【事件の表示】
　特許第６０１６３０１号発明「単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法，その製造方法及び単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート」の特許異議申立事件について，次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６０１６３０１号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１−４，１４〕，５，〔６−１３〕について訂正することを認める。
　特許第６０１６３０１号の請求項１ないし１４に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６０１６３０１号の請求項１ないし１３に係る特許（以下「本件特許」という。）についての出願は，平成２５年２月１３日に特許出願され，平成２８年１０月７日にその特許権の設定登録がされ，平成２９年４月１０日に特許異議申立人柘植達吉（以下「申立人」という。）より請求項１ないし１３に対する特許異議申立書が提出され，平成２９年７月６日付けで取消理由通知がされ，平成２９年９月７日に特許権者昭和電工株式会社及び国立研究開発法人産業技術総合研究所（以下「特許権者」という。）より意見書の提出及び訂正請求がされ，平成２９年１１月８日に申立人より意見書が提出され，平成２９年１２月２０日付けで取消理由通知（決定の予告）がされ，平成３０年２月２０日に特許権者より意見書の提出及び訂正請求がされたところ，当審は期間を指定して申立人に意見を求めたが，申立人は指定した期間に意見書を提出しなかった。
　なお，平成３０年２月２０日に訂正請求がされたため，特許法第１２０条の５第７項の規定により，平成２９年９月７日にされた訂正請求は，取り下げられたものとみなす。
　
　
第２　訂正の適否
１．訂正請求の趣旨及び訂正の内容
　訂正請求の趣旨は，特許第６０１６３０１号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付した訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項１ないし４及び請求項１４，訂正後の請求項５，並びに訂正後の請求項６ないし１３からなる一群の請求項について訂正することを求めるものであり，具体的な訂正の内容は以下のとおりである（下線は，訂正箇所を示すために当審で付したものである。）。
　
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１について，
「【請求項１】
　平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって，前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し，前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行うことを特徴とする単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法。」
と記載されているのを
「【請求項１】
　平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって，前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し，前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行
い，
　
前記研削装置は前記研削プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する被加工物テーブルを有し，
　
前記表面の研削は前記研削プレートを５００ｒｐｍ以上の回転速度で回転させて行
と訂正する。
　
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項２について，
「【請求項２】
　クーラントが純水であることを特徴とする
請求項１に記載の
と記載されているのを
「【請求項２】
　
平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって，前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し，前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行い，
　クーラントが純水であることを特徴とする単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法。」
と訂正する。
　
（３）訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項３について，
「【請求項３】
　クーラントを用いない
か，又は，
請求項１に記載の
と記載されているのを
「【請求項３】
　
平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって，前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し，前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行い，
　前記研削装置は前記研削プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する被加工物テーブルを有し，
　
前記表面の研削は前記研削プレートを５００ｒｐｍ以上の回転速度で回転させて行い，
　クーラントを用いないことを特徴とする単結晶単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法。」
及び
「【請求項１４】
　
平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって，前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し，前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行い，
　
クーラントが純水であり，
　
前記
前記
と訂正する。
　
（４）訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項４について，
「【請求項４】
　被加工物テーブルの回転方向が研削プレート回転方向と逆方向であり，硬質パッドはセグメント化されたものであり，被加工物テーブルの回転速度が３０ｒｐｍ〜３００ｒｐｍであることを特徴とする
請求項１〜３のいずれか一項に記載の
と記載されているのを
「【請求項４】
　
平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって，前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し，前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行い，
　
前記研削装置は前記研削プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する回転可能な被加工物テーブルを有し，
　
前記
前記
前記
前記
と訂正する。
　
（５）訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項５について，
「【請求項５】
　平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって，前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し，前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行う工程を有
する
と記載されているのを
「【請求項５】
　平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって，前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し，前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行う工程を有
し，
　
前記研削装置は前記研削プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する回転可能な被加工物テーブルを有し，
　
前記被加工物テーブルの回転方向が前記研削プレート回転方向と逆方向であり，前記硬質パッドはセグメント化されたものであり，前記被加工物テーブルの回転速度が３０ｒｐｍ〜３００ｒｐｍである
と訂正する。
　
（６）訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項６について，
「【請求項６】
　平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって，前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定されて
いる
と記載されているのを
「【請求項６】
　平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって，前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定されて
おり，
　
前記硬質パッドは研削プレートの径方向の外側に向かうにしたがって周方向の幅が狭くなる形状にセグメント化されたものである
と訂正する。
　
（７）訂正事項７
　明細書の段落【００１５】について，
「　【００１５】
本発明は，以下の手段を提供する。
（１）平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって，前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し，前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行うことを特徴とする単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法。
（２）クーラントが純水であることを特徴とする
（１）に記載の
（３）クーラントを用いない
か，又は，
（１）に記載の
（４）被加工物テーブルの回転方向が研削プレート回転方向と逆方向であり，硬質パッドはセグメント化されたものであり，被加工物テーブルの回転速度が３０ｒｐｍ〜３００ｒｐｍであることを特徴とする
（１）〜（３）のいずれか一項に記載の
（５）平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって，前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し，前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行う工程を有
する
（６）平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって，前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定されて
いる
・・・・・（中略）・・・・・
（１３）前記砥粒の固定は，固定砥粒フィルムを硬質パッドに貼付することによってなされていることを特徴とする請求項６〜１２のいずれか一項の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。」
と記載されているのを
「　【００１５】
本発明は，以下の手段を提供する。
（１）平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって，前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し，前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行
い，前記研削装置は前記研削プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する被加工物テーブルを有し，前記表面の研削は前記研削プレートを５００ｒｐｍ以上の回転速度で回転させて行
（２）
平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって，前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し，前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行い，
（３）
平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって，前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し，前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行い，前記研削装置は前記研削プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する被加工物テーブルを有し，前記表面の研削は前記研削プレートを５００ｒｐｍ以上の回転速度で回転させて行い，
（４）
平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって，前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し，前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行い，前記研削装置は前記研削プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する回転可能な被加工物テーブルを有し，前記
前記
前記
前記
（５）平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって，前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し，前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行う工程を有
し，前記研削装置は前記研削プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する回転可能な被加工物テーブルを有し，前記被加工物テーブルの回転方向が前記研削プレート回転方向と逆方向であり，前記硬質パッドはセグメント化されたものであり，前記被加工物テーブルの回転速度が３０ｒｐｍ〜３００ｒｐｍである
（６）平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって，前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定されて
おり，前記硬質パッドは研削プレートの径方向の外側に向かうにしたがって周方向の幅が狭くなる形状にセグメント化されたものである
・・・・・（中略）・・・・・
（１３）前記砥粒の固定は，固定砥粒フィルムを硬質パッドに貼付することによってなされていることを特徴とする請求項６〜１２のいずれか一項の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
（１４）平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって，前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し，前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行い，クーラントが純水であり，前記クーラントとして用いる前記純水の供給速度が０ｍｌ／ｍｉｎ超〜１００ｍｌ／ｍｉｎ以下であることを特徴とする単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法。
