(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマに入射するレーザーの偏光の方位角、楕円率角、前記プラズマを通過したレーザーの偏光の方位角、楕円率角を取得する取得部と、
前記プラズマに入射するレーザーの偏光の前記方位角、前記楕円率角、前記プラズマを通過したレーザーの偏光の前記方位角と前記楕円率角とに基づいて、前記プラズマ中の磁場分布、電子密度分布、電子温度分布のうち１つ以上を算出する算出部と、
を備える算出装置。
【請求項２】
プラズマに入射するレーザーの偏光の方位角、楕円率角、前記プラズマを通過したレーザーの偏光の方位角、楕円率角を取得する取得部と、
前記プラズマに入射するレーザーの偏光の前記方位角、前記楕円率角、所定のパラメータを含む所定の数理モデルに基づいて前記プラズマを通過したレーザーの偏光の方位角および楕円率角をシミュレートし、当該方位角および当該楕円率角と前記取得部が取得した前記プラズマを通過したレーザーの偏光の前記方位角および前記楕円率角とに基づいて算出される指標値が所定値未満になるまで前記パラメータの値の変更を繰り返し、前記指標値が前記所定値未満の時の前記パラメータの値に基づいて前記プラズマ中の磁場分布、電子密度分布、電子温度分布のうち１つ以上を算出する算出部と、
を備える算出装置。
【請求項３】
コンピュータが、
プラズマに入射するレーザーの偏光の方位角、楕円率角、前記プラズマを通過したレーザーの偏光の方位角、楕円率角を取得するステップと、
前記プラズマに入射するレーザーの偏光の前記方位角、前記楕円率角、前記プラズマを通過したレーザーの偏光の前記方位角と前記楕円率角とに基づいて、前記プラズマ中の磁場分布、電子密度分布、電子温度分布のうち１つ以上を算出するステップと、
を実行する算出方法。
【請求項４】
コンピュータが、
前記プラズマに入射するレーザーの偏光の前記方位角、前記楕円率角、プラズマに入射するレーザーの偏光の方位角、楕円率角、前記プラズマを通過したレーザーの偏光の方位角、楕円率角を取得するステップと、
前記プラズマに入射するレーザーの偏光の前記方位角、前記楕円率角、所定のパラメータを含む所定の数理モデルに基づいて前記プラズマを通過したレーザーの偏光の方位角および楕円率角をシミュレートし、当該方位角および当該楕円率角と前記取得部が取得した前記プラズマを通過したレーザーの偏光の前記方位角および前記楕円率角とに基づいて算出される指標値が所定値未満になるまで前記パラメータの値の変更を繰り返し、前記指標値が前記所定値未満の時の前記パラメータの値に基づいて前記プラズマ中の磁場分布、電子密度分布、電子温度分布のうち１つ以上を算出するステップと、
を実行する算出方法。
【請求項５】
コンピュータに、
プラズマに入射するレーザーの偏光の方位角、楕円率角、前記プラズマを通過したレーザーの偏光の方位角、楕円率角を取得するステップと、
前記プラズマに入射するレーザーの偏光の前記方位角、前記楕円率角、前記プラズマを通過したレーザーの偏光の前記方位角と前記楕円率角とに基づいて、前記プラズマ中の磁場分布、電子密度分布、電子温度分布のうち１つ以上を算出するステップと、
を実行させる算出プログラム。
【請求項６】
コンピュータに、
プラズマに入射するレーザーの偏光の方位角、楕円率角、前記プラズマを通過したレーザーの偏光の方位角、楕円率角を取得するステップと、
前記プラズマに入射するレーザーの偏光の前記方位角、前記楕円率角、所定のパラメータを含む所定の数理モデルに基づいて前記プラズマを通過したレーザーの偏光の方位角および楕円率角をシミュレートし、当該方位角および当該楕円率角と前記取得部が取得した前記プラズマを通過したレーザーの偏光の前記方位角および前記楕円率角とに基づいて算出される指標値が所定値未満になるまで前記パラメータの値の変更を繰り返し、前記指標値が前記所定値未満の時の前記パラメータの値に基づいて前記プラズマ中の磁場分布、電子密度分布、電子温度分布のうち１つ以上を算出するステップと、
を実行させる算出プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ内部の磁場分布、電子密度分布、電子温度分布を算出する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
核融合プラズマにおいてプラズマ内部の磁場分布を非接触で測定する方法として、レーザーの偏光を利用する方法がある。直線偏光したレーザーがプラズマに入射されると、プラズマとレーザー（電磁波）との相互作用により、その偏光面が回転するとともに楕円化する。この方法では、レーザーの偏光面の回転角に基づいて、磁場分布を算出する。具体的には、複数のレーザーをプラズマに入射し、それらの偏光面の回転角と整合するようにプラズマ内部の磁場分布を推定することにより、磁場分布を算出する。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】F. HOFMANN, G. TONETTI, “TOKAMAK EQUILIBRIUM RECONSTRUCTION USING FARADAY ROTATION MEASUREMENTS”, NUCLEAR FUSION, Vol. 28, No. 10, pp. 1871-1878(1998).
