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　特願２００５−　２５４３３「半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１２月　８日出願公開、特開２００５−３４０７６５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１７年２月１日（優先権主張平成１６年４月３０日）の出願であって、平成２１年８月２８日に手続補正がなされたところ、同年１０月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２２年２月４日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、これと同時に手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２２年２月４日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２２年２月４日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容  
　平成２２年２月４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の請求項１を以下のように補正して新たに補正後の請求項１とすることを含むものである。
　
「　第１導電型窒化物半導体層と、
　前記第１導電型窒化物半導体層上に設けられた第２導電型窒化物半導体層と、
　前記第１導電型窒化物半導体層と第２導電型窒化物半導体層との間に設けられており、窒化物からなる活性層と
　を備え、
　前記活性層の前記第１導電型窒化物半導体層側の界面に直交する軸、及び前記活性層の前記第２導電型窒化物半導体層側の界面に直交する軸のそれぞれと前記活性層におけるｃ軸とのなす角度がゼロより大きく、且つ、前記活性層の前記第１導電型窒化物半導体層側の界面及び前記活性層の前記第２導電型窒化物半導体層側の界面が｛１１−２４｝面を含み、
　前記活性層が、井戸層と、該井戸層を挟んで該井戸層に電位障壁を提供するバリア層とを含む量子井戸構造を有し、前記井戸層の厚さが３ｎｍよりも大きいことを特徴とする、半導体発光素子。」
　
　本件補正は、補正前（平成２１年８月２８日付け手続補正後のもの）の請求項１において、「前記活性層の前記第１導電型窒化物半導体層側の界面及び前記活性層の前記第２導電型窒化物半導体層側の界面が｛１１−２４｝面を含み」との限定を行うものであるから、上記補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
２　独立特許要件 
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
 　 
（１）刊行物記載の発明
　本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−１８３４６０号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
　ア　「【特許請求の範囲】
・・・
【請求項３】　ＧａＮまたはＡｌＮの（０００１）面より０．０５度以上角度の異なる面方位の基板上に堆積された半導体素子。
【請求項４】  基板と光デバイスの発光層との間に量子井戸構造を有することを特徴とする請求項３に記載の半導体素子。」
　
　イ　「【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザなどの半導体素子に関し、特に基板と結晶の格子定数、屈折率等の特性が大幅に異なる材料を発光層や能動領域に用いた半導体素子に関する。」
　
　ウ　「【００２０】本発明の半導体素子は、ＡｌＮまたはＧａＮのようなウルツァイト構造の結晶を用いてＧａＮまたはＡｌＮの（０００１）面より０．０５度以上角度の異なる面方位の基板上に形成されていてもよい。・・・特に基板がＡｌＮまたはＧａＮであり、（ｈ　ｍ−ｈ−ｍ　ｎ）（審決注：「（ｈ　ｍ　−ｈ−ｍ　ｎ）」の誤りと認める。）（｜ｎ／ｈ｜または｜ｎ／ｍ｜の一方が３以上または１／３以下、ｎは０ではない、ｈとｍの一方は０でない、ｈ，ｍ，ｎは整数）面基板上に形成されていてもよい。この場合ｊｕｓｔ面だけではなく微傾斜した面でも良い。・・・特に（１　１　−２　ｎ）でｎが４以上の偶数であることが実施形態として望ましい。この場合ｊｕｓｔ面だけではなく（１　１　−２　ｎ）から微傾斜した面でももちろん良い。・・・」
　
　エ　「【００５１】・・・
