Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月25日(2011.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−  放射伝播エリア（３）と、
−  前記放射伝播エリア（３）に与えられた接触用メタライゼーション（２ａ）と、
−  前記放射伝播エリア（３）から離れている前記接触用メタライゼーション（２ａ）の表面に与えられた第１の反射性積層体（２ｂ）と、を有し、
前記第１の反射性積層体（２ｂ）は、電磁放射を反射して前記接触用メタライゼーション（２ａ）に戻すために設けられ、
少なくとも一つの電流拡散路（９）が前記放射電波エリアに与えられ、
前記電流拡散路（９）は、前記接触用メタライゼーション（２ａ）に導電接続され、
前記電流拡散路（９）は、電流拡散用メタライゼーション（９ａ）と、前記放射伝播エリア（３）から離れている前記電流拡散用メタライゼーション（９ａ）の表面に与えられた第２の反射性積層体（９ｂ）と、を有し、
前記第２の反射性積層体（９ｂ）は、電磁放射を反射して前記電流拡散用メタライゼーション（９ａ）に戻すために設けられる、
オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項２】
前記接触用メタライゼーション（２ａ）は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）のワイヤ接触接続のために設けられたボンディングパッドである、
請求項１記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項３】
前記第１の反射性積層体（２ｂ）は、金属を含む少なくとも一つの層を有する、
請求項１または請求項２記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項４】
前記第１の反射性積層体（２ｂ）は、アルミニウムおよび銀のうち少なくとも一つを含む少なくとも一つの層（２２）を有する、
請求項１から請求項３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項５】
前記第１の反射性積層体（２ｂ）は、絶縁材料を含む少なくとも一つの層（２２）を有する、
請求項１から請求項４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項６】
前記第１の反射性積層体（２ｂ）は、ブラッグミラーを形成する、
請求項１から請求項５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項７】
前記第２の反射性積層体（９ｂ）は、金属を、特にアルミニウムおよび／または銀を含む少なくとも一つの層を有する、
請求項１記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項８】
前記第２の反射性積層体（９ｂ）は、絶縁材料を含む少なくとも一つの層（９９）を有する、
請求項１から請求項７のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項９】
前記第２の反射性積層体（９ｂ）は、ブラッグミラーを形成する、
請求項１から請求項８のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項１０】
−  請求項１から請求項９のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）と、
−  放出方向において前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）の下流側に配置された光学フィルタ要素（１１）と、を有し、
前記光学フィルタ要素は、第１の放射特性を有する第１の放射成分を透過し且つ第１の放射特性と異なる第２の放射特性を有する第２の放射成分を反射するに適している、
オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント。
【請求項１１】
前記光学フィルタ要素（１１）は、ダイクロイックフィルタを有する、
請求項１０記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント。
【請求項１２】
前記光学フィルタ要素（１１）は、偏光フィルタを有する、
請求項１０または請求項１１記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント。
【請求項１３】
前記光学フィルタ要素（１１）は、角度フィルタを有する、
請求項１０から請求項１２のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント。
【請求項１４】
前記光学フィルタ要素（１１）は、輝度変換材料を有する、
請求項１０から請求項１３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月2日(2010.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信ネットワークの在圏セルとターゲット・セル間において実行時期を調整してモバイルデバイスのハンドオーバを実行する方法であって、
前記在圏セルと前記ターゲット・セル間における時間差を決定するステップと、
前記決定した時間差に基づいて、前記モバイルデバイスと前記ターゲット・セル間におけるターゲットの伝播遅延を決定するステップと、
前記ターゲットの伝播遅延に基づいてターゲット送信時間を計算するステップと
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記在圏セル内の在圏アクセス・ポイントが、前記ターゲット送信時間を計算することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記時間差を決定するステップは、前記在圏アクセス・ポイントが前記モバイルデバイスから前記時間差を受信するステップを有することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ハンドオーバの実行時期を調整するために使用すべく前記モバイルデバイスに前記ターゲット送信時間を送信するステップをさらに有することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記モバイルデバイスが、前記ターゲットの送信時間を計算することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ターゲットの伝播遅延を決定するステップは、
