【手続補正書】
【提出日】平成23年6月16日(2011.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特に駆動回路である回路装置（１００；１００’；１００”；１００'''）であり、少なくとも１個の発光部品（２０）を制御する回路装置であって、当該回路装置は、
当該回路装置（１００；１００’；１００”；１００'''）に電圧を供給する少なくとも１個の供給素子（１０；１０’）と、
少なくとも第１のスイッチング位置と第２のスイッチング位置との間で切り換え可能な少なくとも１個のスイッチング素子（３０）と、を備え、
前記発光部品（２０）は、
前記スイッチング素子（３０）が前記第１のスイッチング位置にあるとき、第１の動作電圧を供給可能であり、
前記スイッチング素子（３０）が前記第２のスイッチング位置にあるとき、第２の動作電圧を供給可能であり、
前記第１の動作電圧と前記第２の動作電圧との間で切り替えることによって制御可能であることを特徴とする回路装置。
【請求項２】
前記発光部品（２０）は、特に、少なくとも１個の発光ダイオード（ＬＥＤ）又はエレクトロルミネセントダイオードを含む少なくとも１個の電気光学変換器、あるいは少なくとも１個の半導体レーザを含む少なくとも１個のレーザとして、構成されることを特徴とする請求項１に記載の回路装置。
【請求項３】
前記供給素子（１０；１０’）は、
少なくとも１個の電圧源として構成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の回路装置。
【請求項４】
前記供給素子（１０；１０’）は、
デカップリングコンデンサによって出力側でサポートされる少なくとも１個の電流源として構成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の回路装置。
【請求項５】
それぞれ電圧源として構成された少なくとも２個の前記供給素子（１０；１０’）であって、当該供給素子は、
第１のスイッチング位置にあるとき、第１の電圧源（１０）によって提供される電圧（Ｕ１）の全体又は略全体が、発光部品（２０）における第１の動作電圧として降下し、
第２のスイッチング位置にあるとき、第２の電圧源（１０’）によって提供される電圧（Ｕ２）の全体又は略全体が、発光部品（２０）における第２の動作電圧として降下することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の回路装置。
【請求項６】
少なくとも２個の前記供給素子であって、当該供給素子は、特に少なくとも１個のテブナン電圧である少なくとも１個の供給電圧（１４）に接続されるデカップリングコンデンサであって特に少なくともそれぞれ１個のデカップリングコンデンサ（１２；１２’）によって、出力側でサポートされる電流源（１０；１０’）としてそれぞれ構成され、互いに並列に接続されるものであることを特徴とする請求項１、２又は４に記載の回路装置。
【請求項７】
特に前記スイッチング素子（３０）に向けて順方向接続された、少なくとも１個のＰＮダイオード又は少なくとも１個のショットキーダイオードを含む少なくとも１個のダイオード（３０’）を、少なくとも１個の前記供給素子（１０；１０’）と前記スイッチング素子（３０）との間に接続することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の回路装置。
【請求項８】
少なくとも１個の前記供給素子（１０；１０’）と前記スイッチング素子（３０）との間にトランジスタ（３０’）が接続され、
前記トランジスタのドレイン接続（Ｄ’）は、前記第１の供給素子（１０）、又は前記第２の供給素子（１０’）に接続され、
前記トランジスタのゲート接続（Ｇ’）は、特に少なくとも１個の補助電圧源を含む少なくとも１個の補助供給素子（３４）に接続され、
前記トランジスタのソース接続（Ｓ’）は、前記発光部品（２０）の前記入力接続に接続されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の回路装置。
【請求項９】
前記スイッチング素子は、少なくとも２個のトランジスタ（３０又は３０’）として構成され、
前記トランジスタのドレイン接続（Ｄ又はＤ’）はそれぞれ、前記第１の供給素子（１０）と前記第２の供給素子（１０’）に接続され、
前記トランジスタの一方の前記ゲート接続（Ｇ）は、特に少なくとも１個の信号源である少なくとも１個の制御装置（４０）に接続され、他方のゲート接続（Ｇ’）は、特に少なくとも１個の抵抗素子（５０）を介して、特に少なくとも１個の補助電圧源である少なくとも１個の補助供給素子（３４）に接続され、
前記トランジスタのソース接続（Ｓ又はＳ’）はそれぞれ、互いに接続されると共に、前記発光部品（２０）の前記入力接続に接続されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の回路装置。
【請求項１０】
前記トランジスタ（３０’）又は前記複数のトランジスタ（３０；３０’）は、少なくとも１個又は２個の金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、又は、少なくとも１個又は２個のＭＯＳトランジスタ、又は、特に少なくとも１個又は２個のＮチャネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）として、構成されることを特徴とする請求項８又は９に記載の回路装置。
【請求項１１】
少なくとも１個の電圧制御素子及び演算処理素子の一方又は双方（２２）、特に少なくとも１個のコンパレータ及び少なくとも１個の増幅器の一方又は双方を備え、
特に前記第１の入力接続は、特にデカップリングコンデンサによって出力側でサポートされる前記第２の電流源である前記第２の供給素子（１０’）に接続され、
前記任意選択の第２の入力接続は、少なくとも１個の任意選択の基準電圧源又は基準電圧源（２６）に接続され、
前記出力接続は、前記補助供給素子（３４）に接続されることを特徴とする請求項７〜１０のいずれか１項に記載の回路装置。
【請求項１２】
少なくとも１個のスイッチング素子（３０）を少なくとも第１のスイッチング位置と第２のスイッチング位置との間で切り換えることによって、少なくとも１個の発光部品（２０）、特に、少なくとも１個の発光ダイオード（ＬＥＤ）又はエレクトロルミネセントダイオードを含む少なくとも１個の電気光学変換器、あるいは、少なくとも１個の半導体レーザを含む少なくとも１個のレーザを制御する方法であって、当該電圧源は、特に少なくとも１個の電圧源を含む少なくとも１個の供給素子（１０；１０’）によって、又はデカップリングコンデンサによって出力側でサポートされる少なくとも１個の電流源によって実現される、当該方法であって、
前記発光部品（２０）は、その動作電圧を変化させることによって制御されることを特徴とする方法。
【請求項１３】
少なくとも前記第１のスイッチング位置及び前記第２のスイッチング位置は、前記動作周波数において低インピーダンスであり、前記発光部品（２０）の前記動作電圧は、前記スイッチング位置間で切り換えることによって変化されることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記供給素子はそれぞれ電圧源（１０；１０’）として構成され、
前記発光部品（２０）は、
前記第１のスイッチング位置にあるとき、前記第１の電圧源（１０）によって提供される電圧（Ｕ１）の全体又は略全体が供給され、そして
前記第２のスイッチング位置にあるとき、前記第２の電圧源（１０’）によって提供される電圧（Ｕ２）の全体又は略全体が供給されることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記供給素子は、それぞれデカップリングコンデンサ、特にそれぞれ少なくとも１個のデカップリングコンデンサ（１２；１２’）によって、出力側でサポートされ、互いに並列に接続された電流源（１０；１０’）であって、少なくとも１個の供給電圧、特に、少なくとも１個の電池を含む少なくとも１個の電圧源（１４）に、接続された電流源として構成されることを特徴とする請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の方法。