【事件の表示】
　特願２００６−　１０２４９「平板表示装置の電極形成方法、有機電界発光表示装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　８月１７日出願公開、特開２００６−２１６５３９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
特許出願　　　　：平成１８年　１月１８日
（優先権　平成１７年　２月　７日　大韓民国）
拒絶理由　　　　：平成２１年　４月３０日（起案日）
意見及び手続補正：平成２１年　８月　７日
拒絶査定　　　　：平成２１年　９月　７日（起案日）
審判請求　　　　：平成２２年　１月１５日
　
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし１２に係る発明は，平成２１年８月７日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載されたとおりのものであるところ，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，下記のものである。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　基板上に電極物質を形成する工程と，
　前記電極物質をパターニングして電極パターンを形成する工程と，
　基板上に蒸着厚さを有する絶縁膜を形成する工程と，
　前記絶縁膜をエッチングして前記電極パターンの一部分を露出させる工程と，
　前記絶縁膜が蒸着厚さから一定厚さほどエッチングされる条件で表面処理工程を行って前記電極パターンの表面特性を改善する工程と，を含み，
　前記表面処理工程は，絶縁膜が蒸着厚さから１００ないし１０００Åの範囲でエッチングされる条件で行われることを特徴とする平板表示装置の電極形成方法。
　
第３　引用発明
　本願の優先日よりも前に頒布された刊行物である国際公開第２００４／０６２３２３号（拒絶理由通知の引用文献１，以下「引用例」という。）には，各図とともに以下の事項が記載されている。なお，引用発明の認定に直接利用した箇所に下線を付した。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
記載事項ア　
「技術分野
　本発明は，エレクトロルミネッセンス（以下，ＥＬと略す）素子を基板上に作り込んで形成された表示装置に関する。特に有機ＥＬ素子の製造方法に関する。」（１ページ５ないし８行（引用箇所の表示は，各葉上部中央に記されたページ番号及び各葉左側に記された行番号を用いる。以下同じ。））
　
記載事項イ　
「　従来技術として，基板の前処理としてアルゴン雰囲気下で高周波電圧を印加し，プラズマ処理をしたところ，基板上の有機物を除去して発光ムラがなくなるだけでなく，シュリンクの発生を抑える効果があることが報告されている（特許文献１）。しかし，アルゴン雰囲気下で高周波電圧を印加し，プラズマ処理を行うと，ＩＴＯの仕事関数が低下するという報告もされている（非特許文献２（当審注：「非特許文献２」は「非特許文献１」の誤記である。））。また，酸素雰囲気下でプラズマ処理を行うと，陽極の端部に設けられたアクリルなど有機物の絶縁膜は削られてしまう。絶縁膜が過剰に削られると陰極と陽極が接しショートする。
（特許文献１）
特開平７−１４２１６８号広報
（非特許文献１）
ＫｉｙｏＳｈｉ　Ｓｕｇｉｙａｍａ，　Ｈｉｓａｏ　Ｉｓｈｉｉａｎｄ　Ｙｕｋｉｏ　Ｏｕｃｈｉ　：Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．８７．１．２９５−２９８　（２０００）
　そこで，本発明は，有機ＥＬ素子における上記のシュリンク等の不良モードの発生を抑える目的でプラズマ処理を行うためにその問題点を解決し，前処理に必要とされる時間を短縮することが目的として考え出された。」（４ページ１１行ないし５ページ７行）
