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【手続補正書】
【提出日】平成23年2月9日(2011.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光軸を有する光学装置の光学素子を補正光により照射するための補正光装置であって、
少なくとも１つの補正光源および少なくとも１つのミラー装置を備え、該ミラー装置が、前記補正光源からの光を光路内で前記光学素子に偏向し、これにより、前記光学装置の少なくとも１つの光学素子における少なくとも１つの表面の少なくとも部分が少なくとも局所的または時間的に可変に照射される装置において、
前記補正光が低角度で前記光学素子の表面に入射し、前記光学素子の場所における前記光学装置の光軸と補正光線との間の鈍角が１０５°以下であることを特徴とする装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置において、
前記ミラー装置が、互いに隣接して配置された多数のミラー素子を備え、該ミラー素子が互いに独立して旋回可能である装置。
【請求項３】
光軸を有する光学装置の光学素子を補正光により照射するための補正光装置であって、
少なくとも１つの補正光源および少なくとも１つのミラー装置を備え、該ミラー装置が、前記補正光源からの光を光路内で前記光学素子に偏向し、これにより、前記光学装置の少なくとも１つの光学素子における少なくとも１つの表面の少なくとも部分が、少なくとも局所的又は時間的に可変に照射される装置において、
前記ミラー装置が、互いに隣接して配置された多数のミラー素子を備え、該ミ
ラー素子が互いに独立して旋回可能であることを特徴とする装置。
【請求項４】
請求項１または３に記載の装置において、
回折格子が前記補正光源および前記ミラー装置および／または前記ミラー装置及び前記光学素子又は光学補正光装置の間に配置されている装置。
【請求項５】
請求項１または３に記載の装置において、
前記ミラー装置は、１つ以上のミラー面を備え、該ミラー面が、ミラー面に対して平行な軸線を中心として、回動または振動式に旋回または移動され、これにより前記補正光が、前記光学装置の前記光学素子上を少なくとも一つの行に沿って移動（スキャン）される装置。
【請求項６】
請求項１または３に記載の装置において、
前記ミラー装置のほかに、前記光学装置の前記光学素子上を第２行に沿って前記補正光線を移動させるための第２スキャン手段が配置されている装置。
【請求項７】
請求項６に記載の装置において、
前記第２行が、前記ミラー装置に従う動きに対して実質的に横断方向または垂直方向である装置。
【請求項８】
請求項１または３に記載の装置において、
アナモルフィック補正光線が用いられる装置。
【請求項９】
請求項１または３に記載の装置において、
該装置が焦点追跡部を備え、該焦点追跡部が、前記第２スキャン手段の内部に組み込まれているか、または前記補正光の光路に独立して配置されている装置。
【請求項１０】
請求項１または３に記載の装置において、
前記補正光線の光路に、レンズ、ミラー、回折光学素子（ＤＯＥ）などを含む群からの少なくとも１つの光学素子を有する少なくとも１つの光学補正光装置が配置されている装置。
【請求項１１】
請求項１または３に記載の装置において、
前記光学装置の前記光学素子表面上の補正光線の場所に応じて、入射補正光を開ループまたは閉ループ制御する、制御器、出力制御器、および音響光学変調器（ＡＯＭ）の少なくとも１つを備える装置。
【請求項１２】
請求項１または３に記載の装置において、
開ループ制御手段および閉ループ制御手段の少なくとも１つが設けられており、該制御手段が、少なくとも１つのセンサ手段の測定値によって、照射継続時間、照射場所、光強度、補正光源出力などの群から選択された少なくとも１つの作動パラメータの開ループおよび閉ループ制御の少なくとも１つを実行することを特徴とする装置。
【請求項１３】
請求項１または３に記載の装置において、
前記補正光源として、ＩＲ（赤外線）光源、または４μｍ以上の波長を有する光もしくはＣＯ２レーザの光のための光源の少なくとも１つが設けられている装置。
【請求項１４】
請求項１または３に記載の装置において、
前記光学装置が、マイクロリソグラフィ用投影露光装置の一部である装置。
【請求項１５】
補正光源から光学素子までの間の光路にてミラー装置を介して偏向される補正光により、前記光学素子の少なくとも１つの表面又は少なくとも一部を少なくとも時間的又は局所的に可変に照射することにより、光学装置内の光学素子の不均一な加熱に起因する光学装置における結像エラーを補正するための方法において、
前記補正光を、１５°以下の低角度で前記光学素子の表面に向けて照射する方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法において、
前記補正光を、１０°以下の低角度で前記光学素子の表面に向けて照射する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月17日(2011.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶ディスプレイにおける正の複屈折層中での使用のための、延伸されておらず、光重合されていないポリマーフィルム、該フィルムは、周囲条件で安定であり、該フィルムは、４００ｎｍ＜λ＜８００ｎｍの波長範囲全体にわたって、０．００２より大きい正の複屈折を有し、該フィルムは、
【化１】
2010522902.tif 000001
（式中、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、置換アルキル基、またはハロゲンであり；
Ａｒ−ＢＥＳは、少なくとも１つの共有結合を介して該ポリマー主鎖に直接結合している光学的異方性サブユニット（ＯＡＳＵ）であり、Ａｒは、芳香族環構造であり、ＢＥＳは、少なくとも１つの複屈折を高める置換基を表し；
該Ａｒ−ＢＥＳは、該ポリマー主鎖に対して垂直に配向されており、そして該Ａｒ−ＢＥＳの垂直度が高いほど、該ポリマーフィルムの該正の複屈折の値は大きい。）
の部分を有する可溶性ポリマーの溶液から基材上にキャスティングされている。
【請求項２】
該ＢＥＳが、ニトロ、ブロモ、ヨード、シアノおよびフェニルからなる群から選択される、請求項１のポリマーフィルム。
【請求項３】
該芳香族環が、ベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ナフタセン、ペンタセン、およびトリフェニルからなる群から選択される、請求項１のポリマーフィルム。
【請求項４】
ＢＥＳが、ニトロまたはブロモであり、そして該芳香族環が、ベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ナフタセン、ペンタセン、およびトリフェニルからなる群から選択される、請求項１のポリマーフィルム。
【請求項５】
該ポリマーが、ポリ（ブロモスチレン）である、請求項１のポリマーフィルム。
【請求項６】