【非特許文献２】G. Braithwaite, et al., “JET polari-interferometer”,Rev. Sci. Instrum., Vol. 60, No. 9, pp. 2825-2834(1989).
【非特許文献３】Ch. Fuchs and H. J. Hartfuss, “Cotton-Mouton Effect Measurement in a Plasma at the W7-AS Stellarator”, PHYSICAL REVIEW LETTERS, Vol. 81, No. 8(1998).
【非特許文献４】T. Akiyama, et al. “CO2 laser polarimeter for electron density profile measurement on the Large Helical Device”, Rev. Sci. Instrum., Vol. 74, 2695(2003).
【非特許文献５】R. Imazawa, et al. “A new approach of equilibrium reconstruction for ITER”, Nucl. Fusion, Vol. 51, 113022(2011).
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
レーザーの偏光面の変化（回転と楕円化）は、レーザー光路上の磁場分布および電子密度分布の情報を有しているが、この変化量からプラズマ内部の磁場分布および電子密度分布の両方を同時に求めることは困難である。そのため、どちらか一方の情報を別の方法で得る必要があった。つまり、偏光計の測定値から磁場分布を算出するには、電子密度計測装置（干渉計、反射計、トムソン散乱計など）によってプラズマ内部の電子密度分布を得ておく必要がある。このような例として非特許文献１および非特許文献２が挙げられる。一方、偏光計の測定値から電子密度分布を算出するには、プラズマ内部の磁場分布を得ておく必要がある。このような例として非特許文献４が挙げられる。また、非特許文献２および非特許文献３は、事前に得ている磁場分布を利用し、偏光計の測定値から計測視線上の電子密度の線積分量を計測したものである。
【０００５】
プラズマとレーザー（電磁波）との相互作用において、電子温度の寄与（相対論効果）は小さいためこれまで無視されてきた。しかしながら、核融合反応が発生するような高温なプラズマでは相対論効果は無視できない。つまり、偏光計の計測値から磁場分布や電子密度分布を求める際に、相対論効果を考慮する必要があり、電子温度計測装置（トムソン散乱計、電子サイクロトロン放射計など）によって電子温度分布を得ておく必要がある。磁場分布を求める際に、相対論効果を考慮した例として非特許文献5が挙げられる。
【０００６】
したがって、プラズマ内部の磁場分布を求めるには電子密度分布が必要とされ、電子密度分布を求めるには磁場分布が必要とされる。即ち、プラズマ内部の磁場分布と電子密度分布とを同時に求めることは困難である。そして、高温なプラズマでは相対論効果を考慮するために、さらに電子温度分布も必要となる。
【０００７】
本発明は、プラズマ内部の磁場分布、電子密度分布および電子温度分布が未知の場合でも、偏光計の計測値から磁場分布、電子密度分布および電子温度分布を含むプラズマ内部の物理量を同定することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するために、以下の手段を採用する。
【０００９】
即ち、本発明の１つの態様は、
プラズマを通過したレーザーの偏光面の方位角、楕円率角を取得する取得部と、
前記方位角と前記楕円率角とに基づいて、前記プラズマ中の磁場分布、電子密度分布、電子温度分布のうち少なくとも１つを算出する算出部と、
を備える算出装置である。
【００１０】
本発明の他の１つの態様は、
プラズマを通過したレーザーの偏光面の方位角、楕円率角を取得する取得部と、
