【事件の表示】
　特願２００５−　９０７７５「電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１０月１２日出願公開、特開２００６−２７６１１８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本件出願の手続の経緯は、概要次のとおりである。  
　　特許出願　　　　　　：平成１７年　３月２８日  
　　拒絶理由通知（最初）：平成２０年　８月２５日（起案日）  
　　手続補正　　　　　　：平成２０年１０月２０日  
　　拒絶査定　　　　　　：平成２１年　１月２１日（起案日）  
　　拒絶査定不服審判請求：平成２１年　２月２６日  
　　手続補正　　　　　　：平成２１年　３月１１日  
　　審尋　　　　　　　　：平成２２年　７月１６日（起案日）  
　　回答書　　　　　　　：平成２２年　８月２３日  
　  
第２　平成２１年　３月１１日付け手続補正についての補正の却下の決定  
　  
〔補正却下の決定の結論〕  
　平成２１年　３月１１日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。  
　  
〔理由〕
　
１　目的要件違反
　本件補正は、特許請求の範囲および明細書を補正するものであって、その補正は、平成２０年１０月２０日付け手続補正により補正された（以下「補正前の」という。）請求項１，７について、以下に示すとおりの補正を含むものである。
　　
（補正１）  
　補正前の請求項１について、
「【請求項１】
　基板上に、
　互いに交差して延在するデータ線及び走査線と、
　前記基板上で平面的に見て前記データ線及び走査線の交差に対応して配置されたトランジスタと、
　該トランジスタより上層側に配置されており、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなる蓄積容量と、
　前記蓄積容量及び前記トランジスタに電気的に接続された表示用電極と、
　前記基板上で平面的に見て前記上側電極及び前記下側電極が前記誘電体膜を介して相対向している島状領域を囲む周囲領域において、前記下側電極の下地面の上層側であって且つ前記上側電極の下層側に形成されたスペーサ絶縁膜と
　を備え、
　前記上側電極は、前記スペーサ絶縁膜上に乗り上げた上に端部が存在し、
　前記スペーサ絶縁膜の存在によって、前記スペーサ絶縁膜が存在していない場合と比較して、前記下側電極面と前記上側電極の端部との層間距離が増大されている
　ことを特徴とする電気光学装置。」
　　  
なる記載を、  
　  
「【請求項１】
　基板上に、
　互いに交差して延在するデータ線及び走査線と、
　前記基板上で平面的に見て前記データ線及び走査線の交差に対応して配置されたトランジスタと、
　該トランジスタより上層側に配置されており、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなる蓄積容量と、
　前記蓄積容量及び前記トランジスタに電気的に接続された表示用電極と、
　前記基板上で平面的に見て前記上側電極及び前記下側電極が前記誘電体膜を介して相対向している島状領域を囲む周囲領域において、前記下側電極の上面及び側面に沿って配置されたスペーサ絶縁膜と
　を備え、
　前記周囲領域においては、前記下側電極、前記スペーサ絶縁膜、前記誘電体膜及び前記上側電極がこの順に配置されて、前記上側電極は、前記スペーサ絶縁膜上に乗り上げた上に端部が存在し、
　前記スペーサ絶縁膜の存在によって、前記スペーサ絶縁膜が存在していない場合と比較して、前記下側電極面と前記上側電極の端部との層間距離が増大されている
　ことを特徴とする電気光学装置。」
　
という記載にする補正（以下「補正１」という。）。
　
（補正２）
　補正前の請求項７について、
「【請求項７】
　前記島状領域は、前記スペーサ絶縁膜が形成されていない前記下地面上に位置することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。」  
　
　なる記載を、請求項の項番を３に変更し、従属する請求項も変更して、
