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　特願２００２−２３１０４８「固体撮像素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　３月　４日出願公開、特開２００４−　７１９３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 第１　手続の経緯 
　本願は、平成１４年８月８日の出願であって、平成２０年５月１９日に手続補正書が提出され、平成２１年５月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年８月１９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日に手続補正がなされたものである。
　そして、その後当審において、平成２２年１２月２１日付けで審尋がなされ、平成２３年２月２４日に回答書が提出されている。 
 　　  
 第２　平成２１年８月１９日付けの手続補正について 
 　［補正却下の決定の結論］ 
　平成２１年８月１９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。 
 　 
 　［理由］ 
 １．本件補正の内容 　 
 　本件補正は、補正前の請求項１ないし１２を、補正後の請求項１ないし１１と補正するとともに、発明の詳細な説明を補正するものである。
　補正後の請求項１ないし１１に係る発明は以下のとおりである。 
「【請求項１】　半導体基板に光電変換素子とゲート素子を含む複数の単位画素を２次元アレイ状に配列した撮像画素領域部と、前記撮像画素領域部の駆動制御及び撮像信号に対する信号処理を行う周辺回路部とを設け、さらに前記半導体基板上に複数層の配線層と絶縁膜よりなる複数配線層を設けるとともに、前記複数配線層上の少なくとも前記撮像画素領域部に対応する領域に前記光電変換素子への入射光を制御する光学構造部材を設けた固体撮像素子において、
　前記撮像画素領域部上の複数配線層は、前記周辺回路部上の複数配線層に対して少ない層数で形成され、前記周辺回路部上の複数配線層よりも膜厚の小さい前記撮像画素領域部上の複数配線層上に前記光学構造部材が配置されており、
　前記複数配線層の上層絶縁膜は、前記撮像画素領域部と前記周辺回路部との境界部に、該上層絶縁膜をエッチングすることにより形成されたテーパ角度が６０°以下の段差を有し、
　前記光学構造部材は、前記撮像画素領域部上および前記周辺回路部上の複数配線層上と前記境界部上とにわたって塗布された材料を用いて形成される、
　ことを特徴とする固体撮像素子。」 
「【請求項２】　前記光学構造部材の上面の位置が前記周辺回路部の上面の位置よりも低い位置に配置されていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。」
「【請求項３】　前記光学構造部材は、オンチップマイクロレンズを含むことを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。」
「【請求項４】　前記光学構造部材は、オンチップ光学フィルタを含むことを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。」
「【請求項５】　半導体基板に光電変換素子とゲート素子を含む複数の単位画素を２次元アレイ状に配列した撮像画素領域部と、前記撮像画素領域部の駆動制御及び撮像信号に対する信号処理を行う周辺回路部とを設け、さらに前記半導体基板上に複数層の配線層と絶縁膜よりなる複数配線層を設けるとともに、前記複数配線層上の少なくとも前記撮像画素領域部に対応する領域に前記光電変換素子への入射光を制御する光学構造部材を設けた固体撮像素子の製造方法において、
　前記半導体基板に前記撮像画素領域部及び前記周辺回路部を構成する各素子を形成する工程と、
　前記半導体基板上に前記撮像画素領域部と前記周辺回路部とで共通する下層の複数配線層を形成する工程と、
　前記下層の複数配線層上に前記周辺回路部に固有の上層の複数配線層を形成する工程と、
　前記上層の複数配線層の形成時に形成された前記撮像画素領域部上の絶縁膜をエッチングすることにより、前記撮像画素領域部と前記周辺回路部との境界部にテーパ角度が６０°以下の段差を形成する工程と、
　前記撮像画素領域部上および前記周辺回路部上の複数配線層上と前記境界部とにわたって材料を塗布し、該塗布された材料を用いて前記撮像画素領域部上の複数配線層上に前記光学構造部材を設ける工程と、
　を有することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。」
「【請求項６】　前記撮像画素領域部上の絶縁膜をエッチングする際に、プラズマエッチング装置を使用し、エッチングガスとしてＣＨ２Ｆ２及びＯ２を使用し、エッチングガス流量をＣＨ２Ｆ２／Ｏ２＝２０／５０ｓｃｃｍとしてエッチングを行うことを特徴とする請求項５記載の固体撮像素子の製造方法。」
「【請求項７】　固体撮像素子を有する電子機器において、
　前記固体撮像素子は、半導体基板に光電変換素子とゲート素子を含む複数の単位画素を２次元アレイ状に配列した撮像画素領域部と、前記撮像画素領域部の駆動制御及び撮像信号に対する信号処理を行う周辺回路部とを設け、さらに前記半導体基板上に複数層の配線層と絶縁膜よりなる複数配線層を設けるとともに、前記複数配線層上の少なくとも前記撮像画素領域部に対応する領域に前記光電変換素子への入射光を制御する光学構造部材を設けて構成され、
　さらに前記撮像画素領域部上の複数配線層は、前記周辺回路部上の複数配線層に対して少ない層数で形成され、前記周辺回路部上の複数配線層よりも膜厚の小さい前記撮像画素領域部上の複数配線層上に前記光学構造部材が配置されており、
