【事件の表示】
　特願２００４−２５６４９６「配線基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　３月１６日出願公開、特開２００６−　７３８４２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成１６年９月３日の出願であって、平成１６年１２月６日付け、及び平成２１年２月１６日付けで手続補正がなされたが、同年５月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月７日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２１年８月７日付け手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２１年８月７日付けの手続補正を却下する。 
　
［理由］ 
１．補正の内容 
　平成２１年８月７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の請求項１を以下のとおりの請求項１に補正することを含むものである。
「発光素子を絶縁基板の非貫通穴内部に搭載してなるチップ部品型発光装置のための配線基板であって、
　前記絶縁基板の一部に発光素子を搭載するための非貫通穴が上方に開口して形成されると共に、当該非貫通穴の内周表面には金属薄膜からなる反射膜が形成され、
　かつ、前記非貫通穴の底面から絶縁基板の裏面まで、前記非貫通穴の上端周辺部の表面上に前記発光素子を接続する配線パターンを形成する金属薄膜より厚さの厚い放熱板が形成され、上端面を前記配線パターンを形成する金属薄膜で閉口し、下方に開口した第２の非貫通穴が形成される配線基板を備えており、
　かつ、当該の発光素子の電極と電気的に接続するための接続ランドは、互いに隣接する一対の発光素子の「＋」及び「−」の電極に接続される配線パターンが、それぞれ、「＋」「＋」「−」「−」の順に交互に配列され、前記配線基板の非貫通穴の上端周辺部に形成されていることを特徴とする配線基板。」
　
２．補正の目的
　請求項１に係る上記補正は、補正前の請求項１の「配線基板」を「上端面を前記配線パターンを形成する金属薄膜で閉口し、下方に開口した第２の非貫通穴が形成される」ものに限定するものであるので、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
３．独立特許要件
　本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下検討する。 
　
（１）引用例
ア　原査定の拒絶理由において引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１１−２８４２３３号公報（以下「引用例１」という。）には下記の記載がある。
　
（ア）「【０００８】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明を図に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。図１に符号１で示すものは本発明に係る平面実装型ＬＥＤ素子であり、この平面実装型ＬＥＤ素子１は樹脂基板２にホーン部３が設けられ、このホーン部３にＬＥＤチップ６がマウントされて成るものである点は従来例のものと同様である。
【０００９】また、前記ホーン部３は反射面３ａと、底面３ｂとから構成されるものである点も従来例と同様であるが、本発明では前記樹脂基板２を貫通して設ける貫通孔２ａを上拡がりのテーパー状とするものであり、これは、適宜な先端角（例えば９０°）を有するツイストドリルを適宜な送り込み深さとして穴明け加工を行うことなどで実現可能である。
【００１０】また、底面３ｂは従来例のものが下部基板を貼着していたのに対し、本発明では例えば厚みｔが０．１mm近傍の銅箔４を樹脂基板２の背面側から前記孔２ａを塞ぐようにして貼着するものとしている。従って、本発明においてはホーン部３の反射面３ａは貫通孔２ａの側面で構成され、ホーン部３の底面３ｂは銅箔４で構成されるものとなる。
【００１１】このときに、前記銅箔４は完成した後の平面実装型ＬＥＤ素子１を回路基板（図示は省略する）に取付けるための端子部４ａ、４ｂも兼ねるものとなるので、銅箔４を樹脂基板２の背面側の全面にわたり貼着しておき、後の適宜の時点でエッチングなど適宜な手段により不要部分を削除するなどは自在である。
