Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月9日(2011.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【特許文献１】EP 1 656 911 A1
【特許文献２】DE 32 29 812 A1
【特許文献３】US 5 571 209 A
【特許文献４】US 5 728 165 A
【特許文献５】US 5 563 766 A
【特許文献６】GB 702 693 A
【特許文献７】US 4 872 879 A
【特許文献８】FR 2 512 666 A
【特許文献９】US 5 529 575 A
【特許文献１０】GB 675 811 A
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月28日(2011.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【特許文献１】DE 102 19 814 B4
【特許文献２】DE 202 05 706 U1
【特許文献３】EP 1 114 630 A1
【特許文献４】US 6 499 320 B1
【特許文献５】US 5 413 611 A
【特許文献６】WO 2005/052235 A1
【特許文献７】EP 1 052 319 A1
【特許文献８】US 6 139 513 A
【特許文献９】US 5 807 295 A
【特許文献１０】WO 99/65434 A
【特許文献１１】US 2002/183859 A1
【特許文献１２】DE 195 31 070 A1
【特許文献１３】DE 102 19 814 A1
【特許文献１４】WO 96/21404 A
【特許文献１５】DE 195 31 070 A1
【特許文献１６】DE 40 33 633 C2
【特許文献１７】US 5 007 937 A
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月6日(2011.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メルトブローン繊維と交絡した短繊維を含む多孔質不織布ウェブの少なくとも１つの成形層を含み、
該メルトブローン繊維が交絡したマイクロファイバー及びメソファイバーの二峰混合物を含む、成形レスピレータ。
【請求項２】
繊維直径頻度ヒストグラムが、約１μｍ〜約２μｍのマイクロファイバー最頻値及び少なくとも約１５μｍのメソファイバー最頻値を示す、請求項１に記載の成形レスピレータ。
【請求項３】
メルトブローン繊維と交絡した短繊維を含み、成形されカップ状に賦形された少なくとも１つの多孔質不織布ウェブ層であって、該メルトブローン繊維が交絡したマイクロファイバー及びメソファイバーの二峰混合物を含む多孔質不織布ウェブ層と、
該多孔質不織布ウェブに隣接し、成形されカップ状に賦形された少なくとも１つの第２の濾過層と、を含む、カップ状成形レスピレータ。
【請求項４】
成形レスピレータを製造するプロセスであって、
メルトブローン繊維と交絡した短繊維を含む多孔質不織布ウェブを形成する工程であって、該メルトブローン繊維が、交絡したマイクロファイバー及びメソファイバーの二峰性混合物を含む工程と、
多孔質不織布ウェブを帯電させる工程と、
帯電させたウェブを成形して成形レスピレータを形成する工程と、を含むプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月19日(2011.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像センサアレイから画像データを取得する方法であって、
ａ）電荷を積分するパンクロ画素の第１の構成要素のサブセットと、電荷を積分するカラー画素の第２の構成要素のサブセットとを提供するステップと、
ｂ）カラー画素の前記第２の構成要素のサブセットを露光する間に、前記パンクロ画素の前記第１の構成要素のサブセットから、画素信号を作り出すために画素電荷を読み込み、前記第１の構成要素のサブセット信号をデジタル化し記憶するステップと、
ｃ）前記パンクロ画素の前記第１の構成要素のサブセットからの画素信号の前記読み込みの間の少なくとも一部の時間で露光されたカラー画素の前記第２の構成要素のサブセットから、画素信号を作り出すために画素電荷を読み出し、前記第２の構成要素のサブセット信号をデジタル化し記憶するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
画像センサによって場面の複数の画像が捕捉され、画素の構成要素のサブセットを読み出す間に、画素の残りの構成要素のサブセットは、電荷を積分している請求項１に記載の方法。
【請求項３】
画像センサアレイから画像データを取得する方法であって、
ａ）画像センサアレイを提供し、電荷を積分するパンクロ画素の第１の構成要素のサブセットと、電荷を積分するカラー画素の第２の構成要素のサブセットとの第１の組織と、パンクロ画素の第１の異なる構成要素のサブセットと、カラー画素の第２の異なる構成要素のサブセットとを有する第２の組織とに前記画像の画素を選択的に組織化するステップと、
ｂ）カラー画素の前記第２の構成要素のサブセットを露光する間に、前記パンクロ画素の前記第１の構成要素のサブセットから、画素信号を作り出すために画素電荷を読み込み、前記第１の構成要素のサブセット信号をデジタル化し記憶するステップと、
ｃ）前記パンクロ画素の前記第１の構成要素のサブセットからの画素信号の前記読み込みの間の少なくとも一部の時間で露光されたカラー画素の前記第２の構成要素のサブセットから、画素信号を作り出すために画素電荷を読み出し、前記第２の構成要素のサブセット信号をデジタル化し記憶するステップと、
ｄ）写真条件に応じて前記画像の画素の前記組織を変更するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月26日(2011.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の端部のみを用いて前記基板を検知し、テンプレート・モールドを前記基板に対して位置合わせする方法であって、前記方法は、
前記テンプレート・モールド及び前記基板の上にセンサ・システムを配置するステップであって、前記センサ・システムは光エネルギー・ビームを生成し、検出面から角度ウィンドウ内に反射された前記光エネルギーの部分のみを受光するように構成され、前記センサ・システムは前記テンプレート・モールド及び前記基板の前記検出面から反射され受光した光エネルギーの変動に応じてセンサ信号を生成する、ステップと、
前記テンプレート・モールドをツール座標内で位置特定するための制御信号に応答して前記テンプレート・モールドを位置決めするステップであって、前記テンプレート・モールドは所定の寸法増分に対応するピッチの検出面を有する回折格子で囲まれたインプリント可能な特徴部を含む、ステップと、
前記基板をツール座標内で前記基板を位置特定するための制御信号に応答して前記基板を位置決めするステップであって、前記基板の端部のみが検出面として構成される、ステップと、
前記テンプレート・モールドを前記基板に対してツール座標内で位置特定するための前記センサ信号をコントローラ内で処理するステップと、
前記制御信号を生成し、それによって前記基板を前記テンプレート・モールドに対して正確に位置決めするステップと、
から構成され、
