【事件の表示】
　特願２００４−３０９７５１「メモリカード、半導体装置、及びメモリカードの制御方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　５月１１日出願公開、特開２００６−１２００８２、請求項の数（５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１６年１０月２５日の出願であって、平成１９年９月１８日付けで拒絶理由通知がなされ、同年１１月２６日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がなされたが、平成２０年９月５日付けで最後の拒絶理由通知がなされ、同年１１月１０日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がなされたが、平成２１年１１月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２２年２月２４日付けで審判請求がなされるともに手続補正がなされ、同年６月２９日付けで特許法第１６４条第３項の規定による報告がなされ、平成２３年１月２８日付けで当審より審尋がなされ、同年３月３１日付けで回答書が提出されたものである。
　
　
第２．平成２２年２月２４日付けでなされた手続補正について
１．補正の内容
　平成２２年２月２４日付けでなされた手続補正（以下、「本件補正」という。）は、平成２０年１１月１０日付けでなされた手続補正により補正された特許請求の範囲の記載、
「　【請求項１】
　ＲＯＭ（Read Only Memory）に格納されている第１のプログラムの修正を行うための第２のプログラムと当該第２のプログラムを起動する際に必要な情報とを外部から受けて、一定の消去ブロックサイズが一律に定められた不揮発性半導体メモリに書き込み、この不揮発性半導体メモリに書き込まれた前記情報に基づいて前記第２のプログラムを起動することにより前記第１のプログラムの修正を行う手段を具備し、
　前記第１のプログラムは、ＣＰＵにより実行された際に前記不揮発性半導体メモリにおけるアドレスと、前記不揮発性半導体メモリの消去ブロックサイズとは異なる一定の消去ブロックサイズが一律に定められた別の不揮発性半導体メモリにおけるアドレスとのアドレス変換処理を行うプログラムを含むものであることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項２】
　第１のプログラムを格納するＲＯＭ（Read Only Memory）と、
　不揮発性半導体メモリと、
　前記第１のプログラムの修正を行うための第２のプログラムと当該第２のプログラムを起動する際に必要な情報とを外部から受けて、一定の消去ブロックサイズが一律に定められた前記不揮発性半導体メモリに書き込む手段と、
　前記不揮発性半導体メモリに書き込まれた前記情報に基づいて前記第２のプログラムを起動することにより前記第１のプログラムの修正を行う手段とを具備し、
　前記第１のプログラムは、ＣＰＵにより実行された際に前記不揮発性半導体メモリにおけるアドレスと、前記不揮発性半導体メモリの消去ブロックサイズとは異なる一定の消去ブロックサイズが一律に定められた別の不揮発性半導体メモリにおけるアドレスとのアドレス変換処理を行うプログラムを含むものであることを特徴とするメモリカード。
　　【請求項３】
　前記情報は、前記第２のプログラムが配置される記憶領域上のアドレスを示す情報を含むことを特徴とする請求項２に記載のメモリカード。
　　【請求項４】
　前記第２のプログラム及び前記情報は、当該メモリカードに関する情報を一括して管理するための管理ブロックの領域に書き込まれることを特徴とする請求項２又は３のいずれか１項に記載のメモリカード。
　　【請求項５】
　前記第２のプログラム及び前記情報は、前記不揮発性半導体メモリの記憶領域の中で最もECCエラー数の少ない領域に設けられることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載のメモリカード。
　　【請求項６】
　第１のプログラムを格納するＲＯＭ（Read Only Memory）と一定の消去ブロックサイズが一律に定められた不揮発性半導体メモリとを備えたメモリカードの制御方法において、
　前記第１のプログラムの修正を行うための第２のプログラムと当該第２のプログラムを起動する際に必要な情報とを前記不揮発性半導体メモリに書き込み、
　前記不揮発性半導体メモリに書き込まれた前記情報に基づいて前記第２のプログラムを起動することにより前記第１のプログラムの修正を行い、
　前記第１のプログラムは、ＣＰＵにより実行された際に前記不揮発性半導体メモリの消去ブロックサイズとは異なる一定の消去ブロックサイズが一律に定められた別の不揮発性半導体メモリにおけるアドレスとのアドレス変換処理を行うプログラムを含むものであることを特徴とするメモリカードの制御方法。」（以下、この特許請求の範囲に記載された請求項を「補正前の請求項」という。）
　
を、
　
「　【請求項１】
