【事件の表示】
　特願２００８−２８６４４２「光電変換装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　５月２０日出願公開、特開２０１０−１１４２９９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯の概要
　本願は、平成２０年１１月７日の特許出願であって、平成２１年１０月９日に手続補正がなされたが、同年１１月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２２年２月１０日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、その後、当審において平成２３年２月１５日付けで拒絶理由が通知され、同年４月２５日に手続補正がなされたものである。
　
２　記載要件違反（特許法３６条第４項第１号）
（１）本願の特許請求の範囲及び明細書の記載
　ア　平成２３年４月２５日になされた手続補正により補正された本願特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおりである（以下、請求項１に係る発明を「本願発明」という。）。
　
「　面積が１ｍ２以上の基板上に、シラン系ガスと水素ガスとを含むガスを原料ガスとするプラズマＣＶＤ法を用いて、
　前記基板の単位面積当たりの前記水素ガス流量８０ｓｌｍ／ｍ２以上、
　前記シラン系ガスの流量に対する前記水素ガスの流量の比とされる水素希釈率が、４０倍以上１５０倍以下、
　前記基板の温度が１９０℃以上２２０℃以下、
　前記基板の表面とプラズマ放電電極との距離が３ｍｍ以上１０ｍｍ以下、及び、
　プラズマ発生周波数が４０ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下、の条件で、シリコン系の光電変換層を２ｎｍ／ｓ以上の製膜速度で形成する工程を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。」
　
　イ　本願明細書（平成２３年４月２５日付け手続補正後のもの）には、以下の記載がある。
　
（ア）「【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、光電変換装置に関し、特に発電層を製膜で作製する薄膜シリコン系太陽電池の製造方法、及び、該製造方法で作製された光電変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
　太陽光のエネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換装置としては、ｐ型シリコン系半導体（ｐ層）、ｉ型シリコン系半導体（ｉ層）及びｎ型シリコン系半導体（ｎ層）の薄膜をプラズマＣＶＤ法等で製膜して形成した光電変換層を備えた薄膜シリコン系太陽電池が知られている。薄膜シリコン系太陽電池の長所としては、大面積化が容易であること、膜厚が結晶系太陽電池の１／１００程度と薄く、材料が少なくて済むことなどが挙げられる。このため、薄膜シリコン系太陽電池は、結晶系太陽電池と比較して低コストでの製造が可能となる。
【０００３】
　高い変換効率を有する薄膜シリコン系太陽電池の量産性を向上させるためには、製膜速度を向上させるとともに、光電変換層を基板面内で均質になるように製膜し、モジュール出力を向上させることが重要である。例えば、結晶質シリコンを用いた太陽電池の場合、結晶質シリコンｉ層の結晶性と太陽電池の変換効率とは関係があることが知られている。
　例えば、特許文献１及び特許文献２には、高品質な光電変換層を高速で製膜するための好適な製膜条件が開示されている。
【０００４】
　しかし、プラズマＣＶＤ法を用いた薄膜シリコンの製造では、基板面内で、原料ガス流量、投入電力密度、基板温度、基板−電極間距離などの製膜条件の分布が発生する。また、ロット間での製膜条件の変動が発生する。そのため、基板面内あるいはロット間で薄膜特性のばらつきが生じる。特に、基板面積が１ｍ２以上の大面積基板を用いた場合に、基板面内での製膜条件の変動が生じやすい。基板面内に薄膜特性が悪い領域が存在することにより太陽電池モジュール出力が低下する、あるいは、ロット間での太陽電池モジュール出力のばらつきが大きくなるといった問題が生じていた。このような観点から、製膜条件の変動に対する薄膜特性のロバスト性を評価し、製造プロセスを改善することが必要である。」
　
（イ）「【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
