【事件の表示】
　特願２００６−１６６５３７「ＩＩＩ族窒化物半導体を用いたノーマリオフ型電界効果トランジスタ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１２月２７日出願公開、特開２００７−３３５６７７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年６月１５日の出願であって、平成２０年６月２日に手続補正がされ、同年７月１１日付けで拒絶理由が通知され、同年９月２５日に手続補正がされ、同年１２月２５日付けで、前記同年９月２５日の手続補正が却下がされるとともに拒絶査定がされ、これに対して平成２１年２月６日に審判請求がされ、同年３月６日に手続補正がされたものである。
　
第２　平成２１年３月６日付けの手続補正についての補正却下の決定について
　
[補正却下の決定の結論]
　平成２１年３月６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の補正を含むものであって、補正前後の特許請求の範囲は以下のとおりである。
・補正前の請求項１〜９
「　【請求項１】
　基板の上に成長されたIII族窒化物半導体層と、
　前記III族窒化物半導体層の実効アクセプタ濃度と目標の閾値電圧とに基づいて決定される厚さに制御されたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
　前記III族窒化物半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
　を有することを特徴とするIII族窒化物半導体を用いたノーマリオフ型電界効果トランジスタ。
　　【請求項２】
　前記ゲート絶縁膜は、等価酸化膜厚で２０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１に記載のノーマリオフ型電界効果トランジスタ。
　　【請求項３】
　前記ゲート絶縁膜は、二酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、アルミナ、酸化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ガドリニウム、酸化スカンジウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化チタンのいずれかの膜であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のノーマリオフ型電界効果トランジスタ。
　　【請求項４】
　前記III族窒化物半導体層はｐ型であり、アクセプタとしてマグネシウム、炭素、ベリリウム、亜鉛のうちから選択されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１つに記載のノーマリオフ型電界効果トランジスタ。
　　【請求項５】
　前記III族窒化物半導体層内のアクセプタ濃度は５×１０15ｃｍ-3から５×１０17ｃｍ-3の範囲であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１つに記載のノーマリオフ型電界効果トランジスタ。
　　【請求項６】
　前記III族窒化物半導体層内の残留ドナー濃度は１×１０15ｃｍ-3から２×１０16ｃｍ-3の範囲であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１つに記載のノーマリオフ型電界効果トランジスタ。
　　【請求項７】
　前記ソース電極および前記ドレイン電極の少なくとも一方と前記ゲート電極の直下の前記III族窒化物半導体層の間には電界緩和領域が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１つに記載のノーマリオフ型電界効果トランジスタ。
　　【請求項８】
　前記ゲート電極は、多結晶シリコン、多結晶シリコンゲルマニウム、アルミニウム、金、パラジウム、プラチナ、ニッケル、タンタル、モリブデン、タングステン、これらのシリサイド合金のいずれかが用いられることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１つに記載のノーマリオフ型電界効果トランジスタ。
　　【請求項９】
　基板の上にIII族窒化物半導体層を成長する工程と、
　前記III族窒化物半導体層の実効アクセプタ濃度を測定する工程と、
　前記実効アクセプタ濃度と目標の閾値電圧とに基づいてゲート絶縁膜の膜厚を求める工程と、
　前記膜厚の前記ゲート絶縁膜を前記III族窒化物半導体層上に形成する工程と、
　前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極を形成する工程と
を含むことを特徴とするIII族窒化物半導体を用いたノーマリオフ型電界効果トランジスタの製造方法。」
　
・補正後
「　【請求項１】
　基板の上に成長された、残留ドナー濃度が１×１０１５ｃｍ−３から２×１０１７ｃｍ−３の範囲であるｐ型III族窒化物半導体層と、
　前記III族窒化物半導体層上に形成され、前記III族窒化物半導体層の成長後に測定した前記III族窒化物半導体層の実効アクセプタ濃度の測定値と目標の閾値電圧とに基づいて決定される厚さを有するゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
　前記III族窒化物半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
