【事件の表示】
　特許第６０３８３８９号発明「積層体及び、その製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６０３８３８９号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜１２〕、〔１３〜１５〕について訂正することを認める。
　特許第６０３８３８９号の請求項１〜１５に係る特許を維持する。
【理　由】
第１．手続の経緯
　特許第６０３８３８９号の請求項１〜１５に係る特許（以下、「本件特許」という。）についての出願は、平成２７年３月２０日（優先権主張　平成２６年３月２０日　日本）を国際出願日とする出願であって、平成２８年１１月１１日にその特許権の設定登録がされ、その後、その請求項１〜１５に係る特許について、特許異議申立人畠明（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがなされ、平成２９年７月２７日付けで取消理由が通知され、その指定期間内である平成２９年９月２９日付けで意見書の提出及び訂正の請求（以下、「本件訂正請求」といい、訂正自体を「本件訂正」という。）がなされ、平成２９年１１月９日付けで申立人から意見書が提出されたものである。
第２．訂正の適否について
１．訂正の内容
　本件訂正は、特許請求の範囲を本件訂正請求書に添付の訂正特許請求の範囲のとおり訂正するもので、その内容は以下のとおりである（下線部は訂正個所を示す。）。
（１）訂正事項１
　請求項１に
「該窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に接合されて積層された導体層としての銅合金層」とあるのを、
「該窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に
、直接的に接合され、又は、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層およびシランカップリング処理層からなる群から選択される一つ以上の層だけを介して間接的に
　請求項１を直接的又は間接的に引用する請求項２〜１２も同様に訂正する。
（２）訂正事項２
　請求項２に
「Ｍｎを含有する場合はＭｎ濃度が０．０００１〜９５質量％あり、Ｎｉを含有する場合はＮｉ濃度が０．０００１〜９５質量％であり、」とあるのを、
「Ｍｎを含有する場合はＭｎ濃度が０．０００１〜
３．０質量％で
１８
　請求項２を直接的又は間接的に引用する請求項３〜１２も同様に訂正する。
（３）訂正事項３
　請求項１３に
「熱圧着により接合させて積層させる、」とあるのを、
「熱圧着により接合させて積層させ
、窒化物セラミックス基板と、その窒化物セラミックス基板の表面に積層された銅合金層とが、直接的に接合され、又は、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層およびシランカップリング処理層からなる群から選択される一つ以上の層だけを介して間接的に接合される
　請求項１３を直接的又は間接的に引用する請求項１４、１５も同様に訂正する。
（４）訂正事項４
　請求項１４に
「Ｍｎを含有する場合はＭｎ濃度が０．０００１〜９５質量％あり、Ｎｉを含有する場合はＮｉ濃度が０．０００１〜９５質量％であり、」とあるのを、
「Ｍｎを含有する場合はＭｎ濃度が０．０００１〜
３．０質量％で
１８
　請求項１４を直接的に引用する請求項１５も同様に訂正する。
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否、一群の請求項
（１）訂正事項１、３
　訂正事項１、３は、訂正前の請求項１、１３の窒化物セラミックス基板と銅合金層との接合態様を、直接的、又は、特定の層だけを介した間接的な接合態様のみに限定する訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項の規定によって準用する第１２６条第６項の規定に適合するものである。
　また、訂正事項１、３に関連して、本件特許の明細書の段落【００２１】には「なおこの発明では、積層体の窒化物セラミックス基板と、その窒化物セラミックス基板の表面に積層された銅合金層とが、直接的に接合され、又は、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層の群から選択される一つ以上の層だけを介して間接的に接合されることになる。」と記載されている。よって、訂正事項１、３は、明細書に記載した事項の範囲内においてするものであり、特許法第１２０条の５第９項の規定によって準用する第１２６条第５項の規定に適合するものである。
（２）訂正事項２、４
　訂正事項２、４は、訂正前の請求項２、１４のＭｎ濃度、Ｎｉ濃度のそれぞれの範囲をより狭い範囲に限定する訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項の規定によって準用する第１２６条第６項の規定に適合するものである。