　特許文献１及び特許文献２に記載の製膜条件範囲で光電変換層を製膜したところ、同じ条件で光電変換層を製膜しているにも拘らず、モジュール毎に発電出力にばらつきが生じるという問題が発生していた。特許文献１及び特許文献２のように、太陽電池の性能向上を目的とした製膜条件の検討は種々なされてきたが、製膜条件の変動に対する電池性能のロバスト性については、ほとんど評価されていないのが現状であった。
【０００７】
　本発明は、
大面積基板面内での光電変換効率のばらつきや、ロット間での太陽電池モジュール出力の変動を抑制し、生産性を向上させることができる光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする
結晶質シリコンｉ層の基板面内における薄膜特性、特に結晶性のばらつきが制御された結果、高出力を有する光電変換装置を提供することを目的とする
【課題を解決するための手段】
【０００８】
　本発明の光電変換装置の製造方法は、基板上に、シラン系ガスと水素ガスとを含むガスを原料ガスとするプラズマＣＶＤ法を用いて、
前記基板の単位面積当たりの前記水素ガス流量８０ｓｌｍ／ｍ
２
以上の条件で、シリコン系の光電変換層を形成する工程を含むことを特徴とする
【０００９】
　
本発明者らは、シリコン系光電変換層の製膜条件と、シリコン膜の結晶性及び光電変換装置の性能との関係を調査した結果、結晶性や光電変換効率のばらつきが、製膜ガスの流量、特に、基板単位面積当たりの水素ガス流量に依存することを明らかにした
上記の水素ガス流量条件で製膜すれば、ガス総流量、プラズマ放電電極への投入電力密度、基板温度、基板−電極間距離のいずれの条件についても、一定水準の変換効率を得るための変動許容幅が広がることを明らかにした
　ガス量や基板温度は、基板面積の拡大とともに基板面内での分布が生じやすい。また、基板の反りが生じることにより、基板面内で基板−電極間距離が異なることがある。本発明の製造方法を用いて光電変換装置を製造すれば、基板面内でガス総流量、基板温度、基板−電極間距離の変動に対するロバスト性が高いために、上記製膜条件に基板面内分布が発生しても、膜質及び性能（光電変換効率）のばらつきを抑制できる。その結果、光電変換装置１つ当りの発電出力を向上させることができる。
　さらに、ガス流量や実効投入電力は、バッチ間あるいはロット間で変動しやすい。本発明の製造方法を用いれば、ガス総流量及び投入電力に対するロバスト性が高いために、バッチ間あるいはロット間でガス流量や投入電力が変動した場合でも、膜質及び光電変換効率の変化への影響を小さくすることができる。そのため、バッチ間あるいはロット間での発電出力のばらつきが抑制できる。
　このように、本発明の製造方法によれば、高品質の製品を安定して生産することが可能となる。
・・・
【発明の効果】
【００１４】
　本発明によれば、基板面内における光電変換層の膜質のばらつきや性能のばらつきを抑制して、光電変換装置の発電出力を向上させることができる。さらに、バッチ間またはロット間での発電出力のばらつきを小さくすることができる。その結果、品質を向上させることができるとともに、高品質の製品を高い歩留まりで安定して製造することができるため、生産性を大幅に向上させることができる。
　特に、結晶質シリコンｉ層の製膜に本発明の製造方法を適用すれば、結晶質シリコンｉ層の基板面内の結晶性を、ラマンピーク比３．５以上８以下の範囲内である領域が大部分であり、基板面内でラマンピーク比２．５以下の領域の面積割合を３％以内に抑えることができる。その結果、高い光電変換効率を有する光電変換装置となる。」
　
（ウ）「【発明を実施するための最良の形態】
・・・
【００２１】
　次に、第１セル層９１の上に、プラズマＣＶＤ装置により、シランガス及び水素ガスを主原料にして、減圧雰囲気：３０００Ｐａ以下、基板温度：約２００℃、プラズマ発生周波数：４０ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下にて、第２セル層９２としての結晶質シリコンｐ層４１、結晶質シリコンｉ層４２、及び、結晶質シリコンｎ層４３を順次製膜する。結晶質シリコンｐ層４１はＢドープした微結晶シリコンを主とし、膜厚１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。結晶質シリコンｉ層４２は微結晶シリコンを主とし、膜厚は１．２μｍ以上３．０μｍ以下である。結晶質シリコンｎ層４３はＰドープした微結晶シリコンを主とし、膜厚２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。
【００２２】
　微結晶シリコンを主とするｉ層膜をプラズマＣＶＤ法で形成するにあたり、プラズマ放電電極と基板１の表面との距離ｄは、３ｍｍ以上１０ｍｍ以下にすることが好ましい。３ｍｍより小さい場合、大型基板に対応する製膜室内の各構成機器精度から距離ｄを一定に保つことが難しくなるとともに、近過ぎて放電が不安定になる恐れがある。１０ｍｍより大きい場合、十分な製膜速度（１ｎｍ／ｓ以上）を得難くなるとともに、プラズマの均一性が低下しイオン衝撃により膜質が低下する。
