナ、チタニア、酸化コバルト、ジルコニア、セリア、酸化モリブデン、酸化タングステン、シリカ、シリカライト、チタニア、ゼオライトまたは分子次元のチャンネルを有する拡大ネットワークを生成させるために酸素原子を通して互いに接合された四面体から構成された構造を有し、外面または内面上にＳｉＯＨ基および／またはＡｌＯＨ基を有するゼオタイプ材料、活性炭、コークスおよびチャコールからなる群から選択される請求項５に記載の方法。
【請求項７】
極性非プロトン溶媒が、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン、アセトン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ピリジン、および１，４−ジオキサンとピリジンとの混合物からなる群から選択される請求項３に記載の方法。
【請求項８】
式（Ｉ）の化合物を、該化合物から化合物、オリゴマーまたはポリマーを製造するための反応に供する工程を更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
製造されたポリマーが、ピリドビスイミダゾール−２，６−ジイル（２，５−ジヒドロキシ−ｐ−フェニレン）ポリマーまたはポリ［（１，４−ジヒドロジイミダゾ［４，５−ｂ：４’，５’−ｅ］ピリジン−２，６−ジイル）（２，５−ジヒドロキシ−１，４−フェニレン）］ポリマーを含む請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
式（ＩＩＩ）
【化５】
2010513502.tif 000005
の構造によって表される化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月24日(2010.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高眼圧を治療するための組成物であって、該組成物は、血清アミロイドＡタンパク質（ＳＡＡ）をコードする遺伝子と相互作用する低分子薬剤の治療有効量を含み、該相互作用がＳＡＡ発現を調節し、それによるＳＡＡ発現の減少が緑内障を治療し、該薬剤がｐ３８ＭＡＰキナーゼを阻害し、該組成物は局所的に眼投与されるものとされていることを特徴とする組成物。
【請求項２】
前記薬剤が、ＳＢ２０２１９０、ＳＢ２０３５８０、ＳＢ２２００２５、ＰＤ１６９３１６、ＳＢ２３９０６３、３−（−４−フルオロフェニル）−２−（ピリジン−４−イル）−１Ｈ−ピロロ−［３，２−ｂ］ピリジン、ＢＩＲＢ−７９６、ＣａｌＢｉｏ５０６１２６、ＲＯ３２０１１９５、およびＲ１４８７からなる群より選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
高眼圧を治療するための組成物であって、該組成物は、血清アミロイドＡタンパク質（ＳＡＡ）とその受容体との相互作用を阻害するか、またはＳＡＡの下流シグナル伝達事象を調節する薬剤の治療有効量を含み、該薬剤がｐ３８ＭＡＰキナーゼを阻害し、該組成物は局所的に眼投与されるものとされていることを特徴とする組成物。
【請求項４】
前記薬剤が、ＳＢ２０２１９０、ＳＢ２０３５８０、ＳＢ２２００２５、ＰＤ１６９３１６、ＳＢ２３９０６３、３−（−４−フルオロフェニル）−２−（ピリジン−４−イル）−１Ｈ−ピロロ−［３，２−ｂ］ピリジン、ＢＩＲＢ−７９６、ＣａｌＢｉｏ５０６１２６からなる群より選択される、請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
治療有効量の血清アミロイドＡタンパク質（ＳＡＡ）アンタゴニストおよび薬学的担体を含み、該ＳＡＡアンタゴニストがｐ３８ＭＡＰキナーゼの低分子阻害剤である局所的眼科用組成物。
【請求項６】
前記ｐ３８ＭＡＰキナーゼ阻害剤が、ＳＢ２０２１９０、ＳＢ２０３５８０、ＳＢ２２００２５、ＰＤ１６９３１６、ＳＢ２３９０６３、３−（−４−フルオロフェニル）−２−（ピリジン−４−イル）−１Ｈ−ピロロ−［３，２−ｂ］ピリジン、ＢＩＲＢ−７９６、およびＣａｌＢｉｏ５０６１２６からなる群より選択される、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
上昇した眼内圧を有する患者の眼内圧を低下させるための眼科用組成物であって、該組成物は、血清アミロイドＡタンパク質（ＳＡＡ）をコードする遺伝子と相互作用する低分子薬剤の治療有効量を含み、前記相互作用がＳＡＡ発現を調節し、それによるＳＡＡ発現の減少がＩＯＰを低下させ、前記薬剤がｐ３８ＭＡＰキナーゼを阻害する組成物。