【００１２】上記のように銅箔４が貼着された後の樹脂基板２には、例えば樹脂メッキなどにより適宜な形状とされた導電部５が形成されるが、このときには、導電部５は従来例と同様にホーン部３の反射面３ａおよび底面３ｂを含み行われるものとされている。
【００１３】そして、前記ホーン部３の底面３ｂにはＬＥＤチップ６が一方の極でマウントされ、このＬＥＤチップ６の他方の極には前記導電部５とに金ワイヤ７による配線が行われた後に、前記ＬＥＤチップ６を覆い透明樹脂によるケース部８が形成されて、本発明の平面実装型ＬＥＤ素子１とされるのである。
【００１４】次いで、上記の構成とした本発明の平面実装型ＬＥＤ素子１の作用および効果について説明する。先ず第一には、樹脂基板２に設けられる貫通孔２ａが上拡がりのテーパー状とされたことで、この貫通孔２ａの側面で構成されるホーン部３の反射面３ａで反射するＬＥＤチップ６からの光は、進行方向をこの平面実装型ＬＥＤ素子１の照射方向Ｚに向かうものと変換される。
【００１５】従って、同じ点灯電流で駆動されている同じ明るさのＬＥＤチップ６に対しても、従来例のこの種の平面実装型ＬＥＤ素子に比較して光束利用率が格段に向上するものとなり、同じ消費電力でより明るい平面実装型ＬＥＤ素子１が得られるものとなる。
【００１６】また第二には、ホーン部３の底面３ｂが、樹脂基板２の背面側に貼着された銅箔４とされたことで、この銅箔４のＬＥＤチップ６がマウントされたのと反対側の面は直接に外部に露出し、機器などへの組込みを行う際には回路基板あるいは外気などに直接に接触するものとなる。
【００１７】このことは、前記ＬＥＤチップ６に対する冷却効率が向上するものとなるので、同じ定格のＬＥＤチップ６に対しても、より多い点灯電流の供給が可能となり、従来例の平面実装型ＬＥＤ素子に比較して、一層に光量面で高出力を発生することのできる平面実装型ＬＥＤ素子１の実現を可能とする。また、同じ点灯電流であれば、冷却効率が優れる分だけＬＥＤチップ６は低温に保たれるものとなり、寿命面の延長など信頼性にも向上が期待できるものとなる。
【００１８】以上を総括すれば、本発明の平面実装型ＬＥＤ素子１においては、テーパー状の貫通孔２ａ（反射面３ａ）としたことで、同じ点灯電流でより明るいものとなり、従来通りの明るさで使用する場合であればより少ない点灯電流で良く、即ち、消費電力が低減できるものとなる。
【００１９】また、上記反射面３ａの構成で明るさが格段に増したことに加えて、底面３ｂを銅箔４で構成されるものとしたことで、点灯電流の一層の増加が可能となり、双方が相乗して得られる最大の明るさは格段のものとなる。従って、例えば屋外用の表示器など従来の平面実装型ＬＥＤ素子においては不可能な用途にも対応が可能となり用途の拡大が図れるものとなる。」
　
（イ）図１から、銅箔４の厚みは、導電部５の厚みより厚いことが見て取れるとともに、樹脂基板２の上面のテーパー状貫通孔２ａ周辺部に形成された導電部５にＬＥＤチップ６が金ワイヤ７により配線が行われ、ＬＥＤチップ６を覆い透明樹脂によるケース部８は、樹脂基板２の端面より内側に形成されることが見て取れる。
　
(ウ）上記（ア）及び（イ）から、引用例１には、以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
「樹脂基板２を貫通して上拡がりのテーパー状貫通孔２ａを設け、導電部５の厚みより厚い厚みｔが０．１mm近傍の銅箔４を樹脂基板２の背面側から前記孔２ａを塞ぐようにして全面にわたり貼着し、反射面３ａと底面３ｂとから構成されＬＥＤチップ６がマウントされるホーン部３を設けた後、樹脂メッキなどにより適宜な形状とされた導電部５がホーン部３の反射面３ａおよび底面３ｂを含み形成され、前記ホーン部３の底面３ｂにはＬＥＤチップ６が一方の極でマウントされ、このＬＥＤチップ６の他方の極には、樹脂基板２の上面のテーパー状貫通孔２ａ周辺部に形成された前記導電部５とに金ワイヤ７による配線が行われた後に、前記ＬＥＤチップ６を覆う透明樹脂によるケース部８が樹脂基板２の端面より内側に形成され、ホーン部３の底面３ｂが、樹脂基板２の背面側に貼着された銅箔４とされたことで、この銅箔４のＬＥＤチップ６がマウントされたのと反対側の面は直接に外部に露出し、機器などへの組込みを行う際には回路基板あるいは外気などに直接に接触するものとなり、前記ＬＥＤチップ６に対する冷却効率が向上するものとなる、平面実装型ＬＥＤ素子１。」
　
イ　原査定の拒絶理由において引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２０００−３１５４５号公報（以下「引用例２」という。）には下記の記載がある。
