【事件の表示】
　平成１０年特許願第３５５８４３号「薄膜トランジスタ及びその製造方法と表示装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　６月３０日出願公開，特開２０００−１８３３５４〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１０年１２月１５日の出願であって，平成２０年４月２４日付けの拒絶理由通知に対して，平成２０年６月３０日に意見書及び手続補正書が提出されたが，平成２０年７月２９日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，平成２０年９月４日に審判が請求されるとともに，平成２０年１０月６日に手続補正書が提出されたものである。
　
第２　平成２０年１０月６日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定。
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容と補正目的の適否
 （１）本件補正は，補正前の請求項１，３，５の「反応室」を「，プラズマ電極としてアルミニウムを用いた反応室」に補正するものであり，特許請求の範囲の減縮を目的とする補正といえる。
　そのうち，補正後の請求項１，３は，次のとおりである。（下線は補正箇所を示す。）なお，請求項１は，「薄膜トランジスタの製造方法」の発明，請求項３は，「薄膜トランジスタ」の発明である。
　
　　ア　補正後の請求項１
「【請求項１】
　絶縁基板の上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と，
　該ゲート電極を形成した絶縁基板を
，プラズマ電極としてアルミニウムを用いた
　該半導体薄膜に不純物を選択的に注入してソース領域及びドレイン領域を形成する注入工程とからなり，
　前記連続成膜工程は，酸素元素を含む第一反応ガスを反応室に導入して化学気相成長によりゲート酸化膜を堆積した後，反応室内を真空引きして第一反応ガスを排気し，更に酸素元素を含まない第二反応ガスを反応室に流して第一反応ガスの残留分を希釈してから，第二反応ガスを用いた化学気相成長で半導体薄膜を堆積する
　薄膜トランジスタの製造方法。」
　　
　　イ　補正後の請求項３
「【請求項３】
　絶縁基板の上にゲート電極を形成した後
，プラズマ電極としてアルミニウムを用いた
　前記ゲート酸化膜及び半導体薄膜は，酸素元素を含む第一反応ガスを反応室に導入して化学気相成長によりゲート酸化膜を堆積した後，反応室内を真空引きして第一反応ガスを排気し，更に酸素元素を含まない第二反応ガスを反応室に流して第一反応ガスの残留分を希釈してから，第二反応ガスを用いた化学気相成長で半導体薄膜を堆積したものであり，
　前記半導体薄膜は酸素濃度が１×１０２０／ｃｍ３以下に制御されている薄膜トランジスタ。」
　
２　独立特許要件について
（１）請求項１，３についての本件補正は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから，補正後の請求項１，３に係る発明（以下，それぞれ「本願補正発明１」，「本願補正発明３」という。）が，特許出願の際独立して特許を受けることができるかどうか （平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する独立要件を満たすかどうか）について検討する。
　
（２）引用例の記載内容
（２−１）引用例１の記載内容と引用発明
　　ア　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１０−２０９４６７号公報（以下「引用例１」という。）には，「薄膜半導体装置」（発明の名称）に関し，図面とともに，次の記載がある（下線は当審で付加したもの。以下同じ）。
　
「【００１４】図２を参照して，図１に示した
薄膜半導体装置の製造方法
ガラスなどからなる絶縁基板１の上に下層５ｂをスパッタ法で全面的に形成する。この下層５ｂは低抵抗であることが好ましく，更には高融点であることが望ましいので，一般的にＷ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｔｉなどの金属膜を用いる。
