【事件の表示】
　特願２００５−３５６７６９「無機非縮退半導体層およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　４月１３日出願公開、特開２００６−１００８５７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本件出願の手続の経緯は、概要次のとおりである。  
　　特許出願　　　　　　：平成１７年１２月　９日  
　　（特願平１０−１１４３２４号を原出願とした分割出願）
　　（原出願の出願日　　：平成１０年　４月　９日）
　　手続補正　　　　　　：平成１７年１２月１２日
　　拒絶理由通知（最初）：平成２０年１０月３１日（起案日）  
　　手続補正　　　　　　：平成２０年１２月１２日  
　　意見書　　　　　　　：平成２０年１２月１２日
　　拒絶査定　　　　　　：平成２１年１１月２７日（起案日）  
　　拒絶査定不服審判請求：平成２２年　３月　１日  
　　手続補正　　　　　　：平成２２年　３月　１日  
　　審尋　　　　　　　　：平成２３年　２月１６日（起案日）  
　　回答書　　　　　　　：平成２３年　４月２２日 
 　　 
第２　平成２２年３月１日付け手続補正についての補正の却下の決定  
 　　 
〔補正却下の決定の結論〕  
　平成２２年３月１日付け手続補正を却下する。  
 　  
〔理由〕  
１　平成２２年３月１日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）の内容  
　本件補正は、特許請求の範囲及び明細書を補正するものであって、その補正は、平成２０年１２月１２日付け手続補正により補正された請求項１の記載を、本件補正後の請求項１の、  
「電極層と無機非縮退半導体層を接合した構造体であって、
　前記無機非縮退半導体層のバンドギャップエネルギーが２．７ｅＶ〜６．０ｅＶの範囲内の値であり、キャリア濃度が１０１９ｃｍ−３〜１０１２ｃｍ−３の範囲内の値であり、
　前記無機非縮退半導体層が、ＩｎおよびＺｎ、Ｉｎ、ＺｎおよびＡｌ、Ｉｎ、ＺｎおよびＳｉ、Ｉｎ、ＺｎおよびＴｉ、Ｉｎ、ＺｎおよびＳｂ、Ｉｎ、ＺｎおよびＹｂ、Ｉｎ、ＺｎおよびＴａの組み合わせのうち、いずれかの組み合わせの元素を含む、酸化物または酸化窒化物からなる非晶質材料または微結晶材料を含むことを特徴とする積層構造体。」  
　という記載にすることを含むものである。 
 　 　  
２　本願の願書に最初に添付した明細書等の記載事項  
　一方、本願の願書に最初に添付した特許請求の範囲および明細書（以下、「当初明細書等」という。）には、積層構造体に関して以下の記載がある。  
 　  
（ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
  第１電極層、無機非縮退半導体層、有機発光層を含む一層以上の有機層および第２電極層を順次に積層した構造を有し、
  前記無機非縮退半導体層は、非晶質材料または微結晶材料を含み、かつ、有機発光層のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
  請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
  前記無機非縮退半導体層のバンドギャップエネルギーを２．７ｅＶ〜６．０ｅＶの範囲内の値としたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
  請求項１または請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
  前記無機非縮退半導体層を、正孔伝導性としたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
  請求項１〜請求項３のいずれか一つの請求項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
  前記無機非縮退半導体層を、電子伝導性としたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
  請求項１〜請求項４に記載のいずれか一つの請求項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
  前記無機非縮退半導体層を、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎの元素のうちのいずれかの元素含む酸化物または酸化窒化物を主成分としたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
  請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
  前記無機非縮退半導体層を、
ＩｎおよびＺｎ、
Ｉｎ、ＺｎおよびＡｌ
Ａｌ、ＺｎおよびＳｉ、
Ｉｎ、ＺｎおよびＳｉ、
Ｉｎ、ＺｎおよびＴｉ、
Ｉｎ、ＺｎおよびＳｂ、
Ｉｎ、ＺｎおよびＹｂ、
Ｉｎ、ＺｎおよびＴａ
の組み合わせのうち、いずれかの組み合わせの元素を含む、酸化物または酸化窒化物としたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
  請求項１〜請求項６のいずれか一つの請求項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
  前記無機非縮退半導体層中のキャリア濃度を、１０１９ｃｍ−３〜１０１２ｃｍ−３の範囲内の値としたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
  請求項１〜請求項７のいずれか一つの請求項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
  前記無機非縮退半導体層中の局在準位の密度を、１０１７ｃｍ−３未満の値としたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
  請求項１〜請求項８のいずれか一つの請求項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
