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　特願２００３−　３２９０５「液体吐出装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　９月　２日出願公開、特開２００４−２４３５４２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明
１　本願は、平成１５年２月１０日の出願であって、平成２１年３月２３日及び同年７月３０日付けで手続補正がなされ、平成２１年７月３０日付け手続補正を同年１０月１６日付けの補正却下の決定により却下するととももに同日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２２年１月１３日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
２　本願の請求項１に係る発明は、平成２１年３月２３日付け手続補正後の明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものと認める。
「発熱抵抗素子として機能する発熱抵抗層に駆動電気パルスを印加することで発生する熱エネルギーを液体に付与し、液体を吐出させる液体吐出装置であって、
　駆動トランジスタと、
　前記駆動トランジスタに接続されている下層配線層と、
　前記下層配線層の最上層に形成され、チタンの窒化物又はタングステンの窒化物である反応防止層と、
　前記発熱抵抗層と、
　前記発熱抵抗層上に形成され、前記下層配線層に接続孔を介して接続されている上層配線層とを含む
　液体吐出装置。」（以下「本願発明」という。）
　
第２　引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に頒布された刊行物である特開平４−２１１９５２号公報（以下「引用例」という。）には、次の事項が図とともに記載されている（下線は審決で付した。以下同じ。）。
　
１　「【請求項１１】　　インクを吐出する為の吐出口を有する液吐出部と、該液吐出部に供給された
インクを吐出する為に利用される熱エネルギを発生する為の電気熱変換素子
を有する
インクジェット記録装置
　
２　「【００３３】このような半導体装置においては、Ｎ型コクレタ埋込領域２の不純物濃度を１×１０１９ｃｍ−３以上とすること、ベース領域５の不純物濃度を５×１０１４〜５×１０７ｃｍ−３とすること、さらには、高濃度Ｐ型ベース領域８と電極との接合面の面積をなるべく小さくすることが望ましい。このようにすれば、
ＮＰＮトランジスタ
　
３　「【００４３】本実施例の記録ヘッド１００には、上述した駆動部を有する基板上に熱酸化によるＳｉＯ２膜１０１、およびＣＶＤ法やスパッタリング法による酸化シリコン膜等から成る蓄熱層１０２上に、スパッタリング法による
ＨｆＢ
２
等の発熱抵抗層１０３とＡｌ等の電極１０４とで構成された電気熱変換素子１１０
コレクタ・ベース共通電極１２
エミッタ電極１３
【００４４】発熱抵抗層としては、ほかにもＰｔ，Ｔａ，ＺｒＢ２，Ｔｉ−Ｗ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｔａ−Ａｌ，Ｔａ−Ｓｉ，Ｔａ−Ｍｏ，Ｔａ−Ｗ，Ｔａ−Ｃｕ，Ｔａ−Ｎｉ，Ｔａ−Ｎｉ−Ａｌ，Ｔａ−Ｍｏ−Ｎｉ，Ｔａ−Ｗ−Ｎｉ，Ｔａ−Ｓｉ−Ａｌ，Ｔａ−Ｗ−Ａｌ−Ｎｉ，Ｔｉ−Ｓｉ，Ｗ，Ｔｉ，Ｔｉ−Ｎ，Ｍｏ，Ｍｏ−Ｓｉ，Ｗ−Ｓｉ等が用いられる。更には電気熱変換素子の発熱部１１０上にはスパッタリングまたはＣＶＤ法によるＳｉＯ２等の保護膜１０５およびＴａ等の保護膜１０６が設けられている。」
　
４　「【００５９】次に、
電気的接続をとる為に
絶縁膜１０２
を
開口
【００６０】
（７）　　次に、
発熱抵抗層１０３としてのＨｆＢ
２
を、
電気的接続をとる為にエミッタ領域上部の電極とベース・コレクタ領域上部の電極
に
堆積
【００６１】
（８）　　その上に電気熱変換素子の一対の電極１０４、ダイオードのカソード電極配線２０１およびアノード電極配線２０２としてのＡｌ材料からなる層を堆積させ、パターニングし、電気熱変換素子とその他配線を同時に形成した（図１５）。
