【事件の表示】
　特願２００１−　５７０５６「薄膜光電変換モジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　９月１３日出願公開、特開２００２−２６１３０８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成１３年３月１日の特許出願であって、拒絶理由の通知に応答して平成２２年４月７日に手続補正がされたが、同年６月１日付けで拒絶査定がされ、これに対して同年９月１５日に拒絶査定不服審判が請求がされたものである。
 　 
第２　本願発明の認定 
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。） は、平成２２年４月７日に補正された本願の請求項１に記載された事項によって特定される次のとおりのものと認める。 
「透明基板と、前記透明基板の一方の主面上に並置され且つ互いに直列に接続された複数のハイブリッド型薄膜光電変換セルとを具備し、
　前記複数の薄膜光電変換セルは、前記透明基板の一方の主面上に順次積層された透明前面電極層、非晶質光電変換層を備えた第１の薄膜光電変換ユニット、導電性を有するとともに光透過性及び光反射性の双方を有する中間反射層、結晶質光電変換層を備えた第２の薄膜光電変換ユニット、及び裏面電極層で構成され、
　前記複数の薄膜光電変換セルの隣り合った各２つの間では、
　　　前記透明前面電極層は第１の分離溝によって分割され、この第１の分離溝は前記第１の薄膜光電変換ユニットを構成する材料で埋め込まれ、
　　　前記第１の分離溝から離れた位置に、前記裏面電極層の上面の位置に開口を有し且つ底面が前記透明前面電極層の前記第１の薄膜光電変換ユニット側の界面で構成された第２の分離溝が設けられ、
　　　前記第１の分離溝と前記第２の分離溝との間に、前記第２の薄膜光電変換セルと前記裏面電極層との界面の位置に開口を有し且つ底面が前記透明前面電極層の前記第１の薄膜光電変換ユニット側の界面で構成された接続溝が設けられ、この接続溝は前記裏面電極層を構成する材料で埋め込まれることによって前記隣り合った各２つの薄膜光電変換セルの一方の裏面電極層と他方の透明前面電極層とを電気的に接続し、
　　　前記中間反射層と前記第２の薄膜光電変換ユニットとの界面に開口を有し且つ底面が前記透明前面電極層の前記第１の薄膜光電変換ユニット側の界面で構成された第３の分離溝が、前記第１の分離溝と前記接続溝との間に前記第３の分離溝が位置するように或いは前記接続溝と前記第３の分離溝との間に前記第１の分離溝が位置するように設けられ、この第３の分離溝は前記第２の薄膜光電変換ユニットを構成する材料で埋め込まれたことを特徴とする薄膜光電変換モジュール。」
　 　 
第３　引用例の記載事項と引用発明の認定
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された特開平７−３３５９２４号公報（以下「引用例」という。）には、以下の１及び２の記載が図と共にある。 
１　「　　【請求項１】　透過性の基板（１）上に、集積されて結線された薄膜ソーラセル積層体（Ｅ２，Ｅ４）と、あわせて３つのＴＣＯ電極面（Ｅ１，Ｅ３，Ｅ５）とが設けられており、それぞれ２つの電極面の間に、ストライプ状に構造化されたｐｉｎないしｎｉｐソーラセルを備えた１つの面が配置されており、積層されて互いに上下の位置関係におかれたソーラセルが並列に接続されており、各積層体は互いに直列に接続されている、ソーラモジュールの製造方法において、
　常にそのつど１つの面（Ｅ１〜Ｅ５）を面全体にわたる層の析出により形成し、