　さらに前記複数配線層の上層絶縁膜は、前記撮像画素領域部と前記周辺回路部との境界部に、該上層絶縁膜をエッチングすることにより形成されたテーパ角度が６０°以下の段差を有し、
　前記光学構造部材は、前記撮像画素領域部上および前記周辺回路部上の複数配線層上と前記境界部上とにわたって塗布された材料を用いて形成される、
　ことを特徴とする電子機器。」
「【請求項８】　前記固体撮像素子によって撮像した画像信号の通信機能を有することを特徴とする請求項７記載の電子機器。」
「【請求項９】　前記固体撮像素子によって撮像した画像信号の出力機能を有することを特徴とする請求項７記載の電子機器。」
「【請求項１０】　前記固体撮像素子によって撮像した画像信号の画像処理機能を有することを特徴とする請求項７記載の電子機器。」
「【請求項１１】　携帯型機器であることを特徴とする請求項７記載の電子機器。」
 　 
 ２．本件補正の内容の整理 
［補正事項１］
　補正前の請求項１に、「前記光学構造部材は、前記撮像画素領域部上および前記周辺回路部上の複数配線層上と前記境界部上とにわたって塗布された材料を用いて形成される、」との記載を付加する補正をする。 
［補正事項２］
  補正前の請求項５を削除する。
［補正事項３］
　補正前の請求項６，７，８，９，１０，１１，１２を、それぞれ請求項５，６，７，８，９，１０，１１として、項番号を繰り上げる。また、これにともない、各請求項が引用する請求項の項番号を補正する。
［補正事項４］
　補正前の請求項６の「前記撮像画素領域部上の複数配線層上に前記光学構造部材を設ける工程」を、「前記撮像画素領域部上および前記周辺回路部上の複数配線層上と前記境界部とにわたって材料を塗布し、該塗布された材料を用いて前記撮像画素領域部上の複数配線層上に前記光学構造部材を設ける工程」と補正する。
［補正事項５］
　補正前の請求項７の「エッチングガスとしてＣＨ２Ｆ２及びＯ２を使用し、エッチングガス流量をＣＨ２Ｆ２／Ｏ２＝２０／５０ｓｃｃｍとしてエッチングを行うことを特徴とする請求項６記載の固体撮像素子の製造方法。」を、「エッチングガスとしてＣＨ２Ｆ２及びＯ２を使用し、エッチングガス流量をＣＨ２Ｆ２／Ｏ２＝２０／５０ｓｃｃｍとしてエッチングを行うことを特徴とする請求項５記載の固体撮像素子の製造方法。」と補正する。
［補正事項６］
　補正前の請求項８に、「 前記光学構造部材は、前記撮像画素領域部上および前記周辺回路部上の複数配線層上と前記境界部上とにわたって塗布された材料を用いて形成される、」との記載を付加する補正をする。
［補正事項７］
　発明の詳細な説明の段落【００１２】及び【００１３】を補正する。
 　　 
 ３．本件補正についての検討 
（１）補正の目的の適否及び新規事項の追加について 
［補正事項１］
　請求項１についての補正は、補正前の請求項１の「前記複数配線層上の少なくとも前記撮像画素領域部に対応する領域に前記光電変換素子への入射光を制御する光学構造部材」について、「前記光学構造部材は、前記撮像画素領域部上および前記周辺回路部上の複数配線層上と前記境界部上とにわたって塗布された材料を用いて形成される、」という構成を追加して、「光学構造部材」を限定するものであり、特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものであるから、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同様。）に規定する要件を満たしている。
　また、本願の願書に最初に添付された明細書の段落【００２５】、及び図面の図２に、カラーフィルタ１３８は、撮像画素領域部１００Ａ上および周辺回路部１００Ｃ上の複数配線層上と、撮像画素領域部１００Ａと周辺回路部１００Ｃとの境界部上とにわたって塗布された材料を用いて形成されることが記載されており、本件補正は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。 
［補正事項２］
　補正前の請求項５を削除する補正は、請求項の削除を目的とする補正に当たる。
［補正事項３］
　補正前の請求項５の削除に伴い請求項の項番号を繰り上げることは、請求項の削除に伴い他の請求項を形式的に補正することであり、請求項の削除を目的とする補正に当たる。
［補正事項４］
　請求項５についての補正は、補正前の請求項６の「前記撮像画素領域部上の複数配線層上に前記光学構造部材を設ける工程」について、「前記撮像画素領域部上および前記周辺回路部上の複数配線層上と前記境界部とにわたって材料を塗布し、該塗布された材料を用いて」という構成を追加して、「前記光学構造部材を設ける工程」を限定するものであり、特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものであるから、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしている。
　また、本願の願書に最初に添付された明細書の段落【００２５】、及び図面の図２に、撮像画素領域部１００Ａ上および周辺回路部１００Ｃ上の複数配線層上と、撮像画素領域部１００Ａと周辺回路部１００Ｃとの境界部上にわたって材料を塗布し、該塗布された材料を用いてカラーフィルタ１３８を形成することが記載されており、本件補正は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。 
［補正事項５］
　請求項６についての補正は、補正前の請求項７の「エッチングガスとしてＣＨ２Ｆ２及びＯ２を使用し」を、「エッチングガスとしてＣＨ２Ｆ２及びＯ２を使用し」と補正し、補正前の請求項７が引用する請求項「請求項６」を「請求項５」と補正するものである。前者は誤記の訂正を目的とするものに当たり、後者は、上記請求項の項番号の変更に伴い、引用する請求項の項番号を変更するものであるから、請求項の削除を目的とするものに当たる。
