【事件の表示】
　特願２００２−　７４２５３「素子間干渉電波シールド型高周波モジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　９月２６日出願公開、特開２００３−２７３５７１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
【１】手続の経緯
　
　本願は、平成１４年３月１８日の出願であって、平成２１年５月２９日（起案日）付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２１年８月２８日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同日付けで明細書及び図面に対する手続補正がなされたものである。
　その後、当審において、平成２２年１０月２６日（起案日）付けで審尋がなされ、平成２２年１２月２７日に審尋に対する回答書が提出されたものである。
　
【２】平成２１年８月２８日付け手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年８月２８日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
　
１．本件補正の内容
　
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項３に対し、以下のような補正を含むものである。なお、平成２０年１１月２６日付けの手続補正は、原審において平成２１年５月２９日（起案日）付けで決定をもって却下されている。下線は、当審で付した補正箇所である。
　
（１）本件補正前の請求項３（平成２０年６月２３日付け手続補正）
　「【請求項３】
　複数の能動素子チップを配線を設けた回路基板上にフリップチップボンディングにより搭載した高周波モジュールにおいて、前記複数の能動素子チップを、前記能動素子チップ側から熱可塑性の接着樹脂／金属箔／耐熱性樹脂の積層構造からなる積層フィルムによって、前記複数の能動素子チップの表面及び側面を被覆したことを特徴とする素子間干渉電波シールド型高周波モジュール。」
　
（２）本件補正後の請求項１（平成２１年８月２８日付け手続補正）
　「【請求項１】
　複数の能動素子チップを配線を設けた回路基板上にフリップチップボンディングにより搭載した高周波モジュールにおいて、前記複数の能動素子チップ
を
隣接する前記能動素子チップ間で前記積層フィルムを分断するように
　
２．補正の適否
　
　上記補正は、本件補正前の請求項1及び２を削除し、同請求項３を請求項１に繰り上げるとともに、補正後の新たな請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項について、本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００１４】の記載に基づき、本件補正前の「前記複数の能動素子チップの表面及び側面を被覆した」を「隣接する前記能動素子チップ間で前記積層フィルムを分断するように前記複数の能動素子チップの表面及び側面を被覆した」とさらに限定したものである。
　すなわち、上記補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものとして認めることができ、かつ、補正前の各請求項に記載した発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題を変更することのない範囲内において行われたものであって、請求項の削除及び特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するものである。
　したがって、上記補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号に規定された請求項の削除を目的とするとともに、同法第１７条の２第４項第２号に規定された特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するものであり、かつ、特許法第１７条の２第３項の規定に反する新規事項を追加するものではない。
　以上のとおり、上記補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
３．本願補正発明について
　
３−１．本願補正発明
　
　本願補正発明は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、上記「【２】１．（２）」に示した本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。
