【事件の表示】
　特願２００４−３２１１７０「基板処理方法及びそれに用いる薬液」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月１６日出願公開、特開２００５−１５９３４２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１６年１１月４日（優先権主張　平成１５年１１月５日）の出願であって、平成２０年１１月６日付けで通知した拒絶の理由に対して、同年１２月２５日付けで手続補正書が提出され、これに対して、平成２１年２月６日付けで拒絶査定がなされたが、同年３月１２日付けで審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、その後、当審において、前置報告を用いた審尋を行ったが、回答はなかった。
　
　
第２　平成２１年３月１２日付けの手続補正の却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２１年３月１２日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．補正後の本願発明
　本件補正は、特許請求の範囲について、下記のとおり、請求項１〜３を削除するとともに、請求項４（請求項１〜３を引用）を、新たな請求項１〜３に展開し、さらに、新たな請求項１について、補正前は「有機膜パターン加工処理の以前に、露光処理、現像処理、ウェットエッチング処理及びドライエッチング処理の少なくともいずれかが行われた有機膜パターン」（請求項４）であったものを、露光処理と現像処理を除いて、「有機膜パターン加工処理の以前に、ウェットエッチング処理及びドライエッチング処理の少なくともいずれかが行われた」に限定するものである。
　
（補正前の請求項１〜４）
　「【請求項１】
　基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法において、
前記有機膜パターン加工処理では、
前記有機膜パターンを加熱する加熱処理と、
前記有機膜パターンに薬液を浸透させ、該有機膜パターンの表面を溶解して変形させる溶解変形処理と、
を行うことを特徴とする基板処理方法。
　【請求項２】
　前記加熱処理後であって前記溶解変形処理前に、前記有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を除去する除去処理を行い、
前記除去処理の少なくとも一部は、前記有機膜パターンに対する薬液処理により行うことを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
　【請求項３】
　前記加熱処理前に、前記有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を除去する除去処理を行い、
前記除去処理の少なくとも一部は、前記有機膜パターンに対する薬液処理により行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の基板処理方法。
　【請求項４】
　前記基板上に形成された有機膜パターンは、前記有機膜パターン加工処理の以前に、露光処理、現像処理、ウェットエッチング処理及びドライエッチング処理の少なくともいずれかが行われた有機膜パターンであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理方法。」
　
（補正後の請求項１〜３）　
　「【請求項１】
　基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法において、
前記有機膜パターン加工処理の以前に、ウェットエッチング処理及びドライエッチング処理の少なくともいずれかが行われた後、
前記有機膜パターンを加熱する加熱処理と、
前記有機膜パターンに薬液を浸透させ、該有機膜パターンの表面を溶解して変形させる溶解変形処理と、
を行うことを特徴とする基板処理方法。
　【請求項２】
　前記加熱処理後であって前記溶解変形処理前に、前記有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を除去する除去処理を行い、
前記除去処理の少なくとも一部は、前記有機膜パターンに対する薬液処理により行うことを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
　【請求項３】
　前記加熱処理前に、前記有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を除去する除去処理を行い、
前記除去処理の少なくとも一部は、前記有機膜パターンに対する薬液処理により行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の基板処理方法。」
　
　加えて、本件補正は、請求項８，９，１２〜６５を削除し、請求項５〜７を、請求項４〜６に繰り上げ、請求項１０，１１を、いずれも「前記加熱処理後であって前記溶解変形処理前に、又は前記加熱処理前に、前記有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を除去する除去処理を行い、」という限定を付したうえで、新たな請求項７，８とするものである。
　
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号の請求項の削除、および同項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて検討する。
　
　
２．引用刊行物の記載事項
　本願の優先日前に頒布された、
　特開２００２−３３４８３０号公報（本願明細書の【背景技術】等で示された特許文献１。以下、「刊行物１」という。）、
　特開２００３−７７９０１号公報（以下、「刊行物２」という。）、
　特開平６−１２０２００号公報（以下、「刊行物３」という。）、
　特開平１０−１２５９０号公報（以下、「刊行物４」という。）、
　特開平１１−３４０１１７号公報（以下、「刊行物５」という。）
には（いずれも、前置報告で提示された文献である。）、図面とともに、次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　　
