【事件の表示】
　特願２０００−２７３３３５「薄膜トランジスタの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　３月２２日出願公開、特開２００２−　８３９７１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、平成１２年９月８日の出願であって、平成２０年１２月１８日に手続補正書が提出され、平成２１年８月１１日付けで拒絶査定がされ、それに対して、同年１０月２０日に審判が請求されるとともに、手続補正書が提出され、その後、平成２３年１月２０日付けで審尋がされ、平成２３年３月２５日に回答書が提出されたものである。
　
　
第２　平成２１年１０月２０日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正の却下の決定
　
【補正の却下の決定の結論】
　
　本件補正を却下する。　
　
【理由】　
１　補正の内容　
　本件補正のうち、特許請求の範囲についてする補正は、次のとおりである。
　請求項１〜３について、各項中の「チャネル部の半導体層表面を予め定めた凹凸にする」とあるのを、それぞれ、「チャネル部の半導体層表面に２００〜５００Åの凹凸を形成する」と限定すること。　
　
２　補正の目的の適否
　上記補正は、補正前の請求項に規定されている技術的事項をより限定するものであり、平成１８年法律５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するから、同特許法第１７条の２第４項柱書きに規定する目的要件を満たす。
　
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、更に検討する。
　
３　独立特許要件（容易想到性）についての検討
（１）本願補正発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明は、次のとおりである。
　
　「【請求項１】　所定のオーミック層およびその拡散層をプラズマエッチングにより除去するチャネルエッチングを行うとき、チャネル部の半導体層表面に２００〜５００Åの凹凸を形成する薄膜トランジスタの製造方法であって、
　前記凹凸の形成を、ＳＦ６／ＨＣｌ／Ｈｅ＝２００／２００／１００（ＳＣＣＭ）ガスを導入してプラズマドライエッチング装置によるプラズマエッチングにて行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」
　
（２）引用例の記載と引用発明
（２−１）引用例とその記載内容
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前に頒布された刊行物であるChung Yi，Effect of Back-Channel Plasma Etching on the Leakage Current of a-Si:H Thin Film Transistors，Japanese Journal of Applied Physics，２０００年　３月，３９巻，３Ａ号，１０５１頁〜１０５３頁（以下「引用例」という。）には、次の記載がある（括弧の訳文及び下線は、当審で付加したものである。以下同じ。）。
　
ア「2. Experiments　
 We have fabricated a-Si:H TFTs with channel dimensions (W/L) of 20×3 μm with back-channel etching. The cross-sectional view is shown in Fig. 1.」（１０５１頁左欄下から１０行〜下から７行）
　
（２．実施例
　20×3 μm のチャネルを有し、
バックチャネルエッチングをしたa-Si:H TFTを製造した。
　
イ「After the gate electrode patterning, silicon nitride, undoped hydrogenated amorphous silicon and n+-doped amorphous silicon were deposited sequentially by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) without interrupting the process to maintain good interface quality between the gate nitride and the hydrogenated amorphous silicon.」（１０５１頁左欄下から７行〜下から１行）
　
