【手続補正書】
【提出日】平成23年3月25日(2011.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能材料のパターンを基板上に形成する方法であって、
ａ）隆起表面を備えたレリーフ構造を有するエラストマースタンプを準備し、
ｂ）マスキング材料を前記レリーフ構造の少なくとも前記隆起表面に適用し、
ｃ）前記マスキング材料を前記隆起表面から基板に転写させて、前記基板上に開口領域のパターンを形成し、
ｄ）機能材料を前記基板上の少なくとも前記開口領域に適用して、前記基板の反対側に機能材料の外側表面を形成し、
ｅ）接着剤を前記機能材料の前記外側表面と接触させ、
ｆ）前記接着剤を前記基板から分離して、少なくとも前記マスキング材料を前記基板から除去すること
を含み、
前記適用する工程が、前記開口領域および前記マスキング材料の両方を被覆する機能材料の層を形成し、
前記方法が、別の接着剤を前記外側表面と接触させることをさらに含み、
前記分離する工程が、最初に、前記マスキング材料を被覆する前記機能材料のみを除去する、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記機能材料が溶液中にあり、前記方法が、前記機能材料のフィルムを前記基板上に乾燥させて形成することをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記機能材料が、導体、半導体、誘電体およびこれらの組み合わせからなる群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記機能材料がナノ粒子を含む請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
この方法によるパターン形成により、破断も、望ましくない微粒子もないソースドレインとなる。名目上清浄なバックグラウンド領域への銀の望ましくない転写はなく、銀パターンの厚さは、パターンサイズに関わらず、約８０ｎｍで均一であった。ラインの端部は、フォトリソグラフィー法により得られるものと同様に明確なものであった。
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
１．機能材料のパターンを基板上に形成する方法であって、
ａ）隆起表面を備えたレリーフ構造を有するエラストマースタンプを準備し、
ｂ）マスキング材料を前記レリーフ構造の少なくとも前記隆起表面に適用し、
ｃ）前記マスキング材料を前記隆起表面から基板に転写させて、前記基板上に開口領域のパターンを形成し、
ｄ）機能材料を前記基板上の少なくとも前記開口領域に適用して、前記基板の反対側に機能材料の外側表面を形成し、
ｅ）接着剤を前記機能材料の前記外側表面と接触させ、
ｆ）前記接着剤を前記基板から分離して、少なくとも前記マスキング材料を前記基板から除去すること
を含む方法。
２．前記適用する工程が、前記開口領域および前記マスキングの両方を被覆する機能材料の層を形成し、前記分離する工程が、前記マスキング材料および前記マスキング材料を被覆する前記機能材料の両方を除去する前記１に記載の方法。
３．前記接着剤が前記マスキング材料と接触する前記１に記載の方法。
４．前記適用する工程が、前記開口領域および前記マスキング材料の両方を被覆する機能材料の層を形成し、前記方法が、別の接着剤を前記外側表面と接触させることをさらに含み、前記分離する工程が、最初に、前記マスキング材料を被覆する前記機能材料のみを除去する前記１に記載の方法。
５．前記接着剤を、放射線、熱、圧力およびこれらの組み合わせからなる群に露出することにより、前記接着剤を活性化することをさらに含む前記１に記載の方法。
６．前記接触させる工程が、前記接着剤と前記外側表面との間に、真空接触を提供することを含む前記１に記載の方法。
７．前記接触させる工程が、前記接着剤を前記外側表面にラミネートすることを含む前記１に記載の方法。
８．ラミネートすることが、高温、加圧またはこれらの組み合わせで実施される前記７に記載の方法。
９．前記接触させる工程が、前記接着剤が前記外部表面に隣接した状態で、前記接着剤を前記外側表面に付着可能な放射線に前記接着剤を露光することをさらに含む前記１に記載の方法。
１０．前記接着剤が、デンプン系接着剤、セルロース、ゴム、ブチルゴム、ポリイソブチレン、ニトリルゴム、カルボン酸ポリマー、ネオプレン、フェノール樹脂、レゾルシノール材料、エポキシ樹脂、酢酸ビニルエマルジョン、酢酸ビニル−エチレンコポリマー、芳香族ポリイミド、ポリアミド、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリオレフィン、ポリウレタン、ポリイソブチレン、ポリスチレン、ポリビニル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ（アクリル酸）、これらおよび他のポリマーのコポリマー、およびブレンドからなる群から選択される前記１に記載の方法。
