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【手続補正書】
【提出日】平成23年4月11日(2011.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンベアベルトにおいて、
１またはそれ以上のベルトモジュールでなる複数の列であって、各列が、縦にはベルトの移動方向で第１および第２の端部の間に、横には第１の側縁部と第２の側縁部の間に、厚さとしては頂部サイドと底部サイドの間に延在し、各列が前記コンベアベルトを連接させる（articulate）横に配列されたヒンジ軸をそれぞれ規定するヒンジジョイントの第１の端部から第２の端部でともにヒンジ連結されている列と、
前記頂部サイドに支持された複数のローラであって、ベルト移動方向に整列され前記ローラの回転の縦軸を規定する軸を有するローラとを具え、
前記ベルトモジュールの１の列のローラの少なくともいくつかが、当該列の第１の端部で前記ヒンジ軸を越えて延在することを特徴とするコンベアベルト。
【請求項２】
請求項１に記載のコンベアベルトにおいて、前記列の頂部サイドから立ち上がって前記ローラ軸を支持する複数のローラサポートを具えることを特徴とするコンベアベルト。
【請求項３】
請求項２に記載のコンベアベルトにおいて、前記ローラがそれぞれ、縦に離された対の前記ローラサポート間に支持されていることを特徴とするコンベアベルト。
【請求項４】
請求項２に記載のコンベアベルトにおいて、さらに、１の列の頂部サイドに固定された取付基部を具え、前記ローラサポートが前記取付基部から延在することを特徴とするコンベアベルト。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載のコンベアベルトにおいて、前記ローラは、チェッカーボードパターンで配列されていることを特徴とするコンベアベルト。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載のコンベアベルトにおいて、前記列がそれぞれ、ローラの横のラインを１本有することを特徴とするコンベアベルト。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれかに記載のコンベアベルトにおいて、前記列がそれぞれ、ローラの横のラインを複数本有することを特徴とするコンベアベルト。
【請求項８】
請求項７に記載のコンベアベルトにおいて、１のラインのローラが、隣のラインのローラから横にオフセットしていることを特徴とするコンベアベルト。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載のコンベアベルトにおいて、前記列の第１の端部のローラが、当該列の第２の端部のローラから横にオフセットしていることを特徴とするコンベアベルト。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載のコンベアベルトにおいて、ある列のいずれのローラも当該列の第２の端部のヒンジ軸を越えて延在しないことを特徴とするコンベアベルト。
【請求項１１】
コンベアベルトモジュールであって、
前記モジュールの長さを規定する第１の端部および反対側の第２の端部と、
前記モジュールの幅を規定する第１の端縁部および反対側の第２の端縁部と、
前記モジュールの厚さを規定する頂部サイドおよび反対側の底部サイドと、
前記第１の端部に沿って前記モジュール本体の幅方向にわたり隔てられた整列されたヒンジ部材の第１のセットであって、前記整列されたヒンジ部材を通る第１のヒンジ軸を規定する第１のセットと、
前記第２の端部に沿って前記モジュール本体の幅方向にわたり隔てられた整列されたヒンジ部材の第２のセットであって、前記整列されたヒンジ部材を通る第２のヒンジ軸を規定する第２のセットとを具え、
前記第１および第２のヒンジ軸が第１の平面を規定し、
前記第１および第２の側縁部に向かって回転するよう前記頂部サイドで支持された複数のローラを具え、
前記ローラの少なくともいくつかが、前記第１のヒンジ軸を通る前記第１の平面に直交する第２の平面に交差することを特徴とするコンベアベルトモジュール。
【請求項１２】
請求項１１に記載のコンベアベルトモジュールにおいて、前記モジュールの頂部サイドから立ち上がり前記ローラを支持する複数のローラサポートを具えることを特徴とするコンベアベルトモジュール。
【請求項１３】
請求項１２に記載のコンベアベルトモジュールにおいて、前記ローラがそれぞれ、前記長さ方向に隔てられた一対の前記ローラサポートの間に支持されていることを特徴とするコンベアベルトモジュール。
【請求項１４】
請求項１１乃至１３のいずれかに記載のコンベアベルトモジュールにおいて、各モジュールが、当該モジュールの幅方向に沿って延在するローラのラインを１本有することを特徴とするコンベアベルトモジュール。
【請求項１５】
請求項１１乃至１３のいずれかに記載のコンベアベルトモジュールにおいて、各モジュールが、当該モジュールの幅方向に沿って延在するローラのラインを複数本有するとともに、１のラインのローラが隣のラインのローラから幅方向にオフセットしていることを特徴とするコンベアベルトモジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月29日(2010.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）（Ｌ）−２−（−）−ハロプロピオン酸を塩素化剤及びジメチルホルムアミドと反応させて、（Ｌ）−２−（＋）−ハロプロピオン酸クロライドを生成する工程と、
（ｂ）前記（Ｌ）−２−（＋）−ハロプロピオン酸クロライドを、アルカリ金属水酸化物水溶液の存在下でジエチルアミンと反応させて、（Ｌ）−（＋）−２−ハロ−Ｎ，Ｎ−ジエチルプロピオンアミドを生成する工程と、
（ｃ）前記（Ｌ）−（＋）−２−ハロ−Ｎ，Ｎ−ジエチルプロピオンアミドを含む反応物を、アルカリ金属水酸化物水溶液の存在下でα−ナフトールと反応させて、Ｄ−（−）−Ｎ，Ｎ−ジエチル−２−（α−ナフトキシ）プロピオンアミドを生成する工程と、を含む、
Ｄ−（−）−Ｎ，Ｎ−ジエチル−２−（α−ナフトキシ）プロピオンアミドの製造方法。
【請求項２】
塩素化剤はチオニルクロライドである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
（Ｌ）−２−（−）−ハロプロピオン酸とチオニルクロライドとのモル比は、１：１〜１：１．５である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
工程（ａ）における反応混合物の温度は５０〜６０℃である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
