【手続補正書】
【提出日】平成23年8月18日(2011.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスのアルカリ金属イオンを外部源由来の銀イオンで交換する処理により得られた少なくとも１つのイオンパターンを含むガラス基板であって、
前記基板は、重量％で表して、下記の組成：
ＳｉＯ２    ６７．０〜７３．０％；
Ａｌ２Ｏ３    ０〜３．０％；
ＣａＯ    ７．０〜１３．０％；
ＭｇＯ    ０〜６．０％；
Ｎａ２Ｏ    １２．０〜１６．０％；
Ｋ２Ｏ    ０〜４．０％；
ＴｉＯ２    ０〜０．１％；
全鉄（Ｆｅ２Ｏ３として表される）    ０〜０．０３％；
レドックス（ＦｅＯ／全鉄）    ０．０２〜０．４％；
Ｓｂ２Ｏ３    ０〜０．３％；
ＣｅＯ２    ０〜１．５％；及び
ＳＯ３      ０〜０．８％
を有するガラスから形成され、
そして前記イオンパターンは、０．０３以上の屈折率変化、１００μｍ以上の深さ、及び６０％以上の４１０ｎｍでの光透過率（ＴＬ４１０）を有する、ガラス基板。
【請求項２】
ガラスの組成は、重量％で表して：
ＳｉＯ２    ７０．０〜７２．０％；
Ａｌ２Ｏ３    ０．４〜２．０％；
ＣａＯ    ８．０〜１１．０％；
ＭｇＯ    ３．０〜５．０％；
Ｎａ２Ｏ    １３．０〜１５．０％；
Ｋ２Ｏ    ０〜４．０％；
ＴｉＯ２    ０〜０．１％；
全鉄（Ｆｅ２Ｏ３として表される）    ０．００５〜０．０１％；
レドックス（ＦｅＯ／全鉄）    ０．０２〜０．２％；
Ｓｂ２Ｏ３    ０〜０．３％；
ＣｅＯ２    ０〜１．５％；及び
ＳＯ３      ０．２〜０．６％
である、請求項１に記載の基板。
【請求項３】
屈折率変化は０．０５以上である、請求項１又は２に記載の基板。
【請求項４】
屈折率変化は０．０８以上である、請求項３に記載の基板。
【請求項５】
光透過率ＴＬ４１０は８０％以上である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の基板。
【請求項６】
深さは２００μｍ以上である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の基板。
【請求項７】
ガラスのアルカリ金属イオンを外部源由来の銀イオンで交換する処理により得られた少なくとも１つのイオンパターンを含むガラス基板であって、
前記基板は、重量％で表して、下記の組成：
ＳｉＯ２    ６０．０〜７２．０％；
Ａｌ２Ｏ３    １５．０〜２５．０％；
ＣａＯ    ０〜５％；
ＭｇＯ    ０〜５％；
ＺｎＯ    ０〜５％；
ＢａＯ    ０〜５％；
ＴｉＯ２    ０〜５％；
ＺｒＯ２    ０〜５％；
Ｌｉ２Ｏ    ２．０〜８．０％；
Ｎａ２Ｏ    ０〜６％；
Ｋ２Ｏ    ０〜５％；
全鉄（Ｆｅ２Ｏ３として表される）    ０〜０．１％；
レドックス    ０．０２〜０．６％；
Ａｓ２Ｏ３    ０〜１．０％；
ＺｎＳ    ０〜１．０％；
ＳｎＯ２    ０〜１．０％；及び
不純物（ＨｆＯ２、Ｃｒ２Ｏ３及び／又はＰ２Ｏ３）＜０．５％
を有するガラスから形成され、
そして前記イオンパターンは、０．０３以上の屈折率変化、１００μｍ以上の深さ、及び６０％以上の４１０ｎｍでの光透過率（ＴＬ４１０）を有する、ガラス基板。
【請求項８】
ガラスの組成は、重量％で表して：
ＳｉＯ２    ６４．０〜７０．０％；
Ａｌ２Ｏ３    １８．０〜２１．０％；
ＣａＯ    ０〜１．０％；
ＭｇＯ    １．０〜３．０％；
ＺｎＯ    １．０〜３．０％；
ＢａＯ    ０〜１．０％；
ＴｉＯ２    ０〜３．０％；
ＺｒＯ２    １．０〜４．０％；
Ｌｉ２Ｏ    ３．０〜５．０％；
Ｎａ２Ｏ    ０〜５．０％；
Ｋ２Ｏ    ０〜３．０％；
全鉄（Ｆｅ２Ｏ３として表される）    ０〜０．０８％；
レドックス    ０．０２〜０．４％；
Ａｓ２Ｏ３    ０〜１．０％；
ＺｎＳ    ０〜１．０％；
ＳｎＯ２    ０〜１．０％；及び
不純物（ＨｆＯ２、Ｃｒ２Ｏ３及び／又はＰ２Ｏ３）＜０．５％
である、請求項７に記載の基板。
【請求項９】
