【事件の表示】
　特願２００３−３５８８１２「ファラデー回転子及びそれを備えた光デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　７月２２日出願公開、特開２００４−２０６０７８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年１０月２０日（優先権主張平成１４年１２月１３日）の特許出願であって、平成２１年９月１７日付けで手続補正がなされたが、平成２２年２月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２２年４月３０日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、これと同時に手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２２年４月３０日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２２年４月３０日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　平成２２年４月３０日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の請求項１につき、補正前（平成２１年９月１７日付け手続補正後のもの。）の
「　Ｂｉ置換希土類鉄ガーネット単結晶膜と、前記単結晶膜に形成されて光が入出射する２つの表面とを備えたファラデー回転子であって、
　前記単結晶膜は、化学式Ｂｉ３−ｘ−ｙＲｘＡｙＦｅ５−ｚ−ｗＭｚＢｗＯ１２（ここで、Ｒは、Ｙを含む希土類元素のうちから選択される少なくとも１種類の元素であり、Ａは、Ｐｂ、Ｃａ及びＣｄのうちから選択される少なくとも１種類の元素であり、ｘ及びｙは、１．５＜ｘ＋ｙ＜２．５の関係を満たしている。Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、Ｓｃ及びＩｎのうちから選択される少なくとも１種類の元素であり、Ｂは、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｐｔ及びＭｇのうちから選択される少なくとも１種類の元素であり、ｚ及びｗは、０≦ｚ＋ｗ＜１．５、０≦ｗ＜０．０１の関係を満たしている。）で表され、
　前記２つの表面のうち一方での前記ｙの値をｙ１とし、他方での前記ｙの値をｙ２としたとき、ｙ２≦ｙ１≦２ｙ２の関係を満たし、
　前記２つの表面のうち一方での前記ｗの値をｗ１とし、他方での前記ｗの値をｗ２としたとき、ｗ２≦ｗ１≦２ｗ２の関係を満たすこと
　を特徴とするファラデー回転子。」
を、
「　Ｂｉ置換希土類鉄ガーネット単結晶膜と、前記単結晶膜に形成されて光が入出射する２つの表面とを備えたファラデー回転子であって、
　前記単結晶膜は、化学式Ｂｉ３−ｘ−ｙＲｘＡｙＦｅ５−ｚ−ｗＭｚＢｗＯ１２（ここで、Ｒは、Ｙを含む希土類元素のうちから選択される少なくとも１種類の元素であり、Ａは、Ｐｂ、Ｃａ及びＣｄのうちから選択される少なくとも１種類の元素であり、ｘ及びｙは、１．５＜ｘ＋ｙ＜２．５の関係を満たしている。Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、Ｓｃ及びＩｎのうちから選択される少なくとも１種類の元素であり、Ｂは、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｐｔ及びＭｇのうちから選択される少なくとも１種類の元素であり、ｚ及びｗは、０≦ｚ＋ｗ＜１．５、０≦ｗ＜０．０１の関係を満たしている。）で表され、
　前記２つの表面のうち一方での前記ｙの値をｙ１とし、他方での前記ｙの値をｙ２としたとき、
１／１．１×
１／０．９×
　前記２つの表面のうち一方での前記ｗの値をｗ１とし、他方での前記ｗの値をｗ２としたとき、
１／２．０×
１／１．０×
　を特徴とするファラデー回転子。」
に補正する内容を含むものである。
　
　上記の補正の内容は、補正前の請求項１の「ｙ１」と「ｙ２」、及び「ｗ１」と「ｗ２」の関係式について、それぞれ、「ｙ２≦ｙ１≦２ｙ２」を「
１／１．１×
１／０．９×
１／２．０×
１／１．０×
　
２　独立特許要件
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（１）引用刊行物の記載及び引用発明
