【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年6月21日(2011.6.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【書類名】明細書
【発明の名称】  マイクロメカニカル素子及び調整方法
【特許請求の範囲】
【請求項１】  例えば圧力センサであるマイクロメカニカル素子において、
膜領域（１０）と該膜領域（１０）の周囲領域とを有するサブストレート（２）と、
前記膜領域（１０）内に設けられた、前記膜領域（１０）の変形により可変の少なくとも１つの測定抵抗器（４ａ，４ｂ；４１，４２）と、
前記膜領域（１０）内に設けられた相応する評価回路（５０）と、
前記周囲領域内及び／又は前記膜領域（１０）内に設けられたスポット（６０；７０，７０’）とを有し、
前記評価回路（５０）の一部、例えばプリント基板の、前記サブストレート（２）に対する変形により、前記測定抵抗器（４ａ，４ｂ；４１，４２）への妨害影響を発生させることができ、
前記スポットは、前記スポット（６０）の、前記サブストレート（２）に対する変形により妨害影響を発生させることのできる原料から成っており、
当該の妨害影響は、前記測定抵抗器（４ａ，４ｂ；４１，４２）に作用する妨害影響を補償することのできる類似の妨害影響である、ことを特徴とするマイクロメカニカル素子。
【請求項２】  補償抵抗装置が設けられており、
前記補償抵抗装置は、１つ又は複数の補償抵抗器が前記測定抵抗器（４ａ，４ｂ；４１，４２）に付加的に接続可能であるように形成されており、
前記補償抵抗器（５ａ，５ｂ；５１，５２，５３，５１’，５２’，５３’）の領域内には、それぞれスポット（６０）が設けられている、請求項１記載のマイクロメカニカル素子。
【請求項３】  前記１つ又は複数の補償抵抗器（５ａ，５ｂ；５１，５２，５３，５１’，５２’，５３’）の付加的接続は選択的に実行可能であり、したがって、所定数の補償抵抗器から、前記測定抵抗器に付加接続すべき所定の組合せが選択可能である、請求項２記載のマイクロメカニカル素子。
【請求項４】  前記膜領域（１０）内に、前記測定抵抗器（４１，４２）に直接的に作用する１つ又は複数のスポット（６０）が設けられている、請求項１から３のいずれか１項に記載のマイクロメカニカル素子。
【請求項５】  １つ又は複数の有利にはリング状のスポット（７０，７０’）が設けられており、当該スポットは膜縁部（１５）と評価回路（５０）の回路内側半径との間の周囲領域内にある、請求項１から４のいずれか１項に記載のマイクロメカニカル素子。
【請求項６】  前記スポット（６０；７０，７０’）の原料は、前記評価回路（５０）のプリント基板原料である、請求項１から５のいずれか１項に記載のマイクロメカニカル素子。
【請求項７】  前記スポット（６０）は、付属の補償抵抗器（５ａ，５ｂ；５１，５２，５３，５１’，５２’，５３’）の上方に、又は当該補償抵抗器の隣りに縦方向に延在する、請求項１から６のいずれか１項に記載のマイクロメカニカル素子。
【請求項８】  サブストレート原料がシリコンであり、プリント基板原料がアルミニウムである、請求項１から７のいずれか１項に記載のマイクロメカニカル素子。
【請求項９】  前記付加接続がテストチップ上で最適化されることを特徴とする、請求項３記載のマイクロメカニカル素子の調整方法。
【請求項１０】  前記付加接続が生産ラインの最後における個別調整において最適化されることを特徴とする、請求項３記載のマイクロメカニカル素子の調整方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
技術の情況
本発明はマイクロメカニカル素子、とりわけ圧力センサに関するものである。このマイクロメカニカル素子は、膜領域と膜領域の周囲領域とを有するサブストレートと、膜領域内に設けられた、膜領域の変形により可変の少なくとも１つの測定抵抗器と、周囲領域内に設けられた相応する評価回路とを有しており、評価回路の一部、とりわけプリント基板の、サブストレートに対する変形により、測定抵抗器への妨害影響を発生させることができる。同様に、本発明は相応する調整方法に関する。
【０００２】