下層５ｂの上に連続的又は不連続的に，上層５ａをスパッタ法などで全面的に成膜する。
【００１５】次に（Ｂ）に示す様に，
上層５ａ及び下層５ｂを重ねた多層膜を例えば等方性のドライエッチングでパタニングし，ゲート電極５に加工する。
【００１６】（Ｃ）に示す様に，例えば
プラズマＣＶＤ法（ＰＥ−ＣＶＤ法）でＳｉＯ
2 
を例えば１００〜２００ｎｍの厚みで堆積し，ゲート電極５を被覆する絶縁膜４とする。更にその上に，非晶質シリコンを例えば２０〜６０ｎｍの厚みで堆積して半導体薄膜２を設ける。同一の成膜チャンバで真空を破らずに絶縁膜４及び半導体薄膜２を連続成長させることができる。
ＰＥ−ＣＶＤ法で成膜した非晶質シリコンの半導体薄膜２
【００１７】（Ｄ）に示す様に，半導体薄膜２の上にＳｉＯ2 をＰＥ−ＣＶＤ法で堆積する。ここで裏面露光技術を使ってＳｉＯ2 をパタニングし，ストッパ６に加工する。即ち，遮光性を有するゲート電極５をマスクとして裏面露光を行うことによりセルフアライメントでゲート電極５に整合したストッパ６を得ることができる。ここで，
ストッパ６をマスクとしてイオンドーピング法により不純物（例えばリン）を比較的低濃度で半導体薄膜２に注入する。
ストッパ６とその周辺をフォトレジストで被覆した後，比較的高濃度で不純物（例えばリン）をイオンドーピング法により半導体薄膜２に注入する。これにより，ソース領域７及びドレイン領域８が形成される
【００１８】最後に（Ｅ）に示す様に，ドーピングされた原子を活性化する為に再度レーザ光を照射する。再結晶化と同一方法であるが，結晶を大きくする必要がない為弱いエネルギーで十分である。この後，配線間の絶縁の為にＳｉＯ2 を堆積して層間膜９とする。この層間膜９にコンタクトホールを開口した後，金属アルミニウムなどをスパッタで堆積し，所定の形状にパタニングして配線１０に加工する。以下，表示用の薄膜半導体装置を製造する場合には，必要に応じてパシベーション膜，平坦化膜及び画素電極を形成する。」
　
　　イ　以上によれば，引用例１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「ガラスなどからなる絶縁基板１の上に金属膜を形成し，等方性のドライエッチングでパタニングし，ゲート電極５に加工し，プラズマＣＶＤ法（ＰＥ−ＣＶＤ法）でＳｉＯ2 を堆積し，ゲート電極５を被覆する絶縁膜４とし，更にその上に，ＰＥ−ＣＶＤ法で成膜した非晶質シリコンの半導体薄膜２を，同一の成膜チャンバで真空を破らずに絶縁膜４及び半導体薄膜２を連続成長させ，ストッパ６をマスクとして不純物を半導体薄膜２に注入しソース領域７及びドレイン領域８が形成される薄膜半導体装置の製造方法」
　
（２−２）引用例２の記載内容
　　ア　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１０−１８９４４９号公報（以下「引用例２」という。）には，「結晶性半導体膜の製造方法，および薄膜トランジスタの製造方法」（発明の名称）に関し，図面とともに，次の記載がある。
　
「【００５３】
【実施例】
［実施例１］本発明に係る
結晶性半導体膜の製造方法，およびＴＦＴの製造方法
【００５４】まず図２（Ａ）に示すように，３６０ｍｍ×４７５ｍｍの
大型ガラス基板１０上にＰＥＣＶＤ法にてシリコン酸化膜より成る膜厚が３００ｎｍの下地保護膜１１を形成し，図５に示した処理装置内で真空を破ることなく連続してこの下地保護膜上に真性シリコン膜からなる半導体膜１２（ａ−Ｓｉ膜／ＰＥＣＶＤ）をＰＥＣＶＤ法により形成する
【００５５】この成膜を行うにあたって，３６０ｍｍ×４７５ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板は室温のまま，下部平板電極の温度が３８０℃に保たれているＰＥＣＶＤ装置（図５の成膜室１２０）内に設置される。ＰＥＣＶＤ装置反応炉内に基板設置後のレシピーは
（第１の予備加熱）
時間：ｔ＝１２０ｓ
亜酸化窒素：Ｎ2 Ｏ＝７０００ＳＣＣＭ
シラン流量：ＳｉＨ4 ＝２５０ＳＣＣＭ
高周波出力：ＲＦ＝０Ｗ（プラズマを立てない）
圧力：Ｐ＝１．５Ｔｏｒｒ
電極間距離：Ｓ＝２４．０ｍｍ
下部平板電極温度：Ｔｓｕｓ＝３８０℃
（下地保護膜堆積）
亜酸化窒素：Ｎ
2
 Ｏ
シラン流量：ＳｉＨ
4
 
高周波出力：ＲＦ＝９００Ｗ
圧力：Ｐ＝１．５Ｔｏｒｒ
電極間距離：Ｓ＝２４．０ｍｍ
下部平板電極温度：Ｔｓｕｓ＝３８０℃
