【事件の表示】
　特願２０００−２８７４６５「サブマウント材」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　４月　５日出願公開、特開２００２−１００８２６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
第１　手続の経緯
　
　本願は、平成１２年９月２１日に特許出願したものであって、平成２１年７月２８日付け、同年１０月２９日付け及び平成２２年３月８日付けで手続補正がなされたが、同年５月１７日付けで上記平成２２年３月８日付けの手続補正が却下されるとともに同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月２５日に拒絶査定不服審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである（以下、平成２２年８月２５日になされた手続補正を「本件補正」という。）。
　
第２　本件補正についての補正却下の決定
　
１　結論
　
　本件補正を却下する。
　
２　理由
　
（１）補正の内容
　
　本件補正は、特許請求の範囲につき、補正前（平成２１年１０月２９日付けの手続補正後のもの）の
　
「　【請求項１】　窒化アルミニウムを主成分とする焼結体から成り、熱伝導率が１５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるセラミックス基板と、このセラミックス基板上に形成された金属回路層とを具備し、ダイオード発光素子を搭載したサブマウント材において、上記セラミックス基板がＷ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｓｒの少なくとも１種の着色化材を０．０５〜５．０重量％、酸化イットリウムを０．５〜６重量％含有し、上記セラミックス基板の熱伝導率が１５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、上記セラミックス基板の縦および横の長さがそれぞれ１ｍｍ以下であり、上記セラミックス基板の色調が黒色であることを特徴とするサブマウント材。
　　【請求項２】　前記着色化材がＷ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｓｒの酸化物，窒化物，弗化物の少なくとも１種としてセラミックス基板に添加されたものであることを特徴とする請求項１記載のサブマウント材。
　　【請求項３】　前記セラミックス基板の表面粗さが算術平均粗さ（Ｒａ）基準で０．１〜０．５μｍであることを特徴とする請求項１記載のサブマウント材。
　　【請求項４】　前記セラミックス基板表面に形成される金属回路層の幅が１００μｍ以上であることを特徴とする請求項１記載のサブマウント材。
　　【請求項５】　前記セラミックス基板表面に形成される金属回路層が、セラミックス基板表面全体を被覆していることを特徴とする請求項１記載のサブマウント材。
　　【請求項６】　セラミックス基板の熱伝導率が１７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする請求項１記載のサブマウント材。」
　
を
　
「　【請求項１】　窒化アルミニウムを主成分とする焼結体から成り、熱伝導率が１５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるセラミックス基板と、このセラミックス基板上に形成された金属回路層とを具備し、ダイオード発光素子を搭載したサブマウント材において、上記セラミックス基板がＷ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｓｒの少なくとも１種の着色化材を０．０５〜５．０重量％、酸化イットリウムを０．５〜６重量％含有し、上記セラミックス基板の熱伝導率が１５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、上記セラミックス基板の縦および横の長さがそれぞれ１ｍｍ以下であり、上記セラミックス基板の色調が黒色である一方、上記セラミックス基板の表面粗さが算術平均粗さ（Ｒａ）基準で０．１２〜０．４８μｍであり、上記セラミックス基板表面に形成される金属回路層の幅が１００μｍ以上であることを特徴とするサブマウント材。
　　【請求項２】　前記着色化材がＷ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｓｒの酸化物，窒化物，弗化物の少なくとも１種としてセラミックス基板に添加されたものであることを特徴とする請求項１記載のサブマウント材。
　　【請求項３】　前記セラミックス基板表面に形成される金属回路層が、セラミックス基板表面全体を被覆していることを特徴とする請求項１記載のサブマウント材。
