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　特願２００２−３７７２８６「追記型酸化亜鉛型近接場光ディスク」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１２月　５日出願公開、特開２００３−３４６３８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．手続の経緯
　
　本願は、平成１４年１２月２６日（パリ条約による優先権主張　２００２年５月２７日、台湾（ＴＷ））を出願日とする出願であって、平成１９年１２月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２０年４月７日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年５月３日付けで手続補正がなされたものである。
　その後、平成２２年６月４日付けで特許法第１６４条第３項の報告に基づく審尋がなされ、同年９月３日付けで回答書が提出されたものである。
　
　
２．本願発明
　
　本願の請求項１ないし１１に係る発明は、平成２０年５月３日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし１１に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。　
　
「【請求項１】　少なくとも
　透光基板と、
　ビームの集光により局部近接場光学作用を発生する酸化亜鉛ナノ薄膜層と、
　追記型の記録薄膜層と、
　当該透光基板と当該酸化亜鉛ナノ薄膜層の間を覆う第１透光誘電体薄膜層と、
　当該酸化亜鉛ナノ薄膜層と当該記録薄膜層の間を覆う第２透光誘電体薄膜層と、
　当該記録薄膜層の表面を覆
う
し、当該酸化亜鉛ナノ薄膜層が、酸化亜鉛化合物や酸化亜鉛及び亜鉛の混合材から構成され、当該第２透光誘電体薄膜層の厚さ範囲が５ｎｍ〜１００ｎｍである
　
　
３．先願発明
　
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された、本願の優先権主張の日前の他の特許出願であって、その出願後に出願公開された特願２００１−１７０５８４号（特開２００２−３６７２３０号公報）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「先願明細書等」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。なお、下線は当審が付した。
　
ア）
「【００２３】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）本発明の実施の形態を、以下に具体例を用いて説明する。本発明における
光学情報記録媒体
光透明層１はレーザー入射側となりうるため、レーザー光に対して透明な材料、或いは光吸収が生じたとしても無視できる程度に小さい材料を用いる必要がある。
【００２４】光透明層１及び基板７の材料の例としては、ポリカーボネート、ポリメチルメタクレート、ポリオレフィン系樹脂、またはガラス等が挙げられる。
光透明層１としては、成形等により所定の形状に作製した基板を用いてもよい
　
イ）
「【００２５】
保護層２、４、６は、記録材料の保護と、情報層での効果的な光吸収を可能にするといった光学特性の調節とを主な目的として設けられる。保護層２、４、６の材料としては、ＺｎＳ等の硫化物、
Ｓｉ-Ｏ
Ｓｉ-Ｎ
など、上記目的が達成可能な材料を用いる。
　
ウ）
「【００２６】
情報層５は、光学特性が異なる２つ以上の状態間をとりうる材料より構成する。この異なる光学状態を検出することによって、媒体の記録をなすのである。情報層５の材料は、この異なる状態間を可逆的に変化しうるものであってもよいし、非可逆的に変化しうるものであってもよい。
１回のみ書き込み可能な媒体をなすためには、非可逆変化する材料を用いてもよい。
　
エ）
「【００２８】
マスク層３は、レーザー光の照射時にレーザー光の照射部の一部分のみが、状態１から光学的に異なる状態２へと変化しうる材料より成る。
【００２９】
マスク層３が状態２のとき、マスク層３の表面或いは内部に異なる媒質が接する界面が存在し、
【００３０】図２を用いて、マスク層３にレーザーが照射された際の変化の例を説明する。図２は、図１で例示されるような媒体の層構成のうち、マスク層３の近傍のみを取り出して示しているものである。図２において、レーザー光照射部１０のうち、８で示す部分は初期状態と同じ状態１をとり、９で示す部分は、あるしきい値以上のレーザーパワーが照射されたために状態２へと一時的に変化している部分である。レーザー光の通過後は、状態２は状態１へ変化し元の状態に戻る。状態２は、媒質１と媒質２とが混在する状態であり、媒質１と媒質２の界面において、レーザー光の波長における媒質１の複素屈折率をn1-ik1、媒質２の複素屈折率をn2-ik2とするとき、(−5.0)×n22≦n12-k12≦(−1.0)×n22 の関係を満たすようにする。本発明においては、状態２の部分９に入射された光のうち、情報層５に到達する光量は、状態１の部分８に入射された光のうち、情報層５へ到達する光量に比べて大きくなる。これは、状態２において既に述べた条件を満たす界面が存在する場合、
