【事件の表示】
　特願２００３−３８１４３５「ＭＲＡＭ」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月　９日出願公開、特開２００５−１５０１５６〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は，平成１５年１１月１１日の出願であって，平成２０年５月１４日付けの拒絶理由通知に対して，同年７月２２日に手続補正書及び意見書が提出されたが，同年１０月２２日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年１１月２７日に審判請求がされるとともに，同年１２月２５日に手続補正書が提出され，その後当審において，平成２２年１０月５日付けで審尋がされ，同年１２月１０日に回答書が提出されたものである。
　
　
第２　平成２０年１２月２５日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであり，本件補正による補正前後の本願の特許請求の範囲の請求項１の記載は，次のとおりである。
　
・　補正前
「【請求項１】
　少なくとも第１の磁性層と第２の磁性層と前記第１及び第２の磁性層間に設けられた非磁性層とを有する磁気抵抗効果素子と，
　第１の面と第２の面とを有し，前記第１の面が前記第１の磁性層に接する第１の有機半導体層と
　を具備することを特徴とする磁気記憶装置。」
　
・　補正後
「【請求項１】
　少なくとも固定層と自由層と前記固定層及び前記自由層間に設けられたトンネル接合層とを有するＭＴＪ素子と，
　第１の面と第２の面とを有し，前記第１の面が前記固定層及び前記自由層のいずれか一方に接する第１の有機半導体層と
　を具備することを特徴とするＭＲＡＭ。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正による補正事項のうち，本願の特許請求の範囲の請求項１についての補正事項（以下「本件補正による請求項１についての補正事項」という。）は，次のとおりである。（下線は補正箇所を示し，当審で付加したもの。）
　
ア　補正事項１
　補正前の請求項１の「少なくとも第１の磁性層と第２の磁性層と前記第１及び第２の磁性層間に設けられた非磁性層とを有する磁気抵抗効果素子と，」を，「少なくとも
固定
自由
固定層及び前記自由層
トンネル接合
ＭＴＪ
　
イ　補正事項２
　補正前の請求項１の「第１の面と第２の面とを有し，前記第１の面が前記第１の磁性層に接する第１の有機半導体層と」を，「第１の面と第２の面とを有し，前記第１の面が
前記固定層及び前記自由層のいずれか一方
　
ウ　補正事項３
　補正前の請求項１の「磁気記憶装置」を，「
ＭＲＡＭ
　
３　補正目的の適否，及び新規事項の追加の有無について
　本願の出願当初の明細書等の【００１３】〜【００９８】及び図１〜図２４から，補正事項１〜３は，いずれも，本願の出願当初の明細書等に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるから，本件補正による請求項１についての補正事項は，特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）の規定に適合する。
　また，補正事項１〜３は，いずれも，補正前の請求項１に記載された発明特定事項を限定的に減縮するものであり，さらに，補正後の請求項１の記載全体からみても，補正後の請求項１の内容は，補正前の請求項１の内容を限定的に減縮したものであるから，本件補正による請求項１についての補正事項は，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものに該当する。
　
４　独立特許要件についての検討
（１）検討の前提
　上記３で検討したとおり，本件補正による請求項１についての補正事項は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものに該当するから，補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かにつき，更に検討する。
　
（２）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（本願補正発明）は，再掲すると次のとおりである。
　
「【請求項１】
　少なくとも固定層と自由層と前記固定層及び前記自由層間に設けられたトンネル接合層とを有するＭＴＪ素子と，
