【事件の表示】
　特願２００１−５３１１４１「層間金属接続のための自己整合金属キャップ」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　４月２６日国際公開、ＷＯ０１／２９８９２、平成１５年　９月１６日国内公表、特表２００３−５２７７４３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯 
　
　本願は、２０００年１０月４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９９年１０月１８日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１８年１１月２０日付けで手続補正がなされ、平成２０年３月１３日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年６月１７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年７月１６日付けで手続補正がなされ、その後、平成２２年６月１１日付けで審尋がなされ、同年１０月１８日に回答書が提出されたものである。 
　 
第２．平成２０年７月１６日付けの手続補正についての却下の決定 
　［補正の却下の決定の結論］ 
　平成２０年７月１６日付けの手続補正を却下する。 
　 
　［理由］ 
１．手続補正の内容 
　平成２０年７月１６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の請求項６の補正を含むものであるところ、請求項６の本件補正前後の記載は、次のとおりである。
　 
（補正前） 
「　【請求項６】　自己整合金属キャップで金属構造を接続する方法において、
第１の誘電体層（２０２）内に金属構造（２０６）を設ける、その際前記金属構造（２０６）及び前記の第１の誘電体層（２０２）は実質的に平坦な表面（２１０）を有する、
前記金属構造（２０６）及び前記の第１の誘電体層（２０２）上に耐火金属（２０８）を堆積させる、
合金（２１２）が前記金属構造（２０６）上の前記の実質的に平坦な表面（２１０）上だけに形成されるように、前記金属構造（２０６）と前記耐火金属（２０８）の間に合金（２１２）を形成する、
前記合金（２１２）の一部が前記金属構造（２０６）の上に残るように、前記の第１の誘電体層（２０２）から前記耐火金属（２０８）を除去する、
前記金属構造（２０６）の上に残った合金（２１２）により金属キャップが形成される、
その際、このキャップ金属が３００Å〜５００Åの厚さを有する、
前記合金（２１２）上に第２の誘電体層（２２０）を形成する、
前記の第２の誘電体層（２２０）を開口して、前記合金（２１２）内に終わるビア（２２２）を形成する、及び
前記ビア（２２２）内に導電性材料（２２６）を堆積させて、前記合金（２１２）を通る前記金属構造（２０６）に対するコンタクトを設ける
ステップからなることを特徴とする、自己整合金属キャップで金属構造を接続する方法。」 
　 
（補正後） （下線部は補正箇所）　
「　【請求項６】　自己整合金属キャップで金属構造を接続する方法において、
第１の誘電体層（２０２）内に金属構造（２０６）を設ける、その際前記金属構造（２０６）及び前記の第１の誘電体層（２０２）
は平
研磨された
前記金属構造（２０６）及び前記の第１の誘電体層（２０２）上に耐火金属（２０８）を堆積させる、
合金（２１２）が前記金属構造（２０６）
との合金だけを
す
この平坦な研磨された表面の下の高さに配置されている
前記金属構造（２０６）の上に残った合金（２１２）により金属キャップが形成される、
その際、このキャップ金属が３００Å〜５００Åの厚さを有する、
前記合金（２１２）上に第２の誘電体層（２２０）を形成する、
前記の第２の誘電体層（２２０）を開口して、前記合金（２１２）内に終わるビア（２２２）を形成する、及び
前記ビア（２２２）内に導電性材料（２２６）を堆積させて、前記合金（２１２）を通る前記金属構造（２０６）に対するコンタクトを設ける
ステップからなることを特徴とする、自己整合金属キャップで金属構造を接続する方法。」 
　 
２．補正目的の適否
（１）本件補正のうち、請求項６についての補正事項を整理すると以下のとおりである。
　
（補正事項１）
　補正前の請求項６の「第１の誘電体層（２０２）内に金属構造（２０６）を設ける、その際前記金属構造（２０６）及び前記の第１の誘電体層（２０２）は実質的に平坦な表面（２１０）を有する、」を、補正後の請求項６の「第１の誘電体層（２０２）内に金属構造（２０６）を設ける、その際前記金属構造（２０６）及び前記の第１の誘電体層（２０２）は平坦な研磨された表面（２１０）を有する、」と補正すること。
　
（補正事項２）
