【事件の表示】
　特願２００４−２５８３２２「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１２月１６日出願公開、特開２００４−３５６６５５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成９年１２月１１日に出願した特願平９−３４１５１６号の一部を平成１６年９月６日に新たな特許出願としたものであって，平成２０年１０月８日付けで拒絶査定され，同年１１月１３日付けで拒絶査定不服審判が請求されたものであり，その後，当審において平成２２年４月９日付けで最後の拒絶理由を通知したところ，同年６月４日付けで，意見書が提出されるとともに，手続補正がされたが，同年８月１７日付けで前記手続補正を却下するとともに，同日付けで拒絶理由を通知したところ，同年１０月２０日付けで，意見書が提出されるとともに，手続補正がされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項１−９に係る発明は，平成２２年１０月２０日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１−９に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ，その請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，次のとおりのものである。
　
「第１の面と該第１の面と対向する第２の面とを備え，該第２の面上に複数の外部電極が設けられた基板と，
　複数の第１の電極が形成された第１の主表面を備えた第１の半導体素子と，
　複数の第２の電極が形成された第２の主表面を備えた第２の半導体素子とを有し，
　前記基板の前記第１の面側には前記第２の半導体素子が収納される開口部が設けられ，
　前記第１の半導体素子は，前記第１の主表面が前記基板の前記第１の面と対向し，かつ前記開口部を覆うように前記基板に搭載され，
　前記第２の半導体素子は，前記第２の主表面が前記第１の半導体素子の前記第１の主表面と対向するように前記第１の半導体素子に搭載されて前記開口部に収納されていて，かつ前記開口部は，前記第２の半導体素子の前記第２の主表面と対向する面が覆われるように樹脂により封止されていることを特徴とする半導体装置。」
　
３　引用例
　当審による平成２２年８月１７日付けの拒絶理由通知書による拒絶の理由で引用した，本願の出願前に頒布された刊行物である， 特開平５−１２９５１６号公報（以下「引用例１」という。），特開平８−２５０８２７号公報（以下「引用例１２」という。），特開平９−９２７８０号公報（以下「引用例１３」という。），特開平２−２４１０４１号公報（以下「引用例１４」という。），及び，特開平９−３０６９４１号公報（以下「引用例１６」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
　
　引用例１： 特開平５−１２９５１６号公報
（１ａ）「【請求項１】ベース基板の実装面上に半導体ペレットが実装される半導体装置において，前記ベース基板の実装面上に単一能動素子を主体に構成される第１回路を有する第１半導体ペレットを塔載し，この第１半導体ペレットの第１回路上に，この第１回路の能動素子と異なる他の単一能動素子を主体に構成される第２回路を有する第２半導体ペレットを，その第２回路と第１半導体ペレットの第１回路とが対向する状態で塔載し，前記第１半導体ペレットの第１回路，第２半導体ペレットの第２回路の夫々をバンプ電極を介在して電気的に接続したことを特徴とする半導体装置。」（【特許請求の範囲】）
　
（１ｂ）「本発明の目的は，ベース基板の実装面上に半導体ペレットが実装される半導体装置において，実装密度を高めることが可能な技術を提供することにある。」（【０００８】）
　
（１ｃ）「【実施例】本発明の一実施例であるフェースダウン方式を利用する半導体装置の概略構成を図１(断面図)で示す。
　図１に示すように，本発明の一実施例であるフェースダウン方式を利用する半導体装置は，
ベース基板５のペレット塔載面(実装面)側に半導体ペレット１，半導体ペレット３の夫々を塔載
