【事件の表示】
　特願２００１−１１６３１０「シリコン薄膜製造装置及びシリコン薄膜製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１２月２６日出願公開，特開２００１−３５８０８７〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成９年５月８日に出願した特願平９−１１８１３６号（以下「原出願」という。）の一部を分割して，平成１３年４月１６日に新たな特許出願としたものであって，平成１７年１１月１４日付けの拒絶理由通知に対して，平成１８年１月２０日付けで手続補正書及び意見書が提出され，平成１９年１月３０日付けの最後の拒絶理由通知に対して，同年３月１９日付けで手続補正書及び意見書が提出されたが，前記同年３月１９日付け手続補正書でした明細書の補正について同年１０月１８日付けで補正の却下がされ，同日付けで本願の拒絶の査定がされた。
　これに対し，同年１１月２６日に審判の請求がされるとともに，同年１２月２５日付けで手続補正書が提出された。
　
第２　平成１９年１２月２５日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正の却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲と発明の詳細な説明を補正するものであり，特許請求の範囲については，以下のとおりである。
（１）請求項１について
　補正前（平成１８年１月２０日に提出された手続補正書による。以下，同じ。）の請求項１の「前記レーザ光を複数の光路へと順次供給する分配手段」を，補正後の請求項１の「前記パルスレーザ光源が連続発振中に発振された前記レーザ光を複数の光路へと順次供給する分配手段」と補正し，補正前の請求項１の「前記分配手段により供給されたレーザ光を受けた後，次のレーザ光を供給されるまでの間に，前記レーザ光の照射領域を所望の位置に移動する移動機構とを有する」を，補正後の請求項１の「前記分配手段によりレーザ光が供給された光路の延長上に配置された基板がレーザ光を受けた後，次のレーザ光を受ける基板にレーザ光が供給されるまでの間に，次のレーザ光を受ける基板の照射領域を所望の位置に移動する移動機構とを有し，各照射範囲における照射パルス数が一定となるように制御される」と補正する。
（２）請求項４について
　補正前の請求項４の「前記レーザ光を複数の光路へと順次供給し」を，補正後の請求項４の「前記パルスレーザ光源が連続発振中に発振された前記レーザ光を複数の光路へと順次供給し」と補正し，補正前の請求項４の「前記複数の光路の延長上に配置された前記基板への前記レーザ光の照射領域を，レーザ光を受けた後，次のレーザ光を供給されるまでの間に，所望の位置に移動する」を，補正後の請求項４の「レーザ光が供給された光路の延長上に配置された基板がレーザ光を受けた後，次のレーザ光を受ける基板にレーザ光が供給されるまでの間に，次のレーザ光を受ける基板の照射領域を所望の位置に移動し，各照射範囲における照射パルス数が一定となるように制御する」と補正する。
（３）請求項６について
　補正前の請求項６を，削除する。
　
２　補正目的の適否
（１）上記補正内容について検討する。
　　ア　請求項１について
　請求項１についての補正内容は，補正前の「前記レーザ光を複数の光路へと順次供給する分配手段」について，「前記パルスレーザ光源が連続発振中に発振された」点を限定したものであり，また，補正前の「前記複数の光路の延長上に配置された前記基板への前記レーザ光の照射領域を移動する移動機構であって，前記分配手段により供給されたレーザ光を受けた後，次のレーザ光を供給されるまでの間に，前記レーザ光の照射領域を所望の位置に移動する移動機構とを有する」との構成について，「前記分配手段によりレーザ光が供給された光路の延長上に配置された基板」である点，「次のレーザ光を受ける基板にレーザ光が供給される」点，及び「次のレーザ光を受ける基板の照射領域」である点を限定するとともに，「各照射範囲における照射パルス数が一定となるように制御される」との構成を追加したものである。
　本件補正により追加された「各照射範囲における照射パルス数が一定となるように制御される」との構成は，補正前の請求項１に見当たらないが，補正前の請求項６には，「前記レーザ項の所望のパルス数を前記基板の所望の領域に照射した後」とあり，この請求項６の「所望のパルス数を」「照射」する点を，「照射パルス数が一定となるように」したと限定した上で，補正前の請求項１に追加したと理解することもできる。
　そうすると，請求項１についての補正は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものといえる。
　　イ　請求項４について
　請求項１についての補正内容と実質的に同じである。したがって，上記と同じ理由で，請求項４についての補正も，特許請求の範囲の減縮を目的とするものといえる。
　　ウ　請求項６について
　請求項６についての補正は，請求項の削除を目的とするものである。
（２）したがって，特許請求の範囲についての本件補正は，平成１８年法律５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項１号及び２号に規定する請求項の削除及び請求の範囲の限定的減縮を目的とするものである。
（３）上記のとおり，本件補正は，特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものである。
　そこで，以下，補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項に規定する独立特許要件を満たすか）について，検討する。
