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　特願２００６−１１９０６７「半導体レーザモジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　８月１０日出願公開、特開２００６−２１０９５１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１２年２月３日（優先権主張平成１１年２月３日、平成１１年４月３０日、日本国）を国際出願日とする特願２０００−５９７８７３号の一部を平成１８年４月２４日に新たな特許出願としたものであって、平成２０年１１月１９日付けで拒絶理由が通知され、平成２１年１月２６日に手続補正がなされたが同年６月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年９月１６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日に手続補正がなされたものである。（以下、この平成２１年９月１６日になされた手続補正を「本件補正」という。）
　
II．本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法第１条による改正前の特許法（以下「平成１４年改正前特許法」という。）第１７条の２第１項第３号に掲げる場合においてする補正であって、本願特許請求の範囲の請求項１を
「【請求項１】
　歪み多重量子井戸構造から成る活性層を含む半導体の積層構造が基板の上に形成され、共振器長と低反射膜の反射率とを設計パラメータとし、
　前記共振器長が１０００μｍより長く１８００μｍ以下であり、
一方の端面に反射率が３％以下の前記低反射膜が形成され、他方の端面に反射率が９０％以上の高反射膜が形成されており、
　発振レーザ光の波長帯域が１２００〜１５００nmであって、発熱量が２.５Ｗ以上である埋込み型半導体レーザ素子と、
　前記半導体レーザ素子を上部に装荷し、排熱断面積が３０mm2以上
であり、かつ対数が４０対以上５０対以下
　前記半導体レーザ素子と前記冷却装置を内部に封入するパッケージと、
　前記半導体レーザ素子の前記一方の端面に配置された少なくとも１個のレンズと、
　前記レンズを介して、前記半導体レーザ素子の前記一方の端面に対向配置された光ファイバを有し、
　前記光ファイバからの光出力が１８０mW以上であることを特徴とする半導体レーザモジュール。」
　と補正することを含むものであり、平成１４年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであると認められるので、以下に、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について独立特許要件の検討を行う。
　
２．引用例
　原査定の拒絶理由に引用された特開平９−２７５２４０号公報（以下「引用例」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
「【００２４】＜実施例３＞図８は実施例１とほぼ同様の手法で波長１．４８μｍ帯で発振する高出力エルビウム添加ファイバ増幅器用励起光源を作製した一例である。ｎ型（１００）ＩｎＰ半導体基板６１上に実施例１と同様の手法によりｎ型ＩｎＰバッファ層１．０μｍ、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ第二光導波路層（組成波長１．１０μｍ）０．０４μｍ６２、ｎ型ＩｎＰスペーサ層０．２μｍ６３、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ下側ガイド層（組成波長１．１０μｍ）０．０５μｍ、６．０ｎｍ厚の１．０％圧縮歪を有するＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．４５μｍ）を井戸層、１２ｎｍ厚のＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．２０μｍ）を障壁層とする５周期の多重量子井戸活性層、ＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．１０μｍ）光導波路層０．１０μｍからなる積層体６４、ｐ型ＩｎＰクラッド層３．８μｍ６５、を含む多層基板を形成する。
【００２５】次に実施例１と同じ手法によりテ−パ状メサストライプ、補助ガイドストライプを形成する。横幅狭窄テーパ部の長さは２５０μｍ、直線部の活性層幅１．５μｍ、テ−パ−部先端での活性層幅は０．１μｍ以下に設定する。続いて、実施例１と同じ手法で埋め込み型レーザ構造に加工する。劈開工程によりテ−パ部２５０μｍを含む共振器長１２００μｍの素子に切り出した後、前端面に反射率１％の低反射膜、後端面に反射率９５％の高反射率膜を公知の手法により形成した。