　第１の面と第２の面とを有し，前記第１の面が前記固定層及び前記自由層のいずれか一方に接する第１の有機半導体層と
　を具備することを特徴とするＭＲＡＭ。」
　
（３）引用例の記載と引用発明
（３−１）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００３−２５８２０８号公報（以下「引用例１」という。）には，図１，図３，図１９及び図２０とともに，次の記載がある。
　
ア　図１について
「
図１は，本発明の磁気メモリの単位セルの積層構造を単純化して表した模式断面図である
・・・すなわち，同図に表した具体例の場合，
ビット線ＢＬに対して，デジット線ＤＬ１及びＤＬ２，読み出し用配線Ｍ１及びＭ２が交差するように配線され，ビット線ＢＬとデジット線ＤＬ１，ＤＬ２の交差部に，一対の磁気抵抗効果素子Ｃ１，Ｃ２が設けられている
　
イ　図３について
「図３は，差動動作アーキテクチャを用いた場合のデータの書きこみを説明するための概念図である。すなわち，同図（ａ）はビット線ＢＬの長手方向に対する垂直断面図であり，同図（ｂ）は長手方向に対する平行断面図である。
・・・同図に例示した
磁気抵抗効果素子Ｃ１，Ｃ２は，記録層として作用する強磁性層５２，トンネルバリア層５４，磁化が所定の方向に固着された強磁性層（「ピン層」あるいは「磁化固着層」などと称されることもある）５６，反強磁性層５８をこの順に積層した強磁性トンネル接合素子（Tunneling Magneto-Resistanceeffect：ＴＭＲ素子）である
ここで，反強磁性層５８は，ピン層として作用する強磁性層５６の磁化を固着させる作用を有する
　
ウ　図１９及び図２０について
（ア）「
図１９は，本発明において用いることができるアーキテクチャの第２の具体例を表す模式図である
このアーキテクチャにおいては，読み出し／書き込み用ビット線ＢＬに磁気抵抗効果素子Ｃが並列に接続されている。それぞれの磁気抵抗効果素子Ｃの他端には，ダイオードＤを介して読み出し／書き込み用ワード線Ｗが接続されている
・・・読み出し時には，目的の磁気抵抗効果素子Ｃに接続されているビット線ＢＬとデジット線ＤＬとをそれぞれ選択トランジスタＳＴＢ，ＳＴｗにより選択してセンスアンプＳＡにより電流を検出する。
・・・また，書き込み時には，やはり目的の磁気抵抗効果素子Ｃに接続されているビット線ＢＬとデジット線ＤＬとを選択トランジスタＳＴＢ，ＳＴｗにより選択して，書き込み電流を流す。この際に，ビット線ＢＬとデジット線ＤＬにそれぞれ発生する磁界を合成した書き込み磁界が磁気抵抗効果素子Ｃの磁気記録層の磁化を所定の方向に向けることにより，書き込みができる。
・・・
ダイオードＤは，これら読み出し時あるいは書き込み時に，マトリクス状に配線されている他の磁気抵抗効果素子Ｃを介して流れる迂回電流を遮断する役割を有する
・・・
図２０は，図１９のアーキテクチャを用いて構成した差動動作型のメモリセルを表す断面模式図である
　
（イ）上記（ア）から，図２０には，
「ダイオードＤ」の上面及び下面の一方の面が「磁気抵抗効果素子Ｃ１，Ｃ２」の「反強磁性層５８」に接しており，他方の面が「読み出し／書き込みデジット線ＤＬ」に接している
　
（３−２）引用発明
　上記（３−１）によれば，引用例１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「記録層として作用する強磁性層，トンネルバリア層，磁化が所定の方向に固着された強磁性層，反強磁性層をこの順に積層した強磁性トンネル接合素子と，
　上面及び下面の一方の面が上記反強磁性層に接するダイオード
　を具備する磁気メモリ。」
　
（４）対比
ア　引用発明の「磁化が所定の方向に固着された強磁性層」及び「記録層として作用する強磁性層」は，それぞれ，本願補正発明の「固定層」及び「自由層」に相当し，また，引用発明の「トンネルバリア層」は，「磁化が所定の方向に固着された強磁性層」及び「記録層として作用する強磁性層」間に設けられているから，本願補正発明の「トンネル接合層」に相当する。
　そして，引用発明の「強磁性トンネル接合素子」は，本願補正発明の「ＭＴＪ素子」に相当する。
　そうすると，引用発明の「記録層として作用する強磁性層，トンネルバリア層，磁化が所定の方向に固着された強磁性層，反強磁性層をこの順に積層した強磁性トンネル接合素子」は，本願補正発明の「少なくとも固定層と自由層と前記固定層及び前記自由層間に設けられたトンネル接合層とを有するＭＴＪ素子」に相当する。
　
