【事件の表示】
　特願２００５−３４７９９６「発光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　６月２１日出願公開、特開２００７−１５７８３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１７年１２月１日の出願であって、平成２１年４月２２日付けで手続補正がなされ、同年７月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月９日に拒絶査定不服審判が請求され、同日付けで手続補正がなされたものである。　
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２１年９月９日付け手続補正によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「　３５０ｎｍ〜４２０ｎｍの発光ピーク波長を有する発光素子と、この発光素子からの光を吸収して、異なる少なくとも１種の発光ピーク波長を有する蛍光を放射する蛍光体とを備える発光装置であって、
　前記蛍光体は、バンドギャップ間の遷移によって発光ピーク波長が制御されるような半導体材料にて形成され、この発光ピーク波長が略等間隔に配置された異なる４つ以上の蛍光により構成され、前記複数の蛍光体の発光ピーク波長のうち少なくとも１つは４４０ｎｍ〜４８０ｎｍの範囲に選ばれ、前記複数の蛍光体の発光ピーク波長のうち少なくとも１つは５００ｎｍ〜５４０ｎｍの範囲に選ばれ、かつ、
　前記複数の蛍光体の発光ピーク波長のうち少なくとも２つは５４０ｎｍ〜５６０ｎｍの範囲と６００ｎｍ〜６８０ｎｍの範囲に選ばれる、または、
　前記複数の蛍光体の発光ピーク波長のうち少なくとも２つは５７０ｎｍ〜６１０ｎｍの範囲と６１０ｎｍ〜６５０ｎｍの範囲に選ばれる、発光装置。」
　
３　刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である特開２００５−２８５８００号公報（以下「引用例」という。）には、図とともに次の事項が記載されている（下線は審決で付した。以下同じ）。
　
（１）「【請求項１】
基板上に励起光を発する発光素子と、蛍光体によって前記励起光を可視光に変換する波長変換器とを備え、前記可視光を出力光とする発光装置であって
前記蛍光体が
発光装置
【請求項２】
前記波長変換器が、複数の可視光波長に対応した蛍光体を含むことを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記波長変換器が、複数の波長変換層の積層体からなり、各波長変換層で変換された変換光のピーク波長が、前記発光素子側から外側に向かって短波長となるように、前記複数の波長変換層を配置してなる
　
（２）「【００１０】
　しかしながら、これまでに報告されている半導体ナノ粒子は、蛍光量子収率が２０〜３０％程度であり、光量が少ないため、特殊照明や一般照明用途へは使用することができないという問題があった。特に、特に６００〜７５０ｎｍ領域の赤色の蛍光量子収率が低いという問題があった。
【００１１】
　そのため、変換光量を増加するためには発光素子の駆動電圧を高めて発光素子の光量を増やす必要があり、この場合には、消費電力が高くなり、また、発熱量が増えるという問題が生じた。
【００１２】
　従って、本発明は、高い発光効率を備えた発光装置を提供することを目的としている。」
　
（３）「【００１３】
　本発明は、
前記波長変換器内部に含まれる蛍光体を、バンドギャップが１．６ｅＶ以下の半導体ナノ粒子で構成することによって、蛍光体のフォトルミネッセンス反応において電子のバンド間遷移を効率良く行うことができ、かつ出力光のピーク波長を４００〜９００ｎｍの範囲内で容易に制御できるため、高い発光効率と優れた演色性を実現する発光装置
【００１４】
　即ち、本発明の発光装置は、基板上に励起光を発する発光素子と、蛍光体によって前記励起光を可視光に変換する波長変換器とを備え、前記可視光を出力光とする発光装置であって、前記蛍光体が、バンドギャップエネルギーが１．６ｅＶ以下の半導体からなることを特徴とする。
【００１５】
　特に、前記波長変換器が、複数の可視光波長に対応した蛍光体を含むことが好ましい。これにより、幅広い範囲で発光波長をカバーすることが可能となるため、発光装置の演色性をより高めることができる。
【００１６】
　前記波長変換器が、複数の波長変換層の積層体からなり、各波長変換層で変換された変換光のピーク波長が、前記発光素子側から外側に向かって短波長となるように、前記複数の波長変換層を配置してなることが好ましい。このように、前記波長変換器が発光波長の異なる複数の波長変換層からなり、かつ該波長変換層が前記基板上に該発光素子を覆うように層状に形成され、各波長変換層に含まれる蛍光体の平均粒子径が、前記発光素子に近い方から次第に小さくなるように配置してなることによって、波長変換層内の蛍光体同士の自己消光を低減させることができるため、波長変換層器に含まれる蛍光体の分散濃度を上げなくても、十分な発光効率を得ることができる。
