【手続補正書】
【提出日】平成22年11月17日(2010.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を固体材料から切出し、試料に構成された試料表面（３）を、イオンビーム（Ｊ）によって所定の入射角度で処理し、かくして、試料（１）のイオンビーム（Ｊ）の投射ゾーン（４）の範囲に、電子顕微鏡による試料（１）の所望範囲の観察（１２）を実現できる所望の観察表面（２０）が露出されるまで、イオンエッチングによって試料表面（３）から材料を切除する形式の、電子顕微鏡検鏡用試料（１）を作製する方法において、
少なくとも３つのイオンビーム（Ｊ1，Ｊ2，Ｊ３）が試料表面（３）において互いに少なくとも接触するか又は交叉して、上記試料表面に投射ゾーン（４）を形成するよう、少なくとも３つの不動のイオンビーム（Ｊ1，Ｊ2，Ｊ３）を所定の角度（α）で相互に配向して試料表面（３）に導き、試料（１）も該イオンビーム（Ｊ1，Ｊ2，Ｊ３）も、移動されず、かくて、位置不変の状態で処理されることを特徴とする方法。
【請求項２】
斜切エッチング法にもとづき、イオンビーム（Ｊ1，Ｊ2，Ｊ３）で試料（１）を処理することを特徴とする請求項１の方法。
【請求項３】
ワイヤシャドウ法にもとづき、イオンビーム（Ｊ1，Ｊ2，Ｊ３）で試料（１）を処理することを特徴とする請求項１の方法。
【請求項４】
試料表面（３ａ，３ｂ）の切除のため、少なくとも３つのイオンビーム（Ｊ1，Ｊ2，Ｊ３）を、それぞれ、１つの試料側（３ａ，３ｂ）へ向けることによって、標準ＴＥＭ試料（１）をイオンビーム（Ｊ1，Ｊ2，Ｊ３）で処理することを特徴とする請求項１の方法。  
【請求項５】
移動されない複数のイオンビーム（Ｊ1，Ｊ2，Ｊ３）を異なる角度（α，α´，α´´）で試料表面（３）に導き、この場合、すべてのイオンビームが、投射ゾーン（４）において少なくとも接触されるか、重畳されることを特徴とする請求項１〜４の１つに記載の方法。  
【請求項６】
投射ゾーン（４）内のイオンビーム（Ｊ1，Ｊ2，Ｊ３）の相互位置を調節でき、かくて、少なくとも１つのイオンビームの重畳度を調節できることを特徴とする請求項１〜５の１つに記載の方法。
【請求項７】
単一のイオン源によって、少なくとも２つのイオンビーム（Ｊ1，Ｊ2）を同時に形成することを特徴とする請求項１〜６の１つに記載の方法。  
【請求項８】
それぞれ固有のイオン源によって、少なくとも２つのイオンビーム（Ｊ1，Ｊ2）を形成することを特徴とする請求項１〜７の１つに記載の方法。
【請求項９】
少なくとも１つのイオンビーム（Ｊ1，Ｊ2，Ｊ３）のイオンエネルギおよび／またはイオン流密度を、個々に、調節および／または調整できることを特徴とする請求項１〜８の１つに記載の方法。
【請求項１０】
イオンビーム（Ｊ1，Ｊ2，Ｊ３）のイオンエネルギおよび／またはイオン流密度を、同一にまたは予め設定可能な異なる所定値に調節できることを特徴とする請求項１〜９の１つに記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも１つのイオンビーム（Ｊ1，Ｊ2，Ｊ３）の径を投射ゾーン（４）において調節できることを特徴とする請求項１〜１０の１つに記載の方法。
【請求項１２】
少なくとも１つのイオンビーム（Ｊ1，Ｊ2，Ｊ３）のパラメータ、即ち、イオンエネルギ、イオン流および／またはビーム径の少なくとも１つを変更することによって、予め設定可能なエッチングプロフィルを調節することを特徴とする請求項１〜１１の１つに記載の方法。  
【請求項１３】
イオンビーム（Ｊ1，Ｊ2，Ｊ３）のイオンエネルギを２００ｅＶ〜１２ｅＶの範囲に調節することを特徴とする請求項１〜１２の１つに記載の方法。
【請求項１４】
エッチング処理中において、観察手段、好ましくは光学顕微鏡または走査電子顕微鏡、によって高い解像度で、静止試料（１）を少なくとも一時的に観察することを特徴とする請求項１〜１３の１つに記載の方法。
【請求項１５】
