【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年12月10日(2010.12.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
印加電圧のアナログ変調によるアナログ（グレースケール）ディスプレーが必要とされるようになったときに状況は悪化した。これは光学応答が印加電圧に対して非線形なためである。アドレス方法は相対的に複雑になり、直流平衡も必要とされるような場合には特にそうだった。このことを考えると、ネマチックセルのスイッチングの相対的な遅さに関連して、相応の解像度を有するリアルタイムのビデオ画像を与えることは難しい
その後、能動バックプレイン・デバイスが製造された。これは、バックプレインと、バックプレインから離して対向させた基板との間に配置された液晶材料の層を有している。バックプレインには、トランジスタなどからなる、対応するピクセルを励起するための多数の能動エレメントが設けられている。励起は通常、対向する基板上に配置された一又は二以上の反対電極と共同して行われる。ただし、電界を液晶層の面と全体として平行とするために、反対電極をバックプレイン自身に設けることも可能である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のバックプレインは、かなりの面積の基板（通常は透明）上に分布させた薄膜トランジスタのアレーを、トランジスタをアドレスするための周辺ロジック回路とともに有しており、これにより直接見ることができる大面積のピクセル・デバイス（pixellated device）の提供を容易にする。それにもかかわらず、バックプレインの製造における歩留まりと、アドレス動作の導線の長さがスキャンを遅くする効果があるという問題が存在する。ガラスなどのような透明な基板上に設ける場合、ＴＦＴアレーを、液晶ディスプレーデバイスの前面又は後面上に配置させることができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
半導体能動バックプレインは、その寸法が入手可能な半導体基板の寸法に制限され、また、間に光学系を設けないで直接見るのには適していない。にもかかわらず、非常に小さいことから能動エレメントのアドレス動作のスピードが高められる。このタイプのバックプレインは共通して、例えばＭＯＳＦＥＴ又はＣＭＯＳ回路などのＦＥＴを含んでおり、「オフ」状態において相対的に高いインピーダンスを有する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
しかしながら、小さいということは同時に、トランジスタや関連する導線、その他の電気的エレメント、例えばキャパシタなどが占める、全体の光変調（アレー）領域が相対的に重要になることを意味し、特に、ＤＲＡＭタイプのものよりも多くのエレメントを必要とするＳＲＡＭタイプではそうなる。可視光に対して不透明であるため、半導体バックプレインは、光変調器又はディスプレー・デバイスの後側の基板となるだろう。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
さらに後の時期においても、スメクチック液晶の使用において重要な発展があった。これは、スイッチング速度が非常に高いことからネマチック層を超える潜在的な利点があり、表面を適切に安定化させることにより、強誘電性スメチックＣ相は、二つの安定した配向状態、すなわちメモリ機能、を有するデバイスを与えることができる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
しかしながら、液晶の厚さがバックプレインの基本構造に関係する厚さに近づくに従って、基板を曲げたりなどといった動作によって液晶セル構造が変形する可能性があり、例えばピクセル領域にわたる応答の一様性や、セルの厚さ方向における回路の短絡などに関する問題が生じる。これらの要因については、我々の係属中の出願PCT/GB99/04285, ref:P20957WO及びPCT/GB99/04282, ref:P20959WOにおいて扱われている。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
対照的に、ＤＲＡＭのロケーションからは、アドレス動作が行われる間だけ、容量エレメントに電力が供給され、その後、能動エレメント（トランジス）がオフとされる。アドレス動作のパルスの長さが、必要な電荷量の移動にとって不十分な場合には、容量エレメントのスイッチング動作は不完全となる。このようなことは、例えば、ある種のスメクチックセルなどのように容量エレメントが強誘電性材料を含んでいる場合や、例えば大規模なアレーにおけるようにアドレス動作の時間が短い場合に起こりうる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
