【事件の表示】
　特願２００２−２２２０９６「量子井戸層構造体」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　４月１８日出願公開、特開２００３−１１５６４３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１４年７月３０日（パリ条約による優先権主張　２００１年８月１７日、２００２年４月１９日、アメリカ合衆国）の特許出願であって、平成１６年１２月２８日付け、平成１９年１１月２１日付け及び平成２０年９月３日付けで手続補正がなされたところ、平成２１年１月１６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月２１日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、その後、当審において、平成２２年９月６日付けで拒絶理由が通知され、平成２３年３月８日付けで手続補正がなされたものである。
　
２　本願発明
　平成２３年３月８日付け手続補正による補正後の明細書及び図面の記載からみて、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、特許請求の範囲に記載された次のとおりのものであると認める。
　
「　少なくとも１つのバリア層により結合された複数の量子井戸層を有する量子井戸構造体において
　ピエゾ電界とパイロ電界の少なくとも一方が形成され、前記結合により前記複数の量子井戸層のフェルミ（Ｆｅｒｍｉ）エネルギーの整合が可能となり、
　前記量子井戸構造体は、光学フィードバックデバイスに結合され、レーザーキャビティを形成し、そして、結合された量子井戸層の基底状態と励起状態の間に前記整合されたフェルミエネルギーレベルが入るようドーピングされ、
　前記結合された量子井戸層の絶縁された基底状態が互いに整合されている、ことを特徴とする量子井戸構造体。」
　
２　引用刊行物の記載事項
　当審における拒絶理由に引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００１−１００２６２号公報（以下「引用刊行物」という。）には、以下の事項が記載されている（下線は審決で付した。）。
　
（１）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
井戸層と障壁層を交互に積層した半導体多重量子井戸構造のサブバンド間吸収の飽和に基づく非線形光学応答を利用した非線形光半導体素子において、前記多重量子井戸構造は、該構造に隣接する隣接層との境界部に、各井戸層の第２サブバンドのエネルギーが隣接層に向かって一旦減少したのち上昇するように構成されたサブバンドエネルギー変調領域を有している
【請求項２】
前記多重量子井戸構造は、ピエゾ電気効果を有する材料の歪量子井戸からなる
　
（２）「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、サブピコ秒の超短光パルスに応答する、光制御型半導体光変調器，光制御型半導体光ゲートスイッチ，光制御型半導体光分岐スイッチ，波長変換素子，モード同期レーザ，可変分散補償素子などの非線形光半導体素子に係わり、特にサブバンド間遷移に基づく非線形光学応答を利用した非線形光半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】来るべきマルチメディア時代の基幹伝送系においては、毎秒数百ギガ〜数テラビットの大量の情報が光ファイバーを飛び交うことになる。このような情報を自由に処理できる光ノードの実現には、光超短パルスで制御される超高速光スイッチが必要である。・・・
【０００３】このようなビットモード動作可能な超高速光スイッチの原理として、窒化物半導体量子井戸中のサブバンド間遷移の利用が考えられている・・・。
【０００４】サブバンド間の緩和時間は、バンド間の緩和時間と比べて３桁程度高速である。特に、窒化物半導体の量子井戸構造を用いれば、光通信で必要な近赤外域でのサブバンド間遷移を実現できる上、ＬＯフォノンと電子の相互作用が大きいのでサブバンド間緩和時間をＧａＡｓ系と比べて１桁以上速くできる。
