【事件の表示】
　特願２００３−　６７２６４「発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１１月２８日出願公開、特開２００３−３３８４６８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、特許法第４１条に基づく優先権主張を伴う平成１５年３月１２日（優先日、平成１４年３月１２日）の特許出願であって、同２０年１１月１９日付けで拒絶の理由が通知され、その指定期間内の同２１年１月２６日に意見書と共に明細書について手続補正書が提出されたが、同２１年６月１１日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、同２１年９月１６日に本件審判の請求がされると共に明細書について再度手続補正書が提出されたものである。
　
第２　平成２１年９月１６日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年９月１６日付の手続補正を却下する。
［理由］
１　補正の内容の概要
　平成２１年９月１６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲について補正をすると共にそれに関連して発明の詳細な説明の一部について補正をするものであって、特許請求の範囲の補正についてその概要を示すと以下のとおりである。
　請求項１：記載内容の一部変更。
　請求項２〜５：削除。
　請求項６：項番号を繰り上げ請求項２とすると共に引用項を請求項１とする。
　請求項７：削除。
　請求項８：項番号を繰り上げ請求項３とすると共に引用項を請求項１または２とする。
　請求項９：項番号を繰り上げ請求項４とすると共に引用項を請求項１〜３のいずれか一項とする。
　請求項１０：項番号を繰り上げ請求項５とすると共に記載内容の一部変更。
　請求項１１：項番号を繰り上げ請求項６とすると共に引用項を請求項５とする。
　請求項１２：項番号を繰り上げ請求項７とする。
　請求項１３：項番号を繰り上げ請求項８とすると共に記載内容の一部変更。
　請求項１４：項番号を繰り上げ請求項９とすると共に引用項を請求項８とする。
　請求項１５：項番号を繰り上げ請求項１０とすると共に引用項を請求項８または９とする。
　つぎに、特許請求の範囲の請求項１について補正前後の記載を、また、補正前の同請求項１０とこれに対応する補正後の同請求項５との記載を、それぞれ補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
（１）請求項１について
ア　補正前
「基板の表面上にIII−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層が積層されたウェハを切断予定ラインに沿ってチップ状に切断する発光素子の製造方法であって、
　前記基板の内部に集光点を合わせてパルスレーザ光を照射することにより、１パルスの前記パルスレーザ光の照射に応じて多光子吸収によって形成される改質部分を前記切断予定ラインに沿って前記基板のレーザ光入射面から所定距離内側に複数形成し、複数の前記改質部分からなり切断の起点となる改質領域のみを前記基板に形成し、前記基板に力を印加することのみにより、前記改質領域から発生した割れを前記基板の厚さ方向に成長させ、前記切断予定ラインに沿って、前記基板と共に、前記切断予定ライン上に存在する前記半導体層を切断する、発光素子の製造方法。」
イ　補正後
「基板の表面上にIII−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層が積層されたウェハを切断予定ラインに沿ってチップ状に切断する発光素子の製造方法であって、
　前記基板の内部に集光点を合わせてパルスレーザ光を
ピークパワー密度１×１０
８
（Ｗ／ｃｍ
２
）以上且つパルス幅１μｓｅｃ以下の条件で
前記切断予定ラインの延びる方向に断続的に
前記基板のレーザ光照射面及び前記レーザ光照射面と反対側の面に溝を形成することなく
のみ
（２）補正前の請求項１０と補正後の請求項５について
ア　補正前の請求項１０
「基板と、III−Ｖ族化合物半導体からなり該基板の表面上に積層された第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層を含む半導体層とを有するウェハを切断予定ラインに沿ってチップ状に切断することにより形成された発光ダイオードであって、
