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【手続補正書】
【提出日】平成23年5月23日(2011.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスク平面の像を視野平面内に投影するように機能し、該視野平面に露光視野を有するマイクロリソグラフィの分野のための投影対物器械であって、
付加的迷光成分が、投影対物器械の露光視野にわたる迷光成分及び／又は該迷光成分の変動を別の投影対物器械の露光視野にわたる迷光成分及び／又は該迷光成分の変動に適応させる、
ことを特徴とする投影対物器械。
【請求項２】
投影対物器械の前記露光視野における前記迷光成分の最大値が、他方の投影対物器械の該露光視野における該迷光成分の最大値から、該２つの迷光成分の該それぞれの最大値のうちの大きい方に対して５０％よりも小さく、好ましくは２５％よりも小さく外れることを特徴とする請求項１に記載の投影対物器械。
【請求項３】
前記付加的迷光成分は、前記露光視野にわたって非一定プロフィールを有し、
前記非一定プロフィールを有する前記付加的迷光成分は、前記露光視野にわたる与えられた所定のプロフィールに適合することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の投影対物器械。
【請求項４】
前記与えられた所定のプロフィールは、別の投影対物器械の測定データから判断されることを特徴とする請求項３に記載の投影対物器械。
【請求項５】
前記付加的迷光成分は、前記露光視野にわたって非一定プロフィールを有し、
前記視野平面内の前記露光視野は、中心区域及び境界区域を有し、
前記非一定プロフィールを有する前記付加的迷光成分は、前記瞳における拡散及び／又は回折光学要素によって前記視野の前記中心区域において調節される、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の投影対物器械。
【請求項６】
前記付加的迷光成分は、前記露光視野にわたって非一定プロフィールを有し、
前記視野平面内の前記露光視野は、中心区域及び境界区域を有し、
前記非一定プロフィールを有する前記付加的迷光成分は、少なくとも１つの視野近接拡散及び／又は回折光学要素によって前記視野の前記境界区域において調節される、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の投影対物器械。
【請求項７】
付加的迷光成分を導入する少なくとも１つの拡散及び／又は回折光学要素により、マイクロリソグラフィの分野のための投影対物器械の迷光成分を適応させる方法であって、
付加的迷光成分が、露光視野内の有用光に対して０．１％よりも大きく、特に０．２％よりも大きく該視野にわたって変動し、
与えられた所定のプロフィールに適合する前記露光視野にわたる非一定プロフィールを有する付加的迷光成分が導入される
ことを特徴とする方法。
【請求項８】
前記与えられた所定のプロフィールは、別の投影対物器械の測定データに基づいて判断されることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記付加的迷光成分は、前記投影対物器械の前記露光視野にわたる前記迷光成分及び／又は該迷光成分の変動を、別の投影対物器械の露光視野にわたる迷光成分及び／又は該迷光成分の変動に適応させるために使用されることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記投影対物器械の前記付加的迷光成分は、該投影対物器械が、マスク構造の像を別の投影対物器械を用いて同じマスク構造の像を生成するのに適用される臨界寸法に対して該臨界寸法において２０％よりも小さい偏差で生成する方法で導入されることを特徴とする請求項７から請求項９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
マスク平面の像を視野平面内に投影するように機能し、該視野平面に露光視野を有するマイクロリソグラフィの分野のための投影対物器械であって、
露光視野にわたって非一定プロフィールを有する付加的迷光成分が、視野平面の該露光視野内に導入され、
前記視野平面の前記露光視野は、中心区域及び境界区域を含み、前記付加的迷光成分は、該視野の該境界区域よりも該視野の該中心区域においてより低い
ことを特徴とする投影対物器械。
【請求項１２】
マスク平面の像を視野平面内に投影するように機能し、該視野平面に露光視野を有するマイクロリソグラフィの分野のための投影対物器械であって、
露光視野にわたって非一定プロフィールを有する付加的迷光成分を視野平面の該露光視野内に導入するための手段を含み、
前記視野平面の前記露光視野は、中心区域及び境界区域を含み、前記付加的迷光成分は、該視野の該境界区域よりも該視野の該中心区域においてより低い
ことを特徴とする投影対物器械。
【請求項１３】
前記マスク平面から前記視野平面への光線経路に沿って多数の光学要素を有し、かつ該マスク平面から該視野平面への光線方向に該視野平面の前に配置されるか又は該マスク平面から該視野平面への該光線方向に該視野平面と共役な中間像平面の直前又は直後に配置された少なくとも１つの視野近接光学要素を有する場合に、該少なくとも１つの光学要素の少なくとも１つの表面が、前記露光視野にわたって前記非一定プロフィールを有する前記付加的迷光成分を生成する表面粗度を有することを特徴とする請求項１１又は請求項１２に記載のマイクロリソグラフィの分野のための投影対物器械。
【請求項１４】
前記表面は、中心及び境界を有する光学的使用区域を含み、
前記表面の前記表面粗度は、前記光学的使用区域の前記中心から該光学的使用区域の前記境界へと増大する、
ことを特徴とする請求項１３に記載のマイクロリソグラフィの分野のための投影対物器械。
【請求項１５】
前記境界から前記中心への表面粗度の差を有する場合に、該差は、０．５ｎｍＲＭＳよりも大きく、好ましくは、１．０ｎｍＲＭＳよりも大きく、更に好ましくは、２ｎｍＲＭＳよりも大きいことを特徴とする請求項１４に記載のマイクロリソグラフィの分野のための投影対物器械。
【請求項１６】
前記中心からの横方向距離の関数としての前記表面粗度は、一般多項式関数の平方根関数に対応し、
前記横方向距離は、可変量を表す、
ことを特徴とする請求項１４又は請求項１５に記載のマイクロリソグラフィの分野のための投影対物器械。
【請求項１７】
前記表面粗度は、前記中心からの前記横方向距離と共に２次関数的に増大することを特徴とする請求項１６に記載のマイクロリソグラフィの分野のための投影対物器械。
【請求項１８】
前記表面粗度は、前記中心からの前記横方向距離と共に線形に増大することを特徴とする請求項１６に記載のマイクロリソグラフィの分野のための投影対物器械。
