Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月1日(2010.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃ−末端のＸ−末端を含む連続アミノ酸の区域を調製する方法であって、下記を含む方法：
（ａ）（ｉ）その配列がＮ−末端シグナル配列をコードする第１部分、これと接した（ｉｉ）その配列が連続アミノ酸の区域をコードする第２部分、これと接した（ｉｉｉ）その配列がＣ−末端インテイン含有結合ドメインをコードする第３部分を含む、組換え核酸により、下記を可能にする条件下で細胞をトランスフェクションし：（ｉ）Ｎ−末端シグナル配列、これと接した連続アミノ酸の区域、これと接したＣ−末端インテイン含有結合ドメインを含む、キメラポリペプチドが合成され、そして（ｉｉ）Ｎ−末端シグナル配列がキメラポリペプチドから開裂し、これにより連続アミノ酸の区域がＣ−末端インテイン含有結合ドメインと接したものを含む、第２キメラポリペプチドが産生される；
（ｂ）工程（ａ）で産生された第２キメラポリペプチドを単離し；
（ｃ）第２キメラポリペプチドを、連続アミノ酸の区域からＣ−末端インテイン含有結合ドメインのチオ仲介開裂が起き、これによりＣ−末端チオエステルが形成されるように処理し；
（ｄ）工程（ｃ）の生成物をそれのＣ−末端においてＸ−末端アミノ酸残基とライゲートさせ、これによりＣ−末端のＸ−末端を含む連続アミノ酸の区域を形成させ；そして
（ｅ）工程（ｄ）の生成物を回収する。
【請求項２】
連続アミノ酸の区域がＩｇＧ免疫グロブリンＦｃポリペプチドおよびＩｇＧ  Ｍ１エキソンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ＩｇＧ免疫グロブリンがヒトＩｇＧ免疫グロブリンである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
連続アミノ酸の区域がＣＤ４細胞外ドメインを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
連続アミノ酸の区域がＴＮＲ１Ａ細胞外ドメイン、ＴＮＲ１Ｂ細胞外ドメイン、ＶＨ−ＣＨドメイン、ＶＧＦＲ１細胞外ドメイン、ＶＧＦＲ２細胞外ドメイン、ＶＧＦＲ３細胞外ドメイン、ＥｒｂＢ１細胞外ドメイン、ＥｒｂＢ２細胞外ドメイン、ＥｒｂＢ３細胞外ドメイン、またはＥｒｂＢ４細胞外ドメインを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
Ｎ−末端シグナル配列がＣＤ２  Ｔ細胞表面糖タンパク質またはＣＤ４  Ｔ細胞表面糖タンパク質由来である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
細胞が２９３ヒト胚細胞またはＣＨＯ−Ｋ１ハムスター卵巣細胞である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
トランスフェクションがプラスミドｐＳＡを用いて実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
Ｃ−末端インテイン含有結合ドメインがインテイン−キチン結合ドメインである、請求項９９に記載の方法。
【請求項１０】
Ｃ−末端インテイン含有結合ドメインがＭｔｈ  ＲＩＲ１インテイン結合ドメインである、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
Ｃ−末端インテイン含有結合ドメインが自己スプライシングインテイン含有結合ドメインである、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
工程ｂ）において生成物をキチン誘導体化樹脂に曝露することによりキメラポリペプチドを単離する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
細胞内での第２キメラポリペプチドの開裂が細胞性シグナルペプチダーゼにより行なわれる、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
工程（ｃ）の生成物をシステイン残基とライゲートさせる、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
工程（ｃ）の生成物をセレノシステイン残基とライゲートさせる、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
請求項１に記載の方法により製造されるＣ−末端のＸ−末端を含む連続アミノ酸の区域であって、該連続アミノ酸の区域はＴＮＲ１Ａ細胞外ドメイン、ＴＮＲ１Ｂ細胞外ドメイン、ＶＨ−ＣＨドメイン、ＶＧＦＲ１細胞外ドメイン、ＶＧＦＲ２細胞外ドメイン、ＶＧＦＲ３細胞外ドメイン、ＥｒｂＢ１細胞外ドメイン、ＥｒｂＢ２細胞外ドメイン、ＥｒｂＢ３細胞外ドメイン、またはＥｒｂＢ４細胞外ドメインを含む、前記連続アミノ酸の区域。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月26日(2010.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被印刷物に付着されたときに結果として得られる着色剤の色の値を推定するコンピュータにより実現される方法であって、
当該方法は、
少なくとも着色剤の色の値と被印刷物の色の値とを表す色情報を受けるステップと、
着色剤に関連する不鮮明さの特性を表す不鮮明情報を受けるステップと、
少なくとも前記色情報と前記不鮮明情報とに基づいて結果として得られる色値を推定するステップと、
を含むことを特徴とするコンピュータにより実現される方法。
【請求項２】
前記着色剤の色値は、装置に依存する色の値又は装置に依存しない色の値である、
請求項１記載のコンピュータにより実現される方法。
【請求項３】
前記被印刷物の色値は、装置に依存する色の値又は装置に依存しない色の値である、
請求項１記載のコンピュータにより実現される方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月4日(2010.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像収集物を整理する方法であって：
ａ）  該画像収集物内の顔を検出すること；
ｂ）  該検出された顔から特徴を抽出すること；
ｃ）  該抽出された特徴を分析することにより、固有顔集合を決定すること、ここで該固有顔集合内のそれぞれの顔は、該集合内の他の顔とは異なる人物に由来するものと考えられる；そして
ｄ）  該固有の顔をユーザーに表示すること
を含んで成る画像収集物を整理する方法。
【請求項２】
ｅ）  該ユーザーが、タッチ・スクリーン、マウス、音声入力、テキスト入力、又はキーボード入力を用いて、該固有の顔のうちの１つを選択すること
をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該ユーザーが、該選択された固有の顔と関連付けられるラベルを提供する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
該選択された固有の顔と類似する顔を含有する画像が、提供された名称によって注釈付けされる請求項３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月27日(2010.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源とカラー・フィルタ・セットを備える電子式ディスプレイであって、そのカラー・フィルタ・セットが、
a．緑色フィルタ層を有する緑色フィルタ（ただし緑色フィルタ層には、600nm〜700nmの1つの波長に最大吸収率を有する第1の顔料と、400〜500nmの1つの波長に最大吸収率を有する第2の顔料が含まれていて、第1の顔料粒子の少なくとも90体積％が300nm未満の粒径であり、第2の顔料粒子の少なくとも90体積％が300nm未満の粒径であり、この緑色フィルタ層は、520nmの波長で透過率が60％以上であり、480nmの波長で透過率が10％以下であり、590nmの波長で透過率が10％以下である）と；
b．青色フィルタ層を有する青色フィルタと；
c．赤色フィルタ層を有する赤色フィルタを備えていて；
d．この電子式ディスプレイによって規定される色域の％NTSCx,y比が88％よりも大きい、電子式ディスプレイ。
【請求項２】
光源とカラー・フィルタ・セットを備える電子式ディスプレイであって、そのカラー・フィルタ・セットが、
a．緑色フィルタ層を有する緑色フィルタと；
b．青色フィルタ層を有する青色フィルタ（ただし青色フィルタ層には、550nm〜650nmの範囲内の1つの波長に最大吸収率を有する第1の顔料と、500〜600nmの範囲内の1つの波長に最大吸収率を有する第2の顔料が含まれていて、第1の顔料粒子の少なくとも90体積％が300nm未満の粒径であり、第2の顔料粒子の少なくとも90体積％が300nm未満の粒径であり、この青色フィルタ層は、450nmの波長で透過率が60％以上であり、515〜700nmの範囲のすべての波長で透過率が10％以下である）と；
c．赤色フィルタ層を有する赤色フィルタを備えていて；
d．この電子式ディスプレイによって規定される色域の％NTSCx,y比が70％よりも大きい、電子式ディスプレイ。
【請求項３】
光源とカラー・フィルタ・セットを備える電子式ディスプレイであって、そのカラー・フィルタ・セットが、
a．緑色フィルタ層を有する緑色フィルタと；
b．青色フィルタ層を有する青色フィルタと；
c．赤色フィルタ層を有する赤色フィルタ（ただし赤色フィルタ層には、450nm〜575nmの範囲内の1つの波長に最大吸収率を有する顔料が含まれていて、顔料粒子の少なくとも90体積％が300nm未満の粒径であり、この赤色フィルタ層は、650nmの波長で透過率が80％以上であり、585nmの波長で透過率が10％以下であり、580〜410nmの範囲のすべての波長で透過率が5％以下である）を備えていて；
d．この電子式ディスプレイによって規定される色域の％NTSCx,y比が70％よりも大きい、電子式ディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月31日(2011.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機電荷キャリア輸送材料において、前記有機電荷キャリア輸送材料を用いて電子及び正孔を同様に良好に輸送することができ、その際、厚さ１５０ｎｍのドーピングされていない材料の層において、すでに０．２５Ｖで、０．５Ａ／ｃｍ2以上の測定可能な電流密度が得られ、以下の構造：
【化１】
2010509781.tif 000001
の複素環式原料化合物のオリゴフェニレンを含む、有機電荷キャリア輸送材料。
【請求項２】
材料が薄膜中で透明である、請求項１記載の電荷キャリア輸送材料。
【請求項３】
混合物として存在する、請求項１又は２記載の電荷キャリア輸送材料。
【請求項４】
ｎ型ドーピング又はｐ型ドーピングされている、請求項１から３までのいずれか１項記載の電荷キャリア輸送材料。
【請求項５】
有機電子素子における、請求項１から４までのいずれか１項記載の電荷キャリア輸送材料の使用。
【請求項６】
請求項１から４までのいずれか１項記載の電荷キャリア輸送材料をベースとする半導体層及び／又は導電性層を有する有機電子素子。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月15日(2010.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物の熱処理の間、前記被加工物を支持するための装置であって、
非平面上面を有する支持板と、
前記被加工物の熱処理中、前記被加工物の初期形状の下面が前記支持板の非平面上面の上に不均一な間隔を置いて支持されるように、前記支持板の上に前記被加工物を支持し、前記不均一な間隔が、前記被加工物の外周の下にある縁部隙間と、前記被加工物の中心軸にある中央部隙間とを含むように構成されている支持システムとを備え、
前記縁部隙間と中央部隙間が等しくない装置。
【請求項２】
前記縁部隙間が、約３×１０−４ｍから１．２×１０−３ｍの範囲である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記縁部隙間が、約０．５ミリメートルである、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記中央部隙間が、約１．２×１０−３ｍから２．５×１０−３ｍの範囲にある、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記支持システムが、複数の可撓性支持部材を備え、前記複数の可撓性支持部材が、複数の石英ファイバを備える、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記支持システムが、複数の支持ピンを備える、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記縁部隙間が、前記中央部隙間より大きい、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記不均一な間隔が、一般に半径距離の非減少関数として変化する、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記中央部隙間が、約１ミリメートル以下であり、前記縁部隙間が、約２ミリメートルより大きい、請求項７または請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記支持板の前記非平面上面が、前記被加工物の予想される熱変形形状を補足する形状である、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
