【事件の表示】
　特願２００４−１９６６６８「ＦＦＳモード液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　３月１７日出願公開、特開２００５−　７０７４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成１６年７月２日（パリ条約による優先権主張２００３年８月２６日、韓国）の出願であって、平成１８年１月２０日に手続補正がされ、拒絶理由通知に応答して平成２１年１月２１日に手続補正がされたが、同年７月６日付けで拒絶査定がされ、これに対して同年１１月１６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、これと同時に手続補正がされたものである。
　 　 
第２　平成２１年１１月１６日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年１１月１６日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正による請求項１についての補正
　平成２１年１１月１６日付けの手続補正(以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲についての補正を含み、そのうち請求項１についての補正は次のとおりのものである。
　本件補正前に 
「　【請求項１】
　下部基板及び上部基板と、
　前記下部基板上に形成されたゲートライン及び前記ゲートラインと直交するデータラインと、
　前記ゲートラインとデータラインによって定義される領域に形成された第１のＩＴＯ電極と、
　前記下部基板上に前記第１のＩＴＯ電極と重畳されるように形成され、縁部が櫛形状のスリットパターンを有する第２のＩＴＯ電極と、
　前記上部基板上に形成されたブラックマトリックスとを含み、
　前記第２のＩＴＯ電極は前記櫛形状のスリットパターンの縁部がブラックマトリックスとオーバーラップするように配置されていることを特徴とするＦＦＳモード液晶表示装置。」（平成２１年１月２１日の手続補正書参照。）
とあったものを、
　本件補正後に
「　　【請求項１】
　下部基板及び上部基板と、
　前記下部基板上に形成されたゲートライン及び前記ゲートラインと直交するデータラインと、
　前記ゲートラインとデータラインによって定義される領域に形成された第１のＩＴＯ電極と、
　前記下部基板上に前記第１のＩＴＯ電極と重畳されるように形成され、縁部が櫛形状のスリットパターンを有する第２のＩＴＯ電極と、
　前記上部基板上に形成されたブラックマトリックスとを含み、
　
前記ブラックマトリックスは導電性ブラックマトリックスであって、データライン近くにおいて、導電性ブラックマトリックスと櫛形状を有するスリットパターンの縁部との間の電界干渉により発生する液晶の歪を防ぐように、
とする。 
 　 
　該補正は、発明を特定するために必要な事項である「ブラックマトリックス」について、「導電性ブラックマトリックス」であり、かつ「データライン近くにおいて、導電性ブラックマトリックスと櫛形状を有するスリットパターンの縁部との間の電界干渉により発生する液晶の歪を防ぐように」配置されると限定するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
２　独立特許要件について 
　本件補正後の請求項１に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうか（ 平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか否か）について検討する。
　
（１）本願補正発明の認定 
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、本件補正により補正された請求項１に記載された事項によって特定されるとおりのものと認める。 
 　 
（２）引用発明の認定
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日（以下「優先日」という。）前に頒布された国際公開第０１／１８５９７号（以下「引用例」という。）には、以下の記載Ａ．ないしＥ．が図示と共にある。 
Ａ．「ゲート信号線ＧＬは後述するドレイン信号線ＤＬとで矩形状の領域を形成し、その領域は画素領域を構成するようになっている。」（第７頁１６ないし１８行）
