【事件の表示】
　平成１１年特許願第５３４０７５号「プラズマ外側蒸着を使用する光ファイバ製造用管状部材の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　７月　１日国際公開、ＷＯ９９／３２４１２、平成１３年　８月２１日国内公表、特表２００１−５１２４１４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は１９９８年１２月１７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９７年１２月１９日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１９年８月２７日付けで拒絶理由が通知され、平成２０年３月４日に意見書及び明細書の記載に係る手続補正書が提出され、同年８月２２日付けで拒絶査定され、同年１２月１日に拒絶査定不服審判請求されたものである。
　本願の請求項１〜７に係る発明は、平成２０年３月４日付けで補正された明細書の特許請求の範囲第１〜７項に記載された事項に特定されるとおりであるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「光ファイバ形成に使用するのに適した純度及び屈折率を有しているほぼ純粋なシリカガラスのスターター管を黒鉛のターゲット上に形成させる方法において、
　高周波誘導コイルと、上記ターゲットを上記コイルから３０−５５ｍｍ離間させる間隔とを含み、上記ターゲットの長さに沿って選択的に位置決めすることができる高周波誘導プラズマトーチを準備するステップと、
　空気と、酸素及び窒素の混合物と、からなる群から選択される必要なガスと２ｐｐｍより低い水酸基含量とを有するプラズマガスを上記誘導プラズマトーチ内に導入して上記コイル内にプラズマを形成させるステップと、
　少なくともＳｉＣｌ４及び０．５ｐｐｍより低い水酸基含量を有するソースガスを上記プラズマ内に注入するステップと、
　上記ターゲットと上記コイルとの間の上記間隔を維持しながら、上記プラズマ及び上記ソースガスの少なくとも１つの反応生成物を上記黒鉛のターゲット上に沈積させるステップと、
　上記黒鉛のターゲットを取り除き、上記ほぼ純粋なシリカガラスの管を得るステップと、
　を含んでいることを特徴とする方法。」
　
　なお、上記「ＳｉＣｌ４」は「ＳｉＣｌ４」の明らかな誤記として以下検討する。
　
２．引用文献、周知文献及び参考文献
２−１．引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用例１として引用された本願出願の優先日前に頒布された刊行物である特開昭６０−１５１２４１号公報（以下、「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。
（２−１−１）「高周波プラズマトーチにより酸素プラズマ炎を発生させ該プラズマ炎にガラス形成用の原料を供給し、加熱酸化反応によりガラス旋盤に支持されるターゲット棒外周面に直接ガラス合成を行う方法において、上記高周波プラズマトーチに対する上記ターゲット棒外周もしくは該ターゲット棒外周上に形成されたガラス膜表面との距離を常時、２０〜３０ｍｍに保持し、上記ガラス膜形成を行うことを特徴とする光ファイバ母材の製造方法。」（特許請求の範囲）
（２−１−２）「〔発明の背景と目的〕
・・・・・・
　一方、プラズマ炎を用いる場合、プラズマの高温を利用して直接ガラス形成が可能である。・・・・・・プラズマ中心とターゲットとの距離により、ターゲット上に形成される合成ガラスは、不透明体か、または透明ガラス化温度領域内でも一定の距離を保たなければ、形成されるガラスの屈折率は変化し、長手方向の均一性が悪く、低損失な光ファイバ母材の製造はできない。
　本発明は上記の状況に鑑みなされたものであり、長手方向に低損失なガラス膜を均一に形成できる光ファイバ母材の製造方法を提供することを目的としたものである。」（１頁左欄１５行〜同頁右欄１８行）
（２−１−３）「〔実施例〕
・・・・・・
