【事件の表示】
　特願２００４−２３０７１７号「基板処理方法及びそれに用いる薬液」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月１６日出願公開、特開２００５−１５９２９４号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成１６年８月６日（優先権主張平成１５年９月１８日、平成１５年１１月５日）の出願であって、平成１８年３月３１日付け及び平成２１年７月２２日付けで手続補正がなされた後、平成２１年１０月１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２１年１２月２８日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。 
 　 
２．平成２１年１２月２８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）についての補正の却下の決定 
 　 
［補正の却下の決定の結論］平成２１年１２月２８日付けの手続補正を却下する。 
［理由］ 
（１）本件補正
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、 
「基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法において、
前記有機膜パターン加工処理では、
前記有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を除去する前処理と、
前記有機膜パターンの少なくとも一部を縮小するか、又は前記有機膜パターンの少なくとも一部を除去する本処理と、
をこの順に行い、
前記本処理は、有機膜パターンの現像機能を持つ薬液を用いた現像処理により行い、
前記前処理は、薬液を用いる薬液処理を含み、該薬液はアミン系の材料と水とからなり、
前記アミン系の材料は、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソピルアミン、ジイソピルアミン、トリイソピルアミン、モノブチルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、ヒドロキシルアミン、ジエチルエヒドロキシルアミン、無水ジエチルエヒドロキシルアミン、ピリジン、ピコリンのうちの少なくとも何れか１つからなり、
前記アミン系の材料の濃度が０．０５重量％以上１．５重量％以下であることを特徴とする基板処理方法。」
と補正された。 
 　 
　本件補正は、本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「薬液」について「少なくともアミン系の材料と水とを含む」ものであったのを「アミン系の材料と水とからなる」ものと限定し、更に「アミン系の材料」について「モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソピルアミン、ジイソピルアミン、トリイソピルアミン、モノブチルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、ヒドロキシルアミン、ジエチルエヒドロキシルアミン、無水ジエチルエヒドロキシルアミン、ピリジン、ピコリンのうちの少なくとも何れか１つからな」るものと限定するものであり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下単に「特許法第１７条の２」という。）第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。 
 　 
（２）独立特許要件
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反しないか）について以下に検討する。 
　本件補正後の請求項１には、「堆積層を除去する前処理」は、「薬液を用いる薬液処理を含み、該薬液はアミン系の材料と水とからなり、前記アミン系の材料は、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソピルアミン、ジイソピルアミン、トリイソピルアミン、モノブチルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、ヒドロキシルアミン、ジエチルエヒドロキシルアミン、無水ジエチルエヒドロキシルアミン、ピリジン、ピコリンのうちの少なくとも何れか１つからなり、前記アミン系の材料の濃度が０．０５重量％以上１．５重量％以下であること」が発明特定事項として記載されているが、本願の発明の詳細な説明には、【０２２４】、【０２２５】に「ここで、図１７は、使用する薬液中のアミン類の含有濃度と、有機膜の変質の有無に応じた除去レートと、の関係を示す図である。図１７に示すように、変質層を選択的に除去し、変質していない有機膜は残存させる為には、前記アミン類の有機溶剤を０．０５〜１．５ｗｔ％（０．０５重量％以上１．５重量％以下）含有するような水溶液を用いて薬液処理を行うと良い。