【事件の表示】
　特願２００７−１７９４０１号「基板処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１０月１１日出願公開、特開２００７−２６６６３６号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件に係る出願（以下「本願」という。）は、平成１２年１月２５日に出願した特願２０００−１５８１６号（以下「原々出願」という。）の一部を平成１５年１２月８日に特願２００３−４０８７５６号（以下「原出願」という。）として新たに特許出願としたものを、さらに、その一部を平成１９年７月９日に新たに特許出願したものであって、平成２２年９月１７日付けで拒絶査定がなされ（発送日：同年９月２８日）、これに対し、同年１２月２７日に審判請求がなされたものである。　
　
２．本願発明について
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２２年２月１８日付け手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「基板を収納し、内部で基板を処理する処理容器と、
　前記処理容器内に収納された基板を加熱するヒータと、
　前記処理容器内に水蒸気を供給する水蒸気供給手段と、
　前記処理容器内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給手段と、
　前記処理容器内にＮ２ガスを供給するＮ２ガス供給手段と、
　前記処理容器内を排気する排気管と、この排気管に設けられた流量コントローラと、
　前記処理容器内を加圧するように前記流量コントローラを制御する制御部と、を備え、
　前記ヒータは、前記処理容器内に収納された基板を水蒸気の露点温度よりも高く、かつ水蒸気の温度よりも低い温度に調節するように、前記制御部によって制御されることを特徴とする、基板処理装置。」
　
３．刊行物について 
(1)原査定の拒絶の理由において提示された、原々出願前に頒布された刊行物である国際公開第９８／３７５７５号（以下「刊行物１」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている（下線は当審で付与。以下同様。）。
a)「
技術分野
b)「そこで、本発明は、上述した従来の問題点を解消するためになされたものであり、その目的とするところは、ウエット法のリンスや乾燥のための追加工程を必要とせず、また真空や減圧のための高価で大型の設備を必要とせず、装置を簡単に構成しかつ小型化でき、濡れ性改善などの表面改質やアッシング、エッチングなどの表面処理を、比較的容易にかつ低コストで行うことができる新規な表面処理方法を提供することにある。
　また、本発明の目的は、かかる表面処理方法を実現するための新規な装置を提供することにある。」（第2ページ第3〜10行）
c)「
発明を実施するための最良の形態
　第１図には、本発明による表面処理方法を実施するための好適な装置の第１実施例の構造が概略的に示されている。この
表面処理装置
内部に処理室１を画定するハウジング２を備え
処理室には
加熱プレート４が配置され
その上に被処理物５を載置する
処理液６を入れた容器７と該容器を加熱するヒータ８とからなる蒸気発生装置
導入バルブ９を設けた管路１０
ハウジングは、排気バルブ１１を介して外部に連通している
　処理液６には、目的とする表面処理に応じて水（純水、水道水を含む）、酸性水、アルカリ水、酸化性液、有機溶剤、酸などの様々な液種を用いることができる。具体的には、取扱いの容易さ及び環境への影響などを考慮すると、処理液として水が最も好ましいが、それ以外に過酸化水素水、エチルアルコール、フッ化水素などが使用される。
　容器７内部の処理液６をヒータ８により加熱して蒸発させ、その蒸気を管路１０を介して処理室１内に送給する。処理室１内の
被処理物５は
加熱プレート４により
加熱されている
　
処理室１内部の蒸気量は、処理室の容積、被処理物の設置の仕方、表面処理の種類・速度などの処理条件に応じて、導入バルブ９による供給量と排気バルブ１１による排出量とを調整することによって制御される
　
加熱プレートの温度は、被処理物５の表面で処理液６の蒸気が液化しないように調整される
例えば、
沸点以上に加熱する
また、良好な表面処理を行う
処理室１内の蒸気が少なくとも表面処理の間は蒸気相を維持し
　更に本発明の表面処理を効率良く行うために、ハウジング２をできる限り小型化して処理室１の容積を小さくしたり、処理室内における被処理物の配置を高くすると効果的である。
　第１図の表面処理装置を使用し、処理液６として様々な液種を用いて実験を行ったところ、以下のような結果が得られた。」（第5ページ第1行〜第6ページ第7行）
