【事件の表示】
　特願２００５−３０６０８１「有機電界発光表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　６月　１日出願公開、特開２００６−１４０１４５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００５年（平成１７年）１０月２０日（優先権主張２００４年１１月１１日、大韓民国）を出願日とする出願であって、平成２０年１１月７日付けで拒絶理由が通知され、平成２１年２月１０日付けで意見書の提出及び手続補正がなされ、同年５月１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年９月２４日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　その後、当審において、平成２２年１０月８日付けでＦａｘによる審尋を行い、同年１０月２２日付けでＦａｘによる回答書が提出されている。
　
　
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２１年２月１０日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１には、次のとおり記載されている。
「基板上に形成された下部電極と、
　前記下部電極の一部分を露出させる開口部を備えた絶縁膜と、
　前記開口部により露出された下部電極上に形成された有機膜層と、
　基板上に形成された上部電極とを備え、
　前記絶縁膜は、その表面が前記有機膜層よりも上部に形成され、かつ該表面に溝を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置。」
　
　上記請求項１には、「基板上に形成された上部電極」と記載されているが、本願の実施例、有機電界発光素子の技術常識、及び平成２２年１０月２２日付けのＦａｘによる回答書を参照して、「基板上の少なくとも有機膜層上に形成された上部電極」と読み替えて、以下、検討する。
　したがって、本願発明は、以下のとおりのものである。
「基板上に形成された下部電極と、
　前記下部電極の一部分を露出させる開口部を備えた絶縁膜と、
　前記開口部により露出された下部電極上に形成された有機膜層と、
　基板上の少なくとも有機膜層上に形成された上部電極とを備え、
　前記絶縁膜は、その表面が前記有機膜層よりも上部に形成され、かつ該表面に溝を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置。」
　
　
第３　刊行物
１　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００４−７１５５４号公報（以下、「引用例」という。）には、有機ＥＬパネルについて、図面とともに次の事項が記載されている。（後述の「２　引用発明の認定」で特に参照した箇所に下線を付した。）
（ａ）「【請求項１】
　１画素の発光領域に対応する大きさの画素電極とこれに対向する対向電極間に、少なくとも有機発光層を有する有機ＥＬ素子をマトリクス配置した有機ＥＬパネルであって、
　前記画素電極の周辺端部を覆う枠型の絶縁膜と、
　この絶縁膜の外側に設けられ、前記絶縁膜より厚みの大きな凸部と、
　を有することを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項２】
　請求項１に記載の有機ＥＬパネルにおいて、
　前記凸部は、前記絶縁膜と同一の材料で形成されていることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項３】
　請求項１または２に記載の有機ＥＬパネルにおいて、
　前記凸部は、前記絶縁膜の周囲を離散的に囲むように並べられた複数の柱状材から構成されることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項４】
　請求項１に記載の有機ＥＬパネルにおいて、
