【手続補正書】
【提出日】平成23年10月13日(2011.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４０】
実施例３０
未硬化誘電体膜を実施例１０に従って作製した。離型カバーフィルムを除去し、膜（ＰＥＴバッキング付き）の一片を厚さ約１９μｍの電着銅箔の上に置いた。銅箔は、粗面が誘電体膜に面するような向きに合わせた。次いでこのアセンブリを、２枚のＴｅｆｌｏｎ（登録商標）ＰＦＡ離型フィルムの間に置いた。多孔質ガラス繊維離型フィルムを、息抜きとしてこのスタックの上面に置いた。次いでこのスタック全体を、厚さ１２７ｍｍのＴｅｆｌｏｎ（登録商標）ＦＥＰフィルムで覆った金属板からなる真空バッグの内部に置いた。バッグ中の圧力を３３６ミリバールまで下げて膜スタックを圧縮した。このバッグを１１０℃の段プレス（スタックに追加の圧力を加えることなく）に５分間入れ、次いで冷却した。誘電体膜からＰＥＴを除去し、この誘電体膜の露出面に厚さ約１９ミクロンの電着銅箔の別の片を置いた。ここで、この誘電体膜は両面が銅箔で覆われた。次いでこのアセンブリを同じ真空バッグ装置の中に入れ、１１０℃の段プレス中で５分間加熱し、次いで冷却した。次いでこの銅／誘電体膜／銅の積層物を真空バッグから取り出し、１１０℃で、次いで１３０℃まで傾斜をつけて上昇させる対流オーブン中で硬化させ、そのまま３０分間保った。次いでオーブン温度を１５０℃まで上昇させ、そのまま１０分間保った。最後に温度を１７０℃まで傾斜をつけて上昇させ、そのまま１時間保った。
図１３は、得られた積層物の光学断面である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４１】
以上、本発明を要約すると下記のとおりである。
１．多層チップキャリアであって、表面を有する誘電体基板と、誘電体基板の表面の少なくとも一部分の上に接着させて配置された第一の導電層と、第一の薄膜面および第二の薄膜面を有する非対称薄膜とを含み、該第一の薄膜面および該第二の薄膜面が互いに平行でありかつ内部によって分離され、薄膜は１つまたはそれ以上の充填剤が中に分散されている熱硬化性樹脂組成物を含み、１つまたはそれ以上の充填剤が、溶媒および揮発性物質を除いて、硬化されたときの上記熱硬化性樹脂組成物および充填剤の全体を合わせた質量に
基づいて１５質量％から７５質量％の合計濃度を有し、ここで内部において上記１つまたはそれ以上の充填剤の濃度が連続した勾配を示し、充填剤のそれぞれが０．０１から５μｍの範囲の平均粒径を有し、第一の面が第一の導電層に適合して接触しており、かつ第二の面がその上に配置された第二の導電層に接着して接触している、多層チップキャリア。２．非対称薄膜が、第一の薄膜面のすぐ近くにレジンリッチ領域をさらに含む、上記１に記載の多層チップキャリア。
３．非対称薄膜が、第二の薄膜面のすぐ近くに充填剤リッチ領域をさらに含む、上記１に記載の多層チップキャリア。
４．非対称薄膜が、第一の薄膜面のすぐ近くにレジンリッチ領域と、第二の薄膜面のすぐ近くに充填剤リッチ領域と、レジンリッチ領域および充填剤リッチ領域の間の、１つまたはそれ以上の充填剤の濃度が連続した勾配を示す移行領域とをさらに含む、上記１に記載の多層チップキャリア。
５．非対称薄膜が、二峰性粒度分布を示す１つまたはそれ以上の充填剤をさらに含む、上記１に記載の多層チップキャリア。
６．非対称薄膜において、熱硬化性樹脂が芳香族多官能性エポキシを含む、上記１に記載の多層チップキャリア。
７．第二の導電層が、複数本の個別の導電性経路を備える、上記１に記載の多層チップキャリア。
８．個別の導電性経路の少なくとも一部と導電的に接触して配置された集積回路をさらに含む、上記７に記載の多層チップキャリア。
９．回路付き誘電体コアに未硬化の成形可能な非対称熱硬化性薄膜を適合可能に貼り合わせて、未硬化の積層非対称熱硬化性薄膜を含む積層された回路付き誘電体コアを形成するステップであって、
非対称熱硬化性薄膜が第一の薄膜面および第二の薄膜面を有し、それらの面が互いに平行で、かつ内部によって分離され、薄膜は１つまたはそれ以上の充填剤が中に分散されている未硬化の熱硬化性樹脂組成物を含み、１つまたはそれ以上の充填剤が、溶媒および揮発性物質を除いて、硬化したときの熱硬化性樹脂組成物および充填剤の全体を合わせた質量に基づいて１５質量％から７５質量％の合計濃度を有し、ここで内部において、１つまたはそれ以上の充填剤の濃度が連続した勾配を示し、１つまたはそれ以上充填剤のそれぞれが０．０１から５μｍの範囲の平均粒径を有し、第二の面が回路形成された誘電体コア層に適合して接触しているステップと、
