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【手続補正書】
【提出日】平成23年1月18日(2011.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（A）第一の側面と該第一の側面の反対側の第二の側面とを有する、第一の材料である結晶基板を提供する工程と、
（B）基板の前記第一の側面上に第一の層を形成する工程と、
（C）前記第一の層の少なくとも一部の真下である、基板の前記第一の側面上の第一の部分をアンダーカットして、基板の該第一の部分に段、および該第一の層の一部と基板の該第一の部分との間の空間を形成する工程と、
（D）前記段にわたって基板の前記第二の側面の第二の部分を除去して、前記第一の材料からできた、前記第一の層に結合する先端を残し、該第一の層の少なくとも一部が、基板の残った部分に取り付けられたカンチレバーを形成する工程と
を含む、プローブを作製する方法。
【請求項２】
基板がシリコン基板またはシリコン・オン・インシュレータ基板であり、第一の材料がシリコンであり、
基板の前記第一の側面が不均一な表面を有し、エッチングされたピットにより規定される基板に膜を形成するため、第一の層を形成する前に基板の前記第一の側面にピットをエッチングする工程をさらに含み、
アンダーカットする工程の前に前記第一の層をパターニングする工程をさらに含み、該パターニングがプローブの長さを規定し、パターニングする工程が、基板の前記第一の側面に沿って位置合わせされたシャドーマスクを介して少なくとも一つのマスク層を付着させ、該第一の層のマスクされていない部分を除去することをさらに含み、
エッチングされたピットおよび非膜領域により規定される基板の第一の部分に膜を形成するために基板の前記第一の側面上にピットをエッチングする工程をさらに含み、前記付着させる工程が、非膜領域上のマスク幅が膜上のマスク幅よりも大きくなるように少なくとも一つのマスク層を前記膜および非膜領域に付着させることを含み、
第一の層が、窒化シリコン、ポリマー、金属、または合成物のカンチレバーを含むカンチレバー層を含み、かつ
第一の層がカンチレバー延伸部層をさらに含み、前記段がカンチレバー層と該カンチレバー延伸部層との境界位置に形成され、アンダーカットする工程の後に前記カンチレバー延伸部層を除去する工程をさらに含む、請求項1記載の方法。
【請求項３】
基板がシリコン基板であり、第一の材料がシリコンであり、段が2つの交差する｛411｝Si結晶面表面を含み、かつ形成された先端が1つの｛111｝Si面表面に交差する2つの交差する｛411｝Si面表面を含み、基板の第二の側面の第二の部分の除去が、先端の｛111｝Si面の形成を含み、かつ基板の前記第一の側面上の第一の部分をアンダーカットする工程が異方性エッチングを含む、請求項1記載の方法。
【請求項４】
（a）カンチレバーと、
（b）2つの交差する｛411｝Si面表面を含む、前記カンチレバー上の四面体Si先端と
を含むプローブ。
【請求項５】
カンチレバーが窒化シリコン、ポリマー、金属、または合成物のカンチレバーを含み、かつ先端が交差する｛111｝Si面表面をさらに含む、請求項4記載のプローブ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月13日(2011.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの第一の電磁放射線をサンプルに提供し、少なくとも一つの第二の電磁放射線を第一のレファレンス路に提供し、少なくとも一つの第三の電磁放射線を第二のレファレンス路に提供する、少なくとも一つの第一の機構であって、ここで、該少なくとも一つの第一の機構によって提供される放射線の周波数は、時間と共に変化する、少なくとも一つの第一の機構と；
（ｉ）少なくとも一つの第一の電磁放射線に付随する少なくとも一つの第四の電磁放射線と少なくとも一つの第二の放射線に付随する少なくとも一つの第五の電磁放射線との間の第一の干渉についてのすべての深度、及び、
（ｉｉ）前記の少なくとも一つの第四の電磁放射線と前記の第三の放射線に付随する少なくとも一つの第六の電磁放射線との間の第二の干渉についてのすべての深度、
を同時に検出する少なくとも一つの第二の機構と、
を含む装置。
【請求項２】
前記の第一のレファレンス路の光路長が、前記の第二のレファレンス路の光路長と実質的に異なる、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記の第一のレファレンスの光路長と前記の第二のレファレンス路の光路長との差が、５００μｍ超である、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記の第一のレファレンス路が、前記の少なくとも一つの第二の電磁放射線の周波数を偏移させる機構をさらに有する、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記の第二のレファレンス路が、前記の少なくとも一つの第三の電磁放射線の周波数を偏移させる追加的な機構を有する、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記の少なくとも一つの第二の電磁放射線の周波数の偏移の大きさが、前記の少なくとも一つの第三の電磁放射線の周波数の偏移の大きさと異なる、請求項４に記載の装置。
【請求項７】
前記の少なくとも一つの第一の電磁放射線が、中心周波数が時間と共に実質的に連続的に、ミリ秒あたり１００テラヘルツを超える同調速度で変化するスペクトルを有する、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記の少なくとも一つの第四の電磁放射線が、前記のサンプルの固有の位置から提供される、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記の第一の干渉及び第二の干渉に基づいて、前記のサンプルの少なくとも一部の深度プロファイルを生成するように構成される少なくとも一つの第三の機構をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月22日(2010.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、
前記装置は微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）センサを備え、前記センサは、
可動エレメントの第１の端部と第２の端部との間でオフセットされている回転軸に対して動くように適合され、前記回転軸と前記第１の端部との間に第１の区画を形成し、前記回転軸と前記第２の端部との間に第２の区画を形成する前記可動エレメントであって、前記第１の区画は、前記回転軸から、前記回転軸と前記第２の端部との間の前記第２の区画の長さにほぼ等しい距離だけ離間された延在部を含み、前記可動エレメントは、第１の表面および第２の表面を含む、前記可動エレメントと、
前記可動エレメントの前記第１の表面から離間され、第１のアクチュエーション電極および第１の感知電極を含む、第１の固定導電層と、
前記可動エレメントの前記第２の表面から離間され、第２のアクチュエーション電極および第２の感知電極を含む、第２の固定導電層と
