【事件の表示】
　特願２００７−２０５０３５「液晶装置、液晶装置の製造方法および電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１１月　６日出願公開、特開２００８−２６８８４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１９年８月７日（優先権主張平成１９年３月２８日）の出願であって、平成１９年１１月２８日付け、平成２０年２月７日付け及び平成２１年６月１１日付けで手続補正がなされ、同年１０月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２２年１月１８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同時に手続補正がなされ、その後、当審において平成２３年２月９日付けで前記平成２２年１月１８日付け手続補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶理由が通知され、平成２３年４月６日付けで手続補正がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２３年４月６日付け手続補正による補正後の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は次のとおりである。
　
「複数の画素を備えてなり、各前記画素に対応してスイッチング素子が設けられてなる液晶装置において、
　前記スイッチング素子が形成されてなる素子基板と、
　前記スイッチング素子上に形成された層間絶縁膜と、
　前記層間絶縁膜上に透明導電膜によって形成された第１の電極層と、
　前記素子基板に形成されており、電極間絶縁膜を介して前記第１の電極層上に平面的に重ねられて透明導電膜によって形成された第２の電極層と、を具備し、
　各前記画素は、前記第１の電極層と前記第２の電極層とが平面的に重なる第１領域と、前記第１の電極層および前記第２の電極層のうち前記第１の電極層のみが形成されてなる第２領域と、を含んでなり、
　前記第２の電極層の膜厚が前記第１の電極層の膜厚より薄く、
　前記第１の電極層と前記第２の電極層とは材料が異なり、前記第１の電極層の材料と前記第２の電極層の材料との比抵抗率の差が５×１０Ｅ−４Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする液晶装置。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　引用刊行物の記載事項
（１）引用刊行物１
　当審において平成２３年２月９日付けで通知した拒絶の理由に引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００６−２７６５８１号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００１】
  本発明は、液晶装置及び電子機器に関するものである。」
　
　イ　「【０００４】
  本発明は、・・・表示面を見る方向が異なる場合でも、表示画像を同一の着色や色合いで表示できる横電界方式の液晶装置と、当該液晶装置を備えた電子機器を提供することを目的としている。」
　
　ウ　「【００４５】
  （第３実施形態）
  次に、本発明の第３実施形態に係る液晶装置について、図７及び図８を参照して説明する。
  図７は、本実施形態の液晶装置３００における任意の１ドット領域を示す平面構成図である。図８は、図７のＤ−Ｄ’線に沿う断面構成図である。
【００４６】
  本実施形態の液晶装置は、液晶に対して基板平面方向の電界を印加して、配向を制御することにより画像表示を行う横電界方式のうち、ＦＦＳ方式と呼ばれる方式を採用した液晶装置である。・・・
【００４７】
  図７に示すように、液晶装置３００のドット領域には、平面視略熊手状（櫛歯状）を成すＹ軸方向に長手の画素電極（第２電極）９と、画素電極９と平面的に重なって配置された平面略ベタ状の共通電極（第１電極）１１９とが設けられている。ドット領域の図示左上の角部には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを所定間隔で離間した状態に保持するための柱状スペーサ４０が立設されている。
【００４８】
  共通電極１１９は、画像表示領域全体では、Ｘ軸方向に延びて配列されている。
  本実施形態の場合、共通電極１１９はＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電材料からなる導電膜である。
