【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年4月28日(2011.4.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
ａ）  環に結合したヒドロキシル基を有するフェノール性成膜性ポリマー性バインダー樹脂、
ｂ）  前記成膜性バインダー樹脂の架橋を開始するのに十分な量の、露光時に酸を発生する光酸発生体、
ｃ）  ヘキサ（メトキシメチル）メラミンを含むエーテル化されたアミノプラストポリマーまたはオリゴマーを含みそして露光によって発生した段階ｂ）からの酸に曝された際にカルボニウムイオンを生成する、架橋剤、
ｄ）  モノ−もしくはジ−ヒドロキシＣ１−Ｃ４アルキルが置換した（モノ−、ジ−、トリ−もしくはテトラ−Ｃ１−Ｃ１２アルキル）フェノールを含みそして露光によって発生した段階ｂ）からの酸に曝された際にカルボニウムイオンを生成する、第二の架橋剤、なおここで、段階ｃ）及びｄ）からの架橋剤の全量は架橋有効量であり、及び
ｅ）  フォトレジスト溶剤
を含む、アルカリ性媒体中で現像可能な化学増幅されたネガ型感放射線性フォトレジスト組成物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２】  ポリマー性バインダー樹脂が、アルデヒドと縮合されたオルト−クレゾール、メタ−クレゾール、パラ−クレゾール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノール、チモール及びこれらの混合物から選択された置換されたフェノールから誘導されるノボラック；ポリ（ビニルフェノール）；またはポリ（ビニルフェノール）コポリマーを含む、請求項１のフォトレジスト組成物。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項７】
ａ）
１）環に結合したヒドロキシル基を有するフェノール性成膜性ポリマー性バインダー樹脂、
２）段階１）からの成膜性バインダー樹脂の架橋を開始させるのに十分な量の、露光時に酸を発生する光酸発生体、
３）ヘキサ（メトキシメチル）メラミン類を含むエーテル化されたアミノプラストポリマーもしくはオリゴマーを含みそして露光によって発生した段階２）からの酸に曝された際にカルボニウムイオンを生成する架橋剤、
４）モノ−もしくはジ−ヒドロキシＣ１−Ｃ４アルキルが置換した（モノ−、ジ−、トリ−もしくはテトラ−Ｃ１−Ｃ１２アルキル）フェノールを含みそして露光によって発生した段階２）からの酸に曝された際にカルボニウムイオンを生成する第二の架橋剤、なおここで段階３）及び４）からの架橋剤の全量は架橋有効量であり、及び
５）フォトレジスト溶剤
を含むネガ型フォトレジスト組成物を用意し、
ｂ）  段階ａ）からのフォトレジスト組成物を、適当な基体の表面に塗布し、
ｃ）  段階ｂ）からのコーティングされた基体を、実質的に全てのフォトレジスト溶剤がフォトレジスト組成物から除去されるまで熱処理し、
ｄ）  段階ｃ）からのコーティングされたフォトレジスト組成物を像形成性放射線で像様露光し、
ｅ）  段階ｄ）における露光の後に基体を加熱し、そして
ｆ）  段階ｄ）からのコーティングされたフォトレジスト組成物の露光されていない領域を現像剤で除去する、
ことを含む、微細電子デバイスの製造方法。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項８】  ポリマー性バインダー樹脂が、アルデヒドと縮合したオルト−クレゾール、メタ−クレゾール、パラ−クレゾール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、３，４−キシレノール、チモール及びこれらの混合物から選択される置換されたフェノールから誘導されるノボラック；ポリ（ビニルフェノール）；またはポリ（ビニルフェノール）コポリマーを含む、請求項７の方法。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
【本発明の背景】
本発明は、化学増幅型のネガ型感放射線性フォトレジスト組成物、並びにこのフォトレジストを用いて微細電子デバイスを製造する方法に関する。本発明のフォトレジストは、環に結合したヒドロキシル基を有するフェノール性成膜性バインダー樹脂、少なくとも二種の化学的に非類似の架橋剤の組み合わせ、像形成性放射線露光時に酸を発生する化合物（光酸発生体）を含む。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