一つの解決策が、アドレス動作のパルスの間に迅速にチャージされる追加の「スラグ」キャパシタンスを与え、このため容量エレメントがより長い時間に亘ってスイッチングしている間に電荷の貯蔵手段を与えることができる。この点については、我々の係属中の出願PCT/GB99/04279, ref:P20960WOにおいて詳細に扱われている。この出願は、第一の各電極を駆動するための半導体基板上のアドレス可能な能動エレメントのアレーを含む半導体能動バックプレインの提供に関するものであり、そこで、前記電極の下部の領域の少なくとも一部がキャパシタとして作用するようにされている。特に、前記一部を空乏領域として形成し、使用時にはこれを逆バイアスダイオードとして動作させるようにすることができ、あるいは電極の下部に個々のキャパシタプレートを形成し、一方を基板へ、他方を電極に接続することもできる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
スメクチック液晶電子光学セル
スメクチック液晶相では、分子は、コレステリック相及びネマチック相が示す方向的な秩序に加えて、位置的な秩序（「層」）を示す。スメクチック層の全体構造の中には、方向的な秩序が異なっている多くの異なるスメクチック下位相があり、このうち最も一般的なものは、スメクチックＡ相（ＳｍＡ）及びスメクチックＣ相（ＳｍＣ）である。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
スメクチック材料の共通の配向は、セルの面に垂直なスメクチック層とともに平面的であり（分子は一般に大きな表面と平行である）、このため、印加する電界をセルの厚さ方向とすることができる。セル平面内でスメクチック層でホメオトロピック配向を得ることができ、このようなデバイスは、早い屈折率変調器を提供することができる。しかしながら、スイッチングのための適切な電界を印加するためには非常に小さい電極ギャップが必要であり、このためこのようなデバイスの能動領域は非常に小さくなる傾向があり、その結果、このタイプのデバイスはあまり一般的ではない。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
スメクチックＡ相では、ディレクタ（director）は層の面に垂直である。ディレクタに直交するように電界を印加すると、ディレクタは印加された電界に平行な軸の回りに、ほぼ電界強度に比例した角度だけ傾くため、アナログ・グレースケール変調を行うことが可能となる。光の偏光が影響を受けるので、強度又は位相の変調が可能となり、ディレクタの回転がセルの面内にあるので、通常は入射光は常に材料の光学軸に直交する。このことは、セルの薄さと結びついて、このようなデバイスの視野角を改善する。エレクトロクリニック効果（electroclinic effect）と呼ばれるこの効果は非常に速く、スイッチング時間が１００ナノ秒程度まで小さくなることが観測されている。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
スメクチックＣ相では、ディレクタは、スメクチック層の面に対して一定の（「ティルト」）角を形成している。このティルト角は、材料及び温度に依存し、スメクチック層上でその先端に錐を形成し、その軸は層に垂直であり、ディレクタのすべての可能な位置は錐の面上にある。カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ*）のバルク中では、ディレクタは、螺旋の中でのように歳差運動する（precess）。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
カイラルスメクチックＣ相では液晶材料は強誘電性であり、時に自発分極（spontaneous polarisation）（Ｐｓ）と呼ばれる、永久ダイポールを有する。バルク材料中では、ディレクタが歳差運動すると、Ｐｓは層の面内で回転するため、正味の効果は観測されない。デバイスの面内にあるディレクタの二つだけの方向が可能となるようにディレクタ位置を表面安定化することによって、及び／又は、反対側のカイラル材料をバックドーピングすることによって歳差運動を抑えられれば、バルクの強誘電性を観測することができる。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
