【事件の表示】
　特願２００１−５０８５８７「集積型の同調可能で高能率な電力増幅器」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　１月１１日国際公開、ＷＯ０１／０３２８８、平成１５年　２月　４日国内公表、特表２００３−５０４９０６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯 
　本願は、平成１２年５月３０日（優先権主張１９９９年７月１日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成１９年９月５日付けで拒絶理由が通知され、平成２０年４月３０日付けで拒絶査定され、これに対して同年７月３１日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年９月１日付けで手続補正書が提出されたものである。
　　　
　　　
２．平成２０年９月１日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年９月１日付けの手続補正を却下する。
［理由］　　　
（１）補正後の請求項１に係る発明 
　平成２０年９月１日付けの手続補正(以下,「本願補正」という)は、本願補正前の平成１４年４月３０日付け手続補正書により補正された請求項１の内容を、
「【請求項１】　同調可能で高能率の電力増幅器であって、
　制御入力においてＲＦ入力信号を受け取るように接続されており、前記ＲＦ入力信号に従って導通状態と非導通状態との間でスイッチングされる電流回路を有する、能動素子（Ｑ１）と、
　前記電流回路に接続された無効素子のネットワークであって、前記能動素子と前記ネットワークとは、前記無効素子の値によって決定される入力信号周波数の範囲にある前記ＲＦ入力信号を増幅する電力増幅器を形成し、前記無効素子は、少なくとも１つのインダクタンス（Ｌseries）と少なくとも１つのキャパシタンス（Ｃseries）とを備えている、ネットワーク（１００）と、
　を備えており、前記少なくとも１つのインダクタンスの少なくとも１つと前記少なくとも１つのキャパシタンスの少なくとも１つとは同調可能な無効素子であり、前記同調可能な無効素子は、それぞれが、制御信号に応答して動作し前記制御信号に従って当該同調可能な無効素子のリアクタンス値を変動させるマイクロ電子機械（ＭＥＭ）素子を少なくとも１つ備えており、それにより、この増幅器が動作する入力信号周波数の前記範囲は前記制御信号に従って変動し、従って、更に広い範囲の入力周波数において効率的に動作することが可能になることを特徴とする同調可能で高能率の電力増幅器。」
から、
「【請求項１】
　同調可能で高能率の電力増幅器であって、
　制御入力においてＲＦ入力信号を受け取るように接続されており、前記ＲＦ入力信号に従って導通状態と非導通状態との間でスイッチングされる電流回路を有する、能動素子（Ｑ１）と、
　前記電流回路に接続されたリアクタンス素子のネットワークであって、前記能動素子と前記ネットワークとは、前記リアクタンス素子の値によって決定される入力信号周波数の範囲にある前記ＲＦ入力信号を増幅する電力増幅器を形成し、前記リアクタンス素子は、少なくとも１つのインダクタンス（Ｌｓｅｒｉｅｓ）と少なくとも１つのキャパシタンス（Ｃｓｅｒｉｅｓ）とを備えている、ネットワーク（１００）と、
　を備えており、前記少なくとも１つのインダクタンスの少なくとも１つと前記少なくとも１つのキャパシタンスの少なくとも１つとは同調可能なリアクタンス素子であり、前記同調可能なリアクタンス素子は、それぞれが、制御信号に応答して動作し前記制御信号に従って当該同調可能なリアクタンス素子のリアクタンス値を変動させるマイクロ電子機械（ＭＥＭ）素子を少なくとも１つ備えており、それにより、この増幅器が動作する入力信号周波数の前記範囲は前記制御信号に従って変動し、従って、更に広い範囲の入力周波数において効率的に動作することが可能になり、
　前記能動素子とリアクタンス素子の前記ネットワークとは共通の基板上に集積されており、
　前記同調可能なリアクタンス素子はそれぞれがそのリアクタンス値の範囲全体にある高いＱ値を有することを特徴とする同調可能な電力増幅器。」
に、変更する補正を含むものである。
　
