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　特願２０００−　１３１２２「非単結晶薄膜太陽電池の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　７月２７日出願公開、特開２００１−２０３３７４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　
（１）本願は、平成１２年１月２１日の特許出願であって、平成１９年１２月２５日付け及び平成２１年５月２８日付けで手続補正がなされ、平成２１年１２月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２２年４月１９日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、これと同時に手続補正がなされたものである。
　
（２）本願の請求項に係る発明は、絶査定不服審判の請求と同時になされた手続補正後の明細書の特許請求の範囲の請求項１−６に記載された事項により特定されるものであって、その請求項１に記載された発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりである。
　
「非晶質薄膜からなるｐ型半導体層、実質的に真性なｉ型半導体層、ｎ型半導体層を積層したｐｉｎ接合を少なくとも一つ有し、少なくとも一つのｐｉｎ接合のｐ型半導体層あるいはｎ型半導体層が微結晶相を含む非晶質膜からなる非単結晶薄膜太陽電池の製造方法において、非晶質膜からなるｉ型半導体層の上に、１ないし８ｎｍの厚さで光学ギャップが１．９ｅＶ〜２．０ｅＶの非晶質シリコンオキサイドの界面層を製膜し、更にその上に微結晶相を含む非晶質膜を基板温度７０〜１２０℃で作成して、微結晶相を含む非晶質半導体層と非晶質膜からなるｉ型半導体層との間にシリコンオキサイドの界面層を設けるようにしたことを特徴とする非単結晶薄膜太陽電池の製造方法。」
　
２　引用刊行物の記載
　
（１）引用刊行物１
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である第６０回応用物理学学術講演会　講演予稿集(1999)No.2, p.810　２ａ−ＺＳ−８（以下「引用刊行物１」という。）には、以下の記載がある。 
　
「μc-Si(p)層を用いたアモルファスシリコンセル(2)
　Amorphous silicon solar cells with μc-Si(p) layer (2)
・・・
　前回、微結晶シリコンｐ層(μc-Si(p))を用いたアモルファスシリコン(a-Si)セルにおいて、開放電圧(Voc)がμc-Si(p)層の製膜基板温度(Ts)が85℃で極大になることを報告した[1]。また、セル上で測定したラマン散乱スペクトルの結晶成分ピークが85℃で最大となった。
　今回、セルのTEM観察とSEM観察により、a-Si膜上でのμc-Si(p)の膜成長の様子を調べた。セル構造は、metal/a-SiO(n)/a-Si(i)/a-SiO(p/i)/μc-Si(p)/TCOである。図にμc-Si(p)層部分のTEM断面形状の模式図を示す。Ts=45℃では、ほぼ球形の粒状のμc-Siで、膜になっていない。Ts=65℃では、柱状のμc-Siだが、隙間がある。Ts=85℃で隙間なくμc-Si膜が形成されている。しかし、Ts=150℃になると成長初期の約15nmはa-Siが形成され、その後μc-Siが形成される。ラマン散乱の結晶ピークは、Ts85℃では結晶粒間に隙間があるため小さくなり、Ts85℃では成長初期にa-Siが形成されたために小さくなったといえる。（以下省略）」
　
（２）引用刊行物２
　
　同じく特開平３−２６３８７８号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、以下の記載がある。
　
