【事件の表示】
　特願２００３−１９７９５２「マスク欠陥検査装置及びマスク欠陥検査方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　２月１０日出願公開、特開２００５−　３７１６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１５年７月１６日の出願であって，平成２１年１０月２６日付けで，同年９月１日付け手続補正書についての補正却下の決定がなされるとともに，同日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，平成２２年３月２日付けで，拒絶査定不服審判の請求並びに手続補正（以下，「本件補正」という。）がなされ，さらに同年７月２９日付けで前置審尋がなされ，これに対し，同年９月７日付けで回答書が提出されたものである。
　
第２　本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
１．補正の目的について
　本件補正により，特許請求の範囲の請求項１は，以下のとおり補正された。下線は，補正部分を示す。
「【請求項１】
フォトマスクの欠陥を検査するマスク欠陥検査装置であって，
前記フォトマスクの設計データを前記マスク欠陥検査装置用フォーマットに変換し，検査データを形成する検査データ形成部と，
前記フォトマスクをスキャンして検出画像を形成する検出画像形成部と，
前記検出画像に所定の処理を行って，前記フォトマスクのマスクデータを形成するマスクデータ形成部と，
前記検査データと前記マスクデータとを比較して，前記フォトマスクの欠陥の有無を検査する比較検査部と，
を備え，
前記マスクデータ形成部は，前記検出画像に対して点像分布関数を用いて逆畳み込み処理を行うことにより
，前記検査データと一致する画像について前記欠陥の有無が検出可能な形状の
　
　上記補正は，請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「マスクデータ」について，「前記検査データと一致する画像について前記欠陥の有無が検出可能な形状」であるとの限定を付加するものである。
　そして，「前記検査データと一致する画像」とは，フォトマスクをスキャンした「検出画像」に「点像分布関数を用いて逆畳み込み処理」を施すことによって，「検出画像」のパターンのコーナー部における丸めを排除した画像であると解され，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前（以下，「平成１８年改正前」という。）の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
２．独立特許要件について
　本件補正後の前記請求項１に係る発明（以下，「補正発明」という。）が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（１）引用刊行物およびその記載事項
　原査定の拒絶の理由で周知例として引用された文献であって，本願出願前に頒布された刊行物である特開平５−２５８７０３号公報（以下，「引用刊行物１」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
（１−ア）
「【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板表面に荷電粒子ビームを送りスキャンする荷電粒子ビーム手段と，
前記基板の上面或いは底面から生じる，二次荷電粒子，後方散乱荷電粒子及び透過荷電粒子の３タイプの荷電粒子のうちの少なくとも一つの荷電粒子を検出する検出器手段と，
前記基板を保持し，前記基板が前記荷電粒子ビームによりスキャンされている間に，前記基板に少なくとも一自由度の移動を可能とする連続的に移動可能なｘ−ｙステージと，
を具備することを特徴とする基板の自動検査のためのシステム。」
　
（１−イ）
「【請求項１０】  前記システムは，前記基板のパターンを第２のパターンと比較する比較手段を更に有することを特徴とする請求項１に記載のシステム。」
　
（１−ウ）
「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，超小型電子回路の作成に使用される種々の記述基板の自動検査に関し，特にＸ線リソグラフィーに使用されるマスクの検査に関する。
【０００２】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】適正な歩留りを有する超小型電子回路の生産に必要な条件は，製造プロセスで使用されるマスクに欠陥がないことである。過去１２年間に多くのシステムが，光学マスクの自動検査に対して開発され，特許されてきた。例えばU.S.P.4,247,203 号及び4,805,123 号を参照して下さい。これらのシステムでは，フォトマスク或いはレチクル上の二つの隣接するダイ間を比較している。同様に，技術の進展によってレティクル上のダイを検査するのにＣＡＤ(Computer Aided Design)のデータベースとダイとを比較することによって達成する方法がもたらされた。U.S.P.4,926,487 を参照。しかしながら，Ｘ線マスクの欠陥は可視或いは紫外スペクトルでは見えないので，この様な光学システムは光学マスクに限定されている。更に光学検査は，基本的な回折限界によりその解像度に限界があり，その回折限界によりもちろん光学リソグラフィーも制限されている。位相シフトマスク技術を用いても，光学リソグラフィー技術では0.35ミクロン以下の線幅は達成できず，Ｘ線リソグラフィーを用いるとそれよりも小さな線幅を達成できることが予想されている。」
