【事件の表示】
　特願２００５−２５７８１８「光起電力装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　５月１８日出願公開、特開２００６−１２８６３０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成１７年９月６日（優先権主張平成１６年９月２９日）の出願であって、拒絶理由の通知に応答して平成２１年１０月５日に手続補正がされたが、平成２２年２月２日付けで拒絶査定がされ、これに対して同年５月１０日に拒絶査定不服審判が請求がされるとともに、これと同時に手続補正がされたものである。
 　 
第２　平成２２年５月１０日の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２２年５月１０日の手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正による請求項１についての補正について
　本件補正による請求項１についての補正は次のとおりのものである。
　本件補正前に
「　【請求項１】
　結晶系半導体基板と、この結晶系基板上に設けられる水素を含有する実質的に真性な非晶質系半導体薄膜層と、この真性な非晶質系半導体薄膜上に設けられる水素を含有するｐ型の非晶質系半導体薄膜層と、を有し、
　前記ｐ型の非晶質系半導体薄膜層と前記真性な非晶質系半導体薄膜層との界面近傍に、前記真性な非晶質系半導体薄膜層から前記ｐ型の非晶質系半導体薄膜層への水素拡散を抑制する水素拡散抑制領域を備えたことを特徴とする光起電力装置。」（平成２１年１０月５日の手続補正書参照。）
とあったものを、
　本件補正後に
「　【請求項１】
　結晶系半導体基板と、この結晶系半導体基板上に設けられる水素を含有する実質的に真性な非晶質系半導体薄膜層と、この真性な非晶質系半導体薄膜上に設けられる水素を含有するｐ型の非晶質系半導体薄膜層と、
このｐ型の非晶質系半導体薄膜層上に設けられる透明導電膜と、
　前記ｐ型の非晶質系半導体薄膜層と前記真性な非晶質系半導体薄膜層との界面近傍に、前記真性な非晶質系半導体薄膜層から前記ｐ型の非晶質系半導体薄膜層の
少なくとも前記透明導電膜側の領域
とする。 
 　 
　本件補正前の請求項１には電極を備えることが明記されていないが、光起電力装置は電力を取り出すための２つの電極を備えるものである。本件補正による請求項１についての補正は、この電極のうちの一方を「ｐ型の非晶質系半導体薄膜層上に設けられる透明導電膜」に限定するものである。
　また、本件補正による請求項１についての補正は、ｐ型の非晶質系半導体薄膜層の水素拡散を抑制される場所を「少なくとも前記透明導電膜側の領域」に限定するものである。
　したがって、本件補正による請求項１についての補正は、発明を特定するために必要な事項を限定するものであって、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
２　独立特許要件について 
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定する要件を満たすか否か）について検討する。
　
（１）本願補正発明の認定 
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。） は、本件補正後の請求項１に記載された事項によって特定されるとおりのものと認める。 
 　 
（２）引用発明の認定
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日（以下「優先日」という。）前に頒布された米国特許出願公開第２００４／０１８２４３３号明細書（以下「引用例」という。）には、以下の記載アないしオが図と共にある。記載アないしオの後に翻訳を付す。 
ア　「1 . A photovoltaic device comprising: 
a crystalline semiconductor member; 
a substantially intrinsic first amorphous semiconductor layer formed on the front surface of
 said crystalline semiconductor member; and 
a first conductivity type second amorphous semiconductor layer formed on the front surface of said first amorphous semiconductor layer, and 
having a hydrogen concentration peak in said first amorphous semiconductor layer. 
