【事件の表示】
　特願２００５−１３６７６６「リソグラフィ装置およびデバイス製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年５月２５日出願公開、特開２００６−１３５２８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１７年５月１０日（パリ条約による優先権主張　平成１６年５月１１日　米国）の出願であって、平成１７年６月２７日に翻訳文が提出された後、平成２０年１１月１０日付けで拒絶理由が通知され、平成２１年５月１２日付けで手続補正がなされたものの、同年５月２８日付けで拒絶査定がなされた。
　本件は、前記拒絶査定を不服として平成２１年１０月１日に請求された拒絶査定不服審判事件であって、同日付けで手続補正がなされた。その後、当審において平成２２年８月２４日付けで審尋が行われ、平成２３年２月２５日付けで回答書が提出された。
　
第２　平成２１年１０月１日付け手続補正についての補正の却下の決定
[補正の却下の決定の結論]
　平成２１年１０月１日付け手続補正を却下する。
[理由]
１　補正の内容と目的
　平成２１年１０月１日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の記載を補正するものであって、本件補正後の請求項１１は、補正前（平成２１年５月１２日付けで補正。以下同じ。）の請求項１２について、補正前の請求項１５に記載されていた「前記光学システムの少なくとも一部がＥＵＶ透過性ガスを有し、前記導入するステップが、少なくとも約０．１Ｐａ．ｍのＥＵＶ透過性ガスを前記放射線ビーム中に導入するステップを含む」という事項を付加することにより、補正前の請求項１２を限定して減縮したものであるから、本件補正後の請求項１１は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下単に「特許法第１７条の２」という。）第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を行ったものである。
　そこで、本件補正後の請求項１１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか、すなわち、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下に検討する。
　
２　本件補正発明
　本件補正発明は本件補正後の特許請求の範囲の請求項１１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１１】
　光学システムにおける放射線ビーム中の望ましくない放射線の強度を小さくするための方法であって、前記光学システムが、放射線を提供するように構成された放射線源を有し、前記放射線が、所定の波長または所定の波長範囲を有する所望の放射線、および他の波長または他の波長範囲を有する望ましくない放射線を含んでいる方法において、
　前記所望の放射線の少なくとも一部に対して実質的に透過性のガスであって、前記望ましくない放射線の少なくとも一部に対して実質的に透過性のより小さいガスを、前記光学システムのボディの内部に前記ガスを供給するガス・フラッシング・ユニットを用いて前記ガスを供給することで、前記放射線ビーム中に導入するステップを含み、
　前記光学システムの少なくとも一部がＥＵＶ透過性ガスを有し、前記導入するステップが、少なくとも約０．１Ｐａ．ｍのＥＵＶ透過性ガスを前記放射線ビーム中に導入するステップを含むことを特徴とする
方法。」
　
３　本願の優先日前に頒布された刊行物
（１）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平４−７８２０号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに以下の技術的事項の記載がある。
（１ａ）「１）処理に用いる光をガスの透過と鏡の反射を行わせた後被処理基板に入射させ、該ガスの吸収特性と該鏡の反射特性の光エネルギー依存性を利用して光励起処理に必要な波長の光を選択して処理を行うことを特徴とする光励起処理方法。」（第１頁左下欄「２．特許請求の範囲」の項）
