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【手続補正書】
【提出日】平成23年6月6日(2011.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結合研摩材物品の補強のための、樹脂組成物で被覆されたガラス繊維構造であり、樹脂組成物は固体物質のｗｔ％で表して次の割合で次の構成成分を含むことを特徴とするガラス繊維構造。
６０℃以下のガラス転移温度を有する少なくとも１つのノボラックと、６０℃を超えるガラス転移温度を有する少なくとも１つのノボラックとの混合物７５〜９８ｗｔ％、
少なくとも１つのワックス０．５〜１０ｗｔ％、ならびに
少なくとも１つの可塑剤０〜３．５ｗｔ％。
【請求項２】
比較的低いガラス転移温度を有するノボラックが、ノボラック混合物の５０〜８０ｗｔ％を示すことを特徴とする請求項１に記載の構造。
【請求項３】
比較的低いガラス転移温度を有するノボラックが、４０℃を超えるガラス転移温度を有することを特徴とする請求項１または２に記載の構造。
【請求項４】
比較的高いガラス転移温度を有するノボラックが、８０℃以上のガラス転移温度を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の構造。
【請求項５】
比較的高いガラス転移温度を有するノボラックが、１００℃以下のガラス転移温度を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の構造。
【請求項６】
ノボラックが、フェノールとホルムアルデヒドを、０．７５〜０．８で変動するホルムアルデヒド/フェノールモル比で反応させることにより得られること特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の構造。
【請求項７】
ワックスが、パラフィンワックスおよびエチレンビスアミドワックスから選ばれること特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の構造。
【請求項８】
ワックスが、ポリエチレンもしくはポリプロピレンワックスならびにN,N’-エチレンビス（ステラミド）から選ばれること特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の構造。
【請求項９】
ワックス含量が、樹脂組成物の固体物質の５ｗｔ％を超えないこと特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の構造。
【請求項１０】
ワックス含量が、樹脂組成物の固体物質の３％以下であること特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の構造。
【請求項１１】
可塑剤が、アルキルホスフェート、フタレート、トリエタノールアミン、オイルおよび多価アルコールから選ばれること特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の構造。
【請求項１２】
可塑剤含量は、樹脂組成物の固体物質の１ｗｔ％を超えないこと特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の構造。
【請求項１３】
構造が、連続的なガラスヤーンから構成されること特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の構造。
【請求項１４】
連続的なガラスヤーンが、ウェブもしくはマット不織布、メッシュ、または織物もしくは切断ストランドのマット、の形態であること特徴とする請求項１３に記載の構造。
【請求項１５】
ヤーンが、９〜２４μｍで変動する径を有すること特徴とする請求項１３または１４に記載の構造。
【請求項１６】
ヤーンが、９〜１７μｍで変動する径を有すること特徴とする請求項１５に記載の構造。
【請求項１７】
ヤーンが、３４〜４８００テックスの番手（すなわち、糸の太さ）を有すること特徴とする請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の構造。
【請求項１８】
ヤーンが、３４〜１２００テックスの番手を有すること特徴とする請求項１３〜１７のいずれか１項に記載の構造。
【請求項１９】
構造が、１００〜１０００ｇ/m2で変動する坪量からなる織物の形態であること特徴とする請求項１〜１８のいずれか１項に記載の構造。
【請求項２０】
請求項１〜１９のいずれか１項に記載の構造を被覆可能な樹脂組成物であり、樹脂組成物は固体物質のｗｔ％で表して次の割合で次の構成成分を含むことを特徴とする樹脂組成物。
６０℃以下のガラス転移温度を有する少なくとも１つのノボラック２５〜５５ｗｔ％、
６０℃を超えるガラス転移温度を有する少なくとも１つのノボラック１０〜３０ｗｔ％、
少なくとも１つのワックス０．５〜６．５ｗｔ％、
少なくとも１つの可塑剤０〜２．５ｗｔ％、
少なくとも１つのアルコール２５〜４５ｗｔ％、ならびに
水０〜１５ｗｔ％。
【請求項２１】
アルコールが、メタノール、エタノール、イソプロパノールおよびこれらのアルコールの混合物から選ばれること特徴とする請求項２０に記載の樹脂組成物。
【請求項２２】
請求項１〜２１のいずれか１項に記載の構造を含むこと特徴とする、バインダーで結合された研摩材粒子に基づく結合研摩材物品。
【請求項２３】
研摩材砥石からなること特徴とする請求項２２に記載の物品。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月31日(2011.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ
【化１】
2010530873.tif 000001
（式中、
各Ｒ１は、独立に、アルキル、ハロアルキル、アラルキル、アルケニル、アリール、又はアルキル、アルコキシ若しくはハロで置換されたアリールであり；
Ｒ２は、アルキル、ハロアルキル、アリール、又はアルキル、アルコキシ、ハロ、若しくはアルコキシカルボニルで置換されたアリールであり、
各Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、独立に、水素、又はアルキル、ハロアルキル、アラルキル、アルケニル、アリール、又はアルキル、アルコキシ若しくはハロで置換されたアリールである）の化合物。
【請求項２】
各Ｒ１がメチルである、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ｒ２が、１〜４個の炭素原子を有するアルキル又は１〜４個の炭素原子を有するハロアルキルであり、該アルキル又はハロアルキルが、隣接するオキシ基に結合する１級炭素原子若しくは２級炭素原子を有する、請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
Ｒ２が、フェニル又は、１〜４個の炭素原子を有するアルキル、１〜４個の炭素原子を有するアルコキシ、ハロ、若しくは２〜５個の炭素原子を有するアルコキシカルボニルで置換されたフェニルである、請求項１に記載の化合物。
【請求項５】
各Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５が水素である、請求項１に記載の化合物。
