【事件の表示】
　特願２００２−３１２６３２「フィルビア構造を有する多層プリント配線板」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　６月２７日出願公開、特開２００３−１７９３５３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１０年　２月２６日に出願した特願平１０−４５３９８号の一部を平成１４年１０月２８日に新たな特許出願としたものであって、平成２０年　７月１５日付けで拒絶査定され、これを不服として平成２０年　８月２８日付けで拒絶査定不服の審判が請求され、平成２０年　９月２９日付けで手続補正書が提出されたが、平成２２年１２月　６日付けで当審による補正却下の決定及び最初の拒絶理由通知がなされ、平成２３年　２月１４日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
　本願の請求項１〜７に係る発明は、平成２３年　２月１４日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その内、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】
　導体回路と層間樹脂絶縁層とがセミアディティブ法によって交互に積層された多層プリント配線板において、
　前記導体回路は、層間樹脂絶縁層上に形成される無電解めっき膜と、その無電解めっき膜上に形成された電解めっき膜とからなり、
　前記層間樹脂絶縁層には、開口部が設けられ、その開口部の内壁の表面に被覆された無電解めっき膜と、その無電解めっき膜によって囲まれた開口内部に充填される電解めっき膜とからなるバイアホールが形成され、
　前記層間樹脂絶縁層のうち、最も外側に位置する層間樹脂絶縁層上には、半田パッドとして機能する導体パッドとバイアホールを含んだ上層の導体回路とバイアホールが形成され、
　前記半田パッドとして機能する導体パッドとバイアホール上には、はんだ体が形成され、前記上層の導体回路とバイアホールを含む前記導体回路は、その厚さがバイアホール径の１／２未満でかつ２５μｍ未満であり、
　前記バイアホールは、その表面中央部に窪みを有し、その窪みは前記導体回路の厚さ以下で、かつ２０μｍ以下の深さのものであることを特徴とする多層プリント配線板。」
　
　
２．当審拒絶理由の概要と引用刊行物及びその摘記事項
　当審による平成２２年１２月　６日付けの最初の拒絶理由通知における拒絶の理由１は、「この出願の請求項１〜７に係る発明は、その出願前日本国内において頒布された下記の刊行物１、刊行物２に記載された発明及び周知技術に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」というものであり、特に、理由１のイ．は、刊行物２に係る発明において、上層の導体回路に半田パッドの機能を持たせることは周知技術を用いて適宜設定される設計的事項であるとしているところ、上記拒絶理由通知において引用した本願の出願日前に国内において頒布された下記の刊行物には、次の事項が記載されている。
　
（１）上記当審拒絶理由通知で引用した刊行物２である特開平７−１４７４８３号公報（以下、「刊行物１」という。）の摘記事項
（下線は当審で引いたもの。）
（刊１ａ）「【００２０】
【実施例】
〔実施例１〕まず、実施例１の
プリント配線板を製造方法
工程（１）：本実施例では、図１（ａ）に示されるように、
第１層目の導体パターンＣ
１
 （厚さ１８μｍ）が形成された厚さ１．０mmの銅張ガラスエポキシ基板１を出発材料とした。そして、スピンコータを用いることによって、層間絶縁層Ｉ
１
 となる感光性エポキシ樹脂（イビデン株式会社製）を基板１に厚さが２６μｍになるように塗布した。
工程（２）：前記感光性エポキシ樹脂を７５℃で３０分間
