【事件の表示】
　特願２００４−１８１５７３号「リンス用組成物及びそれを用いたリンス方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１月５日出願公開、特開２００６−５２４６号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件に係る出願（以下「本願」という。）は、平成１６年６月１８日の特許出願であって、平成２２年１月１４日付けで拒絶査定がなされ（発送日：同年１月１９日）、これに対し、同年４月１９日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。  
 　  
２．本願発明について
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２１年８月１９日付け手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「ヒドロキシエチルセルロース、ポリエチレンオキサイド、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドの共重合体、及び同共重合体にアルキル基又はアルキレン基を付加してなる親水性ポリマーから選ばれる少なくとも一種の水溶性高分子と、
　水と
を含有し、アルカリ化合物を実質的に含有しないリンス用組成物。」
　
３．刊行物について 
(1)原査定の拒絶の理由において提示された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１１−３３００２４号公報（以下「刊行物」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている（下線は当審で付与。）。
a)「【請求項１】半導体基板(16)の表面の研磨終了時に前記半導体基板(16)表面の研磨反応を停止する水溶液(19)であって、増粘剤を含有し、砥粒を含まないことを特徴とする半導体基板の研磨終了時の研磨反応停止液。」（【特許請求の範囲】） 
b)「【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の超純水によるリンス法では、研磨用パッド上に残留しているスラリー状の研磨液が超純水によって希釈されると、研磨液の粘性が急激に低下して、砥粒が除去しきれないリンス初期の段階で半導体基板と研磨用パッドの間の水膜の厚さが減少する。その結果、半導体基板表面にマイクロスクラッチ、ダメージ等を生じる不都合がある。またウェーハ表面に砥粒が残留した場合には、研磨装置から取外した後の洗浄工程でウェーハ表面にピットが形成される。本発明の目的は、
研磨終了時に研磨液中の砥粒を半導体基板表面に凝集、付着させず、かつ研磨用パッドから速やかに除去し、これにより基板表面にマイクロスクラッチ、ピット、及びダメージを生じさせない半導体基板の研磨終了時の研磨反応停止液
を提供する
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、図１に示すように半導体基板１６の表面の研磨終了時に半導体基板１６表面の研磨反応を停止する水溶液１９であって、増粘剤を含有し、砥粒を含まないことを特徴とする半導体基板の研磨終了時の研磨反応停止液である。研磨反応停止液は増粘剤を含有し、砥粒を含まないため、研磨反応の停止時に半導体基板表面と研磨用パッドの間の水膜の厚さが一定値以上に保たれ、半導体基板表面にマイクロスクラッチ、ダメージを残さずに
研磨スラリー中に含まれていた砥粒を速やかに除去する
c)「【発明の実施の形態】本発明の研磨反応停止液が適用される半導体基板は、主としてシリコンウェーハである。その他の基板としてＧａＡｓ、ＩｎＰなどのウェーハが挙げられる。この停止液は増粘剤の水溶液であって、この
停止液に含まれる増粘剤としてはポリビニルアルコール、ヒドロキシエチルセルロース等の水溶性高分子
が挙げられる
d)「【実施例】次に本発明の具体的態様を示すために、本発明の実施例を比較例とともに説明する。
＜実施例１＞図１に示した研磨装置１０において、
シリコンウェーハ１６を
研磨液１７で研磨し、研磨液の供給を停止すると同時に配管２０からポリビニルアルコール（ＰＶＡ）
を
含み、砥粒を含まない水溶液からなる研磨反応停止液１９を研磨用パッド１３に滴下し
e)「【発明の効果】以上述べたように、本発明の研磨反応停止液を用いた研磨停止方法によれば、研磨終了時に研磨液中の砥粒を半導体基板表面に凝集、付着させず、かつ研磨用パッドから速やかに除去し、これにより基板表面にマイクロスクラッチ、ピット及びダメージを生じさせない優れた効果がある。特に研磨圧力が高い状態で、増粘剤の他にアルカリ及び酸化剤を更に含有する研磨反応停止液を用いて研磨終了時の半導体基板の研磨反応を停止すると、その効果はより優れたものとなる。」（段落【0019】） 
