Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月9日(2011.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品基板を処理するために用いられるレーザレンズを支持する装置であって、前記装置は、
前記レーザレンズをＺ軸に沿って前記電子部品基板に対して所望の位置に移動させるリニアアクチュエータと、
前記レーザレンズを重力場において支持するとともに流体作動シリンダによって画定される流体式釣合い装置であって、前記流体作動シリンダが、ハウジングに組み込まれて端部行程限界位置の間を移動するピストンを有し、前記ピストンによって前記ハウジングを、第１及び第２流体連通ポートをそれぞれ有する第１及び第２流体チャンバに分割するとともに、前記リニアアクチュエータの移動に応答する流体式釣合い装置と、
前記第１及び第２流体チャンバに前記第１及び第２流体連通ポートをそれぞれ介して接続することができる流体圧力供給源であって、前記流体圧力供給源は、前記支持されるレーザレンズを平衡状態で前記重力場において吊り下げるために調整可能である、流体圧力供給源と、
を備えることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記流体作動シリンダの前記第１及び第２流体チャンバ内の圧力を変化させることにより、前記レーザレンズの質量を、前記ハウジング内のピストンの位置に関係なく平衡状態に維持しながら、前記レーザレンズを、前記ハウジング内の前記ピストンの行程範囲内のいずれの位置にも移動させることができることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記流体作動シリンダは、前記レーザレンズの振動減衰を調整して、力を作用させた後のオーバートラベルを最小に抑えるようにすることを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記流体作動シリンダは、前記レーザレンズの質量を重力場において、
前記リニアアクチュエータ及び前記流体式釣合い装置に固有の固有振動数を低下させること、及び／又は
大きな質量を付加すること、
のうちの少なくとも１つを生じることなく平衡させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記リニアアクチュエータは巻線コイル及び磁石を備え、前記流体式釣合い装置が、前記リニアアクチュエータによる直線運動のために前記巻線コイルに結合されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
前記流体作動シリンダの前記第１及び第２流体連通ポートのうちの１つのポートに組み込まれ、前記リニアアクチュエータ及び前記流体式釣合い装置に固有の振動減衰を変化させる、調整可能なオリフィスを更に備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
電子部品基板を処理するために用いられるレーザレンズを支持する方法であって、前記方法は、
流体圧力供給源を調整して、前記レーザレンズを平衡状態で重力場において前記レーザレンズの質量及び重力に基づいてハウジングに組み込まれるピストンの対向する両端部行程限界位置の間の位置に吊り下げるステップと、ここで、前記ピストン及び前記ハウジングが流体式釣合い装置の流体作動シリンダを備え、前記ピストンが、前記流体作動シリンダを、第１及び第２の流体連通ポートをそれぞれ有する第１及び第２流体チャンバに分割する共に、前記流体圧力供給源が、前記第１及び第２の流体連通ポートそれぞれを介して前記第１及び第２流体チャンバに接続され、
前記流体圧力供給源を調整した後、リニアアクチュエータで前記電子部品基板に対する所望の位置に前記レーザレンズをＺ軸に沿って移動させるステップとを含み、
前記流体式釣合い装置は前記リニアアクチュエータの移動に応答することを特徴とする方法。
【請求項８】
前記流体圧力供給源を調整するステップは、
前記レーザレンズの質量を平衡状態で重力場において静的に吊り下げるステップ、
前記レーザレンズの質量を、前記ハウジング内のピストンの位置に関係なく平衡状態に維持しながら、前記レーザレンズを、前記ハウジング内の前記ピストンの行程範囲内のいずれかの位置に移動させるステップ、
前記レーザレンズの振動減衰を調整して、力を作用させた後のオーバートラベルを最小に抑えるようにするステップ、
前記レーザレンズの質量を重力場において、前記流体式釣合い装置及び前記リニアアクチュエータに固有の固有振動数を低下させることなく平衡させるステップ、及び／又は
前記レーザレンズの質量を重力場において、大きな質量を付加することなく平衡させるステップ、
のうちの少なくとも１つのステップを更に含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記流体式釣合い装置及び前記リニアアクチュエータに固有の振動減衰を、前記流体作動シリンダの前記第１及び第２流体連通ポートのうちの少なくとも１つのポートに組み込まれるオリフィスのサイズを変更することにより変化させるステップを更に含むことを特徴とする請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
前記流体式釣合い装置及び前記リニアアクチュエータに固有のバネ定数を、前記ハウジングの前記第１及び第２流体チャンバのうちの少なくとも１つのチャンバ内の圧力の変化に応じて変化させるステップを更に含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月20日(2011.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気から二酸化炭素を取り除いて地球温暖化を減少させ、再生可能なエネルギー又は肥料及び建設材料などの非燃料製品の利用可能性を増加させることが出来る装置であって、
媒体を通して大気から二酸化炭素を集め、該媒体から二酸化炭素を取り除く空気抽出装置；
取り除かれた二酸化炭素を、隔離、貯蔵、及び再生可能な炭素燃料の生成又は肥料及び建設材料などの非燃料製品の生成のうち少なくとも一つのための位置に単離する収集装置；及び
該空気抽出装置にプロセス熱を供給して該媒体から二酸化炭素を取り除く、繰り返し使用するために再生可能な一つ以上のエネルギー源；
を含む前記装置。
【請求項２】
該一つ以上のエネルギー源は、化石燃料、地熱、核、太陽、バイオマス、及びその他の再生可能なエネルギー源、並びに使用することでプロセス熱の供給を生ずる発熱化学プロセス、からなる主要なエネルギー源の群から選択される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
該空気抽出装置は、大気から二酸化炭素を吸収するための該媒体を含む空気接触器を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
該空気接触器は、対流塔、吸収層、充填スクラブ塔、及び該媒体がパンケーキ形状の支持体によって支えられている分離装置、からなる空気接触器の群から選択される、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
