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　特願２００３−１０９４４８「帯域引上した半導体材料からなるドープされた半導体ウェハ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１１月　６日出願公開、特開２００３−３１３０８７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１５年４月１４日（パリ条約による優先権主張　２００２年４月１５日　（ＤＥ）ドイツ連邦共和国）の出願であって、平成１８年１０月１２日付けで拒絶理由の通知がなされ、平成１９年３月２６日付けで意見書及び手続補正書の提出がなされ、同年６月５日付けで拒絶査定がなされたものであって、これに対し、同年９月５日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、その後、当審から平成２２年３月１０日付けで拒絶理由が通知され、同年６月１６日付けで意見書が提出されたものである。
　本願の請求項１〜６に係る発明（以下、「本願発明１〜６」という。）は、平成１９年３月２６日付けで提出された手続補正書により補正された本願明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められる。
　
「【請求項１】　単結晶の帯域引上及び単結晶の切り分けによりドープされた半導体ウェハを製造するにあたり、帯域引上時に誘導コイルにより生じた融液にドーパントをドープし、この融液を少なくとも１つの回転する磁場にさらし、硬化させ、かつ融液の硬化時に生じる単結晶を回転させ、この単結晶と磁場とは反対方向に回転させ、前記磁場は４００〜７００Ｈｚの周波数を有し、かつ前記融液をさらに別の回転する磁場にさらし、前記磁場は１００Ｈｚを下回る周波数を有する、ドープされた半導体ウェハの製造方法。
【請求項２】　磁場は１〜２０ｍＴの範囲内の強度を有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】　単結晶は少なくとも１ｒｐｍの速度で回転させる、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】　磁場を６極のマグネットシステムで作り出す、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】　回転する磁場とさらに別の回転する磁場とを同一方向に回転させる、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】　回転する磁場とさらに別の回転する磁場とを反対方向に回転させる、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。」
　
２．当審からの拒絶理由の概要
　当審から平成２２年３月１０日付けで通知した、拒絶理由の概要は次のとおりである。
（２−１）本願発明１〜６に係る半導体ウェハの製造方法を実施しようとすれば、過度の試行錯誤が必要となるといわざるを得ないから、発明の詳細な説明の記載は、当業者が本願発明１〜６を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものということはできず、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
（２−２）本願明細書の発明の詳細な説明には、本願発明１〜６の課題が達成し得ると当業者が認識し得る程度の記載ないし示唆があるということはできず、また、その記載や示唆がなくとも、当業者が出願時の技術常識に照らし本願発明１〜６の上記課題が達成し得ると認識できる、とまでいうこともできないから、本願明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６の記載が、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
３．当審の判断
（３−１）特許法第３６条第４項第１号に規定する要件について
（１）本願明細書には、以下の記載がある。
（ア）「【発明の属する技術分野】本発明は帯域引上した半導体材料からなるドープされた半導体ウェハ及び前記半導体ウェハの製造方法に関する。」（段落【０００１】）
