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　特願２００３−１４１２９６「垂直磁気記録媒体および磁気記録装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１２月　９日出願公開、特開２００４−３４８７７７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．手続の経緯
　
　本願は、平成１５年５月２０日の出願であって、平成２０年２月２６日付けで拒絶理由が通知され、同年４月２３日付けで手続補正がなされたが、同年６月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月２３日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
　
２．本願発明
　
　本願の請求項１ないし８に係る発明は、平成２０年４月２３日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。　
　
「【請求項１】
　基板上に軟磁性下地層を介して垂直記録層が形成された垂直磁気記録媒体において、
　前記軟磁性下地層は、第一非晶質軟磁性層と、第二非晶質軟磁性層と、該第一非晶質軟磁性層と第二非晶質軟磁性層との間に形成された非磁性層と、該第一非晶質軟磁性層に交換バイアス磁界を付与する反強磁性層とを有し、
　該第一非晶質軟磁性層と第二非晶質軟磁性層とが、反強磁性的に結合しており、該第一非晶質軟磁性層と該反強磁性層との間に、ＣｏとＦｅを主成分とする強磁性層を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。」
　
　
３．引用例
　
　これに対して、原査定の拒絶理由において引用された本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００１−１５５３２１号公報（以下、「引用例１」という。）には図面とともに次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
ア）
「【請求項２】
非磁性基板上に、軟磁性裏打ち層、及び該非磁性基板の面に対し垂直異方性を有する磁気記録層を積層した磁気記録媒体において、前記軟磁性裏打ち層は、複数の軟磁性層間に各々非磁性中間層を配置した多層構造をなし、外部磁界が一定の大きさ以下のとき該非磁性中間層を介して隣接する軟磁性層が互いに反強磁性的に結合し
磁気記録媒体
　
イ）
「【００１４】また、第２の発明によれば、
軟磁性裏打ち層を非磁性中間層との多層構造として一定の大きさ以下の外部磁界では隣接する軟磁性層を互いに反強磁性的に結合させる
　
ウ)
「【００１９】また、図２に、第２の発明に係る磁気記録媒体の一例の構成を表す図を示す。
【００２０】図示するように、
この記録媒体は、非磁性ガラス基板１上に、第１の軟磁性裏打ち層１２、非磁性中間層１３、及び第２の軟磁性裏打ち層１４、磁気記録層１５を積層をした構造を有する。
【００２１】第２の発明に係る磁気記録媒体のように、強磁性遷移金属と非磁性金属を多層化した薄膜においては、非磁性中間層厚は０．５ｎｍ以上１．５ｎｍ未満が好ましい。
【００２２】
非磁性層の厚さに対して強磁性、反強磁性的結合が周期的に現れることが見出されており、多くの多層膜（（Ｆｅ，Ｃｏ）／（Ｖ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｒｅ））において、隣接する強磁性層が互いに反強磁性的（または強磁性的）に結合する周期は約１ｎｍであることが知られている
このような反強磁性結合すなわち隣接する強磁性層の磁化が反平行となる状態が最初に現れる非磁性層厚は、おおよそ１ｎｍ以下付近であり
　
エ）
「【００２３】本発明の磁気記録媒体においては、
軟磁性裏打ち層の磁化容易軸を円周方向または半径方向に揃えるため、非磁性基板と軟磁性裏打ち層の間にＦｅＭｎなどの反強磁性層やＣｏＳｍなどの硬磁性層を形成しても良い。
　
オ）
「【００２５】
軟磁性層の材料には、
非晶質材料が好ましい
　
カ）
「【００４７】本発明に関わる垂直磁気記録媒体は、実施例として挙げたような軟磁性裏打ち層上に、直接または非磁性下地層を介して垂直記録層を積層した構成を有する。」　
　
　前掲ア）ないしカ）の記載事項及び図面からみて、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
　
「非磁性基板上に、軟磁性裏打ち層、及び該非磁性基板の面に対し垂直異方性を有する垂直磁気記録層を積層した垂直磁気記録媒体において、
　前記軟磁性裏打ち層は、第１の軟磁性裏打ち層と第２の軟磁性裏打ち層の間に非磁性中間層を配置した多層構造をなしており、
　非磁性中間層を介して隣接する軟磁性層が互いに反強磁性的に結合している垂直磁気記録媒体。」
　
　同じく、原査定の拒絶理由において引用された本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−３１２９２５号公報（以下、「引用例２」という。）には図面とともに次の事項が記載されている。
　
キ）
「【０００８】
【発明の実施の形態】
垂直磁気記録媒体
軟磁性裏打ち層と磁区制御層としての反強磁性層との間に交換結合磁界の大きさを調整するためにＣｏＦｅ系合金からなる交換結合磁界制御層を用い
　
ク）
