【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年9月22日(2011.9.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ｎ型伝導エピタクシー層（４）およびｐ型伝導エピタクシー層（５）を有する、ＧａＮ系の光放出エピタクシー連続層（３）を有する発光ダイオードチップ（１）において、発光ダイオードチップ（１）が成長基板を備えておらず、ｐ型伝導エピタクシー層（５）がｎ型伝導エピタクシー層（４）から離反した主要面（９）上に結合能力を有する反射性ｐ型接触層（６）を備えており、
ｎ型伝導エピタクシー層（４）がｐ型伝導エピタクシー層（５）から離反した主要面（８）上に、この主要面の一部分だけを覆うｎ型接触層（７）を備えており、
発光ダイオードチップ（１）からの光出射がｎ型伝導エピタクシー層（４）の主要面（８）の自由領域および発光ダイオードチップの側面（１４）を介して行なわれ、
ｐ型接触層（６）がｐ側（９）に施された透明な第１の層（１５）およびこの第１の層上に施された反射性の第２の層（１６）を有していることを特徴とする、上記発光ダイオードチップ（１）。
【請求項２】  第１の層（１５）がＰｔおよび／またはＰｄを有し、前記第２の層（１６）がＡｇ、Ａｕおよび／またはＡｌを有するかまたは誘電体ミラーとしてとして形成されている、請求項１記載の発光ダイオードチップ。
【請求項３】  ｐ型接触層（６）がＰｔＡｇ合金および／またはＰｄＡｇ合金を有している、請求項２記載の発光ダイオードチップ。
【請求項４】  連続層（３、１０１）の全自由表面またはその部分領域が粗面化されている、請求項１から３までのいずれか１項に記載の発光ダイオードチップ。
【請求項５】  ＧａＮ系の発光ダイオードチップ（１）とＬＥＤケーシング（２１）を有する発光ダイオードパッケージの製造法において、方法の工程：
ａ）光放出エピタクシー連続層（３）を基板（２）上に、エピタクシー連続層（３）のｎ側（８）が基板（２）に対向しかつエピタクシー連続層（３）のｐ側（９）が基板（２）から離反しているようにエピタクシャル成長させる工程、
ｂ）ｐ側（９）への透明な第１の層（１５）の施与および第１の層（１５）上への反射性の第２の層（１６）の施与によって、結合能力を有するｐ型接触層（６）をエピタクシー連続層（３）のｐ側（９）に施す工程、
ｃ）基板（２）をエピタクシー連続層（３）から取り除く工程、
ｄ）ｎ型接触層（７）を工程ｃ）で露出した、エピタクシー連続層（３）の主要面（１３）の部分領域に施す工程、
ｅ）発光ダイオードチップ（１）をＬＥＤケーシングのチップ取付け面（１２）、ＬＥＤケーシング内の導体路または電気接続フレーム（１１）の上にチップ取付け面（１２）に向かって結合能力を有するｐ型接触層（６）と一緒に施す工程を有することを特徴とする、ＧａＮ系の発光ダイオードチップ（１）とＬＥＤケーシング（２１）を有する発光ダイオードパッケージの製造法。
【請求項６】  連続層（３、１０１）を全体的にかまたは部分領域内で粗面化する、請求項５記載の方法。
【請求項７】  連続層（３、１０１）をエッチングによって粗面化する、請求項６記載の方法。
【請求項８】  連続層（３、１０１）をサンドブラスト法によって粗面化する、請求項６記載の方法。
【請求項９】  発光ダイオードチップ（１）がＬＥＤケーシング（２１）のチップ取付け面（１２）上、殊に導体フレーム（１１）上またはＬＥＤケーシングの導体路上に取り付けられている、請求項１から４までのいずれか１項に記載の発光ダイオードチップとＬＥＤケーシング（２１）を有する発光ダイオードパッケージにおいて、反射性ｐ型接触層（６）がチップ取付け面（１２）上に載置されていることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項に記載の発光ダイオードチップとＬＥＤケーシング（２１）を有する発光ダイオードパッケージ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】ＧａＮ系の発光ダイオードチップおよび発光ダイオードパッケージの製造法
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
本発明は、請求項１記載の上位概念による発光ダイオードチップならびにＧａＮ系の発光ダイオードチップを有する発光ダイオードパッケージの製造法に関する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
ＧａＮ系の発光ダイオードチップを製造する場合には、別の材料系からなる従来の発光ダイオードチップの場合に通常使用される、できるだけ高い光出力（Ｓｔｒａｈｌｕｎｇｓａｕｓｋｏｐｐｌｕｎｇ）の達成のためにチップ前面の破断部分だけを覆う前面接点がチップの側方の全横断面に亘って電流の拡大を達成させるために、ｐ型にドープされた層、殊にｐ型にドープされたＧａＮ層またはＡｌＧａＮ層の最大で達成しうる導電性が十分ではないという基本的な問題が存在する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
