【事件の表示】
　特許第６０９２９６１号発明「ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６０９２９６１号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−６、１１−１４〕、〔７、１０、１５〕について訂正することを認める。
　本件特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
１　手続の経緯
　特許第６０９２９６１号（以下「本件特許」という。）の請求項１ないし１０に係る特許についての出願は、平成２７年７月３０日に特許出願され、平成２９年２月１７日に特許権の設定登録がされ、その後、その特許について、平成２９年８月２５日に特許異議申立人尾田哲之（以下「申立人」という。）により特許異議の申立てがされ、当審において平成２９年１２月２１日付けで取消理由が通知され、その指定期間内である平成３０年２月２１日に意見書の提出及び訂正の請求（以下「本件訂正請求」という。）がされたものである。
２　訂正の適否についての判断 
（１）訂正の内容
ア　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１を削除する。
イ　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項２を削除する。
ウ　訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項３に、
「　前記III族窒化物半導体積層体における前記Ｎ層目の井戸層と、前記ＡｌＮガイド層とが接する、または、
　前記III族窒化物半導体積層体における前記Ｎ層目の井戸層と、前記ＡｌＮガイド層との間に、バンドギャップが前記井戸層超かつ前記ＡｌＮガイド層未満のファイナルバリア層を有し、該ファイナルバリア層の厚みが１．５ｎｍ以下である、請求項１または２に記載のIII族窒化物発光素子。」と記載されているうち、請求項１を引用するものについて、独立形式に改め、
「
　ｎ型III族窒化物半導体層と、
　障壁層および、該障壁層よりもバンドギャップの小さい井戸層をこの順に交互にＮ層ずつ（但し、Ｎは整数である）積層してなるIII族窒化物半導体積層体と、
　ＡｌＮガイド層と、
　ｐ型III族窒化物半導体層と、をこの順に有し、
　前記ＡｌＮガイド層の厚さが０．７ｎｍ以上１．７ｎｍ以下であり、
　前記III族窒化物半導体積層体における前記Ｎ層目の井戸層と、前記ＡｌＮガイド層とが接する、または、
　前記III族窒化物半導体積層体における前記Ｎ層目の井戸層と、前記ＡｌＮガイド層との間に、バンドギャップが前記井戸層超かつ前記ＡｌＮガイド層未満のファイナルバリア層を有し、該ファイナルバリア層の厚みが１．５ｎｍ以下であ
る、III
半導体
　請求項３を直接又は間接的に引用する請求項４〜６についても同様に訂正する。
エ　訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項４に「III族窒化物発光素子」記載されているのを、「III族窒化物
半導体
　請求項４を直接又は間接的に引用する請求項５、６についても同様に訂正する。
オ　訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項５に「請求項１〜４のいずれか１項に記載のIII族窒化物発光素子」と記載されているのを、「請求項
３または４
半導体
　請求項５を引用する請求項６についても同様に訂正する。
カ　訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項６に「III族窒化物発光素子」と記載されているのを、「III族窒化物
半導体
キ　訂正事項７
　特許請求の範囲の請求項７を削除する。
ク　訂正事項８
　特許請求の範囲の請求項１０に「請求項７〜９のいずれか１項に記載の」と記載されているのを、「請求項
８または９
ケ　訂正事項９
　特許請求の範囲の請求項３に、
「前記III族窒化物半導体積層体における前記Ｎ層目の井戸層と、前記ＡｌＮガイド層とが接する、または、
　前記III族窒化物半導体積層体における前記Ｎ層目の井戸層と、前記ＡｌＮガイド層との間に、バンドギャップが前記井戸層超かつ前記ＡｌＮガイド層未満のファイナルバリア層を有し、該ファイナルバリア層の厚みが１．５ｎｍ以下である、請求項１または２に記載のIII族窒化物発光素子。」と記載されているうち、請求項２を引用するものについて、独立形式に改め、
「
　ｎ型III族窒化物半導体層と、
　障壁層および、該障壁層よりもバンドギャップの小さい井戸層をこの順に交互にＮ層ずつ（但し、Ｎは整数である）積層してなるIII族窒化物半導体積層体と、
　ＡｌＮガイド層と、
　ｐ型III族窒化物半導体層と、をこの順に有し、
　前記ＡｌＮガイド層の厚さが０．７ｎｍ以上１．７ｎｍ以下であり、
　前記ＡｌＮガイド層がｉ型であり、
　前記III族窒化物半導体積層体における前記Ｎ層目の井戸層と、前記ＡｌＮガイド層とが接する、または、
　前記III族窒化物半導体積層体における前記Ｎ層目の井戸層と、前記ＡｌＮガイド層との間に、バンドギャップが前記井戸層超かつ前記ＡｌＮガイド層未満のファイナルバリア層を有し、該ファイナルバリア層の厚みが１．５ｎｍ以下であ
る、III
半導体
コ　訂正事項１０
　特許請求の範囲の請求項４に「請求項３に記載のIII族窒化物発光素子」と記載されているのを、「請求項
１１
半導体
サ　訂正事項１１
　特許請求の範囲の請求項５に「請求項１〜４のいずれか１項に記載のIII族窒化物発光素子」と記載されているのを、「請求項
１１または１２
半導体
シ　訂正事項１２
　特許請求の範囲の請求項６に「請求項５に記載のIII族窒化物発光素子。」と記載されているのを、「請求項
１３
半導体
ス　訂正事項１３
　特許請求の範囲の請求項１０に、
「　前記ＡｌＮガイド層はｉ型である、請求項７〜９のいずれか１項に記載の製造方法。」と記載されているうち、請求項７を引用するものについて、独立形式に改め、
「
　ｎ型III族窒化物半導体層を形成する第１工程と、
　前記ｎ型III族窒化物半導体層上に、障壁層および、該障壁層よりもバンドギャップの小さい井戸層をこの順に交互にＮ層ずつ（但し、Ｎは整数である）積層してなるIII族窒化物半導体積層体を形成する第２工程と、
　前記III族窒化物半導体積層体上に、厚さ０．７ｎｍ以上１．７ｎｍ以下のＡｌＮガイド層を形成する第３工程と、
　前記ＡｌＮガイド層上に、ｐ型III族窒化物半導体層を形成する第４工程と、を含み、
　前記第３工程において、トリメチルアルミニウムガスおよびアンモニアガスからなる原料ガスを用いて前記ＡｌＮガイド層をエピタキシャル成長させ、
　前記ＡｌＮガイド層はｉ型であ
ることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否及び一群の請求項について
ア　訂正事項１、２について
