【事件の表示】
　特願２００３−１８６４４４号「レーザ加工装置およびレーザ加工方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　１月２０日出願公開、特開２００５−　１４０８３号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　
　本件出願は、平成１５年　６月３０日を出願日とする出願であって、平成２０年１２月　３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２１年　１月　８日に本件審判請求がなされるとともに同年　２月　９日付けで手続補正（前置補正）がなされ、当審合議体による平成２２年　６月２５日付けの拒絶理由通知に応答して、平成２２年　８月２７日付けで手続補正がなされたものである。　
　
　
２　本願発明
　
　本件出願の請求項１〜４に係る発明は、平成２２年　８月２７日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１は次のとおり記載されている。
「【請求項１】薄膜が形成された基板にレーザ光を照射して前記薄膜の一部を除去するレーザ加工装置において、
　前記レーザ光が照射される前記基板のレーザ加工面の裏面を吸着で固定し、前記レーザ加工面が鉛直または鉛直下向きになるように前記基板を配置する吸着ステージと、前記レーザ加工面における前記レーザ光の照射位置を調整して前記レーザ光を、一端から他端までの前記レーザ加工面で走査するための、前記レーザ加工面の鉛直下方領域外であって前記レーザ加工面中央の法線上に配置されるガルバノミラーと、
　前記レーザ加工面の一端側に配置され、前記レーザ加工面の一端側から他端側に向かって圧縮空気を吹き付け、前記薄膜から生じる加工塵を前記レーザ加工面の他端側に吹き飛ばすエアーブロー手段と、
　前記レーザ加工面の他端側に配置され、前記エアーブロー手段によって吹き付けられた前記圧縮空気と共に前記加工塵を吸引する吸引手段と、
　を有し、
　前記エアーブロー手段及び前記吸引手段とが前記レーザ加工面の幅方向の長さ以上に配置されていることを特徴とするレーザ加工装置。」
（以下「本願発明」という。）　
　
　
３　引用刊行物とその記載事項
　
（１）刊行物１の記載内容
　
（１−１）刊行物１に記載された事項
　
　当審の拒絶理由で引用した、本願の出願よりも前に頒布された刊行物である特開昭５３−７２４５１号公報（以下「刊行物１」という。）には、図面とともに、次の技術的事項が記載されている。
　
（ア）「本発明は半導体ウェハを切断して個々の素子にするためのスクライブ装置に関する。
　第１図は従来のレーザスクライブ装置の動作を示す側面図である。即ち従来の装置ではウェハホルダ１上にウェハ２を３の真空ノズルにより吸着させて保持し、垂直上方のヘッド４から発生するレーザービーム５をウェハ２に当て、ウェハ２とレーザービーム５を相対的に移動させることにより例えばレーザービームの位置を固定しウェハを矢印１０，１０’の方向に移動させてスクライブを行なっていた。」（公報第１頁左下欄第１０行〜同右下欄第３行、第１図）
　
（イ）「本発明の目的は後処理が不要であり、深い溝の形成が可能なレーザースクライブ装置を提供することにある。
　本発明によるレーザースクライブ装置の特徴は半導体ウェハを前記ウェハの表面を下向きにして保持する手段と前記ウェハの表面に下方からレーザービームを当ててスクライブする手段を備えたことにある。
　以上のような構成にしたことによる本発明の効果はレーザービームの当る部分から発生するSiクズがウェハ表面に溶着することが無いためスクライブ後の面倒で汚染の導入が多い後処理が不要となり、また溝内にSiクズがたまることがないので深い溝の形成が可能となることにある。」（公報第１頁右下欄第１１行〜同第２頁左上欄第４行）
　
（ウ）「次に第３図は本発明の第２の実施例の動作を示す側面図である。即ち、本実施例ではウェハ２をウェハホルダー１により斜め下向きに保持ち、下方からウェハ２とほぼ垂直にヘッド４から出るレーザービーム５を当て、矢印１０、１０’の方向にウェハを移動させることによりスクライブを行なう。本実施例ではヘッド４を適当な距離だけウェハ２の表面から離すことによりSiクズ７はシリコン表面のみならずヘッドにも付着しないので装置が簡略化される。尚ウェハの移動方法としてはSiクズの溝中への溶着を防止する上で第３図の矢印１０，１０’の方向が適切である。」（公報第２頁右上欄第３行〜同第１５行、第３図）
　
　
（１−２）刊行物１の記載及び図面より、刊行物１に記載されていることが明らかな事項
　
（ａ）上記摘記事項（ア）及び（イ）並びに第１図及び第３図より、刊行物１の第２の実施例においても、「ウェハ２のレーザ加工面の裏面を吸着させて保持」していることは明らかである。