（１）刊行物１
　（１ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
被エッチング膜の上に所定のパターンを有する有機膜を形成する工程と
前記有機膜をマスクとして前記被エッチング膜をその表面から一部除去して、前記被エッチング膜を露出領域と前記有機膜に被覆された被覆領域とする工程と
前記有機膜を変形させて前記露出領域にまで延在する変形有機膜とする工程と、前記変形有機膜をマスクとして前記被エッチング膜の露出領域をエッチングする工程とを有するパターン形成方法であって
前記変形有機膜を形成する工程が、前記有機膜に有機溶剤の溶液を浸透させ、前記有機膜の溶解を生じさせる溶解リフローにより行われる
パターン形成方法
【請求項２】前記有機膜を形成する工程において、前記有機膜と隣接する隣接有機膜が形成され、前記変形有機膜を形成する工程において、前記隣接有機膜は隣接変形有機膜となり、かつ、前記変形有機膜と結合する請求項１記載のパターン形成方法。
【請求項３】前記変形有機膜を形成する工程と前記被エッチング膜の露出領域をエッチングする工程との間に、前記変形有機膜の一部を除去する工程を有する請求項１又は２記載のパターン形成方法。
【請求項４】前記変形有機膜の一部を除去する工程が、前記変形有機膜に対して酸素を用いたアッシング処理または紫外線を用いたオゾン処理を行って、前記変形有機膜の面積を小さくすることにより行われる請求項３記載のパターン形成方法。
【請求項５】前記変形有機膜を形成する工程から前記被エッチング膜の露出領域をエッチングする工程までの工程が、前記被エッチング膜の露出領域をエッチングする工程の後に少なくとも１回繰り返される請求項１乃至４のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項６】前記被エッチング膜のエッチングのうち、少なくとも最後に行われるエッチングが、ウェットエッチングにより行われる請求項１乃至５のいずれかに記載のパターン形成方法。」
　
　（１ｂ）「【００７０】本発明の第１の実施形態によれば、
図１（ａ）
絶縁基板１上にアルミ・銅合金の金属膜２が形成される
この金属膜２上の所定の領域に、公知のフォトリソグラフィ技術でもってレジストマスク７が形成される
【００７１】次に、
図１（ｂ）
レジストマスク７がエッチングのマスクにされ、金属膜２に第１のエッチングが施されて第１の順テーパー層１５が形成
エッチングは、塩素、酸素等を反応ガスとするプラズマエッチング
【００７２】次に、第１の順テーパー層１５の形成後、
レジストマスク７が絶縁基板１と共に薬液（すなわち、有機溶剤の溶液、アルカリ溶液又は酸性溶液のうち少なくとも一つを含む）の蒸気中に曝されるか、或いは、極希薄な（例として、１／１００〜１／１０００）濃度の薬液中に浸漬する
【００７３】以下では、特に薬液に、有機溶剤の溶液を用いた例を示すが、アルカリ溶液、酸性溶液でも可能である。
【００７４】有機溶剤の溶液の蒸気中への暴露の場合には、処理時の蒸気密度の影響があり有機溶剤の温度、基板温度共に常温（２０℃付近）で処理する場合で、蒸気密度の高いアセトンやプロピレングリコールモノエチルエーテルを用いる場合には、０．１〜３分の蒸気暴露処理だが、蒸気密度の低いトリプロピレングリコールモノエチルエーテルや、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを用いる場合には、５〜２０分を要する場合もある。又、有機溶剤の温度、基板温度が、高くなると処理時間は、長く、低くなると処理時間は、短時間の蒸気暴露処理で目標の溶解リフロー処理が達成される。
【００７５】後者の極希薄な濃度の有機溶剤溶液中への浸漬処理においては、有機溶剤濃度が高いと有機溶剤溶液中にレジストが溶解し剥離を起こす為、溶解剥離を起こさずに、しかもレジスト中に有機溶剤の一部が浸透するように溶液中の有機溶剤濃度を極希薄に調整する必要がある。
・・・（中略）・・・
【００７８】
レジストに上述した薬液すなわち有機溶剤の溶液が浸透している状態ではレジストが溶解してリフローが起きる（薬液溶解リフロー
この薬液リフローによるレジストがリフローし図１（ｃ）に示すようにレジストが横方向に広がる
【００７９】
ここで、薬液溶解リフロー後に、下層膜との密着力を促進させる目的で、薬液リフロー処理後でエッチング処理前に、１００〜２００℃の加熱処理を５〜６０分間行う場合もある
【００８０】次に、
この溶解リフローレジストマスク１３がエッチングのマスクにされ、残存する金属膜２に第２のエッチングが施され
【００８１】上記の第１の実施形態では、第１のエッチングと第２のエッチングで金属膜２がエッチングされる場合について説明されている。本発明はこのような方法に限定されるものでない。
【００８２】ここで、被エッチング材料が、１種類の金属膜でなく、積層する２種類以上の被エッチング材料で構成され、レジストマスクでもって上記の積層膜のうち上層の被エッチング材料がエッチングされ、溶解リフローレジストマスクでもって下層の被エッチング材料がエッチングされてもよい。この場合には、１回のフォトリソグラフィ工程でもって、２種類のパターンが形成されることになる。
【００８３】この
レジストマスクの溶解リフロー化を促進するために、第１のエッチングの工程後、この第１のエッチングによるレジストマスク表面の変質層除去する為に、
ＵＶオゾン処理、すなわち１００〜２００℃基板加熱しオゾンガス雰囲気中で、ＵＶ光を当てて処理する等を行う
　
　（１ｃ）図１は次のとおり。
　
　（１ｄ）上記（１ａ）に記載の「パターン形成方法」は、そのなかに、「被エッチング膜の上に形成された所定のパターンを有する有機膜を変形させる処理」を実質的に含んでいると、理解することができる。
　また、（１ｂ）の【００７０】には、「図１（ａ）に示すように、従来の技術で説明したのと同様に、絶縁基板１上にアルミ・銅合金の金属膜２が形成される」とあり、また、金属膜２は被エッチング膜に相当する。
　これらをあわせると、「
基板上に形成された被エッチング膜の上にさらに形成された所定のパターンを有する有機膜を変形させる処理を備えるパターン形成方法
　
