【事件の表示】
　特願２００４−２５５００６「薄膜トランジスタアレイ基板、それを有する液晶表示パネル及びそれらの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　４月２８日出願公開、特開２００５−１１５３４８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１６年９月２日（パリ条約による優先権主張　２００３年１０月１０日、大韓民国、２００３年１２月３０日、大韓民国）に特許出願したものであって、平成２０年４月９日に手続補正がなされたが、同年９月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月９日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、平成２１年１月８日に手続補正がなされたものである。 
 　 
２　本願発明
（１）本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２１年１月８日になされた補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項によって特定されるものと、ひとまず認められるところ、同補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおりである。
　
「　基板上に形成されたゲートラインと、
　前記ゲートラインとゲート絶縁膜を間に置いて交差して画素領域を規定するデータラインと、
　前記ゲートライン及びデータラインの交差部に形成される薄膜トランジスタと、
　前記薄膜トランジスタのドレイン電極を露出させる保護膜パターンと、前記画素領域を液晶配向が互いに異なる多数個の領域に区分する少なくとも一つの突出部と、
　前記薄膜トランジスタと接続されて前記保護パターンと突出部を除いた前記画素領域に形成される画素電極と、
　前記少なくとも一つの突出部は前記対角線方向に互いに向き合う第１及び第２突出部と、前記第１及び第２突出部と交差された方向に互いに向き合う第３及び第４突出部と、
前記少なくとも一階の絶縁パターンは前記ゲート絶縁膜と同一物質で同一平面上に形成された第１絶縁パターンと、前記保護膜パターンと同一物質で同一平面上に形成された第２絶縁パターンと、
　前記ゲートラインと、前記ゲート絶縁膜と半導体パターンを間に置いて前記ゲートラインと重畳されるストレ-ジ電極と、を含むストレ-ジキャパシタを具備することを特徴とする薄膜トランジスタアレイ基板。」
　
（２）ア　上記（１）の請求項１の「前記薄膜トランジスタと接続されて前記保護パターンと突出部を除いた前記画素領域に形成される画素電極と、」の記載中の「保護パターン」は、前後の記載から見て「保護膜パターン」の誤記と認められる。
　
　イ　上記（１）の請求項１の「前記少なくとも一つの突出部は前記対角線方向に互いに向き合う第１及び第２突出部と、前記第１及び第２突出部と交差された方向に互いに向き合う第３及び第４突出部と、前記少なくとも一階の絶縁パターンは前記ゲート絶縁膜と同一物質で同一平面上に形成された第１絶縁パターンと、前記保護膜パターンと同一物質で同一平面上に形成された第２絶縁パターンと、」との記載は、「対角線方向」及び「少なくとも一階の絶縁パターン」は、当該記載より前に記載がないこと、また、「前記少なくとも一つの突出部は」を受ける述語が存在しないことから、明確に理解することができないので、本願明細書を参照するに、本願明細書には、次の記載がある。
　
「　【００２５】
　前記少なくとも一つの突出部は前記画素領域の対角線方向に形成されたことを特徴とす
る。 
　【００２６】
　前記少なくとも一つの突出部は前記対角線方向に互いに向き合う第１及び第２突出部と、前記第１及び第２突出部と交差された方向に互いに向き合う第３及び第４突出部と、を含むことを特徴とする。 
　【００２７】
　前記少なくとも一つの突出部は少なくとも一階の絶縁パターンに形成されたことを特徴とする。
　【００２８】
　前記少なくとも一階の絶縁パターンは前記ゲート絶縁膜と同一物質で同一平面上に形成された第１絶縁パターンと、前記保護膜パターンと同一物質で同一平面上に形成された第２絶縁パターンと、を含むことを特徴とする。」、
「　【００７０】
　突出部８５はゲート絶縁パターン９０と保護膜パターン９８から構成されて、画素領域に対角線方向に互いに向き合う第１及び第２突出部と、前記第１及び第２突出部と交差された方向に互いに向き合う第３及び第４突出部と、を含むこともできる。・・・」、
