【事件の表示】
　平成　９年特許願第　５０９５１号「シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　９月　２日出願公開、特開平１０−２３１２００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は平成９年２月１９日の出願であって、平成１８年１１月２１日付けで拒絶理由が通知され、その指定期間内である平成１９年１月２９日に意見書及び手続補正書が提出され、同年１２月６日付けで拒絶査定され、平成２０年１月９日に拒絶査定不服審判が請求され、同年２月７日に手続補正書が提出され、平成２２年９月１０日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告書を引用した審尋がなされ、同年１０月２７日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成２０年２月７日付け手続補正と本願発明
　平成２０年２月７日付けの手続補正は、この手続補正前の平成１９年１月２９日付けの手続補正書によって補正された、
１）特許請求の範囲の請求項１及び２を削除し、請求項２を引用する請求項３を新たな請求項１とし、
２）明細書の【００１１】を補正し、【００１２】及び【００１３】を削除する、
ものである。
　上記１）は、請求項の削除であるから、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号に規定する事項を目的とするものに該当し、
　上記２）は、上記１）の補正による特許請求の範囲と発明の詳細な説明の記載との齟齬を解消するものであって、何ら新規な事項を導入するものではなく、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定をみたす。
　よって、平成２０年２月７日付けの手続補正は適法なものであるから、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、同手続補正された明細書の特許請求の範囲第１項に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
【請求項１】　酸素濃度が熱処理前の初期酸素濃度の１／２となる位置がウェーハ表層から７μｍ以上の深さとなり、ウェーハ表面から３μｍ以上の深さにわたって無欠陥層を形成するために、水素ガスを含む非酸化性雰囲気中での熱処理に必要な最小熱処理時間ｔ（ｍｉｎ）を、１０００℃以上、１２５０℃未満の温度範囲における熱処理温度Ｔ（℃）を設定して、下記式、
　ｔ（ｍｉｎ）＝６．９１×１０−８×ｅｘｐ｛２９３６０／（Ｔ＋２７３）｝
から求め、
　上記求められた最小熱処理時間ｔ以上の熱処理時間で、上記設定した熱処理温度Ｔで、単結晶シリコンインゴットから切り出したウェーハを用い、水素ガスを含む非酸化性雰囲気中で、熱処理を行い、シリコンウェーハを製造すること
を特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
　
３．引用文献
　原査定の拒絶の理由に引用文献１として引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開平６−１６６５９５号公報（以下、「引用例」という。）には、以下の記載がある。
（３−１）「【請求項１】  チョクラルスキー法により引き上げられたシリコン単結晶から切り出されたシリコンウェーハであって、実質的に内部に境界を持たず、ウェーハ厚さ方向の中心部近傍の酸素濃度とウェーハ表面から５μｍ以内の酸素濃度との差が１．０×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 以上であることを特徴とするシリコンウェーハ。」（特許請求の範囲の請求項１）　