　前記補正のうち、「無効素子」を「リアクタンス素子」とする補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第４号の明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　また、前記補正のうち、能動素子とネットワークについて、「前記能動素子とリアクタンス素子の前記ネットワークとは共通の基板上に集積され」ている点を限定し、同調可能なリアクタンス素子について、「前記同調可能なリアクタンス素子はそれぞれがそのリアクタンス値の範囲全体にある高いＱ値を有する」点を限定する補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本願補正後の上記請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　　
　　　　 　　　
（２）引用例 
　原査定の拒絶の理由に引用された米国特許第３９１９６５６号明細書（以下、「引用例」という）には、下記の事項が記載されている。
　　
（あ）「FIELD OF THE INVENTION
 This invention relates in general to tuned power amplifiers;in particular,it discloses improved switchingmode tuned power amplifiers. The invention provides tuned power amplification of ac signals with higher efficientcy and/or more power output and/or greater reliability in operation than are attained in prior-art power amplifier circuits employing comparable active devices (e.g.transisitors or vacuum tubes).」（明細書第１欄第４０行〜第４８行）
　
（日本語訳：発明の分野
　この発明は、同調された電力増幅器一般に関係があり、特に、改善されたスイッチングモードの同調された電力増幅器を明らかにする。発明は、同程度の能動素子(例えばトランジスタまたは真空管)を使用した先行技術の電力増幅器回路で達成したよりも、動作中において、より高能率で、および／または、より高出力で、および／または、より大きな信頼性がある、交流信号の同調された電力増幅器を備えている。）
　
（い）「F.Tuning
・・・中略・・・
 A related method of tuning across a frequency band is shown in FIG.8B. This method also uses a single variable tuning component,in this case a capacitor C4,connected in parallel with L2. The capacitor C4 acts to partially cancel the effective susceptance of inductor L2. The net effect of increasing C4 is to increase the effective circuit inductance. and of decreasing C4 is to decrease the effective circuit inductance. Variation of capacitor C4 is therefore similar in effect to the variation of inductor L2 shown in FIG.8A, but is often more convenient. With this technique,substantially ideal tuning and loading conditions can be obtained over a frequency range of 1.6:1 with all other circuit components having fixed values. For example, substantially correct tuning and loading were obtained experimentally by the inventors with  C1=704pF,C2=698pF,L2=27.1uH,R=30.1 ohms,Cob of transistor Q=10pF,and C4 vs. frequency as follows:
  
　　　　　　　Frequency　　　　　　　   C4