「　【００８４】
　引き継いで、フォトレジストパターン７１cをマスクで使って保護膜９８a及びゲート絶縁膜９０aがパターニングされることによって、この後に透明電極パターンが形成される領域を除いた領域にゲート絶縁パターン９０及び保護膜パターン９８が形成される。これによって、ゲート絶縁パターン９０及び保護膜パターン９８から構成された突出部８５が形成される。・・・」
　
　上記本願明細書の記載に照らすと、請求項１の上記記載は、「前記少なくとも一つの突出部は、前記画素領域の対角線方向に形成され、前記対角線方向に互いに向き合う第１及び第２突出部と、前記第１及び第２突出部と交差された方向に互いに向き合う第３及び第４突出部と、を含むとともに、前記ゲート絶縁膜と同一物質で同一平面上に形成された第１絶縁パターンと、前記保護膜パターンと同一物質で同一平面上に形成された第２絶縁パターンと、を含んで形成され、」との意をいうものと解される。
　
（３）以上によれば、本願発明は、次のとおりのものと認められる。 
 　  
「基板上に形成されたゲートラインと、
　前記ゲートラインとゲート絶縁膜を間に置いて交差して画素領域を規定するデータラインと、
　前記ゲートライン及びデータラインの交差部に形成される薄膜トランジスタと、
　前記薄膜トランジスタのドレイン電極を露出させる保護膜パターンと、前記画素領域を液晶配向が互いに異なる多数個の領域に区分する少なくとも一つの突出部と、
　前記薄膜トランジスタと接続されて前記保護膜パターンと突出部を除いた前記画素領域に形成される画素電極と、
　前記少なくとも一つの突出部は、前記画素領域の対角線方向に形成され、前記対角線方向に互いに向き合う第１及び第２突出部と、前記第１及び第２突出部と交差された方向に互いに向き合う第３及び第４突出部と、を含むとともに、前記ゲート絶縁膜と同一物質で同一平面上に形成された第１絶縁パターンと、前記保護膜パターンと同一物質で同一平面上に形成された第２絶縁パターンと、を含んで形成され、
　前記ゲートラインと、前記ゲート絶縁膜と半導体パターンを間に置いて前記ゲートラインと重畳されるストレージ電極と、を含むストレージキャパシタを具備することを特徴とする薄膜トランジスタアレイ基板。」
 　  
３　刊行物の記載
（１）原査定の拒絶の理由に引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００１−５１２９８号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、以下の記載がある（下線は、審決で付した。以下同じ。）。 
 　  
　ア　「【請求項１】複数の画素毎に薄膜トランジスタがスイッチング素子として形成されたアクティブマトリクス型の液晶表示装置において、
前記薄膜トランジスタのソース電極の一部領域以外の前記薄膜トランジスタ上に形成された絶縁性の保護膜と、
前記保護膜と同一の材料からなり、液晶の配向制御用に画素領域内に形成された突起部と、
前記突起部の形成領域外の前記画素領域内に形成され、前記ソース電極の前記一部領域に直接接続された画素電極とを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】請求項１記載の液晶表示装置において、
前記突起部は、前記画素領域内で当該突起部により分断された複数の前記画素電極を電気的に接続するための導通部を有していることを特徴とする液晶表示装置。」
 　 
　イ　「【００２１】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態による液晶表示装置及びその製造方法を図１乃至図５を用いて説明する。まず、本実施の形態による液晶表示装置の概略の構成を図１及乃至図３を用いて説明する。図１は本実施の形態による
液晶表示装置のアレイ基板を液晶層側から見た基板面を示している。図１に示すように、ガラス基板１上に図中上下方向に延びる複数のデータ線（図では１本のみ表示している）１１が形成されている。またガラス基板１上には、図中左右方向に延びる複数のゲート線３が形成されている。これらデータ線１１とゲート線３とで画定される領域に画素が形成される。そして、各データ線１１とゲート線３との交差位置近傍にＴＦＴが形成されている。ＴＦＴのゲート電極４はゲート線３から引き出されて形成されている。ＴＦＴのドレイン電極１７は、データ線１１から引き出されて、
