【事件の表示】
　特願２００６−２２２６９７「薄膜トランジスタ基板および表示デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　１月１７日出願公開，特開２００８−　１０８０１〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１８年８月１７日（国内優先権主張：平成１７年８月１７日，平成１８年６月２日）の出願であって，平成２０年６月１８日付けで拒絶理由通知がされ，平成２０年８月２５日に意見書および手続補正書が提出されたが，平成２０年１０月１６日付けで拒絶査定がされ，これに対し，平成２０年１１月２０日に審判請求がなされるとともに，平成２０年１２月２２日に手続補正書が提出されたものである。
　
第２　平成２０年１２月２２日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定。
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容と補正目的の適否
　本件補正は，補正前の特許請求の範囲の請求項１の「Ｓｉ窒化物またはＳｉの酸窒化物となっており，」との記載の後に，「　前記窒素含有層の窒素の面密度（Ｎ１）と酸素の面密度（Ｏ１）との比（Ｎ１／Ｏ１）は１．０以上であり，」との記載を挿入するものであり，発明特定事項の技術内容をより限定するものである。
  したがって，特許請求の範囲についての本件補正は，平成１８年法律５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項２号に掲げる事項（特許請求の範囲の限定的減縮）を目的とするものである。
　
２　独立特許要件について
　請求項１についての本件補正は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから，補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が，特許出願の際独立して特許を受けることができるかどうか （平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する独立要件を満たすかどうか）について，以下，検討する。
　
（１）本願補正発明　
　本願補正発明は，次のとおりである。
「【請求項１】
　薄膜トランジスタの半導体層と，ソース−ドレイン電極とを有する薄膜トランジスタ基板において，
　前記ソース−ドレイン電極は，窒素含有層と純ＡｌまたはＡｌ合金の薄膜とからなり，
　該窒素含有層は，該薄膜トランジスタの半導体層の上部を窒化処理して形成したものであって，該窒素含有層の窒素は，該薄膜トランジスタの半導体層のＳｉと結合し，Ｓｉ窒化物またはＳｉの酸窒化物となっており，
　前記窒素含有層の窒素の面密度（Ｎ１）と酸素の面密度（Ｏ１）との比（Ｎ１／Ｏ１）は１．０以上であり，
　該純ＡｌまたはＡｌ合金の薄膜は，該窒素含有層を介して該薄膜トランジスタの半導体層と接続していることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。」
　
（２）引用例の記載内容
（２−１）引用例１の記載内容と引用発明
　　ア　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開昭６３−３０８３８４号公報（以下「引用例１」という。）には，「薄膜トランジスタ」（発明の名称）に関し，第１図，第２図とともに，次の記載がある（下線は当審で付加したもの。以下同じ）。
・「〔概　要〕
　
本発明は，絶縁ゲート型薄膜トランジスタのドレイン電極及びソース電極を，金属層，絶縁物薄層，コンタクト層の積層構造としたことにより，金属材料のコンタクト層への拡散を阻止し，オフ電流がアニールによって変化することを防止したもの
〔産業上の利用分野〕
　
本発明は
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に関する
　
・「〔問題点を解決するための手段］
　
本発明においては，上述の金属の拡散によるオフ電流の増大を抑制するため，オーミック電極のｎ
＋
Ｓｉ層と金属層との間に，非常に薄い絶縁膜層（膜厚１〜５ｎｍ）を設け，これによって金属のｎ
＋
Ｓｉ層への拡散を阻止する
　
・「〔実施例〕
　
第１図に本発明の実施例であるＴＦＴの断面図を示す