　そして、高周波プラズマトーチ１に矢印の如く酸素が送り込まれて酸素プラズマ炎が発生され、・・・・・・ＳｉＣｌ４・・・・・・ＣＦ２Ｃｌ２ガス・・・・・を酸素ガスキャリアにしてプラズマ炎の下方で反応チャンバ４内に送り込み反応させ・・・・・・石英ガラス棒のターゲット棒６に、ＦドープＳｉＯ２系ガラス膜７を堆積させる。ターゲット棒６はガラス旋盤５によって一定の回転数に回転駆動されるようになっており、ガラス旋盤５はベッド９上を矢印の軸方向に駆動されてターゲット棒６の外周及び長手方向にガラス膜７が形成されるようになっている。・・・・・・。
・・・・・・
・・・・・・上記のガス組成で透明ガラス膜を形成できる範囲は、距離ｘが２０〜３０ｍｍの間であった。」（２頁左上欄９行〜同頁左下欄９行）
（２−１−４）「〔発明の効果〕
・・・・・・長手方向に低損失なガラス膜を均一に形成できる効果を有するものである。」（２頁右下欄１７〜２０行））
　
２−２．引用文献２
　原査定の拒絶の理由に引用例３として引用された本願出願の優先日前に頒布された刊行物である特開昭６３−１１５４１号公報（以下、「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている。
（２−２−１）「光フアイバ用ガラス母材を造るのに光ファイバのコアとなる透明なガラス棒の外周に、気相反応を利用して光ファイバのクラッドとなるガラス微粉末（スート）を堆積させ加熱炉内にて焼成して光ファイバ用ガラス母材とする方法があり・・・・・・その熱源として酸水素バーナのようなＯＨ基を発生する燃焼ガスを使用すると、そのＯＨ基がコア部材の内部に多量に拡散し、光ファイバとしての最終的な伝送損失を増大させる。現在光通信で使用されている光の波長は１．３μｍ帯が最も多いが、この波長域での伝送損失を０．５ｄＢ／ｋｍ以下にするには、コア内のＯＨ基の残留量をおおよそ１００ｐｐｂ以下の極く微量にしなければならない。」（１頁右欄１４行〜２頁左上欄１７行）
　
２−３．周知文献１
　本願出願の優先日前に頒布された刊行物である「”日本工業規格　酸素”　財団法人日本規格協会（昭和５７年１１月３０日）」（以下、「周知文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。
（２−３−１）「
　　　　　　日本工業規格　　　ＪＩＳ
・・・・・・酸　　　　　素　　Ｋ１１０１−１９８２
・・・・・・
１．適用範囲　この規格は、液化酸素及び圧縮酸素であって、高圧ガス容器に充てんした工業用の酸素（以下、酸素という。）について規定する。
２．品質　酸素は、３．によって試験し、次の表の規定に適合しなければならない。
・・・・・・
３．４　水分　水分の試験は、室温で、容器をその容器弁が下になるように転倒し、５分間保持した後、乾燥した受器の中に酸素を１分間静かに放出し、凝縮した水分の有無を肉眼で調べる。」（１頁１行〜２頁２０行）
　
２−４．周知文献２
　本願出願の優先日前に頒布された刊行物である「日本工業規格　高純度窒素　財団法人日本規格協会（昭和６０年５月３１日）」（以下、「周知文献２」という。）には、以下の事項が記載されている。
（２−４−１）「
　　　　　日本工業規格　　　ＪＩＳ
　　　　　高純度窒素　　　　Ｋ　１１０７−１９８５
・・・・・・
１．適用範囲　この規格は、液化窒素及び圧縮窒素であって、高圧ガス容器に充てんした工業用の高純度窒素（以下、窒素という。）について規定する。
２．等級　窒素は、品質によって１級及び２級の２等級とする。
３．品質　窒素の品質は、４によって試験し、次の表の規定に適合しなければならない。
・・・・・・
４．６　水分　水分の試験は、ＪＩＳ　Ｋ　０２２６による。」（１頁本文１行〜２頁１６行）
　
２−５．参考文献１
　本願出願の優先日後に頒布された刊行物である「”ＪＩＳ　Ｋ　１１０１　酸素”　財団法人日本規格協会（平成１８年２月２０日）」（以下、「参考文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。
（２−４−１）「１．適用範囲　この規格は、高圧ガス容器に充てんした工業用の酸素（液化酸素及び圧縮酸素）（以下、酸素という。）について規定する。
