【事件の表示】
　平成１０年特許願第１６３３０４号「配線の接続構造」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１２月２４日出願公開，特開平１１−３５４６３７〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は，平成１０年６月１１日の出願であって，平成２０年３月３日付けで拒絶査定がされ，これに対して同年４月１０日に審判請求がされた。
　その後当審において，平成２２年１０月２７日付けで拒絶の理由が通知され，これに対して同年１２月２８日に手続補正書及び意見書が提出された。
　
　
第２　当審における拒絶理由
　
　当審において，平成２２年１０月２７日付けで通知した拒絶の理由（以下「当審における拒絶の理由」という。）の概要は，本願発明は，本願の出願前に日本国内で頒布された特開平０７−３２１１９７号公報（以下「引用例１」という。）に記載された発明に，本願の出願前に日本国内で頒布された特開平０９−２３２４２３号公報（以下「引用例２」という。）に記載された発明及び本願の出願前における常套手段に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
　
　
第３　本願発明の容易想到性について
　
１　本願発明について
　平成２２年１２月２８日に提出された手続補正書に記載された特許請求の範囲において，その請求項１に記載された「導電層」は「導通層」の誤記と認められるから，本願の請求項１〜４に係る発明は次のとおりのものと認める。（以下，本願請求項１に係る発明を「本願発明」という。）
　
「【請求項１】第１の絶縁膜に形成された溝に埋め込まれる第１の配線と，
　前記第１の絶緑膜に形成された溝に埋め込まれる第２の配線とを有し，
　前記第２の配線は，前記第１の配線側に突状の接続部が設けられた主配線材料と，前記主配線材料の第１の配線側に沿って形成されたバリア層及び導通層と，を有し，
　前記導通層及び前記バリア層は，前記第１の配線の主面から外側の側面まで延在し，前記主配線材料と前記第１の配線とは前記バリア層及び前記導通層を介して電気的に接続され，
　前記第２の配線の延在方向における突状の接続部の長さは，前記第１の配線の幅よりも広く，
　前記第１の配線の先端側面は，前記突状の接続部に接しており，
　且つ，前記突状の接続部は，前記第２の配線の側面及び先端側面よりも内側に位置し，前記第２の配線の側面及び先端側面によって平面的に取り囲まれている，
　ことを特徴とする配線の接続構造。
【請求項２】前記導通層は低抵抗の導電性材料からなることを特徴とする請求項１に記載の配線の接続構造。
【請求項３】前記導通層は、高融点金属あるいは高融点金属のシリサイド化合物のいずれか一方から構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の配線の接続構造。
【請求項４】前記バリア層は、高融点金属の窒化物から構成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の配線の接続構造。」
　
２　引用例の記載と引用発明
（１）引用例１と引用発明
ア　引用例１
　引用例１には，図１，図２及び図９とともに，次の記載がある。（下線は当審で付加したものである。以下同じ。）
（ア）産業上の利用分野について
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は
半導体デバイス
溝埋め込み配線の構造
　
（イ）実施例１について
「【００３５】（実施例１）図１は，層間絶縁膜に形成された埋め込み配線の構造に本発明を適用した実施例であり，詳しくは
シリコン基板１上の層間絶縁膜であるシリコン酸化膜２に形成された溝３にアルミ４を埋め込んだ場合である
（中略）
【００３９】図２は，上述した配線構造を得るための工程断面図である。まず，図２（ａ）に示すように，
