【事件の表示】
　特願２００３−５６６９０９「シリコン受光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　８月１４日国際公開、ＷＯ０３／６７６７０、平成１７年　６月　９日国内公表、特表２００５−５１７３０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１４年１０月１６日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００２年２月９日、大韓民国）を国際出願日とする出願であって、平成２０年５月７日付けで拒絶の理由が通知され、同年８月１３日付けで手続補正がなされ、同年１０月１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２１年１月５日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２０年８月１３日付けの手続補正によって補正された特許請求の範囲並びに願書に最初に添付した明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。
　
　「　ｎ型またはｐ型からなるシリコンを含む材料またはダイヤモンドからなる基板と、
　前記基板の一面に所定のドーパントにより前記基板と反対型のドーパントがドーピングされたドーピング領域と、
　前記ドーピング領域に形成され、１００ないし１１００ｎｍ範囲の多様な波長の光を吸収するための、多様な大きさの極小キャビティと、
　前記ドーピング領域に電気的に連結可能に前記基板に形成された第１及び第２電極とを含み、
　前記基板と前記ドーピング領域とのｐ−ｎ接合部位には電子と正孔対との生成結合が起きる量子ウェル、量子点及び量子線のうち少なくともいずれか一つが形成されていて、１００ないし１１００ｎｍ波長範囲の光に対して光電変換効果を示すことを特徴とするシリコン受光素子。」 
　
　また、請求項２に係る発明（以下「本願発明２」という。）は、次のとおりのものである。
　
「　前記基板の一面には前記ドーピング領域形成時にマスクとして機能し、前記ドーピング領域のドーピング深さが１０〜２０ｎｍに形成されるようにする制御膜を有し、前記ドーピング領域が当該制御膜を通して前記ドーパントの非平衡拡散により形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載のシリコン受光素子。」
　
３　原査定の拒絶の理由 
（１）平成２０年５月７日付け拒絶の理由 
　平成２０年５月７日付けで通知した拒絶の理由は、次に抜粋して示すとおりのものである。 
 　 
 「この出願は、発明の詳細な説明の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
１．理由１および２（第３６条）
（１）請求項１の「量子拘束効果により１００ないし１１００ｎｍ波長範囲の光に対して光電変換効果を示すように…極度に浅く」とは、どの程度の深さを規定しているのかが不明であるため、本願発明の内容は不明確である。
　また、「量子拘束効果」なる用語が、発明の詳細な説明でも定義されておらず、その意味を把握することができない。
（２）請求項３ないし４に関連して、本願発明では極度に浅いドーピング領域を形成するためにマスクとして「制御膜」を用いるとされているが、技術水準に照らせば、「１０−２０ｎｍ（【００３０】）」という極度に浅いドーピング領域を形成することは極めて困難なものと考えられ（下記の理由３も参照）、本願では、実際に、どのような条件によりこのような極度に浅いドーピング領域を形成しているのかを把握することができない
（３）また、（２）に関連して、技術水準に照らせば、単に「制御膜」を用いてドーピングすることによって、量子ウェルや量子ドットが形成されるとは考えられないが、本願では、実際に、どのような条件によりこのような量子構造を形成しているのかを把握することができない。