　次に当該面（Ｅ１〜Ｅ５）を、互いに平行な所定の構造化ライン（Ｐ１〜Ｐ５）に沿って構造化し、
　ソーラセル面（Ｅ２，Ｅ４）および両方の上方の電極面（Ｅ３，Ｅ５）を、レーザにより裏面から基板を通って照射させて構造化し、１つのソーラセル面（Ｅ２，Ｅ４）におけるレーザビームの吸収により溝状のカットライン（Ｓ１〜Ｓ５）を形成させながら半導体を切除し、
　前記構造化ライン（Ｐ１〜Ｐ５）を、Ｐ１−Ｐ２−Ｐ５−Ｐ４−Ｐ３の順序配列が得られるよう、それぞれ互いに平行ずらして配置することを特徴とする、
　ソーラモジュールの製造方法。」
　　
２　「【００２５】
【実施例の説明】
第１実施例
図１：第１実施例に関して、個々の構造化ステップのためのカットラインは互いにオーバラップしないように配置される。透過性であってたとえば
ガラスから成る基板１
第１の面Ｅ１としてＴＣＯ電極層
【００２６】電極層Ｅ１の構造化のためにそれらはストライプ状の複数の領域に分割され、たとえば上方からの直接的なレーザ作用により分割される。レーザは互いに平行に配置された構造化ラインＰ１に沿って導かれ、これにより溝状の凹欠部Ｓ１の領域において基板１が露出される。この構造化により生じる第１の電極面Ｅ１の電極ストライプの幅は、後で形成されるソーラモジュールにおいて最大効率が得られるように、つまり構造化ラインと活性的な半導体面との間の最適な比率が得られるように最適化することができる。しかしながら一般的にこの電極ストライプＥ１の幅は、基板の幅と、集積されて結線されたソーラモジュールが発生させるべき電圧にしたがって選定される。通常、この電極ストライプつまりは後で形成されるストライプ状の個別ソーラセルに対し、数ｃｍの幅が選ばれる。
【００２７】図２：次に、第１の電極面Ｅ１の上に面全体にわたって、たとえばプラズマを用いた気相析出によって、１つの
薄膜ソーラセル
第２の面Ｅ２にｐｉｎ構造（第１のソーラセル面）
【００２８】図３：次に、面全体にわたって被着された面Ｅ２のソーラセルは、第２の構造化ラインＰ２に沿って構造化される。この目的で、周波数を２倍にしたＮｄ：ＹＡＧレーザを背面から投射し、第１の面Ｅ１と第２の面Ｅ２との間の境界面にフォーカシングする。周波数が１〜１００ｋＨｚでありパルス持続時間がたとえば５０ｐｓであれば、個々のレーザスポットはフォーカシング領域においてソーラセル面Ｅ２の半導体材料を切除するのに十分である。基板とレーザとの間における相対運動により、ソーラモジュールの全長にわたって溝状のカットラインＳ２が生じるように個々のスポットが相並んでセットされる。構造化ラインＰ２は構造化ラインＰ１のすぐ隣りに配置され、これとはオーバラップしていない。図示されている構造により、個々のスポットを相前後して直線的に配置したときにカットラインＳ２は約３０〜５０μｍの幅を有しているが、この幅は個々のスポットのエネルギーによって変動してよい。
【００２９】図４：次に、第２の面Ｅ２の構造化されたソーラセルの上に面全体にわたって、
第３の面Ｅ３としてさらに別の電極層
ＴＣＯ物質
【００３０】図５：電極面Ｅ３を構造化するためにカットラインＳ３が形成される。この目的で、先に挙げたＮｄ：ＹＡＧレーザを構造化ラインＰ３に沿ってやはり基板を貫通させてソーラセルＥ２へ投射する。この場合、Ｅ２の半導体材料はレーザビームの領域でその下にある電極層Ｅ１から切除され、その際、Ｅ２の上に位置する電極層Ｅ３もいっしょに除去される。第２の別のカットラインを配置するためにオーバラップすることなく十分なスペースが得られるように、構造化ラインＰ３は、カットラインＳ３の幅の少なくとも３倍だけ構造化ラインＰ２ないしカットラインＳ２に対しずらされる。