　　【請求項４】　セラミックス基板の熱伝導率が１７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする請求項１記載のサブマウント材。」
　
に補正するものである。
　
（２）補正の目的
　
　上記（１）のとおり、本件補正は、補正前の請求項（以下「旧請求項」という。）１に、「上記セラミックス基板の表面粗さが算術平均粗さ（Ｒａ）基準で０．１２〜０．４８μｍであり、上記セラミックス基板表面に形成される金属回路層の幅が１００μｍ以上である」との特定事項を付加するものである。
　
　しかし、旧請求項１に記載した発明は、「セラミックス基板の表面粗さ」及び「セラミックス基板表面に形成される金属回路層の幅」を特定事項とするものではない。また、旧請求項３に記載した発明は、「セラミックス基板表面に形成される金属回路層の幅」を特定事項とするものではなく、旧請求項４に記載した発明は、「セラミックス基板の表面粗さ」を特定事項とするものではない。
　
　してみれば、本件補正は、旧請求項、すなわち、補正前の請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものとはいえないから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に規定する事項を目的とするものとはいえない。
　
　また、本件補正は、同第１号（請求項の削除）、同第３号（誤記の訂正）、及び同第４号（明りょうでない記載の釈明）に規定するいずれの事項を目的とするものにも該当しない。
　
（３）小括
　
　以上の検討によれば、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３　付言
　
　なお、以下に検討するとおり、本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、特許を受けることができないものであるから、本件補正を認める余地はない。
　
（１）引用刊行物の記載
  
ア　原査定の拒絶理由に引用した、本願出願前に頒布された刊行物である特開平９−３６２７４号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、以下の記載がある（下線は、審決で付した。以下同じ。）。
　
（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】絶縁基板の相対する両面に導電パターンが形成され、該両面に存在する導電パターンの少なくとも一部が金属ビアホールにより電気的に互いに接続されてなるサブマウント。」
　
（イ）「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザー素子をヒートシンクにマウントする絶縁基板に係り、特に、半導体レーザー素子とヒートシンク間に導電性を有する新規の
半導体レーザー素子用のサブマウント
　
（ウ）「【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記技術課題を解決すべく鋭意研究を行ってきた結果、金属ビアホールを有する絶縁基板を用いたサブマウントは高い信頼性を有し、小型化が可能であることを見い出し、本発明を完成するに至った。
【００１１】即ち、本発明は、絶縁基板の相対する両面に導体パターンが形成され、該両面に存在する導電パターンの少なくとも一部が金属ビアホールにより電気的に互いに接続されてなるサブマウントである。
【００１２】本発明のサブマウントについて、代表的な構造を図１に示す。
【００１３】本発明でサブマウントの本体である絶縁基板は、公知のものを特に制限なく使用できる。具体的には、
窒化アルミニウム
その中で、窒化アルミニウムは熱伝導率が高いために半導体レーザー素子から発生する熱を効率よくヒートシンクへ逃がすと共に半導体レーザー素子の代表的な材質であるＳｉと熱膨張係数が近い等のため好適に使用される。その場合、基板の熱伝導率は高い方が好適で１７０Ｗ／ｍＫ以上、さらに、好ましくは２００Ｗ／ｍＫ以上が半導体レーザー素子の信頼性が高くなるために好適に使用される。
　
（エ）「【００２２】このようにして得られた金属ビアホールを有する絶縁基板は、必要により基板表面を研削または研磨する。研削及び研磨の方法は公知の技術が制限無く使用でき、通常、ラッピング、ポリッシング、バレル研磨、サンドブラスト、研削盤による研磨等の方法が用いられる。
絶縁基板の表面粗さは目的により異なるが、通常、Ｒａ≦０．８μｍ、更に好適には、Ｒａ≦０．０５μｍにすることが半導体レーザー素子のダイ付けの信頼性が高まるため好ましい。
　
（オ）「【００２７】