　　　　　　　　(MHz)　　　　　　　　(pF) 
　　　　　　　　　1.33　　　　　　　　　0
　　　　　　　　　1.22　　　　　 　　　98.5
　　　　　　　　　0.78　　　　　　   　1075
   
At lower frequencies and larger values fo C4, the QL became too low , so that R would have needed to be decreased and/or L2 increased.」（明細書第２４欄第５４行〜第２６欄第３行）
　　
（日本語訳：Ｆ．同調
　・・・中略・・・　
　周波数帯にわたって同調する関連方法は、ＦＩＧ．８Ｂに示されている。この方法も単一の可変な同調要素、この場合はＬ２と平行に接続されているキャパシタＣ４を使用する。キャパシタＣ４は、インダクタＬ２の実効サセプタンスを部分的に取り消すために作用する。Ｃ４の増加による回路網の効果は、回路の実効インダクタンスを増加させることであり、また、Ｃ４の減少は、回路の実効インダクタンスを減少させることである。したがって、キャパシタＣ４の変化は、ＦＩＧ．８Ａで示されたインダクタＬ２の変化による効果に似ているが、多くの場合より便利である。この技術は、実質的に理想的な同調と負荷条件で、他のすべての回路要素が固定値であるとして、１．６：１の周波数範囲を得ることができる。例えば、実質的に正確な同調と負荷は、発明者の経験からＣ１＝７０４ｐＦ、Ｃ２＝６９８ｐＦ、Ｌ２＝２７．１ｕＨ、Ｒ＝３０．１Ω、トランジスタＱのＣｏｂ＝１０ｐＦで得られ、そして、Ｃ４に対する周波数は以下のようになる:
　
　　　　　　　　　　周波数　　　　　　　Ｃ４
　　　　　　　　　（ＭＨｚ）　　　　　（ｐＦ） 
　　　　　　　　　　１．３３　　　　　　　０
　　　　　　　　　　１．２２　　　　　　９８．５
　　　　　　　　　　０．７８　　　　１０７５
　　
より低い周波数およびより大きなＣ４の値ではＱＬが低くなりすぎるので、Ｒは減少する必要があり、および／またはＬ２は増加する必要がある。）
　　
（う）ＦＩＧ．８Ｂには、能動素子５を構成するトランジスタＱは、そのベースがドライバ２に接続され、そのコレクタが回路網９に接続されており、また、回路網９はインダクタＬ１，Ｌ２及びキャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ４から構成されている点が記載されている。
　また、インダクタＬ１，Ｌ２及びキャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ４はリアクタンス素子であるから、ＦＩＧ．８Ｂには、回路網９がリアクタンス素子から構成されている点が記載されている。
　
（え）上記（い）の”At lower frequencies and larger values fo C4, the QL became too low , so that R would have needed to be decreased and/or L2 increased..”（「より低い周波数およびより大きなＣ４の値ではＱＬが低くなりすぎるので、Ｒは減少する必要があり、および／またはＬ２は増加する必要がある。」）の記載では、例示されている０．７８ＭＨｚより低い周波数にするとＱＬが低くなりすぎるのでＬ２を増加する必要があることが明記されている。このことは、周波数範囲を例示以上に広くする場合には、可変要素としてキャパシタＣ４だけでなく、インダクタＬ２も可変要素とすることが示唆されているといえる。
　また、Ｌ２を増加することでＱＬの低下を防止することが記載されていることから、引用例の回路網は、リアクタンス素子の可変範囲全体で所定値以上のＱＬ値を有するように構成されているといえる。
　
（お）上記（い）の記載では、電力増幅器が取り扱う信号の周波数として、０．７８〜１．３３ＭＨｚの周波数が記載されているので、ＦＩＧ．８Ｂに記載されているトランジスタＱの制御入力には、ＲＦ帯の周波数であるＲＦ信号が入力信号として入力されているといえる。　
　
（か）上記（い）には、回路網を構成するキャパシタＣ１，Ｃ２，インダクタＬ２をそれぞれＣ１＝７０４ｐＦ、Ｃ２＝６９８ｐＦ、Ｌ２＝２７．１ｕＨとし、可変要素であるキャパシタＣ４の値を、０ｐＦ，９８．５ｐＦ，１０７５ｐＦとし場合に、電力増幅器で動作する周波数が、１．３３ＭＨｚ、１．２２ＭＨｚ、０．７８ＭＨｚになることが記載されている。よって、引用例に記載された電力増幅器は、回路網のリアクタンス素子の値によって決定される入力信号周波数の範囲にあるＲＦ入力信号を増幅しているということができる。　　
