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【手続補正書】
【提出日】平成22年9月21日(2010.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
十分量の精製レイシ抽出物を含む組成物であって、該組成物は、細胞表面マーカーの単核細胞発現が少なくとも１％増加するように対象に投与されるものであることを特徴とする、組成物。
【請求項２】
前記細胞表面マーカーが、ＶＣＡＭおよび／またはＮＣＡＭである、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記細胞表面マーカーが、未熟樹状細胞マーカーからなる群より選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記未熟樹状細胞マーカーが、ＣＤ１ａ、ＣＤ１４、ＣＤ４０、ＣＤ８０およびＣＤ８６からなる群より選択される、請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
前記細胞表面マーカーが、成熟樹状細胞マーカーからなる群より選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記成熟樹状細胞マーカーが、ＣＤ８３からなる群より選択される、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記細胞表面マーカーが、造血細胞マーカーからなる群より選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記造血細胞マーカーが、ＣＤ３４、ＣＤ３８、ＣＤ１３３およびＣＸＣＲ４からなる群より選択される、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
前記細胞表面マーカーが、Ｂ細胞マーカーからなる群より選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
前記Ｂ細胞マーカーが、ＣＤ１９からなる群より選択される、請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
前記組成物が、ＩＬ−４およびＧＭ−ＣＳＦからなる群より選択される少なくとも１つのサイトカインとともに、対象に同時投与されるものであることを特徴とする、請求項３のいずれかに記載の組成物。
【請求項１２】
十分量の精製レイシを含む組成物であって、該組成物は、細胞表面マーカーのＭＳＣおよび／またはＰＬＡの発現が少なくとも１％増加するように対象に投与されるものであることを特徴とする、組成物。
【請求項１３】
前記細胞表面マーカーが、ＢＭＰ−２、アグリカンおよびＩＬ−１からなる群より選択される、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１４】
前記組成物が、インスリン、ＴＧＦ−Ｂ１および／またはアスコルベート−２−ホスフェートからなる群より選択される少なくとも１つの化合物とともに、対象に同時投与されるものであることを特徴とする、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１５】
十分量の精製レイシを含む組成物であって、該組成物は、ＣＤ３４＋／ＣＤ３８−細胞プロテオームの発現を失う、対象のＭＳＣおよび／またはＰＳＡ細胞の割合が少なくとも１％減少するように対象に投与されるものであることを特徴とする、組成物。
【請求項１６】
ある量の骨格形成剤と、
ある量のレイシ抽出物と
を含み、移植することができるデバイス。
【請求項１７】
ある量の単核細胞をさらに含む、請求項１６に記載のデバイス。
【請求項１８】
ある量のＭＳＣおよび／またはＰＬＡ細胞をさらに含む、請求項１６に記載のデバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
別の実施形態において、上記の組合せは、生物に移植可能である。
本発明はまた、以下の項目を提供する。
（項目１）
細胞表面マーカーの単核細胞発現が少なくとも１％増加するために十分量の精製レイシ抽出物を対象に投与すること
を含む、方法。
（項目２）
上記細胞表面マーカーが、ＶＣＡＭおよび／またはＮＣＡＭである、項目１に記載の方法。
（項目３）
上記細胞表面マーカーが、未熟樹状細胞マーカーからなる群より選択される、項目１に記載の方法。
（項目４）
上記未熟樹状細胞マーカーが、ＣＤ１ａ、ＣＤ１４、ＣＤ４０、ＣＤ８０およびＣＤ８６からなる群より選択される、項目３に記載の方法。
（項目５）
上記細胞表面マーカーが、成熟樹状細胞マーカーからなる群より選択される、項目１に記載の方法。
（項目６）
上記成熟樹状細胞マーカーが、ＣＤ８３からなる群より選択される、項目５に記載の方法。
（項目７）
上記細胞表面マーカーが、造血細胞マーカーからなる群より選択される、項目１に記載の方法。
（項目８）
上記造血細胞マーカーが、ＣＤ３４、ＣＤ３８、ＣＤ１３３およびＣＸＣＲ４からなる群より選択される、項目７に記載の方法。
（項目９）
上記細胞表面マーカーが、Ｂ細胞マーカーからなる群より選択される、項目１に記載の方法。
（項目１０）
上記Ｂ細胞マーカーが、ＣＤ１９からなる群より選択される、項目９に記載の方法。
（項目１１）
上記精製レイシが、ＩＬ−４およびＧＭ−ＣＳＦからなる群より選択される少なくとも１つのサイトカインとともに、対象に同時投与される、項目３のいずれかに記載の方法。
（項目１２）
細胞表面マーカーのＭＳＣおよび／またはＰＬＡの発現が少なくとも１％増加するやめに十分量の精製レイシを対象に投与すること
を含む、方法。
（項目１３）
上記細胞表面マーカーが、ＢＭＰ−２、アグリカンおよびＩＬ−１からなる群より選択される、項目１２に記載の方法。
（項目１４）
上記精製レイシが、インスリン、ＴＧＦ−Ｂ１および／またはアスコルベート−２−ホスフェートからなる群より選択される少なくとも１つの化合物とともに、対象に同時投与される、項目１２に記載の方法。
（項目１５）
ＣＤ３４＋／ＣＤ３８−細胞プロテオームの発現を失う、対象のＭＳＣおよび／またはＰＳＡ細胞の割合が少なくとも１％減少するために十分量の精製レイシを対象に投与すること
を含む、方法。
（項目１６）
ある量の骨格形成剤と、
ある量のレイシ抽出物と
を含み、移植することができるデバイス。
（項目１７）
ある量の単核細胞をさらに含む、項目１６に記載のデバイス。
（項目１８）
ある量のＭＳＣおよび／またはＰＬＡ細胞をさらに含む、項目１６に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月22日(2010.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細胞ベースのアッセイで確認した場合に、他のＣＸＣレセプターに対してＣＸＣＲ１および／またはＣＸＣＲ２を介したシグナリングを選択的に阻害する、治療的に有効な量の生物活性剤を含む、神経障害を改善するための組成物。
