【事件の表示】
　平成１０年特許願第２７５２６１号「アライメント・マーク・コントラストの強調方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　７月　９日出願公開、特開平１１−１８６１６２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１０年９月２９日（パリ条約による優先権主張　平成９年９月２９日　米国）の出願（特願平１０−２７５２６１号）であって、平成２０年２月２６日付けで拒絶理由が通知され、同年８月２８同日付けで手続補正がなされ、平成２１年３月２７日付けで拒絶理由（最後）が通知され、同年１０月１日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正がなされ、平成２２年８月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１２月２７日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１５に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２１年１０月１日付け手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１５に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
「２つの隣接する材料を含む上側表面を有する半導体ウエハ・ワークピースの上にアライメント・マークを形成する方法であって、
　（ａ）前記２つの隣接する材料を含む前記半導体ウエハ・ワークピースの前記上側表面を平坦化するステップと、
　（ｂ）前記半導体ウエハ・ワークピースの前記平坦化された上側表面において選択的なエッチング動作を実行し、前記２つの隣接する材料の第１の材料の高さを前記２つの隣接する材料の第２の材料の高さよりも低くなるまで減少させるステップと、
　（ｃ）前記エッチングされた表面の上に層を積層するステップと、
　を含み、前記層は、前記２つの隣接する材料の接合部に不均衡な高さを有するアライメント・マークを形成することを特徴とする方法。」
　
第３　引用例
１　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開昭６３−２７１９７９号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（下記「２　引用例１に記載された発明の認定」において直接引用した記載に下線を付した。）
　
「３．発明の詳細な説明
〔概要〕
　カドミウム・テルル（ＣｄＴｅ）の基板に所定パターンの水銀・カドミウム・テルル（Ｈｇ１−ＸＣｄＸ Ｔｅ）よりなる島状のウェル領域を形成し、該ウェル領域内にＰ−Ｎ接合を形成してホトダイオードを形成し、前記島状領域を基板のＣｄＴｅ結晶で絶縁分離した構造の赤外線検知素子アレイの製造方法であって、前記島状のウェル領域を形成後、ＣｄＴｅの選択エッチング液を用いて基板のＣｄＴｅ結晶を選択エッチングして島状のＨｇ１−ＸＣｄＸ Ｔｅ結晶のウェル領域を基板より浮き上がらせ、基板のＣｄＴｅ結晶とウェル領域の境界位置に段差を形成して、その後の工程でウェル領域にイオン注入する際に用いるホトレジスト膜のマスク合わせ工程を確実に行い得るようにする。」（第１ページ左下欄下から第２行目〜右下欄第１４行）
　
「〔発明が解決しようとする問題点〕
　ところでこのホトレジスト膜４を所定のパターンに形成しようとする場合、ウェル領域３は基板１の表面と同一平面に形成されているため、この基板上にホトレジスト膜４を所定のパターンに露光するためのホトマスクの位置合わせをするための基準が無く、そのためホトマスクを基板の所定の位置に位置合わせするための位置合わせマークを基板に別個に形成する必要があり、作業が煩雑となる問題がある。
　本発明は上記した問題点を除去し、ホトレジスト膜に露光用マスクを位置合わせする際、露光用マスクの基準位置の位置合わせ箇所が基板上に形成できるような半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
