【事件の表示】
　特願２００２−１９０５８８「シリコン／炭化ケイ素複合部品の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　２月　５日出願公開、特開２００４−　３５２７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は平成１４年６月２８日の出願であって、平成２０年１月３０日付けで拒絶理由が通知され、その指定期間内に意見書・手続補正書の提出がなく、同年５月３０日付けで拒絶査定され、同年７月３日付けで拒絶査定不服審判が請求され、同年同月２２日に明細書の記載に係る手続補正書が提出され、平成２３年２月１８日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告書を引用した審尋がなされ、同年４月２５日に回答書が提出されたものである。　
　
２．平成２０年７月２２日付けの手続補正書による補正についての補正却下の決定
[補正却下の結論]
　平成２０年７月２２日付けの手続補正書による補正を却下する。
[理由]
　平成２０年７月２２日付けの手続補正書による補正（以下、「本件補正」ということがある。）が、補正前（願書に最初に添付された明細書）の特許請求の範囲の請求項１〜１３である、
「【請求項１】
炭化ケイ素とカーボンからなる圧粉体を成形する工程と、
前記成形体に溶融シリコンを含浸させる工程と、
溶融シリコンの含浸された前記成形体の表面層を機械加工により削除して最終寸法の部品とする工程と
を有することを特徴とするシリコン／炭化ケイ素複合部品の製造方法。
【請求項２】
炭化ケイ素とカーボンからなる最終寸法より大きい予備成形体を成形する工程と、
前記予備成形体の一部を機械加工または手加工により部品形状に、生加工して予備成形体の寸法よりは小さく最終寸法よりは大きい寸法の成形体を形成する工程と、
前記成形体に溶融シリコンを含浸させる工程と、
溶融シリコンの含浸された前記成形体の表面層を機械加工により最終寸法の部品とする工程と
を有することを特徴とするシリコン／炭化ケイ素複合部品の製造方法。
【請求項３】
炭化ケイ素とカーボンからなる最終寸法より大きい成形体をスリップキャスティングにより成形する工程と、
前記成形体に溶融シリコンを含浸させる工程と、
溶融シリコンの含浸された前記成形体の表面層を機械加工により最終寸法の部品とする工程と
を有することを特徴とするシリコン／炭化ケイ素複合部品の製造方法。
【請求項４】
機械加工による取りしろが、１００μｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至３記載のシリコン／炭化ケイ素複合部品の製造方法。
【請求項５】
成形体の寸法は、最終寸法より１０％以下の範囲で大きく製造されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載のシリコン／炭化ケイ素複合部品の製造方法。
【請求項６】
成形体の寸法は、１０ｃｍを超える場合、最終寸法より８％以下の範囲で大きく製造されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載のシリコン／炭化ケイ素複合部品の製造方法。
【請求項７】
成形体の寸法は、成形体の寸法が２０ｃｍを超える場合、最終寸法より５％以下の範囲で大きく製造されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項記載のシリコン／炭化ケイ素複合部品の製造方法。
【請求項８】
炭化ケイ素とカーボンからなる成形体は、有機バインダを含有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項記載のシリコン／炭化ケイ素複合部品の製造方法。
【請求項９】
炭化ケイ素の平均粒径が０．１μｍから１０μｍであり、カーボン粉末の平均粒径が０．００５μｍから１μｍであることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項記載のシリコン／炭化ケイ素複合部品の製造方法。
【請求項１０】
炭化ケイ素とカーボンの混合比率が、重量比で１０：１〜１０であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項記載のシリコン／炭化ケイ素複合部品の製造方法。
【請求項１１】