　前記半導体ペレット１は，例えば単結晶珪素からなる半導体基板を主体に構成され，その素子形成面(図１中下面)に例えば論理回路システムを塔載している。この論理回路システムは，例えば高い駆動能力が得られるバイポーラトランジスタを主体に構成され，単一能動素子で構成される。
半導体ペレット１の素子形成面側には外部端子(ボンディングパッド)２が複数個配列
　前記半導体ペレット３は，例えば単結晶珪素からなる半導体基板を主体に構成され，その素子形成面(図１中上面)に例えば記憶回路システムを塔載している。この記憶回路システムは，例えば高い集積度や低消費電力化が得られる相補型ＭＩＳＦＥＴ(ＣＭＯＳ)を主体に構成され，単一能動素子で構成される。
半導体ペレット３の素子形成面側には外部端子(ボンディングパッド)４が複数個配列
　前記ベース基板５は，例えばムライトで形成され，図示していないが多層配線構造で構成される。
ベース基板５のペレット塔載面の中央部には凹部７が形成され，この凹部７内には前記半導体ペレット３が配置
ベース基板５のペレット塔載面と対向する裏面には電極９が複数個配列
　前記ベース基板５の電極６，半導体ペレット１の外部端子２の夫々の間にはバンプ電極(ＣＣＢ電極，突起電極)１０が介在される。つまり，
ベース基板５，半導体ペレット１の夫々は，バンプ電極１０を介在して電気的及び機械的に接続され，フェースダウン方式で接続
半導体ペレット１はバンプ電極１０を介在してベース基板５のペレット塔載面上に実装
　前記半導体ペレット１の外部端子２，半導体ペレット３の外部端子４の夫々の間にはバンプ電極１０が介在される。つまり，半導体ペレット１，半導体ペレット３の夫々は，バンプ電極１０を介在して電気的及び機械的に接続され，フェースダウン方式で接続される。
半導体ペレット３は，その素子形成面が半導体ペレット１の素子形成面と対向する状態でベース基板５のペレット塔載面側に塔載され，半導体ペレット１の素子形成面上に塔載
　
（１ｄ）「前記封止用キャップ１１は，断面形状がコの字形状に形成され，ベース基板５とで半導体ペレット１，半導体ペレット３の夫々を収納しかつ気密封止するキャビティを構成する。」（【００３０】）
　
（１ｅ）「以上，本発明者によってなされた発明を，前記実施例に基づき具体的に説明したが，本発明は，前記実施例に限定されるものではなく，その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
」（【００４６】）
　
（１ｆ）図１は，引用例１に記載された発明の一実施例である半導体装置の断面図であって，同図から，凹部を覆うように半導体ペレット１がベース基板５に搭載されている様子を看取することができる。また，図２は，図１に記載された半導体装置の要部拡大断面図であって，同図から，凹部の側面及び底面と，半導体ペレット３との間に間隙があることを看取することができる。
　
　引用例１２：特開平８−２５０８２７号公報
（１２ａ）「【従来の技術】半導体装置用パッケージの半導体素子が搭載される基板本体には，セラミック基板やガラス繊維強化樹脂基板が用いられている。かかる基板本体のうち，図６にガラス繊維強化樹脂から成る樹脂基板１００を用いた半導体装置用パッケージの一例を示す。図６において，樹脂基板１００の半導体素子１０２を搭載する搭載面側に形成された搭載面側導体パターン１０４と，樹脂基板１００の搭載面と反対面側に形成された，
外部接続端子
端子用パッド
　
（１２ｂ）「【実施例】・・・この樹脂フィルム１２が接合されている基板本体１０には，ビア２０，２０・・が形成され，図２に示す様に，ビア２０を形成する金属層２２の一端は，基板本体１０の下面側に延びて端子装着部としての
端子パッド
端子パッド２４，２４・・の各々には，はんだボール等の外部接続端子２６が装着される
　
（１２ｃ）「これまで述べてきた本実施例においては，
外部接続端子としてはんだボールを使用したＢＧＡ(Ball Grid Array) タイプの半導体装置用パッケージ
　
（１２ｄ）図６は，従来の半導体装置用パッケージを示す縦断面図であって，同図から，封止樹脂層によって封止された半導体素子を搭載する搭載面と該搭載面の反対面とを備え，該反対面側に形成された端子用パッド１０８に複数のボール形状の外部接続端子１０６が装着された樹脂基板を備えた半導体装置用パッケージを看取することができる。
　
　引用例１３：特開平９−９２７８０号公報
（１３ａ）「さらにこの多層配線基板３１においては，凹部３１Ａ及び上面３１Ｄにそれぞれ実装された半導体チツプ３４，３５及び４０を凹部３１Ａに一体に
