【事件の表示】
　特願２００８−１５０７７６「窒化物系半導体発光素子およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　９月２５日出願公開、特開２００８−２２７５４２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１４年４月２３日に出願した特願２００２−１２０５７６号（以下「原出願」という。）の一部を平成２０年６月９日に新たな特許出願としたものであって、同年７月１０日及び平成２１年６月１５日に手続補正がなされたが、同年８月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１１月２４日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、これと同時に手続補正がなされたものである。
　
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２１年１１月２４日になされた手続補正後の特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものと認められる。
　
「支持基板上に形成された反射層と、反射層上方に順次積層されたｐ型窒化物系半導体層、発光層およびｎ型窒化物系半導体層とを含む窒化物系半導体発光素子であって、前記ｎ型窒化物系半導体層上方に位置する光取り出し面に凹凸が形成されており、
　前記光取り出し面は、成長用基板除去後に再成長された第２のｎ型窒化物系半導体層に形成されており、
　前記凹凸は、成長用基板上にｎ型窒化物系半導体層を成長した後に該成長用基板を除去した該ｎ型窒化物系半導体層面上の前記第２のｎ型窒化物系半導体層に形成されたものであることを特徴とする窒化物系半導体発光素子。」（以下「本願発明」という。）
　
　
３　刊行物の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、原出願の出願前に頒布された刊行物である特開２００１−７３９３号公報（以下「引用例」という。）には、図とともに、以下の記載がある（下線は、審決で付した。）。
　
（１）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般的に発光ダイオードに関し、より具体的にはＡｌＧａＩｎＮをベースにした発光ダイオードであって、光抽出率を改善するために厚いエピタキシャル層を有するＡｌＧａＩｎＮベースＬＥＤに関する。」
　
（２）「【００２９】厚いＡｌＧａＩｎＮ多層エピタキシャル構造を採用した
ＡｌＧａＩｎＮベースＬＥＤ
ＬＥＤ構造７０においては、ｎ型及びｐ型ＡｌＧａＩｎＮ層７２、７４が活性領域７６の両側に、ｎ型又はｐ型層のいずれかが導電性基板７８に電気的に接続するように設けられている。導電性基板は珪素（Ｓｉ）のような不透明材料から構成されるものであっても良い。この基板は、元の成長基板（図示せず）を含むＡｌＧａＩｎＮ多層エピタキシャル構造８０を金属製のインターフェース層８２を挟んで導電性基板へとボンディングすることにより設けることが出来る。
【００３０】
元の成長基板を除去した後、ＡｌＧａＩｎＮ多層エピタキシャル構造８０の露出面８８にテクスチャをつけても良く
　
（３）図８から、金属製のインターフェース層８２で光が反射していることが見て取れるから、同層８２は、反射層として機能していることが理解できる。また、同図８から、ｎ型ＡｌＧａＩｎＮ層７２が光取り出し面であることが理解できる。
　
　
４　引用発明
　上記３によれば、引用例には、次の発明が記載されているものと認められる。
「ｎ型及びｐ型ＡｌＧａＩｎＮ層７２、７４が活性領域７６の両側に、ｐ型層が導電性基板７８に電気的に接続するように設けられており、導電性基板は、元の成長基板を含むＡｌＧａＩｎＮ多層エピタキシャル構造８０を金属製のインターフェース層８２を挟んで導電性基板へとボンディングすることにより設けられ、金属製のインターフェース層８２は反射層としても機能し、元の成長基板を除去した後、ＡｌＧａＩｎＮ多層エピタキシャル構造８０の露出面８８にテクスチャがつけられ、ｎ型ＡｌＧａＩｎＮ層７２が光取り出し面である上記ＡｌＧａＩｎＮベースＬＥＤ。」（以下「引用発明」という。）
　
　
５　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「導電性基板７８」、「ｎ型ＡｌＧａＩｎＮ層７２」、「活性領域７６」、「ｐ型ＡｌＧａＩｎＮ層７４」及び「ＡｌＧａＩｎＮベースＬＥＤ」は、それぞれ、本願発明の「支持基板」、「ｐ型窒化物系半導体層」、「発光層」、「ｎ型窒化物系半導体層」、「窒化物系半導体発光素子」に相当する。
　
（２）引用発明の「金属製のインターフェース層８２」は、「ＡｌＧａＩｎＮ多層エピタキシャル構造８０」と「導電性基板」との間に設けられ、また、「反射層としても機能する」ことから、本願発明の「反射層」に相当する。
　
（３）上記（１）ないし（２）の認定、及び、引用発明では、「ｎ型及びｐ型ＡｌＧａＩｎＮ層７２、７４が活性領域７６の両側に、ｐ型層が導電性基板７８に電気的に接続するように設けられており、導電性基板は、元の成長基板を含むＡｌＧａＩｎＮ多層エピタキシャル構造８０を金属製のインターフェース層８２を挟んで導電性基板へとボンディングすることにより設けられ」ていることから、引用発明は、「支持基板上に形成された反射層と、反射層上方に順次積層されたｐ型窒化物系半導体層、発光層およびｎ型窒化物系半導体層とを含む窒化物系半導体発光素子」である点において、本願発明と一致する。
　
