【事件の表示】
　特願２００２−　７８４８５「ＺｎＯ系エピタキシャル成長基板，ＺｎＯ系エピタキシャル下地基板，及びＺｎＯ系膜の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月　３日出願公開，特開２００３−２８２４３４〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１．　手続の経緯
　本件は，平成１４年３月２０日の出願であって，平成２０年８月２０日付けの拒絶理由通知に対して，同年１０月２４日に手続補正書及び意見書が提出されたが，同年１１月２７日付けで拒絶査定がされ，これに対して平成２１年１月５日に審判請求がされるとともに，同年２月４日に手続補正書が提出され，その後，当審において，平成２３年３月１１日付けで拒絶理由が通知され，これに対して，同年５月１３日に手続補正書及び意見書が提出されたものである。
　
　
２．　本願発明について
（１）　本願発明
　本願の請求項１及び２に係る発明は，平成２３年５月１３日に提出された手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるとおりのものであり，そのうち請求項１に係る発明は，特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるとおりのもの（以下「本願発明」という。）である。
　
「【請求項１】サファイア単結晶材料からなる基材と，この基材上にエピタキシャル成長された，少なくともＡｌを含むIII族窒化物膜と，このIII族窒化物膜上にエピタキシャル成長されたＺｎＯ系膜とを具えるＺｎＯ系膜エピタキシャル成長用基板であって，
　前記III族窒化物膜は，その総てのIII族元素に対してＡｌを５０原子％以上含有し，ＡｌＮから構成され，（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅（ＦＷＨＭ）が１００秒以下であると共に，膜中における転位密度が１０１１／ｃｍ２以下で，ＭＯＣＶＤ法により１１００℃以上の温度でエピタキシャル成長させて形成した，厚さ０．１〜１００μｍのものであり，前記ＺｎＯ系膜の厚さが０．１〜１００μｍである，ことを特徴とする，ＺｎＯ系膜エピタキシャル成長用基板。」
　
（２）　刊行物に記載された発明
　ア　国際公開第００／１６４１１号
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である国際公開第００／１６４１１号（以下「引用例１」という。）には，図１とともに以下の記載がある。（下線は当審において付加。以下同様。）
　
（ア）　発明の目的
「本発明はこのよな状況に鑑みなされたもので，ＺｎＯ材料のナローバンドギャップ化を図ると共に，活性層をクラッド層により挟持する青色系の発光ダイオードやレーザダイオードなどの
半導体発光素子の活性層の材料に結晶欠陥の少ない結晶性の優れた酸化物半導体を用いて発光特性を向上させることができる半導体発光素子を提供することを目的とする
　・・・
　本発明のさらに他の目的は，
ＺｎＯ系酸化物半導体を用いて発光素子を形成した場合に，各層を結晶性よく成長したり
（明細書５ページ４行〜６ページ２行）
　
（イ）　発明を実施するための最良の形態
「つぎに，図面を参照しながら本発明の半導体発光素子について説明をする。
　本発明の半導体発光素子は，図１にその一実施形態であるＬＥＤチップの斜視図が示されるように，電流注入により発光する活性層５が，その活性層５よりバンドギャップが大きい材料からなるｎ型クラッド層４およびｐ型クラッド層６により挟持される構造で，前記活性層５がＣｄおよびＺｎの少なくとも一方を含む酸化物化合物半導体からなっている。
　・・・
　基板１は，たとえばサファイア基板が用いられるが，クラッド層などにチッ化ガリウム系化合物半導体が用いられる場合を含めて，ＧａＮ基板，ＳｉＣを表面に形成したシリコン基板，単結晶のＳｉＣ基板などを用いることができる。
