【事件の表示】
　上記当事者間の特許第３１２１９８０号「磁気ヘッド用基板」の特許無効審判事件についてされた平成２１年　１月２７日付け審決に対し、東京高等裁判所において審決取消の判決（平成２１年行ケ第１００５０号平成２１年６月１９日判決言渡）があったので、さらに審理のうえ、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１２１９８０号の請求項１〜２に係る発明についての特許を無効とする。
　審判費用は、被請求人の負担とする。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３１２１９８０号は、平成６年３月３日に出願され、平成１２年１０月２０日に特許権の設定登録がなされたものである。
　これに対して、平成２０年６月２７日に請求人日立金属株式会社よりその請求項１〜３に係る発明について特許無効審判が請求され、これに対して、同年９月２４日に被請求人（京セラ株式会社）より答弁書が提出された。
　その後、平成２１年１月２７日付けで「特許第３１２１９８０号の請求項に係る発明を無効とする。」との審決（以下、「第１次審決」という。）がなされた。これに対し、同年３月３日に被請求人より審決取消訴訟（平成２１年（行ケ）第１００５０号）が提起された。
　その後、被請求人は平成２１年４月２８日に訂正審判（訂正２００９−３９００６０号）を請求し、同年６月１９日に知的財産高等裁判所において、事件を審判官に差し戻すために、第１次審決を取り消すとの決定がなされた。
　差戻後の特許無効審判において、被請求人より平成２１年７月６日に訂正請求がなされ、請求人より同年８月１０日に弁駁書が提出された。
　なお、訂正審判（訂正２００９−３９００６０号）は取り下げられたものとみなされる。
　
２．訂正請求について
　被請求人が行った平成２１年７月６日付けの訂正請求は、本件特許明細書を訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正すること（以下「本件訂正」という。）を求めるものであり、その内容は以下のとおりである。
２−１．訂正の請求の内容
２−１−１．訂正事項ａ
　請求項１に関して、
訂正前：「Ａｌ2Ｏ3を主成分とし、ＴｉＣを２０〜４０重量％の割合で含有するＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ系焼結体から成る磁気ヘッド用基板であって、該焼結体中のＡｌ2Ｏ3結晶粒の平均結晶粒径が、ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径より５〜５０％大きく、該基板の磁気記録面と対向する面の一部にイオンの照射により加工された加工部を有することを特徴とする磁気ヘッド用基板。」
訂正後：「Ａｌ2Ｏ3を主成分とし、ＴｉＣを２０〜４０重量％の割合で含有するＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ系焼結体から成る磁気ヘッド用基板であって、
　該焼結体中のＡｌ2Ｏ3結晶粒の平均結晶粒径が、ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径より５〜５０％大きく、
　該基板の磁気記録面と対向する鏡面加工された面の一部にイオンの照射によりエッチング処理加工された加工部を有し、
　前記結晶粒全体の平均結晶粒径が１μｍ以下、前記ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径が０．９μｍ以下である磁気ヘッド用基板。」
と訂正する。
　
２−１−２．訂正事項ｂ
　請求項２に関して、
訂正前：「前記結晶粒全体の平均結晶粒径が１μｍ以下、前記ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径が０．９μｍ以下である請求項１記載の磁気ヘッド用基板。」
訂正後：「前記結晶粒の粒界相の含有量が１．０重量％以下である請求項１記載の磁気ヘッド用基板。」
と訂正すると共に、訂正前の請求項３を削除する。
　
２−１−３．訂正事項ｃ
　明細書段落【００１０】に関して、
訂正前：「即ち、本発明の磁気ヘッド用基板は、Ａｌ2Ｏ3を主成分とし、ＴｉＣを２０〜４０重量％の割合で含有するＡｌ2Ｏ3焼結体から成り、該焼結体中のＡｌ2Ｏ3の平均結晶粒径が、ＴｉＣの平均結晶粒径より５〜５０％大きく、該基板の磁気記録面と対向する面の一部にイオンの照射により加工された加工部を有することを特徴とするものであり、さらには焼結体全体の平均結晶粒径が１μｍ以下、ＴｉＣの平均結晶粒径が０．９μｍ以下であり上記結晶粒の粒界相の含有量が１．０重量％以下であることを特徴とするものである。」
訂正後：「即ち、本発明の磁気ヘッド用基板は、Ａｌ2Ｏ3を主成分とし、ＴｉＣを２０〜４０重量％の割合で含有するＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ焼結体から成り、該焼結体中のＡｌ2Ｏ3結晶粒の平均結晶粒径が、ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径より５〜５０％大きく、該基板の磁気記録面と対向する鏡面加工された面の一部にイオンの照射によりエッチング処理加工された加工部を有し、前記全体の平均結晶粒径が１μｍ以下、ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径が０．９μｍ以下であることを特徴とするものであり、さらには上記結晶粒の粒界相の含有量が１．０重量％以下であることを特徴とするものである。」
と訂正する。
　
２−１−４．訂正事項ｄ
　明細書段落【００２３】に関して、
訂正前：「そして、このＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ系焼結体を磁気ヘッド用基板として使用し、磁気記録面と対向する面の一部にイオン照射により加工した本発明の磁気ヘッド用基板は、加工後の表面品位を高めることができ、磁気ヘッドとして信頼性を高めることができる。」
訂正後：「そして、このＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ系焼結体を磁気ヘッド用基板として使用し、磁気記録面と対向する鏡面加工された面の一部にイオン照射によりエッチング処理加工した本発明の磁気ヘッド用基板は、加工後の表面品位を高めることができ、磁気ヘッドとして信頼性を高めることができる。」
と訂正する。
　
２−１−５．訂正事項ｅ
　明細書段落【００３９】に関して、
訂正前：「【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、磁気ヘッド用基板を構成するＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ系焼結体におけるＡｌ2Ｏ3結晶粒をＴｉＣ結晶粒より大きく設定するとともに、該基板の磁気記録面と対向する面の一部にイオンの照射により加工された加工部を有することから、イオンミリング加工やＲＩＥ加工などのイオンの照射による加工において表面品位が優れ、また、加工速度を高めることができる。これにより、薄膜磁気ヘッドなどのスライダーにおける浮上面の超精密加工を優れた精度で行うことができ、磁気ヘッドの信頼性を高めることができる。」
