(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の導電性貫通ビアを備えた基板要素と、
前記複数の導電性貫通ビアの一部の導電性貫通ビアの両側に電気的に接続された第１の熱電変換部材と、前記複数の導電性貫通ビアの残りの導電性貫通ビアの両側に電気的に接続された第２の熱電変換部材を備えた熱電変換要素を有し、
前記第１の熱電変換部材と前記第２の熱電変換部材が同じ熱電変換部材であるか、或いは、前記第１の熱電変換部材が第１導電型の熱電変換部材であり且つ前記第２の熱電変換部材が前記第１導電型と反対導電型である第２導電型の熱電変換部材であるかのいずれかであり、
前記第１の熱電変換部材同士、及び前記第２の熱電変換部材同士で当接し且つ電気的に接続し、前記基板要素同士が互いに当接しないように複数の前記熱電変換要素を積層し、
前記基板要素が柔軟性を有し、
前記各熱電変換要素にまたがって共通の１本の連続した基板を形成することを特徴とする熱電変換デバイス。
【請求項２】
互いに当接する前記第１の熱電変換部材同士、及び前記第２の熱電変換部材同士が、金属、異方性導電膜或いは導電性接着剤のいずれかで電気的に接合されていることを特徴とする請求項1に記載の熱電変換デバイス。
【請求項３】
前記各熱電変換要素に設けた複数の前記熱電変換部材の間隙が、絶縁性の補強部材で充填されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の熱電変換デバイス。
【請求項４】
柔軟性を有する絶縁性のベース部材の表裏に導電性部材を形成した基板に、前記表裏の一方から他方の導電性部材に到達する複数のビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールを導電性貫通ビアで埋め込む工程と、
前記表裏に形成した導電性部材を選択的に除去して前記基板の長軸方向の両端部を除く領域に前記導電性貫通ビアに接続するランドを形成すると同時に、前記基板の長軸方向の両端部に表裏の一方で前記導電性貫通ビアを露出させるとともに表裏の他方に前記導電性貫通ビアに接続する配線を形成する工程と、
複数の前記ランドの一部のランドに接続するように第１の熱電変換部材を成膜する工程と、
複数の前記ランドの残りのランドに接続するように第２の熱電変換部材を成膜する工程と、
前記基板を複数個の熱電変換材料を含む熱電変換要素単位で屈曲させて、前記第１の熱電変換部材同士、及び前記第２の熱電変換部材同士で当接し且つ電気的に接続する積層体を形成する工程と
を有し、
前記第１の熱電変換部材と前記第２の熱電変換部材が同じ熱電変換部材であるか、或いは、前記第１の熱電変換部材が第１導電型の熱電変換部材であり且つ前記第２の熱電変換部材が前記第１導電型と反対導電型である第２導電型の熱電変換部材であるかのいずれかであることを特徴とする熱電変換デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ゼーベック（Ｓｅｅｂｅｃｋ）効果を利用し、材料内の温度差を用いて熱を電気に変換する熱電変換デバイス及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
熱電変換モジュールとは、熱電変換材料と呼ばれる材料の両端に温度差をつけることで起電力を生じさせ、その起電力から電気を取り出す機構を持ったモジュールである。市販されている熱電変換材料は材料に大きな温度差を設けるために材料自体が厚い必要があるため、通常バルク体を用いることが一般的である。
【０００３】
図１２は、従来の熱電変換デバイスの概念的斜視図であり、この構造は現在までに熱電変換デバイスとして市販されている唯一の形態であり、π型構造と呼ばれている。これはＰ型バルク半導体５１とＮ型バルク半導体５２の熱電変換材料をＣｕ電極５３，５４で電気的に接続し片端を高温、もう一端を低温にすることで熱電変換材料内部に温度分布を設け、温度分布に応じた起電力を得ることで発電するものである。なお、図における符号５５，５６はセラミック基板であり、５７，５８は起電力を取り出すリード線である。