　上記目的を達成するための本発明の半導体装置の製造方法は、ＣｄＴｅ基板に所定パターンのＨｇ１−ＸＣｄＸ Ｔｅ層を用いてウェル領域を形成後、前記基板をＣｄＴｅの選択エッチング液を用いて予め選択的にエッチングして前記ウェル領域を突出させ、基板とウェル領域の境界に段差を形成する工程を有する。
〔作用〕
　ＣｄＴｅ結晶のみ選択的にエッチングし、Ｈｇ１−ＸＣｄＸ Ｔｅ結晶はエッチングしないようなエッチング選択比を有するエッチング液、即ち特願昭５７−１９１０５８号に於いて本出願人が出願したエッチング液にてＰ−Ｎ接合を形成したＨｇ１−ＸＣｄＸ Ｔｅのウェル領域を有するＣｄＴｅ基板をエッチングすると、ＣｄＴｅ結晶のみが選択的にエッチングされるので、ウェル領域が基板より突出した状態となる。そのため基板表面に対してウェル領域の境界に段差が形成されてウェル領域の位置が鮮明になり、
その段差の部分でホトレジスト膜が突出するようになるので、この突出した部分と突出しない部分の境界の位置を位置合わせマークとして用いる。
〔実施例〕
　以下、図面を用いながら本発明の一実施例につき詳細に説明する。
　先ず第１図に示すように
ＣｄＴｅの基板１１上に
所定のパターンの溝１３を形成する。
　次いで第２図に示すように該基板１１上にＰ型の
Ｈｇ
１−Ｘ
Ｃｄ
Ｘ
 Ｔｅよりなる結晶層１４を液相エピタキシャル成長方法を用いて形成する。
　更に第３図に示すように
Ｈｇ
１−Ｘ
Ｃｄ
Ｘ
 Ｔｅの結晶層１４を研磨して基板１１の表面を平坦にし、ＣｄＴｅの基板１１に島状のＨｇ
１−Ｘ
Ｃｄ
Ｘ
 Ｔｅのウェル領域１５を所定のパターンに形成する。
　次いで第４図に示すように、該基板１１を弗化水素酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ３）と酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）と水（Ｈ２Ｏ）とが重量比で（２〜５）：（３〜５）：６：６の混合比になるように混合したエッチング液、即ち本出願人が、特願昭５７−１９１０５８号に於いて出願したエッチング液を用いてエッチングする。するとこの
エッチング液はＣｄＴｅを選択的にエッチングし、
Ｈｇ
１−Ｘ
Ｃｄ
Ｘ
 Ｔｅのウェル領域１５が島状に突出して形成され、このウェル領域１５と基板１１との境界位置で段差が形成される。
　更に第５図に示すようにこの
基板上にホトレジスト膜１６を形成した後、該ホトレジスト膜１６を所定のパターンに形成する。このホトレジスト膜１６のパターン形成する際、この段差の位置で露光用マスクの基準位置を位置合わせすると正確にかつ容易にマスク合わせができる。
　次いで第６図に示すように該ホトレジスト膜１６をマスクとしてＢ原子をイオン注入してＮ型層１７を形成する。
　このようにすれば、
マスクの位置合わせマークが基板上に形成されている
　
「
　
　
　
　
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
２　引用例１に記載された発明の認定
　上記記載（図面の記載も含む）を総合勘案すれば、引用例１には、
「Ｈｇ１−ＸＣｄＸ Ｔｅのウェル領域１５を島状の所定のパターンの溝１３に配置したＣｄＴｅの基板１１上にマスクの位置合わせマークを形成する方法であって、
　表面に所定のパターンの溝１３が形成されたＣｄＴｅの基板１１上に、Ｈｇ１−ＸＣｄＸ Ｔｅよりなる結晶層１４を液相エピタキシャル成長方法を用いて形成した後、Ｈｇ１−ＸＣｄＸ Ｔｅの結晶層１４を研磨して基板１１の表面を平坦にし、
　ＣｄＴｅを選択的にエッチングしてＨｇ１−ＸＣｄＸ Ｔｅのウェル領域１５を島状に突出させて、このウェル領域１５と基板１１との境界位置で段差を形成し、
　上記基板１１上にホトレジスト膜１６を形成したとき、その段差の部分でホトレジスト膜１６が突出するようになるので、この突出した部分と突出しない部分の境界の位置を位置合わせマークとして用いることにより、上記基板１１上の上記の段差の位置に該ホトレジスト膜１６を所定のパターンに形成するためのマスクの位置合わせマークが形成される方法。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
