【事件の表示】
　特願２００２−５４５２９９「材料の液体堆積のセルフアライメントを支援する電極構造」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　５月３０日国際公開、ＷＯ０２／４２８３３、平成１６年　７月２９日国内公表、特表２００４−５２２９８７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
国際特許出願　　：平成１３年１１月２１日
（優先日　平成１２年１１月２１日）
拒絶理由　　　　：平成１９年１１月２９日（起案日）
意見及び手続補正：平成２０年　６月　４日
拒絶査定　　　　：平成２１年　４月３０日（起案日）
審判請求　　　　：平成２１年　９月　８日
　
第２　本願発明
　本願の請求項７に係る発明（以下「本願発明」という。）は，下記のとおりのものである。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　正確なアイランド・パターンで流体の堆積を推進する多層電極構造であって，
　表面上に形成される第１の電極層と，
　前記第１の電極層の上に形成される前記正確なアイランド・パターンで，且つ前記第１の電極層と電気接触する，前記流体の少なくとも１つのアイランドと，
　前記第１の電極層と接触して形成され，実質的に前記正確なアイランド・パターンの少なくとも１つのアイランドを囲んでいる第２の層であって，前記第２の層が複数のサブレイヤを含むものであり，該サブレイヤの少なくとも１つが，ある第２のサブレイヤにより前記第１の電極層とは分離された絶縁体である，第２の層と
　を備える多層電極構造。
　
第３　引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開第９８／０１２６８９号（以下「引用例」という。）には，各図とともに以下の事項が記載されている。
記載事項ア　
「技術分野
　本発明は，マトリクス型表示素子及びその製造方法に関し，特に，表示基板上の所定位置に選択的に蛍光材料（発光材料）や光変調材料等の光学材料を配置した構成を有し，光学材料は少なくとも塗布される際には液状であるマトリクス型表示素子及びその製造方法において，光学材料を所定位置に正確に配置できるようにしたものである。」（ページ番号１の６ないし１１行）
記載事項イ　
「（１）第１の実施の形態
　第１図乃至第５図は，本発明の第１の実施の形態を示す図であって，この実施の形態は，本発明に係るマトリクス型表示素子及びその製造方法を，ＥＬ表示素子を用いたアクティブマトリクス型の表示装置に適用したものである。より具体的には，配線としての走査線，信号線及び共通給電線を利用して，光学材料としての発光材料の塗布を行う例を示している。
　第１図は，本実施の形態における表示装置１の一部を示す回路図であって，この表示装置１は，透明の表示基板上に，複数の走査線１３１と，これら走査線１３１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３２と，これら信号線１３２に並列に延びる複数の共通給電線１３３と，がそれぞれ配線された構成を有するとともに，走査線１３１及び信号線１３２の各交点毎に，画素領域素１Ａが設けられている。
　信号線１３２に対しては，シフトレジスタ，レベルシフタ，ビデオライン，アナログスイッチを備えるデータ側駆動回路３が設けられている。また，走査線１３１に対しては，シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査側駆動回路４が設けられている。さらに，また，画素領域１Ａの各々には，走査線１３１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング薄膜トランジスタ１４２と，このスイッチング薄膜トランジスタ１４２を介して信号線線１３２から供給される画像信号を保持する保持容量ｃａｐと，該保持容量ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給されるカレント薄膜トランジスタ１４３と，このカレント薄膜トランジスタ１４３を介して共通給電線１３３に電気的に接続したときに共通給電線１３３から駆動電流が流れ込む画素電極１４１と，この画素電極１４１と反射電極１５４との間に挟み込まれる発光素子１４０と，が設けられている。