【００２６】作製した素子は室温、連続条件においてしきい値２５〜３０ｍＡ、発振効率０．４５〜０．５０Ｗ／Ａと良好な発振特性を示した。また、動作電流１．２Ａにおいて最高出力４００ｍＷを得た。動作出力４００ｍＷでのビーム広がり角度は水平、垂直方向とも約１０度であった。この結果ファイバへの結合損失は、平均で１ｄＢとなり、最高モジュール出力は３２０ｍＷとなった。また、素子の長期信頼性を７０℃、２００ｍＷの条件下で評価したところ２０万時間以上の推定寿命を確認した。」
　
　以上の記載によれば、引用例には、
「ＩｎＰ半導体基板６１上に、１．０％圧縮歪を有するＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．４５μｍ）を井戸層、ＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．２０μｍ）を障壁層とする５周期の多重量子井戸活性層を含む多層基板を形成し、埋め込み型レーザ構造に加工し、共振器長１２００μｍの素子に切り出し、前端面に反射率１％の低反射膜、後端面に反射率９５％の高反射率膜を形成したレーザ素子であって、該レーザ素子は、動作電流１．２Ａにおいて出力が４００ｍＷであり、ファイバに結合したモジュール出力が３２０ｍＷである、波長１．４８μｍ帯で発振する高出力エルビウム添加ファイバ増幅器用励起光源に用いられるレーザ素子。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　　
３．対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
　
ア　引用発明は、ＩｎＰ半導体基板上に形成された多重量子井戸活性層を含む多層基板を加工して埋め込み型レーザ構造としたものであり、その「多重量子井戸活性層」は井戸層が「１．０％圧縮歪」を有しているから、本願補正発明の半導体レーザ素子と同様に「歪み多重量子井戸構造から成る活性層を含む半導体の積層構造が基板の上に形成され」たものといえる。
　
イ　引用発明において、「共振器長」及び「（低反射膜の）反射率」がレーザ素子としての特性に影響を与えることは当業者に明らかであり、これらは、本願補正発明と同様に「設計パラメータ」であるといえる。
　
ウ　引用発明の「共振器長」は、「１２００μｍ」であるから、本願補正発明の「１０００μｍより長く１８００μｍ以下」との事項を充足する。
　
エ　引用発明は、「前端面に反射率１％の低反射膜、後端面に反射率９５％の高反射率膜」が形成されているから、本願補正発明のレーザ素子と同様に「一方の端面に反射率が３％以下の前記低反射膜が形成され、他方の端面に反射率が９０％以上の高反射膜が形成」されたものといえる。
　
オ　引用発明は、「波長１．４８μｍ帯で発振する」から、本願補正発明と同様に「発振レーザ光の波長帯域が１２００〜１５００nm」であるといえる。
　
カ　本願補正発明の「発熱量が２．５Ｗ以上である」点について、本願明細書の段落【００３５】には、「なお、この実施例素子は、駆動電圧２.５Ｖ、駆動電流１.１Ａにおいて端面光出力２８０ｍＷで動作する半導体レーザ素子である。したがって、この実施例素子の発熱量（ＱＬＤ）は１.１（Ａ）×２.５（Ｖ）−０.２８（≒０.３）Ｗ≒２.５Ｗとなる。」と記載されている。
　一方、引用発明のレーザ素子は、「出力が４００ｍＷ」であり、本願補正発明の実施例素子の出力が２８０ｍＷであるのに対し、出力が１．４倍も大きいのであるから、引用発明の発熱量が本願補正発明の実施例素子の発熱量である２．５Ｗより大きいであろうことは明らかである。
　仮に、引用発明の発熱量が２．５Ｗより小さいならば、引用発明のレーザ素子の発光効率は、本願補正発明の実施例素子の発光効率に比べて、格段に優れたものとなるが、引用発明のレーザ素子の方が本願補正発明の実施例素子に比べて、発光効率が格段に優れているとする格別の事情を認めることはできない。
（ちなみに、本願明細書の段落【００２４】に記載される本願補正発明の実施例素子も引用発明のレーザ素子も、ともに、ｎ−ＩｎＰ基板上にＧａＩｎＡｓＰでなる５周期の歪み多重量子井戸活性層が形成された埋め込み型レーザ素子である。）
　
キ　引用発明は、ＩｎＰ半導体基板に形成された多層基板を埋め込み型レーザ構造に加工したものであるから、本願補正発明のレーザ素子と同様に「埋込み型半導体レーザ素子」であるといえる。
　
　以上のことから、本願補正発明と引用発明は、ともに、
「歪み多重量子井戸構造から成る活性層を含む半導体の積層構造が基板の上に形成され、共振器長と低反射膜の反射率とを設計パラメータとし、
　前記共振器長が１０００μｍより長く１８００μｍ以下であり、
　一方の端面に反射率が３％以下の前記低反射膜が形成され、他方の端面に反射率が９０％以上の高反射膜が形成されており、
　発振レーザ光の波長帯域が１２００〜１５００nmであって、発熱量が２.５Ｗ以上である埋込み型半導体レーザ素子」を有する点で一致する。
　
　一方、次の点で相違する。　
　本願補正発明は、
「前記半導体レーザ素子を上部に装荷し、排熱断面積が３０mm2以上であり、かつ対数が４０対以上５０対以下であるペルチェ素子から成る冷却装置と、
　前記半導体レーザ素子と前記冷却装置を内部に封入するパッケージと、
