(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム合金からなる金属基板と、
前記金属基板の表面に形成された陽極酸化膜からなる絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された銅からなる導体層と、
からなり、前記アルミニウム合金の硬度は、前記導体層の銅の硬度より硬いことを特徴とする配線基板
【請求項２】
アルミニウム合金からなる金属基板と、
前記金属基板の表面に形成された陽極酸化膜からなる絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された銅からなる導体層と、
からなり、前記アルミニウム合金の硬度は、焼き鈍し後の前記導体層の銅の硬度より硬いことを特徴とする配線基板
【請求項３】
前記アルミニウム合金はシリコンあるいはマグネシウムを含有することを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記陽極酸化膜は、プラズマ陽極酸化膜であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板
【請求項５】
前記導体層は電解めっき法により形成された電解めっき層を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線基板
【請求項６】
前記導体層は、電解めっき法により形成された電解めっき層が厚さの主要部を占める請求項１乃至５のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項７】
前記陽極酸化膜の形成されたアルミニウム合金は大部分が露出している請求項１乃至６のいずれか一項に記載の配線基板
【請求項８】
前記金属基板には表面に陽極酸化膜を有するスルーホールが形成され、該スルーホールには導体層と電気的に接続されたスルーホール導体が充填されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の配線基板
【請求項９】
前記スルーホール導体は、銅であることを特徴とする請求項８に記載の配線基板
【請求項１０】
アルミニウム合金からなる金属基板に陽極酸化膜を形成する陽極酸化膜形成工程と、
該陽極酸化膜上に銅からなる導体層を形成する導体層形成工程と
からなり、前記アルミニウム合金の硬度は、前記絶導体層の銅の硬度より硬いことを特徴とする配線基板の製造方法
【請求項１１】
アルミニウム合金からなる金属基板に陽極酸化膜を形成する陽極酸化膜形成工程と、
該陽極酸化膜上に銅からなる導体層を形成する導体層形成工程と
からなり、前記アルミニウム合金の硬度は、焼き鈍し後の前記導体層の銅の硬度より硬いことを特徴とする配線基板の製造方法
【請求項１２】
前記アルミニウム合金はシリコンあるいはマグネシウムを含有することを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１３】
前記陽極酸化膜形成工程は、プラズマ陽極酸化膜法であることを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法
【請求項１４】
前記導体層形成工程は電解めっき法を含むことを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法
【請求項１５】
前記導体層形成工程は、無電解めっき法、スパッタリング法、ＰＶＤ法から選択されるいずれか１つの方法を含むことを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法
【請求項１６】
前記記載の配線基板の製造方法の前記導体層形成工程に次いで、さらに前記導体層の銅を軟化させる焼き鈍し工程を含むことを特徴とする請求項１０乃至１５のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子を実装する配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁性及び放熱性のいずれにも優れる発光素子を提供できる絶縁基板（配線基板）として、
