【事件の表示】
　特願２００２−　３３９７０「ディスクドライブパラメータ決定方法及びディスクパラメータ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　９月２７日出願公開、特開２００２−２７９６０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は、平成１４年２月１２日（パリ条約による優先権主張　２００１年２月１９日　韓国）に出願したものであって、平成１８年１１月２７日付けで拒絶理由が通知されて平成１９年３月２９日付けで拒絶査定がされた。これに対し、同年７月２日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年８月１日付けで手続補正がなされた。
　その後、平成２２年２月３日付けで前置報告書を利用した審尋がなされ、同年５月１０日付けで回答書が提出されたものである。
　
第２　平成１９年８月１日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年８月１日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正
　
　平成１９年８月１日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、明細書の特許請求の範囲についてするもので、本件補正前に、
「　【請求項１】　ディスクドライブパラメータ決定方法において，
（ａ）所定のモードで前記ディスクドライブ内の温度を測定して温度情報をアップデートさせる段階と，
（ｂ）前記アップデートされた温度情報が臨界温度範囲内に含まれるかどうかを判断する段階と，
（ｃ）前記段階（ｂ）の判断結果，前記アップデートされた温度情報が前記臨界温度範囲を超える場合，温度に影響される書込み及び読出し関連パラメータを温度変化による相互相関作用を考慮して超えた温度による性能変化を補償するパラメータ値に変更させる段階と，
を含むことを特徴とする，ディスクドライブパラメータ決定方法。
　　【請求項２】　前記所定のモードは，パワーオン状態におけるアイドルモードであることを特徴とする，請求項１に記載のディスクドライブパラメータ決定方法。
　　【請求項３】　前記温度情報のアップデートは，所定長さの周期ごとに実行させることを特徴とする，請求項１または２に記載のディスクドライブパラメータ決定方法。
　　【請求項４】　前記段階（ｃ）で超えた温度に対応するパラメータ値は，前記アップデートされた温度情報が前記臨界温度範囲の下限値に達しない場合に前記臨界温度範囲内における標準パラメータ値に低温補償値を反映し，前記アップデートされた温度情報が前記臨界温度範囲の上限値を超える場合に標準パラメータ値に高温補償値を反映して決定することを特徴とする，請求項１，２または３のいずれかに記載のディスクドライブパラメータ決定方法。
　　【請求項５】　前記段階（ｃ）で超えた温度に対応するパラメータ値は，前記アップデートされた温度情報が前記臨界温度範囲を超えた温度値の大きさ情報を反映してパラメータ変更値を演算して決定することを特徴とする，請求項１，２または３のいずれかに記載のディスクドライブパラメータ決定方法。
　　【請求項６】　前記温度に影響される書込み及び読出し関連パラメータは，少なくとも読出し電流決定因子，書込みブースト決定因子及び書込みプレコム因子を含む記録関連パラメータと読出しバイアス電流因子パラメータとを含むことを特徴とする，請求項１，２，３，４または５のいずれかに記載のディスクドライブパラメータ決定方法。
　　【請求項７】　ディスクドライブパラメータ決定装置において，
　前記ディスクドライブの各種のパラメータ関連情報及び測定温度情報を貯蔵するためのメモリと，
　前記ディスクドライブ内の温度を感知するための温度感知部と，
　前記温度感知部で検出された温度情報を所定のモードで前記メモリにアップデートさせ，前記アップデートされた温度情報と臨界温度範囲とを比較して，前記アップデートされた温度情報が前記臨界温度範囲を超える場合，前記メモリに貯蔵されているパラメータのうち温度に影響される書込み及び読出し関連パラメータを温度変化による相互相関作用を考慮して超えた温度による性能変化を補償するパラメータ値に変更させるためのコントローラと，
を含むことを特徴とする，ディスクドライブパラメータ決定装置。
　　【請求項８】　前記所定のモードは，パワーオン状態におけるアイドルモードであることを特徴とする，請求項７に記載のディスクドライブパラメータ決定装置。
　　【請求項９】　前記コントローラは，前記温度感知部で検出された温度情報のアップデートを所定長さの周期ごとに実行させることを特徴とする，請求項７または８に記載のディスクドライブパラメータ決定装置。
