【事件の表示】
　上記当事者間の特許第４３６８９８７号発明「発光ダイオードによって励起される燐光体蛍光アッセンブリ」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第４３６８９８７号の請求項１ないし請求項３に係る発明についての特許を無効とする。
　審判費用は、被請求人の負担とする。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本件特許は，平成１１年１０月７日に出願され，平成２１年９月４日に特許権の設定登録がなされたものである（特許第４３６８９８７号）。
　これに対し，請求人青木眞理（以下，単に「請求人」という）は，平成２２年９月１３日に本件特許無効審判を請求した。その後，当審において，平成２２年１０月１８日付けで，被請求人エイチ．イー．ウイリアムズ．インコーポレイティド（以下，単に「被請求人」という）に対して，審判請求書の副本を送達し，期間を指定して答弁書を提出する機会を与えたが，被請求人からは何らの応答もなかった。
　
第２　本件特許発明 
　本件特許の請求項１ないし３に係る発明（以下，「本件特許発明１」ないし「本件特許発明３」という）は，特許時における明細書（以下，「本件明細書」という）の特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定される，次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】
（１）ハウジングと；
（２）前記ハウジング内に伝送された電源と；
（３）前記ハウジング内にマウントされ，電磁スペクトルの紫外領域に対して感応する燐光体の励起のための波長を出力するに十分な，一連の発光ダイオードと；
（４）前記複数の発光ダイオードによって使用されるための既知の電圧に電力を変換するための変換手段と；
（５）内表面領域を有する発光性の透明表面と；
（６）前記透明な密閉体の内表面領域上に設置された紫外励起燐光体の皮膜であって，前記燐光体皮膜が前記ダイオードからの発光によって励起された場合，前記皮膜によってかつ前記透明な表面を介して裸眼に可視の光スペクトルが形成されるもの；を含む，照明アッセンブリ。
【請求項２】
　前記各ダイオードは１個のピーク強度波長と約８．６の半値全幅分散を有する，請求項１に記載のアッセンブリ。
【請求項３】
　前記各ダイオード出力は，蛍光水銀アークの２次紫外出力ピークの６ｎｍよりも小さくない，請求項１に記載のアッセンブリ。」
　
第３　請求人の主張 
１．請求の趣旨及び理由
　請求人は，審判請求書において，「特許第４３６８９８７号の特許を無効とする。審判費用は被請求人の負担とする」との審決を求め，その理由として次のように主張している。
（１）無効理由１
　請求項１及び３に係る特許発明は，甲第１号証，甲第２号証及び甲第３号証に記載された発明と同一であるから，特許法第２９条第１項第３号の規定により特許受けることができないものであり，その特許は，同法第１２３条第１項第２号に該当し，無効とすべきである。
　
（２）無効理由２
　請求項１及び３に係る特許発明は，甲第１号証ないし甲第５号証に記載された発明に基づいて，出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり，その特許は，同法第１２３条第１項第２号に該当し，無効とすべきである。
　
（３）無効理由３
　請求項２に記載された発明特定事項のうち，「各ダイオードは・・・約８．６の半値全幅分散を有する」については，「半値全幅分散」の技術的意義，「約８．６」の単位が不明で，発明の詳細な説明には，「半値全幅分散」の定義，その分散値の調整方法，数値限定の技術的意義，効果について明確かつ十分に記載されていないから，特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしておらず，本件特許は，同法第１２３条第１項第４号に該当し，無効とすべきである。
　
２．証拠方法 
　請求人は上記主張を立証するため，次の証拠方法を提出している。 
（１）甲第１号証；特開平１１−８７７７０号公報
（２）甲第２号証；特開平１１−１３５２７４号公報
