【手続補正書】
【提出日】平成23年2月21日(2011.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロエレクトロニクス構造体を形成する方法で：
（ａ）表面を有する基板を供給する；
（ｂ）前記表面上に第１反射防止塗膜層を形成する；
（ｃ）前記第１反射防止塗膜層を架橋する、
（ｄ）前記第１反射防止塗膜層の上に第２反射防止塗膜層を形成し、ここに前記第１および第２反射防止塗膜層が感光性および湿式現像性である；および
（ｅ）前記第２反射防止塗膜層を架橋する
ことを含む、マイクロエレクトロニクス構造体を形成する方法。
【請求項２】
前記（ｃ）架橋する工程によりフォトレジスト溶媒にほとんど溶解しない第１反射防止塗膜層をもたらす、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記（ｅ）架橋する工程により有機溶媒にほとんど溶解しない第２反射防止塗膜層をもたらす、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記方法がさらに
（ｆ）前記第１および第２反射防止塗膜層を放射線で暴露し前記第１および第２反射防止塗膜層に暴露部分をもたらす、
ことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記方法がさらに
（ｇ）前記第１および第２反射防止塗膜層を現像液に接触させ前記暴露部分を前記表面から除去する、
ことを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記（ｂ）工程での第１反射防止塗膜層および前記（ｄ）工程での第２反射防止塗膜層が、塩基の現像液にそれぞれの初期溶解度を持ち、一方で前記の暴露（ｆ）工程の後、前記第１反射防止塗膜層および前記第２反射防止塗膜層の前記暴露部分が塩基の現像液にそれぞれの最終溶解度を持ち、前記最終溶解度が前記初期溶解度より大きい、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記の暴露（ｆ）工程が前記第１および第２反射防止塗膜層を光学投影装置による放射線に暴露することを含み、その際浸液が前記装置の少なくとも一部および前記反射防止塗膜層の少なくとも一部と接触している、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記方法がさらにフォトレジストを前記第２反射防止塗膜層に塗工し前記第２反射防止塗膜層の上に結像層を形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第１反射防止塗膜層のｋ値が０．２０から０．６５である、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２反射防止塗膜層のｋ値が０．１から０．４５である、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１および第２反射防止塗膜層がそれぞれのｋ値を持ち、前記第２反射防止塗膜層のｋ値が前記第１反射防止塗膜層のｋ値とは異なるものである、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１反射防止塗膜層が溶媒系に分散または溶解したポリマーを含む組成物から形成され、前記ポリマーが酸性基を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記組成物がさらに前記ポリマーと共に前記組成物内に物理的に混ぜ込まれた染料を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ポリマーが前記ポリマーに結合した染料を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１反射防止塗膜組成物がさらに架橋剤、光酸発生剤、およびこれらの混合物から成る群から選択される原料をポリマーと共に溶媒系内に分散または溶解して含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記基板表面が複数のトポグラフィーの特徴を含み；および
前記の形成（ｂ）工程が前記基板の前記トポグラフィーの特徴を十分に覆うように前記第１反射防止塗膜層を塗工することを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
マイクロエレクトロニクス構造体で：
表面を持つ基板；
前記基板表面に隣接する第１反射防止塗膜層；および
前記第１反射防止塗膜層に隣接する第２反射防止塗膜層、ここに第１および第２反射防止塗膜層が感光性および湿式現像性である、
を含む、構造体であって、
前記第１反射防止塗膜層のｋ値が０．２０から０．６５であり、前記第２反射防止塗膜層のｋ値が０．１から０．４５である、マイクロエレクトロニクス構造体。
【請求項１８】
前記第１および第２反射防止塗膜層がそれぞれのｋ値を持ち、ここに前記第２反射防止塗膜層のｋ値が前記第１反射防止塗膜層のｋ値とは異なるものである、請求項１７に記載の構造体。
【請求項１９】
前記第１反射防止塗膜層の厚みが１０ｎｍから５０ｎｍである、請求項１７に記載の構造体。
【請求項２０】
前記第２反射防止塗膜層の厚みが１０ｎｍから５０ｎｍである、請求項１７に記載の構造体。
【請求項２１】
前記基板面が複数のトポグラフィーの特徴を含み、前記第１反射防止塗膜層が前記特徴を十分に覆っている、請求項１７に記載の構造体。