　かかる構成であれば，走査線１３１が駆動されてスイッチング薄膜トランジスタ１４２がオンとなると，その時の信号線１３２の電位が保持容量ｃａｐに保持され，該保持容量ｃａｐの状態に応じて，カレント薄膜トランジスタ１４３のオン・オフ状態が決まる。そして，カレント薄膜トランジスタ１４３のチャネルを介して，共通給電線１３３から画素電極１４１に電流が流れ，さらに発光素子１４０を通じて反射電極１５４に電流が流れるから，発光素子１４０は，これを流れる電流量に応じて発光する。
　ここで，各画素領域１Ａの平面構造は，反射電極や発光素子を取り除いた状態での拡大平面図である第２図に示すように，平面形状が長方形の画素電極１４１の四辺が，信号線１３２，共通給電線１３３，走査線１３１及び図示しない他の画素電極用の走査線によって囲まれた配置となっている。」（ページ番号２５の１２行ないしページ番号２６の２４行）
記載事項ウ　
「次いで，第３図（ｅ）に示すように，層間絶縁膜２３０上に，信号線１３２，共通給電線１３３及び走査線（第３図には図示せず。）を形成する。このとき，信号線１３２，共通給電線１３３及び走査線の各配線は，配線として必要な厚さに捕らわれることなく，十分に厚く形成する。具体的には，各配線を１〜２μｍ程度の厚さに形成する。ここで中継電極２３８と各配線とは，同一工程で形成されていてもよい。この時，中継電極２３６は，後述するＩＴＯ膜により形成されることになる。
　そして，各配線の上面をも覆うように層間絶縁膜２４０を形成し，中継電極２３６に対応する位置にコンタクトホール２４２を形成し，そのコンタクトホール２４２内にも埋め込まれるようにＩＴＯ膜を形成し，そのＩＴＯ膜をパターニングして，信号線１３２，共通給電線１３３及び走査線に囲まれた所定位置に，ソース・ドレイン領域１４３ａに電気的に接続する画素電極１４１を形成する。
　ここで，第３図（ｅ）では，信号線１３２及び共通給電線１３３に挟まれた部分が，光学材料が選択的に配置される所定位置に相当するものである。そして，その所定位置とその周囲との間には，信号線１３２や共通給電線１３３によって段差１１１が形成されている。具体的には，所定位置の方がその周囲よりも低くなっている凹型の段差１１１が形成されている。
　次いで，第４図（ａ）に示すように，表示基板１２１の上面を上に向けた状態で，インクジェットヘッド方式により，発光素子１４０の下層部分に当たる正孔注入層を形成するための液状（溶媒に溶かされた溶液状）の光学材料（前駆体）１１４Ａを吐出し，これを段差１１１で囲まれた領域内（所定位置）に選択的に塗布する。なお，インクジェット方式の具体的な内容は，本発明の要旨ではないため，省略する（かかる方式については，例えば，特開昭５６−１３１８４号公報や特開平２−１６７７５１号公報を参照）。
　正孔注入層を形成するための材料としては，ポリマー前駆体がポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン，１，１−ビス−（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン，トリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム等が挙げられる。
　このとき，液状の前駆体１１４Ａは，流動性が高いため，水平方向に広がろうとするが，塗布された位置を取り囲むように段差１１１が形成されているため，その液状の前駆体１１４Ａの１回当たりの塗布量を極端に大量にしなければ，液状の前駆体１１４Ａが段差１１１を越えて所定位置の外側に広がることは防止される。」（ページ番号２８の１３行ないしページ番号２９の２２行）
記載事項エ　