該ポリ（ブロモスチレン）が、４００ｎｍ＜λ＜８００ｎｍの波長範囲全体にわたって、０．００５より大きい正の複屈折を有する、請求項５のポリマーフィルム。
【請求項７】
液晶ディスプレイにおける正の複屈折層中での使用のための、延伸されておらず、光共重合されていないコポリマーフィルム、該フィルムは、周囲条件で安定であり、該フィルムは、４００ｎｍ＜λ＜８００ｎｍの波長範囲全体にわたって、０．００２より大きい正の複屈折を有し、該フィルムが：
【化２】
2010522902.tif 000002
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ７は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、置換アルキル基、またはハロゲンであり；Ｒ６は、水素原子、アルキル、置換アルキル、ハロゲン、エステル、アミド、ケトン、エーテル、シアノ、フェニル、エポキシ、ウレタン、尿素またはエチレン性不飽和モノマーの残りの主鎖に直接結合した光学的に異方性のサブユニット（ＯＡＳＵ）であり；
Ａｒ−ＢＥＳは、少なくとも１つの共有結合を介して該コポリマー主鎖に直接結合した光学的異方性サブユニット（ＯＡＳＵ）であり、Ａｒは、少なくとも１つの複屈折を高める置換基（ＢＥＳ）を有する芳香族環構造であり；
該Ａｒ−ＢＥＳは、該コポリマー主鎖に対して垂直に配向されており、そして該Ａｒ−ＢＥＳの垂直度が高ければ高いほど、該コポリマーフィルムの正の複屈折の値は、大きい。）
の部分を有する可溶性コポリマーの溶液からキャスティングされている。
【請求項８】
少なくとも１種のエチレン性不飽和モノマーが、スチレン、ビニルビフェニル、メタクリル酸メチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸、メタクリル酸、アクリロニトリル、アクリル酸２−エチルヘキシル、および４−ｔ−ブチルスチレンからなる群から選択される、請求項７のポリマーフィルム。
【請求項９】
該ＢＥＳが、ニトロブロモ、ヨード、シアノおよびフェニルからなる群から選択される、請求項８のポリマーフィルム。
【請求項１０】
該芳香族環が、ベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ナフタセン、ペンタセン、およびトリフェニルからなる群から選択される、請求項８のポリマーフィルム。
【請求項１１】
該ポリマーが、ポリ（ブロモスチレン−コ−スチレン）である、請求項８のポリマーフィルム。
【請求項１２】
該補償フィルムが、熱処理、光照射、または延伸に曝されることなく、溶媒蒸発により面外の異方性配向を形成でき、そして４００ｎｍ＜λ＜８００ｎｍの波長範囲全体にわたって、０．００２より大きい正の複屈折を有する、請求項１〜１１のいずれか一項のポリマーフィルム。
【請求項１３】
該補償フィルムが、熱処理、光照射、または延伸に曝されることなく、溶媒蒸発により面外の異方性配向を形成でき、そして４００ｎｍ＜λ＜８００ｎｍの波長範囲全体にわたって、０．００５より大きい正の複屈折を有する、請求項１〜１１のいずれか一項のポリマーフィルム。
【請求項１４】
該補償フィルムが、乾燥によって該基材から除去されて、自立フィルムを与える、請求項１〜１３のいずれか一項のポリマーフィルム。
【請求項１５】
該自立フィルムが、１軸延伸または２軸延伸されている、請求項１４のポリマーフィルム。
【請求項１６】
該補償フィルムが、液晶ディスプレイデバイスにおいて使用される、請求項１〜１５のいずれか一項のポリマーフィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月16日(2011.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージセンサを読み出す方法であって、
（ａ）第一の容量を有する電圧変換部の少なくとも１つの電荷をリセットし、結果として得られる第一のリセット信号を保持するステップと、
（ｂ）電圧変換部における前記第一の容量の少なくとも１つの電荷を第二の容量に変換し、結果として得られる第二のリセット信号を保持するステップと、
（ｃ）第一の時点で、電荷を感光領域から前記第二の容量を有する電圧変換部の少なくとも１つの電荷として転送し、結果として得られる第一の信号を保持するステップと、
（ｄ）電圧変換部における前記第二の容量の少なくとも１つの電荷を前記第一の容量に変換するステップと、
（ｅ）第二の時点で、電荷を感光領域から前記第一の容量を有する電圧変換部の少なくとも１つの電荷として転送し、結果として得られる第二の信号を保持するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
さらに、前記第二の容量より高い容量の前記第一の容量を提供するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
さらに、電圧変換部における前記第二の容量の少なくとも１つの電荷を、電圧変換部の複数の電荷と選択的に結合される前記第一の容量に変換するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記ステップ（ａ）からの前記第一のリセット信号を前記ステップ（ｅ）からの前記第二の信号から減算し、前記ステップ（ｂ）からの前記第二のリセット信号を前記ステップ（ｃ）からの前記第一の信号から減算することを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月7日(2011.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カメラ・ボディの表面上に形成された第一の画像ディスプレイと；
カメラ・ボディにマウントされた第二の画像ディスプレイを有するデジタル・カメラであって：
前記第二の画像ディスプレイは少なくとも一つの閲覧位置に展開可能であり、前記第一および第二のディスプレイの一方が取り込まれるべき画像の構図を決めるための動きプレビュー画像を提供し、第一および第二の画像ディスプレイのうちの他方が以前に取り込まれたスチール画像を提供する、
デジタル・カメラ。
【請求項２】
カメラ・ボディの表面上に形成された画像ディスプレイを有するデジタル・カメラであって：
前記画像ディスプレイは取り込まれるべき画像の構図を決めるための動きプレビュー画像を表示する第一の表示領域および以前に取り込まれたスチール画像を表示する第二の表示領域を有する、
デジタル・カメラ。
【請求項３】
画像を表示する方法であって：
第一および第二の画像ディスプレイをもつ撮像装置を提供する段階であって、ここで、前記第二のディスプレイは、前記第一のディスプレイの可変部分が見えるようするよう展開可能である、段階と；
前記第二の画像ディスプレイと前記第一のディスプレイの見える部分とを含む閲覧領域内に画像を表示する段階とを有する、
方法。
【請求項４】
画像を表示する方法であって：
第一および第二の画像ディスプレイをもつカメラを提供する段階と；
