【事件の表示】
　特願２００４−　６３１１３「薄膜トランジスター」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　９月３０日出願公開、特開２００４−２７４０５９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１６年３月５日（パリ条約による優先権主張平成１５年３月７日、台湾）の出願であって、平成１９年１２月２５日付けで手続補正がなされ、平成２０年３月１１日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年６月１６日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同年７月１４日付けで手続補正がなされ、その後当審において平成２２年６月１１日付けで審尋がなされ、同年９月１５日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成２０年７月１４日付けの手続補正について
【補正の却下の決定の結論】
　平成２０年７月１４日付けの手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容
　平成２０年７月１４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲及明細書を補正するものであり、特許請求の範囲についての補正は、以下のとおりである。
　
（補正事項ａ）補正前の請求項１を、補正後の請求項１の
「絶縁体と、
ポリシリコンレイヤと、
絶縁レイヤと、
ゲート電極とを有し、
前記ポリシリコンレイヤは、チャンネル領域と、ソース領域と、ドレイン領域とを有し、
前記ソース領域とドレイン領域が第一不純物（ＩＭＰＵＲＩＴＹ）でドープされてチャンネル領域に接続され、
前記チャンネル領域が、ボディコンタクト領域を有し、
前記ボディコンタクト領域は、前記絶縁体と前記絶縁レイヤとに接続され、
前記ボディコンタクト領域の表面に、絶縁レイヤに侵入するコンタクトレイヤを有し、
前記コンタクトレイヤが、ゲート電極との接触を回避する位置に配置され、
ボディコンタクト領域が、ソース領域とドレイン領域中でドープされたのとは異なった第二不純物でドープされることを特徴とする、
ボディコンタクトを有した、薄膜トランジスター。」
と補正すること。
　
（補正事項ｂ）補正前の請求項３を削除すること。　
　
（補正事項ｃ）補正前の請求項４を、補正後の請求項３の
「【請求項３】
絶縁体と、
ポリシリコンレイヤと、
絶縁レイヤと、
ゲート電極とを有し、
前記ポリシリコンレイヤは、チャンネル領域と、ソース領域と、ドレイン領域とを有し、
前記ソース領域とドレイン領域が第一不純物でドープされてチャンネル領域に接続され、
前記チャンネル領域が、ボディコンタクト領域を有し、
前記ボディコンタクト領域は、前記絶縁体と前記絶縁レイヤとに接続され、
前記ボディコンタクト領域の表面に、絶縁レイヤに侵入するコンタクトレイヤを有し、
前記ボディコンタクト領域とコンタクトレイヤが、ゲート電極に囲まれる領域内に形成され、
コンタクト領域が、ゲート電極と接触するのを回避する位置に配置し、
ボディコンタクト領域が、絶縁体上にボディトリガバイアスを提供するために、ソース領域とドレイン領域中でドープされたのとは異なった第二不純物でドープされることを特徴とする、
ボディコンタクトを有した、薄膜トランジスター。」
と補正すること。
　
（補正事項ｄ）補正前の請求項６を削除すること。
　
（２）補正の目的の適否についての検討
（２−１）補正事項ａについて
補正前の請求項１における「前記チャンネル領域が、絶縁体と絶縁レイヤとを接続するボディコンタクト領域を有し、」を、補正後の請求項１における「前記チャンネル領域が、ボディコンタクト領域を有し、前記ボディコンタクト領域は、前記絶縁体と前記絶縁レイヤとに接続され、」とする補正については、実質的な内容を変更したものとはいえず、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明に該当せず、さらに、同法同条同項第１号、第２号、第３号に掲げる請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正のいずれの事項をも目的とするものではないので、補正事項ａは、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
