Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年2月1日(2011.2.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＣｄＴｅを含むナノ結晶性コアを含むナノクリスタライト、ただし、該コアが少なくとも２０％の量子効率でホトルミネッセンスを示し、該ナノクリスタライトが少なくとも６０％の量子効率でホトルミネッセンスを示す。
【請求項２】  ナノクリスタライトが少なくとも７０％の量子効率でホトルミネッセンスを示す請求項１記載のナノクリスタライト。
【請求項３】  ナノクリスタライトが、ナノクリスタライトの集団の平均直径の１５％を超えない標準偏差を有するサイズ分布を有するナノクリスタライトの集団のメンバーである請求項１または２記載のナノクリスタライト。
【請求項４】  ナノクリスタライトが４３５から８００ｎｍの波長範囲においてホトルミネッセンスを示す請求項１〜３のいずれか１項に記載のナノクリスタライト。
【請求項５】  ナノクリスタライトが５５０から７８０ｎｍの波長範囲においてホトルミネッセンスを示す請求項４に記載のナノクリスタライト。
【請求項６】  ナノクリスタライトが５８０から７７０ｎｍの波長範囲においてホトルミネッセンスを示す請求項４に記載のナノクリスタライト。
【請求項７】  ナノクリスタライトが、最高値の半分における全幅（ＦＷＨＭ）が７０ｎｍ以下でホトルミネッセンスを示す請求項１〜６のいずれか１項に記載のナノクリスタライト。
【請求項８】  ＦＷＨＭが４５ｎｍ以下である請求項７記載のナノクリスタライト。
【請求項９】  ＦＷＨＭが２０ｎｍ以下である請求項７記載のナノクリスタライト。
【請求項１０】  ＦＷＨＭが１５ｎｍ以下である請求項７記載のナノクリスタライト。
【請求項１１】  ＣｄＴｅを含むナノ結晶性コア、ただし、ＭはＣｄ、Ｚｎ、Ｍｇ、およびＨｇよりなる群から選ばれる；および
該コア表面上の半導体材料のオーバーコート、ただし、該オーバーコートはＺｎＳおよびＺｎＳｅよりなる群から選択される；
を含み、少なくとも６０％の量子効率でホトルミネッセンスを示す、ナノクリスタライト。
【請求項１２】  ナノクリスタライトが少なくとも７０％の量子効率でホトルミネッセンスを示す請求項１１記載のナノクリスタライト。
【請求項１３】  コアが、コアの集団の平均直径の１５％を超えない標準偏差を有するサイズ分布を有するコアの集団のメンバーである請求項１１または１２に記載のナノクリスタライト。
【請求項１４】  Ｃｄ含有化合物、および次式
【化１】
2003505330.tif 000001
で表されるＴｅ含有化合物、ただし、Ｚ、Ｚ’、Ｚ’’の一つはアミド基を含む、を配位溶媒中に注入して混合物を形成し；その後
混合物を加熱してナノクリスタライトを成長させるナノクリスタライトを製造する方法。
【請求項１５】  Ｔｅ含有化合物が大気圧下で少なくとも２００℃の沸点を有する請求項１４記載の方法。
【請求項１６】  Ｚ、Ｚ’、Ｚ’’の一つはアミド基である請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１７】  Ｚ、Ｚ’、Ｚ’’の一つは独立的に−Ｎ（Ａ）（Ａ’）、ただし、ＡおよびＡ’の１つは独立的にアルキル基、アルケニル基、アリール基、シクロアルキル基またはシクロアルケニル基である請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１８】  各アミド基が独立的にジアルキルアミド基である請求項１６記載の方法。
【請求項１９】  さらに、注入前に、Ｔｅ含有化合物とＣｄ含有化合物を混合する請求項１４〜１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】  さらに、加熱中に、追加のＣｄ含有化合物、追加のＴｅ含有化合物またはそれらの混合物を加える請求項１４〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】  Ｔｅ含有化合物とＣｄ含有化合物を連続的に注入する請求項１４〜１４〜２０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】  Ｔｅ含有化合物とＣｄ含有化合物を実質的に同時に注入する請求項１４〜２１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】  さらに、ナノクリスタライト表面に半導体のオーバーコートを成長させる請求項１４〜２２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】  さらに、サイズ選択沈降によりあるサイズのナノクリスタライトを分離する請求項１４〜２３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２５】  アミンが、サイズ選択沈降中にナノクリスタライトに加えられる請求項１４〜２４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２６】  ナノクリスタライトが、最高値の半分における全幅（ＦＷＨＭ）が７０ｎｍ以下でホトルミネッセンスを示す請求項１４〜２５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２７】  ＦＷＨＭが４５ｎｍ以下である請求項２６記載の方法。
【請求項２８】  ＦＷＨＭが２０ｎｍ以下である請求項２６記載の方法。
【請求項２９】  ＦＷＨＭが１５ｎｍ以下である請求項２６記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
ナノクリスタライトは、少なくとも３０％、４０％、５０％、６０％または７０％の放射の量子効率を有することが可能である。量子効率は７５％、８０％、９０％、９５％または９９％程度でありえる。量子効率は２０〜９９％、好ましくは３０〜９９％、更に好ましくは４０〜９５％、最も好ましくは７０〜９５％でありえる。ナノクリスタライトは、平均直径からわずか１５％ＲＭＳ偏差、好ましくは１０％ＲＭＳ偏差以下、および更に好ましくは５％ＲＭＳ偏差以下よりも少ない偏差を有するサイズ選択集団のメンバーでありえる。ＣｄＴｅナノクリスタライトはホトルミネッセンスを示すことができ、５８０〜７７０ｎｍ、好ましくは５５０〜７８０ｎｍ、更に好ましくは４３５〜８００ｎｍの放射波長を有することが可能である。ナノクリスタライトは、単一モノクリスタライトに対し、７０ｎｍ以下、好ましくは４５ｎｍ以下、更に好ましくは２０ｎｍ以下、最も好ましくは１５ｎｍ以下の最高値の半分における全幅（ＦＷＨＭ）でホトルミネッセンスを示すことができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年2月25日(2011.2.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