【００２３】
　結晶質シリコンｉ層４２の製膜において、基板単位面積当たりの水素ガス流量は、０℃、１０１．３ｋＰａの標準状態で８０ｓｌｍ／ｍ２（１３５Ｐａ・ｍ３／ｓ／ｍ２）以上、好ましくは１００ｓｌｍ／ｍ２（１６９Ｐａ・ｍ３／ｓ／ｍ２）以上、より好ましくは１５６ｓｌｍ／ｍ２（２６４Ｐａ・ｍ３／ｓ／ｍ２）以上とされる。シラン系ガスには、シランガス、ジシランガスなどが使用されるが、代表例として使用するシランガス流量は、所定の膜質（結晶性）の結晶質シリコンｉ層が得られる水素希釈率となるように、適宜設定する。本実施形態において、シラン系ガス流量に対する水素ガス流量の比である水素希釈率（水素ガス流量／シラン系ガス流量）は、４０倍以上１５０倍以下とされる。水素希釈率４０倍未満では、ラマンピーク比３．５以上の結晶性を得にくくなる。水素希釈率１５０倍を超えると、ラマンピーク比が高すぎる領域となり開放電圧が低下するため、出力が低下する。
　水素ガス流量及びシランガス流量の増加に伴い、製造コストも増加する。基板単位面積当たりの水素ガス流量が２６０ｓｌｍ／ｍ２（４４０Ｐａ・ｍ３／ｓ／ｍ２）までであれば、製造コストを大幅に増大させることなく、太陽電池の発電出力向上効果を得ることができる。」
　
（エ）「【００３４】
　図６に、基板単位面積当たりの水素ガス流量を変えてガラス基板上に結晶質シリコンｉ層を製膜した場合の、ガス総流量（水素ガス流量＋シランガス流量）と結晶質シリコンｉ層のラマンピーク比との関係を示す。同図において、横軸はガス総流量、縦軸はラマンピーク比である。・・・従来条件である水素ガス流量５２ｓｌｍ／ｍ２を１（基準）として、水素ガス流量１．５倍として８０ｓｌｍ／ｍ２、３倍として１７０ｓｌｍ／ｍ２を選定した。
【００３５】
　ガラス基板の大きさは、１．４ｍ×１．１ｍとした。ガス総流量以外の製膜条件（基板−電極間距離、プラズマ放電電極への投入電力密度、基板温度など）は固定した。
　従来条件である水素ガス流量５２ｓｌｍ／ｍ２の条件において、基準条件（図７のガス総流量の変動における０の条件）は、水素希釈率：４０倍〜１５０倍、基板温度：１９０℃、プラズマ放電電極への投入電力密度：１．５Ｗ／ｍ２〜２．０Ｗ／ｍ２の範囲とし、製膜速度２ｎｍ／ｓとなる条件を用いた。
【００３６】
　図６示すように、水素ガス流量５２ｓｌｍ／ｍ２の場合は、ガス総流量が増加すると急激にラマンピーク比が減少した。基板単位面積当たりの水素ガス流量が大きいほど、ガス総流量の増加に対するラマンピーク比の変化は緩やかになる傾向があった。また、図７に示すように、基板単位面積当たりの水素ガス流量が増大するほど、ガス総流量の変動に対するラマンピーク比の変化が小さくなった。図６及び図７の結果は、基板単位面積当たりの水素ガス流量が大きいほど、ガス総流量の変動に対する膜質のロバスト性が向上することを示している。従って、水素ガス流量を８０ｓｌｍ／ｍ２以上とする事で、ラマンピーク比を目標数値範囲にするためのガス総流量条件範囲が広くなるため、大面積基板の面内ラマンピーク比の分布を目標数値範囲内とするとともに、製膜条件の変動に対しても安定した膜質分布を確保することが出来る。」
　
（オ）「【００３７】
　図８に、結晶質シリコンｉ層製膜時のガス総流量と、非晶質シリコンと結晶質シリコンから構成されるタンデム型太陽電池のモジュール出力（安定化出力）との関係を示す。同図において、横軸はガス総流量、縦軸はモジュール出力である。図９に、結晶質シリコンｉ層製膜時のガス総流量の変動に対するタンデム型太陽電池のモジュール出力（安定化出力）の変化を示す。同図において、横軸はガス総流量の変動率、縦軸はモジュール出力（安定化出力）の相対値である。なお、従来条件である水素ガス流量５２ｓｌｍ／ｍ２の条件において、基準条件（図９のガス総流量の変動における０の条件）は、水素希釈率：４０倍〜１５０倍、基板温度：１９０℃、プラズマ放電電極への投入電力密度：１．５Ｗ／ｍ２〜２．０Ｗ／ｍ２の範囲とし、製膜速度２ｎｍ／ｓとなる条件を用いた。
【００３８】
　図８及び図９に示すように、基板単位面積当たりの水素ガス流量に依らず最大となるモジュール出力はほぼ一定であるが、基板単位面積当たりの水素ガス流量が多いほど、最大モジュール出力付近を与える曲線の幅が広がった。この結果は、単位面積当たりの水素ガス流量を大きくすることにより、ガス総流量の変動に対する太陽電池モジュール出力のロバスト性が向上することを示している。
【００３９】
