【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年2月4日(2011.2.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも、単位面積当たりのエネルギーで示した第１のアブレーション閾値を持つ物質から成る第１の層、および、単位面積当たりのエネルギーで示した第２のアブレーション閾値を持つ材料から成る第２の層を含む積層加工物にビアを開けるスループットを増加させる方法であって、
４００ｎｍよりも短い波長のガウス放射束密度プロフィールと、第１のガウスレーザエネルギーと、を有する第１のガウスレーザ出力を生成するステップと、
回折光学素子を通る光路に沿って前記第１のガウスレーザ出力を伝搬し、前記第１のガウスレーザ出力を第１のより均一な整形出力へ変換するステップと、
前記第１の均一な整形出力の大部分を開口部を通って伝搬させ、
前記第１のガウスレーザ出力の前記第１のガウスレーザエネルギーの５０％よりも高い第１のアパーチャード整形エネルギーを有する第１のアパーチャード整形出力に変換するステップと、
前記第１のアパーチャード整形出力を１つまたは複数の結像レンズコンポーネントを通って伝搬させ、第１の結像した整形出力を供給するステップと、
前記第１の結像した整形出力を前記積層加工物上の目標位置に照射し、この目標位置内の第１の層の物質を除去するステップとを含み、
前記第１の結像した整形出力は、第１のスポットエリア上で第１のエネルギー密度を有し、前記第１のエネルギー密度は、ビアを形成するための前記第１のアブレーション閾値よりも高く、前記第２のアブレーション閾値未満である方法。
【請求項２】  請求項１に記載の方法において、
前記ビアが、
最小直径ｄｍｉｎ、最大直径ｄｍａｘ、および、円形度＝ｄｍｉｎ／ｄｍａｘである場合に０．９よりも大きい円形度を有する、
ことを特徴とする方法。
【請求項３】   請求項１に記載の方法において、
前記ビアが、
底面直径ｄｂ、上面直径ｄｔ、および、テーパ比＝ｄｂ／ｄｔである場合に０．５よりも大きいテーパ比を有する、
ことを特徴とする方法。
【請求項４】  請求項１に記載の方法において、
前記ビアが０．７５よりも大きいテーパ比を有する、
ことを特徴とする方法。
【請求項５】  請求項１に記載の方法において、
前記第１のアパーチャード整形エネルギーが、前記第１のガウスエネルギーの６５％よりも大きい、
ことを特徴とする方法。
【請求項６】  請求項１に記載の方法において、
前記第１の結像させた整形エネルギーが、前記第１のガウスレーザエネルギーの４５％よりも大きい、
ことを特徴とする方法。
【請求項７】  請求項１に記載の方法において、
前記第１のエネルギー密度が、約２Ｊ／ｃｍ２以下である、
ことを特徴とする方法。
【請求項８】   請求項１に記載の方法において、
前記波長が、約３５５ｎｍ或いは約２６６ｎｍである、
ことを特徴とする方法。
【請求項９】  請求項１に記載の方法において、
前記第１の層の物質が誘電体を含み、前記第２の層の物質が金属を含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項１０】  請求項９に記載の方法において、
前記誘電体が有機誘電体を含み、前記金属が銅を含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項１１】  請求項１０に記載の方法において、
前記有機誘電体が無機の補強物質を含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項１２】  請求項１に記載の方法において、
前記第１の層の物質をパンチングによって除去するステップをも含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項１３】  請求項１に記載の方法において、
前記第１の層の物質を非パンチングによって除去するステップをも含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項１４】  請求項１に記載の方法において、前記第１の層の物質を、第２の層の物質から成る２つの層の間に設け、さらに、前記方法は、第１のガウスレーザ出力を生成するステップの前に、
波長が４００ｎｍよりも短いガウス放射束密度プロフィールと、第２のガウスレーザエネルギーとを有する第２のガウスレーザ出力を生成するステップと、
前記回折光学素子を通る前記光路に沿って前記第２のガウスレーザ出力を伝搬し、この第２のガウスレーザ出力を第２のより均一な整形出力に変換するステップと、
前記開口部を通って前記第２の均一な整形出力の大部分を伝搬し、前記第２の均一な整形出力を前記第２のガウスレーザ出力の前記第２のガウスレーザエネルギーの５０％よりも大きい第２のアパーチャード整形エネルギーを有する第２のアパーチャード整形出力に変換するステップと、
前記第２のアパーチャード整形出力を１つまたは複数の結像レンズコンポーネントを通
