【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年5月19日(2011.5.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する方法であって、
有機シリコン化合物を含む第一処理ガスを処理チャンバへ導入し、ここで、該有機シリコン化合物は式ＳiＨa(ＣＨ3)b(Ｃ6Ｈ5)c（式中、ａは０〜３であり、ｂは０〜３であり、ｃは１〜４である。）を有する、該第一処理ガス混合物を反応させてシリコンカーバイドバリヤ層を堆積させることにより、シリコンカーバイドバリヤ層を、誘電物質中に形成された金属特徴部を含む基板表面に堆積させるステップであって、該シリコンカーバイドバリヤ層は、４未満の誘電率を有しており、シリコン原子に結合したフェニル基を含有する、前記ステップと、
第二有機シリコン化合物を含む第二処理ガス混合物を処理チャンバへ導入し、該第二処理ガス混合物を反応させてシリコンカーバイドキャップ層を堆積させることにより、該シリコンカーバイドバリヤ層を堆積させる前又は後に該シリコンカーバイドバリヤ層に接するシリコンカーバイドキャップ層を堆積させるステップであって、該シリコンカーバイドキャップ層がシリコン原子に結合したフェニル基を有しない、前記ステップと、を含む、前記方法。
【請求項２】
該第二処理ガス混合物の該第二有機シリコン化合物がトリメチルシランであり、該第二処理ガス混合物がヘリウムを更に含んでいる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
該シリコンカーバイドキャップ層を、約０.０２Ｗ/ｃｍ2〜約５Ｗ/ｃｍ2の高周波ＲＦ電力密度を含むプラズマ条件下で堆積させる、請求項１記載の方法。
【請求項４】
該第二処理ガス混合物の該第二有機シリコン化合物が約５０ｓｃｃｍ〜約８００ｓｃｃｍの流量で該チャンバへ流される、請求項１記載の方法。
【請求項５】
該第二処理ガス混合物が、アルゴン、ヘリウム、窒素、及びアンモニアの群より選ばれた、酸素を含まないガスを更に含んでいる、請求項１記載の方法。
【請求項６】
該第二処理ガス混合物の該酸素を含まないガスが約５０ｓｃｃｍ〜約２０００ｓｃｃｍの流量で該チャンバへ流される、請求項５記載の方法。
【請求項７】
該第一処理ガス混合物の該有機シリコン化合物がジフェニルメチルシラン、ジメチルフェニルシラン、ジフェニルシラン、又はその混合物を含んでいる、請求項１記載の方法。
【請求項８】
該第一処理ガス混合物が、酸素含有化合物、窒素含有化合物、ホウ素含有化合物、リン含有化合物、及びその組合わせの群より選ばれたドーパント成分を更に含んでいる、請求項１記載の方法。
【請求項９】
該酸素含有化合物が、酸素、オゾン、シロキサン、及びその組合わせの群より選ばれる、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
該窒素含有化合物が、窒素ガス、アンモニア、シラザン、及びその組合わせの群より選ばれる、請求項８記載の方法。
【請求項１１】
該第一処理ガス混合物が、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、又はその組合わせの群より選ばれた不活性ガスを更に含んでいる、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
該バリヤ層が約１５原子パーセント未満の酸素を含んでいる、請求項１記載の方法。
【請求項１３】
ａが１又は２であり、ｂが１又は２であり、ｃが１又は２である、請求項１記載の方法。
【請求項１４】
前記シリコンカーバイドキャップ層は、５０Åから１００Åの間の厚さを有する、請求項１から１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
基板を処理する方法であって、
第一有機シリコン化合物を含む第一処理ガス混合物を処理チャンバへ導入し、ここで、該第一有機シリコン化合物は式ＳiＨa(ＣＨ3)b(Ｃ6Ｈ5)c（式中、ａは０〜３であり、ｂは０〜３であり、ｃは１〜４である。）を有する、該処理ガスを反応させてシリコンカーバイドバリヤ層を堆積させることにより、該基板上にシリコンカーバイドバリヤ層を、誘電物質中に形成された金属特徴部を含む基板表面に堆積させるステップであって、該シリコンカーバイドバリヤ層は、４未満の誘電率を有しており、シリコン原子に結合したフェニル基を含有する、前記ステップと、
