【事件の表示】
　特願２０００−５１３２７３「磁気抵抗性読取センサとその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　４月　１日国際公開、ＷＯ９９／１６０５７、平成１３年１０月　９日国内公表、特表２００１−５１７８４８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
第１　手続の経緯
　
　本願は、平成１０年９月２２日（パリ条約による優先権主張　１９９７年９月２２日　米国（ＵＳ））を国際出願日とする出願であって、平成１９年６月４日付けで拒絶理由が通知され、その指定期間内である同年９月１９日付けで手続補正がなされたが、同年１０月１１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２０年１月１５日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年２月１４日付けで手続補正がなされたものである。
　その後、平成２２年４月１９日付けで前置報告に基づく審尋がなされ、同年７月１６日付けで回答書が提出されたものである。
　
　
第２　平成２０年２月１４日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
[補正却下の決定の結論］
　平成２０年２月１４日付けの手続補正を却下する。
　
「理由」
　
１．本件補正
　
　平成２０年２月１４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲についてするもので、本件補正前に、
　
「【請求項１】　ギャップ層、
　前記ギャップ層を第１と第２の外側領域に分離する当該ギャップ層の中心領域上に設けられたソフト隣接層、
　前記ソフト隣接層上に設けられたスペーサ層、
　前記ギャップ層の前記第１と前記第２の外側領域上に設けられ、前記ソフト隣接層の上方にアクティブ領域を画成し、該アクティブ領域の両側で上方に第１と第２のパッシブ領域を画成する下部層、
　前記下部層上の前記第１と第２のパッシブ領域に形成され、前記ソフト隣接層に対して衝接結合構造を有する第１のハードバイアス層、
　前記下部層上の前記第１と第２のパッシブ領域に形成された第１のハードバイアス層、
　前記第１のハードバイアス層上の前記第１と第２のパッシブ領域に形成された低抵抗材料層、
　前記低抵抗材料層上の前記第１と第２のパッシブ領域に配置された第２ハードバイアス層、
　前記スペーサ層および前記第２ハードバイアス層上に設けられ、前記アクティブ領域および前記第１と第２のパッシブ領域上に延在し、かつ両第１および第２のハードバイアス層に良好な導通を提供し、これらハードバイアス層の磁気特性を保持する磁気抵抗性層、
ならびに
　前記磁気抵抗性層上の前記アクティブ領域および前記第１と第２のパッシブ領域に設けられたキャップ層、
を有する磁気抵抗読取センサ。
　【請求項２】　前記キャップ層上の前記第１と第２のパッシブ領域にさらに複数の接点を有する請求項１に記載の磁気抵抗センサ。
　【請求項３】　前記磁気抵抗性層が１００μΩ−ｃｍ以下の低効率を有する軟磁性材料で形成される請求項１に記載の磁気抵抗センサ。
　【請求項４】　前記スペーサ層は、少なくとも１００μΩ−ｃｍの低効率を有する非磁性材料で形成される請求項１に記載の磁気抵抗センサ。
　【請求項５】　前記ソフト隣接層が、少なくとも１００μΩ−ｃｍの低効率を有する軟磁性材料で形成される請求項１に記載の磁気抵抗センサ。
　【請求項６】　下部層、該下部層上に配置された第１ハードバイアス層、該第１ハードバイアス層上に配置された低抵抗材料層、該低抵抗材料層上に配置された第２ハードバイアス層、該第２ハードバイアス層上に配置された磁気抵抗性層の第１パッシブ領域ならびに該磁気抵抗層の該第１パッシブ領域上に配置されたキャップ層の第１パッシブ領域を含む第１パッシブ領域、
　下部層、該下部層上に配置された第１ハードバイアス層、該第１ハードバイアス層上に配置された低抵抗材料層、該低抵抗材料層上に配置された第２ハードバイアス層、該第２ハードバイアス層上に配置された磁気抵抗性層の第２パッシブ領域ならびに該磁気抵抗性層の該第２パッシブ領域上に配置されたキャップ層の第２パッシブ領域を含む第２領域、
