【手続補正書】
【提出日】平成23年4月18日(2011.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅または銅合金基板および前記基板の表面上に少なくとも１つの金属ベースの層を含むデバイスの耐腐食性、耐摩耗性および耐接触性を強化する方法であって、前記デバイスを
ホスホン酸、ホスホン酸塩、ホスホン酸エステル、リン酸、リン酸塩、リン酸エステルおよびこれらの混合物から成る群から選択される酸化リン化合物と、
アミン、窒素を含有する芳香族複素環およびこれらの組み合わせから成る群から選択される窒素含有官能基を含む有機化合物と、
２５℃での測定で約５０ｄｙｎｅ／ｃｍ未満の表面張力を有する溶媒で、前記溶媒はパラフィン系鉱油、イソパラフィン系鉱油、ナフテン油、少なくとも約９０℃の沸点を有するアルコール、水及び界面活性剤から成る群から選ばれる少なくも１種
から成る組成物に曝露するステップを含むことを特徴とする前記方法。
【請求項２】
前記酸化リン化合物は、構造（Ｉ）：
2010525169.tif 000001
を有し、
式中、Ｒ１は、１から２４個の炭素原子を有するヒドロカルビルであり、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立してまたは共に、水素、電荷平衡カチオンまたは１個の炭素原子から４個の炭素原子を有するヒドロカルビルである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記酸化リン化合物は、メチルホスホン酸、ジメチルホスホン酸、エチルホスホン酸、ｎ−プロピルホスホン酸、イソプロピルホスホン酸、ｎ−ブチルホスホン酸、イソブチルホスホン酸、ｔｅｒｔ−ブチルホスホン酸、ペンチルホスホン酸、ヘキシルホスホン酸、ヘプチルホスホン酸、ｎ−オクチルホスホン酸、ｎ−デシルホスホン酸、ｎ−ドデシルホスホン酸、（１２−ホスホノドデシル）ホスホン酸、ｎ−テトラデシルホスホン酸、ｎ−ヘキサデシルホスホン酸、ｎ−オクタデシルホスホン酸、ジイソオクチルホスホン酸、これらの塩、これらのエステル、およびこれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記酸化リン化合物は、メチレンジホスホン酸、ビニルホスホン酸、アリルホスホン酸、フェニルホスホン酸、ジフェニルホスホン酸（２−イソプロピルフェニル）ホスホン酸、ベンジルホスホン酸、（オルト−トリル）ホスホン酸、（メタ−トリル）ホスホン酸、（パラ−トリル）ホスホン酸、（４−エチルフェニル）ホスホン酸、（２，３−キシリル）ホスホン酸、（２，４−キシリル）ホスホン酸、（２，５−キシリル）ホスホン酸、（３，４−キシリル）ホスホン酸、（３，５−キシリル）ホスホン酸、ホスホノ酢酸、３−ホスホノプロピオン酸、６−ホスホノヘキサン酸、１１−ホスホノウンデカン酸、１６−ホスホノヘキサデカン酸、これらの塩、これらのエステル、およびこれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記酸化リン化合物は、構造（ＩＩ）：
2010525169.tif 000002
を有し、
式中、Ｒ１は、１から２４個の炭素原子を有するヒドロカルビルであり、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立してまたは共に、水素、電荷平衡カチオンまたは１個の炭素原子から４個の炭素原子を有するヒドロカルビルである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記酸化リン化合物は、エチルホスホン酸、ジエチルホスホン酸、ｎ−プロピルホスホン酸、イソプロピルホスホン酸、ジイソプロピルホスホン酸、ｎ−ブチルホスホン酸、ジブチルホスホン酸、ｔｅｒｔ−ブチルホスホン酸、トリイソブチルホスホン酸、ペンチルホスホン酸、ヘキシルホスホン酸、ヘプチルホスホン酸、ｎ−オクチルホスホン酸、ｎ−デシルホスホン酸、ｎ−ウンデシルホスホン酸、ｎ−ドデシルホスホン酸、ｎ−トリデシルホスホン酸、ｎ−テトラデシルホスホン酸、ｎ−ヘキサデシルホスホン酸、ｎ−オクタデシルホスホン酸、アリルリン酸塩、フェニルリン酸塩、ジフェニルリン酸塩、１−ナフチルリン酸塩、２−ナフチルリン酸塩、これらの塩、これらのエステル、およびこれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
窒素含有官能基を含む前記有機化合物は、前記アミンであり、構造（ＩＩＩ）：
2010525169.tif 000003
を有し、
