【事件の表示】
　特願２００２−３３０６９６「画像記録媒体」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　６月１０日出願公開、特開２００４−１６５４８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１４年１１月１４日の出願であって、平成２０年６月２５日付けの拒絶理由通知に対して、同年８月２８日に手続補正書及び意見書が提出されたが、同年１１月５日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年１２月１１日に審判請求がされたものである。
　
　
第２．本願発明に対する判断
１．本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、平成２０年８月２８日に提出された手続補正書により補正された請求項１に記載された、次のとおりのものである（以下「本願発明」という。）。
　
【請求項１】
「画像情報を担持した記録用の電磁波を透過する第１電極と、主成分がａ−Ｓｅであり前記電磁波の照射を受けることにより電荷を発生する記録用光導電層と、前記第１電極と前記記録用光導電層の間に積層された前記記録用光導電層の界面結晶化を抑制する抑制層と、前記記録用光導電層において発生した電荷に応じた信号を読み出すための第２電極と、前記第１電極、前記抑制層、前記記録用光導電層および前記第２電極とがこの順の積層される基板とを備え、前記電磁波の照射により前記記録用光導電層において発生した電荷を蓄積することにより前記画像情報を記録する画像記録媒体において、
　前記抑制層が、前記画像情報の記録の際に前記第１電極に移動する電荷と逆極性の電荷に対しては絶縁性を有し、前記第１の電極に移動する電荷と同極性の電荷に対しては導電性を有する有機膜であることを特徴とする画像記録媒体。」
　
２．引用例の表示
　　引用例１：特開２００１−１１６８４６号公報
　　引用例２：特開２００１−２６４４４２号公報
　
３．引用例１の記載、引用発明と、引用例２の記載
３−１．引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００１−１１６８４６号公報（以下「引用例１」という。）には、「放射線撮像装置、放射線感知装置、放射線撮像方法、及び検出及び制御のための方法」（発明の名称）に関して、図１〜図４、図６とともに、次の記載がある。
　
　　ア．発明の背景等
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は放射線撮像の分野でのシステム及び方法に関し、特に、改良型平面パネル・アクティブ・マトリックス（flat panel active matrix）放射線検出器を使用するＸ線画像の高度検出のためのシステム及び方法に関する。」
・「【０００３】最近、静的及び／または動的なＸ線画像を検出するシステム及び方法が提案された。これらのデジタルＸ線システム及び方法はＸ線画像のデジタル表示を提供するが、そこではＸ線画像は可読電気信号として記録されるので、撮像（imaging）処理におけるフィルム／スクリーンの必要はなくなる。デジタルＸ線システムは通常、Ｘ線から電荷キャリア（charge carriers)への直接変換か、またはその代わりにＸ線がまず光に変換された後電荷キャリアに変換される間接変換に依存している。
【０００４】直接変換法は通常、蓄積コンデンサのアレイに結合された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）またはダイオードのアドレス指定（addressing）を有するソリッドステート・アレイ（salid state array)を備えるソリッドステート要素の上に置かれたアモルファス・セレンのようなＸ線感受性光導電体（X-ray sensitive photoconductor）を使用する。直接変換法の例はＬｅｅ外の米国特許第５、３１３、０６６号によって提供されており、これは、複数の個別アクセス可能マイクロプレート（microplates）と複数のアクセス電極（access electrodes)を備える導電性層を含む層状構造を有するパネルと、そのパネルの上に搭載された電子部品を備えるＸ線画像収集要素（X-ray image capturing element)を説明している。」
　
　　イ．発明の実施の形態
・「【００３４】
【発明の実施の形態】ここで、本発明の好適実施例による高度画像検出モジュールを組み込んだデジタルＸ線システムを例示する図１を参照する。図１は、デジタルＸ線撮像システム２０を例示するが、これにはＸ線ビームを放出するＸ線発生源２２が含まれる。コリメータ２４は好適には放出されるＸ線ビームを整形する。Ｘ線ビームは、好適にはＸ線透過性患者支持具２８の上に横になるかまたはその前に立っている患者２６に好適には衝突する。このとき照射（irradiation)は画像検出モジュール３０に衝突するが、これは通常、以下説明されるように、Ｘ線放射線から電荷への直接変換器と電荷読み出しのためのソリッドステート・アクティブ・マトリックスを含む平面パネル・デジタルＸ線検出器である。Ｘ線撮像システムは当業技術分野で周知の散乱防止格子（anti-scatter grid)３２を含んでもよい。」
・「【００３６】好適には、画像検出モジュール３０は、通常制御装置とデータ・プロセッサ（図示せず）を含むシステム・ホスト・コンピュータ３４によって制御される。通信リンク３６は、ＵＳＢのような標準通信プロトコルを使用することができ、好適には画像検出モジュール３０をシステム・ホスト・コンピュータに接続し、制御情報の通信のために使用される。画像検出モジュール３０からシステム・ホスト・コンピュータ３４のデータ・プロセッサへの高速データ転送は、好適には電気または光ファイバ・リンクを使用する高速データ・リンク３８によって取り扱われる。代案として高速データ・リンク３８は無線式であってもよい。
【００３７】システム・ホスト・コンピュータ３４の制御装置は好適には、Ｘ線発生器４０を制御して、管電圧（ｋＶｐ）、管電流（ミリアンペア）及びＸ線露出パルスの最大予想持続期間といったＸ線管２２の露出パラメータを設定する。これらのパラメータは通常、操作員の制御のもとで個々の患者検査の要求に従って設定される。本発明の好適実施例によれば、Ｘ線露出の実際の持続期間は以下説明されるように自動的に決定される。
【００３８】本発明の代案の実施例によれば、Ｘ線発生器４０の露出パラメータは手動で発生器操作卓（図示せず）に入力されてもよい。デジタルＸ線システム２０にはまた好適には、画像ディスプレイ・ステーションの役目をするモニタ４２が含まれ、好適にはまたシステム操作員へのユーザ・インターフェースが含まれる。