　ア　引用刊行物１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特公平６−４６６０４号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに以下（ア）ないし（ケ）の事項が記載されている（下線は審決で付した。以下同じ。）。
　
（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式Ｒ
3-(a+b)
Ｐｂ
a
Ｂｉ
b
Ｆｅ
5-c
Ｍ
c
Ｏ
12-d
（式中のＲは希土類元素及びそれと置換可能な元素の中から選ばれた少なくとも１種の成分、Ｍは鉄元素と置換可能な元素の中から選ばれた少なくとも１種の成分、ａは0.01〜0.2の数、ｂは0.5〜2.0の数、ｃは0.01〜2.0の数、ｄは０〜１の数である）で示される組成を有し、かつ前記式中のＭの一部として周期表IVＡ族及びIVＢ族に属するPb以外の四価元素を上記の一般式の原子比として0.01以上含有する
ビスマス置換磁性ガーネット
　
（イ）「【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ファラデー効果を利用した光アイソレータ、光サーキュレータ、光スイッチなどの磁気光学素子として好適なビスマス置換磁性ガーネットに関する
　
（ウ）「従来の技術
光アイソレータ、光サーキュレータ、光スイッチなどには、ファラデー回転子が用いられている
ところで、ファラデー回転子としては、ファラデー回転角の大きいビスマス置換ガーネットを用いることが素子の小型化のために好ましいが、これを液相エピタキシャル法により製造する場合、PbOを主体としたフラックスを使用するので、成長した結晶膜中に鉛が混入するのを避けられないが鉛は光吸収損失をもたらす原因の１つであるため、これによる光吸収損失を免れない。
他方、ファラデー回転角の大きい、温度特性の優れた磁性ガーネットを得るには、ビスマス置換量を増加させればよいことが知られているが、ビスマス置換量を増加させるには、成長温度を下げる必要があるため、必然的に鉛の混入量が増加する結果となり、光吸収損失はますます増大する傾向がある。
このようなビスマス置換ガーネットにおける光吸収損失を低減し、ファラデー回転子としての機能を高めるために、これまで酸化雰囲気中で熱処理する方法・・・、ガドリニウム・ガリウム・ガーネット基板上にPbO,Bi2O3,Fe2O3及びLu2O3から成る混合物を用いて液相エピタキシャル法によりガーネットを成長させる際に、CaOを添加することにより光吸収を低減する方法・・・、PbOを主体としたフラックスを用いずに、Bi2O3とガーネット構成元素のみから成るフラックスを用いて磁性ガーネットをエピタキシャル成長させる際に、二価イオンを添加することにより光吸収を低減する方法・・・などが提案されている。
しかしながら、酸化雰囲気中で熱処理して光吸収損失を低減するためには、処理条件の選択がむずかしく、実用的でないし、CaOを添加した場合にはビスマス置換量が小さく、ファラデー回転角を十分に大きくすることができない。さらに、フラックスとしてPbOを含有しないものを用いると結晶性の良好なガーネット膜を得ることがむずかしいという欠点がある。」（第２欄４行〜第３欄２６行）
　
（エ）「発明が解決しようとする問題点
本発明は、ビスマス置換量が多く、結晶性が良好で、しかもファラデー回転角が大きく、光吸収損失が低いビスマス置換磁性ガーネット膜を提供する
　
（オ）「
本発明のガーネットは、前記一般式(I)で示される組成を有するが、この中のＲは希土類元素及びそれと置換可能な元素の中から選ばれた成分である
このような金属としては、例えば
イツトリウム
イツテルビウム
これらの金属は、単独で含まれていてもよいし、また２種以上の組合せとして含まれていてもよい
本発明の磁性ガーネットにおいては、その製造過程のフラックス成分に由来する鉛が含有されているが、その含有量は、原子比ａとして、通常0.01〜0.2の範囲である。また、この磁性ガーネット中のビスマスの含有量は、原子比ｂとして0.5〜2.0の範囲になるように選ぶことが必要である。この数値が、0.5未満では、ビスマス置換量が不足し、ファラデー回転角を大きくすることができないし、この数値が2.0よりも大きくなると安定な結晶成長を行うことができなくなる。
次に、
一般式(I)中のＭは、磁性ガーネットの物性を改善するために、所望に応じ鉄と置換して含有される成分であるが
このような成分としては
アルミニウム、ガリウム、スカンジウム、インジウム