ア　「第１の発明はpin接合型光起電力装置を構成するp層、或るいはn層の内、少なくとも１層を微結晶半導体にて形成すると共に、p層−i層間、或るいはi層−n層間の少なくとも一方に１０〜１００Åの絶縁性薄膜を挿入して成る光起電力装置である。」（２頁左上欄１４行〜１９行）
　
イ　「第１図は第１実施例の積層構造を示す断面図であり、（１）はガラス等の透光性を有する基板、（２）はＳｎＯ２、ＩＴＯ等のＴＣＯから成る受光面電極、（３）は微結晶半導体としての水素化微結晶シリコンカーバイド（以下μｃ−ＳｉＣ：Ｈと略記する）のｐ層、（４）は絶縁性薄膜としての窒化シリコン膜、（５）は非晶質半導体としてのｉ型の非晶質シリコン、（６）は同じくｎ型非晶質シリコン、（７）はＡ１、ＩＴＯ／Ａｇ等の裏面電極である。」（２頁右上欄１１行〜１９行）
　
ウ　「この図を見れば明らかなように、窒化シリコン膜（４）の膜厚は１０〜１００Åの間で、従来（略９．８％）よりも高く、特に１５〜７０Åの間では変換効率が１１％を越える値となっている。」（２頁右下欄１行〜４行）
　
エ　「尚、絶縁性薄膜としては上記の窒化シリコンや炭化シリコンの他に、酸化シリコンを用いても同様の効果が期待できる。」（３頁右上欄６行〜８行）
　
オ　「本発明は以上の説明の如く微結晶、又は多結晶半導体層と、他の半導体層と、の間に酸化シリコン、窒化シリコン、及び炭化シリコンのような絶縁性薄膜を挿入することにより、これらの薄膜が挿入されていないものに比べて著しく太陽光の電気エネルギーへの変換効率が向上し、光起電力装置としての性能を向上させることが可能となる。
　そして前記薄膜の挿入膜厚を１０〜１００Åに設定することにより光−電変換効率は非常に高くなる効果が生まれる。」（３頁右上欄１０行〜１９行）
　
カ　第２図は、次のものである。
　
（３）引用刊行物３
　
　原査定に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平５−２９９６７７号公報（以下「引用刊行物３」という。）には、以下の記載がある。
　
ア　「【０００８】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するために、本発明の太陽電池は第一導電型の結晶系シリコンからなる層とシリコンと酸素とを主成分とする第二導電型の水素化非晶質シリコン系薄膜との間に形成されるヘテロ接合を有するものとする。そして、第一導電型の結晶系シリコンからなる層が単結晶シリコンの基板であることも、多結晶シリコンの基板であることも、基板上に直接形成された多結晶シリコン薄膜であることも、あるいは第二導電型の酸素添加水素化非晶質シリコン系薄膜との積層が表面に電極層を有する基板上に形成される多結晶シリコン薄膜であることも有効である。また、本発明の太陽電池の製造方法は、シリコン化合物ガスと水素と酸素源ガスとの混合ガスを原料ガスに用いた容量結合型プラズマＣＶＤ法により酸素添加水素化非晶質シリコン系薄膜を形成するものとする。その酸素源ガスとしてＣＯ2 、ＣＯおよびＮ2Ｏのうちの少なくとも一つを用いることが有効である。」
　
イ　「【０００９】
【作用】酸素添加水素化非晶質シリコン系材料は、酸素の添加量と共にバンドギャップEgが1.９eVないし2.０eV以上へと広くなり、光の吸収係数が小さくなってヘテロ接合によって生ずる光起電力が増大する。また、炭素添加水素化非晶質シリコン系材料にくらべて暗導電率が高いため、太陽電池の内部抵抗が小さくなり、短絡電流密度が向上する。そしてそのような酸素添加水素化非晶質シリコン系材料の薄膜は、容量結合型プラズマＣＶＤ法により成膜可能であるため、大面積の結晶系シリコン基板上にあるいは多結晶シリコン薄膜と積層して低温で均一に形成可能である。」
　
ウ　「【００１０】