【００３９】画像検出モジュール３０は、一般のＸ線撮影法（radiography)および乳房Ｘ線撮影法（mammography)といった静的Ｘ線撮像またはその代わりに蛍光透視法のような動的Ｘ線撮像のためのデジタルＸ線システムと共に使用されてもよいことが認識される。ここで述べる非制限的な例では、Ｐｈｉｌｉｐｓ  Ｍｅｄｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌによって市販されるもののような一般のＸ線撮影システムがデジタルＸ線撮像システム（digital X-ray imaging system）２０の一部を形成し、通常以下の方法で動作する。」
・「【００４５】ここで図２を参照すると、これは、本発明の好適実施例による図１の画像検出モジュール３０の一部を形成するＸ線センサ・アレイ５０を例示したものである。認識されるように、Ｘ線センサ・アレイ５０に加えて、画像検出モジュール３０（図１）には通常、好適にはＥＭＩ−ＲＦＩから保護し、Ｘ線センサ・アレイ５０に衝突するＸ線が通過する少なくとも１つの表面を有する光遮蔽外被（図示せず）が含まれる。Ｘ線遮蔽読み出し電子装置（図示せず）は好適にはその周辺の非活動領域（non-active regions）でＸ線センサ・アレイ５０に結合される。Ｘ線遮蔽読み出し電子装置（図示せず）からＸ線センサ・アレイ５０への接続は好適には、当業技術分野で周知のＴＡＢボンディングやワイヤ・ボンディングのような標準相互接続技術を使用して実行される。また、可撓相互接続ボードを用いて、Ｘ線センサ・アレイ５０を外部読み出し電子装置（図示せず）に取り外し式または永久的に接続しても良い。取り外し式接続は高密度弾性ゼブラ・コネクタ(elastomeric zebra connectors)を使用し、一方、永久的接続は異方性導電接着フィルム（anisotropic conducting adhesive films)を使用してもよい。単純かつ簡潔のため、ここではＸ線センサ・アレイ５０だけを示す。
【００４６】Ｘ線センサ・アレイ５０は好適には、上部から底部に向って、上部導電性層５２、第１電荷阻止層５４、光電変換層５６、第２電荷阻止層５８、ソリッドステート・アクティブ・マトリックス・アレイ６０、及び支持基板６２を有する層状スタックを備えた多層構造である。上部導電性層５２は好適には、酸化インジウム錫、クロム、金、銀、銅またはチタンといったＸ線透過性電気伝導性材料から形成された連続電極であり、バイアス電圧ＨＶを上部導電性層５２に印加する外部高電圧電源（図示せず）へのバイアス用電気接続を有する。
【００４７】上部導電性電極５２の下には、好適には単極性阻止特性（unipolar blockingcharacteristics)を有する第１電荷阻止層５４が置かれる。上部導電性層５２からのバイアス電圧ＨＶと同じ極性を有する電荷キャリアの注入は阻止されるが、一方反対の極性の電荷キャリアの通過は阻止されず、それらは上部導電性層５２に移動し、そこに集められる。
【００４８】光電変換層５６がアモルファス・セレンである場合、第１電荷阻止層５４はアルカリをドープしたセレンから形成されてもよい。また、第１電荷阻止層５４は、両方の極性の電荷キャリアに対して阻止特性を有するサブミクロンの厚さの誘電体層であってもよい。光電変換層５６は好適には、直接変換Ｘ線感知材料（direct conversion X-ray sensing material）としての役目を果たすのに適するようにする特性を有する。その増感とそれに続く入射放射線（incident radiation）への露出の際、光電変換層５６は、好適には電荷キャリアの平均自由行程が層の所望の厚さより大きいような高い電荷キャリア移動度と寿命を有する適切な数の抽出可能自由電子正孔対を生成する。さらに、光電変換層５６は好適には一般に低い暗電流を生じる高い暗抵抗率を示し、それによってＸ線撮像中この層にかかる電界を維持することができることが好ましい。さらに、光電変換層５６は好適には内部の電荷キャリアトラップサイト（charge carrier trap sites)の密度が低いことを特徴とする。
【００４９】光電変換層５６は、アモルファス・セレン、セレン合金、ヨウ化鉛、酸化鉛、臭化タリウム、テルル化カドミウム亜鉛、硫化カドミウム、ヨウ化水銀、または当該放射線スペクトルで光電Ｘ線感度（photoelectric X-ray sensitivity)を示す何らかの他の適切な材料を含むものであってもよい。通常医用撮像の用途では、Ｘ線光子エネルギースペクトルは１８〜１５０ｋｅＶの範囲である。
【００５０】認識されるように、その高い暗抵抗率の故に、アモルファス・セレンが一般に光電変換層５６のために選択される材料と考えられる。しかし、以下詳細に説明されるように、積算放射線データから直流成分を除外することによって、画像検出モジュール３０（図１）のダイナミックレンジの許容できない部分を占めることなく高い暗電流を有する材料が許容されるのは本発明の特徴である。」
・「【００５２】光電変換層５６の下には好適には単極性阻止特性を有する第２電荷阻止層５８が置かれる。ソリッドステート・アクティブ・マトリックス・アレイ６０からのバイアス電圧ＨＶと反対の極性を有する電荷キャリアの注入は阻止されるが、一方バイアス電圧ＨＶと同じ極性を有する電荷キャリアの通過は阻止されず、それらはソリッドステート・アクティブ・マトリックス・アレイ６０に移動し、そこに集められる。
【００５３】光電変換層５６がアモルファス・セレンである場合、単極性阻止特性を有する第２電荷阻止層５８はアモルファス三セレン化砒素（ａ−Ａｓ．ｓｕｂ．２  Ｓｅ．ｓｕｂ．３）から形成されてもよい。また、第２電荷阻止層５８は、両方の極性の電荷キャリアに対する阻止特性を有するサブミクロンの厚さの誘電体層であってもよい。
【００５４】ソリッドステート・アクティブ・マトリックス・アレイ６０は好適には、画像ピクセルに対応する電荷蓄積コンデンサに関連する複数のアドレス可能電荷蓄積マイクロプレートを備えている。各マイクロプレートの寸法はピクセルの感知エリアとピクセル占有率を決定する。好適には、ピクセル占有率はできる限り高い。アドレス可能電荷蓄積マイクロプレート及び蓄積コンデンサの説明は、特に図６及び図８に関連して以下説明されるとおりである。
