【事件の表示】
　平成１１年特許願第１５４７１１号「炭素繊維強化炭素複合材及び単結晶引き上げ装置用部材」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　４月　４日出願公開、特開２０００−　９５５６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１１年６月２日（国内優先権主張　平成１０年６月４日）の出願であって、平成２０年９月８日付けで拒絶理由が起案され（発送日は同年同月１６日）、同年１１月１０日付けで意見書及び明細書の記載に係る手続補正書が提出され、平成２１年２月６日付けで拒絶査定がなされ（発送日は同年同月１０日）、これに対して、同年３月１２日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同年４月１３日付けで審判請求書の請求の理由に係る手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明　
　本願の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載される発明は、平成２０年１１月１０日付け手続補正書により補正された本願明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、そのうちの請求項１に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。 
　
「ピッチ及び／又は樹脂の含浸により緻密化した後、ＣＶＩにより熱分解炭素の含浸層を形成し、更に前記含浸層の上にＣＶＤにより熱分解炭素の被覆層を形成してなり、
　前記含浸層及び前記被覆層の密度差が０．２ｇ／ｃｍ３以下である炭素繊維強化炭素複合材。」
　
３．原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶理由は、「この出願は、平成２０年９月８日付け拒絶理由通知書に記載した理由１、２によって、拒絶をすべきものです。
　なお、意見書及び手続補正書の内容を検討しましたが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。」とするものであり、平成２０年９月８日付け拒絶理由通知書に記載の理由１は、この出願の請求項１〜４に係る発明は、その出願前に頒布された刊行物である引用文献１に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができないとするものであり、同理由２は、この出願の請求項１〜５に係る発明は、その出願前に頒布された刊行物である引用文献１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　そこで、上記理由１、２について、本願発明がなお特許を受けることができないものかどうかを以下で検討する。
　
４．刊行物の記載
４−１．原査定の拒絶の理由に引用文献１として引用された、本願の優先日前である平成１年８月２５日に頒布された刊行物である特開平１−２１２２７７号公報（以下「刊行物１」という。）には次の事項が記載されている。
　（刊１−ア）「（１）炭素繊維成形体１０〜７０ＶＯＬ％および炭素質マトリックス５〜８０ＶＯＬ％から構成され、かつ空隙率が１０〜５５％である炭素／炭素複合材料の空隙部に気相熱分解により炭素を沈積充填し、続いてこの充填物の表面に気相熱分解により炭素を沈積被覆することを特徴とする炭素／炭素複合材料の製造法。」（【特許請求の範囲】）
