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【手続補正書】
【提出日】平成23年5月31日(2011.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
皮膚を通して活性医薬成分を送達するための経皮治療システム（ＴＴＳ）であって、成分不透過性裏打ち層（Ｒ）及び少なくとも一つの成分含有層（Ｓ）を含み、ここで皮膚に面する層（Ｈ）が固体尿素を含み、層（Ｈ）の基剤物質の割合としての尿素の質量分率が少なくとも２０％（ｍ／ｍ）であり、そして存在する尿素が、５０μｍを超える粒径で少なくとも５０質量％の程度で存在する、上記経皮治療システム。
【請求項２】
層（Ｈ）中に存在する尿素が、実質的に固体の粗い結晶形で存在することを特徴とする、請求項１に記載の経皮治療システム。
【請求項３】
成分含有層（Ｓ）がまた皮膚に面する層（Ｈ）でもあり、そしてこの層が、１％から２０％（ｍ／ｍ）の少なくとも一つの活性医薬成分に加えて、２０％から５０％（ｍ／ｍ）の尿素を含むことを特徴とする、請求項１又は２に記載の経皮治療システム。
【請求項４】
層（Ｈ）中に存在する尿素が、７０μｍを超える粒径で少なくとも５０質量％の程度で存在することを特徴とする、請求項１〜３の何れか１項に記載の経皮治療システム。
【請求項５】
層（Ｈ）中に存在する尿素が、１００μｍを超える粒径で少なくとも５０質量％の程度で存在することを特徴とする、請求項１〜４の何れか１項に記載の経皮治療システム。
【請求項６】
成分含有層（Ｓ）が、２％から１８％（ｍ／ｍ）の少なくとも一つの活性医薬成分に加えて、２０％から４０％（ｍ／ｍ）の尿素を含むポリマーマトリックスであることを特徴とする、請求項１〜５の何れか１項に記載の経皮治療システム。
【請求項７】
成分含有層（Ｓ）が、ポリアクリレート及び／又はポリメタクリレートに基づくポリマーマトリックスであり、５％から１８％（ｍ／ｍ）の少なくとも一つの活性医薬成分に加えて、２０％から６０％（ｍ／ｍ）の尿素を含み、それが、５０μｍを超える粒径で少なくとも５０質量％の程度で存在することを特徴とする、請求項１〜６の何れか１項に記載の経皮治療システム。
【請求項８】
成分含有層（Ｓ）が、ポリアクリレート及び／又はポリメタクリレートに基づくポリマーマトリックスであり、それは、筋肉弛緩薬、降圧薬、精神刺激薬及び制吐薬から成るグループからの活性医薬成分に加えて、２０〜４０％（ｍ／ｍ）の結晶性尿素を含み、それが、７０μｍを超える粒径で少なくとも７０質量％の程度で存在することを特徴とする、請求項１〜７の何れか１項に記載の経皮治療システム。
【請求項９】
少なくとも一つの成分含有層（Ｓ）、及び必要ならば更なる層を、成分不透過性裏打ち層（Ｒ）、固体形態の尿素を含む、皮膚に面する層（Ｈ）に塗布すること含む、請求項１〜８の何れか１項に記載の経皮治療システムの製造方法。
【請求項１０】
ヒト及び動物における病気の治療のための医薬製剤を製造するための、固体尿素を更に含み、ここで尿素の質量分率が少なくとも２０％（ｍ／ｍ）であり、そして存在する尿素が、５０μｍを超える粒径で少なくとも５０質量％の程度で存在する、活性成分含有ポリマー層（Ｓ）の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月6日(2011.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中間周波数利得および無線周波数利得を調整するコントローラと、
前記コントローラから前記コントローラの状態に関する情報を受信するベースバンド復調器であって、前記コントローラは、前記ベースバンド復調器から相関情報を受信する、前記ベースバンド復調器と、
受信信号強度インジケータを受信するアナログからディジタルへの変換器と、
を備え、
信号の開始が前記受信信号強度インジケータにおける大きな増加によって示され、前記コントローラが前記信号の前記開始の検出後の第１の所定期間待機し、前記無線周波数利得が前記第１の所定期間後に減少する、自動利得制御回路。
【請求項２】
信号の終了が前記受信信号強度インジケータにおける大きな減少によって示される、請求項１に記載の自動利得制御回路。
【請求項３】
前記中間周波数利得が第２の所定期間後に減少する、請求項１に記載の自動利得制御回路。
【請求項４】
データが受信される前に前記無線周波数および前記中間周波数の追加的な利得調整を行うのに十分な時間があるかどうかが判定される、請求項１に記載の自動利得制御回路。
【請求項５】
データが受信される前に前記無線周波数および前記中間周波数の前記追加的な利得調整を行うのに十分な時間がある場合に、前記無線周波数および前記中間周波数の利得調整が繰り返される、請求項４に記載の自動利得制御回路。
【請求項６】
データが受信される前に前記無線周波数および前記中間周波数の前記追加的な利得調整を行うのに十分な時間がない場合に、前記受信信号強度インジケータにおける前記大きな減少によって示されるデータ受信の終了まで、現在の利得設定が保持される、請求項４に記載の自動利得制御回路。
【請求項７】
信号を検出するステップと、
ベースバンド復調器にコントローラの情報を提供するステップと、
無線周波数利得を減少させるステップと、
中間周波数利得を減少させるステップと、
前記ベースバンド復調器から相関情報を受信するステップと、
前記無線周波数利得の減少後の第２の所定時間の間、処理を停止するステップと、
を含む方法。
【請求項８】
前記信号の検出後の第１の所定時間の間、処理を停止するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記中間周波数利得の減少後の第３の所定時間の間、処理を停止するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
追加的な無線周波数および中間周波数利得の調整を行うのに十分な時間があるかどうかを判定するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
追加的な無線周波数および中間周波数の調整を行うのに十分な時間があると判定された場合に、前記提供するステップ、減少させるステップ、および、受信するステップを繰り返す、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
追加的な無線周波数および中間周波数の調整を行うのに十分な時間がないと判定された場合に、データ受信の間、前記無線周波数利得の設定および前記中間周波数利得設定を保持する、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月8日(2011.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端末機から任意接続プリアンブルを受信するステップと、
前記任意接続に対する負荷状態情報を含む任意接続応答メッセージを前記端末機に送信するステップと、
を含むことを特徴とするセルラーシステムの任意接続方法。
【請求項２】
前記負荷状態情報は、前記端末機のバックオフ時間情報を含むことを特徴とする請求項１に記載のセルラーシステムの任意接続方法。
