【事件の表示】
　特願２００３−３０７０４９「発光素子及び発光素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　３月２４日出願公開、特開２００５−　７９２９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１５年８月２９日の特許出願であって、平成２２年１月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月２日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、その後、当審において、平成２３年４月１３日付けで拒絶理由が通知され、同年６月８日に手続補正がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２３年６月８日になされた手続補正による補正後の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項９に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
「　発光層部を有した化合物半導体層の第一主表面を光取出面とし、該化合物半導体層の第二主表面側に金属層を介してＳｉ基板が結合され、該金属層の前記化合物半導体層との接合面が反射面を形成する発光素子の製造方法であって、
　前記金属層を、前記Ｓｉ基板からのＳｉが前記反射面に拡散により沸きあがることを阻止するための、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｉｎ及びＧａの１種又は２種以上からなるＳｉ拡散阻止成分を含有したＡｕ又はＡｇを主成分とするＳｉ拡散阻止金属層を有するものとして形成し、該金属層を介して前記Ｓｉ基板と前記化合物半導体層とを貼り合わせ、
　前記金属層は、スパッタリングあるいは真空蒸着により形成されることを特徴とする発光素子の製造方法。」
　
３　引用刊行物の記載事項及び引用発明
（１）引用刊行物１
　当審において通知した拒絶理由に引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００１−２４４５０３号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている（下線は審決で付した。以下同じ。）。
　
　ア　「【請求項１】　ｎ型窒化ガリウム系半導体からなるｎ層とｐ型窒化ガリウム系半導体からなるｐ層との間に発光層を有する窒化物半導体発光素子において、ｎ側オーミック電極は、上記ｎ層、上記発光層及び上記ｐ層が積層されてなる積層薄板の一方の主面である上記ｎ層の表面の一部に形成され、ｐ側オーミック電極は、上記積層薄板の他方の主面であるｐ層表面に形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
・・・
【請求項６】　上記窒化物半導体発光素子はさらに、上記積層薄板と接合された導電性基板を備え、該導電性基板は上記ｐ側オーミック電極と導電性接着剤によって接合されている請求項１〜５のうちのいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
・・・
【請求項１１】　
複数の窒化物半導体発光素子を製造する方法であって
基板上に、窒化ガリウム系半導体からなるｎ層、窒化ガリウム系半導体活性層及び窒化ガリウム系半導体からなるｐ層を順次成長させることと
上記ｐ層上に、各素子毎にそれぞれ該ｐ層とオーミック接触するｐ側オーミック電極を形成することと
上記ｐ側オーミック電極上にそれぞれ第１導電性接着剤層を形成することと、各素子に分離するための素子分離溝を上記基板に達するように形成することと
一方の主面に、第２導電性接着剤層が形成された導電性基板を、その第２導電性接着剤層と上記第１導電性接着剤層とを接合することにより上記基板に接合することと
