【手続補正書】
【提出日】平成23年1月25日(2011.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のトランスデューサを備える高密度焦点式超音波組織アブレーション装置であって、前記複数のトランスデューサの少なくとも一部が、
実質的に平坦な第１の表面を有する少なくとも１つの超音波エミッタであって、前記第１の表面からビーム経路に沿って伝播し、前記ビーム経路内の１つ又は複数の場所で少なくとも約１０００Ｗ／ｃｍ２の出力密度を有する超音波エネルギーを発生する少なくとも１つの超音波エミッタと、
少なくとも１つの超音波レンズが前記第１の超音波エミッタから伝播する前記超音波エネルギーを少なくとも１つの方向に指向させることができ、それによって前記超音波エネルギーがアブレーション対象の組織に送波されるように、前記第１の表面から伝播する前記超音波エネルギーの前記ビーム経路上で前記第１の表面と音響的に結合された少なくとも１つの超音波レンズと、
を備え、前記少なくとも１つの超音波レンズの減衰が、前記組織アブレーション装置の動作時における前記少なくとも１つの超音波レンズの熱損傷を防止するのに十分な低さである、装置。
【請求項２】
前記少なくとも１つの超音波エミッタ及び前記少なくとも１つの超音波レンズの少なくとも一方に少なくとも１つの切込み溝をさらに備え、前記少なくとも１つの切込み溝が、前記複数のトランスデューサの動作中に前記少なくとも１つの超音波エミッタと前記少なくとも１つの超音波レンズとの間に生じる熱膨張の不整合による応力を緩和するよう働く、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
少なくとも１つのヒートシンクをさらに備え、前記少なくとも１つのヒートシンクが、前記複数のトランスデューサにおける熱勾配及びピーク温度の少なくとも一方を緩和するように働く、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記少なくとも１つの超音波エミッタと前記少なくとも１つの超音波レンズとの間に配置された少なくとも１つの音響整合層をさらに備え、前記少なくとも１つの超音波エミッタと前記少なくとも１つの超音波レンズとが、前記少なくとも１つの音響整合層を挟んで音響的に結合され、及び、前記少なくとも１つの音響整合層が、前記複数のトランスデューサの動作中に前記少なくとも１つの超音波エミッタと前記少なくとも１つの超音波レンズとの間に生じる熱膨張の不整合による応力を緩和するように働く、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記複数のトランスデューサのうちの隣接するものによって放射されるエネルギーが重なり合うように、前記少なくとも１つの超音波レンズが前記高強度超音波エネルギーを少なくとも１つの方向に拡散させる、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記複数のトランスデューサが、肺静脈の少なくとも一部分の周りを包み込むように配置される、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記高強度超音波エネルギーの周波数が約２ＭＨｚ〜約７ＭＨｚであり、出力が約８０Ｗ〜約１５０Ｗである、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記周波数が約３．５ＭＨｚであり、前記出力が約１３０Ｗである、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記高強度超音波エネルギーの周波数が約２ＭＨｚ〜約１４ＭＨｚであり、出力が約２０Ｗ〜約８０Ｗである、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記周波数が約６ＭＨｚであり、前記出力が約６０Ｗである、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記高強度超音波エネルギーの周波数が約３ＭＨｚ〜約１６ＭＨｚであり、出力が約２Ｗ〜約２０Ｗである、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記周波数が約６ＭＨｚであり、前記出力が約１５Ｗである、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