基板１の表面には，化合物半導体の格子不整合を緩和するための緩衝層２が，たとえばＺｎＯにより０.１μｍ程度形成される。この緩衝層２は，基板１がサファイアのような絶縁性基板であればノンドープでも，他の導電形でもよい。しかし，基板１が導電性の基板で，基板１の裏面から一方の電極を取り出す場合には，その基板と同一の導電形で形成される。そして，その上にＺｎＯからなるｎ型コンタクト層３が１〜２μｍ程度の厚さ形成されている
（明細書２７ページ１１行〜２９ページ２４行）
　
（ウ）　緩衝層を介した半導体層の成長
「本発明者らは，さらに基板上に積層する発光層を形成する化合物半導体からなる半導体積層部の結晶性をよくするため，鋭意検討を重ねた。すなわち，前述のＺｎＯ系化合物は横方向の成長が遅いという点もさることながら，
ＧａＮ系化合物半導体や，ＺｎＯ系化合物半導体などのウルツアイト構造の半導体は，これらの半導体層と結晶構造が一致する基板が存在せず，サファイア基板などの格子定数の異なる基板上に半導体層を成長することにより形成されている。
　本発明者らは，
ＺｎＯ系化合物半導体やＧａＮ系化合物半導体を結晶性よく成長させるため
降温の際におけるクラックの発生は，基板と積層する化合物半導体層との熱膨張率の差に基づき，降温時の収縮スピードの差に起因していることを見出した。そして，基板と成長する半導体層の間に熱膨張係数の中間の材料を緩衝層として介在させることにより，クラックなどの結晶欠陥を大幅に縮減することができることを見出した
　
この例においても，構造的には図１に示される構造と同じで，基板１上に化合物半導体層からなりｎ型層（ｎ型クラッド層４）とｐ型層（ｐ型クラッド層６）とを有し，発光層（活性層５）を形成する発光層形成部１１を含む半導体積層部１２が設けられている
（明細書５３ページ１２行〜５４ページ１７行）
　
（エ）　ＧａＮまたはＡｌＮからなる緩衝層
「
図１に示される例は，サファイア基板１上にＺｎＯ系化合物半導体が積層された青色系のＬＥＤチップの例である
　
緩衝層２は，たとえばＧａＮ層を０.１μｍ程度成膜する
この緩衝層２は，たとえば６００℃程度の低温で，アモルファス層または多結晶層として形成される
この緩衝層２は，前述のように，基板１と，つぎに成長する最初のエピタキシャル成長層とが有する熱膨張係数の，中間の熱膨張係数を有する材料で，かつ，最初のエピタキシャル成長層と同じ結晶構造を有する材料を用いることにより，その上に成長される半導体積層部にクラックなどの入らない良好な結晶構造が得られることを本発明者らは見出した
最初のエピタキシャル成長層３が図１に示される例では，ＺｎＯで
ＡｌＮも同様にウルツアイト構造であり，熱膨張係数は５.３×１０
-6
／Ｋであり，同様に条件を満たし，ＧａＮとＡｌＮとの混晶のＡｌ
ｐ
Ｇａ
1-ｐ
Ｎ（０≦ｐ≦１）でも良いことはいうまでもない
　その他の発光層形成部１１や，電極などの他の構造は前述の各例における種々の構成を採用することができる。また，この例は，ＬＥＤであるが，ＬＤでも同様に前述の各構成例に形成することができる。なお，この例においても，ｎ型半導体層にする場合，Ａｌを飛ばすことによりドーピングし，ｐ型にする場合は，後述するプラズマ励起Ｎ2と，緩衝剤としてのＡｌの同時ドーピングにより形成した。」
（明細書５４ページ１８行〜５５ページ２４行）
　
（オ）　図１の素子の形成
「
この緩衝層２を形成するには，たとえばＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長）装置内にサファイア基板１をセッティングし，１０５０℃程度で２０分間程度Ｈ
2
雰囲気下で表面の熱処理を行う。ついで，基板温度を６００℃程度にして，ＭＯＣＶＤ法によりＧａＮ層を０.１μｍ程度成長し，緩衝層２を成膜する。その後，基板１を取り出してＭＢＥ（分子線エピタキシー）装置に入れ，基板１の温度を６００℃程度にし，酸素照射条件下において，成長させる半導体層の構成元素，たとえばＺｎ，Ｍｇ，Ｃｄなどをセルから飛ばしながら，半導体積層部１２を構成する各半導体層を，それぞれ前述の組成で前述のように順次成長させる
　この中間の熱膨張係数を有する緩衝層を設ける発明によれば，