前記第一の画像ディスプレイ上に、画像制作物を形成するためのデジタル・テンプレートを表示する段階であって、ここで、前記デジタル・テンプレートは取り込まれたデジタル・コンテンツを配置するための少なくとも一つの領域を有している、段階と；
前記第二の画像ディスプレイ上に前記取り込まれたデジタル・コンテンツを表示する段階とを有する、
方法。
【請求項５】
画像を表示する方法であって：
第一および第二の画像ディスプレイをもつカメラを提供する段階と；
前記第一の画像ディスプレイ上に、画像制作物を形成するための複数ページ・デジタル・テンプレートの第一のページを表示する段階であって、ここで、前記複数ページ・デジタル・テンプレートは取り込まれたデジタル・コンテンツを配置するための少なくとも一つの領域を有する、段階と；
前記第二の画像ディスプレイ上に前記複数ページ・デジタル・テンプレートのその後のページを表示する段階とを有する、
方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月12日(2011.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）第１オーディオ・サンプルを、交換機で第１双方向通信ポートを介して受領するステップと、
（Ｂ）第１通信呼びを、第２双方向通信ポートで受領するステップと、
（Ｃ）前記第１オーディオ・サンプルの事象が、前記第１通信呼びで発生すると、第１フラッグを立てるテップと、
を有する
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
（Ｄ）前記第１フラッグが立てられると、前記第１通信呼びを、前記第１双方向通信ポートに転送するステップ
をさらに有する
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
（Ｅ）プログラムとプログラム・データを、プログラミング・ポートを介して受領するステップ
をさらに有する
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
（Ｆ）前記第１フラッグが立てられると、前記第１通信呼びを、停止するステップ
をさらに有する
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
（Ｇ）第２オーディオ・サンプルを、交換機で第１双方向通信ポートを介して受領するステップと、
（Ｈ）前記第２オーディオ・サンプルの事象が、前記第１通信呼びで発生すると、第２フラッグを立てるステップと、
をさらに有する
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記第１オーディオ・サンプルの事象は、前記第１通信呼びの確立中に発生する
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記第１オーディオ・サンプルの事象は、前記第１通信呼びの確立後に発生する
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
（Ａ）第１オーディオ・サンプルを、交換機で第１双方向通信ポートを介して受領するステップと、
（Ｂ）第１通信呼びを、第２双方通信ポートで受領するステップと、
（Ｃ）前記第１オーディオ・サンプルの事象が、前記第１通信呼びで発生すると、第１フラッグを立てるテップと、
（Ｄ）第２通信呼びを、第３の双方通信ポートで受領するステップと、
（Ｅ）前記第１オーディオ・サンプルの事象が、前記第２通信呼びで発生すると、第２フラッグを立てるテップと、
を有する
ことを特徴とする方法。
【請求項９】
（Ｆ）前記第１フラッグが立てられると、前記第１通信呼びを、前記第１双方向通信ポートに転送するステップ
をさらに有する
ことを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】
（Ｇ）プログラムとプログラム・データを、プログラミング・ポートを介して受領するステップ
をさらに有する
ことを特徴とする請求項８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月25日(2010.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線ネットワークにおいてモバイル機器のハンドオーバ中のサービスインタラプトを減らす方法であって、
前記方法は、
ランダムアクセス機会に関連するタイムオフセットを決定し、
前記タイムオフセットに基づき前記モバイル機器のハンドオーバを実行するための開始時刻を決定することを備える方法。
【請求項２】
前記開始時刻を決定することは、移動管理エンティティで開始時刻を決定することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記開始時刻を決定することは、前記移動管理エンティティでターゲットアクセスポイントから前記タイムオフセットを受信し、前記受信されたタイムオフセットに基づき前記移動管理エンティティで前記開始時刻を決定することを含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記開始時刻を決定することは、さらに、
前記移動管理エンティティで相対フレームタイミングを決定し、前記相対フレームタイミングはサービスアクセスポイントのフレームタイミングに対して前記ターゲットアクセスポイントの相対フレームタイミングに関するものであり、
前記相対フレームタイミング及び前記受信されたタイムオフセットに基づき前記移動管理エンティティで前記開始時刻を決定することを含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記相対フレームタイミングを決定することは、前記移動管理エンティティで前記モバイル機器からの前記相対フレームタイミングを受信することを含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記開始時刻を決定することは、前記モバイル機器で前記開始時刻を決定することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記タイムオフセットを決定することは、前記モバイル機器でターゲットアクセスポイントからのタイムオフセットを受信し、前記開始時刻を決定することは、前記受信されたタイムオフセットに基づき前記開始時刻を決定することを含む請求項６に記載の方法。
【請求項８】
さらに、前記決定された開始時刻に前記モバイル機器で前記ハンドオーバを実行することを含む請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記開始時刻を決定することは、サービスアクセスポイントで前記開始時刻を決定することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記開始時刻を決定することは、
前記サービスアクセスポイントで前記モバイル機器から相対フレームタイミングを受信し、前記相対フレームタイミングは前記サービスアクセスポイントのフレームタイミングに対するターゲットアクセスポイントのフレームタイミングに関するものであり、