　（刊１−イ）「ここでいう炭素繊維成形体とは、連続した炭素繊維の５００〜２５０００本の繊維束を一方向積層物、２次元織物あるいはその積層物、３次元織物、マット状成形物、フェルト状成形物など炭素繊維を２次元あるいは３次元の成形体としたものである。炭素繊維としては、ピッチ系、ポリアクリロニトリル系あるいはレーヨン系などの炭素繊維が使用できるが、耐酸化性に優れることおよび熱膨張率が小さいことからピッチ系炭素繊維が好ましい。また炭素質マトリックスとは炭素質ピッチ、フェノール樹脂、フラン樹脂などの炭化により得られるものであり、なかでも炭素質ピッチの炭化により得られるものが好ましい。炭素質ピッチとしては、軟化点１００〜４００℃、好ましくは１５０〜３５０℃を有する石炭系あるいは石油系のピッチが用いられろ。炭素質ピッチは、光学的に等方性のピッチあるいは異方性のピッチいずれも使用できるが、光学的異方性相の含量が６０〜１００％、好ましくは８０〜１００％の光学的異方性ピッチが特に好ましく用いられる。
　空隙率が１０〜５５％である炭素／炭素複合材料は、炭素質ピッチ、フェノール樹脂、フラン樹脂などを前記したような炭素繊維の織物あるいは成形物などに含浸した後、常圧下、加圧下あるいはプレス下で炭化して得られる。」（２頁右上欄４行〜同頁左下欄３行）
　（刊１−ウ）「空隙率が１０〜５５％である炭素／炭素複合材料とするために、含浸／炭化のサイクルを必要回数重ねて繊密化をすることができる。　本発明においては、空隙率が１０〜５５％である炭素／炭素複合材料の空隙部に気相分解により炭素を沈積充填し、続いてこの充填物の表面に気相分解により炭素を沈積被覆する。空隙部に気相分解により炭素を沈積充填する操作はＣＶＩ（ＣＨＥＭＩＣＡＬ　ＶＡＰＯＲ　ＩＮＦＩＬＴＲＡＴＩＯＮ）と呼ばれており、またこの充填物の表面に気相分解により炭素を沈積被覆する操作はＣＶＤ（ＣＨＥＭＩＣＡＬ　ＶＡＰＯＲ　ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ）と呼ばれている。ＣＶＩあるいはＣＶＤにより、炭素を沈積する場合、炭素を得るための熱分解ガスとしては炭化水素、好ましくはＣ１〜Ｃ６の炭化水素、具体的には、メタン、天然ガス、プロパン、ベンゼン等が用いられる。　ＣＶＩにより炭素／炭素複合材料の空隙部に炭素を沈積充填する場合、反応条件は、温度Ｔ１が９００−１５００℃、圧力Ｐ１が０．１〜５０Ｔｏｒｒである。一方ＣＶＤにより、充填物の表面に気相熱分解により炭素を沈積被覆する場合、温度Ｔ２は１２００〜２０００℃、圧力Ｐ２は５〜７６０Ｔｏｒｒである。」（２頁右下欄２〜２０行）
　（刊１−エ）「（実施例１）
　直径１０μｍのピッチ系炭素繊維２０００本を用いた直交３次元織物に軟化点２８０℃、光学的異方性相の含有率が１００％の光学的異方性ピッチを含浸した。含浸物を１００ｋｇ／ｃｍ２のプレス圧で、７００℃においてホットプレスし、さらに常圧下、１２００℃で１時間炭化処理して炭素／炭素複合材料を得た。得られた炭素／炭素複合材料は炭素繊維３０ＶＯＬ％および炭素質マトリックス４７．５ＶＯＬ％から構成され、かつ空隙率が２２．５％であった。この炭素／炭素複合材料を加熱炉中におき、メタンを流しながら、温度Ｔ１＝１２００℃、圧力Ｐ１＝２Ｔｏｒｒで熱ＣＶＩを行い、空隙部に気相分解により炭素を沈積充填し、続いて条件を温度Ｔ２＝１２００℃、圧力Ｐ２＝２０Ｔｏｒｒまで連続的に変化させたのち、表面に熱ＣＶＤにより炭素を沈積被覆した。・・・得られたものは、炭素／炭素複合材料の空隙部にＣＶＩによる炭素が均一に沈着しており、表面にはＣＶＤによる炭素の沈着があった。また表面の剥離も見られなかった。」（３頁右上欄３〜２０行）
　（刊１−オ）「（比較例１）
　炭素繊維３０ＶＯＬ％および炭素質マトリックス６２ＶＯＬ％から構成され、かつ空隙率が８％の炭素／炭素複合材料を加熱炉中におき、メタンを流しながら、１２００℃、２０Ｔｏｒｒにおいて表面に熱ＣＶＤにより炭素を沈積被覆した。得られたものを走査電子顕微鏡で観察したところ、眉間剥離を起こしていた。」（３頁左下欄１〜６行）
　（刊１−カ）「（実施例２）
　実施例１における空隙率が２２．５％を有する炭素／炭素複合材料を、メタンを原料ガスとして、温度Ｔ１＝１２７０℃、圧力Ｐ１＝２ＴｏｒｒにおいてＣＶＩを行い、ついで温度Ｔ２＝１２７０℃、圧力Ｐ２＝２ＴｏｒｒにおいてＣＶＤを行った。・・・得られたものは、炭素／炭素複合材料の空隙部にＣＶＩによる炭素が均一に沈着しており、表面にはＣＶＤによる炭素の沈着があった。また表面の剥離も見られなかった。」（３頁左下欄７〜１５行）