訂正後：「【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、磁気ヘッド用基板を構成するＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ系焼結体におけるＡｌ2Ｏ3結晶粒をＴｉＣ結晶粒より大きく設定するとともに、該基板の磁気記録面と対向する鏡面加工された面の一部にイオンの照射によりエッチング処理加工された加工部を有し、さらに、結晶粒全体の平均結晶粒径が１μｍ以下、前記ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径が０．９μｍ以下であることから、イオンミリング加工やＲＩＥ加工などのイオンの照射によるエッチング処理加工において表面品位が優れ、また、加工速度を高めることができる。これにより、薄膜磁気ヘッドなどのスライダーにおける浮上面の超精密加工を優れた精度で行うことができ、磁気ヘッドの信頼性を高めることができる。」
と訂正する。
　
２−１−６．訂正事項ｆ
　明細書段落【００２８】の【表１】に関して、
訂正前：「試料Ｎｏ．９」
訂正後：「＊試料Ｎｏ．９」
と訂正する。
　
２−１−７．訂正事項ｇ
　明細書段落【００３４】に関して、
訂正前：「表２から明らかなように、ＴｉＣ量が４０重量％を越えると、エッチング速度が低下した。また、ＴｉＣ量が２０重量％より少ない試料Ｎo.１８，１９では、耐チッピング性が劣化した。これら以外の本発明品はいずれも加工速度が１３５Å／ｍｉｎ以上であったが、これらの中でも特に２５〜３５重量％では耐チッピング性も良好であった。」
訂正後：「表２から明らかなように、ＴｉＣ量が４０重量％を越えると、エッチング速度が低下した。また、ＴｉＣ量が２０重量％より少ない試料Ｎo.１８，１９では、耐チッピング性が劣化した。これらの中でも特に２５〜３５重量％では耐チッピング性も良好であった。」
　
２−２．訂正の適否
２−２−１．訂正事項ａについて
（１）「鏡面加工された」は、登録時明細書の「得られた焼結体に対してその表面を鏡面加工後・・・・・・この焼結体を５．２×１０−4ｔｏｒｒの真空中に保持し、焼結体の被加工面に８００Ｖ、２００ｍＡのアルゴンビームにより、１．５μｍの深さまでエッチング加工した。」（段落【００２５】〜【００２６】）の記載に基づくものであって、アルゴンビームによる加工、すなわち、イオン照射による加工の前に鏡面加工を付け加えるものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（２）「エッチング処理」は、上記（１）に摘示した登録時明細書において、イオン照射による加工によりエッチング加工がなされていることに基づき、登録時明細書の範囲内おいて、イオン照射による加工をエッチング加工に限定したものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（３）「結晶粒全体の平均結晶粒径が１μｍ以下、前記ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径が０．９μｍ以下である」ことは、登録時明細書の請求項２の特定事項を請求項１の新たな特定事項として付け加えたものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（４）「加工部を有する」を「加工部を有し、」とする訂正、及び、「ことを特徴とする磁気ヘッド用基板」を「である磁気ヘッド用基板」とする訂正は、上記（３）の訂正に伴って記載を整えるものであって、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　
２−２−２．訂正事項ｂについて
（１）請求項２を「前記結晶粒の粒界相の含有量が１．０重量％以下である請求項１記載の磁気ヘッド用基板。」とすることは、登録時明細書の請求項３を請求項２に繰り上げ、また、この繰り上げによる記載上の不備を正すものであるから、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
（２）請求項３を削除することは、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
２−２−３．訂正事項ｃ〜ｆについて
　訂正事項ｃ〜ｆは、特許請求の範囲の訂正によって、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明との記載の齟齬を解消するものであって、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　
２−２−４．訂正事項ｇについて
　この訂正は、【表２】の試料Ｎｏ．１４の加工速度の数値と、段落【００３４】の記載の齟齬を解消するためのものであって、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　
２−３．訂正の可否についてのまとめ
　したがって、本件訂正は、特許請求の範囲の減縮、明りょうでない記載の釈明を目的とし、いずれも、願書に添付した明細書又は図面に記載されている事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　以上のとおりであるから、本件訂正は、平成６年改正前特許法第１３４条第２項ただし書に適合し、特許法１３４条の２第５項において準用する平成６年改正前第１２６条第２項の規定に適合するので、本件訂正を認める。 
　
３．本件特許訂正発明
　上記のとおり本件訂正を容認することができるから、訂正後の本件特許の請求項１〜２に係る発明は、訂正請求書に添付された訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜２に記載された事項により特定される、次のとおりのものと認める（以下「本件特許訂正発明１」〜「本件特許訂正発明２」といい、全体を表すときは「本件特許訂正発明」という。）。
　
【請求項１】
　Ａｌ２Ｏ３を主成分とし、ＴｉＣを２０〜４０重量％の割合で含有するＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系焼結体から成る磁気ヘッド用基板であって、
　該焼結体中のＡｌ２Ｏ３結晶粒の平均結晶粒径が、ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径より５〜５０％大きく、
　該基板の磁気記録面と対向する鏡面加工された面の一部にイオンの照射によりエッチング処理加工された加工部を有し、
　前記結晶粒全体の平均結晶粒径が１μｍ以下、前記ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径が０．９μｍ以下である磁気ヘッド用基板。
　
【請求項２】
　前記結晶粒の粒界相の含有量が１．０重量％以下である請求項１記載の磁気ヘッド用基板。
　
４．請求人の主張
　請求人は、本件特許訂正発明１〜２についての特許を無効とする、審判費用は被請求人の負担とする、との審決を求め、その理由として、審判請求書、口頭審理陳述要領書、及び、弁駁書における主張を整理すると、本件特許訂正発明１〜２は甲第１〜２号証に記載された発明及び甲第３〜９号証に記載の周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許訂正発明１〜２についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、特許法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とされるべきであると主張している。
