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【手続補正書】
【提出日】平成23年8月23日(2011.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遠隔装置に無線電力供給する多相誘導電力供給システムであって、
ＤＣ電源と、
接地と、
マイクロプロセッサと、
１次誘導結合器と、容量とをそれぞれが有する複数のタンク回路と、
前記マイクロプロセッサにそれぞれ電気的に接続される複数の発振器であって、前記マイクロプロセッサは、他の前記複数の発振器のそれぞれと異なる位相関係である発振信号を作り出すために、それぞれの前記複数の発振器に信号を送り、前記マイクロプロセッサは、前記遠隔装置からのフィードバックに基づいて前記発振信号のタイミングを変化させるために、それぞれの前記複数の発振器に信号を送る発振器と、
少なくとも１つの前記複数の発振器にそれぞれ電気的に接続される複数のドライバと、
少なくとも１つの前記複数のドライバにそれぞれ電気的に接続され、かつ前記ＤＣ電源、又は前記接地を前記タンク回路の１つに選択的に電気的に接続して、前記異なる位相関係をそれぞれ有する交流電流を生成する複数のスイッチング回路と、
前記複数のタンク回路のそれぞれの少なくとも１つの前記１次誘導結合器にそれぞれ誘導結合し、かつ前記異なる位相関係で電流をそれぞれ生成する複数の２次誘導結合器を有する前記遠隔装置に接続され、前記遠隔装置は、前記誘導結合を介して前記フィードバックを提供する多相誘導２次回路と、
前記生成された異なる位相の電流を結合するために、前記複数の２次誘導結合器に電気的に接続される位相結合回路と、
を有することを特徴とする多相誘導電力供給システム。
【請求項２】
前記複数の１次誘導結合器は、隣接する１次誘導コイルからの電圧をキャンセルするように、密に重なり合った三角形の関係で配置される請求項１に記載の多相誘導電力供給システム。
【請求項３】
前記複数の２次誘導結合器は、密に重なり合った三角形の関係で配置される請求項１に記載の多相誘導電力供給システム。
【請求項４】
前記複数の１次誘導結合器は、直線的、かつ遊離した形で配置される請求項１に記載の多相誘導電力供給システム。
【請求項５】
前記複数の１次誘導結合器は、遊離し、かつ重なり合わない三角形の形で配置される請求項１に記載の多相誘導電力供給システム。
【請求項６】
それぞれの発振器信号の位相は、他のそれぞれの発振器信号の前記位相から１２０度オフセットされる請求項１に記載の多相誘導電力供給システム。
【請求項７】
それぞれの発振器信号の位相は、少なくとも１つの他の発振器信号から３０度オフセットされる請求項１に記載の多相誘導電力供給システム。
【請求項８】
複数のタンク回路と、
前記複数のタンク回路が交互の位相で電圧を加えられるように、異なる位相で前記複数のタンク回路のそれぞれに電圧を加える多相誘導１次回路であって、前記複数のタンク回路の少なくとも１つのフィードバック信号に基づいて前記電圧を加えるタイミングを変化させる多相誘導１次回路と、
を有することを特徴とする多相誘導電源。
【請求項９】
前記複数のタンク回路は、隣接するタンク回路からのエネルギをキャンセルするように、密に重なり合った三角形の関係で配置される請求項８に記載の多相誘導電源。
【請求項１０】
前記複数のタンク回路は、直線的、かつ遊離した形で配置される請求項８に記載の多相誘導電源。
【請求項１１】
前記複数のタンク回路は、遊離し、かつ重なり合わない三角形の形で配置される請求項８に記載の多相誘導電源。
【請求項１２】
それぞれの位相は、少なくとも１２０度離れて交互に配置される請求項８に記載の多相誘導電源。
【請求項１３】
それぞれの位相は、少なくとも３０度離れて交互に配置される請求項８に記載の多相誘導電源。
【請求項１４】
多相誘導電源から電力を受電する多相誘導２次であって、
前記多相誘導電源と誘導結合し、かつ前記多相誘導電源から電力を受電する複数の２次コイルであって、前記誘導結合を介してフィードバックを提供する複数の２次コイルと、
前記多相誘導電源から受電したエネルギを再結合するために前記複数の２次コイルに電気的に接続される位相結合回路と、
前記位相結合回路に電気的に接続される負荷と、
を有することを特徴とする多相誘導２次。
【請求項１５】
前記複数の２次コイルは、隣接するタンク回路からのエネルギをキャンセルするように、密に重なり合った三角形の関係で配置される請求項１４に記載の多相誘導２次。
【請求項１６】
前記複数の２次コイルは、直線的、かつ遊離した形で配置される請求項１４に記載の多相誘導２次。
【請求項１７】
前記複数の２次コイルは、遊離し、かつ重なり合わない三角形の形で配置される請求項１４に記載の多相誘導２次。
【請求項１８】
前記多相誘導２次回路は、前記遠隔装置に直接的に組み込まれるか、又は前記遠隔装置のアダプタに組み込まれる請求項１に記載の多相誘導電力供給システム。
【請求項１９】
前記フィードバックは、前記遠隔装置の電源供給の必要性に基づく請求項１に記載の多相誘導電力供給システム。
【請求項２０】
前記位相結合回路に電気的に接続される負荷をさらに有する請求項１９に記載の多相誘導電力供給システム。
【請求項２１】
前記フィードバックは、前記多相誘導２次電源供給の必要性に基づく、多相誘導電源から電力を受電する請求項１４に記載の多相誘導２次。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月22日(2011.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に固体材料の薄膜堆積を行うための装置であって、
A)少なくとも第一の気相材料、第二の気相材料及び第三の気相材料のための少なくとも第一の源、第二の源及び第三の源、
B)基板表面を有しそして、ある単位面積あたりの平均重量を有する基板、
C)薄膜堆積を行うための前記基板表面に前記気相材料を配送するための堆積配送ヘッドであって、
i)前記第一の気相材料、第二の気相材料及び第三の気相材料をそれぞれ受けるための少なくとも第一のインレットポート、第二のインレットポート及び第三のインレットポート、
ii)排気ガスを排気するための少なくとも１つの排気ポート、及び、
iii)複数の延在開口部を含む、前記基板表面に近接したアウトプット面、
を含む堆積配送ヘッド、
を含み、
(a)前記インレットポートの各々は、前記基板にそれぞれの気相材料を供給するための堆積配送ヘッドの面において、少なくとも１つの第一の延在アウトプット開口部、第二の延在アウトプット開口部及び第三の延在アウトプット開口部に独立に連結されており、該延在アウトプット開口部の各々は対応する第一の延在射出チャンネル、第二の延在射出チャンネル及び第三の延在射出チャンネルに連結されており、そして
(b)前記少なくとも１つの排気ポートは堆積配送ヘッドの面において少なくとも２つの延在排気開口部に連結されており、該延在排気開口部の各々は対応する延在排気チャンネルと連結しており、前記延在排気開口部の各々は連携圧力を有し、前記少なくとも２つの延在排気開口部は少なくとも第一の延在アウトプット開口部、第二の延在アウトプット開口部又は第三の延在アウトプット開口部が前記少なくとも２つの延在排気開口部の間に存在するように配置されており、
