【事件の表示】
　特許第６１８１８０６号発明「透明導電性フィルムおよびその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６１８１８０６号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第６１８１８０６号の請求項１乃至３に係る特許についての出願は、平成２３年３月８日（優先権主張　平成２２年１２月２７日）に出願された特願２０１１−５０４６９号の一部を平成２８年４月２７日に新たな特許出願としたものであって、平成２９年７月２８日にその特許権の設定登録がされ、その後、その特許について、平成３０年２月５日に特許異議申立人　岩崎勇（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがされ、当審において平成３０年４月２４日付けで取消理由を通知し、平成３０年６月２２日付けで意見書が提出されたものである。
２．本件発明
「【請求項１】
　可撓性透明基材、および可撓性透明基材上に形成され結晶化されたインジウム・スズ複合酸化物からなる透明導電層を備え、
　前記可撓性透明基材は、ポリエステル系樹脂からなる透明基体フィルムとアンダーコート層とを含み、
　前記アンダーコート層は、有機物、又は無機物と有機物との混合物により形成され、
　前記透明導電層は、面内の少なくとも一方向における結晶化前に対する寸法変化が、−０．３％〜−１．５％であり、
　前記透明導電層の圧縮残留応力が０．４〜２ＧＰａであり、
　前記透明導電層の膜面において、最大粒径が３００ｎｍ以下の結晶含有量が、９５面積％以上である、透明導電性フィルム。
【請求項２】
　前記透明導電層の膜面において、最大粒径が２００ｎｍ以下の結晶含有量が、５０面積％を超える、請求項１に記載の透明導電性フィルム。
【請求項３】
　前記透明導電層の膜面において、最大粒径が１００ｎｍ以下の結晶含有量が５面積％を超え、残りの結晶の最大粒径が１００ｎｍを超え２００ｎｍの分布幅に存在する、請求項１又は２に記載の透明導電性フィルム。」
　なお、請求項１乃至請求項３に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」乃至「本件発明３」という。）は、いずれも、「透明導電層の膜面において、最大粒径が３００ｎｍ以下の結晶含有量が、９５面積％以上である」との発明特定事項を有する発明であるが、該発明特定事項を有する発明は、本件特許についての出願の原出願である特願２０１１−５０４６９号の優先権の主張の基礎とされた先の出願である特願２０１０−２９０４９９号の明細書、特許請求の範囲又は図面には記載されていないから、本件発明１乃至３についての当該優先権の主張は認められない。
３．取消理由の概要
　当審において、請求項１乃至３に係る特許に対して平成３０年４月２４日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
　請求項１乃至３に係る発明における「前記透明導電層は、面内の少なくとも一方向における結晶化前に対する寸法変化が、−０．３％〜−１．５％であり」との発明特定事項は明確でないから、請求項１乃至３に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消すべきものである。
４．判断
（１）取消理由通知に記載した取消理由について
　特許法第３６条第６項第２号について 
　透明導電層が加熱により結晶化されることや該結晶化によりその寸法が変化することは周知の技術事項であるが、加熱により結晶化し寸法が変化した透明導電層を、その構造や機能によって直接特定することは困難であり、実際的ともいえないから、不可能・非実際的事情があるものと理解できる。 
　そうすると、「前記透明導電層は、面内の少なくとも一方向における結晶化前に対する寸法変化が、−０．３％〜−１．５％であり」との特定があることによって、本件発明１乃至３が不明確となっているとまではいえない。
 
（２）取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
　ア．申立人の主張
　申立人は、特許異議申立書において、請求項１乃至３に係る発明は、甲第３号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであり、請求項１乃至３に係る特許は、取り消されるべきものである旨主張している。 
　また、申立人は、特許異議申立書において、請求項１乃至３に係る発明は、甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、また、請求項１乃至３に係る発明は、甲第３号証に記載された発明及び甲第４号証〜甲第５号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、さらに、請求項１乃至３に係る発明は、甲第３号証に記載された発明及び甲第４号証〜甲第８号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、請求項１乃至３に係る特許は、取り消されるべきものである旨主張している。
イ．甲号証の記載
　本件特許についての出願の原出願の出願日である平成２３年３月８日前に頒布された刊行物である甲第３号証〜甲第８号証には、次の技術事項が記載されている。
（ア）甲第３号証（特開２０１１−２８９４５号公報）
　（あ）請求項１〜６の記載
「【請求項１】
  透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面に酸化インジウムを主成分とした透明導電膜が積層された透明導電性フィルムであって、透明導電性フィルムの少なくとも一方向の１２０℃６０分における収縮率が０．２０〜０．７０％であり、１２０℃６０分熱処理後の透明導電膜の酸化インジウムの平均結晶粒径が３０〜１０００ｎｍで、かつ、透明導電膜の結晶質部に対する非晶質部の比が０．００〜０．５０であることを特徴とする透明導電性フィルム。
　【請求項２】
  透明導電性フィルムの流れ方向の１２０℃６０分における収縮率ＨＭＤと、透明導電性フィルムの幅方向の１２０℃６０分における収縮率ＨＴＤが（１）式を満足することを特徴とする請求項１に記載の透明導電性フィルム。
      ０．００％≦｜ＨＭＤ−ＨＴＤ｜≦０．３０％      （１）
　【請求項３】
