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【手続補正書】
【提出日】平成23年5月19日(2011.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射放出用の半導体ボディ（１）であって、
第１の波長（λ１）の放射を発生させる活性層（２）と、
量子層構造（５）とバリア層構造（６）とを有する量子井戸構造（５）を備える再放出層（３）と、
を備え、
前記活性層および前記再放出層が前記半導体ボディの中にモノリシックに集積化され、
前記再放出層が、前記第１の波長の前記放射が前記バリア層構造において吸収されることによって、第２の波長（λ２）のインコヒーレントな放射を発生させるように設けられている、
放射放出用の半導体ボディ。
【請求項２】
前記再放出層の側面には、前記半導体ボディに電気を供給するためのコンタクト（１５）が、前記放射の出口を前記再放出層から前記側面まで遮断するよう配置されている、
請求項１に記載の放射放出用の半導体ボディ。
【請求項３】
前記再放出層（３）の横方向の長さが、前記活性層（２）の対応する横方向の長さよりも小さい、請求項１または２に記載の放射放出用の半導体ボディ。
【請求項４】
前記第１の波長の前記放射がインコヒーレントである、請求項１または２に記載の放射放出用の半導体ボディ。
【請求項５】
前記量子層構造（５）が少なくとも１つの量子層（７）を備え、前記バリア層構造（６）が少なくとも１つのバリア層（８）を備える、請求項１または２に記載の放射放出用の半導体ボディ。
【請求項６】
前記第２の波長（λ２）の前記放射が前記量子層構造において発生する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の放射放出用の半導体ボディ。
【請求項７】
前記活性層（２）がＩｎＧａＮを含み、前記バリア層構造がＧａＮを含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の放射放出用の半導体ボディ。
【請求項８】
前記第１の波長（λ１）が３６０ｎｍ〜４００ｎｍである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の放射放出用の半導体ボディ。
【請求項９】
前記第１の波長（λ１）が青色のスペクトル領域内であり、前記放射放出半導体ボディが白色光を放出する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の放射放出用の半導体ボディ。
【請求項１０】
前記再放出層（３）が、前記第１の波長（λ１）の前記放射の一部分を前記第２の波長（λ２）の放射に変換し、前記放射放出半導体ボディが、前記第１の波長の放射および前記第２の波長の放射を放出する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の放射放出用の半導体ボディ。
【請求項１１】
前記再放出層が、前記第１の波長（λ１）の前記放射を完全に前記第２の波長（λ２）の放射に変換する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の放射放出用の半導体ボディ。
【請求項１２】
薄膜半導体ボディである、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の放射放出用の半導体ボディ。
【請求項１３】
前記第１の波長の前記放射もしくは前記第２の波長の前記放射またはその両方に対して透過性である成長基板（９）を備えている、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の放射放出用の半導体ボディ。
【請求項１４】
半導体ボディ（１）によって混合色の放射を発生させる、または放射を変換する方法であって、
前記半導体ボディ（１）が活性層（２）および再放出層（３）を含み、
前記活性層および前記再放出層が前記半導体ボディの中にモノリシックに集積化され、
前記再放出層が、量子層構造（５）とバリア層構造（６）とを有する量子井戸構造（５）を備える量子井戸構造（４）を有し、
−  前記活性層において第１の波長（λ１）の好ましくはインコヒーレントな放射を発生させるステップと、
−  前記バリア層構造において、第１の波長（λ１）の前記放射の少なくとも一部分を吸収するステップと、
−  前記量子層構造において、第２の波長（λ２）のインコヒーレントな放射を発生させるステップと、
を含む方法。
【請求項１５】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の半導体ボディを用いる、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月7日(2011.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
・波長λの放射を生成するための活性ゾーン（２）と、
・不規則に配置されたパターンエレメントを有するパターニング領域（３）
とを有する放射放出半導体チップ（１）において、
前記パターンエレメントは第１の屈折率ｎ１を有する第１の材料を含み、第２の屈折率ｎ２を有する第２の材料を含む媒質によって包囲されており、
前記パターンエレメントと前記媒質を有する中間層の厚さは、該パターンエレメントの最大高さに相応し、
前記中間層の有効屈折率ｎｅｆｆには、ｎ２＜ｎｅｆｆ＜ｎ１が適用され、
前記パターンエレメントの各基面の基面幅ｇは、各パターンエレメントの高さｈより大きいことを特徴とする、放射放出半導体チップ。
【請求項２】
前記パターンエレメントの各幅ｂはｂ≦４μｍであり、該パターンエレメントの相互間の間隔ａはａ≦４μｍである、請求項１記載の放射放出半導体チップ。
【請求項３】
前記パターンエレメントの各幅ｂはｂ≦λであり、該パターンエレメントの相互間の間隔ａはａ≦λである、請求項１記載の放射放出半導体チップ。
【請求項４】
前記有効屈折率ｎｅｆｆは、前記中間層中の第２の材料の濃度に対する第１の材料の相対的な濃度によって調整される、請求項１記載の放射放出半導体チップ。
【請求項５】
当該放射放出半導体チップ（１）は、ウェブ（１０）を有するストライプレーザであり、
前記パターニング領域（３）は前記ウェブ（１０）のエッジ面に配置されている、請求項１から４までのいずれか１項記載の放射放出半導体チップ。
【請求項６】
前記パターンエレメントは当該放射放出半導体チップ（１）の半導体層から形成され、
前記媒質は、前記パターンエレメントをカバーするパッシベーション層（４）または吸収層（１１）である、請求項５記載の放射放出半導体チップ。
