(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、酸素（Ｏ）、不可避的不純物からなる焼結体であって、錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）が０．３以上１４．５ａｔ．％以下であり、バルク抵抗率が０．１ｍΩ・ｃｍ〜１．４ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットの厚さをｔとした場合、厚さｔのバルク抵抗率と板厚方向の任意の地点でのバルク抵抗率について、その差異が２０％以下であり、さらに相対密度が９０％以上であることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット。
【請求項２】
ターゲットの厚さをｔとした場合、厚さｔのバルク抵抗率と板厚方向の任意の地点でのバルク抵抗率について、その差異が１５％以下であることを特徴とする請求項１に記載のＩＴＯスパッタリングターゲット。
【請求項３】
インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、酸素（Ｏ）、不可避的不純物からなる焼結体であって、錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）が０．３以上１４．５ａｔ．％以下である焼結体ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法であって、酸化インジウム粉及び酸化錫粉からなる原料粉の焼結に際し、焼結温度を１３００〜１６００°Ｃとし、焼結時の最高温度から１０００℃までの平均冷却速度を０．１〜３．０℃／ｍｉｎとすると共に、降温時冷却中の雰囲気を大気雰囲気（酸素分圧比３０％未満）とすることを特徴とする焼結体ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項４】
バルク抵抗率が０．１０〜１．４０ｍΩ・ｃｍで、ターゲットの厚さをｔとした場合、厚さｔのバルク抵抗率と板厚方向の任意の地点でのバルク抵抗率について、その差異を２０％以下とすることを特徴とする請求項３に記載の焼結体ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項５】
ターゲットの厚さをｔとした場合、厚さｔのバルク抵抗率と板厚方向の任意の地点でのバルク抵抗率について、その差異を１５％以下とすることを特徴とする請求項３又は４に記載のＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＴＯ膜形成に好適なＩＴＯスパッタリングターゲットに関する。特に、ターゲットのスパッタリング初期から終了時にかけて、膜特性の変化が少ないＩＴＯスパッタリングターゲット及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＴＯ（インジウム−錫の複合酸化物）膜は、液晶ディスプレーを中心とする表示デバイスにおける透明電極（導電膜）として、広く使用されている。このＩＴＯ膜を形成する方法として、真空蒸着法やスパッタリング法など、一般に物理蒸着法と言われている手段によって行われている。特に操作性や被膜の安定性からマグネトロンスパッタリング法を用いて形成することが多い。【０００３】
スパッタリング法による膜の形成は、陰極に設置したターゲットにＡｒイオンなどの陽イオンを物理的に衝突させ、その衝突エネルギーによってターゲットを構成する材料を放出させて、対面している陽極側の基板にターゲット材料とほぼ同組成の膜を積層することによって行われる。スパッタリング法による被覆法は、処理時間や供給電力等を調整することによって、安定した成膜速度で数ｎｍの薄い膜から数十μｍの厚い膜まで形成することができるという特徴を有している。【０００４】
近年、静電容量式、抵抗膜式タッチパネルなどに用いられるＩＴＯ膜の需要があり、従来から広く用いられている３．７ａｔ．％程度の錫（Ｓｎ）を含有するＩＴＯスパッタリングターゲット以外にも、求められる膜抵抗により酸化錫を０．３以上１４．５ａｔ．％以下の広い範囲で組成を振ったターゲットの開発が行われている。例えば、特許文献１には、２０〜５０ｗｔ％の酸化錫を含有する酸化インジウムとの混合粉末をプレス成型し、この成形体を純酸素雰囲気中、温度１５００〜１６５０℃、圧力０．１５〜１ＭＰａで加圧焼結してＩＴＯスパッタリングターゲットを製造することが知られている。【０００５】
ＩＴＯスパッタリングターゲットで代表的な特許を挙げると、下記に示す特許文献１がある。この特許は、「酸化インジウムと酸化錫を主成分とした原料から粉末冶金法にて製造されたＩＴＯスパッタリングタ−ゲットであって、表面粗さＲａが０．５ μｍ以下で、かつ密度Ｄ(ｇ／ｃｍ３ ）とバルク抵抗値ρ（ｍΩｃｍ）が下記２つの式を同時に満たして成るＩＴＯスパッタリングタ−ゲット。ａ) ６．２０ ≦ Ｄ ≦ ７．２３、 ｂ」 −０．０６７６Ｄ＋０．８８７ ≧ ρ ≧−０．０７６１Ｄ＋０．６６６ 。」というもので、約２０年前の技術である。
この特許は、スパッタリング時に異常放電やノジュ−ルを発生することが殆どない上にガスの吸着も極力少なく、そのため良好な成膜作業下で品質の高いＩＴＯ膜を安定して得ることのできるＩＴＯ焼結タ−ゲットを実現することができるという、当時としては画期的な発明と言える。【０００６】
また、ＩＴＯターゲット密度を上げる対策として、例えば、下記特許文献２には、粒度分布から求めたメジアン径が０．４０（０．４０を除く）〜１．０μｍの範囲にあり、かつ粒度分布から求めた９０％粒径が３．０μｍ以下の範囲にある酸化錫粉末を用いて形成したＩＴＯターゲットが記載されている。
しかし、このような酸化錫粉末を使用して、従来よりも多くの酸化錫を含有するＩＴＯターゲットを製造した場合は、焼結体内部にマクロポア及びマイクロクラックが発生して、焼結体の加工中や加工終了後の保管中に、割れやひびが発生することがあった。そして、それらはターゲットとしての製品の出荷に影響を及ぼすことがあった。【０００７】
この他、下記特許文献３には、ＩＴＯに関する技術として、主結晶粒であるＩｎ２Ｏ３母相内にＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２からなる微細粒子が存在するＩＴＯ焼結体であって、前記微粒子が粒子の仮想中心から放射線状に針状突起が形成された立体星状形状を有すことを特徴とし、バルク抵抗の低いＩＴＯスパッタリングターゲットを提供するという技術が開示されている。【０００８】
また、下記特許文献４には、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｏからなり、焼結密度が７．０８ｇ／ｃｍ３以上、バルク抵抗率が８０μΩｃｍ〜１００μΩｃｍ、Ｏ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｏ）が１．７５％以下（重量比）、かつＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２相の（２００）面のＸ線回折ピークの積分強度の３０％以下であるＩＴＯ焼結体であり、この焼結体は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｏからなる成形体を焼結する際に、焼結温度を１４００℃以上となったとき、焼結雰囲気を酸化性雰囲気から非酸化性雰囲気へと切り替える技術が開示されている。【０００９】
