【事件の表示】
　特願２００６−３４１８５６「有機電界発光表示装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　５月２９日出願公開、特開２００８−１２３９８１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
特許出願　　　　：平成１８年１２月１９日
（優先日　平成１８年１１月１０日　大韓民国）
拒絶理由　　　　：平成２１年　７月　８日（起案日）
意見及び手続補正：平成２１年１１月　５日
拒絶査定　　　　：平成２１年１１月２７日（起案日）
審判請求　　　　：平成２２年　４月　１日
　
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，下記のとおりのものである。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　少なくとも一つの有機発光ダイオードが形成された画素配列を含む第１基板と，前記第１基板と合着されて形成された第２基板と，前記画素配列の周りを取り囲んで，少なくとも直線部及び角部を具備して形成された無機封止材とを含む有機電界発光表示装置の製造方法において，
　前記第２基板の前記画素配列の周りに沿って前記無機封止材を塗布する段階と，
　前記無機封止材を所定の温度で焼成する段階と，
　前記第１基板と前記第２基板とを合着する段階と，
　前記無機封止材に赤外線レーザを照射して前記第１基板と前記第２基板とを接着する段階を含み，
　前記角部には前記直線部よりも低い強さの前記赤外線レーザを照射し，
　前記直線部は複数の領域で区分して，前記角部に近い領域であるほど低い強さの前記赤外線レーザを照射することを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
　
第３　引用例
　本願の優先日よりも前に頒布された刊行物である国際公開第２００６／０４５０６７号（拒絶理由通知の引用文献１，以下「引用例」という。）には，各図とともに以下の事項が記載されている（引用例の記載箇所は，各葉上部中央の数字をページ番号，各葉左部の数字を行番号と見立てて特定する。また，引用例に対応する特表２００８−５１７４４６号公報の対応する日本語の記載を段落番号とともに括弧書きで摘記して参考訳とする。）。
　
記載事項ア　
「 
Field of the Invention
 The present invention relates to hermetically sealed glass packages that are suitable to protect thin film devices which are sensitive to the ambient environment. Some examples of such glass packages are organic emitting light diode (OLED) displays, sensors, and other optical devices. The present invention is demonstrated using an OLED display as an example.」（１ページ９ないし１６行）
（参考訳：【技術分野】【０００２】本発明は周囲環境に敏感な薄膜デバイスの保護に適する気密封止ガラスパッケージに関する。そのようなデバイスのいくつかの例は，有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイ，センサ及びその他の光デバイスである。本発明は例としてＯＬＥＤディスプレイを用いて説明される。）
記載事項イ　
「 Today one way to seal the OLED display is to form a hermetic seal by melting a low temperature frit doped with a material that is highly absorbent at a specific wavelength of light. In particular, a high power laser is used to heat up and soften the frit which forms a hermetic seal between a cover glass with the frit located thereon and a substrate glass with OLEDs located thereon. The frit is typically 〜1mm wide and 〜6-100um thick. If the absorption and thickness of the frit is uniform then sealing can be done at constant laser energy and speed so as to provide a uniform temperature rise at the frit location. However, when the frit is relatively thin then 100% of the laser energy is not absorbed by the frit and some of the laser energy can be absorbed or reflected by metal electrodes that are attached to the OLEDs on the substrate glass. Since it is desirable to use thin frits and the metal electrodes have different reflectivity and absorption properties as well as different thermal conductivities from the bare substrate glass, this situation can create an uneven temperature distribution within the frit during the sealing process which can lead to a non-hermetic connection between the cover glass and the substrate glass. This sealing problem is solved by using one or more of the sealing techniques of the present invention.」（３ページ５ないし２９行）
（参考訳：【０００４】現在，ＯＬＥＤディスプレイを封止するための一手段は，特定の波長の光を強く吸収する材料がドープされた低温フリットを溶融することで気密封止を形成することである。詳しくは，その上にフリットがおかれたカバーガラスとその上にＯＬＥＤが配置された基板ガラスの間に気密封止を形成するフリットを加熱して軟化させるために高パワーレーザが用いられる。一般にフリットの幅は約１ｍｍで，厚さは約６〜１００μｍである。フリットの吸収及び厚さが一様であれば，フリット位置において一様な温度上昇を与えるような，一定のレーザエネルギー及び移動速度で封止を行うことができる。しかし，フリットが比較的薄い場合には，１００％のレーザエネルギーがフリットで吸収されることはなく，レーザエネルギーのいくらかは基板ガラス上のＯＬＥＤに取り付けられた金属電極で吸収されるかまたは反射され得る。薄いフリットを用いることが望ましく，金属電極は裸の基板ガラスとは異なる反射率及び吸収特性を有し，裸の基板ガラスとは異なる熱伝導率も有するから，上記の状況は封止プロセス中のフリット内に非一様温度分布を生じさせることができ，これはカバーガラスと基板ガラスの間の非気密接合を生じさせ得る。この封止問題は本発明の封止技法の１つまたはそれより多くを用いることで解決される。）