【請求項７】
前記活性ゾーン（２）は前記パターニング領域（２）を有し、該パターニング領域（２）は量子井戸構造を形成する、請求項１から３までのいずれか１項記載の放射放出半導体チップ。
【請求項８】
当該放射放出半導体チップは発光ダイオードであり、
前記パターニング領域（３）は前記発光ダイオードの出力結合層である、請求項１記載の放射放出半導体チップ。
【請求項９】
当該放射放出半導体チップ（１）は、ウェブ（１０）を有するストライプレーザであり、
前記パターニング領域（３）は散乱光を出力結合するために前記ウェブ（１０）に隣接して配置されている、請求項１記載の放射放出半導体チップ。
【請求項１０】
前記媒質は前記パターンエレメント間のスペースを完全に満たす、請求項１記載の放射放出半導体チップ。
【請求項１１】
前記媒質は、前記有効屈折率ｎｅｆｆを低減するための空気閉じ込め部を有する、請求項１記載の放射放出半導体チップ。
【請求項１２】
前記パターンエレメントは、円錐形、多面体、角錐形またはシリンダ形である、請求項１記載の放射放出半導体チップ。
【請求項１３】
請求項１から１２までのいずれか１項記載の放射放出半導体チップ（１）の製造方法において、
中断部を有するマスク層を、パターニングすべき領域（３０）上に設け、
前記中断部内で前記パターニングすべき領域（３０）をエッチングすることにより、前記マスク層が剥離されて、前記パターンエレメントを有するパターニング領域（３）が形成されることを特徴とする、製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月4日(2011.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つのコンタクト（３ａ，３ｂ）と少なくとも１つのさらなる部品要素（２）とを有するオプトエレクトロニクス部品（１）を備えている配置構造であって、前記オプトエレクトロニクス部品（１）と前記さらなる部品要素（２）との間に少なくとも一方のコンタクトが配置されており、
前記オプトエレクトロニクス部品（１）と前記さらなる部品要素（２）との間に少なくとも１つのウェブ（６）が配置されており、
挿入用傾斜（７）が前記ウェブ（６）と前記コンタクトとにそれぞれ形成されている、
配置構造。
【請求項２】
前記ウェブ（６）が、前記コンタクト（３ａ）の真横に配置されており、前記オプトエレクトロニクス部品（１）と前記さらなる部品要素（２）との間の、前記コンタクト（３ａ）に沿った領域を埋めている、
請求項１に記載の配置構造。
【請求項３】
両方のコンタクト（３ａ，３ｂ）が前記オプトエレクトロニクス部品（１）と前記さらなる部品要素（２）との間に配置されており、前記ウェブ（６）が前記オプトエレクトロニクス部品（１）の前記コンタクト（３ａ，３ｂ）の間に配置されている、
請求項１に記載の配置構造。
【請求項４】
前記ウェブ（６）が、前記オプトエレクトロニクス部品（１）または前記さらなる部品要素（２）に配置されている、または、複数のウェブ（６）が、前記オプトエレクトロニクス部品（１）または前記さらなる部品要素（２）に組合せとして配置されている、
請求項１または請求項２に記載の配置構造。
【請求項５】
前記さらなる部品要素（２）がサブマウントまたはさらなるオプトエレクトロニクス部品である、
請求項１または請求項２に記載の配置構造。
【請求項６】
取付け時に前記オプトエレクトロニクス部品（１）と前記さらなる部品要素（２）との間に自己位置合わせが行われるように前記挿入用傾斜（７）が機能する、
請求項１または請求項２に記載の配置構造。
【請求項７】
前記オプトエレクトロニクス部品（１）と前記さらなる部品要素（２）との間の前記コンタクト領域（３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂ）のうち、接着剤による結合、はんだ付け、および溶接のいずれも行われていない領域が、少なくとも部分的に粗面化されている、
請求項１または請求項２に記載の配置構造。
【請求項８】
前記オプトエレクトロニクス部品（１）と前記さらなる部品要素（２）との間の前記コンタクト領域のうち、接着剤による結合、はんだ付け、および溶接のいずれも行われていない領域に、少なくとも部分的に充填材料もしくは熱伝導性のペースト、またはその両方が設けられている、
請求項１または請求項２に記載の配置構造。
【請求項９】
前記ウェブ（６）が、極めて高い融点を有する材料から作製されている、
請求項１または請求項２に記載の配置構造。
【請求項１０】
前記ウェブ（６）が、モリブデン、タンタル、アルミニウム、亜硝酸アルミニウム、銅、合金、不動態化された亜硝酸チタン、亜硝酸タングステンおよび亜硝酸チタンタングステン、金、銀、不動態化された電気導体、誘電体、ダイアモンド、ダイアモンドに類似する物質、プラスチック、電気絶縁性の透明材料、のうちの１つ、またはこれらの材料の組合せ、から作製されている、
請求項１または請求項２に記載の配置構造。
【請求項１１】
前記オプトエレクトロニクス部品（１）と前記さらなる部品要素（２）とが直接接触していない自由領域が存在する、
請求項１または請求項２に記載の配置構造。
【請求項１２】
２つ以上のオプトエレクトロニクス部品（１，２）が垂直方向に積層している、
請求項１または請求項２に記載の配置構造。
【請求項１３】
前記オプトエレクトロニクス部品（１，２）が、互いにサイズが同一である、または異なる、
請求項１２に記載の配置構造。
【請求項１４】
前記オプトエレクトロニクス部品（１，２）が、めっきされたスルーホール（９）によって互いにコンタクト接続されている、
請求項１２に記載の配置構造。
【請求項１５】
前記ウェブ（６）が非対称に具体化されており、したがって、取付け時に向きの制約が生じて極性が保護される、
請求項１または請求項２に記載の配置構造。
【請求項１６】
前記ウェブ（６）の側面または前記ウェブ（６）の端部領域が波状に形成されている、
請求項１または請求項２に記載の配置構造。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月5日(2011.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクスデバイスであって：
・第１の波長領域の電磁ビームを放射する少なくとも１つの半導体（１）と、
・当該半導体（１）が内部に埋設されている、ビーム透過性の内側成型体（２）と、
・前記第１の波長領域のビームを、当該第１の波長領域とは異なる、第２の波長領域のビームに変換する波長変換材料（８）を含んでいる、前記内側成型体（２）の外面（５）上の波長変換層（６）と、