［補正事項６］
　請求項７についての補正は、補正前の請求項６の「前記複数配線層上の少なくとも前記撮像画素領域部に対応する領域に前記光電変換素子への入射光を制御する光学構造部材」について、「前記光学構造部材は、前記撮像画素領域部上および前記周辺回路部上の複数配線層上と前記境界部上とにわたって塗布された材料を用いて形成される、」という構成を追加して、「光学構造部材」を限定するものであり、特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものであるから、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしている。
　また、本願の願書に最初に添付された明細書の段落【００２５】、及び図面の図２に、カラーフィルタ１３８は、撮像画素領域部１００Ａ上および周辺回路部１００Ｃ上の複数配線層上と、撮像画素領域部１００Ａと周辺回路部１００Ｃとの境界部上とにわたって塗布された材料を用いて形成されることが記載されており、本件補正は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。 
［補正事項７］
　発明の詳細な説明の上記段落の補正は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面の記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、以下において、補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。 
 　　 
（２）独立特許要件について 
（２−１）補正後の発明 
　本件補正後の請求項１に係る発明は、上記「１．本件補正の内容」に記載したとおりである。 
 　　　 
（２−２）刊行物に記載された発明 
刊行物１：特開２０００−１５０８４６号公報 
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−１５０８４６号公報（以下、「刊行物１」という。）には、「固体撮像装置及び製造方法」（発明の名称）に関して、図１ないし図５とともに以下の事項が記載されている（下線は当審で付加したもの。以下同様。）。 
「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、マイクロレンズやカラーフィルタを備えた固体撮像装置、特に
マイクロレンズやカラーフィルタを備えた受光部と、信号処理回路などの周辺回路が同一半導体基板上に混載されてなる固体撮像装置
「【０００２】
【従来の技術】・・・これらの要求に答えるべく、従来では受光部とは別チップで形成されていた
センサ機能以外の付加機能、例えば信号処理回路、制御回路など
【０００３】
かかる技術開発の例としては
CMOS Image Sensors
【０００４】しかしながら、上記ＳＯＳ技術を用いた固体撮像装置においても更なる小型化等の要求があり、必然的に画素領域の微細化も必要となり、その結果、開口率の減少による感度低下を引き起こすことになる。この感度低下の問題に対しては、現在ＣＣＤ等で一般的に用いられているマイクロレンズ技術を採用することにより、光の利用効率を上げて感度低下を抑えることが可能である。」
「【００１２】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するため、請求項１に係る発明は、一次元又は
二次元状に配列された光電変換素子からなる受光部
前記受光部上の層間膜を前記周辺回路部上の保護膜を含む層間膜より薄く形成する
【００１３】このように受光部上の層間膜のみを選択的に薄くする構成により、マイクロレンズによる集光率が向上すると共に、カラーフィルタの混色などの問題が回避され、優れた光学特性を備えた固体撮像装置が得られる。」
「【００１６】
【発明の実施の形態】次に、発明の実施の形態について説明する。図１は本発明に係る固体撮像装置の実施の形態を示す部分拡大断面図である。この実施の形態では、マイクロレンズとカラーフィルタの両方を備えた固体撮像装置を例示している。図１において、１は半導体基板、２は受光部、３は周辺回路部、４は光電変換素子、５は受光部内の配線、６は周辺回路部内の配線、７はカラーフィルタ、８はマイクロレンズ、９はエッチングストッパー層、10は平坦化層、11は層間膜、12は保護膜である。なお、光電変換素子の種類は限定されるものではなく、どのような種類のものにでも本発明は適用することができる。
【００１７】本発明においては、
半導体基板１上に形成された受光部２と信号処理などの周辺回路部３において、双方の保護膜を含む層間膜の厚さを同一にするのではなく、受光部内の層間膜の膜厚diを、周辺回路部内の保護膜を含む層間膜の膜厚dcより薄く形成し、
【００１８】次に、このような構成の固体撮像装置の製造方法の実施の形態を、工程順に概略を示した図２〜図６の部分拡大断面図に基づいて説明する。なお、図２〜図６において、図１に示した固体撮像装置と同一の構成要素及び同一の機能を有する構成要素には同一の符号を付して示している。」
「【００１９】まず、図２に示すように、半導体基板１上に、受光部２においては光電変換素子４，
周辺回路部３においては駆動、制御、信号処理などの回路（図示せず）を形成する
受光部２に必要とされるのは
せいぜい配線は２〜３層程度で済む
周辺回路部３では
より多層化が必要となる
周辺信号処理回路などの
受光部に必要とされる配線層以上の多層化が必要
「【００２０】次に、
受光部の配線プロセス及び周辺回路部の一部の配線プロセスが終了し、受光部及び周辺回路部に対して層間膜11が形成される。
引き続き多層配線プロセスにて周辺回路部の残りの配線を形成して最終の保護膜12を形成し、
