【事件の表示】
　特願２０００−２０９９２７「超音波探触子および画像処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　１月２５日出願公開、特開２００２−　２７５９４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１２年７月１１日の出願であって、平成２１年７月２１日付けの拒絶理由の通知に対し、同年９月１４日付けで手続補正がなされたが、同年１１月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２２年３月５日に審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２２年３月５日付けの手続補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　平成２２年３月５日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
　［理由］
　１．補正の内容
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「マトリクス状に配置された圧電薄膜（１３１）を有する電気音響変換層（１３０）と、
　前記電気音響変換層（１３０）がその上に設けられる半導体素子（１２０）と、
　前記半導体素子（１２０）と接続される前記回路実装基板（１１０）と、を備える超音波探触子であって、
　前記電気音響変換層（１３０）は、複数の駆動電極（１３２）と、
　前記複数の駆動電極（１３２）にそれぞれ対応して設けられる振動子としての複数の圧電薄膜（１３１）と、　
　前記駆動電極（１３２）同士、および、前記圧電薄膜（１３１）同士をそれぞれ隔てる絶縁層（１３３）と、
　前記複数の圧電薄膜（１３１）および前記絶縁層（１３３）上に形成されるグランド電極（１３４）と、
　前記グランド電極（１３４）上に配置される音響整合層（１３５）と、を有し、
　前記半導体素子（１２０）は、前記圧電薄膜（１３１）にそれぞれ対応して設けられ、該各圧電薄膜（１３１）への駆動電圧をオンオフする複数のスイッチ回路（１２１）を有し、
　前記複数のスイッチ回路（１２１）の一方の接点からの各引出し配線は、一本の配線に合流して前記回路実装基板（１１０）に共通化して接続されており、他方の接点からの引き出し配線に接続される複数の駆動電極（１３２）が前記半導体素子（１２０）背面（１２０ｂ）においてマトリクス状に配置され、前記半導体素子（１２０）背面（１２０ｂ）のさらに背面（１２０ａ）に前記電気音響変換層（１３０）が形成され、前記複数のスイッチ回路（１２１）を含む前記半導体素子（１２０）の電極上に、順次、前記駆動電極（１３２）、前記圧電薄膜（１３１）が成膜され、前記他方の接点からの引き出し配線は、前記駆動電極（１３２）を介して前記前記圧電薄膜（１３１）が接続される構造を有することを特徴とする超音波探触子。」
と補正された。
　
　２．補正の適否
　上記補正は、本件補正前の請求項１に係る発明の「圧電薄膜」を「マトリクス状に配置された」ものに限定し、「複数のスイッチ回路」について「他方の接点からの引き出し配線に接続される複数の駆動電極（１３２）が前記半導体素子（１２０）背面（１２０ｂ）においてマトリクス状に配置され、前記半導体素子（１２０）背面（１２０ｂ）のさらに背面（１２０ａ）に前記電気音響変換層（１３０）が形成され、前記複数のスイッチ回路（１２１）を含む前記半導体素子（１２０）の電極上に、順次、前記駆動電極（１３２）、前記圧電薄膜（１３１）が成膜され、前記他方の接点からの引き出し配線は、前記駆動電極（１３２）を介して前記前記圧電薄膜（１３１）が接続される構造」とすることを限定するものであるから、発明を特定するために必要な事項を限定するものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下、「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に規定された特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、本件補正後の前記請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）否かについて以下に検討する。
