【手続補正書】
【提出日】平成23年10月7日(2011.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンの注入方法であって、
（ａ）形態ＣｎＨｘ［式中、ｎおよびｘは整数であり、２≦ｎおよびｘ≧０である］の材料の気相分子を大量に製造する段階；
（ｂ）ＣｎＨｘ分子をイオン化してＣｎＨｙ＋またはＣｎＨｙ−［式中、ｙはｙ＞０であるような整数である］を形成する段階；および
（ｃ）イオン化した分子を電界により標的へ加速する段階、
を含む前記方法。
【請求項２】
段階（ａ）が、フルオランテン、Ｃ１６Ｈ１０の気相分子を大量に製造することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
段階（ａ）が、ビベンジル、Ｃ１４Ｈ１４の気相分子を大量に製造することを含み、段階（ｂ）がＣ７Ｈｙイオンのイオンビームを製造する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
イオンの注入方法であって、
（ａ）形態ＣｎＨｘ［式中、ｎおよびｘは整数であり、４≦ｎおよびｘ≧０である］の材料の気相分子を大量に製造する段階；
（ｂ）ＣｎＨｘ分子、ＣｎＨｙ＋イオン、ＣｎＨｙ−イオン［式中、ｙはｙ＞０であるような整数である］、および電子を含有するプラズマを形成する段階；ならびに
（ｃ）前記イオンの一部を電界により加速して標的に注入し、半導体のドーピングを実施する段階、
を含む前記方法。
【請求項５】
基板を有する金属酸化物半導体（ＭＯＳ）デバイスの形成方法であって、該方法が、
（ａ）前記基板の第１領域にウェルおよび対峙するトレンチアイソレーションを形成する段階；
（ｂ）前記基板の暴露部分を定義する前記対峙するトレンチアイソレーションの間の前記基板上にゲートスタックを形成する段階；前記形成は、
ｉ）ゲート誘電体を付着または成長させる段階；
ｉｉ）ポリシリコンゲート電極を付着させる段階、および
ｉｉｉ）パターニングしてゲートスタックを形成する段階
を含む；
（ｃ）前記基板の前記暴露部分上および前記ゲートスタックの上面上にパッド酸化物を付着させる段階；
（ｄ）ＣｎＨｘイオンを注入して、意図するＳＤＥ領域の下に拡散抑制領域を形成する段階；
（ｄ）Ｂ＋またはホウ素クラスターイオン、ＢｎＨｘ＋を注入して、前記ゲートスタックと前記対峙するトレンチアイソレーションの間にドレインエクステンションを形成する段階；
（ｅ）前記ゲートスタックに隣接するスペーサーを形成する段階；
（ｆ）ホウ素クラスターイオンを注入してソースおよびドレイン領域を形成する段階；
（ｇ）熱処理を提供して前記ドーピング段階により注入した材料を活性化し、これによりＰ型金属酸化物半導体（ＭＯＳ）デバイス（ＰＭＯＳ）を形成する段階、
を含む前記方法。
【請求項６】
基板を有する金属酸化物半導体（ＭＯＳ）デバイスの形成方法であって、該方法が、
（ａ）前記基板の第１領域にウェルおよび対峙するトレンチアイソレーションを形成する段階；
（ｂ）前記基板の暴露部分を定義する前記対峙するトレンチアイソレーションの間の前記基板上にゲートスタックを形成する段階；前記形成は、
ｉ）ゲート誘電体を付着または成長させる段階；
ｉｉ）ポリシリコンゲート電極を付着させる段階、および
ｉｉｉ）パターニングしてゲートスタックを形成する段階
を含む；
（ｃ）前記基板の前記暴露部分上および前記ゲートスタックの上面上にパッド酸化物を付着させる段階；
（ｄ）ＣｎＨｘイオンを注入して、意図するＳＤＥ領域の少し下に拡散抑制領域を形成する段階；
（ｄ）Ｐ＋またはリンクラスターイオンを注入して、前記ゲートスタックと前記対峙するトレンチアイソレーションの間にドレインエクステンションを形成する段階；
（ｅ）前記ゲートスタックに隣接するスペーサーを形成する段階；
（ｆ）Ｎ型クラスターイオンを注入してソースおよびドレイン領域を形成する段階；
（ｇ）熱処理を提供して前記ドーピング段階により注入した材料を活性化し、これによりＮ型金属酸化物半導体（ＭＯＳ）デバイス（ＮＭＯＳ）を形成する段階、
を含む前記方法。
【請求項７】