シリコン基板１上のシリコン酸化膜２にフォトリソグラフィー工程とドライエッチング工程で溝３を形成する。しかる後，スパッタ法により密着層として５０〜１００オングストロームのチタン（Ｔｉ）を成膜し（図示せず），さらに図２（ｂ）に示すように導電性硬質膜である窒化チタン（ＴｉＮ）５を５０〜５００オングストローム程度成膜する
さらに，溝部３を埋め込むようにアルミ４を成膜する
【００４０】
さらに，図２（ｃ）に示すように化学機械研磨法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）でシリコン酸化膜２上のアルミ４およびＴｉＮ５／Ｔｉを除去する
Ａｌ／ＴｉＮ／Ｔｉ膜のＣＭＰ
　
（ウ）実施例４について
「【００６１】（実施例４）ここでは，
実施例１〜３に説明した発明を統合化し，さらに多層配線形成に適用した実施例
特に，多層配線間の縦接続抵抗を低減化する方策を示している
（中略）
【００７１】図９は，図６〜図８に示した一連の工程後，多層配線形成工程を行った場合の実施例を示す断面模式図である。多層配線形成工程では，
第１層目の埋め込みアルミ配線１５
低誘電体有機膜１８上のシリコン窒化膜２５をマスクとして，シリコン酸化膜１７にスルーホール１６を形成する。この時，第１層目の埋め込みアルミ配線１５をエッチングすることなく，下地ＳｉＯＦ膜１１の内部に達するような深いスルーホール１６を形成する。しかる後，ＣＶＤ工程とＣＭＰ工程とによりＡｌ膜４／ＴｉＮ膜５／Ｔｉ膜をスルーホール１６と溝とに一括して埋め込み
第２層目の埋め込みアルミ配線１９
【００７２】このように，一連の工程で多層配線構造を形成するわけであるが，第２層目の配線用の溝には配線側壁膜を形成していないため，
第２層目の配線１９の幅Ｌ
２
およびスルーホール１６の径は第１層目の配線１５の幅Ｌ
１
よりも大きくなるようにしてある
下地ＳｉＯＦ膜１１の内部に達するような深いスルーホール１６を形成することで，下層配線の上面のみならず側面とから電気的接続を得て接続面積を増加させ，スルーホールを低抵抗化させている
【００７３】なお，上述した実施例では，溝に埋め込む金属としてアルミを用いたが，銅等の低抵抗金属であっても同様な効果が得られることも自明である。さらに，上述した実施例４では実施例１〜３に記載したすべての発明を統合化したものであるが，必ずしもこれらすべての発明を用いる必要はない。
実施例４のポイントは，下層配線の幅よりも大きな径のスルーホールを下層配線中腹部にまで達するように深く形成することで，下層配線の上面および側面とを利用して上層配線と接続し，その接続抵抗を低減化している点にある
　
イ　引用発明
（ア）上記ア（イ）及び図９から，
「第２層目の埋め込みアルミ配線１９」の「第１層目の埋め込みアルミ配線１５」側に突状の接続部が設けられている
　
（イ）上記ア（イ）及び図９によれば，「第１層目の埋め込みアルミ配線１５」の幅よりも大きい幅を有する「スルーホール１６」内において，「第２層目の埋め込みアルミ配線１９」に設けられた突状の接続部が，上記「第１層目の埋め込みアルミ配線１５」の上面及び側面と接続しているから，
上記「第２層目の埋め込みアルミ配線１９」の延在方向における上記突状の接続部の長さは，上記「第１層目の埋め込みアルミ配線１５」の幅よりも広い
　
（ウ）以上によれば，引用例１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「下地ＳｉＯＦ膜１１に形成された溝３に埋め込まれる第１層目の埋め込みアルミ配線１５と，
　上記下地ＳｉＯＦ膜１１に形成された溝３に埋め込まれる第２層目の埋め込みアルミ配線１９とを有し，
　上記第２層目の埋め込みアルミ配線１９は，上記第１層目の埋め込みアルミ配線１５側に突状の接続部が設けられたＡｌ膜４，ＴｉＮ膜５及びＴｉ膜とを有し，
　上記第２層目の埋め込みアルミ配線１９の延在方向における上記突状の接続部の長さは，上記第１層目の埋め込みアルミ配線１５の幅よりも広い，半導体デバイスの溝埋め込み配線の構造。」
