【事件の表示】
　特願２００５−３０８３２１「垂直磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記録再生装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　６月１５日出願公開、特開２００６−１５５８６１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１７年１０月２４日（優先権主張平成１６年１０月２９日）に出願したものであって、平成２１年１０月２７日付で通知した拒絶の理由に対し、同年１２月１４日付で手続補正されたが、平成２２年２月１日付で拒絶査定がされ、これに対し、同年５月７日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
２．本願発明について
　（１）本願発明
　本願の請求項１乃至８に係る発明は，平成２１年１２月１４日付で手続補正された特許請求の範囲の請求項１乃至８に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，次のとおりのものである。
　
　「非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と中間層と垂直磁気記録膜と保護膜とが順次形成された垂直磁気記録媒体において、前記垂直磁気記録膜が少なくともＣｏとＰｔと酸化物を含むグラニュラー構造からなる２層で構成されており、基板側に設けられた下部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）が保護膜側に設けられた上部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）より小さ
く、且つ、前記下部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）が１５０(ｅｍｕ／ｃｍ
３
）以上５００(ｅｍｕ／ｃｍ
３
）以下、前記上部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）が５００(ｅｍｕ／ｃｍ
３
）以上であり、さらに、前記垂直磁気記録膜の逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が１５００（Ｏｅ）（１２０ｋ／Ａ）以上である
　
　（２）引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である、特開平１１−２９６８３３号公報（以下、「第１引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
(a)
「【請求項１】  
非磁性基板上に下地層を介して形成した垂直磁化膜を備える垂直磁気記録媒体において、前記下地層は、六方稠密構造もしくは非晶質構造を持つ材料からなり前記基板と接する第１下地層と、六方稠密構造を持ち優先成長方位が［０００１］であってその上に形成される垂直磁化膜と整合成長し得る材料からなる第２下地層とからなり、前記垂直磁化膜は前記第２下地層に接する下層垂直磁化膜と上層垂直磁化膜とを含み、前記下層及び上層の垂直磁化膜はＣｏ合金多結晶膜であって、前記上層垂直磁化膜は前記下層垂直磁化膜より
飽和磁化（Ｍｓ）
が大きく、
垂直磁気記録媒体。
【請求項２】  請求項１記載の垂直磁気記録媒体において、前記下層垂直磁化膜と上層垂直磁化膜の間に六方稠密構造を持つ非磁性もしくはＭｓ＜５０ｅｍｕ／ｃｃの中間層が設けられており、前記第２下地層から前記上層垂直磁化膜まで連続的に整合成長されていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。」
(b)
「【０００６】
【課題を解決するための手段】
垂直磁気記録媒体の記録磁化状態を磁気力顕微鏡や走査型スピン電子検出型顕微鏡によって調べた結果、大部分のノイズは媒体面に存在する逆磁区
が原因であることが判明した。
媒体ノイズを減らすためには、逆磁区を
減らさなければならない。
【０００７】本発明者らの実験の結果、以下の方法によって前記目的を達成できることが明かになった。
垂直磁化膜を一方向に垂直磁化すると媒体表面には強い反磁界が作用する。この反磁界の作用で、垂直磁化した方向とは逆の向きを持つ、いわゆる逆磁区が形成される。この逆磁区の形成を妨げるためには、磁気異方性エネルギーの大きい垂直磁化膜を採用する必要がある。
「【００１０】
磁気異方性エネルギーの高い垂直磁化膜を用いることにより、逆磁区の発生を抑えることができるので、逆磁区に起因する媒体ノイズの発生を防ぐことができる
　　　　　　　　（以下、略）」
「【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。図１は、本発明による垂直磁気記録媒体の第１の実施の形態を示す断面模式図である。
