【事件の表示】
　特願２００１−５１９１２８号「高温ＨｆＮ赤外線シーン投射画素」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１月２５日国際公開、ＷＯ０１／０６２１８号、平成１５年２月２５日国内公表、特表２００３−５０７８６９号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本件に係る出願（以下「本願」という。）は、１９９９年７月１６日を国際出願日とする出願であって、平成２１年７月８日付けで拒絶査定がなされ（発送日：同年７月１０日）、これに対し、平成２１年１１月１０日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、その審判の請求と同時に手続補正がなされたものである。
　
第２．平成２１年１１月１０日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年１１月１０日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．本件補正発明
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、本件補正前に「４０以上の電子と平方毎に約５０オーム以上の抵抗を有する周期表のＩＶｂ族金属を含む一以上の抵抗体を備える抵抗加熱用構造体であって、該一以上の抵抗体が、該一以上の抵抗体に関して特に安定な抵抗を達成するために或る濃度の反応性ガスを与えられており、該一以上の抵抗体が、該一以上の抵抗体の動作温度を通じて焼きなましされている、抵抗加熱用構造体。」とあったものを「平方毎に約５０オーム以上の抵抗を有する
窒化ハフニウム
　上記補正について検討する。
　本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明は、本件補正前の請求項１に「４０以上の電子」「を有する周期表のＩＶｂ属金属」とあったものを「窒化ハフニウム」と限定するものであり、かつ、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明と本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるので、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。  
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）否かについて検討する。 
　
２．刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶理由において提示された、本願の出願前に頒布された刊行物である特表平１０−５１１７７３号公報（以下「刊行物」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。
a)「発明の分野
　本発明は画像投射に関し、特に、密接してパッケージングされ且つ抵抗加熱される微細構造放射器から成り、それらの放射器を駆動するために相対的に少ない量の電力しか必要としないアレイからの赤外線（ＩＲ）画像投射に関する。放射輝度の低い宇宙空間背景をシミュレートするために、微細構造アレイは極低温で動作し、また、地上固定背景に対しては室温で動作する。」（第4ページ第3〜8行）
b)「発明の概要
　本発明の
ＩＲシーンプロジェクタアレイ
　アレイは支持レグで懸垂される２レベルアーキテクチャで動作するので、経路の熱漏れは非常に少なく、また、アレイの電子回路はアレイの下方にコンパクトに且つ効率良く配設されているために、高いフィルファクタが得られる。
　真空環境で、熱コンダクタンスの低い材料を使用しているので、アセンブリ全体は熱遷移から絶縁される。光学空洞が同調されるように設計されており、また、アレイの光学的特性を最適化するように放射器と特殊膜を慎重に選択しているため、その結果、高い光学的放射率が得られる。
　本発明の低温動作特性は、抵抗器、画素膜及び電子素子を慎重に選択することによって実現される。
　放射器抵抗器は以下のことにより広い動作温度範囲を有する。すなわち、熱抵抗係数（ＴＣＲ）をケルビン温度で２０〜６５０度の範囲と負の低い値にすると、電流により駆動される投射駆動モードに理想的に適合し、約４０ｋオームの画素抵抗は低い電流レベルで最適の加熱を行い、また、放射器材料は約１ｋオーム／平方の抵抗を有し、そのため、小さな画素形状にはめ込める４０平方のジグザグパターンを使用することができる。熱に関する放射器の設計は低温、すなわち、窒化シリコン膜を考慮しており、有効高温コンダクタンスを５０％低下させる低温ヒートシンクの実現と、温度従属時定数に合わせた画素構成の事前調整を考慮している。」（第5ページ第12行〜第6ページ第7行。下線は当審にて付与。以下同様。）
c)「好ましい実施形態の説明
　図１Ａを参照すると、本発明の２レベルＩＲアレイ１０のアーキテクチャと関連する１つの放射器画素１２を示しており、加えて、図４にさらに示すように、離間した支柱２１に装着されて、各放射器画素１２から発射された放射を集束するコリメート用マイクロレンズアセンブリ２０の使用状況を示す。
