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　特願２００７−　８９８９７「半導体素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　７月１２日出願公開、特開２００７−１８０５８９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、平成１６年２月４日（優先権主張平成１５年２月７日。以下「優先日」という。）に出願した特願２００４−２７４７７号の一部を平成１９年３月２９日に新たな特許出願としたものであって、平成２１年３月３日付けの最初の拒絶理由の通知に応答して同年５月１１日に手続補正がされ、同年７月１４日付けの最後の拒絶理由の通知に応答して同年９月１８日に手続補正がされたが、同年９月１８日の手続補正が同年１１月３０日付けで却下されるとともに、同日付けで拒絶査定がされ、これに対して平成２２年３月８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、これと同時に手続補正がされ、当審による平成２３年３月８日付けの最初の拒絶理由の通知に応答して同年５月１６日に手続補正がされ、当審による同年６月２日付けの最後の拒絶理由の通知に応答して同年８月５日に意見書が提出されたものである。
　  
第２　本願発明  
　本願の特許請求の範囲の請求項１ないし７に係る発明は、平成２３年５月１６日に補正された本願の特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。そのうち、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりである。　  
「　【請求項１】 
　基板上に形成され、第１導電型の第１半導体層と、前記第１半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成され、リッジ部とリッジ部以外の平坦部を有し、該平坦部の表面の一部に転位の集中している表面領域を有する第２導電型の第２半導体層とを含む半導体素子層と、 
　前記半導体素子層の前記リッジ部の側面から前記平坦部上の前記転位の集中している前記表面領域上に形成された絶縁膜と、 
　前記転位の集中している前記表面領域以外の前記半導体素子層の表面であって、前記絶縁膜から露出されている前記半導体素子層の前記リッジ部の上面に接触するように形成された表面側電極と、 
　前記絶縁膜および前記表面側電極上に形成されたパッド電極とを備え、 
　前記転位の集中している前記表面領域は、前記半導体素子層の側端部の近傍に配置されており、 
　前記パッド電極は前記リッジ部以外の前記平坦部上の前記絶縁膜上にまで形成されており、前記パッド電極と前記半導体素子層の側端部との間において、前記絶縁膜の上面は、前記パッド電極から露出されている、半導体素子。」  
 　  
第３　引用発明１  
　当審による平成２３年６月２日付けの最後の拒絶理由の通知に引用された、優先日前に頒布された特開２０００−５８９７２号公報（以下「引用例１」という。）には、図とともに以下の記載１及び２がある。 　  
１　「　【請求項１】　窒化物半導体基板上に、少なくともｎ側窒化物半導体層、活性層及びｐ側窒化物半導体層を順に積層し、ｐ側窒化物半導体層側からエッチングして形成されたリッジ形状のストライプを有し、ストライプ上にｐ電極が形成された窒化物半導体レーザ素子であって、前記窒化物半導体基板が、５０〜３００μｍの膜厚であり、前記共振面が、ストライプ長さ方向に対して垂直な方向にｐ側窒化物半導体層側からエッジスクライブした後にブレーキングによって劈開して形成された劈開面であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。」 
 　 
２　「【００４３】（素子構造）図７を用いて素子構造について説明する。図７は本発明の成長方法により得られた窒化物半導体層を基板とする一実施の形態のレーザ素子の構造を示す模式断面図である。 
【００４４】上記で得られた窒化物半導体基板５（ＳｉドープＧａＮ）を主面とするウェーハをＭＯＶＰＥ装置の反応容器内にセットし、この窒化物半導体基板５の上に下記各層を形成する。 
【００４５】（ｎ側クラッド層４３）次に、Ｓｉを１×１０19／cm3ドープしたｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる第１の層、２０オングストロームと、アンドープ（undope）のＧａＮよりなる第２の層、２０オングストロームとを交互に１００層積層してなる総膜厚０．４μｍの超格子構造とする。 
【００４６】（ｎ側光ガイド層４４）続いて、Ｓｉを１×１０17／cm3ドープしたｎ型ＧａＮよりなるｎ型光ガイド層４４を０．１μｍの膜厚で成長させる。 