ＩＴＯスパッタリングターゲットのように、不定比性を有する酸化物では、高温での熱平衡酸素欠損濃度は室温と比較して高いため、焼結での降温時には雰囲気中の酸素は焼結体に取り込まれ、焼結体表面から内部に拡散するが、拡散速度は温度と共に急速に低下するため、有限の降温時間では酸素欠損濃度は均一にはならず、室温での表面近傍の酸素欠損濃度は低く、内部に行くに従い高くなる。
一般に、ターゲットとして使用される板状の焼結体では、この濃度分布はターゲットの厚み方向に発生する。また、この濃度分布は焼結温度パターン、および雰囲気の酸素分圧に依存する。【００１０】
一方、酸化物ターゲットの酸素欠損濃度は、膜の導電性などの特性に影響を及ぼす。例えば、ＩＴＯターゲットを用いたスパッタ成膜では、スパッタガスに１％程度の酸素を導入するが、膜抵抗が極小となる酸素分圧はターゲットの酸素欠損濃度に依存する。
従って、スパッタガスの最適酸素分圧は、ターゲットがエロージョンされスパッタ表面が内部になるに従い、変化していく。言い換えれば、スパッタガスの酸素分圧が一定の場合、スパッタ時間に伴い膜特性が変化することになる。【００１１】
上記で示した従来の技術では、ＩＴＯスパッタリングターゲットの密度を上げること、あるいは低抵抗率化を図る提案がなされているが、ターゲットの表面近傍の酸素欠損濃度が低く、内部に行くに従い高くなり、ターゲットとして使用される板状の焼結体では、この濃度分布はターゲットの厚み方向に発生するという問題があるという認識がなく、またこれを解決しようとする試みもなされていなのが現状である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特許第２７５０４８３号
【特許文献２】特開２００９−２９７０６号公報
【特許文献３】特開２００９−４０６２１号公報
【特許文献４】特開２０００−２３３９６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、ＩＴＯ膜形成に好適なＩＴＯスパッタリングターゲットに関し、特にターゲットのスパッタリング初期から終了時にかけて、膜特性の変化が少ないＩＴＯスパッタリングターゲットを提供するものである。すなわち、ＩＴＯスパッタリングターゲットの厚み方向の酸素欠損の変動を少なくすることにより、スパッタリングが進行するに伴う膜特性の変化を少なくし、成膜の品質の向上と信頼性を確保することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の課題を解決するために、本発明は、以下の発明を提供するものである。  
１）インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、酸素（Ｏ）、不可避的不純物からなる焼結体であって、錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）が０．３以上１４．５ａｔ．％以下である焼結体ＩＴＯスパッタリングターゲットであって、バルク抵抗率が０．１ｍΩ・ｃｍ〜１．４ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットの厚さをｔとした場合、厚さｔのバルク抵抗率と板厚方向の任意の地点でのバルク抵抗率について、その差異が２０％以下であることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット、を提供する。【００１５】
スパッタリング中に板厚が減少し抵抗率が変化してくるが、ターゲットの全ライフに亘って、このバルク抵抗率の変化を少なくし、膜特性の変動を少なくすることが望まれる。本発明は、厚さｔのバルク抵抗率と板厚方向の任意の地点でのバルク抵抗率の差異を２０％以下とすることにより、良好な膜特性を得ることを目的とする。【００１６】
ここで、前記「板厚方向の任意の地点」とは、ターゲットの厚さをｔとすると、ｔ未満の厚さの位置を示すものであり、その位置の厚さにおいて測定したバルク抵抗率である。また、「差異」とは、測定したバルク抵抗率の大きい方を基準として、例えばバルク抵抗率をＲ１、Ｒ２とし、Ｒ１＞Ｒ２とした場合、（Ｒ１−Ｒ２）／Ｒ１×１００（％）として計算したものである。
なお、製造されたターゲットは基本的にターゲットの厚み中心部が最低バルク抵抗率となり、中心部を過ぎるとバルク抵抗率が上昇し、裏面は表面とほぼ同じバルク抵抗率になる。従って、ターゲットの加工の際に表面を研削した場合であっても、裏面までの厚みには、少なくとも元の厚みの中心の最低バルク抵抗率が存在することになる。【００１７】
また、研削等の加工前の焼結体の状態での表面が最もバルク抵抗率が高いので、バルク抵抗率の最大差は、通常研削等の加工前の焼結体での表面のバルク抵抗率と厚み中心部のバルク抵抗率との差異となる。従ってターゲットの加工の際に表面を研削した場合は、厚み方向での差異は最大差よりも小さな値となり得る。このような場合は、裏面の方が表面よりも高くなる場合もあり得る。【００１８】
２）また、本発明はターゲットの厚さをｔとした場合、厚さｔのバルク抵抗率と板厚方向の任意の地点でのバルク抵抗率について、その差異が１５％以下であることを特徴とする上記１）に記載のＩＴＯスパッタリングターゲット、を提供する。【００１９】
３）また、本発明はインジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、酸素（Ｏ）、不可避的不純物からなる焼結体であって、錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）が０．３以上１４．５ａｔ．％以下である焼結体ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法であって、酸化インジウム粉及び酸化錫粉からなる原料粉の焼結に際し、焼結温度を１３００〜１６００°Ｃとし、焼結時の最高温度から１０００℃までの平均冷却速度を０．１〜３．０℃／ｍｉｎとすると共に、降温時冷却中の雰囲気を大気雰囲気（酸素分圧比３０％未満）とすることを特徴とする焼結体ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法、を提供する。【００２０】
４）また、本発明はバルク抵抗率が０．１０〜１．４０ｍΩ・ｃｍで、ターゲットの厚さをｔとした場合、厚さｔのバルク抵抗率と板厚方向の任意の地点でのバルク抵抗率について、その差異を２０％以下とすることを特徴とする上記３）に記載の焼結体ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法、を提供する。
５）また、本発明はターゲットの厚さをｔとした場合、厚さｔのバルク抵抗率と板厚方向の任意の地点でのバルク抵抗率について、その差異を１５％以下とすることを特徴とする上記３）又は４）に記載のＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法、を提供する。【００２１】
６）また、本発明はインジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、酸素（Ｏ）、不可避的不純物からなる焼結体であって、錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）が０．３以上１４．５ａｔ．％以下である焼結体ＩＴＯスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングしたＩＴＯスパッタ膜であって、ターゲットライフの初期とターゲットライフの後期の膜の抵抗率の差異が５％以下であることを特徴とするＩＴＯスパッタ膜、を提供する。【００２２】
ここで、ターゲットライフ初期は、ターゲットの最もエロージョンを受けた部位のエロージョンが１ｍｍ未満までの間、ターゲットライフ後期は、ターゲットの最もエロージョンを受けた部位であって、その部位のターゲットの残りの厚みが０．０１ｍｍ〜１ｍｍの間と言うこともできる。
