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　特願２００３−１７９６１３「位相シフトマスクの製造方法及びパターン転写方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　１月２０日出願公開、特開２００５−　１７４８８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、平成１５年６月２４日の出願であって、平成２１年５月２２日に手続補正がなされ、同年９月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月２８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに同日付けで手続補正がなされ、その後、平成２２年１０月２１日付けで、審判請求人に前置報告書の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、同年１２月２７日付けで意見書が提出されたものである。
 　
第２　平成２１年１２月２８日付けの手続補正の補正の却下の決定 
［補正の却下の決定の結論］ 
　　平成２１年１２月２８日付けの手続補正を却下する。 
　
［理由］ 
１．補正後の請求項１に記載された発明
　平成平成２１年１２月２８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、本願の明細書の特許請求の範囲の請求項１は、特許請求の範囲の減縮を目的として、以下のように補正された。
　「【請求項１】
　少なくとも以下の工程を具備することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
（ａ）透明基板（１１）上にハーフトーン位相シフト膜（２１）及び遮光膜（３１）が形成された位相シフトマスク用ブランクス（１０）上に第１レジスト層（４１）を形成し、パターン描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、第１レジストパターン（４１ａ）を形成する工程。
（ｂ）第１レジストパターン（４１ａ）をマスクにして遮光膜（３１）及びハーフトーン位相シフト膜（２１）をドライエッチングし、第１レジストパターン（４１ａ）を剥離処理して、メインパターン（５１）を形成する工程。
（ｃ）第２レジスト層（４２）を形成し、パターン描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、その端部が前記メインパターン（５１）のパターン幅よりも大きく、かつメインパターン（５１）にオーバーハングしないように第２レジストパターン（４２ａ）を形成する工程。
（ｄ）第２レジストパターン（４２ａ）及び遮光膜（３１）をマスクにする２重のマスクで透明基板（１１）を保護してメインパターン（５１）領域の透明基板（１１）を所定の深さドライエッチングし、第２レジストパターン（４２ａ）を剥離処理して、透明基板（１１）が所定の深さ掘り込まれたメインパターン（５１ａ）を形成する工程。
（ｅ）第３レジスト層（４３）を形成し、パターン描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、第３レジストパターン（４３ａ）を形成する工程。
（ｆ）第３レジストパターン（４３ａ）をマスクにして遮光膜（３１）及びハーフトーン位相シフト膜（２１）をドライエッチングし、第３レジストパターン（４３ａ）を剥離処理して、補助パターン（６１）を形成する工程。
（ｇ）第４レジスト層（４４）を形成し、パターン描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、第４レジストパターン（４４ａ）を形成する工程。
（ｈ）第４レジストパターン（４４ａ）をマスクにして遮光膜（３１）をドライエッチングし、第４レジストパターン（４４ａ）を剥離処理して、遮光領域（３１ａ）及びハーフトーン位相シフト領域（２１ａ）を形成する工程。」
　
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下に検討する。 
 　 
２．引用刊行物 
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である、特開平７−２０６２５号公報（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。 
（１ａ）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、半導体装置製造工程において各種パターン形成技術等に用いられる、位相シフトマスクの作製方法に関する。」