【０００５】ＧａＮ系量子井戸構造におけるサブバンド間緩和時間は、遷移波長１．５５μｍ，室温で約１００ｆｓと短いので、そのサブバンド間吸収の飽和を利用すれば、１Ｔｂ／ｓ程度の超高速繰り返しの光スイッチング動作も可能となる。しかも、半導体を利用しているので、小型，軽量，安定な光スイッチを実現でき、量産化が可能なことは言うまでもない。・・・
【０００６】このように、窒化物半導体量子井戸構造中のサブバンド間遷移は超高速光スイッチに極めて魅力的なデバイス原理である。しかし、近赤外域のサブバンド間遷移を実現するためには深い量子井戸層が必要である。ＡｌＧａＮ／ＧａＮ量子井戸構造では、障壁層にＡｌ組成比ｘが０．８以上のＡｌx Ｇａ1-x Ｎを用いる必要がある。この場合、ＧａＮ井戸層とＡｌＧａＮ障壁層の間に大きな格子不整合（約２％）があるので、障壁層を厚く積層することは極めて困難である。障壁層が薄いと、隣接する井戸層の間にトンネリング結合が生じ、ミニバンドが形成される。
【０００７】サファイヤｃ基板上にＧａＮ下地層を介して量子井戸構造を作製した場合を仮定すると、大きな格子不整合に伴って、ピエゾ電気効果や自発分極による大きなビルトイン電界（数ＭＶ／ｃｍ）が生じる。この結果、井戸層から見て基板側の障壁層のポテンシャルは、井戸層から離れるほど低くなっている。一方、井戸層の基板側の界面はＡｌの拡散によりダレを生じやすく、障壁層界面の井戸層側でもポテンシャルが低下する。
【０００８】この結果、井戸層の第２サブバンド（励起サブバンド）に対する障壁高さは低下する。・・・
【０００９】第２サブバンドから形成されるミニバンドは、エネルギーの広がりが大きいので吸収スペクトルは広がるが、キャリアが井戸層に閉じ込められている限り本質的な問題にはならない。問題は、井戸層の第２サブバンドと下地バルク層の３次元状態との間の結合である。サブバンド間吸収により第２サブバンドに励起されたキャリアが、トンネリングにより外側の厚いバルク層にリークすると、元のキャリア分布に復帰するまでの回復時間が長くなってしまう。その結果、吸収も弱まり、スペクトルも広がってしまう。
・・・
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、サブバンド間遷移に基づく非線形性を利用した近赤外域の非線形光半導体素子では、量子井戸層の第２サブバンドに励起されたキャリアを井戸層内に閉じ込められないために吸収が弱まったり回復時間が長くなったりするという問題があった。
【００１２】本発明は、上記事情を考慮して成されたもので、その目的とするところは、サブバンド間遷移を利用して近赤外域の領域で動作する光制御型の素子であって、量子井戸層の第２サブバンドと外側のバルク層の結合を抑制し、強いサブバンド間吸収と高速の吸収回復時間を同時に実現し得る非線形光半導体素子を提供することにある。」
　
（３）「【００１３】
【課題を解決するための手段】（構成）上記課題を解決するために本発明は次のような構成を採用している。
【００１４】即ち本発明は、井戸層と障壁層を交互に積層した半導体多重量子井戸構造のサブバンド間吸収の飽和に基づく非線形光学応答を利用した非線形光半導体素子において、前記多重量子井戸構造は、該構造に隣接する隣接層との境界部に、各井戸層の第２サブバンド（励起サブバンド）のエネルギーが隣接層に向かって一旦減少したのち上昇するように構成されたサブバンドエネルギー変調領域を有していることを特徴とする。
【００１５】ここで、本発明の望ましい実施態様としては次のものがあげられる。
【００１６】(1) サブバンドエネルギー変調領域は複数の井戸層を有してなり、構成する各層の厚さや組成やドーピングを変えることにより、第２サブバンドのエネルギーが井戸層により異なるように形成されており、且つ極小となる井戸層を有していること。
【００１７】(2) 多重量子井戸構造は、ピエゾ電気効果を有する材料の歪量子井戸からなること。
【００１８】(3) 多重量子井戸構造は、窒化物半導体からなること。
・・・
