【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年3月22日(2011.3.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
この方法は、更に、第２封緘層の露呈された表面を平坦化する工程、及び第２封緘層の十分な量を除去し、これによって第１封緘層を露呈し、接合部（ジャンクション）を絶縁する工程を含む。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
別の重要な特徴では、本発明は、少なくとも１つの開孔を持つ第１封緘層（例えば、多晶質シリコン、多孔質多晶質シリコン、非晶質シリコン、ゲルマニウム、シリコン／ゲルマニウム、ガリウム砒素、窒化シリコン、又はシリコンカーバイド）を含むチャンバ、及び少なくとも一部がチャンバ内に配置された機械構造を含む。電気機械的装置は、更に、開孔上又は開孔内に配置され、これによってチャンバをシールする半導体（例えば、多晶質シリコン、多孔質多晶質シリコン、非晶質シリコン、シリコンカーバイド、シリコン／ゲルマニウム、ゲルマニウム、又はガリウム砒素）でできた第２封緘層を含む。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
本装置は、チャンバの外側に配置されたコンタクト（即ち、一部又は全部がチャンバの外側に配置されたコンタクト領域及び／又はコンタクトビア（ｃｏｎｔａｃｔｖｉａ））を更に含む。コンタクトは、領域の導電性を高めるため、不純物でドーピングした半導体であってもよい。コンタクトは、第１の種類の導電性を持つ半導体で取り囲まれていてもよく、第１の種類の導電性を持つ半導体が、組み合わせられて接合部の絶縁体を形成する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
図２を参照すると、一実施例において、微小機械加工を施した機械構造１２は、基板１４上に、基板１４上方に、及び／又は基板１４内に配置した機械構造２０ａ−ｄを含む。これらの機械構造２０ａ−ｄは、例えば、周期表のＩＶ族の材料、例えばシリコン、ゲルマニウム、炭素；更に、これらの組み合わせ、例えばシリコン−ゲルマニウム又はシリコンカーバイド；更に、ＩＩＩ−Ｖ族の化合物、例えばガリウム燐、アルミニウムガリウム燐、又は他のＩＩＩ−Ｖ族の化合物；更に、ＩＩＩ族、ＩＶ族、Ｖ族、又はＶＩ族の材料の組み合わせ、例えば窒化シリコン、シリコン酸化物、アルミニウムカーバイド、又はアルミニウム酸化物；更に、金属のシリサイド、ゲルマニウム化合物、及びカーバイド、例えばニッケルシリサイド、コバルトシリサイド、タングステンカーバイド、又はプラチナゲルマニウムシリサイド；更に、燐、砒素、アンチモン、硼素、又はアルミニウムでドーピングしたシリコン、又はゲルマニウム、炭素を含む、ドーピングを施したもの、又はシリコンゲルマニウム等の組み合わせ；更に、単晶質、多晶質、ナノ結晶質、又は非晶質を含む様々な結晶構造を持つこれらの材料；更に、結晶構造の組み合わせ、例えば単晶質構造を持つ領域及び多晶質構造を持つ領域（ドーピングした又はドーピングしていない）の組み合わせで形成されていてもよい。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
図４のＡ及び図４のＢを参照し、微小機械加工を施した機械構造１２の例示の組み立て又は製造方法を説明する。この説明は、第１犠牲層３０、例えば二酸化シリコン又は窒化シリコンに配置された機械構造２０ａ−ｄ及びコンタクト領域２４を含む、部分的に組み立てられた状態から始める。機械構造２０ａ−ｄ及びコンタクト領域２４は、周知の付着、リソグラフ、エッチング、及び／又はドーピング技術、並びに周知の材料（例えば、シリコン、ゲルマニウム、シリコン−ゲルマニウム、又はガリウム砒素等の半導体）を使用して形成されていてもよい。更に、フィールド領域２２ａ及び２２ｂ及び第１犠牲層３０は、絶縁体層上にシリコン層を形成する周知のＳＯＩ技術（図４のＡ参照）、又は標準的な又はオーバーサイズ（「厚い」）ウェーハを使用する周知の形成、リソグラフ、エッチング、及び／又は付着技術（図４のＢ参照）を使用して形成されてもよい。