【００２２】一方、ソース電極１９はチャネル保護膜５上の他端辺側に位置してドレイン電極１７に対向して形成されている。図示は省略しているが、
ゲート電極４上にはゲート絶縁膜が形成され、その上にチャネルを構成する動作半導体層が形成されている。画素領域内にはソース電極１９に直接接続されたＩＴＯ等の透明電極からなる画素電極１３が形成されている。
突起１５は画素領域内で頂角が９０°の三角波状に蛇行して形成されている。従って、図１に示すように１画素内で方向が異なる少なくとも４つの傾斜面ｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４が形成され、
液晶分子の配向状態を異ならせた４分割配向のＭＶＡモードによる液晶の配向制御を実現できるようになっている
【００２３】ここで、画素電極１３は突起１５の形成領域には形成されていない。
突起１５の三角波状の各辺部には、辺部を一部削除した導通部１８が設けられている
【００２４】さらに図２を用いて、本実施の形態による液晶表示装置の構造を説明する。図２は、図１のＡ−Ａ線で切断したＴＦＴを含む領域の液晶表示装置の断面を示している。透明ガラス基板１上に例えば厚さ１５０ｎｍのＡｌ（アルミニウム）及び厚さ５０ｎｍのＴｉ（チタン）をこの順に積層したゲート電極４が形成されている。ゲート電極４の幅は例えば８μｍ程度に形成されている。
ゲート電極４上及びガラス基板１上の全面には、例えば厚さ３００ｎｍのシリコン窒化膜（ＳｉＮ）からなるゲート絶縁膜２３が形成されている。
【００２５】ゲート電極４上のアモルファスシリコン層６上にはチャネルストッパとして機能する、例えば厚さ１００ｎｍ程度のＳｉＮからなるチャネル保護膜５が形成されている。ゲート電極４上の動作半導体層の両側のアモルファスシリコン層６上には、オーミックコンタクト層であるｎ+ａ−Ｓｉ層（厚さ３０ｎｍ程度）及び、その上にＴｉ（厚さ約５０ｎｍ）／Ａｌ（厚さ約１５０ｎｍ）／Ｔｉ（厚さ約５０ｎｍ）をこの順に積層したドレイン電極１７、データ線１１、及びソース電極１９が形成されている。ドレイン電極１７及びソース電極１９の端部は、チャネル保護膜５上に乗り上げて対向して形成されている。
【００２６】図２中に示すソース電極１９の幅ａは約５μｍであり、チャネル保護膜５上のドレイン電極１７とソース電極１９との端部間の幅ｂは約３．５μｍである。また、ドレイン電極１７の幅ｃは約３μｍであり、データ線１１の幅ｄは約１０μｍである。
【００２７】
ＴＦＴのソース電極１９（一部領域を除く）、ドレイン電極１７、及びデータ線１１上には、これらを覆う保護膜３４が形成されている
保護膜３４と同一の材料で形成され、横断面中央部が凸状の細長い丘状の突起１５が形成されている
突起１５は図１に示したように画素領域内で頂角がほぼ９０°の三角波状に蛇行するように形成されており、１画素内で方向が異なる４つの傾斜面を有している
【００２８】また、例えばＩＴＯからなる画素電極１３が厚さ約７０ｎｍに成膜されてソース電極１９の一部領域に直接接続されている。画素電極１３は、表示領域内の突起１５上には形成されていない。図中では画素電極１３が突起１５側壁下方に接触しているように表示しているが、画素電極１３端部が突起１５側壁部に接触しないように形成してももちろんよい。図２には示されていないが、突起１５の各辺部に設けられた導通部１８上にも画素電極材が形成されており、画素領域内で突起１５により分断される複数の画素電極１３は電気的に接続されている。以上が、本実施の形態における負の誘電異方性を有する液晶分子の配向状態を異ならせた
４分割配向のＭＶＡモードを実現できる
　
　ウ　「【００３６】次に、図５（ａ）に示すように、
例えば絶縁性を有する熱硬化性樹脂であるノボラック樹脂系のレジスト３３を全面に厚さ約１．５μｍ程度形成する。次いで、レジスト３３をパターニングして、２００°Ｃ程度でアニールを行い硬化させることによりＴＦＴのソース電極１９（一部領域を除く）、ドレイン電極１７、及びデータ線１１を覆う保護膜３４を形成すると共に、同時に横断面中央部が凸状の細長い丘状の突起１５を形成する
　
　エ　図２から、ソース電極１９の一部領域は保護膜３４に覆われずに露出し、露出した部分に画素電極１３が接続されていること、及び突起１５は保護膜３４と同一平面上に形成されていることがみてとれる。
　
　オ　上記イの「ＴＦＴのソース電極１９（一部領域を除く）、ドレイン電極１７、及びデータ線１１上には、これらを覆う保護膜３４が形成されている。」（【００２７】）との記載を踏まえて、図１及び図２をみると、画素電極１３は保護膜３４上には形成されていないことが理解できる。