前記支持板の前記上面の少なくとも一部が、全体的にドーム状になっている、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記支持板の前記上面の少なくとも一部が、全体的にソーサー状になっている、請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
前記支持板の前記上面の内側領域が、全体的に凹状になっており、前記支持板の上面の外側領域が全体的に凸状になっている、請求項１０に記載の装置。
【請求項１４】
前記支持板の前記上面が、前記被加工物の熱処理中に前記被加工物の外周がぶつかるように構成されている接触部を備える、請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１５】
前記接触部が、前記上面の隣接する内側部分に対して角度がついている、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記被加工物が前記支持板の上に支持されている場合、前記支持板が、前記上面と前記被加工物との間にできる隙間のガス流に抵抗するように構成されているガス流障壁を備える、請求項１から請求項１５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１７】
前記支持板が、前記支持板の前記上面の少なくとも一部を含む着脱可能部分を備える、請求項１から請求項１６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１８】
前記支持板が、下部および上部を備え、前記着脱可能部分が前記上部を備え、前記装置が、異なる形状の上面を有する第２の上部をさらに備え、前記支持板の前記上面の形状を変えるために前記第２の上部を前記上部と交換可能である、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記着脱可能部分が、着脱可能端部と、着脱可能中央部とを備える、請求項１７に記載の装置。
【請求項２０】
前記縁部隙間と前記中央部隙間が、調整可能である、請求項１から請求項１９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２１】
前記支持板が、前記支持板を通って前記被加工物に伝達される電磁放射に対して、所望のレンズ効果を提供するように構成されているレンズ部を備える、請求項１から請求項２０のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２２】
被加工物の熱処理中、前記被加工物の初期形状の下面が支持板の非平面上面の上に不均一な間隔を置いて支持されるように、前記支持板の前記非平面上面の上に前記被加工物を支持することを含み、前記不均一な間隔が、前記被加工物の外周の下にある縁部隙間と、前記被加工物の中心軸にある中央部隙間とを含む方法であって、前記縁部隙間と中央部隙間が等しくない方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月5日(2010.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一電極及び第二電極；
第一電極と第二電極との間に積層され堆積された複数の第一半導体材料の層；および、
複数の囲みドット障壁層（ｄｏｔｓ−ｉｎ−ａ−ｆｅｎｃｅ  ｂａｒｒｉｅｒ  ｌａｙｅｒ）、各囲みドット障壁層は実質的に第三半導体材料の二層の間に直接接触して埋設された複数の第二半導体材料の量子ドットからなり、ここで、各囲みドット障壁層は複数の第一半導体材料の層の各二層間に直接接触して積層して堆積される、を含み、
ここで、各量子ドットは、隣接する第一半導体材料の層の伝導バンド端と価電子バンド端との間のエネルギーの少なくとも一の量子状態を供給し、複数の量子ドットの前記少なくとも一の量子状態の波動関数は、少なくとも一の中間バンドとして重なり、
第三半導体材料の層は、第一半導体材料の層中の第一電子および／または第一正孔が各量子ドット中の第二半導体材料に到達する量子力学的トンネル透過を行うために、かつ、第一半導体材料の層中の第二電子および／または第二正孔が第一半導体材料の他の層に到達する量子力学的トンネル透過を行うために、要求されるトンネル障壁として配置される、デバイス。
【請求項２】
第三半導体材料が第一半導体材料と格子整合している請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
第一半導体材料がＧａＡｓであり、第二半導体材料がＩｎＡｓであり、第三半導体材料が、ｘ＞０であるＡｌｘＧａ１−ｘＡｓである請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項４】
各ＩｎＡｓ量子ドットが、２ｎｍ≦Ｒ≦１０ｎｍである平均の横方向断面２Ｒおよび高さｌを有し；
各ＡｌχＧａ１−χＡｓ層が、０．１Ｒ≦ｔ≦０．３Ｒである厚さｔを有し；かつ
二の囲みドット障壁層の間に堆積された各ＧａＡｓ層が、２ｎｍ≦ｄ≦１０ｎｍである厚さｄを有する請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】
各囲みドット障壁層間の量子ドット単位セルの周期が、２Ｒ≦Ｌ≦２Ｒ＋２ｎｍであるＬであり；
隣接する囲みドット障壁層中の量子ドット単位セルの周期が、Ｌｚ＝ｌ＋ｄ＋ｔであるＬｚである請求項４に記載のデバイス。
【請求項６】
６ｎｍ≦Ｒ≦８ｎｍである請求項４または５に記載のデバイス。
【請求項７】
平方センチメートル当たり量子ドットが１０１０〜１０１２存在する請求項６に記載のデバイス。
【請求項８】
複数のＧａＡｓ層の第一電極に最も近い第一層がｎドープされ、複数のＧａＡｓ層の第二電極に最も近い第二層がｐドープされ、複数のＧａＡｓ層の他の層が真性である請求項３〜７のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項９】
各量子ドット中の上記少なくとも一の量子状態が、中間バンドを与えるＩｎＡｓのバンドギャップより上の量子状態を含む請求項３〜８のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１０】
各量子ドット中の上記少なくとも一の量子状態が、中間バンドを与えるＩｎＡｓのバンドギャップより下の量子状態を含む請求項３〜８のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１１】