所定のパラメータを含む所定の数理モデルに基づいて前記プラズマを通過したレーザーの偏光面の方位角および楕円率角をシミュレートし、当該方位角および当該楕円率角と前記取得部が取得した前記方位角および前記楕円率角とに基づいて算出される指標値が所定値未満になるまで前記パラメータの値の変更を繰り返し、前記指標値が前記所定値未満の時の前記パラメータの値に基づいて前記プラズマ中の磁場分布、電子密度分布、電子温度分布のうち少なくとも１つを算出する算出部と、
を備える算出装置である。
【００１１】
開示の態様は、プログラムが情報処理装置によって実行されることによって実現されてもよい。即ち、開示の構成は、上記した態様における各手段が実行する処理を、情報処理装置に対して実行させるためのプログラム、或いは当該プログラムを記録した記録媒体として特定することができる。また、開示の構成は、上記した各手段が実行する処理を情報処理装置が実行する方法をもって特定されてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、プラズマ内部の磁場分布および電子密度分布の両方が未知の場合でも、磁場分布、電子密度分布および電子温度分布を含むプラズマ内部の物理量を同定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、一般の楕円に対する楕円率、楕円率角および方位角の例を示す図である。
【図２】図２は、本実施形態の算出装置の例を示す図である。
【図３】図３は、情報処理装置の例を示す図である。
【図４】図４は、算出装置の動作フローの例を示す図である。
【図５】図５は、本実施形態の算出装置の算出結果の具体例（磁場分布）を示す図である。
【図６】図６は、本実施形態の算出装置の算出結果の具体例（電子密度分布）を示す図である。
【図７】図７は、本実施形態の算出装置の算出結果の具体例（電子温度分布）を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して実施形態について説明する。実施形態の構成は例示であり、開示の構成は、開示の実施形態の具体的構成に限定されない。開示の構成の実施にあたって、実施形態に応じた具体的構成が適宜採用されてもよい。
【００１５】
〔実施形態〕
（機能概要）
本実施形態の算出装置は、プラズマ内部に入射される直線偏光したレーザーとプラズマとの相互作用によるレーザーの偏光に基づいて、プラズマ内部の磁場分布、電子密度分布、電子温度分布を算出する。ここで、プラズマは所定領域内に閉じ込められている。レーザーは、プラズマの所定領域の境界の所定の位置（始点とする）から入射され、始点と異なるプラズマの所定領域の境界の所定の位置（終点とする）から出射される。このレーザーの始点および終点を通る直線を視線ともいう。また、プラズマに入射されるレーザー自体を視線ということもある。さらに、始点から終点への方向を視線方向ともいう。１つのプラズマに対して、始点および終点の異なる複数の視線が設定され得る。偏光計は、始点から直線偏光したレーザーを入射し、終点で偏光したレーザーを検出する。本実施形態の算出装置は、所定領域内に閉じ込められているプラズマ内部の磁場分布等を算出する。
【００１６】
直線偏光したレーザーがプラズマに入射すると、プラズマと電磁波との相互作用により、レーザーは楕円偏光になる。本実施形態の算出装置は、プラズマを通過したレーザーの楕円偏光の方位角および楕円率角を使用して、磁場分布、電子密度分布、電子温度分布を算出する。レーザーの楕円偏光の方位角および楕円率角は、偏光計によって計測されうる。
【００１７】
ここで、レーザー伝搬方向をｚ方向とするデカルト座標系ｘｙｚを想定し、ｘ軸と楕円偏光の楕円の長軸の方向とのなす角を方位角という。ｘ軸は核融合装置におけるトロイダル磁場の方向にとる。楕円偏光の楕円の長軸の長さｂと短軸の長さａとの比を楕円率という。また、楕円率は、楕円率角の正接（タンジェント）である。即ち、楕円率をＥ、楕円率角をεとすると、次の関係がある。
【００１８】
【数１】
0005854381.tif 000002
図１は、一般の楕円に対する楕円率、楕円率角および方位角の例を示す図である。図１の例では、楕円ＥＬに対して、長軸の長さがｂ、短軸の長さがａ、楕円率角がεとなる。また、方位角はθとなる。