【請求項２】
グリア細胞におけるＣＸＣＲを介したシグナリングを阻害する生物活性剤を含む、グリア細胞遊走を促進するための組成物であり、前記組成物に接触させないグリア細胞と比較して、前記組成物に接触させたグリア細胞の遊走が増加する、方法。
【請求項３】
細胞ベースのアッセイで確認した場合に、他のＣＸＣレセプターに対してＣＸＣＲ１および／またはＣＸＣＲ２を介したシグナリングを選択的に阻害する生物活性剤を含む、グリア細胞増殖および／または分化を促進するための組成物であり、前記組成物に接触させないグリア細胞と比較して、前記組成物に接触させたグリア細胞の増殖および／または分化が増加する、方法。
【請求項４】
生物活性剤を含む、再ミエリン化を促進するための組成物であり、前記組成物は脱髄病変がみられる対象に投与されるものであり、前記生物活性剤が、ＣＸＣＲを介したシグナリングによるグリオーシスの減少に有効であり、これにより前記対象における再ミエリン化を促進することを特徴とする、組成物。
【請求項５】
細胞ベースのアッセイで確認した場合に、他のＣＸＣレセプターに対してＣＸＣＲ１および／またはＣＸＣＲ２を介したシグナリングを選択的に阻害する治療上有効な量の生物活性剤を含む、グリオーシスを改善するための組成物。
【請求項６】
前記神経障害が、多発性硬化症である、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
前記他のＣＸＣレセプターが、ＣＸＣＲ３またはＣＸＣＲ４である、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記ＣＸＣＲを介したシグナリングが、ＣＸＣＲ１および／またはＣＸＣＲ２を介したものである、請求項４に記載の組成物。
【請求項９】
前記生物活性剤が、ＣＸＣＲ１および／またはＣＸＣＲ２に直接結合する、請求項１または５に記載の組成物。
【請求項１０】
前記生物活性剤が、ＣＸＣＬ１、ＣＸＣＬ２、ＣＸＣＬ３、ＣＸＣＬ５、ＣＸＣＬ７、またはＣＸＣＬ８を不活性化する、請求項２または４に記載の組成物。
【請求項１１】
前記生物活性剤が、ＣＸＣＲ１および／またはＣＸＣＲ２の活性を低下させる、請求項１または５に記載の組成物。
【請求項１２】
前記生物活性剤が、ペプチド、ポリペプチド、抗体、アンチセンス分子、ｓｉＲＮＡ、低分子またはペプチドミメティックである、請求項２または４に記載の組成物。
【請求項１３】
前記生物活性剤が、図１０Ａ、図１０Ｂ、図１０Ｃおよび図１１の化合物の群より選択される、請求項１、２、４、または５に記載の組成物。
【請求項１４】
前記生物活性剤が、ＧＦＡＰ、ビメンチン、ヘパラン硫酸プロテオグリカン（ＨＳＰＧ）、デルマタン硫酸プロテオグリカン（ＤＳＰＧ）、ケラタン硫酸プロテオグリカン（ＫＳＰＧ）、またはコンドロイチン硫酸プロテオグリカン（ＣＳＰＧ）の発現を低下させる、請求項１または４に記載の組成物。
【請求項１５】
前記グリア細胞が、オリゴデンドロサイト、オリゴデンドロサイト前駆細胞、シュワン、アストロサイト、ミクログリアおよびそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項２または３に記載の組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
さらに、本発明のグリア細胞は、オリゴデンドロサイト、オリゴデンドロサイト前駆細胞、シュワン、アストロサイト、ミクログリアおよびこれらの組み合わせからなる群より選択されうる。
本発明はまた、以下の項目を提供する。
（項目１）
細胞ベースのアッセイで確認した場合に、他のＣＸＣレセプターに対してＣＸＣＲ１および／またはＣＸＣＲ２を介したシグナリングを選択的に阻害する、治療的に有効な量の生物活性剤を、必要とする対象に投与するステップを含む、神経障害を改善する方法。
（項目２）
グリア細胞を、上記グリア細胞におけるＣＸＣＲを介したシグナリングを阻害する生物活性剤に接触させるステップを含む、グリア細胞遊走を促進する方法であり、上記生物活性剤に接触させないグリア細胞と比較して、上記遊走が増加する、方法。
（項目３）
グリア細胞を、細胞ベースのアッセイで確認した場合に、他のＣＸＣレセプターに対してＣＸＣＲ１および／またはＣＸＣＲ２を介したシグナリングを選択的に阻害する、生物活性剤に接触させるステップを含む、グリア細胞増殖および／または分化を促進する方法であり、上記生物活性剤に接触させないグリア細胞と比較して、上記増殖および／または分化が増加する、方法。
（項目４）
脱髄病変がみられる対象に生物活性剤を投与するステップを含む、再ミエリン化を促進する方法であり、上記生物活性剤が、ＣＸＣＲを介したシグナリングによるグリオーシスの減少に有効であり、これにより上記対象における再ミエリン化を促進する、方法。
（項目５）
細胞ベースのアッセイで確認した場合に、他のＣＸＣレセプターに対してＣＸＣＲ１および／またはＣＸＣＲ２を介したシグナリングを選択的に阻害する、治療上有効な量の生物活性剤を、必要とする対象に投与するステップを含む、グリオーシスを改善する方法。
（項目６）
上記神経障害が、多発性硬化症である、項目１に記載の方法。
（項目７）
上記他のＣＸＣレセプターが、ＣＸＣＲ３またはＣＸＣＲ４である、項目１に記載の方法。
（項目８）
上記ＣＸＣＲを介したシグナリングが、ＣＸＣＲ１および／またはＣＸＣＲ２を介したものである、項目４に記載の方法。
（項目９）
上記生物活性剤が、ＣＸＣＲ１および／またはＣＸＣＲ２に直接結合する、項目１または５に記載の方法。
（項目１０）
上記生物活性剤が、ＣＸＣＬ１、ＣＸＣＬ２、ＣＸＣＬ３、ＣＸＣＬ５、ＣＸＣＬ７、またはＣＸＣＬ８を不活性化する、項目２または４に記載の方法。
（項目１１）
上記生物活性剤が、ＣＸＣＲ１および／またはＣＸＣＲ２の活性を低下させる、項目１または５に記載の方法。
（項目１２）
上記生物活性剤が、ペプチド、ポリペプチド、抗体、アンチセンス分子、ｓｉＲＮＡ、低分子またはペプチドミメティックである、項目２または４に記載の方法。
（項目１３）
上記生物活性剤が、図１０Ａ、図１０Ｂ、図１０Ｃおよび図１１の化合物の群より選択される、項目１、２、４、または５に記載の方法。
（項目１４）
上記生物活性剤が、ＧＦＡＰ、ビメンチン、ヘパラン硫酸プロテオグリカン（ＨＳＰＧ）、デルマタン硫酸プロテオグリカン（ＤＳＰＧ）、ケラタン硫酸プロテオグリカン（ＫＳＰＧ）、またはコンドロイチン硫酸プロテオグリカン（ＣＳＰＧ）の発現を低下させる、項目１または４に記載の方法。
（項目１５）
上記グリア細胞が、オリゴデンドロサイト、オリゴデンドロサイト前駆細胞、シュワン、アストロサイト、ミクログリアおよびそれらの組み合わせからなる群より選択される、項目２または３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月6日(2011.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１５０°より大きい接触角を有する超疎水性表面を提供するために、第１金属を含有する少なくとも部分的な金属表面を有する金属品を被覆する方法であって、以下のステップ：