　前記基板の内部に集光点を合わせてパルスレーザ光を照射することにより、１パルスの前記パルスレーザ光の照射に応じて多光子吸収によって形成される改質部分を前記切断予定ラインに沿って前記基板のレーザ光入射面から所定距離内側に複数形成し、複数の前記改質部分からなり切断の起点となる改質領域のみを前記基板に形成し、前記基板に力を印加することのみにより、前記改質領域から発生した割れを前記基板の厚さ方向に成長させ、前記切断予定ラインに沿って、前記基板と共に、前記切断予定ライン上に存在する前記半導体層を切断することで形成されている、発光ダイオード。」
イ　補正後の請求項５
「基板と、III−Ｖ族化合物半導体からなり該基板の表面上に積層された第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層を含む半導体層とを有するウェハを切断予定ラインに沿ってチップ状に切断することにより形成された発光ダイオードであって、
　前記基板の内部に集光点を合わせてパルスレーザ光を
ピークパワー密度１×１０
８
（Ｗ／ｃｍ
２
）以上且つパルス幅１μｓｅｃ以下の条件で
前記切断予定ラインの延びる方向に断続的に
前記基板のレーザ光照射面及び前記レーザ光照射面と反対側の面に溝を形成することなく
のみ
２　補正の適否
　本件補正のうち特許請求の範囲の請求項１についてする補正及び補正前の請求項１０を補正後の請求項５とする補正は、いずれも、パルスレーザ光の照射について「ピークパワー密度１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上且つパルス幅１μｓｅｃ以下の条件で」という事項を、改質部分の形成について「切断予定ラインの延びる方向に断続的に」という事項を、また、改質領域の形成について「前記基板のレーザ光照射面及び前記レーザ光照射面と反対側の面に溝を形成することなく前記基板にのみ」という事項を付加するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とすることが明らかであるので、さらに、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「補正発明１」という。）及び同じく請求項５に係る発明（以下「補正発明５」という。）が、それぞれ特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるか否かについて検討する。
（１）補正発明１について
ア　補正発明１は、本件補正により補正された明細書及び願書に添付した図面の記載からみて、上記１の（１）イに示す特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりの「発光素子の製造方法」であると認める。
イ　刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本件出願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１１−１６３４０３号公報（以下「刊行物１」という。）同じく特開平４−１１１８００号公報（以下「刊行物２」という。）の記載内容は以下のとおりである。
（ア）刊行物１
　刊行物１には以下の事項が記載されている。
Ａ　段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】本発明は紫外域から橙色まで発光可能な発光ダイオードやレーザーダイオード、更には高温においても駆動可能な３−５族半導体素子の製造方法に係わり、特に、基板上に形成された窒化物半導体素子の製造方法に関する。」
Ｂ　段落【００１４】〜【００１８】
「【課題を解決するための手段】本発明は、基板(101)上に窒化物半導体(102)が形成された半導体ウエハー(100)を窒化物半導体素子(110)に分割する窒化物半導体素子(110)の製造方法である。特に、半導体ウエハー(100)は第１及び第２の主面を有し第１の主面(111)側及び／又は第２の主面(121)側からレーザーを半導体ウエハー(100)を介して照射し少なくとも基板(101)の第２の主面(121)側及び／又は基板(101)の第１の主面(111)側に形成された焦点にスクライブ・ライン(103)を形成する工程と、スクライブ・ラインに沿って半導体ウエハーを分離する工程とを有する窒化物半導体素子の製造方法である。
　本発明の請求項２に記載された窒化物半導体素子の製造方法においては、第１の主面(111)が基板(101)上の一方にのみ窒化物半導体(102)が形成された半導体ウエハー(100)の窒化物半導体積層側であり、第２の主面(121)が半導体ウエハー(100)を介して第１の主面(111)と対向する基板露出面側である。
　本発明の請求項３に記載された窒化物半導体素子の製造方法において、スクライブ・ラインが基板露出面に形成された凹部(103)である。
