Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年12月3日(2010.12.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
一般化学量論Ｉ：
Ｍｏ１ＶａＭ１ｂＭ２ｃＭ３ｄＭ４ｅＯｎ（Ｉ）
［式中、
Ｍ１＝Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｔｅ及びＳｂよりなる群から選択される少なくとも１つの元素；
Ｍ２＝Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｄ及びランタノイド類よりなる群から選択される少なくとも１つの元素；
Ｍ３＝Ｒｅ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕよりなる群から選択される少なくとも１つの元素；
Ｍ４＝Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、ＮＨ４及びＴｌよりなる群から選択される少なくとも１つの元素；
ａ＝０．０１〜１；
ｂ＝≧０〜１；
ｃ＝≧０〜１；
ｄ＝≧０〜０．５；
ｅ＝≧０〜０．５及び
ｎ＝（Ｉ）中の酸素以外の元素の原子価及び出現頻度によって決定される数］で示される多金属酸化物材料Ｍを製造するにあたり、多金属酸化物材料Ｍの元素構成成分の原料の混合物Ｇを水熱処理に付し、これにより新たに形成された固体を分離する製造方法において、
多金属酸化物材料Ｍの元素構成成分の原料として、もっぱら、多金属酸化物材料Ｍの元素構成成分及び水の元素構成成分のみからなる化合物、多金属酸化物材料Ｍの元素構成成分自体のそれらの元素形、及び多金属酸化物材料Ｍの元素構成成分を含むアンモニウム塩よりなる群から選択される原料を使用するが、混合物Ｇに含まれるＮＨ４及び混合物Ｇに含まれるＭｏのＮＨ４／Ｍｏモル比ＭＶが≦０．５であり、かつ少なくとも原料の一部が相当する元素構成成分の最大酸化数より低い酸化数を有するこれらの原料に含まれる元素構成成分を含むことを特徴とする方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項５】
ＶＯ２、Ｖ２Ｏ３、ＶＯ、Ｖ６Ｏ１３、Ｖ３Ｏ７、Ｖ４Ｏ９及び元素のバナジウムよりなる群から選択される少なくとも１つの化合物を元素構成成分Ｖの原料として同時に使用する、請求項１〜４の何れかに記載の方法。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１６】
請求項１記載の一般化学量論Ｉの多金属酸化物材料Ｍの製造方法において、まず請求項１〜１５の何れかに記載の方法を実施し、新たに形成される固体を分離し、熱後処理に付し、次に適宜、有機酸又はその水溶液、又は無機酸又はその水溶液、又はアルコール、又は過酸化水素又はその水溶液で洗浄することを特徴とする方法。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１７】
請求項１記載の一般化学量論Ｉの多金属酸化物材料Ｍの製造方法において、まず請求項１〜１５の何れかに記載の方法を実施し、新たに形成される固体を分離し、次に有機酸又はその水溶液、又は無機酸又はその水溶液、又はアルコール、又は過酸化水素又はその水溶液で洗浄することを特徴とする方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年2月16日(2011.2.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
上記のように、電気化学的に活性な錯体は、金属を酸化して生成した金属イオンを適切な錯化剤と反応させることにより生成することができる。金属を酸化し得る好都合な酸化剤はいずれも使用でき、例えば過マンガン酸塩、クロム酸塩、過酸化物、過硫酸塩、第二鉄イオンおよびフェリシアン化物が使用できる。一つの具体的な実施形態において、該酸化剤は特に穏和な酸化剤である第二鉄イオンである。本発明によれば、酸化剤を還元された形で用い、必要な時にのみ酸化して活性型にしてもよい。このときの酸化は化学的に行っても電気化学的に行ってもよい。ある実施形態においては、還元された形の酸化剤と被験試料とを接触させることにより酸化を誘起することができる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
硝酸第二鉄に代わるものとしては、下記反応式に従いフェリシアン化カリウムを使用し、ついでチオシアン酸塩またはチオ硫酸塩と反応させてもよい：
４Ｋ３Ｆｅ(ＣＮ)６（ａｑ） ＋ ４Ａｇ（ｓ） → ３Ｋ４Ｆｅ(ＣＮ)６（ａｑ） ＋ Ａｇ４Ｆｅ(ＣＮ)６（ａｑ）
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年8月9日(2011.8.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
本発明は、マルチメディア信号等のデータストリームを符号化するハイブリッドスケーラブル／非スケーラブルシステム（ＨＳＮＳ）を提供する。このシステムは、データストリーム中の全ての成分がスケーラブルに符号化される必要がないことに注目している。特に、スケーラブル符号化システムの目標は、知覚品質ｖｓデータ転送速度のスケーラビリティを実現することであり、知覚的に無関係な成分をスケーラブルに符号化するのは効率が悪い。これら知覚的に無関係な成分（例えば、視界や視覚等の人間の知覚範囲外のデータ）は、定義によれば、復元物の最終知覚品質に貢献しないものである。これらのデータ成分に対して、本発明のシステム及び方法は、非スケーラブルコーダを採用している。よって、このハイブリッドスケーラブル及び非スケーラブル技術は、非スケーラブルシステムの利点を組み込みつつ、スケーラブルビットストリームを与えることができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年7月15日(2011.7.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
本発明は、無線通信用の移動端末のためのディスプレイに関する。本発明は、更に、無線通信用の移動端末のための表示方法に関する。特に、本発明は、移動端末のような、ソースに制限のある端末に画像を表示する際の問題の解決に関する。
【背景技術】