　（刊１−キ）「（実施例３）
　実施例１で用いたピッチ系炭素繊維の直交３次元織物に光学的異方性ピッチを含浸した含浸物を１００ｋｇ／ｃｍ２のプレス圧で、７００℃においてホットプレスして炭素／炭素複合材料を得た。得られた炭素／炭素複合材料は炭素繊維３０ＶＯＬ％および炭素質マトリックス４７．５ＶＯＬ％から構成され、かつ空隙率が２２．５％であった。これを、メタンを原料ガスとして、温度Ｔ１＝１３００℃、圧力Ｐ１＝５ＴｏｒｒにおいてＣＶＩを行い、ついで温度Ｔ２＝１３００℃、圧力Ｐ２＝５ＴｏｒｒにおいＣＶＤを行つた。・・・得られたものは、炭素／炭素複合材料の空隙部にＣＶＩによる炭素が均一に沈着しており、表面にはＣＶＤによる炭素の沈着があった。かき密度１．４３ｇ／ｃｃ、曲げ強度１８ｋｇ／ｍｍ２であった。また表面の剥離も見られなかった。」（３頁左下欄１６行〜同頁右上欄９行）
　
４−２．原査定の拒絶の理由に引用文献２として引用された、本願の優先日日前である平成１０年３月３日に頒布された刊行物である特開平１０−５９７９５号公報（以下「周知例１」という。）には次の事項が記載されている。
　（周１−ア）「ここで、炭素繊維強化炭素複合材（Ｃ／Ｃ材）とは、炭素繊維にピッチ又は樹脂を含浸させてプリプレグにして成形し、炭素化処理、黒鉛化処理を施して得られたものであり、黒鉛の特性を有しつつ機械的強度を向上させたものである。」（【0008】）
　（周１−イ）「このようにして形成された炭素繊維強化炭素複合材の表面におけるＳｉＯガスによるＳｉＣ変成を阻止又は遅らせるために、この表面の微小な開気孔に熱分解炭素（ＰｙＣ）の被膜を生成する。・・・
　ここで熱分解炭素（ＰｙＣ）とは、炭化水素類、例えば炭素数１〜８特に炭素数３の炭化水素ガスもしくは炭化水素化合物を熱分解させて基材の深層部まで浸透析出せしめる高純度の被膜である。」（【0009】、【0010】）
　（周１−ウ）「ここで言うＣＶＤ法とは、前述した熱分解炭素（ＰｙＣ）を基材の開気孔のより内部にまで浸透析出させる所謂ＣＶＩ法を包含する方法であって、炭化水素類あるいは炭化水素化合物に対して濃度調整用として通常窒素ガスまたは水素ガスを用い、炭化水素濃度３〜３０％好ましくは５〜１５％とし、全圧を１００Ｔｏｒｒ以下の操作をする。このような操作を行った場合、炭化水素が基材表面および内部で脱水素、熱分解、重合などによって巨大炭素化合物を形成し、これが基材上に沈積、析出し、更に脱水素反応が進み緻密なＰｙＣ膜が形成され、あるいは浸透して含浸させる。析出の温度範囲は一般に８００〜２５００℃までの広い範囲であるが、できるだけ深く内部まで含浸するためには１３００℃以下の比較的低温領域でＰｙＣを析出させることが望ましい。また、Ｃ／Ｃ材の内部に存在する多数の開気孔表面にまでＰｙＣを析出浸透させるためには、析出速度を０．２μｍ／ｈｒ以下に遅くコントロールして行うことが適している。さらに、ＰｙＣの含浸の程度を高めるために、等温法、温度勾配法、圧力勾配法等が使用でき、時間の短縮および緻密化を可能にするパルス法を使用してもよい。」（【0012】）
　（周１−エ）「この熱分解炭素の被膜の形成を、例えばＣＶＤ法の析出速度の速い条件により短時間に行うと、図２（ｂ）に示すように開気孔４の開口部を覆うに止まり、その内部にまで十分に被覆することができない。この場合には強度的に不安定な上記の開口部に亀裂６を生じ、熱分解炭素膜で被覆されない内側部分をＳｉＯガス存在下の外部に晒す恐れがある。あるいは開気孔４の開口部を塞ぐことがないとしても、図２（ｃ）に示すように開気孔４の内部にまで十分に被覆することができず、上記の場合と同様に熱分解炭素で被覆されない部分をＳｉＯガス存在下の外部に晒すことになる。
　従って、その表面に多くの開気孔４が存在するルツボ本体２に十分な被膜を形成するためには、熱分解炭素の析出速度を十分遅くし、開気孔４の内部まで成膜させる必要がある。その熱分解炭素の析出速度は、０．２μｍ／ｈｒ以下とする必要がある。このように析出速度が遅い熱分解炭素の被膜を形成するためには、前記ＣＶＩ法が適している。」（【0019】、【0020】）として、【図２】には、るつぼを構成するＣ／Ｃ材の表面に形成された「熱分解炭素の皮膜３」について、図２（ａ）にはＣＶＩ法によって作成されたものの表面状態（【0017】参照）が、図２（ｂ）（ｃ）には、ＣＶＤ法によって作成されたものの表面状態を窺うことができる。