（実施例６）図１０は本発明の第５の実施例の半導体光素子に関わる概略説明図である。１００１−１０１４は（１　１　−２　４）面方位のＡｌＮ基板（１００１）、Ａｌｎバッファー層（１００２）、ＧａＮバッファー層（１００３）、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子バッファー層（１００４）、ｎ−ＧａＮバッファー層（１００５）、ｎ−ＧａＩｎＮバッファー層（１００６）、ｎ−ＧａＮコンタクト層（１００７）、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層（１００８）、ＧａＮ／ＧａＩｎＮの量子井戸発光層（１００９）、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層（１０１０）、ｐ−ＧａＮコンタクト層（１０１１）、絶縁膜（１０１２）、ｐ電極（１０１３）、n電極（１０１４）である。ここでＡｌｎとＧａＮとは２%の格子歪みがあるが、超格子バッファー層（１００４）を用いることで量子井戸内の転位密度を減らすことができた。また（１　１　−２　４）面を用いることでｐのドーピング効率が（０００１）面に対してＧａＮの場合で４０%ＡｌＧａＮの場合で２０%向上することができた。また基板がＡｌＮであるので熱の放散の効果が大きく最高発振温度がサファイア基板の場合の８０Ｃから１２０Ｃまで上がった。
【００５２】本実施例ではＡｌＮ基板を用いたが、基板としてＳｉＣやＧａＮを用いてもよいことは言うまでもない。ＳｉＣの場合（０００１）面から（１１−２０）方向に略１３度傾ければ２−ＨのＳｉＣで（１１−２４）方向となるので、その上には（１１−２４）面のＧａＮが成長できるようになった。」
　
　オ　上記エを踏まえて図１０をみると、
　（ア）（１　１　−２　４）面方位のＡｌＮ基板（１００１）上に、ＡｌＮバッファー層（１００２）、ＧａＮバッファー層（１００３）、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子バッファー層（１００４）、ｎ−ＧａＮバッファー層（１００５）、ｎ−ＧａＩｎＮバッファー層（１００６）、ｎ−ＧａＮコンタクト層（１００７）、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層（１００８）、ＧａＮ／ＧａＩｎＮの量子井戸発光層（１００９）、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層（１０１０）、ｐ−ＧａＮコンタクト層（１０１１）が順次積層されること、
　（イ）ｐ−ＧａＮコンタクト層（１０１１）と接してｐ電極（１０１３）が形成され、ｎ−ＧａＮコンタクト層（１００７）と接してｎ電極（１０１４）が形成されること、
がみて取れる。
　
　上記摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物１には、以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている、と認められる。
　
「（１　１　−２　４）面方位のＡｌＮ基板（１００１）上に、ＡｌＮバッファー層（１００２）、ＧａＮバッファー層（１００３）、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子バッファー層（１００４）、ｎ−ＧａＮバッファー層（１００５）、ｎ−ＧａＩｎＮバッファー層（１００６）、ｎ−ＧａＮコンタクト層（１００７）、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層（１００８）、ＧａＮ／ＧａＩｎＮの量子井戸発光層（１００９）、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層（１０１０）、ｐ−ＧａＮコンタクト層（１０１１）が順次積層され、前記ｐ−ＧａＮコンタクト層（１０１１）と接してｐ電極（１０１３）が形成され、前記ｎ−ＧａＮコンタクト層（１００７）と接してｎ電極（１０１４）が形成される、半導体発光素子。」
　 
（２）対比、判断
　本願補正発明と引用発明１とを対比する。
　
　ア　引用発明１の「ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層（１００８）」、「ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層（１０１０）」、「ＧａＮ／ＧａＩｎＮの量子井戸発光層（１００９）」及び「半導体発光素子」は、それぞれ、本願補正発明の「第１導電型窒化物半導体層」、「（前記第１導電型窒化物半導体層上に設けられた）第２導電型窒化物半導体層」、「（前記第１導電型窒化物半導体層と第２導電型窒化物半導体層との間に設けられており、窒化物からなる）活性層」及び「半導体発光素子」に相当する。
　
