【手続補正書】
【提出日】平成23年5月19日(2011.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースを備える光学素子または光学素子の一部を作製するための方法において、
次のステップ：
光学素子の幾何学形状に対応した表面を有する成形体（２１，１０００，２０００）を準備するステップと、
前記成形体を超研磨して該成形体の表面粗さを低減するステップと、
前記成形体（２１，１０００，２０００）の表面に少なくとも１つの分離層システム（１５，１０１０，２０１０）を備える層システム（７）を析出するステップと、
該層システム（７）にベース（４，１０３０，２０３０）を電気鋳造するステップと、
少なくとも前記ベースを前記分離層システム（１５，１０１０，２０１０）で前記成形体（２１，１０００，２０００）から分離するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
前記層システムにさらに少なくとも１層の反射層（８）を設け、該少なくとも１層の反射層を前記分離層システム（１５，１０１０）で析出し、前記少なくとも１層の反射層でベースの電気鋳造を行う方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法において、
前記少なくとも１層の反射層を多層システム（２１１０）の一部とする方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法において、
前記多層システム（２１１０）をＭｏ／Ｓｉ層またはＭｏ／Ｂｅ層の連続とする方法。
【請求項５】
請求項３または４に記載の方法において、
前記分離層システムにＡｕまたはＲｕを含む方法。
【請求項６】
請求項２に記載の方法において、
前記少なくとも１層の反射層にＲｕを含む方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法において、
前記分離層システム（１５）を多層システムとして構成し、前記分離層システム（１５）に、前記成形体で析出したＳｉＯ２層およびＳｉＯ２上に析出したＡｕ層を含む方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法において、
前記分離層システム（１５）のＳｉＯ２とＡｕとの間で前記成形体（２１）からの剥離を行う方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法において、
前記光学素子の一部としての前記ベースを前記分離層システム（１５）で前記成形体から分離する方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法において、
前記光学素子の一部としての前記ベースを剥離した後に、別の方法ステップでベースまたは前記分離層システムを備えるベースで少なくとも１層の反射層を析出する方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法において、
前記少なくとも１層の反射層を多層システム（１１１０）の一部とする方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法において、
前記多層システム（１１１０）をＭｏ／Ｓｉ層またはＭｏ／Ｂｅ層の連続とする方法。
【請求項１３】
請求項１１または１２に記載の方法において、
前記分離層システムにＡｕまたはＲｕを含む方法。
【請求項１４】
請求項１０に記載の方法において、
前記反射層システムにＲｕを含む方法。
【請求項１５】
請求項１から１４までのいずれか一項に記載の方法において、
少なくとも第１ステップおよび第２ステップで前記ベースの電気鋳造を行い、前記第１ステップの後に、前記ベース（１０３０）の第１層（１０２０．１，２０２０.１）に冷却装置（１０５０，２０５０）および／またはジョイント装置（１０４０，２０４０）を配置する方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載の方法において、
前記ベースの前記第１層上に第２層（１０２０．２，２０２０．２）を析出し、前記冷却装置および／または前記ジョイント装置をベースに挿入する方法。
【請求項１７】
請求項１から１５までのいずれか一項に記載の方法において、
前記ベースに次の金属：Ｎｉ、Ｃｕ、Ｎｉ合金から選択した金属を含む方法。
【請求項１８】
請求項１から１７までのいずれか一項に記載の方法において、
