【事件の表示】
　特願２００３−５１２９８２「磁気記憶装置および磁気記憶アレイ」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１月２３日国際公開、ＷＯ０３／０７３０４，平成１６年１１月１８日国内公表，特表２００４−５３５０７４〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成１４年７月４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００１年７月１０日，独国）を国際出願日とする出願であって，平成２０年１月１０日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，同年４月１４日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項１〜１２に係る発明は，平成１６年２月９日付け国際出願翻訳文提出書の明細書及び国際出願日の図面（以下「本願明細書等」という。）の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載された事項により特定されるものであり，その内の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，次のとおりのものである。 
「【請求項１】
　磁気記憶装置であって，
　磁化できる第１電極を有し，
　磁化できる第２電極を有し，かつ
　少なくとも１つのナノチューブを有し，当該ナノチューブが，上記電極間で縦方向に配置されているとともに，ナノチューブの第１縦端部では第１電極と，ナノチューブの第２縦端部では第２電極と接続しており，
　外部磁界を供給することにより上記磁化できる電極のうち１つの磁化方向を設定することで，記憶情報を不揮発性に記憶できるようになっている，磁気記憶装置。」
　
３　引用例に記載された発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開平１１−２２４４８３号公報（平成１１年８月１７日出願公開，以下「引用例１」という。）には，次の記載がある。
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，固体メモリの分野に関するものである。とりわけ，本発明は，
磁気記憶セルを備えた固体メモリ
イ　図１を参照して，「【００１０】
【発明の実施の形態】図１には，磁気記憶セル４０〜５０のアレイを含む固体メモリ１３０の平面図が示されている。固体メモリ１３０には，磁気記憶セル４０〜５０に対する読み取り及び書き込みアクセスを可能にする導体２０〜２８のアレイも含まれている。
磁気記憶セル４０〜５０は，磁界を利用して，情報を記憶
ウ　図２を参照して，「【００１２】図２Ａと図２Ｂには，磁気記憶セル４２におけるデータ・ビットの記憶が示されている。
磁気記憶セル４２には，誘電体領域６２によって隔てられた，磁性薄膜６０と磁性薄膜６４が含まれている
エ　図２を参照して，「【００１５】実施例の１つでは，
磁性薄膜６４がピン止めされて，磁化配向Ｍ２が固定されており，磁性薄膜６０は磁化配向Ｍ１が固定されていない
磁性薄膜６０における磁化配向Ｍ１が，磁気記憶セル４２に対する書き込み動作中，導体２２及び２６に加えられる電気信号に応答して変化
（２）上記（１）アによれば，引用例１に記載された発明は，磁気記憶セルを備えた固体メモリであるから，磁気記憶装置に関するものである。
（３）上記（１）ウ及びエによれば，引用例１には，磁気記憶セル４２には，
誘電体領域６２によって隔てられた，磁性薄膜６０と磁性薄膜６４
磁性薄膜６４
磁化配向Ｍ２が固定
磁性薄膜６０は磁化配向Ｍ１が固定されていない
（４）上記（１）イ及びエによれば，引用例１には，磁気記憶セル４０〜５０は，
磁界を利用して，情報を記憶
磁性薄膜６０における磁化配向Ｍ１が
書き込み動作中
導体２２及び２６に加えられる電気信号に応答して変化
（５）よって，引用例１には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「磁気記憶装置であって，
　磁化配向Ｍ１が固定されていない磁性薄膜６０と，
　磁化配向Ｍ２が固定されている磁性薄膜６４と，
