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　特願２００３−５２７７６８「コンプライアント電気端子を有する装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　３月２０日国際公開、ＷＯ０３／２３８１９、平成１７年　１月２７日国内公表、特表２００５−５０３０１４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００２年　８月１２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２００１年　９月１２日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２０年　６月　９日（受付日）付けで手続補正がなされ、平成２０年　７月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２０年１０月１６日（受付日）付けで拒絶査定の不服審判の請求がなされるとともに、同日（受付日）付けで手続補正がなされ、平成２０年１０月１６日（受付日）付けの手続補正書について、平成２２年１０月　７日付けで当審によって補正却下の決定がなされ、同日付で当審によって拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）の通知がなされ、平成２３年　１月１１日（受付日）付けで、意見書が提出されるとともに、特許請求の範囲について手続補正がなされた。
　
２．本願発明
　本願の請求項１〜１７に係る発明は、平成２３年　１月１１日（受付日）付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜１７に記載された事項により特定されるとおりのものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものと認める。
　
「【請求項１】
　電気伝導体、及び
　前記電気伝導体の上に形成された電気伝導性コンプライアントバンプを具えた装置において、
　前記コンプライアントバンプが、
　　鉛、錫、カドミウム、インジウム、ビスマス、ガリウム、銅、銀、白金、パラジウム、及びニッケルからなる群から選択された少なくとも一種類の金属からなる電気伝導性はんだ付け可能なキャッピング層、及び
　　前記はんだ付け可能なキャッピング層と前記電気伝導体との間に配置された重合体系材料からなる電気伝導性コンプライアント体で、前記はんだ付け可能なキャッピング層を前記電気伝導体に電気的に結合している電気伝導性コンプライアント体、
を具え、しかも、
　コンプライアント体が、はんだ付け可能なキャッピング層と電気伝導体との間の可撓性電気伝導性経路を形成しており、はんだ付け可能なキャッピング層の外側境界が、コンプライアント体の外側境界内に含まれており、
　コンプライアントバンプが、はんだ付け可能なキャッピング層と電気伝導体との間に加えられた力を受けた時、最初の形から変化した形へ変化し、前記コンプライアントバンプの形が、前記力を除いた時、その最初の形へ実質的に戻り、
　コンプライアント体が、約０．００１Ωｃｍに等しいか又はそれより小さな体積抵抗率を有し、
　コンプライアント体が、約８，０００ＭＰａに等しいか又はそれより小さいヤング率を有し、
　重合体系材料が、エポキシ、シリコーン、ポリイミド、アクリレート重合体、及びアクリレート共重合体からなる群から選択されており、
　コンプライアント体が、銀、金、及びパラジウムからなる群から選択された少なくとも一種類の充填材料を更に含有し、前記少なくとも一種類の充填材料が、前記コンプライアント体の電気伝導度を増大するために用いられており、
　はんだ付け可能なキャッピング層が、鉛、錫、カドミウム、インジウム、ビスマス、及びガリウムからなる群から選択された少なくとも二種類の金属を含有する合金からなり、
　基体を更に具え、しかも、電気伝導体が前記基体の表面上に配列した複数の出入力（Ｉ／Ｏ）パッドを含み、そして；
　複数の電気伝導性コンプライアントバンプで、その各々がＩ／Ｏパッドの異なったものの上に形成されているコンプライアントバンプを具え、
しかも、
　コンプライアント体の各々が、はんだ付け可能なキャッピング層と、前記コンプライアントバンプが上に形成されているＩ／Ｏパッドとの間に可撓性電気伝導性経路を形成しており、
　装置のＩ／Ｏパッドが、装置の電力及び信号線の末端部であり、コンプライアントバンプが、装置の電気端子を形成しており、
　装置が集積回路ダイであり基体が半導体基体であるか、又は、装置がプリント回路基板であり基体がプラスチック材料からなるか、又は、装置が配線装置であり基体がセラミック材料からなり、
　はんだ付け可能なキャッピング層が、はんだ濡れ性であり、
　Ｉ／Ｏパッドが、アルミニウム又は銅の層を含み、
　はんだ付け可能なキャッピング層が、９５重量％の鉛及び５重量％の錫を含む合金を含み、
　電気伝導性金属被覆が、Ｉ／Ｏパッドの上側表面及び側面の上に形成されており、電気伝導性金属被覆の外側境界は、Ｉ／Ｏパッドの側面によって定められたＩ／Ｏパッドの外側境界を越えて伸びており、電気伝導性金属被覆は、電気メッキ又は蒸着によって形成され、電気伝導性金属被覆は、クロム、銅、及び金の層、又は、クロム、銀、及び金の層、又は、チタン、タングステン、及び金の層を、Ｉ／Ｏパッドの上にその順序で形成することにより形成され、すなわち、電気伝導性金属被覆は、クロム／銅／金層、クロム／銀／金層、又はチタン／タングステン／金層を含む、
前記の装置。」
　
３．当審の拒絶理由
　当審において平成２２年１０月　７日付けで通知した拒絶の理由の概要は、本願発明は、いずれも本願の優先権主張の日前に頒布された、国際公開第９８／５０９５０号（以下、「引用例１」という。）に記載された発明、特開平１０−１０７０６６号公報（以下、「引用例２」という。）に記載された発明、及び、周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　