　
（１−エ）
「【００３１】次に，図２にはダイ・データベースモードでの検査を行う本発明のスキャンパターンが示されている。ここではマスク５７上に一つのダイ６４が示されている。ダイ６４内には検査すべき関心領域６５或いは重要領域が存在する。この領域はマスク５７上に重要な情報が記録されている領域である。ダイ６４の検査をしているときに，ｘ軸方向のスキャン移動は移動ステージ２４によりなされ，ｙ軸方向の移動は図示されたスオーシュ（刈り幅）６０と同じ広さを有する各スオーシュ内に電子ビームを偏向することによりなされる。検査スオーシュがダイ６４の右側に達すると，ステージ２４は全体のスオーシュ幅以下でｙ方向に移動される。マスク５７のｘ−ｙ座標系はステージ２４とコラム２０のｘ−ｙ座標系に正確に一致しないので，ステージ２４の実際の移動とコラム２０のビーム偏向は，それぞれ，ダイ６４のスキャンの間にｘとｙ成分をもつ。
【００３２】関心領域６５を十分に検査するために，検査はパターン６２を前後に移動して行われる。パターン６２によって示される各軌道は，図示されたスオーシュ６０の幅を有する隣接スオーシュとわずかに重なるスオーシュである。
【００３３】ダイ・データベースモードでは，各スオーシュに対応する信号が，完璧ダイの対応するスオーシュに対するデータベースアダプター５４からのシミュレーションされた信号と比較される。この処理は，次のダイが検査される前に検査すべき関心領域６５の各スオーシュに対して繰り返される。」
　
（１−オ）
「【００６７】偏向器コントローラ
ダイ・ダイモードでは，偏向器コントローラ５０の機能は，ダイ６８の各スオーシュ６０内の等距離グリッド点に電子ビーム１００を位置付けることである。この結果，検出器１２９，１６０，１１７の出力は，ダイ７０の対応する位置における同じ検出器の出力と比較される。同様に，ダイ・データベースモードでは，データベースアダプター５４から得られるシミュレートされた画像は，ダイからの検出器１１７の出力と比較される。偏向器コントローラ５０は，図７と以下の説明に示されるように，ステージ２４と電子ビーム１００の位置を制御してこれを実行する。」
　
（１−カ）
「【００９４】データベースアダプター
データベースアダプター５４は，ダイにパターンを形成するために使用されるＣＡＤ(Computer Aided Design) データを基にして，各ピクセルに対応するグレイスケールとを生成する画像シミュレーターである。代表的には，データベースアダプターへの入力は，集積回路のパターン形成に使用されるフォーマットのデジタル磁気テープである。これらのデジタルデータは，画像捕獲前置プロセッサ４８の出力と同じフォーマットで，スオーシュに組織されたピクセルデータの流れに変換される。そのようなデータベースアダプターは，米国特許第4,926,489号に既に開示されている。米国特許第4,926,489 号は，1990年５月１５日に発行され，本出願と同じ譲受人に譲渡されたDanielson 等によるReticle Inspection System である。」
　
　そうすると，これら（１−ア）〜（１−カ）の記載と図面２，７とを総合すると，引用刊行物１には，次の発明が記載されている。
「Ｘ線リソグラフィーに使用されるマスクの検査システムであって，ダイにパターンを形成するために使用されるＣＡＤ(Computer Aided Design) データを基にして，各ピクセルに対応するグレイスケールを生成する画像シミュレーターと，基板表面に荷電粒子ビームを送りスキャンする荷電粒子ビーム手段と，前記基板のパターンをデータベースアダプター５４からのシミュレーションされた信号と比較する比較手段と，を備えたＸ線リソグラフィーに使用されるマスクの検査システム。」（以下，「引用発明」という。）
　
（２）対比・判断
　引用発明の「Ｘ線リソグラフィーに使用されるマスク」とは，半導体製造用のフォトレジストにＸ線を入射して回路パターンを形成するための遮光あるいは透過用のマスクであるから，補正発明の「フォトマスク」に包含されるものである。
　そうすると，引用発明の「Ｘ線リソグラフィーに使用されるマスクの検査システム」は，補正発明の「フォトマスクの欠陥を検査するマスク欠陥検査装置」に相当するといえる。
　
　そして，引用発明の「ダイにパターンを形成するために使用されるＣＡＤ(Computer Aided Design) データ」，「各ピクセルに対応するグレイスケール」，「生成」，及び「画像シミュレーター」は，それぞれ，補正発明の「フォトマスクの設計データ」，「マスク欠陥検査装置用フォーマット」，「形成」，及び「マスクデータ形成部」に相当することは明らかである。
