【事件の表示】
　特願２００５−１０２４１５「高純度クロム、高純度クロムからなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングにより形成した高純度クロムからなる薄膜」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　８月１８日出願公開、特開２００５−２２０４４４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は、平成１３年６月１８日に出願した特願２００１−１８２７３５号（以下、「原出願」という。）の一部を、特許法第４４条第１項の規定に基づき平成１７年３月３１日に新たな出願としたものであって、平成２０年９月１６日付けで手続補正がなされたが、同年１０月３１日付けで拒絶査定がなされたものである。
　そして、本件審判は、同年１２月１０日にこの拒絶査定を不服として請求されたものであって、当審より平成２２年７月３０日付けで拒絶理由が通知されたところ、同年１０月１２日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　本願発明
　
　本願の請求項１〜３に係る発明は、平成２２年１０月１２日付け手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定される次のとおりのものであると認める。（以下、それぞれ、「本願発明１」、「本願発明２」、「本願発明３」という。）
　
「【請求項１】
　４Ｎ以上の高純度クロムであって、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｗｔｐｐｍ以下であり、かつ各ガス成分の内、Ｎ＜１０ｗｔｐｐｍ、Ｈ＜１０ｗｔｐｐｍ、Ｆ＜１０ｗｔｐｐｍ、Ｓ＜１０ｗｔｐｐｍであることを特徴とする高純度クロム。
【請求項２】
　４Ｎ以上の高純度クロムであって、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｐｐｍ以下であり、かつ各ガス成分の内、Ｎ＜１０ｗｔｐｐｍ、Ｈ＜１０ｗｔｐｐｍ、Ｆ＜１０ｗｔｐｐｍ、Ｓ＜１０ｗｔｐｐｍであることを特徴とする高純度クロムからなるスパッタリングターゲット。
【請求項３】
　請求項２記載の高純度クロムからなるスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングにより形成した高純度クロムからなる薄膜。」
　
第３　当審拒絶理由の概要
　
　当審による平成２２年７月３０日付け拒絶理由の概要は、次のとおりである。
　
理由Ａ．本願発明１は、原出願の出願前日本国内又は外国において頒布された次の刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない、また、本願発明１〜３は、原出願の出願前日本国内又は外国において頒布された次の刊行物１、２に記載された発明に基いて、その原出願の出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
＜引用刊行物＞ 
　刊行物１；特開昭６３−１９９８３２号公報 
　刊行物２；特開平４−２１０４８９号公報 
　
理由Ｂ．本願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 
　
　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　請求項３に記載された発明について、単に請求項２に記載されたスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングにより形成すると規定するのみでは、その成分組成が特定されず、請求項３に記載された発明が、明確であるとすることはできない。　
　
第４　当審の判断
　
１．理由Ａ．について
　
１−１．刊行物１の記載事項
　刊行物１には、次の事項が記載されている。
　
（ａ）「２．特許請求の範囲
　酸化クロム粉末に還元剤である炭素粉末と粘結剤を添加し、成形して得た成形物を雰囲気熱処理炉に装入し、温度１２００℃以上に保持しながら、０．０５〜５０ｍｍＨｇの真空雰囲気下で真空還元反応を行い、次いで温度を維持したまま該炉内に還元性ガスを連続的に流通又は間欠的に導入し、圧力１〜１００ｍｍＨｇの還元性ガス雰囲気下で減圧ガス還元反応を行うことを特徴とする高純度金属クロムの製造方法。」（１頁左欄）
　