プリベークした後、露光・現像を行い、更に１５０℃で６０分間の硬化処理を行った
層間接続用の凹部である直径３０μｍのバイアホール形成用穴２を備える第１層目の層間絶縁層（厚さ２０μｍ）Ｉ
１
 を得た。
【００２１】工程（３）：真空スパッタ装置（徳田製作所製：ＣＦＳ−８ＥＰ）を用い、層間絶縁層Ｉ１ に対するＣｒ，Ｃｕのスパッタリングを行った。この
スパッタリングにより、図１（ｃ）に示されるように、第１層目の金属薄層である０．１μｍのＣｒ薄層Ｌ
１
 と、第２層目の金属薄層である０．２μｍのＣｕ薄層Ｌ
２
 とからなる下地層ＵＬを形成した。
【００２２】工程（４）：スピンコータによって
Ｃｕ薄層Ｌ
２
 上に
チャンネル状のめっきレジスト（厚さ４μｍ，Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍ）３を形成した。
工程（５）：・・・Ｃｕ薄層Ｌ２ の表面を活性化させた。
【００２３】工程（６）：基板１を水洗した後、下記の硫酸銅電解めっき浴による
電解銅めっきを実施した。そして、めっきレジスト３から部分的に露出しているＣｕ薄層Ｌ
２ 
上に、図１（ｅ）に示されるような厚さ３．０μｍのＣｕめっき層Ｌ
３
 を析出させた。
【００２４】工程（７）：基板１を水洗した後、下記の硫酸ニッケル電解めっき浴による電解ニッケルめっきを実施した。そして、
Ｃｕめっき層Ｌ
３
 上に、密着層としての厚さ１．０μｍのＮｉめっき層Ｌ
４
 を析出させた。
【００２５】工程（８）：専用のレジスト剥離液（東京応化株式会社製）を用いて、
基板１からめっきレジスト３を剥離した。この後、
Ｃｕ薄層Ｌ
２ 
をエッチングした。
更に、
Ｃｒ薄層Ｌ
１
 をエッチングした。
Ｃｒ薄層Ｌ
１
 ，Ｃｕ薄層Ｌ
２
 ，Ｃｕめっき層Ｌ
３
 及Ｎｉめっき層Ｌ
４
 の合計４層からなる導体パターンＣ
２
 を得た。
工程（９）：
前記工程（２）から工程（８）を繰り返し行い、最終的に図２に示されるような、基板１上に６層の導体パターンＣ
１
 〜Ｃ
６
 と５層の層間絶縁層Ｉ
１
 〜Ｉ
５
 とを持つ多層構造のプリント配線板４を得た。
　
（刊１ｂ）「【００１６】
銅めっき層の下地層を形成する方法は、上記の薄膜法に限るものではなく、第１層目の層間絶縁層表面に無電解めっき用接着剤を形成し、その表面を酸によって粗化するか、或いは層間絶縁層表面を化学的手段や機械的手段によって粗化し、次いで無電解めっき触媒（パラジウムなど）を付加した後に、無電解めっき処理を施す方法であってもかまわない
　
（刊１ｃ）「【０００２】
【従来の技術】近年、電子工業の進歩に伴い、電子機器の小型化や高速化が求められ、この要求に答えるためにプリント配線板に複数個のＩＣやＬＳＩ等を直接実装する技術（所謂ＭＣＭ技術）が注目されてきている。従って、この様なプリント配線板に対して、導体パターンのファイン化等といった高密度化が要求されている。
プリント配線板を製造するときのファインな導体パターンの形成方法の一つとしては、例えば以下に述べるようなセミアディティブ法が知られている。このプロセスでは、まずスパッタリング等によって、層間絶縁層上に下地層としての極薄い導体層が形成される。次いでこの下地層上にはめっきレジストが形成される。次いでこのめっきレジストによってマスキングされていない部分には銅めっきが施される。この後、めっきレジストの剥離及び下地層のエッチングを経ることによって、所望のファインな導体パターンが形成される
　
（刊１ｄ）図１の（ａ）〜（ｆ）には、プリント配線板の製造工程を説明するための部分概略断面図が、また図２には、図１の製造工程により作成されたプリント配線板を示す部分概略断面図が示され下記の点が看取できる。
　ア．上記（刊１ａ）の記載を参酌すれば、Ｃｒ薄層Ｌ１ ，Ｃｕ薄層Ｌ２ ，Ｃｕめっき層Ｌ３ 及Ｎｉめっき層Ｌ４ の合計４層からなる導体パターンＣ２〜Ｃ６が、層間絶縁層Ｉ１〜Ｉ５の上面に設けられており、図２において、最も外側に位置する層間絶縁層Ｉ５の上には、導体パターンＣ６が形成されていること。
