【事件の表示】
　特願２００６−３４６８２２「電子部品の一括実装方法、及び電子部品内蔵基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　７月１０日出願公開、特開２００８−１５９８２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１８年１２月２２日の出願であって、請求項１〜７に係る発明は、平成２１年３月１２日付手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりである。
「【請求項１】複数の電子部品を一の絶縁層に一括して圧着固定する方法であって、
　前記絶縁層を形成するための未硬化状態の樹脂上に前記複数の電子部品を載置する載置工程と、
　圧力媒体を介して前記複数の電子部品を同時に且つ等方的に加圧する加圧工程と、
　前記樹脂を加熱して硬化させ前記絶縁層を形成する加熱工程と、を備えており、
　前記加熱工程において少なくとも前記樹脂が軟化している間、前記加圧工程を実施し、
　前記加熱工程においては、前記樹脂を、一旦、該樹脂の融点付近の温度まで昇温した後、該樹脂を硬化開始温度以上の温度まで再昇温させ、該硬化開始温度以上の温度を所定時間保持する、電子部品の一括実装方法。」
　
２．引用例とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００３−２９８００５号公報（以下、「引用例１」という。）、及び特開平１０−５０９３０号公報（以下、「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
　　
（１）引用例１：特開２００３−２９８００５号公報
（１ａ）「この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図３に示すように・・・ベース板２１の上面全体に接着層２２が設けられたものを用意する。ベース板２１に接着層２２を形成するには、ベース板２１上にエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂などのダイボンド材からなるダイボンドシートを載置し、加熱により仮硬化させた状態でベース板２１に接着しておく、あるいは、ベース板２１上にダイボンド材を・・・塗布し、乾燥させるなどの方法がある。そして、半導体チップ２３を加熱加圧しながら、接着層２２上に搭載し、仮固着し、次いで本硬化して、ベース板２１の上面の所定の複数箇所にそれぞれ半導体チップ２３のシリコン基板２４の下面を接着する。」（【００１４】）
　
（１ｂ）図３には、ベース板２１上に形成された一つの接着層２２上に、複数の半導体チップ２３が接着され、実装されることが図示されている。
　
（２）引用例２：特開平１０−５０９３０号公報
（２ａ）「【請求項１】基板上に複数個のチップを実装する方法であって、基板上の電極形成面とチップ電極間に接着剤を介在させ、基板の電極とこれに相対峙するチップの電極を位置合わせした状態で、静水圧下で加熱することを特徴とするマルチチップ実装法」（特許請求の範囲の請求項１）
　
（２ｂ）「接着剤３は・・・接続後の耐熱性や耐湿性に優れることから、硬化性材料の適用が好ましい。なかでも潜在性硬化剤を含有したエポキシ系接着剤は、短時間硬化が可能で接続作業性が良く、分子構造上接着性に優れるので特に好ましい。」（【０００８】）
　
（２ｃ）「本発明のマルチチップ実装法によれば、密閉容器内の圧力は場所が変わっても一定であるので、多数枚のＭＣＭを一度に処理できるので量産効果が高い。・・・」（【００１０】）
　
（２ｄ）「・・・実施例１　
　（１）接着剤の作製
　フェノキシ樹脂・・・とマイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状エポキシ樹脂・・・の比率を３０／７０とし、酢酸エチルの３０％溶液を得た。この溶液に・・・導電性粒子を２体積％添加し混合分散した。・・・ガラスエポキシ基板の接続領域に、前記分散液をスクリ−ン印刷で塗布し、１００℃で２０分乾燥し・・・接着剤層を得た。この接着層のＤＳＣによる活性温度は１２０℃である。
　（２）電極の位置合わせと接続
　前記の接着剤付き基板に、ＩＣチップ３個・・・を配置し、ＣＣＤカメラによる電極の位置合わせを行った。接着剤は室温でも若干の粘着性がある状態であり、室温で接着面に押しつけることで基板に簡単に保持でき、チップの仮付け基板を得た。チップの仮付け基板を、プレッシャ−クッカ試験機の圧力釜に入れて、１２０℃、２０ｋｇｆ／ｍｍ２、１０分間空気圧で処理後に室温に冷却して取出した。」（【００１１】、【００１２】）
　
