【事件の表示】
　特願２００４−　４８２９６「液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１１月１１日出願公開、特開２００４−３１８０７７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１６年２月２４日（優先権主張　平成１５年３月３１日）に特許出願されたものであって、平成２０年１２月１９日付けで拒絶理由通知がなされ、平成２１年２月９日に手続補正がなされたが、同年１０月２１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２２年１月１５日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに同時に手続補正がなされたものであり、その請求項に係る発明は、平成２２年１月１５日に補正された本願特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項によりそれぞれ特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「対向配置された一対の基板と、
　前記一対の基板間に封止された液晶と、
　前記一対の基板の少なくとも一方に形成され、前記液晶の配向を規制する配向規制用構造物と、
　前記配向規制用構造物が第１の配置間隔で配置され、前記液晶が駆動される第１の閾値電圧を有する第１の領域と、前記配向規制用構造物が前記第１の配置間隔より狭い第２の配置間隔で配置され、前記第１の閾値電圧より低い第２の閾値電圧を有する第２の領域とを共に備えた複数の画素領域と
　を有することを特徴とする液晶表示装置。」　
　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された特開平１１−２４２２２５号公報（以下「引用例」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）に関し、特にＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  Ａｌｉｇｎｅｄ）型ＬＣＤ（ＶＡモードＬＣＤ）で配向分割を実現する技術に関する。」
　
「【００１７】
【課題を解決するための手段】図９は、本発明の原理を説明する図である。図９に示すように、本発明によれば、従来の垂直配向膜を使用し、液晶材料としてネガ型液晶を封入したＶＡ方式において、電圧を印加した時に、液晶が斜めに配向される配向方向が、１画素内において、複数の方向になるように規制するドメイン規制手段を設ける。ドメイン規制手段は２枚の基板の少なくとも一方に設ける。また、ドメイン規制手段として機能するものとしては各種あるが、少なくとも１つのドメイン規制手段は、斜面を有するものである。なお断面が長方形で基板に対して略垂直に立ち上がる面も斜面に含まれるものとする。図９では、ドメイン規制手段として、上側基板の電極１２を１画素内でスリットを有する電極とし、下側基板の電極１３の上には突起２０を設けている。」
　
「【００３２】
【発明の実施の形態】図１３は、本発明の第１実施例の液晶パネルの全体構成を示す図である。図１１に示すように、第１実施例の液晶パネルは、ＴＦＴ型のＬＣＤで、一方のガラス基板１６には対向（コモン）電極１２が形成されており、他方のガラス基板１７には平行に形成された複数本のスキャンバスライン３１、スキャンバスラインに垂直な方向に平行に形成された複数本のデータバスライン３２、スキャンバスラインとデータバスラインの交点に対応してマトリクス状に設けられたＴＦＴ３３及び画素（セル）電極１３が設けられており、各基板の表面は垂直配向処理が施されており、２枚の基板の間にはネガ型の液晶が封止されている。ガラス基板１６は、カラーフィルタが形成されるのでカラーフィルタ基板（ＣＦ基板）と呼ばれ、ガラス基板１７はＴＦＴ基板と呼ばれる。ＴＦＴ−ＬＣＤの詳しい説明については省略し、ここでは本発明の特徴である電極部分の形状について説明する。
【００３３】図１４は、本発明の第１実施例のパネル構造を示す図であり、（１）は斜めから見た状態を模式的に示す図であり、（２）は側面図である。また、図１５は第１実施例における突起パターンの画素との関係を示す図であり、図１６は第１実施例の液晶パネルの表示領域外における突起パターンを示す図であり、図１７は第１実施例の液晶パネルの断面図である。