【発明の効果】
【００２３】
ＩＴＯ膜形成に好適なＩＴＯスパッタリングターゲットに関し、特にターゲットのスパッタリング初期から終了時にかけて、膜特性の変化が少ないＩＴＯスパッタリングターゲットを提供することができる優れた効果を有する。すなわち、ＩＴＯスパッタリングターゲットの厚み方向の酸素欠損の変動を少なくし、厚さｔのバルク抵抗率と板厚方向の任意の地点でのバルク抵抗率について、その差異を２０％以内とすることにより、スパッタリングが進行することに伴う膜特性の変化を少なくし、成膜の品質の向上と信頼性を確保することができる。この結果、ＩＴＯターゲットの生産性や信頼性を向上することができるという優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】ターゲットの厚さをｔとした場合の厚さｔの時のバルク抵抗率とｔ未満の時のバルク抵抗率のバルク抵抗率の最大差が１３％となった例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明において、ＩＴＯスパッタリングターゲットの組成は、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、酸素（Ｏ）、不可避的不純物からなる焼結体であって、錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）が０．３以上１４．５ａｔ．％以下である。
このようなターゲットを使用することにより、液晶テレビやプラズマテレビだけでなく、静電容量式及び抵抗膜式タッチパネルなどに好適な、スパッタリング初期から終了時にかけて、膜特性の変化が少ないＩＴＯスパッタリングターゲットを提供することができる。
【００２６】
本発明の酸化インジウム−酸化錫系酸化物（ＩＴＯ）焼結体ターゲットを製造するに際しては、各原料粉の混合、粉砕、成型、焼結のプロセスによって作製することができる。原料粉としては、酸化インジウム粉、および酸化錫粉であって、比表面積が約５ｍ２／ｇ程度のものを使用する。
【００２７】
具体的には、酸化インジウム粉は、かさ密度：０．３〜０．８ｇ／ｃｍ３、メジアン径（Ｄ５０）：０．５〜２．５μｍ、比表面積：３．０〜６．０ｍ２／ｇ、酸化錫粉：かさ密度：０．２〜０．６ｇ／ｃｍ３、メジアン径（Ｄ５０）：１．０〜２．５μｍ、比表面積：３．０〜６．０ｍ２／ｇを使用する。
【００２８】
各原料粉を所望の組成比となるように秤量後、混合粉砕を行う。粉砕方法には求める粒度、被粉砕物質に応じて様々な方法があるが、ビーズミル等の湿式媒体攪拌ミルが適している。これは、粉体を水に分散させたスラリーを、硬度の高い材料であるジルコニア、アルミナ等の粉砕媒体と共に強制的に攪拌するものであり、高効率で粉砕粉を得ることが出来る。しかし、この際に粉砕媒体も磨耗するために、粉砕粉に粉砕媒体自身が不純物として混入するので、長時間の処理は好ましくない。
【００２９】
粉砕量を粉砕前後の比表面積の差で定義すれば、湿式媒体攪拌ミルでは粉砕量は粉体に対する投入エネルギーにほぼ比例する。従って、粉砕を行う際には、湿式媒体攪拌ミルは積算電力を管理することが重要である。粉砕前後の比表面積の差（ΔＢＥＴ）は、０．５〜５．０ｍ２／ｇ、粉砕後のメジアン径（Ｄ５０）は、２．５μｍ以下とする。
【００３０】
次に、微粉砕したスラリーの造粒を行う。これは、造粒により粉体の流動性を向上させることで、次工程のプレス成型時に粉体を均一に金型へ充填し、均質な成形体を得るためである。造粒には様々な方式があるが、プレス成型に適した造粒粉を得る方法の一つに、噴霧式乾燥装置（スプレードライヤー）を用いる方法がある。これは粉体をスラリーとして、熱風中に液滴として分散させ、瞬間的に乾燥させる方法であり、１０〜５００μｍの球状の造粒粉が連続的に得ることが出来る。
【００３１】
また、スラリー中にポリビニルアルコール（ＰＶＡ）等のバインダーを添加し造粒粉中に含有させることで、成形体強度を向上させることが出来る。ＰＶＡの添加量は、ＰＶＡ４〜１０ｗｔ．％が含有水溶液を原料粉に対して５０〜２５０ｃｃ／ｋｇ添加する。
【００３２】
さらに、バインダーに適した可塑剤も添加することで、プレス成型時の造粒粉の圧壊強度を調節することも出来る。また、得られた造粒粉に、少量の水を添加し湿潤させることで成形体強度を向上する方法もある。スプレードライヤーによる乾燥では熱風の入口温度、および出口温度の管理が重要である。
【００３３】
入口と出口との温度差が大きければ単位時間当たりの乾燥量が増加し生産性が向上するが、入口温度が高すぎる場合には粉体、および添加したバインダーが熱により変質し、望まれる特性が得られない場合がある。また、出口温度が低すぎる場合は造粒粉が十分に乾燥されない場合がある。
【００３４】
次に、プレス成型を行う。造粒粉を金型に充填し、４００〜１０００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力を、１〜３分間保持して成形する。圧力４００ｋｇｆ／ｃｍ２未満であると、充分な強度と密度の成形体を得ることができず、また圧力１０００ｋｇｆ／ｃｍ２以上では、成形体を金型から取り出す際に、成形体自身が圧力から解放されることによる変形のため破壊する場合があり、生産上好ましくない。
【００３５】
電気炉を使用し、酸素雰囲気中で成形体を焼結し、焼結体を得る。焼結温度は１３００〜１６００°Ｃとして焼結する。この場合、焼結温度が１３００°Ｃより低いと、高密度の焼結体を得ることが出来ない。また、１６００°Ｃを超える焼結温度では、酸化錫の揮発により、焼結密度の低下や組成ずれが生じ、また炉ヒーター寿命が低下してしまうというコスト的問題もあるので、上限は１６００°Ｃとすることが望ましい。焼結温度までの昇温途中で、必要に応じて脱バインダー工程等を導入しても良い。
【００３６】
焼結温度における保持時間が１時間より短いと、焼結が充分進まず、焼結体の密度が充分高くならなかったり、焼結体が反ってしまったりする。保持時間が１００時間を越えても、不必要なエネルギーと時間を要する無駄が生じて生産上好ましくない。好ましくは、５〜３０ｈｒである。
降温時冷却中の雰囲気を大気雰囲気（酸素分圧比３０％未満）とし、前記焼結時の最高温度から１０００℃までの平均冷却速度を０．１〜３．０℃／ｍｉｎとする。
【００３７】
バルク抵抗率の測定方法については、例えばエヌピイエス株式会社製、型式：Σ−５＋を用いて測定することができる。測定に際し、まず試料の表面に金属製の探針を４本一直線上に立て、外側の二探針間に一定電流を流し、内側の二探針間に生じる電位差を測定し抵抗を求める。求めた抵抗に試料厚さ、補正係数ＲＣＦ(Resistivity Correction Factor)をかけて、体積抵抗率（バルク抵抗率）を算出することができる。
【００３８】
このような条件で焼結された焼結体は、相対密度が９０％以上、バルク抵抗率が０．１０〜１．４０ｍΩ・ｃｍで、ターゲットの厚さをｔとした場合、厚さｔのバルク抵抗率と板厚方向の任意の地点でのバルク抵抗率について、その差異を２０％以内とすることができる。これが本願発明の大きな特徴である。
すなわち、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、酸素（Ｏ）、不可避的不純物からなる焼結体であって、錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）が０．３以上１４．５ａｔ．％以下からなる焼結体ＩＴＯスパッタリングターゲットにおいて、バルク抵抗率が０．１ｍΩ・ｃｍ〜１．４ｍΩ・ｃｍであるときに、ターゲットの厚さをｔとした場合、厚さｔのバルク抵抗率と板厚方向の任意の地点でのバルク抵抗率について、その差異を２０％以内、さらには１５％以内とすることができる。
