【事件の表示】
　特願２００４−３６９２２６「有機電界発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　７月２１日出願公開、特開２００５−１９６１６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１６年１２月２１日（優先権主張２００３年１２月２６日、韓国）を出願日とする出願であって、平成２０年４月２１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年７月２２日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年８月２１日に手続補正がなされたものである。
　その後、当審において平成２１年９月４日付けで審尋を行い、平成２２年２月５日付けで回答書が提出されている。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２０年８月２１日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　なお、当該平成２０年８月２１日付け手続補正による補正は請求項の削除を目的とするものであり、適法な補正である。
　
「【請求項１】
　相互に一定間隔離隔されて配置された第１、２基板と；
　前記第１基板内部面にサブピクセル単位で形成された薄膜トランジスタを有するアレイ素子と；
　前記第２基板内部面に共通電極としての第１電極、前記第１電極下部に位置する有機電界発光層及びサブピクセル別にパターン化された第２電極が順次形成されて成る有機電界発光ダイオードと；
　前記アレイ素子及びこれに対応する有機電界発光ダイオードを電気的に連結する伝導性スペーサーが含まれて構成され、
　前記第１基板上にマトリックス形態で複数具備された前記アレイ素子に電源を供給する電源ラインが網形状で構成され、
　前記第１及び第２基板間の離隔空間に窒素（Ｎ２）雰囲気を形成し、
　前記アレイ素子は第１方向へのゲートラインと、前記第１方向と交差する第２方向へのデータラインによりその領域が定義され、
　前記データラインと所定間隔離隔されて前記データラインと平行するように羅列された第１電源ラインと、前記ゲートラインと所定間隔離隔されて前記ゲートラインと平行するように羅列された第２電源ラインが相互に交差し、
　前記第２電源ラインは前記ゲートラインと同一な層に、同一な材質の金属で形成され、
　前記第１電源ラインと第２電源ラインは相互に交差する部位でコンタクトホールを介して電気的に連結されることを特徴とする有機電界発光素子。」
　
第３　刊行物
１　引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００３−２５７６６７号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。（後述の「２　引用発明１の認定」において特に参照した記載に下線を付した。）
（１ａ）「【００３３】このように、既存の下部発光方式有機電界発光素子は、アレー素子及び有機電界発光ダイオードが形成された基板と別途のカプセル封止用基板の合着を通して素子を製作した。このような場合、アレー素子の収率と有機電界発光ダイオードの収率の積が有機電界発光素子の収率を決定するために、既存の有機電界発光素子構造では後半工程に該当する有機電界発光ダイオード工程により全体工程の収率が大幅に制限される問題点があった。例えば、アレー素子が良好に形成されても、１０００Å程度の薄膜を用いる有機電界発光層の形成時に異物やその他の要素により不良が発生するようになれば、有機電界発光素子は不良等級と判定される。
【００３４】これによって、良品のアレー素子を製造するのに必要な諸経費及び材料費の損失を招くこととなり、生産収率が低下するという問題点があった。
【００３５】そして、下部発光方式は、カプセル封止による安全性及び工程の自由度が高い反面、開口率の制限があって高解像度製品に適用し難い問題点があり、上部発光方式は薄膜トランジスタ設計が容易であって開口率向上が可能であるために製品寿命の面で有利であるが、既存の上部発光方式構造では有機電界発光層の上部に通常的に陰極が位置するので、材料選択幅が狭いために透過度が制限されて光効率が低下する点と、光透過度の低下を最少化するために薄膜型の保護膜を使用しなければならないので外気を十分に遮断できない問題点があった。」