・取り出しレンズ（１０）とを有しており、当該取り出しレンズ内には前記内側成型体（２）および前記波長変換層（６）が埋設されており、
・当該取り出しレンズ（１０）は内面および外面を有しており、当該内面は半径Ｒkonversionを有する内側半球面によって取り囲まれており、前記外面は半径Ｒaussenを有する外側半球面を取り囲んでおり、当該半径ＲkonversionおよびＲaussenはWeierstrass条件：
Ｒaussen≧Ｒkonversion＊ｎLinse／ｎluft
を満たしており、ここで、ｎLinseは前記取り出しレンズの屈折率であり、ｎluftは前記取り出しレンズの周囲の屈折率であるオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、
前記半導体（１）は担体（１４）上に被着されており、当該担体（１４）は少なくとも前記半導体（１）の側方で、ミラー（１５）を有している、
ことを特徴とする、オプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項２】
複数の半導体（１）を有しており、当該複数の半導体は、電磁ビームを放射するために設けられている、請求項１記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項３】
・前記内側成型体（２）は、半径Ｒinnenを有する別の半球面によって取り囲まれており、
・前記半導体（１）は、面Ａを有するビーム放射前面（３）を有している、ないしは前記半導体は面Ａによって包囲され、
・比Ａ／π＊Ｒinnen２は１／２〜１／２０の間であり、ここでこれらの境界は含まれている、
請求項１または２記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項４】
前記内側成型体（２）は半球の形状で成形されており、センタリングされて、前記半導体（１）上に配置されている、請求項１から３までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項５】
前記波長変換層（６）は半球シャーレ部分として構成されており、当該半球シャーレ部分は、直接的に接触して、前記内側成型体（２）上に被着されている、請求項１から４までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項６】
前記取り出しレンズ（１０）は、半球シャーレ部分の形状に成形されており、センタリングされて、前記半導体（１）上に配置されており、直接的に接触して、前記波長変換層（６）上に被着されている、請求項１から５までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項７】
前記ミラー（１５）は、前記第１および／または第２の波長領域のビームに対して、０．９８の反射率を有している、請求項１記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項８】
前記ミラー（１５）は少なくとも、前記半導体（１）の側方で、前記第１および／または第２の波長領域のビームに対して鏡面反射性に構成されている、請求項１から７までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項９】
前記半導体（１）は、前記担体（１４）の反射体領域（２０）内に配置されている、請求項１から８までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１０】
前記内側成型体（２）および／または前記波長変換層（６）は散乱粒子（２５）を有している、請求項１から９までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１１】
前記波長変換層（６）は前記半導体（１）上の内側領域（１８）内で、前記半導体（１）の側方向の外側領域（１９）内でよりも、厚く構成されている、請求項１から１０までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１２】
前記第１の波長領域は可視スペクトル領域の青色ビームを有しており、前記第２の波長領域は可視スペクトル領域の黄色ビームを有している、請求項１１記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１３】
前記第１の波長領域は、紫外スペクトル領域からのビームを含んでいる、請求項１から１２までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１４】
前記取り出しレンズ（１０）の内面（１１）には反射層（２８）が配置されており、当該反射層は、前記第１の波長領域のビームに対して反射性に構成されており、前記第２の波長領域のビームに対して透過性に構成されている、請求項１から１３までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１５】
前記ミラー（１５）は金属層（２６）を有しており、または金属層とブラグミラー（２７）とを有しており、
当該金属層（２６）は有利にはアルミニウムを含有している、請求項１から１４までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月25日(2011.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性ゾーン（２０）を有するオプトエレクトロニクス半導体チップであって、
前記活性ゾーンは多重量子井戸構造を含み、前記多重量子井戸構造は、電磁放射を発生させるために設けられ、複数の連続的な量子井戸層（２１０，２２０，２３０）を含み、
前記多重量子井戸構造は、
−  ｎ型導電性ドープ層である少なくとも１つの第１の量子井戸層（２１０）であって、前記第１の量子井戸層（２１０）に隣接するｎ型導電性ドープ層である２つのバリア層（２５０）の間に配置される、少なくとも１つの第１の量子井戸層（２１０）と、
−  非ドープ層である第２の量子井戸層（２２０）であって、前記第２の量子井戸層に隣接する２つのバリア層（２５０，２６０）の間に配置され、前記バリア層（２５０，２６０）の一方はドープ層であり他方は非ドープ層である、第２の量子井戸層（２２０）と、
−  非ドープ層である少なくとも１つの第３の量子井戸層（２３０）であって、前記第３の量子井戸層に隣接する非ドープ層である２つのバリア層（２６０）の間に配置される、少なくとも１つの第３の量子井戸層（２３０）と、
を備える、オプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項２】