　　【請求項１０】　前記コントローラは，前記超えた温度に対応するパラメータ値の決定において，前記アップデートされた温度情報が前記臨界温度範囲の下限値に達しない場合に前記臨界温度範囲内における標準パラメータ値に低温補償値を反映し，前記アップデートされた温度情報が前記臨界温度範囲の上限値を超える場合に標準パラメータ値に高温補償値を反映して決定することを特徴とする，請求項７，８または９のいずれかに記載のディスクドライブパラメータ決定装置。
　　【請求項１１】　前記コントローラは，前記超えた温度に対応するパラメータ値の決定において，前記アップデートされた温度情報が前記臨界温度範囲を超えた温度値の大きさ情報を反映してパラメータ変更値を演算して決定することを特徴とする，請求項７，８または９のいずれかに記載のディスクドライブパラメータ決定装置。
　　【請求項１２】　前記温度に影響される書込み及び読出し関連パラメータは，少なくとも書込み電流決定因子，書込みブースト決定因子及び書込みプレコム因子を含む記録関連パラメータと読出しバイアス電流因子パラメータとを含むことを特徴とする，請求項７，８，９，１０または１１のいずれかに記載のディスクドライブパラメータ決定装置。」
とあったところを、
　
本件補正後、
「　【請求項１】　ディスクドライブパラメータ決定方法において，
（ａ）所定のモードで前記ディスクドライブ内の温度を測定して温度情報をアップデートさせる段階と，
（ｂ）前記アップデートされた温度情報が臨界温度範囲内に含まれるかどうかを判断する段階と，
（ｃ）前記段階（ｂ）の判断結果，前記アップデートされた温度情報が前記臨界温度範囲を超える場合，温度に影響される書込み及び読出し関連パラメータを温度変化による相互相関作用を考慮して超えた温度による性能変化を補償するパラメータ値に変更させる段階と，
を含
み，
　
前記段階（ｃ）で前記臨界温度範囲を超えた温度に対応するパラメータ値は，前記アップデートされた温度情報が前記臨界温度範囲の下限値に達しない場合に前記臨界温度範囲内における標準パラメータ値に低温補償値を反映し，前記アップデートされた温度情報が前記臨界温度範囲の上限値を超える場合に標準パラメータ値に高温補償値を反映して決定する
　　【請求項２】　前記所定のモードは，パワーオン状態におけるアイドルモードであることを特徴とする，請求項１に記載のディスクドライブパラメータ決定方法。
　　【請求項３】　前記温度情報のアップデートは，所定長さの周期ごとに実行させることを特徴とする，請求項１または２に記載のディスクドライブパラメータ決定方法。
　　【請求項４】　前記段階（ｃ）で超えた温度に対応するパラメータ値は，前記アップデートされた温度情報が前記臨界温度範囲を超えた温度値の大きさ情報を反映してパラメータ変更値を演算して決定することを特徴とする，請求項１，２または３のいずれかに記載のディスクドライブパラメータ決定方法。
　　【請求項５】　前記温度に影響される書込み及び読出し関連パラメータは，少なくとも読出し電流決定因子，書込みブースト決定因子及び書込みプレコム因子を含む記録関連パラメータと読出しバイアス電流因子パラメータとを含むことを特徴とする，請求項１，２，３
または４
　　【請求項６】　ディスクドライブパラメータ決定装置において，
　前記ディスクドライブの各種のパラメータ関連情報及び測定温度情報を貯蔵するためのメモリと，
　前記ディスクドライブ内の温度を感知するための温度感知部と，
　前記温度感知部で検出された温度情報を所定のモードで前記メモリにアップデートさせ，前記アップデートされた温度情報と臨界温度範囲とを比較して，前記アップデートされた温度情報が前記臨界温度範囲を超える場合，前記メモリに貯蔵されているパラメータのうち温度に影響される書込み及び読出し関連パラメータを温度変化による相互相関作用を考慮して超えた温度による性能変化を補償するパラメータ値に変更させるためのコントローラと，
を含
み，
　
前記コントローラは，前記臨界温度範囲を超えた温度に対応するパラメータ値の決定において，前記アップデートされた温度情報が前記臨界温度範囲の下限値に達しない場合に前記臨界温度範囲内における標準パラメータ値に低温補償値を反映し，前記アップデートされた温度情報が前記臨界温度範囲の上限値を超える場合に標準パラメータ値に高温補償値を反映して決定する
　　【請求項７】　前記所定のモードは，パワーオン状態におけるアイドルモードであることを特徴とする，請求項
６
　　【請求項８】　前記コントローラは，前記温度感知部で検出された温度情報のアップデートを所定長さの周期ごとに実行させることを特徴とする，請求項