「【００１２】以上説明したとおりの層構成からなる、図１に示した磁気記録媒体の製造にあたっては、少なくとも磁区制御層４としての反強磁性層、交換結合磁界制御層５並びに軟磁性層６を成膜する際には、例えば図２に示すように、基板の半径方向に磁場を印加しながら行なう必要がある。これによって、
磁区制御層４としての反強磁性層の磁化が基板の半径方向に固定され、続いて積層される交換結合磁界制御層５、軟磁性層６の磁化容易軸も基板半径方向に向くため、効果的な磁壁の制御、すなわち磁壁形成の阻止が可能となる。
【００１３】
【実施例】以下に本発明の実施例を記す。
【００１４】実施例
非磁性基体として表面が平滑な化学強化ガラス基板（例えばＨＯＹＡ社製Ｎ−５ガラス基板）を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、Ｔａターゲットを用いてＴａ下地層を５ｎｍ成膜し、続いてＣｒを添加したＮｉＦｅ系合金ターゲットを用い、ＮｉＦｅＣｒ合金薄膜を５ｎｍ成膜し、
ＩｒＭｎ合金ターゲットを用い磁区制御層としての反強磁性層を５ｎｍの厚さで成膜し、引き続いてＣｏＦｅ合金のターゲットを用い交換結合磁界制御層を２ｎｍ成膜後、ＣｏＺｒＮｂ合金ターゲットを用いて軟磁性層を１００ｎｍ成膜した。
　
　
４．対比
　
　本願発明と引用発明１と対比する。
　
　引用発明１の「非磁性ガラス基板」、「軟磁性裏打ち層」、「垂直異方性を有する垂直磁気記録層」、「垂直磁気記録媒体」は、それぞれ本願発明の「基板」、「軟磁性下地層」、「垂直記録層」、「垂直磁気記録媒体」に相当するから、本願発明も引用発明１も「基板上に軟磁性下地層を介して垂直記録層が形成された垂直磁気記録媒体」である点で共通している。
　
　また、引用発明１では、軟磁性層の材料には非晶質材料が好ましいとしていることから（前掲オ））、引用発明１には「第１の軟磁性裏打ち層」、「第２の軟磁性裏打ち層」を非晶質軟磁性層で形成することが実質的に開示されているといえ、また、引用発明１の「非磁性中間層」は本願発明の「非磁性層」に相当するから、本願発明と引用発明１とは、軟磁性下地層が「第一非晶質軟磁性層と、第二非晶質軟磁性層と、該第一非晶質軟磁性層と第二非晶質軟磁性層との間に形成された非磁性層」を有している点で共通している。
　
　また、引用発明１では、非磁性中間層を介して隣接する軟磁性層が互いに反強磁性的に結合しているので、本願発明と引用発明１とは「第一非晶質軟磁性層と第二非晶質軟磁性層とが、反強磁性的に結合して」いる点で共通している。
　
　以上のことからすると、本願発明と引用発明１とは、
　
「基板上に軟磁性下地層を介して垂直記録層が形成された垂直磁気記録媒体において、
　前記軟磁性下地層は、第一非晶質軟磁性層と、第二非晶質軟磁性層と、該第一非晶質軟磁性層と第二非晶質軟磁性層との間に形成された非磁性層とを有し、
　該第一非晶質軟磁性層と第二非晶質軟磁性層とが、反強磁性的に結合している垂直磁気記録媒体。」
　
である点で一致し、次の相違点で相違する。
　
（相違点）
　本願発明は、軟磁性下地層が第一非晶質軟磁性層に交換バイアス磁界を付与する反強磁性層を有し、該第一非晶質軟磁性層と該反強磁性層との間に、ＣｏとＦｅを主成分とする強磁性層を有しているのに対して、引用発明１では、そのような反強磁性層、強磁性層を有していない点。
　
　
５．当審の判断
　
　上記相違点について検討する。
　
　引用発明１の前掲エ）には、軟磁性裏打ち層の磁化容易軸を半径方向に揃えるため、非磁性基板と軟磁性裏打ち層の間にＦｅＭｎなどの反強磁性層やＣｏＳｍなどの硬磁性層を形成しても良いと記載されている。
　ここで、「反強磁性層」により軟磁性裏打ち層の磁化容易軸を半径方向に揃えることとは、前記「反強磁性層」が少なくとも隣接する「第１の軟磁性裏打ち層に半径方向の交換バイアス磁界を付与」していることにほかならず、また、前記「硬磁性層」は「強磁性層」であるといえるので、結局、引用発明１には、非磁性基板と軟磁性裏打ち層の間に「第１の軟磁性裏打ち層に半径方向の交換バイアス磁界を付与する」「反強磁性層」や「強磁性層」を形成することが示唆されているといえる。
　
　一方、引用例２には、垂直記録媒体において、軟磁性裏打ち層と磁区制御層としての反強磁性層との間に交換結合磁界の大きさを調整するためにＣｏＦｅ系合金からなる交換結合磁界制御層を形成する構成が開示されている（前掲キ））。
　引用例２に記載の前記「ＣｏＦｅ系合金からなる交換結合磁界制御層」は「ＣｏとＦｅを主成分とする強磁性層」といえるものであり、引用例２では、「ＣｏとＦｅを主成分とする強磁性層」を「軟磁性裏打ち層」と「反強磁性層」との間に形成した構成により、軟磁性層の磁化容易軸が基板半径方向に向くため、磁壁形成を阻止することが可能としている（前記ク）。
　
　引用発明１の前掲エ）に記載されている、軟磁性裏打ち層に交換バイアスを付与する反強磁性層や強磁性層を形成するという示唆に基づいて、引用発明１に引用例２に記載の前記構成を適用し、「軟磁性下地層が第一非晶質軟磁性層に交換バイアス磁界を付与する反強磁性層を有し、該第一非晶質軟磁性層と該反強磁性層との間に、ＣｏとＦｅを主成分とする強磁性層を有」するとすることは、当業者あれば容易に為しうるものである。
　
　そして、上記相違点を総合的に判断しても、本願発明の効果は、引用例１及び引用例２に記載の発明から当業者が十分に予測しうる程度のものにすぎず、格別顕著なものがあるとはいえない。
　
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
６．　むすび
　
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。