【事件の表示】
　特願２００３−３４４５０１「レーザモジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　４月２１日出願公開、特開２００５−１０９４１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１５年１０月２日の出願であって、平成２２年４月２０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年７月２７日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである。（以下、この平成２２年７月２７日にされた手続補正を「本件補正」という。）
　
II．本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、本願特許請求の範囲の請求項１について、本件補正前の
「【請求項１】
　発振波長が３５０〜４５０ｎｍの範囲にあって、５５００時間以上の寿命を持つ半導体レーザ素子を密閉容器内に配置してなるレーザモジュールにおいて、
　前記密閉容器内に配置された、前記半導体レーザ素子を含む光学部品の全てが、１５０℃におけるGC-MASS（ガスクロマトグラフ質量分析法）評価による有機揮発ガス発生量が１０μｇ／ｇ（ヘキサデカンの揮発ガス量〔ｇ〕に対する揮発有機物総量〔μｇ〕：以下同様）以下のものであり、
　前記光学部品を前記密閉容器内で固定する有機接着剤として、１５０℃におけるGC-MASS評価による有機揮発ガス発生量が３００μｇ／ｇ以下のものが用いられていることを特徴とするレーザモジュール。」
を　
「【請求項１】
　発振波長が３５０〜４５０ｎｍの範囲にあって、５５００時間以上の寿命を持つ半導体レーザ素子を密閉容器内に配置してなるレーザモジュールにおいて、
　前記密閉容器内に配置された、前記半導体レーザ素子を含む光学部品の全てが、１５０℃におけるGC-MASS（ガスクロマトグラフ質量分析法）評価による有機揮発ガス発生量が１０μｇ／ｇ（ヘキサデカンの揮発ガス量〔ｇ〕に対する揮発有機物総量〔μｇ〕：以下同様）以下のものであり、
　前記光学部品を前記密閉容器内で固定する有機接着剤として、１５０℃におけるGC-MASS評価による有機揮発ガス発生量が３００μｇ／ｇ以下で、接着後に脱気処理にかけられたものが用いられていることを特徴とするレーザモジュール。」
と補正することを含むものであって、「有機接着剤」について「接着後に脱気処理にかけられた」と限定し、特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められるので、以下に、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について、独立特許要件の検討を行う。
　
２．引用例
　本願出願前に頒布され、原査定において引用された特開平２００２−２０２４４２号公報（以下「引用例１」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は合波レーザー光源に関し、特に詳細には、複数の半導体レーザーから発せられたレーザービームを光ファイバーを利用して合波する合波レーザー光源に関するものである。」
　
「【００３６】図１は、本発明の第１の実施の形態による合波レーザー光源の平面形状を示すものである。図示されるようにこの合波レーザー光源は、銅からなるヒートブロック10上に配列固定された一例として７個のチップ状態の横マルチモードＧａＮ系半導体レーザーＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３，ＬＤ４，ＬＤ５，ＬＤ６およびＬＤ７と、各ＧａＮ系半導体レーザーＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３，ＬＤ４，ＬＤ５，ＬＤ６およびＬＤ７に対してそれぞれ設けられたコリメーターレンズ11，12，13，14，15，16および17と、１つの集光レンズ20と、１本のマルチモード光ファイバー30とから構成されている。
【００３７】なおこの図１は、本実施の形態の合波レーザー光源の基本構成を示すものであり、コリメーターレンズ11〜17および集光レンズ20の形状は概略的に示してある。また、それらの取付状態の詳細については後に説明する。なお、ヒートブロック10に対するＧａＮ系半導体レーザーＬＤ１〜７の取付状態を図２に示す。