６または７
　　【請求項９】　前記コントローラは，前記超えた温度に対応するパラメータ値の決定において，前記アップデートされた温度情報が前記臨界温度範囲を超えた温度値の大きさ情報を反映してパラメータ変更値を演算して決定することを特徴とする，請求項
６，７または８
　　【請求項１０】　前記温度に影響される書込み及び読出し関連パラメータは，少なくとも書込み電流決定因子，書込みブースト決定因子及び書込みプレコム因子を含む記録関連パラメータと読出しバイアス電流因子パラメータとを含むことを特徴とする，請求項
６，７，８または９
とするものである。
　
　上記本件補正の内容は、請求項１について、発明特定事項である「前記段階（ｃ）」について「前記臨界温度範囲を超えた温度に対応するパラメータ値は，前記アップデートされた温度情報が前記臨界温度範囲の下限値に達しない場合に前記臨界温度範囲内における標準パラメータ値に低温補償値を反映し，前記アップデートされた温度情報が前記臨界温度範囲の上限値を超える場合に標準パラメータ値に高温補償値を反映して決定する」と限定するとともに請求項４を削除し、請求項７について、発明特定事項である「前記コントローラ」について「前記臨界温度範囲を超えた温度に対応するパラメータ値の決定において，前記アップデートされた温度情報が前記臨界温度範囲の下限値に達しない場合に前記臨界温度範囲内における標準パラメータ値に低温補償値を反映し，前記アップデートされた温度情報が前記臨界温度範囲の上限値を超える場合に標準パラメータ値に高温補償値を反映して決定する」と限定するとともに請求項１０を削除したものである。
　本件補正は、発明特定事項を限定するとともに請求項を削除するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号及び第２号に掲げる請求項の削除及び特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか）否かについて、以下検討する。
　
２．引用例
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開平１０−３４０４１３号公報（平成１０年１２月２２日公開、以下「引用例１」という。）には、図面と共に、以下の記載がある。（なお、下線は当審で付与した。）
　
（１）「【００２９】図４は本発明の
磁気ディスク装置における読取信号に生ずるノンリニアビットシフトをキャンセルするための環境温度に応じたライト・プリコンペ処理
【００３０】ライト・プリコンペ回路１は、図１１に示したような長い磁化反転間隔と短い磁化反転間隔に続く次の磁化反転間隔の境界を与える書込電流の切替点（磁化方向遷移点）のタイミングを、そのとき設定処理部２により設定されているプリコンペ量ＷＰだけ遅延させ、この書込電流の切替点（磁化方向遷移点）の遅延による書込みで、リード時に生ずるノンリニアビットシフトが正しいビット間隔の位置となるように補償する。
【００３１】
設定処理部２に対しては、図１のようにディスクエンクロージャ１０に設けた温度センサ３からの環境温度Ｔの検出信号が入力されている。設定処理部２は温度センサ３で検出した環境温度Ｔが所定の温度スライス値を超えたか否か判定しており、温度スライス値を超えるとテーブル４を参照して、変化したスライス値に対応するライト・プリコンペ量ＷＰを読み出して、ライト・プリコンペ回路１に対する設定値を変更する。
【００３２】図５は本発明の磁気ディスク装置におけるライト・プリコンペ量ＷＰに対するエラーレートを環境温度の低温、常温、高温をパラメータとして測定した結果を表している。例えば常温Ｔ２にあっては、ライト・プリコンペ量ＷＰを増加していくとエラーレートも改善し、ピーク値を過ぎると、それ以上ライト・プリコンペ量ＷＰを増やすとエラーレートが悪化する。
【００３３】このライト・プリコンペ量ＷＰの大小関係に対するエラーレートの関係は、環境温度が低温Ｔ１の場合にはライト・プリコンペ量ＷＰを常温Ｔ２に対し大きくする必要があり、これに対し高温Ｔ３の時には常温Ｔ２に対しライト・プリコンペ量ＷＰを小さくする必要がある。このようにライト・プリコンペＷＰは、環境温度に応じてそのエラーレートが異なっている。
【００３４】そこで図５の関係に基づき、本発明にあっては、図６のような環境温度Ｔに対するライト・プリコンペ量ＷＰを設定している。即ち、図５における低温をＴ１、常温をＴ２、高温をＴ３とし、エラーレートが最良となるときのライト・プリコンペ量ＷＰをそれぞれＷＰ１，ＷＰ２，ＷＰ３とすると、図６の直線で示される温度Ｔに対するライト・プリコンペ量ＷＰの特性が得られる。
【００３５】
