(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理対象の基板が載置される載置部と、
基板に対して処理を実行する複数の処理モジュールを備えた基板処理部と、
前記載置部と処理モジュールとの間に設けられた基板搬送機構と、
前記基板処理部における処理枚数に応じた基板搬送機構の動作速度の設定値と、前記基板処理部における単位時間あたりの基板の処理枚数と、を対応させた搬送パラメータを複数組記憶するパラメータ記憶部と、
前記基板の処理に係るレシピに応じて決定され、前記基板処理部における単位時間あたりの基板の処理枚数と、前記パラメータ記憶部に記憶されている搬送パラメータに対応した処理枚数とを比較し、前記レシピに応じて決定される処理枚数以上の前記搬送パラメータに対応した処理枚数のうち、最小の処理枚数に対応した搬送パラメータをパラメータ記憶部の中から選択するパラメータ選択部と、
前記パラメータ選択部にて選択された搬送パラメータの設定値に基づいて前記基板搬送機構を制御する搬送制御部と、を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記基板処理部内の処理モジュールに処理時間が互いに異なる基板が混在する場合に、前記パラメータ選択部は、処理時間が最も短い基板のレシピに応じて決定される処理枚数と前記搬送パラメータに対応した処理枚数とを比較した結果に基づいて前記搬送パラメータを選択することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記レシピに応じて決定される処理枚数は、基板が前記載置部に載置された後、当該基板に設定されたレシピを参照して得られることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板処理部は、前記載置部と処理モジュールとの間の基板の搬送経路上で分岐した複数の分岐路に各々設けられ、前記基板搬送機構は、前記各分岐路内の基板処理部に対して基板を搬送する独立基板搬送機構と、複数の分岐路を繋ぐ共通の搬送経路にて基板の搬送を行う共通基板搬送機構と、に分けられ、前記パラメータ選択部は、前記各独立基板搬送機構の制御に用いる搬送パラメータの選択については、当該独立基板搬送機構が設けられている分岐路以外の分岐路に設けられている処理モジュールを除外した場合に処理時間が最も短い基板のレシピに応じて決定される処理枚数を特定することを特徴とする請求項２または３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記パラメータ選択部は、前記載置部に載置された複数の基板と当該基板の搬送先の処理モジュールとを搬送経路に沿って対応付けてこれらの基板が搬送される順序を時系列に並べて作成された搬送スケジュールに基づいて前記処理時間が最も短い基板のレシピに応じて決定される処理枚数を特定することを特徴とする請求項２ないし４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記パラメータ記憶部内の前記搬送パラメータは、前記動作速度の設定値に加えて基板搬送機構の加速度の設定値と、前記基板処理部における単位時間あたりの基板処理枚数と、を対応させていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項７】
処理対象の基板が載置される載置部と、処理を実行する複数の処理モジュールを備えた基板処理部との間で基板搬送機構により基板を搬送し、前記処理モジュールにて基板を処理する基板処理方法において、
前記基板処理部における処理枚数に応じた基板搬送機構の動作速度の設定値と、前記基板処理部における単位時間あたりの基板の処理枚数と、を対応させた複数組の搬送パラメータから、前記基板の処理に係るレシピに応じて決定される、前記基板処理部における単位時間あたりの基板の処理枚数と、前記搬送パラメータに対応した処理枚数とを比較し、前記レシピに応じて決定される処理枚数以上の前記搬送パラメータに対応した処理枚数のうち、最小の処理枚数に対応した搬送パラメータを選択する工程と、
前記選択された搬送パラメータの設定値に基づいて前記基板搬送機構を制御する工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
前記基板処理部内の処理モジュールに処理時間が互いに異なる基板が混在する場合に、前記搬送パラメータは、処理時間が最も短い基板のレシピに応じて決定される処理枚数と前記搬送パラメータに対応した処理枚数とを比較した結果に基づいて選択することを特徴とする請求項７に記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記レシピに応じて決定される処理枚数は、基板が前記載置部に載置された後、当該基板に設定されたレシピを参照して得られることを特徴とする請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記基板処理部は、前記載置部と処理モジュールとの間の基板の搬送経路上で分岐した複数の分岐路に各々設けられ、前記基板搬送機構は、前記各分岐路内の基板処理部に対して基板を搬送する独立基板搬送機構と、複数の分岐路を繋ぐ共通の搬送経路にて基板の搬送を行う共通基板搬送機構と、に分けられ、前記搬送パラメータを選択する工程では、前記各独立基板搬送機構の制御に用いる搬送パラメータの選択については、当該独立基板搬送機構が設けられている分岐路以外の分岐路に設けられている処理モジュールを除外した場合に処理時間が最も短い基板のレシピに応じて決定される処理枚数に対応する設定値を選択することを特徴とする請求項８または９に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記搬送パラメータを選択する工程では、前記載置部に載置された複数の基板と当該基板の搬送先の処理モジュールとを搬送経路に沿って対応付けてこれらの基板が搬送される順序を時系列に並べて作成された搬送スケジュールに基づいて前記処理時間が最も短い基板のレシピに応じて決定される処理枚数を特定することを特徴とする請求項８ないし１０のいずれか一つに記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記搬送パラメータは、前記動作速度の設定値に加えて基板搬送機構の加速度の設定値と、前記基板処理部における単位時間あたりの基板処理枚数と、を対応させていることを特徴とする請求項７ないし１１のいずれか一つに記載の基板処理方法。