　そして、（１ｂ）の【００７１】には、「図１（ｂ）に示すように、レジストマスク７がエッチングのマスクにされ、金属膜２に第１のエッチングが施されて第１の順テーパー層１５が形成される。ここで、上記のエッチングは、塩素、酸素等を反応ガスとするプラズマエッチングで行われ、形成される配線の断面は順テーパ形状になる。」とあるから、（１ａ）の請求項１の「前記有機膜をマスクとして前記被エッチング膜をその表面から一部除去して、前記被エッチング膜を露出領域と前記有機膜に被覆された被覆領域とする工程」における
「除去」の具体例は、「塩素、酸素等を反応ガスとするプラズマエッチング」
　
　これら記載事項を総合すると、刊行物１には次の発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「基板上に形成された被エッチング膜の上にさらに形成された所定のパターンを有する有機膜を変形させる処理を備えるパターン形成方法において、
　前記有機膜をマスクとして前記被エッチング膜をその表面から一部、塩素、酸素等を反応ガスとするプラズマエッチングにより除去して、前記被エッチング膜を露出領域と前記有機膜に被覆された被覆領域とする工程と、
　前記有機膜を変形させて前記露出領域にまで延在する変形有機膜とする工程と、
　前記変形有機膜をマスクとして前記被エッチング膜の露出領域をエッチングする工程とを有し、
　前記変形有機膜を形成する工程が、前記有機膜に有機溶剤の溶液を浸透させ、前記有機膜の溶解を生じさせる溶解リフローにより行われるものである、
　パターン形成方法。」
　
（２）刊行物２
　（２ａ）「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記従来のゲート加工プロセスにおいて、以下の課題があることを本発明者らは見出した。
【０００６】すなわち、基板をドライエッチングする際に用いたエッチングガスから発生したガスが残留ガスとして基板表面に付着し、その基板をそのまま大気に取り出すことによって基板上の残留ガスと大気とが化学反応を起こし反応生成物が生じる問題や、反応生成物が基板を腐食させる問題である。
【０００７】一般的なゲート加工プロセスには、ドライエッチング装置内で基板のエッチングやアッシングを行う工程がある。
エッチングや、アッシングを行った後に基板をドライエッチング装置から大気に取り出し、ウェットエッチングによる洗浄を行い、基板上に残っている残渣を除去する
この時、ドライエッチングを行った後の基板表面には残留ガスが残っている
その残留ガスを残したまま基板を前記ドライエッチング装置から取り出して大気にさらすと、基板表面上に残っている残留ガスと大気とが化学反応を起こし、基板表面上に反応生成物が形成される
この反応生成物はウェットエッチングによって除去されにくい
【０００８】本発明の目的は、ドライエッチングで加工したパターンの不良を引き起こすことなく、
ドライエッチング後の基板に付着した残留ガスを確実に除去する
　
　（２ｂ）「【００２５】
図８
フォトレジストパターン１４をエッチングマスクとして
【００２６】例えば、本実施形態のような窒化シリコン、タングステン、窒化タングステンおよび多結晶シリコンなどの異なる材料が堆積されている基板を連続して
ドライエッチングする
ドライエッチングの際にＣｌ
２
の分解によって生成した残留ガス１５や、アッシングの際に生成した有機物等１６が残渣として基板１上に残る
残留ガス１５が基板１上に残っていると、基板１を大気に取り出した際に大気と残留ガス１５が化学反応を起こし、基板１上に反応生成物が生じる
そこで
アッシング処理をする際に、後処理室１０４に設けてあるヒータ１０９によって基板１を加熱しながら同時にアッシングを行い、残留ガス１５を基板１表面上から除去する
【００２７】本実施形態の後処理室１０４内部にあるマイクロ波発信源１０６より発振され、後処理室１０４に導入されるマイクロ波によって、酸素導入管１０８から後処理室１０４に導入される酸素が分解されプラズマ雰囲気をつくり、ステージ１１０上にある基板１をアッシングする。その際に、同時にステージ１１０上にある基板１をヒータ１０９によって加熱し、高温アッシングを行う。基板１の加熱温度は例えば１５０℃〜２００℃である。前記高温アッシングを行うことにより、残留ガス１５が除去され基板１を大気に取り出した際に反応生成物ができない。
【００２８】
その後フッ酸などのエッチング液を用いてウェットエッチングを行い、基板１表面に残ったドライエッチング残渣やアッシング残渣を除去する
この時、基板１上の残留ガスを除去してあるため、反応生成物が生じない。よって、ウェットエッチングを短時間で行うことができる
　
（３）刊行物３
　（３ａ）「【０００５】本発明の目的は、ウェットエッチングする場合、レジストと被エッチング層との密着不良、および被エッチング層のパターンくずれ等を低減し、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明における半導体装置の製造方法は、半導体基板の主表面側に形成された被エッチング層上に
レジストの第一開口パターンを形成する工程
第一開口パターンをマスクとして被エッチング層の途中までウエットエッチングし、被エッチング層にサイドエッチ領域を有する開口部を形成する工程
ベーキングを行ない、サイドエッチ領域上部のレジストをサイドエッチ領域の表面に密着させ、レジストの第二開口パターンを形成する工程
第二開口パターンをマスクとして、被エッチング層のエッチングを完了する工程
　
　（３ｂ）「【０００７】
【実施例】図１（Ａ）〜（Ｅ）は、実施例の製造工程を模式的に示した断面図であり、半導体装置に係わるものである。ここでは、キャパシタを形成する製造工程を例にする。
【０００８】半導体基板１１にはシリコン基板が用いられる。１２は第一の層間絶縁層で、シリコンの熱酸化法等を用いて形成される。１３は第一の導電層で、スパッタ法を用いて形成されるＭｏ等である。１４はキャパシタに用いられる絶縁層で、ＣＶＤ法で形成されるシリコン窒化膜等である。１５は第二の層間絶縁層で、ＣＶＤ法で形成されるシリコン酸化膜等であり、本発明に於ける被エッチング層である。１６ａおよび１６ｂはレジストであり、フォトレジストまたはＸ線レジストを意味する。１９は第二の導電層で、スパッタ法を用いて形成されるＡｌを主材料とする金属層等である。
【０００９】次に、図１（Ａ）〜（Ｅ）に従って、製造方法を説明する。
