【事件の表示】
　特願２００３−５７０４３４「半導体発光装置およびそれを用いた光ディスク装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　８月２８日国際公開、ＷＯ０３／７１６４２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
  本願は，平成１５年２月２０日に国際特許出願（優先権主張　平成１４年２月２１日）したものであって、平成２０年７月９日付けで拒絶理由が通知され、同年９月１６日に手続補正がなされたが、平成２１年７月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年１０月２６日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、これと同時に手続補正がなされたものである。
　
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２１年１０月２６日になされた手続補正後の特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
　
「共通基板の主面の隣接する位置に、主出射面が同一方向の少なくとも１組の発光素子を有する半導体発光装置であって、
　主出射面（０１−１）側から見たその両側面が、結晶軸（１００）方向に対して（０−１−１）面から（０１１）面に向かう方向に所定の角度（オフ角）で傾斜してなる基板と、
　前記共通基板の（０１１）面側に配置され、主出射面側から見て、対向する２つの側面のうち左側が右側よりもなだらかな台形状の断面を有する第１の発光素子と、
　前記共通基板の（０−１−１）面側に配置され、前記第１の発光素子と対をなす第２の発光素子とを備え、
　前記第１の発光素子および第２の発光素子はともに互いに平行な帯状形状を有し、前記第２の発光素子は帯状形状の中心軸と光軸方向が一致するのに対し、前記第１の発光素子はその光軸が帯状形状の中心軸と一致若しくは前記第２の発光素子の光軸側に接近する
　半導体発光装置。」（以下「本願発明」という。）
　なお、本願発明は、上記手続補正前の請求項３に係る発明に実質的に対応するものである。
　
　
３　原査定の拒絶の理由
（１）平成２０年７月９日付け拒絶の理由
　平成２０年７月９日付けで通知した拒絶の理由は、次に抜粋して示すとおりのものである。
　
「Ａ．この出願は、発明の詳細な説明の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　本願明細書及び図面の説明によると、図７、８に関し、ＡｌＧａＩｎＰ系レーザ素子１２の光軸Ｌ１が離れ目になる理由として、リッジ部の側壁の傾斜角度が非対称になることによって、傾斜のなだらかな方（図７（Ｂ）では右側）で光の閉じ込め効果が弱くなり光分布が非対称になる点が記載されている。しかしレーザ光はレーザストライプ内を長手方向に往復しながら共振しており、リッジ部の傾斜角が非対称であったとしても、共振往復は依然長手方向に沿って生起していると理解されるのが通常であって、それが当該長手方向から傾く（さらには傾いた方向に出射される）理由が理解し得ない。
　また何故ＡｌＧａＩｎＰ系のレーザ素子（１２）の光軸Ｌ１は離れ目にそれ、ＡｌＧａＡｓ系のレーザ素子（１３）の光軸Ｌ２は同様の特性を示さないのかも不明である。
　したがって実際に本願図７のような構成で図８のような現象が生起しているのか疑わしく、同様に本願発明の構成（図１）で図２に示されているような光軸方向にレーザ光が出射するものか疑わしい。
　仮に理論的裏付けが困難であったとしても、実証的に裏付けられることが必要
である。
・・・」
　
（２）平成２１年７月２３日付け拒絶査定
　平成２１年７月２３日付け拒絶査定は、本願は上記拒絶の理由によって拒絶すべきものであるというものであって、その備考欄には、次のとおり記載されている。
　