（2.〜4.は省略）
5 . The photovoltaic device according to  claim 1 , wherein
the hydrogen concentration on the interface between said first amorphous semiconductor layerand said second amorphous semiconductor layer is set lower than said hydrogen concentrationpeak in said first amorphous semiconductor layer.」（１１頁右欄１４〜３９行） 
「１．結晶系半導体と、
　前記結晶系半導体の表面上に形成され、実質的に真性な第１非晶質半導体層と、
　前記第１非晶質半導体層の表面上に形成された第１導電型の第２非晶質半導体層とを備え、
　前記第１非晶質半導体層中に水素濃度のピークを有する、光起電力装置。
（２．〜４．は省略）
５．前記第１非晶質半導体層と前記第２非晶質半導体層との界面の水素濃度は、前記第１非晶質半導体層中の水素濃度のピークよりも低い濃度に設定されている、クレーム１．に記載の光起電力装置。」
　　
イ　「[0012] In the aforementioned photovoltaic device according to the first aspect, the hydrogen concentration on the interface between the first and second amorphous semiconductor layers is preferably set lower than the hydrogen concentration peak in the first amorphous semiconductor layer. According to this structure, the quantity of hydrogen atoms diffused into the second amorphous semiconductor layer from the interface between the first and second amorphous semiconductor layers can be reduced as compared with the case where the hydrogen concentration on the interface between the first and second amorphous semiconductor layers is higher than the hydrogen concentration peak in the first amorphous semiconductor layer. 」（２頁左欄３２〜４４行）
「［００１２］上記一の局面による光起電力装置において、好ましくは、第１非晶質半導体層と第２非晶質半導体層との界面の水素濃度は、第１非晶質半導体層中の水素濃度のピークよりも低い濃度に設定されている。このように構成すれば、第１非晶質半導体層と第２非晶質半導体層との界面の水素濃度が第１非晶質半導体層中の水素濃度のピークよりも高い場合に比べて、第１非晶質半導体層と第２非晶質半導体層との界面から第２非晶質半導体層中へ拡散される水素原子の量を減少させることができる。」
　
ウ　「[0037]　In the photovoltaic device according to the embodiment, an amorphous silicon layer  2 , a front electrode  3  of ITO (indium tin oxide) having a thickness of about 70 nm to about 100 nm and a collector  4  of silver having a thickness of several 10 μm are successively formed on the upper surface of a hydrotreated single-crystalline silicon substrate  1 , as shown in  FIG. 1 . The amorphous silicon layer  2  is constituted of a substantially intrinsic i-type amorphous silicon layer  2 a  having a small thickness of about 9 nm to about 13 nm formed on the upper surface of the n-type single-crystalline silicon substrate  1  and a p-type amorphous silicon layer  2 b , doped with boron (B), having a thickness of about 2 nm to about 5 nm formed on the i-type amorphous silicon layer  2 a . 」（４頁右欄４２〜５５行）