　磁性薄膜６０と磁性薄膜６４とを隔てる誘電体領域６２とを有し，
　書き込み動作中，磁性薄膜６０における磁化配向Ｍ１を，導体２２及び２６に加えられる電気信号に応答して変化させることで，磁界を利用して情報を記憶する，磁気記憶装置。」
　
４　本願発明と引用発明との対比
（１）引用発明の「磁化配向Ｍ１が固定されていない磁性薄膜６０」，「磁化配向Ｍ２が固定されている磁性薄膜６４」は，ともに磁化できることは明らかであるから，本願発明の「磁化できる第１電極」，「磁化できる第２電極」にそれぞれ相当する。
（２）引用発明の「磁性薄膜６０における磁化配向Ｍ１」は，固定されていないのであるから，本願発明の「磁化できる電極のうち１つの磁化方向」に相当する。そうすると，引用発明では，「導体２２及び２６に加えられる電気信号」により磁界を発生させ，発生させた磁界に応答して，「磁性薄膜６０における磁化配向Ｍ１」を変化させることで，発生させた磁界を利用して情報を記憶するのであるから，引用発明が，本願発明の「磁化できる電極のうち１つの磁化方向を設定する」ために「外部磁界を供給」する構成を具備していることは，明らかである。そして，引用発明の「書き込み動作中，」「磁界を利用して情報を記憶する」ことは，不揮発性の記憶であることも明らかであるから，本願発明の「記憶情報を不揮発性に記憶できるようになっている」ことに相当する。したがって，引用発明の「書き込み動作中，磁性薄膜６０における磁化配向Ｍ１を，導体２２及び２６に加えられる電気信号に応答して変化させることで，磁界を利用して情報を記憶する」ことは，本願発明の「外部磁界を供給することにより上記磁化できる電極のうち１つの磁化方向を設定することで，記憶情報を不揮発性に記憶できるようになっている」ことに相当する。
（３）以上のことを踏まえると，本願発明と引用発明とは，
「磁気記憶装置であって，
　磁化できる第１電極を有し，
　磁化できる第２電極を有し，
　外部磁界を供給することにより上記磁化できる電極のうち１つの磁化方向を設定することで，記憶情報を不揮発性に記憶できるようになっている，磁気記憶装置。」
である点で一致し，以下の点で相違する。
相違点：本願発明は，少なくとも１つのナノチューブを有し，ナノチューブが，電極間で縦方向に配置されているとともに，ナノチューブの第１縦端部では第１電極と，ナノチューブの第２縦端部では第２電極と接続しているのに対して，引用発明は，磁性薄膜６０と磁性薄膜６４とを隔てる誘電体領域６２を有している点。
　
５　当審の判断
（１）まず，原査定の拒絶の理由に引用された特開２０００−３２３７６７号公報（平成１２年１１月２４日出願公開，以下「引用例２」という。）には，次の記載がある。
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，印加磁場に応答する
磁気電子デバイス及び磁気記録媒体に対してデータを記録再生するための磁気ヘッドに関する
イ　従来の技術として，「【０００３】T. Miyazaka及びN. Tezuka Giant Magnetic Tunnelling Effect in Fe/Al2O3/Fe junction J. Magn. Magn. 
Mater. 139, L231-L234に記載されているように，酸化アルミニウムからなるトンネリング絶縁障壁によって隔てられたコバルト含有強磁性層で巨大磁気トンネリング効果が観察されている。”TMR as a promising device for
third generation hard disk drive heads”日経エレクトロニクス 1997, 47 No.686 pp.125-129に記載されているように，
この一般的な構造の磁気電子デバイスを磁気再生ヘッドに用いる
ウ　図１及び図２を参照して，「【００１５】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施形態を添付の図面を参照しながら例を挙げて説明する。図１〜３に，本発明による磁気電子デバイスの第１の実施形態を示す。図１の断面図を参照すると，この磁気電子デバイスは，半導体ウェハあるいは金属プレート等からなる平面状の支持体１を含む。絶縁基板２は，例えばＳｉＯ２又はＳｉＮからなるウェハ１上に形成される。第１及び第２の強磁性領域３，４は，チャネル領域５を間に挟んで基板２上に形成される。この実施形態では，