４．引用例及び周知例
（１）引用例１：国際公開第９８／５０９５０号
　引用例１には、「半導体装置及びその製造方法」（発明の名称）が記載され、図面とともに、特に、以下の記載がある。
　
（引１ア）「背景技術
  半導体チップを搭載する基板（パッケージ基板）の電極に取り付けたボール状のバンプ電極を使って半導体チップをプリント配線基板に実装するＢＧＡ(Ball Grid Array)は、多ピン化が容易で、しかも実装面積を小さくできることから、Ｉ／Ｏ(Input/Output)ピンの数が多いロジックＬＳＩを実装するパッケージとしてのみならず、メモリＬＳＩを実装するパッケージとしても多用されつつある。
　 上記ＢＧＡについては、米国特許第５，２１６，２７８号公報に記載がある。この公報に記載されたＢＧＡは、裏面にＰｂ−Ｓｎ合金半田からなるバンプ電極を取り付けたプラスチック製のパッケージ基板上にワイヤボンディング方式で半導体チップを搭載し、この半導体チップをモールド樹脂で封止したパッケージ構造を備えている。
  また、このＢＧＡは、半導体チップの上部にエラストマー（弾性ゴム）を介して金属製のヒートスプレッダ（放熱板）を配置している。ヒートスプレッダの上面は、チップの熱を効率よく外部に逃がすためにモールド樹脂の表面から露出している。ヒートスプレッダと半導体チップとの間に挿入されたエラストマーは、ボンディングワイヤとヒートスプレッダとの電気的な短絡を防ぐと共に、半導体チップとヒートスプレッダとの熱膨張係数差によって生じるストレスを緩和してパッケージ基板の反りを防いでいる。
  このように、ＢＧＡは、単結晶シリコンからなる半導体チップ、プラスチック（あるいはセラミック）からなるパッケージ基板、Ｐｂ−Ｓｎ合金半田からなるバンプ電極など、熱膨張係数の異なる異種部材を接合して構成されている。」（明細書１頁７行〜２頁１行）
　
（引１イ）「本発明の半導体装置は、半導体チップを搭載したパッケージの電極に接続されたバンプ電極を介して前記パッケージを配線基板に実装する半導体装置において、前記バンプ電極の少なくとも一部を弾性体で構成し、パッケージ基板と配線基板との熱膨張係数差に起因して生じるストレスを上記バンプ電極の弾性変形によって吸収するものである。
  その他、本願に記載された発明の概要を項分けして説明すれば以下の通りである。
（１）半導体チップを搭載したパッケージの電極に接続されたバンプ電極を介して前記パッケージを配線基板に実装する本発明の半導体装置は、前記バンプ電極の少なくとも一部が弾性体で構成されている。
（２）本発明の半導体装置は、前記弾性体の弾性率が０．００００１Ｇｐａ〜５Ｇｐａである。
（３）本発明の半導体装置は、前記弾性体の弾性率が０．００１Ｇｐａ〜１Ｇｐａである。
（４）本発明の半導体装置は、前記弾性体が高分子エラストマーである。
（５）本発明の半導体装置は、前記バンプ電極が導電材料を混入した弾性体からなる。
（６）本発明の半導体装置は、前記バンプ電極が、表面に導電層を形成した弾性体からなる。
（７）本発明の半導体装置は、前記導電層が、前記弾性体に対する接着力が高い導電層を含んだ複数層の導電層からなる。
（８）本発明の半導体装置は、前記バンプ電極が球体である。
（９）本発明の半導体装置は、前記バンプ電極が柱状体である。
（１０）本発明の半導体装置は、前記バンプ電極が半田または導電性接着剤によって前記パッケージの電極に接続される。
（１１）本発明の半導体装置は、前記バンプ電極が半田または導電性接着剤によって前記配線基板の電極に接続される。
（１２）本発明の半導体装置は、前記パッケージがテープキャリアパッケージである。
（１３）本発明の半導体装置は、前記パッケージがプラスチックパッケージである。
（１４）本発明の半導体装置は、前記パッケージがセラミックパッケージである。
（１５）半導体チップの主面のボンディングパッドに接続されたバンプ電極を介して前記半導体チップを配線基板に実装する本発明の半導体装置は、前記バンプ電極の少なくとも一部が弾性体で構成されている。
（１６）本発明の半導体装置は、前記弾性体の弾性率が０．００００１Ｇｐａ〜５Ｇｐａである。
（１７）本発明の半導体装置は、前記弾性体の弾性率が０．００１Ｇｐａ〜１Ｇｐａである。
（１８）本発明の半導体装置は、以下の工程を含む；
（ａ）半導体チップをパッケージに搭載する工程、
（ｂ）少なくとも一部が弾性体で構成されたバンプ電極を前記パッケージの電極に接続する工程、
（ｃ）前記バンプ電極を介して前記パッケージを配線基板に実装する工程。」（同３頁６行〜４頁２１行）
　
（引１ウ）「発明を実施するための最良の形態
  以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
実施の形態１
  図１は、本実施の形態のＢＧＡを示す斜視図、図２は、このＢＧＡの平面図(バンプ電極取り付け面の平面図)、図３は、このＢＧＡの断面図である。
  本実施の形態のＢＧＡは、主として半導体チップ１、半導体チップ１の素子形成面（下面）を水分などの外部環境から保護するポッティング樹脂２、半導体チップ１の周囲に配置した枠体(stiffener)３、一面に複数のリード配線４を形成した絶縁テープ５および上記リード配線４の一端部に接続されたバンプ電極６からなるＴＣＰ(Tape Carrier Package)構造を有している。
  半導体チップ１は、例えば厚さ０.２８〜０.５５mm程度の単結晶シリコンからなり、その主面（素子形成面）に形成されたＡｕのバンプ電極７には、上記リード配線４の他端部（インナーリード部）が電気的に接続されている。半導体チップ１を封止するボッティング樹脂２は、例えばエポキシ樹脂からなる。
