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　特願２００２−５４４７５８「基板、特に光学、電子工学または電子光学用基板の製造方法、およびこの製造方法により得られる基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　５月３０日国際公開、ＷＯ０２／４３１１２、平成１６年　６月１０日国内公表、特表２００４−５１７４７２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、２００１年１１月２６日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０００年１１月２７日、仏国）を国際出願日とする出願であって、平成１９年９月２５日に手続補正がなされたが、同年１０月３１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２０年２月１２日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年３月１１日に手続補正がなされた後、当審において、平成２１年４月３０日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月１２日に手続補正がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２１年１１月１２日になされた手続補正後の明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
　
「　光学、電子工学または電子光学用基板の製造方法であって、
−サポート（１２）とソース基板（６）のシード層（２）との間の接着界面における分子付着と、シード層（２）の分離による、サポート（１２）上へのシード層（２）の転写の工程と、
−シード層上における有効層（１６）のエピタキシーの工程とを含み、
　前記サポート（１２）が、熱膨張率が有効層（１６）の熱膨張率の０．７倍から３倍の材料から構成されており、
　前記シード層（２）の厚さに対応した深さのソース基板（６）に、原子種を注入することにより、事前に脆弱化された脆弱化領域（８）の面を形成し、
　サポート（１２）にソース基板（６）を、接着界面において分子付着し、
　前記脆弱化領域（８）の面において、シード層（２）を分離して採取することで、サポート（１２）上にシード層（２）を転写し、
　該シード層（２）に有効層（１６）をエピタキシーし、
　前記有効層（１６）を、サポート（１２）から分離することを特徴とする、光学、電子工学または電子光学用基板の製造方法。」（以下「本願発明」という。）
　
３　刊行物の記載
　当審における拒絶理由通知に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開第９９／３９３７１号（以下「引用例」という。）には、以下の記載がある（訳文をかっこ書で付した。）。
　
（１）「
」（１５頁２行〜２９行）
（１．支持基板（２０）とこの支持基板の一面上に形成した半導体材料層（１２）とを備えた構造を製造する方法であって、次の連続する段階を含む方法。
　ａ）第一基板（１０）の一方の面上に半導体材料層（１２）を形成する段階と、
　ｂ）前記第一基板の前記面の下の、前記半導体材料層（１２）の近傍にイオンを注入し、前記第一基板（１０）に表面層（１８）を規定する、前記半導体材料層に接触する劈開ゾーンと呼ばれるゾーン（１６）を形成する段階、
　ｃ）半導体材料層（１２）を用いて、第一基板（１０）を支持基板（２０）上に移す段階であって、半導体材料層が前記支持基板（２０）と一体に形成されている段階、
　ｄ）前記劈開ゾーン（１６）に沿って第一基板の劈開を行うためのエネルギーを供給する段階であって、第一基板の表面層（１８）はこの劈開の間半導体層（１２）と支持基板（２０）とに一体のままである段階、
　ｅ）前記表面層（１８）を除去して半導体材料層（１２）を露出する段階。）
　
（２）「
」（２頁２５行〜３１行）
（しかしながら、連続して形成されるシリコン、シリコン炭化物、及びガリウム窒化物は、かなり異なる熱膨張係数を有する。従ってかなりの応力と高欠陥密度がこのタイプの基板上にガリウム窒化物を形成する間に生ずる。）
　
（３）「
」（１０頁１５行〜１３頁１７行）
（　図１は、上にシリコン炭化物１２が形成されたシリコンの第一基板１０を示している。
　シリコン炭化物の層は、例えば、炭化水素とシリコン炭化物との反応によって、シリコン基板１０を炭化することによって、表面だけに形成する。この反応は１３５０°Ｃ近傍の温度で生じ、この反応によってシリコン炭化物（ＳｉＣ）の層を薄い厚さだけ形成することが可能である。シリコン炭化物の層の厚さは５〜１０ｎｍのオーダーである。