【請求項６】
各Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５が１〜４個の炭素原子を有するアルキル又は１〜４個の炭素原子を有するハロアルキルである、請求項１に記載の化合物。
【請求項７】
式ＩＩＩのポリマー前駆体を製造する方法であって、
【化２】
2010530873.tif 000002
該方法が、反応条件下で、
請求項１に記載の化合物と、
式ＩＩのシラノール終端シロキサン
【化３】
2010530873.tif 000003
（式中、
各Ｒ１は、独立に、アルキル、ハロアルキル、アラルキル、アルケニル、アリール、又はアルキル、アルコキシ、若しくはハロで置換されたアリールであり；
ｎは、０〜１５００の整数である）と、を組み合わせる工程を含む、方法。
【請求項８】
式ＶＩＩＩの少なくとも２つの繰り返し単位を含むポリマー材料を製造する方法であって
【化４】
2010530873.tif 000004
（式中ｑは２以上の整数である）、該方法が、反応条件下で、
請求項１に記載の化合物と、
式ＩＩのシラノール終端シロキサンとを組み合わせて、
【化５】
2010530873.tif 000005
式ＩＩＩのポリマー前駆体を形成する工程と
【化６】
2010530873.tif 000006
（式中、
各Ｒ１は、独立に、アルキル、ハロアルキル、アラルキル、アルケニル、アリール、又はアルキル、アルコキシ若しくはハロで置換されたアリールであり；
Ｒ２は、アルキル、ハロアルキル、アリール、又はアルキル、アルコキシ、ハロ、若しくはアルコキシカルボニルで置換されたアリールであり、
各Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、独立に、水素又はアルキル、ハロアルキル、アラルキル、アルケニル、アリール、又はアルキル、アルコキシ若しくはハロで置換されたアリールであり；
ｎは０〜１５００の整数である）、
反応条件下で、形成された式ＩＩＩのポリマー前駆体を、平均して式Ｇ（ＮＨＲ６）ｒ
（式中、
Ｇは、Ｇ（ＮＨＲ６）ｒからｒ個の−ＮＨＲ６基を引いたものに等しい残りの単位であり；
Ｒ６は、水素若しくはアルキルであるか、又はＲ６はＧ及びそれら両方が結合した窒素と共に、複素環基を形成し、
ｒは２以上の数である）を有する１つ以上のアミン化合物とを組み合わせる工程と、を含む方法。
【請求項９】
式Ｉの化合物を製造する方法であって、該方法が、
式ＶＩＩの化合物
【化７】
2010530873.tif 000007
（式中、
各Ｒ１は、独立に、アルキル、ハロアルキル、アラルキル、アルケニル、アリール、又はアルキル、アルコキシ若しくはハロで置換されたアリールであり；
Ｒ２は、アルキル、ハロアルキル、アリール、又はアルキル、アルコキシ、ハロ、若しくはアルコキシカルボニルで置換されたアリールであり、
各Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、独立に、水素又はアルキル、ハロアルキル、アラルキル、アルケニル、アリール、又はアルキル、アルコキシ若しくはハロで置換されたアリールであり；
Ｘはハロゲンである）を、環化を引き起こすのに有効な条件にさらす工程を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月16日(2011.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
汚染物質を基材から除去するための方法であって、
被覆用組成物を前記基材に塗布するステップであって、前記被覆用組成物は、水、水溶性フィルム形成用重合体、濡れ剤、および揺変性添加物を含み、
前記濡れ剤は、１つ以上のポリシロキサン、ジメチルポリシロキサン、ポリエーテル修飾ジメチルポリシロキサン、ポリエステル修飾ジメチルポリシロキサン、ポリメチルアルキルシロキサン、アラルキル修飾ポリメチルアルキルシロキサン、アルコールアルコキシレート、ポリアクリレート、フルオロ修飾ポリアクリレート、またはそれらの２つ以上の混合物を含むステップ；
前記被覆用組成物を脱水させ、および／または前記重合体を架橋させて犠牲バリアー被覆物を形成させるステップであって、前記犠牲バリアー被覆物は、水溶性であるか、または前記犠牲バリアー被覆物の前記水溶性を増加させる添加剤を含む水系溶液と接触したときに水溶性であるか、あるいは、または同時に、前記基材への前記犠牲バリアー被覆物の前記接着強さは、水、または前記基材への前記犠牲バリアー被覆物の前記接着強さを低下させる添加剤を含む水系溶液と接触したときに低下するステップ；
前記汚染物質を前記バリアー被覆物の上に堆積させるステップ；および
前記バリアー被覆物の少なくとも一部と前記汚染物質とを前記基材から取り除くステップ
を含む方法。
【請求項２】
前記被覆用組成物は、前記被覆用組成物を前記基材にブラシ塗布、ローラー塗布またはスプレー塗布することによって前記基材上に塗布される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記バリアー被覆物および汚染物質は、剥離法、洗浄法、拭き取り法、こすり洗い法、スプレー法および／またはすすぎ法によって前記基材から取り除かれる、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記バリアー被覆物および汚染物質は、水を含む組成物を用いて前記基材から取り除かれる、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記バリアー被覆物および汚染物質は、１０から１００℃の範囲内の温度および５０から４００バールの範囲内の圧力下で水を含む組成物をスプレーすることによって、前記基材から取り除かれ、
または、前記バリアー被覆物および汚染物質は、前記バリアー被覆物および汚染物質を、水、水溶性フィルム形成用重合体、濡れ剤、および揺変性添加剤を含む処理用組成物と接触させることによって取り除かれる、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記処理用組成物は、前記被覆用組成物と同じ処方を有する、
または、前記処理用組成物は、脱水されて処理用フィルムを形成し、前記バリアー被覆物、汚染物質、および処理用フィルムを前記基材から分離することをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記バリアー被覆物、汚染物質、および処理用フィルムは、前記基材から剥離される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記バリアー被覆物、汚染物質、および処理用フィルムは、前記基材から単一ステップで剥離される、請求項7に記載の方法。
【請求項９】
前記重合体は、ビニルアルコールおよび／または（メタ）アクリル酸から誘導される繰り返し単位を含む、
または、前記重合体は、ポリビニルアルコール、ビニルアルコールの共重合体、またはそれらの混合物を含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記重合体は、ビニルアルコール繰り返し単位から誘導される繰り返し単位と、次式−ＣＨ２−ＣＨ（ＯＣＯＲ）−、式中、Ｒはアルキル基である、によって表される繰り返し単位とを含む、