第一半導体材料がＩｎＰであり、第二半導体材料がＩｎＡｓであり、第三半導体材がＡｌ０．４８Ｉｎ０．５２Ａｓである請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項１２】
各ＩｎＡｓ量子ドットが、２ｎｍ≦Ｒ≦１２ｎｍである平均の横方向断面２Ｒおよび高さｌを有し；
各Ａｌ０．４８Ｉｎ０．５２Ａｓ層が、０．１Ｒ≦ｔ≦０．３Ｒである厚さｔを有し；かつ
二の囲みドット障壁層の間に堆積された各ＩｎＰ層が、２ｎｍ≦ｄ≦１２ｎｍである厚さｄを有する請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１３】
各囲みドット障壁層中の量子ドット単位セルの周期が、２Ｒ≦Ｌ≦２Ｒ＋２ｎｍであるＬであり；
隣接する囲みドット障壁層内の量子ドット単位セルの周期が、Ｌｚ＝ｌ＋ｄ＋ｔであるＬｚである請求項１２に記載のデバイス。
【請求項１４】
複数のＩｎＰ層の第一電極に最も近い第一層がｎドープされ、複数のＩｎＰ層の第二電極に最も近い第二層がｐドープされ、複数のＩｎＰ層の他の層が真性である請求項１１〜１３のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１５】
各量子ドット中の上記少なくとも一の量子状態が、中間バンドを与えるＩｎＡｓのバンドギャップより上の量子状態を含む請求項１１〜１４のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１６】
各量子ドット中の上記少なくとも一の量子状態が、中間バンドを与えるＩｎＡｓのバンドギャップより下の量子状態を含む請求項１１〜１４のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１７】
複数の第一半導体材料の層の第一電極に最も近い第一層がｎドープされ、複数の第一半導体材料の層の第二電極に最も近い第二層がｐドープされ、複数の第一半導体材料の層の他の層が真性である請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項１８】
各量子ドット中の上記少なくとも一の量子状態が、中間バンドを与える第二半導体材料
のバンドギャップより上の量子状態を含む請求項１、２および１７のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１９】
各量子ドット中の上記少なくとも一の量子状態が、中間バンドを与える第二半導体材料のバンドギャップより下の量子状態を含む請求項１、２および１７のいずれか一項に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月28日(2010.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生成されるイオンビームの種に対応するイオンビーム源ハウジング内の圧力を制御するイオン注入装置であって、
イオンビームの生成に用いられる複数の種を有するイオンビーム源ハウジングと、
前記イオンビーム源ハウジングからガスを抜くポンプ部と、
前記イオンビームの生成に用いられる複数の種のうちの一種に対応するポンプパラメータに従い、前記ポンプ部を制御するコントローラと、
を備えるイオン注入装置。
【請求項２】
前記イオンビーム源ハウジング内の圧力に対応する電気圧力信号を生成する圧力測定ユニットをさらに備え、
前記コントローラは、前記電気圧力信号に基づき、前記ポンプ部の動作を調整する、請求項１に記載のイオン注入装置。
【請求項３】
前記圧力測定ユニットは、前記イオンビーム源ハウジング内の全圧を測定する、請求項２に記載のイオン注入装置。
【請求項４】
前記圧力測定ユニットは、前記イオンビーム源ハウジング内の１つ以上の気体成分の分圧を測定する、請求項２に記載のイオン注入装置。
【請求項５】
生成される前記イオンビームのビーム電流に対応する電気ビーム電流信号を生成するビーム電流測定ユニットをさらに備え、
前記コントローラは、前記電気ビーム電流信号に基づき、前記ポンプ部の動作を調整する、請求項１に記載のイオン注入装置。
【請求項６】
前記複数の種は、分子種と原子種とを少なくとも含む、請求項１に記載のイオン注入装置。
【請求項７】
前記コントローラは、イオンビームの生成に用いられる前記種を他の種に切り替えることを示す信号を受信すると、前記他の種に対応するポンプパラメータに従い、前記ポンプ部を制御する、請求項１に記載のイオン注入装置。
【請求項８】
前記コントローラは、ポンプ速度、バラストガスの追加、および、可変弁のうちのいくつでも調整することにより、前記ポンプ部を制御する、請求項１に記載のイオン注入装置。
【請求項９】
生成されるイオンビームの種に対応するイオンビーム源ハウジング内の圧力を制御する方法であって、
イオンビーム源ハウジング内の複数の種のうちの一種を用いてイオンビームを生成する段階と、
ポンプ部を用い、前記イオンビーム源ハウジングからガスを抜く段階と、
前記イオンビームの生成に用いられる複数の種のうちの前記一種に対応するポンプパラメータに従い、前記ポンプ部を制御する段階と、
を備える方法。
【請求項１０】
前記イオンビーム源ハウジング内の圧力に対応する電気圧力信号を、圧力測定ユニットにより生成する段階をさらに備え、
前記制御する段階は、前記電気圧力信号に基づき、前記ポンプ部の動作を調整する段階を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記圧力測定ユニットは、前記イオンビーム源ハウジング内の全圧を測定する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記圧力測定ユニットは、前記イオンビーム源ハウジング内の１つ以上の気体成分の分圧を測定する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
生成される前記イオンビームのビーム電流に対応する電気ビーム電流信号を、ビーム電流測定ユニットにより生成する段階をさらに備え、
前記制御する段階は、前記電気ビーム電流信号に基づき、前記ポンプ部の動作を調整する段階を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記複数の種は、分子種と原子種とを少なくとも含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記制御する段階は、イオンビームの生成に用いられる前記種を他の種に切り替えることを示す信号を受信すると、前記他の種に対応するポンプパラメータに従い、前記ポンプ部を制御する段階を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
前記制御する段階は、ポンプ速度、バラストガスの追加、および、可変弁のうちのいくつでも調整することにより、前記ポンプ部を制御する段階を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
