【事件の表示】
　特願２０００−　７７０５４「液晶表示装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１１月　２日出願公開、特開２０００−３０５１１４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成１２年３月１７日の出願（パリ条約による優先権主張１９９９年（平成１１年）３月１７日）であって、平成２０年２月５日付け及び同年６月５日付けで手続補正がなされたが、同年７月３日付けで同年６月５日付け手続補正が却下されるとともに同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月３日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年１１月４日付けで手続補正がなされたものであるが、その後当審において、平成２２年２月２６日付けで拒絶理由が通知され、これに応答して同年６月１日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２２年６月１日付け手続補正後の特許請求の範囲請求項１ないし６に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
「　第１透明基板上に形成されたゲートラインと、前記ゲートラインと絶縁されて交差するように配列されたデータラインと、前記ゲートライン及びデータラインが交差する部分に形成され、前記ゲートラインから分枝して突出したゲート電極と、前記データラインに連結されたソース電極と、前記ソース電極から離隔して対向するように形成されたドレイン電極をもつ薄膜トランジスタＴＦＴと、前記薄膜トランジスタＴＦＴを覆い、前記ドレイン電極の一部を露出させるためのコンタクトホールが形成された保護膜と、前記保護膜上に形成され、コンタクトホールを介してドレイン電極に連結されるとともに前記データラインと一部重なるように形成された画素電極とを含む薄膜トランジスタアレイ基板と、
　第２透明基板上にブラックマトリックス、カラーフィルタ及び共通電極を含むカラーフィルタ基板と、
　前記薄膜トランジスタアレイ基板と前記カラーフィルタ基板との間に注入されてシーリングされた液晶と、
　前記データラインの下部に、配向膜のラビング方向に応じて決定されるデータラインの一方の側にある光漏れ領域に形成された遮光膜とを含む液晶表示装置であって、
　前記決定されたデータラインの一方の側の前記画素電極及びデータラインは、互いにオーバーラップし、そのオーバーラップ幅は１．５μｍ以上であり、
　前記遮光膜は、前記決定されたデータラインの一方の側の前記データラインの一部と非対称的にオーバーラップし、そのオーバーラップ幅は２〜４μｍであり、
　前記遮光膜は、前記決定されたデータラインの一方の側の前記画素電極の一部ともオーバーラップし、そのオーバーラップ幅は２〜４μｍであり、そして、
　前記遮光膜とデータラインのオーバーラップ幅の大きさは、前記遮光膜と画素電極のオーバーラップ幅の大きさと同一でないことを特徴とする液晶表示装置。」
　
３．引用例
（１）当審において、平成２２年２月２６日付けで通知した拒絶の理由に引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平６-２７３８０２号公報（以下「引用例１」という。）には下記ア及びイの記載がある。
ア「【００１６】
【発明が解決しようとする課題】このように、上記従来のアクティブマトリクス液晶表示装置においては、非選択時に、信号線と画素電極との間、または走査線と画素電極との間の横方向電界によって、リバースチルト領域が発生してコントラストが低下するという問題点があり、その解決策としての上記従来のプレチルト角を大きくする方法があるが、コントラスト改善にある程度の効果はあるものの、十分な効果は得られず、また、リバースチルト領域がＴＦＴ部分に重なる部分で発生するようにラビング方向を選択する方法では、ＴＦＴのドレイン電極のある部分でしかリバースチルト領域の発生を防止することができないという問題点があった。