　
　２−１．独立特許要件（特許法第３６条第６項第１号及び第２号）
　本件補正後の請求項１には、「他方の接点からの引き出し配線に接続される複数の駆動電極（１３２）が前記半導体素子（１２０）背面（１２０ｂ）においてマトリクス状に配置され、前記半導体素子（１２０）背面（１２０ｂ）のさらに背面（１２０ａ）に前記電気音響変換層（１３０）が形成され」という記載があるが、該請求項１には「前記電気音響変換層（１３０）」が「複数の駆動電極（１３２）」「を有し」ていることも記載されており、「半導体素子（１２０）背面（１２０ｂ）」と「半導体素子（１２０）背面（１２０ｂ）のさらに背面（１２０ａ）」の両面に「複数の駆動電極」を配置するものは、発明の詳細な説明及び図面には何ら記載されていない。
　また、「前記半導体素子（１２０）背面（１２０ｂ）においてマトリクス状に配置され」る「複数の駆動電極」と、「前記半導体素子（１２０）背面（１２０ｂ）のさらに背面（１２０ａ）」に形成される「前記電気音響変換層（１３０）」が有する「複数の駆動電極」が同一のものを表しているのか否かも不明確である。
　さらに、上記の２つの「複数の駆動電極」が同一のものを表しているのであれば、「半導体素子（１２０）背面（１２０ｂ）」と「半導体素子（１２０）背面（１２０ｂ）のさらに背面（１２０ａ）」が「半導体素子（１２０）」に対して如何なる位置関係にあるのかが不明である。
　そのため、本件補正後の請求項１に記載の事項からでは、「複数の駆動電極」が「半導体素子」のいずれの面に形成されるのかが明確に把握できず、また、本件補正後の請求項１に記載のものは、発明の詳細な説明及び図面に記載の実施例とも正確に対応していない。
　
　したがって、本件補正後の請求項１に係る発明は、特許法第３６条第６項第１号及び第２号の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　２−２．独立特許要件（特許法第２９条第２項）
　上記２−１．で検討したとおり、本件補正後の特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号及び第２号の要件を満たしていないものであるが、仮に特許請求の範囲の記載が、審判請求人が平成２２年１２月２４日付け回答書に示した補正案のとおりであるとするならば、特許法第３６条第６項第１号及び第２号の要件を満たしているから、ここでは、特許請求の範囲が補正案のとおりの内容に補正されたものとして、以下に予備的に検討する。
　
　（１）本願補正案発明
　審判請求人が平成２２年１２月２４日付け回答書に示した特許請求の範囲の補正案のうち、請求項１に係る発明（以下、「本願補正案発明」という。）は、次のとおりのものである。ただし、（ａ）〜（ｄ）の括弧付き文字は当審が付した。
　
「（ａ）マトリクス状に配置された圧電薄膜（１３１）を有する電気音響変換層（１３０）と、
　前記電気音響変換層（１３０）がその上に設けられる半導体素子（１２０）と、
　前記半導体素子（１２０）と接続される前記回路実装基板（１１０）と、を備える超音波探触子であって、
　（ｂ）前記電気音響変換層（１３０）は、複数の駆動電極（１３２）と、
　前記複数の駆動電極（１３２）にそれぞれ対応して設けられる振動子としての複数の圧電薄膜（１３１）と、
　前記駆動電極（１３２）同士、および、前記圧電薄膜（１３１）同士をそれぞれ隔てる絶縁層（１３３）と、
　前記複数の圧電薄膜（１３１）および前記絶縁層（１３３）上に形成されるグランド電極（１３４）と、