　
（ｂ）上記摘記事項（イ）及び第３図より、ヘッド４は、「レーザ加工面におけるレーザービームの照射位置を調整してレーザービームを、一端から他端までの前記レーザ加工面で走査する」ものであり、また、「レーザ加工面の鉛直下方領域外であってレーザ加工面中央の法線上に配置されるヘッド４」であることは明らかである。　
　
　
（１−３）引用発明
　
　すると、刊行物１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が開示されているということができる。
　
「ウェハ２にレーザービームを照射して前記ウェハ２をスクライブするレーザースクライブ装置において、
　前記レーザービームが照射される前記ウェハ２のレーザ加工面の裏面を吸着させて保持し、前記レーザ加工面が斜め下向きになるように前記ウェハ２を配置するウェハホルダー１と、前記レーザ加工面における前記レーザービームの照射位置を調整して前記レーザービームを、一端から他端までの前記レーザ加工面で走査するための、前記レーザ加工面の鉛直下方領域外であって前記レーザ加工面中央の法線上に配置されるヘッド４と、
　を有するレーザースクライブ装置。」
　
　
（２）刊行物２の記載内容
　
　当審の拒絶理由に引用した、本願の出願よりも前に頒布された刊行物である特表２００３−５０６２１６号公報（以下「刊行物２」という。）には、図面とともに、次の技術的事項が記載されている。
　
（エ）「【００１３】
    【発明の開示】
　本発明によれば、電子回路を結合する積層材料を切断することにより前記電子回路をシンギュレートするための方法であって、
　次の特性即ち、４００ｎｍ未満の波長、及び、１００Ｊ／ｃｍ2最小エネルギー密度または１ＧＷ／ｃｍ2の最小ピークパワー密度を有するレーザビームを生成する過程と、
　前記材料の特徴または基準に関してレーザビームを合わせる過程と、
　切断が終わるまで前記レーザビームを前記材料に沿って向ける過程とからなる方法が提供される。」
　
（オ）「【００３４】
　別の側面によれば、本発明によって、材料により相互結合された電子回路の組を支持するための手段と、
　４００ｎｍ未満の波長、及び、１００Ｊ／ｃｍ2の最小エネルギー密度または１ＧＷ／ｃｍ2のピークパワー密度を有するレーザビームを生成するための手段からなるレーザビーム源と、
　前記材料にレーザビームを向けるためおよびそれを切断線に沿って向け、電子回路をシンギュレートするための手段からなるビーム位置決め機構とを備える回路シンギュレーションシステムが提供される。」
　
（カ）「【００５１】
　ビームの送出及び位置の制御に関する第２のオプションは、スキャニングガルバノメータを用いることである。図３はその基本的なジオメトリを示している。２つのミラーが、該ミラーが取り付けられた軸を回転させる電流駆動式ガルバノメータのコイルに取り付けられている。位置Ａから位置Ｄへのスキャニングは、ガルバノメータ２をそのミラーがこの線に沿って反射するように配向させた状態で、ガルバノメータ１を角度Ｇ１までスキャニングすることによって達成される。位置Ａから位置Ｂへのスキャニングは、ガルバノメータ１をＡＤ線上の位置Ａについて固定した状態で、ガルバノメータ２を角度Ｇ２にまで回転させることによって実現される。従って、二次元上のいかなる位置も、２つのミラーの動きの組合せによって消すことができる。ガルバノメータを用いた方法によって、高度な加速及び減速時間が可能となり、その結果として動きと動きの間の時間を最小にしかつ加工時間への影響が最小になる。」
　
　上記摘記事項（カ）より、「レーザ加工面におけるレーザービームの照射位置を調整して前記レーザービームを、一端から他端までの前記レーザ加工面で走査するためのガルバノメータに取り付けられたミラー」を有することは明らかであるから、すなわち刊行物２には、
「電子回路を結合する積層材料にレーザービームを照射して積層材料を切断する回路シンギュレーションシステムにおいて、
　レーザ加工面における前記レーザービームの照射位置を調整して前記レーザービームを、一端から他端までの前記レーザ加工面で走査するためのガルバノメータに取り付けられたミラーが配置される」
技術（以下「刊行物２に記載の技術」という。）が記載されているものと認められる。
　
　
（３）刊行物３の記載内容
　
　当審の拒絶理由に引用した、本願の出願よりも前に頒布された刊行物である特開平３−１１２１０２号公報（以下「刊行物３」という。）には、図面とともに、次の技術的事項が記載されている。
　
（キ）「基板１２面と同じ高さの基板端部に、レーザービーム２６の照射により物質が昇華する部分に向かってエアが吹き付けられるように構成されたエア吹付ノズル３２が設けられている。