　
ガラス基板のような絶縁性基板１上にまず電子ビーム蒸着法でＴｉ（チタン）を約７０ｎｍの厚さに形成した後，フォトリソグラフィ工程でパターニングを行なってゲート電極６を形成する
　
次いでＰ−ＣＶＤ　（プラズマ化学気相成長）法でＳｉＮ（窒化シリコン）層２を厚さ約２００ｎｍ，ａ−Ｓｉ（非晶質シリコン）層３を約１００ｎｍ，ｎ
＋
Ｓｉ層４を約３０ｎｍ，ＳｉＯ
２
（二酸化シリコン）層７を約３ｎｍの厚さに同一真空中で積層する
　
続いて電子ビーム蒸着法で，Ａｌ（アルミニウム）等を蒸着して金属層５を形成した後，フォトリソグラフィ工程でパターニングを行い，金属層５，ＳｉＯ
２
層７，ｎ
＋
Ｓｉ層４をエツチングして，１０μｍのチャネル８を形成する
　
・「
なお上記一実施例では金属の拡散阻止のための絶縁物薄層７としてＳｉＯ
２
層を用いた例を説明したが，これに変えてＳｉＮ層を用いてもよい
　
また，絶縁物薄層７の厚さはトンネル効果が生じる厚さであることが必要で，公知の如くきわめて薄いものでなければならない
本発明を実施するためには，これの厚さは凡そ５ｎｍ以下であることが必要である
一方余り薄くすると均一に成膜できず，実用上約１ｎｍ以上の厚さとすることが必要である
　
　　イ　以上によれば，引用例１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「オーミック電極のｎ＋Ｓｉ層と金属層との間に，非常に薄い絶縁膜層（膜厚１〜５ｎｍ）を設け，これによって金属のｎ＋Ｓｉ層への拡散を阻止し，金属の拡散によるオフ電流の増大を抑制するために，
　絶縁性基板１上にゲート電極６を形成し，
　次いでＰ−ＣＶＤ（プラズマ化学気相成長）法でＳｉＮ（窒化シリコン）層２を厚さ約２００ｎｍ，ａ−Ｓｉ（非晶質シリコン）層３を約１００ｎｍ，ｎ＋Ｓｉ層４を約３０ｎｍ，ＳｉＮ層をトンネル効果が生じる厚さである約３ｎｍの厚さに同一真空中で積層し，Ａｌ（アルミニウム）等を蒸着して金属層５を形成した後，フォトリソグラフィ工程でパターニングを行い，金属層５，ＳｉＯ２層７，ｎ＋Ｓｉ層４をエツチングして，１０μｍのチャネル８を形成する液晶駆動用薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）。」
　
（２−２）引用例２の記載内容
　　ア　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平４−７２６２６号公報（以下「引用例２」という。）には，「窒化膜の形成方法」（発明の名称）に関し，次の記載がある。
　
・「〔発明の目的〕
　
本発明は，試料表面を損傷することなく，しかもＣＶＤによる堆積現象を全く含まず直接窒化反応のみで優れた特性の窒化膜を得ることを可能とした窒化膜の形成方法を提供することを目的とする
〔発明の概要〕
　
本発明は，試料表面を直接窒化するに際して，窒素を含むガスと弗素を含むガスの混合ガスを導入し，かつ同時に試料表面に光照射を行うことを特徴とする
本発明において試料表面に照射する光は，５００ｎｍ以下の波長成分を主要成分として含む紫外光であることが望ましい。」（第３頁左上欄第２行〜１５行）
　
・「この装置を用いて，実施例に先立って，基礎データとしてＮ２ガスのみを用いて光照射を行ってシリコンウェハを直接窒化した具体的な実験データを説明する。導入ガスはＮ２であり，その流量を１０００ｃｃ／分に固定してチャンバ１１内を常圧に保ち，シリコンウェハを加熱しながら，同時にＨｇ−Ｘｅランプ２６によりシリコンウェハ表面を照射した。シリコンウェハ表面の光強度は１００ｍｗ／ｃｍ２に固定し，窒化時間は６０分とした。」（第４頁左上欄第３行〜１１行）
　
・「
本実験例によるＳｉ
３
Ｎ
４
膜は膜質および界面特性の安定性ともに優れたものである
　
　　イ　以上によれば，引用例２には，次の事項が記載されている。
　
「Ｎ２ガスのみを用いて光照射を行ってシリコンウェハを直接窒化し，直接窒化反応のみで優れた特性の窒化膜を得ること。」
　
（２−３）引用例３の記載内容
　　ア　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平２−２７０３２５号公報（以下「引用例３」という。）には，「シリコンの窒化方法」（発明の名称）に関し，次の記載がある。
　
・「（産業上の利用分野）
　