式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立して、水素または１個の炭素原子から２４個の炭素原子を有するヒドロカルビルであり、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３のうちの少なくとも１つは、１個の炭素原子から２４個の炭素原子を有するヒドロカルビルである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記アミンは、アミノエタン、１−アミノプロパン、２−アミノプロパン、１−アミノブタン、２−アミノブタン、１−アミノ−２−メチルプロパン、２−アミノ−２−メチルプロパン、１−アミノペンタン、２−アミノペンタン、３−アミノペンタン、ネオ−ペンチルアミン、１−アミノヘキサン、１−アミノヘプタン、２−アミノヘプタン、１−アミノオクタン、２−アミノオクタン、１−アミノノナン、１−アミノデカン、１−アミノドデカン、１−アミノトリデカン、１−アミノテトラデカン、１−アミノペンタデカン、１−アミノヘキサデカン、１−アミノヘプタデカン、１−アミノオクタデカン、およびこれらの組み合わせから成る群から選択される１級アミン、
前記アミンは、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、トリウンデシルアミン、トリドデシルアミン、トリトリデシルアミン、トリテトラデシルアミン、トリヘキサデシルアミン、トリオクタデシルアミン、およびこれらの組み合わせから成る群から選択される３級アミン、
前記アミンは、エチレンジアミン、２−（ジイソプロピルアミノ）エチルアミン、Ｎ，Ｎ′−ジエチルエチレンジアミン、Ｎ−イソプロピルエチレンジアミン、Ｎ−メチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミン、１−ジメチルアミノ−２−プロピルアミン、３−（ジブチルアミノ）プロピルアミン、３−（ジエチルアミノ）プロピルアミン、３−（ジメチルアミノ）−１−プロピルアミン、３−（メチルアミノ）プロピルアミン、Ｎ−メチル−−１，３−ジアミノプロパン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−１，３−プロパンジアミン等から成る群から選択されるポリアミンから選ばれる少なくとも１つの化合物である請求項７に記載の方法。
【請求項９】
窒素含有官能基を含む前記有機化合物は、窒素を含む芳香族複素環であり、以下の構造（ＩＶ）：
2010525169.tif 000004
を有し、
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は、炭素および窒素から成る群から選択される原子であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５基のうちの１から４個は窒素であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５基のうちの１から４個は、炭素であり、Ｒ１１、Ｒ２２、Ｒ３３、Ｒ４４およびＲ５５は、それぞれ独立して、水素、炭素、硫黄、酸素および窒素から成る群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
窒素を含む前記芳香族複素環は、ピロール（１Ｈ−アゾール）、イミダゾール（１，３−ジアゾール）、ピラゾール（１，２−ジアゾール）、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、テトラゾール、イソインドール、ベンズイミダゾール（１，３−ベンゾジアゾール）、インダゾール（１，２−ベンゾジアゾール）、１Ｈ−ベンゾトリアゾール、２Ｈ−ベンゾトリアゾール、イミダゾ［４，５−ｂ］ピリジン、インドール（１Ｈ−ベンゾ［ｂ］ピロール）、プリン（７Ｈ−イミダゾ（４，５−ｄ）ピリミジン）、ピラゾロ［３，４−ｄ］ピリミジン、トリアゾロ［４，５−ｄ］ピリミジン、これらの誘導体、およびこれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
窒素を含む前記芳香族複素環は、イミダゾール（１，３−ジアゾール）、ベンズイミダゾール（１，３−ベンゾジアゾール）、１Ｈ−ベンゾトリアゾール、および２Ｈ−ベンゾトリアゾールから成る群から選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記酸化リン化合物の濃度は、０．１質量％から５質量％の間であり、窒素を含む前記芳香族複素環の濃度は、０．１質量％から１．０質量％の間である、請求項１〜１１の何れかに記載の方法。
【請求項１３】