【請求項８】
前記薬剤が、ＳＢ２０２１９０、ＳＢ２０３５８０、ＳＢ２２００２５、ＰＤ１６９３１６、ＳＢ２３９０６３、３−（−４−フルオロフェニル）−２−（ピリジン−４−イル）−１Ｈ−ピロロ−［３，２−ｂ］ピリジン、ＢＩＲＢ−７９６、ＣａｌＢｉｏ５０６１２６、ＲＯ３２０１１９５、およびＲ１４８７からなる群より選択される、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
前記組成物は局所的に投与されるものとされていることを特徴とする、請求項７に記載の組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
好ましい態様では、ＳＡＡタンパク質または発現ベクターを含む細胞は、ＨＬ−６０細胞である。
本発明の好ましい実施形態では、例えば以下の方法などが提供される：
（項目１）
高眼圧を治療するための方法であって、該方法は、血清アミロイドＡタンパク質（ＳＡＡ）をコードする遺伝子と相互作用する低分子薬剤を含む治療有効量の組成物を、それを必要とする患者に局所的に眼投与（ｏｃｕｌａｒ  ａｄｍｉｎｉｓｔｒａｔｉｏｎ）することを含み、該相互作用がＳＡＡ発現を調節し、それによるＳＡＡ発現の減少が緑内障を治療し、該薬剤がｐ３８ＭＡＰキナーゼを阻害する方法。
（項目２）
前記薬剤が、ＳＢ２０２１９０、ＳＢ２０３５８０、ＳＢ２２００２５、ＰＤ１６９３１６、ＳＢ２３９０６３、３−（−４−フルオロフェニル）−２−（ピリジン−４−イル）−１Ｈ−ピロロ−［３，２−ｂ］ピリジン、ＢＩＲＢ−７９６、ＣａｌＢｉｏ５０６１２６、ＲＯ３２０１１９５、およびＲ１４８７からなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
（項目３）
高眼圧を治療するための方法であって、該方法は、血清アミロイドＡタンパク質（ＳＡＡ）とその受容体との相互作用を阻害するか、またはＳＡＡの下流シグナル伝達事象を調節する薬剤を含む治療有効量の組成物を、それを必要とする患者に局所的に眼投与することを含み、該薬剤がｐ３８ＭＡＰキナーゼを阻害する方法。
（項目４）
前記薬剤が、ＳＢ２０２１９０、ＳＢ２０３５８０、ＳＢ２２００２５、ＰＤ１６９３１６、ＳＢ２３９０６３、３−（−４−フルオロフェニル）−２−（ピリジン−４−イル）−１Ｈ−ピロロ−［３，２−ｂ］ピリジン、ＢＩＲＢ−７９６、ＣａｌＢｉｏ５０６１２６からなる群より選択される、請求項３に記載の方法。
（項目５）
治療有効量の血清アミロイドＡタンパク質（ＳＡＡ）アンタゴニストおよび薬学的担体を含み、該ＳＡＡアンタゴニストがｐ３８ＭＡＰキナーゼの低分子阻害剤である局所的眼科用組成物。
（項目６）
前記ｐ３８ＭＡＰキナーゼ阻害剤が、ＳＢ２０２１９０、ＳＢ２０３５８０、ＳＢ２２００２５、ＰＤ１６９３１６、ＳＢ２３９０６３、３−（−４−フルオロフェニル）−２−（ピリジン−４−イル）−１Ｈ−ピロロ−［３，２−ｂ］ピリジン、ＢＩＲＢ−７９６、およびＣａｌＢｉｏ５０６１２６からなる群より選択される、請求項５に記載の組成物。
（項目７）
上昇した眼内圧を有する患者の眼内圧を低下させるための方法であって、該方法は、６血清アミロイドＡタンパク質（ＳＡＡ）をコードする遺伝子と相互作用する低分子薬剤を含む治療有効量の眼科用組成物を前記患者に投与することを含み、前記相互作用がＳＡＡ発現を調節し、それによるＳＡＡ発現の減少がＩＯＰを低下させ、前記薬剤がｐ３８ＭＡＰキナーゼを阻害する方法。
（項目８）
前記薬剤が、ＳＢ２０２１９０、ＳＢ２０３５８０、ＳＢ２２００２５、ＰＤ１６９３１６、ＳＢ２３９０６３、３−（−４−フルオロフェニル）−２−（ピリジン−４−イル）−１Ｈ−ピロロ−［３，２−ｂ］ピリジン、ＢＩＲＢ−７９６、ＣａｌＢｉｏ５０６１２６、ＲＯ３２０１１９５、およびＲ１４８７からなる群より選択される、請求項７に記載の方法。
（項目９）
前記組成物を局所的に投与する、請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月14日(2010.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モバイル端末と第１のコアデータネットワークとの間の認証された通信セッションをセットアップするステップ、
前記第１のコアデータネットワークにおいて、前記モバイル端末からアクセス可能な第２のデータネットワークとの認証されていない通信セッションをセットアップするために前記モバイル端末によって使用可能な補足アクセスデータを取得するステップ、及び
