【事件の表示】
　特願２００２−１３６２３４「Ａｒ／ＮＨ３急速熱的アニーリング工程を含むシリコンウェーハの製造方法，これにより製造されたシリコンウェーハ」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年２月２１日出願公開，特開２００３−５１５０４〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１４年５月１０日（パリ条約による優先権主張２００１年６月２８日，米国）の出願であって，平成１９年５月１４日付けで手続補正がなされ，同年９月２５日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，平成２０年１月４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，同年２月４日付けで手続補正がなされ，その後当審において，平成２２年５月２６日付けで審尋がなされ，同年９月１日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２０年２月４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）について
　本件補正は，平成１９年５月１４日付けで補正された本件補正前の請求項１〜７５を，本件補正後の請求項１〜７４とするものである。
　
１　補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると，以下のとおりとなる。
（１）補正事項１
　本件補正前の請求項７を削除し，本件補正前の請求項７の構成を本件補正後の請求項１に付加して限定するとともに，記載を明りょうにするように補正すること。
（２）補正事項２
　本件補正前の請求項８を本件補正後の請求項７に繰り上げるとともに，補正事項１の内容に合わせて，記載を明りょうにするように補正すること。
（３）補正事項３
　本件補正前の請求項９〜７５を本件補正後の請求項８〜７４に繰り上げるとともに，必要により引用する請求項を本件補正後の請求項の番号に合わせて補正すること。
　
２　補正の目的の適否
（１）補正事項１は，本件補正前の請求項７を削除し，本件補正前の請求項７の構成を本件補正後の請求項１に付加して限定するとともに，記載を明りょうにするものであるから，請求項の削除，特許請求の範囲を減縮又は明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
（２）補正事項２及び３は，対応する本件補正前の請求項の記載を明りょうにするものであるから，明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
（３）以上で検討したとおり，本件補正は，平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号，第２号又は第４号に掲げる事項を目的とするものであるから，適法になされたものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は，上記のとおり適法になされたものであるから，本願の請求項１〜７４に係る発明は，本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜７４に記載された事項により特定されるものであり，その内の請求項９に係る発明（以下「本願発明」という。）は，次のとおりのものである。 
「【請求項９】
　上面，下面及び前記上下面間内で酸素析出物濃度プロファイルを有するシリコンウェーハにおいて，前記酸素析出物濃度プロファイルは，
　ウェーハの上下面から各々第１及び第２深さでの第１及び第２ピークと，
　前記ウェーハの上面と前記第１ピーク，及び前記ウェーハの下面と前記第２ピーク間のデヌーデッドゾーンと，
　前記第１及び第２ピーク間でのコンケーブ領域と，
　前記ウェーハの上面と前記第１ピークとの間の前記デヌーデッドゾーン内に，複数個のＳＴＩ領域を含み，
　前記第１ピーク及び第２ピーク間の前記コンケーブ領域での酸素析出物の濃度は少なくとも１×１０８ｃｍ−３以上であることを特徴とするシリコンウェーハ。」
　