本発明の磁性ガーネット膜は、前記の一般式(I)の組成の中のＭの一部として、特定の四価元素を含有させた点に特徴がある。このＭの一部となる四価元素としては、周期表IVＡ族及びIVＢ族に属する鉛以外の元素が用いられる。このような元素としては、例えばケイ素、ゲルマニウム、チタン、スズ、ジルコニウムなどの四価のものを挙げることができる。この四価元素は、光吸収増加の原因である、Pb2+とPb4+との共存状態を破壊して、Pb2+のみにするために含有させるものであるから、当然のことながらPb4+を用いることはできない。」（第４欄８行〜４５行）
　
（カ）「このように本発明において、四価元素を含有させることにより光吸収損失が低減するのは、次の理由によるものである。
すなわち、PbOを主体とするフラックスを用いて液相エピタキシャル法により磁性ガーネット膜を形成させると、この中に鉛が混入してくるが、この混入した鉛は、二価のものと四価のものとの混合状態として存在し、これが光吸収損失の原因の１つとなっているが、この場合、二価のもの又は四価のもののいずれか一方のみにすると光吸収損失を低減することができる。ところで、
白金るつぼを用いる通常の方法で磁性ガーネットを製造すると、Pt
4+
が混入する
　
（キ）「
本発明のビスマス置換磁性ガーネットを製造するには
単結晶基板
表面にエピタキシャル成長させる
　
（ク）「発明の効果
本発明のビスマス置換磁性ガーネット膜は、ファラデー角が大きく、結晶性が良好であるという長所を有するとともに、光吸収損失が、非常に低いので、ファラデー効果を利用した光アイソレータ、光サーキュレータ、光スイッチなどに用いられる磁気光学素子として好適である
　
（ケ）「実施例
次に実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
なお、実施例における光吸収損失は、
ファラデー回転角が45°となる膜厚
参考例１
以下に示す基本組成をもつ融液を用い、格子定数が12.469ＡのCa,Mg,Zr置換のガドリニウム・ガリウム・ガーネット基板上に、温度800〜820℃において液相エピタキシャル成長を行わせることにより、不純物、添加物を除くとBi1.3Yb0.7Gd Fe5O12の組成をもつビスマス置換磁性ガーネット膜を形成させた。
参考例２
以下に示す組成をもつ融液を用い格子定数が12.469ＡのCa,Mg,Zr置換のガドリニウム・ガリウム・ガーネット基板上に温度740〜780℃において液相エピタキシャル成長を行わせることにより、不純物、添加物を除くとBi0.7Yb0.8Gd1.5Fe5O12の組成をもつビスマス置換磁性ガーネット膜を形成させた。
実施例１
この図から明らかなように、TiO2/Fe2O3のモル比が0.04付近において吸収損失はほぼ0dBとなった。
次に、このモル比のものを用いて、膜厚400μｍまで厚膜成長を行わせることにより、
結晶性の優れたガーネット膜が得られた
また、比較のために、TiO2を添加しない場合について光吸収損失を測定したところ2.0dBという、非常に大きい数値を示した。
実施例２
この図から明らかなようにSiO2/Fe2O3のモル比が0.07付近において光吸収損失はほぼ0dBとなった。
次にこのSiO
2
/Fe
2
O
3
が0.07のものを厚膜成長させたのち研摩し、膜厚260μｍのガーネット膜を得た
このものの1.3μｍにおけるファラデー回転角は44.7°であった
また、比較のためにSiO2を含まないものについての波長特性を示すグラフを第３図に破線で併記した。このものの1.3μｍにおけるファラデー回転角は38.8°であった。」（第５欄３４行〜第６欄４９行）
　
（コ）上記（ウ）を踏まえて上記（イ）及び（カ）の記載を見れば、上記（ア）の請求項１に記載された「ビスマス置換磁性ガーネット」の発明は、ファラデー効果を利用した光アイソレータ、光サーキュレータ、光スイッチなどの磁気光学素子に用いられる「ファラデー回転子」として用いられることが想定されたものであり、上記（キ）「実施例２」によれば、所定のファラデー回転角が得られたガーネット膜が製造されていると認められるから、引用刊行物１には、請求項１の「ビスマス置換磁性ガーネット」を備えた「ファラデー回転子」の発明が記載されているものと認められる。
　そして、上記（エ）及び（ク）によれば、請求項１に記載された発明の「ビスマス置換磁性ガーネット」は、「結晶性が良好」である「膜」として提供されるモノであって、上記（キ）のとおり、「単結晶基板」表面に「エピタキシャル成長させる」ことによって製造されるものであるから、前記「ビスマス置換磁性ガーネット」は、「単結晶膜」として提供されるものであると認められる。
