【手続補正書】
【提出日】平成23年1月20日(2011.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マグネシウム化合物担持非メタロセン触媒を製造する方法であって、
マグネシウム化合物に、化学的処理剤および非メタロセン配位子の２者のうちの一方を接触させて接触生成物を得る接触工程（ここで化学的処理剤は、第IVB族金属化合物の群から選ばれる）；ならびに
前記接触生成物を、化学的処理剤および非メタロセン配位子の２者のうちの他方によって処理して、マグネシウム化合物担持非メタロセン触媒を得る処理工程
を含む方法。
【請求項２】
前記接触工程の前に、マグネシウム化合物を、アルミノキサン、アルキルアルミニウムおよびその組合せからなる群から選ばれる予備処理剤によって予備処理することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
マグネシウム化合物が、テトラヒドロフランおよびアルコールからなる混合溶媒中のマグネシウム化合物の溶液に沈殿剤を添加することによって沈殿させて生成する変性マグネシウム化合物であることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
マグネシウム化合物が、マグネシウムハロゲン化物、エトキシマグネシウムハロゲン化物、エトキシマグネシウムおよびブトキシマグネシウムからなる群から選ばれる１種またはそれ以上の化合物であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
第IVB族金属化合物が、第IVB族金属ハロゲン化物であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
第IVB族金属ハロゲン化物が、チタンテトラクロリドおよびジルコニウムテトラクロリドからなる群から選ばれる１又はそれ以上であることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
接触工程を、非メタロセン配位子を用いて行う場合に、非メタロセン配位子のマグネシウム化合物（Mg基準）に対するモル比が１対１−１０であり、化学的処理剤（第IVB族金属基準）の非メタロセン配位子に対するモル比が１対０．１−１であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
非メタロセン配位子のマグネシウム化合物（Mg基準）に対するモル比が１対３−７であり、化学的処理剤（第IVB族金属基準）の非メタロセン配位子に対するモル比が１対０．３−０．９であることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
接触工程を、化学的処理剤を用いて行う場合に、化学的処理剤（第IVB族金属基準）のマグネシウム化合物（Mg基準）に対するモル比が１対０．１−１００であり、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）が０．０１−０．５０対１であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
化学的処理剤（第IVB族金属基準）のマグネシウム化合物（Mg基準）に対するモル比が１対０．５−５０であり、非メタロセン配位子の接触生成物に対する比（質量基準）が０．１０−０．３０対１であることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
アルコールが脂肪族アルコールであることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項１２】
脂肪族アルコールが、エタノールおよびブタノールからなる群から選ばれる１種又はそれ以上であることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
マグネシウム化合物（Mg基準）のテトラヒドロフランに対するモル比が１対５−１００であり、マグネシウム化合物（Mg基準）のアルコールに対するモル比が１対０．５−２０であることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項１４】
マグネシウム化合物（Mg基準）のテトラヒドロフランに対するモル比が１対１０−３０であり、マグネシウム化合物（Mg基準）のアルコールに対するモル比が１対１−８であることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
沈殿剤のテトラヒドロフランに対する体積比が１対０．５−６であることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項１６】
沈殿剤のテトラヒドロフランに対する体積比が１対１−４であることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
沈殿剤が、アルカンおよび環式アルカンからなる群から選ばれる１種又はそれ以上のものであることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項１８】
沈殿剤が、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、デカンおよびシクロヘキサンからなる群から選ばれる１種又はそれ以上のものであることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
予備処理剤が、メチルアルミノキサン、イソブチルアルミノキサン、トリエチルアルミニウムおよびトリイソブチルアルミニウムからなる群から選ばれる１種又はそれ以上のものであることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項２０】
マグネシウム化合物（Mg基準）の予備処理剤（Al基準）に対するモル比が、１対０．５−８であることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項２１】
マグネシウム化合物（Mg基準）の予備処理剤（Al基準）に対するモル比が、１対１−２であることを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記非メタロセン配位子が、以下の構造：
【化１】
2011500901.tif 000001
