【事件の表示】
　特願２００５−　７２３４１「強誘電体膜」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　９月２８日出願公開、特開２００６−２６１１５９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本件出願は、平成１７年３月１５日の出願であって、平成２１年２月２６日付けで拒絶理由が通知され、同年５月７日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年７月２８日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年９月２４日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、同年１１月１６日付けで同年９月２４日付け手続補正書でした手続補正が却下されるとともに拒絶査定がなされ、平成２２年２月１９日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに明細書及び特許請求の範囲を補正する手続補正書が提出され、その後、当審において平成２３年１月７日付けで審尋がなされ、同年３月１１日付けで回答書が提出されたものである。 
　
第２　平成２２年２月１９日付けの手続補正についての補正の却下の決定 
［補正の却下の決定の結論］  
　平成２２年２月１９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。 
　
［理由］  
１　本件補正の内容  
　本件補正は、本件出願の特許請求の範囲の請求項１についての補正を含むものであり、当該請求項１に係る補正は、本件補正により補正される前の（すなわち、平成２１年５月７日付けで提出された手続補正書により補正された）下記「１−１」に示す特許請求の範囲の請求項１の記載を下記「１−２」に示す特許請求の範囲の請求項１の記載に補正するものである（以下、この補正を「本件補正事項」という。）。 
　
１−１　本件補正前の特許請求の範囲の請求項１
　「【請求項１】
　膜材料として、一般式、Ｓｒ２（Ｔａ１−ｘＮｂｘ）２Ｏ７（０≦ｘ≦１）で示される強誘電体材料が用いられ、前記強誘電体膜層は、希ガス成分を含有し、前記希ガス成分は、Ｋｒ、Ｘｅの内の少なくとも一種を含み、１０日以上のデータ保持時間を有することを特徴とする強誘電体膜。」  
　
１−２　本件補正後の特許請求の範囲の請求項１  
　「【請求項１】
　一般式、Ｓｒ２（Ｔａ１−ｘＮｂｘ）２Ｏ７（０≦ｘ≦１）で示される強誘電体材料
を用いた強誘電体膜であって、膜厚が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるとともに、
（なお、下線は、補正箇所を示すためのものである。）  
　  
２　本件補正の適否  
２−１　新規事項に関して
　本件補正事項は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１に係る発明における「強誘電体膜」について、「
膜厚が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である
　
　そこで、検討するに、本件付加記載は、請求項１末尾の「１０日以上のデータ保持時間を有することを特徴とする強誘電体膜。」という記載を修飾するものであるから、本件補正事項により、請求項１に係る発明は、「
膜厚が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下」
　
　他方、「
膜厚が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下」
　即ち、当初明細書等には、強誘電体の膜厚及びデータ保持時間に関して、以下のとおり記載されている。
・「【００５６】