【００４９】
  ドット領域には、Ｘ軸方向に延びるデータ線６ａと、Ｙ軸方向に延びる走査線３ａと、走査線３ａに隣接して走査線３ａと平行に延びる容量線３ｂとが形成されている。データ線６ａと走査線３ａとの交差部の近傍にＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は走査線３ａの平面領域内に部分的に形成されたアモルファスシリコンからなる半導体層３５と、半導体層３５と一部平面的に重なって形成されたソース電極６ｂ、及びドレイン電極１３２とを備えている。走査線３ａは半導体層３５と平面的に重なる位置でＴＦＴ３０のゲート電極として機能する。
【００５０】
  ＴＦＴ３０のソース電極６ｂは、データ線６ａから分岐されて半導体層３５に延びる平面視略Ｌ形に形成されており、ドレイン電極１３２は、−Ｙ側に延びて平面視略矩形状の容量電極１３１と電気的に接続されている。容量電極１３１上には、画素電極９のコンタクト部９ｂが−Ｙ側から進出して配置されており、両者が平面的に重なる位置に設けられた画素コンタクトホール４５を介して容量電極１３１と画素電極９とが電気的に接続されている。また容量電極１３１は、容量線３ｂの平面領域内に配置されており、当該位置に、厚さ方向で対向する容量電極１３１と容量線３ｂとを電極とする蓄積容量７０が形成されている。
【００５１】
  また、画素電極９は、コンタクト部９ｂに接続されていると共にＸ軸方向に延在する基端部９ａと、当該基端部９ａから−Ｙ側に延びる３本の帯状電極９ｃとを有している。また、帯状電極９ｃの各々には、当該帯状電極９ｃの一部を被覆する誘電体膜９ｄが複数設けられている。また、誘電体膜９ｄを除く部分は、帯状電極９ｃの表面が露出している電極露出部９ｅとなる。これにより、電極露出部９ｅの両側に誘電体膜９ｄが設けられた構成となる。
・・・
【００５４】
  図８に示す断面構造をみると、互いに対向して配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が挟持されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、基板本体１０Ａを基体としてなり、基板本体１０Ａの内面側（液晶層５０側）には、走査線３ａ及び容量線３ｂが形成されており、走査線３ａ及び容量線３ｂを覆ってゲート絶縁膜１１が形成されている。
【００５５】
  ゲート絶縁膜１１上に、アモルファスシリコンの半導体層３５が形成されており、半導体層３５に一部乗り上げるようにしてソース電極６ｂと、ドレイン電極１３２とが設けられている。ドレイン電極１３２の図示右側には容量電極１３１が一体に形成されている。半導体層３５は、ゲート絶縁膜１１を介して走査線３ａと対向配置されており、当該対向領域で走査線３ａがＴＦＴ３０のゲート電極を構成するようになっている。
  容量電極１３１は、ゲート絶縁膜１１を介して容量線３ｂと対向配置されており、容量電極１３１と容量線３ｂとが対向する領域に、ゲート絶縁膜１１を誘電体膜とする蓄積容量７０が形成されている。
【００５６】
  半導体層３５、ソース電極６ｂ、ドレイン電極１３２、及び容量電極１３１を覆って、第１層間絶縁膜１２が形成されており、第１層間絶縁膜１２上に、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる共通電極１１９が形成されている。したがって、本実施形態の液晶装置３００は、図７に示す１ドット領域内のうち、共通電極１１９の平面領域と、画素電極９を内包する平面領域とが重なる領域が、バックライト９０から入射して液晶層５０を透過する光を変調して表示を行うようになっている。
【００５７】
  また、共通電極１１９上には、当該共通電極１１９を覆って酸化シリコンや窒化シリコン等からなる第２層間絶縁膜１３が形成されている。
  本実施形態においては、共通電極を形成した後、プラズマＣＶＤ法等によって窒化シリコンを４００ｎｍ程堆積させて第２層間絶縁膜１３を形成している。また、第２層間絶縁膜１３上にＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極９が形成されている。更に、第１層間絶縁膜１２及び第２層間絶縁膜１３を貫通して容量電極３１（当審注：「容量電極１３１」の誤りと認める。）に達する画素コンタクトホール４５が形成されており、この画素コンタクトホール４５内に画素電極９のコンタクト部９ｂが一部埋設されることで、画素電極９と容量電極３１（当審注：「容量電極１３１」の誤りと認める。）とが電気的に接続されている。なお、上記画素コンタクトホール４５の形成領域に対応して共通電極１１９にも開口部が設けられており、共通電極１１９と画素電極９とが接触しないようになっている。画素電極９上には、当該画素電極９を覆う第２層間絶縁膜１３上の領域に配向膜１８が形成されている。」
