【事件の表示】
　特願２００３−２９０７５８「シリコン酸化膜を利用した微細パターン形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　３月１１日出願公開、特開２００４−　８００３３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、平成１５年８月８日（パリ条約による優先権主張　平成１４年８月９日、韓国）の出願であって、平成２１年１月２９日付けで拒絶理由通知がなされ、同年４月３０日付けで意見書および手続補正書が提出され、平成２２年２月１７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月４日に拒絶査定を不服とする審判請求がなされたものである。
　
［２］本願発明
　本願の請求項１−１６に係る発明は、平成２１年４月３０日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１−１６に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明は以下のとおりである。
　
「半導体基板上に形成された物質膜をエッチングして微細パターンを形成する方法において、
　前記物質膜上にフォトレジスト膜を形成する段階と、
　前記フォトレジスト膜を露光及び現像してフォトレジストパターンを形成する段階と、
　前記物質膜及びフォトレジストパターン上に前記フォトレジストパターンに損傷が生じないようにコンフォーマルに第１シリコン酸化膜を形成する段階と、
　前記物質膜をドライエッチングして物質膜パターンを形成する段階と、を含み
　前記物質膜をドライエッチングして物質膜パターンを形成する段階は第１ドライエッチング段階と、第２ドライエッチング段階と、をこの順で含み、
　前記第１ドライエッチング段階では、前記フォトレジストパターンの側壁に前記第１シリコン酸化膜でスペーサを形成し、
　前記第２ドライエッチング段階では、ポリマー膜が前記フォトレジストパターンの上部に形成されることを特徴とする微細パターン形成方法。」（以下、「本願発明１」という。）
　
［３］引用刊行物の記載事項
（１）原査定の拒絶の理由に引用した、本出願前に頒布された特開昭６２−２５９４４５号公報（以下、「引用刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている。
（１ａ）「〔従来の技術〕
　半導体素子の高集積化に伴い、素子パターンの微細化が要求されている。しかしこの要求に対し、各種リソグラフイ法における実用的解像限界は、微細化の要求に十分対応できるレンベル（「レベル」：審決註）には達していないのが現状である。」（第１頁右欄第１５−２０行）
　
（１ｂ）〔発明が解決しようとする問題点〕
　上記従来技術によれば、リソグラフイにより形成するレジストパターン寸法は被加工基板エツチングでの寸法変化を考慮し決定する必要があった。別の見方をすれば、解像限界のレジストパターンを形成しても、被加工膜の加工により寸法が大きくなり解像限界の寸法を実用することが困難であつた。……
〔問題点を解決するための手段〕
　上記問題点を解決するために、本発明においては通常方法により被加工基板上にレジストパターンを形成した後、上記レジストパターン側壁部に選択的に寸法補正用の寸法シフタを形成し、被加工基板の加工のマスクとなるレジスト寸法を実効的に太らせ、基板の加工による寸法細りを前もつて補正する。これにより、レジスト寸法と同じ寸法で基板を加工することができる。」（第２頁左上欄第１０行−右上欄第９行）
　
（１ｃ）「実施例１
　第１図（ａ）に示すようにシリコン基板１上にＳｉＯ２膜２を被着した。しかる後ホトレジストを全面に被着し通常の方法で露光・現像を行いレジストパターン３を形成した。これにより溝幅ａのレジストパターンが形成できた。しかる後、第１図（ｂ）に示すように、全面にＳｉ被膜４をスパツタ蒸着法により形成した。しかる後、第１図（ｃ）に示すように、反応性スパッタエッチングにより、平面部のＳｉ被膜４を除去し、自己整合的にシフタ４´をレジスト側面部に残存せしめる。
……
…この工程により、リソグラフィで形成したレジスト溝ａより微細な溝ｂを形成することができた。しかる後、第１図（ｄ）に示すように、通常の方法でＳｉＯ２膜２をエッチングする。
……
…以上述べたように、本実施例によれば、リソグラフイにより得られたレジストパターン溝より微細なパターンの加工が可能であり、実質的な微細化が達成できる。なお本実施例ではシフタにＳｉ、被加工膜にＳｉＯ２膜を用いたがこれに限らず、シフタの材料は被加工膜の加工に対し十分な耐性を有する材料であれば、いかなる材料を用いてもよい。たとえば、被加工膜がＳｉの場合、シフタはＳｉＯ２…等を用いることができる。」（第２頁右上欄第１９行−同頁右下欄第１４行）
　
（１ｄ）「［本発明の効果］
　本発明によれば、リソグラフイで形成したパターンの寸法補正が可能であり、特に、溝パターン，穴パターンではリソグラフイの解像限界を越えた微細なパターンを実現することができ、半導体素子の高集積化，微細化に有効である。」（第３頁左下欄第１−６頁）
