【事件の表示】
　特願２００３−２７７０３６「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　２月１０日出願公開、特開２００５−　３９１５５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年７月１８日の出願であって、平成２１年２月２６日付けで拒絶理由が通知され、同年４月２４日付けで手続補正がなされ、これに対し、同年１１月１１日付けで拒絶査定がなされたところ、平成２２年２月４日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　その後、当審において平成２２年１２月１６日付けで審尋を行い、同年２月９日付けで回答書が提出されている。
　
第２　補正の却下の決定
［結論］
　平成２２年２月４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は特許請求の範囲についてするものであって、その補正内容は、本件補正前（平成２１年４月２４日付けの手続補正書を参照）の請求項１に
「前記第１の工程よりも前に、
　前記半導体基板の裏面をアルカリエッチング処理する第３の工程と、
　前記第３の工程の後に、前記半導体基板を裏面研磨する第４の工程と、
　前記第４の工程の後に、前記半導体基板の表面に対して鏡面加工する第５の工程とを備え」
ているとの限定を付すものであり、いわゆる限定的減縮を目的とする補正である。
　
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するから、本件補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）を、以下に検討する。
　
２　独立特許要件
（１）本願補正発明
　本件補正後の特許請求の範囲の記載からみて、請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、次のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　半導体基板をウェーハチャック上に載置し、前記半導体基板の裏面を真空吸着することにより、前記半導体基板を前記ウェーハチャック上に保持する第１の工程と、
　保持された前記半導体基板の主面に設計パターンを有するマスクを透過した露光光で露光することにより、前記半導体基板の主面に前記設計パターンを転写する第２の工程とを備え、
　前記半導体基板の主面の反対側の面である裏面は、断面凹凸状の周期が３００μｍ以上であるうねりと、開口径が１００μｍ以下である凹部とを有し、前記うねりの深さと前記凹部の深さとの算術平均値は２００ｎｍ以下となるように形成されており、
　前記第２の工程において、前記露光光の焦点位置と前記ウェーハチャック上に保持された前記半導体基板の主面との距離の差が設計ルールの５０％以下に設定されており、
　前記第１の工程よりも前に、
　前記半導体基板の裏面をアルカリエッチング処理する第３の工程と、
　前記第３の工程の後に、前記半導体基板を裏面研磨する第４の工程と、
　前記第４の工程の後に、前記半導体基板の表面に対して鏡面加工する第５の工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である、
　　　特開２０００−３０９９４号公報（以下「引用例１」という。）及び
　　　特開２００１−６０６１７号公報（以下「引用例２」という。）
には、次の事項が図面とともに記載されている。
　
ア　引用例１の記載事項
（当審注：後述の「イ　引用発明の認定」で特に参照した箇所に下線を付した。）
（１ａ）「【０００７】しかも、近年のデバイス工程におけるフォトリソグラフィー技術は、ウエーハ全面を一括露光から部分露光（ステッパ）方式へ移行しており、うねり成分の領域における平坦度がより重要になってきているし、またデバイス工程における素子分離手法としてＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ  Ｔｒｅｎｃｈ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）が採用されつつある現在、ＳＴＩを形成するためには、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）によるプラナリゼーションが重要であるが、研磨代を均一にし確実に素子分離をするためにはうねり成分をなくす必要がある。