前記アウトプット面と基板表面との間の実質的に均一な距離は、前記延在アウトプット開口部から基板表面への１つ以上の気相材料のフローによって発生する圧力によって少なくとも部分的に維持され、そして、パスカルとして測定した大気圧と延在排気開口部の平均圧力との差は、パスカルとして測定した、前記基板の単位面積あたりの平均重量の少なくとも２倍である、装置。
【請求項２】
前記第一のインレットポート及び第二のインレットポートの各々はそれぞれ複数の第一の延在射出チャンネル及び複数の第二の延在射出チャンネルに独立に連結されており、
前記第一の延在射出チャンネルの各々は対応する延在アウトプット開口部に連結されており、該延在アウトプット開口部は、その両側の延在面において、相対的に近い方の延在排気開口部及び相対的に近くない方の第三のパージガス用延在開口部によって、最も近い第二の延在アウトプット開口部から分離されており、
前記第二の延在アウトプット開口部の各々は、その両側の延在面において、相対的に近い方の延在排気開口部及び相対的に近くない方の第三のパージガス用延在アウトプット開口部によって、最も近い第一の延在アウトプット開口部から分離されている、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記装置は、配送デバイスのアウトプット面の縁に最も近い側で第二の延在アウトプット開口部又は第一の延在アウトプット開口部を有しない配送ヘッドの２つの末端の各々に第三の延在アウトプット開口部を含む、請求項１又は２記載の装置。
【請求項４】
前記基板は前記堆積配送ヘッドの上方にあり、それにより、前記基板の重量が前記基板を前記堆積配送ヘッドに向かって引っ張るように作用する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記基板は前記堆積配送ヘッドの下方にあり、それにより、前記基板を前記堆積配送ヘッドから離れる方向に引っ張るように作用する前記基板の重量は前記延在排気開口部による保持力によって相殺される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記堆積配送ヘッドは装置内に固定されており、前記基板は前記堆積配送ヘッドに対して移動する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記アウトプット面は曲面を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記曲面の軸は前記基板の移動方向に平行である、請求項７記載の装置。
【請求項９】
前記曲面の軸は前記基板の移動方向に垂直である、請求項７記載の装置。
【請求項１０】
前記基板はウェブである、請求項１〜９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
基板上に薄膜材料を堆積させるための方法であって、一連のガスフローを同時に薄膜堆積装置の配送ヘッドのアウトプット面から基板の表面に向けることを含み、該一連のガスフローは第一の反応性気相材料、不活性パージガス及び第二の反応性気相材料を少なくとも含み、前記第一の反応性気相材料は前記第二の反応性気相材料で処理した基板表面と反応することができ、前記配送ヘッドは、
(a)前記第一の反応性気相材料、第二の反応性気相材料及び不活性パージガスをそれぞれ受けるための少なくとも第一のインレットポート、第二のインレットポート及び第三のインレットポート、
(b)排気ガスを排気するための少なくとも１つの排気ポート、
(c)複数の延在開口部を含む、基板表面に近接したアウトプット面、
を含み、
(i)前記インレットポートの各々は、前記基板にそれぞれの気相材料を供給するための、少なくとも１つの第一の延在アウトプット開口部、第二の延在アウトプット開口部及び第三の延在アウトプット開口部に独立に連結されており、そして
(ii)前記少なくとも１つの排気ポートは各々がある連携圧力を有する少なくとも２つの延在排気開口部に連結されており、前記延在排気開口部は少なくとも第一の延在アウトプット開口部、第二の延在アウトプット開口部又は第三の延在アウトプット開口部が前記少なくとも２つの排気開口部の間に存在するように配置されており、
前記アウトプット面と基板表面との間の実質的に均一な距離は、前記延在アウトプット開口部から基板表面への１つ以上の気相材料のフローによって発生する圧力によって少なくとも部分的に維持され、そして、パスカルとして測定した大気圧と延在排気開口部の平均圧力との差は、パスカルとして測定した、前記基板の単位面積あたりの平均重量の少なくとも２倍である、方法。
【請求項１２】
前記第一の反応性気相材料のフロー及び第二の反応性気相材料のフローは少なくとも前記不活性パージガス及び延在排気開口部によって実質的に空間的に分離されている、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記第一の反応性気相材料のガスフロー、第二の反応体気相材料のガスフロー及び不活性パージガスのガスフローは、組み合わせとして、前記配送ヘッドのアウトプット面から前記基板の表面を分離するのに実質的に寄与する圧力を提供する、請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
前記基板の近傍に配置された、実質的に平行な一連の延在アウトプット開口部からガスフローは提供され、前記配送ヘッドのアウトプット面は堆積を受ける前記基板の表面から１ｍｍ以内の間隔である、請求項１１記載の方法。
【請求項１５】
前記基板の所与の領域は一度に約５００ミリ秒未満の時間、前記第一の反応性気相材料のガスフローに暴露される、請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月22日(2011.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に薄膜材料を堆積させるための供給ヘッドであって、
（a）第1、第2、第3の反応性ガス材料をそれぞれ受け入れるための第1、第2、第3の入力ポートを少なくとも備える複数の入力ポートと；
（b）前記基板からある距離離れていて、前記第1、第2、第3の入力ポートのそれぞれに付随する第1、第2、第3の複数の実質的に平行な細長い出力開口部を備える出力面と；
（c）供給チェンバーと誘導チャネルを互いに接続していて、前記第1、第2、第3の反応性ガス材料のそれぞれを対応する入力ポートから対応する細長い出力開口部に導くためのネットワークとを備えていて；
この供給ヘッドは、前記第1、第2、第3の反応性ガス材料を前記出力面にある細長い出力開口部から前記基板に向けて同時に供給する設計にされており、
隣り合った2枚のプレートによって形成される少なくとも1つのガス拡散チャネルに前記複数の実質的に平行な細長い出力開口部のうちの少なくとも1つが付随していて、その隣り合った2枚のプレートのうちの少なくとも一方のプレートが、前記少なくとも1つのガス拡散チャネルの領域内に凹凸パターンを有する、供給ヘッド。
【請求項２】
前記凹凸パターンが、成形、エンボス加工、エッチング、アブレーション、機械加工、レーザー加工、リソグラフィ法のいずれかによって形成される、請求項1に記載の供給ヘッド。