【００３８】ＧａＮ系半導体レーザーＬＤ１〜７は、発振波長が例えば全て共通の405ｎｍであり、最大出力も全て共通の100ｍＷである。これらのＧａＮ系半導体レーザーＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３，ＬＤ４，ＬＤ５，ＬＤ６およびＬＤ７から発散光状態で出射したレーザービームＢ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４，Ｂ５，Ｂ６およびＢ７は、それぞれコリメーターレンズ11，12，13，14，15，16および17によって平行光化される。
【００３９】平行光とされたレーザービームＢ１〜７は、集光レンズ20によって集光され、マルチモード光ファイバー30のコア30ａの入射端面上で収束する。本例ではコリメーターレンズ11〜17および集光レンズ20によって集光光学系が構成され、それとマルチモード光ファイバー30とによって合波光学系が構成されている。すなわち、集光レンズ20によって上述のように集光されたレーザービームＢ１〜７がこのマルチモード光ファイバー30のコア30ａに入射してそこを伝搬し、１本のレーザービームＢに合波されてマルチモード光ファイバー30から出射する。なおマルチモード光ファイバー30としては、ステップインデックス型のもの、グレーデッドインデックス型のもの、およびそれらの複合型のものが全て適用可能である。」
　
「【００４０】次に、この合波レーザー光源からなる紫外光高輝度合波ファイバーモジュールについて詳しく説明する。図３、４および５はそれぞれ、この紫外光高輝度合波ファイバーモジュールの平面形状、側面形状および部分正面形状を示すものである。なおこれらの図では、コリメーターレンズ11〜17および集光レンズ20の形状や取付状態を詳しく示してある。
【００４１】本例においてモジュールを構成する光学要素は、上方が開口した箱状のパッケージ40内に収容され、このパッケージ40の上記開口がパッケージ蓋41によって閉じられることにより、該パッケージ40およびパッケージ蓋41が画成する閉空間内に密閉保持される。
【００４２】パッケージ40の底面にはベース板42が固定され、このベース板42の上面に前記ヒートブロック10が取り付けられ、そしてこのヒートブロック10にコリメーターレンズ11〜17を保持するコリメーターレンズホルダ44が固定されている。さらにベース板42の上面には、集光レンズ20を保持する集光レンズホルダ45と、マルチモード光ファイバー30の入射端部を保持するファイバーホルダ46が固定されている。またＧａＮ系半導体レーザーＬＤ１〜７に駆動電流を供給する配線類47は、パッケージ40の横壁面に形成された開口を通してパッケージ外に引き出されている。
【００４３】なお図３においては、図の煩雑化を避けるために、ＧａＮ系半導体レーザーＬＤ１〜７のうち１つのＧａＮ系半導体レーザーＬＤ７にのみ番号を付し、同様にコリメーターレンズ11〜17のうち１つのコリメーターレンズ17にのみ番号を付してある。
【００４４】図５は、上記コリメーターレンズ11〜17の取付部分の正面形状を示すものである。ここに示されるように各コリメーターレンズ11〜17は、非球面円形レンズの光軸を含む領域を細長く切り取った形とされたものであり、例えば樹脂あるいは光学ガラスをモールド成形することによって形成される。図６の(1)および(2)にはそれぞれ、それらを代表して１つのコリメーターレンズ17の拡大側面形状および正面形状を、要部の寸法（単位はｍｍ）も入れて示してある。」
　
　上記記載によれば、引用例１には、
「銅からなるヒートブロック10上に配列固定された発振波長が405ｎｍのＧａＮ系半導体レーザーＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３，ＬＤ４，ＬＤ５，ＬＤ６およびＬＤ７と、各ＧａＮ系半導体レーザーＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３，ＬＤ４，ＬＤ５，ＬＤ６およびＬＤ７に対してそれぞれ設けられたコリメーターレンズ11，12，13，14，15，16および17と、１つの集光レンズ20と、１本のマルチモード光ファイバー30とから構成されている合波レーザー光源からなる紫外光高輝度合波ファイバーモジュールであって、