　
　上記a〜eの記載事項及び図面の図示内容を総合勘案すると、刊行物には、次の発明が記載されていると認められる。
「研磨終了時に研磨液中の砥粒を半導体基板表面に凝集、付着させず、かつ研磨用パッドから速やかに除去し、これにより基板表面にマイクロスクラッチ、ピット、及びダメージを生じさせない半導体基板の研磨終了時の研磨反応停止液を提供することを目的として、
　シリコンウェーハ１６を研磨液１７で研磨し、研磨液の供給を停止すると同時に配管２０から研磨用パッド１３に滴下される、増粘剤としての水溶性高分子であるポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を含み、砥粒を含まない水溶液からなる、研磨スラリー中に含まれていた砥粒を速やかに除去する研磨反応停止液１９。」
　
　また、上記cの記載事項によると、刊行物には、次の技術事項が記載されている。
「停止液に含まれる増粘剤としてポリビニルアルコール、ヒドロキシエチルセルロース等の水溶性高分子が挙げられること。」
　
４．対比
　本願発明と刊行物に記載された発明とを対比する。
　刊行物に記載された発明の「水溶性高分子であるポリビニルアルコール（ＰＶＡ）」と、本願発明の「ヒドロキシエチルセルロース、ポリエチレンオキサイド、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドの共重合体、及び同共重合体にアルキル基又はアルキレン基を付加してなる親水性ポリマーから選ばれる少なくとも一種の水溶性高分子」とは、「水溶性高分子」である点で共通する。
　そして、刊行物に記載された発明の「水溶液」は、その構成及び機能からみて、本願発明の「水」「を含有」することに相当する。
　ここで、刊行物に記載された発明の「研磨反応停止液１９」と本願発明の「アルカリ化合物を実質的に含有しないリンス用組成物」とを対比する。
　前者において、「研磨反応停止液１９」は、研磨スラリー中に含まれていた砥粒を速やかに除去するための液であり、水溶性高分子であるポリビニルアルコールと水のみからなり、アルカリ化合物を含むものではない。一方、後者において、「リンス用組成物」は、本願明細書の「シリコンウエハの表面に付着した砥粒等を確実に除去することが求められる」（段落【0002】）なる記載によれば、「シリコンウエハの表面に付着した砥粒等を確実に除去する」ための液である。
　そうすると、刊行物に記載された発明の「研磨反応停止液１９」は、砥粒を除去する液である点において、本願発明の「アルカリ化合物を実質的に含有しないリンス用組成物」に相当する。
　
　したがって、上記両者の一致点および相違点は、次のとおりである。 
［一致点］
「水溶性高分子と、
　水と
を含有し、アルカリ化合物を実質的に含有しないリンス用組成物。」
　
［相違点］
　水溶性高分子が、本願発明では、ヒドロキシエチルセルロース、ポリエチレンオキサイド、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドの共重合体、及び同共重合体にアルキル基又はアルキレン基を付加してなる親水性ポリマーから選ばれる少なくとも一種であるのに対して、刊行物に記載された発明では、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）である点。
　
５．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　刊行物には、停止液に含まれる増粘剤としてポリビニルアルコール、ヒドロキシエチルセルロース等の水溶性高分子が挙げられることが記載されている。
　したがって、刊行物に記載された発明において、研磨反応停止液１９として、水溶性高分子であるポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を用いることに換えて、同じく水溶性高分子であるヒドロキシエチルセルロースを用いるか、あるいは、ヒドロキシエチルセルロースをポリビニルアルコール（ＰＶＡ）に加えて用いることは当業者が容易になし得たものである。
　また、本願発明の奏する効果についてみても、刊行物に記載された発明から当業者が予測できた効果の範囲内のものである。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　したがって、本願のその他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
 　  
　よって、結論のとおり審決する。