前記溶媒がアルコールを含み、前記アルコールは、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、イソブタノール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、他のペンタノール類、１−ヘキサノール、他のヘキサノール類、ヘプタノール、１−オクタノール、２−オクタノールおよび他のオクタノール類、１−デカノールおよび他のデカノール類、フェノール、ベンジルアルコール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、ならびにこれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項１〜１２の何れかに記載の方法。
【請求項１４】
前記溶媒は、水および界面活性剤を含み、前記界面活性剤は、ポリエーテル、エトキシル化されたグリセロールエステル、硫酸エステル、およびこれらの組み合わせを含む、請求項１〜１３の何れかに記載の方法。
【請求項１５】
前記組成物は以下の一般構造（Ｖ）：
2010525169.tif 000005
を有するチオールをさらに含み、
式中、Ｒ１は、１個の炭素原子から２４個の炭素原子を有するヒドロカルビル、５から１４個の炭素原子を有するアリール、または前記ヒドロカルビルは１個の炭素原子から２４個の炭素原子を有し、前記アリールは５から１４個の炭素原子を有するアリールヒドロカルビルである、請求項１〜１４の何れかに記載の方法。
【請求項１６】
Ｒ１は、前記ヒドロカルビルであり、前記チオールは、エタンチオール、１−プロパンチオール、２−プロパンチオール、２−プロペン−１−チオール、１−ブタンチオール、２−ブタンチオール、２−メチル−１−プロパンチオール、２−メチル−２−プロパンチオール、２−メチル−１−ブタンチオール、１−ペンタンチオール、２，２−ジメチル−１−プロパンチオール、１−ヘキサンチオール、１，６−ヘキサンジチオール、１−ヘプタンチオール、２−エチルヘキサンチオール、１−オクタンチオール、１，８−オクタンジチオール、１−ノナンチオール、１，９−ノナンジチオール、１−デカンチオール、１−アダマンタンチオール、１，１１−ウンデカンジチオール、１−ウンデカンチオール、１−ドデカンチオール、ｔｅｒｔ−ドデシルメルカプタン、１−トリデカンチオール、１−テトラデカンチオール、１−ペンタデカンチオール、１−ヘキサデカンチオール、１−ヘプタデカンチオール、１−オクタデカンチオール、１−ノナデカンチオール、１−イコサンチオール、およびこれらの組み合わせ、または
前記Ｒ１は、前記アリールまたは前記アリールヒドロカルビルを含み、前記チオールは、ベンゼンチオール、２−メチルベンゼンチオール、３−メチルベンゼンチオール、４−メチルベンゼンチオール、２−エチルベンゼンチオール、３−エチルベンゼンチオール、４−エチルベンゼンチオール、２−プロピルベンゼンチオール、３−プロピルベンゼンチオール、４−プロピルベンゼンチオール、２−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンチオール、４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンチオール、４−ペンチルベンゼンチオール、４−ヘキシルベンゼンチオール、４−ヘプチルベンゼンチオール、４−オクチルベンゼンチオール、４−ノニルベンゼンチオール、４−デシルベンゼンチオール、ベンジルメルカプタン、２，４−キシレンチオール、フルフリルメルカプタン、１−ナフタレンチオール、２−ナフタレンチオール、４，４′−ジメルカプトビフェニル、およびこれらの組み合わせから成る群から選択される請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記組成物は以下の一般構造（ＶＩ）を有するジスルフィドをさらに含み、
2010525169.tif 000006
式中、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、１個の炭素原子から２４個の炭素原子を有するヒドロカルビル、５から１４個の炭素原子を有するアリール、または前記ヒドロカルビルは１個の炭素原子から２４個の炭素原子を有し、前記アリールは５から１４個の炭素原子を有するアリールヒドロカルビルである、請求項１〜１６の何れかに記載の方法。
【請求項１８】
