【事件の表示】
　特願２００４−１４５８８６「基板のエッチング処理方法およびエッチング処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　１月２０日出願公開、特開２００５−　１５９１３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、平成１６年５月１７日（優先権主張　平成１５年６月３日）の出願であって、平成２１年１０月８日付けで拒絶理由通知がなされ、同年１２月１５日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２２年１月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月８日に拒絶査定を不服とする審判請求がなされ、同日付けで手続補正書が提出されたものである。
　
［２］本願発明
　平成２２年３月８日付けの手続補正は、明細書中の【００１４】における「請求項４」を「請求項２」に補正するものであり、該補正は誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　したがって、本願請求項１−３に係る発明は、平成２１年１２月１５日付け手続補正書により補正された請求項１−３に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明は以下のとおりである。
　
「基板の表面へエッチング液を供給して、基板の表面に形成された金属被膜を所定パターンにエッチングする基板のエッチング処理方法において、
　基板の表面に向かってエッチング液を噴出し、金属被膜を主として膜厚方向にエッチングする第１の工程と、
　この第１の工程によるエッチング後に、傾斜姿勢に支持された基板の表面の、その傾斜方向における上位側の端辺部にエッチング液を供給して、エッチング液を基板の表面上に上位側端辺部から下位側端辺部まで流下させ、金属被膜を主として膜面に沿った方向にエッチングする第２の工程と、
を有する事を特徴とする基板のエッチング処理方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
［３］引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に頒布された特開２００２−２０８５８２号公報（以下、「引用刊行物１」という。）、特開２００１−２６７２８９号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
　
・特開２００２−２０８５８２号公報（引用刊行物１）
（１ａ）「【請求項１】基板を水平方向へ搬送しながらその基板の表面に処理液を供給する搬送式基板処理装置であって、基板の搬送方向及びその搬送方向に直角な方向に配列された多数のスプレーノズルから基板の表面全体に処理液を供給するシャワー方式の第１処理部と、第１処理部の下流側に１段又は複数段に配置されたスリットノズルから基板表面の幅方向全域に膜状に処理液を供給するケミカルナイフ方式の第２処理部とを具備することを特徴とする搬送式基板処理装置。
……
【請求項３】前記処理液はＡｌ用エッチング液である請求項１に記載の搬送式基板処理装置。」（【特許請求の範囲）
　
（１ｂ）「…エッチング処理に使用される搬送式基板処理装置では、基板搬送ラインの上方にマトリックス状に配置された多数のスプレーノズルからエッチング液を噴射し、そのエッチング液中に基板を通過させることにより、基板の表面全体にエッチング液を供給する。このシャワー処理により、基板の表面が、マスキング材の塗布された部分を除いて選択的にエッチングされる。」（第２頁第１欄第３４−４０行）
　
（１ｃ）「エッチング後のＡｌ層の形状を示す断面図である。素材であるガラス基板１の上にＡｌ層２及びＭｏ層３が形成され、その上にマスキング材４が被覆されている。エッチングにより、マスキング材４が被覆されていない部分ではＡｌ層２及びＭｏ層３が除去されるが、残ったＡｌ層２及びＭｏ層３のサイドエッジ面が、実線で示されるように切り立った急峻な傾斜となる。そうなると、Ａｌ層２及びＭｏ層３の上に次層が安定に載らなくなる。次層を安定に載せるためには、一点鎖線で示されるように、そのサイドエッジ面の傾斜を緩やかにする必要がある。Ｍｏ層３がない場合も同じ傾向となる」（第２頁第２欄第１１−２２行）
　