【００４７】（活性層４５）次に、Ｓｉを１×１０17／cm3ドープのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる井戸層、２５オングストロームと、Ｓｉを１×１０17／cm3ドープのＩｎ0.01Ｇａ0.95Ｎよりなる障壁層、５０オングストロームを交互に積層してなる総膜厚１７５オングストロームの多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層４５を成長させる。 
【００４８】（ｐ側キャップ層４６）次に、バンドギャップエネルギーがｐ側光ガイド層４７よりも大きく、かつ活性層４５よりも大きい、Ｍｇを１×１０20／cm3ドープしたｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.9Ｎよりなるｐ側キャップ層４６を３００オングストロームの膜厚で成長させる。 
【００４９】（ｐ側光ガイド層４７）次に、バンドギャップエネルギーがｐ側キャップ層４６より小さい、Ｍｇを１×１０18／cm3ドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ側光ガイド層４７を０．１μｍの膜厚で成長させる。 
【００５０】（ｐ側クラッド層４８）次に、Ｍｇを１×１０20／cm3ドープしたｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる第１の層、２０オングストロームと、Ｍｇを１×１０20／cm3ドープしたｐ型ＧａＮよりなる第２の層、２０オングストロームとを交互に積層してなる総膜厚０．４μｍの超格子層よりなるｐ側クラッド層４８を形成する。 
【００５１】（ｐ側コンタクト層４９）最後に、Ｍｇを２×１０20／cm3ドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ側コンタクト層４９を１５０オングストロームの膜厚で成長させる。
【００５２】反応終了後、反応容器内において、ウェーハを窒素雰囲気中、７００℃でアニーリングを行い、ｐ型層をさらに低抵抗化する。アニーリング後、ウェーハを反応容器から取り出し、図７に示すように、ＲＩＥ装置により最上層のｐ型コンタクト層４９と、ｐ型クラッド層４８とをエッチングして、４μｍのストライプ幅を有するリッジ形状とし、リッジ表面の全面にＮｉ／Ａｕよりなるｐ電極５１を形成する。次に、図７に示すように、ｐ電極５１を除くｐ側クラッド層４８、コンタクト層４９の表面にＳｉＯ2よりなる絶縁膜５０を形成し、この絶縁膜５０を介してｐ電極５１と電気的に接続したｐパッド電極５２を形成する。 
【００５３】ｐ側電極形成後、窒化物半導体基板５の素子構造が形成されていない表面全面に、Ｔｉ／Ａｌよりなるｎ電極５３を０．５μｍの膜厚で形成し、その上にヒートシンクとのメタライゼーション用にＡｕ／Ｓｎよりなる薄膜を形成する。 
【００５４】その後、ｐ電極５１を有する側からウエハの端部にエッジスクライブし、５ｍｍの傷をつけ、続いてブレーキングして素子構造及び窒化物半導体基板５のＭ面（１１−００、図２の六角柱の側面に相当する面）で素子構造及び窒化物半導体基板５を劈開し、共振面を作製する。 
【００５５】得られた共振面の両方あるいはどちらか一方にＳｉＯ2とＴｉＯ2よりなる誘電体多層膜を形成し、最後にｐ電極に平行な方向で、バーを切断してレーザチップとした。・・・」 
 　 
　記載２が参照する引用例１の図７からは、リッジ形状のストライプ部の側面からｐ型クラッド層４８のリッジ形状のストライプ部以外の平坦な部分の上に絶縁膜５０が形成されていること、絶縁膜５０及びｐ電極５１上にｐパッド電極５２が形成されていること、ｐパッド電極５２は、絶縁膜５０の、リッジ形状のストライプ部の側面以外であってｐ型クラッド層４８上の平坦な部分の上にまで形成されていること、及びｐパッド電極５２と、窒化物半導体基板５からｐ側クラッド層４８に至るレーザチップの側端部との間において、絶縁膜５０の上面は、ｐパッド電極５２から露出されていることが看取できる。 
 　 
　記載１より、ｐ電極は、ｐ側窒化物半導体素子層側からエッチングして形成されたリッジ形状のストライプ上に形成されており、その部分に絶縁膜は存在しないから、ｐ電極は、絶縁膜５０から露出されているｐ側窒化物半導体素子層のリッジ形状のストライプ部の上面に接触するように形成されているといえる。 
　　
　以上のことから、引用例１には、次の発明が記載されていると認めることができる。 
「窒化物半導体基板上に形成され、ｎ側窒化物半導体層と、前記ｎ側窒化物半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成され、リッジ形状のストライプ部とリッジ形状のストライプ部以外の平坦部を有するｐ型窒化物半導体層とを含む窒化物半導体素子層と、 
　前記窒化物半導体素子層の前記リッジ形状のストライプ部の側面から前記平坦部上に形成された絶縁膜と、 
