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【手続補正書】
【提出日】平成23年8月25日(2011.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オレフィンの重合における使用のための触媒組成物の製造方法であって、
選定された範囲内のフローインデックス応答をもつ触媒組成物を製造するために、
担持されたクロム系触媒を、選定された供給速度にて選定された期間にわたって供給される還元剤と接触させ、選定された期間は３０秒から５００分までの範囲内にあること、および同時に、
クロム系触媒を、選定された撹拌速度にて撹拌し、選定された撹拌速度は５から２００ｒｐｍまでの範囲にあること、
さらに、クロム系触媒および供給された還元剤を５分から２４０分までの範囲で選定された時間反応させること、
を含む、方法。
【請求項２】
選定された反応時間は３０分から１８０分までの範囲である、請求項１の方法。
【請求項３】
担持されたクロム系触媒には担持された酸化クロム触媒が含まれる、請求項１または２の方法。
【請求項４】
さらに、担持された、クロムアセチルアセトナート（chromic acetyl acetonate）、ハロゲン化クロム、硝酸クロム、酢酸クロム、硫酸クロム、クロム酸アンモニウム、および重クロム酸アンモニウムの少なくとも１種を、酸化条件下、担持された酸化クロム触媒を形成するために、３００℃から９００℃までの範囲の温度に加熱することによって活性化することを含む、請求項３の方法。
【請求項５】
担持されたクロム系触媒には担持されたシリルクロメート触媒が含まれる、請求項１又は２の方法。
【請求項６】
さらに、シリカ支持体を、４００℃から８５０℃までの温度でか焼すること、および担持されたシリルクロメート触媒を形成するために、シリルクロメート化合物をか焼されたシリカ支持体と接触させること、を含む、請求項５の方法。
【請求項７】
シリルクロメート化合物には、ビス−トリエチルシリルクロメート、ビス−トリブチルシリルクロメート、ビス−トリイソペンチルシリルクロメート、ビス−トリ−２−エチルヘキシルシリルクロメート、ビス−トリデシルシリルクロメート、ビス−トリ（テトラデシル）シリルクロメート、ビス−トリベンジルシリルクロメート、ビス−トリフェニルエチルシリルクロメート、ビス−トリフェニルシリルクロメート、ビス−トリトリルシリルクロメート、ビス−トリキシリルシリルクロメート、ビス−トリナフチルシリルクロメート、ビス−トリエチルフェニルシリルクロメート、ビス−トリメチルナフチルシリルクロメート、ポリジフェニルシリルクロメート、およびポリジエチルシリルクロメートの少なくとも１種が含まれる、請求項５または６の方法。
【請求項８】
還元剤には、アルキルアルミニウムおよびアルキルアルミニウムアルコキシドの少なくとも１種が含まれる、請求項１〜７のいずれか１項の方法。
【請求項９】
アルキルアルミニウムアルコキシドには、ジエチルアルミニウムメトキシド、ジエチルアルミニウムエトキシド、ジエチルアルミニウムプロポキシド、ジメチルアルミニウムエトキシド、ジ−イソプロピルアルミニウムエトキシド、ジ−イソブチルアルミニウムエトキシド、メチルエチルアルミニウムエトキシド、およびその混合物の少なくとも１種が含まれる、請求項８の方法。
【請求項１０】
撹拌は、らせん形リボンアジテーター、円錐形アジテーター、またはらせん形リボンアジテーター若しくは円錐形アジテーターとインペラとの組合せの少なくとも１種を用いて実行される、請求項１〜９のいずれか１項の方法。
【請求項１１】
選定された撹拌速度が７０ｒｐｍ未満であるとき、より高いフローインデックス応答は、還元剤を加えるための選定された期間が減らされるときに達成される、請求項１〜１０のいずれか１項の方法。
【請求項１２】
選定された撹拌速度は７０ｒｐｍ未満であり、および選定された添加時間は２０分未満である、請求項１〜１０のいずれか１項の方法。
【請求項１３】
選定された撹拌速度は７０ｒｐｍ未満であり、および選定された添加時間は２０分以上である、請求項１〜１０のいずれか１項の方法。
【請求項１４】
選定された撹拌速度は７０ｒｐｍよりも速く、および選定された添加時間は２０分よりも長い、請求項１〜１０のいずれか１項の方法。
【請求項１５】
得られる触媒組成物は０．５から８までに及ぶ還元剤のクロムに対するモル比を持つ、請求項１〜１４のいずれか１項の方法。
【請求項１６】
担持されたクロム系触媒には、（ａ）１．１から１．８ｃｍ3／ｇまでの細孔容積および２４５から３７５ｍ2／ｇまでの表面積、（ｂ）２．４から３．７ｃｍ3／ｇまでの細孔容積および４１０から６２０ｍ2／ｇまでの表面積、および（ｃ）０．９から１．４ｃｍ3／ｇまでの細孔容積および３９０から５９０ｍ2／ｇまでの表面積を持つシリカからなる群より選ばれるシリカ含有支持体が含まれる、請求項１〜１５のいずれか１項の方法。
【請求項１７】
さらに、担持された酢酸クロム化合物を、酸化クロム触媒を製造するために、酸化条件下で５００℃から８５０℃までの範囲の温度に加熱することによって活性化することを含む、請求項３または４の方法。
【請求項１８】
さらに、シリカ支持体を６００℃の温度にてか焼すること、および、
ビス（トリフェニルシリル）クロメート化合物を、担持されたシリルクロメート触媒を形成するために、か焼されたシリカと接触させること、
を含む、請求項５の方法。
【請求項１９】
選定された期間は０．５から１０分までの範囲にある、請求項１８の方法。
【請求項２０】
請求項１〜１９のいずれか１項に記載の方法によって製造される触媒組成物。
【請求項２１】
ポリオレフィンの製造方法であって、請求項２０に記載の触媒組成物を重合条件下でオレフィンと接触させることを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月2日(2011.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と上記基板上に堆積された１つ又はそれ以上の層とを有するデバイスを形成する方法であって、
上記デバイスは、
上記基板と上記１つ又はそれ以上の層との間に埋め込まれたキャビティと、
上記キャビティに延在する第１の通路とを有し、
上記方法は、
上記基板及び上記１つ又はそれ以上の層のうちの１つ又はそれ以上から材料を除去することと、
上記除去された材料を上記第１の通路に再堆積して、上記第１の通路をシールすることとを含む方法。
【請求項２】
少なくとも１つの犠牲層を基板の上に堆積することと、
上記少なくとも１つの犠牲層の一部を除去して、形成されるべき上記キャビティ及び少なくとも１つの通路の形状を決定することと、
少なくとも１つのカプセル化層を上記少なくとも１つの犠牲層の上に堆積することと、
上記少なくとも１つのカプセル化層の一部を除去して、上記少なくとも１つの犠牲層の一部を露出することと、
上記少なくとも１つの犠牲層を除去して、上記少なくとも１つのカプセル化層を介して上記キャビティ及び上記第１の通路を形成することとをさらに含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
キャッピング層を、上記少なくとも１つのカプセル化層及び上記再堆積された材料の上に堆積することをさらに含む請求項２記載の方法。
【請求項４】