【０００４】
しかし、この構造体ではバルク体を用いることから切削切断等がそのサイズに応じて困難になるため微細化に限界があること、及び、使用されている熱電変換材料がＢｉＴｅ系の化合物であることから材料が高価な上、加工性が悪く脆い等の問題点があった。
【０００５】
それに対して、近年、薄層化することで材料特性を大きく向上させることが可能であるとの報告が多数なされている。例えば、柔軟性を持った基板上にバルク熱電変換材料を配置し、基板自体を折り曲げ積層していくことで、容易に製造する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）ので、図１３及び図１４を参照して説明する。
【０００６】
図１３及び図１４は従来の薄層化したバルク体を用いた熱電変換デバイスの製造工程の説明図である。まず、図１３（ａ）に示すように、可撓性の絶縁フィルム６１上の両側に導電体６２を貼り付け、フレキシブル基板６０を形成する。次いで、図１３（ｂ）に示すように、Ｐ型熱電変換材料６３及びＮ型熱電変換材料６４を交互に配置する。
【０００７】
次いで、図１３（ｃ）に示すように、Ｐ型熱電変換材料６３とＮ型熱電変換材料６４との間に交互に逆方向からの切り込み６５を設けることにより、Ｐ型熱電変換材料６３及びＮ型熱電変換材料６４を交互に直列接続する。
【０００８】
次いで、図１４（ｄ）及び図１４（ｅ）に示すように、所定の箇所の切り込み６５において折り曲げるとともに、断熱シート６６を挿入して積層構造を形成する。なお、図１４（ｆ）は熱電変換要素の電流方向と温度差の説明図である。
【０００９】
この提案の場合には、基板自体が柔軟性を持つことで硬質基板を用いる従来のモジュール構造に比べ破損に強く、多層化構造を取ることで多数の熱電変換材料を集積できるという利点がある。
【００１０】
また、それらとは別個に近年薄膜熱電変換材料を用いた熱電変換デバイス構造も提案されている（例えば、特許文献２参照）。図１５は、薄膜熱電変換材料を用いた熱電変換デバイスの概念的斜視図であり、フィルム基板７１上に、Ｐ型熱電変換材料薄膜７２とＮ型熱電変換材料薄膜７３と交互に互いに接続するように成膜し、フィルム基板７１の可撓性を利用して巻回したものである。
【００１１】
この場合には、トランジスタ等で実用化されている薄膜の成膜プロセスを利用することで大面積にわたって材料パターンを一括で形成でき、組み立て工程が必要なくなるため、製造コストを低減することができるという利点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００６−２６９７２１号公報
【特許文献２】特開２００４−２４１６５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかし、特許文献１の場合には、薄層化して用いているので、材料自体の厚みや加工幅に限界があるため、面積当たりの熱電変換素子の個数が減少してしまい、小規模デバイスでは高電圧が取りにくいという問題がある。そのうえ、Ｐ型、Ｎ型の熱電変換材料を交互に一つ一つ並べる必要があるため組み立て工程が必要となり、時間やコストが大きくなる課題があった。
【００１４】
また、特許文献２の場合にも、一括形成可能な薄膜材料はバルク材料と比べて厚みが薄いため、電気抵抗が大きくなり、発電量が小さくなるという問題がある。この問題を解決するために高アスペクト比を持ち、厚い熱電変換材料膜を用いる方法も考えられるが、通常形成される薄膜では難しく、時間がかかるなどの問題点があった。薄膜の特性を維持したまま厚膜化することは難しく、現在のところバルク体を上回る特性を得た例はない。
【００１５】
したがって、熱電変換デバイスにおいて、微細化による熱電変換材料の集積化を可能にし、且つ、使用する薄膜の制限を少なくすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
