【手続補正書】
【提出日】平成23年10月13日(2011.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）の化合物、又は式（Ｉａ）の繰返単位を含む相応するオリゴマーもしくはポリマー
【化１】
2011501451.tif 000001
［式中、
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、０〜３の範囲であり；
Ａ、Ａ′、Ｒ1、Ｒ2のそれぞれは、無関係に、水素；Ｅ；Ｃ1〜Ｃ25−アルキル、Ｃ2〜Ｃ25−アルケニル、Ｃ2〜Ｃ24−アルキニル（そのそれぞれは、場合によりＥによって置換されていてよく、かつ／又は存在する場合に任意のＣ，Ｃ単結合においてＤによって中断されていてよい）；シクロアルキル基（前記基は、Ｅによって、特にＣ1〜Ｃ8−アルキル、Ｃ1〜Ｃ8−チオアルコキシもしくはＣ1〜Ｃ8−アルコキシによって１〜３置換されていてよい）；又はシクロアルキル基（前記基は、非置換フェニルもしくはＥによって置換されたフェニル、特にＣ1〜Ｃ4−アルキル、ハロゲン、ニトロもしくはシアノによって１〜３置換されたフェニルによって１もしくは２縮合されていてよい）；シクロアルケニル基；ケトン基もしくはアルデヒド基；エステル基；カルバモイル基；シリル基；シロキサニル基；Ａｒ10もしくは−ＣＲ5Ｒ6−（ＣgＨ2g）−Ａｒ10（式中、ｇは０、１、２、３もしくは４を表す）から選択されるか；又は
Ｒ2及びＡｒ1は、それらが結合されるビニル部と一緒になって、環、例えばアリール基もしくはヘテロアリール基を形成し、前記環は、場合によりＧによって置換されていてよく；
Ｘは、ＣＲ（式中、ＲはＲ1について定義したものである）であるか、又は式（Ｉｂ）
【化２】
2011501451.tif 000002
（式中、係数ｇは０もしくは１であり、かつＡｒは、存在する場合には、２つの化学的二重結合によって該分子の基に結合された四価の残基であり、かつキノイドＣ6〜Ｃ10−環系、例えば＝Ｃ6Ｈ4＝及び式
【化３】
2011501451.tif 000003
の残基から選択される）の別のケトピロール部であり；
Ａｒ1（Ｒ2と結合されていない場合に）、Ａｒ2、Ａｒ2'、Ａｒ3、Ａｒ3'、Ａｒ4、Ａｒ4'及びＡｒ5は、互いに無関係に、５〜１５個の炭素原子の二価の炭素環式部、２〜１５個の炭素原子とＯ、Ｎ、Ｓ、Ｓｉから選択される１〜８個のヘテロ原子との二価の複素環式部（前記部のそれぞれは、共役もしくは交差共役の二重及び／又は三重結合を有する）又はエチレン性部もしくはエチン性部（これらの部のそれぞれは、非置換であるかもしくはＥによって置換されている）から選択され；
Ｒ5及びＲ6は、互いに無関係に、水素、フッ素、シアノもしくはＣ1〜Ｃ4−アルキル（これはフッ素、塩素もしくは臭素によって置換されていてよい）又はフェニル（これはＣ1〜Ｃ4−アルキルで１〜３置換されていてよい）を表し；
Ａｒ10は、アリールもしくはヘテロアリール（それらは場合によりＧによって置換されていてよい）、特にフェニル又は１−もしくは２−ナフチル（それらはＣ1〜Ｃ8−アルキル、Ｃ1〜Ｃ8−チオアルコキシ及び／又はＣ1〜Ｃ8−アルコキシで１〜３置換されていてよい）を表し；