該媒体は、液体、多孔質の固体、気体、及びこれらの混合物、からなる媒体の群から選択される、請求項３に記載の装置。
【請求項６】
大気から二酸化炭素を取り除いて地球温暖化を減少させ、再生可能なエネルギーの利用可能性を増加させるための方法であって、
大気から空気を集めること；
集められた大気から二酸化炭素を取り除くこと；
取り除かれた二酸化炭素を、隔離、貯蔵、及び再生可能な炭素燃料の生成又は肥料及び建設材料などの非燃料製品の生成のうち少なくとも一つのために単離すること；
を含み、ここで集める工程、取り除く工程、及び単離する工程の少なくとも一つがプロセス熱を含むエネルギー源を用いて実施される、前記方法。
【請求項７】
吸収剤はＮａＯＨ溶液である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
吸収剤は、アミンを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
大気から二酸化炭素を抽出するための媒体を提供し、該媒体から二酸化炭素を抽出するためと、該媒体を再使用するために再生するためとにプロセス熱を用いる装置を含む、惑星の大気に負の二酸化炭素効果を生産するための装置。
【請求項１０】
取り除かれた二酸化炭素を、隔離、貯蔵、及び再生可能な炭素燃料の生成又は肥料及び建設材料などの非燃料製品の生成のうち少なくとも一つのための位置に単離する収集装置を含む、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
空気抽出装置は、大気から二酸化炭素を抽出する媒体を含む空気接触器を含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
該空気接触器は、対流塔、吸収層、充填スクラブ塔、及びパンケーキ形状の支持体を有する分離装置、からなる空気接触器の群から選択される、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
該媒体は、液体、多孔質の固体、気体、及びこれらの混合物、からなる媒体の群から選択される、請求項１０に記載の装置。
【請求項１４】
エネルギー源によって供給される熱を用いて、空気抽出装置が二酸化炭素を集め、該収集装置が取り除かれた二酸化炭素を単離する、請求項１０に記載の装置。
【請求項１５】
惑星の大気の平均気温を制御するためのグローバルサーモスタットであって、そのそれぞれが大気から二酸化炭素を抽出することによって惑星の大気に負の二酸化炭素効果を生産することが可能な複数の装置であって、媒体から二酸化炭素を抽出するためにプロセス熱を用いる複数の装置を含み、結果として、該複数の装置が一緒に、二酸化炭素が大気中に増加する速度よりも早い速度で大気から二酸化炭素を効果的に抽出可能である、惑星の大気の平均気温を制御するためのグローバルサーモスタット。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月20日(2011.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）セルロース又はセルロース誘導体を含むコーティング層と、
（ｂ）多孔性支持体層と、
を含み、
イオン液体中に溶解したセルロース又はセルロース誘導体を含む溶液を多孔性支持体層上にコーティングすること、及びイオン液体を除去し、それによって該コーティング層を形成すること、を含むプロセスによって作製された、膜。
【請求項２】
前記イオン液体中のセルロース又はセルロース誘導体の濃度が、約０．００２％（ｗ／ｗ）乃至１０％（ｗ／ｗ）の範囲内である、請求項１に記載の膜。
【請求項３】
前記コーティング層の厚さが、約０．０１乃至約１０ミクロンである、請求項１に記載の膜。
【請求項４】
前記コーティング層の厚さが、約０．３ミクロンである、請求項３に記載の膜。
【請求項５】
前記イオン液体中のセルロース又はセルロース誘導体の濃度が、約０．１％（ｗ／ｗ）乃至約２．５％（ｗ／ｗ）の範囲内であり、前記コーティング層の厚さが、約０．３ミクロンである、請求項１に記載の膜。
【請求項６】
前記イオン液体が、一般式１‐ＣｎＨ２ｎ＋１‐３‐メチルイミダゾロニウムを有するＮ‐アルキルイミダゾロニウムカチオンであり、ここでｎは１乃至１２の整数である、請求項１に記載の膜。
【請求項７】
前記Ｎ‐アルキルイミダゾロニウムカチオンに対するアニオンが、ハロゲン、パークロレート、擬ハロゲン、擬ハライド、カルボキシレート、ＰＦ６−、及びＢＦ４−から成る群より選択される、請求項６に記載の膜。
【請求項８】
前記アニオンが、Ｃｌ−、Ｂｒ−、ＰＦ６−、又はＢＦ４−である、請求項７に記載の膜。
【請求項９】
前記イオン液体が、塩化１‐エチル‐３‐メチルイミダゾリウムである、請求項１に記載の膜。
【請求項１０】
前記多孔性支持体層が、ナノファイバーを含む、請求項１に記載の膜。
【請求項１１】
前記ナノファイバーを含む多孔性支持体層の厚さが、約５０ｎｍ乃至約５０μｍである、請求項１０に記載の膜。
【請求項１２】
前記多孔性支持体が、転相法によって作製された非対称多孔性支持体であり、その厚さが約１乃至約１００μｍである、請求項１に記載の膜。
【請求項１３】
前記多孔性支持体層が、各々がナノファイバーを含む複数の層をさらに有し、及び前記コーティング層に接する層中のナノファイバーの平均直径が、該コーティング層に接する層の下部に配置されるナノファイバーの平均直径よりも小さい、請求項１に記載の膜。
【請求項１４】
前記コーティング層に接する層中のナノファイバーの平均直径が、約２ｎｍ乃至約１００ｎｍの範囲であり、及び前記コーティング層に接する層の下部に配置されるナノファイバーの平均直径が、約１００ｎｍ乃至約２０００ｎｍである、請求項１３に記載の膜。
【請求項１５】
前記コーティング層の厚さが、約０．３乃至約０．５ミクロンの範囲内であり、及び前記多孔性支持体層の厚さが、約１００ｎｍ乃至１μｍの範囲内である、請求項１に記載の膜。
【請求項１６】
前記ナノファイバーが、ポリオレフィン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、フルオロポリマー、ポリフッ化ビニリデン、ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリアクリルアミド、ポリアクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ（メタ）クリレート、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、多糖類、キトサン、タンパク質、ポリアルキレンオキシド、ポリウレタン、ポリウレア、ポリ塩化ビニル、ポリイミン、ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリシロキサン、ポリ（エステル‐コ‐グリコール）ポリマー、ポリ（エーテル‐コ‐アミド）ポリマー、これらの架橋体、これらの誘導体、及びこれらのコポリマーから成る群より選択されるポリマーを含む、請求項１０に記載の膜。