基本的には任意のマイクロメカニカル素子に適用可能であるが、本発明及び本発明の基礎となっている問題点をマイクロメカニカル圧力センサに関連させて説明する。
【０００３】
2004506522.tif 000001
【０００４】
膜縁部付近の膜１０上には、［１１０］方向に延在する測定抵抗器４が存在する。キャリア１１上には２つの電極６がある。これらの電極は、ここで選択されている実施例では、蒸着されたアルミニウムから成っており、測定抵抗器４に前置された電極及び測定抵抗器４に後置された電極はそれぞれ、測定抵抗器４に対して垂直に長く広げられたメタライゼーションとして形成されている。左側の電極のそばに、［１１０］方向に延在する測定抵抗器４の方向に対して垂直に、補償抵抗器５が存在する。補償抵抗器５の一方の端部は接続ライン７を介して測定抵抗器４と接続されており、他方の端部は第２の接続ライン７を介して電極６と接続されている。二重矢印３０及び３１，３２は機械的応力を表しており、ヒステリシス補正を用いたこの公知の圧力センサの動作を説明する際に、関係してくる。
【０００５】
図８には、図７の圧力センサの断面が示されている。サブストレート２は、断面が台形の凹部を有しており、この凹部はキャリア１１及び膜１０によって区切られている。膜１０の表面には測定抵抗器４が存在する。測定抵抗器４は、シリコン原料内に局所的なドープ領域を挿入することにより実現されている。
【０００６】
ヒステリシス補正を用いた公知の圧力センサの動作は次の通りである。外部から圧力センサに作用する圧力によって、圧力センサが機械的に変形する。キャリア１１の厚さは典型的には数百μｍであり、一方、膜１０の厚さは典型的には数μｍである。この結果として生じる異なる剛性のゆえに、キャリア１１の機械的変形は、膜の機械的変形に比べれば無視できる程度である。外部から印加された圧力により生じる機械的応力ないし変形は、矢印３１によって表されており、この矢印３１の長さが変形の度合いである。機械的変形は、例として１つの点に、すなわち測定抵抗器４の位置に示されている。
【０００７】
さらに、圧力センサ内では、第１の変形３０が生じており、この変形３０の原因は、このケースでは、電極のアルミニウムの熱膨張係数とサブストレート２のシリコンの熱膨張係数が異なることに起因する機械的応力による妨害である。このような第１の機械的応力ないし変形３０は、圧力センサ内の各点で起こり得るが、圧力センサ内の２つの点だけを考察する。これら２つの点は、測定抵抗器４の位置であってもよいし、補償抵抗器５の位置であってもよい。ここで選択されている実施例では、第１の変形３０はどこでも等しいとする。
【０００８】
測定抵抗器４と補償抵抗器５は、それらの圧電抵抗係数の絶対値が等しくなるように選定されている。同様に、外的条件が等しい場合には、電気抵抗の絶対値も等しい。それゆえ、第１の変形３０による測定抵抗器４と補償抵抗器５における電気抵抗値の変化の絶対値は等しい。しかしながら、抵抗は一方では変形の方向に、他方では変形に対して垂直に配置されているので、２つの抵抗値変化は異なる符号を有する。したがって、測定抵抗器４と補償抵抗器５とから成る直列回路の等価抵抗の抵抗値の、第１の変形３０による総変化は０である。それゆえ、専ら第２の変形３１による測定抵抗の変化だけが残るが、キャリア１１上にある補償抵抗器５の変化が止まっている訳ではない。
【０００９】
上記した、ヒステリシス補償のための公知の解決手段の欠点としては、この解決手段が僅かな効果しか持っておらず、感度の損失が生じるという事実が挙げられる。
【００１０】
したがって一般に、公知のマイクロメカニカル集積圧力センサでは、補償なしの変換器素子に、温度に関する、出力信号のヒステリシスが生じる。このヒステリシスは、一般に、キャリア１１上の周囲領域内にある評価回路のアルミニウムプリント基板の塑性変形により生じる。センサ素子がΔＴ＝６０°Ｃを超えて加熱されると、アルミニウムの熱膨張係数とシリコンサブストレートの熱膨張係数が異なることから、アルミニウム内に１００ＭＰａの機械的応力が発生する。この応力を超えると、アルミニウムは流れ始める。同じことが冷却プロセスにおいて逆方向で起こる。
【００１１】