成形体の成形が、前記混合粉末を０．５ＭＰａから２ＭＰの加圧下で加圧成形により行われることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項記載のシリコン／炭化ケイ素複合部品の製造方法。
【請求項１２】
成形体の成形が、前記混合粉末を分散媒に分散させたスラリーを圧力鋳込成形機を用いて０．５ＭＰａから１０ＭＰａの加圧下に行われることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項記載のシリコン／炭化ケイ素複合部品の製造方法。
【請求項１３】
成形体へのシリコンの含浸が、１４００℃以上で、減圧下又は不活性雰囲気下で行われることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項記載のシリコン／炭化ケイ素複合部品の製造方法。」
を
「【請求項１】
　平均粒径が０．１μｍから５μｍの炭化ケイ素粉末と平均粒径が０．００５μｍから１μｍのカーボン粉末からなり、前記炭化ケイ素粉末と前記カーボン粉末との配合比が重量比で１０：１〜１０である圧粉体を成形する工程と、
　前記成形体に溶融シリコンを含浸させる工程と、
　溶融シリコンの含浸された前記成形体の表面層を機械加工により削除して最終寸法の部品とする工程と
　を有することを特徴とするシリコン／炭化ケイ素複合部品の製造方法。
　【請求項２】
　平均粒径が０．１μｍから５μｍの炭化ケイ素粉末と平均粒径が０．００５μｍから１μｍのカーボン粉末からなり、前記炭化ケイ素粉末と前記カーボン粉末との配合比が重量比で１０：１〜１０である最終寸法より大きい予備成形体を加圧して成形する工程と、
　前記予備成形体の一部を機械加工または手加工により部品形状に、生加工して予備成形体の寸法よりは小さく最終寸法よりは大きい寸法の成形体を形成する工程と、
　前記成形体に溶融シリコンを含浸させる工程と、
　溶融シリコンの含浸された前記成形体の表面層を機械加工により最終寸法の部品とする工程と
　を有することを特徴とするシリコン／炭化ケイ素複合部品の製造方法。
【請求項３】
　平均粒径が０．１μｍから５μｍの炭化ケイ素粉末と平均粒径が０．００５μｍから１μｍのカーボン粉末からなり、前記炭化ケイ素粉末と前記カーボン粉末との配合比が重量比で１０：１〜１０である最終寸法より大きい成形体をスリップキャスティングにより加圧して成形する工程と、
　前記成形体に溶融シリコンを含浸させる工程と、
　溶融シリコンの含浸された前記成形体の表面層を機械加工により最終寸法の部品とする工程と
を有することを特徴とするシリコン／炭化ケイ素複合部品の製造方法。
　【請求項４】
　機械加工による取りしろが、１００μｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至３記載のシリコン／炭化ケイ素複合部品の製造方法。
　【請求項５】
　成形体の寸法は、最終寸法より１０％以下の範囲で大きく製造されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載のシリコン／炭化ケイ素複合部品の製造方法。
　【請求項６】
　成形体の寸法は、１０ｃｍを超える場合、最終寸法より８％以下の範囲で大きく製造されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載のシリコン／炭化ケイ素複合部品の製造方法。
　【請求項７】
　成形体の寸法は、成形体の寸法が２０ｃｍを超える場合、最終寸法より５％以下の範囲で大きく製造されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項記載のシリコン／炭化ケイ素複合部品の製造方法。
　【請求項８】
　炭化ケイ素とカーボンからなる成形体は、有機バインダを含有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項記載のシリコン／炭化ケイ素複合部品の製造方法。
　【請求項９】
　成形体の成形が、前記混合粉末を０．５ＭＰａから２ＭＰの加圧下で加圧成形により行われることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項記載のシリコン／炭化ケイ素複合部品の製造方法。
　【請求項１０】
