【事件の表示】
　特願２００８−　　２７５０「研磨用組成物、および研磨方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　７月１０日出願公開、特開２００８−１５５３６８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本件出願の発明
　本件出願は、特許法第４１条に基づく優先権主張を伴って平成１１年１０月７日（優先日、平成１１年６月２３日）に出願した特願平１１−２８６４３９号の一部を平成２０年１月１０日に新たな特許出願としたものであって、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項８に係る発明は、願書に添付した明細書（以下「本件出願の明細書」という。）の記載からみて、上記請求項１ないし請求項８に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本件出願の発明」という。）は、次のとおりである。　
「少なくとも研磨材、ならびに
　（ａ）カルボン酸（塩）基を有する（共）重合体、
　（ｂ）スルホン酸（塩）基を有する（共）重合体、および
　（ｃ）ホスホン酸（塩）基を有する（共）重合体、のうち、少なくとも２種の（共）重合体を含有する半導体部品用洗浄剤からなる研磨助剤
を含有し、かつ配線されてなる金属膜を有する半導体部品を化学機械研磨するために使用されることを特徴とする研磨用組成物。」
　
第２　刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本件原出願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開昭６３−２７２４６０号公報（以下「引用刊行物」という。）の記載内容は以下のとおりである。
１　引用刊行物記載の事項
　引用刊行物には以下の事項が記載されている。
（１）第１ページ右下欄第１１行〜第１６行
「「産業上の利用分野」
　本発明は、電気集積回路の支持結晶として広範囲に使用されているウェハーの研磨を行う際に、研磨剤中の金属原子がウェハーの表面に移行せず、ウェハー表面を汚染することのない工業的に有利なウェハー用研磨剤組成物に関する。」
（２）第２ページ左上欄最下行〜右上欄第１１行
「「発明が解決しようとする問題点」
　本発明はウェハーを研磨した時に、金属原子がウェハー表面に吸着されにくく、従って、熱拡散もドープもされないような研磨剤を提供しようとするものである。
「発明が解決するための手段」
　本発明の要旨とするところは、水、粒状アモルファスシリカおよび水溶性キレート剤および／または分子量５０００以上の高分子イオンを含有し、かつアルカリ性化合物によってｐＨ９以上に調整されてなることを特徴とするウェハー用研磨剤組成物に存する。」
（３）第２ページ右下欄第１７行〜第３ページ左上欄第９行
「本発明において分子量５０００以上の高分子イオンは、研磨剤組成物中において、強い静電場を形成し、研磨剤組成物中に含まれる水、金属原子と複合体を形成し、研磨剤組成物中の金属原子がウェハー表面に吸着されないように機能する。分子量５０００以上の高分子イオンとしては、アニオン性の高分子イオン、例えばポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリイタコン酸、ポリマレイン酸、マレイン酸と各種ビニル基との共重合体、ポリスチレンスルホン酸、ポリリン酸、コンドロイチン硫酸、デキストラン硫酸、ケラタン硫酸、ヘパリン硫酸などの高分子化合物のイオンの１種または２種以上が使用される。」
（４）第３ページ左下欄第１９行〜右下欄第１０行
「得られた研磨剤組成物を用い、次のような方法でシリコンウェハーの研磨を行った。
研磨機　：　スピードファム製、ＳＰＡＷ２６
研磨布　：　不織布タイプ
シリコンウェハーと研磨布との相対速度　：　９０ｍ／分
研磨圧力　：　２８０ｇ／ｃｍ２　　
研磨中の研磨布温度　：　４０°Ｃ
研磨剤組成物の流速　：　７５０ｍｌ／分＊１
研磨時間　：　３０分
［註］＊１　研磨剤組成物は、ポンプによって継続的に研磨布へ循環供給した。」
２　引用刊行物記載の発明
　引用刊行物記載の事項を技術常識を考慮しながら本件出願の発明に照らして整理すると、引用刊行物には以下の発明が記載されていると認めることができる。
「粒状アモルファスシリカ、ならびに
　アニオン性の高分子イオン、例えばポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリイタコン酸、ポリマレイン酸、マレイン酸と各種ビニル基との共重合体、ポリスチレンスルホン酸、ポリリン酸、コンドロイチン硫酸、デキストラン硫酸、ケラタン硫酸、ヘパリン硫酸などの分子量５０００以上の高分子化合物のイオンの１種または２種以上を含有し、かつシリコンウェハーを研磨布を用いて研磨するために継続的に研磨布へ循環供給して使用されるウェハー用研磨剤組成物。」（以下、「引用発明」という。）
