【手続補正書】
【提出日】平成23年5月27日(2011.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイス機構の製造中に使用される方法であって、
少なくとも一つのエッチング予定材料を形成することと、
第一の位置に複数の第一マスク機構を形成し、かつ前記エッチング予定材料の上方に複数の第二マスク機構を形成することと、
第二の位置で前記エッチング予定材料を第一のエッチングで部分的にエッチングし、かつ、前記第一の位置では前記エッチング予定材料をエッチングしないまま残すことと、
前記複数の第一マスク機構を除去することと、そして、
前記複数の第二マスク機構を露出しながら、前記第一の位置と前記第二の位置の両方で前記エッチング予定材料を第二のエッチングでエッチングすることとを含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、第二の位置で前記エッチング予定材料を前記第一のエッチングでエッチングする処理動作が、前記複数の第一マスク機構と前記複数の第二マスク機構の両方を露出しながら実行される方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記第二のエッチング中に第一の開口部を形成するために、前記第一の位置で前記エッチング予定材料から第一の体積の材料をエッチングすることと、
前記第一のエッチングと前記第二のエッチングの過程で第二の開口部を形成するために、前記第二の位置で前記エッチング予定材料から第二の体積の材料をエッチングすることとをさらに含み、かつ、前記第二の体積の材料が前記第一の体積の材料とは異なる方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法において、エッチングされる前記第二の体積の材料が、エッチングされる前記第一の体積の材料よりも小さい方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、前記第一の開口部と前記第二の開口部を充填するために導電体を形成することをさらに含み、かつ、前記第一の開口部内の前記導電体の第一の断面積が前記第二の開口部内の前記導電体の第二の断面積と異なる方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法において、前記第二の断面積が前記第一の断面積よりも小さい方法。
【請求項７】
半導体デバイスの製造中に使用される方法であって、
エッチング予定材料の上方に複数のマスク機構を形成し、かつ、前記複数のマスク機構が均一な寸法と規則的なピッチを有することと、
前記エッチング予定材料の上方と、前記複数のマスク機構上に、コンフォーマルなスペーサー材料を形成することと、
複数のスペーサーを形成するために前記コンフォーマルなスペーサー材料をエッチングし、かつ、対をなすスペーサーが前記各マスク機構の少なくとも一部に接触することと、
前記複数のマスク機構と前記複数のスペーサーを露出しながら、前記エッチング予定材料を部分的にエッチングし、その中に複数の部分的にエッチングされた第一の開口部を形成することと、
前記対をなすスペーサーの各々の間に開口部を形成するために、前記複数のマスク機構を除去することと、そして、
前記複数のスペーサーを露出しながら、前記エッチング予定材料内に第二の開口部を形成するために、前記対をなすスペーサーの各々の間の前記開口部を通して前記エッチング予定材料をエッチングすることと、かつ、完成した第一の開口部を形成するために前記部分的にエッチングされた第一の開口部をさらにエッチングすることとを含み、かつ、前記第二の開口部が前記完成した第一の開口部とは異なる断面形状を含む方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、
前記第二の開口部内と、前記完成した第一の開口部内に導電体を形成することと、
前記エッチング予定材料の上方から前記導電体を除去するために前記導電体を平坦化することとをさらに含み、
かつ、前記完成した第一の開口部内の導電体の第一の体積が前記第二の開口部内の導電体の第二の体積よりも小さい方法。
【請求項９】
請求項７に記載の方法であって、
矩形形状を有するように前記第二の開口部を形成することと、
“V”字型形状を有するように前記完成した第一の開口部を形成することとをさらに
含む方法。
【請求項１０】