【００１７】更に、従来の別の解決策であるリバースチルト領域を目立たなくする方法としての画素電極端部を切り欠く方法や、画素電極の端を信号線の変形に対応させて拡張し、この拡張部分にリバースチルト領域を発生させ、ブラックマトリクスで覆う方法では、コントラストは改善されるものの、開口率が減少するため素子の明るさが低下するという問題点があった。
【００１８】本発明は上記実情に鑑みて為されたもので、素子の開口率を減少させること無く、リバースチルト領域によるコントラストの低下を防止することのできるアクティブマトリクス液晶表示装置を提供することを目的とする。」
　
イ「【００２３】
【実施例】本発明の一実施例について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施例に係るアクティブマトリクス液晶表示装置のＴＦＴ基板側の平面説明図であり、図２は、図１のＡ−Ａ′部分の断面説明図であり、図３は、図１のＢ−Ｂ′部分の模式断面説明図である。尚、図８及び図９と同様の構成をとる部分については、同一の符号を用いて説明する。
【００２４】本実施例のアクティブマトリクス液晶表示装置は、図３に示すように、各画素の透過／不透過のオン／オフを行う薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及び信号線、走査線を具備する下側のＴＦＴ基板１と、ブラックマトリクス及び共通電極である対向電極を具備する上側の対向基板２と、両基板の間に挾まれて充填された液晶３とから構成されている。
【００２５】更に、具体的に本実施例のアクティブマトリクス液晶表示装置の各部について説明する。ＴＦＴ基板１のガラス基板１′の上面には、信号線４と走査線５とが絶縁層１５′を介してマトリクス状に形成され、信号線４と走査線５との各交点には駆動素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）６と、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）等から成る透明導電体の画素電極７が形成されており、各ＴＦＴ６のゲート電極８は行毎に共通の走査線５に接続され、ソース電極９は列毎に共通の信号線４に接続され、ドレイン電極１０は各画素の画素電極７に接続されている。更に、上面全体を覆うように配向膜１３が形成され、図１において、右下から左上に向かってラビング処理が施されている。
【００２６】対向基板２のガラス基板２′の下面には、ＴＦＴ基板１に形成されたＴＦＴ６及び信号線４、走査線５の配線部分を覆うためのブラックマトリクス１１又はカラーフィルタ（図示せず）が形成され、その下側に対向電極１２が形成され、更に下面全体を覆うように配向膜１３′が設けられ、図１の右上から左下に向かってラビング処理が為されている。
【００２７】また、ＴＦＴ基板１における各画素のＴＦＴ６は、図１及び図２に示すように、ＴＦＴ基板１のガラス基板１′上に、クロム（Ｃｒ）等の金属から成る走査線５及び走査線５と一体成型されたゲート電極８と、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）から成るゲート絶縁層１５と、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等から成る半導体活性層１４と、窒化ケイ素（ＳｉＮx ）から成る上部絶縁層１６と、不純物が添加された半導体膜から成るソース電極９及びドレイン電極１０とが順次積層された逆スタガ型の構造となっている。
【００２８】そして、ポリイミド等の層間絶縁層１７を介してソース電極９に接続するアルミニウム（Ａｌ）から成る信号線４が形成され、更にポリイミド等の層間絶縁層１８が積層され、この層間絶縁層１８に設けられた開口部を介してドレイン電極１０に接続する酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）等から成る画素電極７が形成され、この上に配向膜１３が積層された構成となっている。
【００２９】また、本実施例では駆動素子をＴＦＴ（薄膜トランジスタ）としているが、ＴＦＴに限らず、ダイオード、ＭＩＭ、バリスタ等を用いても良い。
