【手続補正書】
【提出日】平成23年9月5日(2011.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負の電荷を有するイオンを含むプラズマを生成する処理システムであって：
第1プロセスガスを受け、かつ第1圧力で動作するように備えられた第1チャンバ；
前記第1チャンバと結合して前記第1プロセスガスを導入するように備えられた第1ガス注入システム；
前記第1チャンバと結合して第2プロセスガスを受け、かつ第2圧力で動作するように備えられた第2チャンバであって、基板処理のための基板処理システムと結合するように備えられた排出口を有する第2チャンバ；
前記第2チャンバと結合して前記第2プロセスガスを導入するように備えられた第2ガス注入システム；
前記第1チャンバと結合して前記第1プロセスガスからプラズマを生成するように備えられたプラズマ発生システム；
前記第1チャンバと第2チャンバの間に設けられた誘電材料から作られる分離部材であって、前記第2チャンバ内に静かなプラズマを生成するため、前記の第1チャンバのプラズマから前記第2チャンバへ電子を供給するように備えられた1つ以上の開口部を有する、分離部材；並びに、
前記第1及び第2チャンバと結合する圧力制御システムであって、前記第1チャンバから生じた電子が、少なくとも1種類の電気的に陰性のガス種を有する前記第2プロセスガスとの衝突を抑制して、負の電荷を有する前記静かなプラズマを生成するエネルギーの小さな電子を生成するように前記第2圧力を制御するように備えられた圧力制御システム；
を有する処理システム。
【請求項２】
前記プラズマ発生システムが、容量結合性プラズマ源、誘導結合性プラズマ源、変成器と結合するプラズマ源、マイクロ波プラズマ源、表面波プラズマ源、又はヘリコン波プラズマ源のうちの少なくとも1つを有する、請求項1に記載の処理システム。
【請求項３】
前記プラズマ発生システムは変成器結合プラズマ源を有し、
前記変成器結合プラズマ源は誘導コイルを有し、
前記誘導コイルは、前記第1チャンバの上方に設けられていて、かつ誘電体窓を介して前記第1チャンバ内部へ電磁(EM)エネルギーを結合するように備えられている、
請求項1に記載の処理システム。
【請求項４】
前記第1チャンバの周囲に設けられていて前記プラズマと接するように備えられている1つ以上の電極；及び
前記1つ以上の電極と結合し、かつ該1つ以上の電極と電圧を結合するように備えられている電源；
をさらに有する、請求項1に記載の処理システム。
【請求項５】
前記第1チャンバの周辺を取り囲み、かつ前記プラズマと接するように備えられている円筒形電極；及び、
前記円筒形電極と結合し、かつ前記円筒形電極に電圧を結合するように備えられている、電源；
をさらに有する、請求項1に記載の処理システム。
【請求項６】
前記円筒形電極が円筒形の中空の陰極として機能し、かつ
前記電圧が-1V乃至-5kVの範囲の直流電圧を有する、
請求項5に記載の処理システム。
【請求項７】
前記電圧が-1V乃至-2kVの範囲の直流電圧を有する、請求項6に記載の処理システム。
【請求項８】
前記圧力制御システムが：
排気ダクトを介して前記第2チャンバと結合する排気システム；
前記排気システムと前記第2チャンバの間に設けられていて前記排気ダクトと結合するバルブ；
前記第2チャンバと結合して前記第2圧力を測定するように備えられている圧力測定装置；並びに、
前記圧力測定装置及び前記バルブと結合して、前記第2圧力の監視、調節、又は制御のうちの少なくとも1つを行うように備えられている制御装置；
を有する、
請求項1に記載の処理システム。
【請求項９】
中性化装置グリッドをさらに有する処理システムであって、前記中性化装置グリッドは、前記の第2チャンバの排出口と結合し、かつ前記負に帯電したイオンの一部又は全部を中性化するように備えられている、請求項1に記載の処理システム。
【請求項１０】
前記中性化装置グリッドはデバイ長未満の中性化装置グリッドを有する、請求項9に記載の処理システム。