（真空引き）
ガスは流さない
電極間距離：Ｓ＝２４．０ｍｍ
下部平板電極温度：Ｔｓｕｓ＝３８０℃
（第２の予備加熱）
アルゴン流量：Ａｒ
シラン流量：ＳｉＨ
4
 
高周波出力：ＲＦ＝０Ｗ（プラズマを立てない）
圧力：Ｐ＝１．７５Ｔｏｒｒ
電極間距離：Ｓ＝３８．１ｍｍ
下部平板電極温度：Ｔｓｕｓ＝３８０℃
（半導体膜堆積）
アルゴン流量：Ａｒ
シラン流量：ＳｉＨ
4
 
高周波出力：ＲＦ＝６００Ｗ
圧力：Ｐ＝１．７５Ｔｏｒｒ
電極間距離：Ｓ＝３８．１ｍｍ
下部平板電極温度：Ｔｓｕｓ＝３８０℃
である。」
「【００４８】・・・
ドライエッチングを用いる場合には第一工程から第三工程までを基板（半導体膜）を大気に晒すことなく連続して行えるので，大気に晒したことに起因する汚染などを防止できる
　
　　イ　以上によれば，引用例２には，
「大型ガラス基板１０上にＰＥＣＶＤ法にてシリコン酸化膜より成る下地保護膜１１を形成し，ガスは流さないで真空引きした後，処理装置内で真空を破ることなく連続してこの下地保護膜上に，ＰＥＣＶＤ法により真性シリコン膜からなる半導体膜１２（ａ−Ｓｉ膜／ＰＥＣＶＤ）を形成する方法において，真空引きの工程の後，アルゴン及びシランを流して第２の予備加熱工程を実施し，その後，半導体膜を堆積する結晶性半導体膜の製造方法，およびＴＦＴの製造方法」が記載されている。
　
（３）本願補正発明１と引用発明の対比
　引用発明の「成膜チャンバ」，「プラズマＣＶＤ法」，「ＳｉＯ2　」，「薄膜半導体装置」は，それぞれ，本願補正発明１の「反応室」，「化学気相成長法」，「ゲート酸化膜」，「薄膜トランジスタ」に相当する。
　
　そうすると，本願補正発明１と引用発明の一致点と相違点は次のとおりである。
　
［一致点］
　絶縁基板の上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と，
　該ゲート電極を形成した絶縁基板を，反応室に投入して化学気相成長法によりゲート酸化膜を形成し，更に同一の反応室内で該ゲート酸化膜に重ねて半導体薄膜を形成する連続成膜工程と，
　該半導体薄膜に不純物を選択的に注入してソース領域及びドレイン領域を形成する注入工程とからなり，
　前記連続成膜工程は，酸素元素を含む第一反応ガスを反応室に導入して化学気相成長によりゲート酸化膜を堆積した後，第二反応ガスを用いた化学気相成長で半導体薄膜を堆積する薄膜トランジスタの製造方法。
　
［相違点］
［相違点１］
　本件補正発明１では，反応室のプラズマ電極としてアルミニウムを用いているのに対して，引用発明では，電極材料が記載されていない点。
　
［相違点２］
　本件補正発明１では，反応室内を真空引きして第一反応ガスを排気し，更に酸素元素を含まない第二反応ガスを反応室に流して第一反応ガスの残留分を希釈しているのに対し，引用発明では，この工程がない点。
　
（４）相違点についての検討
　　ア　相違点１について
　反応室のプラズマ電極としてアルミニウムを用いることは，原審の拒絶理由通知の引用例３（特開平９−１６７６９８号公報（００４２段落））や，特開昭６１−２５１０２１号公報（［従来の技術の欄］）に記載があるように，周知の技術であり，引用発明の電極材料にアルミニウムを用いることは，当業者が適宜なし得たことである。
　
　　イ　相違点２について
　引用例２において，酸化膜を形成した後，真空引きしてから半導体膜を堆積することが記載されている。また，真空引きの工程の後，アルゴン及びシランを流して第２の予備加熱工程を実施することが記載されており，この第２の予備加熱工程が，本願補正発明１の酸素元素を含まない第二反応ガスを反応室に流して第一反応ガスの残留分を希釈する工程に相当する。
　そして，半導体の製造において，酸素等の不純物が半導体膜に混入することを避けるために反応室のガスをパージすることは当業者において必要に応じて行われていることであるから，引用発明の半導体膜の堆積に当たって，不純物の混入を避けるために，引用例２に記載の上記工程を適用し，相違点２の構成とすることは，当業者にとって容易であったといえる。
　
（５）したがって，本件補正発明１は，引用発明及び引用例２に記載の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により独立して特許を受けることができない。
　
