【事件の表示】
　特願２００７−　４９０２６「情報表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　９月１１日出願公開、特開２００８−２１１１４６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１９年２月２８日の出願であって、平成２１年１月１３日付け及び同年６月１５日付けで手続補正がなされ、同年９月４日付けで前記平成２１年６月１５日付け手続補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月１４日に拒絶査定不服審判請求がなされ、その後当審において平成２２年１２月１日付けで拒絶理由が通知され、平成２３年２月４日付けで手続補正がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２３年２月４日付け手続補正による補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は次のとおりと認められる。
　
「透明基板を透過して出射した光により情報を表示する情報表示装置であって、
　前記透明基板における前記光の入射面側にマトリクス状に配置されて固着され、それぞれが物理的に分離された複数の薄膜ＬＥＤと、
　前記複数の薄膜ＬＥＤの第１導電側電極及び第２導電側電極を、それぞれマトリクス状に接続する複数本の、第１導電側薄膜導電路及び第２導電側薄膜導電路と、
　前記複数本の第１導電側薄膜導電路のそれぞれに入力する駆動電流を制御する第１導電側駆動回路部と、
　前記複数本の第２導電側薄膜導電路のそれぞれに入力する駆動電流を制御する第２導電側駆動回路部と、
　所定の外部装置から情報信号及び制御信号を受け入れて格納する記憶回路部と、
　前記第１導電側駆動回路部、前記第２導電側駆動回路部、及び記憶回路部とを制御して情報表示を行う画像制御回路部と、
　所定の外部装置から表示情報及び制御情報を含む光信号を受光すべく、受光面側に自然光を遮光する遮光フィルタを有する受光センサとを備え、
　前記複数の薄膜ＬＥＤのそれぞれは、前記透明基板から離間した位置で前記第１導電側電極に接続される第１導電型層と、前記透明基板と固着する側に位置し前記第２導電側電極に接続される第２導電型層とを有し、かつ前記第２導電型層が前記第１導電型層よりも大きな面積に形成され、
　前記第１導電型層は前記第１導電側薄膜導電路と、前記第２導電型層は前記第２導電側薄膜導電路と、それぞれ前記透明基板に対する非対向面側で接続され、
　前記画像制御回路部は、前記受光センサが前記光信号を受光すると、該センサを制御して該光信号に含まれる表示情報及び制御情報を前記記録回路部に格納し、該格納された表示情報及び制御情報に基づき前記情報表示を行う、
　ことを特徴とする情報表示装置。」（以下「本願発明」という。）
　
　なお、請求項１中に記載された「前記第２導電側回路部」及び「前記第１導電側導電路」は、それぞれ、「前記第２導電側駆動回路部」及び「前記第１導電側薄膜導電路」の誤りと認められるから、上記のとおり認定した。
　
　
２　引用刊行物の記載事項
　当審における拒絶の理由で引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−２７０８９８号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
（１）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表示装置およびその製造方法に関するものであり、更に詳しくは、微小なサイズの複数の半導体発光素子が基体面に間隔をあけて配置された表示装置およびその製造方法に関するものであり、更には輝度の大きい半導体発光素子が配置された表示装置およびその製造方法に関するものである。」