　
「【請求項３】
　前記島状領域は、前記スペーサ絶縁膜が形成されていない前記下地面上に位置することを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。」
　
という記載にする補正（以下「補正２」という。）。
　
　上記補正１は、（下側電極の）「下地面」という発明特定事項を削除する補正を含むから、その点において、特許請求の範囲の減縮を目的とするものではない。　
　
　また、上記補正１は、請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明に該当しないことも明らかである。
　
　してみると、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下、単に「特許法第１７条の２」という。）第４項各号に規定するいずれに掲げる事項をも目的とするものでもない。
　
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反する。
　
２　独立特許要件違反
　上記のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであるが、仮に、補正１及び補正２が特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるとして、本件補正後の請求項１，３に記載されている発明特定事項により特定される発明(以下、請求項１，３に対応させて、それぞれ「本件補正発明１」、「本件補正発明３」という。)が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか否かについて、以下に検討する。
　
〔本件補正発明〕
　本件補正発明１，３は、平成２１年３月１１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１，３に記載された事項により特定される上記「１」で示したとおりのものである。
　
〔明確性要件（特許法第３６条第６項第２号）について〕
　本件補正発明３において、「前記島状領域は・・・前記下地面上に位置する」とあるが、「前記下地面」の前に「下地面」は現れておらず、「前記下地面上」がどこを指しているのかが明確ではないから、本件補正発明３は明確でない。
　
　よって、本件補正発明３は不明確であるから、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないので、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
〔進歩性要件（特許法第２９条第２項）について〕
（１）引用例  
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である、特開２００３−２４１６８７号公報（以下、「引用例」という。）には、以下の技術的事項の記載がある（下線は当審で付した）。  
　　　
ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に形成された薄膜トランジスタ及び容量素子を有する薄膜トランジスタ装置及びその製造方法に関し、特に駆動回路一体型の液晶表示パネル及び有機ＥＬ表示パネルに適用可能な薄膜トランジスタ装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示パネルを使用したパーソナルコンピュータ用ディスプレイやテレビが一般的に使用されるようになった。液晶表示パネルは、携帯電話やＰＡＤ（Personal Digital Assistant）等のディスプレイにも使用されている。また、近年、液晶表示パネルに比べてより一層の省電力化が可能な有機ＥＬ表示パネルの開発も進められており、一部の製品では既に実用化されている。
【０００３】これらの液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルでは、通常、多数の画素がマトリクス状に配列されており、各画素にはスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistors ：以下、ＴＦＴともいう）が設けられている。このような構造の表示パネルは、アクティブマトリクス型表示パネルといわれる。」