サファイア基板上にサファイアと半導体積層部の最初のエピタキシャル成長層であるＺｎＯとが有する熱膨張係数の，中間の熱膨張係数を有する層が緩衝層として設けられている
　なお，前述の例では，サファイア基板にＺｎＯ系化合物半導体からなる半導体積層部を形成する例であったが，他の材料系でも基板の熱膨張係数と半導体積層部における最初のエピタキシャル層とが有する熱膨張係数の，中間の熱膨張係数を有する材料からなる緩衝層を成膜してから，半導体積層部をエピタキシャル成長することにより，同様に結晶性の優れた半導体層を成長することができ，発光特性の優れた半導体発光素子が得られる。
　この例によれば，青色系の半導体発光素子に用いられるＺｎＯ系化合物半導体層などの格子不整合に伴う結晶欠陥の生じやすい化合物半導体層を結晶欠陥の少ない半導体結晶層として得ることができるため，とくに現在要望されている青色系のＬＥＤやＬＤなどの半導体発光素子の発光効率の向上や閾値電圧の低下などの発光特性を向上することができる。」
（明細書５５ページ２５行〜５７ページ６行）
　
　ここで，上記（エ）によれば，「図１に示される例は，サファイア基板１上にＺｎＯ系化合物半導体が積層された青色系のＬＥＤチップの例である」が，「この緩衝層２は，前述のように，基板１と，つぎに成長する最初のエピタキシャル成長層とが有する熱膨張係数の，中間の熱膨張係数を有する材料」との記載を参照すれば，前記「青色系のＬＥＤチップ」が形成されるに際し，サファイア基板１，緩衝層２及びその上の「最初のエピタキシャル層３」から成る構造が得られ，この構造の上に，さらにＺｎＯ系化合物半導体が積層されることは明らかである。
　また，上記（エ）には，緩衝層２としてＡｌＮを使用することが記載されているところ，ＡｌＮからなる緩衝層２を，上記（オ）に示されている方法と同様に，ＭＯＣＶＤ法により形成することは明らかである。
　
　したがって，引用例１には次の発明が記載されているものと認められる。
「サファイア基板１と，このサファイア基板１上に６００℃程度の低温で，ＭＯＣＶＤ法によりアモルファス層または多結晶層として形成された，ＡｌＮから成る緩衝層２と，この緩衝層２上に形成された，ＺｎＯから成る最初のエピタキシャル成長層３を有し，この上にさらにＺｎＯ系化合物半導体が積層されるものである構造。」
（以下「引用発明」という。）
　
（３）対比
　本願発明と引用発明を比較する。
　
　ア　引用発明の「サファイア基板」は，本願発明の「サファイア単結晶材料からなる基材」に対応する。
　イ　引用発明の「サファイア基板１上に６００℃程度の低温で，ＭＯＣＶＤ法によりアモルファス層または多結晶層として形成された，ＡｌＮから成る緩衝層２」と，本願発明の「この基材上にエピタキシャル成長された，少なくともＡｌを含むIII族窒化物膜」であって「その総てのIII族元素に対してＡｌを５０原子％以上含有し，ＡｌＮから構成され，（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅（ＦＷＨＭ）が１００秒以下であると共に，膜中における転位密度が１０１１／ｃｍ２以下で，ＭＯＣＶＤ法により１１００℃以上の温度でエピタキシャル成長させて形成した，厚さ０．１〜１００μｍのもの」とは，「この基材上に形成された，少なくともＡｌを含むIII族窒化物膜」であって「その総てのIII族元素に対してＡｌを５０原子％以上含有し，ＡｌＮから構成された，ＭＯＣＶＤ法により形成」したものである点で共通する。
　ウ　引用発明の「緩衝層２上に形成された，ＺｎＯから成る最初のエピタキシャル成長層３」と，本願発明の「このIII族窒化物膜上にエピタキシャル成長されたＺｎＯ系膜」であって「前記ＺｎＯ系膜の厚さが０．１〜１００μｍである」ものとは，「このIII族窒化物膜上にエピタキシャル成長されたＺｎＯ系膜」である点で共通する。
　エ　引用発明の「この上にさらにＺｎＯ系化合物半導体が積層されるものである構造」は，本願発明の「ＺｎＯ系膜エピタキシャル成長用基板」に相当する。
　
　したがって，本願発明と引用発明とは，
「サファイア単結晶材料からなる基材と，この基材上に形成された，少なくともＡｌを含むIII族窒化物膜と，このIII族窒化物膜上にエピタキシャル成長されたＺｎＯ系膜とを具えるＺｎＯ系膜エピタキシャル成長用基板であって，
