【事件の表示】
　特願２００５−　６５９８７「固体撮像装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　９月２１日出願公開、特開２００６−２５３３１６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、平成１７年３月９日の出願であって、平成２０年１１月２１日に手続補正書が提出され、平成２１年１月２６日付けで拒絶査定がされ、それに対して、同年３月５日に審判が請求されるとともに、同年４月６日に手続補正書が提出され、その後、平成２２年１１月２日付けで審尋がされ、平成２３年１月６日に回答書が提出されたものである。
　
　
第２　平成２１年４月６日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正の却下の決定
　
【補正の却下の決定の結論】
　
　本件補正を却下する。　
　
【理由】　
１　補正の内容　
　本件補正のうち、特許請求の範囲についてする補正は、次のとおりである。
　
　請求項１について、同項中に、「上記第１の開口内の上記第１の絶縁層を覆い、上記第２の開口内の上記第１の絶縁層を露呈させる開口を有する第２のマスク層を形成する工程」とあるのを、「上記第１の開口内の上記第１の絶縁層を覆い、上記第２の開口内の上記第１の絶縁層を露呈させる為に、第２の開口よりは大に、また第１の開口に到ることがない程度に裕度が大きい位置合わせにより開口を有する第２のマスク層を形成する工程」と限定すること。
　
２　補正の目的の適否
　上記補正は、補正前の請求項に規定されている技術的事項をより限定するものであり、平成１８年法律５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するから、同特許法第１７条の２第４項柱書きに規定する目的要件を満たす。
　
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、独立特許要件を満たすものであるか否かについて、更に検討する。
　
３　独立特許要件（容易想到性）についての検討
（１）本願補正発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、次のとおりである。
　
　「【請求項１】
　単位画素が、少なくとも光電変換素子と、複数の絶縁ゲート形電界効果トランジスタを有し、上記複数の絶縁ゲート形電界効果トランジスタの一部の絶縁ゲート形電界効果トランジスタのゲート絶縁膜の厚さが、他の少なくとも一部の絶縁ゲート形電界効果トランジスタの厚さと異なる構成による固体撮像装置の製造方法であって、
そのゲート絶縁膜の形成工程が、
　半導体基板表面に、最終的に第１の厚さのゲート絶縁膜を形成する第１の開口と、上記第１の厚さに比し小なる第２の厚さのゲート絶縁膜を形成する第２の開口とが形成されたゲート絶縁膜形成の為の、分離絶縁層を兼ねる第１のマスク層を形成する工程と、
　上記第１および第２の開口に上記第１の厚さに比して小なる厚さの第１の絶縁層を形成する工程と、
　上記第１の開口内の上記第１の絶縁層を覆い、上記第２の開口内の上記第１の絶縁層を露呈させる為に、第２の開口よりは大に、また第１の開口に到ることがない程度に裕度が大きい位置合わせにより開口を有する第２のマスク層を形成する工程と、
　上記第２のマスク層の開口を通じて上記第１の絶縁層を除去する工程と、
　上記第２のマスク層を除去して上記第１のマスク層の上記第１および第２の開口を通じて上記第２の厚さの第２の絶縁層を形成する工程とを有し、
　上記第１の開口に形成された、上記第１及び第２の絶縁層の重複形成部からなる第１の厚さのゲート絶縁膜上に、読み出しＭＯＳトランジスタのゲート電極を形成する工程と、　
　上記第２の開口に形成された第２の厚さのゲート絶縁膜上に、アンプＭＯＳトランジスタ、リセットＭＯＳトランジスタ、又は、アンプＭＯＳトランジスタ、リセットＭＯＳトランジスタ、垂直選択用ＭＯＳトランジスタの各ゲート電極を形成する工程と、
　を有する固体撮像装置の製造方法。」
　
（２）引用例の記載と引用発明
（２−１）引用例１とその記載内容