して伝搬し、第２の結像させた整形出力を供給するステップと、
前記第２の結像させた整形出力を前記加工物の前記目標位置に照射し、この目標位置内の第２の層の物質を除去するステップとを含み、
前記第２の結像させた整形出力は、前記スポットエリア上で第２のエネルギー密度を有し、前記第２のエネルギー密度は、前記第２のアブレーション閾値よりも高いことを特徴とする方法。
【請求項１５】  請求項１４に記載の方法において、
前記第２のエネルギー密度が、約２Ｊ／ｃｍ２以下である、
ことを特徴とする方法。
【請求項１６】  請求項１４に記載の方法において、
第２の繰り返しパルス周波数で、前記第２のガウスレーザ出力を生成するステップと、
前記第２の繰り返しパルス周波数よりも高い第１の繰り返しパルス周波数で、前記第１のガウスレーザ出力を生成するステップと、
をも含むことを特徴とする方法。
【請求項１７】  請求項１４に記載の方法において、
前記第２および第１の結像させた整形出力を順次に第１の目標位置へ方向付け、第１のビアを形成するステップと、
前記第２および第１の結像させた整形出力を順次に第２の目標位置へ方向付け、第２のビアを形成するステップと、
をも含むことを特徴とする方法。
【請求項１８】  請求項１４に記載の方法において、
前記第２の層の物質を非パンチングによって除去するステップと、
前記第１の層の物質をパンチングによって除去するステップと、
をも含むことを特徴とする方法。
【請求項１９】  請求項１４に記載の方法において、
前記第２および第２の層の物質を非パンチングによって除去するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項２０】  請求項１４に記載の方法において、
前記第１および第２のガウスエネルギーが異なる、
ことを特徴とする方法。
【請求項２１】  請求項１に記載の方法において、
前記第１の物質の層を、第２の層の物質から成る２つの層の間に設け、
さらに、前記方法は、第１のガウスレーザ出力を生成するステップの前に、
波長が４００ｎｍよりも短いガウス放射束密度プロフィールと、第２のガウスエネルギーと、を有する第２のガウスレーザ出力を生成するステップと、
前記回折光学素子および前記開口部とを回避する第２の光路に沿って前記第２のガウスレーザ出力を伝搬するステップと、
前記スポットエリア上で、前記第２のアブレーション閾値よりも高い第２のエネルギー密度を有する前記第２のガウスレーザを、前記加工物の前記目標位置に照射し、この目標位置内の第２の層の物質を除去するステップと、
前記第２の光路から前記光路へ変更して、結像させた整形出力を供給するステップと、
をも含むことを特徴とする方法。
【請求項２２】  請求項１〜２１に係る方法を実行するレーザシステムであって、
光路に沿ってガウスエネルギーを有する紫外線ガウスレーザ出力を生成するダイオード
ポンプ固体レーザと、
前記光路に沿って置かれ、前期ガウスレーザ出力を、中央で高くかつ均一な放射束密度
プロフィール、および、外側で低い強度の放射束密度プロフィールを持つ整形出力に変換
する回折光学素子と、
前記光路に沿って置かれ、前記整形出力の放射束密度の大部分を除去し、かつ、前記ガウスレーザエネルギーの少なくとも５０％を自己を通って通過させてアパーチャード整形エネルギーを持つアパーチャード整形出力を生成する開口部と、
前記アパーチャード整形出力を結像した整形出力へ変換する１つまたは複数の結像レンズコンポーネントと、
前記結像した整形出力を加工物の目標位置へ方向づけ、ビアを形成する位置決めシステ
ムと、
を含むシステム。
【請求項２３】  請求項２２に記載のシステムにおいて、前記ビーム整形コンポーネントが、第１の回折光学素子であり、前記開口部が、第１のサイズを持つ第１の開口部であり、
前記第１の回折光学素子および前記第１の開口部が、協力して、均一な第１のエネルギー密度を前記加工物の第１のスポットエリア上に生成する、
ことを特徴とするシステム。
【請求項２４】  請求項２３に記載のシステムにおいて、
前記第１の回折光学素子および前記第１の開口部が可動であり、協力して前記加工物の第２のスポットエリア上の均一な第２のエネルギー密度を決定する第２の回折光学素子および第２の開口部に交換されることが可能である、
ことを特徴とするシステム。
【請求項２５】  請求項２３に記載のシステムにおいて、
前記第１の回折光学素子および前記第１の開口部を収容する第１の取り外し可能な結像光学レールをも含み、
前記第１の取り外し可能な結像光学レールは、協力して前記加工物の前記目標位置の第２のスポットエリア上の均一な第２のエネルギー密度を決定する第２の回折光学素子および第２の開口部を持つ第２の結像光学レールに置き換えられることが可能である、
ことを特徴とするシステム。
【請求項２６】  請求項２２に記載のシステムにおいて、
前記回折光学素子および前記開口部を収容する、取り外し可能な結像光学レールをも含み、
前記取り外し可能な結像光学レールの取り外しは、前記ガウスレーザ出力が前記加工物の前記目標位置に衝突させることを可能にする、
ことを特徴とするシステム。