  透明導電膜が、酸化インジウムを主成分とし、酸化スズを０．５〜８質量％含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の透明導電性フィルム。
　【請求項４】
  １２０℃６０分熱処理後の透明導電膜の酸化インジウムの結晶粒径の変動係数が０．００〜０．３０であることを特徴とする請求項１〜３に記載の透明導電性フィルム。
　【請求項５】
  透明プラスチックフィルムの少なくとも一方の面に硬化型樹脂硬化層を形成した積層フィルムからなる基材上の少なくとも一方の面に酸化インジウムを主成分とした透明導電膜が積層された透明導電性フィルムであって、透明導電性フィルムの少なくとも一方向の１２０℃６０分における収縮率が０．２０〜０．７０％であり、１２０℃６０分熱処理後の透明導電膜の酸化インジウムの平均結晶粒径が３０〜１０００ｎｍで、かつ、透明導電膜の結晶質部に対する非晶質部の比が０．００〜０．５０であることを特徴とする透明導電性フィルム。
　【請求項６】
  前記硬化型樹脂が紫外線硬化型樹脂であることを特徴とする請求項５に記載の透明導電性フィルム。」
　（い）段落０００８の記載
「【０００８】 
　本発明の目的は、上記の従来の問題点に鑑み、タッチパネルに用いた際のペン摺動耐久性に優れ、特にポリアセタール製のペンを使用し、５．０Ｎの荷重で３０万回の摺動試験後でも透明導電性薄膜が破壊されない透明導電性フィルムを産業上利用できる手段で提供するとともに、適度な熱収縮率を透明導電性フィルムに持たせることによって大型のタッチパネルの上部電極として使用する際などにおいて熱処理で適度に収縮させて平面性の良好ものに仕上げることができる透明導電性フィルムを提供することにある。」 
　（う）段落００１０の記載
「【００１０】
  上記の通り、本発明によれば、透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面に透明導電膜を成膜するときに１２０℃６０分熱処理後の透明導電膜の酸化インジウムの平均結晶粒径、結晶／非晶の割合、結晶粒径の変動係数を制御することによって、非常に優れたペン摺動耐久性を持つ透明導電性フィルムを作製できるとともに、透明導電性フィルムは適度な熱収縮性も持たせられるので、得られた透明導電性フィルムと用いると、ペン摺動耐久性が優れ、かつ平面性が良好なペン入力用タッチパネルを作製することができる。」
　（え）段落００２７〜００２９の記載
「【００２７】
  以上のようにして透明導電性薄膜をプラスチックフィルム上に成膜した透明導電性フィルムは、通常の結晶化のための１５０℃程度の加熱工程を有していない。このため、透明フィルムの残留歪が緩和されることはなく、熱収縮性の透明導電性フィルムを得ることが可能となる。このため、タッチパネルの上部電極として使用する際などにおいて熱処理で適度に収縮させて平面性の良好なものに仕上げることが可能である。すなわち、透明導電性フィルムの少なくとも一方向の１２０℃６０分における収縮率が０．２０〜０．７０％であることが好ましい。収縮率は０．２５〜０．６５％の範囲であることがさらに好ましく、０．３０〜０．５０％であることが特に好ましい。
  また、透明導電性フィルムの流れ方向の１２０℃６０分における収縮率ＨＭＤと、透明導電性フィルムの幅方向の１２０℃６０分における収縮率ＨＴＤは、（１）式を満足することが好ましい。
      ０．００％≦｜ＨＭＤ−ＨＴＤ｜≦０．３０％      （１）
【００２８】
＜透明プラスチックフィルム基材＞
  本発明で用いる透明プラスチックフィルム基材とは、有機高分子をフィルム状に溶融押出し又は溶液押出しをして、必要に応じ、長手方向及び／又は幅方向に延伸、冷却、熱固定を施したフィルムであり、有機高分子としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレート、ポリプロピレンテレフタレート、ナイロン６、ナイロン４、ナイロン６６、ナイロン１２、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルファン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、ポリアリレート、セルロースプロピオネート、ポリ塩化ビニール、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンオキサイド、ポリスチレン、シンジオタクチックポリスチレン、ノルボルネン系ポリマー等が挙げられる。
【００２９】
  これらの有機高分子のなかで、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレンテレフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレート、シンジオタクチックポリスチレン、ノルボルネン系ポリマー、ポリカーボネート、ポリアリレート等が好適である。また、これら
の有機高分子は他の有機重合体の単量体を少量共重合したり、他の有機高分子をブレンドしてもよい。」
　（お）段落００５５の記載
「【００５５】 
（６）結晶粒径の変動係数 
透過型電子顕微鏡下で透明導電膜層に観察されるすべての酸化インジウムの結晶粒径を算出し、それらから平均結晶粒径、標準偏差を計算する。標準偏差を平均結晶粒径で割った値を変動係数とする。」 
　（か）段落００６０〜００７１の記載
「【００６０】 
 〔実施例１〜１３〕 
透明プラスチックフィルム基材は、両面に易接着層を有する二軸配向透明ＰＥＴフィルム（東洋紡績社製、Ａ４３４０、厚み１８８μｍ）を用いた。硬化型樹脂硬化層として、光重合開始剤含有アクリル系樹脂（大日精化工業社製、セイカビームＥＸＦ−０１Ｊ）１００質量部に、共重合ポリエステル樹脂（東洋紡績社製、バイロン２００、重量平均分子量１８，０００）を３質量部配合し、溶剤としてトルエン／ＭＥＫ（８／２：質量比）の混合溶媒を、固形分濃度が５０質量％になるように加え、撹拌して均一に溶解し塗布液を調製した。二軸配向透明ＰＥＴフィルムの両面に塗膜の厚みが５μｍになるように、調製した塗布液をマイヤーバーを用いて塗布した。７０℃で１分間乾燥を行った後、紫外線照射装置（アイグラフィックス社製、ＵＢ０４２−５ＡＭ−Ｗ型）を用いて紫外線を照射（光量：３００ｍＪ／ｃｍ２）し、塗膜を硬化させた。 
 【００６１】 
透明導電性フィルムを得る手法は上記の〔１〕〜〔３〕の方法を採用している。 