携帯電話、ペ-ジャー、携帯情報端末（ＰＤＡ）、電子手帳、スマートフォーンなどのような無線通信用の移動端末の表示装置は、当該表示装置に表示する画像を格納するための連合したメモリ（以下「ＲＡＭ」）を有する画像のサイズ、即ち、ＲＡＭの大きさは、取り分け、画像の色の深さに依存する。そのために、深い色深度を有する画像を表示するためには、表示画像を格納するために、当該携帯端末の表示用に大容量のＲＡＭを装備する必要がある。
そのような容量のＲＡＭを、画像をある色深度で表示させようとするときに必要なメモリ容量に適合させるときの欠点は、ＲＡＭの大きさを増やすことがかなりのコスト増を伴うことである。
画像をＲＡＭ容量を増やすことなく、且つ、深い色深度で表示することの可能性は、ＲＧＢインターフェースを用いて、赤、緑、青色という別々の色信号を処理し、常に表示を更新することである。しかし、このインターフェースの欠点は一定の電力、それ故に、電力消費型の更新処理となることである。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年2月28日(2011.2.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
測定される対象物上の薄層の厚さを測定する測定デバイスに適応する較正デバイスであって、平坦上面と平坦下面を有する較正面（１２）を備え、前記平坦上面と前記平坦下面は、予め決められた厚さによって、ある距離に設けられており、前記較正面（１２）は、少なくとも１つの縁エリア（１８）から切り離して配置され、前記較正面（１２）は、少なくとも１つの遷移エリア（１４）を介して前記少なくとも１つの縁エリア（１８）に接続されることを特徴とする較正デバイス。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年9月12日(2011.9.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７４】
したがって、それらは、伝送雑音の存在下において最小可能閾値である情報抽出閾値を有する。有意性３の多数の語は、大きな最小距離を有する「全体」訂正符号を得るのに使用されてもよい。したがって、誤り訂正符号が得られ、それは、シャノンの限界容量を達成してもよく、したがって、最小距離は、符号の長さに応じて線形に増加してもよい。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８５】
重要な組み立て要素は、高性能な置換、すなわち、大きな最小距離を有する符号を与える置換を達成することである。これらの置換は、小さな局所的符号の「パターン」（または、いくつかのビットからなる部分集合、それらは、符号語内におけるそれらの位置に対して不変である）の特別な特性を使用する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年8月9日(2011.8.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
（ａ）導体と；
（ｂ）前記導体を包囲する内部絶縁層と；
（ｃ）前記内部絶縁層を包囲する外部絶縁層と；
を含む絶縁導体を含み、
前記絶縁導体が２．６又はそれより小さい複合誘電定数および０．００５又はそれより小さい複合散逸率を有し、前記内部絶縁層または外部絶縁層が２．６を超える誘電定数または０．００５を超える散逸率を有する、難燃性ケーブル。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２】
（ａ）導体と；
（ｂ）前記導体を包囲する内部絶縁層と；
（ｃ）前記内部絶縁層を包囲する外部絶縁層と；
を含む絶縁導体を含み、
前記絶縁導体が２．６又はそれより小さい複合誘電定数および０．００５又はそれより小さい複合散逸率を有し、前記内部絶縁層を調製するための第１のポリマー組成物が第１の非ハロゲン化ポリマーを含み、ハロゲン化難燃性添加剤またはアンチモンオキシドを実質的に含まず、そして外部絶縁層を調製するための第２のポリマー組成物が第２の非ハロゲン化ポリマーを含み、ハロゲン化難燃性添加剤またはアンチモンオキシドを実質的に含まない、難燃性ケーブル。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項３】
前記第１のポリマー組成物がさらに、第１の非ハロゲン化ポリマー１００重量部当たり３０重量部以下の量で非ハロゲン化難燃性添加剤を含み、第２のポリマー組成物がさらに、第２の非ハロゲン化ポリマー１００重量部当たり１００〜３００重量部の量で非ハロゲン化難燃性添加剤を含む、請求項２に記載のケーブル。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
ＮＦＰＡ  ２６２試験は、配線管に収容されたケーブルなしで、ダクト、プレナム、および周囲空気を運搬するために使用される他のスペースに設置される電気および光ファイバーケーブルの火炎伝播距離および光学煙密度を決定する火災試験方法である。ケーブルはケーブルトレー内に配置され、２５フィート（７．６２ｍ）長のケーブルが幅１１．２５インチ（２８．５８ｃｍ）の全トレー幅を覆う。点火バーナーの炎（８８ｋＷ）が、気流速度２４０フィート（７３．１５ｍ）／分でケーブルトレーの一端に点けられる。試験時間は２０分である。ケーブルは、火炎伝播が５フィート（１．５２ｍ）又はそれ以下である場合、ピーク煙が０．５又はそれ以下である場合、そして平均煙が０．１５又はそれ以下である場合は、合格と見なされる。ケーブルが後者の基準を満たす場合、それは難燃性である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
本発明のこの態様において、外部絶縁層は優れた難燃性を有し、内部絶縁層は優れた電気特性を有することができる。どちらの絶縁層も所望のレベルを超えた煙を発生しないことが望ましい。外部絶縁層は好ましくは、樹脂１００重量部当たり難燃性添加剤１００〜３００部を有することが望ましい。外部絶縁層に難燃性添加剤を上述のように装填すると、内部絶縁層は好ましくは、樹脂１００重量部当たり難燃性添加剤３０部未満を有することが望ましい。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
０．０２１２インチ（０．５４ｍｍ）の直径を備えた２４ＡＷＧワイヤならびに３．３４の誘電定数および０．０００４の散逸率を備えた外部絶縁層を有する絶縁導体の、２．６の複合誘電定数および０．００５の複合散逸率を満足させるために、表１に各厚さにおける内部絶縁層の最大許容誘電特性を挙げる。絶縁層の全複合厚は８ミル（２０３μｍ）である。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