上記基板側からレーザ光を照射することにより、上記基板を分離することと
上記素子分離溝において上記導電性基板を分割することにより個々の窒化物半導体発光素子に分離することとを含む窒化物半導体発光素子の製造方法
【請求項１２】　
上記製造方法はさらに
上記導電性基板に上記素子分離溝と対向する溝を上記一方の主面に形成することと
上記第２導電性接着剤層を上記溝が形成された上記一方の主面に形成することとを含む
　
　イ　「【０００７】・・・また、本発明に係る窒化物半導体発光素子は、発光ダイオードとした場合、上記発光層で発光した光のうち上記ｐ側オーミック電極に向かった光を上記ｐ側オーミック電極によって反射させて上記ｎ層の表面から出力することができるので、より光の取り出し効率を良くできる。これにより、本発明に係る窒化物半導体発光素子は、発光層で発光した光の取り出し効率を従来例に比較してよくできる。」
　
　ウ　「【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明に係る実施の形態の窒化物半導体発光素子について説明する。
実施の形態１．本実施の形態１の窒化物半導体発光素子は、例えば、金属板からなる導電性基板１２上に、それぞれ窒化ガリウム系半導体からなるｎ層１、活性層２及びｐ層３が積層されてなる積層薄板１０が設けられてなる発光ダイオード（ＬＥＤ）である。ここで、本発明における積層薄板は、例えば、１０μ程度の極めて薄い薄板である。
【００２０】詳細には、積層薄板１０の一方の主表面（ｎ層１の表面）の一部に円形のｎ側オーミック電極５が形成され、積層薄板１０の他方の主表面（ｐ層１の表面）にｐ側オーミック電極４が形成されて、発光素子部が構成される。・・・
・・・
【００２２】そして、本実施の形態１では、ｎ側オーミック電極５とｐ側オーミック電極４が形成された積層薄板１０は、ｐ側オーミック電極４と導電性基板１２の上面とが導電性接着剤１１で接合されて導電性基板１２上に固定される。・・・
【００２５】また、本実施の形態１の窒化物半導体発光素子は、
活性層２で発光した光のうちｐ側オーミック電極４に向かった光は、ｐ側オーミック電極４によって反射されてｎ層１の表面から出力されるので、より光の取り出し効率を良くできる
　
　エ　「【００３２】次に、図３〜図５を参照しながら本実施の形態１の窒化物半導体発光素子の製造方法について説明する。
（第１工程）第１工程では、サファイア基板２０上に、窒化ガリウム系半導体からなるｎ層１、窒化ガリウム系半導体活性層２及び窒化ガリウム系半導体からなるｐ層３を、例えば、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により順次成長させることにより形成する（図３（ａ））。
【００３３】（第２工程）第２工程では、ｐ層３上に、例えば、
Ｎｉ−Ａｕ、Ｎｉ−Ｐｔ等からなり該ｐ層３とオーミック接触するｐ側オーミック電極
（第３工程）第３工程では、各ｐ側オーミック電極４ａ上にそれぞれ、例えば、Ａｕ−Ｓｎからなる第１導電性接着剤層１１ａを形成する（図３（ｃ））。
【００３４】（第４工程）第４工程では、各ｐ側オーミック電極４ａと第１導電性接着剤層１１ａを覆うようにＳｉＯ2マスク２１を形成し、該ＳｉＯ2マスク２１を用いて個々の窒化物半導体発光素子に分離するための素子分離溝３１を形成する（図３（ｄ））。
（第５工程）第５工程では、素子分離溝３１及びＳｉＯ2マスク２１を全て覆うように、ＳｉＯ2マスク２２を形成する（図３（ｅ））。
【００３５】（第６工程）第６工程では、素子分離溝３１内のＳｉＯ2マスク２１及び各素子の周辺部を覆うように、レジスト２３を形成し（図４（ａ））、レジスト２３をマスクとして、ＳｉＯ2マスク２１，２２をエッチングすることにより、第１導電性接着剤層１１ａ上のＳｉＯ2を除去する。これにより、図４（ｂ）の下図に示すように、各素子の側面を覆うＳｉＯ2からなる絶縁保護膜６が形成される。
