【事件の表示】
　特願２００４−５４８７３８号「半導体の表面処理およびそれに使用される混合物」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年５月２１日国際公開、ＷＯ２００４／０４１９８９号、平成１８年２月９日国内公表、特表２００６−５０５１３２号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯 
　本件に係る出願（以下「本願」という。）は、２００３年１０月１０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理：２００２年１１月５日、欧州特許庁）を国際出願日とする出願であって、平成２１年１月２６日付けで拒絶査定がなされ（発送日：同年１月２８日）、これに対し、同年４月２８日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年５月２８日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２．平成２１年５月２８日付けの手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２１年５月２８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 
 　 
［理由］ 
１．本件補正発明について
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、「【請求項１】アルカリ性化合物、過酸化水素、水、ならびにキレート化添加剤として、２，２−ビス−（ヒドロキシエチル）−（イミノトリス）−（ヒドロキシメチル）メタン［ビス・トリス］および／またはニトリロ三酢酸［ＮＴＡ；ＣＡＳ  １３９−１３−９；Ｔｉｔｒｐｌｅｘ  Ｉ］を含む、金属不純物汚染が問題となる表面処理作業のための洗浄液。」とあったものを「アルカリ性化合物、過酸化水素、水、ならびにキレート化添加剤
を含み、該キレート化添加剤が
および
の少なくとも１種からなる
　上記補正について検討する。
　上記補正は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１のキレート化添加剤について、「２，２−ビス−（ヒドロキシエチル）−（イミノトリス）−（ヒドロキシメチル）メタン［ビス・トリス］および／またはニトリロ三酢酸［ＮＴＡ；ＣＡＳ  １３９−１３−９；Ｔｉｔｒｐｌｅｘ  Ｉ］を含む」こととあったものを、「２，２−ビス−（ヒドロキシエチル）−（イミノトリス）−（ヒドロキシメチル）メタン［ビス・トリス］
および
の少なくとも１種からなる
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）否かについて検討する。 
　
２．刊行物に記載された発明について
　原査定の拒絶の理由（平成１７年１１月９日付け拒絶理由通知書）にて提示され、本願の優先権主張の日前に頒布された特開平１０−１２５８４号公報（以下「刊行物」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。
a)「【請求項１】液媒体中に、
アンモニア、水、並びに、
有機錯化剤を含有する
基体の表面処理を行う
【請求項２】請求項１に記載の表面処理方法において、アルカリ性表面処理組成物中にさらに
過酸化水素が含有されている
【請求項３】アンモニア濃度が０．１〜３５重量％、有機錯化剤濃度が１０−７〜５重量％、金属不純物濃度が各金属あたり１０−４重量％以下である事を特徴とする請求項１に記載の有機錯化剤を含有するアンモニア水溶液。
【請求項４】有機錯化剤が分子構造中に環状骨格を有し、且つ該環を構成する炭素原子に結合したＯＨ基及び／またはＯ−基を少なくとも２個有することを特徴とする請求項３に記載の有機錯化剤を含有するアンモニア水溶液。
【請求項５】
分子構造中に環状骨格を有し、且つ該環を構成する炭素原子に結合したＯＨ基及び／またはＯ
−
基を１つ以上有する有機錯化剤から選ばれる少なくとも１種とともに、環状骨格を構成する炭素原子に結合したＯＨ基及びＯ
−
基以外の配位基を有する錯化剤から選ばれる少なくとも１種をも含有する
有機錯化剤を含有するアンモニア水溶液