「出願人は、意見書において、ＡｌＧａＡｓ系レーザ素子２６及びＡｌＧａＩｎＰ系レーザ素子２４各々の構造部の斜面の非対称性は無関係である旨説明しているが、請求項１、７では第１の発光素子の対向側面のうち左側が右側よりもなだらかな台形状をしていることが本願発明の本質的特徴部分として記載されており、ここでいう対向側面は明細書の記載から図１A、Bにおける２４ａ、２４ｂであることは明らかである以上、かかる斜面の非対称性が無関係であるという説明は意味不明と言わざるを得ない。また参考図において『実際の寸法』を記載し、かかる寸法からして構造部斜面の非対称性の影響はないとしているが、かかる『実際の寸法』に関する開示は当初明細書になく、そのような寸法形状を前提した議論は採用し得ない。また請求項１、７における側面の傾斜に関する基準として単なる『結晶軸方向』では不明確である旨の拒絶理由に対し、今次補正で『結晶軸方向』を削除してきたが、それでは如何なる方向を基準にしてオフ角度傾斜するのかがそもそも不明確であるとの瑕疵を治癒するものではない。
　したがって、意見書・補正書によっても依然本願発明の作用・動作原理及び構成が明確に理解しうるものではない。」
　
　
４　当審の判断
（１）本願発明の「主出射面側から見て、対向する２つの側面のうち左側が右側よりもなだらかな台形状の断面を有する第１の発光素子」との構成につき、本願明細書の発明の詳細な説明（以下、単に「発明の詳細な説明」という。）には、以下の記載がある（下線は、審決で付与した。以下同じ。）。
　
ア「【００２４】
　この基板２２上に後述の成長法により形成される
ＡｌＧａＩｎＰ系レーザ素子２４は断面が非対称のリッジ（台形）形状
主出射面側から見て、対向する２つの側面のうち左側の面２４ａは右側の面２４ｂよりもなだらかになる
　
イ「【００２９】
・・・レーザ光の主出射面から見た、ＡｌＧａＩｎＰ系レーザ素子２４のＡｌＧａＡｓ系レーザ素子２６側、すなわち左側の傾斜面２４ａは右側の傾斜面２４ｂよりもなだらかになっている。」
　
ウ「【００３８】
　まず、第３Ａ図に示したように、例えば、厚さ３５０μｍ程度のｎ型ＧａＡｓよりなる基板２２（オフ基板）を用意し、この基板２２の表面にＭＯＣＶＤ法により、ｎ型ＩｎＧａＰ混晶よりなるバッファ層４０，ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ混晶よりなるｎ型クラッド層４１，Ａｌx Ｇａy Ｉｎ1-x-y Ｐ（但し、ｘ≧０かつｙ≧０）混晶よりなる活性層４２，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ混晶よりなるｐ型クラッド層４３およびｐ型ＧａＡｓよりなるｐ型コンタクト層４４を順次成長させる。
　【００３９】
　次いで、第３Ｂ図に示したように、ｐ側コンタクト層４４の上に図示しないマスクを形成し、ｐ側コンタクト層４４およびｐ型クラッド層４３の上層部を選択的にエッチングしてこれらを細い帯状とし、ｐ型クラッド層４３を表面に露出させる。続いて、ｐ側コンタクト層４４上の図示しないマスクを利用して、ｐ型クラッド層４３およびｐ側コンタクト層４４の側面を覆うように絶縁層（電流ブロック領域）４５を形成する。
　【００４０】
　次いで、ｐ型コンタクト層４４の上にＡｌＧａＩｎＰ系レーザ素子２４の形成予定領域に対応して選択的にレジスト膜Ｒ1を形成する。そののち、このレジスト膜Ｒ1をマスクとして、
例えば硫酸系のエッチング液を用いてｐ型コンタクト層４４，リン酸系または塩酸系のエッチング液を用いてｐ型クラッド層４３，活性層４２およびｎ型クラッド層４１のレジスト膜Ｒ
1
に覆われていない部分をそれぞれ選択的に除去する
　
エ「【００４１】
　これにより、
前述の理由から、基板２２上に、断面が台形状で、かつ紙面に向かって左側の側面が右側の側面よりもなだらかなＡｌＧａＩｎＰ系レーザ素子２４が得られる
　
オ「【００４２】