（ａ）金属品の少なくとも一部を第２金属の層で被覆して、金属−金属接合面を提供すること、該表面はステップ（ａ）の前に、またはステップ（ａ）のために、粗であり；および
（ｂ）ステップ（ａ）の金属−金属接合面を疎水性材料に接触させて、超疎水性表面を提供すること、
を少なくとも含む、前記方法。
【請求項２】
第１金属が、鉄、亜鉛、銅、スズ、タングステン、チタン、ニッケルおよびアルミニウム、ならびにスチール、黄銅、青銅およびニチノールを含むこれらの合金を含む群の１種または２種以上である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第２金属を第１金属上に、自発的酸化還元反応またはスパッタリングにより被覆する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
金属品の表面が、完全にまたは実質的に金属である、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
金属品が粉末である、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
金属品が非金属品に混合されるかまたは埋め込まれている、請求項４または５に記載の方法。
【請求項７】
非金属品がプラスチックである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
金属品が、ステップ（ａ）の前に第３金属により少なくとも部分的に前被覆された基板である、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
第３金属が、鉄、亜鉛、銅、スズ、タングステン、チタン、ニッケルおよびアルミニウム、ならびにスチール、黄銅、青銅およびニチノールを含むこれらの合金を含む群の１種または２種以上である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
第３金属が銅である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
第３金属を金属品上に、自発的酸化還元反応、電気化学析出、浸漬またはスパッタリングにより前被覆する、請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
基板が、完全にまたは実質的に金属である、請求項８〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
基板が、完全にまたは実質的に非金属であって、セラミックまたはシリコンであることを含む、請求項８〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
第２金属が、銀および金を含む群から選択される１種または２種以上である、請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
金属品の少なくとも部分的な金属表面を、ステップ（ａ）の前に粗にする、請求項１〜１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
請求項１に記載の方法であって、ステップ（ｂ）の材料が、チオール、ニトリル、アルキルアミン、アリールアミン、ホスフィン、ピリジン、ピロールおよびチオフェンからなる群の１種または２種以上である、前記方法。
【請求項１７】
第２金属が銀または金であり、材料がチオールである、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
ステップ（ｂ）が、周囲温度および圧力において実施される、請求項１〜１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれかに規定の方法により調製された場合は常に、１５０°より大きい接触角を有する超疎水性表面を有する、被覆金属品。
【請求項２０】
水中で用いるための、請求項１９に記載の被覆金属品。
【請求項２１】
粉末である、請求項１９または２０に記載の被覆金属品。
【請求項２２】
請求項２１に記載の粉末である被覆金属品の、第２表面を被覆するための使用。
【請求項２３】
第２表面が少なくとも部分的に金属であり、水中の表面または水接触面を含む、請求項２２に記載の使用。
【請求項２４】
第２表面が少なくとも部分的に非金属であり、１種または２種以上の繊維およびプラスチックを含む、請求項２２に記載の使用。
【請求項２５】
請求項２１に記載の粉末である被覆金属品の、１種または２種以上の材料と混合して複合材料を形成するための使用。
【請求項２６】
請求項２１に記載の粉末である被覆金属品の、１種または２種以上のプラスチック材料と混合してプラスチック複合材料を形成するための使用。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年8月22日(2011.8.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
さらなる好ましい態様によって、本発明によるヒトモノクローナル抗体は修飾される。修飾は、例えばジクロヘキシルカルボジイミドを用いる架橋結合による単量体型の二量体化、オリゴマー化、重合を含む。その結果産生された二量体、オリゴマー、または重合体は、ゲルろ過によりお互いに分離され得る。さらなる修飾は、側鎖修飾、例えばε-アミノリシン残基、またはアミノ末端およびカルボキシ末端修飾それぞれを含む。さらなる修飾は、翻訳後修飾、例えばタンパク質のグリコシル化および、または部分的もしくは完全な脱グリコシル化、ならびにジスルフィド結合形成を含む。抗体はまた、酵素的な、蛍光のまたは放射性の標識などの標識に結合する可能性がある。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年2月4日(2011.2.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小粒子を含むガスを希釈して、その結果生じた希釈ガスを測定器によって測定するための広範囲連続希釈装置であって、
制御された値で希釈ガスを受け取る希釈ガス吸気口と、
サンプルガスを受け取るサンプルガス吸気口と、
前記サンプルガスの流量を測定するフローメータと、
前記希釈ガス吸気口及び前記サンプルガス吸気口に接続されて、前記希釈ガス及び前記サンプルガスを受け取り、ある希釈率で希釈し、混合気流を制御された値で排気する排気口を有する混合器と、
前記混合気流から前記測定器へ所定の流れが流入するように設けられた測定流排気口と、
制御された値で補給ガスが前記混合気流へ流入するように設けられた補給ガス吸気口と、
