【事件の表示】
　特願２００２−５６５３４０「ドーパント前駆体を用いた製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　８月２２日国際公開、ＷＯ０２／６５５０８、平成１６年　８月１９日国内公表、特表２００４−５２５５０９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 第１．手続の経緯
　本願は、２００２年　２月１２日（パリ条約による優先権主張　２００１年　２月１２日、同年　３月２７日、同年　８月　９日、同年　９月１９日、同年１１月１３日、同年１１月２８日、同年１２月　７日、米国）を国際出願とする出願であって、平成１９年１０月１６日付で、拒絶の理由が通知され、これに対して平成２０年　４月２３日付で手続補正がなされたが、平成２０年　６月　４日付で拒絶査定され、前記拒絶査定を不服として、平成２０年　９月　９日付で審判請求をし、同年１０月　８日付で手続補正がなされたものである。
　
　
第２．平成２０年１０月　８日付の手続補正についての補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２０年１０月　８日付の手続補正を却下する。
　
［理　由］
１．本件手続補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲において次のとおりに補正しようとする事項を含むものである。
　
「【請求項１】
　水素非添加のＳｉ含有膜を製造するための熱ＣＶＤ又は原子層堆積法であって、
　内部に基板を配置した気相成長チャンバを準備するステップ、
　少なくとも１個のシリコン原子および少なくとも１個のＩＩＩ族またはＶ族の原子を含むドーパント前駆体を前記チャンバに導入するステップ、
　ジシラン及びトリシランからなる群の中から選択されるシリコン源を前記チャンバに導入するステップ、および
　水素非添加のＳｉ含有膜を前記基板上に堆積させるステップを含み、
　
前記ドーパント前駆体が、化学式（Ｈ
３
Ｓｉ）
３−ｘ
ＭＲ
ｘ
（ここで、ＲはＨまたはＤであり、ｘは０、１または２であり、ＭはＢ、Ｐ、ＡｓおよびＳｂからなる群の中から選択される）で表される
・・・
【請求項９】
　前記Ｓｉ含有膜を熱化学気相成長によって堆積させる請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
　前記ドーパント前駆体が、（Ｈ３Ｓｉ）３Ｎおよび（Ｈ３Ｓｉ）２Ｎ２からなる群の中から選択される請求項
９
・・・」
　
２．補正の適否について
　１）補正の内容
　上記補正の補正事項は、平成２０年　４月２３日付手続補正により補正された請求項１，９，１０（以下、それぞれ「補正前の請求項１」、「補正前の請求項９」、「補正前の請求項１０」という。）の記載において、
　
ア．補正前の請求項２を削除し、補正前の請求項１に補正前の請求項２の構成「
前記ドーパント前駆体が、化学式（Ｈ
３
Ｓｉ）
３−ｘ
ＭＲ
ｘ
（ここで、ＲはＨまたはＤであり、ｘは０、１または２であり、ＭはＢ、Ｐ、ＡｓおよびＳｂからなる群の中から選択される）で表される
イ．補正前の請求項１０の項番を繰り上げ、請求項９とし、あわせて、補正前の請求項１０を引用していた請求項１１の引用請求項を９にすると共に、項番を１０に繰り上げようとする
補正を含むものである。
　
　２）補正の目的
　上記補正事項ア．は、実質的な補正前の請求項１の削除に該当する。
　
　一方、上記補正事項イ．は、補正前の請求項２を新たな請求項１としたため、補正前の請求項１を引用していた補正前の請求項１０が、項番を整理して、新たな請求項９とすると共に、補正前の請求項１に変えて補正前の請求項２である新たな請求項１を引用した発明となっている。
　これにより、補正前の請求項１０を引用していた補正前の請求項１１（新たな請求項１０）は、間接的に引用していた請求項が、補正前の請求項１から新たな請求項１（補正前の請求項２）を引用することとなった。
