【事件の表示】
　平成１１年特許願第３１３７６７号「プリント配線板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　５月１８日出願公開、特開２００１−１３５９１６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１１年１１月４日の出願であって、平成２１年２月２６日付けの拒絶理由通知に対して平成２１年５月１日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２１年７月２７日付けの最後の拒絶理由通知に対して平成２１年９月２８日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２１年１１月６日付けで上記平成２１年９月２８日付けの手続補正が却下されるとともに同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２２年２月１７日に拒絶査定に対する審判請求がなされると同時に、同日付けの手続補正書によって明細書及び特許請求の範囲について補正する手続補正がなされ、その後、当審において平成２３年１月７日付けで書面による審尋がなされたものである。
　
第２．平成２２年２月１７日付けの手続補正についての補正却下の決定
〔補正却下の決定の結論〕
　平成２２年２月１７日付けの手続補正を却下する。
［理由］　　　
１．本件補正の内容
（１）平成２２年２月１７日付けの手続補正書による手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲に関して、本件補正により補正される前（すなわち、平成２１年５月１日付け）の下記（ａ）を、下記（ｂ）と補正するものである。
　
（ａ）本件補正前の特許請求の範囲
「【特許請求の範囲】
【請求項１】　コア基板上に樹脂絶縁層と導体パターンとが交互に形成されているプリント配線板の製造方法であって，
　ａ）ビアホール形成用の開口部を有する樹脂絶縁層上に金属層を形成する工程と，
　ｂ）ドライフィルムにて金属層のパターン非形成部分を被覆するとともにパターン形成部分を開口させる工程と，
　ｃ）電解めっきにて金属層のパターン形成部分を厚付けする工程と，
　ｄ）上記ドライフィルムの剥膜処理を行って，上記金属層のパターン非形成部分を露出させる工程と，
　ｅ）上記金属層にエッチングを施してパターン非形成部分の金属層を除去することにより，金属層のパターン形成部分からなる導体パターンを形成する工程と，を有し，
　上記ドライフィルムの厚みは２０〜５０μｍであり，かつ上記ドライフィルムの剥膜処理を行うにあたっては，上記プリント配線板を温度４０〜７０℃の剥膜液に浸漬，スプレーかけまたは超音波付与をすることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
　　【請求項２】　請求項１において，上記剥膜液は，アルカリ水溶液あるいはアミン系水溶液であることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
　　【請求項３】　請求項２において，上記アルカリ水溶液は，少なくとも水酸化ナトリウム，水酸化カリウム，水酸化カルシウムまたは水酸化リチウムのいずれかを含有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
　　【請求項４】　請求項２において，上記アミン系水溶液は，少なくともモノエタノールアミン，ジエタノールアミン，またはトリエタノールアミンのいずれかを含有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
　　【請求項５】　請求項１〜４のいずれか１項において，上記剥膜処理は，１〜１０分間で行うことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
　　【請求項６】　請求項１〜５のいずれか１項において，上記金属層のパターン非形成部分を覆うドライフィルムの最小幅は，１５〜７５μｍであることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
　　【請求項７】　請求項１〜６のいずれか１項において，上記導体パターンをエッチング処理により粗化することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
