【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年7月5日(2010.7.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体の基板を処理するためのプラズマ処理リアクタであって、
チャンバと、
第１のＲＦ周波数を有した第１のＲＦ電源に結合されるように構成されたトップ電極と、
前記第１のＲＦ周波数より低い第２のＲＦ周波数を有した第２のＲＦ電源に結合されるように構成されたボトム電極と、
前記チャンバの内側を覆う絶縁シュラウドであって、前記処理中において電気的に浮遊されるように構成されている絶縁シュラウドと、
前記ボトム電極の外周の外側に、前記ボトム電極の外周を取り囲んで配置された穿孔プラズマ閉じ込めリングであって、該穿孔プラズマ閉じ込めリングは、前記基板の上面に、または前記基板の上面の下方に配置され、前記穿孔プラズマ閉じ込めリングは、前記処理中において電気的に接地されている、穿孔プラズマ閉じ込めリングとを備え、
前記穿孔プラズマ閉じ込めリングの外周は、前記絶縁シュラウドに隣接している、プラズマ処理リアクタ。
【請求項２】  半導体の基板を処理するためのプラズマ処理リアクタであって、
チャンバと、
第１のＲＦ周波数を有した第１のＲＦ電源に結合されるように構成されたトップ電極と、
前記第１のＲＦ周波数より低い第２のＲＦ周波数を有した第２のＲＦ電源に結合されるように構成されたボトム電極と、
前記チャンバの内側を覆う絶縁シュラウドであって、前記処理中において電気的に浮遊されるように構成されている絶縁シュラウドと、
前記ボトム電極の外周の外側に、前記ボトム電極の外周を取り囲んで配置された穿孔プラズマ閉じ込めリングであって、該穿孔プラズマ閉じ込めリングは、前記基板の上面に、または前記基板の上面の下方に配置され、前記穿孔プラズマ閉じ込めリングは、前記処理中において電気的に接地されている、穿孔プラズマ閉じ込めリングと、
前記穿孔プラズマ閉じ込めリングと前記絶縁シュラウドとの間に規定されたギャップであって、プラズマを前記チャンバ内に維持できる十分に細いギャップと
を備える、プラズマ処理リアクタ。
【請求項３】  半導体の基板を処理するためのプラズマ処理リアクタであって、
チャンバと、
第１のＲＦ周波数を有した第１のＲＦ電源に結合されるように構成されたトップ電極と、
前記第１のＲＦ周波数より低い第２のＲＦ周波数を有した第２のＲＦ電源に結合されるように構成されたボトム電極と、
前記チャンバの内側を覆う絶縁シュラウドであって、前記処理中において電気的に浮遊されるように構成されている絶縁シュラウドと、
前記ボトム電極の外周の外側に、前記ボトム電極の外周を取り囲んで配置された穿孔プラズマ閉じ込めリングであって、該穿孔プラズマ閉じ込めリングは、前記基板の上面に、または前記基板の上面の下方に配置され、前記穿孔プラズマ閉じ込めリングは、前記処理中において電気的に接地されている、穿孔プラズマ閉じ込めリングとを備え、
前記穿孔プラズマ閉じ込めリングの外径は、前記絶縁シュラウドの内径よりも小さい、プラズマ処理リアクタ。
【請求項４】  半導体の基板を処理するためのプラズマ処理リアクタであって、
チャンバと、
第１のＲＦ周波数を有した第１のＲＦ電源に結合されるように構成されたトップ電極と、
前記第１のＲＦ周波数より低い第２のＲＦ周波数を有した第２のＲＦ電源に結合されるように構成されたボトム電極と、
前記チャンバの内側を覆う絶縁シュラウドであって、前記処理中において電気的に浮遊されるように構成されている絶縁シュラウドと、
前記ボトム電極の外周の外側に、前記ボトム電極の外周を取り囲んで配置された穿孔プラズマ閉じ込めリングであって、該穿孔プラズマ閉じ込めリングは、前記基板の上面に、または前記基板の上面の下方に配置され、前記穿孔プラズマ閉じ込めリングは、前記処理中において電気的に接地されている、穿孔プラズマ閉じ込めリングとを備え、
前記穿孔プラズマ閉じ込めリングの外径は、前記絶縁シュラウドの内径よりも大きい、プラズマ処理リアクタ。
【請求項５】  請求項１から請求項４のいずれかに記載のプラズマ処理リアクタであって、さらに、
前記ボトム電極の前記外周を取り囲んで配置され、前記穿孔プラズマ閉じ込めリングに接しているフォーカスリングと、を備えるプラズマ処理リアクタ。
【請求項６】  請求項１から請求項５のいずれかに記載のプラズマ処理リアクタであって、
前記トップ電極と前記ボトム電極との距離は調整が可能である、プラズマ処理リアクタ。
【請求項７】  請求項１から請求項６のいずれかに記載のプラズマ処理リアクタであって、
前記トップ電極は多数のガス分布アパーチャを備える、プラズマ処理リアクタ。
【請求項８】  請求項１から請求項７のいずれかに記載のプラズマ処理リアクタであって、