　また、訂正事項２、４に関連して、本件特許の明細書の段落【００７５】の【表１】には、実施例におけるＭｎの最大濃度として３．０質量％（実施例１７）、Ｎｉの最大濃度として１８質量％（実施例１６）が記載されている。よって、訂正事項２、４は、明細書に記載した事項の範囲内においてするものであり、特許法第１２０条の５第９項の規定によって準用する第１２６条第５項の規定に適合するものである。
（３）一群の請求項
　本件訂正前の請求項２〜１２は請求項１を引用しており、訂正事項１によって訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。また、本件訂正前の請求項１４、１５は請求項１３を引用しており、訂正事項３によって訂正される請求項１３に連動して訂正されるものである。したがって、訂正前の請求項１〜１２と請求項１３〜１５とは、それぞれ、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。そして、本件訂正請求は、当該一群の請求項ごとに対して請求されたものである。
３．小括
　したがって、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とし、同条第４項並びに同条第９項の規定によって準用する第１２６条第５項及び第６項に適合するので、訂正後の請求項〔１〜１２〕、〔１３〜１５〕について訂正を認める。
第３．本件発明
　上記第２．のとおり本件訂正が認められるから、本件特許の請求項１〜１５に係る発明（以下「本件発明１〜１５」という。また、これらをまとめて「本件発明」ということもある。）は、本件訂正請求書に添付の訂正特許請求の範囲の請求項１〜１５に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
【請求項１】
　窒化物セラミックス基板と、該窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に、直接的に接合され、又は、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層およびシランカップリング処理層からなる群から選択される一つ以上の層だけを介して間接的に接合されて積層された導体層としての銅合金層とを有し、前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｂ、Ｃ、Ｓｎ、Ｙ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｔｌ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有し、前記銅合金層が銅合金板または銅合金箔からなり、前記銅合金層と前記窒化物セラミックス基板との剥離強度が１５ｋＮ／ｍ以上である、積層体。
【請求項２】
　前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有し、該銅合金層が、Ｓｉを含有する場合はＳｉ濃度が０．０００１〜３．０質量％であり、Ｍｎを含有する場合はＭｎ濃度が０．０００１〜３．０質量％であり、Ｎｉを含有する場合はＮｉ濃度が０．０００１〜１８質量％であり、Ｔｉを含有する場合はＴｉ濃度が０．０００１〜８．５質量％であり、Ｚｒを含有する場合はＺｒ濃度が０．０００１〜８．０ 質量％であり、Ｃｅを含有する場合はＣｅ濃度が０．０００１〜６０質量％であり、Ｈｆを含有する場合はＨｆ濃度が０．０００１〜２０質量％である、請求項１に記載の積層体。
【請求項３】
　前記窒化物セラミックス基板が、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化チタン、窒化ホウ素、窒化インジウム又は窒化ガリウムを主成分とし、あるいは、炭化チタンと窒化チタンとの複合材料、又は、窒化ホウ素と炭化ケイ素との複合材料を主成分としてなる、請求項１又は２に記載の積層体。
【請求項４】
　窒化アルミニウムを主成分とする前記窒化物セラミックス基板が、Ｃａ、Ｙ、Ｏからなる群から選択される一種以上の元素を含有し、Ｃａを含む場合には、Ｃａ濃度は０．０００１〜３質量％であり、Ｙを含む場合にはＹ濃度は０．０００１〜１０質量％であり、Ｏを含む場合には、Ｏ濃度は０．０００１〜２０質量％である、請求項３に記載の積層体。
【請求項５】
　前記窒化物セラミックス基板のＯ含有濃度が０．０００１〜２０質量％である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の積層体。
【請求項６】
　前記銅合金層の厚みを、１μｍ〜７０００μｍとし、前記窒化物セラミックス基板の厚みを、１μｍ〜７０００μｍとしてなる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の積層体。
【請求項７】
　請求項１〜６のいずれか一項に記載の積層体を有する放熱体。
【請求項８】
　請求項１〜６のいずれか一項に記載の積層体を有するパワーデバイス。
【請求項９】
　請求項１〜６のいずれか一項に記載の積層体を有する素子。
【請求項１０】
　請求項１〜６のいずれか一項に記載の積層体を有する電子部品。
【請求項１１】
　請求項１〜６のいずれか一項に記載の積層体を有する電子機器。
【請求項１２】
