【事件の表示】
　特願２００２−５６４１６５「薄膜及びトリシランを用いる薄膜の形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　８月２２日国際公開、ＷＯ０２／６４８５３、平成１６年　８月　５日国内公表、特表２００４−５２３９０３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　経緯
　
　本件は、２００２年２月１２日（優先権主張：２００１年２月１２日、２００１年３月２７日、２００１年８月９日、２００１年９月１９日、２００１年１１月１３日、２００１年１１月２８日、２００１年１２月７日　米国）を国際出願日とする特許出願であって、平成２０年３月３１日付けで拒絶査定がされたが、これを不服として、同年７月１日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同年７月２８日付け手続補正書が提出されて明細書を補正する手続補正がなされたものである。
　
　
２　平成２０年７月２８日付け手続補正について
　
　平成２０年７月２８日付けの手続補正のうち、特許請求の範囲についてする補正は、以下の通りである。
（補正１）補正前の請求項１、１４、２７、４７の「約５Åｒｍｓ以下だけ大きい」、「約２０％以下」との記載から「約」を削除して、「５Åｒｍｓ以下だけ大きい」、「２０％以下」とすることで、数値範囲をより明りょうにする補正。
（補正２）補正前の請求項１、２７、４７の「前記Ｓｉ含有フィルムが、必要に応じて、ゲルマニウム、窒素、炭素、ボロン、インジウム、ヒ素、燐及びアンチモンからなるグループから選択された１つ以上の元素を含む」との記載を、出願当初の明細書の段落【００３７】に記載された事項に基づいて、「前記Ｓｉ含有フィルムが、純粋なシリコンフィルム、又はシリコン及びゲルマニウム、窒素、炭素、ボロン、インジウム、ヒ素、燐及びアンチモンからなるグループから選択された１つ以上の元素で構成されたフィルムである」と補正することで、Ｓｉ含有フィルムの技術的範囲をより明りょうにする補正。
（補正３）補正前の請求項３４の「前記トリシランを対象とする管理下で、大量輸送又はそれに近い条件で行われる」との記載を、出願当初の明細書の段落【００２３】の記載に基づいて、「前記トリシランに関する多量供給可能な条件の管理下で行われる」と補正して、技術的意味を明りょうにする補正。
　
　また、上記の特許請求の範囲についてする補正に合致するように、発明の詳細な説明の段落【０００８】〜【００１０】を補正している。
　
　そして、特許請求の範囲についてする上記補正１〜補正３は、出願当初の明細書に記載された事項の範囲内で、かつ明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、発明の詳細な説明の補正についてする補正も、出願当初の明細書に記載された事項の範囲内においてするものであるから、本件補正は適法である。
　
　
３　本願発明
　
　本願の各請求項に係る発明は、平成２０年７月２８日付け手続補正によって補正された請求項１−４８に記載された事項によって特定されるものと認められ、その請求項１に係る発明は、次のとおりである。
「所定の表面粗さを有する基板が配置された反応容器内に、トリシランを含むガスを導入するステップと、
　前記反応容器内において、トリシランの化学気相成長条件を確立するステップと、
　前記基板上に、Ｓｉ含有フィルムを成膜するステップとを含み、
　成膜される前記Ｓｉ含有フィルムは、１０平方μｍ以上の表面積において、厚さが１０〜１５０Åの範囲であり、表面粗さが前記基板の表面粗さより５Åｒｍｓ以下だけ大きく、さらに、
　前記化学気相成長条件が、温度４００〜７５０℃、全圧１〜７００Ｔｏｒｒ（１．３×１０２〜９．３×１０４Ｐａ）、トリシランの分圧０．０００１〜１００％の範囲であり、
　前記Ｓｉ含有フィルムが、純粋なシリコンフィルム、又はシリコン及びゲルマニウム、窒素、炭素、ボロン、インジウム、ヒ素、燐及びアンチモンからなるグループから選択された１つ以上の元素で構成されたフィルムであることを特徴とする薄いフィルムの成膜方法。」（以下、「本願発明１」という。）
　
　
４　刊行物に記載された発明
　
　これに対して、原査定の拒絶の理由において引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開昭６３−３４６３号公報（以下「刊行物」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（刊１ａ）「（１）基板、ゲート、ゲート絶縁膜、チャネル半導体膜、ソース、ドレインなどから成る薄膜トランジスタにおいて、チャネル半導体膜をトリシラン（Ｓｉ３Ｈ８）以上の高次シランの熱ＣＶＤにより形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
