【事件の表示】
　平成１１年特許願第２５５８８１号「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　３月３０日出願公開、特開２００１−　８５４４３、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本願は、平成１１年９月９日の出願であって、平成２０年５月２日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年６月１２日に審判請求がなされるとともに、同年７月１４日に手続補正書が提出され、その後、平成２２年６月１１日付けで審尋がされ、同年８月１３日に回答書が提出され、さらに、当審において同年１１月１８日付けで拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、平成２３年１月２４日に手続補正書及び意見書が提出されたものである。
　
２　本願発明
　
　本願の請求項１ないし３に係る発明は、平成２３年１月２４日に提出された手続補正書により補正された本願明細書の特許請求の範囲における請求項１ないし３に記載された事項により特定される、以下のとおりのものと認める。
　
「　【請求項１】
　半導体基板に形成された第１導電型半導体領域と、この第１導電型半導体領域に接合して形成され、上記第１導電型半導体領域とは異なる導電型の第２導電型半導体領域とを有する機能素子を含む半導体装置であって、
　上記第１導電型半導体領域において、
その表面の、
内部
　上記寄生ダイオードは、上記第１導電型半導体領域において上記コンタクト領域の境界を跨ぐ
内部
　上記コンタクト領域は、上記第２導電型半導体領域を包囲するリング状を有し、
　上記第２導電型領域は、上記コンタクト領域の境界を跨ぐリング状の
内部
　　【請求項２】
　上記寄生ダイオードは、上記第１導電型半導体領域と上記第２導電型領域とからなるＰＮダイオードであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
　　【請求項３】
　上記コンタクト領域
の内部
　
３　当審拒絶理由
　
　当審において通知した拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という）は、以下のとおりである。
　
「　　　　　　　　　　　　　　　理　由 
　この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 
 　 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
　請求項１−３に係る発明は、明細書及び図面に記載された当該発明に対応する図６及び００２０段落等の関連箇所に示される実施形態との関係において、『コンタクト領域』がどのような領域として定義され、かつ『コンタクト領域の境界部』が具体的にどのような範囲のものとして規定されるのかという点につき、以下に述べるように、その発明内容を明確に把握することができない。 
ア　明細書及び図面の全体の記載を検討しても、請求項１−３に係る発明の『コンタクト領域』に対応する『ベースコンタクト領域１４』につき、それが『ベース領域１２』に対して別途高濃度ドープされた領域である等の説明は一切なされていないことを踏まえるに、図１及び図４に記載される『ベースコンタクト領域』を示す引用符号『１４』は、『ベース電極１５』が『半導体基板』に接している領域そのものを指していると解するのが自然である。 
イ　図６に示される実施形態については、明細書の００２０段落に、 
『【００２０】 
 　この発明の３つの実施形態について説明したが、この発明は、他の形態で実施することも可能である。たとえば、上述の実施形態では、平面略Ｃ字状にベースコンタクト領域１４が設定されているとしたが、図６に示すように、エミッタ領域１３を包囲するリング状にベースコンタクト領域１４が設定されてもよい。 
 　また、Ｎ型領域２１およびＮ+型領域２３は、必ずしもベースコンタクト領域１４の境界部全周に形成される必要はなく、たとえば図６に示すように、ベース電極１５の表面に設定されたボンディング領域２６にベースワイヤ（図示せず）がボンディングされる場合、Ｎ型領域２１およびＮ+型領域２３は、ボンディング領域２６に近い部分だけに形成され、ボンディング領域２６から比較的離れた部分には形成されなくてもよい。また、Ｎ型領域２１およびＮ+型領域２３は、ベースコンタクト領域１４の境界部のエミッタ領域１３に近い側だけに形成されてもよい。』 
と説明され、そこでは、図１に示される実施形態における『Ｎ型領域２１』や図５に示される実施形態における『Ｎ+型領域２３』についての言及があることから、少なくともこれら図１又は図５に示される実施形態の変形例に相当するものと認められる。そうすると、図１に示される実施形態の変形例としての図６に示される実施形態は、上記アのように『ベースコンタクト領域１４』が『ベース電極１５』が『半導体基板』に接している領域そのものを指しているとの解釈に基づけば、００２０段落に記載されるように『エミッタ領域１３を包囲するリング状にベースコンタクト領域１４が設定』されることは、『ベース電極１５』が『エミッタ領域１３』を包囲するよう『半導体基板』に『リング状』に接するように形成されることを意味するものとなるが、一方で審判請求人は、平成２２年８月１３日付け回答書の【回答の内容】２．において 
『認定Ａでは、「ベース領域１２」において「ベース電極１５」とコンタクトしている領域は、「Ｃ字状」であると認められています。  
　この認定Ａは間違ってはいません。図６において、実線で示された開口１８はＣ字状をしており、この開口１８を通してベース電極１５が設けられているからです。』 
と、『ベース電極１５』とコンタクトしている領域は『Ｃ字状』である旨を説明しており、これは当該領域が『リング状』であるとの上記の認定と内容整合していない。 
