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【手続補正書】
【提出日】平成23年8月11日(2011.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種のポリオールおよび少なくとも１種のイソシアナートを含む反応混合物の反応生成物を含み、少なくとも１種のポリオールおよび少なくとも１種のイソシアナートが少なくとも１種のビスマス含有触媒の存在下で反応し、密度が１００ｋｇ／ｍ３未満であり、弾性エネルギーが約２５％未満である、粘弾性ポリウレタンフォーム。
【請求項２】
約１ｐｐｍ〜７５０ｐｐｍの間のビスマス含量を含み、密度が１００ｋｇ／ｍ３未満であり、弾性エネルギーが約２５％未満である、粘弾性ポリウレタンフォーム。
【請求項３】
少なくとも１種のポリオール、少なくとも１種のイソシアナート、および少なくとも１種のビスマス含有触媒を含む反応混合物を化合させて、密度が１００ｋｇ／ｍ３未満であり、弾性エネルギーが約２５％未満であるフォームを形成させることを含む、粘弾性ポリウレタンフォームの調製方法。
【請求項４】
弾性エネルギーが約１５％未満である、請求項１または２に記載の粘弾性ポリウレタンフォーム。
【請求項５】
総ＶＯＣ排出量が１０００μｇ／ｍ３未満である、請求項１、２及び４のいずれか１項に記載の粘弾性ポリウレタンフォーム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月11日(2011.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱パイプ（２８）と少なくとも一つの冷却フィン（３０）とを備え、
前記少なくとも一つの冷却フィン（３０）が前記熱パイプ（２８）に対して非垂直第１角で取り付けられていることを特徴とする、太陽集熱器（２０）。
【請求項２】
前記熱パイプ（２８）が、太陽電池（２４）に取り付けられたベースプレートから実質的に垂直に延びる、請求項１に記載の太陽集熱器（２０）。
【請求項３】
前記熱パイプ（２８）が液体を含む内部室を有する、請求項１に記載の太陽集熱器（２０）。
【請求項４】
太陽集熱器が地表面に対して平行であり、太陽が前記太陽集熱器の直上にあり、熱パイプの周囲に空気の動きがないとき、前記少なくとも一つの冷却フィン（３０）が対流を介して熱パイプを冷却するように構成されている、請求項１に記載の太陽集熱器（２０）。
【請求項５】
複数の冷却フィン（３０）が前記熱パイプに取り付けられている、請求項１に記載の太陽集熱器（２０）。
【請求項６】
太陽集熱器（２０）の製造方法であって、
熱パイプ（２８）、及び少なくとも一つの冷却フィン（３０）を提供すること、及び
前記少なくとも一つの冷却フィン（３０）を熱パイプ（２８）に対して非垂直第１角で取り付けることを含む太陽集熱器の製造方法。
【請求項７】
前記非垂直第１角が実質的に１ないし４５°の範囲である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
複数の冷却フィン（３０）を用いる、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも一つの冷却フィン（３０）が曲線、円形、楕円形、多角形、及び長方形のうちの少なくとも一つである、請求項６に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
一又は複数の既存の太陽集熱器及び／又は方法に関する一又は複数の問題を減らすために、太陽集熱器、使用方法、及び／又は製造方法が必要である。
米国特許出願公開第２００６／０２４３３１９号明細書は、熱パイプであってそれに垂直に搭載されたフィンを有する熱パイプを含むクラスタされた太陽エネルギー変換アレイを記述する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、本発明は以下に記載する態様を含む。
（態様１）
熱パイプと少なくとも一つの冷却フィンとを備え、前記少なくとも一つの冷却フィンが前記熱パイプに対して非垂直第１角で取り付けられている、太陽集熱器。
（態様２）
前記熱パイプが、太陽電池に取り付けられたベースプレートから実質的に垂直に延びる、態様１に記載の太陽集熱器。
（態様３）
前記熱パイプが液体を含む内部室を有する、態様１に記載の太陽集熱器。
（態様４）
太陽集熱器が地表面に対して平行であり、太陽が前記太陽集熱器の直上にあり、熱パイプの周囲に空気の動きがないとき、前記少なくとも一つの冷却フィンが対流を介して熱パイプを冷却するように構成されている、態様１に記載の太陽集熱器。
（態様５）
複数の冷却フィンが前記熱パイプに取り付けられている、態様１に記載の太陽集熱器。
（態様６）
太陽集熱器から熱を移動させる方法であって、
熱パイプ、少なくとも一つの冷却フィン、及び太陽電池を備える太陽集熱器を提供し、前記少なくとも一つの冷却フィンが熱パイプに対して非垂直第１角で取り付けられること；
太陽電池に太陽光線を反射すること；
太陽電池から熱パイプへ過剰な熱を移動させること；
対流を介して熱パイプから該熱パイプ外の周囲の空気へ熱を移動させることを含む方法。
（態様７）
前記対流が前記非垂直第１角である冷却フィンによって増加される、態様６に記載の方法。
（態様８）
熱パイプ内の液体を蒸気まで加熱するステップ、及び蒸気から熱パイプの表面へ熱を移動させるステップをさらに含む、態様６に記載の方法。
（態様９）
太陽集熱器の製造方法であって、
熱パイプ、及び少なくとも一つの冷却フィンを提供すること、及び
前記少なくとも一つの冷却フィンを熱パイプに対して非垂直第１角で取り付けることを含む太陽集熱器の製造方法。
（態様１０）
前記非垂直第１角が実質的に１ないし４５°の範囲である、態様９に記載の方法。
（態様１１）
複数の冷却フィンを用いる、態様９に記載の方法。
（態様１２）
前記少なくとも一つの冷却フィンが曲線、円形、楕円形、多角形、及び長方形のうちの少なくとも一つである、態様９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月8日(2011.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
目標供給圧力で圧縮ガスを供給し、過度のモータ出力の消費を防止するための圧縮機の制御方法であって、前記圧縮機は、モータ巻線を有する変速モータにより駆動される制御方法において、
ガス入口温度、ガス出口供給圧力、モータ速度およびモータ巻線温度が、前記圧縮機の動作中に連続的に測定され、
前記ガス入口温度は、予め定められる最大モータ巻線温度の限度を決定するために使用され、
前記最大モータ巻線温度は、最大モータ速度の限度を設定するために使用され、
前記最大モータ速度、目標供給圧力およびガス出口供給圧力は、前記最大モータ速度の限度以下で実モータ速度を制御するために使用されることを特徴とする圧縮機の制御方法。
【請求項２】