　
（サ）上記（カ）によると、上記請求項１の「ビスマス置換磁性ガーネット」の発明は、白金るつぼを用いる通常の方法で製造され、Pt4+が混入しているものと認められる。
　
　上記摘記事項（ア）ないし（ケ）、並びに（コ）及び（サ）を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「一般式
Ｒ3-(a+b)ＰｂaＢｉbＦｅ5-cＭcＯ12-d（式中のＲは希土類元素及びそれと置換可能な元素の中から選ばれた少なくとも１種の成分、Ｍは鉄元素と置換可能な元素の中から選ばれた少なくとも１種の成分、ａは0.01〜0.2の数、ｂは0.5〜2.0の数、ｃは0.01〜2.0の数、ｄは０〜１の数である）
で示される組成を有し、かつ前記式中のＭの一部として周期表IVＡ族及びIVＢ族に属するPb以外の四価元素を上記の一般式の原子比として0.01以上含有するビスマス置換磁性ガーネットの単結晶膜を備えたファラデー回転子であって、
　前記式中のＲは、例えば、イツトリウム、イツテルビウムであり、単独で含まれていてもよいし、また２種以上の組合せとして含まれていてもよく、
　前記式中のＭは、例えば、アルミニウム、ガリウム、スカンジウム、インジウムであり、
　前記ビスマス置換磁性ガーネットにはPt4+が混入している、
　ファラデー回転子。」
　
　イ　引用刊行物２
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開昭６２−７８１９５号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（ア）「２．特許請求の範囲
　フラックス法または液相エピタキシー法によるガーネットフェライト単結晶の育成に際し、該ガーネットフェライト単結晶と同一の組成かまたは該ガーネットフェライト単結晶の誘導体としての組成を有するガーネットフェライト多結晶の焼結体で構成した育成容器を用いることを特徴とするガーネットフェライト単結晶の育成方法。」（第１頁左下欄４行〜１１行）
　
（イ）「〔発明の技術分野〕
　本発明は、磁気光学材料として有用なガーネットフェライト単結晶の育成方法に関し、更に詳しくは、光通信に用いられる半導体レーザーの戻り光を防止するための光アイソレータ等に適用するのに好適なファラデー効果を有するガーネットフェライト単結晶の育成方法に関する。」（第１頁左下欄１３行〜１９行）
　
（ウ）「〔発明の技術的背景とその問題点〕
　磁気光学材料として有用なガーネットフェライト単結晶を育成するのに、従来、フラックス法または液相エピタキシー法（ＬＰＥ法と略称する）が最も多く利用されている。
　フラックス法によるガーネットフェライト単結晶の育成においては、イツトリウム（Ｙ）または希土類鉄ガーネット原料と酸化鉛（ＰｂＯ）　、フッ化鉛（ＰｂＦ２）、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３　）等からなるフラックスとをルツボに入れ、均一に融解した後、徐冷またはフラックスの蒸発によりガーネット単結晶を成長させていた。
　またＬＰＥ法によるガーネットフェライト単結晶の育成においては、上述したようなガーネット原料とフラックスとをルツボで均一に融解した後、非磁性ガーネット単結晶を基板としてガーネットフェライトの単結晶をエピタキシャル成長させていた。
　しかしながらこれら従来行われているガーネットフェライト単結晶の育成方法においては、育成容器として、一般に、白金または白金ロジウムからなるルツボが用いられており、このような貴金属ルツボを使用する場合、以下に列挙するような問題点が生ずる。
・・・
（２）．フラックス法により結晶を育成する場合、融液からガーネットフェライト結晶が晶出するにつれ、融液中に残存するガーネット成分の濃度が漸次低下し、特に誘導体組成のガーネット単結晶育成においては、晶出する結晶の組成が各温度で変動し、
均一な結晶組成を得ることが難しい
（３）．
ルツボの構成成分が融液に溶出し、例えば白金ルツボを使用した場合には、ガーネットフェライト結晶中にＰｔ
４＋
のような３価以外の不純物イオンが混入し、その結果、得られるガーネットフェライト結晶の光吸収特性が低下する
