【事件の表示】
　特願２００２−　７７９８３「アライメント方法及びアライメント装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月　３日出願公開、特開２００３−２８２３９２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年３月２０日の出願であって、平成２０年１月１０日付けで通知された拒絶理由に対し、同年３月１３日に意見書が提出されたが、平成２１年３月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年４月３０日付けで審判請求がされるとともに、同年５月２９日付けで手続補正がなされ、その後、当審から送付した審尋に対し、平成２２年１０月４日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成２１年５月２９日付け手続補正についての補正却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２１年５月２９日付け手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正事項
　平成２１年５月２９日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）により、特許請求の範囲は、出願時の明細書に記載された、
 　
「【請求項１】　ウェーハ上の絶縁膜に形成された段差部よりなり、その上に金属膜が形成された第１のアライメントマークの位置を検出し、前記ウェーハ上の前記絶縁膜に形成され、その上に前記金属膜が形成されていない段差部よりなる基準アライメントマークの位置を検出する工程と、
　前記基準アライメントマークと前記第１のアライメントマークの位置の検出結果から前記第１のアライメントマークの位置の検出誤差を求める工程と、
　前記検出誤差を考慮して、前記ウェーハのアライメントに用いる前記第１のアライメントマークの位置情報を補正する工程と
　を有することを特徴とするアライメント方法。
　　【請求項２】　ウェーハ上の絶縁膜に形成された段差部よりなり、その上に金属膜が形成された第１及び第２のアライメントマークの位置を検出し、前記ウェーハ上の前記絶縁膜に形成され、その上に前記金属膜が形成されていない段差部よりなる基準アライメントマークの位置を検出する工程と、
　前記基準アライメントマークと前記第１及び第２のアライメントマークの位置の検出結果から前記第１及び第２のアライメントマークの位置の検出誤差を求める工程と、
　前記検出誤差を考慮して、前記ウェーハのアライメントに用いる前記第１及び第２のアライメントマークの位置情報を補正する工程と
　を有することを特徴とするアライメント方法。
　　【請求項３】　請求項１又は２記載のアライメント方法において、
　前記基準アライメントマークの位置を検出する前に、前記基準アライメントマーク上に形成されている金属膜を除去する工程を更に有する
　ことを特徴とするアライメント方法。
　　【請求項４】　ウェーハ上の絶縁膜に形成された段差部よりなり、その上に金属膜が形成された第１のアライメントマークの位置を検出し、前記ウェーハ上の前記絶縁膜に形成され、その上に前記金属膜が形成されていない段差部よりなる基準アライメントマークの位置を検出する位置検出手段と、
　前記基準アライメントマークと前記第１のアライメントマークの位置の検出結果から前記第１のアライメントマークの位置の検出誤差を求める検出誤差計測手段と、
　前記検出誤差を考慮して、前記ウェーハのアライメントに用いる前記第１のアライメントマークの位置情報を補正する位置情報補正手段と
　を有することを特徴とするアライメント装置。
　　【請求項５】　ウェーハ上の絶縁膜に形成された段差部よりなり、その上に金属膜が形成された第１及び第２のアライメントマークの位置を検出し、前記ウェーハ上の前記絶縁膜に形成され、その上に前記金属膜が形成されていない段差部よりなる基準アライメントマークの位置を検出する位置検出手段と、
　前記基準アライメントマークと前記第１及び第２のアライメントマークの位置の検出結果から前記第１及び第２のアライメントマークの位置の検出誤差を計測する検出誤差計測手段と、
　前記検出誤差を考慮して、前記ウェーハのアライメントに用いる前記第１及び第２のアライメントマークの位置情報を補正する位置情報補正手段と
　を有することを特徴とするアライメント装置。」