【請求項３】
前記負荷状態情報に基づいて送信時点が制御された第２任意接続プリアンブルを受信するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のセルラーシステムの任意接続方法。
【請求項４】
前記任意接続応答メッセージは、前記任意接続プリアンブルのインデックスを含むことを特徴とする請求項１に記載のセルラーシステムの任意接続方法。
【請求項５】
前記任意接続応答メッセージは、上りリンク送信時間情報、上りリンク無線リソース情報、または臨時割当端末機識別子を含むことを特徴とする請求項１に記載のセルラーシステムの任意接続方法。
【請求項６】
前記上りリンク無線リソース情報は、制御情報に適用された変調情報と符符号化情報および前記端末機が占有することのできる副搬送波の位置を含む上りリンク無線リソース割当情報を含むことを特徴とする請求項５に記載のセルラーシステムの任意接続方法。
【請求項７】
前記任意接続応答メッセージに基づいて生成された制御情報を前記端末機から受信するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のセルラーシステムの任意接続方法。
【請求項８】
前記制御情報は、無線リソース制御接続を含むことを特徴とする請求項７に記載のセルラーシステムの任意接続方法。
【請求項９】
任意接続プリアンブルを基地局に送信するステップと、
前記任意接続に対する負荷状態情報を含む任意接続応答メッセージを前記基地局から受信するステップと、
を含むことを特徴とするセルラーシステムの任意接続方法。
【請求項１０】
前記負荷状態情報は、前記端末機のバックオフ時間情報を含むことを特徴とする請求項９に記載のセルラーシステムの任意接続方法。
【請求項１１】
前記負荷状態情報に基づいて第２任意接続プリアンブルの送信時点を制御するステップをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載のセルラーシステムの任意接続方法。
【請求項１２】
前記任意接続応答メッセージは、前記任意接続プリアンブルのインデックスを含むことを特徴とする請求項９に記載のセルラーシステムの任意接続方法。
【請求項１３】
前記任意接続応答メッセージに基づいて制御情報を生成し、前記制御情報を前記基地局に送信するステップをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載のセルラーシステムの任意接続方法。
【請求項１４】
前記制御情報は、無線リソース制御接続を含むことを特徴とする請求項１３に記載のセルラーシステムの任意接続方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月2日(2011.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の数Ｋ個のチャネル（８、９ａ、９ｂ、９ｃ）上で第２の数Ａ個のユーザー装置間で、ＤＥＣＴ規格を利用するワイヤレスデジタル無線通信を行うための方法であって、全てのＡ個のユーザー装置が同一の傾聴チャネル（９ａ）を聞くことが許可される一方で、制限数Ｂ個のチャネル（８）が、前記傾聴チャネル（９ａ）上の全てのＡ個のユーザー装置に送信される発信音声通信に利用されることを特徴とする、ワイヤレスデジタル無線通信のための方法。
【請求項２】
前記発信音声チャネル（８）の前記数Ｂ個の最新のユーザー装置が、そのようなチャネルの１つに割り当てられ、１個の追加的ユーザー装置が通話チャネル（８）を要求したときに、前記（Ｂ−１）個の最新のユーザー装置がそれらのチャネル（８）を保持し、解放されたチャネル（８）がその新しいユーザー装置に割り当てられることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
通話を望むユーザー装置が最初に発信通話チャネル（８）に割り当てられた後、前記ユーザー装置が当該ユーザー装置の音声通信を完了し、最終的に、任意の数Ａ個のユーザーが再びそれを使用することを望むまで、前記発信通話チャネル（８）が閉鎖されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月2日(2011.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体材料からなるボディと、
前記ボディ内の、第１のドーピング・タイプをもつ前記ボディの第１の領域と第２のドーピング・タイプをもつ前記ボディの第２の領域との間に形成された、第１の接合領域と、
前記ボディ内の、前記ボディの前記第２の領域と前記第１のドーピング・タイプをもつ前記ボディの第３の領域との間に形成された、第２の接合領域と、
前記ボディに接続され、第２の接合領域の少なくとも一部に順バイアスをかけ、前記第１の接合領域が降伏モードとなるように第１の接合領域へと逆バイアスを印加するように構成された端子構成と
を備え、
前記逆バイアスがかけられた第１の接合領域に関連する第１の空乏領域が、前記第２の接合領域の少なくとも一部のエネルギー障壁を低くするために、前記第２の接合領域の前記順バイアスがかけられた少なくとも一部に関連する第２の空乏領域にパンチスルーするように構成されるとともに、キャリアを前記第２の接合領域の少なくとも一部から第１の接合領域へと注入し、これによりデバイスにおけるエレクトロルミネセンス効果を向上させるように構成された
発光デバイス。
【請求項２】
第２の接合領域の少なくとも一部は前記第１の接合領域および第１の接合領域の表面から横方向に離隔され、第２の接合領域の他の領域は逆バイアスがかけられる請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項３】
前記半導体材料が単結晶間接遷移型半導体材料である、請求項１または２に記載の発光デバイス。
【請求項４】
前記半導体材料がシリコンを含む、請求項３に記載の発光デバイス。
【請求項５】
記半導体材料が直接遷移型半導体材料である、請求項１または２に記載の発光デバイス。
【請求項６】
前記第１のドーピング・タイプがｎであり、前記第２のドーピング・タイプがｐである、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発光デバイス。
【請求項７】
前記第１のドーピング・タイプがｐであり、前記第２のドーピング・タイプがｎである、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発光デバイス。
【請求項８】
降伏モードが、アバランシェ・モード、電界放出モード、およびアバランシェ・モードと電界放出モードの組合せのうちの１つである、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の発光デバイス。
【請求項９】
前記第１の空乏領域が前記第２の接合領域にパンチスルーする、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の発光デバイス。
【請求項１０】