ウ　してみれば、図６に示される実施形態において、『ベース電極１５』が『半導体基板』に接している領域そのものをして『ベースコンタクト領域１４』という上記アの解釈が失当である可能性もでてくるが、そうすると、『開口１８』が形成されない部分を含めたリング状の『ベースコンタクト領域１４』はどのような領域として定義されるものかが不明であって、『ベースコンタクト領域１４』とは、どのように定義される領域であるのかが不明であり、ひいては『コンタクト領域の境界部』が具体的にどのような範囲のものとして規定されるのかも不明であるといえる。 
エ　したがって、明細書及び図面における『ベースコンタクト領域１４』に対応した請求項１−３に係る発明の『コンタクト領域』は、どのような領域として定義され、かつ、これら発明における『コンタクト領域の境界部』は具体的にどのような範囲のものとして規定されるのかが、当業者が明確に理解できる状態にはない。 
　よって、請求項１−３に係る発明は、明確ではない。」
　
４　平成２３年１月２４日に提出された意見書における請求人の主張
　
　これに対して、請求人は、平成２３年１月２４日に提出された意見書において、次のように主張している。
「１．平成２２年１１月１８日付起案の拒絶理由通知書において、本願は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない旨の拒絶理由を受けました。
　今般、この拒絶理由を解消するため、特許請求の範囲を補正するとともに、明細書の対応箇所を補正して、発明を明確にしました。
　以下には、補正の内容および根拠について、ご説明致します。
　
２．補正の内容および根拠
　まず、『コンタクト領域』は、『電極が接続される領域』であり、たとえば図１および図２を参照すると、ベース領域（第１導電型領域）１２の表面として露出する領域（絶縁膜１７に形成された開口１８を通して露出するベース領域１２の表面領域１４）でありますから、それが明確になるように、請求項１において、
　『上記第１導電型半導体領域において、
その表面の、
　そして、審判請求時に手続補正書を提出して、この『コンタクト領域』がリング状をしている実施例に限定していますが、『コンタクト領域』をリング状としてもよい点は、図６に破線で示す構造として明示され、明細書に説明されています。
　本願発明は、審判請求時に手続補正によって、明細書の段落［００２０］に記載の変形例の構造に限定したものであります。
　次に、図１、図５などから明らかなように、Ｎ型領域２１およびＮ+型領域２３は、ベース領域１２の中に形成されていて、ベース領域１２の表面であるベースコンタクト領域の内部に形成されているものですから、それを明確にするために、請求項１において、
　『・・・コンタクト領域の境界部
内部
　上記寄生ダイオードは・・・上記コンタクト領域の境界を跨ぐ
内部
　さらに、『上記第２導電型領域は、上記コンタクト領域の境界を跨ぐリング状の
内部
　また、［発明の実施の形態］の段落［００１２］において、『ベースコンタクト領域１４の境界部』を明確にするため、図面の記載および明細書全体の記載を根拠として、
　『ベースコンタクト領域１４の境界部
、つまり、図２において、平面視におけるベースコンタクト領域１４の外周縁部の下部には、
　さらに、段落［００２０］において、リング状のベースコンタクト領域１４は、図６に
破線で
　『・・・図６に破線で示すように、・・・』とアンダーラインの説明を追加しました。
　この追加説明も、出願当初明細書から明らかな内容であり、かつ、一義的に定まる内容であって、新規事項を追加するものではないと思料します。
３．むすび
　本願を手続補正書とともにご審理の上、特許査定を賜るようお願い申し上げます。」
　
５　当審の判断
　
（１）本願の請求項１ないし３に係る発明の「コンタクト領域」は、上記２に摘記のように平成２３年１月２４日に提出された手続補正書により補正された本願明細書の特許請求の範囲における請求項１ないし３に記載された事項により、「第１導電型半導体領域において、その表面の、電極が接続される」領域であって、上記３に摘記の当審拒絶理由における上記アの解釈と整合する意味のものとして、当業者が明確に理解できるように特定された。また、本願明細書及び図面の記載も、そのように理解される「コンタクト領域」の意味に対し、何ら矛盾する内容のものではない。
　
（２）その一方、上記３の当審拒絶理由の上記イに述べたように、平成２２年８月１３日に提出された回答書における「『ベース電極１５』とコンタクトしている領域は『Ｃ字状』である」意の説明、すなわち、上記３の当審拒絶理由における上記アの解釈とは矛盾をしており、かつ、本願の請求項１ないし３に係る発明で「リング状」とされている「コンタクト領域」の形が「Ｃ字状」であるかのような論理整合しない説明に関し、上記４の平成２３年１月２４日に提出された意見書において、審判請求人は何ら釈明を行っていないばかりか、図６に実線で「Ｃ字状」のものとして示される「開口１８」と本願の請求項１ないし３に係る発明の「コンタクト領域」との関係について、むしろ、「開口１８を通して露出するベース領域１２の表面領域１４」が「コンタクト領域」であって、上記回答書の説明が正しいものであるかのような説明すら行っており、当審拒絶理由の指摘に対し、上記意見書の内容は、その点において当を得たものであるとはいえない。
　
（３）しかしながら、上記（１）で検討したように、本願明細書及び図面の記載と何ら矛盾することなく、本願の請求項１ないし３に係る発明の意味が当業者に明確に理解できるようになった結果、「コンタクト領域」に関するそのような理解とは矛盾をする上記（２）に挙げた上記回答書及び上記意見書の各説明は、本願明細書及び図面の記載に裏付けのない誤った内容のものと解するのが自然である。
　
（４）以上によれば、本願の請求項１ないし３に係る発明は明確であり、当審拒絶理由は実質解消している。
　
６　結言
　以上のとおりであるから、当審拒絶理由によっては本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。