【請求項１９】
前記表面粗度は、局所的凹凸の波長範囲を有し、該表面粗度の局所的凹凸の該波長範囲は、１ｍｍと１０μｍの間にあることを特徴とする請求項１３から請求項１８のいずれか１項に記載のマイクロリソグラフィの分野のための投影対物器械。
【請求項２０】
前記表面粗度は、局所的凹凸の波長範囲を有し、該表面粗度の局所的凹凸の該波長範囲は、１０ｍｍと１ｍｍの間にあることを特徴とする請求項１３から請求項１８のいずれか１項に記載のマイクロリソグラフィの分野のための投影対物器械。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月18日(2011.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】サセプタ上に最密集して配置された複数の基板をコーティングするための装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
プロセスチャンバー（１４）と結合されるサセプタ（１）の支持面（２）上に規則的に配置される複数の基板（３）をコーティングするための装置であって、
前記支持面（２）が、各基板（３）の端のかみ合いのために隣接側面を形成し、
前記隣接側面が、前記支持面（２）から延びる直立部分（４）の側壁（５）によって定義され、間隔をあけてお互いから分離され、
前記直立部分（４）が、ハチの巣状パターンの頂点にあり、実質的に内側に曲がった辺を持った正三角形と一致する平面形状を備える、
ことを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月12日(2011.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）処理チャンバー内に、その表面上に材料を有する基板を配置すること；
ｂ）液状処理組成物の流れを該基板の表面に衝突させるように向けること；及び
ｃ）水蒸気の流れを該基板の表面に衝突させるように及び／または該液状処理組成物に衝突させるように向けること、
を含む、基板の処理方法であって、
該液状処理組成物の流れ及び該水蒸気の流れが、該基板の該表面に衝突する前に、少なくとも部分的に交わる、方法。
【請求項２】
該水蒸気を約１３０℃の温度にて供給する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該処理が材料を除去することであり、該液状処理組成物が、硫酸及び／またはその脱水種及び前駆体を含む液状硫酸組成物である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
該液状処理組成物の流れが該基板に衝突する前に、該水蒸気の流れが該液状処理組成物の流れに衝突する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、該液状処理組成物の流れ及び該水蒸気の流れが、３つの開口部を含むノズル構造物から投与され、
該ノズル構造物が、該液状処理組成物が該基板に衝突する前に該液状処理組成物を噴霧する態様で、中央の開口部から水蒸気の第１の流れと、第２及び第３の相対する開口部から液状処理組成物の第２の流れ及び第３の流れとを供給する、
方法。
【請求項６】
水蒸気への曝露時における該液状処理組成物が、約５以下の硫酸に対する水のモル比を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
該処理工程ｂ）及びｃ）の際に、水蒸気及び／または窒素ガスを該処理チャンバーに導入して、水蒸気及び／または窒素ガスで該基板を囲むことをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ａ）処理チャンバー内に、その表面上に材料を有する基板を配置すること；
ｂ）硫酸及び／またはその脱水種及び前駆体を含む液状硫酸組成物を、該基板の全表面よりも小さい該基板の表面の一部分を処理するために効果的な量で、該基板の表面の該一部分上に投与すること；及び
ｃ）水蒸気に曝露する前の該液状硫酸組成物の温度よりも高く該液状硫酸組成物の該温度を上昇させるために効果的な量の該水蒸気に、該液状硫酸組成物を曝露すること、
を含む、基板から材料を除去する方法であって、
水蒸気への曝露時における該液状硫酸組成物が、約５以下の硫酸に対する水のモル比を有する、方法。
【請求項９】
該材料がフォトレジストである、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月25日(2011.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＮＴが付着または蒸着された電子放出源と、前記電子放出源から電子を放出するように電界が対応して形成される電子レンズ層とを整列する段階；及び
前記電子レンズ層の開口を通じて垂直方向にイオンビームをＣＮＴチップに向けて走査する段階；
を含んでなることを特徴とする、ＣＮＴが付着された電子放出源のＣＮＴを整列する方法。
【請求項２】
前記電子放出源が電子カラムに使用される場合、前記電子レンズ層がエクストラクタを含むソースレンズ層であることを特徴とする、請求項１に記載の電子放出源のＣＮＴを整列する方法。
【請求項３】
前記電子放出源がＦＥＤまたはＳＦＥＤに使用される電子放出源であることを特徴とする、請求項１または２に記載の電子放出源のＣＮＴを整列する方法。
【請求項４】
前記イオンビームが前記チップにフォーカシングされて走査されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子放出源のＣＮＴを整列する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月19日(2011.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
調整可能な分光分布を有する白色光エレクトロルミネセント照明装置であって、
（ａ）第１の発光素子、
（ｂ）第２の発光素子、および
（ｃ）コントローラーを含み、
前記第１の発光素子が、４４０ｎｍと５２０ｎｍとの間の第１の波長帯域、５２０ｎｍと６００ｎｍとの間の第２の波長帯域および６００ｎｍと６８０ｎｍとの間の第３の波長帯域を含む３つのそれぞれの波長帯域中の光を放射し、前記第１の波長帯域中の積分スペクトルパワーが前記第２の波長帯域に比べて高く、前記第２の波長帯域中の前記積分スペクトルパワーが前記第３の波長帯域に比べて高く、