　
（ア）「【０００２】
【従来の技術】発光ダイオ−ド（ＬＥＤ）等の半導体発光チップを用いた半導体発光素子として、従来、図７〜図９に示されているような構成のものが知られている。図７は、半導体発光素子１の平面図、図８はその断面図である。図７において、基板２の表面に導電材料よりなる一対の電極パタ−ン４、５が形成される。半円形の切欠部７、８には、メッキ層等の導電膜が形成されて基板の裏面に延在し、基板２の表面に形成される一対の電極パタ−ン４、５と電気的に接続されている。
【０００３】一対の電極パタ−ンの一方の電極パタ−ン５には矩形状のパッド部５ａを形成し、パッド部５ａの上に半導体発光チップ３を搭載する。半導体発光チップ３は、他方の電極パタ−ン４と金属線６によりワイヤ−ボンデングされる。半導体発光チップ３と金属線６は、図８の半導体発光素子１の断面図に示すように、透光性の合成樹脂による封止体９で封止される。このような構成の半導体発光素子１は、プリント基板等に表面実装され、基板の裏面に形成された導電膜とプリント基板の回路パタ−ンが電気的に接続される。
【０００４】図７に示した構成の半導体発光素子は、基板の両端に切欠部７、８が設けられており、その内壁には導電膜が形成されている。このため、半導体発光チップと金属線を透光性の合成樹脂により封止する際に、導電膜の導電性を保持する上から当該合成樹脂が切欠部７、８に流入しないように、封止体の端面の位置を切欠部７、８の位置よりも内側となるように位置合わせをして封止している。
【０００５】図９は、基板上に封止体を形成した半導体発光素子の概略の斜視図である。図９に示されるように、基板の長さＡ、幅Ｂとすると、封止体９は前記のように端面位置が切欠部７、８にかからないように形成される。このため、封止体９の長さＣは基板の長さＡよりも短く設定されている。
【０００６】ところで、半導体発光素子に対しては近年小型化の要請が増大しており、実装基板に表面実装される際の最大長さを１．６ｍｍ、最大幅が０．８ｍｍのものが要求される場合がある。半導体発光素子の最大長さと最大幅の寸法は、基板の大きさで規定され、図９の例ではＡ＝１．６ｍｍ、Ｂ＝０．８ｍｍに設定される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体発光素子においては、封止体９の長さＣは基板２の長さＡの寸法（Ａ＝１．６ｍｍ）よりも短いＣ＝１．２〜１．４ｍｍ程度に設定する必要があった。このように、合成樹脂が基板２の両端の切欠部７、８に流入しないよう端面位置を調整し、しかも基板長さよりも最大長さを短くして封止体を形成するためには特別な金型が必要であり、半導体発光素子の製造コストが高くなるという問題があった。また、前記最大長さの寸法が１．０ｍｍ、最大幅の寸法が０．５ｍｍと更に小型の半導体発光素子が要求される場合には、金型が制約されて製造が困難でありこのような要求には対応できないという問題があった。
【０００８】また、基板の端面と封止体の端面が異なる位置にあるので封止体の表面の面積が小さく、また封止体は段差をもって基板上に形成されており、半導体発光素子は構造上不安定な形状となっている。このため、半導体発光素子を実装基板に自動実装する際に、実装装置において製品吸着ミスが発生する場合があるという問題があった。
【０００９】本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであり、製造コストが安価で小型化の要請に対応でき、しかも実装基板に自動実装する際の製品吸着ミスを防止できる半導体発光素子及びその製造方法の提供を目的とする。」
　
（イ）「【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、請求項１に係る発明において半導体発光素子を、基板と、基板の両端から一部突出させると共に基板の表面から両端の端面を経て裏面に延在した一対の電極と、一対の電極に電気的に接続された半導体発光チップと、基板の表面及び半導体発光チップを覆う合成樹脂からなる封止体とを備えた半導体発光素子であって、封止体の両端を基板から露出させ、当該露出させた封止体の下面を前記基板から突出させた電極で覆う構成とすることにより達成される。
【００１１】また、請求項２に係る発明においては、半導体発光素子を、表面側開口部及び内壁を覆う電極が設けられた複数のスル−ホ−ルを有するシ−ト状基板が搬入される工程と、半導体発光チップをシ−ト状基板に形成されている電極に搭載して電気的に接続する工程と、シ−ト状基板の表面を合成樹脂からなる封止体で覆う工程と、シ−ト状基板のスル−ホ−ルの表面側開口部及び裏面側開口部を通る面で封止体を切断する工程とにより製造している。