チャックの第１の面により光ビームを実質的に前記センサ・システムに照射し、前記基板の端部の第２の面により光ビームを、受光エネルギーが変動させる前記センサ・システムから実質的に離間させて照射するように、前記チャック上に前記基板が位置決めされることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記ツール座標内で前記テンプレート・モールドに対して前記基板が正確に位置決めされると、前記回折格子のパターン及び前記アクティブ・エリアを前記基板上にインプリントするステップと、
前記基板上にインプリントされた前記回折格子のパターン及び前記アクティブ・エリアを前記センサ・システムで走査することにより、前記基板端部に対応する検出面及び前記インプリントされた回折格子上の検出面からセンサ信号を生成するステップと、
前記インプリントされたパターンをツール座標内で前記基板の前記端部に対して位置特定するための前記センサ信号を前記コントローラ内で処理して、前記アクティブ・エリアの前記基板に対する同心度を判定し、プロセス制御を容易にするステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記テンプレート・モールドの前記アクティブ・エリアのインプリント特徴部が形成されるのと同時に、前記回折格子は前記テンプレート・モールド上にインプリント特徴部として形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記センサ・システムは前記光エネルギー・ビームを生成するレーザー光エミッタと、前記レーザー光の周波数に反応して検出面から角度ウィンドウ内に反射された前記光エネルギー部分を受光する光検出器とを備える、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記レーザー光エミッタと前記光検出器は、所定の角度ウィンドウ内に検出面から反射されたレーザー光のみが前記光検出器上に入射するように相対的に位置決めされることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記回折格子は、所定の距離パラメータに対応するピッチを有する一連の平行な等間隔を空けた長方形の峰及び谷として構成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記アクティブ・エリアの特徴部がインプリントされるとの同時に、前記回折格子は前記基板上にインプリントされることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
インプリント・パターン及びインプリント格子を含む前記基板の直交軸に沿って前記センサ・システムを走査し、前記回折格子の端部から内縁までの距離を測定するステップと、
個々の直交経路に沿った前記距離を減算して、前記基板にインプリントしたパターンの同心度の測定値を生成するステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記チャックの前記第１の面は、少なくとも１つの傾斜を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記センサ・システムは光源と検出器を有し、前記チャックの前記第１の面の傾斜は実質的に前記光源と前記検出器との間の角度の半分に等しいことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記基板は、前記基板の内縁が前記第１の面の前記傾斜の少なくとも一部に重なり合うように位置決めされることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記ツール座標内に前記基板を位置特定することは、前記基板の中心位置を決定するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ツール座標内に前記基板を位置特定することは、前記基板の半径を決定するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月16日(2011.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘテロシクロアルキル置換型ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物であって、当該化合物中の一方又は両方のイミド窒素に直接的に結合されたヘテロシクロアルキル環系を有しており、当該ヘテロシクロアルキル環系はそれぞれ４〜１０個の環原子を有し、１つ又は２つ以上の、独立して選択される置換基が、各ヘテロシクロアルキル環系上、一方又は両方のイミド窒素上、及びナフタレン・コア上に、任意選択的に存在している、ヘテロシクロアルキル置換型ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物を含む有機半導体材料の薄膜を、薄膜トランジスタ内に含む物品。
【請求項２】
該ヘテロシクロアルキル置換型ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物が、下記一般構造Ｉによって表される請求項１に記載の物品：
【化１】
2010534403.tif 000001
（上記式中、Ａ1及びＡ2のうちの少なくとも一方は独立して、置換型又は無置換型の、環内に４〜１０個の原子を含むヘテロシクロアルキル環系であり、Ａ1又はＡ2のうちの一方だけが、置換型又は無置換型複素環系である場合は、他方は有機置換基であり、該置換型又は無置換型ヘテロシクロアルキル環系は、Ｏ、Ｎ、及びＳから選択される１〜４個のヘテロ原子を含有する、無架橋型単環系又は架橋型二環系であり、Ｚは該化合物のナフタレン核上の任意選択の独立して選択される置換基であり、そしてｍは０〜４の任意の整数である）。
【請求項３】
該有機半導体材料薄膜が、０．０１ｃｍ2／Ｖｓを超える電子移動度を示すことができる、請求項１又は２に記載の物品。
【請求項４】
該ヘテロシクロアルキル置換型ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物が、下記一般構造ＩＩによって表される請求項１に記載の物品：
【化２】
2010534403.tif 000002
（上記式中、ＹはＯ、Ｓ、又はＮであり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ2’、Ｒ4’（まとめてＲ基と呼ぶ）は、任意選択的に、環系上の任意の２つのＲ基が組み合わさって架橋型環系の一部として置換型又は無置換型の４〜６員脂環式環を形成できることを除いて、それぞれ独立してＨ又は有機基であり、ＹがＯ又はＳである場合、ｐは０であり、そしてＹがＮである場合、ｐは１であり、そしてＲ3はＨ又は有機基であり、そしてＡ1は、有機置換基、任意選択的に、独立して選択される別のヘテロシクロアルキル基であり、そしてＺは、該化合物のナフタレン核上の任意選択的に独立して選択される置換基であり、そしてｍは０〜４の任意の整数である）。
【請求項５】
該ヘテロシクロアルキル置換型ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物が、下記一般構造ＩＩＩによって表される請求項１に記載の物品：
【化３】
2010534403.tif 000003
