【事件の表示】
　特願２００２−３２５７７１「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　６月１０日出願公開、特開２００４−１６５１９１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１４年１１月８日の出願であって，平成１９年１１月７日付けの最後の拒絶理由通知に対して，平成２０年１月７日に手続補正書及び意見書が提出されたが，平成２０年１月７日に提出した手続補正書でした補正は，平成２１年３月４日付けで補正の却下の決定がなされるとともに，同日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年４月３日に審判請求がされるとともに，同日に手続補正書が提出されたものである。
　
　
第２　平成２１年４月３日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲の請求項１を補正するものであり，本件補正の前後で以下のとおりである。
〈補正前〉
「【請求項１】　半導体チップの外形寸法と実質的に同一の外形寸法でパッケージングされている半導体装置であって，
　前記半導体チップの主表面に設けられた複数の電極パッドと，
　前記半導体チップの前記主表面にその受光面が露出するように設けられた受光素子部と，
　前記受光素子部の受光面を覆うように設けられ，前記受光素子部への入射光を透過する光透過部と，
　前記各電極パッドに電気的に接続されていて，前記各電極パッドから，前記半導体チップの前記主表面に沿って各々延在している複数の配線パターンと，
　前記各配線パターン上に設けられたポスト部と，
　前記ポスト部上に設けられた外部端子と，
　前記光透過部上及び前記ポスト部の頂面を露出するように前記配線パターン上及び前記ポスト部の側面上に設けられた封止層と
を具えることを特徴とする半導体装置。」
　
〈補正後〉（下線は補正箇所を示す。）
「【請求項１】　半導体チップの外形寸法と実質的に同一の外形寸法でパッケージングされている半導体装置であって，
　前記半導体チップの主表面に設けられた複数の電極パッドと，
　前記半導体チップの前記主表面
に設けられ，受光面を有する
　前記受光素子部の
前記
　前記各電極パッドに電気的に接続されていて，前記各電極パッドから，前記半導体チップの前記主表面に沿って各々延在している複数の配線パターンと，
　前記各配線パターン上に設けられたポスト部と，
　前記ポスト部上に設けられた外部端子
であって，前記半導体チップの外形寸法内にのみ位置する外部端子と，
樹脂
であって，ブレードによって前記半導体チップとともに切断された側面を有する樹脂封止層
を具えることを特徴とする半導体装置。」
　
２　補正目的の適否
　上記補正のうち，補正前の請求項１の「前記半導体チップの前記主表面にその受光面が露出するように設けられた受光素子部」を，補正後の請求項１の「前記半導体チップの前記主表面に設けられ，受光面を有する受光素子部」とする補正は，明りょうでない記載の釈明を目的とする補正に該当する。
　また，補正前の請求項１の「前記ポスト部上に設けられた外部端子」を，補正後の請求項１の「前記ポスト部上に設けられた外部端子であって，前記半導体チップの外形寸法内にのみ位置する外部端子」とする補正，及び，補正前の請求項１の「前記光透過部上及び前記ポスト部の頂面を露出するように前記配線パターン上及び前記ポスト部の側面上に設けられた封止層」を，補正後の請求項１の「前記光透過部上及び前記ポスト部の頂面を露出するように前記配線パターン上及び前記ポスト部の側面上に設けられた樹脂封止層であって，ブレードによって前記半導体チップとともに切断された側面を有する樹脂封止層」とする補正は，いずれも，補正前の発明特定事項を限定的に減縮するものであるから，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とする補正に該当する。
　したがって，本件補正は，特許法１７条の２第４項（平成１８年法律５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明，及び同第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　よって，本件補正は特許法１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
　そこで，以下，本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項に規定する独立特許要件を満たすか）どうかを，請求項１に係る発明について検討する。
　
３　独立特許要件を満たすかどうかの検討
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は，次のとおりである。
　
【請求項１】
「半導体チップの外形寸法と実質的に同一の外形寸法でパッケージングされている半導体装置であって，
　前記半導体チップの主表面に設けられた複数の電極パッドと，
　前記半導体チップの前記主表面に設けられ，受光面を有する受光素子部と，
　前記受光素子部の前記受光面を覆うように設けられ，前記受光素子部への入射光を透過する光透過部と，
　前記各電極パッドに電気的に接続されていて，前記各電極パッドから，前記半導体チップの前記主表面に沿って各々延在している複数の配線パターンと，
　前記各配線パターン上に設けられたポスト部と，
　前記ポスト部上に設けられた外部端子であって，前記半導体チップの外形寸法内にのみ位置する外部端子と，
　前記光透過部上及び前記ポスト部の頂面を露出するように前記配線パターン上及び前記ポスト部の側面上に設けられた樹脂封止層であって，ブレードによって前記半導体チップとともに切断された側面を有する樹脂封止層と
を具えることを特徴とする半導体装置。」
　
（２）引用例の表示
　　引用例１：特開２００１−２９８０５０号公報
　　引用例２：特開２００１−１４４２０４号公報
　　引用例３：特開平９−６４０４９号公報
　
（３）引用例の記載と引用発明
（３−１）引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００１−２９８０５０号公報（以下「引用例１」という。）には，「半導体装置およびその製造方法」（発明の名称）に関して，図１〜図３，図６とともに，次の記載がある。（なお，下線は当審において付加したものである。）
　
　　ア　発明の背景等
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，情報通信機器，事務用電子機器等に利用される半導体画像センサーを内蔵し，さらに外部端子との接続配線などを有し，高密度実装が可能な実装を可能とした半導体装置に関するものである。本発明の半導体装置により，情報通信機器，事務用電子機器等の小型化を容易にするものである。」
・「【０００４】図６は，従来の画像センサーと呼ばれる半導体装置を示す断面図である。図６において１０１は半導体チップまたは半導体ウエハー，１０２は半導体ウエハー１０１上に形成された画素部，１０３は電極パッド，１０４は封止樹脂，１０５はリードフレーム，１０６はダイスボンド材，１０７はＡｕ線，１０８は封止用のガラスプレートである。