　
４−３．本願の優先日前である平成９年１１月１８日に頒布された刊行物である特開平９−２９５８８９号公報（以下「周知例２」という。）には次の事項が記載されている。
　（周２−ア）「ここで、炭素繊維強化炭素複合材とは、炭素繊維にピッチ又は樹脂を含侵させてマトリックスにして成形し、炭素化処理、黒鉛化処理を施して得られたものであり、黒鉛の特性を有しつつ機械的強度を向上させたものである。・・・このようにして形成された炭素繊維強化炭素複合材料は内部に炭素繊維を有する複合材であるがために、表面に開気孔等に起因する凹凸が多く微小な窪みが存在しており、単なる黒鉛材や炭素材に比較して表面積が大きい。この表面でのＳｉＣ変成を阻止又は遅らせるために、この表面の微小な窪みの内部も含めて熱分解炭素（ＰｙＣ）を被覆する。」（【0011】）
　（周２−イ）「ここで、ＣＶＩ法とは前述した熱分解炭素（ＰｙＣ）を浸透析出させる方法であって、前述した炭化水素類あるいは炭化水素化合物に対して濃度調整用として通常窒素ガスまたは水素ガスを用い、炭化水素濃度３〜３０％好ましくは５〜１５％とし、全圧を１００Ｔｏｒｒ好ましくは５０Ｔｏｒｒ以下の操作をする。このような操作を行った場合、炭化水素が基材表面付近で脱水素、熱分解、重合などによって巨大炭素化合物を形成し、これが基材上に沈積、析出し、更に脱水素反応が進み緻密なＰｙＣ膜が形成され、あるいは浸透して含浸させる。析出の温度範囲は一般に８００〜２５００℃までの広い範囲であるが、できるだけ多く含浸するためには１３００℃以下の比較的低温領域でＰｙＣを析出させることが望ましい。また析出時間は１００時間好ましくは５０時間以上の長時間にすることが、２０μｍ以下のように薄いＰｙＣを形成させるのに適している。また含浸の程度を高めるために、等温法、温度勾配法、圧力勾配法等が使用でき、時間の短縮および緻密化を可能にするパルス法を使用してもよい。なお、ＣＶＤ法（化学気相蒸着法）は分解生成する炭素を組織中に直接沈着させるものであって、ＣＶＩ法のように基材の内部まで含浸成膜させることはできず、短時間に厚い熱分解炭素を沈着させるにとどまる。」（【0016】）
　（周２−ウ）「ＣＶＤ法のように短時間に被膜を形成した場合には、図３（ｂ）に示すように開気孔２１の開口部を覆うに止まり、その内部にまで十分に被覆することができない。この場合には強度的に不安定な上記の開口部に亀裂を生じ、熱分解炭素膜で被覆されない内側部分をＳｉＯガス存在下の外部に晒す恐れがある。あるいは開気孔２１の開口部を塞ぐことがないとしても、図３（ｃ）に示すように開気孔２１の内部にまで十分に被覆することができなくなり、上記の場合と同様に熱分解炭素膜で被覆されない部分をＳｉＯガス存在下の外部に晒すことになる。
　従って、その表面に多くの開気孔２１（窪み）が存在するシードチャックを十分に被覆するためには、熱分解炭素膜の析出速度を十分遅くし、開気孔の内部まで成膜させる必要があり、膜の平均厚さは２０μｍ以下である。またこのような析出速度が遅く薄い熱分解炭素膜を得るためには、前記ＣＶＩ法が適している。本実施態様の例においては、上記のＣＶＩ法を用いることにより基材の内部まで十分に含浸され、平均厚さ１０μｍの熱分解炭素膜で被覆したシードチャックを得ることができた。」【0019】【0020】として、【図３】には、Ｃ／Ｃ材の表面に形成された「熱分解炭素皮膜５」について、図３（ａ）にはＣＶＩ法によって作成されたものの表面状態が、図３（ｂ）（ｃ）には、ＣＶＤ法によって作成されたものの表面状態を窺うことができる。
　
５．当審の判断
５−１．引用発明の認定
　刊行物１の記載事項について検討する。
