【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年6月17日(2011.6.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）Ｔａターゲットに対して、該ターゲットの表面のいかなる点を通る垂線とも交差しないような位置に医療装置を配置するステップと、
（ｂ）前記Ｔａターゲットに電圧を加えて、スパッタリングを起こすステップと、
（ｃ）所与の時間スパッタリングして、前記医療装置上に所望の厚みのＴａ層のコーティングを形成するステップと、
を含む、ガイドワイヤまたはステントである医療装置にＴａ層を堆積させるための方法。
【請求項２】
前記医療装置が、２つのターゲットの間に配置される、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記Ｔａ層が、少なくとも８０％の可視スペクトル放射率を有する、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
（ａ）少なくとも１つのＴａスパッタターゲットを含むスパッタコーティングシステムに医療装置を配置するステップと、
（ｂ）前記Ｔａターゲットに電圧を加えて、スパッタリングを起こすステップと、
（ｃ）所与の時間スパッタリングして、所望の厚みのコーティングを形成するステップと、
を含む、ガイドワイヤまたはステントである医療装置にＴａ層を堆積させるための方法であって、
前記Ｔａ層が、少なくとも８０％の可視スペクトル放射率を有することを特徴とする、前記方法。
【請求項５】
前記医療装置が、前記方法の際に、直接的には加熱または冷却されないことを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
堆積の際の前記医療装置の平衡温度が、１５０℃〜４５０℃の範囲であることを特徴とする、請求項１ないし５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記方法の際に、前記医療装置に電圧を加えることを特徴とする、請求項１ないし６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記電圧が初期高電圧を含み、第１の時間の間、前記医療装置を予備清浄することを特徴とする、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記初期高電圧が、１００Ｖ〜５００Ｖの範囲であることを特徴とする、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の時間が、１分〜２０分の範囲であることを特徴とする、請求項８または９記載の方法。
【請求項１１】
前記電圧が、第２の時間の間加えられる第２の低電圧を含むことを特徴とする、請求項７記載の方法。
【請求項１２】
前記低電圧が、１０Ｖ〜１００Ｖの範囲であることを特徴とする、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記第２の時間が、１時間〜５時間の範囲であることを特徴とする、請求項１１または１２記載の方法。
【請求項１４】
スパッタコーティングシステムにおける不活性ガスが、Ａｒ、Ｋｒ、およびＸｅを含む群から選択されることを特徴とする、請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記電圧が、１μｍ／時間〜５μｍ／時間の堆積速度を生み出すことを特徴とする、請求項１ないし１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記Ｔａ層が、多孔質であることを特徴とする、請求項１ないし１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記孔に材料を導入するステップをさらなる特徴とし、該材料が、時間とともに溶出することを特徴とする、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
（ａ）Ｔａ原子物理蒸着コーティングシステムに医療装置を配置するステップと、
（ｂ）コーティングして、所望の厚みの層を得るステップと、
を含む、ガイドワイヤまたはステントである医療装置にＴａコーティング層を堆積させるための方法であって、
下記のさらなるステップを含むことを特徴とする、前記方法：
（ｃ）前記医療装置の表面への、Ｔａ原子の到達エネルギーおよび到達角度の組み合わせを選択して、得られるＴａコーティング層において所望の厚みのコーティング層を形成して、前記医療装置上に多孔性Ｔａコーティングを得るステップ；
（ｄ）前記コーティングシステムにおける不活性ガスの背景圧力、前記医療装置に加えられる電圧、およびＴａ原子源から前記医療装置の表面までの距離のうちの少なくとも１つを選択して、選択された到達エネルギーを得るステップ；
（ｅ）前記不活性ガスの背景圧力、前記Ｔａ原子源から前記医療装置の表面までの距離、および前記Ｔａ原子源と前記医療装置の表面との角度を選択して、選択された到達角度を得るステップ；および
（ｆ）所与の時間コーティングして、少なくとも８０％の可視スペクトル放射率を有する、所望の厚みの多孔性Ｔａコーティング層を形成するステップ。
【請求項１９】
前記Ｔａ層が、ゾーン１Ｔａコーティング層であることを特徴とする、請求項１ないし１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