複数のトランスデューサを備える高密度焦点式超音波組織アブレーション装置であって、前記複数のトランスデューサの少なくとも一部が、
単調曲線状の第１の表面を有する少なくとも１つの超音波エミッタであって、前記第１の表面からビーム経路に沿って伝播し、前記ビーム経路内の１つ又は複数の場所で少なくとも約１０００Ｗ／ｃｍ２の出力密度を有する超音波エネルギーを発生する少なくとも１つの超音波エミッタと、
少なくとも１つの超音波レンズが、前記第１の超音波エミッタから伝播する前記超音波エネルギーを少なくとも１つの方向に指向させることができ、それによって前記超音波エネルギーがアブレーション対象の組織に送波されるように、前記第１の表面から伝播する前記超音波エネルギーの前記ビーム経路上で前記第１の表面と音響的に結合された少なくとも１つの超音波レンズと、
を備え、前記少なくとも１つの超音波レンズの減衰が、前記組織アブレーション装置の動作時における前記少なくとも１つの超音波レンズの熱損傷を防止するのに十分な低さである、装置。
【請求項１４】
高密度焦点式超音波トランスデューサであって、
第１の表面と前記第１の表面の反対側にある第２の表面とを有する第１の超音波エミッタであって、前記第１の表面からビーム経路に沿って伝播する超音波エネルギーを発生する第１の超音波エミッタと、
前記第１の超音波エミッタから伝播する前記超音波エネルギーを少なくとも１つの方向に指向させることができるように、前記第１の表面から伝播する前記超音波エネルギーの前記ビーム経路上で少なくとも部分的に前記第１の表面と音響的に結合された少なくとも１つのポリマー超音波レンズと、
前記トランスデューサの動作中に前記第１の超音波エミッタと前記少なくとも１つのポリマー超音波レンズとの間に生じる熱膨張の不整合による応力を緩和するように構成された少なくとも１つの応力緩和機構と、
を備える、トランスデューサ。
【請求項１５】
前記第１の表面及び前記第２の表面の少なくとも一方が実質的に平坦であり、且つ前記第１の超音波エミッタが、平凹面状超音波エミッタ及び平凸面状超音波エミッタの一方を備える、請求項１４に記載のトランスデューサ。
【請求項１６】
前記第１の表面及び前記第２の表面の少なくとも一方が単調曲線状である、請求項１４に記載のトランスデューサ。
【請求項１７】
前記少なくとも１つのポリマー超音波レンズの少なくとも一部分が、前記第１の超音波エミッタと離間され、且つ、前記少なくとも１つのポリマー超音波レンズ部分と前記第１の超音波エミッタとの間に配置された超音波伝達媒体をさらに備える、請求項１４に記載のトランスデューサ。
【請求項１８】
前記少なくとも１つのポリマー超音波レンズが、前記超音波エネルギーを少なくとも１つの方向にコリメートするように構成される、請求項１４に記載のトランスデューサ。
【請求項１９】
室温前後で計測される前記少なくとも１つのポリマー超音波レンズの音響伝達減衰が、約２ｄＢ／ｃｍ−ＭＨｚ以下である、請求項１４に記載のトランスデューサ。
【請求項２０】
前記第１の超音波エミッタが、圧電セラミック材料、圧電材料、圧電ポリマー材料、圧電複合材料、電歪材料、磁歪材料、強誘電材料、静電素子、微小機械素子、微小電気機械素子、及びこれらの任意の組み合わせからなる群から選択される、請求項１４に記載のトランスデューサ。
【請求項２１】
前記第１の超音波エミッタの前記第２の表面と機械的に結合された基材層であって、平坦な安定表面、成形された安定表面、除熱経路、音響整合層、音響不整合層、減衰支持材、又は電極のうちの少なくとも１つを提供する基材層をさらに備える、請求項１４に記載のトランスデューサ。
【請求項２２】
