【事件の表示】
　特願２００２−５１２９８２「書込み選択性増大のためのＭＲＡＭアーキテクチャ」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　１月２４日国際公開，ＷＯ０２／０７１６６，平成１６年　２月１２日国内公表，特表２００４−５０４７１５〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２００１年７月１２日を国際出願日（パリ条約による優先権主張２０００年７月１８日，米国）とする出願であって，平成１８年１０月６日付けの拒絶理由通知に対して，平成１９年１月１０日に手続補正書及び意見書が提出されたが，平成２０年２月２９日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年６月９日に審判請求がされるとともに，同年７月８日に手続補正書が提出されたものである。
　
　
第２　平成２０年７月８日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであり，本件補正による補正前後の本願の特許請求の範囲の請求項４の記載は，次のとおりである。
　
・　補正前
「【請求項４】各々が長さに沿った軸を有し，且つ感知線を形成するように各々が電気的に一列に接続されている２以上の細長い磁気抵抗ビットと，
　各々が長さに沿った軸を有し，且つ各々が前記磁気抵抗ビットの対応する１つに近接して配置されている２以上の細長いワード線と，
　前記２以上の磁気抵抗ビットの各々に近接して配置され，所定の方向から第１の磁気抵抗ビットに近づき，且つ前記所定の方向と反対の方向から第２の磁気抵抗ビットに接近する細長いディジタル線とを備え，
　前記細長い磁気抵抗ビットの各々の軸が，対応する前記細長いワード線の軸に対して実質的に垂直であり，
　前記細長いディジタル線が，少なくとも各々の前記磁気抵抗ビットの領域において，各々の前記細長いワード線の軸に対して実質的に平行に配置されている磁気抵抗メモリ。」
　
・　補正後
「【請求項４】各々が長さに沿った軸を有し，共通軸に沿って配置され，且つ感知線を形成するように各々が電気的に一列に接続されている２以上の細長い磁気抵抗ビットと，
　各々が長さに沿った軸を有し，且つ各々が前記磁気抵抗ビットの対応する１つに近接して配置されている２以上の細長いワード線と，
　前記２以上の磁気抵抗ビットの各々に近接して配置され，所定の方向から第１の磁気抵抗ビットに近づき，且つ前記所定の方向と反対の方向から第２の磁気抵抗ビットに接近する細長いディジタル線とを備え，
　前記細長い磁気抵抗ビットの各々の軸と，前記細長い磁気抵抗ビット間の前記感知線とが，対応する前記細長いワード線の軸に対して実質的に垂直であり，
　前記細長いディジタル線が，少なくとも各々の前記磁気抵抗ビットの領域において，各々の前記細長いワード線の軸に対して実質的に平行に配置されている磁気抵抗メモリ。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正による補正事項のうち，本願の特許請求の範囲の請求項４についての補正事項（以下「本件補正による請求項４についての補正事項」という。）は，次のとおりである。（下線は補正箇所を示し，当審で付加したもの。）
　
・　補正事項１
　補正前の請求項４の「各々が長さに沿った軸を有し，且つ感知線を形成するように各々が電気的に一列に接続されている２以上の細長い磁気抵抗ビットと，」を，「各々が長さに沿った軸を有し，
共通軸に沿って配置され，
　
・　補正事項２
　補正前の請求項４の「前記細長い磁気抵抗ビットの各々の軸
と，前記細長い磁気抵抗ビット間の前記感知線と
　
３　補正目的の適否，及び新規事項の追加の有無について
　本願の出願当初の明細書等の段落【００４１】及び図５から，補正事項１及び２は，いずれも，本願の出願当初の明細書等に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるから，本件補正による請求項４についての補正事項は，特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。）の規定に適合する。
　また，補正事項１及び２は，いずれも，補正前の請求項４に記載された発明特定事項を限定的に減縮するものであり，さらに，補正後の請求項４の記載全体からみても，補正後の請求項４の内容は，補正前の請求項４の内容を限定的に減縮したものであるから，本件補正による請求項４についての補正事項は，特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものに該当する。