そこで図４のテーブル４にあっては、図６の特性に基づき例えば図７のようにスライス温度値を参照アドレスとして、これに対応するライト・プリコンペ量を予め格納している。このテーブル内容にあっては、スライス温度値をＴ１，Ｔ２，Ｔ３，・・・Ｔｎのｎ領域に分けており、各領域のスライス温度値で決まる領域の中央値をライト・プリコンペ量ＷＰ０，ＷＰ１，ＷＰ２，・・・ＷＰｎとして予め登録している。
【００３６】図８は図４の実施形態によるライト・プリコンペ処理のフローチャートである。
まずステップＳ１で、ディスクエンクロージャ１０に設置している温度センサ３で検出している環境温度Ｔを所定のタイムサイクルごとにモニタしており、ステップＳ２で、モニタした環境温度Ｔによって図７のテーブル４を参照し、現在設定しているライト・プリコンペ量に対応するテーブルの温度スライス値を超えたか否かチェックする。
【００３７】
検出した環境温度Ｔがテーブルの現在設定しているプリコンペ量の温度スライス値を超えた場合にはステップＳ４に進み、検出した環境温度Ｔが属する温度スライス値のライト・プリコンペ量をテーブル４から読み出して、ライト・プリコンペ回路１に対する設定量を変更する。
　
　上記摘示事項及び図面の記載を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
　
「磁気ディスク装置におけるライト・プリコンペ量を設定する処理において、
　ディスクエンクロージャに設置している温度センサで検出している環境温度を所定のタイムサイクルごとにモニタするステップと、
　モニタした環境温度によってテーブルを参照し、現在設定しているライト・プリコンペ量に対応するテーブルの温度スライス値を超えたか否かチェックするステップと、
　検出した環境温度がテーブルの現在設定しているプリコンペ量の温度スライス値を超えた場合には、検出した環境温度が属する温度スライス値のライト・プリコンペ量をテーブルから読み出して、ライト・プリコンペ回路に対する設定量を変更するステップと、
を含み、
　テーブル内容にあっては、スライス温度値をｎ領域に分けており、各領域のスライス温度値で決まる領域の中央値をライト・プリコンペ量として予め登録している磁気ディスク装置におけるライト・プリコンペ量を設定する処理。」
　
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である国際公開第９８／３７５４８号（１９９８年８月２７日公開、以下「引用例２」という。）には、図面と共に、以下の記載がある。
　
（２）「　　　　　　　〈実施例２〉
　図３は本発明に係る磁気ディスク装置のー実施例の制御系の概略構成図である。同図において参照符号２２は磁気ディスク装置制御回路系を示すが、図１に示した実施例１と同一の構成部分については、説明の便宜上、同一の参照符号を付してその詳細な説明は省略する。すなわち、本実施例の磁気ディスク装置制御回路系では、従来の磁気ディスク装置制御回路系に、温度センサ６を付加するのに加えて、記録電流制御回路３及び再生センス電流制御回路４を有し、記録電流制御回路３は再生センス電流制御回路４及び温度センサ６及びリード／ライト制御部８にそれぞれ接続されており、
温度センサ６からの出力に応じて記録ヘッドに流す記録電流値及び再生ヘッドに流すセンス電流値を連動させて変化させる
　図８に示した、温度が絶対温度２６３ケルビン、２９８ケルビン、及び３３３ケルビンの各場合における、線記録密度２００キロ・エフ・シー・アイの再生出力の記録電流依存性を測定した結果の特性線図ｂ、ｃ、ｄによると、各温度における最適電流値は、温度が絶対温度２６３ケルビンのとき１１ミリアンペア、２９８ケルビンのとき８ミリアンペア、及び３３３ケルビンのとき５ミリアンペアである。この結果をもとにして、
記録電流が次の式に従うように記録電流制御回路を設定した。
　　
記録電流値（ミリアンペア・ゼロ・トゥー・ピーク）
　　　　　
＝−０．０８５７＊温度（ケルビン）＋３３
　再生センス電流値及び再生アンプゲインを一定とし、記録電流値のみが（１）式に従って変化するように設定した場合における線記録密度２００キロ・エフ・シー・アイの再生出力の温度依存性を測定した結果の特性線図ｈを図１０に示す。従来の磁気ディスク装置について測定した結果の特性線図ｉについても併せて示す。また、製品として使用するために最低限必要な再生出力値を破線ｇで示す。
　従来の磁気ディスク装置では、再生出力が最低限必要な値より大きい領域が２８７ケルビンから３１２ケルビンに限られているのに対し、記録電流値のみを調整した場合には２６３ケルビンから３１８ケルビンまで最低限必要な再生出力を確保できていることがわかる。しかし、３１８ケルビンから３３３ケルビンまでの領域では、最低限必要な再生出力を確保できていない。そこで、図９に示した記録電流値のみを変化させた場合の特性線図ｈを考慮して、
