【事件の表示】
　特許第６１００５６４号発明「基板処理装置及び載置台」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６１００５６４号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−１２〕、〔１３−１５〕について訂正することを認める。
　特許第６１００５６４号の請求項１ないし２、１２ないし１５に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第６１００５６４号の請求項１ないし１５に係る特許についての出願は、平成２５年３月１１日（優先権主張　平成２５年１月２４日）に特許出願され、平成２９年３月３日にその特許権の設定登録がされ、その後、その特許について、平成２９年９月１３日に特許異議申立人柴田基（以下「特許異議申立人」という）により特許異議の申立てがされ、平成２９年１１月１６日付けで取消理由が通知され、その指定期間内である平成３０年１月２２日に意見書の提出及び訂正の請求があり、その訂正の請求に対して特許異議申立人から平成３０年３月１３日付けで意見書が提出されたものである。
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　平成３０年１月２２日に行った訂正請求（以下「本件訂正請求」という）による訂正の内容は以下のとおりである。（下線は訂正された部分を示す）
ア　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に「前記第１の導電層に印加された高周波電力により前記所望のガスからプラズマを生成し、該プラズマにより前記載置された基板をプラズマ処理する」とあるのを「
前記側面に形成された前記第１の導電層を通じて前記主面に形成された
イ　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項１３に「前記第１のセラミックスの基材の基板が載置される側の主面及び側面に形成された第１の導電層」とあるのを「前記第１のセラミックスの基材の基板が載置される側の主面及び側面に形成された第１の導電層
であって、前記側面に形成された前記第１の導電層を通じて前記主面に形成された前記第１の導電層に高周波電力が印加される前記第１の導電層
（２）訂正の目的の適否、一群の請求項、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
ア　訂正事項１について
　上記訂正事項１は、請求項１の「第１の導電層に印加された高周波電力」について、「前記側面に形成された前記第１の導電層を通じて前記主面に形成された前記第１の導電層に印加された」ことを特定するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、「高周波電力」の「印加」の具体的な手段を特定したことにより、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
　さらに、上記訂正事項１に関連して、明細書の段落【００５９】には「載置台１００の基材１００ａの最外周の側面には、スパイラルチューブ３００が設けられている。スパイラルチューブ３００は、反力のある導電性物質で形成されている。スパイラルチューブ３００は、導電層１００ｂと支持台１０４とを電気的に接続するとともに基材１００ａへの横方向からの力を吸収する。」と記載され、基材１００ａの側面に形成された導電層１００ｂに、スパイラルチューブ３００から通電することが示されている。
　また、明細書の段落【００５７】には「載置台１００には高周波電力が印加され、下部電極としても機能する。ここで、前述したように、本実施形態の載置台１００の基材１００ａはＳｉＣにより形成されている。載置台１００にＳｉＣ等のセラミックスの基材を使用する場合、セラミックスは電気を通さない。そこで、本実施形態では、ＳｉＣの基材上にＡｌを溶射することで、導電層１００ｂを形成し、導電層１００ｂに高周波電力を印加する。具体的には、導電層１００ｂは、ＳｉＣの基材１００ａのウェハＷが載置される側の少なくとも主面及び側面に形成され、高周波電力が印加された際に下部電極となるように構成される。なお、導電層１００ｂは、第１のセラミックスの基材の基板が載置される側の主面及び側面に形成された第１の導電層に相当する。」と記載され、第１の導電層である導電層１００ｂに高周波電力が印加されることも示されている。
