【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年6月22日(2011.6.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも造作を実質的に取り囲む領域に液体を供給しながら基板の第１の基板表面に沿ってレーザエネルギーを適用することによって前記基板内に造作を形成し、当該基板が前記第１の基板表面と実質的に反対側の面に第２の基板表面を有し、該第２の基板表面が薄膜層に覆われ、その薄膜層が被覆に覆われて当該薄膜層が保護され、
前記造作が前記基板内で第１の深さになったときに液体の供給を停止し、
前記第１の基板表面に沿ってレーザエネルギーを適用することによって、前記造作を前記第２の基板表面まで形成することを含み、それによって前記造作が前記第１の基板表面及び前記第２の基板表面を貫通して形成され、
前記第１の深さが、前記第１の基板表面と前記第２の基板表面との間の当該基板の厚みの少なくとも約90パーセントである方法。
【請求項２】
前記被覆が前記液体に可溶性である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の深さが、前記第１の基板表面と前記第２の基板表面の間の当該基板の厚みの最大約98パーセントである請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記造作を形成する際、前記造作の深さを測定することをさらに含み、所定の深さに達したときに所定の部分が完成する請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記液体を供給することが、少なくとも第１の液体供給経路に沿って第１の液体を供給し、少なくとも第２の液体供給経路に沿って第２の液体を供給することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
レーザエネルギーを最初に適用してからの時間を測定することによって、前記第１の深さを判定することをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記薄膜層が、少なくともいくつかの電気部品を含み、前記第２の基板表面から前記被覆を除去することをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
基板をレーザ微細加工する方法であって、
第１の基板表面とその第１の基板表面と反対側の面の第２の基板表面との間の前記基板に、当該第１の基板表面にレーザエネルギーを導くことによって貫通造作を形成し、前記第２の基板表面が薄膜層に覆われ、その薄膜層が被覆に覆われて当該薄膜層が保護され、
所定の深さに造作の深さが達するまで、前記造作の少なくとも第１の領域に液体を供給することを含む方法。
【請求項９】
前記被覆が前記液体に可溶性である請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記所定の深さが、前記第１の基板表面と前記第２の基板表面との間の当該基板の厚みの約90パーセントの厚みである請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記深さが、前記第１の基板表面と前記第２の基板表面との間の前記基板の厚みの最大約98パーセントである請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記レーザエネルギーが最初に適用されたときに始まり、所定の終了時間に終了する所定の時間期間に基づき前記所定の深さが決定される請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記所定の終了時間が、前記第１の基板表面と前記第２の基板表面との間の当該基板の厚みに対する前記造作の深さの比に基づく請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
液体を供給することが、第１の液体供給経路に沿って前記造作の少なくとも第１の領域に液体を供給し、前記造作の少なくとも第２の異なる領域に少なくとも第２の液体供給経路に沿って液体を供給することを含む請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
前記造作の形成中に前記造作の深さを判定することをさらに含み、所定の深さに達すると、前記所定の部分が完成する請求項８に記載の方法。
【請求項１６】
基板の第１の基板表面にレーザエネルギーを向けて貫通造作を形成するように基板材料を除去し、前記基板が前記第１の基板表面と実質的に反対側の面に第２の基板表面を有し、その第２の基板表面が薄膜層に覆われ、その薄膜層が被覆に覆われて当該薄膜層が保護され、前記貫通造作が前記第１の基板表面と前記第２の基板表面とを貫通して形成される造作であり、
レーザエネルギーを向けている所定の持続時間の間に、前記第１の基板表面側において前記基板に液体を選択的に供給することを含み、
前記所定の持続時間が、前記貫通造作を形成するために、前記レーザエネルギーが前記基板の前記第１の基板表面に向けられる時間の少なくとも前半を含む方法。
【請求項１７】
前記選択的に供給することが、第１の液体供給経路及び第２の液体供給経路に沿って液体を選択的に供給することを含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記所定の持続時間が、前記第１の基板表面と前記第２の基板表面との間の当該基板の厚みに対する前記造作の深さの比に基づく請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記比が約0.9である請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記比が約0.98より小さい請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記所定の持続時間が、少なくとも前記レーザエネルギーが前記基板の前記第１の基板表面に適用されたときに始まる請求項１６に記載の方法。
