【事件の表示】
　特願２００５−５０９５４３「複数の障壁層」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　４月２１日国際公開、ＷＯ２００５／０３５２５５、平成１９年１０月１８日国内公表、特表２００７−５２８８０３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
（１）手続の経緯
　本願は、２００３年９月１７日を国際出願日とする出願であって、平成１８年５月１７日に翻訳文が提出されるとともに同日に手続補正がなされ、平成２１年４月２０日に手続補正がなされ、同年６月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１１月４日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
（２）本願発明
　本願の請求項１ないし１０に係る発明は、平成２１年４月２０日付け手続補正によって補正された特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりである。
　
「第１の表面を有する基板と、
　前記第１の表面上に形成される流体吐出器と、
　前記流体吐出器の周囲に形成される発射室を画定し、且つ該発射室上のノズルを画定するカバー層であって、前記カバー層が下塗層とノズル層とを有し、該下塗層が前記カバー層の厚みの５０％未満の厚みを有して２１０℃において硬化する低粘度のＳＵ８である、カバー層と
　を備え、前記カバー層は少なくとも２つのＳＵ８層によって形成される、流体吐出装置。」（以下「本願発明」という。）
　
２　刊行物の記載事項
原査定の拒絶の理由に引用された「本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１１−３１４３７１号公報（以下「引用例」という。）」には、図とともに次の事項が記載されている。
（１）「【請求項１】第１の表面および、半導体基板を貫き且つ複数の流体送り溝に結合された複数の流体送りスロットを有する第２の表面、を有する半導体基板を備えている流体ジェット印字ヘッドを構成する方法において、
遅い架橋結合材料の１層を前記半導体基板の前記第１の表面に施すステップ、オリフィスの像および流体井戸の像を遅い架橋結合材料の前記施された層に移すステップ、および遅い架橋結合材料の、前記移されたオリフィスの像が存在する前記層の一部を現像してそれぞれのオリフィス開口を設置し、前記移された流体井戸の像が存在する前記層の一部を現像してそれぞれの流体井戸開口を設置するステップ、を備えていることを特徴とする方法。
【請求項２】…略…。
【請求項３】前記遅い架橋結合材料を施すステップは更に、前記遅い架橋結合材料を写真作像可能エポキシおよび光学染料、写真作像可能エポキシおよび光学染料の混合物、および写真作像可能エポキシ、の明確な層から成る一群から選択するステップを備えていることを特徴とする請求項１に記載の方法。」
　
（２）「【０００１】
【発明の背景】本発明は、一般に感熱式インクジェット印刷に関する。更に詳細に記せば、本発明は、
エポキシ
の負動作フォトレジスト材料から構成される精密なポリマ・オリフィスを直接作像技法を使用して製造する装置
【０００２】
感熱式インクジェット・プリンタ
印字ヘッド
　
（３）「【０００３】インクジェット印字ヘッドの現在の構成には、その製造、動作寿命、およびインクを紙に導く精度に関して問題がある。
現在製作されている印字ヘッドは、基板を貫くインク送りスロット、障壁インターフェース
基板上に積層され、露出され、現像され、養生される厚いフォトレジスト性材料である
、およびオリフィス板
障壁インターフェースにより形成された発射室の出口経路であ
ニッケル（Ｎi）で電鋳されてから
耐蝕用貴金属で被覆される
の厚さおよびオリフィス開口の直径は、発射するとき反復可能なインク滴放出が可能なように調節されている
を備えている
