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　特願２００１−　２２２４５「セラミック回路基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　８月１６日出願公開、特開２００２−２３２０９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯及び本願発明
　本件出願は、平成１３年１月３０日の出願であって、平成２２年１月５日付けの拒絶理由通知に対して期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、指定期間を経過しても応答がないので、平成２２年５月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２２年８月１８日に拒絶査定不服の審判が請求されると同時に、同日付けの手続補正書によって明細書について補正する手続補正がなされ、その後、平成２３年４月１８日付けの当審における書面による審尋に対して平成２３年６月２０日付けで回答書が提出されたものである。
　本件出願の請求項１に係る発明は、平成２２年８月１８日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　「【請求項１】
　セラミック基板の上面に複数の金属回路板を離間して取着して成るセラミック回路基板であって、隣接する２つの前記金属回路板は、それぞれ該金属回路板の互いに対向する側面と上面外周との間の角部の曲率半径が０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下の円弧状であることを特徴とするセラミック回路基板。」（以下、「本願発明」という。）
　なお、平成２２年８月１８日付けの手続補正書による請求項１に関する補正事項は、平成２２年５月１２日付けの原査定の拒絶理由の一つとしての、特許請求の範囲（請求項１）の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないとの拒絶理由に対して、明りょうでない記載の釈明を目的としてなされたものであり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第４号に該当するものである。　
　
２．引用文献の記載内容
（１）原査定の拒絶理由に引用された特開２０００−３２３６４７号公報（以下、「引用文献」という。）には、次の事項が図面とともに記載されている。
（ア）「【０００８】本発明は、上記に鑑みてなされたもので、インダクタンスが低く、電流バランスが優れ、基板体の変形や破損を防止して、絶縁信頼性の高いモジュール型半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、請求項１記載のモジュール型半導体装置は、絶縁性セラミックス板の表面に導電層が接合された基板体における前記導電層上に複数の半導体チップが接合されたモジュール型半導体装置において、前記導電層上に絶縁体を介して接合された島状電極に前記複数の半導体チップの各所定電極が結線され、且つ前記島状電極は前記基板体の中心線上に位置するか又は前記基板体の中心に対して対称形状を有するかの何れかであることを要旨とする。この構成により、半導体チップのエミッタ電極等である各所定電極と島状電極を結線するボンディングワイヤの長さを短く、且つ略均一にすることが可能となる。また、基板体上に島状電極を接合したことで発生する残留応力を均一化させることができ、稼働時に熱応力が重畳された場合でも基板体の破損を防止することが可能となる。」（段落【０００８】及び【０００９】）
　　
（イ）「【００１８】請求項１０記載のモジュール型半導体装置は、上記請求項１記載のモジュール型半導体装置において、前記絶縁体は、前記半導体チップとの間に０．５ｍｍ以上の距離を空けて前記基板体上に固定してなることを要旨とする。この構成により、島状電極と半導体チップとの間に十分な耐圧が維持される。
【００１９】請求項１１記載のモジュール型半導体装置は、上記請求項１記載のモジュール型半導体装置において、前記島状電極の外形は前記絶縁体の外形よりも小さく、且つ前記島状電極の外形と前記絶縁体の外形との間に０．５ｍｍ以上の距離を空けてなることを要旨とする。この構成により、島状電極と通常半導体チップのコレクタ電極等となる導電層との沿面耐圧が十分に高くなり、島状電極と半導体チップとの間に十分な耐圧が維持される。