次いで、前記補足アクセスデータを前記第１のコアデータネットワークから前記モバイル端末に送信するステップ
を備え、
前記補足アクセスデータが、前記モバイル端末の位置についてロケータサービス通信セッションをセットアップするための情報、Ｐ−ＣＳＣＦの識別、Ｅ−ＣＳＣＦの識別、ＰＳＡＰの識別、緊急サービスルーティングプロキシ、又は緊急サービスルーティング番号を含む、方法。
【請求項２】
第１のコアデータネットワークから、モバイル端末において補足アクセスデータを受信するステップであって、前記補足アクセスデータが第２のデータネットワークとの認証されていない通信セッションのセットアップを可能にする、ステップ、及び
前記受信された補足アクセスデータを使用することにより前記モバイル端末と前記第２のデータネットワークとの間の認証されていない通信セッションをセットアップするステップ
を備える方法。
【請求項３】
情報データベースサーバ及び認証サーバを含む第１のコアデータネットワークの一部分を備える装置であって、
前記一部分が、モバイル端末との認証された通信セッションをセットアップし、第２のデータネットワークとの認証されていない通信セッションをセットアップするために使用可能な補足アクセスデータを取得し、前記補足アクセスデータを前記モバイル端末に前記モバイル端末による使用のために送信するように構成され、
前記補足アクセスデータが、前記モバイル端末の位置についてロケータサービス通信セッションをセットアップするための情報、Ｐ−ＣＳＣＦの識別、Ｅ−ＣＳＣＦの識別、ＰＳＡＰの識別、緊急サービスルーティングプロキシ、又は緊急サービスルーティング番号を含む、装置。
【請求項４】
請求項３記載の装置であって、前記補足アクセスデータは前記第２のデータネットワークにアクセスするためのパラメータを含み、前記パラメータが前記モバイル端末の領域内の前記第２のデータネットワーク又はそのアクセスネットワークによってブロードキャストされる装置。
【請求項５】
第１のコアデータネットワークとの認証された通信セッションをセットアップし、前記セッション中に補足アクセスデータを受信するように構成されたモバイル端末を備える装置であって、
前記モバイル端末が、第２のデータネットワークとの認証されていない通信セッションをセットアップするために前記補足アクセスデータを使用するように構成され、
前記補足アクセスデータが、前記モバイル端末の位置についてロケータサービス通信セッションをセットアップするための情報、Ｐ−ＣＳＣＦの識別、Ｅ−ＣＳＣＦの識別、ＰＳＡＰの識別、緊急サービスルーティングプロキシ、又は緊急サービスルーティング番号を含む、装置。
【請求項６】
請求項５記載の装置であって、前記補足アクセスデータが前記第２のデータネットワークに関するアクセスパラメータを含み、前記アクセスパラメータが前記第２のデータネットワークのアクセスノードからブロードキャストされる装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月26日(2011.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】粒子測定装置及び粒子特性測定方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出力光線の進路を有する光源と、
前記光源の出力光線の進路内に配置されたサンプルセルと、
前記光線の進路外に配置され、第１の散乱角に沿って散乱された光を獲得する少なくとも１つの光子計数検出器と、
前記光線の進路外に配置され、前記第１とは異なる第２の散乱角に沿って散乱された光を獲得する補助検出器と、
前記光子計数検出器及び補助検出器の両方に応答するとともに、粒子特性測定出力を有する同時検出ロジックとを備え、
前記同時検出ロジックは、前記光子計数検出器からの情報と前記補助検出器からの情報との間のタイミングに少なくとも部分的に基づいて、前記粒子特性測定出力を導くように機能する内部検出タイミングロジックを含む粒子測定装置。
【請求項２】
前記光子計数検出器は、前記光源と前記サンプルセルの同じ側に設置されているとともに、前記光線の進路外に配置されて後方散乱光を獲得し、前記補助検出器は、サンプルセルから光源の反対に配置されて前方散乱光を獲得する請求項１の装置。
【請求項３】
前記補助検出器は、光子計数検出器でもある請求項１の装置。
【請求項４】
前記光源は、可干渉性の可視光の光源である請求項１の装置。