と訂正する。
　
２．訂正の目的の適否，新規事項の有無，及び特許請求の範囲の拡張，変更の存否
（１）訂正事項１について
　訂正事項１は，訂正前の請求項１に「前記研削装置は前記研削プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する被加工物テーブルを有し，前記表面の研削は前記研削プレートを５００ｒｐｍ以上の回転速度で回転させて行う」という発明特定事項を付加するものであるから，その訂正の目的は，特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」に該当する。
　また，上記の発明特定事項は，願書に添付した明細書の段落【００３４】及び【００３７】に記載されているから，訂正事項１に係る訂正は，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものである。
　そして，訂正事項１に係る訂正により，訂正後の請求項１は減縮され，発明のカテゴリーは訂正の前後で一致しているから，訂正事項１に係る訂正は，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでない。
　
（２）訂正事項２について
　訂正事項２は，訂正前の請求項２が，訂正前の請求項１を引用するものであったところ，訂正前の請求項１に係る発明特定事項を記載することにより，他の請求項の記載を引用しないものとするものであるから，その訂正の目的は，特許法第１２０条の５第２項ただし書第４号に掲げる，「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」に該当する。
　また，訂正事項２に係る訂正が，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであり，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでないことは明らかである。
　
（３）訂正事項３について
　訂正事項３は，訂正前の請求項３が，択一的な発明特定事項を有していたところ，その択一的な発明特定事項をそれぞれ限定して訂正後の請求項３及び１４に変更し，また，訂正前の請求項３が，訂正前の請求項１を引用するものであったところ，訂正前の請求項１に係る発明特定事項を記載することにより，他の請求項の記載を引用しないものとし，さらに，訂正前の請求項３について，「前記研削装置は前記研削プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する被加工物テーブルを有し，前記表面の研削は前記研削プレートを５００ｒｐｍ以上の回転速度で回転させて行い，」という発明特定事項を新たに付加するものであるから，その訂正の目的は，特許法第１２０条の５第２項ただし書第１及び４号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」及び「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」に該当する。
　また，新たに付加した発明特定事項は，願書に添付した明細書の段落【００３４】及び【００３７】に記載されており，択一的な発明特定事項や訂正前の請求項１に係る発明特定事項が，願書に添付した特許請求の範囲に記載されていることは明らかであるから，訂正事項３に係る訂正は，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものである。
　そして，訂正事項３に係る訂正により，訂正後の請求項３及び１４は減縮され，発明のカテゴリーは訂正の前後で一致しているから，訂正事項３に係る訂正は，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでない。
　
（４）訂正事項４について
　訂正事項４は，訂正前の請求項４が，訂正前の請求項１ないし３のいずれか１項を引用するものであったところ，訂正前の請求項１に係る発明特定事項を記載することにより，他の請求項の記載を引用しないものとし，さらに，「前記研削装置は前記研削プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する回転可能な被加工物テーブルを有し，」という発明特定事項を新たに付加するものであるから，その訂正の目的は，特許法第１２０条の５第２項ただし書第１及び４号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」及び「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」に該当する。
　また，新たに付加した発明特定事項は，願書に添付した明細書の段落【００３４】に記載されており，訂正前の請求項１に係る発明特定事項が，願書に添付した特許請求の範囲に記載されていることは明らかであるから，訂正事項４に係る訂正が，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものである。
　そして，訂正事項４に係る訂正により，訂正後の請求項４は減縮され，発明のカテゴリーは訂正の前後で一致しているから，訂正事項４に係る訂正は，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでない。
　
（５）訂正事項５について
　訂正事項５は，訂正前の請求項５に「前記研削装置は前記研削プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する回転可能な被加工物テーブルを有し，前記被加工物テーブルの回転方向が前記研削プレート回転方向と逆方向であり，前記硬質パッドはセグメント化されたものであり，前記被加工物テーブルの回転速度が３０ｒｐｍ〜３００ｒｐｍである」という発明特定事項を付加するものであるから，その訂正の目的は，特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」に該当する。
　また，上記の発明特定事項は，願書に添付した明細書の段落【００３４】及び【００３９】に記載されているから，訂正事項５に係る訂正は，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものである。
　そして，訂正事項５に係る訂正により，訂正後の請求項５は減縮され，発明のカテゴリーは訂正の前後で一致しているから，訂正事項５に係る訂正は，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでない。
　
（６）訂正事項６について
　訂正事項６は，訂正前の請求項６に「前記硬質パッドは研削プレートの径方向の外側に向かうにしたがって周方向の幅が狭くなる形状にセグメント化されたものである」という発明特定事項を付加するものであるから，その訂正の目的は，特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」に該当する。
　また，上記の発明特定事項は，願書に添付した明細書の段落【００３９】に「通常の研削装置では被加工物テーブルの回転中心は研削プレートの外周部に当たるように配置され，被加工物テーブルの回転方向は研削プレート回転方向と逆方向であるため，研削プレート全面に砥粒があると，被加工物中央部への砥粒の接触頻度が高くなり，中央部だけが削れてしまうので，これを防ぐための適切なセグメント化は有効である。」との記載があり，研削プレートの外周側で砥粒の接触頻度を低くするようにセグメント化することが示されており，さらに図１には，径方向の外側に向かうにしたがって周方向の幅が狭くなる直角三角形状にセグメント化された研削プレートが記載されているから，訂正事項６に係る訂正は，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものである。
　そして，訂正事項６に係る訂正により，訂正後の請求項６は減縮され，発明のカテゴリーは訂正の前後で一致しているから，訂正事項６に係る訂正は，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでない。
　
（７）訂正事項７について
　訂正事項７は，訂正事項１ないし６による，特許請求の範囲の訂正に合わせて明細書の記載を訂正するものであるから，その訂正の目的は，特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」に該当する。
　また，訂正事項７に係る訂正が，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであり，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでないことは明らかである。
　
３．一群の請求項について
　訂正前の請求項２ないし４は，訂正前の請求項１を引用しているので，訂正前の請求項１ないし４は一群の請求項である。そして，訂正事項１ないし４は，訂正前の請求項１ないし４を訂正するものであるから，一群の請求項ごとにしたものである。
　また，訂正前の請求項７ないし１３は，訂正前の請求項６を引用しているので，訂正前の請求項６ないし１３は一群の請求項である。そして，訂正事項６は，訂正前の請求項６ないし１３を訂正するものであるから，一群の請求項ごとにしたものである。
　
４．むすび
　したがって，訂正請求による訂正事項１ないし７に係る訂正は，特許法第１２０条の５第２項ただし書第１，３及び４号に掲げる事項を目的とするものであり，かつ，同条第９項で準用する同法第１２６条第４ないし６項の規定に適合するので，訂正後の請求項〔１−４，１４〕，〔５〕，〔６−１３〕について訂正を認める。
　
　
第３　本件特許発明
　上記第２のとおり，訂正請求が認容されるから，特許第６０１６３０１号の請求項１ないし１４に係る発明は，訂正特許請求の範囲の請求項１ないし１４に記載された事項によって特定される，次のとおりのものである（以下，各請求項に係る発明を「特許発明１」などといい，特許発明１ないし１４をまとめて「本件特許発明」という。）。
「【請求項１】
　平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって，前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し，前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行い，
　前記研削装置は前記研削プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する被加工物テーブルを有し，
　前記表面の研削は前記研削プレートを５００ｒｐｍ以上の回転速度で回転させて行うことを特徴とする単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法。
【請求項２】
　平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって，前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し，前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行い，
　クーラントが純水であることを特徴とする単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法。
【請求項３】
　平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって，前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し，前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行い，
　前記研削装置は前記研削プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する被加工物テーブルを有し，
　前記表面の研削は前記研削プレートを５００ｒｐｍ以上の回転速度で回転させて行い，クーラントを用いないことを特徴とする単結晶単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法。
【請求項４】
　平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって，前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し，前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行い，
　前記研削装置は前記研削プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する回転可能な被加工物テーブルを有し，
　前記被加工物テーブルの回転方向が前記研削プレート回転方向と逆方向であり，前記硬質パッドはセグメント化されたものであり，前記被加工物テーブルの回転速度が３０ｒｐｍ〜３００ｒｐｍであることを特徴とする単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法。
【請求項５】
　平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって，前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し，前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行う工程を有し，
　前記研削装置は前記研削プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する回転可能な被加工物テーブルを有し，
　前記被加工物テーブルの回転方向が前記研削プレート回転方向と逆方向であり，前記硬質パッドはセグメント化されたものであり，前記被加工物テーブルの回転速度が３０ｒｐｍ〜３００ｒｐｍであることを特徴とする単結晶ＳｉＣ基板の製造方法。
【請求項６】
　平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって，前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定されており，
　前記硬質パッドは研削プレートの径方向の外側に向かうにしたがって周方向の幅が狭くなる形状にセグメント化されたものであることを特徴とする単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
【請求項７】
　前記金属酸化物が酸化セリウム，酸化チタン，酸化珪素，酸化アルミニウム，酸化鉄，酸化ジルコニウム，酸化亜鉛，酸化錫から選ばれる少なくとも１種以上であることを特徴とする請求項６に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
【請求項８】
　前記金属酸化物が少なくとも酸化セリウムを含むことを特徴とする請求項７に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
【請求項９】
　前記砥粒の比表面積が０.１ｍ２／ｇ〜３００ｍ２／ｇであることを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
【請求項１０】
　前記軟質パッドが，不織布系またはスエード系であることを特徴とする請求項６〜９のいずれか一項に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
【請求項１１】
　前記硬質パッドが，発泡ポリウレタン系であることを特徴とする請求項６〜１０のいずれか一項に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
