【手続補正書】
【提出日】平成23年5月13日(2011.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種の溶媒、少なくとも１種の腐食防止剤、および少なくとも１種のアミンを含む洗浄組成物であって、
前記腐食防止剤が、シアヌル酸；バルビツル酸およびその誘導体；グルクロン酸；スクアリン酸；アルファ−ケト酸；アデノシンおよびその誘導体；プリン化合物およびその誘導体；ホスホン酸誘導体；フェナントロリン／アスコルビン酸；グリシン／アスコルビン酸；ニコチンアミドおよびその誘導体；フラボノールおよびその誘導体；アントシアニンおよびその誘導体；フラボノール／アントシアニン；ならびにこれらの組合せからなる群から選択される化学種を含み、
残渣をその上に有するマイクロエレクトロニクスデバイスから前記残渣を除去するのに有効である、洗浄組成物。
【請求項２】
前記腐食防止剤が、スクアリン酸、アデノシンおよびその誘導体、フェナントロリン／アスコルビン酸、ニコチンアミドおよびその誘導体、フラボノイド、アントシアニン、フラボノール／アントシアニン、クエルシチンおよびその誘導体、グルクロン酸、クエルシチン／アントシアニン、ならびにこれらの組合せからなる群から選択される少なくとも１種の化学種を含む、請求項１に記載の洗浄組成物。
【請求項３】
前記腐食防止剤が、アデニン、プリン、グアニン、ヒポキサンチン、キサンチン、テオブロミン、カフェイン、尿酸、イソグアニン、およびこれらの誘導体からなる群から選択される少なくとも１種の化学種を含む、請求項１に記載の洗浄組成物。
【請求項４】
前記洗浄組成物が、少なくとも１種の第４級塩基；少なくとも１種の錯化剤；少なくとも１種の界面活性剤；少なくとも１種の還元剤；少なくとも１種の分散剤；少なくとも１種のスルホン酸含有炭化水素；尿酸；少なくとも１種のアルコール；およびこれらの組合せからなる群から選択される少なくとも１種のさらなる成分をさらに含む、請求項１、２、または３に記載の洗浄組成物。
【請求項５】
前記洗浄組成物が、（ｉ）〜（ｖｉｉｉ）：
（ｉ）少なくとも１種の第４級塩基、少なくとも１種の有機アミン、および場合により少なくとも１種の還元剤；
（ｉｉ）少なくとも１種の第４級塩基、少なくとも１種の有機アミン、および少なくとも１種の錯化剤；
（ｉｉｉ）少なくとも１種のアミン；
（ｉｖ）少なくとも１種のアミン、少なくとも１種の界面活性剤、および場合により少なくとも１種の還元剤；
（ｖ）少なくとも１種のアミン、少なくとも１種の還元剤、場合により少なくとも１種の界面活性剤、および場合により少なくとも１種の第４級塩基；
（ｖｉ）少なくとも１種のアミン、少なくとも１種の第４級塩基、少なくとも１種の還元剤、および場合により少なくとも１種の界面活性剤；
（ｖｉｉ）少なくとも１種の第４級塩基、少なくとも１種のアルカノールアミン、および尿酸；ならびに
（ｖｉｉｉ）少なくとも１種の第４級塩基、少なくとも１種のアルカノールアミン、尿酸、および少なくとも１種のアルコール
のうちの少なくとも１種の実施形態をさらに含む、請求項１、２、または３に記載の洗浄組成物。
【請求項６】
前記溶媒が、水を含む、請求項１、２、または３に記載の洗浄組成物。
【請求項７】
残渣および汚染物質をさらに含む、請求項１、２、または３に記載の洗浄組成物。
【請求項８】
前記残渣が、ＣＭＰ後残渣、エッチング後残渣、アッシング後残渣、またはこれらの組合せを含む、請求項１、２、または３に記載の洗浄組成物。
【請求項９】
前記ＣＭＰ後残渣が、ＣＭＰ研磨スラリーに由来する粒子、ＣＭＰ研磨スラリー中に存在する化学物質、ＣＭＰ研磨スラリーの反応副生成物、カーボンリッチな粒子、研磨パッドの粒子、ブラシから脱離した粒子、設備建設用資材の粒子、銅、酸化銅、およびこれらの組合せからなる群から選択される物質を含む、請求項８に記載の洗浄組成物。
【請求項１０】
前記組成物が、約５：１〜約２００：１の範囲で希釈される、請求項１、２、または３に記載の洗浄組成物。
【請求項１１】
前記マイクロエレクトロニクスデバイスから前記残渣を除去する前の当該洗浄組成物は、酸化剤、フッ素源、および／または研磨材を実質的に含んでいない、請求項１、２、または３に記載の洗浄組成物。
【請求項１２】
少なくとも１種のさらなる腐食防止剤をさらに含み、前記少なくとも１種のさらなる腐食防止剤が、アスコルビン酸、Ｌ（＋）−アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、アスコルビン酸誘導体、ベンゾトリアゾール、クエン酸、エチレンジアミン、没食子酸、シュウ酸、タンニン酸、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、尿酸、１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、トリルトリアゾール、５−フェニル−ベンゾトリアゾール、５−ニトロ−ベンゾトリアゾール、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、１−アミノ−１，２，４−トリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、２−（５−アミノ−ペンチル