インク滴の軌道の制御が不十分になり、印字ヘッドの歩留まりまたは寿命が減少する
オリフィス穴の高さ（オリフィス板の厚さに関係する）を熱効率に必要な量より高くすることが必要になる
単独オリフィス板
多数の印字ヘッドを備えた半導体ウェーハ上の単独印字ヘッド・ダイに取付けられ
一度に取付けて生産性を増大する他にオリフィス設置の精度を確保することができるようにする方法を得る
【０００４】発射室内部のインクは、オリフィス穴をオリフィス板の外縁まで一杯に詰まっている。したがって、オリフィス穴の中のインクの高さのこの増大に伴う他の問題は、インクを放出するのに必要なエネルギが増大するということである。他に、高品質写真印刷には、より高い解像度が、したがってより小さいインク滴が必要である。したがって、
製造可能な、より薄いオリフィス板の必要性が存在する
オリフイスあたり使用するエネルギの量を減ら
【０００５】加えて、これまでは、印字ヘッドの寿命は適確であった。印字ヘッドは、インク供給品が使い尽くされてから取換えられる使い捨てペンの一部であった。しかし、品質に対するユーザの期待は、
多年の耐久性ある低価格、長寿命の印字ヘッドを得る
　
（４）「【０００６】
【発明の概要】半導体基板に整形オリフィスを、作る方法および利用する装置を説明する。材料の第１の層が半導体基板に施され、次に材料の第２の層が材料の第１の層の上に施される。次にオリフィスの像が材料の第１の層に移され、流体井戸の像が材料の第２の層に移される。材料の第２の層の、オリフィスの像が設置される部分を次に材料の第１の層の、流体井戸が設置されている部分と共に現像されて基板にオリフィスを形成する。
【０００７】オリフィス室の容積をオリフィス像の形状および材料の第２の層の厚さにより形成する。流体井戸室の容積を流体井戸像の形状および材料の第１の層厚さにより形成する。」
　
（５）「【０００８】
【好適な実施例と他の選択枝の詳細な説明】本発明は、基板上に写真作像可能な層の多数材料のサンドイッチを作る、
Ｎiオリフィス板または障壁インターフェース材料を必要としない
【０００９】
直接作像ポリマ・オリフィスは通常、溶解割合のわずかに異なる負動作フォトレジスト材料の二つ以上の層を備え
架橋結合に500ミリジュール/cm
2
の強度の電磁エネルギを必要とする「遅い」フォトレジストが基板に施され
架橋結合に丁度100ミリジュール/cm
2
の強度の電磁エネルギを必要とする「速い」フォトレジストが遅いフォトレジストの層の上に加え
硬化後、基板のフォトレジスト層をマスクを通して少なくとも500ミリジュール/cm
2
の非常な高強度に露出して流体井戸室を形成
上層および下層の双方を架橋結合するのに十分な
次に他のマスクを通して100ミリジュール/cm
2
の低強度の電磁エネルギに露出し、オリフィス室を形成
第２の露出強度
遅いフォトレジストの下方オリフィス層は架橋結合しない
【００１０】ポリマ材料は、薄膜地形の全部を平面化するその能力についてＩＣ業界では周知である。経験的データは、オリフィス板地形の変動を良く１ミクロン以内に維持できることを示している。この特徴は、一貫した滴軌道を与える上で重要である。
【００１１】加えて、負動作フォトレジスト性を備えた多数の異なる材料が存在している。例示ポリマ材料には、ポリイミド、
エポキシ
　
（６）「【００１２】図１Ａは、本発明の好適実施形態を使用する単独オリフィス42（ノズルまたは穴ともいう）の上面図を示す。
上オリフィス層34
写真作像可能エポキシ（ＩＢＭにより開発されたＳＵ８のような）
上オリフィス層34
オリフィス42の開口の形状および高さを形成するのに使用される
【００１３】図１Ｂは、完全一体化感熱式（ＦＩＴ）流体ジェット印字ヘッドの図１Ａに示した単独オリフィスの等角断面図である。
下部オリフィス層35
半導体基板20の表面に組み込まれている薄膜層50の積み重ねの最上部に加えられ
　
（７）「【００１４】図２Ａから図２Ｈまでは、本発明の代わりの実施形態を作るのに使用される色々な方法ステップを示す。図２Ａは、
