【手続補正書】
【提出日】平成23年7月7日(2011.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（I）
2010533215.tif 000001
の有機過酸化物である化合物であって、
式（I）において
Ｒ１およびＲ１'がそれぞれ独立に、Ｈ、置換もしくは非置換の、飽和もしくは部分的に不飽和のヒドロカルビル；または置換もしくは非置換の芳香族ヒドロカルビルであり、
Ｒ１およびＲ１'において、当該置換もしくは非置換の、飽和もしくは部分的に不飽和のヒドロカルビルまたは芳香族ヒドロカルビルのそれぞれが、任意的に１以上のヘテロ原子を含んでいてもよく、
かつ
Ｒ１およびＲ１'において、当該飽和もしくは部分的に不飽和の置換ヒドロカルビルまたは置換芳香族ヒドロカルビルが、官能基；任意的に官能基を有していてもよい飽和もしくは部分的に不飽和のヒドロカルビル；または任意的に官能基を有していてもよい芳香族ヒドロカルビルから選択された１〜４の置換基を独立に含んでおり、
Ｒ２、Ｒ２'、Ｒ３およびＲ３'がそれぞれ独立に、Ｈ、置換もしくは非置換の、飽和もしくは部分的に不飽和のヒドロカルビル；または置換もしくは非置換の芳香族ヒドロカルビルであり、
Ｒ２、Ｒ２'、Ｒ３およびＲ３'において、当該置換もしくは非置換の、飽和もしくは部分的に不飽和のヒドロカルビルまたは芳香族ヒドロカルビルのそれぞれが、任意的に１以上のヘテロ原子を含んでいてもよく、かつ
Ｒ２、Ｒ２'、Ｒ３およびＲ３'において、当該飽和もしくは部分的に不飽和の置換ヒドロカルビルまたは置換芳香族ヒドロカルビルが、官能基；任意的に官能基を有していてもよい飽和もしくは部分的に不飽和のヒドロカルビル；または任意的に官能基を有していてもよい芳香族ヒドロカルビルから選択された１〜４の置換基を独立に含んでおり、または
Ｒ２およびＲ３が、該Ｒ２およびＲ３が結合されている炭素原子（Ｃ１）と一緒に、非置換もしくは置換の、飽和もしくは部分的に不飽和の３〜１４のＣ原子の炭素環部分；Ｏ、Ｎ、Ｐ、ＳもしくはＳｉから選択された１〜６のヘテロ原子を含んでいる、非置換もしくは置換の、飽和もしくは部分的に不飽和の３〜１４の環原子のヘテロ環部分；または任意的に１〜４のヘテロ原子を含んでいてもよい、非置換もしくは置換の３〜１４のＣ原子の芳香族環部分を形成し、
Ｒ２およびＲ３において、当該炭素環、ヘテロ環または芳香族環の系が、４〜１４の環原子を有する他の環系と任意的に縮合されていてもよく、かつ
Ｒ２およびＲ３において、当該置換された、炭素環、ヘテロ環または芳香族環の系が、官能基、任意的に官能基を有していてもよい飽和もしくは部分的に不飽和のヒドロカルビル、または任意的に官能基を有していてもよい芳香族ヒドロカルビルから独立に選択された１〜４の置換基を含んでおり、または
Ｒ２'およびＲ３'が、該Ｒ２'およびＲ３'が結合されている炭素原子（Ｃ１'）と一緒に、非置換もしくは置換の、飽和もしくは部分的に不飽和の３〜１４のＣ原子の炭素環部分；Ｏ、Ｎ、Ｐ、ＳもしくはＳｉから選択された１〜６のヘテロ原子を含んでいる、非置換もしくは置換の、飽和もしくは部分的に不飽和の３〜１４の環原子のヘテロ環部分；または任意的に１〜４のヘテロ原子を含んでいてもよい、非置換もしくは置換の３〜１４のＣ原子の芳香族環部分；を形成し、
Ｒ２'およびＲ３'において、当該炭素環、ヘテロ環または芳香族環の系が、４〜１４の環原子を有する他の環系と任意的に縮合されていてもよく、かつ