　
記載事項ウ　
「（課題を解決するための手段）
　本発明者らは，
有機化合物を含む層を形成する前に，アルゴン及び酸素を含む雰囲気中で高周波電圧を印加してプラズマを発生させ，発生したプラズマを第１の電極及び絶縁膜に衝突させて水やごみ等をたたき出して洗浄をすることによって，基板の前処理にかかる時間を短時間にすることができ，またシュリンクや発光ムラを抑えることができ，且つ，絶縁膜が過剰に削れないということを見出した
　本発明は，
薄膜トランジスタと，発光素子とを有し，前記発光素子は前記薄膜トランジスタのソース領域またはドレイン領域と電気的に接続された第１の電極と，前記第１の電極上に形成された有機化合物を含む層と，前記有機化合物を含む層上に形成された第２の電極とを有する表示装置の作製方法において，前記ソース領域またはドレイン領域と電気的に接続された前記第１の電極を形成し，前記第１の電極の端部を覆うように前記絶縁膜を形成し，前記第１の電極と前記絶縁膜に対し，アルゴン及び酸素を含む雰囲気中でプラズマ処理を行った後，前記第１の電極及び前記絶縁膜上に有機化合物を含む層を形成し，有機化合物を含む層上に第２の電極を形成することによって前記発光素子形成することを特徴とする表示装置の作製方法である
　
記載事項エ　
「発明を実施するための最良の形態
　本発明の実施の形態について，図１を用いて，以下に説明する。
（実施の形態）
　図１（Ａ）はアクティブマトリクス型表示装置の上面図であり，図１（Ｂ）は鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図である。
　図１（Ａ）において，１はソース信号線駆動回路，２は画素部，３はゲート信号線駆動回路である。また，４は封止基板，５はシール剤であり，シール剤５で囲まれた内側は，乾燥剤（図示しない）により乾燥された不活性気体が充填された空間になっている。７は，各発光素子に共通する上部電極と基板上の配線とを接続する接続領域である。」（８ページ１ないし１１行）
　
記載事項オ　
「　図１（Ｂ）では電流制御用ＴＦＴ５０と，スイッチング用ＴＦＴ４０と，容量４１の断面図を示した。図１（Ｂ）では，スイッチング用ＴＦＴ４０として，ゲート絶縁膜１５を間に挟んでゲート電極６４と重なる複数のチャネル形成領域６０ａを有するｎチャネル型ＴＦＴを用いた一例を示している。なお，４７，４８はソース配線またはドレイン配線，６０ｂはソース領域またはドレイン領域，６０ｃはゲート電極６４と重ならない低濃度不純物領域である。容量４１は，層間絶縁膜２２，２０を誘電体とし，電極４６と電極６３とで保持容量を形成し，さらにゲート絶縁膜１５を誘電体とし，電極６３と半導体膜４２とでも保持容量を形成している。
　また，画素部２には，スイッチング用ＴＦＴ４０と，第１の電極（陽極）２８と接続している電流制御用ＴＦＴ５０とそのドレイン領域またはソース領域（高濃度不純物領域）６２ｂに電気的に接続された下部電極となる第１の電極（陽極）２８と容量４１を含む複数の画素により形成される。一つの画素には複数のＴＦＴが形成される。電流制御用ＴＦＴ５０は，ゲート電極の上層６６ｂ及びゲート電極の下層６６ａとゲート絶縁膜１５を挟んで重なるチャネル形成領域６２ａと，ゲート電極の下層６６ａとゲート絶縁膜１５を挟んで重なる低濃度不純物領域６２ｄと，ゲート電極の下層６６ａと重ならない低濃度不純物領域６２ｃとを有している。なお，２３，２４はソース電極またはドレイン電極であって，２４は第１の電極（陽極）２８と高濃度不純物領域６２ｂとを接続する接続電極である。」（９ページ１２行ないし１０ページ１２行）
　
記載事項カ　
