Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年1月31日(2011.1.31)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
５，１０−メチレン−（６Ｒ）−，−（６Ｓ）−又は−（６Ｒ，Ｓ）−テトラヒドロホラートの安定な医薬調合物において、当該調合物が５，１０−メチレン−（６Ｒ）−，−（６Ｓ）−又は−（６Ｒ，Ｓ）−テトラヒドロ葉酸又は５，１０−メチレン−（６Ｒ）−，−（６Ｓ）−又は−（６Ｒ，Ｓ）−テトラヒドロ葉酸の薬学的に許容し得る塩をシトラート（Ｃｉｔｒａｔ）と共に含み，そして７．５〜１０．５のｐＨ値を有することを特徴とする、上記医薬調合物。
【請求項２】
８．５〜９．５のｐＨ値を有する、請求項１記載の医薬調合物。
【請求項３】
さらに別の薬学的に許容し得る有効成分及び佐薬を一緒に含む、請求項１記載の安定な医薬調合物。
【請求項４】
当該調合物が佐薬としてホルムアルデヒドを含む、請求項３記載の医薬調合物。
【請求項５】
当該調合物がさらに別の有効成分として，さらに別のホラートを含む、請求項３記載の医薬調合物。
【請求項６】
当該調合物がさらに別のホラートとしてテトラヒドロ葉酸及びその塩を含む、請求項５記載の医薬調合物。
【請求項７】
５，１０−メチレン−（６Ｒ）−，−（６Ｓ）−又は−（６Ｒ，Ｓ）−テトラヒドロ葉酸の薬学的に許容し得る塩としてそのカルシウム塩又は酸性塩を使用する、請求項１記載の医薬調合物。
【請求項８】
当該調合物がさらに別の有効成分として細胞増殖抑制剤を含む、請求項３記載の医薬調合物。
【請求項９】
当該調合物がさらに別の有効成分としてフッ素化されたピリミジン誘導体を含む、請求項３記載の医薬調合物。
【請求項１０】
当該調合物がフッ素化されたピリミジン誘導体として５−フルオロウラシル又は５−フルオロウラシルプロドラッグを含む、請求項９記載の医薬調合物。
【請求項１１】
フッ素化されたピリミジン誘導体としてカペシタビン（ゼローダ）を含む、請求項１０記載の医薬調合物。
【請求項１２】
更に少なくとも１種の酸化防止剤又はラジカルスカベンジャーを含む、請求項１〜１１のいずれか１つに記載の医薬調合物。
【請求項１３】
当該調合物が酸化防止剤又はラジカルスカベンジャーとしてビタミンＣ又は還元グルタチオンを含む、請求項１２記載の医薬調合物。
【請求項１４】
当該調合物が凍結乾燥物，乾燥粉末又は乾燥混合物として存在する、請求項１〜１３のいずれか１つに記載の医薬調合物。
【請求項１５】
当該調合物が凍結乾燥溶液として存在する、請求項１〜１３のいずれか１つに記載の医薬調合物。
【請求項１６】
５，１０−メチレン−（６Ｒ）−，−（６Ｓ）−又は−（６Ｒ，Ｓ）−テトラヒドロホラートを含む調合物の安定化法であって、５，１０−メチレン−（６Ｒ）−，−（６Ｓ）−又は−（６Ｒ，Ｓ）−テトラヒドロ葉酸をシトラートで処理して、７．５〜１０．５のｐＨ値とすることを特徴とする、上記安定化法。
【請求項１７】
８．５〜９．５のｐＨ値とする、請求項１６記載の安定化法。
【請求項１８】
５，１０−メチレン−（６Ｒ）−，−（６Ｓ）−又は−（６Ｒ，Ｓ）−テトラヒドロ葉酸の薬学的に許容し得る塩及びシトラートを含む調合物を、対応する医療適応症での使用に適する医薬品を製造するために７．５〜１０．５のｐＨ値で使用する方法。
【請求項１９】
８．５〜９．５のｐＨ値とする、請求項１８記載の使用する方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
本発明者は驚くべきことに、水溶液の形にある，懸濁液の形にある及び固形、たとえば粉末又は凍結乾燥物の形にあるＭＴＨＦの安定性を、塩基性ｐＨ値に調整及びシトラート（Ｃｉｔｒａｔ）の同時使用によって著しく増加させることができることを見出した。この安定化は還元剤の不在下でさえ生じるのは、驚くべきことである。
したがって，還元剤（酸化防止剤）を添加しなくても、そして空気中の酸素を排除しなくても，ＭＴＨＦ溶液は何時間も安定である。これは、ＭＴＨＦの安定な調合物がシトラートに代えてアセテート，オキザラート，マレアート及びその他の酸のパートナーを用いて得ることができないだけになおさら驚きである。これはシトラートを用いて得られるのと同等の効果がアセテートを用いて得ることができる、５−ホルミルテトラヒドロ葉酸に対する状況と大違いである（ヨーロッパ特許第０７５５３９６号明細書）。５−ホルミルテトラヒドロ葉酸溶液の場合、シトラートが加水分解及び基本骨格の酸化開裂を減少させ、したがって生成物、たとえばｐ−アミノベンゾイルグルタミン酸及びプテリン−及びテトラヒドロプテリン誘導体の形成を減少させる。これに反して，塩基性ｐＨ域でＭＴＨＦの場合、シトラートはＭＴＨＦ分子からホルムアルデヒドの離脱（加水分解）を阻止する。このことが、ホラート化合物として分類される、これら２つの化合物を挙動の点で著しく、驚くほど区別させる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
先行技術から、生理食塩溶液中の５，１０−メチレン−（６Ｒ，Ｓ）−テトラヒドロ葉酸のカルシウム塩に関して、比較として次の安定性値を見出することができる［Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｔａｂｉｌｉｔｙ  ａｎｄ  Ｈｕｍａｎ  Ｐｌａｓｍａ  Ｐｈａｒｍａｃｏｋｉｎｅｔｉｃｓ  ｏｆ  Ｒｅｄｕｃｅｄ  Ｆｏｌａｔｅｓ．  Ｏｄｉｎ，  Ｅ．等．  Ｃａｎｃｅｒ  Ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎ  １６（７），  ４４７−４５５（１９９８）参照］。
＋２５℃（％相対的安定性）で貯蔵
【表７】
2009514776.tif 000001
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年6月23日(2011.6.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料供給源と、
少なくとも１つの燃料噴射器と流体連結された燃料レールと、
前記燃料供給源に連通され、実質的に定速度で作動される燃料ポンプと、
前記燃料ポンプ出口から少なくとも１つの燃料噴射器への燃料供給ラインと、
前記燃料レール以外の前記燃料ポンプ出口を含む前記主な燃料供給ライン内の或る位置と前記燃料ポンプ入口を含む燃料供給源内の或る位置を連通し、低圧状態ＰLを定めるように設定された流量抑制手段を有する燃料バイパス・ライン、
