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　特願２００３−　９４１７２「磁気再生ヘッド及び磁気再生ヘッドによる情報の読み取り方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１１月２８日出願公開、特開２００３−３３８０１３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１５年３月３１日（パリ条約に基づく優先権主張　２００２年５月１５日　大韓民国（ＫＲ））の出願であって、平成１８年３月１４日付けで手続補正がなされ、平成１９年１０月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２０年２月５日付けで審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１８年３月１４日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】
　底面層と、前記底面層上に積層された磁性層とを備える垂直磁気記録媒体に書き込まれた情報を再生する磁気再生ヘッドにおいて、
　前記底面層と所定間隔Ｇで離隔されて前記磁性層上に位置する磁気抵抗素子と、
　前記磁気抵抗素子と所定間隔で離隔されて両側面に平行に配列された一対の遮へい層と、を備え、
　前記遮へい層は、前記底面層から前記磁気抵抗素子まで離隔された間隔Ｇの２倍以下の幅を有することを特徴とする磁気再生ヘッド。」
　
３．引用例
　これに対して原査定の拒絶の理由に引用された特開昭５８−６２８１８号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。
（１）「この磁気抵抗効果ヘッドの原理は、・・・（中略）・・・磁気抵抗素子１を貫通するｘ軸方向の信号磁界（水平記録）の変化又は
ｙ軸方向の信号磁界（垂直記録）の変化に伴って
　従来、上記原理を実用化した磁気抵抗効果ヘッドの構造は、磁気抵抗素子を非磁性材の電気絶縁層を介在させて高透磁率材料からなる磁気シールド体で挟持してなり、ヘッド面近傍部の磁気シールド体の厚みは大きく、最短記録波長の数十〜数千倍とされていた。・・・（中略）・・・しかるに、
シールド体３のヘッド面３ａ近傍の厚みは最短記録波長の数十〜数千倍程度で、非常に大きいため、シールド体（高透磁率）３のヘッド面３ａは磁極Ｓ
２
，Ｎ
２
以外の磁極に対し同時に臨み、これにより、不要な磁束φ
２
，φ
３
が磁気抵抗素子１へ導入貫通して、本来的な再生信号たる磁束φ
１
に磁束φ
２
，φ
３
が重畳した形となり、したがって再生信号にはノイズ成分が多く、短波長を効率良く再生し得ないという欠点があった。
　
本発明は上記欠点を除去したものであり
　
（２）「第３図は本発明になる磁気シールド型磁気抵抗効果ヘッドの第１実施例の一部切欠拡大斜視図である。
　５はセラミック，ガラス等の基板であり、この基板５上にはパーマロイ，センダスト，フェライト等の高透磁率材の磁気シールド体６が蒸着等により形成されており、その厚さｔは最短記録波長の２／３以下である。磁気シールド体６の上には石英，アルミナ，ガラス等の非磁性材の電気絶縁層７が蒸着等により積層形成されている。この電気絶縁層７上のヘッド面７ａ側には図中梨地模様で示す磁気抵抗素子８が蒸着，フォトエッチング，電子ビーム加工等により形成され、その長辺側面両端より電極層９ａ，９ｂが延出している。１０は電気絶縁層７と同様の電気絶縁層である。１１は電気絶縁層１０上に蒸着等により形成されたパーマロイ，センダスト，フェライト等の高透磁率材の磁気シールド体であり、その厚みｔは磁気シールド体の厚みｔと同様に最短記録波長の２／３以下としてある。
　以下、本実施例ヘッド１２の再生特性につき説明する。
磁気シールド体６，１１の厚みは最短記録波長の２／３以下であり、また通常ギャップ長ｇは最短記録波長の２倍程度であるため、第４図に示す如くギャップエッジｅ１，ｅ２が磁気テープ２の磁極Ｓ
２
，Ｎ
２
に対向したとき、磁気シールド体６，１１のヘッド面６ａ，１１ａは他の磁極Ｓ
１
，Ｎ
１
　Ｓ
３
，Ｎ
３
に対向せず、したがって磁気シールド体６，１１内には磁極Ｓ
２
，Ｎ
２
による磁束φ
１
のみが導入され、他の磁極Ｓ
１
，Ｎ
１
　，Ｓ
３
，Ｎ
３
からの磁束は導入されず、したがって本来的な再生信号となる磁束φ
１
のみが磁気抵抗素子１を貫通する。これにより、他の磁極Ｓ
１
，Ｎ
１
　，Ｓ
３
，Ｎ
３
からの磁束の影響はなく、高Ｓ／Ｎ比の再生信号を得ることができ
　
（３）「更にまた、
本発明になる磁気シールド型磁気抵抗効果ヘッドは水平記録方式に限らず、垂直記録方式にも適用し得る
　
（４）「上述の如く、本発明になる磁気シールド型磁気抵抗効果ヘッドは、磁気抵抗素子を磁気シールド体で挟持してなる磁気シールド型磁気抵抗効果ヘッドにおいて、該磁気シールド体のうち少なくとも一方の磁気シールド体の少なくともヘッド面近傍部の厚さを最短記録波長程度となしてあるため、再生信号となる磁束を出す磁極のみに磁気シールド体のヘッド面が対向し、他の不要な磁極には該ヘッド面は臨まず、したがって上記所定の磁束のみが磁気抵抗素子を貫通することになり、これによりノイズ発生が防止し得、高Ｓ／Ｎ比であり、短波長を効率良く再生し得るという特長を有する。」（３頁上左欄２０行〜同頁上右欄１１行）
