【事件の表示】
　平成１０年特許願第　７４３９２号「固体撮像装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１０月　８日出願公開、特開平１１−２７４４６２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１０年３月２３日の出願であって、平成１９年５月１日に意見書及び手続補正書が提出され、平成２０年１０月２２日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年１１月２７日に拒絶査定に対する審判請求がされるとともに、平成２１年１月５日に手続補正書が提出され、その後、平成２３年１月２５日に面接が実施され、同年１月３１日付けで、当審により、平成２１年１月５日に提出された手続補正書による補正を却下する決定がなされるとともに拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、その指定期間内である同年４月４日に意見書が提出されたものである。
　
第２．本願発明
　平成２１年１月５日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されているので、本願の請求項１及び２に係る発明は、平成１９年５月１日に提出された手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載されている事項により特定されるものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】　第１導電型の半導体領域に、第２導電型の第１の半導体領域が形成され、その表面に第１導電型の高不純物濃度層が形成された光電変換領域を有するセンサー部と、該センサー部から信号電荷を読み出す絶縁ゲートトランジスタとを有する複数の単位画素が配列されてなる固体撮像装置であって、
　上記センサー部の上記光電変換領域は、信号電荷に対する単一のポテンシャルの窪みを形成し、
　上記絶縁ゲートトランジスタのゲート電極は、そのチャネル幅方向の中間部が、上記ポテンシャルの窪みの頂部上もしくは該頂部の近傍上に位置するパターンに形成されたことを特徴とする固体撮像装置。」
　
第３．当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由のうち、特許請求の範囲の記載の明確性（特許法第３６条第６項２号）については、以下のとおりに判断がなされている。
　
「２　新規性（特許法第２９条第１項第３号）及び進歩性（特許法第２９条第２項）並びに特許請求の範囲の記載の明確性（特許法第３６条第６項第２号）について
・・・（中略）・・・
（４）特許請求の範囲の記載の明確性（特許法第３６条第６項第２号）についての判断
　仮に、上記『（２）新規性についての判断』及び上記『（３）進歩性についての判断』で述べたとおりではないとしても、本願の請求項１及び２に係る発明は、どのような観点から引用文献１に記載された発明と区別ができ、かつ、引用文献１−３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえないのか、特に
『上記センサー部の上記光電変換領域は、信号電荷に対する単一のポテンシャルの窪みを形成し、 
　上記光電変換領域の中心付近にある上記絶縁ゲートトランジスタのゲート電極は、上記ポテンシャルの窪みの頂部上もしくは該頂部の近傍上に位置するパターンに形成された』
との発明を特定するための事項に関し、的確に新規性・進歩性等の特許要件の判断ができる程度にまで発明の把握ができるとはいえない。
　そうすると、本願の特許請求の範囲の記載は明確でなく、特許法第３６条第６項第２号の規定に適合しない。」
「３　実施可能要件（特許法第３６条第４項）及び特許請求の範囲の記載の明確性（特許法第３６条第６項第２号）について  
　本願の請求項１及び２に係る発明は 
『上記センサー部の上記光電変換領域は、信号電荷に対する単一のポテンシャルの窪みを形成し、 
　上記光電変換領域の中心付近にある上記絶縁ゲートトランジスタのゲート電極は、上記ポテンシャルの窪みの頂部上もしくは該頂部の近傍上に位置するパターンに形成された』
とされるものであるが、そこに示される光電変換領域における『ポテンシャルの窪みの頂部』とは、どのような状態において実現する『ポテンシャルの窪み』を指し、かつ、どのようにその『頂部』を把握すれば良いのかが不明確である。 
　すなわち、『ポテンシャルの窪み』が、絶縁ゲートトランジスタがオフの状態においてポテンシャルが極小となる点を意味するものであると仮定すると、絶縁ゲートトランジスタがオフの状態では、ポテンシャルが極小となる地点がゲートから離れた位置になることは、電磁気学的に観て明らかであるから（光電変換領域にどのような分布で電荷が蓄積していたとしても、当該領域の端部であるゲート電極の部位においてポテンシャルがピークとなることは考えられない。）、請求項１に記載された『絶縁ゲートトランジスタのゲート電極は、上記ポテンシャルの窪みの頂部若しくは該頂部の近傍上に位置するパターンに形成された』という構成と明らかに矛盾し、また、『ポテンシャル窪み』が、絶縁ゲートトランジスタがオンの状態においてポテンシャルが極小となる点を意味するものであると仮定しても、絶縁ゲートトランジスタがオンの状態においては、そもそもポテンシャルの窪み自体が存在しないことは、平成２１年１月５日に補正された審判請求書記載の図５．２６等から当業者にとって明らかであるから、やはり請求項１の上記構成と矛盾するものと認められる。 
　一方、本願の発明の詳細な説明には、『ポテンシャルの窪み』がどのような状態におけるものであるのかについての説明が全くなされていない。 
　そうすると、本願の発明の詳細な説明に基づいて、本願の各請求項に係る発明のポイントといえる『ポテンシャルの窪み』の実体がどのようなものであり、それをどのように実現したら良いのかを把握することは困難であると認められる。 
