【事件の表示】
　特願２００６−２９４６０８「単結晶シリコン太陽電池の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　５月１５日出願公開、特開２００８−１１２８４８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯 
　本願は、平成１８年１０月３０日に特許出願したものであって、平成１９年１０月１９日及び平成２１年６月２６日に手続補正がなされたが、平成２２年２月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月２４日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、これと同時に手続補正がなされた後、当審において、平成２３年５月１６日付けで拒絶理由が通知され、同年７月２２日に手続補正がなされたものである。
　 
２　本願発明 
　本願の請求項に係る発明は、平成２３年７月２２日になされた手続補正後の特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
　 
「透明絶縁性基板上に、光変換層として単結晶シリコン層が配置されている単結晶シリコン太陽電池を製造する方法であって、少なくとも、
　結晶化ガラス、硼珪酸ガラス、ソーダライムガラスのいずれかである透明絶縁性基板と第一導電型の単結晶シリコン基板とを用意する工程と、
　前記単結晶シリコン基板に水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入して、イオン注入層を形成する工程と、
　前記単結晶シリコン基板のイオン注入面と前記透明絶縁性基板の少なくとも一方の表面とのうち少なくとも一方に表面活性化処理を行う工程と、
　前記単結晶シリコン基板のイオン注入面と、前記透明絶縁性基板とを、前記表面活性化処理を行った面が貼り合わせ面になるように貼り合わせる工程と、
　前記イオン注入層に衝撃を与えて前記単結晶シリコン基板を室温において機械的に剥離して、単結晶シリコン層とする工程と、
　前記単結晶シリコン層の前記剥離面側に、前記第一導電型とは異なる導電型である第二導電型の拡散領域を複数形成し、少なくとも面方向にｐｎ接合を複数形成するとともに前記単結晶シリコン層の前記剥離面に複数の第一導電型領域と複数の第二導電型領域とが存在するようにする工程と、
　前記単結晶シリコン層の前記複数の第一導電型領域上にそれぞれ複数の第一の個別電極を形成し、前記複数の第二導電型領域上にそれぞれ複数の第二の個別電極を形成する工程と、
　前記複数の第一の個別電極をつなぐ第一の集電電極及び前記複数の第二の個別電極をつなぐ第二の集電電極を形成する工程と
　を含むことを特徴とする単結晶シリコン太陽電池の製造方法。」
（以下「本願発明」という。） 
　 
３　刊行物の記載 
（１）当審において通知した拒絶の理由に引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である国際公開第２００６／０９３８１７号（以下「刊行物１」という。）には、以下の記載がある（訳文をかっこ書で付した。また、下線は、審決で付した。以下同じ）。 
　 
　ア　「BACKGROUND OF THE INVENTION 
[0002] The present invention relates to the manufacture of substrates, including devices thereon. More particularly, the invention provides a technique including a method and a structure for forming multi-layered substrate structures for the fabrication semiconductor integrated circuits or optoelectronic devices, for example. But it will be recognized that the invention has a wider range of applicability; it can also be applied to other substrates for multi-layered integrated circuit devices, three-dimensional packaging of integrated semiconductor devices, photonic and/or optoelectronic devices (e.g., light valves), piezoelectronic devices, microelectromechanical systems (MEMS), nano-technology structures, sensors, actuators, solar cells, flat panel displays (e.g., LCD, AMLCD), biological and biomedical devices, and the like.」 
（発明の背景 
［０００２］本発明は、基板、その上のデバイスを含む、の製造に関連する。特に、本発明は、例えば、半導体集積回路や光電子デバイスの組立てのための多層基板構造を形成するための方法及び構造を含む技術を提供する。しかし、本発明は、広範囲に適用され得ることが認められるであろう；多層集積回路デバイス、集積半導体デバイスの三次元パッケージ、フォトニック及び／又は光電子デバイス（例えば、ライトバルブ）、圧電デバイス、微小電気機械システム（”ＭＥＭＳ”）、ナノ技術構造、センサ、アクチュエータ、
太陽電池
　 
　イ　「BRIEF SUMMARY OF THE INVENTION  
[0010] According to the present invention, techniques for the manufacture of substrates, including devices thereon, are provided. More particularly, the invention provides a technique including a method and a structure for forming multi-layered substrate structures for the fabrication semiconductor integrated circuits or optoelectronic devices, for example. But it will be recognized that the invention has a wider range of applicability; it can also be applied to other substrates for multi-layered integrated circuit devices, three-dimensional packaging of integrated semiconductor devices, photonic and/or optoelectronic devices (e.g., light valves), piezoelectronic devices, microelectromechanical systems (MEMS), nano-technology structures, sensors, actuators, solar cells, flat panel displays (e.g., LCD, AMLCD), biological and biomedical devices, and the like. 