　これらの実施例における透明導電膜作製条件は表１に記載した。また、各実施例において共通の作製条件は以下の通り。 
　真空槽にフィルムを投入し、２．０×１０−４Ｐａまで真空引きをした。次に、酸素分圧が１．５×１０−２Ｐａになるように酸素を導入し、その後不活性ガスとしてアルゴンを導入し全圧を０．５Ｐａにした。実施例７のボンバード工程における導入ガスも、前記と同じである。 
　酸化スズを含む酸化インジウム焼結ターゲット、あるいは酸化スズを含まない酸化インジウム焼結ターゲットに１Ｗ／ｃｍ２の電力密度で電力を投入し、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、透明導電膜を成膜した。膜厚についてはフィルムがターゲット上を通過するときの速度を変えて制御した。また、スパッタリング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する質量数２８のガス分圧の比については、ガス分析装置（インフィコン社製、トランスペクターＸＰＲ３）を用いて測定した。 
 【００６２】 
　まず上記方法で作製した透明導電性フィルムの収縮率を測定した。 
　以上のようにして得られた透明導電性フィルムを一方のパネル板として用い、他方のパネル板として、ガラス基板上にプラズマＣＶＤ法で厚み２０ｎｍのインジウム−スズ複合酸化物薄膜（酸化スズ含有量：１０質量％）からなる透明導電性薄膜（日本曹達社製、Ｓ５００）を成膜した透明導電性ガラスを用いて、この２枚のパネル板（２５０ｍｍ×１９０ｍｍ）を透明導電性薄膜が対向するように、直径３０μｍのエポキシビーズを介して配置し、パネル板の４辺を両面テープ（日東電工社製：Ｎｏ．５００）を用いて貼り合せて、１２インチサイズのタッチパネルを作製した。この後、平面性を向上させるためにタッチパネルを１２０℃６０分の熱処理を行った。 
　このタッチパネルを用いてペン摺動耐久性試験およびタッチパネルの平面性を評価した。 
　さらにタッチパネルから透明導電性フィルムを切り出して、透明導電膜の酸化インジウムの平均結晶粒径、結晶質部に対する非晶質部の比、結晶粒径の変動係数、透明導電性フィルムの全光線透過率、表面抵抗値、透明導電膜の膜厚の測定を行った。
【００６３】
〔実施例１４〕
  透明プラスチックフィルム基材は、両面に易接着層を有する二軸配向透明ＰＥＴフィルム（東洋紡績社製、Ａ４３４０、厚み１８８μｍ）を用い、この一方の面にのみ実施例１と同様の硬化型樹脂硬化層を形成した。さらこの硬化型樹脂硬化層上に、実施例１と同様にして透明導電性薄膜を成膜し、透明導電性フィルムを得た。評価およびタッチパネルの作製は実施例１と同様にして行った。  
【００６４】
〔実施例１５〕
  透明プラスチックフィルム基材は、両面に易接着層を有する二軸配向透明ＰＥＴフィルム（東洋紡績社製、Ａ４３４０、厚み１８８μｍ）を用い、この一方の面にのみ実施例１と同様の硬化型樹脂硬化層を形成した。さらこの硬化型樹脂硬化層を形成していない面上に、実施例１と同様にして透明導電性薄膜を成膜し、透明導電性フィルムを得た。評価およびタッチパネルの作製は実施例１と同様にして行った。
【００６５】
〔実施例１６〕
  透明プラスチックフィルム基材は、両面に易接着層を有する二軸配向透明ＰＥＴフィルム（東洋紡績社製、Ａ４３４０、厚み１８８μｍ）を用い、硬化型樹脂硬化層を形成しなかった。さらにＰＥＴフィルムの一方の面に実施例１と同様にして透明導電性薄膜を成膜し、透明導電性フィルムを得た。評価およびタッチパネルの作製は実施例１と同様にして行った。
【００６６】
〔比較例１〜８〕
  透明プラスチックフィルム基材は、両面に易接着層を有する二軸配向透明ＰＥＴフィルム（東洋紡績社製、Ａ４３４０、厚み１８８μｍ）を用い、この両面に実施例１と同様の硬化型樹脂硬化層を形成した。これらの比較例の透明導電膜作製条件については、実施例と同じく表１に記載。また、各比較例において共通の作製条件についても実施例１〜１３と同じである。また、実施例と同様にしてタッチパネルを作製し、評価を行った。測定結果を表３に示した。
【００６７】
〔比較例９〕
  比較例８と同様にして透明導電性フィルムを作製した。この後、透明導電性フィルムの結晶化のために１８０℃２分の加熱処理を行った。この後、また、実施例と同様にしてタッチパネルを作製し、評価を行った。測定結果を表３に示した。
【００６８】
【表１】  
【００６９】
【表２】 
【００７０】
【表３】 
【００７１】
  表２、３に記載のとおり、実施例１〜１６記載の透明導電性フィルムは、ペン摺動耐久試験後も摺動部が透明で、ＯＮ抵抗も１０ｋΩ以下であり、かつ非常に優れたペン摺動耐久性が得られた。さらにタッチパネルの平面性も良好であった。比較例１、２、４、６、９はペン摺動耐久試験後に摺動部が白化し、ＯＮ抵抗も１０ｋΩ以上であり、ペン摺動耐久性が十分でなかった。比較例３、５、７、８、１０はペン摺動耐久試験は優れているが、他の特性が劣っている。比較例３は全光線透過率が実用的な水準よりも低いために使用に適さない。比較例５は表面抵抗が実用的な水準よりも高いため使用に適さない。比較例７、８、１０はタッチパネルの平面性が十分でない。」 
　以上の記載によれば、甲第３号証には、次の発明（以下、「甲３発明」という。）が記載されていると認められる。 
  
 ［甲３発明］ 
「少なくとも有機物を含む易接着コート層を有するＰＥＴフィルムを用いた透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面に、酸化スズを含む酸化インジウムの透明導電膜をＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜した透明導電性フィルムであって、
　上記ＤＣマグネトロンスパッタリング法で作製した透明導電性フィルムを一方のパネル板として用い、他方のパネル板として、ガラス基板上にプラズマＣＶＤ法で厚み２０ｎｍのインジウム−スズ複合酸化物薄膜（酸化スズ含有量：１０質量％）からなる透明導電性薄膜（日本曹達社製、Ｓ５００）を成膜した透明導電性ガラスを用いて、この２枚のパネル板（２５０ｍｍ×１９０ｍｍ）を透明導電性薄膜が対向するように、直径３０μｍのエポキシビーズを介して配置し、パネル板の４辺を両面テープ（日東電工社製：Ｎｏ．５００）を用いて貼り合せて、１２インチサイズのタッチパネルを作製し、
平面性を向上させるためにタッチパネルを１２０℃６０分の熱処理を行い、
このタッチパネルを用いてペン摺動耐久性試験、タッチパネルの平面性の評価を行い、
