【事件の表示】
　特願２００２−３３４４６５「セラミックスの焼結方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　６月１７日出願公開、特開２００４−１６８５７５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続きの経緯
　本願は、平成１４年１１月１９日の出願であって、平成１９年２月２２日付けで拒絶理由通知が通知され、同年４月２７日付けで意見書及び手続補正が提出され、同年９月１９日付けで拒絶査定されたが、これに対して、同年１０月２５日付けで拒絶査定不服審判が請求され、同年１１月２６日付けで提出された手続補正書により明細書が補正され、平成２２年４月２日付けで特許法第１６４条３項に基づく報告書を引用した審尋がなされ、同年６月７日に回答書が提出されたものである。
                               　
２　本件補正について
（１）補正の内容
　平成１９年１１月２６日付け手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明についてするものであって、特許請求の範囲の請求項１に関する補正は、次の通りとなる。
(i)本件補正前の「マルチモード共振器」を「シングルモード共振器と比べて安定した加熱を得ることが困難であるマルチモード共振器」とする補正。
(ii)本件補正前の「電気炉の焼結時間の１／３程度の短時間でかつ電気炉より１００℃以下の低温で加熱して、セラミックスを焼結する方法」を「マイクロ波の特徴である短時間、かつ低温の条件で、加熱補助材料を用いて、より緻密なセラミックス焼結体を作製する方法」とする補正。
(iii)「成形体を上下方向に挟むように、又は成形体を取り囲むようにＳｉＣ板を配置すること」という事項を新たに加入する補正。
(iv)「その際に、放射熱を利用する電気炉の焼結時間より短時間でかつ電気炉より低温で加熱して緻密な酸化物、窒化物又は炭化物セラミックス焼結体を作製すること」という事項を新たに加入する補正。
(v)補正前の「セラミックスの焼結方法」を「セラミックス焼結体の作製方法」とする補正。
（２）補正の目的
　本件補正の目的が、特許法第１７条の４第４項各号に規定するいずれかの目的に該当するかに関しては、補正事項(i)、(ii)、(iv)、(v)は不明瞭な記載の釈明、補正事項(iii)は請求項の削除であるとすることができる。その理由は次の通りである。
　まず、補正事項(iii)は、補正前の請求項２に係る事項を請求項１に加入する補正だからである。
　次に、補正事項(i)、(ii)、(iv)、(v)に係る補正に関しては、拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてするものではないので、形式的には特許法１７条の２第４項第４号に規定する不明瞭な記載の釈明の要件を満たさない。
　しかし、本件補正は平成１９年９月１９日付け拒絶査定に対応してなされたものであり、同拒絶査定においては進歩性欠如の理由を付記すると共に、なお書きとして、マルチモード共振器を用いることの意義、電気炉での焼結時間・焼結温度等が特定できないので、請求項１に係る発明が不明確である旨が指摘されている。このため、実質的には、拒絶の理由に示す事項についてなされた不明瞭な記載の釈明であるとすることができる。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に掲げる事項を目的とする特許請求の範囲の補正であると認める。
　                        　
３　本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、平成１９年１１月２６日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものである（以下「本願発明」という）。
「シングルモード共振器と比べて安定した加熱を得ることが困難であるマルチモード共振器を用いて、セラミックスの成形体をマルチモード共振器によるマイクロ波加熱によりマイクロ波の特徴である短時間、かつ低温の条件で、加熱補助材料を用いて、より緻密なセラミックス焼結体を作製する方法であって、１）セラミックス粉末を成形してなる成形体を、周波数３００ＭＨｚ〜３０ＧＨｚのマイクロ波領域で焼結する際に、加熱補助材料として相対密度が９０〜１００％、電気抵抗値が１０２ｃｍ・Ω〜１０８ｃｍ・ΩのＳｉＣ板を用いて焼結すること、２）成形体を上下方向に挟むように、又は成形体を取り囲むようにＳｉＣ板を配置すること、３）その際に、放射熱を利用する電気炉の焼結時間より短時間でかつ電気炉より低温で加熱して緻密な酸化物、窒化物又は炭化物セラミックス焼結体を作製すること、を特徴とするセラミックス焼結体の作製方法。」
                                      　
３　刊行物に記載された発明
（１）引用例１
(i)引用例１の記載事項
　これに対し、本願出願日前に頒布され、原査定の拒絶の理由で引用された特開平６−１７２０１２号公報（以下「引用例１」という。）には、次の事項が図面と共に記載されている。