　以上のように、基板単位面積当たりの水素ガス流量を８０ｓｌｍ／ｍ２以上（従来の水素ガス流量の１．５倍以上）とすれば、シリコンｉ層の結晶性に与える影響を小さくすることができる。また、シリコンｉ層の電池性能に与える影響を略１０％以内に小さくすることができるガス総流量の変動は、±１５％以上であり、従来条件に対して２倍以上の変動幅を許容する。この結果、結晶質シリコンｉ層の製膜時に基板面内にガス流量が変化する領域が発生しても、光電変換効率が低い領域の発生を抑制できるために、全体として太陽電池の発電出力を向上させることが可能である。また、バッチ間あるいはロット間でガス流量が変動しても、電池性能の変化が小さいために、バッチ間あるいはロット間での出力の分布を狭くすることができる。」
　
（カ）「【図面の簡単な説明】
【００５３】
・・・
【図６】結晶質シリコンｉ層製膜時のガス総流量と結晶質シリコンｉ層のラマンピーク比との関係を示すグラフである。
【図７】結晶質シリコンｉ層製膜時のガス総流量の変動率と結晶質シリコンｉ層のラマンピーク比との関係を示すグラフである。
【図８】結晶質シリコンｉ層製膜時のガス総流量と、タンデム型太陽電池のモジュール出力との関係を示すグラフである。
【図９】結晶質シリコンｉ層製膜時のガス総流量の変動率と、タンデム型太陽電池のモジュール出力との関係を示すグラフである。」
　
　ウ　本願の図６ないし図９は、次のとおりである。
［図６］
　
［図７］
　
［図８］
　
［図９］
　
（３）当審の判断
　ア　上記（２）ア及びイ（ア）によると、本願発明は、従来技術の、大面積基板面内での光電変換効率のばらつきや、ロット間での太陽電池モジュール出力の変動の問題を抑制し、生産性を向上させることができる光電変換装置の製造方法を提供することを、及び、上記製造方法により、結晶質シリコンｉ層の基板面内における薄膜特性、特に結晶性のばらつきが制御された結果、高出力を有する光電変換装置を提供することをその課題とするものであり、その課題解決手段として、本願発明は、「前記基板の単位面積当たりの前記水素ガス流量８０ｓｌｍ／ｍ２以上」の条件で、シリコン系の光電変換層を形成するという構成を備えるものと認められる。
　そして、上記（２）イ（イ）【０００９】、並びに同（エ）及び（オ）によれば、本願発明において、「水素ガス流量８０ｓｌｍ／ｍ２以上」とすることの技術的意義は、上記（２）ウに示した、図６ないし図８に示されたの関係（特性）から得られた知見等に基づくものと認められる。
　
　イ　ここで、図６を見ると、凡例に示された各単位面積あたりの水素ガス流量が１７０ｓｌｍ／ｍ２である場合のデータ（黒四角のシンボルマーク）は、ガス総流量（グラフの横軸）が約１１０〜２１５ｓｌｍ／ｍ２の範囲にわたっており、「水素ガス流量＋シランガス流量」とされる「ガス総流量」が、その一部である水素ガス流量より小さい範囲を含んでいる。また、水素ガス流量が８０ｓｌｍ／ｍ２である場合のデータ（三角のシンボルマーク）についても、ガス総流量（グラフの横軸）が約６０〜１０５ｓｌｍ／ｍ２の範囲にわたっており、ガス総流量が水素ガス流量より小さい範囲を含んでいる。
　してみると、図６に示されるガス流量とラマン比との関係は矛盾を含むものであり、これらのパラメータの関係が、上記（２）イ（エ）に示した発明の詳細な説明に記載された特性と整合しておらず、図６がどのような技術的知見を示すのか、理解できない。
　また、図８についても、各水素ガス流量について、ガス総流量（グラフの横軸）が水素ガス流量より小さい範囲を含んでおり、発明の詳細な説明の記載（上記（２）イ（オ））と整合しておらず、図６がどのような技術的知見を示すのか、理解できない。
　したがって、発明の詳細な説明の記載（上記（２）イ（エ）ないし（オ））及び図６ないし図９から、本願発明において「水素ガス流量８０ｓｌｍ／ｍ２以上」とすることの技術的意義を理解できず、本願の発明の詳細な説明が、本願発明の「水素ガス流量８０ｓｌｍ／ｍ２以上」との事項に関して、当業者が技術上の意義を理解するために必要な事項を記載したものとはいえない。
　
　ウ　なお、請求人は、平成２３年４月２５日付けの意見書（【意見の内容】［３］（１））において、
「本願明細書段落【００３５】に、「ガス総流量以外の製膜条件は固定した」と記載されています。このことから、水素希釈率（水素ガス流量／シランガス流量）は所定の値に固定されていると解釈することができます。このため、当業者は、図６は、５２ｓｌｍ／ｍ２、８０ｓｌｍ／ｍ２、１８０ｓｌｍ／ｍ２を基準として、水素希釈率を所定の値に固定したまま、ガス総流量が変動したときのラマンピーク比の変化を示したものであると認識します。つまり、当業者は、水素希釈率は維持されたまま、ガス総流量が凡例に示される値（５２ｓｌｍ／ｍ２、８０ｓｌｍ／ｍ２、１８０ｓｌｍ／ｍ２）よりも低い値に水素ガス流量及びシランガス流量が変動する場合があることを認識することができます。」
と述べ、本願の発明の詳細な説明は、特許法第３６条第４項第１号の規定を満たしていると主張する。
　
　しかしながら、
（ア）本願明細書段落【００３５】（上記（２）イ（エ）を参照。）には、「ガス総流量以外の製膜条件（基板−電極間距離、プラズマ放電電極への投入電力密度、基板温度など）は固定した。」と記載されており、固定した製膜条件として、「水素希釈率」は明記されていないこと、
