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　特願２００４−５４８３１９「共通論理ブロックに関連付けられている物理ブロックを解決するための方法および装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　５月１３日国際公開、ＷＯ２００４／０４０４３１、平成１８年　２月　２日国内公表、特表２００６−５０４２００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、
　２００３年９月１０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００２年１０月２８日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、
　平成１７年４月２８日に特許法第１８４条の５第１項に規定される書面が提出されるとともに、国際出願日における明細書、請求の範囲及び要約の翻訳文が提出され、
　平成２１年４月１日付けで最初の拒絶理由通知（同年同月３日発送）がなされ、
　同年９月３０日付けで意見書が提出されるとともに、手続補正がなされ、
　平成２２年３月４日付けで拒絶査定（同年同月８日発送）がなされ、
　同年７月８日付けで審判請求されたものである。
　
第２．本願発明の認定
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２１年９月３０日付けの手続補正により補正された、本願の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものと認められる。
　
「複数の物理ブロックを有するＮＡＮＤフラッシュメモリアレイを含む不揮発性メモリシステムの操作方法であって、各物理ブロックが複数のページに構成された複数のメモリセルを含み、各メモリセルは１ビット以上のデータを記憶可能であり、そのため前記物理ブロック内のページの部分書き込みが許されないものにおいて、前記方法が、
　前記フラッシュメモリアレイ内の第１の物理ブロックを論理ブロックと関連付けるステップと、
　前記論理ブロックに関連付けられたデータと、第１の更新インデックス値を、前記第１の物理ブロック内の少なくとも１ページに書き込むステップと、
　次に第２の物理ブロックを前記論理ブロックと関連付けるステップと、
　前記論理ブロックに関連付けられたデータと、第２の更新インデックス値を、前記第２の物理ブロック内の少なくとも１ページに書き込むステップであって、前記第２の更新インデックス値は前記第２の物理ブロックが前記第１の物理ブロックより新しく前記論理ブロックと関連付けられたものであることを表すものであるステップと、
を含む方法。」
　
第３．引用発明の認定
３の１．引用例１に記載されている技術的事項
　原審が拒絶理由通知において引用した特開２００１−５１９１０号公報（平成１３年２月２３日出願公開。以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の技術的事項が記載されている。（なお、引用例１には丸印のなかに数字が記載されている表記がある。以下では、そのような表記については”○ｘ”（ｘは任意の整数）にて代用して表記することにする。）
　
（１の１）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は不揮発メモリ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の不揮発メモリ装置には、以下のようなタイプがあった。
”○１”電気的消去書き込みが可能で、所定のブロック（以下セクタという。詳しくはフラッシュメモリへの書き込みと消去の単位である）単位で消去を行ない、電源切断時も記憶データが消滅しない不揮発メモリと、該不揮発メモリにデータの消去、データの書き込み、データの読み出しを指示し、制御を行なう不揮発メモリ制御手段を具備している。」
　
（１の２）
「【０００７】図１７は従来技術１の動作説明図である。１はフラッシュメモリ等よりなる不揮発メモリで、該不揮発メモリはセクタ０〜セクタ３より構成されている。２は不揮発メモリ１と接続され、不揮発メモリ１にデータの消去、データの書き込み、データの読み出しを指示し制御を行なう不揮発メモリ制御手段、３はセクタデータを一時保持するセクタデータ一時保持手段であり、例えばＲＡＭで構成されている。
