【事件の表示】
　平成９年特許願第３３９１８１号「炭化珪素焼結体の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年６月２９日出願公開、特開平１１−１７１６５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年１２月９日の出願であって、平成１９年１１月９日付けで拒絶理由が通知され、平成１９年１２月２８日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２０年２月２９日付けで拒絶査定され、平成２０年４月３日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされ、平成２０年４月２８日付けで手続補正書が提出されたものであり、その後、平成２２年１０月１８日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した審尋を通知し、期間を指定して請求人の意見を求めたところ、請求人からの回答書の提出が無かったものである。
　
２．平成２０年４月２８日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年４月２８日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　平成２０年４月２８日付けの手続補正（以下、必要に応じて「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】　炭化珪素粉体と炭素粉体または炭素源となる有機物質とからなる混合粉末を有機質バインダーを溶解した水に分散させ、鋳込み成形し、得られた成形体を真空あるいは不活性ガス下で仮焼し、該仮焼体に加熱下で溶融金属シリコンを浸透させて得られる炭化珪素焼結体の製造法において、前記炭化珪素粉体として、炭化珪素粉末を高圧の気流によって加速させて粒子同士を衝突させる高圧気流式粉砕装置による粉砕及び分級する手段によって得られた炭化珪素粉体を用いることを特徴とする炭化珪素焼結体の製造方法。」
と補正された。
　上記補正は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「高圧気流式粉砕装置」を「高圧の気流によって加速させて粒子同士を衝突させる高圧気流式粉砕装置」に限定するものであるから、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）について、特許出願の際独立して特許を受けることができるものかについて以下に検討する。
　
（２）刊行物に記載された事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平６−２１１５７４号公報（以下、「刊行物１」という。）には、次の事項が記載されている。
（ア）「【請求項１】  炭化珪素粉末を成形して得た成形体を非酸化性雰囲気下で仮焼し、得られた多孔質体に溶融金属シリコンを含浸させて反応焼結させることからなる、半導体製造用炭化珪素焼結体の製造方法であって、
前記炭化珪素粉末が、(a) 液状珪素化合物と、加水分解性珪素化合物より合成された珪素質固体とからなる群より選ばれた少なくとも１種の珪素含有原料、および(b) 半導体製造に有害な元素を含まない触媒を用いて合成された重合性または架橋性の有機化合物から選ばれた少なくとも１種の炭素含有原料、からなる、炭素および珪素を含有し、少なくとも１成分が液状である原料混合物を、加熱および／または触媒もしくは架橋剤を用いて固化させ、得られた固形物を非酸化性雰囲気下で加熱焼成することにより得た、平均粒径が 0.5〜20μｍ、遊離炭素含有量が20重量％以下、半導体製造に有害な各金属元素の含有量が１ppm 以下、の炭化珪素粉末であり、
仮焼後に得られた多孔質体は炭素微粒子を含まないか又は多孔質炭化珪素の母相に炭素微粒子が均一分散された組織を有することを特徴とする、半導体製造用炭化珪素焼結体の製造方法。」（特許請求の範囲　請求項１）
