【事件の表示】
　平成　９年特許願第３５６０８６号「電子部品」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　６月２９日出願公開、特開平１１−１７１６４５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年１２月９日の出願であって、平成１９年９月２７日付けで拒絶理由が通知され、平成１９年１１月２９日付けで意見書及び明細書に係る手続補正書が提出され、平成２０年３月６日付けで拒絶査定され、平成２０年４月７日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされると共に同日付けで明細書に係る手続補正書が提出されたものであり、その後、平成２２年１１月２日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した審尋が通知され、平成２２年１２月２７日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成２０年４月７日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年４月７日付けの手続補正を却下する。
［理由］
　平成２０年４月７日付けの手続補正（以下、必要に応じて「本件補正」という。）により、明細書の特許請求の範囲は次のとおりに補正された。
「【請求項１】セラミック粉を用いて形成したグリーンシートにＡｇまたはＡｇ合金を含有する導体からなる電極パターンを形成しこれを積層したのち焼成した、セラミックと内部電極を有する電子部品において、前記セラミックと内部電極は非酸化性の雰囲気で同時焼成されてなり、前記セラミックは当該セラミックの主相を形成する主成分のほかに、粒界相を形成する副成分の構成元素としてＰｂ、Ｂｉ、Ｖから選ばれた１種または２種以上の当該元素の酸化物を含有すると共に、前記粒界相中に存在するＡｇ及び／またはＡｇ酸化物をＡｇに換算した量は、粒界相中の金属元素に対する比率が５重量％以下であり、前記内部電極周縁部からの距離が１０μｍ〜２０μｍの位置におけるＡｇ及び／またはＡｇ酸化物をＡｇに換算した量は、当該位置近傍のセラミック中に存在する金属元素の総和に対して０．５重量％以下であることを特徴とする電子部品。
【請求項２】前記焼成及び／又は熱処理は、温度が６００℃以上１１００℃以下であり、かつ少なくとも２０分以上の時間を０．０７気圧未満の酸素分圧の非酸化性雰囲気での焼成及び／又は熱処理となるようにして形成したことを特徴とする請求項１に記載の電子部品。」
　
　上記補正は、本件補正前の請求項２及び３を削除し、本件補正前の請求項４を新たな請求項２とすると共に、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定する事項である「粒界相を形成する副成分の構成元素としてＰｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｖから選ばれた１種または２種以上の当該元素の酸化物を含有する」ことを「粒界相を形成する副成分の構成元素としてＰｂ、Ｂｉ、Ｖから選ばれた１種または２種以上の当該元素の酸化物を含有する」こととに減縮するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１項及び第２号に規定する請求項の削除及び特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）について、特許出願の際独立して特許を受けることができるものか、以下に検討する。
　
（２）刊行物に記載された事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平２−１２２５１１号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。
（ア）「（１）導体により形成された内部電極が誘電体セラミック層を介して対向している積層セラミックコンデンサに於いて、誘電体セラミックと内部電極が低酸素濃度雰囲気中で焼成された事を特徴とする積層セラミックコンデンサ。」（特許請求の範囲　請求項１）
（イ）「（２）未焼成の誘電体セラミックシート上に、Ａｇ若しくはＡｇ合金を含む導電ペーストを塗布し、これらセラミックシートを積層して焼成することにより、導体により形成された内部電極が誘電体セラミックを介して対向した積層セラミックコンデンサを製造する方法に於いて、焼成雰囲気を低酸素濃度雰囲気中とする事を特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。」（特許請求の範囲　請求項２）