（イ）同段落に「従来条件である水素ガス流量５２ｓｌｍ／ｍ２の条件において、基準条件（図７のガス総流量の変動における０の条件）は、水素希釈率：４０倍〜１５０倍・・・となる条件を用いた。」と記載されており、特定の水素ガス流量に対して、水素希釈率は、大きな幅を持った条件として示されていること、
（ウ）図６の凡例には、「水素ガス流量」が所定の値のものが示されているのであって、「水素希釈率」が所定の値とされているものではないこと、
などを踏まえれば、本願の明細書の記載に触れた当業者が、図６に示される関係について、「水素ガス流量」ではなく「水素希釈率」が所定の値に固定されていると解釈し、「図６は、５２ｓｌｍ／ｍ２、８０ｓｌｍ／ｍ２、１８０ｓｌｍ／ｍ２を基準として、水素希釈率を所定の値に固定したまま、ガス総流量が変動したときのラマンピーク比の変化を示したものである」と認識するものとは認められない。
　したがって、請求人の上記主張は採用できない。
　
　なお、請求人の主張のとおり、図６に示される事項は、５２ｓｌｍ／ｍ２、８０ｓｌｍ／ｍ２、１８０ｓｌｍ／ｍ２を基準として、水素希釈率を所定の値に固定したまま、ガス総流量が変動したときのラマンピーク比の変化を示したものであり、水素希釈率は維持されたまま、ガス総流量が凡例に示される値（５２ｓｌｍ／ｍ２、８０ｓｌｍ／ｍ２、１８０ｓｌｍ／ｍ２）よりも低い値に水素ガス流量及びシランガス流量が変動するものであるとすると、凡例において特定された水素ガス流量の各データ（例えば、８０ｓｌｍ／ｍ２であれば、三角のシンボルマークで示されるデータ）は、水素ガス流量ではなく水素希釈率が（値は不明であるが）所定の値に固定されているものであり、基準点を除いて凡例の水素ガス流量（例えば、「水素ガス流量８０ｓｌｍ／ｍ２」）の条件のものではないこととなる。
　すなわち、図６、及びこれに対応する特性を示す図７は、水素ガス流量を特定の値とした場合の、ガス総流量とラマン比との関係ではなく、水素希釈率を所定の値とした場合の、ガス総流量とラマン比との関係を示すものであることになる。
　してみると、このような関係を示す図６及び図７から、上記段落【００３６】の「基板単位面積当たりの水素ガス流量が増大するほど、ガス総流量の変動に対するラマンピーク比の変化が小さくなった」、「基板単位面積当たりの水素ガス流量が増大するほど、ガス総流量の変動に対するラマンピーク比の変化が小さくなった」等の知見が得られるものとは認められず、本願発明において「水素ガス流量８０ｓｌｍ／ｍ２以上」とすることの技術的意義が、図６等に基づく関係から導き出せるものとはいえない。
　したがって、請求人の主張によっても、本願の発明の詳細な説明が、本願発明の「水素ガス流量８０ｓｌｍ／ｍ２以上」との事項に関して、当業者が技術上の意義を理解するために必要な事項を記載したものと認めることはできない。
　
　エ　以上の検討によれば、本願明細書の発明の詳細な説明は、発明の課題を解決できるものとして本願発明が記載されているものとは認められず、本願発明の技術的意義を当業者が理解できる程度に記載したものということはできないから、本願の発明の詳細な説明は、本願発明について、特許法第３６条第４項第１号において委任する経済産業省令（特許法施行規則第２４条の２）で定めるところにより記載されたものではない。
　
３　進歩性（特許法第２９条第２項）
（１）引用刊行物の記載事項
　当審における拒絶理由に引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−７５８８３号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
　ア　「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマＣＶＤ装置に関し、特に、大面積の結晶質薄膜太陽電池の製造に好ましく用いられ得るプラズマＣＶＤ装置の改善に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】今日、プラズマＣＶＤ装置は、複写機の感光ドラム上の感光層、液晶表示パネル用の透明基板上に形成されるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）アレイ、半導体薄膜太陽電池などにおける種々の薄膜半導体層の形成のために利用されている。
【０００３】ところで、近年では薄膜太陽電池も多様化し、従来の非晶質薄膜太陽電池の他に結晶質薄膜太陽電池も開発され、これらを積層したハイブリッド薄膜太陽電池も実用化されつつある。
【０００４】半導体薄膜太陽電池は、一般に、少なくとも表面が絶縁性の基板上に順に積層された第１電極、１以上の半導体薄膜光電変換ユニット、および第２電極を含んでいる。そして、１つの光電変換ユニットはｐ型層とｎ型層でサンドイッチされたｉ型層を含んでいる。