２　引用例に記載された発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開平１−２４２５００号公報（平成１年９月２７日出願公開，以下「引用例」という。）には，次の記載がある。なお，下線は当審において付加したものである（以下同じ）。
ア　「「産業上の利用分野」
　本発明は，
表面近傍に素子活性領域となる無欠陥層（ＤＺ層），内部に汚染物質や欠陥を吸収するゲッタリング層（ＩＧ層）を形成したＣＺシリコン基板の製造方法
イ　第１図及び第３図を参照して，「次に，上記高温処理の完了したシリコン基板を，５００℃まで冷却する。この冷却処理に際しては，少なくとも一部の温度範囲（８００〜５００℃）において冷却速度１〜１０℃／分で徐冷する徐冷工程が必ず必要で，さらに冷却途中に８００〜５００℃内の略一定温度で３０分以上保持する等温熱処理工程を加えるのが望ましい。
　この冷却処理においては，前記高温熱処理で形成された潜在核（Ｓｉクラスター）が，基板中に溶存している酸素と反応して酸素析出核（微細なＳｉＯ２）を形成する。したがって，この
酸素析出核の濃度は，第３図に示すように，酸素およびクラスターの濃度が双方とも高い前記領域（イ）において極大
ウ　第３図を参照して，「なお，この時点では，シリコン基板中の酸素析出核が，積層欠陥を直接引き起こす酸素析出物に変質していないが，この後に酸素析出熱処理やデバイス処理を施すことにより，前記酸素析出核が酸素析出物を経て積層欠陥を発生させる。
　そして
最終的な欠陥密度は，第３図の酸素析出核密度分布と略同様に，ＤＺ層との境界近傍のＩＧ層内で極大値をとり，しかもＤＺ層側に向けて急激に減少する分布
エ　第４図を参照して，「（
実験例４〜６
　前記と同じシリコン基板を用い，１２８０℃で１８０分保持後，引き続き５００℃まで２℃／分で徐冷し，その途中６００℃で５０分保持した。なお，１２８０℃処理中の雰囲気としてはｗｅｔＯ２，ｄｒｙＯ２，Ｎ２を用い，冷却中は全てＮ２とした。
　その後，ｄｒｙＯ２中で７００℃×４８時間および１０００℃×２４時間熱処理し，選択エッチングと光顕観察により酸素析出物密度を測定した。その結果を第４図に示す。
　このグラフから明らかなように，酸化雰囲気で高温熱処理したものでは，
基板表面近傍で酸素析出物密度が著しく高く，格子間Ｓｉが基板表面側から内方に拡散して酸素析出核密度を高めたことを示唆
オ　「こうして得られたシリコン基板は，酸素析出熱処理やデバイス処理を施されることにより，
酸素析出核が酸素析出物を経て積層欠陥に変質するため，最終的な欠陥密度は，ＤＺ層との境界近傍のＩＧ層内で著しく大きな極大値をとり，しかもＤＺ層側に向けて急激に減少する分布
　したがって本発明の方法によれば，ＩＧ層によるＤＺ層からの不純物や欠陥のゲッタリング効果が高く，しかも略完全な無欠陥領域の厚みを大きく確保できるシリコン基板を得ることができる。」（４頁左上欄１９行〜右上欄８行）
（２）上記（１）アによれば，引用例に記載された発明は，表面近傍に素子活性領域となる無欠陥層（ＤＺ層），内部に汚染物質や欠陥を吸収するゲッタリング層（ＩＧ層）を形成したＣＺシリコン基板の製造方法であるから，表面近傍に素子活性領域となる無欠陥層（ＤＺ層），内部に汚染物質や欠陥を吸収するゲッタリング層（ＩＧ層）を形成したＣＺシリコン基板に関するものである。
（３）上記（１）イ，ウ及びオによれば，引用例には，酸素析出核の濃度は，第３図に示すように，酸素及びクラスターの濃度が双方とも高い領域（イ）において極大となること，最終的な欠陥密度は，第３図の酸素析出核密度分布と略同様に，ＤＺ層との境界近傍のＩＧ層内で極大値をとり，しかもＤＺ層側に向けて急激に減少する分布となること，及び，酸素析出核が酸素析出物を経て積層欠陥に変質するため，最終的な欠陥密度は，ＤＺ層との境界近傍のＩＧ層内で著しく大きな極大値をとり，しかもＤＺ層側に向けて急激に減少する分布となることが記載されている。そうすると，酸素析出核は，酸素析出物を経て積層欠陥に変質し，最終的な欠陥密度は，第３図の酸素析出核密度分布と略同様に，ＤＺ層との境界近傍のＩＧ層内で極大値をとり，しかもＤＺ層側に向けて急激に減少する分布になるのであるから，酸素析出物も同様に，ＤＺ層との境界近傍のＩＧ層内で極大値をとり，しかもＤＺ層側に向けて急激に減少する分布となることは，明らかである。したがって，第３図における酸素析出核密度の分布を参酌すると，引用例には，酸素析出物の濃度分布が，無欠陥層（ＤＺ層）との境界近傍のゲッタリング層（ＩＧ層）内で極大値をとり，基板表面及び基板裏面の無欠陥層（ＤＺ層）側に向けて急激に減少することが開示されている。