　
ｂ．「【００２７】（第１の実施の形態）図３は本発明の第１の実施の形態の薄膜トランジスタ装置を示す断面図である。この例では、基板上にｐ型ＴＦＴ、ｎ型ＴＦＴ及び容量素子が形成された例を示している。
【００２８】
絶縁性基板１１の上には下地絶縁膜１２が形成されている
ｐ型ＴＦＴ形成領域及びｎ型ＴＦＴ形成領域では、下地絶縁膜１２上にポリシリコン膜１３が形成されている
　
ｃ．「【００８６】（第４の実施の形態）図１７は本発明の第４の実施の形態の薄膜トランジスタ装置を示す断面図である。なお、
図１７において、図３と同一物には同一符号を付している
【００８７】本実施の形態の薄膜トランジスタ装置においては、第１の容量電極１６ｃの上方に、第１の下層絶縁膜１９ａ、第２の容量電極２１ａ、第２の下層絶縁膜２２ａ及び第３の容量電極２５ａが積層されている。
【００８８】第１の下層絶縁膜１９ａは厚さが２０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜からなり、第２の下層絶縁膜２２ａは厚さ５０〜２００ｎｍのシリコン窒化膜からなる。この場合も、ｐ型ＴＦＴ及びｎ型ＴＦＴの形成とともに、容量素子Ｃ1 ，Ｃ2 を形成することが可能であり、工程数の増加を抑制することができる。
【００８９】（容量電極の形状及び引出配線の例）図１８（ａ）は本発明に係る薄膜トランジスタ装置の容量素子形成部の上面図、図１８（ｂ）は図１８（ａ）のＩ−Ｉ線による断面図である。但し、図１８（ｂ）においては、下地絶縁膜１２及びシリコン酸化膜１５の図示を省略している。また、層間絶縁膜１９を、下層絶縁膜１９ａと上層絶縁膜１９ｂとの２層構造としている。更に、下層絶縁膜１９ａの下に容量素子Ｃ1 の下側容量電極１６ｃを形成し、下層絶縁膜１９ａの上に容量素子Ｃ1 の上側容量電極２１ａを形成している。下側容量電極１６ｃ及び上側容量電極２１ａは、それぞれ所定の配線１６ｄ，１２ｄを介して他の素子（図示せず）に接続される。
【００９０】この場合、上側容量電極２１ａは、下側容量電極１６ｃとの短絡を確実に防止するために、上層絶縁膜１９ｂの上の配線２１ｄに接続する必要がある。また、下側容量電極１６ｃと上層絶縁膜１９ｂ上の配線２１ｄとの間の浮遊容量を低減するためには、上層配線２１ｄの幅を細くすることが好ましい。
【００９１】
図１９は容量素子の上側容量電極２１ａの縁部を上層絶縁膜１９ｂの上に形成した例を示す断面図である
【００９２】
平行平板型容量素子では、一対の容量電極の大きさが同じであるとすると、容量電極の縁部における電界強度が強いので、この部分でもれ電流が発生しやすいという特性がある
【００９３】
そこで、この図１９に示すように、上層絶縁膜１９ｂに形成する開口部２０ａのサイズを下側容量電極１６ｃよりも若干小さくし、上側容量電極２１ａの縁部が上層絶縁膜１９ｂの上に配置されるようにする。これにより、上側容量電極２１ａの縁部と下側容量電極１６ｃとで構成される浮遊容量Ｃｅの値が小さくなり、上側容量電極２１ａの縁部の電界強度が緩和されて、漏れ電流が減少する
　
ｄ．「【０１０２】（液晶表示装置）図２３は本発明を適用した液晶表示装置（液晶表示パネル）の例を示すブロック図である。この例では、ＵＸＧＡ（Ultra Extend Graphic Array：１６００×１２００ピクセル）の液晶表示装置について説明する。
【０１０３】
この液晶表示装置には、表示部４１と、この表示部４１を駆動するデータドライバ４２及びゲートドライバ４３（駆動回路）とが形成されている
【０１０４】
表示部４１には、水平方向に４８００（１６００×ＲＧＢ）個、垂直方向に１２００個の画素（サブピクセル）が並んでいる。また、表示部４１には、これらの画素に表示信号及び走査信号を供給する４８００本のデータバスライン５１及び１２００本のゲートバスライン５２が形成されている。また、表示部４１には、補助容量バスライン５７がゲートバスライン５２と平行に形成されている
【０１０５】