　
３−２．引用刊行物とその記載事項
　
　刊行物Ａ：特開昭６０−２４１２３７号公報
　刊行物Ｂ：実願昭６３−１２２５５６号（実開平２−４２４９９号）のマイクロフィルム
　
［刊行物Ａ］
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物Ａ（特開昭６０−２４１２３７号公報）には、「混成集積回路装置」に関して、図面とともに、以下の事項が記載されている。
　
（ア）「近年、電子機器産業においては資材コスト低減のために、従来単体回路部品の組合せで構成されていた回路を厚膜回路と回路部品からなる混成集積回路にしたり、あるいは回路の集積度を高めることによつて小形化を推進する傾向にある。しかし、混成集積回路において、回路部品の実装密度を高めると回路基板上に設けられた各回路部品間距離が小さくなるため、パルス雑音やクロストークおよび発振などの障害が発生しやすくなり、特にローノイズ、高入力インピーダンスの高周波増幅回路などではこの傾向が強く現れてくる。従つて、これを防止するためには各回路部品間に充分高い電磁シールド性能を保持させ得るようなパツケージを施さなければならない。」（１ページ右下欄３〜１６行）
　
（イ）「ポツテイングや粉体流動浸漬法によつて形成された樹脂の封止は、部品の凹凸により樹脂膜厚が不均一となり、膜厚の薄い箇所で樹脂クラツクが生じたり、あるいは回路部品、基板、封止樹脂の熱伝導率や熱膨脹率が異なるため熱歪が生じ、抵抗膜の剥離、チツプコンデンサの剥れ、破損、クラツク、半導体チツプの剥れ、クラツク、ボンデイングワイヤの切断、セラミツク基板のクラツク等が生じ、また、樹脂中に含まれるイオン性不純物によつて導体部分の電食や回路部品の特性劣化ないし破損が起る欠点を有している。従つて、封止樹脂は回路部品、基板との接着性がよいこと、電気特性が高温、高湿度でもすぐれていて温度変化によつて樹脂のクラツク、界面での剥離、ボンデイングワイヤの切断などがないこと、イオン性不純物によつて回路部品の特性の低下、電食等を防止できることが要求されるが、これらの特性をすべて満足するような保護樹脂材料の選択は甚だ困難である。」（２ページ左上欄１３行〜同右上欄１１行）
　
（ウ）「この発明は、既知のパツケージ装置のそれぞれの長所を取り入れるとともに欠点を除去した新規な装置を提供するものである。この発明によれば、混成集積回路等の回路部品を搭載したセラミツク基板を、絶縁層を有した例えば厚さ５００μｍ以上のアルミ板上に載置し、前記セラミツク基板の部品搭載面に例えば２００μｍ以下の厚みからなり、少なくとも下面に絶縁層を設けた金属箔シートでカバーし、その金属箔シートとアルミ等からなる金属板の接着面とを封着するとともに封着部から外部に延出された外部リードを備えるようにした混成集積回路が得られ、防塵、防湿にすぐれ、かつ高い電磁遮蔽性能を有するパツケージを実現することができるものである。」（２ページ左下欄５〜１８行）
　
（エ）「第１図はこの発明の一実施例を示す概略図で、第１図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は平面図である。
　厚膜回路２、電子部品３、外部リード４が装着されたセラミツク基板１を少なくとも上面の周縁部に絶縁層５を形成した金属板６に設置し、金属箔７と、この金属箔７の両面もしくは少なくとも下面に設けられた絶縁層５からなる金属箔シートにより前記金属板６を封着している。」（２ページ右下欄１〜８行）
　
（オ）「なお、上記各実施例における金属板６および金属箔７の材料は、たとえばアルミニウム、銅、金、鉄、ステンレス、錫、鉛、チタン、コバール、ニツケル、タングステン、アンチモン、ハステロイ、インコネル、亜鉛、マグネシウムおよび前記各金属の合金を使用することができ、特に金属箔７は前記各金属の単層を用いた積層構造にしてもよく、金属箔７全体の厚さは３００μｍ以下が好ましい。また、金属板６および金属箔７に設ける絶縁層５の材料は、ガラス、セラミツク、アスベスト、雲母および紙、および高分子材料の繊維状、布状あるいはフイルム状のものに熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、フエノール樹脂、ジアリルフタレート樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等）を単独または混合したもの、さらに、熱可塑性樹脂（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリビニルアセタール、４−フツ化エチレン、ポリフエニレンサルフアイド、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、アクリル、ポリビニルアルコール、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリスルホン、ポリカーボネート、飽和ポリエステル等）を単独あるいは混合した材料から構成してもよい。」（３ページ左上欄４行〜右上欄７行）
