【事件の表示】
　特願２００５−３６３３８６「液晶表示装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　８月１７日出願公開，特開２００６−２１６９３６〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は，平成９年３月２４日に出願した特願平０９−０６９５５３号（以下「原出願」という。）の一部を，平成１７年１２月１６日に新たな特許出願としたものであって，平成２１年９月７日付けで拒絶理由通知がされ，これに対して同年１０月２７日に手続補正書及び意見書が提出されたが，同年１１月１７日付けで，拒絶査定がされた。 
　そして，平成２２年１月１５日に，拒絶査定に対する審判請求がされるとともに手続補正書が提出され，その後当審において，平成２３年４月２０日付けで審尋がされ，同年６月２日に回答書が提出されたものである。 
　
第２　平成２２年１月１５日に提出された手続補正書による手続補正（以下「本件補正」という。）の却下について 
 　 
［補正却下の決定の結論］ 
　本件補正を却下する。 
 　 
［理由］ 
１　本件補正の内容 
　本件補正は，特許請求の範囲について，補正前の請求項１ないし８を，補正後の請求項１ないし５に補正し，また，明細書の段落【０００７】及び【００１０】を補正するものであって，本件補正による補正前後の特許請求の範囲の記載は，次のとおりである。 
 　 
（本件補正前）
「【請求項１】
　透明絶縁性基板と，ゲート電極およびゲート配線と，半導体層と，上記半導体層と共に薄膜トランジスタを構成するソース電極，ソース電極配線およびドレイン電極と，上記ゲート電極およびゲート配線と上記半導体層の間に形成された絶縁膜と，上記ドレイン電極と電気的に接続された画素電極を有する第一の基板，および上記第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板を備えた液晶表示装置の製造方法において，
　上記ゲート電極およびゲート配線は，ＡｌまたはＡｌ合金，およびＡｌより硬度が高い金属を順次成膜して二層膜を形成する工程と，上記二層膜の表面をブラシにより洗浄した後レジストを形成し，上記二層膜をエッチングする工程により形成されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
　【請求項２】
　Ａｌより硬度が高い金属膜は，Ａｌ合金膜と同じエッチング液あるいはエッチングガスによりエッチングできる金属により形成されることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項３】
　Ａｌより硬度が高い金属膜は，Ａｌ合金膜よりエッチング速度が大きい金属により形成されることを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項４】
　二層膜のエッチング条件は，Ａｌより硬度が高い金属膜の方が，Ａｌ合金膜よりも速くエッチングされる条件であることを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項５】
　二層膜のエッチング工程において，ドライエッチング法を用い，上記ドライエッチングのエッチングガスに酸素を含有させることを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項６】
　Ａｌより硬度が高い金属膜は，上記二層膜のエッチングおよびエッチングレジストの除去後に，除去されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項７】
　Ａｌより硬度が高い金属は，ブラシ洗浄により上記金属の表面に傷が生じない硬度を有する金属であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項８】
　Ａｌより硬度が高い金属は，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔａ，またはＭｏのいずれかである請求項１〜７記載の液晶表示装置の製造方法。」
　
 （本件補正後）
「【請求項１】