前記第１の周波数は約２７ＭＨｚである、プラズマ処理リアクタ。
【請求項９】  請求項１から請求項８のいずれかに記載のプラズマ処理リアクタであって、
前記ボトム電極は静電チャックである、プラズマ処理リアクタ。
【請求項１０】  請求項１から請求項９のいずれかに記載のプラズマ処理リアクタであって、
前記第２の周波数は約２ＭＨｚである、プラズマ処理リアクタ。
【請求項１１】  請求項１から請求項１０のいずれかに記載のプラズマ処理リアクタであって、
前記トップ電極と前記ボトム電極との距離は約０．５〜２インチ（１２．７〜５０．８ミリ）の範囲で調整が可能である、プラズマ処理リアクタ。
【請求項１２】  請求項１から請求項１１のいずれかに記載のプラズマ処理リアクタであって、
前記絶縁シュラウドは、前記処理中において、前記チャンバ内のプラズマによるエッチングに対して実質的に耐性の材料で形成される、プラズマ処理リアクタ。
【請求項１３】  請求項１から請求項１２のいずれかに記載のプラズマ処理リアクタであって、
前記穿孔プラズマ閉じ込めリングの厚さは約１／４〜約２インチ（約６．３５〜約５０．８ミリ）の範囲である、プラズマ処理リアクタ。
【請求項１４】  請求項１から請求項１３のいずれかに記載のプラズマ処理リアクタであって、
前記穿孔プラズマ閉じ込めリングは、前記処理中において前記チャンバ内のプラズマによるエッチングに対して実質的に耐性であるか、または金属汚染を実質的に引き起こさない導体で形成される、プラズマ処理リアクタ。
【請求項１５】  請求項１から請求項１４のいずれかに記載のプラズマ処理リアクタであって、
前記穿孔プラズマ閉じ込めリングは、前記処理による副生成ガスを通すとともに、少なくとも前記絶縁シュラウドと、前記基板と、前記穿孔プラズマ閉じ込めリングとによって規定される体積内にプラズマを実質的に閉じ込めるように構成された多数の孔を有する、プラズマ処理リアクタ。
【請求項１６】  請求項１から請求項１５のいずれかに記載のプラズマ処理リアクタであって、
前記穿孔プラズマ閉じ込めリングの孔は円形の孔である、プラズマ処理リアクタ。
【請求項１７】  請求項１６に記載のプラズマ処理リアクタであって、
前記円形の孔の直径は約１／１６〜約１／８インチ（約１．５８〜約３．１７ミリ）である、プラズマ処理リアクタ。
【請求項１８】  請求項１から請求項１５のいずれかに記載のプラズマ処理リアクタであって、
前記穿孔プラズマ閉じ込めリングの孔は、前記穿孔プラズマ閉じ込めリングの中心に対して線状に且つ放射状に配置されたスロット状の孔である、プラズマ処理リアクタ。
【請求項１９】  請求項１８に記載のプラズマ処理リアクタであって、
前記スロット状の孔の幅は約１／３２〜約１／８インチ（約０．７９〜約３．１７ミリ）である、プラズマ処理リアクタ。
【請求項２０】  請求項１から請求項１５のいずれかに記載のプラズマ処理リアクタであって、
前記穿孔プラズマ閉じ込めリングの孔は同心円状の孔である、プラズマ処理リアクタ。
【請求項２１】  請求項１から請求項２０のいずれかに記載のプラズマ処理リアクタであって、
前記閉じ込めリングはＳｉＣで形成される、プラズマ処理リアクタ。
【請求項２２】  請求項１から請求項２１のいずれかに記載のプラズマ処理リアクタであって、
前記穿孔プラズマ閉じ込めリングの前記上面は、前記基板の前記上面から約４インチ未満の距離だけ下方に設けられている、プラズマ処理チャンバ。
【請求項２３】  請求項１から請求項２２のいずれかに記載のプラズマ処理リアクタであって、
前記穿孔プラズマ閉じ込めリングの開口率は約２０％より大きい、プラズマ処理リアクタ。
【請求項２４】  請求項１から請求項２２のいずれかに記載のプラズマ処理リアクタであって、
前記穿孔プラズマ閉じ込めリングの開口率は約５０％である、プラズマ処理リアクタ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
【発明の概要】
１つの実施形態において、本発明は、半導体の基板を処理するためのプラズマ処理リアクタ装置に関する。この装置は、チャンバを備える。この装置は、さらに、第１のＲＦ周波数を有した第１のＲＦ電源に結合されるように構成されたトップ電極と、第１のＲＦ周波数より低い第２のＲＦ周波数を有した第２のＲＦ電源に結合されるように構成されたボトム電極と、を備える。この装置は、また、チャンバの内壁を覆う絶縁シュラウドを有し、この絶縁シュラウドは、処理中において電気的に絶縁されるように構成されている。この装置は、さらに、ボトム電極の外周の外側に配置された穿孔プラズマ閉じ込めリングを備え、この穿孔プラズマ閉じ込めリングの上面は、基板の上面の下方に配置され、処理中において電気的に接地されている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