　前記絶縁膜と、凸部との間には、前記絶縁膜が除去された枠状の凹部が形成されていることを特徴とする有機ＥＬパネル。」
　
（ｂ）「【０００３】
　
この有機ＥＬパネルは、有機ＥＬ素子を画素として、これを多数マトリクス状に配置して構成される。有機ＥＬ素子は、ＩＴＯなどで構成された陽極上に正孔輸送層、有機発光層、アルミなどの陰極を積層した構造を有している
有機発光層と陰極との間に電子輸送層を配置する場合も多い
【０００４】
　ここで、陽極は画素毎の発光領域にのみ（若干は大きい）に存在するようにパターニングする。陽極（画素電極）をパターニングすると、その周辺の角部が必然的に生じ、ここに電界が集中して、陽極と陰極とが短絡して表示不良が発生する可能性がある。そこで、通常は、この陽極の周辺部を覆う絶縁性の絶縁膜を形成する。この絶縁膜は、画素電極の発光領域のみを露出してその他は全面を覆う構成にしている。この絶縁膜を形成することで、画素電極の端部における電界の集中を避けるとともに陽極とそれに対向した陰極との短絡を防止するため、有機ＥＬ素子の好適な発光を確保することができる。
【０００５】
　ここで、有機発光層は、各色の表示をするため、あるいは不要な発光を抑制するために、画素毎のパターニングをする必要がある。そして、この有機発光層の形成には、マスク蒸着が用いられ、画素パターンを正確に位置決めするためには、マスクの位置決めを正確に行う必要がある。
【０００６】
　そこで、マスクを正孔輸送層の表面に接触させた後、微調整のための移動を繰り返し、正確な位置決めを行っている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
　しかし、マスクは、比較的薄く変形しやすいため、この移動が難しいという問題があった。また、このマスクの移動によって正孔輸送層が傷ついて削りかすが落ちたり、マスクに付着していたダストが剥がれ落ち、これが有機発光層に混入し、有機発光層などの膜が分断されるなどの問題もあった。」
　
（ｃ）「【００１５】
　以上説明したように、本実施形態によれば、画素電極の周辺端部を覆う絶縁膜を枠状とし、その外側に厚みの大きなマスク支持用の凸部を設けた。このため、有機発光層などの有機膜の蒸着時におけるマスクは、画素電極の外側の凸部に支持される。従って、マスク位置決め時に削りかすやダストが発生しても、これが有機発光層などに混入するおそれが少ない。また、マスクは凸部において支持されるため、接触面積が少なくその移動による位置決めが容易になる。
【００１６】
　また、前記凸部と、前記絶縁膜とを同一の材料で形成することで、絶縁膜と凸部を順次形成でき、その形成が容易になる。
【００１７】
　また、前記凸部は、前記絶縁膜の周囲を離散的に形成することで、マスクの接触面積を小さくすることができる。
【００１８】
　また、前記絶縁膜と、凸部との間には、枠状の凹溝が形成されていることで、マスクと凸部との接触で生じた削りかすやダストを凹溝にトラップすることができ、有機発光層などへの悪影響の発生を減少することができる。」
　
（ｄ）「【００２０】
　図１は、一実施形態の要部を示す断面図である。
ガラス基板１０上には、
絶縁層１２が全面に形成されている。
【００２１】
　
絶縁膜１２上には、
半導体層１４が形成され、これを覆って
ゲート絶縁膜１６が形成されている。半導体層１４の中間部分の上方には、ゲート絶縁膜１６を介し
ゲート電極１８が形成されており、これらを覆って
層間絶縁膜２０が形成されている。また、半導体層１４の両端側には、層間絶縁膜２０およびゲート絶縁膜１６にコンタクトホールを形成して例えばアルミのドレイン電極２２とソース電極２４が形成されている
【００２２】
　
そして、層間絶縁膜２０およびドレイン電極２２、ソース電極２４を覆って、
水分ブロッキング層２６が全面に形成されている
【００２３】
　また、この水分ブロッキング層２６の上には、アクリル樹脂などの有機材料からなる第１平坦化膜２８が形成され、その上に画素毎の有機ＥＬ素子の陽極としてＩＴＯなどの画素電極３０が形成されている
【００２４】