【００２２】なお、実際の多重量子井戸構造を構成する層の厚さや組成には、通常、ある程度の揺らぎが存在する。ここでいう「厚さ」と「組成」は、平均的な厚さと組成を指すものとする。また、「多重量子井戸構造」は、井戸層のトンネリングによりミニバンドが形成された、いわゆる超格子層」の概念も含むものとする。もちろん、障壁層や井戸層の厚さ，組成が変調された結合量子井戸構造等も含むものとする。
【００２３】（作用）本発明によれば、多重量子井戸構造のサブバンドエネルギー変調領域においては、第２サブバンドに励起されたキャリアの一部が第２サブバンドのエネルギーが極小となる井戸層へと順次導かれ、エネルギーを失っていく。また、その間に大部分のキャリアは第１サブバンドに緩和する。第２サブバンドが極小になる井戸層の隣接層側では、隣桜する井戸層の第２ポテンシャルのエネルギーが高いため、第２サブバンドのキャリアの隣接層側への移動が抑制される。従って、多重量子井戸構造においてサブバンド間光吸収により第２サブバンドに励起されたキャリアの隣接層への漏れ出しは、ほぼ完全に抑制される。
【００２４】多重量子井戸構造にピエゾ電気効果，自発分極等による大きなビルトイン電界が存在している場合、井戸層を挟む障壁層のうち一方のポテンシャルは、井戸層から離れるに伴って低下するので、エネルギーの高いサブバンドに対する実効的な障壁厚さは非常に薄くなっている。従って、障壁層を厚くしても、高エネルギーのキャリアの多重量子井戸構造から隣接するバルク層への漏れ出しが避けられない。本発明は、このような場合でもキャリアの漏れ出しを防止することができる。
【００２５】多重量子井戸構造に伝導帯バンド不連続の大きな窒化物半導体を利用することで、光通信で使われる近赤外域（波長１．５５μｍ帯）のサブバンド間遷移が容易に実現される。また、窒化物半導体におけるサブバンド間緩和時間は約１００ｆｓ、サブバンド内緩和時間やミニバンド内緩和時間は数十ｆｓと短いので、超高速の非線形光応答が可能となる。さらに、サブバンド内緩和時間が短いのに対応して、元々の均一な吸収波長帯域幅も広くとれる。
・・・
【００２８】窒化物半導体からなる結合多重量子井戸構造を他の材料、例えばＩｎＰ基板上に形成されたＩｎＧａＡｓＰ層や石英系光集積回路等、他の材料系からなる積層構造と一体化することにより、受動光導波路，光増幅器や半導体レーザ等の他の光半導体素子等と集積化することができ、超高速光パルスに対しても安定な様々な機能を実現することができる。
【００２９】かくして本発明の非線形光半導体素子によれば、量子井戸層の第２サブバンドから外側のバルク層への結合が抑制され、強いサブバンド間吸収と高速の吸収回復時間を同時に実現することが可能となる。」
　
（４）「【００３０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。
【００３１】（実施形態）図１は、本発明の一実施形態に係わる光ゲートスイッチアレイの素子構造断面を模式的に示す図である。
【００３２】この光ゲートスイッチアレイは、サファイヤ基板１上に形成された窒化物半導体非線形光導波路２のアレイから構成されている。非線形光導波路２は、サファイヤ基板１上に、ｎ型ＧａＮ下地層３を介して、ｎ型Ａｌ0.8 Ｇａ0.2 Ｎ／ＧａＮ多重量子井戸構造４とｎ型ＧａＮキャップ層５が順次積層された構造を有しており、メサ状に加工されている。各ＧａＮ層３，５のＳｉドーピング密度は、１×１０19ｃｍ-3とした。なお、図では便宜上２組の光導波路のみ記したが、もっと多数の光導波路を集積しても構わない。
【００３３】
図２は、本実施形態の光ゲートスイッチを構成する多重量子井戸構造４の主要部と基板側界面付近の伝導帯バンド構造を、模式的に示す図である。図３は、本実施形態の光ゲートスイッチを構成する多重量子井戸構造４の主要部と基板と反対側の界面付近の伝導帯バンド構造を、模式的に示す図である
【００３４】
多重量子井戸構造４の主要部は、７モノレーヤのＡｌ
0.8
 Ｇａ
0.2
 Ｎ障壁層６と、６モノレーヤのＳｉドープ（キャリア密度〜１×１０
19
ｃｍ
-3
）ＧａＮ井戸層７が２００層積層されてなる
