【事件の表示】
　平成　９年特許願第１６９３４０号「半導体チップ搭載用基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　１月２２日出願公開、特開平１１−　１７０４５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成　９年　６月２６日の出願であって、手続の経緯は、次のとおり。
　＊平成１８年１１月１０日　拒絶理由通知
　＊平成１９年　１月１２日　意見書及び手続補正
　＊平成１９年　２月２８日　最後の拒絶理由通知
　＊平成１９年　４月２６日　意見書及び手続補正
　＊平成１９年１０月　２日　拒絶査定　及び
　　　　　　　　　　　　　　平成１９年　４月２６日付手続補正に対する　　　　　　　　　　　　　　補正の却下の決定
　＊平成１９年１１月　８日　拒絶査定不服審判の請求
　＊平成１９年１２月　７日　手続補正及び審判請求書の手続補正（方式）
　＊平成２２年　４月１６日　当審　最後の拒絶理由通知　及び
　　　　　　　　　　　　　　平成１９年１２月　７日付手続補正に対する　　　　　　　　　　　　　　補正の却下の決定
　＊平成２２年　６月２１日　意見書及び手続補正
　
　
第２．平成２２年　６月２１日付の手続補正についての補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２２年　６月２１日付の手続補正を却下する。
　
［理　由］
［１］本件手続補正の内容
　本件手続補正は、平成１９年　４月２６日付手続補正および平成１９年１２月　７日付手続補正が却下されたので、平成１９年　１月１２日付の手続補正により補正された本件補正前の（以下、「本件補正前の」という。）特許請求の範囲の請求項１〜４のうち、請求項１〜３を引用する請求項４のみに限定し、これを新たな請求項１として、下記のとおりに補正しようとする事項を含むものである。
　
　＜本件補正前の請求項１〜４＞
「【請求項１】端子を有する半導体チップを接着剤によって搭載する半導体チップ搭載用基板であって、
　前記接着剤が樹脂組成物からなり、樹脂組成物において、端子を有する半導体チップと半導体チップ搭載用基板とを接着した後の４０℃での貯蔵弾性率が１００〜１５００ＭＰａであり、
　半導体チップ搭載用基板の表面に、半導体チップの端子と接続するための接続端子と、
　その接続端子から引き出された配線導体と、
　その配線導体を被覆する絶縁被覆を有し、
　その絶縁被覆が形成されない開口部が半導体チップを搭載する箇所に設けられ、その開口部の大きさが、前記半導体チップよりも大きいことを特徴とする半導体チップ搭載用基板。
　【請求項２】絶縁被覆の開口部の大きさが、半導体チップの大きさに加えて３００μｍまでの範囲で大きいことを特徴とする請求項１に記載の半導体チップ搭載用基板。
　【請求項３】絶縁被覆の膜厚が、１５〜５０μｍの厚さであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体チップ搭載用基板。
　【請求項４】前記接着剤が、異方導電性接着剤であることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれかに記載の半導体チップ搭載用基板。」
　
＜本件補正＞
「【請求項１】　端子を有する半導体チップを接着剤によって搭載する
繊維で補強された絶縁性ビルドアップ層付きの
　前記接着剤が樹脂組成物からなり、樹脂組成物において、端子を有する半導体チップと半導体チップ搭載用基板とを接着した後の４０℃での貯蔵弾性率が１００〜１５００ＭＰａであり、
　半導体チップ搭載用基板の表面に、半導体チップの端子と接続するための接続端子と、
　その接続端子から引き出された配線導体と、
　その配線導体を被覆する絶縁被覆を有し、
　その絶縁被覆が形成されない開口部が半導体チップを搭載する箇所に設けられ、その開口部の大きさが、前記半導体チップよりも大きく、
前記絶縁被覆の開口部の大きさが、半導体チップの大きさに加えて３００μｍまでの範囲で大きく、前記絶縁被覆の膜厚が、１５〜５０μｍの厚さであり、前記接着剤が、異方導電性接着剤である
　（なお、上記下線部は、本件手続補正書に記載された下線部と同様の箇所に引いている。）
　
［２］補正の適否について
１．補正の目的
　上記請求項１の補正事項は、
　ア．本件補正前の請求項４が引用している請求項１〜３における「絶縁被覆の開口部の大きさ、膜厚」及び「接着剤」について、「