図９には、機械的応力のヒステリシスが温度の関数として示されており、図１０には、補償なしの別の公知の圧力センサのヒステリシスが、様々な回路内側半径ＳＩＲに対する膜縁部の長さｍｋに依存して示されている。これに関して、上記の例とは対照的に、評価回路の回路プリント基板が膜を完全に包囲していることが前提とされる。チップサイズは４ｍｍである。負のヒステリシスの領域では大域的効果が優勢であり、正のヒステリシス領域では縁部の効果が優勢である。評価回路のアルミニウム配線パターン全体のヒステリシス特性は、変換器素子の圧電抵抗に対して一体的な遠隔作用を有している。より厳密に言えば、センサ素子全体の「バイメタル変形」（シリコン上のアルミニウム層）による作用（大域的効果）と、回路縁部から圧電抵抗器までの距離が＜１００μｍの場合の局所的作用（縁部効果）とによる遠隔作用を有している。
【００１２】
幾何学的レイアウトに従って、大域的効果又は縁部効果が優勢になる。基本的な影響量は、
ａ）膜縁部から評価回路縁部までの距離
ｂ）膜サイズ
ｃ）チップジオメトリ
ｄ）ガラス鋸のガラス厚、切断幅
ｅ）ガラスサイズ
ｆ）はんだ厚、接着剤厚、取付台
チップの裏面にはんだ付けされたセンサでは、チップ表面（回路のアルミニウム配線パターン）を通って惹起された影響に対して、はんだのヒステリシスが部分的に反対に作用する。したがって、絶対的なヒステリシス計算のためには、はんだのヒステリシスを考慮すべきである。
【００１３】
通常は、マイクロメカニカル圧力センサに対して４つの測定抵抗器が設けられており、これらの測定抵抗器は、タイプにしたがって、縁部効果又は大域的効果が優勢な領域内に存在する。これらの測定抵抗器はホイートストンブリッジに接続され、それらの出力信号は同様に首尾一貫して温度ヒステリシスを有している。この温度ヒステリシスは本来のセンサ信号に重畳する。
【００１４】
発明の利点
請求項１に記載の特徴を有する本発明によるマイクロメカニカル素子及び請求項９による調整方法は、公知の解決手段の定式化に比べて、最大補償作用が大きく、最低の等級が低いという利点を有している。
【００１５】
圧力変換素子において、（正であれ負であれ）＞５％のヒステリシスを補償できなくてはならない。最低等級は０．１％のヒステリシスでなければならない。
【００１６】
まったく感度損失が生じないか、最小化可能な感度損失しか生じない。測定抵抗器へのクロスカップリングを回避することができる。最終的には、補償を回路内に問題なく一体化することが可能である。マスクプログラミングによる調整を行ってもよい。択一肢として、先行製品に対して最適な補償を設定してもよい。
【００１７】
本発明の基礎となる着想は次の点にある。すなわち、周囲領域内及び／又は膜領域内に、少なくとも１つのスポットが設けられており、このスポットは、１つ又は複数のスポットのサブストレートに対する変形により、測定抵抗器に作用する妨害影響を補償することのできる類似の妨害影響を発生させることのできる原料で形成されている。
【００１８】
従属請求項には、請求項１及び９に示された本発明の対象の有利な発展形態及び改良が示されている。
【００１９】
１つの有利な発展形態によれば、１つ又は複数の補償抵抗器を測定抵抗器に付加接続することができるよう構成された補償抵抗装置が設けられており、この装置では、補償抵抗器の領域にそれぞれスポットが設けられている。１つ又は複数の補償抵抗器を必要に応じて付加接続することにより、正又は負のヒステリシスに対して反対の作用が及ぼされる。
【００２０】
別の有利な発展形態によれば、１つ又は複数の補償抵抗器の付加接続を選択的に実行することができ、それゆえ、所定数の補償抵抗器から、測定抵抗器に付加接続すべき所定の組合せが選択可能である。この構造によれば、プリント基板を分離することにより、アセンブリ構成のセンサにおける正確な補償効果を求めることが可能になる。この構造は、マスクの変更により所定の補償作用を調整できるように設計されてもよい。
【００２１】
選択的に付加接続可能とは、プリント基板の分離により接続が中断されること、又はプリント基板の短絡により接続が成立することを意味する。これは、例えば点弧間隔（レーザーパルス又は電圧パルス）ないしサイリスタザッピングにより実現することができる。したがって、生産ラインの最後に、高精度の要求に対する個別調整が可能である。
【００２２】