　イ　引用発明１の「半導体発光素子」は、「（１　１　−２　４）面方位のＡｌＮ基板（１００１）上に、・・・ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層（１００８）、ＧａＮ／ＧａＩｎＮの量子井戸発光層（１００９）、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層（１０１０）・・・が順次積層され」るものであり、「ＧａＮ／ＧａＩｎＮの量子井戸発光層（１００９）」の「ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層（１００８）」側の界面に直交する軸、及び「ＧａＮ／ＧａＩｎＮの量子井戸発光層（１００９）」の「ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層（１０１０）」側の界面に直交する軸のそれぞれと前記「ＧａＮ／ＧａＩｎＮの量子井戸発光層（１００９）」におけるｃ軸とのなす角度はゼロより大きく、且つ、「ＧａＮ／ＧａＩｎＮの量子井戸発光層（１００９）」の「ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層（１００８）」側の界面及び「ＧａＮ／ＧａＩｎＮの量子井戸発光層（１００９）」の「ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層（１０１０）」側の界面が（１　１　−２　４）面を含んでいる、といえるから、引用発明１は、本願補正発明の「前記活性層の前記第１導電型窒化物半導体層側の界面に直交する軸、及び前記活性層の前記第２導電型窒化物半導体層側の界面に直交する軸のそれぞれと前記活性層におけるｃ軸とのなす角度がゼロより大きく、且つ、前記活性層の前記第１導電型窒化物半導体層側の界面及び前記活性層の前記第２導電型窒化物半導体層側の界面が｛１１−２４｝面を含み」との事項を備える。
　
　ウ　引用発明１の「ＧａＮ／ＧａＩｎＮの量子井戸発光層（１００９）」は、井戸層と、該井戸層を挟んで該井戸層に電位障壁を提供するバリア層を含む量子井戸構造を有するものであるといえるから、引用発明１は、本願補正発明の「前記活性層が、井戸層と、該井戸層を挟んで該井戸層に電位障壁を提供するバリア層とを含む量子井戸構造を有し」との事項を備える。
　
　したがって、両者は、 
「　第１導電型窒化物半導体層と、
　前記第１導電型窒化物半導体層上に設けられた第２導電型窒化物半導体層と、
　前記第１導電型窒化物半導体層と第２導電型窒化物半導体層との間に設けられており、窒化物からなる活性層と
　を備え、
　前記活性層の前記第１導電型窒化物半導体層側の界面に直交する軸、及び前記活性層の前記第２導電型窒化物半導体層側の界面に直交する軸のそれぞれと前記活性層におけるｃ軸とのなす角度がゼロより大きく、且つ、前記活性層の前記第１導電型窒化物半導体層側の界面及び前記活性層の前記第２導電型窒化物半導体層側の界面が｛１１−２４｝面を含み、
　前記活性層が、井戸層と、該井戸層を挟んで該井戸層に電位障壁を提供するバリア層とを含む量子井戸構造を有する、半導体発光素子。」 
である点で一致し、次の点で相違する。 
　 
　井戸層の厚さが、本願補正発明では、３ｎｍよりも大きいのに対し、引用発明１では、その具体的な値が不明である点（以下「相違点１」という。）。
　
　上記相違点１につき検討する。
　窒化物半導体基板上に、井戸層と該井戸層を挟む障壁層とからなる活性層を形成する半導体発光素子において、該井戸層の膜厚を４０Å（＝４ｎｍ）ないし７０Å（＝７ｎｍ）となすものは本願の優先日時点で周知であるから（必要なら、特開２００２−８４０３８号公報（【００３３】〜【００４０】）、特開２００３−１１５６４２号公報（【０１７５】〜【０１８８】）、特開２００４−８７９０８号公報（【００２１】〜【００２３】）、特開２００１−３３２８１７号公報（【００１４】）参照。）、引用発明１において、井戸層の厚さを４ないし７ｎｍ程度の、３ｎｍよりも大きいものとして、上記相違点１に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明１及び周知技術から予測し得る程度のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。  
 　 
（３）むすび  
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２１年８月２８日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
　
「　第１導電型窒化物半導体層と、
　前記第１導電型窒化物半導体層上に設けられた第２導電型窒化物半導体層と、
　前記第１導電型窒化物半導体層と第２導電型窒化物半導体層との間に設けられており、窒化物からなる活性層と
　を備え、