【００１９】
（構成例）
図２は、本実施形態の算出装置の例を示す図である。算出装置１００は、第１取得部１０２、第２取得部１０４、演算部１０６、比較部１０８、格納部１１０を有する。これらの機能部のうち、いずれか２以上の機能部が、１つの機能部として動作してもよい。例えば、第１取得部１０２および第２取得部１０４が、１つの取得部として動作してもよい。また、これらの機能部のうち、１つの機能部が複数の機能部として動作してもよい。
【００２０】
第１取得部１０２は、格納部１１０に格納される偏光計等によって計測されたレーザーの偏光の方位角、楕円率角、当該レーザーの始点および終点の位置情報、プラズマ領域の
境界の位置情報（プラズマ領域の形状の情報）を取得する。これらの情報は、外部の装置（例えば、偏光計など）などから直接取得されてもよい。これらの情報は、演算部１０６、比較部１０８で使用されうる。
【００２１】
第２取得部１０４は、格納部１１０に格納される数理モデルを取得する。取得された数理モデルは、演算部１０６で使用される。
【００２２】
演算部１０６は、第１取得部１０２で取得されたプラズマ領域の境界の位置情報、第２取得部１０４で取得された数理モデル等に基づいて、レーザーの偏光の方位角、楕円率角を演算する。演算部１０６は、比較部１０８の比較結果により、数理モデルにおけるフリーパラメータを変更して、演算を繰り返す。
【００２３】
比較部１０８は、数理モデルにより算出される物理量と、第１取得部１０２により取得される物理量とを比較する。これらの物理量の差が所定の値以上である場合、演算部１０６による物理量の算出が繰り返される。
【００２４】
格納部１１０は、偏光計等によって計測されたレーザーの偏光の方位角、楕円率角、当該レーザーの始点および終点の位置情報、当該レーザーの波長を対応づけて格納する。使用されるレーザーの波長が1種類の場合は、当該レーザーの波長が独立して格納されても
よい。また、格納部１１０は、プラズマ領域の境界の位置情報を格納する。境界の位置情報は、例えば、プラズマ領域の形状を覆う面の集合として与えられる。また、プラズマ領域の形状が、円筒座標系において、回転方向に依存しない場合、プラズマ領域の境界の位置情報は、円筒座標系におけるＲＺ面の閉曲線として与えられてもよい。また、当該閉曲線は、２座標（Ｒ、Ｚ）の関係式として与えられてもよい。２座標の関係式として、例えば、（Ｒ−ａ）２＋Ｚ２＝ｂ２（ａ、ｂは、正の定数。ｂ＞ａであれば、ドーナッツ形状）が挙げられる。また、当該閉曲線は、複数の点の座標と、これらを結ぶ線分の集合による閉曲線（多角形）として与えられてもよい。トカマクプラズマでは、例えば、プラズマがドーナッツ状の形状の真空容器内に閉じ込められる。
【００２５】
格納部１１０は、１又は複数の物理量から所定の物理量を算出する数理モデルを格納する。数理モデルは、所定の物理量を算出するための他の物理量の関数、物理量と物理量との関係を示す方程式等である。数理モデルにより、１又は複数の物理量から所定の物理量が算出される。数理モデルは、例えば、複数の物理量の関数、複数の物理量間の関係を示す連立方程式の係数行列、複数の物理量間の時間微分値、空間微分値等の関係を示す連立方程式の係数行列、所定の物理量を他の１以上の物理量の一次式、多項式で示した時の係数等として、格納部１１０に格納される。また、数理モデルは、複数の物理量間の関係を示す微分方程式または偏微分方程式として格納部１１０に格納される。当該微分方程式等は、フーリエ変換、ウェーブレット変換、ラプラス変換等されて、代数方程式として格納部１１０似格納されてもよい。当該関数等に所定の物理量を代入することにより、求める物理量が得られる。格納部１１０に格納される数理モデルの例として、例えば、ＧＳ（Grad-Shafranov）方程式、ストークス（Stokes）方程式が挙げられる。また、格納部１１０に格納される数理モデルの例として、トロイダル電流密度、電子密度、電子温度と、ポロイダルフラックスとの関係がある。
【００２６】