金属基板と、前記金属基板の表面に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板（配線基板）であって、
前記金属基板が、バルブ金属基板であり、前記絶縁層が、バルブ金属の陽極酸化皮膜であり、前記陽極酸化皮膜の空隙率が、３０％以下である絶縁基板が知られている。(特許文献１) 
【０００３】
この特許文献ではさらに、
バルブ金属として、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマスが例示されている。
また、絶縁層の上に金属導体層として、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）等が例示され、金属導体層の形成方法としては、電解めっき処理、無電解めっき処理、置換めっき処理などの種々めっき処理の他、スパッタリング処理、蒸着処理、金属箔の真空貼付処理、接着層を設けての接着処理等が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１９９２３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前記の金属基板には以下の課題がある。
前記配線基板は、基材としての金属基板と、絶縁層としての陽極酸化膜と、導体層が順に積層されている。
前記文献には、陽極酸化膜上に導体層が直接形成される場合、（電解めっき処理、無電解めっき処理、置換めっき処理などの種々めっき処理の他、スパッタリング処理、蒸着処理、金属箔の真空貼付処理）、陽極酸化膜上に導体層が中間層を介して形成される場合、（接着層を設けての接着処理）が記載されている。
【０００６】
中間層を介して陽極酸化膜上に導体層が形成される場合に比べ、直接形成される場合には余分な物質を介さないので放熱性に優れるが、金属基板、陽極酸化膜、導体層相互の熱膨張係数の差が大きい組み合わせを選択すると、反り、剥離が生じやすく、陽極酸化膜に空隙、クラックなどが発生しやすくなるといった問題があった。特に、放熱性に優れるため、広く放熱材料として利用されているアルミニウムは熱膨張係数が、２３ｐｐｍ／Ｋ、であるため、導体層としてめっきしやすく広く配線材料として利用される銅を利用すると銅は熱膨張係数が１６ｐｐｍ／Ｋであるため、熱膨張差によって表面に内部応力が発生しやすくなり、中間に形成された陽極酸化膜に応力がかかり、マイクロクラックなどを形成することにより絶縁性を低下させる原因となる。この傾向は、導体層が厚くなるに従って反り易くなるためにさらに絶縁性の低下させやすくなる。
【０００７】
本発明は、絶縁性及び耐久性に優れた絶縁層として陽極酸化膜を有する配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決する本発明の配線基板は
（１）「アルミニウム合金からなる金属基板と、
前記金属基板の表面に形成された陽極酸化膜からなる絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された銅からなる導体層と、
からなり、前記アルミニウム合金の硬度は、前記導体層の銅の硬度より硬いこと」を特徴とする。
このため、基板表面に薄く形成される導体層の銅の方が金属基板のアルミニウム合金より硬度が低いので、ヒートサイクルを受けても導体層の方が延伸されやすく、配線基板に反りを生じさせにくく、さらに絶縁層にクラックを生じさせにくくすることができ、絶縁性、耐久性の優れた配線基板を提供することができる。
【０００９】
（２）「アルミニウム合金からなる金属基板と、
前記金属基板の表面に形成された陽極酸化膜からなる絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された銅からなる導体層と、
からなり、前記アルミニウム合金の硬度は、焼き鈍し後の前記導体層の銅の硬度より硬いこと」を特徴とする。