再生センス電流値が次式に従うように設定した。
　　
再生センス電流値（ミリアンペア・ディー・シー）
　　　　　
＝−０．１７４＊記録電流値（ミリアンペア・ゼロ・トゥー・ピーク）
＋１３．８２
　　（２）
　本実施例の制御回路系２３を前述した図３に示す磁気ディスク装置における制御回路系２５の代わりとして用いた場合における、線記録密度２００キロ・エフ・シー・アイの再生出力の温度依存性を測定した結果の特性線図ｊを図１１に示す。従来の磁気ディスク装置について測定した結果の特性線図ｉについても併せて示す。また、製品として使用すために最低限必要な再生出力値を破線ｇで示す。本実施例では、温度２６３ケルビンから３３３ケルビンまで必要値を上回る再生出力を確保できていることがわかる。
　従って、本実施例の構成を有する磁気ディスク装置でも高信頼性の維持に効果があることがわかる。
　なお、本実施例では記録電流値が温度に対して上述の（１）式に従うように設定し、再生センス電流値が記録電流値に対して上述の（２）式に従うように設定したが、用いる媒体の磁気特性等に応じて（１）式及び（２）式とは異なる設定の仕方をしてもよい。また、本実施例では、記録電流値に他に再生ヘッドのセンス電流値を温度に応じて記録電流値と連動させて変化させたが、図４に示すように再生アンプゲイン制御回路を付加するなどして再生アンプのゲインを変化させてもよい。また、本実施例では温度センサ６を筐体内壁側に設けたが、これを筐体外壁側や磁気ヘッド付近等、他の場所に設けてもよい。また、本実施例では磁気記録媒体として面内媒体を用いたが、垂直媒体を用いてもよい。また、本実施例では温度センサを用いたが、気圧センサ及び湿度センサ等、環境の変化を感知するものを単独あるいは複合して用いてもよい。」（１２頁５行〜１４頁１４行）
　
３．対比
　
　そこで、本件補正発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「磁気ディスク装置」は、本件補正発明の「ディスクドライブ」に相当し、引用発明の「ライト・プリコンペ量」はパラメータといえるから、引用発明は、本件補正発明と「ディスクドライブパラメータ決定方法」である点で共通する。
（２）引用発明の「ディスクエンクロージャに設置している温度センサで検出している環境温度を所定のタイムサイクルごとにモニタするステップ」は、本件補正発明の「前記ディスクドライブ内の温度を測定して温度情報をアップデートさせる段階」に相当する。
（３）引用発明の「現在設定しているライト・プリコンペ量に対応するテーブルの温度スライス値」は、本件補正発明の「臨界温度範囲」に相当するから、引用発明の「モニタした環境温度によってテーブルを参照し、現在設定しているライト・プリコンペ量に対応するテーブルの温度スライス値を超えたか否かチェックするステップ」は、本件補正発明の「前記アップデートされた温度情報が臨界温度範囲内に含まれるかどうかを判断する段階」に相当する。
（４）引用発明の「ライト・プリコンペ量」は書込み関連パラメータといえるから、引用発明の「検出した環境温度がテーブルの現在設定しているプリコンペ量の温度スライス値を超えた場合には、検出した環境温度が属する温度スライス値のライト・プリコンペ量をテーブルから読み出して、ライト・プリコンペ回路に対する設定量を変更するステップ」は、本件補正発明の「前記段階（ｂ）の判断結果，前記アップデートされた温度情報が前記臨界温度範囲を超える場合，温度に影響される書込み」「関連パラメータを」「超えた温度による性能変化を補償するパラメータ値に変更させる段階」に相当する。
　
　そうすると、本件補正発明と引用発明とは、次の点で一致する。
　
＜一致点＞
　
「ディスクドライブパラメータ決定方法において，
（ａ）前記ディスクドライブ内の温度を測定して温度情報をアップデートさせる段階と，
（ｂ）前記アップデートされた温度情報が臨界温度範囲内に含まれるかどうかを判断する段階と，
（ｃ）前記段階（ｂ）の判断結果，前記アップデートされた温度情報が前記臨界温度範囲を超える場合，温度に影響される書込み関連パラメータを超えた温度による性能変化を補償するパラメータ値に変更させる段階と，
を含むディスクドライブパラメータ決定方法。」の点。
　
　そして、次の点で相違する。
　
＜相違点＞
　
（１）「前記ディスクドライブ内の温度を測定して温度情報をアップデートさせる段階」について、本件補正発明は「所定のモードで」行われるのに対し、引用発明は、そのようになされていない点。
　