前記サービスアクセスポイントで前記ターゲットアクセスから前記タイムオフセットを受信し、
前記受信された相対フレームタイミングと前記受信されたタイムオフセットに基づき前記サービスアクセスポイントで前記開始時刻を決定することを含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記開始時刻を決定することは、
前記サービスアクセスポイントに通知された参照タイムに対するターゲットアクセスポイントのフレームタイミングを前記サービスアクセスポイントで前記モバイル機器から受信し、
相対フレームタイミングを決定し、前記相対フレームタイミングは前記サービスアクセスポイントのフレームタイミングに対する前記ターゲットアクセスポイントの前記受信されたフレームタイミングに関するものであり、
前記サービスアクセスポイントで前記ターゲットアクセスポイントから前記タイムオフセットを受信し、
前記相対フレームタイミング及び前記受信されたタイムオフセットに基づき前記サービスアクセスポイントで前記開始時刻を決定する
ことを含む請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記タイムオフセットは、前記ランダムアクセス機会及びターゲットアクセスポイントのフレームタイミングの間のオフセットを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
無線ネットワークのネットワーク構成要件中のプロセッサであって、
前記プロセッサは、
ランダムアクセス機会と関連するタイムオフセットを決定し、
前記モバイル機器のハンドオーバ中のサービスインタラプトを減らすために前記タイムオフセットに基づきモバイル機器のハンドオーバを実行するための開始時刻を決定するように構成されたプロセッサ。
【請求項１４】
前記ネットワーク構成要素は、移動管理エンティティを含む請求項１３に記載のプロセッサ。
【請求項１５】
前記ネットワーク構成要素は、前記モバイル機器を含む請求項１３に記載のプロセッサ。
【請求項１６】
前記ネットワーク構成要素は、サービスアクセスポイントを含む請求項１３に記載のプロセッサ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月18日(2011.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
横断面曲げ特性と、第１の曲げ方向における前記横断面曲げ特性の関数である基本共振周波数と、前記第１の曲げ方向に直交する第２の曲げ方向におけるパラメトリックモード周波数とを有する共振梁を備え、
前記パラメトリックモード周波数は前記横断面曲げ特性の関数であり、前記横断面曲げ特性が、前記基本共振周波数を第１の所望の周波数にチューニングしかつ前記パラメトリックモード周波数を第２の所望の周波数にチューニングするように選択され、
前記共振梁が、該共振梁が前記第１の所望の周波数および前記第２の所望の周波数で振動するときに前記第１および第２の曲げ方向のそれぞれにおける前記共振梁の曲げに応答して電気エネルギーを発生するための圧電材料を含み、
前記共振梁がある長さを有し、前記圧電材料は、該圧電材料が前記横断面曲げ特性に寄与するように、前記長さに沿って配置される、振動エネルギー収穫器。
【請求項２】
前記共振梁が、前記第１の曲げ方向に対する第１の曲げ軸および前記第２の曲げ方向に対する第２の曲げ軸を有し、前記第１および第２の曲げ軸が第１、第２、第３および第４の四分円を画定し、それにより前記第１および第２の四分円が前記第１の曲げ軸の両側に互いに対向しかつ前記第２および第３の四分円が前記第２の曲げ軸の両側に互いに対向し、
前記共振梁が、互いに離隔され、前記第１、第２、第３および第４の四分円のうちの対応するそれぞれの四分円の中に配置される第１、第２、第３および第４の電極をさらに含む、請求項１に記載の振動エネルギー収穫器。
【請求項３】
前記圧電材料の第１の部分が前記第１および第２の電極の間に配置され、前記圧電材料の第２の部分が前記第３および第４の電極の間に配置される、請求項２に記載の振動エネルギー収穫器。
【請求項４】
さらに、
前記圧電材料の前記第１の部分の対向する側部に配置される第５の電極及び第６の電極であって、それぞれが、前記第１の四分円及び前記第２の四分円の両方に配置されている、第５の電極及び第６の電極と、
前記圧電材料の前記第２の部分の対向する側部に配置される第７の電極及び第８の電極であって、それぞれが、前記第３の四分円及び前記第４の四分円の両方に配置される、第５及び第６の電極と、
を備える、請求項３に記載の振動エネルギー収穫器。
【請求項５】
前記第１の電極および前記第２の電極の間に配置され、前記第１の電極および前記第２の電極から離隔される第５の電極と、前記第３の電極および前記第４の電極の間に配置され、前記第３の電極および前記第４の電極から離隔される第６の電極とをさらに備え、
前記圧電材料の第１の部分が前記第１の電極および前記第５の電極の間に配置され、
前記圧電材料の第２の部分が前記第４の電極および前記第６の電極の間に配置され、
前記圧電材料の第３の部分が前記第５の電極および前記第２の電極の間に配置され、
前記圧電材料の第４の部分が前記第６の電極および前記第３の電極の間に配置される、
請求項２に記載の振動エネルギー収穫器。
【請求項６】
さらに、
前記圧電材料の前記第１の部分及び前記第２の部分の対向する側部に配置される第７の電極及び第８の電極であって、それぞれが、前記第１の四分円及び前記第２の四分円の両方に配置されている、第７の電極及び第８の電極と、
前記圧電材料の前記第３の部分及び前記第４の部分の対向する側部に配置される第９の電極及び第１０の電極であって、それぞれが、前記第３の四分円及び前記第４の四分円の両方に配置される、第９及び第１０の電極と、
を備える、請求項５に記載の振動エネルギー収穫器。
【請求項７】
前記第１の電極、前記第２の電極、前記第３の電極、前記第４の電極、前記第５の電極および前記第６の電極のそれぞれと電気的に通じ、前記第１の四分円、前記第２の四分円、前記第３の四分円、および前記第４の四分円のそれぞれから、互いに独立に前記電気エネルギーを収穫するように構成される収穫回路をさらに含む、請求項５に記載の振動エネルギー収穫器。
【請求項８】
前記基本共振周波数が５０Ｈｚ〜１５００Ｈｚの範囲内にある、請求項１に記載の振動エネルギー収穫器。
【請求項９】
前記基本共振周波数が５０Ｈｚ〜２５０Ｈｚの範囲内にある、請求項８に記載の振動エネルギー収穫器。
【請求項１０】
前記共振梁の前記横断面特性が、前記パラメトリックモード周波数が前記基本共振周波数より大きく前記基本共振周波数の８倍より小さい範囲に入るように選択される、請求項１に記載の振動エネルギー収穫器。
【請求項１１】
前記共振梁の前記横断面特性が、前記パラメトリックモード周波数が前記基本共振周波数より大きく前記基本共振周波数の１．５倍より小さい範囲に入るように選択される、請求項１０に記載の振動エネルギー収穫器。
【請求項１２】