Ｄは、−ＣＯ−；−ＣＯＯ−；−Ｓ−；−ＳＯ−；−ＳＯ2−；−ＯＰ（Ｏ）（ＯＲ29）Ｏ−；−ＯＰ（Ｏ）（Ｒ'29）Ｏ−；−Ｏ−；−ＮＲ25−；−ＣＲ23＝ＣＲ24−；又は−Ｃ≡Ｃ−であり；かつ
Ｅは、−ＯＲ29；−ＳＲ29；−ＳＯＲ29；−ＳＯ2Ｒ29；−ＮＲ25Ｒ26；−ＣＯＲ28；−ＣＯＯＲ27；−ＣＯＮＲ25Ｒ26；−ＣＮ；ニトロ；−ＯＰ（Ｏ）（ＯＲ29）2；−ＯＰ（Ｏ）（Ｒ'29）2；−Ｓｉ（Ｒ'29）3；又はハロゲンであり；
Ｇ及びＧ′は、無関係に、Ｅ；Ｃ1〜Ｃ18−アルキル（それはＤによって中断されていてよい）；又はＣ1〜Ｃ18−アルコキシ（それは、Ｅによって置換されており、かつ／又は、２もしくは特にそれより多くの炭素原子を含む場合には、Ｄによって中断されている）であり、その際、
Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25及びＲ26は、互いに無関係に、Ｈ；Ｃ6〜Ｃ18−アリール；Ｃ6〜Ｃ18−アリール（それは、Ｃ1〜Ｃ18−アルキルもしくはＣ1〜Ｃ18−アルコキシによって置換されている）；Ｃ1〜Ｃ18−アルキル；又はＣ2〜Ｃ18−アルキル（それは−Ｏ−によって中断されている）であり；
Ｒ27及びＲ28は、互いに無関係に、Ｈ；Ｃ6〜Ｃ18−アリール；Ｃ6〜Ｃ18−アリール（それは、Ｃ1〜Ｃ18−アルキルもしくはＣ1〜Ｃ18−アルコキシによって置換されている）；Ｃ1〜Ｃ18−アルキル；又はＣ2〜Ｃ18−アルキル（それは−Ｏ−によって中断されている）であり；
Ｒ29は、Ｈ；Ｃ6〜Ｃ18−アリール；Ｃ6〜Ｃ18−アリール（それは、Ｃ1〜Ｃ18−アルキルもしくはＣ1〜Ｃ18−アルコキシによって置換されている）；Ｃ1〜Ｃ18−アルキル；又はＣ2〜Ｃ18−アルキル（それは−Ｏ−によって中断されている）であり；
Ｒ'29は、Ｒ29について定義したものであるが、但し、Ｒ'29はＨではない］又はかかる化合物、オリゴマーもしくはポリマーの互変異性体を含む層を含有する、半導体デバイス、特にダイオード、ホトダイオード、有機電界効果トランジスタ、太陽電池又はダイオード及び／又はホトダイオード及び／又は有機電界効果トランジスタ及び／又は太陽電池を含むデバイス。
【請求項２】
式中、
Ａｒ1（Ｒ2に結合されていない場合に）、Ａｒ2、Ａｒ2'、Ａｒ3、Ａｒ3'、Ａｒ4、Ａｒ4'及びＡｒ5は、互いに無関係に、
【化４】
2011501451.tif 000004
から選択され、式中、
Ｌは、ＣＲ7Ｒ'7、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ7、Ｏ、Ｓ、ＮＲ7、ＳｉＲ17Ｒ'17から選択され；
Ｒ3は、１つの基内で同一もしくは異なってよく、かつ水素、残基Ｅ、Ｃ1〜Ｃ25−アルキル（それは、場合によりＥによって置換されていてよく、かつ／又は２もしくは特にそれより多くの炭素原子を含む場合には、Ｄによって中断されていてよい）、Ｃ6〜Ｃ24−アリール（それは、場合によりＧによって置換されていてよい）、Ｃ2〜Ｃ20−ヘテロアリール（それは、場合によりＧによって置換されていてよい）、Ｃ1〜Ｃ18−アルコキシ（それは、場合によりＥによって置換されていてよく、かつ／又は２もしくは特にそれより多くの炭素原子を含む場合には、Ｄによって中断されていてよい）、Ｃ7〜Ｃ25−アラルキル（アラルキルのアラ（＝アリール）は、場合によりＧによって置換されていてよい）又は−ＣＯ−Ｒ28から選択されるか、又は互いに隣接する２つ以上の基Ｒ3は、環を形成し；
