【手続補正書】
【提出日】平成23年2月4日(2011.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチングチャンバ内で炭素系マスクを介して超高アスペクト比フィーチャの誘電体層をエッチングするための方法であって、
前記炭素系マスクに対して前記誘電体層を選択的にエッチングし、前記炭素系マスク上にフルオロカーボン系ポリマの正味の蒸着を提供することと、
前記選択的エッチングを停止する工程と、
前記炭素系マスクに対して前記誘電体層をさらに選択的にエッチングすることとを備え、
前記さらに選択的にエッチングは、
フルオロカーボン含有分子および酸素含有分子を含むエッチングガスの流れを前記エッチングチャンバへ供給し、
パルスバイアスＲＦ信号を供給し、
励起ＲＦ信号を供給することと、
を備える、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記炭素系マスクに対して前記誘電体層の選択的なエッチングは、
エッチングガスおよびフルオロカーボンポリマガスの流れを前記エッチングチャンバへ供給し、
連続波バイアスＲＦ信号を供給し、
励起ＲＦ信号を供給すること、
を備える、方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法において、前記炭素系マスクは、フォトレジストおよび非晶質炭素の内の一方である、方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載の方法において、前記炭素系マスクは、非晶質炭素である、方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の方法において、前記超高アスペクト比フィーチャは、少なくとも３０：１のアスペクト比を有する、方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の方法において、前記選択的エッチングは、３：１より大きい選択比を有する、方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の方法において、前記さらに選択的なエッチングは、３：１より大きい選択比を有する、方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の方法において、前記選択的なエッチングは、５：１より大きい選択比を有する、方法。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載の方法において、前記さらに選択的なエッチングは、５：１より大きい選択比を有する、方法。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載の方法において、前記選択的なエッチングは無限大の選択比を有する、方法。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の方法において、前記さらに選択的なエッチングは、無限大の選択比を有する、方法。
【請求項１２】
請求項１ないし１１に記載の方法において、前記誘電体層は、酸化シリコン系または窒化シリコン系の層である、方法。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれかに記載の方法において、前記誘電体層は、単一の均一層である、方法。
【請求項１４】
エッチングチャンバ内で炭素系マスクを介して超高アスペクト比フィーチャの誘電体を選択的エッチングする方法であって、
フルオロカーボン含有分子および酸素含有分子を含むエッチングガスの流れを前記エッチングチャンバへ供給し、
パルスバイアスＲＦ信号を供給し、
励起ＲＦ信号を供給して、前記エッチングガスをプラズマに変換し、
前記炭素系マスクを介してフィーチャが２５：１以上の高アスペクト比を有するまでエッチングすること、
を備える、方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法において、前記炭素系マスクは、非晶質炭素である、方法。
【請求項１６】
請求項１４または１５に記載の方法において、前記超高アスペクト比フィーチャは、少なくとも３０：１のアスペクト比を有する、方法。
【請求項１７】
請求項１４ないし１６のいずれかに記載の方法において、前記選択的エッチングは、無限大の選択比を有する、方法。
【請求項１８】
請求項１４ないし１７のいずれかに記載の方法において、前記誘電体層は、単一の均一な酸化シリコン系または窒化シリコン系の層である、方法。
【請求項１９】
炭素系マスクの下方のエッチング層にＵＨＡＲフィーチャをエッチングするための装置であって、
プラズマ処理チャンバであって、
プラズマ処理チャンバ容器を形成するチャンバ壁と、
前記プラズマ処理チャンバ容器内で基板を支持するための基板支持部と、
前記プラズマ処理チャンバ容器内の圧力を調整するための圧力調整部と、
前記プラズマ処理チャンバ容器に電力を供給してプラズマを維持するための少なくとも１つの電極と、
１ｋＨｚから１０ＭＨｚの間のＲＦ周波数を有する信号を供給するＲＦバイアス電源と、