　
４　独立特許要件についての検討
（１）検討の前提
　上記３で検討したとおり，本件補正による請求項４についての補正事項は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものに該当するから，補正後の特許請求の範囲の請求項４に記載された事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かにつき，更に検討する。
　
（２）本願補正発明
　本件補正後の請求項４に係る発明（本願補正発明）は，再掲すると次のとおりである。
　
「【請求項４】各々が長さに沿った軸を有し，共通軸に沿って配置され，且つ感知線を形成するように各々が電気的に一列に接続されている２以上の細長い磁気抵抗ビットと，
　各々が長さに沿った軸を有し，且つ各々が前記磁気抵抗ビットの対応する１つに近接して配置されている２以上の細長いワード線と，
　前記２以上の磁気抵抗ビットの各々に近接して配置され，所定の方向から第１の磁気抵抗ビットに近づき，且つ前記所定の方向と反対の方向から第２の磁気抵抗ビットに接近する細長いディジタル線とを備え，
　前記細長い磁気抵抗ビットの各々の軸と，前記細長い磁気抵抗ビット間の前記感知線とが，対応する前記細長いワード線の軸に対して実質的に垂直であり，
　前記細長いディジタル線が，少なくとも各々の前記磁気抵抗ビットの領域において，各々の前記細長いワード線の軸に対して実質的に平行に配置されている磁気抵抗メモリ。」
　
（３）引用例の記載と引用発明
（３−１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平０９−０５０６９２号公報（以下「引用例」という。）には，図１〜３とともに，次の記載がある。
　
ア　産業上の利用分野
「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は，巨大磁気抵抗効果を利用して読み出しを行なう情報記録媒体とその記録方法に関する
　
イ　メモリセルの構成について
「【０００５】
【実施例】
［メモリセルの構成］
図１は本実施例におけるひとつのメモリセルの側面断面図
１０１，１０２はＡｌの電極線である
１０４は磁性層を少なくとも２層含む金属多層膜を表す
金属多層膜１０４は，保磁力の小さな磁性層１０５と保磁力の大きな磁性層１０７とがＣｕ層１０６をはさむかたちで積層されている
Hc1＜Hc2
がなりたつ。
（中略）
【００１１】信号記録ステップに先だって，磁性層１０７の磁化は，図１に示す方向に初期化されているとする。
信号記録ステップでは，電極線１０１に紙面表から紙面裏の方向に電流I1を流す
同時に電極線１０２に紙面裏から紙面表の方向に電流I2を流す
金属多層膜の位置での磁界の方向２０１は，図面上，左へ向く
この信号記録ステップで磁性層１の磁化は左方向を向き，メモリセルに信号が記録される
【００１２】
信号消去ステップでは，電極線１０１に紙面裏から紙面表の方向に電流I1を流す
同時に電極線１０２に紙面表から紙面裏の方向に電流I2を流す
金属多層膜の位置での磁界の方向２０１は，図面上，右へ向く
この信号消去ステップで磁性層１の磁化は右方向を向き，メモリセルは消去状態になる
　
ウ　メモリセルの２次元配置について
「【００１３】［メモリセルの２次元配置例１］
図３は前記したメモリセルを本発明に従って２次元平面上に配列したときの一構成例を上方から見た図である
図３には４８個のメモリセル３０１が配列してあり，メモリセルの上下をはさむかたちで，前記電極線が配線される
電極線１０１は縦方向の電極線に対応し，電極線１０２は横方向の電極線に対応する
例えば（１，４）のメモリセルを指定して記録状態にしたかったら，電極線ｘ１と電極線ｙ４に電流をながす
このとき（１，４）のメモリセルの位置で電流方向が互いに逆になるようにする
　
エ　読み出し方法について
「【００２２】［読み出し方法］
記録信号の読み出しには，各メモリセルに，前記した記録用電極線とは別に読み出し電極を設け，磁性層に隣接して形成したトランジスタを用いる
巨大磁気抵抗効果を用いて，磁性層１と磁性層２の磁化が平行（記録状態）か反平行（消去状態）かを検出する
平行のときには磁気抵抗が小さい
また反平行の時には磁気抵抗が大きい
　
オ　図１及び図３について
