【事件の表示】
　特願２００２−５４７２７０「単一モードＶＣＳＥＬ用の多機能方法およびシステム」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　６月　６日国際公開、ＷＯ０２／４５２１７、平成１６年　９月２４日国内公表、特表２００４−５２９４８７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、２００１年（平成１３年）１１月２６日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０００年１１月２８日、米国）を国際出願日とする特許出願であって、平成１９年１０月１７日付け及び平成２０年８月１２日付けで手続補正がなされたところ、平成２１年４月６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月１２日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、これと同時に手続補正がなされ、その後、当審において、平成２２年９月１７日付けで上記平成２１年８月１２日付け手続補正が却下されるとともに同日付けで拒絶理由が通知され、平成２３年３月２８日付けで手続補正がなされるとともに、同日付で誤訳訂正書が提出されたものである。
　
２　本願発明
　平成２３年３月２８日付け手続補正による補正及び同日付け誤訳訂正書による訂正後の明細書及び図面の記載からみて、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、特許請求の範囲に記載された次のとおりのものであると認める。
　　
「基板と、前記基板の下部表面の下に配置された底部接点部分と、前記基板の上部表面の上に配置された下部ミラー部分と、前記下部ミラー部分の上に配置された活性領域と、電気的等方性物質から形成され、活性領域の上に配置された上部電流拡散ミラー部分とを有するＶＣＳＥＬ構造であって、前記上部電流拡散ミラー部分は、第１移動度の材料からなる複数層と当該第１移動度よりも低い第２移動度の材料からなる複数層とを有するものであり、前記第１の移動度の材料と前記第２の移動度の材料
と
境界部は傾斜ドープされ、その境界部
されて
、上位モードと一致する電流は前記上部電流拡散ミラー部分を通過する際に横方向に分散す
　前記上部電流拡散ミラー部分の上に配置される等電位層を設けるステップと、
　前記上部電流拡散ミラー部分と前記等電位層との間に電気的絶縁層を設けて、それらの間に開口を形成するステップと、
　前記等電位層の上に配置された上部接点部分を設けるステップと、を含む単一モードＶＣＳＥＬを生産する方法。」
　
３　引用刊行物記載の発明
（１）引用刊行物１及び引用発明
　当審における拒絶理由に引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１０−５６２３３号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている（下線は審決で付した。以下同じ。）。
　
　ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】光学軸に沿って高輝度単モード光ビームを放射するためのＶＣＳＥＬ（垂直共振型面発光レーザ）であって、該ＶＣＳＥＬは以下（ａ）及び（ｂ）を含むことを特徴とする、
（ａ）光学損失を有する光学空洞であって、該光学空洞は以下（ａ−１）ないし（ａ−３）を含む、（ａ−１）第１のミラー領域及び第２のミラー領域であって、該第１のミラー領域及び該第２のミラー領域は伝導性であり逆の伝導モードを有し、（ａ−２）前記第１のミラー領域と前記第２のミラー領域の間に挟まれた面発光領域であって、該面発光領域は光学軸に対して垂直であり、（ａ−３）前記発光領域の平面における前記光学空洞の側方限界を形成するための手段、
（ｂ）損失決定手段であって、該損失決定手段は前記光学空洞に結合され、前記光学軸からの側方距離が増すのに応じて前記光学空洞の光学損失を漸進的に増大させる。」
　
　イ　「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザに関するものであり、とりわけ、高輝度単モード出力を有する垂直共振型面発光レーザに関するものである。
・・・
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＶＣＳＥＬは、レーザ電流が発光領域における断面積の大きい半導体材料に流れることによって光を発生する。レーザ電流がしきい値レベルをほんのわずかだけ超える場合、ＶＣＳＥＬは、単横モードで動作し、ガウス強度分布がほぼ最低次の光ビームを放射する。しかし、
レーザ電流が、第２のより高いしきい値レベルを超えて増大すると、レーザは、基本の最低次モードに、より高次の強度分布が付加される多モード動作に移行する
【０００４】
ＶＣＳＥＬは、発光領域の中心の誘導放出ゾーンにおいて光を発生する。光が発生すると、発生する光の強度に従ってキャリアの密度に減損を生じる(deplete)ので、最低次モードで動作すると、結果として、誘導放出ゾーンの中心に空乏ゾーンが形成され、相応じて、空乏ゾーンを取り巻くゾーンのキャリア密度が増すことになる。空乏ゾーンにおけるキャリア密度が所定のレベルより低くなると、ＶＣＳＥＬがその２次モードで動作するのにより好ましい条件になる。２次モードの場合、ＶＣＳＥＬによって発生する光ビームは、ダブル・ピークのガウス強度分布を想定している
【０００５】既知のＶＣＳＥＬは、高次のモード数を制限しようとして、平面光学空洞を利用し、光学空洞におけるモード・ボリュームを最小限に抑えている。基本モードだけでしか発振できないように、モード・ボリュームを最小限に抑えることによって、レーザはその基本ＴＥＭ0,0モードで発振するように制限される。
【０００６】しかし、レーザがその基本モードで動作するように制限するのに十分なほど小さいモード・ボリュームは、レーザによって発生可能な最大出力パワーも制限する。
【０００７】従って、２次以上のモードの動作が、とにかく、既知のＶＣＳＥＬによって発生する最大単モード強度よりはるかに高い強度で開始される、ＶＣＳＥＬが必要とされている。」
　
　ウ　「【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、光学軸に沿って高強度の単モード光ビームを放射する垂直共振型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）が得られる。ＶＣＳＥＬには、光学損失を生じる光学空洞及び光学空洞に結合された損失決定素子（loss-determining element）が含まれている。損失決定素子は、光学軸からの側方距離が増すのに応じて、光学空洞の光学損失の漸進的に増大させる。光学空洞には、第１のミラー領域、第２のミラー領域、光学軸に対して垂直な、第１のミラー領域と第２のミラー領域に挟まれた面発光領域、及び、発光領域の平面内ににおける光学空洞の側方限界を形成する素子が含まれている。第１のミラー領域及び第２のミラー領域は、両方とも、伝導性で、逆の伝導モードを有している。
【０００９】損失決定素子は、屈折、側方拡散、または、集束ずれによって、あるいは、光学軸からの側方距離が増すのに応じて漸進的に増大する反射損失を光学空洞の光に加えることによって、光学軸からの側方距離が増すのに応じて、光学空洞の光学損失を漸進的に増大させることができる。