【請求項５】
前記光源は、狭帯域の可視光の光源である請求項１の装置。
【請求項６】
前記同時検出ロジックが、動的な光散乱の検出ロジックを含む請求項１の装置。
【請求項７】
前記同時検出ロジックが、前記補助検出器からの情報が前記光子計数検出器からの情報に対してゲート制御を行うことを可能にするようにリアルタイムに作動する請求項１の装置。
【請求項８】
前記同時検出ロジックが、前記光子計数検出器と前記補助検出器とからのデータの獲得後に、前記光子計数検出器からの後処理獲得データ、及び補助検出器からの獲得データに作用する請求項１の装置。
【請求項９】
前記同時検出ロジックがデジタル信号処理ロジックを含む請求項８の装置。
【請求項１０】
前記同時検出ロジックが相互に作用する請求項８の装置。
【請求項１１】
前記同時検出ロジックはより大きい汚染粒子の存在下で粒子のサイズを決定するように作用する請求項１の装置。
【請求項１２】
前記同時検出ロジックはより大きい汚染粒子の存在下で粒子の相対的な分量を決定するように作用する請求項１の装置。
【請求項１３】
前記補助検出器が光源の光軸から約５−３０度外れて配置される請求項１の装置。
【請求項１４】
前記補助検出器が光源の光軸から約３０−９０度外れて配置される請求項１の装置。
【請求項１５】
前記光子計数検出器が光源の光軸から約７度外れて配置される請求項１の装置。
【請求項１６】
前記装置は第２の光子計数検出器をさらに備え、前記同時検出器が前記第２の光子計数検出器にさらに応答する請求項１の装置。
【請求項１７】
前記第２の光子計数検出器が、サンプルセルの光源の光軸から約９０度外れて配置される請求項１６の装置。
【請求項１８】
前記装置は直径が１００ｎｍよりも小さい粒子を含む粒子検知範囲を有する請求項１の装置。
【請求項１９】
前記装置は直径が１０ｎｍよりも小さい粒子を含む粒子検知範囲を有する請求項１の装置。
【請求項２０】
前記同時検出ロジックは、前記光子計数検出器からの情報と前記補助検出器からの情報との間の相互相関に少なくとも部分的に基づいて前記粒子特性測定出力を導くように作用する相互相関ロジックを含む請求項１の装置。
【請求項２１】
前記光子計数検出器及び前記補助検出器の出力間の相互相関が所定の閾値を超えるときに前記相互相関ロジックが前記光子計数検出器からの情報に対してゲート制御を行う請求項２０の装置。
【請求項２２】
浮遊しているサンプル上に光を照射すること、
前記サンプルによる光の散乱から生じる光子計数を獲得すること、
前記光子計数を獲得するステップと同時に、前記光とサンプルとの干渉から生じる光の量を検出すること、及び
前記獲得するステップからの情報と、検出するステップからの情報との間のタイミングに少なくとも部分的に基づいて、粒子特性の少なくとも１つの大きさを導き出すことを含み、
前記検出ステップは、光子計数が獲得された方向とは異なる方向から少なくともいくらかの光を検出するものである粒子特性測定方法。
【請求項２３】
前記光を照射するステップは、浮遊している生体分子に光を照射する請求項２２の方法。
【請求項２４】
前記光を照射するステップは、浮遊しているタンパク質に光を照射する請求項２３の方法。
【請求項２５】
浮遊しているサンプルに光を照射する手段と、
前記サンプルによる光の散乱から生じる光子計数を獲得する手段と、
光子計数の獲得と同時に、前記光とサンプルとの干渉から生じる光の量を検出する手段と、
前記獲得する手段からの情報と、前記検出する手段からの情報との間のタイミングに少なくとも部分的に基づいて、粒子特性の少なくとも１つの大きさを導き出す手段とを備え、
前記検出する手段は、光子計数が獲得された方向とは異なる方向から少なくともいくらかの光を検出する粒子測定装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月12日(2011.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】紫外線によって物質を硬化させる方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物質を硬化させる方法であって、光開始剤を含む硬化性物質に対して実行され、当該硬化性物質は、複数のＵＶ  ＬＥＤからの照射によって基板の表面に塗布され、
前記複数のＵＶ  ＬＥＤからの照射は、前記硬化性物質に含まれる前記光開始剤の感度が最大となるスペクトル領域に対応し、前記複数のＵＶ  ＬＥＤには、１ｋＨｚから１０ＭＨｚの範囲内の周波数で電流パルスを順次印加する方法。