Ｒ4、Ｒ4'、Ｒ7及びＲ7'は、互いに無関係に、水素、残基Ｅ、Ｃ1〜Ｃ25−アルキル（それは、場合によりＥによって置換されていてよく、かつ／又は２もしくは特にそれより多くの炭素原子を含む場合には、Ｄによって中断されていてよい）、Ｃ6〜Ｃ24−アリール（それは、場合によりＧによって置換されていてよい）、Ｃ2〜Ｃ20−ヘテロアリール（それは、場合によりＧによって置換されていてよい）、Ｃ1〜Ｃ18−アルコキシ（それは、場合によりＥによって置換されていてよく、かつ／又は２もしくは特にそれより多くの炭素原子を含む場合には、Ｄによって中断されていてよい）、Ｃ7〜Ｃ25−アラルキル（アラルキルのアラ（＝アリール）は、場合によりＧによって置換されていてよい）又は−ＣＯ−Ｒ28を表すか、又はＲ4及びＲ4'は、環を形成し；かつ
Ｒ17及びＲ'17は、Ｒ29として定義したものである、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
各アリールが、フェニル及びチオフェニルから選択される、請求項１又は２に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
式中、
Ａ及びＡ′が、無関係に、水素；Ｃ1〜Ｃ25−アルキルもしくはＣ2〜Ｃ25−アルケニル（そのそれぞれは、場合によりＥによって置換されていてよく、かつ／又は存在する場合にはＣ，Ｃ単結合において、Ｄによって中断されていてよい）；Ａｒ10又は−ＣＲ5Ｒ6−（ＣＨ2）g−Ａｒ10；から選択され；
Ａｒ10は、フェニル及びチオフェニルから選択され；
Ｄは、−Ｓ−；−Ｏ−；−ＣＲ23＝ＣＲ24−であり；かつ
Ｅは、−ＯＲ29；−ＳＲ29；−ＮＲ25Ｒ26；−ＣＮ；又はハロゲンであり；
Ｇ及びＧ′は、無関係に、Ｅ；Ｃ1〜Ｃ18−アルキル（それは、Ｄによって中断されていてよい）；又はＣ1〜Ｃ18−アルコキシ（それは、Ｅによって置換されており、かつ／又は２もしくは特にそれより多くの炭素原子を含む場合には、Ｄによって中断されている）であり、その際、
Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25及びＲ26は、互いに無関係に、Ｈ；フェニル；チオフェニル；フェニルもしくはチオフェニル（それらは、Ｃ1〜Ｃ18−アルキルもしくはＣ1〜Ｃ18−アルコキシによって置換されている）；Ｃ1〜Ｃ18−アルキルであり；
Ｒ29は、Ｈ；フェニル；チオフェニル；フェニルもしくはチオフェニル（それらは、Ｃ1〜Ｃ18−アルキルもしくはＣ1〜Ｃ18−アルコキシによって置換されている）；Ｃ1〜Ｃ18−アルキルであり；
Ｒ'29は、Ｒ29について定義されるものであるが、但し、Ｒ'29はＨではない、請求項１から３までのいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
式（Ｉ）又は（Ｉａ）の化合物が、式（ＩＩａ）、（ＩＩｂ）、（ＩＩｃ）、（ＩＩｄ）、（ＩＩｅ）もしくは（ＩＩｆ）
【化５】
2011501451.tif 000005
