【事件の表示】
　特願２００２−３４６６２０「マルチターゲット・スパッタ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　６月２４日出願公開、特開２００４−１７６１６０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１ 　手続の経緯
　本願は、平成１４年１１月２９日の出願であって、平成１９年１０月１６日付け拒絶理由通知書が発送され、期間を指定して意見を提出する機会が与えられたが、何らの応答もなかったので、平成２０年２月２８日付けで拒絶査定されたものである。
　ところが、本件審判は、この拒絶査定を不服として請求されたもので、平成２０年３月２６日付けで審判請求書が提出されるとともに、同日付けで願書に添付した明細書又は図面についての手続補正書が提出され、その後、平成２２年５月２０日付け審尋が発送され、これに対して、平成２２年７月８日付け回答書が提出されている。
　
第２　平成２０年３月２６日付け手続補正についての補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２０年３月２６日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
【決定の理由】
［１］手続補正の内容
　本件補正のうち特許請求の範囲についての補正は、請求項１について以下の補正を含むものである。
　すなわち、補正前に、「真空チャンバーに支持されるとともに、該真空チャンバー内の同一面上に配置される３個以上のターゲット電極」とあるのを、「真空チャンバーに支持されるとともに、該真空チャンバー内の同一面上
であって鉛直面上
鉛直線を含む面内に
　
［２］本件補正の適否
　上記補正は、それぞれ、ターゲット電極と基板ホルダの配置についての事項を付加して、ターゲット電極と基板ホルダをさらに限定して、この発明を特定するために必要な事項を限定するものであって、発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するものである。
　そこで、補正後における請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下に検討する。
　
〈独立特許要件について〉
［２−１］本願補正発明
　本件補正後の発明は、補正後の明細書（以下、「本願補正明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載されたものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「（ａ）真空チャンバーに支持されるとともに、該真空チャンバー内の同一面上であって鉛直面上に配置される３個以上のターゲット電極と、
　（ｂ）該ターゲット電極の一方の面にターゲット電極の端から一定の距離を離して鉛直線を含む面内に配置される基板ホルダとを具備し、
　（ｃ）前記基板ホルダ上に基板をセットし、基板面ではスパッタによって発生する高エネルギー粒子の入射を回避するようにし、前記基板上に薄膜を堆積することを特徴とするマルチターゲット・スパッタ装置。」
　
［２−２］引用例及び引用例の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１１−５０２４６号公報（以下、「引用例」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（１ａ）「【請求項１】　基板とターゲートを互いの法線が直交するように配置してスパッタを行うオフアクシススパッタ法を用い、回転する基板上に薄膜を形成する方法において、
　複数のターゲットを用い、これら複数のターゲットを前記基板の法線に対し非対称に配置して、前記薄膜の形成を行うことを特徴とする薄膜形成方法。」
　
（１ｂ）「【０００８】
　この場合、請求項３に記載の発明のように、第１、第２のターゲットによって形成される薄膜の膜厚分布パターンが基板の端部において逆のパターンで増減変化するように、基板および前記第１、第２のターゲットを配置すれば、膜厚の均一性をより向上させることができる。
　なお、請求項２、３においては、少なくとも第１、第２のターゲットを有するという意であり、３つ以上のターゲットを有するものであってもよい。」
　
（１ｃ）「【０００９】
【発明の実施形態】以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。図１に、マグネトロンスパッタリング装置において、ＹＢＣＯの２つのターゲットを用いて基板上に超伝導薄膜を形成する場合の、２つのターゲットと基板の配置関係を示している。
【００１０】図に示すように、ターゲット１（第１のターゲット）とターゲット２（第２のターゲット）は、対向して配置されており、ターゲット１とターゲット２の法線と基板の法線が直交するように基板が配置されている。　　　　　　　　　　　（省略）　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
［２−３］本願補正発明についての当審の判断
（１）引用例に記載された発明
　引用例の（１ａ）には、「基板とターゲートを互いの法線が直交するように配置してスパッタを行うオフアクシススパッタ法を用い、回転する基板上に薄膜を形成する方法において、複数のターゲットを用い、これら複数のターゲットを前記基板の法線に対し非対称に配置して、前記薄膜の形成を行うことを特徴とする薄膜形成方法。」が記載されている。なお、この「ターゲート」は、「ターゲット」の誤記であることは明らかである。