前記補給ガスの流量の変化によってサンプルガスの流量を変化させて、それによって、前記希釈率を連続的に変化させる補給ガス流量制御手段とを備える広範囲連続希釈装置。
【請求項２】
前記混合気流の流量が、臨界オリフィスによって制御される請求項１記載の広範囲連続希釈装置。
【請求項３】
前記混合気流の流量が、マスフローコントローラによって制御される請求項１記載の広範囲連続希釈装置。
【請求項４】
前記希釈ガスの流量が、マスフローコントローラによって制御される請求項１記載の広範囲連続希釈装置。
【請求項５】
前記サンプルガスの流量を測定するフローメータが、オリフィスフローメータを備える請求項１記載の広範囲連続希釈装置。
【請求項６】
前記サンプルガスの流量を測定するフローメータが、複数の異なる大きさのオリフィスフローメータを備え、前記サンプルガスに適用される前記オリフィスフローメータは希釈率によって決まる請求項１記載の広範囲連続希釈装置。
【請求項７】
前記希釈率が所望の値に追従するように、前記補給ガスの流量を変化させることによって前記希釈率を制御するフィードバック制御ループをさらに備える請求項１記載の広範囲連続希釈装置。
【請求項８】
フィードバック制御ループが、比例制御器、積分制御器、微分制御器を備える請求項７記載の広範囲連続希釈装置。
【請求項９】
フィードバック制御ループが、一定の希釈率に追従するように設定されている請求項７記載の広範囲連続希釈装置。
【請求項１０】
前記測定器に流入する流量が一定である請求項１記載の広範囲連続希釈装置。
【請求項１１】
前記測定器に流入する流量が、特定の可変な測定流量である請求項1記載の広範囲連続希釈装置。
【請求項１２】
前記サンプルガス吸気口をサンプル源に接続している移送ラインにおいて前記サンプルガスが滞留する時間を低減するために、前記フローメータの上流に設けられたバイパス流排気口をさらに備える請求項１記載の広範囲連続希釈装置。
【請求項１３】
前記補給ガス吸気口の上流にフィルターを備える請求項１記載の広範囲連続希釈装置。
【請求項１４】
請求項１記載の広範囲連続希釈装置の使用方法であって、
前記測定器に流入するサンプル流がゼロとなるように前記補給ガスの流量を制御し、前記測定器から測定値を得てゼロチェックを行う使用方法。
【請求項１５】
請求項１記載の広範囲連続希釈装置の使用方法であって、
前記サンプリングガスの流量において応答変化を生じさせるように、前記補給ガスの流量を調節する使用方法。
【請求項１６】
前記希釈率が所望の値に追従するように、前記補給ガスの流量が調節される請求項１５記載の使用方法。
【請求項１７】
所望の値とは一定の希釈率である請求項１６記載の使用方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
Ｑｔｏｔａｌ＝Ｑａｉｒ＋Ｑｓ＋Ｑｍａｋｅ−ｕｐ−Ｑｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ    （１）
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
Ｑｆｉｌｔｅｒ＝Ｑａｉｒ＋Ｑｓ−Ｑｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年10月6日(2011.10.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１８】
前記結合技術が、前記オリジナル画像上の前記セキュリティ画像のオーバーレイであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
回転の下での不変はまたフーリエ領域の環状相対性パターンを内蔵することにより獲得され得る。画像がプリントデバイスや獲得デバイスにより処理される時、画像データは、ある設定時間に１ライン処理のデバイスを通して変換される。検出器は、セキュリティ画像が示すカラースペースを適用する。変換したラインの合計Sは、別の画像バッファに記憶される。この合計は、二次元スペースから一次元スペースの上までの画像の投射として見ることができる。ラインの事前に定義づけられた数が合計された後、検出器は合計Sの一次元フーリエへ転換FSを変換する。このフーリエ変換の結果は、デバイスのROMの中に記憶された事前に定義づけられた一次元シグナルテンプレートのバンクに単独で比較される。これらの比較処理は整合フィルタリングのクラスに属し、相互相関（正規化相互相関、位相相互相関）で実行される。この処理は図５０で描かれており、スケール不変テンプレート・シグナル（1301）と同じシグナルのミラーコピー（1302）の間で正規化された相互相関の結果（1303）を示している。比較として、同じテンプレートシグナル（1301）と白色雑音（1304）の間の相互相関の結果（1305）が示されている。比較が起こる前に、FSは相互相関の信頼性を増加させる目的で一連の事前処理ステップを実施する。これらのステップは、ウィンドウイング（ハミング）、白色化前処理、バンドパスフィルタリング、平衡ヒストグラム、包絡線変調、雑音除去、ウィンドウ平均化を含む。FSと一次元シグナルテンプレートのデバイスバンクの間の比較の結果は、１つ或いはそれ以上の統計的テストの支援で評価される。その評価が肯定的な答えを出せば、画像はセキュリティ画像を運用することを担い、従ってデバイスはその機能を妨害することで反応する。この処理はまたいくつかのステップの中で実行される: シグナルが存する場合、検出するためにいくつかのラインを使用する初めのステップ。シグナルが検出されれば次に、付加的なラインは検出を確認するために処理される（このアプローチは、擬陽性必要条件とを処理スピード必要条件を満足させることが可能である）。連続したラインのデータはまた回転方向の中のシグナルを計算するために用いられるかもしれない。このことはまた所望の擬陽性検出比に到達することに寄与する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年7月4日(2011.7.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
本書で記載し開示した装置では、スライドバルブ構造の簡単化を維持する。スライドバルブを、バルブの単振動又はそれに近いものを与えるバルブギヤによって駆動してもよい。このバルブギヤを、従来の蒸気機関において見られるように、逆動作に加えてカットオフの変更を与えるよう構成してもよい。本書で記載したのと同様なバルブ及び駆動システムは、ストロークの端部近くのピストンによって露わになっている中央の「ユニフロー」排気ポートが無い機関における使用に適している。このケースでは、本書で開示した「補助」排気が、メイン排気となろう。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月14日(2010.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モバイル・ルータであって、