チャネル領域５は，第１及び第２の強磁性領域３，４間に幅Ｌ
ｇａｐ
を有し，この幅Ｌ
ｇａｐ
は２５０ｎｍのオーダー
【００１６】この例では，電子を強磁性領域３，４間に流すため，強磁性領域３，４間のチャネル領域５にカーボンナノチューブ６を延在させている。電流の方向を図２に矢印７で示す。
カーボンナノチューブは，直径が典型的には１．４〜２０ｎｍの範囲
Nanotubes R. Saito, G. Dresselhaus and M.S. Dresselhaus, Imperial 
College Press, London, 1998にさらに詳しく記載されている。」
エ　図４を参照して，「【００１８】図４に，本発明による磁気電子デバイスに磁場を印加した際の抵抗特性を示す。比較的強い磁場を磁気電子デバイスに印加した場合（領域Ａ）には，この強い磁場によって強磁性領域３，４の磁化方向が磁場に平行になる。強磁性材料の特徴は，大部分の伝導電子のスピンの向きが強磁性材料の磁化方向に一致することである。例えば，強い正の磁場条件（Ａ）では，強磁性層４中の電子の大部分が図５中の垂直な矢印に対応するスピンの向きを持つ（列１）。電子は強磁性層４からカーボンナノチューブ６を通って強磁性層３へ到達するが，
カーボンナノチューブは長いスピン散乱長を有するため，スピン散乱はほとんど生じない
強い磁場によって強磁性層３，４の磁化方向は互いに平行に配列
大部分のスピン状態も揃うため，磁気電子デバイスは比較的低い電気抵抗を示す
オ　特に図１３を参照して，「【００３５】さらに，電気抵抗を低下させるために，図１１あるいは図１２に示すように，複数のナノチューブ６を使用してもよい。図１１では，図６及び図７，図８を用いて説明したいずれかの工程で形成した強磁性領域３，４に接触するように複数のナノチューブ６を配置する。あるいは，図１２に示すように，強磁性領域３，４を橋渡すように複数のナノチューブ６をブリッジとして配置してもよい。図１３に示す別の
変更例では，複数のナノチューブ６を基板２から直立するように配置し，その上端部及び下端部に接触させて強磁性領域３，４を設ける
（２）上記（１）ア及びイによれば，引用例２には，
磁気電子デバイス
磁気電子デバイスを磁気ヘッドに用いる
　また，上記（１）オによれば，引用例２には，変更例として，
複数のナノチューブ６
基板２から直立するように配置
上端部
下端部に接触させて強磁性領域３，４を設ける
（３）そして，引用例２に記載されたような「磁気電子デバイス」を，磁気ヘッドばかりでなく，本願発明や引用発明のような「磁気記憶装置」にも適用することは，例えば下記の周知例１〜３に記載されているように，従来から行われている慣用手段である。したがって，「磁気記憶装置」である引用発明に，引用例２に記載されたような「磁気電子デバイス」に関する技術を適用し，「磁性薄膜６０と磁性薄膜６４とを隔てる誘電体領域６２」に代えて，本願発明の「少なくとも１つのナノチューブを有し，ナノチューブが，電極間で縦方向に配置されているとともに，ナノチューブの第１縦端部では第１電極と，ナノチューブの第２縦端部では第２電極と接続している」構成とすることは，当業者が容易に想到し得るものである。
　
周知例１：国際公開第００／７９２９８号（２０００年１２月２８日国際公開）
「A change of the magnetization of the free layer changes 
the resistance of the 
TMR-or GMR-device
in the so-called magneto resistance effect or GMR/TMR effect of 
these devices. The electrical resistance of the TMR-or GMR-device 
changes in a predictable manner in response to a varying magnetic 
field, making the devices suitable for use as magnetic-electrical 
transducers in a sensing system of a magnetic field. 