  パッケージを支持する枠体３は、例えば厚さ０.１〜０.６mm程度のガラスエポキシ系基材からなり、エポキシ樹脂系の接着剤８によって絶縁テープ５の一面に接着されている。絶縁テープ５は、例えば厚さ０.０５〜０.１２５mm程度のプラスチック基材（ポリイミド基材、ガラスエポキシ系基材、ポリエステル基材など）からなる。絶縁テープ５の一面に形成されたリード配線４は、上記プラスチック基材に貼り付けた銅箔をエッチングして形成したもので、その一端部（インナーリード部）の表面には、例えばＡｕ／Ｎｉのメッキが施されている。  ＢＧＡの外部接続端子を構成するバンプ電極６は、弾性率が小さく、かつ導電性を備えた、直径０.２５〜０.７mm程度のボール状弾性体からなり、導電性接着剤９（または半田）を介してリード配線４と電気的に接続されている。絶縁テープ５の表面のバンプ電極６が配置されていない領域は、ソルダーレジスト１１で被覆されている。
　バンプ電極６を構成する弾性体の好ましい弾性率は、０.００００１Ｇｐａ〜５Ｇｐａ、より好ましく０.００１Ｇｐａ〜１Ｇｐａである。弾性率が５Ｇｐａより大きい材料を使用したのでは、パッケージの他の構成部材の弾性率やプリント配線基板の弾性率との差がほとんど生じないため、バンプ電極６の弾性変形によってストレスの吸収を図ることが期待できない。他方、弾性率が０.００００１Ｇｐａよりも小さい材料は、室温でもゲル状態であるため、ストレスを吸収することはできても、外部接続端子として用いるには強度が足りない。
  バンプ電極６として好ましい弾性体としては、特に限定はされないが、シリコーンゴム系、エポキシ系、ポリイミド系などの高分子エラストマーを挙げることができる。これらの高分子系エラストマーの弾性率と、パッケージの他の構成部材および配線基板材料の弾性率を図４に示す。」（同５頁７行〜６頁１８行）
　
（引１エ）「表１」　（同７頁）
　（導電層２１ａが、「Ａｕ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｐｄ、半田」からなり、導電層２１ｂが、「Ｃｕ、Ｎｉ」からなり、導電層２１ｃが、「Ａｕ、Ｓｎ、Ｐｄ、半田」からなり、導電層２１ｄが、「Ｃｕ」からなり、導電層２１ｅが、「Ｎｉ」からなり、導電層２１ｆが、「Ａｕ、Ｓｎ、Ｐｄ、半田」からなることが記載されている。）
　
（引１オ）「図５（ａ）に示すバンプ電極６は、導電層２１が１層であるため製造コストが安く、かつ弾性変形も良好に確保できる。図５（ｂ）に示すバンプ電極６は、弾性ボールに対して接着性のよい金属で導電層２１ｂを構成し、半田などに対して接着性のよい金属で導電層２１ｃを構成することにより、導電層２１の接着性を確保できる。また、このバンプ電極６は、外側の導電層２１ｃが半田に吸収された場合でも、内側の導電層２１ｂが残るので導電性が良好に確保できる。図５（ｃ）に示すバンプ電極６は、弾性ボールに対して接着性のよい導電層２１ｄと半田などに対して接着性のよい導電層２１ｆとの間にバリアメタルとして作用する導電層２１ｅを設けることによって導電層２１の接着性をより良好に確保することができる。また、外側の導電層２１ｆや中間の導電層２１ｅが半田に吸収された場合でも、内側の導電層２１ｄが残るので導電性をより良好に確保することができる。さらに導電層２１を３層にしたことで大電流を流すことができるので、汎用性も高い。
　図５（ｄ）に示すバンプ電極６は、高分子エラストマーの弾性ボール２０ｂにＡｇ（銀）、Ｃｕ、カーボンなどの導電材料からなる粉末あるいはフィラーを混入して導電性を持たせたものである。また、同図（ｅ）〜（ｇ）に示すように、この導電性を有する弾性ボール２０ｂの表面に前記表１に例示したような金属を使用して１〜３層程度の導電層（２１ａ〜２１ｆ）を形成してもよい。」（同７頁５〜末行）
　
（引１カ）「このように、本実施の形態のＢＧＡは、パッケージの外部接続端子であるバンプ電極６を弾性体で構成したことにより、パッケージの構成部材（半導体チップ１、枠体３、絶縁テープ５など）とプリント配線基板１４との熱膨張係数差に起因して生じるストレスをバンプ電極６の弾性変形によって吸収することができる。その結果、バンプ電極６の温度サイクル寿命が長くなり、ＢＧＡとプリント配線基板１４との接続信頼性を長期間に亘って確保することができる。
  上記のように構成された本実施の形態のバンプ電極６は、ＴＣＰのみならず、各種のパッケージの外部接続端子として使用することができる。
　図１２に示すＢＧＡは、パッケージ基板４０の上面に接着剤４１を使って半導体チップ１を接合し、この半導体チップ１をエポキシ樹脂系のモールド樹脂４２で封止した構造になっている。パッケージ基板４０は、ガラスエポキシ樹脂などのプラスチック基材にＣｕの配線４３と電極４４とを形成したもので、その上面および下面は、電極４４が形成された領域を除いてソルダレジスト４５で被覆されている。半導体チップ１は、Ａｕのボンディングワイヤ４６を介して電極４４と電気的に接続されている。」（１０頁８〜２２行）
　
（引１キ）「実施の形態２
  図１９は、本実施の形態のパッケージを示す断面図、図２０は、このパッケージの平面図（バンプ電極取り付け面の平面図）である。
  本実施の形態のパッケージは、前記図１２に示したパッケージと同様、プラスチック製のパッケージ基板４０に搭載された半導体チップ１をモールド樹脂４２で封止したプラスチックパッケージであるが、パッケージ基板４０の下面の電極４４には、円柱状のバンプ電極８０が導電性接着剤９（または半田１０）を介して電気的に接続されている。
  この円柱状のバンプ電極８０は、前記図５（ｄ）に示したボール状のバンプ電極６と同様、弾性率が０.００００１Ｇｐａ〜５Ｇｐａ、より好ましく０.００１Ｇｐａ〜１Ｇｐａの高分子エラストマーなどからなる弾性体に導電材料を混入して導電性を持たせたものであり、その高さは、０.２５〜０.７mm程度である。また、図２１（ａ）〜（ｃ）に示すように、この導電性を有する弾性体８１の表面に、前記表１に示したような金属を使用して１〜３層程度の導電層（２１ａ〜２１ｆ）を形成することにより、電気抵抗がさらに低いバンプ電極８０が得られる。
