【事件の表示】
　特願２００７−１０４０２７「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法、ショットキーバリアダイオード、発光ダイオード、レーザダイオード、およびそれらの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１０月３０日出願公開、特開２００８−２６３０２３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１９年　４月１１日の出願であって、平成２１年　３月　４日付けで拒絶理由が通知され、これに対して、平成２１年　５月　１日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２１年　７月３０日付けで拒絶査定がなされ、これを不服として、平成２１年１１月　４日付けで審判請求がなされるとともに、手続補正がなされたものである。
　
第２．平成２１年１１月　４日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２１年１１月　４日付けの手続補正を却下する。
　
［理　由］
［１］平成２１年１１月　４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）の内容
　本件補正は、平成２１年　５月　１日付けの手続補正により補正された本件補正前（以下、単に「本件補正前」という。）の特許請求の範囲の請求項１を下記のとおりに補正しようとする事項を含むものである。
　
　＜本件補正前の請求項１＞
「【請求項１】
　ＩＩＩ族元素を含む原料を用いた有機金属気相成長法によってＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を製造する方法であって、
　種基板を準備する準備工程と、
　前記ＩＩＩ族元素を含む原料として０．０１ｐｐｍ以下のシリコンと、１０ｐｐｍ以下の酸素と、０．０４ｐｐｍ未満のゲルマニウムとを含む有機金属を用いて、前記種基板上に前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させる成長工程とを備える、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法。」
　
＜本件補正＞
「【請求項１】
　ＩＩＩ族元素
およびＶ族元素
　種基板を準備する準備工程と、
　前記ＩＩＩ族元素を含む原料として０．０１ｐｐｍ以下のシリコンと、１０ｐｐｍ以下の酸素と、０．０４ｐｐｍ未満のゲルマニウムとを含む有機金属を用いて、
かつ前記Ｖ族元素を含む原料として、９９．９９９％以上のアンモニアを用いて、
、
　
前記成長工程では、前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体としてＡｌ
ｘ
Ｇａ
ｙ
Ｉｎ
（１−ｘ−ｙ）
Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）を成長させる、
　（なお、上記下線は、補正箇所を示したものである。）
　
［２］補正の適否について
１．補正の目的
　上記請求項１の補正事項は、本件補正前の請求項１における
（１）「ＩＩＩ族元素を含む原料」を「ＩＩＩ族元素
およびＶ族元素
（２）成長工程における原料を、「
かつ前記Ｖ族元素を含む原料として、９９．９９９％以上のアンモニアを用いて、
（３）そして、成長させる「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体」として、「
前記成長工程では、前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体としてＡｌ
ｘ
Ｇａ
ｙ
Ｉｎ
（１−ｘ−ｙ）
Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）を成長させる
それぞれ、限定的に補正しようとするものであり、特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当する。
　
２．独立特許要件
　次に、上記補正による補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際、独立して特許を受けることができるものであるのか否か（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものであるのか否か）について検討する。