前記少なくとも１つの第１の量子井戸層（２１０）と、前記第２の量子井戸層（２２０）と、前記少なくとも１つの第３の量子井戸層（２３０）とが、前記半導体チップのｎ側からｐ側の方向にこの順序で連続的に配置される、請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項３】
前記多重量子井戸構造が、
非ドープ層である少なくとも１つの第４の量子井戸層（２４０）であって、前記第４の量子井戸層に隣接するｎ型導電性ドープ層である２つのバリア層（２５０）の間に配置される、少なくとも１つの第４の量子井戸層（２４０）、
を備える、請求項１または２に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項４】
第３の量子井戸層（２３０）と同数の第１の量子井戸層（２１０）を含み、または、第３の量子井戸層（２３０）よりも多くの第１の量子井戸層（２１０）を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項５】
前記活性ゾーン（２０）が、最大で１０個の量子井戸層（２１０，２２０，２３０，２４０）を備える、請求項１〜４のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項６】
前記半導体チップのｎ側からｐ側の方向において前記活性ゾーン（２０）の前に配置される複数ペアの交互層から成り、５０ｎｍ以下の厚さを有する超格子（２７０）、
を備える、請求項１〜５のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項７】
交互層の各ペアにおける少なくとも一方の層がｎ型導電性ドープ層である、請求項６に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項８】
前記少なくとも１つの第１の量子井戸層（２１０）、もしくは、前記第１の量子井戸層（２１０）に隣接する前記２つのバリア層（２５０）、またはその両方が、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上の濃度（４）のｎ型ドーパントを含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項９】
前記バリア層（２５０，２６０）の層厚がいずれも、９．５ｎｍ〜１０．５ｎｍの値を有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項１０】
前記量子井戸層（２１０，２２０，２３０，２４０）の層厚がいずれも、２ｎｍ〜３ｎｍの値を有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項１１】
成長基板を備えていない、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項１２】
前記活性ゾーン（２０）が、ＩｎＧａＮ化合物半導体材料をベースとする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項１３】
緑色のスペクトル範囲における最大輝度を有する電磁放射を放出させるように設けられる、請求項１〜１２のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項１４】
前記活性ゾーン（２０）が、１つのみの前記第３の量子井戸層（２３０）と２つの前記第４の量子井戸層（２４０）とを有し、前記第３の量子井戸層（２３０）および前記第４の量子井戸層（２４０）が、前記第１の量子井戸層（２１０）の後ろ且つ前記第２の量子井戸層（２２０）の前に配置されている、請求項３〜１３のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月30日(2011.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
収容部材（１２）の組み込み位置への実装のために、
第１の表面（２）と該第１の表面の反対側の第２の表面（３）とを有するガラス基板（１）と、
前記第１の表面に収容された、発光特性を有する半導体素子（５）と、
前記ガラス基板の前記第１の表面上でそのコーナー領域に配置された実装用基部（１０）と
を有する、
半導体ベースの素子において、
前記実装用基部は、当該の半導体ベースの素子の全体が該実装用基部を通して前記組み込み位置に支持されるように構成されている
ことを特徴とする半導体ベースの素子。
【請求項２】
前記第２の表面に光学素子（１１）が収容されている、請求項１記載の半導体ベースの素子。
【請求項３】
前記第１の表面と前記発光特性を有する前記半導体素子とのあいだに変換層（４）が配置されている、請求項１または２記載の半導体ベースの素子。
【請求項４】
前記光学素子は、フレネルレンズの形態を有しているか、または、光学的ディフューザとして構成されている、請求項２記載の半導体ベースの素子。
【請求項５】
前記第１の表面の一部の領域のみが前記半導体素子によって覆われており、前記第１の表面の残りの領域は鏡（８）によって覆われている、請求項１から４までのいずれか１項記載の半導体ベースの素子。
【請求項６】
前記第１の表面のうち前記鏡によって覆われていない中央領域は、前記鏡によって覆われていない変換層（４）によってコーティングされている、請求項３から５までのいずれか１項記載の半導体ベースの素子。
【請求項７】
前記変換層（４）は円形に成形されており、前記ガラス基板は正方形の基本形状を有している、請求項１から６までのいずれか１項記載の半導体ベースの素子。
【請求項８】
前記半導体素子は前記ガラス基板の前記第１の表面から遠いほうの面に少なくとも２つの電気コンタクト面（７）を有する、請求項１から７までのいずれか１項記載の半導体ベースの素子。
【請求項９】
前記半導体素子は、前記第１の表面の中央に位置しており、かつ、前記実装用基部に包囲されている、請求項１から８までのいずれか１項記載の半導体ベースの素子。
【請求項１０】
前記ガラス基板は当該の半導体ベースの素子を支持している、請求項１から９までのいずれか１項記載の半導体ベースの素子。
【請求項１１】
前記半導体素子は、前記ガラス基板を除いた厚さが２０μｍより小さい薄膜発光ダイオードである、請求項１から１０までのいずれか１項記載の半導体ベースの素子。
【請求項１２】
前記半導体素子のうち前記ガラス基板から遠いほうの主表面に、前記半導体素子内で形成される電磁放射の少なくとも一部を前記ガラス基板の方向へ反射させる反射層が被着されているかまたは形成されている、請求項１１記載の半導体ベースの素子。
【請求項１３】
