【事件の表示】
　特願２００４−２９８５３４「薄膜トランジスタ表示板」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　５月１２日出願公開、特開２００５−１２３６２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１６年１０月１３日（パリ条約による優先権主張２００３年１０月１３日，大韓民国）の出願であって，平成２０年４月１４日付けで拒絶理由が通知され，同年７月１８日に手続補正がされ，同年８月６日付けで拒絶理由が通知され，同年１１月１１日に手続補正がされ，同年１２月８日付けで，前記同年１１月１１日付けの手続補正が却下されるとともに拒絶査定がされ，これに対して平成２１年３月１３日に審判請求がされ，同年４月９日に手続補正がされたものである。
　
第２　平成２１年４月９日付けの手続補正の却下について
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年４月９日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲の補正を含むものであって，そのうち本件補正後の請求項１〜９については，補正前後で，以下のとおりである。
　
〈補正前〉
「【請求項１】
　基板と，
　前記基板上に形成されるゲート線と，
　前記基板上に形成され，前記ゲート線と交差するデータ線と，
　前記ゲート線に接続され，前記ゲート線に対し略平行な端部を有するゲート電極と，
　前記データ線に接続されるソース電極と，前記ゲート電極の端部と重畳され，前記データ線に略平行な第１部分及び前記データ線とは異なる方向に前記第１部分から延長される第２部分を含むドレイン電極と，を有する薄膜トランジスタと，
　前記ドレイン電極の第２部分に接続される画素電極と，
　を含み，
　前記画素電極と前記ドレイン電極とは，前記基板上の異なる層に配置されることを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。
　　【請求項２】
　前記第２部分は，前記ゲート線に略平行であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
　　【請求項３】
　前記ゲート電極の端部は，前記データ線と略直交していることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
　　【請求項４】
　前記ソース電極は，前記ドレイン電極の一部分を部分的に囲むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
　　【請求項５】
　前記ソース電極は，前記ドレイン電極に面する端部を有し，鉤状又は馬蹄状の形状であることを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ表示板。
　　【請求項６】
　前記ソース電極とドレイン電極とは，相互に向き合う直線状の端部を有することを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
　　【請求項７】
　前記画素電極は，切開部を有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
　　【請求項８】
　前記切開部は，前記ゲート線に対して略±４５度の角度を成すことを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板。
　　【請求項９】
　前記画素電極は，前記切開部に対して略直行に面取りをされた端部を有することを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板。
　　【請求項１０】
　前記面取りされた端部は，前記ドレイン電極の第１部分と第２部分とが交わる第１交点に隣接して配置されることを特徴とする請求項９に記載の薄膜トランジスタ表示板。
　　【請求項１１】
　前記面取りされた端部と前記画素電極の端部とが交わる第２交点は，前記第１交点と隣接することを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタ表示板。」
　
〈補正後〉
「【請求項１】
　基板と，
　前記基板上に形成されるゲート線と，
　前記基板上に形成され，前記ゲート線と交差するデータ線と，
　前記ゲート線に接続され，前記ゲート線に対し略平行な端部を有するゲート電極と，