または、前記重合体は、ビニルアルコールおよび酢酸ビニルから誘導される繰り返し単位を含む、
または、前記重合体は、ビニルアルコールおよび／または（メタ）アクリル酸から誘導される繰り返し単位と、エチレン、プロピレン、アクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミド、メタクリルアミド、ジメタクリルアミド、メタクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、ビニルピロリドン、アクリル酸ヒドロキシエチル、アリルアルコールの１つ以上、またはそれらの２つ以上の混合物から誘導される繰り返し単位とを含む共重合体を含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記重合体はポリビニルアルコールを含み、前記重合体は約５０，０００から約１５０，０００ｇ／モルの範囲内の分子量、および約７５％から約９０％の範囲内の加水分解レベルを有する、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記濡れ剤は、１つ以上のシリコーン界面活性剤を含む、
または、前記濡れ剤は、１つ以上のポリエーテル修飾シロキサンを含む、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記揺変性添加剤は、ヒュームドシリカ、処理されたヒュームドシリカ、粘土、ヘクトライト粘土、有機物修飾ヘクトライト粘土、揺変性重合体、偽可塑性重合体、ポリウレタン、ポリヒドロキシカルボン酸アミド、修飾された尿素、尿素修飾ポリウレタン、またはそれらの２つ以上の混合物を含む、請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記重合体組成物は、１つ以上の偽可塑性添加剤、流動性調節剤、垂れ防止剤、固着防止剤、平滑剤、ｐＨ調節剤、消泡剤、顔料、染料、有機溶媒、可塑剤、粘度安定剤、殺生物剤、殺ウイルス剤、殺菌剤、湿潤剤、架橋剤、界面活性剤、着色剤、紫外線安定剤、またはそれらの２つ以上の混合物をさらに含む、請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記フィルム形成用重合体は、ポリビニルアルコールを含み、前記被覆用組成物は、殺生物剤をさらに含む、請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月19日(2011.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機械加工システムを制御する装置であって、
物体の画像を、該物体から生成された放射線に基づいて、撮像する光学ユニットと、
前記画像を処理し、前記物体の製造又は修理に関するパラメータをリアルタイムに測定する画像処理ユニットと、
前記機械加工システムのプロセスパラメータに基づいて、前記物体の製造又は修理に関する前記パラメータの目標値を定めるプロセスモデルと、
前記物体の製造又は修理に関する前記パラメータの測定値及び目標値に基づいて、前記機械加工システムのプロセスパラメータを制御するコントローラと、
を含むことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記光学ユニットは、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）カメラ、又は、電荷結合素子（ＣＣＤ）カメラを含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記プロセスモデルは、前記物体の製造又は修理のプロセスをシミュレートして、前記機械加工システムの複数の動作条件に対して、前記物体の製造又は修理に関する前記パラメータの目標値を定めるためのパラメータモデルを含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記プロセスモデルは、外部入力付き自己回帰移動平均モデル（ＡＲＭＡＸ）であることを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記コントローラは、比例積分微分（ＰＩＤ）制御部、予測制御部、または、ファジー制御部を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記物体から生成されたゴースト画像を実質的に除去するフィルタを更に備えることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記機械加工システムは、レーザ・ネットシェイプ・機械加工システムを含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記光学ユニットは、レーザ生成溶融池からの放射線に基づいて画像を撮像することを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記物体の製造又は修理に関する前記パラメータは、溶融池幅、溶融池長さ、溶融池堆積高さ、溶融池の温度、又はそれらの組合せであることを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記光学ユニットは、
前記溶融池幅又は溶融池長さ、或いはそれらの組合せをモニタリングするために、前記物体の第１画像を撮像する第１撮像カメラと、
前記溶融池堆積高さをモニタリングするため、前記物体の第２画像を撮像する第２撮像カメラと、
を含むことを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記プロセスパラメータは、レーザパワー、移動速度、マテリアルフィード速度又はそれらの組合せを含むことを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項１２】
レーザ・ネットシェイプ・機械加工システムであって、
溶融池を生成するレーザと、
物体を成形するために溶融池内に粉体材料を供給するノズルと、
前記機械加工システムを制御する装置。
【請求項１３】
前記第１及び第２撮像カメラに対して入力するため、前記物体からの光を分離するビームスプリッタと、
前記ビームスプリッタに対して光学的に接続され、前記物体から生成されたゴースト画像を除去するフィルタと、を更に備えたことを特徴とする請求項１２に記載の機械加工システム。
【請求項１４】
前記画像処理ユニットは、前記溶融池幅、溶融池長さ、溶融池堆積高さ、溶融池の温度、又はそれらの組合せをリアルタイムに測定する画像処理アルゴリズムを用いることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の機械加工システム。
【請求項１５】
機械加工システムを制御する方法であって、
前記物体から生成された放射線に基づいて物体の画像を取得するステップと、
前記画像を処理して前記物体の製造又は修理に関するパラメータを測定するステップと、
前記機械加工システムのプロセスパラメータに基づいて、前記物体の製造又は修理に関するパラメータの目標値を設定する設定ステップと、
前記物体の製造又は修理に関するパラメータの測定値及び目標値に基づいて前記機械加工システムのプロセスパラメータを制御するステップと、を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月17日(2011.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