【０００５】光電変換ユニットの厚さの大部分を占めるｉ型層は実質的に真性の半導体層であって、光電変換作用は主としてのこのｉ型層内で生じる。したがって、ｉ型光電変換層は光吸収のためには厚い方が好ましいが、必要以上に厚くすればその堆積のためのコストと時間が増大することになる。
【０００６】他方、ｐ型やｎ型の導電型層は光電変換ユニット内に拡散電位を生じさせる役目を果たし、この拡散電位の大きさによって薄膜太陽電池の重要な特性の１つである開放端電圧の値が左右される。しかし、これらの導電型層は光電変換に直接寄与しない不活性な層であり、導電型層にドープされた不純物によって吸収される光は発電に寄与しない損失となる。したがって、ｐ型とｎ型の導電型層は、十分な拡散電位を生じさせ得る範囲内であれば、できるだけ小さな厚さを有することが好ましい。
【０００７】このようなことから、光電変換ユニットまたは薄膜太陽電池は、それに含まれるｐ型とｎ型の導電型層が非晶質か結晶質かにかかわらず、その主要部を占めるｉ型の光電変換層が非晶質のものは非晶質ユニットまたは非晶質薄膜太陽電池と称され、ｉ型層が結晶質のものは結晶質ユニットまたは結晶質薄膜太陽電池と称される。」
　
　イ　「【００１２】
【発明が解決しようとする課題】薄膜太陽電池は、より大きな発電能力と生産効率の向上のために大面積化が求められている。このような状況の下において、可動式平行平板電極を有するプラズマＣＶＤ装置を利用して大きな基板上に形成された薄膜太陽電池においては、その光電変換特性が基板上の局所的な平面的位置に依存して変動する傾向が高くなるという事実があることを本発明者は見出した。そして、この傾向は６６７Ｐａ以上の高いプラズマ反応ガス圧の下で堆積された結晶質光電変換層を含む結晶質薄膜太陽電池またはハイブリッド薄膜太陽電池において、それに用いられる矩形の基板の少なくとも１辺が９０ｃｍを超えるように大きな場合に顕著になる。
【００１３】本発明者が見出したこのような先行技術における課題に鑑み、本発明は、大きな基板上の平面的位置に依存することなく、均一で優れた光電変換特性を発揮し得る大面積の結晶質薄膜太陽電池、またはハイブリッド薄膜太陽電池の製造のために好ましく用いられ得るプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的としている。」
　
　ウ　「【００３１】以下において、図１に示されているようにメッシュ状電極４ｂを含む縦型プラズマＣＶＤ装置を用いてガラス基板上にｐ型シリコン層と結晶質ｉ型シリコン層を積層した実施例が、そのようなメッシュ状電極を含まない従来の縦型プラズマＣＶＤ装置を用いた比較例とともに説明される。
【００３２】（比較例）まず、比較例としては、９１０ｍｍ×９１０ｍｍの面積と４ｍｍの厚さを有するガラス基板上に、ｐ型シリコン層と結晶質ｉ型シリコン層が順次に堆積された。そのとき、図１に示されているようなメッシュ状電極４ｂを含まない従来の縦型プラズマＣＶＤ装置が用いられた。
【００３３】ｐ型シリコン層と結晶質ｉ型シリコン層のいずれの堆積時においても、基板表面と対向電極のガス吹出面との間隔は１２ｍｍに固定された値を有していた。この場合に、ｐ型シリコン層と結晶質ｉ型シリコン層の両方を一定のガス圧で堆積するためには、最適な圧力値が１３３３Ｐａであった。
【００３４】ｐ型シリコン層は、１０００ｓｃｃｍの流量率のＳｉＨ4、４０ＳＬＭの流量率のＨ2、微量のボロンドーパントガス、および４００ｍＷ／ｃｍ2の高周波放電パワー密度の条件の下で１１秒間だけ成膜された。このような成膜条件におけるｐ型シリコン層の成膜速度は、約１．３ｎｍ／ｓｅｃであった。そして、基板上で得られたｐ型シリコン層の厚さは、その基板上の平面的位置に依存して、１２．０〜１６．５ｎｍの範囲内にあり、±１８％の大きな厚みむらがあった。
【００３５】他方、結晶質ｉ型シリコン層の堆積においては、Ｈ2の流量率が７０ＳＬＭに増大されかつドーパントガスが添加されなかったことのみにおいてｐ型シリコン層の堆積の場合と異なっていた。ただし、結晶質ｉ型シリコン層は平均で１．７μｍの大きな厚さまで堆積され、その厚みむらは±４．５％であった。なお、Ｈ2の流量率が増大されてもシリコン層の堆積速度は実質的にＳｉＨ4の流量率によって定まるので、結晶質ｉ型シリコン層の成膜速度も、実質的にｐ型シリコン層の場合と同様に約１．３ｎｍ／ｓｅｃであった。」
　
　エ　「【００３６】（実施例）実施例においては、図１に示されているような新規な縦型プラズマＣＶＤ装置を用いて、比較例の場合と同様にガラス基板２上にｐ型シリコン層と結晶質ｉ型シリコン層が順次に堆積された。この場合に、メッシュ状電極４ｂとして、８０メッシュの開口を有するステンレス製薄板メッシュが用いられた。基板２の表面とメッシュ状電極４ｂとの間隔は１２ｍｍに設定され、基板２の表面とガス吹出面４ａとの間隔は１７ｍｍに設定されていた。