・・・
【００１１】本発明によれば、光学損失を生じる光学空洞、及び、輪郭形成損失制御層（contoured loss control layer）を含む垂直共振型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）も得られる。光学空洞には、第１のミラー領域、第２のミラー領域、光学軸に対して垂直な、第１のミラー領域と第２のミラー領域に挟まれた面発光領域、及び、発光領域の平面における光学空洞の側方限界を形成する素子が含まれている。第１のミラー領域と第２のミラー領域は、両方とも伝導性で、逆の伝導モードを有している。輪郭形成損失制御層は、活性領域から遠隔の、第１のミラー領域の表面に配置されており、第１のミラー領域から遠隔で、中心がほぼ光学軸に位置する湾曲表面を含んでいる。
【００１２】第１のミラー領域には、直列に構成された伝導性ミラーと誘電体ミラーを含むことが可能であり、伝導性ミラーと誘電体ミラーの間に、輪郭形成損失制御層を挟むことが可能である。
【００１３】輪郭形成損失制御層に、発光領域に発生する光に対して透明な半導体材料を含めて、その半導体材料に湾曲表面を形成することが可能である。代替案として、輪郭形成損失制御層に、発光領域に発生する光に対して透明な誘電体材料を含めて、その誘電体材料に湾曲表面を形成することも可能である。
【００１４】輪郭形成損失制御層には、代わりに、光学軸においてｍλ／２ｎ4の厚さを備え、光学軸と輪郭形成損失制御層の周辺部との間で厚さが約±λ／４ｎ4だけ漸進的に変化する反射防止層層を含むことも可能である。ここで、λは発光領域に発生した光の波長であり、ｍは偶数であり、ｎ4は反射防止材料の屈折率である。輪郭形成損失制御層の周辺部は、光学空洞の側方限界に隣接している。」
　
　エ　「【００１９】
【実施例】図１Ａには、本発明による垂直共振型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）の第１の実施例１０１が示されている。ＶＣＳＥＬ１０１は、光学軸１０５に沿って放射される光を発生する。ＶＣＳＥＬの場合、光学空洞１０３には、下方ミラー領域１０７と、下方ミラー領域とは逆の伝導モードを有する上方ミラー領域１１１が含まれている。光学空洞には、光学軸に対して垂直な、下方ミラー領域と上方ミラー領域の間に挟まれた面発光領域１０９を含むことも可能である。最後に、光学空洞は、上方ミラー領域においてコア・ゾーン１１５を包囲する低反射率ゾーン１１３を含んでいる。低反射率ゾーンは、光学軸に対して側方向γに光学空洞の限界を形成している。
【００２０】ＶＣＳＥＬ１０１には、さらに、光学空洞１０３に結合された損失決定素子１１７が含まれている。損失決定素子は、側方向γにおいて光学軸１０５からの距離が増すのに応じて光学空洞の光学損失を漸進的に増大させる。
【００２１】ＶＣＳＥＬにおける単モード動作は、光学軸に近接して生じ、一方、マルチモード動作は、光学軸から側方により遠隔の位置において生じる。光学軸から側方により遠隔の位置において、光学空洞１０３の光学損失が増すと、マルチモード動作の開始に必要なキャリア密度のしきい値が大幅に増大する。損失決定素子１１７は、少なくとも、ＶＣＳＥＬ１０１におけるマルチモード動作の開始を遅延させるので、ＶＣＳＥＬによって発生することが可能な最大単モード光強度が大幅に増すことになる。
【００２２】図１Ａに示す本発明によるＶＣＳＥＬの第１の実施例において、損失決定素子１１７には、輪郭形成損失制御層１１９が含まれる。損失制御層は、上方ミラー領域１１１から遠隔の、損失制御層の表面１２１における凹状表面１２３によって輪郭が形成されている。図１Ａに示す実施例の場合、輪郭形成損失制御層は、ＶＣＳＥＬ１０１によって発生する光に対して透明な半導体材料から形成される。・・・」
　
　オ　「【００２３】次に、本発明によるＶＣＳＥＬの第１の実施例についてさらに詳細に述べることにする。図１Ａには、光学軸１０５の平面における、発光領域１０９の平面に対して垂直なＶＣＳＥＬの断面図が示されている。留意すべきは、図がＶＣＳＥＬを一定の拡大率で示していないという点である。基板１２７を除いたＶＣＳＥＬの全ての層の厚さは、層をより明瞭に示すため、拡大されている。・・・
【００２４】ＶＣＳＥＬ１０１は、波長が真空中においてλか、あるいは、空気中において約λの光を放出するような構造をなしている。ＶＣＳＥＬの場合、光学空洞１０３は、下方ミラー領域１０７と上方ミラー領域１１１の間に挟まれた活性領域１２５によって構成され、その側方限界は、上方ミラー領域における低反射率ゾーン１１３によって形成される。上方及び下方ミラー領域の材料には、それらを電気的に伝導性にするのに適したドーパントがドープされている。下方及び上方ミラー領域１０７及び１１１の一方に、ｐタイプのドーパントがドープされ、そのもう一方には、ｎタイプのドーパントがドープされるので、ミラー領域１０７及び１１１と活性領域の発光領域１０９が、集合的に、ｐ−ｉ−ｎまたはｎ−ｉ−ｐダイオードを形成する。
【００２５】下方及び上方ミラー領域１０７及び１１１は、図１Ａに示す分布式ブラッグ・リフレクタは、例えば、高屈折率と低屈折率が交互になった、層１３３及び１３５のような、薄い半導体または誘電体層の周期構造を備えている。例えば、下方ミラー領域１０７を構成する分布式ブラッグ・リフレクタは、できれば、分子線エピタキシ（ＭＢＥ）または金属・有機化合物蒸着（ＭＯＣＶＤ）によって、基板１２７上にエピタキシャル成長させた３２．５対をなすＡｌＧａＡｓとＡｌＡｓの交互層から構成することが可能である。上方ミラー領域１１１を構成する分布式ブラッグ・リフレクタは、２０対をなすＡｌＧａＡｓとＡｌＡｓの交互層から構成することが可能である。上方ミラー領域１１１は、やはり、できればＭＢＥまたはＭＯＣＶＤによって、活性領域１２５上に成長させられる。分布式ブラッグ・リフレクタの各層は、物理的厚さがｑλ／４ｎ1であり、ここで、ｎ1は層の屈折率、ｑは奇数である。
【００２６】発光領域１０９は、活性領域１２５の中心に配置される。好適には、発光領域１０９には、それぞれ、量子井戸と障壁層から構成される、いくつかの量子井戸構造（不図示）が含まれている。量子井戸は、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）の層であることが望ましく、障壁層はＡｌＧａＡＳの層であることが望ましい。各量子井戸構造は、約８０オングストロームの厚さであることが望ましい。
【００２７】活性領域１２５は、物理的全厚がλ／２ｎ2の整数倍に等しく、ここで、ｎ2は、活性領域の材料の平均屈折率である。活性領域は、下方クラッディング層１３７、上方クラッディング層１３９、及び、下方クラッディング層と上方クラッディング層の間に挟まれた発光領域１０９から構成される。・・・
【００２８】下方及び上方ミラー領域１０７及び１１１を構成する分布式ブラッグ・リフレクタの層、例えば、１３３及び１３５は、発光領域１０９に発生した光の大部分を活性領域１２５に反射する。分布式ブラッグ・リフレクタの層内における波の干渉によって、波長λの定在波が減少する。上方ミラー領域１１１を構成する分布式ブラッグ・リフレクタの反射率をを全反射未満にすることによって、波長がλのコヒーレントな光が、発光領域１０９の平面に垂直な方向において光学軸１０５に沿って放出される。