従って、「非経口」の用語は、腸管外、局所、吸入、植込み、眼内、鼻内、膣内、直腸内処方剤および投与である。さらに、植込み処方剤は、植込みの身体位置とは無関係に「非経口」の用語に加える事とする。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
「腸管外」投与は、薬剤組成品を静脈内、動脈内、筋肉内、髄腔内または皮下などに注入する事によって達成できる。
「局所処方剤」は、皮膚表面への直接適用のための薬剤を配置でき、そこから有効量の薬剤を放出する組成品を意味する。局所処方剤の例は、その限りではないが、軟膏、クリーム、ゲル、経皮パッチ、スプレイ、膣リングおよびペーストを含む。「経皮」とは、薬剤の皮膚表面からの移行を促進する投与経路を指し、経皮組成品は、皮膚表面に投与する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年12月8日(2010.12.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
〔式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ1′、Ｒ2′、Ｒ3′、Ｒ4′、Ｒ1″、Ｒ2″、Ｒ3″およびＲ4″は、それぞれ、独立に、水素、シアノ、ハロゲン、ＳＯ3Ｍ（Ｍは、水素、アルカリ金属陽イオン、アルカリ土類金属陽イオン、アンモニウムまたは有機アンモニウム陽イオンである）、ＳＯ2ＮＨ2、ＳＯ2ＮＨＲ5、ＳＯ2Ｎ（Ｒ5）2、ＯＲ5もしくはＣＯＯＲ5（Ｒ5は、水素または直鎖もしくは分岐鎖Ｃ1〜Ｃ4アルキルである）、ニトロ、直鎖もしくは分岐鎖Ｃ1〜Ｃ8アルキル、直鎖もしくは分岐鎖フッ素化もしくは過フッ素化Ｃ1〜Ｃ8アルキル、ＮＨＲ6、ＮＲ6Ｒ7、Ｎ+Ｒ6Ｒ7Ｒ10、または直鎖もしくは分岐鎖Ｃ1〜Ｃ8アルキル−Ｒ8であって、ここで、Ｒ8は、ＯＲ5、ＣＯＯＲ5、ＮＨ2、ＮＨＲ6、ＮＲ6Ｒ7またはＮ+Ｒ6Ｒ7Ｒ10であり、Ｒ6、Ｒ7およびＲ10は、同一であるか、または異なり、それぞれ、直鎖または分岐鎖Ｃ1〜Ｃ12アルキルであるか、あるいはＲ6およびＲ7は、結合している窒素原子と結合して、ヘテロ原子をさらに含んでもよい五、六または七員環を形成し、Ｒ9、Ｒ9′およびＲ9″は、それぞれ、独立に、水素、直鎖もしくは分岐鎖Ｃ1〜Ｃ8アルキル、またはアリールである〕
で示される三脚状配位子を有する金属錯体の、過酸素化合物による酸化のための触媒としての使用を提供する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
〔式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ1′、Ｒ2′、Ｒ3′、Ｒ4′、Ｒ1″、Ｒ2″、Ｒ3″およびＲ4″は、それぞれ、独立に、水素、シアノ、ハロゲン、ＳＯ3Ｍ（Ｍは、水素、ナトリウム、カルシウム、マグネシウム、アンモニウムまたは有機アンモニウム陽イオンである）、ＳＯ2ＮＨ2、ＳＯ2ＮＨＲ5、ＳＯ2Ｎ（Ｒ5）2、ＯＲ5もしくはＣＯＯＲ5（Ｒ5は、水素または直鎖もしくは分岐鎖Ｃ1〜Ｃ4アルキルである）、ニトロ、直鎖もしくは分岐鎖Ｃ1〜Ｃ8アルキル、直鎖もしくは分岐鎖フッ素化もしくは過フッ素化Ｃ1〜Ｃ8アルキル、ＮＨＲ6、ＮＲ6Ｒ7、Ｎ+Ｒ6Ｒ7Ｒ10、または直鎖もしくは分岐鎖Ｃ1〜Ｃ8アルキル−Ｒ8であって、ここで、Ｒ8は、ＯＲ5、ＣＯＯＲ5、ＮＨ2、ＮＨＲ6、ＮＲ6Ｒ7またはＮ+Ｒ6Ｒ7Ｒ10であり、Ｒ6、Ｒ7およびＲ10は、同一であるか、または異なり、それぞれ、直鎖または分岐鎖Ｃ1〜Ｃ12アルキルであるか、あるいはＲ6およびＲ7は、結合している窒素原子と結合して、ヘテロ原子をさらに含んでもよい五、六または七員環を形成し、Ｒ9、Ｒ9′およびＲ9″は、それぞれ、独立に、水素、直鎖もしくは分岐鎖Ｃ1〜Ｃ8アルキル、またはアリールである〕
で示される三脚状配位子を有するマンガン（III）または鉄（III）錯体であって、該マンガン（III）錯体においては、置換基Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ1′、Ｒ2′、Ｒ3′、Ｒ4′、Ｒ1″、Ｒ2″、Ｒ3″、Ｒ4″、Ｒ9、Ｒ9′およびＲ9″のうち少なくとも一つが、水素以外の意味を有し、かつ置換基Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ1′、Ｒ2′、Ｒ4′、Ｒ1″、Ｒ2″、Ｒ4″、Ｒ9、Ｒ9′およびＲ9″がすべて水素であるときは、置換基Ｒ3、Ｒ3′およびＲ3″のうち少なくとも一つが、塩素以外の意味を有することを条件とする錯体である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
〔式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ1′、Ｒ2′、Ｒ3′、Ｒ4′、Ｒ1″、Ｒ2″、Ｒ3″およびＲ4″は、それぞれ、独立に、水素、シアノ、ハロゲン、ＳＯ3Ｍ（Ｍは、水素、アルカリ金属陽イオン、アルカリ土類金属陽イオン、アンモニウムまたは有機アンモニウム陽イオンである）、ＳＯ2ＮＨ2、ＳＯ2ＮＨＲ5、ＳＯ2Ｎ（Ｒ5）2、ＯＲ5もしくはＣＯＯＲ5（Ｒ5は、水素または直鎖もしくは分岐鎖Ｃ1〜Ｃ4アルキルである）、ニトロ、直鎖もしくは分岐鎖Ｃ1〜Ｃ8アルキル、直鎖もしくは分岐鎖フッ素化もしくは過フッ素化Ｃ1〜Ｃ8アルキル、ＮＨＲ6、ＮＲ6Ｒ7、Ｎ+Ｒ6Ｒ7Ｒ10、または直鎖もしくは分岐鎖Ｃ1〜Ｃ8アルキル−Ｒ8であって、ここで、Ｒ8は、ＯＲ5、ＣＯＯＲ5、ＮＨ2、ＮＨＲ6、ＮＲ6Ｒ7またはＮ+Ｒ6Ｒ7Ｒ10であり、Ｒ6、Ｒ7およびＲ10は、同一であるか、または異なり、それぞれ、直鎖または分岐鎖Ｃ1〜Ｃ12アルキルであるか、あるいはＲ6およびＲ7は、結合している窒素原子と結合して、ヘテロ原子をさらに含んでもよい五、六または七員環を形成し、Ｒ9、Ｒ9′およびＲ9″は、それぞれ、独立に、水素、直鎖もしくは分岐鎖Ｃ1〜Ｃ8アルキル、またはアリールである〕
で示される配位子であって、置換基Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ1′、Ｒ2′、Ｒ3′、Ｒ4′、Ｒ1″、Ｒ2″、Ｒ3″、Ｒ4″、Ｒ9、Ｒ9′およびＲ9″のうち少なくとも一つが、水素以外の意味を有し、かつ置換基Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ1′、Ｒ2′、Ｒ4′、Ｒ1″、Ｒ2″、Ｒ4″、Ｒ9、Ｒ9′およびＲ9″がすべて水素であるときは、置換基Ｒ3、Ｒ3′およびＲ3″のうち少なくとも一つが、塩素以外の意味を有することを条件とする配位子である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年1月12日(2011.1.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