ローカル・ワイヤレス・ネットワークを介してモバイル・デバイスとワイヤレスに通信するためのローカル・ネットワーク・インターフェースと、
バックホール・ネットワークとワイヤレスに通信するためのバックホール・ネットワーク・インターフェースと、
１つ以上のプロセッサと、
前記１つ以上のプロセッサと通信し、命令を記憶したメモリであって、該命令は前記１つ以上のプロセッサにより実行されると、
前記バックホール・ネットワークに対する前記モバイル・ルータの第２層及び第３層のリンクを監視することと、
前記第２層及び第３層の一方又は双方のリンクの障害を検出すると、前記バックホールネットワークに対するネットワーク接続を再確立することと
を前記１つ以上のプロセッサにさせる、前記メモリと
を備えたモバイル・ルータ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月11日(2010.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非マーキングインク及びマーキング顔料インクを使用する印刷装置であって、
実質的に同等の寸法を有する一連のセルを表面にわたって位置決めされる印刷部材と、
該印刷部材の特定のセルを顔料インクで充填するインキングユニットと、
非マーキング液体インクの液滴を所望のネガティブ潜像パターンにおいて前記印刷部材の前記セルへと選択的に放出するインクジェットデバイスと、
前記印刷部材と動作可能に関連付けられるレシーバと、
前記顔料インクを分別し、分別された前記顔料インクを前記レシーバ部材に対して転写する転写機構と、
を有する印刷装置。
【請求項２】
前記転写機構は、前記顔料インクの分別を促進するよう電気バイアスデバイスを有する、
請求項１記載の印刷装置。
【請求項３】
前記印刷部材は、前記セルを有するローラーであり、該セルは、密接につめられた構造において該ローラーの円周表面全体に実質的にわたって位置決めされる、
請求項１記載の印刷装置。
【請求項４】
構造は、六角形、菱形、矩形、及び楕円形を有する構造の群から選択される、
請求項３記載の印刷装置。
【請求項５】
請求項１記載の印刷装置において使用される顔料インクであって、
帯電粒子を有する、
顔料インク。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月19日(2010.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高速デジタル印刷機であって、
画像形成部材と、
前記画像形成部材の上に画像の形状でインクを噴射することのできるインクジェットヘッドと、
前記画像形成部材の上のそのような画像の形状のインクを分画して、そこから液体を除去するためのメカニズムと、
そのような画像の形状のインクを前記画像形成部材から転写する先となる中間転写部材と、
前記中間転写部材とともに挟持部を形成し、液体が除去された画像の形状のインクを受像体に転写する転写部材と、
を備えることを特徴とする高速デジタル印刷機。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記画像形成部材の上のそのような画像の形状のインクを分画するための前記メカニズムは、前記画像形成部材と前記分画部材との間にかかる電気的バイアスを有することを特徴とする装置。
【請求項３】
請求項２に記載の装置であって、
前記画像形成部材の上のそのような画像の形状のインクを分画するための前記メカニズムは、電気的にバイアス可能なスカイビング部材であることを特徴とする装置。
【請求項４】
請求項１に記載の装置であって、
さらに、前記中間転写部材の上のそのような画像の形状のインクを分画して、そこから液体を除去するための第二のメカニズムを備えることを特徴とする装置。
【請求項５】
請求項１に記載の装置であって、
前記中間転写部材はエラストマブランケットを備えることを特徴とする装置。
【請求項６】
請求項１に記載の装置であって、
前記画像形成部材の上のそのような画像の形状のインクは、前記画像形成部材から前記中間転写部材に静電的に転写されることを特徴とする装置。
【請求項７】
請求項１に記載のインクジェット印刷装置において使用するのに適したインクであって、
前記インクはインク濃縮物を適当な溶媒に分散させることによって得られることを特徴とするインク。
【請求項８】
請求項７に記載のインクであって、
前記溶媒は、水、アルコール、炭化水素流体、鉱油またはそれらの組み合わせであることを特徴とするインク。
【請求項９】
請求項７に記載のインクであって、
前記インクは液体内に分散された重合体粒子を含むことを特徴とするインク。
【請求項１０】
請求項９に記載のインクであって、
前記インクは着色剤を有する重合体粒子を含むことを特徴とするインク。
【請求項１１】
請求項９に記載のインクであって、
前記インクの粒子の平均直径は１ミクロンまたはそれ以下であることを特徴とするインク。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月27日(2010.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハニカム・セラミック物品であって、
孔隙率Ｐs及び３０５μｍ（１２ミル）未満の厚さを有する外周皮と、
前記外周皮内に配置された複数のウェブ部分であって、孔隙率Ｐw及び７６．２μｍ（３．０ミル）未満の厚さを有する前記ウェブ部分と、
前記ウェブ部分によって形成された複数の貫通孔と、
を含み、
ＰsがＰwよりも大きいことを特徴とするハニカム・セラミック物品。
【請求項２】
前記Ｐs／Ｐwの比が１．１２〜１．６であることを特徴とする請求項１記載のセラミック物品。
【請求項３】
前記Ｐs／Ｐwの比が１．２０よりも大きいことを特徴とする請求項２記載のセラミック物品。
【請求項４】
前記Ｐs／Ｐwの比が１．２８よりも大きいことを特徴とする請求項２記載のセラミック物品。
【請求項５】
前記ハニカム・セラミック物品の前記外皮が、前記ウェブ部分の厚さの２〜４倍の表皮厚を有することを特徴とする請求項１記載のセラミック物品。
【請求項６】
前記ハニカム・セラミック物品の前記外皮が、前記ウェブ部分の厚さの３〜３．５倍の表皮厚を有することを特徴とする請求項１記載のセラミック物品。
【請求項７】
前記ハニカム・セラミック物品の前記表皮の孔隙率（Ｐs）が３５％よりも大きいことを特徴とする請求項１記載のセラミック物品。
【請求項８】
前記ハニカム・セラミック物品の前記表皮の孔隙率（Ｐs）が３５％〜４５％であることを特徴とする請求項７記載のセラミック物品。
【請求項９】
前記ウェブの孔隙率（Ｐw）が約２８％未満であることを特徴とする請求項１記載のセラミック物品。
【請求項１０】
ハニカム・セラミック物品であって、
孔隙率（Ｐs）及び３０５μｍ（１２ミル）未満の厚さを有する外周皮と、