　を有することを特徴とするIII族窒化物半導体を用いたノーマリオフ型電界効果トランジスタ。
　　【請求項２】
　前記ゲート絶縁膜は、等価酸化膜厚で２０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１に記載のノーマリオフ型電界効果トランジスタ。
　　【請求項３】
　前記ゲート絶縁膜は、二酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、アルミナ、酸化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ガドリニウム、酸化スカンジウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化チタンのいずれかの膜であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のノーマリオフ型電界効果トランジスタ。
　　【請求項４】
　前記III族窒化物半導体層はｐ型であり、アクセプタとしてマグネシウム、炭素、ベリリウム、亜鉛のうちから選択されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１つに記載のノーマリオフ型電界効果トランジスタ。
　　【請求項５】
　前記III族窒化物半導体層内のアクセプタ濃度は５×１０15ｃｍ-3から５×１０17ｃｍ-3の範囲であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１つに記載のノーマリオフ型電界効果トランジスタ。
　　【請求項６】
　前記ソース電極および前記ドレイン電極の少なくとも一方と前記ゲート電極の直下の前記III族窒化物半導体層の間には電界緩和領域が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１つに記載のノーマリオフ型電界効果トランジスタ。
　　【請求項７】
　前記ゲート電極は、多結晶シリコン、多結晶シリコンゲルマニウム、アルミニウム、金、パラジウム、プラチナ、ニッケル、タンタル、モリブデン、タングステン、これらのシリサイド合金のいずれかが用いられることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１つに記載のノーマリオフ型電界効果トランジスタ。
　　【請求項８】
　基板の上に、残留ドナー濃度が１×１０１５ｃｍ−３から２×１０１７ｃｍ−３の範囲であるｐ型III族窒化物半導体層を成長する工程と、
　前記III族窒化物半導体層の実効アクセプタ濃度を測定する工程と、
　前記実効アクセプタ濃度の測定値と目標の閾値電圧とに基づいてゲート絶縁膜の膜厚を求める工程と、
　前記膜厚の前記ゲート絶縁膜を前記III族窒化物半導体層上に形成する工程と、
　前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極を形成する工程とを含み、
　前記ゲート絶縁膜の膜厚を求める工程において、前記ゲート絶縁膜の膜厚を、ゲート絶縁膜の膜厚と実効アクセプタ濃度との関係を表す閾値電圧の特性線に基づいて決定することを特徴とするIII族窒化物半導体を用いたノーマリオフ型電界効果トランジスタの製造方法。」
　
２．補正事項の整理
　前記特許請求の範囲についての補正のうち、補正後の請求項１〜７についての補正を整理すると次のとおりとなる。
・補正事項ア
　補正前の請求項１を削除するとともに、補正前の請求項６を独立請求項の形式に書き換える。
・補正事項イ
　補正前の請求項１の「前記III族窒化物半導体層の実効アクセプタ濃度と目標の閾値電圧とに基づいて決定される厚さに制御されたゲート絶縁膜」を、補正後の請求項６の「前記III族窒化物半導体層上に形成され、前記III族窒化物半導体層の成長後に測定した前記III族窒化物半導体層の実効アクセプタ濃度の測定値と目標の閾値電圧とに基づいて決定される厚さを有するゲート絶縁膜」と補正する。
・補正事項ウ
　補正前の請求項７〜８の項番を繰り上げて請求項６〜７とするとともに、補正前の請求項７において引用する請求項１〜６を、補正後の請求項６においては請求項１〜５とし、補正前の請求項８において引用する請求項１〜７を、補正後の請求項７においては請求項１〜６とする。
　
３．補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
　上記補正事項ア及びウは、請求項の削除、及び請求項の削除に伴う項番の整合をするものであるから、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。
　上記補正事項イは、ゲート絶縁膜の厚さを決定することについて、より限定を行うものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。そして、ゲート絶縁膜の膜厚を「前記III族窒化物半導体層の成長後に測定した前記III族窒化物半導体層の実効アクセプタ濃度の測定値と目標の閾値電圧とに基づいて決定」することは、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下「当初明細書等」という。）に示されているから、上記各補正事項は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