　
　　
　上記（あ）乃至（か）及びＦＩＧ．８Ｂの記載から、引用例には、実質的に下記の発明（以下、「引用発明」という）が記載されている。
「同調可能で高能率の電力増幅器であって、
　ベースに入力されたＲＦ信号に従って導通状態と非導通状態との間でスイッチングするトランジスタと、
　前記トランジスタに接続されたリアクタンス素子の回路網であって、前記トランジスタと前記回路網とは、前記リアクタンス素子の値によって決定される入力信号周波数の範囲にある前記ＲＦ入力信号を増幅する電力増幅器を形成し、前記リアクタンス素子は、複数のインダクタと複数のキャパシタを備えている、回路網と、
　を備えており、前記複数のインダクタうちの１つと前記複数のキャパシタのうちの１つとは同調可能なリアクタンス素子であり、
　前記同調可能なリアクタンス素子はリアクタンス素子の可変範囲全体で所定値以上のＱＬ値を有するように構成されている同調可能な電力増幅器。」
　　　　
　　　
（３）対比 
（３−１）本願補正発明と引用発明との対応関係について
（ア）引用発明の「ベース」、「トランジスタ」、「回路網」、「インダクタ」、「キャパシタ」は、本願補正発明の「制御入力」、「能動素子」、「ネットワーク」、「インダクタンス」、「キャパシタンス」に相当する。
　
（イ）引用発明の「トランジスタ」は、「ベースに入力されたＲＦ信号に従って導通状態と非導通状態との間でスイッチング」することで電流を流すものであるから、「電流回路」を構成するものといえる。
　
（ウ）本願明細書の段落【０００５】には「負荷ネットワークのクオリティ・ファクタ（Ｑ）」と記載され、引用例の第１７欄第６行には”network loaded Q(QL) ”と記載され、また、本願発明の「ある高いＱ値」は具体的にどの程度高い値であるかは特定されていないので、引用発明の「所定値以上のＱＬ値」は本願発明の「ある高いＱ値」に相当する。
　
（３−２）本願補正発明と引用発明の一致点について
　上記の対応関係から、本願補正発明と引用発明は、下記の点で一致する。
「同調可能で高能率の電力増幅器であって、
　制御入力においてＲＦ入力信号を受け取るように接続されており、前記ＲＦ入力信号に従って導通状態と非導通状態との間でスイッチングされる電流回路を有する、能動素子と、
　前記電流回路に接続されたリアクタンス素子のネットワークであって、前記能動素子と前記ネットワークとは、前記リアクタンス素子の値によって決定される入力信号周波数の範囲にある前記ＲＦ入力信号を増幅する電力増幅器を形成し、前記リアクタンス素子は、少なくとも１つのインダクタンスと少なくとも１つのキャパシタンスとを備えている、ネットワークと、
　を備えており、前記少なくとも１つのインダクタンスの少なくとも１つと前記少なくとも１つのキャパシタンスの少なくとも１つとは同調可能なリアクタンス素子であり、
　前記同調可能なリアクタンス素子はそれぞれがそのリアクタンス値の範囲全体にある高いＱ値を有する同調可能な電力増幅器。」
　　　　　　　
（３−３）本願補正発明と引用発明の相違点について
　本願補正発明と引用発明は、下記の点で相違する。
（相違点１）
　本願補正発明では、「同調可能なリアクタンス素子は、それぞれが、制御信号に応答して動作し前記制御信号に従って当該同調可能なリアクタンス素子のリアクタンス値を変動させるマイクロ電子機械（ＭＥＭ）素子を少なくとも１つ備えており、それにより、この増幅器が動作する入力信号周波数の前記範囲は前記制御信号に従って変動し、従って、更に広い範囲の入力周波数において効率的に動作することが可能」であるのに対し、引用発明はそのような構成とはなっていない点。
　
（相違点２）
　本願補正発明では、「能動素子とリアクタンス素子の前記ネットワークとは共通の基板上に集積され」るものであるのに対し、引用発明はそのような構成とはなっていない点。
　
　　
（４）当審の判断 
（４−１）相違点１について
　制御信号に従って動作するＭＥＭスイッチによりインダクタンスのリアクタンス値を変更する構成は、例えば、原査定において引用された米国特許第５８７２４８９号明細書に記載されているように周知技術であり、また、制御信号に従って動作するＭＥＭスイッチによりキャパシタンスのリアクタンス値を変更する構成は、例えば、原査定において引用された米国特許第５８８０９２１号明細書に記載されているように周知技術である。