を含み、前記第１および第２のアクチュエーション電極は、前記延在部と対向する、装置。
【請求項２】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）センサであって、
可動エレメントの第１の端部と第２の端部との間でオフセットされている回転軸に対して動くように適合され、前記回転軸と前記第１の端部との間に第１の区画を形成し、前記回転軸と前記第２の端部との間に第２の区画を形成する前記可動エレメントであって、前記第１の区画は、前記回転軸から、前記回転軸と前記第２の端部との間の前記第２の区画の長さにほぼ等しい距離だけ離間された延在部を含み、前記可動エレメントは、第１の表面および第２の表面を含む、前記可動エレメントと、
前記可動エレメントの前記第１の表面から離間され、第１のアクチュエーション電極、第１の感知電極、および第３の感知電極を含む、第１の固定導電層と、
前記可動エレメントの前記第２の表面から離間され、第２のアクチュエーション電極、第２の感知電極、および第４の感知電極を含む、第２の固定導電層と、
を備え、前記第１および第２のアクチュエーション電極は、前記延在部と対向し、前記第１および第２の感知電極は、前記第１の区間と対向し、前記第３および第４の感知電極は、前記第２の区間と対向し、前記第１、第２、第３、および第４の感知電極のそれぞれは、前記可動エレメントの全表面積の２５〜３５パーセントの範囲にある表面積を有する、センサ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月20日(2011.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
DE 43 39 931 C1号明細書は自動車のトランスミッション中のギアセレクタレバーの位置センサを開示している。この位置センサの欠点は回転運動を感知するのに適切ではないことである。  
【特許文献１】KR 10 2001 099 256A
【特許文献２】DE 43 39 931 C1
【特許文献３】DE 34 27 000 C2
【特許文献４】DE 10 2005 021 890 A1
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月21日(2011.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体表面の三次元撮像用の単一レンズ装置であって、
１つのレンズと、
前記レンズを含んだ光学経路を遮る複数のフィルタリング用絞り開口であって、被写体表面から反射された光が、前記レンズと前記フィルタリング用絞り開口とを通過し、フィルターをかけられて前記表面を表すフィルターがかけられた情報となるように構成されているフィルタリング用絞り開口と、
前記光学経路に沿って前記表面を表す前記フィルターをかけられた情報を獲得し、前記表面を表す出力信号を生成するために動作可能なセンサーと、
前記表面の前記フィルターをかけられた情報を表す前記出力信号を前記センサーから受け取るために前記センサーと通信可能に接続され、さらに、前記被写体表面を表現する表面画像を生成するように構成されたプロセッサと、
を有しており、前記プロセッサは、前記表面から、該表面によって変形されている変形パターンを検出し、前記表面により変形される前の元来のパターンを表す情報と前記パターンとを比較するものであり、前記表面画像は、デフォーカスされた情報によって前記元来のパターンと前記変形したパターンとの間の相違が見つけ出されることによって決定されることを特徴とする単一レンズ装置。
【請求項２】
前記複数のフィルタリング用絞り開口は、色で符号化された少なくとも２つの絞り開口を有する請求項１に記載の単一レンズ装置。
【請求項３】
さらに、前記被写体表面上に、アドレス可能なパターンを投影するための多波長のアドレス可能なパターン投影機を有する請求項２に記載の単一レンズ装置。
【請求項４】
前記複数のフィルタリング用絞り開口は、偏光による符号化をされた少なくとも２つの絞り開口を有し、前記センサーは、偏光され符号化された情報を受け取るように構成されている請求項１に記載の単一レンズ装置。
【請求項５】
前記複数のフィルタリング用絞り開口は、それぞれの形状で符号化された少なくとも２つの絞り開口を有する請求項１に記載の単一レンズ装置。
【請求項６】
被写体表面の三次元撮像方法であって、
レンズを含んだ光学経路を遮る複数のフィルタリング用絞り開口を利用し、前記光学経路に沿ってセンサーを利用するステップであって、前記フィルタリング用絞り開口は、被写体表面から反射された光が、前記レンズと前記フィルタリング用絞り開口とを通過し、フィルターをかけられて前記表面を表すフィルターがかけられた情報となるように構成されていることを特徴とするステップと、
前記被写体の表面を表す表面画像を生成するため、前記表面の前記フィルターがかけられた情報を表す出力信号を受け取るためにセンサーと通信可能に接続されたプロセッサを使用するステップと、
を含んでおり、前記プロフェッサを使用するステップは、前記表面から、該表面によって変形されている変形パターンを検出し、前記表面により変形される前の元来のパターンを表す情報と前記パターンとを比較するものであり、前記表面画像は、デフォーカスされた情報によって、前記元来のパターンと前記変形したパターンとの間の相違が見つけ出されることによって決定されることを特徴とする方法。
【請求項７】
前記複数のフィルタリング用絞り開口は、色で符号化された少なくとも２つの絞り開口を有する請求項６に記載の方法。
【請求項８】
さらに、前記被写体表面上に、アドレス可能なパターンを提供する多波長のアドレス可能なパターンを投影するステップを含んだ請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記複数のフィルタリング用絞り開口は、偏光による符号化をされた少なくとも２つの絞り開口を有し、前記センサーは、偏光され符号化された情報を受け取るように構成されている請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記複数のフィルタリング用絞り開口は、それぞれの形状で符号化された少なくとも２つの絞り開口を有する請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月21日(2011.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
可撓性シートおよび剛性の断熱エンドブロックを含む、平板型の固体酸化物型燃料電池スタックのためのクランプ構造であり、該可撓性シートは、おおむね凸形状に曲がることができ、該剛性の断熱エンドブロックは、該平板型の固体酸化物型燃料電池スタックのエンドプレートと接触させるための平坦面と、おおむね凸形状の対向面とを備える四辺形の基台として造形され、該可撓性シートは、該剛性の断熱エンドブロックの上記対向面上に配置され、該可撓性シートは、それにより、圧迫されるとおおむね凸状の形状を得るように曲がる、前記クランプ構造。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月20日(2011.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