（上記式中、Ｘ及びＹは独立してＯ、Ｓ、又はＮから選択され、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ2’、Ｒ4’及びＲ6、Ｒ7、Ｒ9、Ｒ7’、Ｒ9’、及びＲ10（まとめてＲ基と呼ぶ）は、任意選択的に、環系上の任意の２つのＲ基が組み合わさって架橋型環系の一部として置換型又は無置換型の４〜６員脂環式環を形成できることを除いて、それぞれ独立してＨ又は有機基であり、Ｘ及びＹが独立してＯ又はＳである場合、ｐ又はｑはそれぞれ０であり、そしてＸ及びＹが独立してＮである場合、ｐ又はｑはそれぞれ１であり、そしてＲ3及びＲ8は独立してＨ又は有機基であり、そしてＺは、該化合物のナフタレン核上の任意選択的に独立して選択される置換基であり、そしてｍは０〜４の任意の整数である）。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の複数の薄膜トランジスタを含む集積回路、アクティブ・マトリックス・ディスプレイ、及び太陽電池から成る群から選択される電子デバイスであって、該複数の薄膜トランジスタが、任意選択的に可撓性である非関与支持体上にある、電子デバイス。
【請求項７】
薄膜半導体デバイスの製作方法であって、
(a)  請求項１〜６に記載のヘテロシクロアルキル置換型ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物を含む、ｎチャネル有機半導体材料の薄膜を、該有機半導体材料が０．０１ｃｍ2／Ｖｓを超える電界効果電子移動度を示すように、基板上に堆積する工程；
(b)  離隔されたソース電極とドレイン電極とを形成する工程、ここで離隔されたソース電極及びドレイン電極は、ｎ−チャネル半導体膜によって分離され、そして該ｎ−チャネル半導体膜と電気的に接続されている；及び
(c)  該有機半導体材料から離隔されたゲート電極を形成する工程
を必ずしも上記順序通りではなく含んで成る、薄膜半導体デバイスの製作方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月25日(2011.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個々の標的核酸分子の中の選択された位置に既知の外来レジストレーション配列を提供する段階；
該レジストレーション配列を含む標的核酸分子の配列の少なくとも一部を決定する段階；
配列の前記一部内のレジストレーション配列の相対位置から前記決定の段階で決定された標的核酸分子の配列の前記一部の配列の前後関係を同定する段階；
を含む標的核酸の決定された配列の配列前後関係を同定する方法。
【請求項２】
前記決定の段階が、同一のヌクレオチド配列を個々の核酸分子内に複数回配列決定する段階を含み、レジストレーション配列が前記同一のヌクレオチド配列に関して選択された位置に提供される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
標的核酸分子が環状核酸分子からなる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記同一のヌクレオチド配列が標的核酸分子内で複数回提供される請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記決定の段階が、レジストレーション配列を少なくとも２回決定する、標的核酸分子の前記一部の配列を決定する段階を含み、前記配列の前後関係を同定する段階が、前記環状核酸分子全体が少なくとも１回配列決定されたことを判断する段階を含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
標的核酸分子が線状核酸からなる請求項１に記載の方法。
【請求項７】
レジストレーション配列が標的核酸分子の内部で複数の位置に提供され、かつ任意にレジストレーション配列が目標核酸分子の一方の末端に近接し提供される請求項６に記載の方法。
【請求項８】
標的核酸分子の配列の少なくとも一部を決定する段階が、ポリメラーゼ媒介鋳型依存性プライマー伸長反応の間に塩基の結合によって配列を決定する段階を含み、かつ任意に標的核酸分子の配列の少なくとも一部を決定する段階が、結合方法によりリアルタイムで配列決定する段階を含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ａ）レジストレーション配列が少なくとも５塩基から約１００塩基を含む；
ｂ）レジストレーション配列が少なくとも５塩基から約５０塩基を含む；或いは
ｃ）レジストレーション配列が約１０塩基から約２０塩基を含む；
請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
標的核酸配列の内部に既知の外来レジストレーション配列を提供する段階；
標的核酸配列を環状化する段階；及び
レジストレーション配列が少なくとも２回配列決定されるまで標的核酸配列に非破壊的な配列決定方法を使用して個々の標的核酸配列を配列決定する段階；
を含む完全な標的核酸の配列決定方法。
【請求項１１】
配列決定方法が、鋳型に向けられたポリメラーゼ媒介プライマー伸長反応における結合の際に塩基を同定する段階を含み、標的核酸配列が鋳型を含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
個々の鋳型核酸分子を提供する段階であって、該分子の一部が少なくとも第１のヌクレオチド配列と該第一のヌクレオチド配列に関して選択された位置に外来レジストレーション配列とを有する該段階；
第１のヌクレオチド配列及びレジストレーション配列が複数回配列決定されるように、個々の核酸分子を配列決定する段階；
前記配列決定の段階で同定されるレジストレーション配列に少なくとも部分的に基づいて配列決定段階からの配列情報を整列する段階；
前記整列の段階から共通配列を決定して、ヌクレオチドの第１の配列の核酸配列を決定する段階；
を含む核酸配列を決定する方法。
【請求項１３】
（ａ）鋳型核酸分子が環状核酸であり、第１のヌクレオチド配列を複数回配列決定する段階が環状核酸を複数回配列決定する段階を含む；
（ｂ）第１のヌクレオチド配列が鋳型核酸分子中に複数回存在する；
（ｃ）第１のヌクレオチド配列を少なくとも５回配列決定する；
（ｄ）第１のヌクレオチド配列を少なくとも１０回配列決定する；
（ｅ）第１のヌクレオチド配列を少なくとも２０回配列決定する；或いは
（ｆ）前記整列の段階がコンピュータによって行なわれる；
請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月8日(2011.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(ａ) インビトロでサンプルからマイクロRNA(miRNA)を含んでなるガン由来エキソソームを単離し；
(ｂ) １又はそれより多くの前記miRNAの量を決定し；そして
(ｃ) 前記１又はそれより多いmiRNAの量を１又はそれより多いmiRNAコントロールレベルと比較することを含んでなり、
前記１又はそれより多いmiRNAコントロールレベルに対する前記ガン由来エキソソームからの前記１又はそれより多いmiRNAの量の有意な差がサンプル中のガンの存在を示す、ガンの存在について被検体のサンプルを検査する方法。
【請求項２】
(ａ) インビトロで一連のサンプルからマイクロRNA(miRNA)を含んでなるガン由来エキソソームを単離し；
(ｂ) 前記一連のサンプルの各々における１又はそれより多くの前記miRNAの量を決定し；そして
(ｃ) 前記一連のサンプルの各々における前記１又はそれより多いmiRNAの量の有意な変化を決定して、ガンの治療効力及び/又はガンの進行を評価することを含んでなる、ガンの治療効力及び/又はガン進行を評価するために被検体からの一連のサンプルを検査する方法。