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
「液晶に対して基板平面方向の電界を印加して、配向を制御することにより画像表示を行う横電界方式のうち、ＦＦＳ方式と呼ばれる方式を採用した液晶装置であって、
　液晶装置３００のドット領域には、平面視略熊手状（櫛歯状）を成すＹ軸方向に長手の画素電極（第２電極）９と、画素電極９と平面的に重なって配置された平面略ベタ状の共通電極（第１電極）１１９とが設けられており、共通電極１１９は、画像表示領域全体では、Ｘ軸方向に延びて配列されており、
　互いに対向して配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が挟持されており、
　ＴＦＴアレイ基板１０は、基板本体１０Ａを基体としてなり、基板本体１０Ａの内面側（液晶層５０側）には、走査線３ａ及び容量線３ｂが形成されており、走査線３ａ及び容量線３ｂを覆ってゲート絶縁膜１１が形成されており、ゲート絶縁膜１１上に、アモルファスシリコンの半導体層３５が形成されており、半導体層３５に一部乗り上げるようにしてソース電極６ｂと、ドレイン電極１３２とが設けられており、ドレイン電極１３２には容量電極１３１が一体に形成されており、半導体層３５は、ゲート絶縁膜１１を介して走査線３ａと対向配置されており、当該対向領域で走査線３ａがＴＦＴ３０のゲート電極を構成するようになっており、容量電極１３１は、ゲート絶縁膜１１を介して容量線３ｂと対向配置されており、半導体層３５、ソース電極６ｂ、ドレイン電極１３２、及び容量電極１３１を覆って、第１層間絶縁膜１２が形成されており、第１層間絶縁膜１２上に、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる前記共通電極１１９が形成されており、また、共通電極１１９上には、当該共通電極１１９を覆って酸化シリコンや窒化シリコン等からなる第２層間絶縁膜１３が形成されており、また、第２層間絶縁膜１３上にＩＴＯ等の透明導電材料からなる前記画素電極９が形成されており、更に、第１層間絶縁膜１２及び第２層間絶縁膜１３を貫通して容量電極１３１に達する画素コンタクトホール４５が形成されており、この画素コンタクトホール４５内に画素電極９のコンタクト部９ｂが一部埋設されることで、画素電極９と容量電極１３１とが電気的に接続されており、なお、上記画素コンタクトホール４５の形成領域に対応して共通電極１１９にも開口部が設けられており、共通電極１１９と画素電極９とが接触しないようになっており、画素電極９上には、当該画素電極９を覆う第２層間絶縁膜１３上の領域に配向膜１８が形成されている、液晶装置。」
　
（２）引用刊行物２
　同じく、特開２００７−１１０３７号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００１】
  本発明は、液晶表示装置に係り、特にＦＦＳ（Fringe Field Switching）モード液晶表示装置の構造に関する。」
　
　イ　「【００１１】
  本発明は、・・・従来のＬＣＤに対して高開口率及び高輝度であるとともに、ディスクリネーションの発生を防止すること、及び／又は、表示画面の焼き付きを起き難くすることのできるＬＣＤを提供することを目的とする。」
　
　ウ　「【００１６】
＜第１実施例＞
  図１は、第１実施例における単位画素の構造を示した平面図である。図１に示したように、本発明に係るＦＦＳモードＬＣＤにおける単位画素１００は、・・・データライン９、ゲートライン１１、ＴＦＴ７、コモン電極２、画素電極１、３、及びコモン線１２を含んで成る。本実施例の単位画素１００が従来の単位画素８０と異なる点は、画素電極１、３の形状にある。
・・・
【００１８】
  従来の単位画素８０と異なる画素電極１、３の形状とは、Ｘ方向に平行な複数の画素電極１が設けられているが、・・・複数の画素電極１を接続するために画素電極３が画素電極１の間を縫って設けられている。・・・」
　
　エ　「【００２９】
＜第２実施例＞
  本実施例では、上記第１実施例における画素電極１、３の形状の特徴の１つであるＸ方向に平行な画素電極１の両端に開口部を有していることを活かしたまま、表示画面の焼き付きを防止することに効果のある構造を有する単位画素について説明する。・・・