２つのＰＩＤ回路が、前記最大モータ速度の限度を決定するために使用されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ガス出口供給圧力は、制御入力として前記２つのＰＩＤ回路の第１回路に供給され、前記第１回路の制御出力はモータ速度であることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
測定された前記モータ巻線温度は、前記２つのＰＩＤ回路の第２回路に制御入力として供給され、前記第２回路の制御出力は前記最大モータ速度であることを特徴とする請求項２または３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月29日(2011.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記を含むプリント回路板：
少なくとも１層の金属層；
前記少なくとも１層の金属層に付着させた有機分子の層；および、
前記有機分子の層上のエポキシ層。
【請求項２】
前記有機分子の層が、金属を結合するように配置した１個以上の結合基および前記有機分子を前記基板に付着するように配置した１個以上の付着基を担持する熱安定性基本成分を含む分子からなる、請求項１記載のプリント回路板。
【請求項３】
前記有機分子の層が、下記の群から選ばれる、請求項１記載のプリント回路板：
ポルフィリン、ポルフィリン系大員環、拡張ポルフィリン、収縮ポルフィリン、線状ポルフィリンポリマー、ポルフィリン系サンドイッチ配位複合体またはポルフィリンアレー。
【請求項４】
多層プリント回路板を構成する少なくとも２層のエポキシ層および金属層をさらに含む、請求項１記載のプリント回路基板。
【請求項５】
前記エポキシ層が、それを通して形成された１個以上のビアを含み、これらのビアが、その上に形成された有機分子の層およびこの有機分子の層上の金属層を有する、請求項１記載のプリント回路板。
【請求項６】
前記有機分子の層が、１種以上の成分で官能化されている副層を形成する、請求項１記載のプリント回路板。
【請求項７】
前記副層が、下記の任意の１種以上の電着または電気付着によって官能化されている、請求項６記載のプリント回路板：
ビニルモノマー、張力環、ジアゾニウム塩、カルボン酸塩、アルキン、グリニャール誘導体、およびこれらの組合せ。
【請求項８】
前記金属層が、0.5kg/cmよりも高い剥離強度および250nmよりも小さい表面粗さを示す、請求項１記載のプリント回路板。
【請求項９】
前記金属層が、その上に形成されたパターン化金属線をさらに含み、このパターン化金属線が25ミクロン以下の幅を有する、請求項１記載のプリント回路板。
【請求項１０】
前記金属層が、その上に形成されたパターン化金属線をさらに含み、このパターン化金属線が15ミクロン以下の幅を有する、請求項１記載のプリント回路基板。
【請求項１１】
前記金属層が、その上に形成されたパターン化金属線をさらに含み、このパターン化金属線が10ミクロン以下の幅を有する、請求項１記載のプリント回路基板。
【請求項１２】
前記金属層が、その上に形成されたパターン化金属線をさらに含み、このパターン化金属線が5ミクロン以下の幅を有する、請求項１記載のプリント回路基板。
【請求項１３】
その上に形成された１層以上の金属層および１層以上のエポキシ層を有するプリント回路板であって、１以上の金属層の少なくとも１層が0.5kg/cmよりも高い剥離強度および250nmよりも小さい表面粗さを示すことを特徴とするプリント回路板。
【請求項１４】
１層以上の金属層および１層以上のエポキシ層を有するプリント回路板であって、前記１層以上の金属層の少なくとも１層がその上に形成されたパターン化金属線をさらに含み、該パターン化金属線が25ミクロン以下の幅を有することを特徴とするプリント回路板。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月29日(2011.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の工程を含むことを特徴とする、基板の表面のめっき方法：
前記表面を、金属結合を促進するように配置している１種以上の有機分子と接触させ、これらの有機分子が有機分子の層を前記基板の表面に形成する工程；および、
前記基板をめっき浴に入れ、このめっき浴中の金属イオンが還元されて前記１種以上の有機分子と結合して、前記基板表面上に金属層を形成する工程。
【請求項２】
前記基板をめっき浴に入れる前に、金属シード層を前記有機分子層の上に形成させて、この金属シード層が前記１種以上の有機分子に付着する工程をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記１種以上の有機分子を前記表面の所望領域に選択的に形成させ、前記金属層を前記所望領域上に形成させる、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記１種以上の有機分子が、表面活性成分であり、前記表面活性成分が、大環状プロリガンド、大環状複合体、サンドイッチ配位複合体、ポルフィリンおよびそのポリマーからなる群から選ばれる、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記１種以上の有機分子が、アリール官能基および/またはアルキル付着基からなる少なくとも１個の付着基を担時する、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記アリール官能基が、下記の任意の１種以上から選ばれる官能基からなる、請求項５記載の方法：
アセテート、アルキルアミノ、アリル、アミン、アミノ、ブロモ、ブロモメチル、カルボニル、カルボキシレート、カルボン酸、ジヒドロキシホスホリル、エポキシド、エステル、エーテル、エチニル、ホルミル、ヒドロキシ、ヒドロキシメチル、ヨード、メルカプト、メルカプトメチル、Se‐アセチルセレノ、Se‐アセチルセレノメチル、S‐アセチルチオ、S‐アセチルチオメチル、セレニル、4,4,5,5‐テトラメチル‐1,3,2‐ジオキサボロラン‐2‐イル、2‐(トリメチルシリル)エチニル、ビニルおよびこれらの組合せ。
【請求項７】
前記アルキル付着基が、下記の任意の１種以上から選ばれる官能基を含む、請求項５記載の方法：
アセテート、アルキルアミノ、アリル、アミン、アミノ、ブロモ、ブロモメチル、カルボニル、カルボキシレート、カルボン酸、ジヒドロキシホスホリル、エポキシド、エステル、エーテル、エチニル、ホルミル、ヒドロキシ、ヒドロキシメチル、ヨード、メルカプト、メルカプトメチル、Se‐アセチルセレノ、Se‐アセチルセレノメチル、S‐アセチルチオ、S‐アセチルチオメチル、セレニル、4,4,5,5‐テトラメチル‐1,3,2‐ジオキサボロラン‐2‐イル、2‐(トリメチルシリル)エチニル、ビニルおよびこれらの組合せ。
【請求項８】
前記少なくとも１個の付着基が、下記の任意の１種以上からなる、請求項５記載の方法：
アミン、アルコール、エーテル、他の求核物質、フェニルエチン、フェニルアリル基、ホスホネートおよびこれらの組合せ。