　ａ）上記（刊１−ア）から、刊行物１には「炭素繊維成形体１０〜７０ＶＯＬ％および炭素質マトリックス５〜８０ＶＯＬ％から構成され、かつ空隙率が１０〜５５％である炭素／炭素複合材料の空隙部に気相熱分解により炭素を沈積充填し、続いてこの充填物の表面に気相熱分解により炭素を沈積被覆することを特徴とする炭素／炭素複合材料の製造法」に関する発明が記載されている。
　ｂ）上記（刊１−ウ）には「・・・本発明においては、空隙率が１０〜５５％である炭素／炭素複合材料の空隙部に気相分解により炭素を沈積充填し、続いてこの充填物の表面に気相分解により炭素を沈積被覆する。空隙部に気相分解により炭素を沈積充填する操作はＣＶＩ（ＣＨＥＭＩＣＡＬ　ＶＡＰＯＲ　ＩＮＦＩＬＴＲＡＴＩＯＮ）と呼ばれており、またこの充填物の表面に気相分解により炭素を沈積被覆する操作はＣＶＤ（ＣＨＥＭＩＣＡＬ　ＶＡＰＯＲ　ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ）と呼ばれている」と記載されており、「空隙部に気相熱分解により炭素を沈積充填」する操作は「ＣＶＩ」によって行われ、「充填物の表面に気相熱分解により炭素を沈積被覆」する操作は「ＣＶＤ」によって行われるものといえ、その際の「炭素」は「熱分解炭素」ということができる。
　ｃ）上記摘示事項（刊１−ア）、（刊１−ウ）を、上記の検討にしたがって、本願発明の記載ぶりに則して表現すると、刊行物１には、
「炭素繊維成形体１０〜７０ＶＯＬ％および炭素質マトリックス５〜８０ＶＯＬ％から構成され、かつ空隙率が１０〜５５％である炭素／炭素複合材料の空隙部にＣＶＩにより熱分解炭素を沈積充填し、続いてこの充填物の表面にＣＶＤにより熱分解炭素を沈積被覆することを特徴とする炭素／炭素複合材料の製造法」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
５−２．本願発明と引用発明との対比
　ｉ）上記（刊１−イ）には、「ここでいう炭素繊維成形体とは、連続した炭素繊維の５００〜２５０００本の繊維束を一方向積層物、２次元織物あるいはその積層物、３次元織物、マット状成形物、フェルト状成形物など炭素繊維を２次元あるいは３次元の成形体としたものである。・・・炭素質マトリックスとは炭素質ピッチ、フェノール樹脂、フラン樹脂などの炭化により得られるものであり・・・空隙率が１０〜５５％である炭素／炭素複合材料は、炭素質ピッチ、フェノール樹脂、フラン樹脂などを前記したような炭素繊維の織物あるいは成形物などに含浸した後、常圧下、加圧下あるいはプレス下で炭化して得られる」とあり、さらに上記（刊１−ウ）には「空隙率が１０〜５５％である炭素／炭素複合材料とするために、含浸／炭化のサイクルを必要回数重ねて繊密化をすることができる」と記載されていることから、引用発明では、炭素繊維成形体に炭素質ピッチや樹脂を含浸し緻密化して、空隙率が１０〜５５％である炭素／炭素複合材料を得るものであり、それが引用発明の「炭素繊維成形体１０〜７０ＶＯＬ％および炭素質マトリックス５〜８０ＶＯＬ％から構成され、かつ空隙率が１０〜５５％である炭素／炭素複合材料」であるから、これは本願発明の「炭素繊維強化炭素複合材」の「ピッチ及び／又は樹脂の含浸により緻密化」した段階のものに相当する。
　ｉｉ）引用発明の「ＣＶＩ」は「空隙部にＣＶＩにより熱分解炭素を沈積充填」する操作であり、本願発明では「ＣＶＩ法によって、熱分解炭素を含浸させる。これによって、表層部内部に残存する気孔を埋めることができる」（本願【0014】）ものであり、「空隙部」は「気孔」と同義だから、引用発明の「空隙部にＣＶＩにより熱分解炭素を沈積充填」することは、本願発明の「ＣＶＩにより熱分解炭素の含浸層を形成」することに相当するということができる。
　また、引用発明の「ＣＶＤ」は「この充填物の表面にＣＶＤにより熱分解炭素を沈積被覆」する操作であり、「ＣＶＩ」操作によって「熱分解炭素」の「充填物」すなわち「含浸層」が生成されたその表面にさらに「熱分解炭素」の「被覆」を行うものであるから、引用発明の「続いてこの充填物の表面にＣＶＤにより熱分解炭素を沈積被覆する」ことは、本願発明の「更に前記含浸層の上にＣＶＤにより熱分解炭素の被覆層を形成」することに相当する。