前記モバイルデバイスと前記在圏セル間における在圏伝播遅延を在圏アクセス・ポイントから受信するステップと、
前記受信した在圏伝播遅延と前記決定した時間差に基づいて前記ターゲット伝播遅延を決定するステップを有することを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記モバイルデバイスにおいて前記在圏セルと前記ターゲット・セルのフレーム・タイミング情報を受信するステップをさらに有することを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記ターゲット送信時間を計算するステップは、前記モバイルデバイスで前記ターゲット伝播遅延と、前記受信したフレーム・タイミング情報と、前記モバイルデバイスと前記在圏セル間における在圏伝播遅延とに基づいて前記ターゲット送信時間を計算するステップを有することを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記時間差を計算するステップは、
前記モバイルデバイスで前記在圏セルから受信した第１の信号に対応する第１の受信時間を計測するステップと、
前記モバイルデバイスで前記ターゲット・セルから受信した第２の信号に対応する第２の受信時間を計測するステップと、
前記モバイルデバイスで前記第１と第２の受信時間に基づいて前記ターゲット・セルと前記在圏セル間における前記時間差を決定するステップと
を有することを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
前記モバイルデバイスで前記モバイルデバイスと前記在圏セル間における在圏伝播遅延を決定するステップを有し、
前記ターゲットの伝播遅延を決定するステップは、前記モバイルデバイスで前記時間差と前記在圏伝播遅延に基づいて前記ターゲット伝播遅延を決定するステップを有することを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ターゲット伝播遅延を決定するステップは、前記モバイルデバイスと前記在圏セル間における在圏伝播遅延と前記時間差に基づいて前記ターゲット伝播遅延を計算するステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記ターゲット伝播遅延を決定するステップは、前記時間差と、前記モバイルデバイス及び前記在圏セル間における前記在圏伝播遅延と、前記在圏セル及び前記ターゲット・セルのそれぞれに対応する絶対的な送信時間とに基づいて前記ターゲット伝播遅延を計算するステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
無線通信ネットワークの在圏セルとターゲット・セル間において実行時期を調整してモバイルデバイスのハンドオーバを実行するプロセッサであって、
前記在圏セルと前記ターゲット・セル間における時間差を決定し、
前記決定した時間差に基づいて前記モバイルデバイスと前記ターゲット・セル間におけるターゲット伝播遅延を決定し、
前記ターゲット伝播遅延に基づいてターゲット送信時間を計算するように適合していることを特徴とするプロセッサ。
【請求項１４】
前記モバイルデバイスに備えられていることを特徴とする請求項１３に記載のプロセッサ。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年9月14日(2011.9.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
さらに、磨きパッドの第１または第２の領域は、多モードの分布の気孔を有することが出来る。“多モードの”の語は、多孔性領域が、少なくとも２以上（例えば３以上、５以上、または１０以上までも）の孔径極大値）を含む孔径分布を有することを意味する。通常、孔径極大値の数は、２０以下（例えば１５以下）である。孔径極大値は、ピークの面積が全気孔数の５％以上の数を含む孔径分布におけるピークとして定義されている。好ましくは、孔径分布は二つのモードを持つ（すなわち２つの孔径極大値を有する）。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
多モードの孔径分布は、何らかの適する孔径値で、孔径極大値を有することが出来る。例えば、多モードの孔径分布は、５０μｍ以下（例えば４０μｍ以下、３０μｍ以下、または２０μｍ以下）の第１の孔径極大値、および５０μｍ以上（例えば７０μｍ以上、９０μｍ以上、または１２０μｍ以上までも）の第２の孔径極大値を有することが出来る。多モードの孔径分布は、その代わりに２０μｍ以下（例えば１０μｍ以下、または５μｍ以下）の第１の孔径極大値、および２０μｍ以上（例えば３５μｍ以上、５０μｍ以上、または７５μｍ以上までも）の第２の孔径極大値を有することが出来る。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
高分子材料は、所望により、パッド体に取り込まれる粒子を含む。好ましくは、粒子は、高分子材料内に分散されている。粒子は、研磨剤粒子（ａｂｒａｓｉｖｅ）、ポリマー粒子、複合物粒子（例えばカプセルに入れられた粒子）、有機粒子、無機粒子、清澄（ｃｌａｒｉｆｙｉｎｇ）粒子、およびそれらの混合物であることが可能である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
高分子材料は、所望により、パッド体に取り込まれた可溶性粒子を含む。好ましくは、可溶性粒子は、高分子材料内に分散されている。そうした可溶性粒子は、化学的機械的な磨きの間に、磨き組成物の液体担体中に、部分的にまたは完全に溶解する。通常、可溶性粒子は水可溶性粒子である。例えば、可溶性粒子は、デキストリン、シクロデキストリン、マンニトール、ラクトース、ヒドロキシプロピルセルロース、メチルセルロース、でんぷん、たんぱく質、アモルファス非架橋ポリビニルアルコール、アモルファス非架橋ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸、ポリエチレンオキサイド、水可溶性感光性樹脂、スルホン化ポリイソプレン、およびスルホン化ポリイソプレン共重合体からなる群から選択される材料の粒子等のあらゆる適切な水可溶性粒子であることが可能である。可溶性粒子は、またカリウムアセテート、硝酸カリウム、カリウムカーボネート、カリウム炭酸水素、塩化カリウム、臭化カリウム、カリウムリン酸、硝酸マグネシウム、カルシウムカーボネート、およびナトリウムベンゾエートからなる群から選択される材料の粒子等の無機水可溶性粒子であることが可能である。可溶性粒子が溶解する時、磨きパッドは、可溶性粒子のサイズに対応する通気孔と放置可能である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