前記Ｔａコーティング層が、ゾーン１Ｔａコーティング層であることを特徴とする、請求項１８記載の方法。
【請求項２１】
前記物理蒸着コーティングシステムが、スパッタリングシステムであることを特徴とする、請求項１８記載の方法。
【請求項２２】
前記物理蒸着コーティングシステムが、熱蒸着システムであることを特徴とする、請求項１８記載の方法。
【請求項２３】
前記物理蒸着コーティングシステムが、陰極アーク蒸着システムであることを特徴とする、請求項１８記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
本発明に従った医療装置は、少なくとも部分的にニッケルチタン合金または他の好適な材料を含む本体と、その本体の少なくとも一部に設けられたＴａコーティングを含むことができる。Ｔａコーティングは、医療装置が放射線不透過性となるように十分に厚く、かつ層間剥離することなく装置の使用で生じる歪みに耐えることができる。Ｔａコーティングは、ｂｃｃ結晶相か、または正方晶相（tetragonal crystalline phase）からなることができる。Ｔａコーティングの厚みは、好ましくは約３μｍ〜１０μｍの範囲である。医療装置は、例えば、ステントやガイドワイヤとすることができる。このようなコーティングは、好ましくは多孔性である。このようなコーティングは、概ね斜め（oblique）のコーティング束（coating flux）または低エネルギーのコーティング束の一方によって施される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
極めて低いＡf値と優れた接着性の組合せは驚きである。この説明に拘泥するものではないが、観察された結果に一致する１つの可能性としてコーティングの多孔性が高いことが考えられる。低い相同温度（コーティング材料の融点に対するコーティング中の基材温度（ケルビン）の比）は、オープンな柱状コーティング構造を生成することが知られている。当分野の技術者であれば、ここに記載する多孔性コーティングは、時には、スパッタリングおよび蒸着される材料のためのゾーン１コーティングとも呼ばれることを理解できよう（例えば、ジョーン・ソントン（John Thornton）著、「高速厚膜成長（High Rate Thick Film Growth）」、アニュアル・レビュー・オブ・マテリアルズ・サイエンス（Ann. Rev. Mater. Sci.）、１９７７年、２３９〜２６０頁を参照）。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
位置Ｃのステントは、位置Ａまたは位置Ｂのステントに比べ、全体的により斜め（oblique）で、より低エネルギーのコーティング束を受ける。斜めのコーティング束とは、堆積する原子の大部分が、コーティングされる表面に対して、ほぼ垂直以外の方向で到達することを意味する。上側および下側のターゲットから位置Ｃのステントの表面に達する原子の一部は、背景スパッタガス（background sputter gas）との衝突によって著しくエネルギーを損失したり、方向性を失ったりすることなく、コーティング表面に到達する。このような原子は、その殆どが図２および図３に示されているステントに近接したターゲットの部分から来て、斜めのコーティング束を生成する。他の原子は、基材表面に到達する前に、背景ガスと衝突してエネルギーおよび方向性を失う。このような原子は、概ね、離れた位置にあるターゲットの部分から来て、低エネルギーのコーティング束を形成する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
図２および図３に示されている円筒型マグネトロンの配置のジオメトリにより、位置Ｃにおけるステントの表面に到達する原子は、比較的斜めの角度で、あるいは比較的低いエネルギーで到達することを、確実にする。一般に、スパッタリング原子は、数電子Ｖ（ｅＶ）の平均運動エネルギーでターゲット表面を離れる。ウエストウッド（Westwood）が記載しているように、背景ガスと数回衝突すると、スパッタリング原子は、その運動エネルギーの殆どを喪失する。低いエネルギーによって、約１ｅＶまたはそれ以下の平均エネルギーを有するスパッタリング原子について述べる。ウエストウッドの計算を用いて、所定のスパッタリング圧力に対してこの低い平均エネルギーを達成するために必要な、基板に対するターゲットの間隔を推定できる。さらに、当分野の技術者には周知のように、蒸着によって堆積される原子は、蒸着源を離れる時に、平均エネルギーが約１ｅＶ未満である。したがって、蒸着コーティングの場合は、低エネルギーのコーティング束を得るために、チャンバ内でガスを散乱させる必要がない。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