　透明絶縁性基板と，ゲート電極およびゲート配線と，半導体層と，上記半導体層と共に薄膜トランジスタを構成するソース電極，ソース電極配線およびドレイン電極と，上記ゲート電極およびゲート配線と上記半導体層の間に形成された絶縁膜と，上記ドレイン電極と電気的に接続された画素電極を有する第一の基板，および上記第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板を備えた液晶表示装置の製造方法において，
　上記ゲート電極およびゲート配線は，上記透明絶縁性基板上に直接ＡｌまたはＡｌ合金を成膜した後，このＡｌまたはＡｌ合金を被覆するようにＡｌより硬度が高い金属を成膜して二層膜を形成する工程と，上記二層膜の表面をブラシにより洗浄した後レジストを形成し，上記二層膜をエッチングする工程により形成されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
　【請求項２】
　Ａｌより硬度が高い金属膜は，Ａｌ合金膜と同じエッチング液あるいはエッチングガスによりエッチングできる金属により形成されることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項３】
　Ａｌより硬度が高い金属膜は，上記二層膜のエッチングおよびエッチングレジストの除去後に，除去されることを特徴とする請求項１〜２のいずれか一項記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項４】
　Ａｌより硬度が高い金属は，ブラシ洗浄により上記金属の表面に傷が生じない硬度を有する金属であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項５】
　Ａｌより硬度が高い金属は，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔａ，またはＭｏのいずれかである請求項１〜４記載の液晶表示装置の製造方法。」
　
２　補正事項の整理 
　本件補正による，本願の特許請求の範囲及び発明の詳細な説明についての補正事項は，以下のとおりである。（下線は補正箇所を示し，当審で付加したもの。）
（１）補正事項１ 
　補正前の請求項３〜５を削除し，補正前の請求項６〜８を，補正後の請求項３〜５とする。さらに，補正前の請求項６〜８の各請求項に記載された引用請求項を，上記請求項の削除による請求項の番号の付け替えに伴い，変更する。
（２）補正事項２ 
　補正前の請求項１の「ＡｌまたはＡｌ合金，およびＡｌより硬度が高い金属を順次成膜して二層膜を形成する工程」を，「
上記透明絶縁性基板上に直接
を成膜した後，このＡｌまたはＡｌ合金を被覆するように
を成
（３）補正事項３ 
　本願の明細書の段落【０００７】，【００１０】を，特許請求の範囲の補正に対応して補正する。
　
３　補正目的の適否及び新規事項の有無 
（１）補正事項１について 
　補正事項１は，特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第１号に掲げる，請求項の削除を目的とするものに該当する。 
（２）補正事項２について
　ア　本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「本願の出願当初の明細書等」という。）の段落【００２０】〜【００２１】，【００３０】〜【００３１】，及び【００７２】，並びに図１，図５及び図１４から，補正事項２が，本願の出願当初の明細書等に記載された事項の範囲内において行われたものであることは明らかである。
　イ　したがって，補正事項２は，特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）の規定に適合する。
　ウ　補正事項２は，補正前の請求項１の記載に対して，「上記透明絶縁性基板上に直接」という事項，及び「を成膜した後，このＡｌまたはＡｌ合金を被覆するように」という事項を付加するとともに，「Ａｌ又はＡｌ合金」と「Ａｌより硬度が高い金属を」との間から「，および」を削除し，かつ，「Ａｌより硬度が高い金属を」と「成膜し」の間から「順次」を削除したものである。
　「，および」と「順次」を削除していることは，意味の上での相違をもたらすものではないから，補正事項２は，補正前の請求項１に記載された発明特定事項である「上記ゲート電極およびゲート配線は，ＡｌまたはＡｌ合金，およびＡｌより硬度が高い金属を順次成膜して二層膜を形成する工程」を，限定的に減縮するものである。
