【事件の表示】
　特許第６２４５５５９号発明「窒化物半導体装置およびその製造方法」の特許異議申立事件について，次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６２４５５５９号の請求項１８ないし４７に係る特許を維持する。
【理　由】
１　手続の経緯
　特許第６２４５５５９号（以下「本件特許」という。）の請求項１〜４７に係る特許についての出願は，２０１３年（平成２５年）１０月７日（優先権主張　２０１２年１０月１１日，日本国，２０１２年１２月１３日，日本国）を国際出願日とするものであって，平成２９年１１月２４日にその特許権の設定登録がされ，その後，その請求項１８〜４７に係る特許に対し，特許異議申立人西林博（以下「異議申立人」という。）により特許異議の申立てがされたものである。
２　本件特許発明
　本件特許の請求項１８〜４７に係る発明（以下「本件特許発明１８」〜「本件特許発明４７」という。）は，それぞれ，その特許請求の範囲の請求項１８〜４７に記載された事項により特定される，以下のとおりである。
「【請求項１８】
　基板と，
　前記基板上に形成され，窒化物半導体からなる電子走行層と，
　前記電子走行層上に形成され，前記電子走行層とは組成の異なる窒化物半導体からなる電子供給層と，
　前記基板と前記電子走行層との間に介在され，アルミニウム組成が相対的に高い高アルミニウム組成領域と，前記高アルミニウム組成領域よりもアルミニウム組成が低く，かつ前記高アルミニウム組成領域よりも前記電子走行層に近い領域に配置された低アルミニウム組成領域とを有するＡｌＧａＮ層バッファ層と，
　前記電子走行層の厚さ方向に対して傾斜した方向からのイオン注入によって結晶欠陥を引き起こして高抵抗化した高抵抗層からなり，前記電子供給層および前記電子走行層を貫通して前記ＡｌＧａＮバッファ層に達する素子分離層と，を含む，窒化物半導体装置。
【請求項１９】
　前記ＡｌＧａＮバッファ層は，前記基板から前記電子走行層に向かう層厚方向に関して，前記電子走行層に近づくほどアルミニウム組成が小さくなるようにアルミニウム組成を調整したＡｌＧａＮ層である，請求項１８に記載の窒化物半導体装置。
【請求項２０】
　前記ＡｌＧａＮバッファ層が，第１アルミニウム組成の第１アルミニウム組成ＡｌＧａＮ層と，前記第１アルミニウム組成ＡｌＧａＮ層よりも前記電子走行層側に積層され，前記第１アルミニウム組成よりも小さな第２アルミニウム組成の第２アルミニウム組成ＡｌＧａＮ層とを含み，前記高アルミニウム組成領域が前記第１アルミニウム組成ＡｌＧａＮ層を含み，前記低アルミニウム組成領域が前記第２アルミニウム組成ＡｌＧａＮ層を含む，請求項１８または１９に記載の窒化物半導体装置。
【請求項２１】
　前記ＡｌＧａＮバッファ層と前記基板との間に介在されたＡｌＮバッファ層をさらに含む，請求項１８〜２０のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。
【請求項２２】
　前記素子分離層が，素子領域を取り囲むように形成されている，請求項１８〜２１のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。
【請求項２３】
　前記素子分離層の上に配置された配線をさらに含む，請求項１８〜２２のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。
【請求項２４】
　前記素子分離層が，複数の素子領域を分離するように形成されており，
　前記複数の素子領域にそれぞれ形成された複数の素子の間を接続する素子間配線をさらに含む，請求項１８〜２３のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。
【請求項２５】
　前記複数の素子領域にそれぞれ形成された複数の素子が異なる機能を有する２以上の素子を含む，請求項２４に記載の窒化物半導体装置。
【請求項２６】
　前記複数の素子領域にそれぞれ形成された複数の素子が共通の機能を有する２つ以上の素子を含む，請求項２４または２５に記載の窒化物半導体装置。
【請求項２７】
　前記素子間配線によって接続された複数の素子の素子領域を取り囲むように前記素子分離層が形成されている，請求項２４〜２６のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。
【請求項２８】
　前記素子分離層が，質量数が１０より小さく２より大きい元素を材料とするイオンの注入によって形成された高抵抗層である，請求項１８〜２７のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。
【請求項２９】
　前記素子分離層が，ヘリウムイオンの注入によって形成された高抵抗層である，請求項１８〜２７のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。
【請求項３０】
　前記素子分離層が，複数の加速エネルギーを用いたイオン注入によって形成された高抵抗層である，請求項１８〜２９のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。
【請求項３１】
　前記イオン注入方向の前記電子走行層の厚さ方向に対する傾斜角が５〜１０度である，請求項１８〜３０のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。
【請求項３２】
　前記電子走行層がＧａＮからなり，前記電子供給層がＡｌＧａＮからなる，請求項１８〜３１のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。
【請求項３３】
　前記電子走行層が４００ｎｍ以上の厚さのＧａＮ層である，請求項１８〜３２のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。
【請求項３４】
　前記電子供給層上に間隔を開けて配置されたソース電極およびドレイン電極と，
　前記ソース電極および前記ドレイン電極の間において前記電子走行層に対向するように配置されたゲート電極と，