　請求項８に記載のパワーデバイスまたは請求項９に記載の素子または請求項１０に記載の電子部品を有する車両。
【請求項１３】
　導体層としての銅合金層と窒化物セラミックス基板との積層体を製造するに当り、前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｂ、Ｃ、Ｓｎ、Ｙ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｔｌ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有する銅合金板または銅合金箔からなるものとし、窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に、前記銅合金層を、８００〜１０００℃の温度の下、０．６Ｎ／ｍｍ２〜１.５Ｎ／ｍｍ２の圧力を作用させて、熱圧着により接合させて積層させ、窒化物セラミックス基板と、その窒化物セラミックス基板の表面に積層された銅合金層とが、直接的に接合され、又は、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層およびシランカップリング処理層からなる群から選択される一つ以上の層だけを介して間接的に接合される、積層体の製造方法。
【請求項１４】
　前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有し、該銅合金層が、Ｓｉを含有する場合はＳｉ濃度が０．０００１〜３．０質量％であり、Ｍｎを含有する場合はＭｎ濃度が０．０００１〜３．０質量％であり、Ｎｉを含有する場合はＮｉ濃度が０．０００１〜１８質量％であり、Ｔｉを含有する場合はＴｉ濃度が０．０００１〜８．５質量％であり、Ｚｒを含有する場合はＺｒ濃度が０．０００１〜８．０質量％であり、Ｃｅを含有する場合はＣｅ濃度が０．０００１〜６０質量％であり、Ｈｆを含有する場合はＨｆ濃度が０．０００１〜２０質量％である、請求項１３に記載の積層体の製造方法。
【請求項１５】
　前記銅合金層と前記窒化物セラミックス基板とを接合するに際し、窒素もしくはアルゴン雰囲気中または真空中で、前記銅合金層と前記窒化物セラミックス基板とを接合する、請求項１３又は１４に記載の積層体の製造方法。
第４．当審の判断
１．平成２９年７月２７日付け取消理由通知の概要
理由１）本件特許は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていない。
理由２）本件発明１〜１５は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
＜刊行物＞
１．特開２０１１−１２４５８５号公報
２．特開平２−１７５６７４号公報
３．特開昭６３−３１０９３４号公報
４．特開平４−４８０４１号公報
５．特開２００３−６３８７９号公報
６．特開２００７−２９７２２５号公報
（刊行物１〜６は、特許異議申立書添付の甲第１〜６号証と同じ。）
理由１−１．本件発明１〜１５が解決しようとする課題は、明細書の段落【０００６】〜【０００７】の記載を踏まえれば、導体層としての銅合金層と窒化物セラミックス基板との接合に先立って、それらの間にＴｉ等の接合層を形成するために、蒸着、スパッタリングないしめっきを施す必要があり、製造工数の増大を余儀なくされて、積層体を安価かつ簡易に製造することができないことと認められる。
　ところで、請求項１の「窒化物セラミックス基板と、該窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に接合されて積層された導体層としての銅合金層とを有し」との記載は、銅合金層と窒化物セラミックス基板との間に接合層等を形成することを排除するものではない。さらに、明細書の段落【００４４】の記載を踏まえれば、銅合金層の元素としてのＣｕを含むろう材や、Ｔｉを含むスパッタリング層等が存在してもよいとされているが、このようなものは、上記課題を解決しない。請求項１３の「窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に、前記銅合金層を、…接合させて積層させる」との記載についても同様である。
理由１−２．請求項１、１３に記載された「接合」の定義が必ずしも明確でなく、例えば、ろう材を用いた接合を含むか否かが不明確である。また、請求項１、１３に記載された「銅金属層」の定義も必ずしも明確でなく、例えば、銅を含むろう材の固化物を含むか否かが不明確である。
理由１−３．請求項２、１４に記載された「Ｍｎ濃度が０．０００１〜９５質量％」、「Ｎｉ濃度が０．０００１〜９５質量％」に関し、実施例におけるＭｎの最大濃度は３．０質量％（実施例１７）、Ｎｉの最大濃度は１８質量％（実施例１６）にとどまる。そして、合金の特性は、その主成分に大きく依存することが技術常識であるから、主成分をＣｕではなくＭｎやＮｉとした場合にも、１５ｋＮ／ｍ以上の剥離強度が得られるのか、導体層として機能し得るのか（Ｃｕに比べてＭｎなどの電気伝導率は低い）は明らかでなく、またそのような技術常識もない。