「【００２１】続いて図３に示すように、受光部２のみを開口するようなレジストマスク13をフォトリソグラフィーにて形成する。更に図４に示すように、エッチングを行い受光部２におけるエッチングストッパー層９が完全に露出するまで、
保護膜12を含む層間膜のエッチングを行う。ここで行うエッチングは、ＨＦ系の溶液によるウエットエッチングがエッチング制御、あるいは後述するカラーフィルタ又はマイクロレンズ材料の塗布均一性の観点で好ましい。特に後者のカラーフィルタ又はマイクロレンズ材料の塗布均一性は、カラーフィルタあるいはマイクロレンズ材料を回転塗布にて形成する際に、局所的な膜厚むらを回避する意味で重要になる。
ウエットエッチングでは困難な場合は、ＲＩＥ等のドライエッチングでも構わない。この場合は
上述したカラーフィルタ又はマイクロレンズ材料の塗布性を考慮したエッチング形状にする必要がある
「【００２２】続いて、受光部上の不要な
保護膜12を含む層間膜
 
　よって、刊行物１には以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されている。　 
 「半導体基板１に光電変換素子４を含む複数の単位画素を２次元アレイ状に配列した受光部２と、駆動、制御、信号処理などを行う周辺回路部３とを設け、さらに前記半導体基板１上に複数層の受光部内配線５及び複数層の周辺回路部内配線６と層間膜11及び保護膜12よりなる複数配線層を設けるとともに、前記受光部内配線５上の前記受光部２に対応する領域にカラーフィルタ７及びマイクロレンズ８を設けた固体撮像装置において、
　前記受光部２上の複数配線層は、前記周辺回路部３上の複数配線層に対して少ない層数で形成され、前記周辺回路部３上の複数配線層よりも膜厚の小さい前記受光部２上の複数配線層上に前記カラーフィルタ７及びマイクロレンズ８が配置されており、
　前記複数配線層の保護膜12は、前記受光部２と前記周辺回路部３との境界部に、該保護膜12の受光部２上のみをエッチングすることにより形成された段差を有し、
　前記カラーフィルタ７及びマイクロレンズ８は、前記受光部２上の複数配線層上に塗布された材料を用いて形成される、
固体撮像装置。」 
 　 
（２−３）対比 
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正発明」という。）と刊行物発明とを対比する。
（ａ）刊行物発明の「固体撮像装置」は、補正発明の「固体撮像素子」に相当する。
（ｂ）刊行物発明の「受光部２」は、補正発明の「撮像画素領域部」に相当する。
（ｃ）刊行物発明の周辺回路部３は、駆動、制御、信号処理などを行う回路部であり、しかも、当該「駆動、制御、信号処理」は、固体撮像装置におけるセンサ機能以外の付加機能であるから、刊行物発明の受光部２の駆動、制御及び撮像信号に対する信号処理を行う周辺回路部であることは明らかである。したがって、刊行物発明の「駆動、制御、信号処理などを行う周辺回路部３」は、補正発明の「前記撮像画素領域部の駆動制御及び撮像信号に対する信号処理を行う周辺回路部」に相当するといえる。
（ｄ）刊行物発明の「複数層の受光部内配線５及び複数層の周辺回路部内配線６」は、補正発明の「複数層の配線層」に相当する。
（ｅ）刊行物１の段落【００２１】、【００２２】には、「保護膜12を含む層間膜」と記載されているから、刊行物発明の「層間膜11及び保護膜12」は、補正発明の「絶縁膜」に相当する。
（ｆ）刊行物１に記載の「カラーフィルタ７」と「マイクロレンズ８」は、受光部内配線５上の領域に設けられ、光電変換素子４への入射光を制御する光学構造部材であるから、刊行物発明の「カラーフィルタ７及びマイクロレンズ８」は、補正発明の「前記複数配線層上の少なくとも前記撮像画素領域部に対応する領域に前記光電変換素子への入射光を制御する光学構造部材」に相当する。
（ｇ）刊行物１の段落【００２１】、【００２２】には、「保護膜12を含む層間膜」と記載されているから、保護膜12は絶縁膜であり、しかも、半導体基板１上に設けられた複数配線層の上層の絶縁膜であるから、刊行物発明の「保護膜12」は、補正発明の「上層絶縁膜」に相当する。
 　 
 　よって、補正発明と刊行物発明とは、 
　「半導体基板に光電変換素子を含む複数の単位画素を２次元アレイ状に配列した撮像画素領域部と、前記撮像画素領域部の駆動制御及び撮像信号に対する信号処理を行う周辺回路部とを設け、さらに前記半導体基板上に複数層の配線層と絶縁膜よりなる複数配線層を設けるとともに、前記複数配線層上の少なくとも前記撮像画素領域部に対応する領域に前記光電変換素子への入射光を制御する光学構造部材を設けた固体撮像素子において、
　前記撮像画素領域部上の複数配線層は、前記周辺回路部上の複数配線層に対して少ない層数で形成され、前記周辺回路部上の複数配線層よりも膜厚の小さい前記撮像画素領域部上の複数配線層上に前記光学構造部材が配置されており、
　前記複数配線層の上層絶縁膜は、前記撮像画素領域部と前記周辺回路部との境界部に、該上層絶縁膜をエッチングすることにより形成された段差を有し、
　前記光学構造部材は、前記撮像画素領域部上の複数配線層上に塗布された材料を用いて形成される、
　ことを特徴とする固体撮像素子。」　 
 である点で一致し、以下の３点で相違する。 
 （相違点１） 
　補正発明は、複数の単位画素が「ゲート素子」を含むのに対し、刊行物発明は複数の単位画素が「ゲート素子」を含むものではない点。 
 （相違点２） 
　補正発明は、「前記光学構造部材は、前記撮像画素領域部上および前記周辺回路部上の複数配線層上と前記境界部上とにわたって塗布された材料を用いて形成される」のに対し、刊行物発明は、カラーフィルタ７及びマイクロレンズ８は、塗布された材料を用いて形成されているが、受光部２上および周辺回路部３上の複数配線層上とその境界部上とにわたって塗布された材料を用いて形成されるか不明である点。
 （相違点３） 