【０００５】同図に示すように，従来の画像センサーと呼ばれる半導体装置は，半導体ウエハー１０１上の電極パッド１０３がＡｕ線１０７を介してリードフレーム１０５に接続されており，また半導体ウエハー１０１の主面側がガラスプレート１０８により覆われた構造を有している。」
・「【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，前記従来の半導体装置においては，以下のような諸問題があった。
【００１２】前記従来の半導体装置では，半導体ウエハ−とガラスプレートの間は中空であるため組立工程中にダストが半導体ウエハーの画素部に付着したり，組立後，吸湿することにより，ガラスプレートの半導体ウエハ側に結露を生じ，信頼性に乏しいという問題があった。
【００１３】本発明は前記従来の諸問題を解決するものであり，その目的は，信頼性や実装密度の高い低コストの半導体装置およびその製造方法を提供することにある。」
　
　　イ　発明の実施の形態
・「【００２５】
【発明の実施の形態】以下，本発明の一実施形態について，図面を参照しながら説明する。
【００２６】まず，本発明の第１の実施形態について，図１〜図４を参照しながら説明する。
【００２７】図１は，本実施形態における半導体装置の平面図であり，図２は本実施形態に係る半導体装置の断面図，図３（ａ）〜（ｆ），図４（ａ）〜（ｃ）は本実施形態における半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【００２８】
図１および図２において，１０はトランジスタ等の半導体素子および画像素子部１１によって構成される半導体集積回路を内部に有する半導体基板である。この半導体基板１０は，ウエハ状態であってもよいし，ウエハから切り出されたチップ状態であってもよい。この半導体基板１０の主面の一部（電極配置領域）には，半導体基板１０の素子電極１２が配置されている
【００２９】ただし，本実施形態では，電極配置領域は，半導体基板がチップに分割されている場合には，その周辺部である。また，
半導体基板１０の主面上において，素子電極１２を除く領域に絶縁樹脂層１３が設けられている
【００３０】なお，半導体基板１０の主面のうち素子電極１２以外の領域は，パッシベーション膜（図示せず）によって覆われている。素子電極１２の上にはバンプ１４が形成されており，貫通穴１５が設けられた樹脂基板１６の配線金属１７と電気的に接続されている。
【００３１】また，バンプ１４と配線金属１７の接続部は，封止樹脂１８により保護されている。また，配線金属の一部には外部電極としてはんだボール１９が搭載されている。なお，樹脂基板１６は，配線金属１７のバンプ１４との接続部およびはんだボール搭載部以外の領域はソルダーレジスト２０で覆われている。
【００３２】本実施形態の半導体装置によると，
半導体基板１０の画像素子部１１が絶縁樹脂層１３により保護されているので，外部からの機械的ダメージに強い構造となっている
【００３３】また，信頼性の観点から半導体基板の素子電極と樹脂基板の配線金属との接合部を封止する必要があるがその際，絶縁樹脂は，封止樹脂の画素部への進入を防止するダムの役割を果たすため，信頼性の高い実装構造を実現することができる。
【００３４】以上，本実施形態の半導体装置は，開口部１５を有した樹脂基板１６上に画像素子部１１を含む半導体素子が配置されている半導体基板１０がバンプ１４を介して前記樹脂基板上の配線金属１７と接合され，前記樹脂基板１６とバンプ１４との領域が封止樹脂１８で封止され，前記半導体基板１０の画像素子部１１が絶縁樹脂１３で部分的に被覆されて，その画像素子部１１が前記樹脂基板１６の開口部１５に位置し，前記樹脂基板１６上にはんだボール１９が外部端子として設けられている半導体装置である。
【００３５】次に，本実施形態の半導体装置の製造方法について，図３（ａ）〜（ｆ）および図４（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。図３（ａ）〜（ｆ）および図４（ａ）〜（ｃ）は，図１および図２に示す半導体装置の構造を実現するための製造工程を示す断面図である。
【００３６】まず，図３（ａ）に示すように表面に画像素子部１１，素子電極１２を有した半導体基板１０を用意し，そして図３（ｂ）に示すように，半導体基板１０の主面にそれぞれ形成された半導体基板１０の画像素子部１１と素子電極１２とパッシベーション膜（図示せず）との上に，感光性を有する絶縁材料を３０［μｍ］程度の厚みで塗布して乾燥することにより絶縁樹脂層１３を形成する。
【００３７】次に図３（ｃ）に示すように，乾燥された絶縁樹脂層１３に対して露光と現像とを順次行って，半導体基板１０の素子電極１１の部分が開口した絶縁樹脂層１３を形成する。
【００３８】なお，感光性を有する
絶縁樹脂層１３の絶縁材料としては，例えばカルド樹脂やアクリレート系エポキシ等のポリマーでよく，絶縁性で透明であればよく，無色透明が望ましい
【００３９】また，感光性を有する絶縁樹脂層１３は液状材料を乾燥させて形成する必要はなく，フィルム状に予め形成された材料を用いても構わない。その場合には，フィルム状の絶縁樹脂１３を半導体基板１０上に貼りあわせ，露光，現像することで絶縁樹脂層１３に開口部を形成することができ，半導体基板１０上の素子電極１２を露出させることができる。
【００４０】さらに，絶縁樹脂層１３を構成する絶縁材料が感光性を有する必要はない。感光性を有しな絶縁材料を用いる場合には，レーザーやプラズマによる機械的な加工もしくはエッチングなどの化学的加工により，半導体基板１０上の素子電極１２を露出させることができる。
【００４１】次に，図３（ｄ）に示すように，半導体基板１０上の素子電極１２上にバンプ１４を電解めっき法あるいは無電解めっき法を用いて形成する。なおバンプとしては，Ｓｎ−Ｐｂ共晶はんだでもよく，Ｓｎ−Ｐｂ高温はんだ，Ｎｉ，Ｓｎ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ等の金属およびその合金であってもよい。
【００４２】
次に，図３（ｅ），図３（ｆ）に示すように，ダイシングソーにて，半導体基板１０をチップ単位に分割する
【００４３】次に，図４（ａ）に示すように，チップ状の半導体構成体２１を樹脂基板１６の配線金属１７上に搭載し，溶融することでバンプ１４と配線金属１７を電気的に接続する。またソルダーレジスト２０で樹脂基板１６上の配線金属１７のバンプ１４との接続部およびはんだボール搭載部以外の領域を被覆する。
【００４４】なお，バンプ１４と配線金属１７との接続は，導電性ペーストを用いても構わない。
【００４５】次に，図４（ｂ）に示すように，封止樹脂１８を用いてバンプ１４と配線金属１７の接合部を封止する。
【００４６】次に，図４（ｃ）に示すように，配線金属１７の一部に外部電極としてはんだボール１９を搭載する。」
　
　　ウ　発明の効果
・「【００４９】
【発明の効果】本発明の半導体装置は，画像素子部が絶縁樹脂により保護されているので，機械的なダメージに強い半導体装置である。さらにフリップチップ接続されており，ガラスプレート等の部材が必要でないため薄型の半導体装置である。」