　前記第１および第２のパッシブ領域を分離し、ソフト隣接層、該ソフト隣接層上に配置されたスペーサ層、該スペーサ層上に配置された磁気抵抗性層のアクティブ領域ならびに該磁気抵抗性層の該アクティブ領域上に配置されたキャップ層のアクティブ領域を含むアクティブ領域、
を有し、
　前記ソフト隣接層が前記第１ハードバイアスと磁気的に結合され、前記磁気抵抗性層の第１と第２パッシブ領域が前記第２ハードバイアス層の第１と第２のパッシブ領域にそれぞれ交換結合している磁気抵抗読取センサ。
　【請求項７】　前記キャップ層の第１と第２のパッシブ領域にそれぞれ設けられた第１と第２接点をさらに有する請求項６に記載の磁気抵抗読取センサ。
　【請求項８】　前記磁気抵抗性層が１００μΩ−ｃｍ以下の低効率を有する軟磁性材料で形成される請求項６に記載の磁気抵抗センサ。
　【請求項９】　前記スペーサ層は、少なくとも１００μΩ−ｃｍの低効率を有する非磁性材料で形成される請求項６に記載の磁気抵抗センサ。
　【請求項１０】　前記ソフト隣接層が、少なくとも１００μΩ−ｃｍの低効率を有する軟磁性材料で形成される請求項６に記載の磁気抵抗センサ。
　【請求項１１】　ギャップ層、
　前記ギャップ層を第１と第２の外側領域に分離する当該ギャップ層の中心領域上に設けられたソフト隣接層、
　前記ソフト隣接層上に設けれたスペーサ層、
　前記ギャップ層の前記第１と前記第２の外側領域上に設けられ、前記ソフト隣接層の上方にアクティブ領域を画成し、該アクティブ領域の両側に第１と第２のパッシブ領域を画成する下部層、
　前記下部層上の前記第１と第２のパッシブ領域に形成された第１のハードバイアス層、
　前記第１のハードバイアス層上の前記第１と第２のパッシブ領域に形成された低抵抗材料層、
　前記低抵抗材料層上の前記第１と第２のパッシブ領域に配置された第２ハードバイアス層、
　前記スペーサ層および前記第２ハードバイアス層上に設けられた磁気抵抗性層、ならびに
　前記磁気抵抗性層上の前記アクティブ領域および前記第１と第２のパッシブ領域に設けられたキャップ層、
を有する磁気抵抗読取センサ。
　【請求項１２】　前記キャップ層上の前記第１と第２のパッシブ領域にさらに複数の接点を有する請求項１１に記載の磁気抵抗センサ。
　【請求項１３】　前記磁気抵抗性層が１００μΩ−ｃｍ以下の低効率を有する軟磁性材料で形成される請求項１１に記載の磁気抵抗センサ。
　【請求項１４】　前記スペーサ層は、少なくとも１００μΩ−ｃｍの低効率を有する非磁性材料で形成される請求項１１に記載の磁気抵抗センサ。
　【請求項１５】　前記ソフト隣接層が、少なくとも１００μΩ-ｃｍの低効率を有する軟磁性材料で形成される請求項１１に記載の磁気抵抗センサ。」
　
　とあったところを、本件補正後、
　
「【請求項１】　ギャップ層、
　
前記ギャップ層の中心領域上に設けられ、当該ギャップ層を第１と第２の外側領域に分離する
　前記ソフト隣接層上に設けられたスペーサ層、
　前記ギャップ層の前記第１と前記第２の外側領域上に設けられ、前記ソフト隣接層の上方にアクティブ領域を画成す
る前記中心領域の両側
　前記下部層上の前記第１と第２のパッシブ領域に形成され、前記ソフト隣接層に対して衝接結合構造を有する第１のハードバイアス層、
　前記第１のハードバイアス層上の前記第１と第２のパッシブ領域に形成された低抵抗材料層、
　前記低抵抗材料層上の前記第１と第２のパッシブ領域に配置された第２ハードバイアス層、
　
前記低抵抗材料層は、第１および第２のハードバイアス層に良好な導通を提供し、これらハードバイアス層の磁気特性を保持する抵抗を有すること、
　前記スペーサ層および前記第２ハードバイアス層上に設けられ、前記アクティブ領域および前記第１と第２のパッシブ領域上に延在
する
　前記磁気抵抗性層上の前記アクティブ領域および前記第１と第２のパッシブ領域に設けられたキャップ層、
を有する磁気抵抗読取センサ。
　【請求項２】　前記キャップ層上の前記第１と第２のパッシブ領域にさらに複数の接点を有する請求項１に記載の磁気抵抗
読取
　【請求項３】　前記磁気抵抗性層が１００μΩ−ｃｍ以下の
抵抗
読取
