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【手続補正書】
【提出日】平成23年2月4日(2011.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料供給源と、
給水源と、
前記燃料供給源と流体連通する酸化チャンバーと、
前記酸化チャンバーと流体連通する反応チャンバーと、
前記反応チャンバー内に収められるが、ただし前記反応チャンバーから流体的に分離されており、前記給水源と流体連通している水転化チャンバーと、
前記水転化チャンバーからの反応生成物を受け取るための水素回収チャンバーであって、ガス導管を介して水転化チャンバーへの水入口と流体連通している水素回収チャンバーと
を備えるシステム。
【請求項２】
前記水転化チャンバーが第１の導管を介して前記給水源と流体連通しており、さらに、
前記水転化チャンバーから反応生成物を除去するために前記水転化チャンバーと流体連通している第２の導管と、
前記反応チャンバーと流体連通している清浄化チャンバーと、
前記清浄化チャンバーから反応生成物を除去するために前記清浄化チャンバーと流体連通している第３の導管とを備え、
前記第１の導管および前記第２の導管は、向流、逆流、または並流によって熱交換し、前記第１の導管および前記第３の導管は、向流、逆流、または並流によって熱交換する請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
さらに、
ハウジングと、
前記燃料供給源と流体連通する、前記ハウジング内に収納されている、反応チャンバーと、
第１の導管を介して前記給水源と流体連通している水転化チャンバーと、
前記水転化チャンバーから反応生成物を除去するために前記水転化チャンバーと流体連通している第２の導管と、
前記第１の導管と前記第２の導管との間で熱を交換するように構成され、配列されている、前記ハウジングの外部配置された熱交換器とを備える請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
さらに、
前記反応チャンバーと流体連通し、前記酸化チャンバーと熱連通している清浄化チャンバーとを備える請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
さらに、
前記反応チャンバーと流体連通する清浄化チャンバーと、
前記酸化チャンバーと前記清浄化チャンバーのいずれか一方、又は両方に空気を送ることができる空気流デバイスとを備える請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
燃料供給源と、
前記燃料供給源と流体連通する酸化チャンバーと、
前記酸化チャンバーと流体連通する反応チャンバーと、
前記反応チャンバーと流体連通する清浄化チャンバーとを備える
システムとを備えることと、
前記燃料供給源から前記システムに入る燃料の量を決定することと、
前記燃料と反応する少なくとも実質的に化学量論的な量の酸素があるように空気の流れを前記酸化チャンバーおよび／または前記清浄化チャンバーに送ることとを含む方法。
【請求項７】
さらに、
前記反応チャンバーと流体連通する清浄化チャンバーと、
前記清浄化チャンバーと流体連通するＣＯ反応種とを備える請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記水転化チャンバーは、少なくとも一部が、セラミックを含む材料によって、前記反応チャンバーから流体的に分離されており、前記材料がイオン伝導性及び／又は電子導電性を有する請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記材料は、セラミック・イオン伝導体を含む第１の相、およびセラミック電気伝導体を含む第２の相を含む請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記第１の相は、ＹＳＺ、ジルコニア、少なくとも酸化セリウムと酸化ガドリニウムを含む酸化物、Ｌａフェライト材料、ＣｅをドープしたＧｄ２Ｏ３、またはドープＬａＦｅＯ３を含む請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記ジルコニアは、ＹまたはＳｃの１つまたは複数を使用して立方構造で安定化される請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記ドープＬａＦｅＯ３は、Ｓｒ、Ｃａ、Ｇａ、またはＦｅのうちの１つまたは複数をドープされる請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
前記第２の相は、ＬＳＴ材料、ＹＳＴ材料、ＬＣＣ材料、ＹＬＳＴ材料またはＳｃＣｅＳＴ材料を含む請求項９に記載のシステム。
【請求項１４】
さらに、前記水転化チャンバーまたは反応チャンバーと流体連通する燃料電池を備える請求項１に記載のシステム。
【請求項１５】
さらに、前記水転化チャンバーと、または前記水転化チャンバーと流体連通する導管と流体連通する、Ｈ２を消費することにより発電することができる、発電デバイスを備える請求項１に記載のシステム。
【請求項１６】
前記燃料供給源は、炭素質燃料、酸化可能燃料、ガス化燃料、石炭ガスまたはガス化炭化水素を含む請求項１に記載のシステム。
【請求項１７】
さらに、水転化チャンバー内で生成された水素の少なくとも一部が水転化チャンバーの下流で捕捉され、水転化チャンバーの上流の水と混合されるような流体接続を備える請求項１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月30日(2010.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１枚の湾曲した硬質ペイン（２）、他の硬質ペイン（３）およびこの２枚のペインを不浸透性の接着剤によって一緒に結合し、ペイン間に空間を作り出すスペーサフレーム（４）、を含む絶縁グレージングユニット（１）であって、このフレームは、湾曲した硬質ペイン（２）および他の硬質ペイン（３）の間の結合領域に、ペイン（２）の湾曲に向かって、その長さに亘って可変の断面を有しており、スペーサフレーム（４）が、湾曲したペイン（２）および他のペイン（３）が相互に一緒に押圧されたときに、塑性的に変形したエラストマー材料で、少なくとも前記の湾曲した領域中に、作られていることを特徴とする絶縁グレージングユニット。
【請求項２】
幅が一定の金属挿入物（４Ｍ）がスペーサフレーム（４）中に埋め込まれていることを特徴とする請求項１記載の絶縁グレージングユニット。
【請求項３】
スペーサフレーム（４）が当初は断面が一定である連続した押出された断面から作られ、また単一の結合点のみを有することを特徴とする請求項１または２記載の絶縁グレージングユニット。
【請求項４】
スペーサフレーム（４）が幾つかのセグメントから作られ、湾曲した領域に位置するセグメント（４．２）が、湾曲した領域には位置しないセグメント（４．１）よりも広い初期の幅を有していることを特徴とする請求項１または２記載の絶縁グレージングユニット。
【請求項５】