【００１７】
　前記波長変換層の層数が少なくとも３層であり、該波長変換層で変換された変換光が、それぞれ赤、緑、青に対応する波長となることが好ましい。前記半導体粒子が、断続的な複数の平均結晶粒径範囲に分布している場合、幅広い範囲で発光波長をカバーすることが可能となるため、発光装置の演色性をより高めることができる。
【００１８】
　前記波長変換層の厚みがそれぞれ０．０５〜５０μｍであることが好ましい。これにより、波長変換器内の蛍光体により効率良く波長変換でき、かつ変換された光が他の蛍光体により吸収されることを抑制することができるため、高効率な発光装置を実現できる。
【００１９】
　各波長変換層に含まれる蛍光体の平均粒子径が、前記発光素子に近い方から次第に小さくなるように配置してなることが好ましい。これにより蛍光体の分散濃度が低くても、即ち蛍光体の含有量が少なくても、充分な発光効率を得ることができる。
【００２０】
　前記複
数の波長変換層に含まれる蛍光体が、略同一材料からなり、それぞれ平均粒子径が異なることが好ましい。これにより、波長変換層より可視光領域の幅広いスペクトルの光を発するができ、優れた白色光を実現できる
　
（４）「【００２７】
　図１によれば、発光装置は、電極１が形成された基板２と、基板２上に中心波長が４５０ｎｍ以下の光を発する半導体材料からなる発光素子３と、基板２上に発光素子３を覆うように設けられ、発光素子３から発せられる光で励起されて可視光を発する蛍光体５を含有する波長変換器４と、を具備し、発光装置により可視光が出力される。
【００２８】
　本発明によれば、蛍光体５はバンドギャップ１．６ｅＶ以下の半導体粒子からなることが重要である。バンドギャップが１．６ｅＶより大きい場合、励起された電子が効率良く基底状態に遷移せず、失活するため、量子効率が低下し、発光効率が低くなる。これに対して、バンドギャップエネルギーが１．６ｅＶ以下の半導体粒子を蛍光体として用いると、励起された電子が効率良く遷移するため、発光効率に優れ、演色性に優れた装置を実現できる。
【００２９】
　半導体粒子のバンドギャップエネルギーは、シングルナノサイズにおける蛍光波長が可視光領域なるという理由で０．８〜１．６ｅＶ、特に０．９〜１．５５ｅＶ、更には１．０〜１．５ｅＶであることが好ましい。
【００３０】
　このような蛍光体は、バンドギャップが１．６ｅＶ以下の半導体粒子であれば、その種類は特に限定されない。具体的には、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ：Ａｇ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ａｌ＋Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＳ：Ｚｎ＋Ｉｎ２Ｏ３、（Ｂａ，Ｅｕ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ１７：Ｅｕ、Ｓｒ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ１２：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｅｕ）（Ｍｇ，Ｍｎ）Ａｌ１０Ｏ１７、１０（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｅｕ）・６ＰＯ４・Ｃｌ２、ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２５：Ｅｕ、ＺｎＳ：Ｃｌ，Ａｌ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｔｂ、Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｔｂ、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、ＺｎＳ：Ｃｕ＋Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋Ｉｎ２Ｏ３、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、（Ｚｎ，Ｍｎ）２ＳｉＯ４、ＢａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｍｇ）Ｏ・ａＡｌ２Ｏ３：Ｍｎ、ＬａＰＯ４：Ｃｅ，Ｔｂ、３（Ｂａ，Ｍｇ，Ｅｕ，Ｍｎ）Ｏ・８Ａｌ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３・０．