　【請求項４】　前記スペーサ層は、少なくとも１００μΩ−ｃｍの
抵抗
読取
　【請求項５】　前記ソフト隣接層が、少なくとも１００μΩ−ｃｍの
抵抗
読取
　【請求項６】　下部層、該下部層上に配置された第１ハードバイアス層、該第１ハードバイアス層上に配置された低抵抗材料層、該低抵抗材料層上に配置された第２ハードバイアス層、
前記低抵抗材料層は、第１および第２のハードバイアス層に良好な導通を提供し、これらハードバイアス層の磁気特性を保持する抵抗を有すること、
　下部層、該下部層上に配置された第１ハードバイアス層、該第１ハードバイアス層上に配置された低抵抗材料層、該低抵抗材料層上に配置された第２ハードバイアス層、
前記低抵抗材料層は、第１および第２のハードバイアス層に良好な導通を提供し、これらハードバイアス層の磁気特性を保持する抵抗を有すること、
　前記第１および第２のパッシブ領域を分離し、ソフト隣接層、該ソフト隣接層上に配置されたスペーサ層、該スペーサ層上に配置された磁気抵抗性層のアクティブ領域ならびに該磁気抵抗性層の該アクティブ領域上に配置されたキャップ層のアクティブ領域を含むアクティブ領域、
を有し、
　前記ソフト隣接層が前記第１ハードバイアスと磁気的に結合され、前記磁気抵抗性層の第１と第２パッシブ領域が前記第２ハードバイアス層の第１と第２のパッシブ領域にそれぞれ交換結合している磁気抵抗読取センサ。
　【請求項７】　前記キャップ層の第１と第２のパッシブ領域にそれぞれ設けられた第１と第２接点をさらに有する請求項６に記載の磁気抵抗読取センサ。
　【請求項８】　前記磁気抵抗性層が１００μΩ−ｃｍ以下の
抵抗
読取
　【請求項９】　前記スペーサ層は、少なくとも１００μΩ−ｃｍの
抵抗
読取
　【請求項１０】　前記ソフト隣接層が、少なくとも１００μΩ−ｃｍの
抵抗
読取
　【請求項１１】　ギャップ層、
　前記ギャップ層を第１と第２の外側領域に分離する当該ギャップ層の中心領域上に設けられたソフト隣接層、
　前記ソフト隣接層上に
設けられた
　前記ギャップ層の前記第１と前記第２の外側領域上に設けられ、前記ソフト隣接層の上方にアクティブ領域を画成し、該アクティブ領域の両側に第１と第２のパッシブ領域を画成する下部層、
　前記下部層上の前記第１と第２のパッシブ領域に形成された第１のハードバイアス層、
　前記第１のハードバイアス層上の前記第１と第２のパッシブ領域に形成された低抵抗材料層、
　前記低抵抗材料層上の前記第１と第２のパッシブ領域に配置された第２ハードバイアス層、
　
前記低抵抗材料層は、第１および第２のハードバイアス層に良好な導通を提供し、これらハードバイアス層の磁気特性を保持する抵抗を有すること、
　前記スペーサ層および前記第２ハードバイアス層上に設けられた磁気抵抗性層、ならびに
　前記磁気抵抗性層上の前記アクティブ領域および前記第１と第２のパッシブ領域に設けられたキャップ層、
を有する磁気抵抗読取センサ。
　【請求項１２】　前記キャップ層上の前記第１と第２のパッシブ領域にさらに複数の接点を有する請求項１１に記載の磁気抵抗
読取
　【請求項１３】　前記磁気抵抗性層が１００μΩ−ｃｍ以下の
抵抗
読取
　【請求項１４】　前記スペーサ層は、少なくとも１００μΩ−ｃｍの
抵抗
読取
　【請求項１５】　前記ソフト隣接層が、少なくとも１００μΩ-ｃｍの
抵抗
読取
　
とするものである。
　
　本件補正は、概略、本件補正前の特許請求の範囲に記載された「低効率」、「磁気抵抗センサ」を、それぞれ「
抵抗
読取
前記低抵抗材料層は、第１および第２のハードバイアス層に良好な導通を提供し、これらハードバイアス層の磁気特性を保持する抵抗を有すること、
　
　そして、本件補正後の請求項１ないし１５に記載された発明は、本件補正前の請求項１ないし１５に記載された発明と、産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるので、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の上記請求項１１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか）否かについて検討する。
　
２．引用例
　