　「前記複数配線層の上層絶縁膜」が有する段差について、補正発明は、「テーパ角度が６０°以下の段差」であるのに対し、刊行物発明は、所定のテーパ角度の段差であることが特定されていない点。 
 　 
（２−４）判断 
 　以下、各相違点について検討する。 
 （相違点１について） 
　刊行物１の段落【０００２】ないし【０００４】の記載を参酌すると、刊行物発明は、ＣＭＯＳイメージセンサを前提としたものであることは明らかである。そして、ＣＭＯＳイメージセンサにおいて、各画素が「ゲート素子」を含むものはきわめて普通に知られた構成であり、例えば、下記周知刊行物１に記載されている。
　したがって、刊行物発明において、単位画素として、「ゲート素子」を含むものとすることは、当業者が適宜なし得ることである。 
　
周知刊行物１：特開２００２−１７６１６０号公報（原査定の拒絶の理由で引用された引用文献４）
　「【００２３】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態１の固体撮像素子の模式的な構成を示す平面図である。図１には、入射光に基づく電荷を生成する画素１０と、各画素１０で生成された電荷の読み出しを制御する垂直走査回路部１２及び水平走査回路部１１，１４と、読み出した信号を蓄積する信号蓄積部１３と、蓄積されている信号をまとめるマルチプレクサ１５と、まとめられた信号を増幅する増幅回路部１６とを示している。
【００２４】また、
画素１０は、
転送スイッチ（ＴＸ）２と、
ソースフォロワ（ＳＦ）４と、
セレクトスイッチ（ＳＥＬ）５と、
リセットスイッチ（ＲＥＳ）３とを備えており
 　　 
（相違点２について） 
 光電変換素子を含む複数の単位画素を配列した撮像画素領域部と、撮像画素領域部に対応する領域に前記光電変換素子への入射光を制御する光学構造部材を設けた固体撮像素子であって、前記光学構造部材が塗布された材料を用いて形成されたものにおいて、前記光学構造部材を、前記撮像画素領域部上およびその隣接する領域上とその境界部上とにわたって塗布された材料を用いて形成されるものとすることは慣用手段であり、下記周知刊行物２及び周知刊行物３に記載されている。
　そして、刊行物発明において、周辺回路部３は受光部２に隣接する領域であるので、光学構造部材を受光部２上および周辺回路部３上の複数配線層上とその境界部上とにわたって塗布された材料を用いて形成されるものとすることは当業者であれば適宜なし得ることである。
　
周知刊行物２：特開平２−２８５６７５号公報
　「［産業上の利用分野］
　　本発明は、基板上の受光素子群の一部にアルミニウム皮膜を被覆し、他の受光素子群に複数の色相のカラーフィルタ層を段階的に積層して形成した固体撮像素子に関するものである。
　［従来技術］
　一般に、この種のアルミニウム皮膜を一部に施し、且つ他の部分にカラーフィルタ層を備えた固体撮像素子は種々の構造のものが知られており、例えば、第３〜４図に示したような構成を有している。
　　・・・前記アルミニウム皮膜３は、受光素子群２の一部を遮光するために施されるものであり、・・・カラーフィルタ層４で覆われている受光素子群が受光したかどうかを判定するようになっている。」（第１頁左下欄第１７行〜同頁右下欄第２０行）
　「即ち、第２図（Ａ）〜（Ｆ）に示したように、基板１の光素子群２の一部に所定厚さのアルミニウム皮膜３がフレーム状に被覆された後に、
感光性の透明な樹脂をスピンコートし（（Ｂ）図）
　
周知刊行物３：特開平６−２２４３９９号公報
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体撮像素子に形成された受光部の上面にカラーフィルターを形成した固体撮像装置およびその製造方法に関するものである。」
「【００３６】図２〜図５までの工程で、遮光金属膜３５の上面に形成された保護膜３６と、絶縁膜３４上の保護膜３６と、スクライブライン３０上の半導体基板２８との段差を精度よく平坦化することができる。この結果、固体撮像素子の段差は０.１μｍ以下になる。
【００３７】次に、
図６に示すように透明平坦化膜３８の上面に
カラーフィルター層４１を回転塗布法により
形成する
　
（相違点３について）
 ア．刊行物１の段落【００２１】には、保護膜１２を含む層間膜のエッチングについて、ＨＦ系の溶液によるウェットエッチングがカラーフィルタ又はマイクロレンズ材料の塗布均一性の観点で好ましい旨記載されている。
 イ．刊行物１の段落【００２１】には、カラーフィルタ又はマイクロレンズ材料を回転塗布にて形成する際に、局所的な膜厚むらを回避する意味で、カラーフィルタ又はマイクロレンズ材料の塗布均一性が重要になる旨記載されている。
 ウ．刊行物１の段落【００２１】には、保護膜１２を含む層間膜のエッチングについて、ウェットエッチングでは困難な場合は、ＲＩＥ等のドライエッチングでも構わない旨記載されており、この場合はカラーフィルタ又はマイクロレンズ材料の塗布性を考慮したエッチング形状にする必要がある旨記載されている。
 エ．刊行物１の図１及び図４には、保護膜１２は、受光部２と周辺回路部３との境界部に、テーパ角度を有する段差が記載されている。
　
（ａ）上記ア、イ、ウから、刊行物１には、塗布材料を用いて形成されるカラーフィルタは、塗布が均一に成されることが重要であること、及び、上記ウから、塗布材料の下地となる層間膜は、塗布性を考慮した形状とする必要があることが、記載されているといえる。しかも、塗布法によって形成されるカラーフィルタは、塗布が均一に成されることが重要であること、及び、塗布材料の下地層の形状を塗布性を考慮したものとすべきことは、下記周知刊行物２及び周知刊行物３にも記載されているように周知技術である。
　
周知刊行物２：特開平２−２８５６７５号公報（再掲）
　「［産業上の利用分野］
　　本発明は、基板上の受光素子群の一部にアルミニウム皮膜を被覆し、他の受光素子群に複数の色相のカラーフィルタ層を段階的に積層して形成した固体撮像素子に関するものである。