導体層の銅は、低い温度でもゆっくりと結晶粒子が成長し軟化する。このため、基板表面に薄く形成される導体層の銅の方が金属基板のアルミニウム合金より硬度が低くなるので、ヒートサイクルを受けても導体層の方が延伸されやすく、配線基板に反りを生じさせにくく、さらに絶縁層にクラックを生じさせにくくすることができ、絶縁性、耐久性の優れた配線基板を提供することができる。
【００１０】
（３）「前記アルミニウム合金はシリコンあるいはマグネシウムを含有すること」を特徴とする。
シリコンあるいはマグネシウムを含有するアルミニウム合金は、アルミニウム原子の転位を阻害することができるので、金属基板の硬度を高くすることができる。このため、配線基板に反りを生じさせにくくすることができる。絶縁層にクラックを生じさせにくくすることができ、絶縁性、耐久性の優れた配線基板を提供することができる。
【００１１】
（４）「前記陽極酸化膜は、プラズマ陽極酸化膜であること」を特徴とする。
プラズマ陽極酸化膜は、高い電圧で酸化処理が行われるので絶縁性、耐薬品性に優れる。
プラズマ陽極酸化膜はシリコンあるいはマグネシウムを含有するアルミニウム合金であっても、イオン化傾向の影響を受けにくいので、均一に酸化処理しやすく良好な陽極酸化膜を形成することができる。このため、絶縁性、耐久性の優れた配線基板を提供することができる。
【００１２】
（５）「前記導体層は電解めっき法により形成された電解めっき層を含むこと」を特徴とする。
電解めっき法は、不純物が入りにくく、結晶粒子の成長しやすい銅が得られるので、延伸されやすく、配線基板に反りを生じさせにくい。このため、陽極酸化膜にクラック、剥離などを生じさせにくいので、絶縁性、耐久性の優れた配線基板を得ることができる。
【００１３】
（６）「前記導体層は、電解めっき法により形成された電解めっき層が厚さの主要部を占めること」を特徴とする。
厚さの主要部を電解めっき法の銅が占めると導体層を軟化しやすくすることができる。
【００１４】
（７）「前記陽極酸化膜の形成されたアルミニウム合金は大部分が露出していること」を特徴とする。
陽極酸化膜の形成されたアルミニウム合金は、可視光域で反射率が高いので、発光素子から発せられる光を効率よく反射することができ、発光素子の実装された発光モジュールの発光効率を高めることができる。発光素子実装用配線基板として好適に利用できる。
【００１５】
（８）「前記金属基板には表面に陽極酸化膜を有するスルーホールが形成され、該スルーホールには導体層と電気的に接続されたスルーホール導体が充填されていること」を特徴とする。
スルーホール導体は導体層と電気的に接続されているので、金属基板の裏面から効率良く給電することができ、配線基板を小型化することができ、発光素子の実装密度を高めることができる。
【００１６】
（９）「前記スルーホール導体は、銅であること」を特徴とする。
スルーホール導体が銅であると、電解めっきの形成と同時に形成することができる。また電解めっきで形成された銅は、焼き鈍しによって軟化させることができ、金属基板と前記スルーホール導体との間で応力を発生させにくく、両者の間に形成された陽極酸化膜を傷めにくい。このため、絶縁性が高く耐久性のある配線基板を得ることができる。
【００１７】
前記課題を解決する本発明の配線基板の製造方法は
（１０）「アルミニウム合金からなる金属基板に陽極酸化膜を形成する陽極酸化膜形成工程と、
該陽極酸化膜上に銅からなる導体層を形成する導体層形成工程と
からなり、前記アルミニウム合金の硬度は、前記導体層の銅の硬度より硬いこと」を特徴とする。
このため、基板表面に薄く形成される導体層の銅の方が金属基板のアルミニウム合金より硬度が低いので、ヒートサイクルを受けても導体層の方が延伸されやすく、配線基板に反りを生じさせにくく、絶縁層にクラックを生じさせにくくすることができ、絶縁性、耐久性の優れた配線基板を製造することができる。
【００１８】
（１１）「アルミニウム合金からなる金属基板に陽極酸化膜を形成する陽極酸化膜形成工程と、
該陽極酸化膜上に銅からなる導体層を形成する導体層形成工程と
からなり、前記アルミニウム合金の硬度は、焼き鈍し後の前記導体層の銅の硬度より硬いこと」を特徴とする。