　前記活性層の前記第１導電型窒化物半導体層側の界面に直交する軸、及び前記活性層の前記第２導電型窒化物半導体層側の界面に直交する軸のそれぞれと前記活性層におけるｃ軸とのなす角度がゼロより大きく、
　前記活性層が、井戸層と、該井戸層を挟んで該井戸層に電位障壁を提供するバリア層とを含む量子井戸構造を有し、前記井戸層の厚さが３ｎｍよりも大きいことを特徴とする、半導体発光素子。」（以下「本願発明」という。）
　
２　刊行物記載の発明
　原査定に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−２２３７４３号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
　ア　「【請求項１】  ＧａＮからなる基板の上面に窒化物系半導体からなる発光層を形成してなる窒化物系半導体発光素子において、前記基板の上面がＣ面に対して傾斜していることを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
【請求項２】  前記基板の上面の傾斜角度が、０．０３°以上、１０°以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項３】  前記基板の上面の傾斜角度が、０．０５°以上であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体発光素子。
・・・」
　
　イ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＧａＮ等の窒化物系の半導体材料よりなる半導体レーザ、発光ダイオード等の窒化物系半導体発光素子及び窒化物半導体の成長方法に関する。」
　
　ウ　「【００２１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２２】先ず、図１に示すように、ｎ−ＧａＮからなる基板１のＣ面から所定角度θ傾斜した面上に、ＭＯＣＶＤ法によりＳｉドープのｎ−ＧａＮからなるバッファ層２を形成した。尚、この時の成長温度は１０５０℃である。その上にＳｉドープのｎ−Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎからなる厚さ０．８μｍのｎ−クラッド層３、多重量子井戸構造の活性層４、Ｍｇドープのｐ−Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎからなる厚さ０．８μｍのｐ−クラッド層５、Ｍｇドープのｐ−ＧａＮからなる厚さ０．１μｍのｐ−コンタクト層６をＭＯＣＶＤ法により順に形成し、更に、ＧａＮ基板１の下面にはｎ−電極７を形成し、ｐ−コンタクト層６上にｐ−電極８を形成することにより発光ダイオードを作成した。
【００２３】バッファ層２は厚さ１μｍ、Ｓｉドープのキャリア濃度が５×１０１８ｃｍ−３である。
【００２４】また、活性層４は、ＧａＮからなる厚さ０．１μｍの一対の光ガイド層の間に、Ｉｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎからなる厚さ６０Åの障壁層と、Ｉｎ０．１０Ｇａ０．９０Ｎからなる厚さ３０Åの井戸層とが交互に形成された多重量子井戸構造である。尚、障壁層の層数は４層、井戸層の層数は３層であり、両側の層は障壁層である。」
　
　エ　「【００２８】この図２より判るように、ＧａＮからなる基板の上面をＣ面から傾斜させ、その傾斜した上面上に形成された発光素子は、Ｃ面上に形成した発光素子（傾斜角度θ＝０°）に比べ、ｐ−コンタクト層６表面における格子欠陥密度は低下し、寿命が長くなる。尚、ｐ−コンタクト層６表面における格子欠陥密度の低下は、基板１上に形成されるバッファ層２、ｎ−クラッド層３、活性層４、ｐ−クラッド層５の結晶性が良化したためであることは明らかである。」
　
　上記摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物２には、以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されている、と認められる。
　
「ｎ−ＧａＮからなる基板１のＣ面から所定角度θ傾斜した面上に、ＭＯＣＶＤ法によりＳｉドープのｎ−ＧａＮからなるバッファ層２を形成し、その上にＳｉドープのｎ−Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎからなる厚さ０．８μｍのｎ−クラッド層３、多重量子井戸構造の活性層４、Ｍｇドープのｐ−Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎからなる厚さ０．８μｍのｐ−クラッド層５、Ｍｇドープのｐ−ＧａＮからなる厚さ０．１μｍのｐ−コンタクト層６をＭＯＣＶＤ法により順に形成し、更に、ＧａＮ基板１の下面にはｎ−電極７を形成し、ｐ−コンタクト層６上にｐ−電極８を形成することにより作成した発光ダイオードであって、
