【事件の表示】
　特願２００２−１０４４７６「化合物半導体ウェーハの製造方法、及び化合物半導体素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月２４日出願公開、特開２００３−３０３８２５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年４月５日の出願であって、平成１９年１１月２日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１２月１２日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、平成２０年１月９日付けで手続補正がなされ、その後、当審において平成２２年６月２８日付けで拒絶理由通知がなされ、その指定期間内の同年９月２日に意見書が提出されたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１〜６に係る発明は、平成２０年１月９日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの、請求項３に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　
「【請求項３】　化合物半導体基板上にサブコレクタ層、コレクタ層、ベース層、及びエミッタ層をこの順序でＭＯＣＶＤ法を用いて気相成長させてＨＢＴ製造用の化合物半導体ウェーハを製造するための方法であって、
　前記サブコレクタ層として、キャリア濃度が３×１０18ｃｍ-3〜４×１０18ｃｍ-3のｎ型ＧａＡｓ層を成長温度を６２０℃〜５５０℃の範囲内として成長させるようにしたことを特徴とする化合物半導体ウェーハの製造方法。」
　
３．当審の拒絶理由
　当審において平成２２年６月２８日付けで通知した拒絶の理由（以下「当審拒絶理由」という。）の概要は、本願発明は、本願の出願前に日本国内において頒布された特開平７−３７９００号公報（以下「引用刊行物」という。）に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明することができたであるから特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　
４．引用刊行物に記載された発明
（４−１）引用刊行物には、図１ないし３、２５とともに、以下の事項が記載されている。（下線は、当合議体にて付加したものである。以下同じ。）
　
「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は半導体装置およびその製造方法に係り, 特にヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT) に関する。
「【０００４】(1)：
図25は従来例のHBT の断面図である。
 1は半絶縁性(SI-)GaAs 基板
「【００２８】
 【作用】(1)：本発明では，HBT 層構造をエピタキシャル成長する時点で，通常のコレクタ層厚みを有する領域と, 段差を補償できる厚みを有する領域を同一ウエハ内に作り込むことにより段差を低減している。
【００２９】図１(A),(B) は本発明の原理図(1) である。図１(A) は通常の成長を示し，図１(B) は基板101 の表面を部分的に誘電体膜102 で覆った場合を示す。この場合は，或る成長条件を選ぶことにより誘電体膜上には成長が起こらず，この部分に到達したガス分子が誘電体膜上を移動し，基板が露出している部分に到達し，ここでエピ結晶103 内に取り込まれる。
【００３０】すなわち，図１(B) の基板の露出部の成長速度は図１(A) の場合より大きくなる。その割合は誘電体膜の面積と基板が露出している部分の面積の比で決まる。面積比が１：１の場合は，理想的には図１(B) の場合の成長速度は図１(A) の場合のそれの２倍になる。
【００３１】この原理を用いることにより，HBT 層構造をエピタキシャル成長する時点で, 通常使用するコレクタ層厚みを有する領域と，段差を補償できる厚みを有する領域とを同一ウエハ内に作り込むことができる。」
「【００４０】
 【実施例】(1)：図２(A),(B) は本発明の実施例(1) の断面図である。
【００４１】
減圧有機金属気相成長(MOCVD) 法により, GaAs/AlGaAs を成長する場合について説明する。
Ga原料： TMGa,　　Al原料： TEAl,　  In原料： TEIn, 
　　　As原料： AsH3,ｎ型ドーパント原料：　Si2H6,
　ｐ型ドーパント原料：  CCl4.