【００１０】（Ａ）シリコン基板１１の主表面側に、第一の層間絶縁層１２、第一の導電層１３、キャパシタに用いられる絶縁層１４および第二の層間絶縁層１５を形成する。第二の層間絶縁層１５上に第一開口パターンを有するレジスト１６ａを形成する。ここで、第二の層間絶縁層の膜厚は５００ｎｍ〜１μｍ、第一開口パターンを有するレジスト１６ａの膜厚は１〜２μｍ、第一開口パターンのサイズは数十μｍである。
【００１１】（Ｂ）
第一開口パターンを有するレジスト１６ａをマスクとして、第二の層間絶縁層１５の途中まで（膜厚の半分程度が好ましい）、即ち第二の層間絶縁層１５ａを、弗酸系の溶液でウェットエッチングし
第二の層間絶縁層１５ａにサイドエッチ領域１８を有する開口部１７を形成
【００１２】（Ｃ）
上記工程を経た半導体基板１１を１７０℃で２４０秒間プレートベークし、レジストをサイドエッチ領域１８に密着させ、レジスト１６ｂとする
【００１３】（Ｄ）
第二開口パターンを有するレジスト１６ｂをマスクとして、第二の層間絶縁層１５の残り、即ち第二の層間絶縁層１５ｂを、弗酸系の溶液でウェットエッチングする
　
　（３ｃ）図１は次のとおり。　
　
（４）刊行物４
　（４ａ）「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の製造方法により製作した半導体装置では、他の方法によりフォトレジストを剥離した場合に比較して暗電流が大きくなることが判明した。これにより増加する暗電流は、従来の半導体装置ではそれほど問題とはならないが、微細化されかつ高性能化された半導体装置では問題となる。この暗電流の発生原因について追究した結果、剥離液が乾燥処理により除去しきれなかった水分と反応してアルカリ溶液となりこれが露出しているシリコン基板表面をエッチングするためであるとする結論に至った。
従来は、エッチング処理、洗浄処理の終了後、スピンドライヤにより乾燥を行っていたので、乾燥は十分と考えられていたが、実際には除去しきれずに残る水分がありさらに遠心脱水の際に再付着する水滴があるため、乾燥処理を行った後にもウェハ１の表裏面には、図３（ｂ）に示されるように、残留水分４が残る
これが剥離液であるモノエタノールアニンと次のように反応して、アルカリ性溶液となる
Ｃ2 Ｈ7 ＮＯ＋２Ｈ2 Ｏ→Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ＋ＮＨ4 + ＋ＯＨ- ＋１／２Ｏ2　　　
そのため、露出しているシリコンがエッチングされ、図３（ｃ）に示されるように、ウェハの表裏面に凹凸が形成される
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題は、ウェット処理に続く乾燥処理後に、水分除去処理を行い、その後にアミン酸系剥離液にて処理を行なうようにすることにより解決することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明による半導体装置の製造方法は、（１）半導体基板に対し水を含む液にて処理を行う工程と、（２）乾燥処理を行う工程と、
（３）前記乾燥処理により除去しきれなかった水分を除去する工程
【０００９】より詳しくは、前記第（１）の工程が、フォトレジスト膜をマスクとしてウェットエッチングを行うサブ工程と、これに続く純水によりリンス処理を行うサブ工程と、を有しており、前記第（４）の工程においてフォトレジスト膜を剥離することを特徴としている。そして、
好ましくは、前記第（３）の工程が、熱処理
により行われる
【００１０】［作用］この発明の半導体装置の製造方法においては、ウェハ上に形成された酸化膜などに
ウェットエッチング処理を施してパターンニングした後、ウェットエッチング処理液を純水によりリンスし、ウェハ乾燥を行い、さらにこの乾燥処理の際に除去しきれずにシリコンウェハの表面および裏面に残留、付着している水分を熱処理などにより除去する
これにより、次のアミン酸系剥離液による処理工程においてこの剥離液と水とが反応してアルカリ性を呈することを防止することができ、シリコン基板の腐食を防止することができる
　
　（４ｂ）「【００１１】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明する。
［第１の実施例］図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施例を説明するための主要工程におけるウェハの断面図である。まず、図１（ａ）に示すように、シリコン基板１に９００℃のウェット熱酸化を行い、１０００Åの膜厚のシリコン酸化膜２を形成する。その後、ポジ型のフォトレジストをスピン塗布し、露光・現像を行って所定のパターンのフォトレジスト膜３を形成する。次に、
図１（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜３をマスクとして
バッファードフッ酸（ＢＨＦ）でエッチングする
【００１２】次に
、図１（ｃ）に示すように、熱処理によりシリコン基板１の表面および裏面の残留水分４を除去する
熱処理は、大気中で１００℃〜１３０℃の温度で１５分〜３０分間行う
次に、図１（ｃ）に示すように、モノエタノールアミンを主成分とする剥離液による処理を行って、マスクとして用いたフォトレジスト膜３を除去する
【００１３】［第２の実施例］上記実施例では、熱処理を大気中にて行っていたが、本実施例においては、窒素ガスを吹き付けつつ熱処理を行う。すなわち、図１（ａ）、（ｂ）の処理を行った後、
図１（ｃ）に示す工程において、１００℃〜１３０℃の温度で３分〜１０分窒素ガスを吹き付ける
　
　（４ｃ）図１は次のとおり。　
　
（５）刊行物５
　（５ａ）「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、導体をパターニングする場合と異なり、結線用開口部を絶縁膜に形成する場合、以下のような問題があった。従来のノボラック系のレジストを使用して行われていたプロセス手順のままで、化学増幅系レジストを使用したリソグラフィー工程を行うと、パターニングされた絶縁膜上にＣＶＤまたはスパッタ他の手段を用いて金属膜を形成する工程の前の時点で、化学増幅系レジスト膜の開口部の形状が変形しており、絶縁膜に所望の導通孔が形成できないことが判った。これでは、金属膜が、導通孔の内部に所望の通りに成膜できないため、上層導電性膜と下層導電性膜との導通が得られなかった。