　
甲第１号証：社団法人日本電子材料工業会編、「電子回路用　高機能セラミック基板」、日本工業出版株式会社、１９９４年２月２８日、２２３〜２５２頁
甲第２号証：特開平４−３２１５５６号公報
甲第３号証の１：化学大辞典編集委員会編、「化学大辞典３」、共立出版株式会社、昭和４４年８月５日、８９３頁
甲第３号証の２：化学大辞典編集委員会編、「化学大辞典５」、共立出版株式会社、昭和４４年８月１５日、６９９頁
甲第４号証：小野京右、「日本の磁気記録のトライボロジー５０年の歩み」、トライボロジスト、第５０巻、第１２号（２００５年）、８７０〜８７６頁
甲第５号証：中西卓二他、「浮動式薄膜磁気ヘッド」、研究実用化報告、第３１巻、第２号（１９８２）、４５７〜４６８頁
甲第６号証：特開平４−３６４２１７号公報
甲第７号証：特開平４−３４７８３号公報
甲第８号証：Webster's Third New International Dictionary OF THE ENGLISH LANGUAGE UNABRIDGED (1986)、１２７１頁
甲第９号証：「マグローヒル　科学技術用語大辞典　第２版」、株式会社日刊工業新聞社、１９９２年１１月１０日、３７１及び１７１０頁
参考資料１：「特許第３１２１９８０号無効審判　請求人　日立金属株式会社」と題した資料
　
５．被請求人の主張
　被請求人は、本件審判の請求は成り立たない、審判費用は請求人の負担とする、との審決を求め請求人の主張する上記無効理由に対して、本件特許訂正発明１〜２についての特許は上記無効理由によっては無効とすることができないと主張し、資料１〜７を提出している。
　
資料１：社団法人日本セラミックス協会編、「セラミックス辞典　第２版」、丸善株式会社、平成９年３月２５日、６６８頁
資料２：粉体工学会編、「粉体工学便覧」、日刊工業新聞社、昭和６１年２月２８日、目次及び１〜２３頁
資料３：２００９年３月３日付けの「問い合わせの件」と題する書簡
資料４：平成２１年３月４日付けの「書類送付のご案内」と題する書簡
資料５：窯業協会編集委員会講座小委員会編、「セラミックスのキャラクタリゼーション技術」、社団法人窯業協会、昭和６２年７月２５日、５〜１０頁
資料６：「本件明細書と甲第２号証の比較」と題する書面
資料７：「画像解析処理装置」と題した書面（印刷日：２００９年６月３０日）
　
６．請求人が提出した甲第１号証ないし甲第９号証、及び参考資料１の記載事項
６−１．甲第１号証（社団法人　日本電子材料工業会編、「電子回路用　高機能セラミック基板」、日本工業出版株式会社、１９９４年２月２８日、２２３〜２５２頁）
（１−１）「７．２薄膜磁気ヘッド用基板の概要
　薄膜磁気ヘッド基板に共通して要求される材料特性は・・・・・・高精度イオンミリング特性・・・・・などであり・・・・・・この観点からＡ１２Ｏ３系、ＳｉＣ系、ＺｒＯ２系、Ｆｅ２Ｏ３系の材料を検討し、最適材料を選定した。これらの基板や下地膜の表面はダイヤモンドポリッシングの後、メカノケミカルポリッシングによって５ｎｍ程度の表面粗さに仕上げられ、フォトリソグラフィ工程をへて薄膜磁気ヘッドとなる。」（２２６頁１〜１４行）
（１−２）「７．３．２　Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系基板
 　・・・・・・
　薄膜磁気ヘッド用基板に共通して要求される材料特性の中に高精度イオンミリング特性がある。イオンビームミリング加工は、・・・・・・ドライエッチング法であり、・・・・・・セラミックスライダの浮上面に精密形状加工する場合にも用いられている。」（２２８頁１行〜２３２頁４行）
　
６−２．甲第２号証（特開平４−３２１５５６号公報）
（２−１）「【発明が解決しようとする課題】本発明は、・・・・・・、耐チッピング性、鏡面加工性及び緻密性に優れ、特に薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板として好適なセラミックス材料・・・・・・を提供すことを目的とする。」（段落【０００６】）
（２−２）「本発明のセラミックス材料は以下の方法によって好ましく製造することができる。すなわち、原料としては、・・・・・・Ａｌ２Ｏ３・・・・・・と・・・・・・ＴｉＣ・・・・・・の混合粉末を用い、それを焼成する。」（段落【００１３】）
（２−３）「さらに、Ａｌ２Ｏ３とＴｉＣの混合粉末１００重量部に対し、０．５〜３．０重量部の焼結助剤・・・・・・を添加することが好ましい。」（段落【００１５】） 
（２−４）「焼結助剤としてはＭｇＯ・・・・・・等・・・・・・を用いることができる」（段落【００１６】）
（２−５）「【実施例】・・・・・・実施例１〜３・・・・・・ＴｉＣと・・・・・・バイヤー法Ａｌ２Ｏ３の所定量を混合し、・・・・・・混合粉末を調製した。・・・・・・これらを、焼成温度１５００〜１７００℃、圧力２００〜４００ｋｇ／ｃｍ２の範囲内でホットプレス条件を変えて焼結し、表１に示すＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系セラミックス焼結体を作製した。得られた焼結体のＡｌ２Ｏ３とＴｉＣの結晶粒径の大きさとその切断面における占有率、・・・・・・を測定した。その結果を表１に示す。」（段落【００１９】〜【００２０】）
（２−６）「物性は以下の方法により測定した。
（１）焼結体中のＡｌ２Ｏ３とＴｉＣの結晶粒の大きさとその占有率：・・・・・・平均結晶径を算出し、その断面積に対する占有率を求めた。
・・・・・・
（４）研磨面の表面粗さ（鏡面加工性）：・・・・・・研磨面の表面粗さを非接触式の表面粗さ測定器を用いて測定した。」（段落【００２１】）
（２−７）「実施例４〜６・・・・・・球状単分散Ａｌ２Ｏ３を用いたこと以外は実施例１〜３と同様にして焼結体を作製し試験した。その結果を表２に示す。」（段落【００２４】）
（２−８）【表１】の実施例１、２及び【表２】の実施例４、５には、
　
と記載されている。
　
６−３−１．甲第３号証の１（化学大辞典編集委員会編、「化学大辞典３」、共立出版株式会社、昭和４４年８月５日、８９３頁）
（３−１）「αアルミナの比重が４．０であること」が記載されている（「酸化アルミニウムの変態」と題する表を参照）。
　
６−３−２．甲第３号証の２（化学大辞典編集委員会編、「化学大辞典５」、共立出版株式会社、昭和４４年８月１５日、６９９頁）
（３−２）「ＴｉＣの比重が４．９３であること」が記載されている（６９９頁右欄２４行参照）。
　
６−４．甲第４号証（小野京右、「日本の磁気記録のトライボロジー５０年の歩み」、トライボロジスト、第５０巻、第１２号（２００５年）、８７０〜８７６頁）
（４−１）「３．６エッチング加工による軸受面の自由設計と負圧スライダ（１９８７−） ・・・・・・１９８７年のＭｉｎｉ−ｓｌｉｄｅｒからエッチング加工により自由な形状の軸受面（・・・・・・）が用いられるようになり、スライダ軸受特性の改善が図られた。・・・・・・スライダ中央部にリセスを設けて負圧発生領域を形成し、高速時に負圧による押付け力が加わるようにする各種の負圧スライダが採用された。」（８７４頁左欄２０行〜同頁右欄１６行）
（４−２）「Ｐｒｏｇｒｅｓｓ　ｏｆ　ｆｌｙｉｎｇ　ｈｅａｄ　ｓｌｉｄｅｒ　ｄｅｓｉｇｎｓ」と題したＦｉｇ．５の「Ｍｉｃｒｏ　ｓｌｉｄｅｒ」は、ステップ部の形状がはっきりしないものの、本件訂正明細書において、「本発明の磁気ヘッド基板を用いた磁気ヘッドにおけるＴＰＣスライダーの１例を示す図である」と説明されている図１に記載のものとほぼ同じものと視認される。
　
