【事件の表示】
　平成　９年特許願第２２１７０２号「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　３月　９日出願公開、特開平１１−　６７６６３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年８月１８日の出願であって、平成１９年６月２５日付けの拒絶理由通知に対して、同年８月９日付けで手続補正書及び意見書が提出されたが、平成２０年２月５日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年３月１３日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同年４月７日付けで手続補正がなされ、その後、平成２２年５月２８日付けで審尋がなされたものの、それに対する回答はなされなかったものである。
　
　
２．平成２０年４月７日付けの手続補正についての却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
平成２０年４月７日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）平成２０年４月７日付けの手続補正の内容
　平成２０年４月７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜６を補正後の特許請求の範囲の請求項１〜６に補正するものであり、補正前後の請求項１は、各々以下のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】
　基板上にシリコン薄膜を形成し，
　レーザ光を照射する際に前記シリコン薄膜がアブレーションを起こさないように，前記シリコン薄膜上に厚さ１０〜３００Åの酸化シリコン膜を形成し，
　前記シリコン薄膜に前記レーザ光を照射して前記シリコン薄膜の結晶化を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　基板上にアモルファスシリコン薄膜を形成し，
　レーザ光を照射する際に前記アモルファスシリコン薄膜がアブレーションを起こさないように，前記アモルファスシリコン薄膜上に厚さ１０〜３００Åの酸化シリコン膜を形成し，
　前記酸化シリコン膜を介して前記アモルファスシリコン薄膜に前記レーザ光を照射して前記アモルファスシリコン薄膜の結晶化を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると、以下のとおりである。 
（補正事項）
　補正前の請求項１の「シリコン薄膜」を、補正後の請求項１の「アモルファスシリコン薄膜」と補正するとともに、補正前の請求項１の「シリコン薄膜に前記レーザ光を照射して」を、補正後の請求項１の「酸化シリコン膜を介して前記アモルファスシリコン薄膜に前記レーザ光を照射して」と補正すること。
　
（３）補正の目的の適否、及び新規事項の追加の有無について 
　本件補正は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「シリコン薄膜」が「アモルファスシリコン薄膜」であり、「レーザ光」が「酸化シリコン膜を介して」照射されるものであるという技術的限定を加えたものであるから、特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすものである。
　また、結晶化される「シリコン薄膜」が「アモルファスシリコン薄膜」であること、及び、「レーザ光」の照射が「酸化シリコン膜を介して」行われることは、本願の願書に最初に添付した明細書の００１３段落〜００２６段落に記載されているものと認められるから、本件補正は本願の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「当初明細書等」という。）のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、本件補正は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすものである。
　以上検討したとおりであるから、本件補正は特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　
　そして、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものに該当するから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて、以下において更に検討する。
　
（４）独立特許要件について
（４−１）補正後の発明
　本件補正による本願の請求項１〜６に係る発明は、平成２０年４月７日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、上記２．（１）の補正後の請求項１に記載されたとおりのものである。
　
（４−２）特許法第３６条第６項第１号に規定する要件について
（４−２−１）本願特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしているか否かについて以下に検討する。
　まず、請求項１の記載に基づいて分析すると、補正発明は以下のとおりである。
（構成ａ）「半導体装置の製造方法」に関するものである。
（構成ｂ）「基板上にアモルファスシリコン薄膜を形成」する工程を備えるものである。
（構成ｃ）「レーザ光を照射する際に前記アモルファスシリコン薄膜がアブレーションを起こさないように，前記アモルファスシリコン薄膜上に厚さ１０〜３００Åの酸化シリコン膜を形成」する工程を備えるものである。