前記幅が前記厚さの１〜３倍の範囲内にある、請求項１に記載の振動エネルギー収穫器。
【請求項１３】
それぞれが前記共振梁のように構成される、パラメトリックモード可能な（ＰＭＥ）圧電型振動エネルギー収穫（ＰＶＥＨ）梁の群を有し、
前記群は、特定の基本共振周波数及びパラメトリックモード共振周波数から電荷を収穫するように構成されている、請求項１に記載の振動エネルギー収穫器。
【請求項１４】
対応するそれぞれの異なるチューニングを有するＰＭＥ  ＰＶＥＨ梁の複数の群を含み、
前記異なるチューニングは、異なる基本共振周波数及び異なるパラメトリックモード周波数を含む、請求項１３に記載の振動エネルギー収穫器。
【請求項１５】
前記振動エネルギーの収穫器の帯域幅をさらに拡大するために、前記異なる基本共振周波数のうちの複数の周波数が、前記異なる基本共振周波数のうちの任意の直接隣接する周波数と異なる、請求項１４に記載の振動エネルギー収穫器。
【請求項１６】
前記振動エネルギーの収穫器の帯域幅をさらに拡大するために、前記異なるパラメトリックモード周波数のうちの複数の周波数が、前記異なる基本共振周波数のうちの対応するそれぞれの基本共振周波数と異なる、請求項１５に記載の振動エネルギー収穫器。
【請求項１７】
前記ＰＭＥ ＰＶＥＨ梁のそれぞれが、パラメトリックモード曲げの中立軸を有し、前記パラメトリックモード曲げの中立軸の両側に配置される第１および第２の圧電性物質／電極の積層体を含む、請求項１３に記載の振動エネルギー収穫器。
【請求項１８】
前記複数のＰＭＥ ＰＶＥＨ梁のそれぞれがバイモルフ圧電梁である、請求項１７に記載の振動エネルギー収穫器。
【請求項１９】
前記第１の圧電性物質／電極の積層体が第１の複数の電極を含み、前記第２の圧電性物質／電極の積層体が、前記パラメトリックモード曲げの中立軸を超えて前記第１の複数の電極から離隔された第２の複数の電極を含む、請求項１７に記載の振動エネルギー収穫器。
【請求項２０】
並行なＰＭＥ  ＰＶＥＨ梁の複数の群を含み、
前記複数の群のうちの第１の群内の前記並行なＰＭＥ  ＰＶＥＨ梁は、第１の方向に延びる長手方向軸線を有し、前記複数の群のうちの第２の群内の前記並行なＰＭＥ  ＰＶＥＨ梁は、前記第１の方向に垂直な第２の方向に延びる長手方向軸線を有し、前記振動エネルギー収穫器を３軸振動エネルギー収穫器とする、請求項１３に記載の振動エネルギー収穫器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月7日(2011.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスであって、
基板と、
前記基板の上に配設される第１の活性層と、前記第１の活性層上に配設される第２の活性層であって、二次元の電子ガス層が前記第１の活性層と前記第２の活性層との間に生じるように、前記第１の活性層より大きいバンドギャップを有する第２の活性層と、
前記第２の活性層上に配設されるフラッシュ層と、
前記フラッシュ層上に配設されるソース、ゲートおよびドレインコンタクトと、を備える、半導体デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、前記第１の活性層が、ＩＩＩ属窒化物半導体材料を備える、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体デバイスであって、前記第１の活性層がＧａＮを備える、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、前記第２の活性層が、ＩＩＩ属窒化物半導体材料を備える、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体デバイスであって、前記第２の活性層が、ＡｌｘＧａ１−ｘＮを備え、０＜Ｘ＜１である、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項６】
請求項４に記載の半導体デバイスであって、前記第２の活性層が、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮおよびＡｌＩｎＧａＮからなる群から選ばれる、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、さらに、前記基板と前記第１の活性層との間に配設される核形成層を備える半導体デバイス。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、前記フラッシュ層が金属Ａｌを備える、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、前記フラッシュ層が金属Ｇａを備える、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１０】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、前記フラッシュ層が、自然酸化物層を形成するアニールされたフラッシュ層である、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１１】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、前記第２の活性層および前記終端層がその中に形成される第１および第２の凹部を含み、および、前記ソースおよびドレインコンタクトがそれぞれ、前記第１および第２の凹部内に配設される、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１２】
半導体デバイスであって、
基板と、
前記基板の上に配設される第１の活性層と、
前記第１の活性層上に配設される第２の活性層であって、二次元の電子ガス層が前記第１の活性層と前記第２の活性層との間に生じるように、前記第１の活性層より大きいバンドギャップを有する第２の活性層と、
前記第２の活性層上に形成されるＡｌＮ層と、
前記ＡｌＮ層上に配設されるソース、ゲートおよびドレインコンタクトと、を備える、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体デバイスであって、前記第１の活性層が、ＩＩＩ属窒化物半導体材料を備える、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１４】
請求項１３に記載の半導体デバイスであって、前記第１の活性層がＧａＮを備える、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１５】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、前記第２の活性層が、ＩＩＩ属窒化物半導体材料を備える、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１６】
請求項１５に記載の半導体デバイスであって、前記第２の活性層が、ＡｌｘＧａ１−ｘＮを備え、０＜Ｘ＜１である、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１７】
