【事件の表示】
　特願２００３−３１６５６５「高効率発光ダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　４月　２日出願公開、特開２００４−１０４１３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯の概要
　本願は、平成１５年９月９日（パリ条約による優先権主張２００２年９月９日、大韓民国）の特許出願であって、平成２１年４月１７日付けで拒絶理由が通知され、同年８月２８日付けで手続補正がなされたが、同年１１月１０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２２年３月９日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２１年８月２８日付けでなされた手続補正による補正後の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし２５に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
「　基板と、
　前記基板の上面に積層される第１化合物半導体層と、
　前記第１化合物半導体層上の一部領域に形成される第１電極と、
　前記第１化合物半導体層上の第１電極を除外した領域上に積層され、
４００
　前記活性層上に形成される第２化合物半導体層と、
　前記
活性層の
４０
　
３　引用刊行物の記載事項及び引用発明
（１）引用刊行物１及び引用発明
　原査定の拒絶理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−９４１１３号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
「【００３９】（実施形態４）図４は本実施形態４にて作製されたIII-V族窒化物系半導体発光素子を示す断面図である。この素子は、ｎ型ＳｉＣ基板３１上に、ＡｌＮバッファ層３２、Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層３３、Ｓｉドープｎ型ＡｌＧａＮクラッド層３４、Ｓｉドープｎ型ＡｌＧａＮ量子井戸発光層３５、Ｍｇドープｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３６およびＭｇドープｐ型ＧａＮ層３７が積層形成されている。ｎ型基板３１からｐ型ＧａＮ層３７まではｎ型基板３１およびｎ型ＧａＮ層３３の一部が露出するように除去され、ｎ型基板３１およびｎ型ＧａＮ層３を接続するようにｎ型電極３８が設けられている。ｎ型電極３８はｎ型基板３１の裏面にも設けられている。また、ｐ型ＧａＮ層３７の上にはｐ型電極３９が設けられている。
【００４０】この素子の製造において、各半導体層の成長はＭＯＣＶＤ法により行い、実施形態１と同様のガスを使用する。
【００４１】まず、ｎ型ＳｉＣ基板３１を水素雰囲気において１１５０℃で熱クリーニングした後、基板温度を６００℃に下げて、ＴＭＡガスとＮＨ3ガスを供給して層厚４０ｎｍのＡｌＮバッファ層３２を成長させる。次に、基板温度を１１００℃まで上げて、ＴＭＧガスとＮＨ3ガスとＳｉＨ4ガスを供給して層厚４μｍのＳｉドープｎ型ＧａＮ層３３を形成し、その上にＴＭＡガスとＴＭＧガスとＮＨ3ガスとＳｉＨ4ガスを供給して層厚５０ｎｍのＳｉドープｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッド層３４を形成する。
【００４２】続いて、ＴＭＡガスとＴＭＧガスとＮＨ3ガスとＳｉＨ4ガスの供給量を調整して供給し、層厚３ｎｍのＳｉドープｎ型Ａｌ0.02Ｇａ0.98Ｎ量子井戸発光層３５を成長させる。次に、基板温度を１１００゜にして、窒化物系半導体が成長しない量のＴＭＧガスおよびＮＨ3ガスを供給しながら３０秒間成長を中断する。ここでは、ＴＭＧガスの供給量を量子井戸発光層３４の成長時の１／１０とし、ＮＨ3ガスの供給量は量子井戸発光層３４の成長時と同量にした。この成長中断によって、量子井戸発光層３４のＧａが再蒸発するため、量子井戸発光層３４のＡｌ混晶比は０．０５程度に増加する。なお、III族元素を供給せずに成長中断を行う従来の製造方法では、Ａｌ混晶比は０．０４程度である。