【００３６】（第７工程）第７工程では、一方の面に、例えば、Ａｕ−Ｓｎからなる第２導電性接着剤層１１ｂが形成された導電性基板１２を、その第２導電性接着剤層１１ｂが各素子の第１導電性接着剤層１１ａに対向するように、サファイア基板２０上の各素子と導電性基板１２とを密着させて、例えば、４００℃で圧力をかけることにより、サファイア基板２０上の各素子と導電性基板１２とを接合する（図４（ｂ）（ｃ））。・・・
【００３７】（第８工程）第８工程では、図４（ｃ）に示すように、サファイア基板２０側から所定のレーザ光を照射することにより、サファイア基板２０を分離する。・・・
【００３８】（第９工程）第９工程では、サファイア基板２０が分離されて露出されたｎ層１の表面に各窒化物半導体発光素子にｎ側オーミック電極５を形成する（図５（ｂ））。
（第１０工程）第１０工程では、素子分離溝３１において導電性基板１２をダイシングすることにより、個々の窒化物半導体発光素子に分離する（図５（ｃ））。以上のようにして、図１に示す窒化物半導体発光素子を製造することができる。」
　
　オ　「【００４０】実施の形態２．以下、本発明に係る実施の形態２の窒化物半導体発光素子について説明する。
本実施の形態２の窒化物半導体発光素子は、実施の形態１の窒化物半導体発光素子において、導電性基板１２に代えて、導電性基板１１２を用いて構成した以外は実施の形態１と同様に構成される
【００４１】以下、本発明に係る実施の形態２の窒化物半導体発光素子の製造方法について説明する。
実施の形態２の窒化物半導体発光素子は、実施の形態１の製造方法において、第７工程を以下のように変更する以外は、実施の形態１と同様に作製される
【００４２】ここで、導電性基板１１２に形成された溝１１３は、例えば、幅５０μｍ、深さ５μｍに形成され、図６に示すように、サファイア基板２０を接合した時に、素子を分離するために形成された素子分離溝３１と中心が一致するように格子状に形成される。
次に、導電性基板１１２のＡｕが形成された面に、例えば、Ａｕ−Ｓｎからなる第２導電性接着層１１ｃを例えば１〜３μｍの厚さに形成する
【００４３】
以上のように構成した第２導電性接着層１１ｃが形成された導電性基板１１２を、第２導電性接着剤層１１ｃが各素子の第１導電性接着剤層１１ａに対向するように、サファイア基板２０上の各素子と導電性基板１１２とを密着させて、例えば、４００℃で圧力をかけることにより、サファイア基板２０上の各素子と導電性基板１１２とを接合する
【００４４】尚、図において、第１導電性接着剤層１１ｃと第２導電性接着剤層１１ｂが融合して一体化した層を導電性接着剤１１としている。第８の工程以降は実施の形態１と同様にして作製されるが（図７（ａ）（ｂ）（ｃ））、本実施の形態２では導電性基板１１２に素子分離溝３１に対向するように溝１１３を形成しているので、ちょうどその溝１１３を２分するように各素子に分割される。これにより、個々の素子に分離された後の各素子の導電性基板１１２において、導電性接着剤１１が形成された一方の主面と側面とが交わる辺に沿って、溝１１３が２分されてなる凹部１１３ａが形成される。
・・・
【００４７】また、本実施の形態２において、導電性接着剤としてＡｕ−Ｓｎを使用する場合、導電性基板１１２の導電性接着剤を塗布する面には、Ａｕ−Ｓｎとぬれ性が良好なＡｕが形成されることが好ましく、このようにすると、サファイア基板２０上の各素子と導電性基板１１２とを密着させる際に、素子部分からはみ出した導電性接着剤１１ａ，１１ｃを溝１１３内により効果的に誘導することができるので、素子分離溝３１内に形成された絶縁保護膜６の上に導電性接着剤１１が付着することを効果的に防止することができる。
【００４８】また、本実施の形態２において、導電性接着剤１１としてＡｕ−Ｓｎを使用した時に、導電性基板１１２の導電性接着剤を塗布する面にＡｕを形成すると、接合後の導電性接着剤（Ａｕ−Ｓｎ）１１中のＡｕに対するＳｎの含有量が相対的に減少する。これにより、接合後の導電性接着剤１１の融点が接合前より上昇し、後の工程において溶けにくくなるという利点がある。