　エ　そうすると，補正事項２は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものに該当する。 
（３）補正事項３について
　補正事項３は，補正事項２による，本願の特許請求の範囲の請求項１の補正に伴うものであり，上記（２）で検討したとおり，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
（４）小括
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たす。
　
４　独立特許要件についての検討 
　上記３において検討したとおり，上記補正事項２は，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものに該当するから，補正後の特許請求の範囲に記載された事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（すなわち，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項に適合するか），以下に検討する。 
　
（１）本願補正発明 
　補正後の本願の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は，再掲すると，次のとおりである。 
「【請求項１】
　透明絶縁性基板と，ゲート電極およびゲート配線と，半導体層と，上記半導体層と共に薄膜トランジスタを構成するソース電極，ソース電極配線およびドレイン電極と，上記ゲート電極およびゲート配線と上記半導体層の間に形成された絶縁膜と，上記ドレイン電極と電気的に接続された画素電極を有する第一の基板，および上記第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板を備えた液晶表示装置の製造方法において，
　上記ゲート電極およびゲート配線は，上記透明絶縁性基板上に直接ＡｌまたはＡｌ合金を成膜した後，このＡｌまたはＡｌ合金を被覆するようにＡｌより硬度が高い金属を成膜して二層膜を形成する工程と，上記二層膜の表面をブラシにより洗浄した後レジストを形成し，上記二層膜をエッチングする工程により形成されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。」
　
（２）引用例１の記載と引用発明 
（２−１）引用例１ 
　原査定の拒絶の理由に引用され，原出願の出願前に日本国内で頒布された特開昭６４−８４６６８号公報（平成２１年１１月２４日付け拒絶査定における「引用文献２」。以下「引用例１」という。）には，第１図とともに次の記載がある。（下線は当審で付加したもの。以下同じ。） 
・「本発明は薄膜トランジスタに係り，特に動作速度の改良に関するものである。」（第１頁左側欄第２０行〜右側欄第１行）
・「また，薄膜トランジスタは半導体面積を大きくすることが容易であるため現在主にアクティブマトリクスパネルのスイッチ素子として用いられており，このアクティブマトリクスパネルは，
走査電極と信号電極のマトリクスの交点部に形成された画素毎にスイッチ素子を設け，このスイッチ素子をオン／オフすることにより画素信号に基づいて画素の表示／非表示を制御している
走査電極は，一般にゲートラインと呼ばれ，信号電極はドレインラインと呼ばれている
前記ゲートラインには，スイッチ素子のゲート電極が接続されており，１本のゲートラインに接続されるゲート電極の数は水平走査線方向の画素の数に等しい。ゲートライン及びゲート電極には同一の金属が用いられる
・「第１図は，本発明の一実施例である逆スタガー形の薄膜トランジスタの略断面図である。
　同図において，
ガラス，石英またはサファイア等の絶縁性基板１
スパッタ法または蒸着法により形成された約１５００Åの厚さのアルミニウム（Ａｌ）から成る第１の金属層と
その第１の金属層の上に同じくスパッタ法または蒸着法等により形成された約５００Åの厚さのクロム（Ｃｒ）から成る第２の金属層が形成されている
アルミニウム２とこのアルミニウム２の上に積層されたクロム３は，ゲート電極４を形成
ゲート電極４を被覆して窒化シリコン（ＳｉＮ）からなるゲート絶縁膜である絶縁膜５が約３０００Åの厚さに絶縁性基板１上に形成されている
ソース電極７及びドレイン電極８が形成
・「アルミニウム２のの上に
高融点金属であるクロム３を積層
剛性の高いクロム３にアルミニウム２が被覆されている
