【事件の表示】
　特願２００６−１５９９７６「カラーフィルター基板及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　６月２１日出願公開、特開２００７−１５６４０５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年６月８日（パリ条約による優先権主張、２００５年１２月８日、韓国）の出願であって平成２１年６月１５日付けで手続補正がなされたが、同年７月１５日付けで拒絶査定がなされた。これに対し、同年１１月２４日に審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　その後、前置報告書の内容について、審判請求人の意見を求めるために平成２２年９月１６日付けで審尋がなされ、同年１１月３０日付けで、当該審尋に対する回答書が提出された。
　
第２　平成２１年１１月２４日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２１年１１月２４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１．補正後の発明
　本件補正により、本願の特許請求の範囲の請求項１は、特許請求の範囲の減縮を目的として、以下のとおりのものに補正された。
「基板上にセル領域を区画すると同時に光漏れ現象を防ぐブラックマトリクスと、
　前記ブラックマトリクスにより区画されたセル領域に形成されたカラーフィルターと、
　前記カラーフィルターにより形成された段差を補い、前記基板を平坦化させるオーバーコーティング層と、
　前記オーバーコーティング層上に形成され、液晶を充填させるためのセルギャップを維持させるスペーサと、
　前記オーバーコーティング層上に形成され、液晶分子を所定方向に配向させる配向膜と、
　前記基板の背面上にカーボンナノチューブが含まれているフォトレジストを用いたコーティング及び熱処理工程を通じて形成され、静電気の発生を防ぐ導電性薄膜と
　を備え、
　前記基板の背面は、前記配向膜を形成した後、前記導電性薄膜が形成される前にエッチングされて、
　前記オーバーコーティング層と前記スペーサは、ポリ・ディメチル・シロキサンを全面形成した後、ポリ・ディメチル・シロキサンに対してマスクを用いたフォトリソグラピ工程及びエッチング工程を通してパターニングを行うことにより、同時に形成される
　ことを特徴とするカラーフィルター基板。」（以下「本願補正発明」という。）
　
　そこで、本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか、すなわち平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するかについて以下に検討する。
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００５−３０１２８９号公報（以下「引用例１」という。）には、以下の記載がある。
（１ａ）「【０００１】
　本発明は液晶表示パネルに関し、特に、液晶表示パネルの平坦化層およびスペーサーを形成する際にフォトリソグラフィー工程を実施することなくパターニングし得る液晶表示パネルおよびその製造方法に関する。」
（１ｂ）「【０００５】
　図１は、従来のIPSモードの液晶表示パネルを示した断面図である。
　図１を参照すると、IPSモードの液晶表示パネルは裏面に静電気などを防止するための透明電極層３を有する上部基板２上に、順に形成されたブラックマトリクス４、カラーフィルター６、平坦化層７、スペーサー13、および上部配向膜８から構成される上部アレー基板(またはカラーフィルターアレー基板)と、下部基板32上に形成された薄膜トランジスター(以下、「TFT」という)、共通電極18、画素電極16および下部配向膜38から構成される下部アレー基板(または薄膜トランジスターアレー基板)と、上部アレー基板と下部アレー基板とに挟まれた内部空間に注入されている液晶(図示せず)とを備えている。
　【０００６】
