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【手続補正書】
【提出日】平成23年10月21日(2011.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者の肢閉塞圧の測定のための止血装置であって、
肢を取り巻く膨張可能な止血用のカフと、
前記カフに解除可能に接続された止血器具とを含み、
前記止血器具は、前記カフの中の圧力のレベルを示す圧力信号を発する圧力検出手段と、
前記カフに連通する圧力調整手段であって前記圧力を調整するために流体を前記カフの中へ流入させ、該カフから流出させるため、前記圧力信号に応答する圧力調整手段と、
前記カフを通過した血流の量を示す血流信号を発する血流変換手段と、
前記血流の量が最小検出閾値より低いレベルへ減少するまで前記圧力を増加させ、その後、前記カフの中へ入り、該カフから出る前記流体の流れが止められたときに前記圧力のレベルを示す肢閉塞圧値を決定するために前記流体の流れを止めるため、前記血流信号と前記圧力信号とに応答する肢閉塞圧手段とを有する、止血装置。
【請求項２】
前記肢閉塞圧手段は、前記血流の動脈拍動を検出し、該動脈拍動に同調して前記圧力を増加させる、請求項１に記載の止血装置。
【請求項３】
前記肢閉塞圧手段は、前記圧力を選択された動脈拍動に同調して第１レベルから前記動脈拍動のときに前記圧力信号により示された圧力のレベルと増加圧力レベルとの和に等しい第２レベルへ増加させる、請求項２に記載の止血装置。
【請求項４】
前記血流変換手段は、前記カフに対して末梢側に位置する前記肢の一部に取り付けられ、前記血流信号は、前記カフを通過して前記肢の一部へ流れた血流の量を示す、請求項１に記載の止血装置。
【請求項５】
前記圧力のレベルが零に近いときに前記血流信号の質が、予め決められた最低限の質より低い場合、操作者により知覚される表示をする血流質手段を有する、請求項４に記載の止血装置。
【請求項６】
前記圧力のレベルが零に近いときに前記血流の量が、予め決められた最低レベルより少ない場合、操作者により知覚される表示をする血流質手段を有する、請求項４に記載の止血装置。
【請求項７】
前記血流変換手段は、前記カフに対して末梢側に位置する前記肢の一部に取り付けられ、前記血流信号は前記肢の一部の中の血流の量を示し、前記肢閉塞圧手段は前記血流の動脈拍動を検出し、
前記圧力のレベルが零に近いときに前記動脈拍動の大きさが、予め決められた最小レベルより大きくない場合、操作者により知覚される表示をする血流質手段を有する、請求項１に記載の止血装置。
【請求項８】
前記基準圧力レベルが零に近いときに前記血流の量が、予め決められた血流質レベルより少ない場合、操作者により知覚される表示をする血流質手段を有する、請求項１に記載の止血装置。
【請求項９】
前記肢閉塞圧手段は前記血流の動脈拍動を検出し、前記血流質手段は、前記動脈拍動の大きさが前記血流質レベルより大きくない場合、操作者により知覚される表示をする、請求項８に記載の止血装置。
【請求項１０】
前記血流の量が少なくとも前記血流質レベルと等しい場合に前記操作者が前記肢閉塞圧手段の操作を開始することを可能にするオペレーターキー手段を有する、請求項８に記載の止血装置。
【請求項１１】
前記オペレーターキー手段は、前記血流の量が前記血流質レベルより少ない場合に前記操作者が前記肢閉塞圧手段の操作を開始することを防止する、請求項１０に記載の止血装置。
【請求項１２】
膨張可能かつ収縮可能なカフが取り付けられた肢の肢閉塞圧に基づいて患者のために推奨止血圧力値を決定する方法であって、
前記カフを膨張させ、加圧するために流体を前記カフのポートから該カフの中へ流入させつつ、前記カフを通過した動脈血流が止められたことを判断するために前記肢の中の血流の量を監視すること、
前記動脈血流が止められたときに前記カフの膨張及び収縮を防止しつつ、初期肢閉塞圧レベルを設定するために前記カフの中の圧力を測定すること、
前記初期肢閉塞圧レベルと安全値との和として推奨止血圧力値を算出することを含む、推奨止血圧力値の決定方法。
【請求項１３】
前記患者の生理的変化に基づいて前記初期肢閉塞圧レベルと前記安全値とを更新することを含む、請求項１２に記載の推奨止血圧力値の決定方法。
【請求項１４】
前記血流の量の監視は、前記肢の一部に血流変換器を取り付けること、予め決められた最少量の血液が前記肢の一部の中で流れているときの信号と、流れていないときの信号とを発する計器を前記血流変換器に取り付けることを含む、請求項１２に記載の推奨止血圧力値の決定方法。
【請求項１５】
制御器により開始され、
前記推奨止血圧力値の決定を開始するために前記制御器に信号を送るキーを前記血流変換器に取り付けることを含む、請求項１４に記載の推奨止血圧力値の決定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月7日(2011.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
ダサニ（Ｄａｓａｎｉ）TMブランドの無炭酸ラズベリーフレーバー水の８つのボトルを、５コロニー形成単位（ＣＦＵ）／ボトルの標的レベルで、酵母サッカロミセスセレビシエでスパイクした。ボトルに１〜８のラベルを付けた。２つのボトルをスパイクせずに置いておいた。これらにＹ１およびＹ２のラベルを付けた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
【表４】
2011502536.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
スパイクした４４時間富化サンプル（ボトル５〜８）の全ては陽性であり、そしてスパイクしていない（ブランク；Ｙ１およびＹ２））は陰性であった。バックスシステム（ＢＡＸ  Ｓｙｓｔｅｍ）TM酵母およびカビアッセイは、４４時間の富化後、大容量の濾過可能な液体中の低レベルの真菌を検出し得る。この結果は、参照手順を利用して得たものに匹敵する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
【表５】
2011502536.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真菌細胞の核酸を分析試験するために該真菌細胞を含むサンプルを調製する方法であり、該方法は、以下：
（ｉ）濾過可能な液体の形態の該サンプルを調製する工程；
（ii）該濾過可能な液体を、濾過媒体を使用して濾過する工程、ここで該サンプル由来の該真菌細胞は該濾過媒体上に保持物を形成する；
（iii）該濾過媒体を、機械的手段により該濾過媒体および該真菌細胞を破砕するのに適切な容器に移す工程；
（iv）該真菌細胞および該濾過媒体を、該濾過媒体を微細粒子に破砕するのに十分な力
を有する機械的手段を使用して、同時に破砕する工程；を含み、
ここで、該サンプルの該真菌細胞の核酸は、該破砕濾過媒体の該微細粒子を事前に除去することなく、分析試験するのに適する、方法。
【請求項２】