工程（ａ）における反応混合物の温度は５８〜６０℃である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
α−ナフトールと（Ｌ）−（＋）−２−ハロ−Ｎ，Ｎ−ジエチルプロピオンアミドとのモル比は、１：１〜１：１．５である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
（Ｌ）−（＋）−２−ハロ−Ｎ，Ｎ−ジエチルプロピオンアミドを含む反応物をα−ナフトールと反応させる工程は、非極性有機溶媒中で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
非極性有機溶媒は、トルエン、キシレン、シクロヘキサン、及びそれらの混合溶媒からなる群から選ばれる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ハロプロピオン酸は（Ｌ）−（−）−２−クロロプロピオン酸である、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
（ａ）（Ｌ）−２−（−）−ハロプロピオン酸を塩素化剤及びジメチルホルムアミドと反応させて、（Ｌ）−２−（＋）−ハロプロピオン酸クロライドを生成する工程と、
（ｂ）前記（Ｌ）−２−（＋）−ハロプロピオン酸クロライドを、アルカリ金属水酸化物水溶液の存在下でジエチルアミンと反応させて、（Ｌ）−（＋）−２−ハロ−Ｎ，Ｎ−ジエチルプロピオンアミドを生成する工程と、
（ｃ）前記（Ｌ）−（＋）−２−ハロ−Ｎ，Ｎ−ジエチルプロピオンアミドを含む反応物を、アルカリ金属水酸化物水溶液の存在下でα−ナフトールと反応させて、Ｄ−（−）−Ｎ，Ｎ−ジエチル−２−（α−ナフトキシ）プロピオンアミドを生成する工程と、
（ｄ）極性有機溶媒又は極性水性有機溶媒中で、前記Ｄ−（−）−Ｎ，Ｎ−ジエチル−２−（α−ナフトキシ）プロピオンアミドを再結晶化する工程と、を含む、
高純度Ｄ−（−）−Ｎ，Ｎ−ジエチル−２−（α−ナフトキシ）プロピオンアミドの製造方法。
【請求項１１】
再結晶化に使用する溶媒は、イソプロピルアルコールと水の混合溶媒である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
混合溶媒におけるイソプロパノールと水との体積混合比は、５０：５０〜８０：２０である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
塩素化剤はチオニルクロライドである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
キラル純度が少なくとも約８０％である、Ｄ−（−）−Ｎ，Ｎ−ジエチル−２−（α−ナフトキシ）プロピオンアミド。
【請求項１５】
キラル純度が少なくとも約９５％である、請求項１４に記載のＤ−（−）−Ｎ，Ｎ−ジエチル−２−（α−ナフトキシ）プロピオンアミド。
【請求項１６】
キラル純度が少なくとも約９８％である、請求項１５に記載のＤ−（−）−Ｎ，Ｎ−ジエチル−２−（α−ナフトキシ）プロピオンアミド。
【請求項１７】
キラル純度が少なくとも約８０％であるＤ−（−）−Ｎ，Ｎ−ジエチル−２−（α−ナフトキシ）プロピオンアミドと、
農薬上許容可能な賦形剤と、を含む農薬組成物。
【請求項１８】
粒子状製剤又は液状製剤であって、
前記粒子状製剤は含浸粒子、表面被覆粒子、湿潤性粉体、単純粒子、湿潤性／分散性粒子、湿潤性粒子、分散性／流動性粒子から選択され、
前記液状製剤は、乳化性濃縮物、流動性液体、サスペンション濃縮物、濃縮水中油型エマルジョンから選ばれる、請求項１７に記載の組成物。
【請求項１９】
Ｄ−（−）−Ｎ，Ｎ−ジエチル−２−（α−ナフトキシ）プロピオンアミド、アルキルナフタレンスルフォネートナトリウム塩、スチレン−アクリル共重合体、二酸化シリコン、及びカオリンを含み、
前記Ｄ−（−）−Ｎ，Ｎ−ジエチル−２−（α−ナフトキシ）プロピオンアミドの光学純度は少なくとも約８０％〜約１００％である、流動性乾燥農薬組成物。
【請求項２０】
Ｄ−（−）−Ｎ，Ｎ−ジエチル−２−（α−ナフトキシ）プロピオンアミド、アルキルナフタレンスルフォネートナトリウム塩、α−ヒドロ−ω−ヒドロキシポリ（オキシエチレン）ポリ（オキシプロピレン）ポリ（オキシエチレン）ブロック共重合体、プロピレングリコール、シリコンエマルジョン、自然粘土、１，２−ベンズイソチアゾリン−３−オン、及びキサンタンガムを含み、
前記Ｄ−（−）−Ｎ，Ｎ−ジエチル−２−（α−ナフトキシ）プロピオンアミドの光学純度は少なくとも約８０％〜約１００％である、農薬サスペンション濃縮物組成物。
【請求項２１】
Ｄ−（−）−Ｎ，Ｎ−ジエチル−２−（α−ナフトキシ）プロピオンアミドと、
カルシウムアルキルベンゼンスルフォネート及びトリステアリルフェノールエトキシレートの混合物と、
キシレンとを含み、
前記Ｄ−（−）−Ｎ，Ｎ−ジエチル−２−（α−ナフトキシ）プロピオンアミドの光学純度は約８０％〜約１００％であり、かつ化学純度は約９５％である、乳化性農薬濃縮物組成物。
【請求項２２】
Ｄ−（−）−Ｎ，Ｎ−ジエチル−２−（α−ナフトキシ）プロピオンアミドと、
カルシウムアルキルベンゼンスルフォネート及びトリステアリルフェノールエトキシレートの混合物と、
キシレン又はイソホロン又はそれらの組み合わせから選ばれる溶媒と、
キサンタンガムと、
１，２−ベンズイソチアゾリン−３−オンと、を含み、
前記Ｄ−（−）−Ｎ，Ｎ−ジエチル−２−（α−ナフトキシ）プロピオンアミドの光学純度は約８０％〜約１００％である、水中油型濃縮エマルジョン組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月13日(2011.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）の化合物：
【化１】
2010526051.tif 000001
またはその薬学的に許容できる塩もしくは溶媒和物
［式中、Ａｒは、
【化２】
2010526051.tif 000002
であり、
→は、ピラジン環との結合点を示し、
それぞれのＲ２は、（Ｃ１〜Ｃ４）アルキル、（Ｃ１〜Ｃ４）アルコキシ、ハロ（Ｃ１〜Ｃ４）アルキル、ハロ（Ｃ１〜Ｃ４）アルコキシ、シアノおよびハロから独立して選択され、
ｎは０〜４であり、
Ｒ３は、ＣＦ３またはＯＣＦ３であり、
Ｒ１は、
【化３】
2010526051.tif 000003
から選択される５員のヘテロアリール基であり、
→は、カルボニル部分との結合点を示し、
Ｒ４は、水素、（Ｃ１〜Ｃ４）アルキル、ハロ（Ｃ１〜Ｃ４）アルキル、または（Ｃ１〜Ｃ４）アルコキシ（Ｃ１〜Ｃ４）アルキルである］。
【請求項２】
Ｒ１が、
【化４】
2010526051.tif 000004
であり、Ｒ４が、請求項１に定義したとおりである、請求項１に記載の化合物またはその薬学的に許容できる塩もしくは溶媒和物。
【請求項３】