（３）甲第３号証；特開平７−２８２６０９号公報
（４）甲第４号証；特開平１０−１９００５３号公報
（５）甲第５号証：特開平１０−８４１３４号公報
　
第４　当審の判断 
第４−１　進歩性（無効理由２について）
１．刊行物記載事項
（１）甲第１号証
　請求人が甲第１号証として提出した，本件特許の出願前に頒布された刊行物である特開平１１−８７７７０号公報には，図面とともに次の事項が記載されている。 
　１ａ）「【請求項５】配線基板と，前記配線基板上に設けられた紫外線を放出する複数の半導体発光素子と，前記配線基板の周囲を覆うように設けられた透光性を有する外囲器と，を備え，さらに，前記外囲器の内壁面には蛍光体が設けられ，前記半導体発光素子が放出する前記紫外線を吸収して，前記紫外線よりも長い波長を有する２次光を放出するようにしたことを特徴とする照明装置。」
　１ｂ）「【００２９】図１は，本発明の第１の実施の形態に係る照明装置を表す概略図である。すなわち，同図（ａ）は，その全体斜視図であり，同図（ｂ）は，その横断面図，同図（ｃ）は，その配線基板の概略平面図である。
【００３０】本実施形態による照明装置１００は，配線基板１１０が外囲器１２０Ａおよび外囲器１２０Ｂの内部に収容された構成を有する。外囲器１２０Ａおよび１２０Ｂは，それぞれ，例えば樹脂により形成することができる。外囲器１２０Ａは，透光性を有するカバーであり，外囲器１２０Ｂは，天井などに取り付けるためのベースとしての役割を有する。
【００３１】配線基板１１０の主面上には，白色の発光を放出する半導体発光装置１３０，１３０，・・・が配置されている。この半導体発光装置１３０は，後に詳述するように，紫外線を発光する発光ダイオード（ＬＥＤ）と蛍光体とを備える。このような半導体発光装置１３０は，例えば，赤色，緑色および青色のそれぞれの波長領域に強度ピークをを有するような，いわゆる「３波長型」の白色発光特性を有することが望ましい。
【００３２】図２は，本発明において用いて好適な半導体発光装置の構成を表す概略断面図である。すなわち，半導体発光装置１３０は，少なくとも半導体発光素子１３２と，蛍光体１３６とを備える。半導体発光素子１３２は，例えばリード・フレームなどの実装部材１３４の上にマウントされている。そして，半導体発光素子１３２の光取り出し経路上に蛍光体１３６が配置されている。半導体発光素子１３２は，例えば，樹脂１３８などにより封止するようにしても良い。
【００３３】半導体発光素子１３２は，紫外線を放出し，蛍光体１３６は，その紫外線を吸収して波長変換し，所定の波長を有する可視光あるいは赤外線を外部に放出する。」
　１ｃ）「【００３５】また，これらの蛍光体は，３３０ｎｍ付近の波長帯において吸収ピークを有する場合が多い。従って，これらの蛍光物質により効率的に波長変換を行うためには，半導体発光素子１３２が３３０ｎｍ付近の波長帯の紫外線を放出するようにすることが望ましい。このような特性を有する半導体発光素子１３２としては，ホウ素（Ｂ）を含んだＧａＮを発光層として用いたものを挙げることができ，この好適な構成については後に詳述する。
【００３６】一方，このような蛍光体１３６は，半導体発光素子１３２から離れてその放出光の経路上に配置しても良く，半導体発光素子１３２の表面上に堆積しても良く，半導体発光素子１３２の内部に配置あるいは含有させても良い。」
　
（２）甲第２号証
　請求人が甲第２号証として提出した，本件特許の出願前に頒布された刊行物である特開平１１−１３５２７４号公報には，図面とともに次の事項が記載されている。
　２ａ）「【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
（第１の実施の形態）図１はＬＥＤ照明装置の構成を示し，（ａ）は一部切欠した平面図，（ｂ）は一部切欠した側面図，（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ断面図，（ｄ）は（ｂ）の矢印Ｂ方向から見た図である。複数のＬＥＤ１１を基板１２の一面側にこの基板１２の面に対して略垂直方向に発光指向性を示すようにして縦横に整列して配置している。なお，この場合，各ＬＥＤ１１の個々の配置を発光強度分布を考慮して行えば，より配光面の光強度分布品質を高めることができる。