基板を有する金属酸化物半導体（ＭＯＳ）デバイスの形成方法であって、該方法が、
（ａ）前記基板の第１領域にウェルおよび対峙するトレンチアイソレーションを形成する段階；
（ｂ）前記基板の暴露部分を定義する前記対峙するトレンチアイソレーションの間の前記基板上にゲートスタックを形成する段階；前記形成は、
ｉ）ゲート誘電体を付着または成長させる段階；
ｉｉ）ポリシリコンゲート電極を付着させる段階、および
ｉｉｉ）パターニングしてゲートスタックを形成する段階
を含む；
（ｃ）前記基板の前記暴露部分上および前記ゲートスタックの上面上にパッド酸化物を付着させる段階；
（ｄ）ＣｎＨｘ＋イオンを注入して、ソースおよびドレイン領域中にＳｉＣ合金を形成する段階；
（ｄ）Ｐ＋またはリンクラスターイオンを注入して、前記ゲートスタックと前記対峙するトレンチアイソレーションの間にドレインエクステンションを形成する段階；
（ｅ）前記ゲートスタックに隣接するスペーサーを形成する段階；
（ｆ）Ｎ型クラスターイオンを注入してソースおよびドレイン領域を形成する段階；
（ｇ）熱処理を提供して前記ドーピング段階により注入した材料を活性化し、炭素をソースおよびドレイン中の格子構造中に組み込み、これによりＮ型金属酸化物半導体（ＭＯＳ）デバイス（ＮＭＯＳ）を形成する段階、
を含む前記方法。
【請求項８】
さらに、
（ａ）前記基板上の第１および第２領域を分離する段階；
（ｂ）前記ＮＭＯＳデバイスを第１領域に形成する段階；および
（ｃ）ＰＭＯＳデバイスを第２領域に形成する段階、
を包含する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
段階（ｃ）が、Ｐ型クラスターイオンを前記第２領域に注入することを包含する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記Ｐ型クラスターイオンがＢ１８Ｈｘ＋またはＢ１８Ｈｘ−［式中０≦ｘ≦２２］である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記クラスター炭素（ＣｎＨｘ＋）インプラントが、約７０ｋｅＶ〜約１００ｋｅＶの注入エネルギーにおける１Ｅ１５〜５Ｅ１５のドーズ量のＣ７Ｈｘ＋インプラントからなる、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
さらに、
（ａ）前記基板上の第１および第２領域を分離する段階；
（ｂ）前記ＮＭＯＳデバイスを第１領域に形成する段階；および
（ｃ）ＰＭＯＳデバイスを第２領域に形成する段階、
を包含する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
イオンの注入方法であって、
（ａ）形態ＣｎＨｘ［式中、ｎおよびｘは整数であり、２≦ｎおよびｘ≧０である］の材料の気相分子を大量に製造する段階；
（ｂ）ＣｎＨｘ分子をイオン化してＣｎＨｙ＋またはＣｎＨｙ−［式中、ｙはｙ＞０であるような整数である］を形成する段階；および
（ｃ）イオン化した分子を電界により標的へ加速する段階、
を含み、
段階（ａ）が、フルオランテン、Ｃ１６Ｈ１０の気相分子を大量に製造することを含む、方法。
【請求項１４】
イオンの注入方法であって、
（ａ）形態ＣｎＨｙ［式中、ｎおよびｙは整数であり、４≦ｎおよびｙ≧０である］の材料の気相分子を大量に製造する段階；
（ｂ）ＣｎＨｘ分子、ＣｎＨｙ＋イオン、ＣｎＨｙ−イオン［式中、ｙはｙ＞０であるような整数である］を含有するプラズマを形成する段階；ならびに
（ｃ）イオン化された分子を電界により標的へ加速する段階、
を含む前記方法。
【請求項１５】
イオンの注入方法であって、
（ａ）ビベンジル、Ｃ１４Ｈ１４分子の気相分子を大量に製造する段階；
（ｂ）Ｃ１４Ｈ１４分子をイオン化してＣ7Ｈｙイオンのイオンビームを生成する段階；および
（ｃ）Ｃ7Ｈｙイオンを電界により標的へ加速する段階、
を含む前記方法。
【請求項１６】
イオンの注入方法であって、
（ａ）形態Ｃ１４Ｈ１４の材料の気相分子を大量に製造する段階；
（ｂ）Ｃ１４Ｈ１４分子をイオン化してＣ7Ｈｘ＋イオンを形成する段階；および