【０００８】本発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、半導体ウエーハのうねり成分を定量的に把握し、ウエーハ裏面のうねり成分が表面に転写して、上記のように
デバイス工程におけるフォトリソグラフィーや素子分離等において問題となるようなうねり成分のない半導体ウエーハとその製造方法
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため、本発明の請求項１に記載した発明は、少なくともウエーハ裏面の波長１０ｍｍのうねり成分が、パワースぺクトル密度で１０μｍ3以下であることを特徴とする半導体ウエーハである。
【００１０】このように、本発明では、真空吸着前後の半導体ウエーハの表面および裏面形状を測定し、その測定した表面プロファイルの周波数解析を行い、空間周波数ごとの裏面から表面形状への影響を定量的に評価した結果得られたものである。すなわち、少なくともウエーハ裏面の波長１０ｍｍのうねり成分が、パワースぺクトル密度（ＰＳＤ：Ｐｏｗｅｒ  Ｓｐｅｃｔｒｕｍ  Ｄｅｎｓｉｔｙ）で１０μｍ3以下であるウエーハとすれば、例えば
半導体ウエーハをウエーハチャックに吸着保持した時においても、裏面形状が表面に転写して、フォトリソグラフィー等で不都合を生じることはない
【００１１】また、本発明の請求項２に記載した発明は、少なくともウエーハ表面の波長１０ｍｍのうねり成分が、パワースぺクトル密度で１０μｍ3以下であることを特徴とする半導体ウエーハである。このように、本発明ではウエーハの裏面形状が、表面に転写しないようにすることができるので、例えば半導体ウエーハをウエーハチャックに吸着保持した時においても、ウエーハ表面のパワースぺクトル密度を１０μｍ3以下とすることができる。
【００１２】そして、本発明の請求項３に記載した発明は、少なくともウエーハ表面および裏面の波長１０ｍｍのうねり成分が、パワースぺクトル密度で１０μｍ3以下であることを特徴とする半導体ウエーハである。このように、本発明では、
裏面のうねり成分がなく、表面にもうねり成分が転写されていない、良好な平坦度を有するウエーハを得ることができる
　
（１ｂ）「【００１６】次に、本発明の請求項７に記載した発明は、
少なくともウエーハ表面が鏡面である
　
（１ｃ）「【００３５】本発明はこのような結果から為されたものである。すなわち、少なくともウエーハ裏面の波長１０ｍｍのうねり成分が、パワースぺクトル密度で１０μｍ3以下であるウエーハとすれば、例えばウエーハをウエーハチャックに吸着保持する時においても、あるいは裏面を保持して表面を研磨する時においても、裏面形状が表面に転写して、表面に問題となるようなうねりが発生するようなことはない。
【００３６】また、本発明ではウエーハの裏面形状が、表面に転写しないようにすることができるので、例えばウエーハをウエーハチャックに吸着保持した時においても、ウエーハ表面のパワースぺクトル密度を１０μｍ3以下とすることができる。したがって、デバイス工程におけるフォトリソグラフィー等においても支障をきたすことがない。特に、本発明ではウエーハ表面のパワースぺクトル密度を２μｍ3以下とすることも可能であり、フォトリソグラフィー等においてうねり成分の影響をほとんどなくすことができる。」
　
（１ｄ）「【００４０】次に、本発明のうねり成分の改良されたウエーハの製造方法について述べる。前述のように、従来は、図４に示したような工程で片面を鏡面研磨したシリコンウエーハが製造されていた。このような従来の工程において製造された半導体シリコンウエーハにうねり成分が生じる原因を調べた結果、エッチング工程Ｄに問題があることがわかった。すなわち、エッチング工程Ｄは、通常フッ酸と硝酸系の混酸でエッチングが行われる。このような酸エッチングは拡散律速反応であり、エッチング中に発生するＮＯガスがウエーハ表面に付いていると、液の拡散速度が変化し、エッチング速度も変化するためにウエーハ表面および裏面にうねりが生じているものと思われる。
【００４１】そして、このようなうねり成分を有するウエーハの裏面を保持して、表面の研磨工程Ｅを行うと、裏面のうねり成分が表面に転写され、結局製造される半導体ウエーハの表裏面にはうねり成分を有するものとなる。