Ｒ４が、（Ｃ１〜Ｃ４）アルキル、ハロ（Ｃ１〜Ｃ４）アルキル、または（Ｃ１〜Ｃ４）アルコキシ（Ｃ１〜Ｃ４）アルキルである、請求項１または請求項２に記載の化合物またはその薬学的に許容できる塩もしくは溶媒和物。
【請求項４】
それぞれのＲ２が、独立してハロまたは（Ｃ１〜Ｃ４）アルコキシである、請求項１から３のいずれか一項に記載の化合物またはその薬学的に許容できる塩もしくは溶媒和物。
【請求項５】
ｎが０、１、２または３である、請求項１から４のいずれか一項に記載の化合物またはその薬学的に許容できる塩もしくは溶媒和物。
【請求項６】
Ｎ−｛６−アミノ−５−［２−（トリフルオロメトキシ）フェニル］ピラジン−２−イル｝−３−メチルイソオキサゾール−４−カルボキサミド；
Ｎ−｛６−アミノ−５−［２−（トリフルオロメチル）フェニル］ピラジン−２−イル｝−３−メチルイソオキサゾール−４−カルボキサミド；
Ｎ−｛６−アミノ−５−［５−クロロ−２−（トリフルオロメトキシ）フェニル］ピラジン−２−イル｝−３−メチルイソオキサゾール−４−カルボキサミド；
Ｎ−｛６−アミノ−５−［２−（トリフルオロメトキシ）フェニル］ピラジン−２−イル｝−１−エチル−１Ｈ−ピラゾール−５−カルボキサミド；
Ｎ−｛６−アミノ−５−［２−（トリフルオロメトキシ）フェニル］ピラジン−２−イル｝−１−イソプロピル−１Ｈ−ピラゾール−５−カルボキサミド；
Ｎ−｛６−アミノ−５−［２−（トリフルオロメトキシ）フェニル］ピラジン−２−イル｝−３−（メトキシメチル）イソオキサゾール−４−カルボキサミド；
Ｎ−｛６−アミノ−５−［５−クロロ−２−（トリフルオロメトキシ）フェニル］ピラジン−２−イル｝−３−（メトキシメチル）イソオキサゾール−４−カルボキサミド；
Ｎ−｛６−アミノ−５−［５−フルオロ−２−（トリフルオロメチル）フェニル］ピラジン−２−イル｝−３−（メトキシメチル）イソオキサゾール−４−カルボキサミド；
Ｎ−｛６−アミノ−５−［２−（トリフルオロメトキシ）フェニル］ピラジン−２−イル｝−５−（メトキシメチル）イソオキサゾール−４−カルボキサミド；
Ｎ−｛６−アミノ−５−［５−フルオロ−２−（トリフルオロメチル）フェニル］ピラジン−２−イル｝−３−メチルイソオキサゾール−４−カルボキサミド；
Ｎ−｛６−アミノ−５−［５−クロロ−２−（トリフルオロメトキシ）フェニル］ピラジン−２−イル｝−１−メチル−１Ｈ−ピラゾール−５−カルボキサミド；
Ｎ−｛６−アミノ−５−［２−（トリフルオロメトキシ）フェニル］ピラジン−２−イル｝−３−（トリフルオロメチル）イソオキサゾール−４−カルボキサミド；
Ｎ−｛６−アミノ−５−［５−フルオロ−２−（トリフルオロメトキシ）フェニル］ピラジン−２−イル｝−３−メチルイソオキサゾール−４−カルボキサミド；
Ｎ−｛６−アミノ−５−［５−フルオロ−２−（トリフルオロメチル）フェニル］ピラジン−２−イル｝−３−トリフルオロメチルイソオキサゾール−４−カルボキサミド；
Ｎ−｛６−アミノ−５−［５−フルオロ−２−（トリフルオロメトキシ）フェニル］ピラジン−２−イル｝−１−メチル−１Ｈ−ピラゾール−５−カルボキサミド；
Ｎ−｛６−アミノ−５−［５−エトキシ−２−（トリフルオロメトキシ）フェニル］ピラジン−２−イル｝−１−メチル−１Ｈ−ピラゾール−５−カルボキサミド；
Ｎ−｛６−アミノ−５−［５−エトキシ−２−（トリフルオロメトキシ）フェニル］ピラジン−２−イル｝−３−メチルイソオキサゾール−４−カルボキサミド；
Ｎ−｛６−アミノ−５−［５−フルオロ−２−（トリフルオロメトキシ）フェニル］ピラジン−２−イル｝−３−（トリフルオロメチル）イソオキサゾール−４−カルボキサミド；
ならびにその薬学的に許容できる塩および溶媒和物から選択される、請求項１から５のいずれか一項に記載の化合物またはその薬学的に許容できる塩もしくは溶媒和物。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の式（Ｉ）の化合物またはその薬学的に許容できる塩もしくは溶媒和物を、１つまたは複数の薬学的に許容できる賦形剤と一緒に含む、医薬組成物。
【請求項８】
ＮａＶ１．８チャネルモジュレーターが適応される疾患または状態の治療に用いるための、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
疾患または状態が疼痛である、請求項７に記載の組成物。
【請求項１０】
請求項１から６のいずれか一項に記載の式（Ｉ）の化合物またはその薬学的に許容できる塩もしくは溶媒和物と、別の薬理学的に活性のある薬剤との組合せ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月27日(2011.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記化合物。
【化１】
2010526094.tif 000001
【請求項２】
下の工程を含む請求項１の化合物を製造する方法。
【化２】
2010526094.tif 000002
【請求項３】
下記化合物。
【化３】
2010526094.tif 000003
【請求項４】
下の工程を含む請求項３の化合物を製造する方法。
【化４】
2010526094.tif 000004
【請求項５】
下記反応性化合物。
【化５】
2010526094.tif 000005
（式中、
Ｘ−は対イオンであり；
Ｘ１は−Ｏ−または−ＮＨ−であり；
Ｘ２は−Ｏ−または−ＮＨ−であり；
Ｌは直接結合または１〜８個の炭素原子を有する低級アルキレンを含む２価の結合基であり、末端または途中がスルホンアミド（−ＳＯ２ＮＨ−）、アミド−（Ｃ＝Ｏ）Ｎ−、エステル−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−、エーテル−Ｏ−、スルフィド−Ｓ−、スルホン（−ＳＯ２−）、フェニレン−Ｃ６Ｈ４−、ウレタン−ＮＨ（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−、ウレア−ＮＨ（Ｃ＝Ｏ）ＮＨ−、チオウレア−ＮＨ（Ｃ＝Ｓ）−ＮＨ−、アミド−（Ｃ＝Ｏ）ＮＨ−およびアミン−ＮＲ−から成る群より選択される１個以上の２価の連結基でもよく、ただし、Ｒは１〜６個の炭素原子を有するアルキルと定義され；および
Ｚは反応性でエチレン的に不飽和の基、または、ポリマーまたはマトリクスと共有結合を形成できる反応性官能基のいずれかである。）
【請求項６】
下記非反応性化合物。
【化６】
2010526094.tif 000006
（式中、
Ｘは−Ｏ−または−ＮＨ−であり；および
Ｒ’はアルキルであり、炭素鎖中に−Ｏ−単位を含んでいてもよく、末端が−ＯＨまたは−ＯＣＨ３でもよい。）
【請求項７】
請求項５に記載の下記化合物。
【化７】
2010526094.tif 000007
【請求項８】
下の工程を含む請求項７の化合物を製造する方法。
【化８】