前記絶縁被覆の開口部の大きさが、半導体チップの大きさに加えて３００μｍまでの範囲で大きく、前記絶縁被覆の膜厚が、１５〜５０μｍの厚さであり、前記接着剤が、異方導電性接着剤である
　イ．上記の補正に伴い、補正前の請求項１〜３を削除しようとするものであり、
　ウ．本件補正前の請求項４が引用する本件補正前の請求項１に記載の「半導体チップ搭載用基板」を「
繊維で補強された絶縁性ビルドアップ層付きの
　したがって、上記請求項１に係る補正事項のウ．は、特許請求の範囲の減縮を目的としたものであり、ア．〜イ．は請求項の削除を目的とするものである。
　
２．独立特許要件
　次に、上記補正による補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのか否か（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものであるのか否か）について検討する。
　
１）引用刊行物及びその摘記事項
　ア．当審において、平成２２年　４月１５日付で通知した拒絶の理由（以下、「当審拒絶理由」という。）において刊行物１として引用した本願出願前に国内において頒布された特開平９−１４８４８０号公報（以下、「刊行物１」という。）には、次の事項が記載されている。
（刊１ａ）「【００１３】（１）プリント配線基板を用意する。この基板上面中央部には四角形のダイパッドがあり、ダイパッドの周囲には金属配線（導体）が設けられ、ダイパッド近傍から基板端部に設けられたバイアホールに至っている。・・・ソルダレジストは、ダイパッド、上面の同心円状電極、下面の円形電極を除いた基板上下両面に施されている。」
　
（刊１ｂ）「【００２５】前記の第１の実施例、第２の実施例のいずれでも、半導体素子の能動面に設けられたパッド電極と基板に設けられた金属配線の内端とを金属細線で接続した例を示したが、半田バンプを用いたフリップチップ接続、金バンプと導電性接着剤による接続あるいは異方性導電膜による接続でもよい。」
　
（刊１ｃ）図２には、絶縁性基板上面に、半導体素子の端子から引き出された金属細線（ワイヤ）と接続する部分を有し、前記絶縁性基板の端部まで引き出されている金属配線（導体）と、当該金属配線を覆うソルダーレジストと、前記半導体素子を搭載する基板の中央に当該ソルダーレジストが形成されていない開口部が形成され、当該開口部は、前記半導体素子よりも大きく形成されることが図示されている。
　
イ．当審拒絶理由において刊行物２として引用した本願出願前に国内において頒布された特開平９−１１５９５６号公報（以下、「刊行物２」という。）には、次の事項が記載されている。
（刊２ａ）「【０００７】・・・図５は従来技術におけるＦＣＢＧＡ１１の構造を示す断面図であり、図６は絶縁基板１のおもて面の銅配線パターンを示す平面図である。・・・
【０００８】図６に示すように、絶縁基板１はほぼ四角形の形状を有し、板厚が０．２ｍｍ程度の絶縁材料からなる。絶縁基板１の材料としては、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂やセラミクスなどの絶縁材料があげられるが、望ましくはガラス繊維を含浸したエポキシ樹脂である。」
　
（刊２ｂ）「【００１４】さらに、図５に示すように、絶縁基板１のおもて面と裏面に、電気的経路を保護するための樹脂組成物からなる絶縁膜５を、電気的経路を覆うようにして設けている。
【００１５】絶縁基板１のおもて面に設ける絶縁膜５は、絶縁基板１の中央にＩＣチップ７を実装するためのほぼ四角形の開口部を有しており、基板電極３は絶縁膜５から露出している。」
　
（刊２ｃ）「【００８９】・・・絶縁基板１の材料としては、・・・望ましくはガラス繊維を含浸したエポキシ樹脂である。」
　
（刊２ｄ）図５には、絶縁基板上面に、ＩＣチップの電極と接続する基板電極を有し、基板電極は、絶縁基板の端部まで引き出され、当該基板電極を覆う絶縁膜と、当該絶縁膜が形成されていない開口部がＩＣチップをフリップチップボンディングにより実装する絶縁基板の中央にＩＣチップよりも大きく形成されていることが示されている。
　
ウ．当審拒絶理由において刊行物３として引用した本願出願前に国内において頒布された特開平６−１６８９８２号公報（以下、「刊行物３」という。）には、次の事項が記載されている。
（刊３ａ）「【０００２】【従来の技術】半導体部品を基板に実装する構造のひとつとしてフリップチップ実装構造がある。従来のフリップチップ実装構造は、図９に示すように構成されている。図中１は基板、２は半導体部品の一例であるベアＩＣチップである。