【００４２】そこで、本発明のようなうねり成分の少ないウエーハを製造するためには、エッチング工程Ｄでうねりを発生させないようにすることが考えられる。これには例えばＫＯＨ、ＮａＯＨ等によるアルカリエッチングを行うことが挙げられる。アルカリエッチングは、反応律速なので、エッチング速度の均一性が高く、ウエーハ表面および裏面にうねり形状が形成されにくいものと思われる。また、上記酸エッチングとアルカリエッチングを組み合わせ、酸エッチングでの取り代をできるだけ減らすようにしてもよい。
【００４３】また、エッチング工程Ｄを酸エッチングまたはアルカリエッチングとし、次に表面を研磨する前に、保持される側の面（裏面）を例えば１μｍ程度研磨してうねり成分を除去してから保持するようにしてもよい。あるいは、ウエーハを保持することなく、ウエーハを上下定盤間に挟み込んで、表面と裏面を同時に研磨するようにしても良い。」
　
（１ｅ）「【００４６】
【実施例】以下、本発明の実施例および比較例を挙げて具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例、比較例）種々の裏面状態のウエーハを作製し、裏面の形状を前記ＡｕｔｏＳｏｒｔ２００で測定し、前述の手法によって周波数解析を行ってパワースぺクトル密度を求めた。
……（中略）……
(4) アルカリエッチング＋裏面研磨品
エッチング工程では、まずＮａＯＨによって、ウエーハ両面で３０μｍエッチオフし、次に裏面を約１μｍ研磨した後、裏面を保持して、表面を約８μｍ研磨した
……（中略）……
【００４８】得られた結果を図２に示す。この図を見ると、従来の(1)酸エッチング品は、波長１０ｍｍのうねり成分が、パワースぺクトル密度で約２０μｍ3 もあるのに対し、(2)〜(5)の裏面のうねり成分を少なくする処理を行ったものは、パワースぺクトル密度が１０μｍ3 以下となっていることがわかる。
……（中略）……
【００５０】次に、保持面の波長１０ｍｍのうねり成分が、パワースぺクトル密度で０．２μｍ3のウエーハチャックを用い、これに(1)(2)(4)(5)の
ウエーハの裏面を真空吸着させ
　
（１ｆ）「【００５５】また、本発明のウエーハチャックは、保持面のうねり成分を減少させるものであるから、ウエーハチャックの機構、形状等は特に限定されるものではない。すなわち、真空吸着方式でも良いし、静電吸着方式、その他の方式のものでも同様に適用できることは言うまでもない。例えば、図５に本発明が適用され得るウエーハチャックの一例を示しておいた。このウエーハチャック１は、保持面２に半導体ウエーハ３を真空吸着するもので、保持面２に複数の孔が穿設されており、ポンプ４で吸引してウエーハを吸着するものである。そして、本発明では保持面２の平坦度として、少なくとも波長１０ｍｍのうねり成分が、パワースぺクトル密度で１０μｍ3以下であるようにすればよい。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明により、半導体ウエーハのうねり成分を定量的に把握し、デバイス工程におけるフォトリソグラフィーや素子分離等において問題となるようなうねり成分のない半導体ウエーハとその製造方法、およびウエーハチャックを提供することができる。特に、本発明の半導体ウエーハは、ウエーハ裏面のうねり成分が表面に転写して不都合を生じるようなことがないウエーハである。」
　
　
イ　引用発明の認定
　以上の記載事項からして、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「裏面のうねり成分がなく表面にもうねり成分が転写されていない、半導体ウエーハをウエーハチャックに真空吸着保持した時においてもデバイス工程におけるフォトリソグラフィーで不都合を生じることはない、良好な平坦度を有するウエーハを得ることができる半導体ウエーハの製造方法であって、
　ＮａＯＨによって、ウエーハ両面で３０μｍエッチオフし、次に裏面を約１μｍ研磨した後、裏面を保持して、表面を約８μｍ研磨し、
　少なくともウエーハ表面が鏡面である、半導体ウエーハの製造方法。」
　
　
ウ　引用例２の記載事項