２５ｐｈｒ  エチレンジアミンホスフェートおよび０．３ｐｈｒ相乗添加剤を用いて調合したポリオレフィンポリマーまたはポリマーブレンドは、１ＭＨｚにて２．３０の誘電定数および
０．０００４の散逸率を有する。表１により、これらの組成物は、５ミル（１２７μｍ）までの厚さにて電気的要件を満たすために、内部絶縁層化合物として使用できる。かかる絶縁導体の４ツイストペアで作製され、市販のプレナム認定ジャケット材料によって被覆されたケーブルは、ＴＩＡ／ＥＩＡ  ５６８  Ａ試験の電気的要件ならびにＮＦＰＡ  ２６２試験の防煙防炎要件を満たすことができる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
これらの実施例において、０．０２１２インチ（０．５４ｍｍ）の直径を備えた２４ＡＷＧ導体は、２つの非ハロゲン化ポリオレフィンによって、８ミル（２０３μｍ）の全複合絶縁厚にて絶縁される。化合物Ａは、外部絶縁層の代表的な例である。化合物Ａの誘電定数（ＤＣ）および散逸率（ＤＦ）は、ＡＳＴＭ  Ｄ  １５３１によって測定されたように、それぞれ３．２１および０．０００４７である。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
２．５９の誘電定数および０．０００４２の散逸率を有する化合物Ｂは、化合物Ａが外部絶縁層として使用されたときに、その高い誘電特性のために内部絶縁層として使用できない。しかしながら２．３０の誘電定数および０．０００４の散逸率を有する化合物Ｃは、化合物Ａが外部絶縁層として使用されるときに、複合電気的要件を満たすために５ミル（１２７μｍ）まで使用できる。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
市販のプレナム認定ジャケット材料（plenum-rated jacket materials）によって被覆され、内部絶縁層としての化合物Ｃおよび外部絶縁層としての化合物Ａを用いた、かかる絶縁導体の４ツイストペア（4 twisted paris）は、ＴＩＡ／ＥＩＡ  ５６８  Ａ試験による電気的要件およびＮＦＰＡ  ２６２試験による防煙防炎を満たすことができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年10月12日(2011.10.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
図３および図１２に示すフィルム１０、１１０は、第１の上面４、１０４と、第２の下面３、１０３を有しており、フィルム厚さ１４、１１４は２５ミクロン〜１０００ミクロン、好ましくは５０ミクロン〜５００ミクロンである。フィルム１０、１１０は非平面で、フィルムは、実質的に連続したリッジの形態の山と谷のように、第１の上平面１２、１１２から第２の下平面１３、１１３まで変動する。これは、フィルム自身、またはフィルム表面の構造ではない連続フィルムバッキングが非平面で上平面から下平面まで変動することを意味する。フィルムバッキングは、中線１５，１１５周囲で変動し、非平面フィルムは、中線１５、１１５の片側の第１の半延在部６、１０６と、中線１５、１１５の反対側に第２の半延在部５、１０５とを有する。フィルムバッキングのリッジの山またはフィルムの上面の構造４５、１４５の上部は、上面１２、１１２まで少なくとも延在している。フィルムバッキングのリッジの山または個々の山４５、１４５は、好ましくは、中線１５、１１５と上面１２、１１２との間の点で、上面１２、１１２の下または上で終わらせることができる。フィルムバッキングの下面３、１０３の山１７、１１７はまた、下面１３、１１３に少なくとも延在している。しかしながら、フィルムバッキング面または個々の山はまた、好ましくは、中線１５、１１５と上面１３、１１３との間で、下面１３、１１３の下または上で終わらせることができる。山は、下面１３、１１３から上面１２、１１２まで交互であるが、多数の山が、中間の山を中線まで、中線より下、中線の同じ側に延在させることによって、非平面フィルム面の他半分まで延在することなく、上面か下面のいずれかに列で延在させることができる。通常、非平面フィルムは、直線１センチメートル（ｃｍ）当り少なくとも約２個の山（４５、１４５および／または１７、１１７）、好ましくは、直線１センチメートル当り少なくとも５から５０個までの山を有する。各山は、山の下側１８、１１８が、隣接する反対の山の下側１９、１１９を、少なくとも１０ミクロン、好ましくは少なくとも５０ミクロン超えて延在するような範囲までフィルムの中線を超えて延在することが好ましい。中線と上面１２、１１２または下面１３、１１３との間の距離６、１０６または５、１０５は、通常、約５０ミクロン〜１０００ミクロン、好ましくは約１００ミクロン〜５００ミクロンである。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
伸張によって、フィルムの切断部分３１、１３１および２３１の間にスペース４３、１４３および２４３が生じ、フィルムの未切断部分の配向により縦ストランド４１、１４１および２４１を作製する。横ストランド４４、１４４は、山４５、１４５で結合するレッグ部分をそれぞれが有する相互接続された切断部分により形成される。隣接する切断部分のレッグ部分は、ストランド（例えば、４１、１４１または２４１）または未切断のフィルム部分により接続される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