　
（２）「【００４５】
【実施例】以下、本発明の表示装置およびその製造方法を実施例により図面を参照して具体的に説明する。
【００４６】（実施例１）図１、図２は微小なサイズのＧａＮ系半導体発光素子１１を高分子化合物に埋め込んで見掛け上のサイズを大にしハンドリングを容易化させる場合のステップを示す断面図である。すなわち、図１は図示を省略した透明支持体面に下端面の長辺の大きさが１００μｍサイズのＧａＮ系半導体発光素子１１を３１０μｍピッチで配置し、図示を省略したポリイミド接着剤で固定した後、ＧａＮ系半導体発光素子１１の上端部と下端面を除いて、エポキシ樹脂の溶液を塗布、乾燥し、硬化させることによる絶縁層２１を形成させて埋め込んだもの１個分を示す。
【００４７】このＧａＮ系半導体発光素子１１の詳細は図３のＡの断面図、図３のＢの平面図に示すように、図示を省略したサファイア基板の（０００１）面に設けたＳｉＯ２ マスクの開口部に温度５００℃でバッファ層、続いて１０００℃でシリコンをドーピングしたｎ型の窒化ガリウム（ＧａＮ：Ｓｉ）１２を平板状に形成させ、更にその上へ設けたＳｉＯ２マスク１３の開口部に１０００℃で結晶成長させることにより六角錐形状のｎ型半導体（ＧａＮ：Ｓｉ）１４が得られる。そして、この六角錐の（１−１０１）面およびこれに等価な傾斜面上に、成長温度を下げてＩｎＧａＮからなる活性層１５を設け、更にその上へマグネシウムをドーピングしたｐ型の窒化ガリウム（ＧａＮ：Ｍｇ）層１６を成長させた後、その表層部のｐ型（ＧａＮ：Ｍｇ）層１６にＮｉ／Ａｕを蒸着して発光の反射面ともなるｐ電極１８を取り付け、平板状の（ＧａＮ：Ｓｉ）下地部１２の上面のＳｉＯ２マスク１３に開口を設けて、Ｔｉ／Ａｕを蒸着しｎ電極１９を取り付けたものである。
【００４８】図２の半導体発光素子１１は、図１の状態においてエポキシ樹脂の第一絶縁層２１の上面からＧａＮ系半導体発光素子１１の下地部１２に設けたｎ電極１９に至る接続開孔２２を穿設して全面にアルミニウムを蒸着またはスパッタリングした後、リソグラフィによって要部を残してエッチングし、上端部のｐ電極１８と下地部１２のｎ電極１９とにそれぞれに引き出し電極１８ｄ、引き出し電極１９ｄを設け、更にＧａＮ系半導体発光素子１１が略中央部に存在するように、第一絶縁層２１を３００μｍサイズでダイシングしたものについて、透明支持体側からレーザビームを照射しポリイミド接着剤を崩壊させて透明支持体を取り外したものである。このプラスチックで埋め込んで見掛けのサイズを大にした半導体発光素子１１は引き出し電極１８ｄ、１９ｄを駆動回路に接続し電流を注入することにより、下端面側へ青色の光を放射する表示装置として作動させることができる。
【００４９】（実施例２）図４、図５は実施例１の第一絶縁層２１で埋め込んだ３００μｍサイズのＧａＮ系半導体発光素子１１を基体３１の面上に間隔をあけて配置し固定する場合を示す断面図である。すなわち、図４は、図２に示したエポキシ樹脂の第一絶縁層２１で埋めた半導体発光素子１１を表示装置の表示パネルとなる透明な基体３１の面に４００μｍピッチで配置し固定した場合を示す図である。すなわち、基体３１の上面には接続用電極３２が所定の間隔で設けられており、それらの接続用電極３２の間に上記の第一絶縁層２１で埋めた半導体発光素子１１を透明接着剤３３で固定した後、それらの全面を覆うようにエポキシ樹脂溶液を塗布し、乾燥、加熱硬化させてエポキシ樹脂による第二絶縁層３４を形成させた状態を示す。