混合光を生成するための装置において、
１次電磁放射を送出する少なくとも１つの半導体チップ（５ｅ）と、該半導体チップ（５ｅ）の１次電磁放射の射線経路に設けられたルミネセンス変換エレメント（３）と、結合エレメント（４）と、該ルミネセンス変換エレメント（３）を成形する担体エレメント（１）とを有し、
前記ルミネセンス変換エレメント（３）は前記結合エレメント（４）によって前記担体エレメント（１）に結合され、前記担体エレメント（１）によって前記射線経路に挿入されており、
前記ルミネセンス変換エレメント（３）を配置するために前記担体エレメント（１）にキャビティ（２）が設けられており、該キャビティ（２）内に前記ルミネセンス変換エレメント（３）と前記結合エレメント（４）とが設けられていることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記キャビティ（２）は複数の部分空間に分割されている、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記部分空間（２ａ，２ｂ，２ｃ）は３つであり、該部分空間（２ａ，２ｂ，２ｃ）はそれぞれ、基面に対して平行な異なる平面に存在する、請求項２記載の装置。
【請求項４】
前記ルミネセンス変換エレメント（３）は前記１次電磁放射を少なくとも部分的に２次電磁放射に変換する、請求項１から３までのいずれか１項記載の装置。
【請求項５】
前記半導体チップ（５ｅ）はＬＥＤ支持体（５）に結合されており、
前記ルミネセンス変換エレメント（３）は前記担体エレメント（１）によって前記半導体チップ（５ｅ）に対して位置決めされている、請求項１から４までのいずれか１項記載の装置。
【請求項６】
前記ルミネセンス変換エレメント（３）は均質に配置されるように、前記担体エレメント（１）によって成形される、請求項１から５までのいずれか１項記載の装置。
【請求項７】
前記結合エレメント（４）を位置決めするために前記担体エレメント（１）のキャビティ（２）が使用される、請求項１から６までのいずれか１項記載の装置。
【請求項８】
前記ルミネセンス変換エレメント（３）は蛍光体の形態で形成されている、請求項１から７までのいずれか１項記載の装置。
【請求項９】
前記担体エレメント（１）は光学的エレメントである、請求項１から８までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１０】
前記半導体チップ（５ｅ）の表面は平坦である、請求項１から９までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１１】
前記結合エレメント（４）の表面は平坦である、請求項１から１０までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１２】
前記結合エレメント（４）は、送出すべき前記混合光（４）に対して透過性である、請求項１から１１までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１３】
前記結合エレメント（４）は、前記担体エレメント（１）と前記ＬＥＤ支持体（５）との間の保持力を接着によって生成する、請求項１から１２までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１４】
前記結合エレメント（４）は、前記担体エレメント（１）と前記ＬＥＤ支持体（５）との間の保持力を機械的に生成する、請求項１から１３までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１５】
混合光を生成するための装置の製造方法において、
１次電磁放射を生成する少なくとも１つの半導体チップ（５ｅ）を設け、
担体エレメント（１）に設けられたキャビティ（２）にルミネセンス変換エレメントと結合エレメントを設けることにより、該担体エレメント（１）によって該ルミネセンス変換エレメント（３）を該１次電磁放射の射線経路に位置決めし、該結合エレメント（４）によって該ルミネセンス変換エレメント（３）を該半導体チップ（５）に結合することを特徴とする製造方法。
【請求項１６】
前記キャビティ（２）は複数の部分空間（２ａ，２ｂ，２ｃ）に分割される、請求項１５記載の製造方法。
【請求項１７】
前記部分空間（２ａ，２ｂ，２ｃ）は３つであり、該部分空間（２ａ，２ｂ，２ｃ）はそれぞれ、基面に対して平行な異なる平面に存在する、請求項１６記載の装置。
【請求項１８】
前記ルミネセンス変換エレメント（３）を前記キャビティによって均質に配置する、請求項１５から１７までのいずれか１項記載の製造方法。
【請求項１９】
前記結合エレメント（４）によって、前記担体エレメント（１）と、前記半導体チップ（５ｅ）に結合されたＬＥＤ担体（５）との間の保持力を接着によって生成する、請求項１５から１８までのいずれか１項記載の製造方法。
【請求項２０】
前記結合エレメント（４）を前記担体エレメント（１）のキャビティ（２）内に位置決めし、均質に配置する、請求項１５から１９までのいずれか１項記載の製造方法。
【請求項２１】
前記結合エレメント（４）によって、前記担体エレメント（１）と、前記半導体チップ（５ｅ）に統合されるＬＥＤ担体（５）との間の保持力を機械的に生成する、請求項１５から２０までのいずれか１項記載の製造方法。
【請求項２２】
生成された前記混合光は、前記結合エレメント（４）および前記担体エレメント（１）によって最大に透過される、請求項１５から２１までのいずれか１項記載の製造方法。
【請求項２３】
前記半導体チップ（５）、前記結合エレメント（４）および前記担体エレメント（１）は平坦な表面を有する、請求項１５から２２までのいずれか１項記載の製造方法。
【請求項２４】
前記担体エレメント（１）は、生成された混合光を光学的に偏向する、請求項１５から２３までのいずれか１項記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月11日(2011.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に薄膜材料を堆積することにより、トランジスタに使用するためのｎ型酸化亜鉛系薄膜半導体を製造する方法であって、
細長い実質的に平行なチャネルに沿って一連のガス流を同時に当てることを含み、そして、
該一連のガス流が、順番に、少なくとも、第１反応ガス材料と、不活性パージガスと、第２反応ガス材料とを、任意選択的に複数回繰り返された状態で含み、該第１反応ガス材料が、該ｎ型酸化亜鉛系薄膜半導体を形成するために、該第２反応ガス材料で処理された基板表面と反応することができ、該第１反応ガス材料は、亜鉛基及び有機基の両方を含む揮発性有機亜鉛前駆体化合物であり；
揮発性アクセプタ・ドーパント前駆体が、該第１反応ガス材料、第２反応ガス材料、不活性パージガス、又は補足ガス材料の追加のガス流中に導入され；
該方法が、実質的に大気圧で又は大気圧を上回る圧力で行われ、そして堆積中の該基板の温度が２５０℃未満であり、これにより、該揮発性アクセプタ・ドーパント前駆体が反応し、該ｎ型酸化亜鉛系薄膜半導体中にアクセプタ・ドーパントとして組み込まれる、ｎ型酸化亜鉛系薄膜半導体を製造する方法。
