【事件の表示】
　特願２００４−３８０２２１「有機電界発光素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１０月　６日出願公開、特開２００５−２７６８０９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００４年（平成１６年）１２月２８日（パリ条約による優先権主張２００４年３月２４日、大韓民国）の出願であって、平成２０年１２月１０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２１年３月１６日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年４月１５日に手続補正がなされたものである。
　その後、当審において平成２２年７月２１日付けで審尋を行い、同年１０月２６日付けで回答書が提出されている。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１３に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２１年４月１５日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１３に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　ただし、当該請求項１３の記載のうち、「前記透明導電物質」は「透明導電物質」の、「を特徴とするに記載の有機電界発光素子」は「を特徴とする有機電界発光素子」の、それぞれ誤記であると認め、本願発明は次のとおりのものとして審理を行う。
　
「【請求項１３】
　基板に形成された複数の薄膜トランジスタと；
　前記薄膜トランジスタが形成された基板上に順次形成される保護膜及び第１電極と；
　前記薄膜トランジスタのドレイン電極が露出するように前記ドレイン電極上部に形成された前記保護膜及び第１電極の一部領域に形成されたコンタクトホールと；
　前記第１電極の縁一部領域に形成されるバッファー層と；
　前記バッファー層により定義された領域内に形成される有機発光層と；
　前記有機発光層上部に形成され、前記コンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレイン電極と連結される第２電極で構成されること；
　透明導電物質が前記第１電極として用いられる場合は前記第１電極下部に反射板としての役割をする金属層がさらに具備されること；
　前記有機発光層は前記第１電極上部から正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔伝達層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子伝達層（ＥＴＬ）の順序で積層されて形成されることを特徴とする有機電界発光素子。」
　
　なお、上記平成２１年４月１５日付け手続補正による特許請求の範囲の補正は、請求項４についてする誤記の訂正を目的とするものであるから、適法な補正である。
　
　
第３　引用例
１　引用例の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００３−２９５７９２号公報（以下、「引用例」という。）には、次の事項が記載されている。（後述の「２　引用発明の認定」で特に引用した箇所に下線を付した。）
（１）「【請求項１】  
基板上に構成される有機ＬＥＤデバイスであって、該有機ＬＥＤデバイスは、前記基板上に形成されるスイッチングＴＦＴおよびドライバＴＦＴと、前記基板上に絶縁膜を介して画素ごとに形成され、かつ前記ドライバＴＦＴに接続された有機ＬＥＤ素子と、コモン電極に接続されるアノードと、前記ドライバＴＦＴと前記絶縁膜上に形成された前記有機ＬＥＤ素子とを接続させるカソードとを含み、前記アノードは、複数の画素を接続して形成される有機ＬＥＤデバイス
【請求項２】  前記ドライバＴＦＴは、ｎ型アモルファス・シリコンまたはｎ型多結晶シリコンを活性層として含む請求項１に記載の有機ＬＥＤデバイス。
【請求項３】  前記有機ＬＥＤ素子は、自己整合的に形成された部分を含む少なくとも発光部と、電子輸送部とを含んで構成される請求項１または２のいずれか１項に記載の有機ＬＥＤデバイス。
【請求項４】  前記有機ＬＥＤデバイスは、トップエミッション構造である請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機ＬＥＤデバイス。」
　