導体層の銅は、低い温度でもゆっくりと結晶粒子が成長し軟化する。このため、基板表面に薄く形成される導体層の銅の方が金属基板のアルミニウム合金より硬度が低くなるので、ヒートサイクルを受けても導体層の方が延伸されやすく、配線基板に反りを生じさせにくくすることができ、絶縁性、耐久性の優れた配線基板を製造することができる。
【００１９】
（１２）「前記アルミニウム合金はシリコンあるいはマグネシウムを含有すること」を特徴とする。
シリコンあるいはマグネシウムを含有するアルミニウム合金は、アルミニウム原子の転位を阻害することができるので、金属基板の硬度を高くすることができる。このため、配線基板に反りを生じさせにくくすることができ、絶縁性、耐久性の優れた配線基板を製造することができる。
【００２０】
（１３）「前記陽極酸化膜形成工程は、プラズマ陽極酸化膜法であること」を特徴とする。
プラズマ陽極酸化膜は、高い電圧で酸化処理が行われるので絶縁性、耐薬品性に優れる。
プラズマ陽極酸化膜はシリコンあるいはマグネシウムを含有するアルミニウム合金であっても、イオン化傾向の影響を受けにくいので、均一に酸化処理しやすく良好な陽極酸化膜を形成することができ、絶縁性、耐久性に優れた配線基板の製造方法を提供することができる。
【００２１】
（１４）「前記導体層形成工程は電解めっき法を含むこと」を特徴とする。
電解めっき法は、不純物が入りにくく、結晶粒子の成長しやすい銅が得られるので、延伸されやすく、配線基板に反りを生じさせにくい。このため、陽極酸化膜にクラック、剥離などを生じさせにくいので、絶縁性、耐久性の優れた配線基板の製造方法を得ることができる。
【００２２】
（１５）「前記導体層形成工程は、無電解めっき法、スパッタリング法、ＰＶＤ法から選択されるいずれか１つの方法を含むこと」を特徴とする。
導体層形成工程は、無電解めっき法、スパッタリング法、ＰＶＤ法から選択されるいずれか１つの方法を含むので、陽極酸化膜からなる絶縁膜上に電解めっき層を得ることができ、
絶縁性、耐久性の優れた配線基板の製造方法を得ることができる。
【００２３】
（１６）「前記記載の配線基板の製造方法の導体層形成工程に次いで、さらに導体層の銅を軟化させる焼き鈍し工程を含むこと」を特徴とする。
焼き鈍し工程によってあらかじめ導体層の銅を十分に軟化させることができるので、配線基板に反りを生じさせにくく、さらに絶縁層にクラックを生じさせにくくすることができ、絶縁性、耐久性の優れた配線基板の製造方法を提供することができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明よれば、アルミニウム合金からなる金属基板と、金属基板の表面に形成された陽極酸化膜と、銅からなる導体層とからなり、アルミニウム合金の硬度は、導体層の銅の硬度より硬いので、導体層の銅が延伸されることのより配線基板に反りを生じさせにくく、絶縁性及び耐久性に優れた配線基板及び配線基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本実施の形態の配線基板の断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本実施の形態において、硬度とは、ビッカース法で測定する。ビッカース法は、アルミニウム合金からなる金属基板、銅からなる導体層とも良好に測定することができる。
本発明の実施の形態において、アルミニウム合金とは、アルミニウムを主成分のする合金である。
【００２７】
アルミニウム合金は、高い熱伝導率が得られるので、発光素子が発する熱を速やかに拡散することができる。また、アルミニウム合金は、可視光域の反射率が高いので、発光素子の配線基板に使用したときに、発光効率を高めることができる。
アルミニウム合金は、アルミニウム以外の成分を添加することにより、アルミニウムの転位が阻害され硬度を高くすることができる。望ましい硬度はビッカース硬度が５０〜１５０である。ビッカース硬度が５０以上であると、後述するように焼き鈍しによって軟化した銅からなる導体層よりも硬度を硬くすることができる。また、ビッカース硬度が１３０以下であると、アルミニウム以外の成分の含有量を低くすることができるので、熱伝導率の低下を少なくすることができ高い放熱性が得られる。
