【事件の表示】
　特願２００５−１８３２３１「フェムト秒レーザーを用いた基板の切断方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　５月２５日出願公開、特開２００６−１３０９０３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１７年６月２３日（優先権主張、平成１６年１１月５日、大韓民国）の出願であって、同１７年６月２３日付け、同２０年７月１１付けで手続補正がなされ、同年９月９日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年１２月１５日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同２１年１月１３日に特許請求の範囲を対象とする手続補正（以下「本件補正」という。）がなされ、当審において、同２２年３月１１日付けで審尋がなされ、同年６月１５日に回答書が提出されたものである。
　
第２．本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．本願発明
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するもので、補正前後の請求項１は、以下のとおりである。
　
【補正前の請求項１】
「基板をステージ上に整列する段階と、
　前記ステージ上に整列された基板の切断する部分にフェムト秒レーザーを照射して前記基板を約４０μｍの幅で切断する段階と
　を備えることを特徴とするフェムト秒レーザーを用いた基板の切断方法。」
　
【補正後の請求項１】
「基板をステージ上に整列する段階と、
　前記ステージ上に整列された基板の切断する部分にフェムト秒レーザーを照射して前記基板を４０μｍの幅で切断する段階とを備え、
　
前記フェムト秒レーザーは、フェムト秒レーザーの発信器から発生したフェムト秒レーザーを集光レンズを介して集束して、前記ステージに固定された基板の切断する部分に照射し、
　
前記集光レンズを介して増幅したフェムト秒レーザーは、テラ（１０
１２
）ワットからペタ（１０
１５
）ワットのピークパワーを有し、
　
前記フェムト秒レーザーは、１パルス当たりパルスエネルギーはマイクロジュール（μＪ）からミリジュール（ｍＪ）であり、平均出力としては１ワットである
　
　上記補正は、「フェムト秒レーザー」について、「フェムト秒レーザーの発信器から発生したフェムト秒レーザーを集光レンズを介して集束して、前記ステージに固定された基板の切断する部分に照射し、前記集光レンズを介して増幅したフェムト秒レーザーは、テラ（１０１２）ワットからペタ（１０１５）ワットのピークパワーを有し、前記フェムト秒レーザーは、１パルス当たりパルスエネルギーはマイクロジュール（μＪ）からミリジュール（ｍＪ）であり、平均出力としては１ワットである」なる事項を付加するものであって、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例とされる改正前特許法（以下「改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の前記請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）が、改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか（いわゆる「独立特許要件」）について、検討する。
　
２．刊行物記載の発明
　原審の拒絶理由に引用され、本願優先日前に頒布された刊行物である特開２００２−３２４７６８号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下が記載されている。
　
ア．段落０００１
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板切断方法に関し、特に多数の素子を形成した半導体ウェーハを切断して半導体ペレットを製造する場合に好適する基板切断方法に関するものである。」
　
イ．段落００１６〜００１８
「【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載された基板切断方法は、基板に超短パルスレーザを照射して切断することを特徴とするものである。
【００１７】図４は超短パルスレーザ装置の構成ブロック図である。・・・。最終的に増幅されたパルスは、例えば、エネルギ２ｍＪ、パルス幅１３０ｆｓ、繰り返し率１０Ｈｚであり、ピーク強度は１５ＧＷまで増幅される。チタンサファイアレーザのピーク強度は１０７ｋＷであるから、約１００，０００倍に増幅されたことになる。