（２）「【０００４】図９に示される有機ＬＥＤデバイスは、ガラス基板上に、ｐ型ドープされた多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）から形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）構造８２が形成されて構成されている。ＴＦＴ構造８２は、図９に示すように、絶縁膜８４により上部構造から絶縁されている。また、絶縁膜８４の上部には、例えばモリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、プラチナ（Ｐｔ）といった金属から形成された反射性のアノード８６が形成されている。反射性のアノード８６に隣接した上層には、ホール注入層８８が形成されており、さらにその上層には、ホール輸送層９０と、電子輸送層９２とが形成されていて、有機ＬＥＤ素子の発光を可能とする構成とされている。」
　
（３）「【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり
、本発明は、トップエミッション構造においてｎ型ドライバＴＦＴを使用し、同時にアノードをアクティブ・マトリックス駆動される有機ＬＥＤデバイスの複数の画素にわたって接続するアノード・コモン構成を採用する
【００２１】本発明では、ｎ型ドライバＴＦＴにおいてアノード・コモン構成を採用することにより、有機ＬＥＤ素子の特性変化のＶｇｓに対する影響を最小とすることができ、特性の安定化を達成することができることが見出された。
【００２２】さらに、本発明においては、アノードは、ドライバＴＦＴが形成されると同一の平面上に形成されたコモン電極に接続するように形成させるのではなく、ドライバＴＦＴの上部に形成される平坦化のために形成される絶縁膜上において、コモン電極と同一のレベルに形成される。アノードは、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏなどの金属といった低抵抗な材料で形成される。本発明により形成されたアノードを用いることで、複数の画素に接続されるコモン電極を低抵抗化し、大面積の有機ＬＥＤデバイスを提供することが可能となる。
【００２３】すなわち、本発明は、ｎ型ドライバＴＦＴを使用すると同時に、アノードを複数の画素に接続するアノード・コモン構造を採用することで、従来の構成を採用する場合に不可避的に発生する構成の複雑化を低減することを可能とする。さらに本発明は、アノードを画素毎に形成するのではなく、ライン状または平面として接続することによりコモン電極として使用することを可能とする。」
　
（４）「【００３１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示した実施の形態に基づいて詳細に説明するが、本発明は、上述する実施の形態に限定されるものではない。図１は、本発明により構成された
アノード・コモン構造を採用した有機ＬＥＤデバイス１０
ｎ型ドライバＴＦＴ１２
ｎ型スイッチングＴＦＴ１４
【００３２】しかしながら、本発明においては、ドライバＴＦＴ１２と、スイッチングＴＦＴ１４とをドープ・タイプの異なったＴＦＴとして構成することも可能である。図１を参照してさらに詳細にドライバ回路を説明すると、ドライバＴＦＴ１２のゲート電極１２ｇは、キャパシタ１８を介してコモン電極２０に接続されている。また、ドライバＴＦＴ１２のドレイン電極１２ｄは、有機ＬＥＤ素子１６のカソードに接続されている。また、ドライバＴＦＴ１２のソース電極１２ｓが接地されていて、アノード・コモン構造を与える構成とされている。
【００３３】ドライバＴＦＴ１２のゲート電極１２ｇは、さらにスイッチングＴＦＴ１４のドレイン電極１４ｄに接続され、ソース電極１４ｓは、データライン２２に接続され、ゲート電極１４ｇが選択ライン２４に接続されて、有機ＬＥＤ素子１６を駆動している。
図１に示されたドライバ回路が、有機ＬＥＤデバイスの画素を形成し、この画素が複数平面上に配置されてアクティブ・マトリックス型の駆動方式を可能とさせている
　
（５）「【００３７】さらに、図２を参照して本発明の有機ＬＥＤデバイス１０を説明すると、有機ＬＥＤデバイス１０のドライバ回路は、
基板２６上に構成されたスイッチングＴＦＴ１４と、ドライバＴＦＴ１２と、
【００３８】図２に示されたドライバ回路においては、
それぞれのＴＦＴ１２、１４は、ポリマーといった絶縁性材料から形成された絶縁膜３２により上部構造から絶縁されている
絶縁膜３２上には、Ａｌ、Ｍｏ、Ｎｉ、ＩＴＯといった導電性の材料から形成され、ライン状、または面状にパターニングされたアノード３４が、
アノード３４は、図示しない他の画素のアノードに接続されていて、アノード・コモン方式において有機ＬＥＤ素子１６を駆動している
【００３９】
カソード３６は、アノード３４から有機ＬＥＤ素子１６により絶縁されて配置されており、有機ＬＥＤ素子１６を発光させることが可能な構成とされている。また、カソード３６は、ビア・ホール３８を介して、下層側に形成されたドライバＴＦＴ１２のドレイン電極１２ｄへと接続するライン３０に接続されている