（１ｂ）「〔産業上の利用分野〕
　本発明は半導体製造プロセス等において用いられる光励起ＣＶＤ，光励起エッチング，リソグラフィ等の光励起処理方法に関する。」（第１頁右下欄第１４〜１７行）
（１ｃ）「〔従来の技術〕
　光を用いた半導体処理技術では，各処理に応じて効率の高い波長領域が存在する。…（中略）…デバイスの微細化にともない，処理に使う原料ガスの光吸収特性や高い励起状態の利用，あるいはリソグラフィの解像度の向上を目的として，シンクロトロン放射光を用いる試みが近年増えてきた。
　シンクロトロン放射光はＸ線から赤外線までの連続波長を有するため，その中から所望の波長の光を取り出す必要がある。
　従来は，波長を選ぶための分光器として，グレーティングによる回折効果を利用するものや、多層膜鏡の干渉効果を利用するものが用いられている。
〔発明が解決しようとする課題〕
　従来の波長選択方法は，回折効率や反射率が十分でないため，強力な光が得られないないという欠点があった。また，強力な光を得ようとすると装置が大がかりになる等の問題があった。
　本発明は光励起処理に必要な波長の強力な光を簡便に得ることを目的とする。」（第２頁左上欄第１行〜右上欄第５行）
（１ｄ）「〔作用〕
　本発明は
（１）鏡の反射による高エネルギー光のカット
（２）ガスの光吸収の光エネルギーの依存性
を利用して所望の光波長を選択するようにしたものである。
　つぎに，上記の（１），（２）についてその内容を説明する。
…（中略）…
（２）ガスの光吸収
　ガスの光吸収特性は，その分子の電子軌道のエネルギーに対応した波長で吸収が存在するため，透過光強度にエネルギー依存性がある。
　本発明は鏡の反射率の光エネルギー依存と、ガスの透過率の光エネルギー依存を組み合わせて所望の光波長を選択するようにしたものである。」（第２頁左下欄第１行〜右下欄第７行）
（１ｅ）「〔実施例〕
　この実施例では，シンクロトロン放射光を光源としたシリコンの光励起薄膜成長を例にとって説明する。
　第２図は実施例に使用した光励起シリコン薄膜成長装置の模式断面図である。
　図において，１はシンクロトロン放射光，２はミラー室，３は金ミラー，４はビームライン，５は差動排気装置，６は成長室，７はガス導入口，Ｗは被処理基板である。
…（中略）…
　実施例では、波長選択用ガスとしてはクリプトン（Ｋｒ），鏡としては金ミラーを用いる。
　シリコンの成長用ガスにはモノシラン（ＳｉＨ４）とＫｒの混合ガスを用いる。…（中略）…
　Ｋｒガスの分圧を１０Ｔｏｒｒ，成長室内の光路長を２０ｃｍとすると，基板Ｗへの入射光のスペクトルは第１図のようになる。
　第１図は本発明の一実施例による基板入射光のスペクトルである。
　図の横軸はエネルギーＥ，縦軸は光の強度Ｉを相対値で示す。
　また図において，ＡはＫｒガスのみを用いた場合，ＢはＫｒガスと金ミラーを併用した場合のスペクトルを示す。
　Ｋｒガスのみを用いた場合には約３０ｅＶ以下の低エネルギー成分のみが除去されるが，金ミラーによる反射光を併用すると１００ｅＶ以上の高エネルギー光も除去されて，結果としてシリコン薄膜の成長に必要な１００ｅＶ前後のエネルギー光だけが基板に照射されることになる。
　実施例では，Ｋｒガスと金ミラーの組み合わせを用いたが，必要とする光エネルギーに対応して使用するガス種，ミラーの材質，ミラーへの入射角を適当に選択するようにすればよい。
　ただし，波長選択用ガスはプロセスに影響を与えにくい希ガス（Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ）等を使うようにする。
　また実施例では，ビームラインの構成は末端の処理室にガスを導入する形態で説明したが，波長選択用ガスの導入部分と鏡を設置する部分の配置の組み合わせは任意でよい。ただし，いずれの場合もビームラインと波長選択用ガスの導入部分との間には差動排気装置を設けて，両者の差圧を維持できるようにする必要がある。
　実施例ではＫｒと金ミラーの組み合わせで，ちょうどＳｉＨ４の吸収エネルギーに相当する１００ｅＶ帯域のバンドパスフィルタを形成した。
　一般に、希ガスはエネルギーが高くなるほど透過しやすくなる。例えば，Ｈｅでは、透過率は２００ｅＶでは約１００％で，３００ｅＶでは約７０％である。Ｎｅでは，透過率は５００ｅＶでは約１００％で，１００ｅＶでは約７０％である。
