【事件の表示】
　特願２００４−５０６１０４「標準パッケージで使用される信頼性が高い強固なＩＩＩ族発光ダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１１月２７日国際公開、ＷＯ０３／９８７１２、平成１７年　９月　２日国内公表、特表２００５−５２６４０３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１５年（２００３年）５月１４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００２年５月１４日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする特許出願であって、平成２１年５月７日に手続補正がなされたが、同年６月１６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月１９日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、これと同時に手続補正がなされた後、当審において、平成２２年１１月４日付けで拒絶理由が通知され、平成２３年３月１日に手続補正がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２３年３月１日になされた手続補正後の明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「発光ダイオードを製造する方法であって、
　単一ヘテロ構造、二重ヘテロ構造、単一量子井戸及び多重量子井戸からなるグループから選択されるIII族窒化物活性領域を形成するステップと、
　該III族窒化物活性領域上にｐ型コンタクト層を形成するステップと、
　該ｐ型コンタクト層上に半透明の金属コンタクトを形成するステップと、
　該金属コンタクト上に、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）の化学量論と比較して珪素が少ない不定比の窒化珪素組成物からなるパッシベーション層を、２００℃を超える温度において約２０ｍＴｏｒｒ未満の周囲圧力で、反応性スパッタリングを提供するために窒素ガスを含む雰囲気中で珪素ターゲットを用いてスパッタリング堆積により形成するステップと
を含むことを特徴とする製造方法。」
　
３　刊行物の記載
（１）当審において通知した拒絶の理由に引用した、本願優先日の前に頒布された刊行物である特表２００１−５１４４５１号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下の記載がある。
　
　ア　「【請求項１】　高温および高湿度条件に耐えられる高信頼性の発光ダイオードであって、このダイオードは：
　炭化ケイ素基板；
　上記基板上の緩衝構造；
　上記緩衝構造上にｐ型第ＩＩＩ族窒化物接触層を有する第ＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合ダイオード；
　上記基板に対するオーミック接触；
　上記ｐ型接触層に対する白金オーミック接触；及び
　上記白金オーミック接触上の窒化ケイ素パシベーション層
を含む上記ダイオード。
・・・
　　【請求項３】　上記ダイオードはダブルヘテロ接合ダイオードを含む請求項１記載の高信頼性発光ダイオード。
・・・
　　【請求項６】　上記オーミック接触は半透明になるほど十分に薄い請求項１記載の高信頼性発光ダイオード。」
　
　イ　「【００２９】
　好ましい態様において、本発明のLEDは炭化ケイ素基板11上に緩衝構造12を更に含む。・・・ダイオード10は更に緩衝構造12上にｐ型第ＩＩＩ族窒化物接触層14を有する第ＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合ダイオード構造13を有する。オーミック接触15が基板11に形成され、そして別のオーミック接触16が上記ｐ型窒化エピタキシャル層に形成される。オーミック接触16は白金、パラジウム、金、チタンと金の組合わせ、白金と金の組合わせ、チタンと白金と金の組合わせ、又は白金と酸化インジウムスズからなる群から選ばれ、そして最も好ましくは白金又はパラジウムから形成される。このデバイスはオーミック接触16上にパシベーション層17を有し、この好ましい材質は上記に述べられているが、窒化ケイ素から形成されることが最も好ましい。
　　　【００３０】