【００１０】前記基板１２の他面側に前記各ＬＥＤ１１の点灯回路１３を配置している。そして，各ＬＥＤ１１及び点灯回路１３を配置した基板１２をカバーである断面小判形状の透明な耐熱性のアクリル管１４内に挿入し，前記基板１２及びアクリル管１４の一端を口金１５内に固定している。前記口金１５の外面には４本の口金ピン１６を突出させて設けている。前記各ＬＥＤ１１としては白色光を発光するＬＥＤを使用している。なお，ＬＥＤとして，赤色，青色，黄色，緑色の発光を行うＬＥＤを使用してもよい。」
　２ｂ）「【００１２】また，ここでは指向性，配光面強度を重視しカバーとして透明な耐熱性のアクリル管１４を使用したが必ずしもこれに限定するものではなく，ポリカーボネイトなど他の透明な耐熱性の高いプラスチック材，あるいはガラスでもよい。また，透明材ではなく，出射光輝度の均一，指向性の緩和，演色性の向上のために白色又はその他の色でもよく，透明材に各色の塗料，フィルタの使用も可能である。さらに，ＬＥＤとして紫外線発光型ＬＥＤを用いた場合には，カバーに蛍光体を塗布又はカバーの部材に蛍光体を混含させることにより紫外線を可視光に変換する構造でもよい。
【００１３】図２は照明用インバータ安定器を備えた照明器具にこのＬＥＤ照明装置を取付けた状態での全体の回路構成を示すブロック図で，照明器具は，商用電源２１に整流回路２２を介して平滑回路２３を接続し，この平滑回路２３にインバータ回路２４を接続して構成している。そして，前記インバータかいろ２４の出力端子にＬＥＤ照明装置２５を接続している。
【００１４】前記インバータ回路２４は，図３に示すように，前記平滑回路２３の出力端子間に第１のインダクタ素子３１とＮＰＮ形スイッチングトランジスタ３２との直列回路を接続している。前記第１のインダクタ素子３１に共振用コンデンサ３３を並列に接続してＬＣ並列共振回路を構成している。前記トランジスタ３２にダイオード３４を図示極性にして並列に接続している。そして，前記第１のインダクタ素子３１の一端（トランジスタ３２との非接続端）を第２のインダクタ素子３５を介して前記ＬＥＤ照明装置２５の口金ピン１６の１つ１６ａに接続し，前記第１のインダクタ素子３１の他端（トランジスタ３２との接続端）をコンデンサ３６を介して前記ＬＥＤ照明装置２５の口金ピン１６の他の１つ１６ｂに接続している。前記ＬＥＤ照明装置２５の口金ピン１６の残りの２つ１６ｃ，１６ｄの間にはコンデンサ３７を接続している。
【００１５】前記ＬＥＤ照明装置２５の回路は，図４に示すように，４つの口金ピン１６ａ〜１６ｄのうち，１６ａと１６ｃを共通に接続し，１６ｂと１６ｄを共通に接続し，口金ピン１６ａ，１６ｃの接続点をダイオードブリッジ全波整流回路４１の一方の入力端子に接続し，口金ピン１６ｂ，１６ｄの接続点を前記全波整流回路４１の他方の入力端子に接続している。前記全波整流回路４１を構成する各ダイオードとして，例えば，逆回復時間が数十ｎｓ〜数μｓの高速整流用ダイオードを使用している。これにより，インバータ安定器に対してダイオードの発熱が抑えられ，その結果，商用電源のみでなく，インバータ回路２４の出力の高周波電源に対してもダイオードの発熱が抑えられ照明装置の短命化を防止できる。なお，全波整流回路４１に代えて半波整流回路を使用してもよい。
【００１６】前記全波整流回路４１の出力端子間に第３のインダクタ素子４２を介して平滑回路を構成する平滑コンデンサ４３を接続している。そして，前記平滑コンデンサ４３にｎ個のＬＥＤ１１を直列に接続した発光ダイオードアレイをｍ個並列に接続した発光ダイオードアレイ群をＬＥＤユニット４４として接続している。」
　２ｃ）「【００１８】従って，前記平滑コンデンサ４３として，出力がＶmin.以上で，Ｖmax.以下の電圧値を常に維持できる容量に設定すれば，ＬＥＤユニット４４は常に正常点灯領域で動作することになり，発光にちらつきのない連続点灯ができる。」
　
　上記各記載事項及び図面の記載によれば，甲第２号証には，次の発明（以下，「甲２発明」という）が記載されているといえる。
