【事件の表示】
　特願２００６−２７６５４４「半導体レーザモジュール用パッケージ」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　２月２２日出願公開、特開２００７−　４７８１６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１２年５月１０日に出願された特願２０００−１３７７５１号（以下「原出願」という。）の一部を平成１８年１０月１０日に新たな特許出願としたものであって、平成２２年３月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月１５日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである。（以下、この平成２２年６月１５日にされた手続補正を「本件補正」という。）
　
II．本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、本願特許請求の範囲の請求項１を　
「【請求項１】
　
金属射出成型法によって得られた
　この銅タングステン合金の微細構造がタングステン粒子間の隙間に銅が入り込んだ構造であり、銅タングステン合金中のタングステン粒子の粒径が１５μｍ以下で、かつ平均粒径が０．５〜３．５μｍであり、銅の含有量が１０〜３０重量％であることを特徴とする半導体レーザモジュール用パッケージ。」
と補正することを含むものであって、「銅タングステン合金からなる半導体レーザモジュール用パッケージ」について「金属射出成型法によって得られた」と限定し、特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められるから、以下に、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について、独立特許要件の検討を行う。
　
２．引用例
　原出願の出願前に頒布され、原査定の拒絶理由に引用された特開平４−３３３２６５号公報（以下「引用例」という。）には、次の記載がある。
　
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣ等の半導体素子を搭載するＣｕ−Ｗ系又はＣｕ−Ｍｏ系放熱基板材料の製造方法に関する。」
　
「【００１１】本発明方法で用いる原料粉末は、Ｗ粉末又はＭｏ粉末とＣｕ粉末、及び焼結助剤としてのＮｉ粉末、Ｆｅ粉末、Ｃｏ粉末の少なくとも１種であり、これらをボールミルやアトライター等を用いてアルコール等と共に混合すると同時に粉砕することにより混合粉末とする。原料粉末は良好な焼結性を得るために１０μｍ以下の粒径が好ましく、特に混合及び粉砕が不十分であると焼結性が阻害され良好な組織の焼結体が得られないので、混合粉砕後の混合粉末の粒径は１〜５μｍの範囲であることが望ましい。
【００１２】尚、本発明方法で製造するＣｕ−Ｗ系又はＣｕ−Ｍｏ系合金の組成について、Ｃｕの含有量は従来と同様に、５重量％未満では所望の熱伝導率や熱膨張率を得ることができず、２５重量％を越えると熱膨張率が大きくなり過ぎるので、５〜２５重量％の範囲とする。又、焼結助剤であるＮｉ、Ｆｅ又はＣｏの添加量は出来るだけ少ないことが好ましいが、０．０５重量％未満では焼結の進行が著しく阻害され又０．７重量％を越えると熱伝導率の大幅な低下を来すので、０．０５〜０．７重量％の範囲が好ましい。」
　
「【００１７】
【実施例】原料粉末として平均粒径がいずれも２〜３μｍのＷ粉末、電解Ｃｕ粉末、カルボニールＮｉ粉末を用意し、各粉末を組成が重量比で８９．５％Ｗ−１０％Ｃｕ−０．５％Ｎｉとなるように混合し、混合粉末をアトライターにてエチルアルコール中で６時間粉砕混合し、１５０メッシュの篩で篩分けした。篩を通過した混合粉末３０ｋｇに有機バインダーとして６００ｇのワックスと３００ｇのポリエチレンを添加し、ニーダで３時間混練した。
【００１８】次に、２０ｔｏｎの型締め力を持つ射出成形機に三次元の複雑形状のキャビティを持つ金型をセットして５０℃に保持し、上記混練物を射出成形した。得られた成形体を窒素ガス中にて昇温速度４０℃／時間で４００℃まで加熱して同温度で５時間保持し、更に水素ガス中にて７００℃に加熱して同温度で３０分間保持した。この脱バインダー処理後における成形体の残留カーボン量は０．００５重量％であった。
【００１９】その後、成形体を水素ガス中において１５５０℃で焼結した。」
　
　上記記載によれば、引用例には、
