【事件の表示】
　特願２００８−１５３０６２「イオン発生素子、帯電装置および画像形成装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年１２月２４日出願公開、特開２００９−３００５９７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　　本件出願の手続の経緯は、概要次のとおりである。 
　　特許出願　　　　　　：平成２０年　６月１１日 
　　拒絶理由通知（最初）：平成２２年　４月　９日（起案日） 
　　意見書　　　　　　　：平成２２年　６月１０日 
　　拒絶査定　　　　　　：平成２２年　７月１４日（起案日） 
　　拒絶査定不服審判請求：平成２２年１０月　５日 
　　手続補正　　　　　　：平成２２年１０月　５日 
　　審尋　　　　　　　　：平成２２年１２月２８日（起案日） 
　　回答書　　　　　　　：平成２３年　３月１０日 
　 
第２　本願発明 
　平成２２年１０月５日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲及び明細書を補正するものであって、その補正は、願書に添付された特許請求の範囲の請求項１の、 
「【請求項１】
　誘電体層を挟んで設けられた放電電極と誘導電極との間に交番電圧が印加されることにより、沿面放電に伴ってイオンを発生するイオン発生素子であって、
　絶縁基材の同一面に前記誘導電極と、通電により発生するジュール熱で当該イオン発生素子を加温するヒータ電極とが、互いに絶縁されるように離間して設けられており、
　前記絶縁基材の前記面に前記誘電体層が積層されており、
　前記誘電体層は、前記絶縁基材を覆い得る長さを有しており、かつ前記誘導電極の端子部上および前記ヒータ電極の端子部上に、これら端子部を露出させる開口部が設けられている、ことを特徴とするイオン発生素子。」 
　を引用する請求項２の、　　  
「【請求項２】
　前記誘電体層の開口部は、前記端子部毎に別々に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のイオン発生素子。」 
なる記載を、
　本件補正後の請求項１の、 
「【請求項１】
　誘電体層を挟んで設けられた放電電極と誘導電極との間に交番電圧が印加されることにより、沿面放電に伴ってイオンを発生するイオン発生素子であって、
　絶縁基材の同一面に前記誘導電極と、通電により発生するジュール熱で当該イオン発生素子を加温するヒータ電極とが、互いに絶縁されるように離間して設けられており、
　前記絶縁基材の前記面に前記誘電体層が積層されており、
　前記誘電体層は、前記絶縁基材を覆い得る長さを有しており、かつ前記誘導電極の端子部上および前記ヒータ電極の端子部上に、これら端子部を露出させる開口部が
前記誘電体層
　
前記誘電体層の開口部は、前記端子部毎に別々に設けられて
　という記載にすることを含むものである。
　　
　本件補正後の請求項１に係る補正は、「開口部」が「誘電体層」に設けられているとする事項を含むが、当該事項は本件補正前の請求項２に既に存在するから、本件補正は実質的には、本件補正前の請求項１を削除し、本件補正前の請求項２を新たな請求項１とするものであるから、特許法第１７条の２（以下単に「特許法第１７条の２」という。）第５項第１号に掲げる、請求項の削除を目的とする適法な補正である。 
　 
　したがって、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記本件補正後の請求項１に記載のとおりのものである。 
　 
第３　引用例 
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である、特開平１１−１９４５８１号公報（以下「引用例」という。）には、以下の技術的事項の記載がある（下線は当審で付した。）。 
　　 
（ａ）「【発明の実施の形態】本発明のイオン発生装置の第１の実施の形態を図１ないし図３に基づいて説明する。図１はイオン発生装置の縦断正面図、図２はその平面図、図３は温度制御用ヒータを拡大して示す平面図である。
【００２６】まず、
絶縁性を有する絶縁基板１が設けられ、この絶縁基板１上には、第１電極である誘導電極２、誘電体層３、第２電極であるイオン発生電極４、および保護層５がスクリーン印刷によって順に積層形成されている
誘電体層３は誘導電極２と共に絶縁基板１の表面全体を覆い、イオン発生電極４は誘電体層３の上に形成されて誘導電極２との間にギャップＧを形成する