基板温度： 600℃
 誘電体膜： SiO2(または SiN, Si3N4, SiON)
図２(A) は基板の平面図で斜線部は誘電体膜が被着されている。
【００４２】図２(B) は  A-A 断面図で, 図よりわかるように，GaAs基板101 上の誘電体102 で挟まれた領域に成長したGaAs膜103 はその他の領域より厚く成長されている。
【００４３】
図３は本発明の実施例(2) の断面図である。この実施例はHBT 層構造への適用例を示す。図において， 1はSI-GaAs 基板,  2はサブコレクタ層で n
+
 -GaAs 層,  3はコレクタ層でn-GaAs層,  4はベース層で p-GaAs 層,  5はエミッタ層でn-AlGaAs層,  6はエミッタコンタクト層で n
+
 -InGaAs/ n
+
 -GaAs 層である。
【００４４】図の右側の部分が図２の部分的に誘電体膜で被覆した領域に対応する。図４は実施例(2) を適用して形成したHBT の断面図である。成長速度の速い領域に成長したエピ層のコレクタ層以上の被膜（点線で示される被膜）は化学エッチングにより除去し，露出したサブコレクタ層 2の上にコレクタ電極を形成する。図から明らかなように段差は低減している。」
　
（４−２）上記記載からみて、引用刊行物には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「半絶縁性ＧａＡｓ基板１の上に、ｎ＋−ＧａＡｓ層からなるサブコレクタ層２、ｎ−ＧａＡｓ層からなるコレクタ層３、ｐ−ＧａＡｓ層からなるベース層４、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層からなるエミッタ層５を、減圧有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により、基板温度６００℃で成長させることにより、ＨＢＴ層構造を形成する方法。」
　
５．対比
（５−１）刊行物発明の「半絶縁性ＧａＡｓ基板１」は、本願発明の「化合物半導体基板」に相当する。
　
（５−２）刊行物発明の「半絶縁性ＧａＡｓ基板１」、「ｎ＋−ＧａＡｓ層からなるサブコレクタ層２」、「ｎ−ＧａＡｓ層からなるコレクタ層３」、「ｐ−ＧａＡｓ層からなるベース層４」及び「ｎ−ＡｌＧａＡｓ層からなるエミッタ層５」からなる「ＨＢＴ構造」は、本願発明の「ＨＢＴ製造用の化合物半導体ウェーハ」に相当する。
　
（５−３）刊行物発明の「ｎ＋−ＧａＡｓ層からなるサブコレクタ層２」を「基板温度６００℃で成長させること」は、本願発明の「前記サブコレクタ層として、」「ｎ型ＧａＡｓ層を成長温度を６２０℃〜５５０℃の範囲内として成長させる」ことに相当する
　
（５−４）そうすると、本願発明と刊行物発明とは、
「化合物半導体基板上にサブコレクタ層、コレクタ層、ベース層、及びエミッタ層をこの順序でＭＯＣＶＤ法を用いて気相成長させてＨＢＴ製造用の化合物半導体ウェーハを製造するための方法であって、
　前記サブコレクタ層として、ｎ型ＧａＡｓ層を成長温度を６２０℃〜５５０℃の範囲内として成長させるようにしたことを特徴とする化合物半導体ウェーハの製造方法。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点）本願発明では、「サブコレクタ層」を構成する「ｎ型ＧａＡｓ層」の「キャリア濃度が３×１０18ｃｍ-3〜４×１０18ｃｍ-3」であるのに対して、刊行物発明では、
「ｎ＋−ＧａＡｓ層からなるサブコレクタ層２」のキャリア濃度について、何ら特定されていない点。
　
６．判断
（６−１）以下、上記相違点について検討する。
　化合物ＨＢＴにおいて、ｎ型ＧａＡｓ層からなるサブコレクタ層のキャリア濃度として、３×１０１８ｃｍ−３〜４×１０１８ｃｍ−３という値は、以下の周知例１〜３に記載されるように、通常採用し得る一般的な値である。 
　
（ア）周知例１：特開２００２−８３８１６号公報には、図３とともに、以下の事項が記載されている。
「【００２４】
【実施例】（実施例１）本実施例では、ＧａXＩｎ1-XＰ系ＨＢＴを校正する場合を例にして、本発明を詳細に説明する。図３は本実施例に係わるＨＢＴ１００の断面模式図である。
【００２５】ＨＢＴ１００用途のエピタキシャル積層構造体は、アンドープ半絶縁性の（１００）２°オフ（ｏｆｆ）ＧａＡｓ単結晶を基板１０１として構成した。・・・直径を１００ｍｍとする基板１０１の表面上には、緩衝層１０２を構成するＡｌCＧａ1-CＡｓ／ＧａＡｓ系超格子構造を堆積させた。・・・