d)「（実施例２）
　上記実施例１と同様に、
処理液６として純水を用い
　更に処理液６を過酸化水素水に変えて同様の実験を行ったところ、同様にシリコン板のレジストを除去するアッシングを行うことができた。」（第6ページ第16〜23行）
e)「第4図には、本発明による表面処理装置の
第２実施例
ガス導入口１６が設けられ
バルブ１７を調整することによって外部から選択したガスを補助的に供給し、処理液６の蒸気と混合して処理室１内に導入できる
　本実施例によれば、処理液６と補助ガスとをそれぞれ適当に組み合わせ、それらの混合ガスに加熱した被処理物を曝露することによって、より効果的に所望の表面処理を行うことができる。
処理液には
第１実施例について記載した様々な液種を用いることができる
補助ガスとしては、処理の目的に応じて酸化性の気体又は非酸化性の気体を選択することができる
　例えば、水又は過酸化水素水と酸素ガスとの組み合わせ、過酸化水素水又はエチルアルコールと窒素ガスとの組み合わせにより、濡れ性を向上させることができる。また、過酸化水素水と酸素ガス又は窒素ガスとの組み合わせにより、アッシングを行うことができる。更に、
補助ガスとしてオゾンを用いる
　第4図の表面処理装置を使用し、いくつかの処理液６と補助ガスとを組み合わせて実験を行ったところ、以下のような結果が得られた。
　（実施例４）
　処理液６として純水を、補助ガスとして酸素ガスをそれぞれ使用し、それらの混合ガスを処理室１に導入した。被処理物５として酸化アルミニウムの薄板を加熱プレート４上に載置し、前記混合ガスに曝露して表面処理を行った。これにより、前記酸化アルミニウム薄板表面の濡れ性を向上させることができた。
　処理液６を過酸化水素水に変えて、かつ同様に酸素ガスを用いて同様の実験を行ったところ、同様に濡れ性を向上させる表面改質を行うことができた。
　また、処理液６をエチルアルコールに、かつ補助ガスを窒素ガスに変えて同様の実験を行った場合にも、同様に濡れ性を向上させることができた。」（第7ページ第27行〜第8ページ第23行）
　
　上記a〜eの記載事項及び図面の図示内容を総合勘案して、第２実施例を中心にまとめると、刊行物１には、次の発明が記載されていると認められる。
「加熱プレート４上に被処理物５を載置する処理室１を内部に画定するハウジング２を備え、
　被処理物５を加熱する加熱プレート４が配置され、
　処理液６を入れた容器７と、該容器７を加熱するヒータ８とからなる蒸気発生装置と、
　処理液６として純水を用い、処理の目的に応じて選択する酸化性の気体としてのオゾンまたは非酸化性の気体としての窒素等から選択したガスを、バルブ１７を調整することにより補助的に供給するガス導入口１６と、
　ハウジング２を外部に連通させる排気バルブ１１を備え、
　処理室１内部の蒸気量を、処理室の容積、被処理物の設置の仕方、表面処理の種類・速度などの処理条件に応じて、管路に設けた導入バルブ９による供給量と排気バルブ１１による排出量を調整することによって制御し、
　加熱プレート４の温度は、被処理物５の表面で処理液６の蒸気が液化しないように、例えば、処理液の沸点以上となるように調整され、
　また、処理室１内の蒸気が少なくとも表面処理の間は蒸気相を維持し、良好な表面処理を行う表面処理装置。」
　
(2)原査定の拒絶の理由において提示された、原々出願前に頒布された刊行物である国際公開第９９／５２６５４号（以下「刊行物２」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。
a)「With reference to Fig. 4 , there is shown yet a further embodiment of the ozone treatment system  227 . In the embodiment of Fig. 4 , one or more nozzles 230 are disposed within the treatment chamber 15 to conduct ozone from ozone generator 75 directly into the reaction environment. The heated treatment fluid is provided to the chamber 15 through nozzles 40 that receive the treatment fluid, such as heated deionized water, through a supply line that is separate from the ozone supply line. As such, injection of ozone in fluid path 60 is optional. 