【請求項９】
前記１個以上の有機分子が、アルコール、カルボキシレート、エーテル、エステル、他の求核物質、フェニルエチン、フェニルアリル基、ホスホネート、アミン、ピリジン、ピラジン、イソニコチンアミド、イミダゾール、ビピリジンおよびビピリジンの置換誘導体、ターピリジンおよび置換誘導体、ニトリル、イソニトリル、チオシアネート、フェナントロリン、フェナントロリンの置換誘導体、酸素、イオウ、リンおよび窒素供与リガンドおよびこれらの組合せからなる１種以上の結合基をさらに含む、請求項２記載の方法。
【請求項１０】
前記１種以上の有機分子が、興味ある分子を結合するように配置した１個以上の結合基および前記有機分子を前記表面に付着するように配置した１個以上の付着基を担持する熱安定性基本成分からなる、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記基板が、下記の任意の１種以上からなる、請求項１記載の方法：
PCB基板、ポリマー、セラミック、カーボン、エポキシ、ガラス強化エポキシ、フェノール、ポリイミド樹脂、ガラス強化ポリイミド、シアネート、エステル、テフロン（登録商標）、第III〜IV族元素およびこれらの混合物。
【請求項１２】
前記接触工程が、下記の任意の１以上を含む、請求項１記載の方法：
ディッピング、ドリップコーティング、ドロップコーティング、スピンコーティング、スプレー、インクジェットプリンティング、接触プリンティング、蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、分子線エピタキシー、およびこれらの組合せ。
【請求項１３】
前記１種以上の有機分子および前記基板を少なくとも25℃の温度に加熱する工程をさらに含み、この加熱工程を、下記の任意の１以上において実施する、請求項１記載の方法：  オーブン、ホットプレート、CVD装置、加熱炉、高速加熱炉、MBE装置、およびこれらの組合せ。
【請求項１４】
前記接触工程の前に、溶媒洗浄液を前記表面に適用する工程をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項１５】
前記加熱工程の後に、前記基板表面を清浄化する工程をさらに含み、前記清浄化工程が、下記の任意の１以上を含む、請求項１記載の方法：洗浄、濯ぎ、デスカミング（descuming）またはデスミア処理。
【請求項１６】
前記１種以上の有機分子および前記基板を、約400℃までの温度に加熱する、請求項１記載の方法。
【請求項１７】
前記１種以上の有機分子を、溶媒、分散液、エマルジョン、ペーストまたはゲル中に担持させる、請求項１記載の方法。
【請求項１８】
下記の工程を含むことを特徴とする、基板表面のめっき方法：
前記表面を、金属結合を促進するように配置している１種以上の有機分子と接触させる工程；
前記１種以上の有機分子と前記基板を少なくとも25℃の温度に加熱し、これらの有機分子が有機分子の層を前記基板表面上に形成する工程；
前記基板表面を後処理する工程；および、
前記表面をめっき浴または溶液に暴露し、このめっき浴中の金属イオンが還元されて前記１種以上の有機分子と結合して、前記基板表面上に金属層を形成する工程。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月23日(2011.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物理ゲルの形態であるガラスストランド用のサイジング組成物であって、質量％で、
・０．１〜５％の、キサンタン、グアーおよびサクシノグリカンから選ばれる少なくとも１種の加工剤、
・２〜８％の少なくとも１種の皮膜形成剤、
・０．１〜８％の、可塑剤、界面活性剤および分散剤からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物、
・０．１〜４％の少なくとも１種のカップリング剤、
・０〜６％の少なくとも１種の添加剤、
を含むサイジング組成物。
【請求項２】
前記の加工剤が、１０００００超の平均分子量を示すことを特徴とする、請求項１記載のサイジング組成物。
【請求項３】
前記の加工剤が、１０×１０６未満の平均分子量を示すことを特徴とする、請求項２記載のサイジング組成物。
【請求項４】
前記の加工剤が、５×１０６未満の平均分子量を示すことを特徴とする、請求項２記載のサイジング組成物。
【請求項５】
前記の加工剤が、キサンタンまたはサクシノグリカンであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項記載のサイジング組成物。
【請求項６】
前記のキサンタンが下記の式、
【化１】
2010538176.tif 000001
（ここで、
Ｍ＋はＮａ、Ｋまたは1/2Ｃａ、
Ｒ１はＨまたは−ＣＯＣＨ３であり、
Ｒ２、Ｒ３はＨもしくは、
【化２】
2010538176.tif 000002
または、
Ｒ２はＨであり、またＲ３は−ＣＯＣＨ３であり、
ｎ≧１００、である）に相当することを特徴とする、請求項５記載のサイジング組成物。
【請求項７】
前記のサクシノグリカンが下記の式、
【化３】
2010538176.tif 000003
（ここで、
Ａｃは−ＣＯ−ＣＨ３、
Ｓｕｃは−ＣＯ−（ＣＨ２）２−ＣＯＯＨ、
Ｍ＋はＮａ、Ｋまたは1/2Ｃａ、
ｎ≧８０、である）に相当することを特徴とする、請求項５記載のサイジング組成物。
【請求項８】
前記の加工剤の含有量がサイジング組成物の０．１５〜２質量％の範囲であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項記載のサイジング組成物。
【請求項９】
前記の加工剤の含有量が、０．６質量％未満であることを特徴とする、請求項８の記載のサイジング組成物。
【請求項１０】
前記の皮膜形成剤がポリビニルアセテート、ポリエステル、ポリエーテル、エポキシ化合物、ポリアクリル酸およびポリウレタンから選ばれることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項記載のサイジング組成物。
【請求項１１】
前記の皮膜形成剤が、２００００以上の分子量を備えたポリビニルアセテート、エポキシ化合物およびポリエーテルから選ばれることを特徴とする、請求項１０記載のサイジング組成物。
【請求項１２】
前記の皮膜形成剤が、２００００以上の分子量を備えたポリエチレングリコールである、請求項１〜９のいずれか１項記載のサイジング組成物。
【請求項１３】
前記の皮膜形成剤の含有量がサイジング組成物の２．５〜７質量％の範囲であることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか１項記載のサイジング組成物。
【請求項１４】
前記の可塑剤、界面活性剤および分散剤が、有機化合物および無機化合物から選ばれることを特徴とする、請求項１〜１３いずれか１項記載のサイジング組成物。
【請求項１５】
前記の有機化合物が、脂肪族もしくは芳香族ポリアルコキシル化化合物またはアミン含有化合物である、請求項１４記載のサイジング組成物。