【００２９】ＶＣＳＥＬ１０１は、基板１２７の表面１４１に一連の層を被着させることによって形成される。
【００３０】発光領域１０９の平面における光学空洞１０３の側方限界は、上方ミラー領域１１１の低反射率ゾーン１１３によって形成される。低反射率ゾーンの反射率は、極めて低いので、低反射率ゾーンの下に位置する、誘導放出による発光を生じるための発光領域の一部に戻される反射光が不十分になる。従って、低反射率ゾーンは、光学空洞１０３の側方限界を形成する。この限界は、コア・ゾーン１１５と低反射率ゾーンの間の境界１５９にほぼ一致する。
【００３１】上方ミラー領域１１１の導電率は、コア・ゾーン１１５よりも低反射率ゾーン１１３のほうが低い。従って、上方ミラー・ゾーンを通って流れるレーザ電流の側方限界は、低反射率ゾーンによってコア・ゾーンに制限される。低反射率ゾーンによって、活性領域１２５に流入するレーザ電流の側方限界もコア・ゾーンとほぼ長さのゾーンに制限される。
【００３２】低反射率ゾーン１１３は、好適には、水素イオンを用いて実施する、イオン衝撃によって上方ミラー領域１１１に形成される。ヘリウムまたは酸素のような他の適合する元素のイオンを代用することも可能である。イオン衝撃によって結晶構造が破壊されるので、低反射率ゾーンは、通常、活性領域１２５内にまで延びず、図示のように上方ミラー領域内において途中で止める。
【００３３】代替案として、上方ミラー領域１１１の少なくとも１つの層にコア・ゾーンを包囲する自然酸化物領域（native oxide region）を形成することによって、低反射率ゾーンを形成することが可能である。
【００３４】図１Ａに示す実施例の場合、損失決定素子１１７は、輪郭形成損失制御層１１９から構成される。損失制御層は、上方ミラー領域１１１から遠隔の損失制御層の表面１２１に形成される凹状表面１２３によって輪郭が形成される。輪郭形成損失制御層は、凹状表面の中心が光学軸１０５上にくるようにして、上方ミラー領域の表面１４７上に配置される。輪郭形成損失制御層は、活性領域１２５に発生する光に対して透明な半導体材料の層である。・・・
【００３５】輪郭形成損失制御層１１９の材料は、上方ミラー領域１１１に対するドーピングに用いられるのと同じモードのドーパントで多量にドープされる。輪郭形成損失制御層は、無視できるほどの電圧降下で、電極１３１を介して供給されるレーザ電流をコア・ゾーン１１５に伝導できるようにドープされる。
・・・
【００３８】電極１３１は、輪郭形成損失制御層１１９の半導体材料の伝導モードに適合するタイプの金属化電極であり、輪郭形成損失制御層の表面１２１に配置され、上方ミラー領域１１１から遠隔で、光学軸１０５上に中心がくるように配置される。電極１３１は、ＶＣＳＥＬによって発生する光が放出される発光ポート１２９を含むように形成される。発光ポートは、やはり、光学軸の中心に位置し、凹状表面１２３を包囲する。
【００３９】電極１４３は、基板１２７の背面１４５に配置されており、基板の伝導モードに適合するタイプの金属化電極である。
【００４０】損失決定素子１１７、上方ミラー領域１１１、及び、上方クラッディング層１３９は、全て、ｎタイプのドーパントがドープされており、下方クラッディング層１３７及び下方ミラー領域１０７は、両方とも、ｐタイプのドーパントがドープされている。基板１２７は、ｐタイプ表面層１４１を備えるｎタイプのＧａＡｓウェーハであって、表面層とウェーハの間に逆バイアス・トンネル接合（不図示）が設けられていることが望ましい。」
　
　カ　図１Ａは次のとおりである。
　
　キ　上記オには、上記アに示した請求項に係る発明のＶＣＳＥＬの実施例として、ＶＣＳＥＬ１０１を基板１２７の表面１４１に一連の層を被着させることによって形成する工程を含む製造方法が記載されていると認められる。
　上記オの実施例において、「損失決定素子１１７」は、上記アの「損失決定手段」に該当する。
　そして、上記オにおいて、「電極１３１」は、「輪郭形成損失制御層の表面１２１に配置され、上方ミラー領域１１１から遠隔で、光学軸１０５上に中心がくるように配置される」ものであり、「電極１４３」は、「基板１２７の背面１４５に配置され」たものであるから、以下、「電極１３１」及び「電極１４３」を、それぞれ、「上方電極」及び「背面電極」という。
　
　ク　上記オ【００３０】〜【００３３】の記載、特に、「低反射率ゾーンは、通常、活性領域１２５内にまで延びず、図示のように上方ミラー領域内において途中で止める」（【００３２】）との記載を踏まえて、上記カの図１Ａを見ると、低反射率ゾーン１１３は、上方ミラー領域１１１の上部の領域に、コア・ゾーン１１５を包囲するように形成されており、この低反射率ゾーン１１３とコア・ゾーン１１５が形成されている上部の領域と活性領域との間に、層内に低反射率ゾーン１１３が形成されていない上方ミラー領域１１１の下部の領域が存在していることが見て取れる。
　そして、以上を踏まえると、上記オ【００３３】の「上方ミラー領域１１１の少なくとも１つの層にコア・ゾーンを包囲する自然酸化物領域・・・を形成することによって、低反射率ゾーンを形成する」代替案の構成においても、「上方ミラー領域１１１の少なくとも１つの層に」「形成」した「自然酸化物領域（低反射率ゾーン）」の下方に、層内に低反射率ゾーン１１３が形成されていない上方ミラー領域１１１の下部の領域が存在することが理解できる。
　
　上記摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「光学軸に沿って高輝度単モード光ビームを放射するためのＶＣＳＥＬ（垂直共振型面発光レーザ）の製造方法であって、該ＶＣＳＥＬは以下（ａ）及び（ｂ）を含むものであり、
（ａ）光学損失を有する光学空洞であって、該光学空洞は以下（ａ−１）ないし（ａ−３）を含む、（ａ−１）第１のミラー領域及び第２のミラー領域であって、該第１のミラー領域及び該第２のミラー領域は伝導性であり逆の伝導モードを有し、（ａ−２）前記第１のミラー領域と前記第２のミラー領域の間に挟まれた面発光領域であって、該面発光領域は光学軸に対して垂直であり、（ａ−３）前記発光領域の平面における前記光学空洞の側方限界を形成するための手段、
（ｂ）損失決定手段であって、該損失決定手段は前記光学空洞に結合され、前記光学軸からの側方距離が増すのに応じて前記光学空洞の光学損失を漸進的に増大させる手段、
　前記ＶＣＳＥＬは、光学空洞を含み、
　前記光学空洞は、下方ミラー領域と上方ミラー領域の間に挟まれた活性領域によって構成され、上方及び下方ミラー領域の材料には、それらを電気的に伝導性にするのに適したドーパントがドープされ、ミラー領域及びと活性領域の発光領域が、集合的に、ｐ−ｉ−ｎまたはｎ−ｉ−ｐダイオードを形成し、
　前記下方及び上方ミラー領域は、分布式ブラッグ・リフレクタであって、高屈折率と低屈折率が交互になった、薄い半導体または誘電体層の周期構造を備えており、上方ミラー領域を構成する分布式ブラッグ・リフレクタは、２０対をなすＡｌＧａＡｓとＡｌＡｓの交互層から構成することが可能であり、
　前記発光領域は、活性領域の中心に配置され、発光領域には、それぞれ、量子井戸と障壁層から構成される、いくつかの量子井戸構造が含まれており、
　前記活性領域は、下方クラッディング層、上方クラッディング層、及び、下方クラッディング層と上方クラッディング層の間に挟まれた発光領域から構成され、