開示する一観点からは、複数の導電性貫通ビアを備えた基板要素と、前記複数の導電性貫通ビアの一部の導電性貫通ビアの両側に電気的に接続された第１の熱電変換部材と、前記複数の導電性貫通ビアの残りの導電性貫通ビアの両側に電気的に接続された第２の熱電変換部材を備えた熱電変換要素を有し、前記第１の熱電変換部材と前記第２の熱電変換部材が同じ熱電変換部材であるか、或いは、前記第１の熱電変換部材が第１導電型の熱電変換部材であり且つ前記第２の熱電変換部材が前記第１導電型と反対導電型である第２導電型の熱電変換部材であるかのいずれかであり、前記第１の熱電変換部材同士、及び前記第２の熱電変換部材同士で当接し且つ電気的に接続し、前記基板要素同士が互いに当接しないように複数の前記熱電変換要素を積層し、前記基板要素が柔軟性を有し、前記各熱電変換要素にまたがって共通の１本の連続した基板を形成することを特徴とする熱電変換デバイスが提供される。
【００１７】
また、開示する別の観点からは、柔軟性を有する絶縁性のベース部材の表裏に導電性部材を形成した基板に、前記表裏の一方から他方の導電性部材に到達する複数のビアホールを形成する工程と、前記ビアホールを導電性貫通ビアで埋め込む工程と、前記表裏に形成した導電性部材を選択的に除去して前記基板の長軸方向の両端部を除く領域に前記導電性貫通ビアに接続するランドを形成すると同時に、前記基板の長軸方向の両端部に表裏の一方で前記導電性貫通ビアを露出させるとともに、表裏の他方に前記導電性貫通ビアに接続する配線を形成する工程と、複数の前記ランドの一部のランドに接続するように第１の熱電変換部材を成膜する工程と、複数の前記ランドの残りのランドに接続するように第２の熱電変換部材を成膜する工程と、前記基板を複数個の熱電変換材料を含む熱電変換要素単位で屈曲させて、前記第１の熱電変換部材同士、及び前記第２の熱電変換部材同士で当接し且つ電気的に接続する積層体を形成する工程とを有し、前記第１の熱電変換部材と前記第２の熱電変換部材が同じ熱電変換部材であるか、或いは、前記第１の熱電変換部材が第１導電型の熱電変換部材であり且つ前記第２の熱電変換部材が前記第１導電型と反対導電型である第２導電型の熱電変換部材であるかのいずれかであることを特徴とする熱電変換デバイスの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１８】
開示の熱電変換デバイス及びその製造方法によれば、微細化による熱電変換材料の集積化を可能にし、且つ、使用する薄膜の制限を少なくすることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施の形態の熱電変換デバイスの説明図である。
【図２】評価に用いた熱電変換デバイスの説明図である。
【図３】比較のために用いた従来の熱電変換デバイスの説明図である。
【図４】本発明の実施例１の熱電変換デバイスの製造工程の途中までの説明図である。
【図５】本発明の実施例１の熱電変換デバイスの製造工程の図４以降の途中までの説明図である。
【図６】本発明の実施例１の熱電変換デバイスの製造工程の図５以降の途中までの説明図である。
【図７】本発明の実施例１の熱電変換デバイスの製造工程の図６以降の説明図である。
【図８】本発明の実施例１の熱電変換デバイスの説明図である。
【図９】本発明の実施例２の熱電変換デバイスの製造工程の途中までの説明図である。
【図１０】本発明の実施例２の熱電変換デバイスの製造工程の図９以降の説明図である。
【図１１】本発明の実施例３の熱電変換デバイスの製造工程の説明図である。
【図１２】従来の熱電変換デバイスの概念的斜視図である。
【図１３】従来の薄層化したバルク体を用いた熱電変換デバイスの製造工程の途中までの説明図である。
【図１４】従来の薄層化したバルク体を用いた熱電変換デバイスの製造工程の図１３以降の説明図である。
【図１５】薄膜熱電変換材料を用いた熱電変換デバイスの概念的斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