【請求項１２】
　前記砥粒を結合剤及び／又は接着剤で固定されたものであることを特徴とする請求項６〜１１のいずれか一項に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
【請求項１３】
　前記砥粒の固定は，固定砥粒フィルムを硬質パッドに貼付することによってなされていることを特徴とする請求項６〜１２のいずれか一項の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
【請求項１４】
　平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって，前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し，前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行い，
　クーラントが純水であり，
　前記クーラントとして用いる前記純水の供給速度が０ｍｌ／ｍｉｎ超〜１００ｍｌ／ｍｉｎ以下であることを特徴とする単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法。」
　
　
第４　提出された証拠に係る刊行物の記載
　申立人が提出した証拠（甲号証及び参考資料）に係る刊行物及び特許権者が提出した証拠（乙号証）に係る刊行物は，次のとおりである（以下，これらの甲号証，参考資料及び乙号証をまとめて「全証拠」という。）。
　
１．甲号証及び参考資料に係る刊行物
（１）　甲第　１号証：特開２０１２−２５３２５９号公報
（２）　甲第　２号証：特開２０１１−９７３７号公報
（３）　甲第　３号証：特開２００４−２５５４６７号公報
（４）　甲第　４号証：特開２００５−２７７１３０号公報
（５）　甲第　５号証：特許第４７５７８９１号公報
（６）　甲第　６号証：特開平６−７７１８５号公報
（７）　甲第　７号証：特開平６−２１０２８号公報
（８）　甲第　８号証：特開２０００−３１１８７４号公報
（９）　甲第　９号証：特開２００３−４８１６４号公報
（１０）甲第１０号証：国際公開第２００１／８０２９６号
（１１）甲第１１号証：特開平１１−１９８０４５号公報
（１２）甲第１２号証：特表２００９−５０２５３３号公報
（１３）甲第１３号証：特開平１１−２３５６５９号公報
（１４）甲第１４号証：国際公開第２０１２／１１５０２０号
（１５）甲第１５号証：国際公開第２０１２／１０２１８０号
（１６）甲第１６号証：山内正裕，安永暢男，「ＴｉＯ２砥粒によるＳｉＣ
　　　　　　　　　　　ウェハのメカノケミカルポリシング」，
　　　　　　　　　　　２００５年度精密工学会春季大会学術講演会
　　　　　　　　　　　講演論文集，社団法人精密工学会，２００５年
　　　　　　　　　　　３月１日発行，第８２３及び８２４ページ
（１７）甲第１７号証：渡辺茂，土肥俊郎，池野順一，清木彰彦，
　　　　　　　　　　　尾形謙次郎，Ａｒａ　Ｐｈｉｌｉｐｏｓｓｉａｎ，
　　　　　　　　　　　Ｄａｒｒｅｎ　ＤｅＮａｒｄｉｓ，河西敏雄，
　　　　　　　　　　　「新しいＢｅｌｌ−ｊａｒ型ＣＭＰ装置による
　　　　　　　　　　　加工特性の検討（第９報）」，２００５年度
　　　　　　　　　　　精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集，
　　　　　　　　　　　社団法人精密工学会，２００５年９月１日発行，
　　　　　　　　　　　第３３９及び３４０ページ
（１８）甲第１８号証：大下格，神崎壽夫，山本悟，
　　　　　　　　　　　「ＳｉＣ単結晶ウェハのメカノケミカル
　　　　　　　　　　　鏡面加工」，２００６年度精密工学会
　　　　　　　　　　　春季大会学術講演会講演論文集，
　　　　　　　　　　　社団法人精密工学会，２００６年３月１日発行，
　　　　　　　　　　　第５５１及び５５２ページ
（１９）甲第１９号証：佐藤誠，奥田和弘，「砥粒内包研磨パッドの開発
　　　　　　　　　　　（５）」，２００７年度精密工学会春季大会
　　　　　　　　　　　学術講演会講演論文集，社団法人精密工学会，
　　　　　　　　　　　２００７年３月１日発行，
　　　　　　　　　　　第２１９及び２２０ページ
（２０）甲第２０号証：佐藤誠，蛭子博志，野浪亨，「ＳｉＣ単結晶研磨に
　　　　　　　　　　　おけるヒドロキシルラジカルの影響」，
　　　　　　　　　　　２００８年度精密工学会春季大会学術講演会
　　　　　　　　　　　講演論文集，社団法人精密工学会，２００８年
　　　　　　　　　　　３月３日発行，第２０７及び２０８ページ
（２１）甲第２１号証：周立波，戸井田勲，清水淳，江田弘，「電気泳動法
　　　　　　　　　　　によるＣＭＧ砥石の開発とその性能評価」，
　　　　　　　　　　　砥粒加工学会誌，第５０巻第３号，
　　　　　　　　　　　２００６年３月１日発行，第７ないし１０ページ
（２２）甲第２２号証：佐藤誠，「ＳｉＣ単結晶基板の材料加工
　　　　　　　　　　　プロセス」，光技術コンタクト，第４４巻
　　　　　　　　　　　第１２号，社団法人日本オプトメカトロニクス
　　　　　　　　　　　協会，２００６年１２月２０日発行，
　　　　　　　　　　　第４７ないし５４ページ
（２３）甲第２３号証：佐藤誠，山口幸男，「砥粒内包工具によるＳｉＣ
　　　　　　　　　　　単結晶の研磨の試み」，名古屋工業大学
　　　　　　　　　　　セラミックス基盤工学研究センター年報，第７巻，
　　　　　　　　　　　名古屋工業大学セラミックス基盤工学研究
　　　　　　　　　　　センター，２００８年３月３１日発行，
　　　　　　　　　　　第４９ないし５３ページ
（２４）甲第２４号証：加藤智久，「第２節　ＳｉＣウェハの研磨技術」，
　　　　　　　　　　　ＳｉＣパワーデバイスの開発と最新動向　−普及に
　　　　　　　　　　　向けたデバイスプロセスと実装技術−，
　　　　　　　　　　　Ｓ＆Ｔ出版株式会社，２０１２年１０月３０日
　　　　　　　　　　　発行，第２７５ないし２８３ページ
（２５）甲第２５号証：佐藤誠，「ＳｉＣ単結晶の研磨工程の高能率化」，
　　　　　　　　　　　ＭＡＴＥＲＩＡＬ　ＳＴＡＧＥ，第９巻第６号，
　　　　　　　　　　　株式会社技術情報協会，２００９年９月１０日発行
　　　　　　　　　　　第５０ないし５３ページ
（２６）甲第２６号証：長谷川政裕，本間寅二郎，石山慎吾，神田良照，
　　　　　　　　　　　「メカノケミカル重合反応による無機微粉体の
　　　　　　　　　　　表面改質」，化学工学論文集，第１７巻第５号，
　　　　　　　　　　　社団法人化学工学会，１９９１年９月１０日発行，
　　　　　　　　　　　第１０１９ないし１０２５ページ
（２７）甲第２７号証：粉体工学会，「粉体工学叢書　第２巻　
　　　　　　　　　　　粉体の生成」，日刊工業新聞社，
　　　　　　　　　　　２００５年９月３０日発行，
　　　　　　　　　　　第１３７ないし１６４ページ
（２８）甲第２８号証：特開平１０−３２１５７２号公報
（２９）甲第２９号証：特表２００９−５１２５６６号公報
（３０）甲第３０号証：国際公開第２０１２／１４１１１１号
（３１）甲第３１号証：特開２００６−５５９６４号公報
（３２）甲第３２号証：特開２０００−１９０２３５号公報
（３３）　参考資料１：（財）日本規格協会，「ＪＩＳ工業用語大辞典
　　　　　　　　　　　【第４版】」，１９９８年７月１５日，
　　　　　　　　　　　第９ないし１２，５２０，５３３及び９８２ページ
（３４）　参考資料２：特開２０１２−１６０６８３号公報
（３５）　参考資料３：特開２００４−１９３３７７号公報
（３６）　参考資料４：特開２００５−１４２４４１号公報
（３７）　参考資料５：特開平７−１３０６８７号公報
（３８）　参考資料６：特開平１１−１７０１６７号公報
（３９）　参考資料７：特開２００５−２８８５５２号公報
　（各甲号証や各参考資料については，以下「甲１」，「参１」などという。）
　
２．乙号証に係る刊行物
（１）　乙第　１号証：貴堂高徳，ほか１０名，「単結晶ＳｉＣウェハ
　　　　　　　　　　　加工プロセスへの研削加工適用の優位性と
　　　　　　　　　　　大口径化への課題」，ＳｉＣ及び関連ワイド
　　　　　　　　　　　ギャップ半導体研究会第２１回講演予稿集，
　　　　　　　　　　　第７２及び７３ページ
（２）　乙第　２号証：欧州特許出願公開第４６５８６８号明細書
（３）　乙第　３号証：欧州特許出願公開第２２３９２０号明細書
（４）　乙第　４号証：米国特許第５２５７４７８号明細書
　
３．甲１の記載事項並びに甲１の方法の発明及び物の発明
（１）甲１の記載事項
　甲１には，以下の事項が記載されている。なお，下線は，理解を容易にするために当審で付したものである。
　ア．「【０００２】
　従来，半導体デバイスの製造プロセスにおいて優れた平坦性を有する表面を形成することができる研磨方法として，化学的機械的研磨法，所謂ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）が広く採用されている。」
　イ．「【０００５】
　研磨パッドとしては，一般的に不織布が使用され，例えばシリカなどの遊離砥粒を含んだ研磨液（スラリー）を供給しながら被研磨物の表面を研磨する。
【０００６】
　また，炭化珪素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）から成る単結晶基板のような難加工材料に対しては，ＣＭＰ法による研磨加工において，
酸化性の研磨液の存在化において砥粒内包研磨パッドを用いて研磨することで十分な研磨能率が好適に得られることが知られている
　ウ．「【０００９】
　本発明は，上記の事情に鑑みてなされたものであり，その目的は，ＣＭＰ研磨加工により高研磨レートを達成し，良好な研磨面を得ることができるＣＭＰ研磨加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
　第一の発明は，ＣＭＰの研磨加工において，固定砥粒研磨パッドと新規の酸性研磨液でＳｉＣウェーハを研磨する方法を要旨とする。・・・
・・・
【００１２】
　
本発明は，過マンガン酸カリウムと酸化性無機塩とを混合させた酸性研磨液をＳｉＣウェーハと固定砥粒研磨パッドの間に放出しつつ，ＳｉＣウェーハを研磨することで，高研磨レートを達成できるとともに，生産性の向上を図ることができる
　エ．「【００１４】
　図１に示す研磨加工装置１は，ＳｉＣウェーハ２等の各種被加工物の表面にできた凸凹を平坦化させる装置である。研磨加工装置１は，ＳｉＣウェーハ２の一方の面である非研磨面２ａに貼り付けた保護テープ２ｃ側を保持するチャックテーブル３と，ＳｉＣウェーハ２の他方の面である研磨面２ｂを研磨する研磨ホイール１０とスピンドル６とを備えた研磨手段１４から構成されている。
【００１５】
　図１に示すように，チャックテーブル３は，その上部に微小の孔を無数に設けた多孔質保持部材４を備えている。また，チャックテーブル３の中央部には，ＳｉＣウェーハ２の非研磨面２ａ側を吸引するための吸引口５が一定幅に形成され，吸引口５の連結口５ａが多孔質保持部材４の下部に連結している。
【００１６】
　図１に示すように，スピンドル６の下端に形成されたマウント６ａの両端部にボルト７を挿入して，スピンドル６と研磨ホイール１０を固設している。研磨ホイール１０は，基台９と固定砥粒研磨パッド１１とから構成され，その基台９の下部に当該固定砥粒研磨パッド１１が固着されている。スピンドル６と基台１０の中央には，貫通した研磨液供給口８が形成され，当該研磨供給口８の下端部に連結口８ａが形成されている。連結口８ａは固定砥粒研磨パッド１１の中央部に連結されており，研磨液が連結口８ａを通過して，固定砥粒研磨パッド１１に流れるようになっている。
【００１７】
　スピンドル６は，その中心部を中心軸として矢印Ａ方向に回転駆動可能となっている。また，チャックテーブル３もその中心部を中心軸として矢印Ｂ方向に回転駆動可能となっている。さらに，スピンドル６と多孔質保持部材４は，上記の回転駆動と同時に横矢印Ｃ１，Ｃ２方向に水平移動できる構成としている。
【００１８】
　固定砥粒研磨パッド１１は，イソシアネートとポリオールとからなるポリウレタン樹脂を母材として形成され，母材の内部には，無数のシリカ砥粒が固定されている。」
　オ．「【００２０】
　以下に，本発明にかかる研磨加工について，図２乃至図４を参照しながら説明する。
・・・
【００２４】
　図４に示すように，該研磨ステップにおいては，本発明に係る過マンガン酸カリウム（ＫＭｎＯ４）と酸化性無機塩とを混合させた酸性研磨液１３が，研磨液供給口８を通じて，さらに供給溝１２を通過して固定砥粒研磨パッド１１とＳｉＣウェーハ２の研磨面２ｂとの間に均一に供給される。これにより，酸性研磨液１３の有する化学的作用と固定砥粒研磨パッド１１の有する機械的作用とが相まって，固定砥粒研磨パッド１１が接触するＳｉＣウェーハ２の研磨面２ｂを高い研磨能率で平坦に研磨することができる。」
　カ．段落【００２６】の表１
　表１には，スピンドル回転数が４９５ｒｐｍであることが記載されている。
　
（２）甲１の方法の発明及び物の発明
　上記ア．ないしカ．に示す記載事項を技術常識をふまえて整理すると，甲１には，それぞれ以下の発明が記載されているということができる。
　
「平坦面を有する基台９上に固定砥粒研磨パッド１１が固着された研磨ホイール１０であって，前記固定砥粒研磨パッド１１のポリウレタン樹脂の内部に単結晶ＳｉＣよりも柔らかくかつバンドギャップを有するシリカ砥粒が固定された研磨ホイール１０を研磨加工装置１に装着し，酸性研磨液１３の有する化学的作用と前記固定砥粒研磨パッド１１の有する機械的作用とで表面の研磨を行い，
　前記研磨加工装置１は，前記研磨ホイール１０を回転可能に装着するスピンドル６と単結晶ＳｉＣ基板を固定するチャックテーブル３を有し，
　前記表面の研磨は前記研磨ホイール１０を４９５ｒｐｍの回転速度で回転させて行う単結晶ＳｉＣ基板の表面研磨法。」（以下「甲１の方法の発明」という。）
　
「平坦面を有する基台９上に固定砥粒研磨パッド１１が固着された研磨ホイール１０であって，前記固定砥粒研磨パッド１１は，ポリウレタン樹脂の内部に単結晶ＳｉＣよりも柔らかくかつバンドギャップを有するシリカ砥粒が固定されている単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研磨ホイール１０。」（以下「甲１の物の発明」という。）
　
　
４．甲２の記載事項
「【００４９】
　柔軟層は，好ましくは研磨パッドの最下層に相当する。その上に，好ましくは，接着剤層によって柔軟層上に固定される，例えばポリウレタンからなるフォーム層が存在する。該ＰＵフォームの上には，より硬質な剛性材料からなる層，好ましくは硬質プラスチックからなる層が存在しており，該層には，例えばポリカーボネートが適している。この剛性層の上には，微細反復構造を有する層，すなわち実際の固定砥粒層が存在する。
【００５０】
　しかしながら，該柔軟層は，フォーム層と剛性層との間又は固定砥粒層の真下に位置していてもよい。
【００５１】
　種々の層の互いの固定は，好ましくは感圧接着剤層（ＰＳＡ）によって行われる。」
　
５．甲４の記載事項
「【００２８】
　図２に示すように，研磨テーブル１０２ａ〜１０２ｃ上には，それぞれ研磨パッド１０４が設けられている。」
「【００３６】
　下層側のパッド層１０３ｂは，独立した気泡が敢えて導入されていないウレタンにより構成されている。下層側のパッド層１０３ｂの硬さは，上層側のパッド層１０３ａの硬さより軟らかくなっている。このような研磨パッド１０４としては，例えば東洋紡績株式会社製の研磨パッド（型番：ＮＰ２０００）を挙げることができる。」
　
６．甲５の記載事項
「【００１７】
　＜〔ＩＩ〕スラリーレス研磨パッド＞
　ＣＭＰに使用する研磨パッドとしてはさらに以下の技術が公知である。・・・（３）研磨表面が設けられており，前記研磨表面に隣接し選択した厚さ及び剛性の剛性要素が設けられており，前記剛性要素へ実質的に一様な力を付与するために前記剛性要素に隣接して弾性要素が設けられており，前記剛性要素及び前記弾性要素が前記研磨表面へ弾性的屈曲力を付与して前記研磨表面に制御した屈曲を誘起させ，それが前記加工物の表面の全体的な形状に適合し且つ前記加工物表面の局所的な形状に関して制御した剛性を維持することを特徴とする研磨用パッド（特開平０６−０７７１８５号公報）。・・・」
