【事件の表示】
　特願２００３−５０４４７６「有機光起電力素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１２月１９日国際公開、ＷＯ０２／１０１８３８、平成１６年　７月２９日国内公表、特表２００４−５２３１２９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００２年６月７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００１年６月１１日及び２００１年９月６日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２１年２月２５日付けで手続補正がなされたが、同年５月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月２８日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
　
２．本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２１年２月２５日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１８に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
「　アノード；
電子ドナー層及び電子ドナー層と接する電子アクセプタ層を各サブセルが備える、直列の複数のサブセル、
サブセルを隔てる電子−ホール再結合ゾーン、及び
カソード
を備え、各サブセルにより発生する電流がほぼ等しい感光性有機オプトエレクトロニクス素子。」（以下「本願発明」という。）
　
　
３．刊行物の記載事項 
　
（１）原査定の拒絶理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開第００/１１７２５号（以下「引用例」という。）には、下記の事項が記載されている。当審訳を『』で付した。
　
ア「In traditional semiconductor theory,materials for forming PV heterojunctions have been dentoted as generally being of either n,or donor,type or p,or acceptor,type.Here n-type denotes that the majority carrier type is the electron. This could be viewed as the material having many electrons in relatively free energy states. The p-type denotes that the majority carrier type is the hole. Such material has many holes in relatively free energy states.」（第５頁第１３〜１８行）
『従来の半導体理論においては、ＰＶヘテロ接合部分を形成するための材料は、通常、ｎ、すなわちドナー・タイプ、またはｐ、すなわちアクセプタ・タイプと呼ばれてきた。ここで、ｎタイプは大多数のキャリヤ・タイプが電子であることを意味する。材料が、比較的自由なエネルギー状態の電子を多数含んでいるという事実から、このことを理解することができるだろう。ｐタイプは、大多数のキャリヤ・タイプが、ホールであることを意味する。このような材料は、比較的自由なエネルギー状態のホールを多く含んでいる。』
　
イ　「Due to these unique electronic properties of organic materials,rather than designating them as ”p-type” or ”n-type”,the nomenclature of ”hole-trasporting-layer”(HIL) or ”electron-transporting-layer”(ETL) is frequently used.」（第６頁第１７行〜第２０行）
『有機材料はこのようなユニークな電子特性を持っているので、上記有機材料を「ｐタイプ」または「ｎタイプ」と呼ばないで、多くの場合、「ホール移送層」（ＨＴＬ）または「電子移送層」（ＥＴＬ）という名称が使用される。』　
　
ウ「SUMMARY AND OBJECTS OF INVENTION
The present invention is directed to organic photosensitive optoelectronic devices utilizing transparent electrodes, in particular, devices that include an organic photosensitive optoelectronic cell comprised of at least one pair of two transparent electrodes, that is, a transparent cathode and a transparent anode, or devices that have a transparent electrode in superposed relationship upon the top surface of a substrate with at least one photoconductive organic layer disposed between the electrode and the substrate.」（第１５頁第５行〜第１１行）
『（発明の概要と目的）
  本発明は、透明な電極を使用する有機感光性光電子装置、特に、少なくとも一組の二つの透明な電極、すなわち、透明なカソードおよび透明なアノードからなる有機感光性光電子セルを含む装置、または電極と基板との間に蒸着された少なくとも一つの光伝導有機層を含む基板の頂面上に重畳している一つの透明な電極を持つ装置に関する。』
　
