【事件の表示】
　特願２００３−１９０１９８「半導体装置および半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　１月２７日出願公開、特開２００５−　２６４４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本件出願は、平成１５年７月２日の出願であって、平成２１年４月２２日付けで拒絶理由が通知され、同年６月２６日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年１０月１３日付けで拒絶査定がなされ、平成２２年１月２０日付けで拒絶査定に対する不服の審判請求がなされるとともに同時に明細書を補正する手続補正書が提出され、その後、当審において平成２２年１２月１４日付けで書面による審尋がなされ、それに対して平成２３年２月１６日付けで回答書が提出され、同年３月２４日付けで平成２２年１月２０日付け手続補正書による手続補正が却下されるとともに拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）が通知され、平成２３年５月２７日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものである。  
　 
第２　本願発明 
　本件出願の特許請求の範囲の請求項１ないし４に係る発明は、平成２３年５月２７日付け手続補正書並びに願書に最初に添付した明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。 
　
　「【請求項１】　基板と、
　前記基板の少なくとも一方側に設けられる半導体素子と、
　前記基板と、前記半導体素子との間を封止する第１の硬化性樹脂と第１の硬化剤とを含む第１の樹脂組成物で構成される第１の封止樹脂と、
　前記半導体素子の少なくとも側部全周を包囲する第２の硬化性樹脂と第２の硬化剤とを含む第２の樹脂組成物で構成される第２の封止樹脂とを有し、前記第１の封止樹脂で封止した後、前記第２の封止樹脂で前記半導体素子の少なくとも側部全周を包囲する半導体装置であって、
　前記第１の硬化性樹脂および前記第２の硬化性樹脂は、それぞれ、エポキシ樹脂であり、　　
　前記第１の硬化性樹脂は、常温で液状のエポキシ樹脂であり、
　前記第１の硬化剤と第２の硬化剤とは、同種の硬化剤であり、
　前記第１の硬化剤および第２の硬化剤は、それぞれ、ノボラック型フェノール樹脂、変性フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂、ビスフェノール化合物のうちの１種を単独でまたは２種以上を混合して構成されたフェノール系硬化剤であり、
　前記第１の硬化剤は、常温で液状のフェノール系硬化剤であり、
　前記第１の樹脂組成物は、前記第１の樹脂組成物全体に対して４０〜５５重量％の無機充填剤を含み、
　前記第２の樹脂組成物は、前記第２の樹脂組成物全体に対して８６．８〜９５重量％の無機充填剤を含むことを特徴とする半導体装置。」 
　
第３　引用文献
１　引用文献の記載事項及び看取事項
　当審拒絶理由に引用された、本件出願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開平８−３０６８２８号公報（以下、「引用文献」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている（なお、下線は当審で付したものである。）。
　
（１）「【００１５】この発明の半導体装置は、半導体チップがフェイスダウエンで補助配線板に搭載され、少なくとも上記半導体チップと補助配線板との間隙が、特殊な硬化剤を含有するエポキシ樹脂組成物の硬化体で封止されたものである。
【００１６】まず、上記エポキシ樹脂組成物について説明する。
【００１７】
この発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ成分）、上記一般式（１）で表されるアリルフェノール樹脂（Ｂ成分）、硬化促進剤（Ｃ成分）を含有するものである。
【００１８】上記
エポキシ樹脂（Ａ成分）は
液状エポキシ樹脂を使用することが好ましい。
【００１９】上記一般式（１）で表される
アリルフェノール樹脂（Ｂ成分）は、上記エポキシ樹脂の硬化剤となるものである。
このアリルフェノール樹脂は、室温で液状のものだけでなく、封止温度で液状となるものでもよい。
　
（２）「【００２１】また、上記エポキシ樹脂組成物には、上記Ａ〜Ｃ成分に加え、
必要に応じて、充填剤，
等の各種添加剤を配合してもよい。
【００２２】