をさらに含む，請求項１８〜３３のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。
【請求項３５】
　前記ゲート電極が，前記素子分離層とともに，前記ソース電極を取り囲むように形成されている，請求項３４に記載の窒化物半導体装置。
【請求項３６】
　前記ソース電極，前記ドレイン電極および前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と，
　前記層間絶縁膜を貫通するソースコンタクト孔を介して前記ソース電極に接続され，前記層間絶縁膜上に配置されたソース配線膜と，
　前記層間絶縁膜を貫通するドレインコンタクト孔を介して前記ドレイン電極に接続され，前記層間絶縁膜上に配置されたドレイン配線膜と，をさらに含み，
　前記ソース配線膜と前記ドレイン配線膜とが，前記層間絶縁膜上で櫛歯状に噛み合うパターンに形成されている，請求項３４または３５に記載の窒化物半導体装置。
【請求項３７】
　前記配線が，前記ゲート電極に接続されたゲート配線を含む，請求項２３に係る，請求項３４〜３６のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。
【請求項３８】
　基板上に，アルミニウム組成が基板に近い領域において相対的に高く，基板から遠い領域において相対的に低くなるようにＡｌＧａＮ結晶をエピタキシャル成長させてＡｌＧａＮバッファ層を形成する工程と，
　前記ＡｌＧａＮバッファ層上に，窒化物半導体をエピタキシャル成長させて電子走行層を形成する工程と，
　前記電子走行層上に，前記電子走行層とは異なる組成の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させて電子供給層を形成する工程と，
　前記電子供給層，前記電子走行層および前記ＡｌＧａＮバッファ層に前記基板の主面に対して傾斜した方向からイオン注入して結晶構造を破壊することにより，前記電子供給層および前記電子走行層を貫通して前記ＡｌＧａＮバッファ層に到達する高抵抗の素子分離層を形成する工程と，
を含む，窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項３９】
　前記ＡｌＧａＮバッファ層を形成する工程が，第１アルミニウム組成の第１アルミニウム組成ＡｌＧａＮ層を形成する工程と，前記第１アルミニウム組成ＡｌＧａＮ層よりも上に前記第１アルミニウム組成よりも小さな第２アルミニウム組成の第２アルミニウム組成ＡｌＧａＮ層を形成する工程とを含む，請求項３８に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項４０】
　前記ＡｌＧａＮバッファ層を形成する工程の前に，前記基板上にＡｌＮバッファ層を形成する工程をさらに含み，前記ＡｌＮバッファ層の上に前記ＡｌＧａＮバッファ層が形成される，請求項３８または３９に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項４１】
　前記素子分離層が，素子領域を取り囲むように形成される，請求項３８〜４０のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項４２】
　前記素子分離層が，複数の素子領域を分離するように形成され，
　前記複数の素子領域にそれぞれ形成された素子間を接続する素子間配線を形成する工程をさらに含む，請求項３８〜４１のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項４３】
　前記イオン注入を，質量数が１０より小さく２より大きい元素を材料とするイオンを用いて行う，請求項３８〜４２のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項４４】
　前記イオン注入を，ヘリウムイオンを用いて行う，請求項３８〜４２のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項４５】
　前記イオン注入を，複数の加速エネルギーを用いて行う，請求項３８〜４４のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項４６】
　前記イオン注入を，前記基板の主面の法線方向に対して５〜１０度傾斜した方向から行う，請求項３８〜４５のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項４７】
　前記電子走行層を形成する工程が，厚さ４００ｎｍ以上のＧａＮ層をエピタキシャル成長させる工程を含む，請求項３８〜４６のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置の製造方法。」
３　申立理由の概要
（１）申立理由１
　本件特許発明１８〜４７は，甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証〜甲第８号証の記載に基いて，当業者が容易に発明することができたものであって，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。したがって，本件特許発明１８〜４７に係る特許は，特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから，同法第１１３条第２号の規定に該当し，取り消すべきものである。
（２）申立理由２
　本件特許発明１８〜３７は，特許法第３６条第６項第２号の規定を満たしていない特許出願に対して特許されたものである。したがって，本件特許発明１８〜３７に係る特許は，特許法第３６条第６項第２号の規定に違反してなされたものであるから，同法第１１３条第４号の規定に該当し，取り消すべきものである。
（３）異議申立人が提出した証拠方法
　　甲第１号証　　特開２００７−３１１７３３号公報
　　甲第２号証　　蒲生健次　他３名，半導体イオン注入技術，
　　　　　　　　　産業図書，昭和６１年７月３１日，
　　　　　　　　　ｐ．１，２６−３１，１７８−１８１