【請求項１３】
基板の処理を行う基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、前記プログラムは請求項７ないし１２のいずれか一つに記載された基板処理方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の処理が行われる処理モジュールに、基板搬送機構を用いて基板を搬送する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板である半導体ウエハ（以下、ウエハという）などに対して洗浄処理やレジストの塗布、露光後の現像などの各種の処理を行う基板処理装置には、処理対象のウエハを収容したキャリアから、各種の処理が実行される処理モジュールまでウエハを搬送するウエハ搬送機構を備えているものがある。
【０００３】
この種の基板処理装置においては、処理モジュールの設置数や処理時間などに基づいて定まる単位時間あたりの処理枚数（以下、本明細書では、１時間あたりに処理可能なウエハの枚数（ｗｐｈ）を「スループット」という）の最大値が定められている。このときウエハ搬送機構の動作速度は、上述の最大スループットを実現する条件下で処理モジュールを稼働させた場合に、ウエハ搬送機構の動作の遅滞に起因する待ち時間などが発生しない程度に十分に速い速度に設定されている。
【０００４】
ところが実際の基板処理装置において、処理モジュールにて処理を完了するまでに要する時間は、処理の内容や設定条件に応じて変化し、処理モジュールは、常に最大スループットが達成される条件下で稼働するわけではない。一方で、このような条件下でもウエハ搬送機構の動作速度が常に最大スループットを実現可能な値に設定されていると、不必要な酷使により部品の損耗を早めてしまうおそれがある。
【０００５】
このような課題に対し、例えば特許文献１には、ＦＰＤ（Flat Panel Display）に使用されるガラス基板に対してエッチング処理を実行する処理装置において、常圧雰囲気と真空雰囲気の切り替えを行うロードロック室（前段モジュール）と、処理を実行する処理室（プロセスモジュール）との間で基板を搬送するにあたり、処理室での処理が終了していないことにより待ち時間が発生する場合には、基板の搬送機構の搬送速度を遅くする技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−２８３２８５号公報：段落００４６〜００５０、図７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
引用文献１に記載の技術においては、処理室におけるエッチング処理の時間との関係で、処理室内の基板を入れ替える動作に待ち時間が発生した場合に、エッチングが完了するタイミングと、次に処理される基板が処理室に到着するタイミングとが同じになるように搬送機構の動作速度を遅くする。しかしながらこの例のように、エッチング処理の完了時間とのタイミングを見て自在に動作速度を変化させると、動作確認をしていない動作速度に変更されてしまう場合がある。動作確認をしていない動作速度は、基板の搬送不良につながる可能性もあり、搬送の信頼性を担保しつつ搬送機構の動作速度を変更可能な技術が必要となっている。
【０００８】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、基板の処理時間に応じて基板搬送機構の動作を変更することが可能で、搬送の信頼性が高い基板処理装置、基板処理方法及びこの方法を記憶した記憶媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の基板処理装置は、処理対象の基板が載置される載置部と、
基板に対して処理を実行する複数の処理モジュールを備えた基板処理部と、
前記載置部と処理モジュールとの間に設けられた基板搬送機構と、
前記基板処理部における処理枚数に応じた基板搬送機構の動作速度の設定値と、前記基板処理部における単位時間あたりの基板の処理枚数と、を対応させた搬送パラメータを複数組記憶するパラメータ記憶部と、
前記基板の処理に係るレシピに応じて決定され、前記基板処理部における単位時間あたりの基板の処理枚数と、前記パラメータ記憶部に記憶されている搬送パラメータに対応した処理枚数とを比較し、前記レシピに応じて決定される処理枚数以上の前記搬送パラメータに対応した処理枚数のうち、最小の処理枚数に対応した搬送パラメータをパラメータ記憶部の中から選択するパラメータ選択部と、
前記パラメータ選択部にて選択された搬送パラメータの設定値に基づいて前記基板搬送機構を制御する搬送制御部と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
前記基板処理装置は、下記の構成を備えていてもよい。  
（ａ）前記基板処理部内の処理モジュールに処理時間が互いに異なる基板が混在する場合に、前記パラメータ選択部は、処理時間が最も短い基板のレシピに応じて決定される処理枚数と前記搬送パラメータに対応した処理枚数とを比較した結果に基づいて前記搬送パラメータを選択すること。前記レシピに応じて決定される処理枚数は、基板が前記載置部に載置された後、当該基板に設定されたレシピを参照して得られること。  
（ｂ）前記基板処理部は、前記載置部と処理モジュールとの間の基板の搬送経路上で分岐した複数の分岐路に各々設けられ、前記基板搬送機構は、前記各分岐路内の基板処理部に対して基板を搬送する独立基板搬送機構と、複数の分岐路を繋ぐ共通の搬送経路にて基板の搬送を行う共通基板搬送機構と、に分けられ、前記パラメータ選択部は、前記各独立基板搬送機構の制御に用いる搬送パラメータの選択については、当該独立基板搬送機構が設けられている分岐路以外の分岐路に設けられている処理モジュールを除外した場合に処理時間が最も短い基板のレシピに応じて決定される処理枚数を特定すること。  
（ｃ）前記パラメータ選択部は、前記載置部に載置された複数の基板と当該基板の搬送先の処理モジュールとを搬送経路に沿って対応付けてこれらの基板が搬送される順序を時系列に並べて作成された搬送スケジュールに基づいて前記処理時間が最も短い基板のレシピに応じて決定される処理枚数を特定すること。  