【０００８】ここで、セクタ１の内容の一部を書き換える場合、不揮発メモリ制御手段２がセクタ１の内容をＲＡＭ３にコピーする（”○１”）。次に、不揮発メモリ制御手段がセクタ１を消去すると共に、ＲＡＭ３中の書き換え対象データを書き換える（”○２”）。次に、不揮発メモリ制御手段２はＲＡＭ３の内容をセクタ１に書き込む（”○３”）。この方法の問題点は、”○２”と”○３”の途中で事故があると、セクタ１の内容が消失してしまうという問題がある。」
　
（１の３）
「【００１８】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術の場合、書き換え対象セクタの消去開始から更新した内容の書き込み完了までの間に、操作ミスや停電により電源が切れたり、ノイズやソフトウェアのバグ等で不揮発メモリ制御手段２が誤動作した場合、該書き換え対象セクタの内容が消失してしまい、元に戻すことができない。…（中略）…
【００１９】本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであって、書き換えの途中で事故が発生しても書き換え直前のデータを保護することができ、…（中略）…できる不揮発メモリ装置を提供することを目的としている。」
　
（１の４）
「【００２５】…（中略）…各セクタのセクタ管理部は、セクタが保持するデータの内容を示すセクタ内情報（論理セクタ番号）と、該セクタが保持するデータ（論理セクタ）を書き換えた回数を示す情報とを含む…（後略）…」
　
（１の５）
「【００３５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実施の形態例を詳細に説明する。図１は本発明によるデータの検証とセクタ管理情報の生成を示す図である。図１９と同一のものは、同一の符号を付して示す。図において、１は不揮発メモリで、物理セクタ番号と、論理セクタ番号が付されている。１ａは実データ部、１ｂはデータ検証部（チェックサム）である。１ｃは各論理セクタの書き換え回数記憶部、１ｄは論理セクタ番号記憶部で、１ｃと１ｄとでセクタ管理部を構成している。ここでは、物理セクタと論理セクタが使用されているが、物理セクタは、実際にどこにアクセスするかを区別するために用いるものであり、論理セクタは、どこにどのような情報が入っているかを区別するための管理情報として機能するものである。
【００３６】１０は物理セクタと論理セクタの対応関係を示すセクタ管理情報保持手段であり、どのセクタに有効なデータが記憶されているかを示すセクタ管理情報を記憶するものである。該セクタ管理情報保持手段１０としては、例えばＲＡＭが用いられる。２は不揮発メモリ制御手段で、例えばＣＰＵが用いられ、３はセクタデータ一時保持手段で、例えばＲＡＭが用いられる。論理セクタ番号記憶部１ｄと論理セクタ書き換え回数記憶部１ｃとでセクタ管理部を構成している。
【００３７】先ず、電源投入による立ち上げ動作について説明する。電源投入時には、不揮発メモリ制御手段２が、全てのセクタのセクタ管理部とデータ検証部を読み出し、これら情報を基にセクタ管理情報保持手段１０の内部構成を作成する。不揮発メモリ１に蓄積されているセクタ情報（セクタ管理部情報、データ検証部１ｂ）は電源断時にも記憶されている。従って、電源投入すると、その内容を読み出すことができる。」
　
（１の６）
「【００３８】この実施の形態例によれば、以後の不揮発メモリ１へのデータの書き換えを誤りなく行なうことが可能となる。図１に示すように構成されたシステムにおいて、不揮発メモリ制御手段２は、論理セクタ番号１ｄ、論理セクタ書き換え回数１ｃ、実データ部１ａのチェックサムを照合し、矛盾がなければ記憶されている論理セクタ番号を、その物理セクタの論理セクタ番号とする。但し、他の物理セクタと同じ論理セクタ番号が付いている場合には、論理セクタ書き換え回数記憶部１ｃを参照して論理セクタ書き換え回数が大きい方を有効とする。残った物理セクタ（チェックサムに矛盾があったもの、又は論理セクタ書き換え回数が小さい方）を予備セクタとする。
【００３９】図に示す場合には、物理セクタ３と４が共に同じ論理セクタ番号３を持っている。この場合には、書き換え回数が多い方（書き換え回数２０を有するセクタ）を本来のセクタとして用い、書き換え回数が小さい方（書き換え回数１９を有するセクタ）を予備セクタとする。