前記イオンビームが少なくとも部分的に重畳されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項１６】
エッチング処理中において、投射ゾーン（４）内のイオンビーム（Ｊ1，Ｊ2，Ｊ３）の相互位置を調節でき、かくて、少なくとも１つのイオンビームの重畳度を調節できることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１７】
イオンビーム斜切エッチングの場合、１０μｍ〜１００μｍの範囲の間隔（空隙）をもって試料表面（３）に当接する平坦な表面を有するマスク（２）を使用し、かくして、双方の表面が、上記範囲に境界線を形成し、
その範囲に、イオンビーム（Ｊ1，Ｊ2，Ｊ３）の投射ゾーン（４）が位置し、イオンビームが、境界線が位置する平面（１０）を形成し、
この平面（１０)が、マスク（２）の表面に対して０°〜１０°の範囲に若干傾斜して配置されると共に、マスク（２）の表面が、試料表面（３）に対して直角に配置されることを特徴とする請求項２の方法。
【請求項１８】
イオンビーム（Ｊ1，Ｊ2，Ｊ３）が、所定角度（α）の円切片を形成し、この角度が、１０°〜１８０°の範囲、にあり、すべてのイオンビーム（Ｊ1，Ｊ2，Ｊ３）が、上記円切片の平面内にあることを特徴とする請求項２または１７の方法。
【請求項１９】
ワイヤシャドウ法の場合、ワイヤ（７）に平行である平面（１０）内にイオンビーム（Ｊ1，Ｊ2，Ｊ３）を導き、試料表面（３）の垂線（Ｎ）も、上記平面（１０）内にあることを特徴とする請求項３の方法。  
【請求項２０】
イオンビーム（Ｊ1，Ｊ2，Ｊ３）によって形成された平面（１０）を、法線（Ｎ）に対して、±２０°の範囲の角度（β）をなすよう、配置することを特徴とする請求項３または１９の方法。
【請求項２１】
イオンビーム（Ｊ1，Ｊ2，Ｊ３）が、所定角度（α）の円切片を形成し、この角度（α）が、１０°〜１８０°の範囲にあり、すべてのイオンビームが、上記円切片の平面内にあり、イオンビーム（Ｊ1，Ｊ2，Ｊ３）を、表面法線（Ｎ）に関して対称に設置して、処理することを特徴とする請求項３または１９の方法。
【請求項２２】
イオンビーム（Ｊ1，Ｊ2，Ｊ３）を、試料（１）の少なくとも１つの側で、円錐体外周面（１１）上にあるよう配列し、イオンビームが統合される円錐先端が、少なくとも上記試料側で投射ゾーン（４）に当たることを特徴とする請求項４の方法。
【請求項２３】
前記円切片を形成する前記所定角度（α）が３０°〜１４０°の範囲にあることを特徴とする請求項１８または２１の方法。
【請求項２４】
前記イオンビーム（Ｊ1，Ｊ2，Ｊ３）のうち２つのイオンビーム（Ｊ1，Ｊ2）を、表面法線（Ｎ）に関して対称に設置して処理することを特徴とする請求項２１の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この課題は、本発明にもとづき、請求項１の方法によって解決される。従属請求項に、有利な操作工程を定義した。なお、特許請求の範囲に付記した図面参照符号は専ら理解を助けるためのものであり、図示の態様に限定することを意図するものではない。以下に本発明の実施の形態の概要を述べる。
［実施の形態］
［形態１］
試料を固体材料から切出し、試料に構成された試料表面を、イオンビームによって所定の入射角度で処理し、かくして、試料のイオンビームの投射ゾーンの範囲に、電子顕微鏡による試料の所望範囲の観察を実現できる所望の観察表面が露出されるまで、イオンエッチングによって試料表面から材料を切除する形式の、電子顕微鏡検鏡用試料を作製する方法において、少なくとも２つのイオンビームが試料表面において互いに少なくとも接触するか又は交叉して、上記試料表面に投射ゾーンを形成するよう、少なくとも２つ（好ましくは３つ）の不動のイオンビームを所定の角度（α）で相互に配向して試料表面に導き、試料も該イオンビームも、移動されず、かくて、位置不変の状態で処理される方法。
［形態２］
斜切エッチング法にもとづき、イオンビームで試料を処理する形態１の方法。
［形態３］
ワイヤシャドウ法にもとづき、イオンビームで試料を処理する形態１の方法。