　上方が開口した箱状のパッケージ40の底面にベース板42が固定され、このベース板42の上面に前記ヒートブロック10が取り付けられ、このヒートブロック10にコリメーターレンズ11〜17を保持するコリメーターレンズホルダ44が固定されており、さらにベース板42の上面には、集光レンズ20を保持する集光レンズホルダ45と、マルチモード光ファイバー30の入射端部を保持するファイバーホルダ46が固定され、ＧａＮ系半導体レーザーＬＤ１〜７に駆動電流を供給する配線類47は、パッケージ40の横壁面に形成された開口を通してパッケージ外に引き出されており、パッケージ40の上記開口がパッケージ蓋41によって閉じられることにより、該パッケージ40およびパッケージ蓋41が画成する閉空間内にモジュールを構成する光学要素が密閉保持されてなる紫外光高輝度合波ファイバーモジュール。」（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
３．対比
　本願補正発明と引用発明を対比するに、引用発明の「紫外光高輝度合波ファイバーモジュール」は、「発振波長が405ｎｍのＧａＮ系半導体レーザー」が「パッケージ40およびパッケージ蓋41が画成する閉空間内に」「密閉保持されてなる」ものであるから、本願補正発明と引用発明は、ともに「発振波長が３５０〜４５０ｎｍの範囲にある半導体レーザ素子を密閉容器内に配置してなるレーザモジュール。」である点で一致する。
　
　一方、次の点で相違する。
ａ．本願補正発明においては、半導体レーザ素子の寿命が５５００時間以上とされているのに対し、引用発明のＧａＮ系半導体レーザーの寿命が不明な点。
ｂ．本願補正発明においては、「密閉容器内に配置された、前記半導体レーザ素子を含む光学部品の全てが、１５０℃におけるGC-MASS（ガスクロマトグラフ質量分析法）評価による有機揮発ガス発生量が１０μｇ／ｇ（ヘキサデカンの揮発ガス量〔ｇ〕に対する揮発有機物総量〔μｇ〕：以下同様）以下のもの」であるとされているのに対し、引用発明において、「パッケージ40およびパッケージ蓋41が画成する閉空間内に密閉保持され」る「モジュールを構成する光学要素」の全てがこのようなものであるか不明な点。
ｃ．本願補正発明においては、「光学部品を前記密閉容器内で固定する有機接着剤として、１５０℃におけるGC-MASS評価による有機揮発ガス発生量が３００μｇ／ｇ以下で、接着後に脱気処理にかけられたものが用いられている」のに対し、引用発明において、光学要素を固定する手段がこのようなものであるか不明な点。
　
４．相違点についての検討
（１）相違点ａについて
　引用発明のＧａＮ系半導体レーザーにおいても、その寿命は長いのが望ましいことは明らかな事項であり、その寿命として５５００時間以上のものを要求することに困難性は認められない。
（２）相違点ｂについて
　紫外光を発生する半導体レーザを含む光学要素を閉空間内に密閉保持している引用発明において、使用時に閉空間内に有機揮発ガスが存在しないのが望ましいことは、本願明細書【０００２】〜【０００６】の記載からも理解されるように当業者には明らかな事項である。（なお、本願明細書が引用する文献以外にも、例えば、特開２００３−１０１１１６号公報【０００２】〜【０００９】、特開２００１−１３３５８号公報【００４３】に同様の記載がある。）
　そして、引用発明は、「紫外光高輝度合波ファイバーモジュール」であるから、その使用に当たっては、閉空間内の温度が高くなることが予想されるところである。
　してみれば、引用発明の閉空間内に密閉される光学要素について、高温になっても有機揮発ガスを発生しないことを要求することは当然であり、上記相違点ｂに係るものを要求することに困難性は認められない。
（３）相違点ｃについて
　引用例１には、光学要素を固定する手段についての記載、例えば、コリメーターレンズ11〜17をコリメーターレンズホルダ44へどうやって固定するのかについての記載はないが、本願出願前に頒布され、原査定において引用された特開２００１−１７７１６６号公報（以下「引用例２」という。）には、例えば、
「【要約】
【課題】  光源、レンズ等の光学部品を１つ以上有する光デバイスにおいて、その光デバイス所望の光学特性及び耐久性を改良すること、及びこのような改良した光デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】  脂環式エポキシ化合物、オキセタニル基を有する化合物、及び触媒量のオニウム塩光反応開始剤を含有する接着性組成物を、光学部品とその被着体の間に接着厚さが０．０５μｍ以上５μｍ以下となるように挿入した後、活性エネルギー線により硬化させた光デバイス、及び、室温における粘度が１０−１，０００mPa・s 以下であって、被着体との接触角が４０度以下となるようにした前記接着性組成物を光学部品と被着体との間に挿入した後、紫外線等により硬化させる光デバイスの製造方法。」