　ｉｉｉ）そして、上記ｉ）、ｉｉ）の検討を踏まえれば、引用発明も本願発明も、製造方法が共通するから、引用発明の「炭素／炭素複合材料」は本願発明の「炭素繊維強化炭素複合材」に相当する。
　ｉｖ）以上から本願発明と引用発明とは
「ピッチ及び／又は樹脂の含浸により緻密化した後、ＣＶＩにより熱分解炭素の含浸層を形成し、更に前記含浸層の上にＣＶＤにより熱分解炭素の被覆層を形成してなる炭素繊維強化炭素複合材。」
である点（一致点）で一致し、次の点で両者は一応相違する。
　
（相違点）本願発明では、「含浸層及び被覆層の密度差が０．２ｇ／ｃｍ３以下である」であるのに対し、引用発明では、ＣＶＩにより沈積充填された熱分解炭素の含浸層と、その表面にＣＶＤにより沈積被覆された熱分解炭素の被覆層との密度差が明らかでない点
　
５−３．相違点の検討
　（１）ＣＶＤとＣＶＩによる熱分解炭素の堆積について考察する。
　第一に、周知例１の記載を見ると、（周１−ア）、（周１−イ）から「炭素繊維強化炭素複合材（Ｃ／Ｃ材）」には、「ＣＶＤ」によって「表面の微小な開気孔に熱分解炭素（ＰｙＣ）の被膜を生成する」ものであり、（周１−ウ）から、「ここで言うＣＶＤ法とは、前述した熱分解炭素（ＰｙＣ）を基材の開気孔のより内部にまで浸透析出させる所謂ＣＶＩ法を包含する方法」とあるので、「表面の微小な開気孔に熱分解炭素（ＰｙＣ）の被膜を生成する」ためにＣＶＤの一つであるＣＶＩが用いられることが理解される。
　そして、ＣＶＩとＣＶＤの差異について、（周１−ウ）には、「析出の温度範囲は・・・できるだけ深く内部まで含浸するためには１３００℃以下の比較的低温領域でＰｙＣを析出させることが望ましい。また、Ｃ／Ｃ材の内部に存在する多数の開気孔表面にまでＰｙＣを析出浸透させるためには、析出速度を０．２μｍ／ｈｒ以下に遅くコントロールして行うことが適している」と記載され、（周１−エ）には「ＣＶＤ法の析出速度の速い条件により短時間に行う」と、生成した「熱分解炭素膜」が「開気孔４の開口部を覆う」などして「開気孔４の内部にまで十分に被覆することができ」ないので、「熱分解炭素の析出速度を十分遅くし、開気孔４の内部まで成膜させる必要があ」り、「このように析出速度が遅い熱分解炭素の被膜を形成するためには、前記ＣＶＩ法が適している」ことが記載されている。
　第二に、周知例２の記載を見ると、（周２−ア）、（周２−イ）から「炭素繊維強化炭素複合材（Ｃ／Ｃ材）」には、「表面に開気孔等に起因する凹凸が多く微小な窪みが存在」するので、「ＣＶＩ法」により「熱分解炭素（ＰｙＣ）を浸透析出させる」ものであることが理解される。
　そして、ＣＶＩとＣＶＤの差異について、（周２−イ）には、「ＣＶＤ法（化学気相蒸着法）は分解生成する炭素を組織中に直接沈着させるものであって、ＣＶＩ法のように基材の内部まで含浸成膜させることはできず、短時間に厚い熱分解炭素を沈着させるにとどまる」とあり、（周２−ウ）には「ＣＶＤ法のように短時間に被膜を形成」すると、生成した「熱分解炭素膜」が「開口部を覆う」などして「開気孔２１の内部にまで十分に被覆することができな」いので、「熱分解炭素膜の析出速度を十分遅くし、開気孔の内部まで成膜させる」には「ＣＶＩ法を用いること」で「基材の内部まで十分に含浸され」ることが記載されている。
　そうすると、ＣＶＩは、析出速度が遅いので、炭素繊維強化炭素複合材（Ｃ／Ｃ材）の内部に存在する多数の開気孔内にまで熱分解炭素（ＰｙＣ）を浸透析出させることができるものであり、ＣＶＤ法はＣＶＩ法を包含するものであり、ＣＶＤ法は狭義には析出速度が速く短時間に熱分解炭素を厚く析出させるものであると云うことは周知技術であるということができる。
　（２）引用発明の実施例について
（注．この「（２）」では、上記刊行物１の（刊１−カ）、（刊１−キ）に記載の実施例２，３でのＣＶＩ、ＣＶＤには「」を付し、それ以外でＣＶＩ、ＣＶＤを指示するときは「」を付与しないで記載する。）
　ｉ）刊行物１の記載をみると、（刊１−カ）には、
　「ＣＶＩ」、「ＣＶＤ」による熱分解炭素が析出される前の「炭素／炭素複合材料」に、
　メタンガスを原料とし、温度Ｔ１＝１２７０℃、圧力Ｐ１＝２Ｔｏｒｒにおいて「ＣＶＩ」を行い、ついで