ここで、図１乃至図３を参照して、本発明の実施の形態の熱電変換デバイスを説明する。図１は本発明の実施の形態の熱電変換デバイスの説明図であり、図１（ａ）は各熱電変換要素の平面図であり、図１（ｂ）は熱電変換デバイスの断面図である。熱電変換要素１は、複数の導電性貫通ビア３を備えた基板要素２と、導電性貫通ビア３の両側に電気的に接続された熱電変換部材４，５とを備えている。なお、使用条件によってはこのデバイス自体を折り曲げ使用する可能性があるので、熱電変換デバイスの熱電変換要素間をエポキシ樹脂等の樹脂材料で埋め込んでも良い。
【００２１】
基板要素２としては可撓性を有するフレキシブル基板を用いる。また、導電性貫通ビア３は、高熱伝導率、かつ高導電性を有したＣｕ等で形成する。なお、貫通ビアホールを無電解Ｃｕめっきで埋め込むことが困難な場合には、導電性銀ペースト、はんだペースト等の穴埋め材を用いても構わない。また、通常は導電性貫通ビア３と熱電変換部材４，５との間に導電性のランド６を設ける。
【００２２】
熱電変換部材４，５は単一の種類の熱電変換材料でも良いし、二種類の熱電変換材料でも良い。単一の熱電変換材料の場合には、Ｐ型半導体、Ｎ型半導体或いは金属材料を用いる。また、二種類の熱電変換材料を用いる場合には、Ｐ型半導体とＮ型半導体を用いて互いに交互に配置する。
【００２３】
半導体材料としては、ＢｉＴｅ、ＣｏＳｂ、ＳｉＧｅ、ＰｂＴｅ等の化合物半導体を用いて導電型決定不純物等によって導電型を決定すれば良い。例えば、Ｂｉ２Ｔｅ３組成のＢｉＴｅはＰ型半導体であり、Ｓｂを添加したＢｉＳｂＴｅはＮ型半導体となる。また、金属材料としては、Ｂｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉなどの単体金属を用いれば良い。これらの熱電変換材料は、使用される温度によって熱電変換能を示す性能指数Ｚが異なることが知られており、熱電変換部材の耐熱性や熱電変換に利用する温度を考慮して選ぶ必要がある。
【００２４】
成膜方法も特に限定はなく、選択するフレキシブル基板に対して劣化しない温度条件を守れるのであれば、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法、ゾルゲル法、溶射法、スクリーン印刷法、フラッシュ蒸着法等の多種類のプロセスを用いて良い
【００２５】
基板要素２は実際には連続した一枚のフレキシブル基板であり、熱電変換要素単位で折り畳むことによって図１（ｂ）の構造が得られる。互いに当接する熱電変換部材同士は、導電体層或いは異方性導電膜で電気的に接続する。導電体層７としては、熱電変換材料より低融点で且つ基板材料に悪影響を与えない材料であればどのようなものでも良い。例えばＢｉ以外にインジウム、はんだ等でも良い。
【００２６】
このように、基板を折り曲げ多層化し、各々の熱電変換部材同士を基板に対して垂直方向に電気、温度差両方を生じさせるようなデバイス構造となる。このように熱電変換デバイスを構成することで薄膜用の成膜プロセスの採用により基板上への一括加工を行うことが可能となる。また、薄膜の基板面と垂直方向への伝導を採用することで高アスペクト比の薄膜が必要無く、かつ基板を折り曲げ積層することで熱電変換部材のトータルの厚みを稼ぐことも可能で、簡便に作製可能になる。
【００２７】
次に、図２及び図３を参照して、本発明の実施の形態の熱電変換デバイスの作用効果を説明する。図２（ａ）は、評価に用いた熱電変換要素の平面図であり、１ｍｍ×１ｍｍのサイズの基板要素２に１００μｍ×１００μｍで厚さが１０μｍの熱電変換部材４，５を交互に配置する。
【００２８】
この場合の基板要素２としては、基板厚を現在最も一般的に市販されている２５μｍ厚とし、熱電変換部材にＢｉＴｅ系を用い、熱電変換部材４，５の表面には厚さが５μｍのＢｉからなる導電体層７を設けている。図２（ｂ）は、熱電変換デバイスの断面図であり、図２（ａ）に示した熱電変換要素１を１２層積層してデバイス寸法を１ｍｍ×１ｍｍ×０．５ｍｍの微小なデバイスを仮定した。
【００２９】
図３は比較のために用いた従来の熱電変換デバイスの説明図であり、ここでは、上述の特許文献２に示したロール状の従来例を用いた。図３（ａ）は従来の熱電変換デバイスを構成する縦型熱電変換要素の側面図であり、図３（ｂ）は図２（ｂ）のサイズである１ｍｍ×１ｍｍのサイズを実現するために１５層の縦型熱電変換要素１１を貼り合わせた状態を示した側面図である。なお、図における符号１２，１３，１４は、それぞれ、Ｐ型熱電変換部材、Ｎ型熱電変換部材及びフィルム基板である。