（１ｂ）「【００１９】補助パターン方式位相シフトマスクにおいて、補助パターン領域１６の寸法は１μｍ以下である。従って、図１９の（Ａ）に示す工程において、電子線描画における描画領域は極めて近接して設定される。その結果、近接した描画領域間の入射電子線の相互の散乱（所謂、電子線による相互近接効果）が発生する。具体的には、感光層３０を透過した電子が遮光層２２によって反射され、電子の後方散乱現象が生じる。この後方散乱された電子によって感光層３０が感光してしまい、レジストパターン寸法の所望の値からのずれ量が大きくなり、甚だしい場合には、所望のレジストパターンが形成できなくなる。」
（１ｃ）「【００２３】従って、本発明の目的は、リム方式あるいは補助パターン方式の位相シフトマスクにおいて、帯電防止層を用いることなく且つ相互近接効果補正をすることなく、所望の寸法のレジストパターンを容易に形成できる、位相シフトマスクの作製方法を提供することにある。」
（１ｄ）「【００４９】［工程−２００］例えば石英から成る基板２０上に、例えばクロム等の導電性材料から成る遮光層２２をスパッタリング法にて成膜した後、遮光層２２上にレジストを塗布して感光層３０を形成する（図５の（Ａ）参照）。
【００５０】［工程−２１０］次に、描画装置からの電子線による第１の描画工程において、図５の（Ａ）に示すような描画領域を設定し、加速電圧２０ｋＶの電子線による描画を行い、その後、感光層３０の現像工程を行う（図５の（Ｂ）参照）。描画領域は、光透過領域に相当する。
【００５１】［工程−２２０］次いで、反応性イオンエッチングを用いて塩素及び酸素の混合ガスで遮光層２２をエッチングし、更に、四フッ化炭素及び酸素の混合ガスによるプラズマ中で基板２０をエッチングして凹部を形成する。その後、感光層３０を剥離する（図５の（Ｃ）参照）。これによって、遮光層２２を有する遮光領域１２が形成され、基板２０に設けられた凹部から成る光透過領域１０が形成される。」
（１ｅ）「【００６３】（実施例−４）実施例−４は実施例−３の変形であり、図９に模式的な一部切断図を示す。実施例−４の位相シフトマスクは、実施例−３と異なり、光透過領域１０が基板２０に形成された凹部から成る。光透過領域１０の凹部の深さｄ’を、ｄ’＝λ／（２（ｎ’−１））とすれば、補助パターン領域１６を通過した光の位相と、光透過領域１０を通過した光の位相は、１８０度変化する。遮光領域１２は、基板２０上に形成された遮光層２２から構成されている。遮光層２２の厚さは、露光光を確実に遮光し得る厚さである。補助パターン領域１６と光透過領域１０との間には、遮光領域１２Ａが存在する。
【００６４】以下、実施例−４における位相シフトマスクの作製方法を、図５及び図１０を参照して説明する。この実施例−４においては、［工程−４００］にて、基板２０に、光透過領域１０、及び導電性材料から成る遮光層２２を有する遮光領域１２が形成される。また、［工程−４１０］及び［工程−４２０］にて、光透過領域に近接した遮光領域の部分に、光透過領域を通過した光の位相と異なる位相の光を通過させる領域（補助パターン領域１６）が形成される。
【００６５】［工程−４００］先ず、実施例−２の［工程−２００］〜［工程−２２０］を実施する。即ち、基板２０上に遮光層２２を形成した後、遮光層２２上にレジストを塗布して感光層３０を形成する（図５の（Ａ）参照）。次に、描画装置からの電子線による第１の描画工程において加速電圧２０ｋＶの電子線による描画を行い、その後、感光層３０の現像工程を行う（図５の（Ｂ）参照）。次いで、反応性イオンエッチングを用いて塩素及び酸素の混合ガスで遮光層２２をエッチングし、更に、四フッ化炭素及び酸素の混合ガスによるプラズマ中で基板２０をエッチングして凹部を形成する。その後、感光層３０を剥離する（図５の（Ｃ）参照）。これによって、遮光領域１２が形成され、基板２０に設けられた凹部から成る光透過領域１０が形成される。
【００６６】［工程−４１０］次いで、光透過領域１０及び遮光領域１２上の全面に電子線に感光するレジストを塗布してレジスト層３２を形成した後（図１０の（Ａ）参照）。図１０の（Ａ）に示すような描画領域を設定する。この描画領域は、光透過領域１０に近接した遮光領域１２の部分であり、補助パターン領域を形成すべき領域に相当する。そして、チャージアップを防止するために、実施例−１の［工程−１３０］と同様の加速電圧条件で電子線にて第２の描画工程を実行する。これによって、レジスト層３２に所望のレジストパターンを形成することができる。
【００６７】［工程−４２０］その後、レジスト層３２の現像（図１０の（Ｂ）参照）、塩素ガス及び酸素の混合ガスによるプラズマ中での遮光層２２のエッチング工程（図１０の（Ｃ）参照）、レジスト層３２の剥離工程を経て、最終的に図９に示した構造の位相シフトマスクを得ることができる。