【請求項１７】
前記ナノファイバーが、ポリアミド、ポリアクリロニトリル、ポリスルホン、ポリビニルアルコール、又はこれらの誘導体を含む、請求項１０に記載の膜。
【請求項１８】
前記多孔性支持体が、基材層をさらに有する、請求項１に記載の膜。
【請求項１９】
前記基材層が、不織物である、請求項１５に記載の膜。
【請求項２０】
前記膜が、限外ろ過膜、ナノろ過膜、逆浸透膜、又は正浸透膜である、請求項１６に記載の膜。
【請求項２１】
水のろ過に対する透過流束が、約１５ｐｓｉの圧力にて約４００Ｌ／ｍ２ｈ乃至約７００Ｌ／ｍ２ｈであり、前記コーティング層の厚さが、約０．３ミクロンである、請求項１に記載の膜。
【請求項２２】
水のろ過に対する除去率が、約１５ｐｓｉの圧力にて約９９．５％であり、前記コーティング層の厚さが、約０．３ミクロン乃至約１．０ミクロンの範囲内である、請求項１に記載の膜。
【請求項２３】
少なくとも１つの請求項１に記載の膜と、
流体混合物を該少なくとも１つの膜のコーティング層の表面と接触させるための手段と、
該コーティング層と接する多孔性支持体の表面とは逆側の該コーティング層の表面から保持物を除去するための手段と、
を有する、膜モジュール。
【請求項２４】
請求項２３に記載の膜モジュールを少なくとも１つ有する、流体分離システム。
【請求項２５】
（ａ）ナノファイバーを含む多孔性支持体を作製する工程と、
（ｂ）セルロース又はセルロース誘導体、及びイオン液体を含む溶液を調製する工程と、
（ｃ）工程（ｂ）で調製した溶液を該多孔性支持体の一方の側にコーティングする工程と、
（ｄ）セルロース又はセルロース誘導体を含む過剰の溶液を膜から除去する工程と、
を含む、請求項１に記載の膜の作製方法。
【請求項２６】
前記の多孔性支持体の作製が、エレクトロスピニング、エレクトロブロー、ブローアシストエレクトロスピニング、溶液ブロー、及び溶液キャスティングを含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記多孔性支持体が、基材層上に形成される、請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
前記基材層が、不織物である、請求項２５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月23日(2011.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化水素の転化のための触媒であって、
ａ）  ゼオライトの骨格中に組み込まれたゲルマニウムおよびスズとホウ素からなる群より選択される少なくとも１種類の元素を有するゼオライト、および
ｂ）  前記ゼオライト上に堆積した第１０族から選択された少なくとも１種類の金属、
を有してなる触媒。
【請求項２】
前記ゼオライト上に堆積した金属が白金であることを特徴とする請求項１記載の触媒。
【請求項３】
前記ゼオライトがＭＦＩであることを特徴とする請求項１記載の触媒。
【請求項４】
前記ゼオライトが非酸性であることを特徴とする請求項１記載の触媒。
【請求項５】
請求項１から４いずれか１項記載のゼオライトを合成するプロセスであって、
ａ）  ゼオライトの骨格中に組み込まれたゲルマニウムおよびスズとホウ素からなる群より選択される少なくとも１種類の元素を含有するゼオライトを調製する工程、
ｂ）  前記ゼオライト上に、第１０族から選択される少なくとも１種類の金属を堆積させる工程、および
ｃ）  前記ゼオライトの調製中、もしくは前記ゼオライトに第１０族から選択される少なくとも１種類の金属を堆積させる前または前記ゼオライトに第１０族から選択される少なくとも１種類の金属を堆積させた後に、前記ゼオライトをか焼する工程、
を有してなるプロセス。
【請求項６】
炭化水素の転化プロセスであって、
ａ）  分子当たり２から１２の炭素原子を有する、アルカン、オレフィンまたはそれらの混合物を含有する炭化水素流を、少なくとも１種類のゼオライト系の請求項１から４いずれか１項記載の触媒と接触させる工程であって、前記ゼオライトが、該ゼオライトの骨格中に組み込まれたゲルマニウムおよびスズとホウ素からなる群より選択される少なくとも１種類の元素を含有し、第１０族から選択された少なくとも１種類の金属が、前記ゼオライト上に堆積されているものである工程、および
ｂ）  生成物を回収する工程、
を有してなるプロセス。
【請求項７】
前記アルカンまたは前記オレフィンが、直鎖、分岐鎖、または環式またはそれらの混合であることを特徴とする請求項６記載のプロセス。
【請求項８】
炭化水素の転化のための触媒であって、
ａ）  ゼオライトの骨格に組み込まれたホウ素を有するゼオライト、
ｂ）  前記ゼオライト上に堆積した第１０族から選択される少なくとも１種類の金属、
を有してなる触媒。
【請求項９】
前記ゼオライト上に堆積した金属が白金であることを特徴とする請求項８記載の触媒。
【請求項１０】
前記ゼオライトがＭＦＩであることを特徴とする請求項８記載の触媒。
【請求項１１】
前記ゼオライトがアルミニウムを含まないことを特徴とする請求項８記載の触媒。
【請求項１２】
前記ゼオライトが、アルカリ金属またはアルカリ土類金属により塩基交換されて、該ゼオライトが非酸性となっていることを特徴とする請求項８記載の触媒。
【請求項１３】
請求項８から１２いずれか１項記載のゼオライトを合成するプロセスであって、
ａ）  ゼオライトの骨格中に組み込まれたホウ素を含有するゼオライトを調製する工程、
ｂ）  前記ゼオライト上に、第１０族から選択される少なくとも１種類の金属を堆積させる工程、および
ｃ）  前記ゼオライトの調製中、もしくは、前記ゼオライトに第１０族から選択される少なくとも１種類の金属を堆積させる前または前記ゼオライトに第１０族から選択される少なくとも１種類の金属を堆積させた後に、前記ゼオライトをか焼する工程、
を有してなるプロセス。
【請求項１４】
炭化水素の転化プロセスであって、
ａ）  分子当たり２から１２の炭素原子を有する、アルカン、オレフィンまたはそれらの混合物を含有する炭化水素流を、少なくとも１種類のゼオライト系の請求項８から１２いずれか１項記載の触媒と接触させる工程であって、前記ゼオライトが、該ゼオライトの骨格中に組み込まれたホウ素を含有し、第１０族から選択された少なくとも１種類の金属が、前記ゼオライト上に堆積されているものである工程、および
ｂ）  生成物を回収する工程、
を有してなるプロセス。
【請求項１５】
前記アルカンまたは前記オレフィンが、直鎖、分岐鎖、または環式またはそれらの混合であることを特徴とする請求項１４記載のプロセス。
【請求項１６】
ゼオライトの骨格中に組み込まれたゲルマニウムおよびスズとホウ素からなる群より選択される少なくとも１種類の元素を有するＺＳＭ−５ゼオライトを有してなるゼオライト。
【請求項１７】
ゼオライトを合成するプロセスであって、
ａ）  ゼオライトの骨格中に組み込まれたゲルマニウムおよびスズとホウ素からなる群より選択される少なくとも１種類の元素を含有するＺＳＭ−５ゼオライトを調製する工程、および
ｂ）  前記ゼオライトをか焼する工程、