前記外周皮内に配置された複数のウェブ部分であって、孔隙径（Ｐw）及び正規化された孔隙径分布（ＰＳＤw＝(Ｄ90−Ｄ10)／Ｄ50）、及び７６．２μｍ（３．０ミル）未満の厚さを有する前記ウェブ部分と、
前記ウェブ部分によって形成された複数の貫通孔と、
を含み、
ＰsがＰwよりも大きく、ＰＳＤwが約１．５〜４．５の間であることを特徴とするハニカム・セラミック物品。
【請求項１１】
コージエライト・ハニカム物品における表皮の亀裂を低減させる方法であって、
セラミック形成材料の可塑化されたバッチを調製し、
前記セラミック形成材料を押出成形してウェブ及び周囲表皮を有するハニカム未焼成体を形成し、
前記未焼成体を焼成してセラミック・ハニカム物品を形成する、
各工程を有してなり、
前記表皮が、前記焼成工程の後に、Ｐs／Ｐw≧１．１２の孔隙比を示し、ここで、Ｐsは前記表皮の孔隙率であり、Ｐwは前記ウェブの孔隙率である、方法。
【請求項１２】
コージエライト・ハニカム物品における表皮の亀裂を低減させる方法であって、
アルミナ、カオリン、ベーマイト、シリカ、及びタルクを含むセラミック形成材料の可塑化されたバッチを調製する工程であって、前記タルクが１．５０よりも大きい(Ｄ90−Ｄ10)／Ｄ50の関係によって与えられる孔隙径分布を有するものである工程、
前記セラミック形成材料を押出成形してウェブ及び周囲表皮を有するハニカム未焼成体を形成する工程、
前記未焼成体を焼成して、３０５μｍ（１２ミル）未満の厚さを有するセラミック・ハニカム物品を形成する工程、
を有してなる方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明のさらなる実施の形態にしたがって、コージエライト・ハニカム物品の表皮のひび割れを軽減する方法であって、
アルミナ、カオリン、ベーマイト、シリカ、及びタルクを含む、セラミック形成材料の可塑化バッチを調製する工程であって、前記タルクは１．５０よりも大きい、関係(Ｄ90−Ｄ10)／Ｄ50によって与えられる孔隙径分布を有するものである工程、
前記セラミック形成材料を押出成形して、ウェブ及び周囲表皮(peripheral skin)を有するハニカム未焼成体を形成する工程、
前記未焼成体を焼成して、３０５μｍ（１２ミル）の厚さ未満の表皮を有するセラミック・ハニカム物品を形成する工程、
を有してなる方法を提供する。タルクは、２．２μｍ〜４．０μｍのメジアン粒径（セディグラフによる）を有することが好ましい。単一のタルク源を用いることが最も好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月25日(2010.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連結部と、フック部と、基部とを形成する本体を有する顎部要素を具備するシールレスバンド掛機用の顎部であって、
前記フック部は脚部に対して横断方向に延び、
前記連結部は前記フック部に隣接し、
前記フック部は前記基部に隣接するとともに一体成形材料から形成され、
前記顎部要素は、前記基部から上方に延びる複数の穿孔部を含み、前記基部は前記穿孔部と前記基部との接合部を形成し、
各穿孔部は、山部と、該山部と隣接する穿孔部の山部との間の谷部によって形成されるシールレスバンド掛機用顎部において、
前記穿孔部と前記基部との接合部は、開放領域として形成されるシールレスバンド掛機用顎部。
【請求項２】
連結部と、フック部と、基部とを形成する本体を有する顎部要素を具備するシールレスバンド掛機用の顎部であって、
前記フック部は脚部に直交して延び、
前記連結部は前記フック部に隣接し、
前記フック部は前記基部に隣接するとともに一体成形材料から形成され、
前記顎部要素は、前記基部から上方に延びる複数の穿孔部を含み、前記基部は前記穿孔部と前記基部との接合部を形成し、
各穿孔部は、山部と、該山部と隣接する穿孔部の山部との間の谷部によって形成され、
前記穿孔部と前記基部との間および前記基部と前記支持脚部との間に移行部が形成され、該移行部は、滑らかな曲面を有しかつ開放領域を形成するように形成されるシールレスバンド掛機用顎部。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月8日(2010.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被験体における末梢性の炎症を処置または予防するための組成物であって、該組成物は炎症阻害因子を含み、該被験体の中枢神経系に投与されるものである、組成物。
【請求項２】
前記被験体が、変形性関節症、慢性関節リウマチ、痛風、強直性脊椎炎、若年性関節炎、全身性エリテマトーデス（狼瘡）、強皮症または線維筋痛症を有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
被験体における骨疾患を処置または予防するための組成物であって、該組成物は炎症阻害因子を含み、該被験体の中枢神経系に投与されるものである、組成物。
【請求項４】
被験体における慢性疼痛を処置または予防するための方法であって、該組成物は炎症阻害因子を含み、該被験体の中枢神経系に投与されるものである、組成物。
【請求項５】
後角、大槽または被膜嚢に直接投与されるものであることを特徴とする、請求項１、３または４に記載の組成物。
【請求項６】
被験体における脳障害を処置または予防するための組成物であって、該組成物は炎症阻害因子を含み、該被験体における末梢性の炎症部位に投与されるものである、組成物。
【請求項７】
前記被験体がアルツハイマー病を有する、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
前記被験体が、変形性関節症、慢性関節リウマチ、痛風、強直性脊椎炎、若年性関節炎、全身性エリテマトーデス（狼瘡）、強皮症または線維筋痛症を有する、請求項６に記載の組成物。
【請求項９】
前記炎症阻害因子がウイルスベクターであり、該ベクターの細胞への送達が、炎症のメディエーターを阻害する、請求項１、３、４または６に記載の組成物。
【請求項１０】
前記ベクターが、発現制御配列に作動可能に連結された核酸を含み、該核酸が、前記炎症のメディエーターの発現を阻害する、請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
前記核酸がｓｉＲＮＡである、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１２】
前記ｓｉＲＮＡが、ＣＯＸ−１の遺伝子発現を阻害する、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１３】
前記ｓｉＲＮＡが、配列番号４９の核酸配列を含む、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１４】
前記ｓｉＲＮＡが、ＣＯＸ−２の遺伝子発現を阻害する、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１５】