　　【請求項８】　請求項１〜７のいずれか１項において，上記導体パターンの間隔は３〜１０μｍであることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
　　【請求項９】　請求項２〜８のいずれか１項において，上記アルカリ水溶液又はアミン系水溶液の中に，アルカリ成分又はアミン化合物が５０％以上含有されていること特徴とするプリント配線板の製造方法。」
　　
（ｂ）本件補正後の特許請求の範囲
「【請求項１】　コア基板上に樹脂絶縁層と導体パターンとが交互に形成されているプリント配線板の製造方法であって，
　ａ）ビアホール形成用の開口部を有する樹脂絶縁層上に
無電解めっき膜
上記無電解めっき膜
　ｃ）電解めっき膜にて
上記無電解めっき膜
　ｄ）上記ドライフィルムの剥膜処理を行って，上記
無電解めっき膜
　ｅ）上記
無電解めっき膜
上記
上記無電解めっき膜
　
上記無電解めっき膜と上記電解めっき膜と
上記パターン形成部分に
　上記ドライフィルムの厚みは２０〜５０μｍであり，かつ上記ドライフィルムの剥膜処理を行うにあたっては，
　上記プリント配線板を温度４０〜７０℃の剥膜液に浸漬，スプレーかけまたは超音波付与
し，
上記剥膜液はアミン系水溶液である
　　【請求項２】　
請求項１において，上記アミン系水溶液は，少なくともモノエタノールアミン，ジエタノールアミン，またはトリエタノールアミンのいずれかを含有する
　　【請求項３】　
請求項１において，上記アミン系水溶液は，モノエタノールアミンを含有する
　　【請求項４】　
請求項１〜３のいずれか１項において，上記剥膜処理は，１〜１０分間で行う
　　【請求項５】　
請求項１〜４のいずれか１項において，上記金属層のパターン非形成部分を覆うドライフィルムの最小幅は，１５〜７５μｍである
　　【請求項６】　
請求項１〜５のいずれか１項において，上記導体パターンをエッチング処理により粗化する
　　【請求項７】　
請求項１〜６のいずれか１項において，上記導体パターンの間隔は３〜１０μｍである
　　【請求項８】　
請求項１〜７のいずれか１項において，上記アミン系水溶液の中に，アミン化合物が５０％以上含有されている
　　
２．本件補正の適否についての判断　
［理由１］
２．−１　目的要件違反　
　本件補正の目的が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号ないし第４号の掲げる事項に該当するか否かについて、以下に検討する。
本件補正は、特許請求の範囲に関して、本件補正前の請求項１及び請求項３を削除するとともに、本件補正前の請求項１を引用する請求項２を本件補正後の請求項１とし、本件補正前の請求項５ないし９を各々繰り上げて本件補正後の請求項４ないし８とし、本件補正前の請求項２を引用する請求項４を本件補正後の請求項１を引用する請求項２とするものである。そして、本件補正は、以下の（１）及び（２）を含むものである。
（１）本件補正後の請求項１は、本件補正前の請求項１を引用する請求項２における、その発明を特定するために必要と認める事項（以下、「発明特定事項」という。）である「金属層」を「無電界めっき膜」に、「金属層のパターン形成部分」を「無電解めっき膜と上記電解めっき膜」に、各々具体的に限定するものを含むものであって、限定的減縮を含むものである。
　　
（２）本件補正後の請求項３は、本件補正前には対応する請求項は存在しない。仮に本件補正本前の請求項２を引用する請求項４が対応するとするならば、本件補正前の請求項４を、本件補正後の請求項２及び３とすることになり、本件補正は、請求項数を増加する補正であると認められる。
　以上からすると、本件補正後の請求項３を含む本件補正は、その補正の前後において、一対一の対応関係を維持しつつ、その対応関係にある一つの本件補正前の請求項の発明特定事項を限定的に減縮する補正であるということができず、実質的に請求項数自体を明らかに増加させる増項補正となっており、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的としたものとは認められない。
　また、本件補正後の請求項３を含む本件補正は、請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明を目的としているものでもない。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号ないし第４号のいずれにも該当しない。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項によって却下すべきものである。   