（構成ｄ）「前記酸化シリコン膜を介して前記アモルファスシリコン薄膜に前記レーザ光を照射して前記アモルファスシリコン薄膜の結晶化を行う」工程を備えるものである。
　
（４−２−２）ここにおいて、補正発明の上記構成ｄにおいて照射する「レーザ光」についてみると、構成ｃにおいて形成された「厚さ１０〜３００Åの酸化シリコン膜」を介してアモルファスシリコン薄膜上に照射される際に「前記アモルファスシリコン薄膜がアブレーションを起こさないよう」なものであれば、どのような「レーザ光」を用いても補正発明の範囲に含まれることが明らかである。
　
（４−２−３）一方、本願の発明の詳細な説明には、以下のように記載されている（なお、下線は当合議体にて付加したものである）。
「【０００１】
　　【発明の属する技術分野】
　本発明は半導体装置の製造方法に係り，特に, 薄膜トランジスタ等の半導体装置の製造における半導体薄膜の結晶化に関する。」
「【０００９】
  
表面の自然酸化膜を除去した後にレーザアニールを行った場合は 0.2μｍ程度の小さな結晶粒しか形成することができず，また，反射防止膜を形成した場合はレーザエネルギー400 mJ/cm
2
で 0.5μｍと比較的大きな結晶粒が得られるが, レーザ装置本体のエネルギーの変動によって照射するエネルギーが最適な値を少しでも越えると, 膜がアブレーションを起こし, 薄膜トランジスタ等の半導体素子を形成できなくなってしまう。
【００１０】
  
本発明は，結晶粒径の大きなポリシリコン膜を安定して形成できるようにして，薄膜トランジスタの特性の向上を目的とする。
「【００１６】
　図１は本発明の原理説明図である。
　図は，アモルファスシリコン膜表面に厚さ 100Åの酸化シリコン膜を形成した場合の結晶粒径のレーザエネルギー依存性を示す。
【００１７】
　レーザエネルギー400 mJ/cm2において，粒径約 1μｍの大きな結晶粒が得られ, また，レーザエネルギーが400 mJ/cm2以上になっても, 結晶粒径は減少するものの, 厚さ500 Åの反射防止膜を用いたときに起こったようなアモルファスシリコン膜のアブレーションは起こらなくなっていることが判る。
【００１８】
  この結果, レーザ装置のエネルギーの変動によって, 最適値以上のエネルギーが照射されても薄膜トランジスタが形成できなくなるような致命的なダメージを防ぐことができる。」
「【００２２】
  
次に, 酸化膜厚の数値限定の根拠を示すデータを表１を用いて説明する。
【００２３】
　　【表１】
　
　
表１にレーザエネルギーが400 mJ/cm
2
と500 mJ/cm
2
の場合に形成される結晶粒径 (μｍ) を示す。
【００２４】
  500 mJ/cm2の場合には, 酸化膜厚が 400Å以上ではアブレーションを起こしてしまうので不適当である。
　400 mJ/cm2の場合には, 酸化膜厚が10Å以上で結晶粒径が大きく, 特に, 10〜100 Åで結晶粒径が最大値を示す。
【００２５】
　従って,  400 mJ/cm2で結晶粒径が大きく, 且つ 500 mJ/cm2でアブレーションを起こさないのは，酸化膜厚が10〜300 Åであり，その中でも特に結晶粒径が大きいのは10〜100 Åであることが判る。
【００２６】
    【発明の効果】
　本発明によれば, アモルファスシリコン膜の表面の酸化膜を除去した場合に比べて, 
より大きな結晶粒を形成することが可能となり，また，反射防止膜を形成したときにレーザエネルギーが最適値を越えた場合に発生していたアモルファスシリコン膜のアブレーションを回避できる。
　
（４−２−４）以上より、補正発明は、「結晶粒径の大きなポリシリコン膜を安定して形成」（００１０段落）するという課題を解決するためになされたものであるが、０００９段落の「表面の自然酸化膜を除去した後にレーザアニールを行った場合は０．２μｍ程度の小さな結晶粒しか形成することができず」なる記載から、「結晶粒径の大きな」とは、少なくとも０．２μｍ以上の結晶粒径を意味するものであることが明らかである。さらに、同じく０００９段落には、「レーザ装置本体のエネルギーの変動によって照射するエネルギーが最適な値を少しでも越えると, 膜がアブレーションを起こし, 薄膜トランジスタ等の半導体素子を形成できなくなってしまう。」と記載されていることから、「安定して」とは、アモルファスシリコン薄膜のアブレーションを起こさないことを意味するものであることも明らかである。したがって、発明の詳細な説明には、補正発明の解決すべき課題は、少なくとも０．２μｍ以上の結晶粒径を有するポリシリコン膜を、アモルファスシリコン薄膜のアブレーションを起こすことなく形成することであることが記載されているものと認められる。
　一方、上記（４−２−２）において検討したとおり、補正発明の構成ｄにおいて照射する「レーザ光」は、「厚さ１０〜３００Åの酸化シリコン膜」を介してアモルファスシリコン薄膜上に照射される際に「前記アモルファスシリコン薄膜がアブレーションを起こさない」ようなものであれば、どのような「レーザ光」を用いても補正発明の範囲に含まれるものであることが明らかであるところ、上記表１の記載から、例えば、エネルギーが５００ｍＪ／ｃｍ２である「レーザ光」は、「厚さ１０〜３００Åの酸化シリコン膜」を介してアモルファスシリコン薄膜上に照射される際に「前記アモルファスシリコン薄膜がアブレーションを起こさない」ことが明らかであるから、補正発明において、構成ｄで照射する「レーザ光」として、エネルギーが５００ｍＪ／ｃｍ２である「レーザ光」を用いたもの（以下「５００ｍＪ／ｃｍ２のレーザ光を用いた補正発明」という。）も、補正発明の範囲に含まれることが明らかである。