　成形体の成形が、前記混合粉末を分散媒に分散させたスラリーを圧力鋳込成形機を用いて０．５ＭＰａから１０ＭＰａの加圧下に行われることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項記載のシリコン／炭化ケイ素複合部品の製造方法。
　【請求項１１】
　成形体へのシリコンの含浸が、１４００℃以上で、減圧下又は不活性雰囲気下で行われることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項記載のシリコン／炭化ケイ素複合部品の製造方法。」
と補正するものである。
　この補正は、補正前の請求項９及び１０を削除し、これら補正前の請求項９及び１０に特定する事項を補正後の請求項１〜３にそれぞれ付け加えたものであって、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号及び第２号該当する。
　そこで、補正された請求項１に係る発明（以下、「補正後本願発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるかどうかについて検討する。
　なお、補正後の請求項１〜３における「前記成形体に溶融シリコンを含浸させる」は「成形体に溶融シリコンを含浸させる」の誤記であると認める。
　
Ａ．引用例
　原査定の拒絶の理由で引用文献５として引用され本願出願前に頒布された特開平１０−２５０８６号公報（以下、「引用例」という。）には、以下の事項が記載されている。
（１）「【請求項４】  平均粒径が２μｍ以下の炭化ケイ素粉末１００重量部に、５０重量部以下の炭素粉末を添加混合した混合粉末を用いて、所定形状に成形した成形体を、真空雰囲気中にて加熱して仮焼体となし、さらに仮焼体に溶融金属ケイ素を含浸する磁気ヘッド・スライダー用材料の製造方法。」（特許請求の範囲の請求項４）
（２）「【実施例】
実施例１
表１に示す平均粒径の異なる炭化ケイ素粉末１００重量部に、平均粒径が７５ｎｍの炭素粉末をそれぞれ０、２０、４０、５０重量部添加配合した混合粉末に分散剤として、カルボン酸アンモニウム塩、結合剤としてアクリル系樹脂、潤滑剤としてステアリン酸、可塑剤としてポリエチレングリコールを添加してスラリーを作製し、粘度調整を行ったあと噴霧造粒し、粒径が１５０μｍ未満の造粒粉を得た。
造粒後、加圧力３００ｋｇ／ｃｍ2にて寸法７０×７０×５（ｍｍ）にプレス成形後、２０００ｋｇ／ｃｍ2の圧力にて冷間静水圧プレスを行って成形体を得た後、０．１〜０．０１Ｔｏｒｒの真空雰囲気にて６００℃で３時間加熱し仮焼体を得た。
その後、黒鉛ルツボ内に前記仮焼体を収容し、金属ケイ素を装入後、０．１〜０．０１Ｔｏｒｒの真空雰囲気にて１５００℃で３時間保持し、前記仮焼体中に溶融金属ケイ素を含浸する処理を行った。得られた焼結体・・・・・・。」（【００２０】〜【００２２】）
（３）【００２６】の表１には、「ＳｉＣ原料粉平均粒径（μｍ）」として０．７及び２が記載されている。
　
Ｂ．対比・判断
（あ）上記（１）に記載された「磁気ヘッド・スライダー用材料の製造方法」の実施例である上記（２）には、「表１に示す平均粒径の異なる炭化ケイ素粉末１００重量部に、平均粒径が７５ｎｍの炭素粉末をそれぞれ・・・・・・２０、４０、５０重量部添加配合した混合粉末に分散剤・・・・・・、結合剤・・・・・・、潤滑剤・・・・・・、可塑剤・・・・・・を添加し・・・・・・噴霧造粒し、・・・・・・造粒粉を得・・・・・・、・・・・・・寸法・・・・・・にプレス成形後、・・・・・・冷間静水圧プレスを行って成形体を得た後、・・・・・・真空雰囲気にて６００℃で・・・・・・仮焼体を得・・・・・・、黒鉛ルツボ内に前記仮焼体を収容し、・・・・・・前記仮焼体中に溶融金属ケイ素を含浸する処理を行った。得られた焼結体・・・・・・。」と記載され、この「表１に示す平均粒径の異なる炭化ケイ素粉末」とは、上記（３）の表１によれば、炭化ケイ素平均粒径が０．７または２μｍのものであるといえる。
（い）上記（２）の「平均粒径が７５ｎｍの炭素粉末」とは、ｎｍをμｍで書き改めると、「平均粒径が０．０７５μｍの炭素粉末」である。
　上記（あ）及び（い）の検討を踏まえて、上記（１）〜（３）の記載事項を整理すると、引用例には、
「平均粒径が０．７μｍまたは２μｍの炭化ケイ素粉末１００重量部に平均粒径が０．０７５μｍの炭素粉末２０、４０または５０重量部添加配合した混合粉末に、分散剤、結合剤、潤滑剤、可塑剤を添加して噴霧造粒した造粒粉を得て、所定形状に成形した成形体を、真空雰囲気中にて６００℃で加熱して仮焼体となし、さらに仮焼体に溶融金属ケイ素を含浸する磁気ヘッド・スライダー用材料の製造方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