エ「In other embodiments,a bilayer stacked device may be constructed in which the subcells are in series by not alternating the order of the two organic layers. In accord with the present invention such devices may have external connections to electrodes between subunits or may have the subunits interconnected by charge transfer layers and iso1ated from external circuits. Fig.8C depicts a series connected device 8C00 with intervening electrodes. Layers 803a,803b,803c,803d are arranged to be on top of layers 804a,804b,804c and 804d in each of their respective subcells.This means that each subcell is arranged to have an ETL,e.g., CuPc, on top of a HTL, e.g., PTCDA or PTCBI,so that each subcell has the cathode on top. This means that this embodimennt is arranged to take advantage of the low resistance non-metallic cathode. Device 8C00 provides a plurality of negative voltages VL1...N, where N is the number of subcells.N=4 is depicted in Fig.8C.Note also that each available voltage VL1 is the sum of the voltages from all lower numbered cells.In another embodiment (not shown) which is a variant of device 8C00,the metallic/non-metallic composite cathode is utilized by inserting thin semitransparent metallic layers of, e.g.,10% Ag in 90% Mg,or other low work function metals or metal alloys.These metallic layers of, approximately 100Å or less in thickness, are placed below and adjacent to the metal substitute,e.g.,ITO,layers 805a, 802b,805b and 802c to form a metallic/non-metallic composite cathode for each subunit. In anoter embodiment(not shown) layers 804a,804b,804c and 804d are arranged to be on top of layers 803a,803b,803c,803d so that the subunits have the anode on top and the vo1tages VL1,correspondingly have the opposite polarity.Fig.8D depicts a series connected device 8D00 similar to device 8C00 but with the subunits interconnected by charge transfer layers 8D10,8D1l and 8Dl2 of,e.g,ITO of approximate thickness 1000-4000Å,preferably less than 2000Å and most preferably around 1000Å. There is yet another embodiment(not shown)in which the organic semiconducting layers are reversed so that a device with an overall opposite electrical polarity is obtained. Another embodiment is a variation(not shown) of device 8D00 in which thin semitransparent metallic layers of,e.g.,l0%  Ag in 90% Mg, or other low work function metals or metal alloys layers of approximate thickness 100 Å or less are placed below and adjacent to layers 8D10,8D11 and 8Dl2 to form metallic/non-metallic composite charge transfer layers and below and adjacent to layer 802c to form a metallic/non-metallic composite cathode.」（第３５頁第９行〜第３６頁第８行）