【００３４】図１７に示すように、ＣＦ基板１６の液晶に面する側の表面には、ブラックマトリクス層３４、カラーフィルタ３９、コモン電極をなすＩＴＯ膜１２、及び等ピッチで平行な突起２０が形成される。なお、この上に更に垂直配向膜が形成されるが、ここでは省略してある。ＴＦＴ基板１７の液晶に面する側の表面には、ゲートバスラインをなすゲート電極３１、ＣＳ電極３５、絶縁膜４３、４０、データバスラインをなす電極、画素電極をなすＩＴＯ膜１３、及び等ピッチで平行な突起２０が形成される。なお、ＴＦＴ基板でも更に垂直配向膜が形成されるが、ここでは省略してある。参照番号４１と４２は、それぞれＴＦＴのソースとドレインである。本実施例では、突起２０Ａと２０ＢはＴＦＴ平坦化材（ポジ型レジスト）で作成した。」
　
「【０１４５】突起の間隙ｍが小さいほど液晶分子が受ける電界ベクトルの影響が強くなり、駆動に伴う電界ベクトルの問題を抑制することができる。」　
　
「【０１４６】…。図１１９は、本発明の第２９実施例の突起パターンを示す図である。第２９実施例では、各画素内において、突起の間隙ｍを、上側と下側のゲートバスラインに近い領域では小さな値ｍ1 にし、中央の領域では大きな値ｍ2 にしている。ゲートバスラインやデータバスラインなどのバスライン近傍においては、駆動に伴う電界ベクトルにより、液晶分子が表示に適さない状態に倒れるドメインが発生する場合があり、これが表示品質を低下させていた。第２９実施例では、ゲートバスラインに近い領域では突起の間隙を狭くしてゲートバスラインが発生する電界ベクトルの影響を受けにくくしている。これにより、好ましくないドメインの発生が抑制され、表示品質が向上する。なお、突起の間隙を狭くするとその分開口率が低下して暗くなるため、開口率の点からは突起の間隙は広いほうがよい。第２９実施例のような突起パターンにすることにより、開口率の低下を最小限にしてゲートバスラインが発生する電界ベクトルの影響を低減できる。
【０１４７】図１２０は、図１１９の第２９実施例の突起パターンを実際に実現した場合の画素構造を示す図である。」
　
　そして、図１７には、ＣＦ基板１６とＴＦＴ基板１７の間にネガ型の液晶が封止され、ＣＦ基板１６及びＴＦＴ基板１７の双方に突起２０が設けられている様子が示されている。
　
　また、図１２０には、ゲートバス３１、アドレスバス３２、ＴＦＴ３３、画素電極１３が示されるとともに、画素内に複数の突起２０Ａ、２０Ｂが設けられ、突起の間隙ｍは、上側と下側のゲートバスラインに近い領域では小さな値ｍ1 とされ、中央の領域では大きな値ｍ2 とされている様子が示されている。
　
　以上を総合すると、引用例には、その第２９実施例として、
「ＣＦ基板とＴＦＴ基板の間にネガ型の液晶が封止され、両基板にはドメイン規制手段としての突起が設けられた液晶表示装置であって、
　各画素内に複数の突起が設けられ、突起の間隙ｍは、上側と下側のゲートバスラインに近い領域では小さな値ｍ1 とされ、中央の領域では大きな値ｍ2 とされている液晶表示装置。」（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
３．対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「ＣＦ基板とＴＦＴ基板」、「液晶」、「画素」及び「液晶表示装置」は、それぞれ、本願発明の「対向配置された一対の基板」、「前記一対の基板間に封止された液晶」、「画素領域」及び「液晶表示装置」に相当する。
（２）引用発明の「突起」は、引用例の【００１７】に記載されるように、「電圧を印加した時に、液晶が斜めに配向される配向方向が、１画素内において、複数の方向になるように規制するドメイン規制手段」として機能するものであるから、本願発明と同様に「前記液晶の配向を規制する配向規制用構造物」であるといえ、また、本願発明と同様に「前記一対の基板の少なくとも一方に形成され」ているといえる。
（３）引用発明における突起の間隙である「大きな値ｍ2 」及び「小さな値ｍ1 」がそれぞれ本願発明の「第１の配置間隔」及び「前記第１の配置間隔より狭い第２の配置間隔」に相当するところであり、引用発明における「中央の領域」及び「ゲートバスラインに近い領域」がそれぞれ本願発明の「第１の領域」及び「第２の領域」に相当する。
　
　以上のことから、両者は、
「対向配置された一対の基板と、
　前記一対の基板間に封止された液晶と、
　前記一対の基板の少なくとも一方に形成され、前記液晶の配向を規制する配向規制用構造物と、