・・・ 
[0023] Numerous benefits are achieved over pre-existing techniques using the present invention. In particular, the present invention uses controlled energy and selected conditions to preferentially cleave a thin film of material from a donor substrate which includes multi-material sandwiched films. This cleaving process selectively removes the thin film of material from the substrate while preventing a possibility of damage to the film or a remaining portion of the substrate. Accordingly, the remaining substrate portion can be re-used repeatedly for other applications. Additionally, the present invention uses a relatively low temperature during the controlled cleaving process of the thin film to reduce temperature excursions of the separated film, donor substrate, or multi-material films according to other embodiments. This lower temperature approach allows for more material and process latitude such as, for example, cleaving and bonding of materials having substantially different thermal expansion coefficients. ・・・」 
（発明の概要 
［００１０］本発明によると、基板、その上のデバイスを含む、の製造のための技術が提供される。特に、本発明は、例えば、半導体集積回路や光電子デバイスの組立てのための多層基板構造を形成するための方法及び構造を含む技術を提供する。しかし、本発明は、広範囲に適用され得ることが認められるであろう；多層集積回路デバイス、集積半導体デバイスの三次元パッケージ、フォトニック及び／又は光電子デバイス（例えば、ライトバルブ）、圧電デバイス、微小電気機械システム（”ＭＥＭＳ”）、ナノ技術構造、センサ、アクチュエータ、
太陽電池
・・・ 
［００２３］本発明を用いて、先行技術を超える、多数の利益が得られる。特に、本発明は、多数の材料がはさまれた膜を含むドナー基板から、材料の薄膜を選択的に劈開するための、制御されたエネルギと選択された条件を用いる。この劈開処理は、基板から材料の薄膜を、当該膜又は基板の残り分への損傷の可能性を防ぎつつ、選択的に取り除く。したがって、残りの基板部分は、他の利用に繰り返し再利用され得る。さらに、本発明は、他の具体化によると、分離された膜、ドナー基板、又は多数の材料の膜の温度変位を低減するために、薄膜の制御された劈開処理の間、比較的低い温度を用いる。この、より低い温度の方法は、例えば、実質的に異なる熱膨張係数を有する材料の劈開や接着といった、さらなる材料及び処理の許容度を見込む。・・・） 
　 
　ウ　「DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION  
・・・ 
[0034] ・・・ The silicon wafer is single crystal silicon. The single crystal silicon was SEMI standard device grade material, P-type, 6 to 9 ohm-cm. ・・・ 
・・・ 
[0039] A method for manufacturing devices on multi-layered substrates comprising transparent materials according to an alternative specific embodiment may be outlined as follows. 
　1. Provide a transparent handle substrate, which has a first deflection characteristic, a backside, and a face; 
　2. Provide a backing substrate that is adequate to provide an effective deflection characteristic of the multilayered structure to be suitable for a thickness of silicon bearing material to be transferred onto the face of the handle substrate; 
　3. Perform a cleaning and /or activating process on surfaces of the handle and backing substrates; 
　4. Initiate engagement of a backing substrate to the backside of the transparent handle substrate; 
　5. Attach the backing substrate to the backside of the transparent handle substrate to firmly engage the backing substrate to the transparent handle substrate to form a multilayered structure; 
　6. Provide a donor substrate comprising a cleave region, the thickness of material, and a surface region; 
　7. Perform a cleaning and /or activating process on surfaces of the handle and donor substrates; 
　8. Bond the surface region of the donor substrate to the face of the transparent handle substrate, while the backing substrate remains attached to the handle substrate to substantially maintain at least the effective deflection characteristic;  
　9. Initiate a controlled cleaving process within a portion of the cleave region of the donor substrate to begin removal of the thickness of silicon bearing material from the donor substrate at a portion of the cleave region; 
　10. Remove thickness of material from the donor substrate; 
　11. Optionally, remove the backing substrate from the handle substrate; 
　12. Form one or more devices on the thickness of material; and 
　13. Perform other steps, as desired. 
・・・ 
[0045] ・・・ The transparent handle substrate can be glass, quartz, polymeric, or other composites, and the like. As merely an example, the transparent substrate has a thickness of about 800±20 microns, a backside surface, and a face. The transparent substrate is quartz, which is called synthetic quartz (VISIL-SQ,SX) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. of Tokyo, Japan. ・・・ 
・・・ 
[0051] As shown, the method includes providing a donor substrate 1201 comprising a cleave region 1203, a face 1205, a backside 1207, and a thickness of silicon bearing material 1209 between the face and the cleave region, as shown in Figure 12. An example of such thickness of material includes a thickness of silicon bearing material. As merely an example, the donor substrate can be a silicon wafer, a germanium wafer, silicon germanium materials, silicon carbide bearing materials, Group III/V compounds, any combination of these, and others. ・・・ 
[0052] Depending upon the embodiment, the cleave region can be formed using a variety of techniques. That is, the cleave region can be formed using any suitable combination of implanted particles, deposited layers, diffused materials, patterned regions, and other techniques. Referring to Figure 12, the method introduces certain energetic particles 1211 using an implant process through a top surface of a donor substrate to a selected depth, which defines a thickness of the material region, termed the thin film of material. A variety of techniques can be used to implant the energetic particles into the silicon wafer. These techniques include ion implantation using, for example, beam line ion implantation equipment manufactured from companies such as Applied Materials, Inc. and others. ・・・ 
[0053] ・・・ In a specific embodiment, the particles can be neutral and or charged particles including ions such as ions of hydrogen and its isotopes, rare gas ions such as helium and its isotopes, and neon, or others depending upon the embodiment. ・・・ 
・・・ 
[0057] Referring to Figure 14, the transparent handle substrate, which has been coupled to the backing, and donor substrate are both subjected to plasma activated processes. Such plasma activated processes clean and/or activate the surfaces of the substrates. The plasma activated processes are provided using a nitrogen bearing plasma at 20°C to 40°C temperature. The plasma activated processes are preferably carried out in dual frequency plasma activation system manufactured by Silicon Genesis Corporation of San Jose, California.・・・ 
[0058] Thereafter, each of these substrates is bonded together, as also illustrated by Figure 14. As shown, the handle substrate has been bonded to donor wafer to form a bonded structure 1401. ・・・ 
・・・ 
[0063] The method performs a controlled cleaving process 1601 on the bonded substrate structure, as illustrated by Figures 15 and 16. The controlled cleaving process provided a selected energy 1501 within a portion of the cleave region of the donor substrate. As merely an example, the controlled cleaving process has been described in U.S. Patent No. 6,013,563 titled Controlled Cleaving Process, commonly assigned to Silicon Genesis Corporation of San Jose, California, and hereby incorporated by reference for all purposes. Next, the method frees the thickness of silicon bearing material from the donor substrate to completely remove the thickness of silicon bearing material from the donor substrate, as shown by Figure 17. 