（２ｅ）図２には、基板１上に形成された一つの接着剤の層上に３個のチップ２が載置され、密閉容器６内で、圧力Ｐの静水圧で、同時に一括して加圧されることが図示されている。
　
３．当審の判断
３−１．引用例記載の発明
　引用例１の摘記事項（１ａ）によれば、半導体チップをベース板の接着層上に、加熱加圧しながら搭載し、仮固定し、次いで本硬化して、ベース板の上面に半導体チップを接着する方法において、接着層は、ベース板上にエポキシ系樹脂などのダイボンド材を塗布し乾燥させて形成したものであることが記載されている。すると、接着層の樹脂が、未硬化の状態で加熱加圧しながら複数の半導体チップを搭載、仮固定した後、該樹脂を本硬化の温度まで上昇させ本硬化させることにより、絶縁層を形成するとともに半導体チップを固定することが理解できるし、エポキシ系樹脂などにおいて、未硬化状態の樹脂の本硬化は、硬化開始温度以上の温度を所定時間保持することにより行われることは周知である。
　また、摘記事項（１ｂ）によれば、複数の半導体チップが、一つの絶縁層上に実装されることが記載されている。
　
　そこで、引用例１の摘記事項（１ａ）、（１ｂ）の記載を総合すれば、引用例１には、「複数の半導体チップを一の絶縁層に圧着固定する方法であって、前記絶縁層を形成するための未硬化状態の樹脂上に前記複数の半導体チップを搭載、仮固定する工程と、前記複数の半導体チップを加圧する加圧工程と、前記樹脂を加熱して硬化させ前記絶縁層を形成する加熱工程と、を備えており、前記加熱工程において前記複数の半導体チップを搭載、仮固定する工程の間、前記加圧工程を実施し、前記加熱工程においては、前記樹脂を加熱しながら前記複数の半導体チップを搭載、仮固定する工程を実施した後、該樹脂を硬化開始温度以上の温度まで昇温させ、該硬化開始温度以上の温度を所定時間保持する、半導体チップの実装方法。」（以下、「引用例１発明」という。）が記載されている。　
　
３−２．対比・判断
　本願発明１と引用例１発明とを対比すると、引用例１発明の「半導体チップ」、「搭載、仮固定する工程」はそれぞれ、本願発明１の「電子部品」、「載置工程」に相当するから、両者は、
　「複数の電子部品を一の絶縁層に圧着固定する方法であって、前記絶縁層を形成するための未硬化状態の樹脂上に前記複数の電子部品を載置する載置工程と、
　前記複数の電子部品を加圧する加圧工程と、
　前記樹脂を加熱して硬化させ前記絶縁層を形成する加熱工程と、を備えており、
　前記加熱工程において前記加圧工程を実施し、
　前記加熱工程においては、前記樹脂を硬化開始温度以上の温度まで昇温させ、該硬化開始温度以上の温度を所定時間保持する、電子部品の実装方法。」で一致し、次の点で相違する。
　
相違点：
（イ）本願発明１は、複数の電子部品を一括して圧着固定する一括実装方法であるのに対し、引用例１発明は、複数の電子部品を圧着固定する実装方法であるが、一括して実装する点については記載がない点。
　
（ロ）本願発明１は、加圧工程において、圧力媒体を介して同時に且つ等方的に複数の電子部品を加圧するのに対して、引用例１発明は、複数の電子部品を加圧する加圧工程がどのようなものであるのか明らかではない点。
　
（ハ）本願発明１は、加熱工程において、少なくとも樹脂が軟化している間、加圧工程を実施するのに対し、引用例１発明は、加熱工程において載置工程の間、加圧工程を実施しているが、樹脂の状態については記載がない点。
　
（ニ）本願発明１は、加熱工程においては、「樹脂を、一旦、該樹脂の融点付近の温度まで昇温した後」、該樹脂を硬化開始温度以上の温度まで再昇温させるのに対し、引用例１発明は、加熱工程においては、樹脂を加熱しながら載置工程を実施した後、該樹脂を硬化開始温度以上の温度まで昇温させる点。
　　
　上記相違点について検討する。
相違点（イ）、（ロ）について
　引用例２の摘記事項（２ａ）、（２ｅ）によれば、基板上に複数個の電子部品（チップ）を実装する方法において、静水圧下で、すなわち、等方的に加圧された状態で、同時に一括して加熱することが記載され、摘記事項（２ｄ）によれば、電子部品の仮付け基板を、圧力釜に入れて、１２０℃、２０ｋｇｆ／ｍｍ２、１０分間空気圧で処理することが記載されている。これらの記載から、上記実装方法は、複数の電子部品を一括して圧着固定する一括実装方法であって、加圧は空気を圧力媒体として同時に且つ等方的に行うものである。
　してみれば、引用例１発明において、生産効率向上の観点から（摘記事項２ｃ）、実装を複数の電子部品を一括して圧着固定する一括実装とすること、及び、加圧工程を圧力媒体を介して同時に且つ等方的に加圧することにより行うことは、当業者が容易になし得たものである。
　
相違点（ハ）について
　引用例２の摘記事項（２ａ）によれば、静水圧下で加熱するのであるから、引用例２においては、加熱工程が実施されている間は加圧工程が実施されるものである。
