【事件の表示】
　平成１１年特許願第　　４７８８号「ＳｉＣ焼結体及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　７月２５日出願公開、特開２０００−２０３９４０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は平成１１年１月１２日に出願され、平成２０年６月２６日付けで拒絶理由が通知され、同年８月２８日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２１年４月２７日付けで拒絶査定され、同年８月７日付けで拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　本願の請求項１〜２に係る発明は、平成２０年８月２８日付け手続補正書によって補正された明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜２に記載された事項により特定されとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
　
【請求項１】
　焼結助剤成分の合計含有量が５００ｐｐｍ以下で、嵩密度が３．００ｇ／ｃｍ３以上であるＳｉＣ焼結体の製造方法であって、ＳｉＣ粉末と、炭素粉又は焼成中に炭素を生成する物質とを混合し混合物を作製する工程、前記混合物を加圧しながら焼成しＳｉＣ焼結体を作製する工程を有し、前記ＳｉＣ粉末の平均粒径が０．１〜１．０μｍであり、かつ前記ＳｉＣ粉末を９８ＭＰａの圧力で成形したときの前記ＳｉＣ粉末からなる圧粉体（但し、バインダー、炭素粉、焼成中に炭素を生成する物質を含まない）の嵩密度が２．０ｇ／ｃｍ３以上である、ＳｉＣ焼結体の製造方法。
　
２．引用文献
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願日前に頒布された刊行物である特開平１０−１６３０７９号公報（以下、「引用文献１」という。）には次の事項が記載されている。
（１）「【請求項１】  密度が２．９ｇ／ｃｍ3 以上であり、且つ炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤とが均質に混合された混合物を焼結することにより得られた炭化ケイ素焼結体で形成されたことを特徴とするウェハ。」（特許請求の範囲　請求項１）
（２）「【請求項２】  前記非金属系焼結助剤が、加熱により炭素を生成する有機化合物であること、を特徴とする請求項１に記載のウェハ。」（特許請求の範囲　請求項２）
（３）「【請求項４】  前記炭化ケイ素焼結体は前記混合物を非酸化性雰囲気下でホットプレスすることにより得られたものであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のウェハ。」（特許請求の範囲　請求項３）
（４）「本発明は、集積回路等の製造でのシリコンウェハに対する熱拡散、熱酸化、及び気相成長等の処理工程において、炉内温度や気体濃度等の均一性の評価、汚染物質の除去及び各種処理条件の決定等のために用いられるウェハ（・・・・・・）に関する。」（【０００１】）
（５）「本発明の炭化ケイ素製ダミーウェハの原料として用いられる炭化ケイ素粉末は、・・・・・・。
好適な炭化ケイ素原料粉体の態様としては、粒径が０．０５〜１μｍ・・・・・・のものが好適に用いられる。また、用いられる炭化ケイ素粉末の粒度分布は特に制限されず、炭化ケイ素焼結体の製造時において、粉体の充填密度を向上させること及び炭化ケイ素の反応性の観点から、２つ以上の極大値を有するものも使用しうる。」（【００１８】〜【００１９】）
（６）「本発明のダミーウェハを製造する製造方法において必須の工程である焼結工程は、粉体の混合物又は後記の成形工程により得られた粉体の混合物の成形体を、温度２０００〜２４００℃、圧力３００〜７００ｋｇｆ／ｃｍ2 、非酸化性雰囲気下で成形金型中に配置し、ホットプレスする工程である。」（【００４０】）
（７）「・・・・・・炭化ケイ素焼結体の密度は、３．０ｇ／ｃｍ3 以上であることがより好ましい。」（【００５４】）
（８）「本発明で得られる炭化ケイ素焼結体の不純物元素の総含有量は、５ｐｐｍ以下、好ましくは３ｐｐｍ以下、より好ましくは１ｐｐｍ以下である・・・・・・。ここで不純物元素とは、１９８９年ＩＵＰＡＣ無機化学命名法改訂版の周期律表における１族から１６族元素に属し、且つ、原子番号３以上であり、原子番号６〜８及び同１４の元素を除く元素をいう。」（【００５６】）