　
から、
　
「【請求項１】
　ウェーハ上の絶縁膜に形成された段差部よりなり、その上に金属膜が形成され、前記ウェーハの中心に対して左右対称に位置する第１及び第２のアライメントマークの位置を検出し、前記ウェーハ上の前記絶縁膜に形成され、その上に前記金属膜が形成されていない段差部よりなり、前記ウェーハ外周部近傍に位置する基準アライメントマークの位置を検出する工程と、
　前記基準アライメントマークと前記第１及び第２のアライメントマークの位置の検出結果から前記第１及び第２のアライメントマークの位置の検出誤差を求める工程と、
　前記検出誤差を考慮して、前記ウェーハのアライメントに用いる前記第１及び第２のアライメントマークの位置情報を補正する工程と
　を有することを特徴とするアライメント方法。
　　　【請求項２】
　請求項１記載のアライメント方法において、
　前記基準アライメントマークの位置を検出する前に、前記基準アライメントマーク上に形成されている金属膜を除去する工程を更に有する
　ことを特徴とするアライメント方法。
　　　【請求項３】
　ウェーハ上の絶縁膜に形成された段差部よりなり、その上に金属膜が形成され、前記ウェーハの中心に対して左右対称に位置する第１及び第２のアライメントマークの位置を検出し、前記ウェーハ上の前記絶縁膜に形成され、その上に前記金属膜が形成されていない段差部よりなり、前記ウェーハ外周部近傍に位置する基準アライメントマークの位置を検出する位置検出手段と、
　前記基準アライメントマークと前記第１及び第２のアライメントマークの位置の検出結果から前記第１及び第２のアライメントマークの位置の検出誤差を計測する検出誤差計測手段と、
　前記検出誤差を考慮して、前記ウェーハのアライメントに用いる前記第１及び第２のアライメントマークの位置情報を補正する位置情報補正手段と
　を有することを特徴とするアライメント装置。」
　
に補正された。
　
（２）補正の適否について
　上記補正は、補正前の請求項１を削除して、補正前の請求項２，３をそれぞれ補正後の請求項１，２とし、補正後の請求項１に記載した発明を特定するための事項である「第１及び第２のアライメントマーク」に対して、「ウェーハの中心に対して左右対称に位置する」という限定を付加し、同じく補正後の請求項１に記載した発明を特定するための事項である「基準アライメントマーク」に対して、「ウェーハ外周部近傍に位置する」という限定を付加するものである。
　また、補正前の請求項４を削除して、補正前の請求項５を補正後の請求項３とし、補正後の請求項１と同様の限定を付加したものである。
　ここで、上記補正事項のうち、「ウェーハ外周部近傍に位置する」という事項を付加する補正については、願書に最初に添付された明細書の段落【００４４】の「このように、ウェーハ５２には、アルミニウム膜が除去されたウェーハ５２の外周近傍と、各ショット内にアライメントマークが左右対称に形成されている。」の記載から、願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された事項であって、発明の限定的減縮を目的としたものであることは明らかである。
　次に、「第１及び第２のアライメントマーク」に対して、「ウェーハの中心に対して左右対称に位置する」という限定を付加する補正について以下に検討する。
　かかる補正事項を含む補正後の請求項１には「ウェーハ上の絶縁膜に形成された段差部よりなり、その上に金属膜が形成され、前記ウェーハの中心に対して左右対称に位置する第１及び第２のアライメントマークの位置を検出し、前記ウェーハ上の前記絶縁膜に形成され、その上に前記金属膜が形成されていない段差部よりなり、前記ウェーハ外周部近傍に位置する基準アライメントマークの位置を検出する工程」と記載されている。
　これに対して、これに関する明細書の発明の詳細な説明及び図面には、段落【００４５】及び【００４６】に以下の記載がある。
「【００４５】ウェーハ倍率の計測では、まず、例えば左側の外周近傍のＢ1と左側ショット内のＡ1との間の距離ＳSを計測する。すなわち、Ｂ1を基準とした左側ショット内のＡ1の座標を計測する。このとき計測されるＳSは、Ａ1がアルミニウム膜に非対称に被覆されたことにより、Ｂ1とＡ1との間の真の距離Ｓｓに誤差を含んだものとして計測される。したがって、ＳSは、線形誤差及び非線形誤差を考慮すると、Ｓｓを用いて次式で表される。
【００４６】ＳS＝αＳs−Δｅ