【請求項２】
該一連のガス流が、平面図で見て該基板を、該基板上に該基板に近接して配置された、平行な一連の開いた細長い出力チャネルを向けることを含む堆積装置によって提供され、該堆積装置の面が、堆積を施される該基板の表面から１ｍｍ以内の間隔が開けられている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該方法は、薄膜トランジスタの半導体を形成するために用いられ、薄膜が酸化亜鉛系材料を含み、該方法が、３００℃以下の温度で基板上に、少なくとも１つの酸化亜鉛系材料層を形成することを含み、該酸化亜鉛系材料が、有機亜鉛前駆体化合物を含む第１反応ガスと、反応性酸素含有ガス材料を含む第２反応ガスとの少なくとも２つの反応ガスの反応生成物である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
離隔されたソース電極とドレイン電極とを形成することをさらに含み、該ソース電極と該ドレイン電極とは、該ｎ型酸化亜鉛系薄膜半導体によって隔離され、そして該ｎ型酸化亜鉛系薄膜半導体と電気的に接続されており、そして、該ｎ型酸化亜鉛系薄膜半導体から離隔されたゲート電極を形成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
基板上に薄膜材料を堆積することにより、トランジスタに使用するためのｎ型酸化亜鉛系薄膜半導体を製造する方法であって、
細長い実質的に平行なチャネルに沿って一連のガス流を同時に当てることを含み、そして、
該一連のガス流が、順番に、少なくとも、第１反応ガス材料と、不活性パージガスと、第２反応ガス材料とを、任意選択的に複数回繰り返された状態で含み、該第１反応ガス材料が、該ｎ型酸化亜鉛系薄膜半導体を形成するために、該第２反応ガス材料で処理された基板表面と反応することができ、該第１反応ガス材料は、亜鉛基及び有機基の両方を含む揮発性有機亜鉛前駆体化合物であり；
該揮発性有機亜鉛前駆体化合物と反応する窒素含有揮発性アクセプタ・ドーパント前駆体が、該第２反応ガス材料中に導入されるか、又は補足ガス材料の追加のガス流中に導入され；該ガス流は、該第１反応ガス材料と分離されており、且つ該不活性パージガスと分離されている；そして
該方法が、実質的に大気圧で又は大気圧を上回る圧力で行われ、そして堆積中の該基板の温度が２５０℃未満であり、これにより、該窒素含有揮発性アクセプタ・ドーパント前駆体が反応し、そして窒素ドーパントが、該ｎ型酸化亜鉛系薄膜半導体中にアクセプタ・ドーパントとして組み込まれる、ｎ型酸化亜鉛系薄膜半導体を製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月24日(2011.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化アルミニウム単結晶基板、並びに
前記窒化アルミニウム単結晶基板上にエピタキシャル成長させた少なくとも１つの歪み層であって、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ又はそれらの任意の二元若しくは三元の合金の組合せの少なくとも１つを含む層
を備え、
前記歪み層の厚みが、当該歪み層に関する、Matthews-Blakeslee理論により計算される予測臨界厚みを少なくとも５倍で上回る、半導体ヘテロ構造。
【請求項２】
前記少なくとも１つの歪み層の厚みが、前記予測臨界厚みを少なくとも１０倍で上回る、請求項１に記載の半導体ヘテロ構造。
【請求項３】
前記少なくとも１つの歪み層が実質的にＩｎ不含である、請求項１に記載の半導体ヘテロ構造。
【請求項４】
前記少なくとも１つの歪み層が、約１ｍｍ−２未満の巨視的な欠陥の密度を有する、請求項１に記載の半導体ヘテロ構造。
【請求項５】
前記少なくとも１つの歪み層に対して平行な歪みが、該少なくとも１つの歪み層と同じ組成を有する歪みのない合金の平行格子パラメータと前記少なくとも１つの歪み層の下に設けられた緩和プラットフォームの平行格子パラメータとの差の８０％より大きい、請求項１に記載の半導体ヘテロ構造。
【請求項６】
前記少なくとも１つの歪み層が、ＡｌｘＧａ１−ｘＮであり、該少なくとも１つの歪み層の厚みが約２００ｎｍより大きく、ｘが約０．６５未満である、請求項５に記載の半導体ヘテロ構造。
【請求項７】
前記少なくとも１つの歪み層の厚みが約１μｍより大きい、請求項１に記載の半導体ヘテロ構造
【請求項８】
前記少なくとも１つの歪み層が、約１０，０００ｃｍ−２未満の平均の貫通転位密度を有する、請求項１に記載の半導体ヘテロ構造。
【請求項９】
前記少なくとも１つの歪み層上に設けられた緩和されたキャップ層をさらに含む、請求項１に記載の半導体ヘテロ構造。
【請求項１０】
半導体ヘテロ構造を形成する方法であって、
窒化アルミニウム単結晶基板を設け、
前記基板上に、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ又はそれらの任意の二元若しくは三元の合金の組合せの少なくとも１つを含む歪み層をエピタキシャル堆積させることを含み、
前記歪み層の厚みが、当該歪み層に関する、Matthews-Blakeslee理論によって計算される予測臨界厚みを少なくとも５倍で上回る、方法。
【請求項１１】
前記歪み層を堆積させる前に、前記基板上にバッファ層を形成することをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記バッファ層と前記歪み層との間に傾斜層を形成することをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記歪み層の厚みが、前記予測臨界厚みを少なくとも１０倍で上回る、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記歪み層が実質的Ｉｎ不含である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記歪み層が、約１ｍｍ−２未満の巨視的な欠陥の密度を有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記歪み層がＡｌＧａＮを含み、前記歪み層をエピタキシャル堆積させることが、トリメチルアルミニウム及びトリメチルガリウムを反応器内に導入することを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
前記歪み層の堆積の際のトリメチルガリウムの初期流量が、トリメチルガリウムの最終流量より大きい、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記窒化アルミニウム単結晶基板が、１０μｍ×１０μｍの面積に対して約０．５ｎｍ、未満のＲＭＳ表面粗さ、約０．３°〜４°の表面の配向ずれ、及び約１０４ｃｍ−２未満の貫通転位密度を有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１９】
前記歪み層の貫通転位密度が、前記窒化アルミニウム単結晶基板の貫通転位密度にほぼ等しい、請求項１０に記載の方法。
【請求項２０】
前記歪み層上に、緩和されたキャップ層を形成することをさらに含み、前記歪み層が、前記緩和されたキャップ層を形成した後、歪みを維持している、請求項１０に記載の方法。