【００３９】
この代表例を図１に示す。この図１においては、ターゲットの厚さをｔとした場合の厚さｔの時のバルク抵抗率とｔ未満の時のバルク抵抗率のバルク抵抗率の最大差が１３％となった例を示す。通常、ターゲットを研削する前の焼結体の厚さをＴとした場合、Ｔのバルク抵抗率とＴ／２のバルク抵抗率の差が最大となるので、ターゲットのＴ／２のバルク抵抗率を測定することにより、ターゲット内部（厚み方向）のバルク抵抗の、およその特性を知ることができる。
【００４０】
本発明の焼結体ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造に際しては、錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）が０．３以上１４．５ａｔ．％以下、残余が酸化インジウムとなるように酸化インジウム粉及び酸化錫粉を調製し、この原料粉を焼結温度：１３００〜１６００°Ｃとし、所定の圧力で焼結する。そして、焼結時の最高温度から１０００℃までの平均冷却速度を０．１〜３．０℃／ｍｉｎとすると共に、降温時冷却中の雰囲気を大気雰囲気（酸素分圧比３０％未満）とする。
【００４１】
これによって、バルク抵抗率が０．１０〜１．４０ｍΩ・ｃｍで、ターゲットの厚さをｔとした場合、厚さｔのバルク抵抗率と板厚方向の任意の地点でのバルク抵抗率について、その差異（双方のバルク抵抗率の差異）を２０％以内とすること、さらにはターゲットの厚さをｔとした場合、厚さｔのバルク抵抗率と板厚方向の任意の地点でのバルク抵抗率について、その差異（双方のバルク抵抗率の差異）を１５％以内とすることができる。
【００４２】
このようにして得られた焼結体の表面を研削し、さらに側辺をダイヤモンドカッターで１２７ｍｍ×５０８ｍｍサイズに切断した。
次に、無酸素銅製のバッキングプレートを２００°Ｃに設定したホットプレート上に設置し、インジウムをロウ材として使用し、その厚みが約０．２ｍｍとなるように塗布した。このバッキングプレート上に、ＩＴＯ焼結体を接合させ、室温まで放置冷却した。
【００４３】
このターゲットをシンクロン製マグネトロンスパッタ装置（ＢＳＣ−７０１１)に取り付け、投入パワーはＤＣ電源で２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスはアルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ２）でガス総流量は３００ｓｃｃｍ、酸素濃度は１％とした。ライフ初期とライフ後期で膜抵抗率の比較をするため、成膜温度２００℃、膜厚１５０ｎｍで成膜を行った。
【００４４】
上記の焼結体ＩＴＯターゲットを用いてスパッタリングすることにより、ターゲットライフの初期とターゲットライフの後期の膜の抵抗率の差異が５％以下であるＩＴＯスパッタ膜を得ることができる。
下記に、実施例及び比較例に基づいて本発明を説明する。
【実施例】
【００４５】
以下に示す実施例は、理解を容易にするためのものであり、これらの実施例によって本発明を制限するものではない。すなわち、本発明の技術思想に基づく変形及び他の実施例は、当然本発明に含まれる。【００４６】
（実施例１）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）３．７ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を０．５℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．１４２ｍΩ・ｃｍで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．１３０ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が８％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で１２％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も１．３％と変動が小さかった。この結果を、表１に示す。【００４７】
【表１】
0005987105.tif 000002
【００４８】
（実施例２）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）３．７ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を１．０℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．１３８ｍΩ・ｃｍでターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．１２５ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が９％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で１３％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も０．６％と変動が小さかった。この結果を、同様に表１に示す。【００４９】
（実施例３）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）３．７ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を１．５℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．１３５ｍΩ・ｃｍでターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．１２１ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が１０％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で１５％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も２．５％と変動が小さかった。【００５０】
（実施例４）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）３．７ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を２．０℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．１３４ｍΩ・ｃｍでターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．１１９ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が１１％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で１７％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も１．２％と変動が小さかった。この結果を、同様に表１に示す。【００５１】
