【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年10月17日(2011.10.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチレイヤに特徴を形成する方法であって、
前記エッチレイヤ上に、幅を有する複数のスペースを定義する第１のマスクを形成し、
横方向に前記第１のマスクをエッチングし、エッチングされた第１のマスクは、幅を有する複数のスペースを定義しており、前記エッチングされた第１のマスクの前記スペースの前記幅は、前記第１のマスクの前記スペースの前記幅より大きく、
前記エッチングされた第１のマスク上に、前記エッチレイヤ上に第１のマスクを形成することにより画定された前記複数のスペースに略等しい幅を有する複数のスペースを定義する側壁レイヤを形成し、
前記エッチレイヤ中に前記側壁レイヤを通して、前記エッチングされた第１のマスクによって定義される前記スペースの前記幅よりも小さい幅を有する特徴をエッチングし、
前記マスク及び前記側壁レイヤを取り除く
方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記エッチングされた第１のマスク上への側壁レイヤの形成は、
前記第１のマスクの側壁の上に堆積物を形成するための堆積プラズマを形成する第１ガスケミストリを有する堆積位相と、
前記第１のマスクの前記側壁の上の前記堆積物のプロファイルを成形するための第２ガスケミストリを有するプロファイル成形位相であって、第１ガスケミストリは第２ガスケミストリと異なる、プロファイル成形位相と、
を含む、少なくとも１サイクルである方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、前記エッチングされた第１のマスク上に側壁レイヤを形成することは、少なくとも２サイクル行われる方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の方法であって、前記側壁レイヤを形成することは、実質的に垂直な側壁を形成することである方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の方法であって、
前記エッチレイヤをプラズマプロセスチャンバに置くことをさらに含み、前記横方向に前記第１のマスクをエッチングすること、前記側壁レイヤを形成すること、及び前記特徴をエッチングすることは、前記プラズマ処理チャンバ内で行われる方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の方法であって、前記第１のマスクはフォトレジストマスクであり、前記側壁レイヤは、アモルファスカーボン材料及びポリマー材料の少なくとも一つによって形成される方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、更に、前記フォトレジストマスク及び前記側壁レイヤを単一の剥離工程によって剥離することを含む方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、前記フォトレジストマスク及び前記側壁レイヤを剥離することは、前記フォトレジストマスク及び前記側壁レイヤをアッシングすることを含む方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、前記フォトレジストマスク及び前記側壁レイヤのアッシングは、前記側壁の形成及びエッチングと同じプラズマ処理チャンバで行われる方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の方法であって、
前記第１のマスクはビアマスクであり、前記特徴のエッチングは前記エッチレイヤ中にビアをエッチングし、更に、
前記エッチレイヤの上にトレンチマスクを形成すること、
トレンチマスクと前記ビアの側壁との上に側壁レイヤを形成すること、
前記トレンチマスクを通して前記エッチレイヤ中にトレンチをエッチングすること、及び
前記トレンチマスク及び側壁レイヤを取り除くこと
を含む方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、更に、前記トレンチマスクの上に側壁レイヤを形成する前に、前記トレンチマスクを横方向にエッチングすることを含む方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載の方法であって、
前記第１のマスクはフォトレジストマスクであり、前記第１のマスクによって定義される複数のスペースは、山と谷とを形成するストリエーションを有する側壁を持つ複数のマスク特徴を形成し、前記第１のマスクを横方向にエッチングすること及び前記エッチングされた第１のマスク上に側壁レイヤを形成することは、前記複数のマスク特徴の側壁のストリエーションを減少させるサイクルを含む方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、前記側壁のストリエーションを減少させることは、少なくとも３サイクル行われる方法。