【００４９】
以上の実施の形態２では、導電性基板１１２としてＳｉ基板を使用した例を示した
導電性基板１１２としてＳｉ基板を使用すると、個々の素子に分割する際に容易であるという利点がある
　
　カ　上記ア及びオによれば、上記オの「実施の形態２」の「窒化物半導体発光素子の製造方法」は、上記アの請求項１２に記載された発明の実施の形態であると認められる。
　また、上記オ【００４１】によれば、上記オの「実施の形態２」の「窒化物半導体発光素子の製造方法」において記載のない事項は、上記エの「実施の形態１」に記載された事項と同様であると認められる。
　以上を踏まえると、請求項１２に記載された発明の「第１導電性接着剤層」は、その実施形態において「Ａｕ−Ｓｎ」からなり、同じく、「第２導電性接着剤層」は、「Ａｕ−Ｓｎ」からなり、かつ「１〜３μｍの厚さに形成」したものであり、同じく、「ｐ側オーミック電極」は、「Ｎｉ−Ａｕ、Ｎｉ−Ｐｔ等」からなり、同じく、「導電性基板」は、「Ｓｉ基板」であり、同じく、「一方の主面に、第２導電性接着剤層が形成された導電性基板を、その第２導電性接着剤層と上記第１導電性接着剤層とを接合することにより上記基板に接合すること」は、「４００℃で圧力をかけることにより」接合することである、と認められる。
　
　キ　上記オ【００４０】によれば、実施の形態２の窒化物半導体発光素子は、導電性基板１２に代えて、導電性基板１１２を用いて構成した以外は実施の形態１と同様に構成されるから、実施の形態２の窒化物半導体発光素子においても、上記ウ【００２５】のとおり、「活性層２で発光した光のうちｐ側オーミック電極４に向かった光は、ｐ側オーミック電極４によって反射されてｎ層１の表面から出力される」と認められる。
　
　以上アないしキを総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「　複数の窒化物半導体発光素子を製造する方法であって、
　基板上に、窒化ガリウム系半導体からなるｎ層、窒化ガリウム系半導体活性層及び窒化ガリウム系半導体からなるｐ層を順次成長させることと、
　上記ｐ層上に、各素子毎にそれぞれ該ｐ層とオーミック接触するｐ側オーミック電極を形成することと、
　上記ｐ側オーミック電極上にそれぞれ第１導電性接着剤層を形成することと、各素子に分離するための素子分離溝を上記基板に達するように形成することと、
　一方の主面に、第２導電性接着剤層が形成された導電性基板を、その第２導電性接着剤層と上記第１導電性接着剤層とを接合することにより上記基板に接合することと、
　上記基板側からレーザ光を照射することにより、上記基板を分離することと、
　上記素子分離溝において上記導電性基板を分割することにより個々の窒化物半導体発光素子に分離することと、
　上記導電性基板に上記素子分離溝と対向する溝を上記一方の主面に形成することと、
　上記第２導電性接着剤層を上記溝が形成された上記一方の主面に形成することとを含み、
　上記第１導電性接着剤層は、Ａｕ−Ｓｎからなり、
　上記第２導電性接着剤層は、Ａｕ−Ｓｎからなり、１〜３μｍの厚さに形成したものであり、
　上記ｐ側オーミック電極は、Ｎｉ−Ａｕ、Ｎｉ−Ｐｔ等からなり、
　上記導電性基板は、Ｓｉ基板であり、
　上記、一方の主面に、第２導電性接着剤層が形成された導電性基板を、その第２導電性接着剤層と上記第１導電性接着剤層とを接合することにより上記基板に接合することは、４００℃で圧力をかけることにより接合することであり、
　上記活性層で発光した光のうちｐ側オーミック電極に向かった光は、ｐ側オーミック電極によって反射されてｎ層の表面から出力される、
　窒化物半導体発光素子の製造方法。」
　
（２）引用刊行物２