【００４０】本発明においては、上述した構成を採用することにより、カソード３６とアノード３４とに対してそれぞれコンタクト・ホールを形成させることなく開口率を高めることが可能となる。また、本発明によれば、アノード３４は、容易・かつ簡易な構成でコモン電極を介して他の画素へと接続させる構成を採用することができる。
【００４１】また、アノード３４を面状またはライン状として導電性の高い金属などから構成することを可能とすることができるので、アノード３４を低抵抗化することができる。このため、本発明は、画面の端部から中央部にかけて著しい電圧低下を生じさせることがなく、大画面化を達成することを可能とする。」
　
（６）「【００４２】図３は、本発明の有機ＬＥＤデバイスの製造方法を示した図である。図３に示されるように、本発明においては、まず、図３（ａ）に示されるように、絶縁性の基板４２上に、ゲート電極４４と、データ信号を送るためのライン（図示せず）をパターニングする。次いで、図３（ｂ）に示されるように、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｙ、ＳｉＯｘＮｙといった材料から構成されるゲート絶縁膜４８およびｐｏｌｙ−Ｓｉまたはａ−Ｓｉから構成される活性層５０を堆積させ、チャネル保護層（エッチング・ストッパ）５２をパターニングする。ついで、図３（ｃ）に示されるように、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏといった構成のソース電極５４、ドレイン電極５６をパターニングする。
【００４３】その後、図３（ｄ）に示されるように、ＳｉＮｘなどの絶縁膜５８を堆積させ、絶縁膜５８にコンタクト・ホール６０を形成する。次いで、本発明の製造方法においては、図３（ｅ）に示されるようにＩＴＯといった導電性膜の接続要素６１を形成させて、後述する上部配線との接続要素を形成する。この接続要素６１は省略することも可能だが、下層側のドライバＴＦＴと上層側の有機ＬＥＤ素子との間の良好な電気的接続を得るために、形成することが望ましい。
【００４４】図４は、図３に示した製造プロセスの後に続く製造プロセスを示した図である。図４に示した製造プロセスにおいては、図４（ａ）に示されるように、図３（ｅ）で形成された構造上にポリマー絶縁膜６２を成膜し、コンタクト・ホール６０に対応する開口６４を形成させる。次いで、図４（ｂ）に示されるように、
ＩＴＯ、Ｍｏ、ＩＴＯ／Ｍｏといった導電性材料の層を形成する。この導電性材料の層をパターニングすることで、図４（ｂ）に示した有機ＬＥＤ素子に対するアノード６６を構成する
【００４５】次いで、本発明の製造プロセスにおいては、図４（ｃ）に示すように、
有機ＬＥＤ素子と他の構造とを絶縁するための有機絶縁膜または無機絶縁膜６７を成膜させ、パターニングして、有機ＬＥＤ素子を構成するための領域を形成させる
　・・・（中略）・・・
【００４８】次いで、本発明の製造プロセスにおける特定の実施の形態においては、図６に示すように、有機ＬＥＤ素子１６を、シャドウ・マスクＭを使用して他の領域を保護させつつ、蒸着といった適切な成膜技術を使用して自己整合的に成膜する。
この有機ＬＥＤ素子は、露出したアノード電極６６上にホール注入層と、発光層と、電子輸送層といった層を含んで構成され
　・・・（中略）・・・
【００５１】その後、本発明の製造プロセスにおいては、図７に示されるように、図６において形成された有機ＬＥＤ素子および他の構造を被覆するように、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉといった仕事関数の小さな材料からカソード７６をパターニングする。前述したように、カソードは透明性を付与するために非常に薄い膜として形成される。・・・（後略）・・・」
　
（７）図２及び図４（ｂ）から、アノードが絶縁膜上であって少なくともビア・ホールを形成した領域を除いて形成されていること、並びに図２及び図４（ｃ）から、有機絶縁膜または無機絶縁膜６７が、アノードの縁に形成されていることが見て取れる。
　
　
２　引用発明の認定
　上記記載事項及び上記記載事項に関連する図面から、引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　「トップエミッション構造においてｎ型ドライバＴＦＴを使用し、同時にアノードをアクティブ・マトリックス駆動される有機ＬＥＤデバイスの複数の画素にわたって接続するアノード・コモン構成を採用した有機ＬＥＤデバイス１０であって、
　該有機ＬＥＤデバイス１０は、