　続いて、第４Ａ図に示したように、例えばＭＯＣＶＤ法により、ｎ型ＧａＡｓよりなるバッファ層５１，ｎ型ＡｌＧａＡｓ混晶よりなるｎ型クラッド層５２，Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ（但し、ｘ≧０）混晶よりなる活性層５３，ｐ型ＡｌＧａＡｓ混晶よりなるｐ型クラッド層５４およびｐ型ＧａＡｓよりなるｐ型コンタクト層５５を順次成長させる。
　【００４３】
　そののち、第４Ｂ図に示したように、ｐ型コンタクト層５５の上にＡｌＧａＩｎＰ系レーザ素子２４の形成予定領域に対応してレジスト膜Ｒ2を形成する。続いて、このレジスト膜Ｒ2をマスクとして、
例えば、硫酸系のエッチング液を用いてｐ型コンタクト層５５を選択的に除去し、フッ酸系のエッチング液を用いてｐ型クラッド層５４，活性層５３およびｎ型クラッド層５２をそれぞれ選択的に除去し、塩酸系のエッチング液を用いてバッファ層５１を選択的に除去する。
　【００４４】
　レジスト膜Ｒ2を除去したのち、第５Ａ図に示したように、例えば図示しない細い帯状のマスクを用いて、ｐ型コンタクト層５５およびｐ型クラッド層５４の上層部にイオン注入法によりケイ素などのｎ型不純物を導入する。これにより、不純物が導入された領域は絶縁化され、電流ブロック領域５６となる。
　【００４５】
　電流ブロック領域５６を形成したのち、第５Ｂ図に示したように、ｐ型コンタクト層４４，５５の表面およびその近傍に、例えば、ニッケル，白金および金を順次蒸着し、ｐ側電極４６，５７をそれぞれ形成する。更に、基板２２の裏面側を例えばラッピングおよびポリッシングすることにより、基板２２の厚さを例えば１００μｍ程度とする。
　【００４６】
　続いて、この基板２２の裏面側に、例えば、金とゲルマニウムとの合金，ニッケルおよび金を順次蒸着し、２つのレーザ素子２４，２６に共通のｎ側電極６０を形成する。そののち、加熱処理を行い、ｐ側電極４６，５７およびｎ側電極６０をそれぞれ合金化する。更に、基板２２を例えばｐ側電極４６，５７の長さ方向に対して垂直に所定の幅で劈開し、その劈開面に一対の反射鏡膜を形成する。これにより本実施の形態の２波長半導体レーザ２０が作製される。」
　
カ　第１Ｂ図
　
（２）上記（１）によれば、「リッジ」とは、台形状であるそれぞれのレーザ素子の断面形状を表現するものと解される。
　
（３）また、本願発明の「前記第１の発光素子はその光軸が帯状形状の中心軸と一致若しくは前記第２の発光素子の光軸側に接近する」との構成につき、発明の詳細な説明には、以下の記載がある。
　
ア「【００１４】
　また、理由は後述するが、２つの素子を極力近接させたとしても、第８図にも示したようにＡｌＧａＩｎＰ系レーザ素子１２の光軸Ｌ1がレーザストライプ１４の中心軸１４ａから外側にずれ、光軸Ｌ1と光軸Ｌ2との間が離れてしまい、その結果、共通光学系のレンズシフト量が素子間の距離Ｓよりも大きくなるという問題があった。」
　
イ「【００３０】
　本発明者らは、ＤＶＤからＣＤ、あるいはＣＤからＤＶＤに切り換える際のレンズシフト量を小さくする研究の過程で、従来のモノシリック２波長半導体レーザでは、第８図にも示したように、ＡｌＧａＩｎＰ系レーザ素子１２の光軸Ｌ1がレーザ光の主出射方向に向かって、ＡｌＧａＡｓ系レーザ素子１３の光軸Ｌ2から離間するように、つまり離れ目になっているために、レンズ移動量が大きくなっていることを見いだした。そして、広がりの角度θが大きい場合には、レンズシフト量による調整範囲を超えるために、光ピックアップの性能不良を生ずることもあることが判明した。」
　
ウ「【００３１】
　ＡｌＧａＩｎＰ系レーザ素子１２の光軸Ｌ１が離れ目になる理由は以下のように考えられる。すなわち、
前述のように発振波長の短波長化を図るためにオフ基板を使用したとき、ウェットエッチングによりリッジ部を形成すると、リッジ部が非対称になる。これはエッチングを、結晶方位に依存してエッチングレートに選択性のあるエッチャントを用いるためである。このようにリッジ部の側壁の傾斜角度が非対称になることによって、傾斜のなだらかな方（第７Ｂ図では右側）で光の閉じ込め効果が弱くなり光分布が非対称になる結果、２つのレーザの光軸が離れ目になる