　
記載事項ウ　
「 Referring to FIGURES 1A and 1B, there are respectively show a top view and a cross-sectional side view that illustrate the basic components of the hermetically sealed OLED display 100. The OLED display 100 includes a multilayer sandwich of a cover plate 102 (e.g., glass plate 102), one or more OLEDs 104/electrodes 106, a doped frit 108 and a substrate plate 110 (e.g., glass plate 110) . The OLED display 100 has a hermetic seal 112 which was formed from the frit 108 that protects the OLEDs 104 located between the cover plate 102 and the substrate plate 110. The hermetic seal 112 is typically located just inside the outer edges of the OLED display 100. And, the OLEDs 104 are located within a perimeter of the hermetic seal 112. As can be seen, the electrodes 106 which are connected the OLEDs 104 pass/extend through the hermetic seal 112 so they can connect to an external device (not shown). Again, it is the presence of the electrodes 106 which are often non-transparent metal electrodes 106 that makes it difficult to form a hermetic connection 112 between the cover plate 102 and the substrate plate 110. This is because the metal electrodes 106 have different patterns and different optical properties such that some of the laser energy from a sealing apparatus 114 (e.g., laser 114) is absorbed and/or reflected by the metal electrodes 106 which creates an uneven temperature distribution in the frit 108 during the sealing process which can lead to the formation of a non- hermetic connection between the cover plate 102 and the substrate plate 110. How this problem is solved by using one or more of the sealing techniques of the present invention so it is possible to make the OLED display 100 is described below with respect to FIGURES 2-10.
 Referring to FIGURE 2, there is a flowchart illustrating the steps of the preferred method 200 for manufacturing the hermetically sealed OLED display 100. Beginning at steps 202 and 204, the cover plate 102 and the substrate plate 110 are provided. In the preferred embodiment, the cover and substrate plates 102 and 110 are transparent glass plates like the ones manufactured and sold by Corning Incorporated under the brand names of Code 1737 glass or Eagle 2000TM glass. Alternatively, the cover and substrate plates 102 and 110 can be any transparent glass plates like for example the ones manufactured and sold by Asahi Glass Co. (e.g., OA10 glass and OA21 glass) , Nippon Electric Glass Co., NHTechno and Samsung Corning Precision Glass Co.
 At step 206, the frit 108 is deposited near the edges of the cover plate 102. For example, the frit 108 can be placed approximately 1mm away from the free edges of the cover plate 102. In the preferred embodiment, the frit 108 is a low temperature glass frit that contains one or more absorbing ions chosen from the group including iron, copper, vanadium, and neodymium (for example). The frit 108 may also be doped with a filler (e.g., inversion filler, additive filler) which lowers the coefficient of thermal expansion of the frit 108 so that it matches or substantially matches the coefficient of thermal expansions of the two glass plates 102 and 110. For a more detailed description about the compositions of some exemplary frits 108 that can be used in this application reference is made to U.S. Patent Application No. 10/823,331 entitled Glass Package that is Hermetically Sealed with a Frit and Method of Fabrication . The contents of this document are incorporated by reference herein.
