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　特願２００２−３２９１９１「送受信用の受動素子とその集積モジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月　３日出願公開、特開２００３−２８３２８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯 
　本願は、平成１４年１１月１３日（パリ条約による優先権主張２００１年１１月１５日、大韓民国）の特許出願であって、平成１９年２月２７日付けで拒絶理由が通知され、同年７月５日付けで手続補正書が提出され、同年１１月５日付けで拒絶査定され、これに対して平成２０年２月１２日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年３月１３日付けで手続補正書が提出されたものである。
　
　　　
２．平成２０年３月１３日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年３月１３日付けの手続補正を却下する。
［理由］　　　
（１）補正後の請求項１に係る発明 
　平成２０年３月１３日付けの手続補正（以下、「本願補正」という）は、本願補正前の平成１９年７月５日付け手続補正書により補正された請求項１の内容を、
「半導体基板または誘電体基板と、
　前記基板上に形成された少なくとも１つのキャパシタと、
　前記キャパシタ及び基板上に形成された誘電体層と、
　前記誘電体層上に形成された少なくとも１つのインダクタと、
　前記誘電体層を貫通するビアホールと、
　前記ビアホールに形成され、前記キャパシタ及びインダクタを電気的に接続させるメタル電極と、
　前記インダクタ及びキャパシタのための信号線と、
　前記基板上に形成され、前記信号線と離れているグラウンドと、
を備えることを特徴とする送受信用の受動素子。」
から、
「半導体基板または誘電体基板と、
　前記基板上に形成された少なくとも１つのキャパシタと、
　前記キャパシタ及び基板上に形成された誘電体層と、
　前記誘電体層上の水平方向に形成された少なくとも１つのインダクタと、
　前記誘電体層を貫通するビアホールと、
　前記ビアホールに形成され、前記キャパシタ及びインダクタを電気的に接続させるメタル電極と、
　前記インダクタ及びキャパシタのための信号線と、
　前記基板上に形成され、前記信号線と離れているグラウンドと、
を備えることを特徴とする送受信用の受動素子。」
に、変更する補正を含むものである。
　
　上記補正は、補正前の請求項１における「誘電体層上に形成された少なくとも１つのインダクタ」について、その形成方向を「水平方向」とする点を限定するものであって、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　　　
　そこで、本願補正後の上記請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　　
　　　　 　　　
（２）引用例 
　原査定において引用された特開平１０−１１７１１７号公報（以下、「引用例」という）には、下記の事項が記載されている。
　　
（あ）「【００２７】図５に、本発明に係る高周波部品の第２の実施例の回路図を示す。高周波部品２０は、第１の実施例の高周波部品１０と比較して、第１のポートＰ１と第２のポートＰ２の間に、低域通過フィルタ（Low Pass Filter : LPF)２１が接続され、第１のポートＰ１と第３のポートＰ３の間に、高域通過フィルタ(High Pass Filter : HPF)２２が接続される。この際、ＬＰＦ２１及びＨＰＦ２２は、インダクタンス素子である伝送線路ＬＬ１、ＬＬ２及びキャパシタンス素子であるコンデンサＣＣ１〜ＣＣ４のみで形成されている。
【００２８】具体的には、ＬＰＦ２１は、第１のポートＰ１と第２のポートＰ２との間に伝送線路ＬＬ１とコンデンサＣＣ１とからなる並列回路が接続され、伝送線路ＬＬ１とコンデンサＣＣ１との接続点は、コンデンサＣＣ２を介して接地される。
【００２９】また、ＨＰＦ２２は、第１のポートＰ１と第３のポートＰ３との間にコンデンサＣＣ３とコンデンサＣＣ４とからなる直列回路が接続され、コンデンサＣＣ３とコンデンサＣＣ４との接続点は、伝送線路ＬＬ２とコンデンサＣＣ５とからなる直列回路を介して接地される。
