【手続補正書】
【提出日】平成22年9月21日(2010.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品と熱的に接触するヒートシンクを介して流体循環により前記電子部品の温度を制御する装置において、  第１温度の冷媒を導入する可変冷媒導入部と、  前記第１温度より高い第２温度の温媒を導入する可変温媒導入部と、  前記可変冷媒導入部及び前記可変温媒導入部に接続され、前記冷媒と前記温媒が混合して前記ヒートシンクに接触する混合媒体になるとともに、当該混合媒体の混合温度は前記ヒートシンクの温度に直接影響するチャンバと、  前記冷媒の前記第１温度を維持するチラーと、  前記温媒の前記第２温度を維持するヒータと、を有し、  前記可変冷媒導入部及び前記可変温媒導入部は、前記ヒートシンクの温度が前記電子部品の温度の変動を相殺し、前記電子部品の設定温度を維持するように、前記混合温度を動的に制御するように調節される電子部品の温度制御装置。
【請求項２】
電子部品と熱的に接触するヒートシンクを介して流体循環により前記電子部品の温度を制御する装置において、  第１温度の冷媒を導入する可変冷媒導入部と、  前記第１温度より高い第２温度の温媒を導入する可変温媒導入部と、  前記可変冷媒導入部及び前記可変温媒導入部に接続され、前記冷媒と前記温媒が混合して前記ヒートシンクに接触する混合媒体になるとともに、当該混合媒体の混合温度は前記ヒートシンクの温度に直接影響するチャンバと、  前記冷媒の前記第１温度を維持する第１熱交換器と、  前記温媒の前記第２温度を維持する第２熱交換器と、を有し、  前記可変冷媒導入部及び前記可変温媒導入部は、前記ヒートシンクの温度が前記電子部品の温度の変動を相殺し、前記電子部品の設定温度を維持するように、前記混合温度を動的に制御するように調節される電子部品の温度制御装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、  前記可変冷媒導入部により導入された冷媒に応じた量の混合媒体を導出する可変冷媒導出部と、  前記可変温媒導入部により導入された温媒に応じた量の混合媒体を導出する可変温媒導出部と、を有する電子部品の温度制御装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項において、  前記第１温度は、前記設定温度に対して０〜−１４０℃の範囲内、前記第２温度は前記設定温度に対して０〜７５℃の範囲内である電子部品の温度制御装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項において、  前記電子部品は半導体素子を含み、  前記電子部品の温度が上昇した場合は、前記冷媒が増加するとともに前記温媒が減少し、  前記電子部品の温度が下降した場合は、前記冷媒が減少するとともに前記温媒が増加する電子部品の温度制御装置。
【請求項６】
第１温度の第１流体と第２温度の第２流体とを用いて、ヒートシンクに熱的に接触する電子部品の温度を制御する方法であって、  前記第１温度と前記第２温度との間の混合温度を有する混合流体を得るために前記第１流体と前記第２流体との割合を決定するステップと、  前記混合流体を得るために前記決定された割合で前記第１流体と前記第２流体とを混合するステップと、  前記電子部品の温度の変化を相殺するとともに前記電子部品の目標温度を維持するために、前記ヒートシンクの温度を調整して前記ヒートシンクの少なくとも一部に前記混合流体を導出するステップと、  チラーを用いて前記第１温度を維持するステップと、  ヒータを用いて前記第２温度を維持するステップと、を含む電子部品の温度制御方法。
【請求項７】
請求項６において、  前記第１流体と前記第２流体とを混合するステップは、  前記第１流体に対応する第１導入部を介して前記第１流体を導入するとともに、前記第２流体に対応する第２導入部を介して前記第２流体を導入するステップと、  前記第１流体に対応する第１導出部と前記第２流体に対応する第２導出部を介して前記決定された割合で前記混合流体を導出するステップと、を含む電子部品の温度制御方法。
【請求項８】
請求項６又は７において、  前記第１温度は前記目標温度より低く、前記第２温度は前記目標温度より高い電子部品の温度制御方法。
【請求項９】