この界面において表面プラズモンが励起され、近接場光が増強されて発生している
　
オ）
「【００３２】
マスク層３の状態変化の例としては、
低酸化物
からより化学量論組成に近い組成への変化などが挙げられる。
低酸化物からより化学量論組成に近い組成へ変化する材料の例としては、
Ｚｎ−Ｏ
が挙げられる。
　
カ）
「【００４９】（実施例１）一例として図１の構成において、光透明層１、基板７をともに厚さ０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍのディスク状ポリカーボネート樹脂、保護層２、４をともにＳｉＣ、保護層６をＺｎＳにＳｉＯ２を２０ｍｏｌ％混合した材料、情報層５をＧｅ30Ｓｂ15Ｔｅ55、マスク層３をＳｎＴｅとした媒体を作製した。これを媒体（１）とする。各層の膜厚はともに、
保護層
４
２０ｎｍ
マスク層３を２０ｎｍとした。
　
キ）
　図１には、
レーザー光の入射側から順に、光透明層１、光透明層１とマスク層３の間を覆う保護層２、マスク層３、マスク層３と情報層５の間を覆う保護層４、情報層５、情報層５の表面を覆う保護層６からなる光学情報記録媒体
　
　前掲ア）ないしキ）の記載事項及び図面からみて、先願明細書には、次の発明（以下、「先願発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「レーザー入射側から順に、光透明層、光透明層とマスク層の間を覆う保護層２、マスク層、マスク層と情報層の間を覆う保護層４、情報層、情報層の表面を覆う保護層６からなる光情報記録媒体。」
　 
　 
４．対比・判断
　
　本願発明と先願発明とを対比する。
　
（１）先願発明の「光透明層」は、レーザー光に対して透明な材料、或いは光吸収が生じたとしても無視できる程度に小さい材料であるから（前掲ア）、当該レーザー光を透光するものであることは明らかであり、また、所定の形状に作成した基板を用いてもよいとされており、基板を用いることが示されているといえるから、実質的に本願発明の「透光基板」に相当するといえる。
　
（２）先願発明の「マスク層」は、レーザー光の照射時にレーザー光の照射部の一部分のみが状態１から光学的に異なる状態２へと変化し、この状態２のとき、マスク層の表面或いは内部に異なる媒質が接する界面ができ、この界面において近接場光が発生するものである（前掲エ）。
　ここで、先願発明の「レーザー光」、「レーザー光の照射」、「レーザー光の照射部の一部分」は、それぞれ「ビーム」、「ビームの集光」、「ビームの集光部の局部」といえ、マスク層のビームの集光部の局部に近接場光が発生することは、マスク層による近接場光の効果を用いているといえる。
　また、先願発明では、「マスク層」の材料として、低酸化物から化学量論組成に近い組成に変化するＺｎ−Ｏ、すなわち「酸化亜鉛」を挙げており（前掲オ）、事実上先願発明は酸化亜鉛をマスク層に使用することが開示されているといえる。そして、酸化亜鉛は、「酸化亜鉛化合物や酸化亜鉛及び亜鉛の混合剤から構成されている」といえることは明らかである。
　また、先願発明では、マスク層の膜厚を２０ｎｍとすることを例示していることから（前掲カの実施例１）、当該マスク層は「ナノ薄膜層」であるといえる。
　よって、先願発明の「マスク層」は、ビームの集光部の局部において酸化亜鉛ナノ薄膜層による近接場光を用いていることから、本願発明の「ビームの集光により局部近接場光学作用を発生する酸化亜鉛ナノ薄膜層」に相当するといえ、両者とも「酸化亜鉛化合物や酸化亜鉛及び亜鉛の混合剤から構成されている」点で一致している。
　
（３）先願発明の「情報層」は、光学特性が異なる２つ以上の状態間を可逆的に変化しうるものであってもよいし、非可逆的に変化しうるものであってもよいとされ、１回のみ書き込み可能な媒体をなすために、非可逆変化する材料を用いてもよいとされており（前掲ウ）、１回のみ情報を記録する追記型の記録薄膜層とすることを開示しているので、本願発明の「追記型の記録薄膜層」に相当するといえる。
　
（４）先願発明の「保護層２、４、６」は、情報層での効果的な光吸収を可能にするという光学特性の調節を目的とするものであるから、レーザー光を透光する層であることは明らかであり、また、その材料としてＺｎＳ等の硫化物、Ｓｉ-Ｏ、Ｓｉ-Ｎなどの誘電体を用いることから誘電体層といえるので、本願発明の「透光誘電体薄膜層」に相当する。
　そして、先願発明の「保護層２」は、光透明層とマスク層の間を覆う層であるから、本願発明の「透光基板と酸化亜鉛ナノ薄膜層の間を覆う第１透光誘電体薄膜層」に相当し、先願発明の「保護層４」は、マスク層と情報層の間を覆う層であるから、本願発明の「酸化亜鉛ナノ薄膜層と記録薄膜層の間を覆う第２透光誘電体薄膜層」に相当し、先願発明の「保護層６」は、情報層の表面を覆う層であるから、本願発明の「記録薄膜層の表面を覆う第３透光誘電体薄膜層」に相当する。