・・・
（４）前記チャネル半導体膜の膜厚を６００Å以下とした特許請求範囲第１項記載の薄膜トランジスタの製造方法。」（特許請求の範囲）
　
（刊１ｂ）「第２図において、７はチャンバーで、内部に石英板、ガラス板、ステンレス板、シリコンウェハー等が載せられ（下向き等の場合には止め金具等で固定され）加熱される基板加熱手段８を有している。さらに基板加熱手段８の近傍にガス吹出部９を形成し、ガス供給手段１０とチャンバー７内を排気する排気手段１１がチャンバー７に接続されている。ガス供給手段１０からガス吹出部９までの系は、ヒーター等により原料ガスの沸点（トリシランでは５３．１℃）以上の温度に保たれている。・・・このような装置において、基板温度を４００℃程度に加熱し、トリシラン以上の高次シランをチャンバー７内に導入すると、基板上の熱分解反応により、基板表面にアモルファスシリコン膜を形成することができる。」（第２ページ左下欄第１８行〜右下欄第１４行）
　
（刊１ｃ）「・・・図中、実線が本発明による１００％トリシランの反応圧力５Ｔｏｒｒ、基板温度４３０℃の熱ＣＶＤ試料で、・・・」（第４ページ左上欄第１８〜２０行）
　
　（刊１ａ）〜（刊１ｃ）の記載を整理すると、刊行物には次の発明が記載されている。
　
　「基板、ゲート、ゲート絶縁膜、チャネル半導体膜、ソース、ドレインなどから成る薄膜トランジスタにおけるチャネル半導体膜をトリシラン（Ｓｉ３Ｈ８）以上の高次シランの熱ＣＶＤにより形成する方法であって、
　チャネル半導体膜は６００Å以下であり、
　基板が配置されたチャンバー内に、トリシランガスを導入し、
　基板温度４３０℃、１００％トリシランの反応圧力５Ｔｏｒｒとして、
　前記基板表面に、アモルファスシリコン膜を形成する方法」（以下、「刊行物発明」という）
　
　
５　対比
　
（１）刊行物発明における「チャンバ−」及び「熱ＣＶＤ」は、本願発明１における「反応容器」及び「化学気相成長」にそれぞれ相当する。
　
（２）刊行物発明における「基板が配置されたチャンバー内に、トリシランガスを導入」することは、本願発明１における「基板が配置された反応容器内に、トリシランを含むガスを導入するステップ」に相当する。
　
（３）刊行物発明における「基板温度４３０℃」及び「１００％トリシランガス」は、本願発明１における「温度４００℃〜７５０℃」及び「トリシランの分圧０．０００１〜１００％」の数値範囲内である。
　
（４）刊行物発明における「１００％トリシランの反応圧力５Ｔｏｒｒ」は、１００％トリシランなのであるから、トリシランの圧力、すなわち全圧であり、「全圧５Ｔｏｒｒ」に相当し、これは本願発明１における「全圧１〜７００Ｔｏｒｒ」の数値範囲内である。
　
（５）刊行物発明では、１００％トリシランを導入してアモルファスシリコン膜が成長しているのであるから、本願発明１のように「トリシランの化学成長条件を確立するステップ」を有することは明らかである。
　
（６）刊行物発明における原料ガスは、１００％トリシランであり、他の原料ガスを含むものではないから、刊行物発明における「アモルファスシリコン膜」は、本願発明１における「Ｓｉ含有フィルム」及び「純粋なシリコンフィルム」に相当する。
　
（７）刊行物発明における「基板」は、上記記載事項（刊１ｂ）によればシリコンウエハー、ガラス板等であって、表面に６００Å以下の膜が形成されるものであるから、当該成膜ができる程度の表面粗さを有すること、すなわち「所定の表面粗さを有する」ことは明らかである。
　
（８）刊行物発明において成膜されるチャネル半導体膜は、程度の差こそあれ”薄い”膜であることには違いないから、本願発明における「薄いフィルム」に相当する。
　
（９）以上のことから、本願発明１と刊行物発明とでは
「所定の表面粗さを有する基板が配置された反応容器内に、トリシランを含むガスを導入するステップと、
　前記反応容器内において、トリシランの化学気相成長条件を確立するステップと、
　前記基板上に、Ｓｉ含有フィルムを成膜するステップとを含み、
　前記化学気相成長条件が、温度４３０℃、全圧５Ｔｏｒｒ、トリシランの分圧１００％であり、
　前記Ｓｉ含有フィルムが、純粋なシリコンフィルムである薄いフィルムの成膜方法。」
　の点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点）本願発明１は、「成膜される前記Ｓｉ含有フィルムは、１０平方μｍ以上の表面積において、厚さが１０〜１５０Åの範囲であり、表面粗さが前記基板の表面粗さより５Åｒｍｓ以下だけ大き」いのに対して、刊行物発明では、膜厚を６００Å以下としているものの１０〜１５０Åとは特定されず、さらに、表面積や表面粗さは特定されていない点。