６−５．甲第５号証（中西卓二他、「浮動式薄膜磁気ヘッド」、研究実用化報告、第３１巻、第２号（１９８２）、４５７〜４６８頁）
（５−１）「４．１イオンエッチング法によるスライダ形成
図９に示すように本方法は次の工程よりなる。
（１）スライダ長に等しい厚さの基板の上に章３で述べた方法で電磁変換部を形成、
（２）それをスライダ厚さに等しい長方ブロックに切断し、スライダ相当面を研摩、
（３）スライダ面にＣｒ膜をスパッタで付着し、スライダ形状のパターニング、
（４）イオンエッチングを行い残留Ｃｒ膜除去、
（５）切断」（４６３頁右欄下から４行〜４６４頁左欄７行）
（５−２）
「
薄膜電磁変換部形成
　　　↓　
切断・ラッピング
　　　↓
マスクパタン形成
　　　↓
イオンエッチング
残留マスク除去
　　　↓
　　
切断
　
６−６．甲第６号証（特開平４−３６４２１７号公報）
（６−１）「薄膜磁気ヘッド・・・・・・が制作されると、基板は切断されて１列のヘッドが並べて形成される。なお列の形を成している間に、薄膜磁気ヘッドが所定のスロート高さの寸法になるようにラップ仕上げされるが、これはヘッドの性能にとって非常に重要である。一旦所要のラップ仕上げされたスロート高さ寸法に達すると、これはヘッドの以降の処理に影響されてはならない。
　ヘッドの処理の以降の工程の一つは、ラップ仕上げされた面にレールのパターンを作って空気支持面（ＡＢＳ）を形成することである。ＡＢＳ上のレールの所要パターンは、その形状が漸次一層複雑になってきているので、エッチングプロセスのような乾式処理技法が一般に使用されている。」（段落【０００２】〜【０００３】：途中の段落記号の記載は省略した。）
　
６−７．甲第７号証（特開平４−３４７８３号公報）
（７−１）「まず、第１０図（ａ）に示すように、直方体状のチタン酸カリウムなどの負圧スライダーの素材１０１の表面１０２を鏡面に研磨する。
　次に、第１０図（ｂ）に示すように、負圧スライダーの素材１０１の鏡面に研磨した前記表面１０２にマスク１０３を付け、２〜１０μｍ深さにイオンエッチングして負圧発生部１０８を設ける。ここで、マスク１０３としてはＣｒ、Ｔｉのスパッタ膜を用いる。マスク１０３は所要のパターンに写真製版で形成する。
　次に、第１０図（ｃ）に示すように、マスク１０３を取り除く。」（１頁右欄１０〜２０行）
　
６−８．甲第８号証（Webster's Third New International Dictionary OF THE ENGLISH LANGUAGE UNABRIDGED (1983)、１２７１頁）
（８−１）「lap・・・・・・5a:to dimension, smooth, or polish (as a metal surface or body) to a high degree of refinement or accuracy with a lap or loose abrasive material ・・・・・・bearing surfaces are ground, lapped, and honed to a precision mirror finish - Joseph Heitner」
（当審訳：ラップ・・・・・・５ａ：みがき具またはばらばらの研磨剤で、高度に精密にまたは高い精度まで（金属表面または金属体として）形作り、平滑にし、磨き上げること。・・・・・・＜ベアリングの表面は、精密な鏡面仕上げにとなるように削られ、磨かれ、砥石にかけられている−ジョセフ・ヘイトナー＞）
　
６−９．甲第９号証（マグローヒル「科学技術用語大辞典　第２版」、株式会社日刊工業新聞社、１９９２年１１月１０日、３７１及び１７１０頁）
（９−１）「鏡面研削 mirror grinding ［機械］研削加工で、ラッピングや超仕上げのような光沢のある鏡面に仕上げる方法」（３７１頁右欄２〜３行）
（９−２）「ラップ仕上げ lapping [エレク］石英、半導体その他の結晶板を、液に分散した研磨剤が注がれている平面上で動かすこと。平らな研磨された表面をえたり、ある量だけその粗さを減少させたりするときに使用される。」（１７１０頁右欄１９〜２２行）
　
６−１０．参考資料１（「特許第３１２１９８０号無効審判　請求人日立金属株式会社」と題した資料）
（１０−１）甲第１〜４号証において、請求人の主張する無効理由の要約が記載されている。
　
７．被請求人が提出した資料の記載事項
７−１．資料１（社団法人日本セラミックス協会編、「セラミックス辞典　第２版」、丸善株式会社、平成９年３月２５日、６６８頁）
（１−１）「平均粒径・・・・・・大きさが異なる粒子群の粒径の平均値。同じ粒子群でも粒子径の定義の仕方により値が異なる。算術平均径、平均面積径、平均体積径、長さ平均径など目的に応じて使い分ける必要がある。」（６６８頁右欄３３〜３９行）
　
７−２．資料２（粉体工学会編、「粉体工学便覧」、日刊工業新聞社、昭和６１年２月２８日、目次及び１〜２３頁）
（２−１）「１．１粒子径の定義
・・・・・・
１．１．２　投影径（・・・・・・）
・・・・・・
＜１＞Ｆｅｒｅｔ径：粒子投影像を一定方向の２本の平行線ではさみ、その平行線間の距離を粒子径とする（・・・・・・）。・・・・・・
＜２＞Ｍａｒｔｉｎ径：定方向に粒子の投影面積を２等分する線分の長さで粒子径を表示する（・・・・・・）。
＜３＞定方向最大径：定方向に各粒子の最大幅を測定する。Ｋｒｕｍｂｅｉｎ径とも呼ばれる（・・・・・・）。
＜４＞投影面積円相当径：粒子の投影面積と同じ面積を持つ円の直径を用いる（・・・・・）。この粒子径の定義はＨｅｙｗｏｏｄがはじめて提案したものでＨｅｙｗｏｏｄ径と呼ぶことがある。
・・・・・・
１．２粒子径の物理的意味
・・・・・・
１．２．１Ｆｅｒｅｔ径、Ｍａｒｔｉｎ径、投影面積円相当径
　Ｈｅｙｗｏｏｄは、・・・・・・Ｆｅｒｅｔ径＞投影面積円相当径＞Ｍａｒｔｉｎ径の関係があり・・・・・・と述べている。」（１頁１１行〜３頁下から８行。なお、○付きアラビア数字を表すために、アラビア数字を＜＞で囲んだ。）
　
７−３．資料３（２００９年３月３日付けの「問い合わせの件」と題する書簡）
（３−１）日本アビオニクス株式会社またはその関連会社は、画像解析装置「ＳＰＩＣＯＡ−２」を一切取り扱ったことがなく、「ＳＰＩＣＣＡ−ＩＩ」、「ＳＰＩＣＣＡ−ＡＣＥ」、「ＳＰＩＣＣＡ」を取り扱ったことがある旨。
　
７−４．資料４（平成２１年３月４日付けの「書類送付のご案内」と題する書簡）
（４−１）「ＳＰＩＣＣＡ：ＩＩ、ＡＣＥともにカタログ、取扱説明書等はありません。１０年以上前に終息した製品です。」
　
７−５．資料５（窯業協会編集委員会講座小委員会、「セラミックスのキャラクタリゼーション技術」、社団法人窯業協会、昭和６２年７月２５日、５〜１０頁）
（５−１）「３．２．２　粒の大きさと分布
・・・・・・
比較的簡便な方法にインタセプト法がある．これは図８に示すように任意に引いた直線の単位長さ当たりの粒界との交点ＮＬを求め，これから平均のコードの長さを求めて平均粒径とする（コード法）．」（７頁左欄１４行〜同頁右欄下から１５行）
　
７−６．資料６（「本件明細書と甲第２号証の比較」と題する書面）
（６−１）「
（１）投影面積円相当径（・・・・・・）
　粒子の投影面積と同じ面積を持つ円の直径を用いる（・・・・・・）。この粒子径の定義はＨｅｙｗｏｏｄが始めて提案したものでＨｅｙｗｏｏｄ径と呼ぶことがある。
（２）コード法（・・・・・・）
　比較的簡便な方法にインタセプト法がある。これは図８に示すように任意に引いた直線の単位長さ当たりの粒界との交点ＮＬを求め、これから平均のコードの長さを求めて平均粒径とする（コード法）。