真菌細胞が、酵母またはカビ細胞である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
サンプルが、食品または飲料サンプルである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
濾過媒体が、ガラスマイクロファイバーフィルターである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ガラスマイクロファイバーフィルターが、１．６μｍの公称孔径を有するワットマン  ＧＦ／Ａガラスマクロファイバーフィルターである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
容器が、試験管または微小遠心管である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
工程（iv）における機械的手段が、ビーズ破砕である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
分析試験が、核酸のＰＣＲ増幅を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
分析試験が、ＰＣＲ増幅の産物の融解曲線分析を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
真菌細胞を増殖させるために、前記サンプルを富化する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法であり、該富化は、ａ）請求項１の工程（ii）における、前記濾過可能な液体の前記濾過の前；ｂ）請求項１の工程（ii）における、該濾過可能な液体の該濾過後であるが、請求項１の工程（iv）における、該真菌細胞の前記破砕の前；またはｃ）請求項１の工程（ii）における、該濾過可能な液体の該濾過の前、および請求項１の工程（ii）における該濾過可能な液体の該濾過後であるが、請求項１の工程（iv）における、該真菌細胞および該濾過媒体の該破砕の前の両方、のいずれかで行なわれる、方法。
【請求項１１】
同時破砕が、以下：
（ｉ）前記破砕容器中に破砕ビーズおよび液体を備え；そして
（ii）前記フィルターを懸濁ファイバーに破砕するのに十分な期間、前記破砕容器の内容物がビーズミルの力を受けることにより達成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
濾過が、真空濾過を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
真菌細胞の核酸から生産されたＰＣＲ増幅産物の融解曲線分析のために、該真菌細胞を含む食品または飲料サンプルを調製する方法であり、該方法は、以下：
ａ．濾過可能な液体の形態の該サンプルを調製する工程；
ｂ．該濾過可能な液体を、ワットマン  ＧＦ／Ｆ  ２５ｍｍガラスマイクロファイバーフィルターに通す真空濾過を使用して濾過する工程、ここで該サンプル由来の該真菌細胞は該フィルター上に保持物を形成する；
ｃ．該フィルターを、ビーズ破砕を使用して該フィルターおよび該真菌細胞を破砕するのに適した容器に移す工程；
ｄ．該真菌細胞および該フィルターを、ミニ−１  バイオスペックまたはミニ−９６  バイオスペック破砕機を使用して該フィルターを個々の懸濁ガラスファイバーに破砕するのに十分な期間および力で該容器をビーズ破砕することにより、同時に破砕する工程；を含み、
ここで、該サンプルの該真菌細胞の核酸内容物は、該懸濁ガラスファイバーを事前に除去することなく、直接ＰＣＲ分析するのに適する、方法。
【請求項１４】
真菌細胞を増殖させるために、前記サンプルを富化する工程をさらに含む、請求項１３に記載の方法であり、該富化は、ａ）請求項１３の工程ｂにおける、前記濾過可能な液体の前記濾過の前；ｂ）請求項１３の工程ｂにおける、該濾過可能な液体の該濾過後であるが、請求項１３の工程ｄにおける、該真菌細胞の前記破砕の前；またはｃ）請求項１３の工程ｂにおける、該濾過可能な液体の該濾過の前、および請求項１３の工程ｂにおける該濾過可能な液体の該濾過後であるが、請求項１３の工程ｄにおける、該真菌細胞および該濾過媒体の該破砕の前の両方、のいずれかで行なわれる、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月27日(2011.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、主要エラストマーとしての熱可塑性スチレン(TPS)エラストマー、200phrよりも多い増量剤オイル、および20phrよりも多いガラス転移温度(Tg)が0℃よりも高い炭化水素樹脂を含む、セルフシーリング組成物としてのエラストマー組成物を含むパンク防止層を備えるインフレータブル物品。
【請求項２】
前記TPSエラストマーが、スチレン/ブタジエン/スチレン(SBS)、スチレン/イソプレン/スチレン(SIS)、スチレン/ブタジエン/イソプレン/スチレン(SBIS)、スチレン/イソブチレン/スチレン(SIBS)、スチレン/エチレン‐ブチレン/スチレン(SEBS)、スチレン/エチレン‐プロピレン/スチレン(SEPS)およびスチレン/エチレン‐エチレン‐プロピレン/スチレン (SEEPS)の各ブロックコポリマー並びにこれらコポリマーのブレンドからなる群から選ばれる、請求項１記載の物品。
【請求項３】
前記TPSエラストマーが、SEBSコポリマー、SEPSコポリマーおよびこれらのコポリマーのブレンドによって形成される群から選ばれる、請求項２記載の物品。
【請求項４】
前記TPSエラストマーが、5質量％と50質量%の間のスチレンを含む、請求項１〜３のいずれか１項記載の物品。
【請求項５】
前記TPSエラストマーのガラス転移温度(Tg)が、−20℃よりも低い、請求項１〜４のいずれか１項記載の物品。
【請求項６】
前記TPSエラストマーの数平均分子量(Mn)が、50000〜500000g/モルである、請求項１〜５のいずれか１項記載の物品。
【請求項７】
前記増量剤オイルが、ポリオレフィンオイル、パラフィン系オイル、ナフテン系オイル、芳香族オイル、鉱油およびこれらのオイル類の混合物によって形成される群から選ばれる、請求項１〜６のいずれか１項記載の物品。
【請求項８】
前記増量剤オイルが、ポリブテン、パラフィン系オイルおよびこれらのオイル類の混合物から形成される群から選ばれる、請求項７記載の物品。
【請求項９】
前記炭化水素樹脂の含有量が、20phrと200phrの間である、請求項１〜８のいずれか１項記載の物品。
【請求項１０】
前記炭化水素樹脂が、＋20℃よりも高いTgを有する、請求項１〜９のいずれか１項記載の物品。
【請求項１１】
前記炭化水素樹脂の数平均分子量(Mn)が、400g/モルと2000g/モルの間である、請求項１〜１０のいずれか１項記載の物品。
【請求項１２】
