【事件の表示】
　特願２００７−　１８５７９「コンデンサを内蔵した基板およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　５月１７日出願公開、特開２００７−１２３９４０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１６年６月２１日（優先権主張　平成１５年６月２７日、日本国）を出願日とする特願２００４−１８２４５３号の一部を、特許法第４４条第１項の規定により平成１９年１月２９日に分割出願したものであって、平成２１年７月７日付けで拒絶理由が通知され、平成２１年９月２日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２２年１月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２２年４月２日付けで拒絶査定不服審判が請求されると同時に、同日付けで特許請求の範囲を補正する手続補正書が提出され、その後、当審において平成２３年２月２３日付けで書面による審尋がなされ、これに対して平成２３年４月２７日付けで回答書が提出されたものである。
　
　
第２　平成２２年４月２日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２２年４月２日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容　
　平成２２年４月２日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲に関して、本件補正により補正される前の（すなわち、平成２１年９月２日付けの手続補正書により補正された）以下のａに示す請求項１ないし５を、ｂに示す請求項１へと補正するものである。
　
ａ　本件補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし５
　「【請求項１】
　コンデンサの一方の電極となる第一の導体パターンを転写用基板の表面に形成する工程と、
　該第一の導体パターンが絶縁材に埋設されかつ当該第一の導体パターンの転写用基板に接する側の面が当該絶縁材の表面と略面一となるように前記第一の導体パターンを転写して第一の基板構成材を作成する工程と、
　コンデンサの他方の電極となる第二の導体パターンを転写用基板の表面に形成する工程と、
　該第二の導体パターンが絶縁材に埋設されかつ当該第二の導体パターンの転写用基板に接する側の面が当該絶縁材の表面と略面一となるように前記第二の導体パターンを転写して第二の基板構成材を作成する工程と、
　前記第一の基板構成材および第二の基板構成材のうちのいずれか一方の導体パターン埋設側の面に、誘電体層を配する工程と、
　前記第一の導体パターンと前記第二の導体パターンとで該誘電体層を挟持するように前記第一の基板構成材と前記第二の基板構成材とをプレスして一体化し、これによりコンデンサを形成する工程と、
　を含むことを特徴とするコンデンサ内蔵基板の製造方法。
　　【請求項２】
　前記誘電体層を配する工程を、樹脂にフィラーを混入して形成した誘電体シートを真空ラミネートすることにより行う
　請求項１に記載のコンデンサ内蔵基板の製造方法。
　　【請求項３】
　第一の絶縁層に埋設されかつその表面が当該第一の絶縁層の表面と略面一となるようになされた第一の導体パターンと、
　該第一の導体パターンと対向するよう配置されかつ前記第一の絶縁層とは別の第二の絶縁層に埋設されかつその表面が当該第二の絶縁層の表面と略面一となるようになされた第二の導体パターンと、
　前記第一の絶縁層と第二の絶縁層の間に配された誘電体層と、
　を基板内に備えることを特徴とするコンデンサ内蔵基板。
　　【請求項４】
　前記第一の導体パターンは、当該第一の導体パターンが前記第一の絶縁層に埋設されかつ当該第一の導体パターンの表面が当該第一の絶縁層の表面と略面一となるように前記第一の絶縁層に転写して形成されたものであり、
　前記第二の導体パターンは、当該第二の導体パターンが前記第二の絶縁層に埋設されかつ当該第二の導体パターンの表面が当該第二の絶縁層の表面と略面一となるように前記第二の絶縁層に転写して形成されたものである
　ことを特徴とする請求項３に記載のコンデンサ内蔵基板。
　　【請求項５】
　請求項３または４に記載の前記基板に、一つ以上の表面実装部品を実装した電子部品。」
　
ｂ　本件補正後の特許請求の範囲の請求項１
　「【請求項１】
　コンデンサの一方の電極となる第一の導体パターンを転写用基板の表面に形成する工程と、