（６）本件補正発明３は，本件補正発明１の薄膜トランジスタの製造方法の発明から，不純物を選択的に注入してソース領域及びドレイン領域を形成する注入工程を省き，これに代えて，半導体薄膜の酸素濃度が１×１０２０／ｃｍ３以下に制御されているとの限定を付加した上で，薄膜トランジスタとして特許請求したものと理解できる。
　しかるところ，酸素濃度が１×１０２０／ｃｍ３以下に制御される工程については，本願明細書，００１２段落において「連続成膜工程において，真空引きとパージを併用することによって，シリコンからなる半導体薄膜の酸素濃度を１×１０20／ｃｍ3 以下に抑制することができた。」と記載されていることからすると，引用発明の連続成膜工程に引用例２に記載の上記技術を適用することによっても，同程度の酸素濃度が得られるものと推認できる。
　そうすると，結局，本件補正発明３で規定する数値範囲は，引用例２に記載の真空引き技術を適用することにより，自然に達成される数値範囲にすぎないものといえる。
　したがって，本件補正発明３も，引用発明及び引用例２に記載の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により独立して特許を受けることができない。
　　
３　結び
　以上の次第で，いずれにしても，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項に違反するので，特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
１　以上のとおり，本件補正は却下されたので，本願請求項１及び請求項３に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」，「本願発明３」という。）は，本件補正前の請求項１，３に記載された次のとおりのものである。　
　
　　ア　請求項１について　
「【請求項１】
　絶縁基板の上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と，
　該ゲート電極を形成した絶縁基板を反応室に投入して化学気相成長法によりゲート酸化膜を形成し，更に同一の反応室内で該ゲート酸化膜に重ねて半導体薄膜を形成する連続成膜工程と，
　該半導体薄膜に不純物を選択的に注入してソース領域及びドレイン領域を形成する注入工程とからなり，
　前記連続成膜工程は，酸素元素を含む第一反応ガスを反応室に導入して化学気相成長によりゲート酸化膜を堆積した後，反応室内を真空引きして第一反応ガスを排気し，更に酸素元素を含まない第二反応ガスを反応室に流して第一反応ガスの残留分を希釈してから，第二反応ガスを用いた化学気相成長で半導体薄膜を堆積する
　薄膜トランジスタの製造方法。」
　
　　イ　請求項３について
「【請求項３】
　絶縁基板の上にゲート電極を形成した後反応室に投入して化学気相成長法によりゲート酸化膜を形成し，更に同一の反応室内で該ゲート酸化膜に重ねて半導体薄膜を形成した積層構造を有し，
　前記ゲート酸化膜及び半導体薄膜は，酸素元素を含む第一反応ガスを反応室に導入して化学気相成長によりゲート酸化膜を堆積した後，反応室内を真空引きして第一反応ガスを排気し，更に酸素元素を含まない第二反応ガスを反応室に流して第一反応ガスの残留分を希釈してから，第二反応ガスを用いた化学気相成長で半導体薄膜を堆積したものであり，
　前記半導体薄膜は酸素濃度が１×１０２０／ｃｍ３以下に制御されている薄膜トランジスタ。」
　
２　本願発明の容易想到性について
　本件補正後の請求項１の内容は，本件補正前の請求項１に記載の「反応室」との記載を，「プラズマ電極としてアルミニウムを用いた反応室」と技術的に限定するものである。　
　そうすると，本願発明１と引用発明との相違点は，前記の相違点２のみとなる。そして相違点２に係る構成が容易想到であることは，第２，２（４）イで検討したとおりであるから，本願発明１も，同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものである。
　本願発明３についても，同様である。
　したがって，本願発明１及び本願発明３は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　結言
　以上のとおりであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。