　本発明の強誘電体膜は、膜材料としてＳｒ２（Ｔａ１−ｘＮｂｘ）Ｏ７（０≦ｘ≦１）（ＳＴＮ）が用いられ、１０日以上のデータ保持特性を有し、強誘電体膜厚が１００ｎｍ以下である構成である。」（【００５６】）
・「【００５７】
　本発明者らの検証によれば、例えば、スパッタリング処理を行う処理室のターゲット周辺の内側表面をターゲットと同じ材質で形成し、当該処理室内でスパッタリング処理により下地の表面に強誘電体膜を形成し（膜形成手段による膜形成工程）、その後強誘電体膜を加熱し（加熱手段による加熱工程）、ラジカル酸化することによって（酸素導入手段による酸素導入工程）、強誘電体膜厚が１００ｎｍ以下であってもメモリー保持時間が１０日以上の強誘電体膜が製造出来ることが分かった。」（【００５７】）
・「【００８２】
　強誘電体種、例えばＳｒ２（Ｔａ１−ｘＮｂｘ）Ｏ７（０≦ｘ≦１）（ＳＴＮ）の堆積が所定時間継続され、例えば下部絶縁膜上に１ｎｍ以上例えば１０ｎｍの下層強誘電体膜（Ｆ１）が形成されると高周波電圧の印加が停止され、スパッタリング装置におけるスパッタリング処理が終了する。下層強誘電体膜（Ｆ１）が形成されると、ウエハＷは、スパッタリング装置１０１から搬出されプラズマ処理装置１０３に搬送される。」（【００８２】）
・「【００８４】
　所定時間、下層強誘電体膜（Ｆ１）５７に酸素ラジカルによって酸素が導入されると、アンテナ部材４７からのマイクロ波の放射が停止され、ウエハ（Ｗ）はプラズマ処理装置１０３から搬出される。搬出されたウエハ（Ｗ）は再度スパッタリング装置１０１に搬送され、図８に示す様に下層強誘電体膜（Ｆ１）５７上に１ｎｍ以上例えば１０ｎｍの強誘電体層（Ｆ２）５７が形成され、プラズマ処理により酸素ラジカル５８が強誘電体膜中に導入される。こうして下地基板上に強誘電体膜（Ｆ１＋Ｆ２）が形成される。この工程を繰り返すことにより図９のように多層の強誘電体膜（Ｆ１＋Ｆ２＋・・＋Ｆｎ）が形成される。」（【００８４】）
・「【００９０】
　上記強誘電体膜Ｆのスパッタリング処理における処理条件は、印加電圧の周波数：１３．５６ＭＨｚ、処理室圧力：４−２７Ｐａ（３０ｍＴｏｒｒ−２００ｍＴｏｒｒ）、酸素分圧：６％、であり、強誘電体膜Ｆ（１００ｎｍ）は下地が絶縁膜上（１０ｎｍ）に形成された。」（【００９０】）
・「【００９１】
　図１１はＭＦＩＳダイオードのＣ−Ｖ特性を示すものであり強誘電体に由来するメモリーウインドウは約０．６Ｖ−２Ｖであった。酸素ラジカル処理が無い場合には強誘電体に由来するヒステリシスが観察されなかった。ＭＦＩＳダイオードに±５Ｖ印加して０Ｖで保持した時のデータ保持特性を図１２（ａ），（ｂ）に示した。これより、１０日以上のデータ保持特性を有していることが分かる。この時の強誘電体Ｆの厚さは１００ｎｍ程度であった。このように強誘電体層Ｆへラジカル状酸素を十分導入することにより強誘電体膜中の酸素欠損の発生を防止することが出来、たとえ強誘電体層が１００ｎｍ以下の薄膜であってもデータ保持時間の向上が図られている。」（【００９１】）
・「【００９７】
　本発明によれば、１００ｎｍ以下の薄い膜厚の強誘電体層であっても長期のデータ保持特性を有し、省電力で且つ分極状態が安定した強誘電体メモリを製造することができる。」（【００９７】）
　
　上記記載によれば、上限の「１００ｎｍ」については、【００５６】、【００５７】、【００９０】、【００９１】、及び【００９７】に記載があり、下限の「１ｎｍ」については、【００８２】及び【００８４】に「１ｎｍ以上例えば１０ｎｍ」という記載がある。
　しかし、【００８２】及び【００８４】の記載によると、下部絶縁膜上に「１ｎｍ以上例えば１０ｎｍ」の下層強誘電体膜を形成した後、その上に「１ｎｍ以上例えば１０ｎｍ」の強誘電体層を繰り返し形成することにより、多層の強誘電体膜が形成される。また、１０日以上のデータ保持特性を有するとされているものは、「１００ｎｍ以下」（【００５６】、【００５７】、及び【００９７】）及び「１００ｎｍ程度」（【００９１】）のように、いずれも「１００ｎｍ以下」の強誘電体膜である。