「粒径が１０μｍ以下で、平均粒径が２〜３μｍのＷ粉末、Ｃｕ粉末、焼結助剤としてのＮｉ粉末を用意し、各粉末を組成が重量比で８９．５％Ｗ−１０％Ｃｕ−０．５％Ｎｉとなるように混合し、混合粉末を混練し、混練物を射出成形し、得られた成形体を加熱して脱バインダー処理をし、その後、成形体を１５５０℃で焼結した半導体素子を搭載するＣｕ−Ｗ系放熱基板材料。」（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
３．対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
　本願補正発明の「半導体レーザモジュール用パッケージ」は、「半導体素子を搭載する基板材料」といえる。
　
　引用発明の「Ｃｕ−Ｗ系放熱基板材料」はＮｉを含んでいるが、このＮｉは焼結助剤であり、その含有量は０．５％である。
　一方、本願明細書の【００２７】には、本願補正発明の「銅タングステン合金」について、０．００１〜１．０重量％のＮｉからなる焼結助剤を含有するものであっても良い旨記載されている。
　したがって、各粉末を組成が重量比で８９．５％Ｗ−１０％Ｃｕ−０．５％Ｎｉとなるように混合した混合粉末から製造された引用発明の「Ｃｕ−Ｗ系放熱基板材料」は、重量比で８９．５％のタングステンと１０％の銅と焼結助剤のニッケルから製造されたものであり、本願補正発明でいう「銅タングステン合金」からなるものといえる。
　
　引用発明の「Ｃｕ−Ｗ系放熱基板材料」は、「各粉末を組成が重量比で８９．５％Ｗ−１０％Ｃｕ−０．５％Ｎｉとなるように混合し、混合粉末を混練し、混練物を射出成形し、得られた成形体を加熱して脱バインダー処理をし、その後、成形体を１５５０℃で焼結した」ものであるから、本願補正発明でいう「金属射出成型法」によって得られたものといえる。
　
　引用発明の「Ｃｕ−Ｗ系放熱基板材料」は、組成が重量比で８９．５％Ｗ−１０％Ｃｕ−０．５％Ｎｉとなるように混合した混合粉末から製造されたものであるから、その銅の含有量は１０重量％であると認められる。
　
　以上のことから、両者は、
「金属射出成型法によって得られた銅タングステン合金からなる半導体素子を搭載する基板材料であって、
　この銅タングステン合金の銅の含有量が１０〜３０重量％である半導素子を搭載する基板材料。」の点で一致し、次の点で相違する。
　
ａ．前記「半導体素子を搭載する基板材料」が本願補正発明では、「半導体レーザモジュール用パッケージ」とされているのに対し、引用発明は、このような特定を有さない点。
ｂ．前記「銅タングステン合金」について、本願補正発明は「微細構造がタングステン粒子間の隙間に銅が入り込んだ構造であり、銅タングステン合金中のタングステン粒子の粒径が１５μｍ以下で、かつ平均粒径が０．５〜３．５μｍ」であるのに対し、引用発明がこのようなものであるか不明な点。
　
４．相違点についての検討
　上記相違点ａについて検討する。
　例えば、本願明細書の【００１７】において引用されている原出願の出願前に頒布された刊行物である特開平５−３２７０３１号公報の【要約】には、
「【目的】本発明は放熱を必要とする半導体素子が内設される光半導体モジュールに関し、放熱効率の向上及び製造工程の簡単化を図ることを目的とする。
【構成】ケース本体２１内に、ＬＤ素子２５等を含む複数の素子と、ケース本体２１内における温度管理を行うサーモエレメント２９とを具備する光半導体モジュールにおいて、上記パッケージ本体２１を、出射成形焼結法を用いて銅−タングステン或いは銅−モリブデンの複合材にて形成した。」と記載されている。
　このように、ＬＤ素子（レーザダイオード素子）を具備する光半導体モジュールのパッケージを出射成形焼結法を用いて形成された銅−タングステンの複合材で形成することが周知であるから、引用発明の「半導体素子を搭載するＣｕ−Ｗ系放熱基板材料」を本願補正発明のように「半導体レーザモジュール用パッケージ」とすることは当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
　上記相違点ｂについて検討する。
　引用発明の「Ｃｕ−Ｗ系放熱基板材料」は、粒径が１０μｍ以下で、平均粒径が２〜３μｍのＷ粉末、Ｃｕ粉末、焼結助剤としてのＮｉ粉末を混合、混練、射出成形し、得られた成形体に脱バインダー処理をし、その後、成形体を１５５０℃で焼結したものである。
　ここで、岩波理化学辞典第４版（岩波書店１９８７年１０月１２日発行）によれば、タングステンの融点は３４００℃、銅の融点は１０８３．４℃とされている。
　してみると、粒径が１０μｍ以下で、平均粒径が２〜３μｍのＷ粉末、Ｃｕ粉末、焼結助剤としてのＮｉ粉末を混合、混練、射出成形した成形体を１５５０℃で焼結した場合には、タングステン粒子は溶けることなく、銅が溶けて、タングステン粒子間の隙間に銅が入り込んだ構造となり、また、そのタングステン粒子の粒径は、原料粉末の粒径と同じであり、粒径が１０μｍ以下で平均粒径が２〜３μｍであると考えられるところである。