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光デバイス及びその製造方法に関し、更に詳しくはレーザー光源及びその製造方法に関する。このレーザー光源には、固体レーザー結晶を半導体レーザー（レーザーダイオード）によって励起するレーザーダイオード励起固体レーザーが含まれる。」と記載されているように、半導体レーザを用いた光デバイスにおいて、その光学部品の固定を有機接着剤を用いて行うことが記載されている。
　してみれば、引用発明における光学要素の固定、例えば、コリメーターレンズ11〜17とコリメーターレンズホルダ44の固定を有機接着剤を用いて行うことは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　その際、使用時に有機揮発ガスを発生しない、あるいは、発生するにしても発生量の少ない有機接着剤が望ましいことは当業者に明らかな事項であり、使用時に高温になる引用発明において、１５０°Ｃにおける有機揮発ガス発生量が３００μｇ／ｇ以下のものを要求することに困難性は認められない。
　また、引用発明は、モジュールを構成する光学要素をパッケージの閉空間内に密閉保持するものであるところ、光学要素をパッケージに密閉するに際して、パッケージを真空排気することは周知である（例えば、特開２００３−２０４１１８号公報【００４４】「パッケージ１内を真空にする」の記載、特開２００３−２３２０３号公報【０００９】「例えば真空中でパッケージ４を気密封止する。」の記載、特開２００２−２８０３９７号公報【０００８】「真空排気が行われている真空空間でパッケージ４を気密封止する。」の記載、特開２００２−１１１１１５号公報【０００９】「半導体レーザ素子を密閉する容器内を真空にする」、【００２３】「パッケージ１内のガスを排気後に、通気部９の先端部をかしめて潰すことにより仮封止して」の記載を参照。）。
　してみれば、引用発明において、モジュールを構成する光学要素をパッケージの閉空間内に密閉保持するに際して、パッケージを真空排気することは当業者が普通に採用し得ることであると認められ、この場合、引用発明において光学要素の固定に用いた有機接着剤は脱気処理がなされることとなる。
　したがって、上記相違点ｃの「有機接着剤として」「接着後に脱気処理にかけられたものが用いられている」との事項は、有機接着剤で固定された光学要素をパッケージに密閉するに際して、パッケージを真空排気するという周知の技術事項を採用することにより実現される事項にすぎないのであって、結局、引用発明において上記相違点ｃに係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、引用発明における光学要素の固定を使用時の高温において有機揮発ガスを発生しない有機接着剤により行うとともに、光学要素をパッケージに密閉するに際して真空排気することにより、当業者が容易になし得たものと認められる。
（４）むすび
　以上のことから、本願補正発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明及び上記周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められる。　
　
５．むすび
　したがって、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
III．本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、出願時の特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記II．［理由］１．において、本件補正前の請求項１として摘記したものである。
　
２．判断
　本願発明は、本件補正発明から、有機接着剤に関する「接着後に脱気処理にかけられた」との限定事項を省いたものであるから、上記II．［理由］２．〜４．における検討から、上記引用例１及び２に記載された発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められる。
　
３．むすび
　以上のとおり、本願発明は、上記引用例１及び２に記載された発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。