　前記III族窒化物膜は，その総てのIII族元素に対してＡｌを５０原子％以上含有し，ＡｌＮから構成された，ＭＯＣＶＤ法により形成したものであることを特徴とする，ＺｎＯ系膜エピタキシャル成長用基板。」
である点で一致する。
　
　一方，両者は，以下の各点で相違する。
　
《相違点１》
　本願発明においては，「III族窒化物膜」が，「この基材上にエピタキシャル成長された」ものであって，「１１００℃以上の温度でエピタキシャル成長させて形成したものである」のに対して，引用発明においては，サファイア基板上に「６００℃程度の低温で，」「アモルファス層又は多結晶層として形成され」たものである点。
《相違点２》
　本願発明においては，「III族窒化物膜」について，「（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅（ＦＷＨＭ）が１００秒以下であると共に，膜中における転位密度が１０１１／ｃｍ２以下で」あるとしているのに対して，引用発明においては，そのような特性を規定していない点。
《相違点３》
　本願発明においては，「III族窒化物膜」が「厚さ０．１〜１００μｍのものであ」るのに対して，引用発明においては，ＡｌＮからなる緩衝層２の厚さが特定されていない点。
《相違点４》
　本願発明においては，「ＺｎＯ系膜の厚さが０．１〜１００μｍである」のに対して，引用発明においては，ＺｎＯから成る最初のエピタキシャル成長層３の厚さが特定されていない点
　
（４）検討
　上記各相違点について検討する。
《相違点１について》
　サファイア基板上に，結晶性の高い化合物半導体層が形成できるようにすべく，前記サファイア基板表面にＡｌＮ膜からなるバッファ層を形成する方法として，比較的低温でアモルファス又は多結晶として形成する方法，及び，該方法と同等以上の結晶性を有する化合物半導体層を得ることができる，比較的高温（１０００〜１２００℃あるいはそれ以上）で単結晶膜として形成（すなわち，エピタキシャル成長）する方法のいずれも，以下の周知例１及び２に示されているように，従来より周知技術である。
　　・周知例１：　特開平９−６４４７７号公報
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平９−６４４７７号公報には，図５及び図１０とともに次の記載がある。
・「【０００６】
格子不整合の影響を緩和するために，サファイア基板上に極薄膜のアモルファス状又は多結晶のＡｌＮ又はＧａＮを低温成長によりバッファ層として形成した後，その上にＡｌＧａＮ層を形成する方法が用いられている
【０００７】この方法を用いた場合，例えばＸ線回折の半値幅で表される結晶の品質は下地のバッファ層の成長条件に大きく依存する。バッファ層が厚い場合，成長核となる種結晶の方位が乱れるために結晶品質が劣化する。バッファ層厚が薄くなるに従って半値幅は減少するが，１０ｎｍ以下のバッファ層では急に結晶の表面状態が劣化する。
【０００８】このように従来の方法では，バッファ層上に成長する化合物半導体層の結晶品質が不十分であり，特にＡｌＧａＮでは１分以下のＸ線回折の半値幅は得られていない。さらに，良質なＡｌＧａＮ層を成長するためにその膜厚を厚くすると，ひび割れが発生する。この現象は，閉じ込め層として用いられるＡｌＧａＮでは特に顕著である。
【０００９】図１０に，ＡｌxＧａ1-xＮのＡｌ組成とひび割れなく成長可能な最大膜厚との関係を示す。このように従来の方法では，バッファ層の成長条件が厳しく制限される上に，結晶品質も十分とはいえず，さらに高輝度の発光ダイオード或いは閉じ込め層として高品質かつ厚膜のＡｌＧａＮが必要となる半導体レーザ実現への大きな障害となっていた。
【００１０】なお，従来方法でバッファ層としてアモルファスや多結晶を用いるのは，次の理由による。即ち，ＡｌＮやＧａＮ等のバッファ層を成長するには窒素原料としてＮＨ3が用いられるが，ＮＨ3ガスを用いたバッファ層の成長では，ＮＨ3と基板との反応を抑制するために低温成長とせざるを得ず，このような低温成長では必然的にアモルファス若しくは多結晶になる。また，仮にバッファ層を単結晶にしようとするとその品質が極めて悪くなるため，かえってその上に成長する層の結晶品質が劣化すると考えられていた。」