湾曲したペイン（２）および平面のペイン（３）、または異なる曲率を有する２枚の湾曲したペインを含む絶縁グレージングユニットであって、このユニットの中で、後者の場合に曲率の違いを、エラストマースペーサフレーム（４）が塑性的変形によって補償することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の絶縁グレージングユニット。
【請求項６】
スペーサフレーム（４）の可変の断面が、エラストマー材料の押圧および変位によって湾曲した領域の中で作られることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の絶縁グレージングユニット。
【請求項７】
湾曲したペイン（２）が、スペーサフレーム（４）上に押圧される前に湾曲されていること、および／または湾曲したペイン（２）がスペーサフレーム（４）上に押圧されることによってその最終的な形状に湾曲されること、を特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載の絶縁グレージングユニット。
【請求項８】
硬質ペイン（２、３）がガラスまたはプラスチックで出来ていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載の絶縁グレージングユニット。
【請求項９】
硬質ガラスペイン（２、３）がプレストレストまたは部分的なプレストレストまたはプレストレストでないガラスからなることを特徴とする請求項８記載の絶縁グレージングユニット。
【請求項１０】
少なくとも１枚の硬質ペイン（２、３）が表面付着によって一緒に結合された２枚のガラスおよび／またはプラスチック硬質ペインで作られた積層ペインであることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項記載の絶縁グレージングユニット。
【請求項１１】
透明な視野を含むことおよび／または挿入された要素がグレージングユニットの表面に備えられていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項記載の絶縁グレージングユニット。
【請求項１２】
電気的機能性要素を含むことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項記載の絶縁グレージングユニット。
【請求項１３】
電気的機能性要素が、表面灯、太陽電池、またはディスプレースクリーンであることを特徴とする請求項１２記載の絶縁グレージングユニット。
【請求項１４】
電気的機能性要素がペインの間の空間の中に位置していることを特徴とする請求項１２または１３記載の絶縁グレージングユニット。
【請求項１５】
電気的機能性要素が積層ペインの中で、積層ペインの硬質ペインの間に格納されていることを特徴とする請求項１０、１２または１３のいずれか１項記載の絶縁グレージングユニット。
【請求項１６】
二次的封止材が、スペーサフレーム（４）の外側全体を取り囲むことを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項記載の絶縁グレージングユニット。
【請求項１７】
二次的封止材が、多硫化物で作られていることを特徴とする請求項１６記載の絶縁グレージングユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月24日(2011.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サンプルにラインフォーカスを生み出し、それから散乱光のスペクトルを発生させるように配置された励起光の光源であって、該ラインフォーカスおよび該サンプルが相対的に可動である、光源と、
少なくとも１つの行または列に配列された複数の検出要素を有する検出器と、
該サンプルと該検出器との間の光路であって、前記ラインフォーカスと前記行または列とが、前記ラインフォーカスの異なる部分から散乱された光が前記行または列内の異なる検出要素にそれぞれ向けられるように調整された光路と、
を備え、
前記ラインフォーカスは、前記サンプルに対して、該ラインフォーカスの長手方向に少なくとも動くように決められ、かつ、
前記サンプルにわたる前記ラインフォーカスの相対的な動きに同期して、前記サンプルの所与のポイントまたは領域からのデータが、前記相対的な動きの間、蓄積するように、データが、前記検出器内でシフトされる
ことを特徴とする分光装置。
【請求項２】
データは、検出要素の前記行または列の一端部から、順次、読まれることを特徴とする請求項１に記載の分光装置。
【請求項３】
各要素からのデータは、ある１つの要素から次のへと前記行または列に沿って連続して推移することを特徴とする請求項１または２に記載の分光装置。
【請求項４】
前記検出器は、２次元配列の検出要素を備えることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の分光装置。
【請求項５】
前記検出器は、電荷結合素子を備えることを特徴とする請求項４に記載の分光装置。
【請求項６】
前記アナライザーは、前記行または列に直交する方向に前記検出器と交わるように、前記ラインフォーカスの任意の所与のポイントまたは領域からのスペクトルを散乱させることを特徴とする請求項４または５に記載の分光装置。
【請求項７】
前記スペクトルに広がる複数の波数に相当するデータが、前記２次元配列のそれぞれの行または列において、前記サンプル上の前記ラインフォーカスの相対的な動きに同期して、該それぞれの行または列に沿って各波数に関する該データを動かす間、同時に取得されることを特徴とする請求項６に記載の分光装置。
【請求項８】
前記検出器は、９０°まで回転可能であり、所望のとき、前記データのシフトが前記スペクトルの散乱の方向に行われるように、該検出器が回転され得ることを特徴とする請求項６または７に記載の分光装置。
【請求項９】
前記スペクトルは、ラマン散乱光のスペクトルであることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の分光装置。
【請求項１０】
サンプルにラインフォーカスを生み出し、それから散乱光のスペクトルを発生させるように配置された励起光の光源であって、該ラインフォーカスおよび該サンプルが相対的に可動である、光源と、
少なくとも１つの行または列に配列された複数の検出要素を有する検出器と、
該サンプルと該検出器との間の光路であって、前記ラインフォーカスと前記行または列とが、前記ラインフォーカスの異なる部分から散乱された光が前記行または列内の異なる検出要素にそれぞれ向けられるように調整された光路と
を備え、
前記ラインフォーカスの各部分からの光の強度を組み合わせるように前記サンプルのあるポイントが前記ラインフォーカスの各部分からの光によって連続的に照らされることができるように、前記ラインフォーカスは、前記サンプルに対して、該ラインフォーカスの長手方向に少なくとも動くように決められている
ことを特徴とする分光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
励起レーザービームによる照射は、種々の周波数／波数での、例えばラマン散乱光である散乱光を生じる。これは、顕微鏡の対物レンズ２４によって集められ、２次元光検出器アレイ３４に向けて方向付けられる。それは、ミラー１８、フィルター２０、（機器の深さ分解能を制御するように焦点を共有するように作用し得る）スリット３５、ミラー３６、回折格子３９および合焦レンズ３７を介して進む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