　イ．図１の（ｃ）から、層間絶縁層Ｉ１上の全面及びバイアホール形成用穴の内壁の表面に、スパッタリングにより、第１層目の金属薄層である０．１μｍのＣｒ薄層Ｌ１ と、第２層目の金属薄層である０．２μｍのＣｕ薄層Ｌ２ とからなる下地層ＵＬが被覆形成されていること
　ウ．図１（ｅ），（ｆ）、図２から、バイアホール形成用穴の内壁の表面に被覆形成された、導体パターンとしての金属層と、その金属層によって囲まれた開口内部に電解銅めっきによる銅めっき層が充填されていること。
　エ．バイアホール形成用穴２に充填された導体パターンにおいて、バイアホール形成用穴２直上の導体パターンＣ２〜Ｃ６上面が当該導体パターンＣ２〜Ｃ６の厚さよりも浅い窪みを有していること。
　
　
３．当審の判断
（１）刊行物１に記載の発明
　上記摘記事項（刊１ａ）、（刊１ｄ）を整理すると、刊行物１には、
　「基板１上に６層の導体パターンと５層の層間絶縁層とを持つ多層構造のプリント配線板において、
　ア．感光性エポキシ樹脂からなる層間絶縁層を基板１に厚さが２６μｍになるように塗布し、
　イ．プリベーク、露光・現像及び硬化処理により層間接続用の凹部である直径３０μｍのバイアホール形成用穴２を形成した厚さ２０μｍの層間絶縁層を形成し、
　ウ．前記層間絶縁層上の全面及びバイアホール形成用穴の内壁の表面に、スパッタリングにより、第１層目の金属薄層である０．１μｍのＣｒ薄層Ｌ１ と、第２層目の金属薄層である０．２μｍのＣｕ薄層Ｌ２ とからなる下地層ＵＬを形成し、
　エ．次に、Ｃｕ薄層Ｌ２上にチャンネル状のめっきレジスト３を形成し、
　オ．次に、電解銅めっきにより、前記層間絶縁層上の全面及びバイアホール形成用穴の内壁の表面においてめっきレジスト３から部分的に露出しているＣｕ薄層Ｌ２上に、厚さ３．０μｍのＣｕめっき層Ｌ３を析出させ、
　カ．さらに、Ｃｕめっき層Ｌ３上に、密着層としての厚さ１．０μｍのＮｉめっき層Ｌ４を析出させた後、
　キ．基板１からめっきレジスト３を剥離し、Ｃｕ薄層Ｌ２をエッチングし、更に、Ｃｒ薄層Ｌ１をエッチングすることで、
　Ｃｒ薄層Ｌ１，Ｃｕ薄層Ｌ２ ，Ｃｕめっき層Ｌ３及びＮｉめっき層Ｌ４の合計４層からなる導体パターンＣ２を形成し、
　これらア．〜キ．を繰り返すことで、多層構造のプリント配線板とし、
　前記層間絶縁層のうち最も外側に位置する層間絶縁層Ｉ５の上には、導体パターンＣ６を形成すると共に、バイアホール形成用穴に前記導体パターンＣ６を充填し、
　  バイアホール形成用穴２直上の導体パターンＣ６上面が当該導体パターンＣ６の厚さよりも浅い窪みを有している多層構造のプリント配線板」
に関する発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されている。
　
（２）対比・判断
　本願発明と刊行物１発明とを対比する。
　ア．刊行物１発明の「導体パターン」、「多層構造のプリント配線板」、「感光性エポキシ樹脂からなる層間絶縁層」、「バイアホール形成用穴」及び「Ｃｕめっき層Ｌ３」は、本願発明の「導体回路」、「多層プリント配線板」、「層間樹脂絶縁層」、「開口部」及び「電解めっき膜」に相当する。
　
　イ．上記（刊１ｄ）で摘記したように、刊行物１発明の「バイアホール形成用穴」には、その内壁に金属層が被覆形成され、その金属層によって囲まれた開口内部に銅めっき層が充填されていることは明らかであるから、金属層が被覆形成され銅めっき層が充填された「バイアホール形成用穴」は、本願発明の「バイアホール」に相当する。
　