　訂正事項１、２は、それぞれ請求項１、２を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「明細書等」という。）に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　訂正前の請求項１、２については特許異議の申立てがされているので、訂正事項１、２に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。
イ　訂正事項３、９について
　訂正前の請求項３は請求項１または２の記載を引用するものであるところ、訂正事項３は、訂正前の請求項３のうち、請求項１を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改めるための訂正であり、訂正事項９は、訂正前の請求項３のうち、請求項２を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、新たな独立請求項１１へ改めるための訂正であるから、訂正事項３、９は、いずれも、「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものに該当する。
　併せて、訂正前の請求項３の「III族窒化物発光素子」との記載に関し、請求項３はIII族窒化物半導体発光素子に係る請求項１を直接又は間接的に引用しており、請求項３の記載内容が請求項１の記載との関係において不合理を生じているため、訂正事項３及び９は、訂正後の請求項３及び１１において、当該記載の不合理を改めたものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものにも該当する。
　また、訂正事項３及び９は、引用関係の解消及び明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正であるから、願書に添付した明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　訂正事項３及び９は、引用関係の解消及び明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正であるから、訂正事項３、９に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。
ウ　訂正事項４、１０について
　訂正前の請求項４は請求項３を引用するものであり、訂正事項９は、訂正前の請求項３の引用関係を解消して、請求項２を引用するものについて新たな請求項１１とする訂正であるところ、訂正事項１０は、訂正前の請求項４において、引用請求項を請求項１１とし、新たな請求項１２とする訂正であるから、訂正事項９と同様に、「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものに該当する。
　併せて、訂正前の請求項４の「III族窒化物発光素子」との記載に関し、訂正前の請求項４はIII族窒化物半導体発光素子に係る請求項１を間接的に引用しており、請求項４の記載内容が請求項１の記載との関係において不合理を生じているため、訂正事項４及び１０は、訂正後の請求項４及び１２において、当該記載の不合理を改めたものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　また、訂正事項４は、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正であり、訂正事項１０は、引用関係の解消及び明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正であるから、訂正事項４及び１０は、願書に添付した明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　訂正事項４は、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正であり、訂正事項１０は、引用関係の解消及び明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正であるから、訂正事項４、１０に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。
エ　訂正事項５、１１について
　訂正前の請求項５は請求項１〜４を引用するものであり、引用請求項として請求項１、２が含まれたものであり、訂正事項１、２は、請求項１、２を削除するための訂正で、訂正事項３、９は、訂正前の請求項３の引用関係を解消するための訂正であるところ、訂正事項５は、訂正前の請求項５において、引用請求項を請求項３または４とする訂正であるから、訂正事項３と同様に、「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものに該当し、訂正事項１１は、訂正前の請求項５において、引用請求項を請求項１１または１２とし、新たな請求項１３とする訂正であるから、訂正事項９、１０と同様に、「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものに該当する。
　併せて、訂正前の請求項５の「III族窒化物発光素子」との記載に関し、訂正前の請求項５はIII族窒化物半導体発光素子に係る請求項１を間接的に引用しており、請求項５の記載内容が請求項１の記載との関係において不合理を生じているため、訂正事項５及び１１は、訂正後の請求項５及び１３において、当該記載の不合理を改めたものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　また、訂正事項５及び１１は、引用関係の解消及び明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正であるから、願書に添付した明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　訂正事項５及び１１は、引用関係の解消及び明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正であるから、訂正事項５、１１に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。
オ　訂正事項６、１２について
　訂正前の請求項６は請求項３を間接的に引用するものであり、訂正事項９は、訂正前の請求項３の引用関係を解消して、請求項２を引用するものについて新たな請求項１１とする訂正であるところ、訂正事項１２は、訂正前の請求項６において、引用請求項を、請求項１１を直接又は間接的に引用する請求項１３とし、新たな請求項１４とする訂正であるから、「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものに該当する。