（ｄ）前記パラメータ記憶部内の前記搬送パラメータは、前記動作速度の設定値に加えて基板搬送機構の加速度の設定値と、前記基板処理部における単位時間あたりの基板処理枚数と、を対応させていること。
【発明の効果】
【００１１】
本発明は、基板搬送機構の動作速度の設定値と単位時間あたりの基板の処理枚数とを対応させた搬送パラメータを複数組用意し、基板の処理に係るレシピに応じて決定される実際の単位時間あたりの処理枚数に制約を加えず、且つ、動作速度が最も小さくなるように選択された搬送パラメータの設定値に基づいて基板搬送機構を制御するので、基板搬送機構に加わる負荷を必要最低限に抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施の形態に係る液処理装置の横断平面図である。
【図２】前記液処理装置の縦断側面図である。
【図３】前記液処理装置の縦断正面図である。
【図４】前記液処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図５】ウエハに設定される処理情報の構成例を示す説明図である。
【図６】前記液処理装置に設けられているウエハ搬送機構の制御に用いられる搬送パラメータのリストである。
【図７】前記搬送パラメータの設定値の例を示す説明図である。
【図８】種類の異なるウエハ搬送機構に対する搬送パラメータの設定例を示す説明図である。
【図９】搬送パラメータの設定値を変更したときのウエハ搬送機構の搬送速度の変化を示す説明図である。
【図１０】ウエハに対して実施される処理の内容を示した処理レシピの例を示す説明図である。
【図１１】ウエハに処理可能枚数の情報を設定する動作の流れを示すフロー図である。
【図１２】ウエハ搬送機構に対して動作速度等を設定する動作の流れを示すフロー図である。
【図１３】前記液処理装置におけるウエハの搬送動作に係る第１の作用説明図である。
【図１４】前記搬送動作に係る第２の作用説明図である。
【図１５】前記搬送動作に係る第３の作用説明図である。
【図１６】本発明の他の実施の形態に係る塗布、現像装置の外観斜視図である。
【図１７】前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送動作に係る作用説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態の一例として、基板であるウエハＷの洗浄を行う液処理装置１に本発明を適用した例を説明する。図１、図２に示すように、液処理装置１は、複数のウエハＷを収容したキャリアであるＦＯＵＰ１００を載置する載置ブロック１１と、載置ブロック１１に載置されたＦＯＵＰ１００からのウエハＷの搬入・搬出を行う搬入出ブロック１２と、搬入出ブロック１２と後段の液処理ブロック１４との間でウエハＷの受け渡しを行う受け渡しブロック１３と、ウエハＷに液処理を施すための液処理ブロック１４と、この液処理ブロック１４に設けられた液処理モジュール２との間でウエハＷの搬送が行われる搬送ブロック１４２ａ、１４２ｂとを備えている。
【００１４】
液処理ブロック１４は本例の基板処理部に相当し、図２、図３に示すように上段側の第１処理ブロック１４１ａと下段側の第２処理ブロック１４１ｂとに分かれ、これらの処理ブロック１４１ａ、１４１ｂが上下に積層して配置されている。処理ブロック１４１ａ、１４１ｂには複数台の液処理モジュール２が設けられていて複数枚のウエハＷを並行して処理することができる。  
また載置ブロック１１を手前としたとき、載置ブロック１１、搬入出ブロック１２、受け渡しブロック１３、液処理ブロック１４は、手前側からこの順に、隣接して設けられている。
【００１５】
載置ブロック１１は、複数のウエハＷを水平状態で収容するＦＯＵＰ１００を載置台１１１上に載置する。即ち、載置ブロック１１は、ＦＯＵＰ１００を介してウエハＷが載置される本例の載置部に相当する。搬入出ブロック１２は、ＦＯＵＰ１００から払い出されたウエハＷの搬送を行う。受け渡しブロック１３は、ウエハＷの受け渡しを行う。搬入出ブロック１２および受け渡しブロック１３は、筐体内に収められている。
【００１６】
搬入出ブロック１２は、ウエハ搬送機構１２１を有している。ウエハ搬送機構１２１は、ウエハＷを保持する搬送アーム１２２、および搬送アーム１２２を前後（Ｘ方向）に移動させる機構を有している。またウエハ搬送機構１２１は、ＦＯＵＰ１００の配列方向（Ｙ方向）に延びる水平ガイド１２３（図１参照）に沿って移動する機構、垂直方向（Ｚ方向）に設けられた不図示の垂直ガイドに沿って移動する機構、水平面内で搬送アーム１２２を鉛直軸周り（θ方向）に回転させる機構を有している。このウエハ搬送機構１２１により、ＦＯＵＰ１００と受け渡しブロック１３との間でウエハＷが搬送される。
【００１７】
受け渡しブロック１３は、ウエハＷを載置可能な受け渡し棚１３１を有している。図２に示すように受け渡し棚１３１は、上段側の第１処理ブロック１４１ａとの間でウエハＷの搬入、搬出が行われる第１受け渡し棚１３１ａと、下段側の第２処理ブロック１４１ｂとの間でウエハＷの搬入、搬出が行われる第２受け渡し棚１３１ｂと、に上下に分けて設けられている。第１処理ブロック１４１ａで処理されるウエハＷは、一旦、下段側の第２受け渡し棚１３１ｂに載置され、前後方向（Ｘ方向）に移動自在な搬送アーム１３３を備え、上下方向（Ｚ方向）に昇降自在に構成された移載機構１３２（図１参照）によって第１受け渡し棚１３１ａに移載される。そして、処理を終えたウエハＷは、同じく移載機構１３２によって第１受け渡し棚１３１ａから第２受け渡し棚１３１ｂに移載され、ウエハ搬送機構１２１によってＦＯＵＰ１００へ向けて搬送される。
【００１８】
既述のように液処理ブロック１４は、第１処理ブロック１４１ａと第２処理ブロック１４１ｂとが上下に積層して設けられており、各処理ブロック１４１ａ、１４１ｂには複数の液処理モジュール２が配置されている。手前側（載置ブロック１１）側から見ると、各処理ブロック１４１ａ、１４１ｂは、搬送ブロック（上段側の第１の搬送ブロック１４２ａ、下段側の第２の搬送ブロック１４２ｂ）を挟んで左右に複数台の液処理モジュール２を並べた構成となっている。
【００１９】