 In addition, the frit 108 can be pre-sintered to the cover plate 102. To accomplish this, the frit 108 which was deposited onto the cover plate 102 is heated so that it becomes attached to the cover plate 102. A more detailed discussion about how one can pre-sinter the frit 108 to the cover plate 102 is provided below in the text just prior to the description associated with FIGURE 11.
 At step 208, the OLEDs 104 and other circuitry including the electrodes 106 are deposited onto the substrate plate 110. The typical OLED 104 includes one or more organic layers (not shown) and anode/cathode electrodes 106. However, it should be readily appreciated by those skilled in the art that any known OLED 104 or future OLED 104 can be used in the OLED display 100. In addition, it should be appreciated that another type of thin film device can be deposited in this step besides the OLEDs 104 if an OLED display 100 is not being made but instead another glass package like one used in an optical sensor is going to be made using the sealing technique(s) of the present invention.
 At step 210, the sealing apparatus 114 (e.g., laser 114) heats the frit 108 using one or more of the sealing techniques of the present invention such that a substantially constant temperature is maintained in the frit 108 along the sealing line 116 while the frit 108 melts and forms the hermetic seal 112 which connects and bonds the cover plate 102 to the substrate plate 110 (see FIGURE IB) . The hermetic seal 112 also protects the OLEDs 104 by preventing oxygen and moisture in the ambient environment from entering into the OLED display 100.」（６ページ１９行ないし９ページ１４行）
（参考訳：【０００９】図１Ａ及び１Ｂを参照すれば，気密封止ＯＬＥＤディスプレイ１００の基本コンポーネントを示す上面図及び側断面図がそれぞれ示されている。ＯＬＥＤディスプレイ１００は，カバープレート１０２（例えばガラス板１０２），１つまたはそれより多くのＯＬＥＤ１０４／電極１０６，ドープされたフリット１０８及び基板１１０（例えばガラス板１１０）からなる多層サンドイッチ構造を有する。ＯＬＥＤディスプレイ１００は，カバープレート１０２と基板１１０の間に配置されたＯＬＥＤ１０４を保護する，フリット１０８で形成された気密封止１１２を有する。気密封止１１２は一般にＯＬＥＤディスプレイ１００の外縁のすぐ内側に配置される。また，ＯＬＥＤ１０４は気密封止１１２の周内に配置される。図からわかるように，ＯＬＥＤ１０４に接続された電極１０６は気密封止１１２を通り抜けて延び，よって外部デバイス（図示せず）と接続することができる。ここでも，カバープレート１０２と基板１１０の間の気密接合１１２の形成を困難にするのは，不透明金属電極１０６であることが多い電極１０６の存在である。これは，封止装置１１４（例えばレーザ１１４）からのレーザエネルギーのいくらかが金属電極１０６で吸収及び／または反射されて，カバープレート１０２と基板１１０の間の非気密接合の形成をおこさせ得る封止プロセス中のフリット１０８の非一様温度分布を生じさせるような，異なるパターン及び異なる光学特性を金属電極１０６が有するためである。本発明の封止技法の１つまたはそれより多くを用いることによってこの問題がどのように解決され，よってＯＬＥＤディスプレイ１００を作成可能であるかが図２〜１０を参照して以下に説明される。