　
（４）上記（１）ないし（３）を踏まえて、本願発明の「主出射面側から見て、対向する２つの側面のうち左側が右側よりもなだらかな台形状の断面を有する第１の発光素子」との構成と、「第２の発光素子」と、「前記第１の発光素子はその光軸が帯状形状の中心軸と一致若しくは前記第２の発光素子の光軸側に接近する」との構成との関係について検討する。
　
ア　上記（２）に照らすと、上記（３）ウの「リッジ部」とは、断面がリッジ（台形）形状であるそれぞれのレーザ素子の部分を表現するものとひとまず解される。
　
イ　そして、上記（３）ウには「ウェットエッチングによりリッジ部を形成すると、リッジ部が非対称になる」との記載があるところ、上記（１）ウないしオにおいて、「ｐ型クラッド層４３，活性層４２およびｎ型クラッド層４１」及び「ｐ型クラッド層５４，活性層５３およびｎ型クラッド層５２」がウェットエッチングされることが記載されており、いずれのエッチングも半導体レーザ素子の側面を形成するものである。
　
ウ　さらに、上記（１）エは、レーザ素子の形状を説明する記載であるところ、「断面が台形状（審判注、すなわちリッジ形状。）で、かつ紙面に向かって左側の側面が右側の側面よりもなだらか」となる「前述の理由」とは上記（３）ウに記載の「発振波長の短波長化を図るためにオフ基板を使用したとき、ウェットエッチングによりリッジ部を形成すると、リッジ部が非対称になる。これはエッチングを、結晶方位に依存してエッチングレートに選択性のあるエッチャントを用いる」ことによるものと解される。
　
エ　以上によれば、上記（３）ウの「リッジ部」は、断面が台形状のレーザ素子の部分を表現するものと解するのが相当である。
　
オ　したがって、上記（１）及び（３）の記載においては、半導体レーザ素子の断面が非対称のリッジ（台形）形状であることによって、傾斜のなだらかな方で光の閉じ込め効果が弱くなり光分布が非対称になる結果、２つのレーザの光軸が離れ目又は近接する旨の説明がなされていると認められる。
　
（５）上記を踏まえて、更に検討する。
　
ア　上記（１）アの「ＡｌＧａＡｓ系レーザ素子２６も同様に、主出射面側から見て、対向する２つの側面のうち左側の面２６ａが右側の面２６ｂよりもなだらかになる。」との記載のとおり、ＡｌＧａＩｎＰ系レーザ素子２４と同様の説明がなされているから、ＡｌＧａＡｓ系レーザ素子２６においても、断面が非対称のリッジ（台形）形状となることが理解される。そして、００２４段、第１Ｂ図から、ＡｌＧａＩｎＰ系レーザ素子とＡｌＧａＡｓ系レーザ素子とは、同じ側の面が他方の面よりもなだらかになることが読み取れる。
　
イ　すなわち、ＡｌＧａＩｎＰ系レーザ素子２４とＡｌＧａＡｓ系レーザ素子２６とは、側壁の傾斜角度が非対称である点において差異はないものである。しかるに、なぜＡｌＧａＩｎＰ系レーザ素子の光軸は離れ目又は近接することになり、ＡｌＧａＡｓ系レーザ素子の光軸は同様の特性を示さないのかが、発明の詳細な説明からは理解し得ない。
　
（６）上記（５）イによれば、本願明細書の発明の詳細な説明は、本願発明が解決しようとする課題及びその解決手段について、当業者が発明の技術上の意義を理解するために必要な事項が記載されているとはいえず、本願発明の技術的意義を当業者が理解できる程度に記載したものということはできないから、特許法第３６条第４項第１号の経済産業省令で定めるところにより記載されたものであるということはできない。
　
（７）請求人は、平成２０年９月１６日に提出した意見書、審判請求の理由及び平成２２年９月２日に提出した回答書において、るる主張するが、本願明細書及び図面に基づくものではなく、採用の限りではない。
　
　
５　むすび
　以上のとおり、本願明細書の発明の詳細な説明は、特許法第３６条第４項第１号の経済産業省令で定めるところにより記載されたものであるということはできない。
　
  よって、結論のとおり審決する。