（イ）「これらの反応による炭化珪素の製造方法として最もよく知られているのはアチソン法である。アチソン法は、珪素質原料 (SiO2またはSiO2供給源) と炭素質原料 (ＣまたはＣ供給源) の２種類の固体原料の混合物を、非連続式のアチソン型電気抵抗炉内で加熱して反応させることにより炭化珪素を製造する方法である。この方法は、直接通電加熱のため温度制御の精度は余りよくないが、高温反応となるので、高温側で安定なα型炭化珪素が塊状で生成する。しかし、使用する２種類の固体原料のいずれにも多量の金属不純物が含まれている上、生成した塊状の高強度の炭化珪素を粉砕して微粉化する必要があるが、この粉砕中にさらに多くの金属不純物が混入する。従って、この方法で得られた粉末には、かなりの量の金属不純物の混入が避けられないという、大きな欠点があった。」（段落【０００８】）
（ウ）「本発明の目的は、半導体製造に有害な各金属元素の含有量が１ppm 以下のβ型炭化珪素粉末を用いた、半導体製造に有害な各金属元素の含有量が１ppm 以下という半導体製造工程で使用するのに十分な高純度を備えた半導体製造用炭化珪素焼結体の製造方法を提供することである。」（段落【００１２】）
（エ）「上述した方法で最終の加熱焼成工程後に得られる高純度プリカーサ法粉末は、粒径および形状が比較的均一なβ型炭化珪素の微粉末からなる。この粉末中のα型炭化珪素の混入率は、粉末Ｘ線解析法によれば１％以下であり、反応条件を選択すれば、β型炭化珪素単相の粉末も得ることができる。粉末の平均粒径は主に炭化珪素化時の加熱焼成温度に依存し、一般に0.5 〜1000μｍの範囲内である。」（段落【００３３】）
（オ）「この高純度プリカーサ法粉末から半導体治具その他の半導体製造用部品の製造に有用な炭化珪素焼結体を製造するには、冷間等方プレス法、鋳込み法等の適当な粉末成形方法で上記炭化珪素粉末を成形し、得られた成形体を非酸化性雰囲気下で仮焼することにより多孔質体とし、この多孔質体に高純度の溶融金属シリコンを高温で含浸させると同時に反応焼結させて、炭化珪素焼結体を得る。この炭化珪素焼結体から、適当な成形加工により所望の治具または部品を製作することができる。
　この焼結体の製造工程においては、前述したように、外部からの『有害元素』の混入が可及的に防止されるように留意する。」（段落【００３７】【００３８】）
（カ）「成形に使用する高純度プリカーサ法粉末は、平均粒径が 0.5〜20μｍの範囲内になるように、必要であれば粒度調整する。平均粒径 0.5μｍ未満では、冷間等方プレスで成形した場合には、粉末の流動性の低下により成形体の密度が不均一になりやすく、鋳込み法による成形では、粉末と解膠剤とバインダーとを混合したスラリーが高粘度となるため、成形体が不均質になり易い。一方、平均粒径が20μｍを越えると、次工程で成形体を仮焼して多孔質体とする時に、粒と粒の結合総断面積が減少するため多孔質体の強度が低下し、取扱いが難しくなって工業的に適さなくなる。」（段落【００３９】）
（キ）「高純度プリカーサ法粉末の成形体を仮焼して多孔質体とする。この仮焼の雰囲気には、例えば、真空、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの非酸化性雰囲気を使用する。仮焼条件は、成形体の大きさにもよるが、一般に約 500〜2000℃で約１〜10時間である。」（段落【００４２】）
（ク）「上で得た炭化珪素粉末Ａ60部に、解膠剤としてポリカルボン酸アンモニウム塩３部、バインダーとしてアクリル系水溶性エマルジョン３部、および水24部を混合し、スラリーを生成した。このスラリーを鋳型で鋳込成形し、成形体を1000℃以上の真空雰囲気下で３時間仮焼した。得られた多孔質体に、1500℃で全重量に対して30％の量の高純度シリコン（不純物含有量テンナイン）を１時間かけて含浸させ、反応焼結させた。得られた炭化珪素焼結体Ａは、炭化珪素母相56重量％、反応炭化珪素相18重量％および金属シリコン相26重量％であった。この炭化珪素焼結体Ａの断片を放射化分析で分析した結果を表１に示す。表１に示した焼結体の不純物含有量は、いずれも上記３相の合計量である。」（段落【００５３】）として、段落【００５５】の【表１】には、炭化珪素粉末Ａ及びこの炭化珪素粉末Ａを用いた焼結体Ａについて、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ｗの含有量が、いずれも１ｐｐｍ未満であることが記載されている。