　そうすると、上記記載から、「前記側面に形成された前記第１の導電層を通じて前記主面に形成された前記第１の導電層に印加された高周波電力」は把握することができるから、上記訂正事項１は、明細書に記載されている事項の範囲内のものであり、新規事項の追加に該当しない。
　さらに、訂正事項１により請求項１が訂正されたことにより、当該請求項１を引用する、本件特許異議申立てのされていない請求項３ないし１１に係る発明について、特許出願の際に独立して特許を受けることができない理由も発生しない。
イ　訂正事項２について
　上記訂正事項２は、請求項１３の「主面及び側面に形成された第１の導電層」について、「前記側面に形成された前記第１の導電層を通じて前記主面に形成された前記第１の導電層に高周波電力が印加される」ことに限定するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、「高周波電力」の「印加」の具体的な手段を限定したことにより、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
　さらに、上記訂正事項２に関連して、明細書の段落【００５９】には上記アで述べたとおり、基材１００ａの側面に形成された導電層１００ｂに、スパイラルチューブ３００から通電することが示されている。
　また、明細書の段落【００５７】には上記アで述べたとおり、第１の導電層である導電層１００ｂに高周波電力が印加されることも示されている。
　そうすると、上記記載から、「前記側面に形成された前記第１の導電層を通じて前記主面に形成された前記第１の導電層に高周波電力が印加される」ことは把握することができるから、上記訂正事項２は、明細書に記載されている事項の範囲内のものであり、新規事項の追加に該当しない。
ウ　一群の請求項について
　訂正前の請求項１ないし１２は、請求項２ないし１２が、訂正の請求の対象である請求項１を引用する関係にあるから、訂正前において一群の請求項に該当するものである。
　また、訂正前の請求項１３ないし１５は、請求項１４及び１５が、訂正の請求の対象である請求項１３を引用する関係にあるから、訂正前において一群の請求項に該当するものである。
　したがって、訂正事項１及び訂正事項２に係る訂正の請求は、一群の請求項ごとにされたものである。
（３）小括
　以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は特許法第１２０条の５第２項第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項、及び、同条第９項において準用する同法第１２６条第４項から第７項までの規定に適合するので、訂正後の請求項〔１−１２〕、〔１３−１５〕について訂正を認める。
３．特許異議の申立てについて
（１）本件発明
　本件訂正請求により訂正された訂正請求項１、２、１２ないし１５に係る発明（以下「本件発明１」などという）は、その特許請求の範囲の請求項１、２、１２ないし１５に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】
　チャンバと、
　前記チャンバ内に設けられ、基板を載置する載置台と、
　高周波電力を印加する高周波電源と、
　前記チャンバ内に所望のガスを供給するガス供給源と、備え、
　前記載置台は、
　冷媒を通す流路が形成された第１のセラミックスの基材と、
　前記第１のセラミックスの基材の基板が載置される側の主面及び側面に形成された第１の導電層と、
　前記第１の導電層上に積層され、載置された基板を静電吸着する静電チャックと、を有し、
　前記流路の体積は、前記第１のセラミックスの基材の体積以上であり、
　前記側面に形成された前記第１の導電層を通じて前記主面に形成された前記第１の導電層に印加された高周波電力により前記所望のガスからプラズマを生成し、該プラズマにより前記載置された基板をプラズマ処理する、
　ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
　前記流路の体積は、前記第１のセラミックスの基材の体積の１倍〜１．４倍である、
　ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
　前記第１のセラミックスの基材は、
　炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化珪素（ＳｉＮ）又は酸化ジルコニア（ＺｒＯ２）のいずれかにより形成される、
　ことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
　冷媒を通す流路が形成された第１のセラミックスの基材と、
　前記第１のセラミックスの基材の基板が載置される側の主面及び側面に形成された第１の導電層であって、前記側面に形成された前記第１の導電層を通じて前記主面に形成された前記第１の導電層に高周波電力が印加される前記第１の導電層と、
　前記第１の導電層上に積層され、載置された基板を静電吸着する静電チャックと、を有し、
　前記流路の体積は、前記第１のセラミックスの基材の体積以上である、
　ことを特徴とする載置台。
【請求項１４】
　前記流路の体積は、前記第１のセラミックスの基材の体積の１倍〜１．４倍である、
　ことを特徴とする請求項１３に記載の載置台。
【請求項１５】
　前記第１の導電層は、高周波電力の周波数に応じて定められるスキンデプスよりも厚い、
　ことを特徴とする請求項１３又は１４に記載の載置台。」
（２）取消理由の概要
　訂正前の請求項１、２、１２ないし１５に係る特許に対して、平成２９年１１月１６日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
　「本件特許の請求項１、２、１２ないし１５に係る発明は、本件特許の出願前日本国内または外国において頒布された下記の甲第１〜３号証に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その発明に係る特許は取り消すべきものである。
　　甲第１号証：特開２００２−１６０４５号公報
　　甲第２号証：特表平１１−５０６８７３号公報
　　甲第３号証：特開２０１２−１８６４５７号公報」
（３）甲号証の記載
ア　甲第１号証（特開２００２−１６０４５号公報）の記載事項
（ア）　「【発明の名称】　プラズマ処理装置」
（イ）　「【０００５】ウエハ７０１は、高精度なパターン形状の制御を実現するために、その温度が制御される必要がある。そこで、絶縁体７０３ｂとＤＣプレート７０２とで静電チャックを構成し、ＤＣプレート７０２に、ＤＣ電源７１１よりローパスフィルタ７１３を介して直流電圧を印加することによって、ウエハ７０１をＤＣプレート７０２上に吸着保持する。このとき、ローパスフィルタ７１３は、ＲＦ電極７０４との容量結合によってＤＣプレート７０２に伝わるＲＦ電力が、ＤＣ電源７１１を損傷することを防ぐために設けられている。」
（ウ）　「【０００６】ＲＦ電極７０４には、ＲＦ電源７０９からプラズマを励起するための高周波が印加される。このとき、絶縁体７０３ａは、ウエハの温度を調整するためのヒートシンクとしての役割を果たす。ガス導入ポート７０６からウエハの材質に応じたエッチングガスをハウジング７０７内に導入され、ハウジング７０７内部は、図示しないポンプ等の真空排気手段により一定の圧力に保持される」
（エ）　「【００２３】より具体的には、保持電極は、ウエハ温度調整のための絶縁体からなるヒートシンクに支持されており、保持電極と対抗電極との間の距離ａ、ヒートシンクと処理容器との間の距離ｂ、ヒートシンクの高さｃなどが、寄生容量Ｃ（pF）が１２１０×ｆ−０．９以下となるように設定されている。」
（オ）　「【００３２】＜第１実施形態＞図１は、本発明の第１実施形態に係る平行平板型のプラズマエッチング装置１００の図である。プラズマエッチング装置１００は、ウエハ１０１を保持する絶縁体１０３と、絶縁体１０３内部の表面近傍に位置するＤＣプレート１０２と、ＤＣプレート１０２の近傍に延びるＲＦ電極１０４と、ＲＦ電極１０４に対向する対向電極１０５を有する。ＤＣプレート１０２、絶縁体１０３、およびＲＦ電極１０４で、ウエハ保持電極を構成する。
【００３３】プラズマエッチング装置１００はまた、ＤＣプレート１０２に、ウエア１０１を静電保持させるための直流電圧を印加するＤＣ電源１１１と、ＲＦ電極１０４に高周波を印加するＲＦ電源１０９とを有する。ＲＦ電極１０４に高周波が印加されると、ハウジング１０７内で、対向電極１０５とＲＦ電極１０４との間にプラズマが生成される。」