  前記無機非縮退半導体層が、Ｉｎを主成分として含む酸化物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。」
　　 
（ｂ）「【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
  この発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」とも称する。）に関する。さらに詳しくは、民生用および工業用の表示機器（ディスプレイ）あるいはプリンターヘッドの光源等に用いて好適な有機ＥＬ素子に関する。」
　　　
（ｃ）「【背景技術】
【０００２】
  従来の有機ＥＬ素子の一例が、特許文献１、特許文献２、特許文献３および特許文献４にそれぞれ開示されている。これらの文献に開示の有機ＥＬ素子は、正孔注入層または電子注入層としての無機半導体層と有機発光層とを積層した構造を有している。そして、有機層よりも劣化の少ない無機半導体層を用いることにより、素子の寿命を向上させている。
【０００３】
  また、特許文献１においては無機半導体層の材料として、例えば、非晶質のＳｉ１−ＸＣＸで表されるＩＩＩ−Ｖ族やＩＩ−Ｖ族の非結晶質材料やＣｕＩ、ＣｕＳ、ＧａＡｓおよびＺｎＴｅなどの結晶質材料が用いられている。
  また、特許文献３および特許文献４においては、無機半導体層の材料として、Ｃｕ２Ｏをはじめとする結晶質の酸化物半導体材料を用いる例が開示されている。」
　　　
（ｄ）「【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
  しかしながら、上述の特許文献１および特許文献２に開示の有機ＥＬ素子において、ＣｕＩなどの結晶質の材料を用いた場合には、通常多結晶の無機半導体層が形成される。多結晶の無機半導体層の表面は、平坦性が悪く、５０ｎｍ程度以上の凹凸がある。このため、多結晶の無機半導体層上に有機発光層の薄膜を形成した場合、無機半導体層の表面の凸部が、薄膜を突き抜けてしまう場合がある。その場合、無機半導体層と有機発光層上の電極とが短絡して、リーク電流が発生する。また、短絡しなくとも凸部に電界集中が発生するため、リーク電流が発生しやすい。このため、従来の有機ＥＬ素子には、発光効率が低下するという問題点があった。
【０００５】
  なお、無機半導体層を形成する際には、有機発光層の耐熱温度よりも高い温度（２００℃以上）となる。このため、有機発光層は、無機半導体層を形成した後に形成される。」
　　　　　　
（ｅ）「【０００６】
  また、特許文献１および特許文献２に開示の有機ＥＬ素子において用いられているＳｉ１−ＸＣＸの非晶質材料のエネルギーギャップは、２．６ｅＶよりも小さい。これに対して、アルミニウム錯体やスチルベン誘導体といった発光体を含む有機発光層のエネルギーギャップは、２．６ｅＶよりも大きい。その結果、有機発光層で生成された励起状態は、無機半導体層へエネルギー移動して失活しやすい。このため、有機ＥＬ素子の発光効率が低下するという問題があった。
【０００７】
  また、非晶質材料として、シリコン系の材料（α−Ｓｉ、α−ＳｉＣ）を用いた場合、ダングリングボンドによる局所準位が、エネルギーバンドギャップ中に１０１７ｃｍ−３以上存在する。このため、たとえバンドギャップエネルギーが大きくても、この局在準位のため励起状態が失活する。このため、有機ＥＬ素子の発光効率が低下するという問題があった。」
　　　
（ｆ）「【０００８】
  また、上述の特許文献３および特許文献４において用いられるＣｕ２Ｏなどの酸化物半導体は結晶質である。Ｃｕ２Ｏなどの酸化物半導体は、高温で焼成されるため、通常多結晶となる。この場合も、特許文献１および特許文献２の場合と同様に、表面の凹凸のためにリーク電流が発生して、発光効率が低下するという問題点があった。」
　　　
（ｇ）「【０００９】
  本発明は、上記の問題にかんがみてなされたものであり、発光効率の良い有機ＥＬ素子の提供を目的とする。」
　　　
（ｈ）「【課題を解決するための手段】
【００１０】
  この目的の達成を図るため、本発明の有機ＥＬ素子によれば、第１電極層、無機非縮退半導体層、発光層を含む一層以上の有機層および第２電極層を順次に積層した構造を有し、
  無機非縮退半導体層は、非晶質性材料または微結晶材料を含み、かつ、有機発光層のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有することを特徴とする。
【００１１】
  このように、この発明の有機ＥＬ素子によれば、無機非縮退半導体層が非晶質材料または微結晶材料を含む。その結果、無機非縮退半導体層の表面が平坦となる。その結果、表面の凹凸に起因するリーク電流の発生の防止を図ることができる。このため、発光効率の向上を図ることができる。」
　　
（ｉ）「【００１２】
  また、この発明の有機ＥＬ素子によれば、無機非縮退半導体層のバンドギャップエネルギーを、有機発光層のバンドギャップエネルギーよりも大きくした。その結果、有機発光層で生成された励起状態が、無機非縮退半導体層へエネルギー移動して失活することの低減を図ることができる。このため、発光効率の向上を図ることができる。
【００１３】
  また、この発明の有機ＥＬ素子において、好ましくは、無機非縮退半導体層のバンドギャップエネルギーを２．７ｅＶ以上６ｅＶ以下の範囲内の値とするのが良い。
  前述したように、アルミニウム錯体やスチルベン誘導体を含む有機発光層のエネルギーギャップは、２．６ｅＶよりも大きい。このため、無機非縮退半導体層のバンドギャップエネルギーを２．７ｅＶ以上とすれば、励起状態の失活の低減を図ることができる。」
　　　
（ｊ）「【００１７】
  また、この発明の実施にあたり、無機非縮退半導体層を、ＩｎおよびＺｎ、Ｉｎ、ＺｎおよびＡｌ、Ａｌ、ＺｎおよびＳｂ、Ｉｎ、ＺｎおよびＹｂならびにＩｎ、ＺｎおよびＴａの組み合わせの元素のうち、いずれかの組み合わせの元素を含む、酸化物または酸化窒化物とすると良い。」
　　　
（ｋ）「【００１８】
  また、この発明において、無機非縮退半導体層中のキャリア濃度を、１０１９ｃｍ−３〜１０１２ｃｍ−３の範囲内の値とすると良い。
  このように、無機非縮退半導体層中のキャリア濃度を低くすれば、無機半導体が有機発光層中で生成した励起状態と相互作用をする可能性が低くなる。その結果、発光効率の低下を回避することができる。」