　さらにタッチパネルから透明導電性フィルムを切り出して、透明導電膜の酸化インジウムの平均結晶粒径、結晶質部に対する非晶質部の比、結晶粒径の変動係数、透明導電性フィルムの全光線透過率、表面抵抗値、透明導電膜の膜厚の測定を行った結果、
　製造された透明導電性フィルムは、透明導電膜の膜厚が２０ｎｍ、透明導電性フィルムの流れ方向の１２０℃６０分における収縮率ＨＭＤが０．５１％、平均結晶粒径が３５ｎｍ、結晶質部に対する非結晶質部の比が０．０２、結晶粒径の変動係数が０．１７のものである透明導電性フィルム。」
（イ）甲第４号証（特開２００６−１２７８２５号公報）
　（あ）請求項１の記載
「【請求項１】
　２００℃で１０分間熱処理した際のフィルムの長手方向の熱収縮率が０．０％以上０．５％以下であるポリエステルフィルムと、そのうえに設けられ主として酸化インジウムからなり酸化亜鉛が添加され表面抵抗４０Ω／□以下である透明導電層と、からなる色素増感型太陽電池用積層体。」
　（い）請求項５の記載
「【請求項５】
　ポリエステルフィルムを２３０℃で１０分間熱処理した際のフィルムの長手方向の熱収縮率が０．０％以上２．０％以下である、請求項１記載の色素増感型太陽電池用積層体。」
　（う）請求項６の記載
「【請求項６】
　ポリエステルフィルムと透明導電層との間に、さらに厚み１０〜２００ｎｍの易接層を有する、請求項１記載の色素増感型太陽電池用積層体。」
　（え）段落００２８の記載
「【００２８】
  酸化インジウムには、他の酸化物を添加して導電性と光線透過率を両立させることができる。しかしながら、最も一般的な、酸化スズを添加したインジウム−スズ複合酸化物（ＩＴＯ）は、低温でポリエステルフィルム上に形成し、適度の表面抵抗の膜を形成することはができるものの、その構造は非晶質或いは非晶質と結晶質が混在した状態であり、このような状態のＩＴＯ膜は素子形成過程における熱工程温度である１５０℃程度の温度において結晶質に相転移する。その結果著しい内部応力の増大がＩＴＯ膜内で起こりクラックの発生や素子の信頼性低下をもたらす。」
　（お）段落００５８の記載
「【００５８】
（７）透明導電層の耐熱性
  透明導電層を形成したポリエステルフィルムを、オーブンにて２２０℃で６０分加熱し、その後室温まで冷却する。冷却後、表面抵抗値を任意の１０点にて測定し、平均値を求めた。」
　（か）段落００６０〜００７１の記載
「【００６０】
［実施例１］
  ＜フィルム用ポリマーの作成＞
  ナフタレン−２，６−ジカルボン酸ジメチル１００部、およびエチレングリコール６０部を、エステル交換触媒として酢酸マンガン四水塩０．０３部を使用し、１５０℃から２３８℃に徐々に昇温させながら１２０分間エステル交換反応を行なった。途中反応温度が１７０℃に達した時点で三酸化アンチモン０．０２４部を添加し、エステル交換反応終了後、リン酸トリメチル（エチレングリコール中で１３５℃、５時間０．１１〜０．１６ＭＰａの加圧下で加熱処理した溶液：リン酸トリメチル換算量で０．０２３部）を添加した。その後反応生成物を重合反応器に移し、２９０℃まで昇温し、２７Ｐａ以下の高真空下にて重縮合反応を行って、固有粘度が０．６３ｄｌ／ｇの、実質的に粒子を含有しない、ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートを得た。
【００６１】
  ＜ポリエステルフィルムの作成＞
  このポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートのペレットを１７０℃で６時間乾燥後、押出機ホッパーに供給し、溶融温度３０５℃で溶融し、平均目開きが１７μｍのステンレス鋼細線フィルターで濾過し、３ｍｍのスリット状ダイを通して表面温度６０℃の回転冷却ドラム上で押出し、急冷して未延伸フィルムを得た。このようにして得られた未延伸フィルムを１２０℃にて予熱し、さらに低速、高速のロール間で１５ｍｍ上方より８５０℃のＩＲヒーターにて加熱して縦方向に３．２倍に延伸した。この縦延伸後のフィルムの片面に下記の塗剤Ａを乾燥後の塗膜厚みが０．１５μｍになるようにロールコーターで塗工し易接層を形成した。
【００６２】
  続いてテンターに供給し、１４０℃にて横方向に．３．３倍に延伸した。得られた二軸配向フィルムを２４３℃の温度で５秒間熱固定し、固有粘度が０．５９ｄｌ／ｇ、厚み１２５μｍのポリエステルフィルムを得た。続いて、このフィルムを懸垂状態で、弛緩率０．８％、温度２０５℃で熱弛緩させた。２００℃、１０分で処理した際のポリエステルフィルムの長手方向の熱収縮率は０．１５％、幅方向の熱収縮率は０．０５％であった。また、２３０℃、１０分で処理した際のポリエステルフィルムの長手方向の熱収縮率は１．７８％であった。
【００６３】
  ＜塗剤Ａ＞
  四つ口フラスコに、界面活性剤としてラウリルスルホン酸ナトリウム３部、およびイオン交換水１８１部を仕込んで窒素気流中で６０℃まで昇温させ、次いで重合開始剤として過硫酸アンモニウム０．５部、亜硝酸水素ナトリウム０．２部を添加し、さらにモノマー類である、メタクリル酸メチル３０．１部、２−イソプロペニル−２−オキサゾリン２１．９部、ポリエチレンオキシド（ｎ＝１０）メタクリル酸３９．４部、アクリルアミド８．６部の混合物を３時間にわたり、液温が６０〜７０℃になるよう調整しながら滴下した。滴下終了後も同温度範囲に２時間保持しつつ、攪拌下に反応を継続させ、次いで冷却して固形分が３５％重量のアクリルの水分散体を得た。
【００６４】
  一方で、シリカフィラー（平均粒径：１００ｎｍ）（日産化学株式会社製  商品名スノーテックスＺＬ）を０．２重量％、濡れ剤として、ポリオキシエチレン（ｎ＝７）ラウリルエーテル（三洋化成株式会社製  商品名ナロアクティーＮ−７０）の０．３重量％添加した水溶液を作成した。
  アクリルの水分散体１５重量部と水溶液８５重量部を混合して、塗剤Ａを作成した。
【００６５】
  ＜ハードコート＞
  得られたポリエステルフィルムを用い、この易接層側にＵＶ硬化性ハードコート剤（ＪＳＲ製  デソライトＲ７５０１）を厚さ約５μｍになるよう塗布し、ＵＶ硬化させてハードコート層を形成した。
【００６６】
  ＜透明導電層形成＞