　　
［理由２］　
２．−２　独立特許要件違反
　仮に、上記［理由１］で指摘した本件補正のうち特許請求の範囲についての補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するとして、本件補正後の発明が、特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下に検討する。
　　　　
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１ないし８に係る発明は、上記［理由］１．（１）（ｂ）に記載された事項によって特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）は、［理由］１．（１）（ｂ）の【請求項１】のとおりである。
　　
（２）引用文献に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１１−２６１２３２号公報（以下、「引用文献」という。）には、例えば、次のような記載がある。
　なお、「○付き数字」は、
○数字
　　
ア．「【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の構成について、多層プリント配線板の断面を示す図１９を参照して説明する。図中に示す多層プリント配線板１０は、上面に図示しないＩＣチップのバンプ側に接続するための半田バンプ２８Ｕが設けられ、下面側に図示しないマザーボードのバンプに接続するための半田バンプ２８Ｄが配設され、該ＩＣチップ−マザーボード間の信号等の受け渡しの役割を果たすパッケージ基板として構成されている。
【００１９】多層プリント配線板１０のコア基板３０の上面側上層及び下面側上層（ここで、上層とは基板３０を中心として上面については上側を、基板の下面については下側を意味する）には、グランド層となる内層銅パターン３４、３４が形成されている。また、内層銅パターン３４の上層には、下層層間樹脂絶縁層４０を介在させて信号線を形成する導体回路５２、又、該層間樹脂絶縁層４０を貫通して下層バイアホール５０が形成されている。下層バイアホール５０及び導体回路５２の上層には、中層の層間樹脂絶縁層６０を介して導体回路７２、及び該中層層間樹脂絶縁層６０を貫通する中層バイアホール７０が形成されている。中層バイアホール７０及び導体回路７２の上層には、上層の層間樹脂絶縁層８０を介して導体回路９２、及び該上層層間樹脂絶縁層８０を貫通する上層バイアホール９０が形成されている。
【００２０】上面側の該導体回路９２、上層バイアホール９０には半田バンプ２８Ｕを支持する半田パッド２６Ｕが形成されている。他方、下面側の該導体回路９２、上層バイアホール９０には半田バンプ２８Ｄを支持する半田パッド２６Ｄが形成されている。
【００２１】該多層プリント配線板１０においては、バイアホール５０、７０、９０はめっきを充填して形成されており、下層層間樹脂絶縁層４０のバイアホール５０の上側に配設される中層層間樹脂絶縁層６０の当該バイアホール５０直上部を平滑にできる。このため、図２２（Ａ）に示す従来技術の多層プリント配線板では、デッドスペースになっていた、該下層バイアホール５０の直上位置に上層バイアホールへの接続用の導体回路７２を配置できるので、多層プリント配線板の高密度化が可能となる。また、バイアホール５０、７０、９０はめっきを充填して形成されているので、基板表面を平滑化できる。
【００２２】更に、下層層間樹脂絶縁層４０のバイアホール５０と中層層間樹脂絶縁層６０のバイアホール７０とを導体回路５２を介して接続し、中層層間樹脂絶縁層６０のバイアホール７０と上層層間樹脂絶縁層８０のバイアホール９０とを導体回路７２を介して接続し、下層層間樹脂絶縁層４０のバイアホール５０のほぼ上の位置に上層層間樹脂絶縁層８０のバイアホール９０を配置、即ち、バイアホール５０、７０、９０をクランク状に配置してある。従って、図２２（Ｂ）を参照して上述した従来技術の多層プリント配線板と異なりバイアホールが局在化していない。このため、製造段階及び使用中において層間樹脂絶縁層４０、６０、８０へ熱が加わり硬化収縮しても、本実施形態の多層プリント配線板は反りが発生し難く、ＩＣチップ等を載置する際の実装信頼性に優れる