　
（１ｂ）「【００５２】図５は、本発明による有機電界発光素子の概略的な断面図であって、説明の便宜上一つのピクセル領域Ｐを中心に図示した。
【００５３】図示したように、
第１基板１１０、第２基板１３０が相互に近接して配置されていて
【００５４】
前記第１基板１１０上部にはアレー素子１２０が形成されていて、第２基板１３０下部には有機電界発光ダイオードＤ
ＥＬ
が形成されている
【００５５】
前記有機電界発光ダイオードＤ
ＥＬ
は、共通電極として利用される第１電極１３２と、該第１電極１３２の下部に位置する有機電界発光層１３４と、有機電界発光層１３４の下部に位置し、サブピクセルＰｓｕｂ別にパターン化された第２電極１３６とからなる
　
（１ｃ）「【００５８】そして、
前記アレー素子１２０は、薄膜トランジスタＴ及び薄膜トランジスタＴと連結される接触パターン１１２で構成され
前記薄膜トランジスタＴは有機電界発光ダイオードＤ
ＥＬ
と連結される駆動用薄膜トランジスタに該当する
【００５９】そして、前記第２電極１３６と接触パターン１１２との間には前述したシールパターン１４０と平行した方向に
第２電極１３６と薄膜トランジスタＴを電気的に連結させる連結パターン１１４が形成されて
【００６０】前記連結パターン１１４は、伝導性物質から選択され、望ましくは延性を帯びて、抵抗率値が低い金属物質から選択されることが望ましい。このような連結パターン１１４は第１基板１１０のアレー素子１２０を形成する工程で形成することができる。
【００６１】そして、本発明では有機電界発光層１３４から発光された光を第２基板１３０の方に発光させる上部発光方式であることを特徴とする。」
　
（１ｄ）「【００６４】また、
前記第１基板１１０、第２基板１３０間の離隔空間は窒素（Ｎ
２
）雰囲気をなす
【００６５】図示していないが、
前記アレー素子１２０は走査線と、該走査線と交差し、相互に一定間隔離隔した信号線及び電力供給線と、前記走査線と信号線が交差する地点に位置するスイッチング薄膜トランジスタ、そしてストレージキャパシタを含む
【００６６】本発明による有機電界発光素子は、アレー基板と有機電界発光ダイオード基板が個別的に構成されて、上部発光方式構造を有するために生産効率が向上された高開口率／高解像度構造を具現できる。」
　
（１ｅ）「【００７９】
【発明の効果】以上のように、本発明による有機電界発光素子によると次のような効果を有する。
【００８０】第一に、生産収率及び生産管理効率を向上させることができて、製品寿命を増やすことができる。
【００８１】第二に、上部発光方式であるために薄膜トランジスタ設計が容易になり高開口率／高解像度具現が可能である。
【００８２】第三に、基板上に有機電界発光ダイオード用電極を構成するために、材料選択幅を広めることができる。
【００８３】第四に、上部発光方式でありながらカプセル封止構造であるために、外気から安定した製品を提供することができる。」
　
（１ｆ）図５より、
アレー素子１２０は、第１基板内部面にサブピクセル単位で形成されている
　
２　引用発明１の認定
　上記記載事項及び図面から、引用例１には、有機電界発光素子に関し、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「第１基板１１０、第２基板１３０が相互に近接して配置されていて、
前記第１基板１１０内部面にサブピクセル単位でアレー素子１２０が形成され、第２基板１３０下部には、共通電極として利用される第１電極１３２と、該第１電極１３２の下部に位置する有機電界発光層１３４と、有機電界発光層１３４の下部に位置し、サブピクセルＰｓｕｂ別にパターン化された第２電極１３６とからなる有機電界発光ダイオードＤＥＬが形成されており、
　前記第２電極１３６と駆動用薄膜トランジスタＴを電気的に連結させる連結パターン１１４が形成され、
　前記第１基板１１０、第２基板１３０間の離隔空間は窒素（Ｎ２）雰囲気をなし、