前記炭化水素樹脂が、シクロペンタジエン(CPD)またはジシクロペンタジエン(DCPD)のホモポリマーまたはコポリマー樹脂、テルペンのホモポリマーまたはコポリマー樹脂、C5留分のホモポリマーまたはコポリマー樹脂およびこれらの樹脂のブレンドによって形成される群から選ばれる、請求項１〜１１のいずれか１項記載の物品。
【請求項１３】
前記インフレータブル物品が、空気式タイヤである、請求項１〜１２のいずれか１項記載の物品。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月7日(2011.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
取り付けリム（２０）に取り付けられるよう構成されたタイヤ（１１〜１４）の製造方法であって、
前記タイヤが、
各々が環状補強構造体（４０）及び前記取り付けリムに接触するように構成されている受座（５０）を備えた２つのビード（３０）と、
トレッドを備えたクラウン（６０）と、
各々が前記ビードと前記クラウンとの間に延びる２つのサイドウォール（７０）と、
一方のビードから他方のビードまで延びると共に各ビード内で前記環状補強構造体（４０）に繋留されたカーカス補強アーマチュア（８０）と、
前記カーカス補強アーマチュアの内側に半径方向に被着されたメンブレン（９０）と、を有し、
前記メンブレンが、
（ａ）各ビード内で前記環状補強構造体に繋留されたメンブレン補強アーマチュア（９１，９２）を有し、前記メンブレン補強アーマチュアは、実質的に半径方向に差し向けられ、即ち、円周方向に対して６５°以上且つ９０°以下の角度をなす補強要素の層（９１）を含む前記メンブレン補強アーマチュアと、
（ｂ）配合ゴムの気密層（９４）と、を有し、
前記メンブレンは、前記メンブレンの一部が前記カーカス補強アーマチュアの一部と一緒になって、横方向且つ円周方向に延びるチャンバ（１００）を画定するよう構成され、前記チャンバは、前記カーカス補強アーマチュアの内側に半径方向に位置すると共に大部分前記クラウンの下に位置し、前記チャンバは、少なくとも１種類の流体で満たされ、
任意の半径方向断面で見て、前記メンブレンによって画定された前記チャンバの表面のトレースの湾曲長さＬｍは、前記カーカス補強アーマチュアによって画定された前記チャンバの表面のトレースの湾曲長さＬｃよりも大きく（Ｌｍ＞Ｌｃ）、
前記カーカス補強アーマチュア（８０）は、カーカス補強要素を含み、前記メンブレン補強アーマチュアは、メンブレン補強要素を含み、前記タイヤの製造に先立って、カーカス補強要素の高温縮み代ＣＣCは、前記メンブレン補強要素の高温縮み代ＣＣMよりも大きい、製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月3日(2011.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記領域（３３、３４）の第１副領域（３３１、３３３；３４１、３４３）及び、前記第１副領域に近く配置される、前記領域（３３、３４）の第２領域（３３２、３３４；３４２、３４４）では、それぞれの前記マイクロイメージグリッド及び／又は前記マイクロレンズグリッドは、前記座標軸Ｙ１及びＹ２のそれぞれに関して互いに対して位相変位しており、
前記領域の第１副領域と、前記第１副領域に近く配置された、前記領域の第２副領域では、座標軸Ｙ１及びＹ２及び／又はＸ１及びＸ２のそれぞれは異なる角度を含んでいる及び／又は前記領域の第１副領域と、前記第１副領域に近く配置された、前記領域の第２副領域では、円筒レンズは異なる焦点距離を有することを特徴とする、請求項１から請求項１２までのいずれか１項に記載の多層体（１）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
薄膜体１１は、２つの層１３及び１４と、接着層１２と、を具備している。層１３はマイクロイメージ層であって、このマイクロイメージ層は、多層構成ともし得るものであり、かつ、マイクロスコーピックな構造がマイクロイメージの形態で設けられているマイクロイメージ層である。層１４は、スペーサー層１５と、マイクロレンズ層１６と、によって形成されている。マイクロレンズ層１６は、２ｍｍ〜１００ｍｍの長さ、１０μｍ〜４００μｍの幅、及び２μｍ〜１００μｍの構造深さの円筒レンズの形態をした多層のマイクロレンズを具備している。スペーサー層１２は、マイクロレンズ層１６のマイクロレンズの焦点距離に略（±１０％）相当する厚さｄからなる。マイクロレンズ層１６と、スペーサー層１５と、は、同一材料から形成されるか又は少なくとも同一屈折率を有することが好ましい。マイクロレンズ層１６は、例えば、凹刻印刷によって、スペーサー層１５に貼付し得る。マイクロレンズ層１６は、しかしながら、例えば、ホットエンボッシングによって、スペーサー層１５にも形成し得る。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月18日(2011.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）パターン化シリコーン娘型を提供するステップと、
ｂ）前記娘型のパターン化表面上に延性金属層を１０〜１００ナノメートルの厚さに堆積させるステップと、
ｃ）前記娘型のパターン化表面上に金属ニッケル層を０．２〜５ミリメートルの厚さに堆積させるステップと、
ｄ）所望によりステップｃ）の物品を基材に固定するステップと、
ｅ）パターン化表面を有する堆積ニッケル層を、前記パターン化表面がその表面上に延性金属層を有した状態で分離することにより、サブマスター型を作製するステップと
を含む成形型複製方法。
【請求項２】
前記延性金属層が、１０ナノメートルより小さい平均表面粗さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
延性金属が少なくとも５０％の破断点伸びを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
延性金属が２５キログラム重毎平方ミリメートル（kgf/mm2）以下のビッカース硬さを有する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
延性金属が金、銀、錫又はインジウムから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記サブマスター表面のパターン要素が、１００ナノメートル〜１５，０００マイクロメートルの横断面であり、１０ナノメートル〜１５，０００マイクロメートルの反復距離を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
パターン化シリコーン娘型が、マスター型から調製された第１世代娘型である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１世代娘型が、
ｉ．その表面上に雄パターンを有するマスター型を提供するステップと、
ｉｉ．マスター型を硬化性シリコーンと接触させ硬化させるステップと、
ｉｉｉ．その表面上に雌パターンを有する、硬化したシリコーン型を取り外すステップと、