スメクチックＣ*材料は、高ティルト材料及び低ティルト材料として知られる二つのクラスに大きく分けることができる。クラスＩの材料は、アイソトロピック−ネマチック−スメクチックＡ*−スメクチックＣ*というように連続する相を有し、大体２２．５°（錐の角が４５°）までのティルト角を有する低ティルト材料であり、クラスIIの材料は、アイソトロピック−ネマチック−スメクチックＣ*というように連続する相を有し、より大きなティルト角を有する高ティルト材料である。位相変調を必要とするホログラフィーへの応用には、錐の角が９０°が理想的であろうが、錐の角が７５°よりも大きい材料は珍しい。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
低ティルト材料では、スメクチック層は、ディレクタの錐が傾いた軸を有しその面がセル面に接している、というように、セル面に対して直角ではなく傾いている。高ティルト材料では、錐の軸はセル面に対して垂直である。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
安定性／緩和
自発分極の存在及び液晶分子が電界の影響のもとで再び並ぶ再配向によって、例えばスメクチック層の両側の電極の間でのかなりの追加の電流及び電荷の流れを生じさせる。面積Ａのピクセルは、スイッチング時に２ＡＰｓという電荷を消費する。ピクセルの容量及びＰｓが重要な設計パラメータになるときには、このファクターは、ピクセルのスイッチングがＤＲＡＭタイプの能動プレインによってコントロールされるときには、非常に重要である。このようなデバイスでは、アドレス動作のパルスが、ここでの好適な実施例におけるように、ピクセルのスイッチングを行うのに不十分な長さの場合には、電荷の消費が電極間の電界を小さくするということにも注意すべきである。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
既に指摘したように、ここで説明したバックプレインの使用は、液晶デバイスには限定されない。しかしながら、これらのバックプレインは、液晶デバイスの製造において使用するのに特に適している。再び、このようなデバイスにおいてネマチック又はコレステリック材料を用いることは可能ではあるが、素早いスイッチング動作を有するスメクチック材料を用いることが好ましい。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
スメクチック材料が好ましいその他の理由は、スイッチング時間が速いこと、そしてＤＲＡＭタイプの能動プレインを使用する場合は（これはバックプレインがＳＲＡＭタイプのときには、電力／電流が各ピクセルに連続的に印加されるので当てはまらない）、一度ピクセルを所望の状態にしたときに、緩和時間を延ばすこと或いは双安定効果を得ることが可能であることである。緩和が起こる場合における高速なスイッチング時間を有することの利点の一つは、ビューイングタイムに使用できるピクセルを繰り返しアドレスする期間の部分が増加するという点にある。その他の利点は、特に光学処理が関係する場合において、データのスループットが大きくなるという点である。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
ブランキングした時におけるフロント電極とカラムとのあいだの電位差がゼロならば、ピクセルは短絡され、これより緩和が起こることを可能とする。あるいはまた、電位差が正又は負の直流の場合もあり、全てのピクセルを相対的に素早くオン又はオフに駆動する。ある状況のもとで、印加を容易にするために好ましくは共通のフロント電極上で、直流電位差はゼロであるが小さい交流電圧が存在する場合は、ピクセルは、この明細書の他の場所でより詳しく説明されるように（交流安定化）、既存の状態に維持される。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５９】
英国特許出願第GB2247974Aは、直流非平衡を避けるよう設計された方法で既存の画像をリフレッシュすることに関するものであり、効果的に画像反転を行う。これは、新しい画像を書くことには関連せず、また、直流平衡を維持するために連続する（異なる）画像を書くことに関する教示もない。第一の実施例において、アレーの全てのエレメントは、各アレーのスキャンのときに、正又は負の電圧によってアドレスされる。固定されたフロント電極電圧がある場合、ピクセルの全（反転された又は負の）アレーに書くために、単一スキャンのときに、すべてのカラム電極は正又は負の電圧でアドレスされることが理解される。この後には非反転画像の書き込みが続く。交流のフロント電極電圧がある場合には、すべてのピクセルの同じ光学状態（ブランキング）へ駆動したあと、選択されたピクセルの組の状態を反転させ、完全に書かれたアレーを与える。続いてアレーは、反対の光学状態へブランキングされ、相補的なピクセルの組の状態が反転されて同じ光学的な書かれたアレーを与える。このタイプのブランキングは、本発明では必要ない。