「　また，第１の電極（陽極）２８の両端には絶縁膜（バンク，隔壁，障壁，土手などとも呼ばれる）３０が形成され，第１の電極（陽極）２８上には有機化合物を含む層（ＥＬ層とも呼ぶ）３１が形成される。第１の電極（陽極）２８としては，透明導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金），酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ），酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）を用いればよい。
　有機化合物を含む層３１は，極めて薄いため，第１の電極（陽極）２８の表面は平坦であることが好ましく，例えば，第１の電極（陽極）２８のパターニング前，またはパターニング後に化学的及び機械的に研磨する処理（代表的にはＣＭＰ技術）等により平坦化を行えばよい。ＣＭＰを行う場合には，電極２４または絶縁膜３０の膜厚を薄くする，或いは電極２４の端部をテーパー形状として行えば，さらに第１の電極（陽極）２８の平坦性を向上させることができる。また，第１の電極（陽極）２８の平坦性を向上させるために層間絶縁膜２１として有機樹脂膜を用いた場合，層間絶縁膜２２として無機絶縁膜を設けることによってクラックの発生を防止して作製直後の非発光領域の発生や点欠陥の発生を抑えることが好ましい。
　また，絶縁膜３０としては，感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド，アクリル，ポリアミド，ポリイミドアミド，レジストまたはベンゾシクロブテン），ＣＶＤ法やスパッタ法や塗布法による無機材料（酸化シリコン，窒化シリコン，酸化窒化シリコンなど），またはこれらの積層などを用いることができる。また，絶縁膜３０として感光性の有機材料を用いる場合，感光性の有機材料は大きく分けて２種類，感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型，或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型があるが，どちらも適宜使用することができる。また，有機材料からなる絶縁膜３０とした場合，絶縁膜３０を無機絶縁膜（スパッタ法の窒化珪素膜など）で覆ってもよい。
　また，第１の電極（陽極）２８の表面における清浄度を向上させるため，絶縁膜３０の形成前，または形成後に異物（ゴミなど）をクリーニングするための洗浄（ブラシ洗浄やスポンジ洗浄）を行い，ダークスポットや点欠陥の発生を低減させる。スポンジ洗浄などの湿式洗浄を行った後は，大気圧で１００〜２５０℃のオーブンで３０分〜２時間加熱し，基板の水分を除去する。冷却後，ＵＶ／オゾン処理を行う。
　次いで，基板を成膜装置内に移し，アルゴン及び酸素を含む雰囲気中で高周波電圧を印加することにより，プラズマを発生させ，発生したプラズマを第１の電極（陽極）２８及び絶縁膜３０等に対して衝突させる。このアルゴン及び酸素を含む雰囲気中で行うプラズマ処理により，第１の電極（陽極）２８と絶縁膜３０等の中にある水やごみ等をたたき出し，シュリンク，発光ムラの発生を抑えることが出来るという効果がある。さらに，前処理工程を従来よりも短時間で行うことができる。また，ＴＦＴ及び絶縁膜中に取り込まれた水分を完全に除去するために，アルゴン及び酸素を含む雰囲気中で行うプラズマ処理の前に，真空加熱を行っても良い。その場合，洗浄後にオーブンで加熱した直後，５×１０-3Ｔｏｒｒ（０．６６５Ｐａ）以下，好ましくは１０-4Ｐａ以下まで真空排気して，１００℃〜２５０℃，好ましくは１５０℃〜２００℃，例えば２０分以上の加熱を行った後，２０分の自然冷却を行って吸着水分を除去する。なお，中には２５０℃の熱処理に耐えない材料もあるため，真空加熱の条件は，層間絶縁膜材料や配線材料によって適宜設定することが必要である。
　次いで，５×１０-3Ｔｏｒｒ（０．６６５Ｐａ）以下，好ましくは１０-4Ｐａ以下まで真空排気した蒸着室で蒸着を行い，有機化合物を含む層（ＥＬ層）３１を形成し，有機化合物を含む層３１上に第２の電極（陰極）３２を蒸着法（抵抗加熱法）またはスパッタ法により形成する。これにより，第１の電極（陽極）２８，有機化合物を含む層（ＥＬ層）３１，及び第２の電極（陰極）３２を有する発光素子が形成される。