　
（３）対比と判断
(i)刊行物１に記載された発明
　刊行物１には、記載事項（ア）に「炭化珪素粉末を成形して得た成形体を非酸化性雰囲気下で仮焼し、得られた多孔質体に溶融金属シリコンを含浸させて反応焼結させることからなる、半導体製造用炭化珪素焼結体の製造方法であって、前記炭化珪素粉末が、」「平均粒径が 0.5〜20μｍ、遊離炭素含有量が20重量％以下、半導体製造に有害な各金属元素の含有量が１ppm 以下、の炭化珪素粉末であ」る「半導体製造用炭化珪素焼結体の製造方法」が記載されている。
　そして、記載事項（カ）には、「成形に使用する高純度プリカーサ法粉末は、平均粒径が 0.5〜20μｍの範囲内になるように、必要であれば粒度調整する」ことが、即ち、記載事項（ア）に記載された「平均粒径が 0.5〜20μｍ」「の炭化珪素粉末」について、「平均粒径が 0.5〜20μｍの範囲内になるように粒度調整」して得られたものを含むことが記載されている。
　また、記載事項（ク）には、記載事項（ア）に記載の「炭化珪素粉末を成形して」「成形体」を得る具体的手段として、「炭化珪素粉末Ａ60部に、解膠剤としてポリカルボン酸アンモニウム塩３部、バインダーとしてアクリル系水溶性エマルジョン３部、および水24部を混合し、スラリーを生成し」、「このスラリーを鋳型で鋳込成形」することが記載され、記載事項（ア）に記載の「溶融金属シリコンを含浸させ」る温度条件として、「1500℃」なる温度が記載されている。　
　よって、上記の記載事項を整理すると、刊行物１には、
「炭化珪素粉末に解膠剤、バインダーおよび水を混合してスラリーを生成し、このスラリーを鋳型で鋳込成形して得た成形体を非酸化性雰囲気下で仮焼し、得られた多孔質体に１５００℃で溶融金属シリコンを含浸させて反応焼結させることからなる、半導体製造用炭化珪素焼結体の製造方法であって、前記炭化珪素粉末が、平均粒径が 0.5〜20μｍの範囲内になるように粒度調整して得られた、遊離炭素含有量が20重量％以下、半導体製造に有害な各金属元素の含有量が１ppm 以下、の炭化珪素粉末である半導体製造用炭化珪素焼結体の製造方法。」
の発明（以下、「刊行１発明」という。）が記載されているものと認められる。
(ii)対比　
　そこで、本願補正発明と刊行１発明とを対比すると、まず、刊行１発明の「解膠剤」、「バインダー」を併せたものが、本願補正発明の「有機質バインダー」に相当するから、刊行１発明の「炭化珪素粉末に解膠剤、バインダーおよび水を混合してスラリーを生成」することは、「炭化珪素粉末」を「有機質バインダーを溶解した水に分散させ」ることに他ならない。
　また、刊行物１の記載事項（キ）の「この仮焼の雰囲気には、例えば、真空、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの非酸化性雰囲気を使用する」との記載からみて、刊行１発明の成形体の仮焼雰囲気である「非酸化性雰囲気下」は、本願補正発明の「真空あるいは不活性ガス下」に相当し、刊行１発明の「多孔質体」は、本願補正発明の「仮焼体」に相当する。
　さらに、刊行１発明の「溶融金属シリコンを含浸させ」ることは、本願補正発明の「溶融金属シリコンを浸透させ」ることに相当し、刊行１発明の「１５００℃」なる「溶融金属シリコンを含浸させ」る温度条件は、本願補正発明の「加熱下」に含まれるものである。
　そして、刊行１発明の「炭化珪素粉末」は「遊離炭素含有量が20重量％以下」であるから、刊行１発明の「炭化珪素粉末」と本願補正発明の「炭化珪素粉体と炭素粉体または炭素源となる有機物質とからなる混合粉末」は、「炭化珪素と炭素を含む粉末」である点で共通する。
(iii)一致点と共通点
　してみると、両者は、
「炭化珪素と炭素を含む粉末を有機質バインダーを溶解した水に分散させ、鋳込み成形し、得られた成形体を真空あるいは不活性ガス下で仮焼し、該仮焼体に加熱下で溶融金属シリコンを浸透させて得られる炭化珪素焼結体の製造方法」
で一致し、次の点で相違する。
相違点ａ：本願補正発明は、「炭化珪素と炭素を含む粉末」が、「炭化珪素粉体と炭素粉体または炭素源となる有機物質とからなる混合粉末」であるのに対し、刊行１発明は、「遊離炭素含有量が20重量％以下」の「炭化珪素粉末」である点