【実施例】以下に、本発明を更に具体的に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００２８】なお、比表面積から求められる平均粒径Ｄ1は下記式により算出した
Ｄ1（μｍ）＝６／Ｓ×３．２６
ここでＳ：  ＡｌＮ粉末比表面積（ｍ2／ｇ）
また、沈降法による平均粒径Ｄ2は堀場製作所製遠心粒度分布装置 ＣＡＰＡ５００で測定した。
実施例  １
沈降法による平均粒径が１．６０μｍで、比表面積が２．５ｍ2／ｇ、比表面積から算出される平均粒径が０．７４μｍの窒化アルミニウム粉末１００重量部に
焼結助剤として、比表面積１２．５ｍ
2
／ｇの酸化イットリウム粉末５重量部
グリーンシートを
加熱することにより
窒化アルミニウム基板を得た
【００２９】この窒化アルミニウム基板を用いて図２に示すサブマウントを作製した。即ち、前記基板４を厚さ０．２５ｍｍの両面鏡面仕上げ（表面粗さＲａ：０．０３μｍ）に加工し、表裏両面に導電層２（第１層／第２層／第３層＝Ｔｉ：０．１μｍ／Ｐｔ：０．２μｍ／Ａｕ：０．５μｍ）をスパッタ法により形成後、表面にＡｕＳｎ（Ａｕ＝８０ｗｔ％）ハンダ（厚み５μｍ）を金属マスクを用いた蒸着法によりパターン形成した。次に、導電層２及びハンダ層５の形成された
前記基板を長さ０．８ｍｍ、幅０．７ｍｍにダイシングカットした。
【００３１】このように半導体レーザー素子とヒートシンクをボンディングし組み立てたサブマウント（以下光半導体装置と呼ぶ）に−５０℃：３０分保持→１２５℃：３０分保持を１サイクルとするヒートサイクル試験を１，０００サイクル行った。その後１００個の半導体レーザーのサブマウントの上面（表面側）とヒートシンク上面の位置で抵抗を測定した所、抵抗値の平均は０．０２３Ωで導通不良は無く、ヒートサイクル前の抵抗値の平均と比べてほとんど変化は無かった。」
　
（カ）上記（オ）【００２９】の記載を踏まえて図２をみれば、窒化アルミニウム基板４の表裏両面に形成される導電層２は、表裏両面の全面に形成されるものと認められる。
　
　なお、図２は、次のとおりである。
　
イ　同じく、特開平２−１２８４８８号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、以下の記載がある。
　
（ア）「３．発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
　この発明は、ＧａＡｓ、ＧａＰ等化合物半導体材料を使用する半導体レーザ、ＦＥＴ等化合物半導体装置に関し、特にそのマウント材に関するものである。
〔従来の技術〕
　第３図は従来のＧａＡｓ系半導体レーザの組立構造図であり、図中、１はレーザダイオード（ＬＤ）チップ、２はＳｉサブマウント、３及び４はそれぞれチップ側及びサブマウント側の金（Ａｕ）系メタライズ、５は放熱用銀（Ａｇ）ブロック、６はリード線である。
　組立て方法は、まず、Ａｇブロック５，Ｓｉサブマウント２，及びＬＤチップ１を３段積みにし、マウンティング用ヒータ上に設置し、Ｎ２ガス雰囲気中で約４３０℃に昇温する。Ｓｉサブマウント２の金メタライズ４はＳｉサブマウント２と反応溶融し、ＡｕＳｉ共晶合金となり、ＬＤチップ１及びＡｇブロック５と融着する。この様な３段積み融着後にＡｇブロック５をパッケージに取り付け、リード線６をリードボンドすることに依りＬＤ素子が形成される。
〔発明が解決しようとする課題〕
　従来の化合物半導体装置は以上の様に構成されており、Ｓｉサブマウントを使用しているため、サブマウント（Ｓｉ）とチップ（ＧａＡｓ等）との熱膨張係数の差異が大きく、そのためチップにストレスを発生し、素子寿命を低下させるという問題点があった。
　この発明は上記の様な問題点を解消するためになされたものであり、信頼性の高い化合物半導体装置を安価に提供することを目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
　この発明に係る化合物半導体装置は、化合物半導体チップのマウント材にカーボン（Ｃ）を使用したものである。」
（第１頁左下欄第９行から第２頁左上欄第５行）
　
（イ）「また、この実施例の様に
チップ１が半導体レーザである場合、サブマウント７のカーボンが黒色のため、サブマウント７での光の反射がなくなるなどの効果もある。
（第２頁右下欄第１１行から第１４行）
　
ウ　同じく、特開昭６２−１８０８０号公報（以下「引用刊行物３」という。）には、以下の記載がある。
　
（ア）「（ハ）発明が解決しようとする問題点
　簡単な構成にてレーザチップの放射面に於ける反射を防止せんとするものである。
（ニ）問題点を解決する為の手段
　本発明の半導体レーザチップの構成的特徴は放射面上に低光反射材料からなる膜を設けると共に該膜と上記放射面上のレーザ光放射点とを５０μｍ以上離隔させたことにある。
（ホ）作用