　前記ＶＣＳＥＬは、基板の表面に一連の層を被着させることによって形成され、
　前記発光領域の平面における光学空洞の側方限界は、上方ミラー領域の低反射率ゾーンによって形成され、上方ミラー領域の導電率は、コア・ゾーンよりも低反射率ゾーンのほうが低く、上方ミラー・ゾーンを通って流れるレーザ電流の側方限界は、低反射率ゾーンによってコア・ゾーンに制限され、低反射率ゾーンによって、活性領域に流入するレーザ電流の側方限界もコア・ゾーンとほぼ長さのゾーンに制限され、
　前記低反射率ゾーンは、イオン衝撃によって上方ミラー領域に形成され、イオン衝撃によって結晶構造が破壊されるので、低反射率ゾーンは、活性領域内にまで延びず、上方ミラー領域内において途中で止めるものであり、あるいは、上方ミラー領域の少なくとも１つの層にコア・ゾーンを包囲する自然酸化物領域を形成することによって、低反射率ゾーンを形成し、これによって、低反射率ゾーン及びコア・ゾーンを形成した上部の領域と、活性領域との間に、層内に低反射率ゾーンが形成されていない上方ミラー領域の下部の領域が存在し、
　前記損失決定手段は、輪郭形成損失制御層から構成され、輪郭形成損失制御層は、凹状表面の中心が光学軸上にくるようにして、上方ミラー領域の表面上に配置され、輪郭形成損失制御層は、活性領域に発生する光に対して透明な半導体材料の層であり、輪郭形成損失制御層の材料は、上方ミラー領域に対するドーピングに用いられるのと同じモードのドーパントで多量にドープされ、輪郭形成損失制御層は、無視できるほどの電圧降下で、電極を介して供給されるレーザ電流をコア・ゾーンに伝導できるようにドープされ、
　上方電極は、輪郭形成損失制御層の半導体材料の伝導モードに適合するタイプの金属化電極であり、輪郭形成損失制御層の表面に配置され、該上方電極は、ＶＣＳＥＬによって発生する光が放出される発光ポートを含むように形成され、
　背面電極は、基板の背面に配置され、基板の伝導モードに適合するタイプの金属化電極である、
　ＶＣＳＥＬ（垂直共振型面発光レーザ）の製造方法。」
　
（２）引用刊行物２
　同じく、特開平８−３２１８１号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
　ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＤＢＲリフレクタにおける被着層のｐ型ドーピングについて選択された炭素レベルを制御する方法であって：半導体基板（１０２）をエピタキシャル被着システムの反応室に入れる段階；ある比率を有するＶ族有機金属蒸気およびＩＩＩ族有機金属蒸気を前記エピタキシャル被着システムの前記反応室内に流入して、半導体基板（１０２）上に被着されるアルミニウム・ガリウム砒素の層において選択された炭素ドーピング濃度を有する、アルミニウム・ガリウム砒素の層をエピタキシャル被着する段階；および追加の層で前記ＤＢＲリフレクタを完成し、それにより前記ＤＢＲリフレクタの被着層における炭素ｐ型ドーパント・レベルを制御する段階；によって構成されることを特徴とする方法。」
　
　イ　「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に、半導体材料のドーピングに関し、さらに詳しくは、発光デバイスにおいて用いられる層のドーピングに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、垂直キャビティ表面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：vertical cavity surface emitting laser）と呼ばれるレーザ・デバイスに対する関心が高まっている。ＶＣＳＥＬデバイスの利点は、このデバイスはウェハに対して垂直な光を発光し、アレイ形成・集積およびオン・ウェハ試験(on-wafer testing)について将来性が高いことである。従来、ＶＣＳＥＬデバイスは、その分散ブラグ・リフレクタ（ＤＢＲ：Distributed Bragg Reflector ）において高濃度にドーピングされたアルミニウム・ガリウム砒素層（Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ／Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ）を利用する。これらのＶＣＳＥＬデバイスは、一般に、可視（０．６５ミクロン）から赤外線（０．９８ミクロン）に近い波長の範囲で動作する。よって、ＤＢＲは０．５７ミクロンよりも長い波長を反射するように作られる。一般に、ＤＢＲはｐ型ドーパントまたはｎ型ドーパントのいずれかでドーピングされる。これらの層構造の成長は、ＭＯＣＶＤ(Metal-organic Chemical Vapor Deposition) ，ＭＢＥ(Molecular Beam Epitaxy)またはＣＢＥ(Chemical Beam Epitaxy) などのエピタキシャル成長方法によって達成される。」
　
　ウ　「【０００６】
【実施例】図１において、ＶＣＳＥＬ１００の構造の簡略拡大断面図の例を示す。一般に、ＶＣＳＥＬ１００構造は、ＤＢＲ１０５，クラッディング領域１０６，活性領域１０８，クラッディング領域１０９およびＤＢＲ１１１など、いくつかの主要部分からなる。・・・」
　
　エ　「【００１３】ＤＢＲまたはミラー１１１は、第２クラッディング領域１０９上に被着される。ミラーまたはＤＢＲ１１１は、一般に、±５パーセントの公称範囲で、交互アルミニウム濃度がそれぞれ１５パーセントおよび８０パーセントの、ｐ型ドーピングされたアルミニウム・ガリウム砒素の交互層１１４，１１６からなる。交互アルミニウム濃度の対応するｐ型ドーピング濃度は、１Ｅ１７ｃｍ-3から５Ｅ１８ｃｍ-3の範囲である。交互層１１４，１１６の厚さは、ＶＣＳＥＬ１００が動作するように設計される１／４波長に設定される。さらに、ＤＢＲ１１１上のアルミニウム・ガリウム砒素の最後の層である、１５パーセント・アルミニウム濃度を有するアルミニウム・ガリウム砒素層１１７の厚さは、他の交互層１１４，１１６で用いられる１／４波長ではなく、３／４波長または１／２波長の厚さに設定される。
【００１４】Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ／Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ、例えば、０．８５ミクロンで動作するＶＣＳＥＬ１００の場合ｘ＝０．１５，ｙ＝０．８０、からなるＤＢＲ１０５，１１１における反射は、屈折率の差があるために生じる。この屈折率の差は、ＤＢＲ１０５，１１１のそれぞれの交互層１０３，１０４および１１４，１１６における異なるアルミニウム濃度に起因する。
また、Ａｌ
x
 Ｇａ
1-x
 Ａｓ／Ａｌ
y
 Ｇａ
1-y
 Ａｓのバンドギャップはアルミニウム濃度とともに変化し、ＤＢＲ１０５，１１１内の隣接するＡｌ
x
 Ｇａ
1-x
 Ａｓ／Ａｌ
y
 Ｇａ
1-y
 Ａｓ層間にヘテロ障壁(heterobarrier) を形成する。このへテロ障壁は、ＤＢＲ１０５，１１１の直列抵抗をさらに決定し、ヘテロ障壁高さが大きいほど、直列抵抗は大きくなる