図２および図３に示されている固定具を用いて位置Ｃで得られる不均一な外観は、コーティング構造が、ステントとスパッタターゲットとの互いに対する詳細な位置関係に依存することを示唆している。上記したように、ステントが図７に示されている位置Ｃｉにある場合、ステントは、近接したターゲットの部分から大きな斜角（very oblique incidence）で物質を受け取り、ターゲットの他の部分から到達するコーティング物質は長い距離移動しなければならない。したがって、全てのコーティング束は、大きな角度（high angle）で到達するか、またはかなり長い距離を移動して、スパッタリングガスとの衝突でエネルギーおよび方向性を失う。しかしながら、ステントが図７に示されている位置Ｃｉｉにある場合、ステントは、全ての方向からやや小さい角度（less oblique）でコーティングされる。図３に示されている構成では、位置Ｃにおいて、ステントの下部は、ステントを保持するプレートによって底部のターゲットからのより直接的なエネルギー束から遮蔽されるが、ステントの上部は、上部のターゲットからのより直接的なコーティング束からステントの下部のようには遮蔽されていない。図７に示されているように、ステントの上方にプレートを設けることにより、ステントの全ての部分において、より直接的なコーティング束が遮蔽され、コーティング物質は、比較的大きい入射角（oblique incidence）で到達するか、または背景ガスによって散乱され、エネルギーおよび方向性が失われた後、コーティング物質が到達する。ステントの上方のプレートにより、位置の対称性が得られ、ステントに形成されるコーティングが、全体的に均一なブラックになる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５５】
上記した結果から、高いスパッタリング圧力を得る際に通常は必要となる低いガスの処理量では、十分な接着性が得られないという結論に達した。スパッタリング圧力とシステムのジオメトリは、コーティング束が、大きな入射角で基材表面に達するか、またはスパッタリング原子がターゲットから十分に離れた距離移動してエネルギーが著しく軽減されてから基材表面に達するように選択しなければならない。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６３】
〔実施の態様〕
（１）医療装置において、
（ａ）少なくとも部分的に放射線透過性材料を含む本体と、
（ｂ）前記本体の少なくとも一部に設けられた多孔性Ｔａコーティングと、
を含み、
前記Ｔａコーティングが、前記医療装置が放射線不透過性となるように十分な厚みを有し、許容できない剥落が起こることなく、前記医療装置の使用中に生じる歪みに耐えることができ、
前記Ｔａコーティングが、概ね斜めのコーティング束（coating flux）または低エネルギーのコーティング束のうち一方によって前記本体に施される、
医療装置。
（２）実施態様（１）に記載の医療装置において、
前記Ｔａコーティングは、主にｂｃｃ結晶相からなる、医療装置。
（３）実施態様（１）に記載の医療装置において、
前記Ｔａコーティングの厚みは、約３μｍ〜１０μｍの範囲である、医療装置。
（４）実施態様（１）に記載の医療装置において、
前記医療装置は、ステントである、医療装置。
（５）実施態様（１）に記載の医療装置において、
前記医療装置は、ガイドワイヤである、医療装置。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６４】
（６）実施態様（１）に記載の医療装置において、
前記医療装置は、腔内装置である、医療装置。
（７）実施態様（１）に記載の医療装置において、
前記Ｔａコーティングは、物理蒸着法によって前記本体に施される、医療装置。
（８）実施態様（７）に記載の医療装置において、
前記物理蒸着法は、スパッタリング、陰極アーク蒸着（cathodic arc deposition）、または熱蒸着（thermal evaporation）からなる群から選択される１つを含む、医療装置。
（９）実施態様（１）に記載の医療装置において、
前記Ｔａコーティング中に、時間とともに溶出する材料、
をさらに含む、医療装置。
（１０）医療装置にＴａ層を堆積させるための方法において、
（ａ）少なくとも１つのＴａスパッタターゲットを含むスパッタコーティングシステムにおいて、不活性ガスの背景圧力（background pressure）を維持するステップと、
（ｂ）前記Ｔａターゲットに電圧を加えて、スパッタリングを起こすステップと、
（ｃ）所与の時間スパッタリングして、所望の厚みのコーティングを形成するステップと、
を含み、
前記Ｔａ層が、少なくとも８０％の可視スペクトル放射率を有し、
前記Ｔａ層が、概ね斜めのコーティング束または低エネルギーのコーティング束のうち一方によって前記医療装置に施される、
方法。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６７】
（２１）実施態様（１０）に記載の方法において、
前記電圧は、１μｍ／時間〜５μｍ／時間の堆積速度を生み出す、方法。
（２２）実施態様（１０）に記載の方法において、
前記Ｔａ層は、多孔質である、方法。
（２３）実施態様（２２）に記載の方法において、
時間とともに溶出しうる材料を前記Ｔａ層の孔に導入するステップ、
をさらに含む、方法。
（２４）医療装置において、
（ａ）外層を有する本体と、
（ｂ）前記外層の少なくとも一部分に設けられた放射線不透過性コーティングと、
を含み、
前記コーティングが、物理蒸着法を用いて、概ね斜めのコーティング束または低エネルギーのコーティング束のうち一方によって施される、
医療装置。
（２５）医療装置において、
（ａ）少なくとも部分的に放射線透過性材料を含む本体と、
（ｂ）前記本体の少なくとも一部に設けられたＴａコーティングと、
を含み、
前記Ｔａコーティングが、許容できない剥落が起こることなく、前記医療装置の使用中に生じる歪みに耐えることができ、
前記Ｔａコーティングが、概ね斜めのコーティング束または低エネルギーのコーティング束のうち一方によって前記本体に施される、
医療装置。