【００３０】
  図４は、本実施例における単位画素の構造を示した平面図である。図４に示したように、単位画素２００が図１の単位画素１００と異なる部分は、各画素電極１を接続するために設けられた画素電極２５である。画素電極２５がＹ方向に対して傾いている角度θ３は、上記第１実施例におけるθ２と同じ理由によりθ３＞θ１の条件を満たすことが必要となる。
【００３１】
  また、画素電極２５の特徴は、第１実施例の画素電極３の２本分の電極となっていることである。・・・
【００３２】
  図５は、図４の破線Ｉ−Ｉ′に沿って単位画素２００を切断した断面図である。図５に示したように、単位画素２００は、コモン電極２７の上に絶縁膜２９が積載し、この絶縁膜２９の上に画素電極１、２５が形成されて成っている。ここで、画素電極１、２５の膜厚ｄは、約０．０４μｍである。これは、従来のＬＣＤにおける単位画素の画素電極の膜厚が０．０８μｍに比べて２分の１の薄さを有する構造である。
【００３３】
  このように画素電極１、２５の膜厚を薄くすることによって、更に上に塗布するポリイミド（ＰＩ）等から成る配向膜が凸凹することなく水平に塗ることができる。そのため、
配向膜の凸凹による配向不良から生じる表示画面の焼き付きを防止する効果が得られる。・・・」
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物２には、以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
「単位画素２００が、コモン電極２７の上に絶縁膜２９が積載し、この絶縁膜２９の上に画素電極１、２５が形成されて成っている、ＦＦＳモード液晶表示装置であって、
　画素電極１、２５の膜厚を薄くすることによって、更に上に塗布するポリイミド（ＰＩ）等から成る配向膜が凸凹することなく水平に塗ることができ、そのため、配向膜の凸凹による配向不良から生じる表示画面の焼き付きを防止する効果が得られる、ＦＦＳモード液晶表示装置。」
　
　
３　対比
　本願発明と引用発明１を対比する。
　
（１）引用発明１の「液晶装置」は、「画像表示を行う」ものであり、「ＴＦＴアレイ基板１０」の「基板本体１０Ａ」の内面側に、「走査線３ａ」が形成され、該「走査線３ａ」を覆って「ゲート絶縁膜１１」が形成され、該「ゲート絶縁膜１１」上に「アモルファスシリコンの半導体層３５」が形成され、該「半導体層３５」に一部乗り上げるようにして「ソース電極６ｂ」と「ドレイン電極１３２」とが設けられ、「半導体層３５は、ゲート絶縁膜１１を介して走査線３ａと対向配置されており、当該対向領域で走査線３ａがＴＦＴ３０のゲート電極を構成するようになって」いるものであって、引用発明１の「液晶装置」が複数の画素を備えるものであることは明らかであるから、引用発明１の「ＴＦＴ３０」及び「液晶装置」は、それぞれ、本願発明の「スイッチング素子」及び「（複数の画素を備えてなり、各前記画素に対応してスイッチング素子が設けられてなる）液晶装置」に相当する。
　
（２）引用発明１の「ＴＦＴアレイ基板１０」は、「基板本体１０Ａ」に「ＴＦＴ３０」が形成されているといえるから、
　ア　引用発明１の「ＴＦＴアレイ基板１０」は、本願発明の「（前記スイッチング素子が形成されている）素子基板」に相当し、
　イ　引用発明１は、本願発明の「前記スイッチング素子が形成されてなる素子基板を具備し」との事項を備える。
　
（３）引用発明１の「第１層間絶縁膜１２」は、「（ＴＦＴ３０を構成する）半導体層３５、ソース電極６ｂ、ドレイン電極１３２・・・を覆って」「形成されて」いるものであるから、
　ア　引用発明１の「第１層間絶縁膜１２」は、本願発明の「（前記スイッチング素子上に形成された）層間絶縁膜」に相当し、
　イ　引用発明１は、本願発明の「前記スイッチング素子上に形成された層間絶縁膜を具備し」との事項を備える。
　
（４）引用発明１の「共通電極１１９」は、「第１層間絶縁膜１２上に」「形成され」、「ＩＴＯ等の透明導電材料からな」り、「画像表示領域全体では、Ｘ軸方向に延びて配列されて」いるものであるから、
　ア　引用発明１の「共通電極１１９」は、本願発明の「（前記層間絶縁膜上に透明導電膜によって形成された）第１の電極層」に相当し、
　イ　引用発明１は、本願発明の「前記層間絶縁膜上に透明導電膜によって形成された第１の電極層を具備し」との事項を備える。
　
（５）引用発明１は、「共通電極１１９上には、当該共通電極１１９を覆って酸化シリコンや窒化シリコン等からなる第２層間絶縁膜１３が形成されており、また、第２層間絶縁膜１３上にＩＴＯ等の透明導電材料からなる前記画素電極９が形成されて」いるから、