高分子材料は、所望によりパッド体内に取り込まれる固形触媒を含む。好ましくは、固形触媒は、高分子材料内に分散されている。触媒は、金属、非金属、またはそれらの組み合わせであることが可能である。好ましくは、触媒は、Ａｇ、Ｃｏ、Ｃｅ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｔｉ、およびＶを含む金属化合物等の複数の酸化状態を有する金属化合物から選択されるが、これらに限られない。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年9月26日(2011.9.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２２】
(a)哺乳動物から生体試料を提供する段階；
(b)試料中で、アレルギー性疾患に関連する1つまたは複数の特異的な遺伝子の活性化の程度を決定する段階；
(c)生体試料に候補物質を接触させる段階；および
(d)接触段階後に試料中の活性化の程度が変化するかどうかを決定する段階、
を含み、物質の非存在下で観察される場合と比較して、物質の存在下で観察される活性化の程度が変化すれば、物質がアレルギー性疾患を処置または予防できることを示す、哺乳動物においてアレルギー性疾患を処置または予防できる物質のスクリーニング方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項４２】
物質が、αστεροιδ、αβ2アゴニスト、メチルキサンチン、ロイコトリエン修飾因子、抗コリン作動因子、全身性コルチコステロイド、または抗ヒスタミンである、請求項18〜20のいずれか一項記載の方法。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
第7の局面では、本発明は、
(a)哺乳動物から生体試料を提供する段階；
(b)試料中でアレルギー性疾患に関連する1つまたは複数の特定の遺伝子の活性化の程度を決定する段階；
(c)生体試料に候補物質を接触させる段階；および
(d)接触段階後に試料中の活性化の程度が変化するかどうかを決定する段階
を含み、物質の非存在下で観察される場合と比較して、物質の存在下で観察される活性化の程度が変化すれば、物質がアレルギー性疾患を処置または予防できることを示す、哺乳動物においてアレルギー性疾患を処置または予防できる物質のスクリーニング方法を提供する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
さらに別の態様では、物質はステロイド、β2アゴニスト、メチルキサンチン、ロイコトリエン修飾因子、抗コリン作動因子、全身性コルチコステロイド、または抗ヒスタミンである。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年2月25日(2011.2.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
ヒビ割れの場合にはいわゆる分節性ヒビ割れ及び微小ヒビ割れに更に区別できる。前者は沢山の溶射薄層を貫いて被覆方向に対して平行に走り、それどころか一部は全層を貫いて走る。ミクロ幅ヒビ割れは薄層相互の間（層間）又は薄層内（層内）に存在しており、一般に１ミクロメータ以下の明らかに小さいヒビ割れ開口幅を有している。このミクロ幅ヒビ割れは網目状に互いに結合しており、層にガス透過性を持たせている。同様にガス透過性は球状孔及び分節性ヒビ割れ、特に層全体に走るそれによってももたらされる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
以下にこれに必要な、所期の効果を実現する大気プラズマ溶射法（ＡＰＳ）のパラメータを記載する。
１．  一回の層塗工工程で層を製造（一つの層）：これは、プラズマバーナーが一度だけの被覆工程で基体に塗工することを意味する。一工程だけを使用することが異なる溶射層の間でのひび割れ傾向を減少させる。このことは普通の多数の工程を必要とする慣用の技術に対峙するものである。
２．  最高で約１００μｍの析出層厚の調整：これは分節性ヒビ割れの発生を避ける。
３．  使用するセラミックの溶融温度の少なくとも２５％（ケルビン温度）の高温に基体を予熱する：この手段は既に析出した粒子を一部再溶融することによって個々の溶射薄層の間の接合を改善する。
４．−  プロセスパラメータを適切に選択することによって、２００ｍ／秒以上、特に２５０ｍ／秒以上の値の、基体に溶射する際の早い粒子速度の調整：これによって微小ヒビ割れを生じる傾向の少ない薄い溶射薄層が生じる。
５．  パラメータの適切な選択によって溶融温度の少なくとも５％、さらに好ましくは１０％上という値の比較的に高い粒子温度を、基体に溶射する際に調整：これは再溶融及び結合を促進し、このことが微細ヒビ割れを抑制する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年8月12日(2011.8.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
ここでＩは単位マトリックスである（たとえば、W. Zhi, R. Guobin, L. Shuqin, and J. Shuisheng,“Supercell lattice method for photonic crystal fibers,”Optics Express, 2003, Vol.11, pages 980-991を参照）。この特性はある実施例で有用であるが、なぜなら、所与のマトリックスＡの最大の振幅の固有値は、クーラント−フィッシャーの定理を使用することによって非常に速く計算することができるからである（たとえば、R.A. Horn and C.R. Johonson, Matrix Analysis, Chapter 4, Cambridge University Press, London, 1983を参照）。ある実施例では、クーラント−フィッシャーの定理が使用されるが、なぜなら、それはその固有値の検索をマトリックス内の寸法ｍ0の小さなブロックに制限するからであり、これはすべての固有値を識別するよりもはるかに高速である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６７】