【００３７】このようなプラズマＣＶＤ装置を用いて、ｐ型シリコン層の堆積時には、スイッチング手段７を介してガス吹出面４ａに高周波電力が印加されるとともに、メッシュ状電極４ｂは電気的にフローティング状態にされた。他方、反応室１内の圧力は１３３Ｐａに下げられたが、他の成膜条件は比較例の場合と同じに設定され、１５０秒間だけ成膜された。このような成膜条件の下でのｐ型シリコン層の成膜速度は約０．１ｎｍ／ｓｅｃであった。そして、基板上で得られたｐ型シリコン層の厚さは、その基板上の平面的位置に依存して１４．５〜１６．０ｎｍの範囲内にあり、±９．５％の厚みむらがあった。
【００３８】他方、結晶質ｉ型シリコン層の堆積時には、スイッチング手段７を介してメッシュ状電極４ｂに高周波電力が印加されるとともに、ガス吹出面４ａは電気的にフローティング状態にされた。これ以外の条件を比較例の場合と同様に設定した状態で結晶質ｉ型シリコン層が平均で１．７μｍの厚さに堆積されたが、その厚みむらは比較例の場合と同様に約±４．５％であった。」
　
　オ　「【００３９】以上の比較例と実施例との比較から明らかなように、本発明によるプラズマＣＶＤ装置を用いて低い反応ガス圧の下でｐ型シリコン層を堆積するとともに、高い反応ガス圧の下で結晶質ｉ型シリコン層を堆積することによって、その非常に薄いｐ型層を均一な膜厚で形成することができるとともに、結晶質ｉ型層を高速度で形成できることがわかる。なお、結晶質ｉ型シリコン層上にｎ型シリコン層をさらに堆積する場合には、ｐ型シリコン層の堆積の場合と同様の条件の下で堆積すればよいことは言うまでもない。
【００４０】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、大きな基板上の平面的位置に依存することなく均一で優れた光電変換特性を発揮し得る大面積の結晶質薄膜太陽電池またはハイブリッド薄膜太陽電池の製造のために好ましく用いられ得るプラズマＣＶＤ装置を提供することができる。」
　
　カ　引用刊行物には、上記ア及びイによれば、大面積の結晶質薄膜太陽電池の製造に好ましく用いられるプラズマＣＶＤ装置が記載されており、さらに、上記ウ及びエに示したとおり、該プラズマＣＶＤ装置を用いて、太陽電池の光電変換ユニットを構成するｐ型シリコン層と結晶質ｉ型シリコン層を積層した実施例が記載されているから、引用刊行物には、プラズマＣＶＤ装置を用いた太陽電池の製造方法が記載されていると認められる。
　
　キ　上記エの実施例において、「比較例の場合と同様にガラス基板２上にｐ型シリコン層と結晶質ｉ型シリコン層が順次に堆積された」（【００３６】）、「これ以外の条件を比較例の場合と同様に設定した」（【００３８】）と記載されているとおり、上記エに記載のない実施例の製造条件は、上記ウの比較例における製造条件と同じであると認められる。
　
　以上アないしキによれば、引用刊行物には、次の発明が記載されていると認められる。
　
「　プラズマＣＶＤ装置を用いた太陽電池の製造方法であって、
　９１０ｍｍ×９１０ｍｍの面積と４ｍｍの厚さを有するガラス基板上に、ｐ型シリコン層と結晶質ｉ型シリコン層が順次に堆積され、
　基板の表面とメッシュ状電極との間隔は１２ｍｍに設定され、基板の表面とガス吹出面４ａとの間隔は１７ｍｍに設定されており、結晶質ｉ型シリコン層の堆積時には、スイッチング手段を介してメッシュ状電極に高周波電力が印加されるとともに、ガス吹出面は電気的にフローティング状態にされており、
　結晶質ｉ型シリコン層の堆積時の製膜条件は、ＳｉＨ4の流量率が１０００ｓｃｃｍ、Ｈ2の流量率が７０ＳＬＭ、高周波放電パワー密度が４００ｍＷ／ｃｍ2であり、
　結晶質ｉ型シリコン層が平均で１．７μｍの厚さに堆積される、
　太陽電池の製造方法。」
　
（２）対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
　ア　引用発明の「太陽電池の製造方法」は、本願発明の「光電変換装置の製造方法」に相当する。
　
　イ　引用発明の「ガラス基板」、「結晶質ｉ型シリコン層」、「ＳｉＨ4」及び「Ｈ2」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「シリコン系の光電変換層」、「シラン系ガス」及び「水素ガス」に相当する。
　また、引用発明の「プラズマＣＶＤ装置を用いた」「製造方法」は、本願発明の「プラズマＣＶＤ法」に相当する。
　
　ウ　上記ア及びイを踏まえると、引用発明は、「基板上に、シラン系ガスと水素ガスとを含むガスを原料ガスとするプラズマＣＶＤ法を用いて」、「シリコン系の光電変換層を形成する工程を含む」ものである点で、本願発明と一致する。
　