本例では、受け渡しブロック１３との接続部を基端として、前後方向に伸びる搬送ブロック１４２ａ、１４２ｂに沿って５台の液処理モジュール２が２列ずつ、上下２段に配置されている。従って、本例の液処理装置１は、合計２０台の液処理モジュール２を備えていることになる。
【００２０】
各段の搬送ブロック１４２ａ、１４２ｂにはウエハ搬送機構１４３が設けられている。これらウエハ搬送機構１４３は互いにほぼ同じ構成を備えており、例えば図１に示すようにウエハＷを保持し、各液処理モジュール２に向かって前後方向（Ｘ方向）にスライド自在に構成された２枚の搬送アーム１４４を備え、液処理モジュール２の配列方向（Ｙ方向）及び上下方向（Ｚ方向）に移動自在、鉛直軸回り（θ方向）に回転自在に構成されている。
【００２１】
処理ブロック１４１ａ、１４１ｂ内に設けられている各液処理モジュール２は、例えばスピン処理によりウエハＷの液処理を１枚ずつ行うことができる。図３の縦断正面図に例示するように液処理モジュール２は、カップ２１内に配置されたウエハ保持部２２にてほぼ水平に保持されたウエハＷを鉛直軸周りに回転させる。そしてノズルアーム２４に保持されたノズル２３１を回転するウエハＷの上方に進入させ、各種の薬液（例えばＳＣ１液（アンモニアと過酸化水素水の混合液）や酸性薬液である希フッ酸水溶液（以下、ＤＨＦ（Diluted HydroFluoric acid））など）やリンス液を予め定められた順に供給することによりウエハの上面側（表面を上面に向けて保持されている場合には表面、裏面を上面に向けている場合には裏面）の液処理が行われる。
【００２２】
以上に説明した構成を備えた液処理装置１内において、ウエハＷは、載置ブロック１１上のＦＯＵＰ１００→搬入出ブロック１２→受け渡しブロック１３→搬送ブロック１４２ａ、搬送ブロック１４２ｂ→各液処理モジュール２の順に構成される搬送経路内を通って液処理装置１内を搬送され、液処理モジュール２内にて予め設定された液処理が実行される。そして液処理を終えたウエハＷは、搬入時の経路とは反対の搬送経路を通って元のＦＯＵＰ１００に戻される。
【００２３】
本例の液処理装置１は、単位時間あたりにウエハＷを処理する枚数に応じて、上述の搬送経路内にてウエハＷの搬送を実行するウエハ搬送機構１２１、移載機構１３２、ウエハ搬送機構１４３（以下、これらをまとめて基板搬送機構とも呼ぶ）の動作速度を変更することができる。以下、これら基板搬送機構の動作速度の変更を行うための構成について説明する。
【００２４】
図４のブロック図に電気的構成を示すように、液処理装置１は、制御部４とメモリ３とを有するコンピュータを備えている。制御部４はＣＰＵ（Central Processing Unit）４１とプログラム格納部４２とからなり、プログラム格納部４２には当該液処理装置１の作用、即ち、載置ブロック１１に載置されたＦＯＵＰ１００からウエハＷを取り出し、搬送経路に沿ってウエハＷを搬送した後、各液処理モジュール２にて液処理を実行し、処理後のウエハＷを搬送経路に沿って搬送し、ＦＯＵＰ１００に格納するまでの動作に係わる制御についてのステップ（命令）群が組まれたプログラムが記録されている。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカードなどの記憶媒体に格納され、そこからコンピュータにインストールされる。なお図４においては、プログラム格納部４２と後述のメモリ３とは別々の記憶媒体として記載しているが、これらを共通の記憶媒体により構成してもよい。  
また、制御部４には、液処理装置１の筐体に設けられたタッチパネル式の液晶ディスプレイなどにより構成される運転操作部４３が接続されている。
【００２５】
これらの動作を実行するためのプログラムに加え、基板搬送機構（ウエハ搬送機構１２１、移載機構１３２、ウエハ搬送機構１４３）の動作速度の変更を行う動作に係るプログラムとして、プログラム格納部４２にはＦＯＵＰ１００内のウエハＷの搬送先及び搬送順序を時系列に並べた搬送スケジュールを作成するスケジューラプログラム４２１と、各基板搬送機構の動作速度の選択を行うパラメータ選択プログラム４２２とが格納されている。
【００２６】
ウエハＷの搬送スケジュールを作成するためのデータとして、メモリ３には搬送レシピ３２、処理レシピ３１が記憶されている。搬送レシピ３２はＦＯＵＰ１００と液処理モジュール２との間をウエハＷが搬送される搬送経路（載置ブロック１１−搬入出ブロック１２−受け渡しブロック１３−搬送ブロック１４２ａ、搬送ブロック１４２ｂ）を示す情報が設定されている。複数のモジュールを備えたブロック１３、１４２ａ、１４２ｂにおいては、各モジュール（受け渡しブロック１３の第１受け渡し棚１３１ａ、第２受け渡し棚１３１ｂ、第１処理ブロック１４１ａ、第２処理ブロック１４１ｂの各液処理モジュール２）を識別して搬送先の選択を行うことができる。なお図１３〜図１５においては、各液処理モジュール２の識別情報として、１番〜２０番の番号を付してある。搬送レシピ３２は処理レシピ３１の選択結果などに応じて複数種類の中から選択することができる。
【００２７】
処理レシピ３１には、各液処理モジュール２にて実行される処理の内容（液処理、乾燥処理）、や供給される処理液の種類（薬液、リンス液）、ウエハＷの回転速度や処理時間、各処理の実行順序などに関する情報が設定されている。処理レシピ３１は、ＦＯＵＰ１００内のウエハＷに設定されている情報に応じて、複数種類の中から選択することができる。
【００２８】
一方、工場内を搬送され、各処理装置にて処理が実行されるＦＯＵＰ１００内のウエハＷには、予め液処理装置１内にて実行される処理の内容が設定されている。例えば図５に示すように、ＦＯＵＰ１００内のウエハＷには、コントロールジョブ（ＣＪ）及びプロセスジョブ（ＰＪ）が設定されている。ＣＪは、各ウエハＷに対して設定されるＰＪのグループ単位であり、本例ではＦＯＵＰ１００毎に設定される。ＰＪは、各ウエハＷに対して実施される処理レシピを特定する情報などが設定される。
【００２９】
例えば各ＦＯＵＰ１００はウエハＷを水平姿勢で保持する２５段のスロットを上下方向に積み重ねた構成となっているとする。図５に例示したＣＪ、ＰＪの設定、確認画面（例えば運転操作部４３に表示される）に示すように、ＣＪには、各ＣＪの個別番号であるＩＤと、当該ＩＤを持つＣＪが設定されるＦＯＵＰ１００を特定する情報とが含まれる。
【００３０】