　活性層４は、ＧａＮからなる厚さ０．１μｍの一対の光ガイド層の間に、Ｉｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎからなる厚さ６０Åの障壁層と、Ｉｎ０．１０Ｇａ０．９０Ｎからなる厚さ３０Åの井戸層とが交互に形成された多重量子井戸構造である、発光ダイオード。」
　
３　対比、判断
　本願発明と引用発明２とを対比する。
　
　ア　引用発明２の「Ｓｉドープのｎ−Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎからなる厚さ０．８μｍのｎ−クラッド層３」、「Ｍｇドープのｐ−Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎからなる厚さ０．８μｍのｐ−クラッド層５」、「多重量子井戸構造の活性層４」及び「発光ダイオード」は、それぞれ、本願補正発明の「第１導電型窒化物半導体層」、「（前記第１導電型窒化物半導体層上に設けられた）第２導電型窒化物半導体層」、「（前記第１導電型窒化物半導体層と第２導電型窒化物半導体層との間に設けられており、窒化物からなる）活性層」及び「半導体発光素子」に相当する。
　
　イ　引用発明２の「発光ダイオード」は、「ｎ−ＧａＮからなる基板１のＣ面から所定角度θ傾斜した面上に、ＭＯＣＶＤ法によりＳｉドープのｎ−ＧａＮからなるバッファ層２を形成し、その上にＳｉドープのｎ−Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎからなる厚さ０．８μｍのｎ−クラッド層３、多重量子井戸構造の活性層４、Ｍｇドープのｐ−Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎからなる厚さ０．８μｍのｐ−クラッド層５・・・をＭＯＣＶＤ法により順に形成」するものであり、「多重量子井戸構造の活性層４」の「ｎ−クラッド層３」側の界面に直交する軸、及び「多重量子井戸構造の活性層４」の「ｐ−クラッド層５」側の界面に直交する軸のそれぞれと前記「多重量子井戸構造の活性層４」におけるｃ軸とのなす角度はゼロより大きいといえるから、引用発明２は、本願発明の「前記活性層の前記第１導電型窒化物半導体層側の界面に直交する軸、及び前記活性層の前記第２導電型窒化物半導体層側の界面に直交する軸のそれぞれと前記活性層におけるｃ軸とのなす角度がゼロより大きく」との事項を備える。
　
　ウ　引用発明２の「多重量子井戸構造の活性層４」は、井戸層と、該井戸層を挟んで該井戸層に電位障壁を提供するバリア層を含む量子井戸構造を有するものであるといえるから、引用発明２は、本願発明の「前記活性層が、井戸層と、該井戸層を挟んで該井戸層に電位障壁を提供するバリア層とを含む量子井戸構造を有し」との事項を備える。
　
　したがって、両者は、 
「　第１導電型窒化物半導体層と、
　前記第１導電型窒化物半導体層上に設けられた第２導電型窒化物半導体層と、
　前記第１導電型窒化物半導体層と第２導電型窒化物半導体層との間に設けられており、窒化物からなる活性層と
　を備え、
　前記活性層の前記第１導電型窒化物半導体層側の界面に直交する軸、及び前記活性層の前記第２導電型窒化物半導体層側の界面に直交する軸のそれぞれと前記活性層におけるｃ軸とのなす角度がゼロより大きく、
　前記活性層が、井戸層と、該井戸層を挟んで該井戸層に電位障壁を提供するバリア層とを含む量子井戸構造を有する、半導体発光素子。」 
である点で一致し、次の点で相違する。 
　 
　井戸層の厚さが、本願発明では、３ｎｍよりも大きいのに対し、引用発明２では、３０Å（＝３ｎｍ）である点（以下「相違点２」という。）。
　
　上記相違点２につき検討する。
　窒化物半導体基板上に、井戸層と該井戸層を挟む障壁層とからなる活性層を形成する半導体発光素子において、該井戸層の膜厚を４０Å（＝４ｎｍ）ないし７０Å（＝７ｎｍ）となすものは本願の優先日時点で周知であるから（必要なら、特開２００２−８４０３８号公報（【００３３】〜【００４０】）、特開２００３−１１５６４２号公報（【０１７５】〜【０１８８】）、特開２００４−８７９０８号公報（【００２１】〜【００２３】）、特開２００１−３３２８１７号公報（【００１４】）参照。）、引用発明２において、井戸層の厚さを４ないし７ｎｍ程度の、３ｎｍよりも大きいものとして、上記相違点２に係る本願発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明２及び周知技術から予測し得る程度のものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。