電子部品と熱的に接触するヒートシンクを介して流体循環により前記電子部品の温度を制御する装置において、  第１温度の第１流体を導入するように構成された第１可変流体源と、  前記第１温度より高い第２温度の第２流体を導入するように構成された第２可変流体源と、  前記第１温度及び前記第２温度より高い第３温度の第３流体を導入するように構成された第３可変流体源と、  調節された量の前記第１流体、前記第２流体および前記第３流体のうち少なくとも２つを流して前記ヒートシンクに接触する、前記ヒートシンク温度に直接影響する混合温度を有する混合流体にするように構成されたバルブと、を備え、  前記調節された量の前記第１流体、前記第２流体および前記第３流体のうち少なくとも２つは、前記ヒートシンク温度が前記電子部品の温度の変化を相殺するとともに前記電子部品の設定温度を維持するように制御することができる電子部品の温度制御装置。
【請求項１０】
請求項９において、  前記バルブはディスクバルブである電子部品の温度制御装置。
【請求項１１】
請求項９又は１０において、  前記第１流体が冷媒、前記第２流体が前記電子部品の設定温度と等しい温度の設定温度流体、前記第３流体が温媒である電子部品の温度制御装置。
【請求項１２】
請求項１１において、  前記設定温度流体の温度は、前記温媒の温度に対するよりも前記冷媒の温度に近似する電子部品の温度制御装置。
【請求項１３】
請求項９〜１２のいずれか一項において、  前記第１流体、前記第２流体及び前記第３流体の少なくとも２つは同じ流体の一部である電子部品の温度制御装置。
【請求項１４】
請求項９〜１２のいずれか一項において、  前記第１流体、前記第２流体及び前記第３流体は全て同じ流体の一部である電子部品の温度制御装置。
【請求項１５】
請求項９〜１４のいずれか一項において、  第１流体帰還流路と、  第２流体帰還流路と、を備え、  前記混合流体が前記ヒートシンクに当ったのち、前記混合流体の一部が前記第１流体帰還流路を介して前記第１流体源へ帰還するとともに、前記混合流体の残余は前記第２流体帰還流路を介して前記第２流体源へ帰還する電子部品の温度制御装置。
【請求項１６】
請求項９〜１５のいずれか一項において、  それぞれが第１バルブと第２バルブ、およびそれぞれが第１ヒートシンクと第２ヒートシンクとを有する第１電気部品試験部と第２電気部品試験部とを備え、  少なくとも前記第２バルブは前記第２ヒートシンクに接触する前記第２流体のみを導出するように構成され、  前記第１電気部品試験部が電気部品を試験している場合は、前記第１バルブは前記第１ヒートシンクに接触する前記混合流体を導出するとともに、前記第２電気部品試験部は次の電気部品の試験を待機し、前記第２バルブは前記第２ヒートシンクに接触する前記第２流体のみを導出する電子部品の温度制御装置。
【請求項１７】
請求項９〜１６のいずれか一項において、  前記ヒートシンクは複数のフィンを有し、  前記フィンは、前記ヒートシンクに接触する前記混合流体と垂直方向に延在する電子部品の温度制御装置。
【請求項１８】
第２温度は第１温度より高く第３温度は第２温度より高い条件下、第１流体容器、第２流体容器及び第３流体容器にそれぞれ貯留された、第１温度の第１流体と第２温度の第２流体と第３温度の第３流体とを用いて、ヒートシンクに熱的に接触する電子部品の温度を制御する方法であって、  前記第１温度と前記第３温度との間の混合温度を有する混合流体を得るために、前記第１流体、前記第２流体及び前記第３流体の少なくとも２つの流体の割合を決定するステップと、  前記混合流体を得るために前記決定された割合で前記第１流体、前記第２流体及び前記第３流体の少なくとも２つの流体を前記容器から導出するステップと、  前記電子部品の温度の変化を相殺するとともに前記電子部品の目標温度を維持するために、前記ヒートシンクの温度を調整して前記ヒートシンクの少なくとも一部に前記混合流体を接触させるステップと、を含む電子部品の温度制御方法。
【請求項１９】
請求項１８において、  前記第１流体、前記第２流体及び前記第３流体の少なくとも２つの流体を導出するステップは、ディスクバルブを介して前記第１流体、前記第２流体及び前記第３流体の少なくとも２つの流体を前記容器から導出するステップを含む電子部品の温度制御方法。
【請求項２０】
請求項１８又は１９において、  前記第１流体が冷媒、前記第２流体が前記電子部品の目標温度と等しい温度の目標温度流体、前記第３流体が温媒である電子部品の温度制御方法。
【請求項２１】
請求項２０において、  前記目標温度流体の目標温度は、前記温媒の温度に対するよりも前記冷媒の温度に近似する電子部品の温度制御方法。