　
（５）先願発明の「保護層４」は膜厚が２０ｎｍであるから（前掲カの実施例１）、本願発明も先願発明も「第２透光誘電体薄膜層の厚さ範囲が５ｎｍ〜１００ｎｍである」点で一致しているといえる。
　
（６）先願発明の「光学情報記録媒体」は、「少なくとも」光透明層、マスク層、情報層、保護層２、保護層４、保護層６とを有しており、前記情報層は追記型の記録薄膜層であり、前記マスク層は局部近接光学作用を発生する酸化亜鉛を用いているから、先願発明の「光学情報記録媒体」も「追記型酸化亜鉛型近接場光ディスク」であるといえる。
　
　よって、先願発明は、本願発明における発明を特定するために必要な事項を実質的に全て備えており、本願発明と先願発明とは、
　
　「少なくとも
　透光基板と、
　ビームの集光により局部近接場光学作用を発生する酸化亜鉛ナノ薄膜層と、
　追記型の記録薄膜層と、
　当該透光基板と当該酸化亜鉛ナノ薄膜層の間を覆う第１透光誘電体薄膜層と、
　当該酸化亜鉛ナノ薄膜層と当該記録薄膜層の間を覆う第２透光誘電体薄膜層と、
　当該記録薄膜層の表面を覆う第３透光誘電体薄膜層とを有し、当該酸化亜鉛ナノ薄膜層が、酸化亜鉛化合物や酸化亜鉛及び亜鉛の混合材から構成され、当該第２透光誘電体薄膜層の厚さ範囲が５ｎｍ〜１００ｎｍであることを特徴とする追記型酸化亜鉛型近接場光ディスク。」 
　
　である点で一致し、相違するところがない。
　
　なお、出願人は、平成２２年９月３日付けの回答書において、
「本願請求項１の発明（平成２０年５月３日付け補正）によれば、ビーム（レーザー光）は、ピット（マーク）がプリレコードされている透光基板を透過してから、酸化亜鉛ナノ薄膜層にフォーカシングされて、ピットを正確に読み出すようになっているのに対して、引用文献１の発明では、レーザー光（ビーム）は、Ｚｎ−Ｏ（酸化亜鉛）を含むマスク層３に照射されて、その照射レーザー光の一部が状態１から状態２に変化（フォーカシング）し、情報層５にマーク１１（ピット）を書き込むようになっていて、本願発明の「酸化亜鉛ナノ薄膜層」と引用文献１の「マスク層」とは明らかに相違し、両発明は同一ではなく、特許法第２９条の２の規定による拒絶査定には、到底承伏することはできません」
　と主張している。（以下、「主張１」という。）
　しかし、平成２０年５月３日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明は、前掲「２．本願発明」で示したように、透光基板にピット（マーク）がプリレコードされているものではなく「ピット（マーク）がプリレコードされている透光基板を透過」するものでもないから、出願人の前記主張１は採用することができない。なお、この出願の発明の詳細な説明の何れにも「ピット（マーク）がプリレコードされている透光基板」は開示されていないので、出願人の前記主張１は、特許請求の範囲の記載のみならず、発明の詳細な説明の記載にも基づかない主張である。
　
　また、出願人は同回答書において、「本願発明の「酸化亜鉛ナノ薄膜層」は、薄くなければ近接場光の効果がでないのに対して、引用文献１には、「マスク層」は、レーザー光の照射により２つの媒質に変化し、その複屈折率が所定の条件を満たすとき、プラズモンが励起されて近接場光が増強され情報層への光の到達量が増大することが記載されており、本願発明の「酸化亜鉛ナノ薄膜層」と引用文献１の「マスク層」とは明らかに相違します」と主張している。この主張は、要するに、本願発明の「酸化亜鉛ナノ薄膜層」は薄いことにより近接場光の効果が生じる点において、先願発明の「マスク層」とは異なるとの主張であると認められる。（以下、「主張２」という。）
　しかし、本願発明では、「酸化亜鉛ナノ薄膜層」の厚さに関して、平成２０年５月３日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項８、並びに、この出願の発明の詳細な説明【００１３】に記載されているように、「より良い厚さ範囲が５ｎｍ〜１００ｎｍである」としているところ、先願発明の「マスク層」の厚さは２０ｎｍであるから、必ずしも本願発明の「酸化亜鉛ナノ薄膜層」は先願発明の「マスク層」より薄いものであるとはいえず、また、両者とも局部近接場光学作用を生じる点で一致していることは前掲「４．対比・判断（２）」で示したとおりであるから、出願人の前記主張２についても採用することはできない。
　
　
５．むすび 
　
　以上のとおりであるから、本願請求項１に係る発明は、先願明細書等に記載された発明と同一であり、しかも、本願発明の発明者が上記先願明細書等に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願請求項１に係る発明については、特許法２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その他の請求項に論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　 
　よって、結論のとおり審決する。