【００６２】ここでは、別に、
発熱抵抗層１０３と下層のＡｌ電極１２，１３
との間
上層のＡｌ電極
２０１及び２０２
に、
層としてＴｉを介在させる
ＨｆＢ
２
更にその上に上層のＡｌ２０１，２０２を堆積させた
　
５　「【０１０２】その代表的な構成や原理については、例えば、米国特許第４７２３１２９号明細書，同第４７４０７９６号明細書に開示されている基本的な原理を用いて行うものが好ましい。この方式は所謂オンデマンド型，コンティニュアス型のいずれにも適用可能であるが、特に、オンデマンド型の場合には、液体（インク）が保持されているシートや液路に対応して配置されている
電気熱変換体に、
駆動信号を印加することによって、電気熱変換体に熱エネルギを発生せしめ、
吐出用開口を介して
インク
を吐出させ
この駆動信号をパルス形状とする
　
６　上記２、上記３、上記４及び図１８の記載から、ＮＰＮトランジスタのエミッタ領域上部に接続されているＡｌ電極１３とＮＰＮトランジスタのベース・コレクタ領域上部に接続されているＡｌ電極１２が見て取れる。　
　
７　上記４及び図１８の記載から、下層のＡｌ電極１２及び１３に絶縁膜１０２の開口を介して電気的接続されている上層のＡｌ電極２０１及び２０２が見て取れる。
　
８　上記１ないし７から、引用例には、
「インクを吐出する為に利用される熱エネルギを発生する為の発熱抵抗層１０３とＡｌ等の電極１０４とで構成された電気熱変換素子を有するインクジェット記録装置であって、
　ＮＰＮトランジスタと、
　ＮＰＮトランジスタのエミッタ領域上部に接続されているＡｌ電極１３とＮＰＮトランジスタのベース・コレクタ領域上部に接続されているＡｌ電極１２と、
　ＨｆＢ２の発熱抵抗層１０３と、
　前記発熱抵抗層１０３と下層のＡｌ電極１２及び１３との間に層としてＴｉを介在させ、
　前記発熱抵抗層１０３の上に堆積させ、下層のＡｌ電極１２及び１３に絶縁膜１０２の開口を介して電気的接続されている上層のＡｌ電極２０１及び２０２とを有し、
　電気熱変換素子にパルス形状の駆動信号を印加することによって、電気熱変換素子に熱エネルギを発生せしめ、吐出用開口を介してインクを吐出させる、
　インクジェット記録装置。」の発明（以下「引用発明」という。）が、記載されているものと認められる。
　
第３　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
１　引用発明における
「発熱抵抗層１０３」、
「インクジェット記録装置」、
「ＮＰＮトランジスタ」、
「ＮＰＮトランジスタのエミッタ領域上部に接続されているＡｌ電極１３とＮＰＮトランジスタのベース・コレクタ領域上部に接続されているＡｌ電極１２」及び
「発熱抵抗層１０３の上に堆積させ、下層のＡｌ電極１２及び１３に絶縁膜１０２の開口を介して電気的接続されている上層のＡｌ電極２０１及び２０２」は、それぞれ、
本願発明における
「発熱抵抗素子として機能する発熱抵抗層」、
「液体吐出装置」、
「駆動トランジスタ」、
「駆動トランジスタに接続されている下層配線層」及び
「前記発熱抵抗層上に形成され、前記下層配線層に接続孔を介して接続されている上層配線層」に相当する。
　
２　引用発明の「インクジェット記録装置」は、「電気熱変換素子にパルス形状の駆動信号を印加することによって、電気熱変換素子に熱エネルギを発生せしめ、吐出用開口を介してインクを吐出させ」ており、引用発明の「電気熱変換素子」は、「インクを吐出する為に利用される熱エネルギを発生する為の発熱抵抗層１０３とＡｌ等の電極１０４とで構成され」ていることから、引用発明の「インクジェット記録装置」は、発熱抵抗層にパルス形状の駆動信号を印加することによって、発熱抵抗層に熱エネルギを発生せしめ、吐出用開口を介してインクを吐出させていると認められる。
　したがって、引用発明の「インクジェット記録装置」と本願発明の「液体吐出装置」とは、発熱抵抗素子として機能する発熱抵抗層に駆動電気パルスを印加することで発生する熱エネルギーを液体に付与し、液体を吐出させる点で一致する。
　
３　上記１及び２からみて、本願発明と引用発明とは、