Ｒ２'およびＲ３'において、当該置換された、炭素環、ヘテロ環または芳香族環の系が、官能基、任意的に官能基を有していてもよい飽和もしくは部分的に不飽和のヒドロカルビル、または任意的に官能基を有していてもよい芳香族ヒドロカルビルから独立に選択された１〜４の置換基を含んでおり、または
Ｒ２およびＲ２'が一緒に、任意的に１〜４のヘテロ原子を有していてもよい、二価の置換もしくは非置換の、飽和もしくは部分的に不飽和のヒドロカルビルを形成し、ここでＲ２はＣ１に、Ｒ２'はＣ１'にそれぞれ結合されて、−Ｃ１−Ｏ−Ｏ−Ｃ１'−と一緒に、置換もしくは非置換の、飽和もしくは部分的に不飽和の３〜１４のＣ原子の炭素環部分を形成し、当該環部分は当該少なくとも２のＯ原子に加えて任意的に１〜４のさらなるヘテロ原子を含んでいてもよく；ここで当該炭素環またはヘテロ環の系は４〜１４の環原子を有する他の環系と任意的に縮合されていてもよく、
但し、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３のうちの少なくとも２、ならびにＲ１'、Ｒ２'およびＲ３'のうちの少なくとも２はそれぞれ、Ｈおよびメチル以外のものであるところの
上記化合物、またはその官能性誘導体。
【請求項２】
ジフェニルシクロヘキシルパーオキシド以外のものである、請求項１に従う式（I）の化合物。
【請求項３】
Ｒ２およびＲ３が、該Ｒ２およびＲ３が結合されている炭素原子（Ｃ１）と一緒に、任意的に置換されていてもよい３〜１２の環Ｃ原子の炭素環部分、またはＯ、Ｎ、Ｐ、ＳもしくはＳｉから選択された１〜６のヘテロ原子を有する、任意的に置換されていてもよい３〜１２の環原子のヘテロ環部分を形成しており、かつ、当該炭素環式またはヘテロ環式の環系が４〜１４の環原子を有する他の環系と任意的に縮合されていてもよい；および／または
Ｒ２'およびＲ３'が、該Ｒ２'およびＲ３'が結合されている炭素原子（Ｃ１'）と一緒に、任意的に置換されていてもよい３〜１２の環Ｃ原子の炭素環部分、またはＯ、Ｎ、Ｐ、ＳもしくはＳｉから選択された１〜６のヘテロ原子を有する、任意的に置換されていてもよい３〜１２の環原子のヘテロ環部分を形成しており、かつ、当該炭素環式またはヘテロ環式の環系が４〜１４の環原子を有する他の環系と任意的に縮合されていてもよい、
請求項１または２に従う式（I）の化合物。
【請求項４】
Ｒ２およびＲ３が、該Ｒ２およびＲ３が結合されている炭素原子（Ｃ１）と一緒に、ならびに／またはＲ２'およびＲ３'が、該Ｒ２'およびＲ３'が結合されている炭素原子（Ｃ１'）と一緒に、任意的に置換されていてもよい、飽和もしくは部分的に不飽和の単環式もしくは二環式の（Ｃ４〜Ｃ１４の）炭素環を形成している、請求項１〜３のいずれか１項に従う式（I）の化合物。
【請求項５】
Ｒ２'およびＲ３'ならびに該Ｒ２'およびＲ３'が結合されている炭素原子（Ｃ１'）によって形成された環系が、Ｒ２およびＲ３ならびに該Ｒ２およびＲ３が結合されている炭素原子（Ｃ１）によって形成された環系と同じであり、かつ
Ｒ１およびＲ１'がそれぞれ、任意的に置換されていてもよい分枝鎖もしくは直鎖の（Ｃ６〜Ｃ３０の）アルキルまたはメチルを表す、
請求項１〜４のいずれか１項に従う式（I）の化合物。
【請求項６】
Ｒ１およびＲ１'が、同じまたは異なっており、それぞれ、任意的に置換されていてもよい分枝鎖もしくは直鎖の（Ｃ２〜Ｃ３０の）アルキルを表し、
かつ
Ｒ２およびＲ３が、該Ｒ２およびＲ３が結合されているＣ１原子と一緒に、任意的に置換されていてもよい、飽和もしくは部分的に不飽和の単環式もしくは二環式の（Ｃ４〜Ｃ１４の）炭素環を形成し、