上記キャッピング層の上記堆積と、上記再堆積とは、その位置で実行される請求項２記載の方法。
【請求項５】
上記少なくとも１つの犠牲層を除去して上記キャビティを形成することは、上記カプセル化層を介して第２の通路をさらに形成する請求項２記載の方法。
【請求項６】
上記基板から材料を除去しかつ上記除去された材料を上記第２の通路に再堆積して、上記第２の通路をシールすることをさらに含み、
上記除去された材料の上記第１の通路への上記再堆積と、上記除去された材料の上記第２の通路への上記再堆積とは、実質的に同時に発生する請求項５記載の方法。
【請求項７】
上記基板は、上記基板上に堆積された第１の材料を有し、
上記除去と再堆積とは、上記第１の材料をスパッタエッチングしかつ上記第１の材料を上記第１の通路に再堆積して上記第１の通路をシールすることを含む請求項６記載の方法。
【請求項８】
デバイスを形成する方法であって、
少なくとも１つの犠牲層を基板の上に堆積することと、
上記少なくとも１つの犠牲層の一部を除去して、形成されるべきキャビティ及び少なくとも１つの通路の形状を決定することと、
カプセル化層を上記少なくとも１つの犠牲層の上に堆積することと、
第２の層を上記カプセル化層の上に堆積することと、
上記カプセル化層の一部を除去して、上記カプセル化層の側面を介して延在している上記少なくとも１つの犠牲層の一部を露出することと、
上記少なくとも１つの犠牲層を除去して、上記カプセル化層を介して上記キャビティ及び第１の通路を形成することと、
上記第２の層及び上記基板のうちの少なくとも１つから材料を除去しかつ上記除去された材料を上記第１の通路に再堆積して、上記第１の通路をシールすることとを含む方法。
【請求項９】
キャッピング層を上記再堆積された材料の上に堆積することをさらに含む請求項８記載の方法。
【請求項１０】
上記キャッピング層の上記堆積と、上記再堆積とは、その位置で実行される請求項９記載の方法。
【請求項１１】
上記第２の層及び上記基板のうちの少なくとも１つからの材料の上記除去と、上記除去された材料の再堆積とは、スパッタエッチングを含む請求項８記載の方法。
【請求項１２】
上記カプセル化層の一部を除去して、上記カプセル化層の少なくとも１つの第２の側面を介して上記少なくとも１つの犠牲層の一部を露出することと、
上記少なくとも１つの犠牲層を除去して、上記カプセル化層を介して上記キャビティ及び第２の通路を形成することとをさらに含む請求項８記載の方法。
【請求項１３】
上記基板及び上記第２の層のうちの１つ又はそれ以上から材料を除去しかつ上記除去された材料を上記第２の通路に再堆積して、上記第２の通路をシールすることをさらに含み、
上記除去された材料の上記第１の通路への上記再堆積と、上記材料の上記第２の通路への上記再堆積とは、実質的に同時に発生する請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
上記基板は、上記基板上に堆積された第１の材料を有し、
上記第２の層及び上記基板のうちの少なくとも１つからの材料の上記除去と、上記除去された材料の再堆積とは、上記第１の材料をスパッタエッチングしかつ上記第１の材料を上記第１の通路に再堆積して、上記第１の通路をシールすることを含む請求項８記載の方法。
【請求項１５】
デバイスを形成する方法であって、
少なくとも１つの犠牲層を基板の上に堆積することと、
上記少なくとも１つの犠牲層の一部を除去して、形成されるべきキャビティ及び少なくとも１つの通路の形状を決定することと、
カプセル化層を、上記キャビティの形状を決定する上記少なくとも１つの犠牲層の上に堆積することと、
第２の層を上記カプセル化層の上に堆積することと、
上記カプセル化層の一部を除去して、上記カプセル化層の側面を介して、上記少なくとも１つの犠牲層の一部を露出することと、
上記少なくとも１つの犠牲層を除去して、上記カプセル化層を介して上記キャビティ及び第１の通路を形成することと、
上記第２の層及び上記基板から材料を除去しかつ上記除去された材料を上記第１の通路に再堆積して、上記第１の通路をシールすることと、
キャッピング層を上記シールされた第１の通路の上に堆積することとを含み、
上記キャッピング層の堆積と上記除去された材料の再堆積とは、その位置で発生する方法。
【請求項１６】
上記デバイスは、微小電気機械システムデバイスである請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
上記第２の層及び上記基板からの材料の除去と、上記除去された材料の再堆積とは、スパッタエッチングを含む請求項１５記載の方法。
【請求項１８】
上記カプセル化層の一部を除去して、上記カプセル化層の少なくとも１つの第２の側面を介して上記少なくとも１つの犠牲層の一部を露出することと、
上記少なくとも１つの犠牲層を除去して、上記カプセル化層を介して上記キャビティ及び第２の通路を形成することとをさらに含む請求項１５記載の方法。
【請求項１９】
上記基板から材料を除去しかつ上記除去された材料を上記第２の通路に再堆積して、上記第２の通路をシールすることをさらに含み、
上記除去された材料の上記第１の通路への上記再堆積と、上記除去された材料の上記第２の通路への上記再堆積とは、実質的に同時に発生する請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
上記基板は、上記基板上に堆積された第１の材料を有し、
上記第２の層及び上記基板からの材料の上記除去と、上記除去された材料の再堆積とは、上記第１の材料をスパッタエッチングしかつ上記第１の材料を上記第１の通路に再堆積して、上記第１の通路をシールすることを含む請求項１５記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月24日(2011.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷シリンダー上のレリーフ像印刷版の性能の改良方法であって、
前記方法が、
ａ）印刷シリンダー面に圧縮性クッション素子を取り付ける工程であって、該クッション素子が、前記レリーフ像印刷版と接触する低摩擦面を含み、摩擦係数が０．６５未満である工程、及び
ｂ）前記圧縮性クッション素子の低摩擦面に前記レリーフ像印刷版を取り付ける工程、
を含み、前記クッション素子の低摩擦面により、前記レリーフ像印刷版が前記クッション素子面上を滑り、且つ前記印刷シリンダー上に定着させることが可能なことを特徴とする印刷シリンダー上のレリーフ像印刷版の性能の改良方法。
【請求項２】
圧縮性クッション素子が、
ａ）印刷シリンダー面に取り付け可能な接着層、並びに
ｂ）エラストマー、ゴム、発泡体、及びこれらの１つ以上の組み合わせからなる群から選択される材料を含み、且つ以下のいずれかの工程を含む方法により提供される低摩擦面を有する圧縮層、
ｉ）前記圧縮層に低摩擦添加剤を含ませる工程、及び
ｉｉ）前記圧縮層に低摩擦添加剤を含む最上層を提供する工程、
を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
圧縮層に低摩擦面を提供するために、前記圧縮層が、該圧縮層中に分散された低摩擦添加剤を含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