　前記窒化物半導体素子層の表面であって、前記絶縁膜から露出されている前記窒化物半導体素子層の前記リッジ形状のストライプ部の上面に接触するように形成されたｐ電極と、 
　前記絶縁膜および前記ｐ電極上に形成されたｐパッド電極とを備え、 
　前記ｐパッド電極は前記リッジ形状のストライプ部以外の前記平坦部上の前記絶縁膜上にまで形成されており、前記ｐパッド電極と前記窒化物半導体素子層の側端部との間において、前記絶縁膜の上面は、前記ｐパッド電極から露出されている、窒化物半導体レーザ素子。」（以下「引用発明１」という。） 
 　 
第４　引用発明２ 
　当審による平成２３年６月２日付けの最後の拒絶理由の通知に引用された、優先日前に頒布された特開平１１−２３３８９３号公報（以下「引用例２」という。）には、以下の記載１ないし３がある。  
１　「【００１７】  
【発明の実施の形態】以下に本発明を実施した例を用いて説明する。  
（実施の形態１）図１に本発明を実施した半導体レーザ素子の一例を示す。本半導体レーザ素子は、ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２、ｎ−ＧａＮバッファ層１０３、ｎ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層１０４、多重量子井戸活性層１０５、ｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層１０６、ｐ−ＧａＮコンタクト層１０７から構成されており、リッジ導波路としてレーザの発光領域を規定するためのメサストライプ１１０、さらには、電流注入用のｐ型電極１１１、ｎ型電極１１２から構成されている。」  
 　  
２　「【００２０】・・・４ｎｍ厚のＩｎ0.25Ｇａ0.75Ｎ井戸層２層と３ｎｍ厚のＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎバリア層３層からなる多重量子井戸活性層１０５・・・」  
 　  
３　「【００２３】・・・選択成長マスク１５０、１５１上において結晶欠陥が集中する直上領域１５２、１５３がレーザ素子の発光領域（この場合は活性層１０５に電流が選択的に注入されるメサストライプ１１０が形成されている部分）に含まれないように・・・」 
　
　記載１が参照する図１からは、ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２の下面にｎ型電極１１２があることが看取できる。  
 　  
　同じく図１からは、記載３にいう「結晶欠陥が集中する直上領域１５２」が、ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２からｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層１０６に至る複数の層の側端部の近傍に配置されていることが看取できる。
 　　  
　同じく図１からは、メサストライプ１１０が、ｐ−ＧａＮコンタクト層１０７と該層の上に形成されたｐ型電極１１１からなり、ｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層１０６の表面上にあることが看取できる。  
 　  
　引用例２の図２からは、直上領域１５２が選択成長マスク１５０の上にあることが看取できる。　  
 　  
　記載３より、メサストライプ１１０が形成されている部分は、活性層１０５に電流が選択的に注入されるレーザ素子の発光領域であり、結晶欠陥が集中する直上領域１５２に含まれないようにされている。よって、メサストライプ１１０は、ｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層１０６の欠陥の集中している表面領域以外の表面にある。  
 　  
　したがって、引用例２には、次の発明が記載されていると認めることができる。  
「ｎ型電極層１１２、ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２、ｎ−ＧａＮバッファ層１０３、ｎ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層１０４、４ｎｍ厚のＩｎ0.25Ｇａ0.75Ｎ井戸層２層と３ｎｍ厚のＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎバリア層３層からなる多重量子井戸活性層１０５、ｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層１０６、ｐ−ＧａＮコンタクト層１０７、ｐ−ＧａＮコンタクト層１０７の上に形成されたｐ型電極１１１とからなり、