を有してなるプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月23日(2011.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゼオライト骨格中にゲルマニウムが組み込まれた、細孔が中くらいのゼオライトからなるゼオライト。
【請求項２】
前記ゼオライトが一次元、二次元または三次元の細孔構造を有することを特徴とする請求項１記載のゼオライト。
【請求項３】
前記ゼオライトが、ＭＦＩ、ＭＥＬ、ＬＴＬ、ＢＥＡ、ＭＯＲ、ＭＷＷ、ＭＴＴ、ＭＴＷ、ＴＯＮ、ＭＳＥ、ＭＯＺ、ＺＳＭ−４８、ＭＡＺ、ＭＥＩ、ＭＦＳ、ＮＥＳ、ＯＦＦ、ＳＴＩ、ＢＯＧ、ＥＲＩ、ＦＡＵ、ＥＵＯ、ＦＥＲまたはＧＭＥであることを特徴とする請求項１または２記載のゼオライト。
【請求項４】
請求項１から３いずれか１項記載のゼオライトを合成するプロセスであって、
ａ）  ゼオライトの骨格中にゲルマニウムを含有する、細孔が中くらいのゼオライトを調製する工程、および
ｂ）  前記ゼオライトをか焼する工程、
を有してなるプロセス。
【請求項５】
炭化水素の転化のための触媒であって、
ａ）  ゲルマニウムがゼオライト骨格中に組み込まれた、細孔が中くらいの請求項１から３いずれか１項記載のゼオライト、および
ｂ）  前記細孔が中くらいのゼオライト上に堆積した第１０族から選択された少なくとも１種類の金属、
を有してなる触媒。
【請求項６】
前記細孔が中くらいのゼオライト上に堆積した金属が白金であることを特徴とする請求項５記載の触媒。
【請求項７】
前記ゼオライトが非酸性であることを特徴とする請求項５または６記載の方法。
【請求項８】
細孔が中くらいのゼオライト触媒を合成するプロセスであって、
ａ）  ゼオライトの骨格中にゲルマニウムを含有する、細孔が中くらいの請求項１から３いずれか１項記載のゼオライトを調製する工程、
ｂ）  前記細孔が中くらいのゼオライト上に、第１０族から選択される少なくとも１種類の金属を堆積させる工程、および
ｃ）  前記ゼオライトの調製中、もしくは前記第１０族の金属の堆積の前または後に、前記細孔が中くらいのゼオライトをか焼する工程、
を有してなるプロセス。
【請求項９】
前記ゼオライトが、該ゼオライトを非酸性にするためにアルカリ金属またはアルカリ土類金属により塩基交換されることを特徴とする請求項８記載のプロセス。
【請求項１０】
炭化水素の転化プロセスであって、
ａ）  分子当たり２から１２の炭素原子を有する、アルカン、オレフィンまたはそれらの混合物を含有する炭化水素流を、少なくとも１種類の、細孔が中くらいのゼオライト系の請求項５から７いずれか１項記載の触媒と接触させる工程であって、前記ゼオライトが、ゼオライト骨格中に組み込まれたゲルマニウムを含有し、第１０族から選択された少なくとも１種類の金属が、前記細孔が中くらいのゼオライト上に堆積されるものである工程、および
ｂ）  生成物を回収する工程、
を有してなるプロセス。
【請求項１１】
前記アルカンまたは前記オレフィンが、直鎖、分岐鎖、または環式またはそれらの混合であることを特徴とする請求項１０記載のプロセス。
【請求項１２】
炭化水素の転化のための触媒であって、
アルミノリン酸塩（ＡｌＰＯ）またはシリコアルミノリン酸塩（ＳＡＰＯ）の骨格中にゲルマニウムが組み込まれたアルミノリン酸塩（ＡｌＰＯ）またはシリコアルミノリン酸塩（ＳＡＰＯ）
を有してなる触媒。
【請求項１３】
第１０族から選択された少なくとも１種類の金属が、前記アルミノリン酸塩（ＡｌＰＯ）またはシリコアルミノリン酸塩（ＳＡＰＯ）上に堆積していることを特徴とする請求項１２記載の触媒。
【請求項１４】
請求項１２または１３記載の触媒を合成するプロセスであって、
ａ）  アルミノリン酸塩（ＡｌＰＯ）またはシリコアルミノリン酸塩（ＳＡＰＯ）の骨格中にゲルマニウムが組み込まれたアルミノリン酸塩（ＡｌＰＯ）またはシリコアルミノリン酸塩（ＳＡＰＯ）を調製する工程、および
ｂ）  前記アルミノリン酸塩（ＡｌＰＯ）またはシリコアルミノリン酸塩（ＳＡＰＯ）をか焼する工程、
を有してなるプロセス。
【請求項１５】
前記アルミノリン酸塩（ＡｌＰＯ）またはシリコアルミノリン酸塩（ＳＡＰＯ）上に、第１０族から選択された少なくとも１種類の金属を堆積させる工程をさらに含み、前記か焼する工程が、前記アルミノリン酸塩（ＡｌＰＯ）またはシリコアルミノリン酸塩（ＳＡＰＯ）の調製後、前記アルミノリン酸塩（ＡｌＰＯ）またはシリコアルミノリン酸塩（ＳＡＰＯ）上に第１０族から選択された少なくとも１種類の金属を堆積させる前、もしくは前記アルミノリン酸塩（ＡｌＰＯ）またはシリコアルミノリン酸塩（ＳＡＰＯ）上に第１０族から選択された少なくとも１種類の金属を堆積させた後に行われることを特徴とする請求項１４記載のプロセス。
【請求項１６】
炭化水素の転化プロセスであって、
ａ）  分子当たり２から１２の炭素原子を有する、アルカン、オレフィンまたはそれらの混合物を含有する炭化水素流を、少なくとも１種類のアルミノリン酸塩（ＡｌＰＯ）またはシリコアルミノリン酸塩（ＳＡＰＯ）系の請求項１２または１３記載の触媒と接触させる工程であって、前記アルミノリン酸塩（ＡｌＰＯ）またはシリコアルミノリン酸塩（ＳＡＰＯ）が、該アルミノリン酸塩（ＡｌＰＯ）またはシリコアルミノリン酸塩（ＳＡＰＯ）骨格中に組み込まれたゲルマニウムを含有するものである工程、および
ｂ）  生成物を回収する工程、
を有してなるプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月27日(2011.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＲＩ装置の画像取得領域に移動されるように構成された支持部上に配置された対象の磁気共鳴（ＭＲ）画像データを自動的に取得する方法において、
前記ＭＲＩ装置により検出されるべき関心領域を指定するステップと、
前記画像取得領域に向かって前記支持部を自動的に移動するステップと、
前記支持部が移動されている間に、取得された画像データにおける前記関心領域の識別に対して第１の分解能で第１のＭＲ画像データを自動的に取得するステップと、
第２の分解能で前記識別された関心領域の第２のＭＲ画像データを自動的に収集するステップであって、前記第１の分解能が前記第２の分解能より低い、当該ステップと、
を有する方法。
【請求項２】
