【手続補正書】
【提出日】平成23年5月25日(2011.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面と下面とを有する基板と、
側面、中央区域、および当該中央区域の周囲の縁部を有するとともに、前記基板の前記上面に形成されたｎ型半導体材料層と、
前記ｎ型半導体材料層上に形成された発光層と、
前記発光層上に形成されるｐ型半導体材料層と、
前記ｐ型半導体材料層上に形成されたアノードと、
前記基板の前記下面に形成され、前記ｎ型半導体材料層に接触する導電性材料と、
を含むことを特徴とするＬＥＤ。
【請求項２】
前記ｎ型半導体材料層の前記縁部に沿って形成され、前記導電性材料に接触するカソードをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項３】
前記ｎ型半導体材料層では、前記縁部が前記中央区域よりも薄く当該縁部に段差が形成され、前記カソードが当該段差の上に形成されることを特徴とする、請求項２に記載のＬＥＤ。
【請求項４】
前記カソードが前記ｎ型半導体材料層の前記側面に接触して前記基板上に形成されることを特徴とする、請求項２に記載のＬＥＤ。
【請求項５】
前記導電性材料および前記カソードが一体に形成されることを特徴とする、請求項２に記載のＬＥＤ。
【請求項６】
前記導電性材料がめっき金属または導電性接着剤であることを特徴とする、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項７】
上面と下面とを有する基板と、
側面、中央区域、および当該中央区域の周囲の縁部を有するとともに、前記基板の前記上面に形成されたｎ型半導体材料層と、
前記ｎ型半導体材料層上に形成された発光層と、
前記発光層上に形成されるｐ型半導体材料層と、
前記ｐ型半導体材料層上に形成されたアノードと、
前記アノードに接続されるリード線と、
前記基板の前記下面に形成され、前記ｎ型半導体材料層に接触する導電性材料と
を含み、
前記リード線および前記導電性材料が、外部回路に接続するのに使用されるリードフレームにそれぞれ電気的に接続されることを特徴とする、ＬＥＤのパッケージ構造体。
【請求項８】
前記ｎ型半導体材料層の前記縁部に沿って形成され、前記導電性材料に接触するカソードをさらに含むことを特徴とする、請求項７に記載のＬＥＤのパッケージ構造体。
【請求項９】
前記ｎ型半導体材料層では、前記縁部が前記中央区域よりも薄く当該縁部に段差が形成され、前記カソードが当該段差の上に形成されることを特徴とする、請求項８に記載のＬＥＤのパッケージ構造体。
【請求項１０】
前記カソードが前記ｎ型半導体材料層の前記側面に接触して前記基板上に形成されることを特徴とする、請求項８に記載のＬＥＤのパッケージ構造体。
【請求項１１】
前記導電性材料および前記カソードが一体に形成されることを特徴とする、請求項８に記載のＬＥＤのパッケージ構造体。
【請求項１２】
前記導電性材料がめっき金属または導電性接着剤であることを特徴とする、請求項７に記載のＬＥＤのパッケージ構造体。
【請求項１３】
基板を用意するステップと、
前記基板の上面にｎ型半導体材料層、発光層、およびｐ型半導体材料層を順次含むように積層構造体を形成するステップと、
前記ｎ型半導体材料層の縁部が露出するまで、前記積層構造体の縁部を除去するべく、当該積層構造体の縁部をエッチングするステップと、
前記ｐ型半導体材料層上に、リード線に接続するアノードを形成するステップと、
前記ｎ型半導体材料層に接触し、且つ、前記リード線とともに外部回路に接続するのに使用されるリードフレームに電気的に接続するように、前記基板の前記下面に導電性材料を形成するステップと
を含むことを特徴とするＬＥＤの製造方法。
【請求項１４】
前記エッチングするステップで、前記ｎ型半導体材料層の前記縁部がエッチングされて前記ｎ型半導体材料層の中央区域よりも薄くなることを特徴とする、請求項１３に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項１５】
前記エッチングするステップの後に、前記ｎ型半導体の前記縁部の上に前記導電性材料に接触するようにカソードを形成するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１３に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項１６】
前記カソードを形成するステップにおいて、当該カソードが前記導電性材料と一体に形成されることを特徴とする、請求項１３に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項１７】
