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　特願２００６−２２６７６７「発光ダイオード層と接合されたウェーハとの間の反射性境界面」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１１月２４日出願公開、特開２００６−３１９３７４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成６年３月８日（優先権主張　１９９３年３月１９日、アメリカ合衆国）に出願した特願平６−６４５２８号（以下「原出願」という。）の一部を、平成１５年８月１８日に特許法第４４条第１項の規定に基づき新たな特許出願とした特願２００３−２９４３４１号の一部を、同規定に基づき新たな特許出願としたものとして、平成１８年８月２３日に出願したものであって、平成２２年７月６日に手続補正がなされたが、同年９月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２３年２月３日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２２年７月６日になされた手続補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、同特許請求の範囲の記載は、次のとおりである。
　
「　　【請求項１】
　成長基板上にエピタキシャル成長されたアルミニウムガリウムインジウム燐（AlGaInP）ＬＥＤ層であって、この成長基板が前記ＬＥＤ層を製造するための格子整合と適応性があるＬＥＤ層と、
　前記ＬＥＤ層の一方の側面にウェーハ・ボンディングされた第２の基板と、
　透光性材料と、
からなり、
　前記第２の基板が、前記透光性材料を間に置いて、前記ＬＥＤ層にウェーハ・ボンディングされている、発光ダイオード構造。
　　【請求項２】ないし【請求項５】　省略
　　【請求項６】
　成長基板上にエピタキシャル成長されたアルミニウムガリウムインジウム燐（AlGaInP）ＬＥＤ層と、この成長基板が前記ＬＥＤ層を製造するための格子整合と適応性があり、
　前記ＬＥＤ層の一方の側面にウェーハ・ボンディングされた透光性基板とからなる、発光ダイオード構造。
　　【請求項７】ないし【請求項９】　省略」
　
３　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、概略、次のとおりである。
　
（１）本願は原出願の出願当初の明細書又は図面に記載した事項の範囲内でないものを含んでおり、出願の分割要件を満たしておらず、出願日の遡及は認められない。
　
（２）請求項１ないし２に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでないから、本願は、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
（３）請求項３ないし４（審決注、平成２２年７月６日になされた手続補正前のもの。上記２の請求項６ないし７に対応するものと認められる。）に係る発明は、その出願前に頒布された刊行物である特開平６−３０２８５７号公報に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
（４）請求項１ないし４に係る発明は、上記刊行物に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
４　本願が分割出願の要件を満たすといえるかどうかについて
　本願が特許法第４４条第１項に規定する新たな出願といえるか（分割出願の要件を満たすといえるか）について、まず検討する。
 　 
（１）上記２によれば、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）である「発光ダイオード構造」は、第２の基板が、透光性材料を間において、成長基板上にエピタキシャル成長されたアルミニウムガリウムインジウム燐（AlGaInP）ＬＥＤ層にウェーハ・ボンディングされているという構成を備えるものと認められる。
　
（２）しかるところ、原出願の願書に最初に添付した明細書（以下「原明細書」という。）には、上記（１）の構成を備える発光ダイオード構造を明示して説明する記載が認められない。このことは、原出願の図面を考慮に入れても同様である。
　
（３）請求人は、平成２２年７月６日に提出した意見書において、請求項１に係る発明は、図９及び【００４１】〜【００４２】等に記載されている旨主張し、審判請求の理由において【００３８】及び図７を挙げ、上記意見書で述べた箇所以外にも請求項１に係る発明は明確に発明の詳細な説明に記載されている旨主張するので、以下に検討する。
　
　ア　原明細書には、以下の記載がある。
　
（ア）「　　　【００３８】