　
Ｂ．「この絶縁膜ＧＩは、後述のドレイン信号線ＤＬに対しては対向電圧信号線ＣＬおよびゲート信号線ＧＬの層間絶縁膜としての機能を・・・」（第９頁９及び１０行）
　
Ｃ．「このように構成された透明基板はＴＦＴ基板と称され、このＴＦＴ基板と液晶ＬＣを介して対向配置される透明基板はフィルタ基板と称されている。
　フィルタ基板は、第２図に示すように、その液晶側の面に、まず、各画素領域を画するようにしてブラックマトリックスＢＭが形成され」（第１２頁２０ないし２４行）
　
Ｄ．「さらに、該画素領域には、その僅かな周辺部を除く中央部の全域に、透明導電体であるたとえばＩＴＯ１（Indium-Tin-Oxide）からなる対向電極ＣＴが形成されている。本実施例並びに後述の実施例１２〜１５においては、基板主面側に設けられる透明導電体からなる対向電極ＣＴ（ＩＴＯ１）の輪郭を太線で示す。この対向電極ＣＴ（ＩＴＯ１）は、これより基板主面から離れた他の透明導電体の膜（画素電極ＰＸ（ＩＴＯ２）に少なくとも一部が覆われる。」（第３５頁６ないし１２行）
　
Ｅ．「［実施例１５］
　第５０図は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す図で、第４４図に対応した図となっている。
　第４４図との構成上の相違は、対向電圧信号線ＣＬと対向電極ＣＴとの接続にある。本実施例では、ゲート信号線ＧＬにクロム（Ｃｒ）系の合金を用い、基板上にゲート信号線ＧＬのパターンを形成した後、ＳｉＮｘ等からなるゲート絶縁膜ＧＩの成膜の前に対向電極ＣＴ（ＩＴＯ１）を形成する。例えば、第１３図において、（Ｂ）の工程が（Ａ）の工程より前となる（（Ａ）工程と（Ｂ）工程との順序が逆転する）。対向電極ＣＴをなすＩＴＯ膜は、ブラックマトリクスＢＭの開口（その輪郭を破線で図示）により規定される画素の中心にて、対向電圧信号線ＣＬをなすＣｒ膜と直に接触する。」（第４３頁５ないし１６行）
　
Ｆ．「ドレイン信号線（映像信号線、データ線とも呼ぶ）」（第４３頁１８及び１９行）
　
α．上記Ｄ．及びＥ．にいう「基板」は「対向電極ＣＴ（ＩＴＯ１）」が設けられるのであるから、引用例の第２図のＳＵＢ１（引用例の第１３頁７行にいう「透明基板ＳＵＢ１」）である。
　上記Ｃ．が参照する引用例の第２図からは、引用例の第１３頁７行にいう「透明基板ＳＵＢ２」の側に、ブラックマトリックスＢＭが設けられることが看取できる。
　なお、上記Ｅ．には「ブラックマトリクスＢＭ」とあって異なる表記の仕方がされているので、以下「ブラックマトリックスＢＭ」に統一する。
　なお、上記Ｃ．において、「フィルタ基板」は、ブラックマトリックスＢＭが形成されるというのであるから、「透明基板ＳＵＢ２」であり、「ＴＦＴ基板」は、フィルタ基板に対向配置されるとありかつ薄膜トランジスタＴＦＴのある側であるから、「透明基板ＳＵＢ１」である。
　
β．上記Ｅ．の「基板上にゲート信号線ＧＬのパターンを形成」より、透明基板ＳＵＢ１上にゲート信号線ＧＬが形成される。
　上記Ｂ．より、ドレイン信号線ＤＬ（上記Ｆ．より「データ線ＤＬ」とも呼べる。）は、ゲート信号線ＧＬと絶縁膜を介して存在する。
　よって、ゲート信号線ＧＬとデータ線ＤＬが透明基板ＳＵＢ１上に形成されている。
　
γ．上記Ｄ．より、引用例の第５０図の太線で示される領域に対向電極ＣＴ（ＩＴＯ１）が存在する。この領域は、上記Ｄ．より、その僅かな周辺部を除いた画素領域に対応し、上記Ａ．より、ゲート信号線ＧＬとデータ線ＤＬとで形成される矩形状の領域である。矩形状であるから、ゲート信号線ＧＬとデータ線ＤＬは直交する。
　
δ．上記Ｄ．の「この対向電極ＣＴ（ＩＴＯ１）は、これより基板主面から離れた他の透明導電体の膜（画素電極ＰＸ（ＩＴＯ２）に少なくとも一部が覆われる。」より、画素電極ＰＸ（ＩＴＯ２）は、透明基板ＳＵＢ１上に対向電極ＣＴ（ＩＴＯ１）と重畳されるように形成されている。
　
ε．上記Ｅ．の「ブラックマトリクスＢＭの開口（その輪郭を破線で図示）」を踏まえると、引用例の第５０図からは、画素電極ＰＸ（ＩＴＯ２）は、縁部が櫛形状のスリットパターンを有すること、及びその櫛形状のスリットパターンの縁部よりもブラックマトリックスＢＭの開口が内側にあり、画素電極ＰＸ（ＩＴＯ２）は、その櫛形状のスリットパターンの縁部が、ブラックマトリックスＢＭとオーバーラップするように配置されていることが看取できる。