【００３１】図６：次に、電極面Ｅ３の上において第４の面Ｅ４に、ｎｉｐ構造で面全体にわたりソーラセルが形成される。
ｐｎ接合部の配向を除いて、このソーラセルについては第２の面Ｅ２のソーラセルと同じ製造条件があてはまる。
【００３２】図７：ソーラセル面Ｅ４の構造化のために、構造化ラインＰ４に沿って背面から基板を貫通させてレーザを投射する。やはりこの場合も、第２の面の半導体材料がその下に位置する第１の面Ｅ１の電極層から切除され、その際に第２の面Ｅ２の上に位置する面Ｅ３およびＥ４の層領域もいっしょに除去される。構造化ラインＰ４は、構造化ラインＰ２とＰ３との間においてＰ３のすぐ隣りに配置されるが、Ｐ３とはオーバラップしていない。
【００３３】図８：次に、構造化されたソーラセル面Ｅ４の上において
第５の面Ｅ５に、さらに別のＴＣＯ電極層
【００３４】図９：最後の構造化ステップにおいて、基板を貫通させて構造化ラインＰ５に沿って新たにレーザを投射することにより、相応のカットラインＳ５が形成される。この場合もソーラセル面Ｅ２の半導体材料中に入射され、これはレーザの領域でその下に位置する面Ｅ１の電極層から、その上に位置する層領域とともに除去される。構造化ラインＰ５は、構造化ラインＰ２と構造化ラインＰ４との間に位置している。
【００３５】図９には、このようにして露出された積層セルソーラモジュールが示されている。ソーラセル層Ｅ２とＥ４のｐｎ接合が互いに逆の極性であることにより、各ソーラセルは１つの積層体内では並列に接続されており、他方、個々の積層体は互いに直列に接続されている。１つの積層体内において光起電力により生じる電流は加算されるのに対し、直列接続によりソーラモジュールの電圧は高まり、この場合、ソーラモジュールの総電圧は、ストライプ状のソーラセル積層体の個数と個々のセルの電圧との積にほぼ相応する。」（下線は審決にて付した。）
　
　上記２には、上記１に記載された「ソーラモジュールの製造方法」の「第１実施例」が、図１ないし図９を参照しつつ記載されている。上記２によれば、図１ないし図８はこの順で製造途中の各段階でのソーラモジュールを示し、図９は、上記２に「【００３５】図９には、このようにして露出された積層セルソーラモジュールが示されている。」とあるとおり、製造後のソーラモジュールが示されている。
　
  上記２の【００２５】の記載より、「第１実施例」では、上記１にいう「基板（１）」は「ガラスからなる基板１」である。
　
　上記１に「積層されて互いに上下の位置関係におかれたソーラセル」とあることから、上記１にいう「薄膜ソーラセル積層体（Ｅ２，Ｅ４）」は、２つの薄膜ソーラセルが積層されたものである。そして、その一方の薄膜ソーラセルは、「第１実施例」では、上記２の【００２７】の記載より、「ｐｉｎ構造の薄膜ソーラセルＥ２」であり、他方の薄膜ソーラセルは、上記２の【００３１】の記載より、「ｎｉｐ構造の薄膜ソーラセルＥ４」である。
　よって、上記１にいう「薄膜ソーラセル積層体（Ｅ２，Ｅ４）」は、「第１実施例」では、「ｐｉｎ構造の薄膜ソーラセルＥ２」と「ｎｉｐ構造の薄膜ソーラセルＥ４」が積層したものである。
　
　上記２の【００２５】、【００２９】及び【００３３】の下線部の記載より、「第１実施例」では、上記１にいう「３つのＴＣＯ電極面（Ｅ１，Ｅ３，Ｅ５）」は、「３つのＴＣＯ電極層Ｅ１，Ｅ３，Ｅ５」である。
　
　上記２が参照する図１ないし図８からは、３つのＴＣＯ電極層Ｅ１，Ｅ３，Ｅ５と２つの薄膜ソーラーセルＥ２，Ｅ４とが、基板１上に、Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４，Ｅ５の順で積層していることが看取できる。（このことは、上記２に記載された製造の手順からも把握できる。）