  図２１（ａ）に示すバンプ電極８０を製造するには、例えば図２２に示すように、導電性を有する弾性体８１をシート状に加工し、その両面に無電解メッキ、電解メッキ、蒸着、半田ディップなどの方法で導電層２１ａをコーティングした後、図２３に示すように、金型などを使ってこのシートを円柱状に打ち抜く。
  バンプ電極８０は、図２１（ｄ）〜（ｆ）に示すように、弾性体８１の表面に導電性接着剤８２を介して１〜３層程度の導電層（２１ａ〜２１ｆ）を形成してもよい。この方法で製造したバンプ電極８０は、導電層（２１ａ〜２１ｆ）をコーティングする際に弾性体８１の表面がメッキ液などの処理液に直接曝されないので、処理液による弾性体８１の劣化を防ぐことができる。また、メッキ、蒸着、半田ディップなどの方法に代えて１〜３層程度の圧延箔を貼り付けて導電層（２１ａ〜２１ｆ）を形成することもできるので、均一な膜厚の導電層が得られる。」（同１３頁１２行〜１４頁２行）　
　
（引１ク）「本実施の形態のパッケージをプリント配線基板１４に実装するには、図２４に示すように、導電性接着剤９を使ってバンプ電極８０をプリント配線基板１４のランド（電極）１５に接合し、ベーク炉内で導電性接着剤９を熱硬化させる。あるいは、スクリーン印刷法、ポッティング法、転写法などを用いて半田ペーストをランド１５および／またはバンプ電極８０の表面に塗布し、バンプ電極８０をランド１５に仮付けした状態で半田ペーストをリフローしてもよい。」（同１４頁１０〜１５行）
　
　ここで、上記摘示事項（引１ア）〜（引１ク）、特に、（引１エ）の摘示事項のうち、表１の「導電層２１ｃの欄」、及び、図２１（ｂ）に示された例から、引用例１には、「Ｉ／Ｏピンを有するロジックＬＳＩやメモリＬＳＩ等の半導体チップを搭載するパッケージ基板の電極に取り付けられたバンプ電極を用いて、半導体チップをプリント配線基板１４に実装するＢＧＡ(Ball Grid Array)等において、プラスチック製のパッケージ基板４０の下面の銅の電極４４に、円柱状の弾性変形するバンプ電極８０を導電性接着剤９（または半田１０）を介して電気的に接続した半導体装置であって、シリコーンゴム系、エポキシ系、ポリイミド系などの高分子エラストマーに、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、カーボンなどの導電材料からなる粉末あるいはフィラーを混入して導電性を持たせた弾性体８１の対向する２つの面に、弾性体８１に対して接着性のよい銅及びニッケルからなる金属の導電層２１ｂと、半田などに対して接着性のよい金（Ａｕ）、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、及び、半田からなる金属の導電層２１ｃとを無電解メッキ、電解メッキ、蒸着、半田ディップなどの方法で形成した、弾性率が０.００００１Ｇｐａ〜５Ｇｐａである円柱状のバンプ電極８０を備えた、半導体素子。」（以下、「引用発明１」という。）が開示されている。
　
（２）引用例２：特開平１０−１０７０６６号公報
　引用例２には、「相互接続部形成方法および電子構造」（発明の名称）が記載され、図面とともに、特に、以下の記載がある。
　
（引２ア）「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は、電子構造上に相互接続部を作製する方法および作製された構造に関し、特に、このような方法により作製された電子デバイスを作製する方法に関する。」
　
（引２イ）「【００２５】図５は、上部に付着された多数のハンダバンプ４０と、転写プロセスによって付着された低溶融温度ハンダのキャップ層４２とを有するウェハ３０の拡大断面図を示す。本発明により実現された図５のバンプ構造は、２層金属構造よりなる。この２層金属構造は、一方では、高溶融温度ハンダの高い信頼性と、電気的／機械的特性とを保持し、他方では、基板６０に接合することによってウェハ／チップ３０が、低接合温度で接合することを可能にする。これは、図６に示されている。
【００２６】本発明の方法によって可能となる利点は、共晶ハンダの量と、必要とされる体積とは、高溶融温度ハンダの上部にキャップ（または層）を形成することに対して、制限されることである。これは、本発明によれば、キャップ４２（図５に示す）の共晶ハンダ体積を、ハンダバンプ４０の全体積のたった約１／４とすることによって可能となる。転送プロセスのための条件を、次のように適切に調整することができる。すなわち、溶融共晶ハンダは、ハンダバンプの底部にまで流下せず、高い錫含量を有する共晶ハンダと界面６２との間の不所望な反応を避け、したがってウェハ／チップ３０の電気的信頼性への影響を避けるようにする。」
　
（引２ウ）「【請求項１６】電気デバイス上に相互接続部を形成する方法において、
前記電気デバイスが形成する突起上に、第１の相互接続材料を付着する工程と、
前記突起を少なくとも部分的に覆うように、第２の相互接続材料を付着する工程とを含み、
前記第１および第２の相互接続材料は、異なるフロー温度を有する、ことを特徴とする方法。
【請求項１７】前記第２の相互接続材料は、前記第１の相互接続材料よりも低いフロー温度を有する、ことを特徴とする請求項１６記載の方法。
【請求項１８】前記突起が、ハンダバンプである、ことを特徴とする請求項１６記載の方法。
【請求項１９】前記突起は、金属合金またはポリマをベースとする導電材料で作られる、ことを特徴とする請求項１６記載の方法。」
　
（引２エ）図５に、ハンダバンプ４０に、ハンダバンプ４０の外側境界内に含まれるように、キャップ４２を形成したものが看取される。
　
（３）周知例１：特開平８−１７８３７号公報
　
　周知例１には、「複合バンプ構造体とその製造方法」（発明の名称）が記載され、図面とともに、以下の記載がある。
