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　特願２０００−　９７５２１「半導体レーザ制御装置、画像形成装置及び光ディスク装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１０月１２日出願公開、特開２００１−２８４７０３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１２年３月３１日に特許出願したものであって、平成２０年７月３１日に手続補正がなされたが、平成２１年７月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月２８日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、これと同時に手続補正がなされた後、当審において、平成２２年１１月１１日付けで拒絶理由が通知され、平成２３年１月１７日に手続補正がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２３年１月１７日になされた手続補正後の明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「半導体レーザの光出力を受光素子により検知し、前記受光素子から得られる前記半導体レーザの光出力に比例した受光信号のレベルと発光レベル指令信号のレベルとを比較して、両者が等しくなるように前記半導体レーザの順方向電流を制御する光・電気負帰還ループを備えた半導体レーザ制御装置であって、
　前記半導体レーザの出射した光ビームの一部を所定位置に導びく光学素子と、前記所定位置に配置され、前記半導体レーザの光出力をモニタする前記受光素子とを備え、
　前記受光素子及び前記光・電気負帰還ループの比較増幅部が同一チップ上に一体となった集積回路と、前記半導体レーザとが同一基板上に配置されるとともに、前記半導体レーザからの光ビームは前記基板に対して垂直方向に出射され、該光ビームの一部が前記光学素子を通して前記受光素子に導びかれ、該受光素子の端に入れないで該受光素子の中央部分でのみ受光されることを特徴とする半導体レーザ制御装置。」
　
３　刊行物の記載
（１）当審において通知した拒絶の理由に引用した、本願出願前に頒布された刊行物である特開平６−３１９８０号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下の記載がある（下線は、審決で付した。以下同じ）。
　
　ア　「【００４８】ここでは、図４に示すように、
発光出力制御手段としてのＬＤ制御部２４を、光電気負帰還ループ２５と、順方向電流変換手段としての電流変換器２６とから構成したものである。前記光電気負帰還ループ２５は、比較増幅器２７と、ＬＤ１２ａ，１２ｂと、受光素子１９ａ，１９ｂとより構成されている
【００４９】
前記光電気負帰還ループ２５は、ＬＤ１２ａ，１２ｂからの光出力を受光素子１９ａ，１９ｂにより検知してこの受光素子１９ａ，１９ｂから得られるＬＤ１２ａ，１２ｂの光出力に比例した受光信号と発光レベル指令信号とが等しくなるようにＬＤ１２ａ，１２ｂの順方向電流を制御する
【００５０】このような構成において、発光レベル指令信号は、比較増幅器２７と電流変換器２６とに入力され、ＬＤ１２ａの光出力の一部が受光素子１９ａによりモニターされる。比較増幅器２７は受光素子１９ａに誘起された光起電流（ＬＤ１２ａに比例する）に比例する受光信号と発光レベル指令信号とを比較して、その結果によりＬＤ１２ａの順方向電流を受光信号と発光レベル指令信号とが等しくなるように制御する。また、電流変換器２６は、受光信号と発光レベル指令信号とが等しくなるように、発光レベル指令信号に従って予め設定された電流（ＬＤ１２ａの光出力・受光信号特性に基づいて予め設定された電流）を出力する。そして、その電流変換器２６の出力電流と、比較増幅器２７より出力される制御電流との和の電流がＬＤ１２ａの順方向電流となる。」
　
　イ　「【００５５】次に、請求項３記載の発明の一実施例を図５及び図６に基づいて説明する。なお、前述した請求項１，２記載の発明と同一部分についての説明は省略し、その同一部分については同一符号を用いる。
【００５６】ここでは、光源部及び受光部を一体化して構成した場合の例を示すものである。すなわち、図５に示すように、
半導体レーザ駆動制御用プリント基板２８上には、ＬＤ１２ａ，１２ｂと、発光部の数に対応した受光素子１９ａ，１９ｂとが固定されている
【００５７】また、
前記ＬＤ１２ａ，１２ｂから出射されたレーザビームの光路上にはハーフミラー１８が配置され、このハーフミラー１８により分岐された光路上には結像レンズ２１が配置されている。そして、この結像レンズ２１により集光された光路上には、レーザビームを前記受光素子１９ａ，１９ｂに導くための光路変換手段３３として、折返しミラー３２が配置されている
【００５８】なお、ここではその説明を省略するが、
前記光路変換手段３３により前記受光素子１９ａ，１９ｂに導かれて得られた出力信号に応じて前記ＬＤ１２ａ，１２ｂの発光出力を制御する図示しない発光出力制御手段（前述した図１のＬＤ制御部２０ａ，２０ｂ、図４のＬＤ制御部２４の相当するもの）が設けられている。この場合、高速、高精度のＬＤ１２ａ，１２ｂの出力制御を行うためのレーザ出力用の制御回路は、半導体レーザ駆動制御用プリント基板２８上に実装されている
