【事件の表示】
　特願２００３−５０７８１２「金属および金属酸化物のキャップ層構造を有するスピン・バルブ・センサ」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１月　３日国際公開、ＷＯ０３／０１５１３、平成１６年１０月７日国内公表、特表２００４−５３１０１７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１４年２月５日（パリ条約による優先権主張 2001年6月20日、米国）を国際出願日とする出願であって、その請求項１ないし８に係る発明は、平成１９年５月１日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
　
　「磁気モーメントを有する強磁性被ピン止め層構造(202)と、
前記被ピン止め層構造(202)の磁気モーメントを固定するために前記被ピン止め層構造(202)に交換結合される固定する層(212)と、
強磁性自由層構造(204)と、
前記自由層構造(204)と前記被ピン止め層構造(202)の間に位置する非磁性導電スペーサ層(200)と、
キャップ層構造(226)とを含み、
前記自由層構造(204)は、前記スペーサ層構造(200)と前記キャップ層構造(226)の間に位置し、
前記キャップ層構造(226)は、第１のキャップ層(228)および第２のキャップ層(230)を具備し、前記第１のキャップ層(228)は各自由層構造(204)と第２のキャップ層(230)の間および界面に位置し、
前記第１のキャップ層(228)は、鏡面反射のための金からなり、
前記第２のキャップ層(230)は酸化アルミニウムからなる、スピン・バルブ・センサ(74)を具備する、空気ベアリング表面（ＡＢＳ）を有する磁気読取りヘッド。」
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２０００−２７６７１０号公報（以下、「引用例」という。）には、「磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気抵抗効果型ヘッドを用いたハードディスク装置」について、図面とともに、次の記載がある（下線は、当審で付した。）。
　
ア．「【請求項１４】　
高抵抗層、金属反射膜層、第１の強磁性層、第１の非磁性層、第２の強磁性層、反強磁性体層が順次積層された構成を有する磁気抵抗効果素子
　　【請求項１５】　前記高抵抗層は、電子のスピンの方向を維持したまま伝導電子を反射しやすい性質を有する、請求項１４に記載の磁気抵抗効果素子。
　　【請求項１６】　前記
金属反射膜層は、ＡｕとＡｇとの少なくとも一方を主成分として含む
　　【請求項１７】　前記高抵抗層の膜厚は、０．４ｎｍ以上２０ｎｍ以下である、請求項１４に記載の磁気抵抗効果素子。
　　【請求項１８】　前記高抵抗層の膜厚は、０．４ｎｍ以上２ｎｍ以下である、請求項１７に記載の磁気抵抗効果素子。
　　【請求項１９】　前記
高抵抗層は、Ａｌの酸化物を含む
　＜中略＞
　　【請求項３２】　
高抵抗層、金属反射膜層、第１の強磁性層、第１の非磁性層、第２の強磁性層、反強磁性体層が順次積層された構成を有する磁気抵抗効果素子
を備える磁気抵抗効果型ヘッド
　イ．【0005】図１１に、従来のスピンバルブ膜３１０の構成を示す。従来のスピンバルブ膜３１０は、基板１上に、直接または下地膜２を介して、第１の強磁性層３、非磁性膜４、第２の強磁性膜５、金属反強磁性体７を順次積層した構成となっている。このタイプの
スピンバルブ膜においては、反強磁性材料７に接した強磁性膜（ピン層）５は、交換結合により一方向異方性を与えられ、磁化方向が一方向に固定される。これに対して、ピン層５と非磁性層４を介して設けられた強磁性層３（フリー層）においては、外部からの信号磁界に対して比較的自由に磁化方向を回転できるので、ピン層５とフリー層３の相対的磁化方向が変化し、電気抵抗が変化する
