【事件の表示】
　平成１０年特許願第５０５０４９号「ＲＩＥ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　１月１５日国際公開、ＷＯ９８／０１８９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、１９９７年７月４日（優先権主張１９９６年７月４日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成１９年１０月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１９年１１月３０日付けで拒絶査定を不服とする審判請求がなされるとともに、平成１９年１２月２８日付けで手続補正書が提出され、平成２２年７月１４日付けで当審による拒絶理由が通知され、同年９月２１日付けで意見書および手続補正書が提出され、これに対し、同年９月２７日付けで当審による最後の拒絶理由通知がなされ、同年１１月２６日付けで意見書および手続補正書が提出されたものである。
　
［２］平成２２年１１月２６日付け手続補正の補正却下の決定
＜結論＞平成２２年１１月２６日付け手続補正（以下、「本件補正」という　。）を却下する。
　
＜理由＞
（１）補正の内容
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１を以下のとおりに補正するものである。
「【請求項１】
　被処理体を導入するロード室と、前記被処理体をエッチング処理する処理室とが、開閉手段を介して接続されてなるＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）装置において、前記処理室の内壁は、少なくとも最表面が酸素原子を含まない材料であり、
前記開閉手段は、加熱機構が前記開閉手段の仕切り弁の表面に配置され、プラズマの中にＯ２やＨ２Ｏが混入するのを防止し、
かつ選択比を改善した
　
（２）補正の目的
　上記補正は、ＲＩＥ装置が「選択比を改善した」ものであることをさらに限定しようとするものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（３）独立特許要件
　そこで、上記補正後の本願請求項１に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けられるものかどうかを検討する。
（３−１）補正後の本願発明
　補正後の本願請求項１に係る発明は、上記（１）のとおりのものと認める（以下、「本願補正発明」という。）
　
（３−２）引用刊行物の記載事項
　当審による最後の拒絶理由通知の拒絶の理由に引用された、本願優先権主張日前に頒布された特開平２−２６３９７２号（拒絶の理由に引用した刊行物３：以下、「引用刊行物１」という。）、特開平８−８３７８８号公報（同４：以下、「引用刊行物２」という。）、特開平７−３３１４６２号公報（同５：以下、「引用刊行物３」という。）、特開平３−１８６３３８号公報（同６：以下、「引用刊行物４」という。）、 特開平７−２３５５２９号公報（同７：以下、「引用刊行物５」という。）には、それぞれ以下の事項が記載されている。
　
ア．特開平２−２６３９７２号：引用刊行物１
（１ａ）「２．特許請求の範囲
　（１）金属表面の少なくとも一部に、略々化学量論比を満足する金属フッ化物を主成分とするフッ化不働態膜が形成されていることを特徴とする不働態膜が形成された金属材料。
……
（５）請求項（１）…に記載する金属材料を装置の構成部分の少なくとも一部に用いたことを特徴とする装置。
（６）上記装置がガス装置である請求項（５）に記載の装置。
（７）上記ガス装置が…ガス反応用装置である請求項（６）に記載の装置。　」（特許請求の範囲）
　
 （１ｂ）「第１図にガス装置の例を模式図で示した。装置は…ガス供給システム２０２，及びＲＩＥ装置…から成る反応装置２０３、及び真空排気装置２０５から構成されている。反応装置２０３のチャンバー内壁にはフッ化不働態膜２０４が形成されている。」（第５頁左上欄第１６行−右上欄第２行）
　
イ．特開平８−８３７８８号公報：引用刊行物２
　「エッチング装置として、…ロードロック装置を具えた通常のＲＩＥ装置を用いる。」（【００１７】）
　
ウ．特開平７−３３１４６２号公報：引用刊行物３
（５ａ）【図１】には、反応性イオンエッチング装置（マグネトロンＲＩＥ装置）の一例が示されており、反応室３とロードロック室１８とは、ゲートバルブ１９を介して接続されている。
　
エ．特開平３−１８６３３８号公報：引用刊行物４
（６ａ）「真空下で二つの処理室の間の遮断もしくは開放を行なうバルブ装置において、当該バルブ装置の構成部品のうち前記遮断を行うための弁となる部材を内部より加熱するための手段を設けたことを特徴とするバルブ装置。」（特許請求の範囲）
　