　前記データ線に接続されるソース電極と，前記ゲート電極の端部と重畳され，前記データ線に略平行な第１部分及び前記データ線とは異なる方向に前記第１部分から延長される第２部分を含むドレイン電極と，を有する薄膜トランジスタと，
　前記ドレイン電極の第２部分の端部に接続される画素電極と，
　を含み，
　前記ゲート電極または前記ドレイン電極は，前記ドレイン電極と重畳する前記ゲート電極の境界線が露光時に用いられるマスクまたは光源の移動方向に対して直交するように配置され，
　前記画素電極と前記ドレイン電極とは，前記基板上の異なる層に配置され，
　前記第２部分は，前記ゲート線に略平行であり，
　前記ゲート電極の端部は，前記データ線と略直交していることを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。
　　【請求項２】
　前記ソース電極は，前記ドレイン電極の一部分を部分的に囲むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
　　【請求項３】
　前記ソース電極は，鉤状又は馬蹄状の形状であることを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
　　【請求項４】
　前記ソース電極とドレイン電極とは，直線状の境界線を介して相互に向き合うことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
　　【請求項５】
　前記画素電極は，前記データ線とゲート線とに囲まれた領域内に切開部を有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
　　【請求項６】
　前記切開部の一部は，前記ゲート線に対して略４５度の角度を成すことを特徴とする請求項５に記載の薄膜トランジスタ表示板。
　　【請求項７】
　前記画素電極は，前記切開部に対して略直角に面取りされた端部を有することを特徴とする請求項５に記載の薄膜トランジスタ表示板。
　　【請求項８】
　前記面取りされた端部は，前記ドレイン電極の第１部分と第２部分とが交わる第１交点に隣接して配置されることを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板。
　　【請求項９】
　前記面取りされた端部と前記画素電極の端部とが交わる第２交点は，前記第１交点と隣接することを特徴とする請求項８に記載の薄膜トランジスタ表示板。」
　
２．補正事項の整理
　上記，本件補正後の請求項１〜９についての補正を整理すると次のとおりとなる。
〈補正事項ａ〉
　補正前の請求項１を削除するとともに，補正前の請求項２を独立請求項の形式に書き換える。
〈補正事項ｂ〉
　補正前の請求項１の「前記ドレイン電極の第２部分に接続される画素電極」を，補正後の請求項１の「前記ドレイン電極の第２部分の端部に接続される画素電極」とする。
〈補正事項ｃ〉
　補正前の請求項１に，補正後の請求項１の「前記ゲート電極または前記ドレイン電極は，前記ドレイン電極と重畳する前記ゲート電極の境界線が露光時に用いられるマスクまたは光源の移動方向に対して直交するように配置され，」を加入する。
〈補正事項ｄ〉
　補正前の請求項１に，補正後の補正後の請求項１の「前記ゲート電極の端部は，前記データ線と略直交してい」を加入する。
〈補正事項ｅ〉
　補正前の請求項３を削除し，補正前の請求項４〜１１の項番を繰り上げて請求項２〜９にするとともに，補正前の請求項５で引用する請求項４を，補正後の請求項３においては請求項２とし，補正前の請求項６で引用する請求項３を，補正後の請求項４においては請求項１とし，補正前の請求項８で引用する請求項７を，補正後の請求項６においては請求項５とし，補正前の請求項９で引用する請求項７を，補正後の請求項７においては請求項５とし，補正前の請求項１０で引用する請求項９を，補正後の請求項８においては請求項７とし，補正前の請求項１１で引用する請求項１０を，補正後の請求項９においては請求項８とすること。
〈補正事項ｆ〉
　補正前の請求項５の「前記ソース電極は，前記ドレイン電極に面する端部を有し，鉤状又は馬蹄状の形状である」を，補正後の請求項３の「前記ソース電極は，鉤状又は馬蹄状の形状である」と補正すること。
〈補正事項ｇ〉
　補正前の請求項６の「前記ソース電極とドレイン電極とは，相互に向き合う直線状の端部を有する」を，補正後の請求項４の「前記ソース電極とドレイン電極とは，直線状の境界線を介して相互に向き合う」と補正すること。
〈補正事項ｈ〉