【請求項３】
前記少なくとも1つのガス拡散チャネルが、付随する細長い出力開口部を規定する出力開口部を有する、請求項1または２に記載の供給ヘッド。
【請求項４】
前記隣り合った2枚のプレートのそれぞれが、前記少なくとも1つのガス拡散チャネルの共通領域に凹凸パターンを有する、請求項1〜３のいずれか１項に記載の供給ヘッド。
【請求項５】
隣り合った2枚のプレートによって供給チェンバーと誘導チャネルも形成される、請求項1〜４のいずれか１項に記載の供給ヘッド。
【請求項６】
複数のガス拡散チャネルが、鉛直方向に重ねた一対だけのプレートによって形成される、請求項1〜５のいずれか１項に記載の供給ヘッド。
【請求項７】
請求項1〜６のいずれか１項に記載の供給ヘッドが、薄膜の堆積中はその供給ヘッドの出力面と基板の表面の間が実質的に一様な距離に維持されるシステムの中で、固体材料の薄膜を基板の表面に堆積させることができる、堆積システム。
【請求項８】
薄膜を堆積させるために供給ヘッドから基板の表面に向かう1種類以上のガス材料の流れが原因で発生する圧力が、前記供給ヘッドの出力面を前記基板の表面から離している力の少なくとも一部を提供する、請求項７に記載の堆積システム。
【請求項９】
基板の表面に薄膜材料を堆積させるための供給ヘッドを組み立てる方法であって、
（a）拡散要素を形成するための凹凸パターンを少なくとも一部に有する一群のプレートを製造するステップと；
（b）そのプレート群を互いに順番に接合し、1つ以上の拡散要素に接続される供給ラインのネットワークを形成するステップを含む方法。
【請求項１０】
前記順番で組み立てることにより、出力面にある第1のガス材料のための複数の細長い出力開口部のそれぞれが、出力面にある第2のガス材料のための複数の細長い出力開口部のうちの少なくとも1つから、出力面にある第3のガス材料のための複数の細長い出力開口部のうちの少なくとも1つによって分離されているようにして複数の流路を作り出す、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記順番で組み立てることにより、出力面にある第1のガス材料のための複数の細長い出力開口部のそれぞれが、出力面にある第2のガス材料のための複数の細長い出力開口部のうちの少なくとも1つから、出力面にあって堆積中に出力面の領域からガス材料を吸引するため排出ポートに接続されている少なくとも1つの細長い排出開口部によって分離されているようにして複数の流路を作り出す、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
（a）凹凸パターン部を有する第1のプレートと；
（b）第2のプレートとを備えていて、
前記第1のプレートと前記第2のプレートが組み立てられて、前記凹凸パターン部によって規定される流れ拡散部を有する細長い出力開口部が形成され、その流れ拡散部は、ガス材料または液体材料の流れを拡散させることができる、流れ拡散装置。
【請求項１３】
ガス材料または液体材料の流れを拡散させる方法であって、凹凸パターン部を有する第1のプレートと第2のプレートを組み立ててその凹凸パターン部によって規定される流れ拡散部を形成し、前記ガス材料または液体材料をその流れ拡散部通過させる操作を含んでいて、前記凹凸パターン部が互いに向かい合ったプレートの間にあって細長い入力開口部と細長い出力開口部を接続し、前記ガス材料または液体材料が流れられるようにしている方法。
【請求項１４】
基板の表面に薄膜材料を堆積させる方法であって、一連のガス流を薄膜堆積システムの供給ヘッドの出力面から基板の表面に同時に向かわせる操作を含んでおり、その一連のガス流は、少なくとも第1の反応性ガス材料と、不活性なパージ・ガスと、第2の反応性ガス材料とを含んでいて、第1の反応性ガス材料は、第2の反応性ガス材料で処理された基板の表面と反応することができ、前記供給ヘッドは、
（a）少なくとも、第1の反応性ガス材料、第2の反応性ガス材料、不活性なパージ・ガスをそれぞれ受け入れるための第1、第2、第3の入力ポートと；
（b）前記基板の表面の近くにあって複数の細長い出力開口部を有する出力面と；
（c）供給チェンバーと誘導チャネルを互いに接続していて、第1の反応性ガス材料、第2の反応性ガス材料、第3の反応性ガス材料のそれぞれを対応する入力ポートから対応する細長い出力開口部に導くためのネットワークとを備えていて、
前記入力ポートのそれぞれは、前記反応性ガス材料を前記基板に供給するため、独立に、少なくとも第1、第2、第3の細長い開口部のうちの1つに接続され、
隣り合った2枚のプレートによって形成される少なくとも1つのガス拡散チャネルに複数の細長い出力開口部のうちの少なくとも1つが付随していて、その隣り合った2枚のプレートのうちの少なくとも一方のプレートが、前記ガス拡散チャネルの領域内に凹凸パターンを有する、方法。
【請求項１５】
前記出力面が、第1、第2、第3の入力ポートのそれぞれに付随する第1、第2、第3の複数の細長い出力開口部を備えていて、前記供給ヘッドが、第1、第2、第3のガス材料を前記出力面内の細長い出力開口部から基板に同時に供給するように設計されており、供給チェンバーと誘導チャネルを互いに接続する前記ネットワークが、第1、第2、第3のガス材料のそれぞれを対応する入力ポートから対応する細長い放出チャネルに導き、隣り合った2枚のプレートによって形成されるガス拡散チャネルに、前記細長い出力開口部のうちの少なくとも1つが付随していて、その隣り合った2枚のプレートのうちの少なくとも一方のプレートが、前記ガス拡散チャネルの領域内に凹凸パターンを有する、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月8日(2011.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、
第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配置される複数のピラーとを備え、
前記複数のピラーのそれぞれは、前記第１電極に電気的に接続される第１端部と、前記第２電極に電気的に接続される第２端部とを有するとともに、ヒータ材料部分及び相変化材料部分を含んでいる、相変化メモリセル。
【請求項２】
前記複数のピラーのそれぞれは、２０ナノメートル未満の幅を有する、請求項１に記載のメモリセル。
【請求項３】
前記複数のピラーのそれぞれは、２０ナノメートル未満の間隔を有する、請求項１に記載のメモリセル。
【請求項４】
第１電極層を基板の上に形成する工程と、
前記第１電極層に電気的に接続され、かつ前記第１電極層の上に設けられる複数のピラーを形成する工程であって、前記複数のピラーのそれぞれは相変化材料部分及びヒータ材料部分を有している、前記複数のピラーを形成する工程と、
前記複数のピラーのそれぞれに電気的に接続される第２電極を形成する工程とを備える、相変化メモリセルの製造方法。
【請求項５】
前記複数のピラーを形成する前記工程ではさらに、
ヒータ材料層を前記第１電極層の上に形成する工程と、
相変化材料層を前記第１電極層の上に形成する工程と、
ナノクラスターを前記ヒータ材料層の上に、かつ前記相変化材料層の上に、前記ナノクラスターによってパターンが画定されるように設ける工程と、
