【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年6月29日(2011.6.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板層に形成された微小電気機械デバイスと、
前記微小電気機械デバイスの少なくとも一部を保護する上塗り層、
を備える微小電気機械デバイスパッケージングシステムであって、
前記上塗り層は前記基板層上に形成され、前記微小電気機械デバイスの活性表面を取り囲む気体キャビティを囲繞し、
前記上塗り層は、気体キャビティを形成するときの犠牲ポリマーの分解によって生成した分解気体に対して浸透性であるかまたは半透性であるという特性を含むモジュールポリマーを含み、かつ前記上塗り層は固体であって穿孔されていない、前記システム。
【請求項２】
前記気体キャビティは真空パックされる、請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記微小電気機械デバイスが取り付けられている金属パッケージングフレームと、
前記微小電気機械デバイスおよび金属パッケージングフレームアセンブリの一部を密閉するコーティング材料、
をさらに備え、
前記上塗り層は、前記基板層に加えられる前に、予備成形されていない、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
基板層に形成された微小電気機械デバイスと、
前記微小電気機械デバイスの活性表面を取り囲む気体キャビティ内に形成され、前記微小電気機械デバイスの少なくとも一部を保護する熱分解可能な犠牲構造物
を備える微小電気機械デバイスパッケージングシステムであって、
前記上塗り層は前記犠牲構造物を囲繞し、
前記上塗り層は、気体キャビティ内部での犠牲ポリマーの分解によって生成する分解気体に対して浸透性であるかまたは半浸透性であるという特性を含むモジュールポリマーを含み、かつ前記上塗り層は固体であって穿孔されていない、前記システム。
を備える微小電気機械デバイスパッケージングシステム。
【請求項５】
前記微小電気機械デバイスが取り付けられている金属パッケージングフレームと、
前記微小電気機械デバイスおよび金属パッケージングフレームアセンブリの一部を密閉するコーティング材料であって、前記コーティング材料の硬化温度を超える温度で犠牲ポリマーを分解することによって生成された分解気体へ浸透性であるという特性を含む前記コーティング材料と、
をさらに備える請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
微小電気機械デバイスパッケージを製造するための方法であって、
微小電気機械デバイスの基板上に、前記微小電気機械デバイスの一部を密閉する、熱分解可能で感光性の犠牲層を形成するステップと、
前記感光性の犠牲層をフォトパターニングするステップと、
前記犠牲層のまわりに上塗り層を形成するステップであって、ここで前記上塗り層は固体であって穿孔されていない前記ステップと、
前記犠牲層を熱分解するステップであって、前記犠牲層の分解された分子が前記上塗り層を通って浸透し、前記熱分解可能な犠牲層が形成された場所に気体キャビティが形成される、前記ステップと、
を含む微小電気機械デバイスパッケージ製造方法。
【請求項７】
前記上塗り層が形成される前に、前記微小電気機械デバイスを金属パッケージングフレームに取り付けるステップであって、前記上塗り層は、前記微小電気機械デバイスおよび金属パッケージングフレームアセンブリを密閉するエポキシ樹脂を備える、前記ステップと、
前記上塗り層を硬化する温度で前記微小アセンブリを加熱するステップと、
前記犠牲層を分解する温度で前記微小アセンブリを加熱するステップであって、前記犠牲層を分解する温度は前記上塗り層を硬化する温度を超えている、前記ステップと、
をさらに含む請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記上塗り層のまわりにバリア層を形成するステップであって、前記バリア層は、機械的な力に対して前記上塗り層よりも強い保護を提供し、前記バリア層は金属材料を備える、前記ステップと、
前記バリア層が形成された後に、前記微小電気機械デバイスを集積回路パッケージ構造物に取り付けるステップと、
チャンバ内で前記微小電気機械デバイスを加熱することによって前記気体キャビティ内部に真空を形成するステップと、
真空が形成された後に、前記チャンバ内の前記上塗り層のまわりに金属材料を備えるバリア層を形成して、真空パックされたエンクロージャを前記気体キャビティのまわりに提供するステップと、