エネルギ消費要素32を備えた薄膜層50
【００１５】図２Ｂは、
遅い架橋結合ポリマから成る下部オリフィス層35を薄膜層50の積み重ねの上に加え
半導体基板20
通常のスピンコーティング工具を使用して施され
スプレイコーティング
遅い架橋結合ポリマ
光学染料
を写真作像可能ポリイミド
に混合することにより作られ
【００１６】図２Ｃは、
速い架橋結合ポリマから成る上オリフィス層34を下部オリフィス層35に加え
【００１７】図２Ｄは、上オリフィス層34および下部オリフィス層35に加えられている
電磁放射11
により供給されるエネルギは、露出している
上オリフィス層34および下部オリフィス層35を共に架橋結合するのに十分
流体井戸43の形状および面積を規定
【００１８】図２Ｅは、電磁エネルギ12の低い強度が上オリフィス層34および下部オリフィス層35に加えられる、プロセスの次のステップを示している。このステップ中に（強さまたは露出の時間を制限するかまたは両者の組合せにより）消費される全エネルギは、
上オリフィス層34の速い架橋結合ポリマを架橋結合するのに十分なだけであ
オリフィス開口42の形状および面積を規定
【００１９】…略…。
【００２１】図２Ｇは、
流体送りスロット30の材料を含み、上オリフィス層34および下部オリフィス層35の材料が除去される現像
【００２２】図２Ｈは、水酸化テトラメチルアンモニア（ＴＭＡＨ）
裏面エッチ・プロセスを行なって流体送りスロット30の中に開く流体送り溝44
を作って流体を流体井戸室に入れ、究極的にオリフィス開口42から放出させ
【００２３】図３Ａは、
上オリフィス層34および下部オリフィス層35に見られる複数のオリフィス開口42を備えた例示印字ヘッド60
【００２４】図３Ｂは、印字ヘッド60の反対側を示し、流体送り溝44および流体送りスロット30を明らかにしている。」
　
（８）「【００３０】更に、流体井戸およびオリフイス開口の個別形状を制御する能力で下部オリフィス層35および上オリフィス層34双方の厚さを制御する能力のため、オリフィス構造の一般的設計を行なうことができる。
【００３１】図７Ａは、好適オリフィス構造の上面図を示す。オリフイス開口174は、円形であり、流体井戸172は、長方形である。図７Ｂは、図７ＡのＢＢ視方向で見たオリフィスの側面図を示す。
上オリフィス層168は上オリフィス高さ162を備え、これはオリフイス開口174の面積と共にオリフィス室の容積を決定する。下部オリフィス層170は、下部オリフィス高さ164を備え、これは流体井戸172の面積と共に流体井戸室180の容積を決定する
全オリフィス高さ166は、上オリフィス高さ162と下部オリフィス高さ164との和であ
高さ比  ＝  下部オリフィス高さ／上オリフィス高さ
その引きずる尾の長さに関係する放出滴のオーバシュート体積、および再充填時間、すなわちオリフィスに流体を再充填するのに必要な時間、の双方を制御する
【００３２】図８は、
直径16μmおよび流体井戸長42μmおよび幅20μmの例示オリフィス
　
（９）「【００４９】本発明は、生き生きした明瞭な写真印刷に必要な細かい解像度のための、より厳密な流体ジェット方向制御およびより小さい滴体積の必要性に取り組んでいる。加えて、本発明は、印字ヘッドの製造を簡単にしているが、これにより生産の費用が下がり、大量運転割合が可能となり、印字ヘッドの品質、信頼性、および整合性が増大する。本発明の好適実施形態、およびその代わりの実施形態は、独特のオリフィス形状を作り出すことができ、別の関心事に取り組みまたは印字ヘッドから放出される流体の色々な長所を活用できることを実証している。」
　
（１０）図８の記載から、
「高さ比」が１のとき、再充填時間は１５μｓｅｃ程度であるがオーバーシュートが０．５ｎｇ程度あり、「高さ比」が０に近づくとオーバーシュートも０ｎｇに近づくが再充填時間が急激に増加し１００μｓｅｃ程度になり、再充填時間をある程度短くしかつオーバーシュートを少なくするには「高さ比」は０．４程度が好ましく、その程度に設定すれば、再充填時間を２５μｓｅｃ以下にでき、かつ、オーバーシュートを０．２ｎｇ以下にできる