　
（３−２）引用発明
　上記ア〜ウによれば，引用例１には，上記段落【００４２】の「ダイシングソーにて，半導体基板１０をチップ単位に分割」されたものについて，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「半導体基板１０の表面に画像素子部１１と素子電極１２を有し，
　前記画像素子部１１が透明な絶縁樹脂層１３で被覆されており，
　前記半導体基板１０はダイシングソーにてチップ単位に分割されていることを特徴とする半導体装置。」
　
（３−３）引用例２の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００１−１４４２０４号公報（以下「引用例２」という。）には，「半導体装置及びその製造方法」（発明の名称）に関して，図１〜図５，図８〜図１０とともに，次の記載がある。
　
　　ア　発明の背景等
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，半導体装置及びその製造方法に関し，特に，熱膨張率差に起因する金属バンプの損傷等を回避する構造の半導体装置及び該半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体装置では，電子機器の高性能化，小型軽量化及び高速化の要請に応えるため新形態のパッケージが開発されている。搭載する半導体チップの高集積化によって装置の小型化や薄型化が実現され，電子機器の更なる高性能化や高速化が図られており，高密度実装が可能なＦＣＢＧＡ（flip chip ball grid array）方式によるパッケージも出現している。」
・「【０００８】ＦＣＢＧＡ方式のパッケージは，高性能の大規模半導体集積回路（ＬＳＩ）に使用されることが一般的であり，製品自体が高価である。そこで，半導体チップ実装後の電気選別工程で，半導体チップ以外の部分に不良が検出された場合には，半導体チップを多層配線基板から取り外して再使用する。この取外し処理では，（図１０（ｃ））に示すように，裏面を吸着加熱ツール３３で吸着した良品の半導体チップ３１を加熱して，バンプ接合部を溶融させながら引き上げ，多層配線基板３２から取り外す工程が必要である。
【０００９】通常，上記取外し時には，図１０（ｄ）に示すように，金属バンプ２５にダメージを与えるが，チップ本体部分には損傷は生じない。ここで，半導体チップ３１と多層配線基板３２との間にアンダーフィル樹脂が介在する半導体装置の場合には，金属バンプ２５へのダメージにとどまらず，多層配線基板３２を含む周辺デバイスや，半導体チップの活性領域を保護するパッシベーション膜に対してもダメージを与えることになる。この場合，半導体チップ３１の再生処理は殆ど不可能に近く，有機系材料から成る廉価な多層配線基板を使用しても，必ずしも低コストを推進できるとはいい難かった。
【００１０】本発明は，上記に鑑み，半導体チップと多層配線基板（実装基板）との間のアンダーフィル樹脂を不要としながらも，金属バンプに働く変形応力を緩和して実装信頼性を向上させると共に，実装基板を含む周辺デバイス等に対する再生処理時のダメージを回避し，低コストを実現できる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。」
　
　　イ　第１実施形態例
・「【００１９】
【発明の実施の形態】以下，図面を参照し，本発明の実施形態例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。図１〜図５は，本発明の第１実施形態例におけるＦＣＢＧＡ方式のパッケージ（半導体装置）の製造工程を順に示す断面図である。
【００２０】まず，図１（ａ）に示すように，半導体基板（シリコン基板）１１上に，アルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）等から成るパッド電極１２を，半導体チップ毎に外縁部に隣接して位置するように形成する。更に，パッド電極１２の外周部及び活性領域面上に，主に活性領域を保護するパッシベーション膜１３を形成する。
【００２１】更に，図１（ｂ）に示すように，パッド電極１２及びパッシベーション膜１３上に，ＳｉＯ2等の無機系材料又はポリイミド（ＰＩ）等の有機系材料から成る絶縁性樹脂層（絶縁層）２０を形成する。この絶縁性樹脂層２０には，熱分解温度が２００℃以上の樹脂材料を用いる。絶縁性樹脂層２０に熱硬化成分の材料が配合される際には，所定温度で加熱処理を実施することにより，樹脂成分の架橋反応を促進させて所定の物性値を得る。
【００２２】次いで，図１（ｃ）に示すように，絶縁性樹脂層２０上にフォトレジスト層１５を形成してから，フォトリソグラフィ技術で，パッド電極１２に対応する領域以外の部分が残るようにフォトレジスト層１５をパターニング処理する。引き続き，図１（ｄ）に示すように，パターニング処理したフォトレジスト層１５をマスクとし，エッチング法等で絶縁性樹脂層２０のパッド電極１２上に開口部２０ａを形成する。
【００２３】次いで，図１（ｅ）に示すように，フォトレジスト層１５を除去して絶縁性樹脂層２０を露出させる。ここで，絶縁性樹脂層２０が感光性材料で構成されていれば，絶縁性樹脂層２０に対し直接に露光・現像処理を施してパターニング処理できるので，フォトレジスト層１５の形成及び除去工程が不要になる。
【００２４】更に，図２（ａ）に示すように，スパッタリング法等によって，電極パッド１２上，開口部２０ａの内壁，及び絶縁性樹脂層２０上に，再配線層の下地金属薄膜層としての電極パッド接着メタル層２１を形成する。電極パッド接着メタル層２１は，チタン（Ｔｉ）系合金，又は，クロム（Ｃｒ）等の金属材料で構成されており，Ａｌ又はＣｕ等から成る電極パッド１２との密着特性及び金属相互拡散が穏やかで，絶縁性樹脂層２０との良好な密着特性を有する。また，電極パッド接着メタル層２１の形成に先立って，電極パッド１２表面にプラズマ表面処理を施し，電極パッド１２表面の清浄性を確保すると共に活性度合いの向上を図ることで，電極パッド１２と電極パッド接着メタル層２１との接着性を一層向上させることができる。
【００２５】引き続き，図２（ｂ）に示すように，電極パッド接着メタル層２１上に，Ｃｕ等の金属材料から成るめっき給電層メタル膜２２をスパッタリング法等で形成する。めっき給電層メタル膜２２は，低電気抵抗特性を有し，再配線形成後におけるめっき給電層としての機能を果たす。
【００２６】次いで，図２（ｃ）に示すように，電解めっき処理で再配線層を形成するため，めっき給電層メタル膜２２上にフォトレジスト層２３をコーティングする。この後，図２（ｄ）に示すように，フォトリソグラフィ技術でフォトレジスト層２３のパターニング処理を施し，所定の再配線パターンに対応しためっき給電層メタル膜２２のみを露出させる。
【００２７】更に，図２（ｅ）に示すように，電解Ｃｕめっき処理で，めっき給電層メタル膜２２上にのみＣｕめっき層２４を形成する。