　　
（ｌ）「【発明の効果】
【００２１】
  以上、詳細に説明した様に、この発明によれば、無機非縮退半導体層を非晶質材料または微結晶材料でもって形成したので、表面の凹凸に起因するリーク電流の発生の防止を図ることができる。このため、発光効率の向上を図ることができる。
【００２２】
  また、この発明によれば、無機非縮退半導体層のバンドギャップエネルギーを、有機発光層のバンドギャップエネルギーよりも大きくした。その結果、有機発光層で生成された励起状態が、無機非縮退半導体層へエネルギー移動して失活することの低減を図ることができる。このため、発光効率の向上を図ることができる。」
　　　
（ｍ）「【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
  以下、図面を参照して、この発明の実施の形態について説明する。なお、参照する図面は、この発明が理解できる程度に各構成成分の大きさ、形状および配置関係を概略的に示してあるに過ぎない。したがって、この発明は図示例にのみ限定されるものではない。また、図面中、断面を表すハッチングを一部省略する。
【００２４】
  まず、図１を参照して、この実施の形態の有機ＥＬ素子１００の構造について説明する。この有機ＥＬ素子１００は、第１電極層としての下部電極１０、無機非縮退半導体層１２、有機発光層１４および第２電極層としての対向電極１６を順次に積層した構造を有する。
【００２５】
  そして、この無機非縮退半導体層１２は、非晶質材料または微結晶材料を含む。このように、無機非縮退半導体層１２を非晶質材料または微結晶材料でもって形成すれば、その表面は平坦となる。その結果、表面の凹凸に起因するリーク電流の発生を防止することができる。このため、発光効率が向上する。
  なお、無機半導体の状態（例えば、非晶質状態や微結晶状態）は、例えば、Ｘ線解析法により検出することができる。」
　　　
（ｎ）「【００２６】
  その上、この無機非縮退半導体層１２は、有機発光層のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有する。具体的には、無機非縮退半導体層１２のバンドギャップエネルギーを２．７ｅＶ〜６ｅＶの範囲内の値とすると良い。
【００２７】
  このように、無機非縮退半導体層のバンドギャップエネルギーを大きくすれば、有機発光層１４で生成された励起状態が、無機非縮退半導体層１２へエネルギー移動して失活することを防ぐことができる。このため、発光効率が向上する。
  なお、バンドギャップエネルギーは、例えば、透過光の吸収端波長を測定することにより求めることができる。」
　　　
（ｏ）「【００３１】
  具体的には、酸化物または酸化窒化物としては、例えば、ＩｎおよびＺｎの組み合わせ、Ａｌ、ＺｎおよびＳｂの組み合わせ、Ｉｎ、ＺｎおよびＹｂの組み合わせ、ならびに、Ｉｎ、ＺｎおよびＴａの組み合わせの元素のうち、いずれかの組み合わせの元素を含む、酸化物または酸化窒化物とすると良い。」
　　
（ｐ）「【００３２】
  また、この実施の形態では、無機非縮退半導体層１２中のキャリア濃度を、１０１９ｃｍ−３〜１０１２ｃｍ−３の範囲内の値とする。
  このように、キャリア濃度を低くすれば、発光効率の低下を回避することができる。
【００３３】
  これに対して、キャリア濃度が高い無機半導体、例えばキャリア濃度が１０１９よりも高い縮退半導体を用いた場合、キャリアと、有機発光層で生成した励起状態とが相互作用して、発光効率を低下させてしまう。
  なお、キャリア濃度は、例えば、ホール効果を用いて測定することができる。」
　　　
（ｑ）「【実施例】
【００３５】
［実施例１］
  次に、この発明の実施例１について説明する。実施例１の有機ＥＬ素子では、下部電極を透明電極とした。
  実施例１の有機ＥＬ素子を製造するにあたっては、まず、厚さ１ｍｍ、２５ｍｍ×７５ｍｍのガラス基板上に、１００ｎｍの厚さのＩＴＯ膜を製膜する。このガラス基板とＩＴＯ膜とを併せて基板とする。続いて、この基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄する。更に、基板をＮ２（窒素ガス）雰囲気中で乾燥させた後、ＵＶ（紫外線）およびオゾンを併用して３０分間洗浄した。実施例１では、この下部電極を陽極とする。
【００３６】
  次に、この基板を日本真空社製の蒸着・スパッタ装置のチャンバに設置した。そして、ＩＴＯ膜上に無機非縮退半導体層をスパッタリング（ＩＣＮＳ）にて製膜した。このスパッタリングにあたっては、ＩｎＺＯ３、ＺｎＯおよびＡｌ２Ｏ３の焼結体をターゲットとした。ただし、Ｉｎ、ＺｎおよびＡｌに対するＩｎの原子数比を一例として０．６とした。また、Ｉｎ、ＺｎおよびＡｌに対するＡｌの原子数比を一例として０．１とした。
【００３７】
  また、スパッタリングにあたっては、チャンバ中に、アルゴンガスと酸素ガスを、（アルゴンガス）／（酸素ガス）の体積比が２．０となるように導入した。そして、スパッタリングにあたっての条件は、チャンバの真空度を３×１０−４Ｐａ、出力を５０Ｗ、ＲＦ周波数を１３．５６ＭＨｚ、カソード印加電圧を４００Ｖとした。
【００３８】
  実施例１では、無機非縮退半導体層として、Ｉｎ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｏからなる酸化物層を２００ｎｍの厚さに蒸着した。なお、この酸化物は、正孔伝導性を有し、透明である。
【００３９】
  続いて、無機非縮退半導体層上に、有機発光層として、電子輸送性の有機化合物である８−ヒドロキシキノリンＡｌ錯体（Ａｌｑ錯体）を抵抗加熱により６０ｎｍの厚さに蒸着した。
【００４０】
  さらに、有機発光層上に、対向電極として、Ａｌ：Ｌｉ合金を抵抗加熱により２００ｎｍの厚さに蒸着した。実施例１では、この対向電極を陰極とする。
  以上の工程を経て、実施例１の有機ＥＬ素子を形成した。
【００４１】
  実施例１における無機非縮退半導体層のバンドギャップエネルギーは、下記の表１に示すように、２．９ｅＶであった。バンドギャップエネルギーの測定にあたっては、無機非縮退半導体層を構成する酸化物の透過スペクトルを測定し、その吸収端の波長に相当するエネルギーを求めた。
【００４２】
