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　平成　９年特許願第　３２４９９号「中空のターゲットを備えた、陰極スパッタによりサブストレートを被覆するための装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　９月　２日出願公開、特開平　９−２２８０３８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本願は、平成９年２月１８日（パリ条約による優先権主張１９９６年２月２３日及び３月９日、ドイツ）の出願であって、原審にて平成１８年９月１５日付けで拒絶理由通知がなされ、平成１９年３月２２日付けで明細書の手続補正がなされたが、同年６月４日付けで拒絶査定がなされたものである。
　本件審判は、この査定を不服として、同年８月２８日に請求がなされたものであり、同日付けで明細書の手続補正もなされている。
　その後、当審にて平成２２年６月２２日付けで拒絶理由通知をしたところ、同年９月２４日付けで明細書の手続補正がなされた。
　
２．本願発明の認定
　
　本願の請求項１〜３に係る発明は、平成２２年９月２４日付けで手続補正がなされた明細書の特許請求の範囲において、請求項１〜３に記載された事項により特定されるものと認められるところ、このうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
　
【請求項１】
　陰極スパッタによりサブストレート（３）を被覆するための装置において、被覆すべきサブストレート（３）側で開いた中空のターゲット（４）と、ターゲット（４）の側壁（５）に平行に延びた暗室シールド（６）と、ターゲット（４）の底部（７）と不動に結合されていて、絶縁材（８）を介して真空室（２）の壁（９）に支持されていて、しかも電源（１０）と電気的に結合されたカソード基体（１１）と、暗室シールド（６）の端面によって保持された、少なくとも１つの中央の開口（１４）を持つ絞り（１３）と、定置の、回転可能に支承された、サブストレート（３）を保持するための回転皿（１５）とを備えており、該回転皿の回転軸線（１６）が中空のターゲット（４）の対称軸（１７）に平行に延びている形式のものにおいて、暗室シールド（６）に平行に延びた、複数の磁石から形成された磁石帯（１２）が、前記暗室シールド（６）の外周面に取り付けられていることを特徴とする、中空ターゲットを備えた、陰極スパッタによりサブストレートを被覆するための装置。
　
　なお、符号の参照のため、本願図１を摘示する。
　
３．当審拒絶の理由
　
　当審で通知した拒絶の理由の１つは、要するに、
「本願発明は、その優先日前に日本国内において頒布された刊行物、
　　特開平８−１３１４２号公報　（以下、「引用例１」という。）
　　特公平３−１７９０７号公報　（以下、「引用例２」という。）
に記載された発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」
というものである。
　
４．引用例の記載
　
　引用例１，２には、それぞれ次の記載がある。
　
引用例１
　
摘記1-1
【請求項１】スパッタ材料である平板状のターゲットと、
成膜対象である基板を前記ターゲットと平行に保持する基板保持手段と、
前記ターゲットと前記基板保持手段とを相対的に移動させる相対移動手段とを備え、
前記ターゲットをスパッタして前記基板の表面に薄膜を生成させるスパッタリング装置であって、
前記ターゲットと前記基板保持手段との間に、前記ターゲットと対向する位置にスパッタ粒子を通過させる開口を有する回り込み防止板を設け、
前記基板が前記開口を介して前記ターゲットに面する位置にないときには成膜されないようにしたことを特徴とするスパッタリング装置。
　
摘記1-2
【００３１】図１は、本発明の一実施例の、スパッタリング装置の外観図であり、図２は断面図である。
【００３２】図１、図２を参照し、スパッタリング装置２は真空容器１０を備えており、該真空容器１０内には、基板保持手段である基板ホルダー１３が設けられている。
【００３３】該真空容器１０は、ターゲット３が内蔵されたカソード４を有しており、前記ターゲット３の裏面にはマグネトロン磁石５が配置されている。そして、図示しない真空ポンプが起動すると、前記真空容器１０に接続された真空排気パイプ３２から気体が排気され、高真空状態に達し得るように構成されている。また、前記真空容器１０には、スパッタリングガスであるＡｒガスを導入する導入パイプ３１も接続されており、前記真空ポンプを起動させ、高真空状態にした後、前記導入パイプ３１からアルゴンガスを導入し、シャッター２５を開けてスパッタリングを開始する。
【００３４】このスパッタリングは、前記マグネトロン磁石５の発生する磁界でプラズマを閉じこめるマグネトロン方式のスパッタリングであり、前記ターゲット３を固定するマグネトロン電極８に接続された直流電源９と、インピーダンスマッチングボックス１８を介して前記基板ホルダー１３に接続された高周波電源１９との起動により、前記ターゲット３に電圧を印加してアルゴンプラズマを生成して行われる。このとき、前記マグネトロン磁石５は、モーター１４により回転されるので、前記ターゲット３の面内で磁場が移動し、それにつれてターゲットのエロージョン部が移動するので、ターゲットの有効領域が広がるように構成されている。