【００５５】支持基板６２は好適にはＸ線センサ・アレイ５０に対して電気絶縁、機械的支持及び寸法安定性を提供し、ソリッドステート・アクティブ・マトリックス・アレイ６０及び層５２〜５８がその上に形成される基礎の役目を果たす。支持基板６２は好適には数ミリメートル厚（約１ｍｍ〜５ｍｍ）で、平坦で一般に無傷な上部表面を有するガラス・パネルである。支持基板６２のための適切な材料の例は“Ｃｏｒｎｉｎｇ  ｇｌａｓｓ７０５９及び１７３７”である。支持基板６２とソリッドステート・アクティブ・マトリックス・アレイ６０は、撮像エリア全体の寸法に応じて、１つのパネルか、または互いにタイル張りにして継ぎ合わされたいくつかのパネルを備える。
【００５６】Ｘ線撮像中、数百〜数千ボルト程度で高バイアス電圧ＨＶを上部導電性層５２に印加して、同じ極性の異なったはるかに低いバイアス電圧をソリッドステート・アクティブ・マトリックス・アレイ６０のマイクロプレート（図示せず）に供給することによって、Ｘ線センサ・アレイ５０は好適には増感され（sensitized）、光電変換層５６にかかる電界が維持される。
【００５７】通常、ＨＶの値は、光電変換層５６にかかる高いが持続可能な電界を生成するように選択される。例えば、光電変換層５６がアモルファス・セレンまたはセレンベースの合金である場合、ＨＶは好適には正の極性を有し、望ましい電界強度は５〜３０ボルト／ミクロンの範囲であり、好適には１０ボルト／ミクロンであるが、電界強度が高いほどＸ線放射に対する感度が増大する。
【００５８】露出中、Ｘ線放射６４は部分的に光電変換層５６によって吸収され、吸収された放射線は物体（例えば、人体の解剖学的領域）の伝送変調Ｘ線画像（transmission modulated X-ray image）を表す。Ｘ線放射線光子（X-ray radiation photons)は、光電変換層５６のＸ線感受性材料のバンドギャップよりエネルギーが高く、光電変換層５６に多数の自由電子／正孔対を生成し、自由キャリアの合計数は画像様式Ｘ線パターンに空間的に対応する。光電変換層５６にかかっている電界は、再結合の後に生き残ったそれらの生成された電子／正孔対を、光電変換層５６の平面に対して一般に垂直である電界線にそって反対の方向に光電変換層５６を移動させる。
【００５９】電界は好適には十分に強く、そのため空間電荷効果（space charge effects）は無視でき、光電変換層５６の平面に対して垂直な直線電界線に沿って電荷キャリアの移動が発生し、にじみまたは散乱、及びそれらに対応する画像空間解像度の低下を生じさせる電荷の横向き運動（横方向の広がり）は事実上発生しない。従って、光電変換層５６全体にわたって層の厚さへの依存は最小で高い空間解像度が通常維持される。
【００６０】図示の例では正極性のバイアス電圧が上部導電性層５２に印加されるので、光電変換層５６内に生成される負の電荷キャリアは上部導電性層５２の方向に移動し、光電変換層５６内に生成される正の電荷キャリアはソリッドステート・アクティブ・マトリックス・アレイ６０のマイクロプレート（図示せず）の方向に移動し、そこに蓄積される。以下に説明されるように、好適にはマトリックスのアドレス指定がそのとき使用されて、Ｘ線吸収の結果蓄積された電荷をマイクロプレート（図示せず）から外部電子装置（図示せず）に転送させ、従って伝送変調Ｘ線画像のデジタル表示を提供する。」
・「【００６２】ここで図３を参照すると、これは、本発明の好適実施例による図２のソリッドステート・アクティブ・マトリックス・アレイ６０のある領域の概略を例示したものである。ソリッドステート・アクティブ・マトリックス・アレイ６０（図２）には好適には、望ましい形状のクラスタを規定する行と列に配置された複数の個別電荷蓄積ピクセル要素１００が含まれる。各ピクセル要素１００は好適には、導体層、半導体層及び誘電体層を含むパターン成形多層構造を備えており、これは電荷蓄積とピクセルのアドレス指定能力を提供する。ピクセル要素１００の構造と動作は好適には以下に図６〜図９を参照して説明されるようなものである。行アドレス指定と列読み出しを提供する外部電子装置が、特に図４を参照して以下説明されるように、好適にはソリッドステート・アクティブ・マトリックス・アレイ６０（図２）に結合される。外部電子装置の構造と動作は好適には図６〜図９を参照して以下説明されるようなものである。
【００６３】本発明の好適実施例によれば、各ピクセル要素１００には３つのＩ／Ｏ端子、すなわちアドレス指定端子１０２、積算放射線データ出力端子１０４及び実時間放射線データ出力端子１０６が含まれる。認識されるように、従来技術で説明されるもののようなＸ線撮像用のソリッドステート・アクティブ・マトリックス・アレイの場合、１つがアドレス指定用で１つが積算放射線データ出力の提供用である２つのＩ／Ｏ端子が使用され、マトリックス・アレイから直接の実時間放射線データ出力はない。」
・「【００７０】ここで図４を参照すると、本発明の好適実施例によって構成され動作する画像検出モジュール１３０の概略が例示されており、そこにはその一部を形成するＸ線センサ・アレイ１４０の部分裁断実体図が含まれている。画像検出モジュール１３０は画像検出モジュール３０（図１）の役目を果たす。Ｘ線センサ・アレイ１４０は、Ｘ線センサ・アレイ５０（図２）の役目を果たし、行制御装置１４２と読み出し電子装置１４４と協働することができる。
【００７１】好適には、Ｘ線センサ・アレイ１４０は、特に図２を参照して上記で説明されたような多層構造であり、上部から底部に、上部導電性層１５０、第１電荷阻止層１５２、光電変換層１５４、第２電荷阻止層１５６、ソリッドステート・アクティブ・マトリックス・アレイ１５８及び支持基板１６０を有する層状スタック構造を備えている。
【００７２】上部導電性層１５０は好適には上部導電性層５２（図２）を参照して上記で説明されたようなものであり、バイアス電圧ＨＶを上部導電性層１５０に印加する外部高電圧電源（図示せず）へのバイアス用電気接続を有する。第１電荷阻止層１５２、光電変換層１５４、第２電荷阻止層１５６、ソリッドステート・マトリックス・アレイ１５８及び支持基板１６０は好適には、それぞれ第１電荷阻止層５４（図２）、光電変換層５６（図２）、第２電荷阻止層５８（図２）、ソリッドステート・マトリックス・アレイ６０（図２）及び支持基板６２（図２）を参照して上記で説明されたようなものである。
【００７３】好適には、ソリッドステート・アクティブ・マトリックス・アレイ１５８はマトリックスに配置された多数のピクセル要素１６２を備えている。ピクセル要素１６２は図３の実施例のピクセル要素１００の役目を果たすことができる。一般Ｘ線撮影法に適した画像検出モジュール１３０を得るために、４３．１８cm（１７”）×４３．１８cm（１７”）のイメージングエリアが通常使用され、その各ピクセル要素１６２の寸法は好ましくは１００〜１６０ミクロンの範囲である。行アドレス指定可能Ｍ×Ｍマトリックスに配置されたピクセル要素１６２の合計数は３０００×３０００〜４５００×４５００の間であり、これは３０００〜４５００の間の読み出しチャネルに対応する。」