　
１）引用刊行物及びその摘記事項
ア．原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に国内において頒布された特開２００６−１１１５４６号公報（以下、「刊行物１」という。）には、次の事項が記載されている。
（刊１ａ）「【０００４】
　高輝度の発光ダイオードやレーザーダイオードを製造する場合、ｎ型及びｐ型層の両層のキャリア濃度を安定して高く調整する必要がある。キャリアを調整するためには、不純物を意図的にドープするが、キャリア濃度が安定しないという問題点があった。
【０００５】
　半導体薄膜の品質は、原料の有機金属化合物中の不純物に影響されることは知られており、そのため、より高純度の有機金属化合物が求められている。・・・
【０００６】
　半導体のより高性能化に伴い、従来以上に高純度で、窒化ガリウム薄膜を製造した場合、キャリア濃度を安定して調整できる有機ガリウム化合物が求められている。」　
　
（刊１ｂ）「【０００８】
　本発明者らはこのキャリア濃度の安定化のために、鋭意検討を進めた結果、不純物の中でも有機ケイ素化合物がキャリア濃度の安定化に影響すること、全有機ケイ素化合物の濃度が０．１ｐｐｍ未満のトリメチルガリウムを用いることによって、ノンドープＧａＮのキャリア濃度を安定して、１×１０１６ｃｍ‐３以下に制御できること、従って、不純物をドープして得られるｎ型及びｐ型層の両層のキャリア濃度を安定して高く調整することが可能であること、・・・を見出し、本発明に至った。」
　
（刊１ｃ）「【００１８】
　・・・ ＴＭＡ中の全有機ケイ素化合物の濃度は、上記したとおり、通常、前処理を行った後、誘導結合プラズマ発光法（以下、ICP-AES法と言うことがある。）によって分析される・・・」
　
（刊１ｄ）「【００２４】
　・・・ このようにして得られるＴＭＧ中の全有機ケイ素化合物の濃度は０．１ｐｐｍ未満である。
　ＴＭＧの全有機ケイ素化合物の分析はＴＭＡ中の全有機ケイ素化合物の分析と同様に行われる。通常、ICP-AES法によって行われる。
【００２５】
　ＧａＮ薄膜の製造は常法によって行われ、例えば、有機金属気相成長（以下、ＭＯＶＰＥと記すことがある。）法・・・が挙げられる。・・・」
　
（刊１ｅ）「【００２９】
 ・・・本願発明の方法によれば、不純物をドープしない（以下、ノンドープということがある。）ＧａＮ薄膜のキャリア濃度をｎ型で１×１０１６ｃｍ−３以下とすることが可能となるため、ｎ型、ｐ型不純物をドープする場合、いずれも伝導の型とキャリア濃度を再現性よく制御することが可能となる。」
　
（刊１ｆ）「【００３５】
（窒化ガリウム薄膜の製造）
  全有機ケイ素化合物の濃度が０．１ｐｐｍ未満であるＴＭＧ（２）を用いて、サファイア基板上にＭＯＶＰＥ法によって以下の通り、ＧａＮ層を成長させた。
  基板としてサファイアのＣ面を鏡面研磨したものを有機洗浄して用いた。・・・キャリアガス、ＴＭＧ、アンモニアを供給して、厚さが約３μｍのノンドープのＧａＮ層を成長させた。
【００３６】
  これらのノンドープのＧａＮ層を空乏層容量の電圧依存性（Capacitance-Voltage characteristics：以下、Ｃ−Ｖ測定と略記することがある。）から求めたキャリア濃度は測定下限（１．０×１０１６ｃｍ−３）であった。また、有機金属容器の充填量に対する使用割合には依存せず、該ＴＭＧを用いて成長したＧａＮ層のキャリア濃度は、測定下限（１．０×１０１６ｃｍ−３）以下の低い値で安定して制御できた。」
　
（刊１ｇ）【００３４】【表２】には、刊行物１の方法による精製の後のＴＭＧ（２）及び（３）の有機ケイ素化合物の濃度（ｐｐｍ）が、ＩＣＰ−ＡＥＳ法による測定結果として、「＜０．１」であることが看取できる。
　
イ．原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に国内において頒布された特開２００６−１０４１８９号公報（以下、「刊行物２」という。）には、次の事項が記載されている。
（刊２ａ）「【０００３】
  半導体および電子デバイスの用途のためには、これらの有機金属化合物は、純度が高くなければならず、かつ検出可能なレベルの、ケイ素および亜鉛をはじめとする金属不純物ならびに酸素化不純物が何れも実質的にないものでなければならない。・・・」