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平６−２７４８３８号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、次の記載がある。なお、下線は当審で付した。
　
ア）
「【課題を解決するための手段】
ＭＲ読取り変換器は、中央の能動領域が横方向にバイアスされ、能動領域が縦方向にバイアスされた端部の受動領域によって分離される。この変換器は、まず、適切な基板上に横方向のバイアス層を被着し、次に非磁性スペーサ層で覆うことによって形成される。
端部領域でのみ
縦方向にバイアスする交換層が被着される。
　
イ）
「【００１３】
【実施例】図１乃至図５は、本発明を採用した図６のＭＲ読取り変換器アセンブリ１０の形成方法を示す。この方法は、適切な誘電
基板１２上に、軟質磁性物質の層１４を被着し、次に非磁性物質のスペーサ層１６を分離させる
【００１４】次に適切なフォトレジスト・マスク１８がスペーサ層１６の１部に置かれ、エッチングまたはイオン・ミリングにより、
層１４、１６のマスクの外側の部分が取り除かれ、変換器の中央能動領域２０になる部分が画成される。
【００１５】マスク１８は残したまま、導電物質層２２、次に
磁気バイアス物質の交換層２４が基板１２とマスク上に被着される（図３）。
【００１６】レジスト・マスク１８が剥離された後、
中央領域２０の両側に重ね合わされた層
２４は、中央領域によって分けられた
交換層２４を持つ変換器の端部領域２６を画成する（図４）。次にＭＲ物質の層２８が連続した薄膜として、中央領域２０と端部領域２６の両方に被着される。
保護物質のキャップ層３１で層２８を覆う
【００１７】図６は、本発明を採用し、図１に関して述べた方法で形成されたＭＲ変換器１０を示す。ＭＲ読取り変換器アセンブリは、導体リード２２ａ、２２ｂの間に接続されて、変換器の中央領域２０にバイアス電流を供給するバイアス電流ソース３２から成る。この電流は、中央領域２０においてのみ横方向バイアスで変換器を磁気的にバイアスし、変換器の線形応答モードを作動させる。交換層２４は、変換器の端部領域２６においてのみ縦方向にバイアスをかけ、磁区を抑制する。
【００１８】図６に示した変換器１０の好適な実施例では、軟質磁性層１４に用いられた物質はＮｉＦｅＲｈ、スペーサ層１６にはＴａ、交換層２４にはＮｉＦｅ／ＭｎＦｅ／ＮｉＦｅ、ＭＲ層にはＮｉＦｅである。」
　
ウ）
「【００２１】
交換層２４は、
硬質磁性物質（永久磁石等）のバイアス層
　
　前掲ア）ないしウ）の記載事項及び図面からみて、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
　
「中央の能動領域が横方向にバイアスされ、能動領域が縦方向にバイアスされた端部の受動領域によって分離されるＭＲ読取り変換器であって、
　基板上に横方向のバイアス層である軟質磁性物質の層を被着し、次に非磁性物質のスペーサ層で覆い、軟質磁性物質の層、スペーサ層のマスクの外側の部分が取り除かれ、変換器の中央能動領域になる部分が画成され、
　端部領域でのみ、縦方向にバイアスする交換層が被着され、この中央能動領域の両側に重ね合わされた交換層は、中央能動領域によって分けられた交換層を持つ変換器の端部領域を画成し、
　ＭＲ物質の層が連続した薄膜として、中央能動領域と端部領域の両方に被着され、
保護物質のキャップ層でＭＲ物質の層を覆うものであって、
　前記交換層は硬質磁性物質（永久磁石等）のバイアス層である
ＭＲ読取り変換器」
　
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された特開平８−１８０３３３号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、次の記載がある。  なお、下線は当審で付した。  
　
エ）
「【００１２】
本発明の一つの目的は、
高Ｓ／Ｎ比の出力を生成できる磁気抵抗トランスジューサを提供することである。
　
オ）