　それ故、当該補正前の請求項１１に係る補正は、上記の引用関係の結果、ドーパント前駆体が
「化学式（Ｈ３Ｓｉ）３−ｘＭＲｘ（ここで、ＲはＨまたはＤであ
り、ｘは０、１または２であり、ＭはＢ、Ｐ、ＡｓおよびＳｂからなる群の中から選択される）で表される」
ものであり、且つ
「（Ｈ３Ｓｉ）３Ｎおよび（Ｈ３Ｓｉ）２Ｎ２からなる群の中から選択される」
ものとなってしまったが、新たな請求項１の「Ｍ」は、Ｎ(窒素）を含んでおらず、また、３−ｘが２の場合ｘは１となる、或いはｘが２の場合は３−ｘが１となるところ「（Ｈ３Ｓｉ）２Ｎ２」の化学式と異なっているから、新たな請求項１０記載の「（Ｈ３Ｓｉ）３Ｎおよび（Ｈ３Ｓｉ）２Ｎ２」は、いずれも新たな請求項１記載の「（Ｈ３Ｓｉ）３−ｘＭＲｘ」からは選ぶことができないことは明らかである。
　したがって、本補正事項イ）は、限定的減縮とは認められず、また、特許法第１７条の２第４項に規定された他の目的である「請求項の削除」（１号）、「誤記の訂正」（３号）、「明りょうでない記載の釈明」（４号）の何れにも該当しないことも明らかである。
　
　よって、この補正は、特許法第１７条の２第４項の各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しない。
　
　３）独立特許要件
　上記のようにこの補正は、特許法第１７条の２第４項の各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当せず、却下すべきものであるが、補正後の請求項１０は、補正前の請求項２を新たに間接的に引用するものであるから、形式上、限定的減縮を行っている様な記載ぶりとなっている。
　しかしながら、仮に当該補正が、限定的減縮に相当するものであっても、上記のように、新たな請求項１０記載の「（Ｈ３Ｓｉ）３Ｎおよび（Ｈ３Ｓｉ）２Ｎ２」は、いずれも新たな請求項１記載の「（Ｈ３Ｓｉ）３−ｘＭＲｘ」からは選ぶことができないことから、請求項１０の記載は、不明りょうな記載を新たに含むものとなっている。
　したがって、本件補正が、限定的減縮であったとしても、本件補正による補正後の請求項１０に係る発明は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしておらず、独立して特許を受けることはできない。
　
４．まとめ
　よって、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　或いは、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３．本願発明について　
１．本願発明
　平成２０年１０月　８日付の手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜３７のうち、請求項２に係る発明は、平成２０年　４月２３日付手続補正書により補正されたその特許請求の範囲の請求項２に記載された次のとおりのものである。
　
「【請求項２】
　前記ドーパント前駆体が、化学式（Ｈ３Ｓｉ）３−ｘＭＲｘ（ここで、ＲはＨまたはＤであり、ｘは０、１または２であり、ＭはＢ、Ｐ、ＡｓおよびＳｂからなる群の中から選択される）で表される請求項１に記載の方法。」
　
　そして、請求項２が引用する請求項１は、
「【請求項１】
　水素非添加のＳｉ含有膜を製造するための熱ＣＶＤ又は原子層堆積法であって、
　内部に基板を配置した気相成長チャンバを準備するステップ、
　少なくとも１個のシリコン原子および少なくとも１個のＩＩＩ族またはＶ族の原子を含むドーパント前駆体を前記チャンバに導入するステップ、
　ジシラン及びトリシランからなる群の中から選択されるシリコン源を前記チャンバに導入するステップ、および
　水素非添加のＳｉ含有膜を前記基板上に堆積させるステップを含む堆積法。」
　であるから、請求項２に係る発明は、上記引用関係を整理すると、
　「水素非添加のＳｉ含有膜を製造するための熱ＣＶＤ又は原子層堆積法であって、