（２ａ）「【０００７】ところで、このようなウェハ平面度すなわちピンピッチ間で発生するたわみによってウェハ表面の平面度が悪化してしまう問題もさることながら、実際には、このピンピッチ間のたわみに起因してディストーション（ウェハディストーション）が発生してしまうことの方がはるかに深刻な問題となる。例えば、後述するように、現在の主流となっているφ２００ｍｍウェハをピンピッチが２ｍｍの格子配列のピンチャックに吸着した場合、このウェハディストーションはウェハ平面度の約１／２．６も発生する。そして、現在量産されている０．２５μｍルールの半導体プロセスの場合、ウェハ平面度の許容値は、焦点深度８００ｎｍの１割として８０ｎｍであるのに対し、ウェハディストーションの許容値は、オーバーレイ精度５０ｎｍの１割として５ｎｍであり、これをウェハ平面度に換算すれば、１３ｎｍとなって、８０ｎｍよりはるかに小さい。すなわち、焦点深度から要求される平面度よりも、オーバーレイ精度から要求される平面度の方がはるかに厳しい。従来は、ウェハ平面度を許容値内にしようとしての平面度矯正は行なっていたが、ウェハディストーションとして許容値内にしようとする認識はなかった。そのため、ウェハディストーションは許容値外となっていて、オーバーレイ精度を悪化させ、歩留まりを低下させる原因となっていた。あるいは、余計なプロセスマージンを必要とし、半導体デバイスの微細化、高集積化を阻害する原因となっていた。」
　
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「ＮａＯＨによって、ウエーハ両面で３０μｍエッチオフ」する工程は、本願補正発明の「半導体基板の裏面をアルカリエッチング処理する第３の工程」に相当し、引用発明の「次に裏面を約１μｍ研磨した」工程は、本願補正発明の「第３の工程の後に、前記半導体基板を裏面研磨する第４の工程」に相当する。
　そして、引用発明において、「少なくともウエーハ表面」は「鏡面である」状態が望ましいのであるから、引用発明の「裏面を保持して、表面を約８μｍ研磨」する工程は、本願補正発明の「第４の工程の後に、前記半導体基板の表面に対して鏡面加工する第５の工程」に相当する。
　
　よって、本願補正発明と引用発明とは、次の一致点及び相違点を有する。
＜一致点＞
「半導体基板の裏面をアルカリエッチング処理する第３の工程と、
　前記第３の工程の後に、前記半導体基板を裏面研磨する第４の工程と、
　前記第４の工程の後に、前記半導体基板の表面に対して鏡面加工する第５の工程とを備えている方法。」
　
＜相違点１＞
　本願補正発明が、第３〜第５の工程の後、「半導体基板をウェーハチャック上に載置し、前記半導体基板の裏面を真空吸着することにより、前記半導体基板を前記ウェーハチャック上に保持する第１の工程と、保持された前記半導体基板の主面に設計パターンを有するマスクを透過した露光光で露光することにより、前記半導体基板の主面に前記設計パターンを転写する第２の工程」を有する「半導体装置の製造方法」であるのに対し、引用発明は、このような発明特定事項を有していない点。
　
＜相違点２＞
　本願補正発明が「前記半導体基板の主面の反対側の面である裏面は、断面凹凸状の周期が３００μｍ以上であるうねりと、開口径が１００μｍ以下である凹部とを有し、前記うねりの深さと前記凹部の深さとの算術平均値は２００ｎｍ以下となるように形成されて」いるのに対し、引用発明は、半導体ウエーハの裏面形状の具体的数値が不明である点。
　
＜相違点３＞
　本願補正発明が「前記第２の工程において、前記露光光の焦点位置と前記ウェーハチャック上に保持された前記半導体基板の主面との距離の差が設計ルールの５０％以下に設定されて」いるのに対し、引用発明は、このような発明特定事項を有していない点。
　
　
（４）当審の判断
ア　相違点１について
　引用発明で製造する半導体ウエーハは、「ウエーハチャックに真空吸着保持した時においてもデバイス工程におけるフォトリソグラフィーで不都合を生じることはない」ものであるから、半導体ウエーハを製造した後、その半導体ウエーハをウエーハチャックに真空吸着保持し、フォトリソグラフィーを行うデバイス工程を前提としていることは明らかである。
　そして、当業者であれば、フォトリソグラフィーを行う工程が、保持された半導体ウエーハの表面に設計パターンを有するマスクを透過した露光光で露光することにより、前記半導体ウエーハの表面に前記設計パターンを転写する工程であることは自明であり、また、半導体ウエーハにフォトリソグラフィーを行う「デバイス」工程で、「半導体装置」を製造することも、周知慣用の技術的事項にすぎない。
　よって、上記前提からみて、引用発明を、その半導体ウエーハの製造工程の後、「半導体基板をウェーハチャック上に載置し、前記半導体基板の裏面を真空吸着することにより、前記半導体基板を前記ウェーハチャック上に保持する第１の工程と、保持された前記半導体基板の主面に設計パターンを有するマスクを透過した露光光で露光することにより、前記半導体基板の主面に前記設計パターンを転写する第２の工程」を有する「半導体装置の製造方法」に適用することは当業者が容易になし得たことである。