　この画素電極３０は、その一部がソース電極２４上に至り、ここに設けられたソース電極の上端を露出するコンタクトホールの内面にも形成され、これによって、ソース電極２４と画素電極３０が直接接続されている。
【００２５】
　
画素電極３０の発光領域以外の画素領域の周辺部は第１平坦化膜２８と同様の有機物質からなる第２平坦化膜３２でカバーされ
第２平坦化膜３２は、画素電極の周囲を取り囲む枠状
【００２６】
　
そして、第２平坦化膜３２及び画素電極３０の上には正孔輸送層３４が全面に形成される。
第２平坦化膜３２は発光領域において開口されているため、正孔輸送層３４は発光領域において陽極である画素電極３０と直接接触する。また、この正孔輸送層３４の上には、発光領域より若干大きめで画素毎に分割された発光層３６、電子輸送層３８がこの順番で積層され、その上にアルミなどの陰極４０が全面に形成されている
　
（ｅ）「【００２８】
　ここで、本実施形態によれば、画素電極３０の周辺エッジを覆う第２平坦化膜３２がパターニングされている。すなわち、本実施形態では、側方に長く延びず、画素電極３０の周辺で終端する比較的背の低い
第２平坦化膜（内側）３２ａと、第２平坦化膜（内側）３２ａから若干の間隙をおいて、これを取り囲むように形成された第２平坦化膜（外側）３２ｂとから構成されている
【００２９】
　ここで
、第２平坦化膜（内側）３２ａは、画素電極３０の周辺の周辺エッジを覆うことが目的であり、画素電極３０の周辺を覆って連続した枠状に形成され
第２平坦化膜（外側）３２ｂは、有機ＥＬの有機発光層３６、電子輸送層３８を形成する際の蒸着用マスクを支持するためのもの
　
（ｆ）「【００３８】
　これによって、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、四角形状の画素電極３０を周辺エッジを覆う枠型の第２平坦化膜（内側）３２ａと、第２平坦化膜（内側）３２ａの外側を間隔をあけて取り囲む柱状の突起の並びからなる第２平坦化膜（外側）３２ｂが形成される。
【００３９】
　次に、正孔輸送層３４が真空蒸着によって全面に形成され、その上に有機発光層３６をマスク蒸着するためのマスクがセットされる。この状態を図３に示す。このように、第２平坦化膜（外側）３２ｂの頂部により、マスク５０が支持される。このマスクは、例えばニッケルで形成されており、画素電極３０よりやや大きめの領域が開口５２となっており、この開口５２が画素電極３０に一致するように位置決めする。そして、この位置決めが完了してから、有機発光層３６を真空蒸着される。
【００４０】
　次に、マスクを残したまま引き続き電子輸送層３８が真空蒸着され、その後、マスクが取り去られ、陰極４０が真空蒸着される。これによって、マスク交換の作業がなくなり、ダストが混入する可能性も減少できる。なお、電子輸送層３８の方の蒸着について異方性を高くすることで、同一のマスクを使用しても、電子輸送層３８の方を有機発光層３６より小さくすることで、電子輸送層３８を有機発光層３６上に確実に支持することができる。
【００４１】
　なお、画素電極３０は、例えば６０μｍ角で、第２平坦化膜３２は幅１０〜２０μｍ程度とし、数μｍ程度画素電極３０とオーバーラップするとよい。」
　
（ｇ）「【００４４】
　さらに、このマスク位置決めの際のマスクの移動によって、正孔輸送層３４が一部削り取られ削りかすが生じたり、マスクに付着していたダストが落下する可能性もある。ところが、本実施形態においては、
第２平坦化膜（外側）３２ｂの内側には、第２平坦化膜（内側）３２ａを取り囲むように第２平坦化膜３２が存在しない領域（凹溝）が形成されている
特に、内側に落ちた削りかすやダストが凹溝にトラップされるため、画素電極３０上に至ること有効に防止できる。
【００４５】
　このように、本実施形態では、第２平坦化膜３２を全面に形成するのではなく、画素電極３０の周囲に限定し、かつ高さを２段階として、その間に凹溝を設けた。そこで、有機発光層３６を形成する際に使用するマスクは、この第２平坦化膜（外側）３２ｂが形成された部分のみで、支持される。そこで、マスクの接触面積が少なくなり、移動が容易でかつ位置合わせが容易になる。そして、