【００３０】そして、本実施例の特徴部分である画素電極７の形状は、画素電極７を囲む２本の信号線４と２本の走査線５とで形成される四辺形の４辺の内、隣り合う２辺の信号線４及び走査線５の上部を覆うように形成されている。ここで、本実施例においては、画素電極７で覆われる隣り合う２辺は、ラビング開始方向の画素隅を交点とする２辺としている。すなわち、図１に示すように、画素電極７は、画素の右側に隣接する信号線４ａと、画素の下側に隣接する走査線５ａの上部に重なるように形成され、特に、ＴＦＴ部分を除いて信号線４ａと走査線５ａの線幅を横切って線幅を覆い、ラビング開始方向である画素の右下部分に画素電極７を拡張して形成している。
【００３１】特に、本実施例では、ＴＦＴ６部分を除く信号線４ａ及び走査線５ａの線幅が画素電極７によって完全に覆われるように、画素電極７の右端は、図１において信号線４ａよりも右になるように、また、画素電極７の下端は、図１において走査線５ａよりも下になるように形成されている。
【００３２】また、ＴＦＴ６の近傍においては、画素電極７の右端を信号線４ａの上部中央まで拡張して形成し、下端を走査線５ａの上部中央まで拡張して形成している。これは、ＴＦＴ６部分が段差を有するために、隣接する画素電極７同士が短絡するのを防ぐためである。同様に、信号線４ａと走査線５ａとの交差部分も段差が大きくなるので、隣接する画素電極７同士が短絡するのを防ぐため、図１に示すような微小な切り欠きを設けている。この切り欠き部分は小さいので、開口率への影響は小さい。
【００３３】ここで、本実施例のアクティブマトリクス液晶表示装置の電界と液晶の配向について図３の模式断面説明図を用いて説明する。コントラストを低下させるリバースチルト領域は、信号線４又は走査線５と画素電極７との間の横方向電界によって生じ、特に、画素のラビング開始方向に相当する隅に発生することが知られている。
【００３４】本実施例では、画素電極７をラビング開始方向の隅を共有する信号線４ａと走査線５ａの上部にまで拡張し、更に、信号線４ａ及び走査線５ａの線幅を覆うように形成しているため、信号線４ａ又は走査線５ａと画素電極７との電位差で生ずる電気力線は、信号線４ａ又は走査線５ａの上面より発し、画素電極７の下面に垂直終端にするので、液晶３内に横方向の電界を発生させることなく、これにより、リバースチルト領域の発生を防ぐことができ、開口率を低下させること無く、コントラストを向上させることができる。
・・・　
【００４４】次に、本実施例に係る別の実施例について図６、図７を参照しながら説明する。図６は、別の実施例のアクティブマトリクス液晶表示装置の平面説明図であり、図７は図６のＣ−Ｃ′部分の模式断面説明図である。尚、図１及び図３と同様の構成をとる部分については同一の符号を付して説明する。
【００４５】別の実施例のアクティブマトリクス液晶表示装置は、第１の実施例のアクティブマトリクス液晶表示装置とほぼ同様の構成で、画素電極７が、ラビング開始方向の画素隅を交点とする信号線４ａと走査線５ａの配線の上部中央にまで拡張して形成されている。具体的には、画素電極７の右端のパターンエッジが信号線４ａの上部中央まで形成され、画素電極７の下端のパターンエッジが走査線５ａの上部中央まで形成されたアクティブマトリクス液晶表示装置である。
【００４６】画素電極７を囲む４辺を成す信号線４と走査線５のうち、少なくともリバースチルト領域が発生するラビング開始方向の隅（ここでは右下）を交点とする２辺、すなわち、信号線４ａ及び走査線５ａの配線の上部に画素電極７のエッジを重ねて形成するようにしている。更に図６に示すように、３辺又は４辺全部の上にエッジを重ねることも可能である。信号線４又は走査線５と画素電極７との重なり幅は５μｍ以上としており、１０μｍ以上であればより望ましい。
【００４７】別の実施例における電界と液晶の配向について図７を用いて説明する。別の実施例では、少なくとも、図６中で画素電極７の右端のエッジを信号線４ａの上部に、画素電極７の下端のエッジを走査線５ａの上部に形成しているので、図７に示すように、画素電極７と信号線４ａ又は走査線５ａとの間に横方向電界が発生し、それによって液晶の配向が逆転するリバースチルト領域も発生する。しかし、発生したリバースチルト領域の大部分は、信号線４ａ又は走査線５ａの上部に相当するので、対向基板２に設けられたブラックマトリクス１１により遮蔽され、表示画面のコントラストの低下を極めて小さく抑えることができるものである。