　選択成長マスク１５０上にあり結晶欠陥の集中している直上領域１５２は、ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２からｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層１０６に至る複数の層の側端部の近傍に配置されており、  
　ｐ−ＧａＮコンタクト層１０７と該層の上に形成されたｐ型電極１１１からなるメサストライプ１１０は、活性層１０５に電流が選択的に注入されるレーザ素子の発光領域であり、ｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層１０６の欠陥の集中している表面領域以外の表面に形成されている、  
　半導体レーザ素子。」（以下「引用発明２」という。）  
 　 　  
第５　対比  
　引用発明１と本願発明とを対比する。  
　引用発明１の「窒化物半導体基板」、「ｎ側窒化物半導体層」、「活性層」、「リッジ形状のストライプ部」、「リッジ形状のストライプ部以外の平坦部」、「ｐ型窒化物半導体層」、「窒化物半導体素子層」、「絶縁膜」、「ｐ電極」、「ｐパッド電極」及び「窒化物半導体レーザ素子」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「第１導電型の第１半導体層」、「活性層」、「リッジ部」、「リッジ部以外の平坦部」、「第２導電型の第２半導体層」、「半導体素子層」、「絶縁膜」、「表面側電極」、「パッド電極」及び「半導体素子」に相当する。 
  
　したがって、本願発明と引用発明とは、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点１＞ないし＜相違点４＞で相違する。  
＜一致点＞  
「基板上に形成され、第１導電型の第１半導体層と、前記第１半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成され、リッジ部とリッジ部以外の平坦部を有する第２導電型の第２半導体層とを含む半導体素子層と、 
　前記半導体素子層の前記リッジ部の側面から前記平坦部上に形成された絶縁膜と、 
　前記前記半導体素子層の表面であって、前記絶縁膜から露出されている前記半導体素子層の前記リッジ部の上面に接触するように形成された表面側電極と、 
　前記絶縁膜および前記表面側電極上に形成されたパッド電極とを備え、 
　前記パッド電極は前記リッジ部以外の前記平坦部上の前記絶縁膜上にまで形成されており、前記パッド電極と前記半導体素子層の側端部との間において、前記絶縁膜の上面は、前記パッド電極から露出されている、半導体素子。」  
 　 　  
＜相違点１＞  
　本願発明は「半導体素子層」が、「
平坦部の表面の一部に転位の集中している表面領域を有する
　　
＜相違点２＞  　
　本願発明は「絶縁膜」が、「半導体素子層のリッジ部の側面から
平坦部上の転位の集中している表面領域上に形成された
　  
＜相違点３＞  　
　本願発明は「表面側電極」の形成される場所が「
転位の集中している表面領域以外の
　  
＜相違点４＞  　　
　本願発明は「
転位の集中している表面領域は、半導体素子層の側端部の近傍に配置されており
 　  
第６　判断  
＜相違点１＞ないし＜相違点４＞について検討する。
１　＜相違点１＞、＜相違点３＞及び＜相違点４＞について  
（１）引用発明２の半導体レーザ素子を構成する各半導体層は窒化物半導体であるから、引用発明２は窒化物半導体素子層を有する窒化物半導体レーザ素子である。 
　よって、引用発明１と引用発明２は、ともに窒化物半導体素子層を有する窒化物半導体レーザ素子である点で共通している。 
 　 
（２）引用発明２の窒化物半導体素子層の側端部の近傍には結晶欠陥の集中している直上領域１５２がある。引用発明２の窒化物半導体素子層の最上層のクラッド層１０６には、結晶欠陥の集中している表面領域がある。引用発明２の発光領域であるメサストライプは、クラッド層１０６の結晶欠陥の集中している表面領域以外の表面に形成されている。 
 　 
（３）引用例２には以下の記載がある。  
 「【０００９】さらに従来例素子の結晶解析を行った結果、選択成長マスク直上領域８１１に位置するＩｎＧａＮ活性層８０５には、厚さ３００μｍのｎ型ＧａＮ連続膜半導体層８０３を貫通して結晶転移が集中して導入されていることが明確になった。・・・」  
 　該記載によれば、選択成長マスクの上にある直上領域８１１には「結晶転移」が集中している。一方、引用発明２において、選択成長マスク１５０上にある直上領域１５２には「結晶欠陥」が集中している。  
　よって、引用発明２の「結晶欠陥」は、「結晶転移」とも呼べるのであるから、本願発明の「転位」に相当する。  
 　 
（４）上記（１）ないし（３）より、引用発明１において、窒化物半導体素子層として、側端部の近傍に転位の集中している表面領域を有する窒化物半導体素子層を採用し、かつ転位の集中している表面領域以外の表面に「リッジ部」（リッジ形状のストライプ部）があるようにして、本願発明の＜相違点１＞及び＜相違点４＞に係る構成を備えることは、引用発明２に基づいて、当業者が容易に想到し得たことである。 