・・・・・・
３．品質　酸素の品質は、４．によって試験したとき、次の表１の規定に適合しなければならない。
　
」（本文１頁１〜同頁下から６行目上の表１まで）
　
３．対比・判断
（あ）上記（２−１−１）に記載の「光ファイバ母材の製造方法」は、「高周波プラズマトーチにより酸素プラズマ炎を発生させ該プラズマ炎にガラス形成用の原料を供給し、加熱酸化反応によりガラス旋盤に支持されるターゲット棒外周面に直接ガラス合成を行う」ものであって、「上記高周波プラズマトーチに対する上記ターゲット棒外周もしくは該ターゲット棒外周上に形成されたガラス膜表面との距離を常時、２０〜３０ｍｍに保持し、上記ガラス膜形成を行う」ものである。
（い）上記（２−１−３）の「ターゲット棒６はガラス旋盤５によって一定の回転数に回転駆動されるようになっており、ガラス旋盤５はベッド９上を矢印の軸方向に駆動されてターゲット棒６の外周及び長手方向にガラス膜７が形成されるようになっている。」との記載をみると、上記（２−１−１）の「常時」とは「ターゲット棒の長手方向」にわたってとみることが自然である。
（う）上記（２−１−３）の「石英ガラス棒のターゲット棒」との記載をみると、ターゲット棒は石英ガラスといえる。
　そうすると、上記（あ）〜（う）の検討結果を併せみると、引用文献１には、
「高周波プラズマトーチにより酸素プラズマ炎を発生させ該プラズマ炎にガラス形成用の原料を供給し、加熱酸化反応によりガラス旋盤に支持される石英ガラスのターゲット棒外周面に直接ガラス合成を行う光ファイバ母材の製造方法において、上記高周波プラズマトーチに対する上記石英ガラスのターゲット棒外周もしくは該石英ガラスのターゲット棒外周上に形成されたガラス膜表面との距離を、該石英ガラスのターゲット棒の長手方向にわたって、２０〜３０ｍｍに保持し、上記ガラス膜形成を行う光ファイバ母材の製造方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
　本願発明と引用発明とを対比する。
（か）引用発明の「光ファイバ母材」は、上記（２−１−３）に記載された「石英ガラス棒のターゲット棒６に、ＦドープＳｉＯ２系ガラス膜７を堆積させ」たものとみることができるから、本願発明の「光ファイバ形成に使用するのに適した純度及び屈折率を有しているほぼ純粋なシリカガラスのスターター管」に相当し、引用発明の「ターゲット棒」は、本願発明の「ターゲット」に相当する。
　よって、引用発明の「光ファイバ母材の製造方法」は、「光ファイバ形成に使用するのに適した純度及び屈折率を有しているほぼ純粋なシリカガラスのスターター管をターゲット上に形成させる方法」といえる。
（き）引用発明の「高周波プラズマトーチ」は、引用文献１には明記されていないが高周波誘導コイルを有していること、及び、この高周波誘導コイルはトーチ先端より基部側に設けていることは技術常識に照らして明らかであり、「高周波プラズマトーチ」と「高周波誘導プラズマトーチ」は同義であるから、
引用発明において「高周波プラズマトーチに対する上記石英ガラスのターゲット棒外周もしくは該石英ガラスのターゲット棒外周上に形成されたガラス膜表面との距離を、該石英ガラスのターゲット棒の長手方向にわたって、２０〜３０ｍｍに保持し」ていることは、本願発明の「高周波誘導コイルと、上記ターゲットを上記コイルから離間させる間隔とを含み、上記ターゲットの長さに沿って選択的に位置決めすることができる高周波誘導プラズマトーチを準備するステップ」を有しているといえる。
（く）引用発明の「高周波プラズマトーチにより酸素プラズマ炎を発生させ」ることは、本願発明の「プラズマガスを上記誘導プラズマトーチ内に導入して上記コイル内にプラズマを形成させるステップ」に他ならない。
（け）引用発明の「ガラス形成用の原料」とは、上記（２−１−３）に「ＳｉＣｌ４・・・・・・ＣＦ２Ｃｌ２ガス・・・・・を酸素ガスキャリアにしてプラズマ炎の下方で反応チャンバ４内に送り込み反応させ」と記載されていることからみて、「ＳｉＣｌ４、ＣＦ２Ｃｌ２ガス」を含むといえるから、引用発明の「プラズマ炎にガラス形成用の原料を供給し」は、本願発明の「少なくともＳｉＣｌ４を有するソースガスを上記プラズマ内に注入するステップ」に相当するとみることができる。