（ゲート電極のパターニングの後、ＳｉＮ層とa-Si:H層との良好な界面特性を維持するため、工程を中断することなく、ＳｉＮ層、a-Si:H層、n+/a-Si:H層をPECVDで連続的に堆積する。）
　
ウ「After n+/a-Si:H island patterning, the source-drain metal was deposited by sputtering and then etched by the wet etching process. The source-drain metal electrodes confine the channel region. n+/a-Si:H is etched by plasma dry etching with an SF6 and HCl gas mixture after source-drain patterning.」（１０５１頁左下欄下から１行〜右下欄５行）
 
（n+/a-Si:H層を島状にパターニングした後、ソース−ドレイン金属層をスパッタリングにより堆積し、ウェットエッチングする。ソース−ドレイン金属電極は、チャンネル領域を画定する。
ソース−ドレインのパターニングの後、SF
6
 とHClの混合ガスによるプラズマドライエッチングによりn
+
/a-Si:H層をエッチングする。
　
エ「To obtain fine ohmic contact between the source-drain metal and a-Si:H, heavily doped n+a-Si was used, and this layer captured the hole carrier effectively in the off-state.」（１０５１頁右下欄６行〜８行）
　
（
ソース−ドレイン金属層とa-Si:H層の良好なオーミックコンタクトを得るために、高濃度のn
+
a-Si層が用いられる。
　
オ「All samples were fabricated in one batch and the thickness of a-Si:H after the back-channel etching is controlled precisely (below 6％thickness uniformity).」（１０５１頁右下欄８行〜１１行）
　
（全ての試料は一括で製造した。そして、バックチャネルエッチングの後のa-Si:H層の厚みは、精密に（６％以下の均一な厚みに）制御される。）　
　
カ「In this study, the SF6 and carrier gas amount and process pressure were fixed. To examine the effect of chlorine ions, the amount of HCl was varied from 150 sccm to 300 sccm, and the power was varied from 1000W to 2000W. The process parameters are summarized in Table I.」（１０５１頁右下欄下から９行〜下から５行）
　
（この研究では、SF6 とキャリアガスの量と圧力は一定とし、塩素イオンの影響を調べるために、ＨＣｌの量を１５０ｓｃｃｍから３００ｓｃｃｍまで変化させ、パワーを１０００Ｗから２０００Ｗまで変化させた。工程パラメータは、表１にまとめてある。）　
　
キ「To examine the relationship between back-channel surface roughness and Ioff characteristics, we have analyzed the surface morphology by AFM and Fig.4 shows the surface roughness of the sample.
 The surface roughness root-mean-square(RMS)value of sample 1 is 29.9Å, sample 2 is 38Å and sample 3 is 48.8Å.」（１０５３頁左上欄４行〜９行）
　
（バックチャネルの表面粗さとオフ電流特性との関係を調べるために、AMFにより、前記表面の形態を分析した。図４は試料の表面粗さを示す。　
　試料１の表面粗さの二乗平均平方根は２９．９Å、試料２は３８Å、試料３は４８．８Åである。）　
　　
ク　表１について　
　表１（１０５１頁）は、各試料のエッチング条件を表に示したものである。　
　試料３は、表１に「SF6 , He flow rate, and other Etch conditions are the same」と記載されていることから、上記ウ及びカを参酌すれば、