・「【００１３】
【課題を解決するための手段】
（概要）上記課題を解決するために本発明は，次のような構成を採用している。即ち本発明は，ＡｌＧａＩｎＮ系混晶材料を用いた半導体発光素子において，単結晶基板上に該基板に直接接して形成された単結晶ＡｌxＧａ1-xＮ（０＜ｘ≦1）バッファ層と，このバッファ層上に形成されたＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ＋ｙ≦１，０≦ｘ，ｙ≦１）素子形成層とを具備してなることを特徴とする。
【００１４】ここで，本発明の望ましい実施態様としては，次のものがあげられる。
(1)
バッファ層のＸ線ロッキングカーブの半値幅が５分以下であること。さらに望ましくは，Ｘ線ロッキングカーブの半値幅が９０秒以下であること
(2)素子形成層は，ヘテロ接合構造部を構成すること。
(3)ヘテロ接合構造部は，第１の閉じ込め層としてのＡｌpＧａ1-pＮ（０＜ｐ≦１），活性層としてのＧａＮ，ＧａＩｎＮ，ＡｌＧａＮ，若しくはＡｌＧａＩｎＮ，第２の閉じ込め層としてのＡｌqＧａ1-qＮ（０＜ｑ≦１）を順次積層してなること。また，第１の閉じ込め層の層厚が０．３μｍを超え，且つＡｌ組成ｐが０．２５＜ｐ≦１を満たすこと。さらに，基板と活性層間に第１の閉じ込め層よりもＡｌ組成の小さい層を含まないこと。
(4)基板は，サファイア又はＳｉＣであること。
(5)バッファ層は，ＡｌＮであること。
【００１５】また本発明は，ＡｌＧａＩｎＮ系混晶材料を用いた半導体発光素子の製造方法において，単結晶基板上に該基板に直接接して単結晶ＡｌxＧａ1-xＮ（０＜ｘ≦1）バッファ層を形成する工程と，前記バッファ層上にＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ＋ｙ≦１，０≦ｘ，ｙ≦１）素子形成層を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００１６】
ここで，本発明の望ましい実施態様としては，次のものがあげられる
(1)バッファ層の成長温度が，その上に形成する素子形成層の成長温度より高いこと。
(2)バッファ層の成長温度が，１３００℃より高いこと
(3)バッファ層の成長において，窒素原料としてのＮＨ3の流量を十分に低くすること。
（作用）本発明者らは，バッファ層上に形成するＡｌＧａＩｎＮ等の素子形成層（成長層）の層厚がある値より厚くなると急激にひびが発生する原因を調べた。従来，ひびは基板と成長層間の熱膨張率の差により成長後の冷却時に発生すると考えられていた。しかし，本発明者らの研究によれば，ひびは素子形成層の成長中に発生していることが判明した。即ち，従来用いられてきた低温成長バッファ層では歪緩和の効果が不十分であり，基板と成長層間の格子定数差に起因した歪が成長に伴い成長層に蓄積することが真の原因である。また，Ａｌ組成が大きくなると急激にひび割れが発生し易くなるのは，Ａｌ組成増大と共に転位の移動による柔軟性が小さくなるためと考えられる。
【００１７】従って，転位が十分に運動できる高い温度にて結晶を成長できればひび割れを効果的に抑制可能である。さらに，ひび割れが発生する膜厚の限界は成長層の品質にも依存しており，例えばＸ線回折の半値幅が狭いほどひび割れが発生しにくくなり，半値幅が５分以下になると顕著にひび割れが減少する。従って，高Ａｌ組成のＡｌＧａＮを十分な厚さでひび割れなく成長するためには，まずバッファ層の結晶品質そのものを飛躍的に改善する必要がある。このためには，バッファ層自身の結晶品質が良くその上の成長層の結晶品質を劣化させることなく，かつ基板との格子不整合を効果的に緩和できればよい。
【００１８】
結晶品質そのものを飛躍的に改善するためには，従来用いられてきた低温成長によるバッファ層ではバッファ層自身の結晶品質が劣るために，本質的な限界がある。このような観点から発明者らは鋭意検討を重ねた結果，バッファ層としてはＸ線半値幅の狭い単結晶，即ち良質の単結晶が適切であることが分かった