前記端子構成が、前記ボディの前記第１の領域に接続された、第１の極性の電圧を前記第１の領域に印加するための第１の端子と、前記ボディの前記第３の領域に接続された、反対極性の電圧を前記第３の領域に印加するための第２の端子との２つの端子を備える、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の発光デバイス。
【請求項１１】
前記端子構成が、前記ボディの前記第１の領域に接続されている、第１の極性の電圧を前記ボディの前記第１の領域に印加するための第１の端子と、前記ボディの前記第３の領域に接続されている、反対極性の電圧を前記第３の領域に印加するための第２の端子と、前記ボディの前記第２の領域に接続されている第３の端子との３つの端子を備える、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の発光デバイス。
【請求項１２】
発光デバイスを動作させる方法であって、
第１のドーピング・タイプをもつ前記ボディの第１の領域と第２のドーピング・タイプをもつ前記ボディの第２の領域との間に形成された第１の接合領域と、前記ボディの前記第２の領域と前記第１のドーピング・タイプをもつ前記ボディの第３の領域との間のボディ内部に形成された第２の接合領域とを備える半導体材料のボディを供給するステップと、
前記第１の接合領域に逆バイアスをかけて降伏モードにするステップと、
前記第２の接合領域の少なくとも第１の部分に順バイアスをかけるステップと、
前記逆バイアスがかけられた第１の接合領域に関連する第１の空乏領域に、前記ボディの前記第２の領域を前記第２の接合領域の少なくとも一部のエネルギー障壁を低くするために、前記第２の接合領域の前記少なくとも第１の部分と関連する第２の空乏領域へとパンチスルーさせるとともに、キャリアを前記第２の接合領域の少なくとも第１の部分から第１の接合領域へと注入させ、これによりデバイスにおけるエレクトロルミネセンス効果を向上させるステップと
を含む方法。
【請求項１３】
前記第２の接合領域に逆バイアスがかけられ、前記パンチスルーさせた第１の空乏領域によって、前記第２の接合領域の前記第１の部分に順バイアスがかかるようになる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記半導体材料が単結晶間接遷移型半導体材料である、請求項１２または１３に記載の方法
【請求項１５】
前記半導体材料が直接遷移型半導体材料である、請求項１３または１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月20日(2011.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスの作製方法であって、
当該方法は：
誘電体層中に凹部を有するパターニング基板を供する工程であって、前記凹部は平坦化されたバルクCu金属によって少なくとも実質的に充填されている工程；
H2、N2、若しくはNH3、又はこれらの混合気体が存在する中で前記バルクCu金属及び前記誘電体膜を熱処理する工程；並びに、
前記の熱処理されたバルクCu金属上にRu金属膜を選択的に堆積する工程；
を有し、
前記平坦化されたバルクCu金属上での前記Ru金属膜の表面被覆は、前記平坦化されたバルクCu金属を暴露するギャップを有する不完全な状態である、
方法。
【請求項２】
前記熱処理及び堆積は200℃よりも低い基板温度で実行される、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記堆積は100℃〜300℃の基板温度で実行される、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記熱処理は200℃よりも低い基板温度で実行される、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記熱処理は200℃〜400℃の基板温度で実行される、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記Ru金属膜の厚さは1Å〜30Åである、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記Ru金属膜の厚さは10Å未満である、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記のRu金属膜を選択的に堆積する工程が：
Ru3(CO)12前駆体気体及びCO気体を含む処理気体を生成する工程；並びに、
熱化学気相成長法において前記処理気体に前記パターニング基板を暴露する工程；
を有し、
前記の処理気体を生成する工程は：
前駆体気化システム内で固体Ru3(CO)12前駆体を40℃〜150℃の温度にまで加熱し、かつ前記固体Ru3(CO)12前駆体を前記温度に維持することで、Ru3(CO)12前駆体気体を生成する工程；
前記加熱中、前駆体気化システム内で前記固体Ru3(CO)12前駆体と接するように前記CO気体を流すことで、生成される前記Ru3(CO)12前駆体気体を前記CO気体中で捕獲する工程；並びに、
前記前駆体気化システムから前記パターニング基板を含む処理チャンバへ前記処理気体を輸送する工程；
を有する、
請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記凹部は1つ以上の溝及び1つ以上のビアを有する、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
前記パターニング基板は前記凹部内にバリア層をさらに有する、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
前記Ru金属膜上及び前記誘電体層上にコンフォーマルなキャップ層を堆積する工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
【請求項１２】
前記キャップ層を堆積する工程の前に、H2、N2、若しくはNH3、又はこれらの混合気体が存在する中で基板温度を150℃〜400℃にして前記Ru金属膜及び前記誘電体層を熱処理する工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
【請求項１３】
半導体デバイスの作製方法であって、
当該方法は：
誘電体層中に凹部を有するパターニング基板を供する工程であって、前記凹部は平坦化されたバルクCu金属によって少なくとも実質的に充填されている工程；
H2が存在する中で200℃未満の基板温度にて前記バルクCu金属及び前記誘電体膜を熱処理する工程；並びに、
熱化学気相成長法においてRu3(CO)12前駆体気体及びCO気体を含む処理気体に前記パターニング基板を暴露することによって、前記の熱処理された平坦化バルクCu金属上にRu金属膜を選択的に堆積する工程；
を有し、
前記平坦化されたバルクCu金属上での前記Ru金属膜の表面被覆は、前記平坦化されたバルクCu金属を暴露するギャップを有する不完全な状態である、
方法。
【請求項１４】
前記Ru金属膜上及び前記誘電体層上にコンフォーマルなキャップ層を堆積する工程をさらに有する、請求項13に記載の方法。