　前記グランド電極（１３４）上に配置される音響整合層（１３５）と、を有し、
　（ｃ）前記半導体素子（１２０）は、前記圧電薄膜（１３１）にそれぞれ対応して設けられ、
該各圧電薄膜（１３１）への駆動電圧をオンオフする複数のスイッチ回路（１２１）を有し、
　（ｄ）前記複数のスイッチ回路（１２１）の一方の接点からの各引出し配線は、一本の配線に合流して前記半導体素子（１２０）背面（１２０ｂ）で前記回路実装基板（１１０）に共通化して接続されており、他方の接点からの引き出し配線に接続される複数の駆動電極（１３２）が前記半導体素子（１２０）前面（１２０ａ）においてマトリクス状に配置され、前記電気音響変換層（１３０）を形成するように、前記複数のスイッチ回路（１２１）を含む前記半導体素子（１２０）の前面（１２０ａ）に配置される前記駆動電極（１３２）に前記他方の接点からの引き出し配線を接続する構造を有することを特徴とする超音波探触子。」
　
　（２）引用文献
　これに対して、原査定の拒絶の理由で引用された実願平０３−０６７０４６号（実開平０５−０２０４９９号）のＣＤ−ＲＯＭ（以下、「引用文献」という。）には、図面とともに次のア〜ウの事項が記載されている。 
　
ア　「【０００１】
    【産業上の利用分野】
  本考案は超音波探触子に関し、特に駆動回路を内蔵し、簡易な製造工程で製造され小型化された超音波探触子に関する。
【０００２】
    【従来の技術】
  超音波探触子（以下探触子という）は入力された電気信号を超音波信号に変換し、超音波を受信して電気信号に変換する装置である。
【０００３】
  従来の探触子の構造を図５に示す。図において、（イ）図は探触子１の構造図、（ロ）図は圧電材２の部分の拡大図である。圧電材２はＰＺＴ等で作られている。この圧電材２には（ロ）図に示すように機械加工で溝３を形成し、上部に個別電極４を設けてある。又、裏面には図面上では表されていないが共通電極が設けられている。５は個別電極４それぞれに接続している信号線で、図では３個の圧電材２をグループとして接続した状態を示しており、信号線５はそれぞれの個別電極４の１個ずつに繋がれている。６は圧電材２の上面に圧電材２と被照射物である生体との音響インピーダンスの不整合による反射を防ぐために設けた複数枚の音響整合層、７は振動子を機械的に支える役割と音響的に制動をかけ超音波パルス波形を短くする働きをするバッキング材である。音響整合層６の上面には超音波を収束させて分解能を上げるように音響レンズ８を配置している。
【０００４】
    【考案が解決しようとする課題】
  ところで、上記のような構造の探触子１では、圧電材２の微細加工、駆動回路（図示せず）への信号の取り出し、又、音響整合層６のアセンブルが、煩雑であり、更に精度の高い位置合わせ技術も必要になり、駆動回路を含む探触子の小型化は困難である。
【０００５】
  本考案は上記の点に鑑みてなされたもので、その目的は、一体成形することにより、簡便な製造工程で作ることのできる小型の探触子を実現することにある。
【０００６】
    【課題を解決するための手段】
  前記の課題を解決する本考案は、Ｓｉウエハーと、該Ｓｉウエハー上に半導体プロセスを用いて形成した駆動スイッチ回路である縦型ＭＯＳ  ＦＥＴと第１の論理回路と第２の論理回路とで構成されている論理回路部と、前記Ｓｉウエハーの一方の面に作成されたウエハー裏面部と、該ウエハー裏面部に前記縦型ＭＯＳ  ＦＥＴの１つの極の取り出し口として設けられたシンク層と、前記ウエハー裏面部の下部に絶縁層を介して設けた超音波振動子としての薄膜圧電材と、該薄膜圧電材を挾んで設けられた第１の電極及び第２の電極とを具備することを特徴とするものである。」
　
イ　「【０００８】
    【実施例】
  以下、図面を参照して本考案の実施例を詳細に説明する。