別の有利な発展形態によれば、測定抵抗器に直接的に作用する１つ又は複数のスポットが膜領域に設けられている。
【００２３】
別の有利な発展形態によれば、１つ又は複数の有利にはリング状のスポットが設けられており、これらのスポットは、膜縁部と評価回路の回路内側半径との間にある。負のヒステリシスは、そのように制御可能な大域的効果により補償される。この場合、補償抵抗器は必要とされない。ここで、回路内側半径とは、回路領域と周囲領域との間の段（例えばＡｌ段）を意味している。
【００２４】
別の有利な発展形態によれば、スポットの原料は評価回路のプリント基板原料である。
【００２５】
別の有利な発展形態によれば、スポットは、付属の補償抵抗器の上方に、又はこの補償抵抗器の隣りに縦方向に延在している。
【００２６】
別の有利な発展形態によれば、サブストレート原料はシリコンであり、プリント基板原料はアルミニウムである。
【００２７】
図面
本発明の実施例を図面に示し、以下の記述においてより詳細に説明する。
【００２８】
図１は、本発明の第１の実施形態としてマイクロメカニカル圧力センサの一部を示している；
図２は、本発明の第２の実施形態としてマイクロメカニカル圧力センサの一部を示している；
図３ａ，ｂは、本発明の第３の実施形態としてマイクロメカニカル圧力センサの一部を示している。より詳しくは、図３ａは平面図であり、図３ｂは断面図である；
図４は、−４０〜１４０°Ｃの温度ループにおける、ヒステリシスによる相対的な抵抗変化率の定量分析を示しており、この場合、アルミニウムスポットは、電流方向の補償抵抗器の上方の長いストリップとして延在している；
図５は、−４０〜１４０°Ｃの温度ループにおける、ヒステリシスによる相対的な抵抗変化の定量分析を示しており、この場合、アルミニウムスポットは、電流方向の補償抵抗器に沿って長い縞として延在している；
図６は、本発明の第４の実施形態としてマイクロメカニカル圧力センサの一部を示している；
図７は、公知の圧力センサの平面図を示している；
図８は、この公知の圧力センサの断面図を示している；
図９は、別の公知の圧力センサにおける機械的応力のヒステリシスを温度の関数として示している；
図１０は、前記別の公知の圧力センサの出力信号のヒステリシスを、様々な回路内側半径に対する膜縁部の長さに依存して示している。
【００２９】
実施例の説明
図中、同じ参照記号は同じ要素又は同等の機能の要素を表す。
【００３０】
図１には、本発明の第１の実施形態としてマイクロメカニカル圧力センサの一部が示されている。
【００３１】
図１において、４ａは２つの縦方向の測定抵抗器を指し、４ｂは２つの横方向の測定抵抗器を指し、６０はプリント基板原料（ここではアルミニウム）からなるスポットを指し、５ａは横方向の測定抵抗器の２つの補償抵抗器を指し、５ｂは縦方向の測定抵抗器の２つの補償抵抗器を指し、Ｖ＋及びＶ−は給電電位を指し、Ｕは電圧出力信号を指している。
【００３２】
注意すべきは、図１は回路構成の概略的表示に過ぎず、測定抵抗器４ａ，４ｂは膜上にあり、一方、補償抵抗器５ａ，５ｂ及び付属のスポット６０は周囲領域（キャリア）上に配置されているということである。
【００３３】
この第１の実施形態の一般的な動作原理は、測定抵抗器４ａ，４ｂの給電線に補償抵抗器５ａ，５ｂを組み込む（膜外およそ８０μｍ）ことにより、マイクロメカニカル圧力センサのヒステリシスを補償する点にある。これらの補償抵抗器は、例えば、測定抵抗器に対して直列な典型的には２００Ω／平方（サイズおよそ１平方、抵抗値およそ２００Ω）の圧電抵抗器である。典型的には１０μｍ〜３０μｍの間隔を置いてその脇に、アルミニウムスポット６０がある。より詳しくは、アルミニウムスポット６０は、補償抵抗器５ａに対しては横方向、補償抵抗器５ｂに対しては縦方向にある。
【００３４】
サブストレート内の抵抗器面とアルミニウム面との間には、絶縁面、例えばＳｉＯ２層があり、この絶縁面は所望のポイントにだけコンタクトホールを有しており、このようにして不所望の短絡を防ぐ。
【００３５】
補償抵抗器５ａ，５ｂに対するアルミニウムスポット６０の位置に応じて、電位差のヒステリシスは電流方向に対して垂直又は平行に作用する。縦方向及び横方向の圧電係数は異なる符号を有しているため、補償抵抗器５ａ，５ｂには正のヒステリシスも負のヒステリシスも生じる。ここでは、これを能動的ヒステリシス補償と呼ぶ。