【請求項１６】
前記の有機化合物が、ハロゲン化、ポリアルコキシル化脂肪酸エステルである、請求項１４記載のサイジング組成物。
【請求項１７】
前記の無機化合物が、シリカ誘導体である、請求項１４記載のサイジング組成物。
【請求項１８】
前記の可塑剤、界面活性剤および分散剤の含有量がサイジング組成物の０．１５〜４質量％の範囲であることを特徴とする、請求項１〜１７のいずれか１項記載のサイジング組成物。
【請求項１９】
前記のカップリング剤がシラン、チタン酸塩、ジルコン酸塩からなる群に属する加水分解可能な化合物から選ばれることを特徴とする、請求項１〜１８のいずれか１項記載のサイジング組成物。
【請求項２０】
前記のカップリング剤の量がサイジング組成物の０．１５〜２質量％の範囲であることを特徴とする、請求項１〜１９のいずれか１項記載のサイジング組成物。
【請求項２１】
前記の添加剤が、滑剤、錯化剤、消泡剤、あるいは酸であり、錯化剤が没食子酸もしくはホスホン酸誘導体であることを特徴とする、請求項１〜２０のいずれか１項記載のサイジング組成物。
【請求項２２】
熱的に活性化することができるエポキシ化合物もしくはマスクドイソシアナートまたは少なくとも２つのカルボキシル官能基を有する有機酸を更に含むことを特徴とする、請求項１〜２１のいずれか１項記載のサイジング組成物。
【請求項２３】
前記のエポキシ化合物およびイソシアナートが、１０００未満の分子量を示すことを特徴とする、請求項２２記載のサイジング組成物。
【請求項２４】
前記のエポキシ化合物およびイソシアナートが、７００未満の分子量を示すことを特徴とする、請求項２３記載のサイジング組成物。
【請求項２５】
前記の有機酸が、１０００未満の分子量を示すことを特徴とする、請求項２２記載のサイジング組成物。
【請求項２６】
前記の有機酸が、５００未満の分子量を示すことを特徴とする、請求項２５記載のサイジング組成物。
【請求項２７】
前記の添加剤の総含有量が３％以下であることを特徴とする、請求項１〜２６のいずれか１項記載のサイジング組成物。
【請求項２８】
固形分（乾燥抽出物）が３〜１５％の範囲であることを特徴とする、請求項１〜２７のいずれか１項記載のサイジング組成物。
【請求項２９】
固形分（乾燥抽出物）が、５〜１０％の範囲であることを特徴とする、請求項２８記載のサイジング組成物。
【請求項３０】
請求項１〜２９のいずれか１項記載のサイジング組成物でコーティングされたガラスストランド。
【請求項３１】
サイズ剤の量が、最終的なストランドの０．２〜５質量％の範囲であることを特徴とする、請求項３０記載のガラスストランド。
【請求項３２】
サイズ剤の量が、最終的なストランドの０．３５〜３質量％の範囲であることを特徴とする、請求項３１記載のガラスストランド。
【請求項３３】
少なくとも１種の有機および／または無機材料ならびにガラスストランドを含む複合材料であって、該ガラスストランドが、その全てもしくは一部を請求項３０〜３２のいずれか１項記載のガラスストランドで構成される複合材料。
【請求項３４】
ガラスストランドの量が５〜６０％の範囲であることを特徴とする、請求項３３記載の複合材料。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月4日(2011.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）窓枠と、
（ｂ）前記窓枠内に配置された、相対する主表面を有するグレージングと、
（ｃ）前記グレージングの前記相対する主表面の少なくとも１つの上に配置された窓用フィルムと、
（ｄ）ＡＳＴＭ  Ｃ７９４−０６に従って測定されるとき、少なくとも約１７００ｋＰａ（２５０ｐｓｉ）の接着強度を有する、前記窓用フィルムの少なくとも１つの縁部を前記窓枠に取り付けるために配置されたシーラントと、を含む耐衝撃性窓組立体。
【請求項２】
前記シーラントが、
（ａ）約４０重量％〜約６０重量％のポリウレタン、
（ｂ）約１０重量％〜約３０重量％の可塑剤、
（ｃ）約２５重量％〜約４５重量％の充填材及び
（ｄ）１重量％〜約５重量％のトルエンを含む、請求項１に記載の耐衝撃性窓組立体。
【請求項３】
前記シーラントが、
（ａ）約３５重量％〜約７０重量％の充填材、
（ｂ）約１５重量％〜約４０重量％のポリエーテル、
（ｃ）約１０重量％〜約３０重量％の可塑剤及び
（ｄ）約０．１重量％〜約１重量％の（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミンを含む、請求項１に記載の耐衝撃性窓組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月9日(2011.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｍａｌｖａモザイクウイルス（ＭａＭＶ）またはＭａＭＶ外被タンパク質を含むウイルス様粒子（ＶＬＰ）、および薬学的に許容し得る担体を含む、医薬組成物。
【請求項２】
１または２以上の抗原をさらに含む、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
１または２以上の抗原がＭａＭＶまたはＶＬＰに付着している、請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
医薬組成物がＶＬＰを含み、１または２以上の抗原が前記ＶＬＰに含まれる外被タンパク質に遺伝子的に融合している、請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項５】
ＭａＭＶ外被タンパク質が、配列番号２に記載の配列と少なくとも８０％同一であるアミノ酸配列を含む、請求項１、２、３または４のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項６】
ＭａＭＶ外被タンパク質が、配列番号２に記載の配列と少なくとも９０％同一であるアミノ酸配列を含む、請求項１、２、３または４のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項７】
ＭａＭＶ外被タンパク質が、配列番号２に記載のアミノ酸配列を含む、請求項１、２、３または４のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項８】
Ｍａｌｖａモザイクウイルス（ＭａＭＶ）外被タンパク質を含む、ウイルス様粒子（ＶＬＰ）。
【請求項９】
ＭａＭＶ外被タンパク質が、配列番号２に記載の配列と少なくとも８０％同一であるアミノ酸配列を含む、請求項８に記載のＶＬＰ。
【請求項１０】
ＭａＭＶ外被タンパク質が、配列番号２に記載の配列と少なくとも９０％同一であるアミノ酸配列を含む、請求項８に記載のＶＬＰ。
【請求項１１】
ＭａＭＶ外被タンパク質が、配列番号２に記載のアミノ酸配列を含む、請求項８に記載のＶＬＰ。
【請求項１２】
ＶＬＰに付着している１または２以上の抗原をさらに含む、請求項８〜１１のいずれか一項に記載のＶＬＰ。