【０００３】基板１の表面３は実装面とされ、この表面３には導電材料からなる複数の配線パターン４が並べて形成されている。各配線パターン４の先端の表面には夫々電極５が形成され、各配線パターン４の表面における電極形成部を除いた部分はソルダーレジスト６で覆われている。
【０００４】７は異方性導電膜で、これは絶縁性樹脂８の内部に多数の導電粒子９を混合させたものである。異方性導電膜７は基板１の表面３においてベアＩＣチップ２を実装する箇所に、この実装箇所における基板１の表面３、各配線パターン４の表面、各電極５を覆って接着されている。
【０００５】異方性導電膜７はベアＩＣチップ２の表面全体と同じ大きさを有する面状のものであり、このためテープシート状をなすものを用いている。・・・
【０００６】ベアＩＣチップ２の表面には、導電材料からなる複数の電極１０が基板１の電極５に対応して並べて形成され、各電極１０の表面には夫々バンプ１１が形成されている。バンプ１１はＡｕ，・・・などの金属からなる。・・・
【０００７】ベアＩＣチップ２を実装する場合には、ベアＩＣチップ２を電極８が形成された面が下側となるように向きを設定して、基板１におけるベアＩＣチップ配置箇所に接着された異方性導電膜７の上面に載置する。
【０００８】ベアＩＣチップ２は加圧、加熱により異方性導電膜７の樹脂８に接着されている。異方性導電膜７の導電粒子９はベアＩＣチップ２の電極１０により押圧されて基板１の電極５に接触している。基板１のベアＩＣチップ配置箇所、異方性導電膜７およびベアＩＣチップ２の周囲は絶縁性樹脂１２により封止されている。」
　
（刊３ｂ）図９には、基板の上面に配置した電極と電極から引き出されたパターンとベアチップを搭載する部分に、ベアチップと同じ大きさを有する面状の異方性導電膜が加圧・加圧された面積と同程度の開口部を有するソルダーレジストを、パターンを覆うように形成した例が示されている。
　
　エ．当審拒絶理由において刊行物４として引用した本願出願前に国内及び国外において頒布された国際公開第９６／４２１０７号（以下、「刊行物４」という。）には、次の事項が記載されている。
（刊４ａ）「有機異方性導電接着材料のマトリックス樹脂として、接続後の４０℃での弾性率が１００〜１５００ＭＰａの樹脂を使用すれば、熱衝撃、ＰＣＴやはんだバス浸漬試験などの信頼性試験において生じる内部応力を吸収できるため、チップと基板の熱膨張係数差が大きい場合での接続後のチップ及び基板の反りが小さく、信頼性試験後においても接続部での接続抵抗の増大や接着剤の剥離がなく、接続信頼性が向上する。従って、ＩＣチップとプリント基板とを接続時の加圧方向にのみ電気的に接続する場合に好都合である。」（１１頁１２〜２１行）
　
（刊４ｂ）「配線基板に使用される基板としては、ポリイミド、エポキシ等の耐熱性樹脂をガラスクロス等の基材に含浸、乾燥させ、銅箔を貼り合わせ硬化させた積層板」（１５頁２１〜２３行）
　
　オ．当審拒絶理由において周知文献として例示した本願出願前に国内において頒布された特開平８−２１３７６２号公報（以下、「刊行物５」という。）には、次の事項が記載されている。
（刊５ａ）「【０００２】【従来の技術】従来、この種の集積度の高いＬＳＩ実装用基板としては、プリント配線基板として知られているガラスクロスエポキシ多層配線基板、ガラスクロスポリイミド多層配線基板等が、また絶縁層としてポリイミド等から成る薄膜多層配線基板が用いられている。
【０００３】プリント配線基板としてのガラスクロスエポキシ、ガラスクロスポリイミド等の多層配線基板は、ガラスクロスに樹脂を含侵し、複数の導体層である銅箔を、前記樹脂層を介して積層した構造となっている。その作成方法について、以下図５に従って述べると、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等をガラス等から成る繊維を織ったクロス等の補強基材に含侵後、乾燥させ、プリプレグ７を作成する。このプリプレグ７を所定の大きさに切断し、１枚または、複数を内層回路８、銅箔４とともに重ねて、加熱プレスによって形成して得られる。プリント基板用補強基材の種類としては、ガラスクロス、ガラスペーパー、ガラスマット、ガラスフェルト、紙、高耐熱ポリアミドペーパー、アラミド繊維クロス等が使用されている。
【０００４】また、薄膜微細多層配線基板は、シリコンウェハー、セラミック基板、アルミ基板等に、ポリイミド、ＳｉＯ2 等の絶縁層とＣｕ、Ａｌ、Ａｕ等の導体を交互にビルドアップ方式により作製する方法が公知である。」
　
　カ．当審拒絶理由において周知文献として例示した本願出願前に国内において頒布された特開平９−６９５９６号公報（以下、「刊行物６」という。）には、次の事項が記載されている。