直列抵抗を最小限に抑えるため、アルミニウム組成は交互層１０３，１０４および１１４，１１６間の界面で勾配がつけられる。さらに、ヘテロ障壁および直列抵抗の低下は、界面におけるドーピングの局所的増加によって達成できる
【００１５】本発明では、ＤＢＲまたはミラー１１１のｐ型ドーピングは、真性炭素(intrinsic carbon)（Ｃ）によって達成され、この真性炭素は、一般にトリメチルアルミニウム(trimethylaluminium)（ＴＭＡｌ）およびトリメチルガリウム(trimethylgallium)（ＴＭＧａ）であるアルミニウムおよびガリウムの有機金属源の分解中に解放される。アルミニウム・ガリウム砒素層１１４，１１６におけるｐ型ドーピングの制御は、Ｖ族有機金属、例えばＴＢＡｓ(tertiarybutylarsine) と、ＩＩＩ族有機金属、例えばＴＭＡｌおよびＴＭＧａとの比率（Ｖ／ＩＩＩ比）を変えることによって達成される。ＴＢＡｓの分解中に生じる水素原子は炭素導入を低減するので、ｐ型ドーピング・レベルはＶ／ＩＩＩ比を変えることによって選択できる。
・・・
【００１７】Ｖ族含有有機金属とＩＩＩ族有機金属との適切な比率を与えることにより、
１５％および８０％のアルミニウム濃度で、ぞれぞれ１Ｅ１６ｃｍ
-3
〜１Ｅ１７ｃｍ
-3
および３Ｅ１７ｃｍ
-3
〜３Ｅ１８ｃｍ
-3
の炭素濃度を有するアルミニウム・ガリウム砒素の膜が得られ、それによりＶＣＳＥＬデバイス構造１００のＤＢＲまたはミラー１１１について適切なｐ型ドーピング・レベルが得られる
ＤＢＲ１１１の交互のアルミニウム・ガリウム砒素層における適切なｐ型ドーパント濃度は、リフレクタ領域１１１の直列抵抗をさらに低減し、ＤＢＲまたはミラー１１１に流れる注入電流(injection current) を可能にする
【００１８】図２は、炭素濃度と、Ｖ族含有有機金属ガスまたは蒸気とＩＩＩ族有機金属ソース・ガスまたは蒸気との比率との関係を示すグラフである。このグラフにおいて、Ｖ族有機金属ソース・ガスはＴＢＡｓであり、ＩＩＩ族有機金属ソース・ガスはトリメチルガリウムおよびトリメチルアルミニウムである。曲線２０１は、ｐ型ドーピング濃度、すなわち、本発明により被着された１５パーセント・アルミニウム濃度を有するアルミニウム・ガリウム砒素層における炭素、を示す。ｐ型ドーピング・レベルの濃度（炭素濃度）は、１Ｅ１６ｃｍ-3から１Ｅ１７ｃｍ-3の範囲であり、Ｖ／ＩＩＩ比の変化によるアルミニウム・ガリウム砒素における炭素ドーピングの可変濃度を示す。曲線２０２は、ｐ型ドーピング濃度、すなわち、８０パーセント・アルミニウム濃度を有するアルミニウム・ガリウム砒素における炭素、を表す。
ｐ型ドーピング・レベルの濃度（炭素濃度）
【００１９】
図３は
オングストローム単位の深さの関数としての立方センチメートル単位の炭素濃度原子を表す
【００２０】
ライン４０１，４０２は、深度の関数としての炭素濃度およびアルミニウム濃度をそれぞれ表す
図３からわかるように
アルミニウム・ガリウム砒素層間の界面部分４０８，４０９では、炭素濃度はＶ／ＩＩＩ比を低下することにより局所的に増加され、アルミニウム濃度は所望のレベルに調整される。炭素濃度が界面で尖頭増加されると、炭素濃度、すなわち、ライン４０１の部分４１５は、所望のレベルに調整され、よって２つのアルミニウム・ガリウム砒素層の界面における炭素濃度の可変性が実証される
ＤＢＲ１１１（図２に図示）の炭素濃度の調整により、直列抵抗はさらに低減され、ＤＢＲ１１１の性能を向上させる。この性能の向上は、アルミニウム・ガリウム砒素層の界面におけるＶ／ＩＩＩ比を調整して、炭素濃度を尖頭増加することによって得られる。従って、界面においてより高いｐ型ドーピング・レベルを施すことは、異なるアルミニウム濃度の交互層間のバンドギャップ差によって生じるキャリアの障壁高さの低減に寄与する
　
　オ　上記エを踏まえて図３を見ると、深度の関数としての炭素濃度（ｐ型ドーピング・レベルの濃度）を表すライン４０１は、アルミニウム・ガリウム砒素層間の界面部分４０８で局所的に増加され、そこから部分４１５の所望のレベルまで減少しており、交互層の界面において、炭素濃度（ドープ濃度）が変化していることが見て取れる。
　なお、図３は次のとおりである。
　
４　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「光学軸に沿って高輝度単モード光ビームを放射するためのＶＣＳＥＬ（垂直共振型面発光レーザ）」は、本願発明の「単一モードＶＣＳＥＬ」に相当し、引用発明の「ＶＣＳＥＬ（垂直共振型面発光レーザ）の製造方法」は、本願発明の「単一モードＶＣＳＥＬを生産する方法」に相当する。
　
（２）引用発明の「基板」、「『基板の背面に配置され、基板の伝導モードに適合するタイプの金属化電極である』『背面電極』」、「下方ミラー領域」及び「下方ミラー領域と上方ミラー領域の間に挟まれた活性領域」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「前記基板の下部表面の下に配置された底部接点部分」、「前記基板の上部表面の上に配置された下部ミラー部分」及び「前記下部ミラー部分の上に配置された活性領域」に相当する。
　
（３）引用発明の「上方ミラー領域」は、下方ミラー領域と共に活性領域を挟むものであり、かつ、「２０対をなすＡｌＧａＡｓとＡｌＡｓの交互層から構成することが可能であ」る「分布式ブラッグ・リフレクタ」であって、「ＡｌＧａＡｓ」及び「ＡｌＡｓ」は、それぞれ、電気的に異方性を有するような物質ではなく、「電気的等方性物質」であるといえるから、
　引用発明の「上方ミラー領域」は、本願発明の「電気的等方性物質から形成され、前記活性領域の上に配置された上部電流拡散ミラー部分」に相当する。
　そして、引用発明の「上方ミラー領域」は、「２０対をなすＡｌＧａＡｓとＡｌＡｓの交互層から構成する」ものであるところ、「ＡｌＧａＡｓ」と「ＡｌＡｓ」とでは、Ａｌ混晶比のより大きい「ＡｌＡｓ」方が伝導率（キャリアの「移動度」）がより低い材料であることは、当業者にとって明らかであるから、
　引用発明の「上方ミラー領域」は、本願発明の「前記上部電流拡散ミラー部分は、第１移動度の材料からなる複数層と当該第１移動度よりも低い第２移動度の材料からなる複数層とを有するものであり」との特定事項を備える。
　
（４）引用発明は、「ＶＣＳＥＬは、基板の表面に一連の層を被着させることによって形成され」る製造工程、及び「電極は、基板の背面に配置され」る製造工程を含むから、上記（１）ないし（３）を踏まえると、
　引用発明は、「基板と、前記基板の下部表面の下に配置された底部接点部分と、前記基板の上部表面の上に配置された下部ミラー部分と、前記下部ミラー部分の上に配置された活性領域と、電気的等方性物質から形成され、活性領域の上に配置された上部電流拡散ミラー部分とを有するＶＣＳＥＬ構造であって、前記上部電流拡散ミラー部分は、第１移動度の材料からなる複数層と当該第１移動度よりも低い第２移動度の材料からなる複数層とを有するものである、前記ＶＣＳＥＬ構造を形成するステップ」を含む点で、本願発明の　「基板と、前記基板の下部表面の下に配置された底部接点部分と、前記基板の上部表面の上に配置された下部ミラー部分と、前記下部ミラー部分の上に配置された活性領域と、電気的等方性物質から形成され、活性領域の上に配置された上部電流拡散ミラー部分とを有するＶＣＳＥＬ構造であって、前記上部電流拡散ミラー部分は、第１移動度の材料からなる複数層と当該第１移動度よりも低い第２移動度の材料からなる複数層とを有するものであり、前記第１の移動度の材料と前記第２の移動度の材料との境界部は傾斜ドープされ、その境界部を除き前記第１移動度の材料からなる前記複数層が前記第２移動度の材料からなる前記複数層よりも低濃度ドープされて、前記上部電流拡散ミラー部分の抵抗率が方向とは無関係とされ、上位モードと一致する電流は前記上部電流拡散ミラー部分を通過する際に横方向に分散する、前記ＶＣＳＥＬ構造を形成するステップ」との特定事項と一致する。