前記第１の超音波エミッタと前記少なくとも１つのポリマー超音波レンズとの間に位置する音響整合層であって、前記トランスデューサの動作中に前記第１の超音波エミッタと前記少なくとも１つのポリマー超音波レンズとの間に生じる熱膨張の不整合による応力を緩和するようにさらに構成され、且つ、前記第１の超音波エミッタ及び前記少なくとも１つのポリマー超音波レンズを音響的に結合する音響整合層をさらに備える、請求項１４に記載のトランスデューサ。
【請求項２３】
前記整合層が、前記第１の超音波エミッタの音響インピーダンスと前記少なくとも１つのポリマー超音波レンズの音響インピーダンスとの中間の音響インピーダンスを有する、請求項２２に記載のトランスデューサ。
【請求項２４】
前記第１の超音波エミッタの前記第２の表面と機械的に結合された背面の不整合層をさらに備える、請求項１４に記載のトランスデューサ。
【請求項２５】
前記トランスデューサから熱を除去するように構成された質量負荷層をさらに備える、請求項１４に記載のトランスデューサ。
【請求項２６】
前記少なくとも１つのポリマー超音波レンズが、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、架橋ポリスチレン、ポリオレフィン、及びこれらの任意の組み合わせからなる群から選択される材料で作製される、請求項１４に記載のトランスデューサ。
【請求項２７】
前記少なくとも１つのポリマー超音波レンズが複数のレンズ片を備える、請求項１４に記載のトランスデューサ。
【請求項２８】
前記複数のレンズ片が、前記超音波エネルギーを単一の焦点及び複数の焦点の一方に指向させるように構成される、請求項２７に記載のトランスデューサ。
【請求項２９】
前記少なくとも１つのポリマー超音波レンズの少なくとも１つの断片が、フレネルレンズ片である、請求項２７に記載のトランスデューサ。
【請求項３０】
前記少なくとも１つの超音波レンズが、前記第１の超音波エミッタを覆う音響伝達性膜と、前記膜と前記第１の超音波エミッタとの間に配置された超音波伝達流体とを備える、請求項１４に記載のトランスデューサ。
【請求項３１】
前記膜及び前記超音波伝達流体の少なくとも一方が、音響レンズ効果を提供する、請求項３０に記載のトランスデューサ。
【請求項３２】
前記少なくとも１つのポリマー超音波レンズを覆う音響伝達性膜と、前記少なくとも１つのポリマー超音波レンズと前記膜との間に配置された流動性の超音波伝達媒体とをさらに備え、前記超音波伝達媒体が、トランスデューサの冷却、組織の冷却、及びトランスデューサの組織からの遮断のなかの１つ又は複数を提供する、請求項１４に記載のトランスデューサ。
【請求項３３】
前記第１の超音波エミッタの前記第２の表面に隣接して配置された音響反射体材料であって、前記第２の表面からの超音波エネルギーの放出を抑制する音響反射体材料をさらに備える、請求項１４に記載のトランスデューサ。
【請求項３４】
前記音響反射体が、前記第１の超音波エミッタの前記第２の表面と機械的に結合された反射層を備える、請求項３３に記載のトランスデューサ。
【請求項３５】
前記第１の超音波エミッタの少なくとも一部分を取り囲むハウジングをさらに備え、前記ハウジング及び前記少なくとも１つのポリマー超音波レンズが一体部品として形成される、請求項１４に記載のトランスデューサ。
【請求項３６】
ビーム経路内の１つ又は複数の場所で少なくとも約１０００Ｗ／ｃｍ２の出力密度を有する高強度超音波エネルギーを前記ビーム経路に沿って放射する平坦な表面を有する超音波エミッタと、
前記超音波エミッタと音響的に結合された液体レンズであって、
前記表面を被覆する膜と、
前記膜と前記表面との間に配置された超音波伝達流体と、
を備える、液体レンズと、
を備え、前記膜は、前記膜が前記超音波伝達流体で充填されると、前記超音波エミッタによって放射される前記超音波エネルギーを前記液体レンズが集束させるような形状とされる、高密度焦点式超音波トランスデューサ。
【請求項３７】
前記超音波伝達流体が、フルオロポリマー液体及びペルフルオロカーボン液体の一方である、請求項３６に記載のトランスデューサ。
【請求項３８】
高密度焦点式超音波トランスデューサの製造方法であって、
ビーム経路内の１つ又は複数の場所で少なくとも約１０００Ｗ／ｃｍ２の出力密度を有する高強度超音波エネルギーを前記ビーム経路に沿って放射することが可能な表面を有する少なくとも１つの超音波エミッタを提供するステップと、