　補正前の請求項６の「合金（２１２）が前記金属構造（２０６）上の前記の実質的に平坦な表面（２１０）上だけに形成されるように、前記金属構造（２０６）と前記耐火金属（２０８）の間に合金（２１２）を形成する、」を、補正後の請求項６の「合金（２１２）が前記金属構造（２０６）との合金だけを形成するように、前記金属構造（２０６）と前記耐火金属（２０８）の間に合金（２１２）を形成する、」と補正すること。
　
（補正事項３）
　補正前の請求項６の「前記合金（２１２）の一部が前記金属構造（２０６）の上に残るように、前記の第１の誘電体層（２０２）から前記耐火金属（２０８）を除去する、」を、補正後の請求項６の「この平坦な研磨された表面の下の高さに配置されている前記合金（２１２）の一部が前記金属構造（２０６）の上に残るように、前記の第１の誘電体層（２０２）から前記耐火金属（２０８）を除去する、」と補正すること。
　
（２）これら補正事項１〜３の補正目的について、以下のとおり検討する。
　
（補正事項１）
　補正事項１は、「第１の誘電体層（２０２）内に金属構造（２０６）を設ける」際の「前記金属構造（２０６）及び前記の第１の誘電体層（２０２）」の「表面（２１０）」について、補正前の請求項６に係る発明では「実質的に平坦な表面（２１０）」としていたものを、補正後の請求項６に係る発明では「平坦な研磨された表面（２１０）」として、これを研磨により平坦性を持たせたものに限定するものであるから、補正事項１は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（補正事項２）
　補正事項２は、特許法第１７条の２第４項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　
（補正事項３）
　補正事項３は、補正前の請求項６に係る発明で「一部が前記金属構造（２０６）の上に残る」とされた「前記合金（２１２）」について、補正後の請求項６に係る発明では「この平坦な研磨された表面の下の高さに配置されている前記合金（２１２）」と限定するものであるから、補正事項３は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　以上によれば、請求項６についての本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の限定的減縮に該当するものを含む。
　
（３）そこで、次に、請求項６についての補正内容が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定（独立特許要件）を満たすかどうかについて検討する。
　
３．独立特許要件（容易想到性）についての検討
（１）本件補正による補正後の発明 
　本件補正による補正後の請求項６に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項６に記載されている事項により特定されるとおりのものである。
　
（２）引用例の記載と引用発明
（２−１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平１０−１４４６８５号公報（以下「引用例」という。）には、図１−図６とともに、次の記載がある。（下線は当審で付加したもの。以下同じ。）
　
「【００２１】（実施の形態１）実施の形態１においては、溝部１１内に埋め込まれた配線１４を構成する材料として、アルミニウム合金（Ａｌ−Ｃｕ）を用い、チタン−アルミニウム系合金から成る被覆層１６を配線１４の表面に形成する。尚、全面に金属膜１５を成膜した後、金属膜１５と配線１４とを反応させ、次いで、未反応の金属膜１５を除去することによって被覆層１６を形成した。更には、実施の形態１における配線構造を、被覆層１６の上方の層間絶縁層２０に形成された接続孔２４、及び層間絶縁層２０に形成された上層配線２５を有する構造とした。尚、接続孔２４及び上層配線２５の形成は、所謂高圧リフロー法にて行った。以下、絶縁層１０等の模式的な一部断面図である図１〜図６を参照して、実施の形態１の
半導体装置における配線形成方法
【００２２】［工程−１００］先ず、図示しない半導体基板上に、例えばＢＰＳＧから成る絶縁層１０をＣＶＤ法にて成膜し、かかる
絶縁層１０にＲＩＥ法で溝部１１を形成
【００２３】［工程−１１０］次に、溝部１１内に配線材料層１３を埋め込み、配線１４を形成する。具体的には、先ず、予備加熱処理を行い、絶縁層１０から水分を放出させることが好ましい。予備加熱処理の条件を、以下の表１に例示する。予備加熱の方式として、例えば、基板裏面からのガス加熱方式、即ち、半導体基板の裏面に配置したヒーターブロックを所定の温度（加熱温度）に加熱し、ヒーターブロックと半導体基板の裏面の間にガスを導入することによって半導体基板を加熱する方式を挙げることができるが、これに限定されず、ランプ加熱方式等を用いることもできる。
【００２４】
【表１】
基板加熱温度：５００゜Ｃ
加熱時間    ：１分間
使用加熱ガス：アルゴンガス
ガス圧力    ：１０3Ｐａ
【００２５】その後、