　したがって、本願明細書の発明の詳細な説明の記載は、当業者が本願の請求項１及び２に係る発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているものではなく、特許法第３６条第４項に規定する要件に適合するものではない。また、本願の特許請求の範囲の記載は明確ではなく、特許法第３６条第６項第２号の規定に適合するものではない。」
　
第４．当審の判断（特許法第３６条第６項第２号について）
　特許請求の範囲の記載の明確性（特許法第３６条第６項２号）について、以下に検討する。
　
１．本願発明は、平成１９年５月１日に提出された手続補正書により補正された、明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載されているとおり、
「第１導電型の半導体領域に、第２導電型の第１の半導体領域が形成され、その表面に第１導電型の高不純物濃度層が形成された光電変換領域を有するセンサー部と、該センサー部から信号電荷を読み出す絶縁ゲートトランジスタとを有する複数の単位画素が配列されてなる固体撮像装置」において、
（ａ）「上記センサー部の上記光電変換領域は、信号電荷に対する単一のポテンシャルの窪みを形成し、」
（ｂ）「上記絶縁ゲートトランジスタのゲート電極は、そのチャネル幅方向の中間部が、上記ポテンシャルの窪みの頂部上もしくは該頂部の近傍上に位置するパターンに形成された」
という発明特定事項を備えている。
　
２．しかしながら、上記１．に記載した発明特定事項のうち、上記（ａ）の構成における「信号電荷に対する単一のポテンシャルの窪み」なるものは、どのような状態におけるポテンシャルの窪みを意味するのかが不明である。
　すなわち、上記（ａ）の構成の「信号電荷に対する単一のポテンシャルの窪み」は、絶縁ゲートトランジスタがオフの時のものとも、オンの時のものとも特定されていないところ、
　
ア　「信号電荷に対する単一のポテンシャルの窪み」が絶縁ゲートトランジスタがオフの状態においてポテンシャルが極小となる点を意味するものと解釈すると、そのような点がゲートから離れた位置になることは、電磁気学的にみて明らか（光電変換領域にどのような分布で電荷が蓄積していたとしても、当該領域の端部であるゲート電極の部位においてポテンシャルがピークとなることは考えられない。）なことであり、上記（ｂ）における「上記絶縁ゲートトランジスタのゲート電極は、そのチャネル幅方向の中間部が、上記ポテンシャルの窪みの頂部上もしくは該頂部の近傍上に位置するパターンに形成された」という構成と矛盾をしていることは明らかである。
　
イ　また、「信号電荷に対する単一のポテンシャルの窪み」が絶縁ゲートトランジスタがオンの状態においてポテンシャルが極小となる点を意味するものと解釈しても、そのような点は信号電荷の読み出しを完全に行うために支障となるものであり、明細書の０００８段落に記載された「センサー部から信号電荷を、読み出しトランジスタによって、低い読み出し電圧で完全に信号電荷読み出しを行うことに問題が生じている。」という従来技術の問題点を解決することができないことに加えて、審判請求人が提出した審判請求書記載の図５．２６等において、絶縁ゲートトランジスタがオンの状態において信号電荷の溜まるポテンシャルの窪み自体存在しないこととも矛盾をすることは明らかである。
　
ウ　さらには、本願明細書及び図面の記載並びに本願出願時の技術常識を考慮しても、本願発明の「信号電荷に対する単一のポテンシャルの窪み」とは、どのような状態におけるポテンシャルの窪みを意味するものであるのかを当業者が明確に把握することはできないものと認められる。
　
３．以上のとおり、本願発明は、「信号電荷に対する単一のポテンシャルの窪み」という当業者がその技術的意味を明確に把握することができない事項を含むものであるから、不明確であることが明らかである。
　したがって、本願の請求項１の記載は、特許を受けようとする発明が明確ではないから、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
４．なお、審判請求人は、平成２３年４月４日に提出した意見書において、本願発明の「固体撮像装置」は、「ゲート部を形成する前の光電変換領域のみの状態でのポテンシャルを確認して、その後、ポテンシャルの窪みに合わせてゲート部を配置」したものであると説明し、本願発明の「信号電荷に対する単一のポテンシャルの窪み」とは、「ゲート部を形成する前の光電変換領域のみの状態」における「ポテンシャルの窪み」を意味するものであって、明確であるから、本願発明は不明確なものではない旨の主張をしている。
　そこで、これについて検討すると、本願発明は物の発明であるところ、本願の請求項１における「第１導電型の半導体領域に、第２導電型の第１の半導体領域が形成され、その表面に第１導電型の高不純物濃度層が形成された光電変換領域を有するセンサー部と、該センサー部から信号電荷を読み出す絶縁ゲートトランジスタとを有する複数の単位画素が配列されてなる固体撮像装置であって、　
上記センサー部の上記光電変換領域は、信号電荷に対する単一のポテンシャルの窪みを形成し
　それに対して、審判請求人の主張は、当該「信号電荷に対する単一のポテンシャルの窪み」が形成される箇所が、本願発明に係る「固体撮像装置」における「光電変換領域」ではなく、「ゲート部を形成する前の光電変換領域のみの状態」という、本願発明に係る「固体撮像素子」を設計する段階で考慮される仮想的な「光電変換領域」における「ポテンシャルの窪み」であることを主張するものであって、特許請求の範囲の記載に基づかないものであることは明らかであるから、採用することができない。
　
第５．結言
　以上のとおりであるから、本願は、当審拒絶理由における他の拒絶の理由について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。