【００２３】そして、下層層間樹脂絶縁層４０、中層層間樹脂絶縁層６０及び上層層間樹脂絶縁層８０の開口部４２、６２、８２の側面４２ａ、６２ａ、８２ａは、図中に示すように粗化処理されているため、該開口部４２、６２、８２内に形成されるバイアホール５０、７０、９０との密着性を高めることができる。更に、バイアホール５０、７０、９０及び導体回路５２、７２、９２の表面は粗化処理され、粗化層５８、７８、９８が形成されている。このため、バイアホール５０及び導体回路５２と中層層間樹脂絶縁層６０との間の密着性、バイアホール７０及び導体回路７２と上層層間樹脂絶縁層８０との間の密着性、上層バイアホール９０、導体回路９２上に形成される半田パッド２６Ｕ、２６Ｄとの密着性を高めることができる。」（段落【００１８】ないし【００２３】）
　　
イ．「【００２４】引き続き、図１９に示すパッケージ基板の製造工程について図１〜図１９を参照して説明する。
（１）厚さ１ｍｍのＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂またはガラスエポキシ樹脂からなるコア基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とする（図１参照）。まず、この銅張積層板３０Ａをパターン状にエッチングすることにより、基板３０の両面に内層銅パターン（導体回路）３４を形成する（図２参照）。
【００２５】さらに、内層銅パターン３４を形成した基板３０を、水洗いして乾燥した後、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０．６ｇ／ｌ、クエン酸１５ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２９ｇ／ｌ、ホウ酸３１ｇ／ｌ、界面活性剤０．１ｇ／ｌからなるｐＨ＝９の無電解めっき液に浸漬し、該内層銅パターン３４の表面に厚さ３μｍの銅−ニッケル−リンからなる粗化層３８を形成する（図３参照）。その基板３０を水洗いし、０．１ｍｏｌ／ｌホウふっ化スズ−１．０ｍｏｌ／ｌチオ尿素液からなる無電解スズ置換めっき浴に５０℃で１時間浸漬し、粗化層表面に０．３μｍのスズ層（図示せず）を設ける。
【００２６】（２）ここで、層間樹脂絶縁層を形成する無電解めっき用接着剤を用意する。ここでは、
○１
○２
○３
○１
○３
【００２７】（３）（１）の無電解めっき用接着剤を（２）の基板３０にロールコ一夕で塗布し、水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥（プリベーク）を行い、層間樹脂絶縁層４０を形成する（図４参照）。
【００２８】下層層間樹脂絶縁層４０を形成した基板３０の両面に、所定径の黒円が印刷されたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯により５００ｍＪ／ｃｍ２で露光する。これをＤＭＤＧ溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板を超高圧水銀灯により３０００ｍＪ／ｃｍ２  で露光し、１００℃で１時間、その後１５０℃で５時間の加熱処理（ポストベーク）をすることにより、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた６０μｍφの開口（バイアホール形成用開口部４２：底部６１μｍ、上部６７μｍ）を有する厚さ２０μｍの層間樹脂絶縁層４０を形成する（図５参照）。
【００２９】（４）開口部４２が形成された基板３０を、クロム酸に２分間浸漬し、層間樹脂絶縁層４０の表面のエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、該層間樹脂絶縁層４０の表面に深さ４μｍ粗化面を形成する。この粗化面は、開口部４２内部の側面４２ａに対しても同様に形成される（図６参照）。その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いする。さらに、粗面化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層４０の表面およびバイアホール用開口部４２の内壁面に触媒核を付ける。
【００３０】（５）以下の組成の無電解銅めっき浴中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６μｍの無電解銅めっき膜４４を形成する（図７参照）。
〔無電解めっき液〕
ＥＤＴＡ            １５０  ｇ／ｌ
硫酸銅                ２０  ｇ／ｌ
ＨＣＨＯ              ３０ｍｌ／ｌ
ＮａＯＨ              ４０  ｇ／ｌ