　
（１１）上記（１）ないし（１０）から、引用例には、
「感熱式インクジェット・プリンタの印字ヘッドにおいて、
　該印字ヘッドは、現在、基板と、該基板上に積層された厚いフォトレジスト性材料である障壁インターフェースと、該障壁インターフェースにより形成された発射室の出口経路であり、ニッケル（Ｎi）で電鋳されてから耐蝕用貴金属で被覆され、かつ、その厚さおよびオリフィス開口の直径が発射するとき反復可能なインク滴放出が可能なように調節されているオリフィス板とを備え、単独オリフィス板を、多数の印字ヘッドを備えた半導体ウェーハ上の単独印字ヘッド・ダイに一度に取付けて製作して、生産性を増大しているものであったから、インク滴の軌道の制御が不十分であり、印字ヘッドの歩留まりが悪く寿命が短く、オリフィス板の厚さに関係するオリフィス穴の高さが熱効率に必要な量より高いものであったので、
　オリフィス設置の精度を確保すること、より薄いオリフィス板の製造を可能にすること、オリフイスあたり使用するエネルギの量を減らすこと、および、多年の耐久性ある低価格、長寿命の印字ヘッドを得ることを目的として、
　直接作像技法を使用して、Ｎiオリフィス板または障壁インターフェース材料を必要とせずに、溶解割合のわずかに異なるエポキシの負動作フォトレジスト材料である写真作像可能エポキシの二つ以上の層から構成して、精密な直接作像ポリマ・オリフィスを製造することとし、
　前記写真作像可能エポキシはＩＢＭにより開発されたＳＵ８のようなものでよく、
　前記基板を半導体基板20とし、
　該半導体基板20の表面にエネルギ消費要素32を備えた薄膜層50を積み重ね、
　前記写真作像可能ポリイミドに光学染料を混合して作った、架橋結合に500ミリジュール/cm2の強度の電磁エネルギを必要とする遅いフォトレジストを、スプレイコーティングまたは通常のスピンコーティング工具を使用して前記半導体基板20の表面の前記積み重ねの最上部に施して下部オリフィス層35，170とし、
　該下部オリフィス層35，170の上に、前記写真作像可能ポリイミドからなり、架橋結合に丁度100ミリジュール/cm2の強度の電磁エネルギを必要とする、速いフォトレジストを加えて上オリフィス層34，168とし、
　硬化後、上オリフィス層34，168及び下部オリフィス層35，170を第１マスクを通して、少なくとも500ミリジュール/cm2の上オリフィス層34，168及び下部オリフィス層35，170の双方を架橋結合するのに十分な非常な高強度の第１の露出強度で露出し流体井戸43，172の形状および面積を規定して流体井戸室180を形成し、
　次に、他の第２マスクを通して、上オリフィス層34，168の速いフォトレジストを架橋結合するのに十分なだけであり下部オリフィス層35，170は架橋結合しない低強度の100ミリジュール/cm2の第２の露出強度の電磁エネルギに露出し、上オリフィス層34，168からオリフィス開口42，174の形状および面積を規定してオリフィス室すなわちオリフィス開口42，174の形状および高さを形成し、
　次に、流体送りスロット30の材料、上オリフィス層34，168の材料及び下部オリフィス層35，170の材料を除去する現像を行い、
　次に、裏面エッチ・プロセスを行なって流体送りスロット30の中に開く流体送り溝44を作って製造することにより、
　流体を流体井戸室180に入れて究極的には複数のオリフィス開口42，174から放出させ得るようにした前記印字ヘッドであって、
　前記上オリフィス層34，168は、オリフイス開口42，174の面積と共にオリフィス室の容積を決定する上オリフィス高さ162を備え、
　前記下部オリフィス層35，170は、流体井戸43，172の面積と共に流体井戸室180の容積を決定する下部オリフィス高さ164を備え、
　前記直接作像ポリマ・オリフィスの全オリフィス高さ166は、上オリフィス高さ162と下部オリフィス高さ164との和であり、