［式中、記号は、請求項１に定義されるものである］に一致する、請求項１又は４に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
式（Ｉ）又は（Ｉａ）の化合物が、式（ＩＩＩａ）もしくは（ＩＩＩｂ）
【化６】
2011501451.tif 000006
［式中、記号は、請求項１、２もしくは５に定義されるものである］に一致する、請求項１、２又は５に記載の半導体デバイス。
【請求項７】
式（Ｉａ）、（ＩＩｂ）、（ＩＩｄ）及び／又は（ＩＩＩｂ）のオリゴマーもしくはポリマーの半導体化合物を含有する請求項１から６までのいずれか１項に記載の半導体デバイスであって、部分Ａをホモオリゴマー鎖もしくはホモポリマー鎖の末端基として含み、その末端基Ａ、Ａ′は、無関係に、水素；Ｃ1〜Ｃ25−アルキルもしくはＣ2〜Ｃ25−アルケニル（そのそれぞれは、場合によりＥによって置換されていてよく、かつ／又は存在する場合にＣ，Ｃ単結合において、Ｄによって中断されていてよい）；Ａｒ10又は−ＣＲ5Ｒ6−（ＣＨ2）g−Ａｒ10から選択され；その際、
Ｒ5及びＲ6は、互いに無関係に、水素、フッ素又はＣ1〜Ｃ4−アルキル（それは、フッ素によって置換されていてよい）を表し；かつ
Ａｒ10は、式
【化７】
2011501451.tif 000007
の基を表し、その際、ｐは、０、１、２もしくは３を表し；
Ｒ3は、１つの基内で同一もしくは異なってよく、かつＣ1〜Ｃ18−アルキル、Ｃ1〜Ｃ18−アルコキシ（それらのそれぞれは、Ｅによって置換されていてよい）であるか；又は−ＣＯ−Ｒ28であるか；又は互いに隣接する２つ以上の基Ｒ3は、縮合された５もしくは６員の炭素環式の環を形成し；
Ｒ4、Ｒ4'及びＲ4''は、無関係に、水素、Ｃ1〜Ｃ25−アルキル（それは、場合によりＥによって置換されていてよく、かつ／又は２もしくは特にそれより多くの炭素原子を含む場合には、Ｄによって中断されていてよい）；Ｃ1〜Ｃ18−アルコキシ（それは、場合によりＥによって置換されていてよく、かつ／又は２もしくは特にそれより多くの炭素原子を含む場合には、Ｄによって中断されていてよい）；Ｃ7〜Ｃ15−フェニルアルキル（フェニルは、場合によりＧによって置換されていてよい）又は−ＣＯ−Ｒ28を表す、半導体デバイス。
【請求項８】
式
【化８】
2011501451.tif 000008
［式中、記号は、請求項１に定義されるものである］の少なくとも４つの繰返単位を含むオリゴマー又はポリマー。
【請求項９】
有機半導体デバイスの製造方法であって、請求項１から８までのいずれか１項による式（Ｉ）及び／又は（Ｉａ）の化合物の有機溶剤中の溶液及び／又は分散液を、好適な基板に適用し、そして溶剤を除去することを含む製造方法。
【請求項１０】
請求項１から８までのいずれか１項による式（Ｉ）及び／又は（Ｉａ）の化合物を、電荷輸送性の、半導性の、導電性の、光伝導性の、発光性の材料、表面改質材料、電池中での電極材料、アライメント層として、又はＯＦＥＴ、ＩＣ、ＴＦＴ、ディスプレイ、ＲＦＩＤタグ、エレクトロルミネッセンスもしくはホトルミネッセンスデバイス、ディスプレイのバックライト、光起電性デバイスもしくはセンサデバイス、電荷注入層、ショットキダイオード、メモリデバイス（例えばＦｅＦＥＴ）、平坦層、静電防止剤、導電性基板もしくはパターン、光伝導体、又は電子写真用途（記録）において用いる使用。