【００６８】実施例−４においても、［工程−４００］（図５の（Ａ）参照）あるいは［工程−４１０］（図１０の（Ａ）参照）における描画領域は、いずれもクロム等の導電性材料から成る遮光層２２上に限定されている。従って、電子線によるチャージアップの影響がなく、感光層３０やレジスト層３２に良好なる所望の寸法のレジストパターンを形成することができる。また、［工程−４１０］における電子線の加速電圧を低電圧にすることによって、実施例−１と同様に、レジスト層３２に正確に描画されたレジストパターンを形成することができる。」
（１ｆ）「【００９３】更には、光透過領域を通過した光の位相と異なる位相の光を通過させる領域と、光透過領域とを、別の電子線描画工程にて形成するので、電子線描画における描画領域が近接することがなく、相互近接効果によるレジストパターンの劣化がなく、相互近接効果補正を行うことなく、正確な寸法のレジストパターンを形成することができる。」
（１ｇ）【図５】（Ｃ）、【図９】及び【図１０】からは、基板に設けられた凹部から成る光透過領域（１０）が、基板が所定の深さ掘り込まれて形成されている様子が見て取れる。
　
　これらの記載事項及び図面を含む引用文献１全体の記載並びに当業者の技術常識によれば、引用文献１には、以下の発明が記載されている。
　「以下の工程を具備する位相シフトマスクの製造方法。
（あ）先ず、石英から成る基板（２０）上に遮光層（２２）を形成した後、遮光層上にレジストを塗布して感光層（３０）を形成する。
（い）次に、描画装置からの電子線による第１の描画工程において電子線による描画を行い、その後、感光層の現像工程を行う。
（う）次いで、反応性イオンエッチングを用いて塩素及び酸素の混合ガスで遮光層をエッチングし、更に、四フッ化炭素及び酸素の混合ガスによるプラズマ中で基板をエッチングして凹部を形成する。
（え）その後、感光層を剥離することによって、遮光領域（１２）が形成され、基板に所定の深さ掘り込まれて設けられた凹部から成る光透過領域（１０）が形成される。
（お）次いで、光透過領域及び遮光領域上の全面に電子線に感光するレジストを塗布してレジスト層（３２）を形成した後描画領域を設定する。この描画領域は、光透過領域に近接した遮光領域の部分であり、補助パターン領域を形成すべき領域に相当する。そして、電子線にて第２の描画工程を実行する。これによって、レジスト層に所望のレジストパターンを形成することができる。
（か）その後、レジスト層の現像、塩素ガス及び酸素の混合ガスによるプラズマ中での遮光層のエッチング工程、レジスト層の剥離工程を経て、最終的に位相シフトマスクを得る。」（以下「引用発明」という。）
　
３．対比 
　補正発明と引用発明を比較する。
（１）引用発明の「石英から成る基板」及び「遮光層」は、それぞれ補正発明の「透明基板」及び「遮光膜」に相当する。
　したがって、引用発明の「石英から成る基板上に遮光層を形成した」部材と補正発明の「透明基板上にハーフトーン位相シフト膜及び遮光膜が形成された位相シフトマスク用ブランクス」は、ともに位相シフトマスク用ブランクスである点で共通する。
　また、引用発明の「描画装置からの電子線による第１の描画工程において電子線による描画を行い、その後、感光層の現像工程を行う」工程は、補正発明の「パターン描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、第１レジストパターンを形成する」工程に相当する。
　してみると、引用発明の工程（あ）〜（い）と補正発明の工程（ａ）は、ともに「位相シフトマスク用ブランクス上に第１レジスト層を形成し、パターン描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、第１レジストパターンを形成する工程。」である点で共通する。
（２）引用発明の工程（う）〜（え）における「反応性イオンエッチングを用いて塩素及び酸素の混合ガスで遮光層をエッチング」する工程と、補正発明の工程(ｂ）における「第１レジストパターンをマスクにして遮光膜及びハーフトーン位相シフト膜をドライエッチング」する工程とは、ともに「第１レジストパターンをマスクにして透明基板上の膜をドライエッチング」する工程で共通する。
　引用発明において、「その後、感光層を剥離する」工程は、補正発明の「第１レジストパターンを剥離処理」する工程に相当する。
　同様に「基板に所定の深さ掘り込まれて設けられた凹部から成る光透過領域が形成される」工程は「透明基板が所定の深さ掘り込まれたメインパターンを形成する工程」に相当する。
　してみると引用発明の工程（う）〜（え）と補正発明の工程（ｂ）〜（ｄ）は、ともに「第１レジストパターンをマスクにして透明基板上の膜を膜をドライエッチングする工程及び透明基板が所定の深さ掘り込まれたメインパターンを形成する工程」を有する点で共通する。