・・・　」
　
（２）平成２０年１０月１日付け拒絶査定 
　平成２０年１０月１日付け拒絶査定は、本願は上記（１）の拒絶の理由によって拒絶をすべきものであるというものであって、その備考欄には、次のとおり記載されている。 
　
「備考 
（１）請求項１の「前記基板と前記ドーピング領域とのｐ−ｎ接合部位には電子と正孔対との生成結合が起きる量子ウェル、量子点及び量子線のうち少なくともいずれか一つが形成され」との記載について、上記拒絶理由通知書では「技術水準に照らせば、単に「制御膜」を用いてドーピングすることによって、量子ウェルや量子ドットが形成されるとは考えられないが、本願では、実際に、どのような条件によりこのような量子構造を形成しているのかを把握することができない」旨を指摘したが（理由１（３））、意見書を見ても、これに対する実質的な反論もなく、実施可能要件を満たしていないという本拒絶理由は解消されていない（審決注：以下、この理由を「理由ａ」という。）。
（２）請求項２の「前記ドーピング領域のドーピング深さが１０〜２０ｎｍに形成されるようにする制御膜を有し」との記載についても、上記拒絶理由通知書で「技術水準に照らせば、「１０−２０ｎｍ（…）」という極度に浅いドーピング領域を形成することは極めて困難なものと考えられ（…）、本願では、実際に、どのような条件によりこのような極度に浅いドーピング領域を形成しているのかを把握することができない」旨を指摘しているが（理由１（２））、これに対しても実質的な反論はなく、実施可能要件を満たしていないという本拒絶理由は解消されていない（審決注：以下、この理由を「理由ｂ」という。）。
（３）なお、請求項１では「１００ないし１１００ｎｍ範囲の多様な波長の光を吸収するための、多様な大きさの極小キャビティ」との記載があるが、基板表面に形成される極小欠陥に起因したものである極小キャビティの大きさを調節することによって吸収波長を調節できるという内容（【００３８】）は技術的に理解することができないため、本願はこの点でも実施可能要件を満たしていない（審決注：以下、この理由を「理由ｃ」という。）。」
　
４　当審の判断 
（１）理由ａについて
ア　本願発明１の「基板とドーピング領域とのｐ−ｎ接合部位には電子と正孔対との生成結合が起きる量子ウェル、量子点及び量子線のうち少なくともいずれか一つが形成され」との構成につき、本願明細書の発明の詳細な説明（以下、単に「発明の詳細な説明」という。）には、以下の記載がある（下線は、審決で付与した。以下同じ。）。
　
（ア）「ドーピング時、前記
ドーピング領域１５の前記基板１１との境界部分、すなわちｐ−ｎ接合部位１４に量子ウェル、量子点及び量子線のうち少なくともいずれか一つが形成され
前記ドーピング領域１５は所望の極度に浅い深さにドーピング形成されたことが望ましい
　
（イ）「図４Ａは
ドーピング領域１５を非平衡拡散により極度に浅い深さに形成する時、ｐ−ｎ接合部位１４の構造を示す
　
（ウ）「図４Ａ及び図４Ｂに示されたように、
ｐ−ｎ接合部位１４は他のドーピング層が交互に形成された量子ウェル構造を有するが、ウェルバリア（ｂａｒｒｉｅｒ）とはほぼ２ｎｍ、３ｎｍとなる
　
（エ）「このように
ｐ−ｎ接合部位１４に量子ウェルを形成する極度に浅いドーピングは前記制御膜１３の厚さ及び拡散工程条件などを最適に制御することによって形成されうる
　
（オ）「
拡散工程中に適正な拡散温度及び基板１１表面の変形されたポテンシャルにより拡散プロファイルの厚さが、例えば１０−２０ｎｍに調節され、このように極度に浅い拡散プロファイルには量子ウェルシステムが生成されるようになる
基板１１表面のポテンシャルは初期制御膜１３の厚さと表面前処理により変形され、工程が進むにつれて深化する
　
イ　上記アから、発明の詳細な説明には、以下の技術事項が記載されているものと認められる。