塩水が、蒸気及び残留塩を形成するように、回転しているキルンにおいて沸騰させられ、該蒸気は、該キルンにおいて純水に凝縮され、該残留塩は、該キルンの基部から取り除かれることを特徴とする脱塩プロセス。
【請求項２】
前記キルンが中空壁を有し、前記蒸気が該キルンの中空壁において純水に凝縮される、請求項１に記載された脱塩プロセス。
【請求項３】
前記蒸気が、前記キルンに移動させられる前に、圧縮され加熱される、請求項１又は２のいずれか1項に記載された脱塩プロセス。
【請求項４】
前記の凝縮された蒸気が、周囲温度で流入塩水を加熱するために、加熱媒体として予熱室に送り込まれ、該凝縮された蒸気は、純水として引き続き予熱器から収集されていることを特徴とする、上記の請求項のいずれか1項に記載された脱塩プロセス。
【請求項５】
前記キルンが、垂直に間隔が取られた、該キルンの壁に塩水を噴出する噴出口の、コラムのそばを回転される、上記の請求項のいずれか1項に記載された脱塩プロセス。
【請求項６】
塩類堆積物が、前記キルンの壁から取り除かれる、上記の請求項のいずれか1項に記載された脱塩プロセス。
【請求項７】
予熱室において塩水を加熱する段階、及び、蒸気及び塩／不純物の残留物を沸騰させるために、該塩水を回転式キルンの壁構造に噴出するように該回転式キルンに移動させる段階を含む脱塩プロセスであり、出て行く蒸気は、コンプレッサにおいて加圧され、外部電源で作動する加熱器へ加熱のために送られ、次に該回転式キルンの中空壁構造へ送り込まれ、該回転式キルンの中において、前記蒸気は、流入塩水を予熱するために前記予熱室に移動される純水に凝縮し、該回転式キルンは、前記壁構造から塩／不純物を取り除くために該キルンの基部で収集するために、スクレーパーを通って回転するように配置されている、ことを特徴とする脱塩プロセス。
【請求項８】
中空壁構造を有する回転式キルンに結合された予熱室を含み、該キルンは、コンプレッサを通して該キルンの中空壁に接続されたガス出口を有し、該ガス出口は、同様に、予熱室及び該キルンの内側の壁に接して配置されたスクレーパーに結合され、従って使用中に、塩水が、該予熱室において加熱され、該回転式キルンにおいて蒸気及び塩／不純物の残留物に沸騰させられ、該蒸気は、圧縮され、前記流入塩水を予熱するために予熱室に移動される純水に凝縮する、中空壁構造に送り込まれ、該回転式キルンは、前記内側の壁から塩／不純物を取り除くために前記スクレーパーを通って回転するように配置されている、ことを特徴とする脱塩設備。
【請求項９】
外部電源で作動する加熱器が、前記コンプレッサと前記キルンの中空壁構造との間に位置された、請求項８に記載された脱塩設備。
【請求項１０】
前記キルンの中空壁構造が、前記蒸気が通り抜け純水に凝結するらせん状通路を定める、請求項８又は９に記載された脱塩設備。
【請求項１１】
垂直に間隔が取られた噴出口のシリーズが、使用中に、前記キルンの回転している内側の壁に塩水を噴出することが可能であるように該キルンの内部に位置している、請求項８乃至１０のいずれか1項に記載された脱塩設備。
【請求項１２】
起動ラインが、前記キルンの壁構造へ、加熱器を通して水を送り、少なくとも１つの分離弁が、該起動ラインの操作を制御し、該キルンの壁構造が、前記塩水が入る前に望まれる温度にあることを、保証する、請求項８乃至１１のいずれか1項に記載された脱塩設備。
【請求項１３】
先が細くなっている基部を持つ中空壁を有する脱塩設備のキルンであり、該キルンは、垂直に間隔が取られた複数の噴出口を含む塩水インフィードを含み、該噴出口は、塩水を該キルンの内側の壁に接して方向付け、スクレーパーは、該キルンの内側の壁に隣り合って位置し、該キルンの軸回転を起こす、ことを特徴とするキルン。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月22日(2011.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二酸化炭素を、煙道ガスストリームから回収する方法であって、
大気圧より高いガス圧力の前記ストリームを、アンモニウム、炭酸および重炭酸イオンを含有する水性溶媒系と、１０℃より高い温度で接触させて、前記ストリームからＣＯ２を吸収し、
吸収したＣＯ２（炭酸塩、重炭酸塩およびＣＯ２（水性））を含有する前記溶媒を、ＣＯ２−希薄煙道ガスストリームから分離して、ＣＯ２および／または重炭酸塩リッチな溶媒ストリームを形成し、
ＣＯ２−希薄煙道ガスを低い圧力に膨張させ、それによってガスを冷却することを含む方法。
【請求項２】
前記溶媒系と接触するとき、前記ガス圧が１００−３０００ｋＰａの範囲である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記溶媒系と接触するとき、前記ガス圧が５００−１５００ｋＰａの範囲である請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記接触工程前に、前記煙道ガスストリームを、大気圧より高い前記ガス圧まで圧縮することをさらに含む請求項１、２または３に記載の方法。
【請求項５】
アンモニアを溶解する水と接触させることにより前記ＣＯ２−希薄煙道ガスを冷却し、前記溶解したアンモニアを前記溶媒系に戻して再循環することをさらに含む請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記煙道ガスストリームを前記水性溶媒系と接触させる工程および前記ＣＯ２−希薄煙道ガスを冷却する工程が、共通の容器で実施される請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記接触工程を、２０℃を超える温度で行う請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記接触工程を、２０−５０℃の範囲の温度で行う請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
ＣＯ２を脱着するために溶媒ストリームに熱を加えることにより、ＣＯ２および／または重炭酸塩に富む溶媒ストリームからＣＯ２を脱着して、それによりＣＯ２−希薄溶媒ストリームを形成し、ＣＯ２−希薄溶媒ストリームを前記溶媒系に再循環することをさらに含む請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
ＣＯ２および／または重炭酸塩に富む溶媒ストリームから脱着した前記ＣＯ２を、貯蔵のために圧縮、冷却および液化する請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記溶媒ストリームと接触させる前に前記煙道ガスストリームを冷却することを含む請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
二酸化炭素を、煙道ガスストリームから回収する方法であって、
前記ストリームを、アンモニウム、炭酸および重炭酸イオンを含有する水性溶媒系と、１０℃より高い温度で接触させて、前記ストリームからＣＯ２を吸収し、