　補正前の請求項７の「前記画素電極は，切開部を有する」を，補正後の請求項５の「前記画素電極は，前記データ線とゲート線とに囲まれた領域内に切開部を有する」と補正すること。
〈補正事項ｉ〉
　補正前の請求項８の「前記切開部は，前記ゲート線に対して略±４５度の角度を成す」を，補正後の請求項６の「前記切開部の一部は，前記ゲート線に対して略４５度の角度を成す」と補正すること。
〈補正事項ｊ〉
　補正前の請求項９の「前記画素電極は，前記切開部に対して略直行に面取りをされた端部を有する」を，補正後の請求項７の「前記画素電極は，前記切開部に対して略直角に面取りされた端部を有する」と補正すること。
　
３．補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
　上記〈補正事項ａ〉及び〈補正事項ｅ〉は，請求項の削除，及び請求項の削除に伴う項番の整合をするものであるから，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。
　上記〈補正事項ｂ〉〜〈補正事項ｄ〉は，いずれもドレイン電極，ゲート電極又は画素電極について，より限定を行うものであるから，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　上記〈補正事項ｆ〉〜〈補正事項ｊ〉は，いずれも拒絶査定において不明瞭である旨を指摘された事項を解消しようとするものであるから，特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　そして，上記〈補正事項ｂ〉〜〈補正事項ｄ〉，及び〈補正事項ｆ〉〜〈補正事項ｊ〉に係る事項は，本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下「当初明細書等」という。）に示されているから，上記各補正事項は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
　上記のとおり，本件補正は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むから，以下，本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項に規定する独立特許要件を満たすか）どうかを，補正後の請求項１に係る発明について検討する。
　
４．独立特許要件についての検討
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明は，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される，以下のとおりものである。（再掲。以下「本願補正発明」という。）
「【請求項１】
　基板と，
　前記基板上に形成されるゲート線と，
　前記基板上に形成され，前記ゲート線と交差するデータ線と，
　前記ゲート線に接続され，前記ゲート線に対し略平行な端部を有するゲート電極と，
　前記データ線に接続されるソース電極と，前記ゲート電極の端部と重畳され，前記データ線に略平行な第１部分及び前記データ線とは異なる方向に前記第１部分から延長される第２部分を含むドレイン電極と，を有する薄膜トランジスタと，
　前記ドレイン電極の第２部分の端部に接続される画素電極と，
　を含み，
　前記ゲート電極または前記ドレイン電極は，前記ドレイン電極と重畳する前記ゲート電極の境界線が露光時に用いられるマスクまたは光源の移動方向に対して直交するように配置され，
　前記画素電極と前記ドレイン電極とは，前記基板上の異なる層に配置され，
　前記第２部分は，前記ゲート線に略平行であり，
　前記ゲート電極の端部は，前記データ線と略直交していることを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。」
　
（２）刊行物に記載された発明
・特開２００２−１９０６０５号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００２−１９０６０５号公報（以下「引用例」という。）には，図１〜３及び６とともに，以下の記載がある。（下線は当審において付加。以下同様）
ア　発明の属する技術分野
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はトランジスタとそれを備える表示装置に関する
　
イ　従来の技術
「【０００２】