１つの画素は、２個のｎ型ＴＦＴ５３，５４と、液晶セル５５と、補助容量５６とにより構成されている。ＴＦＴ５３，５４はデータバスライン５１と液晶セル５５との間に直列に接続されている。また、補助容量５６は、液晶セル５５と補助容量バスライン５７との間に接続されている。なお、液晶セル５５は、相互に対向して配置された一対の透明電極と、それらの電極間に存在する液晶と、一対の透明電極の外側にそれぞれ配置された偏光板とにより構成される
　　  
ｅ．「【０１３５】更に、上記実施の形態では液晶表示装置の駆動回路内の容量素子に本発明を適用した場合について説明したが、
表示部の画素毎に設けられる補助容量に本発明に係る容量素子を用いてもよい。これにより、容量素子の占有面積が小さくなって開口率が向し、低消費電力でも明るい画像を表示可能な液晶表示装置を実現することができる
　　
ｆ．図１７ 
　　 
ｇ．図１８ 
　
　　　　
ｈ．図１９
 　　　
ｉ．図２３
　
　　　　
　これらの記載からして、引用例には、  
「基板１１の上に、
　互いに交差するデータバスライン５１及びゲートバスライン５２が形成され、
　データバスライン５１とゲートバスライン５２の交点に画素が配置され、
　画素にＴＦＴ５３，５４、液晶セル５５および補助容量５６が配置され、
　ＴＦＴ５３，５４は下地絶縁膜１２の上に形成され、補助容量５６は下地絶縁膜１２およびシリコン酸化膜１５の上に形成され、
　液晶セル５５は一対の透明電極とその間に存在する液晶とを有し、液晶セル５５の一端は補助容量及びＴＦＴ５４に接続されており、
　補助容量５６は、下側容量電極１６ｃ、下層絶縁膜１９ａおよび上側容量電極２１ａが順に積層された構造を有し、さらに、開口部２０ａを有する上層絶縁膜１９ｂが下側容量電極１６ｃおよび下層絶縁膜１９ａの上に形成されており、上側容量電極２１ａは、開口部２０ａの底部に配置されると共に、その縁部は上層絶縁膜１９ｂの上に配置され、
　上側容量電極２１ａの縁部の位置する領域において、下側容量電極１６ｃ、下層絶縁膜１９ａ、上層絶縁膜１９ｂおよび上側容量電極２１ａという順で配置された構造を有しており、
　上層絶縁膜１９ｂによって下側容量電極１６ｃと上側容量電極２１ａの端部の間隔が拡がっており、下側容量電極１６ｃと上側容量電極２１ａの端部とで構成される浮遊容量Ｃｅの値が小さくなり、上側容量電極２１ａの縁部の電界強度が緩和されて漏れ電流が減少する液晶表示装置。」
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。  
　  
４　本件補正発明１と引用発明との対比  
　本件補正発明１と引用発明とを対比する。  
　  
＜対応関係Ａ＞  
　引用発明の「基板１１」、「データバスライン５１」、「ゲートバスライン５２」、「ＴＦＴ５３，５４」、「補助容量５６」、「下側容量電極１６ｃ」、「下層絶縁膜１９ａ」、「上側容量電極２１ａ」、「透明電極」および「液晶表示装置」は、それぞれ本件補正発明１の「基板」、「データ線」、「走査線」、「トランジスタ」、「蓄積容量」、「下側電極」、「誘電体膜」、「上側電極」、「表示用電極」および「電気光学装置」に相当する。  
　　
＜対応関係Ｂ＞
　引用発明の「データバスライン５１とゲートバスライン５２の交点」に配置された「画素」に配置された「ＴＦＴ５３，５４」は、本件補正発明１の「前記基板上で平面的に見て前記データ線及び走査線の交差に対応して配置されたトランジスタ」に相当する。
　  
＜対応関係Ｃ＞  
　引用発明の「上層絶縁膜１９ｂ」は、「下側容量電極１６ｃと上側容量電極２１ａの端部の間隔」を拡げているから、本件補正発明１の「スペーサ絶縁膜」に相当する。 
　　
＜対応関係Ｄ＞
　引用発明の「ＴＦＴ５３，５４」は「下地絶縁膜１２」の上に形成されるのに対して、「補助容量５６」は「下地絶縁膜１２」の上にさらに形成された「シリコン酸化膜１５」の上に形成されるから、相対的な位置関係において、「補助容量５６」は「ＴＦＴ５３，５４，」よりも少なくとも「シリコン酸化膜１５」の厚みの分だけ上層側に位置しているといえるから、引用発明の「補助容量５６」および「ＴＦＴ５３，５４」の位置関係は、本件補正発明１の「蓄積容量」が「トランジスタより上層側に配置されて」いるという位置関係と一致する。
