【手続補正書】
【提出日】平成23年10月18日(2011.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマエッチングチャンバの平均洗浄間隔時間及びチャンバパーツの寿命を延ばす方法であって、
イオン衝撃及び／又はイオン化ハロゲンガスに曝される少なくとも１つの焼結窒化シリコン構成部品を使用しつつ、前記チャンバ内において一度に１枚ずつ半導体基板をプラズマエッチングする工程を含み、前記窒化シリコン構成部品は、約８０ｗｔ％から約９５ｗｔ％の間の高純度の窒化シリコンと、約５ｗｔ％から約２０ｗｔ％の間の焼結助剤とからなり、前記焼結助剤は、高純度の二酸化シリコンからなる
方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、更に、
前記半導体基板をプラズマエッチングする前に、クォーツ構成部品を前記焼結窒化シリコン構成部品に置き換える工程を含む、方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の方法であって、
前記構成部品は、ピンスリーブ、閉じ込めリング、ホットエッジリングカバー、又は接地カバーリングの少なくとも１つである、方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の方法であって、
前記プラズマエッチングは、フルオロカーボン及び／又はヒドロフルオロカーバオンエッチングガスを使用して誘電体材料内に開口をエッチングする工程を含む、方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の方法であって、
前記高純度の窒化シリコン及び前記高純度の二酸化シリコンは、１０００ｐｐｍから５０００ｐｐｍの間の、１００ｐｐｍから１０００ｐｐｍの間の、又は１００ｐｐｍ未満の金属不純物を有し、前記金属不純物は、バリウム、カルシウム、セリウム、クロム、銅、ガリウム、インジウム、鉄、リチウム、マグネシウム、ニッケル、カリウム、ナトリウム、ストロンチウム、錫、チタン、バナジウム、イットリウム、亜鉛、及びジルコンを含み、前記窒化シリコン構成部品は、理論密度の約９５％若しくはそれを超える密度を有する、且つ／又は空孔フリーである、方法。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の方法であって、
前記平均洗浄間隔時間は、誘電体材料のエッチング時において約８００ＲＦ時間から約１，０００ＲＦ時間の間である、方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の方法であって、更に、
前記プラズマエッチングチャンバから前記半導体基板を取り出す工程と、
前記プラズマエッチングチャンバの内部をプラズマ洗浄する工程であって、前記プラズマ洗浄は、前記プラズマエッチングチャンバの前記内部からポリマ堆積物を除去するために、酸素ガス及び／又は窒素ガスによってプラズマを生成する工程を含み、前記プラズマ洗浄は、１枚の基板をエッチングした後、別の基板をエッチングする前に実施される、
方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、更に、
前記半導体基板をプラズマエッチングする前に、窒化シリコン構成部品を前記焼結窒化シリコン構成部品に置き換える工程を含む、方法。
【請求項９】
プラズマ処理チャンバであって、
前記処理チャンバの内部において基板を支えるための基板ホルダと、
前記基板に隣接して曝露表面を有する焼結窒化シリコン構成部品であって、前記構成部品は、約８０ｗｔ％から約９５ｗｔ％の間の高純度の窒化シリコンと、約５ｗｔ％から約２０ｗｔ％の間の焼結助剤とからなり、前記焼結助剤は、高純度の二酸化シリコンからなる、焼結窒化シリコン構成部品と、
前記処理チャンバの前記内部にプロセスガスを供給するガス供給と、
前記基板を処理するために、前記処理チャンバの前記内部にエネルギを供給して前記プロセスガスをプラズマ状態に励起するエネルギ源であって、前記構成部品は、前記プラズマによる処理時に前記基板の表面上における金属汚染を最小限に抑えて１００×１０10原子数／ｃｍ2未満にするエネルギ源と
を備えるプラズマ処理チャンバ。
【請求項１０】
請求項９に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記構成部品は、前記プラズマによる処理時に前記基板の前記表面上における金属汚染を最小限に抑えて５０×１０10原子数／ｃｍ2未満にし、前記構成部品は、約８０ｗｔ％から約９３ｗｔ％の間の高純度の窒化シリコンと、約７ｗｔ％から約２０ｗｔ％の間の焼結助剤とからなる、プラズマ処理チャンバ。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記構成部品は、前記プラズマによる処理時に前記基板の前記表面上における金属汚染を最小限に抑えて１０×１０10原子数／ｃｍ2未満にする、プラズマ処理チャンバ。