　また，引用発明の「基板」は，補正発明の「フォトマスク」に相当する。
　そして，引用発明の「画像シミュレーター」は，「各ピクセルに対応するグレイスケール」を，「ダイにパターンを形成するために使用されるＣＡＤ(Computer Aided Design) データ」を「基にして」「生成」されるものであるから，「ダイにパターンを形成するために使用されるＣＡＤ(Computer Aided Design) データ」を「各ピクセルに対応するグレイスケール」に変換して，検査用のデータを形成しているものであるといえるから，補正発明の「前記フォトマスクの設計データを前記マスク欠陥検査装置用フォーマットに変換し，検査データを形成する検査データ形成部」に相当するといえる。
　
　さらに，引用発明は，「基板表面に荷電粒子ビームを送りスキャンする荷電粒子ビーム手段」によって検出画像である「前記基板のパターン」を得るものであるから，基板表面をスキャンして検出画像を形成する検出画像形成部を備えているといえ，これは補正発明の「前記フォトマスクをスキャンして検出画像を形成する検出画像形成部」に相当する。
　
　そして，引用発明の「前記基板のパターンをデータベースアダプター５４からのシミュレーションされた信号と比較する比較手段」とは，上記摘記事項（１−エ）〜（１−カ）の記載からして，基板をスキャンして得られた検出画像のデータと，データベースアダプター５４から得られるシミュレートされた画像とを比較しているといえるから，これと補正発明の「前記検査データと前記マスクデータとを比較して，前記フォトマスクの欠陥の有無を検査する比較検査部」とは，「検出画像のデータと，前記マスクデータとを比較して，前記フォトマスクの欠陥の有無を検査する比較検査部」である点で共通する。
　
　そうすると，両者は，
　
（一致点）
「フォトマスクの欠陥を検査するマスク欠陥検査装置であって，
　前記フォトマスクの設計データを前記マスク欠陥検査装置用フォーマットに変換し，検査データを形成する検査データ形成部と，
　前記フォトマスクをスキャンして検出画像を形成する検出画像形成部と，
　前記検出画像のデータと，前記マスクデータとを比較して，前記フォトマスクの欠陥の有無を検査する比較検査部とを，備えたマスク欠陥検査装置。」
　
　で一致し，以下の点で相違する。
　
（相違点）
　検出画像のデータについて，補正発明では「前記検出画像に対して点像分布関数を用いて逆畳み込み処理を行うことにより，前記検査データと一致する画像について前記欠陥の有無が検出可能な形状の前記マスクデータを形成する」のに対し，引用発明ではそのような処理を行っていない点。
　
　上記相違点について検討する。
　半導体製造にかかわる微小領域の検査を行う際に，検査対象物の画像データに点像分布関数を用いて逆畳み込み処理，いわゆるデコンボリューション処理を行ったデータを用いて外観検査を行うことは，周知であったといえる。
　例えば，原査定の理由でも引用された，本願出願日前に頒布された刊行物である，特開平１１−４００９６号公報には，以下の事項が記載されている。
「【請求項１】粒子線ビームを試料上で走査して試料像を得る手段と，該試料像を演算処理する試料検査手段とを備えた粒子線ビーム検査装置において，該試料像から焦点ずれ量を検出する手段と，該焦点ずれ量から粒子線ビームの広がりに相当する焦点ずれビーム分布関数を生成する手段と，該試料像またはその一部に対して該焦点ずれビーム分布関数の成分を除去または低減した分離像を生成する手段とを備え，上記試料検査手段により該分離像を演算処理することを特徴とする粒子線ビーム検査装置。」，
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は粒子ビーム走査型顕微鏡に関わり，特に半導体装置等の微小寸法や外観形状の観察または検査を行うに好適な粒子ビーム検査装置に関する。」及び，
「【００２７】本実施例で特徴的なことは，(1)試料像から焦点ずれ量を検出し，(2)焦点ずれに対応する焦点ずれビーム分布関数を生成して，(3)試料像から焦点ずれビーム分布関数の影響を除去する手段を持たせたことにある。具体的には，図1に示すように，制御回路30に像分離部が接続してあることが特徴である。焦点ずれ演算器60は，前記電子ビーム3'によって得られた試料像を試料像メモリ32から呼び出し，この像のフーリエ・スペクトルの形状から焦点ずれ量を検出してビーム分布発生器61に送る。ビーム分布発生器61は焦点ずれ量に対応する焦点ずれビーム分布関数を予め保持しているテーブルのデータを補間して生成し，ビーム分布メモリ50に記憶させる。デコンボリューション演算器51は，一次元像から焦点ずれビーム分布関数の成分を除去するデコンボリューション演算を行うことによって最適焦点での試料の一次元像を生成し，これを分離像メモリ52に記憶する。従来は，試料上の微小寸法を測定するために検査部において試料像メモリ32に記憶された試料像から切り出した一次元像を直接使った。しかし，本実施例では，焦点ずれの影響を除去して分離像メモリ52に記憶された一次元像を使って，微小寸法の測定を行う。これによって，最適焦点を探すために余分に試料上で電子ビームを走査する必要がなくなる。」