【００１９】
単結晶のバッファ層を成長するには高温成長が必要である
・「【００２７】以下，本発明の各実施形態について説明する。
（実施形態１）図５は，本発明の第１の実施形態に係わる緑青色発光ダイオードの素子構造を示す断面図である。
【００２８】
サファイアｃ面基板１０上に，厚さ１００ｎｍのＡｌＮバッファ層１１が１３５０℃にて成長され
　
　　・周知例２：　特開２００１−１３５８５４号公報
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００１−１３５８５４号公報には，次の記載がある。
・「【０００２】
【従来の技術】発光ダイオードなどに用いられるIII族窒化物系化合物半導体素子の汎用的なな素子構造は，
サファイア基板の上にＡｌＮやＧａＮからなる薄いバッファ層を低温で形成し，その上に素子機能を構成するＧａＮ層等のIII族窒化物系化合物半導体層を積層したものである。この種の素子においてバッファ層はアモルファス状若しくは多結晶と考えられる
【０００３】このようなアモルファス状若しくは多結晶状のバッファ層に対して，特開平９−６４４７７には，サファイア基板上に単結晶のＡｌＮバッファ層を形成することが提案されている。当該公報によれば，バッファ層を１３００℃以上の高温で成長させ，膜厚を２０〜３００ｎｍとしそのＸ線ロッキングカーブにおいて半値幅を９０秒以下とする等の条件を満足することにより，サファイア上に結晶性の良い単結晶のＡｌＮ層を成長させることができるとされている。」
・「【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は上記目的の少なくとも一つを達成すべく為されたものであり，その構成は次の通りである。
基板と，該基板上に形成された膜厚が０．５〜３μｍでその表面が実質的に平坦なＡｌＮ単結晶層とを備えてなり，該ＡｌＮ単結晶層のＸ線ロッキングカーブの半値幅が５０秒以下である，ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子
【０００７】
このように構成されたIII族窒化物系化合物半導体素子によれば，基板の上に形成されるＡｌＮ単結晶層の結晶性が極めて良好になる
また，その上にIII族窒化物系化合物半導体からなる素子機能層を形成した場合にも，当該素子機能層の結晶性は汎用的な低温成長バッファ層の上に形成されたものと同等若しくはそれ以上となる
【０００８】上記において，基板はその上にＡｌＮ単結晶を成長させることができるものであれば特に限定されない。例えば，サファイア，スピネル，シリコン，炭化シリコン，酸化亜鉛，リン化ガリウム，ヒ化ガリウム，酸化マグネシウム，酸化マンガン，III族窒化物系化合物半導体単結晶などを基板の材料として挙げることができる。本発明者らの検討によれば，基板としてサファイアを採用し，特にそのａ面を用いることが好ましい。
【０００９】
ＡｌＮ単結晶層の膜厚は０．５〜３μｍとする
【００１０】
ＡｌＮ単結晶の結晶性の指標となるＸ線ロッキングカーブの半値幅は５０秒以下とする
・「【００１２】次に，
ＡｌＮ単結晶層の形成方法について説明する。このＡｌＮ単結晶層も上で説明したIII族窒化物系化合物半導体層と同様の方法により形成することができる。以下，ＭＯＣＶＤ法を中心に説明する。有機洗浄及び熱処理により洗浄したサファイア基板のａ面を主面として，サファイア基板を汎用のＭＯＣＶＤ装置にセットする。基板温度を１０００〜１２００℃，好ましくは１０５０〜１１５０℃として
　
　上記各周知例においては，バッファ層上に結晶性の高いIII族窒化物系化合物半導体層を形成することが示されているものの，ＺｎＯ膜を形成してはいない。しかしながら，引用例１には，前記（２）ア（ウ）にも摘記したとおり，「本発明者らは，さらに基板上に積層する発光層を形成する化合物半導体からなる半導体積層部の結晶性をよくするため，鋭意検討を重ねた。すなわち，前述のＺｎＯ系化合物は横方向の成長が遅いという点もさることながら，