　ＲＯＭ（Read Only Memory）に格納されている第１のプログラムの修正を行うための第２のプログラムと当該第２のプログラムを起動する際に必要な情報とを外部から受けて、一定の消去ブロックサイズが一律に定められた不揮発性半導体メモリに書き込み、この不揮発性半導体メモリに書き込まれた前記情報に基づいて前記第２のプログラムを起動することにより前記第１のプログラムの修正を行う手段を具備し、
　前記第１のプログラムは、ＣＰＵにより実行された際に前記不揮発性半導体メモリにおけるアドレスと、前記不揮発性半導体メモリの消去ブロックサイズとは異なる一定の消去ブロックサイズが一律に定められた別の不揮発性半導体メモリにおけるアドレスとのアドレス変換処理を行うプログラムを含むものであり、
　前記第２のプログラム及び前記情報は、前記不揮発性半導体メモリに関する情報を一括して管理するための管理ブロックの領域に書き込まれることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項２】
　第１のプログラムを格納するＲＯＭ（Read Only Memory）と、
　不揮発性半導体メモリと、
　前記第１のプログラムの修正を行うための第２のプログラムと当該第２のプログラムを起動する際に必要な情報とを外部から受けて、一定の消去ブロックサイズが一律に定められた前記不揮発性半導体メモリに書き込む手段と、
　前記不揮発性半導体メモリに書き込まれた前記情報に基づいて前記第２のプログラムを起動することにより前記第１のプログラムの修正を行う手段とを具備し、
　前記第１のプログラムは、ＣＰＵにより実行された際に前記不揮発性半導体メモリにおけるアドレスと、前記不揮発性半導体メモリの消去ブロックサイズとは異なる一定の消去ブロックサイズが一律に定められた別の不揮発性半導体メモリにおけるアドレスとのアドレス変換処理を行うプログラムを含むものであり、
　前記第２のプログラム及び前記情報は、前記不揮発性半導体メモリに関する情報を一括して管理するための管理ブロックの領域に書き込まれることを特徴とするメモリカード。　　【請求項３】
　前記情報は、前記第２のプログラムが配置される記憶領域上のアドレスを示す情報を含むことを特徴とする請求項２に記載のメモリカード。
　　【請求項４】
　前記第２のプログラム及び前記情報は、前記不揮発性半導体メモリの記憶領域の中で最もECCエラー数の少ない領域に設けられることを特徴とする請求項２乃至３のいずれか１項に記載のメモリカード。
　　【請求項５】
　第１のプログラムを格納するＲＯＭ（Read Only Memory）と一定の消去ブロックサイズが一律に定められた不揮発性半導体メモリとを備えたメモリカードの制御方法において、
　前記第１のプログラムの修正を行うための第２のプログラムと当該第２のプログラムを起動する際に必要な情報とを前記不揮発性半導体メモリに書き込み、
　前記不揮発性半導体メモリに書き込まれた前記情報に基づいて前記第２のプログラムを起動することにより前記第１のプログラムの修正を行い、
　前記第１のプログラムは、ＣＰＵにより実行された際に前記不揮発性半導体メモリの消去ブロックサイズとは異なる一定の消去ブロックサイズが一律に定められた別の不揮発性半導体メモリにおけるアドレスとのアドレス変換処理を行うプログラムを含むものであり、
　前記第２のプログラム及び前記情報は、前記不揮発性半導体メモリに関する情報を一括して管理するための管理ブロックの領域に書き込まれることを特徴とするメモリカードの制御方法。」（以下、この特許請求の範囲に記載された請求項を「補正後の請求項」という。）
に補正するものである。
　
２．新規事項・補正の目的
　本件補正は、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲及び図面に記載した事項の範囲内においてなされており、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　
　そして、特許請求の範囲についての本件補正は、
ａ．補正前の請求項１に、「前記第２のプログラム及び前記情報は、前記不揮発性半導体メモリに関する情報を一括して管理するための管理ブロックの領域に書き込まれる」との記載を追加して、補正後の請求項１とし、
ｂ．補正前の請求項２を削除するとともに、
　補正前の請求項２に従属していた補正前の請求項４を、その「前記第２のプログラム及び前記情報は、当該メモリカードに関する情報を一括して管理するための管理ブロックの領域に書き込まれる」との記載を「前記第２のプログラム及び前記情報は、前記不揮発性半導体メモリに関する情報を一括して管理するための管理ブロックの領域に書き込まれる」と補正して補正後の請求項２とし、これに伴い、補正前の請求項５を繰り上げて補正後の請求項４とし、
　さらに、補正前の請求項３に、「前記第２のプログラム及び前記情報は、前記不揮発性半導体メモリに関する情報を一括して管理するための管理ブロックの領域に書き込まれる」との記載を追加して、補正後の請求項３とし、
ｃ．補正前の請求項６に、「前記第２のプログラム及び前記情報は、前記不揮発性半導体メモリに関する情報を一括して管理するための管理ブロックの領域に書き込まれる」との記載を追加して、補正後の請求項５とする、