　また，ミラーは斜入射画を大きくすることにより高エネルギー成分がカットされる。
　従って，エネルギーが数１０〜１０００ｅＶの範囲ならば，本発明を用いてバンドパスフィルタを形成することが可能である（はとんどのガスの吸収はこの帯域に存在する）。」（第２頁右下欄第８行〜第３頁左下欄第１４行）
（１ｆ）
（第１図）
（１ｇ）
（第２図）
　
　引用例１の「Ｋｒガスのみを用いた場合には約３０ｅＶ以下の低エネルギー成分のみが除去されるが，金ミラーによる反射光を併用すると１００ｅＶ以上の高エネルギー光も除去され」るとの記載、及び「実施例では，Ｋｒガスと金ミラーの組み合わせを用いたが，必要とする光エネルギーに対応して使用するガス種，ミラーの材質，ミラーへの入射角を適当に選択するようにすればよい。」との記載（上記（１ｅ）参照）、ならびに図１に図示された被処理基板への入射スペクトルからして、引用例１に記載された実施例において、金ミラーを併用しなかった場合には、約３０ｅＶ以下の低エネルギー成分が除去された１００ｅＶ前後以上のエネルギー光が被処理基板に照射されることは明らかであるから、引用例１に関する上記（１ａ）ないし（１ｇ）の記載および図面の図示内容からして、引用例１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。
「被処理基板に処理に用いる光を入射させて光励起シリコン薄膜成長処理を行う装置において、Ｘ線から赤外線までの連続波長を有するシンクロトロン放射光を用い、そのシンクロトロン放射光から所望の波長の光を取り出す方法であって、
Ｋｒガスの分圧を１０Ｔｏｒｒ、成長室内の光路長を２０ｃｍとして、
モノシラン（ＳｉＨ４）からなるシリコン成長用ガスとＫｒからなる波長選択用ガスの混合ガスを成長室に設けられたガス導入口から供給することにより、
光のエネルギーに依存するＫｒガスの光透過率の差を利用して、前記シンクロトロン放射光から約３０ｅＶ以下の低エネルギー成分を除去し、シリコン薄膜の成長に必要な１００ｅＶ前後以上のエネルギー光を成長室内の被処理基板に照射できるようにする方法。」　
　
（２）引用例２
　原査定の時に提示された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００２−１２４４６４号公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに以下の技術的事項の記載がある。
（２ａ）「【０００８】リソグラフィ投影装置では、炭化水素分子や水蒸気などの汚染粒子が存在することがよく知られている。これらの汚染粒子には、例えばＥＵＶ放射ビームによってスパッタされて基板から離れたデブリ及び副生成物が含まれる。また、前記粒子には、ＥＵＶ源からのデブリ、及びアクチュエータやコンジット・ケーブルなどで遊離した汚染物質も含まれる。通常、放射システムや投影システムなどリソグラフィ投影装置の一部分が少なくとも部分的に排気されるので、これらの汚染粒子がそのような領域に移行する傾向がある。その際、粒子は、これらの領域内に位置された光学構成要素の表面に吸着する。この光学構成要素の汚染によって反射率の損失が生じ、これが装置の正確さ及び効率に悪影響を及ぼし、さらには構成要素の表面を劣化させ、その結果、耐用期間を短くする恐れがある。
【０００９】装置から不純物を除去するために提案された従来の手段は、基板の表面のスパッタリングによって発生するデブリが投影システムに向かう運動を抑制することを含んでいる。例えば従来、基板と最終光学構成要素の間の距離を広げ、基板と最終光学構成要素との間に「ガス・カーテン」を導入してデブリを一掃することによりこの問題に対処することができると提案されている。そのような手段は、例えば投影システムに汚染物質が進入するのを防止することを対象としている。しかし、ある種の汚染物質は、それでもシステムに進入することがある、あるいは例えば部品を移動することによりシステム自体の内部で発生することがある。」
（２ｂ）「【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、光学構成要素の汚染が抑制され、それにより上述した従来使用されているシステムの問題に対処するリソグラフィ装置を提供することである。」