　そこで、５００ｍＪ／ｃｍ２のレーザ光を用いた補正発明が、所期の課題を解決できることが発明の詳細な説明に記載されているか否かについてみると、発明の詳細な説明における上記表１には、５００ｍＪ／ｃｍ２のレーザ光を用いた補正発明により形成される「アモルファスシリコン薄膜」の結晶粒径は、当該「アモルファスシリコン薄膜」上に形成される「酸化シリコン膜」の厚さに関係なく０．１μｍであることが記載されており、従来技術で達成されていた０．２μｍにも達していないから、表１には、５００ｍＪ／ｃｍ２のレーザ光を用いた補正発明が、所期の課題を解決できることが記載されていないことは明らかである。
　また、発明の詳細な説明における他の部分を参照しても、５００ｍＪ／ｃｍ２のレーザ光を用いた補正発明が、所期の課題を解決できることを窺わせる記載は存在せず、さらに、出願時における当業者の技術常識を勘案したとしても、発明の詳細な説明には、５００ｍＪ／ｃｍ２のレーザ光を用いた補正発明が、所期の課題を解決できると当業者が認識することができる程度の記載も示唆も見いだすことができない。
　したがって、発明の詳細な説明には、５００ｍＪ／ｃｍ２のレーザ光を用いた補正発明が、所期の課題を解決できることが記載されているとは認められない。
　よって、補正発明は、発明の詳細な説明に記載された、発明の課題を解決するための手段が反映されておらず、発明の詳細な説明に記載した範囲を超えて特許を請求するものであるから、発明の詳細な説明に記載されたものではない。
　
（４−２−５）なお、これに関連して、請求人は、請求の理由の「【本願発明が特許されるべき理由】」において、「本願請求項１〜６に係る発明によれば、酸化シリコン膜の膜厚が１０〜３００Åであることにより、エネルギーが最適値の範囲内（図１において４００ｍＪ／ｃｍ２未満）のレーザが照射されると結晶粒径の大きなポリシリコン膜を得ることができる（表１及び図１参照）。また、仮に最適値以上のエネルギー（図１において４００ｍＪ／ｃｍ２以上、例えば５００ｍＪ／ｃｍ２）のレーザが照射されても、厚さ５００Åの酸化シリコン膜を用いたときに起こったようなアモルファスシリコン膜のアブレーションが起こらず（表１及び図１参照）、酸化シリコン膜の膜厚が５００Åである場合と比較して結晶粒径の大きなポリシリコン膜を形成できる。」と主張しているので、これについて検討する。
　確かに、００２３段落の表１からは、５００ｍＪ／ｃｍ２のレーザが照射された場合、厚さ５００Åの酸化シリコン膜を用いたときには、アモルファスシリコン膜のアブレーションが起きるのに対して、厚さが１０〜３００Åの酸化シリコン膜を用いたときにはアブレーションが起きていないが、形成されたポリシリコン膜の結晶粒径は、０．１μｍにすぎない。
　一方、補正発明が解決すべき課題は、（４−２−４）において検討したとおり、少なくとも０．２μｍ以上の結晶粒径を有するポリシリコン膜をアブレーションを起こすことなく形成することであるから、５００ｍＪ／ｃｍ２のレーザが照射された場合においては、発明の詳細な説明の記載から把握される補正発明が解決すべき課題を解決することができないことは明らかであり、請求人の主張は採用できない。
　
（４−２−６）以上検討したとおり、補正発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではないから、補正後の本願の請求項１の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
（４−３）独立特許要件についてのまとめ
　したがって、本件補正は、本願の請求項１の記載が、特許法第３６条第６項第１号に規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項をいう。以下同じ。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　
（５）補正の却下についてのむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するが、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
３．本願発明について
　平成２０年４月７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜６に係る発明は、平成１９年８月９日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記２．（１）における「（補正前）」の箇所に記載したとおりのものである。
　そして、本願発明において、照射する「レーザ光」として、エネルギーが５００ｍＪ／ｃｍ２である「レーザ光」を用いたもの（以下「５００ｍＪ／ｃｍ２のレーザ光を用いた本願発明」という。）は、本願発明の範囲に含まれるものであり、当該５００ｍＪ／ｃｍ２のレーザ光を用いた本願発明によっては、発明の詳細な説明の記載から把握される本願発明が解決すべき課題を解決することができず、また、発明の詳細な説明には、５００ｍＪ／ｃｍ２のレーザ光を用いた本願発明により、所期の課題を解決できると当業者が認識できる程度の記載も示唆も見いだすことができないことは、上記２．（４）で検討したとおり明らかである。
　したがって、本願発明も、発明の詳細な説明に記載されたものではないから、本願の請求項１の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。　
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。