　
７．甲６の記載事項
「【００２５】
【課題を解決するための手段】本発明は，半導体ウエハを研磨するのに適した研磨用パッド，及び半導体ウエハを研磨するための研磨用パッドの使用方法を提供している。本発明の研磨用パッドは，研磨用層と，剛性層と，弾性層とを有している。研磨用層に隣接する剛性層は，研磨用層に対して制御した剛性を与えている。剛性層に隣接する弾性層は，該剛性層に実質的に一様な力を与えている。動作中，該剛性層及び弾性層は，研磨用層に対して弾性的な屈曲力を付与し，該研磨用層に制御した屈曲を誘起させて，ウエハ表面の全体的なトポグラフィと馴染ませ，一方ウエハ表面の局所的トポグラフィに亘っては制御した剛性を維持する。」
　
８．甲１３の記載事項並びに甲１３の方法の発明及び物の発明
（１）甲１３の記載事項
　甲１３には，以下の事項が記載されている。なお，丸付き数字（丸で囲った数字）を「○１」のように表記する。
　ア．「【０００７】○３ワーク表面で軟質砥粒が触媒的な作用を営んで，真実接触点の酸化を促進し，この酸化層が除去される。軟質砥粒として，化学的な活性の高い酸化クロムが用いられる場合が多い。こうしたメカノケミカルポリッシングは固体同士の反応性に強く依存する加工法であり，反応能率は必ずしも高くない。したがって，メカノケミカルポリッシングでは通常の研磨に比べて加工時の面圧を高く設定して加工領域を発熱しやすい環境にしている。」
　
　イ．図７
　
　
　
（２）甲１３の方法の発明及び物の発明
　甲１３の図７の「加工対象」の欄の下から２つめの行には，左から，「加工対象」として「単結晶炭化珪素　多結晶炭化珪素」が記載され，「分類」が「○３」，「ポリッシャ・工具」及び「研磨材・雰囲気」が「Ｃｒ２Ｏ３粉含有樹脂定盤，乾式」と記載されており，上記ア．には，酸化クロムによりワーク表面の酸化を促進させて酸化層を除去する旨の事項が記載されているから，これらの記載事項を技術常識をふまえて整理すると，甲１３には，それぞれ以下の発明が記載されているということができる。
　
「酸化クロム粉を含有する研磨用樹脂定盤であって，樹脂定盤の表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する酸化クロムからなる砥粒が固定された樹脂定盤を研磨装置に装着し，前記樹脂定盤によって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研磨を行う単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法。」（以下「甲１３の方法の発明」という。）
　
「酸化クロム粉を含有する表面加工用研磨樹脂定盤であって，樹脂定盤の表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する酸化クロムからなる砥粒が固定された単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研磨樹脂定盤。」（以下「甲１３の物の発明」という。）
　
９．参１の記載事項
（１）第５３３ページ
「研磨　＊けんま　ｓａｎｄｉｎｇ，ｇｒｉｎｄｉｎｇ，ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ
　研削，磨きの総称．　　　　　　　　　　　　　　　　［Ｈ０２０１］」
　
（２）第９８２ページ
「セグメント研削といし　＊せぐめんとけんさくといし　ｓｅｇｍｅｎｔ　ｇｒｉｎｄｉｎｇ　ｗｈｅｅｌ
　数個を組み合わせ，主として正面で研削する断片状のといし．［Ｒ６００４］」
　
１０．参７の記載事項
（１）「【００２９】
　図１は，本発明の一実施例のコランダム用研磨工具( 以下，単に研磨工具という) １０の全体を示す斜視図である。図において，研磨工具１０は，平坦な取着面を備えた工具本体である取付孔１２を備えた円板状の金属製台板１４と，砥粒が所定の結合剤で結合されることにより構成され，ウエハ状のワークすなわち被研磨部材である単結晶サファイヤ板２８の仕上げ面に摺接させられる複数個の砥石片１６と，一面においてその複数個の砥石片１６が配設され，他面において上記金属製台板１４の取着面にたとえば両面接着テープ等の接着剤を介して固着された弾性変形可能な円形の弾性シート１７とを備えている。・・・
【００３０】
　・・・台板１４の表面すなわち上面には平坦に加工された円形の取着面が備えられ，前記複数個の砥石片１６はその平坦な取着面に弾性シート１７を介してエポキシ樹脂等の接着剤を用いて固着されている。
【００３１】
　上記弾性シート１７は，ゴム硬度（Ａ）が６０乃至１００程度の緻密な無気孔の合成ゴムであって，・・・
【００３２】
　上記砥石片１６は，例えば，砥粒が熱硬化性樹脂等の樹脂結合剤によって結合された矩形板状すなわちタイル状の所謂レジノイド砥石であり，上記弾性シート１７の一面上において１０乃至２０ｍｍの範囲内で定められた一定のピッチで縦列方向および横列方向に配置され，弾性シート１７に対して個々独立に接着されている。・・・それら砥石片１６の上面が研磨工具１０の平坦な研磨加工面１８を構成している。
【００３３】
　上記砥石片１６は，・・・組織内に砥粒が略一様に分散させられている。・・・」
　
（２）図１
　
　
第５　特許法第２９条第２項に係る当審の判断
１．特許発明１について
（１）甲１３の方法の発明を主引用例とした場合の対比
　特許発明１と甲１３の方法の発明を対比すると，甲１３の方法の発明の「酸化クロム粉を含有する研磨用樹脂定盤」と特許発明１の「平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレート」は，「表面加工用プレート」という点で一致する。
　また，酸化クロムが金属酸化物であることは明らかであるから，甲１３の方法の発明において「樹脂定盤の表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する酸化クロムからなる砥粒が固定」されていることと，特許発明１において「前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定」されていることは，「表面加工用プレートの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する酸化クロムからなる砥粒が固定」されている点で一致する。
　また，甲１３の方法の発明の「研磨装置」と特許発明１の「研削装置」は，「表面加工装置」という点で一致する。
　
　以上から，特許発明１と甲１３の方法の発明は，以下の点で一致及び相違する。
＜一致点Ａ＞
「表面加工用プレートであって，表面加工用プレートの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する酸化クロムからなる砥粒が固定された表面加工用プレートを表面加工装置に装着し，前記表面加工用プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行う単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法。」
　
＜相違点１＞
　表面加工装置が，特許発明１は「研削装置」であるのに対して，甲１３の方法の発明は「研磨装置」である点。
＜相違点２＞
　表面加工用プレートが，特許発明１は「平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレート」であるのに対して，甲１３の方法の発明は「酸化クロム粉を含有する研磨用樹脂定盤」である点。
＜相違点３＞
　特許発明１は，「前記研削装置は前記研削プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する被加工物テーブルを有し，前記表面の研削は前記研削プレートを５００ｒｐｍ以上の回転速度で回転させて行う」ものであるのに対して，甲１３の方法の発明は，研削装置の構成や，研削プレートの回転速度が不明な点。
　
（２）甲１３の方法の発明を主引用例とした場合の相違点の判断
　ア．相違点１について
　参１（上記第４の９．（１））を参照すると，「研磨」という用語が，研削を含む磨きの総称を意味することは技術常識であるといえるから，甲１３の方法の発明の「研磨装置」を「研削装置」ということもでき，上記相違点１は表現上の相違にすぎず，実質的な相違点ではない。
　イ．相違点２について
　上記ア．で説示するとおり，研磨は研削を含む用語であるから，甲１３の方法の発明の研磨用樹脂定盤を研削プレートということもできるところ，研削プレートとして，「平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された」ものは，例えば甲２（上記第４の４．），甲４（上記第４の５．），甲５（上記第４の６．）及び甲６（上記第４の７．）に示すように周知の技術的事項であるから，当該周知の技術的事項を適用して，甲１３の方法の発明の研削プレートを「平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された」ものとすることは，当業者が容易に想到できた事項である。
　ウ．相違点３について
　（ア）特許発明１において，バンドギャップを有する金属酸化物の砥粒を用いて単結晶ＳｉＣ基板を研削すること，砥粒を固定した研削プレートによって酸化生成物が生じること，及び研削プレートを５００ｒｐｍ以上の回転速度で回転させることの技術的な関連性や技術的な意義について，特許請求の範囲の記載だけでは明らかとはいえない。
　（イ）そこで，特許明細書を参照すると，バンドギャップをもつ砥粒が被加工物との機械的摺動によりエネルギーが与えられ，非常に酸化力の強い活性種が生じて試料表面を酸化させるというメカノケミカル作用が生じること（段落【００１０】），被加工物が単結晶ＳｉＣの場合，酸化生成物はＳｉＯ２・ｎＨ２ＯとＣＯまたはＣＯ２であり，砥粒によって除去して表面を鏡面に加工でき，このメカノケミカル作用をトライボ触媒作用と定義すること（段落【００１０】）及び研削プレートの回転速度は３００ｒｐｍより小さいと砥粒に与えられる機械的エネルギーが小さすぎてトライボ触媒作用が現れないこと（段落【００３６】）を理解できる。
　（ウ）そうすると，特許発明１について，研削プレートを５００ｒｐｍ以上の回転速度で回転させ，その機械的エネルギーにより，バンドギャップを有する金属酸化物の砥粒と単結晶ＳｉＣ基板との間にトライボ触媒作用が生じ，ＳｉＣ基板に酸化生成物が生じて，これを砥粒によって除去して基板を研削するという技術的な関連性や技術的な意義を理解でき，また，機械的エネルギーが高い程，トライボ触媒作用も高まることを理解できるといえる。
　（エ）特許発明１についてのこのような技術的な意義を前提に，甲１３を見ると，甲１３には，メカノケミカル作用を高める条件として，「メカノケミカルポリッシングでは通常の研磨に比べて加工時の面圧を高く設定して加工領域を発熱しやすい環境にしている」（上記第４の８．（１）ア．）こと，すなわち面圧を高めて発熱させることが記載されているだけであり，研削プレートの回転速度を高めることの記載や示唆がないから，甲１３に接した当業者が，甲１３の方法の発明において，メカノケミカル作用を高めるように，研削プレートを５００ｒｐｍ以上の回転速度で回転させることを試みるとはいえない。
　また，他に，甲１３の方法の発明のようなメカノケミカル作用を高めるように，研削プレートを５００ｒｐｍ以上の回転速度で回転させることを示す証拠はないから，相違点３は当業者が容易に想到できたものとはいえない。
　
（３）甲１３の方法の発明を主引用例とした場合のむすび
　以上のとおり，相違点３は当業者が容易に想到できたものとはいえないから，特許発明１は，甲１３の方法の発明に基づいて，当業者が容易に想到できたものということができない。
　
（４）甲１の方法の発明を主引用例とした場合の対比
　申立人は，甲１に係る発明を主引用例とする理由を主張しているので，特許発明１と甲１の方法の発明を対比すると，甲１の方法の発明の「平坦面を有する基台９上に固定砥粒研磨パッド１１が固着された研磨ホイール１０」と特許発明１の「平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレート」は，「平坦面を有する台金上にパッドが貼付された表面加工用プレート」という点で一致する。
　また，シリカが金属酸化物であることは明らかであるから，甲１の方法の発明において「前記固定砥粒研磨パッド１１のポリウレタン樹脂の内部に単結晶ＳｉＣよりも柔らかくかつバンドギャップを有するシリカ砥粒が固定」されていることと，特許発明１において「前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定」されていることは，「表面加工用プレートの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有するシリカからなる砥粒が固定」されている点で一致する。
　また，甲１の方法の発明の「研磨加工装置」と特許発明１の「研削装置」は，「表面加工装置」という点で一致する。
　また，甲１の方法の発明において，「前記研磨加工装置１は，前記研磨ホイール１０を回転可能に装着するスピンドル６と単結晶ＳｉＣ基板を固定するチャックテーブル３を有し」ていることと，特許発明１において，「前記研削装置は前記研削プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する被加工物テーブルを有し」ていることは，「前記表面加工装置は前記表面加工用プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する被加工物テーブルを有し」ている点で一致する。
　また，甲１の方法の発明において，「前記表面の研磨は前記研磨ホイール１０を４９５ｒｐｍの回転速度で回転させて行う」ことと，特許発明１において，「前記表面の研削は前記研削プレートを５００ｒｐｍ以上の回転速度で回転させて行う」ことは，「前記表面の加工は前記表面加工用プレートを所定の回転速度で回転させて行う」という点で一致する。
　
　以上から，特許発明１と甲１の方法の発明は，以下の点で一致及び相違する。
＜一致点Ｂ＞
「平坦面を有する台金上にパッドが貼付された表面加工用プレートであって，表面加工用プレートの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有するシリカからなる砥粒が固定された表面加工用プレートを表面加工装置に装着して表面の研削を行い，
　前記表面加工装置は前記表面加工用プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する被加工物テーブルを有し，
　前記表面の加工は前記表面加工用プレートを所定の回転速度で回転させて行う単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法。」
　
＜相違点４＞
　特許発明１は，「前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行う」ものであるのに対して，甲１の方法の発明は，「酸性研磨液１３の有する化学的作用と前記固定砥粒研磨パッド１１の有する機械的作用とで表面の研磨を行う」ものである点。
＜相違点５＞
　表面加工装置が，特許発明１は「研削装置」であるのに対して，甲１の方法の発明は「研磨加工装置」である点。
＜相違点６＞
　表面加工用プレートが，特許発明１は「平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレート」であるのに対して，甲１の方法の発明は「平坦面を有する基台９上に固定砥粒研磨パッド１１が固着された研磨ホイール１０」である点。
＜相違点７＞
　所定の回転速度が，特許発明１は「５００ｒｐｍ以上」であるのに対して，甲１の方法の発明は「４９５ｒｐｍ」である点。
　
（５）甲１の方法の発明を主引用例とした場合の相違点４の判断
　上記（２）ウ．（ウ）で説示したように，特許発明１は，研削プレートを５００ｒｐｍ以上の回転速度で回転させ，その機械的エネルギーにより，トライボ触媒作用を生じさせて，ＳｉＣ基板に酸化精製物が生じるという技術的意義を有している。
