【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年9月5日(2011.9.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチングプロセスツールと、
前記エッチングプロセスツールのrun-to-runの制御を提供するように構成され、前記エッチングプロセスツールに結合されたエッチングプロセスパフォーマンスコントローラを備えるエッチングプロセスパフォーマンス制御システムとを具備し、
前記エッチングプロセスパフォーマンスコントローラは、
前記エッチングプロセスツールと関係する、ＲＦセンサ以外の少なくとも１つのセンサを含む複数の別個のセンサからエッチングツールデータの観測を受取って、前記エッチングツールデータの観測に基づくエッチングプロセスパフォーマンスデータを予測するように構成されたエッチングプロセスパフォーマンス予測モデルと、
前記エッチングプロセスパフォーマンス予測モデルから予測されたエッチングプロセスパフォーマンスデータを受取って、前記予測されたエッチングプロセスパフォーマンスデータおよび前のエッチングプロセス動作を実行するために使用され、補正される必要があるエッチングプロセス方法に基づいてエッチングプロセス方法補正を決定するように構成されたエッチングプロセス方法補正フィルタと、
前記エッチングプロセス方法補正を用いて、前記エッチングプロセスツールのためのエッチングプロセス方法を更新するように構成されたエッチングプロセスコントローラとを備える、半導体基板にエッチングプロセス動作を実施するエッチングシステム。
【請求項２】
前記エッチングプロセスパフォーマンスデータは、エッチング深さ、アベレージエッチング深さ、平均エッチング深さ、及びエッチング深さ範囲の少なくとも１つを備える請求項１に記載のエッチングシステム。
【請求項３】
前記エッチングツールデータは、キャパシタ位置、フォワード高周波（ＲＦ）電力、反射高周波電力、電圧、電流、位相、インピーダンス、高周波ピークトゥピーク電圧、高周波自己誘導直流バイアス、チャンバ圧力、ガス流量、温度、裏面ガス圧力、裏面ガス流量、静電クランプ電圧、静電クランプ電流、フォーカスリング厚さ、高周波時間、フォーカスリング高周波時間、及び光放射データの少なくとも１つを備える請求項１に記載のエッチングシステム。
【請求項４】
前記エッチングプロセスパフォーマンス予測モデルは、部分最少二乗解析からの出力を備える請求項１に記載のエッチングシステム。
【請求項５】
前記エッチングプロセス方法補正フィルタは、指数関数的に重み付けされた移動アベレージ（ａｖｅｒａｇｅ）フィルタを備える請求項１に記載のエッチングシステム。
【請求項６】
前記エッチングプロセス方法補正は、エッチング時間を含む請求項１に記載のエッチングシステム。
【請求項７】
前記エッチングプロセスパフォーマンス制御システムは、計測ツールと、エッチングプロセスパフォーマンスモデル補正アルゴリズムとをさらに備える請求項１に記載のエッチングシステム。
【請求項８】
前記計測ツールは、前記エッチングプロセスツールと、前記エッチングプロセスパフォーマンスコントローラとに結合され、エッチングプロセスパフォーマンスデータを計測するように構成されている請求項７に記載のエッチングシステム。
【請求項９】
前記エッチングプロセスパフォーマンスモデル補正アルゴリズムは、前記計測されたエッチングプロセスパフォーマンスデータ及び対応するエッチングツールデータを用いる部分最少二乗アルゴリズムを備える請求項８に記載のエッチングシステム。
【請求項１０】
エッチングプロセスツールのrun-to-runの制御を提供するエッチングプロセスパフォーマンス制御システムであって、
前記エッチングプロセスツールに結合することができて、前記エッチングプロセスツールと関係する、ＲＦセンサ以外の少なくとも１つのセンサを含む複数の別個のセンサからエッチングツールデータの観測を受取って、前記エッチングツールデータの観測に基づくエッチングプロセスパフォーマンスデータを予測するように構成されたエッチングプロセスパフォーマンス予測モデルと、
前記エッチングプロセスパフォーマンス予測モデルから予測されたエッチングプロセスパフォーマンスデータを受取って、前記予測されたエッチングプロセスパフォーマンスデータおよび前のエッチングプロセス動作を実行するために使用され、補正される必要があるエッチングプロセス方法に基づいてエッチングプロセス方法補正を決定するように構成されたエッチングプロセス方法補正フィルタと、
前記エッチングプロセス方法補正を用いて、前記エッチングプロセスツールのためのエッチングプロセス方法を更新するように構成されたエッチングプロセスコントローラとを備えるエッチングプロセスパフォーマンスコントローラを具備するエッチングプロセスパフォーマンス制御システム。
【請求項１１】
前記エッチングプロセスパフォーマンスデータは、平均エッチング深さ、及びエッチング深さ範囲の少なくとも１つを備える請求項１０に記載のエッチングプロセスパフォーマンス制御システム。