2010526094.tif 000008
【請求項９】
下記化合物。
【化９】
2010526094.tif 000009
（式中、
Ｚは、メタクリルアミド−、アクリルアミド−、メタクリロイル−、アクリロイル−およびスチリル−から成る群より選択され、反応性でエチレン的に不飽和の基であるか、または、式中、Ｚはポリマーまたはマトリクスと共有結合を形成できる反応性官能基であり；
Ｙは、
【化１０】
2010526094.tif 000010
（式中、ＲはＨまたは低級アルキルである。）
および
【化１１】
2010526094.tif 000011
から選択される３価の連結基であり；
Ｘ１およびＸ２は−Ｏ−または−ＮＨ−であり；および
Ｌ１、Ｌ２およびＬ３は直接結合または１〜８個の炭素原子を有する低級アルキレンより選択され、末端または途中がスルホンアミド（−ＳＯ２ＮＨ−）、アミド−（Ｃ＝Ｏ）Ｎ−、エステル−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−、エーテル−Ｏ−、スルフィド−Ｓ−、スルホン（−ＳＯ２−）、フェニレン−Ｃ６Ｈ４−、ウレタン−ＮＨ（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−、ウレア−ＮＨ（Ｃ＝Ｏ）ＮＨ−、チオウレア−ＮＨ（Ｃ＝Ｓ）−ＮＨ−、アミド−（Ｃ＝Ｏ）ＮＨ−、アミン−ＮＲ−（式中、Ｒは１〜６個の炭素原子を有するアルキルと定義される）またはそれらの組合せより選択される１個以上の２価の連結基でもよい。）
【請求項１０】
請求項９に記載の下記化合物。
【化１２】
2010526094.tif 000012
（式中、ｎは１〜１０の整数である。）
【請求項１１】
下の工程を含む請求項１０の化合物を製造する方法。
【化１３】
2010526094.tif 000013
【請求項１２】
下記化合物。
【化１４】
2010526094.tif 000014
（式中、
Ｘ−は対イオンであり；
Ｘ１は−Ｏ−または−ＮＨ−であり；
Ｘ２は−Ｏ−または−ＮＨ−であり；
Ｌは直接結合または１〜８個の炭素原子を有する低級アルキレンより選択される２価の結合であり、末端または途中がスルホンアミド（−ＳＯ２ＮＨ−）、アミド−（Ｃ＝Ｏ）Ｎ−、エステル−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−、エーテル−Ｏ−、スルフィド−Ｓ−、スルホン（−ＳＯ２−）、フェニレン−Ｃ６Ｈ４−、ウレタン−ＮＨ（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−、ウレア−ＮＨ（Ｃ＝Ｏ）ＮＨ−、チオウレア−ＮＨ（Ｃ＝Ｓ）−ＮＨ−、アミド−（Ｃ＝Ｏ）ＮＨ−、アミン−ＮＲ−（式中、Ｒは１〜６個の炭素原子を有するアルキルと定義される）またはそれらの組合せより選択される１個以上の２価の連結基でもよく；
Ｚはカップリング基またはオレフィン的に不飽和の基より選択される反応性基であるか、または、Ｚは、
【化１５】
2010526094.tif 000015
（式中、ＲはＨまたはＣＨ３である）
であり；
中心のベンゼン環からの結合は、隣接するピリジニウム環上のオルト、メタまたはパラ位であり；および
−Ｂ（ＯＨ）２は、オルト、メタまたはパラ位でよい。）
【請求項１３】
請求項１２に記載の下記化合物。
【化１６】
2010526094.tif 000016
【請求項１４】
下の工程を含む請求項１３の化合物を製造する方法。
【化１７】
2010526094.tif 000017
【請求項１５】
下記化合物。
【化１８】
2010526094.tif 000018
（式中、
Ｘ−は対イオンであり；
Ｘ１は−Ｏ−または−ＮＨ−であり；
Ｘ２は−Ｏ−または−ＮＨ−であり；
Ｌは直接結合および１〜８個の炭素原子を有する低級アルキレンから成る群より選択される２価の結合体であり、末端または途中がスルホンアミド（−ＳＯ２ＮＨ−）、アミド−（Ｃ＝Ｏ）Ｎ−、エステル−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−、エーテル−Ｏ−、スルフィド−Ｓ−、スルホン（−ＳＯ２−）、フェニレン−Ｃ６Ｈ４−、ウレタン−ＮＨ（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−、ウレア−ＮＨ（Ｃ＝Ｏ）ＮＨ−、チオウレア−ＮＨ（Ｃ＝Ｓ）−ＮＨ−、アミド−（Ｃ＝Ｏ）ＮＨ−、アミン−ＮＲ−（式中、Ｒは１〜６個の炭素原子を有するアルキルと定義される）またはそれらの組合せから成る群より選択される１個以上の２価の連結基でもよく；
Ｚは、メタクリルアミド−、アクリルアミド−、メタクリロイル−、アクリロイル−またはスチリル−から成る群より選択され、重合性でエチレン的に不飽和の基であるか、または、Ｚはポリマーまたはマトリクスと共有結合を形成できる反応性官能基でもよいかのいずれかであり、
曖昧に表現されている結合は、オルト、メタまたはパラ位であり；および
−Ｂ（ＯＨ）２は、オルト、メタまたはパラ位でよい。）
【請求項１６】
請求項１５に記載の下記化合物。
【化１９】
2010526094.tif 000019
【請求項１７】
下の工程を含む請求項１６の化合物を製造する方法。
【化２０】
2010526094.tif 000020
【請求項１８】
請求項１、３、５、６、７、９、１０、１２、１３、１５および１６のいずれか一項に記載の１種類以上の化合物と、蛍光染料とを含むグルコースセンサー。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月20日(2011.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情動不安の治療又は予防に使用するための、２５重量％超のポリフェノール含量を有する、発酵させていないか又は３日以内発酵させた未脱脂カカオ豆の抽出によって得られるカカオ抽出物。
【請求項２】
少なくとも３０重量％のポリフェノール含量を有する、請求項１に記載の抽出物。
【請求項３】
３０から７０重量％のポリフェノール含量を有する、請求項１に記載の抽出物。
【請求項４】
少なくとも５重量％のテオブロミン含量を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載の抽出物。
【請求項５】
５重量％未満のテオブロミン含量を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載の抽出物。
【請求項６】
前記疾患はいかなる診断された臨床的鬱病又は不安神経症にも関連しない、請求項１から５のいずれか一項に記載の抽出物
【請求項７】
カカオ豆の溶媒抽出によって得られる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の抽出物。
【請求項８】