特に、フィールド領域２２ａ及び２２ｂ、機械構造２０、及びコンタクト領域２４は、図４のＡに示すように単晶構造（例えば単結晶シリコン）を備えていてもよく、多晶質構造、又は図４のＢに示すように単晶構造又は多晶質構造の両方を備えていてもよい（即ち、フィールド領域２２ａ及び２２ｂは単晶構造、例えば単結晶シリコンでできていてもよく、機械構造２０及びコンタクト領域２４は多晶質構造、例えば多晶質シリコンでできていてもよい。確かに、第１犠牲層３０上に配置された機械構造２０ａ−ｄ及びコンタクト領域２４を含む部分的に形成された装置を作り出すための全ての技術、材料、及び結晶構造は、現在周知であろうと後に開発されようと、本発明の範疇に含まれる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
図４のＣを参照すると、機械構造２０ａ−ｄ及びコンタクト領域２４の形成後、第２犠牲層３２、例えば二酸化シリコン又は窒化シリコンを付着し及び／又は形成し、機械構造２０ａ−ｄを、封緘プロセスを含むこれに続いて行われるプロセス中に固定し、離間し、及び／又は保護する。更に、これに続いて電気接点を形成するため、第２犠牲層３２に開口部３４をエッチングし即ち形成する。開口部３４は、第２犠牲層３２の付着及び／又は形成の前又はその最中に例えば周知のマスキング技術（ナイトライド（窒化物）マスク）を使用して形成されてもよいし、第２犠牲層３２の付着及び／又は形成後に周知のリソグラフ技術及びエッチング技術を使用して形成されてもよい。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
別の実施例では、第１及び第２の犠牲層３０及び３２は窒化シリコンでできており、層３０及び３２の選択された部分を燐酸を使用して除去／エッチングする。この場合も、機械構造２０ａ−ｄ及び犠牲層３０及び３２の適正な設計及び湿式エッチングプロセスの制御により、機械エレメント２０ａ−ｄの周囲の犠牲層３０を全て又はほぼ全て除去するのに十分に犠牲層３０をエッチングできる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
犠牲層３０及び／又は３２をなくし、除去し、及び／又はエッチングする上で、（１）層３０及び／又は３２用の多くの適当な材料（例えば、二酸化シリコン、窒化シリコン、及びドーピングした又はドーピングしていないガラス状材料、例えばホスホシリケート（「ＰＳＧ」）又はボロホスホシリケート（「ＢＰＳＧ」））及びスピンオンガラス（「ＳＯＧ」）、（２）多くの適当な／関連したエッチング剤（例えば、緩衝オキシドエッチ、燐酸及び例えばＮａＯＨ及びＫＯＨ等のアルカリ水酸化物）、及び（３）多くの適当なエッチング又は除去技術（例えば、湿式エッチング、プラズマエッチング、蒸気エッチング、又は乾式エッチング）があるということに着目されたい。確かに、層３０及び／又は３２は、ドーピングした又はドーピングしていない半導体（例えば多晶質シリコン、シリコン／ゲルマニウム、又はゲルマニウム）であってもよく、こうした場合には、機械構造２０ａ−ｄ及びコンタクト領域２４は、エッチングプロセス又は除去プロセスによる悪影響が機械構造２０ａ−ｄ及びコンタクト領域２４に作用しない場合（例えば、構造２０ａ−ｄ及びコンタクト領域２４がエッチングプロセス又は除去プロセス中に保護されている（例えば酸化物層がシリコンを基材とした構造２０ａ−ｄを保護している）場合、又は構造２０ａ−ｄ及びコンタクト領域２４が層３０及び／又は３２のエッチングプロセス又は除去プロセスによる悪影響を受ける材料で形成されている場合）には、同じ又は同様の（同様に加工された、エッチングが施された、又は除去された）半導体である。従って、なくし、除去し、及び／又はエッチングを行うための全ての材料、エッチング剤及びエッチング技術、及びこれらの組み合わせは、現在周知であろうと後に開発されようと、本発明の範疇に含まれる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