前記関心領域の識別が、画像処理を使用して実行され、前記関心領域の識別が、解剖学的データベース及び／又は磁化率データベースを用いて実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記関心領域が、解剖学的構造として指定可能であり、前記解剖学的構造の識別に対する前記第１のＭＲ画像データの自動取得が、解剖学的異常の検出を更に含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記関心領域が、解剖学的異常として指定可能である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記支持部が、連続的に移動する支持部である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のＭＲ画像データが、前記支持部の連続的な移動中にリアルタイムで取得される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の及び／又は第２のＭＲ画像データの取得に対するＭＲ画像取得パラメータを自動調節するステップを更に有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ＭＲ画像取得パラメータの自動調節が、前記取得された第１の及び／又は第２のＭＲ画像データの分析に基づく、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記方法が、前記第１のＭＲ画像データの分析に基づくリアルタイム磁化率マッピングを更に有し、磁化率歪の識別の場合に、ＭＲＩスキャンが中断され、及び／又はＭＲＩスキャンパラメータが調節され、及び／又は前記支持部の移動方向が反転され、及び／又は前記磁化率歪の識別を示す信号が前記ＭＲＩ装置により生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記支持部の移動が、前記関心領域の識別時に停止される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１のＭＲ画像データの取得が、前記画像取得領域の第１のゾーンにおいて実行され、前記第２のＭＲ画像データの取得が、前記画像取得領域の第２のゾーンにおいて実行され、前記第１のゾーンが、支持部移動の方向に対して前記第２のゾーンの前に空間的に配置される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１のＭＲ画像データ取得が、キーホール型サンプリングを使用して実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記支持部の移動速度が、前記第１のＭＲ画像データの自動取得を用いて識別された生体構造に対して変更される、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記関心領域が前記移動する支持部を用いて前記画像取得領域に移動されると期待される場合に、前記支持部の移動速度が減少される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記関心領域が前記移動する支持部を用いて前記画像取得領域に移動されると期待される場合に、前記第１のＭＲ画像データの取得に対する空間分解能を増大させるステップを更に有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記方法が、前記対象に対する他のＭＲＩ受信コイルの最適な空間配置に関する情報を自動的に提供するステップを更に有し、前記他のＭＲＩ受信コイルが、前記第２のＭＲ画像データを取得するように構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記他のＭＲＩ受信コイルの最適な空間配置に関する情報の提供が、前記第１のＭＲ画像データの分析に基づき、及び／又は前記他のＭＲＩ受信コイルから取得されたＭＲ画像データの分析に基づいて前記他のＭＲＩ受信コイルが前記スキャンされるべき対象上に既に空間的に配置されているかどうかに基づく、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
対象のＭＲ画像を自動的に取得する磁気共鳴撮像装置において、
撮像されるべき対象に対する支持部であって、前記ＭＲＩ装置の画像取得領域に移動されるように構成された当該支持部と、
前記ＭＲＩ装置により検出されるべき関心領域を指定する手段と、
前記支持部を自動的に移動する手段と、
前記支持部が移動されている間に、取得された画像データにおける前記関心領域の識別に対して第１の分解能で第１のＭＲ画像データを自動的に取得する手段と、
第２の分解能で前記識別された関心領域の第２のＭＲ画像データを自動的に取得する手段であって、前記第１の分解能が前記第２の分解能より低い、当該手段と、
を有する装置。
【請求項１９】
前記第１の及び／又は第２のＭＲ画像データの取得に対するＭＲ画像取得パラメータを自動的に調節する手段と、
解剖学的データベース及び／又は磁化率データベースと、
前記第２のＭＲ画像データの取得に対して構成された他のＭＲＩ受信コイルの最適な空間的配置に関する情報を自動的に提供する手段と、
を更に有する、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
請求項１ないし１７に記載の方法ステップを実行するコンピュータ実行可能命令を有するコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月19日(2011.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カテーテルと、
前記カテーテルの外面に結合された１つまたは複数の気道内呼吸センサと、
近位端が患者の体外に位置付けられるように適合され、遠位端が前記患者の気道内に配置されるように適合された空気流透過性保護具とを備え、
前記空気流透過性保護具が前記カテーテルを少なくとも部分的に取り囲んで、前記空気流透過性保護具が前記１つまたは複数の気道内呼吸センサが組織と接触するのを阻止し、前記１つまたは複数の気道内呼吸センサ上への壊死組織片の蓄積を低減するようになされたことを特徴とする呼吸感知および換気供給装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月19日(2011.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生体組織に複数の組織固定器具を留置するための医療器具であって、
複数の細長デリバリー器具であって、各デリバリー器具が一つの組織固定器具を受け入れるサイズのデリバリールーメンを画定するデリバリー器具と、
長手方向軸線と略平行に延在する複数の細長チューブであって、各チューブが、前記複数のデリバリー器具の１つを、他のデリバリー器具とは独立に摺動可能となるようにして受け入れるサイズのチューブルーメンを画定し、各チューブルーメンは遠位ポートに隣接して終端する、チューブと、
前記複数の細長チューブに接続される遠位先端であって、前記遠位先端は前記遠位ポートの遠位方向に位置するガイド面を画定し、前記ガイド面は前記複数のデリバリー器具が前記複数の細長チューブの前記チューブルーメン及び前記遠位ポートを通じて遠位方向に並進移動すると、前記複数のデリバリー器具の向きを半径方向外側に変えるような構造を有する、遠位先端と、
を含む、医療器具。
【請求項２】
前記ガイド面が半径方向外側に傾斜している、請求項１に記載の医療器具。
【請求項３】
前記ガイド面が湾曲している、請求項１に記載の医療器具。
【請求項４】
前記ガイド面が、前記長手方向軸線に対して角度をなす方向に前記複数のデリバリー器具の向きを変える、請求項１に記載の医療器具。
【請求項５】
前記ガイド面が、前記長手方向軸線に対して約３０度の角度をなす方向に前記複数のデリバリー器具の向きを変える、請求項４に記載の医療器具。