【００４０】この実施の形態例によれば、各セクタが保持するデータの書き換え回数を用いて、どのセクタが予備セクタであるか判別し、セクタ管理情報を生成することにより、不揮発メモリからのデータの読み出しと、データの書き込みを誤りなく行なうことが可能となる。」
　
（１の７）
「【００４１】図２〜図４は本発明によるデータの書き換えの説明図である。図１と同一のものは、同一の符号を付して示す。ここでは、論理セクタ１の内容を書き換える場合を例にとって説明する。不揮発メモリ制御手段２は、セクタ管理情報保持手段１０を参照して、（ａ）に示すように論理セクタ１を保持する物理セクタ２の全データをＲＡＭ３へコピーする（”○１”）。この時の予備セクタは、物理セクタ４である。
【００４２】次に、不揮発メモリ制御手段２は、セクタ管理情報保持手段１０を参照して、予備セクタである物理セクタ４を（ｂ）に示すように消去すると共に、ＲＡＭ３中の書き換え対象データを書き換え、論理セクタ書き換え回数を１つ加算し、チェックサムを生成する（”○２”）。この結果、ＲＡＭ３中の書き換え回数が１２から１３に変化する。
【００４３】次に、ＲＡＭ３中のデータを物理セクタ４に書き込むと共に、セクタ管理情報の論理セクタ１に対応する物理セクタ番号と予備セクタに対応する物理セクタ番号を（ｃ）に示すように入れ換える（”○３”）。この結果、論理セクタ１が予備セクタになる。この時の、予備セクタの内容は、論理セクタ１の１回前の内容となる。
【００４４】この実施の形態例によれば、”○２”〜”○３”の処理中に事故があっても、データの検証とセクタ管理情報の生成によって、書き換え直前の状態に復帰することができる。…（後略）…」
　
（１の８）
「【００７２】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明によれば以下の効果が得られる。
…（中略）…書き換えの途中で事故が発生しても書き換え直前のデータを保護することができる。…（後略）…」
　
３の２．引用発明の認定
　上記（１の５）の「図１は本発明によるデータの検証とセクタ管理情報の生成を示す図である。図１９と同一のものは、同一の符号を付して示す。図において、１は不揮発メモリで、物理セクタ番号と、論理セクタ番号が付されている。」という記載、上記（１の２）の「図１７は従来技術１の動作説明図である。１はフラッシュメモリ等よりなる不揮発メモリで、該不揮発メモリはセクタ０〜セクタ３より構成されている。」という記載、及び、引用例１の図１から明らかなように、引用例１の図１における不揮発メモリ１は複数の物理セクタを有するフラッシュメモリであると認められる。また、上記（１の１）には「不揮発メモリ装置」という用語が用いられていることもあり、引用例１はこのような不揮発メモリ１を含む装置を操作する方法に関するものであることは明らかであるから、引用例１は、複数の物理セクタを有するフラッシュメモリを含む不揮発メモリ装置の操作方法に関するものであると認められる。
　
　上記（１の４）の「各セクタのセクタ管理部は、セクタが保持するデータの内容を示すセクタ内情報（論理セクタ番号）と、該セクタが保持するデータ（論理セクタ）を書き換えた回数を示す情報とを含む」という記載、上記（１の５）の「１は不揮発メモリで、物理セクタ番号と、論理セクタ番号が付されている。１ａは実データ部、１ｂはデータ検証部（チェックサム）である。１ｃは各論理セクタの書き換え回数記憶部、１ｄは論理セクタ番号記憶部で、１ｃと１ｄとでセクタ管理部を構成している。」という記載、上記（１の７）の「図２〜図４は本発明によるデータの書き換えの説明図である。図１と同一のものは、同一の符号を付して示す。ここでは、論理セクタ１の内容を書き換える場合を例にとって説明する。不揮発メモリ制御手段２は、セクタ管理情報保持手段１０を参照して、（ａ）に示すように論理セクタ１を保持する物理セクタ２の全データをＲＡＭ３へコピーする（”○１”）。」という記載、及び、引用例１の図１乃至図４から明らかなように、論理セクタ１に関連付けられた物理セクタ２から全データを読み出すものであり、かつ、この全データには、実データ部１ａの実データと各論理セクタの書き換え回数記憶部１ｃの論理セクタ書き換え回数と論理セクタ番号記憶部１ｄの論理セクタ１を示す論理セクタ番号が含まれるものであるから、論理セクタ１に関連付けられた物理セクタ２から、実データ部１ａの実データと各論理セクタの書き換え回数記憶部１ｃの論理セクタ書き換え回数と論理セクタ番号記憶部１ｄの論理セクタ１を示す論理セクタ番号を読み出すものと認められる。