（カ）　「【００３９】従来の装置において、ＤＣプレートに１５００Ｖの直流を印加すると同時に、Ａｒガスをガス導入ポート７０６から導入し、ハウジング７０７内部の圧力を１０Ｐａに保持した。さらに、ＲＦ電極７０４に１ｋＷの高周波電力を印加して、ハウジング７０７内にプラズマを励起した。発生したプラズマの電子密度を、透過マイクロ波による位相干渉計で測定したところ、４×１０１１／ｃｍ３のプラズマ密度であった。」
（キ）　「【００４５】ヒートシンク２０３は、たとえばセラミック製であり、内部に冷却水を通すための溝２１９が形成されている。また、冷却水溝２１９とは独立して、中空部分２２０が形成されている。ウエハ２０１に高精細のプラズマ処理を施すには、ウエハ温度を均一に制御する必要があるので、冷却水溝２１９はウエハに近い位置に設けられるのが好ましい。これにより、ヒートシンク２０３は、高周波印加による熱の影響を除去する役割を果たす。」
（ク）　「【００５６】ヒートシンク２０３が石英で作られている場合は、その比誘電率は約６であり、冷却水溝２１９や中空部分２２０が形成されていないとすると、距離ｃはｂ×εｒより約２４０ｍｍとなる。ヒートシンク２０３全体の誘電率を下げるためには、(i)中空部分をなるべく多くとる、(ii)冷却水溝２１９に流す冷媒の誘電率をなるべく低いものを用いる、(iii)上記(i)と(ii)を組み合わせる、という３通りの方法がある。(i)については、中空部分の誘電率はほぼ１であるので、石英のヒートシンク中に中空部分が多いほど、ヒートシンク２０３全体としたときの誘電率を低減することができる。」
（ケ）　甲第１号証の段落［０００６］の「ＲＦ電極７０４には、ＲＦ電源７０９からプラズマを励起するための高周波が印加される。」との記載から、甲第１号証のプラズマ処理装置は、「高周波電力を印加する高周波電源」を有している。
（コ）　甲第１号証の段落［００３９］の「Ａｒガスをガス導入ポート７０６から導入し、ハウジング７０７内部の圧力を１０Ｐａに保持した。」との記載から、ハウジング内にＡｒガスを供給するガス供給源を備えているといえる。
（サ）　甲第１号証の段落［００４５］の「ヒートシンク２０３は、たとえばセラミック製であり、内部に冷却水を通すための溝２１９が形成されている。」との記載から、セラミック製のヒートシンクには、冷却水という冷媒を通す溝、すなわち流路が形成されているといえる。
（シ）　甲第１号証の段落［００５６］の記載から、ヒートシンクは、誘電率が低く、絶縁体であると認められる。
（ス）　甲第１号証の図７には、ＲＦ電極７０４が絶縁体７０３ａ（ヒートシンク）のウエハが載置される側の面に設けられているものが看取される。また、図１及び図４でも同様に、ＲＦ電極１０４、４０４が、下側の絶縁体のウエハが載置される側の面に設けられている。よって、甲第１号証には、ＲＦ電極がヒートシンクのウエハが載置される側の面に形成されたものが記載されている。
　さらに、甲第１号証の図１、図４及び図７から、絶縁体（ヒートシンク）のウエハが載置される側の面に形成されたＲＦ電極が、絶縁体の側面側に露出している構造も看取される。
（セ）　甲第１号証の図７には、絶縁体７０３ｂで覆われたＤＣプレート７０２が「ＲＦ電極上」に積層されているものが看取される。そして、絶縁体７０３ｂとＤＣプレート７０２とで静電チャックが構成されている（段落［０００５］参照）。また、図１及び図４でも同様に、絶縁体の一部で覆われたＤＣプレート１０２、４０２がＲＦ電極１０４、４０４上に積層されており、この絶縁体の一部で覆われたＤＣプレートも静電チャックを構成している。よって、甲第１号証には、「ＲＦ電極上に積層された静電チャック」が記載されている。
イ　引用発明
　上記摘記事項（ア）〜（ク）及び認定事項（ケ）〜（セ）より、甲第１号証には、以下の発明が記載されていると認められる。
「ハウジング７０７と、
　前記ハウジング７０７内に設けられ、ウエハ１０１を載置するウエハ保持電極と、
　高周波電力を印加するＲＦ電源７０９と、
　前記ハウジング７０７内にＡｒガスを供給するガス供給源と、備え、
　前記ウエハ保持電極は、
　冷却水を通す溝２１９が形成されたヒートシンク２０３と、
　前記ヒートシンク２０３のウエハ１０１が載置される側の面に形成され側面側に露出したＲＦ電極１０４と、
　前記ＲＦ電極１０４上に積層され、載置されたウエハ１０１を静電吸着する静電チャックと、を有し、
　前記ＲＦ電極１０４に印加された高周波電力により前記Ａｒガスからプラズマを生成し、該プラズマにより前記載置されたウエハ１０１をプラズマ処理する、
　プラズマ処理装置」（以下「引用発明１」という）
　また、甲第１号証には、以下の発明も記載されていると認められる。