第４　本願発明と引用発明の対比、及び、当審の判断
１　対比
（１）ここで、本願発明と引用発明を対比する。
　
　引用発明の「ＣｄＴｅ」は基板１１の材料であり、「Ｈｇ１−ＸＣｄＸ Ｔｅ」は基板１１の所定パターンの溝１３に配置したウェル領域１５の材料であるから、引用発明の「ＣｄＴｅ」と「Ｈｇ１−ＸＣｄＸ Ｔｅ」が、本願発明の「２つの隣接する材料」に相当し、引用発明の「Ｈｇ１−ＸＣｄＸ Ｔｅのウェル領域１５を島状の所定のパターンの溝１３に配置したＣｄＴｅの基板１１」が、本願発明の「２つの隣接する材料を含む上側表面を有する半導体ウエハ・ワークピース」に相当する。また、引用発明の「マスクの位置合わせマーク」が、本願発明の「アライメント・マーク」に相当する。
　
　引用発明の「表面に所定のパターンの溝１３が形成されたＣｄＴｅの基板１１上に、Ｈｇ１−ＸＣｄＸ Ｔｅよりなる結晶層１４を液相エピタキシャル成長方法を用いて形成した後、Ｈｇ１−ＸＣｄＸ Ｔｅの結晶層１４を研磨して基板１１の表面を平坦に」することが、本願発明の「前記２つの隣接する材料を含む前記半導体ウエハ・ワークピースの前記上側表面を平坦化するステップ」を含むことに相当する。
　
　引用発明の「ＣｄＴｅを選択的にエッチングしてＨｇ１−ＸＣｄＸ Ｔｅのウェル領域１５を島状に突出させて、このウェル領域１５と基板１１との境界位置で段差を形成」することが、本願発明の「前記半導体ウエハ・ワークピースの前記平坦化された上側表面において選択的なエッチング動作を実行し、前記２つの隣接する材料の第１の材料の高さを前記２つの隣接する材料の第２の材料の高さよりも低くなるまで減少させるステップ」を含むことに相当する。
　
　引用発明の「上記基板１１上にホトレジスト膜１６を形成」することが、本願発明の「前記エッチングされた表面の上に層を積層するステップ」を含むことに相当する。
　
　引用発明の「その段差の部分でホトレジスト膜１６が突出するようになるので、この突出した部分と突出しない部分の境界の位置を位置合わせマークとして用いることにより、上記基板１１上の上記の段差の位置に該ホトレジスト膜１６を所定のパターンに形成するためのマスクの位置合わせマークが形成される」ことが、本願発明の「前記層は、前記２つの隣接する材料の接合部に不均衡な高さを有するアライメント・マークを形成する」ことに相当する。
　
２　本願発明と引用発明の一致点及び相違点、並びに、当審の判断
　したがって、本願発明と引用発明とは、
「２つの隣接する材料を含む上側表面を有する半導体ウエハ・ワークピースの上にアライメント・マークを形成する方法であって、
　（ａ）前記２つの隣接する材料を含む前記半導体ウエハ・ワークピースの前記上側表面を平坦化するステップと、
　（ｂ）前記半導体ウエハ・ワークピースの前記平坦化された上側表面において選択的なエッチング動作を実行し、前記２つの隣接する材料の第１の材料の高さを前記２つの隣接する材料の第２の材料の高さよりも低くなるまで減少させるステップと、
　（ｃ）前記エッチングされた表面の上に層を積層するステップと、
　を含み、前記層は、前記２つの隣接する材料の接合部に不均衡な高さを有するアライメント・マークを形成する方法。」の発明である点で一致し、両者に相違するところがない。
　したがって、本願発明は、引用発明である。
　　
第５　むすび
　以上のとおり、本願発明（本願の請求項１５に係る発明）は、引用発明であり、特許法第２９条第１項３号に該当するから、特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。
　
　なお、原審において通知された拒絶の理由は、本願発明が引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、とするものであったが、本願発明が引用発明に基いて容易に発明をすることができたか否かを検討する際には、両者を対比して一致点及び相違点について検討がなされ、それらが同じであるか否かについても当然検討がされるものであり、請求人もそれを踏まえた上で意見を述べているものと考えられるから、当審において改めて拒絶理由を通知することなく上記のとおり審決した。