  図１は本考案の一実施例の探触子の半導体プロセスを用いた高耐圧ＩＣ１１の断面図である。図において、１２はＳｉで作られたウエハー、１３はＳｉウエハー１２に形成された縦型ＭＯＳ  ＦＥＴで、Ｓはソース、Ｇはゲートである。又、１４はｎＭＯＳで作られた論理回路Ａ、１５はｐＭＯＳで作られた論理回路Ｂである。縦型ＭＯＳ  ＦＥＴ１３、論理回路Ａ１４及び論理回路Ｂ１５はｐ層で形成される素子分離部１６で電気的に分離されている。
【０００９】
  縦型ＭＯＳ  ＦＥＴ１３のドレインＤの取り出しはシンク層１７を介し、Ｓｉウエハー１２の下部であるウエハー裏面部１８に取り出されている。
  図２は図１に示す高耐圧ＩＣ１１で作られた探触子２１の断面図である。図において、図１と同等の部分には同一の符号を付してある。図中、２２は図１に示す論理回路Ａ１４と論理回路Ｂ１５とから成る論理回路部、２３は複数の縦型ＭＯＳ  ＦＥＴ１３から成る高耐圧スイッチアレイである。
【００１０】
  ウエハー裏面部１８にＳｉＯ2 等で作られた絶縁層２４が形成され、絶縁層２４の他面には電極Ａ２５が形成されており、電極Ａ２５には縦型ＭＯＳ  ＦＥＴ１３のドレインが絶縁層２４を貫通して接続されている。又、２６は絶縁層２４にＺｎＯ，ＡｌＮ（窒化アルミ）等のスパッタリングにより薄膜を堆積して作られた薄膜圧電材である。
【００１１】
  ２７は薄膜圧電材２６の下面に形成した電極Ｂである。
  図３は図２の探触子１１の等価回路である。この回路では、入力信号を論理回路部２２で演算し、その演算結果に基づいて高耐圧スイッチアレイ２３はスイッチング位置を選択して、電極Ａ２５と電極Ｂ２７間に選択的に電圧を印加し、薄膜圧電材２６の圧電効果により、超音波を発生する。
【００１２】
  図４は図２の探触子２１を用いた２次元アレイ探触子３０の構造図である。図において、図２と同等の部分には同一の符号を用いてある。２次元アレイ探触子３０は対向する電極Ａ２５と電極Ｂ２７とをアレイ状に配置し、各電極Ａ２５の上にはそれぞれ図２に示すように高耐圧スイッチアレイ２３がウエハー裏面部１８を介して配置されている構造となっている。
【００１３】
  論理回路部２２は図示の位置に設けられており、入力信号は図２に示す論理回路Ａ１４と論理回路Ｂ１５により演算し、その演算結果に基づいて高耐圧スイッチアレイ２３のスイッチング位置を選択して、電極Ａ２５と電極Ｂ２７間に選択的に電圧を印加し、薄膜圧電材２６の圧電効果により、選択された高耐圧スイッチアレイ２３の空間分布に応じた超音波を発生することにより、超音波の指向性を可変にする。」
　
ウ　図３には、「高耐圧スイッチアレイ」の一方の接点からの一本の配線が「論理回路部」に接続されること、また、「高耐圧スイッチアレイ」の他方の接点が複数の「電極Ａ」に接続されることが記載されている。
　
　以上の記載から、引用文献には以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　「超音波振動子としての薄膜圧電材を有し、薄膜圧電材が絶縁層を介してその上に設けられるＳｉウエハーと、を備える超音波探触子であって、
　探触子は２次元アレイの構造であり、前記薄膜圧電材は電極Ａの上に設けられ、前記薄膜圧電材上に前記電極Ａと対応付けてアレイ状に電極Ｂを有し、
　前記Ｓｉウエハーは、複数の縦型ＭＯＳ  ＦＥＴから成る高耐圧スイッチアレイを有し、
　前記高耐圧スイッチアレイの複数の縦型ＭＯＳ  ＦＥＴにそれぞれ対応して前記電極Ａが設けられ、入力信号を論理回路部２２で演算した結果に基づいて前記高耐圧スイッチアレイはスイッチング位置を選択して、前記薄膜圧電材を挟んで形成される電極Ａと電極Ｂ間に選択的に電圧を印加することにより、薄膜圧電材２６の圧電効果によって選択された高耐圧スイッチアレイ２３の空間分布に応じた超音波を発生するものであり、
　前記高耐圧スイッチアレイの一方の接点からの各引き出し配線は、共通の回路に接続されており、他方の接点からの引き出し配線に接続される複数の電極Ａがウエハー裏面部上の絶縁層において２次元に配置され、前記電極Ａ上に薄膜圧電材がスパッタリングにより成膜され、前記複数の縦型ＭＯＳ  ＦＥＴのドレイン接点は電極Ａを介して前記薄膜圧電材に接続される構造を有することを特徴とする超音波探触子。」