  また、無機非縮退半導体層の比抵抗を測定したところ、１×１０Ω・ｃｍであった。また、無機非縮退半導体層をＸ線回折で測定したところ、無機非縮退半導体層の状態は非晶質であった。
【００４３】
  そして、下部電極と対向電極との間に６Ｖの電圧を印加して、素子を定電圧駆動した。このときの初期輝度は、１００ｃｄ／ｍ２であり、発光効率は１．２ｌｍ／Ｗであった。
  また、７．５Ｖの電圧を印加した駆動したときの初期輝度は、１７０ｃｄ／ｍ２であった。そして、半減寿命は、７５０時間であった。なお、半減寿命とは、輝度が、初期輝度の半値になるまでに要する時間をいう。
【００４４】
［実施例２］
  次に、この発明の実施例２について説明する。実施例２の有機ＥＬ素子の構造は、実施例１の素子の構造と同様である。ただし、実施例２においては、無機非縮退半導体層として、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｓｉ−Ｏからなる酸化物の層をスパッタリングにより形成した。なお、この酸化物は、正孔伝導性を有し、透明である。
【００４５】
  スパッタリングにあたっては、Ｉｎ、ＺｎおよびＳｉに対するＩｎの原子数比を０．５７〜０．６の範囲内の値とした。また、Ｉｎ、ＺｎおよびＳｉに対するＳｉの原子数比を０．１〜０．２３の範囲内の値とした。その他のスパッタリングの条件は、実施例１と同一条件とした。
【００４６】
  実施例２における無機非縮退半導体層のバンドギャップエネルギーは、下記の表１に示すように、２．９ｅＶであった。また、比抵抗は、１×１０２Ω・ｃｍであった。また、無機非縮退半導体層の状態は、非晶質であった。
  そして、７．５Ｖの電圧を印加して定電圧駆動したときの発光効率は１．２ｌｍ／Ｗであった。また、半減寿命は、８００時間であった。
【００４７】
［実施例３］
  次に、この発明の実施例３について説明する。実施例３の有機ＥＬ素子の構造は、実施例１の素子の構造と同様である。ただし、実施例３においては、無機非縮退半導体層として、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｍｇ−Ｏからなる酸化物の層をスパッタリングにより形成した。なお、この酸化物は、正孔伝導性を有し、透明である。
【００４８】
  スパッタリングにあたっては、Ｉｎ、ＺｎおよびＭｇに対するＩｎの原子数比を０．５７〜０．６の範囲内の値とした。また、Ｉｎ、ＺｎおよびＭｇに対するＭｇの原子数比を０．１〜０．２３の範囲内の値とした。その他のスパッタリングの条件は、実施例１と同一条件とした。
【００４９】
  実施例３における無機非縮退半導体層のバンドギャップエネルギーは、下記の表１に示すように、３．０ｅＶであった。また、比抵抗は、２×１０Ω・ｃｍであった。また、無機非縮退半導体層の状態は、微結晶（マイクロクリスタル）であった。
  そして、７．５Ｖの電圧を印加して定電圧駆動したときの発光効率は１．５ｌｍ／Ｗであった。また、半減寿命は、１２００時間であった。
【００５０】
［実施例４］
  次に、この発明の実施例４について説明する。実施例４の有機ＥＬ素子の構造は、実施例１の素子の構造と同様である。ただし、実施例４においては、無機非縮退半導体層として、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｙｂ−Ｏからなる酸化物の層をスパッタリングにより形成した。なお、この酸化物は、正孔伝導性を有し、透明である。
【００５１】
  スパッタリングにあたっては、Ｉｎ、ＺｎおよびＹｂに対するＩｎの原子数比を０．５７〜０．６範囲内の値とした。また、Ｉｎ、ＺｎおよびＹｂに対するＹｂの原子数比を０．１〜０．２３の範囲内の値とした。その他のスパッタリングの条件は、実施例１と同一条件とした。
【００５２】
  実施例４における無機非縮退半導体層のバンドギャップエネルギーは、下記の表１に示すように、３．１ｅＶであった。また、比抵抗は、３×１０−１Ω・ｃｍであった。また、無機非縮退半導体層の状態は、非晶質であった。
  そして、７．５Ｖの電圧を印加して定電圧駆動したときの発光効率は１．０ｌｍ／Ｗであった。また、半減寿命は、６５０時間であった。
【００５３】
［実施例５］
  次に、この発明の実施例５について説明する。実施例２の有機ＥＬ素子の構造は、実施例１の素子の構造と同様である。ただし、実施例２においては、無機非縮退半導体層として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｏからなる酸化物の層をスパッタリングにより形成した。なお、この酸化物は、正孔伝導性を有し、透明である。
【００５４】
  スパッタリングにあたっては、Ｉｎ、ＧａおよびＳｉに対するＩｎの原子数比を０．５７〜０．６の範囲内の値とした。また、Ｉｎ、ＧａおよびＳｉに対するＳｉの原子数比を０．１〜０．２３の範囲内の値とした。その他のスパッタリングの条件は、実施例１と同一条件とした。
【００５５】
  実施例５における無機非縮退半導体層のバンドギャップエネルギーは、下記の表１に示すように、３．０ｅＶであった。また、比抵抗は、３×１０−２Ω・ｃｍであった。また、無機非縮退半導体層の状態は、微結晶であった。
  そして、７．５Ｖの電圧を印加して定電圧駆動したときの発光効率は０．９ｌｍ／Ｗであった。また、半減寿命は、７００時間であった。
【００５６】
［実施例６］
  次に、この発明の実施例６について説明する。実施例６の有機ＥＬ素子の構造は、実施例１の素子の構造と同様である。ただし、実施例６においては、無機非縮退半導体層として、Ｉｎ−Ｇａ−Ａｌ−Ｏからなる酸化物の層をスパッタリングにより形成した。なお、この酸化物は、正孔伝導性を有し、透明である。
【００５７】
  スパッタリングにあたっては、Ｉｎ、ＧａおよびＡｌに対するＩｎの原子数比を０．５７〜０．６の範囲内の値とした。また、Ｉｎ、ＧａおよびＡｌに対するＡｌの原子数比を０．１〜０．２３の範囲内の値とした。その他のスパッタリングの条件は、実施例１と同一条件とした。
【００５８】
  実施例６における無機非縮退半導体層のバンドギャップエネルギーは、下記の表１に示すように、２．９ｅＶであった。また、比抵抗は、１×１０Ω・ｃｍであった。また、無機非縮退半導体層の状態は、微結晶であった。
  そして、７．５Ｖの電圧を印加して定電圧駆動したときの発光効率は１．３ｌｍ／Ｗであった。また、半減寿命は、７２０時間であった。