【００２８】引き続き，図３（ａ）に示すように，フォトレジスト層２３を除去し，フォトレジスト層２３で覆われていためっき給電層メタル膜２２を露出させる。この後，図３（ｂ）に示すように，Ｃｕめっき層２４をマスクとして，めっき給電層メタル膜２２を除去し，図３（ｃ）に示すように，Ｃｕめっき層２４をマスクとして，電極パッド接着メタル層２１をウエットエッチング法等で除去する。これにより，相互に絶縁され，電極パッド１２に一端が接続され且つ他端が開口部２０ａから突出して絶縁性樹脂層２０上に延びる再配線パターン部２４ａ（第１導電部材）が得られる。
【００２９】次いで，図３（ｄ）に示すように，Ｃｕやはんだ等を主成分とする金属ワイヤを用いたワイヤボンディング法で，各再配線パターン部２４ａに導電性バンプ（第２導電部材）２８を搭載する。この場合，導電性バンプ２８の取付けに先立って，再配線パターン部２４ａにプラズマ表面処理技術によるクリーニング処理を施し，ワイヤボンディング法による導電性バンプ２８の取付け特性を向上させることもできる。
【００３０】引き続き，図４（ａ）に示すように，半導体ウエハ上の全面に絶縁性応力緩衝樹脂層（絶縁性樹脂層）２７を形成して，導電性バンプ２８及び再配線パターン部２４ａを被覆する。絶縁性応力緩衝樹脂層２７は，導電性バンプ２８及び再配線パターン部２４ａを機械的，化学的応力から保護するもので，エポキシ系樹脂，シリコーン系樹脂，ポリイミド系樹脂，ポリオレフィン系樹脂，シアネートエステル系樹脂，フェノール系樹脂，ナフタレン系樹脂，又は，フルオレン系樹脂を主成分としている。
【００３１】絶縁性応力緩衝樹脂層２７は，弾性率が０．０１〜８ＧＰａ（ギガパスカル）の範囲であることが望ましく，その形成時に，応力緩衝絶縁性樹脂が液状であればスピンコーティング法で形成し，フィルム状であればフィルムラミネート法等で配設することができる。フィルムラミネート法では，各導電性バンプ２８に対応する開口部を予め形成したフィルム状の応力緩衝絶縁性樹脂層２７を，相互に対応する開口部と導電性バンプ２８とを合わせながら絶縁性樹脂層２０上に接着する。
【００３２】更に，図４（ｂ）に示すように，絶縁性応力緩衝樹脂層２７及び導電性バンプ２８の上部側を，プラズマ表面処理技術や化学的機械研磨(ＣＭＰ:Chemical Mechanical Polishing)技術等の研磨技術を用いて研磨し，絶縁性応力緩衝樹脂層２７から各導電性バンプ２８の上面を露出させ，絶縁性応力緩衝樹脂層２７との同一面上に位置する金属バンプ形成用ランド部３３を形成する。
【００３３】この後，図４（ｃ）に示すように，金属バンプ形成用ランド部３３に，錫（Ｓｎ）及び鉛（Ｐｂ）を主成分とする金属バンプ２５を搭載する。金属バンプ２５の搭載に先立って，金属バンプ形成用ランド部３３に無電解Ｃｕめっきを施し，或いは，この電解Ｃｕめっき後に更に無電解金（Ａｕ）めっき処理を施すことができる。この場合に，金属バンプ形成用ランド部３３のはんだ濡れ性が向上するので，金属バンプ２５が良好に固着できる。また，無電解Ｃｕめっきに代えて，無電解ニッケル（Ｎｉ）めっきを施しても，同様の効果が得られる。更に，金属バンプ形成用ランド部３３上に，研磨時に発生した研磨くずや有機性皮膜が残存する場合には，プラズマ表面処理技術を用いてクリーニング処理することができる。
【００３４】上記に代えて，金属バンプ形成用ランド部３３上にフラックス（図示せず）を塗布してから金属バンプ２５を搭載し，加熱リフロー工程を施すことで，金属バンプ２５を良好に固着することができる。なお，はんだに代えて，金属バンプ２５をＡｕ又は錫-銀（Ｓｎ-Ａｇ）系合金等で構成することもできる。
【００３５】次いで，図５（ａ）に示すように，ダイシングブレード１８を用いて，ウエハ状の半導体基板１１を切断し，図５（ｂ）に示すように，個別の半導体チップ１０に分離する。
【００３６】本実施形態例では，電極パッド１２に一端が接続され他端が開口部２０ａから突出して絶縁性樹脂層２０上に延びる再配線パターン部２４ａの他端に導電性バンプ２８が設けられ，この導電性バンプ２８が，絶縁性応力緩衝樹脂層２７内に埋設された状態で上面に金属バンプ２５を有する。このため，実装状態で半導体チップ１０と多層配線基板３２（図１０）との間に線膨張係数のミスマッチがある場合でも，金属バンプ２５に働く変形応力を，導電性バンプ２８と絶縁性応力緩衝樹脂層２７とで効果的に吸収・緩和し，実装信頼性を向上させることができる。また，再配線パターン部２４ａのパターンを適宜変更するだけで，多層配線基板３２の各電極に対する金属バンプ２５のピッチを変更することができる。
【００３７】また，本実施形態例では，ウエハ状の半導体基板１１の全面に絶縁性応力緩衝樹脂層２７を形成し，ウエハレベルで各半導体チップ１０の製造工程を進めることができるので，最終段階でウエハから分離した多数の半導体チップ１０を得ることができる。このため，個々に分割した状態で各半導体チップを製造するパッケージング方法に比して，工程数を大幅に削減し，製造コストを低減することができる。
【００３８】更に，半導体チップ１０のパッシベーション膜１３上に絶縁性樹脂層２０が形成されるので，再生処理時に発生する熱や機械的応力から，パッシベーション膜１３やパッシベーション膜１３下の活性領域面をより確実に保護することができる。これにより，再生処理が極めて容易なＦＣＢＧＡ方式のパッケージを得ることができる。」
　
　　ウ　第３実施形態例
・「【００４６】次に，本発明の第３実施形態例について説明する。本実施形態例は，図３（ｃ）の工程までは同じプロセスである。同図の工程に後続する本実施形態例の半導体装置の製造工程を図８，図９に示す。
【００４７】まず，図８（ａ）に示すように，Ｃｕめっき層２４の外部端子形成用ランド部２４ａに，立てた状態の金属製円柱部材３０の下端部を導電性接着剤２９で固着する。この場合，金属製円柱部材３０の固着に先立って，外部端子形成用ランド部２４ａ表面をプラズマ表面処理技術でクリーニング処理し，再配線パターン部２４ａと金属製円柱部材３０との接着性を更に向上させることができる。
【００４８】導電性接着剤２９は，Ｃｕ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｎｉ，パラジウム（Ｐｄ），Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ等の金属性粉末材料の内の少なくとも１を，エポキシ系樹脂，シリコーン系樹脂，ポリイミド系樹脂，ポリオレフィン系樹脂，シアネートエステル系樹脂，フェノール系樹脂，ナフタレン系樹脂，又はフルオレン系樹脂等を主成分とする接着樹脂に混合したものである。
【００４９】金属製円柱部材３０は，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ａｌ，鉄（Ｆｅ），又はインジウム（Ｉｎ）等の金属材料を主成分として構成されるもので，その高さが１０〜２００μｍの範囲内であることが望ましい。
【００５０】更に，図８（ｂ）に示すように，金属製円柱部材３０及び再配線パターン部２４ａを被覆する絶縁性応力緩衝樹脂層２７を半導体ウエハ上の全面に形成することで，金属製円柱部材３０及び再配線パターン部２４ａを機械的，化学的応力から保護する。
【００５１】次いで，図８（ｃ）に示すように，絶縁性応力緩衝樹脂層２７及び金属製円柱部材３０の上部側を，プラズマ表面処理技術やＣＭＰ技術等で研磨し，絶縁性応力緩衝樹脂層２７との同一面上に位置する金属バンプ形成用ランド部３４を形成する。