　「商用電源２１に整流回路２２，平滑回路２３及びインバータ回路２４を介して接続されるＬＥＤ照明装置であって，紫外線発光型の複数のＬＥＤ１１がＬＥＤユニット４４として配置された基板１２がカバーとしての透明なアクリル管１４内に挿入され，基板１２とアクリル管１４の一端が口金１５内に固定され，口金１５の外面にはインバータ回路２４に接続するための口金ピン１６が突出して設けられており，ＬＥＤユニット４４への出力電圧が所定範囲内となるように容量が設定された平滑コンデンサ４３を備え，カバーとしての透明なアクリル管１４に蛍光体が塗布されて紫外線が可視光に変換されるようにしたＬＥＤ照明装置。」
　
（３）甲第３号証
　請求人が甲第３号証として提出した，本件特許の出願前に頒布された刊行物である特開平７−２８２６０９号公報には，図面とともに次の事項が記載されている。
　３ａ）「【請求項１】赤外線から紫外線までの間の特定波長のレーザ光を出力する半導体レーザ素子と，この半導体レーザ素子からのレーザ光を拡散するレンズと，この拡散レンズからの拡散レーザ光を可視光に変換する蛍光体を備えていることを特徴とする照明用光源装置。」
　３ｂ）「【００１９】＜蛍光体利用タイプ＞図１（ａ）において，複数個の半導体レーザ素子１をヒートシンク（吸熱体）２に埋設あるいは取付け，各半導体レーザ素子１の前方に拡散レンズ３を配設し，アルゴンガス等を封入した真空ガラス管５の内壁面に蛍光体４を設ける。半導体レーザ素子１から出力されるレーザビーム光Ｌ０は拡散レンズ３で拡散し，この拡散光Ｌ１により蛍光体４の蛍光物質が励起され，可視光Ｌが得られる。
【００２０】半導体レーザ素子１の構造は，後に詳述するが，概略して活性層（発光層）１００，クラッド層１０１・１０２，基板１０３からなり（図５参照），発振波長が赤外領域から紫外線領域までの範囲の中から，蛍光体４による可視光変換に最適な波長の結晶構造を選択する。
【００２１】半導体レーザ素子１の結晶構造には，表１に示すものが実用化されているが，室温で安定して連続発振し，比較的大出力の得られる０．７μｍ帯・０．８μｍ帯のＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ，１μｍ帯のＩｎ1-x Ｇａx Ａｓy Ｐ1-y ，０．６μｍ帯の（Ａｌx Ｇａ1-x ）Ｉｎ0.5 Ｐ0.5 などを使用するのが好ましい。」
　３ｃ）「【００２９】以上のような半導体レーザ素子１は，図３に示すように，ＡＣまたはバッテリーＤＣの電源６と点灯回路７が接続される。点灯回路７には，電流制限抵抗Ｒ１，必要に応じて光度調整用抵抗Ｒ２を設ける。電源６がＡＣ電源の場合には，整流ダイオードＤを設けて半波整流し，あるいはトランスＴで必要な電圧に降圧後，全波整流器Ｄ’で全波整流する。また，半導体レーザ素子１は複数個配設されるが，直列接続であると，一個が不点灯になると全てが不点灯になるので，並列に接続し，あるいは並列と直列を組み合わせて接続する。」
　３ｄ）「【００３２】照明用光源装置自体の形態としては，電球型や蛍光灯型などとすることができる。図４（ａ）に示すのは，電球型であり，ソケット部１０にヒートシンク２を取付け，このヒートシンク２に半導体レーザ素子１を複数個取付ける。ここで，半導体レーザ素子１は通常０．４ｍｍ角程度の大きさであり，普通の電球の大きさであれば，１２個ほど装着することが可能である。」
　３ｅ）表１には，半導体レーザ素子１の結晶構造の具体例とその発振波長が記載されており，具体例の中に「発振波長〔μｍ〕」が「０．３５〜０．４（紫外〜紫）」のものが示されている。
　３ｆ）図１（ａ）において，真空ガラス管５は，符号１０で示される部材と一体的に設けられていることが看取できる。
　
　図１（ａ）に符号１０で示される部材は，図４（ａ）について「ソケット部１０」として説明された部材（記載事項３ｄ参照）と同等なものであることが明らかである。
　以上を総合すると，甲第３号証には，次の発明（以下，「甲３発明」という）が記載されているといえる。
　「赤外線から紫外線までの間の特定波長のレーザ光を出力する半導体レーザ素子１，半導体レーザ素子１からのレーザ光を拡散するレンズ３，拡散レンズ３からの拡散レーザ光を可視光に変換する蛍光体４を備えた照明用光源装置であって，半導体レーザ素子１はソケット部１０に取り付けたヒートシンク２に複数個設けられ，蛍光体４はソケット部１０に一体的に取り付けられた真空ガラス管５の内壁面に設けられ，半導体レーザ素子１にはＡＣ電源６と点灯回路７が接続され，点灯回路７においてトランスで必要な電圧に降圧された後，全波整流されるようにした照明用光源装置。」