なお、前記アミン類の中でも、特に、ヒドロキシルアミン、ジエチルエヒドロキシルアミン、無水ジエチルエヒドロキシルアミン、ピリジン、ピコリンなどが最適である。」とアミン系の材料の濃度が０．０５重量％以上１．５重量％以下である薬液処理により変質層を除去することは記載されているが、堆積層についての薬液処理に関する記載としては【０２３４】に、「それに比較し、薬液処理（ヒドロキシルアミンを２％含有する水溶液を用いた薬液処理）は、図１５に示すように、堆積物の有る変質層の除去に対しては効果が小さい……（略）……」と、アミン系の材料であるヒドロキシルアミンを２％含有する水溶液を用いた薬液処理では、堆積物（本願補正発明の「堆積層」に相当するものと考えられる）の有る変質層の除去に対しては効果が小さいことが記載されているだけで、「堆積層を除去する前処理」は、「薬液を用いる薬液処理を含み、該薬液はアミン系の材料と水とからなり、前記アミン系の材料は、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソピルアミン、ジイソピルアミン、トリイソピルアミン、モノブチルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、ヒドロキシルアミン、ジエチルエヒドロキシルアミン、無水ジエチルエヒドロキシルアミン、ピリジン、ピコリンのうちの少なくとも何れか１つからなり、前記アミン系の材料の濃度が０．０５重量％以上１．５重量％以下であること」は、本願の発明の詳細な説明には何ら記載されていない。
　
　したがって、本願補正発明が発明の詳細な説明に記載したものであるとはいえず、本件補正後の請求項１の記載は、特許法第３６条第６項第１号の規定に適合しない。
　
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
 　 
３．本願発明について 
　平成２１年１２月２８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２１年７月２２日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものである。 
 　 
「基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法において、
前記有機膜パターン加工処理では、
前記有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を除去する前処理と、
前記有機膜パターンの少なくとも一部を縮小するか、又は前記有機膜パターンの少なくとも一部を除去する本処理と、
をこの順に行い、
前記本処理は、有機膜パターンの現像機能を持つ薬液を用いた現像処理により行い、
前記前処理は、薬液を用いる薬液処理を含み、該薬液は少なくともアミン系の材料と水とを含み、
前記アミン系の材料の濃度が０．０５重量％以上１．５重量％以下であることを特徴とする基板処理方法。」
 　 
４．引用例 
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平８−２３１０３号公報（以下「引用例１」という。）、及び特開２００２−３０３９９３号公報（以下「引用例２」という。）には、以下の技術事項が記載されている。
 　 
ａ．引用例１
記載事項ア．
「【請求項２】逆スタガ型薄膜トランジスタアレイからなるアクティブマトリクス基板の製造方法において、絶縁基板上に２層の導電膜を形成する工程と、前記導電膜上にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストに潜像を形成し第１の現像を行ないレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとし前記２層の導電膜をエッチング除去しパターン化する工程と、前記レジストパターンをさらに第２の現像を行い、オーバーエッチングする工程と、前記オーバーエッチングされたレジストパターンをマスクとし、前記パターニングされた２層の導電膜をさらに導電膜膜厚の半分程度エッチングする工程と、前記レジストパターンを除去してゲート電極を形成する工程を含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。」
　
記載事項イ．
「【００１０】〔実施例２〕また、本発明の第２実施例のアクティブマトリクス基板のゲート電極形成までの製造方法を示す断面図を図２（ａ）〜（ｅ）に示す。絶縁基板（１）上に第１の導電膜（２ａ）としてクロム膜を１０００Åアルゴンスパッタ法で形成し、さらに第２の導電膜（２ｂ）としてアルミ膜を１０００Å形成し、その上にフォトレジスト（３）を塗布する（図２（ａ））。次にフォトレジスト（３）を露光し潜像を形成し、現像液で最初の現像を行いレジストパターンを形成し、さらに下層の導電膜（２ａ）、（２ｂ）として用いたクロム膜、アルミ膜を塩素ガスを主成分とするエッチングガスを用いてドライエッチングする（図２（ｂ））。その後再び現像液で現像を行い、フォトレジストパターン（３）をオーバー現像する（図１（「図２」の誤記）（ｃ））。このオーバー現像したレジストパターン（３）を用いて、第２の導電膜（２ｂ）として用いたアルミ膜をリン酸を主成分とするエッチング液でエッチング除去する（図１（「図２」の誤記）（ｄ））。その後レジストパターンを除去し（図１（「図２」の誤記）（ｅ））、アクティブマトリクス基板のゲート電極を形成するものである。」