　該第一の導体パターンが絶縁材に埋設されかつ当該第一の導体パターンの転写用基板に接する側の面が当該絶縁材の表面と略面一となるように前記第一の導体パターンを転写して第一の基板構成材を作成する工程と、
　コンデンサの他方の電極となる第二の導体パターンを転写用基板の表面に形成する工程と、
　該第二の導体パターンが絶縁材に埋設されかつ当該第二の導体パターンの転写用基板に接する側の面が当該絶縁材の表面と略面一となるように前記第二の導体パターンを転写して第二の基板構成材を作成する工程と、
　前記第一の基板構成材および第二の基板構成材のうちのいずれか一方の導体パターン埋設側の面に、
キャリアフィルム上に形成された
真空ラミネートして
　前記第一の導体パターンと前記第二の導体パターンとで該誘電体層を挟持するように前記第一の基板構成材と前記第二の基板構成材とを
真空
によって同時に
　を含むことを特徴とするコンデンサ内蔵基板の製造方法。」（なお、下線は補正箇所を示すためのものである。）
　
２　本件補正の適否についての判断
［理由１］　
２−１　新規事項
　本件補正によって、請求項１には「前記第一の導体パターンと前記第二の導体パターンとで該誘電体層を挟持するように前記第一の基板構成材と前記第二の基板構成材とを
真空
によって同時に
　しかしながら、「第一の基板構成材」と「第二の基板構成材」とを「
同時に
　また、審判請求書及び平成２３年４月２７日付けの回答書によると、該補正事項の「
同時に
　しかしながら、当初明細書等には、発明の詳細な説明の段落【００２６】に「電極導体１２，２２を転写形成したかかる絶縁材１３，２３のうちのいずれか一方の表面に誘電体層１４ａを形成する。誘電体層１４ａの形成は、…（中略）…真空ラミネート…（中略）…により行う。」と記載されていることから、真空プレスの工程に先立つ真空ラミネートの工程において、第一の導体パターン及び第一の基板構成材と誘電体層、又は、第二の導体パターン及び第二の基板構成材と誘電体層のいずれか一方は、既に一体化されていると解される。そうすると、段落【００２８】の「電極導体２２を転写したもう一方の絶縁材２３を、導体埋設面を誘電体層１４ａに向けかつ電極１２，２２同士を位置合わせして前記絶縁材１３に重ね、真空プレスしてこれらを一体化する」とは、上記段落【００２６】を併せて考慮すると、既に絶縁体１３に一体化されている誘電体層１４ａと、絶縁材２３とを、真空プレスすることによって、絶縁体１３と絶縁体２３とが誘電体層１４ａを介して一体化することを意味すると解される。
　してみれば、当初明細書等には、上記のような意味としての補正事項が記載されているとは認められず、さらに、該補正事項が自明であるともいえない。
　よって、本件補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものではない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
［理由２］
２−２　独立特許要件
　仮に、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するとして、本件補正による補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下に検討する。
　
２−２−１　引用文献１記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−２７７９２２号公報（以下、「引用文献１」という。）には、次の事項が図面とともに記載されている。
　
ａ　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体層を少なくとも1層有するプリント配線板の製造方法に関する。特には、内層キャパシタを有する多層型のプリント配線板の製造方法として好適である。…（後略）…」（段落【０００１】）
　
ｂ　「【００２４】（ａ）支持体上に上記誘電体樹脂を塗布する工程を有すること。ここにいう「支持体」とは、フィルム状体或いは板状体であって、且つ、Ｂステージ状の上記誘電体樹脂層から容易に剥離又は除去可能な性質を有するものをいう。１００℃前後の加熱に対して収縮したりしない寸法安定性ある材料を用いることが望ましい。」（段落【００２４】）
　
ｃ　「【００５４】（実施例２）実施例２は、いわゆるコア基板中に誘電体層を内蔵したプリント配線板の製造方法である。まず図１に示すように、表面をシリコンコートしたＰＥＴフィルム１上に表１に示す各誘電体樹脂２をスクリーン印刷法を用いて塗布する。次いで、８０℃×１．５時間の条件で半硬化させる。その後誘電体層２上の皮膜層をベルトサンダーを用いて除去して誘電体フィラーの露出した第１露出面を形成する（図示せず。）。」（段落【００５４】）