前記第２の発光素子が、４４０ｎｍと５２０ｎｍとの間の第１の波長帯域、５２０ｎｍと６００ｎｍとの間の第２の波長帯域および６００ｎｍと６８０ｎｍとの間の第３の波長帯域を含む３つのそれぞれの波長帯域中の光を放射し、前記第３の波長帯域中の積分スペクトルパワーが前記第２の波長帯域の積分スペクトルパワーに比べて高く、前記第２の波長帯域中の前記積分スペクトルパワーが前記第１の波長帯域中の積分スペクトルパワーに比べて高く、
前記コントローラーが、調整された前記第１の発光素子および前記第２の発光素子によって生成された光を合わせることによって形成された光の分光分布が、４０００Ｋと９５００Ｋとの間の相関色温度でＣＩＥ標準昼光の分光分布と実質的に等しくなるように、前記第１の発光素子および前記第２の発光素子によって生成された光の前記積分スペクトルパワーを調整する白色光エレクトロルミネセント照明装置。
【請求項２】
（ａ）基板、
（ｂ）２つの電極の間に設けられ、それらと電気的に接触する第１のエレクトロルミネセントユニットから構成される第１の発光素子、および
（ｃ）２つの電極の間に設けられ、それらとまた電気的に接触する第２のエレクトロルミネセントユニットから構成され、前記第１のエレクトロルミネセントユニットの上方もしくは下方に設けられた第２の発光素子
から構成される請求項１の白色光エレクトロルミネセント照明装置。
【請求項３】
（ａ）基板、
（ｂ）第１の電極アレイ、
（ｃ）前記第１の発光素子を形成するための第１のエレクトロルミネセント（ＥＬ）ユニット、および前記第２の発光素子を形成するための前記第２のエレクトロルミネセント（ＥＬ）ユニットのパターン化されたアレイ、ならびに
（ｄ）前記第１の発光素子および前記第２の発光素子が独立してアドレス指定可能であるように、電極がパターン化される第２の電極アレイ
から構成される請求項１の白色光エレクトロルミネセント照明装置。
【請求項４】
白色光エレクトロルミネセント照明装置の分光分布を調整するコントローラーであって、
（ａ）４０００Ｋと９５００Ｋとの間の相関色温度で前記照明装置によって生成された光の前記分光分布を制御するために、第２の発光素子によって生成された光の積分スペクトルパワーに対する第１の発光素子によって生成された光の積分スペクトルパワーの割合を増加もしくは減少させるための制御手段、および
（ｂ）外部の信号源からの入力信号を受信するための信号受信手段
を含むコントローラー。
【請求項５】
調整可能な分光分布を有する光を生成する照明装置を含む画像キャプチャーデバイスであって、
前記照明装置によって生成された光の前記スペクトルパワーが、
（ａ）第１の発光素子と、
（ｂ）第２の発光素子およびコントローラーとから構成され、
前記第１の発光素子が、４４０ｎｍと５２０ｎｍとの間の第１の波長帯域、５２０ｎｍと６００ｎｍとの間の第２の波長帯域および６００ｎｍと６８０ｎｍとの間の第３の波長帯域を含む３つのそれぞれの波長帯域中の光を放射し、前記第１の波長帯域中の積分スペクトルパワーが前記第２の波長帯域に比べて高く、前記第２の波長帯域中の積分スペクトルパワーが前記第３の波長帯域に比べて高く、
前記第２の発光素子が、４４０ｎｍと５２０ｎｍとの間の第１の波長帯域、５２０ｎｍと６００ｎｍとの間の第２の波長帯域および６００ｎｍと６８０ｎｍとの間の第３の波長帯域を含む３つのそれぞれの波長帯域中の光を放射し、前記第３の波長帯域中の積分スペクトルパワーが前記第２の波長帯域の積分スペクトルパワーに比べて高く、前記第２の波長帯域中の前記積分スペクトルパワーが前記第１の波長中の前記積分スペクトルパワーに比べて高く、
前記コントローラーが、調整された前記第１の発光素子および前記第２の発光素子によって生成された光を合わせることによって形成された光の分光分布が、４０００Ｋと９５００Ｋとの間の相関色温度でＣＩＥ昼光分光分布と実質的に等しくなるように、前記第１の発光素子および前記第２の発光素子によって生成された光の前記積分スペクトルパワーを調整する画像キャプチャーデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月11日(2011.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
前記露光光の光路の周囲に配置された第１面と、
前記第１面の外縁に隣接して配置された第２面であり、前記第１面に対して傾斜した第１領域を含む前記第２面と、
前記露光光の光路に対して前記第２面の外側に配置された液体回収面と、を備え、
前記第１面の少なくとも一部、及び前記液体回収面の少なくとも一部と対向する位置に物体が配置されたときに、前記物体の表面と実質的に垂直な所定方向に関して、前記第２面と前記物体との間隔は、前記第１面と前記物体との間隔よりも大きく、且つ前記液体回収面の少なくとも一部と前記物体との間隔は、前記第１面と前記物体との間隔よりも大きい露光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月19日(2011.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中空の光リサイクリング空洞を形成するものであって、前方の反射体は出力照射エリアを提供するために部分的に透過性である、前方及び後方の反射体と、
鏡面反射特性及び散乱特性の所望のバランスを有する空洞を提供する構成要素であって、該構成要素は、入射角１５度において１５％を超えかつ入射角４５度において９５％未満である移動比率によって特徴付けられ、該前方又は後方の反射体は、該構成要素であることができるか若しくは該構成要素を含むことができ、又は該構成要素は該前方及び後方反射体とは異なることができる、構成要素と、
光リサイクリング空洞の中に限定された角度分布にわたって光を放射するために配置される１つ以上の光源部材と、を備え、
該前方の反射体が非偏光可視光に対して半球反射率Ｒｆｈｅｍｉを有し、該後方の反射体が非偏光可視光に対して半球反射率Ｒｂｈｅｍｉを有し、Ｒｆｈｅｍｉ＊Ｒｂｈｅｍｉが少なくとも０．７０である、バックライト。
【請求項２】
所与の入射角の光に対する前記構成要素の移動比率が（Ｆ−Ｂ）／（Ｆ＋Ｂ）と等しく、式中、Ｆは、該入射光が前記構成要素と相互作用するときに前方方向に散乱される光の量であり、Ｂは、該入射光が前記構成要素と相互作用するときに後方方向に散乱される光の量である、請求項１に記載のバックライト。
【請求項３】
前方の反射体は出力照射エリアを提供するために部分的に透過性である、前方及び後方の反射体を備える中空の光リサイクリング空洞であって、該空洞が、０．５を超えかつ０．９５未満の空洞移動値を含み、更に該前方の反射体が０．７を超えるＲｈｅｍｉを有する、空洞。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月11日(2011.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