　基板２６上に形成されるｎ型スイッチングＴＦＴ１４およびｎ型ドライバＴＦＴ１２を有し、それぞれのＴＦＴ１２、１４は絶縁膜３２により上部構造から絶縁されており、
　当該絶縁膜３２上には、Ａｌ、Ｍｏ、Ｎｉ、ＩＴＯ、ＩＴＯ／Ｍｏといった導電性の材料から形成され、面状にパターニングされたアノード３４が少なくともビア・ホール３８を形成した領域を除いて形成され、当該アノード３４は、他の画素のアノード及びコモン電極に接続されていて、
　カソード３６は、アノード３４から有機ＬＥＤ素子１６により絶縁されて配置され、前記ビア・ホール３８を介して、下層側に形成されたドライバＴＦＴ１２のドレイン電極１２ｄへと接続するライン３０に接続されて有機ＬＥＤ素子１６を発光させることが可能な構成とされており、
　アノードの縁には、有機ＬＥＤ素子１６と他の構造とを絶縁し、有機ＬＥＤ素子１６を構成するための領域を形成させる有機絶縁膜または無機絶縁膜６７を有し、
　前記有機ＬＥＤ素子１６は、露出したアノード電極上にホール注入層と、発光層と、電子輸送層といった層を含んで構成されるものである、有機ＬＥＤデバイス。」
　
　
第４　対比・判断
１　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「有機ＬＥＤデバイス」が本願発明の「有機電界発光素子」に相当することは、当業者に明らかであり、そして、引用発明の有機ＬＥＤデバイス１０は、「アクティブ・マトリックス駆動される」「複数の画素」を備えているのであるから、引用発明の「基板２６上に形成されるｎ型スイッチングＴＦＴ１４およびｎ型ドライバＴＦＴ１２」は、本願発明の「基板に形成された複数の薄膜トランジスタ」に相当する。
　
（２）引用発明の「それぞれのＴＦＴ１２、１４」を上部構造から絶縁する「絶縁膜３２」及び「当該絶縁膜３２上」に形成される「アノード３４」は、本願発明の「前記薄膜トランジスタが形成された基板上に順次形成される保護膜及び第１電極」に相当する。
　
（３）引用発明の、「カソード３６は、アノード３４から有機ＬＥＤ素子１６により絶縁されて配置されており、ビア・ホール３８を介して、下層側に形成されたドライバＴＦＴ１２のドレイン電極１２ｄへと接続するライン３０に接続されて有機ＬＥＤ素子１６を発光させることが可能な構成とされて」いる点と、本願発明の「前記薄膜トランジスタのドレイン電極が露出するように前記ドレイン電極上部に形成された前記保護膜及び第１電極の一部領域に形成されたコンタクトホール」及び「前記有機発光層上部に形成され、前記コンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレイン電極と連結される第２電極」とを備える点とを対比する。
　引用発明の絶縁膜３２は、ＴＦＴ１２を上部構造から絶縁し、引用発明のカソード３６は、ビア・ホール３８を介してＴＦＴ１２のドレイン電極１２ｄへと接続するライン３０と接続しているのであるから、引用発明のビア・ホール３８は、カソード３６とドレイン電極１２ｄとを電気的に接続可能なように絶縁膜３２に形成されているといえる。
　また、引用発明の、アノード３４から有機ＬＥＤ素子１６により絶縁されて配置され、有機ＬＥＤ素子１６を発光させることが可能な「カソード３６」は、有機ＬＥＤの技術常識からして、有機ＬＥＤ素子１６の上部に形成されていることは明らかである。
　よって、上記両者は、「薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に接続可能なように保護膜に形成されたコンタクトホール」及び「前記有機発光層上部に形成され、前記コンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に接続される第２電極」を具備する点で一致する。
　
（４）引用発明の「有機絶縁膜または無機絶縁膜６７」は、「アノードの縁」にあって、かつ「有機ＬＥＤ素子１６と他の構造とを絶縁し、有機ＬＥＤ素子１６を構成するための領域を形成させる」ものであり、前記有機絶縁膜または無機絶縁膜６７にて領域を形成される有機ＬＥＤ素子１６は、「露出したアノード電極上にホール注入層と、発光層と、電子輸送層といった層を含んで構成されるもの」であるから、引用発明の「有機絶縁膜または無機絶縁膜６７」及び「有機ＬＥＤ素子１６」は、それぞれ本願発明の「前記第１電極の縁一部領域に形成されるバッファー層」及び「前記バッファー層により定義された領域内に形成される有機発光層」に相当する。
　
（５）引用発明の「Ａｌ、Ｍｏ、Ｎｉ、ＩＴＯ、ＩＴＯ／Ｍｏといった導電性の材料から形成され」る「アノード３４」と、本願発明の「前記透明導電物質が前記第１電極として用いられる場合は前記第１電極下部に反射板としての役割をする金属層がさらに具備される」点とを対比する。
　引用発明のアノード３４が、本願発明の第１電極に相当することは上述（２）のとおりである。