低摩擦添加剤を含む最上層が、圧縮層上に配置される請求項２に記載の方法。
【請求項５】
低摩擦添加剤が、有機シリコーン、シリコーンポリマー、シリコーン変性ウレタンアクリレート、シリコーン界面活性剤、フルオロカーボン、シリコーンアクリレート、シリコーンメタクリレート、フッ化アクリレート、フッ化メタクリレート、フルオロポリマー、ワックス、シリカ、ガラスミクロスフェア、セラミックミクロスフェア、ポリマーミクロスフェア、及びこれらの１つ以上の組み合わせからなる群から選択される請求項２に記載の方法。
【請求項６】
低摩擦添加剤が、セラミックミクロスフェア、シリコーン変性ウレタンアクリレート、及びこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１つの材料を含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
クッション素子の低摩擦面のすべり角が３３度未満である請求項２に記載の方法。
【請求項８】
クッション素子の低摩擦面のすべり角が３０度未満である請求項７に記載の方法。
【請求項９】
噴霧、ロール塗工、押出し、カーテン塗工、及びこれらの１つ以上の組み合わせからなる群から選択される方法で、最上層がクッション素子のエラストマー層に塗布される請求項４に記載の方法。
【請求項１０】
最上層がその場で乾燥、熱硬化、又は紫外線硬化されることで、前記最上層が圧縮層に強固に付着する請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
クッション素子の弾性が、１０％〜６５％である請求項２に記載の方法。
【請求項１２】
レリーフ像印刷版と接触するクッション素子面が連続的である請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
フレキソ印刷版と接触するクッション素子面が、開放セルレリーフ及び長手方向突起のいずれかを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
クッション素子が、４０〜８０のショアＡデュロメータを有する請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
レリーフ像印刷版が、金属基板層及び光重合層を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
レリーフ像印刷版の厚みが、１２ミル〜１０７ミルである請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
レリーフ像印刷版の合計厚みが、２５ミル未満である請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
印刷シリンダーにレリーフ像印刷版の衝撃を緩和するために使用される低摩擦圧縮性クッション素子であって、前記クッション素子が、
ａ）前記印刷シリンダー面に付着可能な接着層、及び
ｂ）エラストマー、ゴム、発泡体、及びこれらの１つ以上の組み合わせからなる群から選択される材料を含み、且つ以下のいずれかの工程を含む方法によって提供される低摩擦面を有する圧縮層、
ｉ）前記圧縮層に低摩擦添加剤を含ませる工程、及び
ｉｉ）前記圧縮層上に低摩擦添加剤を含む最上層を提供する工程、
を含み、
前記低摩擦面の摩擦係数が０．６５未満であることを特徴とするクッション素子。
【請求項１９】
圧縮層に低摩擦面を提供するために、前記圧縮層が該圧縮層中に分散された低摩擦添加剤を有する請求項１８に記載の低摩擦圧縮性クッション素子。
【請求項２０】
低摩擦添加剤を含む最上層が、圧縮層上に配置される請求項１８に記載の低摩擦圧縮性クッション素子。
【請求項２１】
低摩擦添加剤が、有機シリコーン、シリコーンポリマー、シリコーン変性ウレタンアクリレート、シリコーン界面活性剤、フルオロカーボン、シリコーンアクリレート、シリコーンメタクリレート、フッ化アクリレート、フッ化メタクリレート、フルオロポリマー、ワックス、シリカ、ガラスミクロスフェア、セラミックミクロスフェア、ポリマーミクロスフェア、及びこれらの１つ以上の組み合わせからなる群から選択される請求項１８に記載の低摩擦圧縮性クッション素子。
【請求項２２】
低摩擦添加剤が、セラミックミクロスフェア、シリコーン変性ウレタンアクリレート、及びこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１つの材料を含む請求項２１に記載の低摩擦圧縮性クッション素子。
【請求項２３】
クッション素子の低摩擦面のすべり角が、３３度未満である請求項１８に記載の低摩擦圧縮性クッション素子。
【請求項２４】
クッション素子の低摩擦面のすべり角が、３０度未満である請求項２３に記載の低摩擦圧縮性クッション素子。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月21日(2011.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内歯（３）と外歯（６）とを有する部品であって、
前記部品（７）は、内歯（３）を有する本体部（２）と、外歯（６）を有するシート部（５）と、を備えており、
前記シート部（５）は、前記本体部（２）に対して、接線方向にも径方向にも、噛み合い式に結合されており、
前記シート部（５）は、ピックアップ用外形部（６）を有しており、
前記本体部（２）は、少なくとも部分的に、前記ピックアップ用外形部（６）に係合するピックアップ対応歯（４、４ａ）を有しており、
前記本体部（２）のピックアップ対応歯（４）は、複数の歯（４ａ）によって形成されており、
当該複数の歯（４ａ）は、アンダーカット領域（８、９）を有している
ことを特徴とする部品。
【請求項２】
前記アンダーカット領域（８、９）は、歯のベース部（４ｂ）に配置されている
ことを特徴とする請求項１に記載の部品。
【請求項３】
前記ピックアップ用外形部（６）は、複数の歯（４ａ）の外郭に当接し、アンダーカット領域（８、９）に噛み合い式に入り込む
ことを特徴とする請求項１または２に記載の部品。
【請求項４】
前記ピックアップ用外形部（６）は、歯の上部の領域（６ｃ’、６ｄ、６ｅ）において、燕尾形に形成されている
ことを特徴とする請求項１、２または３に記載の部品。
【請求項５】
前記ピックアップ用外形部（６）は、再成形加工（Umformung）によって、アンダーカット領域（８、９）に押し込まれている
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の部品。
【請求項６】
前記シート部は、シフト要素のディスクキャリヤ（５）として形成されている
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の部品。
【請求項７】
当該部品は、遊星歯車装置の内ば歯車（７）として形成されている
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の部品。
【請求項８】
前記本体部（２）は、歯車材料、特には炭化処理可能な材料、から製造可能である
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の部品。
【請求項９】