又は上記燃料バイパス・ラインに加え高圧状態ＰHを定めるように設定された流量抑制手段を有する燃料戻りラインの両者を具え、
システム内において異なる燃料圧を瞬時に生成するためにエンジンの作動状態に応答して前記燃料バイパス・ライン及び燃料戻りラインを別個に開閉する燃料バイパス・コントロール及び燃料戻りコントロールを有してなる、
燃料噴射システム。
【請求項２】
前記コンピュータが、使用者からの入力とエンジン温度を含むエンジン作動状況に対応してエンジンの燃料要求についての信号を受信し、前記燃料戻りライン及び燃料バイパス・ラインの前記燃料戻りコントロール及び前記燃料バイパス・コントロールを開閉して燃料噴射器における選択された圧力を可能にし、エンジンからの要求に応じて燃料噴射パルスを調節する、請求項１のシステム。
【請求項３】
前記燃料バイパス・ライン及び燃料戻りラインが流量制限構造を有する、請求項１のシステム。
【請求項４】
前記燃料バイパス・コントロールが電子機械バルブと、燃料の要求量に応じて該バルブをアクチュエートする手段とを有する、請求項１のシステム。
【請求項５】
ノーマリークローズドの燃料バイパス・ラインを有し、都市走行とアイドリング時において、前記ノーマリークローズドの燃料バイパス・ラインが開かれ、低圧状態ＰLが生成され、燃料を節約する、請求項１のシステム。
【請求項６】
コンピュータが、要求される燃料量に基づいて選択された燃料バイパス・コントロール又は燃料戻りコントロールを選択的に開閉して異なる圧力状態を作り出すように使用される、請求項１のシステム。
【請求項７】
前記主燃料供給ライン内の或る位置から前記燃料ポンプの入口を含む或る位置に連通され、低圧状態ＰLを定めるように設定された流量抑制手段を有する、ノーマリークローズドの燃料バイパス・ライン、及び高圧状態ＰHを定めるように設定された流量抑制手段を有する、ノーマリーオープンの燃料戻りラインであって、ポンプ作動を実質的に安定化させるために燃料の再循環を可能にし、安定した燃料圧を作り出し、それによって、低圧レギュレータの必要を削減する前記燃料戻りラインを具えた、請求項１のシステム。
【請求項８】
前記燃料の流量抑制手段を有し、該手段が、次のいずれかである請求項１のシステム：
予め定められた径のオリフィス、ニードルバルブのような装置、又は流量抑制を生成するために前記燃料バイパス・ライン若しくは燃料戻りラインの１つを圧縮する手段。
【請求項９】
前記コンピュータが、使用者からの入力とエンジン温度を含むエンジン作動状況に対応してエンジンの燃料要求についての信号を受信し、前記燃料戻りライン及び燃料バイパス・ラインの前記燃料戻りコントロール及び燃料バイパス・コントロールを開閉して燃料噴射器における選択された圧力を可能にし、エンジンからの要求に応じて燃料噴射パルスを調節する、請求項７のシステム。
【請求項１０】
請求項１の、流量抑制手段を具えた少なくとも１つの燃料バイパス・ラインと各燃料バイパス・ラインにおける燃料バイパス・コントロールを有するシステムであって、
流量抑制手段を有するが燃料戻りコントロールを有しない燃料戻りラインであって、前記主燃料ライン内の或る位置から、前記燃料ポンプの入口を含む或る位置に連通され、それによって燃料の再循環ループを作る前記燃料戻りラインと、
燃料噴射のためにパルス当たり必要とされる燃料の量を決めるコンピュータとをさらに有する、請求項１のシステム。
【請求項１１】
前記コンピュータが、発進時を含むエンジンの冷たい作動時に、燃料バイパス・コントロールを閉じて第１の高圧状態ＰHを生成し、該コンピュータは、エンジン管理コントロールからの信号を受信して、エンジンが暖かく、要求された燃料パルスが低圧状態が供給できる最大の燃料パルス幅より小さいことを検知した場合、前記燃料バイパス・コントロールを開いて、低圧状態ＰLを生成する、請求項１０のシステム。
【請求項１２】
予め定められた実質的定速度で燃料を燃料タンクから主燃料ラインを通じて燃料レール及びエンジン用の少なくとも１つの燃料噴射器へ送り込むステップと、
或る程度の燃料を前記燃料レール及び前記燃料噴射器以外の燃料ポンプ出口から、低圧状態ＰLを定めるように設定された流量抑制手段を有する燃料バイパス・ライン及びノーマリークローズドの燃料バイパス・コントロールを介して燃料タンクに戻るようにバイパスさせるステップと、
前記燃料ポンプ作動を安定させる燃料再循環を形成するために、或る程度の燃料を燃料レール及び燃料噴射器以外の燃料ポンプ出口から、高圧状態ＰHを定めるように設定された流量抑制手段を有する燃料戻りライン及びノーマリーオープンの燃料戻りコントロールを介して燃料タンクに戻すステップと、
少なくとも３つの圧力状態間において本質的な時間の遅れなしに瞬時に燃料の流量圧力を変えるために前記燃料バイパス・コントロール及び燃料戻りコントロールの両方又は一方を開閉し、それにより各圧力状態の少なくとも１つの燃料噴射器において与えられたパルス幅に噴射される燃料パルス量を瞬時に変えるステップとを有してなる、
燃料噴射エンジン内の都市走行燃料効率を向上させる方法。
【請求項１３】
前記３つの圧力状態中少なくとも２つの圧力状態が良好な燃料噴射に必要な最低圧力ＰLに近い１つ及び最大パワーを生成するのに必要な状態に最も近いＰHに近い１つを含む、請求項１２の方法。
【請求項１４】
誤った電子信号及びエンジンの過熱を防止するためドライバーの最大パワーＶｇａｓ＝（Ｖｇａｓ）ｍａｘの急な要求をＮ回繰返した後、燃料戻りコントロール及び燃料バイパス・コントロールの両方を閉じ第三高圧状態を生成するために信号を作動させ、最大限に空気を取入れるため、スロットル・バルブ及びその他の空気付属装置を開き、短時間にエンジンの最大率を超えるパワーを出すために最大燃料噴射を送り込む、請求項１２の方法。
【請求項１５】
請求項１の都市走行中の燃料節約を実現する燃料噴射システムであって、
それぞれ低圧状態ＰL及び高圧状態ＰHを定めるように設定された流量抑制手段を有する燃料バイパス・ライン及び燃料戻りラインを具え、
上記燃料バイパス・ライン及び上記燃料戻りラインは、実質的に瞬時に開閉できる燃料バイパス・コントロール及び燃料戻りコントロールを有し、
前記燃料戻りコントロールはノーマリーオープンで通常は高圧状態ＰHで安定化するように燃料を再循環させ、前記燃料バイパス・コントロールはノーマリークローズドで都市走行時の燃料効率を上げるため燃料圧力を低圧状態ＰLに下げるように開くことができる、請求項１のシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年3月3日(2011.3.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