絶縁基板１上には、温度制御用ヒータ６も膜状形成されている
【００２７】ここで、図１および図２から明らかなように、誘導電極２は３本の並列パターン、イオン発生電極４は４本の並列パターンに形成され、温度制御用ヒータ６はそれらの誘導電極２およびイオン発生電極４を取り囲むようなパターンに形成されている。そして、図２に示すように、
誘導電極２およびイオン発生電極４は、絶縁基板１の表面に形成された給電電極７に接続されている
【００２８】次いで、絶縁基板１は、アルミナを材料とする長さ３６０ｍｍの扁平の矩形部材である。誘導電極２およびイオン発生電極４は、例えば銀系（銀／パラジウム、銀／白金等）の導体により形成されている。誘電体層３は、例えばガラス絶縁層（ホウ珪酸鉛系ガラスやアルミナフィラーを含有するホウ珪酸鉛系ガラス等）であり、厚さ２０〜４０μｍ程度に形成されている。保護層５は、ガラス系（ホウ珪酸鉛系ガラス、シリカ等）または樹脂系（ポリイミド、エポキシ、シリコーン）の材料によって形成され、厚さ１０μｍ程度以下に形成されている。また、
温度制御用ヒータ６は、銀系（銀／パラジウム、銀／白金等）の厚膜導体により形成されている
　　　　
（ｂ）「【００２９】ついで、図１に示すように、絶縁基板１はホルダ８に保持されている。このホルダ８は、絶縁基板１と同じ長さである３６０ｍｍの長さでピーク材により形成され、絶縁基板１の裏面に１００％の接触面積率で面接触する接触面９を備える。このようなホルダ８は、溝１０に絶縁基板１を嵌合させるような溝保持形式で絶縁基板１を保持する。なお、ホルダ８の材料としては、ＰＰＳや液晶ポリマー等を用いることもできる。」
　　　　
（ｃ）「【００３０】このような構成において、
誘導電極２とイオン発生電極４との間に高周波電圧を印加すると、誘導電極２とイオン発生電極４との間の放電によってギャップＧの近傍に高密度の正負イオンが発生する
【００３１】ここで、本実施の形態のイオン発生装置では、温度制御用ヒータ６が絶縁基板１の表面側に設けられているために、温度制御用ヒータ６の動作状態に対する絶縁基板６表面に形成されたイオン発生部分、つまり、誘導電極２とイオン発生電極４との間のギャップＧ部分周辺の温度反応速度が高まる。しかも、誘導電極２とイオン発生電極４とが積層構造となっているために電極間密度が高まり、絶縁基板１を幅広にすることなく十分なイオン発生量が得られる。この面からも、温度制御用ヒータ６の動作状態に対するイオン発生部分の温度反応速度が高まる。よって、イオン発生部分の温度制御が高精度に行われる。
・・・（中略）・・・
【００３３】また、本実施の形態のイオン発生装置では、絶縁基板１がその表面積の５０％以上の接触面積をもってホルダ８に保持されている。したがって、イオン発生装置全体としての熱容量がある程度大きくなり、一度昇温した温度が急激に下がらない。このため、イオン発生装置として望まれる常温よりも高いが常温に近い温度領域での温度調節が極めて容易となる。これにより、イオン発生部分の温度制御が容易となり、高精度な温度制御がなされる。しかも、ホルダ８は樹脂により形成されているので、絶縁基板１の裏面に対するホルダ８の接触面積を広く取ることができ、これにより、柔軟で形状保持性が弱い絶縁基板１が形状精度良く保持され、例えば帯電装置や転写装置に適用した場合に感光体との間の微少ギャップを高精度かつ均一に確保することが可能となる。加えて、
本実施の形態のイオン発生装置は、絶縁基板１の裏面に給電機構やヒータ構造等の構造物が存在しない構造となっている
　　　
（ｄ）「【００３６】本発明のイオン発生装置の第２の実施の形態を図４に基づいて説明する。図４はイオン発生装置の縦断正面図である。第１の実施の形態と同一または相当する部分は同一符号で示し説明も省略する。
本実施の形態では、温度制御用ヒータ６が誘電体層３に埋設されている。つまり、絶縁基板１上に膜状形成された誘導電極２と温度制御用ヒータ６とに誘電体層３が積層形成されている
　　　　
（ｅ）図２
（ｆ）図４
〔記載事項に基づく認定事項〕
（ｇ）上記摘記事項（ａ），（ｅ），（ｆ）からして、誘導電極２と温度制御用ヒータ６とは所定間隔だけ離隔して配置され、かつ、誘導電極２と温度制御用ヒータ６との間にはガラス絶縁層である誘電体層３が存在するから、誘導電極２と温度制御用ヒータ６とは互いに絶縁された状態で離隔されているものと認められる。
　　
