【事件の表示】
　特願２００２−　４０３４２「リソグラフィシステム及びリソグラフィシステムのキャリブレーション方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　９月　６日出願公開、特開２００２−２５２１７１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１４年２月１８日（パリ条約による優先権主張２００１年２月１６日、米国）の出願であって、平成１９年５月３０日付けで通知された拒絶理由に対して、同年８月３１日付けで手続補正書が提出されたが、平成２１年４月３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年８月７日付けで審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、その後、当審における審尋に対して回答書が平成２２年１０月２７日付けで提出されたものである。
　　
　
第２　平成２１年８月７日付けの手続補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年８月７日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．補正後の本願発明
　本件補正には、特許請求の範囲の請求項１を次のように補正しようとする事項が含まれている。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　レチクルステージと、
　前記レチクルステージに保持された第１のレチクルと、
　前記第１のレチクルの近傍において前記レチクルステージに保持された第２のレチクルと、
　前記第１及び第２のレチクルの近傍において前記レチクルステージに保持された較正レチクルと、
　前記第１のレチクル、前記第２のレチクル、及び、前記較正レチクルの各々の一部に対応する画像を基板に投影するように配置された投影光学系と、
　前記基板を保持する基板ステージであって、前記投影光学系から投影された前記画像を受光するように配置された基板ステージと、
　前記較正レチクルの画像の受光に基づいて信号を発生する検知器と、
　前記信号に基づいてリアルタイムなシステムのキャリブレーションを実行するコントローラと、を備えるリソグラフィシステム。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　レチクルステージと、
　前記レチクルステージに保持された第１のレチクルと、
　前記第１のレチクルの近傍において前記レチクルステージに保持された第２のレチクルと、
　前記第１及び第２のレチクルの近傍において前記レチクルステージに保持された較正レチクルと、
　前記第１のレチクル、前記第２のレチクル、及び、前記較正レチクルの各々の一部に対応する画像を基板に投影するように配置された投影光学系と、
　前記基板を保持する基板ステージであって、前記投影光学系から投影された前記画像を受光するように配置された基板ステージと、
　
前記較正レチクルの画像を前記第１及び第２のレチクルの両方を走査するときに受光するよう配置されて
　前記信号に基づいてリアルタイムなシステムのキャリブレーションを実行するコントローラと、を備えるリソグラフィシステム。」
　
　この補正事項は、補正前の発明特定事項である「前記較正レチクルの画像の受光に基づいて信号を発生する検知器」について、「前記較正レチクルの画像を前記第１及び第２のレチクルの両方を走査するときに受光するよう配置されて」と、第１及び第２のレチクルの走査との関連で、較正レチクルの画像の受光タイミングないしは検知器の配置を限定するものである。
　
　また、請求項４についても、請求項１とほぼ同様の限定がなされている。
　
　したがって、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当する。 
　
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
２．引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された、
　特開平１０−２０９０３９号公報（原査定の引用文献１。以下、「刊行物１」という。）、
　特開２０００−３４８９９９号公報（原査定の引用文献３。以下、「刊行物２」という。）、
　特開昭６０−２６３４３号公報（原査定の引用文献４。以下、「刊行物３」という。）、
　には、図面とともに以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
（１）刊行物１