　メタンガスを原料とし、温度Ｔ１＝１２７０℃、圧力Ｐ１＝２Ｔｏｒｒにおいて「ＣＶＤ」を行い、
　得られたものは、炭素／炭素複合材料の空隙部に「ＣＶＩ」による炭素が均一に沈着しており、表面には「ＣＶＤ」による炭素の沈着があり、表面の剥離がなかった、とする実施例２が記載されている。
　ｉｉ）また、（刊１−キ）には、
　「ＣＶＩ」、「ＣＶＤ」による熱分解炭素が析出される前の「炭素／炭素複合材料」に、
　メタンガスを原料として、温度Ｔ１＝１３００℃、圧力Ｐ１＝５Ｔｏｒｒにおいて「ＣＶＩ」を行い、ついで
　メタンガスを原料として、温度Ｔ２＝１３００℃、圧力Ｐ２＝５Ｔｏｒｒにおいて「ＣＶＤ」を行い、
　得られたものは、炭素／炭素複合材料の空隙部に「ＣＶＩ」による炭素が均一に沈着しており、表面には「ＣＶＤ」による炭素の沈着があり、表面の剥離がなかった、とする実施例３が記載されている。
　ｉｉｉ）そして、（刊１−オ）には、比較例として、ＣＶＩを行わず、ＣＶＤのみを実施した場合には、剥離が生じることが記載されている。
　ｉｖ）すると、上記二つの実施例を見ると、「ＣＶＩ」と「ＣＶＤ」との両方が連続して行われているから剥離が生じないと云うことができる。
　また、上記二つの実施例では、「ＣＶＩ」と「ＣＶＤ」とは同じ原料ガスで連続して行われており、上記周知技術を勘案すれば、炭素／炭素複合材料の空隙部に析出速度が遅い「ＣＶＩ」により炭素が均一に沈着した後に、「ＣＶＩ」の温度圧力条件を変化させずに「ＣＶＤ」を行ったものであり、炭素が均一に沈着した部分の上に、「ＣＶＩ」と同様の遅い析出速度での「ＣＶＤ」によって炭素が析出されていくものと云える。
  ここで、上記「ＣＶＤ」は析出速度が遅いのだから、上記周知技術に照らせば、その実質はＣＶＩであり、上記「ＣＶＤ」はＣＶＤとは云えないのではないかとも考えられる。
　しかしながら、刊行物１の（刊１−ウ）には「ＣＶＩにより炭素／炭素複合材料の空隙部に炭素を沈積充填する場合、反応条件は、温度Ｔ１が９００−１５００℃、圧力Ｐ１が０．１〜５０Ｔｏｒｒである。一方ＣＶＤにより、充填物の表面に気相熱分解により炭素を沈積被覆する場合、温度Ｔ２は１２００〜２０００℃、圧力Ｐ２は５〜７６０Ｔｏｒｒである」と記載されるように、ＣＶＩとＣＶＤとでは温度圧力条件が重複する場合があり、実施例２，３はこの場合に相当する。
　そして、上記実施例では「ＣＶＩ」と「ＣＶＤ」とで温度、圧力、原料ガスが同じで、刊行物１に記載の範囲で他に相違する条件は見いだせない。
　すると、「ＣＶＤ」では、「ＣＶＩ」で沈積充填により空隙部が埋められて略平坦状になった面の上に、「ＣＶＩ」と同様の遅い析出速度で所望の膜厚となるまで当該面が沈積被覆されていくものと推測され、空隙部を埋める沈積と、その後の略平坦状になった面上への所望厚さまでする沈積とでは、必要な沈積に要する時間は相違するであろうから、「ＣＶＩ」と「ＣＶＤ」とでは、少なくともその時間の点で相違するものであり、「ＣＶＤ」は、当該時間の点で「ＣＶＩ」とは異なるという意味で、広義にはＣＶＤであるということができる。
　すると、上記実施例では「ＣＶＩ」と「ＣＶＤ」とで温度、圧力、原料ガスが同じで、所望の膜厚が達成されるまでＣＶＤが実施されたのだから、「ＣＶＩ」による熱分解炭素の含浸層と「ＣＶＤ」による熱分解炭素の被覆層とは同じ密度のものであることが推測され、そうであるからこそ「剥離がない」ものということができる。
　そうでないとしても、「剥離がない」程度に両者間の密度差が小さいものということができる。
　ｖ）以上から、引用発明では、「ＣＶＩ」により沈積充填された熱分解炭素の含浸層と、その表面に「ＣＶＤ」により沈積被覆された熱分解炭素の被覆層との密度差はないということができるので、上記相違点は実質的に相違点とはいえない。
  ｖｉ）また、引用発明において、「ＣＶＩ」により沈積充填された熱分解炭素の含浸層と、その表面に「ＣＶＤ」により沈積被覆された熱分解炭素の被覆層との密度差があったとしても、それは「剥離がない」程度に両者間の密度差が小さいものということができるから、どの程度の密度差までなら剥離しないかを実験等で求めることに格別の困難性は見いだせない。