各ＣＪには、複数のＰＪを設定することが可能であり、ＰＪには、各ＰＪの個別番号であるＩＤと、当該ＩＤを持つＰＪが設定されるウエハＷを特定する情報や実施される処理レシピ３１を特定する情報とが含まれる。各ＰＪが実施されるウエハＷは、ＦＯＵＰ１００のスロットの位置によって特定される。  
これらのＣＪやＰＪに係る情報は、各ＦＯＵＰ１００やその内部に格納されたウエハＷに対して個別に設定されており、制御部４は、工場内の装置を管理するホストコンピュータとの通信などによりこれらの情報を取得する。
【００３１】
スケジューラプログラム４２１により作動する制御部４は、ＰＪに設定されている情報に基づいて当該ウエハＷに実行される処理レシピ３１を選択し、この処理レシピ３１に設定されている処理を実行可能な液処理モジュール２を選択する。そして、載置ブロック１１に載置されたＦＯＵＰ１００と、処理レシピ３１に基づいて選択された液処理モジュール２との間でウエハＷを搬送する経路を設定する搬送レシピ３２を選択する。
【００３２】
このようにしてＦＯＵＰ１００内の各ウエハＷに対して、ウエハＷの搬送順に搬送経路を決定し、これらのウエハＷが搬送される順序を時系列に並べた搬送スケジュールを作成する。この搬送スケジュールにより、基板搬送機構（ウエハ搬送機構１２１、移載機構１３２、ウエハ搬送機構１４３）は、時系列に沿って実行される各搬送ステップにおいて、どの搬送元からどの搬送先へ（ウエハ搬送機構１２１については、載置ブロック１１上のＦＯＵＰ１００の各スロットと、第２受け渡し棚１３１ｂのスロットとの間、移載機構１３２については第２受け渡し棚１３１ｂのスロットと第１受け渡し棚１３１ａのスロットとの間、搬送ブロック１４２ａのウエハ搬送機構１４３については、第１受け渡し棚１３１ａのスロットと、第１処理ブロック１４１ａの各液処理モジュール２との間、搬送ブロック１４２ｂのウエハ搬送機構１４３については、第２受け渡し棚１３１ｂのスロットと、第２処理ブロック１４１ｂの各液処理モジュール２との間）、どのウエハＷを搬送するのかを特定することができる。
【００３３】
この搬送スケジュールが作成されると、制御部４は、各基板搬送機構がウエハＷを搬送する時点において、液処理装置１内の各液処理モジュール２では、どの処理レシピ３１に基づく処理が実行されているのかを特定することができる。  
基板搬送機構（ウエハ搬送機構１２１、移載機構１３２、ウエハ搬送機構１４３）の動作速度を設定する際、制御部４は、この搬送スケジュールを参照してどの程度の動作速度が適切であるかの判断を行う。
【００３４】
メモリ３には、基板搬送機構の動作設定を行うためのデータである搬送パラメータ３３が記憶されている。搬送パラメータ３３はウエハ搬送機構１２１、移載機構１３２、ウエハ搬送機構１４３の各々に対して用意されており、図６に示すように複数種類のスループットに対応させて当該スループット用の設定値が記憶されている。図６に示すように、本例においては、スループットが１００ｗｐｈの場合を最小値として、５０ｗｐｈ刻みでスループットを増加させた複数セットの搬送パラメータ３３が記憶されている。
【００３５】
既述のように、本例においては各基板搬送機構（ウエハ搬送機構１２１、移載機構１３２、ウエハ搬送機構１４３）を基準として、搬送アーム１２２、１３３、１４４のスライド方向をＸ方向、図１の平面図で見て、このスライド方向と交差する基板搬送機構の移動方向をＹ方向、上下方向をＺ方向、鉛直軸周りの回転方向をθ方向として動作速度の制御が行われる（但し、移載機構１３２には、Ｙ方向、θ方向に移動する機能は設けられていない）。図７に示すように本例の搬送パラメータ３３は、これらの各方向へ移動する動作速度（ｖＸ、ｖＹ、ｖＺ、ｖθ）、及びこれらの動作速度に達するまでの各方向の加速度（ａＸ、ａＹ、ａＺ、ａθ）を選択して設定することができる。なお、搬送パラメータ３３には、加速度の設定を行わず、動作速度のみを設定してもよい。
【００３６】
図８に示すように、各基板搬送機構には、移動可能な方向に応じて、搬送パラメータ３３を用いた動作速度の変更が行われる。例えば図８に示した例では、搬入出ブロック１２のウエハ搬送機構１２１及び搬送ブロック１４２ａ、１４２ｂのウエハ搬送機構１４３は、Ｘ、Ｙ、Ｚ、θ方向のいずれにも移動することが可能であるが、これらの方向の内、スループットに対する影響の大きなＸ、Ｙ方向の動作速度、加速度の設定が搬送パラメータ３３を用いて変更される。一方、Ｚ、θ方向の動作速度及び加速度は、搬送パラメータ３３を用いた変更は行われず、例えば固定値が設定されている。また移載機構１３２は、Ｘ、Ｚ方向にのみ移動が可能であり、これらの全方向についての動作速度、加速度の設定が搬送パラメータ３３を用いて変更される。  
これら動作速度、加速度が設定される方向は、必要に応じて適宜、変更してよい。
【００３７】
これら動作速度及び加速度の設定が変更されることにより、搬送スケジュールの各搬送動作において、基板搬送機構は、図９に示すように動作速度ｖ１、及びこの動作速度ｖ１に達するまでの加速度ａ１が、各々動作速度ｖ２、加速度ａ２に変更される。そして、搬送スケジュールにて特定される搬送元と搬送先との間の距離（図９の各台形の面積）が等しくなるように搬送時間の調節が行われる。  
これら動作速度や加速度については、予め動作確認が行われており、各基板搬送機構が搬送不良を起こさずにウエハＷを搬送できることが担保された値を搬送パラメータ３３として設定している。そして、これら動作速度や加速度は、液処理ブロック１４にて、各々所定の処理枚数のウエハＷの処理を実現可能なように設定される設定値である。従って、動作速度や加速度は、液処理ブロック１４における処理枚数に応じて設定されているといえる。
【００３８】
このように、複数の搬送パラメータ３３の中から各基板搬送機構の動作速度を設定するにあたり、パラメータ選択プログラム４２２に基づいて作動する制御部４は、液処理装置１内で実行されている液処理に基づいて液処理装置１のスループットを算出し、このスループットに基づいて適切な搬送パラメータ３３を選択する。パラメータ選択プログラム４２２に基づき動作する制御部４は、本例のパラメータ選択部に相当する。以下、スループットの算出方法の例を説明する。
【００３９】