　
（２）引用例２
　引用例２には，図１とともに次の記載がある。
ア「【００１６】半導体装置の平面模式図である図１（ａ）と図１（ａ）のＡＡ線での断面模式図である図１（ｂ）とを参照すると，本発明の第１の実施の形態を適用した半導体装置の構造は，以下のとおりになっている。
【００１７】シリコン基板１０１の表面上には下地絶縁膜１０２が設けられている。（中略）下地配線１０２の表面上には下層配線１０３ａａ，１０３ａｂ，１０３ａｃ等が設けられている。（中略）
下層配線１０３ａａ，１０３ａｂ，１０３ａｃの上面はそれぞれ例えば膜厚７０ｎｍ程度の第１の導電体膜１１３により直接に覆われ，下層配線１０３ａａ，１０３ａｂ，１０３ａｃの側面（および導電体膜１１３の側面）はそれぞれ所要の膜厚（後述する）の窒化チタン膜（もしくはチタン膜，チタン・シリサイド膜，タングステン膜）からなる第２の導電体膜１２３により直接に覆われている
（中略）
【００１８】下層配線１０３ａａ，１０３ａｂ，１０３ａｃ等を含めて下地絶縁膜１０２の表面は，例えば（下地絶縁膜１０２の上面からの）膜厚１．０μｍ程度の酸化シリコン系の絶縁膜例えば酸化シリコン膜）からなる層間絶縁膜１０４により覆われている。層間絶縁膜１０４が酸化シリコン系の絶縁膜からなるのは多層配線の配線間の寄生容量を考慮するためである。さらに層間絶縁膜１０４の上面は平坦化されていることが好ましい。
層間絶縁膜には，それぞれ下層配線１０３ａａ，１０３ａｂ，１０３ａｃ等に達するビア・コンタクト・ホール１０５ａが設けられている
例えば下層配線１０３ａａにおいて，ビア・コンタクト・ホール１０５ａにより，導電体膜１１３の上面と導電体膜１２３の上端および側面（の一部）とが露出する。導電体膜１２３の上端と下端との間の適宜な位置において，ビア・コンタクト・ホール１０５ａの底部が導電体膜１２３の側面に交差している
【００１９】
ビア・コンタクト・ホール１０５ａは，タングステン膜からなるコンタクト・プラグ１０６により充填されている。層間絶縁膜１０４の表面上には上層配線１０７ａａ，１０７ａｂ，１０７ａｃ等が設けられている
上層配線１０７ａａ，１０７ａｂ，１０７ａｃは，ビア・コンタクト・ホール１０５ａを充填するコンタクト・プラグ１０６（および導電体膜１１３，１２３）を介して，それぞれ下層配線１０３ａａ，１０３ａｂ，１０３ａｃに接続される
　
イ　上記アを参酌すると，図１（ａ）及び（ｂ）には，
「ビア・コンタクト・ホール１０５ａ」において，「下層配線１０３ａｂ」の上面を覆う「導電体膜１１３」の上面，並びに「下層配線１０３ａｂ」の側面及び先端側面を覆う「導電体膜１２３」の上端及び側面で，「コンタクト・プラグ１０６」が接続され，「上層配線１０７ａｂ」が上記「コンタクト・プラグ１０６」を介して上記「下層配線１０３ａｂ」に接続された
　
３　本願発明と引用発明との対比
（１）引用発明の「下地ＳｉＯＦ膜１１」，「溝３」，「第１層目の埋め込みアルミ配線１５」及び「第２層目の埋め込みアルミ配線１９」は，それぞれ，本願発明の「第１の絶縁膜」，「溝」，「第１の配線」及び「第２の配線」に相当する。
　そうすると，引用発明の「下地ＳｉＯＦ膜１１に形成された溝３に埋め込まれる第１層目の埋め込みアルミ配線１５と，上記下地ＳｉＯＦ膜１１に形成された溝３に埋め込まれる第２層目の埋め込みアルミ配線１９とを有し，」は，本願発明の「第１の絶縁膜に形成された溝に埋め込まれる第１の配線と，前記第１の絶緑膜に形成された溝に埋め込まれる第２の配線とを有し，」に相当する。
　
（２）引用発明の「Ａｌ膜４」，「ＴｉＮ膜５」及び「Ｔｉ膜」は，それぞれ，本願発明の「主配線材料」，「バリア層」及び「導通層」に相当する。
　そうすると，本願発明と引用発明とは，「前記第２の配線は，前記第１の配線側に突状の接続部が設けられた主配線材料と，」「バリア層及び導通層と，を有」する点で共通する。
　
