【手続補正書】
【提出日】平成23年8月18日(2011.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粗面を有する一次元的（１−Ｄ）或いは二次元的（２−Ｄ）なナノ組織体であって、
このナノ組織体は半導体よりなり、任意的にドーピングされたものであり、洗浄されたｐ型（１１１）方位のシリコン下地層を水性ＨＦ／ＡｇＮＯ３溶液に５０Ｃにおいて２０分間浸して準備されるシリコンナノワイヤーではないナノ組織体。
【請求項２】
前記半導体がＳｉ，Ｇｅ，ＧａＡｓ，ＣｄＳｅ，ＧａＮ，ＡＩＮ，Ｂｉ２Ｔｅ３，ＺｎＯ、及びそれらのようなもの、或いはそれらの組み合わせからなり、任意的に５価の元素或いは３価の元素でドーピングされている請求項１に記載のナノ組織体。
【請求項３】
前記半導体がＳｉ，Ｇｅ，或いはそれらの組み合わせからなる請求項２に記載のナノ組織体。
【請求項４】
前記ナノ組織体が一次元的ナノ組織体である請求項１に記載のナノ組織体。
【請求項５】
前記一次元的ナノ組織体がナノワイヤーである請求項４に記載のナノ組織体。
【請求項６】
前記ナノ組織体が二次元的ナノ組織体である請求項１に記載のナノ組織体。
【請求項７】
粗面を有する一個以上の一次元的（１−Ｄ）或いは二次元的（２−Ｄ）なナノ組織体からなる装置であって、各ナノ組織体は任意的にドーピングされた半導体よりなり、各ナノ組織体は第一電極と第二電極と接触する装置。
【請求項８】
前記第一電極は第一不透明材料からなり、前記第二電極は第二不透明材料からなり、前記第一不透明材料と前記第二不透明材料とは同じ或いは異なる材料である請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記第一電極と前記第二電極とは電気的に導通している請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記第一電極と前記第二電極の温度が異なる場合、前記ナノ組織体内に電流が生成される請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
（ａ）請求項１０に記載の装置を準備する工程と、
（ｂ）前記第一電極から前記ナノ組織体へ、及び前記ナノ組織体を通じて前記第二電極に流れる電流を生成するように前記第一電極の温度を上昇させる工程と
からなる電流を生成する方法。
【請求項１２】
（ａ）第一電極と、
（ｂ）第二電極と、
（ｃ）第三電極と、
（ｄ）各々が粗面を有し、任意的にドーピングされた半導体よりなる第一複数の一次元的（１−Ｄ）或いは二次元的（２−Ｄ）なナノ組織体と、
（ｅ）粗面を有し、各々が任意的にドーピングされた半導体よりなる第二複数の１−Ｄ或いは２−Ｄなナノ組織体とからなる装置であって、
前記第一複数のナノ組織体は前記第一電極と前記第三電極と接触し、前記第二複数のナノ組織体は前記第一電極と前記第二電極と接触し、前記第二電極は前記第三電極と電気的に導通し、前記第一電極が前記第二電極より温度が高い場合には、前記第二電極から前記第二複数のナノ組織体へ、前記第二複数のナノ組織体を通じて前記第一電極へ、第一電極を通じて前記第一複数のナノ組織体へ、更に前記第一複数のナノ組織体を通じて前記第三電極へ流れる電流が生成される装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の装置からなる熱電気的発電機。
【請求項１４】
請求項１２に記載の装置からなる熱電気的クーラー。
【請求項１５】
（ａ）請求項１２に記載の装置を準備する工程と、
（ｂ）前記第二電極から前記第二複数のナノ組織体へ、前記第二複数のナノ組織体を通じて前記第一電極へ、第一電極を通じて前記第一複数のナノ組織体へ、更に前記第一複数のナノ組織体を通じて前記第三電極へ流れる電流が生成されるように前記第一電極の温度を上昇させる工程と
からなる電流を生成する方法。
【請求項１６】
ある場所での温度を降下させる方法であって、
（ａ）請求項１２に記載の装置であって、電力が前記第二と第三の電極と導通し、前記第一電極が前記場所或いはその近辺にある装置を準備する工程と、
（ｂ）前記の場所での温度が降下するように、前記第二電極から前記第二複数のナノ組織体へ、前記第二複数のナノ組織体を通じて前記第一電極へ、前記第一電極を通じて前記第一複数のナノ組織体へ、更に前記第一複数のナノ組織体を通じて前記第三電極へ電流を流す工程と