【請求項１２】
前記エッチングプロセスパフォーマンス予測モデルは、キャパシタ位置、フォワード高周波電力、反射高周波電力、電圧、電流、位相、インピーダンス、高周波ピークトゥピーク電圧、高周波自己誘導直流バイアス、チャンバ圧力、ガス流量、温度、裏面ガス圧力、裏面ガス流量、静電クランプ電圧、静電クランプ電流、フォーカスリング厚さ、高周波時間、フォーカスリング高周波時間及び光放射データの少なくとも１つを備えるエッチングツールデータの観測を受取るように構成されている請求項１０に記載のエッチングプロセスパフォーマンス制御システム。
【請求項１３】
前記エッチングプロセスパフォーマンス予測モデルは、部分最少二乗解析からの出力を備える請求項１０に記載のエッチングプロセスパフォーマンス制御システム。
【請求項１４】
前記エッチングプロセス方法補正フィルタは、指数関数的に重み付けされた移動アベレージフィルタを備える請求項１０に記載のエッチングプロセスパフォーマンス制御システム。
【請求項１５】
前記エッチングプロセス方法補正は、エッチング時間、高周波電力、圧力、流量、濃度及び温度を備える請求項１０に記載のエッチングプロセスパフォーマンス制御システム。
【請求項１６】
前記エッチングプロセスパフォーマンス制御システムは、前記エッチングプロセスツールに結合することができ、かつ前記エッチングプロセスパフォーマンスコントローラに結合することができる計測ツールと、エッチングプロセスパフォーマンスモデル補正アルゴリズムとをさらに備える請求項１０に記載のエッチングプロセスパフォーマンス制御システム。
【請求項１７】
前記計測ツールは、エッチングプロセスパフォーマンスデータを計測するように構成されている請求項１６に記載のエッチングプロセスパフォーマンス制御システム。
【請求項１８】
前記エッチングプロセスパフォーマンスモデル補正アルゴリズムは、前記計測されたエッチングプロセスパフォーマンスデータ及び対応するエッチングツールデータを用いた部分最少二乗解析を用いる請求項１７に記載のエッチングプロセスパフォーマンス制御システム。
【請求項１９】
エッチングプロセスツールと、
前記エッチングプロセスツールのrun-to-runの制御を提供する手段とを具備し、
前記run-to-runの制御を提供する手段は、
前記エッチングプロセスツールと関係する、ＲＦセンサ以外の少なくとも１つのセンサを含む複数の別個のセンサから受取ったエッチングツールデータの観測を用いて、エッチングプロセスパフォーマンスデータを予測する手段と、
この予測されたエッチングプロセスパフォーマンスデータおよび前のエッチングプロセス動作を実行するために使用され、補正される必要があるエッチングプロセス方法に基づいてエッチングプロセス方法補正を決定する手段と、
前記エッチングプロセス方法補正を用いて、前記エッチングプロセスツールのためのエッチングプロセス方法を更新する手段とを備える、半導体基板にエッチングプロセス動作を実施するエッチングシステム。
【請求項２０】
半導体基板にエッチングプロセス動作を実施するエッチングシステムのエッチングプロセスツールを制御する方法であって、
エッチングプロセス方法を用いて、前記エッチングプロセスツールで第１のエッチングプロセスを実行する工程と、
前記第１のエッチングプロセスのための、前記エッチングプロセスツールと関係する、ＲＦセンサ以外の少なくとも１つのセンサを含む複数の別個のセンサから得られた複数のエッチングツールデータパラメータを含むエッチングツールデータを記録する工程と、
エッチングプロセスパフォーマンス予測モデルを用いて、前記第１のエッチングプロセスのための前記ツールデータから、１つ以上のエッチングプロセスパフォーマンスデータパラメータを含むエッチングプロセスパフォーマンスデータを予測する工程と、
この予測されたエッチングプロセスパフォーマンスデータおよび前のエッチングプロセス動作を実行するために使用され、補正される必要があるエッチングプロセス方法に基づいて、エッチングプロセス方法補正フィルタを用いて、エッチングプロセス方法補正を決定する工程と、
前記エッチングプロセスツールに結合されたエッチングプロセスコントローラを用いて、前記エッチングプロセス方法補正を組み込むことによって前記エッチングプロセス方法を更新する工程と、
前記更新されたエッチングプロセス方法を用いて、前記エッチングプロセスツールで第２のプロセスを実行する工程とを具備する方法。
【請求項２１】
前記エッチングプロセスパフォーマンス予測モデルを更新することをさらに備える請求項２０に記載のエッチングプロセスツールを制御する方法。
【請求項２２】
前記エッチングプロセスパフォーマンス予測モデルを更新することは、前記エッチングプロセスツールで前記第１のエッチングプロセスのためのエッチングプロセスパフォーマンスデータを計測することと、前記第１のエッチングプロセスのための前記計測されたエッチングプロセスパフォーマンスデータと、前記第１のエッチングプロセスのための前記記録されたツールデータと、部分最少二乗解析とを用いて、前記エッチングプロセスパフォーマンス予測モデルに対する補正を決定することとを備える請求項２１に記載のエッチングプロセスツールを制御する方法。