【請求項３】
前記一連のサンプルが、ガン治療の開始及び/又はガン発生の前に被検体から取り出した物質を含んでなる第１のサンプルと、該治療の開始又は発生の後に被検体から取り出した物質を含んでなる第２のサンプルとを含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
(ａ) インビトロでサンプルからマイクロRNA(miRNA)を含んでなるガン由来エキソソームを単離し；
(ｂ) １又はそれより多くの前記miRNAの量を決定し；そして
(ｃ) 前記１又はそれより多いmiRNAの量を１又はそれより多いmiRNAコントロールレベルと比較することを含んでなり、
前記１又はそれより多いmiRNAコントロールレベルに対する前記ガン由来エキソソームからの前記１又はそれより多いmiRNAの量の有意な差を用いてガンを特徴付ける、ガンを特徴付けるために被検体のサンプルを検査する方法。
【請求項５】
前記ガンの特徴付けが、ガンのタイプ、悪性度及び/又はステージを決定することを含んでなる請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記１又はそれより多いmiRNAの量の決定が、前記ガン由来エキソソーム中のmiRNAの総量を決定することを含んでなる請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記ガンが、卵巣ガン、子宮頸ガン、乳ガン、子宮内膜ガン、結腸ガン、前立腺ガン、肺ガン、黒色腫及び膵臓ガンからなる群より選択されるガンである請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記ガン由来エキソソームが、抗ガン抗原抗体を用いる免疫吸着捕捉により非ガン由来エキソソームから分離される請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記抗ガン抗原抗体が抗上皮細胞接着分子(抗EpCAM)抗体である請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記１又はそれより多いmiRNAが、下記の表２：
【表１−１】
2010534480.tif 000001
【表１−２】
2010534480.tif 000002
に記載の１又はそれより多いmiRNAである請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記１又はそれより多いmiRNAが、miR-21、miR-141、miR-200a、miR-200b、miR-200c、miR-203、miR-205及びmiR-214からなる群より選択される請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
(ａ) サンプルからマイクロRNA(miRNA)を含んでなるエキソソームを単離し；
(ｂ) １又はそれより多くの前記miRNAの量を決定し；そして
(ｃ) 前記１又はそれより多いmiRNAの量を１又はそれより多いmiRNAコントロールレベルと比較することを含んでなり、前記１又はそれより多いmiRNAコントロールレベルに対する前記エキソソームからの前記１又はそれより多いmiRNAの量の有意な差が有害な妊娠転帰を示す、有害な妊娠転帰の存在について被検体のサンプルを検査する方法。
【請求項１３】
前記有害な妊娠転帰が、早期破水、子癇前症、早産、胎内発育遅延及び再発性妊娠喪失からなる群より選択される疾患である請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
サンプルが、哺乳動物から取り出した物質を含んでなる請求項１及び４〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記物質が、乳、血液、血清、血漿、腹水、嚢胞液、胸膜液、腹膜液、脳脊髄液、涙、尿、唾液、痰又はこれらの組合せを含む請求項３又は１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記エキソソームの単離が、サイズ排除クロマトグラフィーを使用して該エキソソームを単離することを含んでなる請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記エキソソームの単離が、該エキソソームを含んでなるクロマトグラフィー画分を遠心分離することを更に含んでなる請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記クロマトグラフィー画分が空隙容量画分である請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記１又はそれより多いmiRNAの量の決定が：
１）１又はそれより多いmiRNAを標識すること；
２）１又はそれより多いmiRNAを、各々が該１又はそれより多いmiRNAに選択的に結合する１又はそれより多いポリヌクレオチドプローブで捕捉すること；
３）リアルタイムポリメラーゼ連鎖反応を用いて１又はそれより多いmiRNAを定量すること；又は
４）前記の任意の組合せを含んでなる請求項１〜１８のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月6日(2011.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン注入された領域を有する基材から汚染を除去するための方法であって、
前記方法は、
メチルノナフルオロブチルエーテル、メチルノナフルオロイソブチルエーテル、エチルノナフルオロブチルエーテル、エチルノナフルオロイソブチルエーテル、３−エトキシ−１，１，１，２，３，４，４，５，５，６，６，６−ドデカフルオロ−２−トリフルオロメチル−ヘキサン、１，１，１，２，３，３−ヘキサフルオロ−４−（１，１，２，３，３，３−ヘキサフルオロ−プロポキシ）−ペンタン、１，１，１，２，２，３，４，５，５，５−デカフルオロ−３−メトキシ−４−（トリフルオロメチル）−ペンタン、及び１，１，２，２−テトラフルオロ−１−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）−エタンのうちの少なくとも１つから所望により選択されるフッ素化溶媒と、
１−メトキシ−２−プロパノール、エチレングリコールジアセテート、１，２−プロパンジオールモノメチルエーテルアセテート、又はジプロピレングリコールモノメチルエーテルのうちの少なくとも１つから所望により選択される共溶媒とを含む組成物を、前記基材からの前記汚染の除去を助けるのに十分な量で、前記基材に適用する工程を含む、方法。
【請求項２】
前記組成物は、共沸混合物又は共沸様組成物である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
請求項１の方法によって処理された物品。
【請求項４】
少なくとも一部がフォトレジストで被覆された基材を提供する工程と、
前記フォトレジストで被覆された前記基材の少なくとも一部にイオンを注入して、イオン注入された領域及びイオンを注入された前記フォトレジストの少なくとも一部を有する基材を得る工程と、
イオンを注入された前記フォトレジストの少なくとも一部をフッ素化溶媒と共溶媒とを含む組成物を用いて除去する工程と、を含み、