（３−２）「【産業上の利用分野】本発明は半導体デバイスの基板として優れた特性を持つ、表層中の欠陥が少なく、かつ金属汚染をゲッタする能力を持つシリコンウェーハに関する。」（【０００２】）
（３−３）「酸素析出核から成長した微小欠陥」（【０００４】）
（３−４）「本発明のシリコンウェーハは、チョクラルスキー法により引き上げられたシリコン単結晶から切り出されたシリコンウェーハを、水素ガス・・・・・・中で、１１００℃以上では４時間以上、１１８０℃以上では１時間以上、アニールすることにより得られる。」（【００１１】）
（３−５）「本発明において、ウェーハ厚さ方向の中心部近傍の酸素濃度とウェーハ表面から５μｍ以内の酸素濃度との差を１．０×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 以上とするのは、ウェーハ表面から５μｍ以内の表層部において生成する酸素析出核の密度を低くするためである。」（【００１３】）
（３−６）「【実施例】・・・・・・。
チョクラルスキー法により引き上げられたシリコン単結晶から切り出された、初期酸素濃度が１．５５×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 または１．８２×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 のシリコンウェハを用意した。これらのシリコンウェハを、下記表１に示すように、１００％Ｈ2 または１００％Ａｒ雰囲気中において所定温度で所定時間熱処理した。
・・・・・・
・・・・・・ＭＯＳキャパシタを形成した。このＭＯＳキャパシタに８ＭＶ／ｃｍまたは１２ＭＶ／ｃｍの電界を加えて良品率を調べた。
・・・・・・
【表１】
」（【００１４】〜【００１８】）
（３−７）「表１から明らかなように、従来の耐圧評価基準である８ＭＶ／ｃｍの電界強度に対しては、従来のシリコンウェーハでも十分な耐圧を示す場合がある。しかし、次世代デバイスで要求される１２ＭＶ／ｃｍの電界強度に対しては、ウェーハ厚さ方向の中心部近傍の酸素濃度とウェーハ表面から５μｍ以内の酸素濃度との差が１．０×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 以上であるという条件を満たす本発明のシリコンウェーハのみで十分な耐圧が得られる。」（【００１９】）
　
４．対比・判断
（あ）引用例１の上記（３−１）に記載の「シリコンウェーハ」は「チョクラルスキー法により引き上げられたシリコン単結晶から切り出されたシリコンウェーハであって、・・・・・・ウェーハ厚さ方向の中心部近傍の酸素濃度とウェーハ表面から５μｍ以内の酸素濃度との差が１．０×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 以上」のものである。
（い）この「シリコンウェーハ」は上記（３−５）に記載されるように、「ウェーハ表面から５μｍ以内の表層部において生成する酸素析出核の密度を低く」されたものであり、この「酸素析出核」は上記（３−３）から「微小欠陥」ということができる。
（う）また、この「シリコンウェーハ」の「ウェーハ表面から５μｍ以内の表層部において生成する酸素析出核の密度を低く」、すなわち、「微小欠陥の密度を低く」するために、上記（３−４）に記載される「チョクラルスキー法により引き上げられたシリコン単結晶から切り出されたシリコンウェーハを、水素ガス・・・・・・中で、１１００℃以上では４時間以上、１１８０℃以上では１時間以上、アニールする」といえ、上記（３−４）には上記（３−１）の「シリコンウェーハ」の製造方法が記載されているとみることができる。
（え）上記（あ）〜（う）の検討を踏まえて、引用例の記載を本願発明の記載ぶりに則して整理すると、引用例には、