　ウ．刊行物１発明において、「層間絶縁層を形成し」、「前記層間絶縁層上の全面に、下地層ＵＬを形成し」、「チャンネル状のめっきレジスト３を形成し」、「電解銅めっきにより、めっきレジスト３から部分的に露出しているＣｕ薄層Ｌ２上に、厚さ３．０μｍのＣｕめっき層Ｌ３を析出させ」、「めっきレジスト３を剥離し、Ｃｕ薄層Ｌ２をエッチングし、更に、Ｃｒ薄層Ｌ１をエッチングする」ア．〜キ．の工程は、刊行物１の摘記事項（刊１ｃ）から「セミアディティブ法」であり、これらを繰り返すことは、導体パターンと層間絶縁層とをセミアディティブ法によって、交互に積層していることになる。
　
　エ．刊行物１発明において、各導体パターン、層間絶縁層及びバイアホール形成用穴は、上記ウ．のようにセミアディティブ法を繰り返して作成されるものであるから、第１層の層間絶縁膜Ｉ１の上に形成された導体パターンＣ２と、最も外側の層間絶縁膜Ｉ５の上に形成された導体パターンＣ６とは、何れも同じ大きさであることは明らかである。
　一方、本願発明におけるバイアホール径は、平成２３年　２月１４日付けの意見書５頁の（２）によれば、
　「上記ア．の「請求項１に記載されたバイアホール径の定義」については、一般にバイアホール径は、層間樹脂絶縁層に形成した開口部（穴）の内径で表され、テーパ状の開口部の場合は穴の上部の径で表されています。なお、日刊工業新聞社１９９９年１月２８日発行の「プリント回路技術用語辞典」中の項目「穴径」の説明でも「ブラインドバイアの場合は穴の上部の径で表す」と記載して上記の点を根拠付けています。」
と、即ち、「バイアホール径」は、「テーパ状の開口部の穴の上部の径」である旨説明されている。
　そして、刊行物１発明のバイアホール形成用穴の直径は、３０μｍであり、０．１μｍのＣｒ薄層Ｌ１，０．２μｍのＣｕ薄層Ｌ２ ，３．０μｍのＣｕめっき層Ｌ３及１．０μｍのＮｉめっき層Ｌ４の合計４層からなる導体パターンは、各層の厚さを合計すると４．３μmとなるから、当該厚さは、バイアホール径の１／２未満でかつ２５μｍ未満となる。
　したがって、刊行物１発明のバイアホール形成用穴に充填され、最も外側の層間絶縁層の上に形成された導体パターンの厚さは、本願発明の「上層の導体回路とバイアホールを含む前記導体回路は、その厚さがバイアホール径の１／２未満でかつ２５μｍ未満」であることに相当する。
　
オ．刊行物１発明の「バイアホール形成用穴」に充填された導体パターンは、「バイアホール形成用穴」の中央上部の表面が窪んでおり、且つ、層間絶縁層の上に形成された導体パターンの厚み４．３μmよりも浅く形成されているから、刊行物１発明の「バイアホール形成用穴２直上の導体パターンＣ６上面が当該導体パターンＣ６の厚さよりも浅い窪み」は、本願発明の「バイアホールは、その表面中央部に窪みを有し、その窪みは前記導体回路の厚さ以下で、かつ２０μｍ以下の深さのものである」に相当する。
　
　そうすると、両者は、
「導体回路と層間樹脂絶縁層とがセミアディティブ法によって交互に積層された多層プリント配線板において、
　前記導体回路は、層間樹脂絶縁層上に形成される膜と、その膜上に形成された電解めっき膜とからなり、
　前記層間樹脂絶縁層には、開口部が設けられ、その開口部の内壁の表面に被覆された膜と、その膜によって囲まれた開口内部に充填される電解めっき膜とからなるバイアホールが形成され、
　前記層間樹脂絶縁層のうち、最も外側に位置する層間樹脂絶縁層上には、上層の導体回路とバイアホールが形成され、
　前記上層の導体回路とバイアホールを含む前記導体回路は、その厚さがバイアホール径の１／２未満でかつ２５μｍ未満であり、
　前記バイアホールは、その表面中央部に窪みを有し、その窪みは前記導体回路の厚さ以下で、かつ２０μｍ以下の深さのものであることを特徴とする多層プリント配線板。」
の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
相違点１：本願発明では、「前記導体回路は、層間樹脂絶縁層上に形成される無電解めっき膜と、その無電解めっき膜上に形成された電解めっき膜とから」なるのに対して、刊行物１発明では、スパッタリングによる膜と、電解めっき膜とからなる点で相違する。