　してみると、引用発明の同調可能なリアクタンス素子に、制御信号に従って動作するＭＥＭスイッチによりインダクタンス及びキャパシタンスのリアクタンス値を変更する上記周知技術を適用することで、「同調可能なリアクタンス素子は、それぞれが、制御信号に応答して動作し前記制御信号に従って当該同調可能なリアクタンス素子のリアクタンス値を変動させるマイクロ電子機械（ＭＥＭ）素子を少なくとも１つ備えており、それにより、この増幅器が動作する入力信号周波数の前記範囲は前記制御信号に従って変動し、従って、更に広い範囲の入力周波数において効率的に動作することが可能」とすることは、当業者が容易に想到し得たものである。
　　　　
（４−２）相違点２について
　電力増幅器の分野では、同一基板上に増幅器及びフィルタ等の回路を設けることで小型化を図ることは、例えば、特開平４−２８４７２２号公報に記載されているように常套手段にすぎないことから、引用発明において、「能動素子とリアクタンス素子の前記ネットワークとは共通の基板上に集積され」る構成とすることに、格別な困難性は認められない。
　　　
（４−３）本願補正発明の作用効果について　　　
　また、本願補正発明の作用効果も、引用発明及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。　
　
　
（５）むすび 
　よって、本願補正発明は、引用発明及び周知技術から当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本願補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　
３．補正却下の決定を踏まえた検討
（１）本願発明
　平成２０年９月１日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願に係る発明は、平成１４年４月３０日付け手続補正書の特許請求の範囲に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という）は、次のとおりのものである。
「【請求項１】　同調可能で高能率の電力増幅器であって、
　制御入力においてＲＦ入力信号を受け取るように接続されており、前記ＲＦ入力信号に従って導通状態と非導通状態との間でスイッチングされる電流回路を有する、能動素子（Ｑ１）と、
　前記電流回路に接続された無効素子のネットワークであって、前記能動素子と前記ネットワークとは、前記無効素子の値によって決定される入力信号周波数の範囲にある前記ＲＦ入力信号を増幅する電力増幅器を形成し、前記無効素子は、少なくとも１つのインダクタンス（Ｌseries）と少なくとも１つのキャパシタンス（Ｃseries）とを備えている、ネットワーク（１００）と、
　を備えており、前記少なくとも１つのインダクタンスの少なくとも１つと前記少なくとも１つのキャパシタンスの少なくとも１つとは同調可能な無効素子であり、前記同調可能な無効素子は、それぞれが、制御信号に応答して動作し前記制御信号に従って当該同調可能な無効素子のリアクタンス値を変動させるマイクロ電子機械（ＭＥＭ）素子を少なくとも１つ備えており、それにより、この増幅器が動作する入力信号周波数の前記範囲は前記制御信号に従って変動し、従って、更に広い範囲の入力周波数において効率的に動作することが可能になることを特徴とする同調可能で高能率の電力増幅器。」
　　
　
（２）引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された引用例の記載事項は、上記２．（２）に記載したとおりである。
　
　　
（３）対比・判断
　本願発明は、上記２．で検討した本願補正発明の「リアクタンス素子」を「無効素子」に戻すとともに、本願補正発明における能動素子とネットワークについて、「前記能動素子とリアクタンス素子の前記ネットワークとは共通の基板上に集積され」ている点の限定と、同調可能なリアクタンス素子について、「前記同調可能なリアクタンス素子はそれぞれがそのリアクタンス値の範囲全体にある高いＱ値を有する」点の限定を省いたものである。
　「無効素子」という用語は技術的に不明りょうであるが、発明の詳細な説明及び図面から「無効素子」がインダクタンス及びキャパシタンスで構成されるネットワークの要素であることを考慮すれば、「無効素子」が「リアクタンス素子」であると解釈できるものである。
　そうすると、本願発明の構成要素を全て含み、さらに特定の点に限定を施したものに相当する本願補正発明が、上記２．（４）に記載したとおり、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用発明及び周知技術に基いて容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。