（４）．例えば、ビスマス置換鉄ガーネットは、ビスマス置換量を大きくするとファラデー効果が大きくなり、従ってこのために、フラックスとしてＢｉ２Ｏ３またはＢｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３などが用いられる。しかしながらこのようなフラックスでは、融液の均一化のため保持温度を高くすると、フラックス成分のＢｉ２Ｏ３が還元され、ルツボの構成成分との間に、例えばＰｔ　Ｂｉのような金属間化合物が生成し、貴金属ルツボを脆化させ、貴金属ルツボにクランクやピンホールを生ずる。」（第１頁左下欄２０行〜第２頁右上欄９行）
　
（エ）「〔発明の目的〕
　本発明は、上述した問題点を解消すべくなされたものであり、安価でかつ育成容器からの不純物の混入もなく、
結晶の育成期間を通して晶出する結晶に含まれる置換元素の分布および含有率の変動がなく、均一な組成および構造を有するガーネットフェライト単結晶を生成するための育成方法
　
（オ）「　本発明のガーネットフェライト単結晶の育成方法は、従来の単結晶の育成方法における問題点の１つとされていた
育成容器からのその構成成分の溶出を低減させる
ガーネットフェライト単結晶育成中の融液の組成変動が抑えられ、均一なガーネットフェライト単結晶を得ることができる
　
（カ）「〔発明の実施例〕
実施例１
・・・
　分析の結果、
得られた結晶は
ｐｔ含有率は測定限界である１００ｐｐｍ以下であった
比較例
　実施例１と同様にＹ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３を秤量し、混合した後、白金ルツボに入れ、同一の温度条件で単結晶を育成した。
　分析の結果、得られた結晶はＹ２Ｂｉ１Ｆｅ５Ｏ12の組成を有するが、ｐｔ含有率は５００ｐｐｍであった。また得られた結晶を切断し、鏡面研磨した後、光吸収特性を測定したところ、波長１．３μｍの光で光吸収係数はα＝1.3cm-1であった。」（第３頁左上欄７行〜左下欄１１行）
　
（２）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
　ア　引用発明の「ビスマス置換磁性ガーネットの単結晶膜」は、その一般式から希土類元素及び鉄を含んでいることが明らかであるから、本願補正発明の「Ｂｉ置換希土類鉄ガーネット単結晶膜」に相当する。
　そして、引用発明の前記「単結晶膜」が、その膜厚方向に垂直な２つの表面を備えることは明らかであるところ、引用刊行物１には、引用発明のファラデー回転子のファラデー回転角が膜厚に応じたものであることが記載されている（上記（１）ア（ケ）を参照。）ように、その膜厚方向に光が透過する、すなわち、前記の膜厚方向に垂直な２つの表面を光が入出射するものと認められるから、
　引用発明の「ビスマス置換磁性ガーネットの単結晶膜を備えたファラデー回転子」は、本願補正発明の「Ｂｉ置換希土類鉄ガーネット単結晶膜と、前記単結晶膜に形成されて光が入出射する２つの表面とを備えたファラデー回転子」との特定事項を備える。
　
　イ　引用発明の一般式「Ｒ3-(a+b)ＰｂaＢｉbＦｅ5-cＭcＯ12-d」において、
　「Ｒは希土類元素及びそれと置換可能な元素の中から選ばれた少なくとも１種の成分」であって、「前記式中のＲは、イツトリウム、イツテルビウムであり、単独で含まれていてもよいし、また２種以上の組合せとして含まれていてもよく」、
　「Ｍは鉄元素と置換可能な元素の中から選ばれた少なくとも１種の成分」であって、「前記式中のＭは、例えばアルミニウム、ガリウム、スカンジウム、インジウム」であるから、
　引用発明の一般式における「Ｒ」及び「Ｍ」は、それぞれ、本願補正発明の化学式における「（Ｙを含む希土類元素のうちから選択される少なくとも１種類の元素である）Ｒ」及び「（Ｇａ、Ａｌ、Ｓｃ及びＩｎのうちから選択される少なくとも１種類の元素である）Ｍ」に、相当する。
　また、引用発明の一般式における「Ｐｂ」は、本願補正発明の化学式における「（Ｐｂ、Ｃａ及びＣｄのうちから選択される少なくとも１種類の元素である）Ａ」に相当する。
　そして、引用発明において、前期一般式で示される組成の「ビスマス置換磁性ガーネット」には、「Pt4+が混入している」から、引用発明の「Pt」は、本願補正発明の化学式における「（Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｐｔ及びＭｇのうちから選択される少なくとも１種類の元素である）Ｂ」に相当する。
　また、引用発明の「（Ｒの組成比である）3-(a+b)」と「（Ｐｂの組成比である）a」との和が、本願補正発明の「ｘ＋ｙ」に対応するところ、引用発明において、「ａは0.01〜0.2の数、ｂは0.5〜2.0の数」であるから、引用発明の組成比は、本願補正発明の「１．５＜ｘ＋ｙ＜２．５」を満たす範囲を含む。