【００３０】この構成により、低い周波数領域の高周波信号が、第１のポートＰ１と第２のポートＰ２との間を通過し、高い周波数領域の高周波信号が、第１のポートＰ１と第３のポートＰ３との間を通過することができる。この際、ＬＰＦ２１の通過領域とＨＰＦ２２の通過領域とは、互いの通過領域が重ならないように選択される。
【００３１】例えば、第１のポートＰ１にアンテナ、第２のポートＰ２に受信回路、第３のポートＰ３に送信回路を接続して、ＰＤＣ８００(Personal Digital Cellular 800)に使用した場合には、アンテナが受信した８２０ＭＨｚの受信信号は、ＬＰＦを通過して、受信回路に出力される。一方、送信回路から出力された９５０ＭＨｚの送信信号は、ＨＰＦを通過して、アンテナから送信される。」
　
（い）「【００３３】図６（ａ）〜図６（ｈ）、図７（ａ）〜図７（ｂ）に、図５の高周波部品２０を構成する各誘電体層の上面図及び下面図を示す。高周波部品２０は、ＬＰＦ２１及びＨＰＦ２２を内蔵する多層基板（図示せず）を含む。この多層基板は、第１〜第９の誘電体層ａ´〜ｉ´を上から順次積層することによって形成される。
【００３４】そして、第２，第３，第４及び第８の誘電体層ｂ´，ｃ´，ｄ´，ｈ´の上面にはコンデンサ電極ＣＣ３１，ＣＣ４１，ＣＣ３２，ＣＣ４２，ＣＣ１１，ＣＣ３３，ＣＣ４３，ＣＣ１２，ＣＣ２１，ＣＣ５１がそれぞれ形成される。また、第５の誘電体層ｅ´の上面にはストリップライン電極ＬＬ１１，ＬＬ２１がそれぞれ形成される。
【００３５】さらに、第７及び第９の誘電体層ｇ´，ｉ´の上面にはグランド電極Ｇ１，Ｇ２がそれぞれ形成される。また、第９の誘電体層ｉ´の下面（図７（ｊ））には第１〜第３のポートＰ１〜Ｐ３に接続される外部端子Ｔｂ，Ｔｄ，Ｔｇ及び接地端子Ｔａ，Ｔｃ，Ｔｆが形成される。
【００３６】さらに、第１〜第９の誘電体層ａ´〜ｉ´にはそれらの誘電体層ａ´〜ｉ´を貫くビアホール電極ＶＨａ´〜ＶＨｈ´がそれぞれ形成される。なお、これらのビアホール電極ＶＨａ´〜ＶＨｈ´により、コンデンサ電極ＣＣ１１，ＣＣ１２，ＣＣ２１，ＣＣ３１，ＣＣ３２，ＣＣ３３，ＣＣ４１，ＣＣ４２，ＣＣ４３，ＣＣ５１、ストリップライン電極ＬＬ１１，ＬＬ２１、及びグランド電極Ｇ１，Ｇ２が適宜接続される。
【００３７】この際、コンデンサ電極ＣＣ１１，ＣＣ１２でＬＰＦ２１のコンデンサＣＣ１、コンデンサ電極ＣＣ２１，グランド電極Ｇ２でＬＰＦ２１のコンデンサＣＣ２、コンデンサ電極ＣＣ３１〜ＣＣ３３でＨＰＦ２２のコンデンサＣＣ３、コンデンサ電極ＣＣ４１〜ＣＣ４３でＨＰＦ２２のコンデンサＣＣ４、コンデンサ電極ＣＣ５１，グランド電極Ｇ２でＨＰＦ２２のコンデンサＣＣ５をそれぞれ構成する。
【００３８】また、ストリップライン電極ＬＬ１１でＬＰＦ２１の伝送線路ＬＬ１、ストリップライン電極ＬＬ２１でＨＰＦ２２の伝送線路ＬＬ２をそれぞれ構成する。
【００３９】以上のような構成で、図５に示す回路を有する高周波部品２０が１つの多層基板に構成される。
【００４０】ここで、上記の８００ＭＨｚのＡＭＰＳと１．９ＧＨｚのＰＳＣに用いるデュアルバンド用高周波部品における第１のポートＰ１と第２のポートＰ２との間、及び第１のポートＰ１と第３のポートＰ３との間の通過特性の周波数依存性を図８に示す。図８において、実線が第１のポートＰ１−第２のポートＰ２間、破線が第１のポートＰ１−第３のポートＰ３間である。
【００４１】この図から、第１のポートＰ１−第２のポートＰ２間では１．９ＧＨｚ付近でほぼゼロ(dB)を示し、第１のポートＰ１−第３のポートＰ３間では８００ＭＨｚ付近でほぼゼロ(dB)を示していることが理解される。これは、シールド電極を設けなくとも、互いの干渉が十分に抑えられていることを示している。
【００４２】上記のように、第２の実施例の高周波部品によれば、第１のポートと第２のポートとの間に接続される低域通過フィルタと、第１のポートと第３のポートとの間に接続される高域通過フィルタとで構成されているため、第１の実施例の効果に加え、各フィルタ部品を形成する伝送線路及びコンデンサの個数を少なくすることができる。従って、高周波部品をさらに小形化することができる。具体的には、外形の寸法が、４．５ｍｍ（Ｌ）×３．２ｍｍ（Ｗ）×１．０ｍｍ（Ｈ）の多層基板に内蔵することが可能となる。
【００４３】また、シールド電極を設けなくとも、互いの干渉を十分に抑えることができる。
【００４４】さらに、低域通過フィルタ及び高域通過フィルタが、複数の誘電体層の表面に設けられたストリップライン電極、コンデンサ電極及びグランド電極と、複数の誘電体層を貫くとともに、ストリップライン電極、コンデンサ電極及びグランド電極を接続するビアホール電極とで構成されるため、製造工程の簡略化が実現できる。」
　　