　（１ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、投影露光方法及び投影露光装置に係り、更に詳しくはマスクに形成されたパターンの像を投影光学系を介して感応基板上に投影露光する投影露光方法及び投影露光装置に関するものであり、特に、複数のマスクのパターン像を感応基板上の所定領域に重ね合わせ露光する点に特徴を有している。」
　
　（１ｂ）「【００２４】上記のような技術動向を背景にして、限界解像度を向上させる方法として、二重露光法が見直され、この二重露光法をＫｒＦ及び将来的にはＡｒＦ露光装置に用い、０．１μｍＬ／Ｓまで露光しようという試みが検討されている。一般に、二重露光法は以下の３つの方法に大別される。
【００２５】（１）露光パラメータの異なるＬ／Ｓ、孤立線を別々のレチクルに形成し、各々最適露光条件により同一ウエハ上に二重に露光を行う。
【００２６】（２）位相シフト法等を導入すると、孤立線よりＬ／Ｓの方が同一ＤＯＦにて限界解像度が高い。これを利用することにより、１枚目のレチクルで全てのパターンをＬ／Ｓで形成し、２枚目のレチクルにてＬ／Ｓを間引きすることで孤立線を形成する。
【００２７】（３）一般に、Ｌ／Ｓより孤立線は、小さなＮ．Ａ．にて高い解像度を得ることができる（但し、ＤＯＦは小さくなる）。そこで、全てのパターンを孤立線で形成し、１枚目と２枚目のレチクルによってそれぞれ形成した孤立線の組み合わせにより、Ｌ／Ｓを形成する。
【００２８】上記の二重露光法は解像度向上、ＤＯＦ向上の２つの効果がある。
【００２９】
しかし、二重露光法は、複数のレチクルを使って露光処理を複数回行う必要があるため、従来の装置に比べて露光時間（Ｔ４）が倍以上になり、スループットが大幅に劣化するという不都合があった
【００３０】しかしながら、次世代機の目標とする解像線幅である０．１μｍは、上記の露光波長の紫外化、変形照明、位相シフトレチクル等の工夫では、実現が困難である。従って、先に述べた二重露光法をＫｒＦ、ＡｒＦ露光装置に用いることにより０．１μｍＬ／Ｓまでの露光を実現することが、２５６Ｍ、１ＧのＤＲＡＭの量産を目的とする次世代機の開発の有力な選択肢であることは疑いない。
【００３１】二重露光法により更に解像力を向上させるための手段として、前述した変形照明を用いて二重露光を行うことが考えられるが、従来の変形照明法では、所定方向のＬ／Ｓや孤立Ｌに対しては解像度と焦点深度（ＤＯＦ）の向上を図ることが可能であるが、前記所定方向に直交する方向のパターンの解像度と焦点深度が著しく低下するという不都合があり、かかる不都合は直交２軸方向から変形照明を同時に行うことにより殆ど解決できるが、各Ｌパターンついて見ると、そのパターンの両端部（２次元エッジが存在する部分）では像が著しく劣化する（例えば、エッジ部がだれてテーパ状となる）ため、輪帯型の照明方法を用いて露光する場合よりも却って精度向上が見込まれないという不都合があった。
【００３２】また、
二重露光法に独特の別の問題として、前述の如く複数のレチクルを使って露光処理を複数回行う必要からスループットが必然的に低下するという不都合があった
この場合、実露光時間の増加のみでなく、従来はレチクルステージに搭載されるレチクルが１枚であったため、二重露光法を実施する場合は、レチクルローダ等を用いてレチクルライブラリに所蔵されたレチクルを１枚ずつ取り出してレチクルステージとの間でレチクル交換を行い、レチクルを位置合わせ（アライメント）した後、そのレチクルを介して露光処理が行われ、再びに戻ってレチクル交換を行うという一連のシーケンスを順次繰り返す必要があったため、その分スループットが低下するという不都合もあった
従って、複数枚のレチクルを交換して使用する場合に、レチクルの交換時間を短縮して幾分でもスループットを向上させることが要請されている
【００３３】
かかるレチクル交換時間を短縮する方法として、レチクルステージ上にレチクルを複数枚載せることも考えられる
　
　（１ｃ）「【００５５】
【発明の実施の形態】
《第１の実施形態》以下、本発明の第１の実施形態を図１ないし図２３に基づいて説明する。
【００５６】図１には、第１の実施形態に係る投影露光装置１０の概略構成が示されている。この投影露光装置１０は、いわゆるステップ・アンド・スキャン方式の
走査露光型の投影露光装置
【００５７】この投影露光装置１０は、ベース盤１２上を
感応基板としてのウエハＷ１、Ｗ２
ウエハステージＷＳ１、ＷＳ２
投影光学系ＰＬ
・・・（中略）・・・
【００８１】次に、レチクル駆動機構について、図１及び図２に基づいて説明する。
【００８２】このレチクル駆動機構は、レチクルベース盤３２上をレチクルＲを保持してＸＹの２次元方向に移動可能なレチクルステージＲＳＴと、このレチクルステージＲＳＴを駆動する不図示のリニアモータと、このレチクルステージＲＳＴの位置を管理するレチクル干渉計システムとを備えている。
【００８３】これを更に詳述すると、
レチクルステージＲＳＴには、図２に示されるように、２枚のレチクルＲ１、Ｒ２がスキャン方向（Ｙ軸方向）に直列に設置できる様になっており