（ア）上記イ及びウを参酌すると，図１及び図３には，
「電極線１０１」及び「電極線１０２」が，「金属多層膜１０４」を有する「メモリセル３０１」各々の上下をはさむかたちで配線された
　
（イ）上記ウを参酌すると，図３には，
４８個の「メモリセル３０１」が配列され，横方向の記録用電極線である，長さに沿った軸を有する８本の細長い「電極線１０２」及び縦方向の電極線である，６本の細長い「電極線１０１」が配線された
　
（ウ）上記イ及びウを参酌すると，図３には，
縦方向の記録用電極線である「電極線１０１」が，左右いずれかの所定の方向から（i，j）の「メモリセル３０１」に近づき，かつ上記所定の方向と反対の方向から（ｉ，ｊ＋１）の「メモリセル３０１」に接近する
　
（エ）上記イ及びウを参酌すると，図１及び図３には，
「電極線１０１」及び「電極線１０２」が「メモリセル３０１」各々の上下をはさむ領域において，「電極線１０１」が各々の「電極線１０２」の軸に対して実質的に平行に配置された
　
（３−２）引用発明
　上記（３−１）によれば，引用例には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「保磁力の小さな磁性層１０５と保磁力の大きな磁性層１０７とがＣｕ層１０６をはさむかたちで積層された金属多層膜１０４を有し，読み出し電極を設け，磁性層に隣接して形成したトランジスタを用いて，巨大磁気抵抗効果を利用して読み出しを行なう，４８個のメモリセル３０１と，
　横方向の記録用電極線である，長さに沿った軸を有する８本の細長い電極線１０２と，
　左右いずれかの所定の方向から（i，j）のメモリセル３０１に近づき，かつ上記所定の方向と反対の方向から（ｉ，ｊ＋１）のメモリセル３０１に接近する，縦方向の記録用電極線である，６本の細長い電極線１０１とを備え，
　上記細長い電極線１０１及び上記細長い電極線１０２が，上記メモリセル３０１各々の上下をはさむかたちで配線され，
　上記細長い電極線１０１及び上記細長い電極線１０２が上記メモリセル３０１各々の上下をはさむ領域において，上記細長い電極線１０１が各々の上記細長い電極線１０２の軸に対して実質的に平行に配置された，巨大磁気抵抗効果を利用して読み出しを行なう情報記録媒体。」
　
（４）対比
ア　引用発明の「保磁力の小さな磁性層１０５と保磁力の大きな磁性層１０７とがＣｕ層１０６をはさむかたちで積層された金属多層膜１０４を有し，」「巨大磁気抵抗効果を利用して読み出しを行なう，」「メモリセル３０１」は，本願補正発明の「磁気抵抗ビット」に相当する。
　そうすると，本願補正発明の「各々が長さに沿った軸を有し，共通軸に沿って配置され，且つ感知線を形成するように各々が電気的に一列に接続されている２以上の細長い磁気抵抗ビット」と，引用発明の「保磁力の小さな磁性層１０５と保磁力の大きな磁性層１０７とがＣｕ層１０６をはさむかたちで積層された金属多層膜１０４を有し，読み出し電極を設け，磁性層に隣接して形成したトランジスタを用いて，巨大磁気抵抗効果を利用して読み出しを行なう，４８個のメモリセル３０１」とは，「２以上の」「磁気抵抗ビット」である点で共通する。
　
イ　引用発明の「細長い電極線１０２」，「（i，j）のメモリセル３０１」，「（ｉ，ｊ＋１）のメモリセル３０１」及び「細長い電極線１０１」は，それぞれ，本願補正発明の「細長いワード線」，「第１の磁気抵抗ビット」，「第２の磁気抵抗ビット」及び「細長いディジタル線」に相当する。
　そして，引用発明において，「上記電極線１０１及び上記電極線１０２が，上記メモリセル３０１各々の上下をはさむかたちで配線され」ており，上記「細長い電極線１０１」及び上記「細長い電極線１０２」は，いずれも，「メモリセル３０１」各々の「記録用電極線」であるから，引用発明において，上記「細長い電極線１０１」及び上記「細長い電極線１０２」が，それぞれ，「メモリセル３０１」各々に近接して配置されていることは明らかである。
　そうすると，引用発明の「横方向の電極線である，長さに沿った軸を有する８本の細長い電極線１０２と，
　左右いずれかの所定の方向から（i，j）のメモリセル３０１に近づき，かつ上記所定の方向と反対の方向から（ｉ，ｊ＋１）のメモリセル３０１に接近する，縦方向の電極線である，６本の細長い電極線１０１とを備え，
　上記細長い電極線１０１及び上記細長い電極線１０２が，上記メモリセル３０１各々の上下をはさむかたちで配線され」ることは，本願補正発明の「各々が長さに沿った軸を有し，且つ各々が前記磁気抵抗ビットの対応する１つに近接して配置されている２以上の細長いワード線と，