（３）引用発明の工程（お）〜（か）における「レジストを塗布」、「電子線にて第２の描画工程を実行」、「補助パターン領域」、「レジスト層の現像」、「レジストパターンを形成」、「塩素ガス及び酸素の混合ガスによるプラズマ中での遮光層のエッチング工程」及び「レジスト層の剥離工程」は、それぞれ、補正発明の工程（ｅ）〜（ｆ）における「第３レジスト層を形成」、「パターン描画」、「補助パターン」、「現像」、「第３レジストパターンを形成」、「ドライエッチング」及び「第３レジストパターンを剥離処理」に相当する。
　してみると引用発明の工程（お）〜（か）と補正発明の工程（ｅ）〜（ｆ）は、ともに「第３レジスト層を形成し、パターン描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、第３レジストパターンを形成する工程及び第３レジストパターンをマスクにして透明基板上の膜をドライエッチングし、第３レジストパターンを剥離処理して、補助パターンを形成する工程」の点で共通する。
　
　したがって、両者は、 
　「位相シフトマスク用ブランクス上に第１レジスト層を形成し、パターン描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、第１レジストパターンを形成する工程。
　第１レジストパターンをマスクにして透明基板上の膜を膜をドライエッチングする工程。
　透明基板が所定の深さ掘り込まれたメインパターンを形成する工程。
　第３レジスト層を形成し、パターン描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、　第３レジストパターンを形成する工程。
　第３レジストパターンをマスクにして透明基板上の膜をドライエッチングし、第３レジストパターンを剥離処理して、補助パターンを形成する工程。
を具備する位相シフトマスクの製造方法。」
の点で一致し、次の各点で相違している。 
（相違点１）
　位相シフトマスク用ブランクスが、補正発明では基板上に「ハーフトーン位相シフト膜及び遮光膜」が形成されたものであるのに対して、引用発明では基板上に「遮光膜」を形成したものであって、第１レジストパターン及び第３レジストパターンをマスクにしてエッチングされるのが、補正発明では「遮光膜及びハーフトーン位相シフト膜」であるのに対して、引用発明では「遮光膜」である点。
（相違点２）
　透明基板が所定の深さ掘り込まれたメインパターンを形成する工程において、補正発明は、「（ｃ）第２レジスト層を形成し、パターン描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、その端部が前記メインパターンのパターン幅よりも大きく、かつメインパターンにオーバーハングしないように第２レジストパターンを形成する工程、及び（ｄ）第２レジストパターン及び遮光膜をマスクにする２重のマスクで透明基板を保護してメインパターン領域の透明基板を所定の深さドライエッチングし、第２レジストパターンを剥離処理」する工程を有しているのに対して、引用発明は、そのような工程を有していない点。
（相違点３）
　補正発明は、さらに「（ｇ）第４レジスト層を形成し、パターン描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、第４レジストパターンを形成する工程、及び（ｈ）第４レジストパターンをマスクにして遮光膜をドライエッチングし、第４レジストパターンを剥離処理して、遮光領域及びハーフトーン位相シフト領域を形成する工程」を有しているのに対して、引用発明は、そのような工程を有していない点。
　
４．判断 
　上記各相違点について検討する。
（相違点１について）
　位相シフトマスク用ブランクスとして、基板上にハーフトーン位相シフト膜及び遮光膜が形成されたものを用いることは、ごく普通に行われている周知技術（必要なら特開平１１−１４３０４７号公報（原査定の拒絶の理由で引用された引用文献２）段落【００３５】及び【図２】（ａ）参照）である。引用発明の位相シフトマスク用ブランクスとして、当該周知のものを用いることにより、相違点１に係る構成を採用するととは、当業者が容易になし得る事項である。
（相違点２について）
　レジスト層を感光、エッチングすることにより所定のパターンの層を形成するパターン形成方法において、エッチングを回避すべき箇所の保護や、パターンを保護するために２重のマスクを用いることは、ごく普通に用いられる周知技術（必要なら特開平９−３４０９９号公報、特開平１１−１５１２８号公報参照）であり、引用発明に当該周知技術を用いることは、その必要に応じて、当業者が適宜なし得る事項である。その場合、「第２レジスト層の端部がメインパターンのパターン幅よりも大きく」することは、作業の歩留まりやドライエッチングの特性等を総合的に勘案して、当業者が適宜採用しうる事項である。また、第２レジスト層の端部を「メインパターンにオーバーハングしないように」することは、技術常識に鑑み当然考慮すべき事項である。