　したがって、引用発明の「Ｃｕ−Ｗ系放熱基板材料」について、「銅タングステン合金の微細構造がタングステン粒子間の隙間に銅が入り込んだ構造であり、銅タングステン合金中のタングステン粒子の粒径が１５μｍ以下で、かつ平均粒径が０．５〜３．５μｍ」であると想定することは、当業者が容易になし得たものと認められる。
　なお、請求人は、審判請求書において、特開２００１−２４１０２号公報等を参考資料として提出して、参考資料に「焼結時にヘビーアロイメカニズム理論によって、高融点の金属粒子がオストワルド成長と称する粒成長をしながら、その粒径が大きくなる現象がある旨の記載がある」と主張するとともに、「したがって、例えば引用文献１に原料となるＷ粉末の平均粒径が２〜３μｍであるとの記載があっても、このＷ粉末を用いて金属射出成型法によって得られたＷ系合金中のＷ粒子の平均粒径が２〜３μｍとなることはなく、これよりも平均粒径が大きくなる可能性が高く、当然本願発明での０．５〜３．５μｍになっているものとは考えられないものであります。」と主張するが、引用発明における焼結過程がヘビーアロイメカニズム理論によるものであると考えなければならない理由はない。
　むしろ、ヘビーアロイメカニズム理論を記載する上記特開２００１−２４１０２号公報においては、【００１５】【表１】に記載される金属の混合粉末の成分は、全てＣｕの重量％よりもＮｉの重量％が大きいものであるところ、引用発明においては、Ｃｕが１０重量％に対し、Ｎｉは０．５重量％でしかないのだから、このような成分比の引用発明における焼結課程をヘビーアロイメカニズム理論によるものと考えることには無理があるというべきである。
　
　以上のとおりであって、引用発明の「Ｃｕ−Ｗ系放熱基板材料」は、「銅タングステン合金の微細構造がタングステン粒子間の隙間に銅が入り込んだ構造であり、銅タングステン合金中のタングステン粒子の粒径が１５μｍ以下で、かつ平均粒径が０．５〜３．５μｍ」であると考えられるところであるが、仮に、実際に作成されたものがこのようなものになっていないとしても、引用発明の「Ｃｕ−Ｗ系放熱基板材料」が「銅タングステン合金の微細構造がタングステン粒子間の隙間に銅が入り込んだ構造であり、銅タングステン合金中のタングステン粒子の粒径が１５μｍ以下で、かつ平均粒径が０．５〜３．５μｍ」となっているのではないかと類推すること自体は、上記銅とタングステンの融点から容易に想到し得るのであって、結局、上記相違点ｂに係る本願補正発明の発明特定事項は当業者が容易に想到し得るものである。
　
　さらにいえば、本願補正発明の上記相違点ｂに係る発明特定事項にしても、実際の観察や測定結果に基づくものであるとの記載は本願明細書になく、次の（１）、（２）の点からみて、原料粉末の粒径から類推したにすぎないものと考えられるところである。
（１）本願明細書【００５２】〜【００５９】には、実施例が記載されているが、ＣｕＷ焼結体を平均粒径２μｍのＷ粉末を用いて製造したことが記載されているだけであり、作成されたＣｕＷ焼結体の構造や作成されたＣｕ焼結体におけるＷの粒径については何らの記載もない。（作成されたＣｕＷ焼結体に関する記載としては、Ｃｕの含有量、ＣｕＷ焼結体の熱伝導率及び破断強度が記載されているのみである。）
（２）本願明細書【００４９】〜【００５１】には、
「図３は、ＣｕＷ合金におけるＷ粉末の平均粒径と、ＣｕＷ合金の熱伝導率との関係をＣｕの含有量が１０重量％の場合と、３０重量％の場合とを示したグラフである。
　図４は、ＣｕＷ合金におけるＷ粉末の平均粒径と、ＣｕＷ合金の強度との関係を示したグラフであり、Ｃｕの含有量が１０重量％の場合と、３０重量％の場合とを示したグラフである。
　【００５０】
　これらのグラフは、実際に用いるＷ粉末の平均粒径と銅の含有量を変えて、ＭＩＭ法において、ＣｕＷ合金（試料）を製造し、この熱伝導率および強度を測定したデータをもとに作成したものである。
　【００５１】
　このグラフから、ＣｕＷ合金中のＷ粉末の平均粒径が０．５〜３．５μｍとしたときに、ＣｕＷ合金の熱伝導率および強度が向上すること、これらの特性がＣｕ含有量に関係することがわかる。また、ＣｕＷ合金における銅の含有量を１０〜３０％とすることで、ＣｕＷ合金における熱伝導率を、１６０〜２８０Ｗ／ｍＫと高くすることができるとともに、その強度を１３００〜１６５０ＭＰａとすることができることがわかる。」