好ましい２次元光検出器３４は、ＣＣＤ検出器である。しかし、２次元ＣＭＯＳ検出器アレイのような他の検出器が、可能である。回折格子３９は、方向Ｘ´において、ＣＣＤ３４の表面を横切る散乱光のスペクトルを散乱させる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2010517029.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2010517029.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月25日(2011.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(ａ)エキソソームから単離した自己抗体免疫反応性ペプチドを含んでなる抗原をサンプルとインビボで接触させ；
(ｂ)前記サンプル中の前記抗原に免疫反応性の自己抗体を検出し；そして
(ｄ)前記抗原に免疫反応性の自己抗体のレベルを参照レベルと比較する
ことを含んでなり、前記サンプル中の自己抗体レベルが前記参照レベルより高いことを対象における疾患の存在の指標とする、対象のサンプルを疾患の存在について評価する方法。
【請求項２】
(ａ)エキソソームから単離した自己抗体免疫反応性ペプチドを含んでなる抗原をサンプルと接触させ；
(ｂ)前記サンプル中の前記抗原に免疫反応性の自己抗体を検出し；そして
(ｄ)前記抗原に免疫反応性の自己抗体のレベルを定量して疾患を特徴付ける
ことを含んでなる、サンプルにおいて疾患を特徴付ける方法。
【請求項３】
前記疾患がガン又は不妊症である請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記疾患が上皮ガン又は腺ガンである請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記抗原が、腫瘍サプレッサーファミリーペプチド、核酸結合性ペプチド、抗アポトーシスペプチド、ガン遺伝子ファミリーペプチド、ホメオボックスペプチド、ガン精巣抗原ペプチド、熱ショックタンパク質ファミリーペプチド、プロリソソーム酵素ファミリーペプチドの酵素前駆体、PLAP、接着分子ファミリーペプチド、接着関連ペプチド及びキナーゼファミリーペプチドからなる群より選択されるガン抗原ペプチドを含んでなる請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記疾患が、早発性卵巣機能不全(POF)、多嚢胞性卵巣症候群(PCOS)、子宮内膜症、子癇前症、早産、胎内発育遅延及び再発性妊娠喪失からなる群より選択される不妊症である請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記サンプルが、乳、血液、血清、血漿、腹水、嚢胞液、胸膜液、涙、尿、唾液、組織又はこれらの組合せを含む請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記対象が哺乳動物である請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
エキソソームが細胞から単離される請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記細胞が培養細胞である請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記細胞がガン細胞である請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ガン細胞が、卵巣ガン細胞、子宮頸ガン細胞、乳ガン細胞、子宮内膜ガン細胞、結腸ガン細胞、前立腺ガン細胞、肺ガン細胞、黒色腫細胞、膵臓ガン細胞又は絨毛上皮腫細胞である請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記細胞が、UL-1細胞、UL-2、UL-3細胞又はUL-6細胞である請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記細胞が胎盤細胞である請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記検出が、ELISA、RIA、多重イムノアッセイ、免疫沈降及びイムノブロッティングからなる群より選択される技法を含む請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記疾患がガンであり、前記疾患の特徴付けがガンのステージを決定することを含んでなる請求項１又は２に記載の方法。
【請求項１７】
自己抗体免疫反応性ペプチド抗原と該抗原を含有するための容器とを含んでなり、前記抗原がエキソソームから単離される、サンプル中の自己抗体を検出するキット。
【請求項１８】
前記抗原が支持体に付着している請求項１７に記載のキット。
【請求項１９】
前記支持体が、マイクロタイタープレート、メンブレン、ポリスチレンビーズ、試験管又はディップスティックである請求項１８に記載のキット。
【請求項２０】
自己抗体に結合する抗体調製物を含んでなる請求項１７〜１９のいずれか１項に記載のキット。
【請求項２１】
前記抗体調製物が検出標識を含んでなる請求項２０に記載のキット。
【請求項２２】
前記検出標識が、放射性標識、酵素、ビオチン、色素、蛍光タグ標識、ハプテン又は発光標識を含んでなる請求項２１に記載のキット。
【請求項２３】
前記疾患が受胎能障害であり、前記抗原が該受胎能障害と関連する自己抗体に結合するペプチド抗原を含んでなり、約50kD及び80kDの分子量を有する核抗原及び約10kD、30kD、45kD、90kD及び125kDの分子量を有する膜抗原からなる群より選択される請求項１又は２に記載の方法。
【請求項２４】
前記自己抗体が、卵巣、子宮内膜、胎盤又はこれらの組合せに反応性である請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記抗原が、胎盤、卵巣、子宮内膜又はこれらの組合せから単離される請求項２３又は２４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月7日(2010.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォークリフトと共に使用される重量検知装置であって、
２．前記フォークリフトは取付け部分から前方へ延伸する左右のフォークを有し、前記装置は当該フォークの一方を有し、
３．前記装置は前記フォークの上方に配置されたカバーを有し、
４．前記装置は荷重セルＬＣＡ及び荷重セルＬＣＢと称する２つの荷重セルを有し、
５．前記２つの荷重セルＬＣＡ及びＬＣＢは前記カバーと前記フォークの間に配置され、当該カバー上に置かれた荷重を測定するように整列されて、それを示す電気信号を送り、
６．前記２つの荷重セルの一方は前記フォークの正面か正面付近に配置され、他方は背面か背面付近に配置され、
７．運ばれるべき荷重が前記カバー上で留まるように前記装置は整列され、当該カバーは前記荷重セル上で留まり、当該荷重セルは前記フォーク上で留まり、