閉じ込められた第２の層を第１の層上に形成する方法であって、
第１の表面エネルギーおよび第１のガラス転移温度を有する前記第１の層を形成するステップと；
前記第１の層上に、前記第１の層に直接接触するように中間材料を凝縮させて中間層を形成するステップであって、前記中間層が、前記第１の表面エネルギーよりも低い第２の表面エネルギーを有するステップと；
前記中間層をパターン化して、前記第１の層の非被覆領域および前記第１の層の被覆領域を形成するステップと；
閉じ込められた第２の層を前記第１の層の前記非被覆領域上に形成するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記凝縮ステップ中、前記第１の層が前記第１のガラス転移温度よりも低い温度に維持される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記反応性界面活性組成物がフッ素化材料である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記反応性界面活性組成物が架橋性フッ素化界面活性剤である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
仮支持体上のコーティングから前記中間材料を凝縮させる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
電極上に配置された第１の有機活性層および第２の有機活性層を含む有機電子デバイスの製造方法であって、
第１の表面エネルギーおよび第１のガラス転移温度を有する前記第１の有機活性層を前記電極上に形成するステップと；
前記第１の有機活性層上に、前記第１の有機活性層に直接接触するように中間材料を凝縮させて中間層を形成するステップであって、前記中間層が、前記第１の表面エネルギーよりも低い第２の表面エネルギーを有するステップと；
前記中間層をパターン化して、前記第１の有機活性層の非被覆領域および前記第１の有機活性層の被覆領域を形成するステップと；
閉じ込められた第２の有機活性層を、前記第１の有機活性層の前記非被覆領域の上に形成するステップと
を含む、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２７】
別々の実施形態の状況において、明確にするために本明細書に記載されている特定の複数の特徴は、１つの実施形態の中で組み合わせても提供できることを理解されたい。逆に、簡潔にするため１つの実施形態の状況において説明した種々の特徴も、別々に提供したり、あらゆる副次的な組み合わせで提供したりすることができる。さらに、ある範囲において記載される値への言及は、その範囲内にあるすべての値を含んでいる。
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
１．閉じ込められた第２の層を第１の層上に形成する方法であって、
第１の表面エネルギーおよび第１のガラス転移温度を有する前記第１の層を形成するステップと；
前記第１の層上に、前記第１の層に直接接触するように中間材料を凝縮させて中間層を形成するステップであって、前記中間層が、前記第１の表面エネルギーよりも低い第２の表面エネルギーを有するステップと；
前記中間層をパターン化して、前記第１の層の非被覆領域および前記第１の層の被覆領域を形成するステップと；
閉じ込められた第２の層を前記第１の層の前記非被覆領域上に形成するステップと
を含む、方法。
２．前記凝縮ステップ中、前記第１の層が前記第１のガラス転移温度よりも低い温度に維持される、前記１に記載の方法。
３．前記中間材料が反応性界面活性組成物を含む、前記１に記載の方法。
４．前記パターン化ステップが、前記反応性界面活性組成物に放射線を露光することを含む、前記３に記載の方法。
５．前記反応性界面活性組成物がフッ素化材料である、前記３に記載の方法。
６．前記反応性界面活性組成物が放射線硬化性材料である、前記３に記載の方法。
７．前記反応性界面活性組成物が架橋性フッ素化界面活性剤である、前記３に記載の方法。
８．前記反応性界面活性組成物の露光領域と未露光領域とを形成するために、前記放射線があるパターンで照射される、前記４に記載の方法。
９．前記反応性界面活性組成物の前記露光領域または未露光領域のいずれかを除去するステップをさらに含む、前記８に記載の方法。
１０．液体で処理することによって前記領域が除去される、前記９に記載の方法。
１１．加熱、真空の使用、およびそれらの組み合わせからなる群から選択されるステップによって前記領域が除去される、前記９に記載の方法。
１２．前記加熱が赤外レーザーによって行われる、前記１１に記載の方法。
１３．仮支持体上のコーティングから前記中間材料を凝縮させる、前記１に記載の方法。
１４．電極上に配置された第１の有機活性層および第２の有機活性層を含む有機電子デバイスの製造方法であって、
第１の表面エネルギーおよび第１のガラス転移温度を有する前記第１の有機活性層を前記電極上に形成するステップと；
前記第１の有機活性層上に、前記第１の有機活性層に直接接触するように中間材料を凝縮させて中間層を形成するステップであって、前記中間層が、前記第１の表面エネルギーよりも低い第２の表面エネルギーを有するステップと；
前記中間層をパターン化して、前記第１の有機活性層の非被覆領域および前記第１の有機活性層の被覆領域を形成するステップと；
閉じ込められた第２の有機活性層を、前記第１の有機活性層の前記非被覆領域の上に形成するステップと
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月18日(2011.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空洞深さＨ及び面積Ａｏｕｔの出力領域を有する中空の光再利用空洞を形成する前側及び後側反射板と、
前記光再利用空洞内に光を放射するように前記バックライトの周囲に近接して配置される１つ以上の光源と、を含む、エッジ点灯式バックライトであって、
前記光源は、平均的平面光源分離度ＳＥＰを有し、かつ合計すると活性発光面積Ａｅｍｉｔを有し、
第１パラメータが、Ａｅｍｉｔ／Ａｏｕｔに等しく、
第２パラメータが、ＳＥＰ／Ｈに等しく、
前記バックライトが、０．０００１〜０．１の範囲内にある前記第１パラメータ及び３〜１０の範囲内にある前記第２パラメータによって特徴付けられる、エッジ点灯式バックライト。
【請求項２】
空洞深さＨ及び面積Ａｏｕｔの出力領域を有する中空の光再利用空洞を形成する前側及び後側反射板と、
前記光再利用空洞内に光を放射するように前記光再利用空洞の周囲に近接して配置される１つ以上のＮ個の光源と、を含む、エッジ点灯式バックライトであって、