【００２８】
また、アルミニウム以外の成分とはシリコンあるいはマグネシウムなどが望ましい。シリコンの望ましい含有量は、０．２〜７ｍａｓｓ％である。シリコンの含有量が、０．２〜７ｍａｓｓ％の範囲であれば、アルミニウム合金に高い熱伝導率が得られ、且つ十分な硬さを得ることができるので、高い放熱性と、高い絶縁性の得られる配線基板を得ることができる。また、マグネシウムの望ましい含有量は、０．２〜７ｍａｓｓ％である。マグネシウムの含有量が、０．２〜７ｍａｓｓ％の範囲であれば、アルミニウム合金に高い熱伝導率が得られ、且つ十分な硬さを得ることができるので、高い放熱性と、高い絶縁性の得られる配線基板を得ることができる。
【００２９】
例えば５０００系アルミニウム合金などが利用できる。５０００系のアルミニウム合金は、主にマグネシウムを含有しその含有量は０．５〜５．６ｍａｓｓ％である。
５０００系のアルミニウム合金としては５０５２、５６５２、５１５４、５２５４、５４５４、５０５６、５０８２，５１８２、５０８３、５０８６、５Ｎ０１、５Ｎ０２などの合金番号のアルミニウム合金が利用できる。
たとえば、合金番号５０５６のアルミニウム合金では、ビッカース硬度７５〜９５程度、合金番号５０８３では、ビッカース硬度８０程度のものを入手することができ、本実施の形態の金属基板として使用することができる。
本実施の形態に使用するアルミニウム合金は、５０００系に限定されず、他の種類のアルミニウム合金であっても利用することができる。
【００３０】
本実施の形態において、金属基板に形成される陽極酸化膜は、例えば、シュウ酸法、硫酸法、プラズマ陽極酸化法が利用できる。中でもプラズマ陽極酸化法は、電圧が３０Ｖ程度のシュウ酸法、硫酸法などの陽極酸化膜と異なり、数１００Ｖのプラズマによって形成される
ので、緻密で高強度な陽極酸化膜が得られ耐薬品性、絶縁性に優れる。
また、酸化の電位差が高いので、他元素の含まれるアルミニウム合金に用いても他元素のイオン化傾向の影響をあまり受けないので均一に酸化を受ける。このため、アルミニウム合金に対しても緻密で高強度な陽極酸化膜が得られ耐薬品性、絶縁性に優れる。このため、絶縁性の優れた陽極酸化膜を得ることができる。
【００３１】
本実施の形態において、導体層は銅からなる。銅からなる導体層は、どのような方法で形成されてもよいが、例えば、陽極酸化膜上に、スパッタリング、無電解めっき、ＰＶＤなどの方法で、シード層を形成し、さらに導体層を電解めっき法で形成することができる。
シード層は、電解めっきのために導電性を付与するものであり、金属であれば特に材質は限定されない。例えば無電解めっき法による銅めっきが利用できる。シード層は単層に限定されず、材質を変えて複数層形成してもよい。
【００３２】
本実施の形態において、導体層は、銅からなる。導体層は、どのような方法で形成してもよいが、電解めっき法により形成することが望ましい。電解めっき法は、成長速度が速いので厚い導体層が得られやすい上に、電解めっき法であれば、高い純度の銅が得られる。、電解めっき法の銅は焼き鈍しをすることにより硬度をアルミニウム合金よりも低くすることができる。電解めっきの銅は、焼き鈍しを行うことにより、電解めっき後に１００以上のビッカース硬度であってもビッカース硬度を５０未満まで低下させることができる。
【００３３】
本実施の形態において、焼き鈍し後の硬度とは、焼なましによりもっとも軟らかい状態となったもの、焼なましにより完全に再結晶した状態を示す。
焼き鈍し後の硬度とは以下のように測定できる。銅を加熱したのち冷却し室温で硬度を測定する。この作業を加える温度を徐々に高めながら測定を繰り返すと、加える温度が一定値を超えると一定の硬度に収束し、それ以上温度を加えても軟化しなくなる。
【００３４】
また、電解めっき法の銅が導体層の厚さの主要部を占めていることが望ましい。厚さの主要部を電解めっき法の銅が占めると全体として導体層を軟化しやすくすることができる。