前記相変化材料層を、該材料層の厚さ全体に亘って前記パターンの通りにエッチングする工程と、
前記ヒータ材料層を、該材料層の厚さの少なくとも一部分に亘って前記パターンの通りにエッチングする工程とが行われることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ヒータ材料層を、前記複数のピラーの各ピラーのヒータ材料部分が前記ヒータ材料層から形成されるように形成する工程と、
相変化材料層を、前記複数のピラーの各ピラーの相変化材料部分が前記相変化材料層から形成されるように形成する工程と、
ナノクラスターを前記ヒータ材料層の上に、かつ前記相変化材料層の上に、前記ナノクラスターによってパターンが画定されるように設ける工程とをさらに備え、
前記複数のピラーの位置は前記パターンの通りに画定される、
請求項４に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
相変化材料層１１１を層１０９の上に設ける。相変化材料層は、熱がヒータ材料層１０９から発生するのに応答して相を変化させる（例えば、アモルファス相と結晶相との間で）材料により形成される。相変化材料は、当該材料の相によって変わる異なる抵抗値を示す。１つの実施形態では、相変化材料は、少なくとも２つの材料の組み合わせを含み、この場合、第１材料はIＢ族材料、III族材料、IＶ族材料、Ｖ族材料、及びＶI族材料からなる分類グループのうちの１つであり、そして第２材料は当該分類グループのうちの１つであるが、第１材料とは分類グループの族が同じではない。相変化材料部分は、ゲルマニウム、アンチモン、及びテルルからなるグループのうちの少なくとも１つを含む。相変化材料の例として、ゲルマニウムアンチモンテルル、ゲルマニウムテルル、ゲルマニウムアンチモン、ガリウムアンチモンテルル、銀インジウムアンチモンテルル、錫セレン、硫化錫、インジウムセレン、インジウムアンチモンセレンを挙げることができる。１つの実施形態では、層１１１は２０〜１００ナノメートルの範囲の厚さを有するが、他の実施形態では他の厚さとすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
１つの実施形態では、相変化メモリセルは第１電極と、第２電極と、そして第１電極と第２電極との間に位置する複数のピラーと、を含む。複数のピラーの各ピラーは、第１電極に電気的に接続される第１端部と、そして第２電極に電気的に接続される第２端部と、を有する。複数のピラーの各ピラーは、ヒータ材料部分及び相変化材料部分を含む。複数のピラーと前記第１電極との間にヒータ材料からなる基台をさらに備えることもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月1日(2010.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材を研磨するための化学的機械的研磨組成物であって：
（ａ）液体キャリアー、
（ｂ）該液体キャリアー中に懸濁された研削剤、
該研削剤は、コロイドシリカ粒子を含む、
（ｃ）１〜４のｐＫａを有する少なくとも１種の酸性成分、および、
（ｄ）カチオン性ポリマー、
を含んで成る、組成物；
ここで、該研磨組成物は、１〜３．５のｐＨを有する。
【請求項２】
該コロイドシリカ粒子が、０．１ｗｔ％〜４ｗｔ％の量で、該研磨組成物中に存在する、請求項１に記載の研磨組成物。
【請求項３】
該コロイドシリカ粒子が、アミノシラン化合物を用いて処理された表面を有する、請求項１に記載の研磨組成物。
【請求項４】
ａ）該アミノシラン化合物が、ダイポーダルシラン、アミノプロピルトリアルコキシシラン、およびビス（トリメトキシシリルプロピル）アミンからなる群から選択されること、
ｂ）該アミノシラン化合物を用いて処理された表面を有する該コロイドシリカ粒子が、５ｍＶ以上のゼータ電位を有すること、
ｃ）該アミノシラン化合物が、５０ｐｐｍ〜５００ｐｐｍの量で存在すること、
のいずれか１つまたは２つ以上を適用する、請求項３に記載の研磨組成物。
【請求項５】
ａ）該少なくとも１種の酸性成分が、５００ｐｐｍ〜３０００ｐｐｍの量で存在すること、
ｂ）該少なくとも１種の酸性成分が、無機酸、カルボン酸、有機ホスホン酸、酸性複素環化合物、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、それらの塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択されること、
ｃ）該研磨組成物が、１．５〜３．５のｐＨを有すること、
ｄ）該カチオン性ポリマーが、メタクリロイルオキシエチルトリメチルアンモニウムのモノマーまたはジアリルジメチルアンモニウムのいずれかであること、
ｅ）該カチオン性ポリマーが、１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍの量で存在すること、
のいずれか１つまたは２つ以上を適用する、請求項１に記載の研磨組成物。
【請求項６】
基材を化学的機械的に研磨する方法であって、該方法が：
（ｉ）基材と
（ａ）液体キャリアー、
（ｂ）該液体キャリアー中に懸濁された研削剤、
該研削剤は、コロイドシリカを含む、
（ｃ）１〜４のｐＫａを有する少なくとも１種の酸性成分、および、
（ｄ）カチオン性ポリマー、
を含む化学的機械的研磨組成物と、を接触させる工程、
（ｉｉ）該研磨組成物を該基材に対して動かす工程、ならびに、
（ｉｉｉ）該基材を磨くために少なくとも該基材の一部分を摩耗させる工程、
を含んで成る、方法。
【請求項７】
該コロイドシリカ粒子が、０．１ｗｔ％〜４．０ｗｔ％の量で該研磨組成物中に存在する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
該コロイドシリカ粒子が、アミノシラン化合物を用いて処理された表面を有する、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
ａ）該アミノシラン化合物を用いて処理された表面を有する該コロイドシリカ粒子が、５ｍＶ以上のゼータ電位を有すること、
ｂ）該アミノシラン化合物が、ダイポーダルシラン、アミノプロピルトリアルコキシシラン、およびビス（トリメトキシシリルプロピル）アミンからなる群から選択されること、
ｃ）該アミノシラン化合物が、１００ｐｐｍ〜５００ｐｐｍの量で存在すること、
のいずれか１つまたは２つ以上を適用する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
ａ）該少なくとも１種の酸性成分が、５００ｐｐｍ〜３０００ｐｐｍの量で存在すること、
ｂ）該少なくとも１種の酸性成分が、無機酸、カルボン酸、有機ホスホン酸、酸性複素環化合物、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、それらの塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択されること、
ｃ）該研磨組成物が、１．５〜３．５のｐＨを有すること、
ｄ）該カチオン性ポリマーが、メタクリロイルオキシエチルトリメチルアンモニウムのモノマーまたはジアリルジメチルアンモニウムのいずれかであること、