　
（４）甲第４号証
　請求人が甲第４号証として提出した，本件特許の出願前に頒布された刊行物である特開平１０−１９００５３号公報には，次の事項が記載されている。
　４ａ）「【００６４】特に，約３６５ｎｍから４００ｎｍ以下の紫外域に発光させる場合は，ｎ型窒化ガリウムと，ｐ型窒化ガリウムとの間に，ダブルへテロ構造とさせｎ型不純物濃度が５×１０17／ｃｍ3未満の窒化インジウム・ガリウム（ＩｎαＧａ1-αＮ）であって，膜厚が１００オングストローム以上１０００オングストローム以下，Ｉｎの値αは０より多く０．１以下とすることで高効率に発光することができる。なお，ｎ型不純物とはＳｉ，Ｓ，Ｇｅ，Ｓｅから選択される少なくとも一種である。膜厚として１００オングストローム以上，１０００オングストローム以下が好ましく，更に好ましくは，２００オングストローム以上，８００オングストローム以下，最も好ましくは２５０オングストローム以上，７００オングストローム以下である。
【００６５】同様に，ｎ型窒化ガリウムと，ｐ型窒化ガリウムとの間に，ダブルへテロ構造とさせｎ型不純物濃度が５×１０17／ｃｍ3以上の窒化インジウム・ガリウム（ＩｎδＧａ1-δＮ）であって，膜厚が１００オングストローム以上，Ｉｎの値δは０より多く０．１以下とすることで約３６５ｎｍから４００ｎｍ以下の紫外域において高効率に発光することができる。なお，ｎ型不純物とはＳｉ，Ｓ，Ｇｅ，Ｓｅから選択される少なくとも一種である。膜厚として１００オングストローム以上が好ましく，更に好ましくは，２００オングストローム以上である。」
　
（５）甲第５号証
　請求人が甲第５号証として提出した，本件特許の出願前に頒布された刊行物である特開平１０−８４１３４号公報には，次の事項が記載されている。 
　５ａ）「【００２８】活性層と第１のクラッド層の好ましい組み合わせは，第１のｎ型クラッド層をＩｎy Ｇａ1-y Ｎ，活性層をＩｎx Ｇａ1-x Ｎ，第１のｐ型クラッド層をＩｎzＧａ1-z Ｎで形成するものである。但し，この組み合わせにおいて，バンドギャップエネルギーの関係からｙ＜ｘ，ｚ＜ｘを満たしていることはいうまでもない。活性層は，ｎ型またはノンドープの方がバンド間発光による半値幅の狭い発光が得られるので好ましい。」
　
２．対比・判断
（１）本件特許発明１について
　本件特許発明１と甲２発明を対比する。
　甲２発明の「商用電源２１」，「複数のＬＥＤ１１」，「蛍光体」は，それぞれ本件特許発明１の「電源」，「一連の発光ダイオード」，「燐光体皮膜」に相当し，甲２発明の「透明なアクリル管１４」は，本件特許発明１の「ハウジング」及び「透明な密閉体」に相当する。
　甲２発明は，複数のＬＥＤ１１がＬＥＤユニット４４として配置された基板１２がアクリル管１４内に挿入されるものであるから，本件特許発明１における「ハウジング内にマウントされ」る「一連の発光ダイオードと」との要件を備える。
　甲２発明は，複数のＬＥＤ１１が紫外線発光型であり，透明なアクリル管１４に塗布された蛍光体によって紫外線が可視光に変換されるようにしたものであるから，本件特許発明１における「電磁スペクトルの紫外領域に対して感応する燐光体の励起のための波長を出力するに十分な，一連の発光ダイオード」及び「透明な密閉体の」「表面領域上に設置された紫外励起燐光体の皮膜であって，前記燐光体皮膜がダイオードからの発光によって励起された場合，前記皮膜によってかつ透明な表面を介して裸眼に可視の光スペクトルが形成される」との要件を備える。
　甲２発明は，複数のＬＥＤ１１からなるＬＥＤユニット４４への出力電圧が所定範囲内となるようにした平滑コンデンサ４３を備えるものであるから，本件特許発明１における「複数の発光ダイオードによって使用されるための既知の電圧に電力を変換するための変換手段」との要件を備える。
　甲２発明は，透明なアクリル管１４に蛍光体が塗布されるものであるから，本件特許発明１における「表面領域を有する発光性の透明表面」との要件を備える。
　甲２発明の商用電源２１がアクリル管１４内に伝送されることは明らかである。
　したがって，本件特許発明１と甲２発明は，本件特許発明１の表記にしたがえば，