　そして、引用例の上記記載事項（２）には、「例えばモリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、プラチナ（Ｐｔ）といった金属から形成された反射性のアノード８６が形成されている。」と記載されており、本願の明細書の段落【００８６】には「ただし、前記第１電極５７０の材料でアルミニウム（Ａｌ）またはクロム（Ｃｒ）等有色金属を用いる場合には前記反射板は形成しなくても構わない。」と記載されていることから、引用発明のアノード３４に用いられる「Ａｌ、Ｍｏ、Ｎｉ」は透明導電物質ではなく、すなわち、引用発明には、第１電極として透明導電物質を用いない場合が開示されているといえ、上記本願発明の「前記透明導電物質が前記第１電極として用いられる場合」には該当しない。
　また、引用発明の上記導電性の材料において、「ＩＴＯ」が透明導電物質であることは当業者に周知の事項であるから、引用発明の「ＩＴＯ／Ｍｏ」で形成したアノードは、本願発明の「透明導電物質が第１電極として用いられる場合」に該当するものである。そして、引用発明において、アノードとして用いられる材料のうち、少なくとも「Ｍｏ、Ｎｉ」は反射性の金属層であることは明らかであるから、引用発明の「ＩＴＯ／Ｍｏ」で形成したアノードは、透明導電物質からなる層と反射板としての役割をする金属層との積層構造であるといえる。してみれば、上記両者は、「前記透明導電物質が前記第１電極として用いられる場合は前記第１電極に反射板としての役割をする金属層がさらに具備される」点で一致する。
　
（６）引用発明の「前記有機ＬＥＤ素子は、露出したアノード電極上にホール注入層と、発光層と、電子輸送層といった層を含んで構成される」点と、本願発明の「前記有機発光層は前記第１電極上部から正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔伝達層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子伝達層（ＥＴＬ）の順序で積層されて形成される」点とを対比すると、両者は「前記有機発光層は前記第１電極上部から正孔注入層（ＨＩＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子伝達層（ＥＴＬ）の順序で積層されて形成される」点で一致する。
　
　
２　一致点・相違点
　以上のとおりであるから、本願発明と引用発明とは、以下の一致点及び相違点を有する。
［一致点］
「基板に形成された複数の薄膜トランジスタと；
　前記薄膜トランジスタが形成された基板上に順次形成される保護膜及び第１電極と；
　薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に接続可能なように保護膜に形成されたコンタクトホールと；
　前記第１電極の縁一部領域に形成されるバッファー層と；
　前記バッファー層により定義された領域内に形成される有機発光層と；
　前記有機発光層上部に形成され、前記コンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に接続される第２電極で構成されること；
　前記透明導電物質が前記第１電極として用いられる場合は前記第１電極に反射板としての役割をする金属層がさらに具備されること；
　前記有機発光層は前記第１電極上部から正孔注入層（ＨＩＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子伝達層（ＥＴＬ）の順序で積層されて形成される有機電界発光素子。」
　
［相違点１］
　コンタクトホールと第２電極について、本願発明のコンタクトホールは「前記薄膜トランジスタのドレイン電極が露出するように前記ドレイン電極上部に形成された前記保護膜及び第１電極の一部領域に形成され」、第２電極は「前記コンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレイン電極と連結される」ものであるのに対し、引用発明のビア・ホール３８は上記発明特定事項を有しておらず、カソード３６は、ビア・ホール３８を介して、下層側に形成されたドライバＴＦＴ１２のドレイン電極１２ｄへと接続するライン３０に接続されている点。
［相違点２］
　透明導電物質が前記第１電極として用いられる場合に具備される、反射板としての役割をする金属層の位置が、本願発明では「第１電極下部」であるのに対し、引用発明の「ＩＴＯ／Ｍｏ」では、反射性の金属層であるＭｏが、ＩＴＯの上下どちらに積層されているのか不明である点。
［相違点３］