【従来の技術】表示装置，例えば液晶表示装置に利用されるトランジスタは一般に，ガラス基板上に薄膜の形態で形成されている。図６（ａ）〜（ｃ）は，従来の薄膜タイプのトランジスタの概要を模式的に示す平面図である。この図に示すように，従来のトランジスタは，ゲート電極Ｇ上に絶縁膜を介してシリコンなどの半導体層ＳＩを形成し，その上に平面四角形状のソース電極Ｓとドレイン電極Ｄを一定の間隔をもって対向配置している。このソース電極Ｓ，ドレイン電極Ｄはその形成の際に，同図（ｂ）（ｃ）に示すように上下もしくは左右方向に若干の位置ずれが生じる。斜線で示すゲート電極との重なり面積，すなわち寄生容量は，同図（ｂ）の場合は殆ど変動しないが，同図（ｃ）の場合は，一方が増加し，他方が減少するので，トランジスタの寄生容量に変動が生じやすい。」
　
ウ　発明が解決しようとする課題
「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は，トランジスタ（特に表示に利用する薄膜タイプのトランジスタ）の寄生容量の変動を抑制することを課題の１つとする
　
エ　課題を解決するための手段
「【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のトランジスタは請求項１に記載のように，ゲート電極に半導体層を介在してソース電極とドレイン電極を対向配置したトランジスタであって，ドレイン電極は棒状に形成し，ソース電極は細長状とすると共にドレイン電極と対向する側にドレイン電極の先端を受け入れる凹部を形成し，半導体層は一部分がゲート電極からはみ出し，そのはみ出し部分は平面的に見てゲート電極と重なっていないソース電極及びドレイン電極に位置すると共にソース電極に位置するはみ出し部分とドレイン電極に位置するはみ出し部分がゲート電極に遮られて互いに独立することを特徴とする。」
　
オ　発明の実施の形態
「【００１１】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施形態について，
逆スタガ型の薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴ）１をマトリックス状に配列した薄膜トランジスタアレイ（以下ＴＦＴアレイ）２を例にとって説明する。図１は，ＴＦＴアレイ２の概略的な平面図である。図２は図１のＡ−Ａに沿った断面図で，要部（ＴＦＴ１）の概略的な断面図である。図３はＴＦＴ１の概略構造を模式的に示す平面図である
【００１２】
ＴＦＴアレイ２は，無アルカリガラスなどの基板３の上に，左右方向に延びる複数のゲート配線４，並びに，このゲート配線４に接続したゲート電極５を形成している。前記ゲート電極５の上には，窒化シリコン（ＳｉＮｘ）などのゲート絶縁膜６を介して半導体アイランド７を形成している。この半導体アイランド７は，後述するソース電極９やドレイン電極１０に接続されてチャンネル領域を形成する半導体層としてのアモルファスタイプのシリコン層によって形成している。半導体アイランド７の形成後，ゲート配線４と直交する方向（縦方向に延びる）の複数のソース配線８，これに接続したソース電極９，並びにこのソース電極９と一定の距離を置いて対向配置したドレイン電極１０，このドレイン電極１０の基端部と接続した画素電極とのコンタクト用電極１１が形成される
【００１３】
半導体アイランド７，ソース電極９，ドレイン電極１０などを含むＴＦＴアレイ２上面は，保護膜（ＳｉＮｘなど）１２によって覆っている。この保護膜１２に前記コンタクト用電極１１に至るコンタクトホール１３を形成した後，このホール１３を介してＴＦＴ１に接続されるＩＴＯ，ＩＺＯなどの透明な画素電極１４をＴＦＴ１に隣接して形成している
【００１４】前記ソース電極９は，前記ソース配線８と直交する方向に細長い横長形状であり，ゲート電極５並びに半導体アイランド７と平面的に重なる位置に形成している。
ソース電極９の途中のドレイン電極１０と対向する側には，ドレイン電極１０の先端部１０ａを受け入れる凹部９ａを形成している。ゲート電極５並びに半導体アイランド７と平面的に重なるように配置したドレイン電極１０は，ソース配線８の延長方向と同方向に延びる棒状である縦長形状をしており，ソース電極９を基準にソース配線８の延長方向と同方向に配置している
【００１５】
ソース電極９，ドレイン電極１０がゲート絶縁膜６や半導体アイランド７を介在して平面的にゲート電極５と重なる部分が主にＴＦＴ１の寄生容量を構成するが，なかでも画素電圧の変動に大きな影響を与えるのは，ドレイン電極１０とゲート電極５の重なりによって形成される寄生容量である。図３に示す構造は，このゲート・ドレイン間の寄生容量の変動を抑制する構造となっている
【００１６】まず，