　　甲第３号証　　平尾孝　他３名，イオン工学技術の基礎と応用，
　　　　　　　　　工業調査会，１９９２年４月１０日，
　　　　　　　　　ｐ．７２−７３
　　甲第４号証　　特開２００９−２１２１０３号公報
　　甲第５号証　　特開２００４−　９５６４０号公報
　　甲第６号証　　特開２０１２−　６４９００号公報
　　甲第７号証　　特開２００３−２５８２５８号公報
　　甲第８号証　　特開２００７−　５９８８２号公報
４　甲各号証の記載事項について
　甲第１号証〜甲第８号証（以下「甲１」〜「甲８」という。）には，次の事項が記載されている。
（１）甲１
ア　甲１の記載事項
　甲１には，下記の事項が記載されている。
「【００４３】
　(第１の実施形態)
　図１は，本発明の第１の実施形態におけるヘテロ接合電界効果トランジスタの断面図である。図１において，101はサファイア基板，102はAlNバッファ層，103はAlGaN下地層，104はGaNチャネル層，105はAlGaN電子供給層，106はTi/Alソース電極，107はPdSiゲート電極，108はTi/Alドレイン電極，109は素子分離層である。
【００４４】
　図１に示すように，サファイア基板101の(0001)面上に，500nmのAlNバッファ層102，AlGaN下地層103として0.5μmのAl0.05Ga0.95N，10nmのGaNチャネル層104，及び電子供給層105として25nmのAl0.15Ga0.85Nがこの順に，有機金属気相成長法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition:MOCVD)によって形成されている。さらに，AlGaN電子供給層105の表面にPdSiゲート電極107，Ti/Alソース電極106，及びTi/Alドレイン電極108がそれぞれ形成されており，さらに，選択酸化により素子分離層109が形成されている。」
「【００５０】
  図４は，図１に示すエピタキシャル構造のＸ線回折パターンを示している。」
「【００５３】
　＜第１の変形例＞
　図５は，本発明の第１の実施形態における変形例を示す電界効果トランジスタの断面図である。
【００５４】
　図５に示す変形例は，図１に示した電界効果トランジスタ構造における下地層を，組成が傾斜しているAlGaN及びGaN層で構成した例であって，前述のダブルヘテロトランジスタ構造を実現しようとした場合に採用し得る構造の一例である。また，基板としてサファイア基板501を用い，Al0.05Ga0.95N下地層504の下層に格子不整合緩和のためのAlGaN組成傾斜層503，さらに，GaN下地層502（層厚1.5μm）が形成されている。なお，チャネル層505，電子供給層506，ソース電極507，ゲート電極508，ドレイン電極509，及び素子分離層510は，それぞれ，図１に示したチャネル層104，電子供給層105，ソース電極106，ゲート電極107，ドレイン電極108，及び素子分離層109と同様である。」
「【００５９】
　そこで，当該第１の変形例の場合に関して，ノーマリオフ動作を実現する構成を以下の第２の変形例で説明する。
【００６０】
　＜第２の変形例＞
　第２の変形例においては，上記の第１の変形例１におけるAl0.05Ga0.95N下地層504/組成傾斜層503/GaN下地層502の代わりに，例えばAl0.05Ga0.95N下地層504/組成傾斜層/AlN下地層を用い，組成傾斜層のAl組成をAl0.05Ga0.95N下地層504の下面からAlN下地層の上面に向かってAl組成が0.05から1に増加するように形成することにより，Al0.05Ga0.95N下地層504/組成傾斜層/AlN下地層の付近に分極差よるキャリアが減少し，閾値電圧が負電圧側にシフトすることがなくなり，ノーマリオフ動作を実現することができる。」
　図５及び【符号の説明】から図５には，サファイア基板501，GaN下地層502，AlGaN組成傾斜層503，Al0.05Ga0.95N下地層504，GaNチャネル層505，AlGaN電子供給層506の順に積層され，素子分離層510がAlGaN電子供給層506の表面からAl0.05Ga0.95N下地層504の深さまで形成された構造が記載されている。
イ　甲１に記載された窒化物半導体トランジスタの発明　
  上記アから，甲１には，次の第２の変形例である窒化物半導体トランジスタの発明（以下「甲１Ａ発明」という。）が記載されていると認められる。
「サファイア基板501の面上に，AlN下地層，組成傾斜層，Al0.05Ga0.95N下地層504，GaNチャネル層505，AlGaN電子供給層506がこの順に形成され，選択酸化により素子分離層510が電子供給層506の表面からAl0.05Ga0.95N下地層504の深さまで形成された窒化物半導体トランジスタにおいて，
　前記組成傾斜層のAl組成をAl0.05Ga0.95N下地層504の下面からAlN下地層の上面に向かってAl組成が0.05から1に増加するように形成された窒化物半導体トランジスタ。」
ウ　甲１に記載された窒化物半導体トランジスタを製造する発明
　また，上記アには，サファイア基板501の面上の各層は，有機金属気相成長法により形成されてエピタキシャル構造になっていることも記載されているので，甲１には，次の第２の変形例である窒化物半導体トランジスタを製造する発明（以下「甲１Ｂ発明」という。）が記載されていると認められる。
「サファイア基板501の面上に，AlN下地層，組成傾斜層，Al0.05Ga0.95N下地層504，GaNチャネル層505，AlGaN電子供給層506をこの順に有機金属気相成長法により形成し，
　選択酸化により素子分離層510を電子供給層506の表面からAl0.05Ga0.95N下地層504の深さまで形成し，
　前記組成傾斜層のAl組成をAl0.05Ga0.95N下地層504の下面からAlN下地層の上面に向かってAl組成が0.05から1に増加するように形成された窒化物半導体トランジスタの製造方法。」
（２）甲２
　甲２には，下記の事項が記載されている。