「［００３７］本実施形態による光起電力装置では、図１に示すように、水素処理されたｎ型単結晶シリコン基板１の上面上に、非晶質シリコン層２、約７０ｎｍ〜約１００ｎｍの厚みを有するＩＴＯ（酸化インジウム錫）からなる表面電極３、および、数十μｍの厚みを有する銀からなる集電極４が順次形成されている。非晶質シリコン層２は、ｎ型単結晶シリコン基板１の上面上に形成された約９ｎｍ〜約１３ｎｍの小さい厚みを有する実質的に真性なｉ型非晶質シリコン層２ａと、ｉ型非晶質シリコン層２ａ上に形成された約２ｎｍ〜約５ｎｍの厚みを有するボロン（Ｂ）がドープされたｐ型非晶質シリコン層２ｂとによって構成されている。」
　
エ　「[0038]　According to this embodiment, the i-type amorphous silicon layer  2 a  provided on the light receiving side is so formed that the photovoltaic device has a hydrogen concentration peak therein. The difference between the value of the hydrogen concentration peak in the i-type amorphous silicon layer  2 a  and the minimum value of the hydrogen concentration in the i-type amorphous silicon layer  2 a  is set to at least about 9×1020 atoms/cm 3 . Further, the hydrogen concentration on the interface between the i-type amorphous silicon layer  2 a  and the p-type amorphous silicon layer  2 b  is set lower than the hydrogen concentration peak in the i-type amorphous silicon layer  2 a . The n-type single-crystalline silicon substrate  1  is an example of the crystalline semiconductor member or the silicon single-crystalline substrate in the present invention. The i-type amorphous silicon layer  2 a  is an example of the first amorphous semiconductor layer or the first amorphous silicon layer in the present invention. The p-type amorphous silicon layer  2 b  is an example of the second amorphous semiconductor layer or the second amorphous silicon layer in the present invention. 」（５頁左欄４〜２４行）
「［００３８］本実施形態では、光入射側のｉ型非晶質シリコン層２ａは、ｉ型非晶質シリコン層２ａ中に、水素濃度のピークを有するように形成されている。また、ｉ型非晶質シリコン層２ａとｐ型非晶質シリコン層２ｂとの界面の水素濃度は、ｉ型非晶質シリコン層２ａ中の水素濃度のピークよりも低い濃度に設定されている。なお、ｎ型単結晶シリコン基板１は、本発明の「結晶系半導体」の一例である。また、ｉ型非晶質シリコン層２ａは、本発明の「第１非晶質半導体層」の一例である。また、ｐ型非晶質シリコン層２ｂは、本発明の「第２非晶質半導体層」の一例である。」
　
オ　「[0051]　FIG. 2  shows the hydrogen atom concentration profiles on the front sides (in the vicinity of the upper surfaces of n-type single-crystalline silicon substrates) of the photovoltaic devices according to the embodiment and the prior art measured with the SIMS. 」（６頁左欄下から５〜末行）