　
（カ）「金属箔７と絶縁層５とは混成集積回路をパツケージングする前段階で積層されたものを使用し、通常はＢステージ状の熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂を主材とした複合体からなるため、そのままプレスすることにより圧着された部分が相互に融着して混成集積回路をパツケージングすることが可能であるが、熱プレスにより溶融接着されにくい複合体からなる場合には一般の接着剤（例えば、エポキシ樹脂、シリコン樹脂）を使用してもよい。」（３ページ右上欄１６行〜左下欄５行）
　
（キ）上記記載事項（エ）から、第１図の「金属箔シート」は、「金属箔７の両面もしくは少なくとも下面に設けられた絶縁層５からなる」ものであるから、金属箔７の両側に絶縁層５が設けられた金属箔シートも開示されているものと解される。また、当該金属箔シートは、電磁シールドの機能を有するものである。
　
（ク）上記記載事項（オ）から、金属箔７の両側に設けられた上記絶縁層５は、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂などの中から選択されるものであり、上記記載事項（カ）から、熱プレスにより溶融接着されにくい複合体からなる場合にはエポキシ樹脂などの接着剤を使用してもよいことが記載されている。
　
　そうすると、上記記載事項（ア）〜（ク）及び図面の記載からみて、上記刊行物Ａには次の発明（以下、「刊行物Ａ発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「複数の電子部品３を厚膜回路２を設けたセラミック基板１上に装着した混成集積回路において、上記複数の電子部品３を金属箔７の両側に熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂などの中から選択された絶縁層５が積層された金属箔シートによって被覆した電磁シールドの機能を有する混成集積回路。」
　
［刊行物Ｂ］
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物Ｂ（実願昭６３−１２２５５６号（実開平２−４２４９９号）のマイクロフィルム）には、「半導体素子の実装構造」に関して、図面とともに、以下の事項が記載されている。
　
（ケ）「本考案は、半導体素子の実装構造に関し、特にその電磁波のシールド構造に関する。」（１ページ１８〜１９行）
　
（コ）「第１図は、本考案の半導体素子の実装構造の断面図である。・・・配線基板１は、ガラス、セラミックス、樹脂等であり、少なくとも表面が絶縁されており、半導体素子６の金属突起４と対応した位置に配線パターン２が形成されている。・・・配線基板１面上かもしくは、半導体素子６の金属突起４を形成した面上に樹脂３を載置する。・・・
　次に、半導体素子６上の金属突起４と、配線基板１上の配線パターン２とを位置合わせし、両者を圧接する。この状態で、樹脂３は押し拡げられ金属突起４と配線パターン２とは電気的接続が得られ、ここで先に述べた硬化メカニズムに合う方法で樹脂３を硬化させると、この接続は保持されたまま、固定され続ける。
　樹脂３の周囲、及び半導体素子６上には、耐湿性をさらに向上させるために絶縁樹脂９（審決注：「７」の誤記と認められる。）を塗布する。・・・
　さらにこの絶縁樹脂７の上に導電性物質８を載置する。」（５ページ９行〜７ページ１行）
　
（サ）「導電性物質８は、導電性を有するものであれば何でも良いが、一般的には載置のしやすさ、コスト等を考慮して、導電性樹脂、金属・金属酸化薄膜等が望ましい。」（７ページ１〜４行）
　
（シ）「（３）半導体素子の実装構造が複雑になっても、導電性を有する物質は実装構造の上に直接、ごく薄く存在するだけなので、実装構造全体の体積の増加もごくわずかであり、コンパクトな実装構造を提供できる。」（９ページ８〜１２行）
　
　そうすると、上記記載事項（ケ）〜（シ）及び図面（特に、第１図）の記載からみて、刊行物Ｂには、次の技術事項を含む発明が記載されているものと認められる。
