【手続補正書】
【提出日】平成23年6月9日(2011.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一の平面内に広がる平面状の基板上に形成され、それぞれ、異なる機能を持つコンタクトポイントを少なくとも２つ有する少なくとも２つのユニットセルと、
前記基板および前記ユニットセルの少なくとも一方の上に配設されている少なくとも１つの誘電層と、
前記コンタクトポイントおよび前記基板の少なくとも一方の上方に、前記平面に対して平行に配設されている少なくとも２つのコンタクト面と
を備え、
同一の機能を持つコンタクトポイントは、前記誘電層を貫通している少なくとも１つの貫通コンタクト部を介して、前記同一の機能を持つコンタクトポイントの少なくとも一部のための少なくとも１つの共通のコンタクト面に電気的に接続されており、対応する前記コンタクト面を介して、外部と共通に接触する電気回路。
【請求項２】
前記少なくとも１つの誘電層は、少なくとも１つの開口を有しており、前記開口を介して前記コンタクトポイントの少なくとも一部が、前記コンタクトポイントに対する共通の接触を実現するための前記コンタクト面と電気的に接触している請求項１に記載の電気回路。
【請求項３】
前記少なくとも１つの誘電層の面のうち前記ユニットセルとは反対側の面に、前記貫通コンタクト部の一部として少なくとも１つの導電層が配設されており、
前記導電層は、前記ユニットセルとは反対側の面の少なくとも１つの領域に設けられており、前記誘電層の下に配設されている導電層または前記コンタクトポイントのうち少なくとも１つと電気的に接触するように、前記少なくとも１つの開口内に設けられている請求項２に記載の電気回路。
【請求項４】
前記ユニットセルは、ダイオードである請求項１から３の何れか１項に記載の電気回路。
【請求項５】
前記ユニットセルは、複数の異なる機能を持つ複数のコンタクトポイントとしてソースコンタクトポイント、ドレインコンタクトポイント、およびゲートコンタクトポイントを有するトランジスタである請求項１から４の何れか１項に記載の電気回路。
【請求項６】
前記トランジスタは電界効果トランジスタである請求項５に記載の電気回路。
【請求項７】
前記誘電層は、各コンタクトポイントの上方に少なくとも１つの開口を有し、
前記貫通コンタクト部の一部として設けられる第１の導電層の少なくとも１つの領域は、各機能に対応して前記誘電層上に配設されており、
前記貫通コンタクト部は、対応する機能の前記コンタクトポイントと電気的に接触するように前記開口内に延伸して設けられ、複数の異なる機能に対応する複数の領域は、互いから電気的に分離されており、
前記第１の導電層上には、第２の誘電層が配設されており、
前記第２の誘電層は、少なくとも複数の領域において、前記第１の導電層の領域のうち複数の機能に対応する少なくとも２つの領域を被覆しており、前記第２の誘電層によって被覆されている前記第１の導電層の各領域に対して少なくとも１つの開口を有し、
前記第２の誘電層上に、前記貫通コンタクト部の一部として、少なくとも１つの第２の導電層が配設されており、前記第２の導電層は、前記第２の誘電層内に形成されている前記開口を介して、その下方に配置されている前記第１の導電層の領域のうち少なくとも１つの領域、少なくとも１つの領域と接触している請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の電気回路。
【請求項８】
前記第１の導電層の複数の領域は、一の平面内に配設されている請求項７に記載の電気回路。
【請求項９】
前記第２の導電層上には、第３の誘電層が配設されており、前記第３の誘電層は、前記第２の導電層のうち少なくとも１つに対する接触を実現する開口を少なくとも１つ有し、
前記第３の誘電層上には、少なくとも１つの第３の導電層または前記コンタクト面のうち少なくとも１つが配設されており、前記少なくとも１つの開口を介して、前記第２の導電層または前記複数の機能のうち１つの機能に対応する層と電気的に接触している請求項８に記載の電気回路。
【請求項１０】
前記コンタクトポイントは、長尺状である、互いに平行である、および環状に閉じている、のうち少なくとも１つの特徴を有する請求項１から請求項９のうちいずれか一項に記載の電気回路。
【請求項１１】
前記コンタクトポイントは、前記基板と平行になるように前記基板上に配設される請求項１０に記載の電気回路。
【請求項１２】
前記基板は、導電性を有するか、または、半導体である請求項１０または１１に記載の電気回路。
【請求項１３】
前記誘電層のうち少なくとも１つの誘電層内に設けられる前記開口のうち１つ、一部、または全ての開口は、長尺状の形状を持つ請求項２、３、及び７から９のうちいずれか一項に記載の電気回路。
【請求項１４】
前記誘電層のうち少なくとも１つの誘電層内に設けられる前記開口のうち１つ、一部、または全ての開口は、部分的に互いに平行である請求項２から請求項９のうちいずれか一項に記載の電気回路。
【請求項１５】
前記ユニットセルは、円形状の基板上に配設されており、
前記コンタクトポイントは、少なくとも部分的に、円形状のリングの少なくとも一部分として形成されており、
前記コンタクト面は、前記基板と同一の寸法で、前記基板と平行に配設されている円形領域の扇形として形成される請求項１から請求項１４のうちいずれか一項に記載の電気回路。
【請求項１６】
前記コンタクト面は、前記円形領域の２分の１または３分の１となる請求項１５に記載の電気回路。
【請求項１７】
各機能について正確に１つのコンタクト面が設けられている請求項１から請求項１６のうちいずれか一項に記載の電気回路。
【請求項１８】
前記コンタクト面のうち少なくとも１つは、ボンディングワイヤおよび少なくとも１つのボンディングワイヤを用いて前記電気回路を接触させるためのコンタクト面と接触する少なくとも１つのボンディング箇所の少なくとも一方を有する請求項１から請求項１７のうちいずれか一項に記載の電気回路。
【請求項１９】