【００５２】引き続き，図９（ａ）に示すように，金属バンプ形成用ランド部３４上に，第１及び第２実施形態例と同様に金属バンプ２５を搭載する。更に，図９（ｂ）に示すように，ダイシングブレード１８を用いて，ウエハ状の半導体基板１１を切断し，図９（ｃ）に示すように，個別の半導体チップ１０に分離する。
【００５３】本実施形態例によると，第１実施形態例と同様の効果が得られると共に，ワイヤボンディング法によらずに，金属製円柱部材３０を導電性接着剤２９で再配線パターン部２４ａに容易に固着できるという効果が得られる。」
　
　　エ　発明の効果
・「【００５５】
【発明の効果】以上説明したように，本発明の半導体装置及びその製造方法によると，半導体チップと実装基板との間のアンダーフィル樹脂を不要としながらも，金属バンプに働く変形応力を緩和して実装信頼性を向上させると共に，実装基板を含む周辺デバイス等に対する再生処理時のダメージを回避し，半導体装置の低コストを実現することができる。」
　
（３−４）引用例３の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平９−６４０４９号公報（以下「引用例３」という。）には，「チップサイズパッケージ及びその製造方法」（発明の名称）に関して，図１〜図７，図１１，図１２とともに，次の記載がある。
　
　　ア　発明の背景等
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，ＬＳＩのパッケージに係り，特に，ＬＳＩチップと略同じ大きさのチップサイズパッケージ及びその製造方法に関するものである。」
・「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上記したように，従来のチップサイズパッケージでは，ＬＳＩをウエハから切り出した後，各々のチップサイズパッケージを作製することになるので，専用の金型を必要とし，低価格化の障害となっていた。また，従来のチップサイズパッケージでは，ＬＳＩを配線基板に実装するのに２回実装することとなり，工程数が多くなり，結果として高価格になる。
【０００７】更に，ＬＳＩをウエハから切り出した後，各々のチップサイズパッケージを作製することとなるので，その作製が煩雑であり，製造の信頼性上も問題である。また，従来エポキシ樹脂のモールドに関してはモールドに離型剤が添加されていた。これは金型と樹脂との接着を防ぐ目的のものであるが，ＬＳＩ及びその周辺の金属との接着力が弱くなり，信頼性低下につながった。
【０００８】更に，今までにもＬＳＩにバンプを直接作製し，これをフェースダウン方式で基板に実装する方法は提案され，実用化している。しかし，この方法ではＬＳＩの保護が全くなされておらず，機械的にも弱いものであった。本発明は，上記問題点を除去し，金型を用いることなく，工程数を低減して，低価格化を図ることができ，ＬＳＩの保護が十分なチップサイズパッケージ及びその製造方法を提供することを目的とする。」
　
　　イ　第１，２実施例
・「【００１９】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。図１は本発明の第１実施例を示すウエハの平面図，図２は図１のＡ−Ａ′線におけるチップの製造工程断面図である。図１においては，１枚のウエハが示されており，前処理を終了し，更に各ＬＳＩの電極にバンプを形成した状態を示している。
【００２０】この図において，１０１，１０２，１０３，１０４…は各ＬＳＩであり，実線Ｃ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８に沿ってウエハから切り取られる。２０１，２０２，２０３，２０４，２０５…は各ＬＳＩにおける電極であり，通常は１μｍ厚のアルミニウムが用いられる。３０１，３０２，３０３…はバンプであり，この実施例では，いわゆるスタッド方式（ワイヤボンディングの技術を用い，ボンディング時のボールをバンプとする）を用いた。
【００２１】また，電極２０１，２０２，２０３，２０４，２０５…は，各々１辺が５０〜１００μｍの長方形または正方形の形状をなしており，バンプ３０１，３０２，３０３…は通常各々最大直径が３０〜６０μｍで高さもほぼ同じ値である。以下，図１に示されるＬＳＩ１０４のＡ−Ａ′線に沿ったウエハサイズチップの製造方法について図２を参照しながら説明する。
【００２２】（１）まず，図２（ａ）に示すように，１００はＬＳＩ１０４を保護するためのＰＳＧ膜（酸化膜）であり，電極２０４，２０５上のバンプ３０４，３０５はワイヤボンディング技術で作製されるので先端がくびれた形状になっている。次工程前に１バンプ当たり６〜１０ｇの加重をかけ，各バンプの高さを揃え，また各バンプの先端の表面を平坦にしておくと都合がよい。」
・「【００２４】最近，錫−鉛を主成分にした半田ワイヤをボンディングして，半田のバンプをＬＳＩのアルミ電極に形成する技術も実用化されている。この技術を用いると容易に半田バンプ３０１，３０２，３０３，３０４，３０５…を形成することができ，更に続行する工程も容易になる。
（２）全てのアルミ電極にバンプを形成，加圧後，図２（ｂ）に示すように，ウエハ全面にエポキシ樹脂２００を被着し，ホットプレスにより押圧，加熱しつつ硬化させる。プレスによる圧力は，１５〜２０ｋｇ重／ｃｍ2，温度は８０〜１００℃，硬化時間にほぼ１時間を要した。この押圧工程により，バンプ３０１，３０２，３０３，３０４，３０５…等の平らな突起上面がエポキシ樹脂２００の表面に露出する。用いた樹脂はエコボンド（エマーソンアンドカミング社製の商品名）のように硬化前後における体積変化率の低いものを用いた。樹脂によりまた押圧条件により，バンプ３０１，３０２，３０３，３０４，３０５…等の平らな突起上面にエポキシ樹脂２００が薄く残存する場合がある。この時は表面をサンドペーパー，またはサンドブラスト等で若干研磨することで露出させることができた。
【００２５】（３）次に，通常の工程により，図２（ｃ）に示すように，バンプ３０１，３０２，３０３，３０４，３０５…等の平らな突起上面に半田ボール６０４，６０５を設置する。エポキシ樹脂２００上に半田レジストが存在してもよい。これらの工程はウエハ全域にわたって行われる。半田ボール設置後，図１の実線Ｃ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８に沿ってウエハをカッティングする。
【００２６】上記のようにして，カッティングを行ったチップサイズパッケージを以下に示す。図３は本発明の第１実施例を示すチップサイズパッケージの斜視図である。この図の点線で示した５０は，このチップサイズパッケージを補強するための補強板である。このチップサイズパッケージは，表面にエポキシ樹脂をコーティングしているので十分な強度を持つが，使用する前においては，更なる強度を必要とする場合がある。ウエハカッティング前，補強板５０を張り付けることにより，極少ない工程で，補強板付きチップサイズパッケージを得ることができる。