請求項９から１６の何れか１項に記載の方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月9日(2010.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソード（３）が電子（２）の放出領域（１）を備えて、前記放出領域（１）が個別に配置されるか、あるいは、個別に配置可能な複数の原子（４）または分子からなる形態を備えているとともに、放出された電子（２）を誘引するアノード（７）が前記放出領域（１）に対向して配置されている電界放出装置であって、
前記アノード（７）が、混合物として蛍光体（９）に実装されていることを特徴とする電界放出装置。
【請求項２】
前記原子（４）または分子が、結晶構造に配置されていることを特徴とする請求項１に記載された電界放出装置。
【請求項３】
前記原子（４）の少なくとも１つが、炭素原子からなっていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載された電界放出装置。
【請求項４】
前記形態が、カーボンナノチューブに変更されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１つに記載された電界放出装置。
【請求項５】
前記１つ以上の炭素原子またはナノチューブが、複合物質に結合されているか、あるいは、結合したナノ粒子、または、ナノ合成物として供給されていることを特徴とする請求項４に記載された電界放出装置。
【請求項６】
前記電界放出装置が、電界放出顕微鏡、走査型トンネル顕微鏡、または、原子力顕微鏡で使用可能になっていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１つに記載された電界放出装置。
【請求項７】
前記複数のカソード（３）が、線上または平面上に配置されていることにより、線状または平面状の電子源が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１つに記載された電界放出装置。
【請求項８】
前記複数のカソード（３）が、一つの平面上に行列をなして配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１つに記載された電界放出装置。
【請求項９】
前記カソード（３）が、個別にまたはまとめて活性化可能になっていることを特徴とする請求項７または請求項８に記載された電界放出装置。
【請求項１０】
前記カソード（３）が、光学ディスプレイまたはディスプレイスクリーンのピクセルの電子源としてそれぞれ実装されていることを特徴とする請求項７乃至請求項９のいずれか１つに記載された電界放出装置。
【請求項１１】
前記アノード（７）が、電気的に導電性の物質を含んでいることを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれか１つに記載された電界放出装置。
【請求項１２】
前記アノード（７）が、電子透過性の物質を含んでいることを特徴とする請求項１乃至請求項１１のいずれか１つに記載された電界放出装置。
【請求項１３】
前記アノード（７）が、金属または導電性プラスチックを含んでいることを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれか１つに記載された電界放出装置。
【請求項１４】
前記金属が、アルミニウム、銅、または、タングステンからなっていることを特徴とする請求項１３に記載された電界放出装置。
【請求項１５】
前記アノード（７）が、ポリアニリン、ポリピロール、または、ポリフェニレンアミンを含んでいることを特徴とする請求項１乃至請求項１４のいずれか１つに記載された電界放出装置。
【請求項１６】
前記アノード（７）が、薄層または薄膜（８）により形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項１５のいずれか１つに記載された電界放出装置。
【請求項１７】
前記薄層または薄膜（８）が、少なくとも部分的に蛍光体（９）に貼り付けられていることを特徴とする請求項１６に記載された電界放出装置。
【請求項１８】
前記蛍光体（９）が、電子（２）を伝導および／または誘引する物質からなる混合物を有していることを特徴とする請求項１乃至請求項１７のいずれか１つに記載された電界放出装置。
【請求項１９】
前記電子（２）を伝導および／または誘引する物質が、金属を含んでいることを特徴とする請求項１８に記載された電界放出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月10日(2010.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハイドロフルオロアルケン、ヨードカーボン、ならびに、少なくとも１つの水素原子および少なくとも１つの炭素原子を有し炭素原子と結合した水素原子の総数の１７％以下が第三級水素原子である少なくとも１つの潤滑剤を含む組成物。
【請求項２】
炭素原子と結合した水素原子の総数の１％未満が第三級水素原子である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
さらにハイドロフルオロアルカンを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
（ａ）請求項１の組成物を含む伝熱組成物、および
（ｂ）該伝熱組成物の少なくとも一部を含有し、および／または少なくとも一部と接触している１またはそれより多くの容器
を含む伝熱系。
【請求項５】
請求項１の組成物を含む伝熱組成物を流体または物体と接触させることを含む、流体または物体へ、あるいは流体または物体から熱を伝える方法。
【請求項６】
冷却系に含有された現行の冷媒を置換する方法であって、前記系から前記現行の冷媒の少なくとも一部を置換すること、および請求項１の組成物を含む冷媒組成物を前記系に導入することによって、前記現行の冷媒の少なくとも一部を置換することを含む、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月12日(2010.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面と背面とを有し、前面が太陽輻射光に曝されて熱を発生させるように適合された輻射光捕捉構造と、
少なくとも１つの熱電変換器に亘り温度差が実現するように、自身の高温端部で前記輻射光捕捉構造に熱的に結合して前記発生した熱の少なくとも一部を受ける熱電変換器と、を備え、
前記輻射光捕捉構造が捕捉面積によって特徴づけられ、前記複数の熱電変換器が変換器面積によって特徴づけられ、変換器面積に対する捕捉面積の比が約１００より大きい、太陽光発電器。