前記光学素子は、経時劣化および温度に対して安定なシリコーンから形成される層内に埋め込まれている、請求項２記載の半導体ベースの素子。
【請求項１４】
請求項１から１３までのいずれか１項記載の半導体ベースの素子に対する収容部材（１２）において、
半導体ベースの素子のコンタクト面（７）に電気的に接続されている２つの電気コンタクト（１３）と、実装用基部（１０）を収容する基部収容部（１４）とが設けられており、
前記基部収容部は電気的に中性であり、前記２つの電気コンタクトに電気的に接続されていない
ことを特徴とする半導体ベースの素子の収容部材。
【請求項１５】
請求項１から１３までのいずれか１項記載の半導体ベースの素子の製造方法であって、
ガラス基板（１）を用意するステップ、および、
該ガラス基板の第１の表面（２）上に半導体素子（５）を被着するステップ
を有する
ことを特徴とする半導体ベースの素子の製造方法。
【請求項１６】
前記第１の表面上に鏡面層（８）を被着する、請求項１５記載の半導体ベースの素子の製造方法。
【請求項１７】
前記ガラス基板の第２の表面（３）に光学素子（１１）を被着する、請求項１５または１６記載の半導体ベースの素子の製造方法。
【請求項１８】
前記ガラス基板の前記第１の表面と前記半導体素子とのあいだに変換層（４）を被着する、請求項１５から１７までのいずれか１項記載の半導体ベースの素子の製造方法。
【請求項１９】
鏡面層（８）をフォト技術によって制御されるスパッタリングプロセスまたは蒸着プロセスによって被着するか、および／または、変換層（４）をプリンティングプロセスまたはスクリーンプリンティングプロセスによって被着する、請求項１５から１８までのいずれか１項記載の半導体ベースの素子の製造方法。
【請求項２０】
前記ガラス基板の前記第１の表面上にめっきプロセスにより少なくとも１つの実装用基部（１０）を被着する、請求項１５から１９までのいずれか１項記載の半導体ベースの素子の製造方法。
【請求項２１】
前記光学素子を経時劣化および温度に対して安定な層内へ組み込む、請求項１７から２０までのいずれか１項記載の半導体ベースの素子の製造方法。
【請求項２２】
前記経時劣化および温度に対して安定な層をシリコーンから形成する、請求項２１記載の半導体ベースの素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月30日(2011.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１次放射源（１）と発光変換モジュール（２）とを備えた半導体光源において、
当該半導体光源の動作中、前記１次放射源（１）は電磁放射である１次放射（５）を放出し、該１次放射（５）の少なくとも一部が前記発光変換モジュール（２）に入力結合され、
・前記発光変換モジュール（２）は、該発光変換モジュール（２）に入力結合された前記１次放射（５）の少なくとも一部を少なくとも１つの蛍光体によって波長変換して２次放射（１５）を生成する発光変換エレメント（６）を含み、
・前記発光変換モジュール（２）は、前記１次放射源（１）から離隔されて、冷却体（３）に配置されており、
・前記発光変換モジュール（２）は、該発光変換エレメント（６）を透過して該発光変換エレメント（６）に吸収されない前記１次放射（５）を該発光変換エレメント（６）に反射し戻し、かつ／または、前記２次放射（１５）を該発光変換モジュール（２）の光出力結合面（６０１）の方向に反射する反射面（７，７１，７２）を有し、
・前記発光変換エレメント（６）は、前記蛍光体を単結晶の形態で含むか、または、該蛍光体を多結晶セラミック材料の形態で含み、
・前記発光変換エレメント（６）には、前記反射面（７，７１，７２）の少なくとも一部の領域を含む反射層が設けられており、
・前記反射層は前記冷却体にはんだ付けされている
ことを特徴とする、半導体光源。
【請求項２】
１次放射源（１）と発光変換モジュール（２）とを備えた半導体光源において、
当該半導体光源の動作中、前記１次放射源（１）は電磁放射である１次放射（５）を放出し、該１次放射（５）の少なくとも一部が前記発光変換モジュール（２）に入力結合され、
・前記発光変換モジュール（２）は、該発光変換モジュール（２）に入力結合された前記１次放射（５）の少なくとも一部を少なくとも１つの蛍光体によって波長変換して２次放射（１５）を生成する発光変換エレメント（６）を含み、
・前記発光変換モジュール（２）は、前記１次放射源（１）から離隔されて、冷却体（３）に配置されており、
・前記発光変換モジュール（２）は、該発光変換エレメント（６）を透過して該発光変換エレメント（６）に吸収されない前記１次放射（５）を該発光変換エレメント（６）に反射し戻し、かつ／または、前記２次放射（１５）を該発光変換モジュール（２）の光出力結合面（６０１）の方向に反射する反射面（７，７１，７２）を有し、
・前記発光変換エレメント（６）は粉末体の形態で前記反射面（７，７１，７２）上に堆積されている
ことを特徴とする、半導体光源。
【請求項３】
前記発光変換モジュール（２）に入力結合された前記１次放射（５）は前記反射面（７，７１，７２）において複数回反射される、請求項１または２記載の半導体光源。
【請求項４】
前記１次放射源（１）は、前記発光変換モジュール（２）と同じ冷却体（３）に設けられている、請求項１から３までのいずれか１項記載の半導体光源。
【請求項５】
前記発光変換エレメント（６）の形状は、実質的に平坦な層であるかまたはプレートであり、
前記層またはプレートの表面は、前記光出力結合面を形成する第１の主面（６０１）と、該第１の主面に対向し前記冷却体の方を向いている第２の主面（６０２）と、少なくとも１つの側面（６０３）とを有する、請求項１から４までのいずれか１項記載の半導体光源。
【請求項６】
前記発光変換モジュール（２）は少なくとも１つの冷却エレメント（１３）を有し、
前記冷却エレメント（１３）は前記発光変換エレメント（６）内に突出するか、または該発光変換エレメント（６）を貫通し、前記冷却体（３）に熱伝導結合されている、請求項５記載の半導体光源。
【請求項７】
前記反射面（７，７１，７２）は前記側面（６０３）を局所的または完全に被覆する、請求項５または６記載の半導体光源。
【請求項８】
前記反射面（７，７１，７２）は前記第２の主面（６０２）を少なくとも局所的に被覆する、請求項５から７までのいずれか１項記載の半導体光源。
【請求項９】
前記１次放射源（１）の１次放射（５）は前記第１の主面（６０１）または前記側面（６０３）を通って前記発光変換エレメント（６）に入力結合される、請求項５から８までのいずれか１項記載の半導体光源。
【請求項１０】
前記１次放射源（１）の１次放射（５）は前記側面（６０３）を通って前記発光変換エレメント（６）に入力結合され、
