【手続補正書】
【提出日】平成22年7月30日(2010.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物の少なくとも１つの特性を感知するための装置であって、
摂動に反応して電圧を生成するようにそれぞれが構成される複数のナノスケールハイブリッド半導体／金属デバイス（１２０２）を含むアレイ（１２００／１６００）を備え、生成された電圧はナノスケールハイブリッド半導体／金属デバイスの近傍の対象物の少なくとも１つの特性を示す、装置。
【請求項２】
各ナノスケールハイブリッド半導体／金属デバイスがナノスケールＥＸＸセンサ（１２０２）を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
アレイが複数の様々なタイプのナノスケールＥＸＸセンサを含む、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
少なくとも１つのナノスケールＥＸＸセンサがナノスケールＥＥＣセンサ（９００）を含む、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
ナノスケールＥＥＣセンサが、
半導体膜（９０２）と、
半導体膜の表面上に配置され、それにより半導体／金属界面（９０８）を画定する金属分路であって、この半導体膜表面の一部分が、金属分路によって被覆されず、半導体膜および金属分路が、実質的に平行面内にあるが、同一平面ではない、金属分路（９０４）と、
半導体膜に接触している少なくとも２つの電流リード（９１０）と、
半導体膜に接触している少なくとも２つの電圧リード（９１２）と
を含む、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
ナノスケールＥＥＣセンサが基板（９０６）をさらに含み、半導体膜が基板と金属分路との間に配設される、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
半導体／金属界面が摂動の方向に対して実質的に垂直である、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
半導体がＧａＡｓを含み、金属分路がＡｕを含み、基板がＧａＡｓを含む、請求項６に記載の装置。
【請求項９】
少なくとも１つのナノスケールＥＥＣセンサを含むナノスケールハイブリッド半導体／金属デバイスに接触している物質をさらに含み、対象物が、少なくとも１つの生体細胞を含み、少なくとも１つの生体細胞により生成される電界が、少なくとも１つのナノスケールＥＥＣセンサにおいて電圧を生成するための摂動としての役割を果たす、請求項５に記載の装置。
【請求項１０】
アレイの全てのナノスケールＥＸＸセンサが同じタイプであり、各ナノスケールＥＸＸセンサがナノスケールＥＥＣセンサ（９００）を含む、請求項２に記載の装置。
【請求項１１】
ナノスケールＥＸＸセンサが、少なくとも１つのナノスケールＥＸＸセンサをそれぞれが含む複数のピクセル（１４００）に対応するアレイ上に配置される、請求項２に記載の装置。
【請求項１２】
複数のピクセルが複数のナノスケールＥＸＸセンサを含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
複数のナノスケールＥＸＸセンサを含む少なくとも複数のピクセルが、複数の様々なタイプのナノスケールセンサを含む、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
マクロスケール圧電式トランスデューサ（１６０４）と、
アレイと圧電式トランスデューサとの間に配設される基板（１２０４）と、
基板と圧電式トランスデューサとの間に配設されるグラウンド導体（１６０２）と、
基材（１６０８）と、
圧電式トランスデューサと基材との間に配設される高電圧導体（１６０６）と
をさらに含み、
圧電式トランスデューサが、音波を用いてアレイのナノスケールハイブリッド半導体／金属デバイスを摂動するように構成され、
高電圧導体およびグラウンド導体が、アレイを摂動するための音波を生成するために、圧電式トランスデューサに電流を供給し、
各ナノスケールハイブリッド半導体／金属デバイスがナノスケールＥＸＸセンサを含み、
少なくとも１つのナノスケールＥＸＸセンサがＥＡＣセンサを含み、
圧電式トランスデューサ、基板、アレイ、グラウンド導体、高電圧導体および基材が、実質的に平行面内にあり、
ナノスケールＥＸＸセンサの少なくとも１つがＥＥＣセンサ（９００）を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
対象物の少なくとも１つの特性を感知するための装置であって、
摂動に反応して電圧を生成するようにそれぞれが構成されるＥＡＣセンサ（１００）、ＥＰＣセンサ（１００）、ＥＭＲセンサ（１００）、ＥＯＣセンサ（１００）およびＥＥＣセンサ（９００）からなる群より選択される複数のハイブリッド半導体／金属デバイス（１２０２）を含むアレイ（１２００／１６００）を備え、生成された電圧がハイブリッド半導体／金属デバイスの近傍の対象物の少なくとも１つの特性を示す、装置。
【請求項１６】
ハイブリッド半導体／金属デバイスがＥＥＣセンサのみを含む、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
半導体（１０２／９０２）および金属分路（１０４／９０４）をそれぞれが含み、また半導体／金属界面（１０８／９０８）をそれぞれが有する、アレイ（１２００／１６００）中に配置される複数のナノスケールハイブリッド半導体／金属デバイス（１２０２）に、電流を供給するステップであって、各ナノスケールハイブリッド半導体／金属デバイスが、摂動による露出に反応して界面の抵抗変化をもたらすように構成される、ステップと、
少なくとも１つの摂動を用いてナノスケールハイブリッド半導体／金属デバイスを摂動するステップと、
少なくとも１つの摂動に反応して、ナノスケールハイブリッド半導体／金属デバイスの複数の電圧応答を測定するステップであって、電圧応答が、ナノスケールハイブリッド半導体／金属デバイスの近傍の対象物の少なくとも１つの特性を示す、ステップと
を含む、対象物の少なくとも１つの特性を感知する方法。
【請求項１８】
対象物が少なくとも１つの生体細胞を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