「［００５１］図２には、ＳＩＭＳにより測定した実施形態および従来例による光起電力装置の表側（ｎ型単結晶シリコン基板の上面近傍）の水素原子の濃度プロファイルが示されている。」
　
　上記アにおいて、クレーム５．をクレーム１．を引用しない独立形式で表現すれば、次のとおりである。
「結晶系半導体と、
　前記結晶系半導体の表面上に形成され、実質的に真性な第１非晶質半導体層と、
　前記第１非晶質半導体層の表面上に形成された第１導電型の第２非晶質半導体層とを備え、
　前記第１非晶質半導体層中に水素濃度のピークを有し、
　前記第１非晶質半導体層と前記第２非晶質半導体層との界面の水素濃度は、前記第１非晶質半導体層中の水素濃度のピークよりも低い濃度に設定されている、光起電力装置。」
　
　上記イより、上記「光起電力装置」は、「第１非晶質半導体層と第２非晶質半導体層との界面の水素濃度は、前記第１非晶質半導体層中の水素濃度のピークよりも低い濃度に設定されている」ことによって、「第１非晶質半導体層と第２非晶質半導体層との界面から第２非晶質半導体層中へ拡散される水素原子の量を減少させることができる」と認められる。
　
　上記ウ及びエに「本実施形態」及び「一例である。」との表現があるとおり、上記ウ及びエは、上記「光起電力装置」の実施例に係るものである。この実施例では、上記「光起電力装置」の「結晶系半導体」、「第１非晶質半導体層」及び「第２非晶質半導体層」は、それぞれ、この実施例の「ｎ型単結晶シリコン基板１」、「ｉ型非晶質シリコン層２ａ」及び「ｐ型非晶質シリコン層２ｂ」に相当する。
　この実施例では、「結晶系半導体」は「ｎ型単結晶シリコン基板１」であるから「結晶系半導体基板」といえ、「第２非晶質半導体層」は「ｐ型非晶質シリコン層２ｂ」であるから「ｐ型の第２非晶質半導体層」といえる。
　　
　上記ウより、この実施例では、「ｐ型の第２非晶質半導体層」（ｐ型非晶質シリコン層２ｂ）上に「約７０ｎｍ〜約１００ｎｍの厚みを有するＩＴＯ（酸化インジウム錫）からなる表面電極３」が設けられている。
　
　上記オより、図２にはこの実施例における光起電力装置の水素原子濃度プロファイルが示されている。図２からは、「第１非晶質半導体層と第２非晶質半導体層との界面」近傍に存在する領域であって、「その水素濃度は、第１非晶質半導体層中の水素濃度のピークよりも低い濃度に設定されている」領域（以下「低水素濃度領域」という。）が、該界面の第２非晶質半導体層（ｐ型非晶質シリコン層）側にあることが看取できる。
　
　以上のことから、上記アないしオを含む引用例には、次の発明が記載されていると認めることができる。 
「結晶系半導体基板と、この結晶系半導体基板上に設けられる水素を含有する実質的に真性な第１非晶質半導体層と、この真性な第１非晶質半導体層上に設けられる水素を含有するｐ型の第２非晶質半導体層と、このｐ型の第２非晶質半導体層上に設けられる約７０ｎｍ〜約１００ｎｍの厚みを有するＩＴＯ（酸化インジウム錫）からなる表面電極と、を有し、
　前記ｐ型の第２非晶質半導体層と前記真性な第１非晶質半導体層との界面の前記ｐ型の第２非晶質半導体層側に、該界面から前記ｐ型の第２非晶質半導体層中へ拡散される水素原子の量を減少させる、その水素濃度が前記真性な第１非晶質半導体層中の水素濃度のピークよりも低い濃度に設定されている低水素濃度領域を備えた光起電力装置。」（以下「引用発明」という。） 　
（３）対比
　引用発明と本願補正発明とを対比する。
　引用発明の「結晶系半導体基板」、「水素を含有する実質的に真性な第１非晶質半導体層」、「水素を含有するｐ型の第２非晶質半導体層」、「約７０ｎｍ〜約１００ｎｍの厚みを有するＩＴＯ（酸化インジウム錫）からなる表面電極」、「ｐ型の第２非晶質半導体層と真性な第１非晶質半導体層との界面の前記ｐ型の第２非晶質半導体層側」及び「光起電力装置」は、それぞれ、本願補正発明の「結晶系半導体基板」、「水素を含有する実質的に真性な非晶質系半導体薄膜層」、「水素を含有するｐ型の非晶質系半導体薄膜層」、「透明電極」、「ｐ型の非晶質系半導体薄膜層と真性な非晶質系半導体薄膜層との界面近傍」及び「光起電力装置」に相当する。
　
　引用発明の「界面からｐ型の第２非晶質半導体層中へ拡散される水素原子の量を減少させる、その水素濃度が真性な第１非晶質半導体層中の水素濃度のピークよりも低い濃度に設定されている低水素濃度領域」は、「真性な非晶質系半導体薄膜層からｐ型の非晶質系半導体薄膜層へ向かう水素拡散を抑制する領域」である点で、本願補正発明の「真性な非晶質系半導体薄膜層からｐ型の非晶質系半導体薄膜層の少なくとも前記透明導電膜側の領域への水素拡散を抑制する水素拡散抑制領域」と共通している。
　してみれば、本願補正発明と引用発明とは、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点＞で相違する。