【００２６】緩衝層１０２上には、（ＣＨ3）3Ｇａ／ＡｓＨ3／Ｈ2反応系を利用した減圧ＭＯＣＶＤ法に依り、
Ｓｉドープのｎ形ＧａＡｓ層をサブコレクタ（ｓｕｂ　ｃｏｌｌｅｃｔｏｒ）層１０３−１として積層した。サブコレクタ層１０３−１を構成するＧａＡｓ層のキャリア濃度は４×１０
18
ｃｍ
-3
とした。
【００２７】ｎ形ＧａＡｓコレクタ層１０３−２の上には、ＡｓＨ3／（ＣＨ3）3Ｇａの反応系への供給比率（所謂、Ｖ／ＩＩＩ比率）を１．２に設定してＣドープｐ形ＧａＡｓからなるｐ形ベース（ｂａｓｅ）層１０４を積層した。キャリア濃度は３×１０19ｃｍ-3とし、層厚は４５０オングストロームとした。・・・
【００２８】ｐ形ベース層１０４上には、継続してｎ形Ｇａ0.49Ｉｎ0.51Ｐからなるエミッタ（ｅｍｉｔｔｅｒ）層１０５（キャリア濃度＝４×１０18ｃｍ-3、層厚＝３００オングストローム）を堆積した。また、エミッタ層１０５上には、オーミックコンタクト層１０６としてＳｉドープｎ形Ｇａ0.50Ｉｎ0.50Ａｓ層（キャリア濃度＝６×１０18ｃｍ-3、層厚＝６００オングストローム）を堆積して、ｎｐｎ型ＨＢＴ用途の積層構造体１Ａの形成を終了した。・・・」
　
（イ）周知例２：特開２００１−２８３７３号公報には、以下の事項が記載されている。
「【００１２】本発明におけるヘテロ接合バイポーラトランジスタは、少なくともコレクタ層、ベース層、遷移層及びエミッタ層を有している。これらコレクタ層、ベース層、遷移層及びエミッタ層は、例えば、通常基板として用いられるシリコン等の半導体基板、又はＧａＡｓ、ＩｎＰ等の化合物半導体基板上に形成することができる。また、この基板自身がコレクタ層等を形成していてもよい。なお、この際、基板としてＧａＡｓを用い、このＧａＡｓ基板上にコレクタ層、ベース層、遷移層及びエミッタ層等を形成するのが好ましい。また、コレクタ層、ベース層、遷移層及びエミッタ層以外に緩衝層又はコンタクト層等を適宜形成することができる。
【００１３】本発明において、エミッタ層及び遷移層に含有している異種元素とは、コレクタ層、ベース層、遷移層及びエミッタ層を構成している元素と共に化合物半導体を形成する元素を意味している。例えば、ＧａＡｓの化合物半導体に対してＡｌ、Ｉｎ等をいう。
基板としてＧａＡｓ基板を用いた場合には、基板上にコレクタ層を形成する前にサブコレクタ層を形成することが好ましい。この場合、サブコレクタ層はｎ
+
−ＧａＡｓ、コレクタ層はｎ−ＧａＡｓが好ましい。その際、サブコレクタ層にドーピングされている不純物はｎ型の不純物、例えば、Ｓｉ，Ｓｎ，Ｇｅ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ等が挙げられる。そして、その不純物濃度は２×１０
18
〜８×１０
18
ｃｍ
-3
、コレクタ層にドーピングされている不純物濃度は５×１０
15
〜１×１０
17
ｃｍ
-3
が好ましい。
【００１４】また、コレクタ層上にはベース層が形成されている。この場合のベース層はｐ+−ＧａＡｓが好ましい。・・・
【００１５】そして、このベース層上に遷移層が形成され、遷移層上にエミッタ層が形成されている。遷移層又はエミッタ層を構成する元素は、ベース層を構成する元素と同一の元素と、さらに少なくともＩｎを含む異種元素とを含有している。・・・
【００１６】本発明において、上記の各層は公知の方法、例えば、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）あるいは分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ）等によって順次エピタキシャル成長させることができる。・・・」
　
（ウ）周知例３：特開２０００−２１６１６８号公報には、図１とともに、以下の事項が記載されている。
「【００１２】以下に、第１の具体例を更に詳細に説明する。図１は本発明の第１の具体例であるバイポーラトランジスタの断面図である。このバイポーラトランジスタは、ＧａＡｓ半絶縁性基板１、
ｎ−ＧａＡｓサブコレクタ層（不純物濃度：３×１０
18
ｃｍ
-3
、膜厚：５００ｎｍ）２
　
　したがって、刊行物発明における「ｎ＋−ＧａＡｓ層からなるサブコレクタ層２」のキャリア濃度を、本願発明と同じく「３×１０１８ｃｍ−３〜４×１０１８ｃｍ−３」とすることに、格別の困難性を認めることはできない。