（２ｃ）「【００２３】図２は、本発明の特定の場合の照明システムをより詳細に示す。この場合、不活性ガスが照明システム全体に供給されて、この領域内の光学構成要素の汚染を抑制する。ミラー３と、任意選択で、図１を参照して上述した他の様々な光学構成要素とを備える照明システムＩＬがチャンバ２内部に含まれる。このチャンバは、不活性ガス供給源５から不活性ガスを供給され、供給源は、気体又は液体不活性ガスを含む加圧容器であってよい。不活性ガスは、希ガス、例えばヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンなど任意の化学的に不活性なガスであってよく、あるいは窒素、又はこれらのガスのいずれかの混合物であってもよい。不活性ガスは、好ましくは、ヘリウム、アルゴン、又は窒素の１つ又はその混合物である。これは、これらのガスが極紫外線範囲の放射に対して比較的高い透明度を有するからである。不活性ガスは、バルブを備える入口６を介してチャンバ２に供給される。
【００２４】チャンバ２内部の圧力は、圧力センサ手段４を使用して監視される。チャンバ内の不活性ガスの分圧は、チャンバ内部の全圧が０．１Ｐａ〜１０Ｐａ、好ましくは１Ｐａ〜５Ｐａ、より好ましくは２Ｐａ〜３Ｐａの範囲に維持されるようにバルブを使用して調節される。」
（２ｄ）【図１】
（２ｅ）【図２】
　
４　本件補正発明と引用発明の対比
　本件補正発明と上記引用発明を対比する。
（１）引用発明の「被処理基板に処理に用いる光を入射させて光励起シリコン薄膜成長処理を行う装置」は、本件補正発明の「光学システム」に相当する。また、引用発明の「Ｘ線から赤外線までの連続波長を有するシンクロトロン放射光」は、本件補正発明の「放射線を提供するように構成された放射線源」に相当するものであって、本件補正発明の「所定の波長または所定の波長範囲を有する所望の放射線、および他の波長または他の波長範囲を有する望ましくない放射線を含んでいる」という要件を充足するものであることは明らかである。さらに、引用発明の「シンクロトロン放射光から所望の波長の光を取り出す方法」と、本件補正発明の「放射線ビーム中の望ましくない放射線の強度を小さくするための方法」が実質的に同義であることも明らかである。
（２）引用発明の「モノシラン（ＳｉＨ４）からなるシリコン成長用ガスとＫｒからなる波長選択用ガスの混合ガスを成長室に設けられたガス導入口から供給することにより、
光のエネルギーに依存するＫｒガスの光透過率の差を利用して、前記シンクロトロン放射光から約３０ｅＶ以下の低エネルギー成分を除去し、シリコン薄膜の成長に必要な１００ｅＶ前後以上のエネルギー光を成長室内の被処理基板に照射できるようにする」という事項と、本件補正発明の「所望の放射線の少なくとも一部に対して実質的に透過性のガスであって、前記望ましくない放射線の少なくとも一部に対して実質的に透過性のより小さいガスを、前記光学システムのボディの内部に前記ガスを供給するガス・フラッシング・ユニットを用いて前記ガスを供給することで、前記放射線ビーム中に導入するステップを含み」という事項を対比すると、引用発明の「シリコン薄膜の成長に必要な１００ｅＶ前後以上のエネルギー光」および「約３０ｅＶ以下の低エネルギー成分」が、それぞれ、本件補正発明の「所望の放射線」および「望ましくない放射線」に相当することは明らかであるといえるから、引用発明の「Ｋｒガス」は、本件補正発明の「所望の放射線の少なくとも一部に対して実質的に透過性のガスであって、前記望ましくない放射線の少なくとも一部に対して実質的に透過性のより小さいガス」に相当する。そして、引用発明の「モノシラン（ＳｉＨ４）からなるシリコン成長用ガスとＫｒからなる波長選択用ガスの混合ガスを成長室に設けられたガス導入口から供給する」ことによって、Ｋｒガスがシンクロトロン放射光のビーム中に導入されることは明らかである。
　そうすると、引用発明および本件補正発明の上記それぞれの事項は、「所望の放射線の少なくとも一部に対して実質的に透過性のガスであって、前記望ましくない放射線の少なくとも一部に対して実質的に透過性のより小さいガスを、前記光学システムのボディの内部に前記ガスを供給することで、前記放射線ビーム中に導入するステップを含」む、という点で一致している。