の逆マトリックスを計算することによって）。ある実施例では、逆マトリックスは、第３のマトリックスＡを得るために、（マトリックスがより下方およびより上方の三角形のマトリックスの積として表現される）標準的なＬＵ分解を使用して計算される（たとえば、R.A. Horn and C.R. Johnson,“Matrix Analysis,”Chapter 3, Section 5, Cambridge University Press, 1990を参照）。この計算はある実施例では高速であるが、なぜなら、
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月2日(2011.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の対象はＸ線を直接変換するための有機光検出器であり、課題の解決は、基板の上に１つの電極と、少なくとも１つの有機活性層と、そのうえに１つの上側電極とを有し、半導体有機マトリクスの活性層内に、Ｘ線を電荷に直接変換することを可能にする半導体ナノ粒子を加えることにある。さらに本発明の対象は、少なくとも有機活性層が溶液（湿式化学法）から作られる光検出器の製造方法である。
しかして、有機光検出器に関する課題は、本発明によれば、基板の上に１つ電極と、少なくとも１つの有機活性層と、その上に１つの上側電極とを有し、半導体有機マトリクスの活性層内に、Ｘ線を電荷に直接変換することを可能にする半導体ナノ粒子が加えられていることによって解決される（請求項１）。
本発明による有機光検出器の優れた実施態様は次の通りである。
・ナノ粒子がナノ結晶として存在する（請求項２）。
・ナノ粒子つまりナノ結晶が化学合成により作られる（請求項３）。
・ナノ粒子がＩＩ−ＶＩ族、ＩＶ族またはＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体である（請求項４）。
・ナノ粒子が、硫化鉛（ＰｂＳ）、セレン化鉛（ＰｂＳｅ）、硫化水銀（ＨｇＳ）、セレン化水銀（ＨｇＳｅ）、テルル化水銀（ＨｇＴｅ）のうちの少なくとも１つから成る（請求項５）。
・ナノ粒子が１〜２０ｎｍの典型的な直径を有する（請求項６）。
・光検出器の有機活性層が１００μｍ以上の層厚を有する（請求項７）。
・層厚が中間層を備えた有機活性層の多重化により得られる（請求項８）。
・層厚がフォトダイオードの積層により生じる（請求項９）。
・金属層がフォトダイオードの上に配置されている（請求項１０）。
・有機活性層内のナノ粒子が少なくとも５０％の体積割合にある（請求項１１）。
光検出器の製造方法に関する課題は、本発明によれば、少なくとも有機活性層が溶液（湿式化学法）から作られることによって解決される（請求項１２）。
本発明による光検出器の製造方法の優れた実施態様は次の通りである。
・有機活性層がスピンコーティング、ブレイドコーティング、プリンティング、ドクターブレイディング、スプレイコーティング、ローリングのうちの少なくとも１つにより作られる（請求項１３）。
・作業工程が最大２００℃までの温度で行われる（請求項１４）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（２）の上に１つ電極（３）と、少なくとも１つの有機活性層（５）と、その上に１つの上側電極（６）とを有し、半導体有機マトリクスの活性層内に、Ｘ線を電荷に直接変換することを可能にする半導体ナノ粒子（７）が加えられているＸ線の直接変換用有機光検出器。
【請求項２】
ナノ粒子（７）がナノ結晶（７）として存在する請求項１記載の光検出器、
【請求項３】
ナノ粒子（７）が化学合成により作られる請求項１または２記載の光検出器。
【請求項４】
ナノ粒子（７）がＩＩ−ＶＩ族、ＩＶ族またはＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体である請求項１ないし３の１つに記載の光検出器。
【請求項５】
ナノ粒子（７）が、硫化鉛（ＰｂＳ）、セレン化鉛（ＰｂＳｅ）、硫化水銀（ＨｇＳ）、セレン化水銀（ＨｇＳｅ）、テルル化水銀（ＨｇＴｅ）のうちの少なくとも１つから成る請求項１ないし４の１つに記載の光検出器。
【請求項６】
ナノ粒子（７）が１〜２０ｎｍの直径を有する請求項１ないし５の１つに記載の光検出器。
【請求項７】
光検出器の有機活性層（５）が１００μｍ以上の層厚を有する請求項１ないし６の１つに記載の光検出器。
【請求項８】
層厚が中間層（１７）を備えた有機活性層（５）の多重化により得られる請求項７記載の光検出器。
【請求項９】
層厚がフォトダイオードの積層により生じる請求項７記載の光検出器。
【請求項１０】
金属層がフォトダイオード（１）の上に配置されている請求項１ないし９の１つに記載の光検出器。
【請求項１１】
有機活性層（５）内のナノ粒子（７）が少なくとも５０％の体積割合にある請求項１ないし１０の１つに記載の光検出器。
【請求項１２】
少なくとも有機活性層（５）が溶液から作られる光検出器の製造方法。
【請求項１３】
有機活性層（５）がスピンコーティング、ブレイドコーティング、プリンティング、ドクターブレイディング、スプレイコーティング、ローリングのうちの少なくとも１つにより作られる請求項１２記載の光検出器の製造方法。
【請求項１４】
作業工程が最大２００℃までの温度で行われる請求項１２または１３記載の光検出器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月28日(2010.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部空間を形成する電池ケースと、
前記電池ケース内に位置し、電池を含む電池モジュールと、
前記電池ケース内に位置し、外部の衝撃により熱を発生して、温度を上昇させる発熱体構造物とを備える、電池システム。
【請求項２】
前記発熱体構造物は、衝撃により活性化される火薬と、
前記火薬の起爆エネルギーにより活性されて発熱する熱源とを備える、請求項１に記載の電池システム。
【請求項３】
前記熱源は、Ｚｒ、Ｂ、Ｔｉ及びＦｅから選択された金属粉末と、ＫＮＯ３、ＫＣｌＯ４、Ｐｂ３Ｏ４、ＢａＣｒＯ４及びＳｒＯ２から選択された粉末とを混合して、圧縮することにより形成されるペレットである、請求項２に記載の電池システム。
【請求項４】
前記発熱体構造物は、前記火薬及び前記熱源が内蔵される金属製のモールドをさらに備える、請求項２に記載の電池システム。
【請求項５】
前記金属製のモールドは、熱伝逹が容易にするホールが上部に形成される、請求項４に記載の電池システム。
【請求項６】
前記発熱体構造物は、可撓性を有する金属からなる発熱体構造物ケースをさらに備え、
前記金属材質のモールドが前記発熱体構造物ケース内に位置する、請求項４に記載の電池システム。
【請求項７】
前記発熱体構造物ケースは、 熱伝逹を容易にするホールが上部に形成される、請求項６に記載の電池システム。
【請求項８】