・「【００９７】ここで図６を参照すると、これは、本発明の好適実施例による基本ピクセル要素２００とチャネル読み出し電子装置（channel readout electronics)２０１、及びそれらと共に有用な調整可能電源２０３の概略回路図である。このようなピクセル要素２００の行と列は、チャネル読み出し電子装置２０１と共に、画像検出モジュール３０（図１）のＸ線センサ・アレイ５０（図２）または画像検出モジュール１３０（図４）のＸ線センサ・アレイ１４０（図４）といった、本発明の好適実施例によって構成され動作する典型的なＸ線センサ・アレイに組み込まれている。
【００９８】基本ピクセル要素２００は、ピクセル要素１００（図３）またはピクセル要素１６２（図４）の役目を果たすことができ、本発明の好適実施例による積算放射線データと実時間放射線データを提供する。各ピクセル要素２００は好適には３つのＩ／Ｏ端子、すなわち、図３のアドレス指定端子１０２に対応するアドレス指定端子２０２、図３の積算データ出力端子１０４に対応する積算データ出力端子２０４、及び図３の実時間放射線データ出力端子１０６に対応する実時間放射線データ出力端子２０６を有することができる。
【００９９】光電変換層５６（図２）に対応する光電変換層（図示せず）は、上部導電性層５２（図２）に対応する上に置かれた連続上部電極２０８と、各々が好適には単一のピクセルに対応する多数の下に置かれたマイクロプレート２１０の間に配置されている。コンデンサＣＤが、連続上部電極２０８と各マイクロプレート２１０の間の各ピクセルで規定される。
【０１００】各マイクロプレート２１０は対抗電極２１１と共働し、それから誘電体層（図示せず）で隔てられている。対抗電極２１１は好適には２つの別個の電極２１２及び２１４から構成される区分された電極である。電極２１２は好適にはＶｒｅｆに接続され、その値は、以下に説明されるように実時間露出データ処理アルゴリズムによる制御信号２１８によって制御される調整可能外部電源２０３によって決定される。認識されるように、単一外部電源２０３が電圧ＶｒｅｆをＸ線センサ・アレイ５０（図２）またはＸ線センサ・アレイ１４０（図４）に与える。電極２１４は好適には実時間放射線データ出力端子２０６を介してラインＤＲに接続される。」
　
３−２．引用発明
　上記ア、イによれば、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が開示されているといえる。
　
「Ｘ線撮像中に高バイアス電圧ＨＶを印加する、酸化インジウム錫、クロム、金、銀、銅またはチタン等のＸ線透過性電気伝導性材料から形成された上部導電性電極５２と、アモルファス・セレンからなる光電変換層５６と、前記上部導電性電極５２と前記光電変換層５６の間に積層された第１電荷阻止層５４と、Ｘ線撮像中に低いバイアス電圧を供給し、前記光電変換層５６内に生成される正の電荷キャリアが移動して蓄積されるソリッドステート・アクティブ・マトリックス・アレイ６０のマイクロプレートと、前記光電変換層５６と前記ソリッドステート・アクティブ・マトリックス・アレイ６０のマイクロプレートの間に積層された第２電荷阻止層５８と、前記上部導電性電極５２、前記第１電荷阻止層５４、前記光電変換層５６、前記第２電荷阻止層５８、前記ソリッドステート・アクティブ・マトリックス・アレイ６０のマイクロプレートとがこの順の積層される支持基板６２とを備え、Ｘ線放射６４により前記光電変換層５６内に生成される電荷キャリアを蓄積することによりＸ線画像を検出するＸ線センサ・アレイにおいて、
　前記第１電荷阻止層５４が、単極性阻止特性を有し、前記上部導電性電極５２からのバイアス電圧ＨＶと同じ極性を有する電荷キャリアの注入は阻止されるが、一方反対の極性の電荷キャリアの通過は阻止されない、アルカリをドープしたセレンからなるか、あるいは、両方の極性の電荷キャリアに対して阻止特性を有する誘電体層からなることを特徴とするＸ線センサ・アレイ。」
　
３−３．引用例２の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００１−２６４４４２号公報（以下「引用例２」という。）には、「画像記録媒体」（発明の名称）に関して、図１、図４とともに、次の記載がある。
　
　　ア．発明の背景等
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、画像情報を静電潜像として記録することのできる画像記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、例えば、医療用Ｘ線撮影において、被験者の受ける被爆線量の減少、診断性能の向上などのために、Ｘ線に感応する光導電体（例えばセレンＳｅを用いたものなど）を用いた画像記録媒体を使用して、Ｘ線により該画像記録媒体に静電潜像を記録し、その後、該静電潜像を読み取るシステムが開示されている（例えば、米国特許第 4176275号， 同第5268569号， 同第5354982号，同第4535468号、 23027 Method and devisce for recording and transducing an electromagnetic energy pattern;Reserch Disclosure June 1983、 特開平9-5906号、米国特許第4961209号、X-ray imaging using amorphous selenium;Med Phys.22(12)など）。
【０００３】具体的には、例えば上記米国特許第 4535468号には、比較的厚い２mm厚のＡｌなどからなり、記録用の電磁波（以下記録光ともいう）としての放射線に対して透過性を有する導電性基板としての記録光側電極層上に、ａ−Ｓｅ（アモルファスセレン）を主成分とする１００〜５００μｍ厚の記録用光導電層と、０．０１〜１０．０μｍ厚のＡｓＳ４  ，Ａｓ２Ｓ３，Ａｓ２Ｓｅ３などからなり記録用光導電層内で発生した潜像極性電荷がトラップとして蓄積される中間層（トラップ層）と、ａ−Ｓｅを主成分とする０．５〜１００μｍ厚の読取用光導電層と、１００ｎｍ厚のＡｕやＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなり読取用の電磁波（以下読取光ともいう）に対して透過性を有する読取光側電極層とを、この順に積層してなる画像記録媒体が開示されている。また、特に、読取光側電極層を正極として用いることが、良好なａ−Ｓｅの正孔の移動度を利用することができる点で好適であることや、電極からの電荷の直接注入によるＳ／Ｎ劣化を防止するために、読取光側電極層と読取用光導電層との間に有機物からなるブロッキング層を設けることが開示されている。つまり、この画像記録媒体は、高い暗抵抗を有する読取りの応答速度が優れた多層記録媒体であり、全体としてはａ−Ｓｅを主成分とする層から構成されている。」