溶媒が、炭素数が１〜６のアルコール又はケトン、及びそれらの混合物、またはそれらと水との混合物から選択される、請求項７に記載の抽出物。
【請求項９】
溶媒が、エタノール、アセトン、２−ブタノール、２−プロパノール、及びそれらの混合物、またはそれらと水との混合物から選択される、請求項７に記載の抽出物。
【請求項１０】
２重量％未満のフェニルエチルアミンを含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の抽出物。
【請求項１１】
０．１から１０重量％のカカオ脂を含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の抽出物。
【請求項１２】
０．２から５重量％のカカオ脂を含む、請求項１１に記載の抽出物。
【請求項１３】
カカオ脂が非トリグリセリド脂質である、請求項１１又は１２に記載の抽出物。
【請求項１４】
（ｉ）３５から７０重量％のカカオポリフェノール、
（ｉｉ）１から１０重量％のキサンチン、
（ｉｉｉ）２重量％未満のフェニルエチルアミン、及び
（ｉｖ）０．１から１０重量％のカカオ脂を含む、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の抽出物。
【請求項１５】
１５から４０重量％のタンパク質を含む、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の抽出物。
【請求項１６】
２から１２重量％の糖を含む、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の抽出物。
【請求項１７】
食品又は菓子製品の一部として提供される、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の抽出物。
【請求項１８】
医薬組成物又はサプリメントとして提供される、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の抽出物。
【請求項１９】
情動不安の治療又は予防に使用するための薬剤の製造における、２５重量％超のポリフェノール含量を有する、発酵させていないか又は３日以内発酵させた未脱脂カカオ豆の抽出によって得られるカカオ抽出物の使用。
【請求項２０】
前記抽出物が少なくとも３０重量％のポリフェノール含量を有する、請求項１９に記載の使用。
【請求項２１】
前記抽出物が請求項２から１９のいずれか一項に定義された抽出物である、請求項１９に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月17日(2011.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個体において、所望の抗原への免疫応答を増強するための組成物であって、
特異的に阻害されたクラスＡマクロファージスカベンジャー受容体(SR-A)を有する樹状細胞を含む、組成物。
【請求項２】
前記樹状細胞が前記所望の抗原に曝露されたものである、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記所望の抗原を発現する腫瘍の増殖を抑制するために投与される、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項４】
前記樹状細胞が、前記個体から単離されたものであり、且つ、前記所望の抗原に曝露されたものである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項５】
前記樹状細胞のSR-A活性が、SR-Aをコードしているヌクレオチド配列と同一もしくは相補的な配列を有するポリヌクレオチドによって特異的に阻害されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項６】
前記ポリヌクレオチドがshRNAである、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記shRNAが配列番号１の配列を有する、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
前記樹状細胞のSR-A活性が、SR-Aと反応する抗体によって、あるいはSR-Aと反応する抗体フラグメントによって特異的に阻害されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項９】
個体において、所望の抗原への免疫応答を増強するための組成物であって、
前記所望の抗原と、
クラスＡマクロファージスカベンジャー受容体(SR-A)を特異的に阻害する能力を有する薬剤
とを含む、組成物。
【請求項１０】
前記薬剤が、SR-Aをコードしているヌクレオチド配列と同一もしくは相補的な配列を有するポリヌクレオチドを含む、請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
前記ポリヌクレオチドがshRNAである、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１２】
前記shRNAが配列番号１の配列からなる、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１３】
前記薬剤が、SR-Aと反応する抗体、あるいはSR-Aと反応する抗体フラグメントである、請求項９に記載の組成物。
【請求項１４】
腫瘍と診断された個体において、前記腫瘍によって発現された抗原への免疫応答を増強することによって、前記腫瘍の増殖を抑制する組成物であって、
クラスＡマクロファージスカベンジャー受容体(SR-A)を阻害する能力を有する薬剤を含む、組成物。
【請求項１５】
前記薬剤が、SR-Aをコードしているヌクレオチド配列と同一もしくは相補的な配列を有するポリヌクレオチドを含む、請求項１４に記載の組成物。
【請求項１６】
前記ポリヌクレオチドがshRNAである、請求項１５に記載の組成物。
【請求項１７】
前記抗原をさらに含む、請求項１４〜１６のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１８】
実質的に精製された哺乳類の樹状細胞の集団であって、前記樹状細胞が特異的に阻害されたSR-A活性を有することを特徴とする、哺乳類の樹状細胞の集団。
【請求項１９】
前記SR-A活性がshRNAによって阻害されている、請求項１８に記載の実質的に精製された哺乳類の樹状細胞の集団。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月2日(2011.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