前記ＲＦバイアス電源に接続され、前記ＲＦバイアス電源をパルス化することが可能なパルス生成部と、
１ｋＨｚから５ＭＨｚの間のＲＦ周波数を有する信号を供給する第１のＲＦ励起電源と、
１０ＭＨｚから４０ＭＨｚの間のＲＦ周波数を有する信号を供給する第２のＲＦ励起電源と、
前記プラズマ処理チャンバ容器内にガスを供給するためのガス流入口と、
前記プラズマ処理チャンバ容器からガスを排出するためのガス流出口と、
を備える、プラズマ処理チャンバと、
前記ガス流入口と流体連通したガス源であって、
酸素源と、
フルオロカーボンポリマガス源と、
を備える、ガス源と、
前記ガス源、前記ＲＦバイアス電源、前記第１のＲＦ励起電源、前記第２のＲＦ励起電源、および、前記少なくとも１つの電極に対して、制御可能に接続された制御部であって、
少なくとも１つのプロセッサと、
コンピュータ読み取り可能な媒体と、を備える、制御部と、
を備え、
前記コンピュータ読み取り可能な媒体は、前記炭素系マスクに対する前記誘電体層の選択的なエッチングを提供するためのコンピュータ読み取り可能なコードを備え、
前記選択的なエッチングを提供するためのコンピュータ読み取り可能なコードは、
前記酸素源からの酸素と前記フルオロカーボンポリマガス源からのフルオロカーボンポリマガスとを含むエッチングガスの流れを、前記処理チャンバ容器に供給するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
前記ＲＦバイアス電源に電圧を印加するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
前記ＲＦバイアス電源をパルス化するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
前記炭素系マスクを介してフィーチャが２５：１以上の高アスペクト比を有するまでエッチングするように、前記第１のＲＦ励起電源および前記第２のＲＦ励起電源に電圧を印加して、エネルギを供給し、前記エッチングガスおよびポリマ形成ガスからプラズマを形成するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
を備える、装置。
【請求項２０】
炭素系マスクの下方のエッチング層にＵＨＡＲフィーチャをエッチングするための装置であって、
プラズマ処理チャンバであって、
プラズマ処理チャンバ容器を形成するチャンバ壁と、
前記プラズマ処理チャンバ容器内で基板を支持するための基板支持部と、
前記プラズマ処理チャンバ容器内の圧力を調整するための圧力調整部と、
前記プラズマ処理チャンバ容器に電力を供給してプラズマを維持するための少なくとも１つの電極と、
１ｋＨｚから１０ＭＨｚの間のＲＦ周波数を有する信号を供給するＲＦバイアス電源と、
前記ＲＦバイアス電源に接続され、前記ＲＦバイアス電源をパルス化することが可能なパルス生成部と、
１ｋＨｚから５ＭＨｚの間のＲＦ周波数を有する信号を供給する第１のＲＦ励起電源と、
１０ＭＨｚから４０ＭＨｚの間のＲＦ周波数を有する信号を供給する第２のＲＦ励起電源と、
前記プラズマ処理チャンバ容器内にガスを供給するためのガス流入口と、
前記プラズマ処理チャンバ容器からガスを排出するためのガス流出口と、
を備える、プラズマ処理チャンバと、
前記ガス流入口と流体連通したガス源であって、
酸素源と、
フルオロカーボンポリマガス源と、
を備える、ガス源と、
前記ガス源、前記ＲＦバイアス電源、前記第１のＲＦ励起電源、前記第２のＲＦ励起電源、および、前記少なくとも１つの電極に対して、制御可能に接続された制御部であって、
少なくとも１つのプロセッサと、
コンピュータ読み取り可能な媒体と、を備える、制御部と、
を備え、
前記コンピュータ読み取り可能な媒体は、
前記炭素系マスクに対する前記誘電体層の第１の選択的なエッチングを提供するためのコンピュータ読み取り可能なコードであって、前記第１の選択的なエッチングはフルオロカーボン系ポリマの正味の蒸着を提供する、コンピュータ読み取り可能なコードと、
前記第１の選択的なエッチングを停止するためのコンピュータ読み取り可能コードと、  前記炭素系マスクに対する前記誘電体層の第２の選択的なエッチングを提供するためのコンピュータ読み取り可能媒体とを備え、
前記選択的なエッチングを提供するためのコンピュータ読み取り可能なコードは、
前記酸素源からの酸素と前記フルオロカーボンポリマガス源からのフルオロカーボンポリマガスとを含むエッチングガスの流れを、前記処理チャンバ容器に供給するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
前記ＲＦバイアス電源に電圧を印加するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
前記ＲＦバイアス電源をパルス化するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
前記第１のＲＦ励起電源および前記第２のＲＦ励起電源に電圧を印加して、エネルギを供給し、前記エッチングガスおよびポリマ形成ガスからプラズマを形成するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
を備える、装置。