　前記２以上の磁気抵抗ビットの各々に近接して配置され，所定の方向から第１の磁気抵抗ビットに近づき，且つ前記所定の方向と反対の方向から第２の磁気抵抗ビットに接近する細長いディジタル線とを備え」ることに相当する。
　
ウ　引用発明の「上記細長い電極線１０１及び上記細長い電極線１０２が上記メモリセル３０１各々の上下をはさむ領域において，」は，本願補正発明の「少なくとも各々の前記磁気抵抗ビットの領域において，」に相当する。
　そうすると，引用発明の「上記細長い電極線１０１及び上記細長い電極線１０２が上記メモリセル３０１各々の上下をはさむ領域において，上記細長い電極線１０１が各々の上記細長い電極線１０２の軸に対して実質的に平行に配置された」は，本願補正発明の「前記細長いディジタル線が，少なくとも各々の前記磁気抵抗ビットの領域において，各々の前記細長いワード線の軸に対して実質的に平行に配置されている」に相当する。
　
エ　引用発明の「巨大磁気抵抗効果を利用して読み出しを行なう情報記録媒体」は，本願補正発明の「磁気抵抗メモリ」に相当する。
　
オ　以上によれば，本願補正発明と引用発明との一致点と相違点は，次のとおりである。
　
（ア）一致点
「２以上の磁気抵抗ビットと，
　各々が長さに沿った軸を有し，且つ各々が前記磁気抵抗ビットの対応する１つに近接して配置されている２以上の細長いワード線と，
　前記２以上の磁気抵抗ビットの各々に近接して配置され，所定の方向から第１の磁気抵抗ビットに近づき，且つ前記所定の方向と反対の方向から第２の磁気抵抗ビットに接近する細長いディジタル線とを備え，
　前記細長いディジタル線が，少なくとも各々の前記磁気抵抗ビットの領域において，各々の前記細長いワード線の軸に対して実質的に平行に配置されている磁気抵抗メモリ。」
　
（イ）相違点
・　相違点１
　本願補正発明は，「各々が長さに沿った軸を有し，共通軸に沿って配置され，且つ感知線を形成するように各々が電気的に一列に接続されている２以上の細長い磁気抵抗ビット」を備えているのに対し，引用発明の「メモリセル３０１」が，「各々が長さに沿った軸を有し，共通軸に沿って配置され」た「細長い」ものであることは明示されておらず，また，引用発明の「メモリセル３０１」は，「巨大磁気抵抗効果を利用して読み出しを行なう」ために，「読み出し電極を設け，磁性層に隣接して形成したトランジスタを用い」るもので，「感知線を形成するように各々が電気的に一列に接続されている」構成を備えていない点。
　
・　相違点２
　本願補正発明において，「前記細長い磁気抵抗ビットの各々の軸と，前記細長い磁気抵抗ビット間の前記感知線とが，対応する前記細長いワード線の軸に対して実質的に垂直であ」るのに対し，引用発明は，このような構成を備えていない点。
　
（５）相違点についての検討
　以下，相違点１及び２についてまとめて検討する。
　
ア　周知例１
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である，「猪俣浩一郎，スピンエレクトロニクスの展開，日本応用磁気学会誌，日本，社団法人日本応用磁気学会，１９９９年　７月１日，Vol.23, No.7，p.1828」（以下「周知例１」という。）には，Fig.３とともに，次の記載がある。（審決注：記載中の引用文献を示す脚注番号は省略した。）
　
「ＭＲＡＭの基本的なメモリセル構成をFig.３に示す．（ａ）はＧＭＲを，（ｂ）はＴＭＲを利用したものである．ＭＲＡＭはマトリックス状に配線したビット線（ＢＬ）とワード線（ＷＬ）の交点にメモリセルを配置し，各配線に流した電流が作る合成磁場によって交叉したセルの磁気電極スピンを反転させ，ＧＭＲあるいはＴＭＲ効果を利用して読み出しを行うものである。読み出しにはいくつかの方法が提案されている．
ＧＭＲの場合には，（１）
スピンバルブＧＭＲセルをマトリックス状に並べ，ソフト層に書込みを行い読み出しはそれを反転して行う方法，（２）保持力差をもつＧＭＲセルをマトリックス状に並べ，そのハード層に書込みを行い，ソフト層のスピンのみを反転して読み出すpseudoスピンバルブ（ＰＳＶ），（３）各ＧＭＲセルにトランジスタ（ＦＥＴ）を設け，ソフト層に記録しＧＭＲ効果を用いて読み出す方法などがある
（１）は破壊読み出しであり，（２）は大きな記録磁界を必要とするという問題があるとともに，いずれの場合も多数個のセルを直列につないでいる
　
イ　周知例２
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平０９−０９１９５０号公報（以下「周知例２」という。）には，図１及び図７〜９とともに，次の記載がある。