α、α’−ビピリジル  ８０  ｍｇ／ｌ
ＰＥＧ                ０．１ｇ／ｌ
【００３１】（６）上記（５）で形成した無電解銅めっき膜４４上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ２  で露光、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍで、Ｌ／Ｓ＝２５／２５μｍのめっきレジスト４６を設ける（図８参照）。
【００３２】（７）ついで、レジスト非形成部分に以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ１５μｍの電解銅めっき膜５８を析出し、該めっき膜により開口部４２内を充填する（図９参照）。
  液条件：硫酸銅・５水和物  ６０ｇ／ｌ
          硫酸              １９０ｇ／ｌ
          塩素イオン        ４０ｐｐｍ
          レベリング剤（アトテック製  ＨＬ）４０ｍｌ／ｌ
          光沢剤    （アトテック製  ＵＶ）０．５ｍｌ／ｌ
操作条件：バブリング  ３．００ｌ／分      電流密度  ０．５Ａ／ｄｍ２  
          設定電流値  ０．１８Ａ          めっき時間１３０分
この実施形態では、めっきにより充填を行ったが、めっきの代わりに、導電性ペーストを充填することもできる。導電性ペーストとしては、タッタ電機線ＤＤペースト（ＡＥ１６００１）などが挙げられる。
【００３３】（８）めっきレジスト４６を５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト４６下の無電解めっき膜４４を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解めっき膜４４と電解銅めっき膜４８からなる厚さ約１５μｍの導体回路５２及びバイアホール５０を形成する（図１０参照）。本実施形態の製造方法では、定法による電解銅めっきと比較して、めっき面を平滑化するためのレベリング剤の分量を増やし、めっき面に光沢を与える光沢剤の分量を減らし、設定電流値を減らし、めっき時間を長くし、即ち、小電流で長時間かけて電解めっきを行うことで、バイアホール５０の表面を平滑にする。
【００３４】また、本実施形態では、バイアホール径（開口部４２の開口径：６７μｍ）と層層間樹脂絶縁層４０の厚み（２０μｍ）との比が、３．３５に設定してある。ここで、バイアホール径と層層間樹脂絶縁層の厚みとの比が１以下では、上記めっき工程において、開口部４２の開口径に対して深みが深過ぎて、めっき液が該開口部４２内に十分に回り込めず、効率的にめっきを行い得ない。他方、バイアホール径：層層間樹脂絶縁層の厚みの比が４を越えると、バイアホールを形成する開口部の開口径が深みに対して広すぎるため、中央に窪みができバイアホールの表面を平滑に形成することができない。このため、バイアホール径：層層間樹脂絶縁層の厚みの比は、１を越え４以下であることが望ましい。
【００３５】また、導電回路５２の厚みは２０μｍ以下が好適で、４０μｍ以下であることが望ましい。これは、導電回路の厚みは、上述しためっきレジスト４６の厚みにより決まるが、該光学的に形成されるめっきレジストの厚みが４０μｍを越えるようにすると、解像度が低下して所望の形状が構成し難いからである。
【００３６】（９）引き続き、基板３０の導体回路５２及びバイアホール５０に対して、上記（２）と同様にして粗化層５８を形成する（図１１参照）。
【００３７】（１０）上記（２）〜（８）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成する。即ち、基板３０の両面に、無電解めっき用接着剤を塗布し、水平状態で放置してから乾燥を行い、その後、フォトマスクフィルムを密着させ、露光・現像し、バイアホール形成用開口６２を有する厚さ２０μｍの層間樹脂絶縁層６０を形成する（図１２参照）。次に、該層間樹脂絶縁層６０の表面及び開口６２の側面６２ａを粗面とした後、該粗面化処理した該基板３０の表面に、無電解銅めっき膜６４を形成する（図１３参照）。引き続き、無電解銅めっき膜６４上にめっきレジスト６６を設けた後、レジスト非形成部分に電解銅めっき膜６８を形成する（図１４参照）。そして、めっきレジスト６６を剥離除去した後、そのめっきレジスト６６下の無電解めっき膜６４を溶解除去し中層バイアホール７０及び導体回路７２を形成してから、さらに、該中層バイアホール７０及び導体回路７２の表面に粗化層７８を形成する（図１５参照）。」（段落【００２４】ないし【００３７】）