吸収したＣＯ２（炭酸塩、重炭酸塩およびＣＯ２（水性））を含有する前記溶媒を、前記ＣＯ２−希薄煙道ガスストリームから分離して、ＣＯ２および／または重炭酸塩に富む溶媒ストリームを形成し、
アンモニアを溶解する水と接触させることにより、前記ＣＯ２−希薄煙道ガスを冷却し、前記溶解したアンモニアを前記溶媒系に戻して再循環することを含む方法。
【請求項１３】
前記煙道ガスストリームを前記水性溶媒系と接触させる工程およびＣＯ２−希薄煙道ガスを冷却する工程が、共通の容器で実施される請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記冷却工程後、大気圧より高い圧力の前記冷却したＣＯ２−希薄煙道ガスを、低圧まで、例えば、実質的に大気圧まで膨張させることによりさらに冷却し、その結果残留アンモニアがさらに凝縮され、前記水性溶媒系に再循環される請求項１２または１３に記載の方法。
【請求項１５】
二酸化炭素を、煙道ガスストリームから回収する装置であって、
前記ストリームからＣＯ２を吸収するために前記ストリームを水性溶媒系と１０℃より高い温度で接触させ、かつ溶解アンモニアを含有するための、および吸収したＣＯ２を含有する前記溶媒を、ＣＯ２−希薄煙道ガスストリームから分離して、ＣＯ２および／または重炭酸塩に富む溶媒ストリームを形成するための吸収段と、
前記ＣＯ２−希薄ガスを受け取り、低い圧力にガスを膨張させるように取り付けられたガス膨張手段と
を含む装置。
【請求項１６】
圧縮機であって、前記煙道ガスストリームを大気圧より高い圧力まで圧縮するよう構成され、かつ前記吸収段に接続され、水性溶媒系との前記接触のために、加圧したガスを前記吸収段に送り、それにより接触工程中、接触が大気圧より高い圧力で行われる圧縮機をさらに含む請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記吸収段および前記冷却手段が、共通の容器により提供されている請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
ＣＯ２および／または重炭酸塩に富む溶媒ストリームを前記吸収段から受け取り、熱を加えてＣＯ２を前記ストリームから脱着し、それによりＣＯ２−希薄溶媒ストリームを形成するために接続されたストリッパー段をさらに含み、ストリッパー段は、ＣＯ２−希薄溶媒ストリームを前記溶媒系へ再循環するためにさらに接続されている請求項１５〜１７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１９】
前記溶媒系と接触させる前に、前記煙道ガスストリームを冷却する手段をさらに含む請求項１５〜１８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２０】
前記膨張の結果として前記煙道ガスから凝縮されたアンモニアが、水性溶媒系に再循環される段階をさらに含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
前記低い圧力が実質的に大気圧である、請求項１〜１１、及び２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
水と接触させることによる前記冷却が、低い圧力への前記膨張よりも前に実施される、請求項５に記載の方法。
【請求項２３】
前記ＣＯ２−希薄煙道ガスをアンモニアを溶解する水と接触させ、溶解したアンモニアを前記溶媒系に戻して再循環する構成をさらに含む、請求項１５〜１９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２４】
前記ガス膨張手段が、前記膨張の結果として前記煙道ガスから凝縮されたアンモニアが水性溶媒系に再循環されるように構成されかつ接続される、請求項１５〜１９、及び２３のいずれか一項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月12日(2011.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】
請求項１８に記載の、製造プロセスの製造工程間における基板の表面の早期乾燥を阻止するための方法であって、
前記飽和ガスケミストリは、脱イオン水蒸気、脱イオン水内窒素、脱イオン水内不活性ガス、又はそれらの任意の組み合わせのうちの任意の１つである、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図２は、処理領域の移行領域１３４に飽和ガスケミストリが導入される、本発明の一実施形態におけるシステムを示している。この実施形態では、基板１５０が処理領域内を運ばれるにつれて、基板１５０の表面は、移行領域１３４内において周囲空気に暴露され、飽和ガスケミストリによって処理される。システムは、基板１５０の表面に１つ又は２つ以上の液体洗浄ケミストリメニスカスを提供するためのプロキシミティヘッド１３０を備えた雰囲気制御室１００を含む。プロキシミティヘッド１３０は、洗浄ケミストリ１を提供するための個別の部分と、洗浄ケミストリ２を適用するための個別の部分とを含む。洗浄ケミストリ１、２は、リザーバ内において受け取られて液体メニスカスとして基板に供給される液体洗浄ケミストリである。洗浄ケミストリ１は、処理小領域１３２として特定される基板の表面の一部に、第１の注入口１３３を通して液体メニスカスとして適用され、洗浄ケミストリ２は、処理小領域１３６として特定される基板の表面の別の個別の部分に、第２の注入口１３７を通して液体メニスカスとして適用される。代替の実施形態では、処理領域を通って移動される基板に洗浄ケミストリ１、２を適用するために、１つのプロキシミティヘッドの代わりに複数のプロキシミティヘッド１３０−Ａ、１３０−Ｂが使用されてよい。第１及び第２の注入口（１３３、１３７）の各自における注入口制御部は、洗浄ケミストリ１、２の液体メニスカスを適用することを制御する。ガスケミストリアプリケータは、処理領域の移行領域１３４内に飽和ガスケミストリが実質的に閉じ込められるように、少なくとも１つのノズル１３５を通してハウジング室１００に飽和ガスケミストリを導入する。移行領域１３４内において飽和ガスケミストリを適用することは、基板１５０の表面が移行領域１３４内において飽和ガスケミストリに等方的に（すなわち方向的に均一に）曝露されるように制御される。ノズル１３５は、ハウジング室１００内への飽和ガスケミストリの流れを制御するためのノズル制御部を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月27日(2011.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信ネットワーク（３９）への伝送用の入力音声信号を圧縮するための音声コーダ（５５）を持つ通信装置（２１）を使用して、入力音声信号から隠れデータを回復する方法であって、前記方法は、前記通信装置（２１）によって実行されるものであり、前記入力音声信号を前記音声コーダ（５５）を通過させて、圧縮音声データを発生する工程と、前記圧縮音声データを処理して、前記隠れデータを回復する工程とを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記音声コーダ（５５）は、前記入力音声に対して線形予測（ＬＰ）を実行して前記入力音声を表すＬＰデータを生成し、前記処理工程は、前記ＬＰデータを処理して前記隠れデータを回復又は前記入力音声信号を識別する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記音声コーダ（５５）は、前記ＬＰデータを圧縮して該圧縮ＬＰデータを生成し、前記処理工程は、前記圧縮音声データから前記ＬＰデータを再生する工程を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ＬＰデータはＬＰフィルタデータを有し、前記処理工程は、前記ＬＰフィルタデータを使用して、前記隠れデータを回復し、好ましくは、前記処理工程は、合成フィルタのインパルス応答を生成する工程又は前記ＬＰフィルタデータに対して逆レビンソーンダービン（Levinson-Durbin）アルゴリズムを実行する工程を含む、請求項２又は３に記載の方法。