　
（ア）スピンバルブ型構造について
「【０００４】特に
スピンバルブと呼ばれる構造を有するＧＭＲ材料
スピンバルブは，基本的には非磁性層を介して積層されて２つの磁性層からなる３層構造をとっている
一方の磁性層の磁化方向は固定されており（ピン層），他方の磁性層の磁化方向は，比較的弱い外部磁界により自由に動くことができる
両磁性層の磁化容易軸は平行で，両磁性層の磁化方向は，外部磁界により同一方向又は逆方向することができ，その結果，抵抗値が変化する
　
（イ）スピンバルブ型構造の磁性薄膜メモリについて
「【実施例】図１（ａ）は本発明の磁性薄膜メモリの断面図であり，基本的な磁性薄膜メモリの動作を説明するために，メモリの最小単位である１セルを示したものである。同図に於いては，
基板５上に，ＭＲ磁性層１からなる磁性薄膜メモリ素子，読み出し線２，及び絶縁層３を介して書き込み線４が設けられ，磁性薄膜メモリを構成している
【００３５】尚，本発明に於いては，磁性薄膜メモリ素子を構成するＭＲ磁性層が，スピンバルブ型，誘導フェリ型のいずれの構造を有するものであってもよい。
【００３６】次に，磁性薄膜メモリ素子を構成するＭＲ磁性層について，図１（ａ），（ｂ）に示したＭＲ磁性層の断面図を用いて説明する。
【００３７】
（スピンバルブ型構造の場合）図１（ｂ）は，スピンバルブ型構造のＭＲ磁性層を示したものであり，基板５の上に，第３磁性層１５，第２磁性層１４，非磁性層１３，第１磁性層１２，反強磁性層１１が，この順で積層されている
第２磁性層１４と第３磁性層１５は，両層一組でフリー層に対応し，第１磁性層１２がピン層に対応する
　
（ウ）マトリックス状に配列された磁性薄膜メモリ素子について
「【００７８】次に，マトリックス状に配列された磁性薄膜メモリ素子に，情報書き込む場合について説明する。
【００７９】図７は，磁性薄膜メモリの平面図（ａ）とそのＡＡ’断面図（ｂ）を示し，
書き込み線５１，５２，５３と書き込み補助線６１，６２，６３が直交する部分に，磁性薄膜メモリ素子であるＭＲ磁性膜がマトリックス状に配列されている
磁性薄膜メモリ素子は，読み出し補助線方向に直列に接続され，読み出し線を形成している
ＡＡ’断面に示した部分では，磁性薄膜メモリ素子４１，４２，４３が直列に接続された部分が，読み出し線２になる
（中略）
【００８１】ここで，書き込み線と書き込み補助線の双方に電流を流すことにより，マトリックス状に配列された磁性薄膜メモリ素子の一部の素子だけに情報を記録する場合について，図８，図９を参照して説明する。
【００８２】図８（ａ）に於いて，Ｉｗ１は書き込み線５０を流れる書き込み電流を示し，Ｉｗは書き込み補助線６０を流れる書き込み補助電流を示す。そして，Ｈｗ１は，書き込み電流Ｉｗ１により発生した書き込み磁界を示し，Ｈｗは，書き込み補助電流Ｉｗにより発生した書き込み補助磁界を示す。（中略）
書き込み磁界Ｈｗ１と書き込み補助磁界Ｈｗの合成磁界Ｈ１は，第３磁性層の保持力より大きいため，書き込み電流Ｉｗ１と書き込み補助電流Ｉｗの双方を流した場合には，第３磁性層の磁化方向を変えること，つまり情報を記録することができる
（中略）
【００８５】上述のように，
マトリックス状に，磁性薄膜メモリ素子を配列した場合には，情報を記録したい磁性薄膜メモリ素子の部分を通る書き込み線及び書き込み補助線だけに電流を流すことにより，その部分の磁性薄膜メモリ素子だけに情報を記録することができる
（中略）
【００８６】又，ハード層（第１磁性層）に情報を記録する場合も，書き込み電流及び書き込み補助電流の大きさを調整することにより，上記と同様に，情報を記録することができる。
【００８７】一方，
マトリックス状に配列された磁性薄膜メモリ素子に，書き込まれた情報を読み出す場合には，読み出したい磁性薄膜メモリ素子が接続された読み出し線に読み出し電流を流すと共に，その磁性薄膜メモリ素子の部分を通る書き込み線に再生電流又は再生変化電流を流すことにより，１素子の場合と同様に記録された情報を再生することができる
【００８８】尚，上記説明では，書き込み線及び書き込み補助線に電流を流し，情報を記録したが，書き込み補助線を設けず，書き込み補助線の代わり
読み出し線に電流を流しても，情報を記録することができる
　
（エ）図７について
　図７には，マトリックス状に配置された磁性薄膜メモリ素子において，
「磁性薄膜メモリ素子４１，４２，４３」各々が長さに沿った軸を有し，共通軸に沿って配置された，細長いものである
