【手続補正書】
【提出日】平成23年2月24日(2011.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量分析の方法であって、
サンプリングコーンおよび／またはコーン−ガスコーンを含む質量分析計を準備する工程と、
第１のガスを、コーンガスまたはカーテンガスとして前記サンプリングコーンおよび／または前記コーン−ガスコーンへ供給する工程、あるいは、第１のガスを、前記サンプリングコーンおよび／または前記コーン−ガスコーンへ供給されるコーンガスまたはカーテンガスへの添加物として供給する工程であって、前記第１のガスが、六フッ化硫黄（「ＳＦ6」）を含む工程とを含む方法。
【請求項２】
第１のガスを、前記サンプリングコーンおよび／または前記コーン−ガスコーンへ供給されるコーンガスまたはカーテンガスへの添加物として供給する工程であって、前記コーンガスが、（ｉ）窒素、（ｉｉ）アルゴン、（ｉｉｉ）キセノン、（ｉｖ）空気、（ｖ）メタン、および（ｖｉ）二酸化炭素からなる群から選択される工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
（ａ）前記第１のガスを、前記サンプリングコーンおよび／または前記コーン−ガスコーンへ供給する工程の前に加熱する工程、ならびに／あるいは、
（ｂ）前記サンプリングコーンおよび／または前記コーン−ガスコーンを加熱する工程をさらに含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のガスおよび／または前記サンプリングコーンおよび／または前記コーン−ガスコーンを、（ｉ）＞３０℃、（ｉｉ）＞４０℃、（ｉｉｉ）＞５０℃、（ｉｖ）＞６０℃、（ｖ）＞７０℃、（ｖｉ）＞８０℃、（ｖｉｉ）＞９０℃、（ｖｉｉｉ）＞１００℃、（ｉｘ）＞１１０℃、（ｘ）＞１２０℃、（ｘｉ）＞１３０℃、（ｘｉｉ）＞１４０℃、（ｘｉｉｉ）＞１５０℃、（ｘｉｖ）＞１６０℃、（ｘｖ）＞１７０℃、（ｘｖｉ）＞１８０℃、（ｘｖｉｉ）＞１９０℃、（ｘｖｉｉｉ）＞２００℃、（ｘｉｘ）＞２５０℃、（ｘｘ）＞３００℃、（ｘｘｉ）＞３５０℃、（ｘｘｉｉ）＞４００℃、（ｘｘｉｉｉ）＞４５０℃、および（ｘｘｉｖ）＞５００℃からなる群から選択される温度に加熱する工程をさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記質量分析計が、イオン源と、サンプリングコーンを包囲するコーン−ガスコーンと、第１の真空室と、差動ポンピング開口部によって前記第１の真空室から分離される第２の真空室とを含み、
前記方法が、前記第１のガスの少なくとも一部が、前記サンプリングコーンおよび／または前記コーン−ガスコーンを通過して前記第１の真空室へ入る検体イオンと相互作用するように、前記第１のガスを前記サンプリングコーンおよび／または前記コーン−ガスコーンへ供給する工程をさらに含む、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記イオン源が、（ｉ）大気圧イオン源、（ｉｉ）エレクトロスプレーイオン化（「ＥＳＩ」）イオン源、（ｉｉｉ）大気圧化学イオン化（「ＡＰＣＩ」）イオン源、（ｉｖ）大気圧イオン化（「ＡＰＩ」）イオン源、（ｖ）脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、（ｖｉ）大気圧マトリックス支援レーザ脱離イオン化イオン源、および（ｖｉｉ）大気圧レーザ脱離イオン化イオン源からなる群から選択される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
（ｉ）前記第１の真空室を、（ｉ）＜１ｍｂａｒ、（ｉｉ）１〜２ｍｂａｒ、（ｉｉｉ）２〜３ｍｂａｒ、（ｉｖ）３〜４ｍｂａｒ、（ｖ）４〜５ｍｂａｒ、（ｖｉ）５〜６ｍｂａｒ、（ｖｉｉ）６〜７ｍｂａｒ、（ｖｉｉｉ）７〜８ｍｂａｒ、（ｉｘ）８〜９ｍｂａｒ、（ｘ）９〜１０ｍｂａｒ、および（ｘｉ）＞１０ｍｂａｒからなる群から選択される圧力に維持する工程、ならびに／または、
