【事件の表示】
　特願２００１−５６６１８１「基板熱管理システム」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年９月１３日国際公開，ＷＯ０１／６７５０５、平成１５年９月９日国内公表，特表２００３−５２６９２１〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１３年２月２７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０００年３月７日，米国）を国際出願日とする出願であって，平成１４年９月２４日付け，同年１１月８日付け，平成１９年１月９日付け及び同年１０月２２日付けで手続補正がなされたところ，同年１２月１９日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，平成２０年３月１９日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，同年４月１８日付けで手続補正がなされ，その後当審において，平成２２年５月２８日付けで審尋がなされ，同年８月３１日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２０年４月１８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，平成１９年１０月２２日付けで補正された本件補正前の請求項１を本件補正後の請求項１とする補正を含むものであって，本件補正前後の請求項１は，以下のとおりである。
（１）本件補正前の請求項１
「【請求項１】
　ウェーハ表面に対して静止して置かれ，拡散器熱質量Ｍｄと前記ウェーハ表面を加熱する加熱表面上に温度場Ｔｄとを有する熱拡散器と，
　前記ウェーハ表面に対して静止して置かれ，約０．１（Ｍｄ）に等しいか又はそれ以下の熱源熱質量Ｍｓと前記熱拡散器に隣接する表面上にＴｄと異なる温度場Ｔｓとを有する熱源と，
　前記ウェーハ表面に対して静止して置かれ，リザーバ熱質量Ｍｒを有し，熱搬送能力を備えた媒体を内部に包含する熱リザーバと，
　前記ウェーハ表面に対して静止して置かれ，制御可能な温度Ｔｓｋを有する熱搬送媒体を含み，かつシンク熱質量Ｍｓｋを有する熱シンクと，
　前記熱源に接続された少なくとも１つの制御可能な電源と，
を含むウェーハ熱管理装置であって，
　前記熱シンク，前記熱源，前記熱リザーバ，前記熱拡散器，及び前記ウェーハ表面は一体化され，前記熱シンク及びウェーハ表面に結合する表面領域に広がる固体材料に亘る又は液体材料及び固体材料に亘る熱伝導によって不可分に連通しており，
　前記熱シンク及び前記熱リザーバは，伝導及び対流熱伝達によって不可分に連通しており，
　前記熱源が複数の独立制御可能な区域を含み，前記区域が異なる熱量を与えるようになっている，
ことを特徴とするウェーハ熱管理装置。」
（２）本件補正後の請求項１
「【請求項１】
　ウェーハ表面に対して静止して置かれ，拡散器熱質量Ｍｄと前記ウェーハ表面を加熱する加熱表面上に温度場Ｔｄとを有する熱拡散器と，
　前記ウェーハ表面に対して静止して置かれ，約０．１（Ｍｄ）に等しいか又はそれ以下の熱源熱質量Ｍｓと前記熱拡散器に隣接する表面上にＴｄと異なる温度場Ｔｓとを有する熱源と，
　前記ウェーハ表面に対して静止して置かれ，リザーバ熱質量Ｍｒを有し，熱搬送能力を備えた媒体を内部に包含する熱リザーバと，
　前記ウェーハ表面に対して静止して置かれ，制御可能な温度Ｔｓｋを有する熱搬送媒体を含み，かつシンク熱質量Ｍｓｋを有する熱シンクと，
　前記熱源に接続された少なくとも１つの制御可能な電源と，
を含むウェーハ熱管理装置であって，
　前記熱シンク，前記熱源，前記熱リザーバ，前記熱拡散器，及び前記ウェーハ表面は一体化され，前記熱シンク及びウェーハ表面に結合する表面領域に広がる固体材料に亘る又は液体材料及び固体材料に亘る熱伝導によって不可分に連通しており，
　前記熱シンク及び前記熱リザーバは，伝導及び対流熱伝達によって不可分に連通しており，
　前記熱源が複数の独立制御可能な区域を含み，前記区域が異なる熱量を与えるようになっており，
　前記制御可能な電源は制御装置（２６０）を含み，前記制御装置が前記熱源（２４０）に接続された前記電源（２５０）を制御し，前記熱源（３４０）内に埋め込まれた前記少なくとも一つの温度センサ（３２５）からの温度測定が，前記電源（３５０）を制御するために前記制御装置（３６０）へとフィードバックループを提供し，前記電源（３５０）は，前記熱源（３４０）に亘る温度プロフィールを制御するために，前記熱源（３４０）の前記加熱区域（３２０）への電力を制御する
ことを特徴とするウェーハ熱管理装置。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正のうち，本件補正後の請求項１に関する補正事項は，本件補正前の請求項１の「前記区域が異なる熱量を与えるようになっている，こと」を，本件補正後の請求項１の「前記区域が異なる熱量を与えるようになっており，　前記制御可能な電源は制御装置（２６０）を含み，前記制御装置が前記熱源（２４０）に接続された前記電源（２５０）を制御し，前記熱源（３４０）内に埋め込まれた前記少なくとも一つの温度センサ（３２５）からの温度測定が，前記電源（３５０）を制御するために前記制御装置（３６０）へとフィードバックループを提供し，前記電源（３５０）は，前記熱源（３４０）に亘る温度プロフィールを制御するために，前記熱源（３４０）の前記加熱区域（３２０）への電力を制御すること」と補正することである。
　
３　補正の目的の適否
　本件補正後の請求項１に関する補正事項は，本件補正前の請求項１の「前記制御可能な電源」について，「制御装置（２６０）を含み，前記制御装置が前記熱源（２４０）に接続された前記電源（２５０）を制御し，前記熱源（３４０）内に埋め込まれた前記少なくとも一つの温度センサ（３２５）からの温度測定が，前記電源（３５０）を制御するために前記制御装置（３６０）へとフィードバックループを提供し，前記電源（３５０）は，前記熱源（３４０）に亘る温度プロフィールを制御するために，前記熱源（３４０）の前記加熱区域（３２０）への電力を制御する」構成を追加して，限定的に減縮したものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
４　独立特許要件の検討
　以上で検討したとおり，本件補正後の請求項１に関する補正事項は，平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから，本件補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて，さらに検討を進める。
　
４−１　本件補正後の請求項１に係る発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は，本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものであって，以下のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　ウェーハ表面に対して静止して置かれ，拡散器熱質量Ｍｄと前記ウェーハ表面を加熱する加熱表面上に温度場Ｔｄとを有する熱拡散器と，
　前記ウェーハ表面に対して静止して置かれ，約０．１（Ｍｄ）に等しいか又はそれ以下の熱源熱質量Ｍｓと前記熱拡散器に隣接する表面上にＴｄと異なる温度場Ｔｓとを有する熱源と，
　前記ウェーハ表面に対して静止して置かれ，リザーバ熱質量Ｍｒを有し，熱搬送能力を備えた媒体を内部に包含する熱リザーバと，
　前記ウェーハ表面に対して静止して置かれ，制御可能な温度Ｔｓｋを有する熱搬送媒体を含み，かつシンク熱質量Ｍｓｋを有する熱シンクと，
　前記熱源に接続された少なくとも１つの制御可能な電源と，
を含むウェーハ熱管理装置であって，
　前記熱シンク，前記熱源，前記熱リザーバ，前記熱拡散器，及び前記ウェーハ表面は一体化され，前記熱シンク及びウェーハ表面に結合する表面領域に広がる固体材料に亘る又は液体材料及び固体材料に亘る熱伝導によって不可分に連通しており，
　前記熱シンク及び前記熱リザーバは，伝導及び対流熱伝達によって不可分に連通しており，
　前記熱源が複数の独立制御可能な区域を含み，前記区域が異なる熱量を与えるようになっており，
　前記制御可能な電源は制御装置（２６０）を含み，前記制御装置が前記熱源（２４０）に接続された前記電源（２５０）を制御し，前記熱源（３４０）内に埋め込まれた少なくとも一つの温度センサ（３２５）からの温度測定が，前記電源（３５０）を制御するために前記制御装置（３６０）へとフィードバックループを提供し，前記電源（３５０）は，前記熱源（３４０）に亘る温度プロフィールを制御するために，前記熱源（３４０）の前記区域（３２０）への電力を制御する
ことを特徴とするウェーハ熱管理装置。」
　なお，本件補正後の請求項１には，「前記少なくとも一つの温度センサ（３２５）」及び「前記熱源（３４０）の前記加熱区域（３２０）」と記載されているが，これらが「少なくとも一つの温度センサ（３２５）」及び「前記熱源（３４０）の前記区域（３２０）」の誤記であることは文脈上明らかであるから，補正発明を上記のように認定した。
　
４−２　引用例に記載された発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第９９／４５７４５号（１９９９年９月１０日国際公開，以下「引用例１」という。）には，次の記載がある。
ア　「The present invention allows precise, flexible 
specification of temperature profiles, bake equilibrium 
temperatures, and chill equilibrium temperatures. For example, 
when the system is being used to process integrated circuits formed 
on 
a semiconductor wafer substrate (also referred to herein as
a 
semiconductor device
)