  ハードコート層が形成された片面に、主として酸化インジウムからなり酸化亜鉛が７．５重量％添加されたＩＺＯターゲットを用いた直流マグネトロンスパッタリング法により、膜厚２６０ｎｍのＩＺＯからなる透明導電層を形成した。透明導電層のスパッタリング法による形成は、プラズマの放電前にチャンバー内を５×１０−４Ｐａまで排気した後、チャンバー内にアルゴンと酸素を導入して圧力を０．３Ｐａとし、ＩＺＯターゲットに２Ｗ／ｃｍ２の電力密度で電力を印加して行った。酸素分圧は３．７ｍＰａであった。透明導電層の表面抵抗値は１４Ω／□であった。
【００６７】
  次いで、常圧プラズマ表面処理装置（積水化学工業製ＡＰ−Ｔ０３−Ｌ）を用いて、窒素気流下（６０Ｌ／分）、１ｍ／分にて透明導電層表面にプラズマ処理を施した。このとき、表面抵抗値１４．５Ω／□、全光線透過率８１％、表面張力は７２．３ｍＮ／ｍであった。
  透明導電層の耐熱性を評価した結果、加熱後の表面抵抗値は１６Ω／□であり、表面抵抗値の上昇が小さいことが確認された。
【００６８】
  ＜反射防止層＞
  積層体の透明導電層を形成した面とは反対側の面に、厚さ７５ｎｍで屈折率１．８９のＹ２Ｏ３層、その上に厚さ１２０ｎｍで屈折率２．３のＴｉＯ２層、さらにその上に厚さ９０ｎｍで屈折率１．４６のＳｉＯ２を、夫々高周波スパッタリング法によって製膜し、反射防止処理層とした。各静電体薄膜を製膜するに際し、いずれも真空度は１×１０−３Ｔｏｒｒとし、ガスとしてＡｒ：５５ｓｃｃｍ、Ｏ２：５ｓｃｃｍを流した。また、基板は製膜行程中、加熱もしくは冷却をすることなく室温のままとした。
【００６９】
  ＜多孔質半導体層形成＞
  積層体の透明導電層の上に、市販されている低温形成型多孔質二酸化チタン層形成用ペースト（昭和電工製ＳＰ−２００）をバーコーターにて塗布し、大気中２００℃で６０分間の熱処理を行って厚み３μｍになるように多孔質二酸化チタン層を形成し、色素増感型太陽電池の電極を作成した。
【００７０】
  ＜色素増感型太陽電池の作成＞
  この電極をルテニウム錯体（Ｒｕ５３５ｂｉｓＴＢＡ、Ｓｏｌａｒｏｎｉｘ製）の３００μＭエタノール溶液中に２４時間浸漬し、光作用電極表面にルテニウム錯体を吸着させた。また、前記の積層体の透明導電層上にスパッタリング法によりＰｔ膜を堆積して対向電極を作成した。電極と対向電極を、熱圧着性のポリエチレンフィルム製フレーム型スペーサー（厚さ２０μｍ）を介して重ね合わせ、スペーサー部を１２０℃に加熱し、両電極を圧着する。さらに、そのエッジ部をエポキシ樹脂接着剤でシールする。電解質溶液（０．５Ｍのヨウ化リチウムと０．０５Ｍのヨウ素と０．５Ｍのｔｅｒｔ−ブチルピリジン、平均粒径２０μｍのナイロンビーズ３重量％を含む３−メトキシプロピオニトリル溶液）を注入した後、エポキシ系接着剤でシールした。
【００７１】
  完成した色素増感  型太陽電池は、温度２３℃、湿度５０％の環境下で１０００時間経過させた後にＩ−Ｖ測定（有効面積２５ｍｍ２）を行った。開放電圧、短絡電流密度、曲線因子はそれぞれ、０．７４Ｖ、７．９ｍＡ／ｃｍ２、０．６９であり、その結果、光発電効率は４．０％であった。」
　（き）段落００７２の記載
「【００７２】
    ［実施例２］
  実施例１と同様に、ハードコート層付きポリエステルフィルムを作成した。
  ハードコート層が形成された片面に、主として酸化インジウムからなり酸化亜鉛が７．５重量％添加されたＩＺＯターゲットを用いた直流マグネトロンスパッタリング法により、膜厚１３０ｎｍのＩＺＯからなる透明導電層を形成した。透明導電層のスパッタリング法による形成は、プラズマの放電前にチャンバー内を５×１０−４Ｐａまで排気した後、チャンバー内にアルゴンと酸素を導入して圧力を０．３Ｐａとし、ＩＺＯターゲットに２Ｗ／ｃｍ２の電力密度で電力を印加して行った。酸素分圧は３．７ｍＰａであった。透明導電層の表面抵抗値は２８Ω／□であった。」
　（く）段落００７６の記載
「【００７６】
【表１】
 」
　（け）段落００７７〜００７９の記載
「【００７７】
    ［実施例４］
  実施例２と同様にハードコート層付きのポリエステルフィルムを作成した。
  ハードコート層が形成された片面に、主として酸化インジウムからなり酸化錫が１０重量％添加されたＩＴＯターゲットを用いた直流マグネトロンスパッタリング法により、膜厚１７０ｎｍのＩＴＯからなる透明導電層を形成した。透明導電層のスパッタリング法による形成は、プラズマの放電前にチャンバー内を５×１０−４Ｐａまで排気した後、チャンバー内にアルゴンと酸素を導入して圧力を０．３Ｐａとし、ＩＴＯターゲットに２Ｗ／ｃｍ２の電力密度で電力を印加して行った。酸素分圧は４．２ｍＰａであった。透明導電層の表面抵抗値は３０Ω／□であった。
【００７８】
  次いで、常圧プラズマ表面処理装置（積水化学工業製ＡＰ−Ｔ０３−Ｌ）を用いて、窒素気流下（６０Ｌ／分）、１ｍ／分にて透明導電層表面にプラズマ処理を施した。このとき、表面抵抗値３１Ω／□、全光線透過率８５％、表面張力は７２．１ｍＮ／ｍであった。
【００７９】
  透明導電層の耐熱性を評価した結果、加熱後の表面抵抗値は６２Ω／□であり、表面抵抗値の上昇が大きいことが確認された。
  実施例２と同様に、電極および色素増感型太陽電池を作成し、Ｉ−Ｖ測定（有効面積２５ｍｍ２）を行った結果、開放電圧、短絡電流密度、曲線因子はそれぞれ、０．６５Ｖ、７．１ｍＡ／ｃｍ２、０．４８であり、その結果、光発電効率は２．２％であった。」
（ウ）甲第５号証（国際公開２００５−１０９４４９号公報）
　（あ）請求項１の記載
「１．ポリエチレンテレフタレートフィルムにより形成された層と、架橋性の物質が硬化成膜された硬化層とを少なくとも有する基体上に導電膜を形成してなり、前記基体の１５０℃で １時間加熱した後における長手方向（ＭＤ）及び横手方向（ＴＤ）の収縮率がいずれも０．５％以下であることを特徴とするタッチパネル用導電性フイルム。」
　（い）請求項５の記載
「５．導電膜が非晶性のＩＴＯ（インジウム錫酸化物）である請求項１から４のいずれかに記載のタッチパネル用導電性フィルム。」
　（う）第１８頁第１５行〜第２１行の記載
「ＩＴＯ層を付着した後に、ＩＴＯを結晶化するために、１５０℃近辺の温度でアニールすることはよく知られている。 この場合は、硬化層も含んだ透明導電フィルムとしては、 ＭＤ及びＴＤ方向の熱収縮率はいずれも０．５％以下とすることができるが、ＩＴＯ等の導電膜とＰＥＴフィルム等の有機物の熱特性の違いにより、このアニール処理により、ＩＴＯ層と有機物界面との間にストレスが残留し、ペン等による摺動でＩＴＯ層がはがれたり、層にクラックが入ったりすることがある。」
　（え）第１８頁最下行〜第１９頁第８行の記載