「このように，本実施の形態にあっては，発光素子１４０が配置される処置位置を四方から取り囲むように信号線１３２，共通配線１３３等の配線を形成するとともに，それら配線を通常よりも厚く形成して段差１１１を形成し，そして，液状の前駆体１１４Ａや液状の有機蛍光材料１１４Ｂを選択的に塗布するようにしているため，発光素子１４０のパターニング精度が高いという利点がある。
　そして，段差１１１を形成すると，反射電極１５４は比較的凹凸の大きな面に形成されることになるが，その反射電極１５４の厚さをある程度厚くしておけば，断線等の不具合が発生する可能性は極めて小さくなる。
　しかも，信号線１３２や共通配線１３３等の配線を利用して段差１１１を形成するため，特に新たな工程が増加する訳ではないから，製造工程の大幅な複雑化等を招くこともない。」（ページ番号３１の１６行ないしページ番号３２の２行）
記載事項オ　
「（２）第２の実施の形態
　第７図は本発明の第２の実施の形態を示す図であって，この実施の形態は，本発明に係るマトリクス型表示素子及びその製造方法を，ＥＬ表示素子を用いたパッシブマトリクス型の表示装置に適用したものである。なお，第７図（ａ）は，複数の第１のバス配線３００と，これに直交する方向に配設された複数の第２のバス配線３１０と，の配置関係を示す平面図であり，第７図（ｂ）は，同（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。なお，上記第１の実施の形態と同様の構成には，同じ符号を付し，その重複する説明は省略する。また，細かな製造工程等も上記第１の実施の形態と同様であるため，その図示及び説明は省略する。
　即ち，本実施の形態にあっては，発光素子１４０が配置される所定位置を取り囲むように，例えばＳｉＯ2 等の絶縁膜３２０が配設されていて，これにより，所定位置とその周囲との間に，段差１１１が形成されている。
　このような構成であっても，上記第１の実施の形態と同様に，液状の前駆体１１４Ａや液状の有機蛍光材料１１４Ｂを選択的に塗布する際に，それらが周囲に流れ出ることが防止でき，高精度のパターニングが行える等の利点がある。」（ページ番号３４の８ないし２５行）
記載事項カ　
「（５）第５の実施の形態
　第１０図は本発明の第６の実施の形態（当審注：「第５の実施の形態」の誤記である。）を示す図であって，この実施の形態も，上記第１の実施の形態と同様に，本発明に係るマトリクス型表示素子及びその製造方法を，ＥＬ表示素子を用いたアクティブマトリクス型の表示装置に適用したものである。なお，上記実施の形態と同様の構成には，同じ符号を付しておく。また，第１０図は製造工程の途中を示す断面図であり，その前後は上記第１の実施の形態と略同様であるためその図示及び説明は省略する。
　即ち，本実施の形態では，層間絶縁膜２４０を利用して凹型の段差１１１を形成していて，これにより，上記第１の実施の形態と同様の作用効果を得るようにしている。
　また，層間絶縁膜２４０を利用して段差１１１を形成するため，特に新たな工程が増加する訳ではないから，製造工程の大幅な複雑化等を招くこともない。」（ページ番号３７の９ないし２２行）
記載事項キ　
「（６）第６の実施の形態
　第１１図は本発明の第６の実施の形態を示す図であって，この実施の形態も，上記第１の実施の形態と同様に，本発明に係るマトリクス型表示素子及びその製造方法を，ＥＬ表示素子を用いたアクティブマトリクス型の表示装置に適用したものである。なお，上記実施の形態と同様の構成には，同じ符号を付しておく。また，第１１図は製造工程の途中を示す断面図であり，その前後は上記第１の実施の形態と略同様であるためその図示及び説明は省略する。
　即ち，本実施の形態では，段差を利用してパターニング精度を向上させるのではなく，液状の光学材料が塗布される所定位置の親水性を，その周囲の親水性よりも相対的に強くすることにより，塗布された液状の光学材料が周囲に広がらないようにしたものである。
　具体的には，第１１図に示すように，層間絶縁膜２４０を形成した後に，その上面に非晶質シリコン層１５５を形成している。非晶質シリコン層１５５は，画素電極１４１を形成するＩＴＯよりも相対的に撥水性が強いので，ここに，画素電極１４１表面の親水性がその周囲の親水性よりも相対的に強い撥水性・親水性の分布が形成される。