（刊６ａ）「【０００３】・・・電子回路として主流となっているプリント配線板の細線化、高密度化技術に限界があることから、半導体集積回路素子パッケージと素子の面積比率の向上と実装密度の向上を目的として・・・ＢＧＡ、ＣＳＰあるいはＩＣペアチップ実装と称される新しい実装法による半導体装置が生まれてきている。・・・
【０００４】・・・銅はくと積層基材が積層接着された銅張り積層体の銅はくを、所望の回路にプリント回路技術によって加工したプリント配線板・・・で、回路機能を満たしているものをいう。・・・
【０００５】・・・半導体集積回路素子およびそのパッケージの各電極端子が、・・・異方導電性接着フイルムなどを介して電子回路の端子と接続した構造の半導体装置・・・銅はくの表面は電子回路の上下の導通回路であるスルーホールやバイヤホールの電導性付与のために銅めっきを行う・・・
【０００６】半導体集積回路素子およびそのパッケージの各電極端子と・・・異方導電性接着フイルムなどを介して接続された電子回路上の端子は接着基材層を介して積層基材と積層体を構成している。・・・
【０００７】銅はくと積層体を構成する積層基材は、・・・エポキシ樹脂の場合はガラス繊維布や不織布、ポリイミド樹脂およびＢＴレジンの場合はガラス繊維布を補強基材として銅はくと積層体を造っている。最近では、アラミド繊維布や不織布もエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂およびＢＴレジンの補強基材として用いられている。・・・このほか最近では、厚さ２．０ｍｍ以下の鉄板、ステンレス板やアルミニウム板などの金属板も積層基材として使用されている。」
（刊６ｂ）「【００１０】・・・ビルドアップ基板と称する回路を無電解めっきにより形成する高密度回路板が開発されており、・・・」
　
　
２）当審の判断
　ところで、上記当審の最後の拒絶理由における刊行物１〜４に係る判断の記載において、刊行物３と４との説明が一部入れ違いとなる誤記があったが、当該拒絶理由に対する意見書において、
　「また、仮に、刊行物３，４が誤記であるとしても、各刊行物には本願発明の構成要件の一部に過ぎない個別の構成が記載されているのみであって、本願発明は、各刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとは言えないものと思料致します。」
と記載されていることから、審判請求人においては、上記拒絶理由通知の誤記を認識したうえでの反論も行っていることから、上記の点については、誤記であったとして、以下検討する。
　
（２−１）刊行物１に記載の発明
　上記摘記事項（刊１ｂ）の「【００２５】前記の第１の実施例、第２の実施例のいずれでも、半導体素子の能動面に設けられたパッド電極と基板に設けられた金属配線の内端とを金属細線で接続した例を示したが、半田バンプを用いたフリップチップ接続、金バンプと導電性接着剤による接続あるいは異方性導電膜による接続でもよい。」との記載は、「半導体素子の能動面に設けられたパッド電極と基板に設けられた金属配線の内端と」の接続構造が、実施例では、「金属細線で接続」する例であるが、他の接続方法として「異方性導電膜による接続でもよい」ことを記載したものであり、その他の構成としての金属配線、ソルダレジスト及び基板の関係について特段の変更を加えることは説明されていないことから、上記摘記事項（刊１ａ）〜（刊１ｃ）を整理すると、刊行物１には、次の発明が記載されている。
　
「半導体素子の能動面に設けられたパッド電極とプリント配線基板に設けられた金属配線の内端とを異方性導電膜により接続する基板において、
　当該金属配線は、絶縁性基板の端部まで引き出されており、
　当該金属配線を覆うソルダーレジストと、
　前記半導体素子を搭載する基板の中央に当該ソルダーレジストが形成されていない開口部が形成された基板」（以下、「刊行物１発明」という。）
　
（２−２）対比・判断
　本願補正発明と刊行物１発明とを対比すると、刊行物１発明の「半導体素子」、「能動面に設けられたパッド電極」、「基板」、「金属配線」、「金属配線の内端」、「ソルダーレジスト」および「異方性導電膜」は、それぞれ本願補正発明の「半導体チップ」、「端子」、「半導体チップ搭載用基板」、「配線導体」、「接続端子」、「絶縁被覆」および、「接着剤」でありかつ「異方導電性接着剤」に相当する。
　また、「異方性導電膜」は、通常、樹脂中に導電性の微小粒子を混在させたものであり、刊行物１発明においても、特段の構成が示されていないことから、樹脂中に導電性の微小粒子を混在させたものである。