かかる溝部１１内を含む絶縁層１０上に、ＴｉＮ層（厚さ５０ｎｍ）／Ｔｉ層（厚さ２０ｎｍ）の積層構造から構成された第１の下地層１２を、以下の表２に例示する条件のＤＣマグネトロンスパッタ法にて形成
【００２６】
【表２】Ｔｉ層の成膜条件
ターゲット  ：Ｔｉ
プロセスガス：アルゴンガス＝１００sccm
圧力        ：０．４Ｐａ
成膜温度    ：２００゜Ｃ
ＤＣパワー  ：６ｋＷ
ＴｉＮ層の成膜条件
ターゲット  ：Ｔｉ
プロセスガス：窒素ガス／アルゴンガス＝７０／２０sccm
圧力        ：０．４Ｐａ
成膜温度    ：２００゜Ｃ
ＤＣパワー  ：１２ｋＷ
【００２７】
その後、高温スパッタ法、リフロー法あるいは高圧リフロー法によって、アルミニウム合金から成り、厚さ１．５μｍの配線材料層１３を全面に成膜し、溝部１１内を配線材料層１３で埋め込む。
配線１４が形成される
【００２８】
【表３】
ターゲット  ：Ａｌ−Ｃｕ（０．５％）
プロセスガス：アルゴンガス＝１００sccm
圧力        ：０．４Ｐａ
成膜温度    ：２００゜Ｃ
ＤＣパワー  ：１５ｋＷ
【００２９】
【表４】（リフロー法）
プロセスガス：アルゴンガス
圧力        ：１０3Ｐａ
リフロー時間：１分
基板加熱温度：５００゜Ｃ
【００３０】
【表５】（高圧リフロー法）
プロセスガス：アルゴンガス
圧力        ：７０ＭＰａ
リフロー時間：１分
基板加熱温度：４５０゜Ｃ
【００３１】［工程−１２０］
次いで、絶縁層１０上の配線材料層１３及び第１の下地層１２をエッチバック法や化学的・機械的研磨法（ＣＭＰ法）にて除去する。
【００３２】
【表６】
研磨圧力          ：１００ｇｆ／ｃｍ2回転数            ：定盤／研磨ヘッド＝３０／３０rpm
研磨用スラリー    ：ＮＨ4ＯＨベース（フュームドシリカ含有）
研磨用スラリー流量：１００ｃｍ3／分
温度              ：２５〜３０゜Ｃ
【００３３】［工程−１３０］次に、配線１４の表面に、導電材料から成る被覆層１６を形成する。実施の形態１においては、
全面に金属膜１５を成膜した後、金属膜１５と配線１４とを反応させ、次いで、未反応の金属膜１５を除去することによって被覆層１６を形成する。
厚さ０．１μｍのＴｉから成る金属膜１５
被覆層１６はチタン−アルミニウム系合金から成る。
【００３４】
【表７】
加熱雰囲気  ：窒素ガス雰囲気
加熱時間    ：２分
基板加熱温度：４５０゜Ｃ
【００３５】次に、アンモニア過水を用いた表８に例示するウエットエッチングにより、未反応の金属膜１５を除去する。これによって、図２の（Ｃ）に示す構造を得ることができる。尚、表６に示した条件の
ＣＭＰ法によって、未反応の金属膜１５を除去
【００３６】
【表８】
アンモニア過水：ＮＨ4ＯＨ／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ＝１／２／１
エッチング温度：５０゜Ｃ
エッチング時間：１０分
【００３７】［工程−１４０］
次に、絶縁層１０及び被覆層１６の上に、例えばＳｉＯ
2
から成り、厚さ１．１μｍの層間絶縁層２０をＣＶＤ法にて形成する。そして、被覆層１６の上方の層間絶縁層２０に開口部２１ＡをＲＩＥ法にて形成する。
【００３８】［工程−１５０］その後、層間絶縁層２０や絶縁層１０中の水分を放出するために、例えばファーネス・アニール法にて半導体基板を加熱する。加熱条件を、以下の表９に例示する。
【００３９】
【表９】
加熱雰囲気  ：窒素ガス雰囲気
加熱時間    ：３０分
基板加熱温度：４５０゜Ｃ
【００４０】被覆層１６が設けられているので、層間絶縁層２０に開口部２１Ａを形成した後のこの熱処理時、開口部２１Ａの底部の配線１４の部分が隆起することを確実に防止することができる結果、配線１４にボイドが発生することを確実に抑制することができる。従って、配線１４の信頼性が低下することはない。
【００４１】［工程−１６０］次に、
層間絶縁層２０上に配線材料層２３を形成し、開口部２１Ａ内及び溝部２１Ｂ内を配線材料層２３で埋め込む。
【００４２】［工程−１７０］その後、層間絶縁層２０上の配線材料層２３及び第２の下地層２２を、エッチバック法、あるいは又、例えば表６に示したＣＭＰ法によって除去する（図６参照）。こうして、図示しない半導体基板の上に設けられた絶縁層１０に形成された溝部１１内に埋め込まれた配線１４の表面に、導電材料から成る被覆層１５が形成され、更には、絶縁層１０及び被覆層１６の上に形成された層間絶縁層２０と、被覆層１６の上方の層間絶縁層２０に形成された開口部２１Ａ内が配線材料層２３で埋め込まれて成る、配線１４と接続された接続孔２４と、配線材料層２３から成り、層間絶縁層２０に形成されそして接続孔２４と接続された上層配線２５を有する配線構造が形成される。」
　 
　また、引用例の図３からみて、００３７段落における「被覆層１６の上方の層間絶縁層２０に開口部２１ＡをＲＩＥ法にて形成する」工程において、「開口部２１Ａ」は「チタン−アルミニウム系合金から成る被覆層１６」に達するものである。