かつ、Ｒ２'およびＲ３'が、該Ｒ２'およびＲ３'が結合されている炭素原子（Ｃ１'）と一緒に、任意的に置換されていてもよい、飽和もしくは部分的に不飽和の単環式もしくは二環式の（Ｃ４〜Ｃ１４の）炭素環を形成している、
請求項１〜５のいずれか１項に従う式（I）の化合物。
【請求項７】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ１'、Ｒ２'およびＲ３'が、それぞれ独立に、任意的に置換されていてもよい単環式もしくは多環式の（Ｃ５〜Ｃ１４の）アリール；任意的に置換されていてもよい単環式もしくは多環式の（Ｃ５〜Ｃ１４の）ヘテロアリール；任意的に置換されていてもよい単環式もしくは多環式の（Ｃ４〜Ｃ１４の）シクロアルキル；任意的に置換されていてもよい単環式もしくは多環式の（Ｃ４〜Ｃ１４の）ヘテロシクリル；任意的に置換されていてもよい直鎖もしくは分枝鎖の（Ｃ１〜Ｃ５０の）アルキル；任意的に置換されていてもよい直鎖もしくは分枝鎖の（Ｃ１〜Ｃ５０の）アルケニル、または任意的に置換されていてもよい直鎖もしくは分枝鎖の（Ｃ１〜Ｃ５０の）アルキニル；Ｏ、Ｎ、Ｐ、ＳもしくはＳｉから選択された１〜４のヘテロ原子を含んでいる、任意的に置換されていてもよい直鎖もしくは分枝鎖の（Ｃ１〜Ｃ５０の）ヘテロアルキルである、請求項１または２に従う式（I）の化合物。
【請求項８】
Ｒ２およびＲ２'が同じ基であり、かつＲ３およびＲ３'が同じ基である、請求項１〜７のいずれか１項に従う式（I）の化合物。
【請求項９】
Ｒ２およびＲ２'が同じであり、それぞれメチルを表し、または
Ｒ２およびＲ２'が同じであり、それぞれ（Ｃ６〜Ｃ３０の）アルキルを表す、請求項７〜８のいずれか１項に従う式（I）の化合物。
【請求項１０】
Ｒ３およびＲ３'が同じであり、それぞれ（Ｃ６〜Ｃ３０の）アルキルを表す、請求項７〜８のいずれか１項に従う式（I）の化合物。
【請求項１１】
Ｒ１およびＲ１'が同じまたは異なっており、それぞれ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、ＳもしくはＳｉから選択された１〜４のヘテロ環原子を任意的に有していてもよい、任意的に置換されていてもよい、飽和もしくは部分的に不飽和の５〜１４の環原子の環式ヒドロカルビル；または任意的に置換されていてもよい単環式もしくは多環式の（Ｃ５〜Ｃ１４の）アリールを表し、または
Ｒ１およびＲ１'が同じまたは異なっており、それぞれ、任意的に置換されていてもよい分枝鎖もしくは直鎖の（Ｃ６〜Ｃ３０の）アルキルまたはメチルを表す
請求項１〜１０のいずれか１項に従う式（I）の化合物。
【請求項１２】
Ｒ１およびＲ１'が同じであり、それぞれメチルを表し、かつ
Ｒ２およびＲ３が、該Ｒ２およびＲ３が結合されているＣ１原子と一緒に、任意的に置換されていてもよい、飽和もしくは部分的に不飽和の単環式もしくは二環式の（Ｃ４〜Ｃ１４の）炭素環を形成し、
かつ、Ｒ２'およびＲ３'が、該Ｒ２'およびＲ３'が結合されている炭素原子（Ｃ１'）と一緒に、任意的に置換されていてもよい、飽和もしくは部分的に不飽和の単環式もしくは二環式の（Ｃ４〜Ｃ１４の）炭素環を形成している、
請求項１〜６、８または１１のいずれか１項に従う式（I）の化合物。
【請求項１３】
式（II）
2010533215.tif 000002