【００４３】次に、ＴＭＡガスとＴＭＧガスとＮＨ3ガスとＣｐ2Ｍｇガスを供給して層厚５０ｎｍのＭｇドープｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9クラッド層３６を成長させ、ＴＭＧガスとＮＨ3ガスとＣｐ2Ｍｇガスを供給して層厚０．２５μｍのＭｇドープｐ型ＧａＮ層３７を成長させる。続いて、成長層の一部をｎ型ＧａＮ層３３の一部が露出するまでエッチングにより除去し、さらに、その一部をｎ型基板３１が露出するまでエッチングにより除去する。そして、ｎ型基板３１の裏面、およびエッチングで露出したｎ型基板３１とｎ型ＧａＮ層３３とを電気的に接続するようにｎ型電極３８を蒸着する。また、ｐ型ＧａＮ層３７の表面にはｐ型電極３９を蒸着する。その後、ウェハーをチップに分割し、樹脂モールドしてＬＥＤ素子とする。
【００４４】このようにして得られるＬＥＤ素子は、順方向電流２０ｍＡで電圧４．０Ｖ、発光ピーク波長は３５０ｎｍの紫外領域で発光出力は１ｍＷであった。III族元素を供給せずにＮＨ3のみを供給して成長中断を行う従来の製造方法では、発光強度は０．５ｍＷであり、本実施形態によれば発光強度を２倍に向上させることができた。」
　
　以上の摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「　ｎ型ＳｉＣ基板３１上に、ＡｌＮバッファ層３２、Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層３３、Ｓｉドープｎ型ＡｌＧａＮクラッド層３４、Ｓｉドープｎ型ＡｌＧａＮ量子井戸発光層３５、Ｍｇドープｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３６およびＭｇドープｐ型ＧａＮ層３７が積層形成され、
　ｎ型基板３１からｐ型ＧａＮ層３７まではｎ型基板３１およびｎ型ＧａＮ層３３の一部が露出するように除去され、
　ｎ型基板３１およびｎ型ＧａＮ層３を接続するようにｎ型電極３８が設けられ、ｎ型電極３８はｎ型基板３１の裏面にも設けられており、
　ｐ型ＧａＮ層３７の上にはｐ型電極３９が設けられており、
　発光ピーク波長は３５０ｎｍの紫外領域である、III-V族窒化物系半導体発光素子。」
　
（２）引用刊行物２
　原査定の拒絶理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−８４００１号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、素子駆動電流を発光領域の広範囲に拡散させるために好適なオーミック（ｏｈｍｉｃ）電極の配置構成を備えたＩＩＩ族窒化物半導体発光ダイオード（ＬＥＤ）とそれに用いられるＩＩＩ族窒化物半導体発光ダイオード用電極、およびその製造方法に関する。」
　
「【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記の従来技術の不都合に鑑みなされたもので、ＩＴＯ等の導電性透明酸化物結晶層を発光を外部へ効率的に取り出すための窓層として備えたＩＩＩ族窒化物半導体ＬＥＤにおいて、素子動作電流を発光部の広範囲に拡散でき、且つ、高強度の発光を外部へ取り出すためのオーミック電極の配置手段を提示する。そしてその手段に依り配置されたオーミック電極を備えた高強度のＩＩＩ族窒化物半導体発光ダイオードとそのＩＩＩ族窒化物半導体発光ダイオード用電極およびその製造方法を提供するものである。
【００１１】特に、本発明は素子動作電流を発光部に広範に拡散させるために、台座電極の位置に対して表面オーミック電極を、積層構造体の一構成層の表面上の好適な位置に配置することを骨子とするものである。」
　
「【００３２】表面オーミック電極と当該電極を設ける積層構造体構成層とが接触する面積が減少すれば、素子動作電流の注入密度（電流密度）が増加し、発光強度の向上が期待できる。一方で、表面オーミック電極と構成層との接触面積が減少すれば、オーミック接触抵抗が増加することにより、順方向電圧（ｆｏｒｗａｒｄ  ｖｏｌｔａｇｅ：Ｖｆ）が徒に増加する不都合を来す。これより、本発明の第６の実施形態では、表面オーミック電極の面積の合計（＝Ａ）を、開放発光領域の総面積（＝Ｂ）に対し、比率（＝Ａ／Ｂ）にして５％以上で３０％以下に規定する。此処で、開放発光領域の総面積（＝Ｂ）とは、表面オーミック電極を配置する一構成層の表面積から台座電極の射影領域の表面積に相当する台座電極の底面積を差し引いて与えられる面積である。また、表面オーミック電極の面積の合計（＝Ａ）とは、単一のオーミック電極にあってはその平面の面積であり、複数のオーミック電極にあっては各オーミック電極の平面の面積の合計を指す。