（２−２）補正事項ｂについて
　補正前の請求項３を削除するものであるから、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる第３６条第５項に規定する請求項の削除を目的とするものに該当する。
　
（２−３）補正事項ｃについて
補正前の請求項４における「前記チャンネル領域が、絶縁体と絶縁レイヤとを接続するボディコンタクト領域を有し、」を、補正後の請求項３における「前記チャンネル領域が、ボディコンタクト領域を有し、前記ボディコンタクト領域は、前記絶縁体と前記絶縁レイヤとに接続され、」とする補正については、実質的な内容を変更したものとはいえず、特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明に該当せず、さらに、同法同条同項第１号、第２号、第３号に掲げる請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正のいずれの事項をも目的とするものではないので、補正事項ａは、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
（２−４）補正事項ｄについて
　補正前の請求項６を削除するものであるから、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる第３６条第５項に規定する請求項の削除を目的とするものに該当する。
　
（２−５）補正目的の適否
  以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない補正事項ａ及びｃを含むから、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
（３）本件補正が適法なものとした場合について
（３−１）検討の前提
　上記（２）において検討したとおり、本件補正は特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていないが、仮に本件補正が当該要件を満たすものであるとした場合、すなわち、補正事項ａ及び補正事項ｃが明りょうでない記載の釈明に該当するとした場合、本件補正による補正後の請求項に係る発明が、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるか否かについて、一応検討する。
　
（３−２）補正後の請求項１に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「補正後の発明」という。）は、平成２０年７月１４日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
絶縁体と、
ポリシリコンレイヤと、
絶縁レイヤと、
ゲート電極とを有し、
前記ポリシリコンレイヤは、チャンネル領域と、ソース領域と、ドレイン領域とを有し、
前記ソース領域とドレイン領域が第一不純物（ＩＭＰＵＲＩＴＹ）でドープされてチャンネル領域に接続され、
前記チャンネル領域が、ボディコンタクト領域を有し、
前記ボディコンタクト領域は、前記絶縁体と前記絶縁レイヤとに接続され、
前記ボディコンタクト領域の表面に、絶縁レイヤに侵入するコンタクトレイヤを有し、
前記コンタクトレイヤが、ゲート電極との接触を回避する位置に配置され、
ボディコンタクト領域が、ソース領域とドレイン領域中でドープされたのとは異なった第二不純物でドープされることを特徴とする、
ボディコンタクトを有した、薄膜トランジスター。」
　
（３−３）引用刊行物に記載された発明
（３−３−１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前である平成１４年１２月２０日に頒布された刊行物である特開２００２−３６８２２３号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図１ないし３とともに、以下の事項が記載されている。（なお、下線「
　
　
「【０００２】