このレチクルステージＲＳＴは
駆動機構３０（図１参照）により
走査駆動がなされる
レチクルステージＲＳＴ上のレチクルＲ１、Ｒ２が例えば二重露光の際に選択的に使用され、いずれのレチクルについてもウエハ側と同期スキャンできる
　・・・（中略）・・・
【０１６２】また、第１の露光工程においては、図１６（Ｂ）に示されるような形成すべきパターンと同様のＬ／ＳパターンＲＰ１が形成されたレチクル（以下、説明の便宜上「
レチクルＲ１
レチクルＲ２
【０１６３】この場合、
レチクルステージＲＳＴ上には、レチクルＲ１とＲ２とが搭載されている
図２
　
　図２は次のとおり。　
　
　（１ｄ）「【０１９６】《第２の実施形態》以下、本発明の第２の実施形態を図２４ないし図３０に基づいて説明する。ここで、前述した第１の実施形態と同一又は同等の構成部分については、同一の符号を用いて説明するものとする。この第２の実施形態では、レチクルステージとして、図２４に示されるような３枚のレチクルＲ３、Ｒ４、Ｒ５を搭載可能なレチクルステージＲＳＴが用いられている点が、第１の実施形態と異なるのみで、その他の部分の構成は、第１の実施形態と同一である。」
　
　これら記載によれば、刊行物１には次の発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「レチクルステージＲＳＴと、
　レチクルステージＲＳＴ上に、スキャン方向に直列に設置された、レチクルＲ１、レクチルＲ２と、
　投影光学系ＰＬと、
　感応基板としてのウエハＷ１、Ｗ２をそれぞれ保持して独立して２次元方向に移動するウエハステージＷＳ１、ＷＳ２と、
　を備える走査露光型の投影露光装置。」
　
（２）刊行物２
　（２ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】 スキャン型露光装置において、レチクルステージとウェーハステージとを対応させてスキャンし、露光フィールド内の複数の照度測定ポイントにおける露光量を測定することにより、露光フィールド内の露光量の均一性を求めることを特徴とする露光フィールド内露光量均一性測定方法。
【請求項２】 露光フィールドの複数の照度測定ポイントに対応して複数の開口部をもつレチクルを前記レチクルステージにセットして前記スキャンを行うことを特徴とする請求項１に記載の露光フィールド内露光量均一性測定方法。
【請求項３】 
スキャン型露光装置においてレチクルステージとウェーハステージとを対応させてスキャンすることにより、露光フィールド内の複数の照度測定ポイントにおける露光量を測定するために前記レチクルステージにセットされるレチクルであって、露光フィールドの複数の照度測定ポイントに対応して複数の開口部を形成した
レチクル
　
　（２ｂ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、
半導体分野などにおいてスキャン型露光装置における露光フィールド内の露光量の均一性を求める露光量均一性測定方法とその測定用のレチクル
【０００２】
【従来の技術】半導体分野などで用いられる露光装置が、レチクル上のパターンをウェーハ上に正確に転写できるかどうか確認するパラメータの一つに、露光フィールド内の露光量均一性がある。このパラメータは、露光フィールド内の露光量のバラツキを示す量である。ここで露光フィールドとは、一度のステップ＆リピートあるいはスキャンニング動作でウェーハ上にパターンが転写される領域を意味している。このパラメータが悪化すると、露光フィールド内でパターンサイズのバラツキや解像不良が生じ、チップ性能の低下や歩留まり低下の原因となる。従って
装置の導入や日常点検の際、露光量の均一性は必ず測定される
　
　（２ｃ）「【００１６】この実施の形態では、図１に示すように、露光フィールド１１内の露光量の均一性を測定するために、露光フィールド１１に複数の露光量測定ポイント１２を設定する。この例では、測定ポイント１２は、露光フィールド１１上にマトリックス状に点在して設定されている。次に、図２に示すような
露光均一性を測定するたま
のレチクル２１
【００１７】
図３
レチクルスキャンステージ４４ｂを移動させて、ここにセットしたレチクル２１をスキャンさせる
そして、レチクル２１の開口部２３（測定ポイント）が照明エリア３６（マスキングブレード開口部）を通過するのに同期させて、ウェーハステージ３４（図６では符号４６ｂ）をスキャンニングさせて、露光量の測定を行う。
レチクル２１の測定ポイントを通過した露光光がウェーハまたはウェーハステージ３４上に集光するポイントに、常に露光量センサー３５が位置する様にウェーハステージ３４の移動に対応して露光量センサー３５のスキャンニングをなう