該１次放射（５）は該発光変換エレメント（６）に入力結合される際に、該１次放射（５）に対して高い透過率を有しかつ前記第２の放射（１５）に対して高い反射率を有する波長選択性の入力結合鏡（１２）を透過する、請求項５から８までのいずれか１項記載の半導体光源。
【請求項１１】
前記冷却体（３）は前記発光変換エレメント（６）を包囲する、請求項１から１０までのいずれか１項記載の半導体光源。
【請求項１２】
前記発光変換エレメント（６）の少なくとも一部は前記冷却体（３）の凹入部（３１）内に配置され、
前記凹入部（３１）の表面の少なくとも一部が前記反射面（７，７１，７２）を形成するか、または該反射面（７，７１，７２）の一部を形成する、請求項１１記載の半導体光源。
【請求項１３】
前記２次放射（１５）は、前記１次放射（５）の少なくとも一部に対して高い反射率を有しかつ該２次放射（１５）に対して高い透過率を有する波長選択性の出力結合鏡（８）を透過して、前記発光変換モジュール（２）から出力結合される、請求項１から１２までのいずれか１項記載の半導体光源。
【請求項１４】
前記１次放射（５）は光学的エレメント（１０）を使用して前記発光変換モジュール（２）に入力結合される、請求項１から１３までのいずれか１項記載の半導体光源。
【請求項１５】
前記光学的エレメント（１０）は、前記１次放射（５）の少なくとも一部に対して高い反射率を有しかつ前記２次放射（１５）に対して高い透過率を有する波長選択性の出力結合鏡（８）を有し、
前記２次放射（１５）は前記波長選択性の出力結合鏡（８）を通って前記発光変換モジュール（２）から出力結合される、請求項１４記載の半導体光源。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月4日(2011.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池を製造するためのドーパント材料であって、
周囲温度において粘性が高く、高温では粘性がより低い液体であって、前記高温よりも高い第３の温度において分解する主要担体と、
ドーパント担体およびドーパント源を有するドーパント系と
を備え、
前記ドーパント源は、前記第３の温度において安定しており、
前記ドーパント材料は、低温のシリコン基板の所定の領域に、前記高温で制御に従って塗布可能であるドーパント材料。
【請求項２】
前記主要担体は、脂肪酸を有する請求項１に記載のドーパント材料。
【請求項３】
前記主要担体は、ステアリン酸を有する請求項２に記載のドーパント材料。
【請求項４】
前記主要担体は、チキソトロピー材料を有する請求項１に記載のドーパント材料。
【請求項５】
前記ドーパント担体は、ＴＥＯＳを含む請求項１に記載のドーパント材料。
【請求項６】
前記ドーパント担体は、ケイ酸塩を含む請求項１に記載のドーパント材料。
【請求項７】
前記ドーパント源は、酸化ホウ素を含む請求項１に記載のドーパント材料。
【請求項８】
前記ドーパント源は、酸化リンを含む請求項１に記載のドーパント材料。
【請求項９】
前記シリコン基板に対する前記ドーパント材料の付着を促進する付着促進剤をさらに備える請求項１から８のいずれか一項に記載のドーパント材料。
【請求項１０】
前記シリコン基板に堆積させられる際の前記ドーパント材料の表面張力を変更する界面活性剤をさらに備える請求項１から９のいずれか一項に記載のドーパント材料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、上述した実施形態は例示を目的とするもので本発明を限定するものではないと理解されたい。本開示内容に基づき、多くの実施形態を追加できることは、当業者には明らかである。
太陽電池を製造するためのドーパント材料であって、周囲温度において粘性が高く、高温では粘性がより低い液体であって、前記高温よりも高い第３の温度において分解する主要担体と、ドーパント担体およびドーパント源を有するドーパント系とを備え、前記ドーパント源は、前記第３の温度において安定しており、前記ドーパント材料は、前記低温のシリコン基板の所定の領域に、前記高温で制御に従って塗布可能である。前記主要担体は、脂肪酸を有する。前記主要担体は、ステアリン酸を有する。前記主要担体は、チキソトロピー材料を有する。前記ドーパント担体は、ＴＥＯＳを含む。前記ドーパント担体は、ケイ酸塩を含む。前記ドーパント源は、酸化ホウ素を含む。前記ドーパント源は、酸化リンを含む。前記シリコン基板に対する前記ドーパント材料の付着を促進する付着促進剤をさらに備える。前記シリコン基板に堆積させられる際の前記ドーパント材料の表面張力を変更する界面活性剤をさらに備える。
太陽電池を製造するべく利用されるドーパント材料を製造する方法は、主要担体と、ドーパント担体およびドーパント源を含むドーパント系とを、前記主要担体の融点よりも高い高温で混合して、前記ドーパント材料を形成する段階と、前記主要担体の前記融点よりも低い低温において、前記ドーパント材料を保存する段階とを備える。前記主要担体は、脂肪酸を含む。前記主要担体は、ステアリン酸を含む。前記主要担体は、チキソトロピー材料を含む。前記ドーパント担体は、ＴＥＯＳを含む。前記ドーパント担体は、ケイ酸塩を含む。前記ドーパント源は、酸化ホウ素を含む。前記ドーパント源は、酸化リンを含む。前記ドーパント材料に、シリコン基板に対する前記ドーパント材料の付着を促進する付着促進剤を混合する。前記ドーパント材料に、シリコン基板に堆積させられる際の前記ドーパント材料の表面張力を変更する界面活性剤を混合する。
太陽電池を製造する方法は、主要担体と、ドーパント担体およびドーパント源を含むドーパント系とを、前記主要担体の融点よりも高い高温で混合して、ドーパント材料を形成する段階と、シリコン基板の所定の領域に前記ドーパント材料を塗布して、前記シリコン基板上に塗布した前記ドーパント材料を凝固させる段階と、前記主要担体および前記ドーパント担体を分解させて、前記シリコン基板の前記所定の領域に前記ドーパント源を拡散させるべく加熱を行う段階とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月13日(2010.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面の少なくとも一部が金属でコーティングされた合成樹脂組成物を含む、携帯電子機器の構造部材であって、
前記構成部材の曲げ弾性率は、前記コーティングされていない合成樹脂組成物の少なくとも２倍であり、
前記金属コーティングされた構成部材の衝撃エネルギーは、前記コーティングされていない合成樹脂組成物の衝撃エネルギーの少なくとも１．２倍である、組成物。
【請求項２】