【請求項１４】
請求項１２〜１３のいずれかに記載の方法であって、前記横方向にエッチングすることは、前記マスク特徴の前記側壁のストリエーションによって形成される山を選択的にエッチバックする方法。
【請求項１５】
請求項１２〜１４のいずれかに記載の方法であって、前記側壁レイヤの形成は、ストリエーションによって形成される谷を埋める方法。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれかに記載の方法であって、前記第１のマスクを横方向にエッチングすることは、
ハロゲンを含むガスを供給すること、及び
前記ハロゲンを含むガスからプラズマを形成すること
を含む方法。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれかに記載の方法であって、前記側壁レイヤを形成することは、前記マスク特徴の前記側壁上にハイドロカーボン及びハイドロフルオロカーボンの少なくとも１つを堆積することを含む方法。
【請求項１８】
請求項１〜１６のいずれかに記載の方法であって、前記側壁レイヤを形成することは、
ハイドロカーボン及びハイドロフルオロカーボンの少なくとも１つを含む堆積ガスを供給すること、及び
前記堆積ガスからプラズマを形成すること
を含む方法。
【請求項１９】
請求項１〜１５のいずれかに記載の方法であって、前記横方向にエッチングすることは、
エッチングガスを供給すること、
前記エッチングガスからプラズマを形成すること、及び
前記エッチングガスを停止すること、
を含み、前記側壁レイヤを形成することは、
堆積ガスを供給すること、
前記堆積ガスからプラズマを形成すること、及び
前記堆積ガスを停止すること
を含む方法。
【請求項２０】
請求項１〜１９のいずれかに記載の方法によって形成される半導体装置。
【請求項２１】
特徴をエッチレイヤに形成する方法であって、
前記エッチレイヤ中に複数のビアをエッチングすること、
トレンチフォトレジストマスクを形成すること、
前記トレンチフォトレジストマスクを形成することにより、前記トレンチフォトレジストマスクによって画定された複数のスペースの幅と略等しい幅を有する複数のスペースを画定する側壁レイヤを、前記トレンチマスク上及び前記複数のビアの側壁上に形成すること、
前記側壁レイヤを通して前記エッチレイヤにトレンチをエッチングすること、
前記トレンチマスク上及び前記複数のビアの側壁上に前記側壁レイヤを形成する前に、前記トレンチフォトレジストマスクを横方向にエッチングすること
を含む方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の方法であって、前記トレンチマスク上及び前記複数のビアの側壁上に側壁レイヤを形成することは、少なくとも２サイクルを含み、各サイクルは、
前記第１のマスクの側壁の上に堆積物を形成するための堆積プラズマを形成する第１ガスケミストリを有する堆積位相と、
前記第１のマスクの前記側壁の上の前記堆積物のプロファイルを成形するための第２ガスケミストリを有するプロファイル成形位相であって、第１ガスケミストリは第２ガスケミストリと異なる、プロファイル成形位相と
を含む方法。
【請求項２３】
請求項２１または２２に記載の方法であって、前記エッチレイヤをプラズマ処理チャンバに置くことをさらに含み、前記側壁レイヤを形成すること、エッチングすること、及び前記マスク及び側壁レイヤを取り除くことは、前記プラズマ処理チャンバ内で行われる方法。
【請求項２４】
請求項２１〜２３のいずれかに記載の方法であって、前記側壁レイヤはポリマー材料で形成される方法。
【請求項２５】
特徴をエッチレイヤに形成する方法であって、
前記エッチレイヤ上に、パターンされたフォトレジストマスクであり、該フォトレジストマスクは側壁を持ち該側壁は山と谷とを形成するストリエーションを有するフォトレジスト特徴を有するフォトレジストマスクを形成する工程、
前記パターンされたフォトレジストマスクを形成することにより、前記パターンされたフォトレジストマスクによって画定された複数のスペースの幅と略等しい幅を有する複数のスペースを画定するフォトマスク特徴の側壁のストリエーションを減少させる工程であり、少なくとも１サイクルを含み、該サイクルが、
前記フォトレジスト特徴の前記側壁のストリエーションによって形成される山をエッチバックすること、及び
前記フォトレジスト特徴の前記側壁上に堆積すること、
を含む工程、
前記フォトレジスト特徴を通して前記エッチレイヤ中に特徴をエッチングする工程、及び
前記フォトレジストを取り除く工程
を含む方法。
【請求項２６】
請求項２５に記載の方法であって、前記側壁のストリエーションを減少させることは、少なくとも３サイクルを含む方法。
【請求項２７】
請求項２５〜２６のいずれかに記載の方法であって、前記山をエッチバックすることは、前記フォトレジスト特徴の前記側壁のストリエーションによって形成される山を選択的にエッチングする方法。