　
（２−２）そうすると、引用例１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。 
「配線形成方法において、
ａ）絶縁層１０に溝部１１を形成し、かかる溝部１１内を含む絶縁層１０上に、ＴｉＮ層／Ｔｉ層の積層構造から構成された第１の下地層１２を形成し、その後、アルミニウム合金から成る配線材料層１３を全面に成膜し、溝部１１内を配線材料層１３で埋め込んで配線１４を形成し、次いで、絶縁層１０上の配線材料層１３及び第１の下地層１２を化学的・機械的研磨法（ＣＭＰ法）にて除去する工程と、
ｂ）全面にＴｉから成る金属膜１５を成膜する工程と、
ｃ）金属膜１５と配線１４とを反応させる工程と、
ｄ）未反応の金属膜１５をＣＭＰ法で除去することによってチタン−アルミニウム系合金から成る被覆層１６を形成する工程と、
ｅ）次に、絶縁層１０及び被覆層１６の上に、ＳｉＯ2から成る層間絶縁層２０を形成する工程と、
ｆ）被覆層１６の上方の層間絶縁層２０にチタン−アルミニウム系合金から成る被覆層１６に達する開口部２１ＡをＲＩＥ法にて形成する工程と、
ｇ）層間絶縁層２０上に配線材料層２３を形成し、開口部２１Ａ内を配線材料層２３で埋め込む工程とを
順に行うことを特徴とする配線形成方法。」
　
（３）本願補正発明と引用発明との対比 
（３−１）引用発明の「絶縁層１０」、「配線１４」、「Ｔｉから成る金属膜１５」、「チタン−アルミニウム系合金」、「被覆層１６」、「ＳｉＯ2から成る層間絶縁層２０」、「開口部２１Ａ」、「配線材料層２３」は、それぞれ、本願補正発明の「第１の誘電体層（２０２）」、「金属構造（２０６）」、「耐火金属（２０８）」、「合金（２１２）」、「金属キャップ」、「第２の誘電体層（２２０）」、「ビア（２２２）」、「導電性材料（２２６）」に相当する。そして、このような用語の対応関係を踏まえ、本願補正発明と引用発明の各工程とを対比検討して行くと、以下のとおりのものとなる。
　引用発明の工程ａ）において、「絶縁層１０」に形成された「溝部１１内を配線材料層１３で埋め込んで配線１４を形成」していることは、本願補正発明の「第１の誘電体層（２０２）内に金属構造（２０６）を設ける」ことに相当する。また、引用発明の同工程では「絶縁層１０上の配線材料層１３及び第１の下地層１２を化学的・機械的研磨法（ＣＭＰ法）にて除去する」ことが行われており、そうすることで、「配線１４」及び「絶縁層１０」の表面が「実質的に平坦な研磨された表面」として露出された状態（引用例の図面としては図１（Ｃ）が対応）となることは、「化学的・機械的研磨法（ＣＭＰ法）」との一種の「研磨」が行われる結果として明らかなことであり、本願補正発明のように「前記金属構造（２０６）及び前記の第１の誘電体層（２０２）は平坦な研磨された表面（２１０）を有する」との状態は、引用発明でも当然実現されるものと認められる。そうすると、引用発明の工程ａ）は、本願補正発明の「第１の誘電体層（２０２）内に金属構造（２０６）を設ける、その際前記金属構造（２０６）及び前記の第１の誘電体層（２０２）は平坦な研磨された表面（２１０）を有する」ことに相当する。
　引用発明の工程ｂ）において「全面にＴｉから成る金属膜１５を成膜する」ことは、工程ａ）で露出される「配線１４」及び「絶縁層１０」の「実質的に平坦な研磨された表面」の全面にＴｉから成る金属膜１５を成膜することを意味しており、また、当該工程の「全面に」「成膜する」とは、本願補正発明の「上に」「堆積させる」ことに相当する。そうすると、引用発明の工程ｂ）は、本願補正発明の「前記金属構造（２０６）及び前記の第１の誘電体層（２０２）上に耐火金属（２０８）を堆積させる」ことに相当する。
　引用発明の工程ｃ）は、Ｔｉから成る「金属膜１５」とアルミニウム合金から成る「配線１４」とを「反応させる」ものであり、その結果として出来る「チタン−アルミニウム系合金」（後の工程ｄ）を参照）以外、かかる「配線１４」と「金属膜１５」との間に他の合金が形成される余地がないことは明らかである。そうすると、引用発明の工程ｃ）は、本願補正発明の「合金（２１２）が前記金属構造（２０６）との合金だけを形成するように、前記金属構造（２０６）と前記耐火金属（２０８）の間に合金（２１２）を形成する」ことに相当する。
　引用発明の工程ｄ）では、「未反応の金属膜１５をＣＭＰ法で除去することによってチタン−アルミニウム系合金から成る被覆層１６を形成する」ことが行われており、そうすることで、「被覆層１６」及び「絶縁層１０」の表面が「実質的に平坦な研磨された表面」として露出された状態となることは、「ＣＭＰ法」との一種の「研磨」が行われる結果として明らかなことである。すなわち、前の工程との関係からみて、引用発明の工程ｄ）では、「絶縁層１０」の「実質的に平坦な研磨された表面」の下の高さに配置されている「チタン−アルミニウム系合金」の一部が「被覆層１６」として「配線１４」の上に残るように、「絶縁層１０」から「未反応の金属膜１５」を除去しているものと認められる。そうすると、引用発明の工程ｄ）は、「平坦な研磨された表面の下の高さに配置されている前記合金（２１２）の一部が前記金属構造（２０６）の上に残るように、前記の第１の誘電体層（２０２）から前記耐火金属（２０８）を除去する」こと、及び「前記金属構造（２０６）の上に残った合金（２１２）により金属キャップが形成される」ことについて、本願補正発明と共通する。