半導体デバイスの製造過程で使用される方法であって、
半導体ウェハの少なくとも一部を含む半導体ウェハ基板アセンブリの上方にポリシリコンを形成することと、
前記ポリシリコン上にケイ化物を形成することと、
前記ケイ化物上に酸化物を形成することと、
前記酸化物上に透明炭素（TC）を形成することと、
前記TC上に反射防止絶縁膜（DARC）を形成することと、
第一の位置に複数の第一マスク機構を形成し、かつ前記DARCの上方に複数の第二マスク機構を形成することと、
前記複数の第一マスク機構と前記複数の第二マスク機構の両方を露出しながら、等方性エッチングを用いて前記DARCをエッチングし、かつ前記TCが露出したら前記エッチングを停止することと、
前記複数の第一マスク機構を除去することと、そして、
前記複数の第二マスク機構を露出しながら、前記第一の位置で前記TCをエッチングし、かつ、前記酸化物の上もしくは中で停止して第一の開口部を形成すると同時に、第二の位置で前記DARC、前記TC、前記酸化物、前記ケイ化物をエッチングし、かつ、前記ポリシリコンの上もしくは中で停止して第二の開口部を形成することとを含む方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、前記第一の開口部を形成するために前記DARCと前記TCから第一の体積の材料をエッチングすることと、
前記第二の開口部を形成するために前記DARC、前記TC、前記酸化物、前記ケイ化物から第二の体積の材料をエッチングすることとをさらに含み、かつ、前記第二の体積が前記第一の体積よりも大きい方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、前記第一の開口部と前記第二の開口部を充填するために導電体を形成することをさらに含み、かつ、前記第一の開口部内の前記導電体の第一の断面積が前記第二の開口部内の前記導電体の第二の断面積よりも小さい方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の方法において、前記半導体デバイスがNANDフラッシュデバイスであり、前記方法が、
前記ポリシリコンを約750Åの厚さに形成することと、
前記ケイ化物を約900Åの厚さに形成することと、
前記酸化物を約1,400Åの厚さに形成することと、
前記TCを約2,000Åの厚さに形成することと、
前記DARCを約200Åから約360Åの厚さに形成することとをさらに含む方法。
【請求項１４】
非対称な半導体デバイス機構を形成するための方法であって、
エッチング予定材料を形成することと、
前記エッチング予定材料の上方に複数の対称な機構を持つパターン化マスクを形成することと、
前記複数の対称な機構の上方にスペーサー材料を形成することと、
複数のスペーサーを形成するために前記スペーサー材料をエッチングし、かつ、二つの断面スペーサーが前記複数の対称な機構の少なくとも一部に接触することと、
前記複数のスペーサーと前記パターン化マスクを露出しながら、複数の第二の位置はエッチングしないまま残しつつ、複数の第一の位置で前記エッチング予定材料をエッチングすることと、
前記パターン化マスクを除去することと、そして、
前記複数のスペーサーを露出しながら、前記複数の第一の位置と前記複数の第二の位置で前記エッチング予定材料をエッチングし、前記第一の位置にある第一の断面形状を持つ第一のエッチングされた機構と、前記第一の断面とは異なる第二の断面を持つ、前記第二の位置にある第二のエッチングされた機構とを含む前記エッチング予定材料をもたらすこととを含む方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、
ケイ化タングステン材料を形成することと、
前記ケイ化タングステン材料上にオルトケイ酸テトラエチルガラス材料を形成することと、
前記オルトケイ酸テトラエチルガラス材料上に透明炭素材料を形成することと、
前記透明炭素材料上に反射防止絶縁膜を形成することとを含む方法を用いて前記エッチング予定材料を形成することをさらに含む方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、前記ケイ化タングステン材料をポリシリコン材料上に形成することをさらに含む方法。
【請求項１７】
請求項１４に記載の方法であって、
前記第一のエッチングされた機構内、前記第二のエッチングされた機構内、前記エッチング予定材料の上方に、コンフォーマルな導電体を形成することと、