「このようなチャネル効果は，図２．１８に示すＡの成分からわかるように，結晶軸より臨界角以上（通常７−１０°）傾けて注入することにより，ほぼ非晶質中と同様の分布が得られる。」（３１頁８行〜１０行）
「プロトンを照射して形成される高抵抗層は，種々のデバイスのアイソレーション（素子間分離）に応用されており，化合物半導体特有のイオン注入応用分野となっている。」（１７９頁９行〜１１行）
（３）甲３
　甲３には，下記の事項が記載されている。
「そのためデバイスへの応用では，チャンネリング効果は好ましくない。このようなチャンネリング効果は，イオンビームの入射角度をある限界以上に傾斜させると無視できるようになる。一般的にはイオンビームの方向を，基板表面に対し７°程度傾けて注入することが多い。」（７２頁１０行〜７３頁４行）
（４）甲４
　甲４には，下記の事項が記載されている。
「【００２３】
　（第１の実施形態）
　先ず，本発明の第１の実施形態について説明する。図１Ａ乃至図１Ｙは，第１の実施形態に係るＧａＮ系ＨＥＭＴ（半導体装置）を製造する方法を工程順に示す断面図である。
【００２４】
　先ず，図１Ａに示すように，シリコンカーバイド（ＳｉＣ）からなる絶縁性基板１の表面上にＧａＮ層２及びｎ型ＡｌＧａＮ層３をこの順で形成する。絶縁性基板１の厚さは３５０μｍ程度であり，ＧａＮ層２の厚さは２μｍ程度であり，ｎ型ＡｌＧａＮ層３の厚さは２５ｎｍ程度である。次いで，不活性領域９２とする領域にボロン又はヘリウム等を注入することにより，２次元電子ガスを消失させる。この結果，不活性領域９２及び活性領域９１が区画される。次いで，ｎ型ＡｌＧａＮ層３上にソース電極４ｓ，ゲート電極４ｇ及びドレイン電極４ｄを選択的に活性領域９１内に形成する。その後，ソース電極４ｓ，ゲート電極４ｇ及びドレイン電極４ｄを覆うＳｉＮ層５をｎ型ＡｌＧａＮ層３上に形成する。ソース電極４ｓ，ゲート電極４ｇ及びドレイン電極４ｄの形成に当たっては，例えば，Ｔｉ層を形成し，その後にＴｉ層上にＡｌ層を形成する。」
（５）甲５
　甲５には，下記の事項が記載されている。
「【００４０】
以上，実施の形態１に係る半導体装置およびその製造方法では，半導体装置の素子分離領域形成時のイオン種として，原子番号２０以上の重い原子を用いることで欠陥の発生する確率を高め，抵抗の高い素子分離領域を再現性よく形成できる。さらに，イオン注入されたＩＩ族原子は窒化物半導体（ＩＩＩ−Ｖ族化合物）中でアクセプタを形成し，このアクセプタが電子と再結合するため，電流が流れにくくなり，素子分離領域として有効に機能する。また，安定に高抵抗化された素子分離領域を具備する半導体装置が得られる。」
「【００４１】
実施の形態２．
実施の形態２に係る半導体装置の製造方法について，図３に基づき説明する。図３は，半導体装置のＡｌＧａＮバリア層とＧａＮチャネル層中の深さ方向における不純物分布を表したものである。図中，１９は結晶層中のｎ型不純物濃度の分布，２０はイオン注入された原子の不純物分布，２１はイオン注入された原子のうちのチャネリング成分，をそれぞれ示す。実施の形態２に係る半導体装置の製造方法では，イオン注入方法としてチャネリングおよび多段イオン注入を適用する。
【００４２】
通常，ＡｌＧａＮバリア層３とＧａＮチャネル層２の不純物濃度（ｎ型）はトランジスタ特性を最適化するように設計される。例えば，ＡｌＧａＮバリア層３中にｎ型不純物の濃度の高い層がある一方，ＧａＮチャネル層２中の不純物濃度はＡｌＧａＮバリア層３中と比較して低く設定されている。このため，素子分離領域７におけるウエハ表面から深い領域では比較的イオン注入の不純物を低くしても，充分な高抵抗領域を形成することが可能である。
【００４３】
そこで，イオン注入時のチャネリング現象を利用し，イオン注入された原子中のチャネリング成分の分布（図３中の２１）に示されるように，ウエハ表面から深い領域まで原子番号２０以上の重い原子を到達させる。ここで，チャネリングとは，結晶軸にほぼ沿ってイオンを入射させることを指す。この場合，イオンが原子に衝突する確率は減少するが，少ない加速エネルギーで深くまでイオンを到達させることが可能となる。なお，原子番号２０以上の重い原子のイオンではチャネリングした原子でも欠陥を効率的に発生させることが可能である。
【００４４】
また，ＡｌＧａＮバリア層３中のｎ型不純物が平坦に分布する領域では，イオン注入の加速エネルギー，ドーズ量を変えて複数回繰り返す方法，つまり多段イオン注入（図３中の２０の分布）で，いわゆるボックス型の欠陥分布を実現できる。
【００４５】
上述の２方法を単独で，あるいは組み合わせて適用することにより，図３中で示されるイオン注入されたトータルの分布２２が得られる。かかる製造方法の適用により，素子分離領域７の深さ方向おけるすべての部分で欠陥濃度を結晶層中のｎ型不純物濃度１９より高濃度化することができ，この結果，深さ方向に均一な高抵抗領域を安定に形成することが可能となって，何らトランジスタ動作に寄与しない無効な電流を大幅に低減する効果がもたらされる。」
（６）甲６
　甲６には，下記の事項が記載されている。
「【００１６】
　（第１の実施形態）
　図１（ａ）は，本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構造を示す上面図である。また，図１（ｂ）は，同半導体装置の構造の詳細を示す上面図（図１（ａ）のＡ部を拡大した図）である。また，図１（ｃ）は，同半導体装置の構造の詳細を示す断面図（図１（ｂ）のＡＡ’における断面図）である。図２は，同半導体装置の構造の詳細を示す断面図（図１（ａ）のＢＢ’における断面図）である。
【００１７】
　図２に示すように，本実施形態の半導体装置は，窒化物半導体からなるＪＦＥＴであって，例えばサファイアからなる基板１０１と，基板１０１の例えば（０００１）面上に形成された例えば厚さ１００ｎｍのＡｌＮからなるバッファ層１０２と，バッファ層１０２の上に形成された厚さ２μｍのアンドープＧａＮ層（ｉ−ＧａＮ層）１０３と，アンドープＧａＮ層１０３の上に形成された厚さ２５ｎｍ，Ａｌ組成比１５％のアンドープＡｌＧａＮ層（ｉ−ＡｌＧａＮ層）１０４と，アンドープＡｌＧａＮ層１０４のゲート領域の上に形成された厚さ１００ｎｍのｐ型ＧａＮ層１０５と，ｐ型ＧａＮ層１０５の上に形成されたゲート電極１０６と，アンドープＡｌＧａＮ層１０４の上に形成されたソース電極１０７，ドレイン電極１０８および絶縁膜１１１と，コンタクトを介してソース電極１０７と接続されたソース配線１０９と，コンタクトを介してドレイン電極１０８と接続されたドレイン配線１１０とを備える。