【００２７】この様な構造になっているから，ＬＳＩチップと同じ面積である。本発明によれば，このパッケージは小さいままで，強度的にも，耐湿等においてもいわゆるモールドパッケージと同等の信頼性を持つものである。次に，本発明の第２実施例について説明する。図４は本発明の第２実施例を示すウエハのチップとなる部分の平面図，図５はそのウエハのチップの断面図（図４のＢ−Ｂ′断面図），図６は本発明の第２実施例を示すチップサイズパッケージの斜視図である。なお，第１実施例と同じ部分については，同じ符号を付してそれらの説明は省略する。
【００２８】これらの図において，４０２，４０４，４０５，４０７はエポキシ樹脂２００上に形成された配線金属であり，半田ボールの位置をアルミ電極の真上の位置から移動させるためのものである。この配線金属を形成する工程は，例えばアルミニウム蒸着，ホトリソ，エッチング工程で行えばよく，なんら新しい技術は使用しない。メッキ技術によってもよい。半田ボール６０１，６０２，６０３，６０４，６０５，…を設置するため半田レジスト５００を形成する。
【００２９】この実施例では，第１実施例のように，接続用の半田ボールをＬＳＩのアルミ電極の真上に形成するのではなく，平面的に離れた場所に形成する。図５に示すように，まず，第１実施例のように，ＬＳＩ１０４の各アルミ電極２０４，２０５上に，スタッドバンプ３０４，３０５をたて，次に，エポキシ樹脂２００を被着，押圧，加熱して，加工後，このエポキシ樹脂表面に配線金属４０４，４０５を形成し，更に半田レジスト５００を塗布後，半田ボール６０４，６０５を設置する。
【００３０】最後にウエハをカッティングしてＬＳＩを切り出す。このように，半田ボール形成後，一枚のウエハをカッティングした一個のＬＳＩに相当する部分を拡大すると，図６のようになる。この実施例では，バンプ形成後，半田ボール移動のための配線金属の形成を行った。エポキシ樹脂形成前に半田ボール移動のための配線金属の形成を行うことも可能である。」
　
　　ウ　第３実施例
・「【００３１】図７はかかる本発明の第３実施例を示す配線金属の形成を先に行った場合のチップサイズパッケージの要部断面図である。図５と同じ部分については，同じ符号を付してそれらの説明は省略する。この図において，７０４，７０５は半田ボールの位置を移動するための配線金属，８０４，８０５はバンプである。
【００３２】上記実施例によれば，接続用の半田ボールが所望の場所にあるチップサイズパッケージを容易に得ることが可能である。特に，第１実施例と同様に，ウエハのカッティングを最後に行うようにしたので，各パッケージ当たりの工数が少なくなり，低価格化を実現できる。また，エポキシ樹脂のＬＳＩへの接着力も十分なものが得られる。
【００３３】第１実施例，第２実施例共にバンプはスタッドバンプとして説明した。しかし通常のメッキによるバンプを用いても，十分に本発明を実施することが可能であった。また，第１実施例，第２実施例はバンプ形成後，樹脂封止する工程を用いている。しかし，樹脂を全面に被着後，この樹脂を部分的に必要箇所に応じてホトリソ技術等で除去し，除去箇所に無電解メッキなどでバンプを形成する手法も有効であった。」
　
　　エ　第４実施例
・「【００４０】（４）次に，電極１４０４，１４０５を形成後，半田ボールを設置するため半田レジスト１５００を塗布し，その後，半田ボール６０４，６０５を所定の場所に設置する。このようにして得られたチップサイズパッケージの平面を図１１に示す。この図において，１４０１，１４０２，１４０３，１４０４，１４０５…は樹脂１２００上に形成された銅箔からなる配線金属であり，６０１，６０２…は半田ボールである。
【００４１】ＬＳＩのアルミ電極２０１，２０３，２０６，２０８についてはその真上に外部回路との接続点を設置するようにしてある。アルミ電極２０４，２０５については，それぞれの場所に設置されたバンプ（３０４，３０５等）を通して，外部回路との接続点を移動するよう設計されている。半田ボール６０１，６０２，６０３，６０４，６０５，…の設置後，図１のように，点線Ｃ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８に沿ってウエハをカッティングする。カッティング後のＬＳＩ１０４が図１２に示されている。
【００４２】図１２に示した７００は，このチップサイズパッケージを補強するための補強板である。このチップサイズパッケージは表面にエポキシ樹脂をコーティングしているので十分な強度を持つが，使用する前においては，さらなる強度を必要とする場合がある。ウエハカッティング前，補強板７００を張り付けることにより，極少ない工程で，補強板７００付きチップサイズパッケージを得ることが可能である。
【００４３】また，エポキシ樹脂をチップ表面に被着しているので，いわゆる樹脂モールドと略同じ信頼性を保証できる。従来文献に示したように，従来のチップサイズパッケージはＬＳＩのダイスカッティング後，パッケージを行っていた。しかし，本発明ではパッケージ化の作業を全てウエハ単位で行えるため，工数が少なく，低価格化を実現できる。」
　
　　オ　発明の効果
・「【００４９】
【発明の効果】以上，詳細に説明したように，本発明によれば，以下のような効果を奏することができる。
（１）請求項１記載の発明によれば，ＬＳＩチップと同じ面積のチップサイズパッケージを得ることができる。
【００５０】また，樹脂をチップ表面に被着しているので，いわゆる樹脂モールドとほぼ同じ信頼性を保証できる。すなわち，パッケージは小さいままで，強度的にも，耐湿等においても，いわゆるモールドパッケージと同等の信頼性を確保することができる。
（２）請求項２記載の発明によれば，上記（１）の効果に加え，ＬＳＩの表面の強度と接続の信頼性を高めることができる。
【００５１】（３）請求項３記載の発明によれば，上記（１）の効果に加え，ＬＳＩのパッド電極と半田ボールとの位置を任意に変更でき，接続の自由度を高めることができる。
（４）請求項４記載の発明によれば，パッケージ化の作業を全てウエハ単位で行えるため，工数が少なく，低価格化を実現できる。」
　
（４）対比　
（４−１）次に，本願補正発明と引用発明とを対比する。
　　ア　引用発明の「前記半導体基板１０はダイシングソーにてチップ単位に分割されていることを特徴とする半導体装置」は，本願補正発明の「半導体チップの外形寸法と実質的に同一の外形寸法」と「されている半導体装置」に相当する。
　　イ　引用発明の「半導体基板１０の表面に」「素子電極１２を有」することは，本願補正発明の「前記半導体チップの主表面に設けられた複数の電極パッド」「を具えること」に相当する。
　　ウ　引用発明の「画像素子部１１」は，本願補正発明の「受光素子部」に対応するので，引用発明の「半導体基板１０の表面に画像素子部１１」「を有」することは，本願補正発明の「前記半導体チップの前記主表面に設けられ，受光面を有する受光素子部」「を具えること」に相当する。
　　エ　引用発明の「前記画像素子部１１が透明な絶縁樹脂層１３で被覆されて」いることは，本願補正発明の「前記受光素子部の前記受光面を覆うように設けられ，前記受光素子部への入射光を透過する光透過部」「を具えること」に相当する。
　
（４−２）そうすると，本願補正発明と引用発明の一致点と相違点は，次のとおりとなる。
　
《一致点》
　「半導体チップの外形寸法と実質的に同一の外形寸法とされている半導体装置であって，
　前記半導体チップの主表面に設けられた複数の電極パッドと，
　前記半導体チップの前記主表面に設けられ，受光面を有する受光素子部と，