前記エッチング予定材料の上方から前記コンフォーマルな導電体を除去することとを含み、かつ、前記エッチング予定材料の上方から前記コンフォーマルな導電体を除去した後、前記第一のエッチングされた機構と前記第二のエッチングされた機構が導電体で充填されたままである方法。
【請求項１８】
ポリシリコン材料と、
前記ポリシリコン材料を覆うケイ化タングステン材料と、
前記ケイ化タングステン材料を覆う誘電体と、
前記誘電体を覆う透明炭素（TC）材料と、
前記TC材料を覆う反射防止材料と、
を含むエッチング予定構造と、
前記反射防止材料を覆う複数の対をなす断面マスク材料スペーサーとを含む構造。
【請求項１９】
請求項１８に記載の構造であって、
約750オングストローム（Å）の厚さで、かつ前記ケイ化タングステン材料に接触す
る前記ポリシリコン材料と、
約900Åの厚さで、かつ前記誘電体に接触する前記ケイ化タングステン材料と、
約1,400Åの厚さで、かつ前記TC材料に接触する、オルトケイ酸テトラエチル（TEOS）材料である前記誘電体と、
約2,000Åの厚さで、かつ前記反射防止材料に接触する前記透明炭素材料と、
約200Åから約260Åの厚さで、反射防止絶縁膜（DARC）である前記反射防止材料とをさらに含む構造。
【請求項２０】
請求項１９に記載の構造であって、
隣接する対をなすスペーサー同士の間と、隣接する一対のスペーサー同士の間で均一な距離を持つ、前記複数の対をなす断面マスク材料スペーサーをさらに含み、かつ、前記隣接する対をなすスペーサー同士の間の距離は、前記隣接する一対のスペーサー同士の間の距離とほぼ等しく、
前記複数の対をなす断面マスク材料スペーサーよりも下の高さにある複数の第一の開口部をさらに含み、かつ、一つの第一の開口部は各対をなすスペーサー間に位置し、
前記複数の対をなす断面マスク材料スペーサーよりも下の高さにある複数の第二の開口部をさらに含み、かつ、一つの第二の開口部は各一対のスペーサー間に位置し、
かつ、各第一の開口部の体積が各第二の開口部の体積よりも実質的に小さい構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
種々の連続プロセスは図６の構造で終了し得るが、用法の一つを図７と図８に図示する。図７に図示するように位置40と42における開口部を充填するために、ブランケット誘電体70とブランケット導電体72が図６の構造の表面の上方に形成され得る。次に、例えば化学機械平坦化（CMP）といった機械平坦化などの平坦化プロセスが材料70に対して実行され、図８の構造をもたらす。図８は第一の断面を持つ導電性機構80と、第一の断面と異なる第二の断面を持つ機構82を図示する。特に機構がその長さに沿ってほぼ均一である場合、機構80は機構82と異なる電気特性を持ち得る。例えば、機構82のより大きい断面積のため、機構80の抵抗は機構82よりも低いかもしれない。さらに、二つの機構80、82は二つの異なる絶縁線を形成してもよく、特にドープされた基板や酸化物、もしくは別の誘電体がトレンチを充填してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図２の構造を形成後、パターン化材料20はDARC 18とスペーサー22に対して選択的に除去され、図９の構造をもたらす。次に、DARC 18、TC 16、TEOS 14、WSix12が等方性エッチングを用いてスペーサー22に対して選択的にエッチングされ、図１０の構造をもたらす。DARCは、CF4:CH2F2比が少なくとも4であるCF4/CH2F2などの等方性エッチングを用いてエッチングされてもよい。TCは前の実施形態で述べたようにSO2/O2でエッチングされてもよい。TEOSは、約75 sccmの流速のCF4と約45 sccmの流速のO2を用いて、5 mTのチャンバ圧力、1,500ワットの電力、300 Vのバイアス電圧でエッチングされてもよい。ケイ化タングステンは、それぞれ約40 sccmの流速の三フッ化窒素（NF3）と塩素（Cl2）を用いて、約15 mTのチャンバ圧力、約400ワットの電力、約150 Vのバイアス電圧でエッチングされてもよいが、他のエッチングプロセスが使用されてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
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