前記電池モジュールと前記発熱体構造物との間に位置し、前記発熱体構造物の発熱時に電池システムを活性化する熱スイッチをさらに備える、請求項１に記載の電池システム。
【請求項９】
前記熱スイッチは、加熱により溶融する金属シートと、
前記金属シートと電池モジュールとを絶縁する絶縁膜とを備える、請求項８に記載の電池システム。
【請求項１０】
前記金属シートは、インジウム、スズ、鉛及びこれらの合金の何れか一つからなる、請求項９に記載の電池システム。
【請求項１１】
前記電池モジュールは、電池の下部に電池を支持する集電器を備え、
前記集電器は、金属シートを形成する物質が溶着する、請求項１０に記載の電池システム。
【請求項１２】
前記絶縁膜は、前記熱源から発生する熱に対して耐熱性を持ち、前記金属シートの溶融により前記電池モジュールに接着されるようホールが形成される、請求項９に記載の電池システム。
【請求項１３】
前記発熱体構造物は、上部に熱スイッチへの熱伝逹を容易にするホールが形成され、
前記熱スイッチは、前記金属シートの溶融物が前記発熱体構造物のホールに流入するのを防止する金属メッシュをさらに備える、請求項９に記載の電池システム。
【請求項１４】
前記熱スイッチは、加熱により溶融される金属シートと、
前記金属シート及び電池モジュールを絶縁する絶縁膜と、
前記前記発熱体構造物から前記金属シートへの熱伝達率を高め、溶融された前記金属シートが前記発熱体構造物内に漏出するのを防止する金属メッシュとを備える、請求項８に記載の電池システム。
【請求項１５】
前記電池モジュールは薄膜電池を備える、請求項１に記載の電池システム。
【請求項１６】
前記電池モジュールは、並列連結及び直列連結の少なくとも一つにより互いに連結している複数の薄膜電池を備える、請求項１４に記載の電池システム。
【請求項１７】
前記薄膜電池は、基板上に、集電器、正極、固体電解質及び負極を順次溶着させることにより形成される、請求項１４に記載の電池システム。
【請求項１８】
前記基板は、ニッケル、ステンレススチール、銅、チタニウム、ジルコニウム、アルミナ、シリコンウェハー、ジルコニア、マイカ、ソーダ石灰、クォーツ及び硼珪酸ガラスの何れか一つからなる、請求項１７に記載の電池システム。
【請求項１９】
前記電池モジュールは、電池の上部及び下部の少なくとも一方に位置する集電器を含む、請求項１に記載の電池システム。
【請求項２０】
前記電池モジュールは、側面に該電池ケースと絶縁するための絶縁膜コーティングまたは絶縁フィルムの何れか一つを備える、請求項１に記載の電池システム。
【請求項２１】
前記電池ケースは、内部空間を密封する電池カバーをさらに備える、請求項１に記載の電池システム。
【請求項２２】
前記電池カバーは、金属製であり、
前記電池モジュールは、電池の上部に集電器をさらに備え、
前記電池カバーと前記集電器との間に絶縁フィルムをさらに備える、請求項２１に記載の電池システム。
【請求項２３】
前記電池カバーを貫通し、前記集電器から外部に電気的に連結する連結端子をさらに備える、請求項２２に記載の電池システム。
【請求項２４】
前記連結端子と前記電池カバーとの間に、ガラス−金属シーリングが提供される、請求項２３に記載の電池システム。
【請求項２５】
外部の衝撃を前記発熱体構造物の所定部位に集中して伝達するピン構造物をさらに備える、請求項１に記載の電池システム。
【請求項２６】
前記発熱体構造物は、衝撃により活性化される火薬と、前記火薬の起爆エネルギーにより活性化されて発熱する熱源とを備え、
前記ピン構造物は、前記火薬が設置される位置に、外部の衝撃を集中するようにピンが形成される、請求項２５に記載の電池システム。
【請求項２７】
前記ピン構造物のピンが正確な位置を打撃するように、前記ピン構造物をガイドするガイドリングをさらに備える、請求項２５に記載の電池システム。
【請求項２８】
前記ピン構造物は、金属又はセラミックの何れか一つにより形成される、請求項２５に記載の電池システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月7日(2011.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの制御可能なドレン弁（８、２７、３７、または３９）を備えた圧縮空気ユニットを制御する方法であって、前記ドレン弁（８、２７、３７、または３９）の供給側のシステムパラメータではないシステムパラメータに少なくとも基づき、前記ドレン弁（８、２７、３７、または３９）を制御するステップを含み、さらに該方法が
−それぞれのドレン弁（８，２７，３７および３９）の供給側の圧力を求め、供給側の圧力が異なる２つのドレン弁（８，２７，３７および３９）が同時に開かないようにそれぞれ異なるドレン弁を制御するステップ、または
−圧縮空気ユニットの１部である２つのドレン弁が決して同時に開くことがないようなやり方でそれらの弁を制御するステップ
のうちの１つを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記システムパラメータは、システム温度またはシステム圧力の測定値で構成されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記システムパラメータは、測定可能な物理的パラメータに基づき生成された内部ステータス信号で構成されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ドレン弁（８、２７、３７、または３９）の供給側の液面レベルを測定するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記それぞれのドレン弁（８、２７、３７、および３９）の供給側の液面レベルを測定し、これに基づき、ドレン弁（８、２７、３７、および３９）のいずれかを開くか開かないかを決定するステップを含むことを特徴とする、請求項１乃至４の何れか１項に記載の方法。
【請求項６】