　また、エポキシ系樹脂等の熱硬化性の樹脂は、融点付近の温度まで昇温すると軟化状態となり、更に、硬化温度以上の温度まで昇温すると硬化することは、例えば、下記のとおり周知である。
　そして、引用例１発明においても、圧着固定するために加熱及び加圧をしているのであるから、加熱工程が実施されている間ずっと、加圧工程を実施すること、すなわち、少なくとも樹脂が軟化している間、加圧工程を実施することは当業者が容易になし得たことである。
　
　周知例１：特開平５−１９１０４６号公報
　「【００２２】・・・接着剤としては、たとえばエポキシ樹脂接着剤フィルム・・・のフィルム状接着剤があげられるが・・・その溶融温度はエポキシ樹脂接着剤では１１０〜１３０℃・・・のものが好ましく、エポキシ樹脂接着剤の硬化温度は１７０〜１８０℃・・・のものが好ましい。」と記載されている。この記載から、エポキシ樹脂接着剤の樹脂は、１１０〜１３０℃で溶融し軟化状態となり、１７０〜１８０℃で硬化することが理解できる。
　
　周知例２：特開２００２−１６４６６５号公報
　「【００１１】・・・樹脂シ−ト１２は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を半硬化状態（Ｂステージ）としてシート状にしたものを用いることができる。」、
　「【００１７】・・・加熱温度は・・・樹脂シ−ト１２の樹脂が溶融する程度の温度・・・例えば、１１０〜１３０℃程度・・・であり・・・また、樹脂シ−ト１２は・・・さらに、例えば１６０〜１８０℃程度に加熱して、より硬化が進行した状態（ＢとＣステージの間）に絶縁層を形成する。・・・なお・・・後工程で、この絶縁層の表面に回路をパターニングによって、多層の配線板が作製されるものである。また、この回路のパターニング、及びそれに伴う加熱によって絶縁層の樹脂は、完全硬化（Ｃステージ）するものである。」と記載されている。
　これらの記載から、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂は、１１０〜１３０℃で溶融し軟化状態となり、１６０〜１８０℃で硬化が進行し、完全硬化に至ることが理解できる。
　　
相違点（ニ）について
　エポキシ系樹脂等の熱硬化性の樹脂は、融点付近の温度まで昇温すると軟化状態となり、更に、硬化温度以上の温度まで昇温すると硬化することは、上記のとおり周知の事項である。
　してみれば、引用例１発明の加熱工程において、樹脂は、融点付近の温度を経て、硬化開始温度以上の温度まで昇温されるものであるから、引用例１発明は、相違点（ニ）に係る本願発明１の特定事項を備えているものである。
　よって、相違点（ニ）は、実質的な相違点ではない。
　
　また、仮に、相違点（ニ）が実質的相違点であったとしても、引用例２から当業者が適宜なし得たことである。
　すなわち、引用例２の摘記事項（２ｂ）、（２ｄ）によれば、硬化性のエポキシ系樹脂接着剤層を形成した基板上に、室温において、複数の電子部品（ＩＣチップ）を配置、位置合わせして電子部品の仮付け基板を得た後、この電子部品の仮付け基板を、圧力釜に入れて、１２０℃、２０ｋｇｆ／ｍｍ２、１０分間空気圧で処理すること、接着剤層の活性温度は１２０℃であることが記載されている。活性温度１２０℃の硬化性のエポキシ系樹脂接着剤においては、１２０℃が、樹脂の硬化開始温度以上の温度であるといえるから、圧力釜内では、樹脂を、室温から該樹脂の硬化開始温度以上の温度（１２０℃）まで昇温した後、該硬化開始温度以上の温度で所定時間（１０分間）保持するという加熱工程が実施されることが理解できる。そして、エポキシ系樹脂等の硬化性の樹脂は、融点付近の温度まで昇温すると軟化状態となり、更に、硬化温度以上の温度まで昇温すると硬化することは、上記のとおり周知であるから、引用例２に記載される上記加熱工程においては、樹脂は、室温から融点付近の温度を経て硬化開始温度以上の温度まで昇温された後、該硬化開始温度以上の温度に所定時間保持されるといえる。そうであれば、このような加熱工程を、引用例１発明の加熱工程に適用することは、当業者が容易に想到することである。
　してみると、引用例１発明において、相違点（ニ）の本願発明の特定事項を備えたものとすることは、引用例２の記載から当業者が適宜なし得たことである。
　
　そして、本願発明１の奏する効果も引用例１、２の記載から予測される範囲のものであって、格別顕著なものとは認められない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明１は、引用例１から２及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであり、その余の発明について検討するまでもなく本願は拒絶すべきものである。
　よって、上記のとおり審決する。