前記ｓｉＲＮＡが、配列番号５３の核酸配列を含む、請求項１４に記載の組成物。
【請求項１６】
前記ｓｉＲＮＡが、ｍＰＧＥＳの遺伝子発現を阻害する、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１７】
前記ｓｉＲＮＡが、配列番号５９の核酸配列を含む、請求項１６に記載の組成物。
【請求項１８】
前記ｓｉＲＮＡが、ｃＰＧＥＳの遺伝子発現を阻害する、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１９】
前記ｓｉＲＮＡが、配列番号４３の核酸配列を含む、請求項１８に記載の組成物。
【請求項２０】
前記ベクターが、そのレセプターに対する炎症のメディエーターの結合を阻害するポリペプチドをコードする核酸を含む、請求項２９に記載の組成物。
【請求項２１】
前記ポリペプチドがＩＬ−１レセプターに対するＩＬ−１βの結合を阻害する、請求項２０に記載の組成物。
【請求項２２】
前記ポリペプチドがＩＬ−１ｒａである、請求項２１に記載の組成物。
【請求項２３】
前記ポリペプチドがヒトＩＬ−１ｒａである、請求項２２に記載の組成物。
【請求項２４】
前記核酸が、配列番号５に示される配列を含む、請求項２３に記載の組成物。
【請求項２５】
前記核酸が、配列番号３８に示される配列に対して少なくとも７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％の同一性を持つポリペプチドをコードする、請求項２３に記載の組成物。
【請求項２６】
任意の変化が保存的変化である、請求項２５に記載の組成物。
【請求項２７】
前記核酸が、ストリンジェントな条件下で、配列番号５にハイブリダイズする、請求項２３に記載の組成物。
【請求項２８】
前記発現制御配列が、構成的プロモーターである、請求項１０に記載の組成物。
【請求項２９】
前記プロモーターがＣＭＶプロモーターである、請求項２８に記載の組成物。
【請求項３０】
前記ＣＭＶプロモーターが、配列番号１５に示される核酸配列を含む、請求項２９に記載の組成物。
【請求項３１】
前記プロモーターがβアクチンプロモーターである、請求項２８に記載の組成物。
【請求項３２】
前記βアクチンプロモーターが、配列番号１６に示される核酸配列を含む、請求項３１に記載の組成物。
【請求項３３】
前記発現制御配列が、組織特異的プロモーターである、請求項１０に記載の組成物。
【請求項３４】
前記発現制御配列が、誘導性プロモーターである、請求項１０に記載の組成物。
【請求項３５】
前記ベクターがさらに、マーカー配列を含む、請求項１０に記載の組成物。
【請求項３６】
前記ベクターがレンチウイルスを含む、請求項１０に記載の組成物。
【請求項３７】
前記ベクターがネコ免疫不全ウイルスを含む、請求項３６に記載の組成物。
【請求項３８】
前記ベクターがヒト免疫不全ウイルスを含む、請求項３６に記載の組成物。
【請求項３９】
前記被験体における末梢性の炎症部位に投与されるオピオイドレセプターまたはオピオイドレセプターをコードする核酸と組み合わせて投与されるものであることを特徴とする、請求項１、３または４に記載の組成物。
【請求項４０】
前記オピオイドレセプターがμ−オピオイドレセプターである、請求項３９に記載の組成物。
【請求項４１】
前記μ−オピオイドレセプターが、配列番号９２に示される配列に対して少なくとも８０％の同一性を持つ核酸配列を有する、請求項４０に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月18日(2011.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
3-(1,3-ベンゾジオキソル-5-イル)-6-(4-シクロプロピルピペラジン-1-イル)ピリダジンの化合物又はその薬理学的に許容可能な塩。
【請求項２】
上記化合物が3-(1,3-ベンゾジオキソル-5-イル)-6-(4-シクロプロピルピペラジン-1-イル)ピリダジンである、請求項1に記載の化合物。
【請求項３】
上記化合物が3-(1,3-ベンゾジオキソル-5-イル)-6-(4-シクロプロピルピペラジン-1-イル)ピリダジンの塩酸塩である、請求項1に記載の化合物。
【請求項４】
上記化合物が3-(1,3-ベンゾジオキソル-5-イル)-6-(4-シクロプロピルピペラジン-1-イル)ピリダジンジヒドロクロリドである、請求項3に記載の化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月29日(2011.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ミクロ孔及びメソ孔構造を有するＳＡＰＯ−３４分子篩において、分子篩のメソ孔口径が２〜１０ｎｍであり、メソ孔容積が０．０３〜０．３ｃｍ3／ｇであることを特徴とする、ＳＡＰＯ−３４分子篩。
【請求項２】
立方形分子篩結晶粒の表面が粗いか、または表面に破損があることを特徴とする、請求項１に記載のＳＡＰＯ−３４分子篩。
【請求項３】
トリエチルアミンをテンプレートとして用いるとともに、合成ゲル中に孔道調節剤を添加することを特徴とする、請求項１に記載のＳＡＰＯ−３４分子篩の合成方法であって、
前記合成方法が以下の工程：
ａ）ＳＡＰＯ−３４分子篩の合成に用いられる初期ゲル混合物を調製する工程と、
ｂ）工程ａ）により得た初期ゲル混合物に、孔道調節剤を添加し、十分に撹拌する工程と；
ｃ）工程ｂ）により得たゲル混合物をポリテトラフルオロエチレンインナーステンレス合成釜に入れてエアタイト状態にした後、結晶化温度まで加熱して、それ自身が発生する圧力下で、恒温結晶化させ、十分に結晶化させた後固体生成物を遠心分離し、脱イオン水で中性になるまで洗浄してから１２０℃の空気中で乾燥してＳＡＰＯ−３４分子篩原粉を得る工程と；
ｄ）工程ｃ）により得たＳＡＰＯ−３４分子篩原粉を、空気中で焼成して原粉に含まれている有機物を除去して、ミクロ孔及びメソ孔を同時に有するＳＡＰＯ−３４分子篩を得る工程と；
を含み、
前記ゲル混合物中の各酸化物成分、トリエチルアミン及び孔道調節剤のモル比が、
ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3＝０．１〜２．０；
Ｐ2Ｏ5／Ａｌ2Ｏ3＝０．５〜１５；
Ｈ2Ｏ／Ａｌ2Ｏ3＝１０〜１００；
ＴＥＡ／Ａｌ2Ｏ3＝１〜５、但し、ＴＥＡはトリエチルアミンである；
Ｔ／ＴＥＡ＝０．０１〜２、但し、Ｔは孔道調節剤である
を満たし、
前記孔道調節剤が、アンモニア水、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ジエチルアミン、トリプロピルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ｎ−プロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、シクロヘキシルアミンの中から選ばれる１種又はこれらの混合物であり、