　引用発明の工程ｅ）は、「絶縁層１０及び被覆層１６の上に、ＳｉＯ2から成る層間絶縁層２０を形成する」ものであって、このうちの「被覆層１６」は「チタン−アルミニウム系合金から成る」ものである。そうすると、引用発明の工程ｅ）は、本願補正発明の「前記合金（２１２）上に第２の誘電体層（２２０）を形成する」ことに相当する。
　引用発明の工程ｆ）は、「被覆層１６の上方の層間絶縁層２０にチタン−アルミニウム系合金から成る被覆層１６に達する開口部２１ＡをＲＩＥ法にて形成する」ものであって、「前記の第２の誘電体層（２２０）を開口して、前記合金（２１２）」に達する「ビア（２２２）を形成する」ことについて、本願補正発明と共通する
　引用発明の工程ｇ）において、「開口部２１Ａ内を配線材料層２３で埋め込む」ことは、「開口部２１Ａ」が「チタン−アルミニウム系合金から成る被覆層１６に達する」ものであること、また、「被覆層１６」は「配線１４」の上に残るものであることにも鑑みると、「前記合金（２１２）」に達する「前記金属構造（２０６）に対するコンタクトを設ける」点で、本願補正発明と共通しており、また、当該工程の「埋め込む」とは、本願補正発明の「堆積させ」ることに相当する。そうすると、引用発明の工程ｇ）は、「前記ビア（２２２）内に導電性材料（２２６）を堆積させて、前記合金（２１２）」に達する「前記金属構造（２０６）に対するコンタクトを設ける」点で、本願補正発明と共通する。
　さらに、工程ａ）〜ｇ）を順に行う（このように順に行われる各工程を指し手本願補正発明のように「ステップ」とも表現できる）引用発明の「配線形成方法」では、「被覆層１６」が、いわゆる「配線１４」の上だけに残ることが明らかであり、よって、引用発明の「被覆層１６」は、本願補正発明の「自己整合金属キャップ」に相当すると認められる。そうすると、そのような「被覆層１６」を介在して「配線１４」と「配線材料層２３」との接続を図る引用発明の「配線形成方法」は、本願補正発明の「自己整合金属キャップで金属構造を接続する方法」に相当する。
　
（３−２）以上によれば、本願補正発明と引用発明とは、 
「　自己整合金属キャップで金属構造を接続する方法において、
第１の誘電体層（２０２）内に金属構造（２０６）を設ける、その際前記金属構造（２０６）及び前記の第１の誘電体層（２０２）は平坦な研磨された表面（２１０）を有する、
前記金属構造（２０６）及び前記の第１の誘電体層（２０２）上に耐火金属（２０８）を堆積させる、
合金（２１２）が前記金属構造（２０６）との合金だけを形成するように、前記金属構造（２０６）と前記耐火金属（２０８）の間に合金（２１２）を形成する、
平坦な研磨された表面の下の高さに配置されている前記合金（２１２）の一部が前記金属構造（２０６）の上に残るように、前記の第１の誘電体層（２０２）から前記耐火金属（２０８）を除去する、
前記金属構造（２０６）の上に残った合金（２１２）により金属キャップが形成される、
前記合金（２１２）上に第２の誘電体層（２２０）を形成する、
前記の第２の誘電体層（２２０）を開口して、前記合金（２１２）に達するビア（２２２）を形成する、及び
前記ビア（２２２）内に導電性材料（２２６）を堆積させて、前記合金（２１２）に達する前記金属構造（２０６）に対するコンタクトを設ける
ステップからなることを特徴とする、自己整合金属キャップで金属構造を接続する方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。 
　
（相違点１）
　「平坦な研磨された表面の下の高さに配置されている前記合金（２１２）の一部が前記金属構造（２０６）の上に残るように、前記の第１の誘電体層（２０２）から前記耐火金属（２０８）を除去する」ことについて、本願補正発明では、その「平坦な研磨された表面」が「この平坦な研磨された表面」とされている、すなわち、その前に「第１の誘電体層（２０２）内に金属構造（２０６）を設ける、その際前記金属構造（２０６）及び前記の第１の誘電体層（２０２）は平坦な研磨された表面（２１０）を有する」とされるところの「平坦な研磨された表面（２１０）」と同じであるのに対し、引用発明では、そのようなことまで直接示されているとはいえない点。
　
（相違点２）
　「キャップ金属」について、本願補正発明では「３００Å〜５００Åの厚さを有する」との厚さ範囲の限定がなされているのに対し、引用発明では、そのような厚さ範囲の限定がなされていない点。
　
（相違点３）