【００１８】・・・。さらに、超短パルスレーザは、従来のＣＯ２レーザやＹＡＧレーザの連続波レーザやパルスレーザＬを照射してウェーハＷを切断する方法に比較して、レーザのパルス幅が小さいので熱伝導が小さく、レーザ照射部分近傍の基板温度上昇はほとんどないので、基板の温度上昇による熱歪によるクラック発生に起因する収率低下がなくなるし、レーザを照射した部分のみに幅狭の溝を形成できるのでスクライブラインの幅も小さく設計でき、基板１枚当りの素子数を増大できる。・・・。」
　
ウ．段落００３６〜００３７
「【００３６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。図１は本発明の基板切断方法について説明するための概略構成図を示す。図１において、１は基板の一例としての厚さが５０μｍ以下の半導体ウェーハ（以下ウェーハという）で、周知の不純物拡散等によって多数の素子２が形成されており、その裏面には半田や樹脂等の一括処理による接着剤層３が形成されている。このウェーハ１の裏面（接着剤層３側）は、粘着シートに貼り付けられることなく、図２に示すように、ｘ−ｙテーブル４に吸着されている。・・・。
【００３７】このようにして、ステージ４に吸着されたウェーハ１の素子２，２間のスクライブラインに沿って、チタンサファイアレーザ源によるパルス幅が１ピコ秒以下のフェムト秒レーザ７を１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚで繰り返し照射して切断する。すると、前述の図６（Ａ）〜（Ｃ）で説明したように、側端面が切り立った溝８が形成されて、図３に示すように、側端面２ａがほぼ直角状の、かつ裏面に一括処理による接着剤層３を有する多数のペレット２が得られる。」
　
エ．段落００４３
「【００４３】実験条件
切断対象基板：シリコン基板、厚さ寸法５０μｍ
超短パルスレーザ：チタンサファイアレーザ
パルス幅τ：１２０ｆｓ
中心波長λ：８００ｎｍ
パルスエレルギＥ：０．０１ｍＪ／pulse
ワークディスタンスW.D.：１００ｍｍ
レンズ焦点距離ｆ：１００ｍｍ
レーザ照射回数Ｎ：１８」
　
　これら記載を、図面を参照しつつ、技術常識を踏まえ、補正発明に照らして整理すると、刊行物１には、以下の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「基板１をｘ−ｙテーブルであるステージ４上に吸着する段階と、
　前記ステージ４上に吸着された基板１のスクライブラインに沿ってフェムト秒レーザ７を照射して前記基板を従来のレーザに比較して幅狭の溝で切断する段階とを備え、
　前記フェムト秒レーザ７は、チタンサファイアレーザ源から発生したフェムト秒レーザ７を、前記ステージ４に吸着された基板１の切断する部分に照射し、
　前記フェムト秒レーザ７は、パルス幅１３０ｆｓで１５ＧＷのピーク強度を有し、
　前記フェムト秒レーザ７は、パルス幅１２０ｆｓで１パルス当たりパルスエネルギＥは０．０１ミリジュール（ｍＪ）であるフェムト秒レーザを用いた基板の切断方法。」
　
３．対比
　補正発明と刊行物１発明とを対比する。
　刊行物１発明の「吸着」は補正発明の「整列」に相当し、同様に「スクライブラインに沿って」は「切断する部分に」に、「チタンサファイアレーザ源」は「フェムト秒レーザーの発信器」に、「吸着された」は「固定された」に、「ピーク強度」は「ピークパワー」に、相当する。
　刊行物１発明の「従来のレーザに比較して幅狭の溝」と、補正発明の「４０μｍの幅」とは、「従来のレーザーに比較して幅狭の溝」である限りにおいて一致する。
　刊行物１発明の「０．０１ミリジュール」は、補正発明の「マイクロジュール（μＪ）からミリジュール（ｍＪ）」に含まれる。
　
　したがって、両者は、以下の点で一致する。
「基板をステージ上に整列する段階と、
　前記ステージ上に整列された基板の切断する部分にフェムト秒レーザーを照射して前記基板を従来のレーザーに比較して幅狭の溝で切断する段階とを備え、
　前記フェムト秒レーザーは、フェムト秒レーザーの発信器から発生したフェムト秒レーザーを、前記ステージに固定された基板の切断する部分に照射し、
　前記フェムト秒レーザーは、１パルス当たりパルスエネルギーはマイクロジュール（μＪ）からミリジュール（ｍＪ）であるフェムト秒レーザーを用いた基板の切断方法。」
　
　そして、以下の点で相違する。