　
　（３）対比
　本願補正案発明と引用発明とを対比する。
　
　（ａ）引用発明の「超音波振動子としての薄膜圧電材」は本願補正案発明の「圧電薄膜（１３１）」に相当するから、引用発明は「圧電薄膜（１３１）を有する電気音響変換層（１３０）」を有するといえる。また、引用発明の「複数の縦型ＭＯＳ  ＦＥＴから成る高耐圧スイッチアレイを有」する「Ｓｉウエハー」は、本願補正案発明の「前記電気音響変換層（１３０）がその上に設けられる半導体素子（１２０）」に相当する。
　
　（ｂ）引用発明の「電極Ａ」、「超音波振動子としての薄膜圧電材」、「電極Ｂ」は、それぞれ本願補正案発明の「駆動電極（１３２）」、「振動子としての複数の圧電薄膜（１３１）」、「グランド電極」にそれぞれ相当する。
　加えて、引用文献の「従来の技術」にも記載されているように、超音波探触子は、圧電材の上面に該圧電材と被照射物との音響インピーダンスの不整合による反射を防ぐための音響整合層を設けるのが一般的であるから、引用発明においても「薄膜圧電材」の上に設けられた「電極Ｂ」の上に「音響整合層」が配置されているものと解するのが自然である。
　そのため、本願補正案発明と引用発明とは、複数の駆動電極と、複数の駆動電極によって駆動される振動子としての圧電薄膜と、前記圧電薄膜上に形成されるグランド電極と、前記グランド電極上に配置される音響整合層とを備える点で共通する。
　そして、引用発明は、電極Ａと電極Ｂ間に印加される電圧によって薄膜圧電材の圧電効果で超音波を発生するのであるから、本願補正案発明と引用発明に共通する上記の複数の駆動電極、圧電薄膜、グランド電極、音響整合層からなる構成は「電気音響変換層」であるといえる。
　
　（ｃ）引用発明の「複数の縦型ＭＯＳ  ＦＥＴから成る高耐圧スイッチアレイ」は、「Ｓｉウエハー」上に設けられたものであり、薄膜圧電材を挟んで形成される電極Ａと電極Ｂ間に選択的に電圧を印加することにより、電極単位で薄膜圧電材に対して駆動電圧をオンオフしているから、本願補正案発明の「複数のスイッチ回路」に対応する。
　
　（ｄ）引用発明の「高耐圧スイッチアレイ」は、「一方の接点からの各引出し配線」が「半導体素子」の一方の面から共通の回路に接続されている点、及び、「他方の接点からの引き出し配線」が「半導体素子」の上記一方の面と反対側の面においてマトリクス状に配置され、電気音響変換層を形成するように、「半導体素子」の上記反対側の面に配置される駆動電極に「他方の接点からの引き出し配線」を接続する点で、本願補正案発明と共通するものである。
　また、引用発明は、「高耐圧スイッチアレイ」の「他方の接点からの引き出し配線」が「電極Ａ」と接続される方の面を「ウエハー裏面部」としているが、「Ｓｉウエハー」のいずれの面を裏面（表面）とするか、あるいは背面（前面）とするかは単なる定義の問題であって、「半導体素子」の一方の面と他方の面でそれぞれ接続されるものの位置関係が同じであれば、面の定義の違いに技術上の相違はないから、引用発明の「ウエハー裏面部」は、本願補正案発明における「半導体素子」の「前面」に対応し、引用発明の「ウエハー裏面部」と反対側の面が、本願補正案発明における「半導体素子」の「背面」に対応するものであるといえる。
　
　したがって、本願補正案発明と引用発明は、以下の点で一致し、以下の相違点を有する。
　
［一致点］
　圧電薄膜（１３１）を有する電気音響変換層（１３０）と、
　前記電気音響変換層（１３０）がその上に設けられる半導体素子（１２０）と、
を備える超音波探触子であって、
　前記電気音響変換層（１３０）は、複数の駆動電極（１３２）と、
　前記複数の駆動電極（１３２）にそれぞれ対応して設けられる振動子としての圧電薄膜（１３１）と、
　前記圧電薄膜（１３１）上に形成されるグランド電極（１３４）と、
　前記グランド電極（１３４）上に配置される音響整合層（１３５）と、を有し、