８．適用された荷重の下で前記荷重セルＬＡは撓むことが可能であり、力は当該荷重セルＬＡの点ＡＰ１と点ＡＰ２の間で適用され、当該点ＡＰ１は当該点ＡＰ２に対して撓むか退避し、
９．前記荷重セルＬＢは、適用された荷重の下で撓むことが可能であり、力は当該荷重セルＬＢの点ＢＰ１と点ＢＰ２の間で適用され、当該点ＢＰ１は当該点ＢＰ２に対して撓むか逃避し、
１１．荷重が前記カバーに印加されるとき、当該荷重の重量は、一部が前記荷重セルＬＡの前記点ＡＰ１、ＡＰ２の間を通って、そして、一部が前記荷重セルＬＢの点ＢＰ１、ＢＰ２の間を通って伝送されるように、前記装置は構成され、
１２．前記カバー又は前記フォークの何れか一方は部材Ｍ１と称され、他方は部材Ｍ２と称されて、
１３．第１の取付けでは、荷重セルＬＡの前記点ＡＰ１が前記部材Ｍ１に取り付けられ、
１４．第２の取付けでは、荷重セルＬＡの前記点ＡＰ２が前記部材Ｍ２に取り付けられ、
１５．第３の取付けでは、荷重セルＬＢの前記点ＢＰ１が前記部材Ｍ１に取り付けられ、
１６．第４の取付けでは、荷重セルＬＢの前記点ＢＰ２が前記部材Ｍ２に取り付けられ、
１７．相対的な水平運動が前記フォークの長手方向、荷重セルＬＢの前記点ＢＰ２と前記部材Ｍ２との間に生じるように、前記第４の取付けは構成される、重量検知装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月8日(2010.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気要素を有する基板を含む配列チップの提供であって、該要素の各々は磁化の予め定められた優先軸の要素を有し、外部磁場に応答して各々磁力を出すことができる分離した領域のアレイを形成するような提供と；アレイ形成を導くために磁場発生器からの該外部磁場の提供と；および、マイクロデバイスの磁化の予め定められた優先軸を含む製造されたマイクロデバイスの配列と、を含む、マイクロデバイスのアレイを形成する方法。
【請求項２】
前記アレイの前記マイクロデバイスの方位が、該マイクロデバイスの少なくとも二つの分離した方位に導かれる、請求項１の方法。
【請求項３】
前記アレイの前記マイクロデバイスの方位が、該マイクロデバイスの少なくとも四つの分離した方位に導かれる、請求項１の方法。
【請求項４】
前記アレイの前記マイクロデバイスの方位が、該マイクロデバイスの少なくとも八つの分離した方位に導かれる、請求項１の方法。
【請求項５】
前記アレイの前記マイクロデバイスの方位が、該マイクロデバイスの少なくとも１２の分離した方位に導かれる、請求項１の方法。
【請求項６】
前記マイクロデバイスが最長５００ミクロンの線形寸法を有する、請求項１の方法。
【請求項７】
配列された前記マイクロデバイスが完全に前記アレイの磁気要素と重なる、請求項１の方法。
【請求項８】
配列された前記マイクロデバイスがパターン化された磁気バーを含む、請求項１の方法。
【請求項９】
前記マイクロデバイスの、埋め込まれた磁気要素のアレイを有する基板を含む配列チップ上のアレイへの配置であって、該磁性要素は外部磁場に応答して磁力を出すことができる磁気の予め定められた優先軸を有し、そこで該マイクロデバイスは、該磁気要素に関して第１の方位により配置されるような配置と；および、配列された該マイクロデバイスの選択されたものが少なくとも９０°で再配向されるような順序での少なくとも第１および第２の磁場の適用とを含む、最長５００μＭ未満の線形寸法を有するマイクロデバイスの方位を変える方法。
【請求項１０】
前記第１の方位の前記マイクロデバイスの前記アレイが前記配列チップに本質的に平行した平面に配置され、該マイクロデバイスの選択されたものは該平面に垂直に再配向される、請求項９の方法。
【請求項１１】
前記マイクロデバイスの選択されたものが逆さに反転される、請求項９の方法。
【請求項１２】
前記マイクロデバイスの選択されたものが、前記アレイにおいてそれらの場所を変えずに逆さに反転される、請求項９の方法。
【請求項１３】
個々の前記マイクロデバイスが少なくとも１０３の選択を支える磁気コード化空間を利用するコードを含む、請求項９の方法。
【請求項１４】
個々の前記マイクロデバイスの各々が化学的に反応する部位を含む、請求項９の方法。
【請求項１５】
前記マイクロデバイスのうちの少なくとも１００が相互に異なる重合体と相互に異なるコードとを含む、請求項９の方法。
【請求項１６】
分離した領域のアレイを形成する埋め込まれた磁化可能な磁気要素を有する基板を含む配列チップを含み、そこで各々の要素が外部磁場によって引き起こされると磁力を出し、磁気要素は、隙間により分離される交互の長いおよび短い磁気バーを含み、該長いバーの少なくともいくつかは５００μＭ未満の平均の長さを有し、該短いバーの少なくともいくつかは該長いバーの５０％未満の平均の長さを有する、磁気配列装置。
【請求項１７】
前記長いおよび短いバーがＡＢＡＢＡＢの方法で交替する、請求項１６の装置。
【請求項１８】
前記長いおよび短いバーがＡＢＡＢＡＢ以外の方法で交替する、請求項１６の装置。
【請求項１９】
隣接した長いバーの端の間の隙間をさらに含み、そこで、前記短いバーの長さは該隙間の６０％よりも少ない、請求項１６の装置。
【請求項２０】
請求項１６の装置を含み、その上に前記隙間より大きな長さを有する複数のマイクロデバイスが配列される、システム。
【請求項２１】
最長わずか１ｍｍの線形寸法および５０μＭ未満の厚みを有する一組のマイクロデバイスと、中心を外れて該マイクロデバイスに配置される磁性材料のバーとを含み、そこで該バーが配列チップ内の磁気のバー大きさに相補的であるように大きさを設定されて必要な大きさにされる、製品。
【請求項２２】
前記一組の部材が最長わずか５００ミクロンの線形寸法を有する、請求項２１の製品。
【請求項２３】
前記一組の部材が少なくとも１０３の選択を支える磁気コード化空間を利用する、請求項２１の製品。
【請求項２４】
前記一組の部材が相互に異なる重合体と相互に異なるコードとを含む、請求項２１の製品。
【請求項２５】
前記一組の部材が化学的に反応する部位を含む、請求項２１の製品。
【請求項２６】
磁場発生器と；埋め込まれた磁気要素を有する基板を含む配列チップであって、該磁気要素は、磁化の予め定められた優先軸の要素を有し、該磁場発生器からの外部磁場に応答して各々磁力を出すことができる分離した領域のアレイを形成するような配列チップと；それぞれが磁化の予め定められた優先軸を有する一組のマイクロデバイスとを含む、システム。
【請求項２７】
少なくともいくつかの前記マイクロデバイスが、前記第１および第２の分離した領域の間の空間にまたがるのに十分な長さを有する、請求項２６のシステム。
【請求項２８】
少なくともいくつかの前記マイクロデバイスが化学的に活性の部位を含む、請求項２７のシステム。
【請求項２９】
前記配列チップ上に配列された複数のマイクロデバイスをさらに含み、少なくともいくつかの前記マイクロデバイスは、隣接した長いバーの端の間の前記隙間より大きい長さを有する磁気のバーを含む、請求項１６のシステム。
【請求項３０】
前記配列チップの前記磁気要素の磁化の要素が予め定められた優先軸は、該配列チップの平面に対して平行である、請求項１の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月22日(2010.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料層内に形成された、それぞれが少なくとも一つのエッジを有する複数のアパーチャと、