　
３　独立特許要件の成否
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は，次のとおりである。
　
【請求項１】
「パルスレーザ光源から発振されたレーザ光の１照射範囲よりも大きな基板上に堆積されたシリコン薄膜に前記レーザ光を照射するシリコン薄膜製造装置であり，
　前記パルスレーザ光源が連続発振中に発振された前記レーザ光を複数の光路へと順次供給する分配手段と，
　前記複数の光路の延長上に配置された前記基板への前記レーザ光の照射領域を移動する移動機構であって，前記分配手段によりレーザ光が供給された光路の延長上に配置された基板がレーザ光を受けた後，次のレーザ光を受ける基板にレーザ光が供給されるまでの間に，次のレーザ光を受ける基板の照射領域を所望の位置に移動する移動機構とを有し，
　各照射範囲における照射パルス数が一定となるように制御されることを特徴とするシリコン薄膜製造装置。」
　
（２）引用例の表示
　　引用例１：特開平５−９０１９１号公報
　　引用例２：特開平６−１８１３５４号公報
　　引用例３：特公平４−１２６０２号公報
　
（３）引用例１の記載内容と引用発明
（３−１）引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の原出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平５−９０１９１号公報（以下「引用例１」という。）には，「パルスレーザアニール装置」（発明の名称）に関して，図１，図４とともに，次の記載がある（下線は当審で付加したもの。以下同じ。）。
　　ア　発明の背景等
・「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は，例えば半導体装置の表面に短時間のレーザ照射を行って浅い接合を形成する場合に用いるパルスレーザアニール装置に係わる
【０００２】
【従来の技術】パルスレーザを用いたアニール法は，半導体ウェファの表面から２００Å程度の最表面領域を，融点温度にまで極めて短時間の加熱によって昇温させることができるので，例えばＦＥＴ（電界効果トランジスタ）の浅いソース／ドレイン接合を形成する場合のアニール方法として，或いはＴＦＴ（薄膜トランジスタ）の結晶欠陥を低減し，電気的特性を向上するためのアニール方法として研究開発が活発に行われている。
【０００３】
一般にパルスレーザアニール装置におけるレーザ光は，光学機械により１パルス毎また複数パルス毎に照射位置を移動しながら，被照射面例えば半導体ウェファの表面上を一行毎に改行動作を繰り返して，半導体ウェファ全面に照射されるようになされている
【０００４】そしてこのような装置においては，半導体ウェファの交換時には，パルス発振を停止し，次のウェファが用意されてから再発振するようになされる。また例えば光学機械によるレーザ光の改行時には，通常パルス発振を停止し，改行動作が完了してから再発振するようになされる。
【０００５】しかしながら，パルスレーザアニール装置から発振されるレーザ光は，レーザの発振周波数を断続的に変化させると出力が大きく変動するという問題があり，レーザ光をウェファ面内へ走査する過程で，ウェファ交換毎または改行動作毎にレーザ光の出力が大きく変動し，半導体ウェファ上に作製する素子の特性にばらつきが生じるという問題がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は，上述したパルスレーザアニール装置において，レーザ光出力の変動を低減化し，これにより特性の均一な半導体素子を得られるようにする
　　イ　実施例
・「【００１０】
【実施例】以下図１を参照して本発明パルスレーザアニール装置の一例を詳細に説明する。
【００１１】
図１において，１はパルスレーザ発振装置で，このレーザ出射口１Ａから出射されたレーザ光Ｌは，ミラーＭ
1
 によって反射されて光遮断装置２に入射された後，更にこの遮断装置２から出射されたレーザ光ＬがミラーＭ
2
 及びＭ
3
 によってレーザ光走査装置３に入射される
このレーザ光走査装置３によってレーザ光Ｌが，例えば一辺が数ｍｍ〜数１０ｍｍの正方形または長方形スポットに整形されて，試料ステージ５上のＳｉウェファ等の被照射体４の被照射面４Ｓに走査照射される
【００１２】このような構成におけるレーザ光の照射態様について説明する。先ず，
レーザ光走査装置３は，照射面４Ｓ上の１行の走査動作を完了すると同時に信号線７により改行開始を伝える信号ｐを電動シャッター等を有する光遮断装置２に送信し，電動シャッターが閉じてレーザ光Ｌを遮るようになす
レーザ光走査装置３は，レーザ光Ｌが遮断された状態で矢印ａで示すように，改行動作を行って照射領域６を次行へ移動させる
【００１３】
このときパルスレーザ発振装置１は，停止することなく所定のパルス間隔例えば一定の周波数で発振しており，レーザ出力の変動は極めて低く抑えることができる
【００１４】
次にレーザ光走査装置３は，改行動作を完了し，走査準備ができると同時に信号線７によって改行動作完了の信号ｐを電動シャッター等の光遮断装置２に送信し，電動シャッターが開くようになす
これに同期して光遮断装置２は信号線７によりレーザ光走査装置３へシャッターを開いたことを示す信号を送り，レーザ光走査装置３はこの信号を受けると同時にレーザ光の走査を開始するようになす
【００１５】以上の動作は，半導体ウェファ等の被照射体４の外側領域，即ち矢印ａで示す外側領域での移動時において行われるので，万一光遮断装置２のシャッターの開くタイミングと走査開始のタイミングが微妙にずれたとしても，半導体ウェファ上の素子の特性には全く影響がない。」