【００５９】
［実施例７］
  次に、この発明の実施例２について説明する。実施例２の有機ＥＬ素子の構造は、実施例１の素子の構造と同様である。ただし、実施例２においては、無機非縮退半導体層として、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｔａ−Ｏからなる酸化物の層をスパッタリング形成した。なお、この酸化物は、正孔伝導性を有し、透明である。
【００６０】
  スパッタリングにあたっては、Ｉｎ、ＺｎおよびＴａに対するＩｎの原子数比を０．５７〜０．６の範囲内の値とした。また、Ｉｎ、ＺｎおよびＴａに対するＴａの原子数比を０．１〜０．２３の範囲内の値とした。その他のスパッタリングの条件は、実施例１と同一条件とした。
【００６１】
  実施例７における無機非縮退半導体層のバンドギャップエネルギーは、下記の表１に示すように、２２．８ｅＶであった。また、比抵抗は、７×１０Ω・ｃｍであった。また、無機非縮退半導体層の状態は、非晶質であった。
  そして、７．５Ｖの電圧を印加して定電圧駆動したときの発光効率は１．２ｌｍ／Ｗであった。また、半減寿命は、４５０時間であった。
【００６２】
［実施例８］
  次に、この発明の実施例８について説明する。実施例８の有機ＥＬ素子の構造は、実施例１の素子の構造と同様である。ただし、実施例８においては、無機非縮退半導体層として、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎからなる酸化物の層をスパッタリングにより形成した。なお、この酸化物は、正孔伝導性を有し、透明である。
【００６３】
  実施例８における無機非縮退半導体層のバンドギャップエネルギーは、下記の表１に示すように、３．１ｅＶであった。また、比抵抗は、７×１０３Ω・ｃｍであった。また、無機非縮退半導体層の状態は、非晶質であった。
  そして、７．５Ｖの電圧を印加して定電圧駆動したときの発光効率は１．４ｌｍ／Ｗであった。また、半減寿命は、２０００時間であった。
【００６４】
［実施例９］
  次に、この発明の実施例９について説明する。実施例９の有機ＥＬ素子の構造は、実施例１の素子の構造と同様である。ただし、実施例９においては、無機非縮退半導体層として、Ｉｎ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｏ−Ｎからなる酸化物の層をスパッタリングにより形成した。なお、この酸化物は、正孔伝導性を有し、透明である。
【００６５】
  実施例９における無機非縮退半導体層のバンドギャップエネルギーは、下記の表１に示すように、３．１ｅＶであった。また、比抵抗は、８×１０２Ω・ｃｍであった。また、無機非縮退半導体層の状態は、非晶質であった。
  そして、７．５Ｖの電圧を印加して定電圧駆動したときの発光効率は１．６ｌｍ／Ｗであった。また、半減寿命は、１５００時間であった。
【００６６】
［実施例１０］
  次に、この発明の実施例１０について説明する。実施例１０の有機ＥＬ素子の構造は、実施例１の素子の構造と同様である。ただし、実施例１０においては、対向電極を、Ａｌ：Ｌｉの代わりに、Ａｌで形成した。Ａｌは、仕事関数が４．０ｅＶ以上あるので、耐久性が高い。
【００６７】
  また、実施例１０においては、無機非縮退半導体層として、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｂａ−Ｏからなる酸化物の層をスパッタリングにより形成した。なお、この酸化物は、正孔伝導性を有し、透明である。
  スパッタリングにあたっては、Ｉｎ、ＺｎおよびＢａに対するＩｎの原子数比を０．５７〜０．６の範囲内の値とした。また、Ｉｎ、ＺｎおよびＢａに対するＢａの原子数比を０．１〜０．２３の範囲内の値とした。また、スパッタリングの出力を２０Ｗとした。その他のスパッタリングの条件は、実施例１と同一条件とした。
【００６８】
  実施例１０における無機非縮退半導体層のバンドギャップエネルギーは、下記の表１に示すように、３．０ｅＶであった。また、比抵抗は、４×１０−２Ω・ｃｍであった。また、無機非縮退半導体層の状態は、非晶質であった。
  そして、７．５Ｖの電圧を印加して定電圧駆動したときの発光効率は２．１ｌｍ／Ｗであった。また、半減寿命は、３２００時間であった。
【００６９】
［実施例１１］
  次に、この発明の実施例１１について説明する。実施例１１の有機ＥＬ素子の構造は、実施例１０の素子の構造と同様である。ただし、実施例１１においては、無機非縮退半導体層として、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｓｒ−Ｏからなる酸化物の層をスパッタリングにより形成した。なお、この酸化物は、正孔伝導性を有し、透明である。
【００７０】
  スパッタリングにあたっては、Ｉｎ、ＺｎおよびＳｒに対するＩｎの原子数比を０．５７〜０．６の範囲内の値とした。また、Ｉｎ、ＺｎおよびＳｒに対するＳｒの原子数比を０．１〜０．２３の範囲内の値とした。その他のスパッタリングの条件は、実施例１と同一条件とした。
【００７１】
  実施例１１における無機非縮退半導体層のバンドギャップエネルギーは、下記の表１に示すように、２．８ｅＶであった。また、比抵抗は、３×１０−２Ω・ｃｍであった。また、無機非縮退半導体層の状態は、非晶質であった。
  そして、７．５Ｖの電圧を印加して定電圧駆動したときの発光効率は２．４ｌｍ／Ｗであった。また、半減寿命は、４０００時間であった。
【００７２】
【表１】
【００７３】
［実施例１２］
  次に、この発明の実施例１２について説明する。実施例１２の有機ＥＬ素子の構造は、実施例１の素子の構造と同様である。ただし、実施例１２においては、有機発光層として、下記の（１）式に示すＰＡＶＢｉを用いた。このＰＡＶＢｉは、正孔伝導性を有する。
【００７４】
【化１】
【００７５】
  そして、印加電圧５Ｖで定電圧駆動したときの初期輝度は２１０ｃｄ／ｍ２であり、発光効率は２．３ｌｍ／Ｗであった。また、半減寿命は、１３００時間であった。また、発光光の色は、青緑色であった。
【００７６】
  なお、従来は、ＰＡＶＢｉの有機発光層と、オキサジアゾール誘導体の電子注入層とを組み合わせて用いた例が知られている。この組み合わせでは、発光効率は高くなるが、寿命が５０時間と極めて短い。