　　
上記ア．、イ．及び図面の記載を勘案すると、引用文献には以下の事項が記載されていることがわかる。
　　　　　　　
ウ．コア基板３０上に下層層間樹脂絶縁層４０と内層銅パターン３４とが交互に形成されている多層プリント配線板の製造方法であって、
　ａ）バイアホール５０を形成する開口部４２を有する下層層間樹脂絶縁層４０上に無電解銅めっき膜４４を形成する工程と，
　ｂ）めっきレジスト４６にて上記無電解銅めっき膜４４を被覆する部分（以下、「レジスト形成部分」という。）が有り、レジスト形成部分を被覆するとともにレジスト非形成部分を開口させる工程があることがわかる。
　　
エ．その後、
　ｃ）電解銅めっき膜４８にて上記無電解銅めっき膜４４のレジスト非形成部分を厚付けする工程と，
　ｄ）上記めっきレジスト４６の剥膜処理を行って，上記無電解銅めっき膜４４のレジスト形成部分を露出させる工程と，
　ｅ）上記無電解銅めっき膜４４にエッチングを施して上記レジスト形成部分４６の上記無電解銅めっき膜４４を除去することにより，
　上記無電解銅めっき膜４４と上記電解銅めっき膜４８とからなる内層銅パターン３４を上記レジスト形成部分に形成する工程とがあることがわかる。
　
オ．めっきレジスト４６の厚みは４０μｍ以下であり、かつ上記めっきレジスト４６の剥膜処理を行うにあたっては、剥膜液は５％ＫＯＨであることがわかる。
　　
　よって、上記ア．ないしオ．及び図面を総合的に参酌すると、引用文献には以下の発明が記載されているといえる。
　「コア基板３０上に下層層間樹脂絶縁層４０と内層銅パターン３４とが交互に形成されている多層プリント配線板の製造方法であって、
　ａ）バイアホール５０を形成する開口部４２を有する下層層間樹脂絶縁層４０上に無電解銅めっき膜４４を形成する工程と，
　ｂ）めっきレジスト４６にて上記無電解銅めっき膜４４のレジスト形成部分を被覆するとともにレジスト非形成部分を開口させる工程と、　　
　ｃ）電解銅めっき膜４８にて上記無電解銅めっき膜４４のレジスト非形成部分を厚付けする工程と，
　ｄ）上記めっきレジスト４６の剥膜処理を行って，上記無電解銅めっき膜４４のレジスト形成部分を露出させる工程と，
　ｅ）上記無電解銅めっき膜４４にエッチングを施して上記レジスト形成部分４６の上記無電解銅めっき膜４４を除去することにより，
　上記無電解銅めっき膜４４と上記電解銅めっき膜４８とからなる内層銅パターン３４を上記レジスト形成部分に形成する工程と、を有し、　
　上記めっきレジスト４６の厚みは４０μｍ以下であり、かつ上記めっきレジスト４６の剥膜処理を行うにあたっては、剥膜液は５％ＫＯＨである多層プリント配線板の製造方法。」
（以下、「引用文献に記載された発明」という。）
　
（３）対比
　本願補正発明と引用文献に記載された発明とを対比すると、引用文献に記載された発明における「コア基板３０」は、その機能及び構成からみて、本願補正発明における「コア基板」に相当し、同様に、「下層層間樹脂絶縁層４０」は「樹脂絶縁層」に、「内層銅パターン３４」は「導体パターン」に、「バイアホール５０」は「ビアホール」に、「バイアホールを形成する開口部４２」は「開口部」に、「無電解銅めっき膜４４」は「無電解めっき膜」に、「レジスト非形成部分」は「パターン形成部分」に、「レジスト形成部分」は「パターン非形成部分」に、「電解銅めっき膜４８」は「電解めっき膜」に、「多層プリント配線板」は「プリント配線板」に各々相当する。そして、引用文献の段落【００３１】の記載、本願補正発明における明細書段落【００５６】の記載からすれば、引用文献に記載された発明における「めっきレジスト４６」は、本願補正発明における「ドライフィルム」に相当することは明らかである。また、引用文献に記載された発明における「剥膜液は５％KOHである」は本願補正発明における「剥膜液はアミン系水溶液である」に、「剥膜液を使用する」限りにおいて相当する。
よって、本願補正発明と引用文献に記載された発明とは、
「コア基板上に樹脂絶縁層と導体パターンとが交互に形成されているプリント配線板の製造方法であって，
　ａ）ビアホール形成用の開口部を有する樹脂絶縁層上に無電解めっき膜を形成する工程と，　　
　ｂ）ドライフィルムにて上記無電解めっき膜のパターン非形成部分を被覆するとともにパターン形成部分を開口させる工程と，
　ｃ）電解めっき膜にて上記無電解めっき膜のパターン形成部分を厚付けする工程と，
　ｄ）上記ドライフィルムの剥膜処理を行って，上記無電解めっき膜のパターン非形成部分を露出させる工程と，