（ｈ）上記摘記事項（ａ）の「誘電体層３は誘導電極２と共に絶縁基板１の表面全体を覆い・・・」との記載及び上記摘記事項（ｆ）の縦断正面図で誘電体層３が絶縁基板１の一端から他端まで覆っていることからして、誘電体層３は絶縁基板１の表面全体を覆っているものと認められる。少なくとも、上記摘記事項（ｆ）の縦断正面図において、上記摘記事項（ｅ）で示される絶縁基板１の短手方向については、誘電体層３は絶縁基板１の表面全体を覆っていることが開示されている。
　　
（ｉ）上記摘記事項（ｅ）及び技術常識からして、温度制御用ヒータ６はその両端に給電電極が形成されているものと認められる。
　　　　　 
〔引用例に記載された発明〕　 
　これらの記載事項および認定事項からして、引用例には、 
「誘導電極２とイオン発生電極４との間に高周波電圧を印加すると、誘導電極２とイオン発生電極４との間の放電によってギャップＧの近傍に高密度の正負イオンが発生するイオン発生装置であって、
　絶縁基板１上に膜状形成された誘導電極２と温度制御用ヒータ６とに、誘電体層３が積層形成されており、
　誘導電極２と温度制御用ヒータ６とは互いに絶縁された状態で離隔されており、
　温度制御用ヒータ６は、銀系（銀／パラジウム、銀／白金等）の厚膜導体により形成されており、
　誘電体層３は絶縁基板１の表面全体を覆っており、
　イオン発生電極４は誘電体層の上に形成されて誘導電極２との間にギャップＧを形成しており、
　誘導電極２およびイオン発生電極４は、それぞれ絶縁基板１の表面に形成された給電電極７に接続されており、温度制御用ヒータ６の両端に給電電極が形成されており、
　絶縁基板１の裏面に給電機構やヒータ構造等の構造物が存在しない構造となっているイオン発生装置」
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。 
　 
第４　本願発明と引用発明との対比 
　本願発明と引用発明とを対比する。 
　 
＜対応関係Ａ＞ 
　引用発明の「誘電体層３」、「イオン発生電極４」、「誘導電極２」、「高周波電圧」、「正負イオン」、「イオン発生装置」、「絶縁基板１」及び「給電電極」（給電電極７）は、本願発明の「誘電体層」、「放電電極」、「誘導電極」、「交番電圧」、「イオン」、「イオン発生素子」、「絶縁基材」及び「端子部」に相当する。 
　 
＜対応関係Ｂ＞ 
　引用発明の「誘導電極２」と「イオン発生電極４」との間には、「誘電体層３が積層形成されて」いるから、引用発明の「誘導電極２」及び「イオン発生電極４」と、本願発明の「放電電極と誘導電極」とは、「誘電体層を挟んで設けられた放電電極と誘導電極」である点で共通する。 
　　 
＜対応関係Ｃ＞ 
　引用発明の「誘導電極２とイオン発生電極４との間の放電によってギャップＧの近傍に高密度の正負イオンが発生する」ことは、本願発明の「沿面放電に伴ってイオンを発生する」ことに相当する。 
　　 
＜対応関係Ｄ＞
　引用発明の「銀系（銀／パラジウム、銀／白金等）の厚膜導体により形成され」た「温度制御用ヒータ６」は、技術常識を踏まえれば発熱抵抗体の一種であるから、本願発明の「通電により発生するジュール熱で当該イオン発生素子を加温するヒータ電極」に相当する。
　　　
＜対応関係Ｅ＞ 
　引用発明の「絶縁基板１上」に「誘導電極２と温度制御用ヒータ６」が「膜状形成され」、かつ、「誘導電極２と温度制御用ヒータ６とは互いに絶縁された状態で離隔されて」いることは、本願発明の「絶縁基材の同一面に誘導電極と・・・ヒータ電極とが、互いに絶縁されるように離間して設けられて」いることに相当する。
　　　
＜対応関係Ｆ＞
　引用発明の「誘電体層３は絶縁基板１の表面・・・を覆って」いることは、本願発明の「絶縁基材の面に誘電体層が積層されて」いることに相当する。
　　　
＜対応関係Ｇ＞
　引用発明の「誘電体層３は絶縁基板１の表面全体を覆って」いることは、誘電体層３が絶縁基板１の表面全体を覆い得る長さを持つ（上記認定事項（ｈ）で述べたように、少なくとも、絶縁基板１の短手方向については、誘電体層３は絶縁基板１の表面全体を覆い得る長さを持つ。）ということであるから、本願発明の「誘電体層は、前記絶縁基材を覆い得る長さを有して」いることに相当する。
　　
＜対応関係Ｈ＞
　引用発明の「誘導電極２およびイオン発生電極４は、それぞれ絶縁基板１の表面に形成された給電電極７に接続されており、温度制御用ヒータ６の両端に給電電極が形成されている」ことと、本願発明の「誘導電極の端子部上および前記ヒータ電極の端子部上に、これら端子部を露出させる開口部が誘電体層に設けられており、前記誘電体層の開口部は、前記端子部毎に別々に設けられていること」とは、「誘導電極の端子部およびヒータ電極の端子部を有する」点で共通する。
　　　　
　以上の対応関係からして、本願発明と引用発明とは、 