【００１２】請求項１に係る発明においては、合成樹脂からなる封止体の両端を基板から露出させ、当該露出させた封止体の下面を基板から突出させた電極で覆う構成としている。このため、封止体の面積が大きく構造が安定しており、表面の面積を大きくとれるので、自動実装を吸着ミスなく安定して行える。また、半導体発光素子を実装基板に固定する際に、基板から突出させた電極の下面部分にも半田を配置させることができるので、固定面積が増大して半導体発光素子を実装基板に強固に固定することができる。
【００１３】請求項２に係る発明は、スル−ホ−ルの表面側開口部を電極で覆った状態でシ−ト状基板の表面を合成樹脂からなる封止体で封止している。このため、封止体を形成する際に合成樹脂がスル−ホ−ルに流入することがなく、導電性が良好に保たれる。また、特別の金型を用いることなく封止体を形成できるので、安価にしかもサイズを小型にできる半導体発光素子が得られる。」
　
（ウ）「【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図１は本発明の実施の形態に係る半導体発光素子の断面図である。図７〜図９に示した半導体発光素子と同じ部分または対応する部分については同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。図１において、半導体発光素子１ａの基板２の表面には導電箔または導電膜等で形成される電極パタ−ン４Ｘ、５Ｘが配置される。
【００１５】電極パタ−ン４Ｘ、５Ｘの端部は、半円形の切欠部７、８を覆う位置まで延在させている。切欠部７、８の内壁には、メッキ等により導電膜４Ｙ、５Ｙを形成して基板の裏面まで延在させプリント基板の回路パタ−ンが電気的に接続される。また、導電膜４Ｙ、５Ｙは基板２の表面に形成される電極パタ−ン４Ｘ、５Ｘと電気的に接続される。
【００１６】切欠部７、８の基板表面側の開口部は、電極パタ−ン４Ｘ、５Ｘにより覆われている。このため、半導体発光チップ３と金属線６を封止する透光性の合成樹脂からなる封止体９の端面位置を、電極パタ−ン４Ｘ、５Ｘの端面の位置に揃えて形成しても切欠部７、８内には合成樹脂は流入しない。従って、切欠部内に形成されている導電膜の導電性を損なうことはない。
【００１７】図２は、図１の半導体発光素子の概略の斜視図である。図２に示すように、封止体９の長さ寸法Ａ、幅寸法Ｂは基板２とほぼ同じ大きさであり、封止体９を形成するための金型は、合成樹脂が切欠部の位置にかからないようにするための特別の構成は不要となり、半導体発光素子を安価に製造できる。
【００１８】また、長さの寸法が１．０ｍｍ、幅寸法が０．５ｍｍの小型の半導体発光素子が要求される場合も、封止体の大きさが基板の大きさとほぼ同じであるために、金型の制約による製造上の問題は生じないので、対応が可能である。
【００１９】さらに、基板の端面と封止体の端面がほぼ同じ位置にあり、封止体の表面の面積が大きく、封止体と基板との間には段差が形成されていないので、半導体発光素子は安定した構造となっている。このため、半導体発光素子を実装基板に自動実装する際に、実装装置において製品吸着ミスの発生を防止できる。
・・・
【００２１】次に、本発明の半導体発光素子を製造する工程の一例について図４の工程図を参照して説明する。
【００２２】（ａ）シ−ト状基板１０の表面と裏面にそれぞれ銅層１４、１５を形成する。銅層１４、１５は、銅箔を貼付けたり、化学メッキ等により形成することができる。次に（ｂ）シ−ト状基板１０の裏面に形成した銅層１５に、エッチング処理により開口部１５ａを形成する（図の例では開口部を一個所のみ表示しているが、全体ではマトリクス状に所定数の開口部が形成される）。次に（ｃ）銅層１５の開口部１５ａの部分に、レ−ザ光を照射して所定の径で円形状のスル−ホ−ル７ａを形成する。
【００２３】（ｄ）銅層１４の表面、スル−ホ−ル７ａ内壁、銅層１５の表面に化学メッキ等により銅膜１６、１７を形成する。スル−ホ−ル７ａは銅層１４と銅膜１６で覆われる。（ｅ）シ−ト状基板１０の表面に形成された銅層１４、銅膜１６の不要部分１６ａ、１６ｂをエッチングで除去して所定の電極パタ−ンを形成する。電極パタ−ンの表面にはＮｉ＋Ａｕメッキを施す。