　「ビア（２２２）」について、本願補正発明では「前記合金（２１２）内に終わる」、つまり、「合金（２１２）」の内に入り込んで終わるよう形成されると解されるのに対し、引用発明では、そのようなことまで直接示されているとはいえない点。
　
（相違点４）
　「金属構造（２０６）に対するコンタクト」について、本願補正発明では「前記合金（２１２）内に終わるビア（２２２）を形成」した後に「前記ビア（２２２）内に導電性材料（２２６）を堆積させて、」、「前記合金（２１２）を通る」ものを実現しているのに対し、既に上記相違点３でも触れたように、引用発明では、「合金（２１２）内に終わるビア（２２２）」が形成されていることまで直接示されているとはいえず、その後に「前記ビア（２２２）内に導電性材料（２２６）を堆積させ」た際、「前記合金（２１２）を通る」ものが実現するかどうかも、直接示されているとはいえない点。
　
（４）相違点についての当審の判断 
（４−１）相違点１について
　引用発明は、上記（２−２）で認定したとおり、
「ａ）絶縁層１０に溝部１１を形成し、かかる溝部１１内を含む絶縁層１０上に、ＴｉＮ層／Ｔｉ層の積層構造から構成された第１の下地層１２を形成し、その後、アルミニウム合金から成る配線材料層１３を全面に成膜し、溝部１１内を配線材料層１３で埋め込んで配線１４を形成し、次いで、絶縁層１０上の配線材料層１３及び第１の下地層１２を化学的・機械的研磨法（ＣＭＰ法）にて除去する工程と、
ｂ）全面にＴｉから成る金属膜１５を成膜する工程と、
ｃ）金属膜１５と配線１４とを反応させる工程と、
ｄ）未反応の金属膜１５をＣＭＰ法で除去することによってチタン−アルミニウム系合金から成る被覆層１６を形成する工程と、」
という一連の工程を有しており、また、上記（３−１）で検討したとおり、その工程ａ）及び工程ｄ）においてそれぞれ「化学的・機械的研磨法（ＣＭＰ法）」が実施された結果、両工程とも「被覆層１６」及び「絶縁層１０」の表面が「実質的に平坦な研磨された表面」として露出された状態になることは明らかである。
　そして、工程ｄ）は、「未反応の金属膜１５をＣＭＰ法で除去する」ために行うものであって、その「未反応の金属膜１５」の下にある「絶縁層１０」まで除去することを想定していないことも明らかである。
　そうすると、引用発明の工程ｄ）において、「絶縁層１０」を削ることなく、「化学的・機械的研磨法（ＣＭＰ法）」が行われた結果として露出する「被覆層１６」及び「絶縁層１０」の「実質的に平坦な研磨された表面」が、工程ａ）において「化学的・機械的研磨法（ＣＭＰ法）」が行われた結果として露出する「被覆層１６」及び「絶縁層１０」の「実質的に平坦な研磨された表面」と一致をした時点において、化学的・機械的研磨を止めること、すなわち、引用発明において、上記相違点１に係る構成とすることは、当業者に普通に期待される技術的な設計事項である。
　
（４−２）相違点２について 
　本願補正発明における「キャップ金属」の「３００Å〜５００Åの厚さを有する」との条件は、図２及び図３についての００１７段落における
「     【００１７】
  表面１１２が構造１１４上で再酸化されないことを保証するために、構造１１４と金属層１１０堆積のＣＭＰ間の時間を最短にすることができる。
金属層１１０は、有利には、金属層１１０内への次のビアレベルのオーバーエッチングよりも大きい最小厚さを有する（下記参照）。
との記載、及び図８についての００２４段落における
「     【００２４】
  図８に関して説明すれば、耐火金属２０８を、合金２１２の部分を残して除去する。耐火金属２０８は、有利にはフッ素ベースのエッチング（例えば、耐火金属２０８がＴｉ及び構造２０６がＡｌである場合には、該フッ素ベースのエッチングはＴｉをＴｉＡｌ３及び誘電体層２０２よりも速くエッチングする）により又はＣＭＰ（これはまさに良好な選択性を提供する）により除去する。（Ｃｕを使用する場合には、塩素ベースのエッチングを使用する）。
Ｔｉ膜が比較的薄い場合には、その除去は短い“タッチアップ（touch-up）”ステップを必要とするに過ぎない。
合金２１２の有利な厚さは約３００Å〜約５００Åである。
との記載に照らすと、その「３００Å」との厚さ条件の最小値は、本願補正発明において「前記の第２の誘電体層（２２０）を開口して、前記合金（２１２）内に終わるビア（２２２）を形成する」際に「キャップ金属」内への「オーバーエッチングよりも大きい最小厚さ」となる目安として定められたものであり、また、その「５００Å」との厚さ条件の最大値は、本願補正発明において「この平坦な研磨された表面の下の高さに配置されている前記合金（２１２）の一部が前記金属構造（２０６）の上に残るように、前記の第１の誘電体層（２０２）から前記耐火金属（２０８）を除去する」際、「短い“タッチアップ（touch-up）”ステップを必要とするに過ぎない」程度で済む目安として定められたものと認められる。また、本願の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載並びに本願出願時の技術常識に照らしても、これら厚さ条件の「３００Å」との最小値及び「５００Å」との最大値のそれぞれについて、臨界的意義を認めることはできない。