１１．支持体上に前記接着剤の層を含む材料捕捉要素を形成することをさらに含む前記１に記載の方法。
１２．前記接着剤が、厚さ約１０〜５００ナノメートルの層を形成する前記１に記載の方法。
１３．前記機能材料が溶液中にあり、前記方法が、前記機能材料のフィルムを前記基板上に乾燥させて形成することをさらに含む前記１に記載の方法。
１４．前記機能材料が、導体、半導体、誘電体およびこれらの組み合わせからなる群から選択される前記１に記載の方法。
１５．前記機能材料がナノ粒子を含む前記１に記載の方法。
１６．前記ナノ粒子が、導体、誘電体、半導体およびこれらの組み合わせからなる群から選択される前記１４に記載の方法。
１７．前記ナノ粒子が、銀、金、銅、パラジウム、酸化インジウム錫およびこれらの組み合わせからなる群から選択される金属を含む前記１４に記載の方法。
１８．前記ナノ粒子が、シリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、酸化亜鉛、セレン化亜鉛およびこれらの組み合わせからなる群から選択される半導体ナノ粒子である前記１４に記載の方法。
１９．前記ナノ粒子が、カーボンナノチューブ、導体カーボンナノチューブ、半導体カーボンナノチューブおよびこれらの組み合わせからなる群から選択される前記１４に記載の方法。
２０．前記機能材料が、液体キャリア中の金属ナノ粒子を含み、前記方法が、前記ナノ粒子を前記基板上で加熱することをさらに含む前記１に記載の方法。
２１．前記機能材料を適用する工程ｄ）が、注入、流し込み、液体鋳造、ジェッティング、浸漬、吹付け、蒸着およびコーティングからなる群から選択される前記１に記載の方法。
２２．前記マスキング材料が液体中のポリマー材料を含み、前記方法が、少なくとも前記隆起表面に前記マスキング材料のフィルムが十分に形成されるように、前記液体を除去することをさらに含む前記１に記載の方法。
２３．前記マスキング材料が溶液中にあり、前記方法が、前記マスキング材料の層を、前記スタンプの前記隆起表面に乾燥させて形成することをさらに含む前記１に記載の方法。
２４．前記基板上の前記マスキング材料の厚さが１００〜１００００オングストロームである前記１に記載の方法。
２５．前記マスキング材料が、アクリロニトリル−ブタジエンエラストマー、ポリ（アクリロニトリル）、スチレンホモポリマーおよびコポリマー、アクリレートおよびメタクリレートのホモポリマーおよびコポリマー、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリチオフェン、置換および非置換ポリフェニレン−ビニレンホモポリマーおよびコポリマー、ポリ（４−ビニルピリジン）、ポリ（ｎ−ヘキシルイソシアネート）、ポリ（１，４−フェニレンビニレン）、エポキシベース系、ポリ（ｎ−カルバゾール）、ポリノルボルネンのホモポリマーおよびコポリマー、ポリ（フェニレンオキシド）、ポリ（フェニレンスルフィド）、ポリ（テトラフルオロエチレン）、アルキド樹脂、ゼラチン、ポリ（アクリル酸）、ポリペプチド、プロテイン、ポリ（ビニルピリジン）、ポリ（ビニルピロリドン）、ヒドロキシポリスチレン、ポリ（ビニルアルコール）、ポリエチレングリコール、キトサン、ポリ（スチレン−コ−ビニルピリジン）、ポリ（ブチルアクリレート−コ−ビニルピリジン）、アリールアミンおよびフッ素化アリールアミン、セルロースおよびセルロース誘導体、アクリレートおよび／またはメタクリレートエマルジョンの分散液ならびにこれらの組み合わせおよびコポリマーからなる群から選択される前記１に記載の方法。
２６．前記エラストマースタンプが、シリコーンポリマー、エポキシポリマー、共役ジオレフィンハイドロカーボンのポリマー、Ａ−Ｂ−Ａ型ブロックコポリマーのエラストマーブロックコポリマー（Ａは、非エラストマーブロックを表し、Ｂはエラストマーブロックを表す）、アクリレートポリマー、フルオロポリマーおよびこれらの組み合わせからなる群から選択される組成物の層を含む前記１に記載の方法。
２７．前記エラストマースタンプを、感光性組成物の層から形成することをさらに含む前記１に記載の方法。
２８．前記エラストマースタンプを、化学放射線への露光により重合可能なフッ素化化合物を含有する組成物の層から形成することをさらに含む前記１に記載の方法。
２９．前記フッ素化化合物が、パーフルオロポリエーテル化合物である前記２８に記載の方法。
３０．前記エラストマースタンプが、加熱により硬化可能な組成物の層を含む前記１に記載の方法。
３１．前記エラストマースタンプが、可撓性フィルムの支持体をさらに含む前記１に記載の方法。
３２．前記基板が、プラスチック、ポリマーフィルム、金属、シリコン、ガラス、布帛、紙およびこれらの組み合わせからなる群から選択される前記１に記載の方法。