（ウ）「（４）前項特許請求の範囲第１項〜第３項の何れかに記載記載の低酸素濃度雰囲気が、５００００ｐｐｍ以下の酸素濃度である事を特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。」（特許請求の範囲　請求項４）
（エ）「積層コンデンサのチップを焼成する場合、内部電極を形成するための導電ペーストを、その導体材料の融点または固相線温度に近い温度で焼成すると、導体材料が誘電体セラミックの内部に拡散し、誘電体セラミックの絶縁性の低下をもたらし、コンデンサの信頼性が低下する。そこでこの問題を解消するため、従来では上記導体材料の融点または固相線温度より１００℃程低い温度、具体的には、合金中のＡｇの比率が８０重量％のＡｇ−Ｐｄ合金ペーストを用いた場合でも、９７０℃前後の温度で積層体を焼成することが行なわれていた。
　しかし、積層体を低い温度で焼成するためには、低温焼成可能な誘電体セラミック材料を用いる必要があり、そのため、セラミック原料粉末を微粉末化したり、原料中に焼結助剤を多量に加える等の手段をとらねければならない。ところが、微粉末原料を用いたフェライト材料は、高価であり、積層コンデンサのコストを上昇させる欠点があり、また焼結助剤を多く加えると、誘電体セラミックの比誘電率やコンデンサの品質係数（Ｑ）の低下を招くという欠点がある。
　さらに、上記のような９７０℃前後という、低い温度で積層体を焼成しても、なお完全に誘電体セラミック中への導体の拡散を防止することができず、コンデンサの特性の悪化を防ぐことができない、という課題があった。
　そこで、本発明の目的は、上記課題を解消する事ができる積層セラミックコンデンサとその製造方法を提供する事にある。」（第２頁右下欄３行〜第３頁左上欄１２行）
（オ）「Ａｇ若しくはＡｇを含む導電ペーストを、大気中より十分酸素の濃度が低い雰囲気、より具体的には酸素濃度５００００ｐｐｍ以下の雰囲気中で焼成すると、Ａｇの活性が低下し、焼成時にセラミックの中へのＡｇの拡散が極度に抑えられる。このため、大気中におけるＡｇの融点若しくはＡｇ合金の固相線温度に近い温度で焼成しても、セラミック基板の中へＡｇが拡散しにくい。よって、セラミックの絶縁抵抗が低下しない。従って従来に比べてＡｇの含有率の多い導電ペーストを使用しながら、従来より高い温度で誘電体セラミックと導電ペーストとを焼成することが可能になる。」（第３頁左下欄１〜１３行）
（カ）「（実施例１）
　ＴｉＯ２が９７重量％、ＣｕＯが２重量％、ＺｒＯ２が１重量％からなるセラミック原料粉末と、トルエン、エタノールが１対ｌの混合溶媒中に、ポリビニルブチラールを溶解した有機バインダと、ジブチルフタレート（可塑剤）と、オレイン酸（分散剤）とをボールミルで混合し、セラミック原料のスラリを用意した。
　このスラリを真空脱泡機で脱泡した後、これからドクターブレード法によって、厚さ４０μｍの長尺なグリーンシートを形成した。このグリーンシートを所定の大きさ、例えば１５０ｍｍ×１２０ｍｍに切断した。グリーンシート上に、前記Ａｇ：Ｐｄが重量比が８：２の市販のＡｇ−Ｐｄペースト（固相線温度約１０７０℃）をスクリーン印刷した。このようなシートを、導電ペーストのパターンが交互にずれるように複数枚重ねて、１００℃に保温したまま、４００ｋｇ／ｃｍ２の圧力で熱圧着した。こうして作られた未焼成のセラミック基板を、前記導体ペーストにより形成された内部電極の一端が積層体の両端面に交互に露出するようチップ状に裁断した。
　これをまず大気中で、１．５℃／ｍｉｎの温度勾配で室温から５００℃まで昇温させ、続いて５００℃の温度を２時間保持し、その後−３℃／ｍｉｎの温度勾配で室温まで冷却し、脱バインタ処理を行った。
　次ぎに炉内に窒素ガスを導入し、これで炉内のガスを置換した後、５℃／ｍｉｎの温度勾配で室温から１０５０℃まで昇温させ、続いて１０５０℃の温度を１時間保持した後、−５℃／ｍｉｎの温度勾配で室温まで冷却した。この時の炉内の酸素濃度をジルコニア式酸素濃度計によって測定した結果１０ｐｐｍであった。
　焼成後の上記積層チップの端面とこれに連なる上下の面と側面の端部寄りとに、Ａｇを主成分とする導電ペーストを塗布し、これを大気中で６００℃の温度で焼き付けて、外部電極を形成した。さらに、この外部電極の上にＮｉメツキと半田メツキを施した。
　以上の方法で作られた積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗をＤＣ１００Ｖにて２０個測定した結果、その平均値は、３．５×１０１２Ω以上であった。以上の結果を下表のＥ１の欄に示した。」（第３頁左下欄１７行〜第４頁右上欄２行）
（キ）「（実施例７）