【００４８】また、画素電極７を囲む４辺の配線部全てに画素電極７のパターンエッジを重ねて形成した場合は、液晶パネル背面に配置されたバックライトの光が漏れ出る隙間がほとんど無くなるため、対向基板のブラックマトリクスの形成箇所を、リバースチルト領域が発生するラビング開始方向の画素隅のみに限定することができる。
【００４９】別の実施例のアクティブマトリクス液晶表示装置よれば、画素電極７を囲む信号線４と走査線５の内、少なくとも、ラビング開始方向の画素隅を交点とする信号線４ａと走査線５ａの上部中央にまで画素電極７のパターンエッジを重ねて形成しているので、信号線４又は走査線５と画素電極７との間の横方向電界により生じるリバースチルト領域は、その大部分が信号線４ａ又は走査線５ａの上部となり、対向基板２に設けられたブラックマトリクス１１によって遮蔽されることになり、開口率を損なうこと無くコントラストへの悪影響を小さくすることができる効果がある。」
　
　上記ア及びイから引用例１には、下記の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。 
　
「　薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及び信号線、走査線を具備する下側のＴＦＴ基板１と、ブラックマトリクス及び共通電極である対向電極を具備する上側の対向基板２と、両基板の間に挾まれて充填された液晶３とから構成されるアクティブマトリクス液晶表示装置であって、 
　下側のＴＦＴ基板１は、各画素のＴＦＴ６が、ガラス基板１′上に、クロム（Ｃｒ）等の金属から成る走査線５と一体成型されたゲート電極８と、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）から成るゲート絶縁層１５と、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等から成る半導体活性層１４と、窒化ケイ素（ＳｉＮx ）から成る上部絶縁層１６と、不純物が添加された半導体膜から成るソース電極９及びドレイン電極１０とが順次積層された逆スタガ型の構造となっており、そして、ポリイミド等の層間絶縁層１７を介してソース電極９に接続するアルミニウム（Ａｌ）から成る信号線４が形成され、更にポリイミド等の層間絶縁層１８が積層され、この層間絶縁層１８に設けられた開口部を介してドレイン電極１０に接続する酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）等から成る画素電極７が形成され、この上に配向膜１３が積層された構成となっており、　対向基板２のガラス基板２′の下面には、ＴＦＴ基板１に形成されたＴＦＴ６及び信号線４、走査線５の配線部分を覆うためのブラックマトリクス１１又はカラーフィルタが形成され、その下側に対向電極１２が形成され、更に下面全体を覆うように配向膜１３′が設けられ、 
　画素電極７を囲む４辺を成す信号線４と走査線５のうち、少なくともリバースチルト領域が発生するラビング開始方向の隅を交点とする２辺、すなわち、信号線４ａ及び走査線５ａの配線の上部に画素電極７のエッジを重ねて形成するようにし、発生したリバースチルト領域の大部分は、信号線４ａ又は走査線５ａの上部に相当するので、対向基板２に設けられたブラックマトリクス１１により遮蔽され、開口率を損なうこと無くコントラストへの悪影響を小さくすることができるアクティブマトリクス液晶表示装置。」 
　
（２）同じく特開平８−１２２８１５号公報（以下「引用例２」という。）には下記アないしウの記載がある。
　