　また，図７には，
細長い「磁性薄膜メモリ素子４１，４２，４３」の各々の軸と，「磁性薄膜メモリ素子４１，４２，４３」間の「読み出し線２」とが，細長い「書き込み線５１，５２，５３」の軸に対して実質的に垂直である
　
ウ　周知例３
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平１０−１１６４９０号公報（以下「周知例３」という。）には，図１〜４とともに，次の記載がある。
　
（ア）ＭＲＡＭの構成及び動作について
「【０００８】図１に示すＭＲＡＭ１０は８個のメモリ・セルを含み，半導体基板１１上において２つの層によって積層されているが，これより多い層によって積層してもよい。簡略化のために，同一センス・ラインに接続されている４つのメモリ・セルについてこれより説明することにする。
ＭＲＡＭ１０内の各メモリ・セルは，ＧＭＲ物質部分，ワード・ライン，およびセンス・ラインを有する
下位センス・ライン１４は，接触によりＧＭＲ物質部分１２，１５に電気的に接続されており
センス電流は，センス・ライン１４，２２，およびＧＭＲ物質部分１２，１５，１７，２０を通過し，抵抗を検出する
各ワード・ラインは，ＧＭＲ物質部分１２，１５，１７，２０に隣接して配置され，ワード電流によって発生される磁場を，ＧＭＲ物質部分１２，１５，１７，２０に印加する
（中略）
【００１４】
動作の間，第１，第２，第３，および第４メモリ・セルにおける状態を読み出すためには，ワード電流をワード・ラインに印加し，センス・ラインから電圧を検出する
第１メモリ・セルに状態を格納するためには，例えば，第１および第３ワード・ライン１３，１８にワード電流を印加し，磁場を発生させる。この磁場は十分に大きく，ＧＭＲ物質部分１２における磁気ベクトルの方向に変化をもたらす
（中略）
【００１５】図３は，本発明の第２実施例によるＭＲＡＭ３２の簡略拡大断面図である。
（中略）
【００１６】
図３および図２に示す両構造間の唯一の相違は，ワード・ラインの一部の代わりに，ディジット・ライン(digit line)が形成されていることである
ディジット・ライン３３，３４は，第３および第４ワード・ライン１８，２１と協同して磁場を発生するために利用される
ＧＭＲ物質部分１２における状態を読み出すためには，ワード電流およびディジット電流を第３ワード・ライン１８および第１ディジット・ライン３３に印加し，磁場をＧＭＲ物質部分１２に与え，第１および第２センス・ライン１４，２２から電圧を検出する
状態をＧＭＲ物質部分１２に格納する場合，ＧＭＲ物質１２における磁気ベクトルの方向を交替させるのに十分な磁場を，ワード電流およびディジット電流によって印加する。ディジット・ライン３３，３４はワード・ライン１８，２１に対して垂直であるが，ディジット電流による磁場は，ワード電流による磁場を印加した後に，ＧＭＲ物質における磁気ベクトルを回転させるのを助ける
【００１７】図４は，本発明の第３実施例によるＭＲＡＭ４０の簡略拡大断面図である。
（中略）
【００１８】
図４および図２に示す両構造間の唯一の相違は，ワード・ラインの代わりにディジット・ラインが形成されていることである
ＭＲＡＭ４０の動作は，図３に示したＭＲＡＭ３２と同一である
ＧＭＲ物質部分１２内において状態の読み出しおよび格納を行うためには，第１ワード・ライン１３およびディジット・ライン４１を活性化させる
　
（イ）図１について
　
図１には，「ＭＲＡＭ１０」において，この「ＭＲＡＭ１０」内のメモリ・セルである「ＧＭＲ物質部分１７，２０」各々が長さに沿った軸を有し，共通軸に沿って配置された，細長いものである
　また，図１には，
細長い「ＧＭＲ物質部分１７，２０」の各々の軸と，「ＧＭＲ物質部分１７，２０」間の「センス・ライン２２」とが，細長い「ワード・ライン１８，２１」の軸に対して実質的に垂直である
　
エ　引用発明は，「メモリセル３０１」（本願補正発明の「磁気抵抗ビット」に相当。）に記録された信号を，巨大磁気抵抗効果を利用して読み出すための構成として，「読み出し電極を設け，磁性層に隣接して形成したトランジスタを用い」る構成を備えているが，上記「メモリセル３０１」に記録された信号を，巨大磁気抵抗効果を利用して読み出すための構成が，上記の構成に限定されないことは，引用例の記載から当業者には明らかであり，引用発明における上記の構成を，同等の機能を有する別の構成に置き換えることは，当業者に普通に期待できるものである。