　内部に基板を配置した気相成長チャンバを準備するステップ、
　少なくとも１個のシリコン原子および少なくとも１個のＩＩＩ族またはＶ族の原子を含むドーパント前駆体を前記チャンバに導入するステップ、
　ジシラン及びトリシランからなる群の中から選択されるシリコン源を前記チャンバに導入するステップ、および
　水素非添加のＳｉ含有膜を前記基板上に堆積させるステップを含む堆積法において、
　前記ドーパント前駆体が、化学式（Ｈ３Ｓｉ）３−ｘＭＲｘ（ここで、ＲはＨまたはＤであり、ｘは０、１または２であり、ＭはＢ、Ｐ、ＡｓおよびＳｂからなる群の中から選択される）で表される堆積法。」（以下、「本願発明」という。）である。
　
２．引用刊行物及びその記載事項
　１）原審の平成１９年１０月１６日付の拒絶理由通知の拒絶の理由に引用された本願出願前に国内において頒布された引用文献１：特開昭６３−５１６８０号公報（以下「刊行物１」という。）には、次の事項が記載されている。
（刊１ａ）「（２７）析出室で基層に負にドープした水素化無定形けい素合金フィルムを析出して負にドープした水素化無定形けい素合金を調製する方法において、（ＳｉＸ３）ｍＬＸ３−ｍの式を有し、Ｌが３価リン、ヒ素、アンチモンあるいは蒼鉛からなる群から選択した５Ａ族の原子であり、Ｘが水素、ハロゲンあるいはそれらの混合物であり、ｍが１と３（を含む）の間の整数である１個以上のドーパントを含む析出ガス混合物を析出の間に析出室へ導入する過程を含む負にドープした水素化無定形けい素合金を調製する方法。
　（２８）特許請求の範囲第２７項に記載の方法において、析出がグロー放電による、負にドープした水素化無定形けい素合金をつくる方法。」（３頁右上欄１３行〜左下欄６行）
　
（刊１ｂ）「低禁止帯幅水素化無定形けい素合金が有用であり、代表的であるが全てではない用途としては、ゼロックス写真、レーザプリンタ、積重ね接続太陽電池、およびビン（ｐ−ｉ−ｎ）タイプの光電池装置における本質的な（ｌ−層〕領域と負にドープした（ｎ−層）領域かある。」（１０頁左下欄１１−１７行）
　
（刊１ｃ）「本発明による、負にドープした水素化無定形けい素合金をつくるために使用するドーパント（不純物）材料は以下の式を有する。
　　　　（ＳｉＸ３）ｍＬＸ３−ｍ　　　　　　　　II
Ｌは３価リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）および蒼鉛（Ｂｉ）の群から選択した５Ａ族の原子であり、Ｘは水素、ハロゲンあるいはそれらの混合物であり、かつｍは１と３（を含む）の間の整数である。水素化無定形けい素合金フィルムを析出室で基層に析出する間に析出ガス混合物に前述のようなドーパント材料を含有せしめることにより水素化無定形けい素合金への５Ａ族原子の組入れをより制御できるようになり、そのため好ましくない化学結合の発生を低減させる。
・・・本発明の一好適実施例においては、Ｘ原子の全ては水素である。」（１０頁右下欄１５行〜１１頁右上欄２行）
　
（刊１ｄ）「本発明によれば、負にドープした水素化無定形けい素合金をつくる上で有用な、式：IIに入る特に好ましいドーパント材料は、
トリシリルフォスフイン（ＳｉＨ
３
）
３
Ｐとトリシリルアルシン（ＳｉＨ
３
）
３
Ａｓ
　
（刊１ｅ）「
本発明によれば、水素化無定形けい素合金は水素化無定形けい素合金を析出室で基層に析出することにより調製される。析出の間、
あるいは前述の式IIの１個以上のドーパント・・・を含む析出ガス混合物が析出室へ導入される。
　前述の
式II・・・のドーパント材料は常に、１個以上の析出原材料と共に用いられる。前記ドーパント材料が共に用いられる析出原材料は
あるいはその他の一般に用いられている析出原材料
　本発明による・・・ド
−パント材料と共に使用しうるその他の析出原材料
ジシラン（Ｓｉ
２
Ｈ
６
）およびトリシラン（Ｓｉ
３
Ｈ
８
）
　
（刊１ｆ）「
代替的に、その他の従来の析出技術を用いることができる。
化学蒸着
　
　
３．当審の判断
