【手続補正書】
【提出日】平成23年3月25日(2011.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
円偏光板を使用することに加えて、低反射率カソードを使用して環境光反射を低減し低反射率のＯＬＥＤやＰＬＥＤを実現する可能性について研究がなされている。米国特許第６４２９４５１号公報において、ハン（Ｈｕｎｇ）及びマダシル（Ｍａｄａｔｈｉｌ）は、六ホウ化カルシウム（ＣａＢ６）を環境光低減カソードとして使用可能であることを示している。ＣａＢ６は高い導電性を有し仕事関数が低く、またバルクの状態では実質的に黒色である。しかしながら、この代替的なＣａＢ６の電子注入層は低い反射率を有するものの、成膜工程において、安定した光学的及び電気的性質を有する均質なＣａＢ６フィルムを得ることは実際は困難である。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【図１】好ましい例示的実施形態における有機発光素子（ＯＬＥＤ）の模式的な側面図である。
【図２】例示的実施形態におけるビーズブラスト手法を示す模式的な図である。
【図３（ａ）】１０分の数マイクロインチの表面粗さを有する表面を示す模式的な側面図である。
【図３（ｂ）】数１００マイクロインチの表面粗さを有する表面を示す模式的な側面図である。
【図４】平均粗さＲａの測定を示すグラフである。
【図５（ａ）】平坦なガラス基板の上に形成された標準的ＩＴＯアノードを含むＯＬＥＤ構造体の対照サンプルを示す模式的な図である。
【図５（ｂ）】平坦なガラス基板の上に形成された屈折率勾配ＩＴＯアノードを含むＯＬＥＤ構造体の対照サンプルを示す概略図である。
【図６（ａ）】例示的実施形態の粗面化ガラス基板の上に形成された標準的ＩＴＯアノードを含むＯＬＥＤ構造体のサンプルを示す模式的な図である。
【図６（ｂ）】例示的実施形態の粗面化ガラス基板の上に形成された屈折率勾配ＩＴＯアノードを含むＯＬＥＤ構造体のサンプルを示す模式的な図である。
【図７】性能比較のための、作成サンプルにおける電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）Ｊ対電圧（Ｖ）Ｖのグラフである。
【図８】性能比較のための、作成サンプルにおける輝度（ｃｄ／ｍ２）Ｌ対電圧（Ｖ）Ｖのグラフである。
【図９】性能比較のための、作成サンプルにおける効率（ｃｄ／Ａ）Ｅ対電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）Ｊのグラフである。
【図１０】性能比較のための反射率（％）対波長（ｎｍ）のグラフである。
【図１１】性能比較のためのコントラスト比（ＣＲ）対光反射率（％）ＲＬのグラフである。
【図１２】例示的実施形態における発光素子構造体の形成方法を示す模式的なフローチャートである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
サンドブラスト手法は、ビーズブラスト手法に類似したものである。しかしながら、サンドブラスト手法において用いられる砂の粒子（又は微粒子）は、ビーズブラスト手法において用いられるガラスビーズよりも実質的に小さい。本例示的実施形態において、ビーズブラスト手法と同様の不規則な粗面化表面を得るために砂粒子を射出するプロセス圧力も異なる。 
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
性能比較のために、異なる屈折率勾配ＩＴＯアノード（例えば、図５の５１０、図６の６１０）を、ＲＦマグネトロンスパッタリングによってガラス基板の平坦な側の面の上に成膜した。図５及び図６における基板５０６、５１２、６０６、６１２は、フィルム成膜中及び成膜後に加熱しなかった。基板の温度は、プラズマプロセスのためフィルム成膜時に上昇するのが常であるが、本研究においては約８０℃より低かった。しかしながら、応用例によっては、屈折率勾配ＩＴＯを基板に８０℃より高い温度で形成してもよい。スパッタリングシステムのベース圧力は、約２．０×１０−４Ｐａであった。ＩＴＯ薄膜は、フィルム成膜条件を制御することにより作成できる。例えば、スパッタリング混合ガスの水素分圧を変えることにより、ＩＴＯフィルムの光学的及び電気的性質を最適化することができる。 
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
図７は、性能比較のための、作成サンプルにおける電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）Ｊ対電圧（Ｖ）Ｖのグラフである。プロット７０２は、対照ＯＬＥＤ構造体サンプル５０２（図５）の結果を示す。プロット７０４は、対照ＯＬＥＤ構造体サンプル５０８（図５）の結果を示す。プロット７０６は、ＯＬＥＤ構造体サンプル６０２（図６）の結果を示す。プロット７０８は、ＯＬＥＤ構造体サンプル６０８（図６）の結果を示す。 
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
図８は、性能比較のための、作成サンプルにおける輝度（ｃｄ／ｍ２）Ｌ対電圧（Ｖ）Ｖのグラフである。プロット８０２は、対照ＯＬＥＤ構造体サンプル５０２（図５）の結果を示す。プロット８０４は、対照ＯＬＥＤ構造体サンプル５０８（図５）の結果を示す。プロット８０６は、ＯＬＥＤ構造体サンプル６０２（図６）の結果を示す。プロット８０８は、ＯＬＥＤ構造体サンプル６０８（図６）の結果を示す。 
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