マスク位置決め時に削りかすやダストが落ちても、削りかすやダストは凹溝にトラップされ、画素領域における有機層に問題が生じる可能性が低い
　
（ｈ）「【００４８】
　さらに、上述の例では、有機ＥＬの有機膜をマスクを利用する真空蒸着で行った。しかし、有機膜の形成方法としては、ドナーシートを利用する方法もある。…（略）…」
　
　
２　引用発明の認定
　上記記載から、引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　「有機ＥＬパネルは、有機ＥＬ素子を画素として、これを多数マトリクス状に配置して構成され、当該有機ＥＬ素子は、ＩＴＯなどで構成された陽極上に正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、アルミなどの陰極を積層した構造を有しているものであって、
　ガラス基板１０上には、絶縁層１２が全面に形成され、この絶縁膜１２上には半導体層１４が形成され、これを覆ってゲート絶縁膜１６が形成され、半導体層１４の中間部分の上方には、ゲート絶縁膜１６を介してゲート電極１８が形成されており、これらを覆って層間絶縁膜２０が形成され、また、半導体層１４の両端側には、層間絶縁膜２０およびゲート絶縁膜１６にコンタクトホールを形成してドレイン電極２２とソース電極２４が形成され、そして、層間絶縁膜２０およびドレイン電極２２、ソース電極２４を覆って、水分ブロッキング層２６が全面に形成され、また、この水分ブロッキング層２６の上には、第１平坦化膜２８が形成され、その上に画素毎の有機ＥＬ素子の陽極としてＩＴＯなどの画素電極３０が形成されており、
　画素電極３０の発光領域以外の画素領域の周辺部は、画素電極の周囲を取り囲む枠状の第２平坦化膜３２でカバーされ、
　そして、第２平坦化膜３２及び画素電極３０の上には正孔輸送層３４が、第２平坦化膜３２の発光領域における開口にて、発光領域において陽極である画素電極３０と直接接触するように、全面に形成され、
　この正孔輸送層３４の上には、発光領域より若干大きめで画素毎に分割された有機発光層３６、電子輸送層３８がこの順番で積層され、その上にアルミなどの陰極４０が全面に形成されており、
　前記第２平坦化膜３２は、画素電極３０の周辺を覆って連続した枠状に形成される第２平坦化膜（内側）３２ａと、第２平坦化膜（内側）３２ａから若干の間隙をおいてこれを取り囲むように形成された、有機ＥＬの有機発光層３６、電子輸送層３８を形成する際の蒸着用マスクを支持するための第２平坦化膜（外側）３２ｂとから構成されており、第２平坦化膜（外側）３２ｂの内側には、第２平坦化膜（内側）３２ａを取り囲むように第２平坦化膜３２が存在しない領域（凹溝）が形成されており、
　マスク位置決め時に削りかすやダストが落ちても、削りかすやダストは凹溝にトラップされ、画素電極３０上に至ること有効に防止できる有機ＥＬパネル。」
　
　
第４　対比
１　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「有機ＥＬパネルは、有機ＥＬ素子を画素として、これを多数マトリクス状に配置して構成され、当該有機ＥＬ素子は、ＩＴＯなどで構成された陽極上に正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、アルミなどの陰極を積層した構造を有しているものであって、
　ガラス基板１０上には、絶縁層１２が全面に形成され、この絶縁膜１２上には半導体層１４が形成され、これを覆ってゲート絶縁膜１６が形成され、半導体層１４の中間部分の上方には、ゲート絶縁膜１６を介してゲート電極１８が形成されており、これらを覆って層間絶縁膜２０が形成され、また、半導体層１４の両端側には、層間絶縁膜２０およびゲート絶縁膜１６にコンタクトホールを形成してドレイン電極２２とソース電極２４が形成され、そして、層間絶縁膜２０およびドレイン電極２２、ソース電極２４を覆って、水分ブロッキング層２６が全面に形成され、また、この水分ブロッキング層２６の上には、第１平坦化膜２８が形成され、その上に画素毎の有機ＥＬ素子の陽極としてＩＴＯなどの画素電極３０が形成されて」いる点と、