本発明の１つの実施形態にしたがって、プラズマ処理チャンバ内に絶縁シュラウドを提供する。絶縁シュラウドは、チャンバの内壁を覆っている。絶縁シュラウドは、電気的に絶縁されるように構成されることによって、チャンバの壁を通してプラズマが接地されることを防止する。また、絶縁シュラウドには、チャンバ内部の一定体積内にプラズマを閉じ込めるという目的もある。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
テフロン（登録商標）シュラウド１２０は、チャンバの壁１０２の内側を覆っている。同心リング１２４とスペース１２６とを備えた閉じ込めリング１２２は、テフロンシュラウド１２０の内側において処理チャンバを取り囲む。閉じ込めリング１２２は、ガスを逃がしてポート１２８から排出させる。閉じ込めリング１２２は絶縁されており、絶縁材料で形成されている。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
絶縁シュラウド２２０は、電気的に絶縁されており、基板２１４のエッチング中において、チャンバ内のプラズマによるエッチングに対して実質的に耐性の材料で形成される。絶縁シュラウド２２０は、チャンバの内壁を覆っている。穿孔プラズマ閉じ込めリング２２２は、電気的に接地されており、基板２１４のエッチング中において、チャンバ内のプラズマによるエッチングに対してやはり実質的に耐性の導体で形成される。穿孔プラズマ閉じ込めリング２２２は、複数の孔２２４を設けることによって、副生成ガスを逃してポート２２６から排出させる。穿孔プラズマ閉じ込めリング２２２は、ボトム電極２１０の外周の外側に配置されることが好ましく、フォーカスリングが存在する場合には、フォーカスリング２１６に隣接していることが好ましい。また、穿孔プラズマ閉じ込めリング２２２を、基板２１４の上面の下方に配置することによって、基板２１４の上方に配置した場合に生じる汚染の量が低減される。このような穿孔プラズマ閉じ込めリングの配置は、エッチングの均一性にも寄与できると考えられる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
図４は、本発明の１つの実施形態にしたがって、プラズマ処理リアクタ２００を詳細に示した上面図である。基板２１４は、静電チャック（図示せず）によってリアクタ２００内に固定されている。フォーカスリング２１６は、静電チャックを取り囲んでいる。シリコンリング２１８は、基板２１４とフォーカスリング２１６との間に配置された状態で示されている。紙面から突出する状態の絶縁シュラウド２２０は、リアクタ２００の内壁を覆っている。穿孔プラズマ閉じ込めリング２２２は、外周が絶縁シュラウド２２０に隣接した状態で示されている。しかしながら、穿孔プラズマ閉じ込めリング２２２の外周を絶縁シュラウド２２０の内周より外側に張り出させ、エッチング中において、絶縁シュラウド２２０を穿孔プラズマ閉じ込めリング２２２上に配置することも可能である。フォーカスリングが存在する場合、穿孔プラズマ閉じ込めリング２２２の内周はフォーカスリング２１６の外周に隣接する。穿孔プラズマ閉じ込めリング２２２は、複数の孔２２４を備える。ここで、前述した隣接部では、穿孔プラズマ閉じ込めリングとその隣接した構造との間に、充分細くてしかもプラズマを実質的に閉じ込められるようなギャップが設けられても良いことに、注意が必要である。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
穿孔プラズマ閉じ込めリングは、絶縁シュラウドの内周と静電チャックの外周との間のギャップを実質的に満たすことによって、排出ガスのほぼ全てが穿孔プラズマ閉じ込めリングを通り抜けるようにすることが好ましい。穿孔プラズマ閉じ込めリングが絶縁シュラウドに隣接している場合は、穿孔プラズマ閉じ込めリングの外周を、絶縁シュラウドの内周にぴたりと合うように採寸する必要があり、穿孔閉じ込めリングと絶縁シュラウドとの間にギャップがある場合は、やはりプラズマを実質的に閉じ込められるように、充分に細いギャップを設ける必要がある。静電チャックの外周にはフォーカスリングを設けても良いが、フォーカスリングは必ずしも常に必要なものではない。フォーカスリングとシリコンリングの両方または片方が省かれた場合は、穿孔プラズマ閉じ込めリングの内周を、ボトム電極をぴたりと取り囲むように採寸することが好ましく、あるいは、穿孔プラズマ閉じ込めリングとボトム電極との間に、やはりプラズマを実質的に閉じ込められるように、充分に細いギャップを設けることが好ましい。当該分野で周知のように、穿孔プラズマ閉じ込めリングとボトム電極との接触面は、電気的に絶縁されている必要がある。