　
ｄ　「【００５５】次に図４に示すように、銅張りのＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）−ガラスクロス複合材料からなる絶縁基板４上にサブトラクティブ法を用いて電極７を設ける。これを絶縁基板Ａとする。次いで図５に示すように、上記絶縁基板Ａの電極形成面と上記誘電体層の第１露出面とを対向するように配置し、真空中３０ｋｇ／ｃｍ2の圧力で積層して１次積層体Ｂを得る（図６）。
【００５６】図７に示すように、１次積層体Ｂから支持体１を剥離する。次いで誘電体層２上の皮膜層をベルトサンダーを用いて除去して誘電体フィラーの露出した第２露出面を形成する（図示せず。）。」（段落【００５５】及び【００５６】）
　
ｅ　「【００５７】次に図８に示すように、銅張りのＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）−ガラスクロス複合材料からなる絶縁基板３上にサブトラクティブ法を用いて電極６を設けた絶縁基板Ｃの電極形成面と上記１次積層体の第２露出面とを対向するように配置する。真空中３０ｋｇ／ｃｍ2の圧力で積層して１５０℃×５時間の条件で加熱して２次積層体Ｄを得る（図９）。誘電体層２を電極６及び電極７で挟んだ部分が内層キャパシタを構成する。」（段落【００５７】）
　
　上記ａないしｅ及び図面から、次のことが分かる。
　
ｆ　上記ａ及びｅ並びに図９から、誘電体層２及び電極６、７から内層キャパシタが構成されることが分かる。
　
ｇ　上記ｄ並びに図５及び６から、電極７は絶縁基板４に埋設され、かつ、当該電極７の誘電体層２に接する側の面が当該絶縁基板４の表面と略面一となることが分かる。また、上記ｅ並びに図８及び９から、電極６は絶縁基板３に埋設され、かつ、当該電極６の誘電体層２に接する側の面が当該絶縁基板３の表面と略面一となることが分かる。さらに、絶縁基板４に電極７が埋設されて一体化し、基板構成材（以下、「基板構成材Ａ」という。）が作成され、絶縁基板３に電極６が埋設されて一体化し、基板構成材（以下、「基板構成材Ｂ」という。）が作成されていることが分かる。
　
　上記ａないしｇ及び図面から、引用文献１には、次の発明が記載されているといえる。
　
「内層キャパシタの一方の電極７が絶縁基板４に埋設されかつ当該電極７の誘電体層２に接する側の面が当該絶縁基板４の表面と略面一となるように基板構成材Ａを作成する工程と、
　内層キャパシタの他方の電極６が絶縁基板３に埋設されかつ当該電極６の誘電体層２に接する側の面が当該絶縁基板３の表面と略面一となるように基板構成材Ｂを作成する工程と、
　前記基板構成材Ａの電極７埋設側の面に、支持体１上に形成された誘電体層２を真空中で加圧して積層する工程と、
　前記電極７と前記電極６とで該誘電体層２を挟持するように前記基板構成材Ａと前記基板構成材Ｂとを真空中で加圧して積層し、これにより内層キャパシタを形成する工程と、
　を含む、内層キャパシタを有する多層型のプリント配線板の製造方法。」（以下、「引用文献１記載の発明」という。）
　
２−２−２　引用文献２記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平７−２２７２５号公報（以下、「引用文献２」という。）には、次の事項が図面とともに記載されている。
　
ａ　「【０００９】
【作用】セラミック基板あるいは樹脂基板等の基板表面に薄膜コンデンサを形成する際に、コンデンサの一方の電極の外面が基板の外面と同一の平坦面になるようにすることによって、電極の外面にコンデンサの誘電体部となる誘電体薄膜を薄厚で形成しても断線したりすることがなく、確実に薄膜形成することが可能になる。また、電極間においても電気的短絡が生じたり断線したりすることがなくなり、信頼性の高い回路基板を提供することが可能になる。」（段落【０００９】）
　
ｂ　「【００１０】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１〜５は本発明に係る薄膜コンデンサ付回路基板の製造方法の一実施例を示す。薄膜コンデンサ付回路基板は薄膜コンデンサを回路部品として回路内に組み込むものであるが、本実施例は転写法を利用して薄膜コンデンサを形成することを特徴とする。
【００１１】すなわち、まず、離型剤をコーティングした転写フィルム１０に銅箔１２を貼り合わせたものを用意し（図１）、銅箔１２をエッチングして所定の回路パターンを形成する。実施例では転写フィルム１０として離型剤をコートした100 μm厚のポリエステルフィルムを使用し、銅箔１２として35μm 厚のものを使用した。銅箔１２をエッチングして回路パターンを形成する場合は、銅箔１２上にレジストパターンを形成し銅箔１２をエッチングすればよい。薄膜コンデンサの一方の電極はこの回路パターンを形成する際に同時にパターン形成する。図２は銅箔１２をエッチングして薄膜コンデンサの一方の電極１４ａを形成した様子を示す。