　そこで、補正後本願発明と引用発明とを対比する。
（か）引用発明の「平均粒径が０．７μｍまたは２μｍの炭化ケイ素粉末」は、補正後本願発明の「平均粒径が０．１μｍから５μｍの炭化ケイ素粉末」と、平均粒径が０．７μｍと２μｍで一致している。
（き）「炭素粉末」は「カーボン粉末」であるから、引用発明の「平均粒径が０．０７５μｍの炭素粉末」は、補正後本願発明の「平均粒径が０．００５μｍから１μｍのカーボン粉末」と、平均粒径が０．０７５μｍで一致している。
（く）引用発明の「炭化ケイ素粉末１００重量部」と「炭素粉末２０、４０または５０重量部」の配合比は、重量比で１０：２（＝１００：２０）、１０：４（＝１００：４０）、１０：５（＝１００：５０）となり、補正後本願発明の「配合比が重量比で１０：１〜１０」であることと、１０：２、１０：４、１０：５である点で一致している。
（け）補正後本願発明の「圧粉体を成形する工程」について、本願明細書の記載をみてみると、【００２２】には、「炭化ケイ素とカーボンには、必要に応じて公知の有機バインダの適当量を添加してもよい。」と、また、同じく【００４１】には、「平均粒径１μｍの炭化ケイ素粉末（α−ＳｉＣ）と平均粒径０．５μｍのカーボン粉末（カーボンブラック）と有機バインダとを混合して造粒粉末を作製し・・・・・・プレス成形機を用いて・・・・・・成形型に充填し、・・・・・・加圧して円柱状の成形体を成形し・・・・・・、不活性ガス雰囲気中６００℃の温度で加熱・保持し・・・・・・た」と記載されているから、補正後本願発明において「・・・・・・炭化ケイ素粉末と・・・・・・カーボン粉末からなり、・・・・・・配合比が・・・・・・である圧粉体を成形する工程」とは、「・・・・・・炭化ケイ素粉末（・・・・・・）と・・・・・・カーボン粉末（・・・・・・）と有機バインダとを混合して造粒粉末を作製し・・・・・・プレス成形機を用いて・・・・・・成形型に充填し、・・・・・・加圧して円柱状の成形体を成形し・・・・・・、不活性ガス雰囲気中６００℃の温度で加熱・保持し・・・・・・た」ことといえ、「造粒粉」は「造粒粉末」のことであり、「結合剤」は「有機バインダ」とみることができるから、引用発明の「混合粉末に、分散剤、結合剤、潤滑剤、可塑剤を添加して噴霧造粒した造粒粉を得て、所定形状に成形した成形体を、真空雰囲気中にて６００℃で加熱して仮焼体とな」すことは、補正後本願発明の「圧粉体を成形する工程」に相当する。
（こ）引用発明の「仮焼体に溶融金属ケイ素を含浸する」は、補正後本願発明の「成形体に溶融シリコンを含浸させる工程」に相当する。
（さ）引用発明の「磁気ヘッド・スライダー用材料」は、上記（か）〜（さ）の検討を踏まえると、「シリコン／炭化ケイ素複合材料」であることは明らかであり、補正後本願発明の「シリコン／炭化ケイ素複合部品」と「シリコン／炭化ケイ素複合材」である点で一致している。
　そうすると、両者は、
「平均粒径が０．７μｍまたは２μｍの炭化ケイ素粉末と平均粒径が０．０７５μｍのカーボン粉末を含み、前記炭化ケイ素粉末と前記カーボン粉末との配合比が重量比で１０：２、１０：４、１０：５である圧粉体を成形する工程と、
　前記成形体に溶融シリコンを含浸させる工程と、
　を有するシリコン／炭化ケイ素複合材の製造方法。」である点で一致し、次の点で相違している。
相違点Ａ：圧粉体を成形する工程につき、補正後本願発明は炭化ケイ素粉末とカーボン粉末と有機バインダを混合した造粒粉末を成形しているのに対し、引用発明はさらに分散剤、潤滑剤、可塑剤も添加した造粒粉を成形している点
相違点Ｂ：補正後本願発明は、溶融シリコンの含浸された前記成形体の表面層を機械加工により削除して最終寸法の部品とする工程を有するのに対し、引用発明はかかる工程を有していない点
相違点Ｃ：シリコン／炭化ケイ素複合材につき、補正後本願発明は、「部品」であるのに対し、引用発明は「磁気ヘッド・スライダー用材料」である点
　
　次に、これら相違点について検討する。
・相違点Ａについて
　引用例の【００１６】には、「成形体の均一性を向上させたり強度を保持させるために、公知の分散剤、潤滑剤、可塑剤、結合剤を添加してもよい。」と記載されており、分散剤、潤滑剤、可塑剤は必要に応じて添加されるものであり、これらを添加しないようにすること、すなわち、相違点Aに係る補正後本願発明の特定事項をなすことは当業者であれば適宜なし得ることである。