　そして，上記第１の実施の形態と同様に，画素電極１４１の上面に向けて，インクジェット方式により液状の光学材料を選択的に塗布することにより，発光素子１４０を形成し，最後に反射電極を形成する。
　このように，本実施の形態であっても，所望の撥水性・親液性の分布を形成してから液状の光学材料を塗布するようにしているから，パターニングの精度を向上させることができる。
　なお，本実施の形態の場合も，パッシブマトリクス型表示素子に適用できることは勿論である。
　また，剥離用基板１２１上に剥離層１５２を介して形成された構造を，表示基板１２１に転写する工程を含んでいてもよい。
　さらに，本実施の形態では，所望の撥水性・親水性の分布を，非晶質シリコン層１５５によって形成しているが，撥水性・親水性の分布は，金属や，陽極酸化膜，ポリイミドまたは酸化シリコン等の絶縁膜や，他の材料により形成されていてもよい。なお，パッシブマトリクス型表示素子であれば第１のバス配線，アクティブマトリクス型表示素子であれば走査線１３１，信号線１３２，画素電極１４１，絶縁膜２４０或いは遮光層によって形成してもよい。
　また，本実施の形態では，液状の光学材料が水溶液であることを前提に説明したが，他の液体の溶液を用いた液状の光学材料であってもよく，その場合は，その溶液に対して撥液性・親液性が得られるようにすればよい。」（ページ番号３７の２３行ないしページ番号３９の８行）
記載事項ク　
「産業上の利用可能性
　以上説明したように，本発明によれば，段差や，所望の撥液性・親液性の分布や，所望の電位分布等を利用して液状の光学材料を塗布するようにしたから，光学材料のパターニング精度を向上することができるという効果がある。」（ページ番号４２の１６ないし２０行）
記載事項ケ　
「２．表示基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有し，前記光学材料は少なくとも前記所定位置に塗布される際には液状であるマトリクス型表示素子の製造方法において，
　前記液状の光学材料を塗布するための段差を，前記表示基板上の前記所定位置とその周囲との境界部分に形成する工程と，
　前記段差を利用して前記所定位置に前記液状の光学材料を塗布する工程と，
を備えたことを特徴とするマトリクス型表示素子の製造方法。
３．前記段差は，前記所定位置の方がその周囲よりも低くなっている凹型の段差であり，前記表示基板の前記液状の光学材料が塗布される面を上に向けて，前記所定位置に前記液状の光学材料を塗布する請求の範囲第２項記載のマトリクス型表示素子の製造方法。」（ページ番号４３の８ないし１９行）
記載事項コ　
「３２．前記表示基板上の前記所定位置の親液性をその周囲の親液性よりも相対的に強くする工程を備えた請求の範囲第２〜１９項のいずれかに記載のマトリクス型表示素子の製造方法。」（ページ番号５１の２５行ないしページ番号５２の１行）
　
　ここで，第６の実施の形態に関し「第１１図は本発明の第６の実施の形態を示す図であって，この実施の形態も，上記第１の実施の形態と同様に，本発明に係るマトリクス型表示素子及びその製造方法を，ＥＬ表示素子を用いたアクティブマトリクス型の表示装置に適用したものである。なお，上記実施の形態と同様の構成には，同じ符号を付しておく。また，第１１図は製造工程の途中を示す断面図であり，その前後は上記第１の実施の形態と略同様であるためその図示及び説明は省略する。」（記載事項キ）と記載されているから，第１１図において符号１２１，１４１，１３２，１３３及び１１４Ａで示されたものは，それぞれ，第１の実施の形態（記載事項イないし記載事項エ）の「表示基板１２１」，「画素電極１４１」，「信号線１３２」，「共通給電線１３３」及び「光学材料（前駆体）１１４Ａ」と同様の構成と理解できる。
　また，第１１図からは，表示基板を含む構造の表面上に画素電極が形成され，また，画素電極の上に部分的に画素電極と接触して層間絶縁膜が形成されている様子が見て取れる。
　