「冷却水を通す溝２１９が形成されたヒートシンク２０３と、
　前記ヒートシンク２０３のウエハ１０１が載置される側の面に形成され側面側に露出したＲＦ電極１０４と、
　前記ＲＦ電極１０４上に積層され、載置されたウエハ１０１を静電吸着する静電チャックと、を有する、
　ウエハ保持電極」（以下「引用発明２」という）
（４）判断
ア　取消理由通知に記載した取消理由（特許法第２９条第２項）について
（ア）本件発明１
　本件発明１と引用発明１とを対比すると、引用発明１の「ハウジング７０７」、「ウエハ１０１」、「ウエハ保持電極」、「ＲＦ電源７０９」、「Ａｒガス」、「冷却水」、「溝２１９」、「ヒートシンク２０３」、「ＲＦ電極１０４」、「プラズマ処理装置」は、それぞれ本件発明１の「チャンバ」、「基板」、「載置台」、「高周波電源」、「所望のガス」、「冷媒」、「流路」、「第１のセラミックスの基材」、「第１の導電層」、「基板処理装置」に相当するものと認められる。
　そうすると、本件発明１は、以下の点で引用発明１と相違する。
＜相違点１＞
　本件発明１では、第１の導電層が、第１のセラミックスの基材の基板が載置される側の主面だけでなく「側面」にも形成されていて、「側面に形成された第１の導電層を通じて主面に形成された第１の導電層に」高周波電力を印加するように構成しているのに対して、引用発明１のＲＦ電極１０４は、ヒートシンク２０３の側面側には単に露出しているだけで、側面側から高周波電力が印加されて主面側に導電する機能を有するものではない点。
＜相違点２＞
　本件発明１では、「流路の体積は、第１のセラミックスの基材の体積以上」であるのに対して、引用発明１では、冷却水を通す溝２１９をヒートシンク２０３の体積以上とするか否かは不明である点。
　上記相違点１について検討する。
　「第１のセラミックスの基材の基板が載置される側の主面及び側面に形成された第１の導電層」により、「前記側面に形成された前記第１の導電層を通じて前記主面に形成された前記第１の導電層に印加された高周波電力により前記所望のガスからプラズマを生成」するように構成した点は、甲第１号証だけでなく、甲第２、３号証にも記載されていない。甲第１号証や甲第３号証に記載されたプラズマ処理装置においては、本件発明１の第１のセラミックスの基材に相当する部分の内部側から、本件発明１の第１の導電層に相当する部材へ印加する構造しか示されていないし、甲第２号証では冷却部材しか示されていない。
　そして上記の相違点１に係る本件発明１の構成は、従来周知の事項であったという根拠もないし、単なる設計的事項の範疇であるとも認められない。そして、本件発明１は、当該構成を有することで、高周波電力を供給する導通線のための貫通孔をセラミックの基材に設ける必要がなくなり、容易に高周波電力を供給でき、貫通孔部分により温度特異点が生じるのを防ぐことができ、貫通孔部分に要していた部分を流路の形成に回すことができる（特許権者が提出した平成３０年１月２２日付け意見書の４ページ下から４行−５ページ４行を参照）という、顕著な効果を奏するものである。
　よって、上記相違点２を検討するまでもなく、本件発明１は、引用発明１及び甲第２、３号証に記載された事項から、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（イ）本件発明２及び１２
　本件発明２及び１２は、本件発明１を引用しているから、本件発明１の特定事項を全て含み、さらに構成を限定しているものである。したがって、本件発明２及び１２は、本件発明１と同様の理由で、引用発明１及び甲第２、３号証に記載された事項から、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（ウ）本件発明１３
　本件発明１３と引用発明２とを対比すると、引用発明２の「冷却水」、「溝２１９」、「ヒートシンク２０３」、「ウエハ１０１」、「ＲＦ電極１０４」、「プラズマ処理装置」は、それぞれ本件発明１３の「冷媒」、「流路」、「第１のセラミックスの基材」、「基板」、「第１の導電層」、「基板処理装置」に相当するものと認められる。
　そうすると、本件発明１３は、以下の点で引用発明２と相違する。
＜相違点３＞
　本件発明１３では、第１の導電層が、第１のセラミックスの基材の基板が載置される側の主面だけでなく「側面」にも形成されていて、「側面に形成された第１の導電層を通じて主面に形成された第１の導電層に」高周波電力を印加するように構成しているのに対して、引用発明２のＲＦ電極１０４は、ヒートシンク２０３の側面側には単に露出しているだけで、側面側から高周波電力が印加されて主面側に導電する機能を有するものではない点。