次いで、同様に、Ｂ1と右側ショット内のＡ4との間の距離ＳLを計測する。すなわち、Ｂ1を基準とした左側ショット内のＡ4の座標を計測する。このとき計測されるＳLは、Ａ4がアルミニウム膜に非対称に被覆されたことにより、Ｂ1とＡ4との間の真の距離Ｓlに誤差を含んだものとして計測される。したがって、ＳLは、線形誤差及び非線形誤差を考慮すると、Ｓlを用いて次式で表される。」
　これらの記載から、請求項１に記載された「基準アライメントマーク」、「第１のアライメントマーク」、「第２のアライメントマーク」に対応するのは、「Ｂ1」、「Ａ1」、「Ａ4」であることが明らかである。
　しかしながら、願書に最初に添付された図面の図４等を参酌しても、アライメントマークＡ１とＡ４は、ウェーハの中心に対して左右対称に位置したものではない。
　補正後の請求項３に対する補正についても同様である。
　してみると、補正後の請求項１及び請求項３に記載された発明は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内ではないものを含むこととなる。
　
（３）補正の却下の決定についてのむすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　
（１）本願発明
　平成２１年５月２９日付けの手続補正は上述のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、出願時の明細書に記載された特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものである。
 　
「【請求項１】　ウェーハ上の絶縁膜に形成された段差部よりなり、その上に金属膜が形成された第１のアライメントマークの位置を検出し、前記ウェーハ上の前記絶縁膜に形成され、その上に前記金属膜が形成されていない段差部よりなる基準アライメントマークの位置を検出する工程と、
　前記基準アライメントマークと前記第１のアライメントマークの位置の検出結果から前記第１のアライメントマークの位置の検出誤差を求める工程と、
　前記検出誤差を考慮して、前記ウェーハのアライメントに用いる前記第１のアライメントマークの位置情報を補正する工程と
　を有することを特徴とするアライメント方法。」
　
（２）引用刊行物
（２−１）引用刊行物１
　これに対して、本願の出願前に頒布された特開２００１−２５０７６３号公報（原査定の引用文献２、以下「引用刊行物１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている（下線は当審で付与）。
　
（１ａ）「【００２０】レチクルブラインド９を通過した照明光ＩＬは、第２リレーレンズ８Ｂ、及びコンデンサレンズ１０を経て、レチクルステージ１１上に載置されたレチクルＲ上を均一な照度分布で照明する。照明光ＩＬによってレチクルＲが照明されると、レチクルＲに形成されたパターンの像が投影光学系ＰＬを介すことによって投影倍率α（αは例えば１／４，１／５等）で縮小され、この縮小されたパターンの像が、フォトレジストが塗布されたウェハＷに設定されたショット領域に転写される。
ウェハＷは、例えばシリコン又はＳＯＩ（Silicon On Insulator）等のウェハ（wafer）である。尚、ここでウェハＷの表面には金属膜が成膜されているものとし、この金属膜上にはフォトレジストが塗布されているとする
【００２１】
投影光学系ＰＬの側方にはオフアクシス方式のアライメントセンサ１２が備えられている。このアライメントセンサ１２は、ウェハ上に形成されたアライメントマークを検出するものであり、検出結果は後述する主制御装置３０に出力される。
（１ｂ）図９は以下のとおりである。
　
【図９】
　
　図９の記載から、アライメントマークは段差部によりなることが示されているから、これを踏まえると、引用刊行物１には次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
　
「ウェハ上に形成された段差部よりなり、ウェハの表面には金属膜が成膜されたアライメントマークを検出する工程を有する方法。」
　
（２−２）引用刊行物２
　同じく本願の出願前に頒布された特開平７−２７３０１８号公報（原査定の引用文献１、以下「引用刊行物２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている（下線は当審で付与）。
　
（２ａ）「【００１２】
図２に示すように、アライメントの対象となるウエハ１には、オリフラ１ａを基準として所定の方向に配置された複数のアライメントマーク１０が設けられている。