　前記下部オリフィス高さ164を前記上オリフィス高さ162で割った値である高さ比は、放出滴のオーバシュート体積、およびオリフィスに流体を再充填するのに必要な再充填時間の双方を制御するパラメータであって、前記オリフィス開口42，174を直径16μm、前記流体井戸43，172を長さ42μm幅20μmとしたとき、前記高さ比が１のときは再充填時間は１５μｓｅｃ程度であるがオーバーシュートが０．５ｎｇ程度あり、前記高さ比が０に近づくとオーバーシュートも０ｎｇに近づくが再充填時間が急激に増加し１００μｓｅｃ程度になり、前記高さ比を０．４程度に設定すれば、再充填時間を２５μｓｅｃ以下にでき、かつ、オーバーシュートを０．２ｎｇ以下にできる、
　感熱式インクジェット・プリンタの印字ヘッド。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
３　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「半導体基板20の表面」、「半導体基板20」、「『半導体基板20の表面』に積み重ねた『エネルギ消費要素32を備えた薄膜層50』」、「流体井戸室180」、「オリフィス室」、「『全オリフィス高さ166』を有する『直接作像ポリマ・オリフィス』」、「『スプレイコーティングまたは通常のスピンコーティング工具を使用して』施した『下部オリフィス層35，170』」、「上オリフィス層34，168」、「『下部オリフィス高さ164を前記上オリフィス高さ162で割った値である高さ比』を『０．４程度に設定』」、「『ＳＵ８』のような『写真作像可能エポキシ』」、「『ＳＵ８』のような『写真作像可能エポキシ』の『二つ以上の層』から構成して『上オリフィス高さ162と下部オリフィス高さ164との和』である『全オリフィス高さ166』を有する『直接作像ポリマ・オリフィス』を製造」及び「感熱式インクジェット・プリンタの印字ヘッド」は、それぞれ、本願発明の「第１の表面」、「第１の表面を有する基板」、「前記第１の表面上に形成される流体吐出器」、「発射室」、「ノズル」、「カバー層」、「下塗層」、「ノズル層」、「下塗層が前記カバー層の厚みの５０％未満の厚み」、「ＳＵ８」、「カバー層は少なくとも２つのＳＵ８層によって形成」及び「流体吐出装置」に相当する。
　
（２）引用発明において、「発射室（流体井戸室180）」は、半導体基板20の表面に「流体吐出器（エネルギ消費要素32）」を備えた薄膜層50を積み重ね、前記写真作像可能ポリイミドに光学染料を混合して作った遅いフォトレジストをスプレイコーティングまたは通常のスピンコーティング工具を使用して前記半導体基板20の表面の前記積み重ねの最上部に施して下部オリフィス層35，170とし、該下部オリフィス層35，170の上に、前記写真作像可能ポリイミドからなる速いフォトレジストを加えて上オリフィス層34，168とし、硬化後、上オリフィス層34，168及び下部オリフィス層35，170を第１マスクを通して、少なくとも500ミリジュール/cm2の上オリフィス層34，168及び下部オリフィス層35，170の双方を架橋結合するのに十分な非常な高強度の第１の露出強度で露出し流体井戸43，172の形状および面積を規定して形成したものであるから、「発射室（流体井戸室180）」は「流体吐出器（エネルギ消費要素32）」の周囲に形成されるものであるといえる。
　したがって、引用発明の「発射室」と本願発明の「発射室」とは、「前記流体吐出器の周囲に形成される」ものである点で一致する。ここで、上記「流体井戸43，172の形状および面積を規定して形成」するは、本願発明の「画定」するに相当する。
　