・「また，本発明を例えば
液晶ディスプレイ等のアクティブマトリクスパネルのスイッチ素子
ゲート電極及びゲートラインの配線抵抗が従来よりも大幅に小さくなる
ゲートラインの配線抵抗を従来よりも増加することなくゲート電極及びゲートラインの微細化が可能
　
（２−２）引用発明
　ア　上記（２−１）及び引用例１の第１図を参照すると，引用例１には，ガラス等の絶縁性基板１と，ゲート電極４およびゲートラインと，上記ゲート電極４を被覆するゲート絶縁膜である絶縁膜５と，半導体薄膜６と，上記半導体薄膜６上のソース電極８及びドレイン電極９と，からなる逆スタガー形の薄膜トランジスタを有する基板を備えた液晶ディスプレイであって，上記ゲート電極４及びゲートラインが上記絶縁性基板に直接形成されたアルミニウムと，当該アルミニウム上に形成されたクロムからなる，液晶ディスプレイが記載されている。
　イ　引用例１に直接開示されているのは液晶ディスプレイの構造であるが，これを得るためには，その各要素を形成する製造段階を経なければならないことは当然である。そこで，上記液晶ディスプレイの要素の一つであるゲート電極４およびゲートラインが形成される際の製造段階について検討すると，第１図には，絶縁性基板１上に直接アルミニウムが形成され，その上にクロムが積層されて形成され，両金属層が同一形状にパターニングされていることが見て取れるから，このゲート電極４の形成には，絶縁性基板１の上に直接アルミニウムを成膜した後，このアルミニウムの上にクロムを成膜して二層膜を形成する工程を経ていることが明らかである。
　したがって，引用例１には，上記アで認定した液晶ディスプレイについて，その製造方法として，ゲート電極４およびゲートラインが，絶縁性基板１の上に直接アルミニウムを成膜した後，このアルミニウムを被覆するようにクロムを成膜して二層膜を形成する工程を含んで形成されることが，実質的に記載されていると認められる。
　ウ　よって，引用例１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「ガラス等の絶縁性基板１と，ゲート電極４およびゲートラインと，上記ゲート電極４を被覆するゲート絶縁膜である絶縁膜５と，半導体薄膜６と，上記半導体薄膜６上のソース電極８及びドレイン電極９と，からなる逆スタガー形の薄膜トランジスタを有する基板を備えた液晶ディスプレイの製造方法において，
　上記ゲート電極４およびゲートラインは，上記ガラス等の絶縁性基板１上に直接アルミニウムを成膜した後，このアルミニウムを被覆するようにクロムを成膜して二層膜を形成する工程を含んで形成される液晶ディスプレイの製造方法。」
　
（３）対比
　ア　引用発明の「ガラス等の絶縁性基板１」，「ゲート電極４およびゲートライン」，及び「半導体薄膜６」が，それぞれ，本願補正発明の「透明絶縁性基板」，「ゲート電極およびゲート配線」，及び「半導体層」に相当する。
　イ　引用発明の「上記半導体薄膜６上のソース電極８」及び「ドレイン電極９」は，半導体薄膜６と共に薄膜トランジスタを構成することは明らかであるから，本願補正発明の「上記半導体層と共に薄膜トランジスタを構成するソース電極」および「ドレイン電極」に相当する。
　ウ　引用発明のゲート電極４およびゲートラインは同一の材料で形成されていること，及び，技術常識からみて，ゲート電極上のゲート絶縁膜は必要に応じてゲートライン上にも存在し，ゲート電極およびゲートラインと半導体薄膜との間の絶縁をするものと認められることから，引用発明の「上記ゲート電極４を被覆するゲート絶縁膜である絶縁膜５」は，本願補正発明の「上記ゲート電極およびゲート配線と上記半導体層の間に形成された絶縁膜」に相当する。
　エ　引用発明の「を有する基板」は，本願補正発明の「を有する第一の基板」に相当する。
　オ　引用発明の「液晶ディスプレイ」は，本願補正発明の「液晶表示装置」に相当する。
　カ　引用例１において，クロムは剛性の高い金属として用いられているが，クロムはアルミニウムより硬度が高い金属であることは自明であるから，引用発明の「クロム」は本願補正発明の「Ａｌより硬度が高い金属」に相当し，引用発明の「上記ガラス等の絶縁性基板１上に直接アルミニウムを成膜した後，このアルミニウムを被覆するようにクロムを成膜して二層膜を形成する工程」は，本願補正発明の「上記透明絶縁性基板上に直接ＡｌまたはＡｌ合金を成膜した後，このＡｌまたはＡｌ合金を被覆するようにＡｌより硬度が高い金属を成膜して二層膜を形成する工程」に相当する。