「【００２１】図６および図７は、それぞれ図５の線６−６および線７−７における断面図である。シールド５４と５６の間に配置されたトランスジューサ４６は絶縁誘電体７２によってシールド５４および５６から離間されている。絶縁誘電体７２は、非磁性・非導電性の材料であることが望ましい。この望ましい実施態様においては、絶縁誘電体７２はアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を含む。トランスジューサ４６は、磁気抵抗層７４と軟質隣接層７７との間にスペーサ層７５を挟み込んだ三層構造７３を含む。この実施態様においては、スペーサ層７５はタンタル（Ｔａ）を含み、軟質隣接層７７はニッケル、鉄、およびロジウムを含む合金（ＮｉＦｅＲｈ）で作られている。磁気抵抗層７４は、パーマロイ（ＮｉＦｅ）を含み、中央活性領域７４Ｃで離間された２つの端部７４Ａおよび７４Ｂを有する。
両端部７４Ａおよび７４Ｂの各々には、それぞれ硬質磁性バイアス領域７８および８０が配置されている。硬質磁性バイアス領域７８および８０の各々には、複数の磁化された層がある。例えば、領域７８には２つの磁化された層７８Ａおよび７８Ｂがあって、両者は非磁性介在層８２によって離間されている。同様に、領域８０には２つの磁化された層８０Ａおよび８０Ｂがあって、両者は別の非磁性介在層８４によって離間されている。この実施態様においては、磁化された層７８Ａ、７８Ｂ、８０Ａ、および８０Ｂは硬質磁性材料で形成されている。
介在層８２および８４は、
導電性はあるが非磁性である材料で作られていてよい。
他に２つの非磁性下層８６および８８が、第１および第２の硬質磁性バイアス領域７８および８０と三層構造７３との間にある。
磁化された層７８Ａ〜７８Ｂおよび８０Ａ〜８０Ｂは永久磁化されており、これらが共働して、磁気抵抗層７４内に単一磁区状態を維持するための長手方向バイアスのために必要な磁束を提供する。
　
３．対比
　
　本願補正発明と引用発明１とを対比する。
　
（１）引用発明１の「ＭＲ読取り変換器」は、本願補正発明の「磁気読取センサ」に相当する。
　
（２）引用発明１の「基板」と本願補正発明の「ギャップ層」とは、その上部に磁気読取センサが形成される「ベース」である点で共通しているといえる。
　
（３）引用発明１の「中心能動領域」、中心能動領域によって分けられた両側の端部の「受動領域」は、それぞれ本願補正発明の「アクティブ領域」、アクティブ領域の両側に画成される「第１と第２のパッシブ領域」に相当する。
　
（４）引用発明１の「軟質磁性物質の層」は、横方向にバイアスする層であり、ベースを端部領域に分離する当該ベース上の中央能動領域に形成されているので、本願補正発明と引用発明１とは、「ベースを第１と第２の外側領域に分離する当該ベースの中心領域上に設けられたソフト隣接層」を有している点で共通している。
　
（５）引用発明１の「スペーサ層」は、軟質磁性物質の層を覆って形成されるものであるから、本願補正発明の「前記ソフト隣接層上に設けられたスペーサ層」に相当する。
　
（６）引用発明１の「交換層」は、硬質磁性物質（永久磁石等）のバイアス層であり、変換器の端部領域のみ形成される、すなわち受動領域に形成されるものであるから、本願補正発明の「第１と第２のパッシブ領域に形成されたハードバイアス層」に相当する。
　
（７）引用発明１の「ＭＲ物質の層」は、中央能動領域のスペーサ層と端部領域の交換層の両方に形成された磁気抵抗層であるから、本願補正発明の「スペーサ層およびハードバイアス層上に設けられた磁気抵抗性層」に相当する。
　
（８）引用発明１の「キャップ層」は、中央能動領域と端部領域の両方に形成されるＭＲ物質の層を覆うものであるから、かかるキャップ層は中央能動領域と端部領域、すなわち受動領域の両方に形成されていることは明らかであり、本願補正発明の「磁気抵抗性層上のアクティブ領域および第１と第２のパッシブ領域に設けられたキャップ層」に相当する。
　
　以上のことからすると、本願補正発明と引用発明１とは、次の点で一致する。
　
＜一致点＞
「ベース、
　前記ベースを第１と第２の外側領域に分離する当該ベースの中心領域上に設けられたソフト隣接層、
　前記ソフト隣接層上に設けられたスペーサ層、
　前記第１と第２のパッシブ領域に形成されたハードバイアス層、
　前記スペーサ層および前記ハードバイアス層上に設けられた磁気抵抗性層、ならびに