封止するように絶縁性樹脂４３がその凹部３１Ａに充填されている。
　
（１３ｂ）「この場合実装基板６０は，多層配線基板６１がその上面６１Ａに実装される半導体チツプ６３の外周とほぼ同じ大きさ及び形状の外周でなると共に，多層配線基板６１の
凹部６１Ｃに半導体チツプ６２及び６３を一体に封止する絶縁性樹脂６５が充填されている
　
　引用例１４：特開平２−２４１０４１号公報
（１４ａ）「［従来の技術］従来，プリント基板上に半導体素子をギヤングボンディングにより実装（バンプ金属を用いてプリント基板の配線パターンと半導体素子の端子パッドを接続）して
封止するこの種の半導体素子の実装方法において
半導体素子２を囲むように封止用樹脂（液性樹脂）４を配して封止するようにしたものがあった
他の封止方法として，第３図に示すように，プリント基板１上にバンプ金属３を介して平面実装された半導体素子２を囲むように封止キャップ５を覆着したものがあった
　
（１４ｂ）「［発明が解決しようとする課題］しかしながら，上述の第２図従来例にあっては，封止用樹脂４とプリント基板１および半導体素子２との熱膨張率の差が大きいために封止用樹脂４にクラックが発生し易く，耐湿性および耐熱ストレス性が劣化するという問題があった。また，第３図従来例にあっては，第２図従来例に比べて封止の耐湿性および耐熱ストレス性が改善されるものの，封止キャップの材料コストがかかる上，実装面積が大きくなってしまうという問題があり，さらに，半導体素子とプリント基板とを接続するバンプ接続部の耐熱ストレス性が悪くなってバンプ接続部にクラックが発生し易い上，第２図従来例に比べて線間絶縁性も悪くなるという問題があった。」（第１頁右下欄第１９行−第２頁左上欄第１３行）
　
　引用例１６：特開平９−３０６９４１号公報
（１６ａ）「次に，前記
半導体チップ２，ボンディングワイヤ３等を樹脂封止体４で封止
　
（１６ｂ）「次に，前記
樹脂封止体４の上部にヒートシンク９を固着
　
４　当審の判断 
（１）引用例１に記載の発明 
　引用例１の上記摘記（１ａ）−（１ｆ）を総合勘案すれば，引用例１には，
「ペレット塔載面と，該ペレット塔載面と対向する裏面とを備え，該ペレット塔載面と対向する裏面に複数個配列された電極が設けられたベース基板と，
　外部端子(ボンディングパッド)２が複数個配列された，半導体ペレット１の素子形成面を備えた半導体ペレット１と，
　外部端子(ボンディングパッド)４が複数個配列された，半導体ペレット３の素子形成面を備えた半導体ペレット３とを有し，
　前記ベース基板の前記ペレット塔載面には，開口サイズが半導体ペレット３の平面形状に比べてひとまわり大きなサイズで形成され，底面の位置がベース基板のペレット塔載面の位置よりも低く構成された，その側面及び底面と半導体ペレット３との間に間隙を有する，半導体ペレット３が配置される凹部が形成され，
　前記半導体ペレット１は，フェースダウン方式で，前記ベース基板の前記ペレット塔載面上に，前記凹部を覆うように実装され，
　前記半導体ペレット３は，その素子形成面が前記半導体ペレット１の素子形成面と対向する状態で前記半導体ペレット１の素子形成面上に塔載されて前記凹部内に配置されていて，
　かつ，前記半導体ペレット１，前記半導体ペレット３の夫々を封止用キャップで封止した半導体装置」
　の発明（以下，「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。 
　
（２）対比・判断 
ア　本願発明１と引用例１発明とを対比すると，引用例１発明の「ペレット塔載面」，「ペレット塔載面と対向する裏面」，「ベース基板」，「半導体ペレット１の素子形成面に複数個配列された外部端子(ボンディングパッド)２」，「半導体ペレット１の素子形成面」，「半導体ペレット１」，「半導体ペレット３の素子形成面に複数個配列された外部端子(ボンディングパッド)４」，「半導体ペレット３の素子形成面」，「半導体ペレット３」，「半導体ペレット３が配置される凹部」は，それぞれ本願発明１の「第１の面」，「第１の面と対向する第２の面」，「基板」，「複数の第１の電極」，「第１の主表面」，「第１の半導体素子」，「複数の第２の電極」，「第２の主表面」，「第２の半導体素子」，「第２の半導体素子が収納される開口部」に相当する。
　