【００５９】上述したように、
受光素子１９ａ，１９ｂが半導体レーザ駆動制御用プリント基板２８上に設けられ、数１００μＡ〜数ｍＡの微弱信号を受信するのに電線で伝送しないでよいため、ノイズの影響を受けにくくすることが可能となり、また、信号の遅延が少ないためパルス幅が短くなっても露光光量を精度良く制御することが可能となり
　
　ウ　図５をみると、半導体レーザ駆動制御用プリント基板２８に対して垂直方向にＬＤ１２ａ，１２ｂ上からレーザビームが出射されることが見てとれる。
　
　エ　「【００８２】前述した請求項１〜７記載の発明の各実施例では、受光素子１９ａ，１９ｂで光電変換された光出力信号をＬＤ制御部２０ａ，２０ｂで各ＬＤ１２ａ，１２ｂが所定の出力となるように駆動電流を制御している。しかし、この場合、
周囲温度の変化によりＬＤＡ１２、コリメートレンズ１３の保持部材等の熱変形により受光素子１９ａ，１９ｂにおける入射位置が変動する。この入射位置の変動は受光面内で局所的な感度バラツキとなって現れ
　
（２）同じく実願昭６３−３６１１０号（実開平１−１３９４６０号）のマイクロフィルム（以下「刊行物２」という。）には、以下の記載がある。
　
「
フォトダイオードの高速応答性を高めるのにあたってはフォトダイオードの静電容量を小さくする必要があり、受光面積の小さなものが用いられている
　ところで、このように受光面積の小さなフォトダイオードに直径が３０μｍ程度に収束された光ビームを入射する場合、
光ビームの入射位置によって高速周波数特性が大きく変化してしまう
光ビームを中央部分に入射させると比較的高域（例えば１０ＭＨｚ程度）までほぼ平たんな変換出力が得られる
　そこで、従来このようなフォトダイオードを高域周波数領域で用いるのにあたっては、光ビームの入射位置を高精度に制御することが行われている。」（１頁１４行〜２頁１２行）
　
４　引用発明
　上記３（１）アないしウによれば、刊行物１には、次の発明が記載されているものと認められる。
　
「光電気負帰還ループ２５と、順方向電流変換手段としての電流変換器２６とから構成した発光出力制御手段としてのＬＤ制御部２４であって、前記光電気負帰還ループ２５は、比較増幅器２７と、ＬＤ１２ａ，１２ｂと、受光素子１９ａ，１９ｂとより構成され、ＬＤ１２ａ，１２ｂからの光出力を受光素子１９ａ，１９ｂにより検知してこの受光素子１９ａ，１９ｂから得られる前記ＬＤ１２ａ，１２ｂの光出力に比例した受光信号と発光レベル指令信号とが等しくなるように前記ＬＤ１２ａ，１２ｂの順方向電流を制御するものであり、前記受光素子１９ａ，１９ｂは、前記半導体レーザ駆動制御用プリント基板２８上に固定され、該半導体レーザ駆動制御用プリント基板２８上に固定された前記ＬＤ１２ａ，１２ｂから半導体レーザ駆動制御用プリント基板２８に対して垂直方向に出射されたレーザビームの光路上にはハーフミラー１８が配置され、このハーフミラー１８により分岐された光路上には結像レンズ２１が配置され、この結像レンズ２１により集光された光路上には折返しミラー３２が配置されて、レーザビームが前記受光素子１９ａ，１９ｂに導かれ、ＬＤ１２ａ，１２ｂの出力制御を行うためのレーザ出力用の制御回路は、半導体レーザ駆動制御用プリント基板２８上に実装され、受光素子１９ａ，１９ｂが半導体レーザ駆動制御用プリント基板２８上に設けられ、数１００μＡ〜数ｍＡの微弱信号を受信するのに電線で伝送しないでよいため、ノイズの影響を受けにくくすることが可能となり、また、信号の遅延が少ないためパルス幅が短くなっても露光光量を精度良く制御することが可能となる、ＬＤ制御部２４。」（以下「引用発明」という。）
　
５　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「光電気負帰還ループ２５」は、「ＬＤ１２ａ，１２ｂからの光出力を受光素子１９ａ，１９ｂにより検知してこの受光素子１９ａ，１９ｂから得られる前記ＬＤ１２ａ，１２ｂの光出力に比例した受光信号と発光レベル指令信号とが等しくなるように前記ＬＤ１２ａ，１２ｂの順方向電流を制御する」ものであるから、本願発明の「半導体レーザの光出力を受光素子により検知し、前記受光素子から得られる前記半導体レーザの光出力に比例した受光信号のレベルと発光レベル指令信号のレベルとを比較して、両者が等しくなるように前記半導体レーザの順方向電流を制御する光・電気負帰還ループ」に相当し、引用発明の「ＬＤ制御部２４」は、本願発明の「半導体レーザ制御装置」に相当する。
　 　 
（２）引用発明は、「該半導体レーザ駆動制御用プリント基板２８上に固定された前記ＬＤ１２ａ，１２ｂから半導体レーザ駆動制御用プリント基板２８に対して垂直方向に出射されたレーザビームの光路上にはハーフミラー１８が配置され、このハーフミラー１８により分岐された光路上には結像レンズ２１が配置され、この結像レンズ２１により集光された光路上には折返しミラー３２が配置されて、レーザビームが前記受光素子１９ａ，１９ｂに導かれ」るものであるから、引用発明の「『ハーフミラー１８』、『結像レンズ２１』、及び『折返しミラー３２』」は、本願発明の「前記半導体レーザの出射した光ビームの一部を所定位置に導びく光学素子」に相当し、引用発明の「受光素子１９ａ，１９ｂ」は、本願発明の「前記所定位置に配置され、前記半導体レーザの光出力をモニタする前記受光素子」に相当する。