図８および図９は、図３と同様の前駆体フィルムから形成された変形のネットを示す。しかしながら、三次元フィルムの反対の側または面で交互のパターンで切断されたものであり、反対の切断部１６１と１６２が実質的に重なっている。各面の切断部１６１および１６２は、等間隔に配置され、一面での切断部が反対の面の２つの切断部間の中心となるように互いにオフセットしている。あるいは、一面の複数の切断部または単一の切断部が、反対の面の単一切断部と適合してウェブを完全に切る結果とならない限りは、切断部は比較的不規則でもよい。切断部は、少なくとも１００ミクロン、好ましくは２００ミクロンから５００ミクロン間隔が空いている。図８の実施形態において、ネット前駆体フィルムを縦に伸張すると、得られるネットは図９に示すようになる。切断部１６１および１６２の重なりにより、レッグの側面１７０および１７１が反対の切断部により画定されるレッグ１６９が得られる。これらのレッグ部分は、未切断部分１６３、１６４と組み合わせて一部縦ストランドを形成する。フィルムは反対の面で切断されているため、反対の面の隣接する切断部間の未切断部分１６３、１６４は厚さ方向Ｚにおける異なる位置である。このように、切断部分１６６および１６７により形成されたレッグ１６９は、Ｚ方向において、未切断部分１６３および１６４を接続する。隣接する未切断部分はまた、縦変動ストランド１６８を形成する切断部分により横またはＹ方向にも接続されている。本実施形態において、フィルムが縦配向されるとき、切断または未切断部分となる最も薄い部分で優先的な配向が生じる場合、配向は、未切断または切断部分のいずれかに生じ得る。あるいは、配向がほとんど、または全く生じないと、フィルムが長手伸張により開く。この場合、通常は切断部および未切断部が接触する点で、ある程度の応力伸張が生じる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年2月16日(2011.2.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０１】
ＩＣＯＳに対する抗体が、抗原ＯＶＡの存在下でも望ましくない共刺激性作用を伴うことなくＩＣＯＳ陽性細胞をｉｎ  ｖｉｖｏで枯渇させるかどうかを試験することが望ましい。ＤＯ１１．１０脾臓細胞をｉｎ  ｖｉｔｒｏで４８時間、ＯＶＡペプチドで刺激した。この培養物から、１０×１０６  ＯＶＡ特異的トランスジェニックＣＤ４＋Ｔ細胞（培養終了時、８０％がＩＣＯＳ陽性）を、ＢＡＬＢ／ｃレシピエントに静脈内注射によって移植した。移植前２日目に、フロイント完全アジュバント中の２００μｇＯＶＡで、レシピエントマウスを、背中の４つの異なる領域において皮下免疫し、免疫系に対してＯＶＡ抗原を提供した。次にマウスを表示のｍＡｂ（１回の注射あたり２００μｇを腹腔内（ｉ．ｐ．）投与）で０日（移植日）、１日、及び３日目に処理した。５日目に、流入領域鼠径部ＬＮを除去し、フローサイトメトリーでＫＪ１−２６＋トランスジェニックＴ細胞の存在について解析した。この実験は、ｍＡｂ  ＭＩＣ−９４４による処理は、名目抗原ＯＶＡの存在下で、ＰＢＳ単独処理した対照動物と比較してＯＶＡ特異的Ｔ細胞数をｉｎ  ｖｉｖｏで強力に減少させることを実証した（図３）。他のＩＣＯＳ特異的ｍＡｂの適用は、わずかに（１２Ａ７、ＭＩＣ−１１３）、又は顕著に（ＭＩＣ−６９７、ＭＩＣ−２８０）トランスジェニックＴ細胞数をｉｎ  ｖｉｖｏで増加させた。この実験は、ａ）ＩＣＯＳに対する特定のｍＡｂを用いたＩＣＯＳ陽性Ｔ細胞のｉｎ  ｖｉｖｏ枯渇は可能であること、ｂ）ＩＣＯＳに対する他のｍＡｂは、厄介な逆効果、即ち抗原が存在する場合、ＩＣＯＳシグナル伝達を刺激することによってＩＣＯＳ陽性細胞をｉｎ  ｖｉｖｏ増殖させる可能性があることを実証した。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年6月10日(2011.6.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の反応工程：
ａ）アミドカルボニル化反応、その際、アルデヒドをコバルトカルボニル触媒の存在下にアミドおよび一酸化炭素および水素と反応させてＮ−アシルアミノ酸が得られ、
ｂ）反応ａ）の終了後に、酸素を含有するガスを加熱した反応混合物に供給し、沈殿したＣｏ（Ｎ−アシル−アミノ酸）2を分離し、かつ
ｃ）残りの溶解したＮ−アシルアミノ酸を加水分解してその後のアミノ酸が得られる
を有するアミノ酸の製造方法であって、該方法を連続的に実施し、
さらに、触媒を再生する反応工程を有し、その際、前記のＣｏ（Ｎ−アシルアミノ酸）2を
ｄ）適切な溶剤中に懸濁させるか、または溶解し、
ｅ）合成ガス雰囲気下で加熱し、かつ
ｆ）再生されたＣｏカルボニル触媒をアミドカルボニル化反応に供給する、
アミノ酸の製造方法。
【請求項２】
Ｎ−アシルアミノ酸が、一般式：
Ｒ1−ＣＨ（ＮＨ−ＣＯ−Ｒ2）ＣＯＯＨ      （Ｉ）
［式中、
Ｒ1は、水素であるか、１〜１０個の炭素原子を有する線状、分枝鎖状もしくは環式のアルキル基であるか、
または１〜１０個の炭素原子を有し、置換基のアミド、アミノ、モノアルキルアミノ、ジアルキルアミノ、モノアルキルアミド、ジアルキルアミド、アルコキシ、アルキルチオ、ヒドロキシ、チオール、カルボン酸またはカルボン酸アルキルエステル基を有する線状もしくは分枝鎖状のアルキル基であるか、または１Ｈ−イミダゾール−、フェニル−もしくは３′−インドリル−、ｐ−ヒドロキシフェニルまたはｐ−アルコキシフェニル基であり、その際、前記のアルキル（アルコキシ）基は１〜３個の炭素原子を有し、
Ｒ2は、水素であるか、または１〜１０個の炭素原子を有する線状、分枝鎖状もしくは環式のアルキル基であるか、または
１〜１０個の炭素原子を有し、置換基のアミド、モノアルキルアミド、ジアルキルアミド、ヒドロキシ、アルコキシ、チオアルコキシ基を有する線状、分枝鎖状もしくは環式のアルキル基であるか、または
置換された、もしくは置換されていないアリール基またはベンジル基であり、その際、置換基はヒドロキシ、アルコキシ、フッ素、塩素、臭素またはトリアルキルアミノ基であってよく、その際、前記のアルキル基は１〜３個の炭素原子を有する］を有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
工程ａ）で使用されたアミドを再生する反応工程を有し、その際、
ａ）アミノ酸を分離した後で、加水分解により形成されたカルボン酸を抽出し、かつ水性アンモニアと接触させ、
ｂ）形成されたカルボン酸アンモニウムを分離し、
ｃ）該カルボン酸塩を脱水反応に供してカルボン酸アミドが得られ、かつ
ｄ）該アミドをアミドカルボニル化法に供給する、
請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
メチオニンが、アミドカルボニル化により、３−（メチルチオ）プロパナールから製造される、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
本発明による方法は、以下の工程を有する：
ａ）アルデヒドを助触媒、一酸化炭素および水素の存在下でカルボン酸によりアミドカルボニル化してＮ−アシルアミノ酸が得られ、