アレイ１０は
複数の放射器画素１２から構成される
窒化シリコン薄膜２４の上にパターニングされた
抵抗素子２２を構成し
d)「通常の放射器製造工程：大半の放射器構造１０は窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）膜６２から形成されている。それらの膜は、基板１６と放射器１２との熱接触を最小にさせるレグ１８を形成する材料の大部分をも成している。一実施形態では、膜６２の中にジグザグ形の抵抗器２２が埋設されている。極低温での動作の場合、そのような抵抗器材料は低いＴＣＲを有し、アレイ１０を処理する際に使用する犠牲エッチング材料に対して耐性を示し且つ数百オーム／平方程度の面積抵抗を有しているべきである。スパッタＴｉＮｘはこの基準に適合する膜の１つである。
蒸着中の窒素含有量を変化させることと、後述する蒸着後の熱処理工程とにより、狭い範囲内で膜の組成を変えることができる
　放射器画素に関して、周囲に駆動電子素子１４を含む基板１６の上に犠牲層６０をそれぞれ蒸着し、且つパターニングすることから成る基本製造工程を図６に示す。次に、犠牲層６０の上に窒化シリコン膜６２と、
単一抵抗器膜２２
e)「ＴｉＷＮ
　本発明ではいくつかの
抵抗器材料
それらの材料は
１００オームから１Ｋオームの範囲の面抵抗を有し
抵抗膜は高温でも安定していなければならず
蒸着工程の間に気体環境を制御することにより様々な膜抵抗を変化させることができれば
遷移金属窒化物はいくつかある
ＴｉＮ
　スパッタ蒸着ＴｉＷＮが
シーンプロジェクタアレイ１０の抵抗器２２の材料として使用されている
　
　上記a〜eの記載事項、及び、図面の図示内容を総合勘案すると、刊行物には、次の発明が記載されていると認められる。
「１００オームから１Ｋオームの範囲の面抵抗を有し、抵抗膜が高温でも安定し、蒸着工程の間に気体環境を制御することにより様々な膜抵抗を変化させることができる遷移金属窒化物を材料として使用する、単一抵抗器膜２２を窒化シリコン薄膜２４の上にパターニングして構成した放射器画素１２の複数から構成されるＩＲシーンプロジェクタアレイ１０であって、
　蒸着工程の間に気体環境を制御することにより様々な膜抵抗を変化させ、
　蒸着工程中の窒素含有量を変化させることと、蒸着工程後の熱処理工程とにより、狭い範囲内で単一抵抗器膜２２の組成を変える、
　ＩＲシーンプロジェクタアレイ１０。」
　
３．対比
　本件補正発明と刊行物に記載された発明とを対比する。
　刊行物に記載された発明の「１００オームから１Ｋオームの範囲の面抵抗を有し、抵抗膜が高温でも安定し、蒸着工程の間に気体環境を制御することにより様々な膜抵抗を変化させることができる遷移金属窒化物を材料として使用する、単一抵抗器膜２２」と本件補正発明の「平方毎に約５０オーム以上の抵抗を有する窒化ハフニウムを含む一以上の抵抗体」とは、後者における「窒化ハフニウム」は、遷移金属窒化物に含まれるものであるから、両者は、「平方毎に約５０オーム以上の抵抗を有する遷移金属窒化物を含む一以上の抵抗体」である点で共通し、同様に、
　「蒸着工程後の熱処理工程」と「一以上の抵抗体の動作温度を通じて焼きなましされている」こととは、前者において、熱処理工程により広い動作温度範囲で安定した膜抵抗を得られるものであり、焼きなましであることは明らかであるから、両者は、「焼きなましされている」ことで共通する。
　なお、材料を加熱処理する技術分野において、材料の加熱後に、徐々に冷却する熱処理を行い、材料の内部の歪みを除去して軟化させる焼きなまし（アニーリング）を行うことは、本願の出願前に慣用的に行われている技術的事項である。しかも、抵抗加熱構造体の技術分野においても、遷移金属化合物を含む抵抗加熱構造体の熱処理として焼きなまし（アニーリング）を行い、抵抗加熱構造体の歪みを除去して安定性を向上させることは、本願出願前に周知の技術事項である（例えば、特開平６−２２０５９６号公報の段落【0002】、【0014】や、特開昭６３−１２５６５０号公報の第2ページ左上欄第2〜8行、第2ページ左下欄第6行〜同右下欄第16行を参照。）。
　そして、刊行物に記載された発明の「ＩＲシーンプロジェクタアレイ１０」は、抵抗加熱されるものであるから、本件補正発明の「抵抗加熱用構造体」に相当し、同様に、
　「蒸着工程の間に気体環境を制御することにより様々な膜抵抗を変化させ」ることは、単一抵抗器膜２２が高温でも安定しているという条件を満たすために行われる処理であることから、「一以上の抵抗体が、一以上の抵抗体に関して特に安定な抵抗を達成するために或る濃度の反応性ガスを与えられ」ることに相当する。
　
　したがって、両者の一致点および相違点は、次のとおりである。
［一致点］
「平方毎に約５０オーム以上の抵抗を有する遷移金属窒化物を含む一以上の抵抗体を備える抵抗加熱用構造体であって、該一以上の抵抗体が、該一以上の抵抗体に関して特に安定な抵抗を達成するために或る濃度の反応性ガスを与えられており、該一以上の抵抗体が、焼きなましされている、抵抗加熱用構造体。」