【請求項２１】
電界効果トランジスタ、発光ダイオード及び半導体レーザを含む群から選択されたデバイスであって、
前記デバイスが、歪みヘテロ構造の少なくとも一部を含み、該歪みヘテロ構造の少なくとも一部が、
窒化アルミニウム単結晶基板、及び
その上にエピタキシャル成長させた、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ又はそれらの任意の二元若しくは三元の合金の組合せの少なくとも１つを含む少なくとも１つの歪み層
を含み、
前記歪み層が、前記歪み層の厚みが、当該歪み層に関する、Matthews-Blakeslee理論により計算される予測臨界厚みを少なくとも１０倍で上回る、デバイス。
【請求項２２】
前記デバイスが、少なくとも１つの互いに入り込むコンタクトを含む発光ダイオードである、請求項２１に記載のデバイス。
【請求項２３】
前記少なくとも１つの歪み層上に設けられた、緩和されたキャップ層をさらに含む、請求項２１に記載のデバイス。
【請求項２４】
電界効果トランジスタ、発光ダイオード及び半導体レーザからなる群から選択されるデバイスであって、
前記デバイスが、歪みヘテロ構造の少なくとも一部を含み、該歪みヘテロ構造の少なくとも一部が、
窒化アルミニウム単結晶基板、及び
その上にエピタキシャル成長させた複数の歪み層であって、前記複数の歪み層の各層が、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ又はそれらの任意の二元若しくは三元の合金の組合せの少なくとも１つを含む、複数の歪み層
を含み、
前記複数の歪み層の全厚みが、当該歪み層に関する、Matthews-Blakeslee理論により計算される予測臨界厚みを少なくとも１０倍で上回る、デバイス。
【請求項２５】
前記窒化アルミニウム単結晶基板の表面に平行な、複数の歪み層の各層の格子パラメータが、前記窒化アルミニウム単結晶基板の格子パラメータに対し０．２％未満で異なる、請求項２４に記載のデバイス。
【請求項２６】
前記複数の歪み層上に設けられた、緩和されたキャップ層をさらに含む、請求項２４に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月21日(2011.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板層と、
ピット構造を備えて、前記基板層の上に配置される読み取り専用のデータ層と、
ナノ粒子を備えて、レーザービームが照射されたときに表面プラズモンを生成することにより超解像近接場効果をもたらすマスク層と、
前記データ層と前記マスク層との間に配置される誘電体層と、
を備え、
前記誘電体層は、前記ピット構造に従って変化する厚さを有する
ことを特徴とする光学記憶媒体。
【請求項２】
前記誘電体層の厚さは、２０から５０ナノメートルの範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の光学記憶媒体。
【請求項３】
前記読み取り専用のデータ層は、反射金属層で覆われることを特徴とする請求項１または２に記載の光学記憶媒体。
【請求項４】
前記データ層は、
３０ナノメートルよりも大きなピット深さをもつ正のピットと、
前記データ層の位置にピットがある場合、前記マスク層と前記データ層との間が５０ナノメートルよりも大きい距離と、
前記データ層の位置にピットがない場合、前記マスク層と前記データ層との間が５０ナノメートルよりも小さい距離と
を備えることを特徴とする請求項１乃至３のうちのいずれか１項に記載の光学記憶媒体。
【請求項５】
前記データ層は、
３０ナノメートルよりも大きなピット高さをもつ負のピットまたはバンプと、
前記データ層の位置にピットがない場合、前記マスク層と前記データ層との間が５０ナノメートルよりも大きい距離と、
前記データ層の位置にピットがある場合、前記マスク層と前記データ層との間が５０ナノメートルよりも小さい距離と
を備えることを特徴とする請求項１乃至３のうちのいずれか１項に記載の光学記憶媒体。
【請求項６】
前記誘電体層は、平坦な面を備えて、前記マスク層と前記データ層との間で定まった距離を与えることを特徴とする請求項１乃至５のうちのいずれか１項に記載の光学記憶媒体。
【請求項７】
前記誘電体層はプラスチックの層であり、スピンコート法により前記データ層の上に配置されることを特徴とする請求項１乃至６のうちのいずれか１項に記載の光学記憶媒体。
【請求項８】
前記マスク層の厚さは１から３０ナノメートルの範囲にあり、前記マスク層に含まれる前記ナノ粒子は貴金属を含むことを特徴とする請求項１乃至７のうちのいずれか１項に記載の光学記憶媒体。
【請求項９】
前記誘電体層の厚さは、例えば２０から５０ナノメートルの範囲内の最小距離と、例えば５０ナノメートルよりも大きな最大距離との間で前記ピット構造に従って変化することを特徴とする請求項１乃至８のうちのいずれか１項に記載の光学記憶媒体。
【請求項１０】
前記光学記憶媒体は、読み取り専用の光学ディスクであることを特徴とする請求項１乃至９のうちのいずれか１項に記載の光学記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月6日(2011.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属ハロゲン電気化学エネルギー生成システムであって、
（Ａ）圧力コンテナであって、
（ａ）少なくとも１つの正電極と、
少なくとも１つの負電極と、
前記正電極および前記負電極の間の反応ゾーンと、を含む少なくとも１つのセルと、
（ｂ）（ｉ）金属およびハロゲンを含む少なくとも１つの水性電解質と（ｉｉ）加圧されたハロゲン反応物とを含む電解質混合物と、を備える圧力コンテナと、
（Ｂ）前記ハロゲン反応物が前記正電極で還元されてハロゲンイオンに富む電解質混合物を形成し、それが前記負電極のそばを通るように、前記電解質混合物の流れを前記反応ゾーンを通して運ぶように構成された循環ポンプと、
を備えるシステム。
【請求項２】
請求項１記載のシステムにおいて、
前記正電極は多孔性材料を含み、前記負電極は亜鉛を含み、前記金属は亜鉛を含み、前記ハロゲンは塩素を含み、前記水性電解質は塩化亜鉛電解質を含み、前記ハロゲン反応物は塩素反応物を含むシステム。
【請求項３】
請求項１記載のシステムにおいて、
前記循環ポンプは、前記圧力コンテナ内に置かれるシステム。
【請求項４】
請求項１記載のシステムにおいて、
前記ハロゲン反応物は、前記システムの中のソースから供給されるシステム。
【請求項５】
請求項１記載のシステムにおいて、
前記少なくとも１つのセルの各々は、前記電解質混合物を前記反応ゾーンに導入するように構成された分配チャネルを含むセルフレームを備え、前記分配チャネルは、前記分配チャネルの各々が同じ長さと同じ数および半径のベンドとを有するように前記電解質混合物の流れをそれぞれ二分割する分割ノードにより形成されるシステム。
【請求項６】
請求項１記載のシステムにおいて、
前記少なくとも１つのセルは、水平に配置されたセルを備えるシステム。
【請求項７】
請求項６記載のシステムにおいて、
前記少なくとも１つのセルは、水平に配置されたセルの垂直なスタックを備えるシステム。
【請求項８】