前記出力領域が、一般に矩形の形状であり、少なくとも７６２ｍｍ（３０インチ）の対角寸法を有する、エッジ点灯式バックライト。
【請求項３】
出力領域を有する中空の光再利用空洞を形成する前側及び後側反射板と、
前記光再利用空洞内に光を放射するように配置されるＮ個の光源と、を含むバックライトであって、
前記Ｎ個の光源が、互いに隣接するＭ個の光源の部分集合体を含み、Ｍ個が、少なくともＮ個の１０％、又は少なくとも２つ、又はその両方であり、
前記バックライトは、前記Ｎ個の光源すべてを活性化させ及び前記Ｍ個の光源すべてに関しては選択的にオフにさせたときの両条件下で、その出力領域において少なくとも５０％のＶＥＳＡの輝度均一値を呈する、バックライト。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月17日(2011.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出力面を有する中空の光リサイクリング・キャビティーを形成する前面反射体及び背面反射体と、
前記光リサイクリング・キャビティー内に光を放射するように配置された１つ以上の光源と、を含むバックライトであって、
前記前面反射体は、第１の平面内で偏光された可視光に関して少なくとも９０％の軸上の平均反射率と、前記第１の平面と垂直な第２の平面内で偏光された可視光に関して少なくとも２５％以上で９０％未満の軸上の平均反射率とを有する、バックライト。
【請求項２】
第１の平面内で偏光された可視光に関して少なくとも９０％の軸上の平均反射率と、前記第１の平面と垂直な第２の平面内で偏光された可視光に関して少なくとも２５％以上で９０％未満の軸上の平均反射率とを提供するように調整された構成と屈折率とを有する高分子の交互層を含む、非対称の反射フィルム。
【請求項３】
表示パネルと、
出力面を有する中空の光リサイクリング・キャビティーを形成する前面反射体及び背面反射体、並びに前記光リサイクリング・キャビティー内に光を放射するように配置された１つ以上の光源を含む、前記表示パネルに光を提供するように配置されたバックライトと、を含む表示システムであって、
前記前面反射体は、第１の平面内で偏光された可視光に関して少なくとも９０％の軸上の平均反射率と、前記第１の平面と垂直な第２の平面内で偏光された可視光に関して少なくとも２５％以上で９０％未満の軸上の平均反射率とを有する、表示システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月12日(2011.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出力照明領域を有する白色光バックライト、
前記出力照明領域内に光を放射するように配置された複数のカラー光源と、
前記複数のカラー光源に接続された駆動回路と、
を備え、
前記複数のカラー光源は、第１の数ｎ１個の第１のＬＥＤ光源と、第２の数ｎ２個の第２のＬＥＤ光源と、第３の数ｎ３個の第３のＬＥＤ光源とを有し、
前記第１のＬＥＤ光源、第２のＬＥＤ光源及び第３のＬＥＤ光源は、
（ｉ）白色でなく、そして互いに実質的に異なる、第１の色の光、第２の色の光及び
第３の色の光をそれぞれ放射し、そして、
（ｉｉ）第１の最大出力特性、第２の最大出力特性及び第３の最大出力特性に対応す
る、第１の最大駆動特性、第２の最大駆動特性及び第３の最大駆動特性をそれぞれ有
し、
前記回路は、
前記第１のＬＥＤ光源を、前記第１の最大駆動特性の１０％以内で駆動し、そして
前記第２のＬＥＤ光源を、前記第２の最大駆動特性の１０％以内で駆動し、そして
前記第３のＬＥＤ光源を、第３の最大駆動特性の１０％以内で駆動するように構成さ
れ、そして、
前記通電された、第１のＬＥＤ光源、第２のＬＥＤ光源及び第３のＬＥＤ光源からの光は、合成される場合に、実質的に白色であるように、ｎ１、ｎ２及びｎ３は選択される。
【請求項２】
前記回路が、前記第１の最大駆動特性の平均ｘ％で前記第１のＬＥＤ光源を駆動し、そして前記第２の最大駆動特性の平均ｙ％で前記第２のＬＥＤ光源を駆動し、そして前記第３の最大駆動特性の平均ｚ％で前記第３のＬＥＤ光源を駆動するように構成され、そしてｎ１×（１−ｘ％）＜１、かつｎ２×（１−ｙ％）＜１、かつｎ３×（１−ｚ％）＜１である、請求項１に記載のバックライト。
【請求項３】
出力照明領域を有する白色光バックライト、
前記出力照明領域内に光を放射するように配置された複数のカラー光源と、
前記複数のカラー光源は、第１の数ｎ１個の第１のＬＥＤ光源と、第２の数ｎ２個の
第２のＬＥＤ光源と、そして第３の数ｎ３個の第３のＬＥＤ光源とを有し、
前記第１のＬＥＤ光源、第２のＬＥＤ光源及び第３のＬＥＤ光源は、
（ｉ）白色でなく、そして互いに実質的に異なる、第１の色の光、第２の色の光及
び第３の色の光をそれぞれ放射し、そして、
（ｉｉ）第１の最大出力特性、第２の最大出力特性及び第３の最大出力特性に対応
する、第１の最大駆動特性、第２の最大駆動特性及び第３の最大駆動特性をそれぞ
れ有する、
前記出力照明領域内に光を放射する数ｎ４個の白色ＬＥＤ光源と、
前記複数のカラー光源と前記白色ＬＥＤ光源とに接続された駆動回路と、
を備え、
前記出力照明領域の色域を、所望の色域の１０％以内に維持しながら、前記出力照明領域の発光効率を高めるように、前記数ｎ４は選択されている。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月9日(2011.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池へと加工されるウェハ上に第１の誘電層を形成し、
前記第１の誘電層上に複数の第２の誘電層を形成し、
前記複数の第２の誘電層間の少なくとも開口に、複数のドットをインクジェット印刷し、前記複数のドットの交差部によって形成された複数のギャップを形成し、該ギャップの間隔が、前記複数のドットを供給するインクジェットプリンタノズルの整合によって決定される、太陽電池の製造方法。
【請求項２】
前記複数の第２の誘電層が、前記ウェハ上にスクリーン印刷されたポリイミドを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数のドットをマスクとして使用して、前記第１の誘電層を貫通するコンタクト領域を形成し、
前記ウェハから前記複数のドットを除去し、
前記第１の誘電層に金属コンタクトフィンガーを形成し、前記コンタクト領域を通して、前記第１の誘電層の下に設けられている拡散領域との電気的な接続を形成する
ことをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