このようなポリエステルまたはコポリエステルとしては、ヒドロキシアルカノエートの誘導体、特に3-ヒドロキシブチレート、3-ヒドロキシバレレートおよび3-ヒドロキシプロピオネートの誘導体を挙げることができるが、同様にポリブチレンサクシネートおよびε-カプロラクトンのポリマーをも例示できる。
これらε-カプロラクトンのポリマーが、特に好ましい。
本発明の組成物の、該脂肪族熱可塑性ポリマーは、従って好ましくはε-カプロラクトンのポリマーである。
「ε-カプロラクトンのポリマー」なる用語は、ε-カプロラクトンのホモポリマーのみならず、高いε-カプロラクトン含有率、例えば少なくとも50質量%なる含有率をもつ、他のモノマー、好ましくは他の環状ラクトンとのコポリマーを意味するものとする。これらの環状ラクトンとしては、例えばβ-プロピオラクトン、γ-ブチロラクトン、δ-バレロラクトン、1,4-ジオキサン-2-オン、1,4-ジオキセパン-2-オン、1,5-ジオキセパン-2-オン、グリコリド(1,4-ジオキサン-2,5-ジオン)およびこれらの置換誘導体並びにL-ラクチド、D-ラクチド、DL-ラクチドを例示することができる。
これらε-カプロラクトンのポリマーは、好ましくはε-カプロラクトンのホモポリマーである。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
該押出機の溶融領域内で、二酸化炭素との混合物としての、DHBP LUPERSOL（登録商標）101を、上記の導入装置によって、該ポリ-ε-カプロラクトンへスプレーした。このDHBP LUPERSOL（登録商標）101は、1分間につき、該ポリ-ε-カプロラクトンCAPA（登録商標）680  1 kg当たり1 g の割合、および二酸化炭素5 ml中570μlのDHBPなる割合で導入した。
かくして得た組成物について測定したRMFI、ゲル化率、数平均分子量、結晶化温度(Tc)およびtanδの値を、以下の表4に報告する。
80℃における、時間(単位：s)の関数としての、伸び率勾配１(単位s-1で表示)に対する、伸張粘度(単位kPa.sで表示される)の変動を、図3に示す(記号：○)。
80℃における、頻度(単位rad/sで表示される)の関数としての、動粘度(単位Pa.sで表示される)の変化を、図4に示す(記号：○)。
二枚のフィルム(No. 1.1、1.2)を、上記方法に従って、かつ以下に記載の条件を使用して、上記実施例1の組成物から製造した。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年11月10日(2010.11.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７５】
一体型水素吸着及び粒子ろ過組立品３００及びそこを流れるガスの温度は、約１００℃未満なので、それを構成するステンレス鋼が汚染する水素を生成することは殆どない。それでもなお、水素吸着ゲッタ３０４は室温であっても有効であるから、一体型水素吸着及び粒子ろ過組立品３００中を流れる精製ガス中に残留する水素は、効果的に除去される。本発明の一体型水素吸着及び粒子ろ過組立品３００は、精製された窒素ガス中の水素１０〜２５ｐｐｂを１ｐｐｂ未満に減少させることがわかっている。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年2月24日(2011.2.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
請求項１に記載の式Ｉで表わされる化合物［ただし、（１Ｈ−インドール−５−イル）−（４−フェネチルピペラジン−１−イル）メタノンは除外する］の製造方法は、
ａ）式ＩＩ：
【化６】
2003505458.tif 000001
式中、Ｌは、Ｃｌ、ＢｒまたはＩであるか、または遊離のまたは活性に官能基修飾されているＯＨ基であり、およびＲ４およびＲ５は、請求項１に示されている意味を有する
で表わされる化合物を、式ＩＩＩ：
【化７】
2003505458.tif 000002
式中、Ｒ１は、請求項１に記載の意味を有する
で表わされる化合物と反応させること、または
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
ｂ）式ＩＶ：
【化８】
2003505458.tif 000003
式中、Ｒ４およびＲ５は、請求項１に記載の意味を有する
で表わされる化合物を、式Ｖ：
Ｌ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｒ１            Ｖ
式中、Ｌは、Ｃｌ、ＢｒまたはＩであるか、または遊離のまたは活性に官能基修飾されているＯＨ基であり、およびＲ１は、請求項１に記載の意味を有する
で表わされる化合物と反応させること、または
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
所望により、請求項に記載の方法の出発物質は、これらを反応混合物から単離せずに、さらに直ちに反応させて式Ｉで表わされる化合物を得るような方法で、その場で生成させることができる。他方、反応を段階的に行うこともできる。
式ＩＩおよび式Ｖで表わされる化合物において、基Ｌは好ましくはＣｌまたはＢｒである；しかしながら、この基はまた、Ｉ、ＯＨまたは別様には、好ましくは活性に官能基修飾されているＯＨ基、特に炭素原子１〜６個を有するアルキルスルホニルオキシ（例えば、メタンスルホニルオキシ）または炭素原子６〜１０個を有するアリールスルホニルオキシ（例えば、ベンゼンスルホニルオキシ、ｐ−トルエンスルホニルオキシ、１−または２−ナフタレンスルホニルオキシ）または別様に、トリクロロメトキシ、アルコキシ（例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシまたはブトキシ）であることができ、さらにまたフェノキシであることができる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
同様にして、下記化合物を得る：
（１Ｈ−インドール−４−イル）−［４−（４−フルオロフェネチル）ピペラジン−１−イル］メタノン、塩酸塩、融点：２５０°；
（１Ｈ−インドール−４−イル）−［４−（２−［チオフェン−２−イル］エチル）ピペラジン−１−イル］メタノン；
（１Ｈ−インドール−４−イル）−［４−（２−［５−クロロチオフェン−２−イル］エチル）ピペラジン−１−イル］メタノン；
（１Ｈ−インドール−４−イル）−［４−（２−［チオフェン−３−イル］エチル）ピペラジン−１−イル］メタノン；
（１Ｈ−インドール−４−イル）−［４−（２−［２，５−ジクロロチオフェン−３−イル］エチル）ピペラジン−１−イル］メタノン、塩酸塩、融点：１６６〜１６８°；
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
（１Ｈ−インドール−６−イル）−［４−（フェネチル）ピペラジン−１−イル］メタノン；
（１Ｈ−インドール−６−イル）−［４−（４−フルオロフェネチル）ピペラジン−１−イル］メタノン、塩酸塩、融点：２８４．０〜２８４．４°；