　
　上記２が参照する図９からは、カットラインＳ１がＥ１のみをカットし、カットラインＳ２がＥ２のみをカットし、カットラインＳ３がＥ２とＥ３のみをカットし、カットラインＳ４がＥ２とＥ３とＥ４のみをカットし、カットラインＳ５がＥ２とＥ３とＥ４とＥ５のみをカットしていることが看取できる。（このことは、上記２に記載された製造の手順からも把握できる。）
　
　上記２が参照する図９からは、カットラインＳ１とカットラインＳ５の間にカットラインＳ４が位置し、カットラインＳ１とカットラインＳ４の間にカットラインＳ３が位置していることが看取できる。（このことは、上記１の「Ｐ１−Ｐ２−Ｐ５−Ｐ４−Ｐ３の順序配列」からも把握できる。互いに直列に接続されている積層体の数だけ「Ｐ１−Ｐ２−Ｐ５−Ｐ４−Ｐ３の順序配列」が続けば、「Ｐ１−Ｐ２−Ｐ５−Ｐ４−Ｐ３−Ｐ１−Ｐ２−Ｐ５−Ｐ４−Ｐ３−Ｐ１−Ｐ２−Ｐ５−Ｐ４−Ｐ３・・・」となり、この配列のうち、「Ｐ５−Ｐ４−Ｐ３−Ｐ１」に着目すると、カットラインＳ１とカットラインＳ５の間にカットラインＳ４が位置し、カットラインＳ１とカットラインＳ４の間にカットラインＳ３が位置していることが理解できる。）　
　
　以上のことから、上記１及び２の記載を含む引用例には、「第１実施例」に対応する「ソーラモジュール」として、次の発明（以下「引用発明」という。） が記載されていると認めることができる。
「透過性の基板（１）上に、集積されて結線された薄膜ソーラセル積層体（Ｅ２，Ｅ４）と、あわせて３つのＴＣＯ電極面（Ｅ１，Ｅ３，Ｅ５）とが設けられており、それぞれ２つの電極面の間に、ストライプ状に構造化されたｐｉｎないしｎｉｐソーラセルを備えた１つの面が配置されており、積層されて互いに上下の位置関係におかれたソーラセルが並列に接続されており、各積層体は互いに直列に接続されている、ソーラモジュールであって、
　常にそのつど１つの面（Ｅ１〜Ｅ５）を面全体にわたる層の析出により形成し、
　次に当該面（Ｅ１〜Ｅ５）を、互いに平行な所定の構造化ライン（Ｐ１〜Ｐ５）に沿って構造化し、
　ソーラセル面（Ｅ２，Ｅ４）および両方の上方の電極面（Ｅ３，Ｅ５）を、レーザにより裏面から基板を通って照射させて構造化し、１つのソーラセル面（Ｅ２，Ｅ４）におけるレーザビームの吸収により溝状のカットライン（Ｓ１〜Ｓ５）を形成させながら半導体を切除し、
　前記構造化ライン（Ｐ１〜Ｐ５）を、Ｐ１−Ｐ２−Ｐ５−Ｐ４−Ｐ３の順序配列が得られるよう、それぞれ互いに平行ずらして配置して製造され、
　前記基板（１）はガラスからなる基板１であり、
　前記薄膜ソーラセル積層体（Ｅ２，Ｅ４）は、ｐｉｎ構造の薄膜ソーラセルＥ２とｎｉｐ構造の薄膜ソーラセルＥ４が積層したものであり、
　前記３つのＴＣＯ電極面（Ｅ１，Ｅ３，Ｅ５）は、３つのＴＣＯ電極層Ｅ１，Ｅ３，Ｅ５であり、
　前記２つの薄膜ソーラーセルＥ２，Ｅ４と、前記３つのＴＣＯ電極層Ｅ１，Ｅ３，Ｅ５は、前記基板１上に、Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４，Ｅ５の順で積層しており、
　カットラインＳ１がＥ１のみをカットし、カットラインＳ２がＥ２のみをカットし、カットラインＳ３がＥ２とＥ３のみをカットし、カットラインＳ４がＥ２とＥ３とＥ４のみをカットし、カットラインＳ５がＥ２とＥ３とＥ４とＥ５のみをカットし、
　カットラインＳ１とカットラインＳ５の間にカットラインＳ４が位置し、カットラインＳ１とカットラインＳ４の間にカットラインＳ３が位置している、
ソーラモジュール。」
　
第４　対比
　引用発明と本願発明とを対比する。