　半導体−ガラス接合において、半導体−半導体接合と比較して優れた接合強度が認められた。半導体−半導体接合と比較して同様のことが、半導体−ＳｉＯ2 接合の場合にも認められる。このように、機械的な完全性の観点から、半導体−ガラス−半導体の挟装層、又は半導体−ＳｉＯ2 −半導体の挟装層を製造することによって透光性基板のＬＥＤを形成することが望ましいだろう。図７を参照すると、ガラス又はＳｉＯ2 、又はその他の酸化物の層５２を導電性、透光性基板５４上に形成することができる。次に層５２がパターン形成されて、直前に述べた実施例の場合のように接点金属化領域５６が付与される。あるいは、又はそれに加えて、ＬＥＤ構造４０の最下層のＬＥＤ層３２上に酸化物及び／又は接点金属化領域５８にパターン形成してもよい。この場合も、接点は良好な電気的接触用に充分な面積を付与し、同時に境界面を依然として大幅に透光性にするようにパターン形成される必要がある。次に層５２の表面が緩衝層であるＬＥＤ層３２の表面と接触され、処理によって層の間のウェーハ接合が形成される。熱処理によって材料相互間の接合強度が増強される。」
　
　なお、図７は、次のものである。
　
（イ）「　　　【００４１】
　ウェーハ・ボンディング工程を利用して積層ＬＥＤ装置を形成することもできる。このような素子は図９に示されている。境界面が装置を通して高い導電率が保持されるような境界面である場合は、複数のＬＥＤ構造４０と６４とを互いに接合でき、且つ（又は）別の層と接合できる。上部のＬＥＤ構造４０のＬＥＤ層３４と３８のトーピングの形式は下部のＬＥＤ構造６４の層７０及び６６のそれぞれのドーピングの形式と対応する。従って、二つのＬＥＤ構造４０と６４とは同じ極性で配置されている。更に、ウェーハ接合される表面は極めて重くドーピングされるように準備される必要がある。このようにして、構造が互いに接合される際に、ＬＥＤ構造と逆の極性を有する重くドーピングされたトンネル接合部７２が形成される。あるいは、トンネル接合部は、この接合部の露出表面にウェーハ・ボンディングを行いつつ、ＬＥＤ構造の一部としてエピタキシャル成長させてもよい。
　　　【００４２】
　図９の装置は個々のＬＥＤ構造４０及び６４が順方向にバイアスされるように、上部電極７４に電圧を印加し、下部電極７６に電圧を印加することによって動作される。下部電極は導電性、透光性基板７８上のパターン化された金属化層である。積層装置の順方向バイアスは重くドーピングされたトンネル接合部７２に逆バイアスを加え、それによってトンネル接合部を導電性にする。このようにして、光線出力と効率を高めるために任意の数のＬＥＤを互いに積層することができる。ＬＥＤ構造４０及び６４の積層から成るＬＥＤ装置は、それが互いに積層されていない場合の個々のＬＥＤ構造の電圧の総計で動作する。能動層であるＬＥＤ層３６と能動層６８とが同じ放射エネルギを有することは決定的に重要ではない。しかし、導電性、透光性基板７８は個々のＬＥＤ構造の放出エネルギよりも大きいエネルギ・ギャップを有していることが好ましい。導電性の形式の全てが反転された場合も積層を形成できることに留意されたい。」
　
　なお、図９は、次のものである。
　
　イ　上記ア（ア）によれば、原明細書には、半導体−半導体接合と比較して半導体−ガラス接合、半導体−ＳｉＯ2 接合においては接合強度が優れており、機械的な完全性の観点から、半導体−ガラス−半導体の挟装層、又は半導体−ＳｉＯ2 −半導体の挟装層を製造することによって透光性基板のＬＥＤを形成することが望ましいこと、具体的には、ガラス又はＳｉＯ2 、又はその他の酸化物の層５２を導電性、透光性基板５４上に形成し、次に層５２がパターン形成されて接点金属化領域５６が付与され、あるいは、又はそれに加えて、ＬＥＤ構造４０の最下層のＬＥＤ層３２上に酸化物及び／又は接点金属化領域５８にパターン形成してもよいこと、この場合、接点は良好な電気的接触用に充分な面積を付与し、同時に境界面を大幅に透光性にするようにパターン形成される必要があることが記載されているものと認められる。
　そして、境界面を大幅に透光性にする旨の説明によれば、ガラスないしＳｉＯ2 は、透光性であることが前提とされているものと理解できる。
　すなわち、原明細書には、ＬＥＤ構造の最下層のＬＥＤ層と導電性、透光性基板との間に、透光性であるガラスないしＳｉＯ2 の層を接点金属化領域とともにパターン形成したものを挟んで接合し、接合強度を優れたものとする技術が開示されているものということができる。
　しかし、かかる開示をもって、ガラスないしＳｉＯ2 の層を接点金属化領域とともにパターン形成するものに特定されることなく、単に、透光性材料が、第２の基板とＬＥＤ層との間におかれてウェーハ・ボンディングされるという、本願発明１の上記（１）の構成に係る技術的思想を開示するものとは到底いえない。
　
　ウ　また、上記ア（イ）によれば、原明細書には、ウェーハ・ボンディング工程を利用し、トンネル接合部を間において複数のＬＥＤ構造を接合する技術が開示されていることが理解できるが、同技術は、本願発明１の上記（１）の構成とは全く結びつかないものである。
　
（４）以上によれば、上記（１）の構成を備える本願発明１が、原明細書に記載されていたものとすることはできず、原出願は、本願発明１を包含するものとはいえないものであるから、本願が、特許法第４４条第１項に規定する新たな出願である（分割出願の要件を満たす）ということはできない。
　よって、本願を、原出願の出願の時に出願したものとみなすことはできず、本願は、現実の出願日である平成１８年８月２３日に出願されたものというべきである。
　
５　特許法第３６条第６項第１号についての検討