気体を吹き出させる、および／または圧力を下げる、ために、前記ドレン弁（８、２７、３７、または３９）の少なくとも１つを用いるステップを含むことを特徴とする、請求項１乃至５の何れか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記ドレン弁（８、２７、３７、および３９）を制御するために、コントローラ（４１）を用いることを特徴とする、請求項１乃至６の何れか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記コントローラ（４１）が意図したように前記システムパラメータが変化しないために不適正な測定値が前記コントローラによって登録された場合、警報を発生させ、前記求められたシステムパラメータが考慮されるステップを含むことを特徴とする、請求項１乃至７の何れか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記ドレン弁（８、２７、３７、および３９）から排出された凝縮液の量を求めるステップを含むことを特徴とする、請求項１乃至８の何れか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記方法を適用可能にする圧縮空気ユニットであって、制御可能な方法でコントローラ（４１）に接続されたドレン弁（８、２７、３７または３９）を少なくとも１つ備え、前記ドレン弁（８、２７、３７、または３９）の供給側のシステムパラメータではないシステムパラメータを少なくとも求めるための検出手段が前記コントローラ（４１）にさらに接続され、前記コントローラ（４１）は、前記求められたシステムパラメータに基づき前記ドレン弁（８、２７、３７、または３９）を制御するためのアルゴリズムを含むことを特徴とする圧縮空気ユニット。
【請求項１１】
前記検出手段は、前記ドレン弁（８、２７、３７、および／または３９）の供給側に設けられた圧力センサ（４２、４３、４４、および／または４５）を少なくとも１つ備えることを特徴とする、請求項１０に記載の圧縮空気ユニット。
【請求項１２】
前記検出手段は、前記ドレン弁の供給側に設けられたドレン弁（８、２７、３７、および３９）ごとに圧力センサ（４２〜４５）を備えることを特徴とする、請求項１０または１１に記載の圧縮空気ユニット。
【請求項１３】
前記検出手段は、前記ドレン弁（８、２７、３７、および／または３９）の供給側の液面レベルを求めるようにさらに設計されることを特徴とする、請求項１０乃至１２の何れか１項に記載の圧縮空気ユニット。
【請求項１４】
前記ドレン弁（８、２７、３７、および／または３９）は、水分離器（６および／または２５）、乾燥器（１１）、または冷却器（５または２４）の一部であるか、あるいはその供給側が前記水分離器（６および／または２５）、前記乾燥器（１１）、または前記冷却器（５または２４）に接続されることを特徴とする、請求項１０乃至１３の何れか１項に記載の圧縮空気ユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月22日(2011.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
図２によるバーナーアセンブリの第１の燃料供給デバイスは１つのｍ＋１番目の第１の燃料ロッド１１２と、第１の分流器１０１に接続された１つのｍ＋１番目の第１の可撓ライン１２２と、ｍ＋１番目の第１の可撓ライン１２２を開くことおよび閉じることを可能にする１つのｍ＋１番目のバルブ１３２とを有している（この例ではｍ＋１＝３である）。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月17日(2011.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式：
【化１】
2011526887.tif 000001
の化合物および製薬上許容できる担体を含む感染症の治療のための組成物であって、前記感染症が、メチシリン非感受性細菌、バンコマイシン非感受性細菌、ペニシリン非感受性細菌、クラリスロマイシン非感受性細菌、またはメトロニダゾール非感受性細菌によって引き起こされる感染症の治療のための組成物。
【請求項２】
前記感染症が、メチシリン耐性表皮ブドウ球菌(Staphylococcus epidermidis)によって引き起こされる、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記感染症が、クラリスロマイシン耐性ヘリコバクターピロリ(Helicobacter pylori)またはメトロニダゾール耐性ヘリコバクターピロリ(Helicobacter pylori)によって引き起こされる、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記感染症が、メチシリン耐性黄色ブドウ球菌(Staphylococcus aureus)、排出関連(efflux-related)メチシリン耐性黄色ブドウ球菌(Staphylococcus aureus)、バンコマイシン低感受性黄色ブドウ球菌(vancomycin-intermediate Staphylococcus aureus)、ヘテロバンコマイシン低感受性黄色ブドウ球菌(hetero-vancomycin-intermediate Staphylococcus aureus)、またはバンコマイシン耐性黄色ブドウ球菌(vancomycin-resistant Staphylococcus aureus)によって引き起こされる、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記感染症が、市中感染型メチシリン耐性黄色ブドウ球菌(community-associated Staphylococcus aureus)によって引き起こされる、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
前記感染症が、ペニシリン耐性肺炎連鎖球菌(Streptococcus pneumoniae)によって引き起こされる、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
前記感染症が、メチシリン、バンコマイシン、およびペニシリンの少なくとも一種に耐性がある、多剤耐性肺炎連鎖球菌(Streptococcus pneumoniae)によって引き起こされる、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記感染症が、糖尿病足感染症、手術創感染症、尿路感染症、血流感染症、院内感染性肺炎、市中肺炎、または皮膚感染症である、請求項４に記載の組成物。
【請求項９】
前記化合物が塩の形態である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１０】
前記化合物がリンゴ酸塩の形態である、請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
前記化合物がリンゴ酸塩０．５水和物の形態である、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１２】
前記化合物が下記式：
【化２】
2011526887.tif 000002
または下記式：
【化３】
2011526887.tif 000003