　
（２ｂ）「【００２５】次に、
図７の斜視図に基づきエッジリンスにおけるレジスト除去の例を説明する。すなわち、一般のレジストコーティングにおいては、レジスト２のスピンコーティングを行ってウエハ１の全面にレジスト２を一様に塗布した後、不要となるウエハ１のエッジ部分のレジスト２をエッジリンスによって除去している
【００２６】エッジリンスを行うには、レジスト２が一様に塗布されたウエハ１を回転させ、ウエハ１の外周近傍に配置したノズル７からリンス液７１を吐出する。リンス液７１は遠心力によってノズル７の位置より外側に広がって塗布され、このリンス液７１が接触した部分のレジスト２を溶解除去することができる。
【００２７】本実施例では、このエッジリンスの際に除去されたレジスト２の部分に配置されるアライメントマーク１０を用いてウエハ１のアライメントを行う。すなわち、
予めエッジリンスを行う位置に複数のアライメントマーク１０を配置されるように設定しておき、エッジリンスにてウエハ１のエッジ部分のレジスト２を除去した後、除去されたレジスト２の位置のアライメントマーク１０からの反射光を図示しない受光装置にて読み取る
【００２８】ウエハ１のアライメントを行うには、この読み取り信号に基づいて所定の統計処理アライメントを行う。このようなエッジリンスを用いてアライメントマーク１０部分のレジスト２を除去する場合には、特に新たな工程を追加することなくアライメントマーク１０部分のレジスト除去作業を行えるというメリットがある。
【００２９】次に、図８から図９に基づき、エッジリンスにてレジスト２を除去した場合の統計処理アライメントを説明する。すなわち、エッジリンスにてレジスト２を除去する場合には、ウエハ１の周辺部分のレジスト２だけしか除去できないため、その周辺部分に配置されたアライメントマーク１０だけを用いたアライメントを行うようになる。
【００３０】
図８（ａ）は理想的なアライメントを示したものであり、図中○印がエッジリンスにて除去されたレジスト２の位置に配置されるアライメントマーク１０ａ、図中△印がレジスト２が除去されない位置に配置されるアライメントマーク１０ｂの位置をそれぞれ示している。
【００３１】図８（ｂ）はアライメントマーク１０ａ、１０ｂからの反射光を読み取った後の格子の状態を示している。
すなわち、図７に示すようにエッジリンスを行った後、先ずウエハ１の全てのアライメントマーク１０からの反射光を読み取る。エッジリンスによりレジスト２が除去された位置にあるアライメントマーク１０ａからの反射光は、レジスト２による光学干渉の影響を受けないため、図３（ｂ）に示すような左右対称の読み取り信号となる。一方、レジスト２が除去されていない位置にあるアライメントマーク１０ｂからの反射光は、レジスト２による光学干渉の影響を受けるため左右非対称の読み取り信号となる
【００３２】このため、
図８（ｂ）に示すように、レジスト２が除去された位置にあるアライメントマーク１０ａからの反射光によって得られた位置情報は、理想格子２１に近くなり（実際には図中○印に示すように理想格子２１に対する計測誤差を含んでいる）、レジスト２が塗布された位置にあるアライメントマーク１０ｂからの反射光によって得られる位置情報は、理想格子２１から離れたものとなる。そこで、先ず、レジスト２が除去された位置にあるアライメントマーク１０ａを用いて第１の実際の格子２２を求め、レジスト２が塗布された位置にあるアライメントマーク１０ｂを用いて第２の実際の格子２３を求める
【００３３】図８（ｂ）に示すように、第２の実際の格子２３は、第１の実際の格子２２に比べて歪みの大きなものとなる。次に、図９に示すように、第１の実際の格子２２と第２の実際の格子２３とを用いて所定の補正を行う。すなわち、
補正前において図８（ｂ）に示す理想格子２１を取り除き（図９（ａ）参照）、第１の実際の格子２２に合わせて第２の実際の格子２３を１次変換する補正を行う（図９（ｂ）参照）。第１の実際の格子２２は、ウエハ１の位置ずれ量を表す基準となっているため、この第１の実際の格子２２に合わせて第２の実際の格子２３を１次変換することでレジスト２が除去されていないアライメントマーク１０ｂであってもその位置情報の誤差を最少にすることができる
【００３４】つまり、ウエハ１の周辺部分のアライメントマーク１０からの反射光を得るだけでウエハ１上の全てのアライメントマーク１０の正確な位置情報を得ることができる。
