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　特願２００２−　２０２１９「アンテナコイルを有するＩＣ素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１１月２９日出願公開、特開２００２−３４３８７７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１２年２月２２日（特許法第４１条に基づく優先権主張　平成１１年２月２４日及び同年３月８日）に出願した特願２０００−４４７６５号特許出願（以下「原出願」という。）の一部を平成１４年１月２９日に新たな特許出願としたものであって、平成１８年１１月８日付けの拒絶理由通知に対して平成１９年１月１２日に意見書及び手続補正書が提出され、さらに同年６月２７日付けの最後の拒絶理由通知に対して同年８月２３日に意見書が提出されたが、平成２０年１１月２１日付けで拒絶査定がなされたところ、それに対して同年１２月２５日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
第２．本願発明
　本願の請求項１及び２に係る発明は、平成１９年１月１２日に提出された手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】無線通信用のアンテナコイルを有するＩＣ素子の製造方法において、所定のプロセスを経て回路が形成されたウエハの表面保護膜上に金属スパッタ層又は金属蒸着層を形成する工程と、前記金属スパッタ層又は前記金属蒸着層とその上に積層された金属めっき層とからなる複数のアンテナコイルを形成する工程と、アンテナコイルが複数形成されたウエハをスクライビングしてアンテナコイルが前記表面保護膜上に形成されたＩＣ素子を得る工程を少なくとも含むことを特徴とするアンテナコイルを有するＩＣ素子の製造方法。」
　
第３．引用刊行物に記載された発明
１．本願の出願時とみなされる原出願の出願時よりも前（以下「本願の出願前」という。）に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平７−１５３９１２号公報（以下「引用例」という。）には、図１〜６及び１２と共に次の記載がある（ここにおいて、下線は当合議体が付加したものである。以下同じ。）。
　
ａ．「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、モノリシックマイクロ波集積回路に用いられるインダクタ、インダクタを搭載したモノリシックマイクロ波集積回路及びその製造方法に関する
　
ｂ．「【０００２】
【従来の技術】ＧａＡｓ基板上に形成されたモノリシックマイクロ波集積回路（以下、ＭＭＩＣと称する）は８００ＭＨｚ以上の高周波帯のＩＣとして期待され、移動体通信分野を中心にその需要が高まっている。
この様なＭＭＩＣは、ＧａＡｓなどの化合物半導体基板上に形成された金属半導体電界効果型トランジスタ（以下、ＭＥＳＦＥＴと称する）、ヘテロ接合型電界効果型トランジスタ（以下、ヘテロＪＦＥＴと称する）、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（以下、ＨＢＴと称する）等の能動素子と、キャパシタやインダクタ等の受動素子を含んでいる
（中略）
【０００５】
インダクタは所定のパターンを有する配線からなる。図１２（ａ）及び１２（ｂ）は従来のＭＭＩＣに用いられるインダクタの断面図及び平面図をそれぞれ示している。半絶縁性ＧａＡｓ基板１０１上に窒化ケイ素膜１０２及び１０３が堆積されており、窒化ケイ素膜１０３上に、金からなり、スパイラル形状を有する配線１０５が形成されている
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の従来技術においては、スパイラル形状を有するインダクタは大きなインダクタンスを得ることができるが、所望のインダクタンスを得るために、所定の回数巻かれた配線が必要となるため、インダクタの面積を縮小することは困難であった。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、小さな占有面積で高インダクタンスを有するインダクタ及びそのようなインダクタを有するＭＭＩＣを提供することにある
　
ｃ．「【００３８】
【実施例】以下に、本発明の実施例について、図１−図６を参照しながら説明する。