　
　
 ６　判断
　上記相違点について判断する。
　
（１）刊行物発明において、チャネル半導体膜の膜厚は６００Å以下とされているが、チャネル半導体膜の厚みを、１００Å程度とすることは、例えば、周知文献１〜４に記載されるように周知の技術に過ぎないから、刊行物発明のチャネル半導体膜を本願発明１の数値（１０〜１５０Å）の範囲内である１００Å程度とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
※周知文献１；特開２０００−６８５１９号公報（特に【００３８】参照）
※周知文献２；特開２０００−２９９４７０号公報（特に【００６５】参照）
※周知文献３：特開平３−１５２５１４号公報（特に第３ページ左上欄第９〜１４行参照）
※周知文献４：特開平９−５５４８６号公報（特に【００８５】〜【００８７】のサンプルNo.3参照）
　
（２）本願発明１が「成膜される前記Ｓｉ含有フィルムは、１０平方μｍ以上の表面積において、厚さが１０〜１５０Åの範囲であり、表面粗さが前記基板の表面粗さより５Åｒｍｓ以下だけ大き」いとする点に関して、本願明細書の記載を整理すると、化学気相成長法によるシランを使用したＳｉ含有フィルムの成膜では、薄くて滑らかなＳｉ含有フィルムを得ることが極めて困難であるが、トリシランを用いることにより、薄く滑らかなＳｉ含有フィルムを成膜することが可能になるとし（【０００２】、【０００８】）、トリシランを用いる際の成膜条件が、【００２７】、【００３３】に示され、本発明によれば、厚さが１０〜１５０Åの範囲にある好ましいＳｉフィルムの成膜が可能となるとしている（【００４２】）。さらに、Ｓｉ含有フィルムの厚さと表面平滑さ（表面粗さ）は、１０平方μｍ以上の範囲で維持されていることが望ましく（【００５２】）、表面粗さは５Åｒｍｓ以下だけ基板の表面粗さより粗い程度が好ましいとしている（【００５４】）が、１０平方μｍ以上の範囲で、Ｓｉ含有フィルムの厚さを１０〜１５０Åとし、表面粗さを基板の表面粗さより５Åｒｍｓ以下だけ大きくするための特別な成膜条件は、何ら特定して記載されていない。
　このような本願明細書の開示に照らせば、トリシランを用いた化学気相成長であって、【００２７】、【００３３】及び本願発明１で特定されるように全圧１〜７００Ｔｏｒｒ、トリシランの分圧０．０００１〜１００％、温度４００〜７５０℃の範囲とすれば、表面積が１０平方μｍ以上の表面積において、厚さが１０〜１５０Åの範囲であり、表面粗さが基板の表面粗さより５Åｒｍｓ以下より大きいＳｉ含有フィルムが得られるものと言わざるを得ない。
　そして、刊行物発明は、トリシランを用いた化学気相成長であって、温度及び圧力が本願発明１の範囲内のものであり、さらに上記（１）で検討したように、刊行物発明において、成膜するＳｉ含有フィルムの厚さを本願発明１の範囲内である１００Å程度とすることは当業者が容易になし得たことであるから、ここにおいて得られるＳｉ含有フィルムは、本願発明１と同様に「１０平方μｍ以上の表面積において、厚さが１０〜１５０Åの範囲であり、表面粗さが前記基板の表面粗さより５Åｒｍｓ以下だけ大き」いものと言うほかない。
　
（３）なお、チャネル半導体膜の表面を平滑にすることは、例えば、周知文献４〜５に記載されるように周知の技術であるから、刊行物発明においても、表面粗さを小さくすることは、当業者が当然に考慮すべきものに過ぎないし、また、可及的広範囲にわたり成膜をむらなく均一に行うことも製品品質の均質化等の観点から当業者が当然に考慮すべきことである。
　してみれば、刊行物発明において、「１０平方μｍ以上の表面積において、厚さが１０〜１５０Åの範囲であり、表面粗さが前記基板の表面粗さより５Åｒｍｓ以下だけ大き」くすることが、当業者の予想の範囲外であったということもできない。
　
※周知文献４；特開平９−５５４８６号公報（特に【００９０】参照）
※周知文献５；特開平５−２１７９０８号公報（特に【０００３】〜【０００４】参照）
　
（４）したがって、本願の請求項１に係る発明は、刊行物に記載された発明及び周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規程により、特許を受けることができない。
　
　
７　むすび
　
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規程により特許を受けることができないものであるから、本願の請求項２〜４８に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。