　本発明の請求項４に記載された窒化物半導体素子の製造方法においては、スクライブ・ラインが基板内部に形成された加工変質層(206)である。
　本発明の請求項５に記載された窒化物半導体素子の製造方法においては、レーザーが照射される半導体ウエハー(100)の第１の主面(111)側及び／又は第２の主面(121)側にダイヤモンドスクライバー、ダイサー、レーザー加工機から選択される少なくとも１種によってスクライブ・ラインと略平行の溝部(104)を形成する工程を有する。」
Ｃ　段落【００２１】〜【００２２】
「・・・
【発明の実施の形態】本発明者らは種々実験の結果、窒化物半導体素子を製造する場合において半導体ウエハーの特定箇所に特定方向からレーザーを照射することにより、半導体特性を損傷することなく量産性に優れた窒化物半導体素子を製造することができることを見いだし本発明を成すに到った。
　即ち、本発明の方法により窒化物半導体素子の分離ガイドとなるスクライブ・ラインを窒化物半導体層を損傷することなく窒化物半導体ウエハーを透過してレーザー照射面側以外の任意の点に形成することができる。特に、同一面側から窒化物半導体素子に悪影響を引き起こすことなく半導体ウエハーの両面を比較的簡単に加工することができる。以下、本発明の製造方法について詳述する。」
Ｄ　段落【００３０】〜【００３２】
「なお、レーザーが照射された窒化物半導体ウエハーは、その焦点となる照射部が選択的に飛翔した凹部１０３、４０３或いは微視的なマイクロ・クロックの集合である加工変質層２０６、３０８になると考えられる。また、第１の主面側、第２の主面側とは加工分離される半導体ウエハーの総膜厚を基準として、総膜厚の半分からその第１の主面或いは第２の主面に向けての任意の位置を言う。したがって、半導体ウエハーの表面でも良いし内部でも良い。さらに、本発明は第１の主面側及び／又は第２の主面側のレーザー加工に加えて半導体ウエハーの総膜厚の中心をレーザー加工させても良い。
　（レーザー加工機）本発明に用いられるレーザー加工機としては、窒化物半導体ウエハーが分離可能な溝、加工変質層などが形成可能なものであればよい。具体的には、ＣＯ２レーザー、ＹＡＧレーザーやエキシマ・レーザーなどが好適に用いられる。
　レーザー加工機によって照射されるレーザーはレンズなどの光学系により所望により種々に焦点を調節させることができる。したがって、同一方向からのレーザー照射により半導体ウエハーの任意の焦点に窒化物半導体を損傷させることなく溝、加工変質層などを形成させることができる。また、レーザーの照射面は、フィルターを通すことなどにより真円状、楕円状や矩形状など所望の形状に調節させることもできる。」
Ｅ　段落【００３４】〜【００３８】
「【実施例】（実施例１）厚さ２００μｍであり洗浄されたサファイアを基板としてＭＯＣＶＤ法を利用して窒化物半導体を積層させ窒化物半導体ウエハーを形成させた。窒化物半導体は基板を分離した後に発光素子とすることが可能なよう多層膜として成膜させた。まず、５１０℃において原料ガスとしてＮＨ３（アンモニア）ガス、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガス及びキャリアガスである水素ガスを流すことにより厚さ約２００オングストロームのバッファー層を形成させた。
　次に、ＴＭＧガスの流入を止めた後、反応装置の温度を１０５０℃に挙げ再びＮＨ３（アンモニア）ガス、ＴＭＧガス、ドーパントガスとしてＳｉＨ４（シラン）ガス、キャリアガスとして水素ガスを流すことによりｎ型コンタクト層として働く厚さ約４μｍのＧａＮ層を形成させた。
　活性層は、一旦、キャリアガスのみとさせ反応装置の温度を８００℃に保持し後、原料ガスとしてＮＨ３（アンモニア）ガス、ＴＭＧガス、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）及びキャリアガスとして水素ガスを流すことにより厚さ約３ｎｍのアンドープＩｎＧａＮ層を堆積させた。
　活性層上にクラッド層を形成させるため原料ガスの流入を停止し反応装置の温度を１０５０℃に保持した後、原料ガスとしてＮＨ３（アンモニア）ガス、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）ガス、ＴＭＧガス、ドーパントガスとしてＣｐ２Ｍｇ（シクロペンタジエルマグシウム）ガス及びキャリアガスとして、水素ガスを流しｐ型クラッド層として厚さ約０．１μｍのＧａＡｌＮ層を形成させた。
　最後に、反応装置の温度を１０５０℃に維持し原料ガスとしてＮＨ３（アンモニア）ガス、ＴＭＧガス、ドーパントガスとしてＣｐ２Ｍｇガス及びキャリアガスとして水素ガスを流しｐ型コンタクト層として厚さ約０．５μｍのＧａＮ層を形成させた（図１（Ａ））。（なお、ｐ型窒化物半導体層は４００℃以上でアニール処理してある。）