　
（周１ア）「【０００５】
【発明が解決しようとする課題及び課題を解決するための手段】本発明の最も重要な目的は、集積回路要素上、集積回路要素を接続する基板上、又は集積回路要素と基板の両方上に形成することができる複合バンプを提供することである。この複合バンプは金属に比べて低いヤング率を有する単一ポリマー体と、このポリマー体を覆う導電性金属被膜とから構成される。ポリマー体を覆う導電性金属被膜はポリマー体に良好な接着力を与えるように選択されなければならず、導体層の他に接着剤層とバリヤー層とを含むことができる。複合バンプは集積回路要素と基板との間の物理的及び電気的結合の一部を形成する。ポリマーの低いヤング率（約０．４ｘ１０6〜０．５ｘ１０6ｐｓｉ）は非常に低い結合力による結合の形成を可能にし、結合後にこの力が接続を分離させる傾向を大きく減ずるか若しくは除去し、集積回路要素と基板との間に極めて信頼できる物理的及び電気的接続を生ずる。」
　
（周１イ）「【００１７】複合バンプ上にはんだ被膜が望ましい、他の実施態様を図４７〜４９に示す。先行実施態様方法のいずれかを用いて、集積回路要素又は基板３０上に複合バンプを形成する。この場合に、好ましい導電性金属被膜はクロム／銅／金、クロム／ニッケル／金、クロム／銀／金、チタン／白金／金又はチタン／パラジウム／金である。次に、集積回路要素又は基板３０の表面上にフォトレジスト層４０を形成し、複合バンプのみが露光されるようにパターン化する（図４７）。次に、化学蒸着を用いて、はんだ５２（好ましくは鉛９５％とスズ５％）を付着させる（図４８）。他の割合の鉛とスズ又はインジウムースズ若しくはインジウムーガリウムを用いたはんだも使用可能である。次に、このフォトレジストを剥離して、これによって、複合バンプ上を除いた全ての箇所のはんだを除去する（図４９）。」
　
（４）周知例２：特開平５−１２４１３３号公報
　周知例２には、「電気回路成形品」（発明の名称）が記載され、図面とともに、特に、以下の記載がある。
　
（周２ア）「【００１２】【課題を解決するための手段】
　本発明に係る電気回路成形品は、金属フィラー、低融点金属及び熱可塑性樹脂を含む導電性樹脂組成物で成形されると共に、凹部を有する成形品と、この成形品の形成後に加熱温度を導電性樹脂組成物中の低融点金属が溶融する温度より高めて圧入される金属端子とから成り、各金属端子を介して各成形品を連結することによって立体的に電気回路を形成するように構成したものである。
【００１３】本発明において、導電性樹脂組成物は、金属フィラー、低融点金属及び熱可塑性樹脂を含むので、これを成形すると、成形品は、熱可塑性樹脂中に分散した金属フィラー同志が低融点金属で接合されて網目状となって固化し、熱可塑性樹脂中に存在するようにしたものである。
【００１４】電気回路用としては、体積抵抗率が１０-3Ωcm以下が望ましい。」
　
（５）周知例３：特開平６−８９９１９号公報
　周知例３には、「ワイヤボンドとはんだ接続の両者を有する電気的内部接続基体および製造方法」（発明の名称）が記載され、図面とともに以下の記載がある。
　
（周３ア）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気的内部接続基体の処理、特にワイヤボンドとはんだ接続の両者により集積回路（ＩＣ）チップを受けるための高密度の多重内部接続（ＨＤＭＩ）基体に関する。」
　
（周３イ）「【００１０】ＨＤＭＩウェハは図２の断面図で示されているように種々の接続パッドの電気的内部接続を提供する。典型的にシリコン基体８に形成されるウェハ２は内部接続（図示せず）により垂直に通過する各接続パッドに接続されている種々のレベルの電気的供給線を含む。１対の接続パッド10は電力供給導線12、分離した信号導線14,16 、接地導線18と共に示されている。電力および接地導線は横方向に延在されるものとして示され、一方信号導線14,16 は紙面に垂直に延在し、ｘ、ｙの直交する１対の信号線を構成し、全ての導線はＨＤＭＩウェハ内に埋設されている。種々の導線は絶縁材料により接続パッドから分離され、また互いに分離されている。はんだとワイヤボンド接続との両者をうけるためこのようなＨＤＭＩウェハを処理するための本発明で使用される処理方法は図３および図４に示されている。図３のａを最初に参照するとＨＤＭＩウェハ20は１対の接続パッド22,22'を備えている。ウェハはパッド22がはんだ付け可能な接続パッドとして露出され、パッド22' がワイヤボンドパッドが残されるように後続の段階で処理され両者のパッドは最初は同一である。それぞれ典型的にチタニウム／タングステンまたはニッケルのような導電性の非延性の材料の上部金属層26,26'により被覆される各アルミニウムパッド24,24'を含む。比較的ソフトなワイヤボンド材料28,28'の層は上部金属の上部で形成され、この層は金が好ましいが溶融はんだにより濡れることが可能な銅、銅合金、錫のような他の材料からも形成されることができる。アルミニウムは溶融はんだで濡れないのでこの目的では不適切である。後述するようにワイヤボンド層28,28'はワイヤボンドに十分な厚さであり、溶融はんだに露出するとき容易に溶解するのに十分な薄さであることが重要である。この目的では約１乃至５ミクロンの厚さを有する金が好ましいことが発見されている。」
　
（周３ウ）「【図３】ワイヤボンドとはんだ接続を受けるためＨＤＭＩ基体の処理における段階を示した実物大ではない断面図。」
　
（周３エ）　図３（ａ）から、アルミニウムパッド２４の側面によって定められたアルミニウムパッド２４の外側境界を越えて伸びて、金属層２６が形成されていることが看取される。
　
（６）周知例４：特開平１０−６４９１４号公報
　周知例４には、「半導体装置のための硬化バンプを形成する方法とそれにより作成される装置」（発明の名称）が記載され、図面とともに以下の記載がある。