　そうすると、本件出願時の技術常識に照らしても、上述の数値範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとすることはできない。
理由２．本件発明１〜１５は、刊行物１記載の発明及び刊行物２〜６の記載事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　なお、上記取消理由通知は、本件特許異議の申立てにおいて申立てられた全ての申立理由を採用した。
２．本件発明について
　本件発明は、「銅を含む金属層とセラミックス基板とを積層してなる積層体及び、その製造方法に関するものであり、特には、金属層とセラミックス基板との所要の接合強度を確保するもの」（本件特許の明細書の段落【０００１】）であって、従来は「積層体を製造するに当り、Ｃｕ導体層と窒化アルミニウム基板との接合に先立って、それらの間にＴｉ等の接合層を形成するため、Ｃｕ導体層もしくは窒化アルミニウム基板に、蒸着、スパッタリングないしめっきを施す必要がある。それに起因して、製造工数の増大を余儀なくされて、積層体を安価かつ簡易に製造することができないという問題があった」（【０００６】）ところ、銅合金層に「Ｓｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｂ、Ｃ、Ｓｎ、Ｙ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｔｌ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有」（【０００９】）させ「銅合金層に含まれる当該元素が、窒化物セラミックス基板との化合物を形成して、銅合金層と窒化物セラミックス基板との接合を実現できる」（【００３５】）ようにすることで、「従来技術のような接合層を形成する工程を要しないので、製造工数を削減することができる」（【００２３】）ようにしたものである。
３．上記取消理由についての判断
（１）理由１−１
ア．上記第２．のとおり本件訂正が認められることにより、本件発明は上記第３．のとおりであって、銅合金層と窒化物セラミックス基板との間に介在し得るのは、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層およびシランカップリング処理層からなる群から選択される一つ以上の層に限られ、接合を目的とした層は含まれないから、本件発明が、製造工数の増大という課題を解決し得ない、接合層が介在したものを含むということはできない。
イ．申立人は、『「粗化処理層」、「耐熱層」、「防錆層」、「クロメート処理層」、または「シランカップリング処理層」を形成する場合、製造工数が増加するため、特許権者が主張する「製造工数の増大を余儀なくされて、積層体を安価かつ簡易に接合することができない」という課題を解決することができません。よって、訂正特許発明１および１３は、上記課題を解決しない範囲の発明についても含んでおります。』（意見書４頁６〜１１行）と主張する。しかし、本件発明の課題は、従来は銅合金層と窒化物セラミックス基板とを有効に接合させるために接合層を形成しており（【０００４】）、製造工数の増大を余儀なくされていた（【０００６】）ことと解される。
　そうすると、解決しようとする課題はあくまで、接合のために接合層を形成したことによる製造工数の増大なのであって、他の目的で粗化処理層等を形成したことによる製造工数の増大までも課題としていたものではないから、本件発明において粗化処理層等を形成し得るからといって、上記課題を解決しないとすることはできない。
ウ．よって、理由１−１によって、本件発明１〜１５は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないとすることはできず、本件発明１〜１５に係る特許は、特許法第１１３条第４号に該当せず、取り消されるべきものではない。
（２）理由１−２
ア．上記２．のとおり、本件発明は、銅合金層に含まれるＳｉ等が、窒化物セラミックス基板との化合物を形成することにより、銅合金層と窒化物セラミックス基板とを接合するものであって、本件発明の「接合」は、銅合金層に含まれるＳｉ等が、窒化物セラミックス基板との化合物を形成することによる接合を意味することは明らかである。
　その意味からすれば、ろう材による接合は、銅合金層に含まれるＳｉ等が、窒化物セラミックス基板との化合物を形成することにより接合するものとはいえないから、本件発明の「接合」に含まれるということはできない。
　さらに、上記第２．のとおり本件訂正が認められることにより、本件発明は上記第３．のとおりであって、銅合金層と窒化物セラミックス基板との間に介在し得るのは、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層およびシランカップリング処理層からなる群から選択される一つ以上の層に限られており、ろう材は、介在し得る層とはされていない。したがって、ろう材を用いた接合が、本件発明の「接合」に含まれないことは明らかである。