・「【００１９】このような出力変動が生じている場合，図４にパルスレーザ照射によって接合を形成する場合の，再結晶化度及びシート抵抗の変化を示すように，例えばレーザ出力１０００ｍＪ／ｃｍ2 に対し−１５％程度の出力変動があると，即ち図４に示すようにＰ1 の出力変動があるとすると，シート抵抗の変動が１．５倍程度となってしまい，再結晶化度と共に大きく変動してしまい，半導体素子の特性に大きな影響を与える。
【００２０】しかしながら，
本発明による場合は出力変動が図４においてＰ
2
 で示すように５％未満程度に抑制できるので，この場合シート抵抗の変動は１．１倍程度となって再結晶化度と共にほとんど変わることがない
従って，本発明によれば均一な特性の半導体素子を得ることができることとなる
【００２１】尚，上述の実施例においては，半導体素子の作製に本発明パルスレーザアニール装置を適用した場合について説明したが，本発明はその他種々のレーザアニールに用いることができ，またその構成も本発明構成を逸脱することなく種々の構成を採ることができる。」
　　ウ　発明の効果
・「【００２２】
【発明の効果】上述したように，
本発明パルスレーザアニール装置によれば，被照射体への照射中断時において，パルスレーザ発振を中断することなく連続的に出射させることができるため，パルスレーザ発振出力の変動を低減化することができる
【００２３】
このため，例えば半導体装置のアニールを均一な出力で行うことができて，特性の変動を抑制することができ，均一な特性の半導体装置を得ることができる
　
（３−２）引用発明
　上記ア〜ウによれば，引用例１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「パルスレーザ発振装置１から出射されたレーザ光Ｌを試料ステージ５上の被照射体４の被照射面４Ｓに走査照射するように構成された，薄膜トランジスタのアニールに用いるパルスレーザアニール装置であって，
　前記レーザ光Ｌが入射される光遮断装置２と，
　前記レーザ光Ｌが正方形または長方形スポットに整形されて，前記試料ステージ５上の前記被照射体４の前記被照射面４Ｓを走査照射するためのレーザ光走査装置３を有し，
　前記パルスレーザアニール装置におけるレーザ光は，１パルス毎また複数パルス毎に照射位置を移動することを特徴とする，薄膜トランジスタのパルスレーザアニール装置。」
　
（４）引用例２及び引用例３の記載内容（レーザの並行照射（時分割照射）による処理の効率化についての技術水準）
（４−１）引用例２の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の原出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平６−１８１３５４号公報（以下「引用例２」という。）には，「レーザ光学装置」（発明の名称）に関して，図１，２とともに，次の記載がある。
　　ア　発明の背景等
・「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は，複数のレーザ作業を同時に並行的に行うレーザ光学装置に関する
【０００２】
【従来の技術】レーザビームによって物の加工を行う場合，１つのレーザ源と１つの加工対象物との組合せをとっている。従って，複数生産ラインのもとで同時併行的に，各ラインの加工対象物を加工するには，各ライン毎に１つのレーザ源を用意しておく必要がある。例えば，加工対象物を半導体装置のダムバーとした場合，４つの生産ラインのもとで半導体装置をそれぞれダムバー除去するには，それぞれのライン毎の総計４個のレーザ源を用意して，同時に４個の半導体装置のダムバー除去をはかるやり方をとる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
完全同時に複数の生産ラインの対象物の加工を行うには，確かに複数のレーザ源を必要とするが，生産ラインや加工対象物によっては完全同時の加工をしなくてもよい場合は多い
こうした認識作業や位置合わせ作業を行っている間にあってはレーザ放出はなく，いわゆる遊んでいる状態であり，作業加工システムからみるとこの間はレーザ源は不要である。特にレーザ源は１個当り数百万円と高く，生産ライン分用意したり，又遊ばせておくことも好ましくない
【０００４】例えば，半導体装置のダムバー除去をレーザビームによって行う例でみるに，リードフレームが４辺に張り出しているＱＦＰ形の半導体装置がある。ＱＦＰ形は，リードフレーム間ピッチが狭く，且つピン数（リードフレームの数）も３００〜５００本と非常に多いが，その需要は増大している。同じ型式の半導体装置を毎月数１０万〜数１００万個と大量生産することが望まれている。かかるＱＦＰ形の半導体装置のダムバーを生産ライン上で除去するには，高速，高繰り返し，高精度加工が必要である。然るに，ダムバー除去のためには，１つ１つのダムバーをそのレーザビームの照射位置に一致するような位置決めが必要である。これを４辺のすべてにわたって行う必要がある。又，半導体装置をダムバー除去のための加工テーブルに搭載する作業が必要であり，除去完了後の加工テーブルから搬出する作業も必要である。
【０００５】
本発明の目的は，単一のレーザ源によって複数の作業を，完全同時ではないが，同時併行的に可能にする光学装置を提供する
　　イ　作用
・「【００１０】
【作用】
本発明によれば，単一のレーザ源のもとで，切替ミラーが時分割に切替り，レーザビームが同時併行的に照射できることになる
　　ウ　実施例
・「【００１１】
【実施例】