　エア吹付ノズル３２の幾何学的大きさを例示すれば、その吹出口３２ａの高さが２ｍｍ、幅が基板２４幅と同じ６０ｍｍである。
　前記エア吹付ノズル３２と基板１２をはさんで反対側にはエア吹付ノズル３２から吹付られたエアを吸引するように構成されたエア吸引ノズル３４が設けられている。
　エア吸引ノズル３４の幾何学的大きさを例示すれば、その吸引口３４ａの高さが１０ｍｍ、幅が基板２４幅と同じ６０ｍｍである。
　本抵抗調整用レーザートリミング装置１０におけるレーザートリミング方法は、厚膜集積回路２２に対するレーザービームの照射により昇華し再凝固された成分をエア吹付ノズル３２からのエアにより舞い上げさせ、また、該舞い上げさせた成分を、エア吸引ノズル３４によりエアとともに吸引することによりレーザートリミングが行われる。」（公報第３頁左上欄第２行〜右上欄第２行、第１図）
　
　上記摘記事項（キ）及び第１図より、エア吹付ノズル３２及びエア吸引ノズル３４とが前記レーザ加工面の幅方向の長さに配置することは明らかであるから、すなわち刊行物３には、
「レーザートリミング装置１０において、
　前記レーザ加工面の一端側に配置され、前記レーザ加工面の一端側から他端側に向かって圧縮空気を吹き付け、昇華し再凝固された成分を前記レーザ加工面の他端側に吹き飛ばすエア吹付ノズル３２と、前記レーザ加工面の他端側に配置され、前記エア吹付ノズル３２によって吹き付けられた前記圧縮空気と共に前記昇華し再凝固された成分を吸引するエア吸引ノズル３４と、を有し、
　前記エア吹付ノズル３２及び前記エア吸引ノズル３４とが前記レーザ加工面の幅方向の長さに配置する」
技術（以下「刊行物３に記載の技術」という。）が記載されているものと認められる。
　
　
４　対比
　
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「ウェハ２」、「レーザービーム」「ウェハホルダー１」「レーザースクライブ装置」は、本願発明の「基板」「レーザ光」「吸着ステージ」「レーザ加工装置」に相当し、引用発明の「吸着させて保持」は、本願発明の「吸着で固定」に対応する。
　また、本願発明の「薄膜が形成された基板にレーザ光を照射して前記薄膜の一部を除去するレーザ加工装置」と、引用発明の「ウェハ２にレーザービームを照射して前記ウェハ２をスクライブするレーザースクライブ装置」とを対比すると、本願発明の「薄膜」は被加工物である基板の一部であるから、両者は「基板にレーザ光を照射して基板の一部を除去するレーザ加工装置」である限りにおいて共通している。
　そして、本願発明の「前記レーザ加工面が鉛直または鉛直下向きになるように前記基板を配置する吸着ステージ」と、引用発明の「前記レーザ加工面が斜め下向きになるように前記ウェハ２を配置するウェハホルダー１」とを対比すると、引用発明の「斜め下向き」は本願発明の「鉛直下向き」に相当するから、両者は「前記レーザ加工面が鉛直下向きになるように前記基板を配置する吸着ステージ」である限りにおいて共通している。　
　さらに、本願発明の「ガルバノミラー」と、引用発明の「ヘッド４」とを対比すると、両者は「レーザ光照射装置」である限りにおいて共通している。
　
　してみると、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は以下の通りである。
　
　
＜一致点＞
「基板にレーザ光を照射して前記基板の一部を除去するレーザ加工装置において、
　前記レーザ光が照射される前記基板のレーザ加工面の裏面を吸着で固定し、前記レーザ加工面が鉛直下向きになるように前記基板を配置する吸着ステージと、前記レーザ加工面における前記レーザ光の照射位置を調整して前記レーザ光を、一端から他端までの前記レーザ加工面で走査するための、前記レーザ加工面の鉛直下方領域外であって前記レーザ加工面中央の法線上に配置されるレーザ光照射装置と、
　を有するレーザ加工装置。」
　
　
＜相違点１＞
　本願発明では、レーザ加工装置が「薄膜が形成された基板にレーザ光を照射して前記薄膜の一部を除去するレーザ加工装置」であるのに対して、引用発明のレーザ加工装置は、被加工物が薄膜が形成された基板ではない点。　
　
＜相違点２＞
　本願発明では、吸着ステージが「レーザ加工面が鉛直または鉛直下向きになるように」基板を配置しているのに対して、引用発明では、「鉛直下向き」に配置してはいるものの鉛直に配置する構成は有しない点。
　　
＜相違点３＞
　本願発明では、レーザ光照射装置として「ガルバノミラー」を採用しているのに対して、引用発明では、ガルバノミラーではない点。
　
＜相違点４＞