ステッパにおいては、この全アライメントマーク１０を用いて各ステップ毎のアライメントを行うことで、全ショットにおいて正確な位置合わせがなされるようになる。
【００３５】
本実施例では、この影響の大きなウエハ１の周辺部分のレジスト２を除去し、そこに配置されたアライメントマーク１０を用いてウエハ１のアライメントを行うため、レジスト２を除去しないでアライメントを行う場合と比べて大幅に位置ずれ算出精度が向上することになる
　
（２ｃ）図２，図８，図９は以下のとおりである。
　
【図２】
　
【図８】
　
【図９】
　
　以上のことから、引用刊行物２には以下の事項（以下「引用刊行物２に記載の事項」という。）が記載されているものと認められる。
　
「ウエハ上に設けられたアライメントマークからの反射光を読み取り、レジストが除去されたアライメントマークを用いて第１の実際の格子を求め、レジストが塗布された位置にあるアライメントマークを用いて第２の実際の格子を求め、ウエハの位置ずれ量を表す基準となっている第１の実際の格子に合わせて、第２の実際の格子を１次変換することで、レジストが除去されていないアライメントマークの位置合わせを行うアライメント方法。」
　
（２−３）周知例１
　同じく本願の出願前に頒布された特開平８−６４４９３号公報（以下「周知例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている（下線は当審で付与）。
　
（３ａ）「【０００５】しかし、上記のアライメントマーク検出方法においては次の問題点がある。例えば、図３（ａ）に示すようにスパッタ法等により、
半導体基板１１１上の酸化膜１１２表面上に金属膜１１４が形成された後に、位置合わせのためのアライメントマーク１１３の検出を行う
　
（３ｂ）【０００７】このため図３（ｂ）に示したアライメント信号より、アライメントマーク１１３の中心位置を求めると、本来の中心位置γよりアライメント信号の強度が最も低いピークが急峻な方へずれた位置δとなって検出される。このためアライメントマークの中心位置の検出には誤差１１５がδ−γの距離だけ生じてしまい、後に行われる工程に対して影響を与える結果となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように従来のアライメントマークの検出方法においては、アラーメントマーク上の金属膜やフォトレジスの成膜状態によって、アライメントマークのエッジ部において、本来左右で対称となるアライメント信号の傾きの変化に誤差が生じ、左右非対称となって検出される。
　
（２−４）周知例２
　同じく本願の出願前に頒布された特開平５−２２６２１９号公報（以下「周知例２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている（下線は当審で付与）。
　
（４ａ）「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図５及び図６は問題点を説明するための半導体基板の部分断面図である。上述した位置合せ方法では、アライメントマークの形成に際しては種々の問題がある。
例えば、図５（ａ）に示すようなパターン形成後のマークの段差部が図５（ｂ）に示すようにアルミニウムスパッタリングの被着によりその形状が崩れ、この金属層４２におけるレーザ光の回折、散乱光が十分検出されず位置合せ精度が極端に悪化する。すなわち、スパッタリングに形成されるアルミニウム膜はカバレッジが悪く、ウェーハ周辺ほどカバレッジが非対称になりやすい
図６に示すように、酸化膜状に形成されたアライメントマークにフォトレジスト膜４５を形成した場合も同様に突出部４３の段差部がなだらかになり、段差部の境界が検出にくく、位置決め精度を悪化させる
　
（３）対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「ウェハ」が、本願発明の「ウェーハ」に相当する。また、引用発明におけるアライメントマークの検出は、アライメントマークを設ける目的等を考慮すると、その位置を検出しており、さらに、引用発明の「方法」はその内容からして、本願発明の「アライメント方法」に相当するといえる。
　
してみると両者は、
「ウェーハ上に形成された段差部よりなり、その上に金属膜が形成されたアライメントマークの位置を検出する工程を有するアライメント方法。」
の点で一致し、
　
以下の点で相違している。
・相違点１
　本願発明では、段差部をウェーハ上の絶縁膜に形成されているのに対し、引用発明では、ウェーハ上に絶縁膜を設けることに関する記載はなく、段差部をウェーハ上に直接設けている点。