イ．本件発明では、「銅合金層」は、「窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に…接合されて積層された導体層」であって「Ｓｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｂ、Ｃ、Ｓｎ、Ｙ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｔｌ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有」する「銅合金板または銅合金箔」からなることが特定されており、その定義が明確でないということはできない。
　また、ろう材の固化物というのは通常、単体として存在し得る「板」や「箔」ではなく、接合部材同士の間に「層」として介在するものだから、本件発明の「銅合金板または銅合金箔」からなる「銅合金層」に含まれるということはできない。
ウ．申立人は、『訂正請求項１および訂正請求項１３における「粗化処理層」、「耐熱層」、「防錆層」、「クロメート処理層」、および「シランカップリング処理層」のそれぞれの定義が不明であり、訂正特許発明１および１３において窒化物セラミック基板と銅合金層との間に接合層等が形成されたものが除外されていると認めることはできません。「粗化処理層」、「耐熱層」、および「シランカップリング処理層」については発明の詳細な説明に具体的な説明が何らありません。このため、例えば「耐熱層」が「ろう材等の接合層」も含むか否かが不明であります。…また、「防錆層」については、段落［００６６］にＺｎ、Ｎｉを用いたメッキにより防錆層を形成することが記載されています。Ｎｉを用いたメッキは、例えば刊行物１の段落［０００３］や段落［００４３］等の記載からもわかるとおり、接合層としても用いられる材料でありますが、発明の詳細な説明にはＮｉを用いたメッキが接合層と異なる層であるかをどのように判断するのか何ら記載されておりません。』（意見書３頁１４行〜４頁５行）、『訂正請求項１では「銅合金層と窒化物セラミック基板との剥離強度が１５ｋＮ／ｍ以上である」と限定されているように、接合強度の向上が示されています。よって、仮に「粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、およびシランカップリング処理層」が接合層とは異なるものであれば、その違いを明確にすべきであります。』（意見書４頁１２〜１６行）と主張する。
　しかし、「粗化処理層」、「クロメート処理層」、「シランカップリング処理層」が、その表記のとおり、粗化処理等をされた層であり、また、「耐熱層」、「防錆層」が、耐熱性等の機能を有する層であることは明らかであって、これらの層の意味するものが当業者にとって明確でないとはいえない。一方、「積層体」または「積層体の製造方法」における「接合層」は、その表記のとおり、例えば単にＮｉを用いた層というだけではなく、その層に適した条件により加熱、加圧等の処理がなされ、窒化物セラミック基板と銅合金層との接合という機能を発揮する状態とされる層をいうことが明らかである（【０００４】、【００３４】）。そうすると、粗化処理層等と、接合層とでは、その機能や状態が異なるものであり、使用できる材料が部分的に類似しているからといって、粗化処理層等は接合層に相当するものではない。
エ．よって、理由１−２によって、本件発明１〜１５は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないとすることはできず、本件発明１〜１５に係る特許は、特許法第１１３条第４号に該当せず、取り消されるべきものではない。
（３）理由１−３
　上記第２．のとおり本件訂正が認められることにより、本件発明２、１４は上記第３．のとおりであって、銅合金層のＭｎの最大濃度は本件特許の発明の詳細な説明に記載された３．０質量％（実施例１７）、同じくＮｉの最大濃度は１８質量％（実施例１６）となったから、本件発明２、１４が、発明の詳細な説明に記載したものでないということはできない。
　よって、理由１−３によって、本件発明２〜１２、１４、１５は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないとすることはできず、本件発明２〜１２、１４、１５に係る特許は、特許法第１１３条第４号に該当せず、取り消されるべきものではない。
（４）理由２
ア．引用発明
　刊行物１には、以下の引用発明１、２が記載されている。
「窒化珪素基板からなるセラミックス基板１１と、窒化珪素基板からなるセラミックス基板１１の上面にろう材層を介してろう付けされた金属回路板１２とを有し、金属回路板１２が、銅と、少なくともニッケル、亜鉛、ジルコニウム又はスズの何れかを含む銅合金からなる、セラミックス配線基板１。」（【請求項１】、【請求項２】、【００４３】〜【００４７】）（引用発明１）
「金属回路板１２と窒化珪素基板からなるセラミックス基板１１との積層体を製造するに当り、金属回路板１２が、銅と、少なくともニッケル、亜鉛、ジルコニウム又はスズの何れかを含む銅合金からなるものとし、窒化珪素基板からなるセラミックス基板１１の上面に、金属回路板１２を、５００〜１０００℃の温度で、２０〜１５０ｇ／ｃｍ２の荷重をかけて、ろう材層を介してろう付けさせて積層させ、窒化珪素基板からなるセラミックス基板１１と、その窒化珪素基板からなるセラミックス基板１１の表面に積層された金属回路板１２とが、ろう材層を介してろう付けされる、セラミックス配線基板１の製造方法。」（【請求項６】、【請求項７】、【００４３】〜【００４７】）（引用発明２）