（３−１）刊行物１に記載の発明
　上記刊行物１に関する記載事項（刊１ａ）,（刊１ｃ）〜（刊１ｅ）を整理すると、刊行物１には、
「析出室で、グロー放電により、基層に負にドープした水素化無定形けい素合金フィルムを析出して負にドープした水素化無定形けい素合金を調製する方法において、
　（ＳｉＸ３）ｍＬＸ３−ｍの式を有し、Ｌが３価リン、ヒ素、アンチモンあるいは蒼鉛からなる群から選択した５Ａ族の原子であり、Ｘが水素であり、ｍが１と３（を含む）の間の整数である１個以上のドーパントと、
　シラン（ＳｉＨ４）、例えはジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）およびトリシラン（Ｓｉ３Ｈ８）のような高級シラン等の一般に用いられている析出原材料と、を含む析出ガス混合物を析出の間に析出室へ導入する過程を含む
負にドープした水素化無定形けい素合金を調製する方法」
に関する発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されている。
　
（３−２）対比・判断
ア．本願発明と刊行物１発明との対比
　ア）刊行物１発明の「析出」、「基層」、「無定形けい素合金フィルム」、「ドーパント」は、本願発明の「堆積」、「基板」、「Ｓｉ含有膜」、「ドーパント前駆体」に相当する。
　イ）刊行物１発明の「析出室で基層に負にドープした水素化無定形けい素合金フィルムを析出して負にドープした水素化無定形けい素合金を調製する方法」は、負にドープした水素化無定形けい素合金を基層に析出させることで、けい素合金を調製するものであり、けい素合金を析出させる方法でもあるから、本願発明の「Ｓｉ含有膜を製造するための堆積法」に相当する。
　ウ）刊行物１発明は、「析出室で、グロー放電により、基層に負にドープした水素化無定形けい素合金フィルムを析出」させるものであるから、当該構成は、本願発明の「内部に基板を配置した気相成長チャンバを準備するステップ」に相当する。
　エ）刊行物１発明の「（ＳｉＸ３）ｍＬＸ３−ｍの式を有し、Ｌが３価リン、ヒ素、アンチモンあるいは蒼鉛からなる群から選択した５Ａ族の原子であり、Ｘが水素であり、ｍが１と３（を含む）の間の整数である１個以上のドーパント」は、１個のＳｉ原子と１個の５Ａ属の原子を有しているから、本願発明の「少なくとも１個のシリコン原子および少なくとも１個のＩＩＩ族またはＶ族の原子を含むドーパント前駆体」に相当する。
　オ）また、前記刊行物１発明の「（ＳｉＸ３）ｍＬＸ３−ｍの式」において、
刊行物１発明の「ｍ」が１と３（を含む）の間の整数であるから、「ｍ」は１、２または３であり、「３−ｍ」は２，１または０となる。
　一方、本願発明では、ｘが０、１または２であるから、「３−ｘ」は３、２または１となるため、刊行物１発明の「ｍ」および「３−ｍ」は、それぞれ本願発明の「３−ｘ」、「ｘ」に相当し、刊行物１発明の「Ｌ」が３価リン、ヒ素、アンチモンあるいは蒼鉛からなる群から選択した５Ａ族の原子であり、本願発明では、Ｍが、Ｐ、ＡｓおよびＳｂからなる群の中から選択される元素を含んでいるから、刊行物１発明の「Ｌ」は、本願発明の「Ｘ」に相当する。
　したがって、刊行物１発明の、「（ＳｉＸ３）ｍＬＸ３−ｍの式を有し、Ｌが３価リン、ヒ素、アンチモンあるいは蒼鉛からなる群から選択した５Ａ族の原子であり、Ｘが水素であり、ｍが１と３（を含む）の間の整数である１個以上のドーパント」は、本願発明の「ドーパント前駆体が、化学式（Ｈ３Ｓｉ）３−ｘＭＲｘ（ここで、ＲはＨまたはＤであり、ｘは０、１または２であり、ＭはＢ、Ｐ、ＡｓおよびＳｂからなる群の中から選択される）で表される」に相当する。
　カ）刊行物１発明の「析出原材料」は、けい素合金を析出させるための原材料であり、シラン（ＳｉＨ４）、例えはジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）およびトリシラン（Ｓｉ３Ｈ８）のような高級シラン等の一般に用いられている析出原材料であり、ジシランおよびトリシランも選択肢として例示されていることから、本願発明の「ジシラン及びトリシランからなる群の中から選択されるシリコン源」に相当する。