（ア）「マイクロ波を発生させるマイクロ波発生手段と、被焼結体を加熱・焼結するための空胴共振器と、・・・前記空胴共振器内に配置された被焼結体支持手段と、該被焼結体支持手段に支持された被焼結体の少なくとも一部を覆うように配置され、・・・マイクロ波を吸収しやすく、・・・誘電損率の温度依存性が小さなマイクロ波吸収体と、・・・からなることを特徴とする被焼結体にマイクロ波を照射して被焼結体を焼結するためのマイクロ波加熱装置。」（特許請求の範囲の請求項１）
（イ）「また、このマイクロ波吸収体は、被焼結体の少なくとも一部を覆うように配置するが、被焼結体とは接触していても、非接触な状態でもよい。結果として、被焼結体の加熱むらが防止されるように配置されていればよい。」（【００１６】段落）
（ウ）「まず、被焼結体であるＰＺＴ粉末をＣＩＰ処理し、・・・ＰＺＴ圧粉体試料を得た。マイクロ波吸収体には・・・ＳｉＣ板を用いた。・・・次に、前記ＰＺＴ試料をＳｉＣ板で挟み、これを石英製の支持棒５で空胴共振器内の電界の最大部位に配置した。・・・共振周波数を２．４５ＧＨｚ、・・・次に、被焼結体を加熱し、焼結を行った。」（【００２１】〜【００２３】段落）
（エ）図２を参照すれば、被焼結体６は、上下方向からマイクロ波吸収体７により挟まれていることが確認できる。
(ii)引用例１に記載された発明
　上記摘記事項（ウ）によれば、引用例１には、マイクロ波を用いた焼結体の製造方法が記載されている。当該製造方法は、セラミックスをＣＩＰ処理した圧粉体を、ＳｉＣ板から成るマイクロ波吸収体で挟み、これを同（ア）に示されるマイクロ波加熱装置により共振周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波を照射して焼結させることからなる。
　また、マイクロ波吸収体は、同（イ）によれば被焼結体の少なくとも一部を覆うように配置するが、これは、同（エ）によれば上下方向から挟む態様を含むものである。
　したがって、引用例１の摘記事項を整理すると、引用例１には次の発明（以下「引用例１発明」という。）が記載されているとすることができる。
「セラミックス圧粉体をマイクロ波加熱装置を用いて焼結する方法であって、セラミックス粉末をＣＩＰ処理した圧粉体を、共振周波数２．４５ＧＨｚ程度の周波数のマイクロ波により焼結する際に、マイクロ波吸収体としてＳｉＣ板を用い、該ＳｉＣ板は該圧粉体を上下方向に挟むように配置することからなる、セラミックス焼結体の製造方法」
　                                          
（２）引用例２
(i)引用例２の記載事項
　また、同じく特開２０００−１６９２３４号公報（以下「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
（カ）「・・・炭化珪素粉末に、・・・炭化可能な有機物を添加混合して成形し、成形体を・・・焼成してなり、かさ密度が３．０５ｇ／ｃｍ3 以上で、電気抵抗率が１×１０〜１×１０3 Ω・ｃｍであることを特徴とする炭化珪素焼結体。」（特許請求の範囲の請求項１）
（キ）「請求項１又は請求項２記載の炭化珪素焼結体をマイクロ波の吸収に利用することを特徴とするマイクロ波吸収体。」（同請求項５）
（ク）「常圧焼結による炭化珪素（ＳｉＣ）焼結体としては、密度を理論密度（３．２１ｇ／ｃｍ3 ）の９５％以上とするため、・・・」（【０００２】段落）
（ケ）「上述した実施の形態においては、炭化珪素焼結体をマイクロ波吸収体及び電力用抵抗体として利用する場合について説明したが、これらに限定されるものではなく、構造用部材としては勿論、一般的な摺動用部材の他、・・・ＣＶＤ装置用サセプター等に利用ができ、・・・る。」  （【００１６】段落）
(ii)引用例２に記載された発明
　摘記事項（ク）より、炭化珪素の理論密度は３．２１ｇ／ｃｍ3 であるので、引用例２の炭化珪素焼結体のかさ密度が３．０５ｇ／ｃｍ3 以上ということ（同（カ））は、相対密度は９５％以上ということになる。
　また、引用例２には、炭化珪素焼結体をＣＶＤ装置用サセプターに利用できることが記載されており（同（ケ））、このため、炭化珪素焼結体を加熱用補助材料として利用する点が記載されているといえる。
　このため、引用例２には、次の発明（以下「引用例２発明」という。）が記載されている。「相対密度９５％以上で電気抵抗率が１×１０〜１×１０3 Ω・ｃｍの炭化珪素焼結体を、マイクロ波吸収体やＣＶＤ装置用サセプター等に使用すること。」
                                                   
４　対比と判断
（１）対比
　本願発明と引用例１発明とを比較する。
(i)引用例１発明における「セラミックス粉末をＣＩＰ処理した圧粉体」は、焼結前のセラミックス粉末の成形体であるので、本願発明における「セラミックスの成形体」に相当する。
(ii)引用例１発明における「マイクロ波吸収体」は、マイクロ波を吸収することにより発熱してセラミックスを焼結する加熱材料であるので、本願発明における「補助加熱材料」に相当する。
(iii)引用例１発明では共振周波数２．４５ＧＨｚで加熱を行っており、これは、周波数３００ＭＨｚ〜３０ＧＨｚのマイクロ波領域で加熱する本願発明と同等の周波数領域におけるマイクロ波加熱ということができる。