ｂ）反応ａ）が完了した後に、加熱される反応混合物に酸素を含有するガスを供給し、かつ使用した触媒を中間体のＣｏ（Ｎ−アシル−アミノ酸）2へと変換し、これを溶液から沈殿し、有利には前記中間体から合成ガスを用いた変換により触媒を再生して前記のコバルトカルボニル触媒が得られ、
ｃ）工程ａ）から得られるＮ−アシルアミノ酸を加水分解して引き続きアミノ酸が得られ、かつ
ｄ）有利な場合には、工程ｃ）から得られるカルボン酸を有利にはアンモニアを用いて変換して、工程ａ）で使用されたカルボン酸アミドを再生し、他方、工程ａ）で使用された触媒を反応溶液から回収し、かつ工程ｂ）で示されているように再生し、かつ別のアミドカルボニル化反応のために、工程ａ）の反応媒体に導入する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年6月10日(2011.6.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の反応工程：
ａ）アミドカルボニル化反応、その際、アルデヒドを有機溶剤中で遷移金属カルボニル触媒の存在下にアミドおよび一酸化炭素および水素と反応させてＮ−アシルアミノ酸が得られる工程、
ｂ）得られた反応混合物を１０℃〜４０℃に冷却する工程、
ｃ）沈殿したＮ−アシルアミノ酸を濾過により反応混合物から除去する工程、
ｄ）回収されたＮ−アシルアミノ酸を水性媒体中で加水分解して相応するアミノ酸が得られる工程、および
ｅ）Ｎ−アシルアミノ酸を分離した後に触媒および溶剤を含有する工程ａ）の反応混合物を、場合により失われた溶剤および消費された触媒を補充した後に、工程ａ）のアミドカルボニル化に供給して、再使用する工程
を有する連続したアミノ酸の製造方法。
【請求項２】
Ｎ−アシルアミノ酸が一般式：
Ｒ1−ＣＨ（ＮＨ−ＣＯ−Ｒ2）ＣＯＯＨ          （Ｉ）
［式中、
Ｒ1は、水素であるか、１〜１０個の炭素原子を有する線状、分枝鎖状もしくは環式のアルキル基であるか、または
１〜１０個の炭素原子を有し、置換基のアミド、アミノ、モノアルキルアミノ、ジアルキルアミノ、モノアルキルアミド、ジアルキルアミド、アルコキシ、アルキルチオ、ヒドロキシ、チオール、カルボン酸またはカルボン酸アルキルエステル基を有する線状もしくは分枝鎖状のアルキル基であるか、または１Ｈ−イミダゾール−、フェニル−もしくは３′−インドリル−、ｐ−ヒドロキシフェニルまたはｐ−アルコキシフェニル基であり、その際、前記のアルキル（アルコキシ）基は１〜３個の炭素原子を有し、
Ｒ2は、水素であるか、または１〜１０個の炭素原子を有する線状、分枝鎖状もしくは環式のアルキル基であるか、または
１〜１０個の炭素原子を有し、置換基のアミド、モノアルキルアミド、ジアルキルアミド、ヒドロキシ、アルコキシ、チオアルコキシ基を有する線状、分枝鎖状もしくは環式のアルキル基であるか、または
置換された、もしくは置換されていないアリール基またはベンジル基であり、その際、置換基はヒドロキシ、アルコキシ、フッ素、塩素、臭素またはトリアルキルアミノ基であってよく、その際、前記のアルキル基は１〜３個の炭素原子を有する］を有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
工程ａ）で使用されたアミドを再生する反応工程を有し、その際、
ａ）アミノ酸を分離した後で、加水分解により形成されたカルボン酸を抽出し、かつ水性アンモニアと接触させ、
ｂ）形成されたカルボン酸アンモニウムを分離し、かつ
ｃ）該カルボン酸塩を脱水反応に供してカルボン酸アミドが得られ、かつ
ｄ）該カルボン酸アミドをアミドカルボニル化法に供給する、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
メチオニンが、アミドカルボニル化により、３−（メチルチオ）プロパナールから製造される、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
単一の方法を循環方式の形で接続し、かつ連続的な方法で実施する、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
本発明による方法は、以下の工程を有する：
ａ）アルデヒドを遷移金属触媒、一酸化炭素および水素の存在下でカルボン酸アミドによりアミドカルボニル化してＮ−アシルアミノ酸が得られ、
ｂ）形成されたＮ−アシルアミノ酸を反応混合物から回収し、かつ
ｃ）Ｎ−アシルアミノ酸を水性媒体中で加水分解して相応するアミノ酸が得られ、かつ
ｄ）前記Ｎ−アシルアミノ酸を分離した後に、場合により失われた量の溶剤および消費された触媒を補充した後に、触媒および溶剤を工程ａ）のアミドカルボニル化に供給して、工程ａ）の残りの反応混合物を再使用し、かつ
ｅ）有利な場合では、加水分解から得られるカルボン酸をアンモニアと反応させ、工程ａ）で使用されるカルボン酸アミドを再生する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年7月22日(2011.7.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＮＡＤＰ依存型アルコール脱水素酵素をコードし、かつ、下記（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）の配列から選ばれるＤＮＡ配列を有するＤＮＡ分子。
（ａ）
【化１】
2008501351.tif 000001
又はその相補鎖
（ｂ）ストリンジェントな条件下で前記配列（ａ）をハイブリダイズするＤＮＡ配列
（ｃ）遺伝子コードにより、（ａ）又は（ｂ）に特定されるＤＮＡ配列の縮重配列であり、かつ前記アルコール脱水素酵素をコードするＤＮＡ配列
【請求項２】
請求項１に記載のＤＮＡ配列の少なくとも１つのコピーを含有することを特徴とするベクター。
【請求項３】
下記宿主細胞が前記アルコール脱水素酵素を発現できるように、請求項１に記載のＤＮＡ配列で形質転換又トランスフェクションした原核宿主細胞又は真核宿主細胞。
【請求項４】
大腸菌（Escherichia coli）、サッカロミセス・セレビシエ（Saccharomyces cerevisiae）、ピキア・パストリス（Pichia pastoris）、及び枯草菌（Bacillus subtilis）からなる群より選ばれることを特徴とする請求項３に記載の原核宿主細胞又は真核宿主細胞。
【請求項５】
請求項１に記載のＤＮＡ配列のうちの１つによってコードされ、かつ、融合タンパク質の一部を形成するアルコール脱水素酵素。
【請求項６】
以下のアミノ酸配列、
【化２】
2008501351.tif 000002