前記ピックアップ用外形部（６、６ａ、６ｂ、６ｃ’）は、略台形状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の部品。
【請求項１０】
当該部品（７）は、内ば歯車キャリヤ（１）を有している
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の部品。
【請求項１１】
前記内ば歯車キャリヤ（１）は、シート部材として形成されている
ことを特徴とする請求項１０に記載の部品。
【請求項１２】
前記内ば歯車キャリヤ（１）は、リング状のフランジ（１ｂ）を有しており、
当該フランジ（１ｂ）は、内ば歯車（７）すなわる本体部（２）と、噛み合い式に結合されている
ことを特徴とする請求項１０または１１に記載の部品。
【請求項１３】
本体部（２）とシート部（５）とが、最初に分離して製造され、続いて結合される
ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の部品（７）の製造方法。
【請求項１４】
本体部（２）の製造は、切削加工（spangebende Herstellung）を含んでいる
ことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
シート部（５）の製造、特にピックアップ用外形部（６）の製造は、再成形加工（Umformung）によって行われる
ことを特徴とする請求項１３または１４に記載の方法。
【請求項１６】
ピックアップ用外形部（６）の製造において、最初にプレ外形部（６ｃ）が生成され、結合後に最終外形部（６ｃ’、６ｄ、６ｅ）が生成される
ことを特徴とする請求項１３、１４または１５に記載の方法。
【請求項１７】
プレ外形部（６ｃ）は、直線状の歯面（６ｂ）の間に、凹状の歯上部（６ｃ）を有している
ことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
最終外形部（６ｃ’、６ｄ、６ｅ）は、プレ外形部すなわち凹状の歯上部（６ｃ）の引き延ばしによって、生成される
ことを特徴とする請求項１６または１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月7日(2011.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランスミッションの、互いに同軸に配置された少なくとも２つのシフト要素（Ｋ１、Ｋ２）のための作動システムであって、
割り当てられたシフト要素を作動させるための少なくとも２つの調整装置を備えており、
前記調整装置は、少なくともそれぞれ一つの回転駆動装置（４、５）と、少なくともそれぞれ一つの調整要素（６、７）と、を有しており、それらは、対応する歯車要素を介して互いに結合されており、
各回転駆動装置（４、５）の回転運動は、割り当てられた調整要素（６、７）の軸方向の調整運動に変換可能であり、
前記調整要素（６、７）は、互いに同軸に配置されており、
各調整要素（６、７）の歯車要素の歯の軸方向の位置が、周方向において少なくとも部分的に変化している
ことを特徴とする作動システム。
【請求項２】
各調整要素（６、７）の歯車要素は、扇形歯車（１２、１３）として形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の作動システム。
【請求項３】
前記扇形歯車（１２、１３）は、基本的に螺旋形の推移部を有している
ことを特徴とする請求項２に記載の作動システム。
【請求項４】
前記扇形歯車（１２、１３）は、各調整要素（６、７）上で径方向外側に延伸するように配置されている
ことを特徴とする請求項２または３に記載の作動システム。
【請求項５】
前記扇形歯車（１２、１３）の軸方向の幅が、周方向において変化している
ことを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の作動システム。
【請求項６】
前記扇形歯車（１２、１３）は、平歯車、ウォーム歯車、あるいは、ベベルギヤ、として形成されている
ことを特徴とする請求項２乃至５のいずれかに記載の作動システム。
【請求項７】
前記調整装置の調整要素（６、７）は、ハウジングに固定された構成部品に回転可能に軸受けされている
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の作動システム。
【請求項８】
前記調整装置の調整要素（６、７）は、互いに対して回転可能に軸受けされている
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の作動システム。
【請求項９】
ハウジングに固定された前記構成部品は、転動体ねじ（８）であり、
当該転動体ねじ（８）は、第１調整装置の調整要素（６）としての第１のスピンドルナット（９）と、第２調整装置の調整要素（７）としての第２のスピンドルナット（１０）と、作用結合している
ことを特徴とする請求項７に記載の作動システム。
【請求項１０】
ハウジングに固定された前記構成部品は、転動体ランプ要素（２２）であり、
当該転動体ランプ要素（２２）は、第１調整装置の調整要素（６）としての第１の回転可能な転動体ランプ要素（２３）と、第２調整装置の調整要素（７）としての第２の径方向内側にある回転可能な転動体ランプ要素（２４）と、作用結合している
ことを特徴とする請求項７に記載の作動システム。
【請求項１１】
ハウジングに固定された前記転動体ねじ（８）のリード、または、ハウジングに固定された前記転動体ランプ要素（２２）のリードは、割り当てられた螺旋形の扇形歯車（１２、１３）のリードに略一致している
ことを特徴とする請求項９または１０に記載の作動システム。
【請求項１２】
ハウジングに固定された前記構成部品は、ハウジング支持部として径方向外側に推移するハウジングフランジ要素（２５）を有している
ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の作動システム。
【請求項１３】
前記調整装置の調整要素（６、７）は、スライド要素を用いて軸受けされている
ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の作動システム。
【請求項１４】
前記調整要素（６、７）は、割り当てられた各シフト要素に対して、押すように及び／または牽引するように作用する
ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれかに記載の作動システム。
【請求項１５】
前記回転駆動装置（４、５）の回転軸は、前記調整装置の軸に対して、軸並行にあるいは傾いて、配置されている
ことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれかに記載の作動システム。
【請求項１６】
前記調整装置は、少なくとも１つのギヤブレーキと結合されている
ことを特徴とする請求項１乃至１５のいずれかに記載の作動システム。
【請求項１７】
前記調整要素（６、７）に、少なくとも１つのパワー補償用の要素が作用する
ことを特徴とする請求項１乃至１６のいずれかに記載の作動システム。
【請求項１８】
前記シフト要素として、オイル冷却式または乾式のダブルクラッチが設けられている
ことを特徴とする請求項１乃至１７のいずれかに記載の作動システム。