通過する超音波エネルギーを指向させるように構成された少なくとも１つの低減衰性ポリマー超音波レンズであって、室温前後で計測したとき約２ｄＢ／ｃｍ−ＭＨｚ未満の減衰を有する少なくとも１つの低減衰性ポリマー超音波レンズを提供するステップと、
前記少なくとも１つのポリマー超音波レンズが、熱劣化なしに前記少なくとも１つの超音波エミッタによって放射された前記高強度超音波エネルギーを少なくとも１つの方向に指向させることができるように、前記少なくとも１つのポリマー超音波レンズを前記少なくとも１つの超音波エミッタと音響的に結合するステップと、
を含む、方法。
【請求項３９】
ビーム経路に沿って高強度超音波エネルギーを放射することが可能な表面を有する少なくとも１つの超音波エミッタを提供する前記ステップが、ビーム経路に沿って高強度超音波エネルギーを放射することが可能な単調曲線状の表面を有する少なくとも１つの超音波エミッタを提供するステップを含む、請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
ビーム経路に沿って高強度超音波エネルギーを放射することが可能な単調曲線状の表面を有する少なくとも１つの超音波エミッタを提供する前記ステップが、実質的に平坦な超音波エミッタを単調曲線形態に屈曲させるステップを含む、請求項３９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明の別の態様に従えば、組織のアブレーション方法は、少なくとも１つの超音波エミッタを励振させることにより、ビーム経路内の１つ又は複数の場所で少なくとも約１０００Ｗ／ｃｍ２の瞬時出力密度を有する高強度超音波エネルギーをビーム経路に沿って発生させるステップと；ビーム経路上に位置決めされ、且つ少なくとも１つの超音波エミッタと音響的に結合された少なくとも１つのポリマー超音波レンズであって、室温前後で計測したとき減衰が約２ｄＢ／ｃｍ−ＭＨｚ未満である少なくとも１つのポリマー超音波レンズを用いて、高強度超音波エネルギーを少なくとも１つの方向に指向させるステップと；少なくとも１つの応力緩和機構を使用して、少なくとも１つの超音波エミッタと少なくとも１つのポリマー超音波レンズとの間に生じる熱膨張の不整合による応力を緩和しながら、指向された高強度超音波エネルギーをアブレーション対象の組織に送波するステップとを含む。少なくとも１つの超音波エミッタを励振させるステップは、約２ＭＨｚ〜約７ＭＨｚの周波数及び約８０Ｗ〜約１５０Ｗの出力、好ましくは約３．５ＭＨｚの周波数及び約１３０Ｗの出力の高強度超音波エネルギー；約２ＭＨｚ〜約１４ＭＨｚの周波数及び約２０Ｗ〜約８０Ｗの出力、好ましくは約６ＭＨｚの周波数及び約６０Ｗの出力の高強度超音波エネルギー；及び約３ＭＨｚ〜約１６ＭＨｚの周波数及び約２Ｗ〜約２０Ｗの出力、好ましくは約６ＭＨｚの周波数及び約１５Ｗの出力の高強度超音波エネルギーのうちのいずれかを放射するように、少なくとも１つの超音波エミッタを励振させるステップを含み得る。アブレーション中、少なくとも１つの超音波エミッタ及び少なくとも１つの超音波レンズの１つ又は複数の温度は、直接的又は間接的に監視及び／又は調節され、熱損傷点（すなわち、トランスデューサが熱による望ましくない影響を被り始める温度点）未満に維持され得る。熱電対又はサーミスタなどの温度センサを用いてレンズ又は他のトランスデューサ部品の温度を監視してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明のさらに別の実施形態において、高密度焦点式超音波組織アブレーション装置は複数のトランスデューサを備え、その複数のトランスデューサの少なくとも一部は、実質的に平坦な第１の表面を有する少なくとも１つの超音波エミッタであって、第１の表面からビーム経路に沿って伝播し、ビーム経路内の１つ又は複数の場所で少なくとも約１０００Ｗ／ｃｍ２の出力密度を有する超音波エネルギーを発生する少なくとも１つの超音波エミッタと；少なくとも１つの超音波レンズが超音波エネルギーを少なくとも１つの方向に指向させることができ、それによって超音波エネルギーがアブレーション対象の組織に送波されるように、第１の表面から伝播する超音波エネルギーのビーム経路上で第１の表面と音響的に結合された少なくとも１つの超音波レンズとを備え、ここで少なくとも１つの超音波レンズの減衰は、組織アブレーション装置の動作時における少なくとも１つの超音波レンズの熱損傷を防止するのに十分な低さである。