　そうすると、当初明細書等には、１ｎｍ以上たとえば１０ｎｍずつ積層して、最終的に膜厚が１００ｎｍとなった強誘電体膜において、１０日以上のデータ保持特性を有しているものが記載されている。それに対し、最終的に膜厚が１００ｎｍに達する前の途中段階である「１ｎｍ以上」の強誘電体膜については、データ保持特性の評価を行っておらず、ましてや、１０日以上のデータ保持時間を有するものは記載されているとはいえない。
　したがって、本件補正事項は、「１ｎｍ以上」の膜厚の強誘電体膜について「１０日以上のデータ保持時間を有する」という当初明細書等に記載のない効果を追加するものであるから、新たな技術的事項の導入に該当することは明らかである。
　よって、本件補正事項を含む本件補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものではない。
　
２−２　独立特許要件に関して
　仮に、本件補正が、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであり、また、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるとした場合、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうかについて、さらに検討する。
　
（１）引用文献 
（１−１）引用文献の記載事項
　原査定の拒絶の理由で引用された、本件出願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開２００１−１６０５５５号公報（以下、「引用文献」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている（なお、下線は当審で付したものである。）。 
　
ａ．「【００１５】
【実施例１】まずは、プラズマを用いた低温の酸化膜形成について述べる。図１は、本発明の酸化方法を実現するための、ラジアルラインスロットアンテナを用いた装置の一例を示す断面図である（特許願９−１３３４２２参照）。
本実施例においては、酸化膜形成時のためにＫｒをプラズマ励起ガスとして使用していることに新規な特徴がある。真空容器（処理室）１０１内を真空にし、シャワープレート１０２からＫｒガス、Ｏ
２
ガスを導入し、処理室内の圧力を１Ｔｏｒｒ程度に設定する。
【００１６】
ＫｒガスとＯ
２
ガスが混合された高密度励起プラズマ中では、中間励起状態にあるＫｒ
＊
とＯ
２
分子が衝突し、原子状酸素Ｏ
＊
が効率よく発生する。この原子状酸素により、基板表面は酸化される。
　　
ｂ．「【００１９】
図４は、上記の手順で形成されるシリコン酸化膜中のＫｒ密度の深さ方向分布を、全反射蛍光Ｘ線分光装置を用いて調べたものである。
Ｋｒ密度は、酸化膜厚が薄い領域になるほど減少し、シリコン酸化膜表面では２×１０
１１
ｃｍ
−２
程度の密度でＫｒが存在する。
　  
ｃ．「【００４２】
【実施例５】次に、強誘電体メモリ素子を作成した実施例を説明する。図１１は本発明の強誘電体メモリ素子の概略断面図である。１１０１はシリコン基板内に形成されたＰウェル、１１０２、１１０２‘はＮ型トランジスタのソースドレイン、１１０３は、実施例２の手順に沿って４００℃でＡｒ／ＮＨ３プラズマにより形成された厚さ５ｎｍのゲートシリコン窒化膜、１１０４はＮ型トランジスタのポリシリコンゲート、１１０５は実施例２の手順に沿ってＡｒ／ＮＨ３プラズマにより４００℃で形成された厚さ５ｎｍのシリコン窒化膜、
１１０６は厚さ１５０ｎｍのＳｒＴａＮｂＯ強誘電体膜
実施例１の手順に沿って、４００℃でＫｒ／Ｏ
２
プラズマ酸化してＳｒ
２
（Ｔａ
０．７
Ｎｂ
０．３
）
２
Ｏ
７
の組成となるように形成した。
【００４３】