　前記アレー素子１２０は、走査線と、該走査線と交差し、相互に一定間隔離隔した信号線及び電力供給線と、前記走査線と信号線が交差する地点に位置するスイッチング薄膜トランジスタ、駆動用薄膜トランジスタＴ、そしてストレージキャパシタを含む、有機電界発光素子。」
　
　
３　引用例２
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００１−１００６５４号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。（後述の「４　引用発明２の認定」において特に参照した記載に下線を付した。）
（２ａ）「【請求項２】  
陽極と陰極との間に発光層を有するＥＬ素子と、半導体膜から成る能動層のドレインがドレインラインに接続され、ゲートがゲートラインにそれぞれ接続された第１の薄膜トランジスタと、前記半導体膜からなる能動層のドレインが前記ＥＬ素子の駆動ラインに接続され、ゲートが前記第１の薄膜トランジスタのソースに電気的に接続され、ソースが前記ＥＬ素子に接続された第２の薄膜トランジスタとを備えた表示画素がマトリクス状に配列して成るＥＬ表示装置であり
前記駆動ラインと交差する方向に延在され、且つ前記駆動ラインと電気的に接続され、前記駆動ラインよりも下層に設けられたバイパスラインを有する事を特徴とするＥＬ表示装置。」
　
（２ｂ）「【００１７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図８に示すように
有機ＥＬ素子を駆動する駆動ラインＶＬは、表示画素領域外に設けた駆動電源入力端子Ｔに接続されており、そして縦に並んだ表示画素ごとに接続されて配置されている
【００１８】そこで本発明は、上記の従来の欠点に鑑みて為されたものであり、
駆動ラインＶＬの抵抗による電源電流の低下を抑制し、本来供給されるべき電流がＥＬ素子に供給して、明るい表示を得ることができるＥＬ表示装置
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述したように各表示画素に位置する駆動ラインの抵抗をより均一にするもので、第１、第２は、駆動ラインのそれぞれを、延在方向と交差する方向に設けると共に、駆動ラインと電気的に接続され、前記駆動ラインよりも下層の位置にバイパスラインを設けることで解決するものである。
【００２０】例えば、
ゲートラインが形成された層に、クロムで成るバイパスラインを設け、駆動ラインとコンタクトすれば、駆動ラインは、格子状に形成されたことにな
　
（２ｃ）「【００２４】第５に、
バイパスラインを、前記表示画素毎に形成し、前記駆動ラインとの重畳部にコンタクトを形成する
　
（２ｄ）「【００３２】この透明基板１０の上には、図１の
一表示画素の上側辺に沿って、左右にゲートラインＧＬが設けられ、下側辺にはバイパスラインＢＬが左右に延在され
ここでは、約１０００〜２０００ÅのＣｒがスパッタリングにて形成されている
【００３３】続いて、全面にはゲート絶縁膜７と半導体層が積層されて形成されている。ここでは、前記ゲート絶縁膜７、能動層１２、１６および保持容量８の上層電極である容量電極３の材料であるａ−Ｓｉも含めてプラズマＣＶＤで形成されている。具体的には、下層より約５００ÅのＳｉ窒化膜、約１３００ÅのＳｉ酸化膜および約５００Åのａ−Ｓｉが連続プラズマＣＶＤで形成される。
【００３４】このａ−Ｓｉは、約４００度の窒素雰囲気中で脱水素アニールが行われ、その後、エキシマレーザによりＰ−Ｓｉ化される。また符号１３、１７は、Ｓｉ酸化膜から成るストッパ絶縁膜であり、能動層１２、１６のイオン注入時のマスクとなる。第１のＴＦＴ１は、このストッパ絶縁膜１３をマスクにしてＰ（リン）イオンが注入され、Ｎチャンネル型のソース、ドレインが形成され、第２のＴＦＴ４は、Ｂ（ボロン）イオンが注入されてＰチャンネル型のソース、ドレインが形成されている。