「このようにして製造されたＰＥＴフィルムの表面に、 表面の硬度アップやタッチパネルとした時のぎらつき防止や反射防止のためのコートがなされることが多いので、易接着処理が片面もしくは両面に塗布されたものを用いても良い。易接着処理としては、コロナ放電、紫外線照射、プラズマ処理、スパッタエッチング処理、プライマー処理等公知の方法が使用できる。プライマー処理における易接着層のコート剤としては、その効果を持つものであれば特に限定されるものではなく、例えばポリエステル系のポリマーやアクリル系のポリマーを塗布することが知られている。この層に滑材としてシリカ等の微粒子を含ませることも可能である。」
　（お）第１９頁第９行〜第１１行の記載
「前記二軸延伸ＰＥＴフィルムの１５０℃１時間における収縮率は、 通常ＭＤ（流れ方向）で１．０〜１．８％であり、ＴＤ（横方向）で０．１〜１．０％である。」
　（か）第２２頁第１５行〜第１９行の記載
「結晶化ＩＴＯを用いた導電性フィルムにおいて、耐摺動性が必ずしも満足されるものではなかったのは、 ＩＴＯの結晶化のための熱処理によりＩＴＯの強度や緻密さは増すものの、熱をかけることでＰＥＴフィルムが膨張収縮し、ＩＴＯとＰＥＴフィルムの膨張率と収縮率の違いにより、ＩＴＯ層に大きなストレスを残していたためと考えられる。」
（エ）甲第６号証（特開平２−１９４９４３号公報）
　（あ）請求項１〜３の記載
「１．有機高分子成型物上に主として結晶質のインジウム酸化物からなる透明導電層を形成してなる導電性積層体において、該結晶質のインジウム酸化物の結晶粒径が０．３μｍ以下であることを特徴とする透明導電性積層体。 
 ２．該透明導電層が、先ず、有機高分子成型物上に、主としてインジウム酸化物を含む波長５５０ｎｍの吸光係数が１×１０−３〜２×１０−３［Å−１］、比抵抗が２×１０−２Ωｃｍ以下の層を形成し、次いで該層を酸素雰囲気下の加熱処理により主として結晶質のインジウム酸化物からなる層に転化せしめたものであることを特徴とする請求項１記載の透明導電性積層体。 
 ３．加熱処理温度が１００〜２５０℃である請求項２記載の透明導電性積層体。」
　（い）第１頁左下欄第５行〜右下欄第６行の記載
「３．発明の詳細な説明 
 ［利用分野］ 
 　本発明は導電性積層体に関し、更に詳しくは有機高分子成型物上に主として結晶質のインジウム酸化物からなる透明導電層を形成してなる導電性積層体に関する。」 
  
　（う）第２頁左下欄第１５行−第１７行の記載
「本発明はかかる現状に鑑みなされたもので、耐久性及び信頼性に優れた導電性積層体を目的としたものである。」
　（え）第４頁左上欄第１行−第６行の記載
「本発明に用いられる主としてインジウム酸化物からなる透明導電性層の膜厚は十分な導電性を得るためには、５０Å以上であることが好ましく、１００Å以上であれば更に好ましい。また、十分に透明度の高い被膜を得るためには、５００Å以下である事が好ましく、４００Å以下がより好ましい。」
 
　（お）第５頁左下欄第２行−右下欄第１１行の記載
「［実施例１〜２及び比較例１］ 
　７５μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムの両面に、有機ケイ素化合物のブタノール、イソプロパノール混合アルコール系溶液（濃度０．６重量％）をバーコーターで塗布し、１４０℃で１分間乾燥した。乾燥後の膜厚は３００Åであった。 
　該フィルムを直流マグネトロンスパッタ装置内の基板保持台に固定し、真空度２×１０−５Ｔｏｒｒまで真空槽を排気した。その後、Ａｒ／Ｏ２混合ガス（Ｏ２２５％）を槽内に導入し、真空度を４×１０−３Ｔｏｒｒに保った後、Ｉｎ／Ｓｎ合金（Ｓｎ５重量％）よりなるターゲットを用い反応性スパッタリング法により堆積速度を変えて実施例１〜２及び比較例１のサンプルの吸光係数及び比抵抗を有するインジウム・スズ酸化物膜を形成した。これらのサンプルを１５０℃に保った熱風乾燥器により加熱処理を行なった後、透明導電層の膜構造を透過型電子顕微鏡で調べた。 
　また、加熱処理後のサンプルの５５０ｎｍにおける透過率，比抵抗，耐屈曲性および発光層と貼合わせた後の断線の程度を調べた。なお、耐屈曲性は、透明導電層が外側になる様に、直径５φの丸棒の周囲に沿って１０回繰返し変形させて元に戻した後の抵抗値Ｒと変形させる前の抵抗値Ｒ０の比Ｒ／Ｒ０と定義する。 
　結果を表１に示す。 
　本発明による実施例１，２の透明導電性積層体は耐屈曲性に優れ、発光層と貼合わせた後の断線は皆無であった。」
（オ）甲第７号証（特開平８−６４０３４号公報）
　（あ）請求項１〜３の記載
「【請求項１】 有機高分子成形物上に非晶質のインジウム−錫酸化物からなる透明導電層を形成し、しかる後に加熱による熱処理によりインジウム−錫酸化物を結晶質に転化させて形成した透明導電性積層体において、熱処理後の結晶質のインジウム−錫酸化物の結晶粒径が１５〜１００ｎｍの範囲であることを特徴とする透明導電性積層体。 
 【請求項２】 熱処理温度が、１００〜２５０℃であることを特徴とする請求項１記載の透明導電性積層体。 
 【請求項３】 結晶質のインジウム−錫酸化物層の膜厚が、１０〜５０ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載の透明導電性積層体。」 
  
　（い）段落０００６の記載
「【０００６】そこで本発明は、かかる現状に鑑みなされたもので、高分子成形物上に透明導電層を設けたペン入力時の高荷重耐久性（屈曲耐久性）、光線透過率および信頼性の優れた導電性積層体を得ることを目的とする。」 
　（う）段落００１４〜００１５の記載
「【００１４】これらのフィルムまたはシートは、透明性を損なわない程度において顔料を添加したり、また表面加工、例えばコーティングによる粗面加工を施してもよい。また、これらのフィルムまたはシートは、単独でもラミネートして用いてもよい。さらに、透明導電層との密着性などを向上させるため、透明導電層形成まえに有機高分子成形物上に中間層を形成しても良い。この中間層としては、例えば有機硅素化合物、チタンアルキルエステル、ジルコニウムアルキルエステルなどの有機金属化合物の加水分解により形成された層が好ましく用いられる。あるいはこの中間層は、多層構成としても良い。
【００１５】こうした中間層は、有機高分子成形物上に塗布後、乾燥し、加熱、イオンボンバードあるいは紫外線、β線、γ線などの放射線により硬化させる。その際中間層の塗布には、透明有機高分子成形物や塗工液の形状、性質に応じてドクターナイフ、バーコーター、グラビアロールコーター、カーテンコーター、ナイフコーターなどの公知の塗工機械を用いる塗工法、スプレー法、浸漬法などが用いられる。」