ヒアルロン酸は、ヒドロキシル基の官能基化のための及び特にヒドロキシル基をアミン型ボンドで置換するための、当業界において知られた方法によって、ジメチルスルホキサイド（ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｕｌｐｈｏｘｉｄｅ）又はそれと水との混合物，ジメチルフォルマミド（ｄｉｍｅｔｈｙｌｆｏｒｍａｍｉｄｅ）又はそれと水との混合物，Ｎ−メチルピロリドン（Ｎ−ｍｅｔｈｙｌ  ｐｙｒｏｌｉｄｏｎｅ）又はそれと水との混合物のような水溶液又は適切な溶媒液で、アミン層に結合させることができる。
［化２］Ｉａ１−ＯＨ＋Ｓｕｂ−ＮＨ２−>Ｒ−ＮＨ−Ｒ´
上記式中で、Ｉａ１はヒアルロン酸の残渣であり、Ｓｕｂはアミン官能基を有する基質の残渣である。上述した内容から、本発明に係る方法が、採用される反応及び場合に応じて適用される反応条件に従ってヒアルロン酸の或る反応ヒロロキシル基のみならず、全ての反応ヒロドキシル基を官能基化させることができることを理解することができる。然しながら、ヒアルロン酸のヒドロキシル基の官能基化反応によって、アクロスティックＸＰＳ又はＥＳＣＡとして知られているＸ線光電子分光法によって数値が求められるように、０．６以上のフラクショナル被覆率（ｆｒａｃｔｉｏｎａｌ  ｃｏｖｅｒａｇｅ）、即ち、ヒアルロン酸によって被覆された表面部分と結合したヒアルロン酸層の形成に帰着することが必要であり且つそれで十分である。その試験方法は、１９９８年に出版されたサーフェース  アンド  インターフェース  アナリイシス  マガジンの「ポリサッカライドが被覆された表面のＸＰＳ分析用の簡単なモデル」の２６，７４２−７４６でマルコ  モラとクララ  カッシネリとによって記述された記事の中で報告されている。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年8月31日(2011.8.31)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
クロックおよび電圧のドメインの各々を制御するために、本発明の１つの実施例は、ある時間間隔における各ドメインのエネルギーおよび性能を決定することによって、各ドメインのエネルギーと遅延の２乗（「遅延二乗」）との積（以下、「エネルギー遅延二乗積」という。）を最小にすることを試みる。少なくとも１つの実施例において、エネルギーおよび性能は、第１時間間隔中にドメインのエネルギーおよび遅延を計算し、かつ、後続の時間間隔中にドメインのエネルギーおよび遅延を推定することによって、２つの時間間隔において決定される。その後、後続の時間間隔に対する周波数および電圧の対が、第１時間間隔に対するエネルギー遅延二乗積と、後続の時間間隔に対するエネルギー遅延二乗積との間の比を最小にすることによって選択される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
フロント・エンド・ドメインの周波数の関数としてのプロセッサの性能は、付与された時間間隔に対するフロント・エンド・ドメインのクロック周波数、命令がフロント・エンドによってフェッチされる速度、およびマイクロオペレーション（解読された命令）が後続のパイプライン・ステージに転送される速度を用いて推定することができる。一実施例において、間隔がｎ＋１のときの性能推定「Ｔｎ＋１」は、次の方程式に従って推定される。  
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
各バック・エンド周波数および動作電圧は、各バック・エンド・ドメインの動作電圧および周波数の関数としてプロセッサのエネルギーおよび性能を推定し、かつ、エネルギー性能積の間の比を最小にする周波数および動作電圧を間隔ｎ＋１と間隔ｎとの間で選択することによって、フロント・エンドと同様の方法で推定される。一実施例において、プロセッサのエネルギー「Ｅｎ」は、バック・エンド・ドメインのエネルギー「ＥＢＥ，ｎ」の関数として、次の方程式に従って推定される。  
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
【数４】
2008515065.tif 000001
各バック・エンド・ドメインの周波数の関数としてのプロセッサの性能は、次の方程式に従って各間隔ｎ＋１において計算することができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年8月29日(2011.8.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項６】
メチル水素シロキサンが、式
【化１】
2004501853.tif 000001
式中、
Ｒ１〜Ｒ８は、水素または１〜６個の炭素原子を含有するアルキル基であり、ただし、Ｒ１〜Ｒ８の少なくとも１つが水素であり、およびｘが１〜２００の値を有する、を有するポリマー；
または、式
【化２】
2004501853.tif 000002
式中、
Ｒ９〜Ｒ１５およびＲ１８の各基は、それぞれ1〜６個の炭素原子を含有するアルキル基を示し、Ｒ１６は水素、Ｒ１７は６個を越える炭素原子を含有する高級アルキル基、並びにｙおよびｚの各々は１〜２００の値を有する、を有するコポリマーである、請求項１に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
ポリメチル水素シロキサンコポリマーもまた用いることができ、および好適なコポリマーは、式
【化４】
2004501853.tif 000003
式中、
Ｒ９〜Ｒ１５およびＲ１８基のそれぞれは、１〜６個の炭素原子を含有するアルキル基、典型的には、メチル基であり、Ｒ１６は水素であり、Ｒ１７は６個を越える炭素原子を含有する高級アルキル基である、を有する（アルキルメチル）（メチル水素）シロキサンコポリマーを含む。ｙおよびｚの値は、1〜２００である。
このようなポリメチル水素シロキサンポリマーおよびコポリマーは、例えば、Dow Corning Corporation（ミシガン州ミッドランド市）から商業的に得られ、および好適な材料は、例えば米国特許5074912および5919296に記載される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月8日(2011.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （Ａ）無溶剤シリコーンコーティング組成物、および