　本願発明の有機発光層が、「正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔伝達層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子伝達層（ＥＴＬ）」の順序で積層されて形成されるものであるのに対し、引用発明の有機ＬＥＤ素子１６はこれとは異なる点。
　
　
第５　当審の判断
１　上記の相違点について検討する。
（１）相違点１について
　引用例の図３〜４、７は、引用発明の有機ＬＥＤデバイスの製造方法に関する図面であって、絶縁膜５８に形成するコンタクトホール６０、及びポリマー絶縁膜６２に形成する開口６４を、ともにドレイン電極５６が露出するように形成し、これらコンタクトホール６０及び開口６４を介して有機ＬＥＤデバイスのカソード７６とドライバＴＦＴのドレイン電極５６とを連結するものが見て取れる。
　してみれば、引用例の明細書には、文言上、有機ＬＥＤデバイスのカソード３６とドライバＴＦＴ１２のドレイン電極１２ｄとをビア・ホール３８を介して電気的に接続する際、前記カソード３６とドレイン電極１２ｄとを「ライン３０」を介して電気的に接続するものしか記載はないものの、図３〜４、７に基づく上記事項を考慮して、引用発明におけるビア・ホール３８を、ドレイン電極１２ｄが露出するように形成したビア・ホール３８とし、そのようなビア・ホール３８を介してドレイン電極１２ｄとカソード３６とが連結されるような構造に変えることは、当業者が容易になし得ることである。
　
　次に、第１電極とコンタクトホールの関係について検討する。
　本願発明を引用する請求項１８には、「前記第１電極は前記コンタクトホール形成領域を除外した領域上に形成されていることを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光素子。」と記載されている。すなわち、本願発明は有機電界発光素子という物の発明であるところ、本願発明の「第１電極の一部領域に形成されたコンタクトホール」という発明特定事項を有する有機電界発光素子は、「前記第１電極は前記コンタクトホール形成領域を除外した領域上に形成されている」有機電界発光素子を包含するものである。
　そして、引用発明のアノード３４（本願発明の「第１電極」に相当する。）は、「少なくともビア・ホール３８を形成した領域を除いて形成されている」のであるから、引用発明も、本願発明を限定した「第１電極の一部領域に形成されたコンタクトホール」という発明特定事項を含むものであるといえる。
　
　以上のとおりであるから、引用発明を、上記相違点１に係る本願発明の発明特定事項を有するものとすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　
（２）相違点２について
　最初に、上記「第４　対比・判断」「１　対比」の「（５）」に記したように、引用発明には、第１電極として透明導電物質を用いない場合が開示されているのであるから、上記相違点２は実質的な相違点ではない。
　念のため、引用発明のアノード３４として「ＩＴＯ／Ｍｏ」を採用した場合について上記相違点２について検討すると、電極を構成するＩＴＯ／Ｍｏの２層構造のうち、反射性の金属であるＭｏ層をＩＴＯ層の上下どちらに積層したとしても、ＩＴＯは透明導電物質であるからＭｏ層が反射板としての役割を果たすことは明らかであるから、引用発明においてＭｏ層の配置をＩＴＯ下部にすることは当業者が容易になし得たことである。
　よって、上記相違点２は実質的な相違点ではなく、仮に相違点であったとしても、引用発明に上記相違点２に係る本願発明の発明特定事項を付加することは、当業者が容易になし得たことである。
　
　
（３）相違点３について
　引用発明では、アノードと発光層との間に設ける層として「ホール注入層」しか記載されていないが、有機ＬＥＤ、有機ＥＬ、または有機電界発光素子と呼ばれる技術分野において、アノードと発光層との間に、正孔注入層、正孔伝達層の順に積層した２層を設けることは当業者に周知の技術的事項にすぎない。（例えば、特開２００４−５５４０４号公報の段落【００１５】〜【００１６】及び特開２００３−２３４１９３号公報の段落【００１９】の記載を参照。）
　よって、本願発明に上記周知の技術的事項を適用して、上記相違点３に係る本願発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　
２　本願発明の奏する作用効果について
　引用発明のドライバ回路及び積層構造からして、本願発明の奏する作用効果も、引用発明及び周知の技術的事項から当業者が予測し得る範囲内のもので、格別のものとはいえない。
　
３　まとめ
　よって、本願発明は、引用発明及び周知の技術的事項から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知の技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。