ｐ型伝導層が導電性基板上で成長すること、即ち、それによってｐ型伝導層の側方での全横断面に亘って電流の印加が可能になるであろうことは、経済的に支持しうる結果を生じない。そのための理由は、ＧａＮ系の層の成長のために格子に適合した導電性基板（例えば、ＧａＮ基板）の製造が高い工業的費用と結び付いており、ドープされていないＧａＮ化合物およびｎ型にドープされたＧａＮ化合物に適した、格子に適合していない基板の成長が発光ダイオードに十分な結晶品質を生じないことにある。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
記載された問題を排除するための公知の試みの場合には、基板から離反した、ｐ型伝導層の側に全面に、結合接点を備えている、光に対して透過性の接触層または電流の拡大のための付加的な良好の導電性層が施こされている。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
しかし、最初に記載された提案は、著量の光が接触層中で吸収されるという欠点と関連している。第２に記載された提案の場合、完成費用を増加させる付加的な処理工程が必要とされる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
本発明の目的は、付加的な製造費用が僅かなままである、改善された電流拡大を伴う冒頭に記載された種類の発光ダイオードチップを開発することにある。更に、この種のチップを有する発光ダイオードパッケージの製造も提供されるはずである。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
前記目的は、請求項１の特徴を有する発光ダイオードチップを用いて達成される。好ましい他の実施形式は、従属請求項に記載の対象である。本発明による発光ダイオードパッケージを製造するための好ましい方法は、請求項５から８までのいずれか１項に記載の対象である。１つの好ましい発光ダイオードパッケージは、請求項９に記載の対象である。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
本発明による発光ダイオードチップの場合、基板は、導電性である。基板上には、最初にエピタクシー連続層のｎ型伝導層が施されている。このｎ型伝導層上には、エピタクシー連続層のｐ型伝導層が存在し、側方に全面で施されている、結合能力を有する反射性ｐ型接触層がこれに続く。基板は、エピタクシー連続層から離反した主要面にｎ型接触層を備えており、このｎ型接触層は、前記主要面の一部分だけを覆う。チップからの光出射（Ｌｉｃｈｔａｕｓｋｏｐｐｌｕｎｇ）は、基板の主要面の自由領域および発光ダイオードチップの側面（Ｃｈｉｐｆｌａｎｋｅｎ)を介して行なわれる。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
この場合、基板は、好ましくはチップ中で発生される光出力を改善する窓層として使用される。基板の厚さを最適化するために、この基板は、好ましくはエピタクシー連続層の成長後に、例えば研磨および／またはエッチングにより薄くされている。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
更に、本発明による発光ダイオードチップの場合、このチップは、専らエピタクシー層を有する。そのために、成長基板は、エピタクシー連続層のエピタクシャル成長の後に取り除かれる。ｐ型伝導エピタクシー層は、ｎ型伝導エピタクシー層から離反した主要面上に本質的に全面に結合能力を有する反射性ｐ型接触層を備えている。ｐ型伝導エピタクシー層から離反した、ｎ型伝導エピタクシー層の主要面上には、この主要面の一部分だけを覆うｎ型接触層が存在する。チップからの光出射は、ｎ型伝導エピタクシー層の主要面の自由領域および発光ダイオードチップの側面を介して行なわれる。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
この場合、成長基板は、電気絶縁されていてもよいし、光不透過性であってもよく、したがって好ましくは、専ら最適な成長条件に関連して選択されることができる。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
この種の所謂薄膜ＬＥＤチップの特別な利点は、殊に屈折率の突発的な上昇を有する減少された数の界面に基づいて、チップ中で光吸収が減少されること、理想的には光吸収がなくなることおよびチップからの光出力が改善されることにある。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