【００７７】
（参考例）
  次に、この発明の参考例について説明する。参考例の有機ＥＬ素子の構造は、実施例１２の素子の構造と同様である。ただし、参考例においては、無機非縮退半導体層としてのＩｎ−Ｚｎ−Ｓｉ−Ｏを除去している。
【００７８】
  そして、５Ｖの電圧を印加して定電圧駆動したときの初期輝度は１８０ｃｄ／ｍ２であり、発光効率は２．０ｌｍ／Ｗであった。また、半減寿命は、８００時間であった。
【００７９】
（比較例１）
  次に、比較例１について説明する。比較例１の有機ＥＬ素子の構造は、実施例１の構造と同様である。ただし、比較例１では、無機非縮退半導体層の代わりに、有機正孔注入材である下記の（２）式に示すＴＰＤを用いた。
【００８０】
【化２】
【００８１】
  そして、６．５Ｖの電圧を印加して定電圧駆動したときの初期輝度は１３０ｃｄ／ｍ２であったが、半減寿命はわずか１２０時間であった。
【００８２】
（比較例２）
  次に、比較例２について説明する。比較例２の有機ＥＬ素子の構造は、実施例１の構造と同様である。ただし、比較例１では、無機非縮退半導体層として、正孔伝導性のマイクロクリスタルＳｉ（Ｐ−μＣ−Ｓｉ）層を、プラズマＣＶＤ法により、厚さ３０ｎｍで製膜した。
【００８３】
  製膜にあたっては、プラズマＣＶＤ装置を用いて、ＲＦ出力を８００Ｗ、基板温度を３００℃、圧力を２０ｍＴｏｒｒとし、導入ガスとしてＳｉＨ４／Ｈ２／Ｂ２Ｈ６（６０００ｐｐｍ）を導入した。
【００８４】
  比較例２における無機非縮退半導体層のバンドギャップエネルギーは、２．３ｅＶであった。また、比抵抗は、１×１０５Ω・ｃｍであった。
  そして、６Ｖの電圧を印加して定電圧駆動したときの初期輝度は１２０ｃｄ／ｍ２であり、輝度は１０ｃｄ／ｍ２であり、発光効率はわずか０．２ｌｍ／Ｗであった。また、半減寿命はわずか１０時間であった。
【００８５】
  比較例１および比較例２と、実施例１とを比較すると、無機半導体は、正孔伝導に対する安定性が、有機化合物に比べてはるかに高いことが分かる。さらに、バンドギャップエネルギーの大きな無機非縮退半導体層は、電子障壁性を有し、かつ、正孔伝導に対する安定性が高いことが分かる。
【００８６】
（比較例３）
  次に、比較例３について説明する。比較例３の有機ＥＬ素子の構造は、実施例１の構造と同様である。ただし、比較例３では、無機非縮退半導体層として、ＩｎＺｎＯを用いている。ＩｎＺｎＯのキャリア濃度は、１０２０ｃｍ−３である。また、比抵抗は、５×１０−４Ω・ｃｍと小さい。
【００８７】
  そして、６Ｖの電圧を印加して定電圧駆動したときの発光効率は，わずか０．２５ｌｍ／Ｗであった。発光効率が低い理由は、無機非縮退半導体層のキャリア濃度が高いためであると考えられる。」 
　　　  
３　検討・判断  
 　　 
〔新規事項の追加について〕 
　特許法第１７条の２第３項に規定する補正の要件である「願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしなければならない。」における「明細書又は図面に記載した事項」とは、「当業者によって，明細書又は図面のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項であり，補正が，このようにして導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであるときは、当該補正は、「明細書又は図面に記載した事項の範囲内において」するものということができる。」（知財高裁大合議判決、平成１８年（行ケ）１０５６３号参照）から、本件補正後の請求項１に係る補正が、これに該当するか否か、以下に検討する。  
 　  
（１）本件補正後の請求項１から把握される技術的事項  
　上記「１　平成２２年３月１日付け手続補正の内容」のとおり、本件補正後の請求項１は、「積層構造体」について、 
「電極層と無機非縮退半導体層を接合した構造体であって、
　前記無機非縮退半導体層のバンドギャップエネルギーが２．７ｅＶ〜６．０ｅＶの範囲内の値であり、キャリア濃度が１０１９ｃｍ−３〜１０１２ｃｍ−３の範囲内の値であり、
　前記無機非縮退半導体層が、ＩｎおよびＺｎ、Ｉｎ、ＺｎおよびＡｌ、Ｉｎ、ＺｎおよびＳｉ、Ｉｎ、ＺｎおよびＴｉ、Ｉｎ、ＺｎおよびＳｂ、Ｉｎ、ＺｎおよびＹｂ、Ｉｎ、ＺｎおよびＴａの組み合わせのうち、いずれかの組み合わせの元素を含む、酸化物または酸化窒化物からなる非晶質材料または微結晶材料を含む」
　とする補正事項を含むものである。 
　当該補正事項において、積層構造体の用途は何ら特定されておらず、電極層と無機非縮退半導体層からなる積層構造体以外の構成要素も含んでいないから、積層構造体に含まれる無機非縮退半導体層について、
（Ａ）積層構造体の用途によらず、積層構造体の無機非縮退半導体層は、バンドギャップエネルギーが２．７ｅＶ〜６．０ｅＶの範囲内の値である。
（Ｂ）積層構造体の用途によらず、積層構造体の無機非縮退半導体層は、キャリア濃度が１０１９ｃｍ−３〜１０１２ｃｍ−３の範囲内の値である。
（Ｃ）積層構造体の用途によらず、積層構造体の無機非縮退半導体層は、酸化物または酸化窒化物からなる非晶質材料または微結晶材料を含む。
　という技術的事項が把握されることとなる。
　　
　なお、本件補正後の請求項１の「積層構造体」の用途が特定のものに限定されず、発明の詳細な説明に記載された「有機ＥＬ素子」は用途の一つに過ぎないことは、平成２０年１２月１２日付け意見書、平成２２年３月１日付け審判請求書の請求の理由及び平成２３年４月２２日付け回答書において、請求人も繰り返し主張していることである。
　　　
（２）検討・判断 
　まず、上記摘記事項（ａ）〜（ｑ）の記載を含む当初明細書等の全記載を精査しても、「積層構造体」は「有機ＥＬ素子」の構造の一部に過ぎず、「積層構造体」を取り出して他の用途に用いることは記載も示唆もされていないから、本件補正後の請求項１から把握される上記技術的事項（Ａ）〜（Ｃ）は、当初明細書等に直接的に記載されたものではないことは明らかである。この点は、平成２２年３月１日付け審判請求書の請求の理由において請求人も認めている。
　次に、本件補正後の請求項１から把握される上記技術的事項（Ａ）〜（Ｃ）が、当業者の技術常識等を参酌し、上記当初明細書等の記載を総合することにより導出可能なものであるか否かを検討する。 