（１ｄ）「…本発明の目的は、Ａｌエッチングに適用して、Ａｌ層のサイドエッジ面を次層の積層に適した緩やかな傾斜面に形成でき、…る搬送式基板処理装置を提供することにある。」（第２頁第２欄第３０−３４行）
　
（１ｅ）「…Ａｌエッチングに適用した場合、第１処理部でのシャワー処理では、液置換が顕著で、高いエッチングレートが確保されるが、Ａｌ層のサイドエッジ面は、次層の積層に不適な急峻な傾斜面となる。第２処理部では、ケミカルナイフ処理により、基板の表面上にエッチング液が薄く載るパドル状態となり、液置換が殆ど行われない。このため、Ａｌ層のエッチングが表面から緩やかに進行し、サイドエッジ面の傾斜が緩やかになる。」（第２欄第４４行−第３頁第３欄第２行）
　
（１ｆ）「【発明の効果】以上に説明したとおり、本発明の搬送式基板処理装置は、シャワー方式の第１処理部の下流側に、基板表面の幅方向全域に膜状に処理液を供給するスリットノズルにより構成されたケミカルナイフ方式の第２処理部を設けることにより、…Ａｌ層のサイドエッジ面の急峻な立ち上がりを次層の積層に適した緩やかに（「な」の誤記：審決註）傾斜に変えることができる。」（第４頁第６欄第６−１２行）
　
・２００１−２６７２８９号公報（引用刊行物２）
（２ａ）「【従来の技術】フォトリソ工程のために表面にフォトレジストのパターンを形成した基板をエッチング液によりエッチング処理する場合においては、従来、基板の表面にエッチング液をスプレーするスプレー方式と、基板をエッチング液中に浸漬するディップ方式とが採用されている。
…前者のスプレー方式においては、エッチングの面内均一性を良好にでき、エッチング処理に要する時間が短いという利点を有する反面、エッチング後の配線パターンのテーパ形状の制御が困難であるという欠点を有する。一方、後者のディップ方式においては、配線パターンのテーパ形状の制御は比較的容易であるが、エッチングの面内均一性が悪く、また、エッチング処理に要する時間も長いという欠点を有する。」（第２頁第２欄第１−１４行）
　
（２ｂ）「…このため、例えば、特開平９−２７６７７３号公報においては、基板をその表面が傾斜した状態で支持し、その表面に沿って水平方向に搬送する搬送機構と、この搬送機構により搬送される基板の表面の上端部付近にエッチング液を吐出することにより、基板の表面にカーテン状にエッチング液を供給するためのエッチング液吐出部と、を備えた基板処理装置が提案されている。…この特開平９−２７６７７３号公報に記載されたような基板処理装置は、配線パターンのテーパ形状の制御が比較的容易であり、また、少量のエッチング液を利用して比較的迅速にエッチング処理を行うことができるという利点を有する。
…しかしながら、上述した特開平９−２７６７７３号公報に記載されたような基板処理装置においては、エッチング液を基板の上部一カ所のみに連続して供給し続けて、その表面に沿って流下させる構成であることから、…」（第２頁第２欄第１５−３３行）
　
［４］引用刊行物発明
　引用刊行物１の上記記載事項（１ｂ），（１ｃ）によれば、基板の表面へエッチング液を供給して、基板の表面に形成された金属層を所定パターンにエッチングする基板のエッチング処理方法において、基板の表面に向かってエッチング液を噴射する方法では、エッチング後の金属層のサイドエッジが切り立った急峻な傾斜となり、所望とする緩やかな傾斜のものが得られないことがわかる。
　これに対し、上記記載事項（１ａ），（１ｄ）−（１ｆ）によれば、金属層のサイドエッチ面を緩やかな傾斜面に形成すべく、エッチング基板の表面にエッチング液を噴射して、高いエッチングレートで急峻な傾斜面を形成する第１の工程と、この第１の工程後に、ケミカルナイフ処理により、基板の表面上にエッチング液が薄く載るパドル状態とし、液置換が殆ど行われないようにして金属層のエッチングを表面から緩やかに進行させ、サイドエッジ面の傾斜を緩やかに変える第２の工程を有する基板のエッチング方法が記載されている。
　そして、第１の工程では、金属層の層厚方向のエッチングが主に行われるものと認められる。
　
　よって、引用刊行物１には、 
「基板の表面へエッチング液を供給して、基板の表面に形成された金属層を所定パターンにエッチングする基板のエッチング処理方法において、
　基板の表面にエッチング液を噴射して、金属層を主として層厚方向にエッチングする第１の工程と、