第２封緘層２８ｂは、第１封緘層２８ａの不純物に対して逆の導電性を持つ不純物でドーピングされていてもよい。例えば、第１封緘層２８ａは硼素でドーピングされていてもよく、第２封緘層２８ｂは燐でドーピングされていてもよい。この方法では、シールプロセス即ち封緘プロセスが完了したとき、電気コンタクト領域２４を取り囲む接合部が形成され、これらの接合部がコンタクト領域２４を例えばフィールド領域２２ｂから電気的に「絶縁」する。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５６】
上述のように、特定の実施例では、第２封緘層２８ｂを第１封緘層２８ａの不純物に対して逆の導電性を持つ不純物でドーピングする。このようにして、シールプロセス即ち封緘プロセスの完了時に電気コンタクト領域２４を取り囲む接合部が形成され、これらの接合部によりコンタクト領域２４を例えばフィールド領域２２ｂから電気的に「絶縁」する。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６３】
その後、第３封緘層２８ｃの付着、形成、及び／又は成長を行ってもよい（図８のＥ参照）。第３封緘層２８ｃは、チャンバ２６を「シール」し、又は閉鎖し、又は更に完全に「シール」する。第３封緘層２８ｃの付着、形成、及び／又は成長は、封緘層２８ａ及び／又は２８ｂと同じであってもよく、実質的に同様であってもよく、又は異なっていてもよい。これに関し、第３封緘層２８ｃは、例えば、半導体、絶縁体（例えば窒化シリコン又はシリコン酸化物）、プラスチック（例えばフォトレジスト又は低Ｋ誘電体）又は金属支承材料でできていてもよい。第３封緘層２８ｃは、例えば、エピタキシャル、スパッタリング、又はＣＶＤを用いる反応器（例えばＡＰＣＶＤ、ＬＰＣＶＤ、及びＰＥＣＶＤ）を使用して付着、形成、及び／又は成長が行われる。付着、形成、及び／又は成長は、形態一致プロセスによって行われてもよいし又は非形態一致プロセスによって行われてもよい。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６７】
封緘層２８ｃの目的又は機能に応じて、例えば、半導体（例えば、多晶質シリコン、シリコンカーバイド、シリコン／ゲルマニウム、又はゲルマニウム）、絶縁体（例えば二酸化シリコン、窒化シリコン、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、又はＳＯＧ）、又は金属支承体（例えばシリサイド）であってもよい。封緘層２８ｃは、例えば、エピタキシャル、スパッタリング、又はＣＶＤを用いる反応器（例えばＡＰＣＶＤ、ＬＰＣＶＤ、及びＰＥＣＶＤ）を使用して付着、形成、及び／又は成長を行ってもよい。付着、形成、及び／又は成長は、形態一致プロセスによって行われてもよいし又は非形態一致プロセスによって行われてもよい。封緘層２８ｃを形成する材料は、他の封緘層と同じであってもよいし異なっていてもよい。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６９】
例えば、図１０のＡを参照すると、ＭＥＭＳ１０の集積回路部分の形成後（形成する場合）、第１封緘層２８ａを第２犠牲層３２上に付着、形成、及び／又は成長すると同時にフィールド領域２２及びコンタクト領域２４の選択された部分をマスクによって保護するか或いはエッチングによって再露呈する。第１封緘層２８ａは、例えば、絶縁体（例えば、窒化シリコン、二酸化シリコン、ＰＳＧ、又はＢＰＳＧ）であってもよく、これらは、例えば、エピタキシャル、スパッタリング、又はＣＶＤを用いる反応器（例えばＡＰＣＶＤ、ＬＰＣＶＤ、及びＰＥＣＶＤ）を使用して付着される。付着、形成、及び／又は成長は、例えば形態一致プロセスによって行われてもよいし又は非形態一致プロセスによって行われてもよい。確かに、第１封緘層２８ａの付着、形成、及び／又は成長は、ＭＥＭＳ１０の集積回路製造の「バックエンド」におけるプロセス工程であってもよい。