【００３５】また、スパッタリングの際には、前記基板ホルダー１３は回転モーター４４により中心軸線２１を中心として回転するので、前記ターゲット３と前記基板ホルダー１３とは相対的に旋回運動をする。
【００３６】このターゲット３は、図８に示したターゲットと同様に、ドーナツ状に有効領域が形成されており、前記旋回運動の軌跡１２上の位置であって、前記ターゲット３の有効領域の直下を通過する前記ターゲットホルダー１３上の部分のホルダー有効領域３４上にのみ、基板を載置する載置部１５を設けてある。
【００３７】また、前記ターゲット３と前記基板ホルダー１３との間には、回り込み防止板６が設けてあり、この回り込み防止板６には、前記ターゲット３に面する位置にスパッタ粒子を通過させる開口７を設けてあるので、前記各載置部上に基板を置けば、各基板は前記旋回運動で順次前記ターゲット３直下の位置に来るので、前記開口７を介して前記ターゲット３に面するようになる。この時は、前記ターゲット３のスパッタにより生じたスパッタ粒子が前記基板１６に到達するので薄膜が成膜さ、一方、前記ターゲット３に面する位置にない時には、スパッタ粒子は前記回り込み防止板６で遮蔽されて基板には到達しないので、薄膜は成長しない。
【００３８】なお、回り込み防止板６は、前記ターゲット３とは反対側の位置にある基板も覆うように、２点鎖線１７で示すように伸ばしてもよい。
【００３９】前記回り込み防止板６には膜厚補正板１１を取付けて前記開口７を構成している。そして、その開口７の形状は、前記ターゲット３の上方から前記回り込み防止板６を透視した図３(III−III線図)のように、該回り込み防止板６の有する円形の穴３９の中央部が張り出すようにこの円形の穴３９に取付けられた前記補正板１１には張り出し部４０1、４０2が設けられ、載置部上に置かれた基板１６1、１６2、１６3が、前記開口７の投影面を通過する時間が、各基板の中央部分が通過する時間よりも周辺部分が通過する時間の方が長くなるように形成されている。　
　
摘記1-3
【図２】
　
　
引用例２
　
摘記2-1
  以下、本発明の実施例を第１図および第２図を参照して説明する。
  第１図は本発明に係る放電電極の一実施例を示したもので、陰極材２の外周上方側に、同一材料からなる他の筒状の陰極材８を設け、これら陰極材２，８に囲まれた内側部分に放電空間９を形成するようになされている。上記筒状の陰極材８の上端は、被処理物４に近接して配置され、該上端と被処理物４との間隔は放電プラズマが陰極材２，８の外側に放出されないよう例えば２〜５mm程度に形成されている。また、上記筒状の陰極材８の外周側には、この陰極材８の内側部分に磁界を発生させるためのマグネツト１０が配設されている。
  なお、上記各陰極材２，８は、一体に形成するようにしてもよいし、放電プラズマが放電空間９内に閉じ込められるのであれば、各陰極材２，８の間に間隙を設けるようにしてもよい。
  本実施例においては、放電電源５により各陰極材２，８と被処理物４との間に高電圧を印加して、各陰極材２，８の内側すなわち放電空間９内にプラズマ放電を発生させ、陰極材２，８の材料を飛散させる。このとき、放電プラズマは放電空間９内に閉じ込められ、陰極材２，８の材料は放電空間９の外側には飛散しない。
  したがつて、被処理物４の表面のみに陰極材２，８材料を付着させることができ、真空容器内壁等不要な部分を汚染することがない。さらに、上記のように不要部分へ陰極材材料が飛散しないので、第２図に示すように、従来のものと比較して、被処理物４の外周部における膜厚分布を大幅に改善することができる。
　
摘記2-2
　
５．引用発明の認定
　
　引用例１には、平板状ターゲットと基板保持手段と両者を相対移動する手段とを備え、前記ターゲットと前記基板保持手段との間に、開口を有する回り込み防止板を設け、基板が前記開口を介して前記ターゲットに面する位置にないときには成膜されないようにしたスパッタリング装置が記載されている（摘記1-1参照）。
　さらに、その実施例において、ターゲット３は、カソード４に内蔵されて、直流電源９に接続されたマグネトロン電極８に固定されていること、基板保持手段は、基板１６を載置する載置部１５を設けた基板ホルダー１３であって、中心軸線２１を中心として回転すること、回り込み防止板６は、開口７を構成する膜厚補正板１１が取り付けられていることが記載されている（摘記1-2参照）。また、真空容器１０やカソード４及びマグネトロン電極８の表面においてプラズマ生成を回避することは、スパッタリング装置の技術常識であるから、断面図において、カソード４と真空容器１０の間にある部材が絶縁材であることや、カソード４とマグネトロン電極８の周囲を覆う部材がシールドであることは、当業者に自明なことである（摘記1-3参照）。