　なお、引用発明の「（Ｍの組成比である）ｃ」及び「（Pt4+が混入している）混入比の値」が、それぞれ、本願補正発明の「（Ｍの組成比である）ｚ」及び「（Ｂの組成比である）ｗ」に対応する。
　したがって、引用発明は、
「前記単結晶膜は、化学式Ｂｉ３−ｘ−ｙＲｘＡｙＦｅ５−ｚ−ｗＭｚＢｗＯ１２（ここで、Ｒは、Ｙを含む希土類元素のうちから選択される少なくとも１種類の元素であり、Ａは、Ｐｂ、Ｃａ及びＣｄのうちから選択される少なくとも１種類の元素であり、ｘ及びｙは、１．５＜ｘ＋ｙ＜２．５の関係を満たしている。Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、Ｓｃ及びＩｎのうちから選択される少なくとも１種類の元素であり、Ｂは、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｐｔ及びＭｇのうちから選択される少なくとも１種類の元素である。）で表され」
との点で、本願発明の
「前記単結晶膜は、化学式Ｂｉ３−ｘ−ｙＲｘＡｙＦｅ５−ｚ−ｗＭｚＢｗＯ１２（ここで、Ｒは、Ｙを含む希土類元素のうちから選択される少なくとも１種類の元素であり、Ａは、Ｐｂ、Ｃａ及びＣｄのうちから選択される少なくとも１種類の元素であり、ｘ及びｙは、１．５＜ｘ＋ｙ＜２．５の関係を満たしている。Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、Ｓｃ及びＩｎのうちから選択される少なくとも１種類の元素であり、Ｂは、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｐｔ及びＭｇのうちから選択される少なくとも１種類の元素であり、ｚ及びｗは、０≦ｚ＋ｗ＜１．５、０≦ｗ＜０．０１の関係を満たしている。）で表され」
との特定事項と一致する。
　
　以上によると、本願補正発明と引用発明とは、
「　Ｂｉ置換希土類鉄ガーネット単結晶膜と、前記単結晶膜に形成されて光が入出射する２つの表面とを備えたファラデー回転子であって、
　前記単結晶膜は、化学式Ｂｉ３−ｘ−ｙＲｘＡｙＦｅ５−ｚ−ｗＭｚＢｗＯ１２（ここで、Ｒは、Ｙを含む希土類元素のうちから選択される少なくとも１種類の元素であり、Ａは、Ｐｂ、Ｃａ及びＣｄのうちから選択される少なくとも１種類の元素であり、ｘ及びｙは、１．５＜ｘ＋ｙ＜２．５の関係を満たしている。Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、Ｓｃ及びＩｎのうちから選択される少なくとも１種類の元素であり、Ｂは、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｐｔ及びＭｇのうちから選択される少なくとも１種類の元素である。）で表される、ファラデー回転子。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
［相違点］
　本願補正発明では、「（Ｍの組成比である）ｚ」及び「（Ｂの組成比である）ｗ」について、「０≦ｚ＋ｗ＜１．５、０≦ｗ＜０．０１」の関係を満たすものであり、ｗについて、「２つの表面のうち一方でのｗの値をｗ１とし、他方での前記ｗの値をｗ２としたとき、１／２．０×ｗ２≦ｗ１≦１／１．０×ｗ２」の関係を満たす」とともに、「（Ａの組成比である）ｙ」について、「前記２つの表面のうち一方での前記ｙの値をｙ１とし、他方での前記ｙの値をｙ２としたとき、「１／１．１×ｙ２≦ｙ１≦１／０．９×ｙ２」の関係を満た」すのに対して、引用発明では、「（Ｍの組成比である）ｃ」（本願補正発明の「ｚ」に相当。）が「0.01〜2.0の数」であるとされているが、Pt4+の混入比の値（本願補正発明の「ｗ」に相当。）が不明であり、Pt4+の混入比の値及び「（Ｐｂの組成比である）ａ」（本願補正発明の「ｙ」に相当。）について、それぞれ、２つの表面での値の関係が特定されていないこと。
　
（３）判断
　上記相違点について検討する。
　
　ア　引用刊行物２には、上記（１）イに摘記した事項が記載され、結晶の育成期間を通して晶出する結晶に含まれる置換元素の分布および含有率の変動がなく、均一な組成および構造を有するガーネットフェライト単結晶を生成するための育成方法を提供することを課題として、ガーネットフェライト単結晶の育成に際し、該ガーネットフェライト単結晶と同一の組成かまたは該ガーネットフェライト単結晶の誘導体としての組成を有するガーネットフェライト多結晶の焼結体で構成した育成容器を用いることにより、Ｐｔの含有率を抑え、均一な組成とし、結果、光吸収を小さくすることができる技術が記載されている。