【請求項１５】
前記キャップ層を堆積する工程の前に、H2、N2、若しくはNH3、又はこれらの混合気体が存在する中で基板温度を150℃〜400℃にして前記Ru金属膜及び前記誘電体層を熱処理する工程をさらに有する、請求項14に記載の方法。
【請求項１６】
前記Ru金属膜の厚さは2Å〜30Åである、請求項13に記載の方法。
【請求項１７】
半導体デバイスの作製方法であって、
当該方法は：
誘電体層中に凹部を有するパターニング基板を供する工程であって、前記凹部は平坦化されたバルクCu金属によって少なくとも実質的に充填されている工程；
H2、N2、若しくはNH3、又はこれらの混合気体が存在する中で前記バルクCu金属及び前記誘電体膜を熱処理する工程；並びに、
熱化学気相成長法においてRu3(CO)12前駆体気体及びCO気体を含む処理気体に前記パターニング基板を暴露することによって、前記の熱処理された平坦化バルクCu金属上にRu金属膜を選択的に堆積する工程；
を有し、
前記平坦化されたバルクCu金属上での前記Ru金属膜の表面被覆は、前記平坦化されたバルクCu金属を暴露するギャップを有する不完全な状態である、
方法。
【請求項１８】
前記Ru金属膜上及び前記誘電体層上にコンフォーマルなキャップ層を堆積する工程をさらに有する、請求項17に記載の方法。
【請求項１９】
前記キャップ層を堆積する工程の前に、H2、N2、若しくはNH3、又はこれらの混合気体が存在する中で基板温度を150℃〜400℃にして前記Ru金属膜及び前記誘電体層を熱処理する工程をさらに有する、請求項18に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月26日(2011.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複合構造（１４）上における少なくとも１つの材料の層（１５）のエピタキシャル成長を実施する工程を含み、前記複合構造が、支持基板（１０）に結合した少なくとも１つの薄膜（４）と、前記支持基板（１０）と前記薄膜（４）との間に堆積によって形成させた結合層（２５）と、を含み、前記薄膜および前記支持基板が、２０℃から１２００℃の温度範囲にわたって７×１０-6Ｋ-1またはそれよりも大きな平均熱膨張係数を有する、エピタキシーによる材料の製造方法であって、
前記酸化物結合層（２５）が、前記支持基板（１０）の結合面上および／または前記薄膜（４）の結合面上におけるシリコンの酸化物層の減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）によって形成されたものであり、
前記薄膜が、前記酸化物層の厚さよりも小さいかまたはそれに等しい厚さを有し、
前記製造方法が前記シリコンの酸化物層の堆積温度よりも高い温度で、前記層（１５）のエピタキシャル成長時またはその後に行われる熱処理を含み、
前記熱処理は、前記支持基板（１０）と前記薄膜（４）との間の結合を脆弱化させるために、前記結合層におけるマイクロキャビティの形成を少なくとも始めることができる熱量を伴う、
製造方法。
【請求項２】
前記熱処理が、前記エピタキシャル成長を実施する工程と同じ時点から開始され、
前記エピタキシャル成長を実施する工程が、前記シリコンの酸化物層の前記堆積温度よりも高い温度で行われ、少なくともその一部が前記熱処理に寄与する、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記熱処理が、前記エピタキシャル成長を実施する工程の後に行われ、
前記エピタキシャル成長を実施する工程が、前記シリコンの酸化物層の前記堆積温度よりも低い温度で行われる、請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記エピタキシャル成長を実施する工程の間に形成された材料の前記層の自由面が、標的とする支持体（１６）に結合される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記熱処理の工程が、前記支持基板（１０）の分離を生じさせ得る期間にわたって行われる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記熱処理の工程の後に、酸化物結合層（２５）に機械的な分離のための応力を加えて前記支持基板（１０）の分離を生じさせる工程をさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項７】
前記熱処理の工程の後に、酸化物結合層（２５）を化学的に侵食して前記支持基板（１０）の分離を生じさせる工程をさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項８】
減圧化学気相成長によって形成される前記結合層（２５）の材料が、シラン、ジクロロシランおよびＴＥＯＳの少なくとも１つから選ばれる前駆体から形成されたシリコンの酸化物である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項９】
結合の前に、前記支持基板（１０）の結合面上および／または前記薄膜（４）の結合面上における減圧化学気相成長によって堆積させたシリコンの酸化物層を高密度化する熱処理工程を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１０】
・ドナー基板（１１）の１つの面にイオンを打ち込んで注入して前記基板内の所定の深さに脆弱層（３）を形成し、注入面と前記脆弱層との間に前記薄膜（４）を規定する工程と、
・前記ドナー基板（１１）の前記注入面を前記支持基板（１０）の面に密着させることによって結合させる工程と、
・前記ドナー基板内に形成した前記脆弱層（３）における分割によって、前記支持基板（１０）に接する前記薄膜（４）を分離する工程と、
をさらに含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１１】
・ドナー基板の１つの面を前記支持基板の１つの面に密着させることによって結合させる工程と、
・前記ドナー基板を薄肉化して、前記薄膜（４）を形成する工程と、
をさらに含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１２】
減圧化学気相成長によって形成させる前記酸化物結合層が、ほぼ０．２マイクロメートルから０．７５マイクロメートルの範囲の厚さを有する、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記支持基板（１０）が、サファイア、ＬｉＴａＯ3、ＬｉＮｂＯ3、ＭｇＯ、およびヘインズアロイＮｏ．２３０（登録商標）の少なくとも１つから選ばれる材料によって構成された、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記薄膜（４）が、サファイア、ＬｉＴａＯ3、ＭｇＯおよびＬｉＮｂＯ3の少なくとも１つから選ばれる材料によって構成された、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記半導体材料層（１５）が、１つまたは複数の２元、３元または４元のIII／Ｎ族材料である、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月30日(2011.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の通信ネットワークから第２の通信ネットワークへの無線通信デバイスの接続のハンドオーバを制御するハンドオーバプロセッサと、