　ｅ）上記無電解めっき膜にエッチングを施して上記パターン非形成部分の上記無電解めっき膜を除去することにより，
　上記無電解めっき膜と上記電解めっき膜とからなる導体パターンを上記パターン形成部分に形成する工程と，を有し，
　上記ドライフィルムの厚みは４０μｍ以下であり，かつ上記ドライフィルムの剥膜処理を行うにあたっては，
　剥膜液を使用するプリント配線板の製造方法。」の点で一致し、以下の点で相違する。
〈相違点〉
　本願補正発明においては「ドライフィルムの厚みは２０〜５０μｍ」であり，プリント配線板を「温度４０〜７０℃」の剥膜液に浸漬，スプレーかけまたは超音波付与し，上記使用する剥膜液はアミン系水溶液であるのに対して、
  引用文献記載の発明においては、「厚みは４０μｍ以下」であり、使用する剥膜液は５％KOHである点（以下、「相違点」という。）。
　　　
（４）判断
　相違点について検討する。
　引用文献に記載された発明において、本願補正発明における「ドライフィルム」に相当する「めっきレジスト４６」は、その厚みに関して一部互いに包含する関係に有るといえ、ドライフィルムの厚みをどの程度にするかは、回路の特性あるいはコストを考慮して、当業者が適宜なし得る設計上の問題にすぎない。
　そして、プリント配線板におけるドライフィルムの剥膜処理を行うにあたって、アミン系の水溶液を適切な温度で剥膜液として用いて、浸漬法またはスプレー法によって、ドライフィルムの剥膜処理を行うことは周知（例えば、原査定の拒絶の理由に引用された、特開平６−７３５６２号公報参照、以下、「周知技術」という。）であり、その剥膜処理の際に剥膜液の温度をどの程度にするかは当業者の適宜なし得る設計上の問題にすぎない。
　よって、相違点に係る本願補正発明のように特定することは、当業者が周知技術を考慮すれば、容易に推考し得るものである。
　　
　しかも、本願補正発明は、全体構成でみても、引用文献に記載された発明及び周知技術から予測できる作用効果以上の顕著な作用効果を奏するものとも認められない。
　以上のように、本願補正発明は、引用文献に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
　よって、本願補正発明は、引用文献に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　　
（５）［理由２］のむすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定により読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　　
３．むすび
　［理由１］又は［理由２］によって、結論のとおり決定する。
　　
第３．本願発明について
１．本願発明
　平成２２年２月１７日付けの手続補正は前述したとおり却下されたので、本願の請求項１ないし９に係る発明は、平成２１年５月１日付けの手続補正書により補正された明細書及び特許請求の範囲並びに出願当初の図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定されるものであって、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、前記第２．の［理由］１．（１）の（ａ）に記載したとおりのものである。
　
２．引用文献の記載内容
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献記載の発明は、前記第２．の［理由２］２．−２（２）に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、前記第２．の［理由１］２．−１（１）及び［理由２］２．−２で検討したように、実質的に、本願補正発明における発明特定事項の一部の構成を省いたものに相当する。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含む本願補正発明が、前記第２．の［理由２］２．−２（３）及び（４）に記載したとおり、引用文献に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用文献に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、その出願前日本国内において頒布された引用文献に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。