　好ましい態様では、ｐ型接触層は窒化ガリウムであり、そしてオーミック接触は白金である。最も好ましい態様では、ヘテロ構造ダイオードはダブルヘテロ構造であり、これは上記緩衝構造上のｎ型窒化ガリウムエピタキシャル層、上記ｎ型窒化ガリウム層上のｎ型窒化アルミニウムガリウムエピタキシャル層、上記ｎ型窒化アルミニウムガリウム層上の補償型ｎ型窒化ガリウム活性層、上記窒化ガリウム活性層上のｐ型窒化アルミニウムガリウム層、及び上記ｐ型窒化アルミニウムガリウム層上のｐ型窒化ガリウム接触層を含む。
・・・
　　　【００３３】
  図3に示すように、好ましい態様において、オーミック接触16は上記ｐ型窒化ガリウム層の実質的な部分を被覆して、上記ｐ型窒化ガリウム層を横断して広がる電流を励起する。オーミック接触16はデバイスの発光部分を被覆しているため、このオーミック接触は好ましくは半透明になるほど十分に薄い。」
　
（２）同じく特開平１１−３１２８２４号公報（以下「刊行物２」という。）には、以下の記載がある。
　
　ア　「【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従来の半導体発光装置を図３および図４に示す。図４は、図３のＡ−Ａ線断面図である。図３および図４において、２１は半導体基板、２２は島状半導体層、２３は個別電極、２４は共通電極である。
【０００３】半導体基板２１は、例えばシリコン（Ｓｉ）などの単結晶半導体基板などから成る。島状半導体層２２は、ガリウム砒素やアルミニウムガリウム砒素などの化合物半導体層などから成り、一導電型不純物を含有する層２２ａと逆導電型不純物を含有する層２２ｂから成る。・・・
【０００４】島状半導体層２２の表面部分には、例えば窒化シリコン膜（Ｓｉx Ｎy ）などから成る絶縁膜２５が形成されており、この絶縁膜２５上には、例えば金（Ａｕ）などから成る個別電極２３が形成されている。・・・また、半導体基板２１の裏面側のほぼ全面には共通電極２４が形成されている。
【０００５】島状半導体層２２、個別電極２３および共通電極２４で個々の発光ダイオードが構成され、この発光ダイオードは半導体基板２１上に一列状に並ぶように形成される。この場合、例えば個別電極２３が発光ダイオードのアノード電極となり、共通電極２４がカソード電極となる。なお、個別電極２３はその幅広部分において外部回路とボンディングワイヤなどで接続される。」
　
　イ　「【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付図面に基づき詳細に説明する。図１は請求項１に係る半導体発光装置の一実施形態を示す図、図２は同じく断面図であり、１は基板、２は化合物半導体から成る一導電型半導体層、３は同じく化合物半導体から成る逆導電型半導体層、４は個別電極、５は共通電極である。
【００１８】基板１は、シリコン（Ｓｉ）などの単結晶半導体基板やサファイア（Ａ１2 Ｏ3 ）などの単結晶絶縁基板などから成る。・・・
【００１９】この基板１上には、一導電型半導体層２が形成されている。・・・
【００２０】この一導電型半導体層２上には、逆導電型半導体層３が形成されている。・・・
【００２２】この一導電型半導体層２と逆導電型半導体層３は、絶縁膜６で被覆されている。この絶縁膜６は、屈折率が１．８０〜１．９０で、厚みが１００〜３３００Å程度の窒化シリコン膜などで構成される。
・・・
【００２４】基板１の対向する端部近傍には共通電極５ａ、５ｂが設けられている。・・・この共通電極５ａ、５ｂは第１の接続線７を介して一導電型半導体層２に接続されている。
【００２５】また、この共通電極５ａ、５ｂの内側には個別電極４が設けられており、この個別電極４は第２の接続線８を介して逆導電型半導体層３に接続されている。
・・・
【００２７】この共通電極５ａ、５ｂ、第１の接続線７、および第２の接続線８は第２の絶縁膜９によって被覆されている。この第２の絶縁膜９も窒化シリコン膜などから成る。・・・
【００２８】この第２の絶縁膜９は、１００〜３３００Åの厚みに形成される。すなわち、発光部となる半導体層２、３上の絶縁膜は、通常、ｄ＝（λ／４ｎ）・（２ｍ＋１）を満たすような膜厚に設定され（ｄ：ＳｉＮx の膜厚、λ：７４０ｎｍ、ｎ：ＳｉＮx の屈折率、ｍ：整数）、屈折率が１．８０〜１．９０の窒化シリコン膜の場合、第２の絶縁膜９は、光の取出効率を考慮して、下層の絶縁膜６と合わせた厚みが３０００〜３３００Åもしくは１１００〜１６００Åとなるように形成される。・・・」
　
（３）同じく特開平１−２２６１８１号公報（以下「刊行物３」という。）には、以下の記載がある。
　
　ア　「第１図は本発明によるヘテロ接合高輝度発光ＬＥＤの構造の一例を示す図で、１は裏電極、２はＰクラッド層、３はｐアクティブ層、４はｎクラッド層、５は保護膜、６は表電極である。
　図に示すように、発光ダイオードの光取り出し側を窒化珪素（ＳｉＮｘ）保護膜５で被覆する。」(２頁右上欄３行〜８行)