【請求項１９】
前記シフト要素として、オイル冷却式または乾式のブレーキが設けられている
ことを特徴とする請求項１乃至１８のいずれかに記載の作動システム。
【請求項２０】
ダブルクラッチトランスミッション（１）の互いに同軸に配置された少なくとも２つのシフト要素（Ｋ１、Ｋ２）のための作動システムであって、
割り当てられたシフト要素を作動させるための少なくとも２つの調整装置を備えており、
前記調整装置は、少なくともそれぞれ一つの回転駆動装置（４、５）と、少なくともそれぞれ一つの調整要素（６、７）と、を有しており、それらは、対応する歯車要素を介して互いに結合されており、
各回転駆動装置（４、５）の回転運動は、割り当てられた調整要素（６、７）の軸方向の調整運動に変換可能であり、
前記調整要素（６、７）は、互いに同軸に配置されており、
各調整要素（６、７）の歯車要素の歯の軸方向の位置が、周方向において少なくとも部分的に変化している
ことを特徴とする作動システム。
【請求項２１】
ハウジングに固定された前記構成部品は、転動体ねじ（８）であり、
当該転動体ねじ（８）は、第１調整装置の調整要素（６）としての第１の径方向外側にあるスピンドルナット（９）と、第２調整装置の調整要素（７）としての第２の径方向内側にあるスピンドルナット（１０）と、作用結合している
ことを特徴とする請求項７に記載の作動システム。
【請求項２２】
ハウジングに固定された前記構成部品は、転動体ランプ要素（２２）であり、
当該転動体ランプ要素（２２）は、第１調整装置の調整要素（６）としての第１の径方向外側にある回転可能な転動体ランプ要素（２３）と、第２調整装置の調整要素（７）としての第２の径方向内側にある回転可能な転動体ランプ要素（２４）と、作用結合している
ことを特徴とする請求項７に記載の作動システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月29日(2011.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号５又は配列番号８の配列により特徴付けられるZEBRA P100フラグメントの、EBV感染に関連する病的状態を患う対象者の生物学的試料におけるEBVウイルス再活性化のインビトロ及びエクスビボスクリーニングのための使用。
【請求項２】
EBV感染に関連する病的状態が、免疫無防備状態の宿主に特異的な腫瘍、免疫応答性の宿主の腫瘍及びEBVに関連するウイルス症候群を含んでなる群から選択される請求項１に記載の使用。
【請求項３】
配列番号５又は配列番号８のポリペプチドを特異的に認識する少なくとも１つの抗体の存在又は量をインビトロ及びエクスビボで決定する方法であって、
前記抗体が、EBV感染に関連する病的状態を患う対象者の生物学的試料中に存在する傾向にある方法。
【請求項４】
以下の工程：
ａ．前記患者からの生物学的試料を前記ポリペプチドと接触させる工程、
ｂ．前記ポリペプチドと、前記生物学的試料中に存在する傾向にある抗体との免疫複合体の形成を検出する工程
を含んでなる、請求項３に記載の少なくとも１つの抗体の存在又は量をインビトロ及びエクスビボで決定する方法。
【請求項５】
前記ポリペプチドが支持体、好ましくはマイクロタイタープレートに固定されている請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記検出が、前記抗体のFcフラグメントを検出できる抗体を用いて行われる請求項４又は５に記載の方法。
【請求項７】
−配列番号５又は配列番号８のアミノ酸配列により特徴付けられる、ELISAプレートに固定された少なくとも１つのポリペプチド
を含んでなる、対象者におけるEBV再活性化をインビトロ及びエクスビボで決定するELISAキット。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月22日(2011.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酒さを処置するための、ダプソンと医薬上許容される担体とを含む局所外用医薬組成物。
【請求項２】
酒さが丘疹膿疱性酒さである、請求項1に記載の組成物。
【請求項３】
丘疹膿疱性酒さが、軽度ないし重度の丘疹膿疱性酒さである、請求項2に記載の組成物。
【請求項４】
処置前に3以上の調査者包括的評価スコアを持つ患者に投与される、請求項2に記載の組成物。
【請求項５】
丘疹膿疱性病変部の少なくとも43％の平均低減をもたらす、請求項2に記載の組成物。
【請求項６】
20個以上の炎症性病変部を持つ患者に投与される、請求項2に記載の組成物。
【請求項７】
1日2回投与される、請求項6に記載の組成物。
【請求項８】
約5％のダプソン、約0.85％のカルボマー980、約25％のジエチレングリコールモノエチルエーテル（DGME）、約0.2％のメチルパラベン、約0.2％の水酸化ナトリウム、および約68.75％の精製水を含む、請求項7に記載の組成物。
【請求項９】
酒さが眼性酒さである、請求項1に記載の組成物。
【請求項１０】
半固形水性ゲルである、請求項1に記載の組成物。
【請求項１１】
クリーム、ローション、懸濁剤、軟膏またはスプレーである、請求項1に記載の組成物。
【請求項１２】
増粘剤、高沸点ノニオン性有機溶媒、保存剤、または塩基剤をさらに含む、請求項1に記載の組成物。
【請求項１３】
ダプソンが約0.5％〜10％を構成する、請求項1に記載の組成物。
【請求項１４】
約5％のダプソン、約0.85％のカルボマー980、約25％のジエチレングリコールモノエチルエーテル（DGME）、約0.2％のメチルパラベン、約0.2％の水酸化ナトリウム、および約68.75％の精製水を含む、請求項1に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月21日(2010.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉄触媒存在下で２００〜４００℃、５〜２５気圧、５００〜８，０００ＧＨＳＶの流速で合成ガスからフィッシャー・トロプシュ反応を行い炭化水素化合物を製造する第１段階と、
ゼオライト触媒存在下で３００〜７００℃、０．１〜５気圧で炭化水素化合物を分解してＣ2−Ｃ4の軽質オレフィンを製造する第２段階と、
を含む合成ガスから軽質オレフィンを製造する連続的な２段階方法。
【請求項２】
前記第１段階反応で製造された炭化水素化合物はオレフィン化合物を５０〜９０炭素モル％含有する、請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
前記鉄触媒は鉄を６０〜９５重量％含有する、請求項１記載の製造方法。
【請求項４】
前記鉄触媒は、鉄１モルに対して銅、マンガン、クロム、バナジウム及び亜鉛の中から選択される金属を０．０１〜０．１モル更に含有する、請求項１記載の製造方法。
【請求項５】
前記ゼオライト触媒は、Ａｌ2Ｏ3１モルに対してＳｉＯ2を８０〜６，０００モル含有するＺＳＭ−５ゼオライト触媒である、請求項１記載の製造方法。
【請求項６】
前記ゼオライト触媒は、リン（Ｐ）、ランタン（Ｌａ）またはそれらの混合物を０．０１〜１０重量％含有する、請求項１記載の製造方法。
【請求項７】
前記第２段階反応において、炭化水素化合物１重量部に対して水０．０１〜１重量部が追加で添加される、請求項１記載の製造方法。