【００３９】図１（ａ）−（ｃ）は実施例に係るＭＭＩＣの製造工程を示し、そのうち図１（ｃ）は、最終的に形成されるＭＭＩＣ２０の断面を部分的に示している。そこで、まず、図１（ｃ）を参照しながら、以下に、ＭＭＩＣ２０の構造について説明する。
【００４０】
ＭＭＩＣ２０はＭＥＳＦＥＴ２１及びインダクタ２２を有しており、ＭＥＳＦＥＴ２１及びインダクタ２２はそれぞれ能動素子及び受動素子として機能する。
【００４１】
第１保護膜３０がＭＥＳＦＥＴ２１を覆うように半絶縁性基板２３上に形成されており、ソース電極２５の一部及びドレン電極２６の一部が露出するように、コンタクトホール３１及び３２が第１保護膜３０中に設けられている。配線３３及び３４がコンタクトホールを介してソース電極２５の一部及びドレン電極２６にそれぞれ電気的に接続されている、さらに、配線３３及び３４を覆うように第２保護膜３５が第１保護膜３０上に設けられている
【００４２】
インダクタ２２は第２保護膜３５上に形成された導体層３６及び導体層３６上に形成された軟磁性層３７を有している。導体層３６は金などの低抵抗金属からなり、軟磁性層３７はスピネル構造を有するニッケル−亜鉛−フェライト軟磁性薄膜からなる
【００４３】
図２は、インダクタ２２の導体層３６の部分を抜き出した平面図である。図２に示されるように、インダクタ２２はスパイラル形状を有しており、導体層３６の外方の端部３８はＭＭＩＣ２０内の他の能動素子や受動素子に電気的に接続されている。導体層３６の中心端部３９は第２保護膜３５中に形成された配線４１（図１（ｃ）参照）を介して配線３４に電気的に接続されている。図２では示されていないが、図１（ｃ）から明らかなように、導体層３６上には、導体層３６と実質的に同じスパイラル形状をした軟磁性膜３７が形成されている
　
ｄ．「【００４４】次に、ＭＭＩＣ２０の製造方法について、図１（ａ）−（ｃ）を参照しながら説明する。
【００４５】
図１（ａ）に示すように、ＧａＡｓからなる半絶縁性基板２３上に、通常のプロセス、例えばイオン注入法により、活性領域２４、ｎ＋領域２８及び２９を形成後、ソース電極２５、ドレイン電極２６、及びゲート電極２７を形成し、ＭＥＳＦＥＴ２１を作製する。ソース電極２５及びドレイン電極２６としてＡｕＧｅＮｉ系のオーミック電極を形成する。また、ゲート電極２７としてＡｌ系のショットキー電極を形成する。ＭＥＳＦＥＴ２１を作製した後、ＭＥＳＦＥＴ２１全体を覆うように、窒化ケイ素からなる第１保護膜３０を半絶縁性基板２３上に形成する
【００４６】
次に、図１（ｂ）に示すように、第１保護膜３０にコンタクトホール３１および３２を形成した後、配線３３及び３４を、コンタクトホール３１及び３２を覆って第１保護膜３０の上に形成する。配線３３及び３４はＴｉＡｕからなり、イオンミリング法やリフトオフ法によって形成される。続いて、層間絶縁膜として、窒化ケイ素からなる第２保護膜３５を第１保護膜３０上に形成する
【００４７】
第２保護膜にコンタクトホール４０をドライエッチング法等により形成した後、リフトオフ法等を用いてコンタクトホール４０をＴｉＡｕからなる配線４１で埋め込み、更に、金属膜３６ａ（Ｔｉ／Ａｕ二層膜）を第２保護膜３５上に真空蒸着法で形成する
【００４８】
次に、レーザーアブレーション法により、この金属膜３６ａ上に軟磁性膜３７ａを形成する。その際、図３に示すように、真空チャンバー装置４２のヒーター４３上に半絶縁性基板２３を配置しておく。そして、ＫｒＦエキシマレーザー４４を用いて、波長２４８ｎｍのパルスレーザー光を水晶窓４５を通して、ターゲット４６に４５度の角度で入射させる。ターゲット４６はレーザ光により溶融し、その蒸発物が半絶縁性基板２３上に堆積され、軟磁性膜３７ａ（図１（ｂ））が形成される
【００４９】ここで、上記ターゲット４６として（Ｆｅ２Ｏ３）：（ＮｉＯ）：（ＺｎＯ）＝５：２：３の組成を有するニッケル−亜鉛−フェライト板を用い、ヒータ４３によって半絶縁性基板２３を２００〜３５０℃に加熱し、チャンバー内をＮ２Ｏガスで１〜１０Ｐａに保ちながらレーザーパワー３００〜５００ｍＪ／パルスでターゲット４６を溶融させニッケル−亜鉛−フェライト軟磁性膜３７ａを形成するようにしている。堆積されたニッケル−亜鉛−フェライト軟磁性膜３７ａは、Ｎｉ０．４Ｚｎ０．６Ｆｅ２Ｏ４の組成比を有するスピネル構造を有しており、比抵抗０．３ＭΩｃｍ、初透磁率２００である。この工程において、すでに形成されているＭＥＳＦＥＴ２１のデバイス特性は、基板温度が低いため劣化しない。
【００５０】
次に、図１（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜（図示せず）をマスクとしてＡｒイオンミリング法により、ニッケル−亜鉛−フェライト軟磁性薄膜３７ａ及び金属膜３６ａを選択的にエッチングして、スパイラル形状を有する導体層３６及び軟磁性層３７を得る