イ　引用例１発明の「ペレット塔載面と対向する裏面上に複数個配列された電極」と本願発明１の「第２の面上の複数の外部電極」は，「第２の面上の複数の電極」である範囲で一致する。
　
ウ　引用例１発明の「半導体ペレット１，前記半導体ペレット３の夫々を封止用キャップで封止」と本願発明１の「前記開口部は，前記第２の半導体素子の前記第２の主表面と対向する面が覆われるように樹脂により封止」は，引用例１の上記摘記（１ｄ）の「封止用キャップ１１は，断面形状がコの字形状に形成され，ベース基板５とで半導体ペレット１，半導体ペレット３の夫々を収納しかつ気密封止するキャビティを構成する。」との記載に照らして，「開口部を封止」するものである点で一致する。
　
　そうすると，本願発明１と引用例１発明は，
「第１の面と該第１の面と対向する第２の面とを備え，該第２の面上に複数の電極が設けられた基板と，
　複数の第１の電極が形成された第１の主表面を備えた第１の半導体素子と，
　複数の第２の電極が形成された第２の主表面を備えた第２の半導体素子とを有し，
　前記基板の前記第１の面側には前記第２の半導体素子が収納される開口部が設けられ，
　前記第１の半導体素子は，前記第１の主表面が前記基板の前記第１の面と対向し，かつ前記開口部を覆うように前記基板に搭載され，
　前記第２の半導体素子は，前記第２の主表面が前記第１の半導体素子の前記第１の主表面と対向するように前記第１の半導体素子に搭載されて前記開口部に収納されていて，かつ前記開口部が封止されていることを特徴とする半導体装置。」である点で一致し，次の点で一応相違する。 
　 
　相違点１： 本願発明１では，基板の第２の面上に複数の
外部電極
電極
　 
　相違点２：本願発明１では，開口部は，前記第２の半導体素子の前記第２の主表面と対向する面が覆われるように樹脂により封止されているのに対して，引用例１発明では，半導体ペレット１，前記半導体ペレット３を封止用キャップで封止している点。
　
　上記各相違点について検討する。 
・相違点１について 
　本願発明１の「外部電極」は，本願明細書及び図面の記載からみて，半導体装置の「外部」に露出して存在して，該半導体装置に内蔵される半導体素子と，外部の電気回路とを電気的に接続するために使用される電極であると解される。
　一方，引用例１発明の「ベース基板のペレット塔載面と対向する裏面に複数個配列された電極」もまた，半導体装置の「外部」に露出して存在して，該半導体装置に内蔵される半導体素子と，外部の電気回路とを電気的に接続するために使用される電極であると認められる。
　したがって，引用例１発明のベース基板のペレット塔載面と対向する裏面に配列されている「電極」は，本願発明の「外部電極」に相当する。すなわち，上記相違点１は，単なる呼称の相違であり，実質的な相違点であるとはいえない。
　
　仮に，本願明細書の「また，基板１０の下面配線１４ｂ，すなわち基板１０の下面には，外部電極２８が設けられている。ここでは，外部電極２８として，金属バンプを用いる。」（【００３５】）の記載に基づいて，本願発明１の「外部電極」を，「金属バンプを用いた電極」と限定して解釈したとしても，本願発明１の「金属バンプ」に相当する「はんだボール」を使用したＢＧＡ(Ball Grid Array) タイプの半導体装置用パッケージは周知（要すれば，上記引用例１２の上記摘記（１２ａ）−（１２ｄ）を参照されたい。）であるから，引用例１発明において，「該ペレット塔載面と対向する裏面に複数個配列された電極が設けられたベース基板」を，前記「電極」に「金属バンプ」を用いた上記周知のＢＧＡ(Ball Grid Array) タイプのものとすることは当業者が適宜なし得た事項である。また，このような構成を採用したことによる効果も当業者が予測する範囲内のものといえる。
　すなわち，引用例１発明において，相違点１に係る本願発明１の構成を容易に想到できたものと認められる。
　