酸感応性のネガ型フォトレジスト組成物を使用することは従来技術において公知である。このような従来技術のフォトレジスト組成物の多くは、ポリマー性バインダー樹脂と反応して、より高分子量のポリマーを含む不溶性フィルムを形成させる架橋剤を使用する。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
【本発明の要約】
本発明は、
ａ）  環に結合したヒドロキシル基を有するフェノール性成膜性ポリマー性バインダー樹脂；
ｂ）  前記成膜性バインダー樹脂の架橋を開始させるのに十分な量の、露光時に酸を発生する光酸発生体；
ｃ）  エーテル化されたアミノプラストポリマーもしくはコポリマーを含みそして露光によって発生した段階ｂ）からの酸に曝された際にカルボニウムイオンを生成する、架橋剤；
ｄ）  １）ヒドロキシが置換したＣ１−Ｃ１２アルキルフェノールまたは２）ヒドロキシＣ１−Ｃ４−アルキルが置換したＣ１−Ｃ１２アルキルフェノールのいずれかを含みそして露光によって発生した段階ｂ）からの酸に曝された際にカルボニウムイオンを生成する、第二の架橋剤、なおここで、段階ｃ）及びｄ）の架橋剤の全量は、架橋有効量であり；及び
ｅ）  フォトレジスト溶剤、
を含む、アルカリ性媒体中で現像可能な化学増幅型のネガ型感放射線性フォトレジスト組成物に関する。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
また、本発明は、
ａ）
１）  環に結合したヒドロキシル基を有するフェノール性成膜性ポリマー性バインダー樹脂；
２）  段階１）からの成膜性バインダー樹脂の架橋を開始させるのに十分な量の、露光時に酸を発生する光酸発生体；
３）  エーテル化されたアミノプラストポリマーもしくはオリゴマーを含みそして露光によって発生した段階２）からの酸に曝された際にカルボニウムイオンを生成する、架橋剤；
４）  ヒドロキシが置換したＣ１−Ｃ１２アルキルフェノールもしくはヒドロキシＣ１−Ｃ４アルキルが置換したＣ１−Ｃ１２アルキルフェノールのいずれかを含みそして露光によって発生した段階２）からの酸に曝された際にカルボニウムイオンを生成する、第二の架橋剤、なおここで、段階３）及び４）からの架橋剤の全量は架橋有効量であり；及び
５）  フォトレジスト溶剤
を含むネガ型フォトレジスト組成物を用意し、
ｂ）  段階ａ）からのフォトレジスト組成物を、適当な基体の表面上に塗布し、
ｃ）  段階ｂ）からのコーティングされた基体を、実質的に全てのフォトレジスト溶剤が上記フォトレジスト組成物から除去されるまで熱処理し、
ｄ）  段階ｃ）からのコーティングされたフォトレジスト組成物を、像形成性放射線で像様露光し、
ｅ）段階ｄ）での露光の後に前記基体を加熱し、そして
ｆ）  段階ｄ）からのコーティングされたフォトレジスト組成物の露光されていない領域を現像剤で除去する、
ことを含む、半導体等の微細電子デバイスを製造する方法に関する。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
【好ましい態様の説明】
本発明の組成物は、電子ビーム、イオンビーム、紫外線またはＸ線などの像形性性放射線に感度を示す化学増幅されたネガ型フォトレジストを含む。これらの組成物は、一つの光子またはエネルギー粒子を酸発生体に吸収させ、これにより前記酸発生体が、多くの架橋反応を触媒し得る一つの酸分子を供することで、化学的に増幅される。感放射線性光酸発生体からの酸の発生は熱を必要とせず、像形成性放射線で露光するだけで十分である。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
好ましいバインダー樹脂は、ノボラックを含むことができ、好ましくは、ホルムアルデヒドなどのアルデヒドと縮合した、置換されたフェノール、例えばオルト−クレゾール、メタ−クレゾール、パラ−クレゾール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノール、チモールもしくはこれらの混合物から誘導されるノボラックを含むことができる。このバインダー樹脂は、ポリ（ビニルフェノール）、例えばポリ（パラ−ヒドロキシスチレン）；ポリ（パラ−ヒドロキシ−アルファ−メチルスチレン）；パラ−ヒドロキシスチレンもしくはパラ−ヒドロキシ−アルファ−メチルスチレンとスチレン、アセトキシスチレンまたはアクリル酸及び／またはメタクリル酸とのコポリマー；ヒドロキシフェニルアルキルカルビノールホモポリマー；またはノボラック／ポリ（ビニルフェノール）コポリマーを含むこともできる。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