同一金属によって同時に形成されるソース電極９とドレイン電極１０を縦方向に配列しているので，その電極配置が横方向に多少ずれてもゲート・ドレイン間の寄生容量に変動はない。また，縦方向にずれると，ドレイン電極１０とゲート電極５の重なり面積が大小変動するが，ドレイン電極１０が縦長であるので，コンタクト電極１１のように横長部分をゲート電極５上に重ねる場合に比べて，変動する面積を非常に小さくすることができる
【００１７】
このようにドレイン電極１０の先端部１０ａをソース電極９の凹部９ａに配置しているので，ＴＦＴ１の寄生容量の変動を抑制することができる
【００１８】また，ソース電極９とドレイン電極１０は，ゲート絶縁膜６や半導体アイランド７を介在してゲート電極５と対向配置されている。
ゲート電極５とソース電極９が平面的に重なる領域には必ず半導体アイランド７が位置するように，半導体アイランド７は，ソース電極９が横切るゲート電極５の縁から若干はみ出している。同様に，ゲート電極５とドレイン電極１０が平面的に重なる領域には必ず半導体アイランド７が位置するように，半導体アイランドは，ドレイン電極１０が横切るゲート電極５の縁から若干はみ出している。このようにすることにより，ゲート電極５とソース電極９やドレイン電極１０の間に形成される寄生容量の変動を抑制することができる
【００１９】
したがって，液晶層を挟んで対向配置した基板の一方にこのＴＦＴアレイ２を組み込んで液晶表示装置を提供する場合，ＴＦＴ１の寄生容量の変動による表示ムラを抑制した表示を行なうことができる
　
　ここで，上記オの記載とともに，図３を参照すると，「ドレイン電極１０が横切るゲート電極５の縁」は，ゲート配線４とほぼ平行となっていることが分かる。
　また，上記オの記載とともに，図１，断面図である図２，及び図３を参照すると，「ドレイン電極１０」と「ドレイン電極１０の基端部と接続した画素電極とのコンタクト用電極１１」は，単一の層により，一体のものとして形成されていることが分かる。さらに，ドレイン電極１０は「縦長」形状であるのに対して，コンタクト用電極１１は「横長」形状であることも分かる。
　
　したがって，引用例には，以下の発明が記載されているものと認められる。（以下「引用発明」という。）
「薄膜トランジスタアレイ２を備える表示装置であって，
　前記薄膜トランジスタアレイ２は，
　基板３の上に，左右方向に延びる複数のゲート配線４と，該ゲート配線４に接続されたゲート電極５，
　該ゲート電極５の上に，ゲート絶縁膜６を介して形成された半導体アイランド７，
　前記ゲート配線４と直交する方向の複数のソース配線８と，該ソース配線に接続されたソース電極９，
　該ソース電極９と一定の距離を置いて対向配置したドレイン電極１０，及び該ドレイン電極１０と一体となっている，画素電極とのコンタクト用電極１１，
並びに，
　薄膜トランジスタアレイ２上面を覆う保護膜１２に形成された，コンタクトホール１３を介して，前記コンタクト用電極１１に接続された画素電極１４を備えてなり，
　前記ソース電極９の途中のドレイン電極１０と対向する側には，前記ドレイン電極１０の先端部１０ａを受け入れる凹部９ａが形成されており，
　前記ドレイン電極１０は，前記ソース配線８の延長方向と同方向に延びる棒状である縦長形状をしているとともに，前記コンタクト電極１１は横長形状をしており，
　前記ソース電極９及び前記ドレイン電極１０は，前記ゲート絶縁膜６及び前記半導体アイランド７を介在して前記ゲート電極５と対向配置されるとともに，前記ドレイン電極１０が横切る前記ゲート電極５の縁が，前記ゲート配線４とほぼ平行となっている，
　薄膜トランジスタアレイ２を備える表示装置。」
　
（３）本願補正発明と引用発明との対比
ア　引用発明の「薄膜トランジスタアレイ２を備える表示装置」は，本願補正発明の「薄膜トランジスタ表示板」に相当する。
　
イ　引用発明の「基板３の上に，左右方向に延びる複数のゲート配線４」は，本願補正発明の「前記基板上に形成されるゲート線」に相当する。
　
ウ　引用発明の「前記ゲート配線４と直交する方向の複数のソース配線８と，該ソース配線に接続されたソース電極９」が基板３上に形成されていることは明らかである。よって，引用発明の「前記ゲート配線４と直交する方向の複数のソース配線８と，該ソース配線に接続されたソース電極９」は，本願補正発明の「前記基板上に形成され，前記ゲート線と交差するデータ線」及び「前記データ線に接続されるソース電極」に相当する。
　