uniformity can be controlled to within 0.2°C at equilibrium, and 
average workpiece temperature can be controlled to within 0.01°C 
over time.『本発明は，温度プロフィール，加熱平衡温度，及び冷却平衡温度についての仕様を，正確で柔軟なものとする。例えば，システムが，
半導体ウエハ基板
ここでは，「半導体装置」ともいう
イ　「Figs.1a, 1b, and 1c schematically represent three 
configurations,respectively, of a preferred embodiment of 
a combination baking and chilling apparatus 10 (hereinafter also 
referred to as 
bake/chill apparatus 10
suitable for cycling
a workpiece, such as semiconductor device 12, through a temperature
profile comprising at least one baking step and at least
one chilling step
少なくとも一回の加熱工程と少なくとも一回の冷却工程とを含む温度プロフィールにより，半導体装置１２等の加工品をサイクルするのに適した
加熱／冷却装置１０
ウ　「
Bakeplate 20 has a first major surface 22 for supporting
semiconductor device 12 such that heat energy from bakeplate 20
can be transferred to semiconductor device 12 during baking
Bakeplate 20 also includes second major surface 24 which
can be placed into thermal contact with cooling member 26
Thermal contact means that 
bakeplate 20 and cooling member 26
are in sufficiently close proximity such that cooling effects of
cooling member 26 can be imparted to semiconductor device 12
through bakeplate 20
The most rapid cooling occurs when second
major surface 24 is in direct physical contact with cooling member
26 as shown in Fig.1c
加熱プレート２０は，半導体装置１２を支持するための第１の主表面２２を有し，この加熱プレート２０からの熱エネルギーが，加熱中に半導体装置１２に伝わる
加熱プレート２０は，冷却部材２６と熱接触するように配置される第２の主表面２４も含む
加熱プレート２０と冷却部材２６とが，極めて接近し，冷却部材２６の冷却効果が，加熱プレート２０を通して半導体装置１２に伝わる
最も急速な冷却は，図１ｃに示すように，第２の主表面２４が冷却部材２６と物理的に直接接触しているときに生じる
エ　「Cooling member 26 has relatively high thermal mass 
as compared to semiconductor device 12 and bakeplate 20. 
Cooling
member 26
serves as a thermally massive heat sink
maintained at any desired cooling temperature effective to provide 
chilling, e.g., 15°C to 23°C being typical. Via thermal 
conduction, bakeplate 20, and hence wafer 12, are rapidly chilled 
when bakeplate 20 is placed into thermal contact with cooling member
26. 
Cooling member 26 includes cooling channels 28 which pass
through the interior of cooling member 26
member 26 to be maintained at the desired cooling temperature by 
circulating
cooling media
through
cooling channels 28
冷却部材２６は熱容量ヒートシンクとして機能
冷却部材２６は，冷却部材２６の内部を貫通する冷却経路２８を包含
冷却媒体が冷却経路２８を循環
オ　「In some instances, 
a desirable temperature profile for
bakeplate 20 can be achieved by maintaining thermal contact between
bakeplate 20 and cooling member 26 while both heating and chilling
semiconductor device 12 to some degree at the same time
simultaneous heating and cooling is particularly advantageous
for maintaining bakeplate 20, and
wafer 12, at a desired
equilibrium temperature
equilibrium temperature, as desired) 
in which the bakeplate
equilibrium temperature is controlled to within +/-0.01 ℃
加熱プレート２０に対する望ましい温度プロフィールは，半導体装置１２を，ある程度まで同時に加熱及び冷却している間に，加熱プレート２０と冷却部材２６との間の熱接触を維持することによって達成
加熱と冷却を同時に行うことは，望ましい平衡温度
に，加熱プレート２０と
ウエハ１２とを維持するのに特に有用
これにより，加熱プレートの平衡温度は，±０．０１℃以内に制御
カ　「Specifically, during a temperature ramp period, portions 
of wafer 12 proximal to edge 13 tend to lead interior portions of 
wafer 12. That is, during baking ramps, edges 13 tend to be somewhat
hotter than interior portions of wafer 12, and during chilling ramps
or at equilibrium, edges 13 tend to be somewhat cooler. 
To compensate for such temperature edge effects, 
bakeplate 20
advantageously may 
incorporate two independent heating zones
including at least a first inner heating zone portion underlying
at least the interior portion of wafer 12 and a second outer,
annular shaped heating zone portion underlying at least portions
of annular member 40
can be placed under annular member 40, under wafer 12, and/or 
under gap 63, as desired.『特に，温度が変化する間は，エッジ１３に近接するウエハ１２の部分は，ウエハ１２の内側部分よりも「先に変化する」傾向にある。すなわち，加熱上昇時には，エッジ１３はウエハ１２の内側部分よりもいくらか高温になる傾向にあり，冷却降下時又は平衡時には，エッジ１３はいくらか低温になる傾向にある。このような温度のエッジ効果を補うためには，
加熱プレート２０は，少なくともウエハ１２の内側部分の下に位置する第１の内側加熱ゾーン部分と，少なくとも環状部材４０の部分の下に位置する第２の外側環状加熱ゾーン部分とを含む，２つの独立した加熱ゾーンを組み込む
キ　「Such 
first and second heating zone portions preferably
would be independently controllable
across the diameter of semiconductor device 12 can be made more 
uniform by 
independently adjusting the heat output of each zone
portion
the second heating zone portion could be adjusted to output a lower 
or higher amount of heating energy, as appropriate, relative to 
the first heating zone portion in order to reduce, and preferably 
eliminate, such effects. The different heating zones may, 
if desired, be controlled by separate heater controllers. 