ｅ）該カチオン性ポリマーが、１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍの量で存在すること、
のいずれか１つまたは２つ以上を適用する、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
該基材が、窒化ケイ素の少なくとも１つの層を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
該基材が、酸化ケイ素の少なくとも１つの層を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
該窒化ケイ素が、該酸化ケイ素の除去される速度より速い速度で該基材から除去される、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月24日(2011.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材を化学的機械的に研磨する方法、該方法は、
（ｉ）（ａ）液体キャリアー、
（ｂ）該液体キャリアー中に懸濁された研削剤、
ここで、該研削剤は、アミノシラン化合物、ホスホニウムシラン化合物、およびスル
ホニウムシラン化合物から成る群から選択された化合物を用いて処理された表面を有
する金属酸化物粒子を含む、および、
（ｃ）ホスホン酸およびホウ素を含む酸からなる群から選択された酸、
を含む化学的機械的研磨組成物と、基材とを接触させる工程、
（ｉｉ）該基材に対して該研磨組成物を動かす工程、ならびに、
（ｉｉｉ）該基材を磨くために、該基材の少なくとも一部分を摩耗させる工程、
を含んで成る。
【請求項２】
ａ）該研削剤が、コロイドシリカ粒子であり、そして／またはｂ）該研削剤の表面が、アミノプロピル基を含むアミノシラン化合物を用いて処理されている、請求項１の方法。
【請求項３】
該基材が、該基材を磨くために、該基材から除去される窒化ケイ素の少なくとも１つの層を含む、請求項１の方法。
【請求項４】
ａ）該研磨組成物が、１．５〜５のｐＨを有し、そして／またはｂ）該酸が、アミノトリ（メチレンホスホン酸）および１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸から成る群から選択される。請求項３の方法。
【請求項５】
該基材が、該基材を磨くために該基材から除去される酸化ケイ素の少なくとも１つの層を含む、請求項１の方法。
【請求項６】
ａ）該基材が、窒化ケイ素をさらに含み、そして該酸化ケイ素が、該窒化ケイ素に比較して、該基材から選択的に除去され、そして／またはｂ）該研磨組成物が、３．５〜６のｐＨを有する、請求項５の方法。
【請求項７】
基材を化学的機械的に研磨する方法、該方法は、
（ｉ）（ａ）液体キャリアー、および、
（ｂ）該液体キャリアー中に懸濁された研削剤、
ここで該研削剤は、第四級アミノシラン化合物、ダイポーダルアミノシラン化合物、
およびそれらの組み合わせから成る群から選択された化合物を用いて処理された表面
を有する金属酸化物粒子を含む、
を含む化学的機械的研磨組成物と、基材とを接触させる工程、
（ｉｉ）該基材に対して該研磨組成物を動かす工程、ならびに、
（ｉｉｉ）該基材を磨くために、該基材の少なくとも一部分を摩耗させる工程、
を含んで成る。
【請求項８】
ａ）該研削剤が、コロイドシリカ粒子であること、
ｂ）該研磨組成物が、７〜９のｐＨを有すること、
ｃ）該基材が、該基材を磨くために該基材から除去される酸化ケイ素の少なくとも１つの層を含むこと、
のいずれか１つまたは２つ以上を適用する、請求項７の方法。
【請求項９】
（ｉ）液体キャリアー、
（ｉｉ）該液体キャリアー中に懸濁された研削剤、
ここで、該研削剤は、アミノシラン化合物、ホスホニウムシラン化合物、およびスル
ホニウムシラン化合物から成る群から選択された化合物を用いて処理された表面を有
する金属酸化物粒子を含む、および、
（ｉｉｉ）ホスホン酸およびホウ素を含む酸からなる群から選択された酸、
を含んで成る、基材を研磨するための化学的機械的研磨組成物。
【請求項１０】
該研削剤の表面が、アミノプロピル基を含むアミノシラン化合物を用いて処理されている、請求項９の研磨組成物。
【請求項１１】
該研磨組成物が、４〜７のｐＨを有する、請求項９の研磨組成物。
【請求項１２】
該ホスホン酸が、アミノトリ（メチレンホスホン酸）および１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸からなる群から選択される、請求項１１の研磨組成物。
【請求項１３】
該研磨組成物が、１．５〜５のｐＨを有する、請求項９の研磨組成物。
【請求項１４】
（ｉ）液体キャリアー、および、
（ｉｉ）該液体キャリアー中に懸濁された研削剤、
ここで該研削剤は、第四級アミノシラン化合物、ダイポーダルアミノシラン化合物、
およびそれらの組み合わせから成る群から選択された化合物を用いて処理された表面
を有する金属酸化物粒子を含む、
を含んで成る、基材を研磨するための化学的機械的研磨組成物。
【請求項１５】
ａ）該研削剤が、コロイドシリカであり、そして／又は、
ｂ）該研磨組成物が、１５００μＳ／ｃｍ以下の伝導度を有する、請求項１４の研磨組成物。
【請求項１６】
（ｉ）液体キャリアー、および、
（ｉｉ）該液体キャリアー中に懸濁された研削剤、
ここで該研削剤は、アミノシラン化合物、ホスホニウムシラン化合物、およびスルホ
ニウムシラン化合物から成る群から選択された化合物を用いて処理された表面を有す
る金属酸化物を含み、そして該処理された研削剤粒子は、２％〜５０％である利用可
能なシラノールの表面被覆率を有する、
を含んで成る、基材を研磨するための化学的機械的研磨組成物。
【請求項１７】
ａ）該研磨組成物が、４〜７のｐＨを有すること、
ｂ）該研磨組成物が、該研磨組成物のｐＨを緩衝できる化合物をさらに含むこと、
ｃ）該金属酸化物粒子が、コロイドシリカ粒子であること、
のいずれか１つまたは２つ以上を適用する、請求項１６の研磨組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月20日(2011.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
[0017]  一態様では、デバイス製造方法であって、
パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影することと、
第１波長の放射を反射し、第２波長の放射はスペクトルフィルタアセンブリを透過可能とすることによって放射ビームのスペクトル純度を高めることと、
を含み、第１波長は第２波長より大きく、第１ステップでは、第１偏光を有する第１波長の放射が反射され、第２ステップでは、第１偏光に対して横断する第２偏光を有する第１波長の放射が反射される、方法が提供される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
[0018]  一態様では、方法によって製造されたデバイスであって、この方法は、
パターン付き放射ビームを基板上に投影することと、