算出装置１００は、パーソナルコンピュータ（ＰＣ、Personal Computer）、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）のような汎用のコンピュータまたはワークステーション（
ＷＳ、Work Station）、サーバマシンのような専用のコンピュータを使用して実現可能である。また、算出装置１００は、コンピュータを搭載した電子機器を使用して実現可能である。また、算出装置１００は、スマートフォン、携帯電話、カーナビゲーション装置のような専用または汎用のコンピュータ、あるいは、コンピュータを搭載した電子機器を使
用して実現可能である。
【００２７】
図３は、情報処理装置の例を示す図である。コンピュータ、すなわち、情報処理装置は、プロセッサ、主記憶装置、及び、二次記憶装置や、通信インタフェース装置のような周辺装置とのインタフェース装置を含む。主記憶装置及び二次記憶装置は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体である。
【００２８】
コンピュータは、プロセッサが記録媒体に記憶されたプログラムを主記憶装置の作業領域にロードして実行し、プログラムの実行を通じて周辺機器が制御されることによって、所定の目的に合致した機能を実現することができる。
【００２９】
プロセッサは、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＧＰＵ（Graphical Processing Unit）やＤＳＰ（Digital Signal Processor）である。主記憶装置は、例えば、ＲＡＭ（Random Access Memory）やＲＯＭ（Read Only Memory）を含む。
【００３０】
二次記憶装置は、例えば、ＥＰＲＯＭ（Erasable Programmable ROM）、ハードディス
クドライブ（ＨＤＤ、Hard Disk Drive）である。また、二次記憶装置は、リムーバブル
メディア、即ち可搬記録媒体を含むことができる。リムーバブルメディアは、例えば、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）メモリ、あるいは、ＣＤ（Compact Disk）やＤＶＤ（Digital Versatile Disk）のようなディスク記録媒体である。
【００３１】
通信インタフェース（Ｉ／Ｆ）装置は、例えば、ＬＡＮ（Local Area Network）インタフェースボードや、無線通信のための無線通信回路である。
【００３２】
周辺装置は、上記の二次記憶装置や通信インタフェース装置の他、キーボードやポインティングデバイスのような入力装置や、ディスプレイ装置やプリンタのような出力装置を含む。また、入力装置は、カメラのような映像や画像の入力装置や、マイクロフォンのような音声の入力装置を含むことができる。また、出力装置は、スピーカのような音声の出力装置を含むことができる。
【００３３】
算出装置１００を実現するコンピュータは、プロセッサが二次記憶装置に記憶されているプログラムを主記憶装置にロードして実行することによって、第１取得部１０２、第２取得部１０４、演算部１０６、比較部１０８としての機能を実現する。また、プログラムが実行される際に使用されるデータは、主記憶装置または二次記憶装置に格納されうる。プログラムが実行される際に使用されるデータは、通信インタフェースに接続されるネットワークを介して入力されても、ユーザ等によって入力装置等により入力されてもよい。
【００３４】
格納部１１０は、例えば、主記憶装置、二次記憶装置によって実現される。
【００３５】
一連の処理は、ハードウェアにより実行させることもできるが、ソフトウェアにより実行させることもできる。
【００３６】
プログラムを記述するステップは、記載された順序に沿って時系列的に行われる処理はもちろん、必ずしも時系列的に処理されなくても、並列的または個別に実行される処理を含む。
【００３７】
（動作例）
図４は、算出装置１００の動作フローの例を示す図である。
【００３８】