【請求項２３】
前記エッチングプロセス方法は、エッチング時間、高周波電力、圧力、流量、濃度及び温度を備える請求項２０に記載のエッチングプロセスツールを制御する方法。
【請求項２４】
前記更新されたエッチングプロセス方法は、更新されたエッチング時間を備える請求項２０に記載のエッチングプロセスツールを制御する方法。
【請求項２５】
前記エッチングプロセスパフォーマンスデータは、平均エッチング深さ、及びエッチング深さ範囲の少なくとも１つを含む請求項２０に記載のエッチングプロセスツールを制御する方法。
【請求項２６】
前記ツールデータは、キャパシタ位置、フォワード高周波電力、反射高周波電力、電圧、電流、位相、インピーダンス、高周波ピークトゥピーク電圧、高周波自己誘導直流バイアス、チャンバ圧力、ガス流量、温度、裏面ガス圧力、裏面ガス流量、静電クランプ電圧、静電クランプ電流、フォーカスリング厚さ、高周波時間、フォーカスリング高周波時間、及び光放射データの少なくとも１つを備える請求項２０に記載のエッチングプロセスツールを制御する方法。
【請求項２７】
前記エッチングプロセスパフォーマンス予測モデルは、部分最少二乗解析からの出力を備える請求項２０に記載のエッチングプロセスツールを制御する方法。
【請求項２８】
前記エッチングプロセス方法補正フィルタは、指数関数的に重み付けされた移動アベレージフィルタを備える請求項２０に記載のエッチングプロセスツールを制御する方法。
【請求項２９】
計測ツールを用いて、エッチングプロセスパフォーマンスデータを計測することと、
前記計測されたエッチングプロセスパフォーマンスデータと前記計測されたツールデータとを用いて、前記エッチングプロセスパフォーマンス予測モデルを補正することとをさらに具備する請求項２０に記載のエッチングプロセスツールを制御する方法。
【請求項３０】
前記エッチングプロセスパフォーマンス予測モデルを前記補正することは、部分最少二乗解析を備える請求項２９に記載のエッチングプロセスツールを制御する方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本発明の一実施形態によれば、プロセスツール１０とプロセスパフォーマンス制御システム１００とを含む材料処理システム１が図１に示されている。プロセスパフォーマンス制御システム１００は、プロセスツール１０に結合されたプロセスパフォーマンスコントローラ５５を含み、該プロセスパフォーマンスコントローラ５５は、プロセスパフォーマンス予測モデル１１０と、プロセス方法補正フィルタ１２０と、プロセスコントローラ１３０と、プロセスパフォーマンスモデル補正アルゴリズム１５０とを含む。プロセスパフォーマンス予測モデル１１０は、プロセスツール１０に結合された複数のセンサからツールデータを受取るように、かつプロセスパフォーマンスデータを予測するように構成されている。プロセス方法補正フィルタ１２０は、プロセスパフォーマンス予測モデル１１０に結合され、かつ予測されたプロセスパフォーマンスデータを受取って、run-to-runのプロセス制御のためのプロセス方法補正を生成するように構成されている。プロセスコントローラ１３０は、プロセス方法補正フィルタ１２０に結合されており、該プロセス方法補正に従ってプロセス方法を更新するように構成されている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
図２に示す例示的な実施形態においては、基板ホルダ２０は、さらに、それを介して高周波（ＲＦ）電力が、処理領域４５内でプラズマに結合される電極として機能することができる。例えば、基板ホルダ２０は、高周波電源３０からインピーダンス整合ネットワーク３２を介した基板ホルダ２０への高周波電力の伝送を介して、高周波電圧で電気的バイアスをかけることができる。該高周波バイアスは、電子を加熱して、プラズマを形成して維持するように作用することができる。この構成において、上記システムは、反応性イオンエッチング（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈ；ＲＩＥ）リアクタとして動作することができ、チャンバ及び上方のガス注入電極は、接地面として作用する。高周波バイアスのための典型的な周波数は、１ＭＨｚから１００ＭＨｚの範囲とすることができ、好ましくは、１３．５６ＭＨｚである。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
