【手続補正書】
【提出日】平成23年5月31日(2011.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン層内に構造を形成するための方法であって、
複数のマスク開口を伴うマスクを前記シリコン層の上に形成することと、
前記マスクの上にポリマ層を堆積させることであって、
Ｃ4Ｆ8を含む水素フリー堆積ガスを流すことと、
前記堆積ガスからプラズマを発生させることと、
少なくとも２０秒間にわたって前記プラズマからポリマを堆積させることと、
前記少なくとも２０秒間の後に前記ポリマの堆積を停止させることと、
を含む、ことと、
前記堆積ポリマ層を開口することであって、
開口ガスを流すことと、
前記複数のマスク開口の底面に堆積されたポリマを前記複数のマスク開口の側面に堆積されたポリマについて選択的に除去するプラズマを、前記開口ガスから発生させることと、
前記複数のマスク構造の少なくとも一部が開口されたときに、前記開口を停止させることと、
を含む、ことと、
前記マスクおよび前記堆積ポリマ層を通して前記シリコン層をエッチングすることと、
を備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記シリコン層をエッチングすることは、
エッチングガスを流すことと、
前記シリコン層をエッチングするプラズマを前記エッチングガスから発生させることと、
を含む、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、
前記開口ガスは、前記エッチングガスと異なる、方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の方法であって、
前記ポリマを堆積させること、前記堆積ポリマを開口すること、および前記シリコン層をエッチングすることは、１つのプラズマ処理チャンバ内においてin-situでなされる、方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の方法であって、
前記マスクは、フォトレジストマスクである、方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の方法であって、
前記堆積ガスは、主としてＣ4Ｆ8からなる、方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の方法であって、
前記シリコン層の前記エッチングにより、前記堆積ポリマ層が完全に除去される、方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、
前記堆積ポリマ層は、前記複数のマスク開口の側面において少なくとも２００ｎｍの厚さである、方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、
前記複数のマスク開口の側面に堆積された前記少なくとも２００ｎｍの厚さのポリマは、アンダカットを解消する、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、
前記ポリマを堆積させること、前記堆積ポリマを開口すること、および前記シリコン層をエッチングすることは、１つのプラズマ処理チャンバ内においてin-situでなされる、方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、
前記マスクは、フォトレジストマスクである、方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法であって、
前記堆積ガスは、主としてＣ4Ｆ8からなる、方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法であって、さらに、
前記マスクおよび前記堆積ポリマ層を除去することを備える方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の方法であって、
前記堆積ポリマ層は、前記複数のマスク開口の側面において少なくとも２００ｎｍの厚さである。方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、
前記複数のマスク開口の側面に堆積された前記少なくとも２００ｎｍの厚さのポリマは、アンダカットを解消する、方法。
【請求項１６】
シリコン層内に構造を形成するための方法であって、
複数のマスク開口を伴うマスクを前記シリコン層の上に形成することと、
前記シリコン層をプラズマ処理チャンバ内に置くことと、
ポリマ層を前記マスクの上に堆積させることであって、
主としてＣ4Ｆ8からなる水素フリー堆積ガスを前記プラズマ処理チャンバに流し込むことと、
前記堆積ガスからプラズマを発生させることと、
少なくとも２００ｎｍの厚さの層を形成するために、少なくとも２０秒間にわたって前記プラズマからポリマを堆積させることと、
前記少なくとも２０秒間の後に、前記ポリマの堆積を停止させることと、
を含む、ことと、
前記堆積ポリマ層を開口することであって、
開口ガスを前記プラズマ処理チャンバに流し込むことと、
前記複数のマスク開口の底面に堆積されたポリマを前記複数のマスク開口の側面に堆積されたポリマについて選択的に除去するプラズマを、前記開口ガスから発生させることと、
前記複数のマスク構造の少なくとも一部が開口されたときに、前記開口を停止させることと、
を含む、ことと、
前記シリコン層を前記マスクおよび前記堆積ポリマ層を通してエッチングすることであって、
前記開口ガスと異なるエッチングガスを流すことと、
前記シリコン層をエッチングするプラズマを前記エッチングガスから発生させることであって、前記堆積ポリマ層は、前記フォトレジストの下の前記シリコン層のアンダカットを防ぐ、ことと、
を含む、ことと、
前記シリコン層を前記プラズマ処理チャンバから取り出すことと、
を備える方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、
前記マスクは、フォトレジストマスクである、方法。
【請求項１８】
請求項１６ないし１７のいずれかに記載の方法であって、さらに、
前記シリコン層の前記エッチングにより、前記堆積ポリマ層が完全に除去される、方法。
【請求項１９】
開口を伴うマスクの下のシリコン層内に構造をエッチングするための装置であって、
プラズマ処理チャンバであって、
プラズマ処理チャンバの外周部を形成するチャンバ壁と、
前記プラズマ処理チャンバの外周部内において基板を支えるための基板サポートと、
前記プラズマ処理チャンバの外周部内における圧力を調整するための圧力調整器と、
前記プラズマ処理チャンバの外周部に電力を提供するための上側電極と、
下側電極と、
前記上側電極に電気的に接続された第１のＲＦ電力源と、
前記下側電極に電気的に接続された第２のＲＦ電力源と、
前記プラズマ処理チャンバの外周部内にガスを提供するためのガス入口と、
前記プラズマ処理チャンバの外周部からガスを排出させるためのガス出口と、を含む、プラズマ処理チャンバと、
前記ガス入口に流体接続されたガス源であって、
水素フリーＣ4Ｆ8堆積ガス源と、
開口ガス源と、
エッチングガス源と、を含む、ガス源と、
前記ガス源、前記第１のＲＦ電力源、および前記第２のＲＦ電力源に制御式に接続されたコントローラであって、
少なくとも１つのプロセッサと、
コンピュータ可読媒体と、を含むコントローラと、を備え、
前記コンピュータ可読媒体は、
前記マスクの上にポリマ層を堆積させるためのコンピュータ可読コードと、
前記堆積ポリマ層を開口するためのコンピュータ可読コードと、
前記マスクおよび前記堆積ポリマ層を通して前記シリコン層をエッチングするためのコンピュータ可読コードと、を含み、
前記マスクの上に前記ポリマ層を堆積させるための前記コンピュータ可読コードは、
Ｃ4Ｆ8を含む水素フリー堆積ガスを、前記水素フリーＣ4Ｆ8堆積ガス源から、前記プラズマ処理チャンバに流し込むためのコンピュータ可読コードと、
前記堆積ガスからプラズマを発生させるためのコンピュータ可読コードと、
少なくとも２０秒間にわたって前記プラズマからポリマを堆積させるためのコンピュータ可読コードと、
前記少なくとも２０秒間の後に、前記ポリマの堆積を停止させるためのコンピュータ可読コードと、を含み、
前記堆積ポリマ層を開口するための前記コンピュータ可読コードは、
開口ガスを、前記開口ガス源から、前記プラズマ処理チャンバに流し込むためのコンピュータ可読コードと、
前記複数のマスク開口の底面に堆積されたポリマを、前記複数のマスク開口の側面に堆積されたポリマについて、選択的に除去するプラズマを、前記開口ガスから発生させるためのコンピュータ可読コードと、
前記複数のマスク構造の少なくとも一部が開口されたときに、前記開口を停止させるためのコンピュータ可読コードと、を含む、コンピュータ可読媒体と、を含む、装置。
【請求項２０】
請求項１ないし１５のいずれかに記載の記載の方法であって、
前記複数のマスク開口の前記側面の前記堆積ポリマ層は、アンダカットを解消する、方法。