【００３５】多重量子井戸構造４の基板側の端には、図２に示すように、第１のサブバンドエネルギー変調領域８が設けられている。第１のサブバンドエネルギー変調領域８には、多重量子井戸構造４の側から、それぞれ厚さ７モノレーヤのＡｌ0.8 Ｇａ0.2 Ｎ障壁層６と交互に、７モノレーヤ，８モノレーヤ，１０モノレーヤ，１２モノレーヤ，７モノレーヤの計５層のＧａＮ井戸層２１，２２，２３，２４，２５が設けられている。即ち、多重量子井戸構造４から下地層３に向かって、井戸幅は一旦広くなったのち、狭くなるようになっている。
【００３６】一方、多重量子井戸構造４の基板と反対側の端には、図３に示すように、第２のサブバンドエネルギー変調領域９が設けられている。多重量子井戸構造４の側からそれぞれ厚さ７モノレーヤのＡｌ0.8 Ｇａ0.2 Ｎ／ＧａＮ障壁層６と交互に、７モノレーヤ，８モノレーヤ，１０モノレーヤ，８モノレーヤ，７モノレーヤの計５層のＧａＮ井戸層３１，３２，３３，３４，３５が設けられている。即ち、多重量子井戸構造４からキャップ層５に向かって、井戸幅は一旦広くなったのち、狭くなるようになっている。
【００３７】なお、通常のＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長法）でＡｌ0.8 Ｇａ0.2 Ｎ障壁層６の上にＧａＮを積層した場合、Ａｌの拡散により界面だれ（組成グレーティッド層）を生じることが多い。ここでは、２〜３モノレーヤ程度の界面だれが存在するものと仮定する。逆に、ＧａＮ上にＡｌ0.8 Ｇａ0.2 Ｎ障壁層６を積層した界面は、だれが比較的小さい。実際には多少の界面だれがあるかも知れないが、本発明の本質には影響しないので、ここでは無視して考えることにする。
【００３８】
多重量子井戸構造４には、第１サブバンド（基底サブバンド）Ｅ
10
と第２サブバンド（励起サブバンド）Ｅ
20
の２つのサブバンドが形成される
【００３９】
光の無い状態では電子はほとんど全てが第１サブバンドＥ
10
に分布している。電子は障壁層をトンネルできるので、一部の電子がキャップ層５から下地層３へと移動し、多重量子井戸構造４の大部分の領域では、移動した電荷の空間電荷電界により各井戸層７のフェルミレベルＥ
F
 が（従って第１サブバンドＥ
10
が）ほぼ平坦に揃うように再配置する。ピエゾ電気効果や自発分極によるビルトイン電界と空間電荷電界が平衡し、井戸層７と障壁層６には逆向きの大きな電界がかかった状態になっている。各井戸層７は障壁層６を介したトンネリングにより結合しており、各サブバンドはエネルギーの広がったミニバンドを形成している
【００４０】界面だれとビルトイン電界のため、実効的な障壁高さの低下と障壁厚の減少が生じており、第２サブバンド（ミニバンド）Ｅ20は、障壁層６のピークに近いエネルギー位置に、△Ｅ20＝１００ｍｅＶ程度の幅を持って形成されている。ここで、Ｅ20はミニバンドの中心をもって定義するものとする。
【００４１】下地層３の第１のサブバンドエネルギー変調領域８との界面には、蓄積層が形成されている。第１のサブバンドエネルギー変調領域８の井戸層２１，２２，２３，２４，２５やＧａＮ下地層３でも、井戸層７に第１サブバンドＥ10やフェルミレベルＥF がほぼ揃うようにキャリアが再配置する。しかし、第２サブバンドは隣接する井戸層と共鳴しないので、それぞれ井戸層毎に異なるエネルギー位置Ｅ21，Ｅ22，Ｅ23，Ｅ24，Ｅ25に第２サブバンドを形成する。このときの隣接する井戸層の第２サブバンドのエネルギーの大小関係はＥ20＞Ｅ21＞Ｅ22＞Ｅ23＞Ｅ24＜Ｅ25〜Ｅ20となっている。（ここで、不等号は電子の熱的な励起が起こらない程度のエネルギー差があることを表すものとする。以下も同じ。）キャップ層５の多重量子井戸構造４側の部分と、第２のサブバンドエネルギー変調領域９の少なくとも一部は、空乏化領域となる。場合によっては、多重量子井戸構造４の主要部の第２のサブバンドエネルギー変調領域９の近傍まで、空乏化領域が及ぶこともある。第２のサブバンドエネルギー変調領域９の空乏化領域では、フェルミレベルＥF は一定になっていない。各井戸層３１，３２，３３，３４，３５の第１サブバンドＥ11，Ｅ12，Ｅ13，Ｅ14，Ｅ15も、少なくともキャップ層５側ではミニバンドを形成しない。ここでは、井戸層３３までは多重量子井戸構造４の主要部の第１ミニバンドに共鳴，結合しているものとする。各サブバンドのエネルギーは、Ｅ20＞Ｅ31＞Ｅ32＞Ｅ33＜Ｅ34＜Ｅ35，Ｅ15＞Ｅ14＞Ｅ10，およびＥ33＞Ｅ14の関係を満たしている。」