・「【０００６】一方、本願出願人は、特願平 10-232824号において、Ｓｎ０２  （ネサ被膜）からなり、記録光としての放射線に対して透過性を有する記録光側電極層と、ａ−Ｓｅを主成分とする５０〜１０００μｍ厚の記録用光導電層と、有機物あるいは塩素（Ｃｌ）を１０〜２００−ｐｐｍドープしたａ−Ｓｅなどからなり記録用光導電層で発生した潜像極性電荷を蓄積する蓄電部を前記記録用光導電層との界面に形成するための電荷輸送層と、ａ−Ｓｅを主成分とする読取用光導電層と、読取光に対して透過性を有する読取光側電極層とを、この順に配してなる画像記録媒体（静電記録体）を提案している。」
・「【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した画像記録媒体は、特別な環境下、例えば寒冷気候条件下での船舶輸送中などにおいて、変動の大きな温度サイクルを受ける。
【００１２】このような大きな温度サイクルを受けると、上記特願平 10-232824号に記載のもののうち、ガラス基板上にＳｅ多層膜を形成するものは、該ガラス基板とＳｅ材料の熱膨張率の違い（凡そ１桁程度）により、ガラス基板とＳｅ膜（光導電層）との界面で熱ストレスが生じ、Ｓｅ膜とガラス基板が物理的に剥離する、Ｓｅ膜が破れる、あるいはガラス基板が割れるなど、熱膨張差による破壊の問題が生じ、画像記録媒体が大きければ大きいほど、この問題が顕著となる。
【００１３】本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、支持体上にＳｅ膜を形成する場合においても、両者の熱膨張差による破壊の問題を解消することができる画像記録媒体を提供することを目的とするものである。」
　
　　イ．第１実施形態
・「【００３５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図１は本発明の画像記録媒体の一態様である静電記録体の第１実施形態の概略を示す斜視図（Ａ）およびその一部の断面図（Ｂ）である。図２は、第１実施形態による静電記録体の温度変化に対する構造的耐性を説明する図である。
【００３６】この第１実施形態の静電記録体１０は、記録光（例えばＸ線などの放射線）に対して透過性を有する記録光側電極層１、この記録光側電極層１を透過した記録光の照射を受けることにより導電性を呈する記録用光導電層２、記録光側電極層１に帯電される電荷（潜像極性電荷）に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該潜像極性電荷と逆極性の電荷（輸送極性電荷）に対しては略導電体として作用する電荷輸送層３、読取光（例えば波長５５０ｎｍ以下の青色域光）の照射を受けることにより導電性を呈する読取用光導電層４、読取光に対して透過性を有する読取光側電極層５、読取光に対して透過性を有する支持体８を、この順に配列してなるものである。記録用光導電層２と電荷輸送層３との界面に、記録用光導電層２内で発生した潜像極性電荷を蓄積する蓄電部２３が形成される。なお、以下の各実施形態においては、記録光側電極層１に負電荷を、読取光側電極層５に正電荷を帯電させて、記録用光導電層２と電荷輸送層３との界面に形成される蓄電部２３に潜像極性電荷としての負電荷を蓄積せしめると共に、電荷輸送層３を、潜像極性電荷としての負電荷の移動度よりも、その逆極性となる輸送極性電荷としての正電荷の移動度の方が大きい、いわゆる正孔輸送層として機能させるものとして好適なものについて説明する。」
・「【００３９】支持体８としては、読取光に対して透明であることに加えて、環境の温度変化に対して変形可能であり、また支持体８の熱膨張率が読取用光導電層４の物質の熱膨張率の数分の１〜数倍以内、好ましくは両者の熱膨張率が比較的近い物質を使用する。後述するように、本実施形態では読取用光導電層４としてａ−Ｓｅ（アモルファスセレン）を使用するので、Ｓｅの熱膨張率が３．６８×１０＾−５／Ｋ＠４０℃  であることを考慮して、熱膨張率が１．０〜１０．０×１０＾−５／Ｋ＠４０℃、より好ましくは１．２〜６．２×１０＾−５／Ｋ＠４０℃、さらに好ましくは、２．２〜５．２×１０＾−５／Ｋ＠４０℃である物質を使用する。変形可能であり、また熱膨張率がこの範囲の物質としては、有機ポリマー材料を使用することができる。なお、ガラスは、例えば、厚さ１．１ｍｍのコーニング１７３７の場合、熱膨張率が０．３７８×１０＾−５／Ｋ＠４０℃であり、この第１実施形態としては適当でない。」
・「【００４８】記録用光導電層２としては、記録光の照射を受けることにより導電性を呈するものであればよく、例えば、ａ−Ｓｅ，ＰｂＯ，ＰｂＩ２  などの酸化鉛（II）やヨウ化鉛（II），Ｂｉ１２（Ｇｅ，Ｓｉ）Ｏ２０，Ｂｉ２Ｉ３／有機ポリマーナノコンポジットなどのうち、少なくとも１つを主成分とする光導電性物質が適当であり、中でも、放射線に対して比較的量子効率が高く、また暗抵抗が高いなどの点でａ−Ｓｅが優れているので、ａ−Ｓｅを使用する。」
・「【００５０】電荷輸送層３としては、記録光側電極層１に帯電される負電荷の移動度と、その逆極性となる正電荷の移動度の差が大きい程良く（例えば１０２  以上、望ましくは１０３  以上）、ポリＮ−ビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、N,N'−ジフェニル−N,N'−ビス（３−メチルフェニル）−〔1,1'−ビフェニル〕−4,4'−ジアミン（ＴＰＤ）やディスコティック液晶などの有機系化合物、或いはＴＰＤのポリマー（ポリカーボネート、ポリスチレン、ＰＵＫ）分散物，Ｃｌを１０〜２００−ｐｐｍドープしたａ−Ｓｅなどの半導体物質が適当である。特に、有機系化合物（ＰＶＫ、ＴＰＤ、ディスコティック液晶など）は光不感性を有するため好ましく、また、誘電率が一般に小さいため電荷輸送層３と読取用光導電層４の容量が小さくなり読取時の信号取り出し効率を大きくすることができる。なお、「光不感性を有する」とは、記録光や読取光の照射を受けても殆ど導電性を呈するものでないことを意味する。」
　
　　ウ．第２実施形態
・「【００７３】次に、静電記録体の第２実施形態について説明する。図４は第２実施形態の静電記録体の概略を示す斜視図（Ａ）およびその一部の断面図（Ｂ）である。