（３）Ａｌ２Ｏ３結晶粒径算出法
　全体の平均粒径と、ＴｉＣ結晶粒径と、ＴｉＣ結晶粒の体積比率と、Ａｌ２Ｏ３結晶粒の体積比率とは分かっているから、Ａｌ２Ｏ３結晶粒径は下記関係式から算出することができる。
全体の平均粒径＝ＴｉＣ結晶粒径×ＴｉＣ結晶粒の体積比率＋Ａｌ２Ｏ３結晶粒径×Ａｌ２Ｏ３結晶粒の体積比率」（１頁）
（４）「Ｌ／（ｎ−１）　Ｌ：単位長さ、ｎ：直線と粒界の交点数」（２頁の「表１　本件明細書と甲第２号証明細書の比較」の「全体の平均粒径」の欄）
　
７−７．資料７（「画像解析処理装置」と題した書面（印刷日：２００９年６月３０日））
（７−１）「ビデオ画像を画像解析装置「ＳＰＩＣＣＡ」により画像解析・処理することができます。本ＳＰＩＣＣＡシステムとしては以下のような機能があります。
・・・・・・
・・・・・・６０．円相当径」（１頁２行〜下から３行）
　
８．当審の判断
８−１．引用発明の認定（甲第２号証に記載された発明）
（あ）甲第２号証の上記（２−８）に記載のＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系セラミックス焼結体である実施例１、２、４及び５のＡｌ２Ｏ３とＴｉＣの「断面積の占有率」をもとにして、Ａｌ２Ｏ３とＴｉＣの重量％を求めると以下のようになる。
　断面積の占有率の比はＡｌ２Ｏ３とＴｉＣの体積の比に等しいから、断面積の占有率に比重を乗じた値の比がＡｌ２Ｏ３とＴｉＣの重量の比になるといえる。
　Ａｌ２Ｏ３とＴｉＣの比重は、技術常識に照らし、それぞれ、４．０、４．９３であるから（甲第２号証の上記（２−５）には、バイヤー法Ａｌ２Ｏ３を用いたことや、上記（２−５）、（２−７）には、焼成温度が１５００〜１７００℃である旨の記載があることから、甲第２号証のＡｌ２Ｏ３はαアルミナといえる。これをもとに、甲第３号証１の（３−１）及び甲第３号証２の（３−２）の記載を参照しても、上記２成分の比重の値は導出される。）、以下の計算により、
　
上記実施例１と４では、
Ａｌ２Ｏ３の重量％＝７０×４．０／（７０×４．０＋３０×４．９３）
＝６５．４重量％
ＴｉＣの重量％＝３０×４．９３／（７０×４．０＋３０×４．９３）
＝３４．６重量％
上記実施例２と５では、
Ａｌ２Ｏ３の重量％＝８０×４．０／（８０×４．０＋２０×４．９３）
＝７６．４重量％
ＴｉＣの重量％＝２０×４．９３／（８０×４．０＋２０×４．９３）
＝２３．６重量％
となる。
　
（い）甲第２号証の上記（２−８）に記載の実施例１、２、４及び５におけるＡｌ２Ｏ３とＴｉＣの結晶粒径は、共に平均結晶粒径であることは、甲第２号証の（２−６）の記載から明らかであって、Ａｌ２Ｏ３の結晶粒径値をＴｉＣの結晶粒径値で除した値を求めてみると、
上記実施例１と２では、
Ａｌ２Ｏ３の結晶粒径値／ＴｉＣの結晶粒径値＝１．０／０．７＝１．４３
上記実施例４と５では、
Ａｌ２Ｏ３の結晶粒径値／ＴｉＣの結晶粒径値＝０．８／０．６＝１．３３
となるから、
Ａｌ２Ｏ３の平均結晶粒径はＴｉＣの平均結晶粒径より、４３％（実施例１及び２）または３３％（実施例４及び５）大きいといえる。
　
（う）上記（２−８）の記載をもとに、実施例１、２、４及び５のＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系焼結体の結晶粒全体の平均結晶粒径を計算すると、
実施例１：１×（７０／１００）＋０．７×（３０／１００）＝０．９１μｍ
実施例２：１×（８０／１００）＋０．７×（２０／１００）＝０．９４μｍ
実施例４：０．８×（７０／１００）＋０．６×（３０／１００）＝０．７４μｍ
実施例５：０．８×（８０／１００）＋０．６×（２０／１００）＝０．７６μｍ
である。
　また、ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径は、実施例１及び２では０．７μｍ、実施例４及び５では０．６μｍである。
　
（え）甲第２号証の上記（２−１）及び（２−２）の記載をみると、上記（２−８）のＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系セラミックス焼結体は、薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料といえるから、甲第２号証の上記セラミック焼結体は事実上、薄膜磁気ヘッド用基板とみることができる。
　
　そこで、甲第２号証の上記（２−１）〜（２−８）の記載を上記（あ）〜（え）の検討を踏まえ、本件特許訂正発明１の記載ぶりに則して整理すると、甲第２号証には、
「Ａｌ２Ｏ３を６５．４重量％、ＴｉＣを３４．６重量％の割合で含有するＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系セラミックス焼結体から成る薄膜磁気ヘッド用基板であって、該焼結体中のＡｌ２Ｏ３の平均結晶粒径が、ＴｉＣの平均結晶粒径よりも４３％大きく、前記結晶粒全体の平均結晶粒径が０．９１μｍであり、前記ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径が０．７μｍである薄膜磁気ヘッド用基板、
Ａｌ２Ｏ３を７６．４重量％、ＴｉＣを２３．６重量％の割合で含有するＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系セラミックス焼結体から成る薄膜磁気ヘッド用基板であって、該焼結体中のＡｌ２Ｏ３の平均結晶粒径が、ＴｉＣの平均結晶粒径よりも４３％大きく、前記結晶粒全体の平均結晶粒径が０．９４μｍであり、前記ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径が０．７μｍである薄膜磁気ヘッド用基板、
Ａｌ２Ｏ３を６５．４重量％、ＴｉＣを３４．６重量％の割合で含有するＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系セラミックス焼結体から成る薄膜磁気ヘッド用基板であって、該焼結体中のＡｌ２Ｏ３の平均結晶粒径が、ＴｉＣの平均結晶粒径よりも３３％大きく、前記結晶粒全体の平均結晶粒径が０．７４μｍであり、前記ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径が０．６μｍである薄膜磁気ヘッド用基板、及び、
Ａｌ２Ｏ３を７６．４重量％、ＴｉＣを２３．６重量％の割合で含有するＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系セラミックス焼結体から成る薄膜磁気ヘッド用基板であって、該焼結体中のＡｌ２Ｏ３の平均結晶粒径が、ＴｉＣの平均結晶粒径よりも３３％大きく、前記結晶粒全体の平均結晶粒径が０．７６μｍであり、前記ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径が０．６μｍである薄膜磁気ヘッド用基板」の発明（以下、「甲第２号証発明」という。）が記載されているということができる。
　
８−２．本件特許訂正発明１について
　そこで、本件特許訂正発明１と甲第２号証発明とを対比する。
（か）甲第２号証発明において、「Ａｌ２Ｏ３を６５．４重量％、ＴｉＣを３４．６重量％」または「Ａｌ２Ｏ３を７６．４重量％、ＴｉＣを２３．６重量％の割合で含有する」ことは、共に、Ａｌ２Ｏ３の含有割合が５０重量％を超えているから、「Ａｌ２Ｏ３を主成分」としているといえる。