【０００５】この化学増幅系レジストが変形する原因は、化学増幅系レジストをマスクにして、絶縁膜をウエットエッチングを行うことにあると考えられる。前述した特開平７−１２０９３４号公報に段落０００６及び０００７に詳述されているように、化学増幅系レジストは、露光線源により露光された部分に発生した酸の触媒反応を利用した高解像度、高感度レジストである。一方、絶縁膜をパターニングする際に使用されるウエットエッチング液は、強酸であるため、化学増幅系レジストがこれと接触すると、接触面から酸触媒反応が起こりやすくなる。従って、リソグラフィー工程でパターニングされた化学増幅系レジスト膜の開口パターンが、その後のウエットエッチングで変形する。
　・・・（中略）・・・
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によるならば、半導体基板上の膜の上に化学増幅系レジスト層を形成し、その化学増幅系レジスト層をパターニングして、そのパターニングした化学増幅系レジスト層をマスクにして半導体基板上の膜をウエットエッチングする、半導体装置の製造プロセスにおけるパターニング方法において、前記ウエットエッチングを行う前に、前記パターニングした化学増幅系レジスト層に表面処理を行い、化学増幅系レジストのウエットエッチング耐性を向上させることを特徴とするパターニング方法が提供される。
【０００８】前記化学増幅系レジストのウエットエッチング耐性を向上させるためのレジスト表面処理とは、例えば、ウエットエッチング液に対して不溶性又は難溶性の保護膜を形成することであり、レジスト表面に不溶化層を形成させる方法や、強アルカリの液で表面処理を行う方法や、前記化学増幅系レジスト表面をプラズマに暴露させる方法や、露光線源とは異なる線源の光や放射線を照射する方法などを例示することができる。」
　
　（５ｂ）「【００１１】図１に示すように、所望のパターンや構造が形成されている下層パターン（基板１）の表面に上層パターンとの配線用の金属膜２を形成する。この金属膜２は、例えばＡｌ膜であり、厚さは約７００ｎｍとする。次に、下層パターン（基板１＋金属膜２）と上層パターンとを分離する絶縁膜として、例えばシリコン酸化膜を形成する。この絶縁膜は、２層重ねて形成する。第１層絶縁膜３として、十分な絶縁を確保するために緻密な酸化膜を５００ｎｍ〜８００ｎｍ程度形成する。そして、第２層絶縁膜４として、平坦化のために緻密ではないシリコン酸化膜、例えば、有機シリカ膜をスピン塗布により３００ｎｍ〜５００ｎｍ程度形成する。
【００１２】上層導電性膜と下層導電性膜とを結線するための導通孔を絶縁膜に形成する。この導通孔は、絶縁膜を貫通して、下層パターンの金属膜２に到達するようにリソグラフィープロセスで開口する。そのために、図１に示すように、２層絶縁膜（３＋４）上に化学増幅系レジストをスピン塗布し、化学増幅系レジスト膜５を形成する。
【００１３】次に、紫外光、或いは、エキシマレーザー光、電子線、その他のレジスト感光手段等による露光と現像を行い、化学増幅系レジスト膜５をパターニングして、図２に示すように、化学増幅系レジスト膜５に、導通孔に対応する開口部６を形成する。
【００１４】更に、このようにパターニングされた化学増幅系レジスト膜５の表面に表面処理剤をスピン塗布して、図２に示すように、化学増幅系レジスト膜５の表面に不溶化層７を形成する。表面処理剤としては、溶剤にノボラック系樹脂を数％〜数十％溶解させた液を使用する。次に、開口部６に侵入した表面処理剤を洗浄液８で洗浄する。洗浄液８としては、アルカリ系溶液または有機溶剤が使用できる。
【００１５】次に、図３に示すように、
このようにパターニングされ且つ表面処理された化学増幅系レジスト膜５をマスクにして第２層絶縁膜４のシリコン酸化膜をフッ酸（ＨＦ）等でウエットエッチングする
ウエットエッチングの後に、水分を蒸発させるために、１００℃以上の温度でベークを行う
【００１６】次に、図４に示すように、
プラズマ等を使用したドライエッチングで第１層絶縁膜３の加工を行う
その後、剥離手段により、図５に示すように、化学増幅系レジスト膜５を剥離する
　
３．対比・判断
　本願補正発明と刊行物１記載の発明とを対比する。
　
　まず、本願補正発明の「基板」とは、
　本願明細書の【０１１１】の「第１の実施形態に係る
基板処理方法は
有機膜（主にレジスト膜）パターンをマスクとして下地膜（すなわち例えば基板自体）のエッチングを行う場合
特許文献１［当審注：これは、本審決の刊行物１である。］
　同じく、本願明細書の【０２９３】の「図１８（ｂ）は有機膜パターン３２をマスクとして、
エッチングにより下地膜（例えば、基板３１の上層部３１ａ）をパターン加工
　エッチングされる膜を有する基板を実質的に意味していると理解される。
　そうすると、刊行物１記載の発明の「基板」と「基板上に形成された被エッチング膜」とをあわせたものは、本願補正発明の「基板」に実質的に相当するということができる。
　また、刊行物１記載の発明の「所定のパターンを有する有機膜」は、本願補正発明の「有機膜パターン」に相当する。
　
　刊行物１記載の発明の「基板上に形成された被エッチング膜の上にさらに形成された所定のパターンを有する有機膜を変形させる処理」は、本願補正発明の「基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理」の一形態であることは明らかである。
　
　刊行物１記載の発明の「前記有機膜を変形させて前記露出領域にまで延在する変形有機膜とする工程」で、「前記変形有機膜を形成する工程が、前記有機膜に有機溶剤の溶液を浸透させ、前記有機膜の溶解を生じさせる溶解リフローにより行われるものである」ところの処理は、
　本願補正発明の「前記有機膜パターンに薬液を浸透させ、該有機膜パターンの表面を溶解して変形させる溶解変形処理」に相当する。
　
　刊行物１記載の発明の「前記有機膜をマスクとして前記被エッチング膜をその表面から一部、塩素、酸素等を反応ガスとするプラズマエッチングにより除去して、前記被エッチング膜を露出領域と前記有機膜に被覆された被覆領域とする工程」は、
　本願補正発明の「前記有機膜パターン加工処理の以前に、ウェットエッチング処理及びドライエッチング処理の少なくともいずれかが行われた」に実質的に相当する。