　
（２）同じく、特開平７−３１１３８３号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、以下の記載がある。
　
「【請求項１】  対向表面側に透明な電極を有した２枚の基板が液晶層を挟んで上下に貼り合わされ、これら両電極の対向部で形成された表示画素がマトリクス状に配置されてなる液晶表示装置において、
前記電極の少なくとも一方の前記表示画素の周縁または／および領域内には
前記液晶層との接触表面を部分的に隆起または陥没させることにより形成された配向制御傾斜部が設けられ、該配向制御傾斜部により液晶の配向を制御した
「【００４３】（第８の実施例） 図１５にセルの断面構造を示す。液晶層（１２０）を挟んで上下に貼り合わされた２枚の透明な基板（１００，１１０）上にはＩＴＯの透明電極（１０１，１１１）が設けられている。
下側の透明電極（１０１）の下部には、
表示画素部の対角線に沿って形成された第２の配向制御断層（１０５）が設けられている。
第２の配向制御断層（１０５）は透明電極（１１１）を一部隆起させ、配向制御傾斜部（１０６Ｌ，１０６Ｒ，１０６Ｕ，１０６Ｄ）が形成されている
・・・
【００４５】 図１６に表示画素部の平面図を示す。表示画素の周縁部に配向制御傾斜部（１０４）の帯状領域があり、内部には
表示画素の対角線に沿って形成された配向制御傾斜部（１０６Ｌ，１０６Ｒ，１０６Ｕ，１０６Ｄ）のＸ字型の領域がある。このように４つに分割された各ゾーン（Ｕ，Ｄ，Ｌ，Ｒ）では、液晶ダイレクターは同じ初期垂直配向状態から、４つのそれぞれの方向へ傾けられ
【００４６】 このようなセル構造により、例えば紙面の左方向からの視認については、ゾーン（Ｌ）の階調が正面からの視認より黒に近づくとともに、ゾーン（Ｒ）の階調が白に近づくために、ゾーン（Ｌ，Ｒ）の平均調と上下ゾーン（Ｕ，Ｄ）の合成光が正面からの視認に近づく。他の方角からの視認についても同様の平均化作用があるので全ての方角について視角依存性が低減される。」
　
(３)同じく、特開平１１−２４２２２５号公報（以下「引用刊行物３」という。）には、以下の記載がある。
　
「【００１７】
【課題を解決するための手段】図９は、本発明の原理を説明する図である。図９に示すように、本発明によれば、従来の垂直配向膜を使用し、液晶材料としてネガ型液晶を封入した
ＶＡ方式において、電圧を印加した時に、液晶が斜めに配向される配向方向が、１画素内において、複数の方向になるように規制するドメイン規制手段を設ける。
少なくとも１つのドメイン規制手段は、斜面を有するものである。なお断面が長方形で基板に対して略垂直に立ち上がる面も斜面に含まれるものとする
ドメイン規制手段として、
突起２０を設けている
「【０１６８】図１３９は、第３５実施例のパネルのＴＦＴ基板を製作する工程を示す図である。（１）に示すように、ガラス基板１７上にゲート電極３１をパターンニングする。次に、
ＳｉＮｘ層４０
最終保護膜４３に相当するＳｉＮｘ層を形成後、絶縁に必要な部分及び突起に相当する部分４３Ｂ、４０Ｂを残してガラス基板１７の表面までエッチングする
突起の高さはＳｉＮｘ層４０と最終保護膜４３の和となる
　
４　引用発明 
（１）前記３（１）アによれば、引用刊行物１には、「複数の画素毎に薄膜トランジスタがスイッチング素子として形成されたアクティブマトリクス型の液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタのソース電極の一部領域以外の前記薄膜トランジスタ上に形成された絶縁性の保護膜と、前記保護膜と同一の材料からなり、液晶の配向制御用に画素領域内に形成された突起部と、前記突起部の形成領域外の前記画素領域内に形成され、前記ソース電極の前記一部領域に直接接続された画素電極とを有し、前記突起部は、前記画素領域内で当該突起部により分断された複数の前記画素電極を電気的に接続するための導通部を有している液晶表示装置。」の発明が記載されているものと認められる。 
 　 
（２）前記３（１）イないしオによれば、上記（１）の発明の実施の形態は、以下の各構成を具備するものであることが認められる。
　
　ア　ガラス基板１上に複数のデータ線１１及び複数のゲート線３が形成され、これらデータ線１１とゲート線３とで画定される領域に画素が形成され、各データ線１１とゲート線３との交差位置近傍にＴＦＴが形成され、ＴＦＴのゲート電極４はゲート線３から引き出されて形成され、ＴＦＴのドレイン電極１７は、データ線１１から引き出されて形成されている。