　ここで示した方法は、第一基板を形成する大きな直径の基板を使ってもよいことを理解されたい。
　図２は、シリコン酸化物層１４をＳｉＣ層１２上に蒸着する最適な段階を示している。厚さが５００ｎｍのオーダーのシリコン酸化物層によって、シリコン炭化物とその層を移すシリコンの支持基板との間の異なる熱膨張率の影響を低下することが可能となる。
　酸化物層の厚さは決定的なものでなく、広い範囲の値から選択してよい。
　図３は、第一基板上での劈開ゾーン１６の形成を示している。例えば、水素イオンを用いてイオン注入によって形成する。注入の分量とエネルギーは、好ましくは表面層１２の下であって基板１０に、表面にできる限り接近するように、すなわち、Ｓｉ／ＳｉＣ界面にできる限り接近するように、劈開ゾーンが形成されるように、ＳｉＣ層１２及び酸化物層１４の膜厚の関係により選択する。
　劈開ゾーンの形成のさらに詳細な説明については、すでに引用した文献（２）が参考になる。
　劈開ゾーン１６は、シリコン基板１０に、シリコン表面層１８を規定する。
　図４に示したように、シリコン炭化物１２及び酸化物層１４を備えた第一基板１０を第二の支持基板２０に近づける。この第二基板はシリコンから成り、一方の面にシリコン酸化物層を有する。支持基板２０は標的基板とも呼ばれる。
　基板１０及び２０は、結合が可能となるように予め清浄化した酸化物層１４及び２４が互いに向き合うように方向付けられている。
　この点では、第二基板の面上に形成された酸化物層２４及び第一基板１６の酸化物層１４が最適になるように注意しなければならない。
　図５は、酸化物層がそれぞれ形成された、これらの基板の自由面が接するように置かれる、第二基板２０上への第一基板の移動を示す。
　酸化物層は分子吸着によって互いに結合する。結合は適切な熱処理によって強化してもよい。
　劈開ゾーン１６に沿って図５に示した構造の劈開を生ずるための十分な加熱スケジュールによって、熱処理を続けるか、あるいは他の熱処理を行う。劈開を矢印で示した。
　劈開の後で、第一基板の残っている固体部の除去の後、図６に示した構造を得る。図６の第二基板の方向は、図５に比較して１８０°ひっくり返っている。
　図６の構造は、この順で、支持基板２０、その上に形成した酸化物層２４と、第一基板から供給された酸化物層１４と、シリコン炭化物層１２と第一基板から供給された表面シリコンの薄層１８とを備えている。
　それから、表面層１８を、例えばＴＭＡＨ溶液を用いた湿式化学的浸食によって、基板から除去する。
　捕獲器（capteur)あるいはマイクロ機械部をシリコン炭化物の膜に取り付けるため、シリコン炭化物層１２の膜厚をこの層の上にシリコン炭化物エピタキシーによって増加する。
　ＳｉＣ層１２の膜厚を増加するこの操作を図７に示す。
　エピタキシーによって、例えば、５００ｎｍから１μｍの厚さまでシリコン炭化物層の膜厚を増加することが可能である。
　ＳｉＣ膜を延長した構造は、下の産物層２４，１４の部分的エッチングによって容易に得ることができる。
　基板の他の応用では、例えば、オプトエレクトロニクスの分野では、シリコンの表面層の除去後に、ＳｉＣ層１２上にヘテロエピタキシーによって半導体材料を形成してもよい。
　図８は、ＧａＮ３０の層を被覆していないシリコン炭化物層１２上に形成する応用を示している。）
　
４　引用発明
　上記３（１）及び（３）によれば、引用例には、次の発明が記載されているものと認められる。
　
「　第一基板（１０）の一方の面上に半導体材料層（１２）を形成する段階、
　前記第一基板の前記面の下の、前記半導体材料層（１２）の近傍にイオンを注入し、前記第一基板（１０）に表面層（１８）を規定する、前記半導体材料層に接触する劈開ゾーンと呼ばれるゾーン（１６）を形成する段階、
　半導体材料層（１２）を用いて、第一基板（１０）を支持基板（２０）上に移す段階であって、半導体材料層が前記支持基板（２０）と一体に形成されている段階、
　前記劈開ゾーン（１６）に沿って第一基板の劈開を行うためのエネルギーを供給する段階であって、第一基板の表面層（１８）はこの劈開の間半導体層（１２）と支持基板（２０）とに一体のままである段階、
　前記表面層（１８）を除去して半導体材料層（１２）を露出する段階、
を含み、
　支持基板（２０）とこの支持基板の一面上に形成した半導体材料層（１２）とを備えた構造を製造する方法であって、
　前記表面層（１８）を除去した後、半導体材料層（１２）の膜厚をこの層の上にシリコン炭化物エピタキシーによって５００ｎｍから１μｍまで増加するか、半導体材料層（１２）上にヘテロエピタキシーによって半導体材料であるＧａＮ層を形成する製造方法において、