「ウェーハ厚さ方向の中心部近傍の酸素濃度とウェーハ表面から５μｍ以内の酸素濃度との差が１．０×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 以上となり、ウェーハ表面から５μｍ以内の表層部において生成する微小欠陥の密度を低くするために、水素ガス中で、１１００℃以上では４時間以上、１１８０℃以上では１時間以上、チョクラルスキー法により引き上げられたシリコン単結晶から切り出されたシリコンウェーハを、アニールするシリコンウェーハの製造方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
　そこで、本願発明と引用発明とを対比する。
（か）引用発明の「表層部において生成する微小欠陥の密度を低くする」ことは、本願発明の「無欠陥層を形成する」ことに相当することは明らかであり、引用発明では、この微小欠陥の密度が低い「表層部」、すなわち、本願発明の「無欠陥層」に相当するものの深さが「ウェーハ表面から５μｍ以内」とみることができ、本願発明の「無欠陥層」とウェーハ表面から５μｍ以内の深さで一致している。
（き）引用発明の「水素ガス中で」「アニールする」ことは、本願発明の「水素ガスを含む非酸化性雰囲気で、熱処理を行い」に相当する。
（く）本願発明の「ｔ（ｍｉｎ）＝６．９１×１０−８×ｅｘｐ｛２９３６０／（Ｔ＋２７３）｝」に「熱処理温度Ｔ（℃）」として、１１００℃、１１８０℃を代入して、「最小熱処理時間ｔ（ｍｉｎ）」を求めると、それぞれ、１３４（ｍｉｎ）、４１（ｍｉｎ）となり、本願発明は、この「「最小熱処理時間ｔ（ｍｉｎ）」以上の熱処理時間」で熱処理を行うものであるから、引用発明の熱処理時間である「１１００℃以上では４時間以上、１１８０℃以上では１時間以上」は、共に、本願発明の熱処理温度及び熱処理時間に含まれ、熱処理温度及び熱処理時間について、本願発明と引用発明は「１１００℃以上では４時間以上、１１８０℃以上では１時間以上」の範囲で一致している。
（け）上記（か）〜（く）の検討を踏まえると、両者は、
「ウェーハ表面から５μｍ以内の深さにわたって無欠陥層を形成するために、１１００℃以上では４時間以上、１１８０℃以上では１時間以上の熱処理時間で、単結晶シリコンインゴットから切り出したウェーハを用い、水素ガスを含む非酸化性雰囲気中で、熱処理を行い、シリコンウェーハを製造するシリコンウェーハの製造方法。」である点で一致し、次の点で相違している。
相違点Ａ：無欠陥層を形成するために、本願発明では、「酸素濃度が熱処理前の初期酸素濃度の１／２となる位置がウェーハ表層から７μｍ以上の深さ」としているのに対し、引用発明では、「ウェーハ厚さ方向の中心部近傍の酸素濃度とウェーハ表面から５μｍ以内の酸素濃度との差が１．０×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 以上」としており、
そのための水素ガスを含む非酸化性雰囲気中で、熱処理する最小時間につき、本願発明では、「１０００℃以上、１２５０℃未満の温度範囲における熱処理温度Ｔ（℃）で、ｔ（ｍｉｎ）＝６．９１×１０−８×ｅｘｐ｛２９３６０／（Ｔ＋２７３）｝から求められた最小熱処理時間ｔ以上の熱処理時間」で熱処理しているのに対し、引用発明では、熱処理温度「１１００℃以上では４時間以上、１１８０℃以上では１時間以上」の熱処理時間で熱処理している点
　
　そこで、この相違点Ａについて検討する。
（さ）まず、本願発明において、「ウェーハ表面から３μｍ以上の深さにわたって無欠陥層を形成する」ことの技術的意義についてみてみると、本願明細書の【０００５】〜【０００８】には、「表１は、・・・・・・ウェーハについて酸化膜耐圧を測定した結果をまとめた一覧表である。酸化膜耐圧測定に際しては、前記ウェーハ上にＭＯＳキャパシタを形成し、そのゲート電極に基板に対して電荷が蓄積状態になるように電界を０．５ＭＶ／ｃｍステップで昇圧した。そして、・・・・・・絶縁破壊電界とし、この値が８ＭＶ／ｃｍ以上と判定された素子を良品とした。・・・・・・。
・・・・・・
・・・・・・水素熱処理を施した場合、酸化膜耐圧良品率はＣＺ−Ｓｉ単結晶の育成条件にかかわらずほぼ１００％近くまで向上する。
