【手続補正書】
【提出日】平成23年2月23日(2011.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体材料処理装置のレジスト剥離チャンバのアルミニウムめっき構成要素であって、
少なくとも第１の表面を含む基板と、
前記基板の少なくとも前記第１の表面に位置する、少なくとも第２の表面を含む任意の中間層と、
前記基板の前記第１の表面または前記任意の中間層の前記第２の表面に位置する、重量％で少なくとも９９．００％のＡｌおよび０．１０％以下の全遷移元素の少なくとも一方を含む高純度電着アルミニウムめっきとを備え、前記アルミニウムめっきが上に配置される前記第１の表面または前記第２の表面が導電性表面であり、前記アルミニウムめっきが、前記処理にさらされる構成要素の外側表面を構成することを特徴とするアルミニウムめっき構成要素。
【請求項２】
前記アルミニウムめっきは、重量％で、少なくとも９９．００％のＡｌ、０．１０％以下のＣｕ、０．１０％以下のＭｇ、０．０１５％以下のＭｎ、０．０２％以下のＣｒ、０．０７％以下のＦｅ、０．０２５％以下のＺｎ、０．０６％以下のＳｉ、０．０１５％以下のＴｉ、および０．０１５％以下の残りの全元素を含むことを特徴とする請求項１に記載のアルミニウムめっき構成要素。
【請求項３】
前記アルミニウムめっきは、少なくとも９９．９９重量％のＡｌおよび０．０１重量％以下の全遷移元素を含み、約５μｍから約２００μｍの厚さを有することを特徴とする請求項２に記載のアルミニウムめっき構成要素。
【請求項４】
前記基板は、アルミニウムもしくはアルミニウム合金、導電性セラミック材料、または導電性高分子材料を含み、
前記アルミニウムめっきが、前記基板の前記第１の表面に位置する
ことを特徴とする請求項１に記載のアルミニウムめっき構成要素。
【請求項５】
前記基板は、電気絶縁体を含み、
前記中間層は、前記基板の前記第１の表面上の金属層であり、
前記アルミニウムめっきは、前記中間層の前記第２の表面に位置する
ことを特徴とする請求項１に記載のアルミニウムめっき構成要素。
【請求項６】
前記基板は、基部部分と、前記基部部分に一体化された金属材料からなる、前記第１の表面を含む外側部分とを備え、前記基部部分は、少なくとも１つのセラミック材料と少なくとも１つの金属酸化物との混合物を含み、
前記アルミニウムめっきは、前記外側部分の前記第１の表面に位置する
ことを特徴とする請求項１に記載のアルミニウムめっき構成要素。
【請求項７】
前記基板は、イットリア、アルミナ、石英、ジルコニア、炭化ケイ素、チタニア、窒化ケイ素、炭化ホウ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、およびこれらの混合物からなるグループから選択されたセラミック材料を含むことを特徴とする請求項１に記載のアルミニウムめっき構成要素。
【請求項８】
レジスト剥離チャンバと、
前記レジスト剥離チャンバと流体連通し、前記レジスト剥離チャンバ内へ反応種を供給するように動作可能な遠隔プラズマ源と、
前記レジスト剥離チャンバ内に配置された、請求項１に記載の少なくとも１つのアルミニウムめっき構成要素とを備え、
前記アルミニウムめっき構成要素の前記第１および第２の表面が、アルミニウム以外の材料を含む
ことを特徴とする半導体材料処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載の前記装置の前記レジスト剥離チャンバ内に配置された半導体基板からレジストを除去する方法であって、
前記遠隔プラズマ源からの反応種を、レジストを上に有する半導体基板を含む前記レジスト剥離チャンバ内へ供給する工程と、
前記レジストを前記半導体基板から前記反応種で選択的に除去する工程とを含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
半導体材料処理装置のアルミニウムめっき構成要素であって、
少なくとも第１の表面を含む基板と、
前記基板の少なくとも前記第１の表面に位置する、少なくとも第２の表面を含む任意の中間層と、
前記基板の前記第１の表面または前記任意の中間層の前記第２の表面上の高純度アルミニウムめっきであって、前記アルミニウムめっきが上に配置される前記第１の表面または前記第２の表面が導電性を有する、高純度アルミニウムめっきと、
前記アルミニウムめっき上に形成された、前記処理にさらされる構成要素の外側表面を構成する陽極酸化層とを備えることを特徴とするアルミニウムめっき構成要素。
【請求項１１】
前記アルミニウムめっきは、重量％で、少なくとも９９．００％のＡｌ、０．１０％以下のＣｕ、０．１０％以下のＭｇ、０．０１５％以下のＭｎ、０．０２％以下のＣｒ、０．０７％以下のＦｅ、０．０２５％以下のＺｎ、０．０６％以下のＳｉ、０．０１５％以下のＴｉ、および０．０１５％以下の残りの全元素を含むことを特徴とする請求項１０に記載のアルミニウムめっき構成要素。