ア「【０００７】ところで、ツイストネマティック液晶を用いて液晶に電圧を印加したときに黒を表示する、いわゆるノーマリホワイトモードの表示モードの場合には、透明表示電極５に電圧が供給されているとき、すなわち黒を表示している状態のときに、透明表示電極５と行配線２との間、又は透明表示電極５と列配線３との間に電界が発生し、その部分だけ液晶の配向方向が他と異なってしまう。その結果、その境界部分において配向が乱れ（ディスクリネーション）、境界線のところで黒表示の中に光が洩れ、コントラスト比を低下させてしまう。このディスクリネーションは、通常、行配線２又は列配線３に沿って透明表示電極５の端から３μｍ程度内側の透明表示電極５の上に発生するため、これによる光洩れを遮光するためにはブラックストライプ８の幅を前記した幅よりもマージンとしてさらに３μｍ広くする必要がある。尚、ディスクリネーションの発生する位置は、液晶配向処理の方向と関係があり、行配線２、列配線３の各片側に沿った位置のみに発生する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このように、アクティブマトリクス基板Ｃと対向基板６との整合精度が悪い場合の透明表示電極５、５間の透過光を遮光したり、ディスクリネーションによる光洩れを遮光するためにブラックストライプ８の幅を広くすると、対向基板６のうちバックライトの光が透過する部分の面積の比率（開口率）が小さくなる。その結果、バックライトの光量を一定にした場合に、表示画像の輝度が低下するといった問題点がある。
【０００９】本発明は、従来技術における前記課題を解決するため、簡便な構成でリバースチルトによる光抜けを防止して表示不良を抑制し、ブラックストライプの幅を減少させて開口率を向上させることのできるアクティブマトリクス基板及びその製造方法を提供することを目的とする。」
　
イ「＜第２の実施例＞図３は本発明に係るアクティブマトリクス基板の他の実施例を示す平面図である。図３に示すように、ガラス基板１の上には、行配線２と列配線３とが交差するそれぞれの位置に非線形素子であるＴＦＴ４が形成されており、ＴＦＴ４のゲート電極は行配線２に、ソース電極は列配線３にそれぞれ接続されている。また、ガラス基板１の上には、液晶に電圧を印加するための透明表示電極５が形成されており、この透明表示電極５はＴＦＴ４のドレイン電極４ａに接続されている。そして、行配線２と同一材料の金属を透明表示電極５の周囲に形成することにより遮光層９が形成されている。この遮光層９は、透明表示電極５に対して±２μｍの合わせ精度で形成されること、及びディスクリネーションの境界線が透明表示電極５の端部から３μｍ内側の箇所に発生することを考慮して、その幅が５μｍに設定されている。
【００２０】以下、このアクティブマトリクス基板の製造方法について説明する。まず、ガラスなどの透明絶縁基板１の上に行配線２及びゲート電極となるＣｒ、Ｔａ、Ａｌなどの金属を成膜し、フォトリソグラフィー技術により行配線２、ゲート電極及び遮光層９を同時に形成する。このように、遮光層９を行配線２と同一の工程で形成するようにしたので、従来と同じ工程数でアクティブマトリクス基板を製造することができる。次いで、ＴＦＴ４の主材料である窒化シリコン（ＳｉＮx）等のゲート絶縁体層、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）半導体層、及びソース、ドレイン電極−半導体層間でオーミック接触を得るためのｎ+ −ａ−Ｓｉからなるオーミックコンタクト層をプラズマＣＶＤ法により連続成膜し、ＴＦＴ４を形成する箇所以外のａ−Ｓｉ半導体層及びオーミックコンタクト層をフォトリソグラフィー技術によりエッチング除去する。次いで、酸化インジウムズズ（ＩＴＯ）を成膜し、フォトリソグラフィー技術により透明表示電極５を形成する。次いで、ソース電極、ドレイン電極となるチタン（Ｔｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）の２層構造の金属やＴａなどの金属を成膜し、フォトリソグラフィー技術により所望のパターンを形成する。そして最後に、ＴＦＴ４のチャンネル部上のｎ+ −ａ−Ｓｉ層を除去すれば、上記構成を有するアクティブマトリクス基板が完成する。