（相違点３について）
　遮光領域及びハーフトーン位相シフト領域を有する位相シフトマスクは、周知のものであり、その製造に用いる、基板上にハーフトーン位相シフト膜及び遮光膜が形成された位相シフトマスク用ブランクスも、周知のものである（上記（相違点１について）参照）。引用発明の位相シフトマスク用ブランクスに代えて当該周知の位相シフトマスク用ブランクスを用いる点に格別の困難性はない。その場合、遮光領域を形成するためにさらなるレジストによるエッチング工程が必要なことは、当業者にとって技術常識である。
　してみると、相違点３に係る工程を採用することは、当業者が容易になし得る事項である。
　
　そして、補正発明全体の効果も、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
　したがって、補正発明は、引用文献発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
５．むすび 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項の規定において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり、決定する。
　
第３　本願発明について 
　平成２１年１２月２８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成２１年５月２２日付けの手続補正で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「少なくとも以下の工程を具備することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
（ａ）透明基板（１１）上にハーフトーン位相シフト膜（２１）及び遮光膜（３１）が形成された位相シフトマスク用ブランクス（１０）上に第１レジスト層（４１）を形成し、パターン描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、第１レジストパターン（４１ａ）を形成する工程。
（ｂ）第１レジストパターン（４１ａ）をマスクにして遮光膜（３１）及びハーフトーン位相シフト膜（２１）をドライエッチングし、第１レジストパターン（４１ａ）を剥離処理して、メインパターン（５１）を形成する工程。
（ｃ）第２レジスト層（４２）を形成し、パターン描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、前記メインパターン（５１）のパターン幅よりも大きく前記メインパターン（５１）の領域を包含する第２レジストパターン（４２ａ）を形成する工程。
（ｄ）第２レジストパターン（４２ａ）及び遮光膜（３１）をマスクにする２重のマスクで透明基板（１１）を保護してメインパターン（５１）領域の透明基板（１１）を所定の深さドライエッチングし、第２レジストパターン（４２ａ）を剥離処理して、透明基板（１１）が所定の深さ掘り込まれたメインパターン（５１ａ）を形成する工程。
（ｅ）第３レジスト層（４３）を形成し、パターン描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、第３レジストパターン（４３ａ）を形成する工程。
（ｆ）第３レジストパターン（４３ａ）をマスクにして遮光膜（３１）及びハーフトーン位相シフト膜（２１）をドライエッチングし、第３レジストパターン（４３ａ）を剥離処理して、補助パターン（６１）を形成する工程。
（ｇ）第４レジスト層（４４）を形成し、パターン描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、第４レジストパターン（４４ａ）を形成する工程。
（ｈ）第４レジストパターン（４４ａ）をマスクにして遮光膜（３１）をドライエッチングし、第４レジストパターン（４４ａ）を剥離処理して、遮光領域（３１ａ）及びハーフトーン位相シフト領域（２１ａ）を形成する工程。」（以下「本願発明」という。）　
１．引用刊行物
（１）引用文献１の記載事項は、前記「第２」の「２．」に記載したとおりである。
　
２．対比・判断
　本願発明は、前記「第２」で検討した補正発明の「かつメインパターンにオーバーハングしないように」との構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明の特定事項を全て含み、さらに他の特定事項を付加したものに相当する補正発明が、前記「第２」の「４．」に記載したとおり、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３．むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。