【請求項２】
前記複数のＵＶ  ＬＥＤは、出射スペクトルが同じである請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数のＵＶ  ＬＥＤの強度は、前記電流パルスの周波数、電流の大きさ、およびデューティーサイクルの少なくとも１つを変化させることによって、前記複数のＵＶ  ＬＥＤの平均許容損失が最高値に近づくように、制御される請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記電流パルスの周波数、電流の大きさ、および、デューティーサイクルは、前記硬化性物質の重合化エネルギー、前記硬化性物質の組成、前記硬化性物質の層厚、前記硬化性物質を前記表面に塗布する方法、前記複数のＵＶ  ＬＥＤから前記硬化性物質に照射を行う時間、周囲環境の温度および湿度、及び前記複数のＵＶ  ＬＥＤの特性の少なくとも１つに応じて選択される請求項３に記載の方法。
【請求項５】
紫外線によって物質を硬化させる装置であって、
複数のＵＶ  ＬＥＤを有する紫外線源と、
前記紫外線源の前記複数のＵＶ  ＬＥＤを制御するＵＶ  ＬＥＤ制御ブロックと、
前記複数のＵＶ  ＬＥＤを冷却するためのラジエータと、
前記ＵＶ  ＬＥＤ制御ブロックに接続されている、前記複数のＵＶ  ＬＥＤ用の温度センサと
を備え、
前記紫外線源は、光学集束システムを有しており、前記ＵＶ  ＬＥＤ制御ブロックは、１ｋＨｚから１０ＭＨｚの範囲内の周波数で電流パルスが前記複数のＵＶ  ＬＥＤに順次印加されるように構成されている装置。
【請求項６】
前記複数のＵＶ  ＬＥＤは、直列に、複数の線を形成するように配置される請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記複数のＵＶ  ＬＥＤは、出射スペクトルが同じである請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記ＵＶ  ＬＥＤ制御ブロックは、周辺コンピューティングデバイスに接続されているマスターコントローラと、前記マスターコントローラに第１および第２のデータ入力で結合されている複数のＵＶ  ＬＥＤ制御電力モジュールとを有しており、前記複数のＵＶ  ＬＥＤ制御電力モジュールは、対応するＵＶ  ＬＥＤに電力リード線で接続されている請求項５から７の何れか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記温度センサは、前記ラジエータに配置されており、前記温度センサの出力は、前記制御ブロックに接続されている請求項５から８の何れか１項に記載の装置。
【請求項１０】
各電力モジュールは、電流のパルス制御レギュレータとして構成されている請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記複数のＵＶ  ＬＥＤは、前記ラジエータに配置されている請求項５から１０の何れか１項に記載の装置。
【請求項１２】
前記複数のＵＶ  ＬＥＤを冷却するための前記ラジエータは、液体熱交換器として構成されている請求項５から１１の何れか１項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月10日(2011.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の伝熱面（４）と流動媒体回路前段に接続された複数の予熱器伝熱面（２）とを備えた貫流排熱回収ボイラを運転するための方法であって、給水質量流量（Ｍ）を調整するための装置に給水質量流量（Ｍ）の目標値（Ｍｓ）が供給され、給水質量流量（Ｍ）の目標値（Ｍｓ）を作成する際に、１つ又は複数の予熱器伝熱面（２）の入口における流動媒体の密度の時間微分に特有の補正値（Ｋ）と、１つ又は複数の蒸発器伝熱面（４）の入口におけるエンタルピの時間微分に特有の補正値とが考慮される方法。
【請求項２】
前記補正値（Ｋ）が、１つの伝熱面（２，４）の入口と出口とにおける流動媒体の密度の時間微分に特有の特性値の和に基づいて作成される請求項１記載の方法。
【請求項３】
１つの予熱器伝熱面（２）における流動媒体の密度の時間微分が評価される請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記時間微分が、それぞれ微分要素（１２２，１２６）により求められる請求項１乃至３の１つに記載の方法。
【請求項５】