　
　そうすると、両者は、
　「端子を有する半導体チップを接着剤によって搭載する半導体チップ搭載用基板であって、
　前記接着剤が樹脂組成物からなり、
　半導体チップ搭載用基板の表面に、半導体チップの端子と接続するための接続端子と、
　その接続端子から引き出された配線導体と、
　その配線導体を被覆する絶縁被覆を有し、
　その絶縁被覆が形成されない開口部が半導体チップを搭載する箇所に設けられ、
　前記接着剤が、異方導電性接着剤である半導体チップ搭載用基板。」
の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
＊相違点１：本願補正発明の基板は、「
繊維で補強された絶縁性ビルドアップ層付きの
＊相違点２: 接着剤を構成する樹脂組成物が、本願補正発明は、「端子を有する半導体チップと半導体チップ搭載用基板とを接着した後の４０℃での貯蔵弾性率が１００〜１５００ＭＰａ」であるのに対して、刊行物１発明ではそのような構成が記載されていない点。
＊相違点３：本願補正発明において、絶縁被覆の「開口部の大きさが、前記半導体チップよりも大きく、
前記絶縁被覆の開口部の大きさが、半導体チップの大きさに加えて３００μｍまでの範囲で大きく、前記絶縁被覆の膜厚が、１５〜５０μｍの厚さ
　
　そこで、上記相違点１〜３について検討する。
　
ア．相違点１について
　繊維で補強された絶縁性ビルドアップ層付きの半導体チップ搭載用基板は、上記刊行物５，６の摘記事項に記載されているように、ＢＧＡ，ＣＳＰ等のＬＳＩ実装基板に用いるプリント配線基板の一種として周知の基板であり、刊行物１発明においても、ＢＧＡ配線基板としてプリント配線基板を用いるものであり、また、特定構造のプリント基板に限定されるものでもないから、前記周知の繊維で補強された絶縁性ビルドアップ層付きの基板を刊行物１発明に採用することは当業者の設計事項の範囲のものである。
　
イ．相違点２について
　有機異方性導電接着材料のマトリックス樹脂として、接続後の４０℃での弾性率が１００〜１５００ＭＰａの樹脂を用いることが上記刊行物４に記載されている。
　また、刊行物４には、上記物性を有するマトリックス樹脂を有機異方性導電接着材料に使用すれば、「熱衝撃、ＰＣＴやはんだバス浸漬試験などの信頼性試験において生じる内部応力を吸収できること、チップと基板の熱膨張係数差が大きい場合での接続後のチップ及び基板の反りが小さく、信頼性試験後においても接続部での接続抵抗の増大や接着剤の剥離がなく、接続信頼性が向上する」こと、から、「ＩＣチップとプリント基板とを接続時の加圧方向にのみ電気的に接続する場合に好都合」であることが説明されている。
　そして、刊行物１発明においても、半導体素子としてのチップをプリント配線基板に異方性導電膜を用いて接続を行うものであり、刊行物４と同一の用途であるから、刊行物４と同様の課題を有していることは明らかである。
　したがって、当業者ならば、刊行物１発明において、刊行物４に記載された上記物性と有するマトリックス樹脂を用いた有機異方性導電接着材料を採用することは、容易に想到し得たものである。
　更に、刊行物４には、「 ポリイミド、エポキシ等の耐熱性樹脂をガラスクロス等の基材に含浸、乾燥させ、銅箔を貼り合わせ硬化させた配線積層板に用いる」ことも、上記摘記事項（刊４ｂ）に記載されており、刊行物４に記載の上記有機異方性導電接着材料を採用することで、上記相違点１に係る構成との予期せぬ相乗的な効果を有しているとも認められない。
　
ウ．相違点３について
　刊行物１発明は、異方性導電膜による接続を行うものであるが、異方性導電膜による接続を行う場合には、フェイスダウンにより半導体素子の能動面側電極を基板側電極向けて電気的接続を行うフリップチップ接続の一種であり、フリップチップ接続において、突起電極による接続のみならず、硬化性の接着剤或いは異方性導電膜を選択的に用いることは、下記周知刊行物に記載されているように周知のものである。
　
　＜周知刊行物の記載事項＞
＊周知刊行物１：特開平４−６５８４３号公報
　「半導体素子を基板の所定の位置にフリップチップ式にボンディングする半導体装置の製造装置及び製造方法」（２頁左上欄１４〜１６行）
　「フリップチップ方式においては、半導体素子の素子形成面上に設けられた複数の電極パッドに、バンプ（金属突起もしくは突起電極）がそれぞれ形成される。・・・半導体素子のバンプと基板の配線パターンとが位置合せされたのち、加熱を伴う半田付け、或いは、紫外線硬化性の接着剤や異方性導電膜を用いた接着等により、第３図に示すようにバンプを介在させた状態で互いに固定される。」（２頁右上欄１２行〜左下欄２行）