　キ　以上によれば，本願補正発明と引用発明との一致点と相違点は，次のとおりである。
＜一致点＞
「透明絶縁性基板と，ゲート電極およびゲート配線と，半導体層と，上記半導体層と共に薄膜トランジスタを構成するソース電極，およびドレイン電極と，上記ゲート電極およびゲート配線と上記半導体層の間に形成された絶縁膜と，を有する第一の基板を備えた液晶表示装置の製造方法において，
　上記ゲート電極およびゲート配線は，上記透明絶縁性基板上に直接ＡｌまたはＡｌ合金を成膜した後，このＡｌまたはＡｌ合金を被覆するようにＡｌより硬度が高い金属を成膜して二層膜を形成する工程を含んで形成されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。」
　
＜相違点＞
・相違点１
　本願補正発明は，「上記半導体層と共に薄膜トランジスタを構成するソース電極，ソース電極配線およびドレイン電極」と「上記ドレイン電極と電気的に接続された画素電極」を有する「第一の基板」を備えた液晶表示装置の製造方法であるのに対し，引用発明は，基板が「ソース電極配線」を有することについて明記がなく，また，「上記ドレイン電極と電気的に接続された画素電極」を有することについて明記がない点。
・相違点２
　本願補正発明は，「上記第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板」を備えた液晶表示装置の製造方法であるのに対し，引用発明では，「第二の基板」について明記がない点。
・相違点３
　本願補正発明は，ゲート電極およびゲート配線の形成に際して，「上記二層膜の表面をブラシにより洗浄した後レジストを形成し，上記二層膜をエッチングする工程」を有しているのに対し，引用発明は，この工程について記載がない点。
  　
（４）相違点についての判断 
（４−１）相違点１について
　液晶表示装置において，各画素が画素電極を有し，各画素電極に薄膜トランジスタを介して画像信号が印加されることは技術常識といえる。そして，薄膜トランジスタが設けられる第一の基板において，薄膜トランジスタのソース電極とドレイン電極のうち，一方の電極であるソース電極がデータ線と一体で形成されるとともに，他方の電極であるドレイン電極が画素電極に電気的に接続されることは，以下の周知例１にみられるように当然の構成である。
　したがって，引用発明において，ソース電極とドレイン電極のうち，一方の電極であるソース電極をデータ線と一体で形成して「ソース電極配線」を有するものとするとともに，他方の電極であるドレイン電極を画素電極に電気的に接続して「上記ドレイン電極と電気的に接続された画素電極」を有するものとすることは，当業者が容易になし得たことである。
　
＜周知例１＞
　特開平７−２８７２５１号公報（以下「周知例１」という。）には，図１１，図１４とともに，以下の記載がある。
・「【０００３】図14は，そのような従来のアクティブマトリックス方式の液晶表示素子の一方の絶縁性基板に設けられた薄膜トランジスタ（以下，ＴＦＴという）２および保持容量素子１の部分を説明するための断面説明図である。図14においてガラス，石英などからなる透明絶縁性基板３にＡｌ，Ｔａ，Ｃｒ，ＩＴＯなどからなる保持容量素子の一方の電極である保持容量電極11，Ａｌ，Ｔａなどの金属から陽極酸化により形成されたＡｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5などからなる保持容量膜12，
ＩＴＯなどからなる画素電極13
ソース電極24
ドレイン電極25
・「【０００４】ＴＦＴ２と保持容量素子１とのあいだには画素電極13の部分があり，対向する透明絶縁性基板に設けられた電極とのあいだに印加される電圧により両透明絶縁性基板間に注入された液晶材料の旋光性により各画素ごとに点灯，非点灯が制御されるようになっている。（後略）」
・「【０００６】つぎに動作について説明する。ＴＦＴ２はゲート電極21に印加される走査信号により半導体層23に流れる電流がＯＮ，ＯＦＦされる。ＯＮ時にはソース電極24に印加された画像信号により半導体層23に電流が流れ，
ドレイン電極25を通じて画素電極13に電圧が印加される
・「【００３１】
【実施例】本発明の液晶表示素子はマトリックス状に画素が形成され，各画素に少なくともＴＦＴなどからなるスイッチング素子と前述のデューティ駆動のための保持容量素子と画素電極が設けられ，さらに配向膜などが設けられた