　
　「半導体素子６を配線パターン２を形成した配線基板１上に金属突起４により接続した半導体素子の実装構造において、半導体素子６の上に絶縁樹脂７を塗布し、その上に導電性物質８を載置した、半導体素子６の電磁波のシールド構造。」
　
３−３．発明の対比
　
　本願補正発明と刊行物Ａ発明を対比する。
　刊行物Ａ発明の「電子部品３」は本願補正発明の「能動素子チップ」を含むものであるから、両者は、「半導体部品」である点で共通するものである。
　刊行物Ａ発明の「厚膜回路２」は、その機能からみて、本願補正発明の「配線」に相当し、以下同様に、「セラミック基板１」は「回路基板」に相当し、「装着した」は「搭載した」に相当する。
　刊行物Ａ発明の「混成集積回路」と本願補正発明の「高周波モジュール」とは、「半導体モジュール」である点で共通するものである。
　刊行物Ａ発明の「金属箔７の両側に熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂などの中から選択された絶縁層５が積層された金属箔シート」と、本願補正発明の「熱可塑性の接着樹脂／金属箔／耐熱性樹脂の積層構造からなる積層フィルム」とは、少なくとも「樹脂／金属箔／樹脂の積層構造からなる積層フィルム」である点で共通するものである。
　刊行物Ａ発明の上記複数の電子部品３を「被覆した」は、本願補正発明の「複数の能動素子チップの表面及び側面を被覆した」と、少なくとも「複数の半導体部品の表面を被覆した」点で共通するものである。
　刊行物Ａ発明の「電磁シールドの機能を有する混成集積回路」と、本願補正発明の「素子間干渉電波シールド型高周波モジュール」とは、少なくとも「電波シールド型半導体モジュール」である点で共通するものである。
　
　したがって、本願補正発明の用語にならってまとめると、両者は、
「複数の半導体部品を配線を設けた回路基板上に搭載した半導体モジュールにおいて、前記複数の半導体部品を前記半導体部品側から樹脂／金属箔／樹脂の積層構造からなる積層フィルムによって、前記複数の半導体部品の表面を被覆した、電波シールド型半導体モジュール。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］
　「半導体部品」及び「半導体モジュール」は、本願補正発明が「能動素子チップ」及び「高周波モジュール」であり、刊行物Ａ発明では、「電子部品３」及び「混成集積回路」である点。
　
［相違点２］
　樹脂／金属箔／樹脂の積層構造からなる積層フィルムは、本願補正発明が「前記能動素子チップ側から熱可塑性の接着樹脂／金属箔／耐熱性樹脂の積層構造からなる積層フィルム」であるのに対し、刊行物Ａ発明では「金属箔７の両側に熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂などの中から選択された絶縁層５が積層された金属箔シート」である点。
　
［相違点３］
　本願補正発明は、「前記複数の能動素子チップを」「隣接する前記能動素子チップ間で前記積層フィルムを分断するように前記複数の能動素子チップの表面及び側面を被覆した」「素子間干渉」電波シールド型高周波モジュールであるのに対し、刊行物Ａ発明は、「複数の電子部品３を」「被覆した」電磁シールドの機能を有する混成集積回路である点。
　
［相違点４］
　本願補正発明は、能動素子チップを「フリップチップボンディングにより」搭載したのに対し、刊行物Ａ発明は、電子部品３をどのように装着したか明らかでない点。
　
３−４．当審の判断
　
（１）相違点１について
　刊行物Ａ発明は、混成集積回路において「高い電磁遮蔽性能を有するパツケージを実現する」（上記記載事項（ウ））ことを課題とするものであり、本願補正発明は、高周波モジュールにおいて実装されたチップ間の電磁波干渉を抑えることを課題とするものであるが、両者は、その解決手段として半導体モジュールの電波シールド構造に着目し、樹脂／金属箔／樹脂の積層構造からなる積層フィルムによって電波シールドをした技術思想において軌を一にするものである。そして、上記電波シールド構造は、半導体部品が電子部品か能動素子チップか、半導体モジュールが混成集積回路か高周波モジュールかに関わらず、電波シールドを必要とする部品に適用されるものであるから、その形態が混成集積回路のモジュール全体か「素子間」かについて以下の相違点３で検討することとすると、電波シールドの対象としての「電子部品３」及び「混成集積回路」を「能動素子チップ」及び「高周波モジュール」とすることは、当業者が必要に応じて選択できる設計事項である。