前記基材上に金属又は合金を堆積させる工程、イオン注入された領域及びイオンを注入された前記フォトレジストの少なくとも一部を有する前記基材を少なくとも部分的に灰化する工程、及びイオンを注入された前記フォトレジストの少なくとも一部を除去する工程の後に、前記基材上に配線層を提供する工程のうちの少なくとも１つの工程を所望により更に含み、
前記配線層が、絶縁材料と金属配線とを含む、プロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月29日(2011.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極のためのコーティングとしての又は電極の前方の保護層としてのガーネット様結晶構造を有する固体イオン伝導体の使用。
【請求項２】
ガーネット様結晶構造を有する固体イオン伝導体によりコーティングされている電極。
【請求項３】
請求項２記載の１つ以上の電極を包含する電池。
【請求項４】
化学量論的組成Ｌ7+xＡxＧ3-xＺｒ2Ｏ12
［式中、
Ｌは、それぞれ無関係に、一価のカチオンであり、
Ａは、それぞれ無関係に、二価のカチオンであり、
Ｇは、それぞれ無関係に、三価のカチオンであり、
０≦ｘ≦３、及び
式中、Ｏは、部分的に又は完全に、二価又は三価のアニオン、例えばＮ3-によって置き換えられていてよい］を有する、ガーネット様結晶構造を有する固体イオン伝導体。
【請求項５】
０≦ｘ≦１である、請求項４記載の固体イオン伝導体。
【請求項６】
Ｌが、Ｌｉ、Ｎａ及び／又はＫから選択されている、請求項４又は５記載の固体イオン伝導体。
【請求項７】
Ｌ＝Ｎａである、請求項６記載の固体イオン伝導体。
【請求項８】
Ａが、二価のアルカリ土類金属カチオンである、請求項４から７までのいずれか１項記載の固体イオン伝導体。
【請求項９】
Ａが、Ｃａ、Ｓｒ及び／又はＢａから選択されている、請求項４から８までのいずれか１項記載の固体イオン伝導体。
【請求項１０】
前記化学量論的組成がＬｉ7Ｌａ3Ｚｒ2Ｏ12である、請求項４から６までのいずれか１項記載の固体イオン伝導体。
【請求項１１】
Ｌ、Ａ、Ｇ及びＺｒの塩及び／又は酸化物を互いに反応させることを特徴とする、請求項４から１０までのいずれか１項記載の固体イオン伝導体の製造法。
【請求項１２】
前記反応を、前駆体法、例えばペチニ法、グリシン法を用いて、及び前記成分の溶解した塩の沈殿反応を用いて行うことを特徴とする、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記反応を、固相反応において行うことを特徴とする、請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
Ｌ及びＡを、硝酸塩、炭酸塩又は水酸化物の形で使用し、且つＧ2Ｏ3及びＺｒＯ2と反応させることを特徴とする、請求項１１から１３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
以下の工程：
ａ）前記出発物質を混合し、且つ、好ましくは二酸化ジルコニウム容器及び二酸化ジルコニウムボールを用いて２−プロパノール中でボールミル粉砕する工程、
ｂ）ａ）からの混合物を、空気中で２〜１０時間４００〜１０００℃に加熱する工程、
ｃ）好ましくは二酸化ジルコニウム容器及び二酸化ジルコニウムボールを用いて２−プロパノール中でボールミル粉砕する工程、
ｄ）前記混合物を、等方圧で所望の形に圧縮する工程、及び
ｅ）工程ｄ）からの同じ組成の粉末で覆われた生成物を、１０〜５０時間７００〜１２００℃にて焼結する工程を包含する、請求項１１、１３又は１４記載の方法。
【請求項１６】
工程ｂ）において前記混合物を、６時間７００℃に加熱し、且つ工程ｅ）において２４時間９００℃にて焼結する、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
電池、蓄電池、スーパーカップ、燃料電池、センサ、熱電変換器及び／又はエレクトロクロミックデバイス、例えば窓、ディスプレイ及びファサードにおける、請求項４から１０までのいずれか１項記載の固体イオン伝導体の使用。
【請求項１８】
請求項４から１０までのいずれか１項記載のイオン伝導体を使用する、請求項１記載の使用。
【請求項１９】
請求項４から１０までのいずれか１項記載のイオン伝導体を使用する、請求項２記載の電極。
【請求項２０】
請求項１９記載の１つ以上の電極を包含する電池。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月3日(2011.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
呼気流入口と流出口とを有するチャンバと、
チャンバの流出口から呼気を受容するように適合される、空気排出手段を有する部分的蓋付き皿状部で構成されるサンプル収集器と、
使用時にサンプル収集器に入った呼気から蒸発気体の凝縮液を生成するための、部分的蓋付き皿状部と作動可能に連携している冷却手段と
から構成される、
呼気凝縮液採取装置。
【請求項２】
サンプル収集器は、チャンバの流出口から離間され、流出口は部分的蓋によって形成される開口部に連携している、請求項１に記載の呼気凝縮液採取装置。
【請求項３】
チャンバが円筒形である、請求項１または２に記載の呼気凝縮液採取装置。
【請求項４】
チャンバの少なくとも一部がテーパ付けされる、請求項１、２または３に記載の呼気凝縮液採取装置。
【請求項５】
チャンバの内面の少なくとも一部が疎水性材料で構成される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の呼気凝縮液採取装置。
【請求項６】
サンプル収集器の内面の少なくとも一部が疎水性材料で構成される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の呼気凝縮液採取装置。
【請求項７】
冷却手段がペルティエ装置で構成される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の呼気凝縮液採取装置。
【請求項８】
棒状部をさらに有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の呼気凝縮液採取装置。
【請求項９】
棒状部がテーパ付けされている、請求項８のいずれか一項に記載の呼気凝縮液採取装置。
【請求項１０】
棒状部が弾性的に変形可能である、請求項８または９に記載の呼気凝縮液採取装置。
【請求項１１】
棒状部の表面が疎水性である、請求項８、９または１０に記載の呼気凝縮液採取装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月3日(2011.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン読み取り機器に接続されたプロセッサを有する測定機器、
少なくとも2つの回路を含むエンコーディングパターンを有するセンサストリップ；
を含む、生体液中の分析対象物濃度を測定するためのバイオセンサであって、
ここで、測定機器およびセンサストリップは、分析対象物分析を行い、ここで、分析対象物の分析は少なくとも1つの相関式を有し、；
ここで、パターン読み取り機器は、エンコーディングパターン上の少なくとも2つの回路パターンを感知し；
ここで、プロセッサは、回路パターンに応じて較正情報を測定し；
ここで、プロセッサは、較正情報に応じて少なくとも1つの相関式を較正し；そして
ここで、プロセッサは、少なくとも1つの較正された相関式に応じて、分析対象物濃度を測定する；
前記バイオセンサ。
【請求項２】