（３）引用発明の「上記第２層目の埋め込みアルミ配線１９の延在方向における上記突状の接続部の長さは，上記第１層目の埋め込みアルミ配線１５の幅よりも広い」は，本願発明の「前記第２の配線の延在方向における突状の接続部の長さは，前記第１の配線の幅よりも広く，」に相当し，また，引用発明の「半導体デバイスの溝埋め込み配線の構造」は，本願発明の「配線の接続構造」に相当する。
　
（４）以上から，本願発明と引用発明との一致点及び相違点は，次のとおりである。
ア　一致点
「第１の絶縁膜に形成された溝に埋め込まれる第１の配線と，
　前記第１の絶緑膜に形成された溝に埋め込まれる第２の配線とを有し，
　前記第２の配線は，前記第１の配線側に突状の接続部が設けられた主配線材料と，バリア層及び導通層と，を有し，
　前記第２の配線の延在方向における突状の接続部の長さは，前記第１の配線の幅よりも広い，
配線の接続構造。」
　
イ　相違点
・　相違点１
　本願発明において，「バリア層及び導通層」は，「前記主配線材料の第１の配線側に沿って形成され」，「前記第１の配線の主面から外側の側面まで延在し」ており，「前記主配線材料と前記第１の配線とは前記バリア層及び前記導通層を介して電気的に接続され」ているのに対し，引用発明では，「ＴｉＮ膜５」及び「Ｔｉ膜」が，「第２層目の埋め込みアルミ配線１９」の「Ａｌ膜４」及び「第１層目の埋め込みアルミ配線１５」それぞれのどの部分に形成されるかについて，明示されていない点。
　
・　相違点２
　本願発明は，「前記第１の配線の先端側面は，前記突状の接続部に接して」いるのに対し，引用発明は，「第１層目の埋め込みアルミ配線１５」の先端側面と「第２層目の埋め込みアルミ配線１９」の「突状の接続部」との間で，このような構成を備えていない点。
　
・　相違点３
　本願発明は，「前記突状の接続部は，前記第２の配線の側面及び先端側面よりも内側に位置し，前記第２の配線の側面及び先端側面によって平面的に取り囲まれている」のに対し，引用発明は，「第２層目の埋め込みアルミ配線１９」の「突状の接続部」と上記「第２層目の埋め込みアルミ配線１９」の「側面及び先端側面」との間で，このような構成を備えていない点。
　
４　相違点についての検討
（１）相違点１について
ア　上記２（１）ア（イ）から，引用例１には，実施例１として，シリコン基板上の層間絶縁膜であるシリコン酸化膜に形成された溝に，Ｔｉを成膜し，さらにＴｉＮを成膜し，さらに上記溝を埋め込むようにＡｌを成膜した後，ＣＭＰで上記シリコン酸化膜上のＡｌ／ＴｉＮ／Ｔｉ膜を除去することが記載されている。
　ここで，上記２（１）ア（ウ）から，引用発明は，引用例１で実施例１〜３に説明した発明を統合化したものであるから，引用発明において，「下地ＳｉＯＦ膜１１」（本願発明の「第１の絶縁膜」に相当。）に形成された「溝３」（本願発明の「溝」に相当。）に埋め込まれる「第２層目の埋め込みアルミ配線１９」（本願発明の「第２の配線」に相当。）は，上記「溝３」に，Ｔｉを成膜し，さらにＴｉＮを成膜し，さらに上記溝を埋め込むようにＡｌを成膜した後，ＣＭＰで上記「下地ＳｉＯＦ膜１１」上の「Ａｌ膜４」（本願発明の「主配線材料」に相当。），「ＴｉＮ膜５」（本願発明の「バリア層」に相当。）及び「Ｔｉ膜」（本願発明の「導通層」に相当。）を除去することにより形成されると解するのが自然である。
　そして，その結果，上記「ＴｉＮ膜５」及び上記「Ｔｉ膜」が，上記「Ａｌ膜４」の「第１層目の埋め込みアルミ配線１５」（本願発明の「第１の配線」に相当。）側に沿って形成され，上記「第１層目の埋め込みアルミ配線１５」の主面から外側の側面まで延在し，上記「Ａｌ膜４」と上記「第１層目の埋め込みアルミ配線１５」とが，上記「ＴｉＮ膜５」及び上記「Ｔｉ膜」を介して電気的に接続されること，すなわち，相違点１に係る構成となることは，当業者が直ちに察知し得ることである。
　そうすると，引用発明は，相違点１に係る構成を実質的に備えているから，相違点１は，実質的な相違点ではない。
　