前記導電性材料を形成するステップにおいて、前記導電性材料がめっき金属または導電性接着剤であることを特徴とする、請求項１３に記載のＬＥＤの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明による発光ダイオードは、基板、ｎ型半導体、発光層、ｐ型半導体材料層、アノード、および導電性材料を含む。ｎ型半導体材料層は基板上面に形成され、側面、中央区域、および中央部分のまわりの縁部を有する。発光層はｎ型半導体材料層上に形成される。ｐ型半導体材料層は発光層上に形成される。アノードはｐ型半導体材料層上に形成される。導電性材料は基板下面に形成され、ｎ型半導体材料層に接触する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
好ましくは、ＬＥＤは、ｎ型半導体材料層の縁部に沿って形成され、導電性材料に接触するカソードをさらに含む。好ましくは、ｎ型半導体材料層の縁部は、縁部上に段差の形状を形成するようにｎ型半導体材料層の中央区域よりも薄い。カソードはｎ型半導体材料層の段差上に形成される。好ましくは、カソードはｎ型半導体材料層の側面に接触して基板上に形成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
好ましくは、導電性材料は単一部分としてカソードと一体化して形成される。好ましくは、導電性材料はめっき金属または導電性接着剤である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の別の態様によれば、ＬＥＤのパッケージ構造体が提供される。
ＬＥＤは、基板と、基板の上面に形成されたｎ型半導体材料層と、ｎ型半導体材料層上に形成された発光層と、発光層上に形成されるｐ型半導体材料層と、ｐ型半導体材料層上に形成されたアノードとを含む。
ＬＥＤのパッケージは、アノードに接続するリード線と、基板の下面に形成され、ｎ型半導体材料層に接触する導電性材料とをさらに含む。
リード線および導電性材料は、それぞれ外部回路に接続するのに使用されるリードフレームに電気的に接続される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明のさらなる態様によれば、ＬＥＤの製造方法が提供される。
この方法は、基板を用意するステップと、
積層構造体を形成するように基板の上面にｎ型半導体材料層、発光層、およびｐ型半導体材料層を連続して形成するステップと、
ｎ型半導体材料層の縁部が露出されるまで積層構造体の縁部がエッチングされ除去される、エッチングするステップと、
アノードを形成するステップであって、アノードはｐ型半導体材料層上に形成され、リード線に接続されることを特徴とする、アノードを形成するステップと、
導電性材料を形成するステップであって、導電性材料は、基板の下面に形成され、ｎ型半導体材料層に接触し、リード線および導電性材料は、それぞれ外部回路に接続するのに使用されるリードフレームに電気的に接続されることを特徴とする、導電性材料を形成するステップとを含む。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
カソード４は、図１に示されるように、ｎ型半導体材料層７の縁部に沿って形成され、ｎ型半導体材料層７に接触する。
図８をさらに参照すると、カソード４の断面は、円形、長方形直線と曲線とからなる多角形、またはループ形状などの環状とすることができ、上から下まで同様な形状を有することができる。
ｎ型半導体材料層７の縁部は、縁部上に段差の形状を形成するようにｎ型半導体材料層７Ａの中央区域よりも薄い。
カソード４は、カソード４の高さを増加させるために、図２に示されるように、ｎ型半導体材料層７の段差上に形成することもできる。
カソード４は、図３に示されるように、ｎ型半導体材料層７の側面に接触して基板８上に形成することもできる。
カソード４は、カソード４の光吸収を低減させるように、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔｉ、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＲｕＯ2、およびそれらの組合せからなる群から選択された非吸光性の反射性金属または金属酸化物で製作することができる。
カソード４は２μｍよりも高い高さを有することができる。
オーミックコンタクト層を、カソード４とｎ型半導体材料層７との間に形成することができる。