　
（周４ア）「【０００５】
【実施例】一般に、本発明は物理力による変形に対して、より耐性の高い改善されたハンダ・バンプ構造を提供する。本発明の好適な実施例においては、ハンダ・バンプは、パッド制限冶金（PLM ：pad limiting metallurgy ）またはバンプ下冶金（UBM ：under bump metallurgy ）に一連の層を蒸着することにより形成される。」
　
（周４イ）「【０００７】図１は、半導体基板２４，金属線２２（バンプ・パッドとも呼ぶ）およびパッシベーション層２６，２８，３０を有する半導体装置３２を示す。装置３２は、クロム層１６，銅層３６および金層３８を備えるPLM も有する。E-3 ハンダ・バンプ３４がPLM 上に形成され、第１スズ層４０，鉛層４２および第２スズ層４４を備える。半導体装置３２とE-3 過程によるその形成方法とは、本件に参考文献として含まれる米国特許第５，４７０，７８７号に説明される。」
　
（周４ウ）「【００１２】蒸着過程によりバンプを形成する場合は、次の段階８３は、ウェハをそのマスクと共にエバポレータ室内に、たとえば照準線のドーム表面上などに配置することである。現在C-4 付着過程に用いられるようなエバポレータが、本発明を実行するのに適している。次に段階８４において、クロム層１６，銅層３６および金層３８の付着など、１つ以上のPLM 層がマスクを通じてウェハ上に付着される。PLM の形成後、スズ薄層が段階８５においてPLM 上に付着される。過程と装置が複雑になるのを避けるために、スズ薄層の蒸着は、PLM を形成するために用いられたのとは異なるエバポレータ内で実行することが好ましい。好適な実施例においては、この第１スズ層は２００ないし１，２００nmの厚みまで付着される。第１スズ層の目的は、次レベル基板への材料付着または装着の間に装置を加熱することで、スズとPLM の１つ以上の金属との間に合金層を形成することである。合金、たとえばスズ−銅合金などは、バンプを能動装置面にしっかりと装着させる強度を提供する。」
　
５．対比・判断
　本願発明と引用発明１とを比較する。
　
　まず、引用発明１において、「弾性率が０.００００１Ｇｐａ〜５Ｇｐａであり、シリコーンゴム系、エポキシ系、ポリイミド系などの高分子エラストマーに、Ａｇ（銀）、Ｃｕ、カーボンなどの導電材料からなる粉末あるいはフィラーを混入して導電性を持たせた、弾性変形する弾性体８１」は、弾性変形すること（なお、「弾性変形」とは、一般に、「弾性限界以下の力を加えて変形した物体から力を取り去るとすぐに消える変形。[株式会社岩波書店 広辞苑第六版]」である。）、及び、その組成や弾性率からみて、「可撓性」であって、「力を受けた時、最初の形から変化した形へ変化し、弾性体の形が、前記力を除いた時、その最初の形へ実質的に戻る」ものであることは明らかである。
　
　そして、引用発明１の、導電性を持たせるために「弾性体８１」に混入された「銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、カーボンなどの導電材料からなる粉末あるいはフィラー」は、本願発明の「コンプライアント体の電気伝導度を増大するために用いられて」いる「コンプライアント体」が含有する「銀、金、及びパラジウムからなる群から選択された少なくとも一種類の充填材料」に相当する。
　
　また、引用発明１の「バンプ電極８０」は、導電性を持たせた高分子エラストマーであって、高分子エラストマーは「重合体系材料」である。
　
　そして、引用発明１の「バンプ電極８０」の対向する２つの面に形成された「半田などに対して接着性のよい金（Ａｕ）、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、及び、半田からなる金属の導電層２１ｃ」のうち、「プリント配線基板１４」側に形成された「導電層２１ｃ」は、本願発明の「鉛、錫、カドミウム、インジウム、ビスマス、ガリウム、銅、銀、白金、パラジウム、及びニッケルからなる群から選択された少なくとも一種類の金属からなる電気伝導性はんだ付け可能なキャッピング層」に相当するとともに、引用発明１の当該「導電層２１ｃ」は、本願発明における、「はんだ付け可能なキャッピング層」が、「鉛、錫、カドミウム、インジウム、ビスマス、及びガリウムからなる群から選択された少なくとも二種類の金属を含有する合金」からなる「はんだ付け可能なキャッピング層」に相当する。
　そして、引用発明１では、「バンプ電極８０」は、「電極４４」と「プリント配線基板１４」側に形成された「導電層２１ｃ」とを電気的に接続している。
　
　また、引用発明１では、「パッケージ基板４０の下面の銅の電極４４」の上に「バンプ電極８０」が形成されていることは明らかであるから、引用発明１の「パッケージ基板４０の下面の銅の電極４４」は、本願発明の「電気伝導体」に相当する。
　そして、引用発明１の上記銅の「電極４４」は、ＢＧＡのＩ／Ｏピンとして用いられていることから、銅の層を含むＩ／Ｏパッドであるとともに、電力線、信号線の末端部であることは明らかである。
　
　したがって、引用発明１の「バンプ電極８０」は、本願発明の「重合体系材料からなる電気伝導性コンプライアント体」であり、「前記はんだ付け可能なキャッピング層を前記電気伝導体に電気的に結合している電気伝導性コンプライアント体」であって、「はんだ付け可能なキャッピング層と電気伝導体との間に加えられた力を受けた時、最初の形から変化した形へ変化し、前記力を除いた時、その最初の形へ実質的に戻」るものであり、しかも、「重合体系材料が、エポキシ、シリコーン、ポリイミド、アクリレート重合体、及びアクリレート共重合体からなる群から選択されており」、「コンプライアント体が、銀、金、及びパラジウムからなる群から選択された少なくとも一種類の充填材料を更に含有し、前記少なくとも一種類の充填材料が、前記コンプライアント体の電気伝導度を増大するために用いられて」いる「コンプライアント体」であって、「前記はんだ付け可能なキャッピング層と前記電気伝導体との間に配置された重合体系材料からなる電気伝導性コンプライアント体で、前記はんだ付け可能なキャッピング層を前記電気伝導体に電気的に結合している電気伝導性コンプライアント体」に相当する。