　
２．ここにおいて、００４２段落の「インダクタ２２は第２保護膜３５上に形成された導体層３６及び導体層３６上に形成された軟磁性層３７を有している。導体層３６は金などの低抵抗金属からなり、軟磁性層３７はスピネル構造を有するニッケル−亜鉛−フェライト軟磁性薄膜からなる。」という記載等から、００５０段落に記載された工程により、「スパイラル形状を有する導体層３６及び軟磁性層３７」からなる「インダクタ２２」が形成されていることは明らかである。
　したがって、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「インダクタ２２を有するモノリシックマイクロ波集積回路の製造方法において、
　ＧａＡｓからなる半絶縁性基板２３上にＭＥＳＦＥＴ２１を作製し、前記ＭＥＳＦＥＴ２１全体を覆うように、窒化ケイ素からなる第１保護膜３０を前記半絶縁性基板２３上に形成し、前記第１保護膜３０にコンタクトホール３１および３２を形成した後、配線３３及び３４を、前記コンタクトホール３１及び３２を覆って前記第１保護膜３０の上に形成し、窒化ケイ素からなる第２保護膜３５を前記第１保護膜３０上に形成し、金属膜３６ａを前記第２保護膜３５上に真空蒸着法で形成し、前記金属膜３６ａ上に軟磁性膜３７ａを形成し、前記軟磁性薄膜３７ａ及び前記金属膜３６ａを選択的にエッチングして、スパイラル形状を有する導体層３６及び軟磁性層３７とからなるインダクタ２２を形成する工程を含む、
　インダクタ２２を有するモノリシックマイクロ波集積回路の製造方法。」
　
第４．本願発明と引用発明との対比
１．引用発明の「インダクタ」と本願発明の「無線通信用のアンテナコイル」とは、「コイル」である点で一致する。
　したがって、引用発明の「インダクタ２２を有するモノリシックマイクロ波集積回路の製造方法」と本願発明の「無線通信用のアンテナコイルを有するＩＣ素子の製造方法」とは、「コイルを有するＩＣ素子の製造方法」である点で一致する。
　
２．引用発明の「ＧａＡｓからなる半絶縁性基板２３上にＭＥＳＦＥＴ２１を作製し、前記ＭＥＳＦＥＴ２１全体を覆うように、窒化ケイ素からなる第１保護膜３０を前記半絶縁性基板２３上に形成し、前記第１保護膜３０にコンタクトホール３１および３２を形成した後、配線３３及び３４を、前記コンタクトホール３１及び３２を覆って前記第１保護膜３０の上に形成し、窒化ケイ素からなる第２保護膜３５を前記第１保護膜３０上に形成」するというプロセスにより、少なくとも「ＭＥＳＦＥＴ２１」及び「配線３３及び３４」からなる回路が形成されていることは明らかである。
　また、引用発明においては、「ＧａＡｓからなる半絶縁性基板２３上にＭＥＳＦＥＴ２１を作製し、前記ＭＥＳＦＥＴ２１全体を覆うように、窒化ケイ素からなる第１保護膜３０を前記半絶縁性基板２３上に形成し、前記第１保護膜３０にコンタクトホール３１および３２を形成した後、配線３３及び３４を、前記コンタクトホール３１及び３２を覆って前記第１保護膜３０の上に形成し、窒化ケイ素からなる第２保護膜３５を前記第１保護膜３０上に形成し、金属膜３６ａを前記第２保護膜３５上に真空蒸着法で形成し、前記金属膜３６ａ上に軟磁性膜３７ａを形成し、前記軟磁性薄膜３７ａ及び前記金属膜３６ａを選択的にエッチングして、スパイラル形状を有する導体層３６及び軟磁性層３７とからなるインダクタ２２を形成する工程」という一連の工程がウエハに対して行われることについては特定されていないが、一般に、「モノリシックマイクロ波集積回路の製造方法」において（更に言えば、「モノリシックマイクロ波集積回路」に限らず、ほとんどのモノリシック集積回路の製造方法において）、ウエハ（引用例の場合にはＧａＡｓウエハ）に多数の集積回路を作り込み、後に個々の集積回路に切り分けるという手順で製造が行われることは、例えば、本願の出願前に頒布された下記周知例１にも記載されているように、当業者の技術常識である。
　
ａ．周知例１：特開平８−１１６０３１号公報
　「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、スパイラルインダクタを備えている半導体装置、特に、スパイラルインダクタの機械的強度を向上させる技術に関し、例えば、モノリシック・マイクロウエーブ・インテグレーテッド・サーキット（以下、ＭＭＩＣという。）に利用して有効な技術に関する
　「【００１３】本実施例において、本発明に係るスパイラルインダクタを備えている半導体装置は、ＭＭＩＣとして構成されている。