　
記載事項ウ．
【図２】
　
　
　記載事項ア．〜ウ．の記載内容からして、引用例１には、
「絶縁基板上に第１の導電膜としてクロム膜を形成し、さらに第２の導電膜としてアルミ膜を形成し、その上にフォトレジストを塗布し、次にフォトレジストを露光し潜像を形成し、現像液で最初の現像を行いレジストパターンを形成し、さらに下層の導電膜として用いたクロム膜、アルミ膜をドライエッチングし、その後再び現像液で現像を行い、フォトレジストパターンをオーバー現像し、このオーバー現像したレジストパターンを用いて、第２の導電膜として用いたアルミ膜をエッチング液でエッチング除去し、その後レジストパターンを除去してゲート電極を形成する、アクティブマトリクス基板の製造方法。」
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
ｂ．引用例２
記載事項エ．
「【請求項１】基板の上にレジストパターンを形成する第１工程と、前記レジストパターンをマスクに用いて、前記基板をエッチングする第２工程と、
　前記レジストパターンの表面変質層を除去するための、第１の薬液処理を行なう第３工程と、
　前記レジストパターンのバルク部分を除去するための、第２の薬液処理を行なう第４工程と、を備えた半導体装置の製造方法。
【請求項２】前記第１の薬液処理は、有機系溶媒とＮＨ４Ｆまたはアミンを含む化合物と水とを少なくとも含有する薬液により処理することを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。」
　
記載事項オ．
「【００２９】
実施例１
　
記載事項カ．
「【００３３】本実施例のように、表面変質層１を除去するための残渣除去力の強い薬液で最初の処理をし、続いて、バルクレジスト２の除去力の強い薬液で処理することによって、レジスト３は完全に除去できることが見出された。
【００３４】残渣除去力の強い薬液（第１の薬液）としては、有機系溶媒と、ＮＨ４Ｆまたはアミンを含む化合物と、水とを少なくとも含有する剥離液が挙げられる。ここで、有機系溶媒としては、エチレングリコール、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなど、分子内分極の大きい溶媒が好ましい。分子内分極が大きいと、無機系残渣物に対する溶解力が強くなるためである。
【００３５】……（略）……ここで、ＮＨ４Ｆやアミンを含む化合物は、表面変質層のような無機系物質を除去する反応に主に寄与する物質である。」
　
記載事項キ．
「【００３６】バルクレジストの除去力の強い薬液（第２の薬液）としては、有機系溶媒とアミンを含む化合物を含有し、かつ水を含まない剥離液が挙げられる。水を含んでいるとレジスト変質層に対する除去力が増大するとともに有機物に対する溶解力は低下する。そこで、有機物であるバルクレジストの除去力を高めるためには水を含まないようすればよい。もっとも、残渣除去力をわずかに残しておくために、完全に水を含まないようにするのではなく、前述した「残渣除去力の強い薬液（第１の薬液）」より少量の水を含む薬液を用いてもよい。なお、第２の薬液に用いる有機系溶媒は、第１の薬液と同様の薬液を用いることができる。また、第２の薬液に用いるアミンを含む化合物としては、ヒドロキシルアミン、モノエタノールアミン、ジメチルアミンなどが好ましい。水を含まない成分の薬液を用いると、有機物であるバルクレジストの溶解力が高まる。」
　
５．対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（ａ）引用発明の「絶縁基板上に第１の導電膜としてクロム膜を形成し、さらに第２の導電膜としてアルミ膜を形成し」たものは、本願発明の「基板」に相当する。
　そして、引用発明の「絶縁基板上に第１の導電膜としてクロム膜を形成し、さらに第２の導電膜としてアルミ膜を形成し、その上にフォトレジストを塗布し、次にフォトレジストを露光し潜像を形成し、現像液で最初の現像を行」なって「形成し」た「レジストパターン」は、本願発明の「基板上に形成された有機膜パターン」に相当する。
　
（ｂ）引用発明の「レジストパターンを形成し、さらに下層の導電膜として用いたクロム膜、アルミ膜をドライエッチングし、その後再び現像液で現像を行い、フォトレジストパターンをオーバー現像」する処理では、オーバー現像によりレジストパターンの少なくとも一部を縮小しているか、又はレジストパターンの少なくとも一部を除去していることは明らかであり、また、レジストパターンの現像機能を持つ薬液を用いた現像処理を行っていることも明らかであるから、引用発明の「レジストパターンを形成し、さらに下層の導電膜として用いたクロム膜、アルミ膜をドライエッチングし、その後再び現像液で現像を行い、フォトレジストパターンをオーバー現像」する処理は、本願発明の「有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備え」、「前記有機膜パターンの少なくとも一部を縮小するか、又は前記有機膜パターンの少なくとも一部を除去する本処理」を「行い、前記本処理は、有機膜パターンの現像機能を持つ薬液を用いた現像処理により行」うことに相当するといえる。