２ＳｉＯ２・０．９Ｐ２Ｏ５：Ｃｅ，Ｔｂ、ＣｅＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｔｂ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、Ｚｎ３（ＰＯ４）２：Ｍｎ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、（Ｙ，Ｇｄ、Ｅｕ）ＢＯ３、（Ｙ，Ｇｄ、Ｅｕ）２Ｏ３、ＹＶＯ４：Ｅｕ、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ、ＹＡＧ：Ｃｅを例示できる。
【００３１】
　これらの中で、波長変換効率および耐久性の点で窒化物系ナノ粒子、ＩｎＮ及びＩｎＰが好ましい。
【００３２】
　
蛍光体５は、
粒径がナノメーターサイズの半導体ナノ粒子を用いるのが良い。特に、平均粒子径が１０ｎｍ以下であることが好ましい。粒子径１０ｎｍ以下の半導体ナノ粒子は、ナノ粒子のサイズを変えることで、赤（長波長）から青（短波長）まで様々な発光を示し、バンドギャップより高エネルギーであれば、励起波長に制限がなく
【００３３】
　基板１は、熱伝導性に優れ、全反射率の大きな基板が用いられる。アルミナ、窒素アルミニウムなどのセラミック材料の他に、金属酸化物微粒子を分散させた高分子樹脂が好適に用いられる。
【００３４】
　
発光素子３から発せられる励起光の中心波長が
３８０〜４２０ｎｍである
【００３５】
　発光素子基板は、窒化物半導体からなる発光層を有する場合、サファイア、スピネル、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＺｒＢ２、ＧａＮおよび石英等の材料が好適に用いられる。結晶性の良い窒化物半導体を量産性よく形成させるためにはサファイア基板を用いることが好ましい。
【００３６】
　波長変換器４が、複数の可視光波長に対応した蛍光体を含むことが好ましい。複数の蛍光体から発せられる光が合成され、幅広い波長範囲の光を発することができる。このようにして得られる可視光のピーク波長は、４００〜９００ｎｍ、特に４５０〜８５０ｎｍ、更には５００〜８００ｎｍであることが好ましい。４００〜９００ｎｍの範囲幅広い範囲で発光波長をカバーすることが可能となるため、演色性が大幅に向上することができる。
【００３７】
　特に、半導体粒子の場合、断続的な複数の平均結晶粒径範囲に分布していることが好ましい。粒子径１０ｎｍ以下の半導体ナノ粒子蛍光体は、ナノ粒子のサイズを変えることで、赤（長波長）から青（短波長）まで様々な発光を示すため、平均結晶粒径分布が複数でかつ断続的に分布していることにより、半導体ナノ粒子蛍光体から発せられる光の波長が幅広く範囲でカバーすることができる。その結果、発光装置の演色性が大幅に向上することができる。
【００３８】
　前記半導体粒子の平均粒子径範囲の一つが１〜３ｎｍであり、かつ粒子径分布の半値幅が０．５ｎｍ以下である場合、発光装置の演色性をより向上できる。
【００３９】
　前記半導体粒子の平均粒子径範囲の一つが３〜５ｎｍであり、かつ粒子径分布の半値幅が１．０ｎｍ以下である場合、発光装置の演色性をより向上できる。
【００４０】
　前記半導体粒子の平均粒子径範囲の一つが５〜８ｎｍであり、かつ粒子径分布の半値幅が２．０ｎｍ以下である場合、発光装置の演色性をより向上できる。
【００４１】
　また、
図２によれば、波長変換器４が、発光波長の異なる複数の層
からなり
【００４２】
　このような構成を採用すると、波長変換層内の蛍光体同士の自己消光を低減させることができるため、波長変換層内の蛍光体の分散濃度を上げなくても、より高い変換効率を実現できる。
【００４３】
　波長変換器４が、発光波長の異なる複数の波長変換層からなり、複数の波長変換層による変換光のピーク波長が、発光素子３側から外側に向かって短波長になるように波長変換層を配置する。例えば、図２の場合には波長変換器４が３層の波長変換層１４ａ、１４ｂ、４ｃからなり、波長変換層１４ｂによる変換光のピーク波長が波長変換層１４ａによる変換光のピーク波長よりも短く、波長変換層１４ｃによる変換光のピーク波長が、波長変換層１４ｂによる変換光のピーク波長よりも短くなるように波長変換層１４ａ、１４ｂ、１４ｃを配置する。
【００４４】
　発光素子３から発せられた励起光は、蛍光体１５ａ、１５ｂ、１５ｃによって変換されて変換光Ａ、Ｂ、Ｃになるが、変換光Ａは、変換光Ｂ、Ｃよりも長波長であるため、変換光Ａは蛍光体１５ｂ、１５ｃを励起して可視光を発生させるのに十分なエネルギーを持たない。その結果、波長変換器４内の蛍光体同士の自己消光を低減させることができ、波長変換層１４ａ、１４ｂ、１４ｃ内の蛍光体濃度を上げなくても、高い変換効率を実現することができる。