ＳＦ
６
／ＨＣｌ／Ｈｅガスを用いるプラズマドライエッチングを用いたものである
　
ケ　図４について
　図４（１０５２頁）は、ＡＭＦにより測定した、バックチャネルエッチング後のバックチャネルの表面の高さ分布を表したものであって、図４（ｃ）は、試料３（ＨＣｌ：１５０ｓｃｃｍ，パワー：２０００Ｗ）の高さ分布を２次元、３次元の図で示しており、
０Åの凹部（横軸３μｍの左側の地点）があり、２００Åを越えている凸部（横軸４μｍの左側の地点）がある
　
（２−２）引用発明
　上記ア〜ケにより、引用例には、次の発明が記載されているといえる（以下「引用発明」という。）。
　
「バックチャネルエッチングを行うとき、バックチャネルの表面に図４の縦軸でみて０Åの凹部と２００Åを越える凸部を形成するa-Si:H TFTの製造方法であって、　
　ＳＦ６／ＨＣｌ／Ｈｅガスを用いるプラズマドライエッチングにて前記バックチャネルエッチングを行うa-Si:H TFTの製造方法。」
　
（３）対比
（３−１）本願補正発明と引用発明とを対比すると、
ア　引用文献の「バックチャネルエッチング」は、チャネルエッチングという点で、本願補正発明と共通する。　
　
イ　引用発明では、バックチャネルの表面に図４の縦軸でみて０Åの凹部と２００Åを越える凸部を形成することから、チャネル部の半導体層表面に２００Å〜５００Åの範囲に含まれる凹凸を形成する本願補正発明と、数値範囲が重なっている。
　
ウ　引用発明の「ＳＦ６／ＨＣｌ／Ｈｅガスを用いるプラズマドライエッチング」が、ＳＦ６／ＨＣｌ／Ｈｅガスを導入するプラズマドライエッチング装置によるものであることは、当業者にとって明らかである。
  
エ　引用発明の「a-Si:H TFT」は、本願補正発明の「薄膜トランジスタ」に相当する。
　
（３−２）したがって、本願補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりとなる。
　
〈一致点〉
「チャネルエッチングを行うとき、チャネル部の半導体層表面に２００〜５００Åの凹凸を形成する薄膜トランジスタの製造方法であって、
　前記凹凸の形成を、ＳＦ６／ＨＣｌ／Ｈｅガスを導入してプラズマドライエッチング装置によるプラズマエッチングにて行う薄膜トランジスタの製造方法。」
　
〈相違点１〉
　チャネルエッチングについて、本願補正発明は、「所定のオーミック層およびその拡散層をプラズマエッチングにより除去する」ものであるのに対し、引用発明では、プラズマエッチングによるものではあるものの、所定のオーミック層およびその拡散層を除去することが特定されていない点。　
　
〈相違点２〉
　導入するＳＦ６／ＨＣｌ／Ｈｅガスについて、本願補正発明では、「ＳＦ６／ＨＣｌ／Ｈｅ＝２００／２００／１００（ＳＣＣＭ）」であるのに対し、引用発明では、そのような特定がされていない点。
　
（４）相違点についての検討
（４−１）相違点１　　
ア　チャネルエッチングは、例えば下記の周知例１及び２に記載されているように、薄膜トランジスタの不純物拡散層を除去するために行われるものとして、本願の出願日の前において当業者に周知であったものと認められる。　
　　　
（周知例１：特開平５−１６５０５６号公報）
　上記周知例１には、図１とともに、所定のｎ+ ａ−Ｓｉ層を除去するチャネルエッチプロセスが記載されている。　
「【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示すアクティブマトリックス液晶ディスプレイの下基板の要部断面図である。この図に示すように、まず、アクティブマトリックス液晶ディスプレイの下基板となるａ−ＳｉＴＦＴ基板（下基板）は、
ガラス基板２１の上に、
ゲート電極２２を形成する。
【００１５】そして、・・・
シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）を膜厚０．１〜０．４μｍで成膜し、
所定の条件で半導体層（チャネル層）となるｎ- アモルファスシリコン（ｎ
- 
ａ−Ｓｉ）膜を膜厚０．０５〜０．２μｍで成膜する。
【００１６】
次いで、
オーミック層となるｎ
+
 アモルファスシリコン（ｎ
+
 ａ−Ｓｉ）を０．０３〜０．０５μｍで成膜し、それぞれ基板全面に堆積させる。そして、ｎ
+
 ａ−Ｓｉ膜とｎ
- 
ａ−Ｓｉ膜を島状の所定の形状に加工することにより、ゲート絶縁膜２３と島状の半導体層２４、オーミック層２５を形成する。ゲート絶縁膜２３はエッチングせずに、基板全面に残す。
【００１７】
次いで、
ソース電極２６及びドレイン電極２７を形成する。その後、チャネルエッチプロセスとなる。本発明においては、該プロセスとしては、チャネル層上の不要なｎ