【請求項８】
前記製造されたＣ2−Ｃ4の軽質オレフィンは、選択度が３０〜６５炭素モル％であり、プロピレンは１０〜３５炭素モル％である、請求項１記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月6日(2011.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下：
２−シクロペンチル−Ｎ−（２，６−ジメチル−４−モルホリン−４−イル−フェニル）−アセトアミド、
Ｎ−（２，６−ジメチル−４−モルホリン−４−イル−フェニル）−３，３−ジメチル−ブチルアミド、
Ｎ−（４，６−ジメチル−２−モルホリン−４−イル−ピリミジン−５−イル）−２−（４−フルオロ−フェニル）−アセトアミド、
へキサン酸（２，６−ジフルオロ−４−モルホリン−４−イル−フェニル）−アミド、
２−シクロペンチル−Ｎ−（４，６−ジメチル−２−モルホリン−４−イル−ピリミジン−５−イル）−アセトアミド、
Ｎ−（２−ブロモ−４−モルホリン−４−イル−６−トリフルオロメチル−フェニル）−プロピオンアミド、
Ｎ−（２，４−ジメチル−６−モルホリン−４−イル−ピリジン−３−イル）−３，３−ジメチル−ブチルアミド、
［２−アミノ−４−（２，４，６−トリメチル−ベンジルアミノ）−フェニル］−カルバミン酸エチルエステル、および
２−シクロペンチル−Ｎ−（２−メトキシ−６−メチル−４−モルホリン−４−イル−フェニル）−アセトアミド；
またはこれらの薬学的に許容可能な塩、
からなる群から選択される化合物の、注意欠陥多動性障害（ＡＤＨＤ）または攻撃性の治療用医薬組成物の製造における使用。
【請求項２】
前記治療が注意欠陥多動性障害である、請求項１記載の使用。
【請求項３】
前記治療が攻撃性である、請求項１記載の使用。
【請求項４】
前記化合物が２−シクロペンチル−Ｎ−（２，６−ジメチル−４−モルホリン−４−イル−フェニル）−アセトアミドまたはその薬学的に許容可能な塩である、請求項１〜３のいずれか１つに記載の使用。
【請求項５】
前記化合物がＮ−（２，６−ジメチル−４−モルホリン−４−イル−フェニル）−３，３−ジメチル−ブチルアミドまたはその薬学的に許容可能な塩である、請求項１〜３のいずれか１つに記載の使用。
【請求項６】
前記化合物がＮ−（４，６−ジメチル−２−モルホリン−４−イル−ピリミジン−５−イル）−２−（４−フルオロ−フェニル）−アセトアミドまたはその薬学的に許容可能な塩である、請求項１〜３のいずれか１つに記載の使用。
【請求項７】
前記化合物がへキサン酸（２，６−ジフルオロ−４−モルホリン−４−イル−フェニル）−アミドまたはその薬学的に許容可能な塩である、請求項１〜３のいずれか１つに記載の使用。
【請求項８】
前記化合物が２−シクロペンチル−Ｎ−（４，６−ジメチル−２−モルホリン−４−イル−ピリミジン−５−イル）−アセトアミドまたはその薬学的に許容可能な塩である、請求項１〜３のいずれか１つに記載の使用。
【請求項９】
前記化合物がＮ−（２−ブロモ−４−モルホリン−４−イル−６−トリフルオロメチル−フェニル）−プロピオンアミドまたはその薬学的に許容可能な塩である、請求項１〜３のいずれか１つに記載の使用。
【請求項１０】
前記化合物がＮ−（２，４−ジメチル−６−モルホリン−４−イル−ピリジン−３−イル）−３，３−ジメチル−ブチルアミドまたはその薬学的に許容可能な塩である、請求項１〜３のいずれか１つに記載の使用。
【請求項１１】
前記化合物が［２−アミノ−４−（２，４，６−トリメチル−ベンジルアミノ）−フェニル］−カルバミン酸エチルエステルまたはその薬学的に許容可能な塩である、請求項１〜３のいずれか１つに記載の使用。
【請求項１２】
前記化合物が２−シクロペンチル−Ｎ−（２−メトキシ−６−メチル−４−モルホリン−４−イル−フェニル）−アセトアミドまたはその薬学的に許容可能な塩である、請求項１〜３のいずれか１つに記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月25日(2011.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンディングワイヤ領域上に分離バッフルを配置することによりＬＥＤチップの発光面を該ボンディングワイヤ領域から隔てるステップと、
蛍光体被覆工程で該ＬＥＤチップの該発光面上に蛍光体を被覆するステップと
を含むＬＥＤ装置の製造方法。
【請求項２】
前記ＬＥＤ装置は高出力白色ＬＥＤ装置である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＬＥＤ装置は、フリップチップ構造体又は垂直構造体を有する請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
フリップチップ構造体を有するＬＥＤ装置の製造方法であって、
１つ以上のフリップチップ構造体であって、基部（９）上に配置されたボンディングワイヤ領域（１３）に囲まれ、それぞれが、裏面を有する透明基板（８）と、該フリップチップ構造体の発光面として透明基板（８）の該裏面に装着される透明電極層（１０）とを含む１つ以上のフリップチップ構造体を前記基部（９）上に装着するステップと、
前記ボンディングワイヤ領域（１３）上に分離バッフル（１２）を配置することにより前記透明電極層（１０）を該ボンディングワイヤ領域（１３）から隔てるステップと、
蛍光体の懸濁液を該透明電極層（１０）上に被覆するステップと、
該懸濁液の溶媒を加熱により蒸発させて、該蛍光体を固化させ、蛍光体層（１１）を形成するステップと、
前記分離バッフル（１２）を取り去るステップと、
該基部（９）を分割して、１つのフリップチップ構造体を有する１つ以上の単一ユニットＬＥＤ装置を形成するステップと
を含む製造方法。
【請求項５】
粗い表面を有する粗い層（１４）が前記透明電極層（１０）と前記蛍光体層（１１）との間に配置されている請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ＬＥＤ装置は高出力白色ＬＥＤ装置である請求項４又は５に記載の方法。
【請求項７】
フリップチップ構造体を有するＬＥＤ装置の製造方法であって、
１つ以上のフリップチップ構造体であって、基部（２０）との間に金属接合層（２１）が配置されるとともに、該金属接合層（２１）の周縁部に囲まれ、それぞれが、該金属接合層（２１）に対面する反射金属層（２２）と、発光面としてのｎ型半導体材料層（２５）とを含む１つ以上のフリップチップ構造を前記基部（２０）上に装着するステップと、
該金属接合層（２１）の該周縁部上に分離バッフル（２７）を配置して、該ｎ型半導体材料層（２５）を該金属接合層（２１）の該周縁部から隔てるステップと、
蛍光体の懸濁液を該ｎ型半導体材料層（２５）上に被覆するステップと、
該懸濁液の溶媒を加熱により蒸発させて、該蛍光体を固化させ、蛍光体層（２６）を形成するステップと、
該分離バッフル（２７）を取り去るステップと、
該基部（２０）をセクションに分割して、１つ以上のフリップチップ構造体を有する単一ユニットＬＥＤ装置を形成するステップと
を含む製造方法。
【請求項８】