（６ｂ）「従来、装置のベーキングに付添してバルブ装置を外部より加熱することにより、あらかじめゲートバルブ装置自身の放出ガスを全て放出させてしまう方法が知られていた。しかしながら、この方法はバルブ装置の内部治具、…は外部のハウジングの熱輻射による加熱で一応ベーキングされるものの、その温度は低く、十分な効果を得られなかった。
　本発明は、このような従来技術の課題に鑑みて試されたものであり、装置内部からの放出ガスが少なく、超高真空の達成が可能な、バルブ装置を提供することを目的とする。
……
［作用］
　本発明によれば、バルブ装置を十分に加熱することができるので、あらかじめバルブ装置自身の放出ガスを放出させてしまうことができ、従って、…
真空度の極めて高い状態を得やすくすることができる。」（第２頁左上欄第１行−右上欄第４行）
　
（６ｃ）「次に第１図に示したバルブ装置の原理について説明する。
……
電源１３よりヒーター１へ電力を印加すると、ヒーター１は加熱し、これによってヒーター固定板３が加熱される。すると、弁座６内のガスの熱伝導および熱輻射等によって、弁座ベローズ４および弁座６が内側より加熱され、表面からのガス脱離が促進される。」（第２頁左下欄第５−１８行）
　
（６ｄ）第１図には、バルブ装置として、フランジ内に、ベローズおよびその両端に弁座が取り付けられた弁を設け、圧縮空気によるベローズの伸縮により弁として作用をさせるものが示され、ベローズ内にヒーター固定板が配置される様子が示されている。
　
オ．特開平７−２３５５２９号公報：引用刊行物５
（７ａ）「この発明は、反応室の中でウェハを加熱し、反応ガスを分解することによりウェハ表面に薄膜を形成する半導体製造装置に係り、特にウェハ
の保持及び余剰堆積物の付着防止に関するものである。」（【０００１】）
　
（７ｂ）「…図９において、１００はゲートシャッタであり、次のように構成されている。すなわち、圧力室４（「反応室４」の誤記）と予備室１１４とを連通する外側角パイプ１１８の内側には、一端が圧力室４の開口部７０に接続され先端が予備室１１４方向に延長し、この先端が下向き斜め（４５度）にカットされた内側角パイプ１０１を設け、この斜めのカット面に対向して上端が左上斜め（４５度）にカットされたゲート弁座１０４が、上記内側パイプ１０１に対し直角方向に設けられ、…。上記ゲートシャッタ１００を構成する上記ゲート弁座１０４は…上下動可能となっている。」（【００７８】）
　
（７ｃ）「図１０は図９を下からみた下面図、…である。上記外側角パイプ１１８の外側にはヒータホルダ１２２が溶接され、上記ヒータホルダ１２２の中にはヒータ１２３ａが…固定されている。…」（【００７９】
　
（７ｄ）「…ゲートバルブ１１５を開き、同時にシリンダ１１１を駆動しシリンダロッド１１０を下動させて、上記ゲート弁座１０４を下動させることにより開き、上記予備室１１４内の上記ウェハ１を上記内側角パイプ１０１を介して上記反応室４内の…ウェハ加熱源２…の下面にセットし、…ウェハ保持部材４０を駆動して上記ウェハ１を保持し、上記ゲートシャッタ１００を閉じた後…反応ガスを供給する。」（【００８０】）
　
（７ｅ）「…ゲート弁座１０４に上記ヒータ１２３を埋設して、このゲート弁座１０４を加熱するように構成してもよい。これにより、ゲ−ト弁座１０４が加熱されるので、余剰堆積物の付着を防止できる。」（【００８４】）
　
（７ｆ）「また、…その他の薄膜形成、加工等の半導体製造装置にも利用可能である。」（【００８６】）
　
（３−３）引用刊行物１発明
　上記引用刊行物１の記載事項（１ａ）−（１ｃ）によれば、引用刊行物１には、
「被処理体をエッチング処理するチャンバーを有するＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）装置において、前記チャンバーの内壁には、フッ化不働態膜が形成されているＲＩＥ装置。」（以下、「引用刊行物１発明」という。）が記載されているといえる。
　
（３−４）対比・判断
　本願補正発明と引用刊行物１発明とを対比すると、引用刊行物１発明における「チャンバー」は、本願補正発明における「処理室」に相当する。
　また、本願補正発明における「前記処理室の内壁は、少なくとも最表面が酸素原子を含まない材料であり、」とは、本願明細書中の（実施例２）等の記載によれば、内壁をフッ化不働態処理したものとする態様も含んでいると解されるから、引用刊行物１発明における「前記チャンバーの内壁には、フッ化不働態膜が形成されている」は、本願発明における「前記処理室の内壁は、少なくとも最表面が酸素原子を含まない材料であり、」に相当する。
　
　よって、両者は、
  「被処理体をエッチング処理する処理室を有するＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）装置において、前記処理室の内壁は、少なくとも最表面が酸素原子を含まない材料であるＲＩＥ装置。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　本願補正発明では、「被処理室を導入するロード室と、前記被処理体をエッチング処理する処理室とが、開閉手段を介して接続されているのに対し、