　そして、引用発明の工程ｆ）の「被覆層１６の上方の層間絶縁層２０にチタン−アルミニウム系合金から成る被覆層１６に達する開口部２１ＡをＲＩＥ法にて形成する工程」は、「開口部２１Ａ」を「被覆層１６」を貫通するように形成するものでないことは明らかであり、また、引用発明の工程ｄ）の「未反応の金属膜１５をＣＭＰ法で除去することによってチタン−アルミニウム系合金から成る被覆層１６を形成する工程」をできるだけ短いステップとして行えるに越したことがないことは、製造時間を短縮するとの当業者にとっては当然の技術課題に照らし、こちらも明らかである。
　そうすると、引用発明において「被覆層１６」を「３００Å〜５００Åの厚さを有する」ものとすること、すなわち、上記相違点２に係る構成とすることは、当業者に普通に期待される技術的な設計事項である。
　
（４−３）相違点３及び４について
　上記相違点３に係る本願補正発明の構成は、「ビア（２２２）」の形成にあたり、「合金（２１２）」により形成された「金属キャップ」がオーバーエッチングされることを示しており、また、上記相違点４に係る本願補正発明の構成は、そのように「金属キャップ」がオーバーエッチングされた「前記ビア（２２２）内に導電性材料（２２６）を堆積させ」た際、必然的に導かれる構成であると判断されるところ、本願補正発明のような多層配線構造を備える半導体装置の製造に関わる当業者にとって、誘電体層を開口してビアを形成する際、オーバーエッチングが生じうることは、周知の事項である。
　例えば、本願の優先権主張日前に国内において頒布された特開平０９−０１７８６２号公報（以下「周知例」という。）には、図９−図１２とともに、　
「【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造においては、平坦化した層間絶縁膜に接続孔を開孔する工程が行われることがあるが、この場合、層間絶縁膜に段差があると、段差上部（層間膜の膜厚がその部分は小さい）に形成される接続孔と、段差下部（層間膜の膜厚がその部分は大きい）に形成される接続孔とでは、深さが異なることになる。このような接続孔を同時にエッチングで形成すると、浅い接続孔には過剰にエッチングがかかることになって、不都合が生ずることがある。
【０００３】例えば、この問題は、多層配線構造を備える半導体装置について見られる。即ち、最近のＬＳＩ等では、デバイス特性の向上や微細化への対応のため多層配線特に多層ポリＳｉ配線等の多層配線プロセスが使われている。特にメモリーではセル内と周辺回路内で多層ポリＳｉ配線の使い方が異なるため、それらで配線の下部（例えばＡｌ配線の下地）の高さが異なってくる。このため、例えば図９に示すように下地１の高さが異なって段差となっているところにＡｌ配線２ａ，２ｂを形成し、平坦化層間膜３により層間平坦化を行うと、図示のように層間膜３の厚さが異なってしまう。即ち、下地１の段差底部１ａ上における配線２ａ上の層間膜３の膜厚３ａは厚く、下地１の段差上部１ｂ上における配線２ｂ上の層間膜３の膜厚３ｂは薄い。つまり３ａ＞３ｂとなる。このままフォトリソグラフィー技術を用いてコンタクトホールパターン４を形成し、コンタクトホール５ａ，５ｂを開孔すると、次の問題が生ずる。図９はコンタクト開孔のためのエッチングの途中を示し、浅いコンタクトホール５ｂが開孔された状態を示す。このとき深いコンタクトホール５ａは形成途中にある。
更にエッチングを進めて、図１０のようにホール５ａ，５ｂを開孔すると、浅いコンタクトホール５ｂに過剰にオーバーエッチングがかかるようになる。
との記載があり、「深さが異なる」「接続孔を同時にエッチングで形成する」際の「浅い接続孔」には「過剰にエッチングがかかる」こと、つまり、上記周知の事項である「オーバーエッチング」に相当するものが開示されている。
　ここで、引用発明には、上記周知例のような「深さが異なる」「接続孔を同時にエッチングで形成する」との前提事項は開示されていないものの、当該前提事項自体、上記周知例において「従来の技術」の扱いで取り上げられているとおり、多層配線構造を形成するに当たり従来普通に行われていたことであり、かつ、引用発明に対して上記前提事項の適用を阻害するような事由も存在しない。そうすると、引用発明における工程ｆ）の「被覆層１６の上方の層間絶縁層２０にチタン−アルミニウム系合金から成る被覆層１６に達する開口部２１ＡをＲＩＥ法にて形成する工程」を、上記周知例のような「深さが異なる」「接続孔を同時にエッチングで形成する」場合において適用し、少なくとも「浅い接続孔」に「過剰にエッチングがかかる」ようにすること、すなわち、引用発明の少なくとも一部の「開口部２１Ａ」において「被覆層１６」が「オーバーエッチング」され、これにより、上記相違点３及び４に係る構成が得られるようにすることは、当業者に普通に期待される技術的な設計事項である。