（イ）「【従来の技術】
・・・・・・
帯域引上時に回転する磁場を適用することは、例えばＤＤ−２６３３１０Ａ１に記載されている。しかしながら、この文献で提案された方法は拡散境界層の厚さの単一化を目的としているが、本発明は、融液に添加されるドーパントのできる限り均質な分布及び成長縞の減少を達成するという課題を解決する。均質なドーパント分布は、狭い、半径方向での巨視的な抵抗分布で示される。
・・・・・・
今までは、ドーパント分布の均質化及びそれによる半径方向抵抗変化の減少を、結晶回転を変化させることにより、誘導コイルを結晶軸に対して相対的にずらすことにより及び誘導コイルの形状を変えることにより達成しようと試みていた。これらの手段の欠点は、転位率の上昇及びプロセス安定性の低下を引き起こすことであった。」（段落【０００２】〜【０００６】）
（ウ）「【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の課題は前記の欠点を解決することである。」（段落【０００９】）
（エ）「【課題を解決するための手段】
・・・・・・
さらに、本発明の対象は、単結晶の帯域引上及び単結晶の切り分けによりドープされた半導体ウェハを製造するにあたり、帯域引上時に誘導コイルにより生じた融液にドーパントをドープし、かつこの融液を少なくとも１つの回転する磁場にさらしかつ硬化させ、融液の硬化時に生じる単結晶を回転させ、この単結晶と磁場とは逆向きの回転方向で回転させ、磁場は４００〜７００Ｈｚの周波数を有する、ドープされた半導体ウェハの製造方法である。
選択された周波数領域は重要である、それというのもこの領域内でマグネットシステムの制御のために必要な出力は低く、かつ同時に本発明の範囲内での融液の流れは最良に影響されるためである。」（段落【００１０】〜【００１２】）
（オ）「図１に示した装置は単結晶４を有し、この単結晶４は融液部３を介して多結晶原料棒１と結合している。この融液部は誘導コイル２によって作り出される。単結晶の沈下時に融液の一部が硬化し、その際に単結晶の体積が増加する。同時に誘導コイルは、原料棒の材料を溶融させ、このようにして融液部の体積を増加させる。本発明の場合に、マグネットシステム５は少なくとも３つの極又はその倍数の極を備えており、例えば、３極のステータを備えた三相交流電気モータの場合、単結晶の回転方向とは反対に回転する磁場が生じる。このマグネットシステムは有利に熱照射に対して遮断されておりかつ水冷されている。同様に、磁場の強度は電位差計を用いて０〜１００％に可変であるのが有利である。図１には磁場の磁力線６を矢印で示した。」（段落【００１５】）
（カ）「回転する磁場を本発明の場合に適用することにより、２対流構造は流動特性が変更された１対流構造に変換される。このような１対流構造３０は図４に示されている。この融液は、この流動が中心部で上方に向かう、つまり原料棒に向かう１つの領域を形成するだけである。ドーパントは周辺領域から中心部へ搬送されるため、融液中のドーパントは均質化される。」（段落【００１８】）
（キ）「磁場の最適な強度は他のプロセスパラメータ、例えば磁場の周波数、単結晶の直径及び回転速度、引上速度及び使用した誘導コイルの形状に依存する。従って、このプロセスパラメータは試験によって調査しなければならない。試験の結果、この方法は、少なくとも３″（７６．２ｍｍ）の直径を有するシリコン単結晶の引き下げに使用するのが有利であることが判明し、その際、回転する磁場の強度は１〜２０ｍＴの範囲内、特に有利に１〜２．５ｍＴの範囲内であり、回転する磁場の周波数は４００〜７００Ｈｚ、特に有利に４５０〜６５０Ｈｚの範囲内にある。７００Ｈｚより高くでは力の作用は飽和する、それというのも融液内への侵入深度は、融液の丸い先端部の高さよりも明らかに少ないためである。さらに、必然的に高い電圧を使用するため技術的問題も多くなる。４００Ｈｚより下では、力の作用は少なすぎ、十分な工業的費用で望ましい効果を達成できない。」（段落【００２１】）
（ク）「異なる周波数及び強度を有する２つの回転する磁場を同時に適用することにより、融液の混合及びドーパントの半径方向での均質化をなお改善することができる。異なる周波数を有する磁場は融液内への異なる侵入深度を示し、従って異なる融液領域に作用する。これらの磁場の回転方向は同一方向であるか又は反対方向である。