　これら記載事項及び各図からみて，引用例には，第６の実施の形態として，下記の発明が記載されている（以下「引用発明」という。）。なお，対比判断の便宜上，構成要件毎に分説して記載し，各構成要件を「構成要件Ａ」などという。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
Ａ　表示基板上の所定位置に選択的に蛍光材料（発光材料）や光変調材料等の光学材料を配置した構成を有し，光学材料は少なくとも塗布される際には液状であるマトリクス型表示素子において，光学材料を所定位置に正確に配置できるようにしたものであって，
Ｂ　表面上に形成される画素電極，
Ｃ　画素電極の上に，部分的に画素電極と接触して層間絶縁膜を形成した後に，その上面に非晶質シリコン層を形成し，非晶質シリコン層は，画素電極を形成するＩＴＯよりも相対的に撥水性が強いので，ここに，画素電極表面の親水性がその周囲の親水性よりも相対的に強い撥水性・親水性の分布が形成され，
Ｄ　画素電極の液状の光学材料が塗布される所定位置の親水性を，その周囲の親水性よりも相対的に強くすることにより，塗布された液状の光学材料が周囲に広がらないようにしたものであり，
Ｅ　画素電極の上面に向けて，インクジェット方式により液状の光学材料を選択的に塗布することにより，発光素子を形成した，
Ｆ　表示基板上の所定位置に選択的に蛍光材料（発光材料）や光変調材料等の光学材料を配置した構成。
　
第４　対比
１　第１の電極層
　構成要件Ｂから明らかなとおり，引用発明の「画素電極」は表面上に形成される電極である。したがって，引用発明の「画素電極」は，本願発明の「表面上に形成される第１の電極層」に相当する。
２　アイランド
　構成要件Ａ及びＥから明らかなとおり，引用発明の「光学材料」は，表示基板上の所定位置に選択的に配置したものであって，また，画素電極の上面に塗布することにより発光素子を形成する（電気接触する）ものである。したがって，引用発明の（塗布後の）「光学材料」は本願発明の「前記第１の電極層の上に形成される前記正確なアイランド・パターンで，且つ前記第１の電極層と電気接触する，前記流体の少なくとも１つのアイランド」に相当する。
３　第２の層
　引用発明の「層間絶縁膜」及びその上面の「非晶質シリコン層」を併せてなる層について検討すると，この層は，(1)画素電極の上に部分的に画素電極と接触して形成されるものであり（構成要件Ｃ），(2)液状の光学材料が塗布される所定位置の周囲の層であり（構成要件ＣないしＥ），(3)非晶質シリコン層が層間絶縁膜により画素電極とは分離されている（構成要件Ｃ）。
　したがって，引用発明の「層間絶縁膜」と「非晶質シリコン層」を併せてなる層と本願発明の「第２の層」とは，後述の相違点を除いた「前記第１の電極層と接触して形成され，実質的に前記正確なアイランド・パターンの少なくとも１つのアイランドを囲んでいる第２の層であって，前記第２の層が複数のサブレイヤを含むものであり，該サブレイヤの少なくとも１つが，ある第２のサブレイヤにより前記第１の電極層とは分離された物質である」という点において共通する。
４　多層電極構造
　以上勘案すると，引用発明の「表示基板上の所定位置に選択的に蛍光材料（発光材料）や光変調材料等の光学材料を配置した構成」は，本件発明の「正確なアイランド・パターンで流体の堆積を推進する多層電極構造」に相当する。
　
　そうしてみると，本願発明と引用発明は，
「　正確なアイランド・パターンで流体の堆積を推進する多層電極構造であって，
　表面上に形成される第１の電極層と，
　前記第１の電極層の上に形成される前記正確なアイランド・パターンで，且つ前記第１の電極層と電気接触する，前記流体の少なくとも１つのアイランドと，
　前記第１の電極層と接触して形成され，実質的に前記正確なアイランド・パターンの少なくとも１つのアイランドを囲んでいる第２の層であって，前記第２の層が複数のサブレイヤを含むものであり，該サブレイヤの少なくとも１つが，ある第２のサブレイヤにより前記第１の電極層とは分離された物質である，第２の層と
　を備える多層電極構造。」
の点で一致し，以下の点で相違する。
　
（相違点）