ＧａＮ系化合物半導体や，ＺｎＯ系化合物半導体などのウルツアイト構造の半導体は，これらの半導体層と結晶構造が一致する基板が存在せず，サファイア基板などの格子定数の異なる基板上に半導体層を成長することにより形成されている。
ＺｎＯ系化合物半導体やＧａＮ系化合物半導体を結晶性よく成長させるため
　したがって，引用発明において，より結晶性の高いＺｎＯ膜を得るべく，該ＡｌＮから成るバッファ層の形成にあたり，「例えば６００℃程度の低温で，アモルファス層又は多結晶層として形成」させることに代えて，比較的高温（１０００〜１２００℃あるいはそれ以上）で単結晶膜としてエピタキシャル成長させる前記周知技術を用いて，相違点１に係る構成を備えることは，当業者が容易に想到できたことである。
　
《相違点２について》
　上記《相違点１について》において述べたように，ＡｌＮからなるバッファ層上にＺｎＯ膜を形成する技術において，該ＡｌＮから成るバッファ層を比較的高温（１０００〜１２００℃あるいはそれ以上）で単結晶膜とする際には，ＡｌＮから成るバッファ層の結晶性を高いものとすることは当然の事項といえ，この点については，前記周知例１（例えば段落【００１４】）及び周知例２（例えば段落【００１０】）にも，Ｘ線ロッキングカーブの半値幅を９０秒以下の値とすることが示されている。
　また，サファイア基板上に成長したＡｌＮ層についてＸ線回折法によって評価を行うと，（００２）面の回折ピークが得られることは，以下の周知例３及び４に示されているように，従来より周知の事項であるから，前記Ｘ線ロッキングカーブの半値幅を測定する際に，この回折ピークが得られる（００２）面において測定することは当業者に自明なことと言える。
　　・　周知例３：　特開平４−３４６２１８号公報
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平４−３４６２１８号公報には，次の記載がある。
・「【００１８】以下本発明の具体的実施例について説明する。
　・・・
このようにして，サファイアｃ面基板上にＡｌＮ膜を成長させた。Ｘ線回折法によって結晶評価を行なうと，２θ＝３６゜近傍に（００２）面からの回折ピークが現れており，成長させたＡｌＮ膜がｃ軸配向していることを示した。・・・」
　
　　・周知例４：　特開平９−１８１０４８号公報
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平９−１８１０４８号公報には，次の記載がある。
・「【００５１】なお，本発明の実施の形態ではガリウムの原料としてトリメチルガリウムを用いたが，その他のガリウムを含む気体用いることは本発明の薄膜形成方法に含まれる。
　・・・
たとえば，アルミニウムを含むガスであるトリメチルアルミニウムを１ｓｃｃｍ，窒素ガス１０ｓｃｃｍをプラズマ装置に供給し，基板温度を７００℃，マイクロ波電力を２５０Ｗ印加した作製条件において，サファイアｃ面基板上にＡｌＮ膜を成長させた。Ｘ線回折法により結晶評価を行なうと，２θ＝３６°近傍に（００２）面からの回折ピークが現れており，得られたＡｌＮ膜がｃ軸配向していることを示した。・・・」
　
　また，以下の周知例５にも示されているように，サファイア基板上に形成したＡｌＮの転移密度として，１０９ｃｍ−２程度は従来技術においても普通に得られていた結果である。
　　・周知例５：　特開２００１−２８４２６６号公報
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００１−２８４２６６号公報には，図１２とともに次の記載がある。
・「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，サファイア基板上にIII族窒化物系化合物半導体を形成すると，サファイアとIII族窒化物系化合物半導体との格子定数のミスフィットにより転位が発生し，このため素子特性が良くないという問題がある。このミスフィットによる転位は半導体層を縦方向（基板面に垂直方向）に貫通する貫通転位であり，III族窒化物系化合物半導体中に109cm-2程度の転位が伝搬してしまうという問題がある。これは組成の異なるIII族窒化物系化合物半導体各層を最上層まで伝搬する。