エ　引用発明の「ゲート配線４に接続されたゲート電極５」については，「ドレイン電極１０が横切る前記ゲート電極５の縁が，前記ゲート配線４とほぼ平行となって」いるから，当該「前記ゲート電極５の縁」が，本願補正発明の，「ゲート電極」が「有する」「前記ゲート線に対し略平行な端部」に対応する。よって，引用発明の「ゲート配線４に接続されたゲート電極５」であって，「ドレイン電極１０が横切る前記ゲート電極５の縁が，前記ゲート配線４とほぼ平行となっている」ものは，本願補正発明の「前記ゲート線に接続され，前記ゲート線に対し略平行な端部を有するゲート電極」に相当する。
　
オ　引用発明の「ソース電極９と一定の距離を置いて対向配置したドレイン電極１０」は，「前記ゲート絶縁膜６及び前記半導体アイランド７を介在して前記ゲート電極５と対向配置されるとともに，前記ドレイン電極１０が横切る前記ゲート電極５の縁」があることから，「ドレイン電極１０」が，当該「前記ゲート電極５の縁」と重なる部分を有することは明らかである。また，引用発明においては，「ドレイン電極１０は，前記ソース配線８の延長方向と同方向に延びる棒状である縦長形状をしている」。ここで，引用発明の「ソース線８」は，上記ウで述べたとおり，本願補正発明の「データ線」に相当する。よって，引用発明の「ドレイン電極１０」は，本願補正発明の「ドレイン電極」のうちの「前記ゲート電極の端部と重畳され，前記データ線に略平行な第１部分」に対応する。
　
カ　引用発明においては，「ドレイン電極１０は，前記ソース配線８の延長方向と同方向に延びる棒状である縦長形状」であるのに対して，「コンタクト用電極１１」は，「横長形状をしており」，「ソース配線８の延長方向と」直交する方向に延びる形状，すなわち，「ソース配線８の延長方向と」直交する「ゲート配線４」の方向に延びる形状であることが明らかである。さらに，引用発明の「コンタクト用電極１１」は，「ドレイン電極１０と一体となっている」ものである。よって，引用発明の「コンタクト用電極１１」は，本願補正発明の「ドレイン電極」のうちの「データ線とは異なる方向に前記第１部分から延長される第２部分」であって，「前記ゲート線に略平行であ」るものに対応する。
　
キ　上記オ及びカから，引用発明の「ドレイン電極１０」及び「該ドレイン電極１０と一体となっている」「コンタクト用電極１１」を合わせたものが，本願補正発明の「ドレイン電極」に相当するものといえる。
　
ク　上記イ〜キから，引用発明の，「ゲート電極５」，「ゲート絶縁膜６」，「半導体アイランド７」，「ソース電極９」，「ドレイン電極１０」，及び「コンタクト用電極１１」により，本願補正発明の「薄膜トランジスタ」が構成されることは明らかである。
　
ケ　引用発明の「コンタクト用電極１１に接続された画素電極１４」と，本願補正発明の「ドレイン電極の第２部分の端部に接続される画素電極」とは，「ドレイン電極の第２部分に接続される画素電極」である点で共通する。
　
コ　引用発明においては，「画素電極１４」は，「薄膜トランジスタアレイ２上面を覆う保護膜１２に形成された，コンタクトホール１３を介して，前記コンタクト用電極１１に接続され」ることは，本願補正発明の，「画素電極と前記ドレイン電極とは，前記基板上の異なる層に配置され」ることに対応する。
　
サ　引用発明においては，「ドレイン電極１０が横切る前記ゲート電極５の縁が，前記ゲート配線４とほぼ平行となって」おり，さらに，「複数のソース配線８」（すなわちデータ線）が「ゲート配線４と直交する方向」にあることから，「ドレイン電極１０が横切る前記ゲート電極５の縁が」ソース配線８の方向とほぼ直交する構成を有するといえる。引用発明のこの構成と，本願補正発明の「前記ゲート電極の端部は，前記データ線と略直交していること」とは，「前記ゲート電極の端部は，前記データ線の方向と略直交している」点で共通する。
　
シ　したがって，引用発明と本願補正発明とは，
「基板と，
　前記基板上に形成されるゲート線と，
　前記基板上に形成され，前記ゲート線と交差するデータ線と，
　前記ゲート線に接続され，前記ゲート線に対し略平行な端部を有するゲート電極と，
　前記データ線に接続されるソース電極と，前記ゲート電極の端部と重畳され，前記データ線に略平行な第１部分及び前記データ線とは異なる方向に前記第１部分から延長される第２部分を含むドレイン電極と，を有する薄膜トランジスタと，
　前記ドレイン電極の第２部分に接続される画素電極と，
　を含み，
　前記画素電極と前記ドレイン電極とは，前記基板上の異なる層に配置され，
　前記第２部分は，前記ゲート線に略平行であり，
　前記ゲート電極の端部は，前記データ線の方向と略直交していることを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。」