　そして，メモリセルを構成する磁性層の磁化方向を変えることで，メモリセルに信号を記録し，メモリセルに記録された信号を巨大磁気抵抗効果を利用して読み出す磁気抵抗メモリにおいて，複数のメモリセルを，感知線（読み出し線，センス・ライン）で電気的に一列に接続し，上記感知線（読み出し線，センス・ライン）に電流を流すことにより，巨大磁気抵抗効果を利用して上記所定のメモリセルに記録された信号を読み出すことは，周知例１〜３にみられるように，本願の優先権主張日前に，当該技術分野において周知の技術である。
　そうすると，引用発明において，複数の「メモリセル３０１」を感知線で電気的に一列に接続する構成とし，上記感知線に電流を流すようにしても，上記所定の「メモリセル３０１」に記録された信号を，巨大磁気抵抗効果を利用して読み出せることは，上記周知の技術に接した当業者が直ちに察知し得たものである。
　ここで，本願明細書には，本願補正発明の「感知線」が奏する作用効果について，「必要な場合，感知線電流１８４によって生成される磁界Ｈｓｌ１８２を使用して，磁気抵抗ビット１６０ａ，１６０ｂ，１６０ｃ，１６０ｄ及び１６０ｅの磁界ベクトルを最初に回転させる横方向トルクを与えることができる。」（段落【００４２】）と記載されているが，複数のメモリセルが感知線（読み出し線）で電気的に一列に接続された磁気抵抗メモリにおいて，必要な場合，上記感知線（読み出し線）に流れる電流によって生成される磁界を，上記メモリセルの磁性体の磁化方向を変化させるための磁界として用いることは，上記イ（ウ）より，周知例２にみられるように常套手段であるから，本願明細書に記載された「感知線」の上記の作用効果は，格別のものであるとはいえず，本願補正発明が，「２以上の細長い磁気抵抗ビット」が「感知線を形成するように各々が電気的に一列に接続されている」ことにより，格別の作用効果を奏するとは認められない。
　
オ　さらに，周知例１〜３にみられるように周知の技術である，複数のメモリセルが感知線で電気的に一列に接続された磁気抵抗メモリにおいて，上記複数のメモリセル各々が長さに沿った軸を有し，共通軸に沿って配置された，細長いものとし，この細長いメモリセルの各々の軸と，上記細長いメモリセル間の上記感知線とが，対応する細長い書き込み線（ワード・ライン）の軸に対して実質的に垂直なるようにすることも，上記イ（エ）及び上記ウ（イ）から，周知例２及び３にみられるように周知の技術である。
　そうすると，引用発明において，周知例１〜３にみられるような周知の技術に基づいて，複数の「メモリセル３０１」を感知線で電気的に一列に接続する構成とする際に，複数の「メモリセル３０１」を，各々が長さに沿った軸を有し，共通軸に沿って配置された，細長いものとし，この細長い「メモリセル３０１」の各々の軸と，上記細長い「メモリセル３０１」間の上記感知線とが，対応する「細長い電極線１０２」（本願補正発明の「細長いワード線」に相当。）の軸に対して実質的に垂直なるようにすることは，当業者が適宜なし得たものである。
　
カ　以上から，引用発明において，相違点１及び２に係る構成とすることは，周知例１〜３にみられるような周知の技術に基づいて，当業者が容易に想到し得たものである。
　
（６）まとめ
　以上のとおり，本件補正後の請求項４に係る発明（本願補正発明）は，引用例記載の発明（引用発明）及び周知例１〜３にみられるような周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第５項（平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項をいう。以下同じ。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　
４　むすび
　以上検討したとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから，上記２の補正事項１及び２以外の補正事項について検討するまでもなく，本件補正は，特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明の容易想到性について
　
１　本願発明について
　平成２０年７月８日に提出された手続補正書による手続補正は前記のとおり却下されたので，本願の請求項１〜８に係る発明は，平成１９年１月１０日に提出された手続補正書に記載されたとおりのものであり，その請求項４の記載は，再掲すると次のとおりである。（以下，本願の請求項４に係る発明を「本願発明」という。）
　 