b)「【発明の属する技術分野】本発明は基体の表面処理方法及びそれに用いる表面処理剤に関し、より詳細にはアルカリ性水性溶媒を主成分とする表面処理組成物から基体表面への金属不純物の汚染を長時間にわたって防止し、安定的に極めて清浄な基体表面を達成する事ができる基体の表面処理方法及び表面処理剤に関するものである。」（段落【0001】）
c)「【発明が解決しようとする課題】上記のように、アルカリ性表面処理組成物から基体表面への金属不純物汚染が深刻な問題となっているが、それを長時間に渡って防止する技術は、いまだ不十分である。本発明は上記問題を解決するためになされたものであり、アルカリ性表面処理組成物から
基体表面への金属不純物の汚染を長時間に渡って防止し、安定的に極めて清浄な基体表面を達成する事ができる基体の表面処理方法及び表面処理組成物を提供する事を目的とする
d)「また、分子構造中に環状骨格を有し、且つ該環を構成する炭素原子に結合したＯＨ基または／及びＯ−基を１つ以上有する有機錯化剤のほかに、該ＯＨ基及びＯ-基以外の配位基を有する有機及び／または無機の錯化剤を添加し、錯化剤の種類を２種以上にするとより効果的である。以下に第２成分として添加される錯化剤の具体例を挙げるが、特にこれらに限定されるものではない。
　［１］ドナー原子である窒素を有する錯化剤として以下の化合物が挙げられる。・・・
　（６）イミノカルボン酸類
イミノ２酢酸、
ニトリロ３酢酸
e)「本発明を
洗浄に用いる
洗浄槽に洗浄液を満たして基板を浸漬させるディップ式クリーニング
洗浄方法
f)「【発明の効果】本発明の表面処理方法を用いれば、表面処理組成物から基体表面へのＡｌ、Ｆｅ等の金属不純物汚染を防止し、安定的に極めて清浄な基体表面を長時間にわたって達成する事ができる。特に、［アンモニア＋過酸化水素＋水］洗浄等に代表される
半導体基板のアルカリ洗浄
　
　上記a〜fの記載事項及び図面の図示内容を総合勘案すると、刊行物には、次の発明が記載されていると認められる。
「基体表面への金属不純物の汚染を長時間に渡って防止し、安定的に極めて清浄な基体表面を達成する事ができる基体の表面処理組成物を提供する事を目的とし、
　アンモニア、過酸化水素、水、並びに有機錯化剤を含有し、
　有機錯化剤が、分子構造中に環状骨格を有し、且つ該環を構成する炭素原子に結合したＯＨ基及び／またはＯ−基を１つ以上有する有機錯化剤から選ばれる少なくとも１種とともに、環状骨格を構成する炭素原子に結合したＯＨ基及びＯ−基以外の配位基を有する錯化剤から選ばれたニトリロ３酢酸からなる、
　基体の表面洗浄に用いるアンモニア水溶液。」
　
３．対比 
　本件補正発明と刊行物に記載された発明とを対比する。 
　刊行物に記載された発明の「アンモニア」は、その構成及び機能からみて本件補正発明の「アルカリ性化合物」に相当し、以下同様に、
　「環状骨格を構成する炭素原子に結合したＯＨ基及びＯ−基以外の配位基を有する錯化剤から選ばれたニトリロ３酢酸」は「ニトリロ三酢酸［ＮＴＡ；ＣＡＳ　１３９−１３−９；Ｔｉｔｒｐｌｅｘ　Ｉ］」に、
　「基体の表面洗浄に用いるアンモニア水溶液」は、「アンモニア水溶液」が、基体表面の金属不純物の洗浄処理作業に用いられるものであるから、「金属不純物汚染が問題となる表面処理作業のための洗浄液」に、
　それぞれ相当する。
　ここで、刊行物に記載された発明の「有機錯化剤」と本件補正発明の「キレート化添加剤」とを対比する。一般に、錯化合物である錯体には、キレート環を持つキレート化合物が含まれる。そして、刊行物に記載された発明の「有機錯化剤」はアンモニア水溶液に
添加
有機
　ゆえに、上記本件補正発明と刊行物に記載された発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
　
［一致点］ 
「アルカリ性化合物、過酸化水素、水、ならびにキレート化添加剤を含み、該キレート化添加剤が、ニトリロ三酢酸［ＮＴＡ；ＣＡＳ　１３９−１３−９；Ｔｉｔｒｐｌｅｘ　Ｉ］からなる、金属不純物汚染が問題となる表面処理作業のための洗浄液。」
　
［相違点］ 
　キレート化添加剤が、本件補正発明では、２，２−ビス−（ヒドロキシエチル）−（イミノトリス）−（ヒドロキシメチル）メタン［ビス・トリス］およびニトリロ三酢酸［ＮＴＡ；ＣＡＳ　１３９−１３−９；Ｔｉｔｒｐｌｅｘ　Ｉ］の少なくとも１種からなるのに対して、刊行物に記載された発明では、分子構造中に環状骨格を有し、且つ該環を構成する炭素原子に結合したＯＨ基及び／またはＯ−基を１つ以上有する有機錯化剤から選ばれる少なくとも１種とともに、環状骨格を構成する炭素原子に結合したＯＨ基及びＯ−基以外の配位基を有する錯化剤から選ばれたニトリロ３酢酸からなる点。