＜相違点４＞
　本件発明１３では、「流路の体積は、第１のセラミックスの基材の体積以上」であるのに対して、引用発明２では、冷却水を通す溝２１９をヒートシンク２０３の体積以上とするか否かは不明である点。
　上記相違点３は、上記相違点１と同じであるから、上記（ア）で検討したのと同様の理由で、上記相違点４を検討するまでもなく、本件発明１３は、引用発明２及び甲第２、３号証に記載された事項から、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（エ）本件発明１４及び１５
　本件発明１４及び１５は、本件発明１３を引用しているから、本件発明１３の特定事項を全て含み、さらに構成を限定しているものである。したがって、本件発明１４及び１５は、本件発明１３と同様の理由で、引用発明２及び甲第２、３号証に記載された事項から、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（オ）特許異議申立人の意見について
　特許異議申立人は、平成３０年３月１３日付け意見書において、訂正事項により追加された「側面に形成された第１の導電層を通じて主面に形成された第１の導電層に」高周波電力を印加するという特徴が、参考資料１、２に記載されたとおり周知の技術であると主張している。
　しかし、参考資料１（特開平２−８１４６０号公報）に記載されているのは「ＩＣチップ」であって、配線導体１０の上にＩＣチップ８の下面電極６を重ねて実装したものについて、側面電極２から上面電極３に導電する構造を示して、配線インピーダンスを小さくして安定した高周波特性が得られる効果があるものが示されているものの、プラズマによる基板処理装置の載置台の導電構造とは技術分野が異なるものである。
　また、参考資料２（特開２００５−７９５３９号公報）に記載されているプラズマ処理装置については、バイアス電源１０７からの電極７への通電は、甲第１、３号証と同様、電極ブロック１内部を貫通する構造のものしか示されておらず、側面に形成された電極を通じて主面に形成された電極に高周波電力を印加する構成については不明である。図２を見ても、上面から側面まで延びている電極７のどこから通電するかは示されておらず、図１と照らし合わせても、電極７の側面から高周波電力を印加する根拠は認められない。
　さらに、甲第１号証のＲＦ電極は側面にも露出しているから、この位置においても高周波電力が印加されることは明白であると主張しているが、単に電極が露出していたからといって、その位置から通電するか否かは不明であるし、その位置で高周波電力を印加する具体的な動機がないままでは明白とはいえない。
　よって、上記の特徴が周知の技術であるという特許異議申立人の主張は採用できない。
イ　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
　特許異議申立書で申し立てられた理由は、取消理由通知において全て採用しており、採用しなかった理由はない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件発明１、２、１２ないし１５に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１、２、１２ないし１５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成３０年６月１日（２０１８．６．１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　チャンバと、
　前記チャンバ内に設けられ、基板を載置する載置台と、
　高周波電力を印加する高周波電源と、
　前記チャンバ内に所望のガスを供給するガス供給源と、備え、
　前記載置台は、
　冷媒を通す流路が形成された第１のセラミックスの基材と、
　前記第１のセラミックスの基材の基板が載置される側の主面及び側面に形成された第１の導電層と、
　前記第１の導電層上に積層され、載置された基板を静電吸着する静電チャックと、を有し、
　前記流路の体積は、前記第１のセラミックスの基材の体積以上であり、
　前記側面に形成された前記第１の導電層を通じて前記主面に形成された
　ことを特徴とする基板処理装置。
　【請求項２】