　相違点１：切断溝が、補正発明では「４０μｍの幅」であるが、刊行物１発明では、「従来のレーザに比較して幅狭の溝」である点。
　相違点２：フェムト秒レーザーが、補正発明では「集光レンズを介して集束し」、「集光レンズを介して増幅」され、ピークパワーが「テラ（１０１２）ワットからペタ（１０１５）ワット」であり、「平均出力としては１ワット」であるが、刊行物１発明では、「集光レンズ」を介するか不明であり、ピークパワーが「１５ＧＷ」である点。
　
４．判断
　相違点１について検討する。
　刊行物１発明も、「従来のレーザに比較して幅狭の溝」とするものであり、この点で補正発明も同様である。
　切断幅を４０μｍと特定する点については、切断幅をどの程度とするかは、そもそも当業者が適宜設計しうる事項である。
　また、本願明細書には切断幅についての比較例が記載されておらず、切断幅を４０μｍとすることにより、格別な効果を奏するとも認められない。
　
　相違点２について検討する。
　レーザーを、「集光レンズを介して集束」して照射することは、審尋で引用した特開２０００−３１２９８５号公報の段落００２８〜００２９、同じく特開平９−８５４７５号公報の請求項１、新たに引用する特開２００３−１４６８号公報の請求項１にみられるごとく周知であり、フェムト秒レーザーにも適用可能である。
　「増幅」された「ピークパワー」、「平均出力」については、前記特開平９−８５４７５号公報の段落００１６〜００１７、前記特開２００３−１４６８号公報の段落００２４、本願明細書の段落００６６〜００６７に記載されているように、フェムト秒レーザーを集光レンズを介することで通常得られる程度の値であるし、さらに、ピークパワー及び平均出力の数値範囲を実験的に最適化又は好適化することは当業者の通常の創作能力の発揮にすぎない。
　よって、相違点２は格別なものではない。　
　
　また、これら相違点を総合勘案しても、格別な技術的意義が生じるとは認められない。
　
　したがって、補正発明は、刊行物１発明、周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、出願の際独立して特許を受けることができない。
　　
５．むすび
　以上のとおり、本件補正は、改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであり、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　なお、請求人は、回答書で、「今回初めて引用された引用文献２、３により、上記拒絶査定時に論点として挙げられていない事項について進歩性が無く、新たな拒絶理由通知がなされずに該事項を含む補正が補正却下されるのは承服できません」と主張し、補正案を示している。
　しかし、改正前特許法第１５９条第２項により読み替えて適用する同法第５０条但書きによれば、本件補正を却下する場合に、拒絶理由を通知する必要はないから、請求人の主張は根拠がない（参考判決、平成１６年（行ケ）５７号、平成１５年（行ケ）４７５号、平成１５年（行ケ）１７７号）。
　法律上根拠のない補正案について、仮に検討したとしても、「焦点を内部に位置させる」点は、前記特開２００３−１４６８号公報の請求項１に記載されているから、結論に変わりはない。
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記第２．の１．【補正前の請求項１】のとおりのものと認める。
　
２．刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願優先日前に頒布された刊行物である刊行物１、及びその記載事項は、上記第２．の２．のとおりである。
　
３．対比
　本願発明と刊行物１発明とを対比すると、各構成要素間の関係は、上記第２．の３．と同様である。
　したがって、両者は、以下の点で一致する。
　
「基板をステージ上に整列する段階と、
　前記ステージ上に整列された基板の切断する部分にフェムト秒レーザーを照射して前記基板を従来のレーザーに比較して幅狭の溝で切断する段階と
を備えることを特徴とするフェムト秒レーザーを用いた基板の切断方法。」
　
　そして、以下の点で相違する。
　相違点３：切断溝が、本願発明では「４０μｍの幅」であるが、刊行物１発明では、「従来のレーザに比較して幅狭の溝」である点。
　
４．判断
　相違点３は、上記第２．の３．の相違点１と同じであるから、その判断も上記第２．の４．の相違点１におけるものと同様である。
　したがって、本願発明は、刊行物１発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。