【００３０】
このような仮定の下で、表１に示す一般的な熱電変換材料の物性から発電量を計算した結果、本発明の実施の形態の熱電変換デバイスでは、１０℃の温度差があれば、４００μＷとなり、従来例の場合には１５０μＷとなった。このように、バルク材料と比して薄い材料を用いる場合には、従来例のように縦型に並べる構造に比べ、積層型の方が効果が高いことが分かった。
【表１】
0005987444.tif 000002
【実施例１】
【００３１】
次に、図４乃至図８を参照して、本発明の実施例１の熱電変換デバイスを説明するが、まず、図４乃至図７を参照して、本発明の実施例１の熱電変換デバイスの製造工程を説明する。まず、図４（ａ）に示すようにポリイミドからなる幅が１μｍで厚さが１２．５μｍのベース層２１の表裏に厚さが１８μｍの銅箔２２，２３を張り付けた銅張積層板からなるフレキシブル基板２０を準備する。
【００３２】
次いで、図４（ｂ）に示すように、一方の銅箔２３に穴が開かないように時間及び強度を調整したレーザ光２４を照射して直径が５０μｍの貫通穴２５を形成する。次いで、図４（ｃ）に示すように、無電解銅めっきを行って貫通穴２５を埋め込んで導電性ビア２６を形成する。
【００３３】
次いで、図５（ｄ）に示すように、ドライフィルムをラミネートしたのち、フレキシブル基板２０の長軸方向の両端部を除く領域に導電性ビア２６を覆う１００μｍ角のパターンからなるエッチングレジスト２７を形成する。なお、フレキシブル基板２０の長軸方向の両端部には熱電変換部材同士を直列或いは並列に接続する配線パターンを覆うパターンを形成する。
【００３４】
次いで、図５（ｅ）に示すように、エッチングレジスト２７をマスクとして銅箔２２，２３の露出部をエッチングすることでランド２８及び配線２９を形成する。
【００３５】
次いで、図５（ｆ）に示すように、メタルマスク３０を用いたマスクスパッタリング法によりランド２８に接続するように、厚さが１０μｍのＢｉＴｅ（組成Ｂｉ２Ｔｅ３）からなるＰ型熱電変換部材３１を一つ置きに形成する。次いで、厚さが５μｍのＢｉからなる低融点導電層３２を形成する。
【００３６】
次いで、図６（ｇ）に示すように、メタルマスク３０を１ピッチ分ずらして、厚さが１０μｍのＢｉＳｂＴｅ（組成Ｂｉ０．３Ｓｂ１．７Ｔｅ３）からなるＮ型熱電変換部材３３を形成する。次いで、厚さが５μｍのＢｉからなる低融点導電層３４を形成する。この工程を裏面にも行うことで、図６（ｈ）に示す構造が得られる。
【００３７】
次いで、図６（ｉ）に示すように、予め定めた長さの１μｍの熱電変換要素３５を単位にしてフレキシブル基板２０を折り畳む。この時、各熱電変換要素３５に設けたＰ型熱電変換部材３１同士が当接するとともに、Ｎ型熱電変換部材３３同士が当接するように位置合わせする。
【００３８】
次いで、図７（ｊ）に示すように、３層の熱電変換要素３５を折り畳んだのち、配線２９を形成した両端部を上部下部に配置し、導電性ビア２６がＰ型熱電変換部材３１及びＮ型熱電変換部材３３に当接するように位置合わせして折り畳む。
【００３９】
次いで、図７（ｋ）に示すように、デバイス全体を重りで加圧しながらホットプレート上にて３０分間Ｂｉの融点である２７１．３℃を超える３００℃で加熱し、冷却することで、低融点導電層３２，３４の溶融接合を行い導電体層３６とする。この導電体層３６によって、各熱電変換要素３５間は電気的に接合され、全熱電変換部材が電気的に直列に接合した熱電変換デバイスが得られる。
【００４０】
図８は、本発明の実施例１の熱電変換デバイスの説明図であり、図８（ａ）は、熱電変換デバイスの透視平面図であり、図８（ｂ）は断面図である。図８（ｂ）に示すように、熱電変換部材はＰ型熱電変換部材３１同士が積層方向に６個直列接続されており、Ｎ型熱電変換部材３３同士が積層方向に６個直列接続されている。
【００４１】