＜一致点＞ 
「結晶系半導体基板と、この結晶系半導体基板上に設けられる水素を含有する実質的に真性な非晶質系半導体薄膜層と、この真性な非晶質系半導体薄膜上に設けられる水素を含有するｐ型の非晶質系半導体薄膜層と、このｐ型の非晶質系半導体薄膜層上に設けられる透明導電膜と、を有し、
　前記ｐ型の非晶質系半導体薄膜層と前記真性な非晶質系半導体薄膜層との界面近傍に、前記真性な非晶質系半導体薄膜層から前記ｐ型の非晶質系半導体薄膜層へ向かう水素拡散を抑制する領域を備えた光起電力装置。」
　
＜相違点＞ 
　本願補正発明は「真性な非晶質系半導体薄膜層からｐ型の非晶質系半導体薄膜層の少なくとも透明導電膜側の領域への水素拡散を抑制する水素拡散抑制領域を備えた」と特定されているのに対し、引用発明は該特定を有するか否か定かでない点。
　
（４）判断
＜相違点＞について
ア　本願補正発明の＜相違点＞に係る構成、特に「水素拡散抑制領域」の存在する場所及び「真性な非晶質系半導体薄膜層からｐ型の非晶質系半導体薄膜層の少なくとも透明導電膜側の領域への水素拡散」の意味はかならずしも明確でないので、本願明細書の発明の詳細な説明の記載を参酌する。本願明細書の発明の詳細な説明には、以下の記載（ア）及び（イ）がある。
（ア）　「【００６５】
　次に、この発明の第４の実施形態につき、図９及び図１０を参照して説明する。図９は、この発明の第４の実施形態におけるH.I.T.構造の太陽電池のｐ型非晶質シリコン層とｉ型非晶質シリコン層との界面近傍の水素濃度プロファイルを模式的に示したものである。」
　
（イ）　「【００６６】
（前段略。）この第４の実施形態では、膜厚２ｎｍ程度のトラップ層３４にボロン（Ｂ）をドープした。これにより、出力電圧を低下させることなくｐ型非晶質シリコン層３への水素拡散を防止することができる。」
　
イ　上記アの（ア）が参照する本願の図１０からは、ボロン（Ｂ）をドープされてｐ型となっており、かつ水素濃度が局所的に低くなっているトラップ層３４が、真性な非晶質系半導体薄膜層（ｉ型ａ−Ｓｉ）とｐ型の非晶質系半導体薄膜層（ｐ型ａ−Ｓｉ）の界面のｐ型の非晶質系半導体薄膜層側にあること、トラップ層３４の水素濃度が真性な非晶質系半導体薄膜層（ｉ型ａ−Ｓｉ）の水素濃度のピークよりも低いこと、及びｐ型の非晶質系半導体薄膜層のトラップ層３４に隣接する領域の水素濃度が、真性な非晶質系半導体薄膜層のトラップ層３４に隣接する領域の水素濃度よりも低いことが看取できる。
　
ウ　以下、上記アの（ア）及び（イ）に記載された本願補正発明の「第４の実施形態」について検討する。
　本願補正発明の「水素拡散抑制領域」に相当する「トラップ層３４」は、上記イより、ｐ型の非晶質系半導体薄膜層と真性な非晶質系半導体薄膜層との界面のｐ型の非晶質系半導体薄膜層側にあり、かつその水素濃度が真性な非晶質系半導体薄膜層の水素濃度のピークよりも低いから、存在する場所と水素濃度の点で、引用発明の「低水素濃度領域」と違いがない。
　
　不純物の拡散が、不純物の濃度が高い領域から低い領域に向かって生じるという技術常識からして、上記イより、トラップ層３４が無いとすると、真性な非晶質系半導体薄膜層とｐ型の非晶質系半導体薄膜層の界面において、水素濃度が高い方の真性な非晶質系半導体薄膜層側から水素濃度が低い方のｐ型の非晶質系半導体薄膜層へ向かって水素が移動するが、トラップ層３４が在ることによって、該界面で真性な非晶質系半導体薄膜層側からｐ型の非晶質系半導体薄膜層へ向かう水素がトラップ層３４にトラップされて、ｐ型の非晶質系半導体薄膜層のトラップ層３４に隣接し表面電極（透明電極）側にある領域に向かう水素が減少することが理解できる。本願補正発明の＜相違点＞に係る構成の「真性な非晶質系半導体薄膜層からｐ型の非晶質系半導体薄膜層の少なくとも透明導電膜側の領域への水素拡散を抑制する」はこのことを意味すると解される。
　一方、引用発明において、「その水素濃度が真性な第１非晶質半導体層中の水素濃度のピークよりも低い濃度に設定されている低水素濃度領域を備える」ことによって、「ｐ型の第２非晶質半導体層と真性な第１非晶質半導体層との界面の前記ｐ型の第２非晶質半導体層側に、該界面から前記ｐ型の第２非晶質半導体層中へ拡散される水素原子の量を減少させる」ことができるのは、「低水素濃度領域」が水素をトラップするからであることは、上記技術常識から明らかである。
　してみると、本願補正発明の「水素拡散抑制領域」は、その機能において、引用発明の「低水素濃度領域」と違いがない。
　
　以上のことから、＜相違点＞は実質的には存在せず、本願補正発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定する要件を満たしていない。
　
（５）回答書における請求人の主張について
ア　請求人の主張
　請求人は、平成２３年２月１４日に提出した回答書の第４頁１０行ないし第５頁１行において、以下の点を主張している。