請求項１５に記載の半導体デバイスであって、前記第２の活性層が、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮおよびＡｌＩｎＧａＮからなる群から選ばれる、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１８】
請求項１２に記載の半導体デバイスであって、さらに、前記基板と前記第１の活性層との間に配設される核形成層を備える半導体デバイス。
【請求項１９】
請求項１２に記載の半導体デバイスであって、前記第２の活性層および前記ＡｌＮ層がその中に形成される第１および第２の凹部を含み、および、前記ソースおよびドレインコンタクトがそれぞれ、前記第１および第２の凹部内に配設される、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２０】
半導体デバイスを形成する方法であって、
基板上に第１の活性層を形成するステップと、
前記第１の活性層の上に第２の活性層を形成するステップであって、二次元の電子ガス層が前記第１の活性層と前記第２の活性層との間に生じるように、前記第２の活性層が前記第１の活性層より大きいバンドギャップを有するステップと、
前記第２の活性層の上に終端層をフラッシュするステップと、
前記終端層上にソース、ゲートおよびドレインコンタクトを形成するステップと、を含む方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の方法であって、前記第１の活性層がＩＩＩ属窒化物半導体材料を備える、ことを特徴とする方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の方法であって、前記第１の活性層がＧａＮを備える、ことを特徴とする方法。
【請求項２３】
請求項２０に記載の方法であって、前記第２の活性層が、ＩＩＩ属窒化物半導体材料を備える、ことを特徴とする方法。
【請求項２４】
請求項２３に記載の方法であって、前記第２の活性層が、ＡｌｘＧａ１−ｘＮを備え、０＜Ｘ＜１である、ことを特徴とする方法。
【請求項２５】
請求項２３に記載の方法であって、前記第２の活性層が、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮおよびＡｌＩｎＧａＮからなる群から選ばれる、ことを特徴とする方法。
【請求項２６】
請求項２０に記載の方法であって、さらに、前記基板と前記第１の活性層との間に配設される核形成層を備える方法。
【請求項２７】
請求項２０に記載の半導体デバイスであって、前記フラッシュ層が金属Ａｌを備える、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２８】
請求項２０に記載の方法であって、前記フラッシュ層が金属Ｇａを備える、ことを特徴とする方法。
【請求項２９】
請求項２０に記載の方法であって、前記フラッシュ層が、自然酸化物層を形成するアニールされたフラッシュ層である、ことを特徴とする方法。
【請求項３０】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、前記フラッシュ層が金属フラッシュ層である、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項３１】
請求項２０に記載の方法であって、前記終端層をフラッシュするステップが、金属終端層をフラッシュするステップである、ことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月21日(2010.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信システムにおいてリソースを交渉する方法であって、
サービスマネージャ（３３４，４０６）が、サービス要求（４１２）をリソースマネージャ（３２６，４０４）へ送信するステップ（７０２）と、
前記サービスマネージャ（３３４，４０６）が、受入れ情報（４１４）を前記リソースマネージャ（３２６，４０４）から受信するステップと、
を備え、
前記サービス要求は、サービスを提供するための複数のサービス選択肢の順位リスト（５００）を明示的に提供するか、または、当該順位リスト（５００）に暗示的に言及し、
前記受入れ情報は、前記順位リストの中の、現在利用可能なネットワークリソースに基づいて提供可能な最高の順位のサービス選択肢を指し示す情報を含み、
前記最高の順位のサービス選択肢は、前記リソースマネージャ（３２６，４０４）によって判定される
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記リソースマネージャ（３２６，４０４）によって判定される前記最高の順位のサービス選択肢は、他のパラメータにも更に基づく
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記順位リスト（５００）の中の各エントリは複数のパラメータを含み、当該複数のパラメータは、前記サービスを提供するために使用される帯域幅と、前記サービスを提供するために使用されるコーデックと、前記サービスを提供するために使用される形式と、のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記サービス要求は、複数のサービス選択肢の前記順位リストに暗示的に言及し、
前記サービス要求（４１２）は、エンドユーザデバイスのアドレスと、前記サービスに関連づけられた識別子と、を含むメッセージである
ことを更に特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記サービスマネージャ（３２６，４０４）は、サービス品質（ＱｏＳ）対応サービスを公開し、発見し、加入し、呼び出し、そして配信する機能を提供することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記サービスはアプリケーション機能（４０８）からエンドユーザ（４０２）へ提供される映画であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
通信システムにおいてリソースを交渉する方法であって、
リソースマネージャ（３２６，４０４）が、サービス要求（４１２）をサービスマネージャ（３３４，４０６）から受信するステップ（７２２）と、
前記リソースマネージャ（３２６，４０４）が、受入れ情報（４１４）を前記サービスマネージャ（３３４，４０６）へ送信するステップと、
を備え、
前記サービス要求は、サービスを提供するための複数のサービス選択肢の順位リスト（５００）を明示的に提供するか、または、当該順位リスト（５００）に暗示的に言及し、
前記リソースマネージャ（３２６，４０４）は、前記順位リストの中の、現在利用可能なネットワークリソースに基づいて提供可能な最高の順位のサービス選択肢を判定し、