　
・相違点２
　本願発明では、アライメントマークとして、段差部の上に金属膜が形成された第１のアライメントマークと、ウェーハ上の絶縁膜に形成され、その上に金属膜が形成されていない段差部よりなる基準アライメントマークを設け、両者の位置を検出する工程を有し、基準アライメントマークと第１のアライメントマークの位置の検出結果から、第１のアライメントマークの位置の検出誤差を求める工程と、前記検出誤差を考慮して、ウェーハのアライメントに用いる第１のアライメントマークの位置情報を補正する工程を有するのに対し、引用発明では、アライメントマークとして段差部の上に金属膜が形成された単一のアライメントマークの位置を検出して補正を行っている点。
　
　上記相違点について検討する。
　
・相違点１について
　ウェーハ上に絶縁膜を設け、かかる絶縁膜上に段差部を設けてアライメントマークとすることは、周知（必要であれば、上記周知例１の段落【０００５】の、半導体基板上に、絶縁膜である酸化膜を形成して段差部を設けることの記載を参照）であり、引用発明において、ウェーハ上にアライメントマークを設けることに代えて、ウェーハ上に絶縁膜を設けた上で、かかる絶縁膜上に段差部を設けてアライメントマークとすることは、当業者が適宜容易になし得ることである。
　
・相違点２について
　半導体基板のウェハにおいて、レジストの成膜状態や、金属膜の状態によって、アライメントマークに非対称の誤差が生じることは、周知（必要であれば、上記周知例１の段落【０００７】，【０００８】、周知例２の段落【０００６】等参照）である。
　ここで、引用刊行物２に記載の事項における、「レジストが除去されたアライメントマーク」、「レジストが塗布された位置にあるアライメントマーク」は、それぞれ本願発明の「基準アライメントマーク」、「第１のアライメントマーク」に相当する。
　上記技術が周知であることを前提にして、引用刊行物２に記載の事項に接した当業者であれば、レジストの成膜状態と同じように、引用発明における金属膜の状態によってもアライメントマークの誤差が生じることを認識し、引用刊行物２に記載されている方法を用いた補正方法を適用することを想到することに、格別の困難性は認められない。
　
　効果の点についても、本願発明の効果は、引用発明、引用刊行物２に記載の事項及び周知技術から、当業者が予測しうる程度のものにすぎない。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物１，２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明することができたものである。
　
（４）補正案について
　審判請求人は、審尋に対する回答書の中で、前置報告書の指摘に対応するために、以下の補正案を提示している。
　
「［請求項１］ 
 　ウェーハ上の絶縁膜に形成された段差部よりなり、その上に金属膜が形成され、前記ウェーハの中心に対して左右対称のショット内の対応する位置に設けられた第１及び第２のアライメントマークの位置を検出し、前記ウェーハ上の前記絶縁膜に形成され、その上に前記金属膜が形成されていない段差部よりなり、前記ウェーハ外周部近傍に位置する基準アライメントマークの位置を検出する工程と、 
 　前記基準アライメントマークと前記第１及び第２のアライメントマークの位置の検出結果から前記第１及び第２のアライメントマークの位置の検出誤差を求める工程と、 
 　前記検出誤差を考慮して、前記ウェーハのアライメントに用いる前記第１及び第２のアライメントマークの位置情報を補正する工程と 
 　を有することを特徴とするアライメント方法。 」
　
　上記補正案について検討すると、引用刊行物１においても、レジストが除去されていないアライメントマークは複数存在し、図８を参照すると、ウェハの中心に対して左右対称のショットの対応する位置にもレジストが除去されていないアライメントマークが存在しているものと認められるから、上記補正案についても、本願発明と同様、引用刊行物１，２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用刊行物１，２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願は、その他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。