（４）よって，引用例には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「表面近傍に素子活性領域となる無欠陥層（ＤＺ層），内部に汚染物質や欠陥を吸収するゲッタリング層（ＩＧ層）を形成したＣＺシリコン基板において，
　酸素析出物の濃度分布は，
　無欠陥層（ＤＺ層）との境界近傍のゲッタリング層（ＩＧ層）内で極大値をとり，基板表面及び基板裏面の無欠陥層（ＤＺ層）側に向けて急激に減少するＣＺシリコン基板。」
　
３　本願発明と引用発明との対比
（１）引用発明の「ＣＺシリコン基板」，「基板表面」，「基板裏面」，「酸素析出物の濃度分布」は，本願発明の「シリコンウェーハ」，「上面」，「下面」，「酸素析出物濃度プロファイル」にそれぞれ相当する。したがって，引用発明の「表面近傍に素子活性領域となる無欠陥層（ＤＺ層），内部に汚染物質や欠陥を吸収するゲッタリング層（ＩＧ層）を形成したＣＺシリコン基板」の「酸素析出物の濃度分布」は，本願発明の「上面，下面及び前記上下面間内で酸素析出物濃度プロファイルを有するシリコンウェーハ」における「酸素析出物濃度プロファイル」に対応する。
（２）引用発明における「無欠陥層（ＤＺ層）との境界近傍のゲッタリング層（ＩＧ層）内で」の「極大値」は，本願発明の「ウェーハの上下面から各々第１及び第２深さでの第１及び第２ピーク」に相当する。
（３）本願の出願当初明細書の段落【０００７】によれば，「デヌーデッドゾーン」とは，Ｄ−欠陥（ベイカンシ集塊（vacancy agglomerates）），転位（dislocation），積層欠陥及び酸素析出物などが存在しない層であるから，引用発明の「無欠陥層（ＤＺ層）」は，本願発明の「デヌーデッドゾーン」に相当する。したがって，引用発明の「基板表面及び基板裏面の無欠陥層（ＤＺ層）側に向けて急激に減少する」「酸素析出物の濃度分布」は，本願発明の「前記ウェーハの上面と前記第１ピーク，及び前記ウェーハの下面と前記第２ピーク間のデヌーデッドゾーン」の「酸素析出物濃度プロファイル」に相当する。
（４）引用発明の「ＣＺシリコン基板」の内部に形成された「ゲッタリング層（ＩＧ層）」は，引用例の第３図における酸素析出核密度の分布がＩＧ層内で凹状であることを参酌すると，引用発明の「酸素析出物の濃度分布」が，ゲッタリング層（ＩＧ層）内で凹状であることは明らかであるから，引用発明は，本願発明の「前記第１及び第２ピーク間でのコンケーブ領域」に相当する構成を具備している。
（５）以上のことを踏まえると，本願発明と引用発明とは，
「上面，下面及び前記上下面間内で酸素析出物濃度プロファイルを有するシリコンウェーハにおいて，前記酸素析出物濃度プロファイルは，
　ウェーハの上下面から各々第１及び第２深さでの第１及び第２ピークと，
　前記ウェーハの上面と前記第１ピーク，及び前記ウェーハの下面と前記第２ピーク間のデヌーデッドゾーンと，
　前記第１及び第２ピーク間でのコンケーブ領域を含むことを特徴とするシリコンウェーハ。」
である点で一致し，以下の相違点１及び２で相違する。
相違点１：本願発明は，「前記ウェーハの上面と前記第１ピークとの間の前記デヌーデッドゾーン内に，複数個のＳＴＩ領域を含」むのに対し，引用発明では，表面近傍に素子活性領域となる無欠陥層（ＤＺ層）は形成されているものの，ＳＴＩ領域については明記されていない点。
相違点２：本願発明は，「前記第１ピーク及び第２ピーク間の前記コンケーブ領域での酸素析出物の濃度は少なくとも１×１０８ｃｍ−３以上である」のに対し，引用発明では，酸素析出物の濃度分布は，無欠陥層（ＤＺ層）との境界近傍のゲッタリング層（ＩＧ層）内で極大値をとるものの，ゲッタリング層（ＩＧ層）の酸素析出物の濃度が明確ではない点。
　
４　当審の判断 