【００１８】
　ここで，「アンドープ」とは，不純物が意図的に導入されていないことを意味するものとする。また，アンドープＧａＮ層１０３は，チャネル層であり，本発明の第１の窒化物半導体層の一例である。また，アンドープＡｌＧａＮ層１０４は，バリア層であり，本発明の第２の窒化物半導体層の一例であって，第１の窒化物半導体層と比べてバンドギャップエネルギーが大きい。また，ｐ型ＧａＮ層１０５は，ゲートを構成するゲート層であり，本発明の第３の窒化物半導体層の一例であって，ソース電極１０７とドレイン電極１０８との間に配置される。
【００１９】
　アンドープＧａＮ層１０３およびアンドープＡｌＧａＮ層１０４は，チャネル（キャリア）を含む（チャネルを形成する）活性領域１１３と，チャネル（キャリア）を含まない（チャネルを形成しない）不活性領域１１２とを有する。ｐ型ＧａＮ層１０５は，ソース電極１０７を囲むように配置されている。
【００２０】
　ここで，不活性領域１１２は，非導電型不純物のイオン注入などにより高抵抗化されたアンドープＧａＮ層１０３およびアンドープＡｌＧａＮ層１０４の一領域であり，活性領域１１３はそれ以外の高抵抗化されていない他の領域である。」
「【００２４】
　図１（ａ）に示すように，本実施形態の半導体装置では，ソース電極１０７，ゲート電極１０６およびドレイン電極１０８と順に配置されたレイアウトの繰り返し構造となる櫛型構造が採用されている。櫛形構造の外側（活性領域１１３の外側）には，例えばＢ（ホウ素）やＦｅ（鉄）などのイオン注入によって形成された不活性領域１１２が設けられ，ソース配線１０９，ドレイン配線１１０及びゲート電極１０６が不活性領域１１２上まで伸びている。ゲート電極１０６はその下のｐ型ＧａＮ層１０５とともにキャリアの存在する活性領域１１３を横切って，言い換えると不活性領域１１２と活性領域１１３との界面を横切ってキャリアの存在しない不活性領域１１２まで伸ばされている。不活性領域１１２は，活性領域１１３の境界の定義，他の素子との分離，ならびに電極パッドおよび配線等の形成領域の寄生容量低減のために必要な領域である。図１（ｂ）および図１（ｃ）に示すように，不活性領域１１２内のｐ型ＧａＮ層１０５は，イオン注入法によりチャネルとともに高抵抗化されているか，もしくはエッチングによりキャリアが存在しない状態となっている。」
（７）甲７
　甲７には，下記の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，一般的に（ＩｎＸＡｌ１−Ｘ）ＹＧａ１−ＹＮ（０≦Ｘ≦１，０≦Ｙ≦１）で表される窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体装置およびその製造方法に関するものである。」
「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は以上述べたＧａＮ系半導体の熱酸化膜を用いたＭＯＳ構造のＦＥＴに関わる問題点に鑑みなされたものであり，その第一の目的は同等以下の厚さの絶縁膜を用いてゲートリーク電流の低減を図ることのできるＧａＮ系半導体の絶縁ゲートＦＥＴおよびその製造方法を提供することである。」
「【００１２】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）本発明の実施の形態１に係る半導体装置およびその製造方法を図２に基づいて説明する。ＦＥＴの作製に当たってサファイアあるいはＳｉＣの基板２０１の上に例えば２〜３μｍの厚さＧａＮバッファー層２０２，厚さが１０〜１００ｎｍのチャンネル層２０３，厚さが１０〜５０ｎｍのＡｌＧａＮ層２０４が順次エピタキシャル成長された試料を用いた。チャンネル層２０３はアンドープのＧａＮ層がしばしば用いられるが，アンドープのＩｎＧａＮ層あるいはアンドープのＩｎＧａＮとアンドープのＧａＮ層の多層構造であってもよい。またｎ型不純物がおよそ１×１０１７／ｃｍ３〜１×１０１８／ｃｍ３の範囲で添加されたＧａＮ層あるいはＩｎＧａＮ層あるいはＧａＮ層とＩｎＧａＮ層からなる多層構造であってもよい。ＡｌＧａＮ層２０４はＡｌＮの組成が１０％〜４０％のものでこの層の一部にｎ型不純物が添加されている場合でもよい。実際にはＡｌＮの組成としてはおよそ２５％とし，基板側から３ｎｍの厚さのアンドープのＡｌＧａＮ層，Ｓｉがおよそ２×１０１８／ｃｍ３添加された１５ｎｍの厚さのｎ型ＡｌＧａＮ層，２ｎｍの厚さのアンドープＡｌＧａＮ層が順に形成された三層構造のものを用いた。素子分離領域２０５は素子の活性領域以外の部分を選択的に表面からチャンネル層を含む深さにまで熱酸化して形成した（図２（ａ））。この素子分離領域２０５は選択酸化で形成してもよいし，オーミック電極形成の前に選択的にこの領域にイオン注入を行って形成してもよい。またドライエッチングでこの領域を除去してメサ分離の素子構造としてもよく，ここで取り上げた選択酸化による素子分離の方法は単に一例であって本発明に本質的に必要なものではない。」
　上記の記載から，甲７には，次の事項が記載されていると認められる。
「サファイア基板の上に，ＧａＮバッファー層，ＧａＮ層からなるチャンネル層，ＡｌＧａＮ層が形成され，素子分離領域は素子の活性領域以外の部分を選択的に表面からチャンネル層を含む深さにまでを熱酸化かイオン注入で形成した窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体装置。」
（８）甲８
　甲８には，下記の事項が記載されている。
「【００３８】
　（第２の実施形態）
　以下に，本発明の第２の実施形態について図面を参照して説明する。図３（ａ）及び（ｂ）は第２の実施形態に係る半導体装置であり，（ａ）は等価回路を示し，（ｂ）は断面構成を示している。図３において図１と同一の構成要素には同一の符号を附すことにより説明を省略する。