【誤訳訂正２１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６０】
英国特許出願第GB2173336Aもまた、閾値電圧の上だけで切り換わる液晶の直流平衡に関連している。ロウ又はロウの組はブランキングされ、続いて直流平衡とされた二極性のデータパルスの形態のカラムデータが、ロウ上の直流ストローブパルスと共に与えられる。後者のパルスは、ピクセルの状態を変えるために、二極性のデータパルスの一つと共に協働するが、他とは協働しない。ストローブ及びブランキングのパルスの極性を含むセットアップの全体的な極性は、周期的に反転されて（規則的又はランダムに）、全体的な直流平衡を維持する。本発明の方法は、ブランキングを必要とせず、ピクセルの必要に応じた選択的な変更を必要とするものと見なされるだろう。
【誤訳訂正２２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６１
【訂正方法】削除
【訂正の内容】
【誤訳訂正２３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】削除
【訂正の内容】
【誤訳訂正２４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６４】
図１は、厚いフィルムのハイブリッド・基板であるチップキャリア２上に取り付けられた液晶セル１を示した断面図である。図２には、セル１の分解図を示す。電子光学デバイスを取り付けるためにハイブリッド・基板を使用することについては、我々の係属中の出願PCT/GB99/04285, ref:P20957WOにおいてより詳細に議論されている。
【誤訳訂正２５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６６】
フロント電極６は、全体として長方形で平面ガラス又はシリカ基板７を含んでおり、これはバックプレイン３に対向する下側が、シルクスクリーンされた連続的な電気伝導性のＩＴＯ（indium-tin oxide）層８でコーティングされている。基板７の一つの縁の側面には、蒸着されたアルミニウムのエッジ・コンタクト９が設けられており、これはエッジの部分を回り込んで層８の一部を覆うように延びており、これによりセル１が組み立てられたときに層８と電気的に接続される。
【誤訳訂正２６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６７】
バックプレイン３のシリコン基板上に形成された絶縁スペーサ２５は、フロント電極６を正確で安定したシリコン基板からの所定の距離に配置させるよう上方に延びており、こうして規定された空間には液晶材料が満たされる。後述のように、スペーサ２５及びバックプレイン３は、全く同じステップ或いは少なくともそのいくつかのステップを用いて、シリコン基板上に、能動バックプレインのエレメントの形成と同時に形成される。
【誤訳訂正２７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６９】
図４は、能動バックプレイン３のレイアウト（「平面図」）の一般的な概略図を示している。後に図５及び図６を参照して詳細に説明するように、ピクセルの能動エレメントの中央アレー４の一つ一つは、本質的にＮＭＯＳトランジスタによって形成されている。このＮＭＯＳトランジスタは、ゲートがロウ導電体の組の一つに接続され、ドレイン電極がカラム導電体の組の一つに接続され、そしてソース電極はミラー電極に接続されるか又はソース領域がミラー電極の形態をしている。共通フロント電極６の対向する部分及び間にあるカイラルスメクチック液晶材料２０と共に、後部に配置されたミラー電極は、容量特性を有する液晶ピクセルのセルを形成する。
【誤訳訂正２８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７３】
図５に概略的に示すように、能動バックプレインは、ｐ型シリコン基板５１をベースにしている。アレー４の領域では、これはＮＭＯＳトランジスタ５２、ピクセルミラー５３、そして絶縁スペーサカラム２５を含んでおり、そして基板５１はまず実質的に連続的な下部酸化シリコン層５７によって、そして実質的に連続的な上部酸化シリコン層５８によって覆われている。スペーサに類似の構造で、そして高さも同じように形成された絶縁体のリッジが、アレー４１の領域の外側に形成されている。絶縁性のピラー及びリッジの機能は、フロント電極２２とシリコン基板５１との間の一定で正確な間隔を確保し、バックプレインとフロント電極との短絡を防ぎ、そして液晶ピクセルアレー内での電気的、光学的な均一性及び振る舞いを与えることである。