【００７４】この第２実施形態の静電記録体１０は、読取用光導電層４と読取光側電極層５との間に、読取光に対して透過性を有し、且つ読取光側電極層５の電極からの電荷注入に対しブロッキング性能を有する（障壁電位を有する）ブロッキング層７が設けられている点が第１実施形態のものと異なる。なお、記録および読取りは、上記第１実施形態と同様のシステムを用いて、同様に行なうことができる。
【００７５】第１実施形態のように、ブロッキング層が設けられていない場合には、読取光側電極層５（の電極）に帯電した電荷（本例においては正電荷）の一部には読取用光導電層４に直接注入されるものが存在し、読取用光導電層４に直接注入された正電荷が電荷輸送層３内を移動し、蓄積電荷（潜像極性電荷）と電荷再結合して蓄積電荷を消滅せしめるようになる。この電荷再結合による蓄積電荷の消滅は、読取光の照射により生ずるものではないため、いわゆるノイズ成分となるものである。一方、第２実施形態のように、読取光側電極層５と読取用光導電層４との間に有機薄膜からなるブロッキング層７を積層することにより、読取光側電極層５に帯電した正電荷は、障壁電位のため読取用光導電層４に注入されるようなことがなくなり、正電荷の直接注入によるノイズの発生を防止できる。
【００７６】また、よく知られているように、アモルファス状態のセレン膜は、製膜時の蒸着過程において、他の金属との界面において界面結晶化（interfacial crystallization） が進行する。本発明の静電記録体１０も、支持体８上に読取光側電極層５を製膜した後に読取用光導電層４を製膜するので、読取用光導電層４の蒸着およびその後に続く電荷輸送層３、記録用光導電層２などの蒸着過程において、電極材料とａ−Ｓｅとの界面において界面結晶化が進行し、電極からの電荷注入が増えるためにＳ／Ｎが低下するという問題が生じ得る。電極材料として、透明酸化被膜、特にＩＴＯを用いた場合には、電極材料とａ−Ｓｅの界面での界面結晶化が顕著に進行し、Ｓ／Ｎ低下が著しくなる。ところが、この第２実施形態の静電記録体１０には、読取光側電極層５と読取用光導電層４との間に有機薄膜からなるブロッキング層７が設けられているので、該ブロッキング層７を、ａ−Ｓｅの界面結晶化を抑制する抑制層として機能させることができ、読取光側電極層５の電極材料と読取用光導電層４のａ−Ｓｅとの直接接触を妨げることができ、界面におけるＳｅの化学変化を防止し、界面結晶化を防ぐ効果が得られる。したがって、電極からの電荷注入が増えることがなく、界面結晶化によるＳ／Ｎ低下の問題を解消できる。
【００７７】また、この第２実施形態では、このブロッキング層７として、弾力性のある材質のものを用い、該ブロッキング層７を、支持体８と読取用光導電層４との間の熱ストレスを和らげる（以下熱ストレス緩衝という）緩衝層としても機能させることとする。なお、このブロッキング層７は、読取用光導電層４と読取光側電極層５とを密着強化する層としても機能させるのが好ましい。
【００７８】ブロッキング層７に熱ストレス緩衝の機能を持たせると、読取用光導電層４と支持体８との間の熱膨張差による熱ストレスを該ブロッキング層７の機械的ストレスの緩衝作用によって和らげることができるので、支持体８としては、読取用光導電層４の熱膨張率を考慮することなく、その材質を選択できる。例えば、ガラスなどを用いた場合でも、支持体８としてのガラス基板と読取用光導電層４としてのＳｅ膜との熱膨張のミスマッチングを緩和する熱ストレス緩衝効果が生じ、第１実施形態と同様に、特別な環境下においても、熱膨張差による破壊の問題が生じることがない。
【００７９】ここで、ブロッキング層７を、熱ストレスを和らげる緩衝層としても機能させるには、例えば、弾力性に富んだ有機薄膜の層とすることが好ましい。この有機薄膜としては、例えば米国特許第 4,535,468号に示されているポリアミド（ polyamide）やポリイミド（ polyimide）、あるいは、ポリエステル、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリウレタン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネートなどの、読取光（例えば青光）に透明であり、且つ正孔ブロッキング性能の良好な、絶縁性有機ポリマーの薄膜を使用することができる。また、有機バインダーと、約０．３パーセント〜３パーセント重量比（by weight）のニグロシン（nigrosine） などの低分子有機材料からなる混合膜の薄層を使用することもできる。
【００８０】有機薄膜の膜厚としては、０．０５〜５μｍ程度にするとよいが、熱ストレス緩衝の点では、０．１〜５μｍの範囲が好ましい一方、残像のない良好なブロッキング性能のためには、０．０５〜０．５μｍの範囲が好ましく、両者のバランスの上では、０．１〜０．５μｍの範囲とするとよい。」
　
　　エ．実施形態の変更
・「【０１０８】例えば、上記実施形態では、記録光側電極層に負電荷を、読取光側電極層に正電荷を帯電させて、記録用光導電層と電荷輸送層との界面に形成される蓄電部に負電荷を蓄積せしめるものとしたが、本発明は必ずしもこのようなものに限るものではなく、それぞれが逆極性の電荷であっても良く、このように極性を逆転させる際には、正孔輸送層として機能する電荷輸送層を電子輸送層として機能する電荷輸送層に変更するなどの若干の変更を行なうだけでよい。
【０１０９】例えば、記録用光導電層として上述のアモルファスセレンａ−Ｓｅ、酸化鉛（II）、ヨウ化鉛（II）などの光導電性物質が同様に使用でき、電荷輸送層としてＮ−トリニトロフルオレニリデン・アニリン（TNFA）誘電体、トリニトロフルオレノン（ TNF）／ポリエステル分散系、非対称ジフェノキノン誘導体が適当であり、読取用光導電層として上述の無金属フタロシアニン、金属フタロシアニンが同様に使用できる。」
　
４．対比
（１）次に、本願発明と引用発明とを対比する。
　　ア．引用発明の「Ｘ線」、「上部導電性電極５２」は、それぞれ、本願発明の「記録用の電磁波」、「第１電極」に対応するから、引用発明の「Ｘ線撮像中に高バイアス電圧ＨＶを印加する、酸化インジウム錫、クロム、金、銀、銅またはチタン等のＸ線透過性電気伝導性材料から形成された上部導電性電極５２」は、本願発明の「画像情報を担持した記録用の電磁波を透過する第１電極」に相当する。
　　イ．引用発明の「アモルファス・セレン」、「光電変換層５６」は、それぞれ、本願発明の「ａ−Ｓｅ」、「記録用光導電層」に対応するから、引用発明の「アモルファス・セレンからなる光電変換層５６」は、本願発明の「主成分がａ−Ｓｅであり前記電磁波の照射を受けることにより電荷を発生する記録用光導電層」に相当する。