（３）ここで、当業者の技術常識に照らすと、引用発明のシンクロトロン放射光から除去される「約３０ｅＶ以下の低エネルギー成分」、および、シリコン薄膜の成長に必要な「１００ｅＶ前後以上のエネルギー光」は、それぞれ、シンクロトロン放射光から除去される「約４０ｎｍ以上の波長成分」、および、シリコン薄膜の成長に必要な「１２ｎｍ前後以下の波長の光」と言い換えることができ、前記「１２ｎｍ前後以下の波長の光」がＥＵＶであることは明らかであるから、引用発明においてガス導入口から供給される「Ｋｒガス」は、本件補正発明の「ＥＵＶ透過性ガス」に相当するといえる。
　さらに、引用発明の「Ｋｒガスの分圧を１０Ｔｏｒｒ、成長室内の光路長を２０ｃｍ」は、「Ｋｒガスの分圧を１３３０Ｐａ、成長室内の光路長を０．２ｍ」と言い換えることができるから、引用発明の「Ｋｒガスの分圧を１０Ｔｏｒｒ、成長室内の光路長を２０ｃｍとして、モノシラン（ＳｉＨ４）からなるシリコン成長用ガスとＫｒからなる波長選択用ガスの混合ガスを成長室に設けられたガス導入口から供給する」という事項は、本件補正発明の「光学システムの少なくとも一部がＥＵＶ透過性ガスを有し、前記導入するステップが、少なくとも約０．１Ｐａ．ｍのＥＵＶ透過性ガスを前記放射線ビーム中に導入するステップを含む」という事項と一致する。
　
　そうすると、本件補正発明と引用発明は、
「光学システムにおける放射線ビーム中の望ましくない放射線の強度を小さくするための方法であって、前記光学システムが、放射線を提供するように構成された放射線源を有し、前記放射線が、所定の波長または所定の波長範囲を有する所望の放射線、および他の波長または他の波長範囲を有する望ましくない放射線を含んでいる方法において、
　前記所望の放射線の少なくとも一部に対して実質的に透過性のガスであって、前記望ましくない放射線の少なくとも一部に対して実質的に透過性のより小さいガスを、前記光学システムのボディの内部に前記ガスを供給することで、前記放射線ビーム中に導入するステップを含み、
　前記光学システムの少なくとも一部がＥＵＶ透過性ガスを有し、前記導入するステップが、少なくとも約０．１Ｐａ．ｍのＥＵＶ透過性ガスを前記放射線ビーム中に導入するステップを含む方法。」の点で一致し、次の点で相違する。
〈相違点〉
　光学システムのボディの内部へのガスの供給が、
本件補正発明は「ガス・フラッシング・ユニットを用いて前記ガスを供給する」のに対し、引用発明は当該ユニットの存在について明らかでない点。
　
５　相違点についての検討、判断
　本件補正発明の「ガス・フラッシング・ユニット」が具体的にどのような装置（ユニット）を意味するか必ずしも明らかではないが、本願の発明の詳細な説明の記載（特に段落【００７４】〜【００８１】）を参酌すると、ガス・ロックと共働してデブリによる悪影響を排除するとともにチャンバの圧力を維持するための機能を有するものと考えられる。
　一方、引用例１の図１には、ＳｉＨ４（モノシラン）とＫｒガスを、ガス導入口７に供給することが記載されていることからして、引用例１の成長室内のガス圧は、導入口７から供給されるガス量によって調整されていると認められる。また、引用例２に記載されている（上記（２ａ）〜（２ｅ）参照）ように、光学構成要素を内包するチャンバに設けられているバルブを備える入口に加圧容器等の不活性ガス供給源を接続し、前記入口から前記チャンバ内に不活性ガスを供給することにより、チャンバ内の圧力維持を図りつつデブリ等による照明システムの光学構成要素の汚染を防止することは、本願の優先日前に当業者に周知の事項である。
　そうすると、デブリによる悪影響を排除するとともにチャンバの圧力を維持するため、チャンバの外部からガスを導入して行うこと、すなわち、光学システムのボディの内部へのガスの供給を、「ガス・フラッシング・ユニット」を用いて行うようにすることは、引用例１に記載された事項や引用例２に記載されているような周知の事項に基いて当業者が容易になし得る事項であり、上記相違点に格別の進歩性を見いだすことはできない。
　