・相違点Ｂ及びＣについて
　引用発明の「磁気ヘッド・スライダー用材料」は、引用例の「この発明は熱伝導性、摺動特性に優れ、切断加工時の抵抗が小さく、耐チッピング性に優れた磁気ヘッド・スライダー用材料に係り」（【０００１】）の記載をみると、切断加工して磁気ヘッド・スライダー部品となるものとみることができ、引用例の上記（２）の「前記仮焼体中に溶融金属ケイ素を含浸する処理を行った。得られた焼結体・・・・・・。」との記載をみると、焼結体であるといえる。
　ところで、焼結体を予め目的とする部品の形状よりも若干大きく製造し、その後研磨などの焼結体の表面層の機械加工によって目的とする部品の形状とすることは周知技術（例えば、原査定の拒絶の理由で引用文献２として引用された特開昭６２−１２６６８号公報の２頁左下欄１６〜１７行を参照。）である。
　そうすると、引用発明において、焼結体である磁気ヘッド・スライダー用材料を切断加工して磁気ヘッド・スライダーなる部品とすることに代えて、焼結体のまま目的とする形状よりも若干大きな磁気ヘッド・スライダーなる部品を製造し、その後研磨などの焼結体の表面層の機械加工によって目的とする部品の形状とすること、すなわち、上記相違点Ｂ及びＣに係る補正後本願発明の特定事項をなすことは単なる周知技術の採用にすぎない。
　また、引用例には、「仮焼体に、溶融金属ケイ素を含浸させることにより、焼結体中のＳｉＣ粒界にケイ素（Ｓｉ）と炭素（Ｃ）の反応により得られた微細なＳｉＣが新たに生成する」（【００１０】）及び「原料粉末の炭化ケイ素粉末に添加配合する炭素粉末は、炭化ケイ素粉末１００重量部に対して５０重量部を超えると、仮焼体中に溶融金属ケイ素を含浸する場合、Ｓｉ＋Ｃ→ＳｉＣの反応に伴う体積膨張が異常に大きくなり、含浸体に割れが発生する恐れがあり好ましくないため、５０重量部以下とする。」（【００１５】）との記載があるから、本願明細書の「本発明においては、炭化ケイ素とカーボンからなる成形体中に溶融したシリコンを含浸させる工程で、成形体中のカーボンと含浸したシリコンが反応して、出発原料の炭化ケイ素の表面にこれとは別の平均粒径の小さい炭化ケイ素が形成される。出発原料の炭化ケイ素の粒子間に、溶融シリコンとカーボン粉末との反応により形成された炭化ケイ素とシリコン相とを存在させることによって、優れた機械的特性と、高い信頼性と耐久性を有するシリコン／炭化ケイ素複合材料が得られる。この工程では、炭化ケイ素とカーボンからなる成形体を加圧成形したのちにシリコンを溶浸するため、緻密な材料が得られ、溶浸・焼結時に材料の収縮がない。」（【００３０】）という、補正後本願発明の作用・効果は当業者であれば予想し得る程度のものである。
　よって、補正後本願発明は、引用例に記載されたもの及び周知技術から当業者であれば容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　
Ｃ．補正却下のむすび
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
　なお、請求人は、平成２３年４月２５日付けの回答書において、請求項１に係る発明について、
「［請求項１］ 
 　平均粒径が０．１μｍから５μｍの炭化ケイ素粉末と平均粒径が０．００５μｍから１μｍのカーボン粉末からなり、前記炭化ケイ素粉末と前記カーボン粉末との配合比が重量比で１０：１〜１０である圧粉体からなり、最終寸法より１０％以下の範囲で大きい寸法の成形体を成形する工程と、 
 　前記成形体に溶融シリコンを含浸させる工程と、 
 　溶融シリコンの含浸された前記成形体の表面層を機械加工により削除して最終寸法の部品とする工程と 
 　を有することを特徴とするシリコン／炭化ケイ素複合部品の製造方法。 」
なる補正案を提示し（以下、この補正案として示された請求項１に係る発明を「補正案発明」という。）、引用文献５（上記引用例）との差違について主張しているので、以下に検討する。
（た）上記補正案発明は、補正後本願発明において、成形体の寸法について、「最終寸法より１０％以下の範囲で大きい寸法」なる特定事項を更に付加するものであるが、材料の歩留まりを大きくする（捨てる材料を少なくする）という製造方法における周知の課題を考慮すれば、上記相違点Ｂ及びＣについての検討のところで述べた「焼結体を予め目的とする部品の形状よりも若干大きく製造」という周知技術において、その若干大きくする程度を少なくし、例えば、「最終寸法より１０％以下の範囲」とすることは当業者であれば適宜なし得ることである。