ＳｒＴａＮｂＯ膜は誘電率が約４０程度であり、従来から、ゲート絶縁膜としてシリコン酸化膜を用いても、強誘電体メモリ素子の書き込み電圧を比較的下げられるといった利点が知られていた。本実施例では、本発明ではじめて可能となるＡｒ／ＮＨ３プラズマによるシリコン窒化膜１１０３をゲート絶縁膜に使用しており、シリコンゲート酸化膜を使用したときに比べ、ゲート絶縁膜の誘電率が約２倍となっているために、メモリ書き込み電圧をさらに約１．９分の１に低減することが可能になった。また、従来は、ポリシリコンとＳｒＴａＮｂＯ膜の間にＩｒＯのような拡散防止層を使う例が主であったが、Ｉｒが下地の半導体素子の電気的特性にに悪影響を及ぼすという問題が生じていた。本実施例では、本発明で初めて可能となるＡｒ／ＮＨ３プラズマによるシリコン窒化膜１１０５を主に１１１配向しているポリシリコンゲート１１０４上に低温で形成することができた。このシリコン窒化膜は緻密で高品質であり、下地の半導体素子に悪影響を及ぼすことはもちろんなく、かつ高い拡散防止性能を持っている。さらにまた、従来は、ＳｒＴａＮｂＯ膜はゾルゲル法＋高温（９００℃以上）アニールにより形成されることが多く、膜内組成の不均一性、高温化の拡散による素子特性の劣化といった問題が起こり、膜の耐リーク特性も不十分であった。本実施例では、本発明で初めて可能となるＫｒ／Ｏ２プラズマによる低温の酸化により、Ｓｒ：Ｔａ：Ｎｂの組成比が正確に１：０．７：０．３になるようにスパッタされた膜を酸化することで、均一性の優れた、元素の拡散の起こらない、リーク電流特性も優れたＳｒ２（Ｔａ０．７Ｎｂ０．３）２Ｏ７を形成することができた。
【００４４】この強誘電体メモリ素子を２次元に複数配置して作成した
強誘電体メモリ素子は、従来に比べ約１／２弱の低電圧書き込み動作性、約２倍の高速駆動特性、約１００倍の長時間保持特性、多数回書き換え特性を示した。
【００４５】また、本実施例の強誘電体メモリ素子はすべて４００℃程度で形成可能であり、金属層をシリコン基板の中に有するＳＯＩトランジスタ、金属配線が形成された後に作成される絶縁膜状のポリシリコントランジスタを使用して形成することも可能である。」（【００４２】ないし【００４５】）  
　
（１−２）引用文献記載の発明
　記載事項ｃによると、「厚さ１５０ｎｍのＳｒＴａＮｂＯ強誘電体膜」であって、「Ｓｒ２（Ｔａ０．７Ｎｂ０．３）２Ｏ７の組成となるように形成した」ものが記載されている（【００４２】）。よって、引用文献には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認める。  
　
　「一般式、Ｓｒ２（Ｔａ０．７Ｎｂ０．３）２Ｏ７で示される強誘電体材料を用いた強誘電体膜であって、膜厚が１５０ｎｍである強誘電体膜。」  
　
（２）対比  
　本件補正発明と引用発明１を対比する。  
　  
　引用発明１の「Ｓｒ２（Ｔａ０．７Ｎｂ０．３）２Ｏ７」は、「Ｓｒ２（Ｔａ１−ｘＮｂｘ）２Ｏ７（０≦ｘ≦１）」のｘ＝０．３の場合に該当するから、本件補正発明の「Ｓｒ２（Ｔａ１−ｘＮｂｘ）２Ｏ７（０≦ｘ≦１）」に包含されるものである。
　したがって、両者は、  
　「一般式、Ｓｒ２（Ｔａ１−ｘＮｂｘ）２Ｏ７（０≦ｘ≦１）で示される強誘電体材料を用いた強誘電体膜。」
である点で一致し、以下の３点で相違する。  
　  
＜相違点１＞  
　本件補正発明では、強誘電体膜の膜厚は１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるのに対し、引用発明１では、強誘電体膜の膜厚は１５０ｎｍである点。
　
＜相違点２＞
　本件補正発明では、強誘電体膜は、希ガス成分を含有し、前記希ガス成分は、Ｋｒ、Ｘｅの内の少なくとも一種を含むものであるのに対し、引用発明１では、強誘電体膜が希ガス成分を含有するか明らかでなく、希ガス成分は、Ｋｒ、Ｘｅの内の少なくとも一種を含むものであるかも明らかでない点。
　
＜相違点３＞
　本件補正発明では、強誘電膜は１０日以上のデータ保持時間を有するのに対し、引用発明１では、強誘電膜はそのようなものであるか明らかでない点。
　
（３）判断  
　そこで、上記相違点１ないし３について、検討する。  
　  
（３−１）相違点１について
　半導体素子の小型化や薄膜化は、半導体の分野において周知の技術的課題である。