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記水素熱処理による効果がウェーハの表面からどの程度の深さにまで及んでいるか確認するため、水素熱処理ウェーハの表面を３μｍ研磨して除去する・・・・・・シリコンウェーハの無欠陥層が３μｍに満たない場合、Ｐ−Ｎジャンクションリーク等の不具合が生じるため、デバイスの歩留りに悪影響を及ぼす。」と記載されていることからみて、ウェーハの表面を３μｍ研磨しても絶縁破壊電界の値が８ＭＶ／ｃｍ以上であるものが、Ｐ−Ｎジャンクションリーク等の不具合が生じることがなく、デバイスの歩留りがよいものであるとの認識に基づくものといえる。
（し）また、本願発明において、「酸素濃度が熱処理前の初期酸素濃度の１／２となる位置がウェーハ表層から７μｍ以上の深さ」に着目する理由は、【００１９】に「表層を３μｍ除去した後もＣＯＰが見当たらないウェーハ・・・・・・では初期酸素濃度の１／２の酸素濃度となる位置が表面から７μｍ以上の深さとなっていることを見出した。すなわち、水素熱処理による酸素の外方拡散効果により、熱処理前の初期酸素濃度の１／２の酸素濃度となる位置が７μｍ以上の深さになると、シリコンウェーハの表面から３μｍ以上の深さにわたって酸化膜耐圧特性を保つに十分な程度に無欠陥層が形成されていることになる。」という知見に基づくものである。
（せ）よって、上記（さ）及び（し）の検討を踏まえると、本願発明では、８ＭＶ／ｃｍ以上の絶縁破壊電界を得るべく、３μｍより深い７μｍの深さにおける酸素濃度と初期酸素濃度との比をもって、３μｍ以上の深さの欠陥の有無を判定しているものといえる。
（そ）一方、引用発明では、上記（３−７）に「耐圧評価基準である・・・・・・次世代デバイスで要求される１２ＭＶ／ｃｍの電界強度に対しては、ウェーハ厚さ方向の中心部近傍の酸素濃度とウェーハ表面から５μｍ以内の酸素濃度との差が１．０×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 以上であるという条件を満たす本発明のシリコンウェーハのみで十分な耐圧が得られる。」と記載されているから、１２ＭＶ／ｃｍの耐圧評価基準、つまり、絶縁破壊電界を得るべく、ウェーハ厚さ方向の中心部近傍の酸素濃度とウェーハ表面から５μｍ以内の酸素濃度との差が１．０×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 以上としているものといえる。
（た）ここで、上記（３−６）に記載の【表１】をみてみると、
＜１＞ウェーハ厚さ方向の中心部近傍といえる、深さ５０μｍの酸素濃度は、水素雰囲気中で熱処理する前の初期酸素濃度と事実上同じであること
＜２＞８ＭＶ／ｃｍの電界強度に対する良品率と１２ＭＶ／ｃｍの電界強度に対する良品率に関する熱処理条件を比較すると、
１１００℃では、８ＭＶ／ｃｍの良品率は１時間の処理でも高いが、１２ＭＶ／ｃｍの良品率は４時間の処理でなければ高くないこと、
１時間の処理では、８ＭＶ／ｃｍの良品率は１１００℃の処理でも高いが、１２ＭＶ／ｃｍの良品率は１２００℃処理でなければ高くないこと、
＜３＞８ＭＶ／ｃｍ及び１２ＭＶ／ｃｍの電界強度に対する良品率をみると、同じ温度の熱処理ならば時間が長い方が、同じ時間の熱処理ならば温度の高い方が、電界強度に対する良品率は高くなる傾向があること、
を読み取ることができる。
（ち）ところで、ＤＺ層（無欠陥層）の厚さは３μｍ以上必要であることは技術常識である（要すれば、特開平８−２６４５４９号公報の【００２４】、特開平８−２５０５０６号公報の【００２２】を参照。）。
（つ）この技術常識を踏まえると、引用例に接した当業者は、上記Ａ（た）の＜１＞より、無欠陥層として必要な最低厚さである３μｍより少し深い位置における初期の酸素量と熱処理の後の酸素量とを比較してその差が一定値以上あれば、所定の厚さの無欠陥層ができているとの教示を得るものといえる。