１つの予熱器伝熱面（２）に割り当てられた微分要素（１２２）が、その予熱器伝熱面（２）における流動媒体の総体積に対応する増幅係数にて作動させられる請求項４記載の方法。
【請求項６】
１つの予熱器伝熱面（２）に割り当てられた微分要素（１２２）が、その予熱器伝熱面（２）を通る流動媒体の通過時間の約半分に相当する時定数にて作動させられる請求項４又は５記載の方法。
【請求項７】
給水質量流量（Ｍ）の目標値（Ｍｓ）が、実際に蒸発器伝熱面（４）において熱ガスから流動媒体へ伝達される熱流と、所望の生蒸気状態を考慮して予め与えられた蒸発器伝熱面（４）における流動媒体の目標エンタルピ上昇との比に基づいて設定され、熱ガスから流動媒体へ伝達される熱流が、蒸発器入口における熱ガスの実際の温度に特有の温度特性値と熱ガスの実際の質量流量に特有の質量流量特性値とを考慮して求められる請求項１乃至６の１つに記載の方法。
【請求項８】
特有の温度特性値及び特有の質量流量特性値としてそれぞれ１つの実際の測定値が考慮される請求項７記載の方法。
【請求項９】
熱ガスから流動媒体へ伝達される熱流が、蒸発器入口と蒸発器出口との間の熱ガスのエンタルピ差に基づいて求められる請求項７又は８記載の方法。
【請求項１０】
蒸発器伝熱面（４）と、これの流動媒体回路前段に接続された予熱器伝熱面（２）と、給水質量流量（Ｍ）の目標値（Ｍｓ）に基づいて制御される給水質量流量（Ｍ）を調整するための装置とを備え、目標値（Ｍｓ）を設定するための付設の給水流量制御装置（３２）が請求項１乃至９の１つに記載の方法に基づいて設計されている強制貫流排熱回収ボイラ。
【請求項１１】
熱ガス回路において付設のガスタービン設備からの排ガスを受け入れる請求項１０記載の強制貫流排熱回収ボイラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】貫流排熱回収ボイラの運転方法ならびに強制貫流排熱回収ボイラ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
方法に関して、この課題は、本発明によれば、給水質量流量のための目標値を作成する際に、１つ又は複数の予熱器伝熱面の入口における流動媒体の密度の時間微分に特有の補正値と、１つ又は複数の蒸発器伝熱面の入口におけるエンタルピの時間微分に特有の補正値とを考慮することによって解決される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
その際に、補正値Ｋのための成分、即ち被加数を求めるために、予熱器伝熱面２の入口における流動媒体の密度特性値を求めるために設けられた関数モジュール１１０の入力側が一方では、予熱器伝熱面２の入口領域内に配置された圧力センサ１１２と、同様に予熱器伝熱面２の入口領域に配置された温度センサ１１４とに接続されている。関数モジュール１１０が、これらのセンサから供給される測定値に基づいて、予熱器伝熱面２の入口領域における液体又は流動媒体の密度特性値を求め、この特性値が後続接続された加算要素１１６に出力される。他方では他の関数モジュール１１８が入力側を圧力センサ４６及び温度センサ７６に接続されていて、これらのセンサによって供給される測定値から、予熱器伝熱面２の出口側における液体又は流動媒体の密度特性値を求める。この密度特性値は関数モジュール１１８から同様に加算要素１１６に出力される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月4日(2011.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発射物（６）の銃口速度（Ｖ0）を測定する測定装置であって、
導波管としての円滑な武器の銃身または発射銃身（１）と、
信号供給部を介して少なくとも１つの伝送カプラ（２）に電気的に接続されており、前記武器の銃身または発射銃身（１）を励起する信号生成器（４）と、
少なくとも１つの受信カプラ（３）において測定された信号を評価デバイス（５）に伝達する受信ラインとを具備し、
前記伝送カプラ（２）と単数または複数の前記受信カプラ（３）との間の距離が可変であって、前記導波管（１）のモード選択に応じて個別に選択されうるものであり、
前記発射物（６）の通過後に測定されるときに、前記受信カプラ（３）が発射物基部と伝送カプラ（２）との間に配置され、
前記発射物（６）の通過前に前記銃口速度（Ｖ0)が測定されるときに、前記受信カプラ（３）が前記発射物の先端部と前記伝送カプラ（２）との間に配置され、