　前記配向規制用構造物が第１の配置間隔で配置された第１の領域と、前記配向規制用構造物が前記第１の配置間隔より狭い第２の配置間隔で配置された第２の領域とを共に備えた複数の画素領域と
　を有する液晶表示装置。」の点で一致する。
　　
　一方、次の点で一応相違する。
　本願発明は、「液晶が駆動される閾値電圧」について、第２の領域の閾値電圧が第１の領域の閾値電圧より低いとされているのに対し、引用発明において、ゲートバスラインに近い領域における閾値電圧が中央の領域における閾値電圧より低いかについて直ちには明らかでない点。
　
　この点について検討するに、本願明細書には、閾値電圧について、段落【００１６】に「このように、突起４４、４５の配置間隔ａを狭くするほど閾値電圧を低下させることができる。」と記載されていることから、引用発明においても、突起の間隙が小さな値ｍ1であるゲートバスラインに近い領域における閾値電圧は、突起の間隙が大きな値ｍ2である中央の領域における閾値電圧より低いと認められる。
　これについて、請求人は、審判請求書において、
『引用文献１（当審注：引用例のこと）の図１１９−１２０に示すものは、「ゲートバスライン近傍においては、駆動に伴う電界ベクトルにより、液晶分子が表示に適さない状態に倒れる」ことを問題としていますので（同段落番号「０１４６」参照）、液晶分子が表示に適さない状態に倒れるＴ−Ｖ特性を有する領域をなくして、画素領域内のＴ−Ｖ特性を均一にすることを意図しているのは明らかです。 
 　ゲートバスラインに近い領域で突起の間隙を狭くするとゲートバスラインが発生する電界ベクトルの影響を受けにくくなる理由は引用文献１の記載からは定かではありませんが、ゲートバスラインに近い領域で突起の間隙を狭くすると、電界ベクトルの影響を打ち消すように作用してゲートバスライン近傍のＴ−Ｖ特性を他の領域のＴ−Ｖ特性と同等にすることができるものと思料致します。 
 　従いまして、引用文献１の図１１９−１２０には、ゲートバスライン近傍の配向規制用構造物の配置間隔が他と異なるが、画素領域内で均一のＴ−Ｖ特性が得られる、つまり、１画素内に配向規制用構造物の配置間隔が異なる領域を有して閾値電圧が異ならない液晶表示装置は記載されていますが、１画素内に配向規制用構造物の配置間隔が異なる領域を有して閾値電圧が異なっている液晶表示装置は開示も示唆もされていません。 』と主張するが、引用例には、段落【０１４６】に「ゲートバスラインやデータバスラインなどのバスライン近傍においては、駆動に伴う電界ベクトルにより、液晶分子が表示に適さない状態に倒れるドメインが発生する場合があり、これが表示品質を低下させていた。第２９実施例では、ゲートバスラインに近い領域では突起の間隙を狭くしてゲートバスラインが発生する電界ベクトルの影響を受けにくくしている。」と記載されているだけであって、請求人が主張する「画素領域内のＴ−Ｖ特性を均一にする」こと、「電界ベクトルの影響を打ち消すように作用してゲートバスライン近傍のＴ−Ｖ特性を他の領域のＴ−Ｖ特性と同等にする」こと、また、「１画素内に配向規制用構造物の配置間隔が異なる領域を有して閾値電圧が異ならない液晶表示装置」の記載はない。
　そして、引用発明は、１画素内に配向規制用構造物の配置間隔が狭い領域を有するものであり、この領域においては、本願明細書に記載されるように閾値電圧が低いものと認められるから、請求人の主張は採用できない。
　また、引用例には、段落【０１４５】に「突起の間隙ｍが小さいほど液晶分子が受ける電界ベクトルの影響が強くなり、駆動に伴う電界ベクトルの問題を抑制することができる。」と記載されており、この記載によれば、引用発明において、ゲートバスラインが発生する電界ベクトルの影響を受けにくくすることができるのは、突起の間隙を小さくすると画素電極と対向電極により形成される電界ベクトルの影響が強くなるので、駆動に伴う電界ベクトルの問題を抑制することができるためであると考えられるところである。
　そして、このように「突起の間隙ｍが小さいほど液晶分子が受ける電界ベクトルの影響が強く」なるということは、突起の間隙ｍが小さい領域では、低い印加電圧で液晶分子が電界の影響を受けることを意味するものと考えられ、閾値電圧が低いことを示唆しているといえる。
　
　以上のことから、引用発明においても、突起の間隙が小さいゲートバスラインに近い領域では、突起の間隙が大きい中央領域よりも、その閾値電圧は低くなっているものと認められるところであり、本願発明と引用発明に格別の相違は認められない。
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。