）−ベンゾトリアゾール、１−アミノ−１，２，３−トリアゾール、１−アミノ−５−メチル−１，２，３−トリアゾール、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール、３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、３−イソプロピル−１，２，４−トリアゾール、５−フェニルチオール−ベンゾトリアゾール、ハロ−ベンゾトリアゾール（ハロ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、またはＩ）、ナフトトリアゾール、２−メルカプトベンズイミダゾール（ＭＢＩ）、２−メルカプトベンゾチアゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、２−メルカプトチアゾリン、５−アミノテトラゾール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、２，４−ジアミノ−６−メチル−１，３，５−トリアジン、チアゾール、トリアジン、メチルテトラゾール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，５−ペンタメチレンテトラゾール、１−フェニル−５−メルカプトテトラゾール、ジアミノメチルトリアジン、イミダゾリンチオン、メルカプトベンズイミダゾール、４−メチル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−チオール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、ベンゾチアゾール、リン酸トリトリル、イミダゾール、インジアゾール、安息香酸、安息香酸アンモニウム、カテコール、ピロガロール、レゾルシノール、ヒドロキノン、シアヌル酸、バルビツル酸および誘導体（１，２−ジメチルバルビツル酸等）、アルファ−ケト酸（ピルビン酸等）、アデニン、プリン、ホスホン酸およびその誘導体、グリシン／アスコルビン酸、ならびにこれらの組合せからなる群から選択される化学種を含む、請求項１、２、または３に記載の洗浄組成物。
【請求項１３】
前記少なくとも１種のアミンが、一般式ＮＲ１Ｒ２Ｒ３（式中、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３は、同一であっても互いに異なっていてもよく、水素、直鎖Ｃ１〜Ｃ６アルキル、分岐Ｃ１〜Ｃ６アルキル、直鎖Ｃ１〜Ｃ６アルコール、および分岐Ｃ１〜Ｃ６アルコールからなる群から選択される）を有する、請求項１、２、または３に記載の洗浄組成物。
【請求項１４】
前記少なくとも１種の第４級塩基が、式ＮＲ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４ＯＨ（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４は、同一であっても互いに異なっていてもよく、水素、直鎖Ｃ１〜Ｃ６アルキル、分岐Ｃ１〜Ｃ６アルキル、置換Ｃ６〜Ｃ１０アリール、および無置換Ｃ６〜Ｃ１０アリールからなる群から選択される）を有し、
前記少なくとも１種の還元剤が、アスコルビン酸、Ｌ（＋）−アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、アスコルビン酸誘導体、没食子酸、グリオキサル、およびこれらの組合せからなる群から選択される化学種を含み、
前記少なくとも１種のアルコールが、直鎖または分岐のＣ１〜Ｃ６アルコールを含み、
前記少なくとも１種の界面活性剤が、両性塩、カチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、フルオロアルキル界面活性剤、非イオン性界面活性剤、およびこれらの組合せを含み、
前記分散剤が、平均分子量が１５，０００未満であるアクリル酸またはその塩を含む有機ポリマーを含み、
前記スルホン酸含有炭化水素が、直鎖Ｃ１〜Ｃ６アルカンスルホン酸、分岐Ｃ１〜Ｃ６アルカンスルホン酸、直鎖Ｃ２〜Ｃ６アルケンスルホン酸、分岐Ｃ２〜Ｃ６アルケンスルホン酸、置換Ｃ６〜Ｃ１４アリールスルホン酸、無置換Ｃ６〜Ｃ１４アリールスルホン酸、これらの塩、およびこれらの組合せを含み、かつ
前記錯化剤が、酢酸、アセトンオキシム、アクリル酸、アジピン酸、アラニン、アルギニン、アスパラギン、アスパラギン酸、ベタイン、ジメチルグリオキシム、ギ酸、フマル酸、グルコン酸、グルタミン酸、グルタミン、グルタル酸、グリセリン酸、グリセロール、グリコール酸、グリオキシル酸、ヒスチジン、イミノジ酢酸、イソフタル酸、イタコン酸、乳酸、ロイシン、リジン、マレイン酸、無水マレイン酸、リンゴ酸、マロン酸、マンデル酸、２，４−ペンタンジオン、フェニル酢酸、フェニルアラニン、フタル酸、プロリン、プロピオン酸、ピロカテコール（pyrocatecol）、ピロメリット酸、キナ酸、セリン、ソルビトール、コハク酸、酒石酸、テレフタル酸、トリメリット酸、トリメシン酸、チロシン、バリン、キシリトール、これらの塩および誘導体、ならびにこれらの組合せからなる群から選択される化学種を含む、請求項４に記載の洗浄組成物。
【請求項１５】