・・・ 
[0065] Referring to Figure 19, the method forms devices 1901 onto surfaces of the thickness of silicon bearing material. Such devices can include integrated semiconductor devices, photonic and/or optoelectronic devices (e.g., light valves), piezoelectronic devices, microelectromechanical systems (MEMS), nano-technology structures, sensors, actuators, solar cells, flat panel displays (e.g., LCD, AMLCD), biological and biomedical devices, and the like. Such devices can be made using deposition, etching, implantation, photo masking processes, any combination of these, and the like. ・・・」 
（発明の詳細な説明 
・・・ 
［００３４］・・・
シリコンウェハは単結晶シリコンである
Ｐ型
・・・ 
［００３９］代わりの特定の具体化による、
透明材料を備える多層基板上のデバイスを製造する方法
　１．第１のたわみ特性、裏面、及び正面を有する、透明ハンドル基板を用意し； 
　２．ハンドル基板の正面に転写される、シリコンを含んだ材料の層に適した、多層構造の有効たわみ特性を提供するのに十分な、裏板基板を用意し；
　３．ハンドル基板及び裏板基板の表面に、洗浄及び／又は活性化処理を行い； 
　４．透明ハンドル基板の裏面に、裏板基板をかみ合わせることに着手し；
　５．多層構造を形成するべく、裏板基板を透明ハンドル基板にしっかりとかみ合わせるために、裏板基板を透明ハンドル基板の裏面にはり付け； 
　６．劈開領域、材料の層、表面領域を備えるドナー基板を用意し； 
　７．ハンドル基板及びドナー基板の表面に洗浄及び／又は活性化処理を行い； 
　８．ドナー基板の表面領域を透明ハンドル基板の正面に接着し、裏板基板は、少なくとも有効たわみ特性を実質的に保つように、ハンドル基板にはり付けられたままで； 
　９．シリコンを含んだ材料の層をドナー基板から劈開領域の部分で取り去ることに取りかかるために、ドナー基板の劈開領域の部分で、制御された劈開処理に着手し； 
　１０．材料の層をドナー基板から取り去り； 
　１１．任意に、裏板基板をハンドル基板から取り去り； 
　１２．材料の層に１以上のデバイスを形成し；そして 
　１３．所望に応じて、他の処置を行う。 
・・・ 
［００４５］・・・
透明ハンドル基板は、ガラス
であり得る
・・・ 
［００５１］示されているように、本方法は、図１２に示されているように、劈開領域１２０３、正面１２０５、裏面１２０７、及び、当該正面と劈開領域の間のシリコンを含んだ材料の層１２０９を備える、ドナー基板１２０１を用意することを含む。そのような材料の層の例には、シリコンを含んだ材料の層が含まれる。単に例として、
ドナー基板はシリコンウェハ
であり得る
［００５２］具体化に応じて、劈開領域はいろいろな技術を使って形成され得る。すなわち、注入される粒子、堆積される層、拡散される物質、パターン化される領域、及び他の技術の、適切な組合せを用いて、
劈開領域が形成
ドナー基板の最表面からある選択された深さへの注入処理を用いて、あるエネルギー粒子１２１１を導入
イオン注入
［００５３］・・・ある特定の具体化では、
粒子は、水素及びその同位体のイオン、ヘリウム及びその同位体、ネオンといった希ガスイオン、又は具体化によって他のもの、といったイオンを含む、中性及び、又は帯電した粒子である
・・・ 
［００５７］図１４を参照すると、裏板に合わされた透明ハンドル基板、及びドナー基板は、ともにプラズマ活性化処理にさらされる。そのようなプラズマ活性化処理は、基板の表面を洗浄及び／又は活性化する。プラズマ活性化処理は、２０℃〜４０℃の温度で窒素を含んだプラズマを用いて提供される。プラズマ活性化処理は、望ましくは、カリフォルニア州サンノゼのシリコン・ジェネシス社によって製造された二重周波数プラズマ活性化システムで行われる。・・・ 
［００５８］その後、これら基板の各々は、図１４で説明されてもいるように、互いに接着される。示されているように、ハンドル基板は、接着構造１４０１を形成するべく、ドナー・ウェハに接着されている。・・・ 
・・・ 
［００６３］本方法は、図１５及び１６で説明されているように、接着基板構造に、
制御された劈開処理１６０１を行う。制御された劈開処理は、ドナー基板の劈開領域の部分に、選択されたエネルギー１５０１を与えた
制御された劈開処理は、カリフォルニア州サンノゼのシリコン・ジェネシス社に共通して譲渡された、制御された劈開処理という名称の米国特許６０１３５６３号明細書に記載され、これによってすべての目的のために参照によって組み込まれている
・・・ 