本発明は，シリコンの窒化方法に係り，特にシリコンの直接窒化によるシリコン窒化膜の形成法およびシリコン窒化膜とシリコンとの良好な界面形成法に関する
　
・「まず始めに，
送ガス管（１５）からアンモニア（ＮＨ
３
）を導入して，流量計（１６）を通して毎分２５ｍｌの割合で反応室（１３）内に導入して内部の空気をアンモニアで置換した。次いでアンモニアの流量は変えずに，真空ポンプ（１８）を作動して，反応室（１３）内を圧力０．５Ｔｏｒｒに保持した。そして基板支持台（１４）を，ヒーター（１９）により加熱して温度を２５０℃にした
次いで１３．５６　高周波を放電電極（２０および２１）に印加すると同時に，低圧水銀ランプ（２２）を点灯し，その光を合成石英窓（２３）を通して反応室（１３）内に１０分間照射した
　
以上のようにして単結晶シリコン基板（１２）表面の窒化を行った
　次いで，実施例１と同様にしてＭＩＳ素子を形成して，シリコン窒化膜とシリコンとの界面電荷密度を測定した。その結果，シリコンの窒化を行った場合の界面電荷密度は５×１０１８ｃｍ−２であり，シリコンの窒化を行わなかった場合の界面電荷密度に対して約２０分の１に低減し，
シリコンの窒化により良好なシリコン窒化膜とシリコンとの界面が形成された
（発明の効果）
　
以上のように本発明を用いれば，電気的特性に優れたシリコン窒化膜および，またはシリコン窒化膜とシリコンとの良好な界面が形成される
　
　　イ　以上によれば，引用例３には，次の事項が記載されている。
「反応室（１３）内にアンモニア（ＮＨ３）を導入し，導入して内部の空気をアンモニアで置換し，反応室（１３）内を圧力０．５Ｔｏｒｒに保持し，基板支持台（１４）を，ヒーター（１９）により加熱して温度を２５０℃にし，１３．５６　高周波を放電電極（２０および２１）に印加すると同時に，低圧水銀ランプ（２２）を点灯し，その光を反応室（１３）内に１０分間照射して単結晶シリコン基板（１２）表面の窒化を行う，シリコンの直接窒化によるシリコン窒化膜の形成法およびシリコン窒化膜とシリコンとの良好な界面形成法。」
　
（３）本願補正発明と引用発明の対比
　　ア　引用発明の「ａ−Ｓｉ（非晶質シリコン）層３」，「液晶駆動用薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）」，「絶縁性基板１」は，それぞれ，本願補正発明の「半導体層」，「薄膜トランジスタ」，「薄膜トランジスタ基板」に相当する。
　
　　イ　引用発明では，「Ｐ−ＣＶＤ（プラズマ化学気相成長）法でＳｉＮ（窒化シリコン）層２を厚さ約２００ｎｍ，ａ−Ｓｉ（非晶質シリコン）層３を約１００ｎｍ，ｎ＋Ｓｉ層４を約３０ｎｍ，ＳｉＮ層をトンネル効果が生じる厚さである約３ｎｍの厚さに同一真空中で積層」しているから，引用発明の「トンネル効果が生じる厚さ」の「ＳｉＮ層」は，本願補正発明の「窒素含有層」に相当し，両者はともにＳｉ窒化物である点で共通する。
　　　
　　ウ　引用発明では，Ａｌ（アルミニウム）等を蒸着して金属層５を形成した後，フォトリソグラフィ工程でパターニングを行っているから，引用発明の「金属層５」は，本願補正発明の「純ＡｌまたはＡｌ合金の薄膜」に相当し，引用発明の「パターニングされた金属層」は，本願補正発明の「ソース−ドレイン電極」に相当する。
　
　そうすると，本願補正発明と引用発明の一致点と相違点は，次のとおりである。
　
［一致点］
　薄膜トランジスタの半導体層と，ソース−ドレイン電極とを有する薄膜トランジスタ基板において，
　前記ソース−ドレイン電極は，窒素含有層と純ＡｌまたはＡｌ合金の薄膜とからなり，
　窒素含有層は，Ｓｉ窒化物となっており，
　該純ＡｌまたはＡｌ合金の薄膜は，該窒素含有層を介して該薄膜トランジスタの半導体層と接続していることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
　
［相違点］
［相違点１］
本願補正発明では，窒素含有層は，該薄膜トランジスタの半導体層の上部を窒化処理して形成したものであって，該窒素含有層の窒素は，該薄膜トランジスタの半導体層のＳｉと結合しているのに対し，引用発明では，窒素含有層は，Ｐ−ＣＶＤ（プラズマ化学気相成長）法で形成したものである点。
　
［相違点２］
　本願補正発明では，窒素含有層の窒素の面密度（Ｎ１）と酸素の面密度（Ｏ１）との比（Ｎ１／Ｏ１）は１．０以上であるのに対し，引用発明では，面密度の比について直接の教示がない点。
　
（４）相違点についての検討
　　ア　相違点１について