　前記流路の体積は、前記第１のセラミックスの基材の体積の１倍〜１．４倍である、
　ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
　【請求項３】
　前記第１のセラミックスの基材の周縁部に形成された段部は、周方向に複数の溝部を有する請求項１又は２に記載の基板処理装置。
　【請求項４】
　少なくとも前記主面及び前記複数の溝部に形成されている前記第１の導電層の厚さは、前記高周波電力の周波数に応じて定められるスキンデプス以上である、
　ことを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
　【請求項５】
　前記第１の導電層は、２０μｍ〜３００μｍの範囲内において所定の厚さに形成される、
　ことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
　【請求項６】
　前記チャンバ内の前記載置台に対向する位置に設けられた上部電極を更に備え、
　前記上部電極は、
　第２のセラミックスの基材と、
　前記第２のセラミックスの基材の前記載置台に対向する面と反対側の主面及び側面に形成された第２の導電層と、を有し、
　前記第１の導電層又は前記第２の導電層に前記高周波電力を印加する、
　ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
　【請求項７】
　前記第１の導電層及び前記第２の導電層の抵抗は、いずれも５×１０−５Ω以下である、
　ことを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
　【請求項８】
　前記第１のセラミックスの基材の主面にて周方向に第１の段差部が形成され、
　前記第１のセラミックスの基材は、前記第１の段差部で係合するクランプを介して固定される、
　ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
　【請求項９】
　前記第１のセラミックスの基材の主面にて周方向に第２の段差部が形成され、
　前記第２の段差部で係合するフォーカスリングと前記第１のセラミックスの基材との積層方向から見た平面視で、該フォーカスリングとオーバラップしている該第１のセラミックスの基材の部分に前記流路の少なくとも一部が形成される、
　ことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
　【請求項１０】
　前記第１のセラミックスの基材の主面のうち前記第２の段差部により画成された基板の載置面の直径は、基板の直径より小さく、
　前記第１のセラミックスの基材には、基板を支持するピンが通る貫通孔が前記第２の段差部を貫通する位置に形成される、
　ことを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
　【請求項１１】
　前記静電チャックは、前記第１の導電層上に溶射膜又は接着層を介して積層される、
　ことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
　【請求項１２】
　前記第１のセラミックスの基材は、
　炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化珪素（ＳｉＮ）又は酸化ジルコニア（ＺｒＯ２）のいずれかにより形成される、
　ことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
　【請求項１３】
　冷媒を通す流路が形成された第１のセラミックスの基材と、
　前記第１のセラミックスの基材の基板が載置される側の主面及び側面に形成された第１の導電層
であって、前記側面に形成された前記第１の導電層を通じて前記主面に形成された前記第１の導電層に高周波電力が印加される前記第１の導電層
　前記第１の導電層上に積層され、載置された基板を静電吸着する静電チャックと、を有し、
　前記流路の体積は、前記第１のセラミックスの基材の体積以上である、
　ことを特徴とする載置台。
　【請求項１４】
　前記流路の体積は、前記第１のセラミックスの基材の体積の１倍〜１．４倍である、
　ことを特徴とする請求項１３に記載の載置台。
　【請求項１５】
　前記第１の導電層は、前記高周波電力の周波数に応じて定められるスキンデプスよりも厚い、
　ことを特徴とする請求項１３又は１４に記載の載置台。