【誤訳訂正２９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７５】
これらの層に加え、トランジスタ５２は、さらに、層５７の上の金属のゲート電極５９及び層５８の上の金属のドレイン電極６０によって規定される。電極５９及び６０は、ロウ導電体６１及びカラム導電体６２にそれぞれ接続されている。トランジスタ５２では、層５７が、基板５１から非常に薄いゲート酸化層５５の分だけ離間したポリシリコン領域５６を含むよう変形されている。
【誤訳訂正３０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７６】
トランジスタのソースは、層５８内の大きな拡散領域６３の形態とされ、これはピクセルのミラー５３のピクセル電極６５に接続されている。ゲート領域６４は、フィルファクター（fill factor）を最大にするとともに入射光から保護するために、カラムとロウの導電体６１，６２が交差する領域の下部に配置されている。
【誤訳訂正３１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７７】
ピクセルミラーは、層５８の上のピクセル電極６５によって形成されている。これらの電極は、ドレイン電極６０と同じ金属とされ、ドレイン電極６０と同時に形成される。大部分のピクセル電極６５の下側には、基板５１内に空乏領域６６が形成されている。組み立てられたデバイスでは、ピクセル電極は、間にスメクチック液晶材料２０を挟んで２ミクロンよりもやや小さい距離だけ、対向するフロント電極から離される。
【誤訳訂正３２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７９】
各ピクセルに関連する絶縁性のカラム、すなわちピラー５４は、バックプレイン２１の他の部分の幾何学形状の上に延在しているが、これらは基板５１の上の層５７，５８も含んでおり、層５７，５８の間の第一の金属フィルム６７、および層５８と（使用時に）フロント電極２２の間の第二の金属フィルム６８を有している。第一及び第二の金属フィルム６７，６８は同じ金属であり、トランジスタ５２の電極５９，６０と同時に形成される。スペーサの領域では、基板は、フィールド酸化層６９を与えるよう変形され、層５７の底部は、薄い酸化層７１の分だけ離間した二つのポリシリコン層７０，７２を与えるよう変形されている。
【誤訳訂正３３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８１】
前述のように、このようにして形成されたピクセルのセルはキャパシタンスを有している。カイラルスメクチック液晶材料は、強誘電性であるため、分子を再配向させるために電界を十分に印加するとことは、追加的な電荷の移動に結びつく。この効果は、液晶材料が再配置するのに時間がかかる範囲で、時定数に結びつく。
【誤訳訂正３４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８６】
実施例で使用されるスメクチック液晶は、単安定配向を有するので、ＤＲＡＭタイプのピクセルエレメントを次にアドレスされるまでスイッチングされた状態に保持するためには、電荷のリークを制限することが不可欠である。追加の電荷の移動があるという事実は、元の状態への緩和を許容するための電荷のリークの総量が相対的に大きいという意味で、ある意味で有用である。
【誤訳訂正３５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８８】
図５及び図６では、トランジスタ５２、特にそのゲート領域が実質的に金属の導電体６０，６１の下に配置されており、そして特別に感光性である領域６６によって与えられるダイオードがピクセル電極６５によってその多くの部分が隠されているという意味で、ステップ（ａ）が実行されている。スラグキャパシタンス及び光導電効果の回避に関する更なる詳細については、係属中の出願PCT/GB99/04279, ref: P20960WOにおいて見ることができる。
【誤訳訂正３６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９２】
部分的な平坦化では上部の絶縁層は保持されるが、ヴィア（via）は、ミラーとして機能しなくなるまで小さくできる下部のピクセル電極６５まで延びる。高い反射率のそれぞれのミラーのコーティングが、ピクセル領域の大部分の上に堆積され、このヴィアに接続される。
【誤訳訂正３７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９５】
カイラルスメクチック液晶材料では、周知の手段によって一方又は両方の基板において望ましい表面配向が与えられる。能動半導体バックプレインの場合には、処理を行うとすれば、それは部分的な又は完全な平坦化である。