　
　以上のことから、上記記載Ａ．ないしＦ．を含む引用例には、次の発明が記載されていると認めることができる。 
「透明基板ＳＵＢ１及び透明基板ＳＵＢ２と、
　前記透明基板ＳＵＢ１上に形成されたゲート信号線ＧＬ及び前記ゲート信号線ＧＬと直交するデータ線ＤＬと、
　前記ゲート線ＧＬとデータ線ＤＬとによって形成される矩形状の領域に形成された対向電極ＣＴ（ＩＴＯ１）と、
　前記透明基板ＳＵＢ１上に前記対向電極ＣＴ（ＩＴＯ１）と重畳されるように形成され、縁部が櫛形状のスリットパターンを有する画素電極ＰＸ（ＩＴＯ２）と、
　前記透明基板ＳＵＢ２上に形成されたブラックマトリックスＢＭとを含み、
　前記画素電極ＰＸ（ＩＴＯ２）は前記櫛形状のスリットパターンの縁部がブラックマトリックスＢＭとオーバーラップするように配置されている、
　液晶表示装置。」（以下「引用発明」という。） 
　
（３）対比 
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
　引用発明の「透明基板ＳＵＢ１」、「透明基板ＳＵＢ２」、「ゲート信号線ＧＬ」、「データ線ＤＬ」、「ゲート線ＧＬとデータ線ＤＬとによって形成される矩形状の領域」、「対向電極ＣＴ（ＩＴＯ１）」、「画素電極ＰＸ（ＩＴＯ２）」及び「ブラックマトリックスＢＭ」は、それぞれ、本願補正発明の「下部基板」、「上部基板」、「ゲートライン」、「データライン」、「ゲートラインとデータラインによって定義される領域」、「第１のＩＴＯ電極」、「第２のＩＴＯ電極」及び「ブラックマトリックス」に相当する。
　
　引用発明が前提とする従来技術に関して、引用例の第１頁１９ないし２４行に「しかし、近年、画素領域の周辺を除く領域の全域に透明電極からなる対向電極を形成し、この対向電極に絶縁膜を介して一方向に延在し該一方向に交差する方向に並設させた透明電極からなる帯状の画素電極を形成した構成のものが知られるに到った。このような構成の液晶表示装置は、横電界が画素電極と対向電極との間に発生し」との記載があるとおり、引用発明は、対向電極上に絶縁膜を介して画素電極が形成され、横電界が画素電極と対向電極との間に発生する方式の液晶表示装置である。これはいわゆるＦＦＳモード液晶表示装置である。
　よって、引用発明の「液晶表示装置」は、本願補正発明の「ＦＦＳモード液晶表示装置」に相当する。
　
　してみれば、本願補正発明と引用発明とは、以下の点で一致し、以下の点で相違する。
＜一致点＞ 
「下部基板及び上部基板と、
　前記下部基板上に形成されたゲートライン及び前記ゲートラインと直交するデータラインと、
　前記ゲートラインとデータラインによって定義される領域に形成された第１のＩＴＯ電極と、
　前記下部基板上に前記第１のＩＴＯ電極と重畳されるように形成され、縁部が櫛形状のスリットパターンを有する第２のＩＴＯ電極と、
　前記上部基板上に形成されたブラックマトリックスとを含み、
　前記第２のＩＴＯ電極は前記櫛形状のスリットパターンの縁部がブラックマトリックスとオーバーラップするように配置されているＦＦＳモード液晶表示装置。」
　
＜相違点＞ 
　本願補正発明は「ブラックマトリックスは導電性ブラックマトリックスであって、データライン近くにおいて、導電性ブラックマトリックスと櫛形状を有するスリットパターンの縁部との間の電界干渉により発生する液晶の歪を防ぐように・・・配置されている」と特定されているのに対し、引用発明は該特定を有しない点。
 
（４）判断 
甲　ブラックマトリックスを導電性ブラックマトリックスとする点について
　液晶表示装置において、ブラックマトリックスを導電性ブラックマトリックスとすることは周知技術である。
　その例として、原査定における拒絶理由の通知で引用され優先日前に頒布された特開２０００−３５６７８６号公報の他に、優先日前に頒布された特開平９−２６９５０４号公報（以下「周知例１」という。）及び特開平１０−２０６８６７号公報（以下「周知例２」という。）を挙げることができる。特に、各公報の以下の記載ａ．ないしｅ．を参照されたい。
　
特開２０００−３５６７８６号公報
ａ．「【００８２】・・・不透明な金属（たとえばＣｒ等）や有機膜（炭素含有するアクリル等）からなる遮光膜９０４」（「・・・」は省略した部分。）
　
周知例１