　
（刊２ｂ）「【０００７】
  本発明は、式ＲａＭｂＹｃ（式１）（式中、各Ｒは独立して（Ｃ１−Ｃ１０）有機基であり、ＭはＩＩＢまたはＩＩＩＡ族金属であり、各Ｙは独立して（Ｃ１−Ｃ４）カルボキシレートまたはハロゲンであり、ａ＝１〜３であり、ｂはＭの価数であり、ｃ＝０〜２であり、ａ＋ｃ＝ｂである）の化合物であって、９９．９９９９％の純度を有し、０．５ｐｐｍ未満の酸素化不純物を有する化合物を提供する。」　
　
（刊２ｃ）「【００１５】
  式Ｉの化合物は実質的に純粋である。一具体例において、これらの化合物は９９．９９９９％（シックスナイン）の純度を有する。また、これらの化合物は実質的に酸素化不純物を含まない。すなわち、これらは０．５ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下、さらに好ましくは５０ｐｐｂ以下の酸素化不純物を含有する。式１のかかる化合物は、電子および光学（オプトエレクトロニックを包含する）デバイスの製造において用いられる蒸着による金属フィルムの形成に特に有用である。かかる化合物を使用して堆積される金属フィルムは、純度が増大し、欠陥が減少し、電子移動度が増大する。」
　
（刊２ｄ）「【００３４】
  本発明の方法は、・・・このような式１の化合物は、様々な技術、例えば蒸留、昇華、および再結晶によりさらに精製することができる。本発明の方法は、ケイ素、ゲルマニウムおよびスズをはじめとする金属不純物が実質的に含まれない（≦０．５ｐｐｍ）式１の化合物を提供する。式１の化合物はまた、エーテル系溶媒および酸素化有機金属をはじめとする酸素化不純物も実質的に含まれず（≦０．５ｐｐｍ）、かかる酸素化不純物は含まれないのが好ましい。
　・・・　
【００４３】
　式Ｉの本発明の化合物は・・・任意のフイルムの堆積において有用である。好適なフィルムとしては、・・・ガリウム−窒化物、インジウム−ガリウム−窒化物・・・が挙げられる。
・・・
【実施例７】
【００５４】
  ・・・トリメチルインジウムは高収率で、酸素化有機および金属不純物を、ＦＴ−ＮＭＲおよび／またはＩＣＰ−ＯＥＳ技術により分析すると０．１ｐｐｍ未満で含有すると予想される。
　・・・
【実施例１０】
【００５７】
  ・・・トリメチルアルミニウムは高収率で得られ、酸素化有機および金属不純物をＦＴ−ＮＭＲおよび／またはＩＣＰ−ＯＥＳ技術により分析すると０．１ｐｐｍ未満で含有すると予想される。」
　
　上記摘記事項（刊２ａ）〜（刊２ｄ）を整理すると、刊行物２には、次の事項が記載されている。
（ア）半導体および電子デバイスの用途のための有機金属化合物は、純度が高くなければならず、かつ「検出可能なレベルの、ケイ素、ゲルマニウム、スズ及び亜鉛をはじめとする金属不純物ならびに酸素化不純物が何れも実質的にない」ものでなければならないこと。
（イ）刊行物２の精製方法により得られる、酸素化有機および金属不純物は、ＦＴ−ＮＭＲおよび／またはＩＣＰ−ＯＥＳ技術により分析すると０．１ｐｐｍ未満で含有されていること。
　
ウ．原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に国内において頒布された特開２００６−２７９０２１号公報（以下、「刊行物３」という。）には、次の事項が記載されている。
（刊３ａ）「【００２２】・・・
層状領域２１では、窒化ガリウム支持基体１３から窒化ガリウムエピタキシャル膜１５へ向かう軸に沿ったドナー不純物が１×１０１８ｃｍ−３以上である。ドナー不純物は、シリコンおよびゲルマニウムの少なくともいずれかである。
・・・
【００２４】
  ・・・窒化ガリウム支持基体１３はドナー不純物として酸素を含むようにしてもよい。或いは、窒化ガリウム支持基体１３はドナー不純物としてシリコンを含むようにしてもよい。
【００２５】
  （実施例１）
以下の手順に従って、エピタキシャル基板を作製した。ＨＶＰＥ法で作製された窒化ガリウム（ＧａＮ）自立基板を準備する。・・・この自立基板の主面上に有機金属気相成長法によりＧａＮエピタキシャル膜を成長する。エピタキシャル膜は、ｎ−導電型を有しており、そのキャリア濃度は５×１０１５ｃｍ−３であり、厚さは３．３μｍである。ＧａＮ自立基板およびＧａＮエピタキシャル膜の界面には、５×１０１８ｃｍ−３のシリコン（Ｓｉ）を含むｎ＋ＧａＮ層状領域がある。層状領域を形成するために、基板の表層或いはエピタキシャル膜中にシリコンを添加することができる。