（１Ｈ−インドール−６−イル）−［４−（２−［チオフェン−２−イル］エチル）ピペラジン−１−イル］メタノン、塩酸塩、融点：２０４．２〜２０５．７°；
（１Ｈ−インドール−６−イル）−［４−（２−［５−クロロチオフェン−２−イル］エチル）ピペラジン−１−イル］メタノン、塩酸塩、融点：２５１．０〜２５２．５°；
（１Ｈ−インドール−６−イル）−［４−（２−［チオフェン−３−イル］エチル）ピペラジン−１−イル］メタノン；
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５７】
（３−シアノ−１Ｈ−インドール−７−イル）−［４−（２−フルオロフェネチル）ピペラジン−１−イル］メタノン、塩酸塩、融点：２１２．５〜２１４°；
（３−アミノカルボニル−１Ｈ−インドール−７−イル）−［４−（４−フルオロフェネチル）ピペラジン−１−イル］メタノン、塩酸塩、融点：２８０〜２８１°；
（３−シアノ−１Ｈ−インドール−７−イル）−［４−（４−フルオロフェネチル）ピペラジン−１−イル］メタノン、メタンスルホン酸塩、融点：２１２．５〜２１４°；
（３−シアノ−１Ｈ−インドール−７−イル）−［４−（２−［５−クロロチオフェン−２−イル］エチル）ピペラジン−１−イル］メタノン、塩酸塩、融点：３０１．５〜３０３．０°；
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月9日(2011.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ（１００）において、
ビームを放射する領域を備えた少なくとも１つの半導体基体（４）を有し、
前記半導体基体（４）を電気的に接触接続させるために設けられており、且つ前記ビームを放射する領域から横方向において間隔を置いて設けられている少なくとも１つの第１のコンタクト領域（５）を有し、
放射された前記ビームに対して透過性である、導電性の第１のコンタクト層（１）を有し、該第１のコンタクト層（１）はチップ（１００）のビーム射出側（１０）にある前記半導体基体（４）の表面（９）を前記第１のコンタクト領域（５）に接続しており、前記表面（９）は前記ビームを吸収するコンタクト構造を有しておらず、
第２のコンタクト層（２）を有し、該第２のコンタクト層（２）は前記半導体基体（４）を、該半導体基体（４）の電気的な接触接続のための第２のコンタクト領域（３）に接続し、
前記第２のコンタクト領域（２）はＴＣＯを含有する、
ことを特徴とする、チップ（１００）。
【請求項２】
前記ビーム射出側（１０）における前記第１のコンタクト層（１）は前記ビームを吸収するコンタクト構造を有していない、請求項１記載のチップ（１００）。
【請求項３】
前記第１のコンタクト領域（５）は前記ビームを放射する領域とは空間的に隔てられている、請求項１または２記載のチップ（１００）。
【請求項４】
前記表面（９）の大部分は前記第１のコンタクト層（１）によって覆われている、請求項１から３までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
【請求項５】
前記第１のコンタクト層（１）は主放射方向においてチップ（１００）と外部との境界をなす層を形成する、請求項１から４までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
【請求項６】
前記第１のコンタクト層（１）はＴＣＯを含有する、請求項１から５までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
【請求項７】
前記第１のコンタクト領域（５）はボンディングパッドまたはコンタクトフィンガである、請求項１から６までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
【請求項８】
前記第１のコンタクト領域（５）は金属から構成されている、請求項１から７までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
【請求項９】
前記第１のコンタクト領域（５）および前記半導体基体（４）は共通の支持体（６）上に配置されている、請求項１から８までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
【請求項１０】
前記第２のコンタクト領域（３）は前記支持体（６）上に設けられている、請求項９記載のチップ（１００）。
【請求項１１】
前記第１のコンタクト領域（５）は前記支持体（６）から垂直方向に見て前記第２のコンタクト領域（３）の後方に配置されている、請求項１０記載のチップ（１００）。
【請求項１２】
前記第２のコンタクト領域（３）は金属から構成されている、請求項１から１１までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
【請求項１３】
前記第２のコンタクト領域（３）は反射層である、請求項１２記載のチップ（１００）。
【請求項１４】
前記第２のコンタクト層（２）は前記半導体基体（４）と前記第２のコンタクト領域（３）との間に配置されており、前記第２のコンタクト領域（３）と共にミラーを形成する、請求項１３記載のチップ（１００）。
【請求項１５】
前記第２のコンタクト層（２）は放射されたビームに対して透過性である、請求項１から１４までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
【請求項１６】
前記第１のコンタクト領域（５）と前記第２のコンタクト領域（３）との間には絶縁層（８）が配置されている、請求項１から１５までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
【請求項１７】
第１の半導体基体および第２の半導体基体を有し、該第１の半導体基体および該第２の半導体基体は横方向において間隔を置いて配置されており、該第１の半導体基体と該第２の半導体基体との間には１つの第１のコンタクト領域（５）が配置されている、請求項１から１６までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
【請求項１８】
中央に貫通部（１１）を備えた半導体基体（４）を有し、前記貫通部（１１）内に前記第１のコンタクト領域（５）が配置されている、請求項１から１６までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
【請求項１９】
薄膜発光ダイオードチップである、請求項１から１８までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
【請求項２０】
前記薄膜発光ダイオードチップのエピタキシ層列（１２）は最大で２μｍ、有利には１μｍの厚さを有する、請求項１９記載のチップ（１００）。
【請求項２１】