　放射面に設けられた膜により放射面に於ける不所望な反射が抑制されてラジアルエラー信号の直流成分の変動が抑圧される。」
（第３頁左上欄第４行から第１５行）
　
（イ）「更に放射面Ｎには放射点０より５０μｍ（図中ｌ）離れた位置よりヒートシンク（１２）にかけて例えば
黒色シリコン樹脂等の低光反射材料からなる膜（２２）が形成されている。
斯る膜（２２）は上記材質に限定されるものではなく、レーザ光を透過せず、かつチップ（１３）のへき開面に比して光反射性が半分以下のものであれば良く、更に好適にはレーザ光を吸収し得る黒色材料が良い。
（第３頁右上欄第２０行から左下欄第１１行）
　
エ　同じく、特開平５−５８７４４号公報（以下「引用刊行物４」という。）には、以下の記載がある。
　
（ア）「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は着色した窒化アルミニウム焼結体に係り、より詳しくは緻密質で高熱伝導率をもち、かつ黒色、茶色、緑色等の色調をもった窒化アルミニウム焼結体でしかも電気特性に優れた焼結体に関する。又、本焼結体を用いた回路基板及び半導体パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】最近のＬＳＩの進歩はめざましく、集積度の向上が著しい。これにはＩＣチップサイズの向上も寄与しており、ＩＣチップサイズの向上に伴ってパッケージ当りの発熱量が増大している。このため基板材料の放熱性が重要視されるようになってきた。また、従来ＩＣ基板として用いられていたアルミナ焼結体の熱伝導率では放熱性が不十分であり、ＩＣチップの発熱量の増大に対応できなくなりつつある。このためアルミナ基板に代わるものとして、高熱伝導性のベリリア基板が検討されているが、ベリリアは毒性が強く取扱いが難しいという欠点がある。
【０００３】一方、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）焼結体は、本来、材質的に高熱伝導性、高絶縁性を有し、毒性もないため、半導体工業において回路基板材料あるいはパッケージ材料として注目を集めている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述のように窒化アルミニウムは理論的には単結晶としては高熱伝導性、高絶縁性を有する材料である。しかしながら、窒化アルミニウム粉末から焼結体を製造する場合、窒化アルミニウム粉末自体の焼結性が良くないため、粉末成形後、焼結して得られる窒化アルミニウム焼結体の相対密度（窒化アルミニウムの理論密度３．２６ｇ／ｃｍ3を基準とする）は、焼結条件にもよるが、高々７０〜８０％しか示さず、多量の気孔を包含する。
【０００５】一方、窒化アルミニウム焼結体の如き絶縁性セラミックスの熱伝導機構は、フォノン伝導を主体とするため気孔、不純物等の欠陥はフォノン散乱を起こし、熱伝導性は低レベルのものしか得られない。これらの状況に対し、高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体を得るために種々の提案がなされている。
【０００６】しかしながら、高熱伝導性の窒化アルミニウム焼結体を製造するためには、高純度の原料を使用し、また工程中の不純物の混合も極力防ぐことが必要とされており、
このようにして得られた窒化アルミニウムは白色透明もしくは薄く着色したものに限られ、光の透過を問題とする用途等には使用できなかった。そこで、光の透過を問題とする用途等に着色窒化アルミニウムの開発が望まれていた。
　
（イ）「【０００９】
上記着色窒化アルミニウム焼結体の製造は、ＡｌＮを主成分とし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＮｄおよびＨｏからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属元素を０．０１〜３．０重量％含有する原料粉末を使用して
【００１０】本発明において
高熱伝導性の着色窒化アルミニウムを得るために使用する着色用添加剤としては、次のような元素又はその化合物を挙げることができる。黒色用添加剤としては、ＴｉＯ
2
、ＺｒＯ
2
、
ＨｆＯ
2
、
Ｃｒ、Ｍｏ、ＷＯ
3
等
である。
【００１１】これらの着色用添加剤は、所望により組合せて用いることもできる。また、
本発明の焼結体の製造には、周期律表IIａ、IIIａ族の元素又はその化合物を０．０１〜５．０重量％で焼結助剤として使用する場合があるが、それらは具体的には
Ｙ
2
Ｏ
3
などが例示できる。
　
（ウ）「【００１３】
【作用】本発明においては、