The characteristics of these magnetic devices or systems can be 
exploited in different ways. For example a spin valve read-out 
element utilizing the GMR-effect can be used for 
advanced hard disk
thin film read heads
stand-alone magnetic memory systems
(MRAMs)
non-volatile embedded memory systems
on the GMR-or TMR-devices.『フリー層の磁化変化は，
ＴＭＲデバイス又はＧＭＲデバイス
高水準ハードディスクの読取り薄膜ヘッド用
独立磁気メモリシステム（ＭＲＡＭ）
埋込み型不揮発性メモリシステム
　
周知例２：特開２０００−１２３６５号公報（２０００年１月１４日出願公開）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，強磁性トンネル接合に関し，より詳細には，
高磁気抵抗を有する強磁性トンネル接合
【０００２】
【従来の技術】強磁性トンネル接合は様々な磁気システムに利用することができる。例えば，強磁性トンネル接合は，磁束センサとして利用できる。該磁束センサは，テープ又はディスクのような磁気媒体から発散される磁束を検知する
録音ヘッド
磁気メモリの磁気記憶セル
【０００３】従来の
強磁性トンネル接合は
薄い絶縁層で隔てられた一対の強磁性層によって形成
　
周知例３：特開２００１−８４５３２号公報（２００１年３月３０日出願公開）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は
強磁性層／誘電体層／強磁性層の積層構造を含むトンネル接合型の磁気抵抗効果素子
高密度磁気ディスク装置の再生用磁気ヘッド
磁気記録素子（磁気抵抗効果メモリー，ＭＲＡＭ）
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗効果は強磁性体に磁場を印加すると電気抵抗が変化する現象である。この効果を利用した
磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）は
磁気ヘッド
磁気記録素子（磁気抵抗効果メモリー，ＭＲＡＭ）
　
（４）また，本願明細書等には，本願発明の目的及び効果について，以下の記載がある。
「【００１６】
　本発明の目的は，アクセス時間が短く，保持時間が長く，集積密度の高い，不揮発性磁気記憶装置を提供することにある。
　【００１７】
　この目的は，独立特許請求項の特徴部分を含む，磁気記憶装置および磁気記憶アレイによって達成される。
　【００１８】
　本発明に係る磁気記憶装置は，磁化できる第１電極，磁化できる第２電極，および，少なくとも１つのナノチューブを備えている。このナノチューブは，上記電極間の縦方向に配置されており，その第１縦端部では第１電極と，その第２縦端部では第２電極と接続している。
　【００１９】
　上記少なくとも１つのナノチューブは，カーボンナノチューブであることが好ましい。また，本発明の磁気記憶装置では，上記２つの電極は，互いに１ｎｍ〜３００ｎｍの間隔で配置されていることが好ましい。
　【００２０】
　本発明の磁気記憶装置には，多数の利点がある。
公知のＭＲＡＭ記憶装置と比べた場合の大きな利点は，磁化できる第１電極と磁化できる第２電極との間を接続するナノチューブの縦長が，１ｎｍ〜１０００ｎｍであるという点にある
　【００２１】
　ナノチューブが非常に長いので磁化できる第１電極が磁化できる第２電極から十分遠く離れていることによって，磁化できる第１電極および磁化できる第２電極によって生成される磁界間の相互作用は，本発明では，従来技術と比べて低減されている。
　【００２２】
　上述したように，従来技術では，磁化できる電極間のトンネル層の厚さには制限がある。なぜなら，酸化されたトンネル層に設定される必要のある物理的要求があるからであり，特に，酸化されたトンネル層の電気抵抗が高く，かつ，厚さに正比例しているからである。このような制限は，基本的に，磁化できる電極間の接続装置であるトンネル層の代わりにナノチューブを使用することによって回避される。なぜなら，
カーボンナノチューブを介して伝導電子が貫流する際の２つの散乱プロセス（Streuprozessen）間の平均的な自由行程長が，酸化されたトンネル層の場合よりもはるかに長い
散乱プロセスによって，磁化できる電極間の伝導電子のスピン情報を失わない
　【００２３】