からなる方法。
【請求項１７】
請求項４に記載の１−Ｄナノ組織体の一個以上からなる装置であって、１−Ｄナノ組織体は第一端部と第二端部を有し、前記第一端部は第一電極に接触し、前記第二端部は第二電極に接触する装置。
【請求項１８】
前記１−Ｄナノ組織体がナノワイヤーである請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記第一電極は第一不透明材料からなり、前記第二電極は第二不透明材料からなり、前記第一不透明材料と前記第二不透明材料とは同じ或いは異なる材料である請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記第一電極と前記第二電極とは電気的に導通している請求項１７に記載の装置。
【請求項２１】
前記第一電極と前記第二電極の温度が異なる場合、前記１−Ｄナノ組織体内に電流が生成される請求項７に記載の装置。
【請求項２２】
（ａ）請求項２１に記載の装置を準備する工程と、
（ｂ）前記第一電極から前記１−Ｄナノ組織体へ、及び前記１−Ｄナノ組織体を通じて前記第二電極に流れる電流を生成するように前記第一電極の温度を上昇させる工程と
からなる電流を生成する方法。
【請求項２３】
（ａ）第一電極と、
（ｂ）第二電極と、
（ｃ）第三電極と、
（ｄ）各々が第一端部と第二端部を有する細長い形状で粗面を有し、各々が３価の元素でドーピングされた半導体よりなる第一複数の１−Ｄナノ組織体と、
（ｅ）各々が第一端部と第二端部を有する細長い形状で粗面を有し、各々が５価の元素でドーピングされた半導体よりなる第二複数の１−Ｄナノ組織体とからなる装置であって、
前記第一複数の１−Ｄナノ組織体の第一端部は前記第一電極と接触し、前記第一複数の１−Ｄナノ組織体の第二端部は前記第三電極と接触し、前記第二複数の１−Ｄナノ組織体の第一端部は前記第一電極と接触し、前記第二複数の１−Ｄナノ組織体の第二端部は前記第二電極と接触し、前記第二電極は前記第三電極と電気的に導通し、前記第一電極が前記第二電極より温度が高い場合には、前記第二電極から前記第二複数の１−Ｄナノ組織体へ、前記第二複数の１−Ｄナノ組織体を通じて前記第一電極へ、第一電極を通じて前記第一複数の１−Ｄナノ組織体へ、更に前記第一複数の１−Ｄナノ組織体を通じて前記第三電極へ流れる電流が生成される装置。
【請求項２４】
請求項２３に記載の装置からなる熱電気的発電機。
【請求項２５】
請求項２３に記載の装置からなる熱電気的クーラー。
【請求項２６】
（ａ）請求項２３に記載の装置を準備する工程と、
（ｂ）前記第二電極から前記第二複数の１−Ｄナノ組織体へ、前記第二複数の１−Ｄナノ組織体を通じて前記第一電極へ、第一電極を通じて前記第一複数の１−Ｄナノ組織体へ、更に前記第一複数の１−Ｄナノ組織体を通じて前記第三電極へ流れる電流が生成されるように前記第一電極の温度を上昇させる工程と
からなる電流を生成する方法。
【請求項２７】
ある場所での温度を降下させる方法であって、
（ａ）請求項２３に記載の装置であって、電力が前記第二と第三の電極と導通し、前記第一電極が前記場所或いはその近辺にある装置を準備する工程と、
（ｂ）前記の場所での温度が降下するように、前記第二電極から前記第二複数の１−Ｄナノ組織体へ、前記第二複数の１−Ｄナノ組織体を通じて前記第一電極へ、前記第一電極を通じて前記第一複数の１−Ｄナノ組織体へ、更に前記第一複数の１−Ｄナノ組織体を通じて前記第三電極へ電流を流す工程と
からなる方法。
【請求項２８】
熱電気変換のための装置であって、
第一電極と、
第二電極と、
前記第一電極及び前記第二電極間に配置され、一又は複数の半導体材料を含む一又は複数のナノ組織体とを備え、
前記一又は複数のナノ組織体のそれぞれは、前記第一電極及び前記第二電極に接触し、
前記一又は複数のナノ組織体のそれぞれは、平均表面粗さが１ｎｍ〜５ｎｍである表面を有している装置。
【請求項２９】
前記一又は複数のナノ組織体のそれぞれは、一次元的ナノ組織体である請求項２８に記載の装置。
【請求項３０】
前記一次元的ナノ組織体がナノワイヤーである請求項２９に記載の装置。
【請求項３１】
前記一又は複数のナノ組織体のそれぞれは、二次元的ナノ組織体である請求項２８に記載の装置。
【請求項３２】
前記一又は複数の半導体材料が、Ｓｉ，Ｇｅ，ＧａＡｓ，ＣｄＳｅ，ＧａＮ，ＡＩＮ，Ｂｉ２Ｔｅ３，ＺｎＯからなる群より選択された少なくとも一種を含む請求項２８に記載の装置。