　　　　　
（２ａ）上記摘記事項（ｉ）、（ｎ）の記載によれば、無機非縮退半導体層のバンドギャップエネルギーを２．７ｅＶ以上６ｅＶ以下の範囲内とすることは、有機ＥＬ素子において、アルミニウム錯体やスチルベン誘導体を含む有機発光層のエネルギーギャップが２．６ｅＶよりも大きいので、無機非縮退半導体層のバンドギャップエネルギーをそれよりも大きい２．７ｅＶ以上とすることで、有機発光層で生成された励起状態の失活を低減させて発光効率の向上を達成するための構成であることは明らかである。
　そして、アルミニウム錯体やスチルベン誘導体を含む有機発光層のエネルギーギャップが２．６ｅＶよりも大きいという有機発光層の特性に基づいて得られた「２．７ｅＶ〜６ｅＶ」という無機非縮退半導体層のバンドギャップエネルギーの数値範囲を、当該有機発光層を有さない素子にまで適用することには何らの必然性もなく、技術常識を踏まえても適用すべき合理的理由は存在しないから、上記技術的事項（Ａ）は、当業者にとって当初明細書等の記載から技術常識等を踏まえても導出可能なものではない。 
　　　　　
（２ｂ）上記摘記事項（ｋ）、（ｐ）の記載によれば、無機非縮退半導体層中のキャリア濃度を１０１９ｃｍ−３〜１０１２ｃｍ−３の範囲内の値とすることは、有機ＥＬ素子において、無機非縮退半導体層中のキャリア濃度が１０１９ｃｍ−３よりも高いと、有機発光層で生成した励起状態とキャリアが相互作用して発光効率を低下させてしまうので、無機非縮退半導体層中のキャリア濃度をそれよりも低くすることで、無機非縮退半導体が有機発光層中で生成した励起状態と相互作用をする可能性を低くして、発光効率の低下を回避するための構成であることは明らかである。
　そして、無機非縮退半導体層中のキャリア濃度が１０１９ｃｍ−３よりも高いと、有機発光層で生成した励起状態とキャリアが相互作用して発光効率を低下させてしまうという有機発光層を有する有機ＥＬ素子に特有の問題点に基づいて得られた「１０１９ｃｍ−３〜１０１２ｃｍ−３」という無機非縮退半導体層中のキャリア濃度の数値範囲を、当該有機発光層を有さない素子にまで適用することには何らの必然性もなく、技術常識を踏まえても適用すべき合理的理由は存在しないから、上記技術的事項（Ｂ）は、当業者にとって当初明細書等の記載から技術常識等を踏まえても導出可能なものではない。 
　　　　　　
（２ｃ）上記摘記事項（ｄ）、（ｆ）、（ｈ）の記載によれば、無機半導体層の表面に５０ｎｍ程度以上の凹凸があるとリーク電流が発生するのは、無機半導体層上に（有機発光層の）薄膜を形成する場合に特有の問題であり、かつ、無機半導体層上に薄膜を形成するのは、無機半導体層を形成する際には、有機発光層の耐熱温度よりも高い温度（２００℃以上）となるので、有機発光層は、無機半導体層を形成した後に形成される必要があるためであるから、無機非縮退半導体材料層を非晶質性材料または微結晶材料を含むものとすることは、無機半導体層上に有機発光層の薄膜を形成する場合に特有の問題を解決するための構成であることは明らかである。
　そして、当該構成を、無機半導体層上に有機発光層の薄膜を形成しない構造の素子（例えば、一対の電極と無機半導体層のみで構成される抵抗性素子、無機半導体層の下に予め無機薄膜を形成する構造の素子、無機半導体層の上に無機や有機の厚膜を形成する構造の素子等。）にまで適用することには何らの必然性もなく、技術常識を踏まえても適用すべき合理的理由は存在しないから、上記技術的事項（Ｃ）は、当業者にとって当初明細書等の記載から技術常識等を踏まえても導出可能なものではない。
　　　　　　
（２ｄ）小括　　
　以上（２ａ）〜（２ｃ）で述べたとおり、技術常識等を参酌しても、本件補正後の請求項１から把握される上記技術的事項（Ａ）〜（Ｃ）は、当初明細書等から導出可能なものではない。  
 　  
（３）まとめ
　そうしてみると、本件補正後の請求項１から把握される技術的事項は、本願の当初明細書等の記載事項として明示されている事項ではないし、本願出願当時の技術常識等を参酌しても、当初明細書等の記載事項から導出可能なものではないから、当初明細書等のすべての記載を総合しても、本件補正が新たな技術的事項を導入しないものであるということはできない。  
　したがって、本件補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものに該当しない。  
 　  
　以上のとおり、平成２２年３月１日付けでした手続補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであるとはいえないので、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。  
 　　
　なお、請求人は、平成２２年３月１日付け審判請求書の請求の理由において、
「［本願積層構造体が新規事項に該当しないことについての説明］ 
・・・（中略）・・・
　半導体層は単独で使用されることは無く、電極と半導体層の積層体として、有機ＥＬ素子に限らず、太陽電池、液晶等の分野で用いられていることは周知であります。例えば、特開昭５９−１４３３７５号公報は光半導体装置（請求項１）に適用した例であり、特開昭６１−８４０７２号公報はダイオード（請求項１）に適用した例であり、特開平２−０６９７６２号公報は電子写真感光体（請求項１）に適用した例であり、特開平６−１２５１０２号公報（図１）は太陽電池用途に適用した例であります。そして、本発明の積層構造体は電極と半導体の積層体の界面における「リーク電流の防止」を達成するものであり、この効果は、有機ＥＬ素子に限られるものではなく、電極と半導体の積層構造を有する全ての装置にそのまま奏する効果であることは自明です。従って、当業者であれば、本願明細書に記載の積層構造体をこれらの分野で使用できることは明らかであります。即ち、本発明の積層構造体は新規で優れた特性を有し、積層構造体だけで発明として完成しています。 