パターン読み取り機器が、テストシグナルをエンコーディングパターンに対して印加し、そしてここでパターン読み取り機器が少なくとも1つのテストシグナルを接地させる（ground）、請求項1に記載のバイオセンサ。
【請求項３】
パターン読み取り機器が複数のテスト回路を含み、第1のテスト回路が第1の工程のあいだに第1のテストシグナルを接地させ（ground）、そして第2のテスト回路が第2の工程のあいだに第2のテストシグナルを接地させる（ground）、請求項2に記載のバイオセンサ。
【請求項４】
パターン読み取り機器が、回路パターンに応じたパターンシグナルを生成する、請求項1〜3のいずれか1項に記載のバイオセンサ。
【請求項５】
電気的接点のアレイを有するパターン読み取り機器に接続されたプロセッサを有する測定機器；
エンコーディングパターンであって、少なくとも2つの回路を有し、各回路が少なくとも1つの接触面を有し、その接触面が電気的接点と電気的に連絡するエンコーディングパターン、を有するセンサストリップ；
を含む、生体液中の分析対象物濃度を測定するためのバイオセンサであって、
測定機器およびセンサストリップは、少なくとも1つの相関式を有する分析対象物分析を行い；
電気的接点は、エンコーディングパターン上の接触面に対してテストシグナルを選択的に印加し；
パターン読み取り機器は、エンコーディングパターン上の少なくとも2つの回路パターンを感知し；
プロセッサは、回路パターンに応じた較正情報を測定し；
プロセッサは、較正情報に応じた少なくとも1つの相関式を較正し；そして
プロセッサは、少なくとも1つの較正された相関式に応じた分析対象物濃度を測定する；
前記バイオセンサ。
【請求項６】
エンコーディングパターン上の少なくとも2つの回路パターンを感知し；
回路パターンに応じた較正情報を測定し；
較正情報に応じて、少なくとも1つの相関式を較正し較正し；そして
少なくとも1つの較正された相関式に応じて、分析対象物濃度を測定する；
ことを含む、生体液中の分析対象物の分析を較正するための方法。
【請求項７】
テストシグナルをエンコーディングパターン対して印加し；そして
少なくとも1つのテストシグナルを接地させること（ground）；
をさらに含む、請求項6に記載の方法。
【請求項８】
各回路パターンが少なくとも2つの接触面を有する、請求項6または7に記載の方法。
【請求項９】
較正情報中でのエラーをチェックすることをさらに含む、請求項6〜8のいずれか1項に記載の方法。
【請求項１０】
回路の総数および別個の回路の総数に関する少なくとも1つの規則を実行することをさらに含む、請求項9に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月22日(2011.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路を設計する方法において、集積回路の高レベル設計表現で設計の状態を繰り返し増分的に変化させることを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月22日(2011.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路を設計する方法において、
チップリソースを複数の区分へと区画化するステップと、
クオリティメトリックに基づいて前記区分のランクを計算するステップと、
配置変換による考慮から最低ランクの区分を除去するステップと、
を備えた方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月7日(2011.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
標的層（１１）の上に、上面および側面を有する第１のマスクパターン（１０）を形成するステップと、
前記第１のマスクパターン（１０）の上に架橋可能層（２０）を形成するステップと、
前記前記第１のマスクパターン（１０）と前記架橋可能層（２０）との間に、前記第１のマスクパターンの前記上面および前記側面の上に架橋スペーサ（３０，３１）を形成するステップと、
前記架橋可能層（２０）、前記第１のマスクパターン（１０）を露出させるのに十分な前記架橋スペーサ（３０）の一部を前記第１のマスクパターンの前記上面から除去し、前記第１のマスクパターン（１０）を除去して、前記架橋スペーサ（３１）の残りの部分を含む第２のマスクパターンを形成するステップとを含む、半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記架橋可能層（２０）は、酸の存在下で架橋反応を受けうる材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のマスクパターン（１０）は酸を発生可能な材料を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記架橋可能層（２０）の形成後に、照射または加熱によって、前記第１のマスクパターン（１０）内で酸を発生させるステップと、加熱して前記架橋可能材料（２０）のほうに酸を拡散させ、前記架橋スペーサ（３０，３１）を形成するステップとを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のマスクパターン（１０）を露出させるのに十分な、前記架橋可能層（２０）の一部と架橋スペーサ（３０）とを除去し、
その後、前記架橋可能層（２０）の残りの部分と前記第１のマスクパターン（１０）とを除去することによって第２のマスクパターンを形成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
標的層（１１）の上に、上面および側面を有し、第１の有機物質を含む第１のマスクパターン（１０）を形成するステップと、
酸の存在下で架橋反応を受けうる第２の有機物質を含む層（２０）を形成するステップと、
酸を発生させて、前記第２の有機物質（２０）に拡散させ、前記第２の有機物質の一部を架橋させ、前記第１のマスクパターン（１０）の前記上面および前記側面の上に架橋スペーサ（３０，３１）を形成するステップと、
前記第１のマスクパターン（１０）を露出させるのに十分なだけ前記第２の有機物質（２０）と前記架橋スペーサ（３０）の一部を、前記第１のマスクパターンの前記上面から除去するエッチングを行うステップと、
前記第２の有機物質（２０）の残りの部分と前記第１のマスクパターン（１０）とを除去するエッチングを行い、前記架橋スペーサ（３１）の残りの部分を含む第２のマスクパターンを形成するステップとを含む、半導体デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記第１の有機物質（１０）は酸を発生可能であり、前記方法は、
前記第１の有機物質（１０）を加熱または前記第１の有機物質（１０）に照射することによって前記酸を生成するステップと、
加熱して前記酸を拡散させるステップとを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の有機物質は、ノボラック樹脂、ナフトキノンジアジド系の感光剤およびクロロメチルトリアジン酸発生剤、またはポリヒドロキシスチレン誘導体およびオニウム塩を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第２の有機物質（２０）は水溶性樹脂である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１のマスクパターン（１０）を酸溶液で処理することによって前記酸を生成するステップを含む、請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月22日(2011.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）金属酸化物半導体粒子層の形成（この際に微粒子層は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ａｌ、及びＧａから選択される酸化物のナノ粒子を含む）、