「【請求項４】各々が長さに沿った軸を有し，且つ感知線を形成するように各々が電気的に一列に接続されている２以上の細長い磁気抵抗ビットと，
　各々が長さに沿った軸を有し，且つ各々が前記磁気抵抗ビットの対応する１つに近接して配置されている２以上の細長いワード線と，
　前記２以上の磁気抵抗ビットの各々に近接して配置され，所定の方向から第１の磁気抵抗ビットに近づき，且つ前記所定の方向と反対の方向から第２の磁気抵抗ビットに接近する細長いディジタル線とを備え，
　前記細長い磁気抵抗ビットの各々の軸が，対応する前記細長いワード線の軸に対して実質的に垂直であり，
　前記細長いディジタル線が，少なくとも各々の前記磁気抵抗ビットの領域において，各々の前記細長いワード線の軸に対して実質的に平行に配置されている磁気抵抗メモリ。」
　
２　引用例の記載と引用発明
　引用例の記載は，前記第２の４（３）（３−１）のとおりであり，引用発明は，前記第２の４（３）（３−２）で認定したとおりである。
　
３　対比
　前記第２の１及び２から明らかなように，本願発明は，本願補正発明から，平成２０年７月８日に提出された手続補正書による補正事項１及び２で付加した発明特定事項を取り除いたものである。
　そこで，本願発明と引用発明とを対比すると，前記第２の４（４）ア〜エの検討により，両者の一致点と相違点は，次のとおりである。
　
（ア）一致点
「２以上の磁気抵抗ビットと，
　各々が長さに沿った軸を有し，且つ各々が前記磁気抵抗ビットの対応する１つに近接して配置されている２以上の細長いワード線と，
　前記２以上の磁気抵抗ビットの各々に近接して配置され，所定の方向から第１の磁気抵抗ビットに近づき，且つ前記所定の方向と反対の方向から第２の磁気抵抗ビットに接近する細長いディジタル線とを備え，
　前記細長いディジタル線が，少なくとも各々の前記磁気抵抗ビットの領域において，各々の前記細長いワード線の軸に対して実質的に平行に配置されている磁気抵抗メモリ。」
　
（イ）相違点
・　相違点１
　本願発明は，「各々が長さに沿った軸を有し，且つ感知線を形成するように各々が電気的に一列に接続されている２以上の細長い磁気抵抗ビット」を備えているのに対し，引用発明の「メモリセル３０１」が，「各々が長さに沿った軸を有」する「細長い」ものであることは明示されておらず，また，引用発明の「メモリセル３０１」は，「巨大磁気抵抗効果を利用して読み出しを行なう」ために，「読み出し電極を設け，磁性層に隣接して形成したトランジスタを用い」るもので，「感知線を形成するように各々が電気的に一列に接続されている」構成を備えていない点。
　
・　相違点２
　本願発明において，「前記細長い磁気抵抗ビットの各々の軸が，対応する前記細長いワード線の軸に対して実質的に垂直であ」るのに対し，引用発明は，このような構成を備えていない点。
　
４　相違点についての検討
　本願発明と引用発明との相違点１は，本願補正発明と引用発明との相違点１から，平成２０年７月８日に提出された手続補正書による補正事項１で付加した発明特定事項である「共通軸に沿って配置され」たことを取り除いたものであり，また，本願発明と引用発明との相違点２は，本願補正発明と引用発明との相違点２から，上記手続補正書による補正事項２で付加した発明特定事項である「前記細長い磁気抵抗ビット間の前記感知線」が，「対応する前記細長いワード線の軸に対して実質的に垂直であ」ることを取り除いたものである。
　そして，前記第２の４（５）で検討したとおり，本願補正発明と引用発明との相違点１及び２は，引用発明において，周知例１〜３にみられるような周知の技術に基づいて，当業者が容易に想到し得たものである。
　そうすると，本願補正発明と引用発明との相違点１及び２から上記の発明特定事項を取り除いた，本願発明と引用発明との相違点１及び２も，前記第２の４（５）で検討したとおり，引用発明において，周知例１〜３にみられるような周知の技術に基づいて，当業者が容易に想到し得たものである。
　
５　まとめ
　以上のとおり，上記相違点１及び２は，引用発明において，周知例１〜３にみられるような周知の技術に基づいて，当業者が容易に想到し得たものであるから，本願の請求項４に係る発明（本願発明）は，引用例記載の発明（引用発明）及び周知例１〜３にみられるような周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないものである。
　
第４　結言
　
　以上検討したとおり，本願の請求項４に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。