この垂直磁気記録媒体は、非磁性基板１１上に磁性膜の垂直配向性向上や結晶粒径制御を目的とした下地層１２，１３を介して垂直磁化膜が形成される。
「【００３４】［実施例２］直径２．５インチのシリコン基板を用いて、直流マグネトロンスパッタ法によって、図２に示す断面構造を持つ垂直磁気記録媒体を作製した。
基板２１上に、第１下地層２２、第２下地層２３、下層垂直磁化膜２４、
上層垂直磁化膜２６
をこの順序で形成した。
下層垂直磁化膜用にはＣｏ
Ｐｔ
ターゲット、
上層垂直磁化膜用にはＣｏ
Ｐｔターゲット、
を用いた。
【００３５】Ｃｏ−３５ａｔ％Ｒｕの飽和磁化は１５ｅｍｕ／ｃｃ以下であり、弱磁性膜が得られる。スパッタのＡｒガス圧力を３ｍＴｏｒｒ、スパッターパワーを１０Ｗ／ｃｍ2、基板温度を２８０℃とした条件でＧｅ膜を３０ｎｍ、Ｃｏ−Ｒｕ膜を１５ｎｍ、下層垂直磁化膜を３０ｎｍ、中間層を０．１ｎｍ、上層垂直磁化膜のＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ膜を２ｎｍ、カーボン膜を１０ｎｍの厚さ形成し、図２に断面構造を示す垂直磁気記録媒体を形成した。さらに、中間層２５の膜厚を１ｎｍ，２ｎｍ，３ｎｍ，５ｎｍとした以外は同様の垂直媒体を作製した。
【００３６】また、比較試料として、上層垂直磁化膜形成に用いたＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ膜３５ｎｍからなる単層垂直磁気記録媒体を作製した。比較試料の下地と保護膜の形成条件は上記実施例と同様とした。
上層及び下層垂直磁化膜の磁気特性を測定した結果、下層垂直磁化膜：Ｍｓ＝３７０ｅｍｕ／ｃｃ，
上層垂直磁化膜：Ｍｓ＝６００ｅｍｕ／ｃｃ，
であった。
　
　上記記載事項を総合勘案すると、上記第１引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　「非磁性基板上に下地層を介して形成した垂直磁化膜を備える垂直磁気記録媒体において、
　前記垂直磁化膜は前記下地層に接する下層垂直磁化膜と上層垂直磁化膜とを含み、
　前記下層及び上層の垂直磁化膜はＣｏＰｔ合金多結晶膜であって、
　前記上層垂直磁化膜の飽和磁化（Ｍｓ）は６００ｅｍｕ／ｃｃであり、前記下層垂直磁化膜の飽和磁化（Ｍｓ）は３７０ｅｍｕ／ｃｃである、　
　垂直磁気記録媒体。」
　
　同じく、原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である、特開２００３−１７８４１２号公報（以下、「第２引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
(c)
「【請求項１】  非磁性基体上に少なくとも非磁性下地層、磁気記録層、保護膜、液体潤滑層が順次積層されてなる
垂直磁気記録媒体において、前記磁気記録層が強磁性を有する結晶粒とそれを取り巻く酸化物を主体とする非磁性粒界相からなり、
(d)
　「【００２５】
強磁性を有する結晶粒を構成する材料は特に制限されないが、ＣｏＰｔ系合金が好適に用い得る。
一方、非磁性粒界相を構成する材料としては、Ｃｒ，Ｃｏ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｚｒのうちの少なくとも１つの元素の酸化物を用いることが、安定なグラニュラー構造を形成するために特に望ましい。
　
　（３）対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「非磁性基板」、「垂直磁化膜」、「垂直磁気記録媒体」は、それぞれ、本願発明の「非磁性基板」、「垂直磁気記録膜」、「垂直磁気記録媒体」に相当する。
　引用発明の「下地層」は、「磁性膜の垂直配向性向上や結晶粒径制御を目的」とするものである（段落【００２０】）。また、本願発明の「中間層」は、「中間膜６としてはＲｕを用いることが好ましい。中間膜として、粒径微細化、配向性向上の目的で添加元素を加えてもよい。　中間膜６の膜厚は３（ｎｍ）以上２５（ｎｍ）以下であることが好ましい。中間膜６が３（ｎｍ）未満であると、結晶成長が不十分になり下地膜としての効果が不十分となるため好ましくない。」ものである旨本願の段落【００１３】に記載されている。
　したがって、引用発明の「下地層」は、本願発明の「中間層」に相当するといえる。
　引用発明の「前記垂直磁化膜は前記下地層に接する下層垂直磁化膜と上層垂直磁化膜とを含み」は、本願発明の「前記垂直磁気記録膜が」「２層で構成されており」に相当する。
　引用発明の「前記上層垂直磁化膜の飽和磁化（Ｍｓ）は６００ｅｍｕ／ｃｃであり、前記下層垂直磁化膜の飽和磁化（Ｍｓ）は３７０ｅｍｕ／ｃｃである」は、本願発明の「基板側に設けられた下部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）が保護膜側に設けられた上部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）より小さく、且つ、前記下部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）が１５０(ｅｍｕ／ｃｍ３）以上５００(ｅｍｕ／ｃｍ３）以下、前記上部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）が５００(ｅｍｕ／ｃｍ３）以上であり」を満足する。