・・・」
Ｆ　段落【００４４】〜【００４９】
「（実施例２）実施例１と同様にして形成させた半導体ウエハーに、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）によって窒化物半導体表面側から溝が形成されるサファイア基板との境界面が露出するまでエッチングさせ複数の島状窒化物半導体層２０５が形成された半導体ウエハーを用いる。なお、エッチング時にｐｎ各半導体が露出するようマスクを形成させエッチング後除去させてある。また、ｐｎ各半導体層には、電極２２０がスパッタリング法により形成されている（図２（Ａ））。
　この半導体ウエハー２００を実施例１と同様のレーザー加工機に固定配置させた。実施例２においてもレーザー加工機からのレーザーを窒化物半導体ウエハーの窒化物半導体２０５側から照射し、焦点がサファイア基板２０１の底面から２０μmのサファイア基板内部に結ばれるようにレーザー光学系を調整する。調整したレーザー光線を１６Ｊ／ｃｍ２で照射させながらステージを移動させることによりサファイア基板の底面付近の基板内部に加工変質層２０６となるスクライブ・ラインを形成する（図２（Ｂ））。
　次に、レーザー光学系（不示図）を調整し直し、焦点がエッチングにより露出されたサファイア基板２０１の上面（窒化物半導体の形成面側）に結ばれるように調整した。調整したレーザーを照射させながらステージを移動させることにより、半導体ウエハーに窒化物半導体層側の上面からサファイア基板に達する溝部を形成する。形成された溝部２０４は、加工変質層２０６とサファイア基板２０１を介して略平行に形成させてある。なお、レーザー照射により形成されたサファイア基板２０１上の溝部２０４は、溝部の底面とサファイア基板の底面との間隔が、約１００μｍで、ほぼ均一になるように調整してある。さらに、レーザー光学系を調節し直し、焦点がサファイア基板２０１に設けられた溝部底面に結ばれるよう調節した。調節したレーザーを１４Ｊ／ｃｍ２で照射させながらステージを移動させることにより、窒化物半導体が形成されたサファイア基板の露出面に設けられた溝部２０４の底面に深さ約３μｍのスクライブ・ライン２０７を形成する（図２（Ｃ））。
　続いて、溝部（スクライブ・ライン）に沿ってローラーによって荷重をかけ半導体ウエハーを切断し、ＬＥＤチップ２１０を分離させた（図２（Ｄ））。
　こうして形成されたＬＥＤチップに電力を供給したところいずれも発光可能であると共に切断端面にはチッピングが生じているものはほとんどなかった。歩留まりは９８％以上であった。
　実施例２では半導体ウエハーの片面側からレーザーにより基板表裏両面にスクライブ・ラインを形成することで、厚みがある窒化物半導体ウエハーでもスクライブ・ラインに沿って簡単に窒化物半導体素子を分割するることが可能となる。また、溝の形成される部分が、サファイア基板までエッチングされているため、溝形成による窒化物半導体への損傷がより少なく分離させた後の窒化物半導体素子の信頼性を向上させることが可能である。特に、スクライブ・ラインが形成されるとき、レーザーの焦点がサファイア基板内部で結ばれていることから、半導体ウエハーを固定している、テーブル若しくは粘着性シートを損傷することなく加工が実現できる。また、レーザー照射による加工くずの発生もない。なお、全てをレーザー加工でなく溝の形成をダイサーで行っても本発明と同様に量産性良く窒化物半導体素子を形成することができる。」
Ｇ　段落【００６６】〜【００６７】
「【発明の効果】本発明の窒化物半導体素子の製造方法では、レーザー源から照射したレーザーをレンズなどの光学系で集光することにより、所望の焦点付近でエネルギーを集中させることができる。このエネルギー密度が非常に高くなった焦点でワークの加工がなされる。特に、窒化物半導体ウエハーを透過したレーザーの焦点を利用する。不要な分離部となる窒化物半導体ウエハーに光学系で調整したレーザーを照射し、必要な窒化物半導体層の損傷をすることなく窒化物半導体ウエハーのレーザー照射面に対して半導体ウエハーの反対側の面まで自由に加工を行うことが可能となる。
　したがって、本発明は窒化物半導体ウエハーを透過した所望の焦点での加工を利用することにより、窒化物半導体ウエハーを両面側から加工する必要がなく、片側からのみの加工で窒化物半導体ウエハーの表裏両面から加工したのと同じ効果を得ることができる。したがってより歩留まりを向上させ、且つ形状にバラツキが少ない窒化物半導体素子及びその量産性の良い製造方法を提供することができる。」
　刊行物１記載の事項を、特に、実施例２に着目して技術常識を考慮しながら補正発明１に照らして整理すると刊行物１には以下の発明が記載されていると認める。