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００４−２６５９３９号公報（以下「引用例１」という。）には、「ＣＭＯＳ固体撮像装置およびその駆動方法」（発明の名称）について、図１〜２とともに、次の記載がある（下線は当審で付加。以下同じ。）。
　
ア　発明の属する技術分野等　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、画素部で光電変換して得た電荷を転送ゲートから電荷電位変換手段へ転送して画像信号を得るＣＭＯＳ固体撮像装置およびその駆動方法に関する。」　
イ　発明の実施の形態等
「【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図に基づき説明する。図１は、本実施形態に係るＣＭＯＳ固体撮像装置を説明する全体平面図、図２は、本実施形態に係るＣＭＯＳ固体撮像装置の画素部拡大平面図、図３は、他の画素部拡大平面図である。
【００１０】
すなわち、
図１に示すように、本実施形態のＣＭＯＳ固体撮像装置１は１チップ内に画素領域１０および周辺回路領域２０を備えた構成となっている。画素領域１０には縦横に複数の画素部が配置され、各画素部に対応して転送ゲートを備える読み出しトランジスタや増幅トランジスタ等が構成されている。
【００１１】
また、周辺回路領域２０には、画素領域１０の各画素部および各トランジスタへ供給する電源を制御する回路や各画素部で取り込んだ信号を処理する回路等が構成されている。
【００１２】
図２に示す例は、各フォトダイオード部１１に対応して読み出しトランジスタ１２、リセットトランジスタ１３、増幅トランジスタ１４およびセレクトトランジスタ１５が配置される４トランジスタ型のＣＭＯＳ固体撮像装置
【００１３】
いずれの例であっても
本実施形態のＣＭＯＳ固体撮像装置では、読み出しトランジスタ１２の転送ゲート１２ａへ印加する電圧（ＶＴｘ）が、それ以外の周辺トランジスタへ印加する電圧（ＶＧ）より高くなっている点に特徴がある。
【００１４】
ここで、周辺トランジスタには、図１に示す周辺回路領域２０で動作するトランジスタや、図２、図３で示す各フォトダイオード部１１に対応して設けられる増幅トランジスタ１４、セレクトトランジスタ１５を含むものとする。
【００１５】
このように、転送ゲート１２ａに印加する電圧を、周辺トランジスタへの印加電圧より高くすることによって、スケーリング則に従った周辺トランジスタの省スペース化、低消費電力化および高速化を図り周辺トランジスタの駆動電圧低下を図った場合でも、フォトダイオード部１１に対応した転送ゲート１２ａの印加電圧が高いため、フォトダイオード部１１から転送ゲート１２ａを介して読み出すことができる電荷の飽和量を低下させずに済むようになる。」
「【００２０】
図６は第２の具体例を説明する模式断面図である。画素領域には１つのＰｈｏｔｏ  ｄｉｏｄｅ（フォトダイオード）から成るフォトダイオード部１１と、これに対応した転送ゲート１２ａおよびＦｌｏａｔｉｎｇ  Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ（電荷電圧変換部）１６が設けられ、周辺回路領域にはＬｏｇｉｃ  Ｔｒ．（ロジックトランジスタ）２１が配置されている。
【００２１】
また、この例では、フォトダイオード部１１の転送ゲート１２ａの部分のみゲート絶縁膜の膜厚を厚くし、薄い濃度のＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  ｄｏｐｅｄ  ｄｒａｉｎ）を転送ゲート１２ａの電荷下流側に設けている。
【００２２】
つまり、転送ゲート１２ａのゲート絶縁膜の膜厚をＴｏｘ（Ｔｘ）、周辺回路領域のロジックトランジスタ２１におけるゲート絶縁膜の膜厚をＴｏｘ（Ｌｏｇｉｃ）とした場合、Ｔｏｘ（Ｔｘ）＞Ｔｏｘ（Ｌｏｇｉｃ）、転送ゲート１２ａに対応するＬＤＤの不純物濃度をＮＬＤＤ（Ｔｘ）、周辺管理領域のロジックトランジスタ２１におけるＬＤＤの不純物濃度をＮＬＤＤ（Ｌｏｇｉｃ）とした場合、ＮＬＤＤ（Ｔｘ）＜ＮＬＤＤ（Ｌｏｇｉｃ）としている。
【００２３】
これにより、転送ゲート１２ａへ印加する電圧ＶＴｘとロジックトランジスタ２１に印加する電圧ＶＧとの関係として、ＶＴｘ≫ＶＧが可能となり、先に説明した具体例１よりも更に飽和電荷量を増加できるようになる。つまり、具体例２では、具体例１よりも高画質を必要とする用途に向いている。
