【事件の表示】
　特願２００２−３５００１５「情報記録媒体とその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　８月２２日出願公開、特開２００３−２３３９３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．手続の経緯
　
　本願は、平成１４年１２月２日（優先権主張　平成１３年１２月７日）の出願であって、平成２０年４月１６日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年５月２２日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年６月１６日付けで手続補正がなされたものである。
　その後、平成２２年７月９日付けで前置報告に基づく審尋がなされ、同年９月１日付けで回答書が提出されたものである。
　
　
２．本願発明
　
　本願の請求項１ないし８に係る発明は、平成２０年６月１６日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
　
「【請求項１】
基板および記録層を含み、前記記録層が光の照射によって、結晶相と非晶質相との間で相変態を生じる情報記録媒体であって、Ｚｒ、Ｚｎ、ＳおよびＯを含むＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層をさらに含み、前記Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層が、厚さ方向において前記記録層と隣接する２つの層の一方または両方の層であり、
前記Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層が、式（２２）：
【化１】
（ＺｒＳｉＯ4）A（Ｚｎ−Ｓ）100−A（ｍｏｌ％）...（２２）
（式中、Ａは、３３≦Ａ≦６７の範囲内にある）
で表される材料から実質的になる、情報記録媒体。」 
　
　
３．引用例
　
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前である平成１２年１２月１５日に頒布された刊行物である「特開２０００−３４８３８０号公報」（以下「引用例」という。）には図面とともに次の事項が記載されている。なお、下線は当審が付した。
　
ア）
「【請求項１】
透明基板上に、照射する光の出力に応じて非晶質又は結晶質に相変化する記録層と反射層とが設けられ、該記録層の少なくとも一方の界面に、
酸化物と硫化亜鉛を主成分とする透明誘電体層を積層したことを特徴とする光記録媒体。
　
イ）
「【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の媒体について以下に説明する。本発明の媒体は、その基本構成は図１のものと同様である。同図において、１はポリカーボネート，ポリオレフィン，エポキシ樹脂，アクリル樹脂，ガラス，樹脂層を表面に形成した強化ガラス、透光性セラミック等から成るディスク状の
透明基板、
酸化物と硫化亜鉛を主成分とする第一透明誘電体層、３は相変化型の記録層、４は第一透明誘電体層２と同じ材質の第二透明誘電体層、
　
ウ）
「【００２４】
上記第一透明誘電体層２及び第二透明誘電体層４の組成は、
酸化物と硫化亜鉛（ＺｎＳ）を主成分とするが、好ましくはＺｎＳ・ＺｒＯ
2
である。（ＺｎＳ）
d 
（ＺｒＯ
2
 ）
e 
（ｄ＋ｅ＝１００モル％）とした場合、ｄ＝５０〜９５モル％が良く、
【００２５】また、
ＺｎＳ・ＺｒＯ
2 
に酸化物等から成るＭａを添加しても良く、ＺｎＳ・（ＺｒＯ
2 
Ｍａ）と表した場合、Ｍａは酸化珪素（ＳｉＯ2 ），
繰り返し記録再生に対する耐久性が向上する。
【００２６】一方、ＺｎＳ・Ａｌ2 Ｏ3 の場合も同様に、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）を除く上記Ｍａを添加しても良い。
【００２７】
上記Ｍａの添加量は、ＺｒＯ
2
 に対して（ＺｒＯ
2
 ）
100-f 
（Ｍａ）
f
 とした場合、ｆ＝０〜５０モル％が好ましく、
　
エ）図１には、記録層３の両側の界面、すなわち記録層に隣接する２つの層に、第一透明誘電体層２、第二透明誘電体層４を積層した構成が図示されている。
　
オ）