式ＳiＨx(ＣＨ3)y(Ｃ2Ｈ5)z（式中、ｘは１〜３であり、ｙは０〜３であり、ｚは０〜３である。）を有する第二有機シリコン化合物を含む第二処理ガス混合物を該処理チャンバへ導入し、該第二処理ガス混合物を反応させてシリコンカーバイドキャップ層を堆積させることにより、該シリコンカーバイドバリヤ層上にシリコンカーバイドキャップ層を堆積させるステップであって、該シリコンカーバイドキャップ層がシリコン原子に結合したフェニル基を有しない、前記ステップと、を含む、前記方法。
【請求項１６】
該第二処理ガス混合物の第二有機シリコン化合物がトリメチルシランであり、該第二処理ガス混合物がヘリウムを更に含んでいる、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
該シリコンカーバイドキャップ層を、約０.０２Ｗ/ｃｍ2〜約５Ｗ/ｃｍ2の高周波ＲＦ電力密度を含むプラズマ条件下で堆積させる、請求項１５記載の方法。
【請求項１８】
該第二処理ガス混合物の該第二有機シリコン化合物が約５０ｓｃｃｍ〜約８００ｓｃｃｍの流量で該チャンバへ流される、請求項１５記載の方法。
【請求項１９】
該第二処理ガス混合物が、アルゴン、ヘリウム、窒素、及びアンモニアの群より選ばれた酸素を含まないガスを更に含んでいる、請求項１５記載の方法。
【請求項２０】
該第二処理ガス混合物の該酸素を含まないガスが約５０ｓｃｃｍ〜約２０００ｓｃｃｍの流量で該チャンバへ流される、請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
該第一処理ガス混合物の該第一有機シリコン化合物がジフェニルメチルシラン、ジメチルフェニルシラン、ジフェニルシラン、又はその組合わせを含んでいる、請求項１５記載の方法。
【請求項２２】
該第一処理ガス混合物を反応させるステップが、該第一処理ガス混合物の該第一有機シリコン化合物と酸素、オゾン、シロキサン、及びその組合わせの群より選ばれた酸素含有化合物とを反応させる工程を含んでいる、請求項１５記載の方法。
【請求項２３】
該酸素含有化合物が、酸素、オゾン、シロキサン、及びその組合わせの群より選ばれる、請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
該第一処理ガス混合物が、窒素含有化合物、ホウ素含有化合物、リン含有化合物、及びその組合わせの群より選ばれたドーパント成分を更に含んでいる、請求項１５記載の方法。
【請求項２５】
該窒素含有化合物が、窒素ガス、アンモニア、シラザン、及びその組合わせの群より選ばれる、請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
該第一処理ガス混合物が、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、又はクリプトン、及びその組合わせの群より選ばれた不活性ガスを更に含んでいる、請求項１５記載の方法。
【請求項２７】
該バリヤ層が約１５原子パーセント未満の酸素を含んでいる、請求項１５記載の方法。
【請求項２８】
ａが１又は２であり、ｂが１又は２であり、ｃが１又は２である、請求項１５記載の方法。
【請求項２９】
該キャップ層上に誘電体層を堆積させるステップを更に含み、該誘電体層の誘電率が約４未満である、請求項１５記載の方法。
【請求項３０】
該誘電体層の炭素含量が水素原子を除く約５〜約３０原子パーセントである、請求項２９記載の方法。
【請求項３１】
該誘電体層を、有機シラン又は有機シロキサン化合物をプラズマ増強化学気相堆積技術において酸化することにより堆積させる、請求項３０記載の方法。
【請求項３２】
該誘電体層を、トリメチルシランと酸素をプラズマ増強化学気相堆積技術において反応させることにより堆積させる、請求項３１記載の方法。
【請求項３３】
該誘電体層を、約０.１６Ｗ/ｃｍ2〜約０.４８Ｗ/ｃｍ2の高周波ＲＦ電力密度を含むプラズマ条件下で堆積させる、請求項３２記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７２】
【表１】
2006502586.tif 000001