（ｃ）Ｃ7Ｈｘ＋イオンを電界により標的へ加速する段階、
を含む前記方法。
【請求項１７】
イオンの注入方法であって、
（ａ）形態Ｃ１４Ｈ１４の材料の気相分子を大量に製造する段階；
（ｂ）Ｃ１４Ｈ１４分子をイオン化してＣｎＨｘ＋イオン及びＣｎ-1Ｈｘ＋イオン［式中、ｎは整数であり、３＜ｎ＜８である］を形成する段階；および
（ｃ）イオン化された分子を電界により標的へ加速する段階、
を含む前記方法。
【請求項１８】
イオンの注入方法であって、
（ａ）形態ＣｎＨｘ［式中、ｎおよびｘは整数であり、２≦ｎおよびｘ＝０，１である］の材料の気相分子を大量に製造する段階；
（ｂ）ＣｚＨｙ分子［式中、ｚ及びｙは整数であり、２＜ｚ＜ｎ及びｙ＞０である］イオン化してＣｚＨｙ＋イオンを形成する段階；ならびに
（ｃ）イオン化された分子を電界により標的へ加速する段階、
を含む前記方法。
【請求項１９】
半導体をドープする方法であって、
（ａ）形態ＣｎＨｘ＋イオン［式中、ｎおよびｘは整数であり、２≦ｎおよび０≦ｘである］のイオンを生成する段階；
（ｂ）イオンを電界により半導体へ加速する段階、
（ｃ）ドーパントイオンを生成する段階、及び
（ｄ）ドーパントイオンを半導体に注入する段階
を含む前記方法。
【請求項２０】
工程（ａ）及び（ｂ）が、
（ａ）形態Ｃ２Ｈｘ＋イオンのイオンを生成する段階；
（ｂ）Ｃ２Ｈｘ＋イオンを電界により半導体へ加速する段階、
を含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
工程（ａ）及び（ｂ）が、
（ａ）形態Ｃ３Ｈｘ＋イオンのイオンを生成する段階；
（ｂ）Ｃ３Ｈｘ＋イオンを電界により半導体へ加速する段階、
を含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
工程（ａ）及び（ｂ）が、
（ａ）形態Ｃ４Ｈｘ＋イオンのイオンを生成する段階；
（ｂ）Ｃ４Ｈｘ＋イオンを電界により半導体へ加速する段階、
を含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
工程（ａ）及び（ｂ）が、
（ａ）形態Ｃ５Ｈｘ＋イオンのイオンを生成する段階；
（ｂ）Ｃ５Ｈｘ＋イオンを電界により半導体へ加速する段階、
を含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】
工程（ａ）及び（ｂ）が、
（ａ）形態Ｃ６Ｈｘ＋イオンのイオンを生成する段階；
（ｂ）Ｃ６Ｈｘ＋イオンを電界により半導体へ加速する段階、
を含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２５】
工程（ａ）及び（ｂ）が、
（ａ）形態Ｃ７Ｈｘ＋イオンのイオンを生成する段階；
（ｂ）Ｃ７Ｈｘ＋イオンを電界により半導体へ加速する段階、
を含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２６】
工程（ａ）及び（ｂ）が、
（ａ）形態Ｃ８Ｈｘ＋イオンのイオンを生成する段階；
（ｂ）Ｃ８Ｈｘ＋イオンを電界により半導体へ加速する段階、
を含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２７】
工程（ａ）及び（ｂ）が、
（ａ）形態Ｃ１４Ｈｘ＋イオンのイオンを生成する段階；
（ｂ）Ｃ１４Ｈｘ＋イオンを電界により半導体へ加速する段階、
を含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２８】
工程（ａ）及び（ｂ）が、
（ａ）形態Ｃ１６Ｈｘ＋イオンのイオンを生成する段階；
（ｂ）Ｃ１６Ｈｘ＋イオンを電界により半導体へ加速する段階、
を含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２９】
（ａ）炭素に基づくイオンの源を生成する段階；
（ｂ）ドーパントイオンの源を生成する段階；及び
（ｃ）前記炭素に基づくイオン及び前記ドーパントイオンを半導体に注入する段階
を含むイオンの注入方法。