　したがって、刊行物Ａ発明に設計変更を加えて上記相違点１に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（２）相違点２について
　樹脂／金属箔／樹脂の積層構造からなる積層フィルムは、刊行物Ａ発明では「金属箔７の両側に熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂などの中から選択された絶縁層５が積層された金属箔シート」であるが、「熱プレスにより溶融接着されにくい複合体からなる場合には一般の接着剤（例えば、エポキシ樹脂、シリコン樹脂）を使用してもよい」（上記記載事項（カ））との記載は、電子部品３の側に設ける樹脂は熱プレスにより溶融接着されるものを選択するか、そうでない場合には接着剤を用いることが示唆されているものと解される。そうすると、電子部品３の側に設ける樹脂として、上記記載事項（オ）に記載された樹脂の中から、接着性を考慮して「熱可塑性の接着樹脂」を選択することは当業者が容易に推考できたことである。
　さらに、樹脂／金属箔／樹脂の積層構造からなる積層フィルムのうち、外部環境に晒される側の樹脂は、上記積層フィルムが用いられる環境に応じて適宜選択しうるものであるところ、上記記載事項（オ）に例示された各種の樹脂の特性は技術常識として知られているところであるから、必要に応じて耐熱性の樹脂を選択することは当業者が容易に推考できたことである。
　したがって、刊行物Ａ発明の積層構造からなる積層フィルムの樹脂／金属箔／樹脂の材料を適宜選択して、熱可塑性の接着樹脂／金属箔／耐熱性樹脂とすることにより、上記相違点２に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（３）相違点３について
　半導体モジュールにおいて、モジュール全体を電波シールドするか、特定の部品を個別に電波シールドするかは、必要に応じて電波シールドする対象を選択することにほかならないから設計事項にすぎない。そして、刊行物Ａ発明は、モジュール全体を電波シールドしたものであるが、基板上に複数の半導体部品がある場合には、個別に電波シールドすることも適宜行われている周知事項である（例えば、特開２００１−２９７９０５号公報（以下、「周知例１」という。）の段落【００３８】〜【００４０】及び【図３】には、基板上に搭載されたＩＣ、ＬＳＩ等の実装部品５１又は能動回路素子５１（【符号の説明】）とジャンパー線とが個別に高周波電流抑制体本体１１で被覆されたものが記載されている。なお、段落【００３８】〜【００４０】と【図３】の部材番号が整合しないが、技術常識からみて【図３】における「５０」が「ジャンパー線」、「５２」が「基板」であるものと認められる）。したがって、上記積層フィルムが個々の半導体部品を被覆する適切な大きさにするために、適宜「隣接する前記能動素子チップ間で前記積層フィルムを分断するように被覆」して、当該半導体部品を個別にシールドすることにより「素子間干渉電波シールド型高周波モジュール」とすることは、上記設計事項の範ちゅうにおいて当業者が通常の創作能力において行い得ることである。なお、本願補正発明は、「素子間干渉電波シールド型高周波モジュール」という「物」の発明であるから、積層フィルムを「分断」するようにして半導体部品を被覆することと、半導体部品を個別に被覆することは、結果としての「物」に実質的な差異がない。
　さらに、上記電波シールドは、半導体部品が単一のものか複数の半導体部品を搭載したモジュールかに拘わらず、対象となる部品又はモジュールの全体、すなわち「表面及び側面」を被覆すべきことは、その目的に照らして当然のことであって周知事項でもある（例えば、上記刊行物Ｂの第１図に記載された半導体素子６、周知例１のジャンパー線や実装部品５１又は能動回路素子５１、及び特開２００１−６８８８８号公報（以下、「周知例２」という。）の【図１】に記載されたＩＣチップ４は、表面及び側面を含む全体が被覆されている）。このことは、上記積層フィルムによって「複数の能動素子チップ」を被覆する場合にもいえることであるから、「複数の能動素子チップ」の「表面及び側面」を被覆することは当業者が容易に推考できたことである。
　したがって、刊行物Ａ発明に上記周知事項を適用して上記相違点３に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（４）相違点４について
　刊行物Ｂの半導体素子６は、配線パターン２を形成した配線基板１上に金属突起４により接続したものであり、「フリップチップボンディング」により半導体部品を搭載したものといえる。また、上記フリップチップボンディングによって半導体部品を搭載することは、部品が複数であっても採用されている周知事項（例えば、特開２０００−１９５９８８号公報の段落【００５２】及び【図１】を参照。）である。