　
イ　相違点２について
（ア）本願明細書の記載事項
　半導体基板の裏面の形成方法について、本願の明細書には、次のように記載されている。
ａ　「【００２３】
　本発明の半導体基板の製造方法によると、第１の工程において、半導体基板の裏面に対してアルカリ性溶液による異方性のウエットエッチングを行なうことにより、半導体基板の裏面に、比較的に周期が大きい断面凹凸状のファセットが生じる。その後、第２の工程において、半導体基板の裏面に対して厚さが０．０５μｍ〜１μｍの範囲で研磨を行なうため、半導体基板の主面の反対側の面である裏面は、断面凹凸状の周期が３００μｍ以上のうねりと、開口径が１００μｍ以下の凹部とを有し、うねりの深さと凹部の深さとの算術平均値は２００ｎｍ以下となるので、本発明の半導体装置の製造方法に適用可能な半導体基板を実現することができる。」
ｂ　「【００３０】
　図１に示すように、ウェーハ１０は、例えば径が２００ｍｍのシリコン（Ｓｉ）からなり、その主面（表面）１０ａは鏡面状に加工されている。また、主面１０ａの反対側の面である裏面１０ｂの加工状態は、比較的に大きい周期を持つ断面凹凸形状（うねり）の平均周期ｆを３００μｍとし、ウエットエッチングにより生じ、うねりよりも小さい凹部（ピット）１０ｃの開口径ｄを５０μｍとし、ピット１０ｃの深さＲａを１５０ｎｍとしている。従って、第１の実施形態に係るウェーハ１０は、その主面１０ａの各点で測定された厚さＥ，Ｆ，Ｇ，Ｈの値は互いに等しくはない。ここで、ピット１０ｃの大きさ及び密度、並びにうねりの周期ｆは、アルカリ性溶液の組成の調整と、該アルカリ性溶液によるエッチング後の裏面１０ｂに対する研磨量によって調整することができる。なお、ウェーハ１０の具体的な製造方法については第２の実施形態で説明する。」
ｃ　「【００６０】
　これに対し、第２の実施形態においては、裏面エッチング工程ＳＴ２において、例えば水酸化カリウム（ＫＯＨ）又は水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）等に代表されるようなアルカリ性溶液を用いたウエットエッチングを行なう。このアルカリ性溶液によるウエットエッチングは異方性エッチングであり、その反応を緩やかに進行させることにより、ウェーハの裏面には複数のファセットが発生する。この複数のファセットは比較的に周期が大きい凹凸形状（うねり）を形成する。
　【００６１】
　次に、裏面研磨工程ＳＴ３において、ウェーハ裏面の凹凸周期をさらに大きくするために該ウェーハの裏面を研磨する。このときの研磨量は０．０５μｍ以上且つ１μｍ以下とする。この裏面研磨により、ウェーハの裏面のうねりの周期が変化し、さらにはアルカリ性のエッチにより生じたファセットの大きさ及び深さが変化する。この裏面研磨により、複数のファセットのうち小さいファセットは消滅する場合もあるため、ファセット密度も変化する。この裏面研磨の研磨量は一義的に決定し得ず、ステッパステージ上に露光対象のウェーハを保持したときに、ステッパの仮想焦点平面からの偏差が最小となるように、うねりの周期ｆ、ピットの深さＲａ及びファセット密度を研磨で調整する。一般には、裏面に対する研磨量を増やすに従って、ステッパステージにおける種々の形状を有するチャックに対しても適用できるようになる。ここでは、研磨量を１μｍ以上としてもよいが、その場合は裏面も鏡面状態に近くなる。もちろん、裏面研磨をこのまま続ければ両面研磨ウェーハを得ることができる。」
　
（イ）検討
　上記本願の明細書の記載内容を考慮すると、本願補正発明の上記相違点２に係る発明特定事項は、半導体基板の裏面の、アルカリエッチング時のアルカリ性溶液の組成と研磨時の研磨量の調整によって得られるものであることは明らかである。
　そうすると、引用発明では、上記ｃに記載の本願の第２の実施形態同様、半導体ウエーハの裏面のアルカリエッチングにアルカリ性溶液としてＮａＯＨを用い、次の裏面研磨における研磨量が約１μｍであるから、引用発明の半導体ウエーハを上記相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項を満たす形状を有するものとすることは、当業者がうねり成分が少なくなるようにウエーハを処理することにより、容易になし得ることである。
　
ウ　相違点３について