（き）甲第２号証発明において、ＴｉＣを「３４．６重量％」または「２３．６重量％」の割合で含有することは、本件特許訂正発明１のＴｉＣを「２０〜４０重量％」の割合で含有することの数値範囲２０〜４０重量％と３４．６重量％、２３．６重量％において重複・一致している。
（く）甲第２号証発明におけるＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系セラミックス焼結体中の「Ａｌ２Ｏ３の平均結晶粒径」及び「ＴｉＣの平均結晶粒径」は、それぞれ、本件特許訂正発明１のＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系焼結体中の「Ａｌ２Ｏ３結晶粒の平均結晶粒径」及び「ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径」に他ならず、甲第２号証発明の焼結体中のＡｌ２Ｏ３の平均結晶粒径が、ＴｉＣの平均結晶粒径よりもそれぞれ「４３％」または「３３％」大きいことは、本件特許訂正発明１の「焼結体中のＡｌ２Ｏ３結晶粒の平均結晶粒径が、ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径より５〜５０％大き」いことの数値範囲５〜５０％と４３％、３３％において重複・一致している。
（け）甲第２号証発明の結晶粒全体の平均結晶粒径が「０．９１μｍ」、「０．９４μｍ」、「０．７４μｍ」、「０．７６μｍ」であることは、本件特許訂正発明１の「結晶粒全体の平均結晶粒径が１μｍ以下」と数値範囲０．９１μｍ、０．９４μｍ、０．７４μｍ、０．７６μｍにおいて重複・一致している。
（こ）甲第２号証発明のＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径が「０．７μｍ」または「０．６μｍ」であることは、本件特許訂正発明１の「ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径が０．９μｍ以下」と数値範囲０．７、０．６μｍにおいて重複・一致している。
　そうすると、両者は、
「Ａｌ２Ｏ３を主成分とし、ＴｉＣを２３．６または３４．６重量％の割合で含有するＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系焼結体から成る磁気ヘッド用基板であって、該焼結体中のＡｌ２Ｏ３結晶粒の平均結晶粒径が、ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径より３３または４３％大きく、前記結晶粒全体の平均結晶粒径が０．７４、０．７６、０．９１、または０．９４μｍであり、前記ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径が０．６、または０．７μｍである磁気ヘッド用基板」である点で一致し、以下の点で相違する。
（相違点ａ）本件特許訂正発明１が磁気ヘッド用基板であるのに対し、甲第２号証発明は薄膜磁気ヘッド用基板である点、
（相違点ｂ）本件特許訂正発明１が基板の磁気記録面と対向する鏡面加工された面の一部にイオンの照射によりエッチング処理加工された加工部を有するのに対して、甲第２号証発明はかかる事項を有していない点
　
　これら相違点について検討する。
・（相違点ａ）について
　本件訂正明細書段落【００３９】には、「本発明によれば、・・・・・・できる。これにより、薄膜磁気ヘッドなどのスライダーにおける浮上面の超精密加工を優れた精度で行うことができ、磁気ヘッドの信頼性を高めることができる。」との記載がなされているから、本件特許訂正発明１の「磁気ヘッド用基板」は「薄膜磁気ヘッド用基板」とみることができる。
　そうすると、この相違点ａは単に表現上のものであって、実質的なものではない。
　仮に、単に表現上のものではなく、実質的なものであるとしても、薄膜磁気ヘッド基板は磁気ヘッド基板の一つであるから、甲第２号証発明の「薄膜磁気ヘッド用基板」を「磁気ヘッド用基板」とすることは当業者であれば困難なくなし得たことである。
　なお、甲第４号証には、上記したように本件特許訂正発明１に係る「磁気ヘッド用基板」が本件特許に係る特許出願前に公知であることを窺わせる記載があるが、甲第４号証が本件特許に係る特許出願の日より後に公知になったものであるから、甲第４号証に記載の記載事項をもって相違点ａに係る本件特許訂正発明１の特定事項を導き出す根拠とはしない。
　
・（相違点ｂ）について
（さ）甲第１号証の上記（１−１）の記載によれば、Ａｌ２Ｏ３系基板はメカノケミカルポリッシングによって５ｎｍ程度の表面粗さに仕上げられ、フォトリソグラフィ工程をへて薄膜磁気ヘッドとなるといえる。
（し）甲第１号証の上記（１−２）の記載によれば、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系基板、すなわち、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系焼結体の薄膜磁気ヘッド用基板にはイオンミリング性が要求され、イオンミリング加工はスライダの浮上面に対してなされるものといる。
（す）技術常識に照らし、フォトリソグラフィ工程には、エッチング工程（すなわち、イオンミリング加工）が含まれているから、甲第１号証には、イオンミリング加工に先立ってメカノケミカルポリッシングがなされることが記載されていると判断される。
　ここで、メカノケミカルポリッシングによって５ｎｍ程度の表面粗さに仕上げられとは、鏡面研磨をいうことは明らかである（要すれば、特開平３−１３９５９３号公報、特開平３−６８１３７号公報を参照）。
　
　そして、このことは、以下の（１）〜（３）からも裏付けられる。
（１）甲第５号証の記載
＜１＞甲第５号証おいて、上記（５−１）に「図９に示すように」との記載があるから、上記（５−１）の記載は上記（５−２）の記載に対応しているとみることができ、上記（５−１）の「（２）それをスライダ厚さに等しい長方ブロックに切断し、スライダ相当面を研摩」、及び「（４）イオンエッチングを行い残留Ｃｒ膜除去」は、それぞれ、「切断・ラッピング」、及び「イオンエッチング　残留マスク除去」に対応しているといえる。
＜２＞すると、イオンエッチングに先立って、薄膜磁気ヘッドの「スライダ相当面を研摩」、「ラッピング」がなされているといえ、このラッピングは、甲第８号証の上記（８−１）及び甲第９号証の上記（９−１）〜（９−２）の記載からみて、鏡面加工といえ、イオンエッチングはイオンミリング加工を含むものだから、結局、甲第５号証には、鏡面加工後にイオンミリング加工がなされることが記載されているとみることができる。
（２）甲第６号証の記載
＜１＞甲第６号証の上記（６−１）の記載によれば、薄膜磁気ヘッドの「ラップ仕上げ」の後「ラップ仕上げされた面」に「エッチングプロセスのような乾式処理」で「レールのパターンを作って空気支持面（ＡＢＳ）を形成」しているといえる。
＜２＞「ラップ仕上げ」は、上述のとおり甲第８〜９号証によれば鏡面加工といえ、「エッチングプロセスのような乾式処理」で「レールのパターンを作って空気支持面（ＡＢＳ）を形成」することは、イオンミリング加工を含む加工によるものであることは明らかであるから、甲第６号証には、鏡面加工後にイオンミリング加工がなされることが記載されているとみることができる。
（３）甲第７号証の記載
＜１＞甲第７号証の上記（７−１）の記載によれば、「負圧スライダーの素材１０１の表面１０２を鏡面に研磨する。・・・・・・鏡面に研磨した前記表面１０２にマスク１０３を付け、２〜１０μｍ深さにイオンエッチングして」との記載からみて、負圧スライダー、すなわち、磁気ヘッドのスライダーを鏡面に研磨した後イオンエッチング（イオンミリング加工）を行うことが記載されているとみることができる。
