【手続補正書】
【提出日】平成23年6月15日(2011.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射を生成する活性領域（２１）を備えた半導体層列を有する半導体ボディ（２）と支持体（３）とを備えた半導体チップ（１）において、
前記支持体（３）は前記半導体ボディ（２）と対向する側において第１の支持体面（３１）を有し、且つ前記半導体ボディ（２）側とは反対側において第２の支持体面（３２）を有し、
前記半導体ボディ（２）は結合層（４）を用いて材料結合により前記支持体（３）に固定されており、
前記第２の支持体面（３２）と前記活性領域（２１）との間に複数の反射性または散乱性の素子（４０，７）が形成されており、
前記複数の反射性または散乱性の素子は、少なくとも部分的に表面構造を有する境界面（７）によって形成されており、
前記境界面（７）の前記表面構造は構造化された表面（８）によって形成されており、
前記構造化された表面（８）は光格子用に構成されていることを特徴とする、半導体チップ（１）。
【請求項２】
前記複数の反射性または散乱性の素子（４０，７）は前記第２の支持体面（３２）と前記半導体ボディ（２）との間に形成されている、請求項１記載の半導体チップ。
【請求項３】
前記半導体ボディ（２）と前記結合層（４）との間に、前記活性領域において生成された放射に対して透過性であるコンタクト層（６１）が形成されている、請求項１または２記載の半導体チップ。
【請求項４】
前記コンタクト層（６１）はＴＣＯ材料を含有する、請求項３記載の半導体チップ。
【請求項５】
前記コンタクト層（６１）の屈折率は前記半導体ボディ（２）の屈折率に適合されている、請求項３または４記載の半導体チップ。
【請求項６】
前記半導体ボディ（２）と前記支持体（３）との間にミラー層（５）が配置されている、請求項１から５までのいずれか１項記載の半導体チップ。
【請求項７】
前記結合層は前記表面構造を備えた前記境界面（７）上に付着成形されている、請求項１から６までのいずれか１項記載の半導体チップ。
【請求項８】
前記表面構造を備えた前記境界面（７）は前記ミラー層（５）の前記活性領域側の面（５０）であり、前記境界面（７）の前記表面構造は前記構造化された表面（８）の構造に従う、請求項６記載の半導体チップ。
【請求項９】
前記構造化された表面は不規則に配置されている構造素子（８０）を有する、請求項１１から８までのいずれか１項記載の半導体チップ。
【請求項１０】
前記構造化された表面は周期的に配置されている構造素子（８０）を有する、請求項１から９までのいずれか１項記載の半導体チップ。
【請求項１１】
前記構造素子（８０）は角錐状、角錐断端状、マイクロプリズム状または溝状に形成されている、請求項９または１０記載の半導体チップ。
【請求項１２】
前記構造素子（８０）は横方向の拡張部を有し、該拡張部は前記活性領域の側において前記表面構造を備えた前記境界面（７）と接している媒体内での、前記活性領域において生成された放射のピーク波長の０．５倍以上１００倍以下の範囲の大きさを有する、請求項９から１１までのいずれか１項記載の半導体チップ。
【請求項１３】
前記構造化された表面（８）は前記活性領域（２１）と前記結合層（４）との間に配置されている、請求項９から１２までのいずれか１項記載の半導体チップ。
【請求項１４】
前記構造化された表面（８）は前記コンタクト層の前記支持体（３）側の面（６３）である、請求項３記載の半導体チップ。
【請求項１５】
前記構造化された表面（８）は前記結合層（４）と前記第２の支持体面（３２）との間に配置されている、請求項１から１４までのいずれか１項記載の半導体チップ。
【請求項１６】
前記構造化された表面（８）は前記支持体（３）の前記第１の支持体面（３１）である、請求項１から１５までのいずれか１項記載の半導体チップ。
【請求項１７】
前記結合層（４）は接着層である、請求項１から１６までのいずれか１項記載の半導体チップ。
【請求項１８】
前記結合層（４）は前記活性領域（２１）において生成された放射に対して透過性に形成されている、請求項１から１７までのいずれか１項記載の半導体チップ。
【請求項１９】