　上部アレー基板において、ブラックマトリクス４は、下部基板３２のTFT領域と複数のゲートラインおよびデータライン（図示せず）が配されている領域と重なるように形成され、カラーフィルター６が形成されるセル領域を区画する。ブラックマトリクス４は、光漏れを防止すると共に外部光を吸収してコントラストを高める役割をする。カラーフィルター６は、ブラックマトリクス４により分離されたセル領域に形成される。このカラーフィルター６は、R，G，B別に形成されてR，G，B色相を具現する。平坦化層７は、カラーフィルターを覆うように形成されて上部基板２を平坦化する。スペーサー13は上部基板２と下部基板32との間にセルギャップを維持する役割をする。
　【０００７】
　下部アレー基板において、TFTは、ゲートライン(図示せず)と共に下部基板32上に形成されるゲート電極９と、このゲート電極９とゲート絶縁膜44との上に重なる半導体層14，47と、この半導体層14，47の上に更に重なるデータライン(図示せず)と共に形成されるソース／ドレーン電極40，42とを備えている。このようなTFTは、ゲートラインからのスキャン信号に応答してデータラインから画素信号を画素電極16に供給する。画素電極16は、光透過率が高い透明伝導性物質からなる保護膜50を介してTFTのドレーン電極42と接触する。共通電極18は画素電極16と交差するようにストライプ形態に形成される。また、共通電極18は液晶駆動時に基準となる共通電圧を供給する。この共通電圧と画素電極16に供給される画素電圧との水平電界により液晶は水平方向を基準として回転する。
　【０００８】
　液晶配向のための上／下部配向膜8，38は、ポリイミドなどの配向物質を塗布した後にラビング工程を行うことにより形成される。
　【０００９】
　図２a〜図２fは、従来の液晶表示パネルの上部アレー基板の製造方法を段階的に示した断面図である。
　【００１０】
　先ず、スパッタリングなどの蒸着方法により上部基板２の背面に透明導電層３が形成される。次に、上部基板２の全面に不透明樹脂が塗布された後、第1マスクを利用したフォトリソグラフィー工程と蝕刻工程によってパターニングされることにより、図２aに示したように、ブラックマトリクス４が形成される。ここで、ブラックマトリクス４を構成する物質としてクロームCrなどが利用される。
　【００１１】
　ブラックマトリクス４が形成された上部基板２上に赤色樹脂が蒸着された後、第2マスクを利用したフォトリソグラフィー工程と蝕刻工程によって赤色樹脂がパターニングされることにより、図２bに示したように、赤色カラーフィルターRが形成される。
　【００１２】
　赤色カラーフィルターRが形成された上部基板２上に緑色樹脂が蒸着された後、第3マスクを利用したフォトリソグラフィー工程と蝕刻工程によって緑色樹脂がパターニングされることにより、図２cに示したように、緑色カラーフィルターGが形成される。緑色カラーフィルターGが形成された上部基板２上に青色樹脂が蒸着された後、第4マスクを利用したフォトリソグラフィー工程と蝕刻工程によって青色樹脂がパターニングされることにより
、図２dに示したように、青色カラーフィルターBが形成されることにより赤・緑・青色のカラーフィルター６が形成される。
　【００１３】
　赤・緑・青色のカラーフィルター６が形成された上部基板２上に有機物質が全面蒸着されることにより、図２eに示したように、平坦化層７が形成される。平坦化層７は、不透明樹脂で形成されたブラックマトリクス４の段差に起因して発生するディスクリネーション(Disclination)現象を防止するものである。
　【００１４】
　平坦化層７が形成された上部基板２上にスペーサー物質が蒸着された後、第5マスクを利用したフォトリソグラフィー工程と蝕刻工程によってスペーサー物質がパターニングされることにより、図２fに示したようにスペーサー13が形成される。」
（１ｃ）「【００３８】
　図３は、本発明によるIPSモードの液晶表示パネルを示した断面図である。
　図３に図示したIPSモードの液晶表示パネルは、裏面に静電気などを防止するための透明電極層103がある上部基板102上に、順に形成されたブラックマトリクス104、カラーフィルター106、平坦化層107、スペーサー113、および上部配向膜108から構成される上部アレー基板(またはカラーフィルターアレー基板)と、下部基板132上に形成されたTFT、共通電極118、画素電極116および下部配向膜138から構成される下部アレー基板(または薄膜トランジスターアレー基板)と、上部アレー基板と下部アレー基板とに挟まれた空間内に注入される液晶(図示せず)とを備えている。
　【００３９】