［００６５］図１９を参照すると、本方法は、シリコンを含んだ材料の層の表面にデバイス１９０１を形成する。そのようなデバイスには、集積半導体デバイス、フォトニック及び／又は光電子デバイス（例えば、ライトバルブ）、圧電デバイス、微小電気機械システム（”ＭＥＭＳ”）、ナノ技術構造、センサ、アクチュエータ、
太陽電池
　 
（２）同じく、米国特許第６０１３５６３号明細書（以下「刊行物２」という。）には、以下の記載がある。 
　 
「1. Controlled Cleaving Techniques  
・・・ 
　In a specific embodiment, the energy source can be a fluid jet that is pressurized (e.g., compressional) according to an embodiment of the present invention. FIG. 12A shows a simplified cross-sectional view diagram of a fluid jet from a fluid nozzle 608 used to perform the controlled cleaving process according to an embodiment of the present invention. The fluid jet 607 (or liquid jet or gas jet) impinges on an edge region of substrate 10 to initiate the controlled cleaving process. The fluid jet from a compressed or pressurized fluid source is directed to a region at the selected depth 603 to cleave a thickness of material region 12 from substrate 10 using force, e.g., mechanical, chemical, thermal. ・・・ The fluid jet can be a liquid jet or a gas jet or a combination of liquid and gas. The fluid jet can separate a thin film from the substrate at ambient (i.e. room) temperature, ・・・」（第３欄下から３行目、第９欄２９〜４１行、４８〜５１行） 
（１．　制御された劈開技術 
・・・ 
　ある特定の具体化では、エレルギー源は、本発明の具体化によると、加圧された（例えば、圧縮された）流体ジェットであり得る。図１２Ａは、本発明の具体化による、
制御された劈開処理
例えば機械的
な力を用いて基板１０から材料領域１２の層を劈開する
流体ジェットは
室温
で、基板から薄膜を分離
　 
（３）同じく、特開２００６−２９５０３７号公報（以下「刊行物３」という。）には、以下の記載がある。 
　 
「【００３５】 
　次に、この
単結晶シリコンウエーハ１のイオン注入面と透明絶縁性基板２の
表面
とを、プラズマ及び／又はオゾンで処理をした表面を接合面として室温で密着させて接合する
　工程Ｇにおいて、単結晶シリコンウエーハのイオン注入面または透明絶縁性基板の研磨した表面の少なくとも一方がプラズマ処理及び／又はオゾン処理されているので、これらを例えば減圧または常圧下、一般的な室温程度の温度下で密着させるだけで後工程での機械的剥離に耐え得る強度で強く接合できる。従って、１２００℃以上といった高温の結合熱処理が必要でなく、加熱により問題になる熱膨張係数の差異による熱歪、ひび割れ、剥離等が発生するおそれがなくなる。 
　また、透明絶縁性基板の研磨した表面、すなわち絶縁性被膜６の表面は遮光膜パターンに起因する段差がほとんどなく、貼り合わせ不良の発生が防止される。 
【００３６】 
　なお、工程Ｈの接合工程の後に、接合したウエーハを１００〜３００℃の低温で熱処理して結合力を高める工程を行なってもよい。 
　例えば透明絶縁性基板が石英の場合、熱膨張係数はシリコンに比べて小さく（Ｓｉ：２．３３×１０−６、石英：０．６×１０−６）、同程度の厚さのシリコンウエーハと貼り合わせて加熱すると、３００℃を超えるとシリコンウエーハが割れてしまう。しかし、１００〜３００℃のような比較的低温の熱処理であれば、熱膨張係数の差異による熱歪、ひび割れ、剥離等が発生するおそれがなく好ましい。なお、この熱処理工程において、バッチ処理方式の熱処理炉を用いる場合、熱処理時間は０．５〜２４時間程度であれば十分な効果が得られる。 
【００３７】 
　
次に、イオン注入層３に衝撃を与えて単結晶シリコンウエーハ１を機械的に剥離し
　
水素イオン注入剥離法においては、従来は
熱剥離を行なうという方法であるが、本発明においてはイオン注入層に衝撃を与えて機械的剥離を行なうので、加熱に伴う熱歪、ひび割れ、剥離等が発生するおそれがない
　
イオン注入層に衝撃をあたえるためには、例えばガスや液体等の流体のジェットを接合したウエーハの側面から
吹き付ければよい
　 
（４）同じく、特開昭６３−２８７０７７号公報（以下「刊行物４」という。）には、以下の記載がある。 