一方の透明絶縁性基板
他方の透明絶縁性基板とが，前記電極が対向するように一定間隙を保持して周縁で接着されている
その間隙に液晶材料が注入
・「【００３３】・・・また図11に保持容量素子１，ＴＦＴ２，画素電極13からなる１画素分の
ＴＦＴ２側透明絶縁性基板３の平面図
ゲート線
データ線８
図１１において21〜25は図14と同じ部分を示している
　上記摘記事項を参酌すると，図１１及び図１４からは，薄膜トランジスタがソース電極２４とドレイン電極２５を有し，上記ソース電極２４がデータ線８と一体で形成され，また，上記ドレイン電極２５と画素電極１３が電気的に接続されている構成が見てとれる。
　
（４−２）相違点２について
　液晶表示装置において，薄膜トランジスタが設けられる第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板を備えることは，上記周知例１（段落【００３１】参照）にみられるように当然の構成である。
　したがって，引用発明において，「上記第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板」を備えた「液晶表示装置」とすることは，当業者が容易になし得たことである。
　
（４−３）　相違点３について 
　ア　絶縁基板上に，薄膜トランジスタのゲート電極及びゲート配線を形成する場合に，導電膜上にレジストを形成し，エッチングする工程を行うことは，慣用的になされることであり，また，二層構造のゲート電極及びゲート配線を形成する場合においても，二層膜を形成する工程と，レジストを形成し，上記二層膜をエッチングする工程を行うことは，以下の周知例２にみられるように，周知の技術である。
　そして，引用発明のゲート電極も，二層膜をパターニングしていることは明らかであるから，引用発明においても，二層膜を形成する工程の後，レジストを形成し，上記二層膜をエッチングする工程を行うことは，通常行われる工程であると認められる。
　
＜周知例２＞
　特開平５−３２３３７３号公報（以下「周知例２」という。）には，図１〜５とともに，以下の記載がある。
・「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示パネル等に使用される薄膜トランジスタパネルの製造方法に関する。」
・「【００１２】まず，ドラム回転方式であり対向ターゲット方式であるマグネトロンスパッタ電極を有し，基板温度を２００℃まで昇温可能なスパッタリング装置を用いて，
ガラス基板２上にゲート電極及びゲートバスラインを形成する
Ａｌをスパッタリングし，ガラス基板２上に厚さ約５０ｎｍのＡｌ膜４を形成する
Ｃｒをスパッタリングし，Ａｌ膜４上に厚さ約８０ｎｍのＣｒ膜６を形成する
このＡｌ膜４とＣｒ膜６の二層膜の上に，幅が５μｍのゲートパターンを有するレジスト膜８を形成する。このレジスト膜８をマスクとして，ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）によりＣＣｌ
4
 ＋Ｏ
2
 ガスによりＣｒ膜６をエッチングし，続いてＢＣｌ
3
 ＋Ｃｌ
2 
ガスによりＡｌ膜４をエッチングする
その後レジスト膜８を除去して，Ａｌ膜１０ａの上層にＣｒ膜１０ｂが形成されたゲート電極１０が完成する
　
　イ　液晶表示装置の製造において，レジスト膜塗布前にブラシ洗浄を行うことは，以下の周知例３，４，５にみられるように周知技術であり，さらに，液晶表示装置の製造のためのレジスト処理システムにブラシ洗浄装置が組み込まれることが，周知例３，４にみられるように周知の装置構成であることから，液晶表示装置の製造において，レジスト膜の塗布前にブラシ洗浄を行うことはごく一般的な発想であると認められる。
　また，液晶表示装置の製造における一工程として，金属膜の表面に対しブラシ洗浄を行うことは，周知例１，５にみられるように，周知技術である。
　
＜周知例３＞
　特開平７−１３５１７１号公報（以下「周知例３」という。）には，以下の記載がある。 
・「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，主に半導体素子や
ＬＣＤ基板などの製造工程において
ＬＣＤガラス板等の被塗布物表面に塗布した例えばレジスト膜などの塗膜を加熱して乾燥処理する塗膜の処理方法及び処理装置
【０００２】