　なお，審判請求人は，平成２２年１０月２０日付けの意見書において，「引用文献１２に開示された技術では，段落００２３に記載のように「半導体素子が搭載される基板本体の搭載面側導体パターンのファイン化を容易に図ること」が目的とされており，段落００１５には，半導体素子１６の搭載部分の導体パターンはファイン化されていることが記載されています。ここで，引用文献１２と引用文献１〜１０とを組み合わせることを考えます。つまり，半導体素子１６に他の半導体素子が向かい合わせで接続されるとともに，他の半導体素子を収納するための開口部が基板本体に形成された場合を考えます。この場合，基板本体に，開口部が形成されますので，当然ながらファイン化された搭載面側導体パターンを形成するための面積が小さくなり，限定されてしまいます。つまり，開口部の存在により，引用文献１２が目的とする「搭載面側導体パターンのファイン化を容易に図ること」が難しくなってしまいます。以上のように，引用文献１２では，「搭載面側導体パターンのファイン化を容易に図る」という目的が阻害要因となっているため，引用文献１〜１０に記載された技術と組み合わせることは困難です。」として組合せの阻害要因を主張する。
　しかしながら，引用例１２の上記摘記（１２ａ），（１２ｄ）には，ボール形状の外部接続端子を有する基板が，引用例１２に係る発明の従来の技術として示されており，同引用例の上記摘記（１２ｂ），（１２ｃ）の記載を併せて解釈すれば，はんだボールを使用したＢＧＡ(Ball Grid Array) タイプの半導体パッケージが，引用例１２に係る発明の出願前に周知であったものと理解することができる。
　すなわち，引用例１２のボール形状の外部接続端子を外部電極として備えた基板は，引用例１２に係る発明の従来の技術としても示されているから，「搭載面側導体パターンのファイン化を容易に図ること」を目的とした引用例１２に係る発明の半導体素子１６の搭載部分の導体パターンをファイン化した構造は，前記基板が必ずしも備えている必要はないものといえる。
　したがって，引用例１２に記載された，ボール形状の外部接続端子を外部電極として備えた前記周知な基板を，引用例１発明の基板として用いることに困難があるとは認められない。
　以上のとおりであるから，審判請求人の前記阻害要因についての主張は採用することができない。
　
・相違点２について
　半導体装置において，半導体素子を外部からの影響から保護するために，該半導体素子を樹脂により封止することは周知（要すれば，上記引用例１３，１４，１６の記載を参照されたい。）の構造である。
　また，引用例１４の上記摘記（１４ｂ）の「第３図従来例にあっては，第２図従来例に比べて封止の耐湿性および耐熱ストレス性が改善されるものの，封止キャップの材料コストがかかる上，実装面積が大きくなってしまうという問題があり，さらに，半導体素子とプリント基板とを接続するバンプ接続部の耐熱ストレス性が悪くなってバンプ接続部にクラックが発生し易い上，第２図従来例に比べて線間絶縁性も悪くなるという問題があった」との記載から，本願出願前に，封止キャップを用いた封止には，封止用樹脂を配した封止と比べて，「封止キャップの材料コストがかかる」，「実装面積が大きくなってしまう」等の課題があることが知られていたことが理解できる。
　してみれば，封止手段として封止用キャップを用いている引用例１発明において，上記「封止キャップの材料コストがかかる」，「実装面積が大きくなってしまう」等の課題が特に問題になり，望ましくない場合において，上記「封止用キャップ」に替えて，半導体素子の封止手段として周知である「樹脂」による封止を用いることにつき，当業者であれば十分な動機付けがあったということができる。
　そして，上記課題を解決するにあたり，引用例１発明のような，「開口サイズが半導体ペレット３の平面形状に比べてひとまわり大きなサイズで形成され，底面の位置がベース基板のペレット塔載面の位置よりも低く構成された，その側面及び底面と半導体ペレット３との間に間隙を有する，半導体ペレット３が配置される凹部が形成され」た半導体装置を樹脂によって封止した場合，前記間隙を通じて樹脂が侵入することは格別のこととはいえないから，引用例１発明に樹脂封止を適用するにあたり，「第２の半導体素子の前記第２の主表面と対向する面が覆われるように樹脂により封止」することは当業者が容易になし得たといえる。
　すなわち，引用例１発明において，相違点２に係る本願発明１の構成を容易に想到できたものと認められる。
　
５　むすび 
　以上のとおり，本願発明１は，引用例１に記載された発明と引用例１２，１３，１４，１６に記載された周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって，本願は，他の請求項について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。