前記工程ｃ）における結晶化温度が１００〜２５０℃であり、前記工程ｃ）における結晶化時間が０．５〜１００時間であることを特徴とするＳＡＰＯ−３４分子篩の合成方法。
【請求項４】
工程ｃ）における結晶化温度が１６０〜２３０℃であることを特徴とする、請求項３に記載のＳＡＰＯ−３４分子篩の合成方法。
【請求項５】
工程ｃ）における結晶化時間が２〜４８時間であることを特徴とする、請求項３に記載のＳＡＰＯ−３４分子篩の合成方法。
【請求項６】
メタノールの低炭素オレフィンへの転化反応において、触媒として用いられることを特徴とする、請求項１に記載のＳＡＰＯ−３４分子篩。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月13日(2011.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
候補移植ドナーの、移植レシピエント中で移植片対宿主病（ＧＶＨＤ）を誘発するリスクを評価する方法であって、
（ａ）前記候補移植ドナー由来の生体試料から得られる候補遺伝子発現プロファイルを対応する基準遺伝子発現プロファイルと比較するステップであって、ここで当該候補遺伝子発現プロファイルが、１又は複数の遺伝子についての候補の発現値を含み、ここで当該生体試料が、ＣＤ４+Ｔ細胞試料であり、そして当該１又は複数の遺伝子が、ＣＤ１５１、ＥＰ３００、ＦＮＢＰ３、ＮＭＩ、ＳＩＬ、ＴＣＩＲＧ１、ＡＫＴ２、ＦＵＲＩＮ、ＡＴＢＦ１、ＳＭＡＤ３、ＴＧＩＦ、およびＴＧＦＢＩからなる群から選択され、ここで当該生体試料が、ＣＤ８＋Ｔ細胞試料であり、そして当該１又は複数の遺伝子が、ＣＤ２４、ＰＲＦ１、ＳＨ３ＫＢＰ１、ＮＦＡＴ５、ＴＣＩＲＧ１からなる群から選ばれ；
上記基準遺伝子発現プロファイルが、前記１または複数の遺伝子についての基準発現値を含み、当該基準発現プロファイルが、以下の：
（ｉ）移植レシピエント中でＧＶＨＤを誘発したことが分っている移植ドナーから得られた生体試料由来の１または複数の遺伝子についてのＧＶＨＤ＋発現値を含むＧＶＨＤ＋発現プロファイルを、
（ｉｉ）移植レシピエント中でＧＶＨＤを誘発しなかったことが分っている移植ドナーから得られる生体試料由来の１または複数の遺伝子についてのＧＶＨＤ−発現値を含むＧＶＨＤ−発現プロファイル
と比較することによって得られ、
それによって前記基準発現値を、（Ａ）前記ＧＶＨＤ−発現値を含むＧＶＨＤ−のクラスから前記ＧＶＨＤ＋発現値を含むＧＶＨＤ＋のクラスをそれにより分離する前記ＧＶＨＤ＋とＧＶＨＤ−の発現値の間の発現の中間レベルか、または（Ｂ）判別分析に基づくＧＶＨＤ＋およびＧＶＨＤ−のクラスへの発現値の分離として定義される前記ＧＶＨＤ＋とＧＶＨＤ−の発現値の間の発現レベルか、または（Ｃ）（Ａ）と（Ｂ）の両方として求める、上記ステップ、および
（ｂ）上記候補遺伝子発現プロファイルと上記基準遺伝子発現プロファイルの上記比較によって、移植レシピエント中での移植片対宿主病（ＧＶＨＤ）の発現の前記候補遺伝子のリスクを評価するステップ、
を含む、方法。
【請求項２】
前記発現値が、配列番号７〜８、４５〜４６、９９〜１０４、１０７〜１０８、１１３〜１１４、１１９〜１２０、１３９〜１４０、１５１〜１５６、１８３〜１８４、１８９〜１９０及び２０３〜２０６から選択される配列を含む核酸またはそれによってコードされるポリペプチドの発現のレベルを求めることによって得られる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基準発現値が、（ａ）前記ＧＶＨＤ＋およびＧＶＨＤ−の発現値間の発現の中間のレベルとして求められる、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
(i)  前記ＧＶＨＤ＋クラス内の候補の発現値が、前記候補移植ドナーが移植レシピエント中でＧＶＨＤを誘発する高いリスクを有することを示すか、又は（ii)前記ＧＶＨＤ−クラス内の候補の発現値が、前記候補移植ドナーが移植レシピエント中でＧＶＨＤを誘発する低いリスクを有することを示す、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記生体試料がＣＤ４＋Ｔ細胞試料であり、そして前記１又は複数の遺伝子が、ＣＤ１５１とＳＩＬの遺伝子ペアである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記生物学的試料が、ＣＤ８＋Ｔ細胞試料であり、かつ前記１又は複数の遺伝子が、（ａ）ＳＨ３ＫＢＰ１とＮＦＡＴ５、（ｂ）ＰＲＦ１とＮＦＡＴ５、及び（ｃ）ＰＲＦ１とＴＣＩＲＧ１からなる群から選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記生体試料が、ＣＤ４+Ｔ細胞であり、かつ前記１又は複数の遺伝子が、ＳＭＡＤ３、ＴＧＩＦ、ＦＮＢＰ３、ＴＧＦＢＩ、ＥＰ３００、およびＦＵＲＩＮから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記生体試料が、ＣＤ８+Ｔ細胞であり、かつ前記１又は複数の遺伝子が、ＰＲＦ１である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記発現の値が前記核酸のレベルで決まる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記核酸がメッセンジャーＲＮＡ（ｍＲＮＡ）である、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記発現の値が、ノーザンブロット法、逆転写ＰＣＲ、定量リアルタイムＰＣＲ、マイクロアレイ分析、およびＲＮアーゼプロテクション法からなる群から選択される手法を用いて求められる、請求項９又は１０に記載の方法。
【請求項１２】
レシピエント中でＧＶＨＤを誘発するリスクを減らすように移植ドナーを選択する方法であって、
（ａ）請求項１〜１１のいずれか一項に記載の前記リスク評価方法を実施するステップ、および
（ｂ）前記リスク評価に従って前記ドナーを選択するステップ
を含む、方法。
【請求項１３】
候補移植ドナーの、レシピエント中で移植片対宿主病（ＧＶＨＤ）を誘発するリスクを評価するための、ＣＤ４＋Ｔ細胞におけるＴＣＩＲＧ１、ＳＭＡＤ３、ＡＴＢＦ１、ＡＫＴ２、ＣＤ２４、ＣＤ１５１、ＴＧＩＦ、ＳＩＬ、ＰＲＦ１、ＦＮＢＰ３、ＴＧＦＢＩ、ＥＰ３００、ＳＨ３ＫＢＰ１、ＮＭＩ及びＦＵＲＩＮ、並びにＣＤ８＋Ｔ細胞におけるＣＤ２４、ＰＲＦ１、ＳＨ３ＫＢＰ１、ＮＦＡＴ５、及びＴＣＩＲＧ１から選ばれる１又は複数の遺伝子をコードする２又は複数の単離核酸の集合の使用。
【請求項１４】
前記核酸が、配列番号９９、１０１、１０３、１０７、１１３、１１９、１５１、１５３、１５５、１８３、２０３、２０５、７、４５、１３９及び１８９からなる群から選ばれる核酸配列を含む、請求項１３に記載の使用。