但し、ＭＭＩＣはペレットの一部分のみが図示されている。このＭＭＩＣのペレット１は、半導体装置の製造工程における所謂前工程において半導体ウエハの状態で所定の集積回路を作り込まれて、各単位毎にダイシングされることによって製造されており、
　
３．したがって、引用発明における各プロセスも、ウエハ上の多数の集積回路に対して行われているものと認められる。　
　よって、引用発明の「ＧａＡｓからなる半絶縁性基板２３上にＭＥＳＦＥＴ２１を作製し、前記ＭＥＳＦＥＴ２１全体を覆うように、窒化ケイ素からなる第１保護膜３０を前記半絶縁性基板２３上に形成し、前記第１保護膜３０にコンタクトホール３１および３２を形成した後、配線３３及び３４を、前記コンタクトホール３１及び３２を覆って前記第１保護膜３０の上に形成し、窒化ケイ素からなる第２保護膜３５を前記第１保護膜３０上に形成」するというプロセスが、本願発明の「所定のプロセス」に相当し、引用発明の「窒化ケイ素からなる第２保護膜３５」が、本願発明の「所定のプロセスを経て回路が形成されたウエハの表面保護膜」に相当する。
　
４．引用発明の「金属膜３６ａを前記第２保護膜３５上に真空蒸着法で形成し、前記金属膜３６ａ上に軟磁性膜３７ａを形成し、前記軟磁性薄膜３７ａ及び前記金属膜３６ａを選択的にエッチングして、スパイラル形状を有する導体層３６及び軟磁性層３７とからなるインダクタ２２を形成する工程」と、本願発明の「ウエハの表面保護膜上に金属スパッタ層又は金属蒸着層を形成する工程と、前記金属スパッタ層又は前記金属蒸着層とその上に積層された金属めっき層とからなる複数のアンテナコイルを形成する工程」とは、「『ウエハの表面保護膜上に』導電層を備えた『複数の』『コイルを形成する工程』」である点で一致する。
　
５．以上を総合すると、本願発明と引用発明とは、
　
　「コイルを有するＩＣ素子の製造方法において、所定のプロセスを経て回路が形成されたウエハの表面保護膜上に導電層を備えた複数のコイルを形成する工程を少なくとも含むことを特徴とするコイルを有するＩＣ素子の製造方法。」
　
　である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　本願発明は、「コイル」が「無線通信用のアンテナコイル」であるのに対して、引用発明はそのような特定がなされていない点。
　
（相違点２）
　「コイルを形成する工程」についての相違であって、本願発明は、「金属スパッタ層又は金属蒸着層を形成する工程と、前記金属スパッタ層又は前記金属蒸着層とその上に積層された金属めっき層とからなる」「コイルを形成する工程」を備えているのに対して、引用発明は、「金属膜３６ａを前記第２保護膜３５上に真空蒸着法で形成し、前記金属膜３６ａ上に軟磁性膜３７ａを形成し、前記軟磁性薄膜３７ａ及び前記金属膜３６ａを選択的にエッチングして、スパイラル形状を有する導体層３６及び軟磁性層３７とからなるインダクタ２２を形成する工程」を備えている点。
　
（相違点３）
　本願発明は、「アンテナコイルが複数形成されたウエハをスクライビングしてアンテナコイルが前記表面保護膜上に形成されたＩＣ素子を得る工程」を含んでいるのに対して、引用発明は、そのような工程を含むことが特定されていない点。
　
第５．相違点についての当審の判断
１．相違点１について
（１）一般に、ＩＣ素子に搭載したコイルを無線通信用のアンテナコイルとして利用することは、例えば、本願の出願前に頒布された下記周知例２にも記載されているように、当業者における周知技術である。
　
ａ．周知例２：国際公開第９６／４２１１０号
　「技術分野
　
本発明は、インダクタ等として用いられる導体を集積回路の一部に形成した半導体装置に関する
　「また、上述した実施形態では、チップ１０上のインダクタ導体１４を、チップ１０に形成された集積回路の一部を構成するインダクタとして使用する例を説明したが、
電波を送受信する送受信回路を集積化した場合には、インダクタ導体１４をアンテナコイルとして使用することができる。
　
（２）したがって、当該周知技術を勘案すれば、引用発明において、「インダクタ２２」をアンテナコイルとして利用することは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、相違点１は当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
２．相違点２について
（１）一般に、平面型のコイルを、絶縁層上に金属スパッタ層又は金属蒸着層を形成する工程と、その上に金属めっき層を積層する工程により形成することは、例えば、本願の出願前に頒布された下記周知例３及び４にも記載されているように、当業者における周知技術である。