（該式で、ｎは０〜３であり、Ｒ４およびＲ４'がそれぞれ独立に、１〜３０の炭素原子を有する直鎖アルキル基を表し、かつ該式で、１のまたは双方の環系が独立に、非置換でありもしくは１〜４の置換基によって任意的に置換されていてもよい。）
の、請求項１２に従う化合物。
【請求項１４】
Ｒ１およびＲ１'が双方とも同じであり、かつ任意的に置換されていてもよい単環式の（Ｃ５〜Ｃ７の）アリールを表し、
Ｒ２およびＲ２'が同じであり、双方ともメチルであり、かつ
Ｒ３およびＲ３'が同じであり、双方とも任意的に置換されていてもよい、分枝鎖または直鎖の（Ｃ６〜Ｃ５０の）アルキルである、
請求項７〜１３のいずれか１項に従う化合物。
【請求項１５】
式（III）
2010533215.tif 000003
（該式で、ＡｒおよびＡｒ'が独立に、１〜４の置換基によって任意的に置換されていてもよいフェニル、ベンジルまたはナフチル基を表し、
Ｒ４およびＲ４'のそれぞれがメチルであり、かつ、
Ｒ５およびＲ５'のそれぞれが独立に、Ｃ６〜３０の炭素原子を有する直鎖アルキル基を表す。）
の、請求項１４に従う化合物。
【請求項１６】
当該任意的な置換基が、−ＯＨ、−ＮＲ２（該式で各Ｒは独立に、Ｈまたは（Ｃ１〜Ｃ１２の）アルキルである。）、ＣＯＲ''（該式でＲ''は、Ｈ、（Ｃ１〜Ｃ１２の）アルキルまたは−ＮＲ２であり、該−ＮＲ２の式で各Ｒは上記の−ＮＲ２について定義された通りである。）、ＣＯＯＲ''（該式でＲは−ＣＯＲ''について定義された通りである。）、ハロゲン、もしくはアルコキシ、任意的に官能基を有していてもよい飽和もしくは部分的に不飽和のヒドロカルビル、または任意的に官能基を有していてもよい芳香族ヒドロカルビルからそれぞれ独立に選択される、請求項１〜１５のいずれか１項に従う式（I）の化合物。
【請求項１７】
式（Ｖ）
2010533215.tif 000004
（該式において、
（i）  Ｒ１およびＲ１'がそれぞれ独立に、Ｈ、置換または非置換の、飽和または部分的に不飽和のヒドロカルビルであり、
Ｒ１およびＲ１'において、当該置換または非置換の、飽和または部分的に不飽和のヒドロカルビルのそれぞれが、１以上のヘテロ原子を任意的に含んでいてもよく、
Ｒ１およびＲ１'において、当該置換または非置換の、飽和または部分的に不飽和のヒドロカルビルが、（i）直鎖または分枝鎖の、飽和または部分的に不飽和のヒドロカルビル、（ii）飽和または部分的に不飽和の環式ヒドロカルビルを有する、直鎖または分枝鎖の、飽和または部分的に不飽和のヒドロカルビル、および（iii）飽和または部分的に不飽和の環式ヒドロカルビルを包含し、
Ｒ１およびＲ１'において、当該飽和または部分的に不飽和の環式ヒドロカルビルのそれぞれが独立に、単環式または多環式の環系であり、かつ
Ｒ１およびＲ１'において、当該置換された、飽和または部分的に不飽和のヒドロカルビルが、官能基、任意的に官能基を有していてもよい飽和または部分的に不飽和のヒドロカルビル、または任意的に官能基を有していてもよい芳香族ヒドロカルビルから選択された１〜４の置換基を独立に含んでおり、かつ
Ｒ２、Ｒ２'、Ｒ３およびＲ３'がそれぞれ独立に、Ｒ１およびＲ１'について上で定義された通りであり、
または
（ii）  Ｒ１およびＲ１'がそれぞれ独立に、任意的に置換されていてもよい単環式の（Ｃ５〜Ｃ７の）アリールであり、
Ｒ１およびＲ１'において、当該置換単環式の（Ｃ５〜Ｃ７の）アリールが、官能基、任意的に官能基を有していてもよい飽和もしくは部分的に不飽和のヒドロカルビル、または任意的に官能基を有していてもよい芳香族ヒドロカルビルから選択された１〜４の置換基を独立に含んでおり、かつ