イ．本件発明１について
（ア）相違点
　本件発明１と引用発明１とを比較すると、少なくとも以下の点で相違する。
相違点１．本件発明１は、銅合金層と窒化物セラミックス基板との剥離強度が１５ｋＮ／ｍ以上であるのに対して、引用発明１は、金属回路板１２と窒化珪素基板からなるセラミックス基板１１との剥離強度が不明である点。
相違点２．本件発明１は、銅合金層が、窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に、直接的に接合され、又は、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層およびシランカップリング処理層からなる群から選択される一つ以上の層だけを介して間接的に接合されるのに対して、引用発明１は、金属回路板１２が、窒化珪素基板からなるセラミックス基板１１の上面に、ろう材層を介してろう付けされる点。
（イ）相違点１について
　銅合金層と窒化物セラミックス基板との剥離強度を１５ｋＮ／ｍ以上とすることは、刊行物２〜６にも記載されておらず、相違点１に係る本件発明１の構成は、引用発明１及び刊行物２〜６の記載事項に基いて、当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
　申立人は、『本件特許明細書の段落［００５２］−［００５７］には本件特許発明１の積層体の製造方法について記載され、…「窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に銅合金層を窒素もしくはアルゴン雰囲気中または真空中で、８００〜１０００℃の温度、０．６Ｎ／ｍｍ２〜１.５Ｎ／ｍｍ２の圧力で熱接合する」ことが記載されています。…「窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に銅合金層を８００〜１０００℃の温度で熱接合する」ことは、例えば甲第１号証の［請求項８］等に記載されています。…「０．６Ｎ／ｍｍ２〜１.５Ｎ／ｍｍ２の圧力で接合する」ことは、甲第５号証の［請求項１］等に記載されている周知技術であります。よって、本件特許明細書の段落［００５２］−［００５７］の記載のとおりに積層体を製造することは、甲第１号証、第２号証、および甲第５号証に実質的に記載されております。このとき、積層体は「銅合金層と窒化物セラミックス基板との剥離強度が１５ｋＮ／ｍ以上である」構成を具備していると認められます。』（特許異議申立書１８頁下から２行〜１９頁下から６行）と主張する。
　しかし、引用発明１の接合方法はろう接であるに対して、刊行物５の接合方法は振動圧接であって、両者の接合方法は全く異なっている。そうすると、引用発明１において、ろう接の温度条件は維持しつつ、刊行物５に記載された振動圧接の加圧条件のみを採用することに、動機を見いだすことができない。
（ウ）相違点２について
　引用発明１において、ろう材層を介したろう付けは、金属回路板１２と窒化珪素基板からなるセラミックス基板１１とを積層体とする上で不可欠なところ、これを相違点２に係る本件発明１の構成のように直接的な接合、又は、粗化処理層等だけを介した間接的な接合に置換することは、刊行物２〜６にも記載されていない。したがって、相違点２に係る本件発明１の構成は、引用発明１及び刊行物２〜６の記載事項に基いて、当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
　申立人は、『相違点２について検討すると、前述のとおり、訂正請求項１における「耐熱層」が「ろう材層」に相当する場合、刊行物１の段落［００３２］に「活性金属ろう付け方等を用いて、セラミックス基板と銅板とを６００〜９００℃の温度で加熱しつつ接合することにより金属回路板及び金属放熱板を作製する」ことが記載されていることからもわかるとおり、耐熱層を介して窒化物セラミック基板の表面に銅合金層を接合することは刊行物１等に記載された周知技術であります。また、訂正請求項１における「防錆層」が「Ｎｉめっき層」に相当する場合、…防錆層を介して窒化物セラミック基板の表面に銅合金層を接合することは刊行物１等に記載された周知技術であります。』（意見書６頁５〜２１行）と主張する。
　しかし、上記（２）のとおり、 耐熱層や防錆層は接合層としてのろう材層に相当するものではないから、申立人の主張は採用できない。
（エ）本件発明の効果について
　引用発明１は、金属回路板１２と窒化珪素基板からなるセラミックス基板１１とのろう付けのためにろう材層を形成する必要があるのに対して、本件発明１は、上記２．に示したとおり、銅合金層に「Ｓｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｂ、Ｃ、Ｓｎ、Ｙ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｔｌ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有」させ「銅合金層に含まれる当該元素が、窒化物セラミックス基板との化合物を形成して、銅合金層と窒化物セラミックス基板との接合を実現できる」ようにすることで、「従来技術のような接合層を形成する工程を要しないので、製造工数を削減することができる」という格別な効果を奏するものである。