　 
　ア　「〔産業上の利用分野〕
　本発明は、光電変換デバイスに係わり、特に高効率
太陽電池
〔従来の技術〕
　光電変換デバイスの光電変換効率を向上させるため、光が入射しない表面に正負の電極を設け、電極による入射光の吸収による損失を除去した、いわゆる裏面接合型光電変換デバイスがあり、さらに、入射光により生成した少数キャリアが再結合しやすい電極と半導体との界面（コンタクト）の接触面積を小さくした、いわゆる点状コンタクト型に関する研究がある（アイ・イー・イー・イー，エレクトロン　デバイス　レター，第ＥＤ−６，第４０５頁，１９８５年（Ｒ．Ａ．Ｓｉｎｔｏｎｅｔ　ａｌ，ＩＥＥＥ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．ＥＤ−６，Ｎｏ．８，（１９８５）ｐ．４０５）および米国特許第４，２３４，３５２号（ＵＳＰ４，２３４，３５２）参照）。
　この太陽電池では、光入射側に、光を遮切る電極や、高濃度の不純物を含む半導体領域がなく、これらはすべて光入射側とは反対の裏面側に形成されているので変換効率が高い。その裏面の平面構造図を第３図に示す。
フィンガー状電極３および４の下に
それぞれ点状Ｎ
＋
もしくはＰ
十
形半導体層が形成され
該電極と該半導体とは点状でコンタクトしている
〔発明が解決しようとする問題点〕
　上記従来技術は、少数キャリア（ｐ型半導体の場合は電子、ｎ型半導体の場合は正孔）を収集する電極コンタクトが点状で、面積が小さいため、電子の収集能力が小さく、充分な効率向上が図れない可能性がある。
　本発明の目的は、上記問題点を解決して、より高効率の太陽電池の構造を提案することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
　上記目的は、半導体を電極とのコンタクト領域の一方をフィンガー状にすることにより、達成される。特に正極側電極コンタクトを点状にして電子の再結合を少なくし、負極側電極コンタクトをフィンガー状にして面積を大きくして電子の収集をよくすることによる。
〔作用〕
　少数キャリアを収集する電極と半導体とのコンタクト領域を、フィンガー状にしてこれと電極との接触面積を増加したことにより、この領域を経由して電極に達した電子は、多量に電極に流入することができる。したがって、光電変換効率は増加する。
〔実施例〕
　以下、本発明の一実施例を第１図と第２図により説明する。第１図は裏面構造、第２図は第１図のＡ−Ａ’部の断面図である。
　比抵抗５Ω・ｃｍの
ｐ形半導体層１１の面
レジストマスクをマスクとして、各々の半導体領域形成穴にＰ及びＢＦ
２
イオンを打込んで、Ｎ
＋
とＰ
＋
領域を形成する
続いて
熱処理を行って打込み層の活性化処理を行い、Ｎ
十
形半導体領域５及びＰ
十
形半導体領域６が完成する
次に
、各半導体領域５と６上にＴｉ／Ａｇの複合フィンガー状電極を形成する
〔発明の効果〕
　本発明によれば、バルク半導体層からＰＮ接合領域への少数キャリアの収集、取込みが有効に行われ、かつ直列抵抗の小さい構造を提供できる。従って、変換効率の大きい光電変換デバイスを提供できるのみならず高性能化と小型化に寄与できる効果がある。」（１頁左下欄〜２頁左下欄）
　 
　イ　第１図ないし第３図の各図から、Ｎ＋形の領域とＰ＋形の領域が、各々複数形成されていることが見て取れる。
　また、第１図又は第３図の各々から、Ｎ十形半導体領域とＰ十形半導体領域に、各々フィンガー状電極が形成されていることが見て取れる。
　
４　引用発明 
（１）上記３（１）ウ（［００３９］）によれば、刊行物１には、次の発明が記載されているものと認められる。 
　 
「１．第１のたわみ特性、裏面、及び正面を有する、透明ハンドル基板を用意し； 
　２．ハンドル基板の正面に転写される、シリコンを含んだ材料の層に適した、多層構造の有効たわみ特性を提供するのに十分な、裏板基板を用意し；
　３．ハンドル基板及び裏板基板の表面に、洗浄及び／又は活性化処理を行い； 
　４．透明ハンドル基板の裏面に、裏板基板をかみ合わせることに着手し；
　５．多層構造を形成するべく、裏板基板を透明ハンドル基板にしっかりとかみ合わせるために、裏板基板を透明ハンドル基板の裏面にはり付け； 
　６．劈開領域、材料の層、表面領域を備えるドナー基板を用意し； 
　７．ハンドル基板及びドナー基板の表面に洗浄及び／又は活性化処理を行い； 
　８．ドナー基板の表面領域を透明ハンドル基板の正面に接着し、裏板基板は、少なくとも有効たわみ特性を実質的に保つように、ハンドル基板にはり付けられたままで； 
　９．シリコンを含んだ材料の層をドナー基板から劈開領域の部分で取り去ることに取りかかるために、ドナー基板の劈開領域の部分で、制御された劈開処理に着手し； 
　１０．材料の層をドナー基板から取り去り； 
　１１．任意に、裏板基板をハンドル基板から取り去り； 
　１２．材料の層に１以上のデバイスを形成し；そして 
　１３．所望に応じて、他の処置を行う、 
透明材料を備える多層基板上のデバイスを製造する方法。」 
　 
（２）上記３（１）ウ（［００４５］）によれば、上記（１）の発明の「透明ハンドル基板」は、例えば、「ガラス」であると認められる。 
　 
（３）上記３（１）ウ（［００３４］、［００５１］）によれば、上記（１）の発明の「ドナー基板」は、例えば、Ｐ型の単結晶シリコンウェハであると認められる。 