 　 
４．当審の判断
　以下、上記相違点について検討する。 
　半導体基板洗浄の技術分野において、半導体基板の洗浄液にキレート化添加剤を１種類あるいは複数種類添加することは、本願の優先権主張の日前から広く行われてきた技術的事項である。しかも、過酸化水素、アンモニア、水からなる洗浄液に、半導体基板表面の金属汚染を防止するために、キレート化添加剤としてニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）を１種類だけ添加することは、本願の優先権主張の日前から周知の技術事項である（例えば、特開平６−４１７７３号公報の【請求項１、２、４】、表の(6)、段落【0015】、【0032】や、特開２０００−２５２２５０号公報の【請求項１、２】、段落【0005】や、特開平１１−７４１８０号公報の【請求項１】、段落【0005】を参照。以下「周知の技術事項１」という。）。
　さらに、同じく、半導体基板洗浄の技術分野において、洗浄液中の過酸化水素が、重金属により分解される性質があり、過酸化水素が含まれる洗浄液にキレート化添加剤を添加することにより重金属を錯化し、過酸化水素の重金属による分解を防止し、過酸化水素を安定化させることにより、洗浄液の寿命を長くすることは、本願の優先権主張の日前から周知の技術事項である（例えば、特開平９−２１３６６５号公報の段落【0005】、【0006】や国際公開第２００２／０５１９６１号パンフレットの段落【0008】、【0025】や、上記特開平６−４１７７３号公報の段落【0033】における「キレート剤がＥＤＴＡ、
ＮＴＡ
　したがって、刊行物に記載された発明のアンモニア水溶液中の有機錯化剤を、上記周知の技術事項１に倣って、分子構造中に環状骨格を有し、且つ該環を構成する炭素原子に結合したＯＨ基及び／またはＯ−基を１つ以上有する有機錯化剤から選ばれる少なくとも１種と、環状骨格を構成する炭素原子に結合したＯＨ基及びＯ−基以外の配位基を有する錯化剤から選ばれたニトリロ３酢酸のうち、ニトリロ３酢酸１種類とすることは当業者が容易になし得たものである。
　そして、その際に、上記周知の技術事項２に示されるように、アンモニア、過酸化水素、水からなるアンモニア水溶液にキレート化添加剤としてニトリロ３酢酸のみを加えたものは、ニトリロ３酢酸が洗浄液中の重金属を錯化し、過酸化水素を安定化させることにより洗浄液の寿命を長くする効果を奏することは、当業者が予測できた効果の範囲内のものである。
　ゆえに、本件補正発明は、刊行物に記載された発明及び上記周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
 　 
４．まとめ
　以上のとおりでありであるから、本件補正は、改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　 
第３．本願発明について 
１．本願発明 
　平成２１年５月２８日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１を引用する請求項８に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１５年１０月１０日付け国内書面の特許請求の範囲の請求項１を引用する請求項８に記載された次のとおりのものである。 
「【請求項１】アルカリ性化合物、過酸化水素、水、ならびにキレート化添加剤として、２，２−ビス−（ヒドロキシエチル）−（イミノトリス）−（ヒドロキシメチル）メタン［ビス・トリス］および／またはニトリロ三酢酸［ＮＴＡ；ＣＡＳ  １３９−１３−９；Ｔｉｔｒｐｌｅｘ  Ｉ］を含む、金属不純物汚染が問題となる表面処理作業のための洗浄液。
【請求項８】半導体基板を、請求項１に記載の洗浄液で処理し、水ですすぎ洗いした後、前記半導体基板を乾燥させるステップを含む、半導体基板の洗浄方法。」 
 　 
２．刊行物に記載された発明について
　原査定の拒絶の理由にて提示された上記刊行物には、前記「第２．［理由］３．刊行物に記載された発明ついて」における摘記事項が記載されている。