　上記実施例１に於いて、セラミック原料粉末の組成を、ＴｉＯ２が９５重量％、ＣｕＯが４重量％、ＺｒＯ２が１重量％とした事、使用した導電ペーストをＡｇペーストとした事、焼成温度を１０５０℃から９４０℃とした事以外は、同実施例１と同様の条件で積層セラミックコンデンサを各々製造した。この時の炉内の酸素濃度は、下表のＥ７の欄に示す通りであった。
　こうして製造された積層セラミックコンデンサ２０個ずつについて測定した絶縁抵抗の測定値の平均は、Ｅ７の欄に示す値であった。」（第４頁右上欄１５行〜同頁左下欄６行）
　
（３）対比、判断
　刊行物１には、記載事項（ア）に「導体により形成された内部電極が誘電体セラミック層を介して対向している積層セラミックコンデンサに於いて、誘電体セラミックと内部電極が低酸素濃度雰囲気中で焼成された・・・積層セラミックコンデンサ」が記載されており、記載事項（ウ）には、記載事項（ア）に記載された「低酸素濃度雰囲気」が「５００００ｐｐｍ以下の酸素濃度」であることが記載されている。
　また、記載事項（イ）には、「導体により形成された内部電極が誘電体セラミックを介して対向した積層セラミックコンデンサ」は、「未焼成の誘電体セラミックシート上に、Ａｇ若しくはＡｇ合金を含む導電ペーストを塗布し、これらセラミックシートを積層して焼成することにより」製造されることが記載されている。
　そして、記載事項（イ）に記載された「未焼成の誘電体セラミックシート」は「グリーンシート」と称されることが技術常識から明らかであるところ、記載事項（カ）には、「ＴｉＯ２が９７重量％、ＣｕＯが２重量％、ＺｒＯ２が１重量％からなるセラミック原料粉末」の「スラリを用意し」、「このスラリ」から「グリーンシートを形成」したことが記載され、記載事項（キ）には、「セラミック原料粉末の組成を、ＴｉＯ２が９５重量％、ＣｕＯが４重量％、ＺｒＯ２が１重量％とし」てグリーンシートを形成したことが記載されている。
　してみると、刊行物１には、
「未焼成の誘電体セラミックシート上に、Ａｇ若しくはＡｇ合金を含む導電ペーストを塗布し、これらセラミックシートを積層して焼成することにより製造された、導体により形成された内部電極が誘電体セラミック層を介して対向している積層セラミックコンデンサに於いて、誘電体セラミックと内部電極が５００００ｐｐｍ以下の酸素濃度の低酸素濃度雰囲気中で焼成され、未焼成の誘電体セラミックシートが、ＴｉＯ２が９７重量％、ＣｕＯが２重量％、ＺｒＯ２が１重量％からなるセラミック原料粉末、又は、ＴｉＯ２が９５重量％、ＣｕＯが４重量％、ＺｒＯ２が１重量％からなるセラミック原料粉末を用いて形成された積層セラミックコンデンサ。」
の発明（以下、「刊行１発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　本願補正発明と刊行１発明とを対比すると、刊行１発明の「セラミック原料粉末」、「未焼成の誘電体セラミックシート」が、それぞれ、本願補正発明の「セラミック粉」、「グリーンシート」に相当することは明らかであり、刊行１発明で「Ａｇ若しくはＡｇ合金を含む導電ペーストを塗布」することにより、「ＡｇまたはＡｇ合金を含有する導体からなる電極パターン」が形成されることも明らかである。
　また、刊行１発明の「５００００ｐｐｍ以下の酸素濃度の低酸素濃度雰囲気」が、本願補正発明の「非酸化性の雰囲気」に相当することは、補正後の本願明細書段落【００３２】の記載からみて明らかであり、刊行１発明においても、「これらセラミックシートを積層して焼成する」際に、「誘電体セラミック」と「内部電極」が同時焼成されていることは明らかである。
　そして、刊行１発明の「誘電体セラミック」は、本願補正発明の「セラミック」に含まれるものであることは明らかであり、また、刊行１発明の「ＣｕＯ」は焼成時に液相を生成する焼結助剤として「セラミック原料粉末」に配合されていることは技術常識からみて明らかであるから、刊行１発明の「誘電体セラミック」は、主相を形成する主成分である「ＴｉＯ２」のほかに、粒界相を形成する副成分として「ＣｕＯ」を含有するものであると認められる。
　さらに、刊行１発明の「積層セラミックコンデンサ」が「電子部品」であることは明らかである。
　
　してみると、両者は、
「セラミック粉を用いて形成したグリーンシートにＡｇまたはＡｇ合金を含有する導体からなる電極パターンを形成しこれを積層したのち焼成した、セラミックと内部電極を有する電子部品において、前記セラミックと内部電極は非酸化性の雰囲気で同時焼成されてなり、前記セラミックは当該セラミックの主相を形成する主成分のほかに、粒界相を形成する副成分を含有する電子部品。」
で一致し、次の点で相違する。
　
相違点ａ：本願補正発明は、セラミックが、「粒界相を形成する副成分の構成元素としてＰｂ、Ｂｉ、Ｖから選ばれた１種または２種以上の当該元素の酸化物を含有する」ものであるのに対し、刊行１発明は、「粒界相を形成する副成分」として「ＣｕＯ」を含有するものである点