【請求項１２】
請求項９ないし請求項１１のいずれか一項に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記構成部品は、前記プラズマによる処理時に前記基板の前記表面上における金属汚染を最小限に抑えて５×１０10原子数／ｃｍ2未満にする、プラズマ処理チャンバ。
【請求項１３】
請求項９ないし請求項１２のいずれか一項に記載の処理チャンバであって、
前記金属汚染は、バリウム、カルシウム、セリウム、クロム、銅、ガリウム、インジウム、鉄、リチウム、マグネシウム、ニッケル、カリウム、ナトリウム、ストロンチウム、錫、チタン、バナジウム、イットリウム、亜鉛、及びジルコンを含む、処理チャンバ。
【請求項１４】
請求項９ないし請求項１３のいずれか一項に記載の処理チャンバであって、
前記プロセスガスは、フルオロカーボン及び／又はヒドロフルオロカーボンを含む、処理チャンバ。
【請求項１５】
プラズマ処理時のシリコン基板の表面上における金属汚染を軽減する方法であって、
プラズマ処理装置の反応チャンバ内において基板サポートの上にシリコン基板を配する工程であって、前記プラズマ処理装置は、１つ又は２つ以上の焼結窒化シリコン構成部品を含み、前記窒化シリコン構成部品は、約８０ｗｔ％から約９５ｗｔ％の間の高純度の窒化シリコンと、約５ｗｔ％から約２０ｗｔ％の間の焼結助剤とからなり、前記焼結助剤は、高純度の二酸化シリコンからなり、
前記反応チャンバにプロセスガスを導入し、
前記プロセスガスからプラズマを生成し、
前記シリコン基板を前記プラズマによって処理する
方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、
前記プロセスガスは、フルオロカーボン及び／又はヒドロフルオロカーボンを含む、方法。
【請求項１７】
請求項１５または請求項１６に記載の方法であって、
前記１つ又は２つ以上の窒化シリコン構成部品は、ピンスリーブ、閉じ込めリング、ホットエッジリングカバー、又は接地カバーリングである、方法。
【請求項１８】
請求項１５ないし請求項１７のいずれか一項に記載の方法であって、
前記シリコン基板は、前記プラズマによる前記シリコン基板の処理後に約５×１０10原子数／ｃｍ2未満の金属表面濃度を有する、方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、
前記金属は、バリウム、カルシウム、セリウム、クロム、銅、ガリウム、インジウム、鉄、リチウム、マグネシウム、ニッケル、カリウム、ナトリウム、ストロンチウム、錫、チタン、バナジウム、イットリウム、亜鉛、又はジルコンを含む、方法。
【請求項２０】
請求項１５ないし請求項１９のいずれか一項に記載の方法であって、
前記シリコン基板を処理することは、エッチングを含む、方法。
【請求項２１】
プラズマエッチングチャンバ内においてイオン衝撃及び／又はプラズマ浸食に曝されるプラズマエッチングチャンバ処理構成部品を製造する方法であって、
約８０ｗｔ％から約９５ｗｔ％の間の高純度の窒化シリコンと、約５ｗｔ％から約２０ｗｔ％の間の二酸化シリコンとからなる粉末組成を混合する工程と、
前記粉末組成から成形構成部品を形成する工程と、
熱及び圧力の同時的印加によって前記成形構成部品を緻密化する工程と、
を備える方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の方法であって、
前記粉末組成を混合する工程は、更に、
アルコール溶媒の中で、高純度の窒化シリコンと高純度の二酸化シリコンとを混ぜ合わせる工程と、
前記アルコール溶媒を蒸発させて、乾燥粉末混合を形成する工程と、
を含み、前記成形構成部品を形成することは、更に、
前記乾燥粉末混合をダイセットに装填する工程と、
約１００ＭＰａから約１２０ＭＰａの間の圧力で前記粉末混合に一軸プレス又は冷間静水圧プレスを施して、予備成形素地を形成する工程と、
を含み、
熱及び圧力の同時的印加によって前記成形構成部品を緻密化する工程は、
ガラスカプセル技術を使用して、約１７５０℃から約１９００℃の間の温度で約１７５ＭＰａから約２２５ＭＰａの間の印加圧力下において約６０分から約１２０分の間の時間にわたって前記予備成形素地を熱間静水圧プレスする処理を含む、方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載の方法であって、
前記予備成形素地は、理論密度の４５％の最小密度を有する、方法。
【請求項２４】
プラズマ処理構成部品であって、
焼結窒化シリコン構成部品であって、約８０ｗｔ％から約９５ｗｔ％の間の高純度の窒化シリコンと、約５ｗｔ％から約２０ｗｔ％の間の焼結助剤とからなり、前記焼結助剤は、高純度の二酸化シリコンからなる、焼結窒化シリコン構成部品を備えるプラズマ処理構成部品。
【請求項２５】
請求項２４に記載のプラズマ処理構成部品であって、
前記構成部品は、ピンスリーブ、閉じ込めリング、ホットエッジリングカバー、又は接地カバーリングである
プラズマ処理構成部品。