（う）図６及び図７には、誘電体層ｉ´、グランド電極Ｇ２、誘電体層ｈ´、コンデンサ電極ＣＣ５１の順に配置された構成が記載され、上記（い）には「コンデンサ電極ＣＣ５１，グランド電極Ｇ２でＨＰＦ２２のコンデンサＣＣ５をそれぞれ構成する」と記載されているので、誘電体層ｉ´上には回路技術においては、キャパシタと等価なコンデンサＣＣ５が形成されているといえる。
　　
（え）上記（あ）には「インダクタンス素子である伝送線路ＬＬ１、ＬＬ２」、上記（い）には「ストリップライン電極ＬＬ１１でＬＰＦ２１の伝送線路ＬＬ１、ストリップライン電極ＬＬ２１でＨＰＦ２２の伝送線路ＬＬ２をそれぞれ構成する」が記載されており、また、図６の（ｅ）にはストリップライン電極ＬＬ２１が第５の誘電体層ｅ´上の水平方向に形成された点が記載されているので、回路技術においては、ストリップライン電極ＬＬ２１は第５の誘電体層ｅ´上の水平方向に形成されたインダクタンス素子であるといえる。
　　　
（お）上記（い）の「第１〜第９の誘電体層ａ´〜ｉ´にはそれらの誘電体層ａ´〜ｉ´を貫くビアホール電極ＶＨａ´〜ＶＨｈ´がそれぞれ形成される。なお、これらのビアホール電極ＶＨａ´〜ＶＨｈ´により、コンデンサ電極ＣＣ１１，ＣＣ１２，ＣＣ２１，ＣＣ３１，ＣＣ３２，ＣＣ３３，ＣＣ４１，ＣＣ４２，ＣＣ４３，ＣＣ５１、ストリップライン電極ＬＬ１１，ＬＬ２１、及びグランド電極Ｇ１，Ｇ２が適宜接続される」の記載、図５の回路図、図６及び図７の各誘電体層の構成図から、誘電体層ｅ´上に形成されたストリップライン電極ＬＬ２１の一端に形成されたビアホール電極は、誘電体層ｆ´、誘電体層ｇ´を貫いて、誘電体層ｈ´上に形成されたコンデンサ電極ＣＣ５１にビアホール電極ＶＨｈ´として達していると認められるので、コンデンサ電極ＣＣ５１及びストリップライン電極ＬＬ２１はビアホール電極によって電気的に接続されているといえる。
　　　
（か）上記（あ）には、図５の回路において、「第１のポートＰ１にアンテナ、第２のポートＰ２に受信回路、第３のポートＰ３に送信回路を接続して、ＰＤＣ８００(Personal Digital Cellular 800)に使用した場合には、アンテナが受信した８２０ＭＨｚの受信信号は、ＬＰＦを通過して、受信回路に出力される。一方、送信回路から出力された９５０ＭＨｚの送信信号は、ＨＰＦを通過して、アンテナから送信される」ことが記載されているので、図５に記載された回路は、送受信に用いられる高周波部品といえる。
　
　上記（あ）乃至（か）及び図５乃至図７の記載から、引用例には下記の発明（以下、「引用発明」という）が記載されている。
「誘電体層ｉ´と、
　前記誘電体層ｉ´上に形成されたコンデンサＣＣ５と、
　前記コンデンサＣＣ５及び誘電体層ｉ´上に形成された誘電体層ｅ´と、
　前記誘電体層ｅ´上の水平方向に形成されたインダクタンス素子と、
　前記誘電体層ｅ´を貫通するビアホールと、
　前記ビアホールに形成され、前記コンデンサＣＣ５及びインダクタンス素子を電気的に接続させるビアホール電極と、
　前記誘電体層ｉ´上に形成されたグランド電極Ｇ２と、
を備えた送受信用の高周波部品。」　
　　　
　　　
（３）対比 
（３−１）本願補正発明と引用発明との対応関係について
（ア）引用発明の「コンデンサＣＣ５」、「誘電体層ｅ´」、「インダクタンス素子」、「ビアホール電極」、「グランド電極Ｇ２」は、本願補正発明の「キャパシタ」、「誘電体層」、「インダクタ」、「メタル電極」、「グラウンド」に相当している。
（イ）多層基板で構成された高周波部品では、多層基板を構成するそれぞれの層を基板と称することもあり、また、引用発明の「誘電体層ｉ´」は、最下位の誘電体層であることを考慮すれば、回路技術においては「誘電体基板」と等価であり、本願発明の「誘電体基板」に相当している。
（ウ）引用発明の「高周波部品」は、インダクタンス素子とコンデンサから構成されているので、「受動素子」といえる。
（エ）本願明細書では、段落【００１３】に「キャパシタ２２０は、ビアホール２５０に形成された電極２５２を介して第１のインダクタ２３０及び第２のインダクタ２４０の間に接続されている。前記基板２１０は、半導体基板または誘電体基板である。前記第１のインダクタ２３０の一端はビアホール電極２５２を介して基板２１０上の入力信号線２１２と接続されており」と記載されていることから、本願発明の「メタル電極」は、本願明細書の段落【００１３】に記載された「ビアホール電極」に対応したものといえる。
よって、引用発明の「ビアホール電極」は、本願発明の「メタル電極」に相当しているといえる。
　　