【００４５】
　また、同様に、変換光Ｂは変換光Ｃよりも長波長であるため、変換光Ｂは蛍光体１５ｃを励起せず、波長変換層１４ｃ内で変換光Ｂの吸収による自己消光を低減させることができる。
【００４６】
　図１の発光装置の場合、発光波長の異なる３種類の蛍光体が同一の波長変換層に含有されていたため、いったん蛍光体から発せられた光を別の蛍光体が吸収することがあるが、図２の発光装置のように
複数の波長変換層を設け、波長変換層４を複数設け、かつ波長変換層の発光波長を発光素子に近い方から順に小さくなるように、換言すれば発光素子に近い方を長波長、遠い方を短波長とする場合、短波長の変換光を蛍光体が吸収する現象を抑制することができ、波長変換層内の蛍光体５の濃度を上げて含有量を増やさなくても、高い変換効率を得ることができる
【００４７】
　また、前記波長変換器４が発光波長の異なる複数の波長変換層からなり、かつ該波長変換層が前記基板上に該発光素子を覆うように層状に形成され、各波長変換層に含まれる蛍光体の平均粒子径が、前記発光素子に近い方から次第に小さくなるように配置してなるこ
とによって、波長変換層内の蛍光体同士の自己消光を低減させることができるため、波長変換層器に含まれる蛍光体の分散濃度を上げなくても、十分な発光効率を得ることができる。
【００４８】
　波長変換層の層数を少なくとも３層とし、それぞれ赤、緑、青に対応する波長とすることで、幅広い範囲で発光波長をカバーすることが可能となり、発光装置の演色性をより高めることができる。また、同一材料又は略同一材料で蛍光体を構成できるので、可視光領域の幅広いスペクトルの光を発するができ、優れた白色光を実現できる。
【００４９】
　さらに、前記波長変換器の厚みが、０．０５〜５μｍである場合、波長変換器内の蛍光体により効率良く波長変換でき、かつ変換された光が他の蛍光体により吸収されることを抑制することができるため、高効率な発光装置を実現できる。
【実施例１】
【００５０】
　図１の発光装置を作成した。
【００５１】
　まず、サファイア基板上に窒化物半導体からなる発光素子を有機金属気相成長法にて形成した。発光素子の構造としてはサファイア基板上に、アンドープの窒化物半導体であるｎ型ＧａＮ層、Ｓｉドープのｎ型電極が形成されｎ型コンタクト層となるＧａＮ層、アンドープの窒化物半導体であるｎ型ＧａＮ層、次に発光層を構成するバリア層となるＧａＮ層、井戸層を構成するＩｎＧａＮ層、バリア層となるＧａＮ層を１セットとしＧａＮ層に挟まれたＩｎＧａＮ層を５層積層させた多重量子井戸構造とした。
【００５２】
　この
発光素子を、
基板上にフリップチップ実装法にて実装した
発光素子を覆うように蛍光体を分散したシリコーン樹脂を
塗布した
【００５３】
　蛍光体として、バルク体のバンドギャップが１．５５ｅＶであるＩｎＰナノ粒子を用いた。ＩｎＰは、粒径の異なる３種類を混合した。
【００５４】
　得られた本発明の発光装置は、自己消光が抑制され、６０ｌｍ／Ｗという高い発光効率を示し、この値は比較例に比べて約２倍の発光効率であった。
【実施例２】
【００５５】
　３種類の粒径を有する蛍光体を分散したシリコーン樹脂をディスペンサーにて塗布し、
３層の積層構造（図２）とした以外は、実施例１と同様にして作製した
【００５６】
　得られた本発明の発光装置は、自己消光が抑制され、８０ｌｍ／Ｗという高い発光効率を示し、この値は比較例に比べて約２倍の発光効率であった。
【実施例３】
【００５７】
　
波長変換器を４層の積層構造（図３）とした以外は、実施例２と同様にして作製した
【００５８】
　得られた本発明の発光装置は、自己消光が抑制され、
９０ｌｍ／Ｗという高い発光効率
　
（５）「【００６０】
【図１】本発明の発光装置の構造の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の他の発光装置の構造の一例を示す断面図である。
【図３】本発明の更に他の発光装置の構造の一例を示す断面図である。
【符号の説明】　
【００６１】　
１・・・電極　
２・・・基板　
３・・・発光素子　
４・・・波長変換器　
５・・・蛍光体　
６・・・反射体　
１４ａ、２４ａ・・・
第一層
１４ｂ、２４ｂ・・・
第二層
１４ｃ、２４ｃ・・・
第三層
１５ａ、２５ａ・・・
第一蛍光体
１５ｂ、２５ｂ・・・
第二蛍光体
１５ｃ、２５ｃ・・・
第三蛍光体
２４ｄ・・・
第四層
２５ｄ・・・
第四蛍光体
　