第１波長の放射を反射し、第２波長の放射はスペクトルフィルタアセンブリを透過可能とすることによって放射ビームのスペクトル純度を高めることと、
を含み、第１波長は第２波長より大きく、第１ステップでは、第１偏光を有する第１波長の放射が反射され、第２ステップでは、第１偏光に対して横断する第２偏光を有する第１波長の放射が反射される、デバイスが提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィスペクトルフィルタであって、
第１方向に配置された面内長さ寸法を有するスリットを含む第１フィルタ要素と、
第１および第２波長の放射の光路に沿って前記第１フィルタ要素に続く位置に配置された第２フィルタ要素であって、前記第１方向に対して横断する第２方向に配置された面内長さ寸法を有するスリットを含む、第２フィルタ要素と、
を含み、
前記スペクトルフィルタは、第１波長の放射は反射し、第２波長の放射は透過可能とし、前記第１波長は前記第２波長より大きい、リソグラフィスペクトルフィルタ。
【請求項２】
第１および第２フィルタ要素の前記スリットは、前記第１放射波長により決められる回折限界より小さい最小面内アパーチャ寸法を有する、請求項１に記載のリソグラフィスペクトルフィルタ。
【請求項３】
前記第１フィルタ要素は、複数のスリットを含む、請求項１に記載のリソグラフィスペクトルフィルタ。
【請求項４】
前記第１フィルタ要素の前記スリットによって形成される面積と、前記第１フィルタ要素の総表面積とで形成されるアスペクト比は、約３０％より小さい、請求項３に記載のリソグラフィスペクトルフィルタ。
【請求項５】
前記第２フィルタ要素は、複数のスリットを含む、請求項１に記載のリソグラフィスペクトルフィルタ。
【請求項６】
前記第２フィルタ要素の前記スリットによって形成される面積と、前記第２フィルタ要素の総表面積とで形成されるアスペクト比は、約３０％より小さい、請求項５に記載のリソグラフィスペクトルフィルタ。
【請求項７】
前記第１および／または前記第２フィルタ要素の前記スリットは、０．５〜５μｍの範囲から選択される幅を有する、請求項１に記載のリソグラフィスペクトルフィルタ。
【請求項８】
前記スペクトルフィルタは、ＤＵＶ放射、ＵＶ放射、可視光放射、およびＩＲ放射の任意の組み合わせをフィルタリングする、請求項１に記載のリソグラフィスペクトルフィルタ。
【請求項９】
前記第１および／または前記第２フィルタ要素は、ＥＵＶ放射導波管を更に含む、請求項１に記載のリソグラフィスペクトルフィルタ。
【請求項１０】
前記第１および／または前記第２フィルタ要素は、パターン付き層とパターン無し層との組み合わせを含み、前記パターン付き層は前記スリットを含む、請求項１に記載のリソグラフィスペクトルフィルタ。
【請求項１１】
少なくとも１つのかすめ入射ミラーと組み合わされる、請求項１に記載のリソグラフィスペクトルフィルタ。
【請求項１２】
前記スペクトルフィルタは、約４〜２０ｎｍの範囲から選択される波長を有するＥＵＶ放射を透過する、請求項１に記載のリソグラフィスペクトルフィルタ。
【請求項１３】
前記第１および前記第２フィルタ要素は、前記光路に沿って続いて生じる位置で横断するように配置される、請求項１に記載のリソグラフィスペクトルフィルタ。
【請求項１４】
放射ビームを調整する照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持するサポートと、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、
リソグラフィスペクトルフィルタであって、
第１方向に配置された面内長さ寸法を有するスリットを含む第１フィルタ要素と、
第１および第２波長の放射の光路に沿って前記第１フィルタ要素に続く位置に配置された第２フィルタ要素であって、前記第１方向に対して横断する第２方向に配置された面内長さ寸法を有するスリットを含む、第２フィルタ要素と、
を含み、
前記スペクトルフィルタは、第１波長の放射は反射し、第２波長の放射は透過可能とし、前記第１波長は前記第２波長より大きい、リソグラフィスペクトルフィルタと、
を含む、リソグラフィ装置。
【請求項１５】
第１波長の放射を反射し、第２波長の放射はスペクトルフィルタアセンブリを透過可能とすることによって放射ビームのスペクトル純度を高める方法であって、前記第１波長は前記第２波長より大きく、第１ステップでは、第１偏光を有する前記第１波長の放射が反射され、第２ステップでは、前記第１偏光に対して横断する第２偏光を有する前記第１波長の放射が反射される、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月26日(2011.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）表面を有する基板と、
ｂ）前記基板表面上に滑らかな、ドーム形の輪郭を有する第１の電気的活性層と、
ｃ）前記第１の電気的活性層を共形に被覆する第２の電気的活性層と、を備える電気的活性デバイス。
【請求項２】
前記第１の電気的活性層がシリコン及び／若しくはゲルマニウムを含む層、又は金属層を備える、請求項１に記載の電気的活性デバイス。
【請求項３】
前記第１の電気的活性層の上に共形の誘電体層をさらに備える、請求項１に記載の電気的活性デバイス。
【請求項４】
ａ）１つ又は複数の第１の半導体前駆体及び／又は金属前駆体を含む第１のインク組成物を基板上に印刷するステップであって、前記第１のインクが１つ又は複数の所定の特性を有するステップと、
ｂ）前記第１の前駆体（１つ又は複数）を硬化させて滑らかな、ドーム形の輪郭を有する第１の電気的活性層を形成するステップと、
ｃ）前記第１の電気的活性層を共形に被覆する第２の電気的活性層を形成するステップと、を含む、電気的活性デバイスを製作する方法。
【請求項５】
前記１つ又は複数の第１の前駆体が、前記第１のインク組成物の重量で１から４０％の量で存在し、
前記１つ又は複数の第１の前駆体が、少なくとも１５個のシリコン原子を有する（ポリ）シラン、少なくとも１５個のゲルマニウム原子を有する（ポリ）ゲルマン、合計で少なくとも１５個のシリコン及びゲルマニウム原子を有する（ポリ）ゲルマシラン、並びに、シリコン及び／又はゲルマニウムのナノ粒子からなる群から選択される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記１つ又は複数の第１の前駆体が、前記第１のインク組成物の重量で１から４０％の量で存在し、
前記１つ又は複数の第１の前駆体が、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、又はこれらの組合せからなる群から選択された金属の化合物、複合体、クラスタ及び／又はナノ粒子を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
印刷するステップが、前記インク組成物を前記基板上に所定のパターンでインクジェット印刷、グラビア印刷、オフセットリソグラフィ、スクリーン印刷、フレキソグラフィ又はフレキソ印刷、マイクロスポッティング、ペンコーティング、ステンシル、スタンピング、シリンジディスペンス、ポンプディスペンス、スプレーコーティング、スリットコーティング、押出しコーティング、又はメニスカスコーティングするステップを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記インク組成物がさらに溶媒を含み、