　上記のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むから、以下、本件補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項に規定する独立特許要件を満たすか）どうかを、請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について検討する。
　
３．　独立特許要件についての検討
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される、以下のとおりものである。
「【請求項１】
　基板の上に成長された、残留ドナー濃度が１×１０１５ｃｍ−３から２×１０１７ｃｍ−３の範囲であるｐ型III族窒化物半導体層と、
　前記III族窒化物半導体層上に形成され、前記III族窒化物半導体層の成長後に測定した前記III族窒化物半導体層の実効アクセプタ濃度の測定値と目標の閾値電圧とに基づいて決定される厚さを有するゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
　前記III族窒化物半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
　を有することを特徴とするIII族窒化物半導体を用いたノーマリオフ型電界効果トランジスタ。」
　
（２）本願補正発明の明確性の検討
ア　本願補正発明の構成要素
　本願補正発明を発明特定事項ごとに分説すると以下のようになる。
ａ．「基板の上に成長された、残留ドナー濃度が１×１０１５ｃｍ−３から２×１０１７ｃｍ−３の範囲であるｐ型III族窒化物半導体層と、」
ｂ．「前記III族窒化物半導体層上に形成され、前記III族窒化物半導体層の成長後に測定した前記III族窒化物半導体層の実効アクセプタ濃度の測定値と目標の閾値電圧とに基づいて決定される厚さを有するゲート絶縁膜と、」
ｃ．「前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、」
ｄ．「前記III族窒化物半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、」
ｅ．「を有することを特徴とするIII族窒化物半導体を用いたノーマリオフ型電界効果トランジスタ。」
　
　ここで、上記ｅ．の記載によれば、本願補正発明は「III族窒化物半導体を用いたノーマリオフ型電界効果トランジスタ」に係る、物の発明であることが明らかである。
　また、上記ａ．、ｃ．、及びｄ．に記載されたものは、いずれも「III族窒化物半導体を用いたノーマリオフ型電界効果トランジスタ」を構成する要素として明確であることは明らかである。また、ｅ．に記載されたものについても、少なくとも前記ａ．、ｃ．、及びｄ．に記載されたもの「を有することを特徴とするIII族窒化物半導体を用いたノーマリオフ型電界効果トランジスタ」である点に関しては明確であるといえる。
　
　そこで、上記ｂ．に記載された「前記III族窒化物半導体層上に形成され、前記III族窒化物半導体層の成長後に測定した前記III族窒化物半導体層の実効アクセプタ濃度の測定値と目標の閾値電圧とに基づいて決定される厚さを有するゲート絶縁膜と、」という発明特定事項について、物の発明の発明特定事項として検討すると、当該発明特定事項は、測定の対象となりうる一定の実効アクセプタ濃度を有する「前記III族窒化物半導体層上に形成され」た「ゲート絶縁膜」であることは把握することができるが、その厚さが、「前記III族窒化物半導体層の成長後に測定した前記III族窒化物半導体層の実効アクセプタ濃度の測定値と目標の閾値電圧とに基づいて決定される厚さ」であるとする点は、物の発明の発明特定事項として不明りょうである。
　すなわち、本願補正発明に限らず、完成した「III族窒化物半導体を用いたノーマリオフ型電界効果トランジスタ」は、一定の実効アクセプタ濃度を有するIII族窒化物半導体層、及び、何らかの厚さのゲート絶縁膜を備えるとともに何らかの閾値電圧を当然有しているが、前記ｂ．に記載されたように、ゲート絶縁膜を「前記III族窒化物半導体層の成長後に測定した前記III族窒化物半導体層の実効アクセプタ濃度の測定値と目標の閾値電圧とに基づいて決定される厚さ」としたものと、そのようにゲート絶縁膜の厚さを決定していないものとを比較したとき、物として具体的な差異を見いだせない。
　なぜならば、本願補正発明においては、「前記III族窒化物半導体層の実効アクセプタ濃度」、「閾値電圧」及び「ゲート絶縁膜」の厚さの各値が、どのような関係を満たすように決定されるかが記載されていないので、物の発明としてみた場合には、「ゲート絶縁膜」の厚さを何ら限定していないに等しいからである。
　したがって、前記ｂ．に記載されたものは、物の発明の発明特定事項として不明りょうであり、本願補正発明が、前記ｂ．の発明特定事項を備えることによって、どのような物の発明を含むことになる（あるいは、ならないのか）かが不明であるから、本願補正発明の範囲は不明確である。
　
（３）本願補正発明の容易想到性についての検討
ア　刊行物に記載された発明
　・特開２００５−２６８５０７号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００５−２６８５０７号公報（以下「引用例」という。）には、図１とともに以下の記載がある。（下線は当審において付加。以下同様）
　
「【００２８】
  本実施例に係る
電界効果トランジスタ
サファイア基板１上
ＧａＮバッファ層２
アンドープＧａＮ層３
ｐ型チャネル層４