イ　引用発明の「上面及び下面」及び「上面及び下面の一方の面」は，それぞれ，本願補正発明の「第１の面と第２の面」及び「前記第１の面」に相当する。
　そして，本願補正発明の「前記固定層及び前記自由層のいずれか一方」と引用発明の「上記反強磁性層」とは，「ＭＴＪ素子を構成する磁性層」である点で共通し，また，本願補正発明の「有機半導体層」と引用発明の「ダイオード」とは，「層構造体」である点で共通する。
　そうすると，本願補正発明の「第１の面と第２の面とを有し，前記第１の面が前記固定層及び前記自由層のいずれか一方に接する第１の有機半導体層」と，引用発明の「上面及び下面の一方の面が上記反強磁性層に接するダイオード」とは，「第１の面と第２の面とを有し，前記第１の面が」，「ＭＴＪ素子を構成する磁性層」に接する「層構造体」，である点で共通する。
　
ウ　引用発明の「磁気メモリ」は，本願補正発明の「ＭＲＡＭ」に相当する。
　
エ　以上によれば，本願補正発明と引用発明との一致点と相違点は，次のとおりである。
　
（ア）一致点
「少なくとも固定層と自由層と前記固定層及び前記自由層間に設けられたトンネル接合層とを有するＭＴＪ素子と，
　第１の面と第２の面とを有し，前記第１の面が，前記ＭＴＪ素子を構成する磁性層に接する層構造体と
　を具備するＭＲＡＭ。」
　
（イ）相違点
ａ　相違点１
　本願補正発明は，「第１の有機半導体層」を有するのに対し，引用発明において，「ダイオード」が如何なる材料の層で構成されているかは特定されていない点。
　
ｂ　相違点２
　本願補正発明の「第１の有機半導体層」は，「前記第１の面が前記固定層及び前記自由層のいずれか一方に接する」のに対し，引用発明において，「ダイオード」の「上面及び下面の一方の面」（本願補正発明の「前記第１の面」に相当。）は，「反強磁性層」に接していて，「磁化が所定の方向に固着された強磁性層」（本願補正発明の「固定層」に相当。）及び「記録層として作用する強磁性層」（本願補正発明の「自由層」に相当。）のいずれか一方には接していない点。
　
（５）相違点についての検討
（５−１）相違点１について
ア　周知例１
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特表平０９−５０１０２１号公報（以下「周知例１」という。）には，第６図とともに，次の記載がある。
　
・「第２図，第４図及び
第６図は，有機ドナ分子と有機アクセプタ分子との固体混合物により形成された有機半導体物質を有する半導体装置を示している
　
・「
第６図は，ｎ型物質から製造されるｎ型領域２３とｐ型物質から製造されるｐ型領域２２の両方を有する装置を示し，上記ｐ型及びｎ型領域の間にｐｎ接合３５が形成されている
第６図の装置はダイオードである
０.２μｍ厚のｐ型半導体層２２が，約２００：１のＴＴＦ／ＴＣＮＱモル比の固体混合物を有して
設けられる
上記ｐ型層２２上には，ｎ型半導体層２３が約１：２００のＴＴＦ／ＴＣＮＱモル比の固体混合物を有して設けられる
（中略）
　既知のドナ分子は，例えば，ＴＴＦ：tetrathiafulvalene，ＴＭＴＴＦ：tetramethyltetrathiafulvalene，ＴＳＦ：tetraselenafulvalene，ＴＭＴＳＦ：tetramethyltetraselenafulvaleneである。また，既知のアクセプタ分子は，例えば，ＴＣＮＱ：tetracyanoquinodimethane，ＴＮＡＰ：tetracyanonaphtoquinodimethane及びＴＣＮＤＱ：tetracyanodiquinodimethaneである。これら全ての分子が，本発明による固体混合物中のドナ分子及びアクセプタ分子として使用することができる。・・・好ましくは，
上記有機ドナ分子はＴＴＦ：tetrathiafulvaleneを有し，上記有機アクセプタ分子はＴＣＮＱ：tetracyanoquinodimethaneを有する。これら物質は比較的容易に得られ，２００℃より低い温度で容易に供給することができる
　
イ　周知例２
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００２−２８９８７８号公報（以下「周知例２」という。）には，図２とともに，次の記載がある。
　
・「【請求項１】 
互いに積層された，陽極側の正孔輸送能力を有する有機化合物からなる正孔輸送層と，陰極側の電子輸送能力を有する有機化合物からなる電子輸送層とからなり
有機半導体ダイオード
　