　「電極パッド部２・・・はんだ等からなるバンプ・・・配線パターン６を形成された基板５に異方性導電膜７を介してフリップチップ式にボンディングする」（３頁右下欄９〜１４行）
＊周知文献２：特開平４−３０５３２号公報
　「半導体装置１を、その半導体装置１と基板２上の導体リード３間を、金属材料（Ｎｉ，Ａｇ等）からなる導電性粒子４を含んだ異方性導電接着剤５により接合して実施したものである。
　半導体装置１は、パッド部に突起状接続電極（バンプ）６が形成されたいわゆるフリップチップで、基板２上にフェースダウンボンディング実装され加圧及び加熱することにより、第８図に示すように、突起状電極バンプ６と基板２上の導体リード３間で、異方性導電接着剤５中に混在された異方導電性粒子４がつぶれて、・・・電気的接続がとられる」（１頁右欄１５行〜２頁左上欄８行）
　
　そして、上記刊行物２，３に記載乃至は図示されているように、フリップチップ接続を行う際に、基板上の配線の上部をソルダーレジストで覆い、チップ（半導体素子）の基板上への搭載領域と同程度或いはそれより広い範囲で、ソルダーレジストに開口を形成すること自体も周知の事項であり、刊行物１発明において、ワイヤーボンディングの実施例において半導体素子よりも広い開口を形成している実施例が記載されていることをも参酌すれば、刊行物１発明における異方性導電膜を用いた接続を行う際に、上記刊行物２，３に記載された搭載半導体素子よりも広い開口部を有するソルダーレジストを形成することは、当業者の設計的事項にすぎない。
　また、本願発明における「絶縁被覆の開口部の大きさ」および「絶縁被覆の膜厚」に関する数値限定の根拠として、本願明細書には、下記のように説明されている。
　「【０００８】【発明の実施の形態】本発明でいう絶縁被覆の開口部とは、絶縁被覆しない箇所のことをいい、その大きさは、半導体チップと同等であるかそれよりも３００μｍ大きいことが好ましく、３００μｍを超えると、配線導体を接着材で完全に被覆することができず絶縁信頼性の低下の原因となる。」
　「【０００９】・・・この絶縁被覆の膜厚は、１５〜５０μｍの厚さであることが好ましく、１５μｍ未満であると、絶縁性皮膜として均一に形成することが困難であり、５０μｍを超えると、絶縁信頼性は良好となるが５０μｍを越える厚さを形成するためには複数回の樹脂の塗布が必要になり、量産性の低下やコストアップの原因となる。」
  「【００２０】・・・さらに、ソルダーレジスト６の開口部２が半導体チップ３より大きいので、封止に足る接着剤以外は、外に逃がすことができ、接続工程での残留応力が小さく、変形し難い。・・・」
　また、本願明細書には、上記数値範囲内外の実験データに基づく比較がなされておらず、臨界的効果を有しているものとも認められない。
　
　そして、上記【０００８】に記載されているように、開口部の大きさについては、「３００μｍを超えると、配線導体を接着材で完全に被覆することができず絶縁信頼性の低下の原因となる。」旨が説明されているのみであり、上限及び下限の臨界的効果について特段の説明は見受けられず、刊行物１発明においても、絶縁信頼性は当然有している課題にすぎない。
　したがって、開口の大きさをどの程度とするかは、実施化に際して適宜設定される最適化の範囲のものにすぎない。
　
　また、上記【０００９】に記載されているように、膜厚については、「絶縁性皮膜として均一性」即ち、絶縁信頼性を良好とさせつつ、厚すぎることによる複数回の樹脂の塗布とそれによる量産性の低下やコストアップを防止することを目的とするものであるが、刊行物１発明においても、ソルダーレジストを配線を覆うように形成しているのは、絶縁性を確保することは明らかであり、絶縁信頼性を良好とさせる膜厚とさせることも、当然要求される事項のものであり、配線の幅、高さ、濡れ性等に応じてその膜厚を設定することは、当業者の実施化に際しての最適化にすぎず、設定された数値範囲に格別な点は見出せない。
　
　ところで、審判請求人は、当審拒絶理由に対する意見書において下記の主張を行っている。
（ア）「刊行物１に記載のものは、半導体素子２と絶縁基板上面の配線４とが金属細線７（いわゆるワイヤボンド）により電気的に接続される構造のものであって、本願発明とは全く異なる構造のものです。即ち、刊行物１に記載されたものは、本願発明の構成要件Ｃ．「半導体チップ搭載用基板の表面に、半導体チップの端子と接続するための接続端子と、その接続端子から引き出された配線導体と、その配線導体を被覆する絶縁被覆を有する」構成を備えていません。