【請求項２８】
請求項２５〜２７のいずれかに記載の方法であって、前記フォトレジスト特徴の前記側壁上への堆積は、前記フォトレジスト特徴の前記側壁の前記ストリエーションによって形成される谷を埋める方法。
【請求項２９】
請求項２５〜２８のいずれかに記載の方法であって、前記フォトレジスト特徴の前記側壁のストリエーションによって形成される山をエッチバックすることは、
ハロゲンを含むガスを供給すること、及び
前記ハロゲンを含むガスからプラズマを形成すること
を含む方法。
【請求項３０】
請求項２５〜２９のいずれかに記載の方法であって、前記フォトレジスト特徴の前記側壁上への堆積は、前記フォトレジスト特徴の前記側壁上にハイドロカーボン及びハイドロフルオロカーボンの少なくとも１つを堆積する処理を含む方法。
【請求項３１】
請求項２５〜３０のいずれかに記載の方法であって、前記フォトレジスト特徴の前記側壁上への堆積は、
ハイドロカーボン及びハイドロフルオロカーボンの少なくとも１つを含む堆積ガスを供給すること、及び
前記堆積ガスからプラズマを形成すること
を含む方法。
【請求項３２】
請求項２５〜３１のいずれかに記載の方法であって、更に、前記側壁レイヤを通して前記特徴をエッチングする前に、前記フォトレジスト特徴を拡大するために、前記フォトレジスト特徴を横方向にエッチングすることを含む方法。
【請求項３３】
請求項２５〜３２のいずれかに記載の方法であって、更に、前記ストリエーションを減少させる前に、前記フォトレジスト特徴を拡大するために、前記フォトレジスト特徴を横方向にエッチングすることを含む方法。
【請求項３４】
請求項２５〜３３のいずれかに記載の方法によって形成される半導体装置。
【請求項３５】
側壁を持つフォトレジスト特徴を有するパターンされたフォトレジストマスクの下に配置されたエッチレイヤに特徴を形成する方法であって、前記フォトレジスト特徴の前記側壁は山と谷を形成するストリエーションを有しており、前記方法は、
前記フォトレジスト特徴の前記側壁の前記ストリエーションを減少させる工程であって、少なくとも前記パターンされたフォトレジストマスクを形成することに画定された複数のスペースの幅と略等しい幅を有する複数のスペースを画定するサイクルを少なくとも３つ含み、各サイクルが、
ストリエーション山エッチバックガスを供給すること、
前記ストリエーション山エッチバックガスからプラズマを形成し、該プラズマによって、前記フォトレジスト特徴の前記側壁のストリエーションによって形成される山を選択的にエッチングすること、
前記ストリエーション山エッチバックガスを停止すること、
フォトレジスト特徴側壁堆積ガスを供給すること、
前記フォトレジスト特徴側壁堆積ガスからプラズマを形成し、該プラズマによって、前記フォトレジスト特徴の前記側壁の前記ストリエーションによって形成される谷を埋めること、及び
前記フォトレジスト特徴側壁堆積ガスを停止すること、
を含む工程、
前記エッチレイヤをエッチングする工程、及び
前記フォトレジストマスクを取り除く工程
を含む方法。
【請求項３６】
山と谷とを形成するストリエーションを有する側壁を持つフォトレジスト特徴を有するフォトレジストマスクの下のエッチングレイヤ中に特徴をエッチングする装置であって、
プラズマ処理チャンバであって、
プラズマ処理チャンバエンクロージャを形成するチャンバ壁、
前記プラズマ処理チャンバエンクロージャ内で基板を支持する基板支持部、
前記プラズマ処理チャンバエンクロージャ内の圧力を制御する圧力調整器、
プラズマを維持するために前記プラズマ処理チャンバエンクロージャに電力を供給する少なくとも１つの電極、
前記プラズマ処理チャンバエンクロージャにガスを供給するガス吸気口、および
前記プラズマ処理チャンバエンクロージャからガスを排気するガス排気口、
を備えるプラズマ処理チャンバと、
前記ガス吸気口と流体連通するガス源であって、
ストリエーション山エッチバックガス源、
フォトレジスト特徴側壁堆積ガス源、及び
エッチレイヤエッチガス源、
を備えるガス源と、
前記ガス源及び前記少なくとも１つの電極に制御可能に接続されたコントローラであって、
少なくとも１つのプロセッサ、及び
コンピュータで読み取り可能な媒体であって、
前記フォトレジスト特徴の前記ストリエーションを減少させるためのコンピュータで読み取り可能なコードであり、少なくとも３サイクルを含み、各サイクルは、
ストリエーション山エッチバックガス源からストリエーション山エッチバックガスを供給するためのコンピュータで読み取り可能なコード、
前記ストリエーション山エッチバックガスからプラズマを形成し、該プラズマによって、前記フォトレジスト特徴の前記側壁のストリエーションによって形成される山を選択的にエッチングするためのコンピュータで読み取り可能なコード、
前記ストリエーション山エッチバックガス源からの前記ストリエーション山エッチバックガスを停止するためのコンピュータで読み取り可能なコード、