（２）本件補正発明は、「書込み及び読出し関連パラメータを温度変化による相互相関作用を考慮して」「変更させる」のに対し、引用発明は、そのようになされていない点。
　
（３）本件補正発明は、「前記アップデートされた温度情報が臨界温度範囲内に含まれる」場合、「前記アップデートされた温度情報が前記臨界温度範囲の下限値に達しない場合」及び「前記アップデートされた温度情報が前記臨界温度範囲の上限値を超える場合」に分けてパラメータを決定するのに対し、引用発明は、「スライス温度値をｎ領域に分けて」パラメータを決定する点。
　
（４）本件補正発明は、「標準パラメータ値に低温補償値」若しくは「高温補償値を反映して」パラメータ値を「決定する」のに対し、引用発明は、「テーブル」に「予め登録している」「ライト・プリコンペ量を設定する」点。
　
４．判断
　
　そこで、上記相違点について検討する。
　
相違点（１）について
　引用発明において、「ディスクエンクロージャに設置している温度センサで検出している環境温度を所定のタイムサイクルごとにモニタするステップ」を、磁気ディスク装置が所定の状態にある場合に行われるようにすることは、当業者が任意になし得ることである。
　
相違点（２）について
　引用発明及び本件補正発明とディスクドライブパラメータ決定方法に関する同一の技術分野に属する引用例２には、温度センサからの出力に応じて記録ヘッドに流す記録電流値及び再生ヘッドに流すセンス電流値を連動させて変化させることが記載されている。「記録ヘッドに流す記録電流値」及び「再生ヘッドに流すセンス電流値」は、それぞれ、書込み関連パラメータ及び読出し関連パラメータといえるから、引用発明において、温度センサからの出力に応じて書込み関連パラメータ及び読出し関連パラメータを連動させて変化させるようにすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
相違点（３）について
　引用発明における「スライス温度値をｎ領域に分けて」パラメータを決定する構成をｎ＝３として構成を簡略化し、相違点（３）の「前記アップデートされた温度情報が臨界温度範囲内に含まれる」場合、「前記アップデートされた温度情報が前記臨界温度範囲の下限値に達しない場合」及び「前記アップデートされた温度情報が前記臨界温度範囲の上限値を超える場合」に分けてパラメータを決定するようにすることは、当業者が任意になし得ることである。
　
相違点（４）について
　本件補正発明のように、標準パラメータ値に補償値を反映する構成と、引用発明のように、パラメータをテーブルから読み出す構成とのいずれを採用するかは、当業者が任意に選択し得ることである。
　
　そして、上記相違点を総合的に判断しても、本件補正発明が奏する効果は引用例１及び２から、当業者が十分に予測できたものであって、格別なものとはいえない。
　
　したがって、本件補正発明は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５．本件補正についてのむすび
　
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　
１．本願発明
　
　平成１９年８月１日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１２に係る発明は、願書に最初に添付された明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２［理由」１．」に本件補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
２．引用例
　
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、上記「第２［理由］２．」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　
　本願発明は、上記「第２［理由］３．及び４．」で検討した本件補正発明から、発明特定事項である「前記段階（ｃ）」について「前記臨界温度範囲を超えた温度に対応するパラメータ値は，前記アップデートされた温度情報が前記臨界温度範囲の下限値に達しない場合に前記臨界温度範囲内における標準パラメータ値に低温補償値を反映し，前記アップデートされた温度情報が前記臨界温度範囲の上限値を超える場合に標準パラメータ値に高温補償値を反映して決定する」との構成を削除したものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本件補正発明が、上記「第２［理由］３．及び４．」に記載したとおり、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。