　さらに，磁化できる電極のうちの１つに外部磁界を供給することによって，磁気記憶装置に格納できる情報を，磁気記憶装置に入力できるということを考慮する必要がある。この場合，外部磁界は，単一の，つまり磁化できる所望の電極の磁化方向が設定されるように，この電極に確実に影響を与える必要がある。これに対して，記憶装置の磁化できる電極のうちのもう一方は，１ビットのデータ量を磁気記憶装置に入力するために供給される外部磁界から影響を受けない。このような外部磁界は，外部磁界（例えば電流が貫流している導体）を生成する手段との間隔を開けることによって小さくなる。この結果，本発明では，外部磁界によって磁化反転されない磁化できる他の電極からの不要な影響が，防止される。これにより，磁化できる他の電極からの不都合な影響を危惧する必要なく，磁化情報を，適切に選択された外部電界を用いて，磁化できる電極のうちの１つに十分確実に入力できる。
　【００２４】
　
本発明に係る磁気記憶装置の他の利点は，ナノチューブの直径が通常１ｎｍ〜３０ｎｍとわずかであるという点にある
　【００２５】
　また，磁気記憶装置のうちの少なくとも１つのナノチューブは，量子力学的トンネル接触を構成し，両方の電極間に流れる電荷粒子のスピン状態が少なくとも部分的に保持されているように，配置されていることが好ましい。
　【００２６】
　上述したカーボンナノチューブのスピンコヒーレント長が約２５０ｎｍ（［３］参照）と長いことによって，例えば磁化できる強磁性電極中の，ナノチューブを介して流れる伝導電子の影響を受けたスピン情報が，ナノチューブを介して貫流する際にスピンコヒーレント長の長さ以上に（ueber Dimension in der Groessenordnung）維持される。言い換えると，スピンフリッププロセス（Spinflips）（スピンフリップ）を行うことなく，伝導電子は，カーボンナノチューブを約２５０ｎｍ以上流れる。さらに，カーボンナノチューブ中の伝導電子に関する２つの散乱プロセス間の平均的な自由行程長は，長い。並んだ２つの散乱プロセス間の平均的な自由行程長が長く，かつ，カーボンナノチューブを貫流する際に極性を与えられた伝導電子のスピンコヒーレント長が長いので，カーボンナノチューブは，磁化できる第１電極と磁化できる第２電極との間の接続素子に特によく適している。磁化できる第１電極と磁化できる第２電極との間では，ＸＭＲ効果が生じる。上述の磁気記憶装置の動作中に，伝導電子が，磁化された電極により予め与えられたスピン配向を有し，この伝導電子が，カーボンナノチューブに接続された場合，この伝導電子は，スピン反転過程を行うことなく，このスピン情報を，２５０ｎｍのサイズ以上に，磁化できる第２電極へ運搬する。言い換えると，カーボンナノチューブを貫流する際に，スピン情報は失われない。また，上述の磁気記憶装置に関して，カーボンナノチューブを用いることによって，磁化できる２つの電極間に格納された１ビットの情報をエラーなく読み出すこともできる。両方の電極の磁化方向が異なっていると，これら両方の磁化できる電極間の電気抵抗は，高く（ＸＭＲ効果），磁化できる電極間の電流の流れは，電圧が一定に供給される場合に低い。磁化できる両方の電極の磁化方向が同じである場合，磁化できる電極間の電気抵抗は低く，磁化できる両方の電極間の電流の流れは，電圧が一定に供給される場合には，上述の，磁化方向が互いに反平行な２つの電極の場合よりも高い。しかしながら，ナノチューブを貫流する際に伝導電子のスピン情報が変化する場合，電気抵抗と両方の電極の磁化の相対的な方向との互いの有効な関係は，悪化することになる。このことは，スピンコヒーレント長が長いので，回避される。そのために，カーボンナノチューブは，磁気記憶装置中の磁化できる第１電極と磁化できる第２電極との接続素子に特によく適している。これにより，本発明では，信号対雑音比は，磁気記憶装置に格納されたデータ量を読み出す際に高くなる。
　【００２７】
　磁気記憶装置では，第１電極は第１磁気材料を含み，かつ，第２電極は第２磁気材料を含んでいることが好ましい。ここでは，両方の材料の磁気硬度が異なり，いわゆる多層（Multilagenschichten）として形成されてもよい。ここでは，両方の電極は，それぞれ，ナノチューブの長軸に対してそれぞれ垂直に配置された，磁化できる層である。
　【００２８】
　上述したように，硬磁性材料とは，履歴曲線によると（unter）面積の大きな（hohen Flaeche）材料のことである。したがって，このような材料を，なんとかして（nur schwer）磁化反転する必要がある。これに対して，軟磁性材料の履歴曲線の面積は，少ない。したがって，このような材料を，小さな外部磁界を用いて磁化反転できる。この場合に磁化反転するための動作は小さい。