　 
（４）上記３（１）ウ（［００５２］、［００５３］）によれば、上記（１）の発明の「ドナー基板」の「劈開領域」は、ドナー基板の最表面から、水素イオン、希ガスイオンといったエネルギー粒子をイオン注入して形成されるものと認められる。 
　 
（５）上記３（１）ウ（［００６３］）によれば、上記（１）の発明の「制御された劈開処理」は、ドナー基板の劈開領域の部分に、選択されたエネルギーを与えて行うことと認められる。 
　 
（６）上記３（１）ア、イ（［００１０］）、ウ（［００６５］）によれば、上記（１）の発明の「デバイス」は、例えば、太陽電池であると認められる。 
　 
（７）上記（１）ないし（６）によれば、刊行物１には、次の発明が記載されているものと認められる。  
　  
「１．第１のたわみ特性、裏面、及び正面を有する、透明ハンドル基板を用意し； 
　２．ハンドル基板の正面に転写される、シリコンを含んだ材料の層に適した、多層構造の有効たわみ特性を提供するのに十分な、裏板基板を用意し；
　３．ハンドル基板及び裏板基板の表面に、洗浄及び／又は活性化処理を行い； 
　４．透明ハンドル基板の裏面に、裏板基板をかみ合わせることに着手し；
　５．多層構造を形成するべく、裏板基板を透明ハンドル基板にしっかりとかみ合わせるために、裏板基板を透明ハンドル基板の裏面にはり付け； 
　６．劈開領域、材料の層、表面領域を備えるドナー基板を用意し； 
　７．ハンドル基板及びドナー基板の表面に洗浄及び／又は活性化処理を行い； 
　８．ドナー基板の表面領域を透明ハンドル基板の正面に接着し、裏板基板は、少なくとも有効たわみ特性を実質的に保つように、ハンドル基板にはり付けられたままで； 
　９．シリコンを含んだ材料の層をドナー基板から劈開領域の部分で取り去ることに取りかかるために、ドナー基板の劈開領域の部分で、制御された劈開処理に着手し； 
　１０．材料の層をドナー基板から取り去り； 
　１１．任意に、裏板基板をハンドル基板から取り去り； 
　１２．材料の層に１以上のデバイスを形成し；そして 
　１３．所望に応じて、他の処置を行う、 
透明材料を備える多層基板上のデバイスを製造する方法であって、 
　前記透明ハンドル基板はガラスであり、 
　前記ドナー基板はＰ型の単結晶シリコンウェハであり、 
　前記ドナー基板の前記劈開領域は、該ドナー基板の最表面から、水素イオン、希ガスイオンといったエネルギー粒子をイオン注入して形成され、 
　前記制御された劈開処理は、前記ドナー基板の劈開領域の部分に選択されたエネルギーを与えて行い、 
　前記デバイスは太陽電池である、 
透明材料を備える多層基板上のデバイスを製造する方法。」 
（以下「引用発明」という。） 
　 
５　対比 
（１）本願発明と引用発明とを対比する。 
　 
　ア　引用発明における、「ガラス」の「透明ハンドル基板」は、ガラスの「透明絶縁性基板」である点において、本願発明の「結晶化ガラス、硼珪酸ガラス、ソーダライムガラスのいずれかである透明絶縁性基板」と一致する。 
　また、引用発明における、「Ｐ型の単結晶シリコンウェハ」の「ドナー基板」は、本願発明の「第一導電型の単結晶シリコン基板」との事項を備えているといえる。 
　したがって、引用発明の、「ガラス」の「透明ハンドル基板を用意し」、「Ｐ型の単結晶シリコンウェハ」の「ドナー基板を用意し」との事項は、「ガラスの透明絶縁性基板と第一導電型の単結晶シリコン基板とを用意する」点で、本願発明の「結晶化ガラス、硼珪酸ガラス、ソーダライムガラスのいずれかである透明絶縁性基板と第一導電型の単結晶シリコン基板とを用意する」との事項と一致する。 
　 
　イ　引用発明における、「ドナー基板」の「劈開領域」は、「該ドナー基板の最表面から、水素イオン、希ガスイオンといったエネルギー粒子をイオン注入して形成される」ものであるから、本願発明の「前記単結晶シリコン基板に水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入して」「形成する」「イオン注入層」に相当する。そして、引用発明の「前記ドナー基板の前記劈開領域は、該ドナー基板の最表面から、水素イオン、希ガスイオンといったエネルギー粒子をイオン注入して形成され」との事項は、本願発明の「前記単結晶シリコン基板に水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入してイオン注入層を形成する」との事項を備えているといえる。
　 
　ウ　引用発明は、「劈開領域、材料の層、表面領域を備えるドナー基板を用意し」、「ドナー基板の表面に洗浄及び／又は活性化処理を行い」、「ドナー基板の表面領域を透明ハンドル基板の正面に接着し」、また、「前記ドナー基板の前記劈開領域は、該ドナー基板の最表面から、水素イオン、希ガスイオンといったエネルギー粒子をイオン注入して形成され」るものであるから、引用発明の、「洗浄及び／又は活性化処理を行」う「ドナー基板の表面」は、イオン注入された面であると認められる。
　したがって、引用発明の「ハンドル基板及びドナー基板の表面に洗浄及び／又は活性化処理を行い」との事項は、本願発明の「前記単結晶シリコン基板のイオン注入面と前記透明絶縁性基板の少なくとも一方の表面とのうち少なくとも一方に表面活性化処理を行う」との事項を備えているといえる。