Alternatively, the zones may
 share a common controller that controlsthe zones so that their respective heat outputs can be controlled
in the desired manner
第１及び第２の加熱ゾーン部分は，好ましくは独立して制御することができ，それぞれのゾーン部分の熱出力を独立して調整
各ゾーンを制御する共通のコントローラを共有することで，それぞれの熱出力を所望の方法で制御
ク　「Accordingly, it is much more desirable to 
monitor
the temperature of semiconductor device 12 indirectly by attaching
a suitable temperature sensor to annular member 40
when the thermal capacity of annular member 40 is matched to that 
of wafer 12 as discussed above. Under such circumstances, the actual
temperature of the top surface of semiconductor device 12 
substantially corresponds to the temperature of the top surface 
of annular member 40 at substantially all times during baking and/or
chilling, even during temperature ramps. Indeed, the difference 
in temperature between the top surface of annular member 40 and 
the top surface of semiconductor device 12 is substantially 
constant, and more preferably negligible, as a practical matter.『したがって，特に上記で述べたように，環状部材４０の熱容量が，ウエハ１２の熱容量と一致する場合には，
適切な温度センサを環状部材４０に取りつけることにより，間接的に半導体装置１２の温度を監視
ケ　「Accordingly, Fig.10 is a schematic diagram of 
one embodiment of an innovative 
control system 300
invention in which 
DC power is modulated using a high frequency PWM
control signal to control the heat output of a low thermal mass
bakeplate of the present invention
represents the resistance of the bakeplate. As an overview, 
controller 304 develops a high frequency, pulse width modulated
control signal in response to temperature signals generated by
temperature sensor 306
bakeplate 302, as indicated by double-headed arrow 305. The PWM 
control signal is used to operate switch 342 for the on portion 
of the duty cycle of each pulse of the control signal. This 
establishes a corresponding voltage across resistor 302 that is
proportional to the duty cycle of the PWM control signal. The power
output of the heater is
proportional to the square of such
voltage
制御システム３００
高周波のＰＷＭ制御信号を使用して直流電力を変調
低熱容量の加熱プレートの熱出力を制御
コントローラ３０４は，温度センサ３０６によって発生した温度信号に応答して，高周波のパルス幅変調した制御信号が発生
ＰＷＭ制御信号のデューティサイクルに比例した，抵抗３０２に掛かる電圧を発生
ヒータの電力出力は，この電圧の二乗に比例
（２）上記（１）ア及びイによれば，引用例１に記載された発明は，少なくとも一回の加熱工程と少なくとも一回の冷却工程とを含む温度プロフィールにより，半導体装置１２等の加工品をサイクルするのに適した加熱／冷却装置１０であり，また，半導体ウエハ基板を半導体装置ともいうのであるから，加熱・冷却工程を含む温度プロフィールにより，半導体ウエハ基板１２を熱サイクルするのに適した加熱／冷却装置１０に関するものである。
（３）上記（１）ウによれば，引用例１には，加熱プレート２０は，半導体装置１２を支持するための第１の主表面２２を有し，この加熱プレート２０からの熱エネルギーが，加熱中に半導体装置１２に伝わることが記載されているから，半導体ウエハ基板１２を支持するための第１の主表面２２を有し，加熱中に，熱エネルギーを半導体ウエハ基板１２に伝える加熱プレート２０が開示されている。
（４）上記（１）ウ及びエによれば，引用例１には，加熱プレート２０と冷却部材２６とが，極めて接近し，冷却部材２６の冷却効果が，加熱プレート２０を通して半導体装置１２に伝わること，及び，冷却部材２６は，熱容量ヒートシンクとして機能し，内部を貫通する冷却経路２８を包含し，冷却媒体が冷却経路２８を循環することが記載されている。したがって，引用例１には，加熱プレート２０と極めて接近することで，冷却効果を加熱プレート２０を通して半導体ウエハ基板１２に伝える熱容量ヒートシンクとして機能し，内部を貫通する冷却経路２８に冷却媒体が循環する冷却部材２６と，冷却媒体が循環する冷却経路２８が開示されている。
（５）上記（１）ケによれば，引用例１には，制御システム３００では，高周波のＰＷＭ制御信号を使用して直流電力を変調し，低熱容量の加熱プレートの熱出力を制御することが記載されているから，高周波のＰＷＭ制御信号を使用して直流電力を変調し，加熱プレートの熱出力を制御する制御システム３００が開示されている。
（６）上記（１）カ及びキによれば，引用例１には，加熱プレート２０は，少なくともウエハ１２の内側部分の下に位置する第１の内側加熱ゾーン部分と，少なくとも環状部材４０の部分の下に位置する第２の外側環状加熱ゾーン部分とを含む，２つの独立した加熱ゾーンを組み込むこと，及び，第１及び第２の加熱ゾーン部分は，好ましくは独立して制御することができ，それぞれのゾーン部分の熱出力を独立して調整することが記載されている。したがって，引用例１には，加熱プレート２０が，ウエハ１２の内側部分の下に位置する第１の内側加熱ゾーン部分と，少なくとも環状部材４０の部分の下に位置する第２の環状の外側加熱ゾーン部分とを含む，２つの独立した加熱ゾーンを組み込み，第１及び第２の加熱ゾーン部分を独立して制御し，それぞれのゾーン部分の熱出力を独立して調整することが開示されている。