上記充填剤としては、溶融性シリカ粉末，結晶性シリカ粉末，タルク，アルミナ，炭酸カルシウム，カーボンブラック等があげられる。
　
（３）「【００２５】同図（イ）は、半導体装置の構成を示す断面図であり、同図（ロ）は、その一部切り欠き図であり、同一部分には同一符号を付している。図示のように、この半導体装置では、半導体チップ１全体が封止されたＣＳＰタイプのものである。すなわち、
補助配線板片２の板面に、半導体チップ１が、その電極１１側（回路形成面側）を上記補助配線２板面に対面させた状態（フェイスダウン）で搭載されている。
　
（４）「【００２６】
そして、この半導体装置では、半導体チップ１と補助配線板２との間隙が、上記エポキシ樹脂組成物の硬化体３で封止されている。
半導体チップ１と補助配線板２との間隙は、上記エポキシ樹脂組成物の硬化体３で封止され、この部分を除く半導体チップ１の全体が、樹脂組成物の硬化体４で封止されている。この樹脂組成物の硬化体４は、
上記エポキシ樹脂組成物の硬化体であることが好ましい。
　
（５）「【００４２】つぎに、
補助配線板２に半導体チップ１を搭載した後、上記両者の間隙に、上記エポキシ樹脂組成物を注入し
この場合、上記エポキシ樹脂組成物が室温で液状であれば、このままで注入を行い
【００４３】また、
必要に応じ、図３（ヌ）に示すように、上記間隙を除く半導体チップ１全体の部分についても封止を行ってもよい。
半導体チップ１全体を封止する場合は、作業性の効率等の理由から、この発明のエポキシ樹脂組成物を用い
　
（６）「【００５５】
【実施例１】前述の方法により、半導体装置を作製した。すなわち、裏面に銅回路パターンが形成されたポリイミドフィルムの表面に、上記銅回路と電気的に接続された金バンプ（高さ５０μｍ）を備えた
キャリアフィルム（補助配線板）を準備した。
このキャリアフィルムに、信頼性評価用半導体チップ（１５．０ｍｍ×１５．０ｍｍ×厚み０．３７５ｍｍ）を搭載し
【００５６】他方、
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量：１８０）、下記の一般式（２）で表されるアリルフェノールノボラック樹脂Ａ（水酸基当量：１４２）、２−メチルイミダゾール（硬化促進剤）を混合し、液状エポキシ樹脂組成物を調製した
【００５７】・・・（中略）・・・
【００５８】そして、
上記液状エポキシ樹脂組成物を、ディスペンサーを用い、上記半導体チップとキャリアフィルムの間隙に注入し
　
（７）「【００６３】
【実施例３】実施例１と同様にして半導体チップとキャリアフィルムとの間隙のみが封止された半導体装置を作製した。そして、
この間隙を除く半導体チップ全面に対し、下記の表２に示すエポキシ樹脂組成物を用いて
オーバーモールドを行い、図７（ロ）に示すような半導体装置を作製した。
　
（８）「【００６７】
【表１】
【００６８】
【表２】
」（【００６７】及び【００６８】）
　
（９）図１、図３（ヌ）、及び図７（ロ）には、半導体チップ１の少なくとも側部全周が硬化体４で包囲されていることが看取できる。
　
２　引用文献記載の発明
　上記記載事項「１（１）」ないし「１（８）」、上記看取事項「１（９）」、及び図面の記載からみて、引用文献には、次の発明（以下、「引用文献記載の発明」という。）が記載されていると認める。
　
　「補助配線板２と、 
　前記補助配線板２の一方側に設けられる半導体チップ１と、 
　前記補助配線板２と、前記半導体チップ１との間を封止するビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とアリルフェノールノボラック樹脂とを含む樹脂組成物で構成されるエポキシ樹脂組成物の硬化体３と 
　前記半導体チップ１の少なくとも側部全周を包囲するクレゾールノボラック型エポキシ樹脂とフェノールノボラック樹脂とを含む樹脂組成物で構成される硬化体４とを有し、前記エポキシ樹脂組成物の硬化体３で封止した後、前記硬化体４で前記半導体チップ１の少なくとも側部全周を包囲する半導体装置。」 
　
第４　周知技術を示す文献の記載事項
１　特開２０００−２９９４１４号公報
　当審拒絶理由に引用された、本件出願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開２０００−２９９４１４号公報（以下、「周知文献１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