前記第１のコンタクト領域（５）は斜めに延びる側面を有する、請求項１から２０までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月16日(2011.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
本発明の一定の方法の特徴が、種々のこのような特徴を一緒に組み合わせる１つ以上の特定の実施形態の文脈に、本明細書において記載されている。しかしながら、本発明の範囲は、いずれかの特定の実施形態中の一定の特徴のみの記載によっては限定されず、本発明はまた、（１）記載の実施形態のいずれかの特徴のすべてより小数のサブコンビネーションであって、サブコンビネーションの形成のために省略された特徴の欠如を特徴とし得るサブコンビネーション；（２）いずれかの記載の実施形態の組み合わせ中に個別に包含される特徴の各々；ならびに（３）２つ以上の記載の実施形態の選択された特徴のみをグループ化することにより形成される特徴と、任意により、本明細書において他の箇所に開示されている他の特徴との他の組み合わせを含む。
本明細書においては、本明細書の主題の実施形態が、一定の特徴または要素を包含し、含有し、有し、これらを含んでなり、またはこれらから構成されるとして記述または説明されている用法の文脈によって、明確にそうでないと記載されていない、または反対に示されていない限りにおいて、明らかに記述または説明されているものに追加する特徴または要素の１つ以上が実施形態において存在していてもよい。本明細書の主題の代替的実施形態は、しかしながら、基本的に、一定の特徴または要素から構成されるとして記述または説明され得、この実施形態においては、作動の原理、または実施形態の特色的な特徴を実質的に変更するであろう特徴または要素はそこには存在しない。本明細書の主題のさらなる代替的実施形態は、一定の特徴または要素から構成されるとして記述または説明され得、この実施形態またはそのわずかな変形においては、特定的に記述または説明された特徴または要素のみが存在する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
以上、本発明を要約すると下記のとおりである。
１．（ａ）蛍リン光体材料の層、ならびに（ｂ）蛍リン光体層上に配置された、無定形の炭素、グラファイト、ダイアモンド様炭素、フラーレン、カーボンナノチューブ、コポリマーおよび有機コーティング化合物からなる保護材料の群の構成要素の１つまたはそれ以
上から調製された層、を含む陽極を含む電界放出デバイス。
２．保護材料から形成された層が陽極の表面を形成する、上記１に記載のデバイス。
３．カーボンナノチューブを含む陰極を含む、上記１に記載のデバイス。
４．保護材料が炭素またはコポリマーを含む、上記１に記載のデバイス。
５．上記１に記載の電界放出デバイスを含むディスプレイデバイス。
６．（ａ）蛍リン光体材料、ならびに（ｂ）無定形の炭素、グラファイト、ダイアモンド様炭素、フラーレン、カーボンナノチューブ、コポリマーおよび有機コーティング化合物からなる保護材料の群の構成要素の１つまたはそれ以上、の混合物から調製される層を含む陽極を含む電界放出デバイス。
７．混合物から形成される層が陽極の表面を形成する、上記６に記載のデバイス。
８．カーボンナノチューブを含む陰極を含む、上記６に記載のデバイス。
９．保護材料が炭素またはコポリマーを含む、上記６に記載のデバイス。
１０．上記６に記載の電界放出デバイスを含むディスプレイデバイス。
１１．（ａ）中に陽極として基板を備える工程、ならびに（ｂ）基板上に、（ｉ）蛍リン光体材料、および（ｉｉ）無定形の炭素、グラファイト、ダイアモンド様炭素、フラーレン、カーボンナノチューブ、コポリマーおよび有機コーティング化合物からなる保護材料の群の構成要素の１つまたはそれ以上、の混合物から形成される層を被覆する工程を含む電界放出デバイスを製造する方法。
１２．保護材料が炭素またはコポリマーを含む、上記１１に記載の方法。
１３．（ａ）中に陽極として基板を備える工程、（ｂ）基板上に蛍リン光体材料から形成された層を被覆する工程、ならびに（ｃ）蛍リン光体層上に、無定形の炭素、グラファイト、ダイアモンド様炭素、フラーレン、カーボンナノチューブ、コポリマーおよび有機コーティング化合物からなる保護材料の群の構成要素の１つまたはそれ以上から形成された層を被覆する工程を含む電界放出デバイスを製造する方法。
１４．保護材料が炭素またはコポリマーを含む、上記１３に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）蛍リン光体材料の層、ならびに（ｂ）蛍リン光体層上に配置された、無定形の炭素、グラファイト、ダイアモンド様炭素、フラーレン、カーボンナノチューブ、コポリマーおよび有機コーティング化合物からなる保護材料の群の構成要素の１つまたはそれ以上から調製された層、を含む陽極を含む電界放出デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の電界放出デバイスを含むディスプレイデバイス。
【請求項３】
（ａ）蛍リン光体材料、ならびに（ｂ）無定形の炭素、グラファイト、ダイアモンド様炭素、フラーレン、カーボンナノチューブ、コポリマーおよび有機コーティング化合物からなる保護材料の群の構成要素の１つまたはそれ以上、の混合物から調製される層を含む陽極を含む電界放出デバイス。
【請求項４】
請求項３に記載の電界放出デバイスを含むディスプレイデバイス。
【請求項５】
（ａ）中に陽極として基板を備える工程、ならびに（ｂ）基板上に、（ｉ）蛍リン光体材料、および（ii）無定形の炭素、グラファイト、ダイアモンド様炭素、フラーレン、カーボンナノチューブ、コポリマーおよび有機コーティング化合物からなる保護材料の群の構成要素の１つまたはそれ以上、の混合物から形成される層を被覆する工程を含む電界放出デバイスを製造する方法。
【請求項６】
（ａ）中に陽極として基板を備える工程、（ｂ）基板上に蛍リン光体材料から形成された層を被覆する工程、ならびに（ｃ）蛍リン光体層上に、無定形の炭素、グラファイト、ダイアモンド様炭素、フラーレン、カーボンナノチューブ、コポリマーおよび有機コーティング化合物からなる保護材料の群の構成要素の１つまたはそれ以上から形成された層を被覆する工程を含む電界放出デバイスを製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月25日(2011.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水分又は酸素に弱い電子デバイスの保護のための非晶質ダイヤモンド状フィルム層を製作するプロセスであって：
シリコーン油からプラズマを形成する工程と；
該プラズマから非晶質ダイヤモンド状フィルム層を蒸着する工程と；
該非晶質ダイヤモンド状フィルム層と水分又は酸素に弱い電子デバイスとを組み合わせて、保護された電子デバイスを形成する工程とを含む、プロセス。
【請求項２】
有機電子デバイスと；
該有機電子デバイスに近接した非晶質ダイヤモンド状フィルム層とを含んでおり、該非晶質ダイヤモンド状フィルム層は、シロキサン部分を含み、１０００オングストロームを超える厚さを有する、物品。