ものである。
　
　ｂの、補正後の請求項２についてする本件補正は、補正前の請求項４における「メモリカード」を、単に、当該「メモリカード」に含まれる「不揮発性半導体メモリ」に限定するものである。この限定により、発明が解決しようとする課題が実質的に変更されるとは認められない。
　ａとｃの本件補正、及び、ｂの補正後の請求項３についてする本件補正は、「前記第２のプログラム及び前記情報は、前記不揮発性半導体メモリに関する情報を一括して管理するための管理ブロックの領域に書き込まれる」との事項を追加するものであるが、これにより、本件補正前の「第２のプログラム」及び「当該第２のプログラムを起動する際に必要な情報」が、「前記不揮発性半導体メモリに関する情報を一括して管理するための管理ブロックの領域に書き込まれる」ものであることを限定するものである。そして、「前記第２のプログラム及び前記情報」が「管理ブロックの領域に書き込まれる」ことで、本願明細書の段落【００５９】の記載を参酌すれば、「前記第２のプログラム及び前記情報」はＥＣＣエラー数の少ない領域である「管理ブロック」に「書き込まれる」こととなり、したがって、前記「書き込まれ」た「前記第２のプログラム及び前記情報」を読み出すときに必要とされる誤り訂正処理が減少することは明らかである。そして、補正後の請求項１、３及び５において、「第２のプログラムを起動することにより前記第１のプログラムの修正を行う」ためには、前記「管理ブロック」に「書き込まれ」た「前記第２のプログラム及び前記情報」を読み出すことが前提である。
　してみれば、本願明細書の段落【００１０】には、本願に係る発明は「ＲＯＭに格納されたプログラムの機能修正を効率的に行うことができる」という課題を有することが記載されているところ、前記の「管理ブロック」に「書き込まれ」た「前記第２のプログラム及び前記情報」を読み出すときに必要とされる誤り訂正処理を減少させることは、前記「ＲＯＭに格納されたプログラムの機能修正を効率的に行うことができる」という課題の、概念的に下位の課題であると認められる。
　
　以上から、特許請求の範囲についての本件補正は、特許法第１７条の２第４項第１号の請求項の削除、及び、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮（請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであって、その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の請求項に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるもの）を目的とするものである。
　
３．独立特許要件
　以上のとおり、本件補正は特許法１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的としているところから、補正後の請求項１ないし請求項５に係る発明（以下、「補正後の発明１」ないし「補正後の発明５」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか、以下に検討する。
（１）原査定の理由
　原審における拒絶の査定の要旨は、
　本願の請求項１ないし請求項６に係る発明は、最後の拒絶理由通知に引用された特開平１１−２６５２８３号公報（以下、「引用文献１」という。）、特開２００１−３４４１４８号公報（以下、「引用文献２」という。）、特開２００３−０７６６０５号公報（以下、「引用文献３」という。）、及び、国際公開第９８／０３９１５号（以下、「引用文献４」という。）にそれぞれ記載された発明に基いて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、
というものである。
　
（２）当審の判断
（２−１）引用文献
　引用文献１には、「記憶装置におけるファームウェアの修正方法及び記憶装置」について記載されており、その記載からして（特に、段落【０００４】〜【００５９】）、
　ＲＯＭに格納されているファームウェアの修正を行うための複数の修正されたモジュールと当該複数の修正されたモジュールをそれぞれ起動する際に必要な修正ジャンプテーブルとをホストコンピュータから受けて、フラッシュメモリに書き込み、このフラッシュメモリに書き込まれた前記修正ジャンプテーブルに基づいて前記複数の修正されたモジュールを起動することにより前記ファームウェアの修正を行うマイクロプロセッサを具備するフラッシュメモリカード、
　前記ファームウェアは、電源オン処理時に実行されるモジュール、及び、機能ごとに分割されたプログラムである複数の初期モジュールであること、
　前記複数の修正されたモジュール及び前記修正ジャンプテーブルは、前記フラッシュメモリの修正ファームウェア格納部に格納され、該修正ファームウェア格納部は前記修正されたモジュールを管理する修正ファーム管理部を持つこと、
が記載されている。
　