　［従来技術］
　一般に、この種のアルミニウム皮膜を一部に施し、且つ他の部分にカラーフィルタ層を備えた固体撮像素子は種々の構造のものが知られており、例えば、第３〜４図に示したような構成を有している。
　　・・・前記アルミニウム皮膜３は、受光素子群２の一部を遮光するために施されるものであり、・・・カラーフィルタ層４で覆われている受光素子群が受光したかどうかを判定するようになっている。」（第１頁左下欄第１７行〜同頁右下欄第２０行）
　「［発明が解決しようとする課題］
　　前記従来例において、
基板上に所定の厚さのアルミニウム層３が形成されているため、基板１との間に段差があり、
スピンコートすると、その段差の部分に対応又は隣接する色相５の厚みが他の色相の部分よりも著しく厚くなり、その断面形状がデルター状になる。
断面形状がデルタ−状であることから、その形状に沿うように積層されるのでやはり傾斜は避けられず、
　「そして、このアルミニウム皮膜３で覆われた内側に複数の色相のカラーフィルタ層４が設けられる。
このカラーフィルタ層４を形成するに先立って、
前記カラーフィルタ層４が形成される領域において、アルミニウム皮膜３と基板１との間の段差を実質的になくした点に本発明の特徴が存するのである。
　「
アルミニウム被膜３と基板１との間の段差をなくし、
特にアルミニウム被膜３の境界部分に近接して形成される色相の厚みが全体的に均一になり、
　
周知刊行物３：特開平６−２２４３９９号公報（再掲）
「【０００１】
【産業上の利用分野】
　本発明は固体撮像素子に形成された受光部の上面にカラーフィルターを形成した固体撮像装置およびその製造方法に関するものである。」
「【００２３】図１は本発明の第１の実施例における固体撮像装置の構造を示す。ここではカラーフィルターに溶媒と現像液とに水を用いた水溶性のネガ型合成感光性材料を使用し、露光・現像によってパターン形成する場合について説明する。」
「【００２５】
スクライブライン１０と絶縁膜１４上の保護膜１６との段差
【００２６】この場合、
受光部９上面にカラーフィルター１９を直接形成するため、材料を塗布した場合段差があるためにレジストがひっかかり、尾を引いたような塗布むらを生じて、形状が均一なカラーフィルター１９を形成することができない。
【００２７】このため、受光部９の上面には遮光金属膜１５の上面に形成された保護膜１６との高さを揃えるために、透明穴埋め層１７を形成する。」
　
（ｂ）そして、絶縁膜をマスクを用いてＨＦ系の溶液によりウェットエッチングを行う場合であって、当該絶縁膜として、層間絶縁膜、または不純物がドープされたシリコン酸化膜であるＰＳＧ、ＢＰＳＧ膜等の絶縁膜を、エッチングする場合は、「等方性エッチング」となり、マスクの開口端部下の絶縁膜はサイドエッチングされ、当該絶縁膜とその下地層とに形成される段差が「テーパ状」となることは、以下の周知刊行物４ないし５に記載されるように周知の技術に過ぎない。
　
周知刊行物４：特開平５−８２７６８号公報
「【００３７】（実施例２）図２は、本発明の第２の実施例のイメージセンサの主要部の断面構造である。図２に示すように、層間絶縁膜として、ポジ型レジストを感光および加熱して架橋した膜７と、無機物絶縁膜としてＳｉＮ膜１１の積層膜を用いた。その他の構造は、実施例１と同様である。ここでは、無機物絶縁膜として、窒化シリコン膜を用いたが、酸化シリコン膜等の他の無機物絶縁膜を用いても良い。」
「【００３８】・・・次に、ポジ型レジストを感光および加熱して架橋した膜７のスルーホールをマスクとして、前記ＳｉＮ膜１１をウエットエッチングにより加工した。エッチング液には、フッ酸、フッ化アンモンおよび酢酸の混合液を用いた。」
「【００３９】ＳｉＮ膜１１は、等方的にウエットエッチングされるので、スルーホールの形状は膜上面に行くにつれ、広がる、すなわちすり鉢状のテーパになった。」
　
周知刊行物５：特開平７−１０６５３７号公報
 「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、固体撮像装置の製造方法に関し、特に感度を向上させるためのマイクロレンズを備えた固体撮像装置の製造方法に関する。」
「【００１２】薄膜３中に凹部を形成する方法としては、本実施例ではウェットエッチング法を用いており、次に、その説明を行う。まず、図１の（Ａ）に示すように、薄膜３を不純物濃度の異なる３層のＰＳＧ膜３-1，３-2，３-3で形成した後、レジスト膜４をウェハー表面に塗布し、次いで露光・現像工程により、フォトダイオード２の中心に対応する部分に、所望の大きさを有する開口部５を形成する。その後、ＨＦ系のウェットエッチング法により、図１の（Ｂ）に示すように、凹部６を薄膜３中に形成する。ＨＦ系のウェットエッチングを行う際、先に述べたように、薄膜３を構成している３層のＰＳＧ膜３-1，３-2，３-3は、上層ほど不純物濃度が高く、すなわちエッチングレートが大きい特性をもっているため、アスペクト比が１／２以下の曲面状の凹部６が形成可能になる。」
  　
（ｃ）また、絶縁膜に、マスクを用いてＲＩＥ等のドライエッチングを行う場合に、「等方性エッチング成分」を制御して、当該絶縁膜にテーパを形成し、テーパ角を制御できることは、以下の周知刊行物６に記載されるように周知の技術に過ぎない。
　
周知刊行物６：特開昭６３−９９５８号公報
「［産業上の利用分野］
　この発明は半導体薄膜および絶縁膜が順次積層されて形成され、少なくとも最上層に光センサデバイスを有する複数のデバイスの積層構造の半導体立体回路素子に関する。」（第１頁左下欄第１６〜２０行）
「まず、第２図(a)に示すように、・・・層間絶縁膜としてのシリコン酸化膜(9)を積層し、・・・その後、第２図(b)に示すように、・・・レジスト膜(23)をパターニングし、・・・シリコン酸化膜(9)の表面を反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）によりエッチングし、・・・。