　
相違点２：本願発明では、「最も外側に位置する層間樹脂絶縁層上には、半田パッドとして機能する導体パッドとバイアホールを含んだ上層の導体回路とバイアホールが形成され、
　前記半田パッドとして機能する導体パッドとバイアホール上には、はんだ体が形成され、」ているのに対して、刊行物１発明には、そのような点が特定されていない点。
　
　上記相違点について検討する。
相違点１について
　刊行物１の上記摘記事項（刊１ｂ）には、下地層の形成に際してスパッタリングが好ましいものの、これに限るものではないこと、及びその他の下地層の形成方法として層間絶縁層表面に無電解めっき処理をすることが説明されている。
　してみると、刊行物１に接した当業者であれば、刊行物１発明における下地層の形成をスパッタリングに代えて、無電解めっき処理を採用し、無電解めっき膜を形成することで、相違点１に係る構成とすることは、容易に想到し得たものである。
　  
相違点２について、　
　フリップチップ実装用の配線板において、最も外側に位置する層間樹脂絶縁層上に半田パッドとして機能する導体パッドとバイアホールを導体パターンとして形成し、導体パッドとバイアホール上にはんだ体を設けること自体は、下記の周知文献１、２の摘記事項のように周知の技術手段である。
　そして、刊行物１発明は、刊行物１の上記摘記事項（刊１ｃ）にあるように、プリント配線板に複数個のＩＣやＬＳＩ等を直接実装する技術であるフリップチップ実装用のプリント配線板の技術に関するものであるから、ＩＣ等の直接実装に際して、周知文献１，２に記載されているような周知の技術を採用して、相違点２に係る構成とすることは当業者ならば容易に想到し得たものである。
　
＜周知文献とその摘記事項＞
（１）周知文献１：上記当審の拒絶理由通知書で周知技術を示すために引用した特開平１０−１３０２６号公報
（周１ａ）「【０００２】
【従来の技術】一般に、フリップチップ実装用の多層プリント配線板（例えばパッケージ）は、その実装表面には、はんだバンプを有するパッドが２次元的に配列したはんだパッド群が形成されている。」
（周１ｂ）「【０００９】
【発明の実施の形態】本発明にかかる多層プリント配線板の特徴は、多層配線層の最表面に位置するはんだパッド群のうちの外側から１列目乃至５列目までに位置するはんだパッドを、その最表面の導体パターンにそれぞれ接続した平坦なパッドとこのパッド表面に形成したはんだバンプとで構成し、これらのはんだパッドを除くはんだパッド群を、内層に位置する平坦な内層パッド群にそれぞれ接続したバイアホールとこのバイアホールの凹部に形成したはんだバンプとで構成した点にある。」
（周１ｃ）「【００４１】・・・さらに上層に、はんだパッド群を形成するために、バイアホール用の開口部・・・を有する層間絶縁材層５を形成する。
【００４２】(9)次に、・・・パッド形成用およびバイアホール形成用の開口部・・・を、はんだバンプ11を供給する位置に有するめっきレジスト６を形成する。
【００４３】(10) 次に、・・・めっきレジスト６が形成されなかった部分に一次めっきおよび二次めっきを施すことにより、図１の場合は、外周から１列、２列目には平坦なパッド９・・・を、その内側にはバイアホール８・・・を形成する。また、図２，８の場合は、外周から１列，２列，３列目には平坦なパッド９・・・を、その内側にはバイアホール８・・・を形成する。
・・・
【００４６】(13) そして、ポリエチレンテレフタレートフィルム上にはんだ箔をラミネートし、バイアホールおよびパッドの位置に相当する場所をはんだパターンとして残してエッチング処理する。次いで、このフィルムを、はんだパターンとパッドおよびバイアホールが接触するように積層し、加熱リフローしてはんだをパッドおよびバイアホールに転写し、はんだバンプを形成する。・・・」
　
（２）周知文献２：特開平１０−５６２５６号公報
（周２ａ）「【０００２】