前記Ｒ１およびＲ２は、それぞれヒドロカルビルであり、前記ジスルフィドは、とりわけ、ジエチルジスルフィド、ジ−ｎ−プロピルジスルフィド、ジイソプロピルジスルフィド、ジアリルジスルフィド、ジ−ｎ−ブチルジスルフィド、ジ−ｓｅｃ−ブチルジスルフィド、ジイソブチルジスルフィド、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジスルフィド、ジ−ｎ−ペンチルジスルフィド、ジ−ネオペンチルジスルフィド、ジ−ｎ−ヘキシルジスルフィド、ジ−ｎ−ヘプチルジスルフィド、ジ−ｎ−オクチルジスルフィド、ジ−ｎ−ノニルジスルフィド、ジ−ｎ−デシルジスルフィド、ジ−ｎ−ウンデシルジスルフィド、ジ−ｎ−ドデシルジスルフィド、ジ−ｎ−トリデシルジスルフィド、ジ−ｎ−テトラデシルジスルフィド、ジ−ｎ−ペンタデシルジスルフィド、ジ−ｎ−ヘキサデシルジスルフィド、ジ−ｎ−ヘプタデシルジスルフィド、ジ−ｎ−オクタデシルジスルフィド、ジ−ｎ−ノナデシルジスルフィド、およびジ−ｎ−イコシルジスルフィドから成る群、または
前記Ｒ１およびＲ２は、それぞれ、前記アリールまたは前記アリールヒドロカルビルであり、前記ジスルフィドは、ジベンジルジスルフィド、ジチエニルジスルフィド、２−ナフチルジスルフィド、およびこれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
窒素含有官能基を含む前記有機化合物は、硫黄含有官能基をさらに含む、請求項１〜１８の何れかに記載の方法。
【請求項２０】
前記有機化合物は、ヒドロカルビル鎖を介して窒素含有官能基とチオールを連結するヒドロカルビル連結基を含み、一般構造（ＶＩＩ）：
2010525169.tif 000007
を有し、
式中、Ｒ１は、１個の炭素原子から２４個の炭素原子を有するヒドロカルビル、５から１４個の炭素原子を有するアリール、または前記ヒドロカルビルは１個の炭素原子から２４個の炭素原子を有し、前記アリールは５から１４個の炭素原子を有するアリールヒドロカルビルであり、前記Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立して、炭素原子、窒素原子または水素原子であるか、または
前記有機化合物は、ヒドロカルビル鎖を介して窒素含有官能基とジスルフィドを連結するヒドロカルビル連結基を含み、一般構造（ＶＩＩＩ）：
2010525169.tif 000008
を有し、
式中、Ｒ１  およびＲ４は、１個の炭素原子から２４個の炭素原子を有するヒドロカルビル、５から１４個の炭素原子を有するアリール、または前記ヒドロカルビルは１個の炭素原子から２４個の炭素原子を有し、前記アリールは５から１４個の炭素原子を有するアリールヒドロカルビルであり、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれ独立して、炭素原子、窒素原子または水素原子である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記基板の表面上の少なくとも１つの金属ベースの層が、ニッケル、錫、亜鉛、クロム、チタン、アルミニウム、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、モリブデン、タングステン及びこれらの合金から成る群から選択される卑金属を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記基板の表面上の少なくとも１つの金属ベースの層が、ニッケル、錫、亜鉛、クロム、チタン、アルミニウム、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、モリブデン、タングステン及びそれらの合金からなる群から選択される卑金属から成る卑金属層；および
金、銀、プラチナ、パラジウム、およびこれらの合金から成る群から選択される貴金属から成る貴金属層を含む請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
前記基板の表面上の少なくとも１つの金属ベースの層が錫を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
前記錫が浸漬堆積によって銅または銅合金の基板上に堆積される請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記基板の表面上の少なくとも１つの金属ベースの層が、錫−鉛、錫−銅、錫−銀、錫−銀―銅、錫−銀―銅―アンチモン、錫−亜鉛、錫−亜鉛―ビスマス、錫−アンチモン、錫−インジウム−銀―ビスマス、錫−ビスマス−銀、錫−ビスマス、および錫−インジウムからなる群から選択される錫合金を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２６】
前記溶媒が２−ブトキシエタノールを含む請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
デバイスが請求項１〜２６の何れかに記載の方法によって処理されている、銅または銅合金基板および前記基板の表面上に少なくとも１つの金属ベースの層を含むデバイス。