（３−２）本願補正発明と引用発明の一致点について
　上記の対応関係から、本願補正発明と引用発明は、下記の点で一致する。
「誘電体基板と、
　前記基板上に形成されたキャパシタと、
　前記キャパシタ及び基板上に形成された誘電体層と、
　前記誘電体層上の水平方向に形成されたインダクタと、
　前記誘電体層を貫通するビアホールと、
　前記ビアホールに形成され、前記キャパシタ及びインダクタを電気的に接続させるメタル電極と、
　前記基板上に形成されたグラウンドと、
を備えることを特徴とする送受信用の受動素子。　」
　　　　　　　
（３−３）本願補正発明と引用発明の相違点について
　本願補正発明は、「前記インダクタ及びキャパシタのための信号線」を有し、「グラウンド」が前記「信号線」と離れているのに対し、引用発明はそのような構成とはなっていない点。
　　
（４）当審の判断 
　引用例の図６では、インダクタンス素子ＬＬ２を構成するストリップライン電極ＬＬ２１及びキャパシタンス素子Ｃ５を構成するコンデンサ電極ＣＣ５１は、どちらもビアホールを介して送信信号が入力されるポートＰ３及び送信信号が出力されるポートＰ１に接続されているため、ストリップライン電極ＬＬ２１及びコンデンサ電極ＣＣ５１に信号線は接続されていない。
　しかしながら、多層基板による高周波部品では、インダクタ及びキャパシタへ信号を供給するための線路をインダクタ及びキャパシタに接続することは、例えば特開平８−９７６０１号公報の図２に引出し部２０及び引出し部２６として記載されているように周知技術に過ぎない。
　また、引用例の図６においても、ストリップライン電極ＬＬ２１及びコンデンサ電極ＣＣ５１は、グランド電極Ｇ２から離れた構成となっている。
　してみると、引用発明において、インダクタ及びキャパシタへの信号を供給構成として、ビアホールではなく信号線を採用し、該信号線をグランド電極Ｇ２から離れた構成とすることに格別の困難性は認められないので、引用発明において、「「前記インダクタ及びキャパシタのための信号線」を有し、「グラウンド」が前記「信号線」と離れている」構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものである。
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用発明及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。　
　
　
（５）むすび 
　よって、本願補正発明は、引用発明及び周知技術から当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本願補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　　
　
　
３．補正却下の決定を踏まえた検討
（１）本願発明
　平成２０年３月１３日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願に係る発明は、平成１９年７月５日付け手続補正書の特許請求の範囲に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という）は、次のとおりのものである。
「半導体基板または誘電体基板と、
　前記基板上に形成された少なくとも１つのキャパシタと、
　前記キャパシタ及び基板上に形成された誘電体層と、
　前記誘電体層上に形成された少なくとも１つのインダクタと、
　前記誘電体層を貫通するビアホールと、
　前記ビアホールに形成され、前記キャパシタ及びインダクタを電気的に接続させるメタル電極と、
　前記インダクタ及びキャパシタのための信号線と、
　前記基板上に形成され、前記信号線と離れているグラウンドと、
を備えることを特徴とする送受信用の受動素子。」
　　
　
（２）引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された引用例の記載事項は、上記２．（２）に記載したとおりである。
　
　　
（３）対比・判断
　本願発明は、上記２．で検討した本願補正発明における「誘電体層上
の水平方向
　そうすると、本願発明の構成要素を全て含み、さらに特定の点に限定を施したものに相当する本願補正発明が、上記２．（４）に記載したとおり、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用発明及び周知技術に基いて容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。