本発明による２つの発光ダイオードチップを用いた場合には、損失熱を発生させる、チップの領域（殊に、ｐ型にドープされた層およびｐｎ接合部）を熱ドレインに極めて隣接してもたらす可能性が存在するという特殊な利点と関連し；エピタクシー連続層は、実際に直接熱ドレインに熱結合可能である。それによって、チップは、極めて効果的に冷却されることができ、それによって放出された光の安定性は、高められている。また、同様に、チップの作用度も高められている。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
更に、好ましい実施形式において、連続層によって形成された半導体の全自由表面またはその部分領域は、粗面化されている。この粗面化によって、出射面（Ａｕｓｋｏｐｐｅｌｆｌａｅｃｈｅ）での全反射は破壊され、それによって有利に光出射度は、さらに高められる。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
本発明による発光ダイオードチップを有する発光ダイオードパッケージを製造するための本発明による方法の場合には、チップは、ｐ側で電気接続部分、殊に電気的導体フレームのチップ取付け面上に取り付けられる。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
図１ａの発光ダイオードチップ１の場合、ＳｉＣ基板２上には、光放出エピタクシー連続層３が取り付けられている。この光放出エピタクシー連続層は、例えばｎ型伝導性のドープされたＧａＮエピタクシー層またはＡｌＧａＮエピタクシー層４およびｐ型伝導性のドープされたＧａＮエピタクシー層またはＡｌＧａＮエピタクシー層５を有している。同様に、例えばＩｎＧａＮまたはＩｎＧａＡｌＮからなる１つまたは多数のドープされていない層１９を有する二重ヘテロ構造、単一量子井戸（ＳＱＷ）構造または多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する、ＧａＮ系のエピタクシー連続層３が設けられていてもよい。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
ＳｉＣ基板２は、導電性であり、エピタクシー連続層３から放出される光線に対して透過性である。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
しかし、ｐ型接触層６は、図１ｂの記載と同様に、光透過性の第１の層１５および反射性（ｓｐｉｅｇｅｌｎｄｅｎ）の第２の層１６から構成されていてもよい。第１の層１５は、例えば本質的にＰｔおよび／またはＰＤからなり、第２の層１６は、例えば本質的にＡｇ、Ａｕおよび／またはＡｌまたは誘電体ミラー層からなる。
【誤訳訂正２１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
エピタクシー連続層３から離反した主要面１０で、ＳｉＣ基板２には、ｎ型接触層７が設けられており、このｎ型接触層は、前記主要面１０の一部分だけを覆い、線材を結合するための結合パッドとして構成されている。
【誤訳訂正２２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
ｎ型接触層７は、例えばＳｉＣ基板２上に施こされたＮｉ層、引続きＡｕ層からなる。
【誤訳訂正２３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
チップ１は、ダイボンディング（Ｄｉｅ−Ｂｏｎｄｅｎ）によりｐ側、即ちｐ型接触層６で電気接続フレーム１１（導体フレーム）のチップ取付け面１２上に取り付けられている。ｎ型接触層７は、接続線１７により接続フレーム１１の接続部分１８と結合されている。
【誤訳訂正２４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
チップ１からの光出射は、ＳｉＣ基板２の主要面１０の自由領域および発光ダイオードチップの側面１４を介して行なわれる。
【誤訳訂正２５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
図３ａ〜３ｃに略示された、図１ａによる発光ダイオードチップ１を有する発光ダイオードパッケージを製造するための処理過程の場合、最初に、光放出エピタクシー連続層３がＳｉＣ基板２上に成長する（図３ａ）。次に、エピタクシー連続層３のｐ側には、全面に結合能力を有するｐ型接触層６が施こされ、エピタクシー連続層３から離反した、基板２の主要面１０の部分領域上には、ｎ型接触層７が施こされる（図３ｂ）。この処理工程は、全て所謂、ウェーハ複合体中で行なわれ、それによって多数のチップが同時に並列的に製造可能である。