を有する、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月16日(2011.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルターハウジング下部の底部分（１９）の円筒状受入開口部（１８）においてフィルターエレメント（２５、２５’）を固定するためのアダプター（１、１’）であって、
該アダプターは、非ろ液チャンバーの流体密の仕切りを可能とするための、アダプター周囲の周辺溝（３、５）に配置される少なくとも１つのシール（４、７）を含み、非ろ液チャンバーはフィルターの外側ジャケットを囲み、ろ過される溶液をフィルターへと供給することができ、ろ液をフィルターからろ液チャンバーへ導入することができ、
シール（４、７、２８）は、射出成形によって周辺溝（３、５、２６）の基部表面（６）に連結され、シール（４、７、２８）が、溝（３）の基部表面（６）の境界を定める少なくとも１つの側壁（１２、１３、３２、３３）から一定の距離（１６、１７、３１）があり、
第二のシール（７）が、第二の周辺溝（５）における基部表面（６）上に射出成形され、
２つのシール（４、７）が、相互に並行する溝（３、５）に配置され、シール（４、７）が、溝（３、５）の２つの相互に向き合う内側の側壁（１０、１１）に接しており、
２つのシール（４、７）が、軸方向に延びる少なくとも１つのウェブ（２０）によって互いに連結されることを特徴とする、前記アダプター。
【請求項２】
２つのシール（４、７）が、軸方向に延びる２つのウェブ（２０）によって互いに連結されることを特徴とする、請求項１に記載のアダプター。
【請求項３】
第三のシール（２８）が、フィルターエレメント（２５’）の端部キャップ（２４’）領域中の周辺溝（２６）において、溝（２６）の基部表面（６）上に射出成形されることを特徴とする、請求項１または２に記載のアダプター。
【請求項４】
シール（４、７、２８）が、熱可塑性エラストマー、熱可塑性ウレタン、またはシリコーンで作られることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載のアダプター。
【請求項５】
アダプター（１、１’）が、封入された補強リング（３４）を備える本体（２）を有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載のアダプター。
【請求項６】
アダプター（１、１’）が、フィルターエレメント（２５、２５’）の端部キャップ（２４、２４’）に接合され、または端部キャップ（２４、２４’）上に一体化して形成される、請求項１〜５のいずれか一項に記載のアダプター。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月9日(2011.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
図１は、無線通信システム１００の例を例示する。無線通信システム１００は、ブロードバンド無線通信システムであることができる。無線通信システム１００は、ネットワーク１０２（例えば、ローカルエリアネットワークおよび／またはインターネット）と多くの局１０６を含むことができ、その各々は、アクセスポイント１０４によってネットワーク１０２へのアクセスを提供される。アクセスポイント１０４は、複数の局１０６と無線で通信する、ネットワークへの接続を有する固定局（例えば、ルーター）であることができる。アクセスポイント１０４は、その代わりに、基地局、ノードＢ、あるいは何か他の専門用語として称されることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
幾つかの場合では、図１１Ｂにおいて例示されるように、送信するおよび受信するＳＴＡ（例えば、アクセスポイントおよび加入者局）は、ある継続時間の間媒体をリザーブするために、データ送信の前に媒体がアイドル状態であることを決定した後、ＲＴＳとＣＴＳフレームを交換することができる。例示される例では、ＳＴＡ１  １１０２は、それがＳＴＡ２  １１０４からＣＴＳを受信しない限り、送信することを始めないであろう。ＳＴＡ１  １１０２が所定の時間量内でＣＴＳを受信しない場合は、ＳＴＡ１は、ＲＴＳを再送信するであろう。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
加えて、幾つかの８０２．１１アプリケーションでは、全ての方向付けられた（directed）トラフィックの交換は、複数の肯定応答（ＡＣＫ）のフレームを使用し、ここにおいて送信するＳＴＡは、それらが受信するＳＴＡにより（ＡＣＫを介して）応答されない場合には、複数のデータフレームを再送するであろう。図１１Ａにおいて例示されるように、ＳＴＡ２  １１０４は、ＳＴＡ１  １１０２からデータメッセージ（例えば、ＭＡＣプロトコルのデータユニット−ＭＰＤＵ）を受信した後にＡＣＫを伝送することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
上に記述された複数の方法の様々なオペレーションは、複数の図において例示された手段−プラス−機能ブロック（means-plus-function blocks）に対応する様々なハードウェアおよび／またはソフトウェアの（複数の）コンポーネントおよび／または（複数の）モジュールによって行われることができる。全般的に、対応している対の手段−プラス−機能の図を有する、複数の図において例示される複数の方法があるところでは、複数のオペレーションブロックは、類似した番号付けを有する手段−プラス−機能ブロックに対応する。例えば、図６において例示されるブロック６０２−６０６は、図６Ａにおいて例示される手段−プラスー機能ブロック６０２Ａから６０６Ａに対応する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2011526437.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月14日(2011.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
押出物から熱を逃がすためのアセンブリであって、
ａ）前記押出物を受け取る位置に配置された少なくとも１つの上流ロールであって外表面粗さ≦１．０ｓを有する少なくとも１つの上流ロール；および、
b) 少なくとも１つの下流ロールであって外表面粗さ≧５．０ｓを有する少なくとも１つの下流ロール、
を含み、前記下流ロールが前記上流ロールから前記押出物を受け取るよう、前記上流ロールおよび前記下流ロールが整列されている、アセンブリ。
【請求項２】