【００５０】図５は、図４の状態において、第二絶縁層３４の上面から内部のＧａＮ系半導体発光素子１１の引き出し電極１８ｄおよび基体３１の上面の接続用電極３２に至る２本の接続開孔３５、３６を設けると共に、同じく第二絶縁層３４の上面からＧａＮ系半導体発光素子１１の引き出し電極１９ｄに至る接続開孔３７を設けた後、全面にアルミニウムの蒸着またはスパッタリングを行い、リソグラフィによって要部を残してエッチングしＧａＮ系半導体発光素子１１のｐ電極１８は基体３１の面上において、またｎ電極１９は第二絶縁層３４の上面において、それぞれ図示されない駆動回路と接続するようにしたものである。このように微小な寸法形状としたＧａＮ系半導体発光素子１１をエポキシ樹脂の第一絶縁層２１で埋め込み見掛けのサイズの大きい半導体発光素子１１とすることによってハンドリングが容易化されるほか、第二絶縁層２１の上面に大きい面積の引き出し電極１８ｄ、１９ｄを設けることができるので、続くステップにおいてエポキシ樹脂による第二絶縁層３４からの電極の引き出しが容易化されるというメリットがある。」
　
（３）前記（２）（【００４６】〜【００４８】）を踏まえて図１を見ると、ＧａＮ系半導体発光素子１１は、その上端部と下端面を除いて、絶縁層２１を形成して埋め込まれること、が見て取れる。
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「サファイア基板の（０００１）面に設けたＳｉＯ２ マスクの開口部に温度５００℃でバッファ層、続いて１０００℃でシリコンをドーピングしたｎ型の窒化ガリウム（ＧａＮ：Ｓｉ）１２を平板状に形成させ、更にその上へ設けたＳｉＯ２マスク１３の開口部に１０００℃で結晶成長させることにより六角錐形状のｎ型半導体（ＧａＮ：Ｓｉ）１４を得、この六角錐の（１−１０１）面およびこれに等価な傾斜面上に、成長温度を下げてＩｎＧａＮからなる活性層１５を設け、更にその上へマグネシウムをドーピングしたｐ型の窒化ガリウム（ＧａＮ：Ｍｇ）層１６を成長させた後、その表層部のｐ型（ＧａＮ：Ｍｇ）層１６にＮｉ／Ａｕを蒸着して発光の反射面ともなるｐ電極１８を取り付け、平板状の（ＧａＮ：Ｓｉ）下地部１２の上面のＳｉＯ２マスク１３に開口を設けて、Ｔｉ／Ａｕを蒸着しｎ電極１９を取り付けてＧａＮ系半導体発光素子１１を形成し、
　前記ＧａＮ系半導体発光素子１１は、その上端部と下端面を除いて、絶縁層２１を形成して埋め込まれ、
　第一絶縁層２１の上面からＧａＮ系半導体発光素子１１の下地部１２に設けたｎ電極１９に至る接続開孔２２を穿設して全面にアルミニウムを蒸着またはスパッタリングした後、リソグラフィによって要部を残してエッチングし、上端部のｐ電極１８と下地部１２のｎ電極１９とにそれぞれに引き出し電極１８ｄ、引き出し電極１９ｄを設け、更にＧａＮ系半導体発光素子１１が略中央部に存在するように、第一絶縁層２１を３００μｍサイズでダイシングし、
　第一絶縁層２１で埋め込んだ３００μｍサイズの前記ＧａＮ系半導体発光素子１１を基体３１の面上に間隔をあけて配置し固定する場合、すなわち、エポキシ樹脂の第一絶縁層２１で埋めた半導体発光素子１１を表示装置の表示パネルとなる透明な基体３１の面に４００μｍピッチで配置し固定する場合、基体３１の上面には接続用電極３２が所定の間隔で設けられており、それらの接続用電極３２の間に上記の第一絶縁層２１で埋めた半導体発光素子１１を透明接着剤３３で固定した後、それらの全面を覆うようにエポキシ樹脂溶液を塗布し、乾燥、加熱硬化させてエポキシ樹脂による第二絶縁層３４を形成し、第二絶縁層３４の上面から内部のＧａＮ系半導体発光素子１１の引き出し電極１８ｄおよび基体３１の上面の接続用電極３２に至る２本の接続開孔３５、３６を設けると共に、同じく第二絶縁層３４の上面からＧａＮ系半導体発光素子１１の引き出し電極１９ｄに至る接続開孔３７を設けた後、全面にアルミニウムの蒸着またはスパッタリングを行い、リソグラフィによって要部を残してエッチングしＧａＮ系半導体発光素子１１のｐ電極１８は基体３１の面上において、またｎ電極１９は第二絶縁層３４の上面において、それぞれ駆動回路と接続するようにした、表示装置。」