「基板の表面上に窒化物半導体からなる半導体層が積層されたウェハーを切断予定ラインに沿ってチップ状に切断するＬＥＤチップの製造方法であって、
　エッチングにより複数の島状窒化物半導体層が形成された半導体ウエハーの前記基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を所定の高エネルギー密度で照射することにより形成される微視的なマイクロ・クロックの集合である加工変質層を前記切断予定ラインに沿って前記基板のレーザ光入射面から所定距離内側に前記切断予定ラインの延びる方向に形成し、前記加工変質層からなり切断の起点となる領域を、前記基板のレーザ光照射面に溝を形成すると共に前記基板に形成し、前記基板に力を印加することのみにより、前記切断の起点となる領域から発生した割れを前記基板の厚さ方向に成長させ、前記切断予定ラインに沿って、前記基板を切断する、ＬＥＤチップの製造方法。」（以下「刊行物１記載の発明Ａ」という。）
（イ）刊行物２
　刊行物２には以下の事項が記載されている。
Ａ　第１頁左下欄第１８行〜同頁右下欄第１行
「［産業上の利用分野］
　本発明は、石英ガラスなどの種々の透明材料を切断加工する方法に関する。」
Ｂ　第２頁右上欄第１７行〜同頁左下欄第２行
「透明材料に吸収されない高エネルギービームを、レンズやミラーから構成される光学系を介して透明材料の内部に焦点を合せ、高エネルギービームを透明材料内部に照射する。すると、高エネルギービームの照射された個所に数十ミクロン以下の微小なクラックが発生する。」
Ｃ　第２頁右下欄第２〜７行
「この発明においては、多光子吸収を利用して、バンドギャップよりエネルギーが低く、本来、吸収の起こらない波長の光を透明材料に吸収させることにより、透明材料の結合ボンドを切断したり、あるいは、発熱を利用して微小なクラックを透明材料内部に発生させるのである。」
Ｄ　第３頁左上欄下から第８行〜同頁右上欄第７行
「実施例１
　透明材料として１５０×１５０×１５０ｍｍの合成石英ガラス（ＯＨ　１３００ｐｐｍ含有）を使用し、高エネルギービームとしては、不安定共振器を用いたエキシマレーザ（ＫｒＦ　２４８ｎｍ　エネルギー密度　５０ｍＪ／ｃｍ２・パルス、くり返し周波数　１５０Ｈｚ）を使用し、焦点距離５００ｍｍのレンズで集光し、ミラーで反射させ、上面を予め研磨したワークである厚板の合成石英ガラスの内部にエキシマレーザビームの焦点を合せエキシマレーザをワークの上面から照射し、ワークを３ｒ.ｐ.ｍの回転数で回転させながら、焦点の位置を３ｍｍ／ｍｉｎの速さでワーク底面より引き上げることにより、直径３０ｍｍの円筒形の孔を開けた。」
　これらの記載事項から刊行物２には以下の事項が記載されていると認める。
「高エネルギー密度のパルスレーザビームを透明材料内部に照射することにより、多光子吸収によってクラックを発生させること。」
ウ　対比
　補正発明１と刊行物１記載の発明Ａとを対比すると以下のとおりである。
　刊行物１記載の発明Ａの「窒化物半導体」は、補正発明１の「III−Ｖ族化合物半導体」に相当する。
　また、刊行物１記載の発明Ａの「微視的なマイクロ・クロックの集合である加工変質層」は、「レーザ光を所定の高エネルギー密度で照射することにより形成される改質部分」であるという限りで、補正発明１の「パルスレーザ光をピークパワー密度１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上且つパルス幅１μｓｅｃ以下の条件で照射することにより、１パルスの前記パルスレーザ光の照射に応じて多光子吸収によって形成される改質部分」と共通している。
　刊行物１記載の発明Ａの「加工変質層からなり切断の起点となる領域」は、補正発明１の「改質部分からなり切断の起点となる改質領域」に相当する。
　さらに、刊行物１記載の発明Ａの「ＬＥＤチップ」は、補正発明１と同様に「発光ダイオード」としても表現できるものである。
　したがって、補正発明１と刊行物１記載の発明Ａとは、以下の点で一致しているということができる。
［一致点］　
「基板の表面上にIII−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層が積層されたウェハを切断予定ラインに沿ってチップ状に切断する発光素子の製造方法であって、
　前記基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を所定の高エネルギー密度で照射することにより形成される改質部分を前記切断予定ラインに沿って前記基板のレーザ光入射面から所定距離内側に前記切断予定ラインの延びる方向に形成し、前記改質部分からなり切断の起点となる改質領域を、前記基板にのみ形成し、前記基板に力を印加することのみにより、前記改質領域から発生した割れを前記基板の厚さ方向に成長させ、前記切断予定ラインに沿って、前記基板を切断する、発光素子の製造方法。」