イ　さらに，仮に，相違点１が実質的な相違点であるとした場合について検討する。
　絶縁膜に形成された溝に主配線材料を埋め込み，埋め込み配線を形成する際に，上記絶縁膜の表面，及び上記溝の内面に沿って，Ｔｉからなる導電層及びＴｉＮからなるバリア層を形成し，その後，上記絶縁膜を覆うとともに，上記溝を埋め込むように，上記主配線材料からなる層を形成して，上記埋め込み配線を形成することは，次のとおり，本願の出願前に日本国内で頒布され，平成２２年１０月２７日付けで通知した拒絶の理由で引用された，特開平０８−０６４６７６号公報及び特開平０７−１７６６１５号公報にみられるように，当該技術分野では常套手段であるから，引用発明において，上記「第２層目の埋め込みアルミ配線１９」を，上記「溝３」に，Ｔｉを成膜し，さらにＴｉＮを成膜し，さらに上記溝を埋め込むようにＡｌを成膜して形成することは，当業者が適宜なし得たものである。
　
・　特開平０８−０６４６７６号公報
　図１及び図２とともに次の記載がある。
「【００１３】
図１（ａ） に示す成膜状態が得られる本発明方法について説明する
まずコンタクトホール２ａが形成されたＳｉ基板１上にバリアメタルとしてのＴｉＮ膜３(５００Å) 及びＴｉ膜４(３００Å) をＥＣＲプラズマＣＶＤ法にて成膜する
（中略）
【００１６】
図２は，図１に示す状態のものに反応式スパッタ法にて８０００ÅのＡｌ層５を形成し，スパッタ装置内にて大気開放せずに ５５０℃, ３０分の熱処理によりＡｌリフローを行った状態を示す
　
・　特開平０７−１７６６１５号公報
　図２とともに次の記載がある。
「【００４８】即ち図２に示すように，
Ｓｉ基板１０の拡散層１１と上層Ａｌ系配線５との接続をとる接続孔２であるコンタクトホールを埋め込み平坦化するにあたり，基板１側から，Ｔｉ４１，ＴｉＮ４２，Ｔｉ４３の各層を形成した
下層Ｔｉ４１は導電性確保のための導電層，ＴｉＮ４２はバリア層
　
　そして，その結果，上記「ＴｉＮ膜５」及び上記「Ｔｉ膜」が，上記「Ａｌ膜４」の上記「第１層目の埋め込みアルミ配線１５」側に沿って形成され，上記「第１層目の埋め込みアルミ配線１５」の主面から外側の側面まで延在し，上記「Ａｌ膜４」と上記「第１層目の埋め込みアルミ配線１５」とが，上記「ＴｉＮ膜５」及び上記「Ｔｉ膜」を介して電気的に接続されること，すなわち，相違点１に係る構成となることは，当業者が直ちに察知し得ることである。
　そうすると，仮に，相違点１が実質的な相違点であるとしても，引用発明において，相違点１に係る構成とすることは，当業者が適宜なし得たものである。
　
ウ　以上から，相違点１は，本願発明と引用発明との実質的な相違点ではなく，仮に，実質的な相違点であるとしても，当業者が適宜なし得たものである。
　
（２）相違点２について
　上記２（２）イから，引用例２には，「ビア・コンタクト・ホール１０５ａ」において，「下層配線１０３ａｂ」の上面を覆う「導電体膜１１３」の上面，並びに「下層配線１０３ａｂ」の側面及び先端側面を覆う「導電体膜１２３」の上端及び側面で，「コンタクト・プラグ１０６」が接続され，「上層配線１０７ａｂ」が上記「コンタクト・プラグ１０６」を介して上記「下層配線１０３ａｂ」に接続されることが記載されている。
　そして，上記２（１）ア（ウ）から，引用発明は，「第１層目の埋め込みアルミ配線１５」（本願発明の「第１の配線」に相当。）と「第２層目の埋め込みアルミ配線１９」（本願発明の「第２の配線」に相当。）との接続面積を増加させ，両者の接続抵抗を低減化するものであるから，引用発明において，上記「第１層目の埋め込みアルミ配線１５」と上記「第２層目の埋め込みアルミ配線１９」との接続箇所を設定する際に，両者の接続面積が大きくなる位置に上記接続箇所を設定することは，当業者に普通に期待できることである。