　
　上記（１の７）の「図２〜図４は本発明によるデータの書き換えの説明図である。図１と同一のものは、同一の符号を付して示す。ここでは、論理セクタ１の内容を書き換える場合を例にとって説明する。不揮発メモリ制御手段２は、セクタ管理情報保持手段１０を参照して、（ａ）に示すように論理セクタ１を保持する物理セクタ２の全データをＲＡＭ３へコピーする（”○１”）。」という記載を受けて、上記（１の７）には「次に、不揮発メモリ制御手段２は、…（中略）…ＲＡＭ３中の書き換え対象データを書き換え、論理セクタ書き換え回数を１つ加算し、…（中略）…（”○２”）。この結果、ＲＡＭ３中の書き換え回数が１２から１３に変化する。」と記載されているのであるから、読み出した論理セクタ書き換え回数を１つ加算し、読み出した実データを書き換えるものと認められる。
　
　上記（１の４）の「各セクタのセクタ管理部は、セクタが保持するデータの内容を示すセクタ内情報（論理セクタ番号）と、該セクタが保持するデータ（論理セクタ）を書き換えた回数を示す情報とを含む」という記載、上記（１の５）の「１は不揮発メモリで、物理セクタ番号と、論理セクタ番号が付されている。１ａは実データ部、１ｂはデータ検証部（チェックサム）である。１ｃは各論理セクタの書き換え回数記憶部、１ｄは論理セクタ番号記憶部で、１ｃと１ｄとでセクタ管理部を構成している。」という記載と、上記（１の７）の「上記（１の７）の「図２〜図４は本発明によるデータの書き換えの説明図である。図１と同一のものは、同一の符号を付して示す。ここでは、論理セクタ１の内容を書き換える場合を例にとって説明する。不揮発メモリ制御手段２は、セクタ管理情報保持手段１０を参照して、（ａ）に示すように論理セクタ１を保持する物理セクタ２の全データをＲＡＭ３へコピーする（”○１”）。」という記載と、上記（１の７）の「不揮発メモリ制御手段２は、…（中略）…ＲＡＭ３中の書き換え対象データを書き換え、論理セクタ書き換え回数を１つ加算し、…（中略）…（”○２”）。この結果、ＲＡＭ３中の書き換え回数が１２から１３に変化する。」という記載を受けて、上記（１の７）に「次に、ＲＡＭ３中のデータを物理セクタ４に書き込む」と記載されているのであるから、ＲＡＭ３中のデータを物理セクタ４に書き込むものであり、かつ、このＲＡＭ３中のデータには、書き換えられた書き換え対象のデータと１つ加算された論理セクタ書き換え回数と論理セクタ１を示す論理セクタ番号が含まれるものであり、かつ、書き換え対象のデータは論理セクタ１に関連付けられた物理セクタ２から読み出した実データを含むものである。つまり、論理セクタ１に関連付けられた実データと、１つ加算された論理セクタ書き換え回数と、論理セクタ１を示す論理セクタ番号を、物理セクタ４に書き込むものと認められる。
　論理セクタ書き換え回数をこのように用いることは、上記（１の６）の「他の物理セクタと同じ論理セクタ番号が付いている場合には、論理セクタ書き換え回数記憶部１ｃを参照して論理セクタ書き換え回数が大きい方を有効とする。残った物理セクタ（…（中略）…論理セクタ書き換え回数が小さい方）を予備セクタとする。」という記載や、上記（１の７）の「この実施の形態例によれば、”○２”〜”○３”の処理中に事故があっても、データの検証とセクタ管理情報の生成によって、書き換え直前の状態に復帰することができる。」という記載や、上記（１の８）の「書き換えの途中で事故が発生しても書き換え直前のデータを保護することができる。」という記載からもうかがうことができる。
　
　以上で示したように、論理セクタ１に関連付けられた物理セクタ２から、実データ部１ａの実データと各論理セクタの書き換え回数記憶部１ｃの論理セクタ書き換え回数と論理セクタ番号記憶部１ｄの論理セクタ１を示す論理セクタ番号を読み出すものであり、読み出した論理セクタ書き換え回数を１つ加算するものであり、読み出した実データを書き換えるものであり、論理セクタ１に関連付けられた実データと、前記１つ加算された論理セクタ書き換え回数と、論理セクタ１を示す論理セクタ番号を、物理セクタ４に書き込むものであるから、前記１つ加算された論理セクタ書き換え回数は物理セクタ４が物理セクタ２より新しく論理セクタ１に関連付けられたものであることを示すものであると認められる。
　