【請求項２】
変換器面積に対する捕捉面積の比が約３００より大きい、請求項１記載の太陽光発電器。
【請求項３】
変換器面積に対する捕捉面積の比が約５００より大きい、請求項１記載の太陽光発電器。
【請求項４】
排気されたエンクロージャを有し、輻射光捕捉構造が該エンクロージャ内に少なくとも部分的に配置されている、請求項１記載の太陽光発電器。
【請求項５】
前面及び後面の各々の少なくとも一部が、約０℃から約１０００℃の温度範囲に亘って約０．１以下の放射率を示し、前記前面が約８０％以上の太陽光輻射に対する吸収力を示している請求項４記載の太陽光発電器。
【請求項６】
前記太陽光発電器が、少なくとも約４％の太陽光エネルギ変換を示す、請求項５記載の太陽光発電器。
【請求項７】
前記熱電変換器の前記高温端部と前記低温端部との間の温度差が少なくとも約５０℃である、請求項６記載の太陽光発電器。
【請求項８】
前記熱変換器の低温端部に結合された支持構造を更に備え、該支持構造が、輻射捕捉構造の後面に対面するよう適合された内面を有し、該支持構造の内面が約０．１以下の全体放射率を示す、請求項５記載の太陽光発電器。
【請求項９】
輻射捕捉構造の前面及び後面間に配設された少なくとも１つの熱拡散要素を更に備え、該少なくとも１つの熱拡散要素が、前記輻射光捕捉構造中で約２０Ｗ／ｍＫより大きい値を有する横方向の熱伝導率を与える、請求項５記載の太陽光発電器。
【請求項１０】
少なくとも１つの熱変換器が、熱的に結合して接合部を形成する、少なくとも１つのｎ型熱電脚と少なくとも１つのｐ型熱電脚とを備え、該少なくとも１つのｎ型熱電脚と少なくとも１つのｐ型熱電脚のそれぞれが軸方向によって特徴づけられ、前記軸方向間の角度が約０°から約１８０°までの範囲内に存在するように、前記少なくとも１つのｎ型脚と少なくとも１つのｐ型脚とが互いに相対して配置され、入射太陽輻射光を収集して濃縮するように適合された少なくとも１つの輻射光収集器を備え、該少なくとも１つのｎ型熱電脚と少なくとも１つのｐ型熱電脚とが複数対のｎ型熱電脚とｐ型熱電脚とを有し、各対のｎ型熱電脚とｐ型熱電脚とが直線状に配列されて接合部を共有し、少なくとも２対のｎ型熱電脚とｐ型熱電脚が共通接合部を共有する、請求項１記載の太陽光発電器。
【請求項１１】
高温端部と低温端部の間に温度差を発生するように発生された熱の少なくとも一部を各々が受けるべく輻射光捕捉構造に熱的に結合された複数の熱電変換器を備え、
前記輻射光捕捉構造上の入射太陽輻射光に応じて、それぞれの変換器の前記高温端部と前記低温端部との間に少なくとも約５０℃の温度差を発生させ、前記変換器の前記低温端部が約９０℃より低い温度に維持されるように、前記輻射光捕捉構造に比べて離間的な前記変換器の配列が適合される、請求項１記載の太陽光発電器。
【請求項１２】
前記前面が約２０Ｗ／ｍＫより大きな横方向の熱伝導率を示す、請求項５記載の太陽光発電器。
【請求項１３】
少なくとも１つの熱電気変換器が配設された独立した環境を囲み、排気された環境への輻射光波長の伝達を許すように１つ以上の太陽光輻射波長に少なくとも部分的に伝達するバリヤ構造、
熱電変換器を横切る温度差の発生を容易にするため熱電変換器の一部を加熱するように太陽光輻射を向けるべく独立した環境に光学的に結合された輻射濃縮器、及び
前記少なくとも１つの熱電変換器に熱的に結合するように適合されて前記少なくとも１つの熱電変換器の一部から熱を除去するように適合された熱拡散器、を更に備える、請求項１記載の太陽光熱電発電器。
【請求項１４】
輻射光捕捉構造に太陽光輻射を指向するように輻射光捕捉構造に光学的に結合された光学濃縮器を備えており、前記輻射光捕捉構造は、前記光学濃縮器によって前記輻射光捕捉構造上に配光された輻射光の少なくとも一部を受けるように適合された少なくとも１つの突出要素を有しており、該少なくとも１つの突出要素が太陽輻射光への暴露に応じて熱を発生させる、請求項１記載の太陽光発電器
【請求項１５】
輻射光捕捉構造が、太陽輻射光を捕捉して前記輻射光捕捉構造中に熱を発生させるように適合された太陽光捕捉面を備えており、輻射光捕捉構造の太陽光補捉面と密接に結合されて輻射光捕捉構造の太陽光捕捉面に入射太陽輻射光を収集して濃縮するように適合された太陽光収集濃縮器を更に備える、請求項１記載の太陽光発電器。
【請求項１６】
前記輻射光捕捉構造は、太陽光収集伝達器によって向けられる多方向からの輻射光の少なくとも一部を受けるように適合された少なくとも１つの突出要素を有する、請求項１５記載の太陽光発電器。
【請求項１７】
独立した環境を取り囲むバリヤ構造であって、独立した環境への輻射光波長の伝達を許すように１つ以上の太陽光輻射波長に少なくとも部分的に伝達するバリヤ構造、少なくとも１つの熱電気変換器、該少なくとも１つの熱電変換器の一部から熱を取り除くように該少なくとも１つの熱変換器に熱的に結合された熱拡散器を備えた太陽光熱発電器を作動する方法において、
独立した環境の少なくとも１つの熱電気変換器を取り囲むように熱拡散器にバリヤ構造を取り外し可能に結合する過程、
前記熱電気変換器における温度差を発生するように熱電気変換器の一部を加熱するための太陽光輻射を受ける過程、
バリヤ構造を熱拡散器から取り外す過程、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項１８】
前記バリヤ構造が球状の形状であり、前記独立した環境の少なくとも１つの熱電気変換器に結合された輻射光捕捉構造を有する、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記独立した環境が大気圧よりも低い熱容量を備える環境を有する、請求項１７記載の方法。
【請求項２０】
前記独立した環境が大気圧に比べ排気された環境を有する、請求項１７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月15日(2010.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
【化１】
2010509348.tif 000001
［式中、
Ｒ１は、水素、アルキル、置換アルキル、シクロアルキル、置換シクロアルキル、アリールまたは置換アリールであり；
Ｒ２は、アルキル、置換アルキル、シクロアルキル、置換シクロアルキル、アリール、置換アリール、ヘテロシクリル、置換ヘテロシクリル、シクロアルキルアルキル、置換シクロアルキルアルキル、アリールアルキル、置換アリールアルキル、ヘテロシクリルアルキル、置換ヘテロシクリルアルキル、−（ＣＨ２）ｎ−置換アルキル、−（ＣＨ２）ｎ−アリール、−（ＣＨ２）ｎ−置換アリール、−（ＣＨ２）ｎ−置換ヘテロアリール、−（ＣＨ２）ｎ−ＯＨ、−（ＣＨ２）ｎ−ＮＨ２、−（ＣＨ２）ｎ−Ｓ−アルキルまたは−ＳＯ２アルキルであり、そのうちの置換シクロアルキル、置換アリール、置換ヘテロシクリル、置換シクロアルキルアルキル、置換アリールアルキル、置換ヘテロシクリルアルキル、−（ＣＨ２）ｎ−置換アリール、または−（ＣＨ２）ｎ−置換ヘテロアリールが選択された場合、その炭素環に２つの置換基が結合してもよく；および