　
　そして、引用発明１の「バンプ電極８０」と「プリント配線基板１４」側に形成された「導電層２１ｃ」とからなるものは、本願発明の「電気伝導性コンプライアントバンプ」に相当する。
　さらに、引用発明１では、「バンプ電極８０」と「プリント配線基板１４」側に形成された「導電層２１ｃ」とからなるものは、各々の「電極４４」に、１つずつ設けられていることから、引用発明１の「バンプ電極８０」と「プリント配線基板１４」側に形成された「導電層２１ｃ」とからなるものは、本願発明の「複数の電気伝導性コンプライアントバンプで、その各々がＩ／Ｏパッドの異なったものの上に形成されているコンプライアントバンプ」に相当する。
　
　また、引用発明１の「プラスチック製のパッケージ基板４０」は、「プリント回路基板」であり、プラスチック材料からなっていることは明らかであり、引用発明１の「プラスチック製のパッケージ基板４０」を備えた「半導体装置」は、本願発明の「電気伝導体」に相当する「パッケージ基板４０の下面の銅の電極４４」と、本願発明の「前記電気伝導体の上に形成された電気伝導性コンプライアントバンプ」に相当する、「バンプ電極８０」、及び、「プリント配線基板１４」側に形成された「導電層２１ｃ」とを備えていることから、引用発明１の「プラスチック製のパッケージ基板４０」を備えた「半導体装置」は、本願発明の「電気伝導体、及び前記電気伝導体の上に形成された電気伝導性コンプライアントバンプを具えた装置」であるとともに、「装置がプリント回路基板」であることに相当する。
　
　よって、本願発明と引用発明１とは、
「電気伝導体、及び
　前記電気伝導体の上に形成された電気伝導性コンプライアントバンプを具えた装置において、
　前記コンプライアントバンプが、
　　鉛、錫、カドミウム、インジウム、ビスマス、ガリウム、銅、銀、白金、パラジウム、及びニッケルからなる群から選択された少なくとも一種類の金属からなる電気伝導性はんだ付け可能なキャッピング層、及び
　　前記はんだ付け可能なキャッピング層と前記電気伝導体との間に配置された重合体系材料からなる電気伝導性コンプライアント体で、前記はんだ付け可能なキャッピング層を前記電気伝導体に電気的に結合している電気伝導性コンプライアント体、
を具え、しかも、
　コンプライアント体が、はんだ付け可能なキャッピング層と電気伝導体との間の可撓性電気伝導性経路を形成しており、
　コンプライアントバンプが、はんだ付け可能なキャッピング層と電気伝導体との間に加えられた力を受けた時、最初の形から変化した形へ変化し、前記コンプライアントバンプの形が、前記力を除いた時、その最初の形へ実質的に戻り、
　重合体系材料が、エポキシ、シリコーン、ポリイミド、アクリレート重合体、及びアクリレート共重合体からなる群から選択されており、
　コンプライアント体が、銀、金、及びパラジウムからなる群から選択された少なくとも一種類の充填材料を更に含有し、前記少なくとも一種類の充填材料が、前記コンプライアント体の電気伝導度を増大するために用いられており、
　はんだ付け可能なキャッピング層が、鉛、錫、カドミウム、インジウム、ビスマス、及びガリウムからなる群から選択された少なくとも二種類の金属を含有する合金からなり、
　基体を更に具え、しかも、電気伝導体が前記基体の表面上に配列した複数の出入力（Ｉ／Ｏ）パッドを含み、そして；
　複数の電気伝導性コンプライアントバンプで、その各々がＩ／Ｏパッドの異なったものの上に形成されているコンプライアントバンプを具え、
しかも、コンプライアント体の各々が、はんだ付け可能なキャッピング層と、前記コンプライアントバンプが上に形成されているＩ／Ｏパッドとの間に可撓性電気伝導性経路を形成しており、
　装置のＩ／Ｏパッドが、装置の電力及び信号線の末端部であり、コンプライアントバンプが、装置の電気端子を形成しており、
　装置が集積回路ダイであり基体が半導体基体であるか、又は、装置がプリント回路基板であり基体がプラスチック材料からなるか、又は、装置が配線装置であり基体がセラミック材料からなり、
　はんだ付け可能なキャッピング層が、はんだ濡れ性であり、
　Ｉ／Ｏパッドが、アルミニウム又は銅の層を含む、前記の装置。」である点で一致し、以下の相違点１〜３で相違している。
　
（相違点１）
　キャッピング層について、本願発明では、「はんだ付け可能なキャッピング層の外側境界が、コンプライアント体の外側境界内に含まれて」いて、「９５重量％の鉛及び５重量％の錫を含む合金を含」んでいるのに対し、引用発明１では、このような特定はされていない点。
　
（相違点２）
　本願発明では、「コンプライアント体が、約０．００１Ωｃｍに等しいか又はそれより小さな体積抵抗率を有し、コンプライアント体が、約８，０００ＭＰａに等しいか又はそれより小さいヤング率を有し」ているのに対し、引用発明１では、コンプライアント体に相当する「シリコーンゴム系、エポキシ系、ポリイミド系などの高分子エラストマーに、Ａｇ（銀）、Ｃｕ、カーボンなどの導電材料からなる粉末あるいはフィラーを混入して導電性を持たせた弾性体８１」の体積抵抗率及びヤング率については不明である点。
　
（相違点３）　
  本願発明では、「電気伝導性金属被覆が、Ｉ／Ｏパッドの上側表面及び側面の上に形成されており、電気伝導性金属被覆の外側境界は、Ｉ／Ｏパッドの側面によって定められたＩ／Ｏパッドの外側境界を越えて伸びており、電気伝導性金属被覆は、電気メッキ又は蒸着によって形成され、電気伝導性金属被覆は、クロム、銅、及び金の層、又は、クロム、銀、及び金の層、又は、チタン、タングステン、及び金の層を、Ｉ／Ｏパッドの上にその順序で形成することにより形成され、すなわち、電気伝導性金属被覆は、クロム／銅／金層、クロム／銀／金層、又はチタン／タングステン／金層を含む」のに対して、引用発明１では、このような構成は備えていない点。