順に積層されている
ｐ型チャネル層４の表面には
ｎ型ソース領域５及びｎ型ドレイン領域６がｎ型不純物を添加しない中央部の両側に相対して形成されている
【００２９】
　また、
ｎ型ソース領域５及びｎ型ドレイン領域６の上には
ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄがそれぞれ形成されている
ｎ型ソース領域５とｎ型ドレイン領域６とに挟まれた中央部のｐ型チャネル層４上には
ゲート絶縁膜７を介して
ゲート電極Ｇが形成され
　
　上記記載によれば、引用例には次の発明が記載されているものと認められる。
「サファイア基板１上に、ＧａＮバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ＧａＮからなるｐ型チャネル層４が順に積層され、前記ｐ型チャネル層４の表面には、ｎ型ソース領域５及びｎ型ドレイン領域６が形成され、該ｎ型ソース領域５及びｎ型ドレイン領域６の上には、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄがそれぞれ形成されており、ｎ型ソース領域５とｎ型ドレイン領域６とに挟まれた中央部のｐ型チャネル層４上には、ゲート絶縁膜７を介して、ゲート電極Ｇが形成されている、電界効果トランジスタ。」
　
イ　本願補正発明と引用発明との比較
（ア）ａ．引用発明の「サファイア基板１」は、本願補正発明の「基板」に相当する。
ｂ．ＧａＮは、III族窒化物半導体であるから、引用発明の「ＧａＮからなるｐ型チャネル層４」は、本願補正発明の「ｐ型III族窒化物半導体層」に相当する。
ｃ．引用発明の「ｎ型ソース領域５及びｎ型ドレイン領域６」は、「ｐ型チャネル層４の表面に」形成されているから、引用発明の「ｎ型ソース領域５及びｎ型ドレイン領域６の上に」形成された「ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄ」は、本願補正発明の「前記III族窒化物半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極」に相当する。
ｄ．引用発明の、「中央部のｐ型チャネル層４上に」形成された「ゲート絶縁膜７」と、本願補正発明の「前記III族窒化物半導体層上に形成され、前記III族窒化物半導体層の成長後に測定した前記III族窒化物半導体層の実効アクセプタ濃度の測定値と目標の閾値電圧とに基づいて決定される厚さを有するゲート絶縁膜」とは、「前記III族窒化物半導体層上に形成され」た「ゲート絶縁膜」である点で共通する。
ｅ．引用発明の、「ゲート絶縁膜７を介して」形成された「ゲート電極Ｇ」は、本願補正発明の「前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極」に相当する。
ｆ．引用発明に係る「電界効果トランジスタ」はＧａＮ、すなわちIII族窒化物半導体を用いているから、本願補正発明の「III族窒化物半導体を用いたノーマリオフ型電界効果トランジスタ」とは、「III族窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタ」である点で共通する。
　
（イ）　よって、本願補正発明と引用発明とは、
「基板の上に成長されたｐ型III族窒化物半導体層と、
　前記III族窒化物半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
　前記III族窒化物半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
　を有することを特徴とするIII族窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタ。」
である点で一致する。
　
（ウ）　一方、両者は以下の各点で相違する。
・相違点１
　本願補正発明においては、「ｐ型III族窒化物半導体層」について、「残留ドナー濃度が１×１０１５ｃｍ−３から２×１０１７ｃｍ−３の範囲である」ことが規定されているのに対し、引用発明においては、そのような規定がなされていない点。
　
・相違点２
　本願補正発明においては、「ゲート絶縁膜」について、「前記III族窒化物半導体層上に形成され、前記III族窒化物半導体層の成長後に測定した前記III族窒化物半導体層の実効アクセプタ濃度の測定値と目標の閾値電圧とに基づいて決定される厚さを有する」ものとしているが、引用発明においては、ゲート絶縁膜の膜厚について、何ら特定していない点。
　
・相違点３
　本願補正発明においては、「電界効果トランジスタ」が「ノーマリオフ型」であるのに対して、引用発明においては、そのような特定がなされていない点。
　
ウ　相違点についての検討
（ア）相違点１について
　III族窒化物半導体層が、通常１×１０１５ｃｍ−３から２×１０１７ｃｍ−３の範囲内の値の残留ドナー濃度を有することは、以下の周知例１にも示されているように、従来より周知の事項である。
　
　周知例１：　特開２００５−３５８６９号公報
　本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００５−３５８６９号公報には、次の記載がある。
「【００１３】
しかしながら、上述したような化学気相成長法などによってＧａＮ層を成長する場合、
意図的な不純物ドーピングを行わない場合においても、残留ドナーと呼ばれる１×１０
16
個／ｃｍ
3
程度の電気的に活性な準位がＧａＮ層中に内在
　