　エ　引用発明は、ガラス基板が「９１０ｍｍ×９１０ｍｍの面積」とされているところ、「Ｈ2の流量率が７０ＳＬＭ」であるから、基板の単位面積当たりの水素ガス流量はおよそ８４．５ｓｌｍ／ｍ2であり、引用発明は、本願発明の「前記基板の単位面積当たりの前記水素ガス流量８０ｓｌｍ／ｍ２以上」との条件を満たす。
　
　オ　引用発明における結晶質ｉ型シリコン層の堆積時の製膜条件は、「ＳｉＨ4の流量率が１０００ｓｃｃｍ」、「Ｈ2の流量率が７０ＳＬＭ」であるから、ＳｉＨ4の流量率に対するＨ2の流量率の比を算出すると、７０倍となり、引用発明は、本願発明の「前記シラン系ガスの流量に対する前記水素ガスの流量の比とされる水素希釈率が、４０倍以上１５０倍以下」との条件を満たす。
　
　したがって、本願発明と引用発明とは、
「基板上に、シラン系ガスと水素ガスとを含むガスを原料ガスとするプラズマＣＶＤ法を用いて、
　前記基板の単位面積当たりの前記水素ガス流量８０ｓｌｍ／ｍ２以上、
　前記シラン系ガスの流量に対する前記水素ガスの流量の比とされる水素希釈率が、４０倍以上１５０倍以下、の条件で、シリコン系の光電変換層を形成する工程を含む、光電変換装置の製造方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
ａ．基板が、本願発明では、「面積が１ｍ２以上」であるのに対して、引用発明では、「９１０ｍｍ×９１０ｍｍの面積」である点（以下「相違点１」という。）。
　
ｂ．シリコン系の光電変換層形成する工程が、本願発明では、「前記基板の温度が１９０℃以上２２０℃以下」、前記基板の表面とプラズマ放電電極との距離が３ｍｍ以上１０ｍｍ以下」、及び「プラズマ発生周波数が４０ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下」の条件で、「２ｎｍ／ｓ以上の製膜速度」であるのに対して、引用発明では、基板の温度及びプラズマ発生周波数の条件、並びに製膜速度は明らかでなく、基板の表面とプラズマ放電電極（メッシュ状電極）との距離は、「１２ｍｍ」である点（以下「相違点２」という。）。
　
（４）判断
　上記各相違点について検討する。
　
　ア　相違点１について
　光電変換装置（太陽電池）の基板の大型化は当然に求められる技術的要請であるところ、引用刊行物には、プラズマＣＶＤ装置を利用して大きな基板上に形成された薄膜太陽電池において、「その光電変換特性が基板上の局所的な平面的位置に依存して変動する傾向が高くなるという事実があること」、そして、この傾向は「用いられる矩形の基板の少なくとも１辺が９０ｃｍを超えるように大きな場合に顕著になる」との問題が認識され、「大きな基板上の平面的位置に依存することなく、均一で優れた光電変換特性を発揮し得る大面積の結晶質薄膜太陽電池、またはハイブリッド薄膜太陽電池の製造のために好ましく用いられ得るプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的としている」ことが記載されている（上記（１）イを参照。）から、引用発明において、基板のさらなる大型化を図り、その面積を１ｍ2以上とし、相違点１に係る本願発明の特定事項となすことは、当業者が適宜なし得たことである。
　そして、本願発明において、基板の面積を「１ｍ２以上」としたことに、大面積基板を特定したという以上の、格別の技術的意義を見いだすこともできない。
　
　イ　相違点２について
　引用発明において、基板の温度、プラズマ発生周波数、基板の表面とプラズマ放電電極との距離などの製膜条件は、適宜設定し得る設計的事項と認められるところ、相違点２に係る本願発明の特定事項の製膜条件とすることに、格別の困難があるものとは認められず、また、引用刊行物に「結晶質ｉ型層を高速度で形成できる」（上記（１）オ【００３９】を参照。）と記載されているように、製膜速度の向上は、光電変換装置の製造における一般的課題であるから、引用発明において、製膜条件を適宜設定し、相違点２に係る本願発明の特定事項とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　そして、本願発明において、基板の温度、プラズマ発生周波数、基板の表面とプラズマ放電電極との距離などの製膜条件を、相違点２に係る特定事項のとおり設定することによって、引用発明から当業者が予測し得る域を超えるほどの格別顕著な効果が奏されるものとは認められない。
　
　ウ　小括
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願は、発明の詳細な説明の記載が、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしておらず、拒絶をすべきものである。
　また、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。