　有機化合物を含む層（ＥＬ層）３１としては，高分子材料，低分子材料，無機材料，またはこれらを混合させた層，またはこれらを分散させた層，またはこれらの層を適宜組み合わせた積層とすればよい。なお，有機化合物を含む層（ＥＬ層）３１の形成後に，真空加熱を行って脱気を行うことが好ましい。」（１２ページ１７行ないし１５ページ１４行）
　
記載事項キ　
「（実施例）
　ここではＴＦＴと接続する第１の電極は陽極であり，第１の電極（陽極）がマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス基板上に有機化合物を含む層，および第２の電極（陰極）を形成する例を以下に示す（図２）。
　まず，
絶縁表面を有する基板１００上にＴＦＴを形成する
第１の電極１１０としては，仕事関数の大きい金属（Ｐｔ，Ｃｒ，Ｗ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｉｎ），本実施例ではスパッタ法で成膜されたＩＴＯからなる導電膜を用いる
　なお，ＴＦＴの層間絶縁膜の最上層，即ち，第１の電極（陽極）１１０と下面で接する絶縁層１０６ｃは無機絶縁膜（代表的にはＲＦスパッタ法ので成膜された窒化珪素膜）とする。カバレッジの良好な無機絶縁膜を設けることによって，上に形成する第１の電極（陽極）１１０のクラックをなくす。また，無機絶縁膜とすることで表面の吸着水分を低減することができるため，後に有機化合物を含む層の成膜を行ってもシュリンクの発生を抑えることができる。
　このＲＦスパッタ法で成膜されたの窒化珪素膜は，シリコンをターゲットとして用いた緻密な膜であり，ＬＡＬ５００を用いたエッチング速度が０．７７ｎｍ／ｍｉｎ〜８．６ｎｍ／ｍｉｎと遅く，膜中の水素濃度がＳＩＭＳ測定で１×１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である。なお，ＬＡＬ５００とは，橋本化成株式会社製「ＬＡＬ５００ＳＡバッファードフッ酸」であり，ＮＨ4ＨＦ（７．１３％）とＮＨ4Ｆ（１５．４％）を含む水溶液である。また，このＲＦスパッタ法の窒化珪素膜は，ＢＴストレス試験後におけるＣ−Ｖ特性のシフトは差がなく，アルカリ金属や不純物のブロッキングができる。
　また，層間絶縁膜１０６ｂとして有機樹脂膜を用いることで平坦性を向上させることができる。また，有機樹脂膜に代えて，ＰＣＶＤ法やスパッタ法による酸化珪素膜，酸化窒化珪素膜，窒化珪素膜を用いた場合には，発光素子作製直後の非発光領域の発生，および非発光領域の拡大が生じず，第１の電極（陽極）１１０のクラックもなくすことができる。
　次いで，第１の電極（陽極）１１０の端部を覆う絶縁膜１１１を形成する（図２（Ａ））。
絶縁膜１１１は，ＴＦＴのコンタクトホールや配線１０９を覆い，隣り合う画素間や配線との絶縁を保つために形成する
絶縁膜１１１としては，無機材料（酸化シリコン，窒化シリコン，酸化窒化シリコンなど），感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド，アクリル，ポリアミド，ポリイミドアミド，レジストまたはベンゾシクロブテン），またはこれらの積層などを用いることができ
光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型の感光性アクリルを用い，絶縁膜１１１の上端部に第１の曲率半径を有する曲面，および下端部に第２の曲率半径を有する曲面を持たせる。前記第１の曲率半径および前記第２の曲率半径は，０．２μｍ〜３μｍとすることが好ましい
　
記載事項ク　