　ここで、（１ｃ）の「図１に、マグネトロンスパッタリング装置において、ＹＢＣＯの２つのターゲットを用いて基板上に超伝導薄膜を形成する場合の、２つのターゲットと基板の配置関係を示している。・・・図に示すように、ターゲット１（第１のターゲット）とターゲット２（第２のターゲット）は、対向して配置されており、ターゲット１とターゲット２の法線と基板の法線が直交するように基板が配置されている。」との記載、及び図１によれば、引用例には、上記オフアクシススパッタ法を実施する装置として、２個のターゲットが対向して配置され、該ターゲットと法線が互いに直交する面にターゲットの端から一定距離を離して基板が配置されたオフアクシススパッタリング装置についても記載されていることが認められる。
　ところで、真空チャンバーに支持されるターゲット、基板及び基板ホルダは、スパッタリング装置が当然に具備する構成であり、そして、基板ホルダ上に基板をセットし基板上に薄膜を堆積することは、スパッタリング装置が通常有する機能であるから、引用例のオフアクシススパッタリング装置は、真空チャンバーに支持されるターゲットと基板ホルダを具備しており、そして、基板ホルダ上に基板をセットし、基板上に薄膜を堆積するものであることが認められる。
　以上の記載及び認定事項を、本願補正発明の記載に則り整理して記載すると、引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
「（ａ’）真空チャンバーに支持されるとともに、該真空チャンバー内に対向して配置される２個のターゲットと、
　（ｂ’）該ターゲットと法線が互いに直交する面にターゲットの端から一定距離を離して配置される基板ホルダとを具備し、
　（ｃ’）前記基板ホルダ上に基板をセットし、前記基板上に薄膜を堆積するオフアクシススパッタ装置。」
　
（２）本願補正発明と引用発明との対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「ターゲット」は、本願補正発明の「ターゲット電極」に相当する。そして、引用発明の「ターゲット」は、対向配置されるものであるから、本願補正発明と同じく、その法線が、「該真空チャンバー内の同一面上に配置される」といえる。
　また、本願明細書及び図面からみて、本願補正発明の「該ターゲット電極の一方の面」とは、「ターゲット電極と法線が互いに直交する面」の一つを意味すると理解されるから、引用発明の「該ターゲットと法線が互いに直交する面」は、本願補正発明の「該ターゲット電極の一方の面」に相当するといえる。
　さらに、引用発明の「オフアクシススパッタ装置」は、２個のターゲットを具備するものであるから、本願補正発明の「マルチターゲット・スパッタ装置」に相当するということができる。
　したがって、両者は、
「（ａ’’）真空チャンバーに支持されるとともに、該真空チャンバー内の同一面上に配置されるターゲット電極と、
　（ｂ’’）該ターゲット電極の一方の面にターゲット電極の端から一定距離を離して配置される基板ホルダとを具備し、
　（ｃ’’）前記基板ホルダ上に基板をセットし、前記基板上に薄膜を堆積するマルチターゲット・スパッタ装置。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点；
（イ）ターゲット電極の数が、本願補正発明では、３個以上であるのに対して、引用発明では、２個である点
　
（ロ）基板ホルダが、本願補正発明では、鉛直線を含む面内に配置されるのに対して、引用発明では、鉛直線を含む面内に配置されるか否か不明である点
　
（ハ）ターゲット電極が、本願補正発明では、鉛直面上に配置されるのに対して、引用発明では、鉛直面上に配置されるか否か不明である点。
　
（ニ）基板上に薄膜を堆積する際に、本願補正発明では、基板面ではスパッタによって発生する高エネルギー粒子の入射を回避するようにするのに対して、引用発明では、基板面ではスパッタによって発生する高エネルギー粒子の入射を回避するようにするか否か不明である点
　
（３）相違点についての判断
　相違点（イ）について
　引用例の（１ｂ）には、「なお、請求項２、３においては、少なくとも第１、第２のターゲットを有するという意であり、３つ以上のターゲットを有するものであってもよい。」との記載があるから、引用発明に係るマルチターゲット・スパッタ装置（オフアクシススパッタ装置）において、ターゲットの数を３個以上に増加する程度のことは当業者が適宜なし得たことといえる。
　したがって、相違点（イ）は当業者が容易になし得たことといえる。
　
　相違点（ロ）について
　本件出願当時の技術水準を示すと認められる特開平４−５２２７５号公報（特許請求の範囲、１頁右欄１３〜２０行、図１等参照）には、スパッタリング装置において、膜中への不純物、又は欠陥を低減させるために、基板とターゲットを垂直状態に保持しながら成膜させる方法、いわゆるサイドスパッタリング方法が記載されており、特開平７−２５８８３９号公報（【００１１】参照）及び実願昭６２−１４９８７５号（実開昭６４−５３７５６号）のマイクロフィルム（２頁５行〜３頁４行参照）にも同様の、サイドスパッタリング方法が記載されている。
　さらに、実願昭６３−１３６４３３号（実開平２−５７９５７号公報）のマイクロフィルムには、「第８図は、従来の対向ターゲット式スパッター装置の一例を示している。図示の如く、真空容器（１）内にスパッター空間（10）を隔てて一対のターゲット（2)(2）が紙面垂直軸上に対向配備され、両ターゲットに高周波電圧或は直流電圧を印加することによって、スパッター空間（10）にプラズマ放電によるスパッタリング現象が生起し、基板ホルダ（40）上に配置した基板(3)に成膜が施される。」（２頁７〜１４行）との記載があり、引用発明と同様の、対向して配置されるターゲットを有するオフアクシススパッタリング装置においても、基板とターゲットを鉛直面上に配置して成膜させることが記載されている。