　
　そうすると、本願発明と引用発明とは次の点で一致する。
　
　一致点
　「非磁性基板上に、少なくとも中間層と垂直磁気記録膜とが順次形成された垂直磁気記録媒体において、
　前記垂直磁気記録膜が２層で構成されており、
　基板側に設けられた下部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）が保護膜側に設けられた上部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）より小さく、
　前記下部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）が３７０(ｅｍｕ／ｃｍ３）であり、前記上部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）が６００(ｅｍｕ／ｃｍ３）である磁気記録媒体。」
　
　一方、次の点で相違する。
　
　相違点
[相違点１]
　本願発明は、「裏打ち層」と「保護膜」を有するのに対し、引用発明ではこのような限定を有さない点。
[相違点２]
　本願発明は、「前記垂直磁気記録膜が少なくともＣｏとＰｔと酸化物を含むグラニュラー構造からなる」のに対し、引用発明は、「前記下層及び上層の垂直磁化膜はＣｏＰｔ合金多結晶膜」である点。
[相違点３]
　本願発明は、「前記垂直磁気記録膜の逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が１５００（Ｏｅ）（１２０ｋ／Ａ）以上」であるのに対し、引用発明ではこのような限定を有さない点。
　
　
（４）判断
[相違点１]について
　垂直磁気記録媒体の技術分野において「裏打ち層」と「保護膜」を設けることは通常行われていることであるから、「裏打ち層」と「保護膜」を設けることとする程度のことは当業者であれば容易になしうることである。
[相違点２]について
　少なくともＣｏとＰｔと酸化物を含むグラニュラー構造からなる垂直磁気記録膜は、第２引用例に記載されており、単に「ＣｏＰｔ合金多結晶膜」からなる垂直磁化膜を「少なくともＣｏとＰｔと酸化物を含むグラニュラー構造からなる垂直磁気記録膜」に変更する程度のことは当業者であれば容易になしうることである。
[相違点３]について
　本願の発明の詳細な説明に「上部記録膜８の飽和磁化（Ｍｓ）は５００（ｅｍｕ／ｃｍ３）以上であることが好ましい。これ以下であると、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が低下するために好ましくない。」（段落【００１７】）と記載されていることを勘案すると、「前記垂直磁気記録膜の逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が１５００（Ｏｅ）（１２０ｋ／Ａ）以上」という発明特定事項は「前記上部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）が５００(ｅｍｕ／ｃｍ３）以上」という発明特定事項が満足されると必然的に満足される事項であると解することが妥当であるところ、引用発明は、「前記上層垂直磁化膜の飽和磁化（Ｍｓ）は６００ｅｍｕ／ｃｃ」であるから、本願発明の「前記垂直磁気記録膜の逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が１５００（Ｏｅ）（１２０ｋ／Ａ）以上」を満足するといえる。
　
　したがって，本願発明は，引用例１および２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　なお、審判請求の理由において「しかしながら、上述したように、これらの各数値は、その全てをトータルで適正範囲とすることにより、初めて、熱揺らぎの低減とＳＮＲの向上効果を両立させることができ、高密度の情報の記録再生が実現できるというものである。例えば、審査官殿が挙げられている実施例２と実施例６とを比較すると、実施例２は実施例６に比べて保持力（当審注：「保磁力」の誤記と認める。以下、同様。）が低下しており、また、実施例８と実施例４〜６とを比較すると、実施例８は実施例４〜６に比べて保持力が低下していることが明らかである。」と主張しているが、熱揺らぎの低減については測定や評価がされておらず、保磁力については特許請求の範囲に記載されていない事項である。
　したがって、請求人の主張は、採用できない。
　　
　（３）むすび
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，引用例１および２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。