【請求項３】
電力供給される電極と対電極とを含む真空チャンバと；
該電力供給される電極とインピーダンス整合回路網を通じて電気的接続する高周波電源と；
該真空チャンバと流体連通するシリコーン油源とを含む、プラズマ蒸着装置。
【請求項４】
基板上に非晶質ダイヤモンド状フィルム層を製作するプロセスであって：
シリコーン油から高周波プラズマを形成する工程と；
プラズマから基板上に非晶質ダイヤモンド状フィルム層を蒸着する工程とを含むプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月7日(2011.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性材料、
粉末状グラファイト、及び
結合剤、
を含む複合体であって、前記グラファイトの量が前記活性材料及び前記グラファイトの総体積の２０体積パーセントを超え、
前記結合剤がリチウムポリアクリレートであり、並びに、
前記複合体の気孔率が２０％未満である、電極。
【請求項２】
活性材料、
粉末状グラファイト、及び
結合剤、
を含む複合体であって、前記グラファイトの量が前記活性材料及び前記グラファイトの総体積の２０体積パーセントを超え、
前記活性材料が合金を含み、
前記複合体の気孔率が２０％未満であり、並びに、
前記合金が、５０〜８５モル・パーセントのケイ素、５〜１２モル・パーセントの鉄、５〜１２モル・パーセントのチタン、及び５〜１２モル・パーセントの炭素を含む、電極。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電極、並びに、
ａ）構造
【化１】
2010519706.tif 000001
を有するビニレンカーボネート、又は
ｂ）構造
【化２】
2010519706.tif 000002
（式中、ＲはＨであるか又は１〜４個の炭素原子を含有するアルキル若しくはアルケニル基であり、ＸはＨ、Ｆ、又はＣｌであり、並びに、ＹはＦ又はＣｌであるか又は１〜４個の炭素原子を含有するアルキル若しくはアルケニル基である）を有するエチレンカーボネートの少なくとも１つを含む電解質を含む、電気化学セル。
【請求項４】
活性材料、結合剤、及び粉末状グラファイトを混合して複合体を形成する工程と、
前記複合体を圧縮して圧縮された複合体を形成する工程と、
を含む電極の製造方法であって、
前記活性材料が合金を含み、
前記複合体中の前記グラファイトの量が前記活性材料及び前記グラファイトの総体積の２０体積パーセントを超え、
前記圧縮された複合体の気孔率が２０％未満であり、並びに、
前記合金が、５０〜８５モル・パーセントのケイ素、５〜１２モル・パーセントの鉄、５〜１２モル・パーセントのチタン、及び５〜１２モル・パーセントの炭素を含む、電極の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月18日(2011.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サンプルのエッチング方法であって、
パルス化プラズマ・プロセスを適用することによって前記サンプルの一部を除去する工程を含み、この場合前記パルス化プラズマ・プロセスは複数のデューティサイクルから成り、各デューティサイクルはプラズマのオン状態とオフ状態の組合せであり、前記プラズマは反応ガスから発生し、そして前記反応ガスは前記プラズマの前記オン状態の間でなく前記プラズマの前記オフ状態の間に補充される、方法。
【請求項２】
前記反応ガスが前記プラズマの前記オフ状態の間に補充される結果、前記パルス化プラズマ・プロセスの終了時の前記プラズマのガス種の組成が、前記パルス化プラズマ・プロセスの開始時の前記プラズマのガス種の組成の１％以内となる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記パルス化プラズマ・プロセスの終了時の前記プラズマの圧力が、前記パルス化プラズマ・プロセスの開始時の前記プラズマの圧力の１ｍトール以内である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記オン状態の持続時間が、前記サンプルに隣接した反応領域におけるマイクロ・ローディングを実質的に阻止するのに十分に短く、且つ前記オフ状態の持続時間が、前記サンプルに隣接した前記反応領域からのエッチング副産物のセットの除去を実質的に可能にするのに十分に長い、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記オン状態の間に前記サンプルに負のバイアスを加え、前記オフ状態の間に前記サンプルにゼロバイアスを加える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記オン状態から成る各デューティサイクルの部分を５〜９５％の範囲とする、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記プラズマの前記オフ状態の持続時間を、エッチング副産物の５０％超が前記反応領域から除去されるまでの時間に実質的に一致するように選択する、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
不活性ガスを使用して、前記プラズマの前記オフ状態の間に前記エッチング副産物のセットの除去を強化する、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
前記サンプルの一部を削除する方法は、前記サンプルの第２部分の除去を含み、
当該第２部分を除去する前に、連続プラズマ・プロセスを適用して前記サンプルの第１部分を除去する工程と、
前記連続プラズマ・プロセスを終了する工程と、
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
第２連続プラズマ・プロセスを適用することによって前記サンプルの第３部分を除去する工程と、
前記第２連続プラズマ・プロセスを終了する工程と、
第２パルス化プラズマ・プロセスを適用することによって前記サンプルの第４部分を除去する工程であって、前記第２パルス化プラズマ・プロセスが第２の複数のデューティサイクルから成り、各デューティサイクルが第２プラズマの第２オン状態と第２オフ状態の組合せであり、前記第２プラズマが第２反応ガスから発生し、そして前記第２反応ガスが前記第２プラズマの前記オン状態の間でなく前記オフ状態の間に補充される工程と
をさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
サンプルのエッチングに用いられるシステムであって、
サンプル・ホルダーを備えたチャンバと、
前記チャンバに連結する排出デバイスであって、前記チャンバを減圧するための排出デバイスと、
前記チャンバに連結するガス注入デバイスであって、前記チャンバに反応ガスを注入するためのガス注入デバイスと、