発色剤としてＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＮｄおよびＨｏからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属元素を０．０１〜３．０重量％含有させた窒化アルミニウム粉末を原料粉末として用い焼結することによって、着色し
　
（エ）「【００１７】原料粉末であるＡｌＮ粉末中におけるこれらの金属元素の含有量が０．０１重量％未満では着色ＡｌＮ焼結体の色調が薄く、光の透過を防止する用途に用いるためには不十分であり、３．０重量％を越えると金属元素のＡｌＮ中への固溶等によって焼結体の熱伝導率が通常１００ｗ／ｍ・ｋ以下に低下し、さらに粒界に析出することで、電気抵抗が低下あるいは絶縁耐圧が劣化する。そのためＩＣ基板等として使用できない。又、ＡｌＮ粉末の他の特性として、高熱伝導率と着色を同時に得るために酸素含有量は０．５〜２．５重量％の範囲が好ましく、発色剤として添加する金属元素以外のＳｉ等のＡｌＮへの固溶元素の含有量も１０００ｐｐｍ以下であることが好ましい。更に、ＡｌＮ粉末の比表面積は、緻密な焼結体を得るため２．０〜５．０ｍ2／ｇが好ましい。
【００１８】上記のようにして得られた本発明の
着色した窒化アルミニウム焼結体は、いずれも１５０Ｗ／ｍＫ以上の高い熱伝導性を有しており、緻密質な焼結体表面にＡｇ、Ａｕ等の厚膜ペースト、Ｗ、Ｍｏ等の高融点金属ペーストを印刷し、焼成することによって、窒化アルミニウム回路基板として有用である。
　
（２）引用発明
　
　上記（１）アによれば、引用刊行物１には、次の発明が記載されているものと認められる。
　
「半導体レーザー素子用のサブマウントであって、
　絶縁基板の相対する両面に導電パターンが形成され、該両面に存在する導電パターンの少なくとも一部が金属ビアホールにより電気的に互いに接続され、
　上記絶縁基板は、グリーンシートを加熱することにより得られる窒化アルミニウム基板が使用され、熱伝導率は１７０Ｗ／ｍｋ以上であるサブマウント。」
（以下「引用発明」という。）
　
（３）対比
　
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
ア　引用発明の「絶縁基板」は、「グリーンシートを加熱することにより得られる窒化アルミニウム基板が使用され」るものであり、その「熱伝導率は１７０Ｗ／ｍｋ以上である」から、本願補正発明の「窒化アルミニウムを主成分とする焼結体から成り、熱伝導率が１５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるセラミックス基板」に相当する。
　
イ　引用発明の「導電パターン」は、絶縁基板の相対する両面に形成されるものであるから、本願補正発明の「このセラミックス基板上に形成された金属回路層」に相当する。
　
ウ　引用発明は、「半導体レーザー素子用のサブマウント」であるから、「ダイオード発光素子を搭載したサブマウント材」であるといえ、この点で本願補正発明と一致する。
　
エ　よって、両者は、
　
「窒化アルミニウムを主成分とする焼結体から成り、熱伝導率が１５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるセラミックス基板と、このセラミックス基板上に形成された金属回路層とを具備し、ダイオード発光素子を搭載したサブマウント材において、上記セラミックス基板の熱伝導率が１５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるサブマウント材。」
　
である点で一致し、下記ａないしｄの点で相違すると認められる。
　
ａ　本願補正発明は、「上記セラミックス基板がＷ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｓｒの少なくとも１種の着色化材を０．０５〜５．０重量％、酸化イットリウムを０．５〜６重量％含有し」、「上記セラミックス基板の色調が黒色である」のに対して、引用発明は、窒化アルミニウム基板が着色化材を含有しておらず、また、酸化イットリウムを含有するものかどうか不明である点（以下「相違点１」という。）。
　
ｂ　本願補正発明は、「上記セラミックス基板の縦および横の長さがそれぞれ１ｍｍ以下」であるのに対して、引用発明は絶縁基板の縦および横の長さが不明である点（以下「相違点２」という。）。
　
ｃ　本願補正発明は、「上記セラミックス基板の表面粗さが算術平均粗さ（Ｒａ）基準で０．１２〜０．４８μｍ」であるのに対して、引用発明は、絶縁基板の表面粗さが不明である点（以下「相違点３」という。）。
　
ｄ　本願補正発明は、「上記セラミックス基板表面に形成される金属回路層の幅が１００μｍ以上である」ことが限定されているのに対して、引用発明は、絶縁基板に形成される導電パターンの幅が不明である点（以下「相違点４」という。）。
　
（４）判断
　
ア　相違点１について
　