　
　そうすると、本願発明と刊行物１発明とは、
　「Ｓｉ含有膜を製造するための堆積法であって、
　内部に基板を配置した気相成長チャンバを準備するステップ、
　少なくとも１個のシリコン原子および少なくとも１個のＩＩＩ族またはＶ族の原子を含むドーパント前駆体を前記チャンバに導入するステップ、
　ジシラン及びトリシランからなる群の中から選択されるシリコン源を前記チャンバに導入するステップ、および
　Ｓｉ含有膜を前記基板上に堆積させるステップを含む堆積法において、
　前記ドーパント前駆体が、化学式（Ｈ３Ｓｉ）３−ｘＭＲｘ（ここで、ＲはＨまたはＤであり、ｘは０、１または２であり、ＭはＢ、Ｐ、ＡｓおよびＳｂからなる群の中から選択される）で表される堆積法。」
の点で一致し、下記の点で相違する。
　
　相違点１：Ｓｉ含有膜が、本願発明においては、「水素非添加」であるのに対して、刊行物１発明では、「水素化」である点。
　相違点２：堆積方法が、本願発明においては、「熱ＣＶＤ又は原子層堆積法」であるのに対して、刊行物１発明では、「グロー放電による」堆積法である点。
　
イ．上記相違点１，２の検討
ア）相違点１について
　本件審判請求人は、「水素非添加」の定義について、下記の通りの主張を行っている。
　即ち、原審の平成２０年　６月　４日付拒絶査定において、「本拒絶査定を構成するものではないが、現在存在している拒絶理由である。」として、挙げられた
　
「・特許法第３６条第６項第２号違反
　・請求項：１６，１７
　　請求項１６，１７は請求項１を引用しているが、請求項１には「水素非添加のＳｉ含有膜」が特定されているから、請求項１６，１７は「水素非添加のＳｉ含有膜」が「５原子％以下の水素を含む」、「２原子％以下の水素を含む」との意味となり、日本語として不明確な記載である。」
　
との指摘に対して、本件審判請求人は、審判請求書の請求の理由を補正した平成２０年１１月２０日付手続補正書の９頁において、
　
「（３．２）特許法第３６条第６項第２号違反
　　拒絶査定において、拒絶査定を構成するものではないとして、請求項１５、１６（補正前の請求項１６、１７）に対して不明確と指摘された点に関しては、「水素非添加のＳｉ含有膜」とは、段落［００３４］において「本開示の目的では、１０原子％未満の水素を含む膜は水素非添加の膜とする。」と定義されているように、「１０原子％未満の水素を含む膜」を意味することは明らかである。従って、請求項１５の記載「前記Ｓｉ含有膜が５原子％以下の水素を含む」及び請求項１６の記載「前記Ｓｉ含有膜が２原子％以下の水素を含む」は、「１０原子％未満の水素を含む膜」である「水素非添加のＳｉ含有膜」と、技術的に整合する記載であり、その意味は明確である。」
　
との反論をしている。
　
　確かに、明細書の発明の詳細な説明【００３４】には、
　「水素添加された膜は、一般に１０原子％以上の水素を含む。本開示の目的では、１０原子％未満の水素を含む膜は水素非添加の膜とする。ＣＶＤ法で形成された膜は、好ましくは約５原子％以下の水素、より好ましくは約２原子％以下の水素を含む。」
との記載が有り、その後の補正においても当該段落【００３４】は補正されていない。
　したがって、本願発明における「水素非添加」の膜は、「１０原子％未満の水素を含む膜」に相当する。
　
　一方、刊行物１の記載事項（刊１ｂ）に記載されている、刊行物１発明の用途である「ゼロックス写真、レーザプリンタ、積重ね接続太陽電池、およびビン（ｐ−ｉ−ｎ）タイプの光電池装置における本質的な（ｌ−層〕領域と負にドープした（ｎ−層）領域」等の光導電性を利用する半導体の技術分野において用いられる水素化無定形けい素合金における水素の含有量としては、下記の刊行物２〜５に記載のように、その用途に応じて、１０ａｔｏｍｉｃ％以下、或いは数原子％〜数十原子％と、幅広く設定されており、１０原子％以下のものとすることも、周知の技術手段である。