（Ｂ）（ａ）１分子当たり少なくとも２つのケイ素結合水素基を含む少なくとも１種のオルガノ水素ケイ素化合物と、（ｂ）１分子当たり少なくとも３つのケイ素結合アルケニル基を含む少なくとも１種のオルガノアルケニルシロキサンと、（ｃ）（ａ）＋（ｂ）１００万重量部につき１から２５０重量部の白金族金属を提供するのに十分な量で存在する白金族金属含有触媒とを、成分（ａ）のケイ素結合水素原子数：成分（ｂ）のケイ素結合アルケニル基数の比率が１：４．６以下であるという条件で、混合することを含む方法によって得られる、１５０から５０，０００ミリパスカル秒（ｍＰａ．ｓ）（１ミリパスカル秒＝１センチポイズ）の粘度を有する液体シリコーンミスト抑制剤組成物、
を含むシリコーンコーティング組成物。
【請求項２】  （Ａ）１分子当たり少なくとも２つのケイ素結合アルケニル基を含むオルガノケイ素化合物、および
（Ｂ）（ａ）１分子当たり少なくとも２つのケイ素結合水素基を含む少なくとも１種のオルガノ水素ケイ素化合物と、（ｂ）１分子当たり少なくとも３つのケイ素結合アルケニル基を含む少なくとも１種のオルガノアルケニルシロキサンと、（ｃ）（ａ）＋（ｂ）１００万重量部につき１から２５０重量部の白金族金属を提供するのに十分な量で存在する白金族金属含有触媒とを、成分（ａ）のケイ素結合水素原子数：成分（ｂ）のケイ素結合アルケニル基数の比率が１：４．６以下であるという条件で、混合することを含む方法によって得られる、１５０から５０，０００ミリパスカル秒（ｍＰａ．ｓ）（１ミリパスカル秒＝１センチポイズ）の粘度を有する液体シリコーンミスト抑制剤組成物、
を含むシリコーンコーティング組成物。
【請求項３】  （ａ）１分子当たり少なくとも２つのケイ素結合水素基を含む少なくとも１種のオルガノ水素ケイ素化合物と、（ｂ）１分子当たり少なくとも３つのケイ素結合アルケニル基を含む少なくとも１種のオルガノアルケニルシロキサンと、（ｃ）（ａ）＋（ｂ）１００万重量部につき１から２５０重量部の白金族金属を提供するのに十分な量で存在する白金族金属含有触媒とを、成分（ａ）のケイ素結合水素原子数：成分（ｂ）のケイ素結合アルケニル基数の比率が１：４．６以下であるという条件で、混合することを含む方法によって得られる１５０から５０，０００ミリパスカル秒（１ミリパスカル秒＝１センチポイズ）の粘度を有する液体シリコーンミスト抑制剤組成物を、無溶剤シリコーンコーティング組成物に加えることを含む、シリコーンコーティング組成物中のミストを減少させる方法。
【請求項４】  硬化コーティングの形成方法であって、該方法は、
（Ｉ）（ａ）１分子当たり少なくとも２つのケイ素結合水素基を含む少なくとも１種のオルガノ水素ケイ素化合物と、（ｂ）１分子当たり少なくとも３つのケイ素結合アルケニル基を含む少なくとも１種のオルガノアルケニルシロキサンと、（ｃ）（ａ）＋（ｂ）１００万重量部につき１から２５０重量部の白金族金属を提供するのに十分な量で存在する白金族金属含有触媒とを、成分（ａ）のケイ素結合水素原子数：成分（ｂ）のケイ素結合アルケニル基数の比率が１：４．６以下であるという条件で、混合することを含む方法によって得られる１５０から５０，０００ミリパスカル秒（１ミリパスカル秒＝１センチポイズ）の粘度を有する液体シリコーンミスト抑制剤組成物を、無溶剤シリコーンコーティング組成物に加える工程と、
（ＩＩ）基材の表面上に（Ｉ）から得られる混合物をコーティングする工程と、
（ＩＩＩ）前記コーティングを硬化するのに十分な量の（ｉ）熱または（ｉｉ）化学線から選択されるエネルギー源に該コーティングおよび前記基材を曝す工程と
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月30日(2011.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液−液界面（１９）において互いに接触する第一および第二の非混和性液体（１６，１８）を含み、第一の液体は絶縁性液体であり、第二の液体は導電性液体であって水溶液を備える、チャンバ（１５）と、
第二の液体に接触する第一の電極（２０，６０８）と、
電気的絶縁層（４０２）によって第一および第二の液体から電気的に絶縁された第二の電極（２０２）と、を備え、第二の電極は前記液−液界面の端部に接触するように配置された表面を備え、前記液−液界面の曲率は前記第一および第二の電極間の電圧の印加によって制御可能であって、
前記第二の電極は、０．１５ｇ・ｍｍ／ｍ２・ｄａｙ未満の水蒸気透過を有する熱可塑性高分子である導電性の成型された高分子材料から形成され、第二の高分子材料は液晶ポリマーであることを特徴とする、エレクトロウェッティング光学装置。
【請求項２】
第二の電極は、導電性粒子の導入によって導電性にされた液晶ポリマーを備える、請求項１に記載のエレクトロウェッティング光学装置。
【請求項３】
前記液晶ポリマーは、炭素の粒子を備える、請求項２に記載のエレクトロウェッティング光学装置。
【請求項４】
前記第二の電極は、射出成形される、請求項１から請求項３のいずれかに記載のエレクトロウェッティング光学装置。
【請求項５】
前記第二の電極は、１０４から１０７Ω・ｃｍの範囲、好ましくは１０５から５×１０６Ω・ｃｍの範囲の導電率を有する、請求項１から請求項４のいずれかに記載のエレクトロウェッティング光学装置。
【請求項６】
前記第二の電極上に複数の接点を備え、各々の接点は、前記液−液界面の異なる部分を制御するための別々の電圧を受けるために配置される、請求項５に記載のエレクトロウェッティング光学装置。
【請求項７】
一以上の別々の電圧の印加に基づいて、可変焦点、可変傾斜および可変非点収差の一つ以上の関数を提供するように設けられる、請求項６に記載のエレクトロウェッティング光学装置。
【請求項８】
前記絶縁層は、フッ素化パリレン、好ましくはパリレンＣおよびパリレンＦのうち一つを備える、請求項１から請求項７のいずれかに記載のエレクトロウェッティング光学装置。
【請求項９】
第二の電極は、前記液−液界面の端部に接触するように配置された、円錐状表面を備える、請求項１から請求項８のいずれかに記載のエレクトロウェッティング光学装置。
【請求項１０】
撮像のためのイメージセンサ（６１２）と、
前記イメージセンサに像を形成するように配置され、請求項１から請求項６のいずれかに記載の光学装置を備える、レンズ装置と、
前記第一および第二の電極間に印加された少なくとも一つの電圧を生成するために配置された駆動回路と、
を備える、光学設備。
【請求項１１】
前記光学設備の動きを検出するための動き検出器をさらに備え、前記光学装置は、前記動き検出器により検出された動きに対応して前記イメージセンサに形成された像を移動するために配置される、請求項１０に記載の光学設備。