（ア）上記（１）イによれば、引用刊行物２には、チップが半導体レーザである場合、サブマウントのカーボンが黒色のため、サブマウントでの光の反射がなくなるとの効果があることが記載されている。
　
（イ）上記（１）ウによれば、引用刊行物３には、「レーザチップの放射面に於ける反射を防止」するために、放射面に「黒色シリコン樹脂等の低光反射材料からなる膜（２２）」を形成すること、「膜（２２）は上記材質に限定されるものではなく、レーザ光を透過せず、かつチップ（１３）のへき開面に比して光反射性が半分以下のものであれば良く、更に好適にはレーザ光を吸収しうる黒色材料が良い」ことが記載されている。
　
（ウ）前記（イ）によれば、前記（ア）において、サブマウントでの光の反射を防止するには、サブマウントの材料は、黒色のカーボンに限定されるものではなく、レーザ光を吸収しうる黒色材料であれば他の材料でもよいことが理解できる。
　
（エ）してみれば、窒化アルミニウム基板を絶縁基板として使用する引用発明において、上記（ア）の記載及び同（ウ）の知見に基づいて、サブマウントでの光の反射を防止するために窒化アルミニウム基板を黒色とすることは、当業者が容易に想到できたことであって、具体的にどのような着色用添加剤をどの程度使用するかは、当業者が設計上適宜に定めるべき事項である。そして、上記（１）エのとおり、引用刊行物４には、窒化アルミニウムに使用する黒色の着色用添加剤として、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｃｒ、Ｍｏ、ＷＯ3が記載され（【００１０】参照。）、その含有量が０．０１〜３．０重量％である旨記載されている（【０００９】参照。）ことに照らせば、セラミックス基板が黒色の着色用添加剤として、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｃｒ、Ｍｏ、ＷＯ3を０．０５〜５．０重量％含有するものとすることに格別の困難を要するものとは認められない。
　
（オ）また、窒化アルミニウム基板の焼結助剤として、酸化イットリウムを使用することが、引用刊行物１（【００２８】参照。）及び引用刊行物４（【００１１】参照。）に記載されており、引用発明においても同様に酸化イットリウムを使用することは、当業者が容易に想到できたことである。酸化イットリウムを具体的にどの程度使用するかは、当業者が適宜に定めるべき事項であって、引用刊行物４の、焼結助剤を０．０１〜５．０重量％使用する旨の記載（【００１１】参照。）に照らせば、酸化イットリウムの含有量を０．５〜６重量％とすることに、格別の困難を要するものとは認められない。
　
（カ）以上によれば、引用発明において、相違点１に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が容易になし得る程度のことである。
　
イ　相違点２について
　
　引用発明において、「絶縁基板」の縦及び横の長さを具体的にどの程度のものとするかは、当業者が設計上適宜に定めるべき事項であり、引用刊行物１の「次に、導電層２及びハンダ層５の形成された前記基板を長さ０．８ｍｍ、幅０．７ｍｍにダイシングカットした。」（【００２９】参照。）との記載に照らせば、引用発明の絶縁基板の縦及び横の長さをそれぞれ１ｍｍ以下とすることに、格別の困難があるとは認められない。
　
ウ　相違点３について
　
　上記（１）アによれば、引用刊行物１には、「絶縁基板の表面粗さは目的により異なるが、通常、Ｒａ≦０．８μｍ、更に好適には、Ｒａ≦０．０５μｍにすることが半導体レーザー素子のダイ付けの信頼性が高まるため好ましい」ことが記載されている。
　引用発明において、窒化アルミニウム基板の表面粗さを具体的にどの程度のものとするかは、当業者が設計上適宜に定めるべき事項であり、引用刊行物１には、「通常、Ｒａ≦０．８μｍ」とされていることに照らして、引用発明の窒化アルミニウム基板の表面粗さを算術平均粗さ（Ｒａ）基準で０．１２〜０．４８μｍとすることに格別の困難を要するものとは認められない。
　
エ　相違点４について
　
　引用発明において、「導電パターン」の幅を具体的にどの程度のものとするかは、当業者が設計上適宜に定めるべき事項であって、引用刊行物１の「次に、導電層２及びハンダ層５の形成された前記基板を長さ０．８ｍｍ、幅０．７ｍｍにダイシングカットした。」（【００２９】参照。）との記載、及び上記（１）ア（カ）より、窒化アルミニウム基板４の表裏両面に形成される導電層２は、表裏両面の全面に形成されることに照らせば、「導電パターン」の幅を１００μｍ以上とすることに、格別の困難があるとは認められない。
　
オ　本願補正発明における数値限定の意義について
　