前記材料層とディスプレイ装置の所望のビューアとの間に配置されたシャッタベースのＭＥＭＳ光変調器アレイと、
対応する一つまたは複数のアパーチャを通る光の通過を選択的に妨害するための光遮断部分を有するシャッタを含む各光変調器と
を含むディスプレイ装置であって、
前記シャッタは、閉位置では、前記シャッタの前記光遮断部分がその対応する一つまたは複数のアパーチャの少なくとも一つのエッジと重なるように形作られ、
前記アレイは前記材料層から一定ギャップだけ離され、
前記重なりは前記ギャップの寸法に比例し、かつ前記ギャップの寸法以上である、ディスプレイ装置。
【請求項２】
前記重なりは約１ミクロン以上である、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項３】
前記重なりは約１ミクロンから約１０ミクロンの間である、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項４】
前記重なりは約１０ミクロンより大きい、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項５】
前記シャッタは光の通過を許容する一つまたは複数のシャッタアパーチャを含み、各シャッタアパーチャは、前記シャッタに対応する前記一つまたは複数のアパーチャの一つに対応する、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項６】
前記材料層は実質的に反射性である、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項７】
前記材料層は金属を含む、請求項６に記載のディスプレイ装置。
【請求項８】
前記材料層は誘電体ミラーを含む、請求項６に記載のディスプレイ装置。
【請求項９】
光導波路を含む、請求項６に記載のディスプレイ装置であって、
前記材料層は、バックライトを脱出する光を反射して前記光導波路に向けて戻す、ディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記材料層の前記アレイに面した側に蒸着される光吸収材料を含む、請求項６に記載のディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記バックライトの裏側に配置された第２の反射層を含む、請求項１０に記載のディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記アレイは前記材料層上に形成される、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記材料層は光導波路上に蒸着される、請求項１２に記載のディスプレイ装置。
【請求項１４】
前記アレイは前記第１の基板上に形成され、前記材料層は前記第１の基板以外の第２の基板上に蒸着される、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項１５】
前記アレイは、前記第１の基板の前記ビューアから離れて面する側に形成される、請求項１４に記載のディスプレイ装置。
【請求項１６】
光導波路を含む、請求項１４に記載のディスプレイ装置であって、
前記第２の基板は前記第１の基板と前記光導波路間に配置される、ディスプレイ装置。
【請求項１７】
前記第２の基板の屈折率より大きい屈折率を有する光導波路と液体を含む、請求項１４に記載のディスプレイ装置であって、
前記第２の基板は前記第１の基板と前記光導波路間に配置され、前記液体は少なくとも前記第２の基板と前記光変調器間に配置される、ディスプレイ装置。
【請求項１８】
前記光変調器内のシャッタを前記材料層から約所定距離だけ離しておくための、前記材料層と前記アレイ間に配置されたスペーサを含む、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項１９】
前記光変調器と前記材料層間に少なくとも配置された液体を含む、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項２０】
前記液体は潤滑剤である、請求項１８に記載のディスプレイ装置。
【請求項２１】
前記液体は前記材料層が形成される基板の屈折率より大きい屈折率を有する、請求項１８に記載のディスプレイ装置。
【請求項２２】
光導波路を含む、請求項１８に記載のディスプレイ装置であって、
前記液体は前記光導波路の屈折率より大きい屈折率を有する、ディスプレイ装置。
【請求項２３】
前記シャッタの前記材料層に面した側は反射材料で覆われる、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項２４】
前記シャッタの前記材料層に面した側は光吸収材料で覆われる、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項２５】
前記シャッタの前記材料層から見て外方に向く側は光吸収材料で覆われる、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月13日(2011.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
欠陥サイト（14）を有する音響バンドギャップ結晶（12）と、音響バンドギャップ結晶（12）の欠陥サイト（14）中のフォトニックバンドギャップ結晶（20）とを具備し、音響バンドギャップ結晶（12）の音響波はフォトニックバンドギャップ結晶（20）を通る電磁放射の透過を変調するためにフォトニックバンドギャップ結晶（20）の透過特性を変更できるように構成されている電磁放射の透過を制御する装置（10）。
【請求項２】
前記フォトニックバンドギャップ結晶はフォトニックアレイを含み、これは異なるフォトニックインピーダンスを有する少なくとも２つの材料のアレイである請求項１記載の装置。
【請求項３】
音響バンドギャップ結晶は音響アレイを有する音響バンドギャップ結晶を含んでおり、このアレイは異なる音響インピーダンスを有する少なくとも２つの異なる材料のアレイである請求項１または２記載の装置。
【請求項４】
フォトニックアレイは制御可能に透過される電磁放射の波長の約半分である周期性を有している請求項１乃至３のいずれか１項記載の装置。
【請求項５】
音響アレイは関連する音響周波数の波長の約半分である周期性を有している請求項１乃至４のいずれか１項記載の装置。
【請求項６】
フォトニックバンドギャップ結晶の特性を制御するために音響バンドギャップ結晶に結合されている音波発生器を具備している請求項１乃至５のいずれか１項記載の装置。
【請求項７】
フォトニックバンドギャップ結晶は導波体の一部である請求項１乃至６のいずれか１項記載の装置。
【請求項８】
フォトニックバンドギャップ結晶は光ファイバケーブルの一部である請求項１乃至７のいずれか１項記載の装置。
【請求項９】
音波発生器に結合されている音響バンドギャップ結晶の欠陥サイト中のフォトニックバンドギャップ結晶を透過することが可能な波長範囲内の少なくとも１つの波長の電磁放射を選択的に透過し、音響バンドギャップ結晶中に音響波を発生するように音波発生器を制御することによって少なくとも１つの波長の電磁放射の透過を選択的に通過または阻止するように透過可能な波長の範囲を変更するためフォトニックバンドギャップ結晶の特性を変化するステップとを含んでいる電磁放射の透過を制御する方法。