　ウ．「【0056】図１に本発明の磁気抵抗効果素子の構成の一例を示す。図１（ａ）に示すＭＲ素子１００Ａは、基板１上に直接あるいは下地層２を介して非磁性高抵抗層８、第１の強磁性層３、非磁性層４、第２の強磁性層５、反強磁性体層７を順次積層した構成となっている。本発明の磁気抵抗効果素子の動作は基本的に図１１で示されたスピンバルブ膜３１０と同じである。ただし、
第１の強磁性体層３の下に更に非磁性高抵抗層８を形成しているので、ＭＲ比が従来より増大する
【0057】図１（ａ）に示した多層膜がスピンバルブ型磁気抵抗効果素子として働く動作は以下のように説明される。
第２の強磁性層５は反強磁性体層７から交換バイアス磁界を受け、磁化方向は一方向に固定される。一方、非磁性層４を介して形成された第１の強磁性層３は、外部からの磁界に応じて比較的自由に磁化方向を変えるので、第１の強磁性層（フリー層）３と第２の強磁性層（ピン層）５の磁化方向の相対的角度が変化し、電気抵抗（磁気抵抗）が変化する
【0058】また
図１（ａ）においては非磁性高抵抗層８から順に積層した場合について図示しているが、逆に図１（ｂ）に示すように反強磁性体層７から積層しても本発明は有効である
　エ．「【0061】図１（ａ）の
高抵抗層８としては、非磁性高抵抗層がよい
特にＡｌ
2
Ｏ
3
がよい
　オ．「【0072】
非磁性層４としては、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｒｕなどがあるが、特にＣｕが優れている
　カ．「【0077】以上は図１の例について述べたが、本発明の別の構成例は図２である。
図２では高抵抗層８ａの効果を高めるために、高抵抗層８ａと第１の強磁性層３の間に更に電子の鏡面反射効果を高める金属反射膜層９を設ける
【0078】図２の場合の高抵抗層８ａは、図１の場合の高抵抗層８と同様の非磁性高抵抗体でも良いし、磁性体を用いても良い。磁性体の中でも反強磁性体は余分な漏れ磁束がなくて良い。高抵抗反強磁性体としては、α−Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ膜のような酸化物反強磁性体がよい。その中でも、α−Ｆｅ2Ｏ3膜が優れている。このような膜は表面が平滑になって、電子の鏡面反射効果を起こしやすい。
【0079】金属反射膜層９としては、表面が超平滑になりやすいものを導入すれば、電子が反射される界面Ｓ２での電子の鏡面反射の確率が上昇し、ＭＲ比が増加する。
金属反射膜層９の材料としては、Ａｕ、Ａｇなどが適当である
　キ．「【0083】以上述べたような
本発明の磁気抵抗効果素子１００Ａ、１００Ｂ、２００Ａまたは２００Ｂを用いて、磁気抵抗効果型ヘッドを構成することができる
　ク．「【0086】また
ＭＲヘッドは読みとり専用ヘッドなので、通常書き込み用の誘導型ヘッドと組み合わせて用いられる
　ケ．「【0096】
ＭＲヘッドを保持するスライダ１２０は、例えば空気ベアリングスライダである
　コ．「【0118】（実施例３）図２（ａ）のタイプのＭＲ素子２００Ａの実施例Ｃ１を、実施例１と全く同様の方法で作製した。この時基板としては、Ｓｉ（１００）基板を用い、高抵抗層８ａとしてα−Ｆｅ2Ｏ3膜を用い、
金属反射膜層９としてＡｕ膜を用いた
　サ．「【0132】（実施例５）まず、Ｓｉ基板を様々な条件でイオンビームを用いて表面処理し、表面粗さを変化させた。この様にして処理したＳｉ基板上に実施例１と全く同様の方法で、図２（ａ）のタイプの以下に示すＭＲ素子２００Ａを作製した。この場合、
高抵抗層８ａとして、Ａｌ
2
Ｏ
3
を用い
Ｅ１：Ｔａ（３）／Ａｌ2Ｏ3（１）／Ａｇ（１）／Ｎｉ0.8Ｆｅ0.2（３）／Ｃｏ（１）／Ｃｕ（２）／Ｃｏ（２）／Ｉｒ0.2Ｍｎ0.8（１０）
作成した試料の表面粗さとＭＲ比を表５に示す。この場合の表面粗さは、ＳＴＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて評価した。１０ｍｍ角の試料の  表面上で、無作為に１０ｎｍ×１０ｎｍのエリアを１０カ所選び、各エリアで最も高い点と低い点の差をそのエリアの表面粗さとし、それを１０カ所で平均してその試料の表面粗さとした。」
　