　（え）段落００２１〜００２５の記載
「【００２１】 
 【実施例１〜２、比較例】１７５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの両面に、有機硅素化合物のブタノール，イソプロパノール混合アルコール水溶液（濃度０．６重量％）をバーコーターで塗布し、１４０℃で１分間乾燥した。乾燥後の膜厚は３０ｎｍであった。このフィルムを直流方式マグネトロンスパッタ装置内の基板保持台に固定し、真空度６．７ｍPaまで真空槽を排気した。その後、Ａｒ／Ｏ２混合ガス（Ａｒ８０％）を槽内に導入し、真空度を０．２７Ｐａに保った後、Ｉｎ／Ｓｎ合金（Ｓｎ５重量％）よりなるターゲットを用い反応性スパッタリング法により堆積速度を変えて作成した後、１５０℃に保った熱風乾燥機により加熱処理を行い実施例１〜２及び比較例１の結晶粒径を有するインジウム−錫酸化物を形成した。 
 【００２２】そして得られたサンプルについて、透明導電層の膜構造を透過型電子顕微鏡で調べた。また、サンプルのシート抵抗値を２端子法により測定した。また、このシート抵抗値と膜厚との積より比抵抗を求めた。さらに、５５０ｎｍにおける光線透過率、耐屈曲耐久性、及び耐屈曲耐久性試験後のサンプルの断線の程度を調べた。なお、耐屈曲耐久性は、透明導電層が外側になる様に、φ６ｍｍの丸棒の周囲に沿って１００ｇの荷重をかけ１分間変形させて元に戻した後の抵抗値Ｒと変形させる前の抵抗値Ｒ０の比Ｒ／Ｒ０と定義する。結果を表１に示す。 
 【００２３】 
 【実施例３】１７５μｍのポリエチレンテレフタレートフイルムの片面にプライマー塗工（信越化学製 商品名「ＰＣ−７Ａ」）をメチルイソブチルケトンと酢酸ｎブチルが１：１の比で混合された溶媒で希釈した後１３５℃で４分間乾燥させた後、ハードコート材料として日本精化製の商品名「ＮＳＣ−２４５１」をイソプロパノールで希釈して塗工後、１３５℃で３分間乾燥させてハードコート層が形成されたポリエチレンテレフタレートフィルムを得た。プライマー層の膜厚は０．５μｍであり、ハードコート層の膜厚は８μｍであった。 
 【００２４】かかるポリエチレンテレフタレートフィルムのハードコートが形成されていない面に有機珪素化合物（日本曹達製 商品名「アトロンＮＳｉ」）をイソプロピルアルコールで希釈して塗工し１３０℃で３分間乾燥させて、約５０ｎｍの厚さの下塗り層を形成した。透明導電膜は、実施例１で用いたものと同じスパッタリング装置を用い、真空度６．７ｍPaまで真空槽を排気した後Ａｒ／Ｏ２の混合ガス（Ａｒ９８．５％）を導入し真空度を４．０ｍＰａに保持させた後充填度Ｉｎ２Ｏ３／ＳｎＯ２（ＳｎＯ２５mol ％）の酸化物ターゲットに、１．２Ｗ／ｃｍ2の直流電力を投入して反応性スパッタを行い、しかる後真空槽から取り出して大気中で１５０℃に保持した熱風乾燥機にて加熱処理を行い形成した。 
 【００２５】得られた透明導電フィルムの特性を実施例１と同じ評価方法にて評価を実施した。結果を表１に記す。
 【００２６】
 【表１】 
」
（カ）甲第８号証（特開２００７−２００８２３号公報）
　（あ）請求項１〜７の記載
「【請求項１】 
　酸化インジウムと酸化スズの合計に対して酸化スズを９重量％以下の割合で含有する酸化インジウム・スズを主成分としてなる結晶性透明導電性薄膜であって、 
　当該結晶性透明導電性薄膜は、窒素を０．４５原子％以下の割合で含有することを特徴とする結晶性透明導電性薄膜。 
 【請求項２】 
　請求項１記載の結晶性透明導電性薄膜が、透明フィルム基材の片面に設けられていることを特徴とする透明導電性フィルム。 
 【請求項３】 
　導電性薄膜を有する一対のパネル板を、導電性薄膜同士が対向するようにスペーサを介して対向配置してなるタッチパネルにおいて、パネル板の少なくとも一方が、請求項２記載の透明導電性フィルムからなることを特徴とするタッチパネル。 
 【請求項４】 
　請求項１記載の結晶性透明導電性薄膜の製造方法であって、 
　アルゴンガスと窒素ガスを含み、かつ、前記窒素ガスを、アルゴンガスと窒素ガスの合計に対して、３０００ｐｐｍ〜１３０００ｐｐｍの範囲で含むアルゴン雰囲気中において、酸化インジウムと酸化スズとの混合物の焼結体を透明導電性薄膜形成材料に用いて気相法により、酸化インジウムと酸化スズの合計に対して酸化スズを９重量％以下の割合で含有する酸化インジウム・スズを成膜して、透明導電性薄膜を形成する工程、 
　および、当該透明導電性薄膜を加熱処理して結晶化する工程、を有することを特徴とする結晶性透明導電性薄膜の製造方法。 
 【請求項５】 
　前記アルゴン雰囲気は、酸素ガスを含有することを特徴とする請求項４記載の結晶性透明導電性薄膜の製造方法。 
 【請求項６】 
　結晶性透明導電性薄膜を、透明フィルム基材の片面に形成することを特徴とする請求項４または５記載の結晶性透明導電性薄膜の製造方法。 
 【請求項７】 
　前記結晶化工程における加熱処理条件が、１３５〜１５５℃で、２．５時間以下であることを特徴とする請求項４〜６のいずれかに記載の結晶性透明導電性薄膜の製造方法。」 
  
　（い）段落０００５の記載
「【０００５】 
　本発明は、高抵抗値を有し、かつ高温・高湿の環境下における信頼性の良好な結晶性透明導電性薄膜を提供することを目的とする。」 
　（う）段落００２３の記載
「【００２３】 
　また結晶性透明導電性薄膜において、当該薄膜を形成する結晶の最大粒径は３５０ｎｍ以下であることが好ましい。前記最大粒径は２５０ｎｍ以下、さらには１５０ｎｍ以下であることが好ましい。結晶粒径が小さくなりすぎると、前記薄膜中に非結晶状態に類似した部分が多くなり、高温・高湿の環境下における信頼性が低下するため、結晶粒径が極端に小さくなりすぎないようにするのが望ましい。かかる観点から、結晶の最大粒径は、１０ｎｍ以上、さらには、３０ｎｍ以上であるのが好ましい。」 
　（え）段落００２５の記載
「【００２５】 
　本発明の結晶性透明導電性薄膜の膜厚は、厚さが通常１０ｎｍ以上、好適には１０〜３００ｎｍであるのがよい。前記膜厚は、さらには１５〜１００ｎｍ、さらには２０〜７０ｎｍであるのが好ましい。前記膜厚が、厚さが１０ｎｍより薄いと、表面電気抵抗が１×１０３Ω／□以下となる良好な導電性を有する連続被膜となりにくく、厚すぎると、透明性の低下などをきたしやすい。」 
　（お）段落００３３の記載