【従来の技術】近年，高速化・低消費電力化に向けてＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）デバイスの開発が進んでいる。ＳＯＩデバイスにおいては，埋め込み酸化膜（ＢＯＸ膜：Ｂｕｒｉｅｄ　ＯＸｉｄｅ膜）の上に薄いシリコン層（ＳＯＩ層）があり，ＢＯＸ膜とフィールド膜（Ｆｉｅｌｄ膜）により素子が完全に分離されている。この完全素子分離により寄生容量が低減し，また薄いＳＯＩ層によりボディ領域（Ｂｏｄｙ領域：ＮＭＯＳトランジスタの場合Ｐ‐，ＰＭＯＳトランジスタの場合Ｎ‐）が完全または部分的に空乏化し，急峻なサブスレッショルド（Ｓｕｂｔｈｒｅｓｈｏｌｄ）特性を得られることで，高速，低消費電力を実現している。また完全素子分離構造で寄生バイボーラが形成されないため，ラッチアップを誘発しないメリットもある。」
「【０００９】本発明は，従来の半導体装置が有する上記問題点に鑑みてなされたものであり，
本発明の目的は，ＤＴＭＯＳを使用した出力トランジスタの静電気サージに対する応答性を同一トランジスタ内で均一にし，静電破壊耐性を向上させることの可能な，新規かつ改良された半導体装置を提供することである。
「【００１７】（第１の実施の形態）図１は本発明の第１の実施の形態にかかる半導体装置１０の平面図である。図２は図１のＡ−Ａ’断面図であり，図３は図１のＢ−Ｂ’断面図である。
【００１８】まず，半導体装置１０の構造を説明する。
図１，図２に示したように，シリコン基板１０Ｓ上にＢＯＸ膜１０Ｂを介して，フィールド膜１０Ｆにより分離された領域にＮ型拡散層（第１導電型の活性化領域）１０Ｎが形成されている。Ｎ型拡散層１０Ｎ内には，図３に示したように，ソース領域１１Ｎおよびドレイン領域１２Ｎが形成されている。
【００１９】
ソース領域１１Ｎとドレイン領域１２Ｎ間には，図３に示したように，高濃度のＰ型拡散層（第２導電型の第１の不純物領域）１１Ｐが形成されている。このＰ型拡散層１１Ｐを囲むように，ソース領域１１Ｎとドレイン領域１２Ｎ間に低濃度のＰ型拡散層（第２導電型の第２の不純物領域）１２Ｐが形成されている。さらに，図２に示したように，このＰ型拡散層１２Ｐに隣接して高濃度のＰ型拡散層（第２導電型の第３の不純物領域）１３Ｐが形成されている。
【００２０】
Ｐ型拡散層１２Ｐ上には，図１，図２に示したように，Ｐ型拡散層１１Ｐを露出するようにゲート電極１０Ｇが形成されている。さらに，ゲート電極１０Ｇ，Ｐ型拡散層１１ＰおよびＰ型拡散層１３Ｐを覆うようにゲート電極１０Ｇと同一方向に延在するゲート電位供給メタル（導電層）１０Ｍが形成されている。ゲート電位供給メタル１０Ｍと，ゲート電極１０Ｇとは，図２に示したように，フィールド膜１０Ｆ上において接続孔１３Ｃを介して電気的に接続されている。また，ゲート電位供給メタル１０Ｍと，Ｐ型拡散層１１ＰおよびＰ型拡散層１３Ｐとは，接続孔１４Ｃを介して電気的に接続されている。
　
（３−３−２）したがって、引用刊行物には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「シリコン基板１０Ｓ上にＢＯＸ膜１０Ｂを介してフィールド膜１０Ｆにより分離された領域にＮ型拡散層１０Ｎが形成され、前記Ｎ型拡散層１０Ｎ内にソース領域１１Ｎおよびドレイン領域１２Ｎが形成され、前記ソース領域１１Ｎと前記ドレイン領域１２Ｎ間に高濃度のＰ型拡散層１１Ｐが形成され、前記Ｐ型拡散層１１Ｐを囲むように前記ソース領域１１Ｎと前記ドレイン領域１２Ｎ間に低濃度のＰ型拡散層１２Ｐが形成され、前記Ｐ型拡散層１２Ｐに隣接して高濃度のＰ型拡散層１３Ｐが形成され、前記Ｐ型拡散層１２Ｐ上に前記Ｐ型拡散層１１Ｐを露出するようにゲート電極１０Ｇが形成され、前記ゲート電極１０Ｇ、前記Ｐ型拡散層１１Ｐおよび前記Ｐ型拡散層１３Ｐを覆うように前記ゲート電極１０Ｇと同一方向に延在するゲート電位供給メタル（導電層）１０Ｍが形成され、前記ゲート電位供給メタル１０Ｍと前記ゲート電極１０Ｇとは前記フィールド膜１０Ｆ上において接続孔１３Ｃを介して電気的に接続され、前記ゲート電位供給メタル１０Ｍと前記Ｐ型拡散層１１Ｐおよび前記Ｐ型拡散層１３Ｐとが接続孔１４Ｃを介して電気的に接続されているトランジスタ。」
　
（３−４）対比
（３−４−１）刊行物発明の「ＢＯＸ膜１０Ｂ」、「ゲート電極１０Ｇ」及び「低濃度のＰ型拡散層１２Ｐ」は、各々補正後の発明の「絶縁体」、「ゲート電極」及び「チャンネル領域」に相当する。
　
（３−４−２）刊行物発明の「Ｎ型拡散層１０Ｎ」と補正後の発明の「ポリシリコンレイヤ」とは、「層」という点で共通する。
　
（３−４−３）刊行物発明において、「ゲート電極１０Ｇ」と「Ｐ型拡散層１２Ｐ」と間には、「ゲート絶縁膜」が形成されていることは明らかである。また、刊行物発明において、「接続孔１３Ｃ」及び「接続孔１４Ｃ」が形成されるためには、「Ｎ型拡散層１０Ｎ」、「Ｐ型拡散層１１Ｐ」及び「ゲート電極１０Ｇ」を覆う全面に「層間絶縁膜」が形成されている必要があり、前記「ゲート絶縁膜」及び前記「層間絶縁膜」は、補正後の発明の「絶縁レイヤ」に相当する。