前記測定方法を組み合わせる際には、少なくとも２つの受信カプラ（３）が対応して含まれていて、前記伝送カプラ（２）が２つの前記受信カプラ（３）の間に配置される、測定装置。
【請求項２】
前記信号生成器（４）が連続波モード（ＣＷモード）におけるキャリアを生成することを特徴とする、請求項１に記載の測定装置。
【請求項３】
前記信号生成器（４）が変調された信号を生成することを特徴とする、請求項１に記載の測定装置。
【請求項４】
発射物（６）の銃口速度（Ｖ0）を測定する測定方法であって、
前記発射物（６）が存在しない空の武器の銃身または発射銃身（１）の電磁場を測定し、
前記発射体（６）の発射物（６）の通過前または発射物（６）の通過後、或いはこれらを組み合わせて電磁場を測定し、
測定した信号から銃口速度（Ｖ0)を決定する、測定方法。
【請求項５】
前記信号を同じ周期で連続してサンプリングするとともに、サンプル値を記憶することを特徴とする、請求項４に記載の測定方法。
【請求項６】
温度依存性の変化その他の影響を記録して較正処理においてこれらを考慮するとともに、このために各発射物の通過前に空の武器の銃身（１）を測定することを特徴とする、請求項４または５に記載の測定方法。
【請求項７】
発射物（６）の弾薬のタイプを知得して定まる数値を用いて、前記発射物（６）前方の電磁場を測定するときに先端部の影響を補償することを特徴とする、請求項４〜６のいずれか１項に記載の測定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月3日(2011.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いから離間され且つ各々においてソケットが配置される第１の端部及び第２の端部を備える担体において材料を蒸着するための製造装置であって、
チャンバを画定するハウジングと、
前記チャンバへと気体を導入するよう前記ハウジングを通って画定される入口と、
前記気体を前記チャンバから排出するよう前記ハウジングを通って画定される出口と、
ソケットを接続するよう適合された接触領域を備える外部表面を有する少なくとも１つの電極と、
該電極に対して電流を与えるよう該電極に対して結合される電源供給装置と、
前記接触領域の外側における前記電極の前記外部表面において配置される外部コーティングと、
を有し、
前記電極は前記ハウジングを通って配置され、該電極は、前記ソケットと結合するよう前記チャンバ内において少なくとも部分的に配置され、
前記外部コーティングは、少なくとも９×１０６ジーメンス／メートルの導電率、及び電解質としての室温の海水に基づいて電位列において銀より高い耐食性を備える、
製造装置。
【請求項２】
前記電極は更に、
第１の端部及び第２の端部を備えるシャフトと、
該シャフトの前記端部の一方において配置されるヘッドと、
を有し、
前記外部コーティングは、前記シャフト及び前記接触領域の外側における前記ヘッドのうち少なくとも１つにおいて配置される、
請求項１記載の製造装置。
【請求項３】
前記電極の前記ヘッドは、前記接触領域を備える前記外部表面を画定し、前記外部コーティングは、前記接触領域の外側における前記ヘッドにおいて配置される、
請求項２記載の製造装置。
【請求項４】
前記ヘッドは銅を有し、前記電極の前記ヘッドは、前記チャンバ内において少なくとも部分的に配置される、
請求項２又は３記載の製造装置。
【請求項５】
前記外部コーティングは、金、プラチナ、及びパラジウムのうち少なくとも１つを有する、
請求項１乃至４のうちいずれか一項記載の製造装置。
【請求項６】
前記外部コーティングは、０．０２５４乃至０．２５４ｍｍの厚さを備える、
請求項１乃至５のうちいずれか一項記載の製造装置。
【請求項７】
互いから離間され且つ各々においてソケットが配置される第１の端部及び第２の端部を備える担体上へと材料を蒸着するための製造装置に使用される電極であって、
第１の端部及び第２の端部を備えるシャフトと、
前記ソケットと結合するよう該シャフトの前記端部のうち一方において配置されるヘッドと、
を有し、
前記シャフト及び前記ヘッドは、前記ソケットに接触するよう適合される接触領域を備える外部表面を有し、
前記電極は、外部表面と、前記接触領域の外側における前記外部表面において配置される外部コーティングとを備え、該外部コーティングは、少なくとも９×１０６ジーメンス／メートルの導電率、及び電解質としての室温の海水に基づいて電位列において銀より高い耐食性を備える、
電極。
【請求項８】