【請求項５】
前記ＬＰデータは、ＬＰフィルタデータとＬＰ励起データとを有し、前記処理工程は、前記ＬＰフィルタデータおよび前記ＬＰ励起データの１つに対応する圧縮音声データの部分集合を処理して、前記隠れデータを回復する、請求項２又は３に記載の方法。
【請求項６】
前記音声信号は、該音声信号の１つ以上のエコーによって規定される隠れデータを含み、前記処理工程は、前記圧縮した音声を処理して前記音声信号の中のエコーの存在を識別して、前記隠れデータを回復し、又は、前記隠れデータの各データ記号は、前記音声信号の中のエコーの組み合わせ又はエコーの系列によって表され、前記処理工程は、前記エコーの組み合わせを識別して前記隠れデータを回復する工程又は前記音声内のエコーの系列をたどって前記隠れデータを回復する工程を含む、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記音声コーダ（５５）は、予め規定された動作周波数帯域を持ち、前記エコーは、前記動作周波数帯域の予め決められた部分、好ましくは、前記動作周波数帯域上側部分の中に隠れており、前記処理工程は、前記予め定められた部分の外側の周波数を濾波して取り除くフィルタ工程を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記処理工程は、前記音声信号の時間フレームの系列の各々に対して１つ以上の自己相関値を決定し、該決定された自己相関値を使用して前記隠れデータを回復する、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記処理工程は、前記決定された自己相関値のハイパスフィルタリングを実行して、遅く変化する相関を取り除く、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記処理工程は、前記圧縮音声データからディジタル化された音声サンプルを生成することなしに、前記隠れデータを回復する、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
音響信号を受信し、該受信した音響信号を対応する電気音声信号に変換するマイクロフォン（２３）と、
前記電気音声信号をサンプリングして、デジタル音声サンプルを出力するＡ／Ｄ変換器（５３）と、
前記デジタル音声サンプルを圧縮して、通信ネットワーク（３９）への伝送用の圧縮音声データを生成する音声コータ（５５）と、
前記音声コータ（５５）に接続され、前記圧縮音声データを処理して、前記受信した音響信号内で運ばれた隠れデータを回復するデータ処理装置（１１５）と、
を有する通信装置（２１）。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の方法を実行するように適合された、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
音声信号を表すデジタル音声サンプルを受信及び圧縮して、圧縮音声データを生成する音声コーディング手段（１６１）と、
前記音声信号中に隠されるべきデータを受信する手段（１６３）と、
該受信したデータに依存して前記圧縮音声データを変化させることによって、圧縮音声データ中に前記受信したデータを隠して、変更圧縮音声データを生成する手段と、
前記変更圧縮音声データを使用して、元音声信号を表しかつ１つ以上のエコーを介して前記隠れデータを回復した音声サンプルを生成する手段（１６５）と、
を有するデータ隠蔽装置（５）。
【請求項１４】
プログラマブル処理装置に、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の処理工程を実行させるために適合したコンピュータ実現可能命令を有する、プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月25日(2011.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各チャネルが所定の周波数副帯域に関連した信号（ＳＤ１，…，ＳＤＰ）を取り扱うように構成された、複数のデジタル信号を受信するための複数の入力チャネルと、
各チャネルからの信号を合成して合成信号を形成するように構成されたデジタルコンバイナ（６８）と、
合成信号をデジタル領域からアナログ領域に変換するように構成された変換手段（７０）と、
変換手段（７０）の出力を処理して複数の出力信号を取り出すように構成されたアナログ処理手段（７２）と
を具備することを特徴とする信号処理システム。
【請求項２】
アナログ処理手段（７２）が、多素子アンテナの別個の素子（７６１，…、７６Ｐ）によって送信される複数の出力信号を取り出すように構成されることを特徴とする請求項１に記載の信号処理システム。
【請求項３】
複数の入力チャネルが、ビーム形成によって生成された複数のデジタル信号（ＳＤ１，…，ＳＤＰ）を受信するように構成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の信号処理システム。
【請求項４】
多素子アンテナの別個の素子（７６１，…、７６Ｐ）によって送信される複数の信号は、同一帯域の所定の周波数副帯域及び中央周波数に関連していることを特徴とする請求項２に記載の信号処理システム。
【請求項５】
デジタルコンバイナ（６８）が、すべてのデジタルチャネル信号を加算して１つの合成広帯域信号（Ｃ＝ＳＢＢｆ１＋ＳＢＢｆ２＋…＋ＳＢＢｆＰ）を形成するように構成され、
変換手段（７０）が、後続のアナログ領域での処理のために、１つの合成広帯域信号を変換するように構成された１つのデジタル−アナログコンバータであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の信号処理システム。
【請求項６】
変換手段（７０）が、複数のコンバータからなり、
各コンバータは、複数のアンテナ素子のうちの特定のサブセットに関連した出力信号が得られる合成信号を取り扱うように構成されていることを特徴とする請求項２又は４に記載の信号処理システム。
【請求項７】
アナログ処理手段（７２）が、変換された合成広帯域信号を複数のアナログ副帯域信号に分割するように構成されたアナログ分岐手段であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の信号処理システム。
【請求項８】
各出力チャネルの信号をベースバンド周波数（ＢＢ１，…，ＢＢＰ）からＲＦにアップコンバートするように構成された複数のアップコンバータモジュール（７４１，…，７４Ｐ）をさらに具備し、