【００３５】また図１のように、ホトリソグラフィ技術によりパターニングされている。つまり第１のＴＦＴ１のＰ−Ｓｉ層は、ゲートラインＧＬとドレインラインＤＬの左上交差部の下方で、ドレインラインＤＬと重畳し、ゲート電極１１の上層を延在した後、保持容量電極２と重畳する容量電極３として延在されている。またこの容量電極３は、第２のＴＦＴ４のゲート電極１５と電気的に接続するために用いられる接続配線３０右端の下層に延在される。一方、第２のＴＦＴ４のＰ−Ｓｉ層は、右側の駆動ラインＶＬの下層から第２のゲート電極１５の上を延在し、透明電極から成る陽極６の下層に延在されている。
【００３６】そして全面には、層間絶縁膜１４が形成されている。・・・
【００３７】次に、
層間絶縁膜１４の上層には、図１の斜め線でハッチングしたドレインラインＤＬ、駆動ラインＶＬおよび接続配線３０が形成される
本発明の特徴となる駆動ラインＶＬとバイパスラインＢＬのコンタクト孔Ｃ６は、前述のコンタクト孔とは異なり、ゲート絶縁膜が余分に積層されているため、更にエッチングされＣｒが露出されている
　
（２ｅ）「【００３８】更に約２〜３μｍの平坦化膜ＰＬＮが全面に形成されている。この平坦化膜ＰＬＮの採用の理由の一つとして、従来例でも述べた有機ＥＬ用の膜にある。この膜は、第１のホール輸送層２１、第２ホール輸送層２２、発光層２３及び電子輸送層２４から成る。・・・従って、この破壊を防止するには、陽極６を含む全面ができるだけ平坦である必要があり、ここではアクリル系の液状樹脂が塗布され、硬化後は平坦になる。もちろんこの平坦化膜ＰＬＮは、これに限らない事は言うまでもない。
【００３９】ここでは、陽極６と第２のＴＦＴ４のソースが接続されるため、平坦化膜ＰＬＮおよび層間絶縁膜１４が開口され、第２の能動層１６が露出されたコンタクト孔Ｃ３が形成されている。
【００４０】更に少なくとも陽極６上には、ＥＬ素子を構成する有機膜が形成されている。・・・」
　
（２ｆ）「【００４５】本発明の特徴は、バイパスラインＢＬにある。
【００４６】図４の等価回路からも明らかなように、駆動ラインＶＬは、点線で囲んだ表示領域内において、列方向に延在しており、列方向の各表示画素に接続されて駆動電流を供給している。この表示領域は、非常な長さになり、解決しようとする課題の欄にも述べたように抵抗分が発生するが、行方向に延在させたバイパスラインＢＬと接続させることで、隣接する表示画素には同電位の電圧が印加されることになる。また電流も
格子状に形成された駆動ラインＶＬ及びバイパスラインＢＬ
【００４７】
また図３のバイパスラインＢＬの様に、ゲートが形成された層に形成すれば
　
（２ｇ）「【００５５】更に、上述の実施の形態においては、
有機ＥＬ表示装置について説明した
　
　
４　引用発明２の認定
　図１及び上記記載事項（２ｄ）より、駆動ラインＶＬは、ドレインラインＤＬと所定間隔離隔されて前記ドレインラインＤＬと平行するように延在し、バイパスラインＢＬは、ゲートラインＧＬと所定間隔離隔されて前記ゲートラインＧＬと平行するように延在し、駆動ラインＶＬとドレインラインＤＬが相互に交差する部位で、コンタクト孔Ｃ６を介して電気的に連結されていることは、明らかである。
　よって、上記記載事項及び図面から、引用例２には、有機ＥＬ表示装置に関し、次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「陽極と陰極との間に発光層を有するＥＬ素子と、
　半導体膜から成る能動層のドレインがドレインラインＤＬに接続され、ゲートがゲートラインＧＬにそれぞれ接続された第１の薄膜トランジスタと、
　前記半導体膜からなる能動層のドレインが前記ＥＬ素子の駆動ラインＶＬに接続され、ゲートが前記第１の薄膜トランジスタのソースに電気的に接続され、ソースが前記ＥＬ素子に接続された第２の薄膜トランジスタとを備えた表示画素がマトリクス状に配列して成る有機ＥＬ表示装置であって、
　駆動ラインＶＬとバイパスラインＢＬとは格子状に形成され、駆動ラインＶＬは、ドレインラインＤＬと所定間隔離隔されて前記ドレインラインＤＬと平行するように延在し、バイパスラインＢＬは、ゲートラインＧＬと所定間隔離隔されて前記ゲートラインＧＬと平行するように延在し、
　バイパスラインＢＬとゲートラインＧＬとは、同一の層に共にＣｒで形成し、
駆動ラインＶＬとバイパスラインＢＬが相互に交差する部位で、コンタクト孔Ｃ６を介して電気的に連結されて、
