【事件の表示】
　平成１１年特許願第３５１８５２号「太陽電池の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　６月２２日出願公開、特開２００１−１６８３６３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成１１年１２月１０日の特許出願であって、拒絶理由の通知に応答して平成２１年９月９日に手続補正がされたが、平成２１年１０月７日付けで拒絶査定がされ、これに対して平成２２年１月１２日に拒絶査定不服審判が請求がされるとともに、これと同時に手続補正がされたものである。
 　 
第２　平成２２年１月１２日の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２２年１月１２日の手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正による請求項１についての補正について
　本件補正による請求項１についての補正は次のとおりのものである。
　本件補正前に
「【請求項１】　光電変換素子部として、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とからなるｐｎ接合素子部又はｐ型半導体層とｉ型半導体層とｎ型半導体層とからなるｐｉｎ接合素子部を有する太陽電池の製造方法であって、
　基板上に前記光電変換素子部を形成した後に、パルスレーザー光を該光電変換素子部に照射することによって前記ｐ型半導体層及びｎ型半導体層を構成する半導体結晶粒を同時に粗大化せしめることを特徴とし、
　前記パルスレーザー光が、１９０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下の波長及び３５０〜９５０ｍＪ／ｃｍ２のエネルギー密度を有することを特徴とする太陽電池の製造方法。」（平成２１年９月９日の手続補正書参照。）
とあったものを、
　本件補正後に
「【請求項１】　光電変換素子部として、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とからなるｐｎ接合素子部又はｐ型半導体層とｉ型半導体層とｎ型半導体層とからなるｐｉｎ接合素子部を有する太陽電池の製造方法であって、
　基板上に前記光電変換素子部を形成した後に、パルスレーザー光を該光電変換素子部に照射することによって前記ｐ型半導体層及びｎ型半導体層を構成する半導体結晶粒を同時に粗大化せしめることを特徴とし、
　前記パルスレーザー光が、１９０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下の波長及び
５２５
とする。 
 　 
　該補正は、発明を特定するために必要な事項である「パルスレーザ光」のエネルギー密度を、補正前の「３５０〜９５０ｍＪ／ｃｍ２」から「５２５〜９５０ｍＪ／ｃｍ２」に限定している。
　よって、本件補正による請求項１についての補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１４年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
２　独立特許要件について 
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうか（ 平成１４年改正前特許法第１７条の２第４項において準用する同法第１２６条第５項の規定する要件を満たすか否か）について検討する。
　
（１）本願補正発明の認定 
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。） は、本件補正後の請求項１に記載された事項によって特定されるとおりのものと認める。 
 　 
（２）引用発明の認定
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された特開昭５６−２３７８４号公報（以下「引用例」という。）には、以下の記載アないしキが図と共にある。 
ア　「第１図(B)は基板(3)上に半導体層(1)を形成させたものである。（途中省略）かかる方法により形成された半導体層(1)は非単結晶半導体よりなり、かつその半導体中に選択的にまたは基板表面と概略平行にＰＮ接合、ＰＩＮ接合、ＰＮＰＮ・・・ＰＮ接合の多重接合が形成されており」（第３頁右下欄１１行ないし第４頁左上欄３行。）
　
イ　「かかる非単結晶半導体に対し、選択的にまたは全面に第１図(A)と同様のＬ−アニールを行うと、半導体表面または表面より２〜３μの深さまでの格子欠陥を格子を構成する元素どうしを結合させることにより１／１０３〜１／１０５にその密度をすることができた。しかし同時にかかる半導体を構成していた元素と水素等とが結合して中和して不対結合手はその一部がＳｉ−Ｈ結合よりＳｉ−に変化しかえつて不対結合手を発生させてしまつた。この時水素はＳｉ−Ｈより水素どうしが互いに結合しあいＨ2として半導体中に安定な状態で残つているのみであることがわかつた。すなわち、
　過程１  Ｓｉ−Ｈ＋Ｈ−Ｓｉ→Ｓｉ−Ｓｉ＋Ｈ２ 　　
　過程２  Ｓｉ−Ｈ＋Ｈ−Ｓｉ→２Ｓｉ−＋Ｈ
  この過程２の多い場合はかえつて再結合中心の密度を過程１により、より単結晶化に近ずけたにもかかわらず増加させてしまうことが判明した。換言すれば過程１により珪素同志が互いに共有結合をし、単結晶に近ずくため」（第４頁左上欄８行ないし第４頁右上欄５行。）