【００１２】次いで、電極１４ａの表面に粗化処理を施し、電極１４ａの露出面側に回路基板の基体となるプリプレグ１６を配置し、加熱および加圧してプリプレグ１６内に電極１４ａを埋没させるとともにプリプレグ１６を硬化させる。図３は電極１４ａを形成した転写フィルム１０にプリプレグ１６を重ね合わせて配置した状態である。実施例ではプリプレグ１６としてガラス繊維とエポキシ樹脂からなる製品を使用した。
【００１３】プリプレグ１６を硬化させて基板１８とした後、プリプレグ１６から転写フィルム１０を剥離する。転写フィルム１０を剥離することによって電極１４ａが基板１８（硬化したプリプレグ１６のこと）側に残る。図４は転写フィルム１０を剥離した後の状態で、電極１４ａと基板１８の上面が同一高さ面となって形成されることを示す。前工程で電極１４ａに粗化処理を施したのはプリプレグ１６と電極１４ａとのくい付きを良好にするためである。また、電極１４ａとともに形成した回路パターンもすべて基板１８側に転写される。」（段落【００１０】ないし【００１３】）
　
　上記ａ及びｂ並びに図面から、次のことが分かる。
　
ｃ　上記ａ及びｂ並びに図４から、電極１４ａが基板１８に埋没されることによって、電極１４ａの転写フィルム１０に接する側の面が基板１８の表面と同一の平坦面となることが分かる。
　
ｄ　上記ｂ及び図４から、基板１８に電極１４ａが埋没されて一体化し、基板構成材（以下、「基板構成材Ｃ」という。）が作成されていることが分かる。
　
ｅ　上記ａ及びｂ並びに図５から、電極１４ａはコンデンサの一方の電極となることが分かる。
　
　上記ａないしｅ及び図面から、引用文献２には、次の発明が記載されているといえる。
　
「コンデンサの一方の電極となる電極１４ａを転写フィルム１０の表面に形成する工程と、該電極１４ａが基板１８に埋没されかつ電極１４ａの転写フィルム１０に接する側の面が当該基板１８の表面と同一の平坦面となるように電極１４ａを転写して基板構成材Ｃを作成する工程とを含む、基板構成材Ｃの作成方法。」（以下、「引用文献２記載の発明」という。）。
　
２−２−３　対比
　本願補正発明と引用文献１記載の発明とを対比すると、引用文献１記載の発明における「内層キャパシタ」は、その技術的意義等からみて、本願補正発明における「コンデンサ」に相当し、以下同様に、「内層キャパシタの一方の電極７」は「コンデンサの一方の電極となる第一の導体パターン」に、「絶縁基板４」は「絶縁材」に、「基板構成材Ａ」は「第一の基板構成材」に、「内層キャパシタの他方の電極６」は「コンデンサの他方の電極となる第二の導体パターン」に、「基板構成材Ｂ」は「第二の基板構成材」に、「支持体１」は「キャリアフィルム」に、「誘電体層２」は「誘電体層」に、「真空中で加圧」は「真空プレス」に、「内層キャパシタを有する多層型のプリント配線板」は「コンデンサ内蔵基板」に、それぞれ相当する。
　また、本願補正発明における「前記第一の導体パターンと前記第二の導体パターンとで該誘電体層を挟持するように前記第一の基板構成材と前記第二の基板構成材とを真空プレスによって同時に一体化し」は、第一の基板構成材と第二の基板構成材について「同時に」一体化の意味が必ずしも明確ではないものの、発明の詳細な説明を参酌しても、「第一の基板構成材（又は第二の基板構成材）に真空ラミネートによって一体化された誘電体層と、第二の基板構成材（又は第一の基板構成材）とが、真空プレスによって一体化される」という以上の意味を認めることができない。そうすると、引用文献１記載の発明における「前記電極７と前記電極６とで該誘電体層２を挟持するように前記基板構成材Ａと前記基板構成材Ｂとを真空中で加圧して積層し」は、本願補正発明における「前記第一の導体パターンと前記第二の導体パターンとで該誘電体層を挟持するように前記第一の基板構成材と前記第二の基板構成材とを真空プレスによって同時に一体化し」に相当する。
　さらに、引用文献１記載の発明における「当該電極７の誘電体層２に接する側の面」は、本願補正発明における「当該第一の導体パターンの転写用基板に接する側の面」に、「当該第一の導体パターンの誘電体層に接する側の面」の限りにおいて相当し、以下同様に、「当該電極６の誘電体層２に接する側の面」は「当該第二の導体パターンの転写用基板に接する側の面」に「当該第二の導体パターンの誘電体層に接する側の面」の限りにおいて相当し、「誘電体層２を真空中で加圧して積層する」は「誘電体層を真空ラミネートして配する」に「誘電体層を真空中で配する」の限りにおいて相当する。