前記チャンバに連結するプラズマ・イグニション・デバイスであって、前記反応ガスから誘導されるプラズマに点火するためのプラズマ・イグニション・デバイスと、
前記プラズマ・イグニション・デバイス及び前記ガス注入デバイスに連結するコンピューティング・デバイスであって、プロセッサ及びメモリを備え、この場合前記メモリは、パルス化プラズマ・プロセスにおいて前記プラズマ・イグニション・デバイスを制御することによりプラズマのオン状態とオフ状態の間を切り換えるための命令セットを含み、前記パルス化プラズマ・プロセスは複数のデューティサイクルから成り、各デューティサイクルは前記プラズマの１つのオン状態と１つのオフ状態の組合せであり、前記メモリは前記ガス注入デバイスを制御することにより開状態と閉状態の間を切換えるための命令セットも含み、前記プラズマは前記反応ガスから発生し、前記ガス注入デバイスが前記開状態であるときに前記反応ガスが補充され、そして前記プラズマの前記オン状態の間でなく前記オフ状態の間に前記反応ガスが補充されるコンピューティング・デバイスと
を備えるシステム。
【請求項１２】
前記サンプル・ホルダーに連結する電圧源をさらに備え、前記電圧源が前記サンプルにバイアスを掛ける、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記チャンバに連結する検出デバイスをさらに備え、前記検出デバイスが処理工程のエンドポイントを検出する、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記オン状態の持続時間が、サンプルに隣接する反応領域においてマイクロ・ローディングを実質的に抑止するのに十分に短く、且つ前記オフ状態の持続時間が、前記サンプルに隣接する前記反応領域からのエッチング副産物のセットの除去を実質的に可能にするのに十分に長い、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１５】
前記オン状態から成る各デューティサイクルの部分が５〜９５％の範囲である、請求項１４に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月18日(2010.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスにおいて使用するためのエクスサイチュでドープされた半導体輸送層を製造する方法であって、
(a)コロイド溶液において表面有機配位子を有する半導体ナノ粒子の第一の組を成長させ;
(b)コロイド溶液において表面有機配位子を有するドーパント材料ナノ粒子の第二の組を成長させ;
(c)該半導体ナノ粒子の第一の組と該ドーパント材料ナノ粒子の第二の組の混合物を表面に付着させ、そこではドーパント材料ナノ粒子より多くの半導体ナノ粒子が存在し；
(d)該ナノ粒子の第一および第二の組の表面から該有機配位子がボイルオフするように、該付着したナノ粒子の混合物を第一アニーリングし；および
(e)該半導体ナノ粒子が融合して連続的な半導体層を形成し、且つ該ドーパント材料原子が該ドーパント材料ナノ粒子から該連続的な半導体層に拡散してエクスサイチュでドープされた半導体輸送層を提供するように、該付着した混合物を第二アニーリングすること、
を含んでなる、方法。
【請求項２】
該半導体が、ＩＶ、ＩＩＩ−Ｖ、ＩＩ−ＶＩ、またはＩＶ−ＶＩ型半導体材料から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
電子デバイスにおいて使用するためのエクスサイチュでドープされた半導体輸送層を製造する方法であって、
(a)コロイド溶液において表面有機配位子を有する半導体ナノ粒子の第一の組を成長させ;
(b)コロイド溶液において表面有機配位子を有するドーパント材料ナノ粒子の第二の組を成長させ;
(c)配位子交換を行って、該半導体およびドーパント材料ナノ粒子の表面を、沸点が２００℃未満である有機配位子でカバーし；
(d)該配位子交換された半導体およびドーパント材料ナノ粒子ならびに有機溶媒を含む分散体を製造し、そこではドーパント材料ナノ粒子より多くの半導体ナノ粒子が存在し；
(e)該分散体を表面にコーティングし；
(f)該半導体およびドーパント材料ナノ粒子の表面から該有機配位子がボイルオフするように、該付着したナノ粒子の混合物を第一アニーリングし；および
(g)該半導体ナノ粒子が融合して連続的な半導体層を形成し、且つ該ドーパント材料原子が該ドーパント材料ナノ粒子から該連続的な半導体層に拡散してエクスサイチュでドープされた半導体輸送層を提供するように、該付着した混合物を第二アニーリングすること、
を含んでなる、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月16日(2011.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクスデバイス用のケーシングボディであって、
・第１の面領域（２１）と第２の面領域（２２）とを備えた主表面（２）を含んでおり、ここで、
・前記第１の面領域（２１）と前記第２の面領域（２２）は、主表面（２）内に段を形成し、
・前記第１の面領域（２１）と前記第２の面領域（２２）は、外側エッジ（２０）によって相互に接しており、
・前記第２の面領域（２２）と前記外側エッジ（２０）は前記第１の面領域（２１）を取り囲んでおり、
・当該ケーシングボディは、シリコーン、エポキシドおよびシリコーン・エポキシドハイブリッド材料によって構成されているグループからの少なくとも１つの材料を有している、
ことを特徴とするケーシングボディ。
【請求項２】
・前記第１の面領域（２１）は平らに構成されている、請求項１記載のケーシングボディ。
【請求項３】
前記外側エッジ（２０）は円形、楕円形、多面体形、またはその組み合わせであり、前記第１の面領域（２１）の周りに延在している、請求項１または２記載のケーシングボディ。
【請求項４】
・前記第２の面領域（２２）は、前記主表面（２）内の凹部（２３）の一部であり、
・前記凹部は、前記第１の面領域（２１）を取り囲む、請求項１〜３までのいずれか１項記載のケーシングボディ。
【請求項５】
・前記凹部（２３）は前記第１の面領域（２１）とともに段を形成する、請求項４記載のケーシングボディ。
【請求項６】
・前記凹部（２３）は溝として構成されており、当該溝は前記第１の面領域（２１）を取り囲む、請求項４または５記載のケーシングボディ。
【請求項７】
・ケーシングボディは成形可能なプラスチックを有している、請求項１〜６までのいずれか１項記載のケーシングボディ。
【請求項８】
・ケーシングボディは、リードフレーム（６）を有している、請求項１から７までのいずれか１項記載のケーシングボディ。
【請求項９】
・前記リードフレーム（６）は、オプトエレクトロニクスデバイス（９）用の取り付け面（６１）を有している、請求項８記載のケーシングボディ。
【請求項１０】
・前記第１の面領域（２１）は、オプトエレクトロニクスデバイス（９）を収容するための切り欠き（５）を有しており、前記第１の面領域（２１）は当該切り欠き（５）を取り囲んでいる、請求項１から９までのいずれか１項記載のケーシングボディ。