ｉｖ．雌パターン化表面上に、先ず延性金属層を堆積させるステップと、
ｖ．続いて延性金属層を有する雌パターン化表面上に、金属ニッケル層を電気めっきするステップと、
ｖｉ．所望によりステップｖの物品を基材に固定するステップと、
ｖｉｉ．雄パターン化表面を有する電気めっきされたニッケル層を、前記パターン化表面がその表面上に延性金属層を有した状態で前記シリコーンから分離して、第１世代娘型を作製するステップと
によって調製される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
パターン化シリコーン娘型が第１世代シリコーン娘型から調製された第２世代娘型であって、第１世代シリコーン娘型がマスター型から調製されたものである、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２世代娘型が、
ａ）その表面上に雄パターンを有するマスター型を提供するステップと、
ｂ）マスター型に硬化性シリコーンを接触させ硬化させるステップと、
ｃ）その表面上に雌パターンを有する、硬化したシリコーン型を取り外すステップと、
ｄ）その表面上に雌パターンを有する硬化したシリコーン型に硬化性シリコーンを接触させるステップと、
ｅ）その表面上に雄パターンを有する、硬化したシリコーン型を取り外すステップと、
ｆ）雄パターン化表面上に、先ず延性金属層を堆積させるステップと、
ｇ）次いで雄パターン化表面上に金属ニッケル層を堆積させるステップと、
ｈ）所望により前記ステップｇ）の物品を基材に固定するステップと、
ｉ）雄パターン化表面を有する電気めっきされたニッケル層を、前記パターン化表面がその表面上に延性金属層を有した状態で分離して、第２世代娘型を作製するステップと
によって第２世代娘型が調製される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
ａ）請求項１に記載のサブマスター型を提供するステップと、
ｂ）サブマスター型に硬化性シリコーンを接触させ硬化させるステップと、
ｃ）その表面上にパターンを有する、硬化したシリコーン型を取り外して、第２世代の娘型を作製するステップと、
ｄ）所望によりステップｂ〜ｃを繰り返すステップと
を含む複製方法。
【請求項１２】
そのパターン化表面上に延性金属層を有し、延性金属層が１０ｎｍ超〜１００ｎｍ未満の厚さを有するニッケルサブマスター型。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月28日(2011.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流動性材料用のディスペンシングバルブを製造する方法であって、
バルブ部材を形成するため、一方側の第１の金型部材、および、比較的可動性のある破裂部材を含むもう一方側の第２の可動金型部材によって部分的に画定された金型空洞に高温の流動性ポリオレフィン材料を射出するステップと、
厚さが減少した１本以上の第１の線を画定するバルブ部材の、前記第２の金型部材によって画定された前記表面に１個以上の第１の細長い窪み部を形成するステップと、
前記ポリオレフィン材料が４０℃〜７０℃の温度まで冷えて硬化することを可能にするステップと、
ギャップを作り出すため、前記第１の金型部材と相対的に前記第２の金型部材を移動させるステップと、
前記破裂部材を引き延ばし、前記破裂部材の厚さを減少させ、その後に、前記厚さが減少した第１の線に沿って前記破裂部材を破裂させ、それによって、前記バルブ部材と一体的であるバルブフラップを作るために、前記破裂部材を前記バルブ部材に対して進めるステップと、
前記バルブ部材を取り出すステップと、
を備える方法。
【請求項２】
前記厚さが減少した１本以上の線が仮想的な線に沿って前記バルブ部材の残りの部分に一体的に連結された細長い領域を画定し、
前記仮想的な線に沿って厚さが減少した第２の線を形成するため、前記仮想的な線に沿って前記第１の細長い窪み部より小さい深さを有する第２の細長い窪み部を形成するステップを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
複数の細長い領域を画定するため複数の第１の細長い窪み部を形成するステップと、
それぞれの破裂部材を前記第１の細長い窪み部に沿って破裂させるため、それぞれの破裂部材を各細長い領域に対して移動させるステップと、
を含む、
請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
十字架形状に配置された４個の細長い領域が形成され、
各細長い領域の外端部に厚さが減少した第２の線を形成するステップを含む、
請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ポリオレフィン材料が１０分当たり１０〜４５ｇの溶融流動指数を有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記（複数の）バルブフラップを画定する不連続部または各不連続部の端部の間に延在する線によって構成された一体型ヒンジの曲げ弾性率が２００〜１４００である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記金型空洞が、前記バルブ部材を構成し、使用中に、流動性材料用の容器の分配開口部に広がり、前記容器への連結のための周辺スカート部が一体化されている閉鎖プレートを備えるワンピース容器閉鎖部を形成するように成形される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月4日(2011.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハイブリッド電気自動車に備えられる動力伝達機構であって，
前記動力伝達機構は，
エンジン（２１０），
第１の軸方向磁束電気装置（２２０），
第２の軸方向磁束電気装置（２３０），
前記第１の軸方向磁束電気装置（２２０）のロータと前記第２の軸方向磁束電気装置（２３０）のロータの間に回転動力を伝達するために，それらの間を相互に係合させるための，選択的に操作可能な相互係合手段（２２５），及び,
前記動力伝達機構からの回転動力を伝達する出力ドライブシャフト（２６０）を含み，
前記第１の軸方向磁束電気装置（２２０）は，ジェネレータとして機能し，前記第２の軸方向磁束電気装置（２３０）に電力を供給するために，前記エンジン（２１０）によって駆動させられるように配置され，
前記第２の軸方向磁束電気装置（２３０）は，前記出力ドライブシャフト（２６０）を駆動させるためのモータとして機能して機能するために，電力を受け取るように配置され，
前記エンジン（２１０），前記第１の軸方向磁束電気装置（２２０），前記相互係合手段（２２５），及び前記第２の軸方向磁束電気装置（２３０）の各出力シャフトは，前記出力ドライブシャフト（２６０）と同軸であることを特徴とする，
動力伝達機構。
【請求項２】