　フォトリソグラフィーの技術分野において、露光光の焦点位置を露光対象の主面に合わせようとすること、焦点位置が合わないとしたらその差が小さい方が好ましいこと、は当業者にとって技術常識であり、また、引用例２に「現在量産されている０．２５μｍルールの半導体プロセスの場合、ウェハ平面度の許容値は、焦点深度８００ｎｍの１割として８０ｎｍである」（上記記載事項（２ａ）を参照）と記載されているように、半導体プロセスの設計ルールに応じてウェハの平面度（すなわち、露光光の焦点位置と露光対象の主面との距離の差）の許容値を設定しようとすることも、公知の技術的事項である。
　そして、露光光の焦点位置と露光対象の主面との距離の差を「設計ルールの５０％以下」とすることは、本願の明細書または図面を参照しても当該上限値に格別有利な作用効果は認められず、単に露光時の上記許容値の上限を定めたにすぎないものであるから、その数値範囲は当業者が適宜選択し得る設計的事項といわざるを得ない。
　よって、引用発明に上記引用例２に記載の技術的事項を適用し、上記相違点３に係る本願補正発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になし得たことである。
　
エ　本願補正発明の作用効果について
　本願補正発明の奏する作用効果についても、上記技術常識からして、引用発明及び引用例２に記載された技術的事項から当業者が予測しうる範囲内のものであって、格別のものとは認め難い。
　
オ　まとめ
　したがって、本願補正発明は、当業者の技術常識及び周知慣用の技術的事項を考慮すれば、引用発明及び引用例２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本願補正発明は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、本件補正は、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、補正の却下の決定の結論のとおり、決定する。
　
　
第３　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２１年４月２４日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　半導体基板をウェーハチャック上に載置し、前記半導体基板の裏面を真空吸着することにより、前記半導体基板を前記ウェーハチャック上に保持する第１の工程と、
　保持された前記半導体基板の主面に設計パターンを有するマスクを透過した露光光で露光することにより、前記半導体基板の主面に前記設計パターンを転写する第２の工程とを備え、
　前記半導体基板の主面の反対側の面である裏面は、断面凹凸状の周期が３００μｍ以上であるうねりと、開口径が１００μｍ以下である凹部とを有し、前記うねりの深さと前記凹部の深さとの算術平均値は２００ｎｍ以下となるように形成されており、
　前記第２の工程において、前記露光光の焦点位置と前記ウェーハチャック上に保持された前記半導体基板の主面との距離の差が設計ルールの５０％以下に設定されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
第４　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物については、上記「第２」「２　独立特許要件」の「（２）引用例」で述べたとおりである。
　
第５　対比・判断
　本願発明は、上記「第２」の「２　独立特許要件」で検討した本願補正発明から、
「前記半導体基板の裏面をアルカリエッチング処理する第３の工程と、
　前記第３の工程の後に、前記半導体基板を裏面研磨する第４の工程と、
　前記第４の工程の後に、前記半導体基板の表面に対して鏡面加工する第５の工程とを備え」
ているとの限定を省いたものに相当する。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、かつその発明特定事項を限定したものに相当する本願補正発明が、上記「（４）当審の判断」で述べたとおり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本願発明も、同様の理由により、特許を受けることができないものである。
　
第６　むすび
　以上より、本願発明は、当業者の技術常識及び周知慣用の技術的事項を考慮すれば、引用発明及び引用例２に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。