【請求項１２】
請求項１０または請求項１１に記載の光学設備を備える、携帯電話。
【請求項１３】
請求項１０または請求項１１に記載の光学設備を備える、デジタルカメラ。
【請求項１４】
金型を使用して前記高分子材料を成型することにより前記第二の電極を形成するステップを備える、請求項１に記載のエレクトロウェッティング光学装置を形成する方法。
【請求項１５】
前記成型するステップは、前記第二の電極を射出成形するステップを備える、請求項１４に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【図１】（上述された）先行技術に従った液体レンズの断面図である。
【図２】本発明の第一の実施の形態に従った液体レンズの断面図である。
【図３Ａ】本発明の他の実施の形態に従った液体レンズの断面図である。
【図３Ｂ】図３Ａの液体レンズの平面図である。
【図３Ｃ】更なる実施の形態に従った図３Ａの液体レンズの平面図である。
【図５Ａ】本発明の更なる実施の形態に従った液体レンズを示す平面図である。
【図５Ｂ】本発明の更なる実施の形態に従った液体レンズを示す平面図である。
【図６】本発明の実施の形態に従った光学設備の模式図である。
【図７】本発明の他の実施の形態に従った液体レンズの断面図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
異なる電圧Ｖ１およびＶ２の印加によってどのように傾斜が得られるかを示す。本体部分２０２を被覆する絶縁層は符号４０２で示される。本体２０２の左手側に印加された電圧Ｖ１が本体の右手側に印加された電圧Ｖ２よりも高い例が示されている。エレクトロウェッティング効果のために、左手側に供給されたより高い電圧は、液体界面１９のレンズの左手側における端部４０４が、右手側における端部４０４の変位よりも大きく変位する原因となる。この結果、屈折界面１９の通常の光学軸Δは窓１２，１４に垂直なレンズの中心軸を経由して延びるのに対し、傾斜した屈折界面の新たな光学軸Δ’は通常の光学軸Δに対し角度α分傾いているように、屈折界面１９が傾斜する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月23日(2011.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン注入機のイオン源のための陰極であって、該陰極は作業面を具え、該作業面に複数の電子生成及び集束用溝が設けられている、陰極。
【請求項２】
前記複数の電子生成及び集束用溝は複数の同心円の溝を含む、請求項１記載の陰極。
【請求項３】
前記複数の溝の各々は前記作業面の平面部分に対して角度が付けられた傾斜面を含む、請求項１記載の陰極。
【請求項４】
前記複数の溝の各々の前記傾斜面の角度は同じである、請求項３記載の陰極。
【請求項５】
前記複数の溝の各々の前記傾斜面は前記作業面から所定の距離に位置する焦点に面している、請求項３記載の陰極。
【請求項６】
前記距離は前記作業面から３０ｍｍである、請求項５記載の陰極。
【請求項７】
前記作業面の中心領域が前記作業面の外側領域より厚い、請求項１記載の陰極。
【請求項８】
前記作業面はほぼ均一の厚さを有する、請求項１記載の陰極。
【請求項９】
イオン注入機のためのイオン源であって、該イオン源は、
ソースガス注入口と、
作業面を具え、該作業面に複数の電子生成及び集束用溝が設けられている陰極と、
イオンプラズマ出口と、
を具える、イオン源。
【請求項１０】
前記複数の電子生成及び集束用溝は複数の同心円の溝を含む、請求項９記載のイオン源。
【請求項１１】
前記複数の溝の各々は前記作業面の平面部分に対して角度が付けられた傾斜面を含む、請求項９記載のイオン源。
【請求項１２】
前記複数の溝の各々の前記傾斜面の角度は同じである、請求項１１記載のイオン源。
【請求項１３】
前記複数の溝の各々の前記傾斜面は前記作業面から所定の距離に位置する焦点に面している、請求項１１記載のイオン源。
【請求項１４】
前記距離は前記作業面から３０ｍｍである、請求項１３記載のイオン源。
【請求項１５】
出力開口を更に具え、前記焦点が前記出力開口に隣接している、請求項１３記載のイオン源。
【請求項１６】
前記作業面の中心領域が前記作業面の外側領域より厚い、請求項９記載のイオン源。
【請求項１７】
前記作業面は均一の厚さを有する、請求項９記載のイオン源。
【請求項１８】
作業面内に複数の電子生成及び集束用溝が設けられている反射電極を更に具える、請求項９記載のイオン源。
【請求項１９】
前記陰極の前記複数の電子生成及び集束用溝の各々は前記陰極の前記作業面の平面部分に対して角度が付けられた傾斜面を含み、前記反射電極の前記複数の電子生成及び集束用溝の各々は前記反射電極の前記作業面の平面部分に対して角度が付けられた傾斜面を含む、請求項１８記載のイオン源。
【請求項２０】
前記複数の電子生成及び集束用溝の各々の前記傾斜面は前記陰極及び反射電極の前記作業面から所定の距離に位置する焦点に面している、請求項１９記載のイオン源。
【請求項２１】
前記焦点は前記イオンプラズマ出口に隣接している、請求項２０記載のイオン源。
【請求項２２】
請求項９に記載のイオン源を具える、イオン注入機システム。
【請求項２３】
イオンプラズマを発生させる方法であって、
ソースガスを供給するステップと、
イオンプラズマを発生させるために前記ソースガスに隣接する陰極にバイアスを供給するステップとを具え、前記陰極は作業面を具え、該作業面に複数の電子生成及び集束用溝が設けられている、
イオンプラズマ発生方法。
【請求項２４】
前記複数の溝の各々は前記作業面の平面部分に対して角度が付けられた傾斜面を含む、請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
前記複数の電子生成及び集束用溝の各々の前記傾斜面の角度は同じである、請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
前記複数の溝の各々の前記傾斜面は前記作業面から所定の距離に位置する焦点に面している、請求項２４記載の方法。
【請求項２７】
前記距離は前記作業面から３０ｍｍである、請求項２６記載の方法。
【請求項２８】
前記作業面の中心領域が前記作業面の外側領域より厚い、請求項２３記載の方法。
【請求項２９】
前記作業面は均一の厚さを有する、請求項２３記載の方法。
【請求項３０】
作業面内に複数の電子生成及び集束用溝が設けられている反射電極を更に具える、請求項２３記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月24日(2011.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料電池スタックであって、