　　ウ．上記ア、イによれば、引用発明の「前記上部導電性電極５２と前記光電変換層５６の間に積層された第１電荷阻止層５４」と、本願発明の「前記第１電極と前記記録用光導電層の間に積層された前記記録用光導電層の界面結晶化を抑制する抑制層」とは、いずれも、「前記第１電極と前記記録用光導電層の間に積層された」「層」である点で共通する。
　　エ．引用発明の「Ｘ線撮像中に低いバイアス電圧を供給し、前記光電変換層５６内に生成される正の電荷キャリアが移動して蓄積されるソリッドステート・アクティブ・マトリックス・アレイ６０のマイクロプレート」において、「マイクロプレート」は、「低いバイアス電圧を供給」しているから、電極の役割をなしており、また、引用例１には、「好適にはマトリックスのアドレス指定がそのとき使用されて、Ｘ線吸収の結果蓄積された電荷をマイクロプレート（図示せず）から外部電子装置（図示せず）に転送させ、従って伝送変調Ｘ線画像のデジタル表示を提供する」（段落【００６０】）ことが、記載されているので、引用発明の「Ｘ線撮像中に低いバイアス電圧を供給し、前記光電変換層５６内に生成される正の電荷キャリアが移動して蓄積されるソリッドステート・アクティブ・マトリックス・アレイ６０のマイクロプレート」は、本願発明の「前記記録用光導電層において発生した電荷に応じた信号を読み出すための第２電極」に相当する。
　　オ．引用発明の「支持基板６２」は、本願発明の「基板」に相当する。
　　カ．引用発明の「Ｘ線放射６４により前記光電変換層５６内に生成される電荷キャリアを蓄積することによりＸ線画像を検出するＸ線センサ・アレイ」において、引用発明の「Ｘ線放射６４」、「電荷キャリア」は、それぞれ、本願発明の「前記電磁波の照射」「電荷」に対応し、引用発明の「Ｘ線画像を検出するＸ線センサ・アレイ」は、「電荷キャリアを蓄積する」から、Ｘ線画像を記録することができ、本願発明の「前記画像情報を記録する画像記録媒体」に対応するので、引用発明の「Ｘ線放射６４により前記光電変換層５６内に生成される電荷キャリアを蓄積することによりＸ線画像を検出するＸ線センサ・アレイ」は、本願発明の「前記電磁波の照射により前記記録用光導電層において発生した電荷を蓄積することにより前記画像情報を記録する画像記録媒体」に相当する。
　　キ．引用発明の「前記第１電荷阻止層５４が、単極性阻止特性を有し、前記上部導電性電極５２からのバイアス電圧ＨＶと同じ極性を有する電荷キャリアの注入は阻止されるが、一方反対の極性の電荷キャリアの通過は阻止されない、アルカリをドープしたセレンからなるか、あるいは、両方の極性の電荷キャリアに対して阻止特性を有する誘電体層からなる」ことにおいて、「単極性阻止特性を有し、前記上部導電性電極５２からのバイアス電圧ＨＶと同じ極性を有する電荷キャリアの注入は阻止されるが、一方反対の極性の電荷キャリアの通過は阻止されない」ことは、本願発明の「前記画像情報の記録の際に前記第１電極に移動する電荷と逆極性の電荷に対しては絶縁性を有し、前記第１の電極に移動する電荷と同極性の電荷に対しては導電性を有する」ことに対応する。
　したがって、引用発明の「前記第１電荷阻止層５４が、単極性阻止特性を有し、前記上部導電性電極５２からのバイアス電圧ＨＶと同じ極性を有する電荷キャリアの注入は阻止されるが、一方反対の極性の電荷キャリアの通過は阻止されない」ことと、本願発明の「前記抑制層が、前記画像情報の記録の際に前記第１電極に移動する電荷と逆極性の電荷に対しては絶縁性を有し、前記第１の電極に移動する電荷と同極性の電荷に対しては導電性を有する有機膜である」こととは、いずれも、「層が、前記画像情報の記録の際に前記第１電極に移動する電荷と逆極性の電荷に対しては絶縁性を有し、前記第１の電極に移動する電荷と同極性の電荷に対しては導電性を有する」点で共通する。
　
（２）そうすると、本願発明と引用発明の一致点及び相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「画像情報を担持した記録用の電磁波を透過する第１電極と、主成分がａ−Ｓｅであり前記電磁波の照射を受けることにより電荷を発生する記録用光導電層と、前記第１電極と前記記録用光導電層の間に積層された層と、前記記録用光導電層において発生した電荷に応じた信号を読み出すための第２電極と、前記第１電極、前記層、前記記録用光導電層および前記第２電極とがこの順の積層される基板とを備え、前記電磁波の照射により前記記録用光導電層において発生した電荷を蓄積することにより前記画像情報を記録する画像記録媒体において、
　前記層が、前記画像情報の記録の際に前記第１電極に移動する電荷と逆極性の電荷に対しては絶縁性を有し、前記第１の電極に移動する電荷と同極性の電荷に対しては導電性を有することを特徴とする画像記録媒体。」
　
《相違点》
《相違点１》
　本願発明は、「前記第１電極と前記記録用光導電層の間に積層された前記記録用光導電層の界面結晶化を抑制する抑制層」を有するのに対して、引用発明は、「前記上部導電性電極５２と前記光電変換層５６の間に積層された第１電荷阻止層５４」を有するものの、引用発明の「第１電荷阻止層５４」は、本願発明の「前記記録用光導電層の界面結晶化を抑制する」ものではない点。
《相違点２》
　本願発明は、「前記抑制層が、」「有機膜である」のに対して、引用発明は、「前記第１電荷阻止層５４」が「アルカリをドープしたセレンからなるか、あるいは、両方の極性の電荷キャリアに対して阻止特性を有する誘電体層からなる」ものであり、「有機膜」ではない点。
　
５．当審の判断
　相違点１及び相違点２について
　　ア．引用発明の「前記第１電荷阻止層５４が、単極性阻止特性を有し、前記上部導電性電極５２からのバイアス電圧ＨＶと同じ極性を有する電荷キャリアの注入は阻止されるが、一方反対の極性の電荷キャリアの通過は阻止されない」ことは、引用発明の「前記第１電荷阻止層５４」が、「前記上部導電性電極５２からのバイアス電圧ＨＶと同じ極性を有する電荷キャリアの注入は阻止されるが、一方反対の極性の電荷キャリアの通過は阻止されない」層である。
　　イ．そして、以下ウ〜オの各文献に示されているように、単極性阻止特性を有する電荷阻止層として、単極性の電荷を通過させる有機膜は、周知である。
　　ウ．周知文献１：特開２００２−３２４６７６号公報（原査定の拒絶の理由に引用；特に、段落【００５９】、【００６０】、【００６３】〜【００６５】の記載を参照）には、「一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層であり、正孔をを輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。」こと（段落【００５９】）、「正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。」こと（段落【００６０】）、「正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。」こと（段落【００６４】）、「上記芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）……が挙げられる。」こと（段落【００６５】）が、記載されている。