【実施例】図１は本発明の第一の実施例の太陽電池の断面構造を示し、図２と共通の部分には同一の符号を付している。この太陽電池は、抵抗率２Ω・cm、大きさ10cm×10cm、厚さ0.35mmのｐ形多結晶シリコン基板１の上に厚さ 100nmのｎ形の酸素添加水素化非晶質シリコン (以下ａ−SiＯ：Ｈと記す) の薄膜２を成膜して形成したヘテロ接合を有する。このａ−SiＯ：Ｈ膜２の成膜には、大きさ約30cm×40cmの平行平板電極を備えた容量結合型プラズマＣＶＤ装置内で、原料ガスとしてSiＨ4 、ＣＯ2 、ＰＨ3 およびＨ2 の混合ガスを用い、12枚の基板１上に同時成膜した。ガス流量は、常温常圧下での換算値がSiＨ4 毎分、10cc、ＣＯ2 毎分５cc、ＰＨ3 毎分0.１cc、Ｈ2 毎分200cc であり、基板温度200 ℃、電極へ印加したグロー放電電力は30Ｗ、周波数は13.56MHzであった。なお、同一条件で石英ガラス基板上に成膜したａ−SiＯ：Ｈ薄膜の暗伝導度は1.４×10-3Ｓ／cm、強度 100mW／cm2 の擬似太陽光下で測定した光伝導度は1.74×10-3Ｓ／cm、光学的バンドギャップEgは2.０eVであった。ａ−SiＯ：Ｈ膜で、このように2.０eVの広い光学的バンドギャップと10-3Ｓ／cm台の高い暗伝導度が得られることは、これまで知られていなかった。また、形成されたａ−SiＯ：Ｈ薄膜中には炭素はほとんど含まれておらず、２次イオン質量分析法による分析結果は、２×1020cm-3、すなわち約0.４原子％以下であった。さらに、多結晶シリコン基板１の裏面全面に真空蒸着によりAl裏面電極３を、またａ−SiＯ：Ｈ薄膜２の表面上にZnＯの真空中でのマスク蒸着により、１cm間隔で透光性電極４を形成した。」
　
３　引用発明
　
　上記２（１）によれば、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
　 
「セル構造が、metal/a-SiO(n)/a-Si(i)/a-SiO(p/i)/μc-Si(p)/TCOであるアモルファスシリコン太陽電池の製造方法であって、μc-Si(p)層の製膜基板温度を85℃とし、開放電圧（Voc)が極大になるアモルファスシリコン太陽電池の製造方法。」
　
４　対比 
　
　本願発明と引用発明とを対比する。 
　
（１）本願明細書の【００１９】に記載されるとおり、実施例１において、μc-Siのｐ層６が形成されていることに照らすと、引用発明の「μc-Si(p)」は、本願発明の「非晶質薄膜からなるｐ型半導体層」、「ｐ型半導体層あるいはｎ型半導体層が微結晶相を含む非晶質膜」ないし「微結晶相を含む非晶質半導体層」に相当する。
　
（２）引用発明の「a-Si(i)」は、本願発明の「実質的に真性なｉ型半導体層」ないし「非晶質膜からなるｉ型半導体層」に相当する。
　
（３）引用発明の「a-SiO(n)」は、本願発明の「ｎ型半導体層」に相当する。
　
（４）上記（１）〜（３）によれば、引用発明は、
「非晶質薄膜からなるｐ型半導体層、実質的に真性なｉ型半導体層、ｎ型半導体層を積層したｐｉｎ接合を少なくとも一つ有し、少なくとも一つのｐｉｎ接合のｐ型半導体層あるいはｎ型半導体層が微結晶相を含む非晶質膜からなる非単結晶薄膜太陽電池の製造方法」
である点において、本願発明と一致する。
　
（５）引用発明の「a-SiO(p/i)」は、本願発明の「非晶質シリコンオキサイドの界面層」ないし「シリコンオキサイドの界面層」に相当する。
　
（６）引用発明のセル構造は、metal/a-SiO(n)/a-Si(i)/a-SiO(p/i)/μc-Si(p)/TCOであるから、「非晶質膜からなるｉ型半導体層の上に、非晶質シリコンオキサイドの界面層を製膜し、更にその上に微結晶相を含む非晶質膜を作成して、微結晶相を含む非晶質半導体層と非晶質膜からなるｉ型半導体層との間にシリコンオキサイドの界面層を設けるようにした」点において、本願発明の構成と一致する。
　
（７）引用発明は、μc-Si(p)層の製膜基板温度(Ts)を85℃とするものであるから、本願発明の「微結晶を含む膜を基板温度７０〜１２０℃で作成して」との構成を備える。
　
（８）以上によれば、本願発明と引用発明とは、