外側の融液領域に作用する第１の周波数は上記したように４００〜７００Ｈｚ、特に５００Ｈｚであるのが有利であり、内側の融液領域に作用する第２の周波数は、１００Ｈｚを下回り、有利に５０Ｈｚであるのが有利である。」（段落【００２３】〜【００２４】）
（ケ）「【実施例】直径４インチのシリコン単結晶をＦＺ法で成長させた。単結晶の一部は本発明による回転する磁場を適用しながら成長させ、他の部分は磁場を使用しなかった。引き続き単結晶から切り分けたシリコンウェハをドーパントの分布に関して試験した。図５は、本発明により回転する磁場を用いて成長させたＦＺ−単結晶から製造したシリコンウェハの場合の抵抗のばらつき及びプロフィール状況を表す。図６ａ／ｂは広がり抵抗値の測定値を比較して示したグラフである。図６ａは本発明による回転する磁場を用いて成長させた材料についての値を示し、図６ｂは回転する磁場を適用しない材料についての値を示す。」（段落【００２５】）
　
（２）本願明細書の上記（１）（ア）〜（ケ）の記載及び本願出願時の技術常識によれば、以下の点を指摘することができる。
（ア）本願明細書には、「回転する磁場を本発明の場合に適用することにより、２対流構造は流動特性が変更された１対流構造に変換され」、「融液中のドーパントは均質化される。」（上記（１）（カ））と記載がされており、回転する磁場を融液に適用すると融液の対流構造が変化し、本願発明１〜６における回転磁場の適用は、流動特性を１対流構造に変換するものであるといえる。
（イ）上記（ア）の「回転する磁場」により「２対流構造は流動特性が変更された１対流構造に変換」されることについて、１つの回転する磁場を設ける際の磁場の強度・周波数及び磁場発生手段たるマグネットシステムの設置位置については記載されており（上記（１）（オ）、（キ）、（ケ））、当業者は追試を行うことにより、どのような１対流構造になるかは推定できるものといえる。しかし、２つの回転する磁場を設ける場合については、磁場の強度や磁場発生手段相互の位置関係等をどのように設定し、どのような１対流構造とすべきかについては、具体的に記載がされていない。そこで、２つの回転する磁場を設ける場合について、さらに、本願明細書の記載を検討する。
（ウ）本願明細書には、「異なる周波数及び強度を有する２つの回転する磁場を同時に適用することにより、融液の混合及びドーパントの半径方向での均質化をなお改善することができる。異なる周波数を有する磁場は融液内への異なる侵入深度を示し、従って異なる融液領域に作用する。」（上記（１）（ク））との記載があるから、異なる周波数及び強度を有する２つの回転する磁場を同時に適用することによって、磁場の融液に作用する領域が１つの回転する磁場を適用するときよりも増えるとみることができ、このことは１つの回転する磁場を適用した時とは異なる融液の対流構造となる可能性を示唆しているといえる。にもかかわらず、２つの回転する磁場を同時に適用する際に、１つの回転する磁場を適用したときに比べて、”融液の混合及びドーパントの半径方向での均質化をなお改善する”１対流構造としてどのようようなものにすべきかについて、換言すれば、２つの回転する磁場を同時に適用する際の目標とすべき対流構造について何ら記載されておらず、２つの回転する磁場を同時に適用するに当たって、磁場の強度や磁場発生手段相互の位置関係等の設定に関する手引きとなる考え方が示されていない。
（エ）確かに、２つの回転する磁場を同時に適用する際の周波数については、「外側の融液領域に作用する第１の周波数は上記したように４００〜７００Ｈｚ、特に５００Ｈｚであるのが有利であり、内側の融液領域に作用する第２の周波数は、１００Ｈｚを下回り、有利に５０Ｈｚであるのが有利である。」（上記（１）（ク））との記載はなされてはいるものの、周波数以外に強度や磁場発生手段相互の位置関係等によっても磁場の融液に作用する領域は変わるものであるから、上記（ウ）で述べたように、”融液の混合及びドーパントの半径方向での均質化をなお改善する”１対流構造とはどのようなものかが記載されていない以上、磁場の強度や磁場発生手段相互の位置関係等をどのように設定すべきかの方針が開示されていないといえる。
（オ）さらに、上記（エ）で述べた周波数の磁場をそれぞれ用いることによって、２つの回転する磁場を同時に適用する際に、１つの回転する磁場を適用する場合に望ましくないとされる４００Ｈｚより下の周波数の磁場をなぜ用いるのかについて説明もなされなければ、２つの回転する磁場を同時に適用するに当たっての２つの磁場の位置関係やその強度等を設定するに関する技術思想が示されていることにはならない。