Ｒ２およびＲ２'が同じであり、双方ともメチルであり、かつ
Ｒ３およびＲ３'がそれぞれ独立に、Ｈ、Ｒ１およびＲ１'について上記の（i）の下で定義された置換または非置換の、飽和または部分的に不飽和のヒドロカルビルであり、または
（iii）
Ｒ１およびＲ１'がそれぞれ独立に、Ｈ、Ｒ１およびＲ１'について上記の（i）の下に定義された置換または非置換の、飽和または部分的に不飽和のヒドロカルビルであり、かつ
Ｒ２およびＲ３が、該Ｒ２およびＲ３が結合されている炭素原子（Ｃ１）と一緒に、非置換もしくは置換の、飽和もしくは部分的に不飽和の３〜１４のＣ原子の炭素環部分；またはＯ、Ｎ、Ｐ、ＳもしくはＳｉから選択された１〜６のヘテロ原子を含んでいる、非置換もしくは置換の、飽和もしくは部分的に不飽和の３〜１４の環原子のヘテロ環部分、を形成し、
Ｒ２およびＲ３において、当該炭素環またはヘテロ環が、４〜１４の環原子を有する任意的に置換されていてもよい他の環系と任意的に縮合されていてもよく、かつ
Ｒ２およびＲ３において、当該置換された、炭素環またはヘテロ環の系が、官能基、または任意的に官能基を有していてもよい飽和もしくは部分的に不飽和のヒドロカルビルから独立に選択された１〜４の置換基を含んでおり、かつ
Ｒ２'およびＲ３'が、該Ｒ２'およびＲ３'が結合されている炭素原子（Ｃ１'）と一緒に、非置換もしくは置換の、飽和もしくは部分的に不飽和の３〜１４のＣ原子の炭素環部分；Ｏ、Ｎ、Ｐ、ＳもしくはＳｉから選択された１〜６のヘテロ原子を含んでいる、非置換もしくは置換の、飽和もしくは部分的に不飽和の３〜１４の環原子のヘテロ環部分を形成し、
Ｒ２'およびＲ３'において、当該炭素環またはヘテロ環の系が、４〜１４の環原子を有する任意的に置換されていてもよい他の環系と任意的に縮合されていてもよく、かつ
Ｒ２'およびＲ３'において、当該置換された、炭素環またはヘテロ環の系が、官能基、または任意的に官能基を有していてもよい飽和もしくは部分的に不飽和のヒドロカルビルから独立に選択された１〜４の置換基を含んでおり、
但し、選択肢（i）〜（iii）についての条件としてＲ１、Ｒ２およびＲ３のうちの少なくとも２、ならびにＲ１'、Ｒ２'およびＲ３'のうちの少なくとも２がそれぞれ、Ｈおよびメチル以外のものである。）
の請求項１に従う化合物。
【請求項１８】
ジ（１−メチルシクロペンチル）パーオキシド、
ジ−（１−メチル−１−フェニルウンデシル）パーオキシド、
ジ−（１−メチル−１−フェニルヘプチル）パーオキシド、または
ジ（１−メチル−シクロヘキシル）パーオキシド
のいずれかから選択されたものである、請求項１に従う化合物。
【請求項１９】
フリーラジカル発生段階において分解生成物に分解可能である１以上の部分を構造中に有するところのフリーラジカル発生剤として使用される請求項１〜１８のいずれか１項に記載された化合物であって、
当該１以上の分解可能な部分が、本明細書中の「ＧＣ分析手順」に記載された方法に従って測定されたときに３００（重量）ｐｐｍ未満のＣＨ４含有量をもたらす化合物、もしくは
当該分解生成物としてのＣＨ４に分解可能である何らかの前記部分を有していない化合物、またはこれらの化合物の任意の混合物
のうちの１以上から選択されたものであることを特徴とする化合物。
【請求項２０】
（１）ラジカル反応によってポリマーを架橋する為に、
（２）ラジカル反応によってポリマーに化合物をグラフトする為に、または
（３）ラジカル反応によってポリマーをビスブレーキングして、当該ポリマーのメルトフローレート（ＭＦＲ）を修飾する為に、