　そして、前記「第２．［理由］２．刊行物に記載された発明ついて」のa〜fの記載事項及び図面の図示内容を総合勘案すると、刊行物には、次の発明が記載されていると認められる。
「基体表面への金属不純物の汚染を長時間に渡って防止し、安定的に極めて清浄な基体表面を達成する事ができる基体表面処理方法を提供することを目的とし、
　アンモニア、過酸化水素、水、並びに有機錯化剤を含有し、
　有機錯化剤が、分子構造中に環状骨格を有し、且つ該環を構成する炭素原子に結合したＯＨ基及び／またはＯ−基を１つ以上有する有機錯化剤から選ばれる少なくとも１種とともに、環状骨格を構成する炭素原子に結合したＯＨ基及びＯ−基以外の配位基を有する錯化剤から選ばれたニトリロ３酢酸からなる、
　半導体基板の表面洗浄に用いるアンモニア水溶液を洗浄槽に満たして半導体基板を浸漬させるディップ式クリーニング洗浄方法。」
　
「【請求項１】アルカリ性化合物、過酸化水素、水、ならびにキレート化添加剤として、２，２−ビス−（ヒドロキシエチル）−（イミノトリス）−（ヒドロキシメチル）メタン［ビス・トリス］および／またはニトリロ三酢酸［ＮＴＡ；ＣＡＳ  １３９−１３−９；Ｔｉｔｒｐｌｅｘ  Ｉ］を含む、金属不純物汚染が問題となる表面処理作業のための洗浄液。
【請求項８】半導体基板を、請求項１に記載の洗浄液で処理し、水ですすぎ洗いした後、前記半導体基板を乾燥させるステップを含む、半導体基板の洗浄方法。」
　
３．対比
　本願発明と刊行物に記載された発明とを対比する。
　刊行物に記載された発明の「アンモニア」は、その構成及び機能からみて本願発明の「アルカリ性化合物」に相当し、以下同様に、
　「環状骨格を構成する炭素原子に結合したＯＨ基及びＯ−基以外の配位基を有する錯化剤から選ばれたニトリロ３酢酸からなる」ことは「ニトリロ三酢酸［ＮＴＡ；ＣＡＳ　１３９−１３−９；Ｔｉｔｒｐｌｅｘ　Ｉ］を含む」ことに、
　「半導体基板の表面洗浄に用いるアンモニア水溶液」は「金属不純物汚染が問題となる表面処理作業のための洗浄液」に、
　「アンモニア水溶液を洗浄槽に満たして半導体基板を浸漬させるディップ式クリーニング洗浄方法」は、「アンモニア水溶液」が、半導体基板表面の金属不純物の洗浄処理作業に用いられるものであるから、「半導体基板を、洗浄液で処理するステップを含む、半導体基板の洗浄方法」に、
　それぞれ相当する。
　ここで、刊行物に記載された発明の「有機錯化剤」と本願発明の「キレート化添加剤」とを対比する。一般に、錯化合物である錯体には、キレート環を持つキレート化合物が含まれる。そして、刊行物に記載された発明の「有機錯化剤」はアンモニア水溶液に
添加
有機
　ゆえに、上記本願発明と刊行物に記載された発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
　
［一致点］ 
「アルカリ性化合物、過酸化水素、水、ならびにキレート化添加剤として、ニトリロ三酢酸［ＮＴＡ；ＣＡＳ  １３９−１３−９；Ｔｉｔｒｐｌｅｘ  Ｉ］を含む、金属不純物汚染が問題となる表面処理作業のための洗浄液。
　半導体基板を、上記洗浄液で処理するステップを含む、半導体基板の洗浄方法。」
　
［相違点］ 
　半導体基板の洗浄方法が、本願発明では、洗浄液で処理し、水ですすぎ洗いした後、半導体基板を乾燥させるステップを含むのに対して、刊行物に記載された発明では、アンモニア水溶液を洗浄槽に満たして半導体基板を浸漬させるが、浸漬後に、さらに、水ですすぎ洗いした後、半導体基板を乾燥させるステップを実行するか否か明らかでない点。
　
４．当審の判断
　半導体基板洗浄の技術分野において、洗浄液による洗浄後に、さらに、水ですすぎ洗いした後、半導体基板を乾燥させるステップを実行することは、本願の優先権主張の日前から広く行われてきた技術常識である。
　そして、本願発明の奏する効果についてみてみても、刊行物に記載された発明から当業者が予測できた効果の範囲内のものである。
　したがって、本願発明は、刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
 　 
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、本願のその他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
 　 
　よって、結論のとおり審決する。