（６）上記（４）及び（５）を踏まえて図３をみると、発光装置は、発光素子を基板上に実装し、該発光素子を覆うように第一蛍光体２５ａを分散した第一層２４ａを塗布し、該第一層２４ａを覆うように第二蛍光体２５ｂを分散した第二層２４ｂを塗布し、該第二層２４ｂを覆うように第三蛍光体２５ｃを分散した第三層２４ｃを塗布し、該第三層２４ｃを覆うように第四蛍光体２５ｄを分散した第四層２４ｄを塗布したものであることが理解できる。
　
（７）上記（１）ないし（６）からみて、引用例には、
　「基板上に励起光の中心波長が３８０〜４２０ｎｍである発光素子と、蛍光体によって前記励起光を可視光に変換する波長変換器とを備え、前記可視光を出力光とし、前記波長変換器内部に含まれる蛍光体をバンドギャップが１．６ｅＶ以下の半導体ナノ粒子で構成することによって蛍光体のフォトルミネッセンス反応において電子のバンド間遷移を効率良く行うことができかつ出力光のピーク波長を４００〜９００ｎｍの範囲内で容易に制御できるため高い発光効率と優れた演色性を実現する発光装置において、
　前記発光素子を前記基板上に実装し、該発光素子を覆うように第一蛍光体２５ａを分散した第一層２４ａを塗布し、該第一層２４ａを覆うように第二蛍光体２５ｂを分散した第二層２４ｂを塗布し、該第二層２４ｂを覆うように第三蛍光体２５ｃを分散した第三層２４ｃを塗布し、該第三層２４ｃを覆うように第四蛍光体２５ｄを分散した第四層２４ｄを塗布した、発光装置。」
　
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
４　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「発光素子」、「蛍光体」及び「発光装置」は、それぞれ、本願発明の「発光素子」、「蛍光体」及び「発光装置」に相当する。
　
（２）引用発明の「発光素子」は、励起光の中心波長が３８０〜４２０ｎｍであるから、引用発明は、本願発明の「３５０ｎｍ〜４２０ｎｍの発光ピーク波長を有する発光素子」との事項を備える。
　
（３）引用発明の「蛍光体」は、半導体ナノ粒子で構成するものであり、励起光を可視光に変換し、フォトルミネッセンス反応において電子のバンド間遷移を効率良く行うことができるものであるから、引用発明は、本願発明の「この発光素子からの光を吸収して、異なる少なくとも１種の発光ピーク波長を有する蛍光を放射する」、「バンドギャップ間の遷移によって発光ピーク波長が制御されるような半導体材料にて形成される」との事項を備えているといえる。
　
（４）上記（１）ないし（３）から、本願発明と引用発明とは、
「　３５０ｎｍ〜４２０ｎｍの発光ピーク波長を有する発光素子と、この発光素子からの光を吸収して、異なる少なくとも１種の発光ピーク波長を有する蛍光を放射する蛍光体とを備える発光装置であって、
　前記蛍光体は、バンドギャップ間の遷移によって発光ピーク波長が制御されるような半導体材料にて形成される、発光装置。」の点で一致し、　
　本願発明は、「蛍光体」が「発光ピーク波長が略等間隔に配置された異なる４つ以上の蛍光により構成され」、「複数の蛍光体の発光ピーク波長のうち少なくとも１つは４４０ｎｍ〜４８０ｎｍの範囲に選ばれ、複数の蛍光体の発光ピーク波長のうち少なくとも１つは５００ｎｍ〜５４０ｎｍの範囲に選ばれ、かつ、複数の蛍光体の発光ピーク波長のうち少なくとも２つは５４０ｎｍ〜５６０ｎｍの範囲と６００ｎｍ〜６８０ｎｍの範囲に選ばれる、または、複数の蛍光体の発光ピーク波長のうち少なくとも２つは５７０ｎｍ〜６１０ｎｍの範囲と６１０ｎｍ〜６５０ｎｍの範囲に選ばれる」のに対し、引用発明では、そうであるかどうかが不明である点（以下「相違点」という。）で相違するものと認められる。
　
５　判断
　上記相違点について検討する。
（１）上記３（１）ないし（４）によれば、引用例には、
　ア　「波長変換器が、複数の波長変換層の積層体からなり、各波長変換層で変換された変換光のピーク波長が、発光素子側から外側に向かって短波長となるように、複数の波長変換層を配置してなる」（【請求項３】）、
　イ　「数の波長変換層に含まれる蛍光体が、略同一材料からなり、それぞれ平均粒子径が異なることが好ましい。これにより、波長変換層より可視光領域の幅広いスペクトルの光を発するができ、優れた白色光を実現できる」（段落【００２０】）、
　ウ　「 蛍光体５は、・・・特に、平均粒子径が１０ｎｍ以下であることが好ましい。粒子径１０ｎｍ以下の半導体ナノ粒子は、ナノ粒子のサイズを変えることで、赤（長波長）から青（短波長）まで様々な発光を示し、バンドギャップより高エネルギーであれば、励起波長に制限がなく、」（段落【００３２】）、
　エ　「複数の波長変換層を設け、波長変換層４を複数設け、かつ波長変換層の発光波長を発光素子に近い方から順に小さくなるように、換言すれば発光素子に近い方を長波長、遠い方を短波長とする場合、短波長の変換光を蛍光体が吸収する現象を抑制することができ、波長変換層内の蛍光体５の濃度を上げて含有量を増やさなくても、高い変換効率を得ることができる。」（段落【００４６】）、