前記電気機械デバイスおよび集積回路パッケージ構造物を保護コーティング内に密閉するステップと、
をさらに含む請求項６に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
本開示の実施の形態はまた、微小電気機械デバイスパッケージを製造するための方法をも提供する。この点に関して、中でも、そのような方法の１つの実施の形態は、下記のステップに大ざっぱに要約することができる。すなわち、微小電気機械デバイスの基板に熱分解可能な犠牲層を形成するステップであって、犠牲層は微小電気機械デバイスの一部を密閉する気体キャビティを囲繞するステップと、犠牲層のまわりに保護層を形成するステップと、犠牲層を熱分解するステップであって、分解された分子が保護層に浸透し、熱分解可能な犠牲層が形成された場所に気体キャビティが形成されるステップと、である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
このプロセス中に、犠牲層３２５の分解生成物は、上塗り層３３５に拡散するかまたは浸透する。追加ステップにおいて、追加の金属材料３５５が、上塗り層３３５上でＭＥＭＳ構造物に加えられて（２４０）、ＭＥＭＳデバイスの活性表面３５８を保護する金属キャップまたはバリア３５５を備えたＭＥＭＳデバイスパッケージ３５０を形成する。金属バリア３５５は、外部力または要素からＭＥＭＳデバイス３１０を保護する１つのタイプの保護を提供する。特に、金属は密封バリアを提供することが知られている。したがって、金属密封バリア３５５は、ＭＥＭＳデバイスが大気条件にもたらされることを可能にする。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
犠牲層３２５を作るのに使用される犠牲ポリマーは、ゆっくりと分解し、囲繞する材料内にエアキャビティ領域３４８を形成しながら過度の圧力蓄積を生成しないポリマーでありうる。加えて、犠牲ポリマーの分解は、上塗り層３３５に浸透するのに十分小さな気体分子を生成する。さらに、犠牲ポリマーは、ＭＥＭＳ構造物および上塗り材料の分解または減成温度よりも低い分解温度を有する。さらに、犠牲材料は、上塗り材料の付着または硬化の温度よりも高いが、犠牲ポリマーが使用されている構造物の構成要素の劣化温度よりも低い分解温度を有するべきである。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
犠牲ポリマーの熱分解は、ＭＥＭＳデバイスパッケージを犠牲ポリマーの分解温度へ加熱し一定の時間の間（たとえば、１〜２時間）その温度を保持することによって、行うことができる。その後、分解生成物が、上塗りポリマー層に拡散するかまたは浸透し、実質的に残留物のない中空構造物（エアキャビティ）を残す。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
上塗り層３３５は、エアギャップまたはキャビティを形成しながら犠牲ポリマーの分解によって生成された分解気体に対して浸透性であるかまたは半浸透性であるという特性を含むいずれのモジュールポリマーまたは蒸着膜（たとえば、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等）であってもよい。加えて、上塗りポリマー層は、製造および使用状態下で破裂したり崩壊したりしないように、弾性特性を有する。さらに、上塗り層３３５は、犠牲ポリマーが分解する温度範囲で安定している。上塗り層３３５の例は、たとえば、ポリイミド、ポリノルボルネン、エポキシド、ポリアリーレンエーテルおよびパリレン等の化合物を含む。より具体的には、上塗り層３３５は、アモコウルトラデル（Ａｍｏｃｏ  Ｕｌｔｒａｄｅｌ）（商標）７５０１、ＢＦグッドリッチ（ＢＦ  Ｇｏｏｄｒｉｃｈ）アバトレル（Ａｖａｔｒｅｌ）（商標）ジーエレクトリック（Ｄｉｅｅｌｅｃｔｒｉｃ）ポリマー、デュポン（ＤｕＰｏｎｔ）２６１１、デュポン２７３４、デュポン２７７１およびデュポン２５５５等の化合物を含む。上塗り層３３５は、たとえば、スピンコーティング、ドクターブレード法、スパッタリング、ラミネーション、スクリーンまたはステンシル印刷、化学蒸着（ＣＶＤ）、プラズマ系蒸着システム等の技術を使用して、基板に付着されることができる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