上述したように、プロセスパフォーマンス制御システム１００は、プロセスパフォーマンスコントローラ５５を含む。プロセスパフォーマンスコントローラ５５は、マイクロプロセッサ、メモリ、および材料処理システム１への入力や材料処理システム１からのモニタ出力を伝送しかつ動作させるのに十分な制御電圧を生成することができる（Ｄ／Ａおよび／またはＡ／Ｄ変換器を含んでもよい）ディジタルＩ／Ｏポートを含むことができる。また、プロセスパフォーマンスコントローラ５５は、高周波電源３０、インピーダンス整合ネットワーク３２、ガス注入システム４０、真空ポンプ装置５８、裏面ガス供給システム２６、静電クランプシステム２８、光検知装置３４及び電気計測装置３６に結合され、かつそれらと情報を交換する。上記メモリに格納されたプログラムは、格納されたプロセス方法に従って、材料処理システム１の上述した構成要素に対する入力を活動化するのに用いられる。プロセスパフォーマンスコントローラ５５の一例は、テキサス州オースチン（Ａｕｓｔｉｎ，Ｔｅｘａｓ）のデルコーポレーション（Ｄｅｌｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）から入手可能な、ＤＥＬＬ ＰＲＥＣＩＳＩＯＮ ＷＯＲＫＳＴＡＴＩＯＮ ５３０（商標）である。別法として、プロセスパフォーマンスコントローラ５５は、ディジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）を備えることが可能である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
以下の説明において、ツールデータ及びプロセスパフォーマンスデータのセットは、それによってツールデータが最適化され、かつツールデータとプロセスパフォーマンスデータを関連付けるモデルが設定される方法を示すために、４５の基板によって用いられる（すなわち、上記の説明においては、Ｍ＝４５）。４５のプロセス動作（run）（基板）は、エッチングチャンバ内で処理される３組の基板セットを含み、各基板セットは、チャンバウェットクリーンに先行する。ＰＬＳ解析モデルに含まれるツールデータは表１に示されており、プロセスパフォーマンスデータは、平均（ｍｅａｎ）トレンチエッチング深さ及びトレンチエッチング深さ範囲を含む。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６３】
例えば、平均（ｍｅａｎ）トレンチエッチング深さにおける障害の発生は、プロセスツールパフォーマンス（例えば、プロセスドリフト等）、センサノイズ、センサ較正におけるドリフト等の不安定さにより生じる可能性がある。プロセスパフォーマンスの変動を引き起こす、run-to-runから生じる多数の変数が存在する。しかし、プロセスパフォーマンス予測モデル１１０の生成の場合、前の動作からのツールデータの観測を用いたプロセスパフォーマンスデータの予測は、不安定なプロセスを補正するために、プロセス方法を更新するのに用いることができる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６５】
プロセスパフォーマンス予測モデル１１０及び前の動作の既知のエッチング時間を用いた、平均（ｍｅａｎ）トレンチエッチング速度の予測に続いて、補正したエッチング時間を、プロセス方法補正フィルタ１２０を用いて決めることができる。プロセス方法補正フィルタ１２０は、エッチング時間の古い値、該エッチング時間の予測値及びフィルタ係数を用いた、該プロセス方法におけるエッチング時間を補正する指数関数的に重み付けされた移動アベレージ（ｅｘｐｏｎｅｎｔｉａｌｌｙ ｗｅｉｇｈｔｅｄ ｍｏｖｉｎｇ ａｖｅｒａｇｅ；ＥＷＭＡ）、すなわち、
【数７】
2005531926.tif 000001
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６６】
を含むことができ、ただし、λはＥＷＭＡフィルタ係数（０≦λ≦１）であり、τｏｌｄは、前の動作の（古い）プロセス方法エッチング時間であり、τｐｒｅｄｉｃｔｅｄは、（ダマシン）トレンチ構造の場合の、既知のエッチング深さｄ及び予測エッチング速度（すなわち、τｐｒｅｄｉｃｔｅｄ＝ｄ／εｐｒｅｄｉｃｔｅｄ）を用いた予測エッチング時間であり、τｎｅｗは、次の動作に対する（新たな）プロセス方法エッチング時間である。λ＝０の場合には、新たなエッチング時間は、古いエッチング時間と等しく、λ＝１の場合には、新たなエッチング時間は、上記予測エッチング時間に等しいことに注意する。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７４】
ステップ７５０において、上記プロセス方法補正フィルタは、プロセス方法補正を判断することにより該プロセス方法を補正するために、ＥＷＭＡフィルタ及びプロセスパフォーマンスデータのモデル予測を用いる。該プロセス方法に対する補正は、例えば、エッチング時間に対する補正を含むことができる。該ＥＷＭＡフィルタは、フィルタ係数を用い、好ましくは、選択されたフィルタ係数は、最適なフィルタ係数である。ステップ７６０において、該プロセス方法は、ステップ７７０において、他のプロセスが動作されるか否かを判断する前に、上記プロセスコントローラを用いて更新される。