との技術事項が記載されている。
　
（２）上記（１）アないしエによれば、引用例には、半導体ナノ粒子からなる蛍光体のサイズを変えることにより長波長から短波長まで様々な発光を示すとの技術事項、及び、波長変換器が複数の波長変換層の積層体からなり、各波長変換層で変換された変換光のピーク波長が、発光素子に近い方を長波長、遠い方を短波長となるように複数の波長変換層を配置することにより、短波長の変換光を蛍光体が吸収する現象を抑制することができ、高い変換効率を得ることができるとの技術事項が開示されているものと認められる。
　
（３）上記（２）のように、引用発明において、高い変換効率を得ようとすることは当業者にとって当然の要請であり、そのために、上記（２）の技術事項に基づいて、引用発明の「第一蛍光体２５ａを分散した第一層２４ａ」、「第二蛍光体２５ｂを分散した第二層２４ｂ」、「第三蛍光体２５ｃを分散した第三層２４ｃ」及び「第四蛍光体２５ｄを分散した第四層２４ｄ」につき、発光素子から近い方から「第一蛍光体２５ａを分散した第一層２４ａ」、「第二蛍光体２５ｂを分散した第二層２４ｂ」、「第三蛍光体２５ｃを分散した第三層２４ｃ」及び「第四蛍光体２５ｄを分散した第四層２４ｄ」の順に変換光のピーク波長が長波長から短波長となるようにすることは、当業者が適宜なし得ることである。
　
（４）そして、引用発明の「第一蛍光体２５ａ」、「第二蛍光体２５ｂ」、「第三蛍光体２５ｃ」及び「第四蛍光体２５ｄ」のそれぞれにつき、当業者が設計上適宜なピーク波長を定めなければならないところ、それぞれのピーク波長を略等間隔に配置することは当業者がまず想到することであって、引用発明において、「第一蛍光体２５ａ」の範囲を６００ｎｍ〜６８０ｎｍの範囲又は６１０ｎｍ〜６５０ｎｍの範囲、「第二蛍光体２５ｂ」の範囲を、５４０ｎｍ〜５６０ｎｍの範囲又は５７０ｎｍ〜６１０ｎｍの範囲、「第三蛍光体２５ｃ」の範囲を５００ｎｍ〜５４０ｎｍの範囲、「第四蛍光体２５ｄ」の範囲を４４０ｎｍ〜４８０ｎｍの範囲とすることに格別の困難があるものとは認められないから、上記相違点に係る本願発明の構成となすことは、当業者が容易になし得たものというべきである。
　
（５）他方、本願明細書には、
「本発明の発光装置は、３５０ｎｍ〜４２０ｎｍの発光ピーク波長を有する発光素子と、この発光素子からの光を吸収して、異なる発光ピーク波長を有する蛍光を放射する蛍光体とを基本的に備える。本発明の発光装置は、このような構成において、前記蛍光体が、バンドギャップ間の遷移によって発光ピーク波長が制御されるような半導体にて形成され、この発光ピーク波長が異なる４つ以上の蛍光により構成されていることを特徴とする。このような発光装置によれば、理論限界効率と演色性とを良好にすることができ、結果として発光効率が向上された発光装置を実現することができる。」（段落【００２１】）、
「また本発明の発光装置においては、
発光ピーク波長が異なる４つ以上（好ましくは４〜５）の蛍光により構成される
発光ピーク波長を構成する蛍光が３つ以下であると
高い理論限界効率が得られない
高い演色性が得られない
「ここで、図１は、本発明の発光装置に好適に用いられる蛍光体の発光スペクトルの一例を示している。なお、図１には、励起光源の発光スペクトルは省略して示している。本発明においては、
複数の蛍光体の発光ピーク波長は４３０ｎｍ〜７６０ｎｍの範囲に選ばれることが好ましい
発光ピーク波長が４３０ｎｍ未満である場合には、視感度が殆どない傾向にあるためであり、また、前記発光ピーク波長が７６０ｎｍを超える場合にも、視感度が殆どない傾向にある
「このように、目で感じることができる４３０ｎｍ〜７６０ｎｍの範囲の複数の蛍光からなる発光ピーク波長において、特に光の三原色となる、４４０〜４８０ｎｍの青色の波長帯域（すなわち、上記（ａ）の発光ピーク波長）、５００ｎｍ〜５４０ｎｍの緑色の波長帯域（すなわち、上記（ｂ）の発光ピーク波長）、６００ｎｍ〜６８０ｎｍの赤色の波長帯域（すなわち、上記（ｃ）の発光ピーク波長）の蛍光をそれぞれ発光する蛍光体に加え、その中間色である５４０ｎｍ〜５６０ｎｍの波長帯域（すなわち、上記（ｄ）の発光ピーク波長）の蛍光を発光する蛍光体を用いることによって、理論限界効率の向上と励起光と蛍光の波長で決まるストークス損失を低減することができる。」（段落【００２７】）、
「理論限界効率が向上する理由は、光束（ｌｍ）は、光パワー（ｍＷ）のスペクトル分布に比視感度曲線を乗じ各波長帯で積分することにより算出することができるが、この比視感度曲線の分布が５５０ｎｍ帯近傍で最大値を有することによると考えられる。」（段落【００２８】）、
「ここで、
赤色、緑色、青色を発光する蛍光体に加えて発光ピーク波長の異なる４つ目の蛍光体として５４０〜５６０ｎｍの範囲外を選択した場合（たとえば、５３０ｎｍや５８０ｎｍの場合）であっても、蛍光体の理論限界効率は比較的高い値を得ることができる