　
（５）引用発明において、「輪郭形成損失制御層は、上方ミラー領域の表面上に配置され」、かつ、「輪郭形成損失制御層の材料は、上方ミラー領域に対するドーピングに用いられるのと同じモードのドーパントで多量にドープされ、輪郭形成損失制御層は、
無視できるほどの電圧降下
　引用発明の「輪郭形成損失制御層」は、本願発明の「前記上部電流拡散ミラー部分の上に配置される等電位層」に相当し、
　引用発明は、本願発明の「前記上部電流拡散ミラー部分の上に配置される等電位層を設けるステップ」との特定事項を備える。
　
（６）引用発明の「上方ミラー領域」の「低反射率ゾーン」は、「上方ミラー領域の導電率は、コア・ゾーンよりも低反射率ゾーンのほうが低く、上方ミラー・ゾーンを通って流れるレーザ電流の側方限界は、低反射率ゾーンによってコア・ゾーンに制限され、低反射率ゾーンによって、活性領域に流入するレーザ電流の側方限界もコア・ゾーンとほぼ長さのゾーンに制限され」るものであり、「イオン衝撃によって上方ミラー領域に形成され」るか、あるいは、「上方ミラー領域の少なくとも１つの層にコア・ゾーンを包囲する自然酸化物領域を形成することによって・・・形成」されから、
　引用発明の「コア・ゾーン」及び「低反射率ゾーン」は、それぞれ、本願発明の「開口」及び「電気絶縁層」に相当し、
　引用発明は、本願発明の「前記上部電流拡散ミラー部分と前記等電位層との間に電気的絶縁層を設けて、それらの間に開口を形成するステップ」との特定事項を備える。
　
（７）引用発明において、「電極は、輪郭形成損失制御層の半導体材料の伝導モードに適合するタイプの金属化電極であり、輪郭形成損失制御層の表面に配置され、電極は、ＶＣＳＥＬによって発生する光が放出される発光ポートを含むように形成され」るから、
　引用発明の「電極」は、本願発明の「前記等電位層の上に配置された上部接点部分」に相当し、
　引用発明は、本願発明の「前記等電位層の上に配置された上部接点部分を設けるステップ」との特定事項を備える。
　
　よって、本願発明と引用発明とは、
「　基板と、前記基板の下部表面の下に配置された底部接点部分と、前記基板の上部表面の上に配置された下部ミラー部分と、前記下部ミラー部分の上に配置された活性領域と、電気的等方性物質から形成され、活性領域の上に配置された上部電流拡散ミラー部分とを有するＶＣＳＥＬ構造であって、前記上部電流拡散ミラー部分は、第１移動度の材料からなる複数層と当該第１移動度よりも低い第２移動度の材料からなる複数層とを有するものである、前記ＶＣＳＥＬ構造を形成するステップと、
　前記上部電流拡散ミラー部分の上に配置される等電位層を設けるステップと、
　電気的絶縁層を設けて、それらの間に開口を形成するステップと、
　前記等電位層の上に配置された上部接点部分を設けるステップと、を含む単一モードＶＣＳＥＬを生産する方法。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
［相違点］
ａ．本願発明では、電気絶縁層を、「前記上部電流拡散ミラー部分と前記等電位層との間に」設けるとされているのに対して、引用発明は、そのような位置に設けるものといえるか否か明らかではない点（以下「相違点１」という。）。
　
ｂ．上部電流拡散ミラー部分が、本願発明では、「前記第１の移動度の材料と前記第２の移動度の材料との境界部は傾斜ドープされ、その境界部を除き前記第１移動度の材料からなる前記複数層が前記第２移動度の材料からなる前記複数層よりも低濃度ドープされて、前記上部電流拡散ミラー部分の抵抗率が方向とは無関係とされ、上位モードと一致する電流は前記上部電流拡散ミラー部分を通過する際に横方向に分散する」のに対して、引用発明では、そのようなものではない点（以下「相違点２」という。）。
　
５　判断
　上記各相違点について検討する。
　
（１）相違点１について
　ア　本願発明における「（前記上部電流拡散ミラー部分と前記等電位層との間の）電気絶縁層」に関して、本願明細書には、以下の記載がある。
「【００２２】
ＶＣＳＥＬ１００は、互いに遠位分離関係にあって、ミラー１１０と伝導層１１２との間に挿入され、ミラー１１０と層１１２との間に開口１１８を形成する、第１の電気絶縁領域１１４と第２の電気絶縁領域１１６とをさらに含む。・・・この実施形態では、
開口１１８のエリアを除き、層１１２とミラー１１０との間に何らかの電気絶縁がある
領域１１４および１１６は層１１０内に（すなわち、層１１２に直接隣接しない）さらに形成することができる
「【００２８】
　次に、図３を参照すると、本発明によるＶＣＳＥＬコンポーネント３００の代替実施形態の断面図が示されている。ＶＣＳＥＬ３００は、材料および構造の点で図１のＶＣＳＥＬ１００と実質的に同様であり、例外について以下に詳述する。・・・
第２の半導体ミラースタック３１０は領域３０８の上部部分に沿って配置され、伝導層３１２はミラー３１０の上にそれに隣接して配置されている
「【００３０】
　図４は、本発明によるＶＣＳＥＬコンポーネント４００の一実施形態の断面図を示している。・・・
【００３３】
　第２の半導体ミラースタック４２０は、層４１８の上に配置されている。ミラー４２０は、第１の上部ミラー層４２２と、第２の上部ミラー層４２４と、第３の上部ミラー層４２６とを含む。・・・
【００３４】
　ＶＣＳＥＬ４００は、互いに遠位分離関係にあって、
層４２４内に挿入され、それらの間に開口４３２を形成する、第１の電気絶縁領域４２８と第２の電気絶縁領域４３０とをさらに含む
　
　以上によれば、本願発明における「電気絶縁層」は、「開口１１８のエリアを除き、層１１２とミラー１１０との間に何らかの電気絶縁がある」構成とするための特定事項であって、その実施形態として、半導体ミラースタック（上部電流拡散ミラー部分）内の中央に電気絶縁領域が挿入された場合をも含むものとであるから、本願発明の「前記上部電流拡散ミラー部分と前記等電位層との間の電気絶縁層」との特定事項は、電気絶縁層の上方に等電位層があり、その下方に上部電流拡散ミラー部分の少なくとも一部があることを含むものと解すべきものといえる。
　
　イ　一方、引用発明は、「上方ミラー領域」に、「（低反射率ゾーン及びコア・ゾーンを形成した上部の領域と、活性領域との間に、層内に低反射率ゾーンが形成されていない）下部の領域」が存在しているから、引用発明の「低反射率ゾーン」（本願発明の「電気絶縁層」に相当。）は、「上方ミラー領域の
下部の領域
　そして、上記アのとおり、本願発明の「前記上部電流拡散ミラー部分と前記等電位層との間の電気絶縁層」との特定事項は、電気絶縁層の上方に等電位層があり、その下方に上部電流拡散ミラー部分の少なくとも一部があることを含むものといえる。
　したがって、引用発明の「『上方ミラー領域の下部の領域』と『輪郭形成損失制御層』との間にある『低反射率ゾーン』」は、本願発明の「前記上部電流拡散ミラー部分と前記等電位層との間の電気絶縁層」と実質的に一致するものといえるから、相違点１は実質的な相違ではない。