【従来の技術】例えば，半導体デバイスの製造プロセスでは，半導体ウエハのレジスト膜にフォトリソグラフィー技術を用いて所定の回路パターンを転写し，現像処理することなどが行われている。このようなリソグラフィー工程におけるレジスト処理技術は，ステッパ（マスクアライナ）の機能・特性並びに後のドライエッチングの性能を最大限に引き出すために重要である。」
・「【００１４】
【実施例】以下，添付の図面を参照しながら本発明の種々の実施例について説明する。図１に示すように，
レジスト処理システム１
処理室６，７，８，９，１２，１３を含む第１のプロセス部１５
・「【００１５】処理室６〜１４は移送路４の両側に配設されている。
第１プロセス部１５の移送路４の一方側にはブラシ洗浄室６
並んでいる
【００１６】
第１プロセス部１５の移送路４の他方側にはレジスト塗布室１２
並んでいる
・「【００２３】次に，図３及び図４を参照しながら第１実施例の塗膜処理方法について説明する。ステーション２にカセットを搬入し，移載アーム機構３によりカセットから１枚のウエハＷを取り出し，これを第１プロセス部１５に搬入する。
ウェハＷを処理室６でブラシ洗浄し
ここでウエハＷ表面にレジスト溶液をスピン塗布する
　
＜周知例４＞
　特開平８−２５５７８９号公報（以下「周知例４」という。）には，以下の記載がある。 
・「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は，例えば
レジスト膜のような溶剤による液状塗布膜を，ＬＣＤ基板等の基板上やこの上に形成された層の上に形成するための処理装置及び処理方法
【０００２】
【従来の技術】一般に，半導体技術の分野では，
ＬＣＤ基板の上に形成された半導体層，絶縁体層，電極層を選択的に所定のパターンにエッチングする場合に，半導体ウエハの場合と同様にパターン部のマスキングとして層の表面にレジスト膜を形成することが行われている
【０００３】例えば，レジスト膜の形成方法として，角形のＬＣＤ基板（以下に基板という）を，処理容器内に配設される載置台上に載置固定した状態で，処理容器の開口部を蓋体で閉止して，処理容器と載置台を回転させ，例えば，この基板上面の中心部に溶剤と感光性樹脂とからなるレジスト液を滴下し，そのレジスト液を基板の回転力と遠心力とにより基板中心部から周縁部に向けて放射状に拡散させて塗布する処理方法が知られている。」
・「【００５２】上記
レジスト塗布・現像処理システム
基板Ｇの第１処理部９１
・【００５４】上
記第１処理部９１は，Ｘ，Ｙ，Ｚ方向の移動及びθ回転可能なメインアーム８０の搬送路１０２の一方の側に，基板Ｇをブラシ洗浄するブラシ洗浄装置１２０と
を配置し
搬送路１０２の他方の側に，この発明の塗布膜形成装置である塗布処理装置１０７
を配置してなる
・「【００５８】上記のように構成される塗布・現像処理システムにおいて，カセット９６内に収容された未処理の基板Ｇはローダ部９０の搬出入ピンセット９９によって取出された後，第１処理部９１のメインアーム８０に受け渡され，そして，ブラシ洗浄装置１２０内に搬送される。
このブラシ洗浄装置１２０内にてブラシ洗浄された基板Ｇは
フォトレジストすなわち感光膜が塗布形成され
　
＜周知例１＞
　前記周知例１（特開平７−２８７２５１号公報）には，以下の記載がある。
・「【００４０】［実施例１］図１は本発明の液晶表示素子の一実施例の保持容量素子部分を示す断面説明図である。ガラス，石英などからなる透明絶縁性基板の表面にＩＴＯ，Ａｌ，Ｔａ，Ｃｒなどからなる保持容量素子１の一方の電極である保持容量電極11，Ａｌ，Ｔａなどの金属から陽極酸化により形成されたＡｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5などからなる保持容量膜12ａ，12ｂ，保持容量素子１部以外の画素用の電極と連続して形成され，ＩＴＯなどからなる画素電極13が順次形成されている。保持容量電極11には透明なＩＴＯを用いれば液晶表示素子の開口率を低下させないため好ましい。」
・「【００４４】まず，図２（ａ）に示されるように，透明絶縁性基板３上に，たとえばＩＴＯなどからなる保持容量電極11をＣＶＤ法，スパッタ法，蒸着法などで形成する。ついで図２（ｂ）に示されるように，たとえば
Ｔａからなる金属膜121
とくに，第１の金属膜121を形成後，一旦ブラシ洗浄
　
＜周知例５＞