ｂ．「【請求項１】　第１，第２基板が液晶層を挟んで近接対向して配され、その第１基板の内面にブラックマトリックスが配され、第２基板の内面にスイッチング素子、画素電極及び共通電極を含む画素領域部がマトリクス状に形成されているＩＰＳ（イン・プレイン・スイッチング）方式アクティブマトリクス型の液晶表示素子において、
前記ブラックマトリクスが導電材料より成り、そのブラックマトリクスと前記共通電極とが電気的に短絡されている
　
ｃ．「【００１９】図１の例では、ブラックマトリクス４１と共通電極１６とはシール材１３の外部、つまり液晶セルの外部で短絡されているが、場合によってはセル内で短絡させることもできる。従来のＩＰＳ方式ＡＭ−ＬＣＤでは、外部または内部からの何等かの影響を受けて、液晶セルの内外に局部的に静電気が帯電し、黒表示したとき光抜けが生ずるなど表示品位の低下する場合があったが、この発明のＬＣＤでは、
ブラックマトリクス４１は一定のコモン電圧に保持されている
　
周知例２
ｄ．「【請求項１】　一対の基板間に液晶層が配設され、前記一方の基板の対向面上に一つ以上の画素電極と前記画素電極と協働して液晶に前記基板面に沿った方向に電界を印加するコモン電極とが複数の画素領域を形成するように設けられるとともに、前記他方の基板の対向面上に前記各画素領域の表示領域に対応する開口を有し前記画素領域以外の非表示領域を覆う
導電性のブラックマトリクス
　
ｅ．「【００２７】ここで、この実施形態の構造においては、ブラックマトリクス７１とコモン電極５３、５３とを略同電位とすることができので、コモン電極５３、５３に対応する領域の電気力線の乱れを少なくして液晶分子の配向乱れを少なくすることができる。即ち、図１４に示す構造においてブラックマトリクス３８は電気的にはフローテイング状態とされていて、周囲の電界の状況により電位が生じ、それが変動するおそれがあり、ブラックマトリクス７１に電位が生じることでコモン電極５３に対応する領域の液晶に配向乱れを生じるおそれがあったが、本実施形態の構造で
ブラックマトリクス７１とコモン電極５３とを略同電位で接地する
　
　よって、引用発明において、本願補正発明の相違点に係る構成のうち「ブラックマトリックスを導電性ブラックマトリックスとする」構成を備えることは、周知技術に基づいて、当業者が容易に想到し得たことである。
　
乙　ブラックマトリックスを、データライン近くにおいて、配置する点について
　引用発明の「ゲート線ＧＬとデータ線ＤＬとによって形成される矩形状の領域」は、画素領域からその僅かな周辺部を除いた領域であった（上記「（２）引用発明の認定」のγ．参照。）から、「データライン」（データ線ＤＬ）は画素領域の外周近傍にある。
　一方、ブラックマトリックスにより遮光される部分は見ることができず、ブラックマトリックスが囲む範囲に画像が表示されるのであるから、引用発明の「ブラックマトリックス」（ブラックマトリックスＢＭ）は、画素領域の外周近傍にある。
　よって、引用発明の「ブラックマトリックス」（ブラックマトリックスＢＭ）と「データライン」（データ線ＤＬ）はともに画素領域の外周近傍にあり、両者は近くに配置されているといえる。
　してみると、引用発明は、本願補正発明の相違点に係る構成のうち「ブラックマトリックスを、データライン近くにおいて、配置する」構成を備えており、この点について、本願補正発明と引用発明は、実質的に相違しない。
　
丙　導電性ブラックマトリックスを、導電性ブラックマトリックスと櫛形状を有するスリットパターンの縁部との間の電界干渉により発生する液晶の歪を防ぐように配置する点について
ア　本願補正発明の相違点に係る構成のうち「導電性ブラックマトリックスを、導電性ブラックマトリックスと櫛形状を有するスリットパターンの縁部との間の電界干渉により発生する液晶の歪を防ぐように配置する」について、平成１８年１月２０日に手続補正がされた本願明細書の発明の詳細な説明には次の記載があるにとどまる。
「【０００７】
　本発明に係るＦＦＳ液晶表示装置によると、第２のＩＴＯ電極における楔形状を有するスリットパターンの縁部を導電性ブラックマトリックスの内側にオーバーラップされるように配置させることにより、前記スリットパターンの縁部の付近で発生する液晶の歪み（ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ）、即ち、導電性ブラックマトリックスと楔形状を有するスリットパターンの縁部との間の電界干渉により発生する液晶の
歪みが画面上に表示されることを防ぐ