（１）相違点１について検討すると，引用発明では，無欠陥層（ＤＺ層）である表面近傍に素子活性領域を形成するのであるから，無欠陥層（ＤＺ層）内にＳＴＩ領域のような素子分離領域を複数形成することを予定するものである。そして，無欠陥層（ＤＺ層）（すなわち，デヌーデッドゾーン）内に複数個のＳＴＩ領域のような素子分離領域を形成することは，例えば下記の周知例１又は２に記載されているように従来周知の技術である。したがって，引用発明において，この従来周知の技術を採用し，無欠陥層（ＤＺ層）内に複数個のＳＴＩ領域を形成し，本願発明のような「前記ウェーハの上面と前記第１ピークとの間の前記デヌーデッドゾーン内に，複数個のＳＴＩ領域を含」む構成とすることは，当業者が容易に想到し得るものである。
　
・周知例１：特開２００１−１５５１８号公報（平成１３年１月１９日出願公開）
　従来の技術として図４及び図５を参照し，「【０００２】
【従来の技術】図４及び図５に示す半導体装置用のＩＧ（intrinsic gettering）基板は，比較的酸素濃度の高い半導体基板１０１に対してアニール処理を行うことで得られ，
半導体基板１０１の内部に酸素濃度の高い高欠陥密度層（いわゆるＩＧ層）１０２が形成されると共に，表面層にデヌーデッドゾーン（denuded zone）といわれる無欠陥層１０３が形成
【０００３】特に，水素雰囲気中でのアニール処理によって得られたＩＧ基板（以下，水素アニール基板と記す）は，高欠陥密度層１０２や無欠陥層１０３が形成されると共に，半導体基板１０１表面のテラス状欠陥がなめらかになり，かつＣＯＰ（crystal oriented particle）等の欠陥が埋められ，あたかもエピタキシャル成長させたような結晶表面を得ることができる。
【０００４】このような水素アニール基板を用いた半導体装置を製造するには，表面から２μｍ程度の深さに掛けて設けられた
無欠陥層１０３の表面層に，絶縁膜を成長させた素子分離領域１０５またはシャロートレンチアイソレーション（以下，ＳＴＩと記す）１０５’を形成
　
・周知例２：特開平９−３６１２３号公報（平成９年２月７日出願公開）
ア　図１を参照して，「【００１９】
【実施例】以下に本発明の実施例を図１を参照して説明する。シリコンウェーハの熱処理膜（熱酸化膜）の膜質劣化の主原因である酸素析出によるＢＭＤは，熱酸化膜の膜質を低下させるという一方で，雰囲気中からウェーハ内に侵入してくる金属不純物のゲッタリング効果がある。そこで，素子機能に影響せず，かつ，
素子活性領域に比較的に近い部分に不活性不純物によるＢＭＤ層を形成し，このＢＭＤ層にシリコンウェーハ内に浸入した金属等の汚染不純物を捕獲するゲッタリングを行わせる
【００２０】まず，Ｐ型シリコン基板１４に，１２００℃，Ｈ２ガスの還元性雰囲気中で高温熱処理を施し，
シリコン基板１４の表面から深さ４０μｍ程度の領域まで外方拡散により酸素を減少させ，ＢＭＤ密度を下げる
シリコン基板１４の表面から１０〜２０μｍの深さの領域に欠陥層１６を形成
熱処理を行ってイオン注入に伴う素子形成領域の欠陥を減少
【００２１】基板表面に熱酸化膜１７を形成し，その上にシリコン窒化膜１８を堆積し，素子形成領域のパターニングを行い，パターニングされたシリコン窒化膜１８をマスクとして熱処理によって選択的に酸化膜を形成し，
フィールド酸化膜１９を形成
イ　図１を参照して，「【００２６】これに対し，本発明の実施例のように，ＭＯＳキャパシタの下部領域に欠陥層１６を形成した場合，１２０ｓｅｃに向上している。これは欠陥層１６によるゲッタリング効果によって，ウェーハ表面から侵入した汚染不純物をＢＭＤ層内に取込むことができ，結果的に，
酸化膜となるべき部分の汚染不純物を減らし，良質のシリコン酸化膜が形成された
ウ　「【００２９】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，ウェーハの熱処理によってウェーハの酸素濃度を低下して欠陥のないいわゆる
デヌーテッド・ゾーンを形成
シリコン基板の素子形成領域の下部領域に汚染不純物を取込む欠陥層を別途形成したので，解消可能
エ　図１には，
フィールド酸化膜１９が，欠陥層１６の上部の素子形成領域（すなわち，デヌーテッド・ゾーン）に形成
　
（２）相違点２について
ア　本願の出願当初明細書に，本願発明の「前記第１ピーク及び第２ピーク間の前記コンケーブ領域での酸素析出物の濃度は少なくとも１×１０８ｃｍ−３以上である」構成については，次の記載のみがある。
「【請求項６】　
前記第１ピーク及び第２ピーク間の前記コンケーブ領域での酸素析出物の濃度は，少なくとも１×１０
８
ｃｍ
−３
以上である
「【請求項１６】　