　
　そして、刊行物１記載の発明の各工程は、基板の処理に関連するものばかりであるから、刊行物１記載の発明の「基板上に形成された被エッチング膜の上にさらに形成された所定のパターンを有する有機膜を変形させる処理を備えるパターン形成方法」は、本願補正発明の「基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法」に相当するといえる。
　
　そうすると、両発明の一致点、相違点は次のとおりと認められる。
　
［一致点］
　「基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法において、
　前記有機膜パターン加工処理の以前に、ウェットエッチング処理及びドライエッチング処理の少なくともいずれかが行われた後、
　前記有機膜パターンに薬液を浸透させ、該有機膜パターンの表面を溶解して変形させる溶解変形処理と、
　を行う、基板処理方法。」
　
［相違点］
　本願補正発明は、有機膜パターン加工処理の以前に行われる、ウェットエッチング処理及びドライエッチング処理の少なくともいずれかの処理と、溶解変形処理との間に、有機膜パターンを加熱する加熱処理を含むのに対して、
　刊行物１記載の発明は、そのような加熱処理を含まない点。
　
　そこで、相違点について検討する。
　
　まず、刊行物２〜５の記載事項から、要点を以下に示す。
　
　刊行物２：レジストパターンをマスクにしてドライエッチングした後、レジストパターンを除去する際に、エッチングガスの残留ガスが、基板表面に残り、基板上に反応生成物（残留ガスと大気とが化学反応して形成される）が生じ、この反応生成物は、ウェットエッチングでは、除去され難い。そこで、ドライエッチング後に、まず、加熱しながらアッシングを行い（この際、残留ガスは基板上から除去される）、次いで、ウェットエッチングを行い、ドライエッチング残渣、アッシング残渣を除去する。
　
　刊行物３：レジストパターンをマスクにして、被エッチング層を途中までウェットエッチングし、その際、サイドエッジ部も形成し、次に、ベーキングを行い、レジストをサイドエッジ部の表面に密着させ、その後、ウェットエッチングを完了させる。最後に、第２導電層を形成する。
　
　刊行物４：残留水分があると、レジスト剥離剤であるモノエタノールアミンと、反応してアルカリ性溶液となり、シリコンがエッチングされ、凹凸が形成されてしまう問題に対応するもので、まず、レジストパターンをマスクにして、シリコン酸化膜をウェットエッチングしてから、純水でリンスし、ドライヤで乾燥処理を行い、その後、熱処理（１００〜１３０℃）により、基板表裏面の残留水分を除去して、最後に、モノエタノールアミンを主成分とする剥離剤で、レジストパターンを剥離除去する。
　
　刊行物５：まず、化学増幅系レジストパターンの表面に不溶化層を形成（下記のウェットエッチング液は強酸であり、化学増幅系レジストがこれと接触すると、酸触媒反応が起こりやすくなり、レジスト膜の開口パターンが変形してしまう）。次に、レジストパターンをマスクして、上層絶縁膜にウェットエッチングする。その後、１００℃以上でベークして水分を蒸発させる。更に下層絶縁膜にドライエッチングする。
　
　上記の刊行物２，４，５では、加熱処理により、エッチングの残留ガスや残留水分を除去してから、続きの各種処理を行っている。また、刊行物３では、レジストパターンを密着させるための加熱処理を行っている。
　ここで、上記「続きの各種処理」とは、レジストパターンの除去処理や残りのエッチング処理であり、刊行物１記載の発明の「前記有機膜パターンに薬液を浸透させ、該有機膜パターンの表面を溶解して変形させる溶解変形処理」ではない。
　しかし、エッチングと、それに続く各種処理との間に、加熱処理を入れて、エッチングの残留ガスや残留水分を除去することが、刊行物２，４，５には記載されているのであり、
　また、一般に、エッチングに続く、薬液を使用した何らかの処理において、エッチングの残留ガスや残留水分の存在が、多少なりとも良くない影響を及ぼすことは、当業者であれば予測できることである。
　
　刊行物３の加熱処理は、サイドエッジ部を形成してから、ベーキングを行い、レジストをサイドエッジ部の表面に密着させる技術であるが、サイドエッジ部を形成していない場合でも、ベーキング（加熱処理）は、レジストの基板への密着性向上に寄与するものであることは、当業者に明らかである。また、エッチングの有無に関係なく、一般に、ベーキングが、レジストの基板への密着性向上に寄与することは、周知の事項である。
　
　そうすると、刊行物１記載の発明において、刊行物２〜５の加熱処理や周知の事項を参考にし、また、エッチングに続く溶解変形処理で使用する薬液の性質や処理条件等を考慮して、エッチング処理と溶解変形処理との間に、念のため、加熱により、エッチングの残留ガスや残留水分を除去し、密着性を向上する処理工程を介在させることは、当業者であれば、適宜なし得ることであると言わざるを得ない。
　
（まとめ）
　以上のとおり、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明、刊行物２〜５の技術事項、周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
４．むすび
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
　
第３　本願発明について
１．本願発明１
　平成２１年３月１２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜６５に係る発明は、平成２０年１２月２５日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜６５に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりである。
　
　「【請求項１】
　基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法において、
前記有機膜パターン加工処理では、
前記有機膜パターンを加熱する加熱処理と、
前記有機膜パターンに薬液を浸透させ、該有機膜パターンの表面を溶解して変形させる溶解変形処理と、
を行うことを特徴とする基板処理方法。」