　
　
３　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
　
（１）引用発明の「表示装置」は、「『（平板状に形成した）ｎ型の窒化ガリウム（ＧａＮ：Ｓｉ）１２』の上へ設けたＳｉＯ２マスク１３の開口部に・・・六角錐形状のｎ型半導体（ＧａＮ：Ｓｉ）１４を得、この六角錐の（１−１０１）面およびこれに等価な傾斜面上に・・・ＩｎＧａＮからなる活性層１５を設け、更にその上へ・・・ｐ型の窒化ガリウム（ＧａＮ：Ｍｇ）層１６を成長させた後、その表層部のｐ型（ＧａＮ：Ｍｇ）層１６に・・・ｐ電極１８を取り付け、平板状の（ＧａＮ：Ｓｉ）下地部１２の上面のＳｉＯ２マスク１３に開口を設けて・・・ｎ電極１９を取り付けてＧａＮ系半導体発光素子１１を形成し」、「（前記ＧａＮ系半導体発光素子１１を埋め込む）第一絶縁層２１の上面から・・・ｎ電極１９に至る接続開孔２２を穿設して・・・上端部のｐ電極１８と下地部１２のｎ電極１９とにそれぞれに引き出し電極１８ｄ、引き出し電極１９ｄを設け、更に・・・第一絶縁層２１を３００μｍサイズでダイシングし」、「第一絶縁層２１で埋めた半導体発光素子１１を表示装置の表示パネルとなる透明な基体３１の面に４００μｍピッチで配置し固定する場合、基体３１の上面には接続用電極３２が所定の間隔で設けられており、それらの接続用電極３２の間に上記の第一絶縁層２１で埋めた半導体発光素子１１を透明接着剤３３で固定した後、それらの全面を覆うようにエポキシ樹脂溶液を塗布し・・・第二絶縁層３４を形成し、第二絶縁層３４の上面から内部のＧａＮ系半導体発光素子１１の引き出し電極１８ｄおよび基体３１の上面の接続用電極３２に至る２本の接続開孔３５、３６を設けると共に、同じく第二絶縁層３４の上面からＧａＮ系半導体発光素子１１の引き出し電極１９ｄに至る接続開孔３７を設けた後、全面にアルミニウムの蒸着またはスパッタリングを行い、リソグラフィによって要部を残してエッチングしＧａＮ系半導体発光素子１１のｐ電極１８は基体３１の面上において、またｎ電極１９は第二絶縁層３４の上面において、それぞれ駆動回路と接続するようにし」たものであって、「活性層１５」で発光した光は「透明な基体３１」を透過して情報を表示するといえるとともに、「（『ｎ型の窒化ガリウム（ＧａＮ：Ｓｉ）１２』、『ＳｉＯ２マスク１３』、『六角錐形状のｎ型半導体（ＧａＮ：Ｓｉ）１４』、『活性層１５』、『ｐ型の窒化ガリウム（ＧａＮ：Ｍｇ）層１６』、『ｐ電極１８』及び『ｎ電極１９』からなる、複数の）ＧａＮ系半導体発光素子１１」は、それらにより表示を行うものであるから、「透明な基体３１」における光の入射面側にマトリクス状に配置されて固着され、それぞれが物理的に分離された複数の薄膜状のものであるといえる。また、「（基体３１上面の）接続用電極３２」、「（第二絶縁層３４の上面に形成され、引き出し電極１９ｄを介してｎ電極１９に接続される）アルミニウム（の層）」は、「ｐ電極１８」及び「ｎ電極１９」を、それぞれマトリクス状に接続するものであるといえる。よって、
　ア　引用発明の「透明な基体３１」、「ＧａＮ系半導体発光素子１１」、「ｐ電極１８」、「ｎ電極１９」、「（基体３１上面の）接続用電極３２」、「（第二絶縁層３４の上面に形成され、引き出し電極１９ｄを介してｎ電極１９に接続される）アルミニウム（の層）」及び「（透明な基体３１を透過して情報を表示する）表示装置」は、それぞれ、本願発明の「透明基板」、「（前記透明基板における前記光の入射面側にマトリクス状に配置されて固着され、それぞれが物理的に分離された）複数の薄膜ＬＥＤ」、「（前記複数の薄膜ＬＥＤの）第１導電側電極」、「（前記複数の薄膜ＬＥＤの）第２導電側電極」、「前記複数の薄膜ＬＥＤの第１導電側電極を、接続する複数本の、第１導電側薄膜導電路」、「前記複数の薄膜ＬＥＤの第２導電側電極を、接続する複数本の、第２導電側薄膜導電路」及び「（透明基板を透過して出射した光により情報を表示する）情報表示装置」に相当し、