　そうすると，引用発明において，上記「第１層目の埋め込みアルミ配線１５」と上記「第２層目の埋め込みアルミ配線１９」との接続箇所を，上記「第１層目の埋め込みアルミ配線１５」の延在方向の端部に設定して，上記「第１層目の埋め込みアルミ配線１５」の上面，側面及び先端側面に，上記「第２層目の埋め込みアルミ配線１９」の「突状の接続部」が接する構成とし，上記「第１層目の埋め込みアルミ配線１５」と上記「第２層目の埋め込みアルミ配線１９」との接続面積を大きくすることは，引用例２に記載された発明に接した当業者が，容易に想到し得たものである。
　以上から，引用発明において，相違点２に係る構成とすることは，引用例２に記載された発明を適用することにより，当業者が容易に想到し得たものである。
　
（３）相違点３について
ア　引用発明において，「第２層目の埋め込みアルミ配線１９」（本願発明の「第２の配線」に相当。）に「突状の接続部」を形成する際に，上記「突状の接続部」と上記「第２層目の埋め込みアルミ配線１９」の側面及び先端側面との位置関係をどのように設定するかは，当業者が任意に選択し得ることである。
　また，本願の明細書又は図面には，本願発明の「前記突状の接続部は，前記第２の配線の側面及び先端側面よりも内側に位置し，前記第２の配線の側面及び先端側面によって平面的に取り囲まれている」との構成について，図１５に示されているだけで，本願の明細書には，上記の構成及びその作用効果についての説明は記載されておらず，本願発明において，上記の構成により，格別の作用効果を奏するとは認められない。
　そうすると，引用発明において，上記「第２層目の埋め込みアルミ配線１９」の「突状の接続部」と上記「第２層目の埋め込みアルミ配線１９」の側面及び先端側面との位置関係を設定する際に，上記「突状の接続部」を，上記「第２層目の埋め込みアルミ配線１９」の側面及び先端側面よりも内側に位置し，上記「第２層目の埋め込みアルミ配線１９」の側面及び先端側面によって平面的に取り囲まれるようにすることは，当業者が適宜なし得たものである。
　
イ　なお，審判請求人は，平成２２年１２月２８日に提出された意見書で，本願発明は，「（Ｃ）突状の接続部は，突状の接続部は，第２の配線の側面及び先端側面よりも内側に位置し，第２の配線の側面及び先端面によって平面的に取り囲まれていること（特徴点（Ｃ）による構成）」によって，「突状の接続部が第１の配線及び第２の配線以外の配線と近づくことによって互いの伝達信号が影響し合う可能性を低減しながら，第１の配線と第２の配線の間のエレクトロマイグレーションの発生を抑制することが可能とな」ると主張している。
　しかしながら，上記アで検討したとおり，本願発明において，上記「特徴点（Ｃ）による構成」により，「突状の接続部が第１の配線及び第２の配線以外の配線と近づくことによって互いの伝達信号が影響し合う可能性を低減」するという作用効果を奏することは，本願の明細書又は図面に記載されておらず，本願発明が，審判請求人が主張する上記の作用効果を奏するとは認められない。
　また，仮に，本願発明が，審判請求人の主張する上記の作用効果を奏するとしても，本願発明において，異なる配線構造に与えられる伝達信号間の影響は，「突状の接続部」とこれに接続されている「第１の配線及び第２の配線」以外の配線との間においてのみ発生するのではなく，「第１の配線」又は「第２の配線」とこれに隣接するほかの配線の間においても発生するから，この点を考慮すれば，審判請求人の主張する上記の作用効果は，格別のものとは認められない。
　そうすると，上記意見書における審判請求人の主張を採用することはできない。
　
ウ　以上から，引用発明において，相違点３に係る構成とすることは，当業者が適宜なし得たものである。
　
５　小括
　したがって，本願発明は，引用例１に記載された発明（引用発明）において，引用例２に記載された発明及び本願の出願前における常套手段に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　
第４　結言
　
　以上のとおりであるから，その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。