前記相互係合手段（２２５）は，前記２つのロータの間を機械的に連動させるための，選択的に操作可能な機械的連動装置である
請求項１に記載の動力伝達機構。
【請求項３】
前記相互係合手段（２２５）は，前記２つのロータ間を電気的に連動させるための，選択的に操作可能な手段である
請求項１に記載の動力伝達機構。
【請求項４】
前記相互係合手段（２２５）は，クラッチである
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の動力伝達機構。
【請求項５】
前記クラッチは，回転力を伝達するために，電磁気力を利用する
請求項４に記載の動力伝達機構。
【請求項６】
前記第１の軸方向磁束電気装置（２２０）は，ギアボックスなしで，前記エンジン（２１０）と結合している
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の動力伝達機構。
【請求項７】
前記第２の軸方向磁束電気装置（２３０）は，ギアボックスなしで，前記出力ドライブシャフト（２６０）と結合している
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の動力伝達機構。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の動力伝達機構を含む
ハイブリッド電気自動車。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月25日(2011.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明は上記の課題のうちの１つまたは２つ以上を解消することを目的とする。簡単に要約すると、本発明の一側面によれば、インクジェット記録要素は、支持体および下記のインク受容性層：
（ａ）アニオン性ヒュームドシリカの粒子と、ホウ素含有化合物を含む架橋剤により架橋された一次バインダーとして親水性ヒドロキシル含有ポリマーとを含む多孔質ベース層であって、当該多孔質ベース層の乾燥質量は１０〜３５ｇ／ｍ2であり、当該多孔質ベース層中の全固形分に対するバインダーの質量百分率は５．０％よりも高く、かつ、１５．０％未満である多孔質ベース層；および
（ｂ）任意選択的に、前記多孔質ベース層の上方の、アニオン性コロイドシリカの粒子および親水性バインダーを含み、０．２〜７．５ｇ／ｍ2の乾量を有する最上部の多孔質光沢層；
を有し、
アニオン性ヒュームドシリカの粒子およびアニオン性コロイドシリカの粒子が−１５ミリボルト未満のゼータ電位を示し、
当該インクジェット記録要素中のインク受容性層は、支持体および任意選択的な下引き層の上の、多孔質ベース層のみからなるか、あるいは多孔質ベース層と最上部多孔質光沢層からなる１つまたは２つの多孔質層からなる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
本発明の別の側面は、（ａ）デジタルデータ信号に応答するインクジェットプリンターを用意する工程、（ｂ）前記インクジェットプリンターに上記インクジェット記録要素を装填する工程、（ｃ）前記インクジェットプリンターに顔料系インクジェットインク組成物を装填する工程；および（ｄ）前記デジタルデータ信号に応答して、インクジェットインク組成物を使用してインクジェット記録要素上に印刷する工程を含む、インクジェット印刷方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクジェット記録要素であって、支持体および下記のインク受容性層：
（ａ）アニオン性ヒュームドシリカの粒子と、ホウ素含有化合物を含む架橋剤により架橋された一次バインダーとして親水性ヒドロキシル含有ポリマーとを含む多孔質ベース層であって、当該多孔質ベース層の乾量は１０〜３５ｇ／ｍ2であり、当該多孔質ベース層中の全固形分に対する全バインダーの質量百分率は５．０％よりも高く、かつ、１５．０％未満である多孔質ベース層；および
（ｂ）任意選択的に、前記多孔質ベース層の上方の、アニオン性コロイドシリカの粒子および親水性バインダーを含み、０．２〜７．５ｇ／ｍ2 の乾量を有する最上部の多孔質光沢層；
を有し、
アニオン性ヒュームドシリカの粒子およびアニオン性コロイドシリカの粒子が−１５ミリボルト未満のゼータ電位を示し、
当該インクジェット記録要素中のインク受容性層は、支持体および任意選択的な下引き層の上の、多孔質ベース層のみからなるか、あるいは多孔質ベース層と最上部多孔質光沢層からなる１つまたは２つの多孔質層からなる、インクジェット記録要素。
【請求項２】
前記多孔質ベース層が１２質量％未満のバインダーを含む、請求項１に記載のインクジェット記録要素。
【請求項３】
（Ａ）デジタルデータ信号に応答するインクジェットプリンターを用意する工程、
（Ｂ）前記インクジェットプリンターに請求項１又は２に記載のインクジェット記録要素を装填する工程、
（Ｃ）前記インクジェットプリンターに顔料系インクジェットインク組成物を装填する工程；および
（Ｄ）前記デジタルデータ信号に応答して、インクジェットインク組成物を使用してインクジェット記録要素上に印刷する工程、
を含む、インクジェット印刷方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載のインクジェット記録要素と、少なくとも３つの着色インク組成物を含む顔料系インクジェットインクセットとを含むパッケージされた製品。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年8月3日(2011.8.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項３】
負荷ポイント上昇は、積極的な走行要求の際のみ、実施され、
内燃エンジンが燃料遮断状態である時には、負荷ポイント上昇は行われない
ことを特徴とする請求項２に記載の、並列タイプのハイブリッド自動車において、ハイブリッド運転時の負荷ポイントをシフトするための方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
本発明の有利な実施の形態では、内燃エンジンの負荷ポイント上昇は、積極的な走行要求の際のみ、すなわち、自動車加速の方向でのみ、実施され得る。内燃エンジンが燃料遮断状態（Schubabschaltung）である時には、負荷ポイント上昇は行われない。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月18日(2011.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スズとコバルトと炭素との合金を含む活性材料を含み、
炭素量が全活性材料の９．９重量パーセント（ｗｔ％）未満かつ１ｗｔ％超である、電極組成物。
【請求項２】
スズとコバルトと炭素との合金を含む活性材料と、
フッ素非含有結合剤若しくは芳香族の結合剤、又はこれらの組み合わせと、を含み、
活性材料が、１０ｗｔ％〜３０ｗｔ％の炭素を含み、かつスズ及び炭素の合計重量に対するコバルトの重量比が０．３〜０．７である、電極組成物。