　
　イ　ゲート電極４上及びガラス基板１上の全面にはゲート絶縁膜２３が形成され、その上にチャネルを構成する動作半導体層として機能するアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層６が形成され、ゲート電極４上の動作半導体層の両側のアモルファスシリコン層６上には、ドレイン電極１７、データ線１１、及びソース電極１９が形成され、ＴＦＴのソース電極１９（一部領域を除く）、ドレイン電極１７、及びデータ線１１上には、これらを覆う保護膜３４が形成されており、保護膜３４に覆われずに露出したソース電極１９の領域に画素電極１３が接続されている。
　
　ウ　突起１５は、保護膜３４と同一の材料で保護膜３４と同一平面上に画素領域内で頂角がほぼ９０°の三角波状に蛇行するように形成されて１画素内で方向が異なる４つの傾斜面を有し、突起１５の三角波状の各辺部には辺部を一部削除した導通部１８が設けられ、導通部１８上にも画素電極が形成されて画素領域内で突起１５により分断される複数の画素電極１３は電気的に接続されており、４分割配向のＭＶＡモードを実現できるものである。
　
　エ　画素電極１３は保護膜３４上には形成されていない。
 　 
（３）以上によれば、引用刊行物１には、次の発明が記載されているものと認められる。 
「ガラス基板上に複数のデータ線及び複数のゲート線が形成され、これらデータ線とゲート線と画定される領域に画素が形成され、各データ線とゲート線との交差位置近傍に薄膜トランジスタが形成され、複数の画素毎に薄膜トランジスタがスイッチング素子として形成されたアクティブマトリクス型の液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタのソース電極の一部領域以外の前記薄膜トランジスタ上に形成された絶縁性の保護膜と、前記保護膜と同一の材料からなり、液晶の配向制御用に画素領域内に形成された突起部と、前記突起部の形成領域外の前記画素領域内に形成され、前記ソース電極の前記一部領域に直接接続された画素電極とを有し、前記突起部は、前記画素領域内で当該突起部により分断された複数の前記画素電極を電気的に接続するための導通部を有している液晶表示装置であって、前記ゲート電極上及び前記ガラス基板上の全面にゲート絶縁膜が形成され、その上にチャネルを構成する動作半導体層として機能するアモルファスシリコン層が形成され、ゲート電極上の動作半導体層の両側のアモルファスシリコン層上には、前記データ線並びに前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極が形成され、前記ソース電極（一部領域を除く）、ドレイン電極及びデータ線上には、これらを覆う前記保護膜が形成され、該保護膜に覆われずに露出したソース電極の領域に前記画素電極が接続され、該画素電極は前記保護膜上には形成されておらず、前記突起部は、保護膜と同一の材料で保護膜と同一平面上に画素領域内で頂角がほぼ９０°の三角波状に蛇行するように形成されて１画素内で方向が異なる４つの傾斜面を有し、三角波状の各辺部に辺部を一部削除した導通部が設けられ、該導通部上にも前記画素電極が形成されて前記画素領域内で突起により分断される複数の画素電極は電気的に接続されており、４分割配向のＭＶＡモードを実現できる液晶表示装置。」（以下「引用発明」という。）
 　 
５　対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
 　  
（１）引用発明の「ガラス基板」及び「ゲート線」は、本願発明の「基板」及び「ゲート」に相当し、引用発明は、本願発明の「基板上に形成されたゲートライン」との事項を備える。
　
（２）引用発明の「データ線」及び「ゲート絶縁膜」は、本願発明の「データライン」及び「ゲート絶縁膜」に相当する。
　そして、引用発明は、「データ線とゲート線と画定される領域に画素が形成され」るものであって、「前記ゲート電極上及び前記ガラス基板上の全面にゲート絶縁膜が形成」され、その上に「前記データ線」が形成されるものであるから、引用発明は、本願発明の「ゲートラインとゲート絶縁膜を間に置いて交差して画素領域を規定するデータライン」との事項を備える。
　
（３）引用発明は、「各データ線とゲート線との交差位置近傍に薄膜トランジスタが形成され」たものであるから、本願発明の「前記ゲートライン及びデータラインの交差部に形成される薄膜トランジスタ」との事項を備える。