　これに対して，甲１の方法の発明は，「ＣＭＰ研磨加工により高研磨レートを達成し，良好な研磨面を得ることができるＣＭＰ研磨加工方法を提供すること」（上記第４．の３．（１）ウ．）を課題とする発明であり，当該ＣＭＰは，「酸化性の研磨液の存在」（上記第４．の３．（１）イ．）を前提とするから，甲１の方法の発明の「酸性研磨液１３の有する化学的作用」は，研磨液によってＳｉＣ基板に酸化生成物を生じさせる化学的作用であると解するほかない。
　研磨液による当該化学的作用は，ＣＭＰ研磨加工における「Ｃｈｅｍｉｃａｌ 」（上記第４．の３．（１）ア．）を担保する作用であるから，仮に，この化学的作用を特許発明１のようなトライボ触媒作用に置き換えれば，ＣＭＰ研磨加工ではなくなってしまい，甲１の方法の発明の「ＣＭＰ研磨加工により高研磨レートを達成し，良好な研磨面を得ることができるＣＭＰ研磨加工方法を提供すること」という課題に反することになる。
　したがって，甲１の方法の発明において，「酸性研磨液１３の有する化学的作用と前記固定砥粒研磨パッド１１の有する機械的作用とで表面の研磨を行う」ことを，特許発明１のように「前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行う」ように変更することには阻害要因があり，そのような変更は当業者が容易に想到できたものとはいえない。
　
（６）甲１の方法の発明を主引用例とした場合のむすび
　以上のとおり，相違点４は当業者が容易に想到できたものとはいえないから，相違点５ないし７について検討するまでもなく，特許発明１は，甲１の方法の発明に基づいて，当業者が容易に想到できたものということができない。
　
２．特許発明２について
（１）甲１３の方法の発明を主引用例とした場合の対比
　特許発明２と甲１３の方法の発明を対比すると，甲１３の方法の発明の「酸化クロム粉を含有する研磨用樹脂定盤」と特許発明２の「平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレート」は，「表面加工用プレート」という点で一致する。
　また，酸化クロムが金属酸化物であることは明らかであるから，甲１３の方法の発明において「樹脂定盤の表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する酸化クロムからなる砥粒が固定」されていることと，特許発明２において「前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定」されていることは，「表面加工用プレートの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する酸化クロムからなる砥粒が固定」されている点で一致する。
　また，甲１３の方法の発明の「研磨装置」と特許発明２の「研削装置」は，「表面加工装置」という点で一致する。
　
　以上から，特許発明２と甲１３の方法の発明は，上記一致点Ａ（上記１．（１））で一致し，以下の点で相違する。
　
＜相違点８＞
　表面加工装置が，特許発明２は「研削装置」であるのに対して，甲１３の方法の発明は「研磨装置」である点。
＜相違点９＞
　表面加工用プレートが，特許発明２は「平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレート」であるのに対して，甲１３の方法の発明は「酸化クロム粉を含有する研磨用樹脂定盤」である点。
＜相違点１０＞
　特許発明２は，「クーラントが純水」であるのに対して，甲１３の方法の発明は，クーラントが不明な点。
　
（２）甲１３の方法の発明を主引用例とした場合の相違点１０の判断
　事案に鑑みて，相違点１０について検討すると，甲１３の図７には，「研磨材・雰囲気」が「Ｃｒ２Ｏ３粉含有樹脂定盤，乾式」（上記第４の８．（１）イ．）と記載されているから，甲１３の方法の発明は「乾式」，すなわちクーラントを用いていないといえる。
　また，甲１３には，「メカノケミカルポリッシングでは通常の研磨に比べて加工時の面圧を高く設定して加工領域を発熱しやすい環境にしている」（上記第４の８．（１）ア．）ことが記載されているから，クーラント，すわなわち冷却剤で加工領域を冷却させることは，「加工領域を発熱しやすい環境にしている」ことに反するといわざるを得ない。
　したがって，甲１３の記載に接した当業者が，甲１３の方法の発明において，クーラントとして純水を用いるように構成することは，容易に想到できた事項とはいえない。
　
（３）甲１３の方法の発明を主引用例とした場合のむすび
　以上のとおり，相違点１０は当業者が容易に想到できたものとはいえないから，相違点８及び９について検討するまでもなく，特許発明２は，甲１３の方法の発明に基づいて，当業者が容易に想到できたものということができない。
　
（４）甲１の方法の発明を主引用例とした場合の判断
　申立人は，甲１に係る発明を主引用例とする理由を主張しているので，当該理由についても判断すると，特許発明２は，「前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行」うというものであるが，上記１．（５）で説示する理由と同様の理由により，甲１の方法の発明において，「前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行」うように変更することには阻害要因があり，そのような変更は当業者が容易に想到できたものとはいえない。
　したがって，特許発明２は，甲１の方法の発明に基づいて，当業者が容易に想到できたものということができない。
　
３．特許発明３について
（１）甲１３の方法の発明を主引用例とした場合の判断
　特許発明３は，「前記研削装置は前記研削プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する被加工物テーブルを有し，前記表面の研削は前記研削プレートを５００ｒｐｍ以上の回転速度で回転させて行う」ものであるが，上記１．（２）ウ．で説示する理由と同様の理由により，甲１３に接した当業者が，甲１３の方法の発明において，メカノケミカル作用を高めるように，研削プレートを５００ｒｐｍ以上の回転速度で回転させることを試みるとはいえない。
　したがって，特許発明３は，甲１３の方法の発明に基づいて，当業者が容易に想到できたものということができない。
　
（２）甲１の方法の発明を主引用例とした場合の判断
　申立人は，甲１に係る発明を主引用例とする理由を主張しているので，当該理由についても判断すると，特許発明３は，「前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行」うというものであるが，上記１．（５）で説示する理由と同様の理由により，甲１の方法の発明において，「前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行」うように変更することには阻害要因があり，そのような変更は当業者が容易に想到できたものとはいえない。
　したがって，特許発明３は，甲１の方法の発明に基づいて，当業者が容易に想到できたものということができない。
　
４．特許発明４について
（１）甲１３の方法の発明を主引用例とした場合の対比
　特許発明４と甲１３の方法の発明を対比すると，甲１３の方法の発明の「酸化クロム粉を含有する研磨用樹脂定盤」と特許発明４の「平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレート」は，「表面加工用プレート」という点で一致する。
　また，酸化クロムが金属酸化物であることは明らかであるから，甲１３の方法の発明において「樹脂定盤の表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する酸化クロムからなる砥粒が固定」されていることと，特許発明４において「前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定」されていることは，「表面加工用プレートの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する酸化クロムからなる砥粒が固定」されている点で一致する。
　また，甲１３の方法の発明の「研磨装置」と特許発明４の「研削装置」は，「表面加工装置」という点で一致する。
　
　以上から，特許発明４と甲１３の方法の発明は，上記一致点Ａ（上記１．（１））で一致し，以下の点で相違する。
　
＜相違点１１＞
　表面加工装置が，特許発明４は「研削装置」であるのに対して，甲１３の方法の発明は「研磨装置」である点。
＜相違点１２＞
　表面加工用プレートが，特許発明４は「平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレート」であり，「前記硬質パッドはセグメント化されたもの」であるのに対して，甲１３の方法の発明は「酸化クロム粉を含有する研磨用樹脂定盤」である点。
＜相違点１３＞
　特許発明４は，「前記研削装置は前記研削プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する回転可能な被加工物テーブルを有し」，「前記被加工物テーブルの回転方向が前記研削プレート回転方向と逆方向であり」，「前記被加工物テーブルの回転速度が３０ｒｐｍ〜３００ｒｐｍである」のに対して，甲１３の方法の発明は，研削装置の構成や，被加工物テーブルの回転方向や回転速度が不明な点。
　
（２）甲１３の方法の発明を主引用例とした場合の相違点１３の判断
　事案に鑑みて，相違点１３について検討すると，甲１３には，メカノケミカル作用を前提とする研磨において，被加工物テーブルの回転方向を研削プレートの回転方向と逆方向として，被加工物テーブルの回転速度を３０ｒｐｍ〜３００ｒｐｍとすることの記載や示唆はない。
　また，他に，メカノケミカル作用を前提とする研磨において，被加工物テーブルの回転方向を研削プレートの回転方向と逆方向として，被加工物テーブルの回転速度を３０ｒｐｍ〜３００ｒｐｍとすることを示す証拠はないから，相違点１３は当業者が容易に想到できたものとはいえない。
　
（３）甲１３の方法の発明を主引用例とした場合のむすび
　以上のとおり，相違点１３は当業者が容易に想到できたものとはいえないから，相違点１１及び１２について検討するまでもなく，特許発明４は，甲１３の方法の発明に基づいて，当業者が容易に想到できたものということができない。
　
（４）甲１の方法の発明を主引用例とした場合の判断
　申立人は，甲１に係る発明を主引用例とする理由を主張しているので，当該理由についても判断すると，特許発明４は，「前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行」うというものであるが，上記１．（５）で説示する理由と同様の理由により，甲１の方法の発明において，「前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行」うように変更することには阻害要因があり，そのような変更は当業者が容易に想到できたものとはいえない。
　したがって，特許発明４は，甲１の方法の発明に基づいて，当業者が容易に想到できたものということができない。
　
５．特許発明５について
（１）甲１３の方法の発明を主引用例とした場合の判断
　特許発明５は，「前記研削装置は前記研削プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する回転可能な被加工物テーブルを有し」，「前記被加工物テーブルの回転方向が前記研削プレート回転方向と逆方向であり」，「前記被加工物テーブルの回転速度が３０ｒｐｍ〜３００ｒｐｍである」というものであるが，上記４．（２）で説示する理由と同様の理由により，甲１３の方法の発明において，被加工物テーブルの回転方向を研削プレートの回転方向と逆方向として，被加工物テーブルの回転速度を３０ｒｐｍ〜３００ｒｐｍとすることは，当業者が容易に想到できたものとはいえない。
　したがって，特許発明５は，甲１３の方法の発明に基づいて，当業者が容易に想到できたものということができない。
　
（２）甲１の方法の発明を主引用例とした場合の判断
　申立人は，甲１に係る発明を主引用例とする理由を主張しているので，当該理由についても判断すると，特許発明５は，「前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行」うというものであるが，上記１．（５）で説示する理由と同様の理由により，甲１の方法の発明において，「前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行」うように変更することには阻害要因があり，そのような変更は当業者が容易に想到できたものとはいえない。
　したがって，特許発明５は，甲１の方法の発明に基づいて，当業者が容易に想到できたものということができない。
　
６．特許発明６について
（１）甲１３の物の発明を主引用例とした場合の対比
　特許発明６と甲１３の物の発明を対比すると，甲１３の物の発明の「酸化クロム粉を含有する表面加工用研磨樹脂定盤」と，特許発明６の「平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレート」は，「表面加工用プレート」という点で一致する。
　また，酸化クロムが金属酸化物であることは明らかであるから，甲１３の物の発明において「樹脂定盤の表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する酸化クロムからなる砥粒が固定」されていることと，特許発明６において「前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定」されていることは，「表面加工用プレートの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する酸化クロムからなる砥粒が固定」されている点で一致する。
　
　以上から，特許発明６と甲１３の物の発明は，以下の点で一致及び相違する。
　
＜一致点Ｃ＞
「表面加工用プレートであって，前記表面加工用プレートの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する酸化クロムからなる砥粒が固定されている単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用プレート。」
　
＜相違点１４＞
　「表面加工」が，特許発明６は「研削」であるのに対して，甲１３の物の発明は「研磨」である点。
　
＜相違点１５＞
　「表面加工用プレート」が，特許発明６は，「平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された」ものであって，「前記硬質パッドは研削プレートの径方向の外側に向かうにしたがって周方向の幅が狭くなる形状にセグメント化されたものである」のに対して，甲１３の物の発明は，「酸化クロム粉を含有する」ものである点
　
（２）甲１３の物の発明を主引用例とした場合の相違点の判断
　ア．相違点１４について
　参１（上記第４の９．（１））を参照すると，「研磨」という用語が，研削を含む磨きの総称を意味することは技術常識であるといえるから，甲１３の物の発明の「研磨」を「研削」ということもでき，上記相違点１４は表現上の相違にすぎず，実質的な相違点ではない。
　
　イ．相違点１５について
　上記ア．で説示するとおり，研磨は研削を含む用語であるから，甲１３の物の発明の表面加工用研磨樹脂定盤を研削プレートということもできるところ，研削プレートとして，「平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された」ものは，例えば甲２（上記第４の４．），甲４（上記第４の５．），甲５（上記第４の６．）及び甲６（上記第４の７．）に示すように周知の技術的事項である。