　
６．請求人の主張について
　請求人は、平成２１年４月１３日付けの審判請求書の請求の理由に係る手続補正書の２〜３頁で「このようにＣＶＩとＣＶＤとを同程度の温度で行った場合、同じ密度の膜（同じ密度の充填層と被覆層）を得るためにはＣＶＤによる膜形成を高いガス圧力により処理する必要があります。しかし、高いガス圧力下において膜形成を行う場合、被覆される炭素源が煤状化してしまい、結晶化された被膜が形成されない恐れがあります。このような理由から、ＣＶＩとＣＶＤとが同程度の温度で行われると、たとえ２層が形成されたとしても本願のような密度が接近した充填層と被覆層とを形成することはできないと推測されます。また、ＣＶＩとＣＶＤとを同温度及び同圧力で行うと、本願のような含浸層と被覆層とは形成されません。また、本願の段落００１７及び図１から同温度では理論上は密度差が生じないことが予測できますが、低温域では核が成長しにくいため低温状態を維持しながら充填層と被覆層とを形成すると、前記の如く被覆される炭素源が煤状化することで本願のような密度差の小さい含浸層と被覆層とは形成されません。なお、引用文献１の実施例４では、充填層と被覆層との形成に際して温度を変化させていますが、本願の段落００１７及び図１からこの温度変化では２層の密度差を小さくすることができません。
　このため、引用文献１の発明では、本願の上述のＢの特徴、即ち含浸層及び前記被覆層の密度差を０．２ｇ／ｃｍ３以下とすることは実現されず、単に、沈積充填（ＣＶＩ法）と沈積被覆（ＣＶＤ法）と連続して行ったとしても本願の密度差は実現されません。」と主張している。
　しかしながら、以下のように判断する。
　ｉ）「ＣＶＩとＣＶＤとを同程度の温度で行った場合、同じ密度の膜（同じ密度の充填層と被覆層）を得るためにはＣＶＤによる膜形成を高いガス圧力により処理する必要があります。しかし、高いガス圧力下において膜形成を行う場合、被覆される炭素源が煤状化してしまい、結晶化された被膜が形成されない恐れがあります。このような理由から、ＣＶＩとＣＶＤとが同程度の温度で行われると、たとえ２層が形成されたとしても本願のような密度が接近した充填層と被覆層とを形成することはできないと推測されます。」と主張するが、その根拠が文献や本願明細書中の記載として示されておらず、真偽が明らかでない。
　例えば刊行物１の実施例５（４頁左上欄〜右上欄）で、ＣＶＩとＣＶＤとを同程度の温度（１１５０℃）で、ＣＶＩの圧力５ｔｏｒｒ、ＣＶＤの圧力１００ｔｏｒｒと「高いガス圧力下」で実施されているが、「表面に熱ＣＶＤにより炭素を沈積被覆した」、「表面の剥離も見られなかった」と記載されていることから、所望の炭素膜は形成されており、さらに剥離しないことから、密度が接近した充填層と被覆層とが形成されていると推測されるので、上記主張は採用できない。
　ｉｉ）「本願の段落００１７及び図１から同温度では理論上は密度差が生じないことが予測できますが、低温域では核が成長しにくいため低温状態を維持しながら充填層と被覆層とを形成すると、前記の如く被覆される炭素源が煤状化することで本願のような密度差の小さい含浸層と被覆層とは形成されません。」と主張するが、本願【0017】には「低温域では基材温度が核成長に充分な温度でないため、核が殆ど成長せず、気相中で析出した核が基材上に堆積し高密度となる。」と記載されており、「低温域」でも「堆積し高密度」となることが記載されており、ＣＶＤが低温で行われても「密度差の小さい含浸層と被覆層とは形成」され得ると推測されるので、上記主張は採用できない。
　
７．むすび
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができない。
  また、本願発明は、刊行物１に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、その余の請求項に記載された発明に言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。