　
（２）相違点２について
ア　相違点２に係る本願発明の特定事項において、「傾斜ドープされ」との事項の技術的意味は必ずしも明らかではないが、その根拠とされる本願明細書には、「半導体同士の境界部は、その傾斜の中間組成の方が移動度が低く、ギャップのより大きな材料に隣接するギャップの小さい方の材料が変調ドーピングされるので、より高濃度にかつ傾斜を持たせてドープする必要がある。」（【００２５】）と記載されており、本願明細書の上記記載を参酌すると、境界部において、ドープ濃度に変化がある状態とすることを表すものと、一応推認できる。
　なお、上記事項の根拠とされる段落【００２５】は、平成２３年３月２８日付け誤訳訂正書によって訂正されたものであるところ、本願の国際出願日における明細書には、
「・・・The interfaces between the semiconductors need to be doped more heavily and graded due to lower mobilities in the intermediate compositions of the grade and the modulation doping of lower gap material adjacent to wider gap material.」（国際公開パンフレットの第１４頁第２〜５行）
と記載されているところ、当該英文において、「graded」は、他動詞の「grade」の受動態又は形容詞であって、「and」によって（副詞の「heavily」ではなく）他動詞の受動態である「doped」と並列にされているものと考えられ、また、「the intermediate compositions of the grade」（その傾斜の中間組成）との記載もあることから、上記英文において、「graded」、すなわち、傾斜を有しているのは、境界面における（半導体材料の）組成であると解すべきであるとも考えられる。
　
　イ　同じく「上位モードと一致する電流は前記上部電流拡散ミラー部分を通過する際に横方向に分散する」との事項に関して、本願明細書には、以下のような記載がある。
　
「ミラー１１０の横方向コンダクタンスは、
横方向電流拡散が最小限になるように
「ミラー１１０の垂直コンダクタンスは、抵抗を過度に増大しないように十分な高さでなければならない。ミラースタックは異なるバンドギャップの半導体から作られるので、ミラーは、
横方向電流を低減する
「等電位部分１１２と、前述の特性を備えた電流拡散ミラー１１０を形成し、それらの間に電流制限開口１１８を設けることにより、本発明は、
フリンジ電流を最小限にして分散させ、上位モードを効果的に除去し
上位モードと一致する電流は広く分散し、このようなモードでの損失を最大限にし、最下位モード以外のすべてのものを効果的に減衰させる
　
　以上によると、相違点２に係る本願発明の特定事項における「上位モードと一致する電流は前記上部電流拡散ミラー部分を通過する際に横方向に分散する」との事項は、「前記第１の移動度の材料と前記第２の移動度の材料との境界部は傾斜ドープされ、その境界部を除き前記第１移動度の材料からなる前記複数層が前記第２移動度の材料からなる前記複数層よりも低濃度ドープされて、前記上部電流拡散ミラー部分の抵抗率が方向とは無関係とされ（る）」との特定事項の作用・効果として、横方向電流拡散が最小限となることによって上位モードが除去されることを意味しているものといえる。
　
　ウ　上記ア及びイを踏まえて相違点２について検討すると、引用刊行物２には、上記３（２）に示したとおりの事項が記載され、炭素によりｐ型ドーピングされた、アルミニウム濃度が互いに異なるアルミニウム・ガリウム砒素（各アルミニウム濃度が１５％および８０％。）の交互層からなるＤＢＲミラーにおいて、アルミニウム濃度の低い層（すなわち、キャリア移動度が比較的高い層）における炭素濃度を低く、アルミニウム濃度が高い層（すなわち、キャリア移動度が比較的低い層）における炭素濃度を高くすることによって、リフレクタ領域の直列抵抗をさらに低減し、ＤＢＲに流れる注入電流を可能にすること（特に、【００１７】を参照。）、並びに、アルミニウム組成について交互層間の界面で勾配をつけること、及び、界面におけるドーピングの局所的増加を行うことによって、ＤＢＲ内の隣接するＡｌＧａＡｓ層間に形成されるヘテロ障壁による直列抵抗を最小限に抑えること（特に、【００１４】、【００２０】を参照。）、が開示されている。
　なお、ここで、「界面におけるドーピングの局所的増加」は、上記３（２）エ（【００２０】）及び同オを踏まえれば、交互層の界面において炭素濃度（ドープ濃度）が変化している状態を表すものであり、上記アに示した、「境界部において、ドープ濃度に変化がある状態とする」ことに該当し、本願発明の「前記第１の移動度の材料と前記第２の移動度の材料との境界部は傾斜ドープされ」との事項と同様の構成を示しているものといえる。
　また、上記のとおり、引用刊行物２には、「アルミニウム組成について交互層間の界面で勾配をつけること」も記載されているから、上記アにおいて、本願発明の上記特定事項が、境界面における半導体材料の組成が傾斜を有することを意味するものであると解した場合についても、引用刊行物２には、該当する技術事項が開示されているといえる。
　そして、引用発明において、ＡｌＧａＡｓとＡｌＡｓの交互層から構成され、電気的に伝導性にするのに適したドーパントがドープされる分布式ブラッグ・リフレクタである「上方ミラー領域」における、低反射率ゾーンに包囲される「コア・ゾーン」及び「下部の領域」は、レーザ電流が流れる経路であり、このような構造の分布式ブラッグ・リフレクタは直列抵抗が高くなるため、その直列抵抗を低くするよう界面の構造、ドーピングを工夫すべきことは、当業者にとって周知の技術課題である（必要であれば、引用刊行物２に加え、当審における拒絶理由通知に周知例として示した、特開平５−２０６５８８号公報（【０００１】〜【０００４】等）、及び特開２０００−７７７７２号公報（【０００２】〜【０００４】等）を参照。）。
　したがって、引用発明において、上方ミラー領域においてレーザ電流の経路となる「（低反射率ゾーンに包囲される）コア・ゾーン」及び「下部の領域」の直列抵抗を最小限とするために、引用刊行物２に記載された上記技術事項を採用することは、当業者が容易になし得たことである。そして、その際、交互層から構成される分布式ブラッグ・リフレクタにおいて、層面に垂直な直列抵抗の下限値は、層面に平行な方向の抵抗値であるといえるから、上方ミラー領域における直列抵抗を最小限まで低減すれば、該領域は電気的に等方性、すなわち、その抵抗率が方向とは無関係とされるものといえる。さらに、このような構成を採用することによって、上記イのとおり、「上位モードと一致する電流は前記上部電流拡散ミラー部分を通過する際に横方向に分散する」という作用・効果も必然的に得られるものと認められる。