「発熱抵抗素子として機能する発熱抵抗層に駆動電気パルスを印加することで発生する熱エネルギーを液体に付与し、液体を吐出させる液体吐出装置であって、
　駆動トランジスタと、
　前記駆動トランジスタに接続されている下層配線層と、
　前記発熱抵抗層と、
　前記発熱抵抗層上に形成され、前記下層配線層に接続孔を介して接続されている上層配線層とを含む
　液体吐出装置。」である点で一致し、次の相違点で相違する。
　
相違点：
　本願発明の「液体吐出装置」は、「下層配線層の最上層に形成され、チタンの窒化物又はタングステンの窒化物である反応防止層」を有するのに対し、引用発明の「液体吐出装置（インクジェット記録装置）」は、「発熱抵抗素子として機能する発熱抵抗層（発熱抵抗層１０３）と駆動トランジスタに接続されている下層配線層（ＮＰＮトランジスタのエミッタ領域上部に接続されているＡｌ電極１３とＮＰＮトランジスタのベース・コレクタ領域上部に接続されているＡｌ電極１２）との間にＴｉの層」を有するものである点。
　
第４　判断
　上記相違点について検討する。
１　本願の明細書の発明の詳細な説明にも「また、この導通不良問題は窒素を含む発熱抵抗素子材料に限らずＡｌが絶縁物を形成する恐れのある酸素、炭素、硼素等を含むサーメットを発熱抵抗素子材料を採用する場合にも同様に発生する問題である。」（【００１３】参照。）と記載されているように、硼素等を含むサーメットを発熱抵抗素子材料に採用する場合に、Ａｌが絶縁物を形成することによって導通不良問題が発生することは、技術的に明らかであり、また、本願の出願当初明細書の発明の詳細な説明にも「反応防止層５として、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ」（【００２０】参照。）と記載されているように、Ｔｉは導通性がありＡｌ電極の反応防止層として機能することも、技術的に明らかである。
　
２　発熱抵抗体と電極との間に、密着層及び前記発熱抵抗体と前記電極の反応防止層としての電極を設けることは、本願の出願前に周知である（例．特開昭６３−１４１７６４号公報（第１頁右欄第３〜７行及び第２図参照。）、特開昭６２−９９６６号公報（第１頁右欄第１８行〜第２頁左上欄第２行及び第３図参照。）及び特開昭６１−１３５７６５号公報（第１頁右欄第１０〜１４行及び第２図参照。）、以下「周知技術１」という。）。
　
３　上記１及び周知技術１からして、引用発明のＨｆＢ２の発熱抵抗層１０３と下層のＡｌ電極１２及び１３との間に介在させたＴｉの層は、反応防止層としても機能していると認められる。
　
４　反応防止層としてチタンの窒化物又はタングステンの窒化物を用いることは、本願出願前に周知である（例．特開平６−２１６２６１号公報（【０００５】、【０００６】及び【００３０】参照。）、特開２００２−２３１９４２号公報（【００５７】参照。）、特開２０００−４９３４８号公報（【０１４９】及び【０１５０】参照。）、特開昭６４−８９４６８号公報（第３頁左上欄第２〜５行参照。）及び特開２００１−２３７４２２号公報（【００３７】及び【００３８】参照。）、以下「周知技術２」という。）。
　
５　上記３及び４からして、引用発明に周知技術１及び周知技術２を採用し、発熱抵抗層１０３と下層のＡｌ電極１２及び１３との間にチタンの窒化物又はタングステンの窒化物である反応防止層を形成することは、当業者が容易に想到する事項にすぎず、よって、引用発明において、上記相違点に係る本願発明の構成となすことは、当業者が周知技術１及び周知技術２に基づいて容易に想到する事項にすぎない。
　
６　効果について
　本願発明の奏する効果は、引用発明、周知技術１及び周知技術２から当業者が予測することができた程度のものである。
　
７　まとめ
　したがって、本願発明は、当業者が引用発明、周知技術１及び周知技術２に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
第５　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用例に記載された発明、周知技術１及び周知技術２に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。