上塗り層１２４０に浸透する気体状材料へ犠牲材料３２５を転換することによって、キャビティ１２２５には、いかなる残留犠牲材料を含む残留物もない。相応して、犠牲材料を除去するために上塗り層内に穿孔がドリル開けされていなかったため、上塗り層１２４０にもまた、残留物がなく、構造的一体性を維持する。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
次に図１３を参照すると、ＭＥＭＳパッケージ１３００の別の実施の形態が示される。図１３において、ＭＥＭＳデバイスパッケージ１３００は、基板層１３１０と、ＭＥＭＳデバイスの活性表面１３２０と、ＭＥＭＳデバイスの活性表面を囲繞するエアキャビティ１３２５と、コンタクト１３３０と、上塗り層１３４０と、バリア層１３５０と、を含む。パッケージ１３００は、図２に関して述べられたプロセスと類似したプロセスによって製造され、犠牲層３２５は除去されており、上塗り層１３４０およびバリア層１３５０を形成する。しかし、真空パッキングを必要としない多くのＭＥＭＳデバイスがあるため、この実施の形態では、エアキャビティ１３２５内部に真空を形成するプロセスは行われない。バリア層１３５０は依然として、バリア層１３５０（たとえば、金属層）によって密閉されたエアキャビティ領域１３２５に空気および湿分が入るのを防止してもよい。さらに、上塗り層１３４０に浸透する気体状材料へ犠牲材料３２５を転換することによって、エアキャビティ１３２５には、いかなる残留犠牲材料を含む残留物もない。相応して、犠牲材料を除去するために上塗り層内に穿孔がドリル開けされていなかったため、上塗り層１３４０にもまた残留物がなく、構造的一体性を維持する。ＭＥＭＳデバイスパッケージ１３００は、後述されるように、リードフレームパッケージング、表面実装パッケージング、セラミックパッケージング、または、他の高性能技術を使用して、ワイヤボンド技術、フリップチップ技術を含む様々な方法によって、外部の点に接続されてもよい。異なる処理技術は異なる量の圧力および負担をマイクロエレクトロニクスデバイスにかけるため、ＭＥＭＳデバイスに利用可能な特定の処理技術は、上塗り層およびバリア層によって提供される保護のレベルに依存してもよい。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
それに応じて、上塗り層を加える（２２０）ことの一部として、上塗りを剛性に固くするために、上塗り材料は一般に焼き付けられ、これは、ＭＥＭＳデバイスの多くの用途および種類では、外部力に対する適切な保護として作用してもよい。さらに、上塗り層１４４０に浸透する気体状材料へ犠牲材料３２５を転換することによって、エアキャビティ１４２５には、いかなる残留犠牲材料を含む残留物もない。相応して、犠牲材料を除去するために上塗り層内に穿孔がドリル開けされていなかったため、上塗り層１４４０にもまた、残留物がなく、構造的一体性を維持する。ＭＥＭＳデバイスパッケージ１４００は、パッケージングプロセスの特定の品質および特定のＭＥＭＳデバイスの保護要件に依存して、リードフレームパッケージング、表面実装パッケージング、セラミックパッケージング、または、他の高性能技術を使用して、ワイヤボンド技術、フリップチップ技術を含む様々な方法によって、外部の点に接続されてもよい。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
このプロセスに使用されるコーティング材料１６５０は、ＭＥＭＳデバイスパッケージ１５００の犠牲材料１５４０の熱分解の温度よりも低い硬化温度を有する。したがって、コーティング材料１６５０は、より低い温度（犠牲材料の熱分解の温度よりも低い）で硬化され、コーティング材料を固める。コーティング材料１６５０は、犠牲層１５４０の犠牲ポリマーの分解によって生成された分解気体に浸透性であるかまたは半浸透性であるという特性を有する。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５６】
コーティング１６５０が硬化し固くなった後に、次いで、ＭＥＭＳチップが、犠牲材料の熱分解を超える温度で焼き付けられる。その後、犠牲材料は気体状態に転換され、コーティング材料１６５０に浸透するかまたは拡散する。犠牲層の分解後、エアキャビティがＭＥＭＳデバイスの活性表面のまわりに形成され、コーティング材料１６５０は今や保護層として作用し、要素がエアキャビティに入るのを禁じ、一般に、ＭＥＭＳデバイスを保護する。ＭＥＭＳ「チップ」１６６０は、次いで、シンギュレーション（ｓｉｎｇｕｌａｔｉｏｎ）プロセスによってリードフレームから除去され（１６５５）、標準チップパッケージングプロセスの一部として、チップのリードが所望の形状に曲げられる。