　このとき、・・・レジスト膜(23)の等方性エッチング成分によるシリコン酸化膜(9)の横方向すなわち第３図中１点鎖線矢印方向へのエッチング成分ＥＲと、シリコン酸化膜(9)自体の異方性エッチング成分による縦方向すなわち第３図中の２点鎖線矢印方向へのエッチング成分Ｅｓとが共存することにより、シリコン酸化膜(9)にテーパが形成され、このテーパ角をθとすると、角θは
　　ｔａｎ≒Ｅｓ／ＥＲと表わされ、レジスト膜(23)の等方性エッチング成分により角θを制御できることになる。」（第３頁右上欄第１７行〜同頁右下欄第７行））
　
（ｄ）上記（ｂ）及び（ｃ）に記載の周知技術を勘案すると、上記ア、ウ、エから、刊行物１には、「複数配線層の上層絶縁膜は、前記撮像画素領域部と前記周辺回路部との境界部に、該上層絶縁膜をエッチングすることにより形成された所定のテーパ角度の段差を有する」構成が示唆されているといえる。
　
（ｅ）また、下記刊行物２には、カラーフィルターの着色部を形成するための感光性樹脂層をインク受容層としてブラックマトリスク基板上に塗布法により成膜する際、ブラックマトリクス上の部分が大きく盛り上り、インク受容層に膜厚ムラが生じることが従来から問題となっており、着色画素部の表面段差の少ないブラックマトリクス基板を形成し、そのブラックマトリクス基板上に塗布法により感光性樹脂層を形成しカラーフィルターを形成することが記載されている。
　
刊行物２：特開平９−１８９８９９号公報
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平９−１８９８９９号公報（以下、「刊行物２」という。）には、「ブラックマトリクス基板、カラーフィルターおよび液晶パネルならびにそれらの製造方法」（発明の名称）に関して、図１ないし図５とともに以下の事項が記載されている。 
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、カラー表示装置などのカラーフィルターに用いられるブラックマトリクス基板、そのブラックマトリクス基板を用いたカラーフィルターおよびそれらの製造方法、ならびにそのフィルターを用いた液晶表示パネルに関し、特にインクジェット記録技術を用いたカラーフィルターならびにその製造方法に関する。」
「【０００５】カラー表示装置用のカラーフィルターは、透明基板上に光透過率の異なる複数の着色部材（一般的には赤、青、緑）によって構成され、核着色部材が画素として機能する。
各画素の間には
遮光部材が持つ受けられており
ブラックマトリクスと呼ばれている
「【００１１】インクジェット法を用いたカラーフィルターの製造法において、
カラーフィルターの着色部を形成するためインクを受容する成分を持った樹脂をインク受容層としてブラックマトリクス基板上に成膜する際、ブラックマトリクス上の部分が大きく盛り上り、インク受容層に膜厚ムラが生じることが従来から問題となっている。
【００１２】そこで本発明の目的は、従来用いられる金属製ブラックマトリクスに代る樹脂製ブラックマトリクスを用い、
着色画素部の表面段差の少ないブラックマトリクス基板
「【００３４】（実施例１）図１の工程図に示した手順に従って本発明のブラックマトリクス基板を製造した。なお、図１において、１は基板、２は光硬化型遮光性樹脂、４はフォトマスクである。」
「【００３９】そのようにして、
断面形状が矩形ではなく端部に向かい傾斜しているブラックマトリクスパターンを持つブラックマトリクス基板が形成された
「【００４１】次に、そのブラックマトリクス基板を用いてインクジェット法によってカラーフィルタを作製した。
【００４２】具体的には、ブラックマトリクス基板上に下記感光性樹脂組成物をスピンナー塗布した後、９０℃で２０分間プリベーク処理を行い、膜厚１μｍの感光性樹脂層を形成した。」
　
（ｆ）下記周知刊行物７には、塗布膜の下地膜となる酸化膜の開口部に形成される塗布膜の膜厚が不均一となる問題を解決すべく、酸化膜開口部の周縁部にテーパ状傾斜部を形成し、段差のない状態で塗布することで膜厚の均一な塗布膜を形成することが記載されている。
　　
周知刊行物７：特開平２−３０３１２０号公報 
 　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平２−３０３１２０号公報（以下、「周知刊行物７」という。審尋にて記載した「前置報告書の内容」の記載において引用。）には、「不純物拡散層形成方法」（発明の名称）に関し、第１図及び第２図とともに以下の事項が記載されている。　 
「(a)産業上の利用分野
　この発明は、塗布膜を拡散源として選択拡散を行う不純物拡散層形成方法に関する。」（第１頁左下欄第１６〜１８行） 
「(c)発明が解決しようとする課題
　第２図に示した従来の塗布法による不純物拡散層形成方法においては、
酸化膜の開口部に形成される塗布膜の膜厚が不均一となって、
という問題があった
　すなわち第２図（Ｃ）に示した例では、塗布膜によるガラス層３の開口部中央における膜厚がｔ０であるのに対して、開口部の周辺部では酸化膜２の段差分の影響によりｔ１の膜厚となる。」（第２頁左上欄第６〜１５行）
「この発明の実施例である不純物拡散層形成方法の例を第１図に示す。　
　第１図においては１はシリコンウェハ、２は酸化膜（ＳｉＯ２）、３は塗布膜によるガラス層、４は不純物拡散層である。以下工程順に説明する。
・・・その表面に酸化膜（ＳｉＯ２）２を形成する。
　(2)開口部形成工程
　フォトレジスト膜の形成、・・・の後、ＳｉＯ２エッチング液を用いたウェットエッチング法により酸化膜２に開口部２ａを形成する。その際、エッチング時間を長くし、サイドエッチング量を多くして、開口周縁部にテーパ状傾斜部２ｂを形成する。