（カ）以上のことから、本願明細書の発明の詳細な説明には、４００〜７００Ｈｚの周波数を有する磁場と、１００Ｈｚを下回る周波数を有する磁場について、”融液の混合及びドーパントの半径方向での均質化をなお改善する”１対流構造とすべく、上記（オ）に述べた望ましくないとされる４００Ｈｚより下の周波数の磁場を採用して、上記２つの回転する磁場の相互干渉などを勘案しつつ、それぞれの磁場の強度や磁場発生手段の位置関係等をどのように設定するのか、何ら具体的な指針が示されていないということができる。
　
（３）そうすると、当業者が「帯域引上時に誘導コイルにより生じた融液にドーパントをドープし、この融液を少なくとも１つの回転する磁場にさらし、硬化させ、かつ融液の硬化時に生じる単結晶を回転させ、この単結晶と磁場とは反対方向に回転させ、前記磁場は４００〜７００Ｈｚの周波数を有し、かつ前記融液をさらに別の回転する磁場にさらし、前記磁場は１００Ｈｚを下回る周波数を有する」との発明特定事項を有する、本願発明１〜６に係る半導体ウェハの製造方法を実施するに当たり、目標とする対流構造はどのようのなものであるのか、その対流構造とするために磁場の強度や磁場発生手段の位置関係等の設定には、過度の試行錯誤が必要となるといわざるを得ない。
　したがって、発明の詳細な説明の記載は、当業者が本願発明１〜６を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものということはできず、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
（３−２）特許法第３６条第６項第１号（いわゆるサポート要件）について
　上記３（１）（ア）〜（ケ）の本願明細書の記載によれば、本願明細書の発明の詳細な説明には、帯域引上した半導体材料からなるドープされた半導体ウェハの製造方法に関し（上記３（１）（ア））、従来、ドーパント分布の均質化及び半径方向抵抗変化の減少を、結晶回転を変化させたり、誘導コイルを結晶軸に対して相対的にずらしたり、誘導コイルの形状を変えることにより試みていたが、転位率の上昇及びプロセス安定性の低下を引き起こす欠点があったこと（上記３（１）（イ））、従来技術におけるこのような課題の存在にかんがみ、本願発明１〜６に係る発明特定事項を採用することにより、異なる周波数を有する磁場が異なる融液領域に作用し、”融液の混合及びドーパントの半径方向での均質化をなお改善する”１対流構造となることができること（上記３（ウ）〜（カ））が記載されているといえる。しかし、上記３（１）（オ）（ク）及び（ケ）の記載には一つの回転する磁場を用いた例は示されているものの、異なる周波数を有する２つの回転する磁場を用いる実施例は、記載されていない。
　以上のことを踏まえ、本願明細書の記載が、特許請求の範囲の請求項１〜６の記載との関係で、明細書のサポート要件に適合するか否かについて検討すると、上記３（２）（３）における検討にも照らせば、本願明細書の発明の詳細な説明には、本願発明１〜６の異なる周波数を有する磁場が異なる融液領域に作用し、１対流構造となって、”融液の混合及びドーパントの半径方向での均質化をなお改善する”という課題が達成し得ると当業者が認識し得る程度の記載ないし示唆があるということはできず、また、その記載や示唆がなくとも、当業者が出願時の技術常識に照らし本願発明１〜６の上記課題が達成し得ると認識できる、とまでいうこともできない。
　そうすると、本願明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６の記載が、明細書のサポート要件に適合するということはできず、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
４．むすび
　以上のとおり、この出願は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明の記載が、特許法第３６条第４項第１号及び同第６項第１号に規定する要件を満たしていないから、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。