液晶の歪みにより発生したムラ（即ち、ブロック、Ｙブロック、輝度バラツキ）と残像（即ち、動作不安定による液晶不安定）
　
　上記記載によれば、本願補正発明における「導電性ブラックマトリックスと櫛形状を有するスリットパターンの縁部との間の電界干渉により発生する液晶の歪を防ぐように配置する」との構成は、「第２のＩＴＯ電極は前記櫛形状のスリットパターンの縁部がブラックマトリックスとオーバーラップするように配置されている」ことにより生じる作用を表現したにとどまり、それ以上に格別の構成を特定するものと解することはできない。
　
イ　他方、上記「（３）対比」のとおり、本願補正発明と引用発明は「第２のＩＴＯ電極は前記櫛形状のスリットパターンの縁部がブラックマトリックスとオーバーラップするように配置されているＦＦＳモード液晶表示装置」である点で一致するものであって、上記甲のとおり、引用発明において、ブラックマトリックスを導電性とすることは、周知技術に基づいて、当業者が容易に想到し得たことであるところ、上記アでの検討によれば、この結果として「導電性ブラックマトリックスと櫛形状を有するスリットパターンの縁部との間の電界干渉により発生する液晶の歪を防ぐ」との作用を生じることになるものと認められる。
　
　したがって、引用発明において、周知技術に基づいて、ブラックマトリックスを導電性ブラックマトリックスとした際には、本願補正発明の相違点に係る構成のうち「導電性ブラックマトリックスを、導電性ブラックマトリックスと櫛形状を有するスリットパターンの縁部との間の電界干渉により発生する液晶の歪を防ぐように配置する」構成が自ずと備わることになる。
　
まとめ
　以上のことから、引用発明において、本願補正発明の相違点に係る構成を備えることは、周知技術に基づいて、当業者が容易に想到し得たことである。
　また、かかる構成を備えることによる効果は、当業者が予測し得る程度のものである。
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
 　 
　本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たしていない。
　
３　本件補正についてのむすび 
　上記「２　独立特許要件について」に記載のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
第３　本願発明について 
１　本願発明の認定 
　平成２１年１１月１６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２１年１月２１日付けで補正された請求項１に記載された事項によって特定されるとおりのものと認める。
　
２　引用例の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、上記「第２　平成２１年１１月１６日付けの手続補正についての補正却下の決定　［理由］　２　独立特許要件について　（２）引用発明の認定」に記載したとおりである。
 　 
３　対比・判断
　上記「第２　平成２１年１１月１６日付けの手続補正についての補正却下の決定　［理由］　２　独立特許要件について　（３）対比」と同様に本願発明と引用発明とを対比すると、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致し、相違点は存在しない。
＜一致点＞ 
「下部基板及び上部基板と、
　前記下部基板上に形成されたゲートライン及び前記ゲートラインと直交するデータラインと、
　前記ゲートラインとデータラインによって定義される領域に形成された第１のＩＴＯ電極と、
　前記下部基板上に前記第１のＩＴＯ電極と重畳されるように形成され、縁部が櫛形状のスリットパターンを有する第２のＩＴＯ電極と、
　前記上部基板上に形成されたブラックマトリックスとを含み、
　前記第２のＩＴＯ電極は前記櫛形状のスリットパターンの縁部がブラックマトリックスとオーバーラップするように配置されているＦＦＳモード液晶表示装置。」
　
　よって、本願発明は、引用例に記載された発明である。
 　 
４　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、本願出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶を免れない。 
　よって、結論のとおり審決する。