【００３３】開放発光領域の総面積（＝Ｂ）に占める表面オーミック電極の面積の合計（＝Ａ）の比率が５％未満であると、素子動作電流の電流密度は増加して発光強度の向上がもたらされるものの、順方向電流を２０ミリアンペア（ｍＡ）とした際のＶｆは急激に増加する不都合が生じる。例えば、前記好適な範囲の比率のＩＩＩ族窒化物半導体ＬＥＤに比較して、Ｖｆは約２０％から３０％以上は増加し、４．５ボルト（Ｖ）を越えて高くなる場合もある。一方、開放発光領域において表面オーミック電極が占有する面積が増加するに伴い、Ｖｆは低下する。しかし、通常表面オーミック電極は発光部からの発光を吸収する金属から構成されているため、比率（＝Ａ／Ｂ）が高くなるにつれ、金属からなる表面オーミック電極による発光の吸収の程度も増加するため、発光強度が著しく低下する不都合がある。開放発光領域の総面積（＝Ｂ）に占める表面オーミック電極の面積の合計（＝Ａ）の比率が３０％を越えると、前記好適な範囲の比率のＩＩＩ族窒化物半導体ＬＥＤに比較して、例えば順方向電流２０ｍＡにおけるＬＥＤの発光強度が、約４０％から５０％程度に低下する場合がある。
【００３４】例えば、直径を１２０μｍとする円形の台座電極を備えた、一辺の長さを３５０μｍとする表面が正方形のＬＥＤであれば、平面的に見たＬＥＤの表面積から台座電極の射影領域を除いた開放発光領域の総面積は約１．１×１０-3ｃｍ2となる。この開放発光領域の総面積（＝Ｂ）に対し、表面オーミック電極の面積の合計（＝Ａ）を５．５×１０-5ｃｍ2（Ａ／Ｂ＝０．０５）以上で３．３×１０-4ｃｍ2（Ａ／Ｂ＝０．３０）以下とすることにより、発光強度も高く併せて順方向電圧も低いＩＩＩ族窒化物半導体ＬＥＤが構成できる。例えば、総面積を約１．１×１０-3ｃｍ-2（＝Ｂ）とする開放発光領域に、直径を２０μｍとする円形の表面オーミック電極を計１２個配置すれば、表面オーミック電極の面積の合計（＝Ａ）は９．４×１０-6ｃｍ2となり、比率（Ａ／Ｂ）を約８．６％とするＩＩＩ族窒化物半導体ＬＥＤが構成できる。比率（Ａ／Ｂ）は通常、表面オーミック電極の直径、幅、或いは長さを適宣設計して調整するが、同比率を特に約７％から約１０％の範囲とすると、高い発光強度を保ち、なお且つ低いＶｆのＩＩＩ族窒化物半導体ＬＥＤが都合良く提供される。また、表面オーミック電極をｐ形のＩＩＩ族窒化物半導体層の表面に設ける場合にあっては、この比率（＝Ａ／Ｂ）をｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層表面に設置する場合に比して大とすると、開放発光領域へ流通する素子動作電流の電流密度の均一化に優位である。これは、ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体半導体に比べてｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体は、キャリアの移動度が小さく、従って素子動作電流が拡散できる範囲が狭まるため、表面オーミック電極の半導体層への接触面積を拡張して電流の拡散する範囲を拡げる必要があるためである。特に表面オーミック電極をｐ形のＩＩＩ族窒化物半導体層の表面に設けるｐサイドアップ（ｓｉｄｅ−ｕｐ）型のＬＥＤでは、比率（＝Ａ／Ｂ）をｎサイドアップ型ＬＥＤの場合に好適とされる比率（＝Ａ／Ｂ）に対して約１割程度大に設定すると好結果が得られる。」
　
「【００３８】
【作用】・・・
・・・
【００４３】表面オーミック電極の面積の合計を、開放発光領域の総面積の５％以上で３０％以下に制御すると、順方向電圧の徒な増加を来さずに発光強度を向上させる作用を有する。」
　
３　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「III-V族窒化物系半導体発光素子」は、「Ｓｉドープｎ型ＡｌＧａＮ量子井戸発光層３５」が形成され、「発光ピーク波長は３５０ｎｍの紫外領域である」から、
　引用発明の「III-V族窒化物系半導体発光素子」及び「Ｓｉドープｎ型ＡｌＧａＮ量子井戸発光層３５」は、それぞれ、本願発明の「発光ダイオード」および「（４００ｎｍ以下の波長帯域の光が生成される）活性層」に相当する。
　
（２）引用発明の「ｎ型ＳｉＣ基板３１」は、本願発明の「基板」に相当する。
　