+ 
ａ−Ｓｉ層を、図２（後述）に基づいて、ガス比、すなわち、Ｏ
2 
／（ＣＦ
4 
＋Ｏ
2 
）を５〜１５％とするリアクティブイオンエッチング方式（ＲＩＥ法）等のドライエッチングで除去する。
　
（周知例２：特開平６−７７４８３号公報）
　上記周知例２には、図３とともに、所定のｎ型アモルファスシリコン膜を除去するチャネルエッチングが記載されている。　
「【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜トランジスタの構造を図３に示す。
【０００３】
ガラス等の絶縁基板１上に
ゲート電極２にパターニングする。
【０００４】
次にアモルファス窒化シリコン膜等のゲート絶縁膜（５００ｎｍ）と、アモルファスシリコン膜（３００ｎｍ）３と、リンをドープしたｎ型アモルファスシリコン膜（６０ｎｍ）７をプラズマＣＶＤ法により真空中で連続成膜する。
【０００５】次にアモルファスシリコンとｎ型アモルファスシリコン膜をフォトリソグラフィとドライエッチングの方法により
島状に加工してアイランド層３及びオーミックコンタクト層７を形成し、
ソース電極５及びドレイン電極配線６をパターニングする。
【０００６】
次にチャネル形成のため、ゲート電極２上のアイランド層上に残ったｎ型アモルファスシリコン膜をドライエッチング法により除去する（以下、チャネルエッチングと称する）。
　
イ　そして、引用例の「To obtain fine ohmic contact between the source-drain metal and a-Si:H, heavily doped n+a-Si was used, ・・・」（ソース−ドレイン金属層とa-Si:H層の良好なオーミックコンタクトを得るために、高濃度のn+a-Si層が用いられる。）との記載から、この「n+a-Si層」は、拡散層でありオーミック層であることが分かる。
　
ウ　そうすると、上記ア及びイを参酌すれば、引用発明においても、プラズマエッチングによるチャネルエッチングによって、所定のオーミック層およびその拡散層が除去されるものと認められる。　
　
エ　よって、相違点１は、実質的に相違しない。　
　
（４−２）相違点２　
ア　プラズマドライエッチング装置に導入する各種ガスの流量は、該装置の高周波電力（パワー）、チャンバー内の圧力及び温度、エッチング対象、ガスの種類等の条件に依存して変動するものであり、当業者が必要とするエッチングの選択性、加工精度に応じて、適宜、設定すべきものである。　
　
イ　そして、プラズマドライエッチング装置に導入する混合ガスにおける各成分ガスの流量を数百ｓｃｃｍのオーダーとすることは、例えば、引用例の「試料３」のＨＣｌガスが１５０ｓｃｃｍ（上記（２−１）のケ参照。）、以下の周知例３、周知例４にも記載されているように、本願出願前に周知の技術である。
　
（周知例３：特開平６−１７７０８３号公報）
　上記周知例３には、次の記載がある。
「【００１５】
【実施例】以下、この発明の第１の実施例を図１と図２を参照して説明する。
【００１６】図２は、
この発明のプラズマエッチングを行うための平行平板型のエッチング装置１１である。
【００１７】上記カソ−ド１３の上面には図４に示す液晶基板１が載置され、この液晶基板１に形成された被エッチング物質としてのゲ−ト線２、ゲ−ト絶縁膜３あるいはｎ+ アモルファスシリコン膜７が後述するごとくプラズマエッチングされる。
【００１８】
上記エッチングチャンバ１２の一側にはエッチグガスの導入管１６が接続され、他側には図示しない排気ポンプに連通した排気管１７が接続されている。上記導入管１６からエッチングチャンバ１２内にエッチグガスを供給し、そのエッチングガスをカソ−ド１３とアノ−ド１４との間に生じる放電によって励起してプラズマ状態にすると、上記エッチングガスから生じるエッチング種で上記液晶基板１に形成された被エッチング物質がエッチングされることになる。
【００１９】上記液晶基板１の第２のシリコンナイトライド膜６を被覆した
ｎ+ アモルファスシリコン膜７をエッチングする場合、エッチングガスとして弗素系のガスであるＳＦ
6
（六弗化硫黄）と、塩素系のガスであるＨＣｌ（塩酸）とに、Ｈｅ（ヘリウム）を混合した混合ガスが用いられる。この混合ガスを励起してプラズマ状態にすると、弗素系のエッチング種と、塩素系のエッチング種とを、上記ＳＦ
6
とＨＣｌとの混合比に応じた割合で発生させることができる。なお、Ｈｅはエッチングチャンバ１２内で発生するプラズマを安定化させ、均一性を向上させるために有効である。」
「【００２３】図１にＳＦ6／ＨＣｌ系のガス組成比とエッチングレ−トとの関係を測定した実験結果を示す。同図中曲線Ａは