少なくともいくつかの金属コンタクトフィンガーが、少なくともいくつかのコンタクト領域を通って、対応するＮ型拡散領域との電気的な接続を生成するために形成されたＮ型金属コンタクトフィンガーと、少なくともいくつかのコンタクト領域を通って、対応するＰ型拡散領域との電気的な接続を生成するために形成されたＰ型金属コンタクトフィンガーとを含み、
前記Ｐ型及びＮ型拡散領域が、前記ウェハの、通常の運転時に太陽の方を向くウェハの前面とは反対側の背面に形成されている、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記複数の第２の誘電層上に、前記Ｎ型金属コンタクトフィンガーが形成され、前記Ｐ型金属コンタクトフィンガーが形成されていない、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記複数のドットが、ノズルを有するプリントヘッドの、前記ウェハ上での一方向での１回のパスで印刷される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
少なくとも別のパスで、ウェハ上でプリントヘッドを通過させ、複数のギャップのうち１つのギャップを覆う別のドットを印刷することをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
太陽電池ウェハ上に第１の誘電層を形成し、
前記第１の誘電層上に複数の第２の誘電層を形成し、
前記複数の第２の誘電層のうちの少なくとも２つの第２の誘電層の間の開口に、複数のドットを印刷し、前記複数のドットが、複数のギャップを形成するコンタクトマスクを形成し、前記複数のギャップのそれぞれが、前記複数のドットにおいて重ねられたドットの交差部によって画定され、
前記第１の誘電層の、前記複数のギャップを通って露出している部分をエッチングし、複数のコンタクト領域を形成して、太陽電池の複数の拡散領域を露出させる
ことを含む、太陽電池の製造方法。
【請求項９】
前記複数のドットを前記ウェハから除去し、
前記複数のコンタクト領域内に金属コンタクトフィンガーを形成し、複数の拡散領域のうち対応するものに電気的に接続すること
をさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の誘電層が二酸化シリコンを含む、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月24日(2011.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
除害システムに関する情報をインターフェースで受け取り、
情報に応答して処理ツール及び除害ツールを停止させることを含む電子デバイス製造システムの運転方法。
【請求項２】
情報が、燃料フローに関係する請求項１記載の方法。
【請求項３】
情報が、試薬フローに関係する請求項１記載の方法。
【請求項４】
情報が、冷却剤フローに関係する請求項１記載の方法。
【請求項５】
情報が、危険又は容認し難いほど効果的でない除害状態に関係する請求項１記載の方法。
【請求項６】
情報が、除害ツールの温度に関係する請求項１記載の方法。
【請求項７】
情報が、除害ツールの圧力に関係する請求項１記載の方法。
【請求項８】
電子デバイス処理ツールに関する情報をインターフェースで受け取り、
情報に応答して除害ツールを待機モードにおくことを含む電子デバイス製造システムの運転方法。
【請求項９】
情報が、電子デバイス処理ツールが流出物を発生しているか否かに更に関係する請求項８記載の方法。
【請求項１０】
インターフェースが、流出物フロー又は流出物組成を測定するように構成されたセンサから情報を受け取る請求項８記載の方法。
【請求項１１】
情報が、電子デバイス処理ツールの運転スケジュールを含む請求項８記載の方法。
【請求項１２】
電子デバイス製造処理ツールと、
電子デバイス製造処理ツールからの流出物を除害するように構成された除害ツールと、
除害資源を除害ツールに供給するように構成された除害資源供給源と、
除害ツールへの除害資源のフロー及び除害ツールの動作パラメータの少なくとも１つを測定するように構成されたセンサと、
除害資源の流量を含む情報を流量センサから受け取るように構成されたインターフェースとを備える電子デバイス製造システム。
【請求項１３】
警告装置を更に備える請求項１２記載の電子デバイス製造システム。
【請求項１４】
電子デバイス製造処理ツールが、インターフェースによって停止されるように構成されている請求項１２記載の電子デバイス製造システム。
【請求項１５】
センサが、除害ツール内の温度、圧力、火炎の存在及び電力の少なくとも１つを測定するように構成されている請求項１２記載の電子デバイス製造システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月6日(2011.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の波長（λ１）の放射を発生させる半導体基体（１）と、
前記第１の波長（λ１）の放射から第２の波長（λ２）の放射を発生させるルミネセンス変換素子（５）と、
角度フィルタ素子（４）とが設けられており、
該角度フィルタ素子（４）は、主放射方向（Ｈ）に対して予め設定されている角度範囲で前記角度フィルタ素子（４）に当射する放射を前記半導体基体（１）方向に少なくとも一部、反射して戻し、
前記第１の波長の放射強度は、予め設定されている角度範囲で弱められ、当該の予め設定されている角度範囲外で増大されており、
前記第１の波長の放射成分及び第２の波長の放射成分を含む、ルミネセンスダイオードチップから送出される混色の全放射は、−９０°から９０°までの角度範囲で角度に依存しない均一な色度分布を有している、
ことを特徴とするルミネセンスダイオードチップ（１１）。
【請求項２】
前記角度フィルタ素子（４）は、前記ルミネセンスダイオードチップ（１１）から送出される全放射が角度に依存しない均一な色度分布を有するように、前記第１の波長（λ１）の放射の少なくとも一部を反射して戻す、請求項１記載のルミネセンスダイオードチップ（１１）。
【請求項３】
前記角度フィルタ素子（４）は、前記第１の波長（λ１）の放射を前記半導体基体（１）方向に反射して戻す、請求項１または２記載のルミネセンスダイオードチップ（１１）。
【請求項４】
前記角度フィルタ素子（４）は前記半導体基体（１）上に配置されており、前記ルミネセンス変換素子（５）は前記主放射方向（Ｈ）で前記角度フィルタ素子（４）に後置されている、請求項１から３のいずれか１項記載のルミネセンスダイオードチップ（１１）。
【請求項５】