「引用例１には、種々の水素濃度プロファイルを有するｐ型非晶質シリコン層及びｉ型非晶質シリコン層を備えた、ＨＩＴ太陽電池が記載されており、ご指摘の図２にはｐ型非晶質シリコン層とｉ型非晶質シリコン層との界面近傍において、ｐ型非晶質シリコン層からｉ型非晶質シリコン層に向けて水素濃度が増加するプロファイルが記載されています。
　然しながら、同引用例の図２に記載された水素濃度プロファイルは本願において図２，４，６，８，１０に従来例として記載された水素濃度プロファイルと同様であり、本願とは明らかに相違します。この点は、同公報の[００４４]に記載されたｐ型非晶質シリコン層２ｂの形成条件（「ＲＦプラズマＣＶＤ法を用いて、基板温度：約１７０℃、水素（Ｈ２）ガス流量：０ｓｃｃｍ〜約１０００ｓｃｃｍ、シラン（ＳｉＨ４）ガス流量：約４０ｓｃｃｍ、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）／Ｈ２（Ｈ２に対するＢ２Ｈ６ガスの濃度：約２％）ガス流量：約４０ｓｃｃｍ、圧力：約４０Ｐａ、および、ＲＦパワー密度：約８．３３ｍＷ／ｃｍ２の条件下で、ｉ型非晶質シリコン層２ａ上に、約２ｎｍ〜約５ｎｍの厚みを有するボロン（Ｂ）がドープされたｐ型非晶質シリコン層２ｂを形成する。」）が本願の形成条件と相違することからも明らかです。
　なお、図２において、ｐ型非晶質シリコン層中の水素濃度プロファイルが表面側で大きくｉ型非晶質シリコン層側で小さいように見えますが、同引用例には上述のようにｐ型非晶質シリコン層の形成条件を同層の形成中に変化させる旨の記載はなく、従ってＳＩＭＳ分析の測定誤差により見かけ上上記のプロファイルが観察されたに過ぎないものと思料致します。」
　
イ　請求人の主張について
　上記「（４）判断」において引用発明との相違を検討した本願補正発明の「第４の実施形態」は、本願の図９及び図１０に記載されている。
　引用例の図２に記載された水素濃度プロファイルを、ＳＩＭＳ分析の測定誤差を含むものとみるべき根拠はない。
　そして、引用発明の「結晶系半導体基板」、「この結晶系半導体基板上に設けられる水素を含有する実質的に真性な第１非晶質半導体層」及び「この真性な第１非晶質半導体層上に設けられる水素を含有するｐ型の第２非晶質半導体層」の水素濃度分布が、本願の図１０に「本発明」として実線で示された、本願補正発明の「第４の実施形態」の、「結晶系半導体基板」、「この結晶系半導体基板上に設けられる水素を含有する実質的に真性な非晶質系半導体薄膜層」及び「この真性な非晶質系半導体薄膜上に設けられる水素を含有するｐ型の非晶質系半導体薄膜層」の水素濃度分布と同様であるのか、それとも本願の図１０に「従来」として波線で示された水素濃度分布と同様であるのかに拘わらず、引用発明の「低水素濃度領域」は、本願補正発明の「水素拡散抑制領域」と同様に、「ｐ型の非晶質系半導体薄膜層の少なくとも透明導電膜側の領域への水素拡散を抑制する。」という効果を奏するものであって、その機能において違いがないことは、上記「（判断）　ウ」で検討したとおりである。
　よって、請求人の主張は採用できない。
　　
３　本件補正についてのむすび 
　上記「２　独立特許要件について」に記載のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 　
第３　本願発明について 
１　本願発明の認定 
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成２１年１０月５日の手続補正で補正された請求項１に記載された事項によって特定されるとおりのものと認める。（以下「本願発明」という。）
　
２　引用例の記載事項及び引用発明の認定
　引用例の記載事項及び引用発明は、上記「第２　平成２２年５月１０日の手続補正についての補正却下の決定　［理由］　２　独立特許要件について」の「（２）引用発明の認定」に記載したとおりである。
 　 
３　対比・判断
　本願発明は、上記「第２　平成２２年５月１０日の手続補正についての補正却下の決定　［理由］　２　独立特許要件について」で検討した本願補正発明の発明を特定するために必要な事項である「電極」及び「ｐ型の非晶質系半導体薄膜層の水素拡散を抑制される場所」についての限定を省いたものに相当する（上記「第２　平成２２年５月１０日の手続補正についての補正却下の決定　［理由］　１　本件補正による請求項１についての補正について」参照。）。
　
　すると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　平成２２年５月１０日の手続補正についての補正却下の決定　［理由］　２　独立特許要件について」に記載したとおり、引用例に記載された発明であるから、同様の理由により、本願発明は、引用例に記載された発明である。
 　 
４　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。