　また，といしを断片状，すなわちセグメント状に構成することは，参１（上記第４の９．（２））に示すように周知の技術的事項であるし，台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された構成を前提として，硬質パッドを断片状，すなわちセグメント状に構成することは，参７（上記第４の１０．）に示すように公知の技術的事項である。
　しかし，硬質パッドをセグメント化する際の具体的な形状として，研削プレートの径方向の外側に向かうにしたがって周方向の幅が狭くなる形状は，全証拠のいずれにも示されていないから，申立人の提出した証拠によっては，上記相違点１５に係る構成について，当業者が容易に想到できたものということはできない。
　したがって，特許発明６は，甲１３の物の発明，周知の技術的事項及び全証拠の記載事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものとはいえない。 
　
（３）甲１の物の発明を主引用例とした場合の対比
　特許発明６と甲１の物の発明を対比すると，甲１の物の発明の「平坦面を有する基台９上に固定砥粒研磨パッド１１が固着された研磨ホイール１０」と，特許発明６の「平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された研削プレート」は，「表面加工用プレート」という点で一致する。
　また，シリカが金属酸化物であることは明らかであるから，甲１の物の発明において「ポリウレタン樹脂の内部に単結晶ＳｉＣよりも柔らかくかつバンドギャップを有するシリカ砥粒が固定」されていることと，特許発明６において「前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定」されていることは，「表面加工用プレートの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有するシリカからなる砥粒が固定」されている点で一致する。
　
　以上から，特許発明６と甲１の物の発明は，以下の点で一致及び相違する。
　
＜一致点Ｄ＞
「平坦面を有する台金上にパッドが貼付された表面加工用プレートであって，前記表面加工用プレートの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有するシリカからなる砥粒が固定されている単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用プレート。」
　
＜相違点１６＞
　「表面加工」が，特許発明６は「研削」であるのに対して，甲１の物の発明は「研磨」である点。
　
＜相違点１７＞
　「表面加工用プレート」が，特許発明６は，「平坦面を有する台金上に軟質パッド，硬質パッドが順に貼付された」ものであって，「前記硬質パッドは研削プレートの径方向の外側に向かうにしたがって周方向の幅が狭くなる形状にセグメント化されたものである」のに対して，甲１３の物の発明は，「平坦面を有する基台９上に固定砥粒研磨パッド１１が固着された」ものである点
　
（４）甲１の物の発明を主引用例とした場合の相違点の判断
　相違点１６は，上記（２）ア．に示す理由と同様の理由により，実質的な相違点ではないが，相違点１７は，上記（２）イ．に示す理由と同様の理由により，当業者が容易に想到できた事項であるとはいえない。
　したがって，特許発明６は，甲１の物の発明，周知の技術的事項及び全証拠の記載事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものとはいえない。
　
７．特許発明７ないし１３について
　特許発明７ないし１３は，特許発明６を直接又は間接に引用する発明であるから，特許発明６の発明特定事項を全て含むところ，上記６．に示すとおり，特許発明６は，甲１３の物の発明又は甲１の物の発明，周知の技術的事項及び全証拠の記載事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものとはいえないから，特許発明７ないし１３についても同様に，甲１３の物の発明又は甲１の物の発明，周知の技術的事項及び全証拠の記載事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものとはいえない
　
８．特許発明１４について
（１）甲１３の方法の発明を主引用例とした場合の判断
　特許発明１４は，「クーラントが純水」というものであるが，上記２．（２）で説示する理由と同様の理由により，甲１３に接した当業者が，甲１３の方法の発明において，クーラントとして純水を用いるように構成することは，容易に想到できた事項とはいえない。
　したがって，特許発明１４は，甲１３の方法の発明に基づいて，当業者が容易に想到できたものということができない。
　
（２）甲１の方法の発明を主引用例とした場合の判断
　申立人は，甲１に係る発明を主引用例とする理由を主張しているので，当該理由についても判断すると，特許発明１４は，「前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行」うというものであるが，上記１．（５）で説示する理由と同様の理由により，甲１の方法の発明において，「前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ，その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行」うように変更することには阻害要因があり，そのような変更は当業者が容易に想到できたものとはいえない。
　したがって，特許発明１４は，甲１の方法の発明に基づいて，当業者が容易に想到できたものということができない。
　
　
第６　特許法第３６条第６項第１号及び２号に係る当審の判断
　申立人は，平成２９年１１月８日に提出した意見書において，特許発明１ないし３について，特許法第３６条第６項第１及び２号に係る取消理由を主張しているので，当該主張を検討する。
　
１．特許発明１について
（１）特許法第３６条第６項第１号についての申立人の主張
　訂正により加えられた事項である「５００ｒｐｍ以上の回転速度で回転させ」る点は，研削プレートの回転速度範囲の下限値だけを限定していて，上限値は何ら限定されておらず，いわば無限大の回転速度まで研削プレートの回転速度範囲とする発明となっている。
　また，上記の点は，研削プレートの回転速度だけを規定していて，研削プレートの径方向寸法を規定していないから，特許発明１は，５００ｒｐｍ以上の回転速度であればあらゆる径の研削プレートを包含することになる。
　しかし，そのような発明は，特許明細書に記載も示唆もないから，明細書によりサポートされておらず，特許法第３６条第６項第１号の規定を満たしていない。
　
（２）特許法第３６条第６項第１号についての判断
　申立人は，特許発明１について，研削プレートの回転速度の上限が限定されていないことや，研削プレートの径方向寸法が特定されていないことを根拠として，特許法第３６条第６項第１号に係る取消理由を主張しているが，研削プレートの回転速度の上限は，訂正前の請求項１に記載された発明においても限定されておらず，研削プレートの径方向寸法は，訂正前の請求項１に記載された発明においても限定されていないから，申立人の根拠は，訂正の請求に付随して生じたものではない。
　したがって，当該取消理由は，訂正の請求に付随して生じたものではなく，新たな取消理由であるから採用しない。
　
（３）特許法第３６条第６項第２号についての申立人の主張
　訂正により加えられた事項である上記（１）の点は，研削プレートの回転速度だけを規定していて，研削プレートの径方向寸法を規定していないから，特許発明１は，５００ｒｐｍ以上の回転速度であればあらゆる径の研削プレートを包含することになり，そのような発明は，特許明細書に記載も示唆もなく，発明が技術的に不明確となっており，特許法第３６条第６項第２号の規定を満たしていない。
　
（４）特許法第３６条第６項第２号についての判断
　上記（２）で説示したように，請求人が主張する取消理由の根拠は，訂正の請求に付随して生じたものではないから，当該取消理由は，訂正の請求に付随して生じたものではなく，新たな取消理由であるから採用しない。
　
２．特許発明２について
（１）特許法第３６条第６項第１又は２号についての申立人の主張
　特許発明２の最終行の「クーラント」は，いきなり登場しており，その上の５行に記載の事項との関係が不明確であるから，発明を特定することができず，特許法第３６条第６項第１又は２号の規定を満たしていない。
　
（２）特許法第３６条第６項第１又は２号についての判断
　申立人は，特許発明２において，「クーラント」がいきなり登場していることを根拠として，特許法第３６条第６項第１又は２号に係る取消理由を主張している。
　しかし，上記第２の２．（２）で説示したように，特許発明２に係る訂正は，訂正前の請求項２が，訂正前の請求項１を引用するものであったところ，訂正前の請求項１に係る発明特定事項を記載することにより，他の請求項の記載を引用しないものとするものであるから，申立人が根拠とする，「クーラント」がいきなり登場していることは，訂正前の請求項２にも記載されており，訂正の請求に付随して生じたものではない。
　したがって，当該取消理由は，訂正の請求に付随して生じたものではなく，新たな取消理由であるから採用しない。
　
３．特許発明３について
　申立人は，特許発明３について，上記１．（１）及び（３）と同様の取消理由を主張しているが，上記１．（２）及び（４）に説示する理由と同様の理由により，当該取消理由は採用しない。
　
　
第７　むすび
　以上のとおり，特許発明１ないし１４に係る特許については，取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては取り消すことはできない。
　また，他に特許発明１ないし１４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成３０年４月２０日（２０１８．４．２０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法、その製造方法及び単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート
　【技術分野】
　【０００１】
　本発明は、単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法、その製造方法及び単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレートに関する。
　【背景技術】
　【０００２】
　半導体材料であるＳｉＣ（炭化珪素）は、現在広くデバイス用基板として使用されているＳｉ（珪素）に比べてバンドギャップが広いことから、単結晶ＳｉＣ基板を使用してパワーデバイス、高周波デバイス、高温動作デバイス等を作製する研究が行われている。
　【０００３】
　上記単結晶ＳｉＣ基板は、例えば、昇華法で製造された単結晶ＳｉＣインゴットを切断し、その後、両面を鏡面加工することで形成される（例えば、特許文献１参照。）。
　【０００４】
　切断された基板にはそり、うねりや加工歪が存在し、例えばダイヤモンド砥粒での研削加工でこれらを軽減した上でＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリシング）で鏡面化することが行われているが、ＣＭＰの加工速度は小さいため、ＣＭＰ前の加工歪層深さをできるだけ小さくすることが切望されている（例えば、非特許文献１参照。）。
　【０００５】
　ＳｉＣ等の非酸化物セラミックスの鏡面加工にはメカノケミカルポリシング技術があり、例えば非特許文献２には、平均粒径０．５μｍ酸化クロム砥粒をアクリロニトリルやフェノールなどの樹脂で成形したポリシングディスク上で乾式研磨する手法と単結晶ＳｉＣの加工結果が開示されている。
　【先行技術文献】
　【特許文献】
　【０００６】
　【特許文献１】特許第４４９９６９８号公報
　【非特許文献】
　【０００７】
　【非特許文献１】貴堂高徳、堀田和利、河田研治、長屋正武、前田弘人、出口喜宏、松田祥伍、武田篤徳、高鍋隆一、中山智浩、加藤智久：ＳｉＣ及び関連ワイドギャップ半導体研究会第２１回講演予稿集、Ｐ７２−７３
　【非特許文献２】須賀唯知：機械と工具、３５，９２−９６（１９９１）
　【発明の概要】
　【発明が解決しようとする課題】
　【０００８】
　しかしながら、非特許文献２に開示された方法では、小さな単結晶試料に０．３４ＭＰａという量産工程では現実的でない加工荷重を必要としており、６インチ径をターゲットとした現在のＳｉＣパワー半導体の実用化に向けた取組みに適用できるものではなかった。さらに、ここで開示されるポリシングディスクはいわゆるレジンボンドの砥石であり、微小なキズの発生を回避できるものではなかった。
　従って、非特許文献２に開示された方法に基づいて、現在、デバイスに使用可能な鏡面を有する単結晶ＳｉＣ基板の量産に用いることができる鏡面加工方法を開発するためには少なくとも、加工荷重の問題と微小なキズの発生の問題を解決する必要があった。
　【課題を解決するための手段】
　【０００９】
　上記の問題を解決すべく、本発明者は、鋭意検討を重ね、少なくとも以下に示す複数のステップを経て、本発明に想到した。
　【００１０】
　非特許文献２では、加工のメカニズムとして酸化クロムを触媒として試料表面が酸化され、砥粒によって除去されることで加工が進行するというメカノケミカル作用が主たるメカニズムと予想されることが開示されている。本発明者はメカノケミカル作用の内容にさらに踏み込んだ考察を行った結果、バンドギャップをもつ材料で構成される砥粒が被加工物との機械的摺動によりエネルギーが与えられ、砥粒表面の電子が励起されて電子正孔対が生じ、光触媒材料で説明される内容と同様の機構で、スーパーオキシドアニオン、ヒドロキシルラジカル、あるいは原子状酸素といった非常に酸化力の強い活性種が生じて試料表面を酸化させるというメカニズムに到達した。被加工物が単結晶ＳｉＣの場合、酸化生成物はＳｉＯ２・ｎＨ２ＯとＣＯまたはＣＯ２であると想定され、ＳｉＯ２・ｎＨ２Ｏが砥粒によって除去されることで単結晶ＳｉＣ基板の表面を鏡面に加工できるものと考えた。本明細書において、この作用をトライボ触媒作用と定義する。
　本発明では、このトライボ触媒作用を有する砥粒を用いることによって、ダイヤモンド砥粒等を用いた機械的な除去作用に基づいて研削時に発生する単結晶ＳｉＣ基板表面のキズの低減を図ることとした。
　【００１１】
　トライボ触媒作用においては、機械的エネルギーを砥粒に効率的に与え、電子正孔対を大量に生ぜしめることが肝要である。電子正孔対の多くは、活性種生成に寄与することなく再結合して消滅してしまうので、活性種生成の確率を増大させることが必要になる。
　本発明においては、大口径の単結晶ＳｉＣ基板の加工を容易に量産に適用するため、研削装置に装着して用いることができることが必要である。研削装置を使用して砥粒のトライボ触媒作用を利用した加工を行うことは、これまで全く行われてこなかったので、トライボ触媒作用が効果的に発現する研削条件を新たに探索した。その結果、砥粒の種類、粒径の選定、クーラントの種類、供給速度、研削プレート回転速度等において、適切な範囲があることを見出した。
　【００１２】
　また、従来、研削装置用の研削プレートとして一般的に使用されてきている、ボンド材で固めたいわゆる砥石を作製して使用した場合、微小なキズの発生は、トライボ触媒作用を利用した加工においても不可避であることがわかった。
　そこで鋭意検討の結果、これまで研削装置には全く適用されることがなかったＣＭＰ用のパッドを研削プレートの基体として利用することに想到した。
　【００１３】
　また、トライボ触媒作用を有する材料は種々あり、例えばダイヤモンドやＳｉＣ等もバンドギャップをもつ材料であるためトライボ触媒作用を示すが、単結晶ＳｉＣよりも軟らかくないため、単結晶ＳｉＣ加工面にキズをつけてしまうので、不適である。
　従って、本発明では、研削時に単結晶ＳｉＣ加工面につくキズを低減するために、砥粒としては単結晶ＳｉＣよりも軟らかいものを用いることとした。
　【００１４】
　本発明は、既存の研削装置を使用することで量産工程に適用可能であり、微小なキズの発生を抑制できる単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法、その製造方法及び単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレートを提供することを目的とする。