【従来の技術】従来より、集積回路チップ（以下フリップチップと記す）を配線基板に実装する場合には、配線基板上に半田バンプを設け、この半田バンプを加熱溶融させて、フリップチップと配線基板とを接合している。」
（周２ｂ）「【００３３】・・・半田バンプ１を形成する対象となる配線基板３を製造する場合には、図１（ｂ）に拡大及び破断して示すように、まず、ＢＴコア基板５上にエポキシ樹脂による絶縁層７を形成すると共に、ＢＴコア基板５及び絶縁層７にわたって、無電界Ｃｕメッキ及び電解Ｃｕメッキを用いたセミアディティブ法によってＣｕ内部配線９を形成して積層する。・・・
【００３４】次に、配線基板３の最表面では、前記Ｃｕ内部配線９と接合されるＣｕ配線１１の耐食のため及び半田との密着性を向上させるために、無電解Ｎｉ−Ｐメッキによって約３μｍのＮｉ−Ｐ層１３を形成し、更にその上に、無電解Ａｕメッキによって約０．１μｍのＡｕ層１５を形成して、Ｎｉ−Ｐ層１３及びＡｕ層１５からなる下地導電性パッド（以下単にパッドと称す）１７を作成する。・・・
【００３５】・・・次に、図２に示すように、配線基板３の表側のパッド１７上に、３７Ｐｂ−６３Ｓｎの共晶半田ペースト（融点１８３℃）を周知の印刷法で塗布し、共晶半田ペースト層２１を形成する。
・・・
【００３９】この状態で、最高温度２２０℃のリフロー炉に通し、表側にある共晶半田を溶融させて、その後冷却する。これによって、配線基板３の表側に、頂部が平坦になったフリップチップ接合用の半田バンプ１（高さ１００μｍ）を形成する。・・・」
　
　
　なお、本件審判請求人は、意見書において下記の主張をしている。
（下記の意見書に記載されている刊行物２は、本審決において検討している刊行物１に相当する。）
ア．「また、刊行物２は、・・・これについて「無電解めっきの密着性や緻密性（の低さ）を考慮するとスパッタリングが好ましい」と明確に記載されている。
　従って、これら刊行物１，２は、無電解めっき膜とその無電解めっき膜によって囲まれた開口内部に充填される電解めっき膜とでバイアホールを形成する本願発明の発想から当業者を遠ざけるものである。」（３頁最終行〜４頁９行）
イ．「特に、最外層の層間樹脂絶縁層に形成される上層のバイアホールの表面中央部にも窪みが形成されるので、上層のバイアホールの表面積が大きくなってはんだ体との密着性が向上するという効果があり、しかもその窪みの深さを導体回路の厚み以下でかつ２０μｍ以下とするので、本願明細書の段落番号［００１１］の(２)に記したように中間層のバイアホール上の層間絶縁層の厚さのばらつきが少なくなるのと同様に、はんだ体の高さのばらつきが少なくなり、実装する電子部品の接続信頼性が向上する。」（３頁２３〜２８行）
ウ．「しかもこれら刊行物１，２には、たしかに審判長殿が指摘されるようにバイアホールの中央部に導体パターンの厚さ以下でかつ２０μｍ以下の窪みが形成されていることは記載されているものの、「上層のバイアホールの表面中央部に導体回路の厚さ以下でかつ２０μｍ以下の深さの窪みを形成してその上にはんだ体を形成することで、バイアホールの表面積を大きくしてはんだ体との密着性を向上させると同時にはんだ体の高さのばらつきを少なくして実装する電子部品の接続信頼性を向上させる」という本願発明の技術的思想については記載も示唆も全くない。」（４頁１０〜１６行）
エ．「（４）すなわち本願発明は、バイアホール上にはんだ体を形成するとそのはんだ体の高さにばらつきが生じてそこに実装する電子部品の接続信頼性の問題を生ずるという新規な課題を上記構成によって解決している処、これら刊行物１，２を如何に組み合わせても、あるいはそれらにさらに周知文献１，２を組み合わせても、それらから本願発明の上記構成を当業者が容易に想到し得たものとは到底いえないので、本願発明は明らかに進歩性を有している。」（４頁２０〜２５行）
　