　
ウ　「また減圧ＣＶＤ法等で形成された非単結晶の半導体被膜はあらかじめ再結合中心中和物が含有していないため、Ｌ−アニールによりその結晶粒界を１０〜１０００Åより０．１μ〜５０μにまで大きくし、より単結晶化させることができた。」（第４頁右上欄１３ないし１６行。）
　
エ　「半導体層の厚さは０．５〜５μの厚さである。」（第４頁右下欄１６及び１７行。）
　
オ　「半導体層が０．０５〜２μとうすい場合は」（第５頁右下欄１行。）
　　
カ　「本発明はかかる従来より知られたるアニール法でなく、レーザ光またはそれと同様の強光エネルギ（以下総称してＬ−アニールという）を半導体に加え」（第２頁左下欄１７行ないし第２頁右下欄１行。）
　
キ　「さらに本発明における半導体装置は光電変換装置、特に太陽電池のみではなく」（第７頁左上欄６及び７行。）
　　
　上記アより、非単結晶半導体は、基板上に形成され、ＰＮ接合を形成されているものを含む。
　
　上記イに「かかる非単結晶半導体に対し、選択的にまたは全面に第１図(A)と同様のＬ−アニールを行う」とあり、かつ「かかる非単結晶半導体」とは、上記アより、基板上に形成された非単結晶半導体であるから、基板上に非単結晶半導体を形成した後にＬ−アニールを行うことが、引用例に記載されている。
　
　上記イには「この過程２の多い場合はかえつて再結合中心の密度を過程１により、より単結晶化に近ずけたにもかかわらず増加させてしまうことが判明した。」との記載があるが、上記ウによれば、減圧ＣＶＤ法等で形成された非単結晶の半導体被膜はあらかじめ再結合中心中和物が含有していないのであるから、この再結合中心中和物が含有していない非単結晶半導体においては、過程２による再結合中心の密度増加は起こり得ず、上記イにいうとおり過程１により単結晶に近ずく現象が生じて、上記ウにいうとおり、Ｌ−アニールにより非単結晶半導体の結晶粒界を大きくできる。
　
　上記イには「Ｌ−アニールは非単結晶半導体の表面より２〜３μの深さまで及ぶ。」旨の記載がある一方、上記エ及びオより、非単結晶半導体の厚さは０．０５〜５μである。ところが、非単結晶半導体の厚さ以上の深さに非単結晶半導体をＬ−アニールすることは不可能であるから、レーザ照射光の強度を非単結晶半導体の厚さに応じて調整すると推測されるものの定かではない。しかしながら、Ｌ−アニールは、非単結晶半導体の表面より２〜３μの深さまで及び得るとはいえる。
　
　上記カより、Ｌ−アニールは、レーザ光を非単結晶半導体に加えることで実行できる。
　
　上記キより、非単結晶半導体は太陽電池に用いることができる。
　
　以上のことから、記載アないしキを含む引用例には、次の発明が記載されていると認めることができる。 
「基板上にＰＮ接合が形成された非単結晶半導体を形成した後に、レーザ光を該非単結晶半導体に照射するＬ−アニールによって半導体結晶粒を大きくし、非単結晶半導体の厚さは０．０５〜５μの範囲を含み、Ｌ−アニールは、非単結晶半導体の表面より２〜３μの深さまで及び得る、太陽電池の製造方法。」（以下「引用発明」という。） 
　
（３）対比
　引用発明と本願補正発明とを対比する。
　引用発明の「ＰＮ接合を形成された非単結晶半導体」が「ｐ型半導体層」と「ｎ型半導体層」からなることは自明である。よって、引用発明の「ＰＮ接合を形成された非単結晶半導体」は、本願補正発明の「ｐ型半導体層とｎ型半導体層とからなるｐｎ接合素子部」に相当する。
　
　非単結晶半導体は、太陽電池に用いられているのであるから「光電変換素子部」といえる。
　　
　引用発明の「レーザ光」は、「レーザー光」である点で、本願補正発明の「パルスレーザー光」と共通している。
　
　引用発明の「半導体結晶粒を大きくし」は、半導体結晶粒を粗大化せしめる点で、本願補正発明の「半導体結晶粒を同時に粗大化せしめる」と共通している。
　　
　してみれば、本願補正発明と引用発明とは、以下の点で一致し、以下の点で相違する。
＜一致点＞ 
「光電変換素子部として、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とからなるｐｎ接合素子部を有する太陽電池の製造方法であって、
　基板上に前記光電変換素子部を形成した後に、レーザー光を該光電変換素子部に照射することによってｐ型半導体層及びｎ型半導体層を構成する半導体結晶粒を粗大化せしめる、
　太陽電池の製造方法。」
　
＜相違点１＞ 
　本願補正発明は「ｐ型半導体層及びｎ型半導体層を構成する半導体結晶粒を同時に粗大化せしめる」と特定されているのに対し、引用発明は、半導体結晶粒を粗大化せしめる対象が「ｐ型半導体層」と「ｎ型半導体層」の両層か片方の層か定かでないため、該特定を有しない点。
　
＜相違点２＞ 
　光電変換素子部に照射するレーザー光について、本願補正発明は「パルスレーザー光」及び「パルスレーザー光が、１９０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下の波長及び５２５〜９５０ｍＪ／ｃｍ２のエネルギー密度を有する」と特定されているのに対し、引用発明は該特定を有しない点。
　
（４）判断
ア　＜相違点１＞について