　　
＜対応関係Ｅ＞ 
　引用発明の「上側容量電極２１ａの縁部」の位置する領域は、「上側容量電極２１ａ」と「下側容量電極１６ｃ」とが「下層絶縁膜１９ａ」を介して対向している「上層絶縁膜１９ｂ」の「開口部２０ａ」の周囲（図１９で「上側容量電極２１ａの縁部」が「上層絶縁膜１９ｂ」に乗り上げた部分。）であるから、本件補正発明１の「基板上で平面的に見て上側電極及び下側電極が誘電体膜を介して相対向している島状領域を囲む周囲領域」に相当する。
　そうすると、引用発明の「下側容量電極１６ｃおよび下層絶縁膜１９ａの上に形成され」「上側容量電極２１ａは開口部２０ａの底部に配置されると共にその縁部は上層絶縁膜１９ｂの上に配置」されている「開口部２０ａを有する上層絶縁膜１９ｂ」と、本件補正発明１の「基板上で平面的に見て上側電極及び下側電極が誘電体膜を介して相対向している島状領域を囲む周囲領域において、下側電極の上面及び側面に沿って配置されたスペーサ絶縁膜」とは、「基板上で平面的に見て上側電極及び下側電極が誘電体膜を介して相対向している島状領域を囲む周囲領域に配置されたスペーサ絶縁膜」である点で共通する。
　　 
＜対応関係Ｆ＞ 
　引用発明において、「開口部２０ａを有する上層絶縁膜１９ｂが下側容量電極１６ｃおよび下層絶縁膜１９ａの上に形成されており、上側容量電極２１ａは、開口部２０ａの底部に配置されると共に、その縁部は上層絶縁膜１９ｂの上に配置され、上側容量電極２１ａの縁部の位置する領域において、下側容量電極１６ｃ、下層絶縁膜１９ａ、上層絶縁膜１９ｂおよび上側容量電極２１ａという順で配置された構造を有して」いることと、本件補正発明１において、「周囲領域においては、下側電極、スペーサ絶縁膜、誘電体膜及び上側電極がこの順に配置されて、上側電極は、スペーサ絶縁膜上に乗り上げた上に端部が存在」することとは、「周囲領域においては、上側電極は、スペーサ絶縁膜上に乗り上げた上に端部が存在」する点で共通する。 
　　　 
＜対応関係Ｇ＞
　引用発明において、「上層絶縁膜１９ｂによって下側容量電極１６ｃと上側容量電極２１ａの端部の間隔が拡がって」いることは、本件補正発明１において、「スペーサ絶縁膜の存在によって、前記スペーサ絶縁膜が存在していない場合と比較して、前記下側電極面と前記上側電極の端部との層間距離が増大されている」ことに相当する。
　　
　以上の対応関係からして、本件補正発明１と引用発明とは、  
「基板上に、
　互いに交差して延在するデータ線及び走査線と、
　前記基板上で平面的に見て前記データ線及び走査線の交差に対応して配置されたトランジスタと、
　該トランジスタより上層側に配置されており、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなる蓄積容量と、
　前記蓄積容量及び前記トランジスタに電気的に接続された表示用電極と、
　前記基板上で平面的に見て前記上側電極及び前記下側電極が前記誘電体膜を介して相対向している島状領域を囲む周囲領域に配置されたスペーサ絶縁膜と
　を備え、
前記周囲領域においては、上側電極は、スペーサ絶縁膜上に乗り上げた上に端部が存在し、
　前記スペーサ絶縁膜の存在によって、前記スペーサ絶縁膜が存在していない場合と比較して、前記下側電極面と前記上側電極の端部との層間距離が増大されている電気光学装置」  
の点で一致し、以下の相違点で相違する。  
　　  
（相違点）  
　「蓄積容量」の構造に関して、本件補正発明１では、「スペーサ絶縁膜」が「下側電極の上面及び側面に沿って配置され」ており、かつ、「周囲領域においては、前記下側電極、前記スペーサ絶縁膜、前記誘電体膜及び前記上側電極がこの順に配置されて」いるのに対して、引用発明では、「開口部２０ａを有する上層絶縁膜１９ｂが下側容量電極１６ｃおよび下層絶縁膜１９ａの上に形成されており、上側容量電極２１ａは、開口部２０ａの底部に配置されると共に、その縁部は上層絶縁膜１９ｂの上に配置され、上側容量電極２１ａの縁部の位置する領域において、下側容量電極１６ｃ、下層絶縁膜１９ａ、上層絶縁膜１９ｂおよび上側容量電極２１ａという順で配置された構造」を有している点。