従って、トランスデューサは、熱膨張の不整合による応力を緩和するため、１つ又は複数の切込み溝、１つ又は複数のヒートシンク若しくは熱伝導機構、１つ又は複数の応力緩衝層、１つ又は複数の音響整合層、又はこれらの組み合わせを備え得る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また本明細書には、複数のトランスデューサを備える高密度焦点式超音波組織アブレーション装置も開示され、複数のトランスデューサの少なくとも一部は、単調曲線状の第１の表面を有する少なくとも１つの超音波エミッタであって、表面からビーム経路に沿って伝播し、ビーム経路内の１つ又は複数の場所で少なくとも約１０００Ｗ／ｃｍ２の出力密度を有する超音波エネルギーを発生する少なくとも１つの超音波エミッタと；少なくとも１つの超音波レンズが、第１の超音波エミッタから伝播する超音波エネルギーを少なくとも１つの方向に指向させることができ、それによって超音波エネルギーがアブレーション対象の組織に送波されるように、第１の表面から伝播する超音波エネルギーのビーム経路上で第１の表面と音響的に結合された少なくとも１つの超音波レンズとを備え、ここで少なくとも１つの超音波レンズの減衰は、組織アブレーション装置の動作時における少なくとも１つの超音波レンズの熱損傷を防止するのに十分な低さである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
本発明に係る１つ又は複数のＨＩＦＵトランスデューサによって送波されるＨＩＦＵエネルギーは、例えば心不整脈の処置において、組織をアブレーションするために用いられ得る。従って、少なくとも１つの超音波エミッタが、ビーム経路に沿って高強度超音波エネルギーを発生させるために励振され得る。このように発生されたエネルギーは、ビーム経路上に位置決めされ、且つ超音波エミッタと音響的に結合された少なくとも１つの低減衰性ポリマー超音波レンズを介して、少なくとも１つの方向に指向され得る（例えば、集束されたり、コリメートされたり、又はデフォーカスされたりし得る）。指向された高強度超音波エネルギーは、次にアブレーション対象の組織に、単一の焦点又は複数の焦点のいずれかに対して送波され、こうした焦点は、ＨＩＦＵトランスデューサに隣接する組織表面の上、その下、又はその裏側にあり得る。アブレーション手技中、超音波エミッタ及び超音波レンズの１つ又は複数の動作温度が、例えば超音波伝達媒体をトランスデューサ中に流動させてそこに冷却をもたらすことによって、直接的又は間接的に監視及び調節され、熱損傷点未満に維持され得る。ＨＩＦＵトランスデューサは、１つ又は複数のトランスデューサ動作条件において、１つ又は複数の局所的な、又は広範な焦点領域を有するように設計され得る。トランスデューサはさらに、音響集束の弱い場所にある表面組織に熱伝導性の加熱及び破壊をもたらすように構成されてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
集束超音波エネルギーを組織アブレーションに使用する利点は、エネルギーを組織内である深度に集中させ得ることである。集束超音波を使用する別の利点は、指向されたエネルギーは焦点を越えて進んだ後に発散して強度が低減し、従ってコリメート性のより高い超音波エネルギーと比較したとき、標的組織の深さを越えて組織に損傷を与える可能性が低減されることである。コリメートされた超音波によって心外膜組織をアブレーションするとき、コリメートされた超音波エネルギーは、強度に減衰されていなければ、すぐ隣の標的組織によって吸収されることはなく、心腔を通って進み、室腔の反対側にある心内膜表面に到達すると比較的小さい範囲に集中したままとなる。