（ア）ドーピング領域１５の基板１１との境界部分であるｐ−ｎ接合部位１４に量子ウェル、量子点及び量子線のうち少なくともいずれか一つが形成されること。
（イ）ドーピング領域１５は所望の極度に浅い深さにドーピング形成されることが望ましく、該所望の極度に浅い深さとは、１０−２０ｎｍ程度であること。
（ウ）上記ドーピング領域１５は、非平衡拡散により極度に浅い深さに形成されること。
（エ）ｐ−ｎ接合部位１４は、ドーピング層とウェルバリアとが交互に形成され、それぞれ、２ｎｍ、３ｎｍに形成された量子ウェル構造を有すること。
（オ）ｐ−ｎ接合部位１４に量子ウェルを形成する極度に浅いドーピングが、制御膜１３の厚さ及び拡散工程条件などを最適に制御することにより形成されうること。
（カ）拡散工程中に適正な拡散温度及び基板１１表面の変形されたポテンシャルにより拡散プロファイルの厚さが、例えば１０−２０ｎｍに調節され、このように極度に浅い拡散プロファイルには量子ウェルシステムが生成されること。
（キ）基板１１表面のポテンシャルは初期制御膜１３の厚さと表面前処理により変形され、工程が進むにつれて深化すること。
　
ウ　上記イの技術事項からは、「非平衡拡散」及び「基板１１表面の変形されたポテンシャル」の意味内容が不明であって、なぜ、極度に浅い拡散プロファイルを形成したときに、量子ウェルシステムが生成されるのか、本願優先日当時の技術常識に照らしても理解することができない。また、上記イの技術事項からは、「基板とドーピング領域とのｐ−ｎ接合部位には電子と正孔対との生成結合が起きる量子ウェル、量子点及び量子線のうち少なくともいずれか一つ」を形成するために、制御膜１３の厚さ、拡散工程条件、前記拡散工程の拡散温度、基板１１表面の変形されたポテンシャルを、それぞれ具体的にどのように制御又は規定すればよいのか理解することができないし、そもそも、「拡散工程条件」とは、具体的にどのような条件なのか理解することができない。
　
エ　したがって、発明の詳細な説明は、上記「基板とドーピング領域とのｐ−ｎ接合部位には電子と正孔対との生成結合が起きる量子ウェル、量子点及び量子線のうち少なくともいずれか一つが形成され」との構成を含む本願発明１を実施できる程度に明確かつ十分に記載したものでない。
　
（２）理由ｂについて
ア　本願発明２の「基板の一面にはドーピング領域形成時にマスクとして機能し、前記ドーピング領域のドーピング深さが１０〜２０ｎｍに形成されるようにする制御膜を有し、前記ドーピング領域が当該制御膜を通してドーパントの非平衡拡散により形成されたものである」との構成につき、発明の詳細な説明には、以下の記載がある。
　
（ア）「前記
基板の一面には前記ドーピング領域形成時にマスクとして機能し、前記ドーピング領域を極度に浅いドーピング深さに形成させる制御膜
前記
制御膜は前記ドーピング領域が極度に浅いドーピング深さに形成されるように適正厚さを有するシリコン酸化膜でありうる
　
（イ）「また、本発明によるシリコン受光素子はドーピング領域１５の形成時にマスクとして機能し、ドーピング領域１５を所望の極度に浅い厚さに形成させる制御膜１３を前記基板１１の一面にさらに備えることが望ましい。
この制御膜１３は前記ドーピング領域１５を形成した後で選択的に除去されもする
　
（ウ）「前記
ドーピング領域１５は所定のドーパント、例えばホウ素またはリンを前記制御膜１３の開口を介して前記基板１１内に非平衡拡散工程により注入させ、前記基板１１と反対型、例えばｐ
＋
型にドーピング形成された領域である
　
（エ）「前記制御膜１３はドーピング領域１５を極度に浅いドーピング深さに形成させる適正厚さを有するシリコン酸化膜であることが望ましい。
この制御膜１３は、例えば基板１１の一面上にシリコン酸化膜を形成した後、拡散工程のための開口部分をフォトリソグラフィ工程を利用してエッチングすることによってマスク構造に形成される