　【００２９】
　磁気記憶装置の磁化できる電極のうちの１つは，軟磁性材料から形成されている。この電極の磁化方向を，小さな外部磁界を供給することによって，反転できる。したがって，軟磁性電極の磁化方向を設定することで，磁気記憶装置に格納された情報を，書き込んだり，消去したりできる。これに対して，十分に強い外部磁界によって，特定の磁化方向を，１度，磁気記憶装置の硬磁性電極に与え，次に，その方向を永続的に一定に保つ。また，交換相互作用（Austauschwechselwirkung）または形状異方性（Formanisotropie）によって磁化を発生させてもよい。
　【００３０】
　磁化できる電極のうちの１つに適した軟磁性材料として，鉄または鉄ニッケル合金を用いる場合が多い。また，硬磁性電極に適した材料として，コバルトを用いる場合が多い。本発明の利点は，磁気硬度の異なる，第１磁気材料または第２磁気材料に適した材料が，鉄，ニッケル，コバルトといった，カーボンナノチューブの成長に特に適した材料であるという点にある。カーボンナノチューブは，その成長に適した，触媒作用による活動的な材料（例えば，鉄，ニッケル，または，コバルト）によって成長することが好ましい。それゆえ，磁化できる第１電極および磁化できる第２電極に適した材料は，これらの材料から形成された電極間でカーボンナノチューブを使用するのに特によく適している。したがって，本発明の磁気記憶装置を，納得できる価格によって製造できるとともに，その間で用いられるカーボンナノチューブを，品質高く形成できる。
　【００３１】
　上述したように，従来技術のＭＲＡＭ記憶装置の動作は，トンネル層の高いトンネル抵抗（したがって高いＲＣ時定数）のゆえに，遅い場合が多い。ＭＲＡＭ記憶装置に入力されたデータ量を読み出すために必要である特性時間（charakteristische Zeit）は，ＭＲＡＭ記憶装置のＲＣ時間によって規定される。本発明では，記憶装置の電気抵抗を，両方の磁化できる電極間の接続素子にカーボンナノチューブを用いて，低下する。したがって，ＲＣ時間は縮小し，したがって，記憶素子の速度が上がる。また，カーボンナノチューブの伝導率が非常に高いことにより，カーボンナノチューブの抵抗は，クリッチング定数（Klitzing Konstante）（Ｒｋ＝２５．８ｋΩ）の範囲内（in der Groessenordnung）である。磁気記憶装置の等価回路は，容量Ｃおよびオームの抵抗値Ｒであるキャパシタを備えている。ここでは，ＲとＣとの積を，磁気記憶装置に入力されたデータ量の読み出し時間に適した尺度として説明できる。また，
本発明では，磁化できる第１電極と磁化できる第２電極との間の接続素子の電気抵抗が，従来技術によるトンネル層の電気抵抗と比べて著しく低い
　この記載によれば，本願発明の効果は主として，本願発明の実施例として記載されている「磁化できる第１電極と磁化できる第２電極との間を接続するナノチューブの縦長が１ｎｍ〜１０００ｎｍである」こと，及び，「ナノチューブの直径が通常１ｎｍ〜３０ｎｍとわずかである」ことにより奏せられるものと解される。
　ここで，上記（１）ウによれば，引用例２には，縦横の方向で違いはあるものの，本願発明の実施例として記載された「磁化できる第１電極と磁化できる第２電極との間を接続する
ナノチューブの縦長が１ｎｍ〜１０００ｎｍ
幅Ｌ
ｇａｐ
は２５０ｎｍのオーダー
６５μｍのオーダー
１ｎｍ〜３０ｎｍ
１．４〜２０ｎｍの範囲
　したがって，本願発明では，その実施例として記載された「磁化できる第１電極と磁化できる第２電極との間を接続するナノチューブの縦長が１ｎｍ〜１０００ｎｍである」構成，及び，「ナノチューブの直径が通常１ｎｍ〜３０ｎｍとわずかである」構成がともに特定されていないが，仮に特定されていたとしても，本願発明の効果は，引用発明の「磁性薄膜６０と磁性薄膜６４とを隔てる誘電体領域６２」に代えて，引用例２に記載された本願発明の「少なくとも１つのナノチューブを有し，ナノチューブが，電極間で縦方向に配置されているとともに，ナノチューブの第１縦端部では第１電極と，ナノチューブの第２縦端部では第２電極と接続している」構成に相当する技術を採用することで，当業者であれば容易に予測することができる程度のものであって，格別の顕著なものとはいえない。
　
６　むすび
　以上検討したとおり，本願発明は，従来の慣用手段を勘案することにより，引用発明及び引用例２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。したがって，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。