既述のように、搬送スケジュールが作成されると、各基板搬送機構がウエハＷを搬送する搬送ステップにおいて、液処理モジュール２ではどの処理レシピ３１を選択して処理が行われているのかを把握することができる。図１０に模式的に示すように処理レシピ３１には薬液処理Ｐ１やリンス処理Ｐ２、乾燥処理Ｐ３にて使用される処理液の種類や処理の実行順、処理時間などの情報が設定されている。そこで、制御部４は、処理レシピ３１に記憶されている情報に基づいて液処理装置１におけるウエハＷのスループットを算出し、この算出結果に基づいて図６に示した搬送パラメータリストの中から、液処理装置１のスループットに制約を加えない搬送パラメータ３３を選択する。
【００４０】
例えば図１０に示されているようにある処理レシピ３１で実施される薬液処理Ｐ１、リンス処理Ｐ２、乾燥処理Ｐ３の処理時間が各々ｔ１、ｔ２、ｔ３であったとする（複数種類の薬液を切り替えて供給する場合は、ｔ１〜ｔ３は各薬液処理、リンス処理、乾燥処理の各々トータルの時間を示している）。このとき、液処理モジュール２とウエハ搬送機構１４３との間のウエハＷの受け渡し時間を除いた正味の液処理時間Ｔは、これらの処理時間の合計である。
【００４１】
また、同じ液処理を並行して実行可能な液処理モジュール２の数が増加するほど、液処理装置１のスループットは増加することから、前記液処理時間Ｔを液処理モジュール２の数で除した値が液処理装置１全体で１枚のウエハＷを処理するのに必要な液処理時間となる。従って、液処理装置１のスループットは、３６００秒（１時間）を、液処理装置１が１枚のウエハＷを処理する時間（液処理時間Ｔ／液処理モジュール２の数）で除した値として算出できる（図１０参照）。
【００４２】
制御部４は、搬送スケジュールの作成結果から、各基板搬送機構における液処理装置１のスループットを算出し、このスループットと搬送パラメータ３３に設定されているスループットとを比較する。そして、液処理装置１のスループット以上のスループットが設定された搬送パラメータ３３群の中から、スループットの値が最小の搬送パラメータ３３を選択する。以下、説明の便宜上、搬送パラメータ３３に設定されているスループットを、ウエハＷの処理可能枚数と呼び、処理レシピ３１に基づいて算出されるスループットを、ウエハＷの処理実行枚数と呼んで、これらのスループットを区別する。
【００４３】
さらに図１〜図３を用いて説明したように、本例の液処理装置１は、ウエハＷの搬送経路が途中で第１処理ブロック１４１ａと第２処理ブロック１４１ｂとに向かって分岐している。そして基板搬送機構（ウエハ搬送機構１２１、移載機構１３２、ウエハ搬送機構１４３）は、分岐後の分岐路（搬送ブロック１４２ａ、搬送ブロック１４２ｂ）内でウエハＷを搬送するウエハ搬送機構１４３（独立基板搬送機構に相当する）と、これらの分岐路を繋ぐ共通の搬送経路（ＦＯＵＰ１００−搬入出ブロック１２―受け渡しブロック１３）にてウエハＷを搬送するウエハ搬送機構１２１、移載機構１３２（共通基板搬送機構に相当する）と、に分けることができる。
【００４４】
制御部４は、これら独立基板搬送機構（ウエハ搬送機構１４３）と共通基板搬送機構（ウエハ搬送機構１２１、移載機構１３２）とに対して別々に処理実行枚数の算出の基準となる液処理モジュール２の範囲を設定して搬送パラメータ３３の選択を行うことができる。この機能については、図１３〜図１５の動作説明にて詳述する。
【００４５】
本例においては、上述の基準で選択される搬送パラメータ３３に対応付けて設定されている処理可能枚数（例えば図６の「１００ｗｐｈ」や「２５０ｗｐｈ」を示す情報）が、各基板搬送機構におけるウエハＷの搬送ステップを制御する情報として搬送元、搬送先及び搬送されるウエハＷを特定する情報と共に搬送スケジュール中に設定される。
【００４６】
上述の構成を備えた液処理装置１において、基板搬送機構の動作速度を変更する動作について、図１１〜図１５を参照しながら説明する。  
初めに処理対象のウエハＷを格納したＦＯＵＰ１００が載置ブロック１１に載置されると（図１１のスタート）、各ウエハＷに設定されているＰＪ、及びＰＪにて特定される処理レシピ３１に基づいて、ウエハＷの搬送順（例えばＦＯＵＰ１００の最上段のスロットから下段側へ向けた順番）に、ウエハＷの搬送スケジュールを作成する（ステップＳ１０１）。
【００４７】
搬送スケジュールが作成されたら、基板搬送機構（ウエハ搬送機構１２１、移載機構１３２、ウエハ搬送機構１４３）が各ウエハＷを搬送する期間中、当該基板搬送機構が担当する液処理モジュール２における最大の処理実行枚数を算出する（ステップＳ１０２）。ここで、「基板搬送機構が担当する液処理モジュール２」には、共通基板搬送機構である搬入出ブロック１２のウエハ搬送機構１２１や、受け渡しブロック１３の移載機構１３２に対しては、第１処理ブロック１４１ａ、第２処理ブロック１４１ｂの合計２０台の液処理モジュール２が選択される。また、搬送ブロック１４２ａ、搬送ブロック１４２ｂに各々設けられた独立基板搬送機構であるウエハ搬送機構１４３に対しては、搬送ブロック１４２ａのウエハ搬送機構１４３は、第１処理ブロック１４１ａの１０台の液処理モジュール２が担当範囲であり、搬送ブロック１４２ｂのウエハ搬送機構１４３は、第２処理ブロック１４１ｂの１０台の液処理モジュール２が担当範囲として選択される。
【００４８】
また、「最大の処理実行枚数」とは、担当範囲の液処理モジュール２にて処理実行枚数（既述の液処理時間Ｔ）が異なる複数種類の液処理が並行して実行されている（混在している）とき、これら担当範囲の全ての液処理モジュール２にて処理実行枚数が大きい（液処理時間Ｔが短い）液処理を行ったとした場合に算出される処理実行枚数である。
【００４９】
最大の処理実行枚数が算出されたら、搬送パラメータリスト（図６）から、当該処理実行枚数以上の搬送パラメータ３３群中の最小の処理可能枚数と対応づけられた搬送パラメータ３３を選択する（ステップＳ１０３）。そして、各基板搬送機構のすべてのウエハＷの搬送ステップについて、この最小の処理可能枚数に関する情報を、他の情報（基板搬送機構がウエハＷを搬送する搬送元、搬送先、及び搬送されるウエハＷを特定する情報）と共に搬送スケジュールに設定し（ステップＳ１０４）、搬送パラメータの選択動作を終える（エンド）。
【００５０】