【請求項１３】
ＭａＭＶ外被タンパク質に遺伝子的に融合している１または２以上の抗原をさらに含む、請求項８〜１１のいずれか一項に記載のＶＬＰ。
【請求項１４】
ウイルス様粒子（ＶＬＰ）を調製するための方法であって、Ｍａｌｖａモザイクウイルス（ＭａＭＶ）外被タンパク質を宿主細胞中に発現するステップを含む、前記方法。
【請求項１５】
ＭａＭＶ外被タンパク質が、配列番号２に記載の配列と少なくとも８０％同一であるアミノ酸配列を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
ＭａＭＶ外被タンパク質が、配列番号２に記載の配列と少なくとも９０％同一であるアミノ酸配列を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
ＭａＭＶ外被タンパク質が、配列番号２に記載のアミノ酸配列を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
ＭａＭＶ外被タンパク質が、外被タンパク質に遺伝子的に融合した１または２以上の抗原を含む融合タンパク質である、請求項１４〜１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
宿主細胞が細菌細胞である、請求項１４〜１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
宿主細胞が大腸菌細胞である、請求項１４〜１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
抗原に融合したＭａｌｖａモザイクウイルス（ＭａＭＶ）外被タンパク質を含む、融合タンパク質。
【請求項２２】
ＭａＭＶ外被タンパク質が、配列番号２に記載の配列と少なくとも８０％同一であるアミノ酸配列を含む、請求項２１に記載の融合タンパク質。
【請求項２３】
ＭａＭＶ外被タンパク質が、配列番号２に記載の配列と少なくとも９０％同一であるアミノ酸配列を含む、請求項２１に記載の融合タンパク質。
【請求項２４】
ＭａＭＶ外被タンパク質が、配列番号２に記載のアミノ酸配列を含む、請求項２１に記載の融合タンパク質。
【請求項２５】
請求項２１〜２４のいずれか一項に記載の融合タンパク質をコードする、単離ポリヌクレオチド。
【請求項２６】
請求項２５に記載のポリヌクレオチドにより遺伝子操作された、宿主細胞。
【請求項２７】
請求項２１〜２４のいずれか一項に記載の融合タンパク質、請求項２５に記載のポリヌクレオチド、または請求項２６に記載の宿主細胞の、ウイルス様粒子を調製するための使用。
【請求項２８】
動物における１または２以上の抗原に対する免疫反応を増強するための、Ｍａｌｖａモザイクウイルス（ＭａＭＶ）またはＭａＭＶ外被タンパク質を含むウイルス様粒子（ＶＬＰ）、および薬学的に許容し得る担体を含む、医薬組成物の使用。
【請求項２９】
動物における免疫反応を増強するための医薬組成物の製造における、Ｍａｌｖａモザイクウイルス（ＭａＭＶ）またはＭａＭＶ外被タンパク質を含むウイルス様粒子（ＶＬＰ）の使用。
【請求項３０】
免疫反応が、抗体の産生を含む、請求項２８または２９に記載の使用。
【請求項３１】
免疫反応が、細胞性反応を含む、請求項２８または２９に記載の使用。
【請求項３２】
医薬組成物が、１または２以上の抗原をさらに含む、請求項２８〜３１のいずれか一項に記載の使用。
【請求項３３】
動物に、疾病、疾患、または感染に対してワクチン接種するための、Ｍａｌｖａモザイクウイルス（ＭａＭＶ）またはＭａＭＶ外被タンパク質を含むウイルス様粒子（ＶＬＰ）の使用。
【請求項３４】
１または２以上の抗原がＭａＭＶまたはＶＬＰに付着している、請求項３２または３３に記載の使用。
【請求項３５】
医薬組成物が、ＶＬＰを含み、１または２以上の抗原が、前記ＶＬＰに含まれる外被タンパク質に遺伝子的に融合している、請求項３２または３３に記載の使用。
【請求項３６】
ＭａＭＶ外被タンパク質が、配列番号２に記載の配列と少なくとも８０％同一であるアミノ酸配列を含む、請求項２８〜３５のいずれか一項に記載の使用。
【請求項３７】
ＭａＭＶ外被タンパク質が、配列番号２に記載の配列と少なくとも９０％同一であるアミノ酸配列を含む、請求項２８〜３５のいずれか一項に記載の使用。
【請求項３８】
ＭａＭＶ外被タンパク質が、配列番号２に記載のアミノ酸配列を含む、請求項２８〜３５のいずれか一項に記載の使用。
【請求項３９】
医薬組成物が、注射による投与のために処方されている、請求項２８〜３８のいずれか一項に記載の使用。
【請求項４０】
医薬組成物が、鼻腔内投与のために処方されている、請求項２８〜３８のいずれか一項に記載の使用。
【請求項４１】
動物が哺乳類である、請求項２８〜４０のいずれか一項に記載の使用。
【請求項４２】
動物がヒトである、請求項２８〜４０のいずれか一項に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月7日(2011.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１の呼吸ガス混合物を、保持フィルターを通じて第１の流れの方向に流すステップであって、キセノンの少なくとも一部が前記保持フィルター中に残るステップと、
（ｂ）酸素を含有する第２の呼吸ガス混合物を、前記保持フィルターを通じて第２の流れの方向に流すステップであって、前記保持フィルターに残ったキセノンの少なくとも一部が前記第２の呼吸ガス混合物中に排出されるステップと、
を備える、麻酔用呼吸システムにおけるキセノンを含有する第１の呼吸可能なガス混合物からキセノンを再生する方法。
【請求項２】
（ａ）キセノンを含有する麻酔剤を前記保持フィルターからの前記第２の呼吸ガス混合物中に供給するステップと、
（ｂ）前記第２の呼吸ガス混合物からサンプル容量を採取するステップと、
（ｃ）前記サンプル容量の少なくともキセノン濃度を測定するステップと、
（ｄ）測定された前記サンプル容量を前記第２の呼吸ガス混合物中に再供給するステップと、
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１及び／又は第２の呼吸可能なガス混合物の温度及び／又は湿度を調整するステップをさらに備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
（ａ）麻酔物質を吸収し開放するように設けられた保持フィルター（１）と、
（ｂ）患者からの、麻酔物質を含有する第１の呼吸可能なガス混合物を前記保持フィルター（１）を通じて第１の流れ方向に通過させるための、前記保持フィルターに接続された第１の導管（２）であって、前記麻酔物質の少なくとも一部分は前記保持フィルター中に維持される、第１の導管（２）と、
（ｃ）第２の呼吸可能なガス混合物を前記保持フィルター（１）を通じて第２の流れ方向に患者に向かって通過させるための、前記保持フィルター（１）に接続された第２の導管（３）であって、前記保持フィルター（１）中に残存する前記麻酔物質の少なくとも一部が、前記第２の呼吸可能なガス混合物によって採取されるとともに搬送される第２の導管（３）と、