（３）引用発明において、「ノズル（オリフィス室）」は、「発射室（流体井戸室180）」を形成し、次に、他の第２マスクを通して、上オリフィス層34，168の速いフォトレジストを架橋結合するのに十分なだけであり下部オリフィス層35，170は架橋結合しない低強度の100ミリジュール/cm2の第２の露出強度の電磁エネルギに露出し、上オリフィス層34，168からオリフィス開口42，174の形状および面積を規定して形成したものであるから、「ノズル（オリフィス室）」は、「カバー層（上オリフィス高さ162と下部オリフィス高さ164との和である全オリフィス高さ166を有する直接作像ポリマ・オリフィス）」により「発射室（流体井戸室180）」上に「画定（オリフィス開口42，174の形状および面積を規定して形成）」されるものであるといえる。
　したがって、引用発明の「ノズル」と本願発明の「ノズル」とは「該発射室上の」ものである点で一致し、引用発明の「カバー層」と本願発明の「カバー層」とは「該発射室上のノズルを画定する」点及び「下塗層とノズル層とを有」する点で一致する。
　
（４）引用発明における「下塗層」は、ＳＵ８のような写真作像可能ポリイミドに光学染料を混合して作った、架橋結合に500ミリジュール/cm2の強度の電磁エネルギを必要とする遅いフォトレジストを、スプレイコーティングまたは通常のスピンコーティング工具を使用して施した下部オリフィス層35，170であるから、スプレイコーティングまたは通常のスピンコーティング工具を使用して施すことができる程の低粘土のＳＵ８であるといえる。
　したがって、引用発明の「下塗層」と本願発明の「下塗層」とは「低粘度のＳＵ８である」点で一致する。
　
（５）上記（１）ないし（４）からみて、本願発明と引用発明とは、
「第１の表面を有する基板と、
　前記第１の表面上に形成される流体吐出器と、
　前記流体吐出器の周囲に形成される発射室を画定し、且つ該発射室上のノズルを画定するカバー層であって、前記カバー層が下塗層とノズル層とを有し、該下塗層が前記カバー層の厚みの５０％未満の厚みを有する低粘度のＳＵ８である、カバー層と
　を備え、前記カバー層は少なくとも２つのＳＵ８層によって形成される、流体吐出装置。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点：
　前記「低粘度のＳＵ８」が、本願発明では「２１０℃において硬化する」ものであるのに対して、引用発明ではそのようなものかどうかが明らかでない点。
　
４　判断
　上記相違点について検討する。
（１）ＳＵ８である写真作像可能な樹脂を９０℃ないし２００℃で最終的に硬化させることは本願出願前に周知である（以下「周知技術」という。例．米国特許第４８８２２４５号明細書（８欄３９〜４６行、９欄１４〜４８行参照。）、特開昭６２−１０２２４２号公報（７頁左下欄１０〜１６行、８頁左上欄７行〜同頁左下欄２行参照。）、特開平８−１５５３７号公報（【００４５】、【００５９】〜【００６２】、【０１０３】、【０１１２】参照。）、国際公開第０２／２６３７３号（３８頁２１〜３１行、３９頁１１〜１３行参照。）、国際公開第０２／０７７６２０号（２９頁２０行〜３２頁８行、３２頁１５行〜３４頁１８行参照。））。
　
（２）引用発明において、前記「低粘度のＳＵ８」を９０℃ないし２００℃で最終的に硬化させることができるＳＵ８である写真作像可能な樹脂となして、最終的に硬化させることができるようにすることは、当業者が周知技術に基づいて容易に想到し得たことである。
　しかるところ、「９０℃ないし２００℃で最終的に硬化させることができる低粘度のＳＵ８」は、２１０℃において硬化することができるものであるといえるから、引用発明において、前記「低粘度のＳＵ８」を「２１０℃において硬化する」ものとなすことは、当業者が周知技術に基づいて容易になし得た程度のことである。
　
（３）本願発明の奏する効果は、引用発明の奏する効果及び周知技術の奏する効果から当業者が予測できた程度のものである。
　
（４）以上のとおりであるから、本願発明は、当業者が引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
５　むすび 
　本願発明は、当業者が引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。