本実施の形態において焼き鈍しとは、主に電解めっきされた銅を軟化させる処理をいう。例えば２５０℃で１０分以上の熱処理によってアルミニウム合金を軟化させることなく、電解めっきの銅を軟化させることができる。銅は軟化処理によって結晶粒子が成長し、転位が減り軟化させることができる。このため、熱処理温度を低下させれば長時間をかけることによって銅の結晶粒子が成長をさせることができる。
【００３５】
電解めっきの銅は、熱を加えることにより、時間をかけて結晶粒子が成長するのに対し、アルミニウム合金は、添加物が結晶粒子の成長を阻害するので軟化が起こりにくい。
本実施の形態において、配線基板は、陽極酸化膜を有する金属基板の大部分が露出していることが望ましい。金属基板を構成するアルミニウム合金は、可視光域で反射率が高いので、発光素子から発せられる光を効率よく反射することができ、発光素子の実装された発光モジュールの発光効率を高めることができる。また、導体層は、最外層にニッケル、金、Ｓｎ、Ａｇなどの導体層を形成してもよい。これらの金属は可視光において銅よりも高い反射率が得られる。これらの金属は銅よりも酸化あるいは硫化しにくいため、高い反射率を維持することができる。また金属被膜に限らずＯＳＰ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｏｌｄｅｒｂｉｌｉｔｙ  Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅｓ）処理を施してもよい。
さらに、導体層の表面に、発光素子を実装するパッドを有していてもよい。パッドは、例えば金の薄膜よりなる。
【００３６】
本実施の形態において、配線基板は、片面基板でも両面基板でもどちらでも利用することができる。後述するようにスルーホール及びスルーホール導体を形成する場合には、両面基板を利用し、両面に形成された導体層をスルーホール導体により電気的に接続することができる。
本実施の形態において、金属基板には表面に陽極酸化膜を有するスルーホールが形成され、該スルーホールにはスルーホール導体が充填されていてもよい。スルーホール内表面に形成される陽極酸化膜は、金属基板の表面の陽極酸化膜と同時に形成してもよい。
またスルーホール導体は、金属基板の表面に形成される導体層と同時に形成することができる。スルーホール導体を導体層と同時に形成すると、高い純度の銅が得られるので、硬度を低くすることができ、ヒートサイクルによって熱膨張差が繰り返し発生し、スルーホール内の陽極酸化膜からなる絶縁層にクラックが生じ、絶縁性が低下することを防ぐことができ、耐久性を高めることができる。
【００３７】
本実施の形態の配線基板は次のように製造することができる。
（１）  陽極酸化膜形成工程
（２）  導体層形成工程
（３）  焼き鈍し工程
【００３８】
本実施の形態では、焼き鈍し工程を実施しているが、配線基板は、使用時、製造時にヒートサイクルを受けるので焼き鈍し工程は必須ではない。焼き鈍し工程を実施することによって発光素子実装前に、配線基板に内部応力を発生しにくくすることができる。また、発光素子を実装する前に高い温度で処理することができるので、配線パターンのみを効率良く焼き鈍しすることができる。
【００３９】
まず、陽極酸化膜形成工程に先んじて、金属基板を準備する。
スルーホールが必要な場合は、陽極酸化膜形成工程に先んじて穿孔、レーザー加工などによりスルーホールを形成しておくことが望ましい。陽極酸化膜形成工程後に穿孔すると、スルーホール内面に絶縁層が形成されないから再度陽極酸化膜を形成することが必要となる。
複数個の配線基板を同時に製造し、最後に切断する場合には、切断面は導体となる。このため、切断部分には、配線パターンが形成されないようにパターンを設計することが望ましい。
【００４０】
（１）  陽極酸化膜形成工程
陽極酸化膜形成工程は、どのような方法で行ってもよい。
例えば、希硫酸やシュウ酸などを処理浴に用いて、アルミニウム合金を陽極として電気分解することにより、アルミニウムの表面を電気化学的に酸化させ、酸化アルミニウムAl2O3の皮膜を生成させる。このときに加えられる電位差は例えば３０Ｖ程度である。
プラズマ陽極酸化膜法は、プラズマ電解酸化膜ともいう。