カップを画定し、前記接触領域は該カップの一部分内において位置決めされ、前記外部コーティングは、前記接触領域の外側における前記ヘッドにおいて配置される、
請求項７記載の電極。
【請求項９】
前記外部コーティングは、金、プラチナ、及びパラジウムのうち少なくとも１つを有する、
請求項７又は８記載の電極。
【請求項１０】
前記外部コーティングは、０．０２５４乃至０．２５４ｍｍの厚さを備える、
請求項７乃至９のうちいずれか一項記載の製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月28日(2011.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端部から正電極タブと負電極タブを有する電極タブ（４）が伸びる巻芯（７）と、カバープレート（１）とを備える二次電池であって、
前記巻芯（７）の端部に接触する絶縁層と、前記巻芯（７）の端部から遠く離れる導電層とを有するものであって、前記巻芯（７）の端部に設けられる電極タブリード部を更に備え、
前記電極タブ（４）は、前記導電層に電気的に接続され、
前記導電層は、前記カバープレート（１）に電気的に接続されることを特徴とする二次電池。
【請求項２】
前記電極タブリード部は、前記絶縁層と前記導電層が一体化した構造を有することを特徴とする請求項１に記載の二次電池。
【請求項３】
前記電極タブリード部に穴部が設置され、
前記電極タブ（４）は前記穴部を貫通して前記導電層に接続され、または、前記電極タブリード部の外縁から伸びて前記導電層に電気的に接続されることを特徴とする請求項２に記載の二次電池。
【請求項４】
前記電極タブリード部は、
前記絶縁層を構成する絶縁ガスケット（６）と、
前記導電層を構成する第一ガスケット（５）と、
を備えることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の二次電池。
【請求項５】
前記絶縁ガスケット（６）に穴部（６０１）が設置され、
前記第一ガスケット（５）に穴部（６０２）が設置され、
前記電極タブ（４）は、前記絶縁ガスケット（６）に設置された穴部（６０１）と、前記第一ガスケット（５）に設置された穴部（５０１）とを貫通して前記第一ガスケット（５）に電気的に接続され、または、前記絶縁ガスケット（６）と前記第一ガスケット（５）の外縁から伸びて前記第一ガスケット（５）に電気的に接続されることを特徴とする請求項４に記載の二次電池。
【請求項６】
前記カバープレート（１）と前記電極タブリード部の前記導電層との間において積層された第二ガスケット（３）と、
前記電極タブ（４）を前記第二ガスケット（３）と前記電極タブリード部の導電層との間に押し付けるための連結部材と、
を更に備えることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の二次電池。
【請求項７】
前記第二ガスケット（３）は、前記電極タブ（４）に対応する位置に設置される穴部を備えることを特徴とする請求項６に記載の二次電池。
【請求項８】
前記連結部材はボルト連結部材であり、
前記ボルト連結部材の螺子（５０２）は、前記電極タブリード部の導電層に固定されると共に、ナッツ（２）によって、第二ガスケット（３）を前記電極タブリード部の導電層に押し付けることを特徴とする請求項６に記載の二次電池。
【請求項９】
前記電極タブリード部の導電層は前記連結部材を介して前記カバープレート（１）に電気的に接続されることを特徴とする請求項６に記載の二次電池。
【請求項１０】
前記カバープレート（１）に極柱（１０４）が設置され、
前記連結部材は、前記カバープレート（１）に設置された極柱（１０４）に電気的に接続されることを特徴とする請求項９に記載の二次電池。
【請求項１１】
前記電極タブ（４）と、前記電極タブリード部の導電層との接合は半田付けによって行われ、望ましくは、レーザビーム溶接によって行われることを特徴とする請求項６に記載の二次電池。
【請求項１２】
前記正電極タブと前記負電極タブとは、それぞれ複数設置されることを特徴とする請求項６に記載の二次電池。
【請求項１３】
前記複数の正電極タブは前記巻芯（７）の一端に位置され、前記複数の負電極タブは前記巻芯（７）のもう一端に位置されることを特徴とする請求項１２に記載の二次電池。
【請求項１４】
前記複数の電極タブ（４）と、前記電極タブリード部の導電層との接合は半田付けによって行われ、
前記複数の電極タブ（４）は、それぞれ半田付けによって電極タブリード部の導電層において対応する位置に接合されることを特徴とする請求項１２に記載の二次電池。