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　特願２００１−８１１４０「半導体集積回路のパターン設計方法、フォトマスクの製造方法、および半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１２月７日出願公開、特開２００１−３３７４４０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本件出願は、平成１３年３月２１日（特許法４１条に基づく優先権主張：優先日　平成１２年３月２４日、優先権主張の基礎出願　特願２０００−８５２４４号）の出願であって、平成２０年１月２４日付けで拒絶理由が通知され、同年３月３１日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年４月２１日付けで拒絶理由が通知され、同年７月８日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、同年７月３１日付けで拒絶査定がなされたため、これを不服として同年９月４日に本件審判請求がなされたものである。
　その後、当審において平成２２年３月３日付けで拒絶理由を通知したところ、これに対して同年５月１０日付けで意見書ならびに手続補正書が提出された。
　
２　本件発明
　本件出願に係る発明は、平成２２年５月１０日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本件発明」という。）は以下のとおりである。
「長方形又は正方形の開口パターンを有する複数のコンタクトホールが混在している中で、複数の正方形開口パターンを持つコンタクトホール群に替えて、長辺の長さが短辺の長さの１．２〜４倍の範囲である１つの長方形開口パターンを有するコンタクトホールを、前記コンタクトホール群毎にそれぞれ設け、
　前記各長方形開口パターンを長方形の長辺同士が隣接し、各長辺の両端の位置を揃うように配置し、
　隣接する長方形開口パターンの長辺の両端位置が揃っている場合には、光近接効果補正処理を行うことを前提として、フォトマスク上に形成した前記各長方形開口パターンに対応するマスクパターンを基板上に転写した際、転写された前記各長方形開口パターンに光近接効果が生じるように、前記各長方形開口パターンの間の距離を設定し、
　隣接する正方形又は長方形の開口パターンの辺の両端位置が不揃いの場合には、パターン間距離を、フォトマスク上に形成した前記開口パターンに対応するマスクパターンを基板上に転写した際、転写されたパターンにサイドローブ及び光近接効果による変形が生じない距離とする
　ことを特徴とする半導体集積回路のパターン設計方法。」
　
３　当審において平成２２年３月３日付けで通知した拒絶理由
　当審において平成２２年３月３日付けで通知した拒絶理由のうち、理由１は、本件出願の特許請求の範囲の記載は許法第３６条第６項第１号に規定するいわゆる明細書のサポート要件に適合していない、また、本件出願の発明の詳細な説明は、本件出願の請求項１ないし４に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されておらず、特許法第３６条第４項に規定する実施可能要件に適合していない、というものであって、次の（３）及び（５）の具体的指摘を含むものである。
（３）「本件出願の請求項１〜４には、「長方形開口パターン」及び「フォトマスク上に形成した前記各長方形開口パターンに対応するマスクパターン」が記載されている。そして、前記「長方形開口パターン」及び前記「フォトマスク上に形成した前記各長方形開口パターンに対応するマスクパターン」について、本件明細書等の発明の詳細な説明には、「フォトマスクに長方形の開口パターンが形成されている場合は、正方形の開口パターンに較べ、サイドローブ強度は小さい。」（段落【００１０】）、「上記本発明の半導体集積回路のパターン設計方法の特徴によれば、この方法で得られるパターンを形成するために使用するフォトマスク上に、長方形の開口パターンを有することになる。この長方形の開口パターンを用いた場合は、露光光のサイドローブの強度が弱いため、サイドローブに起因する転写パターンの変形を抑制できる。」（段落【００１７】）、「上記半導体集積回路のパターン設計方法によって設計された半導体集積回路を有する半導体装置の作製に使用するフォトマスクであって、複数のコンタクトホール用の長方形開口パターンを有する」「上記本発明のフォトマスクによれば、サイドローブに起因する転写パターンの変形を抑制することができる。」