　相違点１ないし４に係る「上記セラミックス基板がＷ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｓｒの少なくとも１種の着色化材を０．０５〜５．０重量％、酸化イットリウムを０．５〜６重量％含有し」、「上記セラミックス基板の縦および横の長さがそれぞれ１ｍｍ以下」、「上記セラミックス基板の表面粗さが算術平均粗さ（Ｒａ）基準で０．１２〜０．４８μｍ」及び「上記セラミックス基板表面に形成される金属回路層の幅が１００μｍ以上である」との数値限定は、いずれも設計的事項の域を超えるものではなく、本願補正発明において、かかる限定により格別顕著な効果が奏されるものとは認められない。
　
カ　請求人の主張について
　
　請求人は、審判請求の理由において、
「引用文献１においては素子のダイ付けの信頼性を高めるという目的で「より好ましくはＲａ≦０．０５μｍに規定しているのであり、本発明のように「金属回路層の剥離を防止する目的で０．１２〜０．４８μｍの範囲に規定する」こととは、「好ましい範囲」で比較すれば、数値自体も全く異なる上に作用効果も全く別異である。 
 　本願実施例１〜１２の効果を示す表１において、比較例２の基板の表面粗さＲａ０．８０μｍは引用文献１で「通常のＲａ≦０．８μｍ」を満足するものであるが、この場合「金属回路層の剥離率」は却って増加（悪化）するのである。表面粗さを高めるほど、いわゆる「アンカー効果」が増して接合強度は高くなるものではない。表面粗さを過度に大きくすると未接合部が増え接合面積が減少して却って接合強度は低下するのである。 
 　そもそも引用文献１では「素子のダイ付け信頼性を高める」ための基板の表面粗さを述べているが、本願の図２に示すように、素子は通常金属回路層上に半田層を介して接合されるために、その接合強度を高めるためには、むしろ金属回路層の表面粗さを適性に調整する必要がある。
　本願発明では、より重要な「金属回路層の剥離を防止する目的」で基板の表面粗さＲａを０．１２〜０．４８μｍの範囲に規定したものである。表１に記載されたこの範囲において、引用文献１記載の基板の表面粗さＲａ０．８０μｍのものと比較して、金属回路層の剥離を２/１３以下から０に効果的に低減できる顕著な効果が得られることが明白であり、「この数値に臨界的意義が認められない」とする審査官殿の指摘は妥当ではない。」
と主張するが、本願補正発明のように「上記セラミックス基板の表面粗さが算術平均粗さ（Ｒａ）基準で０．１２〜０．４８μｍ」とすることについては、上記ウ及びオで検討したとおり、格別の困難を要するものではなく、また、当業者が予測し得ないような格別顕著な効果が得られるものとも認められないのであって、請求人の上記主張は、この判断を左右するものではない。
　
キ　小括
　
　以上の検討によれば、本願補正発明は、引用発明及び引用刊行物１ないし４に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものというべきであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
第３　本願発明について
　
１　本願発明
　
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２１年１０月２９日に補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項６に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は、上記第２　２（１）に補正前のものとして示したとおりである（以下「本願発明」という。）。
　
２　引用刊行物の記載及び引用発明
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である引用刊行物１ないし４及び引用発明は、それぞれ、上記第２　３（１）及び（２）に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　
（１）本願発明は、本願補正発明における、「上記セラミックス基板の表面粗さが算術平均粗さ（Ｒａ）基準で０．１２〜０．４８μｍであ」ること、及び「上記セラミックス基板表面に形成される金属回路層の幅が１００μｍ以上であること」との限定事項を欠くものである。
　
（２）そして、本願発明と上記引用発明とを対比すると、上記相違点１及び相違点２において相違し、その余の点において一致するものと認められる。
　
（３）しかるところ、相違点１及び相違点２については、それぞれ、上記第２　３（４）ア及びイで検討したとおりであるから、本願発明は、引用発明及び引用刊行物１ないし４に記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用刊行物１ないし４に記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。