【手続補正書】
【提出日】平成23年7月29日(2011.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
元素Ｃｄ、Ｍ、およびＳｅから構成されたＣｄおよびＳｅ含有ナノ結晶複合材料を形成する方法であって、
該ナノ結晶複合材料は不均質な複合体構造であり、
Ｍが、Ｃｄ以外のＰＳＥの第１２族元素であり、
前記方法が、
（ｉ）酸素を除去せずに、元素ＣｄまたはＣｄ前駆体と、Ｍまたはその前駆体との溶液を、アミンを含まない適当な溶媒で形成すること、
（ii）元素Ｓｅを前記溶液に添加し、それにより反応混合物を形成すること、
（iii）前記反応混合物を、ＣｄおよびＳｅ含有ナノ結晶複合材料の形成に適した温度
で十分な時間加熱し、その後、反応混合物を冷却すること、
（iv）複合体構造のＣｄおよびＳｅ含有ナノ結晶複合材料を単離すること、
からなり、アミンを含まないとは溶媒にアミンが全く存在しないことを意味する方法。
【請求項２】
元素Ｃｄ、Ｍ、Ｓｅ、およびＡから構成されたＣｄおよびＳｅ含有ナノ結晶複合材料を形成する方法であって、
該ナノ結晶複合材料は不均質な複合構造であり、
Ｍが、Ｃｄ以外のＰＳＥの第１２族元素であり、Ａが、ＯおよびＳｅ以外のＰＳＥの第１６族元素であり、
前記方法が、
（ｉ）酸素を除去せずに、元素ＣｄまたはＣｄ前駆体と、Ｍまたはその前駆体との溶液を、アミンを含まない適当な溶媒で形成すること、
（ii）元素ＳｅおよびＡを前記溶液に添加し、それにより反応混合物を形成すること、
（iii）前記反応混合物を、ＣｄおよびＳｅ含有ナノ結晶複合材料の形成に適した温度
で十分な時間加熱し、その後、反応混合物を冷却すること、
（iv）複合体構造のＣｄおよびＳｅ含有ナノ結晶複合材料を単離すること、
からなり、アミンを含まないとは溶媒にアミンが全く存在しないことを意味する方法。
【請求項３】
元素ＣｄまたはＣｄ前駆体と、Ｍまたはその前駆体との溶液を形成することが、前記元素ＣｄまたはＣｄ前駆体とＭまたはその前駆体とを適当な溶媒に添加すること、および該溶
媒を加熱することを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記溶媒を約１００℃〜約４００℃の温度に加熱する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
元素Ｃｄ、Ｓｅ、およびＡから構成されたＣｄおよびＳｅ含有ナノ結晶複合材料を形成する方法であって、
該ナノ結晶複合材料は不均質な複合構造であり、
Ａが、ＯおよびＳｅ以外のＰＳＥの第１６族元素であり、
前記方法が、
（ｉ）酸素を除去せずに、元素ＣｄまたはＣｄ前駆体の溶液を、アミンを含まない適当な溶媒で形成すること、
（ii）元素ＳｅおよびＡを前記溶液に添加し、それにより反応混合物を形成すること、
（iii）前記反応混合物を、ＣｄおよびＳｅ含有ナノ結晶複合材料の形成に適した温度
で十分な時間加熱し、その後、反応混合物を冷却すること、
（iv）複合体構造のＣｄおよびＳｅ含有ナノ結晶複合材料を単離すること、
からなり、アミンを含まないとは溶媒にアミンが全く存在しないことを意味する方法。
【請求項６】
前記元素ＣｄまたはＣｄ前駆体の溶液を形成することが、元素ＣｄまたはＣｄ前駆体を適当な溶媒に添加すること、および該溶媒を加熱することを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記溶媒を約１００℃〜約４００℃の温度に加熱する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
元素Ｓｅを注入により添加する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
Ａおよび元素Ｓｅを一緒に添加する、請求項２〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
（ａ）Ｃｄ、Ｍ、Ｓｅ、（ｂ）Ｃｄ、Ｓｅ、Ａ、および（ｃ）Ｃｄ、Ｍ、Ｓｅ、Ａのうちの一つの組成を有するＣｄおよびＳｅ含有ナノ結晶複合材料を形成する方法であって、
該ナノ結晶複合材料は不均質な複合体構造であり、
Ｍが、Ｃｄ以外のＰＳＥの第１２族元素であり、
Ａが、ＯおよびＳｅ以外のＰＳＥの第１６族元素であり、