【請求項２２】
さらに第２反射防止塗膜層に隣接した結像層を含む、請求項１７に記載の構造体。
【請求項２３】
マイクロエレクトロニクス構造体を形成する方法で：
（ａ）表面を持つ基板を供給する；
（ｂ）前記表面の上に第１反射防止塗膜層を形成する；および
（ｃ）前記第１反射防止塗膜層の上に第２反射防止塗膜層を形成することを含み、前記第１および第２反射防止塗膜層は湿式現像性でそれぞれのｋ値を持ち、ここに前記第２反射防止塗膜層のｋ値が前記第１反射防止塗膜層のｋ値とは少なくとも０．０５異なる、
マイクロエレクトロニクス構造体を形成する方法。
【請求項２４】
前記第１および第２反射防止塗膜層が感光性である、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記第１反射防止塗膜層のｋ値が０．２から０．６５である、請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
前記第２反射防止塗膜層のｋ値が０．１から０．４５である、請求項２３に記載の方法。
【請求項２７】
前記の方法がさらに前記の形成（ｂ）工程の後で前記第１反射防止塗膜層を架橋することを含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２８】
前記方法がさらに前記の形成（ｃ）工程の後で前記第２反射防止塗膜層を架橋することを含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２９】
前記方法がさらに
（ｄ）前記第１および第２反射防止塗膜層を放射線に暴露して前記第１および第２反射防止塗膜層に暴露部分をもたらす、
工程を含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項３０】
前記方法がさらに
（ｅ）前記第１および第２反射防止塗膜層を現像液に接触させることにより前記暴露部分を前記表面から除去する、
工程を含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記の暴露（ｄ）工程が前記第１および第２反射防止塗膜層を光学投影装置による放射線に暴露することを含み、その際浸液が前記装置の少なくとも一部および前記反射防止塗膜層の少なくとも一部と接触している、請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
前記第１反射防止塗膜層が溶媒系に分散または溶解したポリマーを含む組成物から形成され、前記ポリマーが酸性基を含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項３３】
前記組成物がさらに前記ポリマーと共に前記組成物に物理的に混ぜ込まれた染料を含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記ポリマーが前記ポリマーに結合した染料を含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３５】
マイクロエレクトロニクス構造体で：
表面を持つ基板；
前記基板表面に隣接する第１反射防止塗膜層；および
前記第１反射防止塗膜層に隣接する第２反射防止塗膜層を含み、ここに第１および
第２反射防止塗膜層は湿式現像性でそれぞれのｋ値を持ち、前記第２反射防止塗膜層のｋ値が前記第１反射防止塗膜層のｋ値とは少なくとも０．０５異なる、
マイクロエレクトロニクス構造体。
【請求項３６】
前記第１および第２反射防止塗膜層が感光性である、請求項３５に記載の構造体。
【請求項３７】
前記第１反射防止塗膜層のｋ値が０．２から０．６５である、請求項３５に記載の構造体。
【請求項３８】
前記第２反射防止塗膜層のｋ値が０．１から０．４５である、請求項３５に記載の構造体。
【請求項３９】
前記第１反射防止塗膜層の厚みが１０ｎｍから５０ｎｍである、請求項３５に記載の構造体。
【請求項４０】
前記第２反射防止塗膜層の厚みが１０ｎｍから５０ｎｍである、請求項３５に記載の構造体。
【請求項４１】
前記第２反射防止塗膜層に隣接してさらに結像層を含む、請求項３５に記載の構造体。
【請求項４２】
前記溶媒系が、乳酸エチル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールｎ−プロピルエーテルおよびこれらの混合物、からなる群から選択される溶媒を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項４３】
前記溶媒系が、乳酸エチル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールｎ−プロピルエーテルおよびこれらの混合物、からなる群から選択される溶媒を含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項４４】
前記ポリマーが、アクリレート類、メタクリレート類、アクリル酸類、スチレン類、ビニル類、およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１２に記載の方法。
【請求項４５】
前記ポリマーが、アクリレート類、メタクリレート類、アクリル酸類、スチレン類、ビニル類、およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項３２に記載の方法。