本発明では、超音波エネルギーが焦点を越えると発散し、下流の任意の衝撃点においてより大きい範囲にわたって拡散されるため、他の構造に損傷を与える可能性が低減される。上記で図１１ａ及び１１ｂの考察において言及されたとおり、超音波エネルギーは、好ましい角度範囲及び曲率半径の範囲内で、エネルギーの少なくとも約９０％などの超音波エネルギーを集束又は集中させるように向けられた多数のＨＩＦＵトランスデューサによって生成されてもよい。本発明の別の態様において、トランスデューサは、アブレーションエネルギーの周波数、アブレーションエネルギーの出力、焦点の組織に対する位置、及び／又はアブレーション時間などの少なくとも１つの特性を変化させながら、２つの異なる時間にわたって動作され得る。例えば、ＨＩＦＵトランスデューサは、組織をアブレーションする時間にわたって制御された形で変化する周波数で動作され得る。具体的には、ＨＩＦＵトランスデューサは好ましくは、組織へのエネルギーの送波を制御することによって、貫壁性の破壊部を設けるように動作される。組織をアブレーションする際には周波数を変えることが好ましいが、当然ながらＨＩＦＵトランスデューサは、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、単一の周波数で動作させてもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
第１の周波数での処置後、トランスデューサはより長い時間、好ましくは約１秒〜約４秒間、より好ましくは約２秒間にわたって動作され、それにより焦点とトランスデューサとの中間で組織がアブレーションされる。この処置中の周波数もまた、好ましくは約２ＭＨｚ〜約１４ＭＨｚ、より好ましくは約３ＭＨｚ〜約７ＭＨｚ、最も好ましくは約６ＭＨｚである。トランスデューサは、約０．７秒〜約４秒間にわたって約２０ワット〜約８０ワット、好ましくは約６０ワットの出力で動作される。トランスデューサは各作動の間に約３秒〜約６０秒間、好ましくは約４０秒間にわたって停止される。このようにして、制御された大きさのエネルギーを送波でき、それによって焦点とトランスデューサとの中間で組織が加熱される。この周波数での処置は、約７５０ジュールなどの、制御された大きさの総エネルギーが送波されるまで続けられ得る。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
最終処置段階では、超音波トランスデューサをより高い周波数で作動させることによって表面の近傍が加熱及びアブレーションされる。トランスデューサは好ましくは約３ＭＨｚ〜約１６ＭＨｚ、好ましくは約６ＭＨｚの周波数で動作される。トランスデューサは、上記の処置方法より低い出力で動作され、これは、こうした周波数では超音波エネルギーが組織によって急速に吸収され、従って表面近傍がすぐに昇温するためである。好ましい方法において、トランスデューサは約２ワット〜約２０ワット、より好ましくは約１５ワットで動作される。トランスデューサは好ましくは、約２０秒〜約８０秒間、好ましくは約４０秒間など、組織のアブレーションに十分な時間にわたって動作される。多くの場合に、表面近傍の温度は約７０℃〜約８５℃に達し得る。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
上記の処置の各々は、単独でも、又は他の処置と組み合わせても用いられ得る。さらに、トランスデューサのサイズ、出力、周波数、作動時間、及び焦点距離の組み合わせはどれも、望ましい超音波エネルギーの組織への送波が生じるよう変えることができる。このように、好ましい実施形態は、特性の１つ又は複数を調整することによって調整することができ、従って、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、こうしたパラメータは変更され得ることが理解される。上記の処置順序は、概してエネルギーを第２の処置中に表面近傍のより近くに送波し、及び第３の処置について表面近傍のさらに近くに送波する（すなわち、連続的な処置では、エネルギーは組織を表面から離れたところから表面近傍に向かってアブレーションする）。