【００２０】・・・（中略）・・・
【００２１】請求項１３記載のモジュール型半導体装置は、上記請求項１記載のモジュール型半導体装置において、前記島状電極のコーナー部は、半径０．５ｍｍ以上の面取りがされていることを要旨とする。この構成により、電界集中により絶縁破壊の起点となり易い島状電極のコーナー部に適正な面取りを行うことで電界集中が緩和され、島状電極と通常半導体チップのコレクタ電極等となる導電層との沿面絶縁耐圧が十分に高くなる。」（段落【００１８】ないし【００２１】）
　　
（ウ）「【００３５】本発明の第１の実施の形態を図１を用いて説明する。まず、本実施の形態の構成を説明すると、図１において、絶縁性セラミックス板１の表裏面にそれぞれ導電層２，３が接合された基板体４における一方の導電層２上には、複数個（図では４個）の半導体チップ５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄが半田６で接合されている。また、基板体４の他方の導電層３は、金属製ベース７に半田８で接合されており、半導体チップ５ａ〜５ｄから発生する熱を基板体４と金属製ベース７を介してヒートシンク９に逃がす構成になっている。一般に、半導体チップ５ａ〜５ｄの裏面はコレクタ電極になっており、基板体４表面の一方の導電層２と半田６で接合されることで電気的に接続されている。また、半導体チップ５ａ〜５ｄの上面には、それぞれ複数のエミッタ電極（所定電極）１０があり、この半導体チップ５ａ〜５ｄの各エミッタ電極１０は、基板体４上に絶縁体１１を介して接合された島状エミッタ電極１２ａにボンディングワイヤ１３により結線されている。半導体チップ５ａ〜５ｄ裏面のコレクタ電極と表面のエミッタ電極１０間に流れる電流は、半導体チップ５ａ〜５ｄの表面部に配置されたゲート電極（他の所定電極）１４により制御されるようになっており、このゲート電極１４は、基板体４外に設置された図示省略の電極にボンディングワイヤにより結線されている。」（段落【００３５】）
　　
（エ）「【００５１】このように構成された本実施の形態において、絶縁体１１の厚さを０．２ｍｍ以上にすることで、島状エミッタ電極１２ａとコレクタ電極である基板体４表面の導電層２との間に十分な絶縁を維持することができる。しかし、必要以上に厚くすると島状エミッタ電極１２ａを接合した絶縁体１１を基板体４に接合したときに基板体４の変形が大きくなるため、その厚さは基板体４を構成する絶縁性セラミックス板１よりも薄くすることが必要である。
【００５２】本発明の第９の実施の形態を、前記図１を用いて説明する。図１において、基板体４を構成する導電層２，３及び島状エミッタ電極１２ａの材料として、通電時の抵抗発熱を抑制するためには高い導電率が、また島状エミッタ電極１２ａの熱を絶縁体１１を介して基板体４に逃がすためには、高い熱導電率が要求される。さらに、これらの導電層２，３及び島状エミッタ電極１２ａの材料としてヤング率が小さい材料を用いることにより、強度的に脆い絶縁性セラミックス板１及び絶縁体１１に発生する熱応力を低減させることができる。このような観点から導電層２，３及び島状エミッタ電極１２ａの材料として銅、アルミニウム及びこれらを主成分とする合金又は複合材料が適していると言える。
【００５３】このように構成された本実施の形態において、製造時及び稼働時に絶縁性セラミックス板１に発生する熱応力を低減でき、基板体４の破損や変形を防止することができる。
【００５４】本発明の第１０の実施の形態を、図４を用いて説明する。図４において、島状エミッタ電極１２と基板体４表面に接合されているコレクタ電極である導電層２とは、絶縁体１１により電気的に絶縁されているが、島状エミッタ電極１２と半導体チップ５のコレクタ電極とは空気絶縁になっている。図４に示すように、両者の間の距離ｄ１を０．５ｍｍ以上とることにより、島状エミッタ電極１２と半導体チップ５のコレクタ電極とも良好な絶縁を得ることができる。しかし、必要以上の距離は基板体４やモジュール型半導体装置の大型化を招くため好ましくない。