　
（オ）「
拡散技術分野で公知のところによれば、シリコン酸化膜の厚さが適正厚さ（数千Å）より厚いか、あるいは低温ならば、欠陥（ｖａｃａｎｃｙ）が主に拡散に影響を及ぼして拡散が深く起き、シリコン酸化膜の厚さが適正厚さより薄くか、あるいは高温ならば、Ｓｉ自己格子間（ｓｅｌｆ−ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ）が主に拡散に影響を及ぼして拡散が深く起きる
適正厚さに形成すれば、Ｓｉ自己格子間と欠陥と互いに結合されてドーパントの拡散を促進しなくなるので、極度に浅いドーピングが可能になる
　
イ　上記アから、発明の詳細な説明には、以下の技術事項が記載されているものと認められる。
（ア）基板の一面にはドーピング領域形成時にマスクとして機能し、前記ドーピング領域を極度に浅いドーピング深さに形成させる制御膜を備え、前記制御膜は前記ドーピング領域が極度に浅いドーピング深さに形成されるように適正厚さを有するシリコン酸化膜であること。
（イ）制御膜１３は、ドーピング領域１５を形成した後で選択的に除去されること。
（ウ）ドーピング領域１５は、ホウ素またはリンといった所定のドーパントを制御膜１３の開口を介して基板１１内に非平衡拡散工程により注入させ基板１１とは反対型のｐ＋型にドーピング形成された領域であること。
（エ）制御膜１３は、基板１１の一面上にシリコン酸化膜を形成した後、拡散工程のための開口部分をフォトリソグラフィ工程を利用してエッチングすることによりマスク構造が形成されること。
（オ）シリコン酸化膜の厚さが適正厚さ（数千Å）より厚いか、あるいは低温ならば、欠陥が主に拡散に影響を及ぼして拡散が深く起き、シリコン酸化膜の厚さが適正厚さより薄くか、あるいは高温ならば、Ｓｉ自己格子間が主に拡散に影響を及ぼして拡散が深く起きるから、シリコン酸化膜を適正厚さに形成すれば、Ｓｉ自己格子間と欠陥と互いに結合されてドーパントの拡散を促進しなくなるので、極度に浅いドーピングが可能になること。
　
ウ　上記イのとおり、発明の詳細な説明には、所定のドーパントを制御膜１３の開口を介して基板１１内に非平衡拡散工程により注入させ、ドーピング領域が極度に浅いドーピング深さに形成されるようにするとの技術事項が記載されており、本願発明２の上記アの構成は、具体的には、ドーピング領域が上記技術事項に係る手法により形成されたものであることをいうものと解される。
　しかるところ、上記イの技術事項からは、そもそも、「ドーパントの非平衡拡散」の意味内容や、上記イ（オ）の技術的意味内容が不明であるし、制御膜の厚さ、拡散温度を、それぞれ具体的にどのようにすれば、ドーピング領域のドーピング深さが１０〜２０ｎｍに形成されるようにドーピング領域を制御膜を通してドーパントの非平衡拡散により形成することができるのか理解することができない。
　なお、このことは、請求人が審判請求の理由において提示する、特開平７−３１２４２２号公報、特開平９−７９６２号公報、特開平５−１８２９８２号公報、特開２００１−５３０１６号公報を参照しても同様である。
　
エ　したがって、発明の詳細な説明は、上記「基板の一面にはドーピング領域形成時にマスクとして機能し、前記ドーピング領域のドーピング深さが１０〜２０ｎｍに形成されるようにする制御膜を有し、前記ドーピング領域が当該制御膜を通してドーパントの非平衡拡散により形成されたものである」との構成を含む本願発明２を実施できる程度に明確かつ十分に記載したものでない。
　
（２）理由ｃについて
ア　本願発明１の「１００ないし１１００ｎｍ範囲の多様な波長の光を吸収するための、多様な大きさの極小キャビティ」との構成につき、発明の詳細な説明には、以下の記載がある。
　
（ア）「本発明は前記のような問題点を改善するために、半導体材料としてシリコンを利用しながらもｐ−ｎ接合部位で量子拘束効果により
量子効率が従来の太陽電池よりきわめて高いシリコン受光素子を提供する