【００２６】
  次いで、このエピタキシャル基板を用いて、以下の手順に従ってショットキダイオードを作製した。・・・」
　
　したがって、上記摘記事項（刊３ａ）を整理すると、刊行物３には、次の事項が記載されている。
（ア）窒化ガリウムのドナー不純物として、酸素、シリコン、ゲルマニウムがあること。
（イ）窒化ガリウム（ＧａＮ）自立基板の主面上に有機金属気相成長法によりＧａＮエピタキシャル膜を成長し、当該エピタキシャル膜は、ｎ−導電型を有しており、そのキャリア濃度は５×１０１５ｃｍ−３であること。
（ウ）このような基板を用いて、ショットキダイオードを作成すること。
　
　
周知刊行物
エ．特開平１−２６１６００号公報（以下、「周知刊行物１」という。）には、次の事項が記載されている。
（周１ａ）「〔従来の技術〕
　超高純度ガスは半導体製造工程などにおいて不可欠であるが、特にウェファ−プロセスと呼ばれる工程において使用されるガスでは、不純度がｐｐｂまたはそれ以下のレベルであるような超高純度が要求される。」
　
オ．特開２００６−３４２１０１号公報（以下、「周知刊行物２」という。）には、次の事項が記載されている。
（周２ａ）「【０００２】
  化合物半導体材料、・・・窒化ガリウムのような材料は、高速デバイスや発光デバイスとして用いられており、・・・これらの化合物半導体は、トリメチルガリウム、トリメチルインジウム等のＩＩＩ族有機金属化合物とアルシン、ホスフィン等のＶ族有機金属化合物を用いたＭＯＣＶＤ法により製造される。・・・」
　
（周２ｂ）「【００１８】
  ・・・分離した有機金属化合物の純度は、有機珪素不純物が０．０５ｐｐｍ未満、酸素不純物、金属不純物及び炭化水素不純物は検出限界以下となる。得られた有機金属化合物は、更に、蒸留又は真空蒸留により精製して、高純度有機金属化合物を得る。高純度有機金属化合物の純度は、有機珪素不純物、酸素不純物、金属不純物及び炭化水素不純物のいずれも検出限界以下となる。精製は通常１回で十分であるが、必要に応じて精製を繰り返してもよい。
・・・
  【００２１】
  前記反応により生成した混合物は・・・連続蒸留分離される。分離した高純度有機金属化合物の純度は、通常、有機珪素不純物が０．０５ｐｐｍ未満（検出限界以下）、酸素不純物１０ｐｐｍ未満（検出限界以下）、炭化水素不純物１０ｐｐｍ未満（検出限界以下）、金属不純物は検出限界以下となる。・・・
・・・
【００３３】
    ［実施例１］・・・
【００３４】
 ・・・得られた高純度トリメチルガリウムの純度は、有機珪素不純物、酸素不純物、金属不純物及び炭化水素不純物のいずれも検出限界以下であった。
【００３５】
    ［実施例２］・・・
得られた高純度トリメチルガリウムの純度は、有機珪素不純物、酸素不純物、金属不純物及び炭化水素不純物のいずれも検出限界以下であった。」
　
カ．特開２００５−８５５２号公報（以下、「周知刊行物３」という。）には、次の事項が記載されている。
（周３ａ）「【０００２】
【従来の技術】
ＩＩＩ族化合物半導体材料・・・窒化ガリウムなどの化合物半導体デバイス・・・このような材料は、従来、アルキル基を構成要素に有するＩＩＩ族金属アルキル（トリメチルガリウム、・・・）を原料とした、有機金属化合物気相成長法によって製造される。
化合物半導体の特性は、原料であるＩＩＩ族金属アルキルの純度に大きく影響され、微量の不純物でも、その光学的特性・電気的特性等は著しく低下する。このため、高純度のＩＩＩ族金属アルキルの製造方法が求められてきた。」
　
（周３ｂ）「【００３２】
・・・蒸留後のトリメチルガリウムのＮＭＲ分析、ＧＣマス分析ではキシレンの検出はなかった。また、ＩＣＰ分析でも含珪素化合物は確認されなかった。
以上のことから、トリメチルガリウム中の不純物の除去ができ、使用した溶媒も簡単な操作で分離できることが確認された。」
　
キ．特開平１１−３０２０１３号公報（以下、「周知刊行物４」という。）には、次の事項が記載されている。
（周４ａ）「【０００８】業界では数ｐｐｍ以下のＣＯ2を含む化合物半導体使用のための高純度アンモニアガスは市販されている。しかし現在市販されている化合物半導体の９９．９９９５％程度のアンモニアガスは、・・・