前記第１の通信ネットワークと前記第２の通信ネットワークとのうちの少なくとも一方から現在利用可能な信号品質の１つ以上の測度値を決定し、前記信号品質の１つ以上の測度値が、前記ネットワークに対して設定された閾値を満たしているかどうかを決定する信号品質評価システムと、を有し、
前記閾値が満たされている場合に、ハンドオーバプロセッサがハンドオーバの試みを開始し、
ハンドオーバの試みが成功しなかった場合に前記閾値の１つ以上を繰り返し上げて、ハンドオーバの試みが成功した場合に前記閾値の１つ以上を繰り返し下げる閾値設定ユニット、を更に有することを特徴とする、
無線通信デバイス。
【請求項２】
ハンドオーバが成功した場合における周波数又は大きさの前記閾値の調節が、ハンドオーバが失敗した結果として行なわれる調節よりも制限される、請求項１に記載の無線通信デバイス。
【請求項３】
携帯型無線ハンドセットである、請求項１又は２に記載の無線通信デバイス。
【請求項４】
固定基地局である、請求項１乃至３の何れか１項に記載の無線通信デバイス。
【請求項５】
第１の通信ネットワークと第２の通信ネットワークとの間における、２つの協働するデバイス間の接続のハンドオーバを制御するプロセスであって、
前記第１の通信ネットワークと前記第２の通信ネットワークとのうちの少なくとも一方における、信号品質の１つ以上の測度値を決定して、
前記信号品質の１つ以上の測度値と、前記ネットワークに対して設定された閾値とを比較して、
前記閾値が満たされている場合に、ハンドオーバの試みを開始して、
ハンドオーバの試みが成功しなかった場合に、前記異なるネットワークに対する前記閾値の１つ以上を繰り返し上げて、ハンドオーバの試みが成功した場合に、繰り返し下げることを特徴とする、
プロセス。
【請求項６】
ハンドオーバが成功した場合における前記閾値の調節の大きさが、ハンドオーバが失敗した結果として行われる調節よりも小さい、請求項５に記載のプロセス。
【請求項７】
ハンドオーバの成功が所定数に達した場合にのみ、前記ハンドオーバの成功に応じて、前記閾値を調節する、請求項５又は６に記載のプロセス。
【請求項８】
前記ハンドオーバがハンドセットによって開始される、請求項５乃至７の何れか１項に記載のプロセス。
【請求項９】
前記ハンドオーバが基地局によって開始される、請求項５乃至８の何れか１項に記載のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月13日(2011.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジングを備え、
前記ハウジングは、第１の扁平側の反対側に位置する第２の扁平側に、凹ミラーの光学効果をもたらすミラー領域（２０，３２）を有しており、
前記ハウジングには据付手段および調節手段（１０，１２）が設けられており、前記据付手段および調節手段（１０，１２）は、前記ハウジングを水平面または垂直面に固定させることができ、かつ、手の操作と機械操作のいずれか一方または両方によって、回転、回動および傾動の少なくとも一つが可能である、レストルーム用ミラーにおいて、
前記ハウジングの内部の第１の扁平側に、電子画像信号を表示するように構成されたフラットスクリーン（１６）が設けられており、
前記ハウジングは、水飛沫に対してシールされている構成、耐水蒸気性を有する構成、および湿気を有する空間でも使用可能である構成の少なくとも一つの構成を有し、
前記ハウジングは、さらに、前記フラットスクリーンの第１の視覚位置から前記ミラー領域の第２の視覚位置まで前記操作によって動かされることが可能であり、
前記据付手段は、回転、回動、または傾動を容易にするヒンジ（１２）を含んでおり、前記ヒンジは、前記ハウジング内に設けられた電気システムに通じる配線を有する集中接続として機能することを特徴とする、レストルーム用ミラー。
【請求項２】
請求項１において、前記ヒンジが単一のヒンジであることを特徴とする、レストルーム用ミラー。
【請求項３】
請求項１または２において、前記ハウジングは扁平なハウジングであり、前記第１の扁平側と前記第２の扁平側との間のハウジング奥行きが、前記ハウジングに収容された前記フラットスクリーンの有効奥行きおよび前記ミラー領域の有効奥行きによって決まることを特徴とする、レストルーム用ミラー。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項において、前記ミラー領域が、前記第２の扁平側に設けられた挿入ミラー（２０）によって構成されており、
前記挿入ミラーは、その表面の全体または一部において、凹ミラーの効果をもたらす、内側に湾曲したミラー領域を形成していることを特徴とする、レストルーム用ミラー。
【請求項５】
請求項４において、前記挿入ミラーは、その表面の中心領域において、凹ミラーの効果をもたらす、内側に湾曲したミラー領域を形成していることを特徴とする、レストルーム用ミラー。
【請求項６】
請求項４または５において、前記挿入ミラーが、周縁側において、平面ミラー領域（３６）として形成されていることを特徴とする、レストルーム用ミラー。
【請求項７】
請求項６において、前記挿入ミラーが、前記表面の中心を取り囲む領域において、平面ミラー領域（３６）として形成されていることを特徴とする、レストルーム用ミラー。
【請求項８】
請求項４から７のいずれか一項において、前記ハウジングは、水飛沫に対してシールされている構成、耐水蒸気性を有する構成、および湿気を有する空間でも使用可能である構成の少なくとも一つの構成を有する装置であり、
当該装置が、前記挿入ミラーと、前記扁平側を構成する前壁（２４）と、前記挿入ミラーおよび前記前壁の周縁を取り囲むハウジングフレームとで構成されていることを特徴とする、レストルーム用ミラー。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項において、前記第２の扁平側において、前記ハウジング内の光源によって後方から照明される透光性の表面領域（３４）と光源のいずれか一方または両方が設けられていることを特徴とする、レストルーム用ミラー。
【請求項１０】
請求項９において、前記第２の扁平側の前記ミラー領域を取り囲む部分と前記ミラー領域の近傍部分のいずれか一方または両方において、前記ハウジング内の光源によって後方から照明される透光性の表面領域（３４）と光源のいずれか一方または両方が設けられていることを特徴とする、レストルーム用ミラー。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項において、前記ハウジング内に光源（２２）を備えており、前記光源（２２）は、起動されると、少なくとも前記第１の扁平側と前記第２の扁平側のいずれか一方または両方から視覚可能であることを特徴とする、レストルーム用ミラー。