の点で一致する。
　
ス　一方，両者は以下の各点で相違する。
〈相違点１〉
　本願補正発明においては，画素電極は「ドレイン電極の第２部分の端部に接続される」のに対して，引用発明においては，画素電極は「ドレイン電極の第２部分に接続される」ものの，「第２部分の端部に接続される」ものではない点。
〈相違点２〉
　本願補正発明においては，「前記ゲート電極または前記ドレイン電極は，前記ドレイン電極と重畳する前記ゲート電極の境界線が露光時に用いられるマスクまたは光源の移動方向に対して直交するように配置され」るが，引用発明は，そのような構成を有しない点。
〈相違点３〉
　本願補正発明においては，「前記ゲート電極の端部は，前記データ線と略直交している」のに対して，引用発明においては，「前記ゲート電極の端部は，前記データ線の方向と略直交して」はいるものの，「ゲート電極の端部は，データ線と略直交している」とまではいえない点。
　
（４）当審の判断
〈相違点１について〉
　引用発明においては，画素電極１４は，コンタクトホール１３を介してコンタクト用電極１１に接続されており，引用例の図２及び図３によれば，コンタクトホール１３は，コンタクト用電極１１の平面形状に収まるように配置されていることが明らかである。ここで，コンタクトホール１３は，画素電極１４とコンタクト用電極１１の電気的接続が得られるものならば，前記コンタクト用電極１１の平面形状に収まる任意の形状及び配置を採りうるものであることは明らかである。それゆえ，コンタクトホール１３について，コンタクト用電極１１の端部に来るように，その形状及び配置を選択し，「画素電極」が「第２部分の端部に接続され」るものとすることは，当業者が適宜になし得たことである。また，本願明細書の記載を見ても，相違点１に係る構成を備えることによる，格別な効果は見いだせない。
　よって，相違点１は当業者が容易になし得たことである
　
〈相違点２について〉
　一般に，表示装置に用いられる薄膜トランジスタアレイを製造するにあたっては，露光時に用いられるマスクまたは光源の移動方向は，ゲート線に平行な方向，または，ソース線（データ線）に平行な方向のいずれかを選択することは技術常識である。これを，引用発明についてみると，「ゲート電極の端部は，前記データ線の方向と略直交している」から，露光時に用いられるマスクまたは光源の移動方向として，データ線に平行な方向を選択することにより，前記ドレイン電極と重畳する前記ゲート電極の境界線が露光時に用いられるマスクまたは光源の移動方向に対して直交することになる。
　ところで，本願明細書を見ても，前記光源の移動方向として，前記２つの方向（ゲート線に平行な方向，または，ソース線（データ線）に平行な方向）のいずれを選択するかによって，完成した薄膜トランジスタ表示板について，顕著な構成上の差異を生ずる旨の記載は見いだせない。それゆえ，相違点２に係る構成は，完成した薄膜トランジスタ表示板の構成に反映される事項ではないから，相違点２は実質的な相違点ではない。
　仮に，実質的な相違点であるとしても，上述のとおり，引用発明において，前記ドレイン電極と重畳する前記ゲート電極の境界線が露光時に用いられるマスクまたは光源の移動方向に対して直交するようにすることは当業者が適宜になし得たことである。
　なお，前記第２　４．（２）オに摘記したとおり，引用例には，「【００１６】まず，
同一金属によって同時に形成されるソース電極９とドレイン電極１０を縦方向に配列しているので，その電極配置が横方向に多少ずれてもゲート・ドレイン間の寄生容量に変動はない。また，縦方向にずれると，ドレイン電極１０とゲート電極５の重なり面積が大小変動するが，ドレイン電極１０が縦長であるので，コンタクト電極１１のように横長部分をゲート電極５上に重ねる場合に比べて，変動する面積を非常に小さくすることができる
　よって，相違点２は実質的な相違点でなく，仮にそうでないとしても，当業者が容易になし得たことである。
　
〈相違点３について〉
　相違点３に係る，「前記ゲート電極の端部は，前記データ線と略直交している」構成に関し，本願明細書には，特許請求の範囲の内容を引き写した段落【０００５】を除いては，次の各記載がある。
「【００１１】・・・ゲート電極１２４の境界線の一部（G）は，ゲート線１２１がのびた方向と平行であり，以降のデータ線１７１がのびる方向に対して直交する。これは，製造工程において，マスクを用いるフォトエッチング工程で分割露光を実施する際に，誤整列が発生しても以降のドレイン電極１７５とゲート電極１２４の間で発生する寄生容量を均一に維持するためである。」