【００１０】図２を参照すれば，気密封止ＯＬＥＤディスプレイ１００の作成に好ましい方法２００の工程をフローチャートが示している。工程２０２及び２０４で始めれば，カバープレート１０２及び基板１１０が提供される。好ましい実施形態において，カバープレート１０２及び基板１１０は，製品コード１７３７ガラスまたはＥａｇｌｅ２０００（商標）ガラスとしてコーニング社（Corning Incorporated）が製造販売しているガラスのような，透明ガラス板である。あるいは，カバープレート１０２及び基板１１０は，例えば，旭硝子（株），日本電気硝子（株），ＮＨテクノグラス社，およびサムソン・コーニング・プレシジョン・ガラス社(Samsung Corning Precision Glass Co.)が製造販売しているガラス（例えば，旭硝子のＯＡ１０ガラス及びＯＡ２１ガラス）のような，いずれかの透明ガラス板とすることができる。
【００１１】工程２０６において，カバープレート１０２の縁近くにフリット１０８が被着される。例えば，フリット１０８はカバープレート１０２の周縁からほぼ１ｍｍ離して配置することができる。好ましい実施形態において，フリット１０８は１つまたはそれより多くの，（例えば）鉄，銅，バナジウム及びネオジムを含む群から選ばれる，吸収イオンを含有する低温ガラスフリットである。２枚のガラス板１０２及び１１０の熱膨張係数に一致または実質的に一致させるようにフリット１０８の熱膨張係数を低めるフィラー（例えば，転化フィラー，添加フィラー）をフリット１０８にドープすることもできる。本用途に用いることができるいくつかの例示的フリット１０８の組成に関するさらに詳細な説明には，名称を「フリットで気密封止されるガラスパッケージ及び作成方法（Glass Package that is Hermetically Sealed with a Frit and Method of Fabrication）」とする，米国特許出願公開第１０/８２３３３１号明細書が参照される。この明細書の内容は本明細書に参照として含まれる。
【００１２】さらに，フリット１０８はカバープレート１０２に予備焼結させることができる。これを達成するため，カバープレート１０２上に被着されたフリット１０８は，カバープレート１０２に固着するように加熱される。フリット１０８をいかにしてカバープレート１０２に予備焼結することができるかについてのさらに詳細な議論は，本文において，以下の図１１に関する説明の直前に与えられる。
【００１３】工程２０８において，ＯＬＥＤ１０４及び電極１０６を含むその他の回路が基板１１０上に搭載される。代表的なＯＬＥＤ１０４は，１つまたはそれより多くの有機層（図示せず）及び陽電極／陰電極１０６を有する。しかし，いかなる既知のＯＬＥＤ１０４または将来のＯＬＥＤ１０４もＯＬＥＤディスプレイ１０４に用い得ることが当業者には容易に認められるはずである。さらに，ＯＬＥＤディスプレイ１００が作成されておらず，代りに光センサに用いられるような別のガラスパッケージが（１つまたはそれより多くの）本発明の封止技法を用いて作成されようとしているのであれば，ＯＬＥＤ１０４ではなく，別のタイプの薄膜デバイスをこの工程で搭載できることは当然である。
【００１４】工程２１０において，フリット１０８が溶融して，カバープレート１０２を基板１１０に接合する気密封止１１２を形成する間，封止線１１６に沿ってフリット１０８に実質的に一定の温度が維持されるように，封止装置１１４（例えばレーザ１１４）が本発明の封止技法の１つまたはそれより多くを用いてフリット１０８を加熱する（図１Ｂを見よ）。気密封止１１２は周囲環境の酸素及び水分のＯＬＥＤディスプレイ１００への侵入を防止することによってＯＬＥＤ１０４の保護も行う。）
　
記載事項エ　
「 Referring to FIGURE 3, there is a cross-sectional side view of the OLED display 100 being hermetically sealed by one of the sealing techniques in accordance with the present invention. In this embodiment, the sealing technique is one where the laser 114 needs to dynamically change the power of the laser beam 108 at different points on the sealing line 116 to maintain a substantially constant temperature in the frit 108 along the sealing line 116 that has electrode occupied regions 218a and electrode free regions 218b. In particular, the laser 114 maintains a constant temperature in the frit 108 on the sealing line 116 by lowering the power of the laser beam 118 when the electrode occupied regions 218a are present on the sealing line 116 and by increasing the power of the laser beam 118 when the electrode free regions 218b are present on the sealing line 116.