　
　イ　「保護膜の屈折率と窒素対珪素比率の関係は第４図に示すようになり、屈折率が１．８〜２．０になるように珪素と窒素との原子数比率を設定する。」(２頁左下欄１２行〜１６行)
　なお、第４図は次のものである。
　
　ウ　「反応性スパッタ法では、ＳｉをターゲットとしてＡｒに少量のＮ２を混入した雰囲気（圧力ｌ×ｌ０−２Ｔｏｒｒ〜１Ｔｏｒｒ）中で放電を起こし、Ｓｉをスパッタリングすると、基板上にＳｉＮｘが堆積する。」(２頁右下欄１２行〜１６行)
　
（４）同じく特開平７−９４７８３号公報（以下「刊行物４」という。）には、以下の記載がある。
　
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光ダイオード、レーザーダイオード等に使用される窒化ガリウム系化合物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X≦１、０≦Y≦１）が積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に係り、特に、ｐ−ｎ接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の電極の構造に関する。」、
「【００１３】本発明の発光素子は、以上のような第一の電極１１の表面に透光性および絶縁性の保護膜１３を形成している。このように保護膜１３は第一の電極１１の表面を保護しているため、保護膜が形成された部分は外部から傷が入りにくい。・・・
【００１４】保護膜１３の材料は透光性で絶縁性を有していればどのような材料を使用しても良いが、特に好ましい材料としてＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4等を使用することができる。・・・また保護膜１３を形成するには、例えばこれらの材料を、所定のマスクを形成したｎ層２、あるいは第一の電極１１に蒸着、スパッタ等の方法を用いて形成することができる。」
　
（５）同じく特開２００１−３４５４８０号公報（以下「刊行物５」という。）には、以下の記載がある。
　
「【産業上の利用分野】本発明はIII族窒化物系化合物半導体素子に関する。例えば、青色系発光ダイオードなどのIII族窒化物系化合物半導体発光素子の電極の改良として好適な発明である。」（２頁第２欄３行〜６行）、
「ｐ台座電極上のワイヤーボンディング等を施す領域並びにｎ電極上面及びその周縁部以外のほぼ全面にかけて絶縁性でかつ透光性の保護膜１４（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化チタン、酸化アルミニウム等）が被覆される。保護膜１４の形成方法にはスパッタ法或いはＣＶＤ法を採用できる。」（６頁第１０欄４９行〜７頁第１１欄４行）
　
（６）同じく特開昭６２−９４９４３号公報（以下「刊行物６」という。）には、以下の記載がある。
　
　ア　「〔従来の技術〕
　III−Ｖ族化合物半導体表面に対する安定化膜として化学気相成長法、スパッタリング法などにより窒化シリコン膜の形成が試みられてきた。」（１頁左下欄１３行〜１６行）
　
　イ　「先ずシリコン窒化物５がアルゴンガスによりスパッタされる。このとき形成されるイオンのうち窒素とシリコンだけからなるイオンが、質量分離針６により選別され、基板温度を２００℃に保った砒化ガリウム基板１０上に堆積される。・・・
　膜の成長速度はアルゴンのガス圧、高周波のパワーに依存するが、５×１０−３ｔｏｒｒ、６００Ｗで、約５００Å／分である。」（２頁右上欄４９行〜１２行）
　
４　引用発明
　上記３（１）によれば、刊行物１には、次の発明が記載されているものと認められる。
　
「高温および高湿度条件に耐えられる高信頼性の発光ダイオードであって、このダイオードは、炭化ケイ素基板、上記基板上の緩衝構造、上記緩衝構造上の、ｐ型第III族窒化物接触層を有する第III族窒化物ダブルヘテロ接合ダイオード、上記基板に対するオーミック接触、上記ｐ型接触層に対する、半透明になるほど十分に薄い白金オーミック接触、及び、上記白金オーミック接触上の窒化ケイ素パシベーション層を含む上記ダイオード。」（以下「引用発明」という。）
　
５　対比
（１）本願特許請求の範囲の請求項１及び本願明細書の
「【００１９】
　  
発明の目的及び概要
　本発明の態様は、ｐ型ＩＩＩ族窒化物（好ましくは窒化ガリウム）コンタクト層を有するＩＩＩ族ヘテロ接合ダイオード、前記ｐ型コンタクト層に対するオーミックコンタクト、及び前記オーミックコンタクト上に存在するスパッタ堆積された窒化珪素パッシベーション層を有するダイオードを含む。」、