　確かに、明細書には積層構造体を有機ＥＬ素子に使用することしか記載されていませんが、しかし、このことは、積層構造体が有機ＥＬ素子にしか使用できないことを意味するものではありません。当業者は、有機ＥＬ素子に使用しているこの積層体を他の装置にも同様に使用できると認識すると思料します。新規事項が否かは、明細書に直接記載された事項だけでなく、明細書の記載から自明な事項か否かで判断されます。本発明の積層構造体を、他の装置にも使用できることは上述しましたように周知であり当業者には自明であると思料します。また、１つの発明（有機ＥＬ素子）を構成する部分（積層構造体）が、それだけで独立して新規であり優れた効果を奏するなら、それは保護に価する発明であり、別途クレームに記載され許可されることはよくあることと思料します。特許権は公開の代償として付与されます。本発明の積層構造体は公開されており保護されてしかるべきものと思料します。」
と主張している。
　しかし、仮に「電極と半導体の積層体」が周知であろうとも、上述のとおり、本件補正後の請求項１における無機非縮退半導体に関するパラメータ条件や非晶質性材料または微結晶材料の利用は、有機ＥＬ素子に特有の課題解決のために導入されたものであるから、その前提を無視して有機ＥＬ素子以外の用途も含むように一般化することは、当業者にとって自明なことではないから、当該主張は失当である。また、請求人が引用した周知例について検討しても、何れも無機の半導体と共に用いる積層構造体に過ぎず、本願の積層構造体のように有機薄膜と共に用いるものではなく、無機半導体層の表面の凹凸に起因する有機薄膜の電流リークという本願の積層構造体と共通課題を有さないものであるから、本願の積層構造体の非晶質性材料または微結晶材料をそれらの周知例に適用することは、当業者であっても容易に想到することではないし、さらには、特定のエネルギーギャップの有機発光膜の存在が前提となっている本願の積層構造体のパラメータ条件を当該有機発光膜を備えない周知例に適用することは技術常識からして不合理であるから、当業者が通常考えることではない。
　本願の当初明細書等の記載に接した当業者にとって、無機非縮退半導体に関するパラメータ条件や非晶質性材料または微結晶材料の利用は、特定材料や特定構造を有する有機ＥＬ素子に適用されることで所望の作用効果を奏するものであることは明らかであるから、「当業者は、有機ＥＬ素子に使用しているこの積層体を他の装置にも同様に使用できると認識する」という請求人の主張は妥当なものとはいえない。
　　　
４　本件補正についてのむすび 
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
 　  
第３　特許法第１７条の２第３項の規定の違反について
 　　 
１　平成２０年１２月１２日付け手続補正（以下「本願補正」という。）の内容  
　本願補正は、特許請求の範囲を補正するものであって、本願補正後の請求項１〜２には、次のとおり記載されている。  
 　  
「【請求項１】
　電極層と無機非縮退半導体層を接合した構造体であって、
　前記無機非縮退半導体層のバンドギャップエネルギーが２．７ｅＶ〜６．０ｅＶの範囲内の値であり、キャリア濃度が１０１９ｃｍ−３〜１０１２ｃｍ−３の範囲内の値であることを特徴とする積層構造体。」
　　　
「【請求項２】
　前記無機非縮退半導体層が非晶質材料または微結晶材料を含むことを特徴とする請求項１に記載の積層構造体。」  
 　　 
 ２　原審における拒絶査定の理由  
　原審で拒絶査定の理由として通知した平成２０年１０月３１日付け拒絶理由通知書の理由で指摘した内容は、以下のとおりである。  
 　  
「平成１７年１２月１２日付けでした手続補正は、下記の点で願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
請求項１乃至６について
　請求項１には「バンドギャップが...の範囲内にあり、キャリア濃度が...の範囲内にあり...、かつ電子伝導性である...無機非縮退半導体層」と記載され、該「無機非縮退半導体層」であれば有機ＥＬ素子だけではなく、あらゆる用途に用いられることが想定される記載となっているが、あらゆる用途に用いられることに関しては当初明細書又は図面のいずれの箇所の記載を参酌しても、そのようなことに該当する記載はなく、また、当初明細書等の記載から自明な事項であるとも認められない。よって、上記補正は新規事項を追加するものである。」  
 　　 
　また、原審の拒絶査定の備考には次のとおり記載されている。 
 　　 
「有機ＥＬ素子だけではなく、あらゆる用途に用いられることが想定される記載となっているが、あらゆる用途に用いられることに関しては当初明細書又は図面のいずれの箇所の記載を参酌しても、そのようなことに該当する記載はなく、また、当初明細書等の記載から自明な事項であるとも認められない。」 
 　　 
３　当審の判断  
　本願補正が、原審の拒絶理由通知書において指摘された特許法第１７条の２第３項の規定違反の拒絶理由を解消するか否かを検討する。  
 　  
（１）本願補正後の請求項１〜２から把握される技術的事項  
　上記「第２」「３　検討・判断」「（１）本件補正後の請求項１から把握される技術的事項」で述べたのと同様の理由により、本願補正後の請求項１〜２の積層構造体に含まれる無機非縮退半導体層について、上記技術的事項（Ａ）〜（Ｃ）が把握される。
　　　　
（２）検討・判断 
　上記「第２」「３　検討・判断」「（２）検討・判断」で述べたのと同様の理由により、本願補正後の請求項１〜２から把握される上記技術的事項（Ａ）〜（Ｃ）は、本願の当初明細書等の記載事項として明示されている事項ではないし、本願出願当時の技術常識等を参酌しても、当初明細書等の記載事項から導出可能なものではないから、当初明細書等のすべての記載を総合しても、本願補正が新たな技術的事項を導入しないものであるということはできない。  
　したがって、本願補正は、原審の拒絶理由通知書において指摘された、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものに該当しないという拒絶理由を解消していない。  
　　　
（３）まとめ
　以上のとおり、平成２０年１２月１２日付けでした手続補正後の請求項１〜２は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものでない事項を含むから、原審の拒絶理由は解消していない。
　  
４　むすび  
　以上のとおり、原査定の上記拒絶理由は妥当なものであるから、本願は、この拒絶理由によって拒絶すべきものである。 
 　  
　よって、結論のとおり審決する。