前記ボンディング箇所および前記ボンディングワイヤの少なくとも一方は、対応する前記コンタクト面の前記ユニットセルとは反対側である上側に配設されている請求項１８に記載の電気回路。
【請求項２０】
ある機能のコンタクトポイントのうち少なくとも一部のコンタクトポイントに直接隣接させて、異なる機能のコンタクトポイントが少なくとも１つ配設されている請求項１から請求項１９のうちいずれか一項に記載の電気回路。
【請求項２１】
ある機能のコンタクトポイントの全てのコンタクトポイントに直接隣接させて、異なる機能のコンタクトポイントが少なくとも１つ配設されている請求項１から請求項１９のうちいずれか一項に記載の電気回路。
【請求項２２】
前記コンタクトポイントは直接隣接するように配設される請求項２０または２１に記載の電気回路。
【請求項２３】
前記コンタクトポイントは絶縁体を介して隣接している請求項２０または２１に記載の電気回路。
【請求項２４】
前記電気回路は、動作時において、同時に電流が流れるコンタクトは、一部の機能に対応するコンタクトのみであるように構成されている請求項２０から２３の何れか１項に記載の電気回路。
【請求項２５】
前記電気回路は、動作時において、同時に電流が流れるコンタクトは、一の機能に対応するコンタクトのみであるように構成されている請求項２４に記載の電気回路。
【請求項２６】
前記電気回路は、少なくとも２つのトランジスタを備える半Ｈブリッジであって、前記トランジスタのうち第１のトランジスタのソースコンタクトは、前記トランジスタのうち第２のトランジスタのドレインコンタクトと電気的に接触しており、前記コンタクトポイントは、前記第１のトランジスタのドレイン、前記第２のトランジスタのソース、前記第１のトランジスタのゲート、前記第２のトランジスタのゲートとしての機能を持つ請求項２０から２５の何れか１項に記載の電気回路。
【請求項２７】
前記トランジスタのうち第１のトランジスタのソースコンタクトは、前記トランジスタのうち第２のトランジスタのドレインコンタクトと直接電気的に接触している請求項２６に記載の電気回路。
【請求項２８】
隣接するように配設された前記コンタクトポイントは、前記第２のトランジスタのソースコンタクトおよび前記第１のトランジスタのドレインコンタクトである請求項２７に記載の電気回路。
【請求項２９】
前記ユニットセルのうち少なくとも１つは、少なくとも１つの第ＩＩＩ主族元素の少なくとも１つの窒化物を含む半導体を含む請求項１から請求項２８のうちいずれか一項に記載の電気回路。
【請求項３０】
前記ユニットセルのうち少なくとも１つは、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、およびＡｌＧａＩｎＮのうちの少なくとも１つを含む半導体を含む請求項２９に記載の電気回路。
【請求項３１】
請求項１から請求項３０のうちいずれか一項に記載の電気回路を備える半導体素子。
【請求項３２】
一の平面で広がる基板上に形成される少なくとも２つのユニットセルを備える電気回路を製造する方法であって、前記ユニットセルはそれぞれ、異なる機能を持つコンタクトポイントを少なくとも２つ有しており、開口を有する第１の誘電層が、前記コンタクトポイントおよび前記基板の少なくとも一方の上に、前記開口を介して前記コンタクトポイントに対する接触が実現されるように設けられており、
前記第１の誘電層上に、前記機能のうち少なくとも２つに対応して互いに電気的に分離された複数の領域を有する第１の導電層を少なくとも１つ形成して、前記第１の導電層を、前記複数の領域において、対応する機能の前記コンタクトポイントと接触させる方法。
【請求項３３】
少なくとも複数の領域において、前記第１の導電層上には、開口を有する第２の誘電層を形成して、前記第１の導電層の領域のうち前記第２の誘電層が被覆する領域に対する接触を、前記開口を介して実現し、
前記第２の誘電層上に、少なくとも１つの領域を有する第２の導電層を形成して、前記第２の導電層を、前記開口のうち少なくとも一部を介して、前記第１の導電層の領域のうち対応する機能の領域と、各領域において、電気的に接触させる請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
少なくとも複数の領域において、前記第２の導電層上に、開口を有する第３の誘電層を形成して、前記第２の導電層の領域のうち前記第３の誘電層が被覆している領域に対する接触を、前記開口を介して実現して、
前記第３の誘電層上には、少なくとも１つのコンタクト面を形成して、前記コンタクト面を、前記開口のうち少なくとも一部を介して、前記第２の導電層の領域のうち前記コンタクト面に対応する機能を持つ領域と電気的に接触させる請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記第１の導電層、前記第２の導電層、および前記コンタクト面の少なくとも１つの領域に、ボンディング用コンタクトを配設する請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記第１の導電層および前記第２の導電層は、金属層である請求項３３から請求項３５のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項３７】
前記第１の誘電層、前記第２の誘電層および前記第３の誘電層のうち少なくとも１つ、前記第１の導電層および前記第２の導電層のうち少なくとも１つ、前記コンタクトポイントのうち少なくとも１つ、および前記コンタクト面のうち少なくとも１つのうちの少なくとも１つは、リソグラフィー法を用いて形成される、および前記開口のうち少なくとも１つは、前記第１の誘電層、前記第２の誘電層および前記第３の誘電層のうち少なくとも１つにエッチングされる、の少なくとも何れかの特徴を有する請求項３４または３５に記載の方法。
【請求項３８】
請求項１から請求項３１のうちいずれか一項に記載の電気回路が製造される請求項３２から請求項３７のうちいずれか一項に記載の方法。