【請求項１０】
波長範囲内の電磁放射を選択的に透過する手段と、少なくとも１つの波長の電磁放射の透過を選択的に通過または阻止するように透過波長範囲を変更するため透過手段の特性を変更する手段とを含んでおり、前記透過手段はフォトニックバンドギャップ結晶（20）を含み、変更手段は音響バンドギャップ結晶（12）と、前記音響バンドギャップ結晶（12）に結合されている音響信号発生器（40）を含み、音響バンドギャップ結晶はフォトニックバンドギャップ結晶（20）を受ける欠陥サイト（14）を有している電磁放射の透過を制御する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月13日(2011.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、
第１電磁放射を入射するように構成された少なくとも１つの区画を有する構成を有し、
前記少なくとも１つの区画は、前記第１電磁放射に関連する第２電磁放射の透過または反射の少なくとも一方を行うように構成されており、
前記少なくとも１つの区画は、
ａ．特定の波数が時間と共に直線的に変化し、かつ
ｂ．平均周波数が時間と共に、１ミリ秒につき１００テラヘルツより高速で変化する、ように前記第２電磁放射を変化させるように構成されている装置。
【請求項２】
前記平均周波数は、５キロヘルツを越える反復速度で繰り返し変化する請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記スペクトルは、１００ギガヘルツ未満の瞬時線幅を有する請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記構成は、前記第２電磁放射を、少なくとも１つの特定の位置に、前記少なくとも１つの区画の反射または透過の少なくとも一方をさせる連続回転ディスクを有する請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記回転ディスクは、前記回転ディスクの表面上に与えられ、かつ、ある半径距離で与えられた互いに異なる複数の点で構成される１本の線によって定義される、前記第２電磁放射の反射または透過の少なくとも一方を行う、少なくとも１つの部分を有する請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記少なくとも１つの区画は曲線形状を有する請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記構成はレーザキャビティに設けられる請求項１に記載の装置。
【請求項８】
処理構成またはユーザの少なくとも一方による前記平均周波数の制御を可能にする制御構成を更に有する請求項１に記載の装置。
【請求項９】
電磁放射を供給する装置であって、
第１電磁放射を入射するように構成された少なくとも１つの区画を有する連続回転する第１構成と、前記少なくとも１つの区画は、前記第１電磁放射に関連する第２電磁放射の透過または反射の少なくとも一方を行うように構成されており、前記少なくとも１つの区画の透過または反射は波長非依存であり、前記第２電磁放射の波長は、特性的反復時間でスキャンされ、
前記第２電磁放射を入射するように構成された少なくとも１つのレーザキャビティを有する第２構成と、を有し、前記レーザキャビティにおける前記第２電磁放射の往復伝搬時間は、前記特性的反復時間の整数倍と実質的に等しい装置。
【請求項１０】
前記往復伝搬時間または前記特性的反復時間のうちの少なくとも１つを制御するように構成された第３構成を更に有する請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記往復伝搬時間と前記特性的反復時間との関係を求め、前記関係に基づいて前記第３構成を制御するように構成された第４構成を更に有する請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記往復伝搬時間または前記特性的反復時間の少なくとも１つを制御し、前記往復伝搬時間と前記特性的反復時間との関係を求めるように構成された別の構成を有し、前記別の構成は前記関係に基づいて制御される請求項９に記載の装置。
【請求項１３】
電磁放射を供給する装置であって、
第１電磁放射を入射するように構成された少なくとも１つの区画を有する第１構成と、前記少なくとも１つの区画は、前記第１電磁放射に関連する第２電磁放射の透過または反射の少なくとも一方を行うように構成されており、前記少なくとも１つの区画の透過または反射は波長非依存であり、前記第２電磁放射の波長は、特性的反復時間でスキャンされ、
前記第２電磁放射を入射するように構成された少なくとも１つのレーザキャビティを有する第２構成と、前記レーザキャビティにおける前記第２電磁放射の往復伝搬時間は、前記特性的反復時間の整数倍と実質的に等しく、
前記第２構成に対して内部または外部に提供され、少なくとも１つのラマン増幅特性に基づいて前記第１電磁放射または前記第２電磁放射のうちの少なくとも一方を増幅するように構成された第３構成と、を有する装置。
【請求項１４】
前記往復伝搬時間または前記特性的反復時間のうちの少なくとも１つを制御するように構成された第４構成を更に有する請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記往復伝搬時間と前記特性的反復時間との関係を求め、前記関係に基づいて前記第４構成を制御するように構成された第５構成を更に有する請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記往復伝搬時間または前記特性的反復時間の少なくとも１つを制御し、前記往復伝搬時間と前記特性的反復時間との関係を求めるように構成された別の構成を有し、前記別の構成は前記関係に基づいて制御される請求項１３に記載の装置。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの区画のそれぞれは、前記第２電磁放射の反射または透過の少なくとも一方を前記スキャンでの全ての波長について行う、請求項９に記載の装置。
【請求項１８】
前記少なくとも１つの区画のそれぞれは、前記第２電磁放射の反射または透過の少なくとも一方を前記スキャンでの全ての波長について行う、請求項１３に記載の装置。
【請求項１９】