『他の実施形態の場合には、２層積層装置を、二つの有機層の順序を交互にではなく、サブセルが直列になるように、組み立てることができる。本発明によれば、このような装置は、サブユニットの間に、電極への外部接続を持つことができ、電荷移送層により相互に接続していて、また外部回路から絶縁しているサブユニットを持つことができる。図８Ｃは、中間電極を持つ直列接続の装置８Ｃ００である。層８０３ａ、８０３ｂ、８０３ｃ、８０３ｄは、その各サブセル内に、層８０４ａ、８０４ｂ、８０４ｃおよび８０４ｄの頂面上に配置されている。このことは、各サブセルは、各サブセルが頂面上にカソードを持つように、例えば、ＰＴＣＤＡまたはＰＴＣＢＩのようなＨＴＬの頂面上に、例えば、ＣｕＰｃのようなＥＴＬを持つように、配置されることを意味する。このことは、この実施形態は、低抵抗の非金属カソードの利点を利用するように、配置されていることを意味する。装置８Ｃ００は、複数の負の電圧、ＶL1．．．Nを供給する。この場合、Ｎは、サブセルの数である。図８Ｃは、Ｎ＝４の場合を示す。また、利用することができる各電圧ＶLiは、数字の小さなすべてのセルの電圧の合計である。装置８Ｃ００を修正した他の実施形態（図示せず）の場合には、例えば、９０％のマグネシウムに対して１０％の銀、または他の加工し難い金属または合金の薄い半透明な金属層を挿入することにより、金属／非金属合成カソードを使用している。約１００オングストロームまたはそれ以下の厚さの、これら金属層は、各サブユニット用の金属／非金属合成カソードを形成するために、例えば、ＩＴＯ層８０５ａ、８０２ｂ、８０５ｂおよび８０２ｃのような金属基板の下に隣接して設置される。他の実施形態（図示せず）の場合には、層８０４ａ、８０４ｂ、８０４ｃおよび８０４ｄは、サブユニットが頂面上にアノードを持ち、対応する電圧ＶLiが反対の極性を持つように、層８０３ａ、８０３ｂ、８０３ｃ、８０３ｄの頂面上に配列される。図８Ｄは、装置８Ｃ００に類似しているが、約１０００〜４０００オングストローム、好適には２０００オングストローム以下、最も好適には約１０００オングストロームの厚さの、例えば、ＩＴＯの電荷移送層８Ｄ１０、８Ｄ１１および８Ｄ１２により、相互に接続しているサブユニットを持つ、直列接続の装置８Ｄ００である。さらに他の実施形態（図示せず）の場合には、装置が全体的に反対の極性を持つように、有機半導体層の上下が反対になっている。もう一つの実施形態は、装置８Ｄ００を修正したもの（図示せず）であり、この場合、例えば、約１００オングストロームまたはそれ以下の厚さの、９０％のマグネシウムに対して１０％の銀、または他の加工し難い金属または合金の薄い半透明な金属層が、金属／非金属合成カソードを形成するために、層８０２ｃの下に隣接して、金属／非金属合成電荷移送層を形成するために、層８Ｄ１０、８Ｄ１１および８Ｄ１２の下に隣接して設置される。』
　
オ「On the other hand, the different current limitation in each subcell may be an important factor in the operation of series connected stacked devices. In a stacked device which is connected in series such as embodiment 8D00,fundamental current continuity considerations constrain the device's current output so that it is limited to the current which goes through the subcell generating the least current regardlees of the relative position of a subcell in the stack. To address this problem,other embodiments of the present invention utilize subce11s having photoconduciive organic layers with thicknesses which vary systematically between subcells. For example,in a variation of embodiment 8D00, the photoconductive organic layers vary in thickness such that each subcell has exponentially thicker photoconductive organic layers if measured staring at the top of the device. This last variation of embodiment 8D00 would be most appropriate where the source of the electromagnetic radiation is limited to one side of the device, here the top,i.e.,farthest from the substrate.In another variation, the photoconductive organic layers may be made exponentially thicker starting from the bottom subcell. This embodiment would be appropriate in an environment where the source of electromagnetic radiation is on the substrate side of the device when the substrate is transparent. For uniformly illuminated environment where approximately equal intensity electromagnetic radiation light is incident on the two faces of a device,yet another variation of embodiment 8D00 may be efficient.If the electromagnetic radiation has sufficient intensity that a significant amount of the radiation incident upon each face is able to traverse the device,then an embodiment variation of 8D00 wherein the photoconductive organic layers in the subcells in the center are thicker than corresponding layers in subcells nearer the two faces will provide uniform current levels from each cell.」（第３８頁第２２行〜第３９頁第１３行）