ａ）第１の略平坦面を有する第１の略平坦プレート本体を含む、少なくとも１つのバイポーラプレート組立体、但し、前記第１の面は、
ｉ）反応物がそこを通過するための、前記第１のプレート本体により画定された開口、
ｉｉ）その上に画定された第１の反応物流動場、および
ｉｉｉ）前記開口を実質的に包囲する前記第１の面上の第１の隆起表面であって、隣接するバイポーラプレート組立体の面上の第２の表面と結合するように適合かつ構成されており、前記隆起表面同士が結合されると、前記第１の隆起表面と前記第２の表面とが流れ阻止部を生成する、前記第１の隆起表面
を含む、
ｂ）前記第１の反応物流動場と動作可能に連通する第１の膜電極接合体、
ｃ）前記第１の流体流路を介して前記反応物流動場と流体連通する反応物マニホルドであって、前記燃料電池スタックを通過する反応物の移送を容易化するように適合、かつ構成されている、前記反応物マニホルド、および
ｄ）前記セパレータプレート、膜電極接合体および反応物マニホルドのまわりに配置されたカプセル化材料の層であって、前記流れ阻止部によって、第１のプレート本体により画定された開口中に流入するのが実質的に防止されている、前記カプセル化材料の層、を含む前記燃料電池スタック。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月13日(2011.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のオプトエレクトロニクスデバイスを製造する方法であって、
−  少なくとも１つの電気接続領域がそれぞれ設けられている複数のデバイス領域を有する接続部キャリア集合体を設けるステップと、
−  半導体ボディキャリアを設けて、前記半導体ボディキャリアに接続されている複数の個別の半導体ボディであって、活性領域を有する半導体積層体をそれぞれ備えている複数の個別の半導体ボディが、前記半導体ボディキャリア上に配置されるようにするステップと、
−  前記接続部キャリア集合体および前記半導体ボディキャリアを、前記半導体ボディが前記デバイス領域に面するように互いに相対的に配置するステップと、
−  複数の半導体ボディを前記接続部キャリア集合体に機構的に接続して、前記各半導体ボディが、前記デバイス領域のうち前記半導体ボディに割り当てられている前記デバイス領域の搭載領域において前記接続部キャリア集合体に機構的に接続されるようにし、前記各半導体ボディを、前記半導体ボディに割り当てられている前記デバイス領域の前記接続領域に導電的に接続して、前記接続部キャリア集合体に接続すべきまたはされている前記半導体ボディを、前記半導体ボディキャリアから分離するステップと、
−  前記接続部キャリア集合体を複数の個別のオプトエレクトロニクスデバイスに分割して、前記オプトエレクトロニクスデバイスのそれぞれが、前記デバイス領域を有する接続部キャリアと、前記接続部キャリア上に配置され且つ前記接続領域に導電的に接続されている半導体ボディと、を有するようにするステップと、
接触用傾斜部を前記半導体ボディに並んで配置するステップとを含み、
前記接触用傾斜部は、くさび形状に形成され、前記半導体ボディから、前記半導体ボディに面している前記接続部キャリアの面の方向に延在しており、
前記半導体ボディは、前記接続部キャリア上に配置されている、
方法。
【請求項２】
前記各接続領域が前記搭載領域と接続導体領域とを有し、前記搭載領域が前記接続導体領域よりも高い、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記接続部キャリアが、前記半導体ボディにおいて発生する放射に対して透過性である、
請求項１または２に記載の方法。 
【請求項４】
前記接続部キャリア集合体の前記接続領域をリソグラフィによって形成する、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
デバイス領域において、複数の半導体ボディを前記接続部キャリア集合体に接続し、前記デバイス領域における隣り合う半導体ボディの間の距離が４０μｍ以下である、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記半導体ボディを前記接続部キャリア集合体上に固定した後、前記半導体ボディの間、前記接続部キャリア集合体上に、平坦化材料を塗布し、特に、塗布後、平坦化層が前記各半導体ボディに並んで配置されているように、前記平坦化材料を形成し、
前記接触用傾斜部は、前記平坦化層により形成される、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記搭載領域とは反対側の前記各半導体ボディの面から前記接続部キャリアの方に、好ましくは層状に延びている接触用導体を形成する、
請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記半導体ボディを前記接続部キャリア集合体上に固定した後、特に、前記接続部キャリア集合体を分割する前に、前記搭載領域とは反対側の前記各半導体ボディの面に接触部を形成し、前記接触部が電流分散構造を有し、前記電流分散構造が、前記半導体ボディの前記搭載領域とは反対側の前記半導体ボディの面に形成され、前記接触用導体および前記電流分散構造が、共通のマスクを使用してのリソグラフィによって、前記接続部キャリア集合体に形成されている、
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記半導体ボディを前記半導体ボディキャリアから分離した後、前記半導体ボディキャリアを除去し、さらなる半導体ボディキャリアを設け、
前記さらなる半導体ボディキャリア上に配置されている半導体ボディを、前記接続部キャリア集合体に接続し、前記さらなる半導体ボディキャリアから分離し、
前記さらなる半導体ボディキャリア上に配置されているさらなる半導体ボディを、各場合において、前記接続部キャリア集合体にすでに接続されている前記半導体ボディの少なくとも１つの上に固定し、具体的には、前記後者の少なくとも１つの半導体ボディに導電的に接続する、
請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
−  活性領域を有する半導体積層体を備えている半導体ボディと、
−  前記半導体ボディが配置および固定されている接続部キャリアと、を備え、