（７）上記（１）キ，ク及びケによれば，引用例１には，各ゾーンを制御する共通のコントローラを共有することで，それぞれの熱出力を所望の方法で制御すること，適切な温度センサを環状部材４０に取りつけることにより，間接的に半導体装置１２の温度を監視すること，コントローラ３０４は，温度センサ３０６によって発生した温度信号に応答して，高周波のパルス幅変調した制御信号が発生すること，ＰＷＭ制御信号のデューティサイクルに比例した，抵抗３０２に掛かる電圧を発生し，ヒータの電力出力は，この電圧の二乗に比例していることが記載されている。したがって，図１０における制御システム３００の構成を参酌すると，引用例１には，制御システム３００では，コントローラ３０４が，環状部材４０に取りつけられた温度センサ３０６によって生じた温度信号に応答して，高周波のパルス幅変調した制御信号を発生させ，ＰＷＭ制御信号のデューティサイクルに比例したレジスタ３０２の電圧の二乗に比例したヒータの電力を出力し，各加熱ゾーン部分のそれぞれの熱出力を制御することが開示されている。
（８）よって，引用例１には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「半導体ウエハ基板１２を支持するための第１の主表面２２を有し，加熱中に，熱エネルギーを半導体ウエハ基板１２に伝える加熱プレート２０と，
　加熱プレート２０と極めて接近することで，冷却効果を加熱プレート２０を通して半導体ウエハ基板１２に伝える熱容量ヒートシンクとして機能し，内部を貫通する冷却経路２８に冷却媒体が循環する冷却部材２６と，
　冷却媒体が循環する冷却経路２８と，
　高周波のＰＷＭ制御信号を使用して直流電力を変調し，加熱プレートの熱出力を制御する制御システム３００と，
を含む，加熱・冷却工程を含む温度プロフィールにより，半導体ウエハ基板１２を熱サイクルするのに適した加熱／冷却装置１０であって，
　加熱プレート２０が，ウエハ１２の内側部分の下に位置する第１の内側加熱ゾーン部分と，少なくとも環状部材４０の部分の下に位置する第２の環状の外側加熱ゾーン部分とを含む，２つの独立した加熱ゾーンを組み込み，第１及び第２の加熱ゾーン部分を独立して制御し，それぞれのゾーン部分の熱出力を独立して調整するようになっており，
　制御システム３００では，コントローラ３０４が，環状部材４０に取りつけられた温度センサ３０６によって生じた温度信号に応答して，高周波のパルス幅変調した制御信号を発生させ，ＰＷＭ制御信号のデューティサイクルに比例したレジスタ３０２の電圧の二乗に比例したヒータの電力を出力し，各加熱ゾーン部分のそれぞれの熱出力を制御する
ことを特徴とする加熱／冷却装置１０。」
　
４−３　補正発明と引用発明との対比
（１）引用発明の「半導体ウエハ基板１２」は，補正発明の「ウェーハ」に相当する。そして，引用発明の「加熱プレート２０」は，補正発明の「熱源」に対応し，また，半導体ウエハ基板１２を支持するための第１の主表面２２を有しているのであるから，半導体ウエハ基板１２に対し静止して置かれているものである。さらに，引用発明の「加熱プレート２０」は，加熱プレートとして機能するために，何某かの熱源熱質量と何某かの温度場とを有していることは明らかである。したがって，引用発明の「半導体ウエハ基板１２を支持するための第１の主表面２２を有し，加熱中に，熱エネルギーを半導体ウエハ基板１２に伝わる加熱プレート２０」は，補正発明の「前記ウェーハ表面に対して静止して置かれ，約０．１（Ｍｄ）に等しいか又はそれ以下の熱源熱質量Ｍｓと前記熱拡散器に隣接する表面上にＴｄと異なる温度場Ｔｓとを有する熱源」に対応し，補正発明と引用発明とは，補正発明が，約０．１（Ｍｄ）に等しいか又はそれ以下の熱源熱質量Ｍｓと前記熱拡散器に隣接する表面上にＴｄと異なる温度場Ｔｓとを有することは別にして，「前記ウェーハ表面に対して静止して置かれ，熱源熱質量Ｍｓと温度場Ｔｓとを有する熱源」である点で共通する。
（２）引用発明の「冷却媒体」は，冷却部材２６の内部を貫通する冷却経路２８を循環するものであり，また，冷却媒体としての機能からみて熱搬送能力を備えていることは明らかであるから，補正発明の「媒体」に相当する。そして，引用発明の「冷却部材２６」は，冷却部材として機能するために，何某かのリザーバ熱質量を有していることも明らかである。したがって，引用発明の「加熱プレート２０と極めて接近することで，冷却効果を加熱プレート２０を通して半導体ウエハ基板１２に伝える熱容量ヒートシンクとして機能し，内部を貫通する冷却経路２８に冷却媒体が循環する冷却部材２６」は，補正発明の「前記ウェーハ表面に対して静止して置かれ，リザーバ熱質量Ｍｒを有し，熱搬送能力を備えた媒体を内部に包含する熱リザーバ」に対応し，補正発明と引用発明とは，補正発明が，ウェーハ表面に対して静止して置かれていることは別にして，「リザーバ熱質量Ｍｒを有し，熱搬送能力を備えた媒体を内部に包含する熱リザーバ」である点で共通する。
（３）引用発明の「冷却媒体」は，冷却部材２６が，冷却効果を半導体ウエハ基板１２に伝える熱容量ヒートシンクとして機能するために，冷却部材２６の内部を貫通する冷却経路２８を循環するものであり，また，何某かの制御可能な温度を有していることは明らかであるから，補正発明の「熱搬送媒体」に相当する。そして，引用発明の「冷却部材２６」は，冷却部材として機能するために，何某かのシンク熱質量を有していることも明らかである。したがって，引用発明の「冷却媒体が循環する冷却経路２８」は，補正発明の「前記ウェーハ表面に対して静止して置かれ，制御可能な温度Ｔｓｋを有する熱搬送媒体を含み，かつシンク熱質量Ｍｓｋを有する熱シンク」に対応し，補正発明と引用発明とは，補正発明が，ウェーハ表面に対して静止して置かれていることは別にして，「制御可能な温度Ｔｓｋを有する熱搬送媒体を含み，かつシンク熱質量Ｍｓｋを有する熱シンク」である点で共通する。
（４）引用発明の「制御システム３００」は，高周波のＰＷＭ制御信号を使用して直流電力を変調し，加熱プレートの熱出力を制御するのであるから，加熱プレートに接続され，制御可能なものである。したがって，引用発明の「高周波のＰＷＭ制御信号を使用して直流電力を変調し，加熱プレートの熱出力を制御する制御システム３００」が，補正発明の「前記熱源に接続された少なくとも１つの制御可能な電源」に相当する構成を有していることは明らかである。
（５）引用発明の「加熱／冷却装置１０」は，加熱・冷却工程を含む温度プロフィールにより，半導体ウエハ基板１２を熱サイクルするのであるから，半導体ウエハ基板１２の熱管理を行うものである。したがって，引用発明の「加熱・冷却工程を含む温度プロフィールにより，半導体ウエハ基板１２を熱サイクルするのに適した加熱／冷却装置１０」は，補正発明の「ウェーハ熱管理装置」に相当する。
（６）引用発明の「冷却部材２６」は，加熱プレート２０と極めて接近することで，冷却効果を加熱プレート２０を通して半導体ウエハ基板１２に伝える熱容量ヒートシンクとして機能し，内部を貫通する「冷却経路２８」に冷却媒体が循環するのであるから，引用発明の「冷却経路２８」と「冷却部材２６」が，伝導及び対流熱伝達によって不可分に連通していることは明らかである。したがって，引用発明は，補正発明の「前記熱シンク及び前記熱リザーバは，伝導及び対流熱伝達によって不可分に連通して」いることに相当する構成を具備している。
（７）引用発明の「第１の内側加熱ゾーン部分」と「第２の環状の外側加熱ゾーン部分」は，加熱プレート２０における２つの独立した加熱ゾーンであり，それぞれのゾーン部分の熱出力を独立して調整するようになっているから，引用発明の「加熱プレート２０」は，２つの独立制御可能な「第１の内側加熱ゾーン部分」と「第２の環状の外側加熱ゾーン部分」を含み，「第１の内側加熱ゾーン部分」と「第２の環状の外側加熱ゾーン部分」に異なる熱量を与えるようになっていることは，明らかである。したがって，引用発明の「第１の内側加熱ゾーン部分」及び「第２の環状の外側加熱ゾーン部分」は，補正発明の「区域」に対応する。