測定された電圧応答から少なくとも１つの画像を生成するステップをさらに含み、画像が、対象物の少なくとも１つの特性を示す、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
少なくとも１つのＥＸＸセンサがナノスケールＥＥＣセンサ（９００）を含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
摂動するステップが、少なくとも１つの生体細胞自体により発せられる信号を用いて、少なくとも１つのナノスケールＥＥＣセンサの界面（９０８）を摂動するステップを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
摂動が少なくとも１つの生体細胞によりもたらされる電界を含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
アレイが、少なくとも１つの生体細胞の様々な特性を示す、摂動に対する測定可能な電圧応答をそれぞれが有する複数の様々なタイプのナノスケールＥＸＸセンサを含み、摂動するステップが、複数の様々なタイプの摂動を用いて様々なＥＸＸセンサを摂動するステップをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】
アレイが、複数のナノスケールＥＡＣセンサ（１００）、複数のナノスケールＥＯＣセンサ（１００）および複数のナノスケールＥＥＣセンサ（９００）をさらに含み、摂動するステップが、（１）音波を用いてナノスケールＥＡＣセンサの界面を摂動するステップと、（２）光を用いてナノスケールＥＯＣセンサの半導体膜の露出面を摂動するステップと、（３）電界を用いてナノスケールＥＥＣセンサの界面（９０８）を摂動するステップとをさらに含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
アレイが、複数のナノスケールＥＡＣセンサ（１００）および複数のナノスケールＥＥＣセンサ（９００）を含み、摂動するステップが、（１）音波を用いてナノスケールＥＡＣセンサの界面を摂動するステップと、（２）電界を用いてナノスケールＥＥＣセンサの界面（９０８）を摂動するステップとを含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
摂動するステップが、ナノスケールＥＡＣセンサおよびナノスケールＥＥＣセンサの両方を同時に摂動するステップと、ナノスケールＥＡＣセンサおよびナノスケールＥＥＣセンサの両方の電圧応答を同時に測定するステップとを含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
アレイが、複数のナノスケールＥＣＯセンサ（１００）および複数のナノスケールＥＥＣセンサ（９００）を含み、摂動するステップが、（１）光を用いてナノスケールＥＯＣセンサの半導体膜（１０２）の露出面を摂動するステップと、（２）電界を用いてナノスケールＥＥＣセンサの界面（９０８）を摂動するステップとを含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２８】
光を用いてナノスケールＥＯＣセンサを摂動するステップが、少なくとも１つの生体細胞自体からの蛍光または燐光発光を用いてナノスケールＥＯＣセンサを摂動するステップを含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
電界を用いてナノスケールＥＥＣセンサの界面を摂動するステップが、少なくとも１つの生体自体により生成される電界を用いてナノスケールＥＥＣセンサの界面を摂動するステップを含む、請求項２４、２５または２７に記載の方法。
【請求項３０】
摂動するステップが、ナノスケールＥＯＣセンサおよびナノスケールＥＥＣセンサの両方を同時に摂動するステップと、ナノスケールＥＯＣセンサおよびナノスケールＥＥＣセンサの両方の電圧応答を同時に測定するステップとを含む、請求項２５または２７に記載の方法。
【請求項３１】
ナノスケールハイブリッド半導体／金属デバイスが、少なくとも１つの細胞に近接する複数のナノスケールＥＸＸセンサを含んでおり、ナノスケールＥＸＸセンサが、少なくとも２つの異なるタイプのＥＸＸセンサを含んでおり、前記方法が、
少なくとも２つのタイプの摂動を用いてナノスケールＥＸＸセンサを摂動するステップと、
摂動されるナノスケールＥＸＸセンサのそれぞれについて電圧応答を測定するステップと、
第１のタイプのナノスケールＥＸＸセンサの電圧応答から第１の画像を生成するステップであって、生成される第１の画像が、少なくとも１つの細胞の第１の特性を示し、ナノスケール空間分解能を有する、ステップと、
第２のタイプのナノスケールＥＸＸセンサの電圧応答から第２の画像を生成するステップであって、生成される第２の画像が、少なくとも１つの細胞の第２の特性を示し、ナノスケール空間分解能を有する、ステップと
を更に含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項３２】
ＥＸＸセンサが、少なくとも３つのそれぞれ異なるタイプのＥＸＸセンサを含み、摂動するステップが、第３のタイプの摂動を用いて第３のタイプのナノスケールＥＸＸセンサを摂動するステップをさらに含む方法であって、この方法がさらに、第３のタイプのナノスケールＥＸＸセンサの電圧応答から第３の画像を生成するステップを含み、生成される第３の画像が、少なくとも１つの細胞の第３の特性を示し、ナノスケール空間分解能を有する、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
アレイを身体内に埋め込むステップを更に含み、
電圧応答が、身体の内部部分の少なくとも１つの特性を示唆する、ステップと
を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項３４】
遠隔信号処理デバイスに電圧応答を無線通信するステップとさらに含む、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
後の検索のために、アレイにとってローカルなメモリに電圧応答を記憶するステップをさらに含む、請求項３３に記載の方法。
【請求項３６】
埋め込むステップが、患者の血管系内にアレイを埋め込むステップをさらに含む、請求項３３に記載の方法。