前記インク組成物を印刷するステップが、
ａ）前記１つ又は複数の第１の前駆体を析出させて、ピンニングされた機能パターンを形成するステップと、
ｂ）前記１つ又は複数の第１の前駆体を硬化させる前に前記溶媒を実質的に蒸発させるステップと、
ｃ）前記１つ又は複数の第１の前駆体を硬化させ、前記１つ又は複数の第１の前駆体を、前記ピンニングされた機能パターンによって画定された第１の電気的活性層を形成する第１の電気的活性材料に変換するステップと、
を含む、請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低水分透過率を有するポリマーマトリックス中に分散したＨ２Ｏ吸収剤を含む光起電性パネル用の複合材ゲッターであって、該Ｈ２Ｏ吸収剤が１種またはそれ以上のアルカリ土類金属酸化物から本質的になり、該ポリマーマトリックスが、２５℃および６０％相対湿度で１０ｇｍｍ・ｍ−２ｄ−１未満のＨ２Ｏ透過率を有することを特徴とする複合材ゲッター。
【請求項２】
前記ポリマーマトリックスを形成する材料が、エチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、中密度ポリエチレン（ＭＤＰＥ）および高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、ポリエーテルブロックアミド（ＰＥＢＡ）、アイオノマー樹脂、エチレン−アクリル酸共重合体、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）、ポリ塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）、エチレン−プロピレンゴム（ＥＰＲ）、エチレンプロピレンジエンモノマーゴム（ＥＰＤＭ）ならびにブチルゴムの中から選ばれる、請求項１記載の複合材ゲッター。
【請求項３】
前記複合材ゲッター中のＨ２Ｏ吸収剤の質量パーセントが、１０〜５０％の範囲である、請求項１記載の複合材ゲッター。
【請求項４】
前記アルカリ土類金属酸化物が、ＣａＯ、ＭｇＯおよびそれらの組み合わせから選ばれる、請求項１記載の複合材ゲッター。
【請求項５】
前記アルカリ土類金属酸化物が、ＣａＯである、請求項４記載の複合材ゲッター。
【請求項６】
請求項１記載の複合材ゲッターを含む光起電性パネル。
【請求項７】
前記複合材ゲッターが、前記光起電性パネルの周縁に近接して配置される、請求項６記載の光起電性パネル。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月2日(2011.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）にサイコロ状に切断可能な半導体積層物であって、
ＬＥＤ基板に配置された第一のＬＥＤ半導体層の積層物を含む発光ダイオード（ＬＥＤ）ウエハであって、前記ＬＥＤウエハの少なくとも一部が第一の非平坦化表面を含む、ＬＥＤウエハと、
前記ＬＥＤ層内で発生した光の波長の変換に効果的であるように構成された多層半導体波長コンバータと、
前記ＬＥＤウエハを前記波長コンバータに付着している接合層と、を含む半導体積層物。
【請求項２】
波長が変換された発光ダイオード（ＬＥＤ）であって、
ＬＥＤ基板上のＬＥＤ半導体層を含むＬＥＤであって、前記ＬＥＤが前記ＬＥＤ基板とは反対を向いている前記ＬＥＤの一側面上に第一の表面を含む、ＬＥＤと、
接合層によって前記ＬＥＤの前記第一の表面に付着された多層半導体波長コンバータであって、前記波長コンバータが、前記ＬＥＤとは反対を向いている第一の側面及び前記ＬＥＤに面した第二の側面とを有し、前記第一の側面及び前記第二の側面のうちの一方の少なくとも一部が、第一の非平坦化表面を含んでいる、多層半導体波長コンバータと、を含む波長変換された発光ダイオード。
【請求項３】
発光ダイオード（ＬＥＤ）装置であって、
ＬＥＤ基板上のＬＥＤ半導体層の積層物を含むＬＥＤであって、前記ＬＥＤ基板とは反対を向いているＬＥＤ半導体層積層物の前記積層物の上側側面の少なくとも一部が、非平坦化表面を含む、ＬＥＤと、
ＩＩ〜ＶＩ族半導体材料から形成され、前記ＬＥＤ半導体層積層物に付着された、多層の波長コンバータと、
前記ＬＥＤ半導体層内で発生した光の端漏れを減少するために、前記ＬＥＤ半導体層の端に設けられた遮光機能と、を含む発光ダイオード装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月5日(2011.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）マスク平面（３６；１３６）に投影光の強度分布を生成する１次照明系（１２）、
ｂ）投影対物系（２０；１２０）、及び
ｃ）基準面（４８；１４８）に補正光の強度分布を生成する２次照明系（３０，３０’，３０’’，３０’’’）と、
前記基準面（４８；１４８）内の補正光の強度分布が、補正要素（３２；１３２）上に結像され、前記補正光及び前記投影光が、それらが補正要素（３２；１３２）上に入射する前に前記投影対物系（２０；１２０）に含まれる少なくとも１つのレンズ（３４；Ｌ１からＬ５）を通過するように、前記基準面（４８；１４８）と少なくとも実質的に光学的に共役である平面（３８；１７４）に配置され、かつ加熱材料を含む補正要素（３２；１３２）と、
を含む補正光学系、
を含み、
前記補正光と前記投影光の両方が通過する全てのレンズ（３４；Ｌ１からＬ５）が、前記補正要素（３２；１３２）に含有された前記加熱材料よりも低い該補正光に対する吸収係数を有するレンズ材料で作られる、
ことを特徴とするマイクロリソグラフィ投影露光装置（１０）。
【請求項２】
前記補正光に対して、前記加熱材料の前記吸収係数は、前記レンズ材料の間で最も高い吸収係数を有するレンズ材料の吸収係数よりも少なくともｋ＝２倍大きいことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記投影対物系（２０；１２０）の像平面（１２２）に配置される層（２２）が、前記投影光に対して感光性があるが、前記補正光に対してはそうではないことを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか１項に記載の装置。
【請求項４】
前記投影光及び前記補正光は、異なる波長を有することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
ａ）前記加熱材料は、合成石英ガラスであり、前記レンズ材料は、全てフッ化カルシウムであり、
ｂ）前記投影光は、２５０ｎｍよりも短い波長を有し、
ｃ）前記補正光は、２．６５μｍと２．８５μｍの間の波長を有する光成分を含有し、
ｄ）前記合成石英ガラスは、５００ｐｐｍよりも大きいＯＨ濃度を有する、
ことを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記補正要素（３２；１３２）は、平行平面プレートとして構成された基板を含む屈折光学要素であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記補正要素（３２；１３２）は、前記投影対物系（２０；１２０）の瞳平面（３８；１７４）に又はそれに近接して配置され、