　前記第一基板（１０）を支持基板（２０）上に移す段階は、シリコン酸化物層（１４）を前記半導体材料層（１２）であるＳｉＣ層上に蒸着し、前記第一基板（１０）を、一方の面にシリコン酸化物層（２４）を有するシリコンから成る支持基板（２０）に近づけ、これらの酸化物層（１４）及び（２４）が互いに向き合うように方向付け、前記酸化物層は分子吸着によって互いに結合する段階を備える、製造方法。」（以下「引用発明」という。）
　
５　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「半導体材料層（１２）上にヘテロエピタキシーによって半導体材料であるＧａＮ層を形成する製造方法」は、本願発明の「光学、電子工学または電子光学用基板の製造方法」に相当する。
　
（２）引用発明の「シリコン酸化物層（２４）を有するシリコンから成る支持基板（２０）」、「『一方の面上に半導体材料層（１２）を形成』し、その上に『シリコン酸化物層（１４）』を蒸着した『第一基板（１０）』」及び「半導体材料層（１２）であるＳｉＣ層」は、それぞれ、本願発明の「サポート（１２）」、「ソース基板（６）」及び「シード層（２）」に相当する。
　
（３）引用発明の「『半導体材料層（１２）の膜厚をこの層の上にシリコン炭化物エピタキシーによって５００ｎｍから１μｍまで増加』した層」、または、「『半導体材料層（１２）上にヘテロエピタキシーによって』形成した『半導体材料であるＧａＮ層』」は、本願発明の「有効層」に相当する。
　そして、引用発明の「半導体材料層（１２）の膜厚をこの層の上にシリコン炭化物エピタキシーによって５００ｎｍから１μｍまで増加するか、半導体材料層（１２）上にヘテロエピタキシーによって半導体材料であるＧａＮ層を形成する」との事項は、本願発明の「シード層上における有効層（１６）のエピタキシーの工程」及び「該シード層（２）に有効層（１６）をエピタキシーし」との事項に相当する。
　
（４）引用発明の「前記第一基板の前記面の下の、前記半導体材料層（１２）の近傍にイオンを注入し、前記第一基板（１０）に表面層（１８）を規定する、前記半導体材料層に接触する劈開ゾーンと呼ばれるゾーン（１６）を形成する段階」は、本願発明の「前記シード層（２）の厚さに対応した深さのソース基板（６）に、原子種を注入することにより、事前に脆弱化された脆弱化領域（８）の面を形成し」との事項に相当する。
　
（５）引用発明の「シリコン酸化物層（１４）を前記半導体材料層（１２）であるＳｉＣ層上に蒸着し、前記第一基板（１０）を、一方の面にシリコン酸化物層（２４）を有するシリコンから成る支持基板（２０）に近づけ、これらの酸化物層（１４）及び（２４）が互いに向き合うように方向付け、前記酸化物層は分子吸着によって互いに結合する段階」は、本願発明の「サポート（１２）とソース基板（６）のシード層（２）との間の接着界面における分子付着」及び「サポート（１２）にソース基板（６）を、接着界面において分子付着し」に相当する。
　また、引用発明の「前記劈開ゾーン（１６）に沿って第一基板の劈開を行うためのエネルギーを供給する段階であって、第一基板の表面層（１８）はこの劈開の間半導体層（１２）と支持基板（２０）とに一体のままである段階」は、本願発明の「シード層（２）の分離による、サポート（１２）上へのシード層（２）の転写」及び「前記脆弱化領域（８）の面において、シード層（２）を分離して採取することで、サポート（１２）上にシード層（２）を転写し」との事項に相当する。
　よって、引用発明は、本願発明の「サポート（１２）とソース基板（６）のシード層（２）との間の接着界面における分子付着と、シード層（２）の分離による、サポート（１２）上へのシード層（２）の転写の工程」を備えるといえる。
　
（６）以上によれば、両者は、
「　光学、電子工学または電子光学用基板の製造方法であって、
−サポートとソース基板のシード層との間の接着界面における分子付着と、シード層の分離による、サポート上へのシード層の転写の工程と、
−シード層上における有効層のエピタキシーの工程とを含み、
　前記シード層の厚さに対応した深さのソース基板に、原子種を注入することにより、事前に脆弱化された脆弱化領域の面を形成し、
　サポートにソース基板を、接着界面において分子付着し、
　前記脆弱化領域の面において、シード層を分離して採取することで、サポート上にシード層を転写し、
　該シード層に有効層をエピタキシーする、光学、電子工学または電子光学用基板の製造方法。」
である点で一致し、以下のア及びイの点で相違するものと認められる。
　
　ア　本願発明では、サポートが、熱膨張率が有効層の熱膨張率の０．７倍から３倍の材料から構成されているのに対して、引用発明では、サポートと有効層の熱膨張率の関係が不明である点（以下「相違点１」という。）。
　