　「ハウジングと，前記ハウジング内に伝送された電源と，前記ハウジング内にマウントされ，電磁スペクトルの紫外領域に対して感応する燐光体の励起のための波長を出力するに十分な，一連の発光ダイオードと，表面領域を有する発光性の透明表面と，前記透明な密閉体の表面領域上に設置された紫外励起燐光体の皮膜であって，前記燐光体皮膜が前記ダイオードからの発光によって励起された場合，前記皮膜によってかつ前記透明な表面を介して裸眼に可視の光スペクトルが形成されるものを含む，照明アッセンブリ。」
　である点で一致し，以下の点で一応相違する。 　
［相違点］
　本件特許発明１では，燐光体皮膜が透明な密閉体の内表面に設けられるのに対して，甲２発明では，蛍光体が透明なアクリル管１４の表面に設けられる（塗布される）ものであるが，アクリル管１４の内表面に設けられることは明らかでない点。
　上記相違点について検討する。甲２発明において，蛍光体を透明なアクリル管１４の表面に塗布するにあたって，アクリル管１４の内側に塗布する形態と外側に塗布する形態とが考えられるところ，そのいずれの形態とするかは，当業者が適宜選択し得る事項に過ぎない。
　したがって，本件特許発明１は，甲２発明に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　
　次に，本件特許発明１と甲３発明を対比する。
　甲３発明の「ＡＣ電源６」，「トランス」，「蛍光体４」，「真空ガラス管５」は，それぞれ本件特許発明１の「電源」，「変換手段」，「燐光体皮膜」，「透明な密閉体」に相当し，甲３発明の「ソケット部１０」及び「真空ガラス管５」は，本件特許発明１の「ハウジング」に相当する。
　甲３発明の「半導体レーザ素子１」と本件特許発明１の「発光ダイオード」は，前者が出力する光がレーザ光であるのに対して，後者が出力する光はレーザ光でない点を除けば，両者は同等なものといえる。そこで，この相違については後で検討することとし，便宜上，甲３発明の「半導体レーザ素子１」は本件特許発明１の「発光ダイオード」に相当するものとする。
　甲３発明は，半導体レーザ素子１がソケット部１０に取り付けたヒートシンク２に複数個設けられるものであるから，本件特許発明１における「ハウジング内にマウントされ」た「一連の発光ダイオード」との要件を備える。
　甲３発明は，赤外線から紫外線までの間の特定波長のレーザ光を出力する半導体レーザ素子１からのレーザ光を可視光に変換する蛍光体４が真空ガラス管５の内壁面に設けられるものであるところ，該特定波長として紫外領域の波長を選択した場合，甲３発明は，本件特許発明１における「電磁スペクトルの紫外領域に対して感応する燐光体の励起のための波長を出力するに十分な，一連の発光ダイオード」，「内表面領域を有する発光性の透明表面」及び「透明な密閉体の内表面領域上に設置された紫外励起燐光体の皮膜であって，前記燐光体皮膜がダイオードからの発光によって励起された場合，前記皮膜によってかつ透明な表面を介して裸眼に可視の光スペクトルが形成される」との要件を備えることになる。
　甲３発明は，半導体レーザ素子１に接続される点灯回路７においてトランスで必要な電圧に降圧させるものであるから，本件特許発明１における「複数の発光ダイオードによって使用されるための既知の電圧に電力を変換するための変換手段」との要件を備える。
　甲３発明のＡＣ電源６がソケット部１０内に伝送されることは明らかである。
　そうしてみると，本件特許発明１と甲３発明は，前者が発光ダイオードを用いるのに対して，後者が半導体レーザ素子を用いる点で相違し，その余の点では相違するところがない。
　そこで，上記相違点について検討する。半導体レーザ素子が出力する光（レーザ光）は，発光ダイオードが出力する光に比べて，ピーク波長に集約された波長分布を有する点で優れたものといえるが，反面，コスト高となるものであり，照明装置において，半導体レーザ素子を用いるか，発光ダイオードを用いるかは，当業者が必要に応じて選択し得る事項である。甲３発明においても，半導体レーザ素子に代えて発光ダイオードを用いることは，当業者が容易に想到し得たというべきである。
　したがって，本件特許発明１は，甲３発明に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　