前記受入れ情報は、前記リソースマネージャ（３２６，４０４）によって判定された前記最高の順位のサービス選択肢を指し示す情報を含む
ことを特徴とする方法。
【請求項８】
前記順位リスト（５００）の中の各エントリは複数のパラメータを含み、当該複数のパラメータは、前記サービスを提供するために使用される帯域幅と、前記サービスを提供するために使用されるコーデックと、前記サービスを提供するために使用される形式と、のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記サービス要求（４１２）は、複数のサービス選択肢の前記順位リスト（５００）に暗示的に言及し、
前記サービス要求（４１２）は、エンドユーザデバイスのアドレスと、前記サービスに関連づけられた識別子と、を含むメッセージである
ことを更に特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
通信システム（１１０）においてリソースを交渉する通信ノード（３３４，４０６）であって、
サービス要求（４１２）を送信し、受入れ情報（４１４）を受信するように構成されるプロセッサ（６０２）を備え、
前記サービス要求は、サービスを提供するための複数のサービス選択肢の順位リスト（５００）を明示的に提供するか、または、当該順位リスト（５００）に暗示的に言及し、
前記受入れ情報は、前記順位リストの中の、現在利用可能なネットワークリソースに基づいて提供可能な最高の順位のサービス選択肢を指し示す情報を含む
ことを特徴とする通信ノード。
【請求項１１】
前記順位リスト（５００）の中の各エントリは複数のパラメータを含み、当該複数のパラメータは、前記サービスを提供するために使用される帯域幅と、前記サービスを提供するために使用されるコーデックと、前記サービスを提供するために使用される形式と、のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１０に記載の通信ノード。
【請求項１２】
前記サービス要求（４１２）は、複数のサービス選択肢の前記リストに暗示的に言及し、
前記サービス要求は、エンドユーザのアドレスと、前記サービスに関連づけられた識別子と、を含むメッセージである
ことを更に特徴とする請求項１０に記載の通信ノード。
【請求項１３】
前記通信ノードは、サービス品質（ＱｏＳ）対応サービスを公開し、発見し、加入し、呼び出し、そして配信する機能を提供することを特徴とする請求項１０に記載の通信ノード。
【請求項１４】
通信システムにおいてリソースを交渉する通信ノードであって、
サービス要求（４１２）を受信し、受入れ情報（４１４）を送信するように構成されるプロセッサ（６０２）を備え、
前記サービス要求は、サービスを提供するための複数のサービス選択肢の順位リスト（５００）を明示的に提供するか、または、当該順位リスト（５００）に暗示的に言及し、
前記プロセッサ（６０２）は、前記順位リストの中の、現在利用可能なネットワークリソースに基づいて提供可能な最高の順位のサービス選択肢を判定するように構成され、
前記プロセッサ（６０２）は、前記最高の順位のサービス選択肢を指し示す情報を含む前記受入れ情報を提供するように構成される
ことを特徴とする通信ノード。
【請求項１５】
前記順位リスト（５００）の中の各エントリは複数のパラメータを含み、当該複数のパラメータは、前記サービスを提供するために使用される帯域幅と、前記サービスを提供するために使用されるコーデックと、前記サービスを提供するために使用される形式と、のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１４に記載の通信ノード。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月30日(2010.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、
セットトップ・ボックスにおいて未解決の電力喪失を示す電力障害信号を検出する工程と、
前記電力障害信号に応じて信号を生成する工程と、
記憶されたデータを破損することなく、データ記憶を停止させるための制御信号を出力する工程とを含む方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、前記制御信号は記憶媒体のコントローラ回路への、直ちにスタンバイに移行する旨の修正コマンド（ＭＳＩコマンド）である方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法であって、前記記憶媒体の前記コントローラ回路は、現在のデータ書込み動作を完了し、更なる書込み動作を中止する方法。
【請求項４】
請求項２記載の方法であって、前記生成する工程は、前記ＭＳＩコマンドが発出されており、前記記憶媒体への書込み動作は、前記ＭＳＩコマンドによって管理される旨の肯定応答信号をコントローラに送出する工程を更に含む方法。
【請求項５】
請求項２記載の方法であって、キャッシュされた残りのデータを廃棄する工程を更に含む方法。
【請求項６】
請求項５記載の方法であって、前記廃棄する工程は、前記電力障害信号の終了時の、キャッシュ・メモリへの電力の喪失によって行われる方法。
【請求項７】
装置であって、
記憶装置にコマンドを供給するよう構成されたコントローラと、
セットトップ・ボックスにおける未解決の電力障害の場合に前記コントローラに早期電力障害（ＥＰＦ）信号を供給する回路と、
前記コントローラと通信するコントローラ回路を有する記憶装置と、
前記記憶装置にコマンドを供給する手段とを備え、前記コマンドは、前記記憶装置が現在のデータ書込みを完了し、更なる書込み動作を中止する旨を示す装置。
【請求項８】
請求項７記載の装置であって、前記供給する手段は、
前記現在のデータ書込み動作を完了した後に残っているキャッシュされたデータを廃棄する手段を更に備える装置。
【請求項９】
請求項７記載の装置で、前記コマンドが発出されており、前記記憶装置の前記書込み動作が前記コマンドによって管理されている旨を示す肯定応答信号を前記コントローラに供給する手段を更に備える装置。
【請求項１０】
請求項８記載の装置であって、前記廃棄する手段は、前記ＥＰＦ信号の終了時に、前記キャッシュされたデータを保持しているキャッシュ・メモリへの電力の喪失を含む装置。
【請求項１１】
セットトップ・ボックスの要素間での通信に使用するためにコンピュータ読取り可能なプログラム・コードを実施させたコンピュータ使用可能な媒体を備えるコンピュータ・プログラム・プロダクトであって、
記憶装置に電力を供給する回路からの早期電力障害（ＥＰＦ）信号を検出するためのプログラム・コードと、
前記記憶装置のコントローラ回路にコマンドを発出するためのプログラム・コードと、
前記コマンドが発出されると現在のデータ書込み動作を前記記憶装置の前記コントローラ回路に完了させるためのプログラム・コードと、
前記記憶媒体への更なる書込み動作を中止するためのプログラム・コードとを備えるコンピュータ・プログラム・プロダクト。
【請求項１２】