【請求項１２】
前記アルミニウムめっきは、少なくとも９９．９９重量％のＡｌおよび０．０１重量％以下の全遷移元素を含む電着アルミニウム層であり、約５μｍから約２００μｍの厚さを有することを特徴とする請求項１１に記載のアルミニウムめっき構成要素。
【請求項１３】
前記基板は、アルミニウムもしくはアルミニウム合金、導電性セラミック材料、または導電性高分子材料を含み、
前記アルミニウムめっきは、前記基板の前記第１の表面に位置する
ことを特徴とする請求項１０に記載のアルミニウムめっき構成要素。
【請求項１４】
前記基板は、電気絶縁体を含み、
前記中間層は、前記基板の前記第１の表面上の金属層であり、
前記アルミニウムめっきは、前記中間層の前記第２の表面に位置する
ことを特徴とする請求項１０に記載のアルミニウムめっき構成要素。
【請求項１５】
前記基板は、基部部分と、前記基部部分に一体化された金属材料からなる、前記第１の表面を含む外側部分とを備え、
前記アルミニウムめっきは、前記外側部分の前記第１の表面に位置する
ことを特徴とする請求項１０に記載のアルミニウムめっき構成要素。
【請求項１６】
前記基板は、イットリア、アルミナ、石英、ジルコニア、炭化ケイ素、チタニア、窒化ケイ素、炭化ホウ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、およびこれらの混合物からなるグループから選択されたセラミック材料を含むことを特徴とする請求項１０に記載のアルミニウムめっき構成要素。
【請求項１７】
プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバと流体連通して前記プラズマ処理チャンバ内へプロセスガスを供給するプロセスガス源と、
前記プラズマ処理チャンバ内で前記プロセスガスを励起してプラズマ状態にするＲＦエネルギー源と、
前記プラズマ処理チャンバ内の、請求項１０に記載の少なくとも１つのアルミニウムめっき構成要素とを備え、
前記アルミニウムめっき構成要素は、チャンバ壁、チャンバライナ、基板支持体、バフル、ガス分配板、プラズマ閉込めリング、ノズル、留め具、加熱素子、プラズマフォーカスリング、チャック、およびプラズマスクリーンからなるグループから選択される
ことを特徴とする半導体材料処理装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の半導体材料処理装置内で半導体基板をプラズマエッチングする方法であって、
前記プロセスガス源からの前記プロセスガスを前記プラズマ処理チャンバ内へ供給する工程と、
前記ＲＦエネルギー源を使用して前記プロセスガスにＲＦエネルギーをかけて、前記プラズマ処理チャンバ内でプラズマを生成する工程と、
前記プラズマ処理チャンバ内で、基板上の半導体材料、絶縁体、または金属材料をプラズマエッチングする工程とを含むことを特徴とする方法。
【請求項１９】
半導体材料処理装置のアルミニウムめっき構成要素を作製する方法であって、
基板の少なくとも第１の表面に、少なくとも第２の表面を含む中間層を任意で形成する工程と、
前記基板の前記第１の表面または前記任意の中間層の前記第２の表面に高純度アルミニウムめっきを電着させる工程であって、前記アルミニウムめっきが上に形成される前記基板の前記第１の表面または前記中間層の前記第２の表面が導電性表面であり、前記アルミニウムめっきが、前記構成要素の外側表面を構成する、工程と、
前記アルミニウムめっきの前記外側表面を覆い、前記処理にさらされる構成要素の外側表面を構成する陽極酸化層を、前記アルミニウムめっき上に任意で形成する工程とを含むことを特徴とする方法。
【請求項２０】
前記基板は、アルミニウムもしくはアルミニウム合金を含み、前記アルミニウムめっきは、重量％で、少なくとも９９．００％のＡｌ、０．１０％以下のＣｕ、０．１０％以下のＭｇ、０．０１５％以下のＭｎ、０．０２％以下のＣｒ、０．０７％以下のＦｅ、０．０２５％以下のＺｎ、０．０６％以下のＳｉ、０．０１５％以下のＴｉ、および０．０１５％以下の残りの全元素を含む電着層であり、
前記アルミニウムめっきは、前記陽極酸化層の厚さの少なくとも約２倍の厚さを有し、
前記陽極酸化層は、シュウ酸および硫酸を含有する混酸槽を使用して、前記アルミニウムめっき上に形成される
ことを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記基板は、基部部分と、前記基部部分に一体化された金属材料からなる、前記第１の表面を含む外側部分とを備え、前記基部部分は、少なくとも１つのセラミック材料と少なくとも１つの金属酸化物との混合物を含み、
前記アルミニウムめっきは、前記外側部分の前記第１の表面に位置する
ことを特徴とする請求項１９に記載の方法。