前記結合層（４）は、半導体チップ（１）の動作時に前記活性領域（２１）において生成された放射の前記結合層（４）内での導波を妨げるように形成されている、請求項１から１８までのいずれか１項記載の半導体チップ。
【請求項２０】
前記複数の反射性または散乱性の素子は結合層（４）内に構成されている粒子（４０）によって形成されている、請求項１から１９までのいずれか１項記載の半導体チップ。
【請求項２１】
前記結合層（４）は電気的に絶縁性に形成されている、請求項１から２０までのいずれか１項記載の半導体チップ。
【請求項２２】
前記半導体チップ（１）における前記活性領域（２１）の前記支持体（３）側とは反対側の面上に配置されている放射放出面（１０）は構造化されて形成されている、請求項１から２１までのいずれか１項記載の半導体チップ。
【請求項２３】
前記半導体ボディ（２）の前記支持体（３）側とは反対側の面上に、前記活性領域において生成された放射に対して透過性の別のコンタクト層（６２）が配置されている、請求項３記載の半導体チップ。
【請求項２４】
薄膜半導体チップとして構成されている、請求項１から２３までのいずれか１項記載の半導体チップ。
【請求項２５】
前記半導体ボディ（２）の前記半導体層列のための成長基板（２５）が少なくとも部分的に除去されている、または薄くされている、請求項１から２４までのいずれか１項記載の半導体チップ。
【請求項２６】
前記結合層（４）の屈折率は前記半導体ボディ（２）の屈折率に適合されている、請求項１から２５までのいずれか１項記載の半導体チップ。
【請求項２７】
放射を生成する活性領域（２１）を備えた半導体層列を有する半導体ボディ（２）と支持体（３）とを備えた半導体チップ（１）の製造方法において、
ａ）前記半導体ボディ（２）を固定するための固定面（２９）が設けられている、前記半導体層列を備えた前記半導体ボディ（２）を準備するステップと、
ｂ）前記半導体ボディ（２）を固定するための実装面（３９）が設けられている前記支持体（３）を準備するステップと、
ｃ）前記半導体ボディ（２）を前記支持体（３）に固定するための結合層（４）を前記固定面（２９）と前記実装面（３９）との間に形成するステップと、
ｄ）第２の支持体面（３２）と前記活性領域（２１）との間に、光格子用に構成されている構造化された表面（８）によって形成されている表面構造を少なくとも部分的に有する境界面（７）によって、複数の反射性または散乱性の素子（４０，７）を形成し、半導体チップ（１）を完成させるステップとを有することを特徴とする、半導体チップ（１）の製造方法。
【請求項２８】
前記ステップｃ）の前に前記固定面（２９）を、表面構造を有する境界面（７）として形成する、請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
前記ステップｃ）の前に前記実装面（３９）を、表面構造を有する境界面（７）として形成する、請求項２７記載の方法。
【請求項３０】
前記境界面（７）の前記表面構造を構造化された表面（８）によって形成する、請求項２８または２９記載の方法。
【請求項３１】
前記表面（８）を湿式化学的または乾式化学的なエッチングにより構造化する、請求項３０記載の方法。
【請求項３２】
前記表面構造を備えた前記境界面（７）を前記構造化された表面上に析出されたミラー層（５）によって形成し、前記境界面（７）の表面構造を前記構造化された表面（８）の構造に対応させる、請求項２７から３１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項３３】
前記結合層（４）を内部に粒子（４０）が構成されている結合材料によって形成する、請求項２７から３２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項３４】
前記ステップａ）において前記半導体層列が設けられる成長基板（２５）を前記ステップｃ）の後に少なくとも部分的に除去する、または薄くする、請求項２７から３３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項３５】
請求項１から２６までのいずれか１項記載の半導体チップ（１）を製造する、請求項２７から３４までのいずれか１項記載の方法。