　上記引用例１の記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「複数の物理セクタを有するフラッシュメモリを含む不揮発メモリ装置の操作方法であって、
　論理セクタ１に関連付けられた物理セクタ２から、実データ部１ａの実データと各論理セクタの書き換え回数記憶部１ｃの論理セクタ書き換え回数と論理セクタ番号記憶部１ｄの論理セクタ１を示す論理セクタ番号を読み出すステップと、
　読み出した論理セクタ書き換え回数を１つ加算するステップと、
　読み出した実データを書き換えるステップと、
　論理セクタ１に関連付けられた実データと、前記１つ加算された論理セクタ書き換え回数と、論理セクタ１を示す論理セクタ番号を、物理セクタ４に書き込むステップであって、前記１つ加算された論理セクタ書き換え回数は物理セクタ４が物理セクタ２より新しく論理セクタ１に関連付けられたものであることを示すものであるステップと、
を含む方法。」
　
３の３．周知例１に記載されている技術的事項
　本願の優先日前に頒布された刊行物である、槻舘美弘，”フラッシュ・メモリの動作原理と応用”，Design Wave Magazine，CQ出版株式会社，1996年9月1日，No:5，Pages:47-50（以下、「周知例１」という。）には、図面とともに以下の技術的事項が記載されている。
　
（周知１の１）
「〔表１〕各種フラッシュ・メモリの特徴
　
テクノロジ　　　　…（中略）…　ＮＡＮＤ型　　　　　　…（以下略）…
…（中略）…
ブロック・サイズ　…（中略）…　４〜８Ｋバイト　　　　…（以下略）…
…（中略）…
書き込み単位　　　…（中略）…　５１２バイト／ページ　…（以下略）…
…（後略）…」（第４９頁上部）
　
（周知１の２）
「［消去ブロック］
フラッシュ・メモリの製品には，図６に示す消去ブロックの構成により，いくつかの種類があります．
…（中略）…　
●均等ブロック型
消去ブロックが同じ大きさで分割され，それぞれが個別に消去が可能になっているタイプです．消去ブロックの大きさは，…（中略）…ＮＡＮＤ型フラッシュＥＥＰＲＯＭは４Ｋバイト〜８Ｋバイトの容量のものがあります…（後略）…」（第４９頁左欄第２７行目〜同頁中欄第４行目）
　
３の４．フラッシュメモリにおけるブロックとページに関する技術常識の認定
　上記（周知１の１）及び（周知１の２）には、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、「消去ブロック」であるブロックのサイズである「ブロック・サイズ」を「４〜８Ｋバイト」の「同じ大きさ」とする一方で、「書き込み単位」を１つの「ページ」である「５１２バイト」とすることが示されている。このように、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、消去単位であるブロックのサイズよりも書き込み単位であるページのサイズを小さくすることは、当業者にとって技術常識である（以下、当該技術常識を「技術常識１」という。）。
　
第４．対比
　本願発明と引用発明を比較する。
　
　上記（１の１）に「所定のブロック（以下セクタという。詳しくはフラッシュメモリへの…（中略）…消去の単位である）単位で消去を行ない」と記載されていることもあり、引用発明における「物理セクタ」は本願発明における「物理ブロック」に相当する。
　
　引用発明における「フラッシュメモリを含む不揮発メモリ装置」と本願発明における「ＮＡＮＤフラッシュメモリアレイを含む不揮発性メモリシステム」は、「フラッシュメモリアレイを含む不揮発性メモリシステム」である点で一致する。
　
　引用発明における「論理セクタ１」は、本願発明における「論理ブロック」に相当する。
　引用発明における「物理セクタ２」は、本願発明における「第１の物理ブロック」に相当する。
　引用発明における「論理セクタ１に関連付けられた実データ」は、本願発明における「論理ブロックに関連付けられたデータ」に相当する。
　引用発明における「論理セクタ書き換え回数」は、本願発明における「第１の更新インデックス値」に相当する。
　引用発明における「物理セクタ４」は、本願発明における「第２の物理ブロック」に相当する。
　引用発明における「１つ加算された論理セクタ書き換え回数」は、本願発明における「第２の更新インデックス値」に相当する。
　