（４）引用発明では、「ｎ型ＡｌＧａＩｎＮ層７２が光取り出し面であ」り、また、「元の成長基板を除去した後、ＡｌＧａＩｎＮ多層エピタキシャル構造８０の露出面８８にテクスチャがつけられ」ていることから、引用発明は、「ｎ型窒化物系半導体層上方に位置する光取り出し面に凹凸が形成されて」いる点において、本願発明で一致する。
　
（５）以上によれば、両者は、
「支持基板上に形成された反射層と、反射層上方に順次積層されたｐ型窒化物系半導体層、発光層およびｎ型窒化物系半導体層とを含む窒化物系半導体発光素子であって、前記ｎ型窒化物系半導体層上方に位置する光取り出し面に凹凸が形成されいる窒化物系半導体発光素子。」
である点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。
　
相違点
　凹凸が形成された光取り出し面について、本願発明では、光取り出し面は、成長用基板除去後に再成長された第２のｎ型窒化物系半導体層に形成されており、凹凸は、成長用基板上にｎ型窒化物系半導体層を成長した後に該成長用基板を除去した該ｎ型窒化物系半導体層面上の前記第２のｎ型窒化物系半導体層に形成されたものであるのに対して、引用発明では、元の成長基板を除去した後、ＡｌＧａＩｎＮ多層エピタキシャル構造８０の露出面８８にテクスチャがつけられている点。
　
　
６　判断
（１）　相違点について
ア　本願発明は、「窒化物系半導体発光素子」という物に係るものであるところ、第２のｎ型窒化物系半導体層が製造工程のどの段階で成長されたかによって、窒化物系半導体発光素子として実質的な差異を生じるものとは認められない。
　したがって、「窒化物系半導体発光素子」という物に係る本願発明を特定するに当たり、「前記光取り出し面は、成長用基板除去後に再成長された第２のｎ型窒化物系半導体層に形成されており、前記凹凸は、成長用基板上にｎ型窒化物系半導体層を成長した後に該成長用基板を除去した該ｎ型窒化物系半導体層面上の前記第２のｎ型窒化物系半導体層に形成されたものである」との構成は、ｎ型窒化物系半導体層が２層からなり、そのうち光取り出し面となるｎ型窒化物半導体層に凹凸が形成されていることを特定するにとどまるものと認められる。
　
イ　してみれば、ｎ型窒化物半導体層について、本願発明では、２層からなるのに対して、引用発明では、ｎ型ＡｌＧａＩｎＮ層７２が２層からなるのか不明である点が、実質的な相違点であると認められる。
　
ウ　窒化物系半導体発光素子において、ｎ型窒化物半導体層を複数の層からなる構成とすることは、原出願の出願当時における周知技術であるから（例えば、特開２００１−１６８４７２号公報の図２、国際公開第０１／０８２３８４号の図１参照。）、引用発明において、ｎ型ＡｌＧａＩｎＮ層７２（ｎ型窒化物半導体層）を２層とすることは、当業者が設計上適宜なし得る事項である。
　
エ　よって、引用発明から、上記イの相違点に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。　
　
（２）請求人の主張について
　請求人は平成２２年９月３０日に提出した回答書において、「補正後の本願請求項１に係る発明は、反射層を有する窒化物系半導体発光素子において、成長用基板上にｎ型窒化物系半導体層を成長した後に成長用基板を除去したｎ型窒化物系半導体層面上の第２のｎ型窒化物系半導体層に凹凸を形成することによって、駆動電圧が低く、光の取り出し効率の高い高輝度の窒化物系半導体発光素子を作製することができるというという顕著な作用効果を奏するものであ」る旨主張している。
　しかし、駆動電圧が低くなる点について、本願明細書には「【００１７】また、従来技術のようにｐ型窒化物系半導体層上面に凹凸を設ける場合には高抵抗であるｐ型窒化物系半導体層の膜厚を厚く形成するため直列抵抗が高くなり駆動電圧が上がる結果が得られた。しかし、本発明のように上記光取り出し面を低抵抗であるｎ型窒化物系半導体層上面に設置した場合にはｎ型窒化物系半導体層の膜厚を厚く形成してもｎ型窒化物系半導体層の導電性から素子の駆動電圧を低くすることができる。また、ｎ型窒化物系半導体層上に透明電極層を設けた場合でも電気抵抗はそれほど増大しないため素子の駆動電圧は透明電極層を設けなかった場合とほとんど変わらない。」との記載はあるが、凹凸が形成されているのが成長用基板を除去したｎ型窒化物系半導体層面上に再成長させたｎ型窒化物系半導体層であることが、駆動電圧を低くする効果を奏するとは認められない。
　さらに、光の取り出し効率が高くなる点について、本願明細書には「【００１６】以下、本発明の実施の形態について説明する。
    （光取り出し面）
  本発明の窒化物系半導体発光素子は、表面に凹凸を有する光取り出し面をｎ型窒化物系半導体層上方に設置することを特徴とする。すなわち、光取り出し面が平面である場合には、発光層から放射された光のうちで光取り出し面に対して臨界屈折角よりも大きい法線角度で入射した光は光取り出し面において全反射されることとなるが、光取り出し面に凹凸を設けることによってこれらの光も外部に取り出し得るため、光の外部取り出し効率を向上させ得ることとなる。」との記載はあるが、凹凸が形成されているのが、成長用基板を除去したｎ型窒化物系半導体層面上に再成長させたｎ型窒化物系半導体層であることが光の取り出し効率を高くする効果を奏するとは認められない。
　よって、請求人の上記主張をもって、本願発明が格別顕著な効果を奏するものとは認められない。
　
（３）小括
　 以上の検討によれば、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものというべきであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　
７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。