　そうすると，引用発明の「加熱プレート２０が，ウエハ１２の内側部分の下に位置する第１の内側加熱ゾーン部分と，少なくとも環状部材４０の部分の下に位置する第２の環状の外側加熱ゾーン部分とを含む，２つの独立した加熱ゾーンを組み込み，第１及び第２の加熱ゾーン部分を独立して制御し，それぞれのゾーン部分の熱出力を独立して調整するようになって」いることは，補正発明の「前記熱源が複数の独立制御可能な区域を含み，前記区域が異なる熱量を与えるようになって」いることに対応し，補正発明と引用発明とは，補正発明の区域が複数であることは別にして，「前記熱源が２つの独立制御可能な区域を含み，前記区域が異なる熱量を与えるようになって」いる点で共通する。
（８）引用発明の「コントローラ３０４」は，補正発明の「制御装置（２６０）」に相当し，また，引用発明の「温度センサ３０６」は，補正発明の「温度センサ（３２５）」に対応する。したがって，引用発明の「制御システム３００」では，コントローラ３０４が，環状部材４０に取りつけられた温度センサ３０６によって生じた温度信号に応答して，高周波のパルス幅変調した制御信号を発生させ，ＰＷＭ制御信号のデューティサイクルに比例したレジスタ３０２の電圧の二乗に比例したヒータの電力を出力し，各加熱ゾーン部分のそれぞれの熱出力を制御するのであるから，制御可能な制御システム３００は，コントローラ３０４を含み，コントローラ３０４が加熱プレート２０に接続された制御システム３００を制御し，少なくとも一つの温度センサ３０６からの温度測定が，制御システム３００を制御するためにコントローラ３０４へとフィードバックループを提供し，制御システム３００は，加熱プレート２０に亘る温度プロフィールを制御するために，加熱プレート２０の各加熱ゾーン部分への電力を制御していることは，明らかである。
　そうすると，引用発明の「制御システム３００では，コントローラ３０４が，環状部材４０に取りつけられた温度センサ３０６によって生じた温度信号に応答して，高周波のパルス幅変調した制御信号を発生させ，ＰＷＭ制御信号のデューティサイクルに比例したレジスタ３０２の電圧の二乗に比例したヒータの電力を出力し，各加熱ゾーン部分のそれぞれの熱出力を制御すること」は，補正発明の「前記制御可能な電源は制御装置（２６０）を含み，前記制御装置が前記熱源（２４０）に接続された前記電源（２５０）を制御し，前記熱源（３４０）内に埋め込まれた少なくとも一つの温度センサ（３２５）からの温度測定が，前記電源（３５０）を制御するために前記制御装置（３６０）へとフィードバックループを提供し，前記電源（３５０）は，前記熱源（３４０）に亘る温度プロフィールを制御するために，前記熱源（３４０）の前記区域（３２０）への電力を制御すること」に対応し，補正発明と引用発明とは，補正発明の温度センサ（３２５）が，熱源（３４０）内に埋め込まれていること，及び，補正発明の電源（３５０）が，熱源（３４０）の区域（３２０）への電力を制御することは別にして，「前記制御可能な電源は制御装置（２６０）を含み，前記制御装置が前記熱源（２４０）に接続された前記電源（２５０）を制御し，少なくとも一つの温度センサ（３２５）からの温度測定が，前記電源（３５０）を制御するために前記制御装置（３６０）へとフィードバックループを提供し，前記電源（３５０）は，前記熱源（３４０）に亘る温度プロフィールを制御するために，前記熱源（３４０）への電力を制御する」点で共通する。
（９）以上のことを踏まえると，補正発明と引用発明とは，
「前記ウェーハ表面に対して静止して置かれ，熱源熱質量Ｍｓと温度場Ｔｓとを有する熱源と，
　リザーバ熱質量Ｍｒを有し，熱搬送能力を備えた媒体を内部に包含する熱リザーバと，
　制御可能な温度Ｔｓｋを有する熱搬送媒体を含み，かつシンク熱質量Ｍｓｋを有する熱シンクと，
　前記熱源に接続された少なくとも１つの制御可能な電源と，
を含むウェーハ熱管理装置であって，
　前記熱シンク及び前記熱リザーバは，伝導及び対流熱伝達によって不可分に連通しており，
　前記熱源が２つの独立制御可能な区域を含み，前記区域が異なる熱量を与えるようになっており，
　前記制御可能な電源は制御装置（２６０）を含み，前記制御装置が前記熱源（２４０）に接続された前記電源（２５０）を制御し，少なくとも一つの温度センサ（３２５）からの温度測定が，前記電源（３５０）を制御するために前記制御装置（３６０）へとフィードバックループを提供し，前記電源（３５０）は，前記熱源（３４０）に亘る温度プロフィールを制御するために，前記熱源（３４０）への電力を制御する
ことを特徴とするウェーハ熱管理装置。」
である点で一致し，以下の相違点１〜７で相違する。
相違点１：補正発明は，ウェーハ表面に対して静止して置かれ，拡散器熱質量Ｍｄとウェーハ表面を加熱する加熱表面上に温度場Ｔｄとを有する熱拡散器を含むのに対し，引用発明では，そのような構成がない点。
相違点２：熱源が，補正発明では，約０．１（Ｍｄ）に等しいか又はそれ以下の熱源熱質量Ｍｓと前記熱拡散器に隣接する表面上にＴｄと異なる温度場Ｔｓとを有するのに対し，引用例１では，熱拡散器を含まないため，そのような構成がない点。
相違点３：熱リザーバと熱シンクが，補正発明では，ウェーハ表面に対して静止して置かれるのに対し，引用発明では，そのような構成ではない点。
相違点４：補正発明は，熱シンク，熱源，熱リザーバ，熱拡散器，及びウェーハ表面は一体化され，熱シンク及びウェーハ表面に結合する表面領域に広がる固体材料に亘る又は液体材料及び固体材料に亘る熱伝導によって不可分に連通しているのに対し，引用例１では，熱拡散器を含まない上，そのような構成が不明な点。
相違点５：区域が，補正発明では，複数であるのに対し，引用例１では，「第１の内側加熱ゾーン部分」及び「第２の環状の外側加熱ゾーン部分」という２つの加熱ゾーンである点。
相違点６：温度センサ（３２５）が，補正発明では，熱源（３４０）内に埋め込まれているのに対し，引用例１では，環状部材４０に取りつけられている点。
相違点７：電源（３５０）が，補正発明では，熱源（３４０）の区域（３２０）への電力を制御するのに対し，引用例１では，各加熱ゾーン部分のそれぞれの熱出力を制御している点。
　
４−４　当審の判断
（１）相違点１及び２について
ア　まず，ウェーハの熱処理装置において，ウェーハ表面に対して静止して置かれる熱拡散器を，熱源に隣接して設けることは，例えば下記の周知例１〜２，周知例３のア，又は周知例４のアに記載されているように，従来周知の技術である。また，このような熱拡散器が，熱拡散器として機能するために，何某かの拡散器熱質量と，ウェーハ表面を加熱する加熱表面上に何某かの温度場とを有していることは明らかである。
イ　そして，熱源の熱質量は，当業者がウェーハの大きさ等を勘案して適宜選択できる技術的な設計事項にすぎないから，拡散器熱質量Ｍｄを有する熱拡散器に隣接して熱源を設けた場合に，約０．１（Ｍｄ）に等しいか又はそれ以下の熱源熱質量Ｍｓを有する熱源とすることに，格別の困難性を認めることはできない。また，ウェーハ表面を加熱する加熱表面上に温度場Ｔｄを有する熱拡散器に隣接して熱源を設けた場合に，熱拡散器が熱拡散器として機能するのであれば当然に，熱拡散器に隣接する表面上に有する熱源の温度場Ｔｓは，Ｔｄと異なるものとなることは明らかである。
ウ　そうすると，下記の周知例４のアに記載されているように，熱拡散器を熱源に隣接して設けるか否かは，必要により適宜選択すればよい技術的事項であるから，ウェーハの熱処理装置における従来周知の技術を引用発明に適用し，補正発明のように，「ウェーハ表面に対して静止して置かれ，拡散器熱質量Ｍｄと前記ウェーハ表面を加熱する加熱表面上に温度場Ｔｄとを有する熱拡散器」と，「約０．１（Ｍｄ）に等しいか又はそれ以下の熱源熱質量Ｍｓと前記熱拡散器に隣接する表面上にＴｄと異なる温度場Ｔｓとを有する」熱源とを含む構成とすることは，当業者が容易に想到し得るものである。