【００３６】
補償目的で誘導されるヒステリシスの強度は、アルミニウムスポット６０から補償抵抗器５ａ，５ｂまでの距離と、アルミニウムスポット６０の形状及びサイズとによって変更可能である。
【００３７】
ただし、図１に示されている構造の有効性は限られている。特に、その有効性はそのつどのセンサタイプに依存している。
【００３８】
２００Ωの圧電補償抵抗器を用いたこの能動的ヒステリシス補償によって、測定ブリッジは１０％感度を損失する。このことはとりわけ低圧領域においてクリティカルである。感度損失は、膜を大きくすることにより補償されなければならない。これは、非線形性の増大につながり、バックリングの危険性とコストを上げてしまう。したがって、感度損失なく又はできるだけ少ない感度損失で機能する補償が選好される。
【００３９】
図２ａ，ｂには、本発明の第２の実施形態としてマイクロメカニカル圧力センサの一部が示されている。この第２の実施形態は、感度損失のない、負のヒステリシスの受動的補償に関する。
【００４０】
図２ａ，ｂにおいて、７０，７０’はそれぞれ、大域的効果を利用した補償に使用される、アルミニウムから成る電気的に不活性な金属スポットを指している。
【００４１】
膜縁部から回路までの距離が＞１００μｍの場合、ベースヒステリシスは負である（図１０参照）。この場合、回路内側半径を人為的に小さくすることによって、ヒステリシスのゼロ交叉が実現される。これは、回路縁部にプリント基板原料のスポット７０，７０’を付加することにより行われる。なお、これらのスポットは、電気的には無機能であり、専らその機械的作用のためにのみ使用される。
【００４２】
第２の実施形態では、スポット７０，７０’はリング状であり、膜１０の周囲領域、つまり回路内側半径と膜縁部との間にある。このリングは完全に閉じているか（補償リング７０）、又は膜縁部の中央に集中していてもよい。というのも、効果はこの領域内で最大となるからである（補償リング７０’）。後者の場合、コーナーに評価回路のための比較的多くのスペースがある。
【００４３】
この例で紹介される受動的補償は感度に対しては何の影響も有していない。だが、コストは上がる。というのも、電気的に不活性な面が消耗するからである。択一的に、幅の広い１つのアルミニウムストリップを使用するか、又は多くの小さなストリップを使用することができる。
【００４４】
確かに、回路内側半径の変化の影響度は大きい。しかし、アルミニウム縁部は１μｍ単位で正確に製造可能であるので（写真技術による）、それにも関わらず、総体的に非常に精密な「ヒステリシス補償の調整ネジ」を駆使することができる。図３ａ，ｂには、本発明の第３の実施形態としてマイクロメカニカル圧力センサの一部が示されている。この第３の実施形態は、正のヒステリシスをできるだけ少ない感度損失で補償することに関わる。
【００４５】
図３ａ，ｂにおいて、既に導入された参照記号に加えて、Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３はサブストレート内に組み込まれた低抵抗の給電線領域を指し、４１，４２は測定抵抗器を指し、１００，１０１，１０２はアルミニウムから成るプリント基板を指し、５１，５２，５３ないし５１’，５２’，５３’は補償抵抗器を指している。
【００４６】
回路内側半径が縁部に非常に近いために、ヒステリシスが既に正の領域にある場合には、能動的ヒステリシス補償（すなわち、測定抵抗器に対して例えば直列に接続された補償抵抗器）を投入しなければならない。それでも、この配置は最も有利である。この配置では、補償抵抗の絶対値は可能なかぎり小さいが、抵抗値のヒステリシスは可能なかぎり大きい。これにより、最小の感度損失で最大の補償が達成される。
【００４７】
第１の実施例では、２００Ωの各補償抵抗器５ａ，ｂはブリッジ全体に固定的に取り付けられている。このことは、補償がまったく必要でない場合、すなわち付属の測定抵抗器がアルミニウム周囲領域を有していない場合でも、１０％の感度損失があることを意味する。
【００４８】