（４）ポリマーを修飾する為のフリーラジカル発生剤として
請求項１〜１９のいずれか１項に従う化合物を使用する方法。
【請求項２１】
−少なくとも１のポリマー成分、および
−少なくとも１のフリーラジカル発生剤
を含んでいるポリマー組成物であって、該少なくとも１のフリーラジカル発生剤が請求項１〜１９のいずれか１項に従う化合物である、ポリマー組成物。
【請求項２２】
１以上のフリーラジカル発生剤を使用してラジカル反応によってポリマー組成物を架橋する方法において、請求項１〜１８のいずれか１項に従う化合物であるフリーラジカル発生剤を含んでいるポリマー組成物において、ラジカル反応が開始されて、該ラジカル反応によって架橋を実施することを特徴とする、上記方法。
【請求項２３】
請求項２２の方法によって得られることができる、架橋された組成物。
【請求項２４】
ポリマー組成物を含んでいる１以上の層によって囲まれている導体を含んでいる架橋性ケーブルであって、少なくとも１の層が請求項２１に従うポリマー組成物を含んでいることを特徴とする架橋性ケーブル。
【請求項２５】
請求項２１に従うポリマー組成物を含んでいる、絶縁層、半導電層又は被覆層の少なくとも１を含んでいる、請求項２４に従う架橋性ケーブル；または
絶縁層および任意的な被覆層によって囲まれた導体を含んでいる低電圧ケーブルであって、当該絶縁層が請求項２１に従うポリマー組成物を含んでいる低電圧ケーブル；または
少なくとも内側半導電層、絶縁層および外側半導電層を該順番で含んでいる１以上の層によって囲まれ、さらに任意的な被覆層によって囲まれた電気伝導体を含んでいる電力ケーブルであって、当該層のうちの少なくとも１が、請求項２１に従うポリマー組成物を含んでいる電力ケーブル。
【請求項２６】
ポリマー組成物を含んでいる１以上の層を導体上に施与する段階であって、少なくとも１の層が請求項１〜１９のいずれか１項に記載された１以上のフリーラジカル発生剤を含んでいる段階、および
当該１以上のフリーラジカル発生剤を含んでいる当該少なくとも１の層をラジカル反応によって架橋する段階、
このようにして得られたケーブルがさらなる冷却段階に付され、該冷却段階において当該架橋されたケーブルが加圧条件下に冷却され、
そして、任意的に、当該冷却段階後に該架橋され冷却されたケーブルが、
該架橋され冷却されたケーブルが冷却媒体中でさらに冷却される、非加圧の冷却段階、
該架橋されたケーブルが冷却段階後に収集される、回収段階、
当該冷却および任意的な回収段階から得られた当該架橋されたケーブルから、１もしくは複数の揮発性分解生成物の含有量が、任意的に環境温度もしくは高められた温度で、低減されもしくは除かれる、脱ガス段階、および／または
該得られた架橋されたケーブルがさらなる使用のために慣用の様式で仕上げられる、仕上げ段階
から選択された１以上の追加的段階に付されること、
を含む、ラジカル反応によってケーブルを架橋する方法であって、当該架橋が請求項２２に従う方法を使用して実施されることを特徴とする、方法。
【請求項２７】
ポリマー組成物を含んでいる１以上の層を導体上に施与する段階であって、少なくとも１の層が請求項１〜１９のいずれか１項に記載された１以上のフリーラジカル発生剤を含んでいる段階、および
当該１以上のフリーラジカル発生剤を含んでいる当該少なくとも１の層をラジカル反応によって架橋する段階、
を含み、
当該架橋が請求項２２に従う方法を使用して実施されることを特徴とする方法によって得られることができる架橋されたケーブル。