　【００１５】
本発明は、以下の手段を提供する。
　（１）平坦面を有する台金上に軟質パッド、硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって、前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し、前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ、その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行
い、前記研削装置は前記研削プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する被加工物テーブルを有し、前記表面の研削は前記研削プレートを５００ｒｐｍ以上の回転速度で回転させて行う
　（２）
平坦面を有する台金上に軟質パッド、硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって、前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し、前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ、その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行い、
る単
　（３）
平坦面を有する台金上に軟質パッド、硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって、前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し、前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ、その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行い、前記研削装置は前記研削プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する被加工物テーブルを有し、前記表面の研削は前記研削プレートを５００ｒｐｍ以上の回転速度で回転させて行い、
いこ
る単
　（４）
平坦面を有する台金上に軟質パッド、硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって、前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し、前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ、その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行い、前記研削装置は前記研削プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する回転可能な被加工物テーブルを有し、前記
前記
前記
前記
る単
　（５）平坦面を有する台金上に軟質パッド、硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって、前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し、前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ、その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行う工程を有
し、前記研削装置は前記研削プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する回転可能な被加工物テーブルを有し、前記被加工物テーブルの回転方向が前記研削プレート回転方向と逆方向であり、前記硬質パッドはセグメント化されたものであり、前記被加工物テーブルの回転速度が３０ｒｐｍ〜３００ｒｐｍである
　（６）平坦面を有する台金上に軟質パッド、硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって、前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定されて
おり、前記硬質パッドは研削プレートの径方向の外側に向かうにしたがって周方向の幅が狭くなる形状にセグメント化されたものである
　（７）前記金属酸化物が酸化セリウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化錫から選ばれる少なくとも１種以上であることを特徴とする（６）に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
　（８）前記金属酸化物が少なくとも酸化セリウムを含むことを特徴とする（７）に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
　（９）前記砥粒の比表面積が０．１ｍ２／ｇ〜３００ｍ２／ｇであることを特徴とする（６）〜（８）のいずれか一項に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
　（１０）前記軟質パッドが、不織布系またはスエード系であることを特徴とする（６）〜９のいずれか一項に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
　（１１）前記硬質パッドが、発泡ポリウレタン系であることを特徴とする請求項６〜１０のいずれか一項に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
　（１２）前記砥粒を結合剤及び／又は接着剤で固定されたものであることを特徴とする請求項６〜１１のいずれか一項に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
　（１３）前記砥粒の固定は、固定砥粒フィルムを硬質パッドに貼付することによってなされていることを特徴とする請求項６〜１２のいずれか一項の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
　（１４）平坦面を有する台金上に軟質パッド、硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって、前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し、前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ、その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行い、クーラントが純水であり、前記クーラントとして用いる前記純水の供給速度が０ｍｌ／ｍｉｎ超〜１００ｍｌ／ｍｉｎ以下であることを特徴とする単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法。
　【００１６】
　本明細書において、「単結晶ＳｉＣ基板」との語は表面研削前、表面研削中及び表面研削後のいずれのものに対しても共通に用いる。
　【発明の効果】
　【００１７】
　本発明によれば、既存の研削装置を使用することで量産工程に適用可能であり、微小なキズの発生を抑制できると共に迅速に鏡面を得ることが可能な単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法、その製造方法及び単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレートを提供できる。
　【図面の簡単な説明】
　【００１８】
　【図１】本発明の研削プレートの構造を示す模式図である。
　【図２】本発明の研削プレートを使用する表面研削装置の一例の構造の一部を示す模式図である。
　【図３】本発明の第１の実施例における加工前の単結晶ＳｉＣインゴット表面の光学顕微鏡写真である。
　【図４】本発明の第１の実施例における加工後の単結晶ＳｉＣインゴット表面の光学顕微鏡写真である。
　【発明を実施するための形態】
　【００１９】
　以下、本発明を適用した単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法、その製造方法及び単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレートについて、図面を用いてその構成を説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
　【００２０】
（単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート）
　図１は、本発明一実施形態に係る単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレートの一例を示す模式図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
　図１に示す研削プレート１０は、平坦面を有する台金１と、その上に軟質パッド２、硬質パッド３が順に貼付され、硬質パッド３の表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒（図示略）が固定されている。
　この例では、軟質パッド２と硬質パッド３とは粘着シート４を介して貼付され、硬質パッド３は直角三角形状にセグメント化された８枚（３ａ）によって構成されており、台金１は、研削装置にネジで固定するためのネジ穴１ａを有する。この場合、純水等のクーラントを用いるときの軟質パッドの吸水防止と硬質パッド貼付の安定化のため、粘着シート４を使用しているが、使用せずに硬質パッド３を軟質パッド２に直接貼付してもよい。
　また、この例に示すように、軟質パッド２と粘着シート４は、ネジ穴１ａに切粉やクーラントの侵入を防ぐための蓋をする目的で、ネジ穴１ａに相当する部分に穴をあけない形態で用いてもよい。
　【００２１】
　バンドギャップを有する砥粒は、単結晶ＳｉＣ基板の表面研削中に被加工物との機械的摺動によりエネルギーが与えられ、砥粒表面の電子が励起されて電子正孔対が生じ、スーパーオキシドアニオン、ヒドロキシルラジカル、あるいは原子状酸素といった非常に酸化力の強い活性種が生じて試料表面を酸化させ、生じたＳｉＯ２・ｎＨ２Ｏが砥粒によって除去されることで単結晶ＳｉＣ基板の表面を加工できるというトライボ触媒作用を生じさせる。
　トライボ触媒作用を生じさせるバンドギャップを有する材料として特に、金属酸化物は、いずれも単結晶ＳｉＣよりも軟らかい材料であり、ほとんどのものはバンドギャップを持つ材料であるため、砥粒や顔料、光触媒他の用途でトライボ触媒作用を持つ粉末が工業的に入手できるので好ましく、使用できる。
　【００２２】
　より好ましく使用できる金属酸化物粉末は、工業的入手のしやすさとバンドギャップを持つ材料であるためトライボ触媒作用を持つことを鑑み、酸化セリウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化錫から選ばれる少なくとも１種以上の金属酸化物粉末である。
　【００２３】
　最も好ましく使用できる金属酸化物粉末は、工業的入手のしやすさ、バンドギャップを持つ半導体材料であるためトライボ触媒作用を持つこと、発揮する性能を鑑み、酸化セリウムである。
　【００２４】
　砥粒はＳｉＯ２・ｎＨ２Ｏを除去する能力を備えている必要があるため、ある程度の一次粒子径をもつことが必要である。しかし、一次粒子径が大きいものでは比表面積が小さくなり、光触媒作用と同様にトライボ触媒作用も効率よく発揮できなくなるため適正な範囲がある。すなわち、砥粒の機械的除去能力を考えたとき、粒径が大きい、すなわち比表面積が小さいほうが有利であるということがあるが、一方で、トライボ触媒作用は、一般の触媒作用と同様に表面が関与するので、比表面積が大きい方が効果が高い。したがって、両者のバランスが取れた領域が適正な範囲ということになる。
　【００２５】
　砥粒の比表面積は、０．１ｍ２／ｇ〜３００ｍ２／ｇであることが好ましい。０．１ｍ２／ｇより小さいとトライボ触媒作用が効率よく発揮できないおそれがあるためであり、３００ｍ２／ｇより大きいと、ＳｉＯ２・ｎＨ２Ｏを効率よく除去できないおそれがあるためである。
　【００２６】
　砥粒の比表面積は、０．５ｍ２／ｇ〜２００ｍ２／ｇであることがより好ましい。０．５ｍ２／ｇ以上とすることにより、トライボ触媒作用がより効率よく発揮できるものとなり、２００ｍ２／ｇ以下とすることにより、ＳｉＯ２・ｎＨ２Ｏをより効率よく除去できるためである。
　【００２７】
　砥粒の比表面積は、１ｍ２／ｇ〜１００ｍ２／ｇであることがより好ましい。１ｍ２／ｇ以上とすることにより、トライボ触媒作用がさらに効率よく発揮できるものとなり、１００ｍ２／ｇ以下とすることにより、ＳｉＯ２・ｎＨ２Ｏをさらに効率よく除去できるためである。
　【００２８】
　この研削プレートは台金を備えているので、研削装置で使用するため研削装置に装着することが可能である。
　台金としては公知のものを用いることができ、例えば、その材料がシルミン等のアルミニウム合金であるものを用いることができる。
　【００２９】
　この台金は被加工物と相対する向きに平坦面を有しており、研削プレートはこの平坦面の上に、軟質パッド、硬質パッドが順に貼付された構造である。かかる構造を備えることにより、表面基準の加工が可能で、かつ被加工物である単結晶ＳｉＣ基板の表面に発生するキズを最小限に抑えることができる。
　【００３０】
　軟質パッドは、不織布系、またはスエード系のものとすることができる。
　【００３１】
　硬質パッドは発泡ポリウレタン系のものとすることができる。
　【００３２】
　研削プレートの加工に与る最表面には、硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定されている。この砥粒は、結合剤や接着剤を使用して硬質パッド表面に固定したものとすることができる。
　また、砥粒の固定は、市販の固定砥粒フィルムを硬質パッドに貼付することによって行うことができる。
　【００３３】
（単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法）
　本発明の一実施形態に係る単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法は、平坦面を有する台金上に軟質パッド、硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって、前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し、前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ、その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行うものである。
　【００３４】
　研削プレートを装着する研削装置としては公知の研削装置を用いることができる。
　図２は、本発明の研削プレートを装着する研削装置の一例の単結晶基板を研削する部分の構造を示す模式図である。図１に示した研削プレート１０は　駆動部１１に装着され、駆動部はモータベルトによって回転する。単結晶ＳｉＣ基板１２は、真空チャック装置（不図示）によって真空吸着により被加工物テーブル１３に固定される。基板保持部１４が被加工物テーブル１３と共に回転しながら、研削プレート方向に送られることで基板の研削が行われる。
　【００３５】
　研削条件を適切に選定することで、単結晶ＳｉＣに対する前記研削プレートのトライボ触媒作用を顕現せしめ、酸化生成物を生ぜしめることができる。
　【００３６】