実際に補償が必要なときには、補償抵抗器がホイートストンブリッジ内にだけ組み込まれるように補償抵抗器を配置すると、さらに有利である。紹介した第３の実施形態による構造は、補償抵抗器５１，５２，５３ないし５１’，５２’，５３’の各列から成っており、これらの列は、どちらかが又は双方とも測定抵抗器４１，４２に直列に接続することができる。この場合、抵抗値は、例えば２×９０Ω（５１，５１’）、２×１８０Ω（５２，５２’）及び２×３６０Ω（５３，５３’）である。これは、例えば、ベース抵抗の０．５平方、１平方及び２平方に相当する。その際、投入すべき全抵抗は、補償にとって充分であるように選定される。
【００４９】
これらの補償抵抗器５１，５２，５３ないし５１’，５２’，５３’は、横方向測定抵抗器４１，４２に直列に接続されると、負の方向にヒステリシス補償作用を有する。今のケースでは、１８０Ω（１平方）の補償抵抗器５２’だけが接続される。これは、最終測定の際に、余分なプリント基板を分離すること又は所望のプリント基板を付加する（例えば短絡を生じさせるために）ことにより行ってもよいし、又はマスクプログラミング段階で行ってもよい。後者の場合、テストウェーハを有する先行製品が推奨される。
【００５０】
上記の符号は、アルミニウムが抵抗器の上方に縦方向に延在する場合にも妥当する。アルミニウムが抵抗器の隣りに縦方向に延在する場合には、補償作用は正の方向に生じる（補償抵抗器が縦方向枝路内のアルミニウムの下方にある場合は正の方向、補償抵抗器が縦方向枝路内のアルミニウムの隣りにある場合は負の方向）。
【００５１】
図３ｂからは、図３ａによる実施形態の層構造の概略が明らかとなる。図中、Ｋは、抵抗面の領域内にある給電領域面を指している。１３は絶縁面であり、Ａｌ１は第１のプリント基板面であり、ＺＮは中間窒素物面であり、Ａｌ２はスポット６０のための第２のプリント基板面である。最後に、ＫＬは、コンタクト面Ｋを第１のプリント基板面Ａｌ１と接続させるためのコンタクトホールを指している。窒化物から成る一番上の保護層は図示されていない。
【００５２】
必要ならば、Ａｌ１プリント基板は短絡される。これにより、相応する抵抗器は非作動となる。抵抗器の電気的作用のみが必要とされる場合、Ａｌ２は完全に分離され、Ａｌ１は抵抗器の上方では分離されるが、コンタクト接続は残っている。
【００５３】
研究により示されたところによれば、長いアルミニウムストリップを直接抵抗器の上方に配置すると、さらに有利である。というのも、ヒステリシスにより、抵抗器の位置では、機械的応力が３倍大きいからである。これにより、１％〜１．２％の相対的なヒステリシス抵抗変化が生じ、これとは対照的に、横方向のアルミニウムオーバーレイを有する構造では、０．３％〜０．４％が達成可能である。
【００５４】
このことは図４及び図５に図解されている。そのうち図４は、−４０〜１４０°Ｃの温度ループにおける相対的なヒステリシス抵抗の定量分析を示しており、この場合、アルミニウムスポットは、補償抵抗器の上方の長いストリップ内において電流方向に延在している。図５も、同様の定量分析を示しており、この場合、アルミニウムスポットは、補償抵抗器の隣りの縦方向に長いストリップ内において電流方向に延在している。
【００５５】
図４では、既に記入されている参照記号に加えて、ｂがＡｌプリント基板の幅を、ｄｚｎが中間窒化物の厚さを、ｄａｌがアルミニウムの厚さを、そしてｄｏｘが絶縁体（ここではＳｉＯ２）の厚さを表している。抵抗Ｒはここではｎサブストレート内でのｐ拡散によって実現されている。
【００５６】
種々の層構造のｂに亘る、相対的な抵抗変化率ΔＲ／Ｒ（ヒステリシスの度合い）の図示から分かるように、達成可能な効果はほとんどｂに依存しておらず、１．２％までになる。
【００５７】
図５では、既に記入されている参照記号に加えて、ｘがＡＬプリント基板から抵抗Ｒまでの距離を、ｄｓｎが保護窒化物の厚さを、そしてｄａｌｌ／２が両方のプリント基板層のアルミニウムの厚さを表している。
【００５８】
種々の層構造のｂに亘る、相対的な抵抗変化率ΔＲ／Ｒの図示から分かるように、達成可能な効果は９０°の場合は強くｘに依存し、０．４５％までにしかならない。ここで、角度データは、補償抵抗器が１００方向に対して為す角度に関するものであり、したがって９０°は、１１０方向に対して平行であることを意味する。
【００５９】