　【表２】のＮＯ２には、透明誘電体層の主成分をＺｎＳ・ＺｒＯ2 、添加物成分（Ｍａ）をＳｉＯ2 、Ｍａ含有量を２０モル％とした場合、Ｃ／Ｎ比が５０．１ｄＢ、ジッター（１０回）が８．４％、ジッター（１万回）が９．４％となることが示されている。
　
カ）
　【表３】のＮＯ１には、透明誘電体層の主成分をＺｎＳ・ＺｒＯ2 、添加物成分（Ｍａ）をＳｉＯ2 、Ｍａ含有量を４５モル％とした場合、Ｃ／Ｎ比が４９．５ｄＢ、ジッター（１０回）が７．５％、ジッター（１万回）が８．２％となることが示されている。
　
キ）
　【表４】のＮＯ２には、透明誘電体層の主成分をＺｎＳ・ＺｒＯ2 、添加物成分（Ｍａ）をＳｉＯ2 、Ｍａ含有量を５５モル％とした場合、Ｃ／Ｎ比が４７．９．１ｄＢ、ジッター（１０回）が９．８％、ジッター（１万回）が１２．５％となることが示されている。
　
　前掲ア）ないしキ）の記載事項及び図面からみて、引用例には、添加物Ｍａを酸化珪素（ＳｉＯ2 ）とすると、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「透明基板上に、照射する光の出力に応じて非晶質又は結晶質に相変化する記録層が設けられ、該記録層の少なくとも一方の界面に、酸化物と硫化亜鉛を主成分とする透明誘電体層を積層した光記録媒体であって、
　上記透明誘電体層の組成はＺｎＳ・ＺｒＯ2 を主成分とした（ＺｎＳ）d （ＺｒＯ2 ）e （ｄ＋ｅ＝１００モル％、ｄ＝５０〜９５モル％）であり、
　上記ＺｎＳ・ＺｒＯ2 に酸化珪素（ＳｉＯ2 ）を添加してＺｎＳ・（ＺｒＯ2 ＳｉＯ2 ）とした場合、
　上記酸化珪素（ＳｉＯ2 ）の添加量をＺｒＯ2 に対して（ＺｒＯ2 ）100-f （ＳｉＯ2 )f で表すとｆ＝０〜５０モル％である光記録媒体。」
　
　
４．対比
　
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
　引用発明の「透明基板」、「照射する光の出力に応じて非晶質又は結晶質に相変化する記録層」、照射する光の出力に応じて非晶質又は結晶質に相変化する記録層が設けられた「光記録媒体」は、それぞれ本願発明の「基板」、「記録層」、「記録層が光の照射によって、結晶相と非晶質相との間で相変態を生じる情報記録媒体」に相当する。
　
　また、引用発明の「透明誘電体層」は、ＺｎＳ・ＺｒＯ2 を主成分とするから、Ｚｒ、Ｚｎ、ＳおよびＯを含むことは明らかであるから、本願発明の「Ｚｒ、Ｚｎ、ＳおよびＯを含むＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層」に相当し、「記録層の少なくとも一方の界面に積層」しているものであるから、本願発明の「Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層が、厚さ方向において前記記録層と隣接する２つの層の一方または両方の層」に相当する。
　
　以上のことからすると、本願発明と引用発明とは、次の点で一致する。
　
＜一致点＞ 
　「基板および記録層を含み、前記記録層が光の照射によって、結晶相と非晶質相との間で相変態を生じる情報記録媒体であって、Ｚｒ、Ｚｎ、ＳおよびＯを含むＺｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層をさらに含み、前記Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層が、厚さ方向において前記記録層と隣接する２つの層の一方または両方の層である情報記録媒体」 
　
　そして、次の点で相違する。
　
＜相違点＞
　Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層（透明誘電体層）が、
　本願発明では、（ＺｒＳｉＯ4）A（Ｚｎ−Ｓ）100−A（ｍｏｌ％）　（式中、Ａは、３３≦Ａ≦６７の範囲内にある）であるのに対して、
　引用発明では、ＺｎＳ・ＺｒＯ2  を主成分とした（ＺｎＳ）d （ＺｒＯ2 ）e （ｄ＋ｅ＝１００モル％、ｄ＝５０〜９５モル％）であり、上記ＺｎＳ・ＺｒＯ2 に酸化珪素（ＳｉＯ2 ）を添加したＺｎＳ・（ＺｒＯ2 ＳｉＯ2 ）における上記酸化珪素（ＳｉＯ2 ）の添加量は、ＺｒＯ2 に対して（ＺｒＯ2 ）100-f （ＳｉＯ2 )f で表すとｆ＝０〜５０モル％である点。
　
　
５．当審の判断
　
　上記相違点について検討する。
　