（こ）引用発明の「光ファイバ母材の製造方法」は「高周波プラズマトーチに対する石英ガラスのターゲット棒外周もしくは該石英ガラスのターゲット棒外周上に形成されたガラス膜表面との距離を、該石英ガラスのターゲット棒の長手方向にわたって、２０〜３０ｍｍに保持しガラス膜形成を行う」ものであるから、上記（き）及び（け）の検討を併せみると、本願発明の「上記ターゲットと上記コイルとの間の上記間隔を維持しながら、上記プラズマ及び上記ソースガスの少なくとも１つの反応生成物を上記ターゲット上に沈積させるステップ」を有しているといえる。
（さ）引用発明の「光ファイバ母材の製造方法」は「ガラス膜形成を行う」ものであり、上記（か）の検討を併せみると、「ほぼ純粋なシリカガラスの管を得るステップ」を有することは明らかである。
　よって、上記（か）〜（さ）の検討を踏まえると、両者は、
「光ファイバ形成に使用するのに適した純度及び屈折率を有しているほぼ純粋なシリカガラスのスターター管をターゲット上に形成させる方法において、
　高周波誘導コイルと、上記ターゲットを上記コイルから離間させる間隔とを含み、上記ターゲットの長さに沿って選択的に位置決めすることができる高周波誘導プラズマトーチを準備するステップと、
　プラズマガスを上記誘導プラズマトーチ内に導入して上記コイル内にプラズマを形成させるステップと、
　少なくともＳｉＣｌ４を有するソースガスを上記プラズマ内に注入するステップと、
　上記ターゲットと上記コイルとの間の上記間隔を維持しながら、上記プラズマ及び上記ソースガスの少なくとも１つの反応生成物を上記黒鉛のターゲット上に沈積させるステップと、
　上記ほぼ純粋なシリカガラスの管を得るステップと、
　を含んでいる方法。」である点で一致し、次の点で相違している。
相違点Ａ：本願発明はターゲットが黒鉛であり、この黒鉛ターゲットを取り除きシリカガラスの管を得ているのに対し、引用発明はターゲットが石英ガラスであり、ターゲットを取り除いてシリカガラスの管を得ていることについて明記がない点
相違点Ｂ：ターゲットを高周波誘導コイルから離間させる間隔につき、本願発明は３０−５５ｍｍであるのに対し、引用発明はかかる間隔について明記はなく、高周波プラズマトーチに対する石英ガラスのターゲット棒外周もしくは該石英ガラスのターゲット棒外周上に形成されたガラス膜表面との距離を２０〜３０ｍｍとしている点
相違点Ｃ：プラズマガスにつき、本願発明は、空気と、酸素及び窒素の混合物と、からなる群から選択される必要なガスであるのに対し、引用発明は酸素である点
相違点Ｄ：本願発明はプラズマガスの水酸基含有量が２ｐｐｍより低く、また、ソースガスの水酸基含有量が０．５ｐｐｍより低いものであるのに対し、引用発明はかかる水酸基含有量について明記がない点
　次に、これら相違点について検討する。
・相違点Ａについて
　シリカガラスの管を製造するに当たり、ターゲットの材質は適宜選択するものであり、ターゲット棒として黒鉛を用い、この黒鉛のターゲットを取り除き、シリカガラスの管を得ることは周知技術（要すれば、特開昭６３−２８２７号公報の３頁左下欄１２行目〜４頁右下欄２行目、特開昭５５−７５９３３号公報の３頁右下欄４行目〜４頁左上欄８行目を参照。）であるから、当業者であればこの周知技術を採用し、上記相違点Ａに係る本願発明の特定事項をなすことは困難なくなし得ることである。
・相違点Ｂについて
　上記（２−１−２）の記載によれば、「一定の距離を保たなければ、形成されるガラスの屈折率は変化し、長手方向の均一性が悪く、低損失な光ファイバ母材の製造はできない」ため、引用発明において、「高周波プラズマトーチに対する石英ガラスのターゲット棒外周もしくは該石英ガラスのターゲット棒外周上に形成されたガラス膜表面との距離を、該石英ガラスのターゲット棒の長手方向にわたって、２０〜３０ｍｍに保持する」ことにより、上記（２−１−４）に記載される「長手方向に低損失なガラス膜を均一に形成できる効果を有するもの」という効果が奏されるものといえ、この２０〜３０ｍｍという距離は、上記（２−１−３）の「ガス組成で透明ガラス膜を形成できる範囲は、距離ｘが２０〜３０ｍｍ間であった。」との記載によれば、ガス組成（本願発明のソースガスの組成）、すなわち、キャリアガスの酸素ガスやＣＦ２Ｃｌ２ガスの量に依存するものといえる。