　
第３　対比
　本件出願の発明と引用発明とを対比すると以下のとおりである。
　引用発明の「粒状アモルファスシリカ」は、本件出願の発明の「研磨材」に相当することが明らかである。
　また、本件出願の明細書の段落【００１０】には、カルボン酸（塩）基を有する（共）重合体を得るカルボン酸（塩）基を有する単量体として、イタコン酸、（メタ）アクリル酸が挙げられており、同じく段落【００２７】には、スルホン酸（塩）基を有する（共）重合体を得るスルホン酸（塩）基を有する単量体として、スチレンスルホン酸が挙げられていることからみて、引用発明のポリアクリル酸、ポリイタコン酸と各種ビニル基との共重合体は、本件出願の発明の「カルボン酸（塩）基を有する（共）重合体」に相当するということができ、同じく引用刊行物記載の発明のポリスチレンスルホン酸の分子量５０００以上の高分子化合物は、本件出願の発明の「スルホン酸（塩）基を有する（共）重合体」に相当するということができる。そして、引用発明は上記（共）重合体の２種以上が使用されるものであることから、本件出願の発明と引用発明とは、カルボン酸（塩）基を有する（共）重合体とスルホン酸（塩）基を有する（共）重合体とを含有している点で一致している。
　また、引用発明の「シリコンウェハー」は、本件出願の発明の「半導体部品」に相当することが明らかであり、引用発明において、研磨剤組成物を継続的に研磨布へ循環供給しながらシリコンウェハーを研磨布を用いて研磨することは、半導体部品を化学機械研磨することにほかならない。
　さらに、引用発明は「ウェハー用研磨剤組成物」として表現されているが、本件出願の発明と同様に「研磨用組成物」としても表現できるものである。
　したがって、本件出願の発明と引用発明とは以下の点で一致しているということができる。
＜一致点＞
「研磨材、ならびに
　（ａ）カルボン酸（塩）基を有する（共）重合体、および
　（ｂ）スルホン酸（塩）基を有する（共）重合体
を含有し、かつ半導体部品を化学機械研磨するために使用される研磨用組成物。」
　そして、本件出願の発明と引用発明とは以下の２点で相違している。
１　＜相違点１＞
　本件出願の発明では、（ａ）カルボン酸（塩）基を有する（共）重合体、および（ｂ）スルホン酸（塩）基を有する（共）重合体が、半導体部品用洗浄剤からなる研磨助剤であるのに対して、引用発明では、そのようなものであるのかどうか明らかでない点。
２　＜相違点２＞
　本件出願の発明では、化学機械研磨される半導体部品が配線されてなる金属膜を有するものであるのに対して、引用発明では、そのような半導体部品であるのかどうか明らかでない点。
　
第４　相違点についての検討
１　＜相違点１＞について
　本件出願の発明において、（ａ）カルボン酸（塩）基を有する（共）重合体、および（ｂ）スルホン酸（塩）基を有する（共）重合体は、半導体部品用洗浄剤からなる研磨助剤であるために何か格別の構成を備えているものではない。
　そうしてみると、相違点１については、本件出願の発明と引用発明との間に実質上の差異がなく、引用発明における（ａ）カルボン酸（塩）基を有する（共）重合体、および（ｂ）スルホン酸（塩）基を有する（共）重合体も、半導体部品用洗浄剤からなる研磨助剤ということができるものである。
２　＜相違点２について＞
　カルボン酸やスルホン酸を含有する研磨剤を用いて化学機械研磨される半導体部品を、配線されてなる金属膜を有する半導体部品とすることは、原審における拒絶の査定の際に挙げられた特開平１０−１６３１４１号公報（段落【０００２】、【００３６】参照。）や、例えば、特開平１０−３１０７６６号公報（段落【０００１】〜【０００２】、【００３３】〜【００３４】参照。）に示されているように従来周知であり、引用発明の研磨用組成物を、配線されてなる金属膜を有する半導体部品の化学機械研磨に使用することは、その適用を阻害する要因も格別見当たらないことからすれば、当業者が格別の創意を要することなく容易に想到するところである。
３　＜本件出願の発明の効果＞について
　また、本件出願の発明の採用する構成によってもたらされる効果も、引用発明及び上記従来周知の事項から当業者であれば予測できる程度のものであって格別のものではない。
　
第５　むすび
　したがって、本件出願の発明は、引用発明及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許をすることができない。
　よって、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきであるから、結論のとおり審決する。