　前記受光素子部の前記受光面を覆うように設けられ，前記受光素子部への入射光を透過する光透過部とを具えることを特徴とする半導体装置。」
　
《相違点》
《相違点１》
　本願補正発明は，「前記各電極パッドに電気的に接続されていて，前記各電極パッドから，前記半導体チップの前記主表面に沿って各々延在している複数の配線パターンと，前記各配線パターン上に設けられたポスト部と，
　前記ポスト部上に設けられた外部端子であって，前記半導体チップの外形寸法内にのみ位置する外部端子」を具えているのに対して，引用発明は，このような構成を有していない点。
《相違点２》
　本願補正発明は，「前記光透過部上及び前記ポスト部の頂面を露出するように前記配線パターン上及び前記ポスト部の側面上に設けられた樹脂封止層であって，ブレードによって前記半導体チップとともに切断された側面を有する樹脂封止層」を具えて「パッケージングされている」のに対して，引用発明は，本願補正発明の「ブレードによって前記半導体チップ」「に切断」されたことに対応する，「前記半導体基板１０はダイシングソーにてチップ単位に分割されている」ものではあるが，「前記光透過部上及び前記ポスト部の頂面を露出するように前記配線パターン上及び前記ポスト部の側面上に設けられた樹脂封止層であって，ブレードによって前記半導体チップとともに切断された側面を有する樹脂封止層」を有して「パッケージングされて」いない点。
　
（５）相違点についての判断
（５−１）相違点１について
ア　相違点１に係る，「前記各電極パッドに電気的に接続されていて，前記各電極パッドから，前記半導体チップの前記主表面に沿って各々延在している複数の配線パターンと，　前記各配線パターン上に設けられたポスト部と，　前記ポスト部上に設けられた外部端子であって，前記半導体チップの外形寸法内にのみ位置する外部端子」を具えることは，以下のイ，ウのとおり引用例２及び３にも記載されているように，従来より当業者に周知の技術である。
　
イ　引用例２には，前記第２　３（３−３）に摘記したように，図１〜図５に基づいて説明されている第１実施形態例において，「図１（ａ）に示すように，半導体基板（シリコン基板）１１上に，アルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）等から成るパッド電極１２を，半導体チップ毎に外縁部に隣接して位置するように形成する。」（段落【００２０】），「電極パッド１２に一端が接続され且つ他端が開口部２０ａから突出して絶縁性樹脂層２０上に延びる再配線パターン部２４ａ（第１導電部材）が得られる。」（段落【００２８】），「各再配線パターン部２４ａに導電性バンプ（第２導電部材）２８を搭載する。」（段落【００２９】），「絶縁性応力緩衝樹脂層２７から各導電性バンプ２８の上面を露出させ，絶縁性応力緩衝樹脂層２７との同一面上に位置する金属バンプ形成用ランド部３３を形成する。」（段落【００３２】），「図４（ｃ）に示すように，金属バンプ形成用ランド部３３に，錫（Ｓｎ）及び鉛（Ｐｂ）を主成分とする金属バンプ２５を搭載する。」（段落【００３３】）と記載されている。
　すなわち，引用例２に記載の「パッド電極１２」，「電極パッド１２に一端が接続され且つ他端が開口部２０ａから突出して絶縁性樹脂層２０上に延びる再配線パターン部２４ａ（第１導電部材）」，「各再配線パターン部２４ａに」「搭載」した「導電性バンプ（第２導電部材）２８」が，相違点１に係る「電極パッド」，「前記各電極パッドに電気的に接続されていて，前記各電極パッドから，前記半導体チップの前記主表面に沿って各々延在している複数の配線パターン」，「前記各配線パターン上に設けられたポスト部」にそれぞれ対応する。
　そして，引用例２には，「図５（ａ）に示すように，ダイシングブレード１８を用いて，ウエハ状の半導体基板１１を切断し，図５（ｂ）に示すように，個別の半導体チップ１０に分離する。」（段落【００３５】）ことが，記載されているので，引用例２に記載の「金属バンプ２５」は，本願補正発明の「前記ポスト部上に設けられた外部端子であって，前記半導体チップの外形寸法内にのみ位置する外部端子」であると言える。
　さらに，引用例２の第３実施形態例には，上記アに記載の引用例２の第１実施形態例の「導電性バンプ（第２導電部材）２８」の代わりに，「金属製円柱部材３０」（段落【００４７】）を有するものも，記載されている。
　そうすると，引用例２には，本願補正発明の「前記各電極パッドに電気的に接続されていて，前記各電極パッドから，前記半導体チップの前記主表面に沿って各々延在している複数の配線パターンと，　前記各配線パターン上に設けられたポスト部と，　前記ポスト部上に設けられた外部端子であって，前記半導体チップの外形寸法内にのみ位置する外部端子」が記載されている。
　
ウ　引用例３には，前記第２　３（３−４）に摘記したように，「図７はかかる本発明の第３実施例を示す配線金属の形成を先に行った場合のチップサイズパッケージの要部断面図である。図５と同じ部分については，同じ符号を付してそれらの説明は省略する。この図において，７０４，７０５は半田ボールの位置を移動するための配線金属，８０４，８０５はバンプである。」（段落【００３１】），「上記実施例によれば，接続用の半田ボールが所望の場所にあるチップサイズパッケージを容易に得ることが可能である。特に，第１実施例と同様に，ウエハのカッティングを最後に行うようにしたので，各パッケージ当たりの工数が少なくなり，低価格化を実現できる。また，エポキシ樹脂のＬＳＩへの接着力も十分なものが得られる。」（段落【００３２】）と記載されている。
　また，引用例３の第２実施例の図５及び段落【００２７】〜段落【００３０】の記載を参照すると，図７について，符号で示されている，「ＬＳＩ１０４の各アルミ電極２０４，２０５」（段落【００２９】），「半田ボール６０４，６０５」（段落【００２９】）も記載されている。
　すなわち，引用例３に記載の「アルミ電極２０４，２０５」，「半田ボールの位置を移動するための配線金属」「７０４，７０５」，「バンプ」「８０４，８０５」が，それぞれ，相違点１に係る，「電極パッド」，「前記各電極パッドに電気的に接続されていて，前記各電極パッドから，前記半導体チップの前記主表面に沿って各々延在している複数の配線パターン」，「前記各配線パターン上に設けられたポスト部」に対応する。
　また，引用例３に記載の「半田ボール６０４，６０５」は，接続用の半田ボールであり，「接続用の半田ボールが所望の場所にあるチップサイズパッケージを容易に得ることが可能である。特に，第１実施例と同様に，ウエハのカッティングを最後に行うようにした」（段落【００３２】）ので，引用例３に記載の「半田ボール６０４，６０５」は，相違点１に係る，「前記ポスト部上に設けられた外部端子であって，前記半導体チップの外形寸法内にのみ位置する外部端子」に対応する。
　そうすると，引用例３にも，相違点１に係る，「前記各電極パッドに電気的に接続されていて，前記各電極パッドから，前記半導体チップの前記主表面に沿って各々延在している複数の配線パターンと，　前記各配線パターン上に設けられたポスト部と，　前記ポスト部上に設けられた外部端子であって，前記半導体チップの外形寸法内にのみ位置する外部端子」が記載されている。