１　引用発明の「透過性の基板（１）」及び「ガラスからなる基板１」は、本願発明の「透明基板」に相当する。
　
２　引用発明において、薄膜ソーラセル積層体（Ｅ２，Ｅ４）と３つのＴＣＯ電極面（Ｅ１，Ｅ３，Ｅ５）とからなり、透過性の基板（１）上に設けられた積層体（Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４，Ｅ５）は、カットラインＳ５がＥ２とＥ３とＥ４とＥ５をカットし、カットラインＳ１がＥ１をカットすることで隣接する部分と切り離されたひとつの「薄膜光電変換セル」をなしており、それが複数透過性の基板（１）上に並ぶこととなる。
　また、引用発明は、「各積層体は互いに直列に接続されている」ものである。
　よって、引用発明は、「透明基板の一方の主面上に並置され且つ互いに直列に接続された複数の薄膜光電変換セル」を具備するといえる。これは、「透明基板の一方の主面上に並置され且つ互いに直列に接続された複数の薄膜光電変換セル」を具備する点で、本願発明が「透明基板の一方の主面上に並置され且つ互いに直列に接続された複数のハイブリッド型薄膜光電変換セル」を具備することと共通している。
　
３　引用発明の「ｐｉｎ構造の薄膜ソーラセルＥ２」及び「ｎｉｐ構造の薄膜ソーラセルＥ４」は、それぞれ、本願発明の「第１の薄膜光電変換ユニット」及び「第２の薄膜光電変換ユニット」に相当する。
　
４　上記２の【００２５】には、「第１の面Ｅ１としてＴＣＯ電極層が被着される。面Ｅ１の薄い導電性の酸化物はたとえば１μｍの厚さの酸化錫層から成り」とあり、上記２の【００２９】には、「第３の面Ｅ３としてさらに別の電極層が第１の面Ｅ１の電極と同様にして析出される。」とあるから、「ＴＣＯ電極層Ｅ１」と「ＴＣＯ電極層Ｅ３」は、「薄い導電性の酸化物である１μｍの厚さの酸化錫層」を含み、これが「導電性を有するとともに光透過性及び光反射性の双方を有する」ことは明らかである。
　よって、引用発明の「ＴＣＯ電極層Ｅ１」及び「ＴＣＯ電極層Ｅ３」は、それぞれ、本願発明の「透明前面電極層」及び「導電性を有するとともに光透過性及び光反射性の双方を有する中間反射層」に相当する。
　
５　引用発明の「ＴＣＯ電極層Ｅ５」は、本願発明の「裏面電極層」に相当する。
　
６  本願発明の「第１の分離溝」は「透明前面電極層」を分割する。一方、引用発明の「カットラインＳ１」は、「透明前面電極層」（ＴＣＯ電極層Ｅ１）のみをカットする。よって、引用発明の「カットラインＳ１」は、本願発明の「第１の分離溝」に相当する。
　
７　本願発明の「第２の分離溝」は「第１の分離溝から離れた位置に、裏面電極層の上面の位置に開口を有し且つ底面が透明前面電極層の第１の薄膜光電変換ユニット側の界面で構成され」ている。一方、引用発明の「カットラインＳ５」は、「カットラインＳ１とカットラインＳ５の間にカットラインＳ４が位置している」ことから「第１の分離溝」（カットラインＳ１）から離れた位置にあり、かつ「Ｅ２とＥ３とＥ４とＥ５のみをカット」するから、「裏面電極層」（ＴＣＯ電極層Ｅ５）の上面の位置に開口を有し且つ底面が「透明前面電極層」（ＴＣＯ電極層Ｅ３）の「第１の薄膜光電変換ユニット」（ｐｉｎ構造の薄膜ソーラセルＥ２）側の界面で構成されている。
　よって、引用発明の「カットラインＳ５」は、本願発明の「第１の分離溝から離れた位置に、裏面電極層の上面の位置に開口を有し且つ底面が透明前面電極層の第１の薄膜光電変換ユニット側の界面で構成された第２の分離溝」に相当する。
　
８　本願発明の「接続溝」は「第１の分離溝と第２の分離溝との間に」設けられ、「第２の薄膜光電変換セルと裏面電極層との界面の位置に開口を有し且つ底面が透明前面電極層の第１の薄膜光電変換ユニット側の界面で構成され」ている。