　イ　引用発明は、本願発明の「透明基板を透過して出射した光により情報を表示する情報表示装置であって、前記透明基板における前記光の入射面側にマトリクス状に配置されて固着され、それぞれが物理的に分離された複数の薄膜ＬＥＤと、前記複数の薄膜ＬＥＤの第１導電側電極及び第２導電側電極を、それぞれマトリクス状に接続する複数本の、第１導電側薄膜導電路及び第２導電側薄膜導電路とを備え」との事項を備える。
　
（２）引用発明の「ＧａＮ系半導体発光素子１１」において、「（ｐ電極１８と接続される）ｐ型の窒化ガリウム（ＧａＮ：Ｍｇ）層１６」は、「透明な基体３１」から離間した位置で前記「ｐ電極１８」に接続され、また、「（ｎ電極１９と接続される）ｎ型半導体（ＧａＮ：Ｓｉ）１４及びｎ型の窒化ガリウム（ＧａＮ：Ｓｉ）１２」は、「透明な基体３１」と固着する側に位置し、前記「ｎ電極１９」に接続されたものであり、さらに、前記「ｎ型半導体（ＧａＮ：Ｓｉ）１４及びｎ型の窒化ガリウム（ＧａＮ：Ｓｉ）１２」は、その上へ設けた「ＳｉＯ２マスク１３」開口部に形成された「六角錐形状のｎ型半導体（ＧａＮ：Ｓｉ）１４」の上に成長された前記「ｐ型の窒化ガリウム（ＧａＮ：Ｍｇ）層１６」よりも大きな面積で形成されている、といえるから、
　ア　引用発明の「ｐ型の窒化ガリウム（ＧａＮ：Ｍｇ）層１６」及び「ｎ型半導体（ＧａＮ：Ｓｉ）１４及びｎ型の窒化ガリウム（ＧａＮ：Ｓｉ）１２」は、それぞれ、本願発明の「前記透明基板から離間した位置で前記第１導電側電極に接続される第１導電型層」及び「前記透明基板と固着する側に位置し前記第２導電側電極に接続される第２導電型層」に相当し、
　イ　引用発明は、本願発明の「前記複数の薄膜ＬＥＤのそれぞれは、前記透明基板から離間した位置で前記第１導電側電極に接続される第１導電型層と、前記透明基板と固着する側に位置し前記第２導電側電極に接続される第２導電型層とを有し、かつ前記第２導電型層が前記第１導電型層よりも大きな面積に形成され」との事項を備える。
　
（３）引用発明の「ｐ型の窒化ガリウム（ＧａＮ：Ｍｇ）層１６」は、「接続用電極３２」と、「透明な基体３１」に対する非対向面側である上端部側において「引き出し電極１８ｄ」を介して接続されており、また、「ｎ型半導体（ＧａＮ：Ｓｉ）１４及びｎ型の窒化ガリウム（ＧａＮ：Ｓｉ）１２」は、「（第二絶縁層３４の上面に形成され、引き出し電極１９ｄを介してｎ電極１９に接続される）アルミニウム（の層）」と、「透明な基体３１」に対する非対向面側である上端部側において「引き出し電極１９ｄ」を介して接続されている、といえるから、引用発明は、本願発明の「前記第１導電型層は前記第１導電側薄膜導電路と、前記第２導電型層は前記第２導電側薄膜導電路と、それぞれ前記透明基板に対する非対向面側で接続され」との事項を備える。
　
　したがって、本願発明と引用発明とは、　  
「透明基板を透過して出射した光により情報を表示する情報表示装置であって、
　前記透明基板における前記光の入射面側にマトリクス状に配置されて固着され、それぞれが物理的に分離された複数の薄膜ＬＥＤと、
　前記複数の薄膜ＬＥＤの第１導電側電極及び第２導電側電極を、それぞれマトリクス状に接続する複数本の、第１導電側薄膜導電路及び第２導電側薄膜導電路とを備え、
　前記複数の薄膜ＬＥＤのそれぞれは、前記透明基板から離間した位置で前記第１導電側電極に接続される第１導電型層と、前記透明基板と固着する側に位置し前記第２導電側電極に接続される第２導電型層とを有し、かつ前記第２導電型層が前記第１導電型層よりも大きな面積に形成され、