　
　よって、本願補正発明と引用文献１記載の発明とは、
「コンデンサの一方の電極となる第一の導体パターンが絶縁材に埋設されかつ当該第一の導体パターンの誘電体層に接する側の面が当該絶縁材の表面と略面一となるように第一の基板構成材を作成する工程と、
　コンデンサの他方の電極となる第二の導体パターンが絶縁材に埋設されかつ当該第二の導体パターンの誘電体層に接する側の面が当該絶縁材の表面と略面一となるように第二の基板構成材を作成する工程と、
　前記第一の基板構成材の導体パターン埋設側の面に、キャリアフィルム上に形成された誘電体層を真空中で配する工程と、
　前記第一の導体パターンと前記第二の導体パターンとで該誘電体層を挟持するように前記第一の基板構成材と前記第二の基板構成材とを真空プレスによって同時に一体化し、これによりコンデンサを形成する工程と、
　を含む、コンデンサ内蔵基板の製造方法。」
の点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点１
　第一及び第二の導体パターンの誘電体層に接する側の面が、絶縁材の表面と略面一となるように、第一及び第二の基板構成材を作成するために、
　本願補正発明においては、第一及び第二の導体パターンを転写用基板の表面に形成する工程と、該第一及び第二の導体パターンが絶縁材に埋設されかつ当該第一及び第二の導体パターンの転写用基板に接する側の面が当該絶縁材の表面と略面一となるように前記第一及び第二の導体パターンを転写して第一及び第二の基板構成材を作成する工程と、を含むのに対し、
　引用文献１記載の発明においては、電極７及び６の誘電体層２に接する側の面が絶縁基板４及び３の表面と略面一となるように基板構成材Ａ及びＢを作成する工程を含むものの、本願補正発明のような工程ではない点（以下、「相違点１」という。）。
　
相違点２
　第一の基板構成材の導体パターン埋設側の面に、キャリアフィルム上に形成された誘電体層を配するために、
　本願補正発明においては、「真空ラミネートして配する」のに対し、
　引用文献１記載の発明においては、「真空中で加圧して積層する」点（以下、「相違点２」という。）。
　
２−２−４　判断
（１）相違点１について
　本願補正発明と引用文献２記載の発明とを対比すると、引用文献２記載の発明における「電極１４ａ」は、その技術的意義等からみて、本願補正発明における「導体パターン」に相当し、以下同様に、「転写フィルム１０」は「転写用基板」に、「基板１８」は「絶縁材」に、「埋没」は「埋設」に、「同一の平坦面」は「略面一」に、「転写」は「転写」に、「基板構成材Ｃ」は「基板構成材」に、それぞれ相当する。
　よって、引用文献２記載の発明を本願補正発明の用語によって書き換えると、「コンデンサの一方の電極となる導体パターンを転写用基板の表面に形成する工程と、該導体パターンが絶縁材に埋設されかつ導体パターンの転写用基板に接する側の面が当該絶縁材の表面と略面一となるように導体パターンを転写して基板構成材を作成する工程とを含む、基板構成材の作成方法。」となる。
　ここで、引用文献１記載の発明において、電極７及び６の誘電体層２に接する側の面が絶縁基板４及び３の表面と略面一となるように基板構成材Ａ及びＢを作成するために、引用文献２記載の発明を適用し、「内層キャパシタの一方の電極７が絶縁基板４に埋設されかつ当該電極７の誘電体層２に接する側の面が当該絶縁基板４の表面と略面一となるように基板構成材Ａを作成する工程」を「内層キャパシタの一方の電極７（コンデンサの一方の電極となる第一の導体パターン）を転写用基板の表面に形成する工程と、該電極７（第一の導体パターン）が絶縁基板４（絶縁材）に埋設されかつ当該電極７（第一の導体パターン）の転写用基板に接する側の面が当該絶縁基板４（絶縁材）の表面と略面一となるように電極７（第一の導体パターン）を転写して基板構成材Ａ（第一の基板構成材）を作成する工程」とするとともに、同様に「内層キャパシタの他方の電極６が絶縁基板３に埋設されかつ当該電極６の誘電体層２に接する側の面が当該絶縁基板３の表面と略面一となるように基板構成材Ｂを作成する工程」を「内層キャパシタの他方の電極６（コンデンサの他方の電極となる第二の導体パターン）を転写用基板の表面に形成する工程と、該電極６（第二の導体パターン）が絶縁基板３（絶縁材）に埋設されかつ当該電極６（第二の導体パターン）の転写用基板に接する側の面が当該絶縁基板３（絶縁材）の表面と略面一となるように電極６（第二の導体パターン）を転写して基板構成材Ｂ（第二の基板構成材）を作成する工程」とすることによって、上記相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、当業者が格別の創意を要することなく想到できたことである。