　上記ア．の点についてみると、銅めっき層の下地層を形成する方法として、刊行物１の【００１６】には、「スパッタリングが好ましい」と、記載されているものの、同段落には、「上記の薄膜法」即ちスパッタリング「のみに限るものではなく」として、無電解めっき処理を、例示しているのであるから、最良の方法ではないとしても、無電解めっきの採用を否定しているものではないから、上記ア．に係る主張を採用することができない。
　
　次に上記イ．〜エ．の点についてみると、はんだ体とバイアホールとの接続に関する課題及び、本件審判請求人が主張するはんだ体と窪みを有するバイアホールとの接続による効果については、本願明細書全体において、具体的な説明は何ら記載されていない。
　そして、窪みに関する効果の説明として高さのばらつきに関して、本件審判請求人が意見書で参照している本願明細書の【００１１】には、
　「【００１１】このような本発明の多層プリント配線板において、・・・
(2) バイアホールは、表面中央部に窪みが形成されていることがより望ましい構成である。さらに、この窪みは、導体回路の厚さ以下の大きさで20μｍ以下であることが望ましい。この理由は、
窪みが大きすぎると
層間樹脂絶縁層の厚さが他の導体回路上に形成されるものよりも厚くなり
バイアホールの窪みの上に樹脂が残存しやすく
と記載されており、バイアホール上部に形成する層間樹脂絶縁層の加工に際しての窪み上での樹脂残りを減らすことを目的としていることが説明されているが、窪みの大きさにより、はんだ体の高さのばらつきをなくすこと自体については何ら説明されていない。
　そして、明細書の記載事項から、はんだ体の高さのばらつきをなくすために窪みの大きさを設定することが自明であるとも認められない。
　
　また、バイアホールの窪みによる密着性の効果の点については、
　「【００１７】さらに、
導体回路の厚さを・・・薄くすると
層間樹脂との接触面積が少なく
剥離が発生しやすくなる
窪みを設け、その表面を粗化することにより、剥離の際に働く力の方向と粗面の方向が角度を持つことになり、剥離の際に働く応力が分散して剥離を抑制する
　「【００５７】本実施例では、バイアホールの表面中央部に
窪みを設けているので、薄膜化による導体の剥離を引き起こすことなく
との説明があるが、これは、導体回路が薄くなった場合に剥離を生じ易いとの課題のもと、「
窪みを設け、その表面を粗化することにより、剥離の際に働く力の方向と粗面の方向が角度を持
剥離の際に働く応力が分散して剥離を抑制
　したがって、窪みによる密着性向上の効果は、その窪みの大小にかかわらず、接触部分の面積を広げれば密着性が向上するであろうという一般的な技術を単に説明しているものであり、刊行物１のように窪みを有しているものであれば、自ずから有している効果にすぎず、格別有意な効果とは認められない。
　
　一方、はんだ体の高さのばらつきに関する効果の説明は明細書全体には記載されていないが、はんだ体の密着性に関する記載としては、
　「【００４８】(１３)次に、前記開口部から露出した前記はんだパッド部上に「ニッケル−金」の金属層を形成する。・・・一方
金層は、厚すぎるとコスト増になり、薄すぎるとはんだ体との密着効果が低下する
と説明されており、これは、本願の請求項１に特定されていない「ニッケル−金」からなる金属層による効果の説明であり、バイアホールの窪みによる効果を説明したものではない。
　
　以上のように、本件審判請求人の主張する上記ア．の点についてはこれを採用することができず、上記イ．〜エ．の点については、明細書或いは請求項１係る発明の構成に基づかない主張であるか、或いは格別有意な効果ではないから、これらの主張は、上記当審の判断を変えるものではない。
　
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の請求項２−７については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。