を有することを特徴とする請求項５に記載のアルコール脱水素酵素。
【請求項７】
前記アルコール脱水素酵素を発現できるように、請求項１に記載のＤＮＡ配列で形質転換又はトランスフェクションした原核宿主細胞又は真核宿主細胞を、亜鉛イオンを０．１〜５ｍＭの濃度で含有する培地中で培養し、前記アルコール脱水素酵素を、前記ＤＮＡ配列の発現産物として単離することを特徴とする請求項５に記載のアルコール脱水素酵素の製造方法。
【請求項８】
前記アルコール脱水素酵素を単離するために、前記宿主細胞を、第１族元素及び第２族元素のイオン、アンモニウムイオン、および鉄イオンからなる群より選ばれるイオンを少なくとも０．２Ｍの濃度で含有する培地中で、ホモジナイズ及び／又は熱変性することを特徴とする請求項７に記載のアルコール脱水素酵素の製造方法。
【請求項９】
第１族元素及び第２族元素のイオン、アンモニウムイオン、および鉄イオンからなる群より選ばれるイオンを少なくとも０．２Ｍの濃度で含有する培地中で、請求項５又は６に記載のアルコール脱水素酵素を用いてケト化合物を酵素還元して立体選択的にヒドロキシ化合物を生成させる方法。
【請求項１０】
第１族元素及び第２族元素のイオン、アンモニウムイオン、並びに鉄イオンからなる群より選ばれるイオンを少なくとも０．２Ｍの濃度で含有する培地中で、請求項５又は６に記載のアルコール脱水素酵素によってケト化合物を酵素還元することを特徴とする第２級アルコールの立体選択的製造方法。
【請求項１１】
前記ケト化合物が、脂肪族ケトン、芳香族ケトン類、２−ケトエステル類、３−ケトエステル類、およびジケトン類からなる群より選ばれることを特徴とする請求項１０に記載の第２級アルコールの立体選択的製造方法。
【請求項１２】
前記ケト化合物が、２−ブタノン、２−ヘキサノン、２−オクタノン、モノクロロアセトン、アセトアルデヒド、２−メチルブチルアルデヒド、ジアセチル、２，４−ペンタンジオン、２，５−ヘキサンジオン、アセト酢酸エチル、４−クロロアセト酢酸エチル、アセトフェノン、ｐ−クロロアセトフェノン、２−アセチルピリジン、３−ブチン−２−オン、１，２−シクロヘキサンジオン、ピルビン酸塩、２−オキソ酪酸、４−クロロ−２−ブタノン、４−ヒドロキシ−２−ブタノン、３−オクタノン及び塩化フェナシルからなる群より選ばれることを特徴とする請求項１０に記載の第２級アルコールの立体選択的製造方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年9月14日(2011.9.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
別のミラー面１１ａ、１１ｂ、１１ｃは、ヘッドライトのロービーム切替、ハイビーム切替またはハイウエイビーム切替に適する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月23日(2011.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマリアクタチャンバから真空ポンプへのガス伝導度又はチャンバ圧力のうちの１つを制御するための弁アセンブリにおいて、
第１及び第２の対向表面を有する弁ハウジングと、
大面積開口及び大面積回転フラップを備える高伝導度弁であって、前記大面積開口は、前記第１及び第２の対向表面において前記弁ハウジングを通して延長していて、前記第１及び第２の表面の間に延長する弧状断面を有する側壁部を画成し、前記大面積回転フラップは、前記大面積開口において前記側壁部の弧状断面と概ね整合する弧状断面を有する滑らかな連続する周辺縁部を有し且つ閉フラップ位置において前記周辺縁部と前記側壁部との間に小さなギャップを画成する、前記高伝導度弁と、
小面積開口及び小面積回転フラップを備える微細制御弁であって、前記小面積開口は、前記第１及び第２の対向表面において前記弁ハウジングを通して延長していて、前記第１及び第２の表面の間に延長する滑らかな連続する弧状断面を有する側壁部を画成、前記小面積回転フラップは、前記小面積開口において前記側壁部の弧状断面と概ね整合する弧状断面を有する周辺縁部を有し且つ閉フラップ位置において前記周辺縁部と前記側壁部との間に小さなギャップを画成する、前記微細制御弁と、
前記大面積開口の前記側壁部における、前記弁ハウジングの一方の面から延長し且つ前記一方の面で最大であり次第に減じて前記一方の面より下の所定の距離のところで最小の深さとなる半径方向の深さを有する断面が欠けた円形である丸い孔を備えた第一の複数の軸方向スロットであって、前記大面積開口の前記側壁が前記軸方向のスロットの間に滑らかな連続する表面を有する、前記軸方向スロットと、
を備える弁アセンブリ。
【請求項２】
前記高伝導度弁と前記微細制御弁とに結合されたコントローラであって、前記高伝導度弁で大きな流れの変化をもたらすように及び前記微細制御弁で流量の微調整を行うようにプログラムされている前記コントローラを更に備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記小さなギャップの各々は、所定の最小ガス流量にて所望の圧力範囲内で前記弁アセンブリを通してのガス伝導度を制限するに十分なほど小さく、前記圧力範囲は約２００ミリトールまでに亘り、且つ前記最小ガス流量は約１０ｓｃｃｍである、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記小さなギャップの各々は、約１０００分の２０インチの程度である、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記ギャップの各々は、２００ミリトールの圧力までガスの平均衝突パス長より小さい、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記大面積開口の前記側壁部に、前記弁ハウジングの反対側の面から延長し且つ前記反対側の面で最大であり次第に減じて前記反対側の面より下の所定の距離のところで最小の深さとなる深さを有する断面が欠けた円形である丸い孔を備えた第二の複数のスロットを更に備える、請求項１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月23日(2011.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高純度中密度ポリエチレンで形成された内部プライと、連続的に、該内部プライに隣接し、粘着防止剤を含む線状低密度ポリエチレンおよび中密度ポリエチレンの第１層、該第１層に隣接する無水物改質ポリエチレンの第１結束層、該無水物改質ポリエチレン結束層に隣接する第１ポリアミド層、該第１ポリアミド層に隣接するＥＶＯＨ層、該第１ポリアミド層に隣接する側とは反対の側で該ＥＶＯＨ層に隣接するポリアミドの第２層、該第２ポリアミド層に隣接する無水物改質ポリエチレンの第２結束層、および粘着防止剤を含む線状低密度ポリエチレンおよび高密度ポリエチレンの層を備える、７つのフィルム層を含む外部プライとを備える、多層積層。