相違点ｂ：本願補正発明は、「前記炭化珪素粉体として、炭化珪素粉末を高圧の気流によって加速させて粒子同士を衝突させる高圧気流式粉砕装置による粉砕及び分級する手段によって得られた炭化珪素粉体を用いる」ものであるのに対し、刊行１発明は、「前記炭化珪素粉末が、平均粒径が 0.5〜20μｍの範囲内になるように粒度調整して得られた」ものである点
(iv)検討　
　そこで、相違点ａについて検討する。
　炭化珪素と炭素を含む粉末を成形した成形体、あるいはこの成形体を仮焼した仮焼体に加熱下で溶融金属シリコンを浸透させて炭化珪素焼結体を製造するに際し、炭化珪素と炭素を含む粉末として、炭化珪素粉体と炭素粉体とからなる混合粉末を用いること、さらには、炭化珪素粉体と炭素源となる有機物質とからなる混合粉末を用いることは、例えば、特開昭６０−２４６２６４号公報、特開昭５６−５４２１９号公報、さらには、特開平８−１５１２６７号公報、特に段落【０００２】、に記載されているように本願出願前周知の事項である。
　してみれば、刊行１発明において、「遊離炭素含有量が20重量％以下」の「炭化珪素粉末」の代わりに「炭化珪素粉体と炭素粉体または炭素源となる有機物質とからなる混合粉末」を用いることは、当業者が必要に応じて適宜為し得たことである。
　次に、相違点ｂについて検討する。
　まず、刊行１発明における「平均粒径が 0.5〜20μｍの範囲内になるように粒度調整」することの具体的内容について検討すると、刊行物１の記載事項（エ）に記載のとおり、刊行１発明の「炭化珪素粉末」は、それを製造する方法の最終の加熱焼成工程後に得られる粉末の平均粒径が「一般に0.5 〜1000μｍの範囲内」であるから、刊行１発明において、炭化珪素粉末を平均粒径が 0.5〜20μｍの範囲内になるように粒度調整することは、平均粒径が 0.5〜20μｍの範囲内になるように、製造された炭化珪素粉末を粉砕し、分級することであると認められる。
　さらに、炭化珪素粉末の平均粒径を 0.5〜20μｍの範囲内になるように粒度調整する理由として、刊行物１の記載事項（カ）には、「平均粒径 0.5μｍ未満では、・・・、鋳込み法による成形では、粉末と解膠剤とバインダーとを混合したスラリーが高粘度となるため、成形体が不均質になり易い」こと、及び、「平均粒径が20μｍを越えると、次工程で成形体を仮焼して多孔質体とする時に、粒と粒の結合総断面積が減少するため多孔質体の強度が低下し、取扱いが難しくなって工業的に適さなくなる」ことが記載されていることからみて、刊行１発明で用いる「遊離炭素含有量が20重量％以下」の「炭化珪素粉末」の代わりに「炭化珪素粉体と炭素粉体または炭素源となる有機物質とからなる混合粉末」を用いた場合にも、鋳込み成形により均一な成形体を得、工業的に好適な強度を有する仮焼体を得る為には、この混合粉末を構成する炭化珪素粉体は、平均粒径が 0.5〜20μｍの範囲内になるように粒度調整されたものであることが必要であり、原料として用いる炭化珪素粉末の平均粒径がこの範囲より大きい場合には、平均粒径が 0.5〜20μｍの範囲内になるように、その炭化珪素粉末を粉砕し、分級する必要があることは明らかである。
　そこで、炭化珪素粉末を粉砕し、分級する手段について検討すると、刊行１発明は、刊行物１の記載事項（ウ）に記載されたとおり、半導体製造に有害な各金属元素の含有量が１ppm 以下という半導体製造工程で使用するのに十分な高純度を備えた半導体製造用炭化珪素焼結体を製造することを目的とするものである。そのためには、「半導体製造に有害な各金属元素の含有量が１ppm 以下」の「炭化珪素粉末」を用い、記載事項（オ）に記載のとおり、焼結体の製造工程においては外部からの有害元素の混入が可及的に防止されるように留意する必要がある。そして、記載事項（イ）に記載されたとおり、原料となる炭化珪素粉末の粉砕中にも金属不純物が混入するおそれがあるから、炭化珪素粉末を粉砕し、分級する際には、金属不純物が混入する可能性が可及的に少ない手段を採用する必要がある。