（ち）そして、請求人は、「本願発明では、・・・・・・５ＭＰａの圧力で加圧して成形体とすることで、溶融シリコンを含浸させやすくするとともに、溶融シリコンの充填量を増加させて、焼結収縮等を抑制することができます。一方、引用文献５に記載された発明では、・・・・・・加圧力３００ｋｇ／ｃｍ２（３０ＭＰａ）でプレス成形後、２０００ｋｇ／ｃｍ２（２００ＭＰａ）の圧力にて冷間静水圧プレスを行います。このように高い加圧力を加えた場合、成形体の密度が高くなるために溶融シリコンが含浸しにくくなるとともに、溶融シリコンの充填量が低下して、焼結収縮等が大きくなります。従って、引用文献５に記載された発明では、焼結収縮等を考慮して成形体の寸法は最終寸法よりもかなり大きくなっていると思料され、特に請求項１〜３の補正案に係る発明のように最終寸法の１０％以下の大きさとはなっていないと思料します。」（８頁１５〜２６行）と主張しているが、補正後本願発明や補正案発明の特定事項には成形体を製造する際の加圧力についての特定はなされておらず、仮に請求人の主張するとおり、特定の加圧力でなければ溶融シリコンが含浸しにくくなり溶融シリコンの充填量が低下して、焼結収縮等が大きくなるのであれば、この加圧力について特定されていない補正後本願発明や補正案発明は溶融シリコンの充填量が低下して焼結収縮等が大きくなるものを含んでいることになって、本願明細書の【０００９】でいう課題を解決できない場合が生じることになり、その場合は特許法第３６条第６項第１号の規定を満たしていないこととなる。
（つ）また、上記回答書に補正案が示された請求項２及び３に係る発明についても、上記（ち）で述べたことは当てはまる。
　よって、補正案として示された請求項１〜３に係る発明は特許を受けることはできないから、補正する機会を与えない。　
　
３．本願発明
　上記のとおり平成２０年７月２２日付けの手続補正書による補正は却下されたので、本願の請求項１〜１３に係る発明は願書に最初に添付された明細書の特許請求の範囲に記載されたとおりのものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
炭化ケイ素とカーボンからなる圧粉体を成形する工程と、
前記成形体に溶融シリコンを含浸させる工程と、
溶融シリコンの含浸された前記成形体の表面層を機械加工により削除して最終寸法の部品とする工程と
を有することを特徴とするシリコン／炭化ケイ素複合部品の製造方法。」
　なお、「前記成形体」は、「成形体」の誤記であると認める。
　
４．刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用文献２として引用され本願出願前に頒布された特開平１０−２５０８６号公報（以下、「刊行物」という。）には、以下の事項が記載されている。
４−１．「（１）平均粒径１０μ〜平均粒径２００μのＳｉＣ粉末８５〜９７重量部と、ＳｉによってＳｉＣに転化せしめる平均粒径０．１μ〜平均粒径８μのＣ微粉末３〜１５重量部とを混合焼成して生ずる空隙にＳｉを充填してなることを特徴とする高密度でかつ高強度の半導体拡散炉の構成部材。」（特許請求の範囲第１項）
４−２．「
実施例
　３０〜１７０μの平均粒径を有するＳｉＣ粉末７０重量部と、０．１〜８μの平均粒径を有するＣ粉末９重量部と、有機バインダーとしてフェノールレジン１０重量部を配合混練し、周知のやり方で造粒する。このような造粒物を乾燥させてからラバープレスにより半導体炉芯管の形状に成形する。しかるのち１２００℃の温度で焼成したのち、塩酸ガスと少量の水蒸気とにより１０００℃の温度でパージを行なって純化させてからＳｉを１７００℃の温度で含浸してＣ微粉末をケイ化させる。最後に必要に応じて研磨等の最終仕上げを行なう。」（２頁左下欄４〜１７行）
　
５．対比・判断
　上記４−１．に記載された「高密度でかつ高強度の半導体拡散炉の構成部材」の製造方法が記載されているといえる上記４−２．には、「・・・・・・ＳｉＣ粉末・・・・・・と、・・・・・・Ｃ粉末・・・・・・と、有機バインダー・・・・・・を配合混練し、・・・・・・造粒する。このような造粒物を・・・・・・ラバープレスにより半導体炉芯管の形状に成形する。・・・・・・焼成したのち・・・・・・Ｓｉを・・・・・・含浸してＣ微粉末をケイ化させる。最後に・・・・・・研磨・・・・・・の最終仕上げを行なう。」と記載されている。