脳血管疾患を治療するために使用されるエリスロポエチン（ＥＰＯ）および顆粒球コロニー刺激因子（Ｇ−ＣＳＦ）の組み合わせであって、該ＥＰＯおよびＧ−ＣＳＦの組み合わせは治療を必要とする対象に有効合計量で投与される組み合わせ。
【請求項２】
脳血管疾患は虚血、脳卒中、または脳梗塞である請求項１に記載の組み合わせ。
【請求項３】
ＥＰＯおよびＧ−ＣＳＦは別々に投与される請求項１または２に記載の組み合わせ。
【請求項４】
ＥＰＯおよびＧ−ＣＳＦは皮下に投与される請求項３に記載の組み合わせ。
【請求項５】
ＥＰＯおよびＧ−ＣＳＦは同時に投与される請求項１または２に記載の組み合わせ。
【請求項６】
ＥＰＯおよびＧ−ＣＳＦは皮下に投与される請求項５に記載の組み合わせ。
【請求項７】
対象でのＥＰＯの発現を増大させる医薬組成物であって、有効量のＧ−ＣＳＦを含む医薬組成物。
【請求項８】
対象は貧血に罹っている請求項７に記載の医薬組成物。
【請求項９】
脳血管疾患の治療のための医薬の製造におけるＥＰＯおよびＧ−ＣＳＦの使用方法。
【請求項１０】
対象でのＥＰＯの発現を増大させる医薬の製造におけるＧ−ＣＳＦの使用方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月13日(2011.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化ニオブを含む電極と、
前記電極の少なくとも一部分に隣接する酸化タンタル層と、
を含む、構造物。
【請求項２】
前記電極は、窒化ニオブの表面を含むことを特徴とする、請求項１の構造物。
【請求項３】
前記電極は、その少なくとも一部に隣接する酸化ニオブを有する表面を含むことを特徴とする、請求項１の構造物。
【請求項４】
前記酸化ニオブの少なくとも一部は、その全体が結晶質または非結晶質であることを特徴とする、請求項３の構造物。
【請求項５】
前記窒化ニオブは、六方最密構造を有する結晶質であることを特徴とする、請求項１の構造物。
【請求項６】
前記酸化タンタル層の少なくとも一部は、結晶質であることを特徴とする、請求項５の構造物。
【請求項７】
窒化ニオブを含む第１の電極と、
前記第１の電極の少なくとも一部に隣接する酸化タンタル層と、
前記酸化タンタル層の少なくとも一部に隣接する第２の電極と、
を含む、キャパシタ。
【請求項８】
前記第２の電極は、窒化ニオブおよび／またはルテニウムを含むことを特徴とする、請求項７のキャパシタ。
【請求項９】
前記窒化ニオブは、六方最密構造を有する結晶質であることを特徴とする、請求項７のキャパシタ。
【請求項１０】
半導体基板もしくは基板アセンブリと、
前記半導体基板もしくは基板アセンブリの少なくとも一部に隣接する窒化ニオブと、
前記窒化ニオブの少なくとも一部に隣接する酸化タンタル層と、
前記酸化タンタル層の少なくとも一部に隣接する電極と、
を含む、半導体デバイス。
【請求項１１】
前記電極は、窒化ニオブおよび／またはルテニウムを含むことを特徴とする、請求項１０の半導体デバイス。
【請求項１２】
結晶質の窒化ニオブ上に接して、酸化タンタルから成る層を堆積するステップであって、前記酸化タンタルの層は堆積の時に少なくとも部分的に結晶質である、層の形成方法。
【請求項１３】
結晶質の窒化ニオブを含み、かつ、その最も外側の表面上に形成された酸化ニオブを有する電極を設けるステップと、
前記電極の前記最も外側の表面の前記酸化ニオブ上に接して酸化タンタルから成る層を堆積するステップと、
を含む、層の形成方法。
【請求項１４】
前記酸化ニオブの少なくとも一部は結晶質であることを特徴とする、請求項１３の方法。
【請求項１５】
前記酸化タンタルの層は堆積の時に結晶質の酸化タンタルを含み、前記酸化ニオブは前記酸化タンタルの結晶化温度を低くすることを特徴とする請求項１３の方法。
【請求項１６】
結晶質の窒化ニオブから成る第１の電極上に接して酸化タンタルから成る層を形成するステップであって、前記酸化タンタルの層は堆積の時に少なくとも一部は結晶質である、形成するステップと、
前記酸化タンタルの層の前記結晶質の部分上に接して第２の電極を形成するステップと、
を含む、キャパシタの作成方法。
【請求項１７】
半導体基板もしくは基板アセンブリの少なくとも一部に隣接する結晶質の窒化ニオブを形成するステップと、
前記結晶質の窒化ニオブの最も外側の表面上に結晶質の酸化ニオブを形成するステップと、
前記最も外側の表面の前記酸化ニオブ上に接して酸化タンタルから成る層を形成するステップであって、前記酸化ニオブは前記酸化タンタルの結晶化温度を低くし、前記酸化タンタルの層は堆積の時に少なくとも部分的に結晶質である、形成するステップと、
前記酸化タンタルの層の前記結晶質の部分上に接して電極を形成するステップと、
を含む、半導体デバイスの作成方法。
【請求項１８】
前記半導体デバイスをアニーリングするステップを更に含む、請求項１７の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月27日(2011.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）１から４０重量％までの量の（ポリ）シラン類、（ポリ）ゲルマン類、（ポリ）ゲルマシラン類、並びにシリコン及び／又はゲルマニウムのナノ粒子からなる群から選択される１つ又は複数の半導体の前駆体であって、前記（ポリ）シラン類、（ポリ）ゲルマン類、及び（ポリ）ゲルマシラン類が、（ｉ）少なくとも１５個のシリコン及び／又はゲルマニウム原子、並びに（ｉｉ）水素を有する化学種から本質的になる前駆体と
ｂ）該１つ又は複数の半導体の前駆体を溶解できる溶媒とを含み、２から１００ｃＰまでの粘度を有する組成物。
【請求項２】
前記組成物は、前記（ポリ）シラン（複数可）及び前記溶媒から本質的になり、
前記溶媒が、Ｃ５〜Ｃ１２直鎖若しくは分枝アルカン、Ｃ５〜Ｃ１０モノ若しくはビシクロアルカン、又は最大３個までのＣ１〜Ｃ４アルキル基によって置換されているＣ５〜Ｃ１０モノ若しくはビシクロアルカンを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
基板上にパターン化した材料を形成する方法であって、
ａ）前記材料の前駆体と溶媒とを含み粘度が２から１００ｃＰまでであるインクを、前記基板上にパターンとして印刷するステップと、
ｂ）前記前駆体（又はより高分子量の若しくはより不溶性のその誘導体）を前記パターンとして沈殿させてピンニングラインを形成するステップと、
ｃ）前記ピンニングラインによって画定されており、前記前駆体（又はより高分子量の若しくはより不溶性のその誘導体）を含む形体を形成するために、前記溶媒を十分に蒸発させるステップと、
ｄ）前記前駆体（又はより高分子量の若しくはより不溶性のその誘導体）を前記パターン化した材料に転化するステップとを含み、
前記前駆体が（ポリ）シラン類、（ポリ）ゲルマン類、（ポリ）ゲルマシラン類である方法。
【請求項４】