（９）「（実施例１）
成形体の製造
・・・・・・。　
焼結体の製造
この成形体を黒鉛製型に入れ、以下の条件でホットプレスを行った。・・・・・・。得られた焼結体の密度は３．１８ｇ／ｃｍ3 ・・・・・・。」（【００６３】〜【００６４】）
　
３．対比・判断
（あ）上記（１）には、「密度が２．９ｇ／ｃｍ3 以上であり、且つ炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤とが均質に混合された混合物を焼結することにより得られた炭化ケイ素焼結体」が記載されており、この記載は、「密度が２．９ｇ／ｃｍ3 以上であり、且つ炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤とが均質に混合された混合物を焼結する炭化ケイ素焼結体」の製造方法を開示しているとみることができる。
（い）上記（あ）の「炭化ケイ素焼結体」とは、上記（７）の記載からみて「密度は、３．０ｇ／ｃｍ3 以上」であるものを含む。
（う）上記（あ）の「非金属系焼結助剤」とは、上記（２）の記載からみて「加熱により炭素を生成する有機化合物」を含む。
（え）上記（あ）の「混合物を焼結する」とは、上記（３）及び（９）の記載からみて「混合物を非酸化性雰囲気下でホットプレスする」ことといえる。
（お）上記（あ）の「炭化ケイ素焼結体」は、上記（８）の「含まれる不純物元素の総含有量が・・・・・・より好ましくは１ｐｐｍ以下である」との記載からみて「含まれる不純物元素の総含有量が１ｐｐｍ以下」であるといえる。
（か）上記（あ）の「炭化ケイ素焼結体」は、上記（５）の記載からみて「粒径が０．０５〜１μｍ」の「炭化ケイ素粉末」を「原料として用い」ているとみることができる。
（き）上記（あ）〜（か）の検討を踏まえ引用文献１の記載事項を本願発明の記載ぶりに則して整理すると、引用文献１には、
「含まれる不純物元素の総含有量が１ｐｐｍ以下で密度が３．０ｇ／ｃｍ3 以上であり、且つ粒径が０．０５〜１μｍの炭化ケイ素粉末と加熱により炭素を生成する有機化合物とが均質に混合された混合物を非酸化性雰囲気下でホットプレスする炭化ケイ素焼結体の製造方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認める。
　
　次に、本願発明と引用発明とを対比する。
（さ）引用発明の「炭化ケイ素」は、化学式で表記すると「ＳｉＣ」である。
（し）本願発明の「焼結助剤成分」についてみてみると、本願明細書には、「本発明において、焼結助剤成分としては硼素、アルミニウム、ベリリウム等が挙げられる。」（【００１０】）、「硼素、アルミニウム、ベリリウム等の焼結助剤成分」（【００１２】）及び「本発明になる実施例のＳｉＣ焼結体は硼素含有量が１０ppm以下、アルミニウム含有量が最大１００ppm、ベリリウム含有量が１０ppm以下と焼結助剤成分の合計含有量も最大１２０ppm」（【００２４】）と記載されているから、本願発明の「焼結助剤成分」とは、硼素、アルミニウム、ベリリウム等であることは明らかである。
　一方、引用発明の「含まれる不純物元素」とは、引用文献１の上記（８）によれば「１９８９年ＩＵＰＡＣ無機化学命名法改訂版の周期律表における１族から１６族元素に属し、且つ、原子番号３以上であり、原子番号６〜８及び同１４の元素を除く元素をいう」から、引用発明の「不純物元素」は本願発明の上記「焼結助剤成分」の元素を包含するものである。
　そうすると、引用発明の「含まれる不純物元素の総含有量が１ｐｐｍ以下」は、本願発明の「焼結助剤成分の合計含有量が５００ｐｐｍ以下」と、「特定成分の合計含有量が１ｐｐｍ以下」である点で一致する。
（す）引用発明の炭化ケイ素焼結体の「密度が３．０ｇ／ｃｍ3 以上」についてみてみる。「炭化ケイ素焼結体」は焼結体であって、その密度は嵩密度であることは明らかであるから、引用発明の「密度が３．０ｇ／ｃｍ3 以上」は、本願発明の 「嵩密度が３．００ｇ／ｃｍ３以上」に相当する。
（せ）引用発明の炭化ケイ素粉末の「粒径」とは、「平均粒径」であるとみることが自然であるから、引用発明の「炭化ケイ素粉末の粒径」は、本願発明の「ＳｉＣ粉末の平均粒径」と「０．１〜１．０μｍ」の範囲で一致している。