請求項１１記載のコンピュータ・プログラム・プロダクトであって、前記コマンドが発出されており、前記記憶媒体への前記書込み動作が前記コマンドによって管理されている旨を示す肯定応答信号をコントローラに送出するためのプログラム・コードを更に備えるコンピュータ・プログラム・プロダクト。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月22日(2010.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
出力コネクタ５は一方が他方の上に１列に配列され、出力コネクタ５の前面はレール３から離れている。ネットワークデバイス２が図１に示される実装状態にある場合、軌道モジュラーデバイスシステム１は狭い構成を有する。というのは、レール３の方向Ｓに沿ったネットワークデバイス２の幅Ｂは、能動ネットワークデバイス２ｂや受動ネットワークデバイス２ａの形状及び構成とは無関係に、全軌道モジュラーデバイスシステム１について同一であることが好ましいからである。このため、能動ネットワークデバイス２ｂ及び受動ネットワークデバイス２ａは、レール３が完全にふさがっている場合であっても、ネットワークデバイス２の横面がレール３の方向Ｓに沿って互いに当接するのであれば、随意に交換可能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
軌道モジュラーデバイスシステム１はまた、受動ネットワークデバイス２ａと同様に能動ネットワークデバイス２ｂ内に随意に嵌まることができる固定接続モジュール９を有する。固定接続モジュール９の少なくとも一部は、レール３に実装される際に、ネットワークデバイス２の下面Ｕに配置される。固定コネクタモジュールの固定部材１０は、外側からアクセス可能になるように、ネットワークデバイス２の横面Ｄに配置されてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前部ハウジング要素（１３）が、前記電源接続部用の凹部を有することを特徴とする請求項７記載の軌道モジュラーデバイスシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月24日(2011.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光入力端部と、対向する光出力端部と、それらの間で長手方向の外表面を画定する全内部反射面とを有する先細の固体光導体であって、前記光出力端部が、前記光入力端部より大きい周囲を有し、前記光入力端部が、開口表面によって画定される前記先細の固体光導体内に広がる開口を含む、先細の固体光導体と、
前記全内部反射面に隣接して配置される鏡面反射層又はフィルムであって、前記鏡面反射層又はフィルムと前記全内部反射面との間の距離が第１の空隙を画定する、鏡面反射層又はフィルムと、
を含み、前記開口がランベルト光源を受け入れるよう構成される、光入射装置。
【請求項２】
第１の端部と、対向する第２の端部と、それらの間のチューブ長とを含む細長いチューブであって、前記細長いチューブが、内表面と、前記内表面に隣接して配置される鏡面反射層又はフィルムとを有し、前記第１の端部がランベルト光源を受け入れるよう構成される、細長いチューブと、
前記細長いチューブ内に配置される先細の固体光導体であって、前記先細の固体光導体が、光入力端部と、対向する光出力端部と、それらの間で長手方向の外表面を画定する全内部反射面とを有し、第１の空隙が、前記鏡面反射層又はフィルムと前記全内部反射面との間の距離によって画定され、前記光出力端部が、前記光入力端部より大きい周囲を有し、前記光入力端部が、開口表面によって画定される前記先細の固体光導体内に広がる開口を含み、前記開口がランベルト光源を受け入れるよう構成される、先細の固体光導体と、
を含む、光入射装置アセンブリ。
【請求項３】
第１の端部と、対向する第２の端部と、それらの間のチューブ長とを含む細長いチューブを提供する工程であって、前記細長いチューブが、内表面と、前記内表面に隣接して配置される鏡面反射層又はフィルムとを有し、ランベルト光源が前記第１の端部に隣接して配置される、細長いチューブを提供する工程と、
先細の固体光導体を提供する工程であって、前記先細の固体光導体が、光入力端部と、対向する光出力端部と、それらの間で長手方向の外表面を画定する全内部反射面とを有し、前記光出力表面が、前記光入力端部より大きい周囲を有し、前記光入力端部が、開口表面によって画定される前記先細の固体光導体内に広がる開口を含む、先細の固体光導体を提供する工程と、
前記先細の固体光導体を前記細長いチューブに挿入する工程であって、その結果、前記ランベルト光源が、第１の空隙によって前記開口表面から間隔を空けて前記開口内に配置され、前記全内部反射面が、第２の空隙によって前記細長いチューブの内表面から間隔を空けて配置されて、光導体アセンブリが形成される、前記先細の固体光導体を前記細長いチューブに挿入する工程と、
を含む、光入射装置アセンブリを形成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月25日(2011.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
治療上有効な量の（ｉ）少なくとも１つの抗血管形成化合物と（ｉｉ）少なくとも１つのコルチコステロイドとを含んでなる、組み合わせ物。
【請求項２】
前記抗血管形成化合物が、免疫抑制化合物である、請求項１に記載の組み合わせ物。
【請求項３】
前記免疫抑制化合物が、カルシニュリン阻害剤およびｍＴＯＲ阻害剤からなる群から選択される、請求項２に記載の組み合わせ物。
【請求項４】
前記抗血管形成化合物が、ＶＥＧＦを阻害する化合物である、請求項１に記載の組み合わせ物。
【請求項５】
前記カルシニュリン阻害剤が、シクロスポリンである、請求項３に記載の組み合わせ物。
【請求項６】
前記カルシニュリン阻害剤が、シクロスポリンＡである、請求項３に記載の組み合わせ物。
【請求項７】
眼科的に適合する溶媒成分をさらに含んでなる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の組み合わせ物。
【請求項８】
前記抗血管形成化合物が、約１０％以下の量で存在する、請求項１に記載の組み合わせ物。
【請求項９】
前記抗血管形成化合物がシクロスポリンＡであり、その濃度が約０．００１％〜約０．０５％間である、請求項１に記載の組み合わせ物。
【請求項１０】
前記コルチコステロイドが約０．０１％〜約４％の量で存在する、請求項１に記載の組み合わせ物。
【請求項１１】
０．０１２％の酢酸プレドニゾロンと０．０５％のシクロスポリンを含む、請求項１に記載の組み合わせ物。
【請求項１２】
同時もしくは連続投与、または経時的交互投与のための、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の組み合わせ物。
【請求項１３】
血管形成媒介性の眼科的疾患または病気の治療に用いるための、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の組み合わせ物。