（ｂ）「金属クロムは・・・（合議体注；「・・・」は、記載の省略を示す。以下、同様。）最近、半導体、電子材部品および乾式メッキ用素材としても広く用いられるようになっているが、これらの分野では高純度の金属クロム、特に酸素の含有量が少ない金属クロムが必要になっている。」（１頁右下欄３行〜１１行）
　
（ｃ）「（実施例）
　以下、実施例にもとづき本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
　
　実施例　１
　粒径３２メッシュ以下の酸化クロム粉末１０００ｇに黒鉛粉末２１０ｇを添加混合し、さらに粘結剤として濃度５重量％のポリビニルアルコール水溶液を２００ｍｌ加え混錬した後、１ｔ／ｃｍ２の圧力で５０ｍ／ｍφ×４０ｍ／ｍφの大きさのブリケットに圧縮成形し、乾燥した。
　得られた酸化クロムの成形物を雰囲気熱処理炉に装入し、１３００℃、０．５〜５ｍｍＨｇの真空雰囲気下で５時間保持し、真空還元反応を行い、次いで温度を維持したまま該炉内に水素ガスを連続的に流通して炉内の圧力を１５ｍｍＨｇに調整し、８時間減圧ガス還元反応を行った。反応終了後、水素ガスの流通を停止し、真空雰囲気下で冷却し、金属クロムを得た。
　得られた金属クロムの収量と酸素，窒素，炭素，水素及び硫黄の含有量を表１に示す。
　
・・・
　
実施例　４
　実施例１で得られた酸化クロムの成形物を雰囲気熱処理炉に装入し、１５００℃、１５〜４０ｍｍＨｇの真空雰囲気下で２．５時間保持して真空還元反応を行い、次いで温度を維持したまま該炉内に水素ガスを連続的に流通して炉内の圧力を８０ｍｍＨｇに調整し、７時間減圧ガス還元反応を行った。反応終了後、水素ガスの流通を停止し、真空雰囲気下で冷却し、金属クロムを得た。
　得られた金属クロムの収量と酸素、窒素，炭素，水素及び硫黄の含有量を表１に示す。」
（３頁左上欄１３行〜右下欄１１行）
　
（ｄ）「表１　　　　　　　　　　　　　（重量％）
　　　　　Ｏ　　　Ｎ　　Ｃ　　　Ｈ　　　Ｓ　　収量（ｇ）
実施例１　0.011　0.0005　0.002　0.0003　0.0003　６８１
・・・
実施例４　0.006　0.0003　0.002　0.0003　0.0003　６６９　」（４頁上欄）
　
１−２．刊行物１発明
　
　刊行物１の（ｃ）の実施例４に記載された金属クロムの製造方法は、刊行物１の（ａ）に記載された高純度金属クロムの製造方法に包含されるものであるから、前記実施例４に記載された金属クロムは、高純度金属クロムということができる。
　そして、刊行物１の（ｄ）の記載によれば、前記実施例４の高純度金属クロムについて、その含有する酸素、窒素、炭素、水素、硫黄の量は、重量％で、それぞれ、酸素：０．００６ｗｔ％、窒素：０．０００３ｗｔ％、炭素：０．００２ｗｔ％、水素：０．０００３ｗｔ％、硫黄：０．０００３ｗｔ％であるといえる。
　
　上記記載事項及び認定事項を、本願発明１の記載ぶりに則り整理すると、刊行物１には、次の発明が記載されているといえる。
　
「Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｓの含有量が、Ｏ＝６０ｗｔｐｐｍ、Ｃ＝２０ｗｔｐｐｍ、Ｎ＝３ｗｔｐｐｍ、Ｈ＝３ｗｔｐｐｍ、Ｓ＝３ｗｔｐｐｍである、高純度金属クロム。」（以下、「刊行物１発明」という。）
　
１−３．本願発明１と刊行物１発明との対比
　
　刊行物１発明の「高純度金属クロム」は、本願発明１の「高純度クロム」に相当する。 
　また、刊行物１発明のＮ、Ｈ、Ｓの含有量は、いずれも、３ｗｔｐｐｍであるから、本願発明１のＮ＜１０ｗｔｐｐｍ、Ｈ＜１０ｗｔｐｐｍ、Ｓ＜１０ｗｔｐｐｍに一致する。 
　そうすると、本願発明１と刊行物１発明とは、「Ｎ、Ｈ、Ｓの含有量が、Ｎ＜１０ｗｔｐｐｍ、Ｈ＜１０ｗｔｐｐｍ、Ｓ＜１０ｗｔｐｐｍである、高純度クロム。」である点において一致し、以下の点において相違する。 
　
相違点１：本願発明１は、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｗｔｐｐｍ以下であり、Ｆ＜１０ｗｔｐｐｍであるのに対し、刊行物１発明は、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｓの含有量の総量は、８９ｗｔｐｐｍではあるものの、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｗｔｐｐｍ以下であり、Ｆ＜１０ｗｔｐｐｍであるかについては不明である点。
　
相違点２：本願発明１において、高純度クロムが４Ｎ以上であるのに対し、刊行物１発明においては、高純度金属クロムが４Ｎ以上であるか不明である点。