【請求項３】
スズとコバルトと鉄と炭素との合金を含み、鉄の量が活性材料総量の５．９ｗｔ％超である活性材料を含む、電極組成物。
【請求項４】
正極と、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物を含む負極と、
電解質と、を含む電気化学電池。
【請求項５】
粉末炭素、粉末コバルト、及びコバルトとスズとを含有する粉末合金を含む、複数の成分を共にミリングすることを含み、
粉末合金がＣｏＳｎ２を含む、合金の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月13日(2011.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステレオスコピックコンテンツを構成する第１基本符号化ストリームおよび第２基本符号化ストリームの参照情報の入力を受けるステップと、
前記参照情報を保存するための参照情報領域を含むファイル構造に前記参照情報を保存するステップと、
を含むことを特徴とするステレオスコピックコンテンツの保存方法。
【請求項２】
前記ファイル構造が、
前記第１基本符号化ストリームおよび前記第２基本符号化ストリームを保存するためのコンテンツ領域をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のステレオスコピックコンテンツの保存方法。
【請求項３】
前記ファイル構造が、
ＩＳＯベースメディアファイルフォーマットに基づいた構造であることを特徴とする請求項１に記載のステレオスコピックコンテンツの保存方法。
【請求項４】
前記参照情報が、
前記第１基本符号化ストリームおよび前記第２基本符号化ストリームの参照関係を定義する関係性情報を含むことを特徴とする請求項１に記載のステレオスコピックコンテンツの保存方法。
【請求項５】
前記第１基本符号化ストリームおよび前記第２基本符号化ストリームが、モノスコピック区間を備え、
前記参照情報が、
前記モノスコピック区間をディスプレイする時、前記第１基本符号化ストリームおよび前記第２基本符号化ストリームのうちディスプレイする基本符号化ストリームを定義する情報を含むことを特徴とする請求項１に記載のステレオスコピックコンテンツの保存方法。
【請求項６】
前記ステレオスコピックコンテンツが、左右のビューシーケンス（left/right view sequence）で構成され、
前記左のビューシーケンスが、前記第１基本符号化ストリームを構成し、
前記右のビューシーケンスが、前記第２基本符号化ストリームを構成することを特徴とする請求項１に記載のステレオスコピックコンテンツの保存方法。
【請求項７】
前記ステレオスコピックコンテンツの区間情報を含むステレオスコピックビデオメディア情報の入力を受けるステップと、
前記ステレオスコピックビデオメディア情報を保存するためのビデオメディア情報領域をさらに含むファイル構造に前記ステレオスコピックビデオメディア情報を保存するステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のステレオスコピックコンテンツの保存方法。
【請求項８】
前記ステレオスコピックコンテンツに対するステレオスコピックカメラおよびディスプレイ情報の入力を受けるステップと、
前記ステレオスコピックカメラおよびディスプレイ情報を保存するためのカメラおよびディスプレイ情報領域をさらに含む前記ファイル構造に前記ステレオスコピックカメラおよびディスプレイ情報を保存するステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のステレオスコピックコンテンツの保存方法。
【請求項９】
前記ステレオスコピックカメラおよびディスプレイ情報が、
ステレオスコピック区間に対するカメラおよびディスプレイ情報を提供するステレオスコピック区間の個数、前記ステレオスコピック区間を識別するためのアイテムＩＤ、前記アイテムＩＤの参照可否に対する情報のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項８に記載のステレオスコピックコンテンツの保存方法。
【請求項１０】
前記第１基本符号化ストリームおよび第２基本符号化ストリームのうち予め設定されたストリームにリンクされるビデオ関連ノードを備える前記ステレオスコピックコンテンツに対するシーン記述情報を前記ファイル構造に保存するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のステレオスコピックコンテンツの保存方法。
【請求項１１】
前記ビデオ関連ノードが、前記予め設定されたストリームに対応するＩＤまたはメディアストリームにリンクされることを特徴とする請求項１０に記載のステレオスコピックコンテンツの保存方法。
【請求項１２】
ステレオスコピックコンテンツを保存するファイルフォーマット構造であって、
前記ステレオスコピックコンテンツの符号化ストリームを保存するメディアデータボックスと、
前記ステレオスコピックコンテンツが２個以上の基本符号化ストリームを有する場合、前記基本符号化ストリームを主要トラックおよび付加トラックに区分する情報を保存するトラック参照ボックスと、
を備えることを特徴とするファイルフォーマット構造。
【請求項１３】
ＡＶＣ  ＳＥＩに基づいてステレオスコピックコンテンツを保存する方法であって、
ＡＶＣに基づいて符号化されたステレオスコピックコンテンツを保存するステップを含み、
「ｓｔｅｒｅｏ  ｖｉｄｅｏ  ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ  ＳＥＩ」が、ステレオスコピック映像構成が「ｓｉｄｅ  ｂｙ  ｓｉｄｅ」タイプであることを示す情報を含むことを特徴とする方法。
【請求項１４】
「ｒｅｓｅｒｖｅｄ＿ｓｅｉ＿ｍｅｓｓａｇｅ」に基づいて前記ステレオスコピックコンテンツの各ストリームに要求されるカメラパラメータおよびディスプレイ情報を保存するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ステレオスコピックカメラおよびディスプレイ情報が、
ディスプレイパラメータの存在可否に対する情報、カメラパラメータの存在可否に対する情報、カメラ移動情報、レンズからイメージ面までの距離情報、ベースラインから収束点までの距離情報またはカメラの配列情報のうち何れか１つ以上を含み、
左右の映像間の最大視差または最小視差情報を含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月24日(2011.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスの製作に好適なウエハの表面改質に有用な作動液であって、該作動液が遊離研磨粒子を実質的に含まない初期構成成分の水溶液であって、該構成成分が、
ａ．水と、
ｂ．最大約１５０００Ｄａ（２．４９Ｅ−２０ｇ）の平均重量平均分子量を示す高分子電解質と、