【０００９】従って窒素を原料３−５族化合物半導体エピタキシャル気層成長法で形成されるＧａＮ、ＩｎＧａＮやＡｌＧａＮなどの化合物半導体デバイスにおいて、現在市販されている高純度アンモニアでは、その電気的特性は満足行くものではなかった。またデバイス特性はアンモニアの原料に依存性があり、酸素や水分を除去できる精製装置を使用しても再現性が得られない。
【００１０】窒素原料としてアンモニアが用いられる３−５族化合物半導体エピタキシャル気層成長法で形成されるＧａＮ、ＩｎＧａＮやＡｌＧａＮなどの化合物半導体デバイスにおいて、水分や酸素濃度の少ない高純度アンモニアを使用しまた水素雰囲気下で高温度成膜プロセスにもかかわらず酸素原子不純物が結晶中に混入するために電気的特性が著しく低下していた。
・・・
【００２６】・・・この方法により二酸化炭素＜０．１ｐｐｂ、・・・以下の超高純度アンモニアが得られる。・・・本発明で開発された高純度アンモニア中の一酸化炭素は１００ｐｐｂ程度であることがわかった。」
　
キ．特開平８−７８７２８号公報（以下、「周知刊行物５」という。）には、次の事項が記載されている。
（周５ａ）「【００３１】・・・容積励起LVPE法によって、ｃ面アルミナ表面上に窒化ガリウムを堆積した。・・・反応体である化学物質として、６Ｎ純度のトリメチルガリウムおよび６Ｎ純度のアンモニアを選定して使用した。・・・」　
　
　
２）当審の判断
（２−１）刊行物１に記載の発明
　上記摘記事項（刊１ａ）〜（刊１ｇ）を整理すると、刊行物１には、
　（ア）高輝度の発光ダイオードやレーザーダイオードを製造する場合、ｎ型及びｐ型層の両層のキャリア濃度を安定して高く調整する必要があること、
　（イ）半導体薄膜の品質は、原料の有機金属化合物中の不純物に影響されることは知られており、そのため、より高純度の有機金属化合物が求められていること、
　（ウ）半導体のより高性能化に伴い、従来以上に高純度で、窒化ガリウム薄膜を製造した場合、キャリア濃度を安定して調整できる有機ガリウム化合物が求められていること、
との課題解決を目的とした、ノンドープＧａＮのキャリア濃度を安定して、測定下限である１×１０１６ｃｍ‐３以下に制御でき、不純物をドープして得られるｎ型及びｐ型層の両層のキャリア濃度を安定して高く調整することが可能である発明として、次の発明が記載されている。
　
　「トリメチルガリウム、アンモニアを供給して、有機金属気相成長法により、ＧａＮ層を成長させる方法であって、
　基板を用い、
  ICP-AES法によって測定された全有機ケイ素化合物の濃度が０．１ｐｐｍ未満のトリメチルガリウム及びアンモニアを用いることによって、基板上にＧａＮ層を成長させる方法。」（以下、「刊行物発明」という。）
　
（２−２）対比・判断
　本願補正発明と刊行物発明とを対比すると、
ア．刊行物発明の「トリメチルガリウム」は、本願補正発明の「ＩＩＩ族元素」及び「有機金属」に相当する。
イ．刊行物発明の「アンモニア」、「基板」は、それぞれ本願補正発明の「Ｖ族元素」、「種基板」に相当する。
ウ．また、刊行物発明の「ＧａＮ層」は、本願補正発明の「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体」であり、且つ、「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体としてＡｌｘＧａｙＩｎ（１−ｘ−ｙ）Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）」に相当する。
　
　そうすると、両者は、
　「ＩＩＩ族元素およびＶ族元素を含む原料を用いた有機金属気相成長法によってＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を製造する方法であって、
　種基板を準備する準備工程と、
　前記ＩＩＩ族元素を含む原料として有機金属を用いて、かつ前記Ｖ族元素を含む原料として、アンモニアを用いて、前記種基板上に前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させる成長工程とを備え、
　前記成長工程では、前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体としてＡｌｘＧａｙＩｎ（１−ｘ−ｙ）Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）を成長させる、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法。」