　
（５）上記（４）を踏まえて、図２及び図３を見ると、多重量子井戸構造４の大部分の領域でほぼ平坦に揃うように再配置した各井戸層７のフェルミレベルＥFは、第１サブバンドＥ10のわずか上、第２サブバンドＥ20より下に位置していることが見て取れる。
　
　上記の摘記事項を総合すると、引用刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「　井戸層と障壁層を交互に積層した半導体多重量子井戸構造のサブバンド間吸収の飽和に基づく非線形光学応答を利用した非線形光半導体素子において、
　前記多重量子井戸構造は、該構造に隣接する隣接層との境界部に、各井戸層の第２サブバンドのエネルギーが隣接層に向かって一旦減少したのち上昇するように構成されたサブバンドエネルギー変調領域を有しており、
　前記多重量子井戸構造は、ピエゾ電気効果を有する材料の歪量子井戸からなり、
　前記多重量子井戸構造４の主要部は、７モノレーヤのＡｌ0.8 Ｇａ0.2 Ｎ障壁層６と、６モノレーヤのＳｉドープ（キャリア密度〜１×１０19ｃｍ-3）ＧａＮ井戸層７が２００層積層されてなり、
　前記多重量子井戸構造４には、第１サブバンド（基底サブバンド）Ｅ10と第２サブバンド（励起サブバンド）Ｅ20の２つのサブバンドが形成され、
　前記多重量子井戸構造４において、光の無い状態では電子はほとんど全てが第１サブバンドＥ10に分布しており、電子は障壁層をトンネルできるので、一部の電子がキャップ層５から下地層３へと移動し、多重量子井戸構造４の大部分の領域では、移動した電荷の空間電荷電界により各井戸層７のフェルミレベルＥF が（従って第１サブバンドＥ10が）ほぼ平坦に揃うように再配置しており、前記フェルミレベルＥFは、第１サブバンドＥ10のわずか上、第２サブバンドＥ20より下に位置しており、
　ピエゾ電気効果や自発分極によるビルトイン電界と空間電荷電界が平衡し、井戸層７と障壁層６には逆向きの大きな電界がかかった状態になっており、各井戸層７は障壁層６を介したトンネリングにより結合しており、各サブバンドはエネルギーの広がったミニバンドを形成している、
　非線形光半導体素子。」
　
３　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「非線形光半導体素子」における「（半導体）多重量子井戸構造」は、「井戸層と障壁層を交互に積層した」ものであるところ、「各井戸層７は障壁層６を介したトンネリングにより結合して」いるから、
　引用発明の「（半導体）多重量子井戸構造」は、本願発明の「少なくとも１つのバリア層により結合された複数の量子井戸層を有する量子井戸構造体」に相当する。
　
（２）引用発明の「多重量子井戸構造」は、「ピエゾ電気効果を有する材料の歪量子井戸からなり」、「ピエゾ電気効果や自発分極によるビルトイン電界と空間電荷電界が平衡し、井戸層７と障壁層６には逆向きの大きな電界がかかった状態になって」いるから、
　引用発明の「多重量子井戸構造」は、本願発明の「ピエゾ電界とパイロ電界の少なくとも一方が形成され」との特定事項を備える。
　
（３）引用発明の「多重量子井戸構造」は、「電子は障壁層をトンネルできるので、一部の電子がキャップ層５から下地層３へと移動し、多重量子井戸構造４の大部分の領域では、移動した電荷の空間電荷電界により各井戸層７のフェルミレベルＥF が・・・ほぼ平坦に揃うように再配置しており、前記フェルミレベルＥFは、第１サブバンドＥ10のわずか上、第２サブバンドＥ20より下に位置して」おり、「多重量子井戸構造４の主要部は、・・・６モノレーヤのＳｉドープ（キャリア密度〜１×１０19ｃｍ-3）ＧａＮ井戸層７が・・・積層されてな」るものであるから、
　引用発明の「多重量子井戸構造」は、本願発明の「前記結合により前記複数の量子井戸層のフェルミ（Ｆｅｒｍｉ）エネルギーの整合が可能となり」及び「そして、結合された量子井戸層の基底状態と励起状態の間に前記整合されたフェルミエネルギーレベルが入るようドーピングされ」との特定事項を備える。