　
　上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「垂直記録方式の磁気テープから再生信号を得る磁気シールド型磁気抵抗効果ヘッドにおいて、
　磁気テープの磁極に対向して位置する磁気抵抗素子と、
　前記磁気抵抗素子を電気絶縁層を介して挟持してなる一対の磁気シールド体とを備え、
　前記一対の磁気シールド体は、最短記録波長の２／３以下の厚みである磁気シールド型磁気抵抗効果ヘッド。」
　
４．対比
　そこで、本願発明と引用発明とを対比すると、
　引用発明における「垂直記録方式の磁気テープから再生信号を得る磁気シールド型磁気抵抗効果ヘッド」によれば、「垂直記録方式の磁気テープ」、「磁気シールド型磁気抵抗効果ヘッド」が、それぞれ本願発明における「垂直磁気記録媒体」、「磁気再生ヘッド」に相当し、該「垂直記録方式の磁気テープ」が基体や下地層などからなる底面層と、該底面層上に積層される磁性層とを備えることも自明なことであるから、結局、「底面層と、前記底面層上に積層された磁性層とを備える垂直磁気記録媒体に書き込まれた情報を再生する磁気再生ヘッド」である点で本願発明と一致する。
　引用発明における「磁気テープの磁極に対向して位置する磁気抵抗素子」は、該磁気抵抗素子が磁気テープにおける底面層と所定間隔で離隔されて磁性層上に位置することは明らかなことであり、本願発明における「前記底面層と所定間隔で離隔されて前記磁性層上に位置する磁気抵抗素子」に相当する。
　また、引用発明における「磁気抵抗素子を電気絶縁層を介して挟持してなる一対の磁気シールド体」によれば、「一対の磁気シールド体」が、本願発明における「一対の遮へい層」に相当し、該「一対の磁気シールド体」は磁気抵抗素子に対して電気絶縁層を介することにより所定間隔離隔されてその両側面に設けられるものであり、平行に配列されることもごく当然のことであるから、結局、「前記磁気抵抗素子と所定間隔で離隔されて両側面に平行に配列された一対の遮へい層」である点で本願発明と一致する。
　さらに、引用発明における磁気シールド体の「厚み」は、一対の磁気シールド体の配列方向における幅であり、本願発明における遮へい層の「幅」に相当するといえ、両者は、「遮へい層は、所定の幅を有する」点で共通する。
　よって、本願発明と引用発明とは、
　「底面層と、前記底面層上に積層された磁性層とを備える垂直磁気記録媒体に書き込まれた情報を再生する磁気再生ヘッドにおいて、
　前記底面層と所定間隔で離隔されて前記磁性層上に位置する磁気抵抗素子と、
　前記磁気抵抗素子と所定間隔で離隔されて両側面に平行に配列された一対の遮へい層と、を備え、
　前記遮へい層は、所定の幅を有する磁気再生ヘッド。」
である点で一致し、次の点で相違する。
［相違点］
　遮へい層の所定の幅について、本願発明では、底面層から磁気抵抗素子まで離隔された間隔の２倍以下と定めているのに対し、引用発明では、最短記録波長の２／３以下と定めている点。
　
５．判断
　上記相違点について検討する。
　引用発明では磁気シールド体（遮へい層）の厚みすなわち幅を、「最短記録波長の２／３以下」なる表現で定めているが、本来的に再生信号となる磁束を出す磁極（ビット）以外の磁極からの磁束が磁気シールド体を通って磁気抵抗素子に導かれてノイズ成分とならないように、磁気シールド体の下端面が不要な磁極に臨まないようその幅を薄くするものであるという点で課題解決のための技術的思想は本願発明と共通するといえる。
　そして、例えば特開平８−７７５４５号公報には垂直磁気記録層の厚さを最短記録波長λのλ／２に設定することが記載（段落【００１５】）され、かかる設定例を引用発明の「最短記録波長の２／３以下」にあてはめると「垂直磁気記録層の厚さの４／３以下」となり、本願発明でいう「底面層から磁気抵抗素子まで離隔された間隔の２倍以下」を当然に満たすものとなること、同様に、特開平９−２９３２２５号公報には垂直記録媒体における全磁気記録層厚を記録最短波長λ０の５／３λ０に設定することが記載（段落【００１９】、【００４５】１４〜１７行）され、かかる設定例を引用発明の「最短記録波長の２／３以下」にあてはめると「垂直磁気記録層の厚さの１０／９以下」となり、本願発明でいう「底面層から磁気抵抗素子まで離隔された間隔の２倍以下」を当然に満たすものとなることから、磁気シールド体の幅として「底面層から磁気抵抗素子まで離隔された間隔の２倍以下」の所定の値を選択することはごく普通の設計的事項にすぎない。
　なお、本願発明において、遮へい層の幅の上限値について「底面層から磁気抵抗素子まで離隔された間隔の２倍」と定めることにより、引用発明が有する効果とは異質なもの、又は同質であるが際だって優れた効果を有するものとは発明の詳細な説明を参照しても認められない。
　以上のことから、引用発明においても、磁気シールド体の幅を、底面層から磁気抵抗素子まで離隔された間隔の２倍以下の範囲を満たすものとすることは当業者であれば容易になし得ることである。
　そして、本願発明が奏する効果は、引用発明及び周知の技術事項から当業者が十分に予測できたものであって、格別顕著なものがあるとはいえない。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。