（３）引用発明は、「ｎ型ＳｉＣ基板３１上に、ＡｌＮバッファ層３２、Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層３３、Ｓｉドープｎ型ＡｌＧａＮクラッド層３４、Ｓｉドープｎ型ＡｌＧａＮ量子井戸発光層３５、Ｍｇドープｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３６およびＭｇドープｐ型ＧａＮ層３７が積層形成され」、「ｎ型基板３１からｐ型ＧａＮ層３７まではｎ型基板３１およびｎ型ＧａＮ層３３の一部が露出するように除去され」、「ｎ型基板３１およびｎ型ＧａＮ層３を接続するようにｎ型電極３８が設けられ」るものであるから、
　ア　引用発明の「Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層３３」、「ｎ型電極３８」及び「Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層３７」は、それぞれ、本願発明の「（前記基板の上面に積層される）第１化合物半導体層」、「（前記第１化合物半導体層上の一部領域に形成される）第１電極」及び「前記活性層上に形成される第２化合物半導体層」に相当し、
　イ　引用発明は、本願発明の「前記第１化合物半導体層上の第１電極を除外した領域上に積層され、４００ｎｍ以下の波長帯域の光が生成される活性層」との特定事項を備える。
　
（４）引用発明の「ｐ型電極３９」は、「ｐ型ＧａＮ層３７の上に」「設けられて」いるものであえるから、本願発明の「前記第２化合物半導体層の上面に形成される第２電極」に相当する。
　
　したがって、本願発明と引用発明とは、
「　基板と、
　前記基板の上面に積層される第１化合物半導体層と、
　前記第１化合物半導体層上の一部領域に形成される第１電極と、
　前記第１化合物半導体層上の第１電極を除外した領域上に積層され、４００ｎｍ以下の波長帯域の光が生成される活性層と、
　前記活性層上に形成される第２化合物半導体層と、
　前記第２化合物半導体層の上面に形成される第２電極と、を具備する発光ダイオード。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
［相違点］
　第２電極が、本願発明では、「前記活性層の面積に対する占有面積比が２０％ないし４０％になるように」形成されるものであるのに対して、引用発明では、そのようなものであるか否か明らかではない点。
　
４　判断
　上記相違点について検討する。
（１）引用刊行物２には、上記（１）イに示した事項が記載され、ＩＩＩ族窒化物半導体発光ダイオードにおいて、「表面オーミック電極と当該電極を設ける積層構造体構成層とが接触する面積が減少すれば、素子動作電流の注入密度（電流密度）が増加し、発光強度の向上が期待できる。一方で、表面オーミック電極と構成層との接触面積が減少すれば、オーミック接触抵抗が増加することにより、順方向電圧が徒に増加する不都合を来す。」、「開放発光領域の総面積（＝Ｂ）に占める表面オーミック電極の面積の合計（＝Ａ）の比率が５％未満であると、素子動作電流の電流密度は増加して発光強度の向上がもたらされるものの、順方向電流を２０ミリアンペア（ｍＡ）とした際のＶｆは急激に増加する不都合が生じる。」、「開放発光領域の総面積（＝Ｂ）に占める表面オーミック電極の面積の合計（＝Ａ）の比率が３０％を越えると、前記好適な範囲の比率のＩＩＩ族窒化物半導体ＬＥＤに比較して、例えば順方向電流２０ｍＡにおけるＬＥＤの発光強度が、約４０％から５０％程度に低下する場合がある。」等の技術的知見が開示され、これらに基づき、ＩＩＩ族窒化物半導体発光ダイオードにおいて、「表面オーミック電極の面積の合計（＝Ａ）を、開放発光領域の総面積（＝Ｂ）に対し、比率（＝Ａ／Ｂ）にして５％以上で３０％以下に規定する」ことが記載されている。
　そして、引用発明と引用刊行物２に記載された技術的事項とは、III-V族窒化物系半導体発光素子に関するものである点でその技術分野が共通するところ、発光強度の向上及び順方向電圧増加の問題は半導体発光素子における一般的な課題といえるから、引用発明において、発光強度の向上及び順方向電圧増加の抑制を図るために引用刊行物２に記載された技術的事項を適用し、そのｐ型電極３９の占有面積比を所定の範囲に設定することは当業者が容易に想到し得たことである。
　
（２）一方、上記相違点に係る本願発明の特定事項の技術的意義について検討するに、本願明細書の記載（【００３１】〜【００６５】の発明の実施の形態に関する記載を参照。）によれば、図４〜８、１１〜１２に示される、（ｐ型電極の）占有面積比に対する「発光量」、「電圧」、「電力変換効率」等のグラフから得られる知見（例えば、「占有面積比が増加するほど発光量が減少すること」（【００３９】）、「図１２で、占有面積比が２０％ないし４０％程度の場合に電力変換効率が高く現れているために、３８４ｎｍＬＥＤ及び３９３ｎｍＬＥＤの場合にｐ型電極の面積を２０％ないし８０％の占有面積比を満足するように形成することが望ましい。」（【００６４】）こと等。）に基づいて、好ましい占有面積比を限定したものであると考えられる。