「【００２７】
　好ましい態様では、本発明のＬＥＤは、更に、炭化珪素基板１１上に緩衝構造１２を含む。・・・ダイオード１０は、更に、緩衝構造１２上に形成されたＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合ダイオード構造の活性領域１３を含む。活性領域１３は、単一へテロ構造、二重ヘテロ構造、単一量子井戸構造又は複数量子井戸構造を含むことができる。・・・
　【００２８】
　ｐ型ＩＩＩ族窒化物コンタクト層１４は、活性領域１３上に形成される。金属コンタクト１５は、基板１１に対して形成され、また別の金属コンタクト１６は、ｐ型窒化ガリウムエピタキシャル層に対して形成される。・・・」
の記載によれば、本願発明の方法により製造される発光ダイオードは、次のとおりのものであってよいことが認められる。
　
「炭化珪素基板上の緩衝構造、前記緩衝構造上に形成された、ｐ型III族窒化物コンタクト層を有する、二重ヘテロ構造を含むIII族窒化物活性領域、前記ｐ型コンタクト層上に形成された半透明の金属オーミックコンタクト、及び前記オーミックコンタクト上に存在するスパッタ堆積された、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）の化学量論と比較して珪素が少ない不定比の窒化珪素組成物からなるパッシベーション層を有する発光ダイオード。」（以下「本願発光ダイオード」という。）
　
（２）検討の便宜上、本願発明と引用発明との対比に先立ち、本願発光ダイオードと引用発明とを対比する。
　
　ア　引用発明の「炭化ケイ素基板」、「上記基板上の緩衝構造」、「上記緩衝構造上の、ｐ型第III族窒化物接触層を有する第III族窒化物ダブルヘテロ接合ダイオード」、「上記ｐ型接触層に対する、半透明になるほど十分に薄い白金オーミック接触」、「上記白金オーミック接触上の窒化ケイ素パシベーション層」及び「発光ダイオード」は、本願発光ダイオードの「炭化珪素基板」、「炭化珪素基板上の緩衝構造」、「前記緩衝構造上に形成された、ｐ型III族窒化物コンタクト層を有する、二重ヘテロ構造を含むIII族窒化物活性領域」、「前記ｐ型コンタクト層上に形成された半透明の金属オーミックコンタクト」、「窒化珪素組成物からなるパッシベーション層」及び「発光ダイオード」に相当する。
　
　イ　上記アによれば、本願発光ダイオードと引用発明とは、
「炭化珪素基板上の緩衝構造、前記緩衝構造上に形成された、ｐ型III族窒化物コンタクト層を有する、二重ヘテロ構造を含むIII族窒化物活性領域、前記ｐ型コンタクト層上に形成された半透明の金属オーミックコンタクト、及び前記オーミックコンタクト上に存在する窒化珪素組成物からなるパッシベーション層を有する発光ダイオード。」
である点で一致し、
「窒化珪素組成物からなるパッシベーション層が、本願発光ダイオードでは、スパッタ堆積された、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）の化学量論と比較して珪素が少ない不定比の窒化珪素組成物からなるものであるのに対して、引用発明では、そのように特定されないものである点。」（以下「発光ダイオード相違点」という。）
で相違するものと認められる。
　
（３）上記（１）及び（２）を踏まえて、本願発明と引用発明とを対比するに、本願発明は、発光ダイオードを製造する方法であって、
「単一ヘテロ構造、二重ヘテロ構造、単一量子井戸及び多重量子井戸からなるグループから選択されるIII族窒化物活性領域を形成するステップと、該III族窒化物活性領域上にｐ型コンタクト層を形成するステップと、該ｐ型コンタクト層上に半透明の金属コンタクトを形成するステップ」（以下、これらのステップを併せて「ステップ１」という。）、
「該金属コンタクト上に、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）の化学量論と比較して珪素が少ない不定比の窒化珪素組成物からなるパッシベーション層を、２００℃を超える温度において約２０ｍＴｏｒｒ未満の周囲圧力で、反応性スパッタリングを提供するために窒素ガスを含む雰囲気中で珪素ターゲットを用いてスパッタリング堆積により形成するステップ」（以下「ステップ２」という。）
とを含むものであるのに対して、引用発明は、「発光ダイオード」の発明であって、本願発明の方法により製造される発光ダイオードとは、上記２の一致点、相違点を有し、その製造方法が特定されるものではない点で相違するものと認められる。
　
６　判断
　本願発明が、引用発明を出発点として、当業者にとって容易に想到し得たものであるかどうかについて検討する。
　