ｎは０、１、２、３または４である］
によって表される式Ｉの化合物、あるいはそれの医薬的に許容される塩、または立体異性体。
【請求項２】
【化２】
2010509348.tif 000002
［式中、
Ｒ２は、アルキル、置換アルキル、シクロアルキル、置換シクロアルキル、アリール、置換アリール、ヘテロシクリル、置換ヘテロシクリル、シクロアルキルアルキル、置換シクロアルキルアルキル、アリールアルキル、置換アリールアルキル、ヘテロシクリルアルキル、置換ヘテロシクリルアルキル、−（ＣＨ２）ｎ−置換アルキル、−（ＣＨ２）ｎ−アリール、−（ＣＨ２）ｎ−置換アリール、−（ＣＨ２）ｎ−置換ヘテロアリール、−（ＣＨ２）ｎ−ＯＨ、−（ＣＨ２）ｎ−ＮＨ２、−（ＣＨ２）ｎ−Ｓ−アルキルまたは、−ＳＯ２アルキルであり、そのうちの置換シクロアルキル、置換アリール、置換ヘテロシクリル、置換シクロアルキルアルキル、置換アリールアルキル、置換ヘテロシクリルアルキル、−（ＣＨ２）ｎ−置換アリール、または−（ＣＨ２）ｎ−置換ヘテロアリールが選択された場合、その炭素環に２つの置換基が結合してもよく；および
ｎは０、１、２、３または４である］
によって表される式ＩＩの化合物、あるいはそれの医薬的に許容される塩、または立体異性体。
【請求項３】
Ｎ２−（５−シクロプロピル−１Ｈ−ピラゾル−３−イル）−Ｎ４−（（１Ｓ）−１−（４−フルオロフェニル）エチル）ピロロ［２，１−ｆ］［１，２，４］トリアジン−２，４−ジアミン、
Ｎ２−（５−シクロプロピル−１Ｈ−ピラゾル−３−イル）−Ｎ４−（（１Ｓ）−１−メチルペンチル）ピロロ［２，１−ｆ］［１，２，４］トリアジン−２，４−ジアミン、
Ｎ４−（１−ベンジル−３−ピロリジニル）−Ｎ２−（５−メチル−１Ｈ−ピラゾル−３−イル）ピロロ［２，１−ｆ］［１，２，４］トリアジン−２，４−ジアミン、
Ｎ４−（３−シクロプロピル−１Ｈ−ピラゾル−５−イル）−Ｎ２−（（１Ｓ）−１−フェニルエチル）ピロロ［２，１−ｆ］［１，２，４］トリアジン−２，４−ジアミン、
Ｎ４−（３−シクロプロピル−１Ｈ−ピラゾル−５−イル）−Ｎ２−（（1R）−１−フェニルエチル）ピロロ［２，１−ｆ］［１，２，４］トリアジン−２，４−ジアミン、
Ｎ４−（（１Ｓ）−１−（４−フルオロフェニル）エチル）−Ｎ２−（５−メチル−１Ｈ−ピラゾル−３−イル）ピロロ［２，１−ｆ］［１，２，４］トリアジン−２，４−ジアミン、
Ｎ４−シクロヘプチル−Ｎ２−（５−シクロプロピル−１Ｈ−ピラゾル−３−イル）ピロロ［２，１−ｆ］［１，２，４］トリアジン−２，４−ジアミン、
Ｎ４−（シクロヘキシルメチル）−Ｎ２−（５−シクロプロピル−１Ｈ−ピラゾル−３−イル）ピロロ［２，１−ｆ］［１，２，４］トリアジン−２，４−ジアミン、
Ｎ４−（（１Ｓ）−１−シクロヘキシルエチル）−Ｎ２−（５−シクロプロピル−１Ｈ−ピラゾル−３−イル）ピロロ［２，１−ｆ］［１，２，４］トリアジン−２，４−ジアミン、
を含む群から選択される化合物、あるいはそれらの医薬的に許容される塩、または立体異性体。
【請求項４】
請求項１の化合物を一以上、および医薬的に許容される担体を含む医薬組成物。
【請求項５】
請求項１の化合物の一以上を、医薬的に許容される担体、および一以上の他の抗癌剤、または細胞毒性薬と組み合わせたものを含む医薬組成物。
【請求項６】
請求項１の化合物の一以上の治療上の有効量を含む、増殖性疾患の治療剤。
【請求項７】
該増殖性疾患が癌である、請求項６の治療剤。
【請求項８】
該癌が、前立腺癌、膵管腺癌、乳癌、結腸癌、肺癌、卵巣癌、膵臓癌および甲状腺癌、神経芽細胞腫、神経膠芽腫、髄芽細胞腫および黒色腫、多発性骨髄腫、並びに急性骨髄性白血病（ＡＭＬ）を含む群から選択される、請求項７の治療剤。
【請求項９】
請求項１の化合物の一以上と組み合わせた、一以上の他の抗癌剤、または細胞毒性薬の治療上の有効量をさらに含む、請求項８の治療剤。
【請求項１０】
請求項１の化合物の一以上の有効量を含む、受容体チロシンキナーゼ活性の調節剤。
【請求項１１】
請求項１の化合物の一以上と組み合わせた、一以上の他の抗癌剤、または細胞毒性薬の治療上の有効量をさらに含む、請求項１０の治療剤。
【請求項１２】
前記受容体チロシンキナーゼが、ＴｒｋＡまたはＴｒｋＢ、ＴｒｋＣまたはＦｌｔ−３である、請求項１1の治療剤。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月10日(2010.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
巨大分子および結晶質の担体材料を含む吸入用の粉末製剤。
【請求項２】
前記担体材料が、果糖、サッカロース、ショ糖、麦芽糖、マンニトール、乳糖一水和物、ブドウ糖一水和物、キシリトール、キシロース、およびソルビトールからなる群より選択されることを特徴とする請求項１記載の製剤。
【請求項３】
ステアリン酸マグネシウムを含むことを特徴とする請求項１または２記載の製剤。
【請求項４】
前記巨大分子が、タンパク質、ペプチド、オリゴペプチド、ポリペプチド、ポリアミノ酸核酸、ポリヌクレオチド、オリゴヌクレオチド、および高分子量多糖類からなる群より選択されることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の製剤。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか１項記載の製剤であって、前記巨大分子が、
アルブミン類；ＢＳＡ；ＩｇＧ；ＩｇＭ；インスリン；ＧＣＳＦ；ＧＭＣＳＦ；ＬＨＲＨ；ＶＥＧＦ；ｈＧＨ；リゾチーム；α−ラクトグロブリン；塩基性線維芽細胞成長因子（ｂＦＧＦ）；アスパラギナーゼ；ｔＰＡ；ウロキナーゼ（urokin-）ＶＥＧＦ；キモトリプシン；トリプシン；ストレプトキナーゼ；インターフェロン；炭酸脱水酵素；オボアルブミン；グルカゴン；ＡＣＴＨ；オキシトシン；ホスホリラーゼｂ；アルカリフォスファターゼ（alkaline phos-）セクレチン；バソプレシン；レボチロキシン；ファターゼ（phatase）；β−ガラクトシダーゼ；副甲状腺ホルモン；カルシトニン；フィブリノゲン；ポリアミノ酸；血管形成阻害薬またはプロ免疫グロブリン（pro- immunoglobulins）；モーター（moters）；ソマトスタチンおよび類似体、カゼイン、コラーゲン、ゼラチン；大豆タンパク質；およびサイトカイン；免疫グロブリン；
生理活性を有するタンパク質；
インスリン、プロインスリン、インスリンのＣ−ペプチド、インスリンおよびインスリンのＣ−ペプチドの混合物、ハイブリッドインスリンの共結晶、成長ホルモン、副甲状腺ホルモン、黄体形成ホルモン放出ホルモン（ＬＨ−ＲＨ）、副腎皮質刺激ホルモン（ＡＣＴＨ）、アミリン、オキシトシン、黄体形成ホルモン、（Ｄ−Ｔｒｐ６）−ＬＨＲＨ、酢酸ナファレリン、酢酸ロイプロリド、卵胞刺激ホルモン、グルカゴン、プロスタグランジン、エストラジオール、テストステロン、および生殖器官に作用する他の因子およびそれらの誘導体、類似体、および同種のものを含む、ホルモンおよびホルモン調節剤；