（実施例５）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）３．７ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を２．５℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．１３２ｍΩ・ｃｍでターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．１１８ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が１１％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で１４％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も２．４％と変動が小さかった。この結果を、同様に表１に示す。【００５２】
（実施例６）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）３．７ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を３．０℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．１３０ｍΩ・ｃｍでターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．１１６ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が１１％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で１３％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も３．５％と変動が小さかった。この結果を、同様に表１に示す。【００５３】
（比較例１）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）３．７ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を０．０５℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．１６３ｍΩ・ｃｍでターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．１３０ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が２０％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で２５％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も１０．４％と大きく変動していた。この結果を、同様に表１に示す。【００５４】
（比較例２）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）３．７ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を５．０℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．１３１ｍΩ・ｃｍでターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．１０６ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が１９％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で２４％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も９．４％と大きく変動していた。この結果を、同様に表１に示す。【００５５】
（比較例３）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）３．７ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を１．０℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％以上とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．１６０ｍΩ・ｃｍでターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．１３０ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が１９％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で２３％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も１０．０％と大きく変動していた。この結果を、同様に表１に示す。【００５６】
（比較例４）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）３．７ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を３．０℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％以上とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．１５２ｍΩ・ｃｍでターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．１２３ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が１９％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で２４％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も１１．７％と大きく変動していた。この結果を、同様に表１に示す。【００５７】
（実施例７）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）０．４ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を１．０℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．２５０ｍΩ・ｃｍで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．２３０ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が８％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で１０％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も４．４％と変動が小さかった。この結果を、表１に示す。【００５８】
（実施例８）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）０．４ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を３．０℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．２３１ｍΩ・ｃｍで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．２０９ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が１０％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で１２％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も１．６％と変動が小さかった。この結果を、表１に示す。【００５９】