　本願発明における「ＺｒＳｉＯ4 」とは、ＺｒＯ2 とＳｉＯ2 とが等しい割合で含まれることにより形成されるものである（本願明細書の段落【００５７】）から、本願発明の「Ｚｒ−Ｚｎ−Ｓ−Ｏ系材料層」は、ＺｒＯ2 、ＳｉＯ2  、ＺｎＳの３成分からなるものである。
　一方、引用発明において、これら３成分の比率は、ＺｎＳとＺｒＯ2 の関係は（ＺｎＳ）d （ＺｒＯ2 ）e 、ｄ＋ｅ＝１００モル％で表され、ｄ＝５０〜９５モル％が好ましく、ＺｒＯ2 とＳｉＯ2 については、（ＺｒＯ2 ）100-f （ＳｉＯ2 )f と表され、ｆ＝０〜５０モル％が好ましいものである。（前掲ウ）
　
　最初に、ＺｒＯ2 とＳｉＯ2 の比率について検討する。
　
　本願発明の「ＺｒＳｉＯ4 」は、ＺｒＯ2 とＳｉＯ2 とが等しい割合であるから、引用発明におけるｆ＝５０モル％に相当する。
　引用例には、ＺｎＳ・ＺｒＯ2にＭａ（ＳｉＯ2 等）を添加すると記録再生に対する耐久性が向上すること、ｆ＞５０％モルでは、透明誘電体層の屈折率が小さくなり再生時の信号強度が低下することが記載されている。
　また、表２〜４に示されたＺｎＳ・ＺｒＯ2  にＳｉＯ2 を２０モル％、４５モル％、５５モル％添加したもののＣ／Ｎ比、ジッター（１０回及び１万回）の数値についてみると、Ｃ／Ｎ比は、５０．１ｄＢ、４９．５ｄＢ、４７．９ｄＢ、１万回のジッターは、９．４％、８．２％、１２．５％となっている。４５モル％のものは、２０モル％のものと比較して、Ｃ／Ｎ比は若干低下しているが１万回のジッターは向上している。次に、５５モル％のものは、４５モル％のものと比較するといずれの数値も低下しているが、引用発明において上限としている５０モル％のものが直ちに不適当なものということはできない。
　一方、ＺｒＯ2  とＳｉＯ2 とを等しい割合で含むＺｒＳｉＯ4 の組成のものは、光学記録媒体の誘電体層（保護層）として周知であること（例えば、特開平３−１７３６８４号公報　第３頁右下欄第３行ないし第１６行、特開昭６１−１８０９４５号公報　特許請求の範囲　第３項右上欄第７行ないし第４項左上欄第２行等参照）を考慮すれば、引用発明において、ｆ＝５０モル％の比率であるものが除外されているということはできない。
　
　次に、ＺｎＳの比率について検討する。
　引用発明において、Ｍａ（ＳｉＯ2 等）を添加する前のＺｒＯ2 とＺｎＳとの比率は、（ＺｎＳ）d （ＺｒＯ2 ）e 、ｄ＋ｅ＝１００モル％でｄ＝５０〜９５モル％が好ましいのであって、ＺｒＯ2 にＭａ（ＳｉＯ2 ）を添加した場合、（ＺｎＳ）d （ＺｒＯ2 ・ＳｉＯ2 ）e  と表すことができる。（前掲ウ）
　そして、ｄの範囲であるｄ＝５０〜９５モル％は、本願発明の組成でＺｒＯ2 とＳｉＯ2 が同量の場合の（ＺｒＳｉＯ4）A（Ｚｎ−Ｓ）100−A（ｍｏｌ％）において、１００−Ａが５０≦（１００−Ａ）≦９５モル％に相当するから、引用発明におけるＺｎＳの比率は、本願発明と５０〜６７％の範囲で重なっている。
　
　一般に複数の成分の混合物では、各成分について最適な範囲があって、多すぎても、また少なすぎても初期の効果が得られないことはよく知られていることである。
　そして、本願発明の属する技術分野において、誘電体層の組成について含有量の比率を変えてより好ましい範囲を探索することは、普通に行われていることであって、引用発明の範囲と重なる範囲あるいはその近傍において、より好ましい数値範囲を特定することは当業者が容易になし得ることである。
　
　そうすると、本願発明における数値範囲は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が適宜設定しうる範囲であって、その数値範囲に特段の臨界的意義があるということはできず、また、本願発明の奏する効果が、引用発明及び周知技術から、当業者が予測しうる範囲を超えた顕著なものということもできない。
　
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例に記載された発明並びに周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
６．むすび 
　
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例に記載された発明並びに周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。