（ｉｉ）原子層堆積（ＡＬＤ）を含む方法による、前記金属酸化物半導体粒子層への半導体層の適用、及び
（ｉｉｉ）感光性色素を半導体層上に吸着させること、
を含む、色素増感型太陽電池（ＤＳＳＣ）の製造方法。
【請求項２】
ＡＬＤを含む方法により得られる前記半導体が、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化タングステン、酸化インジウム、酸化スズ、酸化ニッケル、酸化ジルコニウム、及び酸化亜鉛から成る群から選択される金属酸化物を少なくとも１つ含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
光透過性基板上に光電極を形成し、前記光電極上に金属酸化物半導体のＡＬＤ堆積層を形成し、そして前記ＡＬＤ堆積層上に金属酸化物の微粒子層を形成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
金属酸化物粒子と光電極との間にあるＡＬＤ層が、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化タングステン、酸化インジウム、酸化スズ、酸化ニッケル、酸化ジルコニウム、及び酸化亜鉛から成る群から選択される金属酸化物から形成されている、請求項３に記載の色素増感型太陽電池の製造方法。
【請求項５】
ＡＬＤを含む方法を、２００℃以下の温度で行う、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
金属酸化物半導体粒子層を、低温ペーストから２００℃未満の温度で形成する、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
電解質と対極を前記色素と作動関係に設置することをさらに含む、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
原子層堆積により適用される半導体材料を、酸化チタン及び酸化ニオブから成る群から選択する、請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記光電極が透明な伝導性酸化物（ＴＣＯ）であり、前記光透過性基板が可撓性の光透過性ポリマー材料（この材料上に前記ＴＣＯが支持されている）であり、原子層堆積を１５０℃以下の温度で行う、請求項３に記載の方法。
【請求項１０】
原子層堆積を含む方法により半導体層を適用する工程が、以下の群：
式ＭＸnのハロゲン化物、
式Ｍ（ＯＲ）nのアルコキシド［式中、Ｒはアルキルである］、
式Ｍ＝（Ｏ2Ｃ3Ｒ3）nのβ−ジケトネートキレート［式中、ＲはＣ1〜Ｃ4アルキルである］
式Ｍ（ＮＲ2）nのアルキルアミド［式中、Ｒは独立してＨ、又はアルキルである］
式Ｍ（Ｎ2ＣＲ3）nのアミジネート［式中、Ｒは独立してＨ、又はアルキルである］
Ｃ1〜Ｃ4アルキル及びシクロペンタジエニルから選択される炭素基に金属が直接結合されている有機金属類、
から選択される化合物を少なくとも１つ含む金属反応体との反応を有し、
ここでＭは金属であり、ｎは錯体中の配位子数であり、かつ金属の価数であるか、又は二座配位子の場合には金属価数の半分であり、前記金属は、チタン、ニオブ、タングステン、インジウム、スズ、及び亜鉛から成る群から選択される少なくとも１つの金属である、請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
原子層堆積により形成される半導体層が酸化チタンであり、層を適用するための方法が、ＴｉＣｌ4の堆積を含む第一反応と、水蒸気との第二反応とを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
色素増感型太陽電池が、透明な可撓性ポリマー基板を含む光電極を有し、前記色素増感型太陽電池を１５０℃以下の温度で製造する、請求項１から１１までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記色素が、アントシアニン、スクアレート、エオシン、キサンチン、シアニン、メロシアニン、フタロシアニン、インドリン、ポルフィリン、オリゴチオフェン、クマリン、ペリレン、ピロール、ルテニウム遷移金属錯体、オスミウム遷移金属錯体若しくは鉄遷移金属錯体から成る群から選択される金属原子若しくは金属イオンを含む金属錯体からなる群から選択される、請求項１から１２までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記色素が、シス−ビス（イソチオシアナト）ビス（２，２’−ビピリジル−４，４’−ジカルボキシラト）−ルテニウム（ＩＩ）（「Ｎ３色素」）；トリス（イソチオシアナト）−ルテニウム（ＩＩ）−２，２’：６’，２"−テルピリジン−４，４’，４"−トリカルボン酸；シス−ビス（イソチオシアナト）ビス（２，２’−ビピリジル−４，４’−ジカルボキシラト）−ルテニウム（ＩＩ）ビス−テトラブチルアンモニウム；シス−ビス（イソシアナト）（２，２’−ビピリジル−４，４’−ジカルボキシラト）ルテニウム（ＩＩ）；シス−ビス（イソチオシアナト）（２，２’−ビピリジル−４，４’−ジカルボキシラト）（２，２’−ビピリジル−４，４’−ジ−ノニル）ルテニウム（ＩＩ）（「Ｚ９０７色素」）；トリス（２，２’−ビピリジル−４，４’ジカルボキシラト）ルテニウム（ＩＩ）ジクロリド；並びに５−［［４−［４−（２，２−ジフェニルエテニル）フェニル］−１，２，３，３ａ，４，８ｂ−ヘキサヒドロシクロペント［ｂ］インドール−７−イル］メチレン］−２−（３−エチル−４−オキソ−２−チオキソ−５−チアゾリジニリデン）−４−オキソ−３−チアゾリジン酢酸、５−［［４−［４−（２，２−ジフェニルエテニル）フェニル］−１，２，３，３ａ，４，８ｂ−ヘキサヒドロシクロペント［ｂ］インドール−７−イル］メチレン］−２−（３−エチル−４−オキソ−２−チオキソ−５−チアゾリジニリデン）−４−オキソ−３−チアゾリジン酢酸（「Ｄ１４９  インドリン色素」）から成る群から選択されるものを少なくとも１つ含む、請求項１から１３までのいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月14日(2011.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔性金属層と、多孔性セラミック層とより成り、上記セラミック層と上記多孔性金属層とが相互貫通により機械的に組み合ったものである、電気化学装置構成。
【請求項２】
上記セラミック層が高密度のものである、請求項１に記載の構成。
【請求項３】
更に、多孔性セラミック層に隣接した高密度セラミック層から成る、請求項１に記載の構成。
【請求項４】
上記多孔性セラミック層がイオン的に導通性である、請求項３に記載の構成。
【請求項５】
上記多孔性セラミック層と上記高密度セラミック層とが同じセラミック構成である、請求項４に記載の構成。
【請求項６】
セラミックがＹＳＺである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の構成。