【００５５】このように構成された本実施の形態においては、島状エミッタ電極１２と半導体チップ５のコレクタ電極との間にも良好な絶縁を維持することが可能となり、モジュール型半導体装置の絶縁信頼性を向上させることができる。
【００５６】本発明の第１１の実施の形態を、前記図４を用いて説明する。図４において、島状エミッタ電極１２は絶縁体１１を介して基板体４上に接合されているが、この島状エミッタ電極１２を絶縁体１１に比べて小さくし、且つ両者との間に一定の距離ｄ２を設けて接合されている。この距離が小さいと島状エミッタ電極１２とコレクタ電極が電気的に短絡するため、高耐圧・大容量のモジュール型半導体装置では、０．５ｍｍ以上の距離を空けることが好ましい。しかし、必要以上の距離をとることは基板体４やモジュール型半導体装置の大型化を招くため好ましくない。
【００５７】このように構成された本実施の形態においては、島状エミッタ電極１２とコレクタ電極との沿面耐圧を向上させることができ、モジュール型半導体装置の絶縁信頼性を向上させることができる。
【００５８】本発明の第１２の実施の形態を、前記図４を用いて説明する。図４において、島状エミッタ電極１２と基板体４の間に介在する絶縁体１１のエッジ部に半径０．５ｍｍ以上の面取りを行っている。
【００５９】　・・・（中略）・・・
【００６０】本発明の第１３の実施の形態を、前記図４を用いて説明する。図４において、島状エミッタ電極１２のコーナー部（Ｒ２）に半径０．５ｍｍ以上の面取りを行っている。
【００６１】このように構成された本実施の形態において、電界集中により絶縁破壊の起点となり易い導電体である島状エミッタ電極１２のコーナー部をＲ形状として、コーナー部の電界集中を緩和することにより島状エミッタ電極１２と半導体チップ５及び基板体４上の導電層２であるコレクタ電極との沿面絶縁耐圧を向上させることができる。このような沿面絶縁性はコーナー部のＲを大きくするほど向上するが、過度にＲを大きくすること絶縁体１１や基板体４の粗大化を招くため、実験結果から半径０．５〜１．０ｍｍ程度が適当である。」（段落【００５１】ないし【００６１】）
　　
（オ）「【００９５】請求項１０記載のモジュール型半導体装置は、前記絶縁体は、前記半導体チップとの間に０．５ｍｍ以上の距離を空けて前記基板体上に固定したため、島状電極と半導体チップとの間に十分な耐圧が維持されて、絶縁破壊を防止することができる。
【００９６】請求項１１記載のモジュール型半導体装置は、前記島状電極の外形は前記絶縁体の外形よりも小さく、且つ前記島状電極の外形と前記絶縁体の外形との間に０．５ｍｍ以上の距離を空けたため、島状電極と通常半導体チップのコレクタ電極等となる導電層との沿面耐圧が十分に高くなり、島状電極と半導体チップとの間に十分な耐圧を維持させることができる。
【００９７】　・・・（中略）・・・
【００９８】請求項１３記載のモジュール型半導体装置は、前記島状電極のコーナー部は、半径０．５ｍｍ以上の面取りがされているため、電界集中により絶縁破壊の起点となり易い島状電極コーナー部への電界集中が緩和されて、島状電極と通常半導体チップのコレクタ電極等となる導電層との沿面絶縁耐圧が十分に高くなり、絶縁信頼性を向上させることができる。」（段落【００９５】ないし【００９８】）
　
　したがって、引用文献には、上記の記載事項（ア）ないし（オ）及び図面を参酌すると、次のような発明（以下、「引用文献に記載された発明」という。）が記載されているといえる。
　「セラミック板１の上面に島状エミッタ電極１２（１２ａ、１２ｂ‥）、半導体チップ５（５ａ、５ｂ‥）及び半導体チップ５のコレクタ電極等となる導電層２等を離間して取着してなるモジュール型半導体装置であって、隣接する島状エミッタ電極１２と半導体チップ５（５ａ、５ｂ‥）及び半導体チップ５のコレクタ電極等となる導電層２とのうち、島状エミッタ電極１２のコーナー部（Ｒ２）を半径０．５ｍｍ〜１．０ｍｍ程度の面取りを行いＲ形状であるモジュール型半導体装置。」
　
３．本願発明と引用文献に記載された発明との対比
　本願発明と引用文献に記載された発明とを対比すると、引用文献に記載された発明における「島状エミッタ電極１２（１２ａ、１２ｂ‥）」及び「（半導体チップ５（５ａ、５ｂ‥）のコレクタ電極等となる）導電層２」は、ともに、銅、アルミニウム及びこれらを主成分とする合金又は複合材料で構成されているから、本願発明における「金属回路板」に相当することは明らかであり、引用文献に記載された発明における「セラミック板１」、「コーナー部（Ｒ２）」、「Ｒ形状」及び「モジュール型半導体装置」は、それらの形状、構造や機能及び意図する技術内容等からみて、それぞれ、本願発明における「セラミック基板」、「角部」、「円弧状」及び「セラミック回路基板」に相当する。