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用された、本出願前に頒布された特開２００１−６８４６２号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている。
（２ａ）「【発明の実施形態】本発明に係るプラズマエッチング方法は、エッチングマスクであるフォトレジストパターン上にのみ選択的にポリマーを蒸着することによってエッチングマスクを補強することを特徴とする。すなわち、フォトレジストパターンをマスクとして絶縁膜を所定時間プラズマエッチングした後に、プラズマエッチングによって薄くなったフォトレジストパターンの上部にのみ選択的にポリマーを蒸着してポリマー層を形成する。次に、前記フォトレジストパターン及びその上に選択的に形成されたポリマー層をマスクとして絶縁膜をプラズマエッチングすることによって、薄いフォトレジストパターンをマスクとして高い解像度の絶縁膜エッチングが可能である。」（第７頁第１２欄第４８行−第１３欄第１０行）
　
（２ｂ）「前記ポリマーの蒸着は、具体的に、ソース電源によって発生されたプラズマを加速させるためのバイアス電源を印加しないか、印加してもプラズマエッチングよりはポリマーの蒸着が優勢な範囲の電力を印加することによってなされる。」（第８頁第１３欄第１４−１８行）
　
（２ｃ）「前記ポリマーの蒸着及びプラズマエッチングのためのエッチングガスとしては、ＣｘＦｙ 系またはＣａＨｂＦｃ系のガスを用いる。」（第８頁第１３欄第２４−２６行）
　
［４］引用発明
　上記記載事項（１ｃ）、（１ｄ）によれば、引用刊行物１には、　
「半導体素子用のシリコン基板上に形成されたシリコン膜をエッチングして微細パターンを形成する方法において、
　前記シリコン膜上にホトレジスト膜を形成する段階と、
　前記ホトレジスト膜を露光及び現像してホトレジストパターンを形成する段階と、
　前記シリコン膜およびホトレジストパターン上に、スパッタ蒸着法によりコンフォーマルにＳｉＯ２膜を形成する段階と、
　前記ホトレジストパターンの側壁部に反応性スパッタエッチングによりＳｉＯ２膜でシフタを形成する段階と、
　前記シリコン膜を通常の方法によりエッチングし、シリコン膜パターンを形成する段階と、を含む微細パターンの形成方法。」が記載されている。
　
　ここで、上記の「前記シリコン膜を通常の方法によりエッチングし、シリコン膜パターンを形成する段階」について検討すると、半導体素子の製造において、シリコン基板上に形成されたシリコン膜をフォトレジストパターンを形成後、エッチングしてパターン化する際、異方性エッチングであるドライエッチングで行うのが通常の方法である。
　例えば、特開昭５６−５５０５１号公報には、「ＭＯＳ構造の半導体装置の製造に於いて、ポリシリコン（Ｓｉ）からなるゲート電極パターンを形成せしめる際に、上記プラズマエッチング装置を用いて行う本発明のプラズマエッチング方法の一実施例について説明する。先づ、…シリコン（Ｓｉ）基板…上面の二酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜…上に…ポリＳｉ層…が堆積されており、該ポリＳｉ層…上に…フォトレジストによるマスクパターン…が形成せしめられた被処理基板…を、プラズマエッチング装置のエッチング室…内に配設されている下部電極上に載置する。……上記ＣＦ４＋Ｏ２ からなるエッチングガスに高周波放電プラズマを発生せしめ、…マスクパターン…に覆われていないポリＳｉ層…のエッチングを行う。」（第２頁左下欄第９行−第３頁右上欄第１４行）と記載されている。
　
　したがって、引用刊行物１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認める。　
「半導体素子用のシリコン基板上に形成されたシリコン膜をエッチングして微細パターンを形成する方法において、
　前記シリコン膜上にホトレジスト膜を形成する段階と、
　前記ホトレジスト膜を露光及び現像してホトレジストパターンを形成する段階と、
　前記シリコン膜およびホトレジストパターン上に、スパッタ蒸着法によりコンフォーマルにＳｉＯ２膜を形成する段階と、
　前記ホトレジストパターンの側面部に、反応性スパッタエッチングにより前記ＳｉＯ２膜でシフタを形成する段階と、
　前記シリコン膜をドライエッチングして、シリコン膜パターンを形成する段階と、を含む微細パターンの形成方法。」
　
［５］対比・判断
　本願発明１と引用発明とを対比すると、引用発明における「半導体素子用シリコン基板」、「シリコン膜」、「ホトレジスト」、「ＳｉＯ２膜」、「側面部」、「反応性スパッタエッチング」は、それぞれ、本願発明１の「半導体基板」、「物質膜」、「フォトレジスト」、「第１シリコン酸化膜」、「側壁」、「ドライエッチング」に相当する。