フォトレジスト特徴側壁堆積ガス源からフォトレジスト特徴側壁堆積ガスを供給するためのコンピュータで読み取り可能なコード、
前記フォトレジスト特徴側壁堆積ガスからプラズマを形成し、該プラズマによって、前記フォトレジスト特徴の前記側壁の前記ストリエーションによって形成される谷を埋めるためのコンピュータで読み取り可能なコード、及び
前記フォトレジスト特徴側壁堆積ガス源からの前記フォトレジスト特徴側壁堆積ガスを停止するためのコンピュータで読み取り可能なコード、
を含む、サイクルであるコンピュータで読み取り可能なコード、
前記エッチレイヤをエッチングするためのコンピュータで読み取り可能なコード、及び
前記フォトレジストマスクを取り除くためのコンピュータで読み取り可能なコード、
を含むコンピュータで読み取り可能な媒体、
を備えるコントローラと
を備える装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
前述のことを達成するために、本発明の目的によれば、エッチレイヤに特徴を形成する方法が提供される。第１のマスクが前記エッチレイヤ上に形成され、前記第１のマスクは、幅を有する複数のスペースを定義する。第１のマスクは横方向にエッチングされ、エッチングされた第１のマスクは、前記第１のマスクの前記スペースの前記幅より大きい幅を有する複数のスペースを定義する。前記エッチングされた第１のマスク上に側壁レイヤが形成され、前記側壁レイヤは、前記エッチングされた第１のマスクによって定義される前記スペースの前記幅よりも小さい幅を有する複数のスペースを定義する。前記エッチレイヤ中に前記側壁レイヤを通して特徴がエッチングされ、前記特徴は前記エッチングされた第１のマスクによって定義される前記スペースの前記幅よりも小さい幅を有する。前記マスク及び前記側壁レイヤは取り除かれる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
図２Ｂに示されるように、第１のフォトレジストマスクは、エッチングされた第１のフォトレジストマスク２１４が、エッチングされた第１のマスクのスペースの幅「Ｓｐ」より大きい幅「Ｓｅ」を有するように、横方向にエッチングされる（ステップ１０８）。本明細書及び請求の範囲において、横方向のエッチングは、スペース（開口）を形成するマスクの側面のエッチングとして定義され、横方向のエッチングはスペースのサイズを増加する。トレンチマスクにおいては、そのような横方向のエッチングはトレンチマスクのトリミングでもあり得る。そのような横方向のエッチングは、また、マスクの厚さを減少し得る。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
側壁レイヤ２１８は、フォトレジストマスク２１４よりもさらにエッチング耐性を有する材料であり、エッチング選択性の増加を可能にする。さらに、側壁レイヤは、フォトレジストウィグリング、ラインエッジ粗さ、及びストリエーションを防ぐように選ばれた材料でつくられる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
図４Ｂに示されるように、第１のフォトレジストマスクは、エッチングされた第１のフォトレジストマスク４１４が、エッチングされた第１のマスクのスペースの幅より大きい幅を有するように、横方向にエッチングされる（ステップ３０８）。エッチングされた第１のマスクのスペースの幅を減少させるように、マスクの上に側壁レイヤ４１４が形成される（ステップ３１２）。そして、エッチレイヤ４０８中に側壁レイヤのスペースを通して第１の特徴４３２がエッチングされる（ステップ３１６）。本実施形態においては、第１の特徴４３２はビアである。そして、図４Ｃに示されるように、第１マスク及び側壁レイヤが取り除かれる(ステップ３２０)。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
第２のマスク４２４がエッチレイヤの上に形成される（ステップ３２４）。本実施形態においては、第２のマスクはトレンチマスクである。図４Ｅに示されるように、第２のマスクが横方向にエッチングされる（ステップ３２８）。図４Ｆに示されるように、エッチングされた第２のマスクと第１の特徴の上に側壁レイヤ４２８が形成される。図４Ｇに示されるように、側壁レイヤ４２８を通して、エッチレイヤ４０８の中に、トレンチ４４４がエッチングされる。本実施形態においては、ビアの中の側壁レイヤ４２８がフェンシング４４８を引き起こすかもしれない。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