搬送スケジュールの作成、及び搬送パラメータ３３の選択を終え、実際に各基板搬送機構がウエハＷを搬送するタイミングとなったら（図１２のスタート）、搬送スケジュールに設定されている、搬送対象のウエハＷに関する搬送元、搬送先、処理可能枚数の情報を読み出す（ステップＳ２０１）。そして、読み出した処理可能枚数に基づいて搬送パラメータ３３を選択し、搬送制御部である搬送機構コントローラ１５１〜１５３が各基板搬送機構の動作速度や加速度を制御するパラメータ値の設定を行う（ステップＳ２０２）。このように設定された搬送パラメータ３３に基づき搬送機構コントローラ１５１〜１５３が基板搬送機構（ウエハ搬送機構１２１、移載機構１３２、ウエハ搬送機構１４３）を制御し、設定された動作速度にてウエハＷが所定の搬送元から搬送先へと搬送される。搬送機構コントローラ１５１〜１５３は、本例の搬送制御部に相当する。
【００５１】
こうして基板搬送機構の動作速度の選択が行われた液処理装置１の作用について図１３、図１４の模式図を参照して説明する。説明を簡単にするため、これらの図では下段側の第２処理ブロック１４１ｂに設けられている１番〜１０番までの１０台の液処理モジュール２のみを用いて液処理を行う場合について説明する。
【００５２】
図１３において載置ブロック１１上には、処理実行枚数が１４０ｗｐｈ（ＦＯＵＰ１００を斜線のハッチで示している）、及び処理実行枚数が２２０ｗｐｈ（ＦＯＵＰ１００をグレーのハッチで示している）のＦＯＵＰ１００が載置されているとする。そして、液処理装置１内においては、処理実行枚数が１４０ｗｐｈのＦＯＵＰ１００からウエハＷが取り出され、各液処理モジュール２にて処理されている（１４０ｗｐｈのウエハＷを処理している液処理モジュール２を斜線のハッチで示している）。
【００５３】
このとき、基板搬送機構である搬入出ブロック１２のウエハ搬送機構１２１、受け渡しブロック１３の移載機構１３２、搬送ブロック１４２ｂのウエハ搬送機構１４３は、図６に示した搬送パラメータリスト中の搬送パラメータ３３の中から、処理実行枚数以上の搬送パラメータ３３群の内、処理可能枚数の値が最も小さな１５０ｗｐｈの搬送パラメータ３３を選択して動作速度が設定されている（各基板搬送機構を斜線のハッチで示してある）。
【００５４】
これにより、基板搬送機構は、最大スループットを実現する動作速度よりも遅く、且つ、液処理モジュール２における処理速度（処理実行枚数に対応する）に制約を加えない速度で作動する。このため、これらの基板搬送機構を常に最大速度で稼働させる場合に比べて、基板搬送機構の酷使を抑制し、部品の損耗を低減することができる。また、予め設定された搬送パラメータ３３中から、適切なものを選択することにより、液処理装置１の設計や製造段階における搬送位置の精度確認や搬送位置ずれの補正が可能となり、動作速度の変更後も正確な位置にウエハＷを搬送することができる。
【００５５】
このようにしてウエハＷの処理を実行し、処理実行枚数が１４０ｗｐｈのＦＯＵＰ１００から全てのウエハＷが搬出され液処理装置１内に搬入される。次いで、処理実行枚数が２２０ｗｐｈのＦＯＵＰ１００からウエハＷを取り出す。このとき、当該ウエハＷに係る搬送スケジュールには、液処理装置１内を搬送されるウエハＷの処理実行枚数（１４０ｗｐｈと２２０ｗｐｈ）の内、最大の処理実行枚数である２２０ｗｐｈ以上の搬送パラメータ３３の選択が行われている。即ち、図６に示す処理可能枚数が２２０ｗｐｈ以上の搬送パラメータ３３群の内、処理可能枚数の値が最も小さな２５０ｗｐｈの搬送パラメータ３３を選択する設定がされている。
【００５６】
この結果、ウエハ搬送機構１２１は処理可能枚数２５０ｗｐｈに対応して動作速度が変更され、この動作速度に基づいてウエハＷを搬送する。そして、受け渡しブロック１３の移載機構１３２や搬送ブロック１４２ｂのウエハ搬送機構１４３に対しても順次、ウエハＷの搬送タイミングにて処理可能枚数２５０ｗｐｈに対応した動作速度の変更が行われる（図１４中の各基板搬送機構をグレーのハッチで示している）。この結果、第２処理ブロック１４１ｂ内の液処理モジュール２にて処理実行枚数が１４０ｗｐｈのウエハＷが処理されている期間中であっても、各基板搬送機構の動作速度が順次、切り替えられ、２２０ｗｐｈのウエハＷの処理に制限を加えることなく、液処理モジュール２へとウエハＷを搬送することができる。
【００５７】
次いで、図１５を参照しながら共通基板搬送機構（搬入出ブロック１２のウエハ搬送機構１２１、受け渡しブロック１３の移載機構１３２）と独立基板搬送機構（搬送ブロック１４２ａ、搬送ブロック１４２ｂのウエハ搬送機構１４３）にて異なる搬送パラメータ３３を設定する場合について説明する。説明を簡単にするため、図１５に示す下段側の第２処理ブロック１４１ｂに設けられた１番〜１０番の液処理モジュール２にて処理実行枚数が１４０ｗｐｈのウエハＷを処理し、上段側の第１処理ブロック１４１ａに設けられた１１番〜２０番の液処理モジュール２にて、処理実行枚数が２２０ｗｐｈのウエハＷを処理するものとする。各ＦＯＵＰ１００、液処理モジュール２や基板搬送機構に付されたハッチは、各々図１３にて説明したものと同様の処理実行枚数、処理可能枚数を示している。
【００５８】
この例において、共通基板搬送機構である搬入出ブロック１２のウエハ搬送機構１２１、受け渡しブロック１３の移載機構１３２は、処理実行枚数が１４０ｗｐｈ及び２２０ｗｐｈの双方のウエハＷを搬送するところ、これらの内、最大の処理実行枚数２２０ｗｐｈに基づいて、処理可能枚数２５０ｗｐｈの搬送パラメータ３３が選択され、動作速度が設定されている。
【００５９】
一方、独立基板搬送機構である搬送ブロック１４２ｂのウエハ搬送機構１４３は、第２処理ブロック１４１ｂの液処理モジュール２にて処理されているウエハＷの処理実行枚数１４０ｗｐｈに基づき、処理可能枚数１５０ｗｐｈに応じた搬送パラメータ３３が選択され動作速度が設定されている。また、搬送ブロック１４２ａのウエハ搬送機構１４３は、第１処理ブロック１４１ａの液処理モジュール２にて処理されているウエハＷの処理実行枚数２２０ｗｐｈに基づき、処理可能枚数２５０ｗｐｈに応じた搬送パラメータ３３が選択され動作速度が設定されている。
【００６０】
分岐路に設けられた独立基板搬送機構については、各ウエハ搬送機構１４３がウエハＷの搬送を担当する液処理モジュール２の範囲を限定して（他の分岐路に設けられている液処理モジュール２を除外して）処理実行枚数を算出することにより、過大な動作速度に設定されることを避けることができる。一方、分岐路を繋ぐ共通の搬送経路に設けられた共通基板搬送機構については、当該共通の搬送経路を通る全ての液処理モジュール２を担当範囲として処理実行枚数を算出することにより、液処理装置１全体のスループットの低下を避けることができる。