　 
　エ　引用発明は、「裏面、及び正面を有する、透明ハンドル基板」「の裏面に」「裏板基板を」「はり付け」、また、「ドナー基板」は「劈開領域、材料の層、表面領域を備え」ており、当該透明「ハンドル基板及びドナー基板の表面に洗浄及び／又は活性化処理を行い」、「ドナー基板の表面領域を透明ハンドル基板の正面に接着」するものであるから、透明ハンドル基板とドナー基板は、洗浄及び／又は活性化処理を行った面を合わせて接着されるものと認められる。
　そして、上記ウのとおり、引用発明の、「洗浄及び／又は活性化処理を行」う「ドナー基板の表面」は、イオン注入された面であるから、引用発明の「ドナー基板の表面領域を透明ハンドル基板の正面に接着し」との事項は、本願発明の「前記単結晶シリコン基板のイオン注入面と、前記透明絶縁性基板とを、前記表面活性化処理を行った面が貼り合わせ面になるように貼り合わせる」との事項を備えているといえる。 
　 
　オ　引用発明の「制御された劈開処理」は、「前記ドナー基板の劈開領域の部分に選択されたエネルギーを与えて行」うところ、当該エネルギーを与えることは、衝撃を与えることであると理解される。
　したがって、引用発明の「シリコンを含んだ材料の層をドナー基板から劈開領域の部分で取り去ることに取りかかるために、ドナー基板の劈開領域の部分で、制御された劈開処理に着手し」、「前記制御された劈開処理は、前記ドナー基板の劈開領域の部分に選択されたエネルギーを与えて行い」、「材料の層をドナー基板から取り去り」との事項は、本願発明の「前記イオン注入層に衝撃を与えて前記単結晶シリコン基板を」「剥離して、単結晶シリコン層とする」との事項を備えているといえる。 
　 
　カ　引用発明の、「デバイスは太陽電池である」、「透明材料を備える多層基板上のデバイスを製造する方法」は、「透明絶縁性基板上に太陽電池を製造する方法」又は「太陽電池の製造方法」である点において、本願発明の「透明絶縁性基板上に、光変換層として単結晶シリコン層が配置されている単結晶シリコン太陽電池を製造する方法」又は「単結晶シリコン太陽電池の製造方法」と一致する。 
　 
（２）以上によれば、両者は、
「透明絶縁性基板上に、太陽電池を製造する方法であって、少なくとも、
　ガラスの透明絶縁性基板と第一導電型の単結晶シリコン基板とを用意する工程と、
　前記単結晶シリコン基板に水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入して、イオン注入層を形成する工程と、
　前記単結晶シリコン基板のイオン注入面と前記透明絶縁性基板の少なくとも一方の表面とのうち少なくとも一方に表面活性化処理を行う工程と、
　前記単結晶シリコン基板のイオン注入面と、前記透明絶縁性基板とを、前記表面活性化処理を行った面が貼り合わせ面になるように貼り合わせる工程と、
　前記イオン注入層に衝撃を与えて前記単結晶シリコン基板を剥離して、単結晶シリコン層とする工程と、
　を含む、太陽電池の製造方法。」 
である点で一致し、以下のアないしウの点で相違するものと認められる。 
　 
　ア　透明絶縁性基板が、本願発明では、「結晶化ガラス、硼珪酸ガラス、ソーダライムガラスのいずれかである」のに対して、引用発明では、そのようなものであるのか不明である点（以下「相違点１」という。）。 
　 
　イ　本願発明では、「室温において機械的に」剥離するのに対して、引用発明では、そのような構成を有しているのか不明である点（以下「相違点２」という。）。 
　 
　ウ　本願発明では、「光変換層として単結晶シリコン層が配置され」、「前記単結晶シリコン層の前記剥離面側に、前記第一導電型とは異なる導電型である第二導電型の拡散領域を複数形成し、少なくとも面方向にｐｎ接合を複数形成するとともに前記単結晶シリコン層の前記剥離面に複数の第一導電型領域と複数の第二導電型領域とが存在するようにする工程と、前記単結晶シリコン層の前記複数の第一導電型領域上にそれぞれ複数の第一の個別電極を形成し、前記複数の第二導電型領域上にそれぞれ複数の第二の個別電極を形成する工程と、前記複数の第一の個別電極をつなぐ第一の集電電極及び前記複数の第二の個別電極をつなぐ第二の集電電極を形成する工程」を有し、「単結晶シリコン」太陽電池を製造するのに対して、引用発明では、材料の層に太陽電池のデバイスをどのように形成するのか不明である点（以下「相違点３」という。）。 
　 
６　判断 
（１）相違点１について 
　引用発明の透明ハンドル基板に用いられるガラスとして、具体的にどのような種類のガラスを用いるかは、当業者が設計上適宜定め得る事項というべきところ、単にガラスとしてのみならず、太陽電池の基板に用いるガラスとしても、結晶化ガラス、硼珪酸ガラス、ソーダライムガラスは、本願の出願時点で周知であるから、引用発明において、「透明ハンドル基板」としてこれらのガラスを用いて、相違点１に係る本願発明の構成とすることは、当業者が設計上適宜なし得ることである。
　 
（２）相違点２について 
　前記３（１）ウ（［００６３］）によれば、刊行物１には、制御された劈開処理について、米国特許６０１３５６３号明細書（刊行物２）が参照されることが記載されているところ、前記３（２）によれば、刊行物２には、制御された劈開処理は、例えば機械的な力を用いて、流体ジェットにより、室温で分離するというものであることが記載されている。