前記角度フィルタ素子（４）は、前記第２の波長（λ２）の放射を前記ルミネセンスダイオードチップ（１１）の出射面方向に反射させる、請求項１から４のいずれか１項記載のルミネセンスダイオードチップ（１１）。
【請求項６】
前記ルミネセンス変換素子（５）は、前記角度フィルタ素子（４）上に取り付けられているルミネセンス変換層である、請求項４または５記載のルミネセンスダイオードチップ（１１）。
【請求項７】
前記ルミネセンス変換素子（５）はルミネセンス変換材料が含まれている注型材料であり、該注型材料には前記角度フィルタ素子（４）および前記半導体基体（１）が埋め込まれている、請求項６記載のルミネセンスダイオードチップ（１１）。
【請求項８】
前記ルミネセンス変換素子（５）は前記半導体基体（１）上に配置されており、前記角度フィルタ素子（４）は前記主放射方向（Ｈ）で前記ルミネセンス変換素子（５）に後置されている、請求項１から３のいずれか１項記載のルミネセンスダイオードチップ（１１）。
【請求項９】
前記ルミネセンス変換素子（５）は、前記半導体基体（１）上に取り付けられているルミネセンス変換層である、請求項８記載のルミネセンスダイオードチップ（１１）。
【請求項１０】
前記角度フィルタ素子（４）は誘電体フィルタである、請求項１から９のいずれか１項記載のルミネセンスダイオードチップ（１１）。
【請求項１１】
前記角度フィルタ素子（４）には、屈折率が異なる少なくとも２つの層から成る積層体が含まれている、請求項１から１０のいずれか１項記載のルミネセンスダイオードチップ（１１）。
【請求項１２】
第１の層（４０ｂ）には酸化ケイ素が含まれており、第２の層（４０ａ）には窒化ケイ素が含まれている、請求項１１記載のルミネセンスダイオードチップ（１１）。
【請求項１３】
前記角度フィルタ素子（４）はブラッグミラーである、請求項１０から１２のいずれか１項記載のルミネセンスダイオードチップ（１１）。
【請求項１４】
前記角度フィルタ素子（４）には構造要素が設けられている、請求項１から１０のいずれか１項記載のルミネセンスダイオードチップ（１１）。
【請求項１５】
前記構造要素は、円錐状、角錐状、角柱状にまたは逆複合放物面集光器ＣＰＣ（Inverse Compound Parabolic Concentrator）同様に構成されている、請求項１４記載のルミネセンスダイオードチップ（１１）。
【請求項１６】
前記半導体基体（１）方向に反射して戻されている放射の波長は、前記角度フィルタ素子（４）の阻止帯域の長波側縁にある、請求項１から１５のいずれか１項記載のルミネセンスダイオードチップ（１１）。
【請求項１７】
前記半導体基体（１）方向に反射して戻されている放射の波長は、前記角度フィルタ素子（４）の阻止帯域内にある、請求項１から１５のいずれか１項記載のルミネセンスダイオードチップ（１１）。
【請求項１８】
前記半導体基体（１）は薄膜半導体基体である、請求項１から１７のいずれか１項記載のルミネセンスダイオードチップ（１１）。
【請求項１９】
前記半導体基体（１）において、前記角度フィルタ素子（４）とは反対側の面上に反射層が配置されている、請求項１から１８のいずれか１項記載のルミネセンスダイオードチップ（１１）。
【請求項２０】
請求項１から１９のいずれか１項記載のルミネセンスダイオードチップ（１１）が設けられているルミネセンスダイオードコンポーネントにおいて、
前記ルミネセンスダイオードチップ（１１）がケーシング内に配置されていることを特徴とする、ルミネセンスダイオードコンポーネント。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月19日(2011.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気導体を接続するための電気接続端子（１）であって、
該電気接続端子（１）は締付ばね（２）と金属部分（３）とを備えており、
前記締付ばね（１）は締付脚片（４）と当接脚片（５）とを有し、
該当接脚片（５）には、接続すべき電気導体（１）を差し込むための切欠部（７）が形成されており、
前記締付ばね（２）の締付脚片（４）と当接脚片（５）は、前記締付脚片（４）の端部（８）が前記切欠部（７）を通り抜けて伸長するように折り曲げられており、
前記締付脚片（４）の端部（８）とは離れている前記切欠部（７）の端部において、保持部分（９）が、前記当接脚片（５）から孔が空くように打ち抜かれており、かつ接続すべき電気導体（１）の差込方向に折り曲げられており、
前記金属部分（３）は、コンタクト脚片（１０）と、該コンタクト脚片に対向する保持脚片（１１）と、該保持脚片（１１）と前記コンタクト脚片（１０）とを接続するウェブ（１２）とを有し、
前記締付ばね（２）の締付脚片（４）の端部（８）と、前記金属部分（３）のコンタクト脚片（１０）は、接続すべき電気導体（１）のための弾性締付接続を形成し、
前記コンタクト脚片（１０）および前記保持脚片（１１）の端部はそれぞれ固定部分（１３，１４）を有し、
前記コンタクト脚片（１０）の固定部分（１３）は、接続すべき電気導体（１）の差込方向に対向して、前記切欠部（７）を通って伸長している
形式の電気接続端子において、
前記保持脚片（１１）の固定部分（１４）は、前記当接脚片（５）の保持部分（９）の、前記切欠部（７）に背を向いた外側に当接する、
ことを特徴とする電気接続端子。
【請求項２】
前記締付ばね（２）と前記金属部分（３）とが組み立てられた状態にて、前記保持脚片（１１）の固定部分（１４）に形成された係止突出部（１５）が、前記保持部分（９）に形成された開口部（１６）に外側から噛み合っている、
ことを特徴とする請求項１記載の電気接続端子。
【請求項３】
前記保持脚片（１１）の端部に、少なくとも１つのストッパー（１８）が形成されており、
前記締付ばね（２）と前記金属部分（３）とが組み立てられた状態にて、前記ストッパー（１８）に前記締付ばね（２）の当接脚片（５）が当接している、
ことを特徴とする請求項１または２記載の電気接続端子。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月1日(2011.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１次巻線および２次巻線を含む変圧器と、
前記変圧器をその中に収容するのに必要な大きさであって、その中に形成された高圧電線収容部を有する担体とを備えるランプ変圧器組立体。
【請求項２】
前記変圧器が、ボビンのない棒状コアを含む請求項１記載の変圧器組立体。
【請求項３】
前記棒状コアのまわりに前記２次巻線が巻き付けられ、前記２次巻線のまわりに前記１次巻線が巻き付けられる請求項２記載の変圧器組立体。
【請求項４】