の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
＊相違点１：ＩＩＩ族元素を含む原料として本願補正発明は、「０．０１ｐｐｍ以下のシリコンと、１０ｐｐｍ以下の酸素と、０．０４ｐｐｍ未満のゲルマニウムとを含む有機金属」であるのに対して、刊行物発明では、「ICP-AES法によって測定された全有機ケイ素化合物の濃度が０．１ｐｐｍ未満のトリメチルガリウム」である点。
　
＊相違点２：Ｖ族元素を含む原料として本願補正発明は、「９９．９９９％以上のアンモニア」であるのに対して、刊行物発明では、アンモニアの純度が明記されていない点。
　
　そこで、上記各相違点１、２について検討する。
　
ア．相違点１について
　刊行物１の上記摘記事項のとおり、
　・高輝度の発光ダイオードやレーザーダイオードを製造する場合、ｎ型及びｐ型層の両層のキャリア濃度を安定して高く調整する必要があること、
　・半導体薄膜の品質は、原料の有機金属化合物中の不純物に影響されることは知られており、そのため、より高純度の有機金属化合物が求められていること、
　そして、刊行物２の上記摘記事項のとおり、
　・半導体および電子デバイスの用途のための有機金属化合物は、純度が高くなければならず、かつ「検出可能なレベルの、ケイ素、ゲルマニウム、スズ及び亜鉛をはじめとする金属不純物ならびに酸素化不純物が何れも実質的にないもの」でなければならないこと、
が明示されている。
　また、
　周知刊行物１には、
「超高純度ガスは半導体製造工程などにおいて不可欠であるが、特にウェファ−プロセスと呼ばれる工程において使用されるガスでは、不純度がｐｐｂまたはそれ以下のレベルであるような超高純度が要求される。」こと、
　また、周知刊行物２には、
「【００２１】・・・高純度有機金属化合物の純度は、通常、有機珪素不純物が０．０５ｐｐｍ未満（検出限界以下）、酸素不純物１０ｐｐｍ未満（検出限界以下）、炭化水素不純物１０ｐｐｍ未満（検出限界以下）、金属不純物は検出限界以下となる。・・・
【００３４】
 ・・・得られた高純度トリメチルガリウムの純度は、有機珪素不純物、酸素不純物、金属不純物及び炭化水素不純物のいずれも検出限界以下であった。」こと、
　さらに、周知刊行物３には、
「【０００２】・・・化合物半導体の特性は、原料であるＩＩＩ族金属アルキルの純度に大きく影響され、微量の不純物でも、その光学的特性・電気的特性等は著しく低下する。このため、高純度のＩＩＩ族金属アルキルの製造方法が求められてきた。」
「【００３２】・・・蒸留後のトリメチルガリウムの・・・ＩＣＰ分析でも含珪素化合物は確認されなかった。」こと、
とそれぞれ記載されているように、ＩＩＩ族元素およびＶ族元素を含む原料を用いた有機金属気相成長法によってＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を製造する方法において、半導体薄膜の品質は、原料の有機金属化合物中の不純物に影響されるため、より高純度の有機金属化合物が必要であり、その時々において、測定限界となるまで、純度を高めた原料を用いることは、周知の技術事項である。
　そして、シリコン、ゲルマニウム及び酸素は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体におけるドナー不純物であることは、刊行物３の【００２２】、【００２４】にも記載されているように周知の事項であり、シリコン、ゲルマニウム及び酸素がキャリア濃度に影響を与えることは明らかであるから、測定限界となるまで、純度を高めた高純度の有機金属化合物における不純物成分として、シリコン、ゲルマニウム及び酸素に着目することは、刊行物２の【０００３】「有機金属化合物は、純度が高くなければならず、かつ検出可能なレベルの、ケイ素および亜鉛をはじめとする金属不純物ならびに酸素化不純物が何れも実質的にないものでなければならない。」、【００３４】「ケイ素、ゲルマニウム・・・をはじめとする金属不純物が実質的に含まれない・・・酸素化不純物も実質的に含まれず（≦０．５ｐｐｍ）、かかる酸素化不純物は含まれないのが好ましい。」との記載からも当然考慮される事項である。
　
　一方、本願明細書には、各不純物の下限値及び具体的不純物濃度が、「０．０１ｐｐｍ以下のシリコン」、「１０ｐｐｍ以下の酸素」及び「０．０４ｐｐｍ未満のゲルマニウム」と記載されているのみであり、それが、実際にどの様な値であるのかについては何ら記載も図示もされていない。