前記少なくとも１つの区画の反射または透過は波長非依存である、請求項１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月14日(2011.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記制御ユニットは、前記少なくとも１つの出力端末及び／又は刺激源に部分的に収容される、請求項８に記載の起床刺激制御システム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月15日(2010.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つまたはそれ以上のマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子（１２）に用いられるパッケージであって、少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子（１２）を備えた支持基板（１）と、少なくとも１つのカバー基板（２，３）とが設けられており、該カバー基板（２，３）が、支持基板（１）に結合されており、該支持基板（１）と少なくとも１つのカバー基板（２）とによって、少なくとも１つの中空室（５）が形成されるようになっており、該中空室（５）が、少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子（１２）を少なくとも部分的に閉じ込めており、少なくとも１つのカバー基板（２，３）の、少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子（１２）に面した側の面が、光学的な窓（１３）と機械的なストッパ（８）とを有している形式のものにおいて、機械的なストッパ（８）が、カバー基板（２，３）と一体に形成されており、光学的な窓（１３）が、３．７５μｍ以下の平坦度偏差および／または面平行度偏差を有していることを特徴とする、１つまたはそれ以上のマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子に用いられるパッケージ。
【請求項２】
機械的なストッパ（８）が、光学的な窓の、少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子（１２）に面した側の面から突出している、請求項１記載のパッケージ。
【請求項３】
少なくとも１つのカバー基板（２，３）が、少なくとも１つの凹部（４）を有しており、該凹部（４）が、９００μｍよりも深く寸法設定されている、請求項１または２記載のパッケージ。
【請求項４】
少なくとも１つのカバー基板（２，３）が、少なくとも一部領域にガラスおよび／または別のビトロイドを含有しているかまたは少なくとも一部領域でガラスおよび／または別のビトロイドから成っている、請求項１から３までのいずれか１項記載のパッケージ。
【請求項５】
ガラスが、ケイ酸塩ガラスである、請求項４記載のパッケージ。
【請求項６】
ケイ酸塩ガラスが、ホウケイ酸ガラスである、請求項５記載のパッケージ。
【請求項７】
光学的な窓（１３）が、１８０ｎｍ以下、有利には１１０ｎｍ以下の平坦度偏差および／または面平行度偏差を有している、請求項１から６までのいずれか１項記載のパッケージ。
【請求項８】
光学的な窓（１３）が、１５ｎｍ以下の二乗平均表面粗さを有している、請求項１から７までのいずれか１項記載のパッケージ。
【請求項９】
光学的な窓（１３）が、５ｎｍ以下の二乗平均表面粗さを有している、請求項８記載のパッケージ。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか１項記載のパッケージを製作するための方法において、当該方法が、以下のステップ：すなわち、
−少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子（１２）を備えた支持基板（１）を準備し、
−少なくとも１つの光学的な窓（１３）と少なくとも１つの機械的なストッパ（８）とを有する、ガラス流動法によって構造化された少なくとも１つのカバー基板（２，３）を準備し、
−支持基板（１）と少なくとも１つのカバー基板（２，３）とが、少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子（１２）を少なくとも部分的に閉じ込める少なくとも１つの中空室（５）を形成するように、支持基板（１）と少なくとも１つのカバー基板（２，３）とを結合する：
を備えていることを特徴とする、パッケージを製作するための方法。
【請求項１１】
支持基板（１）と少なくとも１つのカバー基板（２，３）との結合を、大気の空気圧を下回る圧力、特に約１０−３ｍｂａｒ〜１ｍｂａｒの間の圧力で行う、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
支持基板（１）と少なくとも１つのカバー基板（２，３）との結合を不活性ガス雰囲気で行う、請求項１０または１１記載の方法。
【請求項１３】
不活性ガス雰囲気が、アルゴンを含有しているかまたはアルゴンから成っている、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
ウェーハレベルでの請求項１０から１３までのいずれか１項記載の方法の使用。
【請求項１５】
可動のマイクロミラーおよび／またはマイクロミラーアレイをパッケージングするための請求項１から９までのいずれか１項記載の本発明によるパッケージの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月14日(2011.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
読取り品或いはそのような観察すべき表面、即ち設置面（１２）に載置できるルーペポット（２）とグリップ端（６）に配置されていてグリップ（４）及びルーペ本体（５）を備えるルーペ要素（３）とから成り、ルーペ要素（３）がルーペポット（２）に分解可能に固定されていて、ルーペポット（２）が載置された際にはルーペ要素（３）が設置面（１２）に対して旋回できる、スタンドルーペ（１）において、ルーペポット（２）が少なくとも二部材に形成されていて、少なくとも二つの互いに相対的に可動なルーペポット部材（２ａ、２ｂ）が実質的に光を通さなく互いに支承されていて、ルーペ要素（３）が特別に使用可能なハンドルーペとして形成され、グリップ（４）はこのグリップが設置面（１２）を自由グリップ端（２３）と接触するように、形成されていることを特徴とするスタンドルーペ。
【請求項２】
ルーペ要素（３）が照明手段（９）を有することを特徴とする請求項１に記載のスタンドルーペ。
【請求項３】
旋回軸線（１３）がおよそ中心にルーペポット（２）を通して延びていて、直接に設置面（１２）の上に配置されていることを特徴とする請求項１或いは２に記載のスタンドルーペ。
【請求項４】
ルーペポット（２）とルーペ要素（３）の間の分解可能な連結が複数の互いに魅力的に連結された磁石（７）によってルーペ本体（５）の縁領域（８）に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のスタンドルーペ。
【請求項５】
少なくとも二つの互いに旋回可能なルーペポット部材（２ａ、２ｂ）が球キャロット状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のスタンドルーペ。
【請求項６】
少なくとも二つの互いに相対的に可動なルーペポット部材（２ａ、２ｂ）が少なくとも部分的に平らに接触して互いに旋回できることを特徴とする請求項５に記載のスタンドルーペ。
【請求項７】
旋回するために、係止要素が少なくとも一つのルーペポット部材（２ａ、２ｂ）に配置されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載のスタンドルーペ。  
【請求項８】
ルーペポット（２）が設置面（１２）とルーペ本体（５）の間の平行状態から出発して少なくとも二方向（Ａ，Ｂ）に旋回できることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載のスタンドルーペ。