　そして、前記周知の技術手段が用いられている技術分野と同一の技術分野である刊行物１発明においても、その用途に応じて水素の含有量を１０原子％以下とすることは、前記周知技術に基づいて当業者ならば適宜なし得たものである。
　
＜周知刊行物の記載事項＞
・刊行物２：特開平８−２９８３３３号公報（原審の拒絶理由通知において挙げられた周知文献）
（刊２ａ）「【０００７】上記グロー放電分解法で製作された非単結晶半導体膜には、その作製条件にもよるが、膜中に、数ａｔｏｍｓ％〜数十ａｔｏｍｓ％の水素が含まれることが知られている。この含有水素量は、被膜成膜時の基板温度や、反応ガス（シラン、水素）の混合比、また放電電力に依存し、意図的に変化させることが可能である。」
　
・刊行物３：特開昭５６−１４６１４２号公報
（刊３ａ）「アモルファスシリコン膜は、通常数原子％から数十原子％の水素を含有し、・・・光導電体として有用なアモルファスシリコンが得られるのは、含有水素濃度が１原子％を越えるあたりからとなっている。
　アモルファスシリコン膜中の水素濃度を変化させるためには上記の膜形成方を用いて膜を形成する際の基板温度、雰囲気中の水素濃度、入力パワーなどを制御すればよい」（２頁左下欄２０行〜右下欄１７行）
　
・刊行物４：特開昭６１−５９３５３号公報
（刊４ａ）「一般に、水素含量は１〜５０％、好ましくは５〜２５％（水素含量は原子％として定義される）の範囲である。」（５頁左上欄９〜１１行）
・刊行物５：特開昭６３−２３９９８１号公報
（刊５ａ）「［産業上の利用分野］本発明は、たとえばファクシミリ、デジタルコピーあるいはスキャナ等の画像入力部に使用される光センサおよびそれを用いた画像読み取り方法に関する。」（１頁右欄下から６〜３行）
（刊５ｂ）「こうした光センサには種々のものがあるが、中でもアモルファス半導体や多結晶半導体等の非単結晶薄膜半導体を光導電部材に用いたものは、非単結晶薄膜半導体が優れた光電変換機能を有する材料であり・・該非単結晶半導体からなる層を形成する方法についてもいくつか提案されており、真空蒸着法、イオンプレーティング法、反応性スパッタリング法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法等があり、」（２頁左上欄５〜１８行）
（刊５ｃ）「本発明は、光導電部材を有する光センサにおいて、当該光導電部材は、少なくとも２種以上からなる機能性薄膜からなる積層体を多層に積層した構造を有し、当該機能性薄膜は各々異なる導電の型及び／又は導電度を有しており、かつ、当該機能性薄膜の水素含有量は１０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、」（２頁左下欄４〜１０行）
　
　
イ）相違点２について
　刊行物１の記載事項（刊１ｆ）には、「代替的に、その他の従来の析出技術を用いることができる。」ことが、説明されており、その他の析出技術として、「化学蒸着、光化学蒸着、低圧化学蒸着、均−化学蒸着、スパタリング、および水素介在中での反応スパタリング」が例示されている。
　そして、化学蒸着として熱化学気相成長即ち熱ＣＶＤは、よく知られたものであるから、刊行物１発明のグロー放電による堆積方法に変えて、熱ＣＶＤによる堆積法を採用することは当業者ならば容易に想到し得たものである。
　
　また、本願発明と刊行物１発明との上記相違点１、２に係る各構成を採用することによる相乗的な格別な作用・効果も、認められない。
　
　ところで、本件審判請求人は、審判請求の理由において、次のとおりの主張を行っている。
　
「（１．４．１）引用文献１について