 Referring to FIGURE 4A, there is a diagram which is used to help describe a second sealing technique that can be used to hermetically seal an OLED display in accordance with the present invention. In this embodiment, the sealing technique used is one where the laser 114 dynamically changes the speed(v) of the laser beam 108 to maintain a substantially constant temperature in the frit 108 along the sealing line 116 that has electrode occupied regions 218a and electrode free regions 218b. For instance, the laser 114 can maintain a constant temperature in the frit 108 on the sealing line 116 by moving the laser beam 118 faster when it is over the electrode occupied regions 218a and by moving laser beam 118 slower when it is over electrode free regions 218b. In fact, the laser 114 may move the laser beam 118 at a third intermediate speed in the areas where there are electrodes 106 in close proximity to the sealing line 116.」（１１ページ１ないし３３行）
（参考訳：【００１８】図３を参照すれば，本発明にしたがう封止技法の１つによる気密封止形成中のＯＬＥＤディスプレイ１００の側断面図がある。この実施形態において，封止技法は，電極占有領域２１８ａ及び無電極領域２１８ｂを有する封止線１１６に沿ってフリット１０８の温度を実質的に一定に維持するために，封止線１１６上の様々な点においてレーザ１１４がレーザビーム１０８のパワーを動的に変化させる必要がある技法である。詳しくは，レーザ１１４は，封止線１１６に電極占有領域２１８ａがある場合にはレーザビーム１１８のパワーを低め，封止線１１６に無電極領域２１８ｂがある場合にはレーザビーム１１８のパワーを高めることによって，封止線１１６上のフリット１０８の温度を一定に維持する。
【００１９】図４Ａを参照すれば，本発明にしたがうＯＬＥＤディスプレイを気密封止するために用いることができる第２の封止技法の説明に役立てるために用いられる概略図がある。この実施形態において，用いられる封止技法は，電極占有領域２１８ａ及び無電極領域２１８ｂを有する封止線１１６に沿ってフリット１０８の温度を実質的に一定に維持するためにレーザ１１４がレーザビーム１０８の移動速度（ｖ）を動的に変化させる技法である。例えば，レーザ１１４は，レーザビーム１１８が電極占有領域２１８ａ上にある場合はレーザビーム１１８を高速で移動させ，レーザビーム１１８が無電極領域２１８ｂ上にある場合はレーザビーム１１８を低速で移動させることによって，封止線１１６上のフリット１０８の温度を一定に維持することができる。実際には，封止線１１６に近接して電極１０６がある領域ではレーザ１４を中間の第３の速度でレーザビーム１１８を移動させることができる。）
　
記載事項オ　
「 The technique that is described next can be used to increase the sealing speed of the laser 114 which could help improve the efficiency of any of the aforementioned sealing techniques. If a round laser spot is used then the maximum sealing speed would be in the range of 〜10-11mm/s. However, if one used an elliptical or slit like shaped laser beam 118 to heat the frit 108, then this would likely result in increasing the speed one could use to seal the OLED display 100 provided that the power density of the elliptical shaped laser beam 118 is the same as the round shaped laser beam 118. In other words, the power of the laser 114 needs to be increased proportionally as the spot area of the elliptical shaped laser beam 118 increases relative to a round shaped laser beam 118. All of this would enable one to speed-up the sealing process by the ratio of the length to the width of the spot size of the elliptical shaped laser beam 118. However, special care may be needed to take care of the corners in the OLED display 100 where the speed of the elliptical shaped laser beam 118 needs to go back to a slow regime (the same as for round beam). Alternatively, one may need to rotate the elliptical shaped laser beam 118 while the laser 114 is located over th,e corners of the OLED display 100 to properly seal the OLED display 100.」（１７ページ５ないし２８行）