算出装置１００の第１取得部１０２は、格納部１１０から、偏光計等によって計測され
たレーザーの偏光の方位角、楕円率角、当該レーザーの始点および終点の位置情報、当該レーザーの波長、プラズマ領域の境界の位置情報を取得する（Ｓ１０１）。第１取得部１０２は、複数の視線についての方位角、楕円率角、始点および終点の位置情報を取得する。第１取得部１０２は、各視線についての、始点および終点における、方位角および楕円率角を取得する。始点における、レーザーの偏光の方位角および楕円率角は、例えば、プラズマに入射するレーザーの方位角および楕円率角として取得される。第１取得部１０２は、外部装置である偏光計から直接、レーザーの偏光の方位角、楕円率角、当該レーザーの始点および終点の位置情報を取得してもよい。プラズマ領域の境界は、最外殻磁気面ともいう。ここでは、プラズマ領域の境界面は、円筒座標系において、回転方向に依存しない形状をしているとする。即ち、プラズマ領域の境界面は、円筒座標系において、回転方向φに依存しないＲＺ面の閉曲線で与えられる。また、第１取得部１０２は、格納部１１０から、真空トロイダル磁場情報Ｒ０Ｂφ０（Ｒ０：径方向位置、Ｂφ０：Ｒ０での真空トロイダル磁場）を取得する。真空トロイダル磁場Ｂφは、次の式で表される。
【００３９】
【数２】
0005854381.tif 000003
算出装置１００の第２取得部１０４は、格納部１１０から、数理モデルを取得する（Ｓ１０２）。具体的には、第２取得部１０４は、格納部１１０から、トロイダル電流密度ｊφ、電子密度ｎｅ、電子温度Ｔｅの各式、ＧＳ方程式、ストークス方程式等を取得する。
【００４０】
算出装置１００の演算部１０６は、ステップＳ１０２で取得した情報に基づいて、ポロイダルフラックス、磁場を演算する（Ｓ１０３）。トロイダル電流密度ｊφ、電子密度ｎｅ、電子温度Ｔｅをポロイダルフラックスψの関数として、次のように表される。ここでＲは、半径方向の座標である。トロイダル電流密度ｊφ、電子密度ｎｅ、電子温度Ｔｅの具体例については、後に示す。
【００４１】
【数３】
0005854381.tif 000004
ここで、トロイダル電流密度ｊφのフリーパラメータをai(i=1,...,NA)（ベクトルａ）、bi(i=1,...,NB)（ベクトルｂ）とする。電子密度ｎｅのフリーパラメータをci(i=1,...,NC)(ベクトルｃ)とする。電子温度Ｔｅのフリーパラメータをdi(i=1,...,ND)（ベクトルｄ）とする。ベクトルａ、ベクトルｂ、ベクトルｃ、ベクトルｄを合わせて、ベクトルα（＝(a1... aNA b1 ... bNB c1 ... cNCd1 ... dND)t）ともいう。
【００４２】
また、規格化ポロイダルフラックスは、プラズマ領域の境界面（最外殻磁気面）のポロイダルフラックスψedgeと磁気軸のポロイダルフラックスψaxを用いて、次のように定義される。
【００４３】
【数４】
0005854381.tif 000005
また、ＧＳ方程式は、円筒座標系における半径方向の座標をＲ、鉛直方向の座標をＺとすると、次のよう表される。
【００４４】
【数５】
0005854381.tif 000006
ここで、μ０は真空の透磁率を示す。
【００４５】
演算部１０６は、これらの式に基づいて、ポロイダルフラックスψを求める。最外殻磁気面の形状は、境界条件として使用されうる。
【００４６】
また、演算部１０６は、次の式に基づいて、磁場Ｂ（ＢＲ、Ｂφ、ＢＺ）を算出する。
【００４７】
【数６】
0005854381.tif 000007
次に、演算部１０６は、ステップＳ１０３で求めたポロダイルフラックス、磁場等を使用して、ストークス方程式を解く（Ｓ１０４）。ここで、レーザーの視線の方向をｚ方向とするデカルト座標系ｘｙｚを想定した場合、ストークス方程式は次のように表される。
【００４８】
【数７】
0005854381.tif 000008
ここで、ベクトルｓは、ストークス（Stokes）ベクトルである。Ｂ//は磁場Ｂのｚ成分
を、Ｂ⊥は磁場Ｂのｚ方向に垂直な成分を、βはＢ⊥とｙ軸とのなす角を、λは光（レーザー）の波長を、ｍｅは電子の質量を、ｃは光速を表す。