　本願発明の課題は、従来技術における種々の問題、例えば、水素化物のドーパント前駆体を用いる場合、「水素添加された様々な種によって「マスエンベロープ（mass envelope）」が形成され、それから所望のドーパント種を選択することは困難である」こと、「（１）低い膜堆積温度でドーパントの注入が不十分になる」こと、「（２）多結晶シリコンベースの材料の粒界に沿ってドーパント原子が偏析する」こと、「（３）特に低い温度で、インサイチュドーパント前駆体の濃度が増加するにつれて多結晶材料の堆積速度が低下する」こと、「（４）特に堆積温度が低い場合、シリコンベースの材料中に存在するドーパント原子の全濃度に対する電気的に活性なドーパント種の割合が低くなり、サーマルバジェットを消費する別の活性化ステップが必要になる」こと、「（５）ドーパントを打ち込み、ｐ−ｎ接合を形成するための後続の熱処理の後、部分的に注入されたドーパント原子の性質によって複数の拡散経路が生じるために、ドーパント原子の拡散に対する制御が不十分になる」こと、「（６）特に低い堆積温度で、固体に対する溶解度に応じてシリコンベースの材料内に注入することができる電気的に活性化されたドーパント原子の全濃度に対する制限がある」ことを改善することである。従って、引用文献１には、本願発明の課題が何ら認識されておらず、開示も示唆もされていない。
　そして、本願発明（請求項１）の堆積法は、上記した課題を解決するために、次の要素（ａ）〜（ｆ）から構成されている。
　（ａ）水素非添加のＳｉ含有膜を製造するための熱ＣＶＤ又は原子層堆積法であって、
　（ｂ）内部に基板を配置した気相成長チャンバを準備するステップ、
　（ｃ）少なくとも１個のシリコン原子および少なくとも１個のＩＩＩ族またはＶ族の原子を含むドーパント前駆体を前記チャンバに導入するステップ、
　（ｄ）ジシラン及びトリシランからなる群の中から選択されるシリコン源を前記チャンバに導入するステップ、および
　（ｅ）水素非添加のＳｉ含有膜を前記基板上に堆積させるステップを含み、
　（ｆ）前記ドーパント前駆体が、化学式（Ｈ３Ｓｉ）３−ｘＭＲｘ（ここで、ＲはＨまたはＤであり、ｘは０、１または２であり、ＭはＢ、Ｐ、ＡｓおよびＳｂからなる群の中から選択される）で表される。
　これらの構成要件（ａ）〜（ｆ）の組み合わせ、特に構成要件（ｆ）は、引用文献１には開示も示唆もされていない。
　以上のように、本願発明は、引用文献１と課題が異なり、引用文献１には開示も示唆もされていない構成要件を含んでいる。従って、本願発明は、引用文献１に記載された発明と同等ではなく、引用文献１に記載された発明から当業者が容易に想到し得たものでもない。」
　
　しかしながら、本件審判請求人が主張している「特に構成要件（ｆ）は、引用文献１には開示も示唆もされていない。」との点、即ち、本願発明の上記課題の解決手段としての基本的な構成であるドーパント前駆体自体については、前記「（３−２）対比・判断　ア．本願発明と刊行物１発明との対比　オ）」に記載のように刊行物１発明において、既に、開示されているから、本件審判請求人の当該主張は採用できない。
　
　また、引用文献１に記載された刊行物１発明と本願発明とには、上記のように相違点１，２が認められるものの、何れも単なる周知技術の適用にすぎず、上記審判請求人が主張している課題解決のための格別な構成にはあたらない。
　そして、本願明細書の【００４８】−【００５０】には、「本明細書に記載するドーパント前駆体の使用」によって、各種の利点が得られる旨説明しており、「本明細書に記載するドーパント前駆体の使用」は、上記のように、刊行物１発明において、既に、開示されているから、明細書に記載の利点も格別なものとは認められない。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び刊行物２〜５に記載の周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
４．むすび 
　以上のとおり、本願の請求項２に係る発明は、刊行物１に記載された発明及び刊行物２〜５に記載の周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の請求項１、請求項３〜請求項３７に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。