　上部アレー基板において、ブラックマトリクス104は、下部基板132のTFT領域と複数のゲートラインおよびデータラインが配されている領域と重なるように形成され、カラーフィルター106が形成されるセル領域を区画する。ブラックマトリクス104は、光漏れを防止すると共に外部光を吸収してコントラストを高める役割をする。カラーフィルター106は、ブラックマトリクス104により分離されたセル領域に形成され、R，G，B別に形成されて液晶駆動時に多様な色相を具現する。
　【００４０】
　平坦化層107は、カラーフィルター106を覆うように形成されて上部基板102を平坦化する。スペーサー113は、上部基板102と下部基板132との間にセルギャップを維持する役割をする。
　【００４１】
　このような平坦化層107およびスペーサー113は、ソフトモールド(図示せず)を利用した加圧成型方式により同時に形成される。ここで、平坦化層107およびスペーサー113物質としては、熱または光により硬化可能な液状高分子前駆体が利用される。」
　
　これらの記載を含む引用例１全体の記載及び当業者の技術常識を総合的に勘案すれば、引用例１には、
「裏面に静電気などを防止するための透明電極層（３）を有する上部基板（２）上に、順に形成されたブラックマトリクス（４）、カラーフィルター（６）、平坦化層（７）、スペーサー（13）、および上部配向膜（８）から構成されるカラーフィルターアレー基板。」
（以下「引用例発明」という。）が記載されていると認められる。
　
３．対比
　本願補正発明と引用例発明とを比較する。
　引用例発明の「静電気などを防止するための透明電極層」、「上部基板」、「平坦化層」、「スペーサー」及び「上部配向膜」は、それぞれ、本願補正発明の「静電気の発生を防ぐ導電性薄膜」、「基板」、「オーバーコーティング層」、「スペーサ」及び「配向膜」に相当する。
　また、当該技術分野において、ブラックマトリクスがセル領域を区画すると同時に光漏れ現象を防ぐこと、カラーフィルターがブラックマトリクスにより区画されたセル領域に形成されること、及び、オーバーコーティング層がカラーフィルターにより形成された段差を補い、前記基板を平坦化させること、はいずれも、技術常識である。（上記摘記事項（１ｂ）参照）
　
　したがって両者は、
「基板上にセル領域を区画すると同時に光漏れ現象を防ぐブラックマトリクスと、
　前記ブラックマトリクスにより区画されたセル領域に形成されたカラーフィルターと、
　前記カラーフィルターにより形成された段差を補い、前記基板を平坦化させるオーバーコーティング層と、
　前記オーバーコーティング層上に形成され、液晶を充填させるためのセルギャップを維持させるスペーサと、
　前記オーバーコーティング層上に形成され、液晶分子を所定方向に配向させる配向膜と、
　前記基板の背面上の静電気の発生を防ぐ導電性薄膜と
　を備えるカラーフィルター基板。」
の点で一致し、以下の各点で相違している。
　
（相違点１）
　導電性薄膜が、本願補正発明では、カーボンナノチューブが含まれているフォトレジストを用いたコーティング及び熱処理工程を通じて形成されているのに対して、引用例発明では、その構造が特定されていない点。
（相違点２）
　基板の背面が、本願補正発明ではエッチングされているのに対して、引用例発明ではエッチングされていない点。
（相違点３）
　本願補正発明では、オーバーコーティング層とスペーサは、ポリ・ディメチル・シロキサンをマスクを用いたフォトリソグラピ工程及びエッチング工程を通したパターニングにより同時に形成されたものであるのに対して、引用例発明では、そのような特定事項を有していない点。
　
４．判断
（相違点１）について
　静電気の発生を防ぐための導電性薄膜として、カーボンナノチューブが含まれているフォトレジストを用いたコーティング及び熱処理工程を通じて形成されたものは、周知のものである（原査定の拒絶の理由に引用された、特開２００５−２４８９３号公報参照）。
　引用例発明の導電性薄膜として、当該周知のものを用いることにより、相違点１に係る構成を採用することに、格別の困難性はない。
（相違点２）について
　ガラス等の基板に種々の材料を積層する構造の表示素子において、素子の軽量・薄型化を目的として基板のエッチングを行うことは、周知の技術である（原査定の拒絶の理由に引用された、特開２００５−２２２９３０号公報参照）。
　引用例発明に当該周知技術を適用し、相違点２に係る構成を採用することは、その必要に応じて、当業者が適宜成しうる事項である。