「非晶質薄膜からなるｐ型半導体層、実質的に真性なｉ型半導体層、ｎ型半導体層を積層したｐｉｎ接合を少なくとも一つ有し、少なくとも一つのｐｉｎ接合のｐ型半導体層あるいはｎ型半導体層が微結晶相を含む非晶質膜からなる非単結晶薄膜太陽電池の製造方法において、非晶質膜からなるｉ型半導体層の上に、非晶質シリコンオキサイドの界面層を製膜し、更にその上に微結晶相を含む非晶質膜を基板温度７０〜１２０℃で作成して、微結晶相を含む非晶質半導体層と非晶質膜からなるｉ型半導体層との間にシリコンオキサイドの界面層を設けるようにした非単結晶薄膜太陽電池の製造方法。」
　
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
ア　非晶質シリコンオキサイドの界面層について、本願発明では、「１ないし８ｎｍの厚さ」と特定されているのに対して、引用発明では、「a-SiO(n)」の厚さについて特定されていない点（以下「相違点１」という）
　
イ　非晶質シリコンオキサイドの界面層について、本願発明では、「光学ギャップが１．９ｅＶ〜２．０ｅＶ」と特定されているのに対して、引用発明では、「a-SiO(n)」の光学ギャップについて特定されていない点（以下「相違点２」という）
　
５　判断 
　
（１）相違点１について
　
　上記２（２）によれば、引用刊行物２には、pin接合型光起電力装置において、p層−i層間、あるいはi層−n層間の少なくとも一方に１０〜１００Åの絶縁性薄膜を挿入する技術が記載されており、実施例として、微結晶半導体のp層（３）とi型非結晶シリコン（５）の間に挿入される窒化シリコン膜（４）について、その膜厚が１０〜１００Åの間で、変換効率が、従来（略９．８％）よりも高く、特に１５〜７０Åの間では変換効率が１１％を越える値となること、窒化シリコン膜（４）の他に酸化シリコンを用いても同様の効果が期待できることが記載されていることが認められる。
　そうすると、引用刊行物２に記載の窒化シリコン膜（４）と同じく、微結晶半導体にて形成されたｐ層（μc-Si(p)）とｉ層（a-Si(i)）の間に設けられた層である引用発明におけるa-SiO(p/i)について、a-SiO(p/i)の厚さを、変換効率が高くなる範囲のものとすることは、引用刊行物２に記載の技術に基づいて、当業者が容易に想到し得ることであり、a-SiO(p/i)の厚みを具体的にどの程度のものとするかは、当業者が設計上適宜に定めるべき事項である。
　しかるところ、引用刊行物２において、「膜厚が１０〜１００Åの間」とされていることに照らして、引用発明のμc-Si(p)の厚みを１ないし８ｎｍの厚みとすることに格別の困難を要するものとは認められない。
　また、本願明細書の【００２５】に、
「界面層のa-SiOの膜厚１から８nmの範囲で、Effが比較例１の値を上回っていることがわかる。」
と記載されているとおり、相違点１に係る本願発明の特定事項である数値限定は、効率（Eff）がある値を上回るａ−ＳｉＯの界面層の厚さの範囲を限定したものであって、設計的事項の域を超えるものとはいえない。
　
（２）相違点２について
　
　引用刊行物３には、太陽電池に用いる酸素添加水素化非晶質シリコン系材料に関し、酸素の添加量と共にバンドギャップEgが1.９eVないし2.０eV以上へと広くなり、光の吸収係数が小さくなってヘテロ結合によって生ずる光起電力が増大することが記載されている。
　引用発明において、a-SiO(p/i)として、光学ギャップが具体的にどの程度のものを用いるかは、当業者が設計上適宜に定めるべき事項であり、引用刊行物３の上記記載に照らして、引用発明におけるa-SiO(p/i)を、光学ギャップが１．９ｅＶ〜２．０ｅＶであるものとすることに、格別の困難があるとは認められない。
　また、本願明細書を参照しても、相違点２に係る本願発明の特定事項である光学ギャップの下限値及び上限値について、格別の意義があるものとは認められない。
　
（３）小括
　
　したがって、本願発明は、引用発明及び引用刊行物２に記載された技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６　むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。