　前記半導体素子（１２０）は、前記圧電薄膜（１３１）にそれぞれ対応して設けられ、
該各圧電薄膜（１３１）への駆動電圧をオンオフする複数のスイッチ回路（１２１）を有し、 
　前記複数のスイッチ回路（１２１）の一方の接点からの各引出し配線は、前記半導体素子（１２０）背面（１２０ｂ）で接続されており、他方の接点からの引き出し配線に接続される複数の駆動電極（１３２）が前記半導体素子（１２０）前面（１２０ａ）においてマトリクス状に配置され、前記電気音響変換層（１３０）を形成するように、前記複数のスイッチ回路（１２１）を含む前記半導体素子（１２０）の前面（１２０ａ）に配置される前記駆動電極（１３２）に前記他方の接点からの引き出し配線を接続する構造を有することを特徴とする超音波探触子。
　
［相違点１］
　本願補正案発明の「電気音響変換層」が、「複数の駆動電極」同士、及びマトリクス状に配置された「複数の圧電薄膜」同士を「絶縁層」によって隔て、複数の圧電薄膜及び絶縁層上に共通にグランド電極が形成されるものであるのに対し、引用発明はそのように構成されていない点。
　
［相違点２］
　本願補正案発明は、半導体素子に接続される回路実装基板を備え、「複数のスイッチ回路（１２１）の一方の接点からの各引出し配線」が、「一本の配線に合流して前記半導体素子（１２０）背面（１２０ｂ）で前記回路実装基板（１１０）に共通化して接続されて」いるものであるのに対し、引用発明はそのような構成が明らかにされていない点。
　
　（４）相違点に対する判断
［相違点１について］
　引用発明は、高耐圧スイッチアレイのスイッチング位置を選択することにより、薄膜圧電材の電極Ａ−Ｂ間に選択的に電圧を印加するものであり、電極Ａ−Ｂ間に印加する電圧によって対応する薄膜圧電材の部位を駆動して、選択された高耐圧スイッチアレイの空間分布に応じた超音波を発生させて超音波の指向性を可変にするものである。それゆえ、それぞれの電極Ａ−Ｂで仮想的に区画される薄膜圧電材は、隣接する区画とは独立して駆動されることが当然のこととして予定されているといえる。
　引用発明は、薄膜圧電材自体がマトリクス上に配置されているものではないが、それぞれの電極Ａ−Ｂ間で仮想的に区画された領域はマトリクス上に配置され、上記したように、仮想的に区画された領域は隣接する領域と独立して駆動されている。
　一方、マトリクス上に配置された圧電材を隣接する領域と区画し、隣接する領域との独立性を高めるために圧電材間に絶縁部を設けること、及び、グランド電極を圧電材と絶縁部との双方に共通した1つの部材として設けることは、周知のことである（下記の周知例１から３を参照。）。
　
（周知例１）特開平１０−１３６４９１号公報
　周知例１には、図３とともに「圧電体１２の上面( 前面＝超音波の出力面 )に形成された共通電極１３上に音響整合層１４が形成されている。また、前記圧電体１２の下面( 背面＝超音波の出力面の反対側の面 )に形成された駆動電極１５と電気的にも接続された複数枚のＦＰＣ１１が固定され、このＦＰＣ１１の下面にバッキング材１６が固定されている。前記圧電体１２は、圧電セラミックス材により形成された振動素子１２-1と、この振動素子１２-1間に充填された樹脂部１２-2とから構成されている。」（段落【００３３】）と記載されている。
　
（周知例２）特開平０３−２７０５９９号公報
　周知例２には、第３図及び第４図とともに、「第３図および第４図において、２１は前記した基本構造と同様な構成を有する複合圧電体、２２は一次元の繋がりを有して直線状に配列された電気機械結合係数の異なる四角柱の複数の圧電体素子、２３は各圧電体素子２２の間隙に充填された三次元の繋がりを有するシリコーンゴム、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機高分子材料、２４は各圧電体素子２２の一方の端面にめっき、蒸着、焼き付は等の方法により設けられた複数列に配列されたアレイ電極、２５は、各圧電体素子２２の他方の端面に設けられた共通電極である。２６は共通電極２５側に設けられて超音波を効率良く伝搬させるための音響整合層、２７は音響整合層２６側に設けられた超音波ビームを集束するための音響レンズである。」（第３頁右上欄第１４行目〜同頁左下欄第８行目）と記載されている。