（参考訳：【００３０】次に説明される技法はレーザ１１４の封止速度を高めるために用いることができ，これは上述した封止技法のいずれの効率も改善するに役立ち得るであろう。円形レーザスポットが用いられる場合は，最大封止速度は１０〜１１ｍｍ/秒の範囲にあるであろう。しかし，フリット１０８の加熱に楕円形またはスリット状のビーム１１８を用いた場合，楕円形レーザビーム１１８のパワー密度が円形レーザビーム１１８と同じであるとすれば，ＯＬＥＤディスプレイ１００を封止するために用いることができる，移動速度を高める結果が得られるようである。言い換えれば，楕円形レーザビーム１１８のスポット面積が円形レーザビーム１１８に対して大きくなるに比例してレーザ１１４のパワーを高めることが必要である。この全てにより，楕円形レーザビーム１１８のスポット寸法の幅に対する長さの比だけ封止プロセスの速度を高めることが可能になるであろう。しかし，楕円形レーザビーム１１８が（円形ビームと同じ）低速過程に戻ることが必要となる，ＯＬＥＤディスプレイ１００のコーナーについて特別に注意を払う必要があり得る。あるいは，ＯＬＥＤディスプレイ１００を適切に封止するため，レーザ１１４がＯＬＥＤディスプレイ１００のコーナーにかけて配置されている間は，楕円形ビーム１１８を回転させる必要があり得る。）
　
記載事項カ　
「 Described below are some different ways one could hermetically seal a LCD-type glass (e.g. codes 1737 and Eagle2000) to an organic light emitting device (OLED) substrate using the aforementioned sealing techniques. For instance, the frit 108 can be applied to the LCD glass plate 102 by screen-printing or by a programmable auger robot which provides a well-shaped pattern. Then, the LCD glass sample 102 with the frit pattern located thereon can be placed in a furnace which fires the frit 108 at a temperature that depends on the composition of the frit 108. Again, the frit 108 can contain one or more of the transition elements (vanadium, iron, nickel, etc.) that have a substantial absorption cross-section at 810nm (for example) which matches the operating wavelength of an 810nm laser 114 (for example). During this heating, the frit 108 is pre-sintered and the organic binder mostly burns out. This step can be important because, otherwise, the organics from the frit 108 could evaporate and then precipitate inside the OLED display 100 during laser sealing.
 After the frit 108 is pre-sintered, it can be ground so that the height variation does not exceed 2-4μm with a target height of 12-15um. If the height variation is larger, the gap may not close when the frit 108 melts during laser sealing or the gap may introduce stresses which can crack the substrates 102 and 110. Frit 108 height is an important variable which allows the plates 102 and 110 to be sealed from the backside. What this means is that the laser beam 118 can first traverse the cover plate 102 that has the pre-sintered frit 108. If the frit 108 is too thin it does not leave enough material to absorb the laser irradiation resulting in failure. If the frit 108 is too thick it will be able to absorb enough energy at the first surface to melt, but will shield the necessary energy needed to melt at the secondary surface on plate 110. This usually results in poor or spotty bonding of the two glass substrates 102 and 110.
 After the pre-sintered frit 108 is ground, the cover plate 102 could go through a mild ultrasonic cleaning environment to remove any debris that has accumulated to this point. The typical solutions used here can be considerably milder than the ones used for cleaning display glass which has no additional deposition. During cleaning, the temperature can be kept lower to avoid degradation of deposited frit 108.
 After cleaning, a final processing step can be performed to remove residual moisture. The pre-sintered cover plate 102 can be placed in a vacuum oven at a temperature of 100℃ for 6 or more hours. After removal from the oven the pre-sintered cover plate 102 can be placed in a clean room box to deter dust and debris from accumulating on it before performing the sealing process.