　前記第１導電型層は前記第１導電側薄膜導電路と、前記第２導電型層は前記第２導電側薄膜導電路と、それぞれ前記透明基板に対する非対向面側で接続される、情報表示装置。」
である点で一致し、次の点で相違する。　  
 　 
相違点
　本願発明は、複数本の第１導電側薄膜導電路のそれぞれに入力する駆動電流を制御する第１導電側駆動回路部と、複数本の第２導電側薄膜導電路のそれぞれに入力する駆動電流を制御する第２導電側駆動回路部と、所定の外部装置から情報信号及び制御信号を受け入れて格納する記憶回路部と、第１導電側駆動回路部、第２導電側駆動回路部、及び記憶回路部とを制御して情報表示を行う画像制御回路部と、所定の外部装置から表示情報及び制御情報を含む光信号を受光すべく、受光面側に自然光を遮光する遮光フィルタを有する受光センサとを備え、前記画像制御回路部は、前記受光センサが前記光信号を受光すると、該センサを制御して該光信号に含まれる表示情報及び制御情報を前記記録回路部に格納し、該格納された表示情報及び制御情報に基づき前記情報表示を行うのに対し、引用発明は、そのような第１導電側駆動回路部及び第２導電側駆動回路部を備えるのか否か明らかでなく、また、上記のような記憶回路部、画像制御回路部、受光センサを備えていない点。
　
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
　複数の発光ダイオードをマトリクス状に配置した表示装置において、アノード側に接続された複数本の配線のそれぞれに入力される駆動電流を制御するアノード側駆動回路と、カソード側に接続された複数本の配線のそれぞれに入力される駆動電流を制御するカソード側駆動回路とを備えたものは本願の出願時点で周知であり（必要なら、特開２００４−４６０８８号公報（図１とその説明）、特開２００３−５８１１０号公報（図１とその説明）、特開２００４−４８４８号公報（図１とその説明）参照。）、また、所定の外部装置から表示信号（表示情報）及び制御信号（制御情報）を含む光信号を受光センサで受光し、該表示信号（表示情報）及び制御信号（制御情報）に基づいて情報表示を行う表示装置は本願の出願時点で周知であり（例えば、特開平１０−２７１４２９号公報（【０００８】、【００１６】〜【００２９】、図１）、特開平１１−２１５４２０号公報（請求項１、【００１６】〜【００２３】、図１、図２）参照。）、さらに、受光センサの受光面側に赤外光以外の光を遮光する遮光フィルタをもうけるものは本願の出願時点で周知であるから（必要なら、特開昭６３−１２７６９５号公報（第１頁左下欄下から３行目〜同頁右下欄下から７行目、第９図、第１０図）、特開平５−１２２７７４号公報（【０００７】、図１）、特開２００４−３２０３０４号公報（【００１５】、図１）参照。）、引用発明の「表示装置」において、複数本の「接続用電極３２」のそれぞれに入力する駆動電流を制御する「アノード側駆動回路」及び複数本の「（第二絶縁層３４の上面に形成され、引き出し電極１９ｄを介してｎ電極１９に接続される）アルミニウム（の層）」のそれぞれに入力する駆動電流を制御する「カソード側駆動回路」を設けるとともに、所定の外部装置からの表示信号（表示情報）及び制御信号（制御情報）を含む光信号を受光する受光センサを設け、該受光センサが前記光信号を受光した際にその表示情報及び制御情報に基づき情報表示を行うべく、該情報信号及び制御信号を受け入れて格納する記憶回路部を設けるとともに、第１導電側駆動回路部、第２導電側駆動回路部、記憶回路部及び受光センサを制御する画像制御回路部を設けて、上記相違点に係る本願発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。