１つまたはそれ以上の容器内に、洗浄組成物を形成するための以下の試剤の１種またはそれ以上を含むキットであって、前記１種またはそれ以上の試剤が、少なくとも１種の腐食防止剤；少なくとも１種の第４級塩基；少なくとも１種の有機アミン；少なくとも１種の錯化剤；少なくとも１種の界面活性剤；少なくとも１種の還元剤；少なくとも１種の分散剤；少なくとも１種のスルホン酸含有炭化水素；少なくとも１種のアルカノールアミン；尿酸；少なくとも１種のアルコール；およびこれらの組合せからなる群から選択され、
前記キットが、請求項１、２、または３に記載の組成物を形成するようになされている、キット。
【請求項１６】
残渣および汚染物質をその上に有するマイクロエレクトロニクスデバイスから前記残渣および汚染物質を除去する方法であって、
前記マイクロエレクトロニクスデバイスから前記残渣および汚染物質の少なくとも一部を洗浄するのに十分な時間、前記マイクロエレクトロニクスデバイスを洗浄組成物と接触させる工程を含み、
前記洗浄組成物が、少なくとも１種の溶媒、少なくとも１種の腐食防止剤、および少なくとも１種のアミンを含み、
前記腐食防止剤が、シアヌル酸、バルビツル酸およびその誘導体、グルクロン酸、スクアリン酸、アルファ−ケト酸、アデノシンおよびその誘導体、プリン化合物およびその誘導体、ホスホン酸誘導体、フェナントロリン／アスコルビン酸、グリシン／アスコルビン酸、ニコチンアミドおよびその誘導体、フラボノールおよびその誘導体、アントシアニンおよびその誘導体、フラボノール／アントシアニン、ならびにこれらの組合せからなる群から選択される化学種を含む、方法。
【請求項１７】
前記腐食防止剤が、アデニン、プリン、グアニン、ヒポキサンチン、キサンチン、テオブロミン、カフェイン、尿酸、イソグアニン、スクアリン酸、アデノシンおよびその誘導体、フェナントロリン／アスコルビン酸、ニコチンアミドおよびその誘導体、フラボノイド、アントシアニン、フラボノール／アントシアニン、クエルシチンおよびその誘導体、グルクロン酸、クエルシチン／アントシアニン、およびこれらの組合せからなる群から選択される少なくとも１種の化学種を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記残渣が、ＣＭＰ後残渣、エッチング後残渣、アッシング後残渣、またはこれらの組合せを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記ＣＭＰ後残渣が、ＣＭＰ研磨スラリーに由来する粒子、ＣＭＰ研磨スラリー中に存在する化学物質、ＣＭＰ研磨スラリーの反応副生成物、カーボンリッチな粒子、研磨パッドの粒子、ブラシから脱離した粒子、設備建設用資材の粒子、銅、酸化銅、およびこれらの組合せからなる群から選択される物質を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記接触が、約１５秒間〜約５分間の時間、約２０℃〜約５０℃の範囲の温度、およびこれらの組合せからなる群から選択される条件を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
前記マイクロエレクトロニクスデバイスが、半導体基板、フラットパネルディスプレイ、およびマイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）からなる群から選択される物品を備える、請求項１６に記載の方法。
【請求項２２】
前記マイクロエレクトロニクスデバイスから前記残渣を除去する前の前記洗浄組成物が、酸化剤、フッ素源、および／または研磨材を実質的に含まない、請求項１６または１７に記載の方法。
【請求項２３】
前記洗浄組成物を、使用時またはその前に溶媒で希釈する工程をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２４】
前記溶媒が、水を含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記マイクロエレクトロニクスデバイスが、銅を含有する材料を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２６】
前記洗浄組成物と接触させた後の前記マイクロエレクトロニクスデバイスを、脱イオン水でリンスする工程をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２７】
少なくとも１種の溶媒、少なくとも１種の界面活性剤、少なくとも１種の分散剤、少なくとも１種のスルホン酸含有炭化水素、および少なくとも１種の腐食防止剤を含む洗浄組成物であって、前記腐食防止剤が、シアヌル酸；バルビツル酸およびその誘導体；グルクロン酸；スクアリン酸；アルファ−ケト酸；アデノシンおよびその誘導体；プリン化合物およびその誘導体；ホスホン酸誘導体；フェナントロリン／アスコルビン酸；グリシン／アスコルビン酸；ニコチンアミドおよびその誘導体；フラボノールおよびその誘導体；アントシアニンおよびその誘導体；フラボノール／アントシアニン；ならびにこれらの組合せからなる群から選択される化学種を含み、前記洗浄組成物が、残渣をその上に有するマイクロエレクトロニクスデバイスから前記残渣を除去するのに有効である、洗浄組成物。