【００２４】
いずれの具体例においても、図１に示す周辺回路領域に設けられた電源制御回路によってフォトダイオード部１１に対応した転送ゲート１２ａへの印加電圧ＶＴｘと周辺トランジスタへの印加電圧ＶＧとを別個に与えられるようにしておく。
【００２５】
これにより、ＣＭＯＳ固体撮像装置の駆動方法として、具体例１のようなＶＴｘ＞ＶＧや具体例２のようなＶＴｘ≫ＶＧとなる印加電圧を各々のトランジスタへ与えることができ、周辺トランジスタの小型化、低消費電力化、高速化と、飽和電荷量の増加との両立を図ることが可能となる。」
　
（２−２）引用発明
　上記ア及びイによれば、引用例１には、製造方法の観点からみると、次の発明が記載されているといえる（以下「引用発明」という。）。
　
「各フォトダイオード部１１に対応して読み出しトランジスタ１２、リセットトランジスタ１３、増幅トランジスタ１４およびセレクトトランジスタ１５が配置されるＣＭＯＳ固体撮像装置の製造方法であって、画素領域には１つのＰｈｏｔｏ  ｄｉｏｄｅ（フォトダイオード）から成るフォトダイオード部１１と、これに対応した読み出しトランジスタ１２の転送ゲート１２ａと、周辺回路領域にはＬｏｇｉｃ  Ｔｒ．（ロジックトランジスタ）２１が形成され、前記転送ゲート１２ａのゲート絶縁膜の膜厚　＞　前記周辺回路領域のロジックトランジスタ２１におけるゲート絶縁膜の膜厚である、ＣＭＯＳ固体撮像装置の製造方法。」
　
（２−３）引用例２とその記載内容
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−２１６２５７号公報（以下「引用例２」という。）には、「半導体装置およびその製造方法」（発明の名称）の従来技術において、図６とともに、次の記載がある。
  　
ア　産業上の利用分野等　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、主に半導体集積回路に使用される半導体装置およびその製造方法に関する
イ　従来の技術等
「【０００２】
【従来の技術】ＣＭＯＳ搭載マイコンのように電源電圧が一定でかつ高速動作を実現するような半導体集積回路を作製する場合、電源電圧がそのまま印加される入出力部や周辺トランジスタ部には、厚膜ゲート絶縁膜を有する高圧系トランジスタが使用される。また、降圧回路により降圧された電圧が印加され、かつ高速動作の要求されるメモリ部には、薄膜ゲート絶縁膜を有する低圧系トランジスタが使用される。このように
高圧系トランジスタおよび低圧系トランジスタを有する半導体装置では、同一半導体基板上に、膜厚の異なる２種類のゲート絶縁膜を形成する必要がある。
【０００３】以下、図６を参照しながら従来の半導体装置の製造方法について説明する。図６は従来の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
図６において、６０１はシリコン基板、６０２はＬＯＣＯＳ酸化膜、６０３は酸化種、６０４はシリコン酸化膜、６０５はレジスト、６０６はシリコン酸化膜で形成された薄膜ゲート絶縁膜、６０７は積層されたシリコン酸化膜で形成された厚膜ゲート絶縁膜、６０８はゲート電極用のポリシリコン膜であり、Ａは厚膜ゲート絶縁膜を有する高圧系トランジスタ形成領域、Ｂは薄膜ゲート絶縁膜を有する低圧系トランジスタ形成領域を示す。
【０００４】
まず、シリコン基板６０１上に素子間を分離するＬＯＣＯＳ酸化膜６０２を形成する（図６（ａ））。次に、酸素や水蒸気といった酸化種６０３を用いてシリコン酸化膜６０４を形成する（図６（ｂ））。次に高圧系トランジスタ形成領域Ａをレジスト６０５で覆い、低圧系トランジスタ形成領域Ｂのシリコン酸化膜６０３をウェットエッチング等により除去する（図６（ｃ））。次にレジスト６０５を剥離した後、再度、酸化種６０３雰囲気中で薄膜ゲート絶縁膜６０６が所望の膜厚となるように酸化処理を行う。このとき、高圧系トランジスタ形成領域Ａではシリコン酸化膜６０４がさらに酸化され、積層のシリコン酸化膜となった厚膜ゲート絶縁膜６０７が形成される（図６（ｄ））。
【０００５】