　
１−４．相違点についての判断
　以下、相違点１、２について検討する。
　
１−４−１．相違点１について
　純クロムにおいて通常不純物として残留するガス成分として、酸素、炭素、窒素、水素、硫黄が挙げられることは技術常識であり（例えば、金属データブック（改訂２版），社団法人　日本金属学会編，昭和５９年１月３０日発行，丸善，１５６頁、及び、化学大事典３（縮尺版），化学大事典編集委員会，共立出版，１９７頁右欄を参照。）、他方、弗素や他のガス成分については、不純物として残留するガス成分として通常含まれるものとはされておらず、また、弗素や他のガス成分が、刊行物１に記載された製造方法において、特定の量を超えて含まれてくるものともいえないから、刊行物１発明において、弗素の含有量は、せいぜい、不純物ガス成分として認識される、炭素や窒素や硫黄と同程度の１０ｗｔｐｐｍ未満であり、さらに、他のガス成分を含めたガス成分含有量の総量についても、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｓのガス成分含有量の総量が８９ｗｔｐｐｍであることを勘案すれば、２００ｗｔｐｐｍ以下であるものといえる。 
　そうすると、上記相違点１は、実質的相違点とすることはできない。 
　
　また、仮に、刊行物１発明において、弗素の含有量が、１０ｗｔｐｐｍ以上であり、ガス成分の総量が、２００ｐｐｍを超えているとしても、刊行物１に記載された、還元ガス雰囲気下における減圧ガス還元法の処理温度、真空度、処理時間を調整することにより、弗素のガス成分量やガス成分の総量を本願発明１の範囲に制御することは当業者が容易になし得る事項といえる。
　
　なお、請求人は、平成２２年１０月１２日付け意見書（【意見の内容】の（３）の１））において、当審の平成２２年７月３０日付けの拒絶理由通知にて指摘した、本審決における相違点１が、実質的なものではないか、仮にそうではないとしても、当業者が容易になし得る事項である点については、認めている。
　
　よって、相違点１は、実質的なものではないか、仮に実質的なものであるとしても、当業者が容易に解消し得るものである。
　
１−４−２．相違点２について
　本願発明１の「４Ｎ以上の高純度クロム」について、請求項１の「４Ｎ以上の高純度クロムであって、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｗｔｐｐｍ以下であり」との記載、及び、本願明細書の【００１２】の「Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分の総量は２００ｐｐｍ以下の４Ｎレベル以上の高純度のクロムが得られた。」との記載によれば、本願発明１に係る高純度クロムは、９９．９９ｗｔ％以上の純度を有する高純度クロムである一方、ガス成分の総量としては、２００ｗｔｐｐｍ以下、すなわち、０．０２ｗｔ％以下のガス成分を有するものであるが、平成２２年１０月１２日付け意見書の【意見の内容】の（３）の１）の「「４Ｎ以上の高純度クロム」というのは、ガス成分を除く純度であることは、当業者で、通常使用される純度表現であり、自明と考えます。」との記載によれば、前記ガス成分の総量及び各ガス成分の含有量は、これらガス成分を除く不純物とクロムの総量に対する比率を外数として算出したものであり、他方、クロムの純度である４Ｎ、すなわち、９９．９９ｗｔ％以上は、前記ガス成分を除く不純物とクロムの総量に対するクロムの含有量を表現したものであると認められる。
　そして、刊行物１発明が用いられる分野である、半導体や電子材料の分野において用いられる高純度金属クロムとして、当審の拒絶理由通知の刊行物２の表２及び表３や、特開平１−１６８８２７号公報の表−１、特開昭６２−４７４３５号公報の表２（原料粒度が３２メッシュのもの）に記載されるような、ガス成分を外数とした場合に４Ｎ以上の純度を有する金属クロムは普通に用いられているのであるから、刊行物１発明に係る高純度金属クロムは４Ｎ以上の純度を有しているものといえる。（なお、前記特開昭６２−４７４３５号公報の表２の例については、Ｃｒ含有量は９９．９８ｗｔ％と表示されているが、かかる表記は、金属不純物及びガス不純物とも内数で算出したものと認められるから、ガス成分のみを外数として再計算するとＣｒの含有量は、９９．９９ｗｔ％となる。）
　そうすると、上記相違点２は、実質的相違点とすることはできない。
　