『一方、各サブセル内の異なる電流制限は、直列接続の積層装置の動作の際に、重要な要因になる場合がある。実施形態８Ｄ００のような、直列に接続している積層装置の場合には、基本的に電流が継続していなければならないので、装置の電流出力は制限され、そのため、各ポンプ電流出力は、積層構造体内のサブセルの相対的位置とは無関係に、最も少ない電流を発生するサブセルを通る電流に制限される。この問題を解決するために、本発明の他の実施形態は、サブセル間で対称的に変化する厚さを持つ、光伝導性有機層を持つ、サブセルを使用する。例えば、実施形態８Ｄ００の修正例の場合には、装置の頂部から測定を始めた場合には、各サブセルの光伝導性有機層の厚さが指数的に厚くなってゆくように、光伝導性有機層の厚さが変化する。実施形態８Ｄ００のこの最後の修正例は、電磁放射光のソースが、この場合には頂部、すなわち、基板から最も遠い面である、装置の一側面に制限されている場合に最も適している。もう一つの修正例の場合には、光伝導性有機層は、底部のサブセルから、指数的に厚くなっていくように作ることができる。この実施形態は、電磁放射光のソースが、基板が透明な場合に、装置ＭＰ基板側にある場合に適している。ほぼ等しい強度の電磁放射光が装置の二つの面に入射するような照射が均一に行われる場合には、実施形態８Ｄ００のさらにもう一つの実施形態が、効率よく動作する。電磁放射光が十分な強度を持ち、各面上に入射した電磁放射光の十分な量が装置を通過することができる場合には、サブセルの中央部内の光伝導性有機層が、二つの面により近い対応する層厚さより厚い８Ｄ００の修正例は、各セルから均一な電流を供給する。』　　
　
（２）上記アないしオから、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「ＨＴＬの頂面上に、ＥＴＬを持つように、配置された各サブピクセルを、金属／非金属合成電荷移送層により相互に直列に接続した、少なくとも一組の透明なカソードおよび透明なアノードからなる有機感光性光電子セルを含む有機感光性光電子装置。」
　
　
４．対比 
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
ア　上記３（１）ア及びイから、引用発明の「ＨＴＬ」及び「ＥＴＬ」は、それぞれ本願発明の「電子アクセプタ層」及び「電子ドナー層」に相当する。
　
イ　引用発明は、「ＨＴＬの頂面上に、ＥＴＬを持つように、配置された各サブピクセルを相互に直列に接続した、少なくとも一組の透明なカソードおよび透明なアノードからなる有機感光性光電子セルを含む有機感光性光電子装置」であるから、引用発明と本願発明とは、「アノード、電子ドナー層及び電子ドナー層と接する電子アクセプタ層を各サブセルが備える、直列の複数のサブセル、及びカソードを備える感光性有機オプトエレクトロニクス素子。」である点で一致する。
　
したがって、本願発明と引用発明とは、
「アノード；
電子ドナー層及び電子ドナー層と接する電子アクセプタ層を各サブセルが備える、直列の複数のサブセル、及び
カソード
を備える感光性有機オプトエレクトロニクス素子。」の点で一致し、下記の点で相違する。
　
相違点１：
　本願発明は、「サブセルを隔てる電子−ホール再結合ゾーン」を備えるものであるのに対し、引用発明はそのようなものであるか明らかでない点。
　
相違点２：
　本願発明は、「各サブセルにより発生する電流がほぼ等しい」のに対し、引用発明はそのようなものであるか明らかでない点。
　
　
５．判断
ア　相違点１について
　本願発明の、「サブセルを隔てる電子−ホール再結合ゾーン」とは、本願明細書の段落【００２８】及び【００４４】の記載から、「積層型素子の個々のサブセルを分離し、前方のセルのアクセプタ層と後方のセルのドナー層の間の逆ヘテロ接合の形成を防ぐ役目をして、前方のサブセルから入る電子と後方のサブセルからのホールが再結合するゾーンを提供する」ものであると認められる。
　引用発明の各サブピクセルを接続する金属／非金属合成電荷移送層は、各サブピクセル間で電荷キャリアを移送するものであるので、個々のサブセルを分離し、前方のセルのアクセプタ層と後方のセルのドナー層の間の逆ヘテロ接合の形成を防ぐ役目をして、前方のサブセルから入る電子と後方のサブセルからのホールが再結合するゾーンを提供するものであることは、当業者において明らかである。
　よって、引用発明の各サブピクセルを接続する金属／非金属合成電荷移送層は、本願発明の、「サブセルを隔てる電子−ホール再結合ゾーン」と異なるところはなく、相違点１は、実質的な相違ではない。
　なお、請求人は、審判請求書の【本願発明が特許される理由】の４．（３）において、「本願発明の電子-ホール再結合ゾーンは、金のように単に前方及び後方のセルとの間の電荷移動を可能にする単なる導電層というのではなく、前方のセルのアクセプタ層と後方のセルのドナー層との間の逆ヘテロ接合の形成を防ぎつつ、前方のセルからの電子と後方のセルからのホールが再結合するのに有利な特性を有するＡｇなどの材料を用いて構成し、積極的にその層において電子とホールの再結合を促進させる電子-ホール再結合ゾーンとするというものです」と主張するが、本願発明の「サブセルを隔てる電子−ホール再結合ゾーン」は、「積層型素子の個々のサブセルを分離し、前方のセルのアクセプタ層と後方のセルのドナー層の間の逆ヘテロ接合の形成を防ぐ役目をして、前方のサブセルから入る電子と後方のサブセルからのホールが再結合するゾーンを提供する」ものと認められることは上記のとおりであり、それ以上のものを特定したものとは認められないから、請求人の前記主張は、上記判断を左右するものではない。
　
イ　相違点２について
　引用発明において、各サブピクセルから均一な電流を供給させるようにすることは引用例に示唆されるので（上記３．（１）オを参照）、引用発明を本願発明の相違点２に係る構成を具備するものとすることは当業者が容易になし得たことである。
　
　よって、本願発明は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。