図７Ｂは、コンピュータ１３００のブロック図の例である。システムバス１３２０に接続されているのは、さまざまなサブシステムである。プロセッサ（群）１３２２（中央処理装置、すなわちＣＰＵとも呼ばれる）は、メモリ１３２４を含む記憶装置に結合されている。メモリ１３２４は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）および読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）を含む。この技術ではよく知られるようにＲＯＭは、データおよび命令を単一方向にＣＰＵおよびＲＡＭに転送するようにはたらき、ＲＡＭは、典型的にはデータおよび命令を双方向に転送するのに用いられる。メモリのこれら両方のタイプは、以下に述べるコンピュータ読み出し可能な適当な媒体を含みえる。固定ディスク１３２６はまた、双方向でＣＰＵ１３２２に結合され、追加のデータ記憶容量を提供し、また以下に述べるコンピュータ読み出し可能な適当な媒体を含みえる。固定ディスク１３２６は、プログラム、データなどを記憶するのに用いられえて、典型的には一次記憶よりも低速な二次記憶媒体（ハードディスクのような）である。固定ディスク１３２６内に保持された情報は、適切と思われた場合には、メモリ１３２４内の仮想メモリとしての一般的な形式に組み込まれても良いことが理解されよう。取り外し可能なディスク１３１４は、以下に説明するコンピュータ読み出し可能な媒体のいかなる形態をも取りえる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
図９は、理解を助けるため、本発明の一実施形態において用いられ得るプロセスの高レベルフロー図である。パターンされたフォトレジストマスクが設けられる（ステップ９０４）。図１０Ａは、基板１００４上のエッチングされるべきレイヤ１００８の断面図であり、エッチングされるべきレイヤ１００８の上にＡＲＬ１０１０、その上にフォトレジスト特徴１０１４を有するフォトレジストマスク１０１２を有し、スタック１０００を形成する。フォトレジストマスクはフォトレジストマスク微細寸法（ＣＤ）を有し、それは、可能な最小特徴の幅の最も広い部分としても良い。パターンされたフォトレジストマスクを提供するために、フォトレジストレイヤがまずエッチングされるべきレイヤの上に形成され得る。そして、フォトレジストレイヤをパターニングしてフォトレジスト側壁を持つフォトレジスト特徴を形成する。図１０Ｂは、フォトレジストマスク１０１２の上面図である。一般に、リソグラフィーのような製造プロセスは、特徴１０１４の不規則な形成を引き起こし得る。破線の円１０１６フォトレジストマスク１０１２のためのレクチルパターンを示す。実際のフォトレジストの開口は、図示されるように、山１０２０及び谷１０２４を持った側壁を有するかもしれない。これらの山１０２０及び谷１０２４は、元のレクチルパターン、この場合は円であるが、から外れた不規則な形を引き起こし、しばしば側壁に沿っていくらか延長しており、ストリエーションと呼ばれる。図示されるように、フォトレジスト特徴は直径Ｓｐを有する。フォトレジスト特徴が拡大される（ステップ９０８）。一実施形態においては、フォトレジスト特徴は、フォトレジスト特徴が拡大された後のスタックの断面図である図１０Ｃに示されるように、フォトレジスト特徴１０１４のスペース１０２４が、エッチングされる前のフォトレジスト特徴の幅「Ｓｐ」より大きい幅「Ｓｅ」を有するように、横方向のエッチングを用いて拡大される。図１０Ｄは、図１０Ｃに示されるフォトレジストマスク１０１２の上面図である。本明細書及び請求の範囲において、横方向のエッチングは、特徴を形成するマスクの側面のエッチングとして定義され、横方向のエッチングはフォトレジスト特徴の幅のサイズを増加する。トレンチマスクにおいては、そのような横方向のエッチングはトレンチマスクのトリミングでもあり得る。そのような横方向のエッチングは、また、マスクの厚さを減少し得る。好ましくは、横方向エッチングはフォトレジストレイヤ１０１２の下のレイヤはエッチングしない。外側の破線で示される円１０１７は、横方向エッチング後のターゲット特徴の形を示している。本発明の他の実施形態においては、フォトレジスト特徴を拡大しないか、あるいはストリエーションを低減させてから拡大が行われる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
フォトレジストマスク特徴が拡大される（ステップ９０９８）。このような拡大プロセスは、例えば、ＣＦ4、Ｈ2、ＮＦ3、ＣxＨyＦz、及びＯ2の少なくとも１つを含む拡大ガスを用いるであろう。マスク特徴拡大のためのレシピの一例は、エッチングチャンバあるいはプラズマ処理チャンバの圧力１〜３００ｍＴを提供する。プラズマ処理チャンバに５０〜８００Ｗａｔｔｓ の電力が２７ＭＨｚで供給される。０〜２００ｓｃｃｍのＣＦ4及び５−３０ｓｃｃｍのＯ2がプラズマ処理チャンバに供給される。より好ましくは、マスクを横方向にエッチングする圧力は２０〜１５０ｍＴの間である。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図１】
2008538857.tif 000001
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図３】
2008538857.tif 000002