【請求項７】
金属がフェライト系ステンレススチールである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の構成。
【請求項８】
多孔性ＹＳＺは触媒に浸透されたものである、請求項６又は７に記載の構成。
【請求項９】
第二多孔性セラミック層、又は上記高密度セラミック層に隣接した多孔性セラミック層を有する、請求項３〜８のいずれか一項に記載の構成。
【請求項１０】
更に、上記第二多孔性セラミック層に隣接した第２多孔性金属層、又はセルメット層を有する、請求項９に記載の構成。
【請求項１１】
更に、上記多孔性金属層に隣接した多孔性セルメット層を有する、請求項１に記載の構成。
【請求項１２】
更に、上記多孔性セルメット層に隣接した高密度セラミック層を有する、請求項１１に記載の構成。
【請求項１３】
上記金属層の密度が６０％未満である、請求項１に記載の構成。
【請求項１４】
上記多孔性金属層が粗面を有する金属粒子から成るものである、請求項１に記載の構成。
【請求項１５】
セラミックの金属への相互貫通は、多孔性金属層の金属粒子の表面層の中央点を越すものである、請求項１に記載の構成。
【請求項１６】
多孔性金属層、高密度セラミック層が共焼結されるものである、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の構成。
【請求項１７】
上記装置は、固体酸化物燃料セル又はその部品であり、多孔性セラミックスは電極であり、高密度セラミックスは電解質であり、多孔性金属は構成的支持と電流収集の中の少なくとも一つを供給するものである、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれか一項に記載の電気化学装置を作製する方法。
【請求項１９】
請求項１８記載の方法であって、
多孔性金属層を用意する工程と、
上記多孔性金属層にグリーンセラミック層を付ける工程と、
これらの層を共に焼結する工程とから成り、
上記セラミック層と上記多孔性金属層が多孔性金属とセラミックの相互貫通により機械的にインタロックされることになる、電気化学装置構成を製造する方法。
【請求項２０】
上記用意される多孔性金属層はグリーンである、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
上記用意される多孔性金属層は素焼又は焼結されたものである、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
焼結の前に上記多孔性セラミック層に近接して焼結中に高密度となるセラミック層を付ける工程を更に含む、請求項２０に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】高温電気化学装置用のインタロッキング組織及びその製法
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月21日(2011.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気で満たされた中空壁を備える可塑性パイプに重み付けする方法であって、
前記中空壁を流動媒体で充填して前記空気を押し出すステップを含み、
用いられる前記流動媒体は、ポンプ注入可能な１１００〜２５００ｋｇ／ｍ３の密度を有する重み付け塊体を含み、
同時に前記中空壁から空気を排出させながら、前記重み付け塊体を、前記パイプの前記中空壁内に加圧下でポンプ注入することを特徴とする方法。
【請求項２】
用いられる前記重み付け塊体は、骨材と前記骨材用結合剤との組み合わせ、例えばコンクリート配合を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記中空壁の内部容積の少なくとも５０％、好ましくは少なくとも９５％が、前記重み付け塊体で充填されることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記重み付け塊体、特にコンクリート配合の硬化時間が、２４時間超、好ましくは４８時間超であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記重み付け塊体の密度は、約１２００〜２０００ｋｇ／ｍ３、好ましくは約１７００〜１９００ｋｇ／ｍ３であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記パイプは、空気で満たされた対応するパイプの水中浮力から算出して、１〜２５％、好ましくは約５〜２０％、特に約７．５〜１５％の重み付けパーセントとなるように重み付けされることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
二重壁パイプを重み付けするステップを含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記二重壁パイプは、矩形、正方形（quadratic）、楕円形または円筒形の断面を有する熱可塑性形材を螺旋状に巻いて形成される軽量壁を含み、形材の隣接する巻き部分が溶接されて前記パイプの中空壁を形成することを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記重み付け塊体の最終強度特性は、前記可塑性パイプより低いことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
熱可塑性形材を螺旋状に巻いて形成され、形材の隣接する巻き部分が溶接されてパイプの中空壁を形成する、中空壁を備える重み付けした軽量パイプであって、
前記中空壁の中空容積の少なくとも５０％、特に少なくとも９５％が、コンクリート配合で充填される軽量パイプ。
【請求項１１】
前記パイプは、ポリエチレンまたはポリプロピレンから作られることを特徴とする請求項１０に記載の重み付けした軽量パイプ。
【請求項１２】
前記パイプの重み付けパーセントが、空気で満たされた対応するパイプの水中浮力から算出して、１〜２５％、好ましくは約５〜２０％、特に約７．５〜１５％であることを特徴とする請求項１０または１１に記載の重み付けした軽量パイプ。
【請求項１３】
前記コンクリート配合の密度は、約１２００〜２０００ｋｇ／ｍ３、好ましくは約１７００〜１９００ｋｇ／ｍ３であることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の重み付けした軽量パイプ。
【請求項１４】
前記コンクリート配合の最終耐圧強度が、５ｋＮ／ｍｍ２未満、好ましくは約０．１〜４ｋＮ／ｍｍ２、特に約０．５〜２ｋＮ／ｍｍ２であることを特徴とする請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の重み付けした軽量パイプ。
【請求項１５】
請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の重み付けしたパイプを１個または数個備えるパイプライン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
本発明はまた、請求項１０の前文部分による重み付けした可塑性パイプおよび請求項１５の前文部分によるパイプラインに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明によるパイプは、請求項１０の特徴部分の記述によって、パイプラインは、請求項１５の特徴部分の記述によって特徴付けられる。