粗い表面を有する粗い層（２８）が前記ｎ型半導体材料層（２５）と前記蛍光体層（２６）との間に配置されている請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ＬＥＤ装置は高出力白色ＬＥＤ装置である請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
垂直チップ構造体を有するＬＥＤ装置の製造方法であって、
１つ以上の垂直チップ構造体であって、それぞれが、基部（３２）上に順に成膜されたｎ側電極（３３）、ｐ型半導体材料層（３５）、発光層（４１）、ｎ型半導体材料層（３４）、及び一部の上にボンディングワイヤ領域（３９）が配置されるとともに発光面として機能する透明電極層（３６）を含む１つ以上の垂直チップ構造体を前記基部（３２）上に装着するステップと、
該ボンディングワイヤ領域（３９）上に分離バッフル（３８）を配置して、該ボンディングワイヤ領域（３９）を該透明電極層（３６）の残りの部分から隔てるステップと、
蛍光体の懸濁液を該透明電極層（３６）上に被覆するステップと、
該懸濁液の溶媒を加熱により蒸発させて、該蛍光体を固化させ、蛍光体層（３７）を形成するステップと、
該分離バッフル（３８）を取り去るステップと、
該基部（３２）をセクションに分割して、１つ以上の垂直チップ構造体を有する単一ユニットＬＥＤ装置を形成するステップと
を含む製造方法。
【請求項１１】
粗い表面を有する粗い層（４０）が前記透明電極層（３６）と前記蛍光体層（３７）との間に配置されている請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ＬＥＤ装置は高出力白色ＬＥＤ装置である請求項１０又は１１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図７は本発明に係る方法を垂直チップ構造体を有するＬＥＤ装置の製造に適用した場合に使用される分離バッフルの平面図である。図８は図７の分離バッフルを有し垂直チップ構造体を有するＬＥＤ装置の製造途中の側面図である。図８を参照すると、垂直チップ構造体は、基部３２上に順に成膜されたｎ側電極３３、ｐ型半導体材料層３４、発光層４１、ｎ型半導体材料層３５、及び透明電極層３６を含む。透明電極層３６は垂直チップ構造体の発光面として機能する。粗い表面を有する粗い層４０が透明電極層３６上に選択的に配置され、蛍光体を垂直チップ構造体に被覆した時、蛍光体の接着を向上させる。或いは、粗い層４０は省略可能である。ボンディングワイヤ領域３９が粗い層４０の粗い表面の一部の上に配置されている。図７は基部３２上に装着された多数の垂直チップ構造体に適用された分離バッフル３８の平面図である。分離バッフル３８は分離バッフル１２及び２７と各ボンディングワイヤ領域３９を隔てる拡張部Ａを有している点で異なる。分離バッフル３８は垂直チップ構造体の発光面と形状及びサイズが一致した開口を多数有している。蛍光体の懸濁液を発光面上にスピンコート又は滴下コートにより直接被覆する。懸濁液の溶媒を加熱により蒸発させると、蛍光体は固化して、蛍光体層３７を形成する。蛍光体層３７を形成した後、分離バッフル３８を取り去る。上記のステップにより、垂直チップ構造体の発光面上に蛍光体が均一に被覆され固化される。従って、蛍光体パッケージ技術をパッケージ工程で使用することを避けることが出来る。次に、基部３２は分割されて、１つの垂直チップ構造体を有する単一ユニットＬＥＤ装置が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月4日(2011.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの小型ケーシング（１）と、支持体（９）とを有する支持体装置（８）であって、
前記小型ケーシング（１）は、
ケーシングボディ（３）と、導体部（５）と、電気的な端子装置（６）とを有し、
前記ケーシングボディ（３）は電磁放射を送信または受信する素子を有し、該素子は前記ケーシングボディ（３）内に設けられており、且つ、前記ケーシングボディ（３）の通過面（２）を介して前記電磁放射を送信または受信し、
前記ケーシングボディ（３）は前記通過面（２）を横断する方向に配向されている上面（４）を有し、
前記導体部（５）は、前記ケーシングボディ（４）の外面と前記素子との電気的な接続を確立し、
前記電気的な端子装置（６）は前記導体部（５）と接続されており、前記ケーシングボディ（３）から側方に張り出しており、且つ、前記ケーシングボディ（３）の前記上面（４）に平行に配向されているコンタクト接続面（７）を有し、
前記支持体（９）は、前記小型ケーシング（１）の前記通過面（２）に平行に配向されている支持体前面（１０）と、該支持体前面（１０）を横断する方向に配向されている支持体上面（１１）とを有し、
前記小型ケーシング（１）の前記電気的な端子装置（６）は前記支持体上面（１１）または支持体下面の上に平坦に載置されており、
前記ケーシングボディ（３）は完全に前記支持体（９）の切り欠き部（１２）内に埋め込まれている、支持体装置（８）において、
前記切り欠き部（１２）は階段状の構造部として構成されているか、または、前記切り欠き部（１２）は前記支持体前面（１０）に平行な少なくとも１つの狭窄部を有することを特徴とする、支持体装置（８）。
【請求項２】
前記小型ケーシング（１）の前記通過面（２）は前記支持体前面（１０）と同一平面上で終端している、請求項１記載の支持体装置（８）。
【請求項３】
前記支持体（９）内の前記切り欠き部（１２）および前記ケーシングボディ（３）は相互に少なくとも部分的に嵌合形状部として構成されており、前記小型ケーシング（１）は少なくとも部分的に前記切り欠き部（１２）に配置されている、請求項１または２記載の支持体装置（８）。
【請求項４】
前記支持体上面（１１）に対して垂直な方向における支持体装置（８）の拡張部は１ｍｍよりも小さい、請求項１から３までのいずれか１項記載の支持体装置（８）。
【請求項５】
前記支持体（９）は、切り込み、凹部、切り出し、張り出し部および／または凸部の形態の少なくとも１つの位置決めマーキングおよび／または保持装置を有する、請求項１から４までのいずれか１項記載の支持体装置（８）。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月7日(2011.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の発光ダイオード（ＬＥＤ）を備える照明システムのための蓄熱システムであって、照明システム内の１つ以上のＬＥＤの１つ以上の作動温度に実質的に適合する１つ以上の融点温度を備える１つ以上の相変化材料（ＰＣＭ）と、密閉されて照明システムと連結された１つ以上のＰＣＭを保持するための１つ以上の第１容器とを備えることを特徴とする蓄熱システム。
【請求項２】
ＰＣＭは、共晶水和塩であり、且つ、ＬＥＤから熱を吸収している間に状態が変化することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
共晶水和塩がクエン酸ナトリウム、リン酸ナトリウム、硝酸塩、及び、パラフィンを含む群から選択されることを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
ＰＣＭは、過熱及び過冷却を減らすための核剤、及び／又は、ＰＣＭの成分の分離を減らすための安定剤と組み合わされることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