　引用例の第４頁右上欄５及び６行に「単結晶に近ずくため電気伝導度は約１００倍に増加した」とあるとおり、引用発明のＬ−アニールは、半導体層の電気伝導度を増加させる望ましい効果を生じるのであるから、「ｐ型半導体層」と「ｎ型半導体層」の両層にＬ−アニールが及ぶようにすることは、通常の選択である。
　また、引用発明では、非単結晶半導体の厚さは０．０５〜５μの範囲を含み、Ｌ−アニールは、非単結晶半導体の表面より２〜３μの深さまで及び得るのであるから、両層にＬ−アニールが及ぶ非単結晶半導体の厚さとＬ−アニールの深さを選択することができる。
　以上のことから、引用発明において、本願補正発明の相違点１に係る構成を備えることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
イ　＜相違点２＞について
　半導体を、１９０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下の波長及び５２５〜９５０ｍＪ／ｃｍ２のエネルギー密度を有するパルスレーザでアニールすることは周知技術である。
　そのことを示す例として、本願出願前に頒布された、特開昭６０−２１７６７２号公報（以下「周知例１」という。）、特開平７−９４７６６号公報（以下「周知例２」という。）及び特開平１１−２６６０３０号公報（以下「周知例３」という。）を挙げることができる。
　周知例１ないし３には、以下の記載がある。
周知例１
「1.　半導体基板表面に不純物イオンを打込み法によって不純物を注入し、アニールして接合を形成する過程を有する太陽電池の製造方法において、上記アニールを
波長250nm以下のエキシマレーザ光
「3.　前記エキシマレーザ光の
レーザエネルギー密度が0.9J/cm
2
から3.0J/cm
2
　
周知例２
「【００２３】次に、このｐ+ アモルファスシリコンをレーザー照射によって結晶化し、ｐ+層５を得る。この時のレーザーとしては、ｐ+ アモルファスシリコンだけを選択的に効率良く溶融できるものとして、波長４００ｎｍ以下の紫外線パルスレーザーを使用する。この紫外線パルスレーザーはエキシマレーザーに代表され、ＡｒＦレーザーでは
１９３ｎｍ
２４８ｎｍ
３０８ｎｍ
１５０ｍＪ／ｃｍ
2
 〜６００ｍＪ／ｃｍ
　
周知例３
「【００３８】（４） 第１の電気特性を有するアモルファス又は結晶性の半導体層を形成し、該半導体層上に第２の電気特性を有するアモルファス又は微結晶の半導体層を堆積し、その後エキシマレーザーで再結晶させること（レーザーアニーリング）によって、微結晶粒内に半導体接合を形成する。
【００３９】エキシマレーザーで再結晶する場合のレーザーの
エネルギー密度としては、２００ｍＪ／ｃｍ
2
〜８００ｍＪ／ｃｍ
2
が好ましい
１９３ｎｍ
２４８ｎｍ
３０８ｎｍ
　
　よって、引用発明において、本願補正発明の相違点２に係る構成を備えることは、周知技術に基づいて、当業者が適宜なし得たことである。
　
ウ　まとめ
　上記ア及びイより、引用発明において、本願補正発明の相違点１及び相違点２に係る構成を備えることは、周知技術に基づいて、当業者が適宜なし得たことである。
　また、かかる構成を採用することによる効果は、当業者が予測し得る程度のものである。
  したがって、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないから、本件補正は、平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定する要件を満たしていない。
　
３　本件補正についてのむすび 
　上記「２　独立特許要件について」に記載のとおり、本件補正は、平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
第３　本願発明について 
１　本願発明の認定 
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成２１年９月９日の手続補正で補正された請求項１に記載された事項によって特定されるとおりのものと認める。（以下「本願発明」という。）
　
２　引用例の記載事項及び引用発明の認定
　引用例の記載事項及び引用発明は、上記「第２　平成２２年１月１２日の手続補正についての補正却下の決定　［理由］　２　独立特許要件について」の「（２）引用発明の認定」に記載したとおりである。
 　 
３　対比・判断
　本願発明は、上記「第２　平成２２年１月１２日の手続補正についての補正却下の決定　［理由］　２　独立特許要件について」で検討した本願補正発明の発明を特定するために必要な事項である「パルスレーザ光」のエネルギー密度についての限定を省いたものに相当する（上記「第２　平成２２年１月１２日の手続補正についての補正却下の決定　［理由］　１　本件補正による請求項１についての補正について」参照。）。
　
　すると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　平成２２年１月１２日の手続補正についての補正却下の決定　［理由］　２　独立特許要件について」に記載したとおり、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
 　 
４　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶を免れない。 
　よって、結論のとおり審決する。