　一方、引用発明の「カットラインＳ４」は、「カットラインＳ１とカットラインＳ５の間にカットラインＳ４が位置し」、「Ｅ２とＥ３とＥ４のみをカット」することから、「第１の分離溝（カットラインＳ１）と第２の分離溝（カットラインＳ５）との間に」設けられ、「第２の薄膜光電変換セル（ｎｉｐ構造の薄膜ソーラセルＥ４）と裏面電極層（ＴＣＯ電極層Ｅ５）との界面の位置に開口を有し且つ底面が透明前面電極層（ＴＣＯ電極層Ｅ１）の第１の薄膜光電変換ユニット（ｐｉｎ構造の薄膜ソーラセルＥ２）側の界面で構成され」ている。
　よって、引用発明の「カットラインＳ４」は、本願発明の「第１の分離溝と第２の分離溝との間に、第２の薄膜光電変換セルと裏面電極層との界面の位置に開口を有し且つ底面が透明前面電極層の第１の薄膜光電変換ユニット側の界面で構成された接続溝」に相当する。
　
９　本願発明の「第３の分離溝」は、「中間反射層と第２の薄膜光電変換ユニットとの界面に開口を有し且つ底面が透明前面電極層の第１の薄膜光電変換ユニット側の界面で構成され」、「第１の分離溝と接続溝との間に第３の分離溝が位置するように或いは接続溝と第３の分離溝の間に第１の分離溝位置するように設けられ」ている。
　一方、引用発明の「カットラインＳ３」は、「Ｅ２とＥ３のみをカットし」、「カットラインＳ１とカットラインＳ４の間に位置し」ていることから、「中間反射層（ＴＣＯ電極層Ｅ３）と第２の薄膜光電変換ユニット（ｐｉｎ構造の薄膜ソーラセルＥ２）との界面に開口を有し且つ底面が透明前面電極層（ＴＣＯ電極層Ｅ１）の第１の薄膜光電変換ユニット（ｐｉｎ構造の薄膜ソーラセルＥ２）側の界面で構成され」、「第１の分離溝（カットラインＳ１）と接続溝（カットラインＳ４）との間に位置するように設けられ」ている。
　よって、引用発明の「カットラインＳ３」は、本願発明の「中間反射層と第２の薄膜光電変換ユニットとの界面に開口を有し且つ底面が透明前面電極層の第１の薄膜光電変換ユニット側の界面で構成され」かつ「第１の分離溝と接続溝との間に第３の分離溝が位置するように或いは接続溝と第３の分離溝の間に第１の分離溝が位置するように設けられ」ている「第３の分離溝」に相当する。
　
１０　引用発明の「ソーラモジュール」は、本願発明の「薄膜光電変換モジュール」に相当する。
　
　してみると、本願発明と引用発明とは、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点１＞ないし＜相違点４＞で相違する。
＜一致点＞ 
「透明基板と、前記透明基板の一方の主面上に並置され且つ互いに直列に接続された複数の薄膜光電変換セルとを具備し、
　前記複数の薄膜光電変換セルは、前記透明基板の一方の主面上に順次積層された透明前面電極層、第１の薄膜光電変換ユニット、導電性を有するとともに光透過性及び光反射性の双方を有する中間反射層、第２の薄膜光電変換ユニット、及び裏面電極層で構成され、
　前記複数の薄膜光電変換セルの隣り合った各２つの間では、
　　　前記透明前面電極層は第１の分離溝によって分割され、
　　　前記第１の分離溝から離れた位置に、前記裏面電極層の上面の位置に開口を有し且つ底面が前記透明前面電極層の前記第１の薄膜光電変換ユニット側の界面で構成された第２の分離溝が設けられ、
　　　前記第１の分離溝と前記第２の分離溝との間に、前記第２の薄膜光電変換セルと前記裏面電極層との界面の位置に開口を有し且つ底面が前記透明前面電極層の前記第１の薄膜光電変換ユニット側の界面で構成された接続溝が設けられ、