　当審において通知した拒絶理由に引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平６−２４６４７９号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
「【特許請求の範囲】
【請求項１】  微小ポンチとダイスを用いたプレス打ち抜きにより実装基板上へ接合バンプを形成する際に使用する接合金属シートにおいて、
Ａｕと金属Ｘとから構成される接合金属
【請求項２】  前記
金属ＸがＳｎ
・・・
【請求項５】  前記
金属ＸがＰｂ
「【００２０】なお、本実施例における３層構造の接合金属シートの製造方法は、接合する金属の種類によって圧延構造でもよいし、あるいは
蒸着、スパッタ等の成膜構造でもよい
　
（３）引用刊行物３
　原査定の拒絶理由に引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００３−３１８９５号公報（以下「引用刊行物３」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
「【００７８】そして、サブマウント１０において、凸形状部４６が形成された面側において金属多層膜１５上にハンダ１２を堆積した。
ハンダ１２としてはＡｕＳｎハンダを用いることができる。またハンダ１２の厚は１μｍとした
「【００９３】また、ハンダ１２の材料としてＡｕＳｎハンダを用いたが、ハンダ１２の材料としては他の材料を用いてもよい。たとえば、ハンダ１２としてＩｎ系、Ｓｎ系、Ａｕ系、あるいはＰｂ系のハンダなどを用いることができる。また、
ハンダ１２の形成方法として、蒸着法を用いることができる
スパッタ法
などを用いてもよく
「【０１７３】（実施例２）図８および９に示した本発明による半導体レーザ装置の実施の形態２の効果を確認するため、以下のような実験を行なった。まず、図８および９に示した本発明の実施例としての試料である半導体レーザ装置を準備する。
【０１７４】そして、比較例３の試料を以下のように準備する。まず、上部表面が平坦なＳｉＣ製のサブマウントを準備する。そして、このサブマウントの平坦な上部表面上に、
ＡｕＳｎハンダを蒸着した
　
（４）引用刊行物４
　本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−９０４５７号公報（以下「引用刊行物４」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
「【００２５】そして、
気相成長によりハンダ層
しての薄膜を設ける
成膜方法は電子ビーム蒸着、抵抗加熱蒸着、スパッタ法
ハンダ層の材料としては、Ａｕ−Ｓｎ
　
４　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「窒化物半導体発光素子の製造方法（複数の窒化物半導体発光素子を製造する方法）」は、本願発明の「発光素子の製造方法」に相当する。
　
（２）引用発明の「窒化物半導体発光素子」は、「基板上に、窒化ガリウム系半導体からなるｎ層、窒化ガリウム系半導体活性層及び窒化ガリウム系半導体からなるｐ層を順次成長させ」たものであり、「活性層で発光した光のうちｐ側オーミック電極に向かった光は、ｐ側オーミック電極によって反射されてｎ層の表面から出力される」ものであるから、
　ア　引用発明の「窒化ガリウム系半導体活性層」は、本願発明の「発光層部」に相当し、
　イ　引用発明の「窒化ガリウム系半導体からなるｎ層、窒化ガリウム系半導体活性層及び窒化ガリウム系半導体からなるｐ層」は、本願発明の「発光層部を有した化合物半導体層」に相当し、
　ウ　引用発明の「ｎ層の表面」は、本願発明の「光取出面（第一主表面）」に相当し、
　エ　引用発明は、本願発明の「発光層部を有した化合物半導体層の第一主表面を光取出面とし」との特定事項を備える。
　
