【手続補正書】
【提出日】平成23年3月28日(2011.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種のエッチャント、少なくとも１種の界面活性剤、任意選択で少なくとも１種の有機溶媒、任意選択で少なくとも１種のキレート剤、任意選択で少なくとも１種の酸化剤、任意選択で少なくとも１種の塩化物源、および任意選択で水を含む、その上に少なくとも１種の材料を有するマイクロ電子デバイス構造をリサイクルするための組成物であって、
前記少なくとも１種の材料は、エッチング後残渣、低ｋ誘電体、高ｋ誘電体、エッチング停止材料、金属スタック材料、バリア層材料、強誘電材料、ケイ化物材料、窒化物材料、酸化物材料、フォトレジスト、裏面反射防止コーティング（ＢＡＲＣ）、犠牲反射防止コーティング（ＳＡＲＣ）、ポリマー含有積層、各種材料、ドープ領域、およびこれらの組合せからなる群から選択される、
組成物。
【請求項２】
少なくとも１種のキレート剤、少なくとも１種の酸化剤、少なくとも１種の塩化物源、および水を含む、
請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
少なくとも１種の有機溶媒をさらに含む、
請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
少なくとも１種のエッチャントが、フッ化物源を含む、
請求項１から３のいずれかに記載の組成物。
【請求項５】
少なくとも１種の界面活性剤が、フルオロアルキル界面活性剤、エトキシル化フルオロ界面活性剤、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコールエーテル、ポリプロピレングリコールエーテル、カルボン酸塩、ドデシルベンゼンスルホン酸およびその塩、ポリアクリレートポリマー、ジノニルフェニルポリオキシエチレン、シリコーンポリマー、変性シリコーンポリマー、アセチレンジオール、変性アセチレンジオール、アルキルアンモニウム塩、変性アルキルアンモニウム塩、アルキルフェノールポリグリシドールエーテル、アルキル硫酸ナトリウム、アルキル硫酸アンモニウム、アルキル（Ｃ１０〜Ｃ１８）カルボン酸アンモニウム塩、スルホコハク酸ナトリウムおよびそのエステル、アルキル（Ｃ１０〜Ｃ１８）スルホン酸ナトリウム塩、ジアニオンスルホネート界面活性剤、セチルトリメチルアンモニウムブロミド、硫酸水素セチルトリメチルアンモニウム、カルボン酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、アミンオキシド、Ｎ−ドデシル−Ｎ，Ｎ−ジメチルベタイン、ベタイン、スルホベタイン、アルキルアンモニオプロピルサルフェート、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、ポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）、アクリルアミドポリマー、ポリ（アクリル酸）、カルボキシメチルセルロース（ＣＭＣ）、カルボキシメチルセルロースナトリウム（Ｎａ  ＣＭＣ）、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ポリビニルピロリドンＫ３０、ラテックス粉末、エチルセルロースポリマー、プロピルセルロースポリマー、セルロースエーテル、水溶性樹脂、ならびにこれらの組合せからなる群から選択される種を含む、
請求項１から３のいずれかに記載の組成物。
【請求項６】
少なくとも１種の界面活性剤が、ジアニオンスルホネートを含む、
請求項１から３のいずれかに記載の組成物。
【請求項７】
少なくとも１種の有機溶媒が、テトラメチレンスルホン、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールｎ−プロピルエーテル（ＤＰＧＰＥ）、トリプロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、およびこれらの組合せを含む、
請求項３に記載の組成物。
【請求項８】
少なくとも１種のキレート剤が、アセチルアセトネート、１，１，１−トリフルオロ−２，４−ペンタンジオン、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオン、ホルメート、アセテート、ビス（トリメチルシリルアミド）四量体、グリシン、セリン、プロリン、ロイシン、アラニン、アスパラギン、アスパラギン酸、グルタミン、バリン、リシン、クエン酸、酢酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、ホスホン酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、１−ヒドロキシエタン−１，１−ジホスホン酸、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）、ニトリロ三酢酸、イミノ二酢酸、エチドロン酸、エチレンジアミン、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、（１，２−シクロへキシレンジニトリロ）四酢酸（ＣＤＴＡ）、尿酸、テトラグライム、ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ）、１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリチオール三ナトリウム塩溶液、１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリチオール三アンモニウム塩溶液、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム、二置換ジチオカルバメート、硫酸アンモニウム、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、Ｄｅｑｕｅｓｔ  ２０００、Ｄｅｑｕｅｓｔ  ２０１０、Ｄｅｑｕｅｓｔ  ２０６０ｓ、ジエチレントリアミン五酢酸、プロピレンジアミン四酢酸、２−ヒドロキシピリジン１−オキシド、エチレンジアミン二コハク酸、三リン酸五ナトリウム、およびこれらの組合せからなる群から選択される種を含む、
請求項２に記載の組成物。
【請求項９】
少なくとも１種のキレート剤が、ホスホン酸誘導体を含む、
請求項２に記載の組成物。
【請求項１０】
少なくとも１種の酸化剤が、過酸化水素を含む、
請求項２に記載の組成物。
【請求項１１】
少なくとも１種の塩化物源が、塩酸、アルカリ金属塩化物、アルカリ土類金属塩化物、塩化アンモニウム、およびこれらの組合せを含む、
請求項２に記載の組成物。
【請求項１２】
少なくとも１種の塩化物源が、塩化アンモニウムを含む、
請求項２に記載の組成物。
【請求項１３】
ＨＦ、塩化アンモニウム、少なくとも１種の界面活性剤、少なくとも１種のホスホン酸誘導体、Ｈ２Ｏ２、および水を含む、
請求項２に記載の組成物。
【請求項１４】
エッチング後残渣、低ｋ誘電体、高ｋ誘電体、エッチング停止材料、金属スタック材料、バリア層材料、強誘電材料、ケイ化物材料、窒化物材料、酸化物材料、フォトレジスト、裏面反射防止コーティング（ＢＡＲＣ）、犠牲反射防止コーティング（ＳＡＲＣ）、ポリマー含有積層、各種材料、ドープ領域、およびこれらの組合せからなる群から選択される少なくとも１種の材料を備えるマイクロ電子デバイス基板を、マイクロ電子デバイス基板から少なくとも１種の材料を実質的に除去してリサイクル可能または再利用可能なマイクロ電子デバイス基板を得るために十分な時間および十分な条件下で、第１の組成物と接触させるステップを含み、
前記第１の組成物が、少なくとも１種のエッチャント、少なくとも１種の界面活性剤、任意選択で少なくとも１種の有機溶媒、任意選択で少なくとも１種のキレート剤、任意選択で少なくとも１種の酸化剤、任意選択で少なくとも１種の塩化物源、および任意選択で水を含む、
マイクロ電子デバイス基板をリサイクルする方法。
【請求項１５】
マイクロ電子デバイス基板から少なくとも１種の材料（複数可）を除去するための前記接触させるステップが、単一ステップで行われる、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
低ｋ誘電体、高ｋ誘電体、エッチング停止材料、金属スタック材料、バリア層材料、強誘電材料、ケイ化物材料、窒化物材料、酸化物材料、フォトレジスト、裏面反射防止コーティング（ＢＡＲＣ）、犠牲反射防止コーティング（ＳＡＲＣ）、各種材料、およびこれらの組合せからなる群から選択される、少なくとも１種の堆積可能な材料を、再生基板上に堆積させるステップをさらに含む、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
少なくとも１種の材料を含むマイクロ電子デバイス基板の片側が、組成物との接触から保護される、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
マイクロ電子デバイス基板と、エッチング後残渣、低ｋ誘電体、高ｋ誘電体、エッチング停止材料、金属スタック材料、バリア層材料、強誘電材料、ケイ化物材料、窒化物材料、酸化物材料、フォトレジスト、裏面反射防止コーティング（ＢＡＲＣ）、犠牲反射防止コーティング（ＳＡＲＣ）、ポリマー含有積層、各種材料、ドープ領域、およびこれらの組合せからなる群から選択される少なくとも２種の材料とを、マイクロ電子デバイス基板から少なくとも第１の材料を実質的に除去するために十分な時間および十分な条件下で、第１の組成物と接触させるステップであって、前記第１の組成物が、少なくとも１種のエッチャント、少なくとも１種の界面活性剤、任意選択で少なくとも１種の有機溶媒、任意選択で少なくとも１種のキレート剤、任意選択で少なくとも１種の酸化剤、任意選択で少なくとも１種の塩化物源、および任意選択で水を含む、ステップと、
マイクロ電子デバイス基板から少なくとも第２の材料を実質的に除去してリサイクル可能または再利用可能なマイクロ電子デバイス基板を得るために十分な時間および十分な条件下で、その上に少なくとも１種の材料を有するマイクロ電子デバイス基板を、少なくとも少なくとも１種の有機溶媒を含む第２の組成物と接触させるステップと、
を含むマイクロ電子デバイス構造をリサイクルする方法。
【請求項１９】
第１の組成物が、少なくとも１種の酸化剤、少なくとも１種のキレート剤、および任意選択で水を含む、
請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
第１の材料が、金属を含み、第２の材料が、低ｋ誘電材料を含む、
請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
第１の組成物が、少なくとも１種のキレート剤、少なくとも１種の酸化剤、少なくとも１種の塩化物源、および任意選択で水を含む、