　
（３−４−４）刊行物発明の「Ｎ型拡散層１０Ｎ内に」「形成」された「ソース領域１１Ｎおよびドレイン領域１２Ｎ」は、各々補正後の発明の「第一不純物（ＩＭＰＵＲＩＴＹ）でドープされ」た「ソース領域」及び「ドレイン領域」に相当し、刊行物発明の「Ｐ型拡散層１２Ｐ」に接続されていることは明らかである。
　
（３−４−５）刊行物発明の「Ｐ型拡散層１１Ｐ」は、補正後の発明の「ボディコンタクト領域」に相当する。そして、刊行物発明の「Ｐ型拡散層１１Ｐ」は、「ソース領域１１Ｎおよびドレイン領域１２Ｎ」でドープされたのとは異なった不純物でドープされていることは明らかである。また、刊行物発明の「Ｐ型拡散層１１Ｐ」は、前記「ＢＯＸ膜１０Ｂ」、上記（３−４−３）で述べた前記「ゲート電極」及び前記「層間絶縁膜」と接続されていることは明らかである。
　
（３−４−６）刊行物発明において、「ゲート電位供給メタル１０Ｍと」「Ｐ型拡散層１１Ｐおよび」「Ｐ型拡散層１３Ｐとが接続孔１４Ｃを介して電気的に接続されている」ことから、上記  （３−４−３）で述べた前記「層間絶縁膜」に形成された「接続孔１４Ｃ」内には、「導電層」が形成されていることが明らかであり、前記「導電層」は、補正後の発明の「絶縁レイヤに侵入するコンタクトレイヤ」に相当する。
　
（３−４−７）刊行物発明において、「ゲート電極１０Ｇ」は、「Ｐ型拡散層１２Ｐ上に」「Ｐ型拡散層１１Ｐを露出するように」「形成され」ており、「接続孔１４Ｃ」は、「Ｐ型拡散層１１Ｐ」内に開口されていることは明らかであるから、刊行物発明において、「接続孔１４Ｃ」内に形成された前記「導電層」が、「ゲート電極１０Ｇ」との接触を回避する位置に配置されていることは、明らかである。
　
（３−４−８）刊行物発明の「トランジスタ」と補正後の発明の「薄膜トランジスター」とは、「トランジスタ」という点で共通する。
　
（３−４−９）すると、補正後の発明と刊行物発明とは、
「絶縁体と、
層と、
絶縁レイヤと、
ゲート電極とを有し、
前記層は、チャンネル領域と、ソース領域と、ドレイン領域とを有し、
前記ソース領域とドレイン領域が第一不純物（ＩＭＰＵＲＩＴＹ）でドープされてチャンネル領域に接続され、
前記チャンネル領域が、ボディコンタクト領域を有し、
前記ボディコンタクト領域は、前記絶縁体と前記絶縁レイヤとに接続され、
前記ボディコンタクト領域の表面に、絶縁レイヤに侵入するコンタクトレイヤを有し、
前記コンタクトレイヤが、ゲート電極との接触を回避する位置に配置され、
ボディコンタクト領域が、ソース領域とドレイン領域中でドープされたのとは異なった第二不純物でドープされることを特徴とする、
ボディコンタクトを有した、トランジスタ。」である点で一致し、次の２点で相違する。
　
（相違点１）前記「層」が、補正後の発明では、「ポリシリコンレイヤ」であるのに対して、刊行物発明では、「シリコン基板１０Ｓ上にＢＯＸ膜１０Ｂを介して」「形成された」「Ｎ型拡散層１０Ｎ」である点。
　
（相違点２）前記「トランジスタ」が、補正後の発明では、「薄膜トランジスター」であるのに対して、刊行物発明では、「シリコン基板１０Ｓ上にＢＯＸ膜１０Ｂを介して」「形成された」「Ｎ型拡散層１０Ｎ」に形成される、いわゆる「ＳＯＩ基板」を用いた「トランジスタ」である点。
　
（３−５）判断
　以下、相違点１、２について検討する。
　絶縁層上に形成された多結晶シリコン膜を用いて、薄膜トランジスタを形成することは、以下の周知例１及び２に記載されるように、従来周知の技術である。
　
（周知例１）：特開２００２−３６８１１１号公報
「【０００２】
【従来の技術】近年、ガラス基板上に形成された多結晶シリコン膜を活性層に用いた、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の研究開発が活発に行われている。多結晶シリコン膜を用いたＴＦＴは、非晶質シリコン膜を用いたＴＦＴと比べて移動度が２桁以上高いため、ＴＦＴのゲート幅を小さく微細化しても回路の動作に必要な電流値を十分確保できる。よって、マトリクス型のフラットパネルディスプレイの画素部とその駆動回路を同一基板上に一体形成した、システム・オン・パネルの実現が可能である。」
　
 （周知例２）：特開２００３−３７０６１号公報
「【０００２】