・「有機ＥＬ素子表示装置の大型画面化には，単純マトリクス駆動方式の他に，アクティブマトリクス駆動方式のものが考えられる。これは，各交点位置毎に薄膜トランジスタ（TFT:Thin Film Transistor）を用いてスイッチングによって画素毎に電流を供給して有機ＥＬ素子を発光させるようにしたものである。ＴＦＴにはｐ−Ｓｉ，ａ−Ｓｉからなる素子が採用され得，また代わりにＭＯＳ−ＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）を用い構成することもできる。したがって，アクティブマトリクス駆動方式では膨大なスイッチング回路基板が必要であり，
基板上に無機材料の成膜が必要であるので，高温プロセスがその製造に用いられる
・・・いずれの駆動方式においても，発光素子の瞬時輝度を低くして発光素子の劣化や破壊を防ぐために，
非走査の非発光時，素子に逆方向電圧を印加するため，発光素子と直列に接続された整流器を設けること，が提案されている
本発明の目的は，比較的低温で作製できる有機半導体ダイオードを提供すること
　
・「【発明の実施の形態】・・・
図２は実施形態の有機半導体ダイオードを示す
有機半導体ダイオード１１は，ガラスなどの絶縁性の基板１上に形成された陽極２上に，有機化合物からなる正孔輸送層３と有機化合物からなる電子輸送層４とが接触するように形成され，さらに電子輸送層４上に陰極７が成膜されている
・・・また，
有機半導体ダイオード１１は互いに積層された陽極側の正孔輸送層及び陰極側の電子輸送層とから構成されていればよく，図２とは逆の順序すなわち基板上に陰極，電子輸送層，正孔輸送層，陽極の順で積層されてもよい
　
・「
本発明の有機半導体ダイオード素子は，一般に高温プロセスを必要とする無機質絶縁材料を用いないために，比較的低温で素子を作製でき
　
ウ　周知例３
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００３−３０４０１４号公報（以下「周知例３」という。）には，図３とともに，次の記載がある。
　
・「本発明は，
有機デバイスに利用できる有機材料及びデバイス作製プロセスに関し
　
・「半導体材料の中でも，Ｓｉに代表される無機半導体は，製造時に３００℃以上の高温で処理する必要があり，基板にプラスチック基板やフィルムを用いることが難しく，かつ製造に多くのエネルギーを必要とする。また，真空での素子作製プロセスは，製造ラインに高価な設備を必要とし高コストになる。これに対して，
有機物を用いたトランジスタは，そのほとんどは無機半導体より低温プロセスで製造できる
溶液の塗布や印刷法を用いた素子作製が可能なものもあり，大面積の素子を低コストで製造することが可能である
　
・「
本発明の電子デバイスとは，本発明のビシクロ化合物から得られる物質を有機半導体として用い，２個以上の電極を有し，その電極間に流れる電流や生じる電圧を，電気，光，磁気，又は化学物質等により制御するデバイス
この制御としては，整流，
が挙げられる
現在シリコン等で実現されている対応するデバイスとしては，
整流器（ダイオード），
　
・「（４）ダイオード
そのほかの例として，
ダイオード素子が挙げられる
仕事関数の異なる２つの金属電極（１１及び１２）でポルフィリン材料（１３）を挟んだ構造のものである。この少なくとも一方はポルフィリン材料との間でエネルギー障壁を形成する必要がある。ｐ−型の半導体との間でエネルギー障壁を形成する金属としては，アルミニウムがよく用いられるが，仕事関数が半導体と電極で異なるものであれば，エネルギー障壁を形成する。そのような素子に電圧を印加すると，極性を逆転した場合で流れる電流が異なり，整流作用が見られる
本発明のポルフィリン材料（１６）と，仕事関数の大きく異なる他の半導体材料（１７）を接触させることにより，ダイオード素子を作製することも可能である。この場合の電極１４，１５は同じでも異なっていてもよい。組み合わせる材料としては，例えば，ペリレン顔料やフタロシアニン材料，フラーレン，共役高分子等が挙げられる
　
エ　上記ア〜ウから，有機半導体からなる素子は，２００℃より低い比較的低温で，低コストな方法により作製できることは，周知例１〜３にみられるように当該技術分野では周知の技術的事項であり，また，有機半導体層で構成したダイオードも，周知例１〜３にみられるように当該技術分野では周知である。
　そして，引用発明において，「ダイオード」を作製する際に，可能な限り簡便で低コストの方法を採用することは，当業者に普通に期待されることである。