（ｄ）前記麻酔物質を含有する麻酔剤を前記第１の導管（２）に輸送するための、前記第１の導管（２）に接続された供給導管（４）と、
を備え、
前記第１の導管（２）は、二酸化炭素フィルター（１０ａ）をさらに備える、
麻酔用呼吸システム中の麻酔物質を再生するための装置。
【請求項５】
前記第１の呼吸可能なガス混合物及び／又は前記第２の呼吸可能なガス混合物を、前記第１の導管（２）から分析手段へ供給するためのサンプルガス出口（６）をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記分析手段と前記第１の導管（２）との間に、任意に供給導管（４）を介した接続導管をさらに備え、分析手段から放出された呼吸ガス混合物を再び前記第１の導管（２）の中に供給することを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記第１の導管（２）は、前記第１及び／又は第２の呼吸ガス混合物の温度及び／又は湿度を調整するためのフィルター（５）を備え、前記フィルター（５）及び前記保持フィルター（１）は、好ましくは一つの部分に一体化されているか、又は共通のハウジング中に取り付けられていることを特徴とする請求項４〜6のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記保持フィルター（１）は、活性炭、シリカ、アルミニウム酸化物、アルミニウム珪化物、ゼオライトからなるグループからの少なくとも１つの物質を備えていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記麻酔物質は、キセノン、酸素、ハロゲン化された麻酔物質、デスフルラン、セボフルラン、イソフルラン、エンフルラン、ハロタンからなるグループの１つ以上の物質を備えることができることを特徴とする請求項４〜８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
前記二酸化炭素フィルター（１０ａ）及び前記保持フィルター（１）は、１つの部分に一体化されているか、又は共通のハウジング内に取付けられていることを特徴とする請求項４〜９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
前記二酸化炭素フィルター（１０ａ）は、熱処理によって再生することができる再使用可能なフィルターであることを特徴とする請求項４〜１０のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１２】
前記二酸化炭素フィルター（１０ａ）と前記保持フィルター（１）との間の前記第１の導管（２）は、前記二酸化炭素フィルター（１０ａ）を含む前記第１の導管（２）内のガス容量が０．２〜２．５ｌ、好ましくは０．５〜１．２ｌであるように構成されていることを特徴とする請求項４〜１１のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１３】
（ａ）請求項４〜１２のいずれか一項に記載の麻酔物質を再生するための装置と、
（ｂ）前記第２の呼吸ガス混合物を供給する手段と、
（ｃ）前記麻酔物質を含有する麻酔剤を供給する手段と、
（ｄ）抽出された呼吸ガス混合物中の麻酔物質の濃度を分析する手段と、
を備える麻酔用呼吸システム。
【請求項１４】
前記第２の呼吸ガス混合物を供給するための手段は、フィルターをかけられた前記第１の呼吸可能なガス混合物を採取し、この前記第１の呼吸可能なガス混合物を二酸化炭素フィルター（１０）に通し、前記第１の呼吸可能なガス混合物を再び第２の呼吸可能なガス混合物として供給するように設けられたループとして構成されていることを特徴とする請求項１３に記載の麻酔用呼吸システム。
【請求項１５】
２０〜６０ｌ／ｍｉｎのガス流れを前記第２の導管（３）の中に供給するための装置をさらに備えることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の麻酔用呼吸システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月9日(2011.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サンプルにおける膀胱癌に対する素因又は膀胱癌の発生を検出する方法であって、ＴＷＩＳＴ１、ＮＩＤ２、ＲＵＮＸ３、ＢＭＰ７、ＣＣＮＡ１、ＰＤＬＩＭ４、ＴＮＦＲＳＦ２５、ＡＰＣ、ＲＡＳＳＦ１Ａ、ＬＯＸＬ１、ＴＵＢＢ４、ＮＴＲＫ２、ＡＲＦＧＡＰ３、ＯＳＭＲ及びＴＪＰ２から選択される少なくとも１つの遺伝子におけるエピジェネティックな変化を検出することを含み、エピジェネティックな変化の検出が膀胱癌に対する素因又は膀胱癌の発生の指標である方法。
【請求項２】
前記遺伝子の少なくとも２個、３個、４個又は５個を含む遺伝子パネルにおけるエピジェネティックな変化を検出することを含み、パネルにおける遺伝子の少なくとも１つにおけるエピジェネティックな変化の検出が、膀胱癌に対する素因又は膀胱癌の発生の指標である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
遺伝子パネルが、ＴＷＩＳＴ１及びＮＩＤ２を含む、若しくは、ＮＩＤ２、ＴＷＩＳＴ１及びＲＵＮＸ３を含むか、それから本質的になるか、又はそれからなる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
サンプルが膀胱組織サンプル又は尿サンプルを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
収集後の尿サンプルに安定化緩衝液を添加し、それにより、サンプルの遠心分離を必要とせずに、サンプルを最大７２時間にわたり室温で保管することを可能にする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
エピジェネティックな変化がメチル化である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
尿細胞診及び／又は突然変異分析と組み合わせて用いられる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
サンプルにおける膀胱癌に対する素因又は膀胱癌の発生を検出するためのキットであって、ＮＩＤ２、ＴＷＩＳＴ１及びＲＵＮＸ３、又はＴＷＩＳＴ１及びＮＩＤ２のそれぞれのメチル化状態を決定するための少なくとも１つのプライマー対を含むキット。
【請求項９】
サンプルにおける膀胱癌に対する素因又は膀胱癌の発生を検出するためのキットであって、
（ａ）ＴＷＩＳＴ１、ＮＩＤ２、ＲＵＮＸ３、ＢＭＰ７、ＣＣＮＡ１、ＰＤＬＩＭ４、ＴＮＦＲＳＦ２５、ＡＰＣ、ＲＡＳＳＦ１Ａ、ＬＯＸＬ１、ＴＵＢＢ４、ＮＴＲＫ２、ＡＲＦＧＡＰ３、ＯＳＭＲ及びＴＪＰ２から選択される少なくとも１つの遺伝子におけるエピジェネティックな変化を検出するための手段と、