前記工程が、
（ｉ）酸素を除去せずに、元素ＣｄまたはＣｄ前駆体を、アミンを含まない適当な溶媒に添加し、元素Ｓｅを添加し、（ａ）Ｃｄ、Ｍ、Ｓｅ、または（ｃ）Ｃｄ、Ｍ、Ｓｅ、Ａの組成を有するナノ結晶複合材料の形成ではＭまたはその前駆体を添加し、そして（ｂ）Ｃｄ、Ｓｅ、Ａまたは（ｃ）Ｃｄ、Ｍ、Ｓｅ、Ａの組成を有するナノ結晶複合材料の形成ではＡを添加し、それにより反応混合物を形成すること、
（ii）前記反応混合物を、ＣｄおよびＳｅ含有ナノ結晶複合材料の形成に適した温度で十分な時間加熱し、前記加熱が反応混合物中で形成された水を除去することを更に含み、その後、反応混合物を冷却すること、
（iii）ＣｄおよびＳｅ含有ナノ結晶複合材料を単離すること、
からなり、アミンを含まないとは溶媒にアミンが全く存在しないことを意味する方法。
【請求項１１】
前記溶媒が配位性化合物を含む、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記カドミウム前駆体を無機カドミウム化合物から形成する、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記Ｍの前駆体をその無機化合物から形成する、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
（ａ）Ｃｄ、Ｍ、Ｓｅ、または（ｃ）Ｃｄ、Ｍ、Ｓｅ、Ａの組成を有するナノ結晶複合材料の形成において、（ｉ）ＣｄまたはＣｄ前駆体、および（ii）Ｍまたはその前駆体を所定のモル比で使用し、ＣｄまたはＣｄ前駆体：ＭまたはＭの前駆体の前記所定のモル比を約１：１００〜約１００：１の範囲内で選択する、請求項１〜４および６〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
ＣｄまたはＣｄ前駆体：ＭまたはＭの前駆体の前記所定のモル比を約１：１０〜約１０：１の範囲内で選択する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
（ｂ）Ｃｄ、Ｓｅ、Ａまたは（ｃ）Ｃｄ、Ｍ、Ｓｅ、Ａの組成を有するナノ結晶複合材料の形成において、ＡおよびＳｅを所定のモル比で使用し、Ａ：Ｓｅの前記所定のモル比を約１：１００〜約１００：１の範囲内で選択する、請求項２〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
ＡおよびＳｅを約１：１０〜約１０：１の比で使用する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
（ｉ）ＣｄまたはＣｄ前駆体、および（ii）Ｓｅを所定のモル比で使用し、ＣｄまたはＣｄ前駆体：Ｓｅの前記所定のモル比を約１：１００〜約１００：１の範囲内で選択する、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
（ａ）Ｃｄ、Ｍ、Ｓｅ、または（ｃ）Ｃｄ、Ｍ、Ｓｅ、Ａの組成を有するナノ結晶複合材料の形成において、Ｍまたはその前駆体、およびＳｅを所定のモル比で使用し、ＭまたはＭの前駆体：Ｓｅの前記所定のモル比を約１：１００〜約１００：１の範囲内で選択する、請求項１〜４および６〜１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
Ｍまたはその前駆体と、Ｓｅとを、約１：１０〜約１０：１の比で使用する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
Ｍが元素Ｚｎである、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
Ａが元素ＳおよびＴｅの一方である、請求項１〜２１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
（ａ）Ｃｄ、Ｍ、Ｓｅ、（ｂ）Ｃｄ、Ｓｅ、Ａ、および（ｃ）Ｃｄ、Ｍ、Ｓｅ、Ａのうちの一つの組成を有するＣｄおよびＳｅ含有ナノ結晶複合材料であって、Ｍが、Ｃｄ以外のＰＳＥの第１２族元素であり、Ａが、ＯおよびＳｅ以外のＰＳＥの第１６族元素であり、該ナノ結晶複合材料は不均質な複合体構造であり、請求項１〜２２のいずれか１項に記載の方法により得られるナノ結晶複合材料。