（イ）「刊行物１には、「異方性導電膜による接続でも良い。」との記載があるのみで、刊行物１には、異方性導電膜による接続と開口の大きさの関係について何も記載されておらず、また、本願発明の各構成を示唆するものは何も記載されていません。」
（ウ）「刊行物２には、絶縁基板の表面に設ける絶縁膜としてＩＣチップを実装するためのＩＣチップよりも開口の大きな四角の開口部を形成することが示されているものの、刊行物２には、「異方性導電膜による接続」について何も記載が無く、異方性導電膜による接続と開口部の大きさについては記載もされておらず、示唆もありません。」
（エ）「本願発明では、半導体チップ等を搭載する配線基板を「繊維で補強された絶縁性ビルドアップ層付きの半導体チップ搭載用基板」と限定しています。
　本願発明では、開口部の大きさを、「前記絶縁被覆の開口部の大きさを、半導体チップの大きさに加えて３００μｍまでの範囲で大きく」と特定し、絶縁被覆の膜厚を、「Ｆ．前記絶縁被覆の膜厚が、１５〜５０μｍの厚さであり」と特定し、しかも、接着剤として「Ｇ．前記接着剤が、異方導電性接着剤であり」、「Ｂ．前記接着剤が樹脂組成物からなり、樹脂組成物において、端子を有する半導体チップと半導体チップ搭載用基板とを接着した後の４０℃での貯蔵弾性率が１００〜１５００ＭＰａである」樹脂組成物を用いる接続条件において、「Ｃ．半導体チップの端子と接続端子とを、その接続端子から引き出された配線導体と、その配線導体を被覆する絶縁被覆を有する」接続構造により、「半導体チップ」と「半導体チップ搭載用基板」との接続を行うために、半導体チップ搭載用基板として、「Ａ．繊維で補強された絶縁性ビルドアップ層付きの半導体チップ搭載用基板」を選択して、必要な強度の確保を行うものです。
　したがって、仮に、「半導体チップ等を搭載する配線基板、プリント配線基板等において、ガラス繊維、ガラス不織布或いはアラミド繊維等の補強基材にエポキシ樹脂等の樹脂を含浸させた基材と銅箔とで積層体を形成した基板が、一般的に言えば周知の事項であるとしても、
　上記のＢ．Ｃ．Ｅ．Ｆ．Ｇ．の各条件を満たしている条件の中で、更に、Ａ．の「繊維で補強された絶縁性ビルドアップ層付きの半導体チップ搭載用基板」採用することは当業者が容易に想到し得た事項であるとは言えないものと思料いたします。」
　
　そこで、上記（ア）〜（エ）の主張について検討する。
　上記（ア）、（イ）の点については、刊行物１の上記摘記事項（刊１ｃ）には、「半導体素子の能動面に設けられたパッド電極と基板に設けられた金属配線の内端と」の接続構造が、実施例では、「金属細線で接続」（ワイヤで接続）する例であるが、他の接続方法として「異方性導電膜による接続でもよい」ことを説明しているものであり、金属配線、ソルダレジスト及び基板について特段の変更を加えることは説明されていないことから、上記他の接続方法は、金属配線との接続であること、さらに、金属配線が露出していると導電性不良或いは、腐食等を引き起こす可能性があることから基板上に形成された金属配線を絶縁材料で被覆することが周知であること、を踏まえれば、上記他の接続方法である「異方性導電膜による接続」の場合において、刊行物１には、ソルダレジストの開口部の大きさについての特段の説明はないものの、少なくとも「金属細線で接続」する場合の実施例と同様の金属配線、ソルダレジスト及び基板の構成である、
「金属配線を覆うソルダーレジストと、
　前記半導体素子を搭載する基板の中央に当該ソルダーレジストが形成されていない開口部が形成された基板」
程度の構成を有していると理解することは当業者にとって自明であるか、少なくとも容易に想到しうる程度のものであり、また、異方性導電膜を用いる場合に、レジストの開口を半導体素子（チップ）よりも大きく形成することが周知であることは、上記相違点３での検討のとおりである。
　
　次に、上記（ウ）の点についてみると、刊行物２は、フリップチップ接続一般において、ソルダレジストの開口部が半導体チップよりも大きいことが周知であることを例示したに過ぎず、また、刊行物３、周知刊行物１，２の各摘記事項に記載されているように、フリップチップ接続においては、バンプ及びアンダーフィル等の絶縁性樹脂の接続のみならず、バンプと導電性接着剤による接続も適宜選択的に用いられていることも周知の事項である。
　