　駆動ラインＶＬの抵抗による電源電流の低下を抑制し、本来供給されるべき電流がＥＬ素子に供給して明るい表示を得ることができる有機ＥＬ表示装置。」
　
　
第４　対比
１　対比
　本願発明と引用発明１とを対比する。
　引用発明１における「相互に近接して配置されていて」、その間に「離隔空間」を有する「第１基板１１０、第２基板１３０」は、本願発明における「相互に一定間隔離隔されて配置された第１、２基板」に相当する。
　引用発明１における「前記第１基板１１０内部面にサブピクセル単位」で形成される「アレー素子１２０」は、本願発明における「前記第１基板内部面にサブピクセル単位で形成された薄膜トランジスタを有するアレイ素子」に相当する。
　引用発明１における「第２基板１３０下部」に形成される「共通電極として利用される第１電極１３２と、該第１電極１３２の下部に位置する有機電界発光層１３４と、有機電界発光層１３４の下部に位置し、サブピクセルＰｓｕｂ別にパターン化された第２電極１３６とからなる有機電界発光ダイオードＤＥＬ 」は、本願発明における「前記第２基板内部面に共通電極としての第１電極、前記第１電極下部に位置する有機電界発光層及びサブピクセル別にパターン化された第２電極が順次形成されて成る有機電界発光ダイオード」に相当する。
　引用発明１における「前記第２電極１３６と駆動用薄膜トランジスタＴを電気的に連結させる連結パターン１１４」は、本願発明における「前記アレイ素子及びこれに対応する有機電界発光ダイオードを電気的に連結する伝導性スペーサー」に相当する。
　引用発明１における「前記第１基板１１０、第２基板１３０間の離隔空間は窒素（Ｎ２）雰囲気をな」す点は、本願発明における「前記第１及び第２基板間の離隔空間に窒素（Ｎ２）雰囲気を形成」する点に相当する。
　
　そして、引用発明１における「走査線」及び「信号線」は、それぞれ本願発明における「ゲートライン」及び「データライン」に相当する。
　また、引用発明１の、アレー素子１２０に含まれる「電力供給線」が、アレー素子１２０に電源を供給していることは当業者に自明な事項であるから、引用発明１におけるアレー素子１２０に含まれ「該走査線と交差し、相互に一定間隔離隔した」「電力供給線」は、本願発明における「前記第１基板上にマトリックス形態で複数具備された前記アレイ素子に電源を供給する電源ライン」であって、「前記データラインと所定間隔離隔されて前記データラインと平行するように羅列された第１電源ライン」に相当する。
　以上の相当関係を踏まえて、引用発明１における「前記アレー素子１２０は、走査線と、該走査線と交差し、相互に一定間隔離隔した信号線及び電力供給線と、前記走査線と信号線が交差する地点に位置するスイッチング薄膜トランジスタ、駆動用薄膜トランジスタＴ、そしてストレージキャパシタを含」む点と、
本願発明における「前記アレイ素子は第１方向へのゲートラインと、前記第１方向と交差する第２方向へのデータラインによりその領域が定義され、前記データラインと所定間隔離隔されて前記データラインと平行するように羅列された第１電源ラインと、前記ゲートラインと所定間隔離隔されて前記ゲートラインと平行するように羅列された第２電源ラインが相互に交差し、前記第２電源ラインは前記ゲートラインと同一な層に、同一な材質の金属で形成され、前記第１電源ラインと第２電源ラインは相互に交差する部位でコンタクトホールを介して電気的に連結される」点とを対比すると、
両者は、「前記アレイ素子は第１方向へのゲートラインと、前記第１方向と交差する第２方向へのデータラインによりその領域が定義され、前記データラインと所定間隔離隔されて前記データラインと平行するように羅列された第１電源ラインを有する」点で一致する。
　
２　一致点
　よって、本願発明と引用発明１とは、以下の発明である点で一致する。
「相互に一定間隔離隔されて配置された第１、２基板と；
　前記第１基板内部面にサブピクセル単位で形成された薄膜トランジスタを有するアレイ素子と；
　前記第２基板内部面に共通電極としての第１電極、前記第１電極下部に位置する有機電界発光層及びサブピクセル別にパターン化された第２電極が順次形成されて成る有機電界発光ダイオードと；
　前記アレイ素子及びこれに対応する有機電界発光ダイオードを電気的に連結する伝導性スペーサーが含まれて構成され、