とりわけ、エリスロポエチン、顆粒球コロニー刺激因子（Ｇ−ＣＳＦ）、顆粒球マクロファージコロニー刺激因子（ＧＭ−ＣＳＦ）、およびマクロファージコロニー刺激因子（Ｍ−ＣＳＦ）、白血球増殖因子製剤（Leucoprol）トロンボポエチン、血小板増殖刺激因子、巨核球増殖（刺激）因子、および第VIII因子を含む、造血因子または血小板増加因子；
骨γカルボキシグルタミン酸含有ペプチド、副甲状腺ホルモンおよびその活性断片（オステオスタチン）、ヒストンＨ４に関連した骨形成および増殖ペプチド（ＯＧＰ）、およびそれらの突然変異タンパク質、誘導体、および類似体を含む、骨組織および骨格に作用する治療的因子、ならびに、骨粗鬆症治療剤；
膵消化酵素（pancrease）、Ｌ−アスパラギナーゼ、ヒアルロニダーゼ、キモトリプシン、トリプシン、ｔＰＡ、ストレプトキナーゼ、ウロキナーゼ、パンクレアチン、コラゲナーゼ、トリプシノゲン、キモトリプシノゲン、プラスミノゲン、ストレプトキナーゼ、アデニル・シクラーゼ、およびスーパーオキシド・ジスムターゼ（ＳＯＤ）を含む、酵素および酵素補因子；
Ｂ型肝炎、ＭＭＲ（はしか、おたふく風邪、および風疹）、およびポリオワクチンを含む、ワクチン；
神経成長因子（ＮＧＦ，ＮＧＦ−２／ＮＴ−３）、上皮細胞増殖因子（ＥＧＦ）、線維芽細胞増殖因子（ＦＧＦ）、インスリン様増殖因子（ＩＧＦ）、形質転換成長因子（ＴＧＦ）、血小板由来細胞増殖因子（ＰＤＧＦ）、および肝細胞成長因子（ＨＧＦ）を含む、成長因子；
血圧、動脈硬化等を調節する因子を含む、心臓血管系に作用する因子；
オピオイド・ペプチド、神経親和性因子（ＮＴＦ）、カルシトニン遺伝子関連ペプチド（ＣＧＲＰ）、甲状腺ホルモン放出ホルモン（ＴＲＨ）、ＴＲＨの塩および誘導体、およびニューロテンシンを含む、中枢神経系および末梢神経系に作用する因子；
セクレチンおよびガストリンを含む、胃腸系に作用する因子；
血球凝集、血漿コレステロール濃度、または金属イオン濃度を調節する因子を含む、体液中の電解質および血中物質に作用する因子、および、細胞粘着因子；
腎臓の機能を制御する物質を含む、腎臓および尿管に作用する因子；
種々の器官の感受性を調節する因子を含む、感覚器官に作用する因子；
化学療法剤；
炎症および悪性新生物を調節する因子、および、伝染性の微生物を攻撃する因子を含む、免疫系に作用する因子；
単独で、またはハプテンと結合させて、またはアジュバントと一緒に用いる、抗原として作用しうる、天然、化学合成、または組換えのペプチドまたはタンパク質；
からなる群より選択されることを特徴とする製剤。
【請求項６】
前記巨大分子が、バルク形態、ペグ化形態、または微粒子の形態で提供されることを特徴とする、請求項１〜５いずれか１項記載の製剤。
【請求項７】
前記巨大分子が、微粉化された形態で提供されることを特徴とする請求項１〜６いずれか１項記載の製剤。
【請求項８】
巨大分子を含む細粒を担体材料と混合する工程を有してなる、請求項１〜７いずれか１項記載の製剤を形成する方法。
【請求項９】
前記巨大分子の細粒が、バルク巨大分子を担体材料と共に微粉化する工程で形成されることを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】
共微粉化された巨大分子および担体材料を含む、細粒材料。
【請求項１１】
請求項１〜６いずれか１項記載の吸入製剤を、単回または複数回の治療用量で含むパッケージ。
【請求項１２】
請求項１１記載のパッケージを備えた、乾燥粉末吸入器。
【請求項１３】
患者の循環血流に巨大分子を投与するのに使用される請求項１〜６いずれか１項記載の吸入製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月31日(2011.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化合物：
【化１】
2010509376.tif 000001
またはその医薬上許容しうる塩。
【請求項２】
請求項１に記載の化合物および１以上の医薬上許容しうる担体または賦形剤を含む、医薬組成物。
【請求項３】
請求項１に記載の化合物および１以上のさらなる薬剤を含む、医薬組合せ。
【請求項４】
前記１以上のさらなる薬剤がウイルスセリンプロテアーゼ阻害剤、ウイルスポリメラーゼ阻害剤、ウイルスヘリカーゼ阻害剤、免疫調節薬、抗酸化剤、抗菌剤、治療用ワクチン、肝臓保護薬、アンチセンス薬、ＨＣＶ  ＮＳ２／３プロテアーゼの阻害剤、および内部リボソーム侵入部位（ＩＲＥＳ）の阻害剤から選択される、請求項３に記載の医薬組合せ。
【請求項５】
前記１以上のさらなる薬剤がリバビリンおよびインターフェロン−αから選択される、請求項３に記載の医薬組合せ。
【請求項６】
前記１以上のさらなる薬剤がリバビリンおよびペグインターフェロン−αから選択される、請求項３に記載の医薬組合せ。
【請求項７】
請求項１に記載の化合物を含む、宿主におけるＣ型肝炎ウイルス感染症を治療するための医薬組成物。
【請求項８】
１以上のさらなる薬剤をさらに含む、請求項７に記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記１以上のさらなる薬剤がウイルスセリンプロテアーゼ阻害剤、ウイルスポリメラーゼ阻害剤、ウイルスヘリカーゼ阻害剤、免疫調節薬、抗酸化剤、抗菌剤、治療用ワクチン、肝臓保護薬、アンチセンス薬、ＨＣＶ  ＮＳ２／３プロテアーゼの阻害剤、および内部リボソーム侵入部位（ＩＲＥＳ）の阻害剤から選択される、請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
前記１以上のさらなる薬剤がリバビリンおよびインターフェロン−αから選択される、請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記１以上のさらなる薬剤がリバビリンおよびペグインターフェロン−αから選択される、請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
化合物：
【化２】
2010509376.tif 000002
の医薬上許容しうる塩。
【請求項１３】
化合物：
【化３】
2010509376.tif 000003
【請求項１４】
ａ）化合物：
【化４】
2010509376.tif 000004
ｂ）ペグインターフェロン−α；および
ｃ）リバビリン
を含む医薬組合せ。
【請求項１５】
ａ）化合物：
【化５】
2010509376.tif 000005
ｂ）ペグインターフェロン−α；および
ｃ）リバビリン
を含む、宿主におけるＣ型肝炎ウイルス感染症を治療するための医薬組成物。