ｃ．界面活性剤とを含み、
前記作動液が３〜７のｐＨを示す、作動液。
【請求項２】
錯化剤を更に含み、前記錯化剤が、アミノ酸又はアミノ酸から形成されたジペプチドの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の作動液。
【請求項３】
前記アミノ酸が、アラニン、プロリン、グリシン、ヒスチジン、リジン、アルギニン、オルニチン、システイン、チロシン、及びこれらの組み合わせから選択される、請求項２に記載の作動液。
【請求項４】
前記アミノ酸が、Ｌ−プロリンである、請求項３に記載の作動液。
【請求項５】
前記界面活性剤が、少なくとも８の親水性親油性比（ＨＬＢ）を示す非イオン性界面活性剤である、請求項１に記載の作動液。
【請求項６】
前記非イオン性界面活性剤が、アセチレン第１級アルコールエトキシレート、アセチレン第１級ジアルコールエトキシレート、フルオロ脂肪族高分子エステル、及びそれらの混合物から選択される、請求項５に記載の作動液。
【請求項７】
前記高分子電解質が、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸の塩、ポリメタクリルの塩、及びその混合物からなる群より選択される、請求項１に記載の作動液。
【請求項８】
半導体デバイスの製作に好適なウエハ表面を研磨するプロセスであって、
ａ．ウエハの少なくとも一部分の上に配置されたバリア材料、及び該バリア材料の少なくとも一部分の上に配置された誘電体材料を含むウエハを提供する工程と、
ｂ．３〜７のｐＨを示し、水、最大約１５０００Ｄａ（２．４９Ｅ−２０ｇ）の平均重量平均分子量を示す高分子電解質、及び界面活性剤を含み、遊離研磨粒子を実質的に含まない水性作動液の存在下で、前記ウエハの誘電性材料を、結合剤内に固定及び分散させた複数の研磨粒子を含む３次元研磨複合材料であって、研磨物品に固定した複数の該３次元研磨複合材料と接触させる工程と、
ｃ．ウエハの露出面が平面になり、かつ誘電性材料の少なくとも１つの露出領域及びバリア材料の少なくとも１つの露出領域を備えるようになるまで、前記誘電性材料を前記複数の研磨複合材料に接触させながら、前記ウエハと前記研磨物品との間に相対的運動を提供する工程と、を含むプロセス。
【請求項９】
前記バリア材料が、窒化ケイ素を含み、前記誘電体材料が、酸化ケイ素を含む、請求項８に記載のプロセス。
【請求項１０】
前記研磨が、少なくとも約１０の、窒化ケイ素に対する二酸化ケイ素の選択比を有する、請求項９に記載のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月31日(2010.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板のダイナミック・ランダム・メモリ領域（ＤＲＡＭ）内にトレンチ分離構造を形成し、
前記トレンチ分離構造の上に、前記トレンチ分離構造の一部分を露出するようにエッチング・マスクをパターニングし、
前記露出したトレンチ分離構造の一部分を除去してその中にゲート・トレンチを形成することを含み、前記ゲート・トレンチは、前記半導体基板によって形成された第１の角部と、前記トレンチ分離構造によって形成された第２の角部とを含み、さらに、
前記エッチ・マスクをＤＲＡＭ領域から除去し、
前記ゲート・トレンチの少なくとも第１の角部に丸みをつけ、
前記ゲート・トレンチの側壁の上、前記第１の丸みをつけた角部の上、および前記ゲート・トレンチに隣接する前記半導体基板の上に酸化物層を形成し、そして、
前記トレンチをゲート材料で充填する、半導体デバイスを製造する方法。
【請求項２】
前記第１の角部に丸みをつけることが、約２００から約５００ワットまでの電力、および約１５０から約３５０ミリトールまでの範囲にある圧力で、約１００ｓｃｃｍから約３００ｓｃｃｍで流されるガスを使用することを含むスパッタ・プロセスを用いることを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項３】
酸化物層を形成することが、前記側壁の表面、前記第１の丸みをつけた角部、および前記半導体基板から酸化物層を成長させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記酸化物層が、約２ｎｍから約３ｎｍの範囲にある厚さを有し、約０．２ｎｍ未満だけばらつきがある厚さ均一性を有する、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の角部の曲率半径が前記第１の丸みをつけた角部の曲率半径より小さい、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記半導体デバイスがダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ・デバイスであり、前記ゲート・トレンチを充填することでトレンチ・キャパシタを形成し、そして、前記方法は、前記トレンチ・キャパシタに隣接するゲート電極を形成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
半導体基板のトランジスタ領域内に配置されたトランジスタと、
半導体デバイスのＤＲＡＭ領域内に配置されたダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）トランジスタとを含み、前記ＤＲＡＭトランジスタの各々が分離トレンチを含み、前記分離トレンチの一部分が、導電性ゲート材料をその中に配置したゲート・トレンチであり、前記ゲート・トレンチが、前記半導体基板によって形成された第１の丸みをつけた角部を有し、さらに、
前記ゲート・トレンチの側壁の上、前記第１の丸みをつけた角部の上、および前記ゲート・トレンチに隣接する前記半導体基板の上に配置された酸化物層を含み、前記酸化物層は約２ｎｍから約３ｎｍの範囲にある厚さを有し、約０．２ｎｍ未満だけばらつきがある厚さ均一性を有し、さらに、
前記トランジスタ領域および前記ＤＲＡＭ領域の上に配置された誘電体層と、
前記トランジスタと前記ＤＲＡＭトランジスタとを相互接続する、前記誘電体層の上および内部に配置された相互接続部とを含む、集積回路デバイス。
【請求項８】
前記トレンチ分離構造によって形成された第２の丸みをつけた角部をさらに含み、前記ゲート材料が前記第２の丸みをつけた角部に部分的に重なる、請求項７に記載のデバイス。
【請求項９】
前記第１の丸みをつけた角部の曲率半径が前記ゲート・トレンチの深さの約１０％以上である、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記半導体基板がシリコンであり、［１００］または［１００］の結晶方位を有し、［１００］シリコンでは約３０ｎｍ、［１１０］シリコンでは約３５ｎｍの曲率半径を有する、請求項９に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月31日(2010.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路（ＩＣ）であって、