　
２．引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された特開２００２−３６７８８１号公報（原査定の引用文献１。以下、「引用文献Ａ」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
　（ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造方法および光照射装置に関し、詳しくはパターン表面を熱流動させてパターン形状を変化させる半導体装置の製造方法およびパターン表面に熱を供給するための光照射を行う光照射装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路の高集積化にともない、リソグラフィー工程での回路パターンの微細化が求められ
その手段の一つに
熱流動を利用してレジストの開口パターンサイズを縮小する方法
【０００３】図６の（１）に示すように、基板１１１上にはレジスト膜１１２が形成され、リソグラフィー技術によって、上記レジスト膜１１２には開口パターン１１３が形成されている。次いで、加熱用プレート１２１を用いて、上記基板１１１ごとレジスト膜１１２の軟化点以上の温度に加熱する。そして、図６の（２）に示すように、レジストの熱流動によりレジスト膜１１２に形成された開口パターン１１３のサイズを縮小する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方法では、レジスト膜全体を加熱しているので、開口パターン周辺のレジスト体積が大きいほど熱流動するレジスト量が多くなる。その結果、開口パターンのパターン密度が小さいほど、開口サイズの縮小量が大きくなり、開口パターンのパターン密度が大きいほど、開口サイズの縮小量が小さくなる。
【０００５】また、図７に示すように、パターンアレイ１３１の周辺では、加熱前後で、方向によりパターン間隔が異なり、また縮小したときの開口パターン（ホール）１３２の形状が歪曲する。したがって、パターン密度が局所的に一様でない半導体集積回路では、リソグラフィー工程後で加熱流動前の開口パターン１３２のサイズが一様であっても、加熱流動後の開口パターン１３２のサイズは一様にならない。その結果、最終的に半導体集積回路を作成したとき、
変形して形成された開口パターンを用いてエッチング形成されたコンタクトホール、ビアホール等
　
　（ｂ）「【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解決するためになされた半導体装置の製造方法および光照射装置である。
【００１１】本発明の半導体装置の製造方法は、基板上に形成した膜に開口パターンを形成した後、前記膜表面に吸収される波長の光を照射する工程と、前記照射した光を前記膜表面で吸収させることにより該光吸収領域を軟化させて流動させることで前記開口パターンを縮小する工程とを備えている。
【００１２】上記半導体装置の製造方法では、基板上に形成した膜に、膜表面に吸収される波長の光を照射して、照射した光を膜表面で吸収させることにより光吸収領域は軟化する温度以上に温められる。それによって、光吸収領域が熱流動を起こすので、流動して横方向に広がった分だけ開口パターンが縮小される。その際、膜表面のみが流動し、膜全体が流動しないため、膜に形成されている複数の開口パターンは、そのパターン密度に依存することなく、どの開口パターンも均一に縮小される。」
　
　（ｃ）「【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の半導体装置の製造方法に係る第１の実施の形態を、図１の製造工程断面図によって説明する。図１では、一例として、
半導体ＭＯＳ型ＬＳＩのコンタクトホール作製工程
【００１６】
図１の（１）
シリコン基板１１（直径２００ｍｍ）上に形成された層間絶縁膜１２上に、反射防止膜１３を、例えば有機系材料を用いて１００ｎｍの厚さに塗布形成する
次いで、レジスト膜１４を
塗布形成する
【００１７】次に、上記
レジスト膜１４に対して、露光、現像工程を行って、上記レジスト膜１４に、例えば開口径が２００ｎｍのホールパターン１５を形成する
また、露光によりレジスト膜１４中より発生した酸を拡散するために、１１０℃、９０秒間のベーキングを行う
【００１８】
次に、図１の（２）に示すように、常に１０℃まで冷却するように温度制御されたプレート２１上に基板１１を設置し、レーザ光Ｌを、照射時間０．５秒、照射間隔１秒で断続的に照射する
【００１９】このように、基板１１を冷却しながら、
レーザ光Ｌを断続的にホールパターン１５が形成されたレジスト膜１４に照射することにより、レジスト膜１４の表層１４ｓだけが軟化点以上の温度に加熱される
その結果、レジスト膜１４の表層でレジストの熱流動が起こり、図１の（３）に示すように、レジスト膜１４に形成されている全てのホールパターン１５が一様に１６０ｎｍの径に縮小された
　
　（ｄ）図１は次のとおり。　
　
　これら記載事項によれば、刊行物Ａには次の発明（以下、「刊行物Ａ記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「シリコン基板１１上に形成された層間絶縁膜１２上に、反射防止膜１３を塗布形成し、
　次いで、レジスト膜１４を塗布形成し、
　レジスト膜１４に対して、露光、現像工程を行って、上記レジスト膜１４に、開口径が２００ｎｍのホールパターン１５を形成し、
　露光によりレジスト膜１４中より発生した酸を拡散するために、１１０℃、９０秒間のベーキングを行い、
　レーザ光Ｌを断続的にホールパターン１５が形成されたレジスト膜１４に照射し、これにより、レジスト膜１４の表層１４ｓだけが軟化点以上の温度に加熱され、その結果、レジスト膜１４の表層でレジストの熱流動が起こり、レジスト膜１４に形成されている全てのホールパターン１５が一様に１６０ｎｍの径に縮小される、
　半導体ＭＯＳ型ＬＳＩのコンタクトホール作製方法。」
　
３．対比・判断
　そこで、本願発明１と刊行物Ａ記載の発明とを対比すると、
　
　刊行物Ａ記載の発明の「シリコン基板１１」そのもの、あるいは、「シリコン基板１１」「シリコン基板１１上に形成された層間絶縁膜１２」「反射防止膜１３」をあわせたものは、本願発明１の「基板」に実質的に相当する。
　