　そうすると、引用文献１のガス組成とは異なる他のガス組成であればこの距離は異なった値であることを引用文献１は教示しているから、ソースガスの組成に応じてこの距離を変更すること、その際にこの距離を高周波誘導コイルとターゲットとの距離に置き換えて定める程度のことは当業者であれば適宜なし得ることである。
・相違点Ｃについて
　引用発明は酸素プラズマを使用しているが、上記（２−１−２）の「プラズマ炎を用いる場合、プラズマの高温を利用して直接ガラス形成が可能である。」との記載をみると、引用文献１には他のプラズマでも使用できるとの教示があるといえ、一方、プラズマガスとして、空気、酸素及び窒素の混合物を用いることは、周知技術であるから（要すれば、特開平７−２０６４６３号公報の【００２７】、特開昭５６−１２９６２６号公報の４頁右下欄１６行目〜５頁右上欄１０行、特開平６３−２５２３９号公報の３頁右上欄１７〜１９行、特開昭６１−３６１３１号公報の特許請求の範囲第３項を参照。）、かかる周知技術を採用して、上記相違点Ｃに係る本願発明の特定事項をなすことは容易になし得ることである。
・相違点Ｄについて
　引用文献２の上記（２−２−１）には、「光フアイバ用ガラス母材」を製造するに当たり、「ＯＨ基がコア部材の内部に多量に拡散」すると、「光ファイバとしての最終的な伝送損失を増大させる。」こと、このコア部材内のＯＨ基の残留量として「おおよそ１００ｐｐｂ以下の極く微量」にすることが記載されているといえる。
　すなわち、引用文献２のこの記載に接した当業者は、光ファイバ用のガラス母材の製造に当たってコア部材内のＯＨ基の残留量を極く微量にすること、そしてこの残留量は少なければ少ないほど望ましいという教示を得ることは明らかである。
　一方、引用発明においてプラズマガスを発生させるガスとして、また、ソースガスにキャリアガスとして用いられる工業用酸素ガス、及び、上記相違点Ｃの検討のところで述べたプラズマガスとして用いる空気、窒素は、水を含むものである。このことは、「ＪＩＳ　Ｋ　１１０１」規格を定める周知文献１に「凝縮した水分を認めないこと」と記載されていることからみて、凝縮する量未満の水分を含むことは許容されているといえ、また、
「ＪＩＳ　Ｋ　１１０１」規格について、周知文献１の内容を改正したとみることができる参考文献１の表１の備考に「水分２０．７ｐｐｍ（体積）に相当する」と記載されており、この改正された規格では最大で水分２０．７ｐｐｍ（体積）の水分を許容していることからも窺い知ることができ、「ＪＩＳ　Ｋ　１１０７」規格を定める周知文献２の表に水分が最高で１５ｖｏｌｐｐｍ許容されているとが記載されている。
　そして、これらのガスに含まれる水はプラズマの高温に曝されるとＯＨ基の発生源となることは明らかだから、上記ＯＨ基の残量を少なくするべきとの教示に従い、プラズマガスやソースガスのキャリアガスとしての酸素の水分量を少なく、換言すれば、ＯＨ基の量を少なくするようにすることは、困難なくなし得ることであって、その際、この含有される許容量は、製造する光ファイバーに要求される物性や製造条件によって適宜決定し得るものといえ、本願発明において水酸基含量として特定されている「２ｐｐｍより低い」及び「０．５ｐｐｍより低い」という値に臨界性も見当たらない。
　そうすると、上記相違点Ｄに係る本願発明の特定事項をなすことは容易になし得ることである。
　
　そして、本願発明の奏する作用・効果は当業者であれば引用文献１及び２に記載された発明並びに周知技術から予想できる程度のものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１及び２に記載された発明並びに周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。