【００３９】
　図３に示すように本実施形態の半導体装置は，ＨＦＥＴ１と，ＨＦＥＴ１のゲートとソースとの間に接続された，アノードを共有する２個のダイオードからなるダイオードペア４とにより構成されている。」
「【００４５】
　図４は本実施形態の半導体装置のレイアウトの一例を示している。基板１１の上には，素子分離領域２０により互いに分離された第１の素子形成領域５１と第２の素子形成領域５２とが形成されている。第１の素子形成領域５１にはＨＦＥＴ１が形成され，第２の素子形成領域５２には第１のｐｎ接合ダイオード２と第２のｐｎ接合ダイオード３とからなるダイオードペア４が形成されている。また，ＨＦＥＴ１のドレイン電極１５と電源ラインとを接続する配線３６，ゲート電極１６と第１のｐｎ接合ダイオード２のカソードであるオーミック電極１８とを接続する配線３０及びソース電極１４と第２のｐｎ接合ダイオード３のカソードであるオーミック電極１９とを接続する配線３２が形成されている。配線３０，配線３２及び配線３６は，実際には素子を覆う層間絶縁膜に埋め込まれた配線層と，配線層と各電極とを接続するプラグとによって形成されている。
【００４６】
　図５は第１のｐｎ接合ダイオード２を第２の素子形成領域５２に形成し，第２のｐｎ接合ダイオード３を第３の素子形成領域５３に形成した例を示している。ダイオードペアとして形成した場合と比べて，素子分離領域２０及び第３の半導体層１７が専有する面積が増加している。また，第１のｐｎ接合ダイオード２のアノードと第２のｐｎ接合ダイオード３のアノードとを接続するために，アノード接続配線３７を形成する必要がある。また，アノード接続配線３７を第３の半導体層１７と接続するために，第３の半導体層１７の上に白金等からなるアノード電極３８を形成する必要もある。」
５　当審の判断
（１）特許法第２９条第２項について
ア　請求項１８について
（ア）本件特許発明１８と甲１Ａ発明との対比
　甲１Ａ発明の「サファイア基板501」は，本件特許発明１８の「基板」に相当する。
　甲１Ａ発明の「GaNチャネル層505」は，「サファイア基板501」の上に形成され電子が走行する層であり，本件特許発明１８の「前記基板上に形成され，窒化物半導体からなる電子走行層」に相当する。甲１Ａ発明の「AlGaN電子供給層506」は，GaNチャネル層505の上に形成された電子供給層であるから，本件特許発明１８の「前記電子走行層上に形成され，前記電子走行層とは組成の異なる窒化物半導体からなる電子供給層」に相当する。
　甲１Ａ発明の「組成傾斜層」及び「Al0.05Ga0.95N下地層504」は，サファイア基板501より上でGaNチャネル層505より下に形成されており，「組成傾斜層」は「Al0.05Ga0.95N下地層504の下面からAlN下地層の上面に向かってAl組成が0.05から1に増加するように形成」された層である。そうすると，「組成傾斜層」及び「Al0.05Ga0.95N下地層504」は，AlGaNにより組成された層であり，GaNチャネル層505に近いほどAl組成比が低くなっていることから，バッファ層としての機能を有していると認められるので，本件特許発明１８の「前記基板と前記電子走行層との間に介在され，アルミニウム組成が相対的に高い高アルミニウム組成領域と，前記高アルミニウム組成領域よりもアルミニウム組成が低く，かつ前記高アルミニウム組成領域よりも前記電子走行層に近い領域に配置された低アルミニウム組成領域とを有するＡｌＧａＮ層バッファ層」に相当する。
　甲１Ａ発明の「素子分離層510」は，「AlGaN電子供給層506」と「GaNチャネル層505」を積層して形成された素子同士を分離するものであり，かつ，「電子供給層506の表面からAl0.05Ga0.95N下地層504の深さ」まで形成されているので，「AlGaN電子供給層506」と「GaNチャネル層505」を貫通しているといえる。また，選択酸化により形成された「素子分離層510」は，高抵抗化されていることは明らかである。そして，上記したように甲１Ａ発明の「組成傾斜層」及び「Al0.05Ga0.95N下地層504」が本件特許発明１８の「ＡｌＧａＮ層バッファ層」に相当する事項も踏まえると，本件特許発明１８の「素子分離層」と甲１Ａ発明の「素子分離層510」とは，「高抵抗化した高抵抗層からなり，前記電子供給層および前記電子走行層を貫通して前記ＡｌＧａＮバッファ層に達する素子分離層」である点で共通している。
　トランジスタは半導体装置の下位概念の１つであるから，甲１Ａ発明の「窒化物半導体トランジスタ」は「窒化物半導体装置」ということができる。
　上記の対応関係から，本件特許発明１８は，下記（イ）の点で甲１Ａ発明と一致し，下記（ウ）の点で相違する。
（イ）一致点
「基板と，
　前記基板上に形成され，窒化物半導体からなる電子走行層と，
　前記電子走行層上に形成され，前記電子走行層とは組成の異なる窒化物半導体からなる電子供給層と，
　前記基板と前記電子走行層との間に介在され，アルミニウム組成が相対的に高い高アルミニウム組成領域と，前記高アルミニウム組成領域よりもアルミニウム組成が低く，かつ前記高アルミニウム組成領域よりも前記電子走行層に近い領域に配置された低アルミニウム組成領域とを有するＡｌＧａＮ層バッファ層と，
　高抵抗化した高抵抗層からなり，前記電子供給層および前記電子走行層を貫通して前記ＡｌＧａＮバッファ層に達する素子分離層と，を含む，窒化物半導体装置。」
（ウ）相違点
　本件特許発明１８の「素子分離層」は，「前記電子走行層の厚さ方向に対して傾斜した方向からのイオン注入によって結晶欠陥を引き起こして高抵抗化した高抵抗層」であるのに対し，甲１Ａ発明の「素子分離層510」は，「選択酸化により」形成された層である点で相違する。
（エ）本件特許発明１８の進歩性について
　甲２，甲３，及び甲８には，窒化物半導体においてイオン注入により「素子分離層」を形成することは記載されていない。