前記第１ピーク及び第２ピーク間の前記コンケーブ領域での酸素析出物の濃度は少なくとも１×１０
８
ｃｍ
−３
以上である
「【請求項２５】　
前記第１ピーク及び第２ピーク間の前記コンケーブ領域での酸素析出物の濃度は少なくとも１×１０
８
ｃｍ
−３
以上である
「【００１８】本発明の他の実施形態では，前記第１ピーク及び第２ピークでの酸素析出物の濃度は，少なくとも１×１０９ｃｍ−３以上であり，
前記第１ピーク及び第２ピーク間の前記コンケーブ領域での酸素析出物の濃度は，少なくとも１×１０
８
ｃｍ
−３
以上である
　これらの記載によれば，本願の出願当初明細書に，本願発明の「前記第１ピーク及び第２ピーク間の前記コンケーブ領域での酸素析出物の濃度」については，少なくとも１×１０８ｃｍ−３以上であることのみが開示されているのであって，「前記第１ピーク及び第２ピーク間の前記コンケーブ領域での酸素析出物の濃度」を少なくとも１×１０８ｃｍ−３以上と特定することについて，特別な技術的意義は明記されていない。
イ　また，本願の出願当初明細書の段落【００７７】に記載された表５における「バルクでの酸素析出物の濃度」欄のうち，使用ガスが「Ｎ２／Ａｒ」又は「Ｎ２／Ｈ２」に対応するものは，本願発明の「前記第１ピーク及び第２ピーク間の前記コンケーブ領域での酸素析出物の濃度」に相当するものと認められるが，その「バルクでの酸素析出物の濃度」が５×１０９ｃｍ−３であることから，この表５の記載を加味したとしても，本願発明において，「前記第１ピーク及び第２ピーク間の前記コンケーブ領域での酸素析出物の濃度」の下限を，少なくとも１×１０８ｃｍ−３と１０８のオーダーに特定することに，特別な臨界的意義を認めることはできない。
ウ　さらに，本願の出願当初明細書には，次の記載もある。
「【０１３３】図３８は，図４のような第１及び第２ピークに対するＢＭＤ（Bulk Micro-Defect）密度（すなわち，ベイカンシ欠陥及びインタスティシャル欠陥）（ピークＢＭＤ）と第１及び第２ピーク間のコンケーブバルク領域内の最低領域に対するＢＭＤ（バルクＢＭＤ）を示すグラフである。各ＢＭＤ測定と関連した四角形は，図４のＤＺの深さを示す。
ＢＭＤ欠陥は密度（ｃｍ
−２
）で表され，１０
４
倍して体積（ｃｍ
−３
）に変換されうる
　この記載に基づいて，図３８〜図４２を参照すると，図３８〜図４２には，ＢＭＤバルク密度がグラフで表示され，少なくとも１×１０５ｃｍ−２以上（すなわち，１０４倍すると，少なくとも１×１０９ｃｍ−３以上）のＢＭＤ密度が開示されている。バルク領域において，ＢＭＤの密度は，酸素析出物の濃度と実質的に同じものとみれば（この点は，平成２０年２月４日付け手続補正書（方式）の４頁３〜１３行において，審判請求人も主張していることである。），バルク領域における酸素析出物の濃度は，少なくとも１×１０９ｃｍ−３以上となり，図３８〜図４２の記載からみても，本願発明において，「前記第１ピーク及び第２ピーク間の前記コンケーブ領域での酸素析出物の濃度」の下限を，少なくとも１×１０８ｃｍ−３と１０８のオーダーに特定することに，特別な臨界的意義を認めることはできない。
エ　そして，上記２（１）エによれば，引用例には，実験例４〜６において，基板表面近傍で酸素析出物密度が著しく高く，格子間Ｓｉが基板表面側から内方に拡散して酸素析出核密度を高めたことが記載され，第４図における酸素析出物密度の分布を参照すると，ゲッタリング層（ＩＧ層）の酸素析出物の濃度が，少なくとも１×１０８ｃｍ−３以上であることは明らかである。
オ　したがって，本願発明において，「前記第１ピーク及び第２ピーク間の前記コンケーブ領域での酸素析出物の濃度は少なくとも１×１０８ｃｍ−３以上である」と特定することに，特別な臨界的意義を認めることはできないのであるから，引用発明において，ゲッタリング層（ＩＧ層）の酸素析出物の濃度を少なくとも１×１０８ｃｍ−３以上とすること，すなわち，本願発明の「前記第１ピーク及び第２ピーク間の前記コンケーブ領域での酸素析出物の濃度は少なくとも１×１０８ｃｍ−３以上である」構成とすることは，当業者が容易になし得るものである。
　
５　まとめ
　以上検討したとおり，本願発明は，従来周知の技術を勘案することにより，引用発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。