【請求項１１】
・前記切り欠き（５）は、オプトエレクトロニクスデバイス（９）用の取り付け領域（５２、６１）を有している、請求項１０記載のケーシングボディ。
【請求項１２】
オプトエレクトロニクス装置であって、
・請求項１から１１までのいずれか１項に記載されたケーシングボディと、
・オプトエレクトロニクスデバイス（９）と、
・第１の光学素子（７）とを含んでおり、
ここで
・前記オプトエレクトロニクスデバイス（９）は、作動時に電磁ビームを放出するのに適しており、
・前記第１の光学素子（７）は、前記第１の面領域（２１）上で、オプトエレクトロニクスデバイス（９）のビーム路内に配置されており、前記外側エッジ（２０）によって制限されている、
ことを特徴とする、オプトエレクトロニクス装置。
【請求項１３】
・前記ケーシングボディは第１の面領域（２１）内に切り欠き（５）を有しており、
・前記第１の面領域（２１）は当該切り欠き（５）を取り囲んでおり、
・前記オプトエレクトロニクスデバイス（９）は当該切り欠き（５）内に配置されている、請求項１２記載のオプトエレクトロニクス装置。
【請求項１４】
・前記第１の光学素子（７）はプラスチックを有している、請求項１２または１３記載のオプトエレクトロニクス装置。
【請求項１５】
・前記ケーシングボディ上に第２の光学素子（１０）を配置し、
・当該第２の光学素子（１０）は、前記電磁ビームのビーム路において、前記第１の光学素子（７）の後ろに配置されている、請求項１２から１４までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス装置。
【請求項１６】
・前記第２の光学素子（１０）は、前記第１の光学素子（７）と直接的に接触している、請求項１５記載のオプトエレクトロニクス装置。
【請求項１７】
・前記第１の光学素子（７）は、屈折率整合材料を含んでいる、請求項１６記載のオプトエレクトロニクス装置。
【請求項１８】
前記第１の光学素子（７）はシリコーンジェルまたはシリコーンオイルを含んでいる、請求項１７記載のオプトエレクトロニクス装置。
【請求項１９】
請求項１２〜１８までのいずれか１項に記載されたオプトエレクトロニクス装置の製造方法であって、当該方法は、
Ａ）請求項１〜１１までのいずれか１項に記載されたケーシングボディをオプトエレクトロニクスデバイス（９）の周りに形成するステップと、
Ｂ）第１の光学素子（７）を形成するために、第１の面領域（２１）上にかつオプトエレクトロニクスデバイス（９）上に、オプトエレクトロニクスデバイス（９）によって生成された電磁ビームのビーム路内に液状の材料（７０）を被着させるステップとを含んでいる、
ことを特徴とする、オプトエレクトロニクス装置の製造方法。
【請求項２０】
・ステップＡ）において、切り欠き（５）を有するケーシングボディを使用し、前記オプトエレクトロニクスデバイスを当該切り欠き内に配置する、請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
ステップＢ）において、前記液状材料（７０）は、被着後に、前記第１の領域（２１）上で、外側エッジ（２０）まで拡がり、当該外側エッジによって制限される、請求項１９または２０記載の方法。
【請求項２２】
ステップＡの後の、別のステップを有しており：
Ａ１）前記オプトエレクトロニクスデバイス（９）を、前記切り欠き内でプラスチックによってカプセル封入する（８）ステップを有している、請求項１９〜２１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２３】
・前記液状材料（７０）は、シリコーンおよび／またはエポキシドまたはシリコーンオイルを有している、請求項１９〜２２までのいずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月25日(2011.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と、前記第１面の反対側にある第２面とを備えた半導体基板の前記第１面に導電層を形成する工程と、
前記導電層をパターニングして、ランディングパッドを形成する工程と、前記ランディングパッドを露出させるビアホールを、前記半導体基板の第２面側の半導体基板中に形成する工程と、
前記ランディングパッドが電気的に接続されるとともに、前記導電ビア材料を電気メッキするための電流供給源として機能する、連続導電層を、前記半導体基板の第１面に形成する工程と、
電気メッキ法で導電ビア材料を前記ビアホールに、前記ランディングパッドをシード層として使用して充填する工程とを備える、導電ビアを形成するための方法。
【請求項２】
電気メッキ法で導電ビア材料を充填する工程の後に、前記連続導電層をパターニングする工程をさらに備える、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記導電層を形成する工程では更に、銅を含む該導電層を形成し、及び、
前記連続導電層を形成する工程では更に、アルミニウムからなる前記連続導電層を形成する、
請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
第１面と、前記第１面の反対側にある第２面とを備えた半導体基板の前記第１面にシード層を形成する工程と、
前記シード層の上に連続導電層を形成する工程であって、前記シード層が、前記連続導電層に電気的に接続される、前記連続導電層を形成する工程と、
前記シード層を形成する工程の後に、前記シード層を露出させるビアホールを、半導体基板の前記第２面側の半導体基板中に形成する工程と、
電気メッキ法で導電ビア材料を前記ビアホールに、前記導電ビア材料が前記シード層上に堆積するように、前記連続導電層を電流供給源として使用して充填する工程と、
電気メッキ法で前記導電ビア材料を充填する工程の後に、前記連続導電層をパターニングする工程とを備える、導電ビアを形成するための方法。
【請求項５】
前記シード層を形成する工程では更に、銅を含む前記シード層を形成し、及び、
前記連続導電層を形成する工程では更に、アルミニウムからなる連続導電層を形成する、請求項４記載の方法。
【請求項６】
第１面と、前記第１面の反対側にある第２面とを備えるとともに能動回路を備えている半導体基板の前記第１面に導電層を形成する工程と、
前記導電層をパターニングして、ランディングパッドを形成する工程と、
前記ランディングパッドに電気的に接続される連続導電層を前記ランディングパッドの上に形成する工程と、
前記第２面側の前記半導体基板をエッチングしてビアホールを形成することによって、ランディングパッドを露出させる工程と、
電気メッキ法で導電ビア材料を前記ビアホールに、前記ランディングパッドをシード層として、かつ該連続導電層を電流供給源として使用して充填する工程と、
電気メッキ法で導電ビア材料を充填する工程の後に、前記連続導電層をパターニングする工程とを備える、導電ビアを形成するための方法。