［形態４］
試料表面の切除のため、少なくとも２つ（好ましくは３つ）のイオンビームを、それぞれ、１つの試料側へ向けることによって、標準ＴＥＭ試料をイオンビームで処理する形態１の方法。
［形態５］
移動されない複数の、好ましくは３つの、イオンビームを異なる角度（α，α´，α´´）で試料表面に導き、この場合、すべてのイオンビームが、投射ゾーンにおいて少なくとも接触されるか、好ましくは少なくとも部分的に、重畳される形態１〜４の１つに記載の方法。
［形態６］
好ましくはエッチング操作中において、投射ゾーン内のイオンビームの相互位置を調節でき、かくて、少なくとも１つのイオンビームの重畳度を調節できる形態１〜５の１つに記載の方法。
［形態７］
単一のイオン源によって、少なくとも２つのイオンビームを同時に形成する形態１〜６の１つに記載の方法。
［形態８］
それぞれ固有のイオン源によって、少なくとも２つのイオンビームを形成する形態１〜７の１つに記載の方法。
［形態９］
少なくとも１つのイオンビームのイオンエネルギおよび／またはイオン流密度を、個々に、調節および／または調整できる形態１〜８の１つに記載の方法。
［形態１０］
イオンビームのイオンエネルギおよび／またはイオン流密度を、同一にまたは予め設定可能な異なる所定値に調節できる形態１〜９の１つに記載の方法。
［形態１１］
少なくとも１つのイオンビームの径を投射ゾーンにおいて調節できる形態１〜１０の１つに記載の方法。
［形態１２］
少なくとも１つのイオンビームのパラメータ、即ち、イオンエネルギ、イオン流および／またはビーム径の少なくとも１つを変更することによって、予め設定可能なエッチングプロフィルを調節する形態１〜１１の１つに記載の方法。
［形態１３］  
イオンビームのイオンエネルギを２００ｅＶ〜１２ｅＶの範囲に、好ましくは５００ｅＶ〜８ｅＶの範囲に調節する形態１〜１２の１つに記載の方法。
［形態１４］
エッチング処理中において、観察手段、好ましくは光学顕微鏡または走査電子顕微鏡、によって高い解像度で、静止試料を少なくとも一時的に観察する形態１〜１３の１つに記載の方法。
［形態１５］
イオンエッチング前に、試料を観察手段に対し配向設定し、エッチング処理中、もはや移動しない形態１〜１４の１つに記載の方法。
［形態１６］
エッチング処理中において、試料を冷却する形態１〜１５の１つに記載の方法。
［形態１７］
イオンビーム斜切エッチングの場合、１０μｍ〜１００μｍの範囲の間隔（空隙）をもって試料表面に当接する平坦な表面を有するマスクを使用し、かくして、双方の表面が、上記範囲に境界線を形成し、その範囲に、イオンビームの投射ゾーンが位置し、イオンビームが、境界線が位置する平面を形成し、この平面が、マスクの表面に対して０°〜１０°の範囲、好ましくは０°〜５°の範囲に若干傾斜して配置されると共に、マスクの表面が、試料表面に対して好ましくは直角に配置される形態２の方法。
［形態１８］
イオンビームが、所定角度の円切片を形成し、この角度が、１０°〜１８０°の範囲、好ましくは３０°〜１４０°の範囲、にあり、すべてのイオンビームが、上記円切片の平面内にある形態２または１７の方法。
［形態１９］
ワイヤシャドウ法の場合、ワイヤに平行である平面内にイオンビームを導き、試料表面の垂線（Ｎ）も、上記平面内にある形態３の方法。
［形態２０］
イオンビームによって形成された平面を、法線（Ｎ）に対して、±２０°の範囲、好ましくは±１０°の範囲、の角度（β）をなすよう、配置する形態３または１９の方法。
［形態２１］
イオンビームが、所定角度（α）の円切片を形成し、この角度（α）が、１０°〜１８０°の範囲好ましくは、３０°〜１４０°の範囲にあり、すべてのイオンビームが、上記円切片の平面内にあり、好ましくは、２つのイオンビームを、表面法線（Ｎ）に関して対称に設置して、処理する形態３または１９の方法。
［形態２２］
イオンビームを、試料の少なくとも１つの側で、円錐体外周面上にあるよう配列し、イオンビームが統合される円錐先端が、少なくとも上記試料側で投射ゾーンに当たる形態４の方法。