このプラズマ陽極酸化膜は、金属基板を電解液中でプラズマ酸化させることで形成されるものであり、シュウ酸、希硫酸などの溶液を用いた陽極酸化法に比較して強固な絶縁膜を形成することが可能である。プラズマ陽極酸化法における電解液は、アルカリ金属の水酸化物、炭酸塩、あるいはポリリン酸塩を溶解したものを用いる。陽極として金属基板を配置し、陰極にはカーボンなどを用いて配置し、５００Ｖから７００Ｖの高電圧をかけて電極間でアーク放電させて酸化膜を形成させるものである。電極間は３０ｍｍから１００ｍｍ程度離し、通電時間は１時間以内で終了するのが通常である。
【００４１】
（２）  導体層形成工程
導体層形成工程は、次のように実施することができる。
シード層は陽極酸化膜上に、スパッタリング、無電解めっき、ＰＶＤなどの方法で形成する。陽極酸化膜は絶縁体であるので、電解めっきをいきなり行うことが困難である。電解めっきが可能となるように陽極酸化膜上に薄い導電性の膜を形成する。
配線パターン状にシード層を形成すると、シード層の上のみに電解めっきが進行するので、導体層形成後エッチング処理が不要となる。
全面にシード層を形成し、電解めっきによって導体層を形成した場合には、エッチングによって配線パターンを形成することができる。
【００４２】
シード層を形成した後、電解めっきにより銅からなる導体層を形成する。
スルーホールがある場合には、導体層の形成と同時にスルーホール導体を形成することができる。
導体層の最表面には、銅の酸化を防止するために酸化防止層を備えてもよい。酸化防止層には、ニッケル、金、Ｓｎ、Ａｇなどが利用できる、また金属被膜に限らずＯＳＰ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｏｌｄｅｒｂｉｌｉｔｙ  Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅｓ）処理を施してもよい。酸化防止層は、銅の硫化を防止することもできる上に、反射率が銅よりも高い金属を選択すれば、反射層として機能させることもできる。酸化防止層は、どのような方法で形成してもよい。電解めっき法、スパッタリング、無電解めっき、ＰＶＤなどどのような方法でも利用することができる。
導体パターン表面にパッドを形成する場合には、例えば部分的に金の被膜を形成する。パッド部分に半田を用い発光素子の電極と接続することができる。また、例えば配線基板を発光素子のサブマウント基板として用いた場合には、パッドから給電することもできる。
【００４３】
（３）  焼き鈍し工程
焼き鈍し工程は次のように行う。
本実施の形態において焼き鈍し工程は必須ではない。銅は焼き鈍しによる軟化処理によって結晶粒子が成長し、転位が減り軟化させることができる。電解めっきされた導体層の銅は、低温でもゆっくりと結晶粒子が成長していくので軟化させることができる。このため、熱処理温度を低下させれば長時間をかけることによって銅の結晶粒子が成長をさせることができる。焼き鈍し工程では、発光素子を実装する前であるので、高温短時間で導体層の銅を軟化させることができるので、配線基板にかかる内部応力を容易に小さくすることができる。
【００４４】
焼き鈍し工程は、例えば２５０℃で１０分以上の処理で行うことができる。望ましい焼き鈍し温度の上限は、３４５℃である。３４５℃を超えると、アルミニウム合金側にも変質が生じ易くなる。焼き鈍し温度の下限は特に限定されないが、１５０℃以上であることが望ましい。１５０℃以上であると、配線基板に実装された発光素子に通常かかる温度以上が加えることができるので、銅の軟化を促進することができる。焼き鈍しの時間は、温度が高いほど短時間でよい。例えば２５０℃であれば例えば１０分以上、１５０℃であれば例えば２４時間以上で実施することができる。
【００４５】
さらに全面に形成された導体層から配線パターンを形成する場合には、導体層をエッチングすることによって配線パターンを形成することができる。エッチング工程は、焼き鈍し工程の前後どちらでも同様に行うことができる。
【符号の説明】
【００４６】
１  金属基板
２  陽極酸化膜
３  導体層
４  酸化防止層
５  スルーホール
６  スルーホール導体
１０  配線基板
【図１】
0005869404.tif 000002