少なくとも１つの支持枠をさらに含み、前記上流ロールおよび前記下流ロールが、前記少なくとも１つの支持枠上に搭載され、前記支持枠により、前記押出物が前記上流ロールの一部および前記下流ロールの一部の周囲の円弧状経路、ならびに前記上流ロールと前記下流ロールとの間の直線状経路を移動するための、前記ロールの配置が提供される、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
前記ロールアセンブリの中を通して前記上流ロールおよび前記下流ロールと円弧状に接触して前記押出物を移動させるために、前記下流ロールを回転させるための前記支持枠上に搭載された駆動手段をさらに含む請求項２に記載のアセンブリ。
【請求項４】
前記上流ロールまたは前記下流ロールのうちのなくとも１つが、前記押出物から熱を逃がすための冷却手段をさらに含む、請求項１〜３のいずれかに記載のアセンブリ。
【請求項５】
前記上流ロールが、前記駆動手段、または前記第一駆動手段と同期する第二駆動手段のいずれかによって回転する、請求項３または４に記載のアセンブリ。
【請求項６】
第三ロールをさらに含み、前記第三ロールが、前記上流ロールの下流かつ前記下流ロールの上流にあり、また、前記上流ロールから前記押出物を受け取って前記第三ロールの少なくとも一部の周囲の円弧状経路を移動させ、次いで前記下流ロールに向かう直線状経路を移動させるための位置に配置され、前記第三ロールが外表面粗さ≦１．０ｓを有する、
請求項１〜５に記載のアセンブリ。
【請求項７】
第四ロールおよび第五ロールをさらに含み、前記第四ロールが、前記下流ロールから前記押出物を受け取る位置に配置され、かつ、前記第五ロールが、前記第四ロールから前記押出物を受け取る位置に配置され、前記第四ロールおよび第五ロールが、それぞれ、外表面粗さ≧５．０ｓを有する、請求項６に記載のアセンブリ。
【請求項８】
(a) 前記ロールアセンブリの中を通して前記上流ロール、前記第三ロール、前記下流ロール、前記第四ロール、および前記第五ロールと円弧状に接触して前記押出物を移動させるために、前記下流ロールおよび所望により前記第四ロールおよび/または前記第五ロールを回転させるための駆動手段、ならびに、所望により、
(b) 前記上流ロールおよび所望により前記第三ロールを回転させるための前記駆動手段と同期する第二駆動手段、
をさらに含む、請求項７に記載のアセンブリ。
【請求項９】
少なくとも前記上流および第三ロールが、前記押出物から熱を逃がすための冷却手段をさらに含む、請求項８に記載のアセンブリ。
【請求項１０】
微多孔膜を製造するための方法であって、
a) ポリオレフィンおよび少なくとも１種類の希釈剤を混合する工程;
b) 前記混合したポリオレフィンおよび希釈剤を、押出ダイを通して押し出して押出物を形成する工程;
c) 複数のロールに通して前記押出物から熱を逃がして冷却押出物を形成する工程であって、前記複数のロールが、i )前記押出物を受け取る位置に配置された上流ロールであって外表面粗さ≦１．０ｓを有する上流ロール;および、i i) 前記上流ロールから前記押出物を受け取る位置に配置された下流ロールであって外表面粗さ≧５．０ｓを有する下流ロール、を含む工程;
d) 前記冷却押出物を、少なくとも１方向に約１〜約１０倍に延伸する工程;ならびに
e) 前記希釈剤の少なくとも一部を前記冷却押出物から除去して前記膜を形成する工程、
を含む方法。
【請求項１１】
f ) 前記膜を、少なくとも1方向に、約１．１〜約２．５倍の倍率に延伸する工程;
および
g) 前記膜をヒートセットする工程、
をさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ポリオレフィンが、（ｉ）ポリエチレン（ＰＥ））、（ｉｉ）超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷＰＥ）、（ｉｉｉ）ＰＥおよびＰＰ、または（ｉｖ）ＰＥ、ＵＨＭＷＰＥ、およびＰＰ、のうちのいずれか１つを含み、（ｉｉ）および（ｉｖ）を含む場合にＵＨＭＷＰＥは１×１０６〜１５×１０６であり、ＰＥとＵＨＭＷＰＥの総量を基準に約０重量％〜約４０重量％を含み、（ｉｉｉ）および（ｉｖ）を含む場合にＰＰは約６×１０5〜約４×１０6の重量平均分子量、約３〜約３０の分子量分布(Mw/Mn)、９０J / g以上の融解熱を有するポリプロピレンであり、微多孔膜の総量を基準に約５０％重量％以下を含む請求項１０又は１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記方法を介して前記押出物を前進させるために、前記複数のロールが、前記下流ロール、または前記下流ロールおよび前記上流ロールと連動する1つ以上の駆動手段を含む、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記複数のロールが、前記上流ロール、前記下流ロール、または両方と連動する冷却手段を含む、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
(a) 前記複数のロールが、（ｉ）前記上流ロールの下流かつ前記下流ロールの上流に位置し、また、前記上流ロールから前記押出物を受け取るための位置に配置された第三ロールであって、外表面粗さ≦１．０ｓを有する第三ロール、（ｉｉ）第四ロール、および（ｉｉｉ）第五ロール、を含み、;前記第四ロールが、前記下流ロールから前記押出物を受け取る位置に配置され、前記第五ロールが、前記第四ロールから前記押出物を受け取る位置に配置され、前記第四ロールおよび前記第五ロールが、それぞれ、外表面粗さ≧５．０ｓを有し、;ならびに
(b) 前記押出物が、前記上流ロール、前記下流ロール、前記第三ロール、前記第四ロール、および前記第五ロールの少なくとも一部の周囲の円弧状経路、ならびにこれらのロールの間の直線状経路を移動する、請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記方法を介して前記押出物を前進させるために、前記擾数のロールが、前記上流ロールまたは前記第三ロールのうちの少なくとも１つを回転させるための第一駆動手段、および前記下流ロール、前記第四ロール、または前記第五ロールのうちの少なくとも１つを回転させるための前記第一駆動手段と同期する第二駆動手段を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記複数のロールが、前記押出物から熱を逃がすための、（ｉ）前記上流ロール、（ｉｉ）前記第三ロール、または（ｉｉｉ）前記下流ロールのうちの少なくとも２つと連動する冷却手段を含む、請求項１５又は１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記複数のロールが、前記第四ロールおよび/または前記第五ロールと連動する冷却手段を含む、請求項１５〜１７のいずれか一項に記載の方法。