　　
５　検討・判断  
　上記相違点について検討する。  
　容量素子における電流リークの抑制や絶縁耐圧向上等の周知課題解決のため、容量素子の下側電極の縁部を絶縁膜で被覆し、その上から誘電体膜を設ける構造は、周知の技術に過ぎない（例えば、特開２００２−２２２９２５号公報（段落【００２５】〜【００２６】、第２実施形態、図７等）、特開平８−２６４７１９号公報（従来の技術、図８等）、特開平５−３４３６１２号公報（実施例、図２等）を参照されたい。）。
　そして、引用発明が容量素子の構造として、「開口部２０ａを有する上層絶縁膜１９ｂが下側容量電極１６ｃおよび下層絶縁膜１９ａの上に形成されており、上側容量電極２１ａは、開口部２０ａの底部に配置されると共に、その縁部は上層絶縁膜１９ｂの上に配置され、上側容量電極２１ａの縁部の位置する領域において、下側容量電極１６ｃ、下層絶縁膜１９ａ、上層絶縁膜１９ｂおよび上側容量電極２１ａという順で配置された構造」を採用するのは、もれ電流の発生防止のため（上記摘記事項ｃ．の段落【００９２】〜【００９３】参照。）であり、上記周知課題と同様の課題を解決するためのものであることは明らかである。
　そうすると、引用発明において、容量素子の構造を、上記周知の技術である容量素子の下側電極の縁部を絶縁膜で被覆し、その上から誘電体膜を設ける構造に置換することで、上記相違点に係る構成を得ることは、当業者にとって格別の創意を必要とすることではない。
　  
　そして、本件補正発明１が奏する作用効果は、引用発明および周知の技術から当業者が予測できる範囲のものである。  
　  
　よって、本件補正発明１は、引用発明および周知の技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。  
　
　なお、上記「＜対応関係Ｄ＞」において、本件補正発明１の「蓄積容量」が「トランジスタより上層側に配置されて」いるという位置関係を、引用発明の「補助容量５６」と「ＴＦＴ５３，５４」との位置関係と一致すると認定したが、仮に、本件補正発明１の位置関係を実施形態に即して限定的に解釈し、「蓄積容量」の構造全体が「トランジスタ」の構造全体よりも上に配置されているものと認定し第２の相違点としても、その点も液晶表示装置における周知の技術（例えば、特開２０００−２６７１２８号公報（図１，５，８，１２，２３等）を参照されたい。）に過ぎず、引用発明に当該周知の技術を採用することは、当業者にとって格別の創意を必要とすることではないから、結論を左右することではない。
　
３　本件補正の却下の決定についてのむすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであり、また、仮に、当該規定に適合するものであったとしても、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　  
第３　本願発明について  
　  
１　本願発明  
　平成２１年３月１１日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲に記載された発明は、平成２０年１０月２０日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。  
　  
「【請求項１】
　基板上に、
　互いに交差して延在するデータ線及び走査線と、
　前記基板上で平面的に見て前記データ線及び走査線の交差に対応して配置されたトランジスタと、
　該トランジスタより上層側に配置されており、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなる蓄積容量と、
　前記蓄積容量及び前記トランジスタに電気的に接続された表示用電極と、
　前記基板上で平面的に見て前記上側電極及び前記下側電極が前記誘電体膜を介して相対向している島状領域を囲む周囲領域において、前記下側電極の下地面の上層側であって且つ前記上側電極の下層側に形成されたスペーサ絶縁膜と
　を備え、
　前記上側電極は、前記スペーサ絶縁膜上に乗り上げた上に端部が存在し、