　
（イ）「前記目的を達成するための本発明によるシリコン受光素子は、ｎ型またはｐ型のシリコンに基盤をおいた基板と、前記
基板とのｐ−ｎ接合部位で量子拘束効果により１００ないし１１００ｎｍ波長範囲の光に対して光電変換効果を示すように
　
（ウ）「前記のような本発明による
シリコン受光素子での吸収波長は、基板１１の表面（実際には、ドーピング領域１４の表面）に形成される極小欠陥に起因した極小キャビティにより決まる
製作工程により極小キャビティの大きさを調節すれば、本発明によるシリコン受光素子の吸収波長を１００ないし１１００ｎｍ範囲内に属する特定波長とするか、あるいは多様な波長とできる
　
 （エ）「
極小キャビティの大きさを多様にするならば、本発明によるシリコン受光素子は広い波長領域、例えば一般的な太陽電池の吸収領域に該当する１００ｎｍないし１１００ｎｍ
波長帯域の光を吸収して光電変換する
（段落【００３９】）
　
（オ）「例えば、極小キャビティの大きさを均一に形成すれば、本発明によるシリコン受光素子は特定波長の光を吸収して光電変換する。また、
極小キャビティはドーピング領域１４表面に形成された極小欠陥による変形されたポテンシャルのゆえに生じる。従って、変形されたｐｏｔｅｎｔｉａを調節することによって量子ウェルの変形が可能であり、これにより極小キャビティが決まるので、極小キャビティの大きさを制御することにより、特定波長または広い波長帯域で吸収を起こせる
　
イ　上記アから、発明の詳細な説明には、以下の技術事項が記載されているものと認められる。
（ア）量子効率が従来の太陽電池よりきわめて高いシリコン受光素子を提供するために、基板とのｐ−ｎ接合部位で量子拘束効果により１００ないし１１００ｎｍ波長範囲の光に対して光電変換効果を示すようにすること。
（イ）シリコン受光素子での吸収波長は、基板１１の表面（実際には、ドーピング領域１４の表面）に形成される極小欠陥に起因した極小キャビティにより決まり、製作工程により極小キャビティの大きさを調節することにより吸収波長を１００ないし１１００ｎｍ範囲内に属する特定波長とするかあるいは多様な波長とできるところ、極小キャビティの大きさを多様にすれば、シリコン受光素子は広い波長領域（一般的な太陽電池の吸収領域）に該当する１００ｎｍないし１１００ｎｍ波長帯域の光を吸収して光電変換すること。
（ウ）極小キャビティはドーピング領域１４表面に形成された極小欠陥による変形されたポテンシャルのゆえに生じ、変形されたポテンシャルを調節することによって量子ウェルの変形が可能であり、これにより極小キャビティが決まるので、極小キャビティの大きさを制御することにより、特定波長または広い波長帯域で吸収を起こせること。
　
ウ　上記イの技術事項からは、「量子拘束効果」、「極小キャビティ」及び「変形されたポテンシャル」の意味内容が不明であり、「極小キャビティ」と「変形されたポテンシャル」との関連も不明である。また、上記イの技術事項からは、なぜ、極小キャビティの大きさを調節することによって吸収波長を特定波長あるいは多様な波長とできるのか、どのようにして極小キャビティの大きさを多様にするのか、どのようにして変形されたポテンシャルを調節するのか理解することができない。
　
エ　したがって、発明の詳細な説明は、上記「１００ないし１１００ｎｍ範囲の多様な波長の光を吸収するための、多様な大きさの極小キャビティ」との構成を含む本願発明１を実施できる程度に明確かつ十分に記載したものでない。
　
５　むすび 
　以上のとおり、本願の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明１及び２を実施できる程度に明確かつ十分に記載したものでないからから、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。 
　よって、結論のとおり審決する。