　引用刊行物１発明では、それが明らかではない点。
　
（相違点２）
　本願補正発明では、前記開閉手段は、加熱機構が前記開閉手段の仕切り弁の表面に配置され、プラズマの中にＯ２やＨ２Ｏが混入するのを防止し、かつ選択比を改善したのに対し、引用刊行物１発明では、それが明らかではない点。
　
  上記相違点について検討する。
・（相違点１）について
　上記引用刊行物２、３の記載事項によれば、ＲＩＥ装置では、通常、処理室にゲートバルブ等の開閉手段を介してロード室が接続されているものと認められ、また、引用刊行物１発明においてそれらが除かれるとする特段の理由もないことから、実質的な相違点とは認められない。
　
・（相違点２）について
  ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）の際、酸素が存在しなければ、被エッチング材とレジストとの選択比を良好に保ちながらエッチングできることは周知の事項である（例えば、特開平３−５５８３４号公報：「…この発明によれば、下部配線パターン金属層及び該金属層上に形成される絶縁層とからなる積層膜を表面に有する半導体基板をドライエッチングして上記絶縁層に通孔を設けた後、該絶縁層上に上部配線パターン金属層を形成し、上記通孔を通じて前記下部配線パターン金属層と上記上部配線パターン金属層とを導通して半導体装置を製造することからなり、通孔形成のための上記ドライエッチングが、（ａ）
酸素ガス不存在下で反応性イオンエッチングして絶縁層のみを除去する工程
通孔形成時において、被エッチング膜が絶縁層である間は酸素ガスの不存在下でドライエッチングが行われ、レジストとの選択比が良好に保たれて絶縁層が除去され通孔が形成される。
　
　よって、引用刊行物１発明においても、精度のよい反応性イオンエッチングを行うべく、ガス雰囲気中になるべく酸素を存在（混入）させずに行う必要があるといえる。
　そして、上記引用刊行物４には、半導体プロセス装置の二つの真空処理室間を遮断、開放するゲートバルブ装置において、装置内部の弁となる部材についても加熱する手段を設けることにより、処理室内への放出ガスを低減し高真空を達成することが、また、引用刊行物５には、半導体製造装置において、薄膜形成、加工を行う反応室と予備室とを連通する、外側パイプおよび内側パイプからなるゲートシャッタ（「開閉手段」に相当）において、内側パイプ先端に対して上下動して開閉を行うゲート弁座（「仕切り弁」に相当）に加熱手段を設けることにより、前記反応室からの反応生成物の付着を防止することが、それぞれ記載されており、引用刊行物１発明において、酸素ガスの混入低減のための具体的な手段として、例えば、引用刊行物４、５に示されるような、ゲートバルブ（シャッタ）装置における仕切り弁への加熱機構の配置は、当業者が容易に想到しえたことといえ、その際、仕切り弁のどこに加熱機構を設けるかは、仕切り弁の形状あるいは構造に応じて適宜決定すべき設計的事項にすぎない。
　そして、本願補正発明が上記引用刊行物１−５の記載事項および周知技術からは予想しえない効果を奏するものとも認められない。
　
　よって、本願補正発明は、上記引用刊行物１−５に記載された発明および周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものと認める。
　
（３−５）まとめ
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
［３］本願発明
　平成２２年１１月２６日付け手続補正は却下されたので、本願請求項１に係る発明は、同年９月２１日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】被処理体を導入するロード室と、前記被処理体をエッチング処理する処理室とが、開閉手段を介して接続されてなるＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）装置において、前記処理室の内壁は、少なくとも最表面が酸素原子を含まない材料であり、
前記開閉手段は、加熱機構が前記開閉手段の仕切り弁の表面に配置され、
プラズマの中にＯ２やＨ２Ｏが混入するのを防止したことを特徴とするＲＩＥ装置。」
　
［４］対比・判断
　上記本願補正発明は、本願発明に係るＲＩＥ装置が、「かつ選択比を改善した」ものであることをさらに限定したものである。
　そして、上記［２］（３）のとおり、本願補正発明が、引用刊行物１−５に記載された発明および周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであることから、本願発明についても、引用刊行物１−５に記載された発明および周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［５］むすび
　以上のとおり、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。