　・・・
【０００４】これについて，図１２の模式図で説明する。図１２は，基板９１と，その上に形成されたバッファ層９２と，更にその上に形成されたIII族窒化物系化合物半導体層９３を示したものである。基板９１としてはサファイアなど，バッファ層９２としては窒化アルミニウム(AlN)などが従来用いられている。窒化アルミニウム(AlN)のバッファ層９２は，サファイア基板９１とIII族窒化物系化合物半導体層９３とのミスフィットを緩和させる目的で設けられているものであるが，それでも転位の発生を０とすることはできない。この転位発生点９００から，縦方向（基板面に垂直方向）に貫通転位９０１が伝播し，それはバッファ層９２，III族窒化物系化合物半導体層９３をも貫いていく。・・・」
　
　そして，本願明細書の記載を見ても，ＡｌＮからなる「III族窒化物膜」について，「（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅（ＦＷＨＭ）が１００秒以下であると共に，膜中における転位密度が１０１１／ｃｍ２以下」とする点に臨界的意義は見いだせないから，これらの点は当業者が適宜に設定し得た事項といえる。
　したがって，相違点２は，当業者が適宜になし得たことである。
　
《相違点３について》
　前述の，ＡｌＮから成るバッファ層を比較的高温（１０００〜１２００℃あるいはそれ以上）で単結晶膜としてエピタキシャル成長させる周知技術について，当該ＡｌＮからなるバッファ層の厚さは，前記周知例１及び２においては，以下のとおり，０．０２μｍ（＝２０ｎｍ）〜０．３μｍあるいは０．５〜３μｍとされ，これらの数値範囲は，相違点３に係る厚さの範囲と重複するものである。
　　・周知例１：　特開平９−６４４７７号公報
　前記周知例１には，さらに次の記載がある。
・「【００２５】
バッファ層厚としては，基板表面を完全に被覆する必要があるのとひび割れが生じないようにするために，２０ｎｍから０．３μｍが望ましい
・「【００２８】
サファイアｃ面基板１０上に，厚さ１００ｎｍのＡｌＮバッファ層１１が１３５０℃にて成長され
　
　　・周知例２：　特開２００１−１３５８５４号公報
　前記周知例２には，さらに次の記載がある。
・「【０００９】
ＡｌＮ単結晶層の膜厚は０．５〜３μｍとする
　
　それゆえ，引用発明において前記周知技術を適用するに際し，比較的高温で単結晶膜としてエピタキシャル成長させるＡｌＮから成るバッファ層の厚さを，「０．１〜１００μｍ」の範囲内の値とすることは当業者が適宜になし得たことである。そして，本願明細書の記載を見ても，ＡｌＮからなる「III族窒化物膜」について，「厚さ０．１〜１００μｍのもの」とする点に臨界的意義は見いだせないから，この点は単に望ましい範囲を示したものといえる。
　したがって，相違点３は，当業者が適宜になし得たことである。
　
《相違点４について》
　引用例１においては，ＡｌＮからなる緩衝層２を設けたものについて，図１を参照しつつも，ＺｎＯから成る最初のエピタキシャル成長層３の厚さは特定されていない。しかしながら，引用例１には，前記（２）ア（イ）に摘記したとおり，同じく図１を参照して，「ＺｎＯからなるｎ型コンタクト層３が１〜２μｍ程度の厚さ形成されている」ことも記載されている。それゆえ，引用発明においても，当該「ＺｎＯからなるｎ型コンタクト層３」に対応する前記ＺｎＯから成る最初のエピタキシャル成長層３の厚さを，「０．１〜１００μｍ」の範囲内である１〜２μｍ程度とすることは当業者が適宜なし得たことである。また，本願明細書の記載を見ても，「ＺｎＯ系膜の厚さが０．１〜１００μｍである」点に臨界的意義は見いだせないから，この点は単に望ましい範囲を示したものといえる。
　したがって，相違点４は当業者が適宜になし得たことである。
　
（５）まとめ
　以上検討したとおり，本願発明は，引用例１に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　
３．　むすび
　以上のとおりであるから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。