図２は本発明の光学装置を半導体装置の加工装置に適用した実施例図である。４つの搬送ライン（作業ライン）１〜４は，送給装置１７を構成し，この各ライン１〜４上には，前工程での作業完了後の半導体装置９が搭載され，ロボット１６が，ハンドにより半導体装置を把持し，加工台テーブル１０の上に乗せて固定されて加工対象となる
【００１２】
レーザ源１は４つの搬送ライン１〜４用の単一のレーザ発生源である。レーザビーム切替ユニット２は，チョッパ形式でレーザ源１からのレーザビームを時分割的に分配して，４つの搬送ライン上の４つの加工テーブルの半導体装置を併行的に加工するために設けてある
この切替ユニット２は，少なくとも，３つの切替ミラー３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，及び反射用のベンディングミラー５，集光レンズ１２，加工ヘッド１３，及び監視用のＴＶカメラ１４より成る。レーザ源１からのレーザビーム励起は，事前に設定されたタイミングで行う
ＴＶカメラ１４は，レンズ１５を介して半導体装置及びダムバーの位置決めのための監視であり，画像処理装置２０がその撮像信号を取り込み，必要な画像解析を行い位置合わせ制御に供する
【００１３】
切替ユニット２からのレーザビームが固定位置から与えられるものであるため，加工テーブル１０は，ＱＦＰの４辺及び各辺の切断用ダムバー位置にレーザビームが正確に照射できるように，移動可能になっている
【００１４】
ダムバー切断完了後，別のロボット１８が半導体装置を加工テーブル上から取りはずし，搬出ライン１９に乗せ次工程のために送り出す。このようにして，単一のレーザ源１のレーザビームを切替ユニット２で分配して供給し，併行的に４つの半導体装置９の加工を行う
【００１５】
図１（イ）は，加工ユニット２内の切替ミラーを示す図である。チョッパ形式の切替ミラー３Ａ，３Ｂ，３Ｃは図（ロ）に示すように，円板形状体であり，円周方向に全反射部（１），透過部とを持つ
図（ロ）では，全反射部（１）は，円周方向の中の１／４区分（即ち，１／４象限分）を占め，残りが透過部（０）である
切替ミラー３Ａ，３Ｂ，３Ｃは，レーザ源１から放出されるレーザビーム６が通過する光軸方向に直線状に配置してある
最後尾に，反射ミラーとなるベンディングミラー５を設置する
【００１６】
切替ミラー３Ａ，３Ｂ，３Ｃは支持部４Ａ，４Ｂ，４Ｃで支持されており，この支持部４Ａ，４Ｂ，４Ｃが，コントローラ８の制御を受けたドライバー７によって円周方向に回転する
この回転を行うことで，レーザビーム６は，切替ミラー３Ａ，３Ｂ，３Ｃのいずれかの全反射部（１）で反射を受け，レーザビームａ，ｂ，ｃとして分配される
切替ミラー３Ａ，３Ｂ，３Ｃのいずれもがレーザビームに対して透過（即ち透過部が対応していること）であれば，最後尾のベンディングミラー５で反射を受けレーザビームｄとして分配される
・「【００２０】
このように，ドライバー７で１／４象限ずつ切替ミラー３Ａ，３Ｂ，３Ｃを回転させることで，ａ→ｂ→ｃ→ｄなる時分割によるレーザビーム分配が可能となる
・「【００４２】
このようにして，４つのライン１〜４に運ばれてくる半導体装置を搭載したホルダーは，次々に加工テーブルに載せられて加工されてゆく
そして，この間，単一のレーザビームを時分割で分配し，ダムバーの時分割除去を行う
この間にあっては，他のホルダー作業中，それ以外のホルダーの移動や回転を空時間を利用して行うことにしているため，時分割のレーザ分配の効率的な運用と，複数作業ラインの同時加工的な作業が行えることになった
　　エ　発明の効果
・「【００５６】
【発明の効果】
本発明によれば，単一のレーザ源のみで，複数のレーザビームの出射が時分割的に可能となり，複数のレーザ作業を同時併行的に実現する
　
（４−２）引用例３の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の原出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特公平４−１２６０２号公報（以下「引用例３」という。）には，「レーザトリミング装置」（発明の名称）に関して，第１図〜第４図とともに，次の記載がある。
　　ア　特許請求の範囲
・「１  レーザ発振器と，このレーザ発振器から発振されたレーザ光を二以上の光路に偏向するデイフレクタと，それぞれの光路に対応し，このデイフレクタで偏向されたレーザ光を被加工物上に集光し走査する二以上のスキヤン光学部と，被加工物を載置するステーシヨン部と，被加工物の抵抗値等に応じ前記レーザ発振器の発振・停止制御及び前記スキヤン光学部の走査制御を行なう計測制御部とから成り，該計測制御部は，或る被加工物についてトリミングしている間に，他の被加工物についてトリミングするための準備として，該被加工物の位置決めや，該被加工物上に前記レーザ光を集光走査すべきスキヤン光学部の，集光走査のチエツクをなすことを特徴とするレーザトリミング装置。」
　　イ　発明の背景等
・「〔発明の利用分野〕
  
本発明は，レーザ加工装置に係り，特にレーザトリミングを高効率で行うことのできるレーザトリミング装置に関する
〔発明の背景〕
  従来，基板上に印刷された抵抗にレーザ光で溝を形成して抵抗値の調整を行うレーザトリミング装置としては第１図に示すようなものが知られている。即ち，１はレーザ発振器であり，パルス幅の狭い，大きいピーク値からなる単一パルスを得るためにＱスイツチ２を備えている。このレーザ発振器１に対し直角に配置した本体ステーシヨン７上の被加工物６に，レーザ発振器１からのレーザ光３を照射するように，45°に傾けた反射鏡４が光路上に配設されている。この反射鏡４で反射したレーザ光３はスキヤン光学部５に入射し，ここで被加工物６の加工位置等に適合するように集光・走査がなされる。そして，レーザ発振器１の発振・停止，スキヤン光学部５によるレーザ光の走査及び被加工物６の抵抗値測定等が計測制御部９により制御されている。尚，８は制御ラインである。