ガラスの組成において、Ｎａ２Ｏの含有量は０〜３．０重量％である、請求項８に記載の基板。
【請求項１０】
Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏの含有量の合計が３〜１０％変化する、請求項７〜９のいずれか１項に記載の基板。
【請求項１１】
６０×１０−７Ｋ−１以下の熱膨張率α２５−３００を有する、請求項７〜１０のいずれか１項に記載の基板。
【請求項１２】
３０〜４５×１０−７Ｋ−１の熱膨張率α２５−３００を有する、請求項１１に記載の基板。
【請求項１３】
光透過率ＴＬ４１０は８０％以上である、請求項７〜１２のいずれか１項に記載の基板。
【請求項１４】
深さは２００μｍ以上である、請求項７〜１３のいずれか１項に記載の基板。
【請求項１５】
ガラスのアルカリ金属イオンを外部源由来の銀イオンで交換する処理により得られた少なくとも１つのイオンパターンを含むガラス基板であって、
前記基板は、重量％で表して、下記の組成：
ＳｉＯ２    ６０．０〜８０．０％；
Ａｌ２Ｏ３    ０〜８％；
Ｂ２Ｏ３    ６．０〜１６．０％；
ＣａＯ    ０〜２．０％；
ＺｎＯ    ０〜１％；
ＢａＯ    ０〜４％；
ＭｇＯ    ０〜２．０％；
Ｎａ２Ｏ    ６．０〜１０．０％；
Ｋ２Ｏ    ０〜４．０％；
Ｌｉ２Ｏ    ０〜１．０％；
ＴｉＯ２    ０〜２．０％；
全鉄（Ｆｅ２Ｏ３として表される）    ０〜０．１％；
レドックス（ＦｅＯ／全鉄）    ０．０２〜０．６％；
ＭｎＯ    ０〜０．１％；及び
ＳＯ３      ０．２％未満
を有するガラスから形成され、
そして前記イオンパターンは、０．０３以上の屈折率変化、１００μｍ以上の深さ、及び６０％以上の４１０ｎｍでの光透過率（ＴＬ４１０）を有する、ガラス基板。
【請求項１６】
ガラスの組成は、重量％で表して：
ＳｉＯ２    ６６．０〜８０．０％；
Ａｌ２Ｏ３    １．５〜８％；
Ｂ２Ｏ３    １０．０〜１４．０％；
ＣａＯ    ０．５％未満；
ＺｎＯ    ０〜１％；
ＢａＯ    ０〜４％；
ＭｇＯ    ０．５％未満；
Ｎａ２Ｏ    ６．０〜８．０％；
Ｋ２Ｏ    ０〜２．０％；
Ｌｉ２Ｏ    ０％；
ＴｉＯ２    ０．５％未満；
全鉄（Ｆｅ２Ｏ３として表される）    ０〜０．０８％；
レドックス（ＦｅＯ／全鉄）    ０．０２〜０．４％；
ＭｎＯ    ０〜０．０５％；及び
ＳＯ３      ０．２％未満
である、請求項１５に記載の基板。
【請求項１７】
６０×１０−７Ｋ−１以下の熱膨張率α２５−３００を有する、請求項１５又は１６に記載の基板。
【請求項１８】
３０〜４５×１０−７Ｋ−１の熱膨張率α２５−３００を有する、請求項１７に記載の基板。
【請求項１９】
光透過率ＴＬ４１０は８０％以上である、請求項１５〜１８のいずれか１項に記載の基板。
【請求項２０】
深さは２００μｍ以上である、請求項１５〜１９のいずれか１項に記載の基板。
【請求項２１】
ａ）ガラス基板を銀イオンの外部源に接触させる工程；
ｂ）該集成体の全体を、電場の存在下、２００〜４００℃で変化する温度で、アルカリ金属イオンを銀イオンに少なくとも部分的に交換するのに十分な時間加熱する工程；及び
ｃ）所望により、銀イオンをガラス中で水平方向に拡散させるために、該基板を熱処理に供する工程
を含む、請求項１〜２０のいずれか１項に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項２２】
前記工程ｂ）の温度は２５０〜３５０℃で変化する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
電場は０．１〜１０００Ｖ／ガラス厚（ｍｍ）で変化する、請求項２１又は２２に記載の方法。
【請求項２４】
電場は１〜２００Ｖ／ｍｍで変化する、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
銀イオンの外部源は、１つ以上の溶融銀塩の浴槽である、請求項２１〜２４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２６】
銀イオンの外部源は、金属銀を主成分とする固体層である、請求項２１〜２４のいずれか１項に記載の方法。