　本願明細書の発明の詳細な説明に、上記４（１）の構成を備える発光ダイオード構造を明示して説明する記載は認められないことは、原出願の出願当初の明細書と同様である。また、上記４（３）の請求人主張に係る本願明細書及び図面の記載内容は、原出願の出願当初のものと変わりがない。
　したがって、上記４での検討と同様の理由により、本願発明１が本願明細書の発明の詳細な説明に記載されているものとは認められないから、本願は、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
６　特許法第２９条第１項第３号についての検討
　
（１）刊行物の記載
　原査定の拒絶の理由に引用した、本願出願前に頒布された刊行物である特開平６−３０２８５７号公報（以下「引用刊行物」という。）には、以下の記載がある（下線は、審決で付した。）。
 　 
「【００２４】
【実施例】図１を参照すると、本発明を実施する第１の工程は、複数個のＬＥＤ層をその上で順次成長させる第１基板として成長基板３０を選択することである。好適な実施例では、成長基板３０はＬＥＤ層の製造後に除去される一時的成長基板である。この実施例では、成長基板の電気的、光学的特性は製造されるＬＥＤの動作には関係ないので、成長基板はＬＥＤ層の成長に影響する特性に関してだけ選択することができる。例えば、
格子整合は一般に成長基板を選択する上で配慮される重要な側面である
【００２５】一時的成長基板３０の例は厚さが２５０ないし５００μｍの範囲内のＧａＡｓ基板である。次に
四つのＬＥＤ層３２，３４，３６及び３８が成長基板３０上で成長される
本発明はどの種類のＬＥＤ装置にも利用できる
【００２６】
成長基板３０の真上のＬＥＤ層３２は
緩衝層である
下部のＡｌＧａＩｎＰ密封層
下部の密封層のＬＥＤ層３４
【００２７】
ＡｌＧａＩｎＰの能動層となるＬＥＤ層３６
ＡｌＧａＩｎＰの上部密封層となる
【００２８】ＬＥＤ層３２−３８内ではある程度の光吸収性及び電気抵抗率の誤差が許容される。それはこれらの層が充分に薄く、最適な特性を達成するために素子の性能を著しく妥協しなくてもよいからである。しかし、光吸収性の一時的成長基板３０は明確に性能に影響を及ぼす。さて、図２を参照すると、
成長基板は既に除去され、成長層であるＬＥＤ層３２−３８によって形成されたＬＥＤ構造が残されている
【００２９】
一時成長基板を除去した後、性能向上基板が図２に示したＬＥＤ構造４０の最下層のＬＥＤ層３２又は最上層のＬＥＤ層３８の何れかに接合される
ウェーハ・ボンディング技術が採用される
【００３０】図３は
透明層として使用され、また永久基板でもある導電性、透光性基板４２が緩衝層であるＬＥＤ層３２にウェーハ接合された
【００３１】さて図４を参照すると、製造工程の残りには標準型のＬＥＤ技術が含まれる。
電極４４が例えば蒸着によって上部密封層であるＬＥＤ層３８上に形成される。電極を形成する代表的な材料は金−亜鉛合金である。第２電極４６は導電性、透光性基板４２上に形成される
　
（２）引用発明
　上記（１）によれば、引用刊行物には、次の発明が記載されているものと認められる。
　
「成長基板３０の上に、緩衝層であるＬＥＤ層３２、下部のＡｌＧａＩｎＰ密封層となるＬＥＤ層３４、ＡｌＧａＩｎＰの能動層となるＬＥＤ層３６、ＡｌＧａＩｎＰの上部密封層となるＬＥＤ層３８が成長され、成長基板が除去されて残された、成長層であるＬＥＤ層３２−３８によって形成されたＬＥＤ構造４０の最下層の緩衝層であるＬＥＤ層３２に導電性、透光性基板４２が接合され、電極４４が上部密封層であるＬＥＤ層３８上に形成され、第２電極４６が導電性、透光性基板４２上に形成されたＬＥＤ装置であって、前記成長基板３０を選択する上で格子整合が配慮されたＬＥＤ装置。」（以下「引用発明」という。）
　
（３）対比、判断
　本願の請求項６に係る発明（以下「本願発明２」という。）と引用発明とを対比するに、引用発明の「成長基板３０」、「成長基板３０の上に、緩衝層であるＬＥＤ層３２、下部のＡｌＧａＩｎＰ密封層となるＬＥＤ層３４、ＡｌＧａＩｎＰの能動層となるＬＥＤ層３６、ＡｌＧａＩｎＰの上部密封層となるＬＥＤ層３８が成長され、成長基板が除去されて残された、成長層であるＬＥＤ層３２−３８によって形成されたＬＥＤ構造４０」、「『ＬＥＤ層３２』に『接合され』た『導電性、透光性基板４２』」及び「ＬＥＤ装置」は、それぞれ、本願発明２の「成長基板」、「成長基板上にエピタキシャル成長されたアルミニウムガリウムインジウム燐（AlGaInP）ＬＥＤ層」、「前記ＬＥＤ層の一方の側面にウェーハ・ボンディングされた透光性基板」及び「発光ダイオード構造」に相当し、引用発明は、「成長基板３０を選択する上で格子整合が配慮された」ものであるから、本願発明２の「この成長基板が前記ＬＥＤ層を製造するための格子整合と適応性があり」との構成を備える。
　したがって、引用発明は、本願発明２の構成をすべて備えるものであり、両者の間に相違するところは見当たらない。
　よって、本願発明２は、引用刊行物に記載された発明というべきものであり、特許法第２９条第１項第３号に該当するものである。
　
７　むすび
　以上のとおり、本願は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないものであり、また、本願発明２は、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。