　
（４）引用発明の「保護膜」は、本願発明の「保護膜パターン」に相当する。
　そして、引用発明の「保護膜」は、薄膜トランジスタのソース電極の一部領域を除いて覆うものであり、ソース電極の一部領域を露出させるものであるから、「前記薄膜トランジスタの電極を露出させる保護膜パターン」である点において、本願発明の「前記薄膜トランジスタのドレイン電極を露出させる保護膜パターン」と一致する。
　
（５）引用発明の「突起部」は、本願発明の「突出部」に相当する。
　そして、引用発明の「突起部」は、「１画素内で方向が異なる４つの傾斜面」を有するものであって、引用発明は、「４分割配向のＭＶＡモードを実現できる」ものであるから、、本願発明の「前記画素領域を液晶配向が互いに異なる多数個の領域に区分する少なくとも一つの突出部」との事項を備える。
　また、引用発明の「突起部」は、「絶縁性の保護膜」と「同一の材料で保護膜と同一平面上に」形成されたものであるから、「前記保護膜パターンと同一物質で同一平面上に形成された絶縁パターン」を含んで形成される「突出部」である点において、本願発明の「前記保護膜パターンと同一物質で同一平面上に形成された第２絶縁パターンと、を含んで形成され」る「突出部」と一致する。
　
（６）引用発明の「画素電極」は、本願発明の「画素電極」に相当する。
　そして、引用発明の「画素電極」は、「前記ソース電極の前記一部領域に直接接続された」ものであって、「前記突起部の形成領域外の前記画素領域内」に形成され、「前記保護膜上には形成されて」いないものであるから、引用発明は、本願発明の「前記薄膜トランジスタと接続されて前記保護膜パターンと突出部を除いた前記画素領域に形成される画素電極」との事項を備える。
　
（７）引用発明の「『複数のデータ線及び複数のゲート線が形成され、』『各データ線とゲート線との交差位置近傍に薄膜トランジスタが形成され』た『ガラス基板』」は、本願発明の「薄膜トランジスタアレイ基板」に相当する。
　
（８）以上によれば、両者は、 
「基板上に形成されたゲートラインと、
　前記ゲートラインとゲート絶縁膜を間に置いて交差して画素領域を規定するデータラインと、
　前記ゲートライン及びデータラインの交差部に形成される薄膜トランジスタと、
　前記薄膜トランジスタの電極を露出させる保護膜パターンと、前記画素領域を液晶配向が互いに異なる多数個の領域に区分する少なくとも一つの突出部と、
　前記薄膜トランジスタと接続されて前記保護膜パターンと突出部を除いた前記画素領域に形成される画素電極と、
　前記少なくとも一つの突出部は前記保護膜パターンと同一物質で同一平面上に形成された絶縁パターンを含んで形成される薄膜トランジスタアレイ基板。」
である点で一致し、以下のアないしエの点で相違するものと認められる。
　
　ア　「保護膜パターン」が、本願発明では「ドレイン電極」を露出させるのに対して、引用発明では「ソース電極」を露出させる点（以下「相違点１」という。）。
　
　イ　「突出部」が、本願発明では、「前記画素領域の対角線方向に形成され、前記対角線方向に互いに向き合う第１及び第２突出部と、前記第１及び第２突出部と交差された方向に互いに向き合う第３及び第４突出部と、を含む」のに対して、引用発明では、「頂角がほぼ９０°の三角波状に蛇行するように形成されて１画素内で方向が異なる４つの傾斜面を有」するものである点（以下「相違点２」という。）。
　
　ウ　「突出部」が、本願発明では、「前記ゲート絶縁膜と同一物質で同一平面上に形成された第１絶縁パターンと、前記保護膜パターンと同一物質で同一平面上に形成された第２絶縁パターンと、を含んで形成され」るのに対して、引用発明では、「前記保護膜パターンと同一物質で同一平面上に形成された絶縁パターンを含んで形成され」るものであるが、「前記ゲート絶縁膜と同一物質で同一平面上に形成された第１絶縁パターン」を含まない点（以下「相違点３」という。）。
　
　エ　本願発明は、「前記ゲートラインと、前記ゲート絶縁膜と半導体パターンを間に置いて前記ゲートラインと重畳されるストレージ電極と、を含むストレージキャパシタを具備する」のに対して、引用発明は、ストレージキャパシタを具備するのかどうか不明である点（以下「相違点４」という。）。
 　 
６　判断
（１）相違点１について