　
ａ．周知例３：特開平９−２５２０８７号公報
　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣのリアクタンス形成方法に関し、更に詳細には、リアクタンスを構成する平面型コイル素子の形成に際し、コイルの巻線とそれに隣合う巻線との間で短絡が生じないようにし、かつ大きな値のリアクタンスを形成するように工夫された、ＩＣのリアクタンス形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
モノリシックマイクロ波集積回路（以下、簡単にＭＭＩＣと言う）は、マイクロ波集積回路を構成する能動素子と受動素子とが一括してＧａＡｓ、Ｓｉなどの半導体基板上に形成されたマイクロ波集積回路である。ＭＭＩＣの回路特性の一つであるリアクタンスは、通常、所定パターンに従ってＡｕを半導体基板上にメッキして得た平面型コイルにより構成されている
　「【００１１】
【発明の実施の形態】以下に、添付図面を参照し、実施例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説明する。
実施例
本実施例は、ＭＭＩＣの回路素子の一つとしてＧａＡｓ基板上に平面型コイルを形成し、これによりＩＣ中にリアクタンスを形成する工程に、本発明に係るＩＣのリアクタンス形成方法を適用した例である。
先ず、図１（ａ）に示すように、半絶縁性ＧａＡｓ基板１２上にＴｉＡｕからなる下地導電膜１４をスパッタリング等により成膜し、次いで下地導電膜１４をエッチングして平面型コイルの所望平面パターンと同じ平面パターンにパターニングする
（中略）
【００１４】次に、紫外線露光を使用するホトリソグラフィにより、第２層フォトレジスト膜２０及び第１層フォトレジスト膜１６を所定パターンにパターニングする。その結果、図２（ｅ）に示すように、第２層フォトレジスト膜２０及び第１フォトレジスト膜１６を貫通して下地導電膜１４に達し、パターンの長手方向中心線に直交する面で略Ｔ字状の断面を有し、かつ平面型コイル素子と同じパターンの溝状の開口２２が開口する。
次いで、図２（ｆ）に示すように、溝２２内の下地導電膜１４上に金属、例えばＡｕをメッキして平面型コイル２４を形成する
　
ｂ．周知例４：特開平１０−２４１９８３号公報
　「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、平面インダクタ素子とその製造方法に関し、特にコイル導体膜に使用されるものである
　「【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。図１及び図２は、本発明の平面インダクタ素子の第１の実施例の製造工程を示す断面図である。また、図３は、本発明の平面インダクタ素子の第１の実施例の上面図を示す。図１及び図２は、図３におけるＢＢ’線における断面図を示す。以下、同一の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
【００１３】
まず、基板２０上に下部磁性膜２１、絶縁膜２２、メッキ電極用導体膜２３を順次スパッタ法により形成する。
【００１４】続いて、メッキ電極用導体膜２３上にレジスト２４を塗布する。第１のコイル用フォトマスクを用いて、紫外線露光・現像により第１のレジストパターン２４を形成する。レジスト２４の膜厚ｔＲ１は例えば５５μｍである。レジストパターン２４の幅ｗＲ１は例えば６０μｍ、レジスト２４間のスペース部２５の幅ｗＭ１は例えば６０μｍである。図１（ａ）は、この段階におけるインダクタ素子の断面を示す。
【００１５】
次に、電気メッキ法により、レジスト間のスペース部２５にＣｕよりなるメッキ導体膜２６を形成する。
【００１６】さらに、第１のレジストパターン２４及び第１のメッキ導体膜２６上に第２のレジスト膜３４を塗布する。このレジスト３４の厚さｔＲ２は例えば５０μｍである。第２のコイル用フォトマスクを用いて紫外線露光・現像により第２のレジストパターン３４を形成する。第１のコイル用フォトマスクと第２のコイル用フォトマスクは、同じマスクパターンである。図１（ｃ）は、この段階におけるインダクタ素子の断面を示す。
【００１７】
続いて、電気メッキ法により、第１のメッキ導体膜２６の上に例えばＣｕよりなる第２のメッキ導体膜３６を形成する。