「　ここで，絶縁膜の上端部または下端部に曲率半径を有する曲面を持たせることの効果について図３を用いて説明をする。図３において，２００は基板，２０１は下地絶縁膜，２０２はゲート絶縁膜，２０３は層間絶縁膜，２０４は窒化珪素膜，２０５は第１の電極（陽極），２０６は絶縁膜，２０７は有機化合物を含む層，２０８は第２の電極（陰極）である。そして，絶縁膜２０６は，上端部２０６ａ（図３（Ａ）中で丸で囲んだ領域）に曲面を有し，下端部２０６ｂ（図３中で丸で囲んだ領域）にも曲面を有しており，基板面と絶縁膜２０６の側面とのなす角（テーパー角）θｔ（θｔ＝３５゜〜７０°）を有しているため，なだらかであり，その上に形成される有機化合物を含む層２０７，第２の電極（陰極）２０８のカバレッジが良好なものとなる効果がある。」（２１ページ１７行ないし２２ページ６行）
　
　これら記載事項及び各図，並びに，記載事項ウの「課題を解決するための手段」に記載された表示装置の作成方法の具体的な実施態様が「発明を実施するための最良の形態」及び「実施例」として開示されている点を考慮して引用例に記載された発明を分説して記載すると，下記のとおりとなる（以下，この発明を「引用発明」といい，また，分説された構成を「構成要件Ａ」などという。）。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
Ａ　薄膜トランジスタと，発光素子とを有し，発光素子は薄膜トランジスタのソース領域またはドレイン領域と電気的に接続された第１の電極と，第１の電極上に形成された有機化合物を含む層と，有機化合物を含む層上に形成された第２の電極とを有する表示装置の作製方法において，
Ｂ　ソース領域またはドレイン領域と電気的に接続された第１の電極を形成し，
Ｃ　第１の電極の端部を覆うように絶縁膜を形成し，
Ｄ　第１の電極と絶縁膜に対し，アルゴン及び酸素を含む雰囲気中でプラズマ処理を行った後，
Ｅ　第１の電極及び絶縁膜上に有機化合物を含む層を形成し，
Ｆ　有機化合物を含む層上に第２の電極を形成することによって発光素子形成する表示装置の作製方法であって，
Ｇ　薄膜トランジスタは，絶縁表面を有する基板上に形成し，
Ｈ　第１の電極は，スパッタ法で成膜されたＩＴＯからなる導電膜を用い，
Ｉ　絶縁膜は，ＴＦＴのコンタクトホールや配線を覆い，隣り合う画素間や配線との絶縁を保つために形成するものであり，
Ｊ　絶縁膜１１１としては，無機材料（酸化シリコン，窒化シリコン，酸化窒化シリコンなど），感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド，アクリル，ポリアミド，ポリイミドアミド，レジストまたはベンゾシクロブテン），またはこれらの積層などを用いることができ，
Ｋ　光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型の感光性アクリルを用い，絶縁膜の上端部に第１の曲率半径を有する曲面，および下端部に第２の曲率半径を有する曲面を持たせ，前記第１の曲率半径および前記第２の曲率半径は，０．２μｍ〜３μｍとすることが好ましく，
Ｌ　有機化合物を含む層を形成する前に，アルゴン及び酸素を含む雰囲気中で高周波電圧を印加してプラズマを発生させ，発生したプラズマを第１の電極及び絶縁膜に衝突させて水やごみ等をたたき出して洗浄をすることによって，基板の前処理にかかる時間を短時間にすることができ，またシュリンクや発光ムラを抑えることができ，且つ，絶縁膜が過剰に削れない，
Ｍ　表示装置の作成方法。
　
第４　対比及び判断
１　対比
　本願発明と引用発明を対比すると以下のとおりとなる。
(1)　電極物質を形成する工程
　構成要件Ａ，Ｂ，Ｇ及びＨからみて，引用発明の「第１の電極を形成し」という工程と本願発明の「電極物質を形成する工程」は「基板上に電極物質を形成する工程」の点で一致する。
　
(2)　電極パターンを形成する工程
　構成要件Ｃ，Ｈ及びＩ並びに技術常識からみて，引用発明が「前記電極物質をパターニングして電極パターンを形成する工程」を備えることは明らかである。
　