前記インクが、前記前駆体の１〜４０％の質量負荷を有し、前記ポリシランが、少なくとも１５個のシリコン及び水素を有する化学種から本質的になる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記パターン化した電子的に機能する材料が、ドーム型の断面の輪郭を有する複数の形
体を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記溶媒が、Ｃ５〜Ｃ１０アルカン又はＣ５〜Ｃ１０モノ若しくはビシクロアルカンを含み、そのいずれかが、最大３個までのＣ１〜Ｃ４アルキル基によって置換されていてもよい、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記前駆体をパターンとして沈殿させてピンニングラインを形成するステップが、前記インクに照射するステップが、０．５〜１０Ｗ／ｃｍ２の範囲の出力及び２００から４５０ｎｍまでの範囲の波長を有する紫外線を照射することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項８】
前記前駆体を沈殿させるステップと前記溶媒を蒸発させるステップとが同時に起こる、請求項３に記載の方法。
【請求項９】
前記印刷を不活性雰囲気中で行う、請求項３に記載の方法。
【請求項１０】
基板上のパターンであって、前記パターンがシリコン及びゲルマニウムからなる群から選択される１以上のＩＶＡ族元素を含み、少なくとも１つの軸に沿ったドーム型の断面の輪郭を有し、包括図の中に丸い角を有する、パターン。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月7日(2011.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、
基板を用意すること、
ゲート電極を前記基板の上に配置されるように形成すること、
第１の斜め金属注入を第１の角度において前記基板中に、第１の方向から行なうこと、
第２の斜め金属注入を前記第１の角度において前記基板中に、前記第１の方向とは異なる第２の方向から行なうことであって、前記第１の斜め金属注入と前記第２の斜め金属注入とが、基板内に第１の電流電極と第２の電流電極とを形成する、前記第２の斜め金属注入を行なうこと、
第３の斜め金属注入を前記基板中に、前記第１の角度よりも小さい第２の角度において、第３の方向から行なうこと、
第４の斜め金属注入を前記第２の角度において前記基板中に、前記第３の方向とは異なる第４の方向から行なうことであって、前記第１の電流電極と前記第２の電流電極とはそれぞれ、金属組成が異なる少なくとも２つの領域を有し、前記第１の電流電極は、前記第２の電流電極とは対称的な組成を有する、前記第４の斜め金属注入を行なうこと、
金属層を前記ゲート電極と前記第１の電流電極と前記第２の電流電極との上に配置されるように堆積すること、
前記金属層をアニールして、障壁レベルの異なる２つのショットキ接合部を前記第１の電流電極及び前記第２の電流電極のそれぞれにおいて形成すること
を備える方法。
【請求項２】
前記第１の方向を、前記第２の方向と実質的に反対側に実現することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の電流電極及び前記第２の電流電極のそれぞれにおける２つのショットキ接合部のうち第１のものは、前記ゲート電極の下に配置されたチャネル領域に隣接し、障壁高さが実質的に同じである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の電流電極を形成することはさらに、
前記第１の電流電極の下面と前記基板との第１の界面に第１のショットキ接合部を有する第１の金属組成の第１の領域を形成すること、
前記第１の電流電極のチャネル・エッジ面と前記基板との第２の界面に第２のショットキ接合部を有する第２の金属組成の第２の領域を形成すること
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の斜め金属注入と前記第２の斜め金属注入とをそれぞれ行なうことはさらに、斜め金属注入を、イットリウム、ボロン、およびプラチナの群からなる金属を用いて行なうことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第３の斜め金属注入と前記第４の斜め金属注入とをそれぞれ行なうことはさらに、斜め金属注入を、エルビウム、ヒ素、およびアルミニウムの群からなる金属を用いて行なうことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のショットキ接合部はショットキ障壁高さが前記第２のショットキ接合部よりも高い、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
第１の電流電極と第２の電流電極とを形成することは、さらに、
前記第１の電流電極を、第１のショットキ障壁高さを有する第１のショットキ接合部を有する第１の領域を伴って形成すること、
前記第１の電流電極を、第２のショットキ障壁高さを有する第２のショットキ接合部を有する第２の領域を伴って形成すること、
前記第２の電流電極を、第３のショットキ障壁高さを有する第３のショットキ接合部を有する第１の領域を伴って形成すること、
前記第２の電流電極を、前記第２のショットキ障壁高さを有する第２のショットキ接合部を有する第２の領域を伴って形成すること
を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第１のショットキ障壁高さは前記第３のショットキ障壁高さよりも低い、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月19日(2011.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像信号を読み出す方法であって、
少なくとも２つの光感受領域を設けるステップと、
前記少なくとも２つの光感受領域の夫々に各自関連する少なくとも２つのトランスファーゲートを設けるステップと、
前記少なくとも２つのトランスファーゲートに電気的に接続されるコモン電荷−電圧変換領域を設けるステップと、
前記コモン電荷−電圧変換領域をリセットするリセットメカニズムを設けるステップと、
前記少なくとも２つの光感受領域のうち少なくとも１つの光感受領域から電荷を運んだ後、第１の時点で前記少なくとも２つのトランスファーゲートの全てを無効にするステップと、
続く第２の時点で少なくとも１つのトランスファーゲートを有効にするステップと、
前記第２の時点から前記少なくとも１つのトランスファーゲートが有効なままである間、続く第３の時点で前記少なくとも２つの光感受領域のうち少なくとも１つの他の光感受領域から電荷を運ぶステップと
を有する方法。