　本願発明の「基板上に形成された下部電極」を備えた「有機電界発光表示装置」である点とを対比する。
　引用発明の「ガラス基板１０」は、本願発明の「基板」に相当する。
　そして、引用発明における有機ＥＬ素子は、「ガラス基板１０」上に、第１平坦化膜２８などが形成され、「その上に画素毎の有機ＥＬ素子の陽極としてＩＴＯなどで構成された陽極」の上に、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、アルミなどの陰極を積層した構造であるから、引用発明の「ガラス基板１０」上の「有機ＥＬ素子の陽極として」の「ＩＴＯなどの画素電極３０」は本願発明の「基板上に形成された下部電極」に相当する。
　また、引用発明の「有機ＥＬパネル」は、有機ＥＬ素子を画素として、これを多数マトリクス状に配置して構成されたものであるから、本願発明の「有機電界発光表示装置」に相当する。
　よって、上記両者は一致する。
　
（２）引用発明の「画素電極３０の発光領域以外の画素領域の周辺部は、第１平坦化膜２８と同様のアクリル樹脂などの有機物質からなり、画素電極の周囲を取り囲む枠状の第２平坦化膜３２でカバーされ」る点と、本願発明の「前記下部電極の一部分を露出させる開口部を備えた絶縁膜」を備える点とを対比する。
　引用発明の第２平坦化膜３２は、「画素電極３０の周辺を覆って連続した枠状に形成される第２平坦化膜（内側）３２ａ」を含み、一方、正孔輸送層３４は「第２平坦化膜３２の発光領域における開口にて、発光領域において陽極である画素電極３０と直接接触する」のであるから、引用発明の第２平坦化膜３２が「下部電極の一部分を露出させる開口部」を有していることは明らかである。
　そして、引用発明の第２平坦化膜３２の材料は「第１平坦化膜２８と同様のアクリル樹脂などの有機物質」であるが、引用例の記載事項（ａ）には、「前記画素電極の周辺端部を覆う枠型の絶縁膜」、記載事項（ｂ）には、「通常は、この陽極の周辺部を覆う絶縁性の絶縁膜を形成する。この絶縁膜は、画素電極の発光領域のみを露出してその他は全面を覆う構成にしている。」と記載されているから、引用発明のアクリル樹脂などの有機物質からなる第２平坦化膜３２が、絶縁膜であることは明らかである。
　よって、上記両者は一致する。
　
（３）引用発明の「第２平坦化膜３２及び画素電極３０の上には正孔輸送層３４が、第２平坦化膜３２の発光領域における開口にて、発光領域において陽極である画素電極３０と直接接触するように、全面に形成され、この正孔輸送層３４の上には、発光領域より若干大きめで画素毎に分割された有機発光層３６、電子輸送層３８がこの順番で積層され」ている点と、本願発明の「前記開口部により露出された下部電極上に形成された有機膜層」を備える点とを対比する。
　引用発明において、第２平坦化膜３２の発光領域における開口により、画素電極３０が露出されていることは、前述（２）のとおり明らかである。
　そして、上記記載事項（ｈ）に「上述の例では、有機ＥＬの有機膜をマスクを利用する真空蒸着で行った。」と記載されているところ、引用発明の「画素毎に分割された有機発光層３６、電子輸送層３８」は、マスクを利用する真空蒸着で形成されている（上記記載事項（ｆ））から、引用発明の「画素毎に分割された有機発光層３６、電子輸送層３８がこの順番で積層され」た積層体は、本願発明の「有機膜層」に相当する。
　よって、上記両者は一致する。
　
（４）そして、引用発明の「電子輸送層３８がこの順番で積層され、その上に」「全面に形成されて」いる「アルミなどの陰極４０」は、本願発明の「基板上の少なくとも有機膜層上に形成された上部電極」に相当する。
　
２　一致点・相違点
　以上のとおりであるから、本願発明と引用発明とは、次の一致点及び相違点を有する。
［一致点］
　「基板上に形成された下部電極と、
　前記下部電極の一部分を露出させる開口部を備えた絶縁膜と、