　研削プレートの回転速度は３００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍが好ましい。３００ｒｐｍより小さいと砥粒に与えられる機械的エネルギーが小さすぎてトライボ触媒作用が現れないおそれがあるためであり、３０００ｒｐｍより大きいと発熱や装置振動等の問題が無視できなくなるおそれがあるためである。研削装置にトライボ触媒作用をもつ研削プレートを適用した例はこれまで無かったため、既存の研削装置の仕様内でトライボ触媒作用が発現するかどうかは明らかでなかったが、鋭意検討の結果、一般的な研削プレート回転速度が適用できることが判明した。
　【００３７】
　研削プレートの回転速度は５００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍがより好ましい。５００ｒｐｍ以上とすることにより、トライボ触媒作用をより十分な機械的エネルギーを生じさせることが可能となり、２０００ｒｐｍ以下とすることにより、発熱や装置振動等の問題をより確実に回避することが可能となるからである。
　【００３８】
　被加工物テーブルの回転方向は研削プレート回転方向と順方向とすることができる。この場合、被加工物テーブルの回転速度は研削プレート回転速度の８０％〜１２０％であることが好ましい。８０％未満又は１２０％超とすると、加工面の除去量が不均一になるおそれがあるためである。
　【００３９】
　被加工物テーブルの回転方向は、研削プレート回転方向と逆方向とすることができる。この場合、加工面の除去量を均一にするため、硬質パッドを適切な形状にセグメント化した上で、被加工物テーブルの回転速度は３０ｒｐｍ〜３００ｒｐｍであることが好ましい。
　硬質パッドをセグメント化すなわち、適当なサイズに分離して貼付することにより、被加工物テーブルと逆方向に回転する研削プレート上の砥粒と被加工物加工面内の接触頻度を制御することができ、例えば被加工物中央部だけが多く削れてしまうといった不均一な加工を防ぐことができる。通常の研削装置では被加工物テーブルの回転中心は研削プレートの外周部に当たるように配置され、被加工物テーブルの回転方向は研削プレート回転方向と逆方向であるため、研削プレート全面に砥粒があると、被加工物中央部への砥粒の接触頻度が高くなり、中央部だけが削れてしまうので、これを防ぐための適切なセグメント化は有効である。
　また、３０ｒｐｍ未満又は３００ｒｐｍ超とすると、通常の研削装置の仕様外の運転となり、加工面の除去量が不均一になるおそれがあるためである。
　【００４０】
　クーラントを用いる場合には純水を用いることが好ましい。不純物成分があるとトライボ触媒作用が現れなくなるおそれがあるためである。トライボ触媒作用は機械的エネルギーを効率的に電子正孔対の生成に寄与させることが重要であるが、不純物の介在そのものがこれを阻害するおそれがあり、また、水の潤滑作用を高めて摩擦抵抗を減らしてしまう結果、砥粒に与える機械的エネルギーを減らしてしまうおそれがある。また、不純物の介在は、酸化生成物を砥粒が効率的に除去するプロセスを阻害するおそれもある。
　【００４１】
　クーラントを用いなくてもよく、クーラントとして純水を用いるときは純水の供給速度は１００ｍｌ／ｍｉｎ以下であることが好ましい。１００ｍｌ／ｍｉｎを越えると、機械的摺動によって砥粒に与えられるエネルギーが小さくなりすぎてトライボ触媒作用が十分現れなくなるおそれがあるためである。また、純水の供給速度が大きすぎると、潤滑剤としての作用が大きくなり、摩擦抵抗を減らしてしまう結果、砥粒に与えるエネルギーが小さくなり、電子正孔対の発生も充分でなくなるおそれもあるためである。
　【００４２】
（単結晶ＳｉＣ基板の製造方法）
　本発明の一実施形態に係る単結晶ＳｉＣ基板の製造方法は、平坦面を有する台金上に軟質パッド、硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって、前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し、前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ、その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行う工程を有するものである。本願の方法は、ＳｉＣ表面での酸化を利用するのでその酸化障壁の高さに関係し、ＳｉＣ基板の（０００１）面のＣ面において、好ましく適用できる。
　【実施例】
　【００４３】
　以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
　【００４４】
（第１の実施例）
　秀和工業株式会社製研削装置ＭＨＧ−２０００に装着できるように準備されたＭ１２のネジ穴をもつ外径１５０ｍｍのアルミニウム合金製の台金の被加工物と相対する面を平坦に加工し、ニッタ・ハース株式会社製ＣＭＰ用パッドＳＵＢＡ６００（軟質パッド）を貼付し、そのＳＵＢＡ６００の上に、アズワン株式会社製ＦＥＰ粘着シートフィルムを介して３０×４０×５０ｍｍの直角三角形状にセグメント化したニッタ・ハース株式会製ＣＭＰ用パッドＩＣ１０００（硬質パッド）を８枚貼付して研削プレート基体を作製した。この研削プレート基体を旭ダイヤモンド工業製コンディショナーＣＭＰ−Ｍ１００Ａを使用してツルーイングを行った。ツルーイングされたＩＣ１０００セグメント表面に、やはり３０×４０×５０ｍｍの直角三角形状にセグメント化した住友スリーエム株式会社製トライザクトフィルム酸化セリウムを貼付してトライボ触媒作用をもつ単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレートを作製した。
　【００４５】
　次に、作製した研削プレートを研削装置ＭＨＧ−２０００に装着し、予め旭ダイヤモンド工業製ビトリファイドボンドダイヤモンドホイール（４０００番）で平坦に研削加工されたタンケブルー製３インチ径のｎ型（０００−１）４Ｈ−ＳｉＣ（４°オフ）単結晶インゴット（Ｃ面）（単結晶ＳｉＣ基板）を、真空チャックを用いて被加工物テーブルに固定し、表面加工を行った。
　被加工物テーブルの回転方向は研削プレート回転方向と逆方向とし、被加工物テーブルの回転速度とし、純水の供給速度は０ｍｌ／ｍｉｎ、すなわち乾式で加工を行った。被加工物テーブルは手動でじわじわ送ることで行い、砥石回転用モーター電流の値が２．４〜２．８Ａの範囲内になるようにした。加工時間は３分間であった。
　【００４６】
　単結晶インゴットの除去量は、加工前後のインゴット高さについてミツトヨ製ハイトメータを使用して面内９点の測定を行い、算出した結果、平均値で３．８μｍであった。加工速度は１．３μｍ／ｍｉｎと高い値であった。加工後のインゴット高さの最大値と最小値の差は１．４μｍであり、均一に加工されていた。
　【００４７】
　図３に加工前のインゴット表面、図４に加工後のインゴット表面について、オリンパス製光学顕微鏡を使用し、暗視野観察を行った結果を示す。
　加工前のインゴットで無数に観察された４０００番ダイヤモンド砥粒による研削条痕は完全に消失しており、結晶欠陥や微小異物に起因する輝点のみが観察され、加工歪の無い鏡面が達成できていた。
　【００４８】
（第２の実施例）
　第１の実施例で作製した単結晶ＳｉＣ鏡面加工用研削プレートを使用して、純水供給量を１０ｍｌ／ｍｉｎ、５０ｍｌ／ｍｉｎ、１００ｍｌ／ｍｉｎとした以外は第１の実施例と同一の研削条件で加工を行った。
　加工速度はそれぞれ１．０μｍ／ｍｉｎ、０．６μｍ／ｍｉｎ、０．２μｍ／ｍｉｎであり、第１の実施例の場合と同様に、光学顕微鏡暗視野観察で研削条痕が完全に消失していることが確認された。
　【００４９】
（比較例１）
　第１の実施例で作製した単結晶ＳｉＣ鏡面加工用研削プレートを使用して、純水供給量を１５０ｍｌ／ｍｉｎとした以外は第１の実施例と同一の研削条件で加工を行ったところ、加工速度はほぼゼロであり、光学顕微鏡暗視野観察で研削条痕がほとんど消えていないことが確認された。純水供給量が１５０ｍｌ／ｍｉｎでは、機械的摺動によって砥粒に与えられるエネルギーが小さくなりすぎてトライボ触媒作用が現れなくなったと考えられる。
　【００５０】
（比較例２）
　日本金剛砥石製レジンボンド酸化セリウム砥石を研削プレートとして使用し、第１の実施例と同様の加工を行ったところ、平均値としての加工速度は０．７μｍ／ｍｉｎであったが、インゴット中央部が多く削れるという不均一な削れ方であり、光学顕微鏡暗視野観察では、微小なキズが観察された。本発明と異なり、軟質パッドと硬質パッドの組合せの構成を持たないため、表面基準の加工ができず、さらに微小なキズの発生を抑えることができなかったためと考えられる。
　【産業上の利用可能性】
　【００５１】
　本発明の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法、その製造方法及び単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレートは、単結晶ＳｉＣ基板の作製に使用することができ、また、デバイスを形成した後の基板の裏面を加工して基板を薄くする工程に使用することができる。
　【符号の説明】
　【００５２】
　１　台金
　２　軟質パッド
　３　硬質パッド
　１０　単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　平坦面を有する台金上に軟質パッド、硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって、前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し、前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ、その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行
い、
　
前記研削装置は前記研削プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する被加工物テーブルを有し、
　
前記表面の研削は前記研削プレートを５００ｒｐｍ以上の回転速度で回転させて行う
　【請求項２】
　
平坦面を有する台金上に軟質パッド、硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって、前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し、前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ、その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行い、
　クーラントが純水であることを特徴とす
る単
　【請求項３】
　
平坦面を有する台金上に軟質パッド、硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって、前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し、前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ、その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行い、
　
前記研削装置は前記研削プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する被加工物テーブルを有し、
　
前記表面の研削は前記研削プレートを５００ｒｐｍ以上の回転速度で回転させて行い、
　クーラントを用いな
いこ
る単
　【請求項４】
　
平坦面を有する台金上に軟質パッド、硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって、前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し、前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ、その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行い、
　
前記研削装置は前記研削プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する回転可能な被加工物テーブルを有し、
　
前記
前記
前記
前記
る単
　【請求項５】
　平坦面を有する台金上に軟質パッド、硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって、前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し、前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ、その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行う工程を有
し、
　
前記研削装置は前記研削プレートを回転可能に装着する駆動部と単結晶ＳｉＣ基板を固定する回転可能な被加工物テーブルを有し、
　
前記被加工物テーブルの回転方向が前記研削プレート回転方向と逆方向であり、前記硬質パッドはセグメント化されたものであり、前記被加工物テーブルの回転速度が３０ｒｐｍ〜３００ｒｐｍである
　【請求項６】
　平坦面を有する台金上に軟質パッド、硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって、前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定されて
おり、
　
前記硬質パッドは研削プレートの径方向の外側に向かうにしたがって周方向の幅が狭くなる形状にセグメント化されたものである
　【請求項７】
　前記金属酸化物が酸化セリウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化錫から選ばれる少なくとも１種以上であることを特徴とする請求項６に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
　【請求項８】
　前記金属酸化物が少なくとも酸化セリウムを含むことを特徴とする請求項７に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
　【請求項９】
　前記砥粒の比表面積が０．１ｍ２／ｇ〜３００ｍ２／ｇであることを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
　【請求項１０】
　前記軟質パッドが、不織布系またはスエード系であることを特徴とする請求項６〜９のいずれか一項に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
　【請求項１１】
　前記硬質パッドが、発泡ポリウレタン系であることを特徴とする請求項６〜１０のいずれか一項に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
　【請求項１２】
　前記砥粒を結合剤及び／又は接着剤で固定されたものであることを特徴とする請求項６〜１１のいずれか一項に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
　【請求項１３】
　前記砥粒の固定は、固定砥粒フィルムを硬質パッドに貼付することによってなされていることを特徴とする請求項６〜１２のいずれか一項の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
　【請求項１４】
　
平坦面を有する台金上に軟質パッド、硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって、前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し、前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ、その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行い、
　
クーラントが純水であり、
　
前記
前記
る単