【請求項２】
該積層の該外部フライの厚さが２から４ミル（０．０５０８から０．１０１６ｍｍ）であり、該積層の該内部プライを含む積層の全厚が５から６ミル（０．１２７から０．１５２４ｍｍ）である、請求項１に記載の多層積層。
【請求項３】
最内層から最外層まで順番に、（ｉ）ポリテトラフルオロエチレンの層、（ｉｉ）第１結束層、（ｉｉｉ）フルオロポリマ層、（ｉｖ）第２結束層、（ｖ）バリア層、（ｖｉ）第３結束層、および（ｖｉｉ）磨耗フィルム層を備える、多層積層。
【請求項４】
該フルオロポリマ層がポリテトラフルオロエチレンを含む、請求項３に記載の多層積層。
【請求項５】
該バリア層が金属、セラミックおよびポリマで構成されたグループから選択された材料を含む、請求項３に記載の多層積層。
【請求項６】
該バリア層がアルミを含む、請求項３に記載の多層積層。
【請求項７】
該バリア層がガラスを含む、請求項３に記載の多層積層。
【請求項８】
該バリア層がエチレンビニルアルコール、ポリエチレン、ナイロンおよびポリ塩化ビニリデンで構成されたグループから選択された材料を含む、請求項３に記載の多層積層。
【請求項９】
該磨耗フィルム層がフルオロポリマ、ポリエチレン、ポリプロピレン、およびポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）で構成されたグループから選択された材料を含む、請求項３に記載の多層積層。
【請求項１０】
該ポリテトラフルオロエチレンの層が０．２５から５ミル（０．００６３５から０．１２７ｍｍ）の範囲の厚さを有し、該第１結束層が０．１から０．４ミル（０．００２５４から０．０１０１６ｍｍ）の範囲の厚さを有し、該フルオロポリマ層が０．２５から５ミル（０．００６３５から０．１２７ｍｍ）の範囲の厚さを有し、該第２結束層が０．１から０．４ミル（０．００２５４から０．０１０１６ｍｍ）の範囲の厚さを有し、該バリア層が０．２５から５ミル（０．００６３５から０．１２７ｍｍ）の範囲の厚さを有し、該第３結束層が０．１から０．４ミルの範囲の厚さを有し、該磨耗フィルム層が０．２５から５ミル（０．００６３５から０．１２７ｍｍ）の範囲の厚さを有する、請求項３に記載の多層積層。
【請求項１１】
該結束層がそれぞれフルオロカーボン、ポリエチレン、アクリル、シアノアクリレート、ポリアミン、エポキシ、ポリウレタン、およびシリコンで構成されたグループから別個に選択された材料を含む、請求項３に記載の多層積層。
【請求項１２】
該フルオロポリマ層がポリテトラフルオロエチレンを含み、該第１結束層が、フルオロカーボン、ポリエチレン、アクリル、シアノアクリレート、ポリアミン、エポキシ、ポリウレタン、およびシリコンで構成されたグループから選択された材料を含む、請求項３に記載の多層積層。
【請求項１３】
該第２結束層が、フルオロカーボン、ポリエチレン、アクリル、シアノアクリレート、ポリアミン、エポキシ、ポリウレタン、およびシリコンで構成されたグループから選択された材料を含む、請求項１２に記載の多層積層。
【請求項１４】
該バリア層がアルミ、セラミック、ＥＶＯＨ、ポリアミド、ポリ塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、および液晶ポリマ（ＬＣＰ）で構成されたグループから選択された材料を含む、請求項１３に記載の多層積層。
【請求項１５】
該第３結束層が、フルオロカーボン、ポリエチレン、アクリル、シアノアクリレート、ポリアミン、エポキシ、ポリウレタン、およびシリコンで構成されたグループから選択された材料を含む、請求項１４に記載の多層積層。
【請求項１６】
該磨耗フィルム層がフルオロポリマ、ポリエチレン、ポリプロピレン、およびポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）で構成されたグループから選択された材料を含む、請求項１５に記載の多層積層。
【請求項１７】
請求項１〜１６のうちのいずれかに記載の多層積層を備えるライナ。
【請求項１８】
請求項１７に記載のライナを備える材料収容パッケージ。
【請求項１９】
請求項１〜１６のうちのいずれかに記載の多層積層からライナを形成することを含む、材料の容器を製作する方法。
【請求項２０】
請求項１〜１６のうちのいずれかに記載の多層積層を使用して、収容容積内に該材料を収容することを含む、材料パッケージング方法。
【請求項２１】
最内層から最外層まで順番に、（ｉ）ポリテトラフルオロエチレンの層、（ｉｉ）第１結束層、（ｉｉｉ）フルオロポリマ層、（ｉｖ）第２結束層、（ｖ）バリア層、（ｖｉ）第３結束層、および（ｖｉｉ）磨耗フィルム層を含む多層積層を使用して、収容容積内に該材料を収容することを含み、該ポリテトラフルオロエチレン層が前記材料と接触状態で配置される、材料パッケージング方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年3月29日(2011.3.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
−基質の少なくとも１つの表面上に沈着させられる物質（化合物）を含有する霧状化される液体および操作中に液体上で発生する噴霧体を受容するための容器（液体容器）、
−霧状化工程を誘発するための作動器、並びに
−コーティング工程中に基質を受容しそして貯蔵するための支持体
を含んでなる、親和性検定方法により１つもしくはそれ以上の分析試料を検出するための基質をコーティングする装置であって、基質が霧状化される液体の表面と接触しないことを特徴とする装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年7月19日(2011.7.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長手方向に延在する電力線を収納する電力線用保護被覆体であって、前記電力線用保護被覆体は、