【００２４】（ｅ）半導体発光チップ３ａ、３ｂを一方の電極パタ−ンにダイボンデングし、半導体発光チップ３ａ、３ｂと他方の電極パタ−ンを金属線６ａ、６ｂにてワイヤボンデングする。その後、シ−ト状基板１０の表面を全体的に金型を用いて封止体９となる透光性のエポキシ樹脂で覆い、半導体発光素子３ａ、３ｂと金属線６ａ、６ｂとを封止する。最後に（ｆ）スル−ホ−ル７ａの表面側開口部及び裏面側開口部を通る面で封止体９となるエポキシ樹脂、銅膜１７、銅層１４、銅膜１６及びシ−ト状基板１０を切断し、個々の半導体発光素子１ａ、１ｂを形成する。
・・・
【００３０】なお、電極パタ−ン４Ｘ、５Ｘを一体のものとして予め形成しておき、スル−ホ−ルＱ１、Ｑ２・・・を跨るようにして基板に貼り付け、電極パタ−ン４Ｘ、５Ｘの境界となるＰ１、Ｐ２・・・の位置で、レ−ザにより切断することにより、スル−ホ−ルＱ１、Ｑ２・・・を覆う位置まで電極パタ−ンが延在する構成とすることもできる。
【００３１】図４、図６で説明したように半導体発光素子の製造に当たり、スル−ホ−ルの基板側開口部を電極パタ−ンの端部で覆った状態で透光性の合成樹脂による封止を行うので、封止体を形成する過程で透光性の合成樹脂がスル−ホ−ルに流入することを防止でき、スル−ホ−ルに形成された導電体の導電性を良好に保持できる」
　
（エ）　上記（ア）ないし（ウ）から、引用例２には、以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
「半導体発光素子のシ−ト状基板であって、表面側開口部及び内壁を覆う電極が設けられた複数のスル−ホ−ルを有するシ−ト状基板で、スル−ホ−ルの表面側開口部を電極で覆った状態でシ−ト状基板の表面を合成樹脂からなる封止体で封するため、封止体を形成する際に合成樹脂がスル−ホ−ルに流入することがなく、導電性が良好に保たれ、また、特別の金型を用いることなく封止体を形成できるので、安価にしかもサイズを小型にできる半導体発光素子が得られる半導体発光素子のシ−ト状基板。」
　
（２）対比
　本願補正発明と引用発明１を対比する。
　
ア　引用発明１の「ＬＥＤチップ６」、「樹脂基板２」、「ホーン部３」及び「平面実装型ＬＥＤ素子１」は、それぞれ、本願補正発明の「発光素子」、「絶縁基板」、「非貫通穴内部」及び「チップ部品型発光装置」に相当するとともに、引用発明１の「樹脂基板２を貫通して上拡がりのテーパー状貫通孔２ａを設け、導電部５の厚みより厚い厚みｔが０．１mm近傍の銅箔４を樹脂基板２の背面側から前記孔２ａを塞ぐようにして全面にわたり貼着し、反射面３ａと底面３ｂとから構成されＬＥＤチップ６がマウントされるホーン部３を設けた後、樹脂メッキなどにより適宜な形状とされた導電部５がホーン部３の反射面３ａおよび底面３ｂを含み形成される」もの（以下、「引用発明１の配線基板」という。）は、本願補正発明の「発光素子を絶縁基板の非貫通穴内部に搭載してなるチップ部品型発光装置のための配線基板」に相当する。
　
イ　引用発明１の配線基板の「導電部５」は、「樹脂メッキなどにより、ＬＥＤチップ６がマウントされるホーン部３の反射面３ａおよび底面３ｂを含み形成されるとともに、樹脂基板２の上面のテーパー状貫通孔２ａ周辺部に形成され、基板２のＬＥＤチップ６の他方の極と金ワイヤ７による配線が行われる」もので、本願補正発明の「前記非貫通穴の上端周辺部の表面上に前記発光素子を接続する配線パターンを形成する金属薄膜」に相当し、引用発明１の配線基板の「導電部５の厚みより厚い厚みｔが０．１mm近傍の銅箔４」は、「ＬＥＤチップ６がマウントされたのと反対側の面は直接に外部に露出し、機器などへの組込みを行う際には回路基板あるいは外気などに直接に接触するものとなり、前記ＬＥＤチップ６に対する冷却効率が向上するものとなる」もので、本願補正発明の「前記非貫通穴の上端周辺部の表面上に前記発光素子を接続する配線パターンを形成する金属薄膜より厚さの厚い放熱板」に相当するので、引用発明１の配線基板は、本願補正発明の「前記絶縁基板の一部に発光素子を搭載するための非貫通穴が上方に開口して形成されると共に、当該非貫通穴の内周表面には金属薄膜からなる反射膜が形成され、かつ、前記非貫通穴の底面から絶縁基板の裏面まで、前記非貫通穴の上端周辺部の表面上に前記発光素子を接続する配線パターンを形成する金属薄膜より厚さの厚い放熱板が形成され」との特定事項を具備する。
　
ウ　上記ア及びイから、本願補正発明と引用発明１の配線基板とは、
「発光素子を絶縁基板の非貫通穴内部に搭載してなるチップ部品型発光装置のための配線基板であって、
　前記絶縁基板の一部に発光素子を搭載するための非貫通穴が上方に開口して形成されると共に、当該非貫通穴の内周表面には金属薄膜からなる反射膜が形成され、