（実施例９）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）１．１ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を１．０℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．１２１ｍΩ・ｃｍで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．１０９ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が１０％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で１１％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も４．５％と変動が小さかった。この結果を、表１に示す。【００６０】
（実施例１０）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）１．１ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を３．０℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．１１３ｍΩ・ｃｍで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．１０１ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が１１％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で１４％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も２．２％と変動が小さかった。この結果を、表１に示す。【００６１】
（実施例１１）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）１．８ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を１．０℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．１１９ｍΩ・ｃｍで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．１０９ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が８％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で９％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も３．２％と変動が小さかった。この結果を、表１に示す。【００６２】
（実施例１２）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）１．８ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を３．０℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．１１０ｍΩ・ｃｍで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．１００ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が９％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で１１％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も１．６％と変動が小さかった。この結果を、表１に示す。【００６３】
（実施例１３）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）５．４ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を１．０℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．１７６ｍΩ・ｃｍで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．１６１ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が９％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で１１％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も２．４％と変動が小さかった。この結果を、表１に示す。【００６４】
（実施例１４）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）５．４ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を３．０℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．１６７ｍΩ・ｃｍで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．１５５ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が７％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で９％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も４．２％と変動が小さかった。この結果を、表１に示す。【００６５】
（実施例１５）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）７．２ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を１．０℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．２２０ｍΩ・ｃｍで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．２００ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が９％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で１２％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も３．５％と変動が小さかった。この結果を、表１に示す。【００６６】