　前記開口部により露出された下部電極上に形成された有機膜層と、
　基板上の少なくとも有機膜層上に形成された上部電極とを備える、有機電界発光表示装置。」
　
［相違点］
　絶縁膜について、本願発明が「その表面が前記有機膜層よりも上部に形成され、かつ該表面に溝を備え」ているのに対して、引用発明は、このような発明特定事項を有するか明確でない点。
　
　
第５　当審の判断
１　相違点について
（１）引用発明の「凹溝」について
　　引用発明は、「第２平坦化膜（外側）３２ｂの内側」に形成された「第２平坦化膜（内側）３２ａを取り囲むよう」な「第２平坦化膜３２が存在しない領域（凹溝）」を有しているから、すなわち、引用発明の第２平坦化膜３２は「凹溝」を有しているといえる。
　
　ここで、請求人は、引用例（以下の主張では「引用文献１」）に対し、以下のように主張している。
　平成２１年２月１０日付けの意見書において、
「（ａ）本願発明と引用文献１に記載された発明との対比
　引用文献１記載の発明では、「発光層と凹溝との高さが同レベル」です。つまり、第２平坦化膜が発光層よりも上方に形成されていません。したがって、パーチクルが第２平坦化膜上にある場合、パーチクルから発光層および凹溝への距離は等しく、パーチクルが発光層の方へ移動する可能性があります。図１に示されるように、第２平坦化膜３２は、内側３２ａと外側３２ｂとがあり、外側３２ｂの方が高いので、第２平坦化膜３２は、発光層に向かって、段階的に低くなっています。これでは、高い外側３２ｂから移動したパーチクルが、凹溝を飛び越えて、発光層に移動しかねません。
　以上を整理すると、引用文献１記載の発明は、「発光層と同じ高さに形成された凹溝」という構成を有していると言えます。
　一方、本願発明は、上述のように、「発光層よりも高い位置に形成された溝」という構成を有しています。本願発明では、溝が発光層よりも高い位置に形成されているので、パーチクルが溝を飛び越えて画素電極に到達することがありません。パーチクルが落下する手前で、パーチクルを捕えることができます。
　引用文献１には、本願発明のような「発光層よりも高い位置に形成された溝」という構成は、記載も示唆もされていません。
　したがって、少なくとも「発光層よりも高い位置に形成された溝」という構成を欠く引用文献１記載の発明は、本願発明とは同一ではありません。また、引用文献１には、「発光層よりも高い位置に形成された溝」について記載も示唆もございませんので、いかに当業者といえども、引用文献１から本願発明には容易には想到できません。」
　
　平成２１年１１月１２日付けの手続補正書（審判請求書の請求の理由の補正）において、
「（ａ）引用文献１に記載された発明について
　引用文献１には、第２平坦化膜３２ｂの内側に、第２平坦化膜３２ａを取り囲むように貫通穴を形成し、マスク位置決めの際のダストをトラップする点が開示されています。しかし、引用文献１記載の発明では、図１、２に示されるように、第２平坦化膜３２ａによって露出される下部電極３０の一部と、第２平坦化膜３２ａおよび３２ｂ間の穴との高さが同レベルです。特に、引用文献１記載の発明では、図１に示されるように、第２平坦化膜３２は、内側３２ａと外側３２ｂとがあり、外側３２ｂの方が高いので、第２平坦化膜３２は、発光層に向かって、段階的に低くなっています。これでは、高い外側３２ｂから移動したパーチクルが、凹溝を飛び越えて、発光層に移動しかねません。
　以上から、引用文献１記載の発明では、第２平坦化膜（絶縁膜）は、（Ａ）下部電極を露出する開口部と、（Ｂ）開口部を囲み下部電極よりも上部に形成された表面と、（Ｃ’）当該表面を貫通して下部電極を露出する
貫通穴
　
　平成２２年１０月２２日付けのＦａｘによる回答書において、
「審尋事項２．について
　（１）絶縁膜の「表面」は、絶縁膜の「下部電極の一部分を露出させる開口部」以外の少なくとも一部として解釈されます。溝の底や側面は、絶縁膜の「表面」には当たりません。