【００１８】次に、第２のレジストパターン３４と第１のレジストパターン２４を除去し、さらにメッキ電極用導体膜２３の露出部を除去する。図２（ｂ）は、この段階におけるインダクタ素子の断面を示す。その後、メッキ導体膜間のスペース部３７及び第２のメッキ導体膜３６の上部を絶縁材料であるポリイミド樹脂３８で塗布・充填する。その後、ポリイミド樹脂３８上に上部磁性膜３９を形成する。図２（ｃ）は、この段階におけるインダクタ素子の断面を示す。こうして、コイルの上下を磁性膜で挟み込んだ平面インダクタ素子が形成される。」
　
（２）したがって、当該周知技術を勘案すれば、引用発明において、「インダクタ２２」を形成するに当たり、「金属膜３６ａを前記第２保護膜３５上に真空蒸着法で形成」する工程に替え、「前記第２保護膜３５」上に金属スパッタ層又は金属蒸着層を形成する工程と、その上に金属めっき層を積層する工程を採用することは、当業者が容易になし得たことである。
　そして、引用発明においては、引用例の０００７段落の記載等から明らかなように、インダクタを金属層のみで形成していた従来技術よりも高いインダクタンスを実現することを目的として、「前記金属膜３６ａ上に軟磁性膜３７ａを形成」する構成としているから、引用発明において、「金属膜３６ａを前記第２保護膜３５上に真空蒸着法で形成」する工程に替え、「前記第２保護膜３５」上に金属スパッタ層又は金属蒸着層を形成する工程と、その上に金属めっき層を積層する工程を採用するに際して、「軟磁性膜３７ａを形成」することを省略すれば、「軟磁性膜３７ａを形成」した場合に比べてインダクタンスは低くなるもののそれなりに機能することは、当業者であれば直ちに察知し得たことである。
　したがって、引用発明において、「インダクタ２２」を形成するに当たり、「金属膜３６ａを前記第２保護膜３５上に真空蒸着法で形成」する工程に替え、「前記第２保護膜３５」上に金属スパッタ層又は金属蒸着層を形成する工程と、その上に金属めっき層を積層する工程を採用し、「前記金属膜３６ａ上に軟磁性膜３７ａを形成」することを省略すること、すなわち、本願発明のように、「金属スパッタ層又は金属蒸着層を形成する工程と、前記金属スパッタ層又は前記金属蒸着層とその上に積層された金属めっき層とからなる」「コイルを形成」する工程とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、相違点２は当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
３．相違点３について
（１）上記第４．２．において検討したとおり、一般に、「モノリシックマイクロ波集積回路の製造方法」において、ウエハに多数の集積回路を作り込み、後に個々の集積回路に切り分けるという手順で製造が行われることは当業者の当業者の技術常識である。
　したがって、引用発明においても、最終的に「インダクタ２２を有するモノリシックマイクロ波集積回路」が完成されるまでに、「インダクタ２２を有するモノリシックマイクロ波集積回路」が多数形成されたウエハを切り分けて、個々の「インダクタ２２を有するモノリシックマイクロ波集積回路」とする工程を経ていることは、当業者にとって自明である。
　そして、ウエハを切り分ける手法として、スクライビング（スクライブ）は、例えば、本願の出願前に頒布された下記周知例５にも記載されているように、当業者における周知技術である。
　
ａ．周知例５：特開平７−７４１３１号公報
　「【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイス／ＩＣは通常ＳｉやＧａＡｓなどの半導体ウエハ上に多数形成され、スクライブやダイシング等のチップ加工プロセスにより単体チップに分割され、組立／実装して使用される
　
（２）したがって、当該周知技術を勘案すれば、引用発明において、本願発明のように、「アンテナコイルが複数形成されたウエハをスクライビングしてアンテナコイルが前記表面保護膜上に形成されたＩＣ素子を得る工程」を含むものとすることは、当業者が容易になし得たことであるから、相違点３は当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
４．判断についてのまとめ
　本願発明と引用発明との相違点は、いずれも周知技術を勘案することにより、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものであるから、本願発明は、周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第６．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。