　また、本願発明１における「スペーサ」とは、エッチングが進行する間に、フォトレジストパターンの側壁に原子やプラズマイオンが衝突するのを防止することにより、フォトレジストパターンの幅が薄くなることを防止する役割を果たすものである（本願明細書【００３１】）ところ、引用発明における「シフタ」は、基板加工（エッチング）に対して耐性を有する材料でフォトレジストパターンの側面部に形成されるものであり（上記記載事項（１ｃ））、本願発明１と同様の機能を有していることは明らかであるから、引用発明における「シフタ」は、本願発明１の「スペーサ」に相当する。
　
　よって、両者は、
「半導体基板上に形成された物質膜をエッチングして微細パターンを形成する方法において、
　前記物質膜上にフォトレジスト膜を形成する段階と、
　前記フォトレジスト膜を露光及び現像してフォトレジストパターンを形成する段階と、
　前記物質膜及びフォトレジストパターン上に前記フォトレジストパターンにコンフォーマルに第１シリコン酸化膜を形成する段階と、
　前記物質膜をドライエッチングして物質膜パターンを形成する段階と、を含み
　前記物質膜をドライエッチングして物質膜パターンを形成する段階は、
　前記フォトレジストパターンの側壁に前記第１シリコン酸化膜でスペーサを形成する段階を含むことを特徴とする微細パターン形成方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　本願発明１では、第１シリコン酸化膜を形成する段階において、「フォトレジストパターンに損傷が生じないように…形成する」のに対し、引用発明では、その明示がない点。
　
（相違点２）
　本願発明１では、「前記フォトレジストパターンの側壁に前記第１シリコン酸化膜でスペーサを形成する段階」、すなわち、第１ドライエッチング段階の後に第２ドライエッチング段階を含み、該第２ドライエッチング段階では、ポリマー膜が前記フォトレジストパターンの上部に形成されるのに対し、引用発明では、第２ドライエッチング段階を含んでいない点。
　
　そこで、上記各相違点について検討する。
・（相違点１）について
　引用刊行物１の上記記載事項（１ａ），（１ｂ）には、半導体素子の高集積化、微細化に応じたリソグラフイの解像度が求められ、また、解像限界のレジストパターンを形成しても、その寸法に変化が生じれば、所望の加工ができない旨記載されているように、半導体素子の形成においては、レジストパターンを用いて膜パターン形成を行う際、素子の高集積化、微細化に応じたレジストパターンの寸法精度が求められることは明らかである。
　よって、フォトレジスト側面部にドライエッチングに対し耐性のあるＳｉＯ２膜でシフタを形成することにより、半導体素子としての微細な膜パターンを形成可能としている引用発明において、ＳｉＯ２膜を形成する際に、フォトレジスト自体に損傷が生じないようにしてレジスト全体としての精度が保たれるようにすることは、当業者が適宜なしえたことにすぎない。
　
・（相違点２）について
　本願発明１における、第２エッチング段階の技術的意味を検討すると、本願明細書における「フォトレジトパターンに生じる損傷には、パターンがの（「パターンの」：審決註）薄型化…が含まれる。パターンが薄くなればエッチングされる膜のパターンプロファイルが劣化され、」（【０００５】）、「
エッチング工程を進行し続けて物質膜パターン１１０ａを形成する。
…フォトレジストパターンに損傷が生じれば、フォトレジスト物質とエッチングガスとが反応して有機物質のポリマーを生成する。…
ポリマーが生成されれば前述したようにフォトレジストパターン１２０の側壁にはスペーサ１３０ａがあるので、フォトレジストパターン１２０の上部に積み上げられてポリマー膜１２１が形成される、
ポリマー膜１２１はその下部に残っているフォトレジストパターン１２０ａにこれ以上損傷が生じることを防止する役割を果たす。
　引用発明は、この第２エッチング段階を有さないが、引用刊行物２には、その記載事項（２ａ）−（２ｃ)によれば、物質膜のプラズマエッチング中に、エッチングの進行により薄くなったレジストパターン上部に、選択的にポリマー層を形成し、該ポリマー層をマスクとしてエッチングを継続することにより、解像度の高いエッチングを行うことが記載されている。
　そして、引用発明では、上記相違点１で述べたように、レジストパターンの寸法精度が要求されるところ、フォトレジストパターンの側面部には、エッチングに対し耐性のあるシフタが形成されているものの、上部は露出しているのであるから、フォトレジストパターンの薄型化を防止し、解像度の高いエッチング膜を形成すべく、引用発明のドライエッチングにおいて、さらに、ポリマー膜をフォトレジストパターンの上部に設ける段階を設けることは当業者が容易になしえたことである。
　また、本願発明１が引用刊行物１、２の記載及び周知技術からは予想しえない相乗的な効果を奏するものとも認められない。
　よって、本願発明１は、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
［６］むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
  したがって、その他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、上記のとおり審決する。