　イ　本願発明は、有効層をサポートから分離するのに対して、引用発明は、有効層をサポートから分離するのかどうか不明である点（以下「相違点２」という。）。
　
６　判断
（１）相違点１について
　引用発明の「サポート」及び「有効層」（上記５（２）及び（３）を参照。）は、それぞれ、シリコン、シリコン炭化物またはＧａＮから成るものであるところ、シリコン炭化物またはＧａＮの熱膨張率に対して、シリコンの熱膨張率は、本願発明で規定される「０．７倍〜３倍」の範囲に含まれるものである（例えば、当審における拒絶理由通知に引用された特開平８−３１６３６９号公報の【０００７】及び【００２９】、同じく特開平５−２２１７２３号公報の【０００４】、同じく特開平１１−２８４２２４号公報の【０００５】を参照。）から、相違点１は、実質的な相違とはいえない。
　また、エピタキシーを利用して基板を製造する際に、基板を構成する複数の半導体層のそれぞれの熱膨張率の差が大きいと、応力が生じクラック等の欠陥が発生することは、本願優先日当時において当業者に周知の技術事項である（例えば、前記３（２）の引用例の記載のほか、上記特開平１１−２８４２２４号公報の【０００５】を参照。）から、引用発明において、有効層の熱膨張率に対するサポートの熱膨張率を適宜の範囲のものとすることも、当業者が設計上適宜考慮し得る程度の事項というべきである。
　したがって、本願発明において、相違点１の構成としたことに格別の発明があるものとはいえない。
 　 
（２）相違点２について
　半導体製造方法の分野において、基板上に半導体層を成長させた後、半導体層を基板から分離することは、本願優先日当時において当業者に周知の技術事項である（例えば、当審における拒絶理由通知に引用された特開平１１−１６８２３６号公報の１頁【要約】欄、同じく特開平１０−１３５５００号公報の【００７５】〜【００８４】）、同じく特開２０００−１０１１３９号公報の【００３０】〜【００３３】を参照。）から、引用発明において、有効層をサポートから分離することは、当業者が必要に応じて適宜なし得る程度のことである。
　
（３）効果
　本願発明において、引用発明及び上記周知の技術事項から当業者が予測し得る域を超えるほどの格別顕著な効果が奏されるものとも認められない。
　
（４）小括
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（５）請求人の主張について
　請求人は、平成２０年１１月１２日に提出した意見書において、
「　本願の請求項１に係る発明（以下、本発明という）の特徴は、
　サポート（１２）とソース基板（６）のシード層（２）との間の接着界面における分子付着と、シード層（２）の分離による、サポート（１２）上へのシード層（２）の転写の工程と、
　シード層上における有効層（１６）のエピタキシーの工程とを含み、
　前記サポート（１２）が、熱膨張率が有効層（１６）の熱膨張率の０．７倍から３倍の材料から構成されており、
　前記シード層（２）の厚さに対応した深さのソース基板（６）に、原子種を注入することにより、事前に脆弱化された脆弱化領域（８）の面を形成し、
　サポート（１２）にソース基板（６）を、接着界面において分子付着し、
　前記脆弱化領域（８）の面において、シード層（２）を分離して採取することで、サポート（１２）上にシード層（２）を転写し、
　該シード層（２）に有効層（１６）をエピタキシーし、
　前記有効層（１６）を、サポート（１２）から分離することにあります。
　本発明は、このような特徴を備えることで、脆弱化領域で分離して採取したシード層（２）の表面が平滑なものとなり、該シード層（２）がエピキタシーによる有効層（１６）と均等に一体化すること等により、クラックのない良質な半導体基板の提供が可能になります。
　これに対して、各引用例には、本発明と同様な技術的特徴は、記載も示唆もされていません。
　確かに、各引用例には、「シード層」に相当するものは記載されています。
　しかしながら、該シード層の表面が平滑なものであり、有効層の核として有効に機能するか否かについては、各引用例には記載も示唆もされていません。
　従って、本発明は、各引用例に記載の発明に基づいて、容易に発明をすることができたものではありません。」
と主張する。
　しかし、本願明細書には、「脆弱化領域で分離して採取したシード層（２）の表面が平滑なものとなり、該シード層（２）がエピキタシーによる有効層（１６）と均等に一体化すること等により、クラックのない良質な半導体基板の提供が可能になる」ことは記載されていないし、本願発明が、このような作用ないし効果を生じるものに特定されているものとも認められない。
　したがって、請求人の上記主張は、根拠を欠くものであって、採用できない。
　
７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。