　引用文献２には、その記載からして（特に、段落【００１１】〜【００４０】）、
　均等ブロックとは容量が異なり、したがって、消去ブロックサイズが前記均等ブロックとは異なる複数のブロックからなるブートブロック部を、複数の前記均等ブロックとともに有するブートブロックフラッシュメモリにおいて、前記ブートブロック部の前記均等ブロックの容量分の前記複数のブロックを消去する際に、前記消去を要求するホストシステムから前記ブートブロックフラッシュメモリを眺めると仮想的に均等ブロック１個を消去するように消去アクセスのアドレスを制御するブートブロックフラッシュメモリ、
が記載されている。
　
　引用文献３には、「ブロック消去型不揮発メモリを搭載した半導体記憶装置とそのデータの書込み・読出し方法」について記載されており、その記載からして（特に、段落【００１０】〜【００３６】）、
　消去ブロックサイズがホストのデータアクセスサイズと一致していない不揮発性メモリに、前記ホストからデータ転送が行われた場合に、前記ホストから指定される論理セクタアドレスを、所定の前記消去ブロック単位を有する前記不揮発性メモリ内部の物理アドレスに変換すること、
が記載されている。
　
　引用文献４には、
　従来のフラッシュメモリカードは、カードのコンフィギュレーションやカードへのアクセスの仕方を記述するＣＩＳ情報を、フラッシュメモリに対する書込／読出しを実行するコントローラを制御するためのプログラムを格納するＲＯＭに、他のソフトウェアプログラムと一緒に格納していたため、前記ＣＩＳ情報の書換えが不可能であったこと（明細書の第１頁第２２行〜第３頁第１０行）、
　フラッシュメモリカードにおいてＣＩＳ情報を書き込むときは、前記情報を格納するブロックとして不良ブロックを避けて、良品ブロックに書き込むこと（明細書の第２０頁第５行〜第２１頁第９行）、
　したがって、記載されたフラッシュメモリカードでは、ＣＩＳ情報を所定のフラッシュメモリ内の所定の記憶位置に格納し、随時書換え可能としていること（明細書の第２４頁第２５行〜第２５頁第１行）、
が記載されている。
　
（２−２）補正後の発明１についての判断
　補正後の発明１は、
ａ．「前記第１のプログラムは、ＣＰＵにより実行された際に前記不揮発性半導体メモリにおけるアドレスと、前記不揮発性半導体メモリの消去ブロックサイズとは異なる一定の消去ブロックサイズが一律に定められた別の不揮発性半導体メモリにおけるアドレスとのアドレス変換処理を行うプログラムを含む」とともに、
ｂ．「前記第２のプログラム及び前記情報は、前記不揮発性半導体メモリに関する情報を一括して管理するための管理ブロックの領域に書き込まれる」
ことを、その発明特定事項として有する。
　
　これに対して、引用文献１には、
　前記ファームウェアは、電源オン処理時に実行されるモジュール、及び、機能ごとに分割されたプログラムである複数の初期モジュールであることは記載されているが、前記ａのように「ＣＰＵにより実行された際に前記不揮発性半導体メモリにおけるアドレスと、前記不揮発性半導体メモリの消去ブロックサイズとは異なる一定の消去ブロックサイズが一律に定められた別の不揮発性半導体メモリにおけるアドレスとのアドレス変換処理を行うプログラム」をファームウェアとして格納することは、記載も示唆もされていない。
　また、前記複数の修正されたモジュール及び前記修正ジャンプテーブルを格納する修正ファームウェア格納部を、前記ｂのようにフラッシュメモリに「関する情報を一括して管理するための管理ブロックの領域」に設けることも、記載も示唆もされていない。
　
　そして、前記ａの、「半導体装置」を制御するためのプログラムである「第１のプログラム」を「ＣＰＵにより実行された際に前記不揮発性半導体メモリにおけるアドレスと、前記不揮発性半導体メモリの消去ブロックサイズとは異なる一定の消去ブロックサイズが一律に定められた別の不揮発性半導体メモリにおけるアドレスとのアドレス変換処理を行うプログラム」とすることは、引用文献２〜４にも、記載も示唆もされていない。
　なお、引用文献３に記載された、消去ブロックサイズがホストのデータアクセスサイズと一致していない不揮発性メモリに、前記ホストからデータ転送が行われた場合に、前記ホストから指定される論理セクタアドレスを、所定の前記消去ブロック単位を有する前記不揮発性メモリ内部の物理アドレスに変換するとの動作は、消去ブロックサイズより小さなセクタを単位としてライトアクセスを行うという一般的なフラッシュメモリにおける周知慣用の動作を記載したにすぎないものである。
　
　また、前記ｂの点については、引用文献４には、従来は「書込／読出し」を「制御するためのプログラム」や「他のソフトウェアプログラム」と一緒にＲＯＭに格納していた「カードのコンフィギュレーションやカードへのアクセスの仕方を記述するＣＩＳ情報」を、所定のフラッシュメモリの所定の記憶位置である「良品ブロック」に格納することが記載されている。