(3)　絶縁膜を形成する工程，電極パターンの一部分を露出させる構成
　構成要件Ｃ及びＩないしＫ並びに技術常識からみて，引用発明の「第１の電極の端部を覆うように絶縁膜を形成し」という工程は，基板上の第１の電極を覆うように絶縁膜を形成する工程，及び，絶縁膜をエッチングして第１の電極の画素となる部分を露出させる工程からなることは明らかである。
　したがって，引用発明の「第１の電極の端部を覆うように絶縁膜を形成し」という工程は，本願発明の「基板上に蒸着厚さを有する絶縁膜を形成する工程」及び「前記絶縁膜をエッチングして前記電極パターンの一部分を露出させる工程」に相当する。
　
(4)　電極パターンの表面特性を改善する工程
　構成要件Ｄ及びＬからみて，引用発明の「プラズマ処理」と本願発明の「電極パターンの表面特性を改善する工程」は，「前記絶縁膜が蒸着厚さから一定厚さほどエッチングされる条件で表面処理工程を行って前記電極パターンの表面特性を改善する工程」の点で一致する。
　
(5)　平板表示装置の電極形成方法
　引用発明の「表示装置の作成方法」における第１の電極の形成からプラズマ処理までの工程は，本願発明の「平板表示装置の電極形成方法」に相当する。
　
(6)　一致点及び相違点
　上記(1)ないし(5)を総合すると，本願発明と引用発明は，
「　基板上に電極物質を形成する工程と，
　前記電極物質をパターニングして電極パターンを形成する工程と，
　基板上に蒸着厚さを有する絶縁膜を形成する工程と，
　前記絶縁膜をエッチングして前記電極パターンの一部分を露出させる工程と，
　前記絶縁膜が蒸着厚さから一定厚さほどエッチングされる条件で表面処理工程を行って前記電極パターンの表面特性を改善する工程と，を含む，
平板表示装置の電極形成方法。」
の点で一致し，以下の点で相違する。
　
（相違点）
　本願発明の「前記表面処理工程は，絶縁膜が蒸着厚さから１００ないし１０００Åの範囲でエッチングされる条件で行われる」のに対して，引用発明のプラズマ処理は，これが明らかではない点。
　
２　判断
　引用発明のプラズマ処理はプラズマを第１の電極及び絶縁膜に衝突させて水やごみ等をたたきだして洗浄することを意図したものである（構成要件Ｌ）から，より多くのプラズマ処理を施した方が洗浄効果が得られると考えられる。他方，引用発明のプラズマ処理により絶縁膜が削れることは明らかである（構成要件Ｌ）。したがって，当業者は，引用発明のプラズマ処理を絶縁膜が過剰に削られない範囲内で十分に行うはずである。
　ところで，引用発明の絶縁膜は，少なくともその下端部に０．２μｍ〜３μｍの曲率半径を有する曲面を持たせるように構成されるものである（構成要件Ｋ）から，当業者はこの曲面形状が保たれる範囲内でプラズマ処理を行うはずである。そうしてみると，例えば，テーパー角を３５°，曲率半径を０．２μｍとした場合に絶縁膜が１０００Å削られると曲面のほとんどが削られると見積もられる点にかんがみれば，当業者においてプラズマ処理により絶縁膜の削られる厚さを数百Å程度以下とすることは，当然のことである。
　したがって，引用発明の表示装置の作成方法において，当業者がプラズマ処理の程度を絶縁膜が数百Å程度削られるものとし，相違点に係る構成を有するようにすることは当業者が容易に想到できることである。
　そして，１００ないし１０００Åという数値の上限及び加減に臨界的な意義が見いだし得ないことは，本願発明が，電極物質及び絶縁膜の材質はおろかエッチング処理の方法や条件，さらにはプラズマ処理の条件について何ら規定しないものである点にかんがみれば，明らかであるから，当業者の予測を超えるような作用効果を認めることができない。
　
３　小括
　以上のとおり，本願発明は，引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
第５　結論
　したがって，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。