　(3)ガラス層形成工程
　ウェハ表面にドーパントを含む塗布膜をスピンコートする。・・・
塗布膜は酸化膜開口部の周縁部に形成されているテーパ状傾斜部に沿って、段差のない状態で塗布されるため、開口部の全体にわたって膜厚ｔ
０
の均一なガラス層が形成される。
 　　 
（ｇ）そして、上記（相違点２について）で検討したように、刊行物発明において、光学構造部材を受光部２上および周辺回路部３上の複数配線層上とその境界部上とにわたって塗布された材料を用いて形成されるものとするならば、刊行物発明において、周知刊行物２，３に記載された上記周知技術を勘案し、受光部２上および周辺回路部３上の複数配線上とその境界部上とにわたって、塗布が均一に成されるようにすべきこと、及び、塗布材料の下地層の形状を塗布性を考慮したものとすべきことは明らかである。また、刊行物２、周知刊行物７には、膜厚の均一な塗布膜を形成するための手段として、下地となる膜の段差部にテーパ状傾斜部を形成することが記載されている。
　したがって、刊行物発明において、塗布された材料を均一なものとすべく、その下地となる層間膜の形状として、刊行物２、周知刊行物７に記載のようなテーパ形状のものを採用することは当業者が容易に想到しうるものと認められる。
　そして、そのテーパ角度をどのような数値範囲のものとするかは当業者の通常の創作能力の発揮であり、しかも、塗布膜の均一性は、塗布液の滴下量、塗布液の粘性、下地層の段差部の高さ（厚み）等にも依存する。したがって、補正発明が、限定された数値範囲内で、刊行物１ないし２又は周知刊行物７に記載されていない有利な効果であって、刊行物に記載された発明が有する効果とは異質なもの、又は同質であるが際だって優れた効果を有し、これらが技術水準から当業者が予測できたものであるとは認められないから、撮像画素領域部と周辺回路部との境界部に形成された段差のテーパ角度の上限値を限定することにより得られる効果を認めることはできない。
　よって、刊行物発明において、刊行物２及び周知刊行物７の記載に基づき、複数配線層の上層絶縁膜を、前記撮像画素領域部と前記周辺回路部との境界部に、該上層絶縁膜をエッチングすることにより形成されたテーパ角度が６０°以下の段差を有するものとすることは、当業者が容易に想到しうることである。 
 　 
（ｈ）また、仮に、審判請求人が審判請求書で主張されるように、補正発明が、「領域間の段差による無駄な領域を減少できるという効果Ｆ」を奏するとしても、刊行物１及び刊行物２並びに周知刊行物７に記載された発明及び従来周知の技術から、特に周知刊行物７の第１図（ｃ）と第２図（ｃ）とのガラス層の膜厚がｔ0である領域を比較することにより、当該効果は当業者が容易に予測し得る程度のものである。 
 　 
　したがって、補正発明は、刊行物１ないし刊行物２に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に規定する要件を満たさず、特許出願の際独立して特許を受けることができないから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。  　 
 ４．むすび　 
　以上のとおりであるから、請求項１についての補正を含む本件補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
 　 
 第３　本願発明　 
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１２に係る発明は、平成２０年５月１９日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。　 　 
  「【請求項１】　半導体基板に光電変換素子とゲート素子を含む複数の単位画素を２次元アレイ状に配列した撮像画素領域部と、前記撮像画素領域部の駆動制御及び撮像信号に対する信号処理を行う周辺回路部とを設け、さらに前記半導体基板上に複数層の配線層と絶縁膜よりなる複数配線層を設けるとともに、前記複数配線層上の少なくとも前記撮像画素領域部に対応する領域に前記光電変換素子への入射光を制御する光学構造部材を設けた固体撮像素子において、
　前記撮像画素領域部上の複数配線層は、前記周辺回路部上の複数配線層に対して少ない層数で形成され、前記周辺回路部上の複数配線層よりも膜厚の小さい前記撮像画素領域部上の複数配線層上に前記光学構造部材が配置されており、
　前記複数配線層の上層絶縁膜は、前記撮像画素領域部と前記周辺回路部との境界部に、該上層絶縁膜をエッチングすることにより形成されたテーパ角度が６０°以下の段差を有する、
　ことを特徴とする固体撮像素子。」 
 　 
 第４　刊行物に記載された発明 
　刊行物１ないし刊行物２に記載される事項及び「刊行物発明」は、「第２　３．（２）（２−２）刊行物に記載された発明」に記載したとおりである。 
 　 
 第５　対比 
 本願発明と刊行物発明とを対比すると、両者の一致点は、「第２　３．（２）（２−３）」のとおりであり、両者は、前記（相違点１）及び（相違点３）の２点で相違する。
 　 
 第６　当審の判断 
　以下、各相違点について検討すると、「第２　３．（２）（２−４）（相違点１について）、（相違点３について）」で検討したとおりである。 
 　 
　また、本願発明が奏する効果も、刊行物１ないし刊行物２に記載された発明及び従来周知の技術から、当業者が容易に予測し得る程度のものである。 　 
　したがって、本願発明は、刊行物１ないし刊行物２に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　 
 第７　むすび 
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし請求項１２に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。