４つ目の蛍光体として５４０〜５６０ｎｍの範囲に選ばれる発光ピーク波長を有するものを用いることによって、より高い理論限界効率を得ることができる
「また、ストークス損失は励起光の励起波長と蛍光の発光波長の比で決まり（赤色の蛍光体の方が大きくなる）、赤、緑、青の離散的な３色のスペクトルに比べて、これらの間の発光波長を有する蛍光体を入れることによって、この損失を低減することができる。」（段落【００３０】）、
「さらに、上記（ａ）〜（ｄ）の発光ピーク波長を兼ね備えた場合には、その
発光スペクトル形状により、高い演色性（Ｒａ）を実現できる
「たとえば、図１に示す例では、上記（ａ）の発光ピーク波長を有する蛍光体として、発光ピーク波長４６０ｎｍの蛍光体を用い、上記（ｂ）の発光ピーク波長を有する蛍光体として、発光ピーク波長が５１０ｎｍの蛍光体を用い、上記（ｃ）の発光ピーク波長を有する蛍光体として、発光ピーク波長が６１０ｎｍの蛍光体を用い、上記（ｄ）の発光ピーク波長を有する蛍光体として、発光ピーク波長が５６０ｎｍの蛍光体を用いた例を示している。ここで、各蛍光体の分散割合は、ＣＩＥ色度図上において白色（ｘ＝０．３３、ｙ＝０．３３）が得られるよう、また演色性が良好となるよう、たとえば図１で示されるような各蛍光体の発光強度特性となるよう調整されてなる。このような図１に示す例の各蛍光体を用いた場合、蛍光体の理論限界効率として２４６（ｌｍ／Ｗ）を有する白色の発光装置を実現できる。」（段落【００３２】）、
「また本発明において、複数の蛍光体の発光ピーク波長は、図１に示した例のように、略等間隔に配置されたものであることが好ましい。なお、
「略等間隔」とは、各発光ピーク波長間の間隔の差が４０ｎｍ〜６０ｎｍ程度であること
等間隔には配置されていない、４６０ｎｍと５１５ｎｍと６００ｎｍと６５０ｎｍの４つの蛍光体の発光ピーク波長を有する場合
比較的高い理論限界効率を得ることができる
が、演色性（Ｒａ）が低下してしまう
「本発明者らの詳細な検討の結果、発光スペクトルの半値全幅が〜４０ｎｍ程度のナノ粒子を含む半導体材料からなる蛍光体においては、
少なくとも２つの蛍光体の発光ピーク波長を赤色領域とオレンジ色領域、すなわち、発光ピーク波長を５７０ｎｍから６１０ｎｍの間と６１０ｎｍから６５０ｎｍの間に設定し
高い蛍光体の理論限界効率
を維持しつつ、演色性（Ｒａ）として９０と非常に高いものを得ることができる
赤色の物体がきれいに見えるとされる特殊演色指数（Ｒ９）について９０と非常に高く設定することができる
「本発明者らが実験により知見した蛍光体数と発光ピーク波長に対する理論限界効率と演色性の関係を、表１に示す。」（段落【００４７】）、
　（なお、【表１】は次のとおりである。
 ）
　
「表１より、上記（ａ）〜（ｅ）の発光ピーク波長を全て兼ね備えるように、少なくとも５種類の発光ピーク波長を有するように各蛍光体を選択して用いることで、理論限界効率を高め得る上記（ｄ）の発光ピーク波長と、演色性を高め得る上記（ｅ）の発光ピーク波長を同時に兼ね備えることで、より発光効率に優れた発光装置を実現できることが判る。」（段落【００４７】）、
「なお、
５つ以上の蛍光体によっても、所望とされる発光ピーク波長を選択しつつ、発光スペクトル分布をブロードにできるため、高い理論限界効率と演色性を良好に保つ
との記載がある。
　これらによれば、本願明細書には、各蛍光体の発光ピーク波長に関し、
　ア　発光ピーク波長を構成する蛍光が３つ以下であると、高い理論限界効率が得られず高い演色性が得られないから、複数の蛍光体の発光ピーク波長は、発光ピーク波長が異なる４つ以上（好ましくは４〜５）の蛍光により構成すること、
　イ　発光ピーク波長が４３０ｎｍ未満あるいは７６０ｎｍを超える場合には、視感度が殆どない傾向にあるから、複数の蛍光体の発光ピーク波長は、４３０ｎｍ〜７６０ｎｍの範囲に選ばれることが好ましいこと、　
　ウ　「略等間隔」とは、各発光ピーク波長間の間隔の差が４０ｎｍ〜６０ｎｍ程度であること、等間隔には配置されていない４つの蛍光体の発光ピーク波長を有する場合には、比較的高い理論限界効率を得ることができるが演色性が低下してしまうこと、
　エ　「複数の蛍光体の発光ピーク波長のうち少なくとも１つは４４０ｎｍ〜４８０ｎｍの範囲に選ばれ、複数の蛍光体の発光ピーク波長のうち少なくとも１つは５００ｎｍ〜５４０ｎｍの範囲に選ばれ、かつ、複数の蛍光体の発光ピーク波長のうち少なくとも２つは５４０ｎｍ〜５６０ｎｍの範囲と６００ｎｍ〜６８０ｎｍの範囲に選ばれる」ものについて、発光ピーク波長の異なる４つ目の蛍光体として５４０〜５６０ｎｍの範囲外を選択した場合であっても、蛍光体の理論限界効率は比較的高い値を得ることができるが、４つ目の蛍光体として５４０〜５６０ｎｍの範囲に選ばれる発光ピーク波長を有するものを用いることによって、より高い理論限界効率を得ることができ、発光スペクトル形状により、高い演色性を実現できること、