　ア　引用発明１の「第２層間絶縁膜１３」及び「画素電極９」は、それぞれ、本願発明の「電極間絶縁膜」及び「（前記素子基板に形成されており、電極間絶縁膜を介して前記第１の電極層上に平面的に重ねられて透明導電膜によって形成された）第２の電極層」に相当し、
　イ　引用発明１は、本願発明の「前記素子基板に形成されており、電極間絶縁膜を介して前記第１の電極層上に平面的に重ねられて透明導電膜によって形成された第２の電極層を具備し」との事項を備える。
　
（６）引用発明１は、「液晶装置３００のドット領域には、平面視略熊手状（櫛歯状）を成すＹ軸方向に長手の画素電極（第２電極）９と、画素電極９と平面的に重なって配置された平面略ベタ状の共通電極（第１電極）１１９とが設けられて」いるものであるから、引用発明１は、本願発明の「各前記画素は、前記第１の電極層と前記第２の電極層とが平面的に重なる第１領域と、前記第１の電極層および前記第２の電極層のうち前記第１の電極層のみが形成されてなる第２領域と、を含んでなり」との事項を備える。
　
　よって、本願発明と引用発明１とは、
「複数の画素を備えてなり、各前記画素に対応してスイッチング素子が設けられてなる液晶装置において、
　前記スイッチング素子が形成されてなる素子基板と、
　前記スイッチング素子上に形成された層間絶縁膜と、
　前記層間絶縁膜上に透明導電膜によって形成された第１の電極層と、
　前記素子基板に形成されており、電極間絶縁膜を介して前記第１の電極層上に平面的に重ねられて透明導電膜によって形成された第２の電極層と、を具備し、
　各前記画素は、前記第１の電極層と前記第２の電極層とが平面的に重なる第１領域と、前記第１の電極層および前記第２の電極層のうち前記第１の電極層のみが形成されてなる第２領域と、を含んでなる液晶装置。」
の点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。  
 　  
相違点
　本願発明は、第２の電極層の膜厚が第１の電極層の膜厚より薄く、前記第１の電極層と前記第２の電極層とは材料が異なり、前記第１の電極層の材料と前記第２の電極層の材料との比抵抗率の差が５×１０Ｅ−４Ω・ｃｍ以下であるのに対し、引用発明１は、第２の電極層の膜厚が第１の電極層の膜厚より薄いか否か明らかではなく、また、前記第１の電極層の材料と前記第２の電極層の材料との比抵抗率の差がどの程度であるのか明らかではない点。
　
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
　上記２（２）によれば、引用刊行物２には、引用発明２が記載され、「コモン電極２７」上に「絶縁膜２９」を積載し、この「絶縁膜２９」上に「画素電極１、２５」を形成して成る「ＦＦＳモード液晶表示装置」において、「画素電極１、２５の膜厚を薄くすることによって、更に上に塗布するポリイミド（ＰＩ）等から成る配向膜が凸凹することなく水平に塗ることができ」、「配向膜の凸凹による配向不良から生じる表示画面の焼き付きを防止する」ことが示されているから、引用発明１の「液晶装置」において、「（画素電極９上に形成される）配向膜１８」が凹凸することなく水平に塗ることができるように前記「画素電極９」の膜厚を薄く形成し、その結果、該「画素電極９」の膜厚を「共通電極１１９」の膜厚より薄いものとなすことは当業者が容易になし得ることである。
　また、引用発明１の「共通電極１１９」及び「画素電極９」は、それぞれ、「ＩＴＯ等の透明導電材料からなる」ものであって、「ＩＴＯ」以外の、例えば「ＩＺＯ」等の、本願の優先日時点で周知の透明導電材料を使用し得るものであることは明らかであるところ、比抵抗率の値が、それぞれ、４〜８×１０−４Ω・ｃｍ程度の「ＩＴＯ」膜、３〜４×１０−４Ω・ｃｍ程度の「ＩＺＯ」膜は、本願の優先日時点で周知であるから（例えば、特開２００１−１２６５３８号公報（【０００６】）、特開２００１−１４４１号公報（【００３０】）、特開２００５−２６８０６２号公報（【００５６】及び【００６１】）参照。）、引用発明１の「共通電極１１９」及び「画素電極９」をそれぞれ異なる材料、すなわち、その一方を「ＩＴＯ」膜で、他方を「ＩＺＯ」膜で形成し、その結果、両者の比抵抗率の差の値が、本願発明の上記範囲を満たすものとなすことは、当業者が適宜になし得ることである。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明１、２及び上記周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。