　そして、本願補正発明においても、各不純物の下限値を特定しておらず、また、各不純物成分毎に何れも上限値に近い値のみを用いること或いは、特定のキャリア濃度との関係についても特段の限定はなされていないのであるから、本願補正発明は、各不純物成分の濃度が単に、「０．０１ｐｐｍ以下のシリコン」、「１０ｐｐｍ以下の酸素」及び「０．０４ｐｐｍ未満のゲルマニウム」で有りさえすればよいことは明らかである。
　
　してみると、上記各刊行物、周知刊行物等の公知日以降であって、本願の出願日前に、上記各刊行物、周知刊行物に記載された純度を越える精製方法及びその分析方法が公知となれば、当業者ならば、それら新たな精製法及び分析法により選別された測定限界となる高純度の材料として、「０．０１ｐｐｍ以下のシリコン」、「１０ｐｐｍ以下の酸素」及び「０．０４ｐｐｍ未満のゲルマニウム」を含む有機金属を採用することは、容易に想到し得たものである。
　
　
　なお、原審による平成２１年　３月　４日付け拒絶理由通知書の理由の２及び平成２１年　７月３０日付け拒絶査定のなお書きに対する本願補正発明における「０．０１ｐｐｍ以下のシリコン」、「１０ｐｐｍ以下の酸素」及び「０．０４ｐｐｍ未満のゲルマニウム」とするための具体的な精製方法について、本件審判請求人は、平成２１年１１月　４日付けの審判請求書において、下記の説明のように、「０．０１ｐｐｍ以下のシリコン」、「１０ｐｐｍ以下の酸素」及び「０．０４ｐｐｍ未満のゲルマニウム」とする高純度の精製方法及び濃度の分析方法は本願出願前に当業者の技術常識である旨説明している。
　この説明は、上記の容易想到判断が妥当であることを示している。
　
＜平成２１年１１月　４日付けの審判請求書の記載事項＞
（なお、下記の下線は当審で付したものである。）
　「５．実施可能要件について 
 　平成２１年７月３０日付けの拒絶査定の謄本の備考欄において、「分析方法だけが開示されただけでは、当業者がそのような低濃度の原料ガスを入手できるとはいえず、そのような分析方法は引用例１にも記載のように極めて一般的なものである上に、シリコン濃度だけでは請求項１に係る発明のすべてについて開示しているわけではない」とご指摘されています。本願の請求項１に記載の原料ガスの入手方法の一例を以下に記載します。 
 　具体的には、有機金属を準備した後、不純物を低減するために純化し、その後上記構成要件（ａ）に記載の濃度を満たしているかを選別します。
不純物を低減するための純化は、引用文献１に開示されているような出願時の当業者の技術常識の蒸留精製などを行ないます。蒸留精製を繰り返すと有機金属中の不純物濃度が低減されることは当業者にとって技術常識であります。
 　ここで、出願当初の明細書の段落［００１０］などには、シリコンの濃度は誘導結合プラズマ発光分析法（ＩＣＰ−ＡＥＳ）により測定される値であることが記載されています。この測定方法により測定されるシリコン濃度の検出限界は、たとえば参考文献１には１ｐｐｂ以下であることが記載されています。なお、参考文献１は電気通信回線においてカラーで表示されており、カラー表示を見ますと検出限界が１ｐｐｂ以下であることが明示されています。カラー表示された参考文献１につきましては、同日付の物件提出書にて提出致します。また、出願当初の明細書の段落［００１０］には、酸素の濃度はＦＴ−ＮＭＲ（フーリエ変換核磁気共鳴）により測定される値であることが記載されています。この測定方法により測定される酸素濃度について、たとえば特開２００６−１０４１８９号公報（参考文献２）では０．１ｐｐｍ程度の酸素濃度が測定されています。また、出願当初の明細書の段落［００１０］には、ゲルマニウムの濃度は、誘導結合プラズマ質量分析法（ＩＣＰ−ＭＳ）により測定される値であることが記載されています。この測定方法により測定されるゲルマニウム濃度の下限値は、参考文献１ではたとえば１〜１０ｐｐｂであります。このため、上記測定方法において本願のシリコン濃度、酸素濃度およびゲルマニウム濃度を測定することができるので、本願の上記構成要件（ａ）を満たす有機金属を選別することにより、有機金属を入手することができます。」 
　
　
イ．相違点２について
　化合物半導体において、不純物の濃度を測定限界まで低くするために、原料の純度を上げたいとの技術課題は、上記したように周知の課題であり、例えば、刊行物２においては、原料としての有機金属化合物の純度を９９．９９９９％（シックスナイン）としており、少なくとも他の成膜中における原料においても同程度の純度が要求されている事は明らかである。