　
・周知例１：原査定の拒絶の理由に引用された特開平３−２５８８２号公報（平成３年２月４日出願公開）
ア　従来の技術として，「一般に半導体集積回路の製造において，
半導体ウェハ
加熱装置
発熱板の抵抗線材の分布に応じて生じる温度分布不均一性を緩衝するための熱拡散板を積層
イ　上記アによれば，周知例１の「半導体ウェハ」，「熱拡散板」，「発熱板」は，補正発明の「ウェーハ」，「熱拡散器」，「熱源」にそれぞれ相当する。
　
・周知例２：原査定の拒絶の理由に引用された特開平１１−１２１１４９号公報（平成１１年４月３０日出願公開）
ア　図１及び図２を参照して，「【００１３】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施例を図面に基づいて説明する。図１は，本発明の面状加熱装置の斜視図であり，図２は図１におけるＸ−Ｘ方向の断面図である。本発明の
面状加熱装置は，一方の表面に発熱抵抗体２が焼成されたセラミック製の伝熱基材１
伝熱基材１の発熱抵抗体２が形成されていない他方の表面に配置される銅系の金属よりなる熱拡散基材４
重ね合わせて固定した構造
ウエハ
非加熱物を載置して，加熱
イ　上記アによれば，周知例２の「ウエハ」，「熱拡散基材４」，「伝熱基材１」は，補正発明の「ウェーハ」，「熱拡散器」，「熱源」にそれぞれ相当する。
　
・周知例３：特開昭６２−９８６１０号公報（昭和６２年５月８日出願公開）
ア　発明の背景として第１図を参照し，「従来の基板加熱用　ータ（審決注：「　ータ」は「ヒータ」の誤記である。）の構造は，第１図に示す様に，Ｔａ，Ｗなどを発熱体１１として用いる。該発熱体は通常１本のワイヤまたは，リボンで作られており，ヒータ構成としては１ゾーンとなっている。この様な１ゾーン構成の
ヒータをＩｎレス基板の加熱に用いる場合，該発熱体と基板１３の間に熱拡散板１２を挿入し，基板１３の面内温度分布が均一なる様にしている
イ　第２図を参照して，「実施例１
　第２図は，本発明の成長基板加熱機構に，被加熱ＧａＡｓウエハを取付た状態を示す側断面図である。図中２１は，ＰＢＮの円板で出来た発熱体サセプター，
２２，２３はＴａ製発熱体
各々独立に温度コントロール出来る構造
２６，２７は，各々の発熱体の測温のための熱電対
２８は，熱拡散板
発熱体２２，２３の固定用押え板を兼ねている
３２は被加熱用基板ウエハー
ウ　第２図を参照して，「本加熱機構の最も大きな特徴は
加熱ヒータが２つのゾーンに分れて各々別々に温度制御出来る
２ゾ一ン例を示したが，ゾーン数は
さらに多く出来る
エ　上記アによれば，周知例３の「基板１３」，「熱拡散板１２」，「発熱体１１」は，補正発明の「ウェーハ」，「熱拡散器」，「熱源」にそれぞれ相当する。
　
・周知例４：原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第９９／１８６０２号（１９９９年４月１５日国際公開）
ア　「The thermal cycling module comprises a heating element 14, 
a heat exchanger 16 and a power source (not shown). In addition, 
although not preferred, the thermal cycling module may also comprisea thermally conductive plate
The thermally conductive plate
(not shown), 
if used, is positioned below the substrate 10, is
in thermal contact with the heating element 14 and the heat
exchanger 16
sits directly above
the heating element 14
then 
the heating element 14 is in thermal contact with the substrate10 and, in a preferred embodiment, rests directly below the
substrate 10
the heating element 14 can be placed
below the heat exchanger 16 or 
in a surface of the heat exchanger
16
the heat exchanger 16, either in addition to the previously listed 
heaters or on its own. The heating element 14 is electrically 
connected to a power source and is in thermal contact with 
the substrate 10.『熱サイクルのモジュールは，発熱体１４，熱交換器１６及び電源（図示せず）を含む。さらに，
好ましくはないが，熱サイクルのモジュールは，熱伝導性のプレートも含む
熱伝導性のプレート
は，使用された場合，基板１０の下に置かれ，発熱体１４及び熱交換器１６と熱接触
発熱体１４の上に直接位置
発熱体１４は，基板１０と熱接触し，好ましい具体例としては，基板１０の下に直接位置
発熱体１４は
熱交換器１６の表面中に置かれる
イ　「Also in thermal contact with the substrate 10, and 
in a preferred embodiment, below the heating element 14, is the heat
exchanger 16. The heat exchanger 16 has an upper surface 17, a lower
surface 18, and an outer perimeter surface 19. In a preferred 
embodiment, 
the heating element 14 is fixedly attached to the heat
exchanger, as is generally known by those skilled in the art
当業者に一般に知られているように，発熱体１４は，熱交換器に固定して付けられている
ウ　「
The heat exchanger 16
is designed
to disperse thermally conductive fluid through the heat exchanger 16in a generally radial manner
exchanger 16 has a circular horizontal cross-section. A fluid 
introducing body introduces fluid either generally around 
the perimeter of the heat exchanger 16 or generally at the center 
of the heat exchanger 16, and an isotropic porous material causes 
the fluid to generally evenly disperse in all directions thus 
creating a generally radial flow toward either the center or 
the perimeter of the heat exchanger 16, respectively. 