 Another embodiment of an ozone treatment system is shown generally at 250 in Fig. 5 . In the system 250 , a steam boiler 260 that supplies saturated steam under pressure to the process chamber 15 has replaced the pump mechanism. The reaction chamber 15 is preferably sealed to thereby form a pressurized atmosphere for the reactions. For example, saturated steam at 126 degrees Celsius could be generated by steam boiler 260 and supplied to reaction chamber 15 to generate a pressure of 35 psia therein during the workpiece processing. Ozone may be directly injected into the chamber 15 as shown, and/or may be injected into the path 60 for concurrent supply with the steam. Using the system architecture of this embodiment, it is thus possible to achieve semiconductor workpiece surface temperatures in excess of 100 degrees Celsius, thereby further accelerating the reaction kinetics.」（図４を参照すると、
オゾン処理システム２２７
　オゾン処理システムの別の実施形態が、図５において、一般に、符号２５０で図示されている。システム２５０において、処理チャンバ１５の圧力下で飽和した蒸気を供給する蒸気ボイラ２６０が、ポンプ機構の代わりに用いられている。好適には、反応チャンバ１５を封止することにより、反応のための加圧雰囲気を形成する。蒸気ボイラ２６０を用いて、
ワークピース処理中
反応チャンバ１５内に３５ｐｓｉａの圧力を形成する
オゾンを直接チャンバ内に注入し
蒸気と同時に供給するために経路６０に注入してもよい
　
　上記aの記載事項及び図面の図示内容を総合勘案すると、刊行物２には、次の発明が記載されていると認められる。
「オゾンを蒸気と同時に供給するために、経路６０に注入し、ワークピース処理中、反応チャンバ１５内に３５ｐｓｉａの圧力を形成し、オゾンを直接チャンバ内に注入するオゾン処理システム２２７。」
　
４．対比
　本願発明と刊行物１に記載された発明とを対比する。
　刊行物１に記載された発明の「加熱プレート４上に被処理物５を載置する処理室１を内部に画定するハウジング２」は、その構成及び機能からみて、本願発明の「基板を収納し、内部で基板を処理する処理容器」に相当し、以下同様に、
　「被処理物５を加熱する加熱プレート４」は「処理容器内に収納された基板を加熱するヒータ」に、
　「処理液６を入れた容器７と、該容器７を加熱するヒータ８とからなる蒸気発生装置」は、純水を処理液６として用い、処理液６の蒸気は水蒸気であるから、「処理容器内に水蒸気を供給する水蒸気供給手段」に、
　「処理液６として純水を用い、処理の目的に応じて選択する酸化性の気体としてのオゾンまたは非酸化性の気体としての窒素等から選択したガスを、バルブ１７を調整することにより補助的に供給するガス導入口１６」は「処理容器内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給手段」及び「処理容器内にＮ２ガスを供給するＮ２ガス供給手段」に、
　「加熱プレート４の温度は、被処理物５の表面で処理液６の蒸気が液化しないように、例えば、処理液の沸点以上となるように調整され」ることは、蒸気が液化されずに気体のまま存在することから、「ヒータは、処理容器内に収納された基板を水蒸気の露点温度よりも高」「い温度に調節するように、制御部によって制御される」ことに、
　「表面処理装置」は「基板処理装置」に、
それぞれ相当する。