（段落【００２０】、【００２１】）、「本実施の形態のパターン設計方法は、従来の設計回路パターン１００を、設計回路パターン１０に置き換えようとするものである。即ち、本実施の形態の設計方法によれば、従来正方形パターンであったコンタクトホール１１Ａ、１１Ｂ、１２Ａ、１２Ｂ、１３Ａ、１３Ｂは、長方形パターンのコンタクトホール１１，１２，１３に置き換えられる。特に、最終的に電気的に短絡され、同電位となるような複数のコンタクトホールは、単一の長方形パターンを有するコンタクトホールに置き換えられる。例えばコンタクトホールパターン１１Ａと１１Ｂは長方形パターンのコンタクトホール１１に置き換えられる。同電位の複数の正方形パターンのコンタクトホールを一つの長方形パターンのコンタクトホールに置き換えている」（段落【００３１】）、「正方形開口パターンの場合に較べ、長方形開口パターンでは、サイドローブの光強度が低いため、サイドローブによる転写パターンの変形の度合いを少なくできる。従って、サイドローブの影響を避けるため、従来２ｆ以上必要であった開口パターン間隔を、より縮小化することが可能になる。」（段落【００３３】）と記載されている。 
　しかし、……、正方形パターンであったコンタクトホール１１Ａ、１１Ｂを一つの長方形パターンのコンタクトホール１１に置き換え、正方形パターンであったコンタクトホール１２Ａ、１２Ｂを一つの長方形パターンのコンタクトホール１２に置き換え、正方形パターンであったコンタクトホール１３Ａ、１３Ｂを一つの長方形パターンのコンタクトホール１３に置き換えることによって（段落【００３１】を参照。）、配列方向についてサイドローブ強度が小さくなり、サイドローブに起因する転写パターンの変形を抑制できることを裏付ける実験データやシミュレーション結果等は、本件明細書等に記載されておらず、また、並列配置された複数の開口パターンの形状を「正方形」から「長辺同士が隣接」する「長方形」に置き換えることによって、配列方向についてサイドローブ強度が小さくなり、サイドローブに起因する転写パターンの変形を抑制できることが、本件出願の優先日当時の技術常識であると認めることもできない。」
（５）「フォトマスク上の長方形のコンタクトホール開口の形状を、短辺をｆとしたときに長辺が１．２ｆ〜４ｆの範囲にあるとサイドローブによる転写パターンの変形を抑制できることを裏付ける実験データやシミュレーション結果等は、本件明細書等に記載されておらず、また、フォトマスク上の長方形のコンタクトホール開口の形状を、短辺をｆとしたときに長辺が１．２ｆ〜４ｆの範囲にあるとサイドローブによる転写パターンの変形を抑制できることが、本件出願の優先日当時の技術常識であると認めることもできない。」
　
４　平成２２年５月１０日付け意見書及び手続補正書
　上記平成２２年３月３日付けで通知した拒絶理由に対し、請求人は手続補正書を提出して特許請求の範囲の請求項１を上記「１　本件発明」に記載したとおりに補正するとともに、意見書において、参考図１ないし５を提示しつつ、本件出願の特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定するいわゆる明細書のサポート要件に適合し、また、本件明細書等の発明の詳細な説明は、本件出願の請求項１ないし４に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されており、特許法第３６条第４項に規定する実施可能要件に適合する旨主張する。
　ここで、参考図１ないし５は次のとおりのものである。
（１）参考図１ないし３
　並列配置された複数の開口パターンの形状を「正方形」から「長辺同士が隣接」する「長方形」に置き換えることによって、配列方向についてサイドローブ強度が小さくなり、サイドローブに起因する転写パターンの変形を抑制できることを確認するために行った発明者によるシミュレーション結果。
（２）参考図４及び５
　フォトマスク上の長方形のコンタクトホール開口の形状を、短辺をｆとしたときに長辺が１．２ｆ〜４ｆの範囲にあるとサイドローブによる転写パターンの変形を抑制できることを確認するために行った発明者によるシミュレーション結果。
　
５　検討・判断
（１）最初に、本件出願の特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件に適合するか否かを、本件発明が発明の詳細な説明に記載されたものであるか否かについて検討する。