【請求項２２】
前記被覆が前記液体に可溶性である請求項１６に記載の方法。
【請求項２３】
基板を介する流体経路を画定するシステムであって、該流体経路が、当該基板の第１の面とその第１の面と反対側の第２の面の間に画定され、該第２の面が薄膜層に覆われ、その薄膜層が被覆に覆われて当該薄膜層が保護されるものにおいて、
前記第１の面に造作を画定するレーザ源と、
少なくとも実質的に前記造作を取り囲む領域に液体を供給する液体供給装置と、
前記レーザにより前記造作の形成中に、前記造作の状態に基づいて、前記液体の供給を停止するように前記液体供給装置に指示する手段とを含み、
前記造作の形成が、前記液体の供給が停止された後も継続し、それによって前記造作が前記第１の面と前記第２の面を貫通して形成されるシステム。
【請求項２４】
前記被覆が前記液体に可溶性である請求項２３に記載のシステム。
【請求項２５】
前記造作の状態が当該造作の深さを含み、前記手段が前記液体の供給を停止するように前記液体供給装置に指示する深さが、前記第１の面と前記第２の面との間の当該基板の厚みの少なくとも約90パーセントに等しい請求項２３に記載のシステム。
【請求項２６】
前記深さが、前記第１の面と前記第２の面との間の当該基板の厚みの最大約98パーセントである請求項２５に記載のシステム。
【請求項２７】
前記造作の形成中に、前記造作の深さを判定する手段をさらに含み、前記指示する手段が、該判定する手段によって提供された情報に基づいて前記液体の供給を停止する命令をもたらす請求項２５に記載のシステム。
【請求項２８】
前記レーザエネルギーの適用を開始してからの時間を測定する手段をさらに含み、前記液体供給装置に指示する手段が、前記時間を測定する手段からの情報に基づいて前記液体の供給を停止するように前記液体供給装置に指示する請求項２３に記載のシステム。
【請求項２９】
レーザ源を制御するコンピュータを操作するための命令を含むコンピュータ可読媒体であって、
少なくとも実質的に造作を取り囲む領域に液体を供給しながら、第１の基板表面に沿ってレーザエネルギーを適用することによって基板内に造作を形成するための命令と、当該基板が前記第１の基板表面と実質的に反対側の面に第２の基板表面を有し、この第２の基板表面が薄膜層に覆われ、この薄膜層が被覆に覆われて当該薄膜層が保護されることと、
前記造作が前記基板内で第１の深さを有するときに、前記液体の供給を停止するための命令と、
前記第１の基板表面に沿ってレーザエネルギーを適用することによって、前記第２の基板表面まで前記造作を形成し、それによって前記造作が前記第１の基板表面と前記第２の基板表面とを貫通して形成される命令とを含み、
前記第１の深さが、前記第１の基板表面と前記第２の基板表面との間の当該基板の厚みの少なくとも約８０パーセントであるコンピュータ可読媒体。
【請求項３０】
レーザ源を制御するコンピュータを操作するための命令を含むコンピュータ可読媒体であって、
第１の基板表面にレーザエネルギーを向けることによって、当該第１の基板表面とその第１の基板表面と反対側の第２の基板表面との間の基板内に貫通造作を形成するための命令と、該第２の基板表面が薄膜層に覆われ、その薄膜層が被覆に覆われて当該薄膜層が保護され、
造作の深さが所定の深さに達するまで、前記造作の少なくとも第１の領域に液体を供給するための命令とを含むコンピュータ可読媒体。
【請求項３１】
レーザ源を制御するコンピュータを操作するための命令を含むコンピュータ可読媒体であって、
基板の第１の基板表面にレーザエネルギーを向けて貫通造作を形成するように基板材料を除去するための命令と、前記基板が当該第１の基板表面と実質的に反対側の面に第２の基板表面を有し、この第２の基板表面が薄膜層に覆われ、この薄膜層が被覆に覆われて当該薄膜層が保護され、前記貫通造作が前記第１の基板表面と前記第２の基板表面とを貫通して形成される造作であり、
レーザエネルギーを向ける所定の持続時間の間に、前記第１の基板表面側において前記基板に液体を選択的に供給するための命令とを含み、
前記所定の持続時間が、前記貫通造作を形成するために、レーザエネルギーが前記基板の前記第１の基板表面に向けられる時間の少なくとも前半を含むコンピュータ可読媒体。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
図４Ａ〜図４Ｅを参照すると、それらの図は、一実施形態による例示的な基板をレーザ加工する工程段階を表す断面を示す図である。基板400は、第１の面402と、第１の面402と実質的に対向する第２の面404とを有する。第２の面404は、その上又はその中に形成されている１つ又は複数の薄膜層405を有し、この薄膜層405を、他の電子装置又は能動構造とすることができる。薄膜層405は、一実施形態において、少なくとも一部分が被覆410によって覆われている。一実施形態では、被覆410は、レーザ加工工程中に薄膜層405を砕片から保護する。特定の実施形態では、被覆410を水溶性、又は他の液体に可溶性とすることができる。他の実施形態では、被覆410は、薄膜層405又は基板400内に形成された造作の縁を破壊する可能性があるレーザエネルギー420によって生成されたエネルギーを吸収する。そのような実施形態では、補助液体を適用すると、砕片が薄膜層405に付着する場合がある。一実施形態では、被覆410は、約20パーセントのイソプロピルアルコール、約７パーセントのポリビニルアルコール、約１パーセント未満の染料材料及び水からなる。