エーテル化されたアミノプラスト（ａｍｉｎｏｐｌａｓｔ）架橋剤は、放射線、好ましくは像形成性放射線（ｉｍａｇｉｎｇ  ｒａｄｉａｔｉｏｎ）によって発生した酸の存在下に、カルボニウムイオンを供しそして成膜性バインダー樹脂を架橋させる働きをする有機系オリゴマーもしくはポリマーを含む。これは、露光された領域においてバインダー樹脂をアルカリ性媒体中に不溶性にする。このような架橋剤は、複数のヒドロキシル基、カルボキシル基、アミド基またはイミド基を含む化合物または低分子量ポリマーとの組み合わせで種々のアミノプラストから製造することができる。好ましいアミノオリゴマーまたはポリマーは、アミン、例えば尿素、メラミン、またはグリコール尿素をアルデヒド、例えばホルムアルデヒドと反応させることによって得られるアミノプラストである。このような好適なアミノプラストには、尿素−ホルムアルデヒド、メラミン−ホルムアルデヒド、ベンゾグアナミン−ホルムアルデヒド、及びグリコルリル−ホルムアルデヒド樹脂、及びこれらの任意の組み合わせが包含される。特に好ましいアミノプラストの一つは、ヘキサ（メトキシメチル）メラミンオリゴマーである。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
ヒドロキシ置換アルキルフェノール架橋剤は、放射線によって発生した酸の存在下にカルボニウムイオンを供しそして成膜性バインダー樹脂を架橋させる働きもする有機系ポリマーを含む。これは、露光された領域においてバインダー樹脂をアルカリ性媒体中に不溶性にする。このような架橋剤には、モノ−もしくはジ−ヒドロキシ置換フェノール、例えばジアルキロールクレゾール、例えばジアルキロール−（例えばジメチロール−）パラ−クレゾールが包含される。好ましいジアルキロールクレゾールは、モノ−もしくはジ−ヒドロキシＣ１−Ｃ４−アルキル置換（モノ−、ジ−、トリ−またはテトラ−Ｃ１−Ｃ１２アルキル）フェノール、例えばジヒドロキシアルキル−（テトラ−アルキル）−フェノールを含む。特に好ましい架橋剤は、２，６−ジヒドロキシアルキル−４−（テトラ−アルキル）フェノール、例えば２，６−ジヒドロキシメチル−４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノールである。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
上記の手順によって調製されたフォトレジストコーティング材は、マイクロプロセッサー及び他の微細化された集積回路部品の製造に使用されるような、熱成長型ケイ素／二酸化ケイ素被覆ウェハに使用するのに特に適している。アルミニウム／酸化アルミニウムウェハも使用できる。また基体は、種々のポリマー性樹脂、特にポリエステルなどの透明ポリマーを含むこともできる。基体は、適当な組成の粘着性が促進された層、例えばヘキサアルキルジシラザン、好ましくはヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）を含む層を有していてもよい。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
ネガ型フォトレジストがコーティングされそして露光された基体は、通常はアルカリ性現像溶液中に浸漬するかまたは吹き付け現像法によって現像して、露光されていない領域を除去する。この溶液は、例えば窒素噴出攪拌によって攪拌することが好ましい。基体は、全てのまたは実質的に全てのフォトレジスト塗膜が露光されていない領域から溶解除去されるまで現像剤中に保持する。現像剤には、アンモニウム水酸化物もしくはアルカリ金属水酸化物の水溶液が包含され得る。好ましい水酸化物の一つはテトラメチルアンモニウムヒドロキシドである。コーティングされたウェハを現像溶液から取り出した後、任意の現像後熱処理またはベーク処理を行い、塗膜の粘着性並びにエッチング溶液及び他の物質に対する塗膜の耐化学薬品性を向上させることができる。この現像後熱処理は、塗膜の軟化点より低い温度での塗膜及び基体のオーブンベーク処理を含むことができる。本発明のフォトレジスト組成物は、酸に基づくエッチング溶液に耐性があり、そしてフォトレジストがコーティングされた基体の露光されていない領域に対して効果的な保護を与える。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
本発明の典型的なフォトレジスト組成物は、フォトレジスト組成物の全重量を基準にして約５０重量％までの割合で含むことができる。この固形分は、フォトレジスト組成物の全固形分を基準にして１〜１５重量％の割合の光酸発生体、４０〜８０重量％の割合のフェノール性樹脂バインダー及び５〜３０重量％の割合の架橋剤を含むことができる。