（そ）本願発明の「加圧しながら焼成」についてみてみる。本願明細書には、「焼成は、・・・・・・ホットプレス・・・・・・を用いて加圧下で行う必要がある。ホットプレスでは・・・・・・非酸化雰囲気中で焼成することが好ましく・・・・・・成形圧力は９．８〜４９MPa（１００〜５００kg/cm2）が好ましい。・・・・・・。最適な焼成温度は、・・・・・・１９００〜２３００℃・・・・・・の温度で焼成すれば、ほぼ本発明の目的を達成することができる。」（【００１６】）と記載されており、「ホットプレスを用いて、非酸化雰囲気中で、成形圧力１００〜５００kg/cm2、１９００〜２３００℃の温度で焼成」しているといえる。
　一方、引用発明の「非酸化性雰囲気下でホットプレスする」とは、引用文献１の上記（６）をみると、「温度２０００〜２４００℃、圧力３００〜７００ｋｇｆ／ｃｍ2 、非酸化性雰囲気下で成形金型中に配置し、ホットプレスする」である。
　そうすると、引用発明の「非酸化性雰囲気下でホットプレスする」ことは、本願発明の「加圧しながら焼成」することに相当する。
（た）上記（さ）〜（そ）の検討を踏まえると、両者は、
「特定成分の合計含有量が１ｐｐｍ以下で、嵩密度が３．００ｇ／ｃｍ３以上であるＳｉＣ焼結体の製造方法であって、ＳｉＣ粉末と、焼成中に炭素を生成する物質とを混合し混合物を作製する工程、前記混合物を加圧しながら焼成しＳｉＣ焼結体を作製する工程を有し、前記ＳｉＣ粉末の平均粒径が０．１〜１．０μｍである、ＳｉＣ焼結体の製造方法。」である点で一致し、次の点で相違している。
相違点Ａ：特定成分につき、本願発明は焼結助剤成分としているのに対し、引用発明は不純物としている点
相違点Ｂ：本願発明は、「ＳｉＣ粉末を９８ＭＰａの圧力で成形したときの前記ＳｉＣ粉末からなる圧粉体（但し、バインダー、炭素粉、焼成中に炭素を生成する物質を含まない）の嵩密度が２．０ｇ／ｃｍ３以上である」のに対し、引用発明はかかる事項を有していない点
　そこで、この相違点Ａ、Ｂについて検討する。
・相違点Ａについて
　引用文献１には、焼結助剤成分についての記載は見当たらないが、上記特定成分は焼結剤として従前より用いられているものであるから（要すれば、特開昭５７−１６６３６５号公報、特開昭５４−１１８４１１号公報を参照）、引用発明において焼結助剤として、これらを極微量添加することは当業者であれば適宜なし得ることである。
・相違点Ｂについて
　引用文献１の上記（５）には、「原料として用いられる炭化ケイ素粉末」に関し、「炭化ケイ素焼結体の製造時において、粉体の充填密度を向上させる」と記載されているから、引用発明の炭化ケイ素粉末は「炭化ケイ素焼結体の製造時において、粉体の充填密度を向上させる」もの、すなわち、圧粉体の嵩密度の向上させるものであるといえる。
　ところで、焼結体において所定の嵩密度を得るために、圧粉体の嵩密度が所定値の焼結体原料を用いることは周知技術（要すれば、特開平１０−３３８５７３号公報の【００１０】、特開平５−２４６７２０号公報の【００１９】を参照。）であり、圧粉体の嵩密度は、粉粒体の充填方法、例えば充填圧によって変化し、嵩密度の測定方法は種々あることは広く知られている（要すれば、川北公夫「粉粒体のトラブル対策」日刊工業新聞社（昭和５８年７月３０日）５１〜５３頁）。
　そうすると、所定の焼結体の嵩密度を得るべく焼結原料であるＳｉＣ（炭化ケイ素）粉末の圧粉体における嵩密度を所定の値以上とし、その嵩密度の値を粉末成形でごく普通に採用される所定の圧力、例えば９８ＭＰａ（要すれば、素木洋一「セラミック製造プロセスＩＩ」技報堂出版株式会社（昭和５７年９月１０日）９０頁）のもとで圧縮したときの値以上として表すこと、すなわち、「ＳｉＣ粉末を９８ＭＰａの圧力で成形したときの前記ＳｉＣ粉末からなる圧粉体（但し、バインダー、炭素粉、焼成中に炭素を生成する物質を含まない）の嵩密度が２．０ｇ／ｃｍ３以上」とすることは、当業者であれば困難なくなし得ることである。
　そして、本願発明の「焼結助剤である硼素、アルミニウム、ベリリウム等の含有量が少なく、高純度で半導体・液晶分野に最適のＳｉＣ焼結体である」という効果は、前者については上記相違点Ａの検討のところでのべたように、後者については引用文献１の上記（４）により、それぞれ予測できる程度のものであって格別なものとはいえない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。