　刊行物Ａ記載の発明の「開口径が２００ｎｍのホールパターン１５」を有する「レジスト膜１４」は、本願発明１の「有機膜パターン」に実質的に相当する。
　　
　刊行物Ａ記載の発明の「レーザ光Ｌを断続的にホールパターン１５が形成されたレジスト膜１４に照射し、これにより、レジスト膜１４の表層１４ｓだけが軟化点以上の温度に加熱され、その結果、レジスト膜１４の表層でレジストの熱流動が起こり、レジスト膜１４に形成されている全てのホールパターン１５が一様に１６０ｎｍの径に縮小される」という処理と、
　本願発明１の「前記有機膜パターンに薬液を浸透させ、該有機膜パターンの表面を溶解して変形させる溶解変形処理」とは、
　「有機膜パターンの表面を変形させる変形処理」の点で共通する。
　
　また、同じく、刊行物Ａ記載の発明の「レーザ光Ｌを・・・レジスト膜１４に照射し、・・・レジスト膜１４の表層でレジストの熱流動が起こり、レジスト膜１４に形成されている全てのホールパターン１５が一様に１６０ｎｍの径に縮小される」という上記処理は、有機膜パターンを加工する処理の一種といえるから、本願発明１の「有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理」の概念に含まれるものである。
　
　そして、本願発明１の「基板処理方法」について、本願明細書【０１１１】に「第１の実施形態に係る
基板処理方法は
有機膜（主にレジスト膜）パターンをマスクとして下地膜（すなわち例えば基板自体）のエッチングを行う場合に、
エッチング寸法を微細化したり（有機膜パターンの面積拡大或いはコンタクト孔の微細化の結果としてのエッチング寸法微細化）する目的
に用いられる
　刊行物Ａの【０００５】には、変形して形成された開口パターンを用いてエッチングでコンタクトホール等を形成する旨の記載があること、
　を参酌すると、
　刊行物Ａ記載の発明の「半導体ＭＯＳ型ＬＳＩのコンタクトホール作製方法」は、本願発明１の「基板処理方法」に相当するということができる。
　
　刊行物Ａ記載の発明の「露光によりレジスト膜１４中より発生した酸を拡散するために、１１０℃、９０秒間のベーキングを行い」と、
　本願発明１の「前記有機膜パターン加工処理では、前記有機膜パターンを加熱する加熱処理」を行うこととは、
　「基板処理方法において、有機膜パターンを加熱する加熱処理を行う」点で共通する。
　
　そうすると、両者の一致点、相違点は次のとおりと認められる。
　
［一致点］
　「基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法において、
　前記有機膜パターンを加熱する加熱処理と、
　前記有機膜パターンの表面を溶解して変形させる変形処理と、
　を行う、基板処理方法。」
　
［相違点ａ］
　変形処理の手法が、
　本願発明１は、有機膜パターンに薬液を浸透させ、該有機膜パターンの表面を溶解するものであるのに対して、
　刊行物Ａ記載の発明は、レーザ光Ｌを断続的にホールパターン１５が形成されたレジスト膜１４に照射することにより、レジスト膜１４の表層１４ｓだけが軟化点以上の温度に加熱され、その結果、レジスト膜１４の表層でレジストの熱流動が起こるものである点。
　
［相違点ｂ］
　有機膜パターンを加熱する加熱処理が、
　本願発明１は、有機膜パターン加工処理において、溶解変形処理の前に行われるのに対して、
　刊行物Ａ記載の発明は、基板処理方法の最中に行われるものであるものの、有機膜パターン加工処理における処理とはされていない点。
　
　そこで、相違点について検討する。
　
（相違点ａについて）
　薬液を浸透させて行うレジストパターン（有機膜パターン）の溶解変形処理は、本願の優先日前に、周知の手法である。必要であれば、特開２００３−２８２４２２号公報、特開２００３−１５８０６８号公報、特開２００３−１５８０５４号公報、特開２００３−０２１８２７号公報、特開２００２−３３４８３０号公報を参照。
　そして、刊行物Ａ記載の発明において、有機膜パターンの変形処理として、レーザ光照射による手法に替えて、薬液を浸透させて行う手法を採用することは、当業者が容易になし得ることである。
　
（相違点ｂについて）
　本願発明１の「基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法」は、有機膜パターンを加熱する加熱処理が、有機膜パターン加工処理において、溶解変形処理の前に行われる旨を規定する。
　これに対して、刊行物Ａ記載の発明は、基板処理方法の最中に行われるものであるものの、有機膜パターン加工処理における処理とはされていない。
　しかし、刊行物Ａ記載の発明において、「加熱処理」（露光によりレジスト膜１４中より発生した酸を拡散するために、１１０℃、９０秒間で行われるベーキング）と、その後の「変形処理」とは、時間的に連続して行われるものであるから、刊行物Ａ記載の発明の「加熱処理」は、「有機パターン加工処理」を広い概念として位置付ければ、「有機パターン加工処理」内のものと把握され、逆に、「有機パターン加工処理」を狭い概念として位置付ければ、「有機パターン加工処理」外のものと把握される。
　他方、本願発明１の「有機パターン加工処理」は、狭い概念に限定して解釈する特段の理由はなく、広い概念として解釈することも可能である。
　そうすると、「有機パターン加工処理」を広い概念とする解釈のもとで、刊行物Ａ記載の発明における「加熱処理」は、本願発明１と同様に、「有機パターン加工処理」内のものと把握されるから、相違点２は実質的に相違点ではないというべきである。
　あるいは、一応の相違点であるとしても、刊行物Ａ記載の発明の「加熱処理」は、その後の「変形処理」に先立つ必須処理であるから、「有機パターン加工処理」内のものとして位置付けることは、当業者が適宜なし得ることともいえる。
　
（効果について）
　また、全体としてみても、本願発明１によってもたらされる効果は、刊行物Ａ記載の技術、周知技術から当業者が予測し得る程度のものであって、格別なものとはいえない。
　
（まとめ）
　したがって、本願発明１は、刊行物Ａ記載の発明および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないので、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。