【請求項１２】
請求項９から１１のいずれか一項において、前記光源は、プログラム制御によってスイッチ切替可能である構成、および、操作用の部材を介して、その明度とカラーエフェクトのいずれか一方または両方を調節可能である構成の少なくとも一つの構成を有することを特徴とする、レストルーム用ミラー。
【請求項１３】
請求項１２において、前記操作用の部材がフラットスクリーンであることを特徴とする、レストルーム用ミラー。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか一項において、前記ミラー領域が、少なくとも一部の領域が半透光性であるミラー要素によって構成されていることを特徴とする、レストルーム用ミラー。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか一項において、前記第１の扁平側における前記フラットスクリーンの表面の少なくとも一部は手で操作可能な接触感知型のスクリーン（１６）であり、
前記スクリーンは、当該スクリーンの画像表示とプログラムパラメータのいずれか一方または両方を実行または設定できるような構成、および、前記ハウジング内に収容され、前記第１の扁平側と前記第２の扁平側のいずれか一方または両方を介して外部から視覚可能な光源（２２）のパラメータを実行または設定できるような構成の少なくとも一つの構成を有することを特徴とする、レストルーム用ミラー。
【請求項１６】
請求項１から１５のいずれか一項において、前記フラットスクリーンが電子画像信号受信ユニットに接続されており、
前記電子画像信号受信ユニットは、外部の電子画像信号源にワイヤレスまたは配線で接続されていることを特徴とする、レストルーム用ミラー。
【請求項１７】
請求項１から１６のいずれか一項において、前記ハウジング内に設けられた制御ユニットとワイヤレス接続によって協働する遠隔制御ユニットが、前記スクリーンの画像表示とプログラムパラメータのいずれか一方または両方を実行または設定できるような構成、および、前記ハウジング内に収容され、前記第１の扁平側と前記第２の扁平側のいずれか一方または両方を介して外部から視覚可能な光源のパラメータを実行または設定できるような構成の少なくとも一つの構成を有することを特徴とする、レストルーム用ミラー。
【請求項１８】
請求項１から１７のいずれか一項において、前記ハウジングと前記ミラー領域のいずれか一方または両方は、調節可能な凹ミラーまたはシェービング用凹ミラーを形成するように寸法決めされていることを特徴とする、レストルーム用ミラー。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月28日(2011.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザと少なくとも１つの公表された関心との間の関連付けを確立するための命令を含むコンピュータ可読媒体であって、
命令が、
ユーザに関連付けられた少なくとも１つの公表された関心を受信し、
前記ユーザのアクションに基づいて選択されたターゲットオブジェクトを受信し、かつ  前記少なくとも１つの公表された関心、前記ターゲットオブジェクト、及び前記ユーザ間の関連付けを確立する、
ためのものである、
ことを特徴とするコンピュータ可読媒体。
【請求項２】
前記少なくとも１つの公表された関心は、個人、場所、物事、又はその組合せを含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項３】
前記少なくとも１つの公表された関心は、ブランド、製品、サービス、又はその組合せを含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項４】
前記少なくとも１つの公表された関心は、前記ユーザに対する関心の対象を参照し、該少なくとも１つの公表された関心は、名称、数値識別子、又はその組合せを含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項５】
前記ターゲットオブジェクトは、少なくとも１つのロケーションを含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項６】
前記少なくとも１つのロケーションは、絶対座標、相対座標、名称、又はその組合せによって指定されることを特徴とする請求項５に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項７】
前記アクションは、前記ユーザによる前記少なくとも１つのロケーションの選択を含むことを特徴とする請求項５に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項８】
選択が、前記少なくとも１つのロケーションを前記ユーザの地理的位置に基づいて選択させるユーザインタフェース機能を選択する段階を含むことを特徴とする請求項７に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項９】
前記地理的位置は、前記ユーザによって持ち運ばれる「全地球測位システム」デバイスによって判断されることを特徴とする請求項８に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１０】
選択が、前記少なくとも１つのロケーションの閾値距離内の前記ユーザの存在を含み、  閾値距離内の前記ユーザの存在が、該ユーザに関連付けられたＧＰＳデバイスによって提供される地理座標に基づいて判断される、
ことを特徴とする請求項７に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１１】
前記ユーザのアクションに基づいて選択された時間指定子を受信し、かつ
前記時間指定子を前記少なくとも１つの公表された関心、前記ターゲットオブジェクト、及び前記ユーザに関連付ける、
ための命令を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１２】
ユーザの関心を表示するためにマップを発生させるための装置であって、
ユーザ、少なくとも１つの関心、及びターゲットオブジェクト間の関連付けを受信するためのロジックと、
前記ターゲットオブジェクトを含む地理的エリアのマップの表示を起こすためのロジックと、
前記マップ上に重ねられた画像の表示を起こすためのロジックと、
を含み、
前記画像は、前記マップ上の表示される位置に配置され、該表示される位置は、前記オブジェクトに基づいており、該画像の外観が、前記少なくとも１つの関心に基づいている、
ことを特徴とする装置。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの関心は、個人、場所、物事、又はその組合せを含むことを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの関心は、ブランドを含むことを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１５】