　よって、引用発明において、引用刊行物２に記載された上記技術事項を採用し、相違点２に係る本願発明の特定事項とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　エ　さらに、上記３（１）イによれば、引用発明は、「高輝度単モード出力」が得られることを目的とするものと認められ、また、引用刊行物１には、レーザ電流が発光領域の中心の誘導放出ゾーンに流れるＶＣＳＥＬにおいて、誘導放出ゾーンの中心に形成される空乏ゾーンを取り巻くゾーンのキャリア密度が増すことによって、高次モードで動作してしまうことが課題として記載されている。しかるところ、引用発明は、レーザ電流の側方限界をコア・ゾーンに制限するために低反射率ゾーンを形成し、「活性領域１２５に流入するレーザ電流の側方限界もコア・ゾーンとほぼ長さのゾーンに制限」しようとするものであるから、高次モード動作を引き起こす側方への電流の拡がりを抑制するものと理解できる。
　したがって、本願発明の効果も、引用発明、引用刊行物１乃至２の記載事項、並びに周知の技術事項に基づいて、当業者が予測し得た程度のものである。
　
（３）請求人の主張について
　ア　請求人は、平成２３年３月２８日付け意見書において、
「上方ミラー領域１１１内に導電率の低い低反射率ゾーン１１３（あるいは自然酸化物領域）を形成すると、導電率の低い低反射率ゾーン１１３の分だけ上方ミラー領域１１１自体の電流通過断面積は縮小されてしまい、その分だけ直列抵抗を増大させてしまう。よって、直列抵抗の低さの点で、引用刊行物１は本願発明よりも劣り、例えば、使用時に本願発明と同程度の電流を供給した場合に発熱しやすくなる。
・・・また、引用刊行物１の低反射率ゾーン１１３は、その名称が示すように、「低反射率」であり、ミラー本来の光学性能（反射率）を低めたものである。引用刊行物１の上方ミラー領域１１１が本来有するミラーとしての機能は、少なくとも低反射率ゾーン１１３の箇所において損なわれている。よって、ミラーの反射率の点でも引用刊行物１は本願発明よりも劣る。
　このように、引用刊行物１の上方ミラー領域１１１は、低反射率ゾーン１１３を含む点で、請求項１の上部電流拡散ミラー部分とは全く異なる構造であり、電気的及び光学的作用の点でも、請求項１の上部電流拡散ミラー部分とは全く異なる。」（【意見の内容】４．（４−２−１））
と述べ、本願発明と引用発明との差異を主張している。
　しかしながら、上記４（６）に示したとおり、引用発明の「低反射率ゾーン」は、それぞれ、本願発明の「電気絶縁層」に相当するものであって、「発光領域の平面における光学空洞の側方限界は、上方ミラー領域の低反射率ゾーンによって形成され」るものであって、引用発明の「低反射率ゾーン」は、光学空洞（レーザ共振器）外の領域にあるから、その領域における反射（あるいは反射率の低さ）は、レーザ発振に無関係である。
　そして、上記（１）イに示したように、引用発明は、「上方ミラー領域」に、「低反射率ゾーン及びコア・ゾーンを形成した上部の領域と、活性領域との間に、層内に低反射率ゾーンが形成されていない
下部の領域
　
　イ　請求人は、また、上記意見書において、
「引用刊行物１においては、コア・ゾーン１１５を構成する層も、波長がλのコヒーレントな光を放出するための分布式ブラッグ・リフレクタ（すなわち上方ミラー領域１１１）であり、上方ミラー領域１１１のうちコア・ゾーン１１５よりも下方にある層のみでは、「波長がλのコヒーレントな光を放出」することはできず、上方ミラー領域１１１のうちコア・ゾーン１１５よりも下方にある層のみを上方ミラー領域１１１とはいえないから、引用発明の「コア・ゾーン１１５」は、拒絶理由通知書の第１４頁（ウ）の欄で認定された如く、本願の「上部電流拡散ミラー部分」に相当する上方ミラー領域１１１の一部である。」、
「してみると、引用発明の上方ミラー領域１１１の一部である「コア・ゾーン１１５」は、請求項１の「開口」とは異なる構成であり、「低反射率ゾーン１１３」についても、請求項１の「電気絶縁層」とは異なる構成であると思料する。」（【意見の内容】４．（４−２−２））
とも主張する。
　しかしながら、本願発明において、「電気絶縁層」及び「開口」は、「前記上部電流拡散ミラー部分と前記等電位層との間に電気的絶縁層を設けて、それらの間に開口を形成するステップ」との特定事項において特定されるのみであって、引用発明における「コア・ゾーン１１５を構成する層も、波長がλのコヒーレントな光を放出するための分布式ブラッグ・リフレクタ」であることは、上記４（６）でした、「引用発明の『コア・ゾーン』及び『低反射率ゾーン』は、それぞれ、本願発明の『開口』及び『電気絶縁層』に相当し」との対比に、何ら影響を与える事項ではない。
　また、本願発明が、その実施態様において、半導体ミラースタック（上部電流拡散ミラー部分）内の中央に電気絶縁領域が挿入された場合を含むものといえることは、上記（１）イのとおりである。
　
　ウ　請求人は、また、引用刊行物１、２の組合せについて、「【意見の内容】４．（４−３）」欄において、「以上説明したように、本願請求項１の構成も本願請求項１の優れた作用効果も、引用刊行物１単独あるいは引用刊行物１、２の組合せから得ることも予期することも容易なことではない。」等と主張する。
　しかしながら、上記欄における「そのため、同じ横方向面積で比較した場合、ドーピングされた引用刊行物１の上方ミラー領域１１１の直列抵抗は、低反射率ゾーン１１３の分だけ請求項１の上部電流拡散ミラー部分よりも高くなる。」との主張は、上記アに示した理由と同様に、引用発明において、低反射率ゾーンは光学空洞の外の領域であるから、その領域における抵抗の高低は、レーザの動作に無関係である。
　また、上記欄における「光学的性能（反射率）についても同様に、引用刊行物１の上方ミラー領域１１１の横方向面積の一部が「低反射率」ゾーン１１３によって占有されている以上、ドーピングされた引用刊行物１の上方ミラー領域１１１の反射率は損なわれるから、同じ横方向面積で比較した場合、引用刊行物１、２の組合せ後の上方ミラー領域１１１は、反射率に基づく光学性能の点で、請求項１の上部電流拡散ミラー部分よりも劣る。」との主張については、上記アの理由が、そのまま該当する。
　さらに、請求人は、上記欄において、「そして、引用刊行物１は、レーザ電流の側方限界をコア・ゾーンに制限するために、上方ミラー領域１１１内に導電率の低い低反射率ゾーン１１３（あるいは自然酸化物領域）を形成することを教示しており、上方ミラー領域１１１から低反射率ゾーン１１３を除くことは引用刊行物１の教示に反する。また、上方ミラー領域１１１から低反射率ゾーン１１３を除く動機もない。よって、上方ミラー領域１１１から低反射率ゾーン１１３を除く変更は容易に想到しえることではない。」とも主張するが、上記（２）の相違点２に関する検討は、引用発明におけるＡｌＧａＡｓとＡｌＡｓの交互層について、直列抵抗を低くするよう界面の構造、ドーピングを工夫すべきとの周知の技術課題を解決するために、引用刊行物２に記載された技術事項を採用することの容易性をいうものであって、「上方ミラー領域１１１から低反射率ゾーン１１３を除く」ことを説示するものではない。
　したがって、上記（２）における相違点２についての検討は妥当なものであって、請求人の主張は採用できないものである。
　
（４）小活
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明及び引用刊行物２に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６　むすび
　以上のとおりであって、本願発明は、引用刊行物１乃至２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。