【従来の技術】非晶質基板上あるいは非晶質絶縁膜上に、高性能ポリシリコン薄膜を形成し、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を作製する技術は、液晶ディスプレイヘの応用や、ＳＲＡＭ（スタティック・ランダム・アクセス・メモリ）の負荷デバイス、ＩＣ（集積回路）の配線遅延を防ぐためのリピーター、３次元ＩＣへの応用等利用範囲が極めて広く、活発に研究されている。近年技術の進歩と共に、単結晶基板あるいは、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板に匹敵する高い移動度をねらえる結晶化技術が熱心に研究されている。その結果、いわゆるＳＯＩ技術と、高性能多結晶シリコン形成技術との境界がやや曖昧になってきている。」
　
　よって、刊行物発明における「ＢＯＸ膜１０Ｂを介して」「形成され」た「Ｎ型拡散層１０Ｎ」に換えて、上記周知の技術である絶縁層上に形成された多結晶シリコン膜を採用し、前記多結晶シリコン膜に薄膜トランジスタを形成することにより、補正後の発明のように、「絶縁体と、ポリシリコンレイヤと、」「ゲート電極とを有し、前記ポリシリコンレイヤは、チャンネル領域と、ソース領域と、ドレイン領域とを有」する「薄膜トランジスター」とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、相違点１及び２は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（３−６）まとめ
　以上、検討したとおり、補正後の発明と刊行物発明との相違点は、当業者が、引用刊行物に記載された発明及び周知技術を勘案することにより容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、補正後の発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項（以下「特許法第１７条の２第５項」という。）において準用する同法第１２６条第５項の規定を満たしていない。
　
（４）むすび
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしておらず、また、仮に、当該要件を満たすものであったとしても、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定を満たしていないから、いずれにしても、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成２０年７月１４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし６に係る発明は、平成１９年１２月２５日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
絶縁体と、
ポリシリコンレイヤと、
絶縁レイヤと、
ゲート電極とを有し、
前記ポリシリコンレイヤは、チャンネル領域と、ソース領域と、ドレイン領域とを有し、
前記ソース領域とドレイン領域が第一不純物（ＩＭＰＵＲＩＴＹ）でドープされてチャンネル領域に接続され、
前記チャンネル領域が、絶縁体と絶縁レイヤとを接続するボディコンタクト領域を有し、
前記ボディコンタクト領域の表面に、絶縁レイヤに侵入するコンタクトレイヤを有し、
前記コンタクトレイヤが、ゲート電極との接触を回避する位置に配置され、
ボディコンタクト領域が、ソース領域とドレイン領域中でドープされたのとは異なった第二不純物でドープされることを特徴とする、
ボディコンタクトを有した、薄膜トランジスター。」
　
４．引用刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物には、上において検討したとおり、上記２．（３−３−１）に記載したとおりの事項及び上記２．（３−３−２）において認定したとおりの発明が記載されているものと認められる。
　
 ５．判断
　上記２．（２）において検討したとおり、補正後の発明は、本願発明の実質な内容を変更したものでないところ、上記２．（３）において検討したように、補正後の発明が、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである以上、本願発明も、当然に引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。