　また、引用文献に記載された発明における「隣接する島状エミッタ電極１２と半導体チップ５のコレクタ電極等となる導電層２とのうち、島状エミッタ電極１２のコーナー部（Ｒ２）を半径０．５ｍｍ〜１．０ｍｍ程度の面取りを行いＲ形状」は、本願発明における「隣接する２つの前記金属回路板は、それぞれ該金属回路板の互いに対向する側面と上面外周との間の角部の曲率半径が０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下の円弧状」に、「隣接する一つの金属回路板は、角部の曲率半径が０．５ｍｍの円弧状」である限りにおいて相当するから、本願発明と引用文献に記載された発明とは、
　「セラミック基板の上面に複数の金属回路板を離間して取着して成るセラミック回路基板であって、隣接する２つの前記金属回路板の一方の角部の曲率半径が０．５ｍｍの円弧状であるセラミック回路基板。」の点で一致し、以下の点で相違する。
〈相違点〉
　「隣接する一つの金属回路板は、角部の曲率半径が０．５ｍｍの円弧状」に関して、本願発明においては、「隣接する２つの金属回路板は、それぞれ該金属回路板の互いに対向する側面と上面外周との間の角部の曲率半径が０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下の円弧状」であるのに対して、引用文献に記載された発明においては「隣接する島状エミッタ電極１２と半導体チップ５のコレクタ電極等となる導電層２とのうち、島状エミッタ電極１２のコーナー部（Ｒ２）を半径０．５ｍｍ〜１．０ｍｍ程度の面取りを行いＲ形状」である点（以下、「相違点」という。）。
　　
４．当審の判断
　相違点について検討する
（１）一般に、隣接する回路端部がシャープな角度になっていると、当該端部に電荷が集中し放電破壊等が起こるために、端部に互いに丸みを設けること、
（２）絶縁性基板上に複数の金属回路板を離間して構成した回路基板において、互いに隣接する２つの金属回路板のそれぞれの対向する側面と上面外周との間の角部には電荷や電界の集中が起きやすいこと、
（３）電荷や電界の集中が起きやすい角部を丸く円弧状にすることによって電荷や電界の集中をなくして電気的あるいは磁気的な効率が低下することがないようにすること、
（４）さらに、上記（１）ないし（３）の結果として、集積化が容易となることは、
　本件出願の出願前に周知の技術事項である（必要ならば、例えば、特開平８−１４８８４１号公報（特に、【０００８】及び【図４】参照）、特公昭４４-３１０２３号公報（特に、第２ページ第３欄第２０行ないし第２２行、第３ページ第５欄第２３行ないし第３６行の記載及び図面第５図参照）、特開２０００−１００８１７号公報（特に、【００４０】、【００４１】、【図１】及び【図６】参照）を参照。）。
　また、円弧状とする角部の曲率半径の範囲の設定及び位置に関して、その最適な範囲を設定することは、当業者の通常の創作能力の発揮にすぎないものであって、また、上記周知の技術事項で例示した、特開２０００−１００８１７号公報の記載を考慮すれば、当業者が適宜設定し得る程度のものともいえる。
　してみると、相違点に係る本願発明のように特定することは、引用文献に記載された発明及び周知の技術事項を勘案すれば、当業者が格別な創意工夫を要することなく容易に想到し得る程度のものである。
　以上のように、本願発明は、引用文献に記載された発明及び前述した周知の技術事項に基づいて、当業者が格別な困難性を伴うことなく容易に想到し得ることができたものと認められ、しかも、本願発明は、全体構成でみても、引用文献に記載された発明及び前述した周知の技術事項から予測できる作用効果以上の格別な作用効果を奏するものとも認められない。
　　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献に記載された発明及び前述した周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。