（１）ステップ１について
　上記５（２）イのとおり、本願発光ダイオードと引用発明とは、
「炭化珪素基板上の緩衝構造、前記緩衝構造上に形成された、ｐ型III族窒化物コンタクト層を有する、二重ヘテロ構造を含むIII族窒化物活性領域、前記ｐ型コンタクト層上に形成された半透明の金属オーミックコンタクト、及び前記オーミックコンタクト上に存在する窒化珪素組成物からなるパッシベーション層を有する発光ダイオード。」
である点で一致するところ、「二重ヘテロ構造を含むIII族窒化物活性領域を形成するステップ、該活性領域の上にｐ型III族窒化物コンタクト層を形成するステップ、該ｐ型コンタクト層上に半透明の金属オーミックコンタクトを形成するステップ」、すなわちステップ１は、上記一致点における、活性領域、ｐ型III族窒化物コンタクト層ないし金属オーミックコンタクトについて、単にこれらを形成するステップと表現して製造方法を表すものとするにとどまり、同一致点から当然導かれる製造方法にすぎないから、ステップ１は、引用発明の製造方法として当業者が当然に想到し得ることである。
　
（２）ステップ２について
　ステップ２は、発光ダイオード相違点に係る本願発光ダイオードの構成とするための方法であると認められるから、ここでは、引用発明において発光ダイオード相違点に係る本願発光ダイオードの構成とすることとあわせて、ステップ２が、引用発明を出発点として当業者にとって容易に想到し得るものであるかどうかについて検討する。
　
　ア　前記３（２）によれば、発光ダイオード（３（２）アを参照。）を被覆し、発光部となる窒化シリコン膜からなる絶縁膜は、通常、ｄ＝（λ／４ｎ）・（２ｍ＋１）を満たす（ｄ：ＳｉＮx の膜厚、λ：７４０ｎｍ、ｎ：ＳｉＮx の屈折率、ｍ：整数）ような膜厚に設定される（３（２）イを参照。）ことが認められ、引用発明において、「窒化珪素組成物からなるパッシベーション層」の屈折率を適宜なものとすることは、当業者が設計上考慮すべき事項である。
　
　イ　しかるところ、前記３（３）ア及びイのとおり、窒化ケイ素膜の屈折率と窒素対ケイ素比率とが関係することは、本願優先日当時において当業者に周知の知見であったから、上記アのように、パッシベーション層の屈折率を適宜なものとするに際し、窒化ケイ素膜の窒素対ケイ素比率を調整することは、当業者が設計上適宜なし得ることである。
　
　ウ　そして、Ｓｉ３Ｎ４の化学量論比は、Ｓｉ／Ｎ原子比率＝０．７５であるところ、前記３（３）イのとおり、刊行物３には、「窒化珪素保護膜」の屈折率が１．８〜２．０になるようにケイ素と窒素との原子数比率を設定することが記載され、同刊行物の第４図をみると、例えば屈折率が２．０のところでは、Ｓｉ／Ｎ原子比率が０．７５よりわずかに小さいものとなっていること、すなわち、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）の化学量論と比較してケイ素が少ないものとなっていることが認められる。
　このことに照らして、上記イのように、パッシベーション層の屈折率を適宜なものとするに際し、窒化ケイ素膜の窒素対ケイ素比率を、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）の化学量論と比較してケイ素が少ない不定比のものとすることに格別の困難はないものと認められる。
　
　エ　以上によれば、引用発明において、「窒化珪素組成物からなるパッシベーション層」を、「窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）の化学量論と比較して珪素が少ない不定比の窒化珪素組成物からなるもの」とすることは、当業者が設計上適宜なし得ることというべきである。
　
　オ　ここで、前記３（４）ないし（６）によれば、発光ダイオードなどの発光素子表面の保護膜ないし安定化膜となる窒化ケイ素膜をスパッタ法により形成することは、本願の優先日当時において周知の技術であったことが認められるから、上記エのように、引用発明において、「窒化珪素組成物からなるパッシベーション層」を「窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）の化学量論と比較して珪素が少ない不定比の窒化珪素組成物からなるもの」とするに際して、当該パッシベーション層をスパッタ堆積されたものとすることは、当業者が適宜採用し得る手法というべきである。
　
　カ　以上によれば、引用発明において、「窒化珪素組成物からなるパッシベーション層」を、「スパッタ堆積された、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）の化学量論と比較して珪素が少ない不定比の窒化珪素組成物からなるもの」とすること、すなわち、発光ダイオード相違点に係る本願発光ダイオードの構成とすることは、当業者が設計上適宜なし得ることというべきである。