請求項１４または１８に記載の方法。
【請求項２２】
少なくとも１種のエッチャントが、フッ化物源を含む、
請求項１４または１８に記載の方法。
【請求項２３】
少なくとも１種の界面活性剤が、フルオロアルキル界面活性剤、エトキシル化フルオロ界面活性剤、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコールエーテル、ポリプロピレングリコールエーテル、カルボン酸塩、ドデシルベンゼンスルホン酸およびその塩、ポリアクリレートポリマー、ジノニルフェニルポリオキシエチレン、シリコーンポリマー、変性シリコーンポリマー、アセチレンジオール、変性アセチレンジオール、アルキルアンモニウム塩、変性アルキルアンモニウム塩、アルキルフェノールポリグリシドールエーテル、アルキル硫酸ナトリウム、アルキル硫酸アンモニウム、アルキル（Ｃ１０〜Ｃ１８）カルボン酸アンモニウム塩、スルホコハク酸ナトリウムおよびそのエステル、アルキル（Ｃ１０〜Ｃ１８）スルホン酸ナトリウム塩、ジアニオンスルホネート界面活性剤、セチルトリメチルアンモニウムブロミド、硫酸水素セチルトリメチルアンモニウム、カルボン酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、アミンオキシド、Ｎ−ドデシル−Ｎ，Ｎ−ジメチルベタイン、ベタイン、スルホベタイン、アルキルアンモニオプロピルサルフェート、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、ポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）、アクリルアミドポリマー、ポリ（アクリル酸）、カルボキシメチルセルロース（ＣＭＣ）、カルボキシメチルセルロースナトリウム（Ｎａ  ＣＭＣ）、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ポリビニルピロリドンＫ３０、ラテックス粉末、エチルセルロースポリマー、プロピルセルロースポリマー、セルロースエーテル、水溶性樹脂、ならびにこれらの組合せからなる群から選択される種を含む、
請求項１４または１８に記載の方法。
【請求項２４】
少なくとも１種のキレート剤が、アセチルアセトネート、１，１，１−トリフルオロ−２，４−ペンタンジオン、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオン、ホルメート、アセテート、ビス（トリメチルシリルアミド）四量体、グリシン、セリン、プロリン、ロイシン、アラニン、アスパラギン、アスパラギン酸、グルタミン、バリン、リシン、クエン酸、酢酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、ホスホン酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、１−ヒドロキシエタン−１，１−ジホスホン酸、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）、ニトリロ三酢酸、イミノ二酢酸、エチドロン酸、エチレンジアミン、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、（１，２−シクロへキシレンジニトリロ）四酢酸（ＣＤＴＡ）、尿酸、テトラグライム、ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ）、１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリチオール三ナトリウム塩溶液、１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリチオール三アンモニウム塩溶液、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム、二置換ジチオカルバメート、硫酸アンモニウム、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、Ｄｅｑｕｅｓｔ  ２０００、Ｄｅｑｕｅｓｔ  ２０１０、Ｄｅｑｕｅｓｔ  ２０６０ｓ、ジエチレントリアミン五酢酸、プロピレンジアミン四酢酸、２−ヒドロキシピリジン１−オキシド、エチレンジアミン二コハク酸、三リン酸五ナトリウム、およびこれらの組合せからなる群から選択される種を含む、
請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
少なくとも１種のキレート剤が、ホスホン酸誘導体を含む、
請求項２１に記載の方法。
【請求項２６】
少なくとも１種の塩化物源が、塩酸、アルカリ金属塩化物、アルカリ土類金属塩化物、塩化アンモニウム、およびこれらの組合せを含む、
請求項２１に記載の方法。
【請求項２７】
少なくとも１種の塩化物源が、塩化アンモニウムを含む、
請求項２１に記載の方法。
【請求項２８】
少なくとも１種の有機溶媒が、テトラメチレンスルホン、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールｎ−プロピルエーテル（ＤＰＧＰＥ）、トリプロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、およびこれらの組合せを含む、
請求項１８に記載の方法。