　したがって、引用発明に係る電界効果トランジスタにおいても、「ｐ型III族窒化物半導体層」が、１×１０１５ｃｍ−３から２×１０１７ｃｍ−３の範囲の残留ドナー濃度を有することは普通のことであるから、相違点１は、実質的な相違点ではない。
　もし、実質的な相違点でないとまでは言えないものであったとしても、「ｐ型III族窒化物半導体層」が、１×１０１５ｃｍ−３から２×１０１７ｃｍ−３の範囲の残留ドナー濃度を有するようにすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
（イ）相違点２について
　本願補正発明は、ゲート電極が「前記III族窒化物半導体層上に形成され、前記III族窒化物半導体層の成長後に測定した前記III族窒化物半導体層の実効アクセプタ濃度の測定値と目標の閾値電圧とに基づいて決定される厚さを有する」ものであるが、本願補正発明は物の発明であるところ、本願補正発明のゲート絶縁膜についての「前記III族窒化物半導体層の成長後に測定した前記III族窒化物半導体層の実効アクセプタ濃度の測定値と目標の閾値電圧とに基づいて決定される厚さ」であるという発明特定事項は、「ゲート絶縁膜」の厚さを何ら具体的に特定したものとは認められない。
　そして、引用発明においても、一定の実効アクセプタ濃度を有するIII族窒化物半導体層、及び、前記III族窒化物半導体層上に形成された、何らかの厚さのゲート絶縁膜を備えていることは自明であるから、相違点２は実質的な相違点ではない。
　
（ウ）相違点３について
　電界効果トランジスタをノーマリオフ型として動作させることは、以下の周知例２にも示されているように、従来より周知の技術である。
周知例２：　特開２００４−１６５５２０号公報
　本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００４−１６５５２０号公報には、次の記載がある。
「【００１７】
本発明の第二では、ゲート絶縁膜を構成する材料が絶縁膜と密着するＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体に生ずるピエゾ効果を打ち消す作用があるため、ゲート絶縁膜を構成する材料が前記絶縁膜と密着するＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の界面に二次元電子ガスが発生しない。そのため、
ゲートにバイアスを加えない状態ではソース−ゲート間に電流が流れない、いわゆるノーマリオフのＭＩＳＦＥＴを実現することができる
「【００１９】
本発明の第三によれば、ゲート絶縁膜に半導体層を酸化したものからなるため、絶縁膜の密着性を一層強くすることができる。そのため、素子の信頼性を一層高くすることができる。また、絶縁膜と密着するＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体に生ずるピエゾ効果を打ち消す作用もあるため、
ゲートにバイアスを加えない状態ではソース−ゲート間に電流が流れない、いわゆるノーマリオフのＭＩＳＦＥＴを実現することができる
　
　したがって、引用発明においても、ノーマリオフの動作をさせるようにすることは当業者が適宜になし得た事項である。
　よって、相違点３は当業者が容易に想到し得たことである。
　
エ　小括
　以上のとおり、本願補正発明は、引用例１及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）まとめ
　前記　（２）において述べたように、本件補正後の請求項１に記載された本願補正発明は、発明の範囲が不明確であって、特許を受けようとする発明が明確でないから、本件補正後の請求項１の記載は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　また、前記（３）で述べたように、本願補正発明は引用発明及び従来周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　よって、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
４．　むすび
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．　平成２１年３月６日付けの手続補正は、上記のとおり却下され、また、平成２０年９月２５日付けの手続補正は、同年１２月２５日付けで却下されているので、本願の請求項６に係る発明は、平成２０年６月２日付け手続補正により補正された明細書及び図面の記載から見て、その請求項６に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「　【請求項６】
　前記III族窒化物半導体層内の残留ドナー濃度は１×１０15ｃｍ-3から２×１０16ｃｍ-3の範囲であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１つに記載のノーマリオフ型電界効果トランジスタ。」
　また、ここで引用されている請求項１については次のとおりである。
「　【請求項１】
　基板の上に成長されたIII族窒化物半導体層と、
　前記III族窒化物半導体層の実効アクセプタ濃度と目標の閾値電圧とに基づいて決定される厚さに制御されたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
　前記III族窒化物半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