  係るレーザトリマー装置によるフアクシヨントリミングは，レーザ加工の対象製品である厚膜モジユールの回路を動作させ，回路特性を所望の目標値に合致せしめるものである。
  ところが，
実際のトリミングにおいては，回路を切換えた際の回路が安定するまでの時間や，トリミング後の測定時間の占める割合が大きく，全作業時間の半分以上にもなる
このため，トリマー装置のレーザの発振している時間はわずかで，レーザ発振効率は極めて低いものであつた
  このような従来のレーザトリミング装置の加工状態をタイミングチヤートで表わすと第３図の如きものであつた。尚，横軸は時間の経過を表わし，縦軸はレーザ光の照射量を示す。したがつて，この図からも明らかな如く，実際にトリミング加工が行なわれていることを示す矩形の領域は極めてわずかである。
〔発明の目的〕
  
本発明の目的はレーザの発振効率を高め，したがつてレーザトリミング作業を効率的に可能とするレーザトリミング装置を提供することにある
　　ウ　実施例
・「〔発明の実施例〕
  以下，本発明の一実施例について図面を参照して説明する。尚，図面中同一箇所には同一符号を付してある。第２図は本発明に係るレーザトリミング装置の一例を示す構成図である。
  １はレーザ発振器であり，パルス幅が狭く，大きなピーク値から成る単一パルス化されたレーザ光を得るためにＱスイツチ２を備えている。Ｑスイツチ２の方法としては，例えば共振器の中に電気光学的素子を置き，外部から電圧を加えることによつて偏光の方向を制御することが採られる。
レーザ発振器１から照射されたレーザ光３はデイフレクタ１０に入射される
デイフレクタ１０はレーザ光３が複数の光路を採り得るよう切換えて偏向する
この実施例では２つの光路が選択されるようにしている
まず，第１の光路を通つたレーザ光３１は光路上に45°傾いて配設された反射鏡４１により直角に曲げられる
反射鏡４１で光路を曲げられたレーザ光３１は，その光路上前方に配設されたスキヤン光学部５１に入射する
スキヤン光学部５１は，トリミング作業に適するようにレーザ光３１を集光させさらに走査するためのものである
  
次に，レーザ光３をデイフレクタ１０により第２の光路に偏向させた場合を説明する
  
デイフレクタ１０により光路を偏向されたレーザ光３２は，光路上配設された２枚の反射鏡４２，４３によつて直角に曲げられる
１枚目の反射鏡４２の傾きは，レーザ光がレーザ発振器１から照射された際の方向と水平に進行する様に設定され，２枚目の反射鏡４３は45°に傾いて設けられ，レーザ光３２を直角に曲げている
レーザ光３１が第１の光路を進行した場合と同様に，反射鏡４２，４３で光路を曲げられたレーザ光３２はその光路上前方に配設されたスキヤン光学部５２に入射する
レーザ光３２はスキヤン光学部５２で集光され，走査される
このスキヤン光学部５２は５１と同じものでよい
  このように構成したレーザトリミング装置によるトリミング加工は次のように行なわれる。まず所望の加工を行う抵抗体６１の位置決め等が計測制御部９により行なわれた後，加工位置に合わせてスキヤン光学部５１の集光・走査がチエツクされる。次いで，計測制御部９はデイフレクタ１０を第１の光路に偏向する様制御する。これら一連の加工開始前の準備作業が終了すると，計測制御部９はレーザ発振器１を発振させ，レーザ光３を照射する。所望の抵抗値となる様な溝形成の間に，計測制御部９は第２の光路上の抵抗体６２の位置決めやスキヤン光学部５２の集光・走査をチエツクする。トリミングは抵抗体６１の抵抗値を逐次計測制御部９で測定しながら行なわれる。
一つの工程が終了したら，速やかに計測制御部９はデイフレクタ１０を制御し，レーザ光３を第２の光路に偏向させる
そして，抵抗体６２のレーザトリミングが同様に行なわれる
この間には，計測制御部９は再び第１の光路上にある抵抗体６１の次の加工の位置決め等を行う
これら作業は，基板７１，７２に印刷した抵抗６１，６２の全ての加工が終了するまで繰り返して行なわれる
  
このような本発明に係るレーザトリミング装置の加工状態をタイミングチヤートで表わしたものが第４図である
これから明らかな如く，全作業時間においてレーザ光の照射されていないロスタイムはわずかとなり，レーザ発振を効率よく行うことができる
さらにレーザ光の光路偏向数を増やし，それに応じてスキヤン光学部，ステーシヨン部を増設することにより，レーザ発振の停止している時間を零とすることもできる
　　エ　発明の効果
・「〔発明の効果〕
  
本発明によれば，１個のレーザ発振器から発振されるレーザ光を，任意の時分割制御方式により，複数個のスキヤン光学部を介して複数ケ所でレーザトリミングが出来るため，レーザ発振時間を最大限に設定することが可能である
複数ケ所で加工が行なえるので，従来のレーザトリミング装置と比較し，加工能力は飛躍的に増大しており高価な設備に対する投資効率は極めて優れたものとすることができる
　
（４）本願補正発明と引用発明の一致点及び相違点
（４−１）本願補正発明と引用発明の対比
　　ア　上記（３−２）で認定した引用発明を再掲すると，次のとおりである。
「パルスレーザ発振装置１から出射されたレーザ光Ｌを試料ステージ５上の被照射体４の被照射面４Ｓに走査照射するように構成された，薄膜トランジスタのアニールに用いるパルスレーザアニール装置であって，
　前記レーザ光Ｌが入射される光遮断装置２と，