　特開平２−１３２８３３号公報（以下「周知例５」という。）には，以下の記載がある。 
・「実施例
　以下，第１図を参照して本発明による薄膜配線の実施例を説明する。
　即ち，例えばホウ珪酸ガラスからなる絶縁基板１１上に例えば真空蒸着した後パターンニングした膜厚１００ｎｍのＩＴＯ薄膜ｌ２設け，更に第２導電膜として膜厚３０ｎｍのＣｒ薄膜１４，第１導電体薄膜として膜厚１００ｎｍのＡｌ薄膜ｌ３，第３導電体薄膜として膜厚３０ｎｍの
Ｔａ薄膜１５
ブラシ洗浄
フォトレジストによりエッチングマスクを形成し，例えばＴａ薄膜１５をシュウ酸系，Ａｌ薄膜ｌ３を燐酸−硝酸系，Ｃｒ薄膜１４を硝酸セリウム系にてエッチングを行ない，発煙硝酸にてレジスト除去を施すことにより良好なＡｌ配線パターンを形成する
　
　ウ　したがって，引用発明において，ゲート電極となる金属の二層膜を形成する工程の後，上記アのとおり，レジストを形成して上記二層膜をエッチングする工程を行うことは通常行うことであって，その際に，上記イの一般的な発想に基づき，レジスト膜の塗布前にブラシ洗浄を行うことは，当業者が直ちに想到し得ることである。
　そして，周知例１，５にみられるように，高融点金属等の硬度が高い金属膜表面に対しては，ブラシ洗浄が可能であることは周知のことであるから，引用発明のアルミニウムにクロムが積層された二層膜に対して，ブラシ洗浄を実施したうえでレジストを形成し，エッチングを行うようにすることは，当業者が容易になし得たことである。
　エ　よって，引用発明のゲート電極およびゲート配線の形成に際して，本願補正発明のごとく，「上記二層膜の表面をブラシにより洗浄した後レジストを形成し，上記二層膜をエッチングする工程」を行うことは，当業者が容易になし得ることである。
　
（５）まとめ
　以上のとおり，引用発明において，上記相違点１，２，３に係る本願補正発明の構成を採用することは，当業者が容易になし得たことである。
　したがって，本願補正発明は，引用発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際に独立して特許を受けることができないものである。
　
５　むすび
　よって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明の容易想到性について
１　本願発明について
　平成２２年１月１５日に提出された手続補正書による手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，本件補正前の請求項１（平成２１年１０月２７日に提出された手続補正書により補正された請求項１）に記載された事項により特定される，次のとおりのものである。
「【請求項１】
　透明絶縁性基板と，ゲート電極およびゲート配線と，半導体層と，上記半導体層と共に薄膜トランジスタを構成するソース電極，ソース電極配線およびドレイン電極と，上記ゲート電極およびゲート配線と上記半導体層の間に形成された絶縁膜と，上記ドレイン電極と電気的に接続された画素電極を有する第一の基板，および上記第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板を備えた液晶表示装置の製造方法において，
　上記ゲート電極およびゲート配線は，ＡｌまたはＡｌ合金，およびＡｌより硬度が高い金属を順次成膜して二層膜を形成する工程と，上記二層膜の表面をブラシにより洗浄した後レジストを形成し，上記二層膜をエッチングする工程により形成されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。」
　
２　引用発明
　引用発明は，上記第２，４，（２），（２−２）で認定したとおりである。
　
３　対比・判断
　上記第２の３で検討したとおり，本願補正発明は，本願発明の発明特定事項を全て含み，かつ，これをより限定したものである。
　そして，本願発明の発明特定事項を全て含み，かつ，これをより限定したものである本願補正発明が，上記第２，４に記載したとおり，引用発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　結言
　以上検討したとおり，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，本願は，他の請求項について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。