【請求項２７】  請求項２２に記載のシステムにおいて、
前記光路に沿って、前記開口部と前記加工物との間に置かれる可変ビーム拡大器をも含む、
ことを特徴とするシステム。
【請求項２８】  請求項２２に記載のシステムにおいて、
前記ガウスレーザ出力の繰り返しレートを変化させるためのＱスイッチの制御を変え、前記ガウスレーザ出力を第２のパルスエネルギーを持つ第２のガウスレーザ出力に変換する可変制御機器をも含むことを特徴とするシステム。
【請求項２９】  請求項２７に記載のレーザシステムにおいて、
前記レーザシステムが、同じプロセスを実行する、少なくとも２つのほぼ同様のレーザシステムの１つを形成し、
前記レーザシステムが、意図しない性能差異を持つ各回折光学素子と各レーザとを持ち、
前記レーザシステムの少なくとも１つの前記可変ビーム拡大器が、前記レーザ間、或いは、前記回折光学素子間における意図しない性能差異を補償するのに使用される、
ことを特徴とするレーザシステム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
レーザとして本明細書では、図１に図示するような自然（natural）ガウス放射束密度プロフィール（形状）１０を生成する紫外線（ＵＶ）ダイオードポンプ（DP）固体（SS）ＴＥＭ００レーザ（横単一モード）を説明するがこれは例示に過ぎず、この説明は、ガウス出力を生成するほとんどのレーザに該当するものである。何らかのレーザ特にＵＶＤＰＳＳレーザを用いて特定の物質を除去することは、ワークピース、即ち加工物に対して目的物質のアブレーション閾値を越える流束量（フルーエンス）或いはエネルギー密度（典型的にはＪ／ｃｍ２の単位で測定される）を与えることが条件である。原ガウスビームのレーザスポットは、対物レンズを用いて焦点を結ぶことによってかなり小さく（典型的には１／ｅ２の直径の地点で１０〜１５μｍのオーダで）形成することができる。従って、小さく焦点を結んだスポットの流束量は、一般的な電子パッケージング材料、特に、金属導電層に典型的に使用される銅のアブレーション閾値を容易に超える。ＵＶＤＰＳＳレーザは、生（raw）即ち整形されていないまま使用され、焦点を結んだビーム構成のときには、電子パッケージング加工物の１つまたは複数の銅の層を貫通するビアを開けるための優秀な解決策である。焦点を結んだスポットは、典型的には所望のビアのサイズ未満であるため、焦点を結んだスポットは、螺旋状、同心円状、或いは「トレパン（trepan）即ち穿孔機」パターン状に移動し、十分な物質を除去して所望のビアのサイズを得る。このアプローチは、生の焦点を結んだビームを用いるスパイラリング（螺旋化）、或いはトレパニング（trepanning）と称する。スパイラリング、トレパニング、および同心円プロセスを便宜上「非パンチング(non-punching)」と称する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
結像させたスポットでビアを開けるとき、レーザビームは、十分な量の物質が除去されるまで単にビアサイトに多数のパルスにわたって留まる。「パンチング」と称するこの穴開け方法は、生の焦点を結んだビームを用いるトレパニングやスパイラリングをするときに生じてしまうレーザスポットのビア内部における極めて緻密かつ高速の運動を除去する。従って、ビア内部の運動に関連する複雑な小さな輻射線、湾曲した経路、結果として伴う高い加速を減少させるため、クリップドガウスビームを用いてビアを開けることは、高速ビームポジショナー（位置決め器）に課された要件を減少させる。最適化されるべきプロセスパラメータがわずかしかないため、プロセスの開発は投影結像を用いることによって、より容易となる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６７】
結像した整形出力１１８の利点にもかかわらず、投影結像は、焦点を結んだ生ガウスビームの除去した部分で典型的にカバーされる領域よりも広い領域の上に、それぞれの結像した整形出力１１８において利用可能なエネルギーを分散させることがある。結果として、ＵＶ ＤＰＳＳレーザ５２は、レーザスポットが加工物の物質に対する単位面積当たりのエネルギーで示したアブレーション閾値を越える場所の金属層２４と２８との厚さやサイズに対してパルスあたりのエネルギーの限界を持つ。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７３】
層２６の有機、或いは無機の誘電体を加工処理に関して、これらの物質は、典型的にはかなり低いアブレーション閾値を持ち、これらは、最も大きい所望のビア直径に至るまで投影結像装置で容易に除去される。しかしながら、約１５０〜２００μｍさらにはそれ以上のビアの大きなビアサイズの場合は、個々の物質の特性に依存するが、ビアの直径の上の結像した整形出力１１８のエネルギー分散は、スルプットが悪影響を受けるような値まで減少する。理由はそれぞれのレーザシステムパルス１１４が少ししか物質を除去しないからである。