（ｉｉ）前記第２の真空室を、（ｉ）＜１×１０-3ｍｂａｒ、（ｉｉ）１〜２×１０-3ｍｂａｒ、（ｉｉｉ）２〜３×１０-3ｍｂａｒ、（ｉｖ）３〜４×１０-3ｍｂａｒ、（ｖ）４〜５×１０-3ｍｂａｒ、（ｖｉ）５〜６×１０-3ｍｂａｒ、（ｖｉｉ）６〜７×１０-3ｍｂａｒ、（ｖｉｉｉ）７〜８×１０-3ｍｂａｒ、（ｉｘ）８〜９×１０-3ｍｂａｒ、（ｘ）９〜１０×１０-3ｍｂａｒ、（ｘｉ）１〜２×１０-2ｍｂａｒ、（ｘｉｉ）２〜３×１０-2ｍｂａｒ、（ｘｉｉｉ）３〜４×１０-2ｍｂａｒ、（ｘｉｖ）４〜５×１０-2ｍｂａｒ、（ｘｖ）５〜６×１０-2ｍｂａｒ、（ｘｖｉ）６〜７×１０-2ｍｂａｒ、（ｘｖｉｉ）７〜８×１０-2ｍｂａｒ、（ｘｖｉｉｉ）８〜９×１０-2ｍｂａｒ、（ｘｉｘ）９〜１０×１０-2ｍｂａｒ、（ｘｘ）０．１〜０．２ｍｂａｒ、（ｘｘｉ）０．２〜０．３ｍｂａｒ、（ｘｘｉｉ）０．３〜０．４ｍｂａｒ、（ｘｘｉｉｉ）０．４〜０．５ｍｂａｒ、（ｘｘｉｖ）０．５〜０．６ｍｂａｒ、（ｘｘｖ）０．６〜０．７ｍｂａｒ、（ｘｘｖｉ）０．７〜０．８ｍｂａｒ、（ｘｘｖｉｉ）０．８〜０．９ｍｂａｒ、（ｘｘｘｖｉｉｉ）０．９〜１ｍｂａｒ、および（ｘｘｉｘ）＞１ｍｂａｒからなる群から選択される圧力に維持する工程をさらに含む、請求項５または６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のガスを、（ｉ）＜１０Ｌ／時間、（ｉｉ）１０〜２０Ｌ／時間、（ｉｉｉ）２０〜３０Ｌ／時間、（ｉｖ）３０〜４０Ｌ／時間、（ｖ）４０〜５０Ｌ／時間、（ｖｉ）５０〜６０Ｌ／時間、（ｖｉｉ）６０〜７０Ｌ／時間、（ｖｉｉｉ）７０〜８０Ｌ／時間、（ｉｘ）８０〜９０Ｌ／時間、（ｘ）９０〜１００Ｌ／時間、（ｘｉ）１００〜１１０Ｌ／時間、（ｘｉｉ）１１０〜１２０Ｌ／時間、（ｘｉｉｉ）１２０〜１３０Ｌ／時間、（ｘｉｖ）１３０〜１４０Ｌ／時間、（ｘｖ）１４０〜１５０Ｌ／時間、および（ｘｖｉ）＞１５０Ｌ／時間からなる群から選択される流量で、前記サンプリングコーンおよび／または前記コーン−ガスコーンへ供給する工程をさらに含む、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
サンプリングコーンおよび／またはコーン−ガスコーンと、
使用時に、第１のガスを、前記サンプリングコーンおよび／または前記コーン−ガスコーンへ供給されるコーンガスまたはカーテンガスとして、あるいは、前記サンプリングコーンおよび／または前記コーン−ガスコーンへ供給されるコーンガスまたはカーテンガスへの添加物として供給するように配置および適合される供給デバイスであって、前記第１のガスが六フッ化硫黄（「ＳＦ6」）を含む供給デバイスとを含む質量分析計。
【請求項１０】
（ａ）前記第１のガスを、前記サンプリングコーンおよび／または前記コーン−ガスコーンへ供給する工程の前に加熱するデバイス、ならびに／あるいは、
（ｂ）前記サンプリングコーンおよび／または前記コーン−ガスコーンを加熱するデバイスをさらに含む、請求項９に記載の質量分析計。
【請求項１１】
前記質量分析計が、イオン源と、サンプリングコーンを包囲するコーン−ガスコーンと、第１の真空室と、差動ポンピング開口部によって前記第１の真空室から分離される第２の真空室とを含み、前記供給デバイスが、前記第１のガスの少なくとも一部が、前記サンプリングコーンおよび／または前記コーン−ガスコーンを通過して前記第１の真空室へ入る検体イオンと使用時に相互作用するように、使用時に、前記第１のガスを前記サンプリングコーンおよび／または前記コーン−ガスコーンへ供給するように配置および適合される、請求項９または１０に記載の質量分析計。
【請求項１２】
前記イオン源が、（ｉ）大気圧イオン源、（ｉｉ）エレクトロスプレーイオン化（「ＥＳＩ」）イオン源、（ｉｉｉ）大気圧化学イオン化（「ＡＰＣＩ」）イオン源、（ｉｖ）大気圧イオン化（「ＡＰＩ」）イオン源、（ｖ）脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、（ｖｉ）大気圧マトリックス支援レーザ脱離イオン化イオン源、および（ｖｉｉ）大気圧レーザ脱離イオン化イオン源からなる群から選択される、請求項１１に記載の質量分析計。
【請求項１３】
前記質量分析計が、
（ａ）前記第２の真空室または前記第２の真空室の下流にある後続の真空室に配置されるイオンガイド、ならびに／あるいは、
（ｂ）前記第２の真空室または前記第２の真空室の下流にある後続の真空室に配置される質量フィルタまたは質量分析部、ならびに／あるいは、
（ｃ）前記第２の真空室または前記第２の真空室の下流にある後続の真空室に配置されるイオントラップまたはイオントラップ領域、ならびに／あるいは