各アップコンバータモジュール（７４１，…，７４Ｐ）は、関連するミキサに別個の周波数局部発振器周波数（ＬＯｆ１，…，ＬＯｆＰ）を提供するように構成されていることを特徴とする請求項２又は４に記載の信号処理システム。
【請求項９】
デジタルコンバイナ（６８）が、周波数多重化動作を実行することによって、複数（Ｐ）の副帯域信号をＰ倍のサンプルレートを有した１つの合成信号に合成するように構成されることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の信号処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月25日(2011.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バルブとともに用いられるための装置であって、
前記バルブは、容器に取り付けられるために配置され、前記バルブは、前記容器の内部に配置される第一部位と、前記容器の外部に配置される第二部位と、を含んでおり、
前記バルブの入口圧を検出する第一圧力センサと、
前記バルブの出口圧を検出する第二圧力センサと、
前記第一圧力センサおよび前記第二圧力センサを動作可能に連結した制御器と、を備えており、
当該制御器は、命令のセットを実行するために配置されるプロセッサを含んでおり、当該命令のセットは、
前記第一圧力センサからの入口圧を取得することと、
前記第二圧力センサからの出口圧を取得することと、
前記入口圧および出口圧の圧力差を計算することと、
前記バルブにおける複数の所定動作状態の一つに対応する前記バルブの態勢を決定するために、前記圧力差と所定のバルブの開いたときの差圧とを比較することと、を含んでいる、
装置。
【請求項２】
前記態勢は、流入を受けるように前記バルブが準備されているか否かを示している、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記バルブにおける複数の所定動作状態の一つは、開いた状態、閉じた状態、または、ブリード状態を含んでいる、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記制御器へ動作可能に連結されたディスプレイを含んでいる、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記制御器は、前記バルブの態勢に関するメッセージをユーザーへ伝達するものである、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記バルブの前記第一部位は、均一化部材およびポペットを備えている、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記入口圧は、前記容器内の圧力と実質的に等しい、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記バルブは、液化石油ガスを受けるものである、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記バルブは、内部過剰流れバルブを備えている、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
バルブ装置において用いられる方法であって、
前記バルブの入口圧を取得し、
前記バルブの出口圧を取得し、
前記入口圧および出口圧の圧力差を計算し、
前記圧力差が、所定のバルブの開いたときの差圧に達しているかまたは超えているか、を最初に決定し、当該最初の決定に基づいて、その次に、前記バルブにおける複数の所定動作状態の一つに対応する、前記バルブの態勢を決定するために、前記圧力差と前記所定のバルブの開いたときの差圧とを比較し、
そして、オペレータへ前記バルブの態勢を伝達することを含む、
方法。
【請求項１１】
容器内に前記バルブを置くこと、
そして、前記算出および比較のステップで行われる、命令のセットを実行するために配置されるプロセッサを含む制御器を用いること、を含む、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記バルブの態勢は、流入を受けるように当該バルブが準備されているか否かを示している、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記バルブにおける複数の所定動作状態の一つは、開いた状態、閉じた状態、または、中間の状態を含んでいる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記バルブにおける複数の所定動作状態に関してユーザーにメッセージを通信することを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
内部に取り付けられたバルブの態勢を決定するための装置であって、当該バルブは、容器に取り付けられるために配置され、当該バルブは、前記容器の内部に配置される第一部位と、前記容器の外部に配置される第二部位と、を含んでおり、
前記装置は、
前記バルブの入口圧を検出する第一圧力センサと、
前記バルブの出口圧を検出する第二圧力センサと、
前記第一圧力センサおよび第二圧力センサに動作可能に連結された制御器であって、当該制御器は、命令のセットを実行するために配置されるプロセッサと、を含んでおり、
当該命令のセットは、
前記第一圧力センサからの入口圧を取得することと、
前記第二圧力センサからの出口圧を取得することと、
前記入口圧および出口圧の圧力差を計算することと、
前記圧力差とバルブの開いたときの所定の差圧とを比較することと、
前記制御器を、前記圧力差が前記バルブの開いたときの差圧に達しているときには、オペレータにバルブを開くメッセージを送るようにさせることと、
前記制御器を、前記圧力差が前記バルブの開いたときの差圧を超えているときには、バルブを閉じるメッセージを送るようにさせること、を含んでおり、
それゆえ、前記オペレータは、前記バルブが開いているか閉じていることを決定することが可能である、
装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月6日(2010.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線エンドポイントにおいて使用される方法であって、
複数のチャネルの１つを選択するステップと、
ダウン変換された信号を提供するため、前記選択されたチャネルにより受信した信号をダウン変換するステップと、
間引きされた信号を提供するため、前記ダウン変換された信号を間引くステップと、
前記選択されたチャネルにおける既存信号の存在を検出するため、前記間引かれた信号におけるエネルギーピークを検出するステップと、
既存信号が存在しない場合、前記選択されたチャネルが利用可能であることを示すため、利用可能チャネルリストをマーク付けするステップと
を有する方法。
【請求項２】
前記検出するステップは、
前記間引かれた信号のパワースペクトル密度の関数として決定メトリックを決定するステップと、
前記選択されたチャネルにおける既存信号の存在を検出するため、前記決定された決定メトリックと閾値とを比較するステップと、