　前記第１基板上にマトリックス形態で複数具備された前記アレイ素子に電源を供給する電源ラインが構成され、
　前記第１及び第２基板間の離隔空間に窒素（Ｎ２）雰囲気を形成し、
　前記アレイ素子は第１方向へのゲートラインと、前記第１方向と交差する第２方向へのデータラインによりその領域が定義され、
　前記データラインと所定間隔離隔されて前記データラインと平行するように羅列された第１電源ラインを有する有機電界発光素子。」
　
３　相違点
　よって、本願発明と引用発明１とは、以下の点で相違する。
［相違点］
　電源ラインが、本願発明では「網形状」で構成され、「前記データラインと所定間隔離隔されて前記データラインと平行するように羅列された第１電源ラインと、前記ゲートラインと所定間隔離隔されて前記ゲートラインと平行するように羅列された第２電源ラインが相互に交差し、前記第２電源ラインは前記ゲートラインと同一な層に、同一な材質の金属で形成され、前記第１電源ラインと第２電源ラインは相互に交差する部位でコンタクトホールを介して電気的に連結される」ものであるのに対し、引用発明１は、信号線と相互に一定間隔離隔した電力供給線を有するのみである点。
　
　
第５　当審の判断
１　相違点についての検討
　引用発明２における「駆動ラインＶＬ」、「ドレインラインＤＬ」及び「ゲートラインＧＬ」は、それぞれ本願発明における「第１電源ライン」、「データライン」及び「ゲートライン」に相当し、引用発明２において、駆動ラインＶＬとともに「格子状」をなし、駆動ラインＶＬと「相互に交差する部位で、コンタクト孔Ｃ６を介して電気的に連結され」る「バイパスラインＢＬ」は、本願発明における「第２電源ライン」に相当するから、引用発明２には、上記相違点に係る発明特定事項が開示されている。
　
　また、引用発明２の、駆動ラインＶＬ、ドレインラインＤＬ、ゲートラインＧＬ、バイパスラインＢＬ、第１の薄膜トランジスタ、及び第２の薄膜トランジスタ（上記記載事項（２ｄ）〜（２ｅ）における、透明基板１０から平坦化膜ＰＬＮまでの積層体）が、ＥＬ素子の駆動回路を形成していることは当業者に自明な事項である。
　そして、引用発明１の「走査線と、該走査線と交差し、相互に一定間隔離隔した信号線及び電力供給線と、前記走査線と信号線が交差する地点に位置するスイッチング薄膜トランジスタ、駆動用薄膜トランジスタＴ、そしてストレージキャパシタを含む」「アレー素子１２０」が、有機電界発光ダイオードＤＥＬの駆動回路を形成していることも、当業者に自明な事項であるから、引用発明１の第１基板１１０内部面に形成するアレー素子１２０に、上記引用発明２のＥＬ素子の駆動回路の技術を適用することは、当業者にとって何ら困難性を要することではない。
　したがって、引用発明１に引用発明２を適用して、上記相違点に係る本願発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　
２　請求人の主張について
　ここで、請求人は、平成２２年２月５日付けの回答書で、最初に、平成２０年１０月１日付けの手続補正（審判請求書の請求の理由の補正）において、
「本願発明において、開口率を高くし、電源ラインの線幅を拡張することを目的としてデュアルパネルタイプの有機電界発光素子（本願の図４を参照）を適用している。詳細には、第２の記載及び図１乃至５から、開口率の制限、及び（電圧降下現象の誘発する）電源ラインの線幅を拡張できないことは、発光層とアレイ部が下部基板に同一形成されていることに起因している。したがって、これらの問題点を解消するために、本願発明はデュアルパネルタイプの有機電界発光素子を適用しているので、本願明細書及び図面から、デュアルパネルタイプの適用と電圧降下現象との関係性は明白である。
　・・・この記載は、電圧降下現象を防止するために電源ラインの網形状が必須事項であることを意味する。更に、電源ラインをメッシュ形状で構成するためには、追加の電源ラインのスペースを確保する必要がある。スペースの確保の点から有機発光層を上部基板に形成する（従来存在した下部基板上の構成要素を上部基板に形成する）ことになる。つまり、このことは本願発明のデュアルパネルタイプの適用に相当する。したがって、デュアルパネルタイプの適用及びメッシュ形状は電圧降下現象の防止という点で密接に関係している。