【請求項６】
前記複数の細長チューブが、前記遠位先端を囲んで円周方向に等距離に離間されている、請求項１に記載の医療器具。
【請求項７】
前記複数のデリバリー器具が複数の穿刺針を含み、かつ前記複数の組織固定器具が複数の組織アンカーを含む、請求項１に記載の医療器具。
【請求項８】
前記遠位先端が、前記複数のチューブを受け入れるサイズの複数のポケットを有する１つ又は複数のハブを画定する、請求項１に記載の医療器具。
【請求項９】
前記遠位先端に選択的に取付け可能な内視鏡をさらに含み、前記遠位先端がその中に前記内視鏡の遠位端を受け入れるサイズの通路を画定する、請求項１に記載の医療器具。
【請求項１０】
前記複数のチューブが、前記内視鏡の外表面に沿って延在する、請求項９に記載の医療器具。
【請求項１１】
各ハブが、それを貫通する孔を有し、該孔の近位部分がポケットを画定し、該孔の遠位部分が遠位ポートを画定し、該ハブが該遠位ポートに続いて当該孔の半径方向で開口する細長いスロットを有し、該スロットが前記デリバリー器具の１つを通すようなサイズとされている、請求項８に記載の医療器具。
【請求項１２】
人間以外の動物の生体組織に組織固定器具を留置する方法であって、
医療器具と、前記医療器具に選択的に取付け可能な内視鏡とを含む医療システムを提供するステップであって、前記医療器具が、複数の細長チューブと、複数のデリバリー器具と、前記複数の細長チューブに接続される遠位先端とを備え、前記複数のチューブの各々が遠位ポートを有し、前記遠位先端が、前記遠位ポートの遠位方向に位置し、且つ半径方向外側に伸張するガイド面を画定する、ステップと、
前記内視鏡を前記医療器具に取り付けるステップと、
前記医療システムを前記動物の生体管腔を通じて前記生体組織に近接した位置まで導入するステップと、
前記複数のデリバリー器具を、前記複数のチューブを通じて遠位方向にそれぞれ独立に並進移動させ、それによって前記複数のデリバリー器具を前記ガイド面に係合させて半径方向外側に偏向させるステップと、
前記複数のデリバリー器具を前記生体組織に近接して位置決めするステップと、
前記複数のデリバリー器具を通じて複数の組織固定器具を送り込み、前記複数の組織固定器具を前記生体組織に取り付けるステップと、
を含む、方法。
【請求項１３】
前記内視鏡の付属チャンネルに切開用具を挿通するステップと、前記切開用具を用いて前記生体組織に開口を形成するステップとをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記開口を形成する前記ステップが、前記複数の組織固定器具を送り込む前記ステップの後に実施される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記複数のデリバリー器具を前記生体組織に近接して位置決めする前記ステップが、少なくとも第１のデリバリー器具と第２のデリバリー器具とを順番に前記生体組織に近接して位置決めするステップを含む、請求項１３に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
従って、遠位先端４２及びそのガイド表面６４は、針３０の各々を半径方向外側に動かして互いに引き離し、且つ長手方向軸線１４から引き離す。これらの図はガイド面６４を湾曲した、ほぼ釣鐘型の曲面として図示するが、当業者は、ガイド面６４が多くの異なる曲率をとってもよく、又はさらには、円錐形状又は錐体形状（すなわち、長手方向に平坦）などにおけるように平坦であり得ることを認識するであろう。さらに、遠位先端４２のその最大幅６５における外径を増加又は減少させることにより、複数の針３０の偏向量を増加又は減少させてもよい。最大幅６５は好ましくは遠位ポート５５より半径方向外側に離間される。好ましくは、遠位先端４２及びそのガイド面６４は、針３０を長手方向軸線１４に対して約１０〜６０度の角度で組織１２を貫通させるような構造を有する。最も好ましくは、針３０は長手方向軸線１４に対して約３０度の角度を有する。さらに、針３０は円周方向に離間された、及び好ましくは等距離に離間された経路上にあり、それにより穿孔１６（図７）の周りにおける組織アンカー５４の間隔形成が大幅に改善され、穿孔閉鎖が改善される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図６に示されるとおり、複数の穿刺針３０が生体組織１２を貫通すると、複数の組織アンカー５４が生体組織１２の遠位側の位置まで送り込まれる。図示される実施形態において、組織アンカー５４は縫合糸５６と接続され、プランジャ３８（図１）を押し下げることでスタイレット４０を並進移動させることにより、アンカー５４が針３０の遠位端から押し出される。図７に示され、且つ矢印７２によって示されるとおり、次に複数の穿刺針３０が複数のチューブ３２の中に引き込まれ、組織アンカー５４がその場に残る。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月12日(2011.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の突然変異を含む変異レオウイルスであって、前記第１の突然変異は、シグマ３ポリペプチドの発現を減少させる、シグマ３ポリペプチドの発現を本質的に排除する、または機能性シグマ３ポリペプチドの不在をもたらす、変異レオウイルス。
【請求項２】
前記第１の突然変異は、前記シグマ３ポリペプチドをコードする核酸内、または前記シグマ３ポリペプチドの発現を調整する核酸内にある、請求項１に記載の変異レオウイルス。
【請求項３】
前記核酸は、Ｓ４遺伝子である、請求項２に記載の変異レオウイルス。
【請求項４】
前記第１の突然変異は、遺伝子操作された置換である、請求項１に記載の変異レオウイルス。
【請求項５】
前記第１の突然変異は、１つもしくは複数のヌクレオチドの遺伝子操作された挿入または欠失である、請求項１に記載の変異レオウイルス。
【請求項６】
１つもしくは複数のさらなる突然変異をさらに含む、請求項１に記載の変異レオウイルス。
【請求項７】
前記さらなる突然変異は、
ミュー１ポリペプチドの発現を減少させる、ミュー１ポリペプチドの発現を本質的に排除する、もしくは機能性ミュー１ポリペプチドの不在をもたらす突然変異、
ラムダ２ポリペプチドの発現を減少させる、ラムダ２ポリペプチドの発現を本質的に排除する、もしくは機能性ラムダ２ポリペプチドの不在をもたらす突然変異、および／または
シグマ１ポリペプチドの発現を減少させる、シグマ１ポリペプチドの発現を本質的に排除する、もしくは機能性シグマ１ポリペプチドの不在をもたらす突然変異、からなる群から選択される、請求項６に記載の変異レオウイルス。
【請求項８】
前記第１の突然変異は、前記シグマ３ポリペプチドの発現を少なくとも３０％減少させる、請求項１に記載の変異レオウイルス。
【請求項９】
単離されたレオウイルス感染性サブウイルス粒子（ＩＳＶＰ）であって、突然変異を含む核酸を含み、前記突然変異は、シグマ３ポリペプチドの発現を減少させ、シグマ３ポリペプチドの発現の欠失をもたらし、または、非機能性シグマ３ポリペプチドの発現をもたらす、単離されたレオウイルス感染性サブウイルス粒子（ＩＳＶＰ）。