【００１８】このようにして露光フィールド１１の全ての測定ポイント１２について、露光量の測定を行う。これにより、レチクルステージ４４ｂとウェーハステージ４６ｂを対応させて同時にスキャンニングする実際の露光動作を行いながら、露光フィールド１１内の多数の測定ポイント１２で露光量の測定を行い、露光量分布をマップとして把握し、露光量の均一性の測定を行う。」
　
　図３は次のとおり。
　
　（２ｄ）「【００２０】以上説明したように、この発明では、スキャン型露光装置において露光量均一性を測定する際に、露光フィールド内に複数の露光量測定ポイントを設定する。そして、照明エリアを測定ポイントが通過するのに同期させて、ウェーハステージ上の露光量センサーのスキャンニングを行い、露光量を測定する。これを各測定ポイントで繰り返す事により、
実際の露光動作と同様に、レチクルステージとウェーハステージのスキャンニングを行いながら、露光フィールド内の露光量分布をマップとして把握するし、露光量均一性の測定を行う
　
　（２ｅ）「【００２１】
【発明の効果】この発明は以上のように構成されているので、スキャン型露光装置において、
露光フィールド内の露光量分布をマップとして把握する事が可能となる。これに因り、露光量均一性に異常が発生した場合、どこで異常が発生しているのかを正確に把握する事が可能となり、対策が容易になる
また通常の露光動作と同一の動作で測定している為、測定結果をパターンサイズバラツキの対策等に、そのまま利用する事が可能
　
（３）刊行物３
　（３ａ）「（発明の技術分野）
　本発明は、結像光学系の光学的な特性を測定可能な露光装置に関し、特に集積回路のマスクパターンを半導体基板上に投影露光する装置において、
投影光学系の特性、例えば像面の傾きや彎曲等を測定可能にした投影露光装置
　
　（３ｂ）「（発明の概要）
　本発明は、スリット付の光電検出器のスリットを複数本配列するとともに、結像光学系によって結像されるマスクにも複数の微小線要素を配列する。そして、その光電検出器と微小線要素の結像光学系による光像とを、光軸と垂直な面内で相対移動させて、微小線要素の光像と光電検出器のスリット（微小開口）とが整列したときに得られる光電信号を、結像光学系と光電検出器のスリットとの間隔を変えて複数回発生させる。
こうして得られた光電信号に基づいて、結像光学系の結像面の位置を検出する
　
　（３ｃ）「（実施例）
　第１図は本発明の実施例が適用される投影型露光装置の概略図である。
　露光用の照明光源１からの照明光は・・・。そして、第２のコンデンサーレンズ３を通った光束は、
マスクとしてのテスト・レチクル５
レチクル５の下面には予め定められた複数の位置に、光透過性のマークＭ
１１
〜Ｍ
１３
が描かれ
レチクル５のマークＭ
１１
〜Ｍ
１３
を透過した光束ｌ
１
は
光学的な特性を測定すべき結像光学系としての投影レンズ６に入射
スリット板８を通った光はステージ７に設けられた光電検出器９によって光電変換される。このスリット板８と光電検出器９とによって光電検出手段を構成
　
　（３ｄ）「さて、第２図は第１図に示したレチクル５の平面図である。」（第３頁右下欄第８〜９行）
　
　第１〜４図は次のとおり。　
　
　（３ｅ）「また、
本発明の各実施例ではレチクル５は、いわゆるテスト用の専用レチクルとして考えてきたが
回路パターンが描かれた通常のレチクル中の何ヶ所かにマークＭ
ｉｊ
を設けるようにしてもよい
　
　（３ｆ）「（発明の効果）
　以上、本発明においては、複数の微小線要素が整列したマークを結像光学系で結像し、その投影像を、複数の微小開口を有する光電検出手段で相対走査するようにしたので極めてＳ／Ｎ比のよい光電信号が得られると共に、微小線要素や微小開口が部分的に不整であったとしても、全体として得られる光電信号のＳ／Ｎ比はほとんど低下することがなく、正確な結像位置が短時間に精密に測定できる。このため、
投影光学系の結像面の傾きや彎曲が再現性よく自動測定できる
　また、
光電検出手段によって、正確な結像面の位置を検出できるから
自動焦点検出系の較正も自動化が可能
　
　
３．対比・判断
　本願補正発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、
　刊行物１記載の発明の、
　「レチクルステージＲＳＴ」、
　「レチクルステージＲＳＴ上に、スキャン方向に直列に設置された、レチクルＲ１、レクチルＲ２」、
　「投影光学系ＰＬ」、
　「感応基板としてのウエハＷ１、Ｗ２をそれぞれ保持して独立して２次元方向に移動するウエハステージＷＳ１、ＷＳ２」、
　「走査露光型の投影露光装置」は、
　それぞれ、本願補正発明の、
　「レチクルステージ」、
　「前記レチクルステージに保持された第１のレチクル」及び「前記第１のレチクルの近傍において前記レチクルステージに保持された第２のレチクル」、
　「投影光学系」、
　「前記基板を保持する基板ステージであって、前記投影光学系から投影された前記画像を受光するように配置された基板ステージ」、