　この第１の工程後に、ケミカルナイフ処理により、基板の表面上にエッチング液が薄く載るパドル状態とし、液置換が殆ど行われないようにして金属層のエッチングを表面から緩やかに進行させ、サイドエッジ面の傾斜を緩やかに変える第２の工程を有する基板のエッチング方法。」（以下、「引用刊行物発明」という。）が記載されている。
　
［５］対比・判断
　本願発明と引用刊行物発明とを対比すると、引用刊行物発明における「金属層」は、本願発明における「金属被膜」に相当する。
　また、本願発明における第２の工程は、本願明細書中の「この後、第２工程においては、傾斜した基板の表面上を上位側端辺部から下位側端辺部まで流下するエッチング液により、浸漬処理を行ったときと同様に金属被膜が主として膜面に沿った方向にエッチングされる。この結果、図４の（ｂ）…に示すように、金属被膜２ｂは、エッチングされて断面が台形状となる。」（【００１１】）の記載によると、第１の工程で形成された急峻なエッジを傾斜の緩いエッジに変えるものであるから、引用刊行物発明の「サイドエッジ面の傾斜を緩やかに変える第２の工程」と共通する。
　
　したがって、両者は、
「基板の表面へエッチング液を供給して、基板の表面に形成された金属被膜を所定パターンにエッチングする基板のエッチング処理方法において、
　エッチング基板の表面にエッチング液を噴射して、金属被膜を主として膜厚方向にエッチングする第１の工程と、
　この第１の工程後に、サイドエッジ面の傾斜を緩やかに変える第２の工程を有する基板のエッチング方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点）  
　第１の工程後に、サイドエッジ面の傾斜を緩やかに変える第２の工程が、本願発明では、「傾斜姿勢に支持された基板の表面の、その傾斜方向における上位側の端辺部にエッチング液を供給して、エッチング液を基板の表面上に上位側端辺部から下位側端辺部まで流下させ、金属被膜を主として膜面に沿った方向にエッチングする」のに対し、引用刊行物発明では、「ケミカルナイフ処理により、基板の表面上にエッチング液が薄く載るパドル状態とし、液置換が殆ど行われないようにして金属層のエッチングを表面から緩やかに進行させ」る点。
　
  上記相違点について検討する。
　引用刊行物２の記載事項（２ａ），（２ｂ）によれば、基板面にエッチング液をスプレーして配線パターンを形成する方法は、基板をエッチング液に浸漬してパターン形成する方法よりも、パターンのテーパ形状制御が難しいが、基板をその表面が傾斜した状態とし、基板の表面の上端部付近にエッチング液を吐出しエッチング液を基板の表面上に流下させると、テーパ形状の制御が比較的容易になる旨記載されている。
　ここで、「テーパ形状の制御」とは、引用刊行物２における「基板面に対して横方向へのエッチング速度を制御するいわゆる異方性エッチングが可能で、被エッチング部材のエッチング面のテーパ形状を制御することができる。」（【００３３】）及び「図４（ｂ）に示すように横方向へのエッチングが進み、θ２ が小さな形状に制御できる」（【００３４】）との記載を参酌すると、基板面に対する横方向（すなわち、膜面に沿った方向）へのエッチング速度の制御により、緩やかなサイドエッジ面を形成し、また、その傾斜度を制御することを意味することは明らかである。
　
　よって、引用刊行物発明における第２工程として、「ケミカルナイフ処理により、基板の表面上にエッチング液が薄く載るパドル状態とし、液置換が殆ど行われないようにして金属層のエッチングを表面から緩やかに進行させ」ることに替えて、緩やかなサイドエッジ面を形成する手段である、上記引用刊行物２記載の「基板をその表面が傾斜した状態とし、基板の表面の上端部付近にエッチング液を吐出しエッチング液を基板の表面上に流下させ」ること、すなわち、「傾斜姿勢に支持された基板の表面の、その傾斜方向における上位側の端辺部にエッチング液を供給して、エッチング液を基板の表面上に上位側端辺部から下位側端辺部まで流下させ」ることを採用することは、当業者が容易になし得たことと認められ、その際、膜面に沿った方向のエッチングを主とすることは、所望とする傾斜度に応じて適宜決定できる設計的事項にすぎない。
　
　そして、本願発明が、引用刊行物１、２の記載事項からは予想しえない効果を奏するものとも認められない。
　よって、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［６］むすび
　以上のとおり、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。