前記棒状コアのまわりに前記２次巻線が巻き付けられ、前記２次巻線のまわりに前記１次巻線が巻き付けられる請求項１記載の変圧器組立体。
【請求項５】
前記巻線の間に配設された誘電材料の層をさらに備える請求項４記載の変圧器組立体。
【請求項６】
前記１次巻線が、厚さより実質的に大きな幅を有する薄い細長片を含む請求項１乃至５のいずれか１項記載の変圧器組立体。
【請求項７】
前記担体が、第２の壁の内側面に対向する面を有する第１の壁を含み、各内側面が、前記変圧器のそれぞれの終端を収容するのに必要な大きさの凹部を含む請求項１乃至６のいずれか１項記載の変圧器組立体。
【請求項８】
前記高圧電線収容部が、関係する高圧電線の外周を収容するのに必要な大きさの、最上部が開いたチャネルを含む請求項７記載の変圧器。
【請求項９】
前記変圧器が棒状コアを含み、前記棒状コアの両端が前記内側面の前記それぞれの凹部に収容される請求項７乃至８のいずれか１項記載の変圧器組立体。
【請求項１０】
光源と、
前記光源に選択的に電力を供給するために前記光源に動作可能に対応付けられた点火器モジュールとを備え、前記点火器モジュールが、
２次巻線および１次巻線が巻き付けられた棒状コアを有する変圧器であって、前記１次巻線が、厚さより実質的に大きな幅を有する細長片材料である変圧器を含む前照灯組立体。
【請求項１１】
前記点火器モジュールが、前記変圧器を収容する受け台をさらに含み、前記受け台が、その内部に形成された高圧電線収容部を有する請求項１０記載の前照灯組立体。
【請求項１２】
前記高圧電線収容部が、高圧電線を収容して絶縁するのに必要な大きさのチャネルを含む請求項１１記載の前照灯組立体。
【請求項１３】
前記チャネルが、前記光源の下の中央位置の方へ伸び、それによって、前記高圧電線が、前記変圧器からランプリードに進むとき前記チャネル内で絶縁される請求項１２記載の前照灯組立体。
【請求項１４】
前記１次巻線および２次巻線に絶縁ラップがはさみ込まれる請求項１０乃至１３のいずれか１項記載の前照灯組立体。
【請求項１５】
空洞を形成する互いに垂直な５つの面を有する担体を設けるステップと、
前記担体の空洞に変圧器を挿入するステップと、
解放された６番目の面を通してポッティング材で前記空洞を充填するステップとを含む、前照灯用変圧器の組立て方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月25日(2011.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリアレイのメモリセルの状態を感知するためのビット線デコーダであって、
ビット線と選択的に通信し、複数のレベルを有するマルチレベル構成で配設される、制御デバイスであって、各レベルが、他の前記レベルとは異なる数の前記制御デバイスを有する、制御デバイスと、
前記メモリセルの状態を判断する時に、前記ビット線から、前記メモリアレイ内に位置付けられるメモリセルに関連する、第１のビット線および第２のビット線を選択し、前記各レベルにおいて前記制御デバイスのうちの１個以上を選択解除する、第１の制御信号を生成する、制御モジュールと
を備え、
前記各レベルにおいて前記１個以上の制御デバイスが選択解除された時に、前記第１のビット線を含む第１群の前記ビット線が、第１の電位に荷電され、前記第２のビット線を含む第２群の前記ビット線が、第２の電位に荷電される、
ビット線デコーダ。
【請求項２】
前記第１の電位を前記第１群の前記ビット線に印加し、前記第２の電位を前記第２群の前記ビット線に印加し、前記メモリセルを通じて流れる電流を感知し、前記電流に基づいて、前記メモリセルの前記状態を判定する、感知回路をさらに備える、請求項１に記載のビット線デコーダ。
【請求項３】
前記レベルのうちの１番目に関連する前記制御デバイスの第１の数は、前記レベルのうちの２番目に関連する前記制御デバイスの第２の数よりも大きい、請求項２に記載のビット線デコーダ。
【請求項４】
前記レベルのうちの前記１番目は、前記レベルのうちの前記２番目よりも、前記感知回路から遠くに位置付けられる、請求項３に記載のビット線デコーダ。
【請求項５】
前記レベルのうちの１番目が前記レベルのうちの２番目に隣接している時、前記レベルのうちの前記１番目に関連する前記制御デバイスの第１の数は、前記レベルのうちの前記２番目に関連する前記制御デバイスの第２の数の２倍である、請求項２に記載のビット線デコーダ。
【請求項６】
前記第１の制御信号は、前記各レベルに関連する前記制御デバイスのうちの半数を選択解除する、請求項１に記載のビット線デコーダ。
【請求項７】
前記レベルのうちの第１のレベルと第２のレベルとの間に配置される、分離回路をさらに備える、請求項１に記載のビット線デコーダ。
【請求項８】
前記制御モジュールは、前記分離回路を制御する第２の制御信号を生成し、前記分離回路は、前記第２の制御信号に基づいて、前記第２のレベルに関連する前記制御デバイスから、前記第１のレベルに関連する前記制御デバイスを分離する、請求項７に記載のビット線デコーダ。
【請求項９】
請求項１に記載のビット線デコーダを備え、前記メモリアレイをさらに備える、集積回路（ＩＣ）。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年4月14日(2011.4.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
本発明による製法においては、触媒は、ハロアルカンとオレフィンとの反応に触媒作用を及ぼすことが知られている金属誘導体から選択しうる。銅塩及び有機銅化合物が触媒として特に好ましい。そのような触媒は、例えば、この点に関してその内容が参考として導入されている特許願第WO-A-98/50329号及び同第WO-A-98/50330号に記載されている。塩化銅(I)、無水物または二水和物の形の塩化銅(II)、または銅(II)アセチルアセトナートの場合に良好な結果が得られる。無水塩化銅(II)が特に好ましい。
本発明による製法においては、反応は、例えばアミン及びトリアルキルホスフィンオキシドからなる群から選択された助触媒の存在下で実施される。アミンが好ましくは助触媒として使用される。好ましくはイソプロピルアミン、t-ブチルアミン及びRohm & Haas Companyから市販されている第三アルキルアミンPrimene(登録商標) 81-R及びJM-Tが使用される。t-ブチルアミン及びアミンPrimene(登録商標) 81-R及びPrimene(登録商標) JM-T が最も特に好ましい。アミンPrimene(登録商標) 81-Rは、１２乃至１４個の炭素原子を含むtert-アルキル一級アミンの混合物である。アミンPrimene(登録商標) JM-Tは、１８乃至２２個の炭素原子を含むtert-アルキル一級アミンの混合物である。