　かつ、前記非貫通穴の底面から絶縁基板の裏面まで、前記非貫通穴の上端周辺部の表面上に前記発光素子を接続する配線パターンを形成する金属薄膜より厚さの厚い放熱板が形成される配線基板」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１：
　本願補正発明は、「上端面を前記配線パターンを形成する金属薄膜で閉口し、下方に開口した第２の非貫通穴が形成される」のに対し、引用発明１の配線基板はそのようなものではない点。
　
相違点２：
　本願補正発明は、「発光素子の電極と電気的に接続するための接続ランドは、互いに隣接する一対の発光素子の「＋」及び「−」の電極に接続される配線パターンが、それぞれ、「＋」「＋」「−」「−」の順に交互に配列され、前記配線基板の非貫通穴の上端周辺部に形成されている」のに対し、引用発明１の配線基板はそのようなものであるか明らかでない点。
　
（３）判断
　
ア　相違点１について
　引用発明１の配線基板は、「ＬＥＤチップ６を覆う透明樹脂によるケース部８が樹脂基板２の端面より内側に形成される」もので、引用例２の【発明が解決しようとする課題】（上記（１）イ（ア））に記載される、課題を有するものと認められる。
　よって、引用発明１の配線基板の上記課題を解決すべく、引用発明２を引用発明１の配線基板に転用して、引用発明１の配線基板を、表面側開口部及び内壁を覆う電極が設けられた複数のスル−ホ−ルを有するものとし、相違点１に係る本願補正発明の構成を具備するものとすることは、当業者が容易に想到できたことである。
　
イ　相違点２について
　互いに隣接する一対の発光素子の「＋」及び「−」の電極に接続される配線パターンが、それぞれ、「＋」「＋」「−」「−」の順に交互に配列される配線基板は周知（例えば、原査定の備考で引用した特開２００１−３２６３９０号公報の図２及び図５、同じく特開平１１−２９８０４９号公報を参照。）であるので、引用発明１の配線基板の導電部５にこの周知技術を適用して、相違点２に係る本願補正発明の構成を具備するものとすることは、当業者が容易に想到できたことである。
　
　よって、本願補正発明は、引用発明１、引用発明２及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　　
　
　
第３　本願発明について
　
１．本願発明
　平成２１年８月７日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願特許請求の範囲は、平成２１年２月１６日付け手続補正書に記載されたとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。 
「発光素子を絶縁基板の非貫通穴内部に搭載してなるチップ部品型発光装置のための配線基板であって、
　前記絶縁基板の一部に発光素子を搭載するための非貫通穴が上方に開口して形成されると共に、当該非貫通穴の内周表面には金属薄膜からなる反射膜が形成され、かつ、前記非貫通穴の底面から絶縁基板の裏面まで、前記非貫通穴の上端周辺部の表面上に前記発光素子を接続する配線パターンを形成する金属薄膜より厚さの厚い放熱板が形成された配線基板を備えており、かつ、当該の発光素子の電極と電気的に接続するための接続ランドは、互いに隣接する一対の発光素子の「＋」及び「−」の電極に接続される配線パターンが、それぞれ、「＋」「＋」「−」「−」の順に交互に配列され、前記配線基板の非貫通穴の上端周辺部に形成されていることを特徴とする配線基板。」（以下「本願発明」という。）
 　 
２．引用例
　上記「第２　３．（１）　」に記載のとおりのものである。
　
３．対比・判断 
　本願発明は、本願補正発明において、「配線基板」を「上端面を前記配線パターンを形成する金属薄膜で閉口し、下方に開口した第２の非貫通穴が形成される」ものとした限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　３．（３）」で検討したとおり、引用発明１、引用発明２及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用発明１、引用発明２及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび 
　したがって、本願発明は、引用発明１、引用発明２及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。