　
（ｃ）引用発明の「ゲート電極を形成する、アクティブマトリクス基板の製造方法」は、本願発明の「基板処理方法」の概念に包含されることは明らかである。
　　
　そうすると、本願発明と引用発明は、
「基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法において、前記有機膜パターン加工処理では、前記有機膜パターンの少なくとも一部を縮小するか、又は前記有機膜パターンの少なくとも一部を除去する本処理を行い、前記本処理は、有機膜パターンの現像機能を持つ薬液を用いた現像処理により行う基板処理方法。」
である点で一致し、次の相違点が存在する。
　
　相違点
　前記有機膜パターン加工処理において、本願発明は、本処理の前に、有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を除去する前処理を行い、前記前処理は、薬液を用いる薬液処理を含み、該薬液は少なくともアミン系の材料と水とを含み、前記アミン系の材料の濃度が０．０５重量％以上１．５重量％以下であるのに対して、引用発明は、前記有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を除去する前処理を行うかどうか不明である点。
　
６．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　
　引用例２には、エッチングなどのドライプロセスによりレジストパターンに表面変質層が生じること、該表面変質層を除去するための残渣除去力の強い薬液としては、有機系溶媒とアミンを含む化合物と水とを少なくとも含有する剥離液が挙げられることが記載（記載事項オ．カ．参照）されており、引用例２に記載された「有機系溶媒とアミンを含む化合物と水とを少なくとも含有する剥離液」は、本願発明の「少なくともアミン系の材料と水とを含」む「薬液」に相当するといえる。
　そして、引用発明は、「現像液で最初の現像を行いレジストパターンを形成し、さらに下層の導電膜として用いたクロム膜、アルミ膜をドライエッチング」しており、引用例２に記載された事項（記載事項オ．参照）を参酌すると、引用発明は、クロム膜、アルミ膜のドライエッチング時にレジストパターンの表面に表面変質層が生じている蓋然性が高いものであるから、そのような表面変質層が生じている場合に、有機系溶媒とアミンを含む化合物と水とを少なくとも含有する剥離液を使用して表面変質層を除去するようにすることは、引用例２に記載された記載事項に接した当業者であれば容易に想起し得ることである。
　また、本願の発明の詳細な説明には、アミン系材料の濃度が０．０５重量％以上１．５重量％以下であることについて、【０２２４】、【０２２５】及び図１７にアミン類の有機溶剤を０．０５重量％以上１．５重量％以下含有するような水溶液を用いて薬液処理すると変質層を選択的に除去し、変質していない有機膜は残存させることができる旨の記載がされているが、図１７に図示されたアミン系材料の濃度と変質層の除去レートの関係は、有機膜の材料、アミン系材料の種類、溶媒の種類、変質層の種類等に依存するものと認められるところ、本願の発明の詳細な説明には図１７に図示されたアミン系材料の濃度と変質層の除去レートの関係が具体的にどのような有機膜の材料、アミン系材料の種類、溶媒の種類、変質層の種類等を用いた際のものであるのかが何ら記載されておらず、どのような有機膜の材料、アミン系材料の種類、溶媒の種類、変質層の種類等を用いた場合でも図１７に図示されたアミン系材料の濃度と変質層の除去レートの関係となることを想起させる技術常識が存するともいえないから、アミン系材料の濃度を０．０５重量％以上１．５重量％以下とすることに格別臨界的意義があるとは認められない。
　そうすると、引用例２には、アミンを含む化合物の濃度については記載されていないが、上述したように本願発明の薬液処理に用いる薬液のアミン系の材料の濃度を０．０５重量％以上１．５重量％以下とすることに格別臨界的意義があるとは認められないし、実験等により表面変質層の除去し易い範囲のアミンを含む化合物の濃度を決定する程度のことは、当業者であれば適宜なし得る設計的事項にすぎないから、上記相違点に係る本願発明の発明特定事項を得ることは、当業者であれば容易になし得ることであるといわざるを得ない。
　また、本願発明の効果も、引用発明及び引用例２に記載された事項から予測し得る範囲内のものであり、格別のものとは認め難い。
　
７．むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用例２に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。