　
　同じく，本願出願日前に頒布された刊行物である，特開２００１−１７５８５７号公報には，以下の事項が記載されている。
「【００２２】
【発明の実施の形態】［実施の形態の１］次に，本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施の形態となるパターン検査装置のブロック図，図２は図１のパターン検査装置の動作を示すフローチャート図である。フォトマスク，レテイクル，ウェーハー液晶などに形成された半導体集積回路などの微細パターンが，設計データから作成した理想的なパターンの寸法，形状に基づいて正確に描かれているか否かを，パターン検査装置により検査する必要がある。
【００２３】この種のパターン検査装置では，まず，矩形または台形の位置座標，および線分長で記述された設計データを，被検査パターンに相当する「０」，「１」の２値のビット列として表現し，所定分解能の画素幅に存在するビット列を積分することにより画素内の濃淡値を生成する。
【００２４】次に，被検査パターンをレーザービームで走査し，その透過光を受光素子上に結像させて得たパターン情報から，あるいは撮像系から得たパターン画像のエッジプロファイルから，所定の光学的点拡がり関数を作成し，この関数を用いるとともに，設計データの多階調データ（多値データ）との畳み込み演算を施すことにより，参照画像を得る。
【００２５】そして，光学系走査または撮像系入力により得られた被検査パターンの画像に同期して，設計データから得られた参照画像を読み込み，対応する画素位置で被検査パターンの画像と参照画像の不一致点を検出することによって被検査パターン上の欠陥検出（Ｄｉｅ−Ｔｏ−ＤａｔａＢＡＳＥ検査）を行っている。」
　
　そうすると，引用発明の，検出画像のデータとして，上記周知の逆畳み込み処理を施したデータを適用することによって，補正発明の（相違点）のような構成とすることは，当業者にとって容易に想到し得るものである。
　
　そして，本願明細書に記載された効果も，引用発明および上記周知の事項から，当業者が予測し得る範囲のものであり，格別顕著なものといえない。
　
　したがって，補正発明は，引用発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから，本件補正は，平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により，却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されることとなったので，本願の請求項１〜４に係る発明は，平成２１年３月１８日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されたとおりのものと認められ，その請求項１に係る発明は次のとおりのものである。なお，平成２１年９月１日付けの手続補正書は，平成２１年１０月２６日付けで補正却下されている。
「【請求項１】
フォトマスクの欠陥を検査するマスク欠陥検査装置であって，
前記フォトマスクの設計データを前記マスク欠陥検査装置用フォーマットに変換し，検査データを形成する検査データ形成部と，
前記フォトマスクをスキャンして検出画像を形成する検出画像形成部と，
前記検出画像に所定の処理を行って，前記フォトマスクのマスクデータを形成するマスクデータ形成部と，
前記検査データと前記マスクデータとを比較して，前記フォトマスクの欠陥の有無を検査する比較検査部と，
を備え，
前記マスクデータ形成部は，前記検出画像に対して点像分布関数を用いて逆畳み込み処理を行うことにより前記マスクデータを形成することを特徴とするマスク欠陥検査装置。」（以下，「本願発明」という。）
　
２．引用刊行物およびその記載事項
　原査定の理由に引用した刊行物およびその記載事項は，前記「第２　２．」に記載したとおりである。
　本願発明は，前記「第２　２．」において検討した補正発明の「マスクデータ」について，「前記検査データと一致する画像について前記欠陥の有無が検出可能な形状」であるとの限定を省くものである。
　そうすると，本願発明のすべての構成要件を含み，さらに他の構成要件を付加したものに相当する補正発明が，前記「第２　２．（２）」に記載したとおり，引用発明及び周知の事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由により，引用発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明できたものであるといえる。
　
３．むすび
　以上のとおり，本願発明は，引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，その他の請求項に係る発明について言及するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって結論のとおり審決する。