次に全面にポリシリコン膜６０８を成膜し（図６（ｅ））、その後、図示しないがポリシリコン膜６０８のパターニングを行って高圧系トランジスタ形成領域Ａおよび低圧系トランジスタ形成領域Ｂにゲート電極を形成し、さらに周知の方法により高圧系トランジスタ形成領域Ａおよび低圧系トランジスタ形成領域Ｂにそれぞれソース・ドレイン領域を形成することで、同一シリコン基板６０１上に膜厚の異なる２種類のゲート絶縁膜を有するＭＯＳトランジスタを形成することができる。
　
　なお、段落【０００４】の「シリコン酸化膜６０３」は、「シリコン酸化膜６０４」の誤記と認められる。
　
ウ　図６について
　図６は、従来の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
上記イを参酌すると、図６から、ＬＯＣＯＳ酸化膜６０２は、最終的に第１の厚さの厚膜ゲート絶縁膜を形成する第１の開口と、上記第１の厚さより薄い第２の厚さの薄膜ゲート絶縁膜を形成する第２の開口とが形成され、ゲート絶縁膜形成の為のものであることが分かる。
　　　
上記ア〜ウの記載から、引用例２には、以下の技術が開示されている。
　
　シリコン基板６０１上に、最終的に第１の厚さの厚膜ゲート絶縁膜を形成する第１の開口と、上記第１の厚さより薄い第２の厚さの薄膜ゲート絶縁膜を形成する第２の開口とが形成された、ゲート絶縁膜形成の為の、ＬＯＣＯＳ酸化膜６０２を形成する工程と、上記第１および第２の開口に上記第１の厚さより薄い厚さのシリコン酸化膜６０４を形成する工程と、高圧系トランジスタ形成領域Ａである上記第１の開口の上記シリコン酸化膜６０４を覆い、低圧系トランジスタ形成領域Ｂである上記第２の開口の上記シリコン酸化膜６０４を露呈させる為に、高圧系トランジスタ形成領域Ａをレジスト６０５で覆う工程と、前記レジスト６０５で覆われない部分である開口を通じて低圧系トランジスタ形成領域Ｂのシリコン酸化膜６０４を除去する工程と、レジスト６０５を剥離した後、上記ＬＯＣＯＳ酸化膜６０２の上記第１および第２の開口を通じて所望の膜厚となるように酸化処理を行うことにより、高圧系トランジスタ形成領域Ａである上記第１の開口に積層のシリコン酸化膜となった厚膜ゲート絶縁膜６０７を、低圧系トランジスタ形成領域Ｂである上記第２の開口に薄膜ゲート絶縁膜６０６を、それぞれ形成するとともに、各ゲート絶縁膜上にゲート電極をそれぞれ形成する技術。
　
（３）対比
（３−１）本願補正発明と引用発明とを対比すると、
ア　引用発明の「フォトダイオード部１１」及び「ＣＭＯＳ固体撮像装置」は、それぞれ、本願補正発明の「光電変換素子」及び「固体撮像装置」に相当し、引用発明の「周辺回路領域」はＬｏｇｉｃ  Ｔｒ．（ロジックトランジスタ）２１が形成されていることから、複数の絶縁ゲート形電界効果トランジスタを有していることが分かる。そして、引用発明において、「読み出しトランジスタ１２の転送ゲート１２ａのゲート絶縁膜の膜厚＞周辺回路領域のロジックトランジスタ２１におけるゲート絶縁膜の膜厚」であることから、複数の絶縁ゲート形電界効果トランジスタの一部、すなわち、読み出しトランジスタ、の絶縁ゲート形電界効果トランジスタのゲート絶縁膜の厚さが、他の少なくとも一部の絶縁ゲート形電界効果トランジスタ、すなわち、ロジックトランジスタ、のゲート絶縁膜の厚さとは異なるものであるから、厚さが異なる構成によるものといえる。　
　そうすると、引用発明の「画素領域には１つのＰｈｏｔｏ  ｄｉｏｄｅ（フォトダイオード）から成るフォトダイオード部１１と、これに対応した各フォトダイオード部１１に対応した読み出しトランジスタ１２の転送ゲート１２ａが形成され、周辺回路領域にはＬｏｇｉｃ  Ｔｒ．（ロジックトランジスタ）２１が形成され、転送ゲート１２ａのゲート絶縁膜の膜厚＞周辺回路領域のロジックトランジスタ２１におけるゲート絶縁膜の膜厚として形成しているＣＭＯＳ固体撮像装置の製造方法」は、本願補正発明の「単位画素が、少なくとも光電変換素子と、複数の絶縁ゲート形電界効果トランジスタを有し、上記複数の絶縁ゲート形電界効果トランジスタの一部の絶縁ゲート形電界効果トランジスタのゲート絶縁膜の厚さが、他の少なくとも一部の絶縁ゲート形電界効果トランジスタの厚さと異なる構成による固体撮像装置の製造方法」に相当する。　