【誤訳訂正３８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９７】
本実施例のスメクチック液晶空間光変調器は、駆動する方法及び印加される電圧の値に依存するが、毎秒１〜１．５Ｇピクセル程度のデータ入力を必要として、少なくとも１０ＭＨｚのライン速度、および１５〜２０ｋＨｚまでのフレーム速度で駆動することができる。典型的には、ピクセルアドレス時間は、約１００ナノ秒であり、ピクセルは光学状態をスイッチングするのに実際に約１〜５マイクロ秒を要し、また、フレーム全体の書き込み時間は、２４マイクロ秒のオーダーであり、フレームからフレームまでの書き込み期間は約８０マイクロ秒である。
【誤訳訂正３９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９８】
空間変調器の実際のフレーム速度と、ライン周波数から決められるアレーの潜在的なフレーム速度（８０ｋＨｚ）との間の不均衡は、例えばピクセルエレメントが完全にスイッチングされるのに必要とする時間（これはライン又はピクセルのアドレス時間よりもかなり大きい）（この時間のあいだに電荷はセルキャパシタンス及びスラグキャパシタンスから抜き出される）、直流平衡を可能にするためアレーをブランキングする必要性、そして連続するフレームの書き込みの間における空間光変調器への光学的なアクセスなど、種々の要因によって起こる。
【誤訳訂正４０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１００
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１００】
図８は、図４のコントロール回路４８の部分を例示している。ここと図７ではさらに、すべてのロウをそれぞれセット（アレーをブランキングする）及びリセット（アレーの書き込みを可能にする）するための信号ＮＳＡＲ及びＮＲＡＲがある。
【誤訳訂正４１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１４】
信号ＮＳＡＲの動作は、（ａ）５組のカラムすべてに６４個のデータ入力から同時にデータが与えられるようカラムクロックＮＣＣ０〜ＮＣＣ５を無効にし、（ｂ）クロックパルスＮＣＲ２′とレジスタの通常動作をディセーブルとし、そしてすべてのロウをラッチすることである。これによりピクセルのすべてのアレーは同時にブランキングされる。
【誤訳訂正４２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１６１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１６１】
第二の２パススキームでは、液晶エレメントの状態の変化が必要とされるときに液晶エレメントがオン又はオフに駆動されるだけであり、それ以外ではアドレスされず、プロット（vii）に従う。したがって各ピクセルは、定義の明確な等しい長さのターンオン又はターンオフパルスを交互に受けるだけであり、これにより長期的には自動的に直流平衡を与える。
【誤訳訂正４３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】図面の簡単な説明
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
能動バックプレインを組み込み、基板上に取り付けられた液晶セルの概略断面図である。
【図２】
図１の液晶セルの部品の分解組み立て図である。
【図３】
図３のインターフェースの部分の、液晶セルに密接に関連する回路を示した概略回路ブロック図である。
【図４】
中央のピクセルアレーを含む、図１の液晶セルの能動バックプレインの概略平面図である。
【図５】
ピクセルアレーの領域にある種々の層及び高さを例示するための、図４のバックプレインの部分の概略断面図である。
【図６】
図４のバックプレインのアレーの単一ピクセルの概略平面図である。
【図７】
波形の概略図である。
【図８】
波形の概略図である。
【図９】
図４のコントロール回路の部分を示した概略回路図である。
【図１０】
図４のカラムドライバーの部分を示した概略回路図である。
【図１１】
図４のロウドライバーの部分を示した概略回路図である。
【図１２】
カラムアドレスの数を増やすための、図９の回路の修正を示している。
【図１３】
ロウアドレスの数を増やすための、図１０の回路の修正を示している。
【図１４】
１パスの画像書き込み方法を例示するのに用いる波形を示している。
【図１５】
２パスの画像書き込み方法を例示するのに用いる波形を示している。
【図１６】
２パスの画像書き込み方法を例示するのに用いる波形を示している。
【図１７】