【請求項１１】
前記第2チャンバの下流に設けられた第3チャンバをさらに有する処理システムであって、
前記圧力バリアは、前記第2チャンバと前記第3チャンバの間に設けられ、かつ前記第2チャンバの第2圧力と前記第3チャンバ領域の第3圧力との間の差圧を生成するように備えられていて、かつ
前記第3圧力は前記第2圧力よりも小さい、
請求項1に記載の処理システム。
【請求項１２】
前記圧力制御システムが前記第3チャンバと結合する、請求項11に記載の処理システム。
【請求項１３】
中性化装置グリッドをさらに有する処理システムであって、前記中性化装置グリッドは、前記の第3チャンバの排出口と結合し、かつ負に帯電したイオンの一部又は全部を中性化するように備えられている、請求項11に記載の処理システム。
【請求項１４】
前記中性化装置グリッドがデバイ長未満の中性化装置グリッドを有する、請求項13に記載の処理システム。
【請求項１５】
負に帯電したイオンによって生成させる中性ビーム源であって：
第1プロセスガスを受け、かつ第1圧力で動作するように備えられた第1チャンバ領域と、前記第1チャンバの下流に設けられる第2チャンバ領域であって、第2プロセスガスを受け、かつ第2圧力で動作するように備えられた第2チャンバを有する中性ビーム発生チャンバ；
前記第1チャンバ領域と結合して前記第1プロセスガスを導入するように備えられた第1ガス注入システム；
前記第2チャンバと結合して前記第2プロセスガスを導入するように備えられた第2ガス注入システム；
前記第1チャンバと結合して前記第1プロセスガスからプラズマを生成するように備えられたプラズマ発生システム；
前記第1チャンバ領域と第2チャンバ領域の間に設けられた誘電材料から作られる分離部材であって、前記第2チャンバ領域内に静かなプラズマを生成するため、前記第1チャンバ領域から前記第2チャンバ領域へ電子を供給するように備えられた1つ以上の開口部を有する、分離部材；
前記中性ビーム発生チャンバと結合する圧力制御システムであって、前記第1チャンバ領域から生じた電子が、前記第2プロセスガスとの衝突を抑制して、負の電荷を有する前記静かなプラズマを生成するエネルギーの小さな電子を生成するように前記第2圧力を制御するように備えられた圧力制御システム；並びに、
前記の第2チャンバ領域の排出口と結合して、前記負に帯電したイオンの一部又は全部を中性化するように備えられたデバイ長未満の中性化装置グリッド；
を有する中性ビーム源。
【請求項１６】
前記第2チャンバ領域の下流に設けられた第3チャンバ領域をさらに有する中性ビーム源であって、前記第3チャンバ領域の排出口が前記デバイ長未満の中性化装置グリッドと結合する、請求項15に記載の中性ビーム源。
【請求項１７】
圧力バリアをさらに有する中性ビーム源であって、
前記圧力バリアは、前記第2チャンバ領域と前記第3チャンバ領域の間に設けられ、かつ前記の第2チャンバ領域の第2圧力と前記の第3チャンバ領域の第3圧力の間に差圧を生じさせるように備えられ、かつ
前記第3圧力は前記第2圧力よりも小さい、
請求項16に記載の中性ビーム源。
【請求項１８】
前記第1チャンバ領域の周囲を取り囲んで前記プラズマと接するように備えられている円筒形電極；及び、
前記円筒形電極と結合して電源を前記前記円筒形電極へ結合するように備えられている電源；
をさらに有する中性ビーム源であって、
前記円筒形電極は円筒形の中空の陰極として機能し、かつ
前記電圧は-1V（ボルト）乃至-5kVの範囲の直流(dc)電圧を有する、
請求項17に記載の中性ビーム源。
【請求項１９】
前記圧力制御システムが、接地された又は電気的にバイアス印加された排出シリンダを介して前記第3チャンバ領域と結合し、かつ
前記排出シリンダは、該排出シリンダを貫通する1つ以上の超デバイ長開口部、若しくは該排出シリンダを貫通する1つ以上のデバイ長未満の開口部、又は前記超デバイ長開口部とデバイ長未満の開口部の結合を有する、
請求項18に記載の中性ビーム源。