The generally
uniform radial fluid flow causes an axi-symmetric temperature
profile across the heat exchanger, the baking and chilling surface
(which is either the top of the thermally conductive plate or
the top of the heating element 14 depending on whether a thermally
conductive plate is used), and, accordingly, the substrate
熱交換器１６は，おおよそ放射状に熱交換器１６内を通る熱伝導性の流体を分散させるように設計
おおよそ一定の放射状の流体の流れは，熱交換器，(熱伝導性のプレートが使用されているかどうかによって，熱伝導性のプレートの上面，又は発熱体１４の上面のいずれかである)加熱・冷却している表面，及びそれに応じて基板の全体にわたって線対称な温度プロフィールをもたらす
エ　上記ア〜ウによれば，周知例４の「基板１０」，「熱伝導性のプレート」，「発熱体１４」，「熱交換器１６」，「熱伝導性の流体」が通る「熱交換器１６」の内部は，補正発明の「ウェーハ」，「熱拡散器」，「熱源」，「熱リザーバ」，「熱シンク」にそれぞれ相当する。
　
（２）相違点３及び４について
ア　上記４−２（１）ウによれば，引用例１には，加熱プレート２０は，冷却部材２６と熱接触するように配置される第２の主表面２４を含み，また，最も急速な冷却は，図１ｃに示すように，第２の主表面２４が冷却部材２６と物理的に直接接触しているときに生じることが記載されているから，
加熱プレート２０が，第２の主表面２４で冷却部材２６と物理的に直接接触
　そして，上記４−２（１）オによれば，引用例１には，加熱プレート２０に対する望ましい温度プロフィールは，半導体装置１２を，ある程度まで
同時に加熱及び冷却している間に，加熱プレート２０と冷却部材２６との間の熱接触を維持
加熱と冷却を同時に行うことは，望ましい平衡温度に，加熱プレート２０とウエハ１２とを維持
イ　そうすると，熱シンクを内部に有する熱リザーバ，熱源，熱拡散器及びウェーハを静止して置き，一体化して，熱伝導によって不可分に連通すること自体は，例えば前示の周知例４のア〜ウに記載されているように従来周知の技術であるから，この従来周知の技術を引用発明において採用し，補正発明における，熱リザーバと熱シンクが「前記ウェーハ表面に対して静止して置かれ，」また，「前記熱シンク，前記熱源，前記熱リザーバ，前記熱拡散器，及び前記ウェーハ表面は一体化され，前記熱シンク及びウェーハ表面に結合する表面領域に広がる固体材料に亘る又は液体材料及び固体材料に亘る熱伝導によって不可分に連通して」いる構成とすることは，当業者が容易になし得ることである。
　
（３）相違点５及び７について
　ウェーハの熱処理装置において，熱源が複数の独立制御可能な区域を含み，区域が異なる熱量を与えるようになっており，制御可能な電源が制御装置を含み，制御装置が熱源に接続された電源を制御し，温度センサからの温度測定が，電源を制御するために制御装置へとフィードバックループを提供し，電源は，熱源に亘る温度プロフィールを制御するために，熱源の区域への電力を制御する技術は，下記の引用例２〜４，又は前示の周知例３のイ及びウに記載されている。そうすると，引用例１及び引用例２〜４，周知例３はすべて，ウェーハの熱処理に関するものであるから，引用発明に引用例２〜４等に記載されている技術を適用し，第１の内側加熱ゾーン部分及び第２の環状の外側加熱ゾーン部分という２つの加熱ゾーンを複数とし，制御システム３００が，加熱プレート２０の複数の独立した加熱ゾーンへの電力を制御する構成，すなわち，補正発明の「前記熱源が複数の独立制御可能な区域を含み，前記区域が異なる熱量を与えるようになっており，」「前記電源（３５０）は，」「前記熱源（３４０）の前記区域（３２０）への電力を制御する」という相違点５及び７からなる構成とすることは，当業者が容易に想到し得るものである。
（なお，前示の周知例３に記載された「加熱ヒータ」，「各々独立に温度コントロール出来る」「発熱体２２，２３」，「熱電対２６，２７」は，実施例では２ゾ一ンからなる例ではあるが，ゾーン数はさらに多くできるのであるから，補正発明の「熱源」，「複数の独立制御可能な区域」，「温度センサ」にそれぞれ相当する。また，周知例３に記載された「成長基板加熱機構」は，加熱ヒータが２つのゾーンに分れて各々別々に温度制御できるから，補正発明の「電源」及び「制御装置」に相当する構成を有していることは明らかである。）
　
・引用例２：原査定の拒絶の理由に引用された特開平１１−２０４４０２号公報（平成１１年７月３０日出願公開）
ア　「【０００７】本発明は，このような課題を解決するためになされたもので，
少ない温度センサで正確な温度管理を行うことができ，ひいてはウエハＷの全体にわたって均一な熱処理を施すことのできる熱処理装置を提供
【０００８】また本発明は，
ウエハＷを熱処理する際の温度制御を高精度に行うことのできる熱処理装置を提供
イ　図６〜図８を参照して，「【００６２】図６に示したように，この
熱処理盤５８はドーナツ形の５つの領域Ｐ１〜Ｐ５から形成
領域Ｐ１〜Ｐ５は同心円状に形成され，Ｐ１〜Ｐ５の内部にはそれぞれ独立したヒータＨ１〜Ｈ５，例えばＰ１〜Ｐ５の各領域と同じドーナツ形に形成されたニクロム線ヒータ
等が配設
これらのヒータは互いに独立に配線されており，Ｐ１〜Ｐ５の各領域に供給する熱量をそれぞれ独立して制御
【００６３】この
熱処理盤５８の外側から２番目の領域Ｐ２と４番目の領域Ｐ４にはセンサを取り付けるための穴が垂直方向に開けられており，この穴の中にセンサＳ１とセンサＳ２とがそれぞれ垂直方向を向けて取り付けられている
熱処理盤５８の図６中右側面方向からは水平方向の穴が上下２つ平行に開けられており，領域Ｐ１を貫通し領域Ｐ２の途中まで達している
【００６４】図６及び図７に示したように，
これらの穴にもセンサＳ３，Ｓ４が取り付けられている
【００６５】図８は本実施形態に係る熱処理ユニットの制御系を図示したブロック図である。この図８に示すように，
熱処理盤５８の各領域Ｐ１〜Ｐ５の内部にはそれぞれヒータＨ１〜Ｈ５が配設
これらのヒータＨ１〜Ｈ５は制御装置９０と接続されており，この制御装置９０によりその出力が制御
センサＳ１〜Ｓ４もこの制御装置９０に接続されており，熱処理盤５８の各部分の温度が制御装置９０により認識
ウ　図６及び図７を参照して，「【００７１】このようにして，
センサＳ１，Ｓ２からの温度検出信号とヒータＨ１〜Ｈ５への電力供給信号とから領域Ｐ１，Ｐ３，Ｐ５を含む熱処理盤５８全体の温度分布を推定
【００７２】次に，この
推定した熱処理盤５８全体の温度分布に基づいて，Ｈ１〜Ｈ５の各ヒータに供給する電力を調節して熱処理盤５８全体が均一な温度になるようにヒータＨ１〜Ｈ５の出力を制御
エ　図６及び図８を参照して，「【００７７】そしてこれら
センサＳ３，Ｓ４で検出した領域Ｐ２の上下二か所の温度を指標として熱処理盤５８表面の温度分布を推定
センサＳ３，Ｓ４で検出した領域Ｐ２温度から上記したテーブルを利用して，他のＰ１及びＰ３〜Ｐ５の領域の表面付近の温度を推定
これら領域Ｐ１〜Ｐ５の各表面温度が不均一な場合には，上記したテーブルを利用してヒータＨ１〜Ｈ５の出力を制御し，熱処理盤５８の表面が均一で適正な温度になるように調節
オ　上記ア〜エによれば，引用例２に記載された「ヒータＨ１〜Ｈ５」，「ドーナツ形の５つの領域Ｐ１〜Ｐ５」，「制御装置９０」，「センサＳ１〜Ｓ４」は，補正発明の「熱源」，「複数の独立制御可能な区域」，「制御装置」，「温度センサ」にそれぞれ相当する。また，上記ウによれば，引用例２に記載された「熱処理ユニット」は，Ｈ１〜Ｈ５の各ヒータに供給する
電力を調節
　
・引用例３：特開平１１−６７６１９号公報（平成１１年３月９日出願公開）
ア　図１を参照して，「【００１４】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は，本発明の基板加熱装置の一実施形態を模式的に示す分解斜視図であり，この
基板加熱装置は，被加熱基板としての半導体ウェハＷを上面に載置して加熱する円板状の加熱部１と，加熱部１に供給する電力を制御する制御装置２１（電源を含む）とから構成