 The sealing process includes placing the cover plate 102 with a frit 108 on top of another glass plate 110 with OLEDs/electrodes 104 and 106 located on top in such a manner that the frit 108 and OLEDs/electrodes 104 and 106 are sandwiched between the two glass plates 102 and 110. Mild pressure can be applied to the glass plates 102 and 110 to keep them in contact during the sealing process. The laser 114 focuses its beam 118 on the frit 108 through the cover plate 102. The laser beam 118 can then be defocused to approximately 3.5mm spot size to make the temperature gradient more gradual. The frit 108 needs a warm up and anneal phase before melting. I{n （当審注：「I{n」は「In」の誤記） addition the pre-sintered cover plate should be stored in an inert atmosphere to prevent re-adsorption of O2 and H2O before melting. The velocity of travel of the laser 114 to the frit pattern can range between 0.5mm/s and 15mm/s depending on the set parameters. Faster travel velocities would generally require more current to the diode laser 114. For example, one could seal at velocities in the range of 0.5 and 2mm/s with laser power in the range of 9 and 12 Watts. The power necessary varies depending on the absorption coefficient and thickness of the frit 108. The necessary power is also affected if a reflective or absorbent layer is placed underneath the substrate plate 110 such as certain lead materials 502 (e.g., see FIGURE 5) . It is also believed that a faster sealing regime can occur if power density per unit time is increased. As described above, the frit 108 can vary depending on the homogeneity of the frit along with the filler particle size. And, if the frit 108 does have filler particles that absorb the near IR wavelengths, then the frit 108 is somewhat transparent. This can adversely affect the way the frit absorbs and consequently melts to the display substrates 102 and 110.」（１７ページ２９行ないし２０ページ１６行）
（参考訳：【００３１】上述した封止技法を用いてＬＣＤタイプのガラス（例えば製品コード１７３７ガラスまたはＥａｇｌｅ２０００ガラス）を有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）基板に気密に封着できるであろう，相異なるいくつかの手段が以下に説明される。例えば，フリット１０８は，スクリーン印刷によるかまたは，形状が良く定められたパターンを与えるプログラマブルオーガーロボットによって，ＬＣＤガラスに塗布することができる。次いで，フリットパターンがその上に配置されたＬＣＤガラス試料１０２を，フリット１０８の組成に依存する温度でフリット１０８を「焼成」する炉内に置くことができる。この場合も，フリット１０８は，（例えば）８１０ｎｍレーザ１１４の動作波長と一致する（例えば）８１０ｎｍにおいてかなりの吸収断面積を有する１つまたはそれより多くの遷移金属（バナジウム，鉄，ニッケル等）を含有することができる。この加熱中に，フリット１０８は予備焼結され，有機結合剤はほとんど焼尽される。この工程は，この工程がなければレーザ封止中にフリット１０８から有機物が蒸発してＯＬＥＤディスプレイ１００の内部に析出し得るであろうから，重要であり得る。