　また、引用発明における工程ｆ）において、「開口部２１Ａ」底部に「層間絶縁層２０」のエッチング残りが生じ、「被覆層１６」に対する「配線材料層２３」の接続が不十分とならないよう、「ＲＩＥ法」による「開口部２１Ａ」形成時間を余分に取り、結果として「被覆層１６」が多少なりとも「オーバーエッチング」された状態となすことも、当業者が普通に行いうる設計事項であって、別途そのような観点から、引用発明に基づき上記相違点３及び４に係る構成とすることも、当業者が容易になしえたことといえる。
　
（４−４）判断についてのまとめ 
　以上のとおり、上記相違点１−４に係る構成は、当業者が容易に想到し得たものであるから、本願補正発明は、上記周知の事項または上記当業者が普通に行いうる設計事項を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。
　したがって、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
 
（５）独立特許要件についてのまとめ 
　本件補正は、補正後の請求項６に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。 
　 
４．補正の却下の決定のむすび 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
　 
第３．本願発明について 
　平成２０年７月１６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１３に係る発明は、平成１８年１１月２０日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１３に記載されている事項により特定されるとおりのものである。 
　そして、そのうちの請求項６に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２．２．の（１）及び（２）で検討したとおり、その特許請求の範囲の請求項６に記載されている「合金（２１２）が前記金属構造（２０６）上の前記の実質的に平坦な表面（２１０）上だけに形成されるように、前記金属構造（２０６）と前記耐火金属（２０８）の間に合金（２１２）を形成する、」を「合金（２１２）が前記金属構造（２０６）との合金だけを形成するように、前記金属構造（２０６）と前記耐火金属（２０８）の間に合金（２１２）を形成する、」の誤記として読み替えた、以下のとおりのものと認める。
　
「　【請求項６】　自己整合金属キャップで金属構造を接続する方法において、
第１の誘電体層（２０２）内に金属構造（２０６）を設ける、その際前記金属構造（２０６）及び前記の第１の誘電体層（２０２）は実質的に平坦な表面（２１０）を有する、
前記金属構造（２０６）及び前記の第１の誘電体層（２０２）上に耐火金属（２０８）を堆積させる、
合金（２１２）が前記金属構造（２０６）との合金だけを形成するように、前記金属構造（２０６）と前記耐火金属（２０８）の間に合金（２１２）を形成する、前記合金（２１２）の一部が前記金属構造（２０６）の上に残るように、前記の第１の誘電体層（２０２）から前記耐火金属（２０８）を除去する、
前記金属構造（２０６）の上に残った合金（２１２）により金属キャップが形成される、
その際、このキャップ金属が３００Å〜５００Åの厚さを有する、
前記合金（２１２）上に第２の誘電体層（２２０）を形成する、
前記の第２の誘電体層（２２０）を開口して、前記合金（２１２）内に終わるビア（２２２）を形成する、及び
前記ビア（２２２）内に導電性材料（２２６）を堆積させて、前記合金（２１２）を通る前記金属構造（２０６）に対するコンタクトを設ける
ステップからなることを特徴とする、自己整合金属キャップで金属構造を接続する方法。」 
　
　一方、原査定の拒絶の理由に引用され、かつ、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である引用例（特開平１０−１４４６８５号公報）には、上記第２．３．（２）で認定したとおりの事項及び発明（引用発明）が記載されている。 
　そして、本願発明に対して技術的限定を付加した発明である本願補正発明は、上記第２．３．において検討したとおり、上記周知の事項または当業者が普通に行いうる上記設計事項を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、本願発明も、同様に当業者が容易に発明をすることができたものであることは明らかである。 
　したがって、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　 
第４．むすび 
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。 
　よって、上記結論のとおり審決する。