　オ　「複数の蛍光体の発光ピーク波長のうち少なくとも１つは５００ｎｍ〜５４０ｎｍの範囲に選ばれ、かつ、複数の蛍光体の発光ピーク波長のうち少なくとも２つは５７０ｎｍ〜６１０ｎｍの範囲と６１０ｎｍ〜６５０ｎｍの範囲に選ばれる」ものについて、高い蛍光体の理論限界効率を維持しつつ、演色性が高いものを得ることができ、特に、赤色の物体がきれいに見えるとされる特殊演色指数について非常に高く設定することができること、
　カ　５つ以上の蛍光体によっても、所望とされる発光ピーク波長を選択しつつ、発光スペクトル分布をブロードにできるため、高い理論限界効率と演色性を良好に保つことができること、
が記載されているものと認められる。
　
（６）ここで、図１に示される各蛍光体の発光強度特性となるよう調整されてなるもの（発光ピーク波長：４６０ｎｍ、５１０ｎｍ、５６０ｎｍ、６１０ｎｍ）は、上記（５）のアないしカに照らせば本願発明の実施例といえる。図５に示される各蛍光体の発光強度特性となるよう調整されてなるもの（発光ピーク波長：４６０ｎｍ、５１５ｎｍ、６００ｎｍ、６５０ｎｍ）は、発光ピーク波長が略等間隔に配置されているとはいえないものを含むから上記（５）のウに照らせば本願発明の実施例とはいえず、比較例と位置づけるべきものである。図６に示される各蛍光体の発光強度特性となるよう調整されてなるもの（発光ピーク波長：４６０ｎｍ、５２５ｎｍ、５８５ｎｍ、６５０ｎｍ）は上記（５）のアないしカに照らせば、本願発明の実施例といえる。図７に示される各蛍光体の発光強度特性となるよう調整されてなるもの（発光ピーク波長：４６０ｎｍ、５１０ｎｍ、５５０ｎｍ、５８５ｎｍ、６３０ｎｍ）は、上記（５）のアないしカに照らせば、本願発明の実施例といえる。
　そして、本願明細書の
　ア　段落【００３１】、【００３２】によれば、図１に示される蛍光体の理論限界効率が２４６（ｌｍ／Ｗ）、演色性（Ｒａ）が８０であることが認められ、
　イ　段落【００４４】によれば、図６に示される蛍光体の理論限界効率が２２０（ｌｍ／Ｗ）、演色性（Ｒａ）が９０であることが認められ、
　ウ　段落【００４６】〜【００５２】に照らして【表１】をみると、図７に示される蛍光体の理論限界効率が２４５（ｌｍ／Ｗ）、演色性（Ｒａ）が８９であることが理解でき、
　エ　段落【００４１】によれば、図５に示される蛍光体の理論限界効率が１９０（ｌｍ／Ｗ）、演色性（Ｒａ）が５２であることが認められる。また、同段落には「比較的高い理論限界効率を得ることができる」と記載されている。
　
（７）そして、実施例を示す上記（６）アないしウと、比較例を示す上記（６）エとを比較しても、理論限界効率について格別の差異があるものとは理解できず、演色性について実施例の方が若干良い値を有することが理解できるにとどまるところ、異なる４つ以上の蛍光により構成される蛍光体につきその発光ピーク波長として「略等間隔に配置」が当業者の予測可能な域を超える程の格別の意義を有するものとは認められず、複数の蛍光体の発光ピーク波長として選ばれる「４４０ｎｍ〜４８０ｎｍの範囲」、「５００ｎｍ〜５４０ｎｍの範囲」、「『５４０ｎｍ〜５６０ｎｍの範囲と６００ｎｍ〜６８０ｎｍの範囲』、または、『５７０ｎｍ〜６１０ｎｍの範囲と６１０ｎｍ〜６５０ｎｍの範囲』」の何れもが、格別の臨界的意義を有するものとは認められない。
　
（８）よって、本願発明について、蛍光体の発光ピーク波長を「略等間隔に配置された異なる４つ以上の蛍光により構成」し、複数の蛍光体の発光ピーク波長のうち少なくとも１つを「４４０ｎｍ〜４８０ｎｍの範囲」に選び、複数の蛍光体の発光ピーク波長のうち少なくとも１つを「５００ｎｍ〜５４０ｎｍの範囲」に選び、かつ、複数の蛍光体の発光ピーク波長のうち少なくとも２つを「５４０ｎｍ〜５６０ｎｍの範囲と６００ｎｍ〜６８０ｎｍの範囲」または、「５７０ｎｍ〜６１０ｎｍの範囲と６１０ｎｍ〜６５０ｎｍの範囲」に選ぶことは、当業者が適宜定め得る設計的事項以上のものとはいえない。
　
（９）そして、本願発明の奏する効果を全体としてみても、引用発明及び引用例の記載事項から当業者が予測可能な域を超える程の格別顕著なものとは認められない。
　
（１０）したがって、本願発明は、引用発明及び引用例の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
６　むすび　
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び引用例の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。