  そうすると、刊行物には、
「ＳｉＣ粉末とＣ粉末と、有機バインダーを配合混練し、造粒し、ラバープレスにより半導体炉芯管の形状に成形し焼成したのち、Ｓｉを含浸してＣ微粉末をケイ化させ研磨の最終仕上げを行なう、高密度でかつ高強度の半導体拡散炉の構成部材の製造方法。」の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されているといえる。
　本願発明と刊行物発明とを対比する。
（な）刊行物発明の「ＳｉＣ」、「Ｃ」は、それぞれ、本願発明の「炭化ケイ素」、「カーボン」に相当することは明らかである。
（に）本願発明の「炭化ケイ素とカーボンからなる圧粉体を成形する工程」について、本願明細書の記載をみてみると、【００４１】には、「［実施例１］・・・・・・炭化ケイ素粉末（α−ＳｉＣ）と・・・・・・カーボン粉末（カーボンブラック）と有機バインダとを混合して造粒粉末を作製した。次に、得られた造粒粉末をプレス成形機を用いて・・・・・・成形型に充填し、・・・・・・加圧して円柱状の成形体を成形した。この成形体を、不活性ガス雰囲気中６００℃の温度で加熱・保持し、有機バインダを脱脂した」と記載されているから、刊行物発明の「ＳｉＣ粉末とＣ粉末と、有機バインダーを配合混練し、造粒し、ラバープレスにより半導体炉芯管の形状に成形し焼成し」は、本願発明の「炭化ケイ素とカーボンからなる圧粉体を成形する工程」に相当し、成形体を得ているものといえる。
（ぬ）刊行物発明の「Ｓｉを含浸してＣ微粉末をケイ化させ」ることは、上記（に）の検討を併せみると、本願発明の「成形体に溶融シリコンを含浸させる工程」に相当することは明らかである。
（ね）本願発明の「シリコン／炭化ケイ素複合部品」とは、本願明細書の【００１３】に、「本明細書において「シリコン／炭化ケイ素複合部品」というときの「部品」には、複数集まって全体を構成する普通の意味での「部品」の他、装置等に付属的に用いられる治具、部材あるいは装飾品等も含まれる。」と記載されているから、刊行物発明の「高密度でかつ高強度の半導体拡散炉の構成部材」は、本願発明の「部品」に相当する。
（の）本願発明の「溶融シリコンの含浸された前記成形体の表面層を機械加工により削除して最終寸法の部品とする工程」について、本願明細書の記載をみてみると、【００４１】には、「［実施例１］・・・・・・シリコン／炭化ケイ素複合材料の表面を表面研磨加工によりほぼ均一に削除」と記載されているから、上記機械加工には表面研磨加工が含まれているといえる。一方、刊行物発明の「研磨の最終仕上げを行なう」ことにより、「Ｓｉを含浸してＣ微粉末をケイ化させ」たものを最終寸法としていることは明らかであるから、上記（ね）の検討も併せみると、該「研磨の最終仕上げを行なう」ことは、本願発明の「溶融シリコンの含浸された前記成形体の表面層を機械加工により削除して最終寸法の部品とする工程」に相当する。
（ま）刊行物発明の「高密度でかつ高強度の半導体拡散炉の構成部材」は、上記（な）〜（の）の検討を併せみると、本願発明と同じ工程により製造された「部品」であるとみることができるから、本願発明の「シリコン／炭化ケイ素複合部品」といえる。
　そうすると、両者は、
「炭化ケイ素とカーボンからなる圧粉体を成形する工程と、
前記成形体に溶融シリコンを含浸させる工程と、
溶融シリコンの含浸された前記成形体の表面層を機械加工により削除して最終寸法の部品とする工程と
を有するシリコン／炭化ケイ素複合部品の製造方法」で一致し、相違するところはないし、仮に相違するところがあったとしても微差であって当業者であれば適宜なし得る程度のものである。
　よって、本願発明は刊行物に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当し、あるいは同法同条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、あるいは、同刊行物から当業者が容易に発明をすることができたものであるから同法同条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　したがって、その余の請求項に論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。