前記ターゲットオブジェクトは、ロケーションを含み、前記表示される位置は、該ロケーションの地理座標に基づいていることを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１６】
前記画像の表示を起こすための前記ロジックは、フィルタを満足させる前記公表された関心に応答して該画像の表示を起こすように作動可能であり、
前記フィルタは、少なくとも１つの表示可能な関心、少なくとも１つの表示可能な注目レベル、少なくとも１つの表示可能なタグ、又はその組合せを指定する、
ことを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１７】
ユーザと少なくとも１つの公表された関心との間の関連付けを確立するコンピュータ使用可能方法であって、
少なくとも１つの公表された関心を受信する段階と、
ユーザのアクションに基づいて選択されたターゲットオブジェクトを受信する段階と、
前記少なくとも１つの公表された関心、前記ターゲットオブジェクト、及び前記ユーザ間の関連付けを確立する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１８】
前記少なくとも１つの公表された関心は、個人、場所、物事、又はその組合せを含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記少なくとも１つの公表された関心は、ブランドを含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記ターゲットオブジェクトは、少なくとも１つのロケーションを含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月2日(2011.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の成分を調整するように構成された流量制御装置と；
第２の成分の供給部に結合するように構成されるポンプモジュールと；
少なくとも一部が所定のレシピに基づいて、前記第１の成分についての第１の量の供給を制御するために、前記流量制御装置に第１の制御信号を供給するように構成されると共に、少なくとも一部が前記所定のレシピに基づいて、前記ポンプモジュールに前記第２の成分についての第１の量の供給を制御するための第２の制御信号を供給するように構成される制御器とを備え；
前記流量制御装置は：
前記流量制御装置内を流れる前記第１の成分の量に基づいて、フィードバック信号を送るように構成された流量計測装置と；
少なくとも一部が前記流量計測装置の前記フィードバック信号と前記制御器によって供給される前記第１の制御信号に基づいて前記第１の成分を制御するように構成される可変ラインインピーダンスとを有する；
製品ディスペンスシステム。
【請求項２】
請求項１に記載の製品ディスペンスシステムにおいて、前記流量計測装置は容積式流量計測装置を有する製品ディスペンスシステム。
【請求項３】
請求項２に記載の製品ディスペンスシステムにおいて、前記容積式流量計測装置はギヤ式の容積式流量計測装置を有する製品ディスペンスシステム。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の製品ディスペンスシステムにおいて、前記可変ラインインピーダンスは：
第１の面がある第１の剛性部材と；
第２の面がある第２の剛性部材と；
少なくとも一部が、前記第１の面と前記第２の面によって画定される可変断面流体経路とを有し；
前記可変断面流体経路を増加させたり、減少させたりするように、前記第１の面は前記第２の面に対して移動可能である；
製品ディスペンスシステム。
【請求項５】
請求項４に記載の製品ディスペンスシステムにおいて、さらに、前記第１の面を前記第２の面に対して移動させるために、前記第１の剛性部材と前記第２の剛性部材の一方に結合しているステッパーモーターを有する製品ディスペンスシステム。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の製品ディスペンスシステムにおいて、前記ポンプモジュールは、前記第２の成分の供給部と解放可能に係合するように構成されている製品ディスペンスシステム。
【請求項７】
請求項６に記載の製品ディスペンスシステムにおいて、前記ポンプモジュールは、複数の前記第２の成分の供給部と解放可能に係合するように構成されたブラケットアセンブリを有する製品ディスペンスシステム。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の製品ディスペンスシステムにおいて、前記ポンプモジュールは、較正された確定体積の前記第２の成分を供給するように構成されたソレノイド・ピストンポンプ・アセンブリを有する製品ディスペンスシステム。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載の製品ディスペンスシステムにおいて、前記ポンプモジュールに結合する流量検出器を有し、前記流量検出器は；
流体を受け取るように構成された流体室と；
前記流体室内の前記流体が排出される場合は常に、変位されるように構成されたダイヤフラム部と；
前記ダイヤフラム部の変位をモニターすると共に、少なくとも一部が前記流体室内で排出された前記流体の量に基づいて、流量信号を生成するように構成される変換器部と；
を有する製品ディスペンスシステム。
【請求項１０】
請求項９に記載の製品ディスペンスシステムにおいて、前記変換器部は、前記ダイヤフラムに結合して、その上で移動可能である第１の容量性プレートと、前記流体室に関して堅く取付けられた第２の容量性プレートとを有すると共に、前記流量信号は、少なくとも一部が前記第１の容量性プレートと前記第２の容量性プレートとの間のキャパシタンスの変化に基づく；
製品ディスペンスシステム。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の製品ディスペンスシステムにおいて、前記流量制御装置と前記ポンプモジュールは、前記第１の成分と前記第２の成分を混ぜるためのノズルと結合している製品ディスペンスシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月25日(2011.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
三次元物体（２）の空間比色測定装置であって、
前記空間比色測定装置は、検出ヘッド（４）と処理装置（８）を有し、
前記検出ヘッド（４）は、
物体照明装置（１４）と；、
前記三次元物体（２）からの反射光を検出する少なくとも４つの検出装置（１６）と
を備え、
前記処理装置（８）は、前記検出装置（１６）が受信したデータを処理し、
前記検出装置（１６）のうちの少なくとも２つは、互いに同じ光波長範囲に高感度なペア検出装置（１６ｃ，１６ｅ）であり、
前記処理装置（８）は、前記ペア検出装置（１６ｃ，１６ｅ）が検出した情報を立体計算することによって、前記三次元物体（２）のそれぞれの分析点の空間座標を決定する空間座標決定処理と；
前記分析点ごとの比色を決定する比色決定処理と；