　また、引用発明１における「膜厚が１５０ｎｍ」は、引用文献に記載された実施例の膜厚が１５０ｎｍであることに基づくところ、その数値は必ずしも下限値を明示したものではない。
　さらに、本件出願の明細書には、強誘電体膜の膜厚が「１ｎｍ」の前後や「１００ｎｍ」の前後で、効果に顕著な差があることを示す記載はないことから、本件補正発明における「膜厚が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下」に臨界的意義があるともいえない。
　したがって、引用発明１において、必要とするメモリ特性の程度に応じて、強誘電体膜の膜厚を薄くして、相違点１に係る本件補正発明の発明特定事項とすることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　
（３−２）相違点２について
　引用文献の記載事項ａ及びｂには、実施例１に関して、また、同記載事項ｃには、実施例４に関して、以下の記載がある。
・「本実施例においては、酸化膜形成時のためにＫｒをプラズマ励起ガスとして使用していることに新規な特徴がある。真空容器（処理室）１０１内を真空にし、シャワープレート１０２からＫｒガス、Ｏ２ガスを導入し、処理室内の圧力を１Ｔｏｒｒ程度に設定する。」 （記載事項ａ）
・「ＫｒガスとＯ２ガスが混合された高密度励起プラズマ中では、中間励起状態にあるＫｒ＊とＯ２分子が衝突し、原子状酸素Ｏ＊が効率よく発生する。この原子状酸素により、基板表面は酸化される。」（記載事項ａ）
・「図４は、上記の手順で形成されるシリコン酸化膜中のＫｒ密度の深さ方向分布を、全反射蛍光Ｘ線分光装置を用いて調べたものである。・・・（中略）・・・Ｋｒ密度は、酸化膜厚が薄い領域になるほど減少し、シリコン酸化膜表面では２×１０１１ｃｍ−２程度の密度でＫｒが存在する。」（記載事項ｂ）
・「実施例１の手順に沿って、４００℃でＫｒ／Ｏ２プラズマ酸化してＳｒ２（Ｔａ０．７Ｎｂ０．３）２Ｏ７の組成となるように形成した。」（記載事項ｃ）
　記載事項ｃの上記記載のとおり、引用発明１の強誘電体膜は、「実施例１の手順に沿って、４００℃でＫｒ／Ｏ２プラズマ酸化して」形成されたものである。そして、記載事項ａ及びｂの上記記載によると、実施例１の手順は、酸化膜形成時にＫｒ／Ｏ２プラズマ酸化を行うものであって、その結果、膜中にＫｒが分布し存在することを示している。
　そうすると、引用発明１における強誘電体膜も、膜中に希ガス成分であるＫｒを含有することは明らかである。
　また、審判請求人は、本件補正発明における強誘電体膜が希ガス成分を含有し、前記希ガス成分が、Ｋｒ、Ｘｅの内の少なくとも一種を含むものである点につき、「希ガス成分であるＫｒ，Ｘｅは、プラズマ処理における酸素ラジカルを生成するプロセスガスとしての酸素ガスと混合されて用いられたものが、強誘電体膜内に残留したものであます。」（審判請求書「（３）本願発明が特許されるべき理由：（ＩＶ）本願発明と各引用文献１に記載された発明との対比：（ｉ）」）と述べている。引用発明１も、同様に、Ｋｒが、プラズマ処理における酸素ラジカルを生成するプロセスガスとしての酸素ガスと混合されて用いられて、強誘電体膜を形成しているのであるから、引用発明１における強誘電体膜は、希ガス成分であるＫｒを含有するものといえる。
　したがって、相違点２は実質的な相違点ではない。
　　
（３−３）相違点３について
　引用文献の記載事項ｃの「この強誘電体メモリ素子を２次元に複数配置して作成した
強誘電体メモリ素子は、従来に比べ約１／２弱の低電圧書き込み動作性、約２倍の高速駆動特性、約１００倍の長時間保持特性、多数回書き換え特性を示した。
　また、長時間のデータ保持特性を示すことの目標値として「１０日以上」は、原査定の拒絶の理由で引用された、本件出願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開２００２−３２９８４３号公報（以下、「周知文献」という。）の記載事項（以下、「周知文献の記載事項」という。）のように周知のものである。