　したがって、刊行物Ａ発明に刊行物Ｂ発明及び上記周知事項を適用して上記相違点４に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（５）相違点１〜４について
　上記相違点１〜４を総合して判断したとしても、本願補正発明は、刊行物Ａ、Ｂに記載された発明及び上記周知事項から当業者が容易に想到し得たものである。
　
（６）効果について
　本願補正発明が奏する「高周波デバイスの簡易封止型ＭＣＭにおけるチップ間干渉ノイズのシールドが可能になり、それによって、高周波無線機器等に用いられる低コストな実装基板の実現に寄与するところが大きい。」といった効果は、刊行物Ａ、Ｂに記載された発明及び上記周知事項から当業者が予測できる程度のものである。
　
（７）まとめ
　したがって、本願補正発明は、刊行物Ａ、Ｂに記載された発明及び上記周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　
　以上のとおり、本願補正発明、すなわち本件補正後の請求項１に係る発明は、刊行物Ａ、Ｂに記載された発明及び上記周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　よって、本願補正発明、すなわち本件補正後の請求項１に係る発明は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　したがって、本件補正は、他の補正事項を検討するまでもなく、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
【３】本願発明について
　
１．本願発明
　
　平成２１年８月２８日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜３に係る発明は、平成１７年３月１０日付け及び平成２０年６月２３日付け手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、その請求項３に係る発明（以下、「本願発明」という。）は以下のとおりのものである。
　
　「【請求項３】
　複数の能動素子チップを配線を設けた回路基板上にフリップチップボンディングにより搭載した高周波モジュールにおいて、前記複数の能動素子チップを、前記能動素子チップ側から熱可塑性の接着樹脂／金属箔／耐熱性樹脂の積層構造からなる積層フィルムによって、前記複数の能動素子チップの表面及び側面を被覆したことを特徴とする素子間干渉電波シールド型高周波モジュール。」
　
２．引用刊行物とその記載事項
　
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物は次のとおりであり、その記載事項は、上記【２】３−２．のとおりである。
　
　刊行物Ａ：特開昭６０−２４１２３７号公報
　刊行物Ｂ：実願昭６３−１２２５５６号（実開平２−４２４９９号）のマイクロフィルム
　
３．対比・判断
　
　本願発明は、上記【２】で検討した本願補正発明の「隣接する前記能動素子チップ間で前記積層フィルムを分断するように前記複数の能動素子チップの表面及び側面を被覆した」を「前記複数の能動素子チップの表面及び側面を被覆した」に、構成を拡張するものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、審判請求時の手続補正によってさらに構成を限定した本願補正発明が、上記「【２】３−３．発明の対比」、及び「【２】３−４．当審の判断」に示したとおり、刊行物Ａ、Ｂに記載された発明及び上記周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、上記のとおり構成を拡張した本願発明も実質的に同様の理由により、刊行物Ａ、Ｂに記載された発明及び上記周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　
　以上のとおり、本願発明、すなわち、本願の請求項３に係る発明は、刊行物Ａ、Ｂに記載された発明及び上記周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願の請求項３に係る発明が特許を受けることができないものである以上、本願の請求項１及び２に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。