　引用発明においては、「論理セクタ１に関連付けられた物理セクタ２から、実データ部１ａの実データと各論理セクタの書き換え回数記憶部１ｃの論理セクタ書き換え回数と論理セクタ番号記憶部１ｄの論理セクタ１を示す論理セクタ番号を読み出すステップ」が存在するのであるから、このステップの前に、フラッシュメモリ内の物理セクタ２を論理セクタ１を関連付けるステップと、論理セクタ１に関連付けられたデータと、論理セクタ書き換え回数を、物理セクタ２に書き込むステップが存在することは自明である。
　引用発明においては、論理セクタ１と物理セクタ２が関連付けられた状況において、「論理セクタ１に関連付けられた実データと、前記１つ加算された論理セクタ書き換え回数と、論理セクタ１を示す論理セクタ番号を、物理セクタ４に書き込むステップ」が存在するのであるから、次に物理セクタ４を論理セクタ１と関連付けるステップが存在することは自明である。
　
　フラッシュメモリには複数のメモリセルが存在し、各メモリセルは１ビット以上のデータが記憶可能なことは自明であるから、引用発明において、各物理セクタが複数のメモリセルを含み、各メモリセルは１ビット以上のデータを記憶可能であることは自明である。
　
　すると、本願発明と引用発明とは、次の点で一致する。
　
＜一致点＞
　複数の物理ブロックを有するフラッシュメモリアレイを含む不揮発性メモリシステムの操作方法であって、各物理ブロックが複数のメモリセルを含み、各メモリセルは１ビット以上のデータを記憶可能であり、前記方法が、
　前記フラッシュメモリアレイ内の第１の物理ブロックを論理ブロックと関連付けるステップと、
　前記論理ブロックに関連付けられたデータと、第１の更新インデックス値を、前記第１の物理ブロックに書き込むステップと、
　次に第２の物理ブロックを前記論理ブロックと関連付けるステップと、
　前記論理ブロックに関連付けられたデータと、第２の更新インデックス値を、前記第２の物理ブロックに書き込むステップであって、前記第２の更新インデックス値は前記第２の物理ブロックが前記第１の物理ブロックより新しく前記論理ブロックと関連付けられたものであることを表すものであるステップと、
を含む方法。
　
　一方で、両者は、次の点で相違する。
　
＜相違点１＞
　フラッシュメモリアレイに関して、本願発明では「ＮＡＮＤフラッシュメモリアレイ」であるのに対し、引用発明では「フラッシュメモリ」としての種別の限定がない点。
　
＜相違点２＞
　物理ブロック内の構成に関して、本願発明では「各物理ブロックが複数のページに構成された」ものであり、「そのため前記物理ブロック内のページの部分書き込みが許されないもの」であり、そのためデータや更新インデックス値の書き込み先が「物理ブロック内の少なくとも１ページ」であるのに対し、引用発明では各物理セクタ内が複数のページに構成されていない点。
　
第５．判断
　上記相違点１及び２について検討する。
　
　フラッシュメモリの種別としてのＮＡＮＤ型は慣用されているものであり、また、「３の４．フラッシュメモリにおけるブロックとページに関する技術常識の認定」において技術常識１として示したように、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、消去単位であるブロックのサイズよりも書き込み単位であるページのサイズを小さくすることは、当業者にとって技術常識である。
　そのため、引用発明における「フラッシュメモリ」をＮＡＮＤ型とし、消去単位である「物理セクタ」のセクタのサイズよりも書き込み単位であるページのサイズを小さくすること、即ち、各「物理セクタ」を複数のページに構成されたものとし、「物理セクタ」内のページの部分書き込みが許されないものとし、「実データ」や「論理セクタ書き換え回数」の書き込み先が「物理セクタ」内の少なくとも１ページであるように設計変更することに特段の困難性はない。
　よって、上記相違点１及び相違点２は格別のものではない。
　
　また、本願発明が有する作用効果は、引用発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６．むすび
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、その優先日前に日本国内又は外国において頒布された刊行物に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、他の請求項について検討をするまでもなく、本願は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。