図９は、性能比較のための、作成サンプルにおける効率（ｃｄ／Ａ）Ｅ対電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）Ｊのグラフである。プロット９０２は、対照ＯＬＥＤ構造体サンプル５０２（図５）の結果を示す。プロット９０４は、対照ＯＬＥＤ構造体サンプル５０８（図５）の結果を示す。プロット９０６は、ＯＬＥＤ構造体サンプル６０２（図６）の結果を示す。プロット９０８は、ＯＬＥＤ構造体サンプル６０８（図６）の結果を示す。 
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
図７より、Ｊ−Ｖの関係は、駆動電圧が低い場合には実質的に同一であり、高駆動電圧下において電流密度の大幅な増加が見られるプロット７０６（図６のＯＬＥＤ構造体サンプル６０２）を除き駆動電圧が高い場合にも差は小さいことがわかる。 
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
図１１は、性能比較のためのコントラスト比（ＣＲ）対光反射率（％）ＲＬのグラフである。このグラフにおいては、約１００ｃｄ／ｍ２において約１４０ｌｕｘの環境照明の下、算出コントラスト比を光反射率の関数として示した。１１０２のＣＲは、対照ＯＬＥＤ構造体サンプル５０２（図５）について算出したものである。１１０４のＣＲは、対照ＯＬＥＤ構造体サンプル５０８（図５）について算出したものである。１１０６のＣＲは、ＯＬＥＤ構造体サンプル６０２（図６）について算出したものである。１１０８のＣＲは、ＯＬＥＤ構造体サンプル６０８（図６）について測定したものである。 
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
図１１より、図５の構造体サンプル５０２、即ち平坦なガラス基板の上の従来のＯＬＥＤ構造体のコントラスト比ＣＲは、約５：１であることがわかる。また、図６の構造体サンプル６０２（即ち、不規則な粗面化表面を有するガラスの上に標準的ＩＴＯを有する構造体）は、図５の構造体サンプル５０２と比べてコントラスト比が高い、即ち、約１００ｃｄ／ｍ２、約１４０ｌｕｘの環境照明の下で、素子のコントラスト比は約３０：１にまで増加する（１１０２と１１０６との対比）ことがわかる。図６の構造体サンプル６０８、即ちＯＬＥＤ構造体が粗面化ガラス基板の上の屈折率勾配ＩＴＯアノードを含んで作成された場合においては、コントラスト比は、更に約１００：１まで増加しうる（１１０８参照）。従って、図１０及び図１１より、図６の構造体サンプル６０８は、強い環境照明の下で稼動させた場合に、ＯＬＥＤディスプレイのコントラストを向上させることができることがわかる。 
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
【表１】
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【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
透明基板は、ＯＬＥＤ／ＰＬＥＤ用途に適した透過障壁層を有するガラス又は透明プラスティック箔であってもよい。透明基板は粗面化するか、又は粗い又は不規則に粗面化された表面形状を有する反射抑制要素又は層を備えている。屈折率勾配透光層は一層以上の有機又は無機層を含むことができる。屈折率勾配電極の厚さは、約１０ｎｍから約４００ｎｍの範囲である。屈折率勾配電極は、ＴＣＯ材料を用いて形成される。屈折率勾配透明電極は、単独のＴＣＯ材料又は異なるＴＣＯの組み合わせを用いて形成することができる。酸素欠乏ＴＣＯ層は、スパッタリング、熱蒸着、又は他の薄膜成膜手法により作成できる。粗面化基板は、ＯＬＥＤ／ＰＬＥＤディスプレイのコントラスト比向上のために屈折率勾配電極と統合することができる。粗面化基板によりＯＬＥＤの光出力を向上することができる。この粗面化基板をＯＬＥＤ／ＰＬＥＤ及び他の放射ディスプレイに使用して環境光反射率を減少させ、これによってディスプレイのコントラスト比を向上することができる。ＴＣＯ層材料は、ＰＬＥＤ／ＯＬＥＤ及び放射素子のアノードとしての使用に適した、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、亜鉛アルミニウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物、錫酸化物、Ｇａ−Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ（ＧＩＴＯ）、Ｚｎ−Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ（ＺＩＴＯ）、Ｇａ−Ｉｎ−Ｏ（ＧＩＯ）、Ｚｎ−Ｉｎ−Ｏ（ＺＩＯ）、他のＴＣＯ、及びカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）からなる群より選択される。これらの材料は、単独で用いることも、異なる材料の組み合わせとして用いることもできる。ＴＣＯ層の厚さは調整可能である。電子インジェクタは、低仕事関数金属又は合金から形成される。低仕事関数金属及び合金は、Ｃａ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｍｇからなる群より選択される。電子インジェクタは、ＬｉＦ／Ａｌ、ＣｓＦ／Ａｌ、Ｍｇ／Ａｇ、又はＣａ／Ａｇの薄い二重層から形成される。反射性アノードをトップエミッションＯＬＥＤ／ＰＬＥＤに用る場合、トップエミッションＯＬＥＤ／ＰＬＥＤディスプレイの視認性の向上のために屈折率の勾配したＴＣＯを屈折率勾配カソードとして用いこともできる。