イ　引用発明の「リセットトランジスタ１３」、「増幅トランジスタ１４」及び「セレクトトランジスタ１５」は、それぞれ、本願補正発明の「リセットＭＯＳトランジスタ」、「アンプＭＯＳトランジスタ」及び「垂直選択用ＭＯＳトランジスタ」に相当する。
　
（３−２）したがって、本願補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりとなる。
　
〈一致点〉
「単位画素が、少なくとも光電変換素子と、複数の絶縁ゲート形電界効果トランジスタを有し、上記複数の絶縁ゲート形電界効果トランジスタの一部の絶縁ゲート形電界効果トランジスタのゲート絶縁膜の厚さが、他の少なくとも一部の絶縁ゲート形電界効果トランジスタの厚さと異なる構成による固体撮像装置の製造方法であって、アンプＭＯＳトランジスタ、リセットＭＯＳトランジスタ、垂直選択用ＭＯＳトランジスタを有する固体撮像装置の製造方法。」
　
〈相違点〉
相違点１
　本願補正発明では、ゲート絶縁膜の形成工程が、「半導体基板表面に、最終的に第１の厚さのゲート絶縁膜を形成する第１の開口と、上記第１の厚さに比し小なる第２の厚さのゲート絶縁膜を形成する第２の開口とが形成されたゲート絶縁膜形成の為の、分離絶縁層を兼ねる第１のマスク層を形成する工程と、上記第１および第２の開口に上記第１の厚さに比して小なる厚さの第１の絶縁層を形成する工程と、上記第１の開口内の上記第１の絶縁層を覆い、上記第２の開口内の上記第１の絶縁層を露呈させる為に、第２の開口よりは大に、また第１の開口に到ることがない程度に裕度が大きい位置合わせにより開口を有する第２のマスク層を形成する工程と、上記第２のマスク層の開口を通じて上記第１の絶縁層を除去する工程と、上記第２のマスク層を除去して上記第１のマスク層の上記第１および第２の開口を通じて上記第２の厚さの第２の絶縁層を形成する工程」とを有するのに対し、引用発明では、ゲート絶縁膜の形成工程について特定されていない点。
　
相違点２　
　本願補正発明では、「第１及び第２の絶縁層の重複形成部からなる第１の厚さのゲート絶縁膜上に、読み出しＭＯＳトランジスタのゲート電極を形成する工程」と、「上記第２の開口に形成された第２の厚さのゲート絶縁膜上に、アンプＭＯＳトランジスタ、リセットＭＯＳトランジスタ、又は、アンプＭＯＳトランジスタ、リセットＭＯＳトランジスタ、垂直選択用ＭＯＳトランジスタの各ゲート電極を形成する工程」とを有するのに対し、引用発明では、各ゲート電極を形成する工程について特定されていない点。
　
（４）相違点１及び２についての検討　
ア　引用例１の段落【００１３】の「本実施形態のＣＭＯＳ固体撮像装置では、読み出しトランジスタ１２の転送ゲート１２ａへ印加する電圧（ＶＴｘ）が、それ以外の周辺トランジスタへ印加する電圧（ＶＧ）より高くなっている点に特徴がある。」との記載から、引用発明のＣＭＯＳ固体撮像装置の製造方法において、読み出しトランジスタ１２は高圧系トランジスタ、それ以外の周辺トランジスタは低圧系トランジスタであることが分かる。  　
　そして、引用発明において、「読み出しトランジスタ１２の転送ゲート１２ａのゲート絶縁膜の膜厚＞周辺回路領域のロジックトランジスタ２１におけるゲート絶縁膜の膜厚」の関係を有している。 
イ　そして、引用例２の段落【０００３】の「Ａは厚膜ゲート絶縁膜を有する高圧系トランジスタ形成領域、Ｂは薄膜ゲート絶縁膜を有する低圧系トランジスタ形成領域を示す。」との記載から、高圧系トランジスタと低圧系トランジスタを有し、ゲート絶縁膜の膜厚が異なるものであることが分かる。
ウ　そうすると、引用発明と引用例２に記載された技術は、高圧系トランジスタと低圧系トランジスタとを有する複数の絶縁ゲート形電界効果トランジスタ半導体装置の製造方法であって、複数の絶縁ゲート形電界効果トランジスタの一部の絶縁ゲート形電界効果トランジスタのゲート絶縁膜の厚さが、他の少なくとも一部の絶縁ゲート形電界効果トランジスタの厚さと異なる構成とするという共通の技術課題を有する。　
エ　したがって、引用発明のＣＭＯＳ固体撮像装置の製造方法において、高圧系及び低圧系トランジスタの厚さの異なるゲート絶縁膜の具体的な形成方法として、引用例２に記載の技術を適用することは、当業者が容易に想到し得たものといえる。そして、その際に、レジスト６０５を「第２の開口よりは大に、また第１の開口に到ることがない程度に裕度が大きい位置合わせにより開口を有する」ものとすることは、当業者が必要（例えば、マスク合わせの余裕をとる等）に応じて適宜なし得る技術的な設計事項である。　　