と記載され、この記載によれば、図３及び図４における横軸である平均粒径は、「ＣｕＷ合金中のＷ粉末の平均粒径」であるかのようであるが、「平均粒径が０．５〜３．５μｍ」であることと、「熱伝導率が１６０〜２８０Ｗ／ｍＫ」、「強度が１３００〜１６５０ＭＰａ」であることとは対応しておらず（図において、熱伝導率が１６０Ｗ／ｍＫに対応するのは、平均粒径が５μｍであり、また、強度が１３００ＭＰａに対応するのも平均粒径が５μｍであって、平均粒径が３．５μｍではない）、本願明細書のこの部分の記載は、合理的なものとはいえない。
　そこで、原出願の明細書（以下「原明細書」という。）における対応する部分の記載をみると次のとおりである。
「【００３６】図３は、ＣｕＷ合金におけるＷ粉末の平均粒径と、ＣｕＷ合金の熱伝導率との関係をＣｕの含有量が１０重量％のときと、３０重量％のときとを示したグラフである。また、図４は、ＣｕＷ合金におけるＷ粉末の平均粒径と、ＣｕＷ合金の強度との関係を示したグラフであり、Ｃｕの含有量が１０重量％のときと、３０重量％のときとを示したグラフである。
【００３７】これらのグラフは、実際に、用いるＷ粉末の平均粒径と銅の含有量を変えて、ＭＩＭ法において、ＣｕＷ合金（試料）を製造し、この熱伝導率および強度を測定したデータをもとに作成したものである。
【００３８】このグラフから、Ｗ粉末の平均粒径を０．１から５μｍとしたときに、ＣｕＷ合金の熱伝導率および強度が向上すること、これらの特性がＣｕ含有量に関係することがわかる。また、製造に用いるＷ粉末の平均粒径を０．１〜５μｍとし、ＣｕＷ合金における銅の含有量を１０〜３０％とすることで、ＣｕＷ合金における熱伝導率を、１６０〜２８０Ｗ/ｍＫと高くすることができるとともに、その強度を１３００〜１６５０ＭＰａとすることができることがわかる。」
　本願明細書においても、【００５０】の記載からすれば、平均粒径は、「実際に用いるＷ粉末」、すなわち、原料の粉末の粒径のことであり、作成されたＣｕＷ合金（試料）については、熱伝導率および強度の測定しか行われておらず、タングステンの平均粒径は測定されていないことが窺えるところであるが、原明細書の【００３８】には、「このグラフから、Ｗ粉末の平均粒径を０．１から５μｍとしたときに」と記載され、本願明細書のように「このグラフから、ＣｕＷ合金中のＷ粉末の平均粒径が０．５〜３．５μｍとしたとき」とは記載されていないこと、また、原明細書の【００３８】には、「製造に用いるＷ粉末の平均粒径を０．１〜５μｍとし、ＣｕＷ合金における銅の含有量を１０〜３０％とすることで、ＣｕＷ合金における熱伝導率を、１６０〜２８０Ｗ/ｍＫと高くすることができるとともに、その強度を１３００〜１６５０ＭＰａとすることができる」と、図３及び図４における横軸の平均粒径は「製造に用いるＷ粉末の平均粒径」であると明記されていることからすれば、本願図面の図３及び図４は、それぞれ、製造に用いるＷ粉末の平均粒径とＣｕＷ合金の熱伝導率及びＣｕＷ合金の強度との関係を示したものであると認められるところであり、結局、本願補正発明の「銅タングステン合金中のタングステン粒子の粒径が１５μｍ以下で、かつ平均粒径が０．５〜３．５μｍであり」との事項は、実際の測定に基づくものではなく、「銅タングステン合金中のタングステン粒子の粒径」は「製造に用いるＷ粉末の粒径」と変わるものではなく同じであるとの推測に基づくものと考えられるところである。　
　
４．むすび
　以上のとおりであって、本願補正発明は、引用発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、平成１４年法律第２４号第１条による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
III．本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、出願時の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、本件補正発明から、「金属射出成型法によって得られた」との限定事項を省いたものである。
　
２．判断
　本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに限定したものである本願補正発明が、上記II．［理由］２．〜３．において検討したとおり、上記引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、本願発明が、同様の理由により、上記引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであることは、明らかである。
　
３．むすび
　以上のとおり、本願発明は、上記引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。