　
（４）引用発明の「多重量子井戸構造」は、「多重量子井戸構造４の大部分の領域では、移動した電荷の空間電荷電界により各井戸層７のフェルミレベルＥF が（従って
第１サブバンドＥ
10
が
ほぼ平坦に揃う
　引用発明の「多重量子井戸構造」は、「前記結合された量子井戸層の絶縁された基底状態が互いに整合されている」との特定事項を備える。
　
　以上によると、本願発明と引用発明の「多重量子井戸構造」とは、
「　少なくとも１つのバリア層により結合された複数の量子井戸層を有する量子井戸構造体において
　ピエゾ電界とパイロ電界の少なくとも一方が形成され、前記結合により前記複数の量子井戸層のフェルミ（Ｆｅｒｍｉ）エネルギーの整合が可能となり、
　そして、結合された量子井戸層の基底状態と励起状態の間に前記整合されたフェルミエネルギーレベルが入るようドーピングされ、
　前記結合された量子井戸層の絶縁された基底状態が互いに整合されている、ことを特徴とする量子井戸構造体。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
［相違点］
　本願発明では、「光学フィードバックデバイスに結合され、レーザーキャビティを形成し」と、量子井戸構造体の用途が特定されているのに対して、引用発明では、量子井戸構造体は非線形光半導体素子におけるものである点。
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
　
　引用発明における多重量子井戸構造と同様のサブバンド間遷移が可能な量子井戸構造体を、引用発明のような非線形光半導体素子の他、レーザーにおいて用いることは、次に示すとおり、本願優先日当時の技術水準において、当業者が通常想定する範囲内の用途である。
　例えば、当審における拒絶理由に引用した、Claire Gmachl et al.、Intersubband absorption in GaN/AlGaN multiple quantum wells in the wavelength range of λ〜1.75-4.2μm、APPLIED PHYSICS LETTERS、2000年7月17日、Vol.77, No.3、pp.334-336（特に、334頁左欄第１段落を参照。）には、ＧａＮ系材料の量子井戸を有するサブバンド間レーザーが実現されたこと、及び同材料が他のサブバンド間光デバイスにも適することが示されるほか、Claire Gmachl et al.，Intersubband absorption at λ〜1.55μm in well- and modulation-doped GaN/AlGaN multiple quantum wells with superlattice barriers，APPLIED PHYSICS LETTERS，2000年12月4日，Vol.77, No.23，pp.3722-3724（特に、3722頁左欄第１段落を参照。）には、III族窒化物などの材料系のサブバンド遷移の用途として、レーザーの他、変調器などが挙げられ、また、特開平８−１７９３８７号公報には、サブバンド間遷移を利用した光半導体装置の実施例として、光スイッチ（実施例１〜３）などと共に、量子カスケードレーザ−（実施例６〜７）に適用したことが記載されている。
　そして、レーザーが、光学フィードバックデバイスに結合され、レーザーキャビティを形成するものであることは、当業者に明らかなことである。
　したがって、引用発明における多重量子井戸構造を、光学フィードバックデバイスに結合されレーザーキャビティを形成するものであるレーザーに転用し、相違点に係る本願発明の特定事項となすことは、当業者が容易になし得たことである。
　
　そして、本願発明において、量子井戸構造体をレーザーとして用いることによって、引用発明及び本願優先日当時の技術水準から予測し得る域を超えるほどの格別の効果を奏するものと認めることはできない。
　
　よって、本願発明は、本願優先日当時の技術水準を踏まえ、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。