（１）「【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】電気機器の小型、軽量化、高機能化に伴い、半導体の実装方法もピン挿入タイプから表面実装が主流になっている。そして、ベアチップ実装の一つにフリップチップ（ＦＣ）実装がある。ＦＣ実装とは、ＬＳＩチップの配線パターン面に高さ１０〜１００μｍ程度のバンプといわれる電極を数個から数千個形成し、基板の電極を導電ペースト或いは半田等で接合する方式である。このため、ＦＣの保護に用いる封止材料は、基板とＬＳＩチップのバンプ等による数１０μｍ程度の隙間に浸透させる必要がある。従来のフリップチップ用アンダーフィル材として使用される液状エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と硬化剤及び無機質充填剤を配合し、信頼性を高めるために半導体のチップや基板、バンプと線膨張係数を一致させるために、多量の無機質充填剤を配合する処方が主流となってきている。
【０００３】しかしながら、このような充填剤を高充填したフリップチップ用アンダーフィル材においては、充填剤の高充填化により粘度が高くなり、チップと基板の隙間に侵入する速度が著しく低下し、生産性が非常に悪くなるといった問題点が提示されており、この問題点の改善が望まれる。更に近年、半導体チップサイズの大型化に伴い、半田リフロー時において、半導体チップ、封止材料、有機基板及び半田バンプの膨張係数を一致させても、チップクラックのみならずフィレット部のクラックの問題がクローズアップされてきた。
【０００４】本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、アンダーフィル部には隙間侵入性に優れた液状エポキシ樹脂組成物を用い、フィレット部にはアンダーフィル部に使用する封止材よりも膨張係数の低い封止材で封止することにより、半導体装置の信頼性を高めることができ、特に熱衝撃試験に優れたフリップチップ型半導体装置を提供することを目的とする。」（【０００２】ないし【０００４】）
　
（２）「【０００７】以下、本発明について更に詳しく説明する。本発明に係るフリップチップ型半導体装置は、図１に示したように、有機基板１の配線パターン面に複数個のバンプ２を介して半導体チップ３が搭載されているものであり、上記有機基板１と半導体チップ３との間の隙間（バンプ２間の隙間）にアンダーフィル材４が充填され、その側部がフィレット材５で封止されたものである。
【０００８】この場合、上記アンダーフィル材４、フィレット材５は、いずれもエポキシ樹脂、無機質充填剤を主成分とするエポキシ樹脂組成物の硬化物よりなるものであるが、本発明においては、アンダーフィル材のガラス転移温度以下の膨張係数が２０〜４０ｐｐｍ／℃、特に２０〜３０ｐｐｍ／℃であり、一方フィレット材のガラス転移温度以下の膨張係数が２０ｐｐｍ／℃以下、好ましくは５〜１９ｐｐｍ／℃、より好ましくは１０〜１８ｐｐｍ／℃であるものを使用するもので、これにより上記基板とチップとの間の間隙を確実にアンダーフィル材が充填すると共に、優れた耐熱衝撃性が与えられる。アンダーフィル材のガラス転移温度以下での膨張係数が４０ｐｐｍ／℃を超える場合、あるいはフィレット材のガラス転移温度以下での膨張係数が２０ｐｐｍ／℃を超える場合には、いずれも内部応力が大きくなり、ヒートサイクル試験においてクラックが発生するという欠点がある。また、アンダーフィル材のガラス転移温度以下での膨張係数が２０ｐｐｍ／℃より小さい場合には、ハンダバンプとの膨張係数の差が大きくなり、耐クラック性、耐湿性等の点で不良を起こす結果となる。
【０００９】ここで、上記膨張係数を得る点から、上記アンダーフィル材を形成するエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）液状エポキシ樹脂：２０〜１００重量部、（Ｂ）硬化剤：０〜８０重量部（但し、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計は１００重量部である）、（Ｃ）無機質充填剤：液状エポキシ樹脂と硬化剤との合計１００重量部に対して１００〜４００重量部、（Ｄ）硬化促進剤：液状エポキシ樹脂と硬化剤との合計１００重量部に対して０．０１〜１０重量部、（Ｅ）アルケニル基を含有するエポキシ樹脂又はフェノール樹脂のアルケニル基と、下記平均組成式（１）
　　ＨaＲbＳｉＯ(4-a-b)/2　　　　　　　　　　　　　　（１）
（式中、Ｒは置換又は非置換の一価炭化水素基、ａは０．００２〜０．１、ｂは１．８〜２．２、１．８１≦ａ＋ｂ≦２．３を満足する正数を示す。）