　併せて、訂正前の請求項６の「III族窒化物発光素子」との記載に関し、訂正前の請求項６はIII族窒化物半導体発光素子に係る請求項１を間接的に引用しており、請求項６の記載内容が請求項１の記載との関係において不合理を生じているため、訂正事項６及び１２は、訂正後の請求項６及び１４において、当該記載の不合理を改めたものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　また、訂正事項６は、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正であり、訂正事項１２は、引用関係の解消及び明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正であるから、訂正事項６及び１２は、願書に添付した明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　訂正事項６は、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正であり、訂正事項１２は、引用関係の解消及び明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正であるから、訂正事項６、１２に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。
カ　訂正事項７について
　訂正事項７は、請求項７を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、願書に添付した明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　訂正前の請求項７については特許異議の申立てがされているので、訂正事項７に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。
キ　訂正事項８、１３について
　訂正前の請求項１０は請求項７〜９の記載を引用するものであるところ、訂正事項８は、訂正前の請求項１０において、引用請求項を請求項８または９とする訂正であり、訂正事項１３は、訂正前の請求項１０のうち、請求項７を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改め、新たな独立請求項１５へ改めるための訂正であるから、訂正事項８、１３は、いずれも、「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものに該当する。
　訂正事項８及び１３は、引用関係の解消、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正であるから、訂正事項８、１３に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。
ク　一群の請求項について
　訂正事項１−６、９−１２に係る訂正前の請求項１−６について、訂正前の請求項２−６は直接又は間接的に請求項１を引用するものであって、訂正事項１によって削除される請求項１に連動して訂正されるものである。したがって、訂正前の請求項１−６は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項に該当する。
　また、訂正事項７、８、１３に係る訂正前の請求項７、１０について、訂正前の請求項１０は請求項７を引用するものであって、訂正事項７によって削除される請求項７に連動して訂正されるものである。したがって、訂正前の請求項７、８、１３は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項に該当する。
　したがって、本件訂正請求は、一群の請求項に対してされたものである。
ケ　小括
　以上のとおりであるから、本件訂正請求は、特許法第１２０条の５第２項第１号、第３号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項、及び同条第９項において準用する同法第１２６条第４項から第６項までの規定に適合するので、訂正後の請求項〔１−６、１１−１４〕及び〔７、１０、１５〕について訂正することを認める。
３　特許異議の申立てについて
　申立人による特許異議の申立ては、請求項１、２、７に係る特許についてのみされたものであるが、上記２で述べたように、本件特許の請求項１、２、７は、適法な訂正により削除されたから、特許異議申立ての対象とする請求項が存在しないものとなった。
　したがって、この特許異議の申立ては、不適法な特許異議の申立てであって、その補正をすることができないものであるから、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定によって却下すべきものである。
４　むすび
　以上のとおり、本件特許異議の申立ては、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法１３５条の規定によって却下すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。　
【異議決定日】
平成３０年３月６日（２０１８．３．６）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
（削除）
　【請求項２】
（削除）
　【請求項３】
　ｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体層と、
　障壁層および、該障壁層よりもバンドギャップの小さい井戸層をこの順に交互にＮ層ずつ（但し、Ｎは整数である）積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層体と、
　ＡｌＮガイド層と、
　ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層と、をこの順に有し、
　前記ＡｌＮガイド層の厚さが０．７ｎｍ以上１．７ｎｍ以下であり、
　前記ＩＩＩ族窒化物半導体積層体における前記Ｎ層目の井戸層と、前記ＡｌＮガイド層とが接する、または、
　前記ＩＩＩ族窒化物半導体積層体における前記Ｎ層目の井戸層と、前記ＡｌＮガイド層との間に、バンドギャップが前記井戸層超かつ前記ＡｌＮガイド層未満のファイナルバリア層を有し、該ファイナルバリア層の厚みが１．５ｎｍ以下である、ＩＩＩ族窒化物
半導体
　【請求項４】
　前記ファイナルバリア層の厚みが０．１ｎｍ以上１．０ｎｍ以下である、請求項３に記載のＩＩＩ族窒化物
半導体
　【請求項５】
　前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層は、第１ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層および第２ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層をこの順に有し、
　前記第１ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層のバンドギャップは、前記ＡｌＮガイド層よりも小さく、かつ、前記障壁層よりも大きく、