　また、引用発明は、本願発明の「前記半導体レーザからの光ビームは前記基板に対して垂直方向に出射され、該光ビームの一部が前記光学素子を通して前記受光素子に導びかれ」との構成を備える。
　
（３）引用発明の「光電気負帰還ループ２５」は、「比較増幅器２７と、ＬＤ１２ａ，１２ｂと、受光素子１９ａ，１９ｂとより構成され」るものであり、引用発明は、「レーザ出力用の制御回路は、半導体レーザ駆動制御用プリント基板２８上に実装され」るものであるから、引用発明の「比較増幅器２７」は、「半導体レーザ駆動制御用プリント基板２８上に実装され」るものである。
　そして、引用発明は、「前記受光素子１９ａ，１９ｂは、前記半導体レーザ駆動制御用プリント基板２８上に固定され」、「ＬＤ１２ａ，１２ｂ」は「該半導体レーザ駆動制御用プリント基板２８上に固定された」ものであるから、引用発明は、「前記受光素子及び前記光・電気負帰還ループの比較増幅部と、前記半導体レーザとが同一基板上に配置される」ものといえ、この点において、本願発明の「前記受光素子及び前記光・電気負帰還ループの比較増幅部が同一チップ上に一体となった集積回路と、前記半導体レーザとが同一基板上に配置される」との構成と共通する。
　
（４）以上によれば、両者は、
「半導体レーザの光出力を受光素子により検知し、前記受光素子から得られる前記半導体レーザの光出力に比例した受光信号のレベルと発光レベル指令信号のレベルとを比較して、両者が等しくなるように前記半導体レーザの順方向電流を制御する光・電気負帰還ループを備えた半導体レーザ制御装置であって、
　前記半導体レーザの出射した光ビームの一部を所定位置に導びく光学素子と、前記所定位置に配置され、前記半導体レーザの光出力をモニタする前記受光素子とを備え、
　前記受光素子及び前記光・電気負帰還ループの比較増幅部と、前記半導体レーザとが同一基板上に配置されるとともに、前記半導体レーザからの光ビームは前記基板に対して垂直方向に出射され、該光ビームの一部が前記光学素子を通して前記受光素子に導びかれる半導体レーザ制御装置。」
である点で一致し、以下のア及びイの点で相違するものと認められる。
　
　ア　前記受光素子及び前記光・電気負帰還ループの比較増幅部が、本願発明では、同一チップ上に一体となった集積回路であるのに対して、引用発明では、そのようなものではない点（以下「相違点１」という。）。
　
　イ　光ビームが、本願発明では、受光素子の端に入れないで該受光素子の中央部分でのみ受光されるのに対し、引用発明では、そのようなものかどうか不明である点（以下「相違点２」という。）。
　
６　判断
（１）相違点１について
　受光素子等の光素子と電子回路を集積化して集積回路とすることは、必要に応じて適宜なされる慣用手段である（例えば、原査定の拒絶の理由に引用した、特開平２−１３７２８５号公報の特許請求の範囲等を参照。）。
　そして、引用発明は、「受光素子１９ａ，１９ｂが半導体レーザ駆動制御用プリント基板２８上に設けられ、数１００μＡ〜数ｍＡの微弱信号を受信するのに電線で伝送しないでよいため、ノイズの影響を受けにくくすることが可能となり、また、信号の遅延が少ないためパルス幅が短くなっても露光光量を精度良く制御することが可能となる」ものであるから、受光素子及び光・電気負帰還ループの比較増幅部を集積回路とすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得る程度のことであり、同一チップ上に一体となった集積回路とすることに格別の困難はない。
　よって、引用発明において、相違点１に係る本願発明の構成とすることは、当業者が適宜なし得ることである。
　
（２）相違点２について
　前記３（１）エによれば、刊行物１には、受光素子１９ａ，１９ｂにおける入射位置の変動は受光面内で局所的な感度バラツキとなって現れることが記載されていることが認められる。
　しかるところ、前記３（２）によれば、刊行物２には、フォトダイオード、すなわち、受光素子における入射位置によって特性が変化することを考慮して光ビームを中央部分に入射させることが記載されているものと認められる。
　してみれば、引用発明において、受光面内で局所的な感度バラツキを防止すべく、刊行物２の記載事項に基づいて、光ビームが、受光素子の中央部分でのみ受光されるようにし、相違点２に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易になし得ることである。
　
（３）小括
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明及び刊行物１及び刊行物２の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものというべきである。
　
７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び刊行物１及び刊行物２の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。