【請求項９】
ルーペ本体（５）に配置されたグリップ（４）の自由グリップ端（２３）が解き可能に設置面（１２）の平面に配置され且つ支持されるか、又は配置されるか、或いは支持され、そして自由グリップ端（２３）がルーペポット部材（２）の各旋回状態では設置面（１２）上に載置することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載のスタンドルーペ。
【請求項１０】
少なくとも一つの旋回状態では最下ルーペポット部材（２ｂ）の傍に少なくとも一つの縁領域（２２）が別の旋回されたルーペポット部材（２ａ）を設置面（１２）に支持されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載のスタンドルーペ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月7日(2010.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＯＬＥＤデバイスの経年劣化および駆動トランジスタの閾値電圧の変化を調整する補償駆動回路であって、
ａ．前記ＯＬＥＤデバイスからの所望の輝度レベルを表すアナログデータを運ぶデータ線および選択線;
ｂ．電源および前記ＯＬＥＤデバイスに接続した前記駆動トランジスタであって、前記選択線が稼働し、前記データ線からの電圧が前記トランジスタのゲート電極に適用されると、前記適用された電圧に比例する電流が前記ＯＬＥＤデバイスのドレインおよびソース電極を流れる、前記駆動トランジスタ;
ｃ．前記駆動回路に関連する第一および第二パラメータを測定する手段であって、第一パラメータは前記ＯＬＥＤデバイスを通る前記電圧の関数であり、第二パラメータは前記ＯＬＥＤデバイスを通る前記電流の関数である、手段；および
ｄ．前記ＯＬＥＤデバイスの経年劣化および前記駆動トランジスタの前記閾値電圧の変化を調整するために、前記測定した第一および第二パラメータに応答して、前記データ線アナログ電圧に適用されるオフセット電圧を演算するための手段、
を含んでなる補償駆動回路。
【請求項２】
前記駆動トランジスタがアモルファスシリコントランジスタである、請求項１に記載の駆動回路。
【請求項３】
前記応答手段が連続的に個々のＯＬＥＤデバイスを稼働させ、それぞれのＯＬＥＤデバイスと関連する前記第一および第二パラメータを測定する、請求項１に記載のＯＬＥＤデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月17日(2011.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試験ステーションを通る移動経路に沿って輸送するための試験板上に支持される電子部品を試験するための装置であって、
前記試験板の表面と、試験のために前記試験板によって前記試験ステーションに移送される少なくとも１つの電子部品とを接触させるための、試験ステーションに位置する電気接触器と、
接触圧を前記接触器に供給するための可変力式印加部であって、広い動作移動範囲において実質的に一定の力を印加するために、前記接触器に連結される印加部と、
を特徴とする、装置。
【請求項２】
前記電気接触器は、摺動接触部、大半径接触部、小半径接触部、マイクロローラ、標準ローラ、摺動ブレード、ディスク、またはワイヤであること、
を特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記可変力式印加部は、空気シリンダ、ブラダーシリンダ、空気圧ブラダー、電鋳ベローズ、音声コイルモータ、ソレノイド、圧電アクチュエータ、またはマッスルワイヤビームであること、
を特徴とする、請求項１または請求項２のいずれかに記載の装置。
【請求項４】
前記電気接触器を支持するためのブラケットであって、一方の端部に隣接する枢動点と、中央部分に隣接する信号コネクタと、反対側の端部に隣接する電気接触器マウントとを有するブラケット、
を特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
先端ホルダハウジングと、
回転運動のために、前記ブラケットを前記先端ホルダハウジングに連結するための接触器枢動点と、
前記接触器の動作点と前記枢動点との間の位置に力を印加するように連結される力印加ピンを有し、前記接触器の前記動作点と前記力印加ピン位置との間のレバー減少比の結果、前記印加される力の変動が低減される空気シリンダを含む可変力式印加部と、
を特徴とする、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
少なくとも２つのブラケット間に延出し、かつ前記関連の空気シリンダにより印加された力を少なくとも２つの接触器に分配するために、前記力印加ピンおよび前記ブラケット間に位置する連結ピン、
を特徴とする、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
少なくとも１つの位置決め開口部および少なくとも１つの取り付け留め具を有する取り付け棒と、
前記取り付け棒により支持される空気シリンダハウジングと、
前記空気シリンダハウジングにより支持される先端ホルダと、
共通の同軸Ｙ軸枢動部の周囲の運動を枢動するための、前記先端ホルダにより支持される複数の接触器先端と、
を特徴とする、請求項１または請求項４のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
前記Ｙ軸に対応する方向に、前記複数の接触器を配置するための少なくとも１つの調整点、
を特徴とする、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記Ｙ軸に垂直であるＸ軸に対応する方向に、前記複数の接触器を配置するための少なくとも１つの調整点、
を特徴とする、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記ブラケットおよび前記取り付け棒間の前記空気シリンダハウジングの外部に延出する信号経路、
を特徴とする、請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
前記試験板の前記表面から上に０．１２２５インチから０．０４２５インチ（これらの値をも含む）の間に位置する前記共通の同軸Ｙ軸枢動部、
を特徴とする、請求項７に記載の装置。
【請求項１２】
前記共通の同軸Ｙ軸枢動部は、前記試験板の前記表面から上に最大０．０８２５インチに位置する、請求項７に記載の装置。
【請求項１３】
前記試験板の前記表面から上に少なくとも０．０２２インチから０．０６２インチ （これらの値をも含む）の間の隙間を可能にするように位置する前記先端ホルダ、
を特徴とする、請求項７に記載の装置。
【請求項１４】
前記電気接触器は、
先端収容開口部を有するブラケットと、
先端取り替えが必要になる前に、相互に対して４つの別々の直交位置に前記先端を再配置することを可能にするＸ字形構成を有する可転位接触先端と、
前記ブラケットに対し、固定位置において、前記可転位接触先端を解放可能に保持するための留め具と、
を含むこと、
を特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の装置。