（実施例１６）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）７．２ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を３．０℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．２００ｍΩ・ｃｍで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．１８０ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が１０％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で１１％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も２．１％と変動が小さかった。この結果を、表１に示す。【００６７】
（実施例１７）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）１２．８ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を１．０℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が１．３０２ｍΩ・ｃｍで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が１．１７２ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が１０％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で１２％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も３．３％と変動が小さかった。この結果を、表１に示す。【００６８】
（実施例１８）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）１２．８ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を３．０℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が１．２５１ｍΩ・ｃｍで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が１．１５１ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が８％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で１０％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も２．１％と変動が小さかった。この結果を、表１に示す。【００６９】
（比較例５）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）０．４ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を０．０５℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．２７７ｍΩ・ｃｍで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．２２８ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が１８％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で２２％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も９．９％と大きく変動していた。この結果を、表１に示す。【００７０】
（比較例６）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）０．４ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を５．０℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．２２８ｍΩ・ｃｍで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．１８７ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が１８％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で２３％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も１０．３％と変動と大きく変動していた。この結果を、表１に示す。【００７１】
（比較例７）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）１．１ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を０．０５℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．１３１ｍΩ・ｃｍで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．１０５ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が２０％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で２５％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も１０．８％と大きく変動していた。この結果を、表１に示す。【００７２】
（比較例８）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）１．１ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を５．０℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．１０５ｍΩ・ｃｍで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．０８５ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が１９％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で２１％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も１１．１％と大きく変動していた。この結果を、表１に示す。【００７３】
（比較例９）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）１．８ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を０．０５℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．１２９ｍΩ・ｃｍで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．１０４ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が１９％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で２２％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も７．４％と大きく変動していた。この結果を、表１に示す。【００７４】