　
（せ）また、甲第２号証の上記（２−６）の記載によれば、甲第２号証において鏡面加工性が評価されていることからみて、甲第２号証発明は鏡面加工されるものとみることが自然である。
（そ）一方、本件訂正明細書には、「上記Ａｌ２Ｏ３ −ＴｉＣ系焼結体をイオンミリング・・・・・・などのイオンの照射により加工する・・・・・・上記の加工によれば、例えば薄膜磁気ヘッドにおける磁気記録面と対向する面となるスライダー浮上面に対して超精密加工を施すことができる。」（段落【００１６】〜【００１７】）との記載がなされており、本件特許訂正発明１でいう「イオンの照射によりエッチング処理加工」は「イオンミリング加工」を含み、また、本件特許訂正発明１の「基板の磁気記録面と対向する面の一部」には、「スライダー浮上面」が含まれるものといえる。
（た）そうすると、甲第２号証発明のＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系焼結体は、薄膜磁気ヘッド用基板とするに当たり、上記（さ）〜（せ）から明らかなように、「イオンミリング」加工を鏡面加工したスライダ浮上面に対してなすものといえ、この浮上面への加工は上記（そ）で述べたとおり、上記相違点ｂに係る本件特許訂正発明１の発明特定事項に含まれるから、甲第２号証発明において、基板の磁気記録面と対向する鏡面加工された面の一部にイオン照射により加工された加工部を有するようにすることは、当業者であれば困難なくなしえたものである。
　よって、上記（相違点ａ）及び（相違点ｂ）の検討結果より本件特許訂正発明１は甲第２号証発明及び甲第１、３の１、３の２、５〜９号証に記載された周知技術から、当業者であれば困難なくなしえたものである。
　
８−３．本件特許訂正発明２について
　本件特許訂正発明２は、本件特許訂正発明１に対して、さらに、「結晶粒の粒界相の含有量が１．０重量％以下である」という発明特定事項を付け加えたものである。
（な）粒界相が存在しない（０重量％）場合について
　甲第２号証の上記（２−８）の記載をみると、実施例１、２、４及び５のＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系焼結体のＡｌ２Ｏ３とＴｉＣそれぞれの断面積の占有率を加えると、全て１００％になるから、断面には粒界相が存在していないといえ、甲第２号証発明において、結晶粒の粒界相の含有量は０重量％といえる。
　そうすると、さらに付け加えられた上記発明特定事項は、本件特許訂正発明２と甲第２号証発明とを対比したときに新たな相違点とはなり得ない。
　よって、本件特許訂正発明２は本件特許訂正発明１の検討のところで述べたように当業者であれば困難なくなしえたものである。
（に）粒界相が存在し、１重量％以下の場合について
　本件訂正明細書の表３（段落【００３７】）を参照すると、粒界相量が１重量％以下である０．９重量％の試料Ｎｏ．２２、０．３重量％の試料Ｎｏ．２３の焼結助剤であるＭｇＯの重量％は、それぞれ、０．５重量％、０．１重量％であるから、粒界相量を１重量％以下とするために、焼結助剤であるＭｇＯの添加を０．５重量％以下としているといえる。
　一方、甲第２号証の上記（２−３）及び（２−４）の記載によれば、甲第２号証発明において焼結助剤としてＭｇＯを用いることができ、その添加量はＡｌ２Ｏ３とＴｉＣの混合粉末１００重量部に対して０．５〜３重量部、すなわち、ＭｇＯの添加量を重量％に換算すると、
０．５（＝０．５×１００／（１００＋０．５））重量％〜２．９（＝３×１００／（１００＋３））重量％となる。
　ここで、焼結助剤の添加量について、本件特許訂正発明２と甲第２号証発明とを対比すると、０．５重量％でほぼ一致している。
（ぬ）そうすると、さらに付け加えられた上記発明特定事項は、本件特許訂正発明２と甲第２号証発明とを対比したときに新たな相違点にはならないし、仮に相違点になるにしても、当業者であれば焼結助剤の添加量は適宜決定しうるものといえるから、本件特許訂正発明２は甲第２号証発明、甲第１、３の１、３の２、５〜９号証に記載された周知技術に基づいて当業者であれば困難なくなしえたものである。
　
８−４．本件特許訂正発明１〜本件特許訂正発明２の奏する作用・効果について
　被請求人が提出した口頭審理陳述要領書には、「以下、本件明細書の表１〜表３を結合したものを示す。この表（当審注：以下、「総合表」という。）から明らかなように、「耐チッピング性」、「加工速度」及び「表面品位」の３つの評価項目のうち、「△」が２つ以上又は「×」が１つ以上ある試料は、総合評価を「×」にしている。このように本件発明の作用効果は一義的に確認できないわけではない。」（１１頁３〜７行）と記載され、同１１頁に記載された総合表を見ると、実施例に相当する試料（試料Ｎｏ．に「＊」印のついていないもの）の総合評価は「○」印となっており、上記記載が裏付けられている（なお、上述の本件訂正により試料Ｎｏ．９に「＊」が付与されたことについては後述する。）。
（は）まず、チッピングについてみてみると、本件訂正明細書には「チッピング幅の最も大きい５ポイントを選びそのチッピング幅の平均をとり、その平均値が２５μｍ未満を○、２５〜３０μｍを△、３０μｍを越えるものを×として示した。」（【００２７】）と記載されているが、２５μｍ及び３０μｍを評価長さとした理由については何等記載されていない。
　一方、チッピングの評価方法は、例えば甲第２号証の【００２１】に記載されているように他の方法もあり、さらには、チッピングの評価長さである上記チッピング幅は切断に用いるホイールの表面粗さ等にも依存することは明らかである。
　そうすると、上記評価長さとして２５μｍ及び３０μｍとすることに、一般化できる技術的意義があるとはいえず、本件特許訂正発明の耐チップ性は格別なものであるとは直ちにいえない。
（ひ）次に、加工速度と表面品位について、総合表の「△」印、「○」印と、本件訂正明細書の表１〜３の数値を比較すると、総合表において、加工速度については、１３５Å／ｍｉｎ以下の試料について「△」印が、その他のものについては「○」印が付与され、表面品位については、０．３μｍ以下の試料に「○」印が、その他のものについては「△」印が付与されているとみることができる。
　そこで、この加工速度の１３５Å／ｍｉｎ、表面品位の０．３μｍという値の持つ技術的意義についてみてみることにする。
　加工速度は生産性の点からみて大きい方が、また、表面品位は磁気ヘッド用という用途からみて滑らかな方が、それぞれ、望ましいことは技術常識に照らして明らかであるが、これら数値自体にどのような技術的意義があるのかは訂正明細書には何等記載されていない。
　表１〜３及び総合表から、加工速度の「△」印の最大値が１３５Å／ｍｉｎ、「○」印の最小値が１３８Å／ｍｉｎ、表面品位の「△」印の最小値が０．３５μｍ、「○」印の最大値が０．３０μｍであり、加工速度、表面品位とも「○」印と「△」印のものとの数値差は必ずしも大きいものとはいえない。
　ところで、例えば、加工速度は、イオンビームの入射角度や加速電圧によって変化するものであり（要すれば、甲第１号証２３３頁、図７．１３を参照）、上記加工速度の差はこれら入射角度や加速電圧の調整によって十分に補えるものといえる。
　そうであれば、上記加工速度の１３５Å／ｍｉｎ、表面品位の０．３μｍという値に技術的意義を見いだすことはできない。