　
（周知例３）特開平０５−２２８１４２号公報
　周知例３には、図５及び図７とともに、
「図５は、本発明に係る超音波診断装置の概略構成例を示すものである。この超音波診断装置は、被検体検査用超音波を送受信させる超音波探触子１ａを有する。この超音波探触子１ａは、圧電体で形成された振動子２ａと、この振動子２ａの表面に設けられた共通の電極３ａと、裏面にマトリックス状に配列された電極４ａと、電気パルスが印加される電極４ａの組み合わせを切り替えるために振動子２ａの裏面側に配列されたスイッチ回路基板１９ａとから構成される。振動子２ａと被検体との良好な超音波の伝達を図るため、振動子２ａの表面は、共通電極３ａ側がマッチング層５ａで覆われている。」（段落【００３３】）、
「共通電極３ａは接地されており、電極４ａは、コネクター部２１ａを介してスイッチ回路基板１９ａに接続されている。」（段落【００３４】）、
「図５に示した実施例に適用した超音波探触子の例を図７に示す。共通電極３ｃと、マトリックス状に配列された電極４ｃとで振動子２ｃを挟んでいるのは第２の実施例と同様であるが、本実施例では、振動子２ｃおよびマッチング層５ｃもマトリックス状に分割して配置され、振動子２ｃの間とマッチング層５ｃの間は、充填物質２６ｃで埋められた、複合圧電体となっている。このため、振動子２ｃ間の音響的電気的クロストークが低減される。」（段落【００４０】）、
と記載されている。
　
　それゆえ、引用発明において、薄膜圧電材を絶縁層によって隔てることにより隣接する領域との独立性を高めるようにすること、複数の圧電薄膜及び絶縁層上に共通のグランド電極を形成することは、上記周知の技術を適用することによって容易に想到し得ることである。
　ここで、駆動電極が絶縁層によって隔てられることは、引用文献の図２に示される、電極Ａ、Ｂ及び薄膜圧電材からなる電気音響変換層の構造において、薄膜圧電材を絶縁層によって隔てることによってなされる当然の帰結に過ぎない。
　
［相違点２について］
　一般的に、半導体素子を使用した回路において、半導体素子を回路実装基板に接続することは技術常識であるから、引用発明においても、「Ｓｉウエハー」を回路実装基板に接続することは、当業者が普通になし得ることである。
　また、超音波探触子の複数の振動子にそれぞれ接続された複数のスイッチにおいて、振動子に接続される端子とは反対側の端子からの配線を一本に共通化して共通の回路の端子に接続することも、周知のことである（下記の周知例４及び５を参照。）。
　
（周知例４）特開昭５７−２０９０４４号公報
　周知例４には、第４図とともに、「両面に電極が付設された各振動子を一列に配設して形成された振動子アレー１３の片面は共通にされて超音波の送受信面とされ（図示されてないがこの片面は通常アースされている。）、他方の各振動子の片面は電子スイッチ群１７を形成する各スイッチを経てマルチプレクサ１８の各入力端に接続されている。このマルチプレクサ１８の各出力端は共通にされてダイナミックレンジを大きくするために入力信号を対数的に圧縮・増幅する対数増幅器１９の入力端に接続され、この対数増幅器１９の出力端は高周波信号の包絡線を取り出すための検波回路２０を経て加算機２１の一方の入力端に接続されている。」（第４頁左上欄第１２行目〜同頁右上欄第４行目）と記載されている。
　
（周知例５）特開平０３−２７７３５３号公報
　周知例５には、第１図とともに、