以上より、有機電界発光素子の電圧降下現象の防止は、デュアルパネルタイプの適用と電源ラインの網形状が必須事項である。」
及び
「また、引用例１及び２は単に個々の要素技術（デュアルパネルタイプの適用と電源ラインをメッシュ形状で構成すること）を開示しているに過ぎず、引用例１及び２のいずれも、デュアルパネルタイプの適用及び電源ラインのメッシュ形状は電圧降下現象の防止という点で密接に関係していることに基づいた本願発明の構成を全く開示していない。更に、上述した密接な関係性は引用例１及び２に基づいて容易に想到できるものではないので、引用例１を引用例２へ適用することは容易に想到できるものでもない。」
　
と、述べたことを踏まえて、
「また、本願明細書の全体の記載（特に、・・・）を参照すれば、従来の下部発光方式の問題点（特に、電圧降下現象）を考慮して、デュアルパネルタイプを適用し、かつ電源ラインをメッシュ形状にしています。・・・、引用例１乃至３のいずれも、下部発光方式の有機電界発光素子における電源ラインの線幅を拡張できないことに起因する電圧降下現象に基づいて、デュアルパネルタイプ及び電源ラインのメッシュ形状を適用しておりません。換言すれば、
本願発明は従来技術のパネル構成上の問題を考慮していることになるので、電源ラインのメッシュ形状の有効性が当業者に自明であったとしても、デュアルパネルタイプ及び電源ラインのメッシュ形状を適用することが当業者にとって自明であるとは限りません。
と主張している。
　
　しかしながら、引用例１の、上記記載事項（１ａ）の段落【００３５】には、「下部発光方式は、カプセル封止による安全性及び工程の自由度が高い反面、開口率の制限があって高解像度製品に適用し難い問題点があり、上部発光方式は薄膜トランジスタ設計が容易であって開口率向上が可能であるために製品寿命の面で有利である」、及び上記記載事項（１ｄ）の段落【００６６】には、「本発明による有機電界発光素子は、アレー基板と有機電界発光ダイオード基板が個別的に構成されて、上部発光方式構造を有するために生産効率が向上された高開口率／高解像度構造を具現できる。」と記載されている。
　なお、引用例１には、下部発光方式に開口率の制限があり、上部発光方式が薄膜トランジスタ設計が容易であって開口率向上が可能であることの技術的根拠は記載されていないが、それが、薄膜トランジスタや配線等の回路が、下部発光方式ではＥＬ発光を遮光し、上部発光ではＥＬ発光を遮光することがないためであることは、当業者に周知の事項である。（必要であれば、特開２００１−２８２１２３号公報の段落【０００５】〜【０００７】、【００３０】及び図１０〜１１、並びに特開２００１−２３００８６号公報の段落【０００４】〜【０００６】及び図９、図１８〜１９を参照）
　
　よって、上記周知の事項に鑑みれば、引用例１には、下部発光方式には開口率の制限等の問題点があったところ、アレー基板と有機電界発光ダイオード基板が個別的に構成される構造、すなわち、本願発明における「デュアルパネルタイプ」の構造とすることにより、ＥＬ素子の駆動回路の設計が容易な上部発光方式を採用できること、が記載されているといえるから、引用発明１（デュアルパネルタイプの有機電界発光素子）の第１基板に対し、そのＥＬ素子の駆動回路内の課題である電圧降下を解決するために、引用発明２のＥＬ素子の駆動回路技術を適用することは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、上記請求人の主張は採用できない。
　
　
３　本願発明の奏する作用効果について
　本願発明が奏する作用効果は、当業者に周知の事項に鑑みれば、引用発明１及び引用発明２から当業者が想定できる範囲のものにすぎない。
　
４　まとめ
　したがって、本願発明は、引用発明１及び引用発明２に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第６　むすび
　以上より、本願発明は、引用発明１及び引用発明２に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。