　
エ　そして，引用発明において半導体チップに外部端子を設ける必要があることは明らかであるところ，引用例２，３に記載された，半導体チップに外部端子を設ける前記周知技術を採用して，相違点１に係る構成を具えるようにすることは，当業者が必要に応じて適宜なし得たことである。
　
（５−２）相違点２について
ア　相違点２に係る，「前記ポスト部の頂面を露出するように前記配線パターン上及び前記ポスト部の側面上に設けられた樹脂封止層であって，ブレードによって前記半導体チップとともに切断された側面を有する樹脂封止層」を具えて「パッケージされている」ものとすることは，以下のとおり，前記引用例２及び３にも記載されているように，従来より当業者に周知の技術である。
　
イ　前記第２　３（３−３）に摘記したように，引用例２には，「パッケージ（半導体装置）の製造」（段落【００１９】）に係る技術が示されているところ，その第３実施形態例には，「図８（ｃ）に示すように，絶縁性応力緩衝樹脂層２７及び金属製円柱部材３０の上部側を，プラズマ表面処理技術やＣＭＰ技術等で研磨し，絶縁性応力緩衝樹脂層２７との同一面上に位置する金属バンプ形成用ランド部３４を形成する。」（段落【００５１】），「図９（ｂ）に示すように，ダイシングブレード１８を用いて，ウエハ状の半導体基板１１を切断し，図９（ｃ）に示すように，個別の半導体チップ１０に分離する。」（段落【００５２】）と記載されている。
　すなわち，引用例２に記載の「絶縁性応力緩衝樹脂層２７」は，相違点２に係る「前記ポスト部の頂面を露出するように前記配線パターン上及び前記ポスト部の側面上に設けられた樹脂封止層であって，ブレードによって前記半導体チップとともに切断された側面を有する樹脂封止層」に対応する。
　
ウ　前記第２　３（３−４）に摘記したように，引用例３には，パッケージに係る技術が示されているところ，その第３実施例についての図７の記載を参照すると，「エポキシ樹脂２００」が配線金属７０４，７０５上にあり，バンプ８０４，８０５の側面と接していることが見て取れる。また，「エポキシ樹脂２００」は，「ウエハのカッティングを最後に行う」（段落【００３２】）ので，切断された側面を有することは明らかである。
　そうすると，引用例３の第３実施例の図７に示される「エポキシ樹脂２００」は，相違点２に係る「前記ポスト部の頂面を露出するように前記配線パターン上及び前記ポスト部の側面上に設けられた樹脂封止層であって，ブレードによって前記半導体チップとともに切断された側面を有する樹脂封止層」に対応する。
　
エ　引用発明には，本願補正発明の「光透過部」に対応する「絶縁樹脂層１３」を備えているところ，前記引用例２，３においては，本願補正発明に係る「光透過部」に対応する構成は示されていないが，引用発明において前記各周知技術を適用するに際しては，「画像素子部１１」まで光が透過できるように，引用発明の「絶縁樹脂層１３」の上部を避けて相違点２に係る「樹脂封止層」（すなわち，引用例２に記載の「絶縁性応力緩衝樹脂層２７」，又は，引用例３に記載の「エポキシ樹脂２００」）を設けることは，当業者に自明なことである。
　それゆえ，引用発明に上記引用例２，３に記載の周知技術を適用して，本願補正発明の「前記光透過部上及び前記ポスト部の頂面を露出するように前記配線パターン上及び前記ポスト部の側面上に設けられた樹脂封止層であって，ブレードによって前記半導体チップとともに切断された側面を有する樹脂封止層」を具えて「パッケージされている」ようにすることは，当業者が必要に応じて適宜なし得たことである。
　
（６）以上のとおりであるから，上記相違点１，２に係る構成とすることは，当業者が容易に想到できたものである。
　
　したがって，本願補正発明は，引用例１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
４　小括
よって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に違反するので，同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により，却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明
１　以上のとおり，本件補正（平成２１年４月３日に提出された手続補正書による補正）は却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，本件補正前の請求項１（平成１８年９月２２日に提出された手続補正書により補正された請求項１）に記載された，次のとおりのものである。
　
【請求項１】
「半導体チップの外形寸法と実質的に同一の外形寸法でパッケージングされている半導体装置であって，
　前記半導体チップの主表面に設けられた複数の電極パッドと，
　前記半導体チップの前記主表面にその受光面が露出するように設けられた受光素子部と，
　前記受光素子部の受光面を覆うように設けられ，前記受光素子部への入射光を透過する光透過部と，
　前記各電極パッドに電気的に接続されていて，前記各電極パッドから，前記半導体チップの前記主表面に沿って各々延在している複数の配線パターンと，
　前記各配線パターン上に設けられたポスト部と，
　前記ポスト部上に設けられた外部端子と，
　前記光透過部上及び前記ポスト部の頂面を露出するように前記配線パターン上及び前記ポスト部の側面上に設けられた封止層と
を具えることを特徴とする半導体装置。」
　
２　引用発明と引用例２，３の記載については，前記第２，３，（３−１）〜（３−４）において述べたとおりである。
　
３　対比・判断
　前記第２，１〜２で検討したように，本願補正発明は，本件補正前の発明の「前記ポスト部上に設けられた外部端子」を，「前記ポスト部上に設けられた外部端子であって，前記半導体チップの外形寸法内にのみ位置する外部端子」と限定し，本件補正前の発明の「前記光透過部上及び前記ポスト部の頂面を露出するように前記配線パターン上及び前記ポスト部の側面上に設けられた封止層」を，「前記光透過部上及び前記ポスト部の頂面を露出するように前記配線パターン上及び前記ポスト部の側面上に設けられた樹脂封止層であって，ブレードによって前記半導体チップとともに切断された側面を有する樹脂封止層」と限定したものである。逆に言えば，本件補正前の発明（本願発明）は，本願補正発明から，上記の限定をなくしたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである本願補正発明が，前記第２，３において検討したとおり，引用例１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由により，引用例１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第４　結言
　以上のとおり，本願発明は，引用例１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により，特許を受けることができない。
　したがって，本願は，他の請求項について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。