　甲４ないし甲７には，窒化物半導体においてイオン注入により「素子分離層」または「不活性領域」を形成することは記載されているものの，イオン注入による素子分離層の形成方法が他の素子分離層の形成方法（特に選択酸化による方法）に対する利点等は何等記載されておらず，また，甲４ないし甲７に記載された窒化物半導体は，甲１Ａ発明の「組成傾斜層」に対応する層を備えていないことから，そのような「組成傾斜層」を備えた窒化物半導体において，選択酸化により形成された素子分離層に比較してイオン注入による形成された素子分離層が，何らかの優れた効果を有することは不明である。
　そうすると，甲１Ａ発明の素子分離領域を形成するに際して，選択酸化により形成する方法に代えてイオン注入による形成とする動機付けがないことから，甲１Ａ発明に相違点に係る構成を採用することは，当業者が容易に想到し得たものではない。
　特許異議申立人は，相違点の構成について，「従来周知の素子分離層の形成方法に他ならない。」ことを理由に，甲１Ａ発明の素子分離層510を選択酸化に代えてイオン注入によって形成することに困難性はないと主張している。しかしながら，優先権主張の時に，イオン注入による方法で形成された素子分離層が選択酸化法で形成された素子分離層よりも，何らかの優れた効果が明らかであったとはいえず，逆に効果が劣る場合もあり得ることを踏まえると，従来周知の方法であるからといって選択酸化をイオン注入に代えることにが容易であったとはいえないから，かかる主張は理由がない。
イ　請求項１９ないし３７について
　本件特許発明１９ないし３７は，本件特許発明１８を更に減縮したものであるから，上記アの本件特許発明１８についての判断と同様の理由により，甲１Ａ発明及び上記甲２ないし甲８に記載された技術的事項から当業者が容易になし得たものではない。
ウ　請求項３８について
（ア）本件特許発明３８と甲１Ｂ発明との対比
　甲１Ｂ発明では，「サファイア基板501の面上に，AlN下地層，組成傾斜層，Al0.05Ga0.95N下地層504，GaNチャネル層505，AlGaN電子供給層506をこの順に有機金属気相成長法により形成」されており，これらの層はエピタキシャル構造になっているので，「AlN下地層，組成傾斜層，Al0.05Ga0.95N下地層504，GaNチャネル層505，AlGaN電子供給層506」はそれぞれ，エピタキシャル成長されたものといえる。
　そして，上記アの対応関係を考慮すると，本件特許発明３８は，下記（イ）の点で甲１Ｂ発明と一致し，下記（ウ）の点で相違する。
（イ）一致点
「基板上に，アルミニウム組成が基板に近い領域において相対的に高く，基板から遠い領域において相対的に低くなるようにＡｌＧａＮ結晶をエピタキシャル成長させてＡｌＧａＮバッファ層を形成する工程と，
　前記ＡｌＧａＮバッファ層上に，窒化物半導体をエピタキシャル成長させて電子走行層を形成する工程と，
　前記電子走行層上に，前記電子走行層とは異なる組成の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させて電子供給層を形成する工程と，
　前記電子供給層および前記電子走行層を貫通して前記ＡｌＧａＮバッファ層に到達する高抵抗の素子分離層を形成する工程と，
を含む，窒化物半導体装置の製造方法。」
（ウ）相違点
　本件特許発明３８の「素子分離層を形成する工程」は，「前記電子供給層，前記電子走行層および前記ＡｌＧａＮバッファ層に前記基板の主面に対して傾斜した方向からイオン注入して結晶構造を破壊する」ものであるのに対し，甲１Ｂ発明の「素子分離層510の形成」は，「選択酸化により」形成するものである点で相違する。
（エ）本件特許発明３８の進歩性について
　上記ア（エ）と同様の理由により，甲１Ｂ発明の素子分離領域を形成するに際して，選択酸化により形成する方法に代えてイオン注入により形成する動機付けがないことから，甲１Ｂ発明に相違点に係る工程を採用することは，当業者が容易に想到し得たものではない。
エ　請求項３９ないし４７について
　本件特許発明３９ないし４７は，本件特許発明３８を更に減縮したものであるから，上記ウの本件特許発明３８についての判断と同様の理由により，甲１Ｂ発明及び上記甲２ないし甲８に記載された技術的事項から当業者が容易になし得たものではない。
オ　以上のとおり，請求項１８〜４７に係る発明は，甲１Ａ発明及び上記甲２ないし甲８に記載された技術的事項，または，甲１Ｂ発明及び上記甲２ないし甲８に記載された技術的事項から，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（２）特許法第３６条第６項第２号について
ア　特許を受けようとする発明が明確であるか否かは，特許請求の範囲の記載だけではなく，明細書の記載及び図面を考慮し，また，当業者の出願当時における技術的常識を基礎として，特許請求の範囲の記載が，第三者に不測の不利益を及ぼすほどに不明確であるか否かという観点から判断されるべきである。
　本件特許発明１８につき，特許請求の範囲の請求項１８に記載されている発明は，上記２のとおり「前記電子走行層の厚さ方向に対して傾斜した方向からのイオン注入によって結晶欠陥を引き起こして高抵抗化した高抵抗層からなり，前記電子供給層および前記電子走行層を貫通して前記ＡｌＧａＮバッファ層に達する素子分離層」との発明特定事項を有するところ，前記発明特定事項を含む本件特許発明１８の特許請求の範囲の記載は，その記載それ自体に加え，本件特許明細書の記載及び図面を考慮するとともに，当業者の出願当時における技術的常識を基礎とすると，第三者に不測の不利益を及ぼすほどに不明確とはいえない。
　すなわち，本件特許発明１８の特許請求の範囲の記載は明確である。
イ　異議申立人は，本件特許の請求項１８の「前記電子走行層の厚さ方向に対して傾斜した方向からのイオン注入によって結晶欠陥を引き起こして高抵抗化した高抵抗層からなり，」との記載が，製造方法に関する記載を含んでいるところ，本件特許発明１８に関して，出願時において当該物をその構造又は特性により直接特定することが不可能であるか，又はおよそ実際的でないという事情は存在しないから，本件特許発明１８，及び，請求項１８を引用する本件特許発明１９ないし３７は明確でない旨主張する。