【００２１】上記のアクティブマトリクス基板を用いて構成した液晶表示装置において、図３のII−IIの位置に対応する断面を図４に示す。図４に示すように、アクティブマトリクス基板Ｂと、赤、緑、青のカラーフィルタ６ａ及び透明電極６ｂが形成された対向基板６との間には液晶７が挟持されている。また、対向基板６には、各カラーフィルタ６ａの間隙に透明表示電極５、５間の透過光を遮光するためのＣｒからなるブラックストライプ８が形成されている。また、アクティブマトリクス基板Ｂの裏側にバックライト（図示せず）が配設されている。
【００２２】この液晶表示装置を製造する際のアクティブマトリクス基板Ｂと対向基板６の整合精度は±５μｍであった。尚、図４は整合精度の中心で製造された場合の状態を示している。図４に示すように、対向基板６のブラックストライプ８の左右の端部は、それぞれ透明表示電極５の端部から内側に５μｍだけ入り込んだ位置に存している。従って、この場合にも、上記第１の実施例の場合と同様の効果を得ることができた。」
　
ウ「【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るアクティブマトリクス基板によれば、フォトリソグラフィーの技術を用いて、透明表示電極の周囲への遮光層を±２μｍ以内で容易に形成することができるために、アクティブマトリクス基板と対向基板の整合精度のマージンを加えたブラックストライプの幅以内でディスクリネーションによる光洩れを遮光することができる。その結果、ディスクリネーションによる光洩れを遮光するためにブラックストライプの幅に加えるマージンが不要となるので、その分だけ開口率を向上させることができる。また、遮光層は透明表示電極の周囲のみに設けられているので、遮光層と行配線又は列配線との間に浮遊容量が生じることはなく、その結果、非線形素子の動作に影響を及ぼすこともない。
【００２５】また、前記本発明の構成において、遮光層が行配線又は列配線と同一の材料で形成されているという好ましい構成によれば、行配線又は列配線を形成する工程で同時に遮光層を形成することができるので、アクティブマトリクス基板の製造工程が増加することはない。
【００２６】また、本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法によれば、透明絶縁基板上に行配線又は列配線を形成する工程において前記行配線又は列配線と同一の材料で透明表示電極の周囲のみに重なるように遮光層を形成するものであるため、アクティブマトリクス基板の製造工程が増加することはない。」
　
　上記アないしウから引用例２には、下記の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。 
　　
「ガラスなどの透明絶縁基板１の上に行配線２及びゲート電極となるＣｒ、Ｔａ、Ａｌなどの金属を成膜し、フォトリソグラフィー技術により行配線２、ゲート電極及び透明表示電極５の周囲に形成される遮光層９を同時に形成し、次いで、ＴＦＴ４の主材料である窒化シリコン（ＳｉＮx）等のゲート絶縁体層、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）半導体層、及びソース、ドレイン電極−半導体層間でオーミック接触を得るためのｎ+ −ａ−Ｓｉからなるオーミックコンタクト層をプラズマＣＶＤ法により連続成膜し、ＴＦＴ４を形成する箇所以外のａ−Ｓｉ半導体層及びオーミックコンタクト層をフォトリソグラフィー技術によりエッチング除去し、次いで、酸化インジウムズズ（ＩＴＯ）を成膜し、フォトリソグラフィー技術により透明表示電極５を形成し、次いで、ソース電極、ドレイン電極となるチタン（Ｔｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）の２層構造の金属やＴａなどの金属を成膜し、フォトリソグラフィー技術により所望のパターンを形成し、最後に、ＴＦＴ４のチャンネル部上のｎ+ −ａ−Ｓｉ層を除去し、製造されるアクティブマトリクス基板と、 
　赤、緑、青のカラーフィルタ６ａ及び透明電極６ｂが形成され、各カラーフィルタ６ａの間隙に透明表示電極５、５間の透過光を遮光するためのＣｒからなるブラックストライプ８が形成された対向基板６とを対向させた液晶表示装置であって、 