　を有することを特徴とするIII族窒化物半導体を用いたノーマリオフ型電界効果トランジスタ。」
　
　ここで、上記請求項１及び請求項６を、便宜上一体のものとして記載すると以下のとおりとなる。（以下「本願発明」という。）
「　基板の上に成長された、残留ドナー濃度が１×１０15ｃｍ-3から２×１０16ｃｍ-3の範囲であるIII族窒化物半導体層と、
　前記III族窒化物半導体層の実効アクセプタ濃度と目標の閾値電圧とに基づいて決定される厚さに制御されたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
　前記III族窒化物半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
　を有することを特徴とするIII族窒化物半導体を用いたノーマリオフ型電界効果トランジスタ。」
　
２．本願発明の明確性の検討
　本願発明を発明特定事項ごとに分説すると以下のようになる。
ａ．「基板の上に成長された、残留ドナー濃度が１×１０15ｃｍ-3から２×１０16ｃｍ-3の範囲であるIII族窒化物半導体層と、」
ｂ．「前記III族窒化物半導体層の実効アクセプタ濃度と目標の閾値電圧とに基づいて決定される厚さに制御されたゲート絶縁膜と、」
ｃ．「前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、」
ｄ．「前記III族窒化物半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、」
ｅ．「を有することを特徴とするIII族窒化物半導体を用いたノーマリオフ型電界効果トランジスタ。」
　
　前記第２　３．「（２）本願補正発明の明確性の検討」において述べたのと同様に、上記ａ．、ｃ．、及びｄ．に記載されたものは、いずれも「III族窒化物半導体を用いたノーマリオフ型電界効果トランジスタ」を構成する要素として明確であることは明らかであり、また、ｅ．に記載されたものについても、少なくとも前記ａ．、ｃ．、及びｄ．に記載されたもの「を有することを特徴とするIII族窒化物半導体を用いたノーマリオフ型電界効果トランジスタ」である点に関しては明確であるといえる。
　
　上記ｂ．に記載された「前記III族窒化物半導体層の実効アクセプタ濃度と目標の閾値電圧とに基づいて決定される厚さに制御されたゲート絶縁膜と、」という発明特定事項について、物の発明の発明特定事項として検討すると、当該発明特定事項は、一定の実効アクセプタ濃度を有する「前記III族窒化物半導体層上に形成され」た「ゲート絶縁膜」であることは把握することができるが、その厚さが、「前記III族窒化物半導体層の実効アクセプタ濃度と目標の閾値電圧とに基づいて決定される厚さに制御された」ものとする点は、物の発明の発明特定事項として不明りょうである。
　すなわち、本願発明に限らず、完成した「III族窒化物半導体を用いたノーマリオフ型電界効果トランジスタ」は、一定の実効アクセプタ濃度を有するIII族窒化物半導体層、及び、何らかの厚さのゲート絶縁膜を備えるとともに何らかの閾値電圧を当然有しているが、前記ｂ．に記載されたように、ゲート絶縁膜を「前記III族窒化物半導体層の実効アクセプタ濃度と目標の閾値電圧とに基づいて決定される厚さに制御された」ものと、そのようにしないものとを比較したとき、物として具体的な差異を見いだせない。
　なぜならば、本願発明においては、「前記III族窒化物半導体層の実効アクセプタ濃度」、「閾値電圧」及び「ゲート絶縁膜」の厚さの各値が、どのような関係を満たすように決定されるかが記載されていないので、物の発明としてみた場合には、「ゲート絶縁膜」の厚さを何ら限定していないに等しいからである。
　したがって、前記ｂ．に記載されたものは、物の発明の発明特定事項として不明りょうであり、本願発明が、前記ｂ．の発明特定事項を備えることによって、どのような物の発明を含むことになる（あるいは、ならないのか）かが不明であるから、本願発明の範囲は不明確である。
　
３．本願発明の容易想到性についての検討
（１）引用発明
　引用発明は、前記第２の３．（３）「ア　刊行物に記載された発明」に記載したとおりのものである。
　
（２）対比・判断
　前記第２「１．　本件補正の内容」及び第２「３．　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討」において記したように、本願補正発明は、本件補正前の請求項６（本願発明）について前記補正事項に係る限定を付したものである。言い換えると、本願発明は、本願補正発明から前記限定を除いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、これをより限定したものである本願補正発明が、前記第２の３．（３）「イ　本願補正発明と引用発明との比較」〜第２の３．（３）「エ　小括」において検討したとおり、引用発明及び従来周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．まとめ
　前記第３　２．において述べたように、本願の請求項６に記載された本願発明は、発明の範囲が不明確であって、特許を受けようとする発明が明確でないから、本願の請求項６の記載は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　また、前記第３　３．で述べたように、本願発明は引用発明及び従来周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。