　前記レーザ光Ｌが正方形または長方形スポットに整形されて，前記試料ステージ５上の前記被照射体４の前記被照射面４Ｓを走査照射するためのレーザ光走査装置３を有し，
　前記パルスレーザアニール装置におけるレーザ光は，１パルス毎また複数パルス毎に照射位置を移動することを特徴とする，薄膜トランジスタのパルスレーザアニール装置。」
　　イ　本願補正発明と引用発明の構成の対応関係は，次のとおりである。
　　（ア）引用発明の「パルスレーザ発振装置１」，「レーザ光Ｌ」，「被照射面４Ｓ」は，それぞれ，本願補正発明の「パルスレーザ光源」，「レーザ光」，「１照射範囲」に対応する。
　引用発明は「薄膜トランジスタ」をアニールするためのものであるから，引用発明の「被照射体４」が，基板と基板上に堆積されたシリコン薄膜を有することは明らかである。
　引用発明の「被照射体４の被照射面４Ｓ」には，「レーザ光Ｌを」「走査照射する」から，「被照射面４Ｓ」よりも「被照射体４」の方が大きいことは明らかであり，したがって，引用発明の「被照射体４」は，本願補正発明の「レーザ光の１照射範囲よりも大きな基板」に対応する。
　引用発明の「薄膜トランジスタのアニールに用いるパルスレーザアニール装置」も，「シリコン薄膜製造装置」である点で，本願補正発明と共通する。
　そうすると，引用発明の「パルスレーザ発振装置１から出射されたレーザ光Ｌを試料ステージ５上の被照射体４の被照射面４Ｓに走査照射するように構成された，薄膜トランジスタのアニールに用いるパルスレーザアニール装置」は，本願補正発明の「パルスレーザ光源から発振されたレーザ光の１照射範囲よりも大きな基板上に堆積されたシリコン薄膜に前記レーザ光を照射するシリコン薄膜製造装置」に相当する。
　　（イ）引用例１の段落【００１３】の「
このときパルスレーザ発振装置１は，停止することなく所定のパルス間隔例えば一定の周波数で発振しており，レーザ出力の変動は極めて低く抑えることができる
　　（ウ）引用発明の「前記レーザ光Ｌが正方形または長方形スポットに整形されて，前記試料ステージ５上の前記被照射体４の前記被照射面４Ｓを走査照射する」との構成は，本願補正発明の「前記基板への前記レーザ光の照射領域を移動する」との構成に対応し，また，引用発明の「レーザ光走査装置３」は，「移動機構」である点で，本願補正発明と共通するから，引用発明の「前記レーザ光Ｌが正方形または長方形スポットに整形されて，前記試料ステージ５上の前記被照射体４の前記被照射面４Ｓを走査照射するためのレーザ光走査装置３」は，本願補正発明の「前記基板への前記レーザ光の照射領域を移動する移動機構」に相当する。
　　（エ）引用発明は，「前記パルスレーザアニール装置におけるレーザ光は，１パルス毎また複数パルス毎に照射位置を移動する」ことにより，各「被照射面４Ｓ」にレーザ光を照射するのであるが，引用発明は，「薄膜トランジスタのアニール」に用いるのであり，特段の理由がない限り，照射パルス数を被照射面ごとに変化させることは考えにくいから，引用発明においても，各「被照射面４Ｓ」における照射パルス数は一定となっているものと理解するのが自然であり，合理的である。
　そうすると，「各照射範囲における照射パルス数が一定」となっている点で，引用発明と本願補正発明は，共通する。
　
（４−２）一致点及び相違点
　以上によれば，本願補正発明と引用発明の一致点及び相違点は，次のとおりとなる。
　
〔一致点〕
　「パルスレーザ光源から発振されたレーザ光の１照射範囲よりも大きな基板上に堆積されたシリコン薄膜に前記レーザ光を照射するシリコン薄膜製造装置であり，
　前記パルスレーザ光源が連続発振中に発振された前記レーザ光を所定の光路へ供給する手段と，
　前記基板への前記レーザ光の照射領域を移動する移動機構を有し，
　各照射範囲における照射パルス数が一定となっていることを特徴とするシリコン薄膜製造装置。」
　
〔相違点〕
〔相違点１〕
　本願補正発明は，「前記パルスレーザ光源が連続発振中に発振された前記レーザ光を複数の光路へと順次供給する分配手段」と，「前記複数の光路の延長上に配置された前記基板への前記レーザ光の照射領域を移動する移動機構であって，前記分配手段によりレーザ光が供給された光路の延長上に配置された基板がレーザ光を受けた後，次のレーザ光を受ける基板にレーザ光が供給されるまでの間に，次のレーザ光を受ける基板の照射領域を所望の位置に移動する移動機構」を備えるのに対し，引用発明は，レーザ光の光路は１つであり，レーザ光を複数の光路へ分配するという概念がなく，しがたって，このような構成を備えていない点。
　
〔相違点２〕
　本願補正発明は，「各照射範囲における照射パルス数が一定となるように制御される」のに対し，引用発明では，各照射範囲における照射パルス数が一定となるように「制御」することについて，具体的な開示がない点。
　
（５）相違点についての検討
（５−１）相違点１について
　　ア　引用例２の記載内容
　上記（４−１）によれば，引用例２には，「複数のレーザ作業を同時に並行的に行うレーザ光学装置」に関し（段落【０００１】），「単一のレーザ源によって複数の作業を，完全同時ではないが，同時併行的に可能にする光学装置を提供」するために（段落【０００５】），「単一のレーザ源のもとで，切替ミラーが時分割に切替り，レーザビームが同時併行的に照射できる」ようにした（段落【００１０】），「レーザ光学装置」が記載されている。
　具体的には，単一のレーザ源１から発生されたレーザビームは，切換ユニット２により，時分割で，４つのビーム，ａ，ｂ，ｃ，ｄに分配されて，４つの搬送ライン１〜４に導かれ，これらの４つの搬送ラインにおいて，並行的に半導体装置の加工作業を行うことが開示されている。各ラインでは，他のラインで加工作業が行われている間に，次の加工作業に備えて，半導体装置のホルダーの移動や回転を行う（段落【００４２】）。