で示され、一分子中の珪素原子の数が２０〜４００であり、ＳｉＨ基の数が１〜５であるオルガノポリシロキサンのＳｉＨ基との付加反応により得られる共重合体：この共重合体中のオルガノシロキサン単位が液状エポキシ樹脂と硬化剤との合計１００重量部に対して２〜１５重量部を含有する液状エポキシ樹脂組成物であることが好ましく、また、上記フィレット材を形成するエポキシ樹脂組成物は、（ａ）液状エポキシ樹脂：２０〜１００重量部、
（ｂ）硬化剤：０〜８０重量部（但し、（ａ）成分と（ｂ）成分の合計は１００重量部である）、（ｃ）無機質充填剤：液状エポキシ樹脂と硬化剤との合計１００重量部に対して２５０〜５００重量部、（ｄ）硬化促進剤：液状エポキシ樹脂と硬化剤との合計１００重量部に対して０．０１〜１０重量部、（ｅ）アルケニル基を含有するエポキシ樹脂又はフェノール樹脂のアルケニル基と、下記平均組成式（１）
　　ＨaＲbＳｉＯ(4-a-b)/2　　　　　　　　　　　　　　（１）
（式中、Ｒは置換又は非置換の一価炭化水素基、ａは０．００２〜０．１、ｂは１．８〜２．２、１．８１≦ａ＋ｂ≦２．３を満足する正数を示す。）
で示され、一分子中の珪素原子の数が２０〜４００であり、ＳｉＨ基の数が１〜５であるオルガノポリシロキサンのＳｉＨ基との付加反応により得られる共重合体：この共重合体中のオルガノシロキサン単位が液状エポキシ樹脂と硬化剤との合計１００重量部に対して２〜１５重量部を含有する液状エポキシ樹脂組成物であることが好ましい。」（【０００７】ないし【０００９】）
　
（３）「【００３１】
【表１】
【００３２】
・・・（中略）・・・
【００３４】
ＲＥ３１０：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製）
ＲＥ３０４：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製）
ＭＨ７００：メチルテトラヒドロ無水フタル酸（新日本理化（株）製）
ＳＯ３２Ｈ：最大粒径４５μｍ以下で、平均粒径２μｍの真球状シリカ（アドマテクス（株）製）
ＳＥ１５：平均粒径１５μｍの球状溶融シリカ（徳山曹達（株）製）
ＫＢＭ４０３：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製）
２ＰＨＺ−ＰＷ：２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール粉末（四国化成（株）製）
２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ：２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール粉末（四国化成（株）製）
ＨＸ３７４１：イミダゾ−ル化合物を含有するマイクロカプセル化触媒（旭チバ（株）製）」（【００３１】ないし【００３４】）
　　
２　特開平８−１６２５７３号公報
　当審拒絶理由に引用された、本件出願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開平８−１６２５７３号公報（以下、「周知文献２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
（１）「【０００３】
【課題を解決するための手段】このように、上記片面封止タイプの半導体装置に関して、前記ＴＣＴテスト特性や耐リフロークラック特性に加えてパッケージの反りの低減が要求されている。このような要求特性に対して、例えば、封止材料のシリコーン変性等による低弾性化や、充填材の高配合充填による封止樹脂の線収縮率の低減、あるいは吸湿率の低減により、耐ＴＣＴテスト特性や耐リフロークラック性に関してはその特性を向上させる技術が提案されている。しかしながら、上記パッケージの反りの低減に関して、すなわち、反りが問題となるパッケージに関しては、耐ＴＣＴテスト特性や耐リフロークラック性あるいは耐湿信頼性等と、パッケージの反りの問題とを併せて解決できる技術は未だ確立されていない。
【０００４】例えば、パッケージの反りを低減させるためには、封止樹脂の収縮量を基板の収縮量に併せて作製する必要があり、そのために、封止樹脂を高ガラス転移温度を有するものとし、しかも充填材を多く配合して熱膨脹を小さくすることが検討されている。しかし、このように充填材を多く配合すると、封止用樹脂組成物の粘度が高くなってしまい、封止時にワイヤーが流れてしまうという問題が発生する。」（【０００３】及び【０００４】）
　　
（２）「【００３４】そして、上記無機質充填剤の配合量は、前述のように、樹脂硬化体内層形成材料と、樹脂硬化体外層形成材料とで異なる。すなわち、樹脂硬化体内層形成材料中の充填材の配合量を、樹脂硬化体外層形成材料中の充填材の配合量よりも少なく設定する必要がある。