【請求項３３】
前記一又は複数の半導体材料が、Ｓｉ，Ｇｅからなる群より選択される少なくとも一種を含む請求項２８に記載の装置。
【請求項３４】
前記一又は複数の半導体材料が、５価の元素又は３価の元素でドーピングされている請求項２８に記載の装置。
【請求項３５】
前記第一電極は第一不透明材料を含み、前記第二電極は第二不透明材料を含み、前記第一不透明材料と前記第二不透明材料とは同じ或いは異なる材料である請求項２８に記載の装置。
【請求項３６】
前記第一電極及び前記第二電極は、前記一又は複数のナノ組織体を介して電気的に接続されている請求項２８に記載の装置。
【請求項３７】
請求項２８に記載の装置は、電流を生成するように構成されている装置。
【請求項３８】
前記第一電極と前記第二電極の温度が異なる場合に前記一又は複数のナノ組織体を介して前記第一電極及び前記第二電極に電流が生成されるように構成されている請求項３７に記載の装置。
【請求項３９】
請求項２８に記載の装置は、熱電気冷却を提供するように構成されている装置。
【請求項４０】
熱電気変換のための装置であって、
第一電極と、
第二電極と、
第三電極と、
前記第一電極及び前記第二電極間に配置され、一又は複数の第一半導体材料を含む一又は複数の第一ナノ組織体と、
前記第二電極及び前記第三電極間に配置され、一又は複数の第二半導体材料を含む一又は複数の第二ナノ組織体とを備え、
前記一又は複数の第一ナノ組織体のそれぞれは、前記第一電極及び前記第二電極に接触し、
前記一又は複数の第二ナノ組織体のそれぞれは、前記第二電極及び前記第三電極に接触し、
前記一又は複数の第一ナノ組織体のそれぞれは、第一平均表面粗さが１ｎｍ〜５ｎｍである第一表面を有し、
前記一又は複数の第二ナノ組織体のそれぞれは、第二平均表面粗さが１ｎｍ〜５ｎｍである第二表面を有している装置。
【請求項４１】
前記第一電極及び前記第三電極は、前記一又は複数の第一ナノ組織体、前記第二電極、及び前記一又は複数の第二ナノ組織体を介して電気的に接続されている請求項４０に記載の装置。
【請求項４２】
請求項４０に記載の装置は、電流を生成するように構成されている装置。
【請求項４３】
請求項４２に記載の装置は、更に、前記第二電極の温度が前記第一電極及び前記三電極の温度と異なる場合、前記一又は複数の第一ナノ組織体、前記第二電極、及び前記一又は複数の第二ナノ組織体を介して、前記第一電極及び前記第三電極に電流が生成されるように構成されている装置。
【請求項４４】
請求項４０に記載の装置は、熱電気冷却を提供するように構成されている装置。
【請求項４５】
前記第一電極は第一不透明材料を含み、前記第二電極は第二不透明材料を含み、前記第一不透明材料と前記第二不透明材料とは同じ或いは異なる材料である請求項４０に記載の装置。
【請求項４６】
熱電気変換のための装置であって、
第一電極と、
第二電極と、
第三電極と、
前記第一電極及び前記第二電極間に配置され、一又は複数の半導体材料を含む一又は複数のナノ組織体と、
前記第二電極及び前記第三電極間に配置された一又は複数の熱電気組織体とを備え、
前記一又は複数のナノ組織体のそれぞれは、前記第一電極及び前記第二電極に接触し、
前記一又は複数の熱電気組織体のそれぞれは、前記第二電極及び前記第三電極に接触し、
前記一又は複数のナノ組織体のそれぞれは、第一平均表面粗さが１ｎｍ〜５ｎｍである表面を有している装置。
【請求項４７】
前記第一電極及び前記第三電極は、前記一又は複数のナノ組織体、前記第二電極、及び前記一又は複数の熱電気組織体を介して電気的に接続されている請求項４６に記載の装置。
【請求項４８】
請求項４６に記載の装置は、電流を生成するように構成されている装置。
【請求項４９】
請求項４８に記載の装置は、更に、前記第二電極の温度が前記第一電極及び前記三電極の温度と異なる場合、前記一又は複数のナノ組織体、前記第二電極、及び前記一又は複数の熱電気組織体を介して、前記第一電極及び前記第三電極に電流が生成されるように構成されている装置。
【請求項５０】
請求項４６に記載の装置は、熱電気冷却を提供するように構成されている装置。
【請求項５１】
前記第一電極は第一不透明材料を含み、前記第二電極は第二不透明材料を含み、前記第一不透明材料と前記第二不透明材料とは同じ或いは異なる材料である請求項４６に記載の装置。