　ここで、本願明細書には、「図５は、図３に図示された多様な形態のｐ型電極の占有面積比による発光量を図４に図示されたグラフうち２０ｍＡの同一電流で示したグラフである。」（【００３７】）とあるように、各グラフは、図３に示された各形態のｐ型電極の占有面積比に対する各特性をプロットしたものと認められるが、図３に図示された各形態のｐ型電極の占有面積比について、「図３を参照すれば、（ａ）は８０μｍの直径を有する円形のｐ型電極３９ａを有するＬＥＤ、（ｂ）は１００μｍの直径を有する円形のｐ型電極３９ｂを有するＬＥＤ、（ｃ）は１２０μｍの直径を有する円形のｐ型電極３９ｃを有するＬＥＤである。（ｄ）は１００×１００μｍ２のｐ型電極３９ｄを有するＬＥＤ、（ｅ）は１５０×１００μｍ２のｐ型電極３９ｅを有するＬＥＤ、（ｆ）は２００×１００μｍ２のｐ型電極３９ｆを有するＬＥＤ、（ｇ）は２５０×１００μｍ２のｐ型電極３９ｇを有するＬＥＤ、（ｈ）はｎ型電極３８及びボンディングパッド４０が占める面積を除外したチップの全面積上にｐ型電極３９ｈが形成されたＬＥＤを示す。」（【００３３】）として、ｐ型電極の占有面積が算定可能な記載はあるが、「活性層の面積」（あるいは、チップの全面積、ｎ型電極３８及びボンディングパッド４０が占める面積）については何ら記載がなく、各形態における「占有面積比」を直ちに算定することはできない。
　そして、図５等の占有面積比に対する発光量等を示したグラフにおいて、最大の占有面積比を有するデータは、占有面積比が約９５％であることが見てとれるところ、この占有面積比が最大のデータは、上記【００３３】の記載によれば、図３（ｈ）の「ｎ型電極３８及びボンディングパッド４０が占める面積を除外したチップの全面積上にｐ型電極３９ｈが形成されたＬＥＤ」におけるものと認められるが、図３（ｈ）において、占有面積比を、ボンディングパッド４０とｐ型電極３９ｈの面積（「活性層の面積」に近いものと想定できる。）の合計に対するｐ型電極３９ｈの面積比としても、ボンディングパッド４０が一定面積を占めることを考慮すると、その値は９０％を超えるものとは認め難く（さらに、占有面積比をチップの全面積に対するｐ型電極の面積比とした場合は、８０％未満になると考えられる。）、図５等のグラフにおける「占有面積比」が、「活性層の面積に対する第２電極の占有面積比」を示すものであるのか疑わしい。
　したがって、好ましい占有面積比を特定する前提となる根拠について疑念が生じるところである。
　また、本願明細書には、実験例のＬＥＤの各層を構成する材料、組成、層厚、導電性等、及びｐ型電極及びボンディングパッドの材料、膜厚、光透過性等、並びにｐ型電極とボンディングパッドの化合物半導体層に対する接触構造等、ＬＥＤの電気的特性及び発光特性に重大な影響を与える構成について何ら記載されていないため、上記各グラフに示された特性がどのような前提の下に得られたものか明らかでなく、さらに、そのような特性が、構成の異なるＬＥＤにおいても同様に得られるものか、発明の詳細な説明の記載からは明らかではない。
　してみると、発光ダイオードを構成する各層及び第２電極の材料等について何ら特定のない本願発明において、上記のとおり占有面積比の数値範囲を限定することに、当業者が適宜定め得る設計的事項以上の技術的意義を認めることはできない。
　
（３）そして、引用刊行物２の「表面オーミック電極の面積の合計（＝Ａ）を、開放発光領域の総面積（＝Ｂ）に対し、比率（＝Ａ／Ｂ）にして５％以上で３０％以下に規定する」との記載に照らして、第２電極が「前記活性層の面積に対する占有面積比が２０％ないし４０％になるように」することに、格別の技術的困難があるものとも認められない。
　
（４）小括
　以上の検討によれば、したがって、引用発明において、引用刊行物２に記載された技術的事項を適用し、そのｐ型電極３９の占有面積比を、上記相違点に係る本願発明の特定事項の範囲内の値とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、本願発明は、引用発明及び引用刊行物２に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。