（３）引用発明は、「一方の主面に、第２導電性接着剤層が形成された導電性基板を、その第２導電性接着剤層と上記第１導電性接着剤層とを接合することにより上記基板に接合する」ところ、該導電性基板は「Ｓｉ基板」であり、第２導電性接着剤層と接合される「第１導電性接着剤層」は、「ｐ層」上に形成した「ｐ側オーミック電極」上に形成するものであり、上記（２）ウによると「ｐ層」側の表面が、（ｎ層の表面に対する）第二主表面であるということができ、上記導電性基板（Ｓｉ基板）は、「Ａｕ−Ｓｎ」からなる「第２導電性接着剤層」、「Ａｕ−Ｓｎ」からなる「第１導電性接着剤層」及び「Ｎｉ−Ａｕ、Ｎｉ−Ｐｔ等」からなる「ｐ側オーミック電極」を介して「窒化物半導体発光素子」の「ｐ層」と接合しているから、
　ア　引用発明の「『ｐ層』の側」が、本願発明の「（該化合物半導体層の）第二主表面側」に相当し、
　イ　引用発明の「Ｓｉ基板」である「導電性基板」が、本願発明の「Ｓｉ基板」に相当し、
　ウ　引用発明の「『（Ａｕ−Ｓｎからなる）第２導電性接着剤層』、『（Ａｕ−Ｓｎからなる）第１導電性接着剤層』及び『（Ｎｉ−Ａｕ、Ｎｉ−Ｐｔ等からなる）ｐ側オーミック電極』」が、本願発明の「金属層」に相当し、
　エ　引用発明は、本願発明の「該化合物半導体層の第二主表面側に金属層を介してＳｉ基板が結合され」との特定事項を備える。
　
（４）引用発明において、「活性層で発光した光のうちｐ側オーミック電極に向かった光は、ｐ側オーミック電極によって反射されてｎ層の表面から出力される」ところ、ｐ側オーミック電極は、「ｐ層上に・・・形成」したものであって、「ｐ側オーミック電極」による「反射」は、「ｐ側オーミック電極」と「（窒化ガリウム系半導体からなる）ｐ層」との界面で起こるといえるから、
　引用発明は、本願発明の「該金属層の前記化合物半導体層との接合面が反射面を形成する」との特定事項を備える。
　
（５）引用発明の「Ａｕ−Ｓｎからなる第２導電性接着剤層」は、Ｓｎを含有したＡｕを主成分とする金属層であるということができるから、上記（３）ウ及び同エも踏まえると、
　ア　引用発明の「Ａｕ−Ｓｎからなる第２導電性接着剤層」は、「Ｓｎ、Ｐｂ、Ｉｎ及びＧａの１種又は２種以上からなる成分を含有したＡｕ又はＡｇを主成分とする金属層」である点で、本願発明の「前記Ｓｉ基板からのＳｉが前記反射面に拡散により沸きあがることを阻止するための、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｉｎ及びＧａの１種又は２種以上からなるＳｉ拡散阻止成分を含有したＡｕ又はＡｇを主成分とするＳｉ拡散阻止金属層」と一致し、
　イ　引用発明は、「前記金属層を、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｉｎ及びＧａの１種又は２種以上からなる成分を含有したＡｕ又はＡｇを主成分とする金属層を有するものとして形成し、該金属層を介して前記Ｓｉ基板と前記化合物半導体層とを貼り合わせ」との事項を備える点で、本願発明の「前記金属層を、前記Ｓｉ基板からのＳｉが前記反射面に拡散により沸きあがることを阻止するための、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｉｎ及びＧａの１種又は２種以上からなるＳｉ拡散阻止成分を含有したＡｕ又はＡｇを主成分とするＳｉ拡散阻止金属層を有するものとして形成し、該金属層を介して前記Ｓｉ基板と前記化合物半導体層とを貼り合わせ」との特定事項と一致する。
　
　以上によると、本願発明と引用発明とは、
「　発光層部を有した化合物半導体層の第一主表面を光取出面とし、該化合物半導体層の第二主表面側に金属層を介してＳｉ基板が結合され、該金属層の前記化合物半導体層との接合面が反射面を形成する発光素子の製造方法であって、
　前記金属層を、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｉｎ及びＧａの１種又は２種以上からなる成分を含有したＡｕ又はＡｇを主成分とする金属層を有するものとして形成し、該金属層を介して前記Ｓｉ基板と前記化合物半導体層とを貼り合わせる、発光素子の製造方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