　　エ．周知文献２：特開平７−１８８３４０号公報（原査定の拒絶の理由に引用；特に、段落【０００５】の記載を参照）には、「このように正孔を輸送し、発光中心に注入する材料（正孔輸送材料）の１つとしてポリＮ−ビニルカルバゾール（以下ＰＶＣｚと略記する）が知られている。」（段落【０００５】）ことが、記載されている。
　　オ．さらに、引用例２にも、「記録光側電極層１に帯電される電荷（潜像極性電荷）に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該潜像極性電荷と逆極性の電荷（輸送極性電荷）に対しては略導電体として作用する電荷輸送層３」（段落【００３６】）、「電荷輸送層３としては、記録光側電極層１に帯電される負電荷の移動度と、その逆極性となる正電荷の移動度の差が大きい程良く（例えば１０２  以上、望ましくは１０３  以上）、ポリＮ−ビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、N,N'−ジフェニル−N,N'−ビス（３−メチルフェニル）−〔1,1'−ビフェニル〕−4,4'−ジアミン（ＴＰＤ）やディスコティック液晶などの有機系化合物、或いはＴＰＤのポリマー（ポリカーボネート、ポリスチレン、ＰＵＫ）分散物、Ｃｌを１０〜２００−ｐｐｍドープしたａ−Ｓｅなどの半導体物質が適当である。特に、有機系化合物（ＰＶＫ、ＴＰＤ、ディスコティック液晶など）は光不感性を有するため好ましく」（段落【００５０】）、「電荷輸送層としてＮ−トリニトロフルオレニリデン・アニリン（TNFA）誘電体、トリニトロフルオレノン（ TNF）／ポリエステル分散系、非対称ジフェノキノン誘導体が適当であり」（段落【０１０９】）と記載されている。
　
　ところで、
　　カ．上記引用例２には、「よく知られているように、アモルファス状態のセレン膜は、製膜時の蒸着過程において、他の金属との界面において界面結晶化（interfacial crystallization） が進行する。本発明の静電記録体１０も、支持体８上に読取光側電極層５を製膜した後に読取用光導電層４を製膜するので、読取用光導電層４の蒸着およびその後に続く電荷輸送層３、記録用光導電層２などの蒸着過程において、電極材料とａ−Ｓｅとの界面において界面結晶化が進行し、電極からの電荷注入が増えるためにＳ／Ｎが低下するという問題が生じ得る。電極材料として、透明酸化被膜、特にＩＴＯを用いた場合には、電極材料とａ−Ｓｅの界面での界面結晶化が顕著に進行し、Ｓ／Ｎ低下が著しくなる。ところが、この第２実施形態の静電記録体１０には、読取光側電極層５と読取用光導電層４との間に有機薄膜からなるブロッキング層７が設けられているので、該ブロッキング層７を、ａ−Ｓｅの界面結晶化を抑制する抑制層として機能させることができ、読取光側電極層５の電極材料と読取用光導電層４のａ−Ｓｅとの直接接触を妨げることができ、界面におけるＳｅの化学変化を防止し、界面結晶化を防ぐ効果が得られる。」（段落【００７６】）ことが、記載されている。
　上記記載のように、「アモルファス状態のセレン膜」は、「製膜時の蒸着過程において、他の金属との界面において界面結晶化（interfacial crystallization） が進行する」のであり、「アモルファス状態のセレン膜」と「他の金属との界面」がなくなれば「界面結晶化」が発生しないのであるから、そのために、「読取光側電極層５と読取用光導電層４との間に有機薄膜からなるブロッキング層７」を設けることで、「該ブロッキング層７を、ａ−Ｓｅの界面結晶化を抑制する抑制層として機能させることができ」るのである。
　　キ．また、引用例２の「記録用光導電層２」は、「暗抵抗が高いなどの点でａ−Ｓｅが優れているので、ａ−Ｓｅを使用する。」（段落【００４８】）ので、この「ａ−Ｓｅ」を使用した「記録用光導電層２」と、「記録光側電極層１」との「界面において」も、「界面結晶化が進行する」ことが、十分に考えられる。
　そのため、この界面結晶化を防ぐために、「記録用光導電層２」と、「記録光側電極層１」との間に、上記アと同様に、有機薄膜からなるブロッキング層による、「ａ−Ｓｅの界面結晶化を抑制する抑制層」を設けることは、当業者の設計事項と認められる。
　
　
　さて、前記イ〜オで指摘したように、単極性阻止特性を有する電荷阻止層として、単極性の電荷を通過させる有機膜は、周知である。してみれば、引用発明において、「単極性阻止特性を有」する「第１電荷阻止層５４」である「アルカリをドープしたセレン」を、単に、同様に単電極阻止特性を有する前記周知の単極性の電荷を通過させる有機膜で置換することは、当業者の通常の創作力の発揮であると認められる。
　このとき、置換した前記有機膜は、「酸化インジウム錫、クロム、金、銀、銅またはチタン等のＸ線透過性電気伝導性材料から形成された上部導電性電極５２」と「アモルファス・セレンからなる光電変換層５６」との間にあって、金属からなる前記「上部導電性電極５２」と「アモルファス・セレンからなる光電変換層５６」とが界面を形成することを阻止する位置にあることになる。したがって、前記カ、キの検討を踏まえれば、置換した前記有機膜は、金属からなる前記「上部導電性電極５２」と「アモルファス・セレンからなる光電変換層５６」との界面結晶化を抑制する機能を有することは、当業者には自明である。
　以上のとおりであるから、引用発明の「前記第１電荷阻止層５４」として、「アルカリをドープしたセレン」に代えて、周知の単極性の電荷を通過させる有機膜を採用して、前記有機膜を、金属からなる前記「上部導電性電極５２」と前記「アモルファス・セレンからなる光電変換層５６」の界面結晶化を抑制するとともに、「単極性」の「電荷」を輸送する、すなわち「前記上部導電性電極５２からのバイアス電圧ＨＶと同じ極性を有する電荷キャリアの注入は阻止されるが、一方反対の極性の電荷キャリアの通過は阻止されない」有機膜となすことは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
　よって、相違点１及び２は格別のものでない。そして、本願発明の効果も、引用例１、２に記載された発明及び周知技術から、当業者が予期し得たものである。
　
　
第３．結言
　以上のとおり、本願発明は、引用例１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。