「前記アレイ型超音波トランスジューサ１１−１〜１１−ｎは、細い管をなすカテーテル３０の先端部であって、このカテーテル３０の円周に沿って複数配列され、これらトランスジューサから超音波を送受信する。また超音波トランスジューサ１１−１〜１１−ｎに近接して選択手段としての前記電子スイッチ１２が同じくカテーテル３０内に設けられている。電子スイッチ１２の一端は、それぞれ先記トランスジューサ１１−１〜１１−ｎに接続され、他の端子は前記信号ケーブル１３に共通接続されている。」（第３頁左上欄第２０行目〜同頁右上欄第１０行目）、
「このようにすれば、複数のトランスジューサからの受信信号を１本の信号ケーブルで伝送できることから、カテーテル内の信号線を極力少なくすることができる。」（第３頁左下欄第１５〜１８行目）、
と記載されている。
　
　そのため、引用発明の複数のスイッチ回路の一方の接点からの各引出し配線を、一本の配線に合流して回路実装基板に共通化して接続することにより、本願補正案発明の相違点２に係る発明の構成とすることも、当業者が容易に想到し得ることである。
　
　そして、これらの相違点１及び２は相互に関連した事項ではなく、また、上記各相違点を総合的に考慮しても当業者が推考し難い格別のものであるとすることはできず、また本願補正案発明の効果についてみても、引用発明及び上記周知技術から予測される程度のものにすぎず、格別顕著なものがあるともいえない。
　
　よって、本願補正案発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
　３．まとめ
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明について
　
 １．本願発明の認定 
 　平成２２年３月５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２１年９月１４日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１から３に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「振動子を有する電気音響変換層と、前記電気音響変換層がその上に設けられる半導体素子と、前記半導体素子と接続される前記回路実装基板と、を備える超音波探触子であって、
　前記電気音響変換層は、複数の駆動電極と、前記複数の駆動電極にそれぞれ対応して設けられる振動子としての複数の圧電薄膜と、前記駆動電極同士、および、前記圧電薄膜同士をそれぞれ隔てる絶縁層と、前記複数の圧電薄膜および前記絶縁層上に形成されるグランド電極と、前記グランド電極上に配置される音響整合層と、を有し、
　前記半導体素子は、前記振動子にそれぞれ対応して設けられ、該各振動子への駆動電圧をオンオフする複数のスイッチ回路を有し、
　前記複数のスイッチ回路からの各引出し配線は、一本の配線に合流して前記回路実装基板に接続されている
　ことを特徴とする超音波探触子。」
　
　２．引用文献
 　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献、及び、その記載事項は、前記第２の２−２．（２）に記載したとおりである。
　
　３．対比・判断
　本願発明は、前記第２の２．で検討した本願補正発明の「圧電薄膜」及び「複数のスイッチ回路」に関する限定事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の特定事項を全て含み、さらに他の特定事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記第２の２−２．で判断したとおり、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明は、同様の理由により、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
第４　まとめ
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用文献に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。