　　　前記中間反射層と前記第２の薄膜光電変換ユニットとの界面に開口を有し且つ底面が前記透明前面電極層の前記第１の薄膜光電変換ユニット側の界面で構成された第３の分離溝が、前記第１の分離溝と前記接続溝との間に前記第３の分離溝が位置するように設けられた、薄膜光電変換モジュール。」
　
＜相違点１＞ 
　「薄膜光電変換セル」及びそれが備える２つの「薄膜光電変換ユニット」について、本願発明は、「薄膜光電変換セル」が「ハイブリッド型薄膜光電変換セル」、２つの「薄膜光電変換ユニット」が、「非晶質光電変換層を備えた第１の薄膜光電変換ユニット」及び「結晶質光電変換層を備えた第２の薄膜光電変換ユニット」と特定されているのに対し、引用発明は該特定を有しない点。
　
＜相違点２＞ 
　「第１の分離溝」について、本願発明は「第１の薄膜光電変換ユニットを構成する材料で埋め込まれ」と特定されているのに対し、引用発明は該特定を有しない点。
　　
＜相違点３＞ 
　「接続溝」について、本願発明は「裏面電極層を構成する材料で埋め込まれることによって隣り合った各２つの薄膜光電変換セルの一方の裏面電極層と他方の透明前面電極層とを電気的に接続し」と特定されているのに対し、引用発明は該特定を有しない点。
　
＜相違点４＞ 
　「第３の分離溝」について、本願発明は「第２の薄膜光電変換ユニットを構成する材料で埋め込まれた」と特定されているのに対し、引用発明は該特定を有しない点。
　
第５　判断
　上記＜相違点１＞ないし＜相違点４＞について判断する。
１　＜相違点１＞について
　太陽電池の分野において、非晶質光電変換層を備えた第１の光電変換ユニットと結晶質光電変換層を備えた第２の光電変換ユニットとを備えるハイブリッド型光電変換セルは周知である。そのことを示す例として、特開昭５９−１２４７７２号公報及び特開平１１−２１４７２７号公報を挙げることができる。特に、前者第３欄第１３ないし１５行の「本発明は、単結晶または多結晶半導体とアモルファス半導体とを組み合わせた太陽電池、検出素子等に使用する光起電力素子に関するものである。」及び後者の「【０００６】近年では、前方ユニットに非晶質シリコン光電変換ユニットを用いて、後方ユニットに結晶質シリコン系光電変換ユニットを用いた２段タンデム型光電変換装置も多く実施されている。」との記載を参照されたい。
　よって、引用発明において、本願発明の＜相違点１＞に係る構成を備えることは、周知技術に基づいて、当業者が容易に想到し得たことである。
   
２　＜相違点２＞及び＜相違点４＞について
　引用発明は、「常にそのつど１つの面（Ｅ１〜Ｅ５）を面全体にわたる層の析出により形成」するから、ある層のカットラインはその上の層と同じ材料で埋められる。
　よって、引用発明は、本願発明の＜相違点２＞及び＜相違点４＞に係る構成を備えており、＜相違点２＞及び＜相違点４＞は実質的な相違ではない。
　
３　＜相違点３＞について
　引用発明では、ある層のカットラインはその上の層と同じ材料で埋められる（上記２参照）ので、「接続溝」（カットラインＳ４）は、裏面電極層（ＴＣＯ電極層Ｅ５）を構成する材料で埋め込まれる。そして、カットラインＳ４は、Ｅ２とＥ３とＥ４のみをカットするから、Ｅ４がその上の面Ｅ５と接する面からＥ２がその下の面Ｅ１と接する面までが導電体であるＴＣＯ物質で満たされて電気的に接続される。つまり、「接続溝」（カットラインＳ４）が「裏面電極層」（ＴＣＯ電極層Ｅ５）と「透明前面電極層」（ＴＣＯ電極層Ｅ１）とを電気的に接続する。
　引用例の【００３３】の「電極層Ｅ５は、カットラインＳ４が電極材料で満たされるように析出され、このことによりカットラインＳ４内で露出された電極面Ｅ１の表面とのオーム接触が形成される。」との記載は、上記の点を裏付ける。