【００４９】
ＣＦＲ、ＣＣＭは、次のように表される定数である。
【００５０】
【数８】
0005854381.tif 000009
ここで、ｅは素電荷量、ε０は真空の誘電率である。
【００５１】
ストークスベクトルは、次のように表される。
【００５２】
【数９】
0005854381.tif 000010
θは方位角、εは楕円率角である。演算部１０６は、この方程式から、視線毎に、方位角θ、楕円率角εを算出する。
【００５３】
算出装置１００の比較部１０８は、最小二乗法のコスト関数であるχ２を計算し、所定値未満であるか否かを判定する（Ｓ１０５）。所定値は、格納部１１０に格納される。χ２は、例えば、次のように表される。
【００５４】
【数１０】
0005854381.tif 000011
ここで、θEｋはステップＳ１０４で得られたｋ番目の視線の方位角、θＧｋはステッ
プＳ１０１で得られたｋ番目の視線の方位角である。また、εEｋはステップＳ１０４で
得られたｋ番目の視線の楕円率角、εＧｋはステップＳ１０１で得られたｋ番目の視線の楕円率角である。Ｎは視線の数（総数）である。ここで使用される方位角および楕円率角は、それぞれ、レーザーの出射側の位置における方位角および楕円率角である。χ２は、規格化されてもよい。ここでは、レーザーの入射側における、第１取得部１０２が取得した方位角および楕円率角と、演算部１０６がステップＳ１０４で演算した方位角および楕円率角とは、それぞれ、ほぼ同一であるとみなしている。χ２の式において、方位角θ、楕円率角εの代わりに、レーザーの入射側の方位角と出射側の方位角との差であるΔθ、レーザーの入射側の楕円率角と出射側の楕円率角との差であるΔεが使用されてもよい。χ２の代わりに、他の指標値が使用されてもよい。
【００５５】
χ２が所定値以上である場合（Ｓ１０５；ＮＯ）、処理がステップＳ１０６に進む。
【００５６】
ステップＳ１０６では、演算部１０６は、ベクトルαの各成分の値を、変更する（Ｓ１０６）。演算部１０６は、ベクトルαの各成分の値を、χ２がより小さくなるように変更する。即ち、演算部１０６は、ステップＳ１０４で得られた各視線の方位角および楕円率角が、ステップＳ１０１で得られた各視線の方位角および楕円率角に収束するように、ベクトルαの各成分の値を変更する。
【００５７】
具体的には、例えば、傾斜法が使用される。傾斜法では、ベクトルαの成分（ｐｉとする）に対して、無次元パラメータｑｉを次のように定義する。
【００５８】
【数１１】
0005854381.tif 000012
ここで、Δｐｉは、定数であり、ユーザによって指定される値である。例えば、Δｐｉ＝１等である。次に、勾配ベクトルγを次のように定義する。Ｍは、ベクトルαの成分の数である。
【００５９】
【数１２】
0005854381.tif 000013
勾配ベクトルγとΔｐｉを用いて、フリーパラメータを次の式により更新する。
【００６０】
【数１３】
0005854381.tif 000014
ここで、ｐ’ｉは更新後（変更後）のベクトルαの成分である。
【００６１】
また、傾斜法の代わりに、修正Marquardt法、ガウス・ニュートン法などの他の方法が
使用されうる。演算部１０６は、ベクトルαを変更すると、変更後のベクトルαを用いて、ステップＳ１０３以降の算出を行う。
【００６２】
ステップＳ１０５において、χ２が所定値未満である場合（Ｓ１０５；ＹＥＳ）、算出装置１００は処理を終了する。ベクトルαの各成分の値は、格納部１１０に格納される。このときのベクトルαを用いて表される、磁場分布、電子密度分布、電子温度分布が、求めるものである。
【００６３】
（トロイダル電流密度の具体例）
ここで、トロイダル電流密度ｊφのＦおよびＧの具体例を示す。
【００６４】
【数１４】
0005854381.tif 000015
【００６５】
（電子密度の具体例）
ここで、電子密度ｎｅの具体例を示す。
【００６６】
【数１５】
0005854381.tif 000016
【００６７】
（電子温度の具体例）
ここで、電子温度Ｔｅの具体例を示す。
【００６８】
【数１６】