　このようにすることにより，単一のレーザ原のみで，複数のレーザビームの射出が時分割的に可能となり，複数のレーザ作業を平行して行うことができる（段落【００５６】）。
　　イ　引用例３の記載内容
　上記（４−２）によれば，引用例３には，「レーザ加工装置」に関し，「レーザの発振効率を高め」「レーザトリミング作業を効率的に可能とする」ために，「レーザ発振器１から照射されたレーザ光３」を「デイフレクタ１０に入射」させ，この「デイフレクタ１０」で「レーザ光３が複数の光路を採り得るよう切換えて偏向」させ，それぞれの光路に偏向させたレーザ光を用いて，基板上に形成された回路（抵抗体）のトリミング作業を行うようにした「レーザトリミング装置」が開示されている。第１の光路で作業が終了したら，光路を切換えて第２の光路でトリミング作業を行い，この間，第１の光路上にある抵抗体の次の加工の位置決め等が行われる。
　引用例３の「発明の効果」の欄の記載によれば，このようにすることにより，１個のレーザ発振器から発振されるレーザ光が，時分割で複数の光路に偏向され，複数個のスキヤン光学部を介して複数か所でレーザトリミングができるため，加工能力を増大させることができる。
　　ウ　相違点１は，要するに，引用発明ではレーザ光の光路が１つであるのに対し，本願補正発明は，「分配手段」を設けて「レーザ光を複数の光路へと順次供給」することにより，複数のそれぞれの光路において基板上に堆積されたシリコン薄膜にレーザ光を照射できるようにしたものである。そして，さらに，「光路の延長上に配置された前記基板への前記レーザ光の照射領域を移動する移動機構」に，「前記分配手段によりレーザ光が供給された光路の延長上に配置された基板がレーザ光を受けた後，次のレーザ光を受ける基板にレーザ光が供給されるまでの間に，次のレーザ光を受ける基板の照射領域を所望の位置に移動する」機能を持たせ，これにより，無駄なレーザ発振を抑制し，多結晶シリコン薄膜の生産性を高めるようにしたものと理解できる。
　　エ　しかしながら，上記アのように，引用例２には，レーザ光で半導体装置の加工を行うものにおいて，１つのレーザ光を「切換ユニット」（本願補正発明の「分配手段」）で複数の光路に時分割で分配し，分配したそれぞれの光を別のラインに導くことにより，複数のラインで加工作業を併行して行うようにし，その際，他のラインで加工作業が行われている間に，次の加工作業に備えて，半導体装置のホルダーの移動や回転を行う（本願補正発明の「移動機構」に相当）ことにより，作業効率を高める技術が開示されている。
　引用例３にも，上記イのように，レーザ光で回路（抵抗体）のトリミング作業を行うものにおいて，１つのレーザ光を「デイフレクタ」（本願補正発明の「分配手段」）で複数の光路に時分割で偏向させ，それぞれの光路に偏向させたレーザ光を用いて，基板上に形成された回路（抵抗体）のトリミング作業を併行して行うようにし，その際，他の光路上では，抵抗体の次の加工の位置決め等を行う（本願補正発明の「移動機構」に相当）ことにより，作業効率を高める技術が開示されている。
　そして，引用発明は，「試料ステージ５」上の「Ｓｉウェファ等の被照射面４Ｓ」に所定の照射範囲のレーザ光を照射する動作と，照射位置を移動する動作を繰り返すことにより行うものであり，移動時間中のレーザ光の照射が無駄になることは，当業者が容易に認識できることであるから，引用発明において，引用例２や引用例３に開示されたレーザ光の時分割技術を適用し，複数の照射作業が併行して行えるようにすることにより，作業効率の向上を図ることは，当業者が容易に考えついたことといえる。
　引用発明に引用例２又は引用例３の技術を適用した場合，「レーザ光を複数の光路へ順次供給する分配手段」を追加し，それぞれの光路の延長上に「移動機構」を設け，この「移動機構」に，「分配手段によりレーザ光が供給された光路の延長上に配置された基板がレーザ光を受けた後，次のレーザ光を受ける基板にレーザ光が供給されるまでの間に，次のレーザ光を受ける基板の照射領域を所望の位置に移動する」機能を持たせたものとなる。
　　オ　そうすると，引用発明を，「前記パルスレーザ光源が連続発振中に発振された前記レーザ光を複数の光路へと順次供給する分配手段」と，「前記複数の光路の延長上に配置された前記基板への前記レーザ光の照射領域を移動する移動機構であって，前記分配手段によりレーザ光が供給された光路の延長上に配置された基板がレーザ光を受けた後，次のレーザ光を受ける基板にレーザ光が供給されるまでの間に，次のレーザ光を受ける基板の照射領域を所望の位置に移動する移動機構」を備えたものとすること（相違点１に係る構成とすること）は，引用例２又は引用例３に開示された技術を適用することにより，当業者が容易になし得る設計変更といえる。
　
（５−２）相違点２について
　　ア　上記（４−１）イ（エ）で述べたように，引用発明は，「前記パルスレーザアニール装置におけるレーザ光は，１パルス毎また複数パルス毎に照射位置を移動する」ことにより，各「被照射面４Ｓ」にレーザ光を照射するのであるが，引用発明は，「薄膜トランジスタのアニール」に用いるのであり，アニール装置として，各照射位置に同じ光量の光を照射する必要があることから，引用発明においても，パルスレーザの照射するレーザ光のパルス数は，各照射位置で一定にされているものと理解できる。そして，パルスレーザが各照射位置に照射するレーザ光のパルス数やエネルギー強度は，アニール処理を的確に行うための重要なパラメータであるから，引用発明においても，照射位置におけるレーザ光のパルスは調節可能とされているものと理解するのが自然である。照射位置におけるレーザ光のパルス数の調整が必要なことは，光路を複数にした場合も変わらない。