（比較例１０）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）１．８ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を５．０℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．１０１ｍΩ・ｃｍで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．０８３ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が１８％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で２２％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も１０．７％と大きく変動していた。この結果を、表１に示す。【００７５】
（比較例１１）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）５．４ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を０．０５℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．１９１ｍΩ・ｃｍで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．１５５ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が１９％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で２４％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も９．０％と大きく変動していた。この結果を、表１に示す。【００７６】
（比較例１２）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）５．４ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を５．０℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．１６０ｍΩ・ｃｍで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．１２８ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が２０％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で２２％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も１２．３％と大きく変動していた。この結果を、表１に示す。【００７７】
（比較例１３）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）７．２ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を０．０５℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．２５９ｍΩ・ｃｍで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．２１３ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が１８％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で２３％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も１３．８％と大きく変動していた。この結果を、表１に示す。【００７８】
（比較例１４）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）７．２ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を５．０℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が０．１８４ｍΩ・ｃｍで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．１４２ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が２３％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で２６％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も７．９％と大きく変動していた。この結果を、表１に示す。【００７９】
（比較例１５）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）１２．８ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を０．０５℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が１．３５５ｍΩ・ｃｍで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が１．０７０ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が２１％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で２５％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も１０．３％と大きく変動していた。この結果を、表１に示す。【００８０】
（比較例１６）
錫（Ｓｎ）の含有量が（原子組成比：ａｔ．％）１２．８ａｔ．％とした酸化錫粉を用い、残余が酸化インジウムに調整した焼結原料を用いて焼結した。最高焼結温度１５６０℃から１０００℃までの降温時平均冷却速度を５．０℃／ｍiｎとし、降温時の雰囲気を酸素分圧比３０％未満とした。この結果、ターゲットライフ初期のバルク抵抗率が１．２５９ｍΩ・ｃｍで、ターゲットライフ後期のバルク抵抗率が０．９４４ｍΩ・ｃｍであり、ターゲットライフ初期と後期のバルク抵抗率の差が２５％であった。
また、図１のように調査した結果、最大で３０％の差異であった。このターゲットを用いてターゲットライフ初期と後期で成膜した結果、膜抵抗率の差も９．５％と大きく変動していた。この結果を、表１に示す。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
本発明は、ＩＴＯ膜形成に好適なＩＴＯスパッタリングターゲットに関し、特にターゲットのスパッタリング初期から終了時にかけて、膜特性の変化が少ないＩＴＯスパッタリングターゲットを提供することができる。すなわち、ＩＴＯスパッタリングターゲットの厚み方向の酸素欠損の変動を少なくし、ターゲットの厚さをｔとした場合のターゲットの厚さｔの時のバルク抵抗率と板厚方向の任意の地点でのバルク抵抗率の差異を２０％以内とすることにより、スパッタリングが進行することに伴う膜特性の変化を少なくし、成膜の品質の向上と信頼性を確保することができる。この結果、ＩＴＯターゲットの生産性や信頼性を向上することができるという優れた効果を有する。本発明のＩＴＯスパッタリングターゲットは特にＩＴＯ膜形成に有用である。
【図１】
0005987105.tif 000003