を有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記決定メトリックは、
【数１１】
2010530174.tif 000001
であるパラメータＴにより表される、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記決定メトリックは、
【数１２】
2010530174.tif 000002
であるパラメータＴにより表される、請求項２記載の方法。
【請求項５】
前記検出するステップは、
前記間引かれた信号のサイクリックスペクトルの関数として決定メトリックを決定するステップと、
前記選択されたチャネルにおける既存信号の存在を検出するため、前記決定された決定メトリックと閾値とを比較するステップと、
を有する、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記決定メトリックは、すべてのサイクリックスペクトルに対する周波数０における最大振幅である、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記既存信号は、ＡＴＳＣ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍｓ  Ｃｏｍｍｉｔｔｅｄ）信号である、請求項１記載の方法。
【請求項８】
選択されたチャネルからダウン変換された信号を提供するダウンコンバータと、
間引きされた信号を提供するため、前記ダウン変換された信号を間引く間引き手段と、
前記選択されたチャネルにおける既存信号の存在を検出するため、前記間引かれた信号におけるエネルギーピークを検出するプロセッサと、
既存信号が存在しない場合、前記選択されたチャネルが利用可能であることを示すため、利用可能チャネルリストを格納するメモリと
を有する装置。
【請求項９】
前記プロセッサは、
（ａ）前記間引かれた信号のパワースペクトル密度の関数として決定メトリックを決定し、
（ｂ）前記選択されたチャネルにおける既存信号の存在を検出するため、前記決定された決定メトリックと閾値とを比較する、請求項８記載の装置。
【請求項１０】
前記決定メトリックは、
【数１３】
2010530174.tif 000003
であるパラメータＴにより表される、請求項９記載の装置。
【請求項１１】
前記決定メトリックは、
【数１４】
2010530174.tif 000004
であるパラメータＴにより表される、請求項９記載の装置。
【請求項１２】
前記プロセッサは、
（ａ）前記間引かれた信号のサイクリックスペクトルの関数として決定メトリックを決定し、
（ｂ）前記選択されたチャネルにおける既存信号の存在を検出するため、前記決定された決定メトリックと閾値とを比較する、請求項８記載の装置。
【請求項１３】
前記決定メトリックは、すべてのサイクリックスペクトルに対する周波数０における最大振幅である、請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
前記既存信号は、ＡＴＳＣ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍｓ  Ｃｏｍｍｉｔｔｅｄ）信号である、請求項８記載の装置。
【請求項１５】
既存信号が存在しない場合、前記選択されたチャネルが利用可能であることを示すため、利用可能チャネルリストを格納するメモリをさらに有する、請求項８記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月8日(2011.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
耳の耳介と係合するスピーカー、
無線受信器を含み、前記スピーカーに導体によって接続された電子部品を有するハウジング、
前記電子部品に接続されている電源、
前記電子部品に接続されたアンテナ、および
前記ヘッドセットを安定化しかつ支持するためユーザーの耳たぶに接続するための、ハウジングから伸びている耳介把持手段を有する、人の耳に接続されかつそこからぶら下がる無線オーディオヘッドセット。
【請求項２】
前記スピーカーが、外耳道中に伸びるように形作られた耳プラグの部分を形成している、請求項１記載のヘッドセット。
【請求項３】
前記ヘッドセットは、耳プラグと電子部品ハウジング間に伸びているスピーカーブームを有し、前記スピーカーブームは、スピーカーと電子部品間の導体を収容しており，かつ前記スピーカーブームはユーザーの外耳道と係合すると前記ヘッドセットに安定性を与える、請求項２記載のヘッドセット。
【請求項４】
前記ヘッドセットは、ハウジングからスピーカーに伸びる接続取り外しが可能なスピーカーブームを有し、異なるユーザーに適合するため異なった長さのスピーカーブームと交換できる、請求項１記載のヘッドセット。
【請求項５】
前記スピーカーは、外耳道に入れずに、耳介の下部耳甲介で係合するようヘッドセット上に位置付けられている、請求項１記載のヘッドセット。
【請求項６】
前記ヘッドセットは、調整および曲げることが出来るスピーカーブームを有し、このブームは、異なったユーザーに適合するため調整出来るように前記スピーカーを前記電子部品ハウジングに接続している、請求項１記載のヘッドセット。
【請求項７】
前記アンテナは、前記ハウジングから外側に伸びている、請求項１記載のヘッドセット。
【請求項８】
前記ヘッドセットは、前記ハウジング中の電子部品に導体によって接続され、そしてユーザーの口の方に伸びているマイクロフォーンを有し、かつ前記無線受信器は送受信器である、請求項１記載のヘッドセット。
【請求項９】
前記電源は、電子部品を有するハウジング中に収容されるバッテリーであり、前記バッテリーは電子部品，スピーカーおよびマイクロフォーンへ電力を供給する、請求項１記載のヘッドセット。
【請求項１０】
前記ヘッドセットは、ハウジングから伸びるマイクロフォーンブームを有し、前記マイクロフォーンはこのマイクロフォーンブームの一端で支持されている、請求項８記載のヘッドセット。
【請求項１１】
前記マイクロフォーンブームは、前記アンテナを含んでいる、請求項１０記載のヘッドセット。
【請求項１２】
前記耳介把持手段は、前記電子部品ハウジングに接続されかつそこから伸びている耳ピアスポストを有し、耳ピアスポストの外側端部に固定するためのクラッチ手段を使って、耳ピアスポストが耳たぶ中のピアス孔を通して伸びる時、ユーザーの耳の耳たぶにハウジングを固定する、請求項１記載のヘッドセット。
【請求項１３】
前記電源は、バッテリーであり、前記バッテリーは、ピアスポストの外側端部に接続されかつ電子部品を有するハウジングからは耳介の反対側に位置付けられるケース中に保持されている、請求項１２記載のヘッドセット。
【請求項１４】
前記バッテリーケースは前記クラッチ手段有している、請求項１３記載のヘッドセット。
【請求項１５】
前記バッテリーおよびケースは、中央孔を有し、かつ前記ピアスポストはその中央孔中に伸びている、請求項１３記載のヘッドセット。
【請求項１６】
前記ヘッドセットは、さらに耳ピアスポストと電子部品ハウジング間に設けられた、耳ピアスポストを電子部品ハウジングから取り外すことが出来るような磁石接続を有する、請求項１２記載のヘッドセット。
【請求項１７】
前記耳介把持手段は、耳たぶと係合するように位置決めされたクランプを有する、請求項１記載のヘッドセット。