それぞれの前記分析点の前記比色が前記分析点の空間位置に基づき決定されるように、前記三次元物体（２）の比色地図を決定する比色地図決定処理と
を実行するように構成されていることを特徴とする、三次元物体の空間比色測定装置。
【請求項２】
それぞれ前記ペア検出装置（１６ｃ，１６ｅ）は、少なくとも１つのマトリクス光センサ（１６ｅ）に関連するペアフィルタリング部材（１６ｃ）を有する、
請求項１記載の空間比色測定装置。
【請求項３】
前記マトリクス光センサ（１６ｅ）は、前記ペアフィルタリング部材（１６ｃ）からの光線を受信する幾つかの領域に分割されている、
請求項２記載の空間比色測定装置。
【請求項４】
前記マトリクス光センサ（１６ｅ）は、ＣＭＯＳセンサである、
請求項３記載の空間比色測定装置。
【請求項５】
それぞれ前記ペア検出装置（１６ｃ，１６ｅ）は、緑色の波長範囲に等しい１つの波長範囲に高感度に構成されている、
請求項１〜４何れか一項記載の空間比色測定装置。
【請求項６】
前記検出装置（１６）のうちの２つは、第１主要検出装置（１６ｂ）と第２主要検出装置（１６ｅ）であり、
前記第１主要検出装置（１６ｂ）は、青色の波長領域範囲に高感度であり、
前記第２主要検出装置（１６ｅ）は、赤色の波長領域範囲に高感度に構成されている、
請求項１〜５何れか一項記載の空間比色測定装置。
【請求項７】
前記照明装置（１４）は、中央光源（１４ａ）であり、
前記検出装置（１６）は、前記中央光源（１４ａ）の周囲に配置されている、
請求項１〜６何れか一項記載の空間比色測定装置。
【請求項８】
前記照明装置（１４）は、前記検出装置（１６）の周囲に配置された環状照明光源（１４ａ）である、
請求項１〜６何れか一項記載の空間比色測定装置。
【請求項９】
前記空間比色測定装置は更に、前記検出ヘッド（４）を覆う蓋としての所定深さのエンドカバー（２０）を有する、
請求項１〜８何れか一項記載の空間比色測定装置。
【請求項１０】
三次元物体（２）の空間比色測定方法であって、前記空間比色測定方法は、
分析される予定の前記三次元物体（２）を照らすために、光線を放射する放射ステップと；
前記三次元物体（２）からの反射光線を、少なくとも４つの検出装置（１６）によって受信する受信ステップと；
前記検出装置（１６）が収集した光情報を、処理装置（８）に転送する転送ステップとを有し、
少なくとも２つの前記検出装置は、互いに同じ光波長範囲に高感度のペア検出装置（１６ｃ，１６ｅ）であり、前記空間比色測定方法はさらに、
前記ペア検出装置（１６ｃ，１６ｅ）が検出した情報を立体計算することによって、前記三次元物体（２）のそれぞれの分析点の空間座標を決定する空間座標決定ステップと；
前記分析点ごとの比色を決定する比色決定ステップと；
それぞれの前記分析点の前記比色が前記分析点の空間位置に基づき決定されるように、前記三次元物体（２）の比色地図を決定する比色地図決定ステップと
を有することを特徴とする、三次元物体（２）の空間比色測定方法。
【請求項１１】
前記空間比色測定方法は更に、
事前に前記検出装置（１６）を較正する較正ステップを有する、
請求項１０記載の空間比色測定方法。
【請求項１２】
前記処理装置（８）は、反復計算によって、前記検出ヘッド（４）に対する複数の分析点の相対位置を決定する、
請求項１０または１１記載の空間比色測定方法。
【請求項１３】
前記処理装置（８）は、立体知覚によって、それぞれ前記分析点と前記検出装置（１６）の間の距離を判定する、
請求項１２記載の空間比色測定方法。
【請求項１４】
前記処理装置（８）は、前記分析点において、前記三次元物体（２）の表面の法線座標を決定する、
請求項１２または１３記載の空間比色測定方法。
【請求項１５】
前記反復計算は、エンドカバー（２０）の端部と、前記検出装置（１６）との間の距離に対応する最小深さと、最大深さとの間で遂行される、
請求項１２〜１４何れか一項記載の空間比色測定方法。
【請求項１６】
前記反復ピッチは、前記最小深さに対応する画素の、範囲寸法に等しい、
請求項１２〜１５何れか一項記載の空間比色測定方法。
【請求項１７】
前記処理装置（８）は、前記分析点のうち、較正によって予め定めた値を超える比色値の強度を有する分析点を破棄する、
請求項１０〜１６何れか一項記載の空間比色測定方法。
【請求項１８】
前記空間比色測定方法は更に、
比較検討した複数の前記分析点の比色座標を、前記分析点の位置に従って算出する算出ステップを有する、
請求項１３〜１７何れか一項記載の空間比色測定方法。
【請求項１９】
それぞれ前記分析点の比色座標は、双線形内挿によって調整される、
請求項１３〜１８何れか一項記載の空間比色測定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月15日(2011.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的かつ機械的に、接続ケーブル（２８）の終端部と接続されている電気構造グループ（１０）と、固定耳（３８）とが設けられている形式の磁界センサにおいて、
前記電気構造グループ（１０）と前記接続ケーブル（２８）の終端部はプラスチックによって包囲されており、コア（３０）を形成し、当該コア上に固定耳（３８）が、設定可能な長手方向位置および／または角度位置で設けられている、
ことを特徴とする磁界センサ。
【請求項２】
前記コア（３０）は円筒状に構成されて、前記接続ケーブル（２８）の同軸状終端部を取り囲んでいる、請求項１記載の磁界センサ。
【請求項３】
前記固定耳（３８）内に、金属製固定入れ子（３６）が挿入されている、請求項１または２記載の磁界センサ。
【請求項４】
前記固定耳（３８）は、前記センサ（１３）用のセンタリングスリーブ（４０）を有している、請求項１から３までのいずれか１項記載の磁界センサ。
【請求項５】
前記センタリングスリーブ（４０）は、自身の周囲に対称に配置されているセンタリングリブ（４２）を有している、請求項４記載の磁界センサ。
【請求項６】
前記センサ（１３）の位置付けを、前記センタリングリブ（４２）の角度位置および／または高さによって変える、請求項４記載の磁界センサ。
【請求項７】
前記センタリングスリーブ（４０）は、自身の周囲に、シーリングリング（７０）を収容するための溝（６８）を有している、請求項４から６までのいずれか１項記載の磁界センサ。
【請求項８】
前記コア（３０）の包囲部（３２）と前記固定耳（３８）は異なるプラスチックから成る、請求項１から７までのいずれか１項記載の磁界センサ。
【請求項９】
前記コア（３０）の包囲部と前記固定耳（３８）は異なるポリアミドから成る、請求項１から８までのいずれか１項記載の磁界センサ。
【請求項１０】
前記コア（３０）は自身の表面に、前記固定耳（３８）をロックするための構造（６６）を有している、請求項１から９までのいずれか１項記載の磁界センサ。
【請求項１１】
前記コア（３０）は自身の表面に、前記固定耳（３８）をロックするための切り欠き（６６）を有している、請求項１０記載の磁界センサ。
【請求項１２】
前記磁界センサは、自動車のホイール回転またはドライブトレインに対する回転数センサまたは回転方向センサである、請求項１から１１までのいずれか１項記載の磁界センサ。