前記半導体ボディに面している前記接続部キャリアの面上には電気接続領域が形成され、前記接続領域が、前記接続部キャリアの平面視において前記半導体ボディに並んで延在し、前記半導体ボディに導電的に接続され、
平坦化層は、前記接続部キャリア上に前記半導体ボディに並んで配置されており、前記接続部キャリアとは反対側の前記平坦化層の面と前記接続部キャリアとは反対側の前記半導体ボディの面との間の距離が、前記接続部キャリアとは反対側の前記半導体ボディの面と前記接続部キャリアとの間の距離よりも小さい、
オプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１１】
前記接続部キャリアとは反対側の前記各半導体ボディの面に導電的に接続されている接触用導体が、前記接続部キャリアとは反対側の前記平坦化層の面上に延在し、前記平坦化層が、前記半導体ボディとは反対の側面において前記接続部キャリアまで斜めに延び、前記接触用導体がこの傾斜に沿って延びている、
請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記デバイスの少なくとも１つの外部接続パッドが、前記半導体ボディとは反対側の前記接続部キャリアの面上に配置され、前記接続パッドを前記半導体ボディに導電的に接続するため前記接続部キャリアに切欠部が形成されている、
請求項１０または１１に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記半導体ボディが１０μｍ以下の厚さを有する、請求項１０〜１２のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１４】
複数の半導体ボディを有し、２つの半導体ボディの前記活性領域が、異なる色のスペクトル範囲における放射を発生させるように形成されている、請求項１０〜１３のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記平坦化層は、くさび形状に形成されている接触用傾斜部を形成する、請求項１０〜１４のいずれか１項に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月28日(2011.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２の表面を有する圧電層を形成する複数の圧電セルを備える触知タッチパネルであって、前記圧電層の前記第１の表面は入力を受容するように構成され、前記複数の圧電セルの各々は、少なくとも１つの圧電材料を含み、前記圧電材料は他の圧電セルとは独立して、触覚効果を提供するように構成される、触知タッチパネル。
【請求項２】
前記複数の圧電セルは前記入力を感知することができる、請求項１に記載の触知タッチパネル。
【請求項３】
第３および第４の表面を有する電気絶縁層をさらに備え、前記電気絶縁層の前記第４の表面は、前記複数の圧電セルの前記第１の表面に隣接して位置しており、前記電気絶縁層の前記第３の表面は前記入力と整合するように構成される、請求項１に記載の触知タッチパネル。
【請求項４】
前記電気絶縁層の前記第３の表面は、前記複数の圧電セルの前記第１の表面に前記入力を伝達できる、請求項３に記載の触知タッチパネル。
【請求項５】
前記圧電層の前記第２の表面に結合されたディスプレイをさらに備え、前記ディスプレイは、前記電気絶縁層の前記第３の表面から可視である画像を投影することができる、請求項１に記載の触知タッチパネル。
【請求項６】
前記ディスプレイは、フラットパネルディスプレイまたはフレキシブルディスプレイである、請求項５に記載の触知タッチパネル。
【請求項７】
前記複数の圧電セルに接続された複数の電線をさらに備える、請求項１に記載の触知タッチパネル。
【請求項８】
前記圧電材料は、前記電線のうちの少なくとも１つから印加される電位に応じて変形する、請求項７に記載の触知タッチパネル。
【請求項９】
前記複数の圧電セルの各々は、縦５ミリメートル、横５ミリメートル未満の大きさに構成される、請求項１に記載の触知タッチパネル。
【請求項１０】
前記複数の圧電セルのうちの複数の隣接する圧電セルは、実質的に同時に複数の触覚効果を提供することができる、請求項９に記載の触知タッチパネル。
【請求項１１】
複数の同時に発生する触覚効果を提供するための方法であって、
感知層の第１の変形を検出するステップと、
前記第１の変形と実質的に同時に前記感知層の第２の変形を検出するステップと、
前記第１の変形の位置に応じて第１の入力と、前記第２の変形の位置に応じて第２の入力と、を生成するステップと、
前記第１の入力に応じて第１の触覚効果を備える第１の触覚セルと、前記第２の入力に応じて第２の触覚効果を備える第２の触覚セルと、を作動させるステップと、
を含む、複数の同時に発生する触覚効果を提供するための方法。
【請求項１２】
絶縁層を通して、または絶縁層上に可視である画像を表示するステップと、
前記画像に従って前記絶縁層を監視するステップと、
をさらに備える、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記感知層の第１の変形を検出するステップは、前記絶縁層の前記第１の変形を感知するステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記感知層の第１の変形を検出するステップは、前記第１の触覚セルの前記第１の変形を感知するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記感知層の第１の変形を検出するステップは、第１の指による第１の押下に応じて前記第１の変形を検出するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
同じ指によって押下されることによる前記第１の変形および前記第２の変形を検出するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記感知層の第２の変形を検出するステップは、第２の指による第２の押下に応じて前記第２の変形を感知するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記感知層の第１の変形を検出するステップは、スタイラスによる第１の押下に応じて前記第１の変形を検出するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１の入力に応じて第１の触覚効果を備える第１の触覚セルと、第２の入力に応じて第２の触覚効果を備える第２の触覚セルと、を作動させるステップは、前記第１の触覚効果と前記第２の触覚効果とを実質的に同時に開始するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１の入力に応じて第１の触覚効果を備える第１の触覚セルと、第２の入力に応じて第２の触覚効果を備える第２の触覚セルと、を作動させるステップは、