「【００３３】 
　前記フィルム基材は、その材質に特に限定はなく、適宜なものを使用することができる。具体的には、ポリエステル系樹脂、アセテート系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリフェニレンサルファイド系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、（メタ）アクリル系樹脂などが挙げられる。これらの中でも、特に好ましいものは、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂などである。」
　（か）段落００３８の記載
「【００３８】
  上記結晶性透明導電性薄膜は、アンカー層を介して、前記フィルム基材に設けられていてもよい。アンカー層は１層または２層以上設けることができ。アンカー層としては、無機物、有機物または無機物と有機物との混合物により形成する。アンカー層の形成は、フィルム基材と結晶性透明導電性薄膜との密着性を向上させるとともに、結晶性透明導電性薄膜の耐擦傷性や耐屈曲性を向上させ、タッチパネル用としての打点特性の向上に有効である。」
ウ．特許法第２９条第１項第３号、特許法第２９条第２項について
　本件発明１と甲３発明とを対比する。
　甲３発明の「透明導電性フィルム」は、「少なくとも有機物を含む易接着コート層を有するＰＥＴフィルムを用いた透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面に、酸化スズを含む酸化インジウムの透明導電膜をＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜した」ものであり、「透明プラスチックフィルム基材」は、「少なくとも有機物を含む易接着コート層を有するＰＥＴフィルム」を用いていることから、甲３発明の「ＰＥＴフィルムを用いた透明プラスチックフィルム基材」、「酸化スズを含む酸化インジウムの透明導電膜」は、それぞれ、本件発明１の「可撓性透明基材」、「結晶性のインジウム・スズ複合酸化物からなる透明導電層」に相当し、甲３発明の「ＰＥＴフィルムを用いた透明プラスチックフィルム基材」と本件発明１の「可撓性透明基材」は、「ポリエステル系樹脂からなる透明基体フィルムとアンダーコート層」を含み、「前記アンダーコート層は、有機物、又は無機物と有機物の混合物により形成され」ている点で共通していると認められる。
　そうしてみると、本件発明１と甲３発明とは、以下の点で一致する。
［一致点］
「可撓性透明基材、および可撓性透明基材上に形成され結晶化されたインジウム・スズ複合酸化物からなる透明導電層を備え、
　前記可撓性透明基材は、ポリエステル系樹脂からなる透明基体フィルムとアンダーコート層とを含み、
　前記アンダーコート層は、有機物、又は無機物と有機物との混合物により形成された、
透明導電性フィルム。」
  
　一方、甲３発明は、「上記ＤＣマグネトロンスパッタリング法で作製した透明導電性フィルムの収縮率を測定し、得られた透明導電性フィルムを一方のパネル板として用い、・・・タッチパネルを作製し、平面性を向上させるためにタッチパネルを１２０℃６０分の熱処理を行い、・・・タッチパネルから透明導電性フィルムを切り出して、透明導電膜の酸化インジウムの平均結晶粒径、結晶質部に対する非晶質部の比、結晶粒径の変動係数、・・・透明導電膜の膜厚の測定を行った結果、製造された透明導電性フィルムは、透明導電膜の膜厚が２０ｎｍ、透明導電性フィルムの流れ方向の１２０℃６０分における収縮率ＨＭＤが０．５１％、平均結晶粒径が３５ｎｍ、結晶質部に対する非結晶質部の比が０．０２、結晶粒径の変動係数が０．１７」というものである。すなわち、「１２０℃６０分の熱処理」を行うのは、「タッチパネルを作製」した後である。 
　そうしてみると、本件発明１と甲３発明とは、次の相違点を有している。
［相違点１］
　本件発明１は、「透明導電層は、面内の少なくとも一方向における結晶化前に対する寸法変化が、−０．３％〜−１．５％」であるのに対し、上記甲３発明は、透明導電層の結晶化前に対する寸法変化については特定されていない点。 
［相違点２］ 
　本件発明１は、「透明導電層の圧縮残留応力が０．４〜２ＧＰａ」である、のに対し、上記甲３発明は、透明導電層の圧縮残留応力については特定されていない点。 
［相違点３］
　本件発明１は、「透明導電層の膜面において、最大粒径が３００ｎｍ以下の結晶含有量が、９５面積％以上」である、のに対し、上記甲３発明は、透明導電層の圧縮残留応力については特定されていない点。 
　事案に鑑み、上記相違点２について先に検討する。
　この相違点２に関して、甲第３号証〜甲第８号証のいずれにも、透明導電層の圧縮残留応力について記載乃至示唆されていない。甲第３号証には、透明導電性フィルムの流れ方向の１２０℃６０分における収縮率ＨＭＤについては記載されているが、この収縮率ＨＭＤと圧縮残留応力との関係は不明であり、収縮率ＨＭＤに基づいて圧縮残留応力が０．４〜２ＧＰａという数値が直接導き出せる証拠はない。
　してみれば、甲３発明において「透明導電層の圧縮残留応力が０．４〜２ＧＰａ」とすることは、当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
　したがって、その他の相違点を検討するまでもなく、本件発明１は、甲第３号証に記載された発明であるということも、甲第３号証に記載された発明及び甲第４号証〜甲第６号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。
　また、本件発明２、３は、本件発明１の特定事項をすべて含み、さらに限定するものであるから、本件発明１と同じ理由により、甲第３号証に記載された発明であるということも、甲第３号証に記載された発明及び甲第４号証〜甲第８号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。
　したがって、申立人の上記主張には理由がない。
５．むすび
　したがって、請求項１乃至３に係る特許は、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載された特許異議申立理由によっては、取り消すことができない。
　また、他に請求項１乃至３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成３０年７月２日（２０１８．７．２）