　また、本願明細書の
「【０００４】　図４は、従来における一般的なＧａＡｓ系ＨＢＴの構造を模式的に示す図である。ＨＢＴ１００は、半絶縁性のＧａＡｓ基板１０１上にｎ+ −ＧａＡｓ層から成るサブコレクタ層１０２、ｎ−ＧａＡｓ層から成るコレクタ層１０３、ｐ−ＧａＡｓ層から成るベース層１０４、ｎ−ＩｎＧａＰ層から成るエミッタ層１０５及びｎ+ −ＧａＡｓ層から成るサブエミッタ層１０６、ｎ+ −ＩｎＧａＡｓ層から成るエミッタコンタクト層１０７がこの順序でＭＯＣＶＤ法等の適宜の気相成長法を用いて半導体薄膜結晶層として形成されており、・・・　
【０００５】　ここで、
サブコレクタ層１０２は、所定の導電性を確保するためにそのキャリア濃度を３×１０
18
〜５×１０
18
ｃｍ
-3
程度にすることが必要であり、
「【００３１】　【実施例】　図１に示した構造の半導体ウェーハを製造し、これにより得られた半導体ウェーハを用いてＨＢＴ素子を次のように製作した。エミッタサイズは１００μｍ×１００μｍである。ここでは、コレクタ電流を１ｋＡ／ｃｍ2 流したときのコレクタ電流／ベース電流を電流増幅率βとする。　
【００３２】　（実施例１）　サブコレクタ層４１の成長条件を、成長温度が６２０℃で、そのときの原料ガスの供給においてＶ／ＩＩＩ比を１５とした。上記成長条件の下で、ドーパントであるＳｉのドープ量を調節して
サブコレクタ層４１のキャリア濃度を３×１０
18
ｃｍ
-3
電流増幅率βは８４
【００３３】　（実施例２）　実施例１とは、
サブコレクタ層４１のキャリア濃度が４．００×１０
18
ｃｍ
-3
電流増幅率βは８０
【００３４】　このように、本発明の方法に従って製作されたＨＢＴ素子によると、
サブコレクタのキャリア濃度を３×１０
18
ｃｍ
-3
から４×１０
18
ｃｍ
-3
に増大させても、電流増幅率βは僅か４だけ小さくなったにすぎなかった。
【００３５】　（比較例１）　サブコレクタ層４１の成長条件を成長温度６４０℃、Ｖ／ＩＩＩ比３０としたことを除いて
実施例１と同一の条件で
電流増幅率βを測定したところ７５
【００３６】　（比較例２）サブコレクタ層４１の成長条件を成長温度６４０℃、Ｖ／ＩＩＩ比３０としたことを除いて
実施例２と同一の条件で
電流増幅率βを測定したところ５５
【００３７】　図３にこれらの結果をまとめて示した。本発明の方法によると、
キャリア濃度を３×１０
18
ｃｍ
-3
とした場合においても電流増幅率βの値は従来に比べて大きく改善される上に、キャリア濃度を４×１０
18
ｃｍ
-3
と大きくしても電流増幅率βの低下は僅かであることが確認できた。
【００３８】　（実施例３）　サブコレクタ層４１の成長条件を、成長温度６２０℃で、そのときのＶ／ＩＩＩを５とした。上記成長条件の下でドーパントであるＳｉのドープ量を調整し、
サブコレクタ層４１のキャリア濃度を３．７×１０
18
ｃｍ
-3
電流増幅率βを測定したところ９０
【００３９】　（実施例４）　サブコレクタ層４１の成長条件を、成長温度６２０℃で、そのときのＶ／ＩＩＩを５とした。上記成長条件の下でドーパントであるＳｉのドープ量を調整し、
サブコレクタ層４１のキャリア濃度を４．１×１０
18
ｃｍ
-3
電流増幅率βを測定したところ８６
【００４０】　（実施例５）　サブコレクタ層４１の成長条件を、成長温度６４０℃で、そのときのＶ／ＩＩＩを５とした。上記成長条件の下でドーパントであるＳｉのドープ量を調整し、
サブコレクタ層４１のキャリア濃度を３．８５×１０
18
ｃｍ
-3
電流増幅率βを測定したところ８１
という記載及び図３からも、特に、サブコレクタ層４１のキャリア濃度を３×１０18ｃｍ-3〜４×１０18ｃｍ-3の範囲内とすることの格別の効果は認められない。
　よって、上記相違点は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（６−２）以上検討したとおり、本願発明と刊行物発明との相違点は、当業者が、引用刊行物に記載された発明及び一般的な技術を勘案することにより容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、本願発明は、当審拒絶理由において指摘したとおり、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
７．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。