　液晶表示装置において、薄膜トランジスタのドレイン電極に画素電極を接続することは、本願優先日において周知の技術である（例えば、特開平１０−６８９７１号公報の【０００４】、図７及び図８を参照。）から、引用発明において、ドレイン電極に画素電極を接続すべく、保護膜パターンがドレイン電極を露出させるようにして、相違点１に係る本願発明の構成とすることは、当業者が設計上適宜なし得る程度のことである。
　
（２）相違点２について
　ア　前記３（２）によれば、引用刊行物２には、表示画素の対角線に沿って液晶層との接触表面を部分的に隆起させることにより形成された配向制御傾斜部（１０６Ｌ，１０６Ｒ，１０６Ｕ，１０６Ｄ）を設けて画素領域を４つのゾーンに分割するＸ字型の領域を形成する技術が記載されているものと認められる。
　
　イ　しかるところ、引用発明も、「４分割配向」である点で上記アの技術と共通するものであるから、引用発明において、４分割配向を実現できる突出部の構成として、上記アの技術を適用し、画素領域の対角線に沿って配置するものとすることは、当業者が容易に想到し得る程度のことである。
　
　ウ　ここで、引用発明の「突起部」が、「当該突起部により分断された複数の前記画素電極を電気的に接続するための導通部を有している」ものであることに照らせば、上記イのとおり、表示画素の対角線に沿って配置する際にも連通部を形成することは、当業者が当然考慮すべき事項であり、該連通部を対角線の交差部付近に形成することも、連通部の形成位置として、当業者がまず想起し得る程度のことというべきである。
　そして、これにより、相違点２に係る本願発明の「対角線方向に互いに向き合う第１及び第２突出部と、前記第１及び第２突出部と交差された方向に互いに向き合う第３及び第４突出部」との構成に至るものと認められる。
　してみると、引用発明において、相違点２に係る本願発明の構成とすることは、刊行物２記載の技術に基づいて当業者が容易になし得たものというべきである。
　
（３）相違点３について
　ア　上記３（３）によれば、引用刊行物３には、電圧を印加した時に液晶が斜めに配向される配向方向が、１画素内において複数の方向になるように規制する、斜面を有する突起であるドメイン規制手段を設ける技術が記載されるとともに、該突起の具体的な構成として、ゲート電極３１をパターンニングした後に形成されるＳｉＮｘ層４０と最終保護膜４３に相当するＳｉＮｘ層を、突起に相当する部分４３Ｂ、４０Ｂを残してエッチングして突起を形成することが記載されているものと認められる。
　
　イ　ここで、上記アのＳｉＮｘ層４０及び最終保護膜４３は、それぞれ、引用発明における「ゲート絶縁膜」及び「保護膜」に対応するものと認められるところ、引用発明の「突起部」は、液晶の配向方向を規制する、斜面を有する突起である点で、上記アの突起と共通するものであるから、引用発明において、上記アの刊行物３記載の技術を適用して、「ゲート絶縁膜」及び「保護膜」を、突起部に相当する部分を残してエッチングして突起部を形成することは、当業者が容易に想到し得る程度のことである。
　そして、これにより、相違点３に係る本願発明の「前記ゲート絶縁膜と同一物質で同一平面上に形成された第１絶縁パターンと、前記保護膜パターンと同一物質で同一平面上に形成された第２絶縁パターンと、を含んで形成され」との構成に至るものと認められる。
　してみると、引用発明において、相違点３に係る本願発明の構成とすることは、刊行物３記載の技術に基づいて当業者が容易になし得たものというべきである。
　
（４）相違点４について
　液晶表示装置のアクティブマトリクス基板において、ゲート絶縁膜と半導体パターンを間に置いてゲートラインと重畳されるストレージ電極とを含むストレージキャパシタを設けることは、本願優先日において周知の技術である（例えば、前記特開平１０−６８９７１号公報の【０００９】及び図１２を参照。）から、引用発明において、上記周知のストレージキャパシタを設けて、相違点４に係る本願発明の構成とすることは、当業者が設計上適宜なし得る程度のことである。
　
（５）小括
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明、引用刊行物２ないし引用刊行物３に記載の技術及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものというべきである。
　
７　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用刊行物２ないし引用刊行物３に記載の技術及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。