　
［相違点１］
　抵抗体が、本件補正発明では、窒化ハフニウムを含むのに対して、刊行物に記載された発明では、窒化ハフニウムを含むか否か明らかでない点。
　
［相違点２］
　抵抗体の焼きなましが、本件補正発明では、抵抗体の動作温度を通じた焼きなましであるのに対して、刊行物に記載された発明では、どのような焼きなましか明らかでない点。
　
４．当審の判断
（１）相違点１について
　発熱抵抗体の技術分野において、発熱抵抗体を高耐熱性を有するチタンや、ジルコニウムや、ハフニウムの窒化物を主成分とする材料で形成することは、本願出願前に周知の技術事項である（例えば、特開平５−５２４号公報の段落【0016】や特開昭６１−１０４５８１号公報の第3ページ右下欄第12行〜第4ページ左上欄第1行、第8ページ左上欄第5行〜同右上欄第16行を参照。）。
　ところで、刊行物に記載された発明の単一抵抗器膜２２は、１００オームから１Ｋオームの範囲の面抵抗を有し、抵抗膜が高温でも安定し、蒸着工程の間に気体環境を制御することにより様々な膜抵抗を変化させることができる遷移金属窒化物から選ばれるものである。
　してみると、刊行物に記載された発明の遷移金属窒化物として、その用いられる用途や、特性等を考慮して、窒化ハフニウムを選択することは、当業者が容易になし得たことと言わざるを得ない。
　
（２）相違点２について
　部材の内部の歪みを除去して、高温における動作を安定させるために、部材に電流あるいは電圧を印加して部材を動作させ、発生するジュール熱を用いて焼きなましを行うことは、本願出願前に周知の技術事項である（例えば、実願昭５８−１７６７１７号（実開昭６０−８５０９２号）のマイクロフィルムや実願昭５３−１０２８０８号（実願昭５５−１８７９１号）のマイクロフィルムや、特開平７−２１４８０９号公報の段落【0034】、【0014】を参照。）。
　したがって、刊行物に記載された発明の単一抵抗器膜２２の焼きなましを、単一抵抗器膜２２の動作温度を通じて行うことは、当業者が容易になし得たものである。
　
（３）小括
　本件補正発明の奏する効果は、刊行物に記載された発明及び周知の技術事項から当業者が予測できた効果の範囲内のものである。
　
　したがって、本件補正発明は、刊行物に記載された発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものである。
　ゆえに、本件補正発明は、刊行物に記載された発明及び周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５．まとめ
　以上のとおりであるから、本件補正は、改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
 　  
第３．本願発明について
１．本願発明
　平成２１年１１月１０日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２０年１２月２２日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項によ
り特定される次のとおりのものである。
「４０以上の電子と平方毎に約５０オーム以上の抵抗を有する周期表のＩＶｂ族金属を含む一以上の抵抗体を備える抵抗加熱用構造体であって、該一以上の抵抗体が、該一以上の抵抗体に関して特に安定な抵抗を達成するために或る濃度の反応性ガスを与えられており、該一以上の抵抗体が、該一以上の抵抗体の動作温度を通じて焼きなましされている、抵抗加熱用構造体。」
　
２．刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用した刊行物、刊行物の記載事項及び刊行物に記載された発明は、前記「第２．［理由］２．刊行物に記載された発明」に記載したとおりである。
　
３．対比および判断
　本願発明は、前記「第２．［理由］」において検討した本件補正発明において、「窒化ハフニウム」とあったものを「４０以上の電子」「を有する周期表のＩＶｂ属金属」とその限定を省くものである。
　そうすると、実質的に本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに、他の発明特定事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記「第２．［理由］３．対比および４．当審の判断」に記載したとおり、刊行物に記載された発明及び周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様に、刊行物に記載された発明及び周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。  
 　  
４．むすび  
　以上のとおりであるから、本願発明は、刊行物に記載された発明及び周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　したがって、本願のその他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。