　確かに，物の発明についての特許に係る特許請求の範囲にその物の製造方法が記載されている場合において，当該特許請求の範囲の記載が特許法３６条６項２号にいう「発明が明確であること」という要件に適合するといえるのは，出願時において当該物をその構造又は特性により直接特定することが不可能であるか，又はおよそ実際的でないという事情が存在するときに限られる（最高裁平成２４年（受）第１２０４号同２７年６月５日第二小法廷判決・民集６９巻４号７００頁参照）。
　ただし，前記最高裁判決が，物の発明についての特許に係る特許請求の範囲にその物の製造方法が記載されている場合において，当該特許請求の範囲の記載が明確性要件に適合するといえるのは，出願時において当該物をその構造又は特性により直接特定することが不可能であるか，又はおよそ実際的でないという事情が存在するときに限られると判示した趣旨は，特許請求の範囲にその物の製造方法が記載されている場合の技術的範囲は，当該製造方法により製造された物と構造，特性等が同一である物として確定されるが，そのような特許請求の範囲の記載は，一般的には，当該製造方法が当該物のどのような構造又は特性を表しているのかが不明であり，権利範囲についての予測可能性を奪う結果となることから，これを無制約に許すのではなく，前記事情が存するときに限って認めるとした点にあると解される。
　そうすると，特許請求の範囲に物の製造方法が記載されている場合であっても，上記一般的な場合と異なり，当該製造方法が当該物のどのような構造又は特性を表しているのかが，特許請求の範囲，明細書，図面の記載や技術常識から一義的に明らかな場合には，第三者の利益が不当に害されることはないから，明確性要件違反には当たらない。
ウ　そこで，本件の特許請求の範囲と明細書の記載を検討する。
　本件の特許請求の範囲の請求項１８の記載は，上記２のとおりであり，本件特許発明１８は，
　（ア）　結晶欠陥を引き起こして高抵抗化した高抵抗層からなり，
　（イ）　前記電子供給層および前記電子走行層を貫通して前記ＡｌＧａＮ
　　　　バッファ層に達する素子分離層
を含む窒化物半導体装置の発明であることが記載されている。
　また，本件特許明細書には，素子分離に関して下記の記載がある。
「【００１０】
　この発明は，第２の局面において，・・・中略・・・イオン注入によって結晶欠陥を引き起こして高抵抗化した領域からなり，前記電子供給層および前記電子走行層を貫通して前記ＡｌＧａＮバッファ層に達する素子分離層と，を含む，窒化物半導体装置を提供する。この窒化物半導体装置は，リーク電流を効果的に低減することができる。」
「【００９０】
　一方，基板と電子走行層との間にはＡｌＧａＮバッファ層が形成されており，さらに，電子供給層および電子走行層を貫通する素子分離層がＡｌＧａＮバッファ層に達している。素子分離層は，イオン注入によって窒化物半導体に結晶欠陥を引き起こすことによって高抵抗化した領域からなる。この素子分離層によって，基板の主面方向に沿う方向に関する素子分離を行うことができる。」
「【０１７４】
　図１７は，素子分離層１３の形成のための多段イオン注入の詳細を説明するための図である。具体的には，窒化物半導体結晶に対して，その主面（たとえばｃ面）の法線方向（たとえばｃ軸方向）に対して，５〜１０度傾斜した方向からイオン注入した場合において，注入されたイオンの衝撃によって生じる結晶欠陥の深さ依存性を示す。
【０１７５】
　ヘリウムイオンを次の表１の条件で第１〜第５段階の５段階で窒化物半導体結晶にイオン注入することにより，各段階のイオン注入により，加速エネルギーに応じて異なる深さにヘリウムイオンが到達する。それによって，窒化物半導体結晶中に形成される結晶欠陥の深さ方向の分布は，表面から異なる深さにピークを有するプロファイルを示す。第１〜第５段階のイオン注入によって生じる結晶欠陥分布のプロファイルを合成した合成プロファイルは，１．１μｍ程度の深さまで一定値以上の結晶欠陥密度を有している。したがって，この深さまで高抵抗化できることが分かる。」
「【０１７７】
　また，傾斜した方向からのイオン注入によって，窒化物半導体結晶を構成する原子にイオンが衝突しやすくなるので，イオン注入の深さを正確に制御できる。これにより，確実に，高抵抗の素子分離層１３が形成されるので，リーク電流を低減した窒化物半導体装置を提供できる。とくに，傾斜角を５〜１０度とすることにより，イオン注入の深さを正確に制御して，高抵抗な素子分離層１３を実現できる。」
　図１７は，傾斜した方向からの多段イオン注入によって形成された素子分離層の詳細を説明する図であって，同図から１．１μｍ程度の深さまで絶縁化したときの，結晶表面からの深さと，９×１０２０ｃｍ−３前後の結晶欠陥密度を有する結合プロファイルとの関係を見て取ることができる。
　そうすると，これらの記載から，「前記電子走行層の厚さ方向に対して傾斜した方向からのイオン注入によって結晶欠陥を引き起こして高抵抗化した高抵抗層からなり」は，「前記電子供給層および前記電子走行層を貫通して前記ＡｌＧａＮバッファ層に達する素子分離層」の，リーク電流を効果的に低減することができる程度の「高抵抗」という電気的「特性」，さらには，当該「高抵抗」を実現するための，例えば，９×１０２０ｃｍ−３前後の密度の「結晶欠陥」を有するという微細「構造」をも表していると理解することができる。
　すなわち，請求項１８に「前記電子走行層の厚さ方向に対して傾斜した方向からのイオン注入」という製造方法が記載されているとしても，本件特許発明１８に係る窒化物半導体装置のどのような構造又は特性を表しているかは，本件特許請求の範囲及び本件特許明細書の記載から一義的に明らかであり，第三者の利益が不当に害されることはない。
　よって，請求項１８の上記記載が特許法第３６条第６項第２号の規定を満たしていないということはできない。
　また，請求項１８を引用する請求項１９〜３７についても，上記と同様の理由により，特許法第３６条第６項第２号の規定を満たしていないということはできない。
６　むすび
　したがって，特許異議の申立ての理由及び証拠によっては，請求項１８ないし４７に係る特許を取り消すことはできない。　
　また，他に請求項１８ないし４７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成３０年９月１４日（２０１８．９．１４）