　前記スペーサ絶縁膜の存在によって、前記スペーサ絶縁膜が存在していない場合と比較して、前記下側電極面と前記上側電極の端部との層間距離が増大されている
　ことを特徴とする電気光学装置。」  
　  
２　引用例  
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例およびその記載事項は、前記「第２」「〔理由〕」「２　独立特許要件違反」「（１）引用例」に記載したとおりである。  
　  
３　本願発明と引用発明との対比、検討・判断  
　
〔新規性要件（特許法第２９条第１項第３号）について〕
　本願発明と引用発明とを対比する。  
　  
＜対応関係Ａ＞  
　引用発明の「基板１１」、「データバスライン５１」、「ゲートバスライン５２」、「ＴＦＴ５３，５４」、「補助容量５６」、「下側容量電極１６ｃ」、「下層絶縁膜１９ａ」、「上側容量電極２１ａ」、「透明電極」および「液晶表示装置」は、それぞれ本願発明の「基板」、「データ線」、「走査線」、「トランジスタ」、「蓄積容量」、「下側電極」、「誘電体膜」、「上側電極」、「表示用電極」および「電気光学装置」に相当する。  
　  
＜対応関係Ｂ＞
　引用発明の「データバスライン５１とゲートバスライン５２の交点」に配置された「画素」に配置された「ＴＦＴ５３，５４」は、本願発明の「前記基板上で平面的に見て前記データ線及び走査線の交差に対応して配置されたトランジスタ」に相当する。
　　
＜対応関係Ｃ＞  
　引用発明の「上層絶縁膜１９ｂ」は、「下側容量電極１６ｃと上側容量電極２１ａの端部の間隔」を拡げているから、本願発明の「スペーサ絶縁膜」に相当する。 
　　
＜対応関係Ｄ＞
　引用発明の「ＴＦＴ５３，５４」は「下地絶縁膜１２」の上に形成されるのに対して、「補助容量５６」は「下地絶縁膜１２」の上にさらに形成された「シリコン酸化膜１５」の上に形成されるから、相対的な位置関係において、「補助容量５６」は「ＴＦＴ５３，５４，」よりも少なくとも「シリコン酸化膜１５」の厚みの分だけ上層側に位置しているといえるから、引用発明の「補助容量５６」および「ＴＦＴ５３，５４」の位置関係は、本願発明の「蓄積容量」が「トランジスタより上層側に配置されて」いるという位置関係と一致する。
　　
＜対応関係Ｅ’＞ 
　引用発明の「上側容量電極２１ａの縁部」の位置する領域は、「上側容量電極２１ａ」と「下側容量電極１６ｃ」とが「下層絶縁膜１９ａ」を介して対向している「上層絶縁膜１９ｂ」の「開口部２０ａ」の周囲（図１９で「上側容量電極２１ａの縁部」が「上層絶縁膜１９ｂ」に乗り上げた部分。）であるから、本願発明の「基板上で平面的に見て上側電極及び下側電極が誘電体膜を介して相対向している島状領域を囲む周囲領域」に相当する。
　また、引用発明の「上側容量電極２１ａの縁部」と「下側容量電極１６ｃ」との間に位置する「上層絶縁膜１９ｂ」は、本願発明の「下側電極の下地面の上層側であって且つ上層電極の下層側に形成されたスペーサ絶縁膜」に相当する。
　さらに、引用発明の「補助容量５６」を形成する「シリコン酸化膜１５」の上側の表面は、本願発明の「下側電極の下地面」に相当する。
　そうすると、引用発明の「下側容量電極１６ｃおよび下層絶縁膜１９ａの上に形成され」、「上側容量電極２１ａは開口部２０ａの底部に配置されると共にその縁部は上層絶縁膜１９ｂの上に配置」されている「開口部２０ａを有する上層絶縁膜１９ｂ」は、本願発明の「基板上で平面的に見て上側電極及び下側電極が誘電体膜を介して相対向している島状領域を囲む周囲領域において、前記下側電極の下地面の上層側であって且つ前記上側電極の下層側に形成されたスペーサ絶縁膜」に相当する。
　　 
＜対応関係Ｆ’＞ 
　引用発明において、「上側容量電極２１ａの縁部」が「上層絶縁膜１９ｂ」の上に位置することは、本願発明の「上側電極は、スペーサ絶縁膜上に乗り上げた上に端部が存在」することに相当する。 
　　　 
＜対応関係Ｇ＞
　引用発明において、「上層絶縁膜１９ｂによって下側容量電極１６ｃと上側容量電極２１ａの端部の間隔が拡がって」いることは、本願発明において、「スペーサ絶縁膜の存在によって、前記スペーサ絶縁膜が存在していない場合と比較して、前記下側電極面と前記上側電極の端部との層間距離が増大されている」ことに相当する。