　そして、刊行物１に記載された発明の「ハウジング２を外部に連通させる排気バルブ１１を備え、処理室１内部の蒸気量を、処理室の容積、被処理物の設置の仕方、表面処理の種類・速度などの処理条件に応じて、管路に設けた導入バルブ９による供給量と排気バルブ１１による排出量を調整することによって制御」されることと、本願発明の「処理容器内を排気する排気管と、この排気管に設けられた流量コントローラと、処理容器内を加圧するように流量コントローラを制御する制御部と、を備え」ることとは、前者において、排気バルブ１１は、排気管に設けられ、調整されるものであり、また、排気バルブ１１は、何らかの制御手段によって、制御されることは明らかであるから、両者は、「処理容器内を排気する排気管と、この排気管に設けられた流量コントローラと、流量コントローラを制御する制御部と、を備え」ることで共通する。
　
　したがって、上記両者の一致点および相違点は、次のとおりである。 
［一致点］
「基板を収納し、内部で基板を処理する処理容器と、
　前記処理容器内に収納された基板を加熱するヒータと、
　前記処理容器内に水蒸気を供給する水蒸気供給手段と、
　前記処理容器内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給手段と、
　前記処理容器内にＮ２ガスを供給するＮ２ガス供給手段と、
　前記処理容器内を排気する排気管と、この排気管に設けられた流量コントローラと、
　前記流量コントローラを制御する制御部と、を備え
　前記ヒータは、前記処理容器内に収納された基板を水蒸気の露点温度よりも高い温度に調節するように、前記制御部によって制御される基板処理装置。」
　
［相違点１］
　制御部が、本願発明では、処理容器内を加圧するように流量コントローラを制御するのに対して、刊行物１に記載された発明では、処理室１内部の蒸気量を、処理室の容積、被処理物の設置の仕方、表面処理の種類・速度などの処理条件に応じて、管路に設けた導入バルブ９による供給量と排気バルブ１１による排出量を調整することによって制御する点。
　
［相違点２］
　本願発明では、ヒータによって基板を水蒸気の温度よりも低い温度に調節するのに対して、刊行物１に記載された発明では、処理室１内の蒸気が少なくとも表面処理の間は蒸気相を維持し、良好な表面処理を行う点。
　
５．当審の判断
(1)相違点１について検討する。
　刊行物１に記載された発明は、処理室の容積、被処理物の設置の仕方、表面処理の種類・速度などの処理条件に応じて、導入バルブ９による供給量と排気バルブ１１による排出量を調整するものである。
　そして、刊行物２には、蒸気とオゾンとにより、ワークピース処理中に、反応チャンバ内に３５ｐｓｉａ（約２．３８気圧）の圧力を形成するオゾン処理システムについて記載されている。
　また、刊行物１に記載された発明と刊行物２に記載された発明とは、基板をオゾン処理する装置である点で、同一の技術分野に属する。
　したがって、刊行物１に記載された発明において、オゾン処理の処理条件
の一つである圧力について規定した刊行物２に記載された発明に倣って、圧力に関する処理条件を実現すべく、導入バルブ９による供給量と排気バルブ１１による排出量を調節し、ハウジング２内を設定加圧状態とすることは、当業者が適宜なし得たものである。
　
(2)相違点２について検討する。
　まず、本願発明が、ヒータによって基板を水蒸気の温度よりも低い温度に調節することの技術的意義について検討する。
　本願明細書の発明の開示の項に、ヒータによる基板の温度調節について、「ランプヒータ機構２０を発熱させてウェハＷを所定の温度に温度調整する。この所定の温度を、オゾンを利用した処理が最適に行われる温度の範囲内で、水蒸気４の露点温度よりも高く、かつ
水蒸気４の温度よりも低い温度に設定している
ウェハＷの表面に高密度の水分子
６１の層を容易に形成することができる
　ここで、刊行物１に記載された発明は、処理室１内の蒸気が少なくとも表面処理の間は蒸気相を維持し、良好な表面処理を行うものであるが、良好な表面処理を行うために、蒸気相の密度を、表面処理が行われる被処理物５の表面で高くするほど、処理効率の向上が図れることは明らかである。
　したがって、刊行物１に記載された発明において、加熱プレート４の加熱によって被処理物５を水蒸気の温度より低い温度に調整して、水蒸気相の密度を被処理物５の表面で高くすることは、当業者が容易になし得たものである。
　
(3)小括
　本願発明の奏する効果についてみても、刊行物１及び２に記載された発明から当業者が予測できた効果の範囲内のものである。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願のその他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
 　  
　よって、結論のとおり審決する。