前記近接性は、比Ｐ＝ｈmr／ｈcr＞３である前記瞳平面（３８；１７４）からの軸線方向距離によって定められ、ｈmrは、光軸上の点から出射する周辺光線の高さであり、ｈcrは、周辺像点上に入射する主光線の高さであることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記補正光学系は、補正光のみが伝播することを許されるコンデンサー（５６；１５６）を含むことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記コンデンサー（５６；１５６）は、前記基準面（４８；１４８）と、前記マスク平面（３６；１３６）又は該マスク平面と光学的に共役な平面との間にフーリエ関係を確立することを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記補正光学系は、前記補正光を前記投影対物系（１２０）のビーム経路内に給送するビーム折り返し要素（１９２）を含むことを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
前記ビーム折り返し要素（１９２）は、ミラー又はプリズムを含むことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記補正光学系は、前記基準面（４８；１４８）における前記強度分布を変更するように構成された空間光変調器（６４；６４’；６４’’；６４’’’）を含むことを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】
前記補正光学系は、少なくとも実質的に前記基準面（４８）に配置された光出射面を有する光学インテグレータ−（６８）を含むことを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１４】
マイクロリソグラフィ投影露光装置（１０）における像誤差を補正する方法であって、
ａ）基準面（４８；１４８）に補正光の強度分布を生成する段階、及び
ｂ）装置（１０）の投影対物系（２０；１２０）に含まれる補正要素（３２；１３２）上に前記基準面（４８；１４８）を結像させる段階、
を含み、
前記補正光及び投影光が、それらが前記補正要素（３２；１３２）上に入射する前に前記投影対物系（２０；１２０）に含まれる少なくとも１つのレンズ（３４；Ｌ２からＬ５）を通過し、
前記補正光は、該補正光と前記投影光の両方が通過する前記レンズ（３４；Ｌ１からＬ５）のいずれよりも前記補正要素（３２；１３２）においてより強く吸収される、
ことを特徴とする方法。
【請求項１５】
前記基準面（４８；１４８）における前記強度分布は、変更されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月12日(2011.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス半導体本体であって、
−  電磁放射（Ｓ）を放出する表側（１２）を有する基板（１１）と、
−  前記基板（１１）の裏側（１３）に配置されている半導体層列（１４）であって、前記電磁放射（Ｓ）を発生させる活性層（１９）を有する、前記半導体層列（１４）と、
−  前記基板（１１）とは反対を向いている、前記半導体層列（１４）の第１の面（１７）に配置されている第１および第２の電気接続層（１５，１６）と、
前記活性層（１９）によって生成される前記電磁放射（Ｓ）の一部を反射するため、前記基板（１１，１１’）とは反対を向いている、前記半導体層列（１４）の前記第１の面（１７）の特定のセクションに配置されているミラー（２７）とを備え、
前記ミラー（２７）が少なくとも１つのくぼみ（２２）を有し、前記第１の電気接続層（１５）が、前記少なくとも１つのくぼみ（２２）の中に前記半導体層列（１４）との導電性接触部を有する、
オプトエレクトロニクス半導体本体。
【請求項２】
前記基板（１１）および半導体層列（１４）が窒化物系化合物半導体を含んでいる、請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体本体。
【請求項３】
前記基板（１１）が結晶性の窒化ガリウムを含んでいる、請求項２に記載のオプトエレクトロニクス半導体本体。
【請求項４】
前記基板（１１’）が、前記基板（１１’）の表側に配置されている補助キャリア（４０）を備えており、前記半導体層列（１４）が、前記基板（１１’）の裏側（１３）に配置されている窒化物系化合物半導体を含んでいる、請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体本体。
【請求項５】
前記補助キャリア（４０）が結晶性の酸化アルミニウムを含んでいる、請求項４に記載のオプトエレクトロニクス半導体本体。
【請求項６】
前記半導体層列（１４）に面している、前記補助キャリア（４０）の第１の主面（４２）が、所定の構造を備えている、請求項４または請求項５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体本体。
【請求項７】
前記基板（１１’）が、前記半導体層列（１４）に面している、前記補助キャリア（４０）の前記第１の主面（４２）に配置されている核形成層（７０）、を備えている、請求項４から請求項６のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体本体。
【請求項８】
前記核形成層（７０）が所定の構造を備えている、請求項７に記載のオプトエレクトロニクス半導体本体。
【請求項９】
前記基板（１１’）が、
前記半導体層列（１４）に面している、前記補助キャリア（４０）の前記第１の主面（４２）の上、または、前記補助キャリア（４０）の前記第１の主面（４２）に配置されている前記核形成層（７０）の上、に配置されているバッファ層（４１）、
を備えている、
請求項４から請求項８のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体本体。
【請求項１０】
前記バッファ層（４１）が所定の構造を備えている、請求項９に記載のオプトエレクトロニクス半導体本体。
【請求項１１】
前記基板（１１，１１’）の前記表側（１２）からの前記電磁放射（Ｓ）の放出が、取出し構造（５０）を通じて行われる、請求項１から請求項１０のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体本体。
【請求項１２】
前記取出し構造（５０，５０’，５０’’，５０’’’）が、マイクロレンズ（５１）、回折光学素子（５５）、フォトニック結晶（６０）、または格子（６５）を備えている、請求項１１に記載のオプトエレクトロニクス半導体本体。
【請求項１３】
前記ミラー（２７）が誘電体層（２８）または金属層（２９）を備えている、請求項１から請求項１２のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体本体。