前記長手方向に延在する内側の面を有するフレキシブルパネルであって、前記内側の面の前記長手方向と垂直な方向の両側端に、互いに平行に延在すると共に相対する２つの側縁部を有し、前記２つの側縁部は、互いに接合されて前記内側の面で内部の空間を囲って前記長手方向に延在する第１チャンバを形成する、フレキシブルパネルと、
前記フレキシブルパネルの前記内側の面の上から分岐して延在すると共に、前記長手方向に延在する第１壁であって、前記内側の面と接続された側縁部と、前記側縁部と反対側に自由端である自由側縁部とを有する、第１壁と、
前記フレキシブルパネルの前記内側の面の上から分岐して延在すると共に、前記長手方向に延在する第２壁であって、前記内側の面と接続された側縁部と、前記側縁部と反対側に自由端である自由側縁部とを有する、第２壁と、
からなる電力線用放電保護被覆体であって、
前記第１壁は、前記長手方向に延在している前記第１チャンバと同一の前記長手方向に延在しており、前記フレキシブルパネルの前記２つの側縁部が互いに接合された状態では、前記第１壁は、前記第１チャンバ内で前記長手方向に延在している第２チャンバを形成するように構成されており、前記長手方向に延在している前記第２チャンバは、前記長手方向に延在する前記電力線を収納するように構成されており、前記長手方向に延在している前記第２チャンバは、前記長手方向に延在している前記第１チャンバと同一の前記長手方向に延在し、
前記第２壁は、前記長手方向に延在している前記第１チャンバと同一の前記長手方向に延在すると共に、
前記フレキシブルパネルの前記２つの側縁部が互いに接合された状態では、前記第２壁は前記第１壁の前記側縁部に隣接するものであって、これにより前記第１壁の前記自由側縁部と前記フレキシブルパネルの前記内側の面との間から前記第１チャンバ内に前記電力線からの電気的アークの発生を抑制する、電力線用放電保護被覆体。
【請求項２】
前記第１壁がアーチ形状である、請求項１に記載の放電保護被覆体。
【請求項３】
前記フレキシブルパネルの前記２つの側縁部が互いに接合された状態では、前記第１壁の前記自由側縁部は、前記フレキシブルパネルの内側の面に隣接する、請求項１に記載の放電保護被覆体。
【請求項４】
長手方向に延在する電力線を収納する電力線用保護被覆体であって、前記電力線用保護被覆体は、
前記長手方向に延在する内側の面を有するフレキシブルパネルであって、前記内側の面の前記長手方向と垂直な方向の両側端に、互いに平行に延在すると共に相対する２つの側縁部を有し、前記２つの側縁部は、互いに接合されて前記内側の面で内部の空間を囲って前記長手方向に延在する第１チャンバを形成する、フレキシブルパネルと、
前記フレキシブルパネルの前記内側の面の上から分岐して延在すると共に、前記長手方向に延在する第１壁であって、前記内側の面と接続された側縁部と、前記側縁部と反対側に自由端である自由側縁部とを有する、第１壁と、
からなる電力線用放電保護被覆体であって、
前記第１壁は、前記長手方向に延在している前記第１チャンバと同一の前記長手方向に延在しており、前記フレキシブルパネルの前記２つの側縁部が互いに接合された状態では、前記第１壁は、前記第１チャンバ内で前記長手方向に延在している第２チャンバを形成するように構成されており、前記長手方向に延在している前記第２チャンバは、前記長手方向に延在する前記電力線を収納するように構成されており、前記長手方向に延在している前記第２チャンバは、前記長手方向に延在している前記第１チャンバと同一の前記長手方向に延在すると共に、
敷設前にスプールのまわりへ前記被覆体を巻くのを容易にするために前記第１壁に形成された複数の溝をさらに設けている、放電保護被覆体。
【請求項５】
前記溝を覆う絶縁物質の層をさらに設けている、請求項４に記載の放電保護被覆体。
【請求項６】
前記フレキシブルパネルの前記２つの側縁部が互いに接合する場合に、前記第１壁の前記自由側縁部は、前記フレキシブルパネルの前記内側の面に隣接する、請求項１に記載の放電保護被覆体。
【請求項７】
長手方向に延在する電力線を収納する電力線用保護被覆体であって、前記電力線用保護被覆体は、
前記長手方向に延在する内側の面を有するフレキシブルパネルであって、前記内側の面の前記長手方向と垂直な方向の両側端に、互いに平行に延在すると共に相対する２つの側縁部を有し、前記２つの側縁部は、互いに接合されて前記内側の面で内部の空間を囲って前記長手方向に延在する第１チャンバを形成する、フレキシブルパネルと、
前記フレキシブルパネルの前記内側の面の上から分岐して延在すると共に、前記長手方向に延在する第１壁であって、前記内側の面と接続された側縁部と、前記側縁部と反対側に自由端である自由側縁部とを有する、第１壁と、
からなる電力線用放電保護被覆体であって、
前記第１壁は、前記長手方向に延在している前記第１チャンバと同一の前記長手方向に延在しており、前記フレキシブルパネルの前記２つの側縁部が互いに接合された状態では、前記第１壁は、前記第１チャンバ内で前記長手方向に延在している第２チャンバを形成するように構成されており、前記長手方向に延在している前記第２チャンバは、前記長手方向に延在する前記電力線を収納するように構成されており、前記長手方向に延在している前記第２チャンバは、前記長手方向に延在している前記第１チャンバと同一の前記長手方向に延在し、
前記フレキシブルパネルの前記内側の面の上から分岐して延在すると共に、前記長手方向に延在する第２壁であって、前記内側の面と接続された側縁部と、前記側縁部と反対側に自由端である自由側縁部とを有する、第２壁をさらに含み、
前記第２壁は、前記長手方向に延在している前記第１チャンバと同一の前記長手方向に延在すると共に、
敷設前にスプールのまわりへ前記被覆体を巻くのを容易にするために前記第１及び第２壁に形成された複数の溝をさらに設けている、放電保護被覆体。
【請求項８】
前記溝を覆う絶縁物質の層をさらに設けている、請求項７に記載の放電保護被覆体。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
フレキシブルパネルと第１及び第２壁１８、２４とは、好ましくは、中又は高密度ポリエチレン（これに限定されない）を含む高い絶縁耐力の高分子物質から形成されることが望ましい。加えて、フレキシブルパネル１２と第１及び第２壁１８、２４を形成する物質は、良好な紫外線（ＵＶ）耐性を有し、トラッキングや腐食、剥離に対して良好な抵抗性を有することが望ましい。当業者に周知のように、「トラッキング」は永久的な損傷であって、物質の絶縁特性を劣化させることになる炭化導電パスを絶縁物質に残す。また、フレキシブルパネル１２と第１及び第２壁１８、２４とを形成する物質は、９０℃の環境下で最短でも２０年の寿命を持つことが望ましい。