　そして、引用発明は、Ｐｔが混入したものであり、光吸収損失の低減をその課題としている（上記（１）ア（エ）等参照。）から、引用発明において、引用刊行物２に記載された上記技術事項を適用し、Ｐｔの混入比を小さくし、その組成を均一にすることは、当業者が容易になし得たことである。そして、引用刊行物２には、Ｐｔの混入量を測定限界以下とすることが記載されている（上記（１）イ（カ）の実施例の記載を参照。）ことを踏まえれば、引用発明に引用刊行物２に記載の技術事項を適用する際に、Ｐｔの混入量（本願補正発明の「ｗ」）を０．０１未満とし、上記相違点に係る本願補正発明の特定事項を満たすものととなすことは、当業者が適宜なし得る事項に過ぎない。
　そして、本願明細書の記載を見ても、本願補正発明において、「ｗ」及び「ｚ＋ｗ」の範囲を上記相違点のとおり特定することによって、設計的事項の域を超えるほどの格別の効果を認めることはできない。
　
　イ　また、上記のとおり、引用発明に引用刊行物２に記載の技術事項を適用することによって、均一な組成とすることは当業者が容易になし得たことであると認められるところ、２つの表面における組成比の関係を組成の均一性の指標とし、該２つの表面における組成比を上記相違点に係る本願補正発明の特定事項のように所定範囲以内にすることは、当業者が適宜設計し得る事項に過ぎない。
　そして、「ｙ」及び「ｗ」の各表面での値の関係について、本願明細書には、「一方の表面のＰｂ量が他方の表面のＰｂ量と同等、あるいはその２倍以下という組成分布条件を満たしていれば、熱処理の有無に関わらず挿入損失の低減が可能である。」（【００２８】）、「一方の表面のＰｔ量が他方の表面のＰｔ量と同等、あるいはその２倍以下という組成分布条件を満足していれば、ファラデー回転子の挿入損失が従来と比較して明確に低下する傾向が確認された。」（【００２６】）と記載され、審判請求書（【請求の理由】２．（１））によれば、「ｙ」及び「ｗ」の各表面での値の関係を変更した補正の根拠は、実施例１から実施例４にあるとされていることから、本願補正発明において、「ｙ」及び「ｗ」の各表面での値の関係について、　上記相違点のとおり特定したことは、挿入損失の低減という効果が得られる範囲内で適宜定めたものという以上の意義を有するものと認めることはできず、引用発明及び引用刊行物２に記載の技術事項から、予測し得る範囲を超えるほどの格別の効果を奏するものとはいえない。
　
　ウ　上記アないしイの検討によれば、本願補正発明は、引用発明及び引用刊行物２に記載の技術事項から、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）小括
　以上のとおり、本願補正発明は、引用刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。　
　
３　むすび
　以上のとおりであって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２１年９月１７日付け手続補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１の記載は、上記第２の１において、補正前のものとして示したとおりのものである（以下、補正前の請求項１に係る発明を「本願発明」という。）。
　
２　引用刊行物記載の発明
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物１及び２の記載事項及び引用発明は、上記第２の２（１）に示したとおりである。
　
３　判断
　上記第２の１によれば、本願補正発明は、本願発明を減縮したものと認められる。そして、上記第２の２（２）ないし（３）で検討したとおり、本願発明に係る特許請求の範囲を減縮したものである本願補正発明が、引用刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである以上、減縮前の本願発明も、本願補正発明と同様の理由により、引用刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおりであって、本願発明は、引用刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。　
　
　よって、結論のとおり審決する。