イ　図１及び図２を参照して，「【００１６】上部板状部材２は，優れた熱伝導度を有するアルミニウム等で形成するのが好ましい。また，断熱板５および断熱材６としては，・・・等が好ましく用いられる。このような積層構造にした
加熱部１では，ヒータープレート３から発生した熱が，上部板状部材２の上面に載置された半導体ウェハＷに伝達
ヒータープレート３に供給する電力を制御することで，半導体ウェハＷに伝達される熱量を容易に調節
【００１７】
ヒータプレート３は，上部板状体２下面の中央領域２ａに対応させて配設された略円板状の中央ヒータ３ａと，上部板状体２下面の外周側領域２ｂおよび２ｃに対応させて中央ヒータ３ａの周囲に配設した略Ｃ字型の２つの外周ヒータ３ｂおよび３ｃとから構成
これら３つのヒータには，制御装置２１からそれぞれ別々に電力の供給を受けるための電極８ａ〜８ｃが設けてある
【００１８】また，
上部板状部材２の下面には，３つのヒータ３ａ〜３ｃのそれぞれが当接する位置に孔部９ａ〜９ｃが穿設してあり，この孔部９ａ〜９ｃには温度センサ１０ａ〜１０ｃが挿合
温度センサ１０ａ〜１０ｃは制御装置２１に接続
制御装置２１は温度センサ１０ａ〜１０ｃの出力に基づいて，上部板状体２上面の全体が均一な温度になるように，３つのヒータ３ａ〜３ｃの各々に供給する電力を調節して，それぞれの発熱量を制御
ウ　上記イによれば，引用例３に記載された「ヒータプレート３」，「３つのヒータ３ａ〜３ｃ」，「制御装置２１」，「温度センサ１０ａ〜１０ｃ」は，補正発明の「熱源」，「複数の独立制御可能な区域」，「制御装置」，「温度センサ」にそれぞれ相当する。また，上記アによれば，引用例３に記載された「基板加熱装置」は，加熱部１に供給する電力を制御する制御装置２１は電源を含み，温度センサ１０ａ〜１０ｃの出力に基づいて，上部板状体２上面の全体が均一な温度になるように，３つのヒータ３ａ〜３ｃの各々に供給する電力を調節して，それぞれの発熱量を制御するのであるから，補正発明の「電源」に相当する構成を有していることは明らかである。
　
・引用例４：特開平５−２０９２７８号公報（平成５年８月２０日出願公開）
ア　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマ気相成長装置（以下プラズマＣＶＤ装置と称す）に関し，特に被処理基板（以下
ウェハー
の温度制御機構
イ　図１を参照して，「【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する。図１（ａ）は本発明の実施例１のプラズマＣＶＤ装置の断面図，図１（ｂ）はそのヒーター部の平面図である。本実施例のプラズマＣＶＤ装置は，チャンバー１，シャワー電極板２，ホルダー３，均熱板４，ヒーターＡ５，ヒーターＢ１１，自動温調器Ａ６，自動温調器Ｂ１２で構成される。シャワー電極板２は中空で，一端から導入されたプロセスガスをもう一端の表面に明けられた小孔から噴出させる構造となっている。ホルダー３は円盤状で，ウェハー７をセットするための複数の穴が円周に沿って明けられている。また，ホルダー３にはホルダー回転軸８が取り付けられ，ホルダー３を任意の速度で回転することが可能である。また，図１（ｂ）に示すように，実施例１のプラズマＣＶＤ装置では，
ヒーターはヒーターＡ５とヒーターＢ１１の２つにリング状に分割されており，それぞれに自動温調器Ａ６と熱電対Ａ９，自動温調器Ｂ１２と熱電対Ｂ１３を備えているので，ウェハー７の内側と外側をそれぞれ独立して加熱することが可能
ウ　図２を参照して，「【０００９】図２（ａ）は本発明の実施例２の断面図，図２（ｂ）はヒーター部の平面図である。実施例２においては，
ヒーターはヒーターＡ５，ヒーターＢ１１，ヒーターＣ１４の３つに分割されており，それぞれに自動温調器Ａ６と熱電対Ａ９，自動温調器Ｂ１２と熱電対Ｂ１３，自動温調器Ｃ１５と熱電対Ｃ１６を備えているので，ウェハー７の面内温度分布をより正確に調整することが可能
エ　「【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は，
複数のゾーンに分割されたヒータを備え，各ゾーンの温度を独立に制御
オ　上記ア〜エによれば，引用例４に記載された「ヒーター」，３つに分割された「ヒーターＡ５，ヒーターＢ１１，ヒーターＣ１４」，「自動温調器Ａ６，Ｂ１２，Ｃ１５」，「熱電対Ａ９，Ｂ１３，熱電対Ｃ１６」は，補正発明の「熱源」，「複数の独立制御可能な区域」，「制御装置」，「温度センサ」にそれぞれ相当する。また，上記エによれば，引用例４に記載された「温度制御機構」は，複数のゾーンに分割されたヒータを備え，各ゾーンの温度を独立に制御しているのであるから，補正発明の「電源」に相当する構成を有していることは明らかである。
　
（４）相違点６について
　温度センサを熱源内に埋め込むことは，例えば前示の引用例２のイ又は下記の周知例５に記載されているように，ウェーハの熱処理装置において従来周知の技術である。そうすると，この従来周知の技術を引用発明に適用し，温度センサ３０６を，環状部材４０に取りつけることに代えて，加熱プレート２０に取りつける構成とすること，すなわち，補正発明のように，温度センサ（３２５）を熱源（３４０）内に埋め込まれるようにすることに，格別の困難性を認めることはできない。
　
・周知例５：特開平３−１９６２０６号公報（平成３年８月２７日出願公開）
　従来の技術として，「従来，この熱処理例えばベーキング処理は，例えば枚葉式の場合には，例えばＳＵＳやアルミニウムからなり，ニクロム線などの発熱抵抗体を内蔵した加熱板上に被処理基板を載置すると共に，
例えば加熱板に熱電対や測温抵抗体等の温度センサを埋設
　
（５）そして，相違点１〜７を総合して判断したとしても，補正発明は，例えば前示の周知例１〜５に記載されたようなウェーハの熱処理装置における従来周知の技術を勘案した上で，前示の引用例２〜４に記載されている技術を引用発明に適用することにより，当業者が容易に想到し得るものである。
　
（６）以上のとおり，補正発明は，従来周知の技術を勘案することにより，引用発明及び引用例２〜４等に記載されている技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
４−５　独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおりであるから，本件補正は，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであり，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　
５　本件補正についてのむすび
　以上検討したとおり，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので，特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１〜２８に係る発明は，平成１９年１０月２２日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜２８に記載された事項により特定されるとおりのものであり，その内の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，上記第２，１（１）に摘示したとおりのものである。
　
２　引用発明
　引用発明は，上記第２，４−２（８）で認定したとおりのものである。
　
３　対比・判断
 　上記第２，３で検討したように，補正発明は，本件補正前の請求項１を限定したものである。逆に言えば，本件補正前の請求項１に係る発明（本願発明）は，補正発明から，このような限定をなくしたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである補正発明が，前記第２，４において検討したとおり，従来周知の技術を勘案することにより，引用発明及び引用例２〜４等に記載されている技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものということができる。
　
４　まとめ
　以上検討したとおり，本願発明は，従来周知の技術を勘案することにより，引用発明及び引用例２〜４等に記載されている技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。