　このように、スパッタリング装置において、膜中への不純物、又は欠陥を低減させるために、基板とターゲットを鉛直面上に配置して成膜する方法は、本件出願前に当業者間において広く知られていた周知技術であったことが認められる。
　してみると、引用発明において、膜中への不純物、又は欠陥を低減させるために、基板を載置する基板ホルダを、鉛直面上、すなわち、鉛直線を含む面内に配置することは、当業者が容易に想到することができたことといえる。
　したがって、相違点（ロ）は当業者が容易になし得たことといえる。
　
　相違点（ハ）について
　引用発明は、上記「（１）」で認定したとおり、ターゲット電極と互いの法線が直交するように基板ホルダが配置されている。すると、基板ホルダが鉛直線を含む面内に配置される場合、ターゲット電極は、付随的に、鉛直面上に配置されることになる。
　そして、「相違点（ロ）について」で述べたとおり、引用発明において、基板ホルダを鉛直線を含む面内に配置することは、当業者が容易に想到することができたことであるから、ターゲット電極を鉛直面上に配置することも、相違点（ロ）に付随して、当業者が容易になし得たことといえる。
　また、「相違点（ロ）について」で述べたとおり、スパッタリング装置において、膜中への不純物、又は欠陥を低減させるために、基板とターゲットを鉛直面上に配置して成膜する方法は、本件出願前に当業者間において広く知られていた周知技術であったことが認められる。この事実からみても、引用発明において、ターゲット電極を鉛直面上に配置することは当業者が容易になし得たことといえる。
　したがって、相違点（ロ）は当業者が容易になし得たことといえる。
　
　相違点（ニ）について
　引用発明は、上記「（１）」で認定したとおり、オフアクシススパッタ装置、すなわち、オフアクシススパッタ法によるスパッタ装置である。ところで、オフアクシススパッタ法とは、従来のようなターゲットと基板を平行に向い合わせた配置構成から、基板（あるいはターゲット）を９０度回転した構成とすることにより、高エネルギー粒子が直接基板表面に衝突しないようにする方法のことである（例えば、特開平６−１７２４８号公報の【０００３】参照）。
　してみると、引用発明においても、本願補正発明と同様に、高エネルギー粒子が直接基板表面に衝突しないように、すなわち、基板面ではスパッタによって発生する高エネルギ粒子の入射を回避するようにされているものと解すべきものである。
　したがって、相違点（ニ）は実質的な相違ではない。
　
（４）小括
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び引用例の記載並びに周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
［２−４］むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明についての審決
［１］本願発明
　平成２０年３月２６日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、
本願発明は、願書に最初に添付された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
　
「（ａ）真空チャンバーに支持されるとともに、該真空チャンバー内の同一面上に配置される３個以上のターゲット電極と、
　（ｂ）該ターゲット電極の一方の面にターゲット電極の端から一定の距離を離して配置される基板ホルダとを具備し、
　（ｃ）前記基板ホルダ上に基板をセットし、基板面ではスパッタによって発生する高エネルギー粒子の入射を回避するようにし、前記基板上に薄膜を堆積することを特徴とするマルチターゲット・スパッタ装置。」
　
［２］原査定の理由の概要
　原査定の拒絶の理由の一つの概要は次のとおりである。
「本願発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回路を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常に知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　記
　　　引用文献１（引用例）；特開平１１−５０２４６号公報　」
　
［３］引用例及び引用例の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及び引用例の記載事項は、上記「第２の［２−２］」に記載したとおりである。
　
［４］本願発明についての当審の判断
　上記「第２の［２−１］」の本願補正発明は、本願発明に対し、それぞれ、ターゲット電極と基板ホルダの配置についての事項を付加して、ターゲット電極と基板ホルダに関する事項を限定して、この発明を特定するために必要な事項をより狭い範囲に限定するものである。
　このように発明を特定するために必要な事項をより狭い事項に限定した本願補正発明が、引用例に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである以上、本願発明も、上記「第２の［２−３］」に記載したものと同様の理由により、引用発明及び引用例に記載した事項並びに周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［５］むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。