石英ガラス（ＳｉＯ２）またはカニゼンメッキ処理したアルミニウムからなる前記成形体（２１）を使用する方法。
【請求項１９】
請求項１から１７までのいずれか一項に記載の方法において、
前記成形体（２１）の表面でＳｉＯ２を析出する方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法において、
前記成形体（２１）のＳｉＯ２層に、成形体（２１）における析出後に所定時間にわたる調整ステップにより表面処理を施す方法。
【請求項２１】
請求項１８から２０までのいずれか一項に記載の方法において、
前記ＳｉＯ２層または石英ガラスに、ルテニウム（１６，１７）からなる層とＣｒからなる付着層（１８，１９）とを交互に析出する方法。
【請求項２２】
請求項２から２１までのいずれか一項に記載の方法において、
前記反射層（８）の析出を、有利には真空または電気化学的周辺環境で行う方法。
【請求項２３】
特に閉じられた面を備えるかすめ入射光学素子、特にＥＵＶ照射時に使用するためのかすめ入射集光器のための集光プレートを作製するための方法において、
次のステップ：
かすめ入射光学素子（１）の幾何学形状に対応した表面を有する成形体（２１）を準備し、
該成形体（２１）でベース（４）を電気鋳造し、
該ベース（４）を前記成形体（２１）から剥離し、
少なくとも１層の反射層（８）を含む層システム（７）を前記ベース（４）の表面に析出することを特徴とする方法。
【請求項２４】
請求項２３に記載の方法において、
層システムを設け、該層システムに、少なくとも前記成形体に析出したＳｉＯ２層および該ＳｉＯ２層に析出したＰｄ層またはＡｕ層を含む方法。
【請求項２５】
請求項２３に記載の方法において、
プレート（２５）を形成し、分離層システム（１５）のＳｉＯ２とＰｄまたはＡｕとの間で前記成形体（２１）からの集光プレート（１）の剥離を行う方法。
【請求項２６】
請求項２３に記載の方法において、
前記層システム（７）の層の析出を、蒸着、特に電子ビーム蒸着またはスパッタリングによって行う方法。
【請求項２７】
請求項２３から２６までのいずれか一項に記載の方法において、
ＮｉまたはＮｉ合金材料から、電気鋳造、特に電気化学的プロセスによって前記ベース（４）を形成する方法。
【請求項２８】
請求項２３から２７までのいずれか一項に記載の方法において、
少なくとも第１および第２ステップで前記ベースの電気鋳造を行い、第１ステップの後に第１層に冷却装置および／またはジョイント装置を配置し、前記第１層上に第２層を析出する方法。
【請求項２９】
法線入射光学素子、特にＥＵＶ照射時に使用するためのファセット付き光学素子のためのファセットを作製するための方法において、
次のステップ：
前記法線入射光学素子の幾何学形状に対応した表面を有する成形体（１０００，２０００）を準備し、
該成形体を超研磨して該成形体の表面粗さを低減し、
該成形体（１０００，２０００）でベース（１０３０，２０３０）を電気鋳造し、
該ベースを前記成形体から剥離し、
前記ベースの表面に少なくとも１層の反射層を含む層システムを析出することを特徴とする方法。
【請求項３０】
請求項２９に記載の方法において、
分離層システムを設け、該分離層システムを、前記成形体で析出した少なくとも１層の金属層、特にＡｕ層および／またはＲｕ層とする方法。
【請求項３１】
請求項２９または３０に記載の方法において、
前記層システムの層の析出を、蒸着、特に電子ビーム蒸着またはスパッタリングにより行う方法。
【請求項３２】
請求項２９から３１までのいずれか一項に記載の方法において、
前記少なくとも１層の反射層を多層システムの一部とし、該多層システム（１０１０）をＭｏ／Ｓｉ層またはＭｏ／Ｂｅ層の連続とする方法。
【請求項３３】
請求項２９から３２までのいずれか一項に記載の方法において、
前記反射層に少なくとも１層のＲｕ層を含む方法。
【請求項３４】
請求項２９から３３までのいずれか一項に記載の方法において、
少なくとも第１および第２ステップで前記ベースの電気鋳造を行い、第１ステップの後に、第１層（１０３０．１）に冷却装置（１０５０）および／またはジョイント装置（１０４０）を配置する方法。
【請求項３５】
請求項３４に記載の方法において、
前記ベースの前記第１層上に第２層（１０３０．２）を析出し、前記冷却装置および／または前記ジョイント装置を前記ベースに挿入する方法。
【請求項３６】
請求請２９から３５までのいずれか一項に記載の方法において、
前記ベースに次の金属：
Ｎｉ、Ｃｕ、Ｎｉ合金から選択した金属を含む方法。