　そして、引用発明１において、本願発明の＜相違点１＞及び＜相違点４＞に係る構成を備えた際には、引用発明１の「表面側電極」（ｐパッド電極）の形成される場所が「リッジ部」（リッジ形状のストライプ部）の上面であり、かつ「リッジ部」（リッジ形状のストライプ部）は「半導体素子層」（窒化物半導体素子層）の側端部の近傍には存在しないことから、自ずと本願発明の＜相違点３＞に係る構成を備えることになる。 
 　
２　＜相違点２＞について
　引用発明１は「ｐパッド電極と窒化物半導体素子層の側端部との間において、絶縁膜の上面は、前記ｐパッド電極から露出されている」ものであるから、絶縁膜端部は、ｐパッド電極より窒化物半導体素子層の側端部側にある。しかるところ、該絶縁膜端部を、どの程度窒化物半導体素子層の側端部側に近づけるかは、当業者が設計上適宜定め得る事項であり、窒化物半導体素子層の側端部に近い位置にすることに、格別の困難性はない。
　そして、引用発明１において、該絶縁膜端部の位置が窒化物半導体素子層の側端部に近くなるように絶縁膜を形成した場合に、引用発明２に基づいて、転位の集中している表面領域を、半導体素子層の側端部の近傍に配置させた際には、絶縁膜が、平坦部上の転位の集中している表面領域上に形成され、本願発明の＜相違点２＞に係る構成を備えることになる。 
　
３　小括
　上記１及び２より、引用発明１において、本願発明の＜相違点１＞ないし＜相違点４＞に係る構成を備えることは、引用発明２に基づいて、当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　また、引用発明１において、該構成を備えることによる効果は、当業者が予想し得る程度のものである。
　
４　請求人の主張について　 
　請求人は、平成２３年８月５日の意見書において、
「本願請求項１の発明に係る半導体素子は、引用文献１及び２のいずれにも
開示も示唆もない『半導体素子層のリッジの側面から平坦部上の転位の集中している表面領域上に形成された絶縁膜を備え、転位の集中している表面領域は、半導体素子層の側端部の近傍に配置されており、パッド電極と基板の側端部との間において、絶縁膜の上面は、パッド電極から露出されている』という構成を備えることにより、半導体素子層の表面の転位の集中している領域に電流が流れることに起因するリーク電流の発生を抑制することができるという格別の効果を奏するものであります。」
　と主張しているので、以下検討する。
　
　本願明細書には、以下の記載がある。
「【００１２】この第２の局面による半導体素子では、上記のように、半導体素子層の表面上の転位の集中している領域に絶縁膜を形成するとともに、半導体素子層の表面の転位の集中している領域以外の領域に接触するように、表面側電極を形成することによって、半導体素子層の表面の転位の集中している領域は、絶縁膜により露出しないように覆われるので、半導体素子層の表面の転位の集中している領域に電流が流れることに起因するリーク電流の発生を容易に抑制することができる。その結果、素子の定電流駆動時の光出力を容易に安定化することができるので、容易に、半導体素子の動作を安定化することができる。また、転位の集中している領域に流れる電流を低減することができるので、転位の集中している領域からの不必要な発光を低減できる。」
　
　該記載にいうとおり、たしかに、本願明細書に記載された第１実施形態ないし第１５実施形態の１５種類の実施形態のうち、例えば本願の図１６に示された第３実施形態であれば、オーミック電極５８がｐ型コンタクト層５５（半導体層）の表面に転位の集中している領域以外の領域に直接接触していても、ｐ型コンタクト層５５（半導体層）の表面に転位の集中している領域が絶縁膜５７で覆われているので、オーミック電極５８から転位の集中している領域に電流が流れない。
　しかし、本願発明は、例えば本願の図１に示された第１実施形態のように、パッド電極１１（表面側電極）とｐ型クラッド層５（半導体素子層）の間に絶縁膜１０（絶縁膜）が存在するから、パッド電極１１（表面側電極）からｐ型クラッド層５（半導体素子層）に電流が流れることはない。つまり、本願発明において、絶縁膜が半導体素子層の転位の集中している表面領域上に形成されていることとリーク電流の発生は無関係である。
　一方、引用発明は、ｐパッド電極と窒化物半導体素子層の間に絶縁膜が存在するから、ｐパッド電極から窒化物半導体素子層に電流が流れることはない。
　以上のとおりであって、リーク電流の発生について、本願発明は、引用発明と格別相違するものではない。
　よって、請求人の主張は採用できない。
　
第７　むすび
　したがって、本願発明は、引用発明１及び引用発明２に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。