（ｄ）前記第２の真空室または前記第２の真空室の下流にある後続の真空室に配置されるイオン移動度分光計もしくはセパレータおよび／またはフィールド非対称イオン移動度分光計、ならびに／あるいは、
（ｅ）（ｉ）衝突誘起解離（「ＣＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｉｉ）表面誘起解離（「ＳＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｉｉｉ）電子移動解離フラグメンテーションデバイス、（ｉｖ）電子捕獲解離フラグメンテーションデバイス、（ｖ）電子衝突または衝撃解離フラグメンテーションデバイス、（ｖｉ）光誘起解離（「ＰＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｖｉｉ）レーザ誘起解離フラグメンテーションデバイス、（ｖｉｉｉ）赤外放射誘起解離デバイス、（ｉｘ）紫外放射誘起解離デバイス、（ｘ）ノズル−スキマ間インターフェースフラグメンテーションデバイス、（ｘｉ）インソースフラグメンテーションデバイス、（ｘｉｉ）イオン源衝突誘起解離フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｉｉ）熱または温度源フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｖ）電界誘起フラグメンテーションデバイス、（ｘｖ）磁場誘起フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉ）酵素消化または酵素分解フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉｉ）イオン−イオン反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉｉｉ）イオン−分子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｘ）イオン−原子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘ）イオン−準安定イオン反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉ）イオン−準安定分子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉｉ）イオン−準安定原子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−イオン反応デバイス、（ｘｘｉｖ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−分子反応デバイス、（ｘｘｖ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−原子反応デバイス、（ｘｘｖｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−準安定イオン反応デバイス、（ｘｘｖｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−準安定分子反応デバイス、および（ｘｘｖｉｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−準安定原子反応デバイスからなる群から選択される衝突、フラグメンテーション、または反応デバイス、ならびに／あるいは、
（ｆ）前記第２の真空室または前記第２の真空室の下流にある後続の真空室に配置される質量分析部であって、（ｉ）四重極質量分析部、（ｉｉ）二次元または線形四重極質量分析部、（ｉｉｉ）ポールまたは三次元四重極質量分析部、（ｉｖ）ペニングトラップ質量分析部、（ｖ）イオントラップ質量分析部、（ｖｉ）磁場型質量分析部、（ｖｉｉ）イオンサイクロトロン共鳴（「ＩＣＲ」）質量分析部、（ｖｉｉｉ）フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴（「ＦＴＩＣＲ」）質量分析部、（ｉｘ）静電またはオービトラップ質量分析部、（ｘ）フーリエ変換静電またはオービトラップ質量分析部、（ｘｉ）フーリエ変換質量分析部、（ｘｉｉ）飛行時間質量分析部、（ｘｉｉｉ）直交加速式飛行時間質量分析部、および（ｘｉｖ）直線加速式飛行時間質量分析部からなる群から選択される質量分析部をさらに含む、請求項１１または１２に記載の質量分析計。