請求項７記載のシステムにおいて、
前記少なくとも１つのセルから前記電解質混合物を集めるように構成された上昇流動リターンマニホールドをさらに備えるシステム。
【請求項９】
請求項７記載のシステムにおいて、
前記電解質混合物の流れが止まった時に、前記スタックは、セル間の電気的連続性を維持するが、セル間の電解質連続性を維持しないシステム。
【請求項１０】
請求項１記載のシステムにおいて、
前記正電極および前記負電極は、前記電解質混合物の流れが止まった時に、前記電解質のプールとの接触を維持するように構成されるシステム。
【請求項１１】
金属ハロゲン電気化学エネルギー生成システムを使用する方法であって、
（Ａ）システムを提供するステップであって、
少なくとも１つの正電極と、
少なくとも１つの負電極と、
前記正電極および前記負電極の間の反応ゾーンと、を含む少なくとも１つのセルを収容する圧力コンテナを備えるシステムを提供するステップと、
（Ｂ）（ｉ）金属およびハロゲンを含む少なくとも１つの水性電解質と（ｉｉ）加圧されたハロゲン反応物とを混合して電解質混合物を形成するステップと、
（Ｃ）前記電解質混合物の流れを前記セルの前記正電極に運んで前記正電極において前記ハロゲン反応物を還元してハロゲンイオンに富む電解質混合物を形成し、そのハロゲンイオンに富む電解質混合物を前記負電極のそばを通過させるステップと、
を含む方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の方法において、
前記正電極が多孔性材料を含むので、前記運ばれる電解質混合物は前記正電極を通過し、前記負電極は亜鉛を含み、前記金属は亜鉛を含み、前記ハロゲンは塩素を含み、前記水性電解質は塩化亜鉛電解質を含み、前記ハロゲン反応物は塩素反応物を含む方法。
【請求項１３】
請求項１１記載の方法において、
前記ハロゲン反応物は、前記システムの中のソースから供給される方法。
【請求項１４】
請求項１１記載の方法において、
前記少なくとも１つのセルは、水平に配置されたセルの垂直なスタックを備える方法。
【請求項１５】
請求項１１記載の方法において、
前記電解質混合物の流れが止まった時に、前記システムの自己放電を防止するために前記少なくとも１つのセルにバランシング電圧を加えるステップをさらに含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月11日(2011.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に多接合薄膜太陽電池を形成する方法であって：
第一ｐ-ｉ-ｎ接合部を形成するステップであって：
ｐ型アモルファスシリコン層を形成する工程と；
該ｐ型アモルファスシリコン層の上に真性型アモルファスシリコン層を形成する工程と
；
該真性型アモルファスシリコン層の上にｎ型微結晶シリコン層を形成する工程と；
を含む、前記ステップと；
該第一ｐ-ｉ-ｎ接合部の上に第二ｐ-ｉ-ｎ接合部を形成するステップであって：
ｐ型微結晶シリコン層を形成する工程と；
該ｐ型微結晶シリコン層の上に真性型微結晶シリコン層を形成する工程と；
該真性型微結晶層の上にｎ型アモルファスシリコン層を形成する工程と；
を含む、前記ステップと；
を含む、前記方法。
【請求項２】
該第一ｐ-ｉ-ｎ接合部を形成するステップが、該真性型アモルファスシリコン層と該ｎ型微結晶シリコン層の間にｎ型アモルファスシリコンバッファ層を形成する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該第一ｐ-ｉ-ｎ接合部が、酸化亜鉛透明導電性酸化物層の上に形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
該第一ｐ-ｉ-ｎ接合部が、該酸化亜鉛透明導電性酸化物層と該ｐ型アモルファスシリコン層の間に形成されたｐ型微結晶コンタクト層を更に備える、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
該第一ｐ-ｉ-ｎ接合部の該ｐ型アモルファスシリコン層が約６０オングストローム〜約３００オングストロームの厚さに形成され；該第一ｐ-ｉ-ｎ接合部の該真性型アモルファスシリコン層が約１,５００オングストローム〜約３,５００オングストロームの厚さに形成され；該第一ｐ-ｉ-ｎ接合部の該ｎ型微結晶シリコン層が約１００オングストローム〜約４００オングストロームの厚さに形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
該第二ｐ-ｉ-ｎ接合部の該ｐ型微結晶シリコン層が約１００オングストローム〜約４００オングストロームの厚さに形成され；該第二ｐ-ｉ-ｎ接合部の該真性型アモルファスシリコン層が約１０,０００オングストローム〜約３０,０００オングストロームの厚さに形成され；該ｎ型アモルファスシリコン層が約１００オングストローム〜約５００オングストロームの厚さに形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
該ｎ型アモルファスシリコンバッファ層が、約１０オングストローム〜約２００オングストロームの厚さに形成される、請求項２に記載の方法。
【請求項８】
該ｐ型微結晶コンタクト層が、約６０オングストローム〜約３００オングストロームの厚さに形成される、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
該第一ｐ-ｉ-ｎ接合部が、第一プロセスチャンバと第二プロセスチャンバを備える第一プロセスシステム内で形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
該第一ｐ-ｉ-ｎ接合部の該ｐ型アモルファスシリコン層が、該第一プロセスシステムの該第一プロセスチャンバ内で形成され、該真性型アモルファスシリコン層と該ｎ型微結晶シリコン層が、該第一プロセスシステムの該第二プロセスチャンバ内で形成される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
該第一ｐ-ｉ-ｎ接合部を形成するステップが、更に、該第一システムの該第二プロセスチャンバ内で該真性型アモルファスシリコン層と該ｎ型微結晶シリコン層の間にｎ型アモルファスシリコンバッファ層を形成する工程を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
該第一ｐ-ｉ-ｎ接合部を形成するステップが、更に、該第一プロセスシステムの該第一プロセスチャンバ内で該ｐ型アモルファスシリコン層を形成する前にｐ型微結晶コンタクト層を形成する工程を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
該第二ｐ-ｉ-ｎ接合部が、第一プロセスチャンバと第二プロセスチャンバを備える第二プロセスシステム内で形成される、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
該第一ｐ-ｉ-ｎ接合部の該ｐ型微結晶シリコン層が、該第二プロセスシステムの該第一プロセスチャンバ内で形成され、該第二ｐ-ｉ-ｎ接合部の該真性型微結晶シリコン層と該ｎ型アモルファスシリコン層が、該第二プロセスシステムの該第二チャンバ内で形成される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