　
　キ　進んで検討するに、刊行物３に、「反応性スパッタ法では、ＳｉをターゲットとしてＡｒに少量のＮ２を混入した雰囲気（圧力ｌ×ｌ０−２Ｔｏｒｒ〜１Ｔｏｒｒ）中で放電を起こし、Ｓｉをスパッタリングすると、基板上にＳｉＮｘが堆積する。」（前記３（３）ウを参照。）と記載されるとおり、窒化ケイ素膜をスパッタ法により形成する手法として、「窒素ガスを含む雰囲気中で珪素ターゲットを用いてスパッタリング堆積により形成する」方法は一般的なものである（なお、本願明細書においても、【００３２】に、かかる形態のスパッタリングは反応性スパッタリングとして公知であると説明されるところである。）から、上記カのように、引用発明において、「窒化珪素組成物からなるパッシベーション層」を、「スパッタ堆積された、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）の化学量論と比較して珪素が少ない不定比の窒化珪素組成物からなるもの」とするに際して、当該パッシベーション層を、窒素ガスを含む雰囲気中でケイ素ターゲットを用いてスパッタリング堆積により形成することは、当業者が適宜採用し得る手法というべきである。
　また、上記スパッタリング堆積をどのような温度、圧力で行うかは、当業者が設計上適宜定めるべき事項であるところ、刊行物６に、基板温度を２００℃に保って５×１０−３ｔｏｒｒでシリコン窒化物、すなわち、窒化ケイ素組成物がスパッタされる（前記３（６）を参照。）ことが記載されていることに照らして、「２００℃を超える温度において約２０ｍＴｏｒｒ未満の周囲圧力」で、パッシベーション層をスパッタリング堆積により形成することに格別の困難はないものと認められる。
　
　ク　以上によれば、引用発明において、金属オーミックコンタクト上に存在する「窒化珪素組成物からなるパッシベーション層」（オーミック接触上の窒化ケイ素パシベーション層）を、「スパッタ堆積された、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）の化学量論と比較して珪素が少ない不定比の窒化珪素組成物からなるもの」とし、その際、当該パッシベーション層を、「２００℃を超える温度において約２０ｍＴｏｒｒ未満の周囲圧力で、反応性スパッタリングを提供するために窒素ガスを含む雰囲気中で珪素ターゲットを用いてスパッタリング堆積により形成する」ことは、当業者が容易に想到し得たことというべきである。
　すなわち、ステップ２は、引用発明を出発点として、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（３）本願発明が奏する効果について
　ア　本願明細書によれば、スパッタされた窒化ケイ素組成物を用いたＬＥＤは、ＰＥＣＶＤを用いて堆積させた窒化ケイ素組成物を用いたＬＥＤより平均ＶＦが改善されるとされていることが認められる（【００３９】〜【００４３】、図６を参照。）。
　しかし、上記（２）オのとおり、発光ダイオードなどの発光素子表面の保護膜ないし安定化膜となる窒化ケイ素膜をスパッタ法により形成することは本願の優先日当時において周知の技術であったことを考慮すると、上記のような平均ＶＦの改善は、周知技術であるスパッタ法を用いることによる効果を確認したにとどまるものであって、かかる改善の確認をもって、本願発明が、上記（２）クの判断を覆すほどの格別顕著な効果を奏すると評価することはできない。
　
　イ　また、「窒化珪素組成物からなるパッシベーション層」を「窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）の化学量論と比較して珪素が少ない不定比の窒化珪素組成物からなるもの」とすること、「２００℃を超える温度において約２０ｍＴｏｒｒ未満の周囲圧力で、反応性スパッタリングを提供するために窒素ガスを含む雰囲気中で珪素ターゲットを用いてスパッタリング堆積により形成する」ことの技術的意義について、本願明細書には、好ましいという程度の一般的な説明がある（【００３２】〜【００３４】、【００３７】を参照。）にとどまり、これらの構成により、設計的事項の域を超える程の格別顕著な効果を奏すると認めるに足る根拠も見いだせない。
　
（３）小括
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものというべきである。
　
７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。