　してみれば、引用発明において、制御された劈開処理を、室温で機械的に行って、相違点２に係る本願発明の構成とすることは、当業者が設計上適宜なし得ることである。
　なお、前記３（３）によれば、刊行物３（【００３５】、【００３７】）には、イオン注入層に衝撃を与えて単結晶シリコンウエーハを室温で機械的に剥離することが記載されているところ、当該記載からみても、引用発明において、イオン注入して形成された劈開領域になされる、制御された劈開処理を、室温で機械的に行うことに、格別の困難があるものとは認められない。
　 
（３）相違点３について 
　引用発明において、「Ｐ型の単結晶シリコンウェハ」である「ドナー基板」から、制御された劈開処理により取り去られた「材料の層」が、Ｐ型の単結晶シリコンの層であることは明らかである。
　また、上記「材料の層」の、「ドナー基板から取り去」られた面側に太陽電池のデバイスが形成されることも明らかである。
　しかるところ、上記「材料の層」に形成される太陽電池のデバイスとしての構成をどのように形成するかは、当業者が適宜設定し得ることである。 
　そして、前記３（４）ア及びイによれば、刊行物４には、ｐ形半導体層の面に、イオンを打込み活性化処理を行って、Ｎ＋領域とＰ＋領域を各々複数形成し、当該Ｎ＋領域とＰ＋領域の各々にフィンガー状電極を形成して、太陽電池とすることが記載されており、また、当該記載の事項は、本願出願当時において、当業者に周知の技術である。
　イオンを打込み活性化処理を行って形成された上記Ｎ＋領域とＰ＋領域が拡散領域であること、また、ｐ形半導体層に各々複数形成されたＮ＋領域とＰ＋領域により、面方向にｐｎ接合が複数形成されていることは、明らかであり、さらに、上記フィンガー状電極は、複数の個別電極をつないだ集電電極であると認められるところ、引用発明において、太陽電池のデバイスを形成するべく、Ｐ型の単結晶シリコンの層である上記「材料の層」の、ドナー基板が取り去られた面側に、イオンを打込み活性化処理を行って、Ｎ＋領域とＰ＋領域を各々複数形成し、当該Ｎ＋領域とＰ＋領域の各々にフィンガー状電極を形成し、単結晶シリコンの層である当該「材料の層」を光変換層とすることに、格別の困難があるものとは認められない。 
　よって、相違点３に係る本願発明の構成とすることは、当業者が設計上適宜なし得ることである。 
　 
（４）請求人は、平成２３年７月２２日付け意見書において、本願発明の効果について、 
「本願発明が解決しようとする課題である、「家屋等の採光用窓材料としても使用可能」（本願明細書［０００８］段落参照）とする単結晶シリコン太陽電池を得るため、安価なガラス類を使用することで低コスト化を目的としているため、透明絶縁性基板も上記３種類に限定されております。さらに、取り扱い易い上記３種類のガラスであるために、シースルー型太陽電池を容易に製造でき、さらには、既存の窓ガラス等と置換することも容易である（本願明細書［００１３］段落）との効果があります。さらに、そのガラスを採用した場合の単結晶シリコン基板との貼り合わせ、剥離により、光変換層である単結晶シリコン層を形成することだけでなく、その後のプロセスであるｐｎ接合、電極形成プロセスまでも、最適化された工程となっております。」、
「（２）・・・本願発明は、このような一連の工程を規定したことにより、引用発明と比較した有利な効果を、上記のように、顕著なものとすることができます。」、
「（７）・・・本願発明のように、シースルータイプの太陽電池製造上の透明絶縁性基板に、補正後の請求項１中のガラスが最適であって、その際に熱膨張差を考慮して、室温での剥離プロセスを行い、ｐｎ接合形成・電極形成との工程までを一連の製法として、太陽電池を製造する方法を開示している引用文献はありません。」、
「（８）・・・太陽電池において、単結晶薄膜の転写以降電極形成までの一連の工程を低温で成し遂げることを目的とし、それらが可能である、材料と工程に着目して本願発明が為されたものです。
　太陽電池製造における、光変換層である単結晶シリコン層の形成において、従来は同一基板でない場合に、そもそも転写不可であるとの阻害要因があり、たとえ転写できたとしても、変換効率及びコストにおいて問題があったのですが、本願発明はその点について、補正後の請求項１に記載の安価なガラスと、単結晶シリコン基板の組み合わせで、かつ光変換層の一方のみに電極を形成することで、電力の取り出しが容易な上に、膜厚に比して変換効率が高い太陽電池が製造できるとの効果があります。」
と主張するが、上記のような、本願発明において奏される効果が、引用発明、刊行物２ないし４に記載された事項、及び周知技術から予測し得る以上の格別顕著なものとも認められない。 
　 
（５）小括 
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明、刊行物２ないし４に記載された事項、及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものというべきである。 
　 
７　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明、刊行物２ないし４に記載された事項、及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。