「【００１３】・・・この時，ドレイン電極１７５は，ゲート電極１２４の境界線のうち，ゲート線１２１がのびる方向と平行であるか，データ線１７１がのびる方向に対して直交してのびた部分（G）と重畳する。」
　
　これらの記載において，「ゲート電極１２４の境界線の一部（G）」は，本願補正発明における，「前記ゲート線に対し略平行な端部」であって，「ドレイン電極」に「重畳」されるものに相当するところ，上記各記載においては，「ゲート電極１２４の境界線の一部（G）」が，「データ線１７１がのびる方向に対して直交する」ことは記載されているものの，それ以外の記載はない。したがって，相違点３に係る，「前記ゲート電極の端部は，前記データ線と略直交している」ことは，「前記ゲート電極の端部は，
前記データ線」がのびる方向に対して「略直交している
　そうすると，引用発明は，「前記ゲート電極の端部は，前記データ線の方向と略直交している」構成を有するところ，該「前記データ線の方向と略直交している」ことは，前記「
前記データ線がのびる方向に対して略直交している
　仮に，相違点３に係る構成が，本願の例えば図１に示されているように，「ゲート電極１２４の境界線の一部（G）」が，「データ線１７１」と平面視で直交する構成をいうものだとしても，引用発明において，そのような構成を採ることは，当業者が適宜になし得たことであり，本願明細書の記載を見ても，「ゲート電極１２４の境界線の一部（G）」が，「データ線１７１」と平面視で直交する構成を備えることによる，格別な効果は見いだせない。
　よって，相違点３は，実質的な相違点ではなく，仮にそうではないとしても，当業者が容易になし得たことである。
　
（５）小括
　上述したように，本願補正発明は，技術常識を勘案して，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　よって，本願補正発明は，特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
５．むすび
　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．平成２１年４月９日付けの手続補正は，上記のとおり却下され，また，平成２０年１１月１１日付けの手続補正は，同年１２月８日付けで却下されているので，本願の請求項１に係る発明は，平成２０年７月１８日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲，明細書及び図面の記載から見て，その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　基板と，
　前記基板上に形成されるゲート線と，
　前記基板上に形成され，前記ゲート線と交差するデータ線と，
　前記ゲート線に接続され，前記ゲート線に対し略平行な端部を有するゲート電極と，
　前記データ線に接続されるソース電極と，前記ゲート電極の端部と重畳され，前記データ線に略平行な第１部分及び前記データ線とは異なる方向に前記第１部分から延長される第２部分を含むドレイン電極と，を有する薄膜トランジスタと，
　前記ドレイン電極の第２部分に接続される画素電極と，
　を含み，
　前記画素電極と前記ドレイン電極とは，前記基板上の異なる層に配置されることを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。」
　
２．引用発明
　引用発明は，前記第２の４．「（２）刊行物に記載された発明」に記載したとおりのものである。
　
３．対比・判断
　前記第２「１．本件補正の内容」〜第２「３．補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討」において記したように，本願補正発明は，本件補正前の請求項１（本願発明）について，当該請求項１を引用する補正前の請求項２に係る限定とともに，前記〈補正事項ｂ〉〜〈補正事項ｄ〉に係る限定を付したものである。言い換えると，本願発明は，本願補正発明から前記各限定を除いたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである本願補正発明が，前記第２の４．「（３）補正発明と引用発明との対比」〜第２の４．「（５）小括」において検討したとおり，技術常識を勘案して，引用発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって，本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。