「誘電体層を挟んで設けられた放電電極と誘導電極との間に交番電圧が印加されることにより、沿面放電に伴ってイオンを発生するイオン発生素子であって、
　絶縁基材の同一面に前記誘導電極と、通電により発生するジュール熱で当該イオン発生素子を加温するヒータ電極とが、互いに絶縁されるように離間して設けられており、
　前記絶縁基材の前記面に前記誘電体層が積層されており、
　前記誘電体層は、前記絶縁基材を覆い得る長さを有しており、
　前記誘導電極の端子部および前記ヒータ電極の端子部を有するイオン発生素子。」 
の点で一致し、以下の点で相違する。 
　　 
（相違点）
　誘導電極およびヒータ電極の端子部を外部の電源装置等と接続するための構造に関して、本願発明は「誘電体層は、絶縁基材を覆い得る長さを有しており、かつ誘導電極の端子部上およびヒータ電極の端子部上に、これら端子部を露出させる開口部が前記誘電体層に設けられており、前記誘電体層の開口部は、前記端子部毎に別々に設けられている」のに対して、引用発明は、誘電体層３に覆われた誘導電極２の給電部７および温度制御用ヒータ６の給電部を外部の電源装置等と接続するための構造をそのように限定していない点。
　　
第５　検討・判断 
　上記相違点について検討する。 
　 
１　容易想到性について
　引用発明は「絶縁基板１の裏面に給電機構やヒータ構造等の構造物が存在しない構造となっている」から、誘導電極２および温度制御用ヒータ６への給電機構、すなわち、外部の電源装置等と誘導電極２および温度制御用ヒータ６との電気的接続部は、誘電体層３で覆われた絶縁基板１の表面側に設けられることは明らかである。
　ここで、誘電体層（または絶縁体層）に覆われた電極の端子部（または接続部）を、誘電体層で覆われた面側から外部と接続するための構造として、電極の端子部に対応する位置の誘電体層に個別に開口を設けて、当該開口で端子部と外部との接続を行う構造は、誘電体または絶縁体で被覆された電極を有する各種の放電装置の技術分野における周知慣用の技術に過ぎない。特に、イオン発生素子の技術分野においても周知の技術といえる（例えば、特開２００６−２２２０１９号公報（段落【００４０】、【００４２】、【００４４】、【００５１】及び図２等）、特開昭６１−２８９３６５号公報（第３頁左上欄第１２〜１６行：「各端子６ａ，６ｂ，６ｃの接点部分の上部及び孔Ａに相当する部分を除いた全面に所定の厚さ（例えば１００〜２００μｍ）の誘電体、例えばガラス層５でオーバーコートする。」、同頁右上欄第１６〜１９行：「端子を接点部分を除いて誘電体で被覆し・・・沿面距離を大きくしたことにより沿面放電を防止することができる。」等）を参照されたい。）。
　そうすると、引用発明の誘電体層３に覆われた誘導電極２の給電部７および温度制御用ヒータ６の給電部を、誘電体層３で覆われた絶縁基板１の表面側から外部の電源装置等と接続するための構造として、当該周知（または周知慣用）の技術を採用することにより、誘電体層３に所定の開口を設けて上記相違点に係る構成を得ることは、当業者にとって格別の創意を必要としないことである。
　　　
２　本願発明の作用効果
　本願発明が奏する作用効果は、引用発明及び周知の技術から当業者が予測できる範囲のものである。引用発明は、誘電体層３で絶縁基板１の表面全体を覆うものであるから、誘電体層の有無による段差は元々ないし、当該イオン発生装置に上記周知の技術を設けた際にも給電部に対応する開口部以外の段差が形成されることはないから、段差を形成しないことによる作用効果を当然に奏する。
　　
　なお、誘電体層が絶縁基材の一部を被覆しないことで形成される段差による応力集中の問題は、被覆されない領域の大きさに依存することは明らかであるから、開口部の大きさを限定しない本願発明において、段差による応力集中の問題を解消する作用効果は必ず奏されるものとはいえない。例えば、端子部及びその上の開口部が絶縁基材の一辺より若干小さいがほぼ同程度の寸法を有するようなものを本願発明は包含するが、そのような場合、本願発明の誘電体層に開口部を設ける構成と、従来技術の絶縁基材の一辺部分に誘電体層を設けない構成との間に実質的な作用効果の相違は認められない。
　　　　
３　まとめ
　よって、本願発明は、当業者が引用発明及び周知の技術に基いて容易に発明をすることができたものである。 
　 
第６　むすび 
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　したがって、本願は拒絶すべきものである。 
　 
　よって、結論のとおり審決する。