請求項１記載の構造部材において、前記有機高分子は、熱可塑性物質が１００℃またはそれ以上のガラス転移点を有する場合、または熱硬化性樹脂が０．４５５ＭＰａの負荷において１００℃またはそれ以上の熱たわみ温度を有する場合、である。
【請求項３】
請求項１記載の構造部材において、前記金属コーティングの少なくとも１層は５ｎｍ〜２００ｎｍの平均粒子サイズを有するものである。
【請求項４】
請求項１記載の構造部材を１若しくはそれ以上含む携帯用電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月26日(2011.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの可撓性燃料セル層と、
前記少なくとも一つの燃料電池層に近接して配置されるインタフェース構造、
を含み、
前記少なくとも一つの可撓性燃料電池層は、二次元層内に実質的に一体化された二つ以上の燃料電池と、基板であって、前記層に結合され、前記基板と前記層の間に囲まれた領域を形成する基板を含み、
前記インタフェイス構造は、前記少なくとも一つの燃料電池層に近接する二つ以上の環境条件に影響を与えるように構成される、燃料電池システム。
【請求項２】
前記少なくとも一つの可撓性燃料電池層はさらに、前記可撓性層に接触する一つ以上の内部的な支持物を含む、請求項１に記載の燃料電池システム。
【請求項３】
前記インタフェース構造が、前記一つ以上の燃料セルに近接する二つ以上の環境条件に影響を与えるように構成された適応材料と、取り外し可能な多孔構造とのうちの少なくとも一つを含み、前記適応材料が、前記一つ以上の燃料セルに近接する一つ以上の環境条件における変化に応答する、請求項１または２に記載の燃料電池システム。
【請求項４】
前記インタフェース構造が、前記一つ以上の燃料セルに近接する二つ以上の環境条件に影響を与えるように構成された取り外し可能な多孔構造とのうちの少なくとも一つを含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の燃料電池システム。
【請求項５】
前記インタフェース構造が、機械的に駆動式の通気孔と、機械的に駆動式のアパーチャを有する多孔材料とのうちの少なくとも一つを含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の燃料電池システム。
【請求項６】
前記インタフェース構造が、形状記憶適応材料を含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の燃料電池システム。
【請求項７】
前記形状記憶適応材料は、形状記憶合金（ＳＭＡ）と、形状記憶ポリマー（ＳＭＰ）とのうちの少なくとも一つを含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の燃料電池システム。
【請求項８】
前記インタフェース構造が、少なくとも一つ以上の燃料電池層に近接する湿度レベル、温度、汚染物レベルおよび汚染物質レベルに影響を与えるように構成される、請求項１から７のいずれか一項に記載の燃料電池システム。
【請求項９】
前記インタフェース構造が非導電性である、請求項１から８のいずれか一項に記載の燃料電池システム。
【請求項１０】
前記インタフェース構造は前記燃料電池層に取り外し可能に結合される、請求項１から９のいずれか一項に記載の燃料電池システム。
【請求項１１】
電子デバイスに動作可能に結合された、請求項１から１０のいずれか一項に記載の燃料電池システム、
を含む電子システム。
【請求項１２】
前記非導電性のインタフェース構造と、前記少なくとも一つの燃料電池層とに接触する、導電性ガス拡散層をさらに含む、請求項１から１１のいずれか一項に記載の電子システム。
【請求項１３】
二次元層内に実質的に一体化された二つ以上の燃料電池と、基板であって、前記層に結合され、前記基板と前記層の間に囲まれた領域を形成する基板を含む、可撓性燃料電池層を設けることと、
前記燃料電池層に近接するインタフェース層であって、前記燃料電池層に近接する少なくとも二つの環境条件に応答するインタフェース層を配置することと、
を含む、方法。
【請求項１４】
前記インタフェース層を配置することが、前記燃料電池層に近接する適応材料を配置することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記インタフェース層を配置することが、前記燃料電池層に隣接する取り外し可能に結合可能なインタフェース層を配置することを含む、請求項１３または１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記燃料電池層に近接する少なくとも一つの環境条件における変化に応答する前記インタフェースの特性を自動的に選択することを含む、請求項１３から１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記適応材料は、前記燃料電池層に接触するために酸素がインタフェース層を通って通過することを許容するように構成された複数のアパーチャを定義し、前記適合材料は、環境条件の変化または印加された信号に応答して、前記アパーチャの大きさを変更するように構成され、前記アパーチャは非一様な作用領域であって、外側の周囲近くの部分密度とは異なる中心の孔密度を有する作用領域に配置される、請求項３の燃料電池システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月4日(2011.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの発光体と電気構成要素を伴う制御装具とを収容するための外側エンベロープであって、
少なくとも部分的にガラス材料からなる壁を備えると共に、
該外側エンベロープのガラス壁は、均一な球状の光度分布が得られるようにポリエステルブロック型イソシアネートの粉体ワニスのコーティングで被覆されており、これにより機械的衝撃から該エンベロープが保護されかつ破片の封じ込めを提供している、外側エンベロープ。
【請求項２】
前記コーティングはガラス壁の内部表面に塗布されている、請求項１に記載の外側エンベロープ。
【請求項３】
前記コーティングは該外側エンベロープのガラス壁上に静電式に被着されている、請求項１に記載の外側エンベロープ。
【請求項４】
前記コーティングは、それぞれ１２０〜１８０℃及び４０〜２０分の範囲の硬化温度及び時間を有する、請求項３に記載の外側エンベロープ。
【請求項５】
少なくとも１つの発光体と電気構成要素を伴う制御装具とを収容するための外側エンベロープを備えたランプであって、該外側エンベロープは
少なくとも部分的にガラス材料からなる壁を備えると共に、