（オ）小括
　したがって、本件発明１は、引用発明１及び刊行物２〜６の記載事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
ウ．本件発明２〜１２について
　本件発明２〜１２は、本件発明１の発明特定事項をすべて含むものであるところ、上記イ．に示した理由と同様の理由により、引用発明１及び刊行物２〜６の記載事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
エ．本件発明１３について
（ア）相違点
　本件発明１３と引用発明２とを比較すると、少なくとも以下の点で相違する。
相違点３．本件発明１３は、窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に、銅合金層を、８００〜１０００℃の温度の下、０．６Ｎ／ｍｍ２〜１.５Ｎ／ｍｍ２の圧力を作用させて、熱圧着により接合させて積層させるのに対して、引用発明２は、窒化珪素基板からなるセラミックス基板１１の上面に、金属回路板１２を、５００〜１０００℃の温度で、２０〜１５０ｇ／ｃｍ２の荷重をかけて、ろう材層を介してろう付けさせて積層させる点。
相違点４．本件発明１３では、窒化物セラミックス基板と、その窒化物セラミックス基板の表面に積層された銅合金層とが、直接的に接合され、又は、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層およびシランカップリング処理層からなる群から選択される一つ以上の層だけを介して間接的に接合されるのに対して、引用発明２では、窒化珪素基板からなるセラミックス基板１１と、その窒化珪素基板からなるセラミックス基板１１の表面に積層された金属回路板１２とが、ろう材層を介してろう付けされる点。
（イ）相違点３について
　窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に、銅合金層を、８００〜１０００℃の温度の下、０．６Ｎ／ｍｍ２〜１.５Ｎ／ｍｍ２の圧力を作用させて、熱圧着により接合させて積層させることは、刊行物２〜６にも記載されていないから、相違点３に係る本件発明１３の構成は、引用発明２及び刊行物２〜６の記載事項に基いて、当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
　申立人は、『「０．６Ｎ／ｍｍ２〜１.５Ｎ／ｍｍ２の圧力で接合する」ことは、甲第５号証の［請求項１］等に記載されている周知技術であります。従って、甲第１号証および甲第５号証に基づいて本件特許発明１３の構成を想起することは当業者が容易に想到し得ることであります。』（特許異議申立書２８頁下から８行〜下から５行）と主張する。
　しかし、引用発明２の接合方法はろう接であるに対して、刊行物５の接合方法は振動圧接であって、両者の接合方法は全く異なっている。そうすると、引用発明２において、ろう接の温度条件は維持しつつ、刊行物５に記載された振動圧接の加圧条件のみを採用することに、動機を見いだすことができない。
（ウ）相違点４について
　相違点４は、上記イ．に示した相違点２と実質的に同じ相違点であるから、同様の理由により、相違点４に係る本件発明１３の構成は、引用発明２及び刊行物２〜６の記載事項に基いて、当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
（エ）本件発明の効果について
　引用発明２は、金属回路板１２と窒化珪素基板からなるセラミックス基板１１とのろう付けのためにろう材層を形成する必要があるのに対して、本件発明１３は、上記２．に示したとおり、銅合金層に「Ｓｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｂ、Ｃ、Ｓｎ、Ｙ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｔｌ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有」させ「銅合金層に含まれる当該元素が、窒化物セラミックス基板との化合物を形成して、銅合金層と窒化物セラミックス基板との接合を実現できる」ようにすることで、「従来技術のような接合層を形成する工程を要しないので、製造工数を削減することができる」という格別な効果を奏するものである。
（オ）小括
　したがって、本件発明１３は、引用発明２及び刊行物２〜６の記載事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
オ．本件発明１４〜１５について
　本件発明１４〜１５は、本件発明１３の発明特定事項をすべて含むものであるところ、上記エ．に示した理由と同様の理由により、引用発明２及び刊行物２〜６の記載事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