［式中、
qは0もしくは１であり；
dは0もしくは1であり；
2011500901.tif 000002
Eは、窒素含有基、酸素含有基、硫黄含有基、セレン含有基およびリン含有基からなる群から選ばれる基（ここで、N、O、S、SeおよびPはそれぞれ配位原子を表わす）；
Gは、C1−C30炭化水素基、置換C1−C30炭化水素基、および不活性な官能基からなる群から選ばれる基；
2011500901.tif 000003
R1〜R3、R22〜R33およびR39は、水素、C1−C30炭化水素基、ハロゲン原子、置換C1−C30炭化水素基および不活性な官能基の群からそれぞれ独立して選ばれ、ここでこれらの基は同じであってもよいし、また互いに異なっていてもよく、隣接するいずれか２つもしくはそれ以上の基は互いに結合しまたは環を形成していてもよい。］
を有する化合物からなる群から選ばれることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
前記非メタロセン配位子が、次の構造（A）および（Ｂ）： 
【化２】
2011500901.tif 000004
[式中、Ｆは、窒素含有基、酸素含有基、硫黄含有基、セレン含有基およびリン含有基からなる群から選ばれ、ここでN、O、S、SeおよびPはそれぞれ配位原子を表わし、その他の基は請求項２２の規定と同じである。]
の群から選ばれることを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記非メタロセン配位子が、次の構造A-1〜A-4およびB-1〜B-4：
【化３】
2011500901.tif 000005
2011500901.tif 000006
[式中、
ＹおよびＺは、窒素含有基、酸素含有基、硫黄含有基、セレン含有基およびリン含有基からなる群からそれぞれ独立して選ばれ、ここでN、O、S、SeおよびPはそれぞれ配位原子を表わし；
R4、およびR6〜R21は、水素、C1−C30炭化水素基、ハロゲン原子、置換C1−C30炭化水素基および不活性な官能基からなる群からそれぞれ独立して選ばれ、ここでこれらの基は同じであってももしくは互いに異なっていてもよく、隣接するいずれか２つもしくはそれ以上の基は互いに結合してもまたは環を形成してもよく；
R5は、窒素原子上の孤立電子対、水素、C1−C30炭化水素基、置換C1−C30炭化水素基、酸素含有基、硫黄含有基、セレン含有基、窒素含有基、およびリン含有基からなる群から選ばれ、R5が、酸素含有基、硫黄含有基、窒素含有基、セレン含有基およびリン含有基からなる群から選ばれる場合には、R5基中のN、O、S、PおよびSeはそれぞれ配位原子を表わしており、
その他の基は請求項２３の規定と同じである。]
の群から選ばれる請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
ハロゲン原子は、F、Cl、BrおよびIからなる群から選ばれ、
2011500901.tif 000007
-T-P(O)R30R31 および -T-P(O)R32(OR33) からなる群から選ばれ、
酸素含有基は、ヒドロキシル基、-OR34および-T-OR34からなる群から選ばれ、
硫黄含有基は、-SR35、 -T-SR35、 -S(O)R36および-T-SO2R37からなる群から選ばれ、
セレン含有基は、-SeR38、 -T-SeR38、 -Se(O)R39および-T-Se(O)R39からなる群から選ばれ、
前記T基は、C1−C30炭化水素基、置換C1−C30炭化水素基および不活性な官能基からなる群から選ばれ、
前記C1−C30炭化水素基は、C1−C30アルキル基、C2−C30環状アルキル基、C2−C30アルケニル基、C2−C30アルキニル基、C6−C30アリール基、C8−C30 縮合環基およびC4−C30 ヘテロ環基からなる群から選ばれ、
前記置換C1−C30炭化水素基は、ハロゲン化C1−C30炭化水素基、ハロゲン化C6−C30アリール基、ハロゲン化C8−C30縮合環基およびハロゲン化C4−C30ヘテロ環基からなる群から選ばれ、
前記不活性な官能基は、ハロゲン原子、酸素含有基、窒素含有基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基、硫黄含有基およびスズ含有基からなる群から選ばれ、
前記ケイ素含有基は、-SiR42R43R44および-T-SiR45からなる群から選ばれ、
前記ゲルマニウム含有基は、-GeR46R47R48および-T-GeR49からなる群から選ばれ、
前記スズ含有基は、-SnR50R51R52、 -T-SnR53および-T-Sn(O)R54からなる群から選ばれ、ならびに
R34〜R38およびR42〜R54は、水素、C1−C30炭化水素基、ハロゲン原子、置換C1−C30炭化水素基および不活性な基からなる群からそれぞれ独立して選ばれる基である
ことを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
非メタロセン配位子が、以下の化合物：
【化４】
2011500901.tif 000008
からなる群から選ばれることを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２７】
非メタロセン配位子が、以下の化合物：
【化５】
2011500901.tif 000009
からなる群から選ばれることを特徴とする請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
マグネシウム化合物および該マグネシウム化合物に担持された非メタロセン配位子を含んでなるマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒であって、請求項１〜２７のいずれかに記載の方法によって製造されたものであることを特徴とするマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒。
【請求項２９】
オレフィンの単独重合／共重合方法であって、請求項２８に記載されたマグネシウム化合物担持非メタロセン触媒が主触媒として使用され、アルミノキサン、アルキルアルミニウム、ハロゲン化されたアルキルアルミニウム、フルオロボラン、アルキルボランおよびアルキルボロンアンモニウム塩からなる群から選ばれる１種又はそれ以上のものが助触媒として組み合わされて使用されて、オレフィンの単独重合／共重合を触媒する、オレフィンの単独重合／共重合方法。