　本件発明は、少なくとも、「複数の正方形開口パターンを持つコンタクトホール群に替えて、長辺の長さが短辺の長さの１．２〜４倍の範囲である１つの長方形開口パターンを有するコンタクトホールを、前記コンタクトホール群毎にそれぞれ設け、前記各長方形開口パターンを長方形の長辺同士が隣接し、各長辺の両端の位置を揃うように配置」すること、及び、「隣接する長方形開口パターンの長辺の両端位置が揃っている場合には、光近接効果補正処理を行うことを前提として、フォトマスク上に形成した前記各長方形開口パターンに対応するマスクパターンを基板上に転写した際、転写された前記各長方形開口パターンに光近接効果が生じるように、前記各長方形開口パターンの間の距離を設定」することを発明特定事項とするものであって、本件出願の発明の詳細な説明の【発明が解決しようとする課題】（段落【０００５】〜【００１５】）ならびに【発明の効果】（段落【００６３】）の記載からして、本件発明は、少なくとも、並列配置された複数の開口パターンの形状を「正方形」から「長辺同士が隣接」する「長方形」に置き換えることによって、サイドローブの光強度を低下させてサイドローブに起因する転写パターンの変形を抑制し、開口パターン間隔の縮小化を可能とすることを、課題及び作用効果とするものと認められる。
　ここで、フォトマスク開口部中心に形成される露光光のメインローブの外側に形成されるサイドローブは、前記開口部における光の回折によってもたらされるものであって、その回折光の強度分布は露光光の波長や開口部の寸法に依存することは明らかであることに照らすと、隣接する複数の開口パターン全体によって生じるサイドローブの光強度分布が、露光光の波長、開口部の寸法および開口パターン間隔等に依存することは明らかである。
　一方、本件明細書の発明の詳細な説明には、上記「３」に記載した拒絶理由で指摘した発明の詳細な説明の各段落の記載の他、「ウエハ上のパターン寸法やマスク上のパターン寸法には、特に限定はないが、フォトマスク上の長方形のコンタクトホール開口は、少なくともサイドローブによる転写パターンの変形を抑制できる形状にすることが望ましい。よって、例えば短辺をｆとすれば長辺が１．２ｆ〜４ｆの範囲であることが望ましい。例えば短辺が１５０ｎｍ〜２００ｎｍの場合、本実施の形態に係るパターン設計方法は有効である。」（段落【００３６】）という一般的な記載はあるものの、露光光の波長、開口部の寸法および開口パターン間隔等と光近接効果の関係に関して、前記発明特定事項を採用した場合に、すべからくサイドローブの光強度が低下してサイドローブによる転写パターンの変形の度合いが少なくなり、開口パターン間隔の縮小化が可能となることを裏付ける実験データやシミュレーション結果等は何ら記載されていない。
　そして、平成２２年５月１０日付け意見書において提示された参考図１ないし３を参酌すると、特定の大きさの複数の正方形の開口（２００ｎｍ×２００ｎｍ）を特定の開口パターン間隔（５４０ｎｍ）で配列した特定パターンに対して、特定の露光光（波長が２４８ｎｍ）用いた場合には、２個の正方形の開口パターンの形状を長辺同士が隣接する長方形に置き換え、長辺間のパターン間隔を所定の間隔（３６０ｎｍ＝５４０ｎｍ×２／３）とした場合には、開口部の長辺を短辺長さfに対して１．２〜４fとすることによりサイドローブの光強度が低下することは把握できるものの、露光光の波長、開口部の寸法および開口パターン間隔等に依存することなく、開口部の長辺を短辺長さfに対して１．２〜４fとすることにより、光近接効果が生じつつも、サイドローブの光強度を低下させてサイドローブに起因する転写パターンの変形を抑制できることは理解できない。さらに、前記意見書において提示された参考図４、５を参酌すると、長辺間の開口パターン間隔が５４０ｎｍである場合には、開口の長辺を長くするに従ってサイドローブの光強度が大きくなり、長辺の長さが短辺長さの２．８倍（２．８ｆ）の場合にはサイドローブ転写という閾値を超えず、長辺の長さが短辺長さの４．６倍（４．６ｆ）の場合にはサイドローブ転写という閾値を超えるというシミュレーション結果を把握できるものの、開口が正方形の場合との対比はなく、仮に、参考図２、３に示されている正方形の開口パターンのサイドローブの光強度と対比すると、参考図５に示されている結果からは、参考図２、３に示されている結果よりも長辺間の開口パターン間隔が大きいにもかかわらず、長辺の長さが短辺長さの１．９倍（１．