　そして、補正発明１と刊行物１記載の発明Ａとは、以下の３点で相違している。
（ア）＜相違点１＞
　改質部分に関して、補正発明１では、「パルスレーザ光をピークパワー密度１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上且つパルス幅１μｓｅｃ以下の条件で照射することにより、１パルスの前記パルスレーザ光の照射に応じて多光子吸収によって形成されると共に断続的に複数形成されている」のに対して、刊行物１記載の発明Ａでは、改質部分が、どのようにして形成され、どのような形状なのか、明らかでない点。
（イ）＜相違点２＞
　補正発明１では、「基板のレーザ光照射面及び前記レーザ光照射面と反対側の面に溝を形成していない」のに対して、刊行物１記載の発明Ａでは、基板のレーザ光照射面に溝を形成している点。
（ウ）＜相違点３＞
　補正発明１では、「基板と共に、切断予定ライン上に存在する半導体層を切断する」のに対して、刊行物１記載の発明Ａでは、切断予定ライン上の半導体層は、基板を切断する前にエッチングによって除去されている点。
エ　相違点の検討
（ア）＜相違点１＞について
　上記イの（イ）末尾で認定したように刊行物２には、高エネルギー密度のパルスレーザビームを透明材料内部に照射することにより、多光子吸収によってクラック、すなわち、改質部分を発生させることが記載されている。
　刊行物１記載の発明Ａに刊行物２記載の上記事項を適用して、改質部分を、所定のピークパワー密度、所定のパルス幅のパルスレーザ光を照射することにより、１パルスの前記パルスレーザ光の照射に応じて多光子吸収によって形成するように構成することに格別の困難性は見当たらない。
　そして、パルスレーザ光のピークパワー密度として１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上のものは周知であり、また、パルス幅として１μｓｅｃ以下のものも周知であるところ、パルスレーザ光のピークパワー密度を１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上、パルス幅を１μｓｅｃ以下と特定したことによる特別な効果として、改質部分を発生させること以外に見当たらないことからすれば、パルスレーザ光のピークパワー密度、パルス幅の数値の特定は、単なる設計的事項に過ぎない。
　また、パルスレーザ光を照射することにより、改質部分は必然的に断続的に複数形成されることになる。
（イ）＜相違点２＞について
　刊行物１記載の発明Ａにおいて、基板のレーザ光照射面に溝を形成する理由は、刊行物１の摘記事項Ｆにその旨記載されているように、厚みがある半導体ウエハーでも簡単に半導体素子を分割することができるようにするためであり、基板の厚さそのものが小さい場合や刊行物２の摘記事項Ｄ等に示唆されているように改質部分が基板の厚さ方向に複数形成される場合などは、上記溝を形成する必要がないことは明らかである。
　また、刊行物１の摘記事項Ｂに記載されているように、スクライブ・ラインである加工変質層、すなわち、改質部分と略平行な溝は、刊行物１における請求項１〜４では何等言及されておらず、請求項５で初めて言及されている。
　そうしてみると、基板のレーザ光照射面及び前記レーザ光照射面と反対側の面に溝を形成しないことに格別の困難性はない。
（ウ）＜相違点３＞について
　刊行物１記載の発明Ａにおいて、切断予定ライン上の半導体層を、基板を切断する前にエッチングによって除去しているのは、刊行物１の段落【００４９】の記載からみて、溝形成に当たって半導体層がレーザ光により損傷するのを防止するためであると認められるところ、上記（イ）で検討したように、溝を形成する必要がない場合には、半導体層をエッチングによって除去しておく必要もない。
　そうすると、ウェハを切断するに当たって、基板と共に、切断予定ライン上に存在する半導体層を切断するように構成することに格別の困難性はない。
（エ）補正発明１の作用ないし効果について
　補正発明１によってもたらされる作用ないし効果も、刊行物１記載の発明Ａ及び刊行物２記載の事項から当業者であれば予測できる程度のものであって格別のものではない。
（オ）したがって、補正発明１は、刊行物１記載の発明Ａ及び刊行物２記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
（２）補正発明５について
ア　補正後の請求項５の記載は、上記１の（２）イに示すとおりである。
イ　これに対して、上記刊行物１には上記（１）のイ（ア）で指摘した点のほかに以下の事項が記載されている。