該第一ｐ-ｉ-ｎ接合部の該ｎ型微結晶シリコン層と該第二ｐ-ｉ-ｎ接合部の該ｐ型微結晶シリコン層が、該第一ｐ-ｉ-ｎ接合部と該第二ｐ-ｉ-ｎ接合部の間のトンネル層として作用するのに充分な導電性を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
該第二ｐ-ｉ-ｎ接合部の該ｎ型アモルファスシリコン層が、多量にドープされたｎ型アモルファスシリコン層を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
該多量にドープされたｎ型アモルファスシリコン層の抵抗率が、約５００オーム-ｃｍ以下である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
該基板が、該第一ｐ-ｉ-ｎ接合部と該第二ｐ-ｉ-ｎ接合部の形成の間に周囲環境にさらされる、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
該ｐ型アモルファスシリコン層が、ｐ型アモルファスシリコン-炭素層である、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月20日(2011.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷陰極蛍光ランプを作製する方法であって、
電気的機能性粒子と有機媒体とを含む導電性層厚膜組成物を提供するステップと、
第１の端部、第２の端部、第１の内部電極、第２の内部電極、および内側周壁を有する円筒形ガラス管を提供するステップであって、蛍光物質は前記内側周壁に沿って提供され、放電ガスは前記ガラス管に注入され、前記第１の内部電極は前記ガラス管の内側から前記第１の端部を通して延在して、前記第１の電極の内部および外部を形成し、前記第２の内部電極は前記ガラス管の内側から前記第２の端部を通して延在して、前記第２の電極の内部および外部を形成し、前記ガラス管、第１の電極および第２の電極は封止されてガラス管構造を形成して、前記蛍光物質および放電ガスが前記ガラス管構造内に含まれるようにするステップと、
前記導電性層厚膜組成物を前記ガラス管構造の前記第１および第２の端部に適用して、第１の導電性層および第２の導電性層を形成するステップと、
前記ガラス管および導電性層厚膜組成物を焼成して、冷陰極蛍光ランプを形成するステップと
を備えることを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
厚膜ペースト層の長さ（すなわち、ガラス管の被覆範囲）は、最適化する必要がある。ＣＣＦＬの厚膜の被覆範囲は、ランプの電気的性能に大きく影響する。長い被覆範囲のランプは、ガラス管との接触面積が大きくなるため、電気抵抗が低い。例えば、長さを減じた１０ｍｍのランプにおいて４ｍＡの典型的な管電流を得るには、長さ２０ｍｍの電極のランプに必要とされる電圧の１．７倍という高い電圧を印加しなければならない。短い電極のランプの操作電圧が高いと、電極周囲にオゾンが生成されたり、バックライトモジュールに絶縁材料を特別に設ける必要があったり、インバータ出力電圧制限に達する等の問題につながる。ランプの高い輝度には、高い操作電流が必要とされる。高操作電圧で高電流のランプを操作するには、電極の長さを長くするという解決策が広く採用されている。この解決策の欠点は、ランプの実際の照明領域が、長い電極より小さくなることである。従って、電極の長さとランプ輝度の最適化を考慮しなければならない。以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］  冷陰極蛍光ランプを作製する方法であって、電気的機能性粒子と有機媒体とを含む導電性層厚膜組成物を提供するステップと、第１の端部、第２の端部、第１の内部電極、第２の内部電極、および内側周壁を有する円筒形ガラス管を提供するステップであって、蛍光物質は前記内側周壁に沿って提供され、放電ガスは前記ガラス管に注入され、前記第１の内部電極は前記ガラス管の内側から前記第１の端部を通して延在して、前記第１の電極の内部および外部を形成し、前記第２の内部電極は前記ガラス管の内側から前記第２の端部を通して延在して、前記第２の電極の内部および外部を形成し、前記ガラス管、第１の電極および第２の電極は封止されてガラス管構造を形成して、前記蛍光物質および放電ガスが前記ガラス管構造内に含まれるようにするステップと、前記導電性層厚膜組成物を前記ガラス管構造の前記第１および第２の端部に適用して、第１の導電性層および第２の導電性層を形成するステップと、前記ガラス管および導電性層厚膜組成物を焼成して、冷陰極蛍光ランプを形成するステップとを備えることを特徴とする方法。
［２］  前記第１の導電性層は、前記第１の電極の前記外側部分を完全にカバーしている、［１］に記載の方法。
［３］  前記保護層は、１つまたは複数の前記第１および第２の導電性層に適用されている、［１］に記載の方法。
［４］  前記保護層は、無鉛の層である、［３］に記載の方法。
［５］  前記適用するステップは、ディップコーティング、スクリーン印刷、ロールコーティング、およびスプレーコーティングを含む群から選択される、［１］に記載の方法。
［６］  前記焼成するステップの前に、前記導電性層厚膜組成物を乾燥するステップをさらに備える、［１］に記載の方法。
［７］  前記導電性層厚膜組成物は、ガラスフリットをさらに含む、［１］に記載の方法。
［８］  前記焼成するステップは、３００〜６００℃の温度範囲で実施される、［１］に記載の方法。
［９］  前記焼成するステップは、８０〜３００℃の温度範囲で実施される、［１］に記載の方法。
［１０］  前記ガラスフリット組成物は、無鉛のガラスフリット組成物である、［７］に記載の方法。
［１１］  前記ガラスフリット組成物は、重量％合計ガラスフリット組成物において、ＳｉＯ2４〜８、Ａｌ2Ｏ3２〜３、Ｂ2Ｏ3８〜２５、ＣａＯ０〜１、ＺｎＯ１０〜４０、Ｂｉ2Ｏ3３０〜７０、ＳｎＯ2０〜３を含む、［７］に記載の方法。
［１２］  ［１］に記載の方法により作製された冷陰極蛍光ランプ。
［１３］  ［１２］に記載の冷陰極蛍光ランプを含む液晶ディスプレイデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月10日(2010.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）タイプのウェハの製造方法であって、
ａ）シリコンの初期ドナー基板（１）を用意するステップと、
ｂ）前記初期ドナー基板（１）上に二酸化シリコンの絶縁層（３）を形成するステップと、
ｃ）前記初期ドナー基板（１）に所定の分割エリアを形成するステップと、
ｄ）前記初期ドナー基板をハンドル基板（９）に貼り付けるステップと、
ｅ）前記所定の分割エリア（７）で前記ドナー基板（１）を剥離することで、前記初期ドナー基板（１）の層（１３）を前記ハンドル基板（９）上に転写して、ＳＯＩウェハを形成するステップと、
を備え、
当該製造方法が、少なくとも３回、好ましくは、５回〜１０回繰り返され、
前記初期ドナー基板（１）の残部（１５）が、後続する製造ランにおいて初期ドナー基板（１）として再利用される、方法において、