２パスの画像書き込み方法を例示するのに用いる波形を示している。
【図１８】
図１４の方法の変形を例示するための波形を示している。
【誤訳訂正４４】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図１４】
2002533768.tif 000001
【誤訳訂正４５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  連続するサイクルにおいて一連の入力データの組のそれぞれに基づいて各アレーが能動バックプレインの対応するピクセル電極によって定義されている液晶セルの状態を変えるよう、二値画像を表示する前記液晶セルのアレーをコントロールする方法であって、各サイクルが、光学的なブランク又は一様なアレーの選択された液晶セルだけが、それぞれのデータの組によって決められたように書き込まれる第一のステップと、前記選択された液晶セルが次のサイクルに先だって選択的に消去されてブランクアレーに戻される第二のステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】  請求項１記載の方法が適用される液晶セルのアレーは、アドレス可能な能動エレメントの対応するアレーと、前記対応するアレーから離間して設けられたフロント電極とを含み、各液晶セルは前記離間して設けられたフロント電極と対応する能動エレメントとの間に規定され、前記第一のステップのあいだに前記第一の組の能動エレメント及び離間された前記フロント電極は、第一の組の選択された液晶セルに第一の電位差を印加するよう動作し、前記第二のステップのあいだに前記第二の組の能動エレメント及び離間された前記フロント電極は、第二の組の選択された液晶セルに第二の電位差を印加するよう動作し、第一及び第二の電位差は反対の符号である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記第一及び第二の電位差は等しい振幅を有するものである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記第一及び第二のステップのあいだに、離間されたフロント電極上の電圧及びアレーの各エレメントへ印加される電圧はすべて、実質的に同時に同じ量だけ、かつ、基準電圧に対して同じ方向にシフトされるものである、請求項２又は３に記載の方法。
【請求項５】  請求項１記載の方法が適用される液晶セルのアレーは、アドレス可能な能動エレメントの対応するアレーと、前記対応するアレーから離間して設けられたフロント電極とを含み、各液晶セルは前記離間して設けられたフロント電極と対応する能動エレメントとの間に規定され、前記第一及び第二のステップのあいだに、離間されたフロント電極上の電圧及びアレーの各エレメントへ印加される電圧はすべて、実質的に同時に同じ量だけ、かつ、基準電圧に対して同じ方向にシフトされるものである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記電圧におけるシフトは、実質的に前記第二のステップの持続時間のあいだ前記離間されたフロント電極だけに印加されるものである、請求項４又は５に記載の方法。
【請求項７】  前記第一のステップ及び前記第二のステップのあいだに、アレーのすべての液晶セルにゼロ電位差を加えるよう、アレーのすべての液晶セルを同時にアドレスするステップがある、請求項１乃至６のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】  前記第一のステップ及び前記第二のステップのあいだに、アレーのすべての液晶セルに有限の直流電位差を加えるよう、アレーのすべての液晶セルを同時にアドレスするステップがある、請求項１乃至６のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】  液晶セルは容量性であり、前記同時のアドレス動作に続いて、すべての液晶セルの回路が開かれる、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】  前記第一のステップ及び前記第二のステップのあいだに、アレーのすべての液晶セルに有限の交流電位差を加えるよう、アレーのすべての液晶セルを同時にアドレスするステップがある、請求項１乃至６のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】  請求項１乃至１０のうちいずれか一項に規定された方法によって各ビットプレインが書き込まれる、多重の又は重み付けされたビットプレイン技術を用いる、多重レベル画像を合成する方法。
【請求項１２】  各ビットプレインを書き込むための前記方法は、直流平衡を与えるものである、請求項１１に記載の方法。