９ｆ）以上となると、サイドローブの光強度は、開口が正方形である場合の値と同程度以上になってしまうという結果が把握でき、参考図４、５を参酌すると、短辺をｆとしたときに長辺が１．２ｆ〜４ｆの範囲にあるとサイドローブによる転写パターンの変形を抑制できることを確認できない。のみならず、「正方形開口パターンの場合に較べ、長方形開口パターンでは、サイドローブの光強度が低いため、サイドローブによる転写パターンの変形の度合いを少なくできる。従って、サイドローブの影響を避けるため、従来２ｆ以上必要であった開口パターン間隔を、より縮小化することが可能になる。」（段落【００３３】）という本件出願の発明の詳細な説明の記載とも矛盾し、さらに加えて参考図１〜３に示されている結果と参考図４、５に示されている結果とは、長辺の長さとサイドローブの光強度の増大の傾向にも整合性がないことからして、前記意見書で提示されたシミュレーション結果の信憑性にも疑義がある。
　してみると、前記意見書で提示された参考図１〜５のシミュレーション結果が、本件発明が発明の詳細な説明に記載されたものであるとする証左となりえないことは明らかである。また、前記意見書の主張を参酌しても、並列配置された複数の開口パターンの形状を「正方形」から「長辺同士が隣接」する「長方形」に置き換えることによって、配列方向についてサイドローブの光強度が小さくなり、サイドローブに起因する転写パターンの変形を抑制できることが、本件出願の優先日当時の技術常識であると認めるべき特段の事情を見いだすこともできない。
　したがって、本件発明が発明の詳細な説明に記載されたものであるということはできず、本件出願の特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件に適合しない。
　
（２）次に、本件出願の発明の詳細な説明が特許法第３６条第４項に規定に適合するか否かを、本件出願の発明の詳細な説明が、経済産業省令で定めるところにより当業者が本件発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものであるか否かについて検討する。
　本件出願の発明の詳細な説明には、露光光の波長、開口部の寸法および開口パターンの間隔等と光近接効果の関係に関して、具体的な実験データやシミュレーション結果等が何ら記載されていないこと、並列配置された複数の開口パターンの形状を「正方形」から「長辺同士が隣接」する「長方形」に置き換えることによって、配列方向についてサイドローブの光強度が小さくなり、サイドローブに起因する転写パターンの変形を抑制できることが、本件出願の優先日当時の技術常識であると認めるべき特段の事情を見いだすこともできないことは上記（１）で述べたとおりであるから、当業者は、発明の詳細な説明の記載に基づいて、光近接効果に関して、露光光の波長、開口部の寸法および開口パターン間隔等をどのように設定すればサイドローブの光強度が低下してサイドローブによる転写パターンの変形の度合いが少なくなり、開口パターン間隔の縮小化が可能となるのか理解できない。したがって、当業者が本件発明を実施する際には過度の試行錯誤を強いられるということができ、当業者は、本件出願の発明の詳細な説明をもって本件発明を実施することができないから、本件出願の発明の詳細な説明の記載は、当業者が本件発明を実施できる程度に明確かつ十分に記載されたものであるとはいえない。
　また、同様に（１）で指摘したとおり、露光光の波長、開口部の寸法および開口パターン間隔等に依存することなく、開口部の長辺を短辺長さfに対して１．２〜４fとすることのみにより、光近接効果が生じつつも、サイドローブの光強度を低下させてサイドローブに起因する転写パターンの変形を抑制できるという作用効果を認めることはできないから、当業者は、前記開口部の長辺長さに係る数値限定による本件発明の技術的意義を理解することもできない。
　よって、本件出願の発明の詳細な説明は、特許法第３６条第４項の規定に適合しない。
　
６　むすび
　以上検討したとおり、本件出願の特許請求の範囲の記載は許法第３６条第６項第１号に規定するいわゆる明細書のサポート要件に適合していないとともに、本件出願の発明の詳細な説明は、経済産業省令で定めるところにより当業者が本件発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものではなく、特許法第３６条第４項に規定する実施可能要件に適合していない。
　したがって、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。