　（２）絶縁膜の「表面」に溝の底や側面も含めてしまうと、「該表面に溝を備える」の表現により、溝の中に別の溝が形成されることになってしまいます。…（略）…。溝の切り込み始めが、有機膜層よりも上部であると解釈されます。溝の切り込み始めが有機膜層よりも上部にあることで、絶縁膜表面のパーチクルを溝に捉え（落とし）、有機膜層（発光層）上に移動することを防止できます。
　（３）…（略）…
　請求項１は、上記のように「溝の切り込み始めが有機膜層よりも上部にある」ことと解釈します。平成２１年２月１０日付けの意見書では、「「発光層よりも高い位置に形成された溝」という構成を有していると言えます。」と主張していますが、ご指摘を受けて気づいた正しい位置関係で言いますと、「有機膜層よりも上部に切れ込み始めが形成される溝」になります。
　（４）上記の「有機膜層よりも上部に切れ込み始めが形成される溝」については、図７Ｃが根拠になります。図７Ｃを参照すると、溝の切れ込み始めは、有機膜層（「露出された下部電極上に形成された」部分のみとして）よりも、上部に形成されていることは明確です。」
　
　以上、請求人の主張を総合勘案して、再度引用発明について検討しても、引用発明の凹溝は、「第２平坦化膜（外側）３２ｂの内側」に「第２平坦化膜（内側）３２ａを取り囲むように」形成された「第２平坦化膜３２が存在しない領域」であるから、その凹溝の切れ込み始めが、第２平坦化膜（外側）３２ｂと第２平坦化膜（内側）３２ａの両方の表面にあることは明らかである。
　
　したがって、引用発明の「第２平坦化膜３２が存在しない領域（凹溝）」は、本願発明の絶縁膜の表面の「溝」に相当する。
　
（２）絶縁膜の表面高さについて
　本願発明の「前記絶縁膜は、その表面が前記有機膜層よりも上部に形成され」との記載における有機膜層は、「前記開口部により露出された下部電極上に形成された有機膜層」であり、上記回答書も参しゃくすると、絶縁膜の表面は、「開口部により露出された下部電極上に形成された」部分のみの有機膜層よりも上部に形成されている、といえる。
　
　引用発明の、第２平坦化膜３２（本願の「絶縁膜」に相当）を構成する、第２平坦化膜（内側）３２ａと第２平坦化膜（外側）３２ｂの、それぞれの表面（凹溝の切れ込み始め）の高さについて検討する。
　第２平坦化膜（外側）３２ｂは、「有機ＥＬの有機発光層３６、電子輸送層３８を形成する際の蒸着用マスクを支持するため」のものであるから、その表面が、電子輸送層３８よりも上部に形成されていることは明らかである。
　そして、引用発明において、第２平坦化膜（外側）３２ｂで支持されたマスクの位置決め時に落ちた削りかすやダストは、「凹溝にトラップされ、画素電極３０上に至ることが有効に防止できる」のであるから、引用発明の第２平坦化膜（内側）３２ａの表面が、ダストが画素電極３０上に至らないよう、障壁となり得る高さを有することが好ましいことは明らかである。
　なお、引用例の図１からも、第２平坦化膜（内側）３２ａ及び第２平坦化膜（外側）３２ｂの表面が、第２平坦化膜（内側）３２ａの開口部により露出された下部電極上に形成された有機膜層より上部に位置する様子が見て取れる。
　よって、以上を総合勘案すれば、引用発明において、第２平坦化膜３２の表面を、開口部により露出された下部電極上に形成された有機膜層よりも上部に形成し、上記相違点２に係る本願発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　
２　本願発明の奏する作用効果について
　引用発明も、第２平坦化膜３２の内側３２ａと外側３２ｂとの間に凹溝を形成し、ダストを凹溝にトラップさせて画素電極３０上に至ることを有効に防止するのであるから、本願発明と同様の作用効果を奏するものである。
　
３　まとめ
　よって、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知の技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例に記載された発明及び周知の技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。