　
（２）相違点２について
　ラミネートは、適度な加圧を伴う一体化であり、加圧の一形態である。また、コンデンサの導体パターン又は絶縁材に誘電体層を一体化するための手法として、ラミネートは周知の技術（以下、「周知技術」という。例えば、特開２００１−２４４６３９号公報の段落【００７９】及び【００８０】、特開２００２−２７１０１９号公報の段落【００１０】及び【００１１】、特開２００３−１１２７０号公報（出願公開平成１５年１月１５日）の段落【００１３】を参照。）でもある。
　そして、上記（１）のように、引用文献１記載の発明において引用文献２記載の発明を適用して基板構成材Ａを作成する場合、「前記基板構成材Ａの電極７埋設側の面に、支持体１上に形成された誘電体層２を真空中で加圧して積層する工程」において、電極７を絶縁基板４に埋設する必要がないことから、大きな加圧が不要であることは明らかである。このことと上記周知技術とを併せて考慮すれば、引用文献１記載の発明において、「真空中で加圧して積層する」を「真空ラミネートして配する」とすることによって、上記相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、当業者が格別の創意を要することなく想到できたことである。
　
（３）そして、本願補正発明を全体としてみても、本願補正発明の奏する効果は、引用文献１及び２記載の発明並びに周知技術から当業者が予測できた範囲内のものであり、格別に顕著な効果ではない。
　
（４）よって、本願補正発明は、引用文献１及び２記載の発明並びに周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際に独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）なお、平成２１年９月２日付けの意見書、審判請求書、及び平成２３年４月２７日付けの回答書において請求人は、本願補正発明の「
同時に
　しかしながら、発明の詳細な説明には、これら（２）ないし（４）の接着が真空プレスによって行われることは開示されていない。
　また、真空プレスの際に１回だけ誘電体層が硬化することも発明の詳細な説明から読み取ることはできない。
　なお、上記２−２−１のｄ及びｅのとおり、引用文献１記載の発明における「前記基板構成材Ａの電極７埋設側の面に、支持体１上に形成された誘電体層２を真空中で加圧して積層する工程」では加熱を行わず（段落【００５５】）、「前記電極７と前記電極６とで該誘電体層２を挟持するように前記基板構成材Ａと前記基板構成材Ｂとを真空中で加圧して積層し、これにより内層キャパシタを形成する工程」では１５０℃×５時間の条件で加熱を行う（段落【００５７】）ことが記載されていることから、引用文献１記載の発明においても、誘電体層２の硬化は、最後の加圧の際に１回だけ行われるといえる。
　よって、上記主張は本願の発明の詳細な説明に基づいておらず、妥当な主張ではない。
　
（６）以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３　むすび
　よって、［理由１］又は［理由２］により、結論のとおり決定する。
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２２年４月２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記第２［理由］１のａの請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　
２　引用文献１及び２記載の発明
　特開２０００−２７７９２２号公報（引用文献１）及び特開平７−２２７２５号公報（引用文献２）には、上記第２［理由］２［理由２］２−２−１及び２−２−２に記載したとおりの発明が記載されている。
　
３　対比及び判断
　本願発明は、本願補正発明における「キャリアフィルム上に形成された誘電体層を真空ラミネートして配する」という発明特定事項を「誘電体層を配する」とし、「真空プレスによって同時に一体化」という発明特定事項を「プレスして一体化」とすることによって、本願補正発明を上位概念化したものである。
　したがって、上記第２［理由］２［理由２］２−２で検討したとおり、本願発明の下位概念である本願補正発明が引用文献１及び２記載の発明並びに周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１及び２記載の発明並びに周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。