　前記磁気抵抗性層上のアクティブ領域および前記第１と第２のパッシブ領域に設けられたキャップ層、
を有する磁気抵抗読取センサ。」
　
　そして、次の点で相違する。
　
＜相違点１＞
　本願補正発明では、ベースが「ギャップ層」であるのに対して、引用発明１では、ベースが「基板」である点。
　
＜相違点２＞
　本願補正発明は、「ギャップ層の第１と第２の外側領域上に設けられ、ソフト隣接層の上方にアクティブ領域を画成し、該アクティブ領域の両側に第１と第２のパッシブ領域を画成する下部層」を有しているのに対して、引用発明１は、軟質磁性物質の層と交換層によりアクティブ領域とその両側の第１と第２のパッシブ領域は画成されているものの、下部層は有していない点。
　
＜相違点３＞
　本願補正発明は、第１と第２のパッシブ領域に配置されたハードバイアス層が「第１のハードバイアス層」と「第２のハードバイアス層」の２層からなり、当該２層の間に「第１のハードバイアス層上の第１と第２のパッシブ領域に形成された低抵抗材料層」を有しており、「前記低抵抗材料層は、第１および第２のハードバイアス層に良好な導通を提供し、これらハードバイアス層の磁気特性を保持する抵抗を有する」としているのに対して、引用発明１のハードバイアス層は１層で構成されており、このような低抵抗材料層は有していない点。
　
４．当審の判断
　
　上記相違点について検討する。
　
＜相違点１について＞
　磁気抵抗読取センサをギャップ層上に形成することは周知技術であるから（この点について、特開平８−５０７０９号公報 【００１５】 図１、特開平９−２３１５２３号公報 【００１５】 図１、特開平９−１５３２０５号公報 【００２４】 図３　等を参照。）、引用発明１においてベースを「ギャップ層」とすることは、当業者であれば任意に為しうる事項である。
　
＜相違点２について＞
　薄膜を形成する際に当該薄膜の結晶性等を改善するために、何らかの下部層を設けることは常套手段であり、引用例２においても、第２のハードバイアス層の下に下部層を設けることが開示されている。
　
　そして、ベースをギャップ層とすることは、＜相違点１について＞で述べたように周知技術であるところ、ハードバイアス層の下に何らかの下部層を有することも常套手段であり引用例２にも開示されていることであるから、引用発明１において、端部領域に設けられ、アクティブ領域とその両側の第１と第２のパッシブ領域を画成している交換層の下に下部層を有するとすること、すなわち、「ギャップ層の第１と第２の外側領域上に設けられ、ソフト隣接層の上方にアクティブ領域を画成し、該アクティブ領域の両側に第１と第２のパッシブ領域を画成する下部層」を有するとすることは、当業者であれば容易に為しうる事項である。
　
＜相違点３について＞
　引用例２の前掲オ）には、両端部の硬質磁性バイアス領域を複数の磁化された層で形成し、両者を導電性がある介在層よって離間する構成が開示されている。
　引用例２における両端部の硬質磁性バイアス領域は、パッシブ領域のハードバイアス層であるから、引用例２の前記構成は、パッシブ領域に形成されたハードバイアス層が第１と第２のハードバイアス層の２層からなり、当該２層の間に導電性の介在層を有する構成にほかならない。
　そして、引用例２では、かかる構成によって磁気抵抗層に単一磁区状態を維持するための長手方向バイアスのために必要な磁束を提供するものであるから、導電性の介在層で離間させても、２つのハードバイアス層の磁気特性は保持されていることは明らかである。
　
　また、引用例２の前掲エ）に記載されている、Ｓ／Ｎ比を改善するという発明の目的を参酌すると、導電性の介在層の抵抗率を低抵抗として良好な導通を提供することは当然といえる事項である。
　
　すると、引用例２に開示されている、パッシブ領域に形成されたハードバイアス層が第１と第２のハードバイアス層の２層からなり、当該２層の間に導電性の介在層を有する構成を、引用発明１の受動領域に形成されたハードバイアス層に適用して、「前記第１と第２のパッシブ領域に形成された第１のハードバイアス層」、「前記第１のハードバイアス層上の前記第１と第２のパッシブ領域に形成された低抵抗材料層」、「前記低抵抗材料層上の前記第１と第２のパッシブ領域に配置された第２ハードバイアス層」を有するものとし、「前記低抵抗材料層は、第１および第２のハードバイアス層に良好な導通を提供し、これらハードバイアス層の磁気特性を保持する抵抗を有する」とすることは、Ｓ／Ｎ比を改善するというこの技術分野における自明な共通の課題に基づいて、当業者であれば容易に想到しうるものである。