　
　ここで、相違点１〜３について検討する。
　
（相違点１について）
　はんだ付け可能なキャッピング層をコンプライアント体のどの部分に配置するかは、はんだ付けに必要な領域を考慮して当業者が適宜決定するものにすぎない。
　しかも、引用例２では、（引２ウ）で摘示したように、ハンダバンプに相当する円柱状の突起がポリマーをベースとする導電材料で作られることが示唆され、（引２エ）で摘示したように、図５では、はんだ付け可能な低溶融温度キャップ４２（本願発明の「キャッピング層」に対応する。）の外側境界が、ハンダバンプ４０（本願発明の「コンプライアント体」に対応する。）の外側境界内に含まれているように配置されていることが示されている。
　
　そして、本願発明において、「はんだ付け可能なキャッピング層の外側境界が、コンプライアント体の外側境界内に含まれて」いるようにしたことにより、格別顕著な作用効果を奏するとは認められない。
　
　また、本願発明の「キャッピング層」、引用発明１の「導電層２１」、引用例２の「キャップ４２」において、どのような組成のものとするかは、はんだ付けする温度やはんだ付けする対象等を考慮して、適当な組成のものを採用すればよいことは明らかである。
　しかも、はんだ付けされるバンプに対して設けられる、はんだ付け可能な層として、９５重量％の鉛及び５重量％の錫を含む合金からなるものは、周知例１に記載されているように周知である。
　
　したがって、引用発明１において、はんだ付けに用いられる「半田などに対して接着性のよい金属の導電層２１ｃ」に代えて、引用発明１の導電層２１ｃと同様に、はんだ付けのために用いられる、引用例２に記載されたキャップの構成を採用し、しかも、「９５重量％の鉛及び５重量％の錫を含む合金を含み」、「はんだ付け可能なキャッピング層の外側境界が、コンプライアント体の外側境界内に含まれて」いるようなキャッピング層とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（相違点２について）
　引用発明１の「弾性体８１」は、本願発明のコンプライアント体と同様に、電気端子を構成しているものである以上、小さな体積抵抗率が必要であることは明らかである。
　しかも、周知例２には、引用発明１の「弾性体８１」と同様な、樹脂に金属フィラー等を混入させた「導電性樹脂組成物」について、「電気回路用としては、体積抵抗率が１０-3Ωcm以下が望ましい」と記載されている。
　また、周知例１には、基板と物理的及び電気的接続を行う複合バンプのポリマー体のヤング率を、０．４ｘ１０６〜０．５ｘ１０６ｐｓｉ（約２７５８Ｍ〜３４４７ＭＰａ）とすることが記載されている。
　したがって、本願発明のコンプライアント体の体積抵抗率及びヤング率自体は、周知例１又は２に示されたように周知のものであって、本願発明のように、「コンプライアント体が、約０．００１Ωｃｍに等しいか又はそれより小さな体積抵抗率を有し、コンプライアント体が、約８，０００ＭＰａに等しいか又はそれより小さいヤング率を有」するようにすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（相違点３について）
　Ｉ／Ｏパッドといったパッドに対して、「パッドの側面によって定められたパッドの外側境界を越えて伸びて」いる「電気伝導性金属被覆」を設けることは、周知例３に記載された「金属層２６」に示されるように周知である。
　
　また、「電気伝導性金属被覆は蒸着によって形成され、クロム、銅、及び金の層を、パッドの上にその順序で形成することにより形成され、すなわち、電気伝導性金属被覆は、クロム／銅／金層を含む」ことは、周知例４に記載された「蒸着過程」により形成された「クロム層１６，銅層３６および金層３８を備えるパッド制限冶金（PLM ：pad limiting metallurgy ）」に示されるように周知である。
　
　そして、本願発明において、「電気伝導性金属被覆」を設けた理由は、本願の明細書の段落【００１８】に、「本方法の一つの態様として、電気伝導性金属被覆を、電気伝導体の上側表面上に形成し、その伝導性金属を電気伝導体に電気的に結合する。伝導性金属被覆の外側境界は、電気伝導体の外側境界を越えて伸びている。伝導性金属被覆は、接着剤層又は障壁層としての機能を果たす。コンプライアント体は伝導性金属被覆の上に形成され、そのコンプライアント体を伝導性金属被覆に電気的に結合する。」という記載からみて、接着剤層又は障壁層としての機能を果たすためであると解される。
　
　一方、クロムが障壁層として機能することは周知であり、周知例４においても、クロム層１６は障壁層として形成されていると認められる。
　
　そして、引用発明１において、「電極４４」に、障壁層といった「電気伝導性金属被覆」を設けることは、必要に応じて当業者が適宜採用すればいい設計的事項であって、このような「電気伝導性金属被覆」の形状や材質は、当業者が適宜決定すればいいものであるから、周知例３、４に開示されたような周知技術に基いて、相違点３に係る本願発明の構成を備えるようにすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
６．むすび　 
 　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された発明、及び、周知例１〜４に記載されたような周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　 
 　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。　 
 　よって結論のとおり審決する。