　　
　以上の対応関係からして、本願発明と引用発明とは、  
「基板上に、
　互いに交差して延在するデータ線及び走査線と、
　前記基板上で平面的に見て前記データ線及び走査線の交差に対応して配置されたトランジスタと、
　該トランジスタより上層側に配置されており、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなる蓄積容量と、
　前記蓄積容量及び前記トランジスタに電気的に接続された表示用電極と、
　前記基板上で平面的に見て前記上側電極及び前記下側電極が前記誘電体膜を介して相対向している島状領域を囲む周囲領域において、前記下側電極の下地面の上層側であって且つ前記上側電極の下層側に形成されたスペーサ絶縁膜と
　を備え、
　前記上側電極は、前記スペーサ絶縁膜上に乗り上げた上に端部が存在し、
　前記スペーサ絶縁膜の存在によって、前記スペーサ絶縁膜が存在していない場合と比較して、前記下側電極面と前記上側電極の端部との層間距離が増大されている電気光学装置。」  
の点で一致し、特段の相違点を有さない。  
　
　よって、本願発明は、引用例に記載された発明である。
　
〔進歩性要件（特許法第２９条第２項）について〕
　本願発明と引用発明とを対比すると、対応関係Ａ〜Ｃ，Ｅ’〜Ｇについては、上述のとおりである。
　ここで、上記「＜対応関係Ｄ＞」では、本願発明の「蓄積容量」が「トランジスタより上層側に配置されて」いるという位置関係を、引用発明の「補助容量５６」と「ＴＦＴ５３，５４」との位置関係と一致すると認定したが、ここで仮に、本願発明の位置関係を実施形態に即して限定的に解釈し、「蓄積容量」の構造全体が「トランジスタ」の構造全体よりも上に配置されているものと認定すると、本願発明と引用発明とは、
「基板上に、
　互いに交差して延在するデータ線及び走査線と、
　前記基板上で平面的に見て前記データ線及び走査線の交差に対応して配置されたトランジスタと、
　下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなる蓄積容量と、
　前記蓄積容量及び前記トランジスタに電気的に接続された表示用電極と、
　前記基板上で平面的に見て前記上側電極及び前記下側電極が前記誘電体膜を介して相対向している島状領域を囲む周囲領域において、前記下側電極の下地面の上層側であって且つ前記上側電極の下層側に形成されたスペーサ絶縁膜と
　を備え、
　前記上側電極は、前記スペーサ絶縁膜上に乗り上げた上に端部が存在し、
　前記スペーサ絶縁膜の存在によって、前記スペーサ絶縁膜が存在していない場合と比較して、前記下側電極面と前記上側電極の端部との層間距離が増大されている電気光学装置。」  
の点で一致し、以下の相違点で相違する。
　
（相違点２）
　「蓄積容量」について、本願発明では、「蓄積容量」の構造全体が「トランジスタ」の構造全体よりも上に配置されているのに対して、引用発明の「補助容量５６」と「ＴＦＴ５３，５４」とはそのような位置関係を有さない点。
　
　当該相違点２について検討する。
　補助容量をＴＦＴよりも上に配置する構造は、液晶表示装置等の電気光学装置における周知の技術（例えば、原査定の理由で引用された特開２０００−２６７１２８号公報の図１，５，８，１２，２３等を参照されたい。）に過ぎず、引用発明に当該周知の構造を採用することは、当業者にとって格別の創意を必要とすることではない。
　　
　そして、本願発明が奏する作用効果は、引用発明および周知の技術から当業者が予測できる範囲のものである。  
　  
　よって、本願発明は、引用発明および周知の技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。  
　  
４　むすび  
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができないものであるか、または、同第２項の規定により特許を受けることができないものである。  
　  
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
　  
　よって、結論のとおり審決する。