　　イ　そうすると，「各照射範囲における照射パルス数が一定となるように制御される」ようにすること（相違点２に係る構成とすること）は，当業者が普通に考慮する設計事項といえる。
　　ウ　なお，審判請求人は，平成２２年６月１５日に提出した回答書において，
「引例１の［０００３］の「複数パルス毎に」，引例２の［０００７］の「１０ｓｈｏｔ／ｐｌａｃｅ」，引例３の［０００６］の「設定ショット数のレーザ光が照射されるように指令される。」等の記載は，被処理物が必要とする「処理内容」に関して示唆するものであって被処理物が必要とする「処理内容」に応じた『制御』を「光遮断装置」または「分配手段」に要求する示唆はありません。すなわち，各引例のいずれにも，本願発明の要旨の一部である，「各照射範囲における照射パルス数が一定となるように制御する」については，いずれの引例にも開示されておらず，また，この点について，示唆する記載すらありません。」　
と主張する。
　しかし，本願の明細書の発明の詳細な説明には，第２の実施の形態に関する記載において，「所望のパルス数をガラス基板３５ｂ照射した後，ビームの分配手段３９を用いてビームを光路３７ａに変更する。」（段落【００２５】）という記載があるだけで，上記の「被処理物が必要とする「処理内容」に応じた『制御』」をすることや，本願補正発明の「各照射範囲における照射パルス数が一定となるように制御する」ことの具体的な内容について，記載も示唆もない。そもそも，「制御」について何の記載もない。
　したがって，審判請求人の上記主張は，本願の明細書の記載に基づかない主張であり，採用できない（審判請求人が，本願補正発明の「制御」に特別の技術的意義を込めるのであれば，本件補正は，新規事項の追加となり，補正要件を満たさなくなってしまう。）。
　
（６）以上のとおり，上記相違点１，２に係る構成とすることは，当業者が容易に想到し得たものである。
　したがって，本願補正発明は，引用発明及び引用例２，３に開示された技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４　以上の次第で，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に違反するので，同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により，却下すべきものである。
　
第３　本願発明 
１　以上のとおり，本件補正（平成１９年１２月２５日に提出された手続補正書による補正）は却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，本件補正前の請求項１（平成１８年１月２０日に提出された手続補正書により補正された請求項１）に記載された，次のとおりのものである。 
 　 
【請求項１】
「パルスレーザ光源から発振されたレーザ光の１照射範囲よりも大きな基板上に堆積されたシリコン薄膜に前記レーザ光を照射するシリコン薄膜製造装置であり，
　前記レーザ光を複数の光路へと順次供給する分配手段と，
　前記複数の光路の延長上に配置された前記基板への前記レーザ光の照射領域を移動する移動機構であって，前記分配手段により供給されたレーザ光を受けた後，次のレーザ光を供給されるまでの間に，前記レーザ光の照射領域を所望の位置に移動する移動機構とを有することを特徴とするシリコン薄膜製造装置。」
 　 
２　引用例１の記載及び引用発明並びに引用例２及び引用例３の記載については，前記第２，３（３−１），（３−２），４（４−１），（４−２）において認定したとおりである。
　
３　対比・判断 
 　前記第２，２（１）アで検討したように，本願補正発明は，本件補正前の発明の「前記レーザ光を複数の光路へと順次供給する分配手段」について，「前記パルスレーザ光源が連続発振中に発振された」点を限定し，また，補正前の発明の「前記複数の光路の延長上に配置された前記基板への前記レーザ光の照射領域を移動する移動機構であって，前記分配手段により供給されたレーザ光を受けた後，次のレーザ光を供給されるまでの間に，前記レーザ光の照射領域を所望の位置に移動する移動機構とを有する」との構成について，「前記分配手段によりレーザ光が供給された光路の延長上に配置された基板」である点，「次のレーザ光を受ける基板にレーザ光が供給される」点，及び「次のレーザ光を受ける基板の照射領域」である点を限定するとともに，「各照射範囲における照射パルス数が一定となるように制御される」との構成を追加したものである。
　逆に言えば，本件補正前の発明（本願発明）は，本願補正発明から，上記の限定ないし構成の追加をなくしたものである。 
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含むものである本願補正発明が，前記第２，３において検討したとおり，引用発明及び引用例２，３に開示された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由により，引用発明及び引用例２，３の記載に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
第４　結言 
　以上のとおり，本願発明は，引用発明及び引用例２，３に開示された技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により，特許を受けることができない。 
　したがって，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。