相違点ｂ：本願補正発明は、「前記粒界相中に存在するＡｇ及び／またはＡｇ酸化物をＡｇに換算した量は、粒界相中の金属元素に対する比率が５重量％以下」であるのに対し、刊行１発明は、粒界相中に存在するＡｇ及び／またはＡｇ酸化物の量について特定がない点
相違点ｃ：本願補正発明は、「前記内部電極周縁部からの距離が１０μｍ〜２０μｍの位置におけるＡｇ及び／またはＡｇ酸化物をＡｇに換算した量は、当該位置近傍のセラミック中に存在する金属元素の総和に対して０．５重量％以下」であるのに対し、刊行１発明は、セラミック中に存在するＡｇ及び／またはＡｇ酸化物の量について特定がない点
　
　そこでまず、相違点ａについて検討する。
　セラミックを低温で焼成する為にセラミック原料粉末に焼結助剤として低融点酸化物を配合することは当該技術分野における常套手段であり、配合された低融点酸化物はセラミックの焼成時に液相を生成し、低温で焼成されたセラミック中で粒界相を形成することも広く知られていることである。
　そして、ＣｕＯは、かかるセラミックの焼結助剤として従来より広く用いられていたものであり、前述のとおり、刊行１発明において、ＣｕＯは、かかるセラミックの焼結助剤としてセラミック原料粉末に配合されたことにより、粒界相を形成する副成分としてセラミックに含有されている。
　一方、特開平８−１２４７８５号公報の段落【００１７】、特開平８−１５７２１６号公報の段落【０００５】、特開平２−２２９７５５号公報に記載されているように、セラミックを低温焼成する為の焼結助剤として用いられる低融点酸化物としてＰｂ、Ｂｉ、Ｖの酸化物も本願出願前周知のものである。
　してみれば、焼結助剤としてＣｕＯの代わりにＰｂ、Ｂｉ、Ｖから選ばれた１種または２種以上の酸化物を用いて、刊行１発明において、セラミックを、「粒界相を形成する副成分の構成元素としてＰｂ、Ｂｉ、Ｖから選ばれた１種または２種以上の当該元素の酸化物を含有する」ものとすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
　次に、相違点ｃについて検討する。
　刊行物１の記載事項（エ）に記載されているとおり、刊行１発明は、低温で焼成することによっても発生するセラミック中へのＡｇの拡散を防止することをその目的とするものであり、記載事項（オ）に記載されているとおり、酸素濃度５００００ｐｐｍ以下という非酸化性の雰囲気で焼成することにより、焼成時におけるセラミック中へのＡｇの拡散を極度に抑制し、セラミックの絶縁抵抗の低下を抑制するものである。
　そして、セラミック中へのＡｇの拡散は、内部電極中に存在するＡｇが内部電極の周縁部からセラミック中に拡散していく現象であるから、セラミック中のＡｇの量は内部電極の周縁部に近いほど多く、遠くなるほど少なくなるものと予測される。
　してみれば、刊行１発明において、セラミック中へのＡｇの拡散を抑制する程度を特定する為に、セラミック中のＡｇ量の観測位置を「内部電極周縁部からの距離が１０μｍ〜２０μｍの位置」とし、この位置における「Ａｇ及び／またはＡｇ酸化物をＡｇに換算した量」を、「当該位置近傍のセラミック中に存在する金属元素の総和に対して０．５重量％以下」と特定する程度のことは、当業者が通常の創作力を発揮することにより格別の困難性無く為し得たことであると認められる。
　
　次に、相違点ｂについて検討する。
　前述のとおり、刊行１発明は、焼成時におけるセラミック中へのＡｇの拡散を極度に抑制し、セラミックの絶縁抵抗の低下を抑制するものである。
　そして、低温焼成の為にセラミック原料粉に焼結助剤として低融点酸化物を配合して焼成するセラミックにおいては、焼成時にセラミック中へＡｇが拡散する際、焼成温度で液相となった低融点酸化物にＡｇが溶け込むことにより、焼成されたセラミックの低融点酸化物により形成された粒界相中にＡｇが相当量存在することが予測される。
　してみれば、刊行１発明において、セラミック中へのＡｇの拡散を抑制する程度を特定する為に、「粒界相中に存在するＡｇ及び／またはＡｇ酸化物をＡｇに換算した量」を、「粒界相中の金属元素に対する比率が５重量％以下」と特定する程度のことも、当業者が通常の創作力を発揮することにより格別の困難性無く為し得たことであると認められる。
　