ＰＣＭの体積は、周期的な用途に実質的に適合するように設計され、周期的な用途は、時間がたつにつれての周期的な使用法、又は、周期的な使用形態に基づくことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
ＰＣＭの体積制限に対応するための対流成分を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
１つ以上の第１容器は、円筒形状又は円錐状を有し、且つ、積み重ねられることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
相変化をしない熱量材料を保持するための１つ以上の第２容器を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
１つ以上の第１容器、及び／又は、１つ以上の第２容器は、底部、側部、上部にヒレ状構造を含むことを特徴とする請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
１つ以上のＰＣＭは、１つ以上の第１容器内で金属板と交互に配置される平板状であり、金属板は、波形であることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
冷却されるＬＥＤの稼動温度に実質的に適合する１つ以上のＰＣＭを選択すること、１つ以上のＰＣＭの１つ以上の容器をＬＥＤに密着して配置すること、ＬＥＤが作動している間にＬＥＤによって発生された熱の最初の一部を１つ以上のＰＣＭで吸収して蓄えること、ＬＥＤがオフにされた後に１つ以上のＰＣＭによって吸収された熱を分散することを備えることを特徴とする方法。
【請求項１２】
ＬＥＤによって発生された熱の第２の部分を作動の間に対流させることを更に備えることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
過熱及び過冷却を減らすための核剤、及び／又は、ＰＣＭの成分の不変的な分離を減らすための安定剤と、１つ以上のＰＣＭとを組み合わせることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
１つ以上の容器が積み重ねられることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
２４時間の固定負荷周期を伴う照明用途で作動する複数個の発光ダイオード（ＬＥＤ）と、複数個のＬＥＤと結合されてＬＥＤによって発生した熱の一部を吸収するように構成された容器内に密閉された相変化材料（ＰＣＭ）とを備え、更に、ＰＣＭの融点温度が照明システムのほぼ作動温度であることを特徴とする照明システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月6日(2011.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（a）エチレンジアミン四酢酸；
（b）クロルヘキシジンまたは経口的に許容され得る付加塩；
（c）N-セチル-N,N,N-トリメチルアンモニウムブロミド；および
（d）水
を含む、組成物。
【請求項２】
エチレンジアミン四酢酸が組成物の約0.5〜約20重量パーセントの量で存在する、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
経口的に許容され得る付加塩がクロルヘキシジンジグルコナートである、請求項１記載の組成物。
【請求項４】
クロルヘキシジンまたは経口的に許容され得る付加塩が組成物の約0.01〜約5.0重量パーセントの量で存在する、請求項１記載の組成物。
【請求項５】
N-セチル-N,N,N-トリメチルアンモニウムブロミドが組成物の約0.001〜約3.0重量パーセントの量で存在する、請求項１記載の組成物。
【請求項６】
エチレンジアミン四酢酸が組成物の約1〜約17重量パーセントの量で存在し、クロルヘキシジンまたは経口的に許容され得る付加塩が組成物の約0.1〜約0.5重量パーセントの量で存在し、N-セチル-N,N,N-トリメチルアンモニウムブロミドが組成物の約0.1〜約0.5重量パーセントの量で存在する、請求項１記載の組成物。
【請求項７】
（a）クロルヘキシジンまたは経口的に許容され得る付加塩と、N-セチル-N,N,N-トリメチルアンモニウムブロミドとを水中で合わせ、クロルヘキシジン含有水溶液を提供すること；および
（b）エチレンジアミン四酢酸を該クロルヘキシジン含有水溶液に加え、クロルヘキシジン含有組成物を提供すること
を含む、クロルヘキシジン含有組成物の製造方法。
【請求項８】
N-セチル-N,N,N-トリメチルアンモニウムブロミドのクロルヘキシジンまたは経口的に許容され得る付加塩に対する比が約5：1〜約1：1である、請求項７記載の方法。
【請求項９】
クロルヘキシジン含有水溶液が約1〜約20重量%のクロルヘキシジン濃度を有する、請求項７記載の方法。
【請求項１０】
エチレンジアミン四酢酸が溶液として加えられる、請求項７記載の方法。
【請求項１１】
エチレンジアミン四酢酸が約1〜約50重量%のエチレンジアミン四酢酸濃度を有する溶液として加えられる、請求項７記載の方法。
【請求項１２】
クロルヘキシジン含有組成物が、約1〜約17重量パーセントの量のエチレンジアミン四酢酸、約0.1〜約0.5重量パーセントの量のクロルヘキシジンまたは経口的に許容され得る付加塩、および約0.1〜約0.5重量パーセントの量のN-セチル-N,N,N-トリメチルアンモニウムブロミドを含む、請求項７記載の方法。
【請求項１３】
クロルヘキシジン含有組成物が溶液である、請求項７記載の方法。
【請求項１４】
（a）エチレンジアミン四酢酸；
（b）クロルヘキシジンまたは経口的に許容され得る付加塩；
（c）N-セチル-N,N,N-トリメチルアンモニウムブロミド；および
（d）水
を含む、歯内の陥凹または下処理された歯の表面からスメア層を除去し、それらを滅菌するための剤。
【請求項１５】
約1〜約17重量パーセントの量のエチレンジアミン四酢酸、約0.1〜約0.5重量パーセントの量のクロルヘキシジンまたは経口的に許容され得る付加塩、および約0.1〜約0.5重量パーセントの量のN-セチル-N,N,N-トリメチルアンモニウムブロミドを含む、請求項１４記載の剤。
【請求項１６】
歯内の陥凹または下処理された歯の表面が根管を含むものである、請求項１４または１５に記載の剤。
【請求項１７】
根管が歯内の部位のものである、請求項１６記載の剤。
【請求項１８】
根管が器具が装着された根管である、請求項１６記載の剤。
【請求項１９】
根管が歯周病の処置のために下処理されたものである、請求項１６記載の剤。
【請求項２０】
根管が歯の修復のために下処理された部位のものである、請求項１６記載の剤。
【請求項２１】
根管が歯の再構築のために下処理されたものである、請求項１６記載の剤。
【請求項２２】
根管が約1分〜約1時間洗浄されるものである、請求項１６記載の剤。
【請求項２３】
請求項１４〜２２のいずれか１項記載の剤、および、次亜塩素酸ナトリウムを含む剤を含む、歯内の陥凹または下処理された歯の表面からスメア層を除去し、それらを滅菌するためのキット。