（ｂ）尿サンプルの収集のための密閉可能な容器及び安定化緩衝液から選択される、尿サンプルを処理するための手段とを含むキット。
【請求項１０】
前記遺伝子の少なくとも２個、３個、４個又は５個を含む遺伝子パネルにおけるエピジェネティックな変化を検出するための手段を含み、パネルにおける遺伝子の少なくとも１つにおけるエピジェネティックな変化の検出が、膀胱癌に対する素因又は膀胱癌の発生の指標である、請求項９に記載のキット。
【請求項１１】
遺伝子パネルが、ＴＷＩＳＴ１及びＮＩＤ２、又は、ＮＩＤ２、ＴＷＩＳＴ１及びＲＵＮＸ３を含む、請求項１０に記載のキット。
【請求項１２】
メチル化を検出するための手段がメチル化特異的ＰＣＲ／増幅プライマーを含む、請求項９〜１１のいずれか一項に記載のキット。
【請求項１３】
ＦＧＦＲ３遺伝子における突然変異を検出するための１つ又は複数のプライマーをさらに含む、請求項９〜１２のいずれか一項に記載のキット。
【請求項１４】
ＴＷＩＳＴ１、ＮＩＤ２、ＲＵＮＸ３、ＢＭＰ７、ＣＣＮＡ１、ＰＤＬＩＭ４、ＴＮＦＲＳＦ２５、ＡＰＣ、ＲＡＳＳＦ１Ａ、ＬＯＸＬ１、ＴＵＢＢ４、ＮＴＲＫ２、ＡＲＦＧＡＰ３、ＯＳＭＲ及びＴＪＰ２から選択される少なくとも１つの遺伝子のメチル化状態を決定するためのプライマー又はプライマー対であって、ＲＡＳＳＦ１Ａでは配列番号１及び／又は２、ＡＰＣでは配列番号４及び／又は５、ＣＣＮＡ１では配列番号７及び／又は８、ＴＮＦＲＳＦ２５では配列番号１０及び／又は１１、ＴＵＢＢ４では配列番号１３及び／又は１４、ＮＴＲＫ２では配列番号１６及び／又は１７、ＯＳＭＲでは配列番号１９及び／又は２０、ＴＷＩＳＴ１では配列番号２２及び／又は２３、ＬＯＸＬ１では配列番号２５及び／又は２６、ＴＪＰ２では配列番号２８及び／又は２９、ＲＵＮＸ３では配列番号３１及び／又は３２、ＰＤＬＩＭ４では配列番号３４及び／又は３５、ＢＭＰ７では配列番号３７及び／又は３８、ＮＩＤ２では配列番号４０及び／又は４１、ＡＲＦＧＡＰ３では配列番号４３及び／又は４４で示される１つ又は複数のヌクレオチド配列又はその機能的変異体を含むプライマー又はプライマー対。
【請求項１５】
ＴＷＩＳＴ１、ＮＩＤ２、ＲＵＮＸ３、ＢＭＰ７、ＣＣＮＡ１、ＰＤＬＩＭ４、ＴＮＦＲＳＦ２５、ＡＰＣ、ＲＡＳＳＦ１Ａ、ＬＯＸＬ１、ＴＵＢＢ４、ＮＴＲＫ２、ＡＲＦＧＡＰ３、ＯＳＭＲ及びＴＪＰ２から選択される少なくとも１つの遺伝子のメチル化状態を決定するためのプローブであって、ＲＡＳＳＦ１Ａでは配列番号３、ＡＰＣでは配列番号６、ＣＣＮＡ１では配列番号９、ＴＮＦＲＳＦ２５では配列番号１２、ＴＵＢＢ４では配列番号１５、ＮＴＲＫ２では配列番号１８、ＯＳＭＲでは配列番号２１、ＴＷＩＳＴ１では配列番号２４、ＬＯＸＬ１では配列番号２７、ＴＪＰ２では配列番号３０、ＲＵＮＸ３では配列番号３３、ＰＤＬＩＭ４では配列番号３６、ＢＭＰ７では配列番号３９、ＮＩＤ２では配列番号４２、ＡＲＦＧＡＰ３では配列番号４５で示されるヌクレオチド配列又はその機能的変異体を含むプローブ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月9日(2011.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下：
Ａ．
ａ．以下：
ｉ．Ａ５の軽鎖ＣＤＲ１配列（配列番号１３）；
ｉｉ．Ａ５の軽鎖ＣＤＲ２配列（配列番号６０）；および
ｉｉｉ．Ａ５の軽鎖ＣＤＲ３配列（配列番号１０５）、
を含む軽鎖可変ドメイン、並びに
ｂ．以下：
ｉ．Ａ５の重鎖ＣＤＲ１配列（配列番号１４５）；
ｉｉ．Ａ５の重鎖ＣＤＲ２配列（配列番号１７３）；および
ｉｉｉ．Ａ５の重鎖ＣＤＲ３配列（配列番号２１２）、
を含む重鎖可変ドメイン、
Ｂ．
ａ．以下：
ｉ．Ｌ５の軽鎖可変ドメイン配列（配列番号３６３）に少なくとも８０％同一な配列を有するアミノ酸；
ｉｉ．Ｌ５の軽鎖可変ドメインをコードするポリヌクレオチド配列（配列番号３６２）に少なくとも８０％同一であるポリヌクレオチド配列によってコードされるアミノ酸；
ｉｉｉ．Ｌ５の軽鎖可変ドメインをコードするポリヌクレオチド配列（配列番号３６２）の相補鎖に中程度にストリンジェントな条件下でハイブリダイズするポリヌクレオチド配列によってコードされるアミノ酸；
からなる群より選択される軽鎖可変ドメイン、
並びに
ｂ．以下：
ｉ．Ｈ５の重鎖可変ドメイン配列（配列番号３６１）に少なくとも８０％同一な配列を有するアミノ酸；
ｉｉ．Ｈ５の重鎖可変ドメインをコードするポリヌクレオチド配列（配列番号３６０）に少なくとも８０％同一であるポリヌクレオチド配列によってコードされるアミノ酸；
ｉｉｉ．Ｈ５の重鎖可変ドメインをコードするポリヌクレオチド配列（配列番号３６０）の相補鎖に中程度にストリンジェントな条件下でハイブリダイズするポリヌクレオチド配列によってコードされるアミノ酸、
からなる群より選択される重鎖可変ドメイン、
Ｃ．
ａ．Ｌ５の配列（配列番号３６３）の軽鎖可変ドメイン、及び
ｂ．Ｈ５の配列（配列番号３６１）の重鎖可変ドメイン、
あるいは、
Ｄ．
Ｌ５Ｈ５の配列（配列番号３６３、配列番号３６１）の軽鎖可変ドメインおよび重鎖可変ドメイン
のいずれかを含む、抗原結合タンパク質であって、
該Ａ、Ｂ，Ｃ又はＤの抗原結合タンパク質は、特異的にＴＳＬＰに結合する、前記抗原結合タンパク質。
【請求項２】
ａ）Ｌ５の配列（配列番号３６３）を有する軽鎖可変ドメイン及び配列番号３６９に記載の配列を有する軽鎖定常ドメイン；並びに
ｂ）Ｈ５の配列（配列番号３６１）を有する重鎖可変ドメイン及び配列番号３６５に記載の配列を有する重鎖定常ドメイン
を含む、請求項１に記載の抗原結合タンパク質。
【請求項３】
ａ．前記結合タンパク質が、参照抗体と実質的に同一のＫｄでＴＳＬＰに結合する、及び／又は
ｂ．前記結合タンパク質が、初代細胞ＯＰＧアッセイにしたがって、参照抗体と同一なＩＣ５０で、ＴＳＬＰ活性を阻害する、
ここにおいて、前記参照抗体は請求項２の抗原結合タンパク質である、
請求項１に記載の抗原結合タンパク質。
【請求項４】
前記抗原結合タンパク質が、ヒト抗体、ヒト化抗体、キメラ抗体、モノクローナル抗体、ポリクローナル抗体、組換え抗体、抗原結合抗体断片、単鎖抗体、単量体抗体、ダイアボディ、トリアボディ、テトラボディ、Ｆａｂ断片、Ｆ（ｆａ’）ｘ断片、ドメイン抗体、ＩｇＤ抗体、ＩｇＥ抗体、およびＩｇＭ抗体、およびＩｇＧ１抗体、およびＩｇＧ２抗体、およびＩｇＧ３抗体、およびＩｇＧ４抗体、およびＨ鎖内ジスルフィド結合を形成する傾向を軽減するヒンジ領域内の少なくとも１つの変異を有するＩｇＧ４抗体、からなる群より選択される、請求項１に記載の抗原結合タンパク質。
【請求項５】
請求項１又は２の抗原結合タンパク質を含む、薬学的組成物。
【請求項６】
請求項１又は２に記載の抗原結合タンパク質の軽鎖可変ドメイン、重鎖可変ドメインまたはその両方をコードするポリヌクレオチド配列；あるいは、
Ｌ５（配列番号３６３）、Ｈ５（配列番号３６１）、又は双方、の配列
を含む、核酸。
【請求項７】
請求項６に記載の核酸を含む、組換え発現ベクター。
【請求項８】
請求項７に記載のベクターを含む、宿主細胞。
【請求項９】