　また、アンモニア原料として、９９．９９９％程度（ファイブナイン或いは５Ｎ）の原料についても、周知刊行物４、５等よく知られたものであるから、刊行物発明において、「９９．９９９％以上のアンモニア」を採用することは、当業者ならば容易に想到し得たものであり、当該構成を採用したことによる格別な点は見出せない。
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物１〜３に記載された発明及び周知刊行物１〜５に記載された周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
　
３．まとめ
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３．本願発明について　
［１］本願発明
　平成２１年１１月　４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１８のうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２１年　５月　１日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】
　ＩＩＩ族元素を含む原料を用いた有機金属気相成長法によってＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を製造する方法であって、
　種基板を準備する準備工程と、
　前記ＩＩＩ族元素を含む原料として０．０１ｐｐｍ以下のシリコンと、１０ｐｐｍ以下の酸素と、０．０４ｐｐｍ未満のゲルマニウムとを含む有機金属を用いて、前記種基板上に前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させる成長工程とを備える、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法。」
　
［２］引用刊行物及びその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願日前に頒布された刊行物１〜３及び周知刊行物１〜３の摘記事項は、上記「第２．［２］２．１）引用刊行物とその摘記事項」及び同「２．２）当審の判断」に記載されたとおりである。
　
［３］対比・判断
　本願発明は、前記「第２．［２］２．２）当審の判断」で検討した本願補正発明の
　１．「ＩＩＩ族元素
およびＶ族元素
およびＶ族元素
　２．成長工程における原料として、「
かつ前記Ｖ族元素を含む原料として、９９．９９９％以上のアンモニアを用いて
　３．そして、成長させる「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体」として、「
前記成長工程では、前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体としてＡｌ
ｘ
Ｇａ
ｙ
Ｉｎ
（１−ｘ−ｙ）
Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）を成長させる
それぞれ削除しており、各限定事項を省いたものである。
　
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が前記「第２．［２］２．２）当審の判断」に記載したとおり、刊行物１〜３に記載された発明及び周知刊行物１〜５に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、周知刊行物４，５は、上記２．の構成に係る周知技術を例示したものであるから、本願発明も、同様に、刊行物１〜３に記載された発明及び周知刊行物１〜３に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［４］むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１〜３に記載された発明及び周知刊行物１〜３に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の請求項２〜１８に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。