　しかし、引用文献４において、フラッシュメモリに関する情報である前記「ＣＩＳ情報」を前記良品ブロックに格納するのは、当該「ＣＩＳ情報」を書換え可能とするためであるから、従来は「他のソフトウェアプログラム」と一緒にＲＯＭに格納していた前記「ＣＩＳ情報」を前記良品ブロックに格納するからといって、引用文献４において書換えることを想定していない前記「書込／読出し」を「制御するためのプログラム」や「他のソフトウェアプログラム」まで前記「良品ブロック」に格納することが、引用文献４に示唆されているとは認められない。
　引用文献２及び３にも、前記ｂの点は、記載も示唆もされていない。
　
　これに対して、補正後の発明１は、前記ａ及びｂの発明特定事項を備えることで、
　前記ａについては、「修正」された「第１のプログラム」に基づいて、「半導体装置」は「前記不揮発性半導体メモリの消去ブロックサイズとは異なる一定の消去ブロックサイズが一律に定められた別の不揮発性半導体メモリにおけるアドレスとのアドレス変換処理を行う」こととなるから、本願明細書の段落【００４２】に記載された、「ホスト２０側から得られる論理アドレスの順序に従って」、一定の消去ブロックサイズが一律に定められた別の不揮発性半導体メモリの「側で物理アドレスを再度割り当てることにより、ブロックの一部のみの書込の発生を低減し、オーバーヘッドの増大を抑制」することができる、という作用効果を奏するものであり、
　前記ｂについては、「前記第２のプログラム及び前記情報」を、本願明細書の段落【００５９】に記載されるように、「全物理領域の中でも最もECCエラー数の少ない領域」に書き込むことができる、という作用効果を奏するものである。
　
　よって、補正後の発明１は、引用文献１ないし引用文献４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
　
（２−３）補正後の発明２〜５についての判断
　補正後の発明２及び補正後の発明５は、それぞれ、補正後の発明１を、「メモリカード」の発明、及び、「メモリカードの制御方法」の発明として表現した発明である。
　また、
　補正後の発明３及び補正後の発明４は、いずれも、本件補正により補正された請求項２を引用する請求項に係る発明であり、すなわち、補正後の発明２の発明特定事項をすべて有する発明である。
　してみれば、補正後の発明１が引用文献１ないし引用文献４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明することができたものと認めることができない以上、補正後の発明２ないし補正後の発明５も、引用文献１ないし引用文献４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
　
（３）独立特許要件のまとめ
　以上のとおり、補正後の発明１ないし補正後の発明５は、引用文献１ないし引用文献４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明することができたものとは認められないから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとすることはできず、よって、補正後の発明１ないし補正後の発明５は特許出願の際独立して特許を受けることができないとすることはできない。
　さらに、他に、補正後の発明１ないし補正後の発明５が、特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由を発見しない。
　したがって、本件補正は特許法１７条の２第５項の要件を満たしている。
　
４．小括
　以上から、本件補正は、特許法１７条の２に規定する要件を満たす適法なものである。
　
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　以上のとおり、本件補正は特許法１７条の２の規定を満たす適法なものである。
　したがって、本願の請求項１乃至請求項５に係る発明は、本件補正により補正された補正後の請求項１ないし請求項５に記載されるとおりの、それぞれ、補正後の発明１ないし補正後の発明５であると認められる。
　
２．判断
　してみれば、前記「第２．平成２２年２月２４日付けでなされた手続補正について」における「３．独立特許要件」の項で述べたとおりの理由により、本願の請求項１ないし請求項５に係る発明は引用発明１ないし引用発明４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは認められない。
　
３．まとめ
　以上のとおりであるから、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし請求項６に係る発明は特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができないとした原査定の拒絶の理由は、本件補正により解消した。したがって、本願の請求項１ないし請求項５に係る発明は、引用発明１ないし引用発明４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることとすることはできない。
　そして、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　
　よって、結論のとおり審決する。