　以上の記載を総合すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「カソード４に内蔵され、直流電源９に接続されたマグネトロン電極８に固定された平板状ターゲット３と、中心軸線２１を中心として回転し、基板１６を載置する載置部１５を設けた基板ホルダー１３を備え、カソード４は、絶縁材を介して真空容器１０に支持され、カソード４とマグネトロン電極８の周囲には、シールドが設けられ、前記ターゲット３と前記基板ホルダー１３との間に、開口７を構成する膜厚補正板１１が取り付けられた回り込み防止板６を設け、基板１６が前記開口７を介して前記ターゲット３に面する位置にないときには成膜されないようにしたスパッタリング装置。」
　
６．発明の対比
　
　本願発明を引用発明と対比する。
　
　引用発明の「基板１６」「シールド」「真空容器１０」「直流電源９」「カソード４及びマグネトロン電極８」「膜厚補正板１１」「基板ホルダー１３」「中心軸線２１」がそれぞれ、本願発明の「サブストレート（３）」「暗室シールド（６）」「真空室（２）及びその壁（９）」「電源（１０）」「カソード基体（１１）」「絞り（１３）」「回転皿（１５）」「回転軸線（１６）」に相当する。また、断面図からみて、引用発明の中心軸線２１は、平板状ターゲット３の対称軸線に平行に延びていると認められる。
　してみると、本願発明のうち、
「陰極スパッタによりサブストレート（３）を被覆するための装置において、ターゲット（４）と、暗室シールド（６）と、ターゲット（４）の底部（７）と不動に結合されていて、絶縁材（８）を介して真空室（２）の壁（９）に支持されていて、しかも電源（１０）と電気的に結合されたカソード基体（１１）と、少なくとも１つの中央の開口（１４）を持つ絞り（１３）と、定置の、回転可能に支承された、サブストレート（３）を保持するための回転皿（１５）とを備えており、該回転皿の回転軸線（１６）がターゲット（４）の対称軸（１７）に平行に延びている陰極スパッタによりサブストレートを被覆するための装置。」
の点は引用発明と一致し、次の点で両者は相違する。
　
相違点１
相違点２
相違点３
相違点４
　
７．容易性の判断
　
　各相違点について検討する。
　
相違点１について
　引用例２には、平板状の陰極材２の外周に、その上端が被処理物４に近接して、同一材料からなる他の筒状の陰極材８を設け、その内側に放電空間９を形成することで、被処理物４の膜厚分布が改善されることが記載されている（摘記2-1,2-2参照）。
　してみると、基板上の膜厚分布改善のために、引用発明の平板状ターゲット３の外周に、その上端が基板１６に近接して、同一材料からなる他の筒状のターゲットを設けること、すなわち、相違点１を解消することは、当業者にとって、容易になし得た設計変更である。
　
相違点２について
　スパッタリング装置におけるシールドは、放電の回り込みによる不要なプラズマ生成を防止するものであるから、引用発明において筒状のターゲットを設け、その内側を放電空間とするために、その外側では放電が生じないようにシールドが必要となることは、当業者に自明なことである。
　してみると、引用発明のシールドを、筒状のターゲットの側壁に平行に延びたものとすること、すなわち、相違点２を解消することは、当業者にとって、相違点１の解消に付随して当然なされる設計変更である。
　
相違点３について
　引用例２には、被処理物４に近接して筒状の陰極材８を設け、その内側を放電空間９とすると、不要部分へ陰極材材料が飛散することが防止できると記載されている（摘記2-1参照）。すなわち、引用発明において筒状のターゲットを設け、その外側では放電が生じないようにシールドを延長すると、該シールドは、回り込み防止板６を兼ねる部材であるということができる。
　してみると、引用発明において、回り込み防止板６を設けることなく、該回り込み防止板の機能を兼ねる延長されたシールドの端面で膜厚補正板１１を保持すること、すなわち、相違点３を解消することは、当業者にとって、相違点１，２の解消に付随して適宜なし得る設計的選択事項にすぎない。
　
相違点４について
　引用例２には、筒状の陰極材８の外周側に平行に、この陰極材８の内側部分に磁界を発生させるためのマグネツト１０を配設することも記載されている(摘記2-1,2-2参照）。
　してみると、引用発明のシールドを筒状のターゲットの側壁に平行に延びたものとすると共に、該シールドの外周面に平行に複数のマグネットを取り付けること、すなわち、相違点４を解消することは、相違点１，２の解消に付随して当然なされる設計変更である。
　
　なお、付言すれば、スパッタリング装置において、シールドで絞りを保持すること（要すれば、特開昭６１−１６３２７１号公報「シールド板３とマスク１」参照）も、シールド外周に複数の磁石を取り付けること（要すれば、特開昭６２−３７３７２号公報「プラズマシールド５と磁石１」参照）も知られており、引用発明において、相違点３，４を解消することに意外性はない。
　
８．むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、その優先日前に日本国内において頒布された刊行物である引用例１、２に記載された発明に基いて、その優先日前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の理由について検討するまでもなく、当審拒絶の理由により拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。