未硬化の積層非対称熱硬化性薄膜を熱的に硬化して、硬化済みの積層された回路付き誘電体コアを形成するステップと、
積層された回路付き誘電体コアに、ビア、スルーホール、およびセミスルーホールを導入するステップと、
積層された回路付き誘電体コアにおける露出面を化学的デスミア剤で粗面化するステップと、
非対称薄膜の第一の面に金属層を接着して適用するステップと、
露出した金属層の少なくとも一部をフォトレジスト面で覆うステップと、
フォトレジスト面を画像に応じて露光し、フォトレジストを現像して、画像に応じて露光したフォトレジストコーティング上にパターンを形成するステップと、
電着などの手段を用いて露出した金属層の厚さを増加させるステップと、
残留フォトレジスト面を除去するステップと、
不必要な導電性材料を除去するためにパターン形成された面をエッチングして、その上に個別の導電性経路を生成させるステップと
を含む、方法。
１０．集積回路を、個別の導電性経路の少なくとも一部と導電的に接触させるステップをさらに含む、上記９に記載の方法。
１１．非対称薄膜が、第一の薄膜面のすぐ近くにレジンリッチ領域と、第二の薄膜面のすぐ近くに充填剤リッチ領域と、レジンリッチ領域および充填剤リッチ領域の間の、１つま
たはそれ以上の充填剤の濃度が連続した勾配を示す移行領域とをさらに含む、上記９に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層チップキャリアであって、表面を有する誘電体基板と、誘電体基板の表面の少なくとも一部分の上に接着させて配置された第一の導電層と、第一の薄膜面および第二の薄膜面を有する非対称薄膜とを含み、該第一の薄膜面および該第二の薄膜面が互いに平行でありかつ内部によって分離され、薄膜は１つまたはそれ以上の充填剤が中に分散されている熱硬化性樹脂組成物を含み、１つまたはそれ以上の充填剤が、溶媒および揮発性物質を除いて、硬化されたときの上記熱硬化性樹脂組成物および充填剤の全体を合わせた質量に基づいて１５質量％から７５質量％の合計濃度を有し、ここで内部において上記１つまたはそれ以上の充填剤の濃度が連続した勾配を示し、充填剤のそれぞれが０.０１から５μｍの範囲の平均粒径を有し、第一の面が第一の導電層に適合して接触しており、かつ第二の面がその上に配置された第二の導電層に接着して接触している、多層チップキャリア。
【請求項２】
回路付き誘電体コアに未硬化の成形可能な非対称熱硬化性薄膜を適合可能に貼り合わせて、未硬化の積層非対称熱硬化性薄膜を含む積層された回路付き誘電体コアを形成するステップであって、
非対称熱硬化性薄膜が第一の薄膜面および第二の薄膜面を有し、それらの面が互いに平行で、かつ内部によって分離され、薄膜は１つまたはそれ以上の充填剤が中に分散されている未硬化の熱硬化性樹脂組成物を含み、１つまたはそれ以上の充填剤が、溶媒および揮発性物質を除いて、硬化したときの熱硬化性樹脂組成物および充填剤の全体を合わせた質量に基づいて１５質量％から７５質量％の合計濃度を有し、ここで内部において、１つまたはそれ以上の充填剤の濃度が連続した勾配を示し、１つまたはそれ以上充填剤のそれぞれが０.０１から５μｍの範囲の平均粒径を有し、第二の面が回路形成された誘電体コア層に適合して接触しているステップと、
未硬化の積層非対称熱硬化性薄膜を熱的に硬化して、硬化済みの積層された回路付き誘電体コアを形成するステップと、
積層された回路付き誘電体コアに、ビア、スルーホール、およびセミスルーホールを導入するステップと、
積層された回路付き誘電体コアにおける露出面を化学的デスミア剤で粗面化するステップと、
非対称薄膜の第一の面に金属層を接着して適用するステップと、
露出した金属層の少なくとも一部をフォトレジスト面で覆うステップと、
フォトレジスト面を画像に応じて露光し、フォトレジストを現像して、画像に応じて露光したフォトレジストコーティング上にパターンを形成するステップと、
電着などの手段を用いて露出した金属層の厚さを増加させるステップと、
残留フォトレジスト面を除去するステップと、
不必要な導電性材料を除去するためにパターン形成された面をエッチングして、その上に個別の導電性経路を生成させるステップと
を含む、方法。