【００３５】上記樹脂硬化体内層形成材料の場合、無機質充填剤の配合量は、材料全体の全体の９０重量％未満に設定することが好ましい。より好ましくは６５〜８７重量％であり、特に好ましくは７５〜８５重量％である。すなわち、内層形成材料の場合、無機質充填剤の配合量が６５重量％未満では、素子への応力緩和能力不足による素子特性への悪影響がみられ、配合量が９０重量％以上では、ワイヤー変形が生じる傾向がみられるからである。
【００３６】また、上記樹脂硬化体外層形成材料の場合、無機質充填剤の配合量は、材料全体の８０重量％以上、好ましくは８４重量％以上に設定することが好ましい。より好ましくは８６〜９５重量％であり、特に好ましくは８８〜９４重量％である。すなわち、外層形成材料の場合、無機質充填剤の配合量が８０重量％未満では、封止樹脂の収縮量が大きくなり、パッケージの反りに悪影響を与え、配合量が９５重量％を超えると流動性の低下が著しくなるからである。」（【００３４】ないし【００３６】）
　
第５　対比 
　本願発明と引用文献記載の発明を対比する。  
　
１　引用文献記載の発明における「補助配線板２」は、本願発明における「基板」に相当し、以下、同様に、
「一方側」は「少なくとも一方側に」、
「半導体チップ１」は「半導体素子」に、
「ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂」は「第１の硬化性樹脂」に、
「アリルフェノールノボラック樹脂」は「第１の硬化剤」に、
「（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とアリルフェノールノボラック樹脂とを含む）樹脂組成物」は「第１の樹脂組成物」に、
「エポキシ樹脂組成物の硬化体３」は「第１の封止樹脂」に、
「クレゾールノボラック型エポキシ樹脂」は「第２の硬化性樹脂」に、
「フェノールノボラック樹脂」は「第２の硬化剤」に、
「（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂とフェノールノボラック樹脂とを含む）樹脂組成物」は「第２の樹脂組成物」に、
それぞれ相当する。
２　引用文献記載の発明における「硬化体４」を構成する組成物は、「エポキシ樹脂組成物」からなるものを含み、その用途は半導体チップ１を封止するものであり、一方、本願発明における「第２の封止樹脂」も「エポキシ樹脂」を含むものであるので、引用文献記載の発明における「硬化体４」は本願発明における「第２の封止樹脂」に相当する。
３　本願発明における「同種」について、本件出願の明細書の【００２５】に「前記第１の硬化剤は、前記第２の硬化剤と同種のものを用いる。同種の硬化剤とは、例えばアミン系の硬化剤同士、フェノール系硬化剤同士、酸無水物硬化剤同士等が挙げられる。」と説明されている。そして、引用文献記載の発明における「アリルフェノールノボラック樹脂」と「フェノールノボラック樹脂」は、いずれも「フェノール系」の硬化剤であるから、両者は、本願発明の「同種の硬化剤」に相当する。
４　引用文献の【００１８】の「上記エポキシ樹脂（Ａ成分）は、・・・（中略）・・・
液状エポキシ樹脂を使用することが好ましい。
このアリルフェノール樹脂は、室温で液状のものだけでなく、封止温度で液状となるものでもよい。
５　引用文献記載の発明における「アリルフェノールノボラック樹脂」は、「ノボラック型フェノール樹脂」であるから、本願発明における「ノボラック型フェノール樹脂、変性フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂、ビスフェノール化合物のうちの１種を単独でまたは２種以上を混合して構成されたフェノール系硬化剤」に相当する。
　　
　したがって、本願発明と引用文献記載の発明は、以下の点で一致する。 
　　
　「基板と、
　前記基板の少なくとも一方側に設けられる半導体素子と、
　前記基板と、前記半導体素子との間を封止する第１の硬化性樹脂と第１の硬化剤とを含む第１の樹脂組成物で構成される第１の封止樹脂と、
　前記半導体素子の少なくとも側部全周を包囲する第２の硬化性樹脂と第２の硬化剤とを含む第２の樹脂組成物で構成される第２の封止樹脂とを有し、前記第１の封止樹脂で封止した後、前記第２の封止樹脂で前記半導体素子の少なくとも側部全周を包囲する半導体装置であって、
　前記第１の硬化性樹脂および前記第２の硬化性樹脂は、それぞれ、エポキシ樹脂であり、　
　前記第１の硬化性樹脂は、常温で液状のエポキシ樹脂であり、
　前記第１の硬化剤と第２の硬化剤とは、同種の硬化剤であり、