　したがって、本願発明と引用例１発明の一致点と相違点は、次のとおりとなる。
(a)一致点
「マイクロ波加熱により緻密なセラミックス焼結体を作製する方法であって、１）セラミックス粉末を成形してなる成形体を、周波数３００ＭＨｚ〜３０ＧＨｚのマイクロ波領域で焼結する際に、加熱補助材料としてＳｉＣ板を用いて焼結すること、２）成形体を上下方向に挟むようにＳｉＣ板を配置すること、３）その際に、緻密なセラミックス焼結体を作製すること、を特徴とするセラミックス焼結体の作製方法。」
(b)相違点
相違点１：本願発明では「シングルモード共振器と比べて安定した加熱を得ることが困難であるマルチモード共振器を用いて、セラミックスの成形体をマルチモード共振器によるマイクロ波加熱」よって加熱するのに対し、引用例１発明には、この点が具体的に明記されていない点。
相違点２：本願発明では「加熱補助材料として相対密度が９０〜１００％、電気抵抗値が１０２ｃｍ・Ω〜１０８ｃｍ・ΩのＳｉＣ板」を用いるが、引用例１発明で用いるＳｉＣ板の特性が明記されていない点。
相違点３：本願発明では「マイクロ波の特徴である短時間、かつ低温の条件で、加熱補助材料を用いて加熱する」のに対し、引用例１発明ではこの点が明記されていない点。
相違点４：本願発明では「放射熱を利用する電気炉の焼結時間より短時間でかつ電気炉より低温で加熱してする」のに対し、引用例１発明ではこの点が明記されていない点。
                             　
（２）判断
(i)相違点１について
　まず、本願発明ではマルチモードのマイクロ波加熱装置を用いるが、引用例１発明では、この点が明らかではない。しかし、以下に示す刊行物の摘記事項からも明らかなように、セラミックス焼結用のマイクロ波加熱装置として、マルチモード方式のものを使用することは周知の技術である。このため、引用例１発明において使用するマイクロ波加熱装置としてマルチモード方式のものを採用することは、当業者が容易に想到するところである。
　次に、マルチモード方式の持つ特性として、シングルモードのものと比較して安定な加熱が困難であることは、各モード間の固有の特性を比較したものに過ぎない。このため、本願発明で使用するマルチモードの装置が、「シングルモード共振器と比べて安定した加熱を得ることが困難である」点は、当業者が適宜設定しうる事項である。
(a)周知例１（特開平４−９２８７０号公報）
「従来より、セラミックスを焼結する方法として、マイクロ波エネルギーを利用した焼結方法かある。このマイクロ波焼結に用いる加熱炉としては、電子レンジなどのオーブン方式が用いられている。該オーブン内には、多数の電磁界モードか存在し、その中に被加熱物か配置されるため、被加熱物内に電界の不均一による温度分布か生じて加熱むらが発生する。また、多数の電磁界モードの中で加熱するため、エネルギー効率が悪く、高温まで加熱できないという欠点かあった。」（第１頁左下欄最下行〜同頁右下欄９行）
(b)周知例２（特公昭５９−２５９３７号公報）
「たとえば、セラミックスや陶器または酸化亜鉛を主成分とする金属酸化物の焼結体などを作るために、マイクロ波加熱炉が考えられている。第１図において、１はマイクロ波発生蔵置、・・・で、マイクロ波発生装置で発生したマイクロ波は導波管２を介してオーブン３内に導かれる。オーブン３内には、各種モードの共振電磁界が発生し、オーブン３の中に置かれた被加熱物４はこのマイクロ波電磁界により加熱される」（第１頁右欄２７〜３７行）
(c)周知例３（特開２００１−２８４０３９号公報）
「本発明は、家庭用電子レンジを用いて安定に且つ再現性に優れた温度コントロールを可能にした簡易炉及び焼結体の製造方法に関する。」（【０００１】段落）
                                     　
(ii)相違点２について
　引用例２に記載された炭化珪素焼結体は、その用途がマイクロ波吸収体やＣＶＤ装置用サセプターであるので、これをマイクロ波を用いたセラミックス焼結における加熱補助材料に使用してみようとすることは、当業者が適宜なしうるところである。
　したがって、引用例１発明におけるマイクロ波吸収体として、加熱特性に優れるとされる引用例２発明に係る、相対密度９５％以上で電気抵抗率が１×１０〜１×１０3 Ω・ｃｍの炭化珪素焼結体を使用することは、当業者が適宜なしうるところである。すなわち、相対密度９５％以上で電気抵抗率が１×１０２〜１×１０3 Ω・ｃｍの炭化珪素焼結体を使用する部分で、本願発明は従来技術から適宜なしうるものである。
(iii)相違点３および４について
　マイクロ波による加熱方法の特徴である短時間・低温で焼結できることは、マイクロ波加熱の本来的特徴であるので、これにより本願発明を特定することは、当業者が適宜なしうるところである。
(iv)まとめ            
　以上の通りであるから、本願補正発明は、引用例１発明、引用例２発明及び周知技術に基づいて当業者が容易になしえたものである。
                                 　
 ５　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。