【誤訳訂正２６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
図４ａ〜４ｅに略示された、図２による発光ダイオードチップ１を有する発光ダイオードパッケージを製造するための方法は、図３ａ〜３ｃの場合と、本質的にエピタクシー連続層３の成長後およびｐ型接触層６の施与前または施与後に基板２が取り除かれることによって区別される（図４ｃ）。この場合、基板２は、電気絶縁性であってもよいし、光不透過性であってもよく、したがって好ましくは最適な成長条件に関連して設計されることができる。
【誤訳訂正２７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
基板２の除去後、エピタクシー連続層３のｎ側１３には、ｎ型接触層７が施こされ（図４ｄ）、その後に上記と同様に図３ｃに関連して既に記載された取付け工程が行なわれる（図４ｅ）。
【誤訳訂正２８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
図５に示された実施例は、スタック形に配置された、多数の異なる半導体層１０１を有し、この半導体層は、ＧａＮまたはＧａＮ系の３元若しくは４元化合物（ｔｅｒｎａｅｒｅｎ ｏｄｅｒ ｑｕａｔｅｒｎａｅｒｅｎ Ｖｅｒｂｉｎｄｕｎｇ）からなる。運転において、前記層の内部で活性帯域１０２が形成され、この活性帯域内で光線１０５が発生される。
【誤訳訂正２９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
層スタックは、第１の主要面１０３および第２の主要面１０４によって制限されている。本質的に、発生された光線１０５は、第１の主要面１０３によって制限された環境内で出射（Ａｕｓｋｏｐｐｌｕｎｇ）される。
【誤訳訂正３０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
第２の主要面１０４上には、上記の記載と同様に、結合能力を有する反射性ｐ型接触層１０６が施こされている。半導体は、出力側（Ａｕｓｋｏｐｐｌｕｎｇｓｓｅｉｔｅ）で接触面１１２上に接触し、リフレクター側で反射性ｐ型接触層１０６上に接触する。リフレクター側の接触は、例えば半導体がリフレクター側で金属体上に載置されていることによって行うことができ、この場合この金属体は、キャリヤーならびに電流供給体として使用される。
【誤訳訂正３１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
リフレクター１０６は、第１の主要面１０３での出射（Ａｕｓｋｏｐｐｌｕｎｇ）の際に半導体中に再反射される光線１０５の一部分が再び第１の主要面１０３の方向に反射され、したがって全体的に第１の主要面１０３によって出射される（ａｕｓｇｅｋｏｐｐｅｌｔｅ）光量が上昇されることを生じる。この上昇は、パッケージが薄膜パッケージとして光吸収性の基板なしに形成されておりかつリフレクター１０６が直接にＧａＮ半導体上に施こされていることによって可能になる。
【誤訳訂正３２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
この場合、半導体の表面は、粗面１０７を有している。この粗面１０７は、第１の主面１０３で光線１０５の散乱を生じさせ、したがって第１の主要面１０３での全反射は妨害される。この散乱は、発生された光線が２つの主要面１０３と１０４の間または主要面１０３とリフレクター１０６との間で連続する同種の反射によって光導体の種類に応じて、半導体を去ることなく導かれることを十分に阻止する。
【誤訳訂正３３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】符号の説明
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【符号の説明】
１  発光ダイオードチップ、
２  ＳｉＣ基板、
３  光放出エピタクシー連続層、
４  ｎ型伝導エピタクシー層、
５  ｐ型伝導エピタクシー層、
６  全面に結合能力を有する反射性ｐ型接触層、
７  ｎ型接触層、
８  ｎ型伝導エピタクシー層（４）の主要面、
９  ＳｉＣ基板（２）から離反したｐ側、
１０  エピタクシー連続層（３）から離反した主要面、
１１  ＬＥＤケーシング内の導体路または電気接続フレーム、
１２  ＬＥＤケーシングのチップ取付け面、
１３  エピタクシー連続層（３）のｎ側、
１４  発光ダイオードチップの側面、
１５  光透過性の第１の層、
１６  反射性の第２の層、
１７  接続線、
１８  接続フレーム（１１）の接続部分、
１９  ドープされていない層、
２１  ＬＥＤケーシング、
１０１  半導体層、
１０２  活性帯域、
１０３  第１の主要面、
１０４  第２の主要面、
１０５  光線、
１０６  結合能力を有する反射性ｐ型接触層、
１１２  接触面