　即ち、周知文献の記載事項によると、強誘電体トランジスタ型メモリ素子における記憶保持特性として、１０日以上の記憶保持時間で評価を行っている（実施例１、図４）。さらに、このような評価をＳｒ2（ＮｂＴａ）2Ｏ7膜のメモリ素子についても行っている（実施例２）。
　　
＜周知文献の記載事項＞
・「【００２０】（実施例１）図２に示すような、本実施例に係る強誘電体トランジスタ（サンプルＡ）と、比較例として図３に示すような強誘電体トランジスタ（サンプルＢ）を試作した。・・・（中略）・・・
【００２４】次に、記憶保持特性を評価する。サンプルＡ、およびＢについて、上部電極２６とシリコン単結晶基板１４間に電圧を印加し、強誘電体の分極を発生させて情報を書き込む。その後、ソース部を接地し、ドレイン部に１Ｖの電圧を印加し、書込み電圧を印加してから、ある時間保持した後のドレインに流れる電流値を観察した。その結果を図４に示す。この結果から明らかなように、サンプルＡの方がサンプルＢに比べて、記憶保持時間が長くなっていることが判る。これは、強誘電体膜２４がプロセスダメージを受けているかいないかによって起こった差違であると考えることができる。」（【００２０】ないし【００２４】）
・「【００２５】（実施例２）図５に示すような、強誘電体トランジスタを試作した。・・・（中略）・・・
【００２６】・・・（中略）・・・次に、下部電極２３として、Ｔｉ、Ｐｔ積層膜をスパッタリング法にて成膜し、強誘電体薄膜２８としてＳｒ2（ＮｂＴａ）2Ｏ7膜を金属有機物を塗布、焼成する方法にて成膜した。焼成温度は約４５０℃で、減圧酸素雰囲気中で赤外線加熱する方法で焼成した。上部電極２５として、Ｐｔ膜をスパッタリング法にて成膜した。これを、上部電極２５、強誘電体膜２８、下部電極２３の順でドライエッチングし、キャパシタ構造を作製した。・・・（中略）・・・
【００２７】次に、記憶保持特性を評価し、実施例１におけるサンプルＡと同様の結果を得た。」（【００２５】ないし【００２７】）
・【図４】
（当審注：「１０６ｓｅｃ」は日に換算すると約１１．６日、即ち１０日以上である。）
　　
　したがって、引用発明１における強誘電体膜において、長時間のデータ保持特性を達成するために、１０日以上のデータ保持時間を有するものとして、相違点３に係る本件補正発明の発明特定事項とすることは、周知文献の記載事項を考慮して、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　
（３−４）効果について
　そして、本件補正発明を全体としてみても、本件補正発明の効果は、引用発明１及び周知文献の記載事項からみて格別なものとはいえない。
　　
（３−５）むすび
　よって、本件補正発明は、引用発明１及び周知文献の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
２−３　むすび  
　上記「２−１」のとおり、本件補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものではないので、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものである。
　仮に、本件補正が、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであり、また、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるとしても、上記「２−２」のとおり、本件補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないので、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものである。
　したがって、本件補正は、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について  
１　本願発明  