　そして、本件補正後の明細書及び図面の記載を検討しても、セラミックが、「粒界相を形成する副成分の構成元素としてＰｂ、Ｂｉ、Ｖから選ばれた１種または２種以上の当該元素の酸化物を含有する」ものとしたこと、セラミック中のＡｇ量の観測位置を「内部電極周縁部からの距離が１０μｍ〜２０μｍの位置」とし、この位置における「Ａｇ及び／またはＡｇ酸化物をＡｇに換算した量」を、「当該位置近傍のセラミック中に存在する金属元素の総和に対して０．５重量％以下」と特定したこと、「粒界相中に存在するＡｇ及び／またはＡｇ酸化物をＡｇに換算した量」を、「粒界相中の金属元素に対する比率が５重量％以下」と特定したこと、さらにはこれらを組み合わせたことにより、当業者が予測し得ない格別顕著な効果が奏されたものとは認められない。
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　なお、請求人は回答書において補正案を提示し、補正の機会を求めている。
　しかし、この補正案で提示された発明は、「粒界相を形成する副成分の構成元素としてＰｂ、Ｂｉから選ばれた１種または２種の当該元素の酸化物を０．５重量％以上１２重量％以下の範囲で含有する」ものであるところ、前述のとおり、セラミックを低温で焼成する為の焼結助剤としてＰｂ、Ｂｉの酸化物は本願出願前周知のものであり、その配合量も通常の範囲である。
　そして、明細書及び図面の記載を検討しても、セラミックが、粒界相を形成する副成分の構成元素としてＰｂ、Ｂｉから選ばれた１種または２種の当該元素の酸化物を０．５重量％以上１２重量％以下の範囲で含有したことにより、当業者が予測し得ない格別顕著な効果が奏されるものとも認められない。
　よって、この補正案で提示された発明も、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、請求人の求める補正の機会は与えない。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明 
　平成２０年４月７日付けの手続補正は前記２．のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、平成１９年１１月２９日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
【請求項１】セラミック粉を用いて形成したグリーンシートにＡｇまたはＡｇ合金を含有する導体からなる電極パターンを形成しこれを積層したのち焼成した、セラミックと内部電極を有する電子部品において、前記セラミックと内部電極は非酸化性の雰囲気で同時焼成されてなり、前記セラミックは当該セラミックの主相を形成する主成分のほかに、粒界相を形成する副成分の構成元素としてＰｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｖから選ばれた１種または２種以上の当該元素の酸化物を含有すると共に、前記粒界相中に存在するＡｇ及び／またはＡｇ酸化物をＡｇに換算した量は、粒界相中の金属元素に対する比率が５重量％以下であり、前記内部電極周縁部からの距離が１０μｍ〜２０μｍの位置におけるＡｇ及び／またはＡｇ酸化物をＡｇに換算した量は、当該位置近傍のセラミック中に存在する金属元素の総和に対して０．５重量％以下であることを特徴とする電子部品。
　
（２）引用刊行物 
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である刊行物１及びその記載事項は、前記２．（２）に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　本願発明１は、前記２．で検討した本願補正発明に関し、「粒界相を形成する副成分の構成元素としてＰｂ、Ｂｉ、Ｖから選ばれた１種または２種以上の当該元素の酸化物を含有する」ことを「粒界相を形成する副成分の構成元素としてＰｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｖから選ばれた１種または２種以上の当該元素の酸化物を含有する」ことに拡張したものである。
　してみると、本願発明１の発明特定事項である「粒界相を形成する副成分の構成元素としてＰｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｖから選ばれた１種または２種以上の当該元素の酸化物を含有する」ことを「粒界相を形成する副成分の構成元素としてＰｂ、Ｂｉ、Ｖから選ばれた１種または２種以上の当該元素の酸化物を含有する」ことに減縮したものに相当する本願補正発明が、前記２．（３）に記載したとおり、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願補正発明と同様の理由により、本願発明２も、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび 
　以上のとおり、本願発明１は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。