ａ．「（Ｓｎ、Ｐｂ、Ｉｎ及びＧａの１種又は２種以上からなるＳｉ拡散阻止成分を含有したＡｕ又はＡｇを主成分とする）金属層」が、本願発明では、「前記Ｓｉ基板からのＳｉが前記反射面に拡散により沸きあがることを阻止するための」「Ｓｉ拡散阻止金属層」であるのに対して、引用発明では、そのようなものか否か明らかではない点（以下「相違点１」という。）。
　
ｂ．金属層が、本願発明では、「スパッタリングあるいは真空蒸着により形成される」のに対して、引用発明では、どのように形成されるのか明らかではない点（以下「相違点２」という。）。
　
５　判断
　上記相違点につき検討する。
　
（１）相違点１について
　本願発明において、「Ｓｉ拡散阻止金属層」は、「Ｓｎ、Ｐｂ、Ｉｎ及びＧａの１種又は２種以上からなるＳｉ拡散阻止成分を含有した」ことによって、「Ｓｉ基板からのＳｉが前記反射面に拡散により沸きあがることを阻止する」機能を有するものであると認められるところ、Ｓｉの拡散を阻止する機能は、「Ａｕ又はＡｇを主成分とする」金属層における「Ｓｎ、Ｐｂ、Ｉｎ及びＧａの１種又は２種以上からなる」「成分」の材料固有の性質であるといえるから、本願発明と同様に、Ｓｎを含有したＡｕを主成分とする金属層である引用発明の「Ａｕ−Ｓｎからなる第２導電性接着剤層」も、当然に上記機能を備えるものといえる。
　してみると、相違点１に係る本願発明の特定事項は、金属層の材料に内在する性質（機能）を示したものに過ぎず、これによって、同一の材料からなる金属層を有する引用発明の「窒化物半導体発光素子の製造方法」と、実質的な構成上の差異を生じるものとはいえない。
　したがって、相違点１は、実質的な相違ではない。
　
（２）相違点２について
　引用刊行物１には、引用発明１の「（Ａｕ−Ｓｎからなり、１〜３μｍの厚さである）第２導電性接着剤層」の形成方法について明記はないが、このような材料からなる薄い金属層を、スパッタリング又は真空蒸着により形成することは、本願出願時における周知の技術である（上記３（２）ないし（４）の引用刊行物２ないし引用刊行物４の記載事項を参照。）。
　したがって、引用発明１の「第２導電性接着剤層」の形成方法として、上記周知技術を採用し、相違点２に係る本願発明の特定事項とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
（３）請求人の主張について
　ア　請求人は、平成２３年６月８日に提出した意見書において、
「また、補正後の新請求項９に係る発明は「金属層は、スパッタリングあるいは真空蒸着により形成される」。一方、引用刊行物２の明細書の段落【００１５】「…導電性接着剤としてＡｕ−Ｓｎ等のはんだを用いる…」との記載があるように、引用刊行物２はハンダ付けにより金属層は形成される。そのため、補正後の新請求項９に係る発明は、引用刊行物２の発明と同一でない。」（【意見の内容】４−３（１）を参照。）、
「
補正後の新請求項９に係る発明は
金属層を薄膜として形成し、かかる金属層を介してＳｉ基板と化合物半導体層とを貼り合せる
　一方、合議体が提示する引用刊行物２は、そもそもハンダ付け工程であるため、スパッタリングあるいは真空蒸着よりも金属層は厚く、貼り合せ処理のように長時間、高温かつ高圧の環境下で行われる処理ではない。」（【意見の内容】４−３（２）ｉｉを参照。）
と述べ、引用刊行物２（本審決における「引用刊行物１」）に基づいて補正後の請求項９に係る発明は容易になし得るものではない旨主張する。
　