ＳＦ
6
の流量を３６０SCCMで一定とし、ＨＣｌを０〜３６０SCCMの範囲で変化させた
　
（周知例４：特開２０００−１２５１７号公報）
　上記周知例４には、次の記載がある。
「【００２６】
【発明の実施の形態】以下で、本発明の実施の形態について説明する。図１(ａ)で符号１は本発明の実施形態に用いるプラズマエッチング装置である。
【００２７】この
プラズマエッチング装置１は、チャンバー２と、ガス導入系１０とガス排気系２０とを有している。
【００２８】ガス導入系１０、ガス排気系２０は、チャンバー２内に通じるガス導入管１３、排気管２３をそれぞれ有しており、また、ガスボンベ１２、排気ポンプ２２をそれぞれ有している。
【００２９】ガス導入管１３、排気管２３にはそれぞれバルブ１１、２１が設けられており、バルブ１１を開くとチャンバー２内にガスを導入でき、また、排気ポンプ２２を起動してバルブ２１を開くと、チャンバー２内を真空排気できるように構成されている。
【００３０】チャンバー２及び基板ホルダー４は接地されている。そしてチャンバー２の外部には、マッチングボックス６を介して高周波電源７が設けられており、高周波電源７を起動すると、高周波電極８に高周波電力が供給できるように構成されている。」
「【００３２】この状態で、
バルブ１１を開いてガスボンベ１２から、ＳＦ
6
とＨＣｌの混合ガスをチャンバー２内に導入する。このとき、混合ガス全体に対するＨＣｌガスの体積比が４０％になるようにし、混合ガスの総流量を５００SCCMとするものとする。
【００３３】すると、
高周波電力によって、エッチングガスがプラズマ化し、このプラズマ活性種によって、Ｓｉ単結晶基板３の表面がエッチングされる。
　
ウ　そうすると、引用発明において、プラズマドライエッチング装置に導入する各成分ガスの流量を数百ｓｃｃｍのオーダーとし、各成分ガスの流量割合を「ＳＦ６／ＨＣｌ／Ｈｅ＝２００／２００／１００（ＳＣＣＭ）」とすることは、必要とするエッチングの選択性、加工精度に応じて、当業者が適宜設定し得たものといえる。　
　そして、上記各流量値には、望ましい数値を明示したということ以上の技術的意義を認めることができない。
  　　　
（５）小括
　以上検討したとおり、上記相違点は、周知技術を勘案することにより、当業者が容易に想到し得たものである。
　
（６）独立特許要件についてのまとめと補正却下の結び
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。
　よって、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に違反するので、同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明
　
１　以上のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２０年１２月１８日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載の次のとおりのものである。
　
「【請求項１】　所定のオーミック層およびその拡散層をプラズマエッチングにより除去するチャネルエッチングを行うとき、チャネル部の半導体層表面を予め定めた凹凸にする薄膜トランジスタの製造方法であって、
　前記凹凸の形成を、ＳＦ６／ＨＣｌ／Ｈｅ＝２００／２００／１００（ＳＣＣＭ）ガスを導入してプラズマドライエッチング装置によるプラズマエッチングにて行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」
　
２　引用例の記載と引用発明
　引用例の記載と引用発明については、前記第２の３（２）で認定したとおりである。
　
３　対比・判断
　 前記第２の１及び２で検討したように、本願補正発明は、補正前の請求項１の規定をより技術的に限定するものである。逆に言えば、本願発明（補正前の請求項１に係る発明）は、本願補正発明から、このような限定をなくしたものである。  　
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、これより限定したものである本願補正発明が、前記第２の３で検討したとおり、引用発明に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、当業者が容易に発明することができたということができる。 
　
第４　結言
　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　したがって、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。