　また、仮に、刊行物１発明に係る高純度金属クロムが、４Ｎ以上の純度を有するものではないとしても、例えば、前記特開平１−１６８８２７号公報にも記載されているように、原料としてガス成分以外の不純物量の少ない酸化クロムを用いることにより、ガス成分以外の不純物量を１００ｗｔｐｐｍ以下とし、４Ｎ以上の純度の金属クロムを得ることは、当業者が容易になし得るものである。
　
　よって、相違点２は、実質的なものではないか、仮に実質的なものであるとしても、当業者が容易に解消し得るものである。
　
　なお、請求人は、前記平成２２年１０月１２日付け意見書（【意見の内容】の（３）の２）、３）において、刊行物１発明は、蒸発損失を避けるためには、金属クロムが蒸発する温度までは上げることがないので、「金属クロムと同程度以下の蒸気圧の低い不純物元素はそのまま残存し、除去することができない」という、重要かつ根本的な問題を発生すること、また、蒸発損失を見込んだとしても、蒸気圧が低い不純物が残存するという問題の根本を解決することはできないことを挙げ、刊行物１発明では、他の方法で蒸気圧の低い不純物の除去を行わなければならないから、少なくとも、刊行物１発明では実現不能と主張する。
　しかしながら、前記したとおり、前記特開平１−１６８８２７号公報にも記載されているように、原料となる酸化クロムに不純物量の少ないものを用いて、４Ｎ以上の純度の金属クロムを得ることは、普通に行われていることであるから、刊行物１発明の前提である高純度金属クロムについて、その原料として４Ｎ以上の高純度酸化クロムを用いることは当然の事項であり、また、仮にそうではなくとも、当業者が容易になし得るものである。
　よって、請求人の主張は採用できない。
　
１−４−３．小括
　したがって、本願発明１は、刊行物１に記載された発明であり、仮にそうではないとしても、刊行物１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
２．理由Ｂ．について
　
　理由Ｂ．の具体的な理由は、本願発明２を引用する本願発明３について、薄膜を構成する材料の成分組成やガス成分の含有量は、スパッタリングターゲット自体の成分組成、ガス成分の含有量に加え、成膜時に添加されるガスや成膜条件によって変化するものであることは技術常識であるから、本願発明３に係る高純度クロムからなる薄膜が、単に本願発明２のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングにより形成されたと規定するのみでは、その成分組成が特定されず、請求項３に記載された発明は、明確であるとすることはできないというものである。
　すなわち、スパッタリングターゲットとして、含有するガスの成分組成を規定し、ガス成分以外の不純物量を規定した高純度クロムよりなるスパッタリングターゲットを用いるとしても、スパッタリングの際のガス雰囲気や成膜条件によって、成膜される薄膜中にガスや反応生成物が含まれる結果、薄膜中のガスの成分組成やガス成分以外の不純物量が変化するから、単に含有するガスの成分組成を規定し、ガス成分以外の不純物量を規定した高純度クロムよりなるスパッタリングターゲットを用いたとするのみでは、本願発明３に係る高純度クロムからなる薄膜のガスの成分組成やガス成分以外の不純物量は、特定されたとすることはできないのであるから、請求項３に記載された発明は明確ではない。
　
　なお、請求人は、前記平成２２年１０月１２日付け意見書において、「スパッタリングを行うに際して、反応性スパッタリングを行わない限り、通常アルゴンガスの不活性ガスを使用しますので、他のガス成分が混入することはありません。また、本願発明が上記に述べたガス成分を不純物としている以上、これらをスパッタリング時に導入してスパッタリング（反応性スパッタリング）することは、技術常識的にあり得ません。」と主張するが、請求項３においては、何ら成膜条件が特定されておらず、種々のガス雰囲気で行う反応性スパッタリング法により形成される膜も含むものといえるから、請求人の主張は採用することはできない。
　
第５　むすび
　
　以上のとおり、本願発明１は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであり、仮に、そうではないとしても、刊行物１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることはできず、本願は、拒絶すべきものである。
　また、本願は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしておらず、拒絶すべきものである。
　
よって、結論のとおり審決する。