【００６１】
本実施の形態に係る液処理装置１によれば以下の効果がある。基板搬送機構（ウエハ搬送機構１２１、移載機構１３２、ウエハ搬送機構１４３）の動作速度を制御するための搬送パラメータ３３を複数種類用意し、ウエハＷに対して実行される処理の時間に応じて、液処理装置１のスループットに制約を加えず、且つ、動作速度が最も小さくなる搬送パラメータ３３を選択して基板搬送機構を制御するので、基板搬送機構に加わる負荷を必要最低限に抑えることができる。
【００６２】
ここで、処理実行枚数は、図１０に説明した例に基づいて算出する場合に限定されない。例えば、同図に示した液処理時間に、液処理モジュール２に対するウエハＷの搬入出時間を考慮して処理実行枚数を算出してもよい。また、例えば、ＣＪ、ＰＪなどに予め処理実行枚数を指定しておき、これらの情報を外部から取得してもよい。  
さらに、搬送パラメータ３３の選択も、予め作成した搬送スケジュールに設定しておく場合に限られない。例えば、ウエハＷの搬送を開始する際に液処理装置１内の液処理モジュール２の稼働状態を確認して処理実行枚数の算出を行い、処理実行枚数に応じた搬送パラメータ３３を選択して動作速度の設定を行ってもよい。
【００６３】
この他、搬送パラメータ３３に基板搬送機構の動作速度の設定値と対応させて設定される数値は、ウエハＷのスループットを直接示す値に限られるものではない。例えば、図１０に示したスループットの算出式中の液処理時間Ｔと処理モジュール２の数との組み合わせのように、スループットを間接的に示す値と動作速度の設定値とを対応させて搬送パラメータ３３を構成してもよい。
【００６４】
また本発明を適用可能な基板処理装置は、図１〜図１５を用いて説明した液処理装置１に限定されるものでもない。例えば、図１６、図１７に示す塗布、現像装置５にも本発明は適用することができる。本例の塗布、現像装置５は、ＦＯＵＰ１００と塗布、現像装置５との間でウエハＷの搬入出を行うためのウエハ搬送機構を備えたキャリアブロックＤ１と、反射防止膜を形成する処理を行うＢＣＴ層と、ウエハＷにレジスト膜を形成する処理を行うＣＯＴ層と、露光後のウエハＷにレジストパターンを形成するための処理を行うＤＥＶ層とが２段ずつ積層された処理ブロックＤ２と、これら各処理層の間でウエハＷの搬送を行うと共に、後段の露光装置Ｄ４との間でウエハＷの受け渡しを行うインターフェイスブロックＤ３と、を備えている。
【００６５】
処理ブロックＤ２、インターフェイスブロックＤ３内には、上下方向に積層された受け渡し棚状のタワーＴ１、Ｔ２が設けられ、移載機構により上下方向にウエハＷを搬送して、各処理層間でのウエハＷの搬送が行われる。また、インターフェイスブロックＤ３には、露光装置Ｄ４との受け渡し用などに他のタワーが設けられているが、ここでは図示、説明を省略する。さらに、上下に積層された各処理層内には、ウエハＷに各反射防止膜の原料やレジスト、現像液などの処理液を塗布する液処理モジュールや、処理液が塗布されたウエハＷに熱処理を行う加熱処理モジュールなどが設けられ、各層内でウエハＷを搬送するためのウエハ搬送機構が設けられている。
【００６６】
この塗布、現像装置５に搬入されたウエハＷは、キャリアブロックＤ１→タワーＴ１→ＢＣＴ層→タワーＴ１→ＣＯＴ層→インターフェイスブロックＤ３（タワーＴ２）→露光装置Ｄ４→インターフェイスブロックＤ３（タワーＴ２）→ＤＥＶ層→タワーＴ１→キャリアブロックＤ１の順に搬送されながら、各種の処理が実行される。
【００６７】
この場合において、ウエハＷの取り出されるＦＯＵＰ１００が切り替わったことにより、例えば処理実行枚数が２２０ｗｐｈから２８０ｗｐｈに切り替わったとする。そして、図１７に示すように、ＢＣＴ層、ＣＯＴ層では処理実行枚数２８０ｗｐｈのウエハＷが処理される一方、ＤＥＶ層では、処理実行枚数が２２０ｗｐｈのウエハＷをまだ処理しているとする。この場合においても、互いに独立して処理が行われるＢＣＴ層、ＣＯＴ層、ＤＥＶ層に設けられたウエハ搬送機構は、独立基板搬送機構として、各々、処理を実行しているウエハＷの処理実行枚数に対応して処理可能枚数の搬送パラメータ３３（例えばＢＣＴ層、ＣＯＴ層については、２５０ｗｐｈ、ＤＥＶ層については３００ｗｐｈ）の選択、ウエハ搬送機構の動作速度の設定が行われる。
【００６８】
一方、これら異なる処理層に共通してウエハＷの搬送、タワーＴ１、Ｔ２内の移送を行うウエハ搬送機構や移載機構は、共通基板搬送機構として、最大の処理実行枚数２８０ｗｐｈに対応した処理可能枚数の搬送パラメータ３３が選択され、動作速度が設定される。
【００６９】
さらに本発明を適用可能な基板処理装置は、ウエハＷに対してエッチングを行うエッチング装置や、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）などによる成膜を行う成膜装置など、各種の装置に適用してもよいことは勿論である。また基板の種類も半導体ウエハＷに限定されるものではなく、フラットパネルディスプレイ用のガラス基板などであってもよい。
【符号の説明】
【００７０】
Ｗ          ウエハ
１          液処理装置
１００      ＦＯＵＰ
１１        載置ブロック
１２１      ウエハ搬送機構
１３２      移載機構
１４        液処理ブロック
１４３      ウエハ搬送機構
１５１〜１５３
搬送機構コントローラ
２          液処理モジュール
３          メモリ
３１        処理レシピ
３２        搬送レシピ
３３        搬送パラメータ
４          制御部
４２１      スケジューラプログラム
４２２      パラメータ選択プログラム
４３        運転操作部
５          塗布、現像装置
【図１】
0005987796.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１６】
0005987796.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１７】
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