　前記遮光層９によって、液晶配向処理の方向と関係があり、行配線２、列配線３の各片側に沿った位置のみに発生する、行配線２又は列配線３に沿って透明表示電極５の端から３μｍ程度内側の透明表示電極５の上に発生する配向乱れ（ディスクリネーション）による光洩れを遮光し、アクティブマトリクス基板と対向基板の整合精度のマージンを加えたブラックストライプの幅以内でディスクリネーションによる光洩れを遮光することができる液晶表示装置。」 
　
４．対比 
（１）引用発明１の「下側のＴＦＴ基板」は、「各画素のＴＦＴ６が、ガラス基板１′上に、クロム（Ｃｒ）等の金属から成る走査線５と一体成型されたゲート電極８と、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）から成るゲート絶縁層１５と、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等から成る半導体活性層１４と、窒化ケイ素（ＳｉＮx ）から成る上部絶縁層１６と、不純物が添加された半導体膜から成るソース電極９及びドレイン電極１０とが順次積層された逆スタガ型の構造となっており、そして、ポリイミド等の層間絶縁層１７を介してソース電極９に接続するアルミニウム（Ａｌ）から成る信号線４が形成され、更にポリイミド等の層間絶縁層１８が積層され、この層間絶縁層１８に設けられた開口部を介してドレイン電極１０に接続する酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）等から成る画素電極７が形成され、この上に配向膜１３が積層された構成となって」おり、「画素電極７を囲む４辺を成す信号線４と走査線５のうち、少なくともリバースチルト領域が発生するラビング開始方向の隅を交点とする２辺、すなわち、信号線４ａ及び走査線５ａの配線の上部に画素電極７のエッジを重ねて形成するようにし」ているので、引用発明１の「下側のＴＦＴ基板」は、本願発明の「第１透明基板上に形成されたゲートラインと、前記ゲートラインと絶縁されて交差するように配列されたデータラインと、前記ゲートライン及びデータラインが交差する部分に形成され、前記ゲートラインから分枝して突出したゲート電極と、前記データラインに連結されたソース電極と、前記ソース電極から離隔して対向するように形成されたドレイン電極をもつ薄膜トランジスタＴＦＴと、前記薄膜トランジスタＴＦＴを覆い、前記ドレイン電極の一部を露出させるためのコンタクトホールが形成された保護膜と、前記保護膜上に形成され、コンタクトホールを介してドレイン電極に連結されるとともに前記データラインと一部重なるように形成された画素電極とを含む薄膜トランジスタアレイ基板」に相当すると共に、引用発明１は、本願発明の「前記決定されたデータラインの一方の側の前記画素電極及びデータラインは、互いにオーバーラップする」との特定事項を具備する。
　
（２）引用発明１の「ブラックマトリクス及び共通電極である対向電極を具備する上側の対向基板２」は、「対向基板２のガラス基板２′の下面には、ＴＦＴ基板１に形成されたＴＦＴ６及び信号線４、走査線５の配線部分を覆うためのブラックマトリクス１１又はカラーフィルタが形成され、その下側に対向電極１２が形成され、更に下面全体を覆うように配向膜１３′が設けられ」るものであるので、引用発明１の「上側の対向基板２」は、本願発明の「第２透明基板上にブラックマトリックス、カラーフィルタ及び共通電極を含むカラーフィルタ基板」に相当する。
　
（３）引用発明１の「両基板の間に挾まれて充填された液晶３」は、本願発明の「前記薄膜トランジスタアレイ基板と前記カラーフィルタ基板との間に注入されてシーリングされた液晶」に相当する。
　
（４）引用発明１は、「画素電極７を囲む４辺を成す信号線４と走査線５のうち、少なくともリバースチルト領域が発生するラビング開始方向の隅を交点とする２辺、すなわち、信号線４ａ及び走査線５ａの配線の上部に画素電極７のエッジを重ねて形成するようにし、発生したリバースチルト領域の大部分は、信号線４ａ又は走査線５ａの上部に相当するので、対向基板２に設けられたブラックマトリクス１１により遮蔽され、開口率を損なうこと無くコントラストへの悪影響を小さくすることができるアクティブマトリクス液晶表示装置」であるので、引用発明１の「ブラックマトリクス１１」は、本願発明の「遮光膜」と、「配向膜のラビング方向に応じて決定されるデータラインの一方の側にある光漏れ領域に形成された遮光膜」である点で一致する。