　「リソグラフィシステム」、
　に実質的に相当する。
　
　そうすると、両者の一致点、相違点は次のとおりと認められる。
　
［一致点］
　「レチクルステージと、
　前記レチクルステージに保持された第１のレチクルと、
　前記第１のレチクルの近傍において前記レチクルステージに保持された第２のレチクルと、
　前記第１のレチクル、前記第２のレチクルの各々の一部に対応する画像を基板に投影するように配置された投影光学系と、
　前記基板を保持する基板ステージであって、前記投影光学系から投影された前記画像を受光するように配置された基板ステージと、
　を備えるリソグラフィシステム。」
　
［相違点］
　本願補正発明は、
　前記第１及び第２のレチクルの近傍において前記レチクルステージに保持された較正レチクルを有し、
　投影光学系は、前記較正レチクルに対応する画像を基板に投影するように配置され、
　前記較正レチクルの画像を前記第１及び第２のレチクルの両方を走査するときに受光するよう配置されて、前記較正レチクルの画像の受光に基づいて信号を発生する検知器と、前記信号に基づいてリアルタイムなシステムのキャリブレーションを実行するコントローラとをさらに有するのに対して、
　刊行物１記載の発明は、較正レチクルがレチクルステージ上に保持されておらず、また、上記検知器や上記コントローラを有しない点。
　
　そこで、相違点について検討する。
　
　まず、刊行物２には、露光量均一性測定用のレチクルと、レチクル２１の測定ポイントを通過した露光光がウェーハまたはウェーハステージ３４上に集光するポイントに設けられた露光量センサー３５を有し、走査型露光装置における露光フィールド内の露光量の均一性の測定を行うことが可能な走査型露光装置が記載されている。
　また、刊行物３には、光透過性のマークＭ１１〜Ｍ１３が描かれたテスト・レチクル５と、ウエハを載置するステージ７に設けられたスリット板８と光電検出器９とからなる光電検出手段を有し、投影光学系の特性、例えば像面の傾きや彎曲等を測定可能にした投影露光装置が記載されている。
　
　そして、刊行物１記載の発明には、較正レチクルを用いる旨の記載はないが、投影露光技術の分野では、刊行物２，３に記載された上記事項にみるように、何らかの較正レチクルと、較正レチクルからの光を検知する検知器とを用いて、投影露光に関係する特性等を測定することは、周知であるから、刊行物１記載の発明において、そのような較正レチクルと検知器を用いて投影露光に関係する特性等を測定することは、当業者が適宜なし得ることである。
　また、測定された投影露光に関係する特性等のデータは、投影露光における較正やキャリブレーションに役立つものであるから、検知器から発生される信号を用いて、制御手段（コントローラ）により、較正やキャリブレーションを実行させるようにすることも、技術的に何ら困難性はない。ちなみに、刊行物３の（３ｆ）には、「光電検出手段によって、正確な結像面の位置を検出できるから、・・・自動焦点検出系の較正も自動化が可能である」との記載がある。
　
　次に、刊行物１記載の発明は、二重露光法において、レチクルの交換時間（交換自体の時間に加えてアライメントを行う時間を含む）を短縮するために、レチクルステージに２枚のレチクルを設置したものであるから、刊行物１記載の発明において、さらに較正レチクルを用いる際に、較正レチクルも同じレチクルステージに設置すると、ステージは大型化するものの、較正レチクルの交換時間を短縮することができることは、当業者に明らかであるから、当業者であれば、通常のレチクルに加えて較正レチクルをレチクルステージに設置することを容易に想到するものである。
　そして、二重露光用の２つのレチクルに加えて較正レチクルをレチクルステージに設置したときには、二重露光用の２つのレチクル、較正レチクルの全てに対して、照明系からの光が照射するように、レチクルステージが走査するものとなすこと、すなわち、レチクルステージの運動範囲を、３つのレチクルが走査方向に連続的に露光できるものにすることは、当業者が当然行うことである。
　
　さらに、本願補正発明における「前記較正レチクルの画像を前記第１及び第２のレチクルの両方を走査するときに受光するよう配置されて、前記較正レチクルの画像の受光に基づいて信号を発生する検知器」及び「前記信号に基づいてリアルタイムなシステムのキャリブレーションを実行するコントローラ」との記載の意味は、必ずしも明確でないが、
　請求人が、審判請求書の第５頁で「（２）しかしながら、上記補正後の請求項１，４に係る本願発明は、較正レチクルの画像を第１及び第２のレチクルの両方を走査するときに検知器により受光し、この較正レチクルの画像の受光に基づいて発生される検知器からの信号に基づいてリアルタイムなシステムのキャリブレーションを実行することを特徴としており、すなわち、付加的に較正レチクルを含むように運動範囲を走査することによって較正レチクルが持つパターンを検知器に結像して、迅速なリアルタイム較正を実現しているのです。」と説明していることや、