（２）本件特許発明３について
　本件特許発明３は，本件特許発明１の下位概念にあたり，本件特許発明１が備える要件の他に「各ダイオード出力は，蛍光水銀アークの２次紫外出力ピークの６ｎｍよりも小さくない」との要件を備える。
　しかし，甲第１号証の記載事項１ｃ，甲第３号証の記載事項３ｅからも理解されるように，紫外線の波長が６ｎｍよりは大きい領域にあることは技術常識である（甲第３号証には，甲３発明の半導体レーザ素子１の構造として用い得る結晶構造として，発振波長が０．３５〜０．４μｍ，すなわち３５０〜４００ｎｍのものが示されている）。
　したがって，本件特許発明３は，甲２発明または甲３発明に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　
３．小括
　以上のとおり，本件特許発明１及び本件特許発明３は，甲第２号証または甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであって，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
第４−２　記載要件（無効理由３について）
　請求人は，請求項２に記載された発明については，特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない旨主張するが，特許法第３６条の規定について本件特許に適用されるのは，同条第４項に第２号の規定が追加された平成１４年法ではなく，同条第４項に第１号としての規定がない平成６年法である。したがって，請求人が主張する「特許法第３６条第４項第１号に規定する要件」は，請求人の錯誤によるものであって，正しくは，平成６年法に係る「特許法第３６条第４項に規定する要件」と解される。
　本件特許発明２では，「各ダイオードは１個のピーク強度波長と約８．６の半値全幅分散を有する」ことが特定されているが，「約８．６の半値全幅分散」とは，技術的にどのような意味をもつのか明らかではなく，本件明細書の発明の詳細な説明に当業者が理解できる程度に記載されているともいえない。同発明の詳細な説明に「本発明に組み込まれることが望ましいＬＥＤは，Nichia America Corporationによって製造され，電磁スペクトルの紫外領域において発光する。好ましいInGaN ダイオードは，３７１nmの波長に強度ピークを有し，更に現在および従来の蛍光照明において見られる水銀アークの２次紫外出力ピークの１個の６nm以内の出力と共に約８．６nmの半値全幅分散を有する。このタイプのダイオードの寿命は約１００，０００時間を越えるものと信じられており，ガラスまたはその他の滑らかな表面の燐光体皮膜上に十分な発光を形成することが可能である。」（段落【００１１】）とある記載を参照しても，「半値全幅分散」についてはその技術的意味が明らかでない。
　したがって，発明の詳細な説明は，当業者が本件特許発明２を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとはいえないから，特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　
第５　むすび 
　以上のとおり，本件特許発明１及び本件特許発明３は，いずれも，特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであり，その特許は，特許法第１２３条第１項第２号に該当し，無効とすべきものである。
　また，発明の詳細な説明は，当業者が本件特許発明２を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとはいえず，特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていないから，その特許は，同法第１２３条第１項第４号に該当し，無効とすべきである。
　そして，審判に関する費用については，特許法第１６２条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により，被請求人が負担すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。