請求項４に記載のヒト抗体を産生することができるハイブリドーマ。
【請求項１０】
請求項４に記載の抗体を生成する方法であって、請求項８に記載の宿主細胞を、該細胞が該抗体を発現することを可能にする条件下で、インキュベートする、ことを含む、前記方法。
【請求項１１】
ａ．ＴＳＬＰ関連炎症状態の処置を必要とする被験体における、ＴＳＬＰ関連炎症状態；あるいは、
ｂ．ＴＳＬＰ関連線維症障害の処置を必要とする被験体における、ＴＳＬＰ関連線維症障害
の処置に使用するための、請求項５に記載の組成物。
【請求項１２】
前記炎症状態が、アレルギー性喘息、アレルギー性鼻副鼻腔炎、アレルギー性結膜炎およびアトピー性皮膚炎からなる群より選択される、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１３】
前記線維症障害が、強皮症、間質性肺疾患、特発性肺線維症、慢性Ｂ型肝炎もしくは慢性Ｃ型肝炎から生じる線維症、放射線誘発性線維症および創傷治癒から生じる線維症からなる群より選択される、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１４】
ａ．請求項２の抗原結合タンパク質である抗体と、ＴＳＬＰへの結合について交差競合する、抗原結合タンパク質；
ｂ．請求項２の抗原結合タンパク質である抗体と、ＴＳＬＰへの結合について交差競合する、抗原結合タンパク質であって、抗体の重鎖可変領域および軽鎖可変領域を含む、前記抗原結合タンパク質；あるいは、
ｃ．野生型の親和性で野生型ＴＳＬＰを結合する、抗原結合タンパク質であって、野生型の親和性よりも低い親和性で、変異したＴＳＬＰの群のうちのいずれかに結合し、該変異したＴＳＬＰの群は、Ｋ１２Ｅ、Ｄ２２Ｒ、Ｓ４０Ｒ、Ｒ１２２Ｅ、Ｎ１２４Ｅ、Ｒ１２５ＥおよびＫ１２９Ｅからなる群より選択される変異を含む、変異したＴＳＬＰを含む、前記抗原結合タンパク質
である、抗原結合タンパク質。
【請求項１５】
前記変異したＴＳＬＰの群のうちの任意の２つ以上のメンバーに対して、野生型の親和性よりも低い結合親和性を有する、請求項１４に記載の単離された抗原結合タンパク質。
【請求項１６】
前記変異したＴＳＬＰの群のうちの全てのメンバーに対して、野生型の親和性よりも低い結合親和性を有する、請求項１５に記載の単離された抗原結合タンパク質。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月6日(2011.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｂｕｂ１Ｂの発現レベルについて、癌に罹った対象からの癌細胞の試料をアッセイすることを含む方法であって、発現レベルが、
癌をグレードＩ又はグレードIII腫瘍に対応するとして分類するか、又は
癌再発の可能性の予後を有するとして対象を同定する、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記アッセイがＣＥＮＰＡ、ＮＥＫ２、ＲＡＣＧＡＰ１、及びＲＲＭ２の発現レベルを測定することをさらに含む請求項１に記載の方法であって、すべての５つの遺伝子の発現レベルが、
癌をグレードＩ又はグレードIII腫瘍に対応するとして分類するか、又は
癌再発の可能性の予後を有するとして対象を同定する、
ことを特徴とする、方法。
【請求項３】
前記アッセイが試料からＲＮＡを調製することを含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記ＲＮＡがＰＣＲ（ポリメラーゼ連鎖反応）に使用される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記アッセイがアレイを使用することを含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項６】
前記試料は、前記対象から取り出された組織から分離される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記ＰＣＲがＲＴ−ＰＣＲ８（逆転写−ＰＣＲ）、又はリアルタイムＲＴ−ＰＣＲである、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記癌が乳癌であり、そして前記試料がホルマリン固定パラフィン包埋（ＦＦＰＥ）試料である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記試料におけるＨ：Ｉ比についてアッセイすることをさらに含む、請求項２〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記癌が非浸潤性乳管癌（又はＤＣＩＳ）であり、そして前記癌再発が局所的再発を含む、請求項２〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
癌患者の治療法を決定する方法であって、該方法が、
Ｂｕｂ１Ｂの発現レベルについて、該患者からの癌細胞の試料をアッセイする工程であって、ここで発現レベルが、
癌をグレードＩ又はグレードIII腫瘍に対応するとして分類するか、又は
癌再発の可能性の予後を有するとして対象を同定する工程；及び
そのような腫瘍もしくは予後を有する患者について治療法を選択する工程
を含む方法であって、該測定が、ＣＥＮＰＡ、ＮＥＫ２、ＲＡＣＧＡＰ１、及びＲＲＭ２の発現レベルを測定することをさらに含み、すべての５つの遺伝子の発現レベルが、
癌をグレードＩ又はグレードIII腫瘍に対応するとして分類するか、又は
癌再発の可能性の予後を有するとして対象を同定する、
ことを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記癌がグレードIII腫瘍に相当し、そして前記治療法が手術と化学療法及び／又は放射線療法を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記治療法が放射線療法を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記試料中のＨ：Ｉ比についてアッセイすることをさらに含む請求項１１、１２、又は１３に記載の方法であって、該アッセイの結果が、該対象を癌再発の低リスク、中間リスク、又は高リスクとして分類することを特徴とする方法。
【請求項１５】
良性の腫瘍を有するとして診断された対象の腫瘍グレードを測定する方法であって、該対象からの乳房細胞の試料を、Ｂｕｂ１Ｂ、ＣＥＮＰＡ、ＮＥＫ２、ＲＡＣＧＡＰ１、及びＲＲＭ２の発現レベルについてアッセイすることを含み、ここで該発現レベルがグレードＩ又はグレードIII腫瘍と相関していることを特徴とする、方法。
【請求項１６】
ＤＣＩＳを有するとして診断された対象の腫瘍グレードを測定する方法であって、該対象からの乳癌細胞の試料を、Ｂｕｂ１Ｂ、ＣＥＮＰＡ、ＮＥＫ２、ＲＡＣＧＡＰ１、及びＲＲＭ２の発現レベルについてアッセイすることを含み、ここで該発現レベルがグレードＩ又はグレードIII腫瘍と相関していることを特徴とする、方法。