【請求項１０】
前記突然変異は、前記シグマ３ポリペプチドをコードする核酸内、または前記シグマ３ポリペプチドの発現を調整する核酸内にある、請求項９に記載のレオウイルスＩＳＶＰ。
【請求項１１】
前記核酸は、前記Ｓ４遺伝子である、請求項１０に記載のレオウイルスＩＳＶＰ。
【請求項１２】
前記突然変異は、置換である、請求項９に記載のレオウイルスＩＳＶＰ。
【請求項１３】
前記突然変異は、１つもしくは複数のヌクレオチドの挿入または欠失である、請求項９に記載のレオウイルスＩＳＶＰ。
【請求項１４】
１つもしくは複数のさらなる突然変異をさらに含む、請求項９に記載のレオウイルスＩＳＶＰ。
【請求項１５】
前記さらなる突然変異は、
ミュー１ポリペプチドの発現を減少させる、ミュー１ポリペプチドの発現を本質的に排除する、もしくは機能性ミュー１ポリペプチドの不在をもたらす突然変異、
ラムダ２ポリペプチドの発現を減少させる、ラムダ２ポリペプチドの発現を本質的に排除する、もしくは機能性ラムダ２ポリペプチドの不在をもたらす突然変異、および／または
シグマ１ポリペプチドの発現を減少させる、シグマ１ポリペプチドの発現を本質的に排除する、もしくは機能性シグマ１ポリペプチドの不在をもたらす突然変異、からなる群から選択される、請求項１４に記載のレオウイルスＩＳＶＰ。
【請求項１６】
前記シグマ３ポリペプチドの発現を少なくとも３０％減少させる、請求項９に記載のレオウイルスＩＳＶＰ。
【請求項１７】
増大した感染力を有するレオウイルスを作製する方法であって、
変異レオウイルスを生成するように第１のレオウイルスを突然変異させるステップであって、前記変異レオウイルスは、シグマ３ポリペプチドの発現減を呈する、シグマ３ポリペプチドの発現を欠く、または非機能性シグマ３ポリペプチドを発現する、ステップと、
前記変異レオウイルスを単離するステップであって、前記変異レオウイルスは、前記第１のレオウイルスと比較して増大した感染力を有する、ステップと、を含む、方法。
【請求項１８】
前記増大した感染力は、前記第１のレオウイルスと比較して、前記変異レオウイルスによって感染することができる腫瘍細胞の範囲の増加、または前記第１のレオウイルスと比較して、前記変異レオウイルスによって感染される細胞の数の増加によって証明される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
遺伝子操作されたレオウイルス感染性サブウイルス粒子（ＩＳＶＰ）を得る方法であって、
シグマ３ポリペプチドの発現減少を呈すように、シグマ３ポリペプチドの発現を欠くように、または非機能性シグマ３ポリペプチドを発現するように、第１のレオウイルスを遺伝子操作するステップと、
前記遺伝子操作されたレオウイルスを培養するステップと、
ＩＳＶＰを単離し、それによって遺伝子操作されたレオウイルスＩＳＶＰを得るステップと、を含む、方法。
【請求項２０】
請求項１に記載の前記変異レオウイルス、または請求項９に記載の前記単離されたレオウイルスＩＳＶＰを含む、増殖性疾患の治療用組成物。
【請求項２１】
手術、化学療法、放射線治療、および免疫抑制療法からなる群から選択される手順のうちの少なくとも１つとともに使用される、請求項２０に記載の組成物。
【請求項２２】
請求項１に記載の前記変異レオウイルス、または請求項９に記載の前記単離されたレオウイルスＩＳＶＰを含む、医薬組成物。
【請求項２３】
１つもしくは複数の化学療法薬および／または１つもしくは複数の免疫抑制剤をさらに含む、請求項２２に記載の医薬組成物。
【請求項２４】
突然変異を含むシグマ３ポリペプチドであって、前記突然変異は、ウイルスのカプシドに組み込まれない、または減少されたレベルで前記カプシドに組み込まれるシグマ３ポリペプチドをもたらす、シグマ３ポリペプチド。
【請求項２５】
請求項１９に記載の方法によって得られる単離されたＩＳＶＰ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月24日(2011.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
前記集中型デバイス・ディレクトリ・サーバは、
前記モバイルデバイスが前記認証ベクトルに基づいて一時的なアクセスを許可された後に、前記モバイルデバイスから資格証明サーバ・アドレス要求を受信し、
前記モバイルデバイスの前記デバイス・レコードに紐付けられた前記資格証明サーバの前記ネットワークアドレス情報を返送することを特徴とする請求項１４に記載のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
前記モバイルデバイスは、
前記資格証明サーバについての前記ネットワークアドレス情報を、前記集中型デバイス・ディレクトリ・サーバから受信する手段と、
それに対応して、永続的な加入資格証明に関する資格証明要求を、前記資格証明サーバへ送信する手段と
を備え、
前記資格証明要求は、前記モバイルデバイスに格納された公開鍵／私有鍵のペアの前記公開鍵を含み、かつ、該モバイルデバイスの前記秘密鍵から導出される一時鍵によって保護されていること
を特徴とする請求項１５に記載のシステム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
前記資格証明サーバは、
前記モバイルデバイスからの前記資格証明要求を検証する手段と、
それに対応して、ソフト加入者識別モジュール（ＳＳＩＭ）を生成する手段と、
前記モバイルデバイスが永続的な加入資格証明を前記所与のネットワーク・オペレータへ設定することに使用する前記ＳＳＩＭを、該モバイルデバイスの前記公開鍵を使用して保護されるように暗号化した形式で該モバイルデバイスへ送信する手段と
をさらに備えることを特徴とする請求項１６に記載のシステム。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
ディレクトリ・サーバ１０に格納される他の情報には、デバイス・レコード２２のバッチ２０が含まれる。デバイス・レコード２１−１乃至２２−Ｎは、一例として図示している。図２に示すように、少なくとも１つの実施形態において、各デバイス・レコード２２は、モバイルデバイスについての予備加入情報を含む。また、後述するように、各デバイス・レコード２２は、資格証明サーバ（credential server）のネットワークアドレス情報２８と紐付けられている（例えば、当該情報を含んでいる、又は指し示している）。（さらに、同図には明示的に図示していないが、ディレクトリ・サーバ１０は、各デバイス・レコード２２に公開デバイス識別子（ＰＤＩ：Public Device Identifier）を格納していてもよい。一例において、ＰＤＩは、一時デバイス識別子２４の一方向の「ハッシュ」関数を使用して取得される。）
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月12日(2011.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池を製造するための方法であって、
処理チャンバ内に、受光面を有する基板を準備し、