以下、予想されるヒステリシスの計算をより詳細に説明する。
【００６０】
測定抵抗ＲＭｅｓｓと補償抵抗ＲＫｏｍｐとから成る個々の（例えば縦方向の）抵抗ＲＬは、
【００６１】
【数１】
2004506522.tif 000002
【００６２】
によって与えられる。
【００６３】
半導体抵抗及び圧電効果の温度依存性を考慮して、測定抵抗は、
【００６４】
【数２】
2004506522.tif 000003
【００６５】
によって表現することができる。ここで、ＲＭｅｓｓ（Ｔ）はベース抵抗の線形二次の温度プロフィルを記述するものであり、
【００６６】
【数３】
2004506522.tif 000004
【００６７】
である。ここで、ＴＫＲ及びＴＫ２Ｒは相応の定数である。
【００６８】
ΔＲＭｅｓｓは圧電効果により生じる：
【００６９】
【数４】
2004506522.tif 000005
【００７０】
この量は測定技術により入手可能であり、変化の大きさのオーダーはおよそ２％である。ＲＭｅｓｓ（Ｔ）は、温度プロフィル全体でおよそ２０％変化する。
【００７１】
その際、機械的応力σＬは、圧力ｐの下での膜の圧縮変形σＬ（ｐ）と、熱により誘発される変形σＬ（Ｔ）とによって生じる。
【００７２】
【数５】
2004506522.tif 000006
【００７３】
横方向抵抗ＲＴに対しても同様の関係が成り立つ。
【００７４】
所要の補償抵抗ＲＫｏｍｐに対しては、
【００７５】
【数６】
2004506522.tif 000007
【００７６】
が成り立つ。ここで、
【００７７】
【数７】
2004506522.tif 000008
【００７８】
である。
【００７９】
金属のストリップが縦方向に抵抗器を覆っている場合、温度上昇時の機械的応力は電流方向に対して垂直である。測定抵抗器とは対照的に、温度依存性しか存在しない。すなわち、
【００８０】
【数８】
2004506522.tif 000009
【００８１】
である。
【００８２】
【数９】
2004506522.tif 000010
【００８３】
なる関係に基づいて、横方向抵抗と縦方向抵抗の間の差がブリッジの出力側に信号を生じさせる。ヒステリシスをゼロに補償するためには、横方向及び縦方向の抵抗が、温度変化の間、同じヒステリシスを有していなければならない。数式（８）から得られる、補償なしのヒステリシスは、図１０に示されている。
【００８４】
上述した関係を用いて、補償構造の作用が計算される。その際、シミュレーションの結果として得られる機械的応力のヒステリシスが入力される。測定抵抗器の位置には、０．２ＭＰａの値が指定される。これにより、計算上、０．５％のブリッジヒステリシスがもたらされる。補償抵抗器の位置では、すなわちＡｌ１及びＡｌ２の下方では、１０ＭＰａ（シミュレーション）の残留応力が想定される。これにより、計算上、０．５％のヒステリシスがもたらされる。圧力によって制限付けられる膜の変形による機械的応力も、同様にシミュレーションによって求められる。この機械的応力は３０ＭＰａのオーダーである。シミュレーションにおいては、ヒステリシスの圧力依存性も考慮される。これに関しては、本願ではこれ以上立ち入らない。この圧力依存性はヒステリシス曲線の広がりを生じさせる。計算例では、総ヒステリシスを１ｍＶ未満に抑えるために、枝路ごとに１４０Ωの補償抵抗器が生じる。
【００８５】
図３ａにおけるような構造内に直接１４０Ω抵抗が存在しない場合、この抵抗は、横方向抵抗器の１つの枝路内に９０Ω抵抗を挿入し、横方向抵抗器の第２の枝路内に１８０Ω抵抗を挿入した形の組合せによって近似的に達成される。
【００８６】
実施例では、今まで、Ａｌ１面とＡｌ２面が使用されるということが前提とされていた。このケースでは、アルミニウムストリップの下方で、すなわち補償抵抗器の位置において達成可能な最大ヒステレシス応力（残留応力）は１０ＭＰａである。Ａｌ１面だけが使用される場合は、応力はこの値の約１／３である。これは、Ａｌ１面とＡｌ２面が使用される場合の１％〜２％に対して、０．３％〜０．４％の相対的ヒステリシス抵抗変化率に相当する。
【００８７】
したがって、補償抵抗器上にＡｌ１面だけが置かれている場合、補償効果は１／３に低下する。それゆえ、補償作用は、ブリッジヒステリシスが０．１％未満のときが最良である。