　よって、引用発明は、本願発明の＜相違点３＞に係る構成を備えており、
＜相違点３＞は実質的な相違ではない。
　
４　まとめ
　上記１ないし３より、引用発明において、本願発明の＜相違点１＞ないし
＜相違点４＞に係る構成を備えることは、周知技術に基づいて、当業者が容易に想到し得たことである。
　また、かかる構成を採用することによる効果は、当業者が予測し得る程度のものである。
  
第６　請求人の主張について
　請求人は、審判請求書の請求の理由を補正する平成２２年１０月２７日の手続補正書において、以下の点を主張している。
「（２）本願発明と引用発明との対比
　引用発明における各積層体ユニットでは、第１のソーラセルＥ２と第２のソーラセルＥ４とは、電極Ｅ３を介して、並列に接続されています。これに対し、本願発明では、第１の薄膜光電変換ユニットと第２の薄膜光電変換ユニットとは、中間反射層を介して、直列に接続されています。」
　
　この点に関して、本願明細書には次の記載がある。
「【００４２】
　薄膜光電変換ユニット４ａは非晶質光電変換層を備えており、例えば、透明前面電極層３側からｐ型シリコン系半導体層、シリコン系光電変換層、及びｎ型シリコン系半導体層を順次積層した構造を有する。これらｐ型半導体層、非晶質光電変換層、及びｎ型半導体層はいずれもプラズマＣＶＤ法により形成することができる。
【００４３】
　一方、薄膜光電変換ユニット４ｂは結晶質光電変換層を備えており、例えば、中間反射層５側からｐ型シリコン系半導体層、シリコン系光電変換層、及びｎ型シリコン系半導体層を順次積層した構造を有する。これらｐ型半導体層、結晶質光電変換層、及びｎ型半導体層はいずれもプラズマＣＶＤ法により形成することができる。」
　
　本願明細書の上記記載によれば、本願発明の実施例は、「ｐｉｎ構造の薄膜光電変換ユニット４ａとｐｉｎ構造の薄膜光電変換ユニット４ｂが積層したもの」であるから、２つの薄膜光電変換ユニットが直列接続されている。そして、２つの薄膜光電変換ユニットの積層の中間にある中間反射層は電気的に浮いている。
　一方、引用発明は「ｐｉｎ構造の薄膜ソーラセルＥ２とｎｉｐ構造の薄膜ソーラセルＥ４が積層したもの」であるから、２つの薄膜ソーラセルが並列接続されている。そして、２つの薄膜ソーラセルの積層の中間にあるＴＣＯ電極層Ｅ３は、カットラインＳ２を介して（２つの薄膜ソーラセルの直下のＴＣＯ電極層Ｅ１ではなく）隣接するＴＣＯ電極層Ｅ１に電気的に接続している（引用例の図９参照。）。
　よって、本願発明の上記実施例と引用発明とを対比すれば、薄膜光電変換ユニットが直列接続か並列接続かで相違する。しかしながら、本願発明は薄膜光電変換ユニットが直列接続されたものに限定されてはいない。
　したがって、請求人の上記主張は、本願発明の構成に基づかないものであって、採用できない。
　なお、太陽電池の分野において、積層された２つの光電変換ユニットが直列接続のものも並列接続のものもどちらも周知である。例えば、特開昭６３−１２２２８３号公報の次の記載参照。
「所定の膜厚を持つｐｉｎ電池素子を直列に積層、接続して成るｐｉｎ／ｐｉｎ型タンデム構造を有する太陽電池が知られている」（第２頁左上欄第７ないし９行）及び図７。
「この太陽電池はｐｉｎ／ｐｉｎの２層タンデム構造をしている。又この太陽電池の等価回路を第６図に示す。これらの図に示すように２つの各ユニットセルは第１電池素子４と第２電池素子２からなりこの素子は並列に接続されている。」（第３頁左下欄第６ないし１０行）及び図６。
　　
第７　むすび
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。