　しかしながら、引用発明においても、「第２導電性接着剤層」（本願発明の「金属層」に相当。）は、「Ａｕ−Ｓｎからなり、１〜３μｍの厚さに形成したもの」であり、その形成の後に、「４００℃で圧力をかけることにより」、「一方の主面に、第２導電性接着剤層が形成された導電性基板を、その第２導電性接着剤層と上記第１導電性接着剤層とを接合することにより上記基板に接合する」のであるから、引用発明は、「金属層を薄膜として形成し、かかる金属層を介してＳｉ基板と化合物半導体層とを貼り合せる」ものであるといえる。
　なお、本願発明は、金属層の厚さや貼り合せ処理を具体的に特定するものではないが、引用発明において、「金属層」は、上記のとおり「１〜３μｍの厚さ」であって、「薄膜」ということができ、その貼り合わせ処理も、上記のとおりであるから、所定時間、高温かつ高圧の環境下で行われる処理であるということができる。
　したがって、請求人の上記主張は、本願発明、及び引用刊行物１の記載に基づくものではなく、本願発明と引用発明とに、請求人の主張するような差異はない。
　そして、薄い金属層をスパッタリングあるいは真空蒸着により形成することが周知の技術であって、引用発明において適宜採用し得るものであることは、上記（２）に示したとおりである。
　
　イ　なお、請求項１についての意見ではあるが、同意見書において、請求人は、
「一方、合議体が進歩性を否定する引用刊行物２は、窒化ガリウム系の半導体発光素子である。つまり、合議体が提示する発光素子は青色の発光をする素子であり、その波長域はおよそ４５０ｎｍ〜４９５ｎｍ前後である。そして、合議体が発光層で発光した光を反射すると認定する「ｐ側オーミック電極」は、Ｎｉ−Ａｕ等（Ａｕ系金属）で形成される。よって、合議体が提示する発光素子は、本願の図６から明らかなように、そもそも反射率が低く（反射率が４０％にも及んでいない）、引用刊行物２からでは、反射率の低下を防止するとの課題を見出すことができない。・・・本願発明は、ＡｌＧａＩｎＰ混晶により形成された発光層部を有することで、５５０ｎｍ付近を境にして反射率が大きく向上する（反射率が８０％を超える）金属反射層の反射率の低下を防止する必要が生じるものである。そのため、最初からＡｕの反射率の低い発光波長しか発しない窒化ガリウム系の半導体発光素子を開示する引用刊行物２は、発光波長と反射金属との関係から、そもそも反射率が低い素子であり、反射率を向上させるとの思想は根本的に生じないものであり、補正後の新請求項１に係る発明を容易になし得るものではない。」（【意見の内容】４−３（２）ｉを参照。）
と述べ、引用発明（引用刊行物１）からは、本願発明の課題を見いだすことができない旨主張している。
　
　しかしながら、引用発明は、「活性層で発光した光のうちｐ側オーミック電極に向かった光は、ｐ側オーミック電極によって反射されてｎ層の表面から出力される」構成を備えるものであって、引用刊行物１（上記請求人の主張における「引用刊行物２」）には、この構成に関して、
「また、本実施の形態１の窒化物半導体発光素子は、活性層２で発光した光のうちｐ側オーミック電極４に向かった光は、ｐ側オーミック電極４によって反射されてｎ層１の表面から出力されるので、より光の取り出し効率を良くできる。・・・このｐ側オーミック電極４は、Ｎｉ−Ａｕ及びＮｉ−Ｐｔ等で形成することができるが、光の取り出し効率を考えると、光に対する反射率の高いＮｉ−Ｐｔを用いることが好ましい。」（上記３（１）ウ【００２５】を参照。）
と記載され、光の取り出し効率を良くするために、ｐ側オーミック電極として光に対する反射率の高い材料を用いることは、引用刊行物１に明示的に開示されている事項であるから、引用発明は、本願発明と同様に、反射率を向上させる技術思想を備えるものであって、請求人の上記主張は、引用刊行物１の記載に基づくものではなく、その根拠を欠くものであるから、採用することができないものである。
　
　ウ　上記アないしイの検討によれば、上記請求人の主張を踏まえても、上記(１)及び（２）の判断を覆すべき根拠はない。
　
（４）小括
　以上（１）ないし（３）の検討によれば、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。