また、図８（ａ）に示すように、６個づつ積層されＰ型熱電変換部材３１とＮ型熱電変換部材３３は配線２９により交互に直列接続される。図８（ｂ）に示すように、積層方向に温度差を形成すると、電流は直列接続された６個づつ積層されＰ型熱電変換部材３１とＮ型熱電変換部材３３を交互に上下に蛇行するように流れる。
【００４２】
このように、本発明の実施例１においては、薄膜用の成膜プロセスの採用により基板上への一括加工を行うことが可能となる。また、薄膜の基板面と垂直方向への伝導を採用することで高アスペクト比の薄膜が必要なく、且つ、基板を折り曲げ積層することで材料の厚みを稼ぐことも可能になるので、簡便に作製可能である。
【実施例２】
【００４３】
次に、図９及び図１０を参照して、本発明の実施例２の熱電変換デバイスの製造工程を説明するが、この実施例２は上記の実施例１に補強部材の充填工程を加えたものである。まず、図９（ａ）に示すように、実施例１と全く同様に熱電変換デバイス積層体４０を形成する。
【００４４】
次いで、図９（ｂ）に示すように、上下にメタルマスク４１を貼付する。次いで、図１０（ｃ）に示すように、エポキシ樹脂からなる補強部材４２を注入する。次いで、図１０（ｄ）に示すように、補強部材４２を熱硬化させた後、メタルマスク４１を取り外す。
【００４５】
上記の実施例１の場合には、熱電変換要素間は熱伝導率を小さくするために空隙にしているが、使用条件によってはこのデバイス自体を折り曲げ使用する可能性がある。そこで、実施例２においては補強部材で充填することによって機械的強度を高めている。
【実施例３】
【００４６】
次に、図１１を参照して本発明の実施例３の熱電変換デバイスの製造工程を説明する。まず、図１１（ａ）に示すように、実施例１と同様に、フレキシブル基板２０の表裏にＰ型熱電変換部材３１とＮ型熱電変換部材３３を交互に形成する。但し、この実施例３においては、低融点導電層は形成しない。
【００４７】
次いで、図１１（ｂ）に示すように、予め定めた長さの１μｍの熱電変換要素４３の単位で、交互に山折り方向及び谷折り方向に折り曲げる。
【００４８】
次いで、図１１（ｃ）に示すように、折り曲げ工程中に厚さ１００μｍの異方性導電膜４４を挿入しながら挟み込みを完了させ、全体を加圧し押し付けることで基板垂直方向に電気伝導性を持たせることで垂直に電気的に接合した熱電変換デバイスが得られる。
【００４９】
このように、本発明の実施例３においては、異方性導電膜を用いているので、低融点導電層の形成工程が不要になり、それに伴って溶融接合工程も不要になる。なお、この実施例３においても、上記の実施例２と同様に、補強部材を充填しても良い。
【符号の説明】
【００５１】
１  熱電変換要素
２  基板要素
３  導電性貫通ビア
４，５  熱電変換部材
６  ランド
７  導電体層
１１  縦型熱電変換要素
１２  Ｐ型熱電変換部材
１３  Ｎ型熱電変換部材
１４  フィルム基板
２０  フレキシブル基板
２１  ベース層
２２，２３  銅箔
２４  レーザ光
２５  貫通穴
２６  導電性ビア
２７  エッチングレジスト
２８  ランド
２９  配線
３０  メタルマスク
３１  Ｐ型熱電変換部材
３２  低融点導電層
３３  Ｎ型熱電変換部材
３４  低融点導電層
３５  熱電変換要素
３６  導電体層
４０  熱電変換デバイス積層体
４１  メタルマスク
４２  補強部材
４３  熱電変換要素
４４  異方性導電膜
５１  Ｐ型バルク半導体
５２  Ｎ型バルク半導体
５３，５４  Ｃｕ電極
５５，５６  セラミック基板
５７，５８  リード線
６０  フレキシブル基板
６１  絶縁フィルム
６２  導電体
６３  Ｐ型熱電変換材料
６４  Ｎ型熱電変換材料
６５  切り込み
６６  断熱シート
７１  フィルム基板
７２  Ｐ型熱電変換材料薄膜
７３  Ｎ型熱電変換材料薄膜
【図１】
0005987444.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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