　
（５）　上記（１）〜（４）から、本願発明１と引用発明１とは、 
「　第１透明基板上に形成されたゲートラインと、前記ゲートラインと絶縁されて交差するように配列されたデータラインと、前記ゲートライン及びデータラインが交差する部分に形成され、前記ゲートラインから分枝して突出したゲート電極と、前記データラインに連結されたソース電極と、前記ソース電極から離隔して対向するように形成されたドレイン電極をもつ薄膜トランジスタＴＦＴと、前記薄膜トランジスタＴＦＴを覆い、前記ドレイン電極の一部を露出させるためのコンタクトホールが形成された保護膜と、前記保護膜上に形成され、コンタクトホールを介してドレイン電極に連結されるとともに前記データラインと一部重なるように形成された画素電極とを含む薄膜トランジスタアレイ基板と、 
　第２透明基板上にブラックマトリックス、カラーフィルタ及び共通電極を含むカラーフィルタ基板と、 
　前記薄膜トランジスタアレイ基板と前記カラーフィルタ基板との間に注入されてシーリングされた液晶と
　配向膜のラビング方向に応じて決定されるデータラインの一方の側にある光漏れ領域に形成された遮光膜とを含む液晶表示装置であって、
　前記決定されたデータラインの一方の側の前記画素電極及びデータラインは、互いにオーバーラップする液晶表示装置。」である点で一致し、以下の点で相違する。 
 　 
相違点： 
　本願発明は、「前記決定されたデータラインの一方の側の前記画素電極及びデータラインが互いにオーバーラップするオーバーラップ幅」が「１．５μｍ以上」であり、「遮光膜」が「データラインの下部」に形成され、「前記遮光膜は、前記決定されたデータラインの一方の側の前記データラインの一部と非対称的にオーバーラップし、そのオーバーラップ幅は２〜４μｍであり、前記遮光膜は、前記決定されたデータラインの一方の側の前記画素電極の一部ともオーバーラップし、そのオーバーラップ幅は２〜４μｍであり、そして、前記遮光膜とデータラインのオーバーラップ幅の大きさは、前記遮光膜と画素電極のオーバーラップ幅の大きさと同一でない」ものであるのに対し、引用発明１は、「対向基板２のガラス基板２′の下面に形成され、ＴＦＴ基板１に形成されたＴＦＴ６及び信号線４、走査線５の配線部分を覆うためのブラックマトリクス１１」が、「信号線４ａ及び走査線５ａの配線の上部に重ねて形成された画素電極７のエッジで発生したリバースチルト領域の大部分を、遮蔽する」点。 
 　 
５．判断
　上記相違点について検討すると、引用発明２の「液晶表示装置のアクティブマトリクス基板のガラスなどの透明絶縁基板１の上に、ゲート電極と同時に形成される遮光膜９」は、「液晶配向処理の方向と関係があり、行配線２、列配線３の各片側に沿った位置のみに発生する、行配線２又は列配線３に沿って透明表示電極５の端から３μｍ程度内側の透明表示電極５の上に発生する配向乱れ（ディスクリネーション）による光洩れを遮光する」ものであるので、引用発明１において、発生したリバースチルト領域を完全に遮蔽するために、引用発明２の前記遮光膜を付加して、引用発明１の「信号線４ａの下部」に「遮光膜」を形成し、「発生したリバースチルト領域の大部分に相当する信号線４ａの上部にエッジが重なる画素電極７」と重なるように形成することは、当業者が容易に想到できたことである。
　そして、その際、画素電極７と信号線４ａ及び前記遮光膜とをどの程度の幅で重ねるかは、開口率を損なうこと無くコントラストへの悪影響を小さくするように当業者が設計上適宜定めるべき事項であるので、引用発明１を本願発明の上記相違点に係る構成とすることは当業者が容易になし得たことである。
　
　よって、本願発明は、引用発明１及び引用発明２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６．むすび
　本願発明は、引用発明１及び引用発明２に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。