　そうすると，引用発明において，上記「ダイオード」を有機半導体層で構成して，上記「ダイオード」を簡便で低コストの方法で作製できるようにすることは，上記周知の技術的事項に基づいて，当業者が容易に想到し得たものである。
　
オ　したがって，引用発明において，相違点１に係る構成とすることは，上記周知の技術的事項に基づいて，当業者が容易に想到し得たものである。
　
（５−２）相違点２について
　引用発明において，「ダイオード」の「上面及び下面の一方の面」（本願補正発明の「前記第１の面」に相当。）は，「反強磁性層」に接しているが，「ダイオード」の設置位置を変更し，上記「ダイオード」の「上面及び下面の一方の面」を「記録層として作用する強磁性層」（本願補正発明の「自由層」に相当。）に接するようにしても，「読み出し時あるいは書き込み時に，マトリクス状に配線されている他の磁気抵抗効果素子Ｃを介して流れる迂回電流を遮断」できることは，当業者には明らかであり，上記「ダイオード」の「上面及び下面の一方の面」を，上記「反強磁性層」と上記「記録層として作用する強磁性層」のいずれに接するようにするかは，必要に応じて，当業者が適宜選択し得たものである。
　そうすると，引用発明において，相違点２に係る構成とすることは，周知例１〜３にみられるような周知の技術的事項に基づいて，「ダイオード」を有機半導体層で構成する際に，当業者が適宜なし得たものである。
　
（５−３）本願補正発明が奏する効果について
　本願の明細書には，本願補正発明が奏する効果について，
「また、ＭＲＡＭにおけるＭＴＪ素子の材料は、高温になると相互拡散によって特性劣化がおこる。よって、ＭＴＪ素子に積層するダイオードも低温で形成しなければならない。そこで、有機半導体材料は、一般的に室温で塗布し、１００℃程度の熱処理で形成できることが知られている。従って、アモルファスシリコンやポリシリコンのＴＦＴ構造に比べ、有機半導体層１４は低温で形成できる。このため、現在３００℃程度の熱処理で界面拡散が生じて特性劣化する恐れのあるＭＲＡＭにおいて、ＭＴＪ素子１０の特性を劣化させることなく、ＰＮ接合ダイオードＤｐｎとＭＴＪ素子１０との積層を実現することが可能となる。」（【００２７】）
と記載されている。
　しかしながら，ＭＲＡＭにおけるＭＴＪ素子を作製する際，高温になると，上記ＭＴＪ素子の材料は，相互拡散により特性劣化することは，下記の周知例４〜６にみられるように，本願の出願前，当該技術分野における技術常識であった。
　
・　周知例４
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００３−２７３４２０号公報（以下「周知例４」という。）には，従来の技術に関する記載として，次の記載がある。
　
「ところで，
ＭＲＡＭは上述したＴＭＲ素子の他に，読み出しの際に必要なＴＭＲ素子を選択するためのスイッチング素子として半導体回路を備えている
　・・・このような半導体回路とＴＭＲ素子とを同一チップ内に共存させる場合には，
半導体回路の作製に４００℃程度の加熱を必要とする工程があるので，ＴＭＲ素子にも同様な温度耐久性が必要とされる。しかしながら，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等のＦｅ族元素の合金等を強磁性層に用いたＴＭＲ素子は，およそ３００℃以上で抵抗変化率が著しく劣化することが知られており
この抵抗変化率の劣化は，ＴＭＲ素子の構成層の成分が熱により相互拡散し，強磁性層又はトンネルバリア層に望まない不純物が侵入することによると考えられている
　
・　周知例５
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００３−３０４０１２号公報（以下「周知例５」という。）には，従来の技術に関する記載として，次の記載がある。
　
「磁気ヘッドの製造工程では２０００〜３００℃程度（審決注：「２００〜３００℃程度」の誤記と認める。），
ＭＲＡＭの製造工程では約４００℃程度の高温熱処理工程が必要とされている
２５０〜３００℃以上の熱処理では，強磁性層の結晶粒径の増大を１要因とする界面拡散が生じてＴＭＲ特性が劣化してしまうという課題がある。特にＭｎ系反強磁性層を用いたスピンバルブ型ＴＭＲ素子ではＭｎの拡散により３００℃以上の熱処理では特性が劣化する課題がある
　
・　周知例６
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００２−１５８３８１号公報（以下「周知例６」という。）には，従来の技術に関する記載として，次の記載がある。
　
「ところで，