ボンド・パッド（例えば、２０４）と、
前記ボンド・パッドの第１の部分の直ぐ下側にあり前記ボンド・パッドの第１部分に直接接触する第１パッシベーション構造体（例えば、２０６）と、
前記ボンド・パッド及び前記第１パッシベーション構造体の下の第１メタライゼーション層（例えば、Ｍ７）とを含み、前記第１のメタライゼーション層は、（ｉ）前記ボンド・パッドの第２部分、及び（ｉｉ）前記第１パッシベーション構造体、の両者の直ぐ下側にあり当該両者と直接接触している第１金属構造体を含み、前記集積回路はさらに、
前記第１メタライゼーション層の下の第２メタライゼーション層（例えば、Ｍ６）と、
前記第１メタライゼーション層と前記第２メタライゼーション層との間の第１誘電体材料とを含み、前記ボンド・パッドの直ぐ下側の前記第２メタライゼーション層の部分は、２以上の別個の配線経路に対応する２以上の金属構造体を含む、集積回路（ＩＣ）。
【請求項２】
前記第１メタライゼーション層は、前記ボンド・パッドの下方になく、前記第１金属構造体に直接接続されていない１又は複数の別個の配線経路を含む、請求項１に記載の発明。
【請求項３】
前記第１メタライゼーション層は、前記ボンド・パッドの下に１より多くの別個の配線経路を持たない、請求項１に記載の発明。
【請求項４】
前記第１誘電体材料及び前記第２誘電体材料は、３より小さい誘電率ｋを有する、請求項１に記載の発明。
【請求項５】
前記ボンド・パッド下側の領域において前記第１メタライゼーション層と前記第２メタライゼーション層との間には金属ビアがない、請求項１に記載の発明。
【請求項６】
前記ボンド・パッドはプローブ領域に直接接続される、請求項１に記載の発明。
【請求項７】
前記第１金属構造体は、前記ボンド・パッドと実質的に同じ面積を有するほぼ連続する平坦な金属構造体であり、前記ボンド・パッドの下側に位置し前記ボンド・パッドに直接接続される、請求項１に記載の発明。
【請求項８】
前記第１メタライゼーション層の上方に第２パッシベーション構造体（例えば、２０５）をさらに備える、請求項１に記載の発明。
【請求項９】
前記第２パッシベーション構造体は、前記第１メタライゼーション層と直接接触している前記ボンド・パッドの前記第２部分により前記第１パッシベーション構造体とは分離される、請求項８に記載の発明。
【請求項１０】
前記第１パッシベーション構造体は、実質的に、（ｉ）正方形、及び（ｉｉ）楕円形、のうちの１つの形状であり、前記第１パッシベーション構造体は、前記第２パッシベーション構造体の開口部のほぼ中央に置かれる、請求項９に記載の発明。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月21日(2009.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ガイドプレート及び少なくとも１つの発光ダイオードを有する光放出装置であって、前記光ガイドプレートは、後面、これと反対側の前面、及び前記後面と前記前面との間に配置された複数の相互に間隔をおいた反射面要素から成るアレイを有し、
前記反射面要素は、前記後面及び前記前面に対して非平行であり、前記反射面要素は、前記前面に向いた前側表面及び前記後面に向いた後側表面を有し、
反射面要素の前記後側表面は、その隣りの反射面要素の前記前側表面に向いており、
前記少なくとも１つの発光ダイオードは、光を前記反射面要素の２つの互いに隣り合う反射面要素相互間の領域中に放出するよう配置されている、光放出装置。
【請求項２】
前記反射面要素は、前記前面から離隔されている、請求項１記載の光放出装置。
【請求項３】
前記反射面要素は、相互に同一平面上に位置している、請求項１又は２記載の光放出装置。
【請求項４】
前記反射面要素の少なくとも１つは、その前記前側表面と前記後側表面との間に設けられたスロットを有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光放出装置。
【請求項５】
鏡が、前記反射面要素の前記前側表面及び前記後側表面の１つ以上のところに又は前記前側表面と前記後側表面との間に配置されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光放出装置。
【請求項６】
前記少なくとも１つの発光ダイオードは、前記２つの隣り合う反射面要素相互間に位置した状態で前記後面に設けられた凹部内に配置されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光放出装置。
【請求項７】
前記少なくとも１つの発光ダイオードは、前記光ガイドプレートと光学接触状態にある、請求項１〜６のいずれか１項に記載の光放出装置。
【請求項８】
前記少なくとも１つの発光ダイオードは、前記２つの隣り合う反射面要素相互間で前記光ガイドプレート中に鋳込まれている、請求項１〜７のいずれか１項に記載の光放出装置。
【請求項９】
２つ以上の発光ダイオードが、光を２つの隣り合う反射面要素相互間の単一の空間中に放出する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の光放出装置。
【請求項１０】
前記反射面要素の前記前側表面は、前記前面と１°〜２０°の角度をなしている、請求項１〜９のいずれか１項に記載の光放出装置。
【請求項１１】
少なくとも１つのコリメータが、２つの隣り合う反射面要素相互間の空間内に形成され、前記コリメータは、光を少なくとも前記光ガイドの平面内にあり且つ前記反射面要素のアレイの延びる方向である第１の方向に垂直な方向にコリメートするよう光を前記空間内に放出する発光ダイオードと前記光ガイドプレートの前記前面との間の光路中に配置されている、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の光放出装置。
【請求項１２】
前記コリメータは、漏斗の形をしている、請求項１１記載の光放出装置。
【請求項１３】
少なくとも２つのコリメータが、前記２つの隣り合う反射面要素相互間の前記領域内に並んで形成されている、請求項１１又は１２記載の光放出装置。
【請求項１４】
変向箔が、前記光ガイドの前記前面のところに設けられ、前記変向箔は、前記前面に向いたプリズム状の面を有する、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の光放出装置。
【請求項１５】
後面、これと反対側の前面、及び前記後面と前記前面との間に配置された相互に間隔をおいた反射面要素から成るアレイを有する光ガイドプレートであって、
前記反射面要素は、前記後面及び前記前面に対して非平行であり、前記反射面要素は、前記前面に向いた前側表面及び前記後面に向いた後側表面を有し、
反射面要素の前記後側表面は、その隣りの反射面要素の前記前側表面に向いている、光ガイドプレート。
【請求項１６】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の光放出装置を少なくとも１つ有する照明装置。