　ＬＥＤチップ２１０の基板側面は、段部を有していること。（【図２】の（Ｄ）参照。）
　刊行物１記載の事項を補正発明５に照らして整理すると刊行物１には以下の発明が記載されていると認める。
「基板と、窒化物半導体からなり該基板の表面上に積層されたｐｎ各半導体層を含む半導体層とを有するウェハーを切断予定ラインに沿ってチップ状に切断することにより形成されたＬＥＤチップであって、
　エッチングにより複数の島状窒化物半導体層が形成された半導体ウエハーの前記基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を所定の高エネルギー密度で照射することにより形成される微視的なマイクロ・クロックの集合である加工変質層を前記切断予定ラインに沿って前記基板のレーザ光入射面から所定距離内側に前記切断予定ラインの延びる方向に形成し、前記加工変質層からなり切断の起点となる領域を、前記基板のレーザ光照射面に溝を形成すると共に前記基板に形成し、前記基板に力を印加することのみにより、前記切断の起点となる領域から発生した割れを前記基板の厚さ方向に成長させ、前記切断予定ラインに沿って、前記基板を切断することで形成される、基板側面に段部を有しているＬＥＤチップ。」（以下「刊行物１記載の発明Ｂ」という。）
ウ　対比
　補正発明５と刊行物１記載の発明Ｂとを対比すると以下のとおりである。
　刊行物１記載の発明Ｂの「窒化物半導体」及び「ｐｎ各半導体層」は、それぞれ補正発明５の「III−Ｖ族化合物半導体」及び「第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層」に相当する。
　刊行物１記載の発明Ｂの「微視的なマイクロ・クロックの集合である加工変質層」は、「改質部分」であるという限りで、補正発明５の「改質部分」と共通している。そして、補正発明５は「発光ダイオード」という物の発明であることから、補正発明５と刊行物１記載の発明Ｂとは、「基板側面に改質部分がある」点で共通している。
　刊行物１記載の発明Ｂは、「基板側面に段部を有している」ものであるところ、補正発明５は、「溝を形成することがない」ものであるので、発光ダイオードとした時に、基板の側面に段部を有さないものである。
　刊行物１記載の発明Ｂは「ＬＥＤチップ」として表現されているが、補正発明５と同様に「発光ダイオード」としても表現できるものである。
　したがって、補正発明５と刊行物１記載の発明Ｂとは、以下の点で一致しているということができる。
［一致点］　
「基板と、III−Ｖ族化合物半導体からなり該基板の表面上に積層された第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層を含む半導体層とを有するウェハを切断予定ラインに沿ってチップ状に切断することにより形成された発光ダイオードであって、
　基板側面に改質部分がある発光ダイオード。」
　そして、補正発明５と刊行物１記載の発明Ｂとは、以下の２点で相違している。
（ア）＜相違点４＞
　基板の製造工程、および基板側面の改質部分に関して、補正発明５では、「基板の内部に集光点を合わせてパルスレーザ光をピークパワー密度１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上且つパルス幅１μｓｅｃ以下の条件で照射することにより、１パルスの前記パルスレーザ光の照射に応じて多光子吸収によって形成される改質部分を切断予定ラインに沿って前記基板のレーザ光入射面から所定距離内側に前記切断予定ラインの延びる方向に断続的に複数形成し、複数の前記改質部分からなり切断の起点となる改質領域のみを、前記基板のレーザ光照射面及び前記レーザ光照射面と反対側の面に溝を形成することなく前記基板にのみ形成し、前記基板に力を印加することのみにより、前記改質領域から発生した割れを前記基板の厚さ方向に成長させ、前記切断予定ラインに沿って、前記基板と共に、前記切断予定ライン上に存在する前記半導体層を切断する」ものであり、かつ、基板側面の改質部分がパルスレーザ光の照射により「断続的」であるのに対して、刊行物１記載の発明Ｂでは、製造工程が異なり、かつ、改質部分が断続的であるのかどうか明らかでない点。
（イ）＜相違点５＞
　補正発明５では、基板側面は、「段部を有しない平面」であるのに対して、刊行物１記載の発明Ｂでは、基板側面は、段部を有している点。
エ　相違点の検討
（ア）＜相違点４＞について