　本願発明の「該サブレイヤの少なくとも１つ」は「絶縁体である」のに対し，引用発明の「非晶質シリコン層」は，物性としては半導体である点。
　
第５　判断
１　相違点について
　引用発明の非晶質シリコン層は「画素電極を形成するＩＴＯよりも相対的に撥水性が強い」という知見に基づいて設けられたものであり，この点は，引用例の「本実施の形態では，所望の撥水性・親水性の分布を，非晶質シリコン層１５５によって形成しているが，撥水性・親水性の分布は，金属や，陽極酸化膜，ポリイミドまたは酸化シリコン等の絶縁膜や，他の材料により形成されていてもよい。」（記載事項キ（ページ番号３８の２４行ないしページ番号３９の１行））という記載からも明らかである。すなわち，引用発明における非晶質シリコン層は半導体としての性質が求められる層ではなく，マトリクス型表示素子を具体化するに際して所望の撥水性・親水性の分布が得られる範囲内で適宜デザイン可能な層であり，「ポリイミドまたは酸化シリコン等の絶縁膜・・・により形成されていてもよい」とする上述の知見に基づいて，引用発明の非晶質シリコン層をポリイミドのような非晶質シリコンとは異なる材料とすることや酸化処理された非晶質シリコン層とすることは引用発明に基いて当業者が容易にできることである。
　また，このようにしてなる層は，本願発明でいう絶縁体である。
　あるいは，引用例に「本実施の形態の場合も，パッシブマトリクス型表示素子に適用できることは勿論である。」（記載事項キ（ページ番号３８の２０ないし２１行））と記載されているとおり引用発明の電極構造をパッシブマトリクス型表示装置のバス配線の構造（摘記事項オ，第７図）に変更することは単なる表示方式の変更に過ぎないところ，この場合における非晶質シリコン層はバス配線間を電気的に絶縁する層として機能するべきであるから，非晶質シリコン層を不純物等が全くドープされておらず，かつ，隣接するバス配線を十分に離間する，実質的に絶縁体として機能する層とすることは，引用発明に基いて当業者が容易にできることである。
　また，相違点によって奏される本願発明の作用効果は，引用発明から当業者が予測できる範囲内のものである。
　
２　備考
　本願発明の「第２の層」は「第１の電極層と接触して形成され」と特定されており「第１の電極層と電気接触する」とまでは特定されていないものであるが，念のために，第２の層の複数のサブレイヤのうち第２のサブレイヤが導電体である場合について検討すると，以下のとおりとなる。
　すなわち，引用例には「本実施の形態の場合も，パッシブマトリクス型表示素子に適用できることは勿論である。」（記載事項キ（ページ番号３８の２０ないし２１行））と記載されている。確かに，引用発明の電極の構造をパッシブマトリクス型表示装置のバス配線の構造（摘記事項オ，第７図）に変更することは単なる表示方式の変更に過ぎないところ，ＩＴＯにより形成するバス配線の導電率を改善するための補助電極配線を画素電極上に設けることは周知慣用技術であり（必要ならば，特開昭５９−９９４８１号公報，特開平２−２０３３２２号公報を参照。），そのようにしてなるものは，第２のサブレイヤが導電体である構成に他ならない。
　あるいは，引用例には「本実施の形態では，所望の撥水性・親水性の分布を，非晶質シリコン層１５５によって形成しているが，撥水性・親水性の分布は，金属や，陽極酸化膜，ポリイミドまたは酸化シリコン等の絶縁膜や，他の材料により形成されていてもよい。」（記載事項キ（ページ番号３８の２４行ないしページ番号３９の１行））と記載されているから，第２の層として陽極酸化膜すなわち金属及びその酸化皮膜の二層構造とすることは，当業者が容易にできることであり，そのようにしてなるものは，第２のサブレイヤが導電体である構成に他ならない。
　なお，本願の請求項１に係る発明に関しても，同様のことがいえる。
　
３　小括
　以上のとおり，本願発明は引用発明に基いて当業者が容易に発明することができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
第６　結論
　したがって，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。