　本願発明では、「前記レーザ加工面の一端側に配置され、前記レーザ加工面の一端側から他端側に向かって圧縮空気を吹き付け、前記薄膜から生じる加工塵を前記レーザ加工面の他端側に吹き飛ばすエアーブロー手段と、前記レーザ加工面の他端側に配置され、前記エアーブロー手段によって吹き付けられた前記圧縮空気と共に前記加工塵を吸引する吸引手段と、を有し、前記エアーブロー手段及び前記吸引手段とが前記レーザ加工面の幅方向の長さ以上に配置されている」のに対して、引用発明では当該構成を有しない点。
　
　
５　相違点についての検討（容易想到性の判断）
　
　上記各相違点について検討する。
　
（１）＜相違点１＞について
　引用発明のレーザ加工装置は、上記摘記事項（イ）及び（ウ）からも明らかなとおり、レーザ加工時のクズを基板及びレーザ光照射装置に付着しないようにするものであり、当該技術的課題は被加工物の種類に関わらず存在することは明らかである。また、薄膜が形成された基板にレーザ光を照射して前記薄膜の一部を除去するレーザ加工装置は、周知である（例えば、特開平８−９０２７１号公報の【０００１】〜【０００２】段落、特開平８−３０９５７６号公報の【０００１】〜【０００３】段落、特開平１０−１５６８６号公報の【０００１】〜【０００３】段落参照。以下「周知技術」という。）。
　よって、引用発明のレーザ加工装置に周知技術を適用して、上記相違点１における本願発明のような構成とすることは、当業者であれば容易に想到し得る程度の事項にすぎない。
　
（２）＜相違点２＞について
　引用発明は、基板を鉛直下向きに配置しており、鉛直に配置する構成は有してはいない。しかしながら、引用発明は、上記摘記事項（ウ）からも明らかなとおり、基板を鉛直下向きに配置することにより、基板にクズが付着しないようにしたものである。そして同時にレーザ光照射装置にもクズが付着しないように考慮されている。当該技術思想である、基板表面にクズが付着せず、かつ、レーザ光照射装置にもクズが付着しないようするための基板の姿勢として、基板を「鉛直」に配置する程度のことは当業者であれば容易に想到し得る程度の事項にすぎない。また、本願発明は「鉛直または鉛直下向きになるように前記基板を配置する」ことを構成要件とし、「鉛直」と「鉛直下向き」のどちらかを択一するものにすぎず、「鉛直」が「鉛直下向き」に対してより有利な構成としているものでもない。
　以上により、引用発明のレーザ加工装置に基づいて、上記相違点２における本願発明のような構成とすることは、当業者であれば容易に想到し得る程度の事項にすぎない。　
　
（３）＜相違点３＞について
　刊行物２に記載の技術の「回路シンギュレーションシステム」はレーザ加工装置にほかならず、また、刊行物２に記載の技術の「レーザービーム」及び「ガルバノメータに取り付けられたミラー」は、本願発明の「レーザ光」及び「ガルバノミラー」に相当するものである。ここで、引用発明のレーザ加工装置は、上記摘記事項（イ）及び（ウ）からも明らかなとおり、レーザ加工時のクズを基板及びレーザ光照射装置に付着しないようにするものであるが、当該技術的課題はレーザ光照射装置の種類に関わらず存在することは明らかである。
　よって、引用発明のレーザ加工装置に、刊行物２に記載の技術を適用してレーザ光照射装置として「ガルバノミラー」を採用し、上記相違点３における本願発明のような構成とすることは、当業者であれば容易に想到し得る程度の事項にすぎない。
　
（４）＜相違点４＞について
　引用発明のレーザ加工装置は、上記摘記事項（イ）及び（ウ）からも明らかなとおり、レーザ加工時のクズ（刊行物１に記載の「クズ」は、本願発明の「加工塵」に相当。）を基板及びレーザ光照射装置に付着しないようにするものであり、当該技術思想に鑑みれば、クズ（加工塵）を除去しようとすることは当業者であれば容易に想到し得る。
　ここで、本願発明と刊行物３に記載の技術とを対比すると、刊行物３に記載の技術の「レーザートリミング装置１０」、「昇華し再凝固された成分」、「エア吹付ノズル３２」及び「エア吸引ノズル３４」は、本願発明の「レーザ加工装置」、「加工塵」、「エアーブロー手段」及び「吸引手段」に相当するものである。
　よって、引用発明のレーザ加工装置に、刊行物３に記載の技術を適用し、上記相違点４における本願発明のような構成とすることは、当業者であれば容易に想到し得る程度の事項にすぎない。
　
　そして、本願発明の作用効果は、引用発明、上記刊行物２及び３に記載された技術及び上記周知技術から、当業者であれば予測できる範囲のものにすぎない。
　
　したがって、本願発明は、引用発明、上記刊行物２及び３に記載された技術及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
６　むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　
　よって、結論のとおり審決する。