前記絶縁層（３）が、９００℃未満、好ましくは、８５０℃以下の温度で実行される熱処理によって形成されることを特徴とするＳＯＩタイプのウェハの製造方法。
【請求項２】
前記被転写層（１５）の厚さが、１０００Å以下である、請求項１に記載のＳＯＩタイプのウェハの製造方法。
【請求項３】
仕上げステップ後、特に、研磨およびアニールを実行した後、前記被転写層が、エピタキシャル堆積により、特に、６０００Åの層の厚さを達成するように、さらに厚層化される、請求項１または２に記載のＳＯＩタイプのウェハの製造方法。
【請求項４】
第１の製造ランの前の新しい初期ドナー基板（１）の格子間酸素濃度が、２５ｐｐｍａ（ｏｌｄ  ＡＳＴＭ）未満、特に、１６ｐｐｍａ（ｏｌｄ  ＡＳＴＭ）未満である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のＳＯＩタイプのウェハの製造方法。
【請求項５】
前記初期ドナー基板（１）、および、後続する残部（１５）を用いた各製造ランにおいて、前記被転写層のＨＦ欠陥密度が、０．１欠陥／ｃｍ２未満、特に、０．０５欠陥／ｃｍ２未満であるように熱処理が実行される、請求項１〜４のいずれか一項に記載のＳＯＩタイプのウェハの製造方法。
【請求項６】
製造ランごとに、前記絶縁層（３）がより高い温度で形成される、請求項１〜５のいずれか一項に記載のＳＯＩタイプのウェハの製造方法。
【請求項７】
前記絶縁層（３）の厚さが、少なくとも１０００Å、特に、約１４５０Åである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月21日(2011.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成され、前記基板上に形成されるワード線と、ほぼ直交するビット線とに結合する、複数のメモリセルを含み、各メモリセルは、
記憶デバイスと、
前記記憶デバイスと、前記ワード線のうちの選択された一つと、前記ビット線のうちの選択された一つとに結合する、前記基板内に形成されるアクセスデバイスとをさらに含み、
各々が、一対の対向側壁とその間にのびる床とを含み、前記側壁は選択された導電性を持つ前記アクセスデバイスの活性領域を含む、前記半導体基板内に形成される複数の凹部であって、前記活性領域は前記側壁に閉じ込められている複数の凹部と、
前記凹部の対向側壁上に少なくとも部分的に配置される非連続領域を含む導電性膜構造と、
前記活性領域と前記導電性膜構造との間に置かれる誘電体層と、
前記凹部のうち隣接するものの間に形成され、前記複数の凹部の前記一対の対向側壁に実質的に垂直な方向にのび、前記凹部の深さより深い深さを有する複数のトレンチであって、前記凹部の隣接するものの間に形成され、前記凹部に実質的に平行であり、前記凹部の深さより深い深さを有する複数の他のトレンチを有する複数のトレンチと、
をさらに含む、メモリデバイスのためのメモリアレイ。
【請求項２】
前記凹部は前記基板の中に凹部の深さまでのび、前記導電性膜構造は前記凹部の各側壁に沿って前記凹部の深さよりも浅い深さまでのびる、請求項１に記載のメモリアレイ。
【請求項３】
前記活性領域は前記側壁の中に第一の深さまでのび、前記導電性膜構造は前記凹部の側壁に沿って前記第一の深さよりも深い第二の深さまでのびる、請求項１に記載のメモリアレイ。
【請求項４】
前記導電性膜構造は上縁をさらに含み、前記上縁は前記第一の深さと前記第二の深さよりも浅い第三の深さまで前記凹部内で陥凹される、請求項３に記載のメモリアレイ。
【請求項５】
前記導電性膜構造は前記側壁と前記床の交点から離れてのびる下縁をさらに含む、請求項１に記載のメモリアレイ。
【請求項６】
前記誘電体層は前記床と前記一対の対向側壁を実質的に覆うトレンチ誘電体層をさらに含む、請求項１に記載のメモリアレイ。
【請求項７】
前記活性領域は、n+およびp-の導電性のうちの少なくとも一方を前記活性領域に与えるためにドープされる、請求項１に記載のメモリアレイ。
【請求項８】
前記記憶デバイスは三次元キャパシタ構造をさらに含む、請求項１に記載のメモリアレイ。
【請求項９】
半導体基板上に形成され、前記基板上に形成されるワード線と、ほぼ直交するビット線とに結合する、複数のメモリセルを含み、各メモリセルは、
複数の記憶デバイスと、
前記記憶デバイスと、前記ワード線のうちの選択された一つと、前記ビット線のうちの選択された一つとに動作可能に結合する、前記基板内に形成される複数のアクセスデバイスとをさらに含み、
各々が、前記アクセスデバイスの間にのび、一対の対向側壁とその間にのびる床とを含み、前記側壁は前記アクセスデバイスの活性領域を含む、前記半導体基板内に形成される複数の凹部であって、前記活性領域は前記側壁にだけ閉じ込められている複数の凹部と、
前記凹部の対向側壁上に少なくとも部分的に配置される非連続領域を含む導電性膜構造と、
前記活性領域と前記導電性膜構造との間に置かれる誘電体層と、
前記凹部のうち隣接するものの間に形成され、前記複数の凹部の前記一対の対向側壁に実質的に垂直な方向にのび、前記凹部の深さより深い深さを有する複数のトレンチであって、前記凹部の隣接するものの間に形成され、前記凹部に実質的に平行であり、前記凹部の深さより深い深さを有する複数の他のトレンチを有する複数のトレンチと、
をさらに含む、メモリデバイスのためのメモリアレイ。
【請求項１０】
前記凹部は前記基板の中に凹部の深さまでのび、前記導電性膜構造は前記凹部の各側壁に沿って前記凹部の深さよりも浅い深さまでのびる、請求項９に記載のメモリアレイ。
【請求項１１】
前記活性領域は前記側壁の中に第一の深さまでのび、前記導電性膜構造は前記凹部の各側壁に沿って前記第一の深さよりも深い第二の深さまでのびる、請求項９に記載のメモリアレイ。
【請求項１２】
前記導電性膜構造は上縁をさらに含み、前記上縁は前記第一の深さと前記第二の深さよりも浅い第三の深さまで前記凹部内で陥凹される、請求項１１に記載のメモリアレイ。
【請求項１３】
前記導電性膜構造は前記側壁と前記床の交点から離れてのびる下縁をさらに含む、請求項９に記載のメモリアレイ。
【請求項１４】
前記誘電体層は前記床と前記一対の対向側壁を実質的に覆うトレンチ誘電体層をさらに含む、請求項９に記載のメモリアレイ。
【請求項１５】
前記活性領域は、n+およびp-の導電性のうちの少なくとも一方を前記活性領域に与えるためにドープされる、請求項９に記載のメモリアレイ。
【請求項１６】
前記記憶デバイスは三次元キャパシタ構造をさらに含む、請求項９に記載のメモリアレイ。
【請求項１７】
第一の側面と、対向する第二の側面とを含む末端部分をさらに含み、前記末端部分は前記対向側壁のうちの一つに隣接し、前記凹部とほぼ整列する、請求項９に記載のメモリアレイ。
【請求項１８】
前記末端部分は誘電材料から成る、請求項１７に記載のメモリアレイ。
【請求項１９】
前記導電性膜は前記末端部分に沿ってのびる、請求項１７に記載のメモリアレイ。
【請求項２０】
前記第一の側面と前記対向する第二の側面との間にのびる前記末端部分の端部をさらに含み、前記導電性膜は、前記第一の側面と、前記端部に沿って、および前記対向する第二の側面上に連続的にのびる、請求項１９に記載のメモリアレイ。
【請求項２１】
前記導電性膜に結合するコンタクト構造をさらに含む、請求項１９に記載のメモリアレイ。