【請求項２】
前記第２の時点と前記第３の時点との間に前記コモン電荷−電圧変換領域をリセットするステップを更に有する請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも２つの光感受領域に少なくとも２つの異なる光感受性を与えるステップと、
より高い光感受性を有する前記少なくとも２つの光感受領域のうち少なくとも１つの他の光感受領域から前記第３の時点に電荷を運ぶステップと
を更に有する請求項１記載の方法。
【請求項４】
画像信号を読み出す方法であって、
少なくとも１つの光感受領域を設けるステップと、
前記少なくとも１つの光感受領域に関連する少なくとも１つのトランスファーゲートを設けるステップと、
前記少なくとも１つのトランスファーゲートに電気的に接続されるコモン電荷−電圧変換領域を設けるステップと、
前記コモン電荷−電圧変換領域をリセットするリセットメカニズムを設けるステップと、
前記コモン電荷−電圧変換領域をリセットするステップと、
リセット値の第１サンプルを測定するステップと、
前記少なくとも１つの光感受領域から前記コモン電荷−電圧変換領域へ電荷を運ぶよう前記少なくとも１つのトランスファーゲートを動作させるステップと、
前記少なくとも１つのトランスファーゲートのオン状態で前記コモン電荷−電圧変換領域での信号の第２サンプルを測定するステップと、
前記少なくとも１つのトランスファーゲートのオフ状態で前記コモン電荷−電圧変換領域での前記信号の第３サンプルを測定するステップと
を有する方法。
【請求項５】
前記少なくとも１つのトランスファーゲートのオフ状態で前記コモン電荷−電圧変換領域をリセットするステップと、
前記少なくとも１つのトランスファーゲートのオン状態で前記コモン電荷−電圧変換領域の第４サンプルを測定するステップと
を更に有する請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つのトランスファーゲートのオフ状態で前記コモン電荷−電圧変換領域をリセットするステップと、
前記少なくとも１つのトランスファーゲートのオフ状態で前記コモン電荷−電圧変換領域の第４サンプルを測定するステップと、
前記少なくとも１つのトランスファーゲートのオン状態で前記コモン電荷−電圧変換領域の第５サンプルを測定するステップと
を更に有する請求項４記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月6日(2011.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
一例では、所与の時間スロットにおいて、信号ｘ（ｍ）をｍ番目の送信アンテナ１１２から送信することが可能である。さらに、すべての送信アンテナｍ  １１２（ｍ＝１，…，Ｍ）について、それぞれの送信アンテナから、独立した信号ｘ（ｍ）を送信することが可能である。そのような例では、送信アンテナ１１２あたりの平均送信電力は、
【数１１】
2010526463.tif 000001
（たとえば、
【数１２】
2010526463.tif 000002
）であることが可能であり、これによって、送信アンテナ１１２の結合送信電力は確実に１になる。この例では、ｋ番目の受信側ユーザ１２０および／または１３０のｎ番目のアンテナ１２２および／または１３２が基地局１１０のｍ番目の送信アンテナ１１２から受信する信号を、次式で表すことが可能である。
【数１３】
2010526463.tif 000003
信号ｘ（ｍ）をｋ番目の受信側ユーザ１２０および／または１３０の所望の信号であると仮定し、他の信号ｘ（ｍ′）、ｍ′≠ｍを干渉と見なすことにより、受信信号ｙｋ（ｎ）の瞬時ＳＩＮＲを、次式で表すことが可能である。
【数１４】
2010526463.tif 000004
ただし、
【数１５】
2010526463.tif 000005
は、ｋ番目の受信側ユーザ１２０および／または１３０のダウンリンク信号対雑音比（ＳＮＲ）である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
一態様によれば、レイリーフェージングチャネルに対する、図２〜図４に示した完全フィードバックスケジューリングアルゴリズムの達成可能スループットの平均は、以下のように導出することが可能である。受信側でのガウスコードおよび最小距離復号により、ＳＩＮＲフィードバックによるスケジューリングの瞬時合計速度は、次式で表すことが可能である。
【数２６】
2010526463.tif 000006
ただし、
【数２７】
2010526463.tif 000007
は、ｍ番目の送信アンテナによってスケジュールされたユーザ
【数２８】
2010526463.tif 000008
のＳＩＮＲであり、
【数２９】
2010526463.tif 000009
は、ユーザ
【数３０】
2010526463.tif 000010
によって選択された受信アンテナである。この式から、以下が成り立つことがわかる。
【数３１】
2010526463.tif 000011
ただし、
【数３２】
2010526463.tif 000012
であり、すべてのｌ＝１，…，ＮＫおよびｊ＝１，…，Ｍ−１に対して
【数３３】
2010526463.tif 000013
である。独立同一分布パラメータｈｋ（ｎ，ｍ）∀ｎ，ｍ，ｋの任意のｋおよびｍに対して
【数３４】
2010526463.tif 000014
であるため、Ｅ｜Ｉｍ｜はＫ／Ｍに近づくことがわかる。したがって、スケジュールされたユーザのＳＩＮＲは、式（９）の最後のステップに示されたＥ｜Ｉｍ｜・｜Ｓｔ｜・｜Ｓｒ｜＝ＮＫ個の候補から選択されると見なすことが可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
次に、以下の表記を行うことが可能である。
【数４０】
2010526463.tif 000015
これらの表記に基づき、式（８）および（９）を用いて、レイリーフェージングチャネルに対して平均された、図２〜図４に示したスケジューリングアルゴリズムに従うシステムスループットは、次式で与えることが可能である。
【数４１】
2010526463.tif 000016
ただし、ｆＵ（ｔ）はＵのＰＤＦである。すべての同一
【数４２】
2010526463.tif 000017
について、順序統計量を用いて、式（１４）から次式を導出することが可能である。
【数４３】
2010526463.tif 000018
したがって、フェージングチャネルに対して平均された、図２〜図４に示したＭＩＭＯダウンリンクスケジューリングの達成可能なスループットは、次式で表すことが可能であることがわかる。
【数４４】
2010526463.tif 000019
さらに、システムスループットの数値近似は、式（１１）および（１２）を式（１７）に代入することによって得られることが理解される。