　以上のとおり、本件補正は却下されたため、本件出願の特許請求の範囲の請求項１及び２に係る発明は、平成２１年５月７日付け手続補正書により補正された当初明細書等の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記「第２［理由］１　１−１」のとおりである。 
　
２　引用文献
２−１　引用文献の記載事項
　原査定の拒絶の理由で引用された、本件出願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開２００１−１６０５５５号公報（以下、上記「第２［理由］２　２−２（１）（１−１）」と同様に「引用文献」という。）には、上記「第２［理由］２　２−２（１）（１−１）」のとおりの事項が記載されている。
　
２−２　引用文献記載の発明
　上記「２−１」の記載事項及び図面の記載からみて、引用文献には、次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されていると認める。 
　
　「膜材料として、一般式、Ｓｒ２（Ｔａ０．７Ｎｂ０．３）２Ｏ７で示される強誘電体材料が用いられた強誘電体膜。」
　
３　周知文献
　原査定の拒絶の理由で引用された、本件出願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開２００２−３２９８４３号公報には、上記「第２［理由］２　２−２（３）（３−３）」のとおりの記載事項（以下、上記「第２［理由］２　２−２（３）（３−３）」と同様に「周知文献の記載事項」という。）が記載されている。
　
４　対比
　本願発明と引用発明２を対比する。
　
　引用発明２の「Ｓｒ２（Ｔａ０．７Ｎｂ０．３）２Ｏ７」は、「Ｓｒ２（Ｔａ１−ｘＮｂｘ）２Ｏ７（０≦ｘ≦１）」のｘ＝０．３の場合に該当するから、本願発明の「Ｓｒ２（Ｔａ１−ｘＮｂｘ）２Ｏ７（０≦ｘ≦１）」に包含されるものである。
　したがって、両者は、
　「膜材料として、一般式、Ｓｒ２（Ｔａ１−ｘＮｂｘ）２Ｏ７（０≦ｘ≦１）で示される強誘電体材料が用いられた強誘電体膜。」
である点で一致し、以下の２点で相違する。 
　
＜相違点１＞  
　本願発明では、強誘電体膜（審決注：本願発明における「前記強誘電体膜層」は、請求項１の文脈からみて、「強誘電体膜」であることは明らかである。）は、希ガス成分を含有し、前記希ガス成分は、Ｋｒ、Ｘｅの内の少なくとも一種を含むものであるのに対し、引用発明２では、強誘電体膜が希ガス成分を含有するか明らかでなく、希ガス成分は、Ｋｒ、Ｘｅの内の少なくとも一種を含むものであるかも明らかでない点。
　
＜相違点２＞
　本願発明では、強誘電体膜は１０日以上のデータ保持時間を有するのに対し、引用発明２では、強誘電体膜はそのようなものであるか明らかでない点。
　
５　判断 
　そこで、上記相違点１及び２について、検討する。
　
５−１　相違点１について　
　相違点１については、上記「第２［理由］２　２−２（３）（３−２）」と同様であり、相違点１は実質的な相違点ではない。
　
５−２　相違点２について　　
　相違点２については、上記「第２［理由］２　２−２（３）（３−３）」と同様であり、引用発明２における強誘電体膜において、相違点２に係る本願発明の発明特定事項とすることは、周知文献の記載事項を考慮して、当業者であれば容易に容易に想到し得たことである。
　
５−３　効果について
　そして、本願発明を全体としてみても、本願発明の効果は、引用発明２及び周知文献の記載事項からみて格別なものとはいえない。
　
６　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、引用発明２及び周知文献の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。したがって、本件出願は、請求項２に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。  
　
　よって、結論のとおり審決する。