　回答書で、引用文献について、「ましてや、露光用のレチクルを走査するときに検知器によりテスト用レチクルの画像を受光するように構成するための起因ないし動機付けは存在いたしません。」と主張していることを考慮して、
　本願補正発明の前記記載は、「露光用のレチクルを走査するときに検知器によりテスト用レチクルの画像を受光する」及び「付加的に較正レチクルを含むように運動範囲を走査することによって較正レチクルが持つパターンを検知器に結像して、迅速なリアルタイム較正を実現している」を意味するものと一応解すると、
　上記のとおり「レチクルステージの運動範囲を、３つのレチクルが走査方向に連続的に露光できるもの」にした場合、通常の露光工程の直後に、較正ないしは検査を行う工程を入れるときには、当然、「露光用のレチクルを走査するときに」、そのまま走査を継続して、較正レチクルも走査して「検知器によりテスト用レチクルの画像を受光する」ことになり、そして、これは、較正レチクルの交換や位置合わせの時間が必要なくなされるから、結果として、「迅速なリアルタイム較正を実現」することができるものである。
　また、本願補正発明では、露光用レチクル、較正レチクルが同じレチクルステージに設置されていることにより、較正ないしは検査を実施する頻度を高めて、極端に言えば、露光する度に迅速に検査を行うことも可能となり、これは、誤差等が生じた場合にすぐに較正されるという意味で、「迅速なリアルタイム較正」であるが、このように較正・検査頻度を高めることは、当業者が適宜なし得ることである。　
　
　以上のことから、刊行物１記載の発明において、周知技術を適用して、上記相違点に係る本願補正発明のごとくなすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
　また、本願補正発明によってもたらされる効果も、刊行物１の記載事項、周知技術から、当業者であれば予測し得る程度のものであり、格別なものとはいえない。
　
（まとめ）
　したがって、本願補正発明は、刊行物１記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
４．むすび
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成２１年８月７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜５に係る発明は、平成１９年８月３１日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
　
　「【請求項１】
　レチクルステージと、
　前記レチクルステージに保持された第１のレチクルと、
　前記第１のレチクルの近傍において前記レチクルステージに保持された第
２のレチクルと、
　前記第１及び第２のレチクルの近傍において前記レチクルステージに保持された較正レチクルと、
　前記第１のレチクル、前記第２のレチクル、及び、前記較正レチクルの各々の一部に対応する画像を基板に投影するように配置された投影光学系と、
　前記基板を保持する基板ステージであって、前記投影光学系から投影された前記画像を受光するように配置された基板ステージと、
　前記較正レチクルの画像の受光に基づいて信号を発生する検知器と、
　前記信号に基づいてリアルタイムなシステムのキャリブレーションを実行するコントローラと、を備えるリソグラフィシステム。」
　
２．引用刊行物の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、
　特開平１０−２０９０３９号公報（原査定の引用文献１。上記「第２　２．」の「刊行物１」。）、
　特開２０００−３４８９９９号公報（原査定の引用文献３。同「刊行物２」）、
　特開昭６０−２６３４３号公報（原査定の引用文献４。同「刊行物３」）、
　の記載事項は、上記「第２　２．」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明１は、本願補正発明から、「検知器」について、「前記較正レチクルの画像を前記第１及び第２のレチクルの両方を走査するときに受光するよう配置されて」という限定を省いたものに相当する。
　そうすると、本願発明１の構成要件を全て含み、更に他の要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　３．」に記載したとおり、刊行物１記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１も、同様の理由により、刊行物１記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。