　一方、セラミックなどの粉末を粉砕し、分級する手段として、粉末を高圧の気流中に供給し、気流の剪断作用及び粒子の加速による粒子相互の衝突により粉砕を行い、さらに、粉砕物を分級し、所定の粒径になった粉末を系外に取り出す対向式ジェットミル、マイクロナイザー式ジェットミルなどの高圧気流式粉砕装置を用いる手段が本願出願前広く用いられている（必要であれば、特開平２−１５２５５９号公報、特に第１頁右下欄５〜１９行、第２頁左上欄１８行〜同頁右下欄１行、特開平１−２１５３５４号公報、特に第１頁右下欄９〜２０行、第２頁左上欄１５行〜同頁左下欄９行を参照されたい。）。この対向式ジェットミル、マイクロナイザー式ジェットミルなどの高圧気流式粉砕装置により粉末を粉砕し、分級する際には、気流の剪断作用及び粒子の加速による粒子相互の衝突により粉末が粉砕される為、ボールミルやローラミルのような粉末と粉砕媒体を含む粉砕装置との相互作用により粉末が粉砕される粉砕装置により粉砕を行う場合と較べ、金属不純物の混入の可能性が少ないことは明らかである。
　してみると、刊行１発明において、「遊離炭素含有量が20重量％以下」の「炭化珪素粉末」の代わりに用いる「炭化珪素粉体と炭素粉体または炭素源となる有機物質とからなる混合粉末」を構成する炭化珪素粉体について、その平均粒径が 0.5〜20μｍの範囲内になるように炭化珪素粉末を粉砕し、分級する手段として、これらの高圧気流式粉砕装置による粉砕及び分級する手段を採用し、この炭化珪素粉体として、炭化珪素粉末を高圧の気流によって加速させて粒子同士を衝突させる高圧気流式粉砕装置による粉砕及び分級する手段によって得られた炭化珪素粉体を用いるようにすることは、当業者が容易に想到し得たことであると認められる。
(v)効果について　
　そして、本件補正後の明細書及び図面の記載を検討しても、「炭化珪素粉体と炭素粉体または炭素源となる有機物質とからなる混合粉末」を用いたことにより、また「前記炭化珪素粉体として、炭化珪素粉末を高圧の気流によって加速させて粒子同士を衝突させる高圧気流式粉砕装置による粉砕及び分級する手段によって得られた炭化珪素粉体を用いる」ことにより、さらにはこれらを組み合わせたことにより、当業者が予測し得ない格別顕著な効果が奏されたものとも認められない。
(vi)まとめ　
　したがって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明 
　平成２０年４月２８日付けの手続補正は前記２．のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、平成１９年１２月２８日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
【請求項１】　炭化珪素粉体と炭素粉体または炭素源となる有機物質とからなる混合粉末を有機質バインダーを溶解した水に分散させ、鋳込み成形し、得られた成形体を真空あるいは不活性ガス下で仮焼し、該仮焼体に加熱下で溶融金属シリコンを浸透させて得られる炭化珪素焼結体の製造法において、前記炭化珪素粉体として、炭化珪素粉末を高圧気流式粉砕装置による粉砕及び分級する手段によって得られた炭化珪素粉体を用いることを特徴とする炭化珪素焼結体の製造方法。
　
（２）引用刊行物 
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である刊行物１及びその記載事項は、前記２．（２）に記載したとおりである。
　
（３）対比と判断
　本願発明１は、前記２．で検討した本願補正発明に関し、「高圧の気流によって加速させて粒子同士を衝突させる高圧気流式粉砕装置」を「高圧気流式粉砕装置」に拡張したものである。
　してみると、本願発明１の発明特定事項のうち「高圧気流式粉砕装置」を「高圧の気流によって加速させて粒子同士を衝突させる高圧気流式粉砕装置」に限定したものに相当する本願補正発明が、前記２．（３）に記載したとおり、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願補正発明と同様の理由により、本願発明１も、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび 
　以上のとおり、本願発明１は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。