　さらに、上記（エ）の点についてみると、まず、上記相違点２で検討したように、刊行物４には、本願補正発明の上記Ｂ．の構成と同様の物性を有する有機異方性導電接着材料を有しており、加えて、「 ポリイミド、エポキシ等の耐熱性樹脂をガラスクロス等の基材に含浸、乾燥させ、銅箔を貼り合わせ硬化させた配線積層板に用いる」ことが記載されていることから、刊行物１発明において刊行物４記載の有機異方性導電接着材料を採用する場合には、刊行物１発明が、プリント配線基板一般を採用可能であることからも、周知の「繊維で補強された絶縁性ビルドアップ層付きの半導体チップ搭載用基板」を採用することに格別な点はなく、その際、刊行物４の有機異方性導電接着材料と、ガラスクロス等の繊維に樹脂を含浸させた積層基板とを組合せることを否定するものでもない。
　そして、絶縁被覆の開口部の大きさ及び膜厚に関する数値限定については、上記相違点３の検討のように、発明を実施する際における最適化により適宜設定しうる範囲のものである。
　また、上記各構成の採用に格別な困難性はなく、各構成による効果をそれぞれ発揮しているにすぎず、上記各構成を組合せる事による予期せぬ相乗的な効果を有しているとも認められない。
　
　したがって、審判請求人の上記（ア）〜（エ）の主張を採用することはできず、本願補正発明は、刊行物１、４に記載された発明及び刊行物２、３、５、６、周知刊行物１，２に記載された周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
　
３．まとめ
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３．本願発明について　
［１］本願発明
　平成２２年　６月２１日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１−４のうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１９年　１月１２日付の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】　端子を有する半導体チップを接着剤によって搭載する半導体チップ搭載用基板であって、
　前記接着剤が樹脂組成物からなり、樹脂組成物において、端子を有する半導体チップと半導体チップ搭載用基板とを接着した後の４０℃での貯蔵弾性率が１００〜１５００ＭＰａであり、
　半導体チップ搭載用基板の表面に、半導体チップの端子と接続するための接続端子と、　その接続端子から引き出された配線導体と、
　その配線導体を被覆する絶縁被覆を有し、
　その絶縁被覆が形成されない開口部が半導体チップを搭載する箇所に設けられ、その開口部の大きさが、前記半導体チップよりも大きいことを特徴とする半導体チップ搭載用基板。」
　
［２］引用刊行物及びその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願日前に頒布された刊行物１−７の摘記事項は、上記「第２．［２］２．１）引用刊行物とその摘記事項」及び同「２．２）当審の判断」に記載されたとおりである。
　
［３］対比・判断
　本願発明は、前記「第２．［２］２．２）当審の判断」で検討した本願補正発明の
　ア．「絶縁被覆の開口部の大きさ、膜厚」及び「接着剤」について、「
前記絶縁被覆の開口部の大きさが、半導体チップの大きさに加えて３００μｍまでの範囲で大きく、前記絶縁被覆の膜厚が、１５〜５０μｍの厚さであり、前記接着剤が、異方導電性接着剤である
　イ．「半導体チップ搭載用基板」を「
繊維で補強された絶縁性ビルドアップ層付きの
との各限定事項を省いたものである。
　
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が前記「第２．［２］２．２）当審の判断」に記載したとおり、刊行物１、４に記載された発明及び刊行物２、３、５、６、周知刊行物１，２に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、刊行物５，６は、上記イ．の構成に係る周知技術を例示したものであるから、本願発明も、同様に、刊行物１、４に記載された発明及び刊行物２、３、周知刊行物１，２に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［４］むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１、４に記載された発明及び刊行物２、３、周知刊行物１，２に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の請求項２〜４に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。