　補正発明５は「発光ダイオード」という物の発明に係るものであることからみて、その製造方法にかかる記載は、当該製造方法を採用することによってもたらされる発光ダイオードの構造的特徴を意味しているものとみるのが相当である。そうすると、「基板の内部に集光点を合わせてパルスレーザ光をピークパワー密度１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上且つパルス幅１μｓｅｃ以下の条件で照射することにより、１パルスの前記パルスレーザ光の照射に応じて多光子吸収によって形成される改質部分を切断予定ラインに沿って前記基板のレーザ光入射面から所定距離内側に前記切断予定ラインの延びる方向に断続的に複数形成し、複数の前記改質部分からなり切断の起点となる改質領域のみを、前記基板のレーザ光照射面及び前記レーザ光照射面と反対側の面に溝を形成することなく前記基板にのみ形成し、前記基板に力を印加することのみにより、前記改質領域から発生した割れを前記基板の厚さ方向に成長させ、前記切断予定ラインに沿って、前記基板と共に、前記切断予定ライン上に存在する前記半導体層を切断する」という製造工程から発光ダイオードという物の発明として特定される事項は、発光ダイオードの基板側面の改質部分が断続的であるということと、発光ダイオードの基板側面が段部を有しないという点である。
　ここで、発光ダイオードの基板側面の改質部分が断続的であることによって、発光ダイオード自体の機能に特に寄与するところは何等見当たらず、上記改質部分が断続的であることは単なる設計的事項にすぎない。
（イ）＜相違点５＞について
　発光ダイオードの基板側面が、段部を有しない平面であることによって、上記（ア）で述べたと同様、発光ダイオード自体の機能に特に寄与するところは何等見当たらず、発光ダイオードの基板側面を、補正発明５のように段部を有しない平面とするか、あるいは、刊行物１記載の発明Ｂのように段部を有するように構成するかは必要に応じて適宜選択すればよい単なる設計的事項にすぎない。
（ウ）したがって、補正発明５は、刊行物１記載の発明Ｂに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３　むすび
　上記したように、補正発明１及び補正発明５は、いずれも特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本件出願の発明について
１　本件出願の発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１に係る発明（以下「本件出願の発明１」という。）は、平成２１年１月２６日付け手続補正書により補正された明細書及び願書に添付した図面の記載からみて、上記第２の１（１）アに示す特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの「発光素子の製造方法」であると認める。
　また、本件出願の請求項１０に係る発明（以下「本件出願の発明１０」という。）は、上記第２の１（２）アに示されているとおりの「発光ダイオード。」であると認める。
２　刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物及びその記載内容は、上記第２の２（１）イ及び同（２）イに示したとおりである。
３　対比・検討
　本件出願の発明１は、上記第２の２（１）で検討した補正発明１からパルスレーザ光の照射について「ピークパワー密度１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上且つパルス幅１μｓｅｃ以下の条件で」という事項を、改質部分の形成について「切断予定ラインの延びる方向に断続的に」という事項を、また、改質領域の形成について「前記基板のレーザ光照射面及び前記レーザ光照射面と反対側の面に溝を形成することなく前記基板にのみ」という事項を削除したものである。
　また、本件出願の発明１０は、上記第２の２（２）で検討した補正発明５の発明特定事項から一部の発明特定事項を削除したものである。
　そうすると、本件出願の発明１を構成する事項の全てを含み、さらに他の事項を付加する補正発明１が、上記第２の２（１）エ（オ）で示したとおり、刊行物１記載の発明Ａ及び刊行物２記載の事項に基づいて、また、本件出願の発明１０を構成する事項の全てを含み、さらに他の事項を付加する補正発明５が、上記第２の２（２）エ（ウ）で示したとおり、刊行物１記載の発明Ｂに基づいて、それぞれ当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件出願の発明１及び本件出願の発明１０も、それぞれ同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものである。
４　むすび
　したがって、本件出願の発明１及び本件出願の発明１０は、いずれも特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきであるから、結論のとおり審決する。