前記処理チャンバ内で、前記基板の前記受光面の上に反射防止コーティング層（ＡＲＣ層）を形成し、前記基板を前記処理チャンバから取り出すことなく、
前記ＡＲＣ層の上に保護層を形成するステップ
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記保護層が、アモルファス炭素を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記保護層が、アモルファス・シリコンを含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記保護層が、およそ１−３０ナノメートルの範囲内の厚さで形成される請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記ＡＲＣ層及び前記保護層の両方が、化学気相堆積、プラズマ増強化学気相堆積、大気圧化学気相堆積及び物理気相堆積から成る群から選択される技術によって形成される請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記保護層が、緩衝酸化物エッチ（ＢＯＥ）に対して耐性である請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
太陽電池を製造するための方法であって、
受光面と、複数の活性領域を備えた第２の面とを有する基板を準備し、
処理チャンバ内で、前記基板の前記受光面の上に反射防止コーティング層（ＡＲＣ層）を形成し、前記基板を前記処理チャンバから取り出すことなく、
前記ＡＲＣ層の上に保護層を形成し、
緩衝酸化物エッチ（ＢＯＥ）を用いて、前記基板の前記第２の面における前記複数の活性領域に対する複数のコンタクト開口部を形成し、前記保護層は、前記複数のコンタクト開口部の形成中に前記ＡＲＣ層を保護し、
前記保護層を除去し、
前記複数のコンタクト開口部内に複数のコンタクトを形成するステップ
を含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
太陽電池を製造するための方法であって、
処理チャンバ内に、受光面を有する基板を準備し、
前記処理チャンバ内に少なくとも第１のプロセス・ガス及び第２のプロセス・ガスを流して、前記基板の前記受光面の上に反射防止コーティング層（ＡＲＣ層）を形成し、前記基板を前記処理チャンバから取り出すことなく、
前記処理チャンバ内に前記第１のプロセス・ガスを流すが前記第２のプロセス・ガスは流さずに、前記ＡＲＣ層の上に保護層を形成するステップ
を含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
前記保護層が、アモルファス・シリコンを含み、前記ＡＲＣ層が、窒化シリコン、酸窒化シリコン及び炭素ドープ酸化シリコンから成る群から選択される材料を含む請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１のプロセス・ガスがシラン（ＳｉＨ4）であり、前記第２のプロセス・ガスがアンモニア（ＮＨ3）であることを特徴とする請求項８または９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月29日(2011.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１または複数のメモリセルから成る記憶装置であって、
各メモリセルは、
磁気抵抗性を示す第１の多層薄膜記憶素子と、
前記第１の多層薄膜記憶素子の上側に配置され、前記第１の多層薄膜記憶素子と電気的に絶縁されている第１の信号線と、
前記第１の信号線の上側に配置され、前記第１の薄膜記憶素子および第１の信号線の両方と電気的に絶縁されている第２の信号線と、
前記第１の薄膜記憶素子と直接接触する少なくとも一つの非導電性保持素子とを備え、
前記第１の薄膜記憶素子と前記保持素子とが完全閉鎖フラクス構造の少なくとも一部を形成する、記憶装置。  
【請求項２】
第１の薄膜記憶素子の各々が一つ以上のＧＭＲ素子、ＭＴＪ素子、ＣＩＰ素子、またはＣＰＰ素子を含む、請求項１に記載の記憶装置。
【請求項３】
前記１または複数のメモリセルは複数の列と複数の行に配列されている複数のメモリセルを備え、前記メモリセルの各列内の第１の薄膜記憶素子は第１の連続薄膜構造の一部であり、各メモリセルの第１の信号線はメモリセルの対応する列の第１の連続駆動線の一部であり、各メモリセルの第２の信号線はメモリセルの対応する行の第２の連続駆動線の一部であり、第１の駆動線の一本と第２の駆動線の一本とが各メモリセルで交差し、各々に関連する電流方向が各メモリセルにおいて平行であるように構成されている、請求項１に記載の記憶装置。
【請求項４】
第１の駆動線の各々が蛇行パターンに構成され、隣接するメモリセルの列に対応する第１の駆動線が重なり合う、請求項３に記載の記憶装置。
【請求項５】
隣接するメモリセルの列に対応する第１の駆動線は、各メモリセルに関連するセル面積が、ｆをリソグラフィ印刷の特徴サイズとした場合に４ｆ2となるように重なり合う、請求項４に記載の記憶装置。
【請求項６】
１ビット以上の情報を記憶するように第１の薄膜記憶素子が構成されている、請求項１に記載の記憶装置。
【請求項７】
システム記憶装置を含む電子システムであって、前記システム記憶装置が複数の記憶セルを備え、
各記憶セルは
磁気抵抗性を示す多層薄膜記憶素子と、
前記第１の多層薄膜記憶素子の上側に配置され、前記第１の多層薄膜記憶素子と電気的に絶縁されている第１の信号線と、
第１の信号線の上側に配置され、前記第１の薄膜記憶素子と第１の信号線の両方と電気的に絶縁されている第２の信号線と、
前記第１の薄膜記憶素子と直接接触する少なくとも１つの非導電性保持素子とを備え、
前記第１の薄膜記憶素子と前記保存素子とが完全閉鎖フラクス構造の少なくとも一部を形成する、電子システム。
【請求項８】
システム記憶装置が少なくとも一個の処理装置と関連するキャッシュ記憶装置と長期記憶とを含む記憶階層の一部であり、記憶階層の少なくとも他の一部分が完全閉鎖フラクス構造を持つメモリセルの追加的配列を含むも、請求項７に記載の電子システム。
【請求項９】
複数のメモリセルから成る記憶装置であって、各メモリセルが磁気抵抗性を示す多層薄膜記憶素子を備え、前記記憶素子は水平幅と鉛直厚さで特徴付けられ、前記記憶素子の鉛直厚さが記憶素子の水平幅に対して前記記憶素子の体積が所定期間記憶素子の磁化状態の熱的安定を確保するのに十分であるように制御される、記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月9日(2010.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
マイクロ波放射用の屈折率分布型レンズであって、
各々が共振周波数を有し且つ平面アレイに配設された複数の電子誘導容量共振器を備え、
前記平面アレイは、複数の行と列を有し１個の共振器を各行と列の交差点に配置し、前記行は前記アレイの離間した側縁部間に延びており、
隣接する前記共振器の共振周波数が、前記アレイの一方の側縁部から他方の側縁部に順次、既定の増加量だけ変動する、屈折率分布型レンズ。