（て）そこで、上記相違点Ａのうち、
無欠陥層を形成するために、本願発明では、「酸素濃度が熱処理前の初期酸素濃度の１／２となる位置がウェーハ表層から７μｍ以上の深さ」としているのに対し、引用発明では、「ウェーハ厚さ方向の中心部近傍の酸素濃度とウェーハ表面から５μｍ以内の酸素濃度との差が１．０×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 以上」としている点（以下、「相違点Ａ−１」という。）について検討すると、この相違点Ａ−１は、
所定の厚さの無欠陥層ができているかの判断基準に関し、本願発明が、３μｍより少し深い位置、７μｍにおける初期酸素濃度と熱処理の後の酸素濃度とを比較してその比が一定値以上としているのに対し、引用発明は、上記（た）の＜１＞よりウェーハ厚さ方向の中心部近傍の濃度、つまり、３μｍより少し深い位置、５μｍにおける初期酸素濃度と熱処理後の酸素濃度を比較しているものの、比に代えて差をみていると言い換えることができる。
　ところで、任意の二次元平面（ｘ−ｙ平面）内において、直行座標であるｘ−ｙ座標を定義したときに、ｘ軸座標値に対してｙ軸座標値が単調に減少する減少量を評価するに当たり、任意の２のｘ軸座標値に対応するｙ軸座標値の減少量の差または比をみることはごく普通になされる技術であるから、この技術を採用し、引用発明において、適宜の２のｘ軸方向座標決め、その座標にそれぞれに対応するｙ軸座標値の差に代えて比をとること、すなわち、上記相違点Ａ−１に係る本願発明の特定事項をなすことは、当業者であれば困難なくなし得ることである。
（と）次に、上記相違点Ａのうち、水素ガスを含む非酸化性雰囲気中で、熱処理する最小時間につき、本願発明では、「１０００℃以上、１２５０℃未満の温度範囲における熱処理温度Ｔ（℃）で、ｔ（ｍｉｎ）＝６．９１×１０−８×ｅｘｐ｛２９３６０／（Ｔ＋２７３）｝から求められた最小熱処理時間ｔ以上の熱処理時間」で熱処理しているのに対し、引用発明では、熱処理温度「１１００℃以上では４時間以上、１１８０℃以上では１時間以上」の熱処理時間で熱処理している点（以下、「相違点Ａ−１」という。）について検討する。
（な）上記（た）の＜２＞によれば、引用例に接した当業者は、８ＭＶ／ｃｍの電界強度に対して高い良品率を得る熱処理として、１２ＭＶ／ｃｍの電界強度の熱処理よりも低い温度、短い時間で処理を行えばよいとの教示を得るといえる。
　そうすると、本願発明が目的としている８ＭＶ／ｃｍの電界強度に対する高い良品率を得るために、熱処理温度「１１００℃以上では４時間以上、１１８０℃以上では１時間以上」の熱処理時間よりも低い温度、短い時間で熱処理を行うことは困難なくなし得ることであり、
　また、同じく、（た）の＜３＞によれば、８ＭＶ／ｃｍの電界強度に対する良品率をみると、同じ温度の熱処理ならば時間が長い方が、同じ時間の熱処理ならば温度の高い方が、電界強度に対する良品率は高くなる傾向を読みとることにより、熱処理温度・時間には下限値が存在することが予想でき、その下限値となる熱処理温度・時間は適宜決定し得るものといえ、「ｔ（ｍｉｎ）＝６．９１×１０−８×ｅｘｐ｛２９３６０／（Ｔ＋２７３）｝」なる式は困難なく導出し得るものである。
（に）そして、本願の図１を見る限り、「ＣＯＰなし」の「○」と「ＣＯＰあり」の「●」との間を画定する直線は複数存在するといえ、上記「ｔ（ｍｉｎ）＝６．９１×１０−８×ｅｘｐ｛２９３６０／（Ｔ＋２７３）｝」なる式によって与えられるＴ（熱処理温度）とｔ（熱処理時間）の関係が与える直線のみであるとはいえないから、この式の臨界性は認められず、上記相違点Ａに係る本願発明の特定事項が奏する作用・効果は格別なものとはいえない。
（の）よって、上記相違点Ａに係る本願発明の特定事項は当業者が容易に導き出すことができたものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　よって、結論のとおり審決する。