　前記半導体レーザ素子の前記一方の端面に配置された少なくとも１個のレンズと、
　前記レンズを介して、前記半導体レーザ素子の前記一方の端面に対向配置された光ファイバを有し、
　前記光ファイバからの光出力が１８０mW以上である半導体レーザモジュール。」とされているのに対し、引用発明は、このような半導体レーザモジュールとされていない点。
　　　
４．相違点についての検討
　励起光源用の半導体レーザ素子を用いるにあたって、
「半導体レーザ素子を上部に装荷するペルチェ素子から成る冷却装置と、
　前記半導体レーザ素子と前記冷却装置を内部に封入するパッケージと、
　前記半導体レーザ素子の前記一方の端面に配置された少なくとも１個のレンズと、
　前記レンズを介して、前記半導体レーザ素子の前記一方の端面に対向配置された光ファイバを有する半導体レーザモジュール。」とすることは、例えば、特開平１０−６２６５４号公報（図１及び段落【０００４】の記載参照。）、特開平１０−２９３２３４号公報（図１及び段落【００１７】〜【００２３】の記載参照。）、特開平１０−２５６６７２号公報（例えば、図１０及び段落【００６０】〜【００６２】の記載参照。）及び特開平１０−１７０７６７号公報（例えば、図２（ｄ）及び段落【００７４】〜【００７８】の記載参照。）に記載されているように周知の技術事項であり、引用発明のレーザ素子を用いて上記の構成を有する半導体レーザモジュールとすることに困難性は認められない。
　その際、ペルチェ素子の排熱断面積をどの程度にするか、また、その対数をどの程度にするかは、単なる設計事項にすぎない。
　そして、引用発明のレーザ素子は、ファイバに結合したモジュール出力が３２０ｍＷであるから、引用発明のレーザ素子を上記の半導体レーザモジュールとしたものが本願補正発明の「光ファイバからの光出力が１８０mW以上である」との事項を充足することは明らかである。
　以上のことから、結局、本願補正発明は、引用発明のレーザ素子を上記周知の半導体レーザモジュールとして構成することにより、当業者が容易に発明できたものと認められる。
　
　また、本願補正発明が奏する効果についても、上記引用例に記載された事項及び上記周知の技術事項に基づいて当業者が予測可能なものであって、格別のものとはいえない。
　
　なお、請求人は、ペルチェ素子の対数の下限値及び上限値を本願補正発明のごとく設定することについて、当業者が容易に想到し得るものでない旨の主張をしているが、対数が少なすぎれば十分な冷却能力が得られないであろうこと、また、多すぎれば無駄となるであろうことは当業者に明らかであり、採用する対数を決定するにあたり、これらのことを勘案して、本願補正発明が規定する範囲内の対数とすることに格別の困難性は認められない。　
　
５．むすび
　以上のとおりであって、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。　
　よって、本件補正は、平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第
１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２１年１月２６日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「【請求項１】
　歪み多重量子井戸構造から成る活性層を含む半導体の積層構造が基板の上に形成され、
共振器長と低反射膜の反射率とを設計パラメータとし、
　前記共振器長が１０００μｍより長く１８００μｍ以下であり、
一方の端面に反射率が３％以下の前記低反射膜が形成され、他方の端面に反射率が９０％以上の高反射膜が形成されており、
　発振レーザ光の波長帯域が１２００〜１５００nmであって、発熱量が２.５Ｗ以上である埋込み型半導体レーザ素子と、
　前記半導体レーザ素子を上部に装荷し、排熱断面積が３０mm2以上であるペルチェ素子から成る冷却装置と、
　前記半導体レーザ素子と前記冷却装置を内部に封入するパッケージと、
　前記半導体レーザ素子の前記一方の端面に配置された少なくとも１個のレンズと、
　前記レンズを介して、前記半導体レーザ素子の前記一方の端面に対向配置された光ファイバを有し、
　前記光ファイバからの光出力が１８０mW以上であることを特徴とする半導体レーザモジュール。」
　
２．判断
　本願発明は、本願補正発明からペルチェ素子についての「対数が４０対以上５０対以下である」との限定を省いたものであり、本願補正発明の発明特定事項を全て含み、さらに限定をした本願補正発明が、上記II．２．〜４．において検討したように、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであることを考えれば、同様の理由により、本願発明が引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであることは明らかである。
　
３．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。