カ．以上のとおり、本件発明１〜１５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではないから、同法第１１３条第２号に該当せず、取り消されるべきものとすることはできない。
第５．むすび
　以上のとおりであるから、上記取消理由によっては、本件発明１〜１５に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜１５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成３０年１月３１日（２０１８．１．３１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　窒化物セラミックス基板と、該窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に
、直接的に接合され、又は、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層およびシランカップリング処理層からなる群から選択される一つ以上の層だけを介して間接的に
　【請求項２】
　前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有し、該銅合金層が、Ｓｉを含有する場合はＳｉ濃度が０．０００１〜３．０質量％であり、Ｍｎを含有する場合はＭｎ濃度が０．０００１〜
３．０質量％で
１８
　【請求項３】
　前記窒化物セラミックス基板が、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化チタン、窒化ホウ素、窒化インジウム又は窒化ガリウムを主成分とし、あるいは、炭化チタンと窒化チタンとの複合材料、又は、窒化ホウ素と炭化ケイ素との複合材料を主成分としてなる、請求項１又は２に記載の積層体。
　【請求項４】
　窒化アルミニウムを主成分とする前記窒化物セラミックス基板が、Ｃａ、Ｙ、Ｏからなる群から選択される一種以上の元素を含有し、Ｃａを含む場合には、Ｃａ濃度は０．０００１〜３質量％であり、Ｙを含む場合にはＹ濃度は０．０００１〜１０質量％であり、Ｏを含む場合には、Ｏ濃度は０．０００１〜２０質量％である、請求項３に記載の積層体。
　【請求項５】
　前記窒化物セラミックス基板のＯ含有濃度が０．０００１〜２０質量％である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の積層体。
　【請求項６】
　前記銅合金層の厚みを、１μｍ〜７０００μｍとし、前記窒化物セラミックス基板の厚みを、１μｍ〜７０００μｍとしてなる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の積層体。
　【請求項７】
　請求項１〜６のいずれか一項に記載の積層体を有する放熱体。
　【請求項８】
　請求項１〜６のいずれか一項に記載の積層体を有するパワーデバイス。
　【請求項９】
　請求項１〜６のいずれか一項に記載の積層体を有する素子。
　【請求項１０】
　請求項１〜６のいずれか一項に記載の積層体を有する電子部品。
　【請求項１１】
　請求項１〜６のいずれか一項に記載の積層体を有する電子機器。
　【請求項１２】
　請求項８に記載のパワーデバイスまたは請求項９に記載の素子または請求項１０に記載の電子部品を有する車両。
　【請求項１３】
　導体層としての銅合金層と窒化物セラミックス基板との積層体を製造するに当り、前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｂ、Ｃ、Ｓｎ、Ｙ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｔｌ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有する銅合金板または銅合金箔からなるものとし、窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に、前記銅合金層を、８００〜１０００℃の温度の下、０．６Ｎ／ｍｍ２〜１．５Ｎ／ｍｍ２の圧力を作用させて、熱圧着により接合させて積層させ
、窒化物セラミックス基板と、その窒化物セラミックス基板の表面に積層された銅合金層とが、直接的に接合され、又は、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層およびシランカップリング処理層からなる群から選択される一つ以上の層だけを介して間接的に接合される
　【請求項１４】
　前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有し、該銅合金層が、Ｓｉを含有する場合はＳｉ濃度が０．０００１〜３．０質量％であり、Ｍｎを含有する場合はＭｎ濃度が０．０００１〜
３．０質量％で
１８
　【請求項１５】
　前記銅合金層と前記窒化物セラミックス基板とを接合するに際し、窒素もしくはアルゴン雰囲気中または真空中で、前記銅合金層と前記窒化物セラミックス基板とを接合する、請求項１３又は１４に記載の積層体の製造方法。