該外側エンベロープのガラス壁は、均一な球状の光度分布が得られるようにポリエステルブロック型イソシアネートの粉体ワニスのコーティングで被覆されており、これにより機械的衝撃から該エンベロープが保護されかつ破片の封じ込めを提供している、ランプ。
【請求項６】
前記外側エンベロープはその一部にプラスチック材料を含む、請求項５に記載のランプ。
【請求項７】
前記外側エンベロープは金属構成要素部分を含む、請求項５に記載のランプ。
【請求項８】
前記金属構成要素部分は基部構成要素である、請求項７に記載のランプ。
【請求項９】
ガラスで製作された少なくとも１つの放電管で形成されており、放電気体が満たされた放電ボリュームを囲繞しており、かつ該管の内側表面上に配置された蛍光燐光体コーティングを有する放電管配列であって、該管は連続した弧状経路を形成すると共に、さらに該弧状経路の各端部位置に配置させた電極を備えている放電管配列と、
前記電極及び対応する電源に接続された前記管内の電流を制御するための安定器回路と、
ランプを対応する電源に接続するための接触端子を有する基部と、
少なくとも部分的にガラス材料からなる壁を有しており、かつ放電管配列の少なくとも一部分を囲繞する実質的に球状の部分及び安定器回路の少なくとも一部分を囲繞する細長い端部部分を備えた１つの主軸をもつ実質的にバルブ形状の外側エンベロープと、を備える小型蛍光ランプであって、
該外側エンベロープのガラス壁は、均一な球状の光度分布が得られるようにポリエステルブロック型イソシアネートの粉体ワニスのコーティングで被覆されており、これにより機械的衝撃から該エンベロープが保護されかつ破片の封じ込めを提供している、小型蛍光ランプ。
【請求項１０】
前記外側エンベロープは該エンベロープの主軸と実質的に直交する面に沿って分離される２つの部分からなると共に、エンベロープの該２つの部分は均一なバルブ形状のエンベロープが形成されるように接続可能かつ封止可能である、請求項９に記載の小型蛍光ランプ。
【請求項１１】
前記放電管配列は実質的に直線の端部セクション及び該端部セクションの間の中間部分を有する単一の管からなると共に、該端部セクションは管配列の一方の端部位置で互いに接近して存在すると共に該中間部分は該ランプの主軸の周りに巻き付けられたコイル状構成を有する、請求項９に記載の小型蛍光ランプ。
【請求項１２】
前記放電管配列は該蛍光ランプの主軸と実質的に平行な長手方向軸を有する直線状の管部材からなると共に、該直線状管部材は連続した弧状経路を形成するように互いに直列に接続されている、請求項９に記載の小型蛍光ランプ。
【請求項１３】
前記コーティングはガラス壁の外部表面に塗布されている、請求項９に記載の小型蛍光ランプ。
【請求項１４】
前記コーティングは前記外側エンベロープのガラス壁上に静電式に被着されている、請求項１３に記載の小型蛍光ランプ。
【請求項１５】
前記コーティングは、それぞれ１２０〜１８０℃及び４０〜２０分の範囲の硬化温度及び時間を有する、請求項１４に記載の小型蛍光ランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月16日(2011.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
しきい値断片サイズを取得するステップを備え、前記しきい値断片サイズは、ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）のシーケンシャル書込速度または前記ＳＳＤの１秒当りの入出力（Ｉ／Ｏ）のうち少なくとも１つ以上に基づいて演算され、さらに
前記ＳＳＤ上の空き領域断片がしきい値断片サイズよりも小さいかどうかを決定するステップと、
前記ＳＳＤ上の前記空き領域断片が前記しきい値断片サイズよりも小さい場合、前記空き領域断片を除去するステップと、
前記ＳＳＤ上の前記空き領域断片が前記しきい値断片サイズよりも小さくない場合、データを記憶するために前記空き領域断片を保持するステップとを備える、方法。
【請求項２】
前記空き領域断片を除去するステップは、
前記空き領域断片を除去するのに必要な１つ以上のリソースの利用がアイドル基準にいつ準拠するかを決定するステップと、
前記アイドル基準に準拠している前記１つ以上のリソースの前記利用に応答して、前記空き領域断片を除去するステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記空き領域断片を除去するステップは、前記空き領域断片をファイルの少なくとも一部で埋めるステップを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記ファイルは、
仮フィラーファイルと、
ほとんど使用されないファイルとのうち１つ以上である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記しきい値断片サイズは、少なくとも前記ＳＳＤのシーケンシャル書込速度に基づいて演算される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記しきい値断片サイズは、少なくとも前記ＳＳＤの前記１秒当りのＩ／Ｏに基づいて演算される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記しきい値断片サイズは、前記ＳＳＤの前記シーケンシャル書込速度を前記ＳＳＤの前記１秒当りのＩ／Ｏで除算するステップを含む１つ以上のステップを用いて演算される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記しきい値断片サイズは、
ユーザから前記しきい値断片サイズを受取るステップ、
前記ＳＳＤ内部に物理的に組込まれた要素から前記しきい値断片サイズを得るステップ、
前記しきい値断片サイズに対してさまざまな値をテストし、最適な性能が得られる前記しきい値断片サイズを選択することによって、前記しきい値断片サイズを決定するステップ、のいずれかによって得られる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）オプティマイザであって、
請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法を実行するための手段を備える、ＳＳＤオプティマイザ。
【請求項１０】
１つ以上のプロセッサによって実行されると前記プロセッサに請求項１〜８のいずれか１項に記載された方法を実行させる、プログラム。
【請求項１１】
プロセッサを備え、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法を実行するように構成された装置。