　前記第１の硬化剤および第２の硬化剤は、それぞれ、ノボラック型フェノール樹脂、変性フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂、ビスフェノール化合物のうちの１種を単独でまたは２種以上を混合して構成されたフェノール系硬化剤であり、
　前記第１の硬化剤は、常温で液状のフェノール系硬化剤である半導体装置。」　
　　
　そして、以下の点で相違する。  
　　
＜相違点＞  
　本願発明では、第１の樹脂組成物は、第１の樹脂組成物全体に対して４０〜５５重量％の無機充填剤を含み、第２の樹脂組成物は、第２の樹脂組成物全体に対して８６．８〜９５重量％の無機充填剤を含むものであるのに対し、引用文献記載の発明では、そのような特定がなされていない点。
　
第６　当審の判断  
　そこで、上記相違点について、以下に検討する。 
　 
　引用文献の【００２１】の「上記エポキシ樹脂組成物には、上記Ａ〜Ｃ成分に加え、
必要に応じて、充填剤，
等の各種添加剤を配合してもよい。
上記充填剤としては、溶融性シリカ粉末，結晶性シリカ粉末，タルク，アルミナ，炭酸カルシウム，カーボンブラック等があげられる。
溶融性シリカ粉末，結晶性シリカ粉末，タルク，アルミナ，炭酸カルシウム，カーボンブラック
　
　ところで、基板と半導体素子との間を封止する封止樹脂及び半導体素子の側部を封止する封止樹脂には、半導体装置の信頼性を高めるために多量の無機充填剤を含ませることが通常行われている（たとえば、周知文献１の【０００２】並びに周知文献２の【０００３】及び【０００４】を参照。）。
　他方、無機充填剤を含ませると粘度が高くなり、基板と半導体素子との間に侵入する速度が低下し、生産性が悪くなることから、基板と半導体素子との間を封止する封止樹脂と半導体素子の側部を封止する封止樹脂とで、含ませる無機充填剤の割合を調整すること、即ち、基板と半導体素子との間を封止する封止樹脂に含ませる無機充填剤の割合を半導体素子の側部を封止する封止樹脂に含ませる無機充填剤の割合よりも低くすることも通常行われていることである（たとえば、周知文献１の【０００３】、【０００４】、【０００７】ないし【０００９】、及び【００３１】ないし【００３４】を参照。）。
　そして、周知文献１には、無機充填剤の量を、基板と半導体素子との間を封止する封止樹脂については、樹脂組成物全体に対して成分（Ｄ）及び（Ｅ）が最も少ない場合で４９．５〜７９．７重量％、最も多い場合で４４．４〜７６．２重量％とし、半導体素子の側部を封止する封止樹脂については、成分（ｄ）及び（ｅ）が最も少ない場合で７１．０〜８３．１重量％、最も多い場合で６６．７〜８０．０重量％とすることが記載され（周知文献１の【０００７】ないし【０００９】を参照。）、周知文献２には、半導体素子を封止する封止樹脂に含ませる無機充填剤の割合を樹脂組成物全体に対して外層の場合８０重量％以上、好ましくは８６〜９５重量％とすることが記載されている（周知文献２の【００３４】ないし【００３６】を参照。）。
　さらに、本願発明における「４０〜５５重量％」及び「８６．８〜９５重量％」の数値範囲に臨界的意義は見いだせない。
　
　してみると、引用文献記載の発明において、第１の樹脂組成物及び第２の樹脂組成物に無機充填剤を含ませるようにすることは、当業者が必要に応じて適宜行うことであり、その際に、第１の樹脂組成物の無機充填剤については、第１の樹脂組成物全体に対して４０〜５５重量％とし、第２の樹脂組成物の無機充填剤については、第２の樹脂組成物全体に対して８６．８〜９５重量％とすることは、半導体素子の側部を封止する封止樹脂の無機充填剤の割合を高めて半導体装置の信頼性を高めるという要求と、基板と半導体素子との間を封止する封止樹脂の無機充填剤の割合を低くして生産性を高めるという要求の兼ね合いを考慮し、さらに使用する硬化性樹脂材料や硬化剤の種類及びそれらの割合に応じて、当業者が適宜行う数値範囲の最適化にすぎない。
　したがって、引用文献記載の発明において、相違点に係る本願発明の発明特定事項とすることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　
　そして、本願発明を全体としてみても、その効果は、引用文献並びに周知文献１及び２の記載からみて格別のものともいえない。
　
第７　むすび  
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用文献記載の発明並びに周知文献１及び２の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件出願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。 
　
　よって、結論のとおり審決する。