オ　そして、これにより、相違点１及び相違点２の構成が得られることは明らかである。　
　　
（５）小括
　したがって、上記各相違点は、いずれも引用発明に引用例２に記載の技術を適用することにより、当業者が容易に想到し得たものである。
　
（６）独立特許要件についてのまとめと補正却下の結び
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明及び引用例２に記載の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。　
　よって、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に違反するので、同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明
　
１　以上のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１９年１２月２５日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載の次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　単位画素が、少なくとも光電変換素子と、複数の絶縁ゲート形電界効果トランジスタを有し、上記複数の絶縁ゲート形電界効果トランジスタの一部の絶縁ゲート形電界効果トランジスタのゲート絶縁膜の厚さが、他の少なくとも一部の絶縁ゲート形電界効果トランジスタの厚さと異なる構成による固体撮像装置の製造方法であって、
そのゲート絶縁膜の形成工程が、
　半導体基板表面に、最終的に第１の厚さのゲート絶縁膜を形成する第１の開口と、上記第１の厚さに比し小なる第２の厚さのゲート絶縁膜を形成する第２の開口とが形成されたゲート絶縁膜形成の為の、分離絶縁層を兼ねる第１のマスク層を形成する工程と、
　上記第１および第２の開口に上記第１の厚さに比して小なる厚さの第１の
絶縁層を形成する工程と、
　上記第１の開口内の上記第１の絶縁層を覆い、上記第２の開口内の上記第１の絶縁層を露呈させる開口を有する第２のマスク層を形成する工程と、
　上記第２のマスク層の開口を通じて上記第１の絶縁層を除去する工程と、
　上記第２のマスク層を除去して上記第１のマスク層の上記第１および第２の開口を通じて上記第２の厚さの第２の絶縁層を形成する工程とを有し、
　上記第１の開口に形成された、上記第１及び第２の絶縁層の重複形成部からなる第１の厚さのゲート絶縁膜上に、読み出しＭＯＳトランジスタのゲート電極を形成する工程と、
　上記第２の開口に形成された第２の厚さのゲート絶縁膜上に、アンプＭＯＳトランジスタ、リセットＭＯＳトランジスタ、又は、アンプＭＯＳトランジスタ、リセットＭＯＳトランジスタ、垂直選択用ＭＯＳトランジスタの各ゲート電極を形成する工程と、
　を有する固体撮像装置の製造方法。」
　
２　引用例の記載と引用発明
　引用例の記載と引用発明については、前記第２の３（２）で認定したとおりである。
　
３　対比・判断
　 前記第２の１及び２で検討したように、本願補正発明は、補正前の請求項１の規定をより技術的に限定するものである。したがって、逆に言えば、本願発明（補正前の請求項１に係る発明）は、本願補正発明から、このような限定をなくしたものである。  　
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、これより限定したものである本願補正発明が、前記第２の３で検討したとおり、引用発明、引用例２に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、当業者が容易に発明することができたということができる。 
　
第４　結言
　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用例２に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　
　よって、結論のとおり審決する。