【００８８】
両枝路内の各々の横方向抵抗器に、９０Ω抵抗器、１８０Ω抵抗器及び３６０Ω抵抗器を前置接続すれば、４．５％ブリッジヒステリシスの潜在的補償作用が可能である。
【００８９】
ブリッジ（オフセット）の対称性を保証するために、縦方向抵抗器の枝路内に相応の抵抗器が付加接続される。しかし、この抵抗器には金属の周囲領域は設けられていない。これにより、電気的な対称性が与えられる。
【００９０】
もちろん、縦方向測定抵抗器の補償抵抗器を、縦方向測定抵抗器の隣り脇にある金属ストリップで覆えば、補償作用をさらに向上させることができる。この効果は上述したように約１／３なので、これにより全体的に４．５％〜６％の潜在的補償の向上が可能である。
【００９１】
図６には、本発明の第４の実施形態として、マイクロメカニカル圧力センサの一部が示されている。
【００９２】
この第４の実施形態では、ヒステリシス補償は直接測定抵抗器において行われる。すなわち、アルミニウムスポット６０が、直接測定抵抗器４１，４２上にあるように配置されている。これにより、もとの回路内側半径のときにすでに正のベースヒステリシスが存在する（すなわち、回路がすでに膜縁部に近すぎる）ような場合でも、補償が可能になる。縦方向抵抗器の場合、補償ストリップ６０は抵抗器の上に縦方向に配置される。というのも、これが同様に圧縮応力を生み出すからである。しかし、この圧縮応力は電流方向と平行である。
【００９３】
【数１０】
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【００９４】
なる関係に基づいて、２つの変化が対立的に作用する。
【００９５】
本発明によるマイクロメカニカル素子は、前述のように有利な実施例に基づいて説明されているが、これらの実施例に限定されるものではなく、むしろ様々に変更可能である。
【００９６】
一般的には、ヒステリシスの補償は様々な仕方で行われ得る。一方では、ヒステリシス補償はマスクプログラミングによって、例えば面、コンタクト及び金属を介して行うことができる。抵抗器はハウスから酸化物の下方に存在しており、したがって非作動が保証されている。これらの抵抗器は必要な場合にだけ接続される。
【００９７】
他方では、ヒステリシス補償は、テスト目的でＦＩＢ（ＦＩＢ＝Ｆｏｃｕｓ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ）切断又は点弧間隔又はサイリスタザッピング又は酸化物ザッピングにより行うこともできる。テスト目的で、テストチップ上には、ＦＩＢ切断による補償抵抗器の接続が可能な構造が敷かれている。これにより、形成されたセンサでの迅速な最適化が可能である。
【００９８】
同様に、補正構造を回路部分内に組み込むことも可能である。それどころか、これは、膜縁部による補償抵抗器への影響が存在する場合に有利である。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の第１の実施形態としてマイクロメカニカル圧力センサの一部を示す。
【図２】
本発明の第２の実施形態としてマイクロメカニカル圧力センサの一部を示す。
【図３】
本発明の第３の実施形態としてマイクロメカニカル圧力センサの一部を示す。より詳しくは、図３ａは平面図であり、図３ｂは断面図である。
【図４】
−４０〜１４０°Ｃの温度ループにおける、ヒステリシスによる相対的な抵抗変化率の定量分析を示す。この場合、アルミニウムスポットは、電流方向の補償抵抗器の上方の長いストリップとして延在している。
【図５】
−４０〜１４０°Ｃの温度ループにおける、ヒステリシスによる相対的な抵抗変化の定量分析を示す。この場合、アルミニウムスポットは、電流方向の補償抵抗器に沿って長いストリップとして存在している。
【図６】
本発明の第４の実施形態としてマイクロメカニカル圧力センサの一部を示す。
【図７】
公知の圧力センサの平面図を示す。
【図８】
公知の圧力センサの断面図を示す。
【図９】
別の公知の圧力センサにおける機械的応力のヒステリシスを温度の関数として示す。
【図１０】
前記別の公知の圧力センサの出力信号のヒステリシスを、様々な回路内側半径に対する膜縁部の長さに依存して示す。