前記第１の触覚効果を生成するように、前記第１の触覚セルの第１の圧電材料を作動させるステップと、
前記第２の触覚効果を生成するように、前記第２の触覚セルの第２の圧電材料を作動させるステップと、
をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月12日(2011.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピューティングシステムによって使用されるハードウェア資源の管理を容易にする方法であって、
多機能ハードウェア資源によって実行される任意の個別の機能にアクセスするための資源獲得要求を受け付けるステップと、
前記多機能ハードウェア資源に関連付けられ且つ前記要求された個別の機能に専用に設けられたデバイスドライバーと通信するステップと、
前記デバイスドライバーとの通信に応答して、前記資源獲得要求に従い前記多機能ハードウェアデバイスへのアクセスを可能にする目的で前記多機能ハードウェアデバイスを獲得するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記資源獲得要求が、前記多機能ハードウェア資源によって提供される機能について確立されるポリシーに準拠するか否かを判断するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記多機能ハードウェアデバイスによって実行される第１の機能を要求する第１の資源コンシューマと前記多機能ハードウェアデバイスによって実行される第２の機能を要求する第２の資源コンシューマとの間にポリシーの衝突が生じる場合には、前記多機能ハードウェアデバイスの獲得を拒否するステップをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記資源獲得要求は、多機能ＡＰＩを通じて資源コンシューマから受け付けられるもの及びアプリケーションレベル資源コンシューマから受信されるもののうち少なくとも１つである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
コンピューティングデバイスによって使用されるハードウェア資源を管理するシステムであって、
多機能ハードウェアデバイスによって実行される各機能について資源コンシューマからコンシューマ機能コールを受け付ける多機能インターフェースと、
前記多機能ハードウェアデバイスによって実行される前記機能のそれぞれに専用の異なるデバイスドライバーを管理することによって、前記コンシューマ機能コールに応答して、前記多機能ハードウェアデバイスの異なる機能資源を割り当てるハイブリッド資源マネージャーと、
前記コンシューマ機能コールに従い前記多機能ハードウェアデバイスへのアクセスを許可する目的で、前記ハイブリッド資源マネージャーによって実施されて前記多機能ハードウェアデバイスの獲得を可能にする少なくとも１つの所定のポリシーを確立するポリシーモジュールと
を備えるシステム。
【請求項６】
前記多機能デバイスによって実行される１つの特定の機能について、選択された資源コンシューマからの要求を受け付ける少なくとも１つの専用インターフェースであって、前記選択された資源コンシューマは、そのコンシューマ機能コールが前記多機能インターフェースによって受け付けられない資源コンシューマである、少なくとも１つの専用インターフェースと、
前記特定の機能に専用のデバイスドライバーを管理することによって前記特定の機能に対する資源を割り当てる少なくとも１つの専用資源マネージャーと
をさらに備える請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記専用インターフェースは、前記多機能ハイブリッドデバイスによって実行される前記特定の機能に関連付けられるＡＰＩ標準規格に準拠する、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記多機能インターフェースは、（ｉ）前記多機能ハードウェアデバイスによって実行される前記機能のデバイス列挙と、（ｉｉ）認証及び検証の目的のためのデバイス獲得と、（ｉｉｉ）前記多機能ハードウェアデバイスの獲得後の該多機能ハードウェアデバイスのロックとを容易にするように構成される、請求項５に記載のシステム。
【請求項９】
前記ポリシーモジュールは、資源割り当てを実施するための所定の衝突解決ポリシーを確立するように構成され、前記所定の衝突解決ポリシーは、優先度ベースの衝突解決モジュールを含む、請求項５に記載のシステム。
【請求項１０】
前記多機能ハードウェアデバイス及び割り当てられる前記機能資源から独立した前記コンシューマ資源の認証を集中化させる認証モジュールをさらに備える、請求項５に記載のシステム。
【請求項１１】
前記多機能ハードウェアデバイスのためにコンテンツコールを受け付けて前記認証モジュールを起動するデバイスマネージャーモジュールをさらに備える、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記認証モジュールは、割り当てられる前記機能資源から独立した共通の認証ユーザインターフェースを提示するように構成される、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
前記ハイブリッド資源マネージャーと前記デバイスドライバーとの間で通信プロトコルを実施する複数のデバイスハンドラーをさらに備え、前記デバイスハンドラーのそれぞれは、前記多機能ハードウェアデバイスの異なる機能資源に専用である、請求項５に記載のシステム。
【請求項１４】
前記コンピューティングデバイスは、パーソナルコンピューター、ゲームコンソール、携帯電話、ＰＤＡ、及びセットトップボックス（ＳＴＢ）から成る群から選択される電子デバイスであり、
前記ハイブリッド資源マネージャーはオペレーティングシステム内のシステムレベルに存在する、請求項５に記載のシステム。
【請求項１５】
コンピューター可読記憶媒体であって、電子デバイスに配置される１つ又は複数のプロセッサによって実行されると、請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の方法を実行する資源マネージャーを有するオペレーティングシステムを実施する命令を含む、コンピューター可読記憶媒体。