　上記摘示事項、特にア、ケによれば、引用例には次の発明「以下、「引用例発明」という。）が記載されている。
　
　「高抵抗層、金属反射膜層、第１の強磁性層、第１の非磁性層、第２の強磁性層、反強磁性体層が順次積層された構成を有し、前記金属反射膜層はＡｕとＡｇとの少なくとも一方を主成分として含み、前記高抵抗層はＡｌの酸化物を含む磁気抵抗効果素子を備え、空気ベアリングスライダに保持される磁気抵抗効果型ヘッド。」
　
３　対比、判断
　本願発明と引用例発明とを対比する。
　引用例発明の「第２の強磁性層」は反強磁性体層７から交換バイアス磁界を受け、磁化方向は一方向に固定されるのであるから（上記ウ）、磁気モーメントを有することは明らかで、本願発明の「磁気モーメントを有する強磁性被ピン止め層構造(202)」に相当する。
　スピンバルブ型磁気抵抗効果素子において、反強磁性材料に接した強磁性膜（ピン層）は、交換結合により一方向異方性を与えられ、磁化方向が一方向に固定されるのである（上記イ、ウ）から、引用例発明の「反強磁性層」は、本願発明の「被ピン止め層構造(202)の磁気モーメントを固定するために前記被ピン止め層構造(202)に交換結合される固定する層(212)」に相当する。
　引用例発明の「第１の強磁性層」は、外部からの磁界に応じて比較的自由に磁化方向を変える（上記イ、ウ）から、本願発明の「強磁性自由層構造(204)」に相当する。
　引用例発明の「第１の非磁性層」は、「第１の強磁性層」（自由層構造(204)）と「第２の強磁性層」（被ピン止め層構造(202)）との間に位置しており、「Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｒｕなどがあるが、特にＣｕが優れている」（上記オ）のであって、Ｃｕ等は非磁性導電性であることは明らかであるから、本願発明の「前記自由層構造と前記被ピン止め層構造の間に位置する非磁性導電スペーサ層(200)」に相当する。
　引用例発明の「金属反射膜層」は「Ａｕ、Ａｇなどからなり、電子が反射される界面Ｓ２での電子の鏡面反射の確率が上昇してＭＲ比が増加する」（上記カ）のであるから、本願発明の「第１のキャップ層」に相当し、「第１のキャップ層(228)は、鏡面反射のための金からな」る構成を備えている。
　引用例発明の「高抵抗層」は、金属反射膜層によって電子の鏡面反射効果が増強される（上記カ）のであるから、本願発明の「第２のキャップ層(230)」に相当する。また、引用例発明において「高抵抗層はＡｌの酸化物を含む」から、本願発明の「第２のキャップ層(230)は酸化アルミニウムからなる」構成を備えている。
　引用例発明は、「高抵抗層（第２のキャップ層(230)）、金属反射膜層（第１のキャップ層(228)）、第１の強磁性層（自由層構造(204)）、第１の非磁性層(非磁性導電スペーサ層(200))、第２の強磁性層、反強磁性体層が順次積層」された構成を有するから、本願発明の「キャップ層構造(226)とを含み、前記自由層構造(204)は、前記スペーサ層構造(200)と前記キャップ層構造(226)の間に位置し、前記キャップ層構造(226)は、第１のキャップ層(228)および第２のキャップ層(230)を具備し、前記第１のキャップ層(228)は各自由層構造(204)と第２のキャップ層(230)の間および界面に位置」する構成を備えている。
　引用例発明の「磁気抵抗効果素子」は、スピンバルブ型磁気抵抗効果素子であるから（上記ウ）、本願発明の「スピン・バルブ・センサ(74)」に相当する。
　そして、引用例発明の「空気ベアリングスライダに保持される磁気抵抗効果型ヘッド」は、本願発明の「空気ベアリング表面（ＡＢＳ）を有する磁気読取りヘッド」に相当する。
　
　そうすると、引用例発明は本願発明を特定する事項のすべてを含むから、本願発明は引用例に記載された発明である。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願請求項１に係る発明は、その優先件主張の日前に頒布された刊行物である引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。