　半導体層上に窒素含有層を形成する技術として，半導体層の上部を直接窒化処理して形成する方法は，引用例２（特開平４−７２６２６号公報）及び引用例３（特開平２−２７０３２５号公報）に記載されているように，当業者によく知られた膜形成技術である。引用発明において，ＳｉＮ層の形成を，Ｐ−ＣＶＤ（プラズマ化学気相成長）法に代えて，引用例２，３に記載の直接窒化法を採用することは，当業者が容易になし得る設計変更にすぎない。
　請求人は，審判請求の理由において，引用例２，３に記載の窒化膜は絶縁膜であるから，引用発明に適用することは容易でない旨主張している。
　しかし，引用発明のＳｉＮ（窒化シリコン）層も絶縁膜であるが，トンネル効果が生じる厚さである約３ｎｍの厚さに形成することで，電極部に形成することを可能としており，窒化膜の製法を変更した場合も，トンネル効果が生じて電流が流れる厚さに形成することは，当業者が当然考慮すべき設計事項である。
　また，直接窒化により，トンネル効果により電流を通す厚さの窒化膜を形成する技術自体も，以下に示すように，周知である。
　周知例：特開平３−２６２１６５号公報（５頁左上欄８〜１６行），特開昭５６−１００４７４号公報（２頁右下欄下から１行〜３頁右上欄３行），特開平７−３２６７５６号公報（段落００２０，段落００２８，段落３００８）
　したがって，審判請求人の主張は採用できない。
                               
　　イ　相違点２について
　引用例１には，面密度の記載はないが，半導体層への金属の拡散を阻止するために窒化膜を形成するという，本願補正発明と同じ目的のために窒化膜を形成している。窒化膜内には窒素が含まれているので，窒素の密度が存在し，その窒素の密度を表面から見たとき，当然，窒素の面密度も存在するものである。そして，引用例１において窒素膜が形成されており，窒化膜は，窒素が酸素より十分多量に含まれているのが普通であるから，窒素の面密度（Ｎ１）と酸素の面密度（Ｏ１）との比（Ｎ１／Ｏ１）は，１．０以上となる。
　よって，相違点２は，実質的には相違しない。
　
（５）したがって，本願補正発明は，周知技術を勘案することにより，引用発明及び引用例２，３に記載の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により独立して特許を受けることができない。
　
３　結び
　以上の次第で，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項に違反するので，特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
１　以上のとおり，本件補正は却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，本件補正前の請求項１，すなわち，平成２０年８月２５日に提出された手続補正書の請求項１に記載された次のとおりのものである。　
　
「【請求項１】
　薄膜トランジスタの半導体層と，ソース−ドレイン電極とを有する薄膜トランジスタ基板において，
　前記ソース−ドレイン電極は，窒素含有層と純ＡｌまたはＡｌ合金の薄膜とからなり，
　該窒素含有層は，該薄膜トランジスタの半導体層の上部を窒化処理して形成したものであって，該窒素含有層の窒素は，該薄膜トランジスタの半導体層のＳｉと結合し，Ｓｉ窒化物またはＳｉの酸窒化物となっており，
　該純ＡｌまたはＡｌ合金の薄膜は，該窒素含有層を介して該薄膜トランジスタの半導体層と接続していることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。」
　
２　本願発明の容易想到性について
　本件補正後の請求項１の内容は，本件補正前の請求項１の記載を，「　前記窒素含有層の窒素の面密度（Ｎ１）と酸素の面密度（Ｏ１）との比（Ｎ１／Ｏ１）は１．０以上であり，」と技術的に限定するものである。　
　そうすると，本願発明と引用発明との相違点は，前記第２，２，（３）で検討したように，相違点１のみとなる。そして，相違点１に係る構成が容易想到であることは，第２，２（４）アで検討したとおりであるから，本願発明も，同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　結言
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。