　
　なお、本願の発明の詳細な説明には、低抵抗材料層について、いかなる材料を用いるのか、また低抵抗率とはどの程度の抵抗率であるのかについては一切開示されていない。よって、本願補正発明の「第１および第２のハードバイアス層に良好な導通を提供し、これらハードバイアス層の磁気特性を保持する抵抗を有する」とする低抵抗材料の抵抗率に関しては、何ら具体的に把握することができず、かかる抵抗率に関して、引用例２に記載の導電性を有する介在層との間に特段の技術的差異を認めることはできない。
　
　そして、上記相違点を総合的に判断しても、本願補正発明の効果は、引用例１及び引用例２に記載の発明及び周知技術から当業者が十分に予測できたものであって、格別顕著なものがあるとはいえない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１及び引用例２に記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
５．本件補正についてのむすび
　
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
　
第３　本願発明について
　
１．本願発明
　
　平成２０年２月１４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１５に係る発明のうち、請求項１１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１９年９月１９日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
　
「【請求項１１】　ギャップ層、
　前記ギャップ層を第１と第２の外側領域に分離する当該ギャップ層の中心領域上に設けられたソフト隣接層、
　前記ソフト隣接層上に設けれたスペーサ層、
　前記ギャップ層の前記第１と前記第２の外側領域上に設けられ、前記ソフト隣接層の上方にアクティブ領域を画成し、該アクティブ領域の両側に第１と第２のパッシブ領域を画成する下部層、
　前記下部層上の前記第１と第２のパッシブ領域に形成された第１のハードバイアス層、
　前記第１のハードバイアス層上の前記第１と第２のパッシブ領域に形成された低抵抗材料層、
　前記低抵抗材料層上の前記第１と第２のパッシブ領域に配置された第２ハードバイアス層、
　前記スペーサ層および前記第２ハードバイアス層上に設けられた磁気抵抗性層、ならびに
　前記磁気抵抗性層上の前記アクティブ領域および前記第１と第２のパッシブ領域に設けられたキャップ層、
を有する磁気抵抗読取センサ。」
　
２．引用例
　
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、及びその記載事項は、前掲「第２　［理由］２．」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　
　本願発明は、実質的に、前掲「第２　［理由］１．」で検討した本願補正発明において、「低抵抗材料層」について、「前記低抵抗材料層は、第１および第２のハードバイアス層に良好な導通を提供し、これらハードバイアス層の磁気特性を保持する抵抗を有すること、」との限定を削除するものに相当する。
　
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前掲「第２　「理由」３．４．」に記載したとおり、引用例１及び引用例２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例１及び引用例２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　
　以上のとおり、本願の請求項１１に係る発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。