　なお、本願補正発明は、相違点２に関連して、「配向膜を形成した後、前記導電性薄膜が形成される前にエッチングされ」るという事項を有しているが、本願補正発明が「もの」の発明であり、しかも、基板をエッチングしようとすれば、導電性薄膜が形成される前に行うべきことは、当業者であれば、当然考慮すべき事項であるから、上記事項に、格別の技術的意味は認められない。（引用例発明においても、基板をエッチングしようとすれば、当然考慮すべき事項である。）
（相違点３）について
　スペーサとして、ポリ・シロキサン系のポリマー化合物に対してマスクを用いたフォトリソグラピ工程及びエッチング工程を通したパターニングにより構成されたものを用いることは、ごく普通に行われている周知技術（必要なら特開２００１−１３５０６号公報、特開２００１−３０５５５１号公報参照）である。
　また、スペーサーとオーバーコーティング層を同一の材料で構成することにより、同時に形成されたものとすることもごく普通に行われている技術（上記摘記事項（１ｃ）の段落【００４１】、特開２０００−２０６５３９号公報の段落【００３２】参照）である。
　してみると、引用例発明にこれらの周知技術を適用することにより、相違点３に係る構成を採用することは、当業者が容易になし得る事項である。
　
　また、本願補正発明の作用・効果も、引用例発明及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　
１．本願発明
　平成２１年１１月２４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成２１年６月１５日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「基板上にセル領域を区画すると同時に光漏れ現象を防ぐブラックマトリクスと、
　前記ブラックマトリクスにより区画されたセル領域に形成されたカラーフィルターと、
　前記カラーフィルターにより形成された段差を補い、前記基板を平坦化させるオーバーコーティング層と、
　前記オーバーコーティング層上に形成され、液晶分子を所定方向に配向させる配向膜と、
　前記基板の背面上に形成され、静電気の発生を防ぐ導電性薄膜と
　を備え、
　前記導電性薄膜は電導性物質が含まれているフォトレジストで形成され、
　前記基板の背面は、前記導電性薄膜が形成される前にエッチングされる
　ことを特徴とするカラーフィルター基板。」
（以下「本願発明」という。）
　
２．引用例
　（１）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１、及び、その記載事項は、前記「第２」の「２．」に記載したとおりである。
　
（２）引用例２
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１１−２７８８６９号公報（以下「引用例２」という。）には、以下の記載がある。
（２ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パターン化された透明導電膜およびその製造方法に関するものであり、特に優れた透明性と高い導電性とを兼ね備えたパターン化された透明導電膜およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＰＤＰ、ＬＣＤ、ＥＬ、タッチパネル等の透明電極、あるいは、帯電防止膜、電磁波シールド、熱線反射ガラス等に使用されるパターン化された透明導電膜形成材料として、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）材料が知られており、また、パターン化された透明導電膜の製造方法として真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、塗布法等が知られている。」
（２ｂ）「【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を具体的に説明する。ただし、この実施の形態は、本発明をより良く理解させるため具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、発明内容を限定するものではない。