　以上検討したとおりであるから、本件補正発明は、本願の優先日前に頒布された刊行物である引用例１に記載された発明および周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　なお、請求人は、平成２３年２月２５日付け回答書において、請求項１について補正案を提示し、汚染トラップを含むコレクション・チャンバの付加およびＥＵＶ透過性ガスについて特定することを提起するが、当該付加事項は、原審における拒絶理由に対処して削除した請求項が特定する事項に相当する事項であり、実質的な再審査を求めるものであって、時機に遅れた抗弁といわざる得ず、採用に値しない。さらに、引用例１にはリソグラフィ装置への適用について記載され、また、光路上から汚染粒子やデブリを排除するため、光源に最も近いチャンバにＥＵＶ透過性ガスを供給する汚染抑制手段を設けることは引用例２に記載されている事項（特に段落【００２３】参照）であることに加え、ＥＵＶよりも長波長の真空紫外光（ＶＵＶ）を含む紫外光は、大気、すなわち窒素分子や酸素分子によって吸収されることは技術常識に属する事項であって、また、光の吸収は、光路上に存在する吸収物質の密度と光路長の積によって定まることが技術的に明らかであることに照らせば、いかなるガスを用い、真空度と光路長の積の値をどの程度とするかは、求められる所定の波長と透過性能に応じて当業者が適宜設定し得る事項であるから、請求人の上記回答書による提起は、到底受け入れることはできない。
　
６　本件補正についての結び
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正であって、本件補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たさないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２１年１０月１日付け手続補正は上記のとおり却下されたから、本願の特許請求の範囲に記載された発明は、平成２１年５月１２日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３０に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１２に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「【請求項１２】
　光学システムにおける放射線ビーム中の望ましくない放射線の強度を小さくするための方法であって、前記光学システムが、放射線を提供するように構成された放射線源を有し、前記放射線が、所定の波長または所定の波長範囲を有する所望の放射線、および他の波長または他の波長範囲を有する望ましくない放射線を含んでいる方法において、
　前記所望の放射線の少なくとも一部に対して実質的に透過性のガスであって、前記望ましくない放射線の少なくとも一部に対して実質的に透過性のより小さいガスを、前記光学システムのボディの内部に前記ガスを供給するガス・フラッシング・ユニットを用いて前記ガスを供給することで、前記放射線ビーム中に導入するステップを含む方法。」
　
２　刊行物
　原査定において提示された本願の優先日前に頒布された刊行物およびその記載事項、ならびに引用発明は、前記「第２　[理由]３」に記載したとおりである。
　
３　本願発明と引用発明の対比、検討・判断
　本願発明は、上記「第２　[理由]２」に記載した本件補正発明において「前記光学システムの少なくとも一部がＥＵＶ透過性ガスを有し、前記導入するステップが、少なくとも約０．１Ｐａ．ｍのＥＵＶ透過性ガスを前記放射線ビーム中に導入するステップを含む」という限定的事項を削除したものに相当するから、本願発明と引用発明は、上記「第２　[理由]４」で述べた「〈相違点〉」で相違し、その余の点で一致することは明らかである。
　そして、上記相違点については、上記「第２　[理由]５」で検討したとおりであるから、本願発明は、本件補正発明と同様に、本願の優先日前に頒布された刊行物である引用例１に記載された発明および周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１２に係る発明は、本願の優先日前に頒布された刊行物である引用例１に記載された発明および周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。