0005854381.tif 000017
【００６９】
（具体例）
図５、図６、図７は、本実施形態の算出装置の算出結果の具体例を示す図である。トカマクプラズマを想定し、本実施形態の算出装置により、磁場分布、電子密度分布、電子温度分布を求めた。図５のグラフは、磁場分布の例を示すグラフである。図５のグラフの横軸は円筒座標系の径方向を示し、縦軸は磁場を示す。図６のグラフは、電子密度分布の例を示す図である。図６のグラフの横軸は円筒座標系の径方向を示し、縦軸は電子密度を示す。図７のグラフは、電子温度分布の例を示す図である。図７のグラフの横軸は円筒座標系の径方向を示し、縦軸は電子温度を示す。各図のグラフにおいて、点線が本実施形態の算出装置による算出結果による分布であり、実線が真の分布である。各グラフにおいて、本実施形態の算出装置による算出結果による分布は、真の分布とほぼ一致する。
【００７０】
（本実施形態の作用、効果）
従来は、偏光計のデータからプラズマ内部の物理量の分布を推定する場合は方位角のみに着目していた。ファラデー効果の近似式を用いると、方位角は密度と視線に平行な磁場成分の積をその視線上で線積分した値となる。したがって、磁場分布が既知であるとして方位角から電子密度分布を算出するか（例えば、ヘリカル方式の核融合プラズマでは磁場が既知である）、もしくは他の電子密度分布計測装置（干渉計、反射計、トムソン散乱計など）から電子密度分布が既知であるとして方位角から磁場分布を算出するかをしていた。また、従来は偏光計のデータから簡便に電子密度を推定するために、偏光計のデータとして楕円率角を使用し、コットン・ムートン効果の近似式を用いて視線上での密度の線積分量を得ていた。
【００７１】
本実施形態の算出装置は、（磁場または電子密度のどちらか一方の情報が既知であるという前提なしに）偏光計のデータから、磁場と電子密度の分布を算出している。偏光計のデータとしては方位角および楕円率角を使用し、方位角および楕円率角をシミュレートする際はファラデー効果及びコットン・ムートン効果の近似式ではなく、ストークス方程式を使用し、精度を向上させている。楕円率角は主にトロイダル磁場と電子密度に依存するが、プラズマ発生中のトロイダル磁場は真空トロイダル磁場と大きく変わらないため、楕円率角から電子密度を推定することは方位角から推定するよりも正確である。そのため、本実施形態の算出装置は、他の電子密度計測装置（干渉計、トムソン散乱計、反射計など）の計測結果を用いることなく、磁場分布と電磁密度分布を同時に算出することが可能である。
【００７２】
さらに、本実施形態の算出装置は、ストークス方程式において、相対論効果を考慮することにより、偏光計のデータの電子温度依存性を正確に捉えるため、従来では考えられていなかった電子温度分布の算出を可能とする。本実施形態の算出装置における電子温度分
布の算出は、相対論効効果の影響が表れる電子温度領域（例えば、１０ｋｅＶ以上）において、好適である。
【００７３】
本実施形態の算出装置は、プラズマ内部がどのようなプラズマ状態であっても、プラズマの数理モデルが存在すれば適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
ここで説明した算出装置１００は、例えば、トカマク制御装置において適用可能である。トカマク制御装置では、偏光計などプラズマに対し非接触状態で計測したデータを拘束条件としてプラズマ内部の磁場分布などが計算される。希望するプラズマの状態が計算結果と異なる場合は、コイル電流、電磁波加熱装置、中性粒子ビーム装置などを用いてプラズマ状態が制御される。
【符号の説明】
【００７５】
１００          算出装置
１０２            第１取得部
１０４            第２取得部
１０６            演算部
１０８            比較部
１１０            格納部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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