【００１３】この実施の形態における透明導電膜は、酸化インジウムに対してＳｎ（錫）と、Ｗ（タングステン），Ｃｒ（クローム），Ｍｏ（モリブデン）のうち少なくとも１種以上の元素とがドープされているパターン化された透明導電膜を形成したものであり、Ｗ，Ｃｒ，Ｍｏのうち少なくとも１種以上の元素のドーパントの作用で、キャリア電子濃度を高めるとともに、熱分解時にＩＴＯ粒子の粒成長及び結晶化が促進され、従来のパターン化されたＩＴＯ系透明導電膜に比べ、透明性を損なわずに導電性の向上を図ることができる。
【００１４】透明導電膜形成材料となる酸化インジウムへのドーパントの含有量は、ＳｎがＩｎ（インジウム）に対して 2〜 25 モル％、好ましくは 5〜 13 モル％、また、Ｗ，Ｃｒ，Ｍｏのうち少なくとも１種以上の元素の含有量は、Ｉｎに対して 0.005〜 0.3モル％、好ましくは 0.01 〜 0.03 モル％含有させるのが好ましい。
【００１５】パターン化された透明導電膜の製造方法としては、一般に知られている成膜方法を用いて製造することができるが、特に、酸エッチングを行わず安全で、工程数が少なく、微細なパターンを形成できる次のような製造方法が好ましい。
【００１６】例えば、インジウム化合物と、錫化合物と、Ｗ，Ｃｒ，Ｍｏのうち少なくとも１種以上を含む化合物と、感光性樹脂とを含有する塗布液を用いて形成し、この塗布液を基板上に塗布、乾燥した後、乾燥させた塗布膜に所定パターンとなるように可視光及び／又は紫外線を照射し、現像してパターニングを行い、パターニング後に焼成してパターン化された透明導電膜を得る。
【００１７】感光性樹脂としては、可視光および／または紫外線に対して、硬化型、架橋型、崩壊型のものを使用することができる。前記感光性樹脂として紫外線硬化樹脂を含有する塗布液を用いた場合には、この塗布液を基板上に塗布して乾燥した後、該塗布膜上にフォトマスクを設置し、紫外線を照射し、現像してパターニングを行い、次いで、焼成してパターン化された透明導電膜を得る。」
　
３．対比・判断
　本願発明と引用例発明（上記「第２」の「２．」参照）を比較する。
　引用例発明の「静電気などを防止するための透明電極層」、「上部基板」、「平坦化層」及び「上部配向膜」は、それぞれ、本願発明の「静電気の発生を防ぐ導電性薄膜」、「基板」、「オーバーコーティング層」及び「配向膜」に相当する。
　また、当該技術分野において、ブラックマトリクスがセル領域を区画すると同時に光漏れ現象を防ぐこと、カラーフィルターがブラックマトリクスにより区画されたセル領域に形成されること、及び、オーバーコーティング層がカラーフィルターにより形成された段差を補い、前記基板を平坦化させること、はいずれも、技術常識である。
　
　したがって両者は、
「基板上にセル領域を区画すると同時に光漏れ現象を防ぐブラックマトリクスと、
　前記ブラックマトリクスにより区画されたセル領域に形成されたカラーフィルターと、
　前記カラーフィルターにより形成された段差を補い、前記基板を平坦化させるオーバーコーティング層と、
　前記オーバーコーティング層上に形成され、液晶分子を所定方向に配向させる配向膜と、
　前記基板の背面上に形成され、静電気の発生を防ぐ導電性薄膜と
　を備えたカラーフィルター基板。」
の点で一致し、以下の各点で相違している。
　
（相違点１）
　導電性薄膜が、本願発明では、電導性物質が含まれているフォトレジストで形成されているのに対して、引用例発明では、その構造が特定されていない点。
（相違点２）
　基板の背面が、本願発明ではエッチングされているのに対して、引用例発明ではエッチングされていない点。
　
４．判断
（相違点１）について
　静電気の発生を防ぐための導電性薄膜として、電導性物質が含まれているフォトレジストで形成されたものは、引用例２に記載されている。
　本願発明の導電性薄膜も、引用例発明のそれも、ともに静電気の発生を防ぐためのものであるから、引用例発明の導電性薄膜として引用例２に記載のものを用いることにより、相違点１に係る構成を採用することに、格別の困難性はない。
（相違点２）について
　上記、「第２」の「４．（相違点２）について」で検討したとおり、引用例発明に、周知技術を適用し、相違点２に係る構成を採用することは、その必要に応じて、当業者が適宜決定しうる事項である。
　
　また、本願発明の作用・効果も、引用例発明及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。