ＭＲＡＭなどの製造工程には，ＣＶＤによる層間絶縁層の成膜やメタルリフローなど，３００〜４５０℃の熱処理が含まれる。このような熱処理により，反強磁性層に含まれるＭｎが固着層中へ容易に拡散してトンネルバリア層近傍に達し，固着層のスピン偏極率を低下させて磁気抵抗変化率の低下という特性劣化を生じる
　
　そうすると，引用発明において，周知例１〜３にみられるような周知の技術的事項に基づいて，「ダイオード」を有機半導体層で構成する際，上記「ダイオード」の作製は２００℃より低い比較的低温で行えることから，「強磁性トンネル接合素子」（本願補正発明の「ＭＴＪ素子」に相当。）を特性劣化させることなく，上記「ダイオード」を作製できることは，上記の技術常識を備えた当業者であれば，直ちに察知し得たものである。
　以上から，本願補正発明の奏する効果は，格別なものとはいえない。
　
（５−４）小括
　したがって，引用発明において，相違点１及び２に係る構成とすることは，周知例１〜３にみられるような周知の技術的事項に基づいて，当業者が容易に想到し得たものである。
　
（６）まとめ
　以上のとおり，本件補正後の請求項１に係る発明（本願補正発明）は，引用例１記載の発明（引用発明）及び周知例１〜３にみられるような周知の技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項をいう。以下同じ。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　
４　むすび
　以上検討したとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから，上記２の補正事項１〜３以外の補正事項について検討するまでもなく，本件補正は，特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明の容易想到性について
　
１　本願発明について
　平成２０年１２月２５日に提出された手続補正書による手続補正は前記のとおり却下されたので，本願の請求項１〜２０に係る発明は，平成２０年７月２２日に提出された手続補正書による手続補正で補正された，特許請求の範囲に記載されたとおりのものであり，その請求項１の記載は，再掲すると次のとおりである。（以下，本願の請求項１に係る発明を「本願発明」という。）
　 
「【請求項１】
　少なくとも第１の磁性層と第２の磁性層と前記第１及び第２の磁性層間に設けられた非磁性層とを有する磁気抵抗効果素子と，
　第１の面と第２の面とを有し，前記第１の面が前記第１の磁性層に接する第１の有機半導体層と
　を具備することを特徴とする磁気記憶装置。」
　
２　引用例の記載と引用発明
　引用例１の記載は，前記第２の４（３）（３−１）のとおりであり，引用発明は，前記第２の４（３）（３−２）で認定したとおりである。
　
３　対比・判断
　前記第２の１及び２から，本願発明は，本願補正発明の「固定層」，「自由層」，「前記固定層及び前記自由層間」，「トンネル接合層」，「ＭＴＪ素子」，「前記第１の面が前記固定層及び前記自由層のいずれか一方に接する」及び「ＭＲＡＭ」を，それぞれ，「第１の磁性層」，「第２の磁性層」，「前記第１及び第２の磁性層間」，「非磁性層」，「磁気抵抗効果素子」，「前記第１の面が前記第１の磁性層に接する」及び「磁気記憶装置」と上位概念化し，本願補正発明を上位概念化したものであるから，本願発明は，本願補正発明を包含する。
　そして，前記第２の４（５）で検討したとおり，本願補正発明は，引用例１記載の発明（引用発明）及び周知例１〜３にみられるような周知の技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　そうすると，本願補正発明を包含する本願発明も，前記第２の４（５）で検討した理由により，引用例１記載の発明（引用発明）及び周知例１〜３にみられるような周知の技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　まとめ
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明（本願発明）は，引用例１記載の発明（引用発明）及び周知例１〜３にみられるような周知の技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないものである。
　
　
第４　結言
　
　以上検討したとおり，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。