　前記第２ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層のバンドキャップは、前記第１ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層よりも小さい、請求項
３または４
半導体
　【請求項６】
　前記第１ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層と前記第２ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層とが接し、前記第２ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層がｐ型コンタクト層のみからなる、請求項５に記載のＩＩＩ族窒化物
半導体
　【請求項７】
（削除）
　【請求項８】
　ｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体層を形成する第１工程と、
　前記ｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体層上に、障壁層および、該障壁層よりもバンドギャップの小さい井戸層をこの順に交互にＮ層ずつ（但し、Ｎは整数である）積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層体を形成する第２工程と、
　前記ＩＩＩ族窒化物半導体積層体上に、厚さ０．５ｎｍ以上２．０ｎｍ以下のＡｌＮガイド層を形成する第３工程と、
　前記ＡｌＮガイド層上に、ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層を形成する第４工程と、を含み、
　前記第３工程において、トリメチルアルミニウムガス、トリメチルガリウムガスおよびアンモニアガスを含む原料ガスを用いてＡｌＧａＮ変質層をエピタキシャル成長させ、次いで前記トリメチルアルミニウムガスおよび前記トリメチルガリウムガスの供給を止めて前記エピタキシャル成長を中断し、水素を主成分とするキャリアガス雰囲気で前記ＡｌＧａＮ変質層を曝すことにより、前記ＡｌＧａＮ変質層の少なくとも一部を除去すると共に前記ＡｌＮガイド層に変質させ、前記ＡｌＧａＮ変質層の残部をファイナルバリア層とすることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
　【請求項９】
　前記第３工程において、前記ＡｌＧａＮ変質層の全部を前記ＡｌＮガイド層に変質させる、請求項８に記載の製造方法。
　【請求項１０】
　前記ＡｌＮガイド層はｉ型である、請求項
８または９
　【請求項１１】
　ｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体層と、
　障壁層および、該障壁層よりもバンドギャップの小さい井戸層をこの順に交互にＮ層ずつ（但し、Ｎは整数である）積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層体と、
　ＡｌＮガイド層と、
　ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層と、をこの順に有し、
　前記ＡｌＮガイド層の厚さが０．７ｎｍ以上１．７ｎｍ以下であり、
　前記ＡｌＮガイド層がｉ型であり、
　前記ＩＩＩ族窒化物半導体積層体における前記Ｎ層目の井戸層と、前記ＡｌＮガイド層とが接する、または、
　前記ＩＩＩ族窒化物半導体積層体における前記Ｎ層目の井戸層と、前記ＡｌＮガイド層との間に、バンドギャップが前記井戸層超かつ前記ＡｌＮガイド層未満のファイナルバリア層を有し、該ファイナルバリア層の厚みが１．５ｎｍ以下である、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
　【請求項１２】
　前記ファイナルバリア層の厚みが０．１ｎｍ以上１．０ｎｍ以下である、請求項１１に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
　【請求項１３】
　前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層は、第１ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層および第２ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層をこの順に有し、
　前記第１ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層のバンドギャップは、前記ＡｌＮガイド層よりも小さく、かつ、前記障壁層よりも大きく、
　前記第２ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層のバンドキャップは、前記第１ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層よりも小さい、請求項１１または１２に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
　【請求項１４】
　前記第１ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層と前記第２ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層とが接し、前記第２ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層がｐ型コンタクト層のみからなる、請求項１３に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
　【請求項１５】
　ｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体層を形成する第１工程と、
　前記ｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体層上に、障壁層および、該障壁層よりもバンドギャップの小さい井戸層をこの順に交互にＮ層ずつ（但し、Ｎは整数である）積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層体を形成する第２工程と、
　前記ＩＩＩ族窒化物半導体積層体上に、厚さ０．７ｎｍ以上１．７ｎｍ以下のＡｌＮガイド層を形成する第３工程と、
　前記ＡｌＮガイド層上に、ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層を形成する第４工程と、を含み、
　前記第３工程において、トリメチルアルミニウムガスおよびアンモニアガスからなる原料ガスを用いて前記ＡｌＮガイド層をエピタキシャル成長させ、
　前記ＡｌＮガイド層はｉ型であることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。