（ふ）そうすると、耐チップ性、加工速度、表面品位をみたときの作用・効果に関し、「×」印が一つある試料、「△」印が二つある試料、これ以外の試料との間に格別の差があるとみることができず、本件特許訂正発明の奏する作用・効果は顕著なものとはいえない。
（へ）そして、上述の本件訂正により「試料Ｎｏ．９」に「＊」印がつくことになった。試料Ｎｏ．９の加工速度は１３０Å／ｍｉｎであって「△」印が付与されるべきものであり、耐チッピング性は「○」印であるところ、この試料Ｎｏ．９が本件訂正により本件訂正発明１及び２以外のものとなったのであるから、表面品位にも「△」印が付与されなければ、総合評価に関し実施例と齟齬が生じる。そうであれば、表面品位が０．３μｍは「△」印が付与となるから、試料Ｎｏ．１７の表面品位にも「△」印が付与されることになる。すると、試料Ｎｏ．１７は、本件訂正発明１の特定事項を満足するにもかかわらず、総合評価は「×」印となり、本件特許訂正発明１の中には、所定の作用・効果を奏しないものが存在することになる。
　また、訂正後の試料Ｎｏ．９の総合評価を「○」印のままとすれば、実施例でないものと実施例であるものが同様の作用・効果を奏することになるから、このことからも本件特許訂正発明の奏する作用・効果は格別なものとはいえない。
　
９．請求人の主張について
　請求人は訂正請求書において、
（１）「審決（当審注：第１次審決）では、・・・・・・甲第２号証には、・・・・・・ＴｉＣの平均結晶粒径と重量％は記載されているものの、ＴｉＣの平均結晶粒径の数値範囲、ＴｉＣの重量割合の数値範囲、ＴｉＣとＡｌ２Ｏ３の結晶粒子の粒径割合の数値範囲については、本件発明と同一の数値範囲が記載されている訳ではない。」（１０頁２０〜２６行）
（２）「結晶粒の粒径に関し、本件特許発明ではＴｉＣ結晶粒の平均粒径は、画像処理によって円相当径を算出し、全体の平均結晶粒径は、コード法により測定したと記載されており、全体の平均結晶粒径と体積比率とから、Ａｌ２Ｏ３結晶粒径を算出している。
　しかし、甲第２号証では、２値化処理を行い、形状及び寸法解析を行って粒径を求めたと記載されているが、これは本件明細書の方法とは異なっている。
　資料１及び２を参照すると、粒径の定義毎に測定方法が異なり、同じ粒子群であっても測定方法の違いにより測定値が異なることが知られているから、甲第２号証に記載のＡｌ２Ｏ３粒子径とＴｉＣ粒子径との比率が本件特許発明の数値範囲に入っていたとしても、実際には、本件特許発明の数値範囲外の比率範囲である場合もあるといえるところ、資料３によれば、甲第２号証に記載のＳＰＩＣＯＡ−２はＳＰＩＣＣＡ−ＩＩの誤記といえるが、ＳＰＩＣＣＡ−ＩＩのカタログ・取扱説明書が入手できなかったので（資料４）、甲第２号証の粒径と本件特許発明の粒径との差を定量的に示すことはできていない」旨（１１頁３行〜１２頁２１行）
を主張している。
　そこで、これらの主張について検討する。
（ま）上記（１）について、
　本件特許訂正発明の進歩性を判断するに当たり、特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された発明、すなわち、同請求項に含まれる発明が容易になされたものであるかどうかを判断すれば十分であって、同請求項に特定する範囲のすべてにわたって容易になされたものであるか否かまでの判断をする必要はないし、上記８で述べたように本件特許訂正発明の奏する作用・効果は格別なものとはいえないから、同請求項に特定される各数値範囲の特定を行うことも格別困難なこととはいえない。
。
（み）上記（２）について
　本件訂正明細書には、コード法により全体の平均結晶粒径を測定した旨の記載（【００２５】）はあるものの、コード法自体について説明する記載は見当たらない。被請求人はコード法とは、資料５及び６に基づいて、
Ｌ／（ｎ−１）　Ｌ：単位長さ、ｎ：直線と粒界の交点数
なる式（以下、「本件式」という。）を以て、粒径が求められるものと説明している。
　そこで、コード法についてみてみると、コード法（インタセプト法）による粒径を求める式には、
Ｄ＝１．５×ｎ／Ｌ　Ｌ：測定長さ、ｎ：長さＬ当たりの結晶の数（特開平６−１５１９１号公報の【００１４】）、
単位長さ／単位長さを結晶粒界が横切る数に１．５６を乗じる（特開平５−１９６７７０号公報の【００３１】）、
線分長（μｍ）÷粒界数÷（０．７９）２（特開平４−８９３５９号公報の４頁右上欄１５〜１９行）、
粒子形状を球形と近似し、任意の直線が粒子によって切り取られる切片の平均長さの１．５倍（特開平１−１１９５５９号公報の６頁右下欄４〜１０行）
等、種々のものがあり、コード法に使用される数式は本件式に限られないといえ、本件訂正明細書でいうコード法は本件式以外の式を用いている可能性も否定出来ない。
　また、本件式を含む上記各式を用いるに当たり、直線の引き方（引く方向や本数）は規定されておらず、この規定に関して言及する文献は未見であるから、コード法を用いるに当たり、直線の引き方は任意であり、コード法によって測定された粒径は一義的なものでないとみることができる。
　ところで、本件特許訂正発明においては、Ａｌ２Ｏ３結晶粒径をコード法で求めた全体の平均結晶粒径とＴｉＣの円相当径を基に求めていることからみて、コード法で求めた径を円相当径で求めた径と事実上同じものと扱えるような前提の基でコード法による測定を行っていると推認される。そうであれば、粒の形状を仮定したり、直線の引く方向や本数を適宜決定して、コード法で求めた粒径と円相当径が近接してくるように測定しているといえ、結局、Ａｌ２Ｏ３もＴｉＣと同じく事実上円相当径を求めているといえる。
　そして、資料７によれば、ＳＰＩＣＣＡという画像解析装置は、円相当径を求めるものといえるから、資料４及び５から同系列の装置を使用したといえる甲第２号証において、Ａｌ２Ｏ３及びＴｉＣの平均結晶粒径は円相当径と推認され、粒径測定方法の違いによる粒径の違いは実質的にないとみることが自然である。
　さらに、甲第２号証発明には、
　Ａｌ２Ｏ３結晶粒の平均結晶粒径が、ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径より３３％大きく、
　結晶粒全体の平均結晶粒径は０．７６μｍ、または０．７４μｍ
　ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径は０．６μｍ、
のものが含まれている。
　これは、本件特許訂正発明で特定する「Ａｌ２Ｏ３結晶粒の平均結晶粒径が、ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径より５〜５０％大き」いという数値範囲のほぼ中央値を満足し、「結晶粒全体の平均結晶粒径が１μｍ以下」、及び「ＴｉＣ結晶粒の平均結晶粒径が０．９μｍ以下」という上限値よりもかなり小さい値であることを考慮すると、仮に測定方法の違いによる平均結晶粒径の違いが多少あるにしても甲第２号証発明は本件特許訂正発明１の数値範囲を満たしているとみることができる。
　加えて、被請求人は甲第２号証発明の粒径と本件特許訂正発明の粒径との差を定量的に示していない。
（む）よって、上記（１）及び（２）の被請求人の主張は採用できない。
　
１０．むすび
　以上のとおりであるから、本件特許訂正発明１〜２についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、同法第１２３条第１項第２号の規定に該当し、無効とすべきものである。 
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、被請求人が負担すべきものとする。
　よって、結論のとおり審決する。