【００３２】フリット１０８が予備焼結された後，１２〜１５μｍの目標高さを２〜４μｍ以上こえる高さ変動がないようにフリット１０８を研削することができる。高さ変動が大きければ，レーザ封止中にフリット１０８が溶融したときに空隙が閉じることができないか，あるいは基板１０２及び１１０に亀裂を発生させ得る応力を空隙が誘起させ得る。フリット１０８の高さは基板１０２及び１１０の背面からの封着を可能にする重要な変数である。これが意味することは，予備焼結されたフリット１０８を有するカバープレート１０２をレーザビーム１１８が通過できることである。フリット１０８が薄すぎれば，フリット１０８にはレーザ照射を吸収するに十分な材料が残らず，封止は失敗に終わる。フリット１０８が厚すぎれば，フリット１０８は第１の表面において溶融するに十分なエネルギーを吸収できるであろうが，基板１１０上の第２の面において溶融するに必要なエネルギーを遮蔽するであろう。これは通常，２枚のガラス基板１０２及び１１０の劣悪であるかまたは点状の接合を生じさせる。
【００３３】予備焼結されたフリット１０８の研削後，この時点までに溜まったいかなる破砕屑も除去するためにカバープレート１０２を弱めの超音波洗浄環境に通すことができよう。ここで用いられる代表的な溶液は，付加搭載物を全くもたないディスプレイガラスの洗浄に用いられる溶液よりかなり弱くすることができる。洗浄中，被着されたフリット１０８の劣化を避けるために温度を低めに保つことができる。
【００３４】洗浄後，残留水分を除去するための最終処理工程を行うことができる。予備焼結されたカバープレート１０２を温度が１００℃の真空オーブン内に６時間以上入れておくことができる。オーブンから取り出した後，封止プロセスを行う前にカバープレート１０２上に塵埃及び破砕屑が溜まることを防止するためにカバープレート１０２をクリーンルームボックスに入れておくことができる。
【００３５】封止プロセスは，フリット１０８をもつカバープレート１０２をＯＬＥＤ１０４／電極１０６が表面に配置された別のガラス板１１０の上に，フリット１０８及びＯＬＥＤ１０４／電極１０６が２枚のガラス板１０２及び１１０の間に挟み込まれるような態様で置く工程を含む。封止プロセス中にガラス板１０２及び１１０を接触させておくため，ガラス板１０２及び１１０に軽い圧力を印加することができる。レーザ１１４がカバーガラス１０２を通してフリット１０８上にレーザビーム１１８を集束させる。次いで，温度勾配をより緩やかにするために，ほぼ３.５ｍｍのスポット径になるまでレーザビーム１１８をデフォーカスすることができる。フリット１０８は，溶融前に，温められ，アニール段階を通る必要がある。さらに，予備焼結されたカバープレートは，溶融前のＯ2及びＨ2Ｏの再吸着を防止するため不活性雰囲気内に保管されるべきである。フリットパターンに対するレーザ１１４の進行速度は，設定パラメータに依存して０.５ｍｍ/秒から１５ｍｍ/秒の範囲とすることができる。進行速度を速めるほど，一般にダイオードレーザ１１４に必要な電流が多くなるであろう。例えば，９〜１２Ｗの範囲のレーザパワーを用いて０.５〜２ｍｍ/秒の範囲の速度で封止を行うことができるであろう。所要パワーはフリット１０８の吸収係数及び厚さに依存して変わる。所要パワーは，何らかのリード材料５０２のような反射層または吸収層が基板１１０の下に配置されているか否かによっても影響を受ける（例えば図５を見よ）。また，単位時間当りのパワー密度が高められれば，封止過程がより高速になり得ると考えられる。上述したように，フリット１０８はフリットの均質性にフィラー粒度とともに依存して変わり得る。また，フリット１０８が近ＩＲ波長を吸収するフィラー粒子を有していれば，フリット１０８は若干透明である。これはフリットの吸収，したがってディスプレイ基板１０２及び１１０に対する溶融の仕方に悪影響を与え得る。）
　
記載事項キ　
「 The motion of a stage 108 which holds the plates 102 and 110 can be controlled by a computer (not shown) which runs programs written to trace the frit 108 that has been dispensed onto the display glass 102. Most frit 108 patterns are rectangular in shape and have rounded corners. The radius of curvatures for the corners range between 0.5mm and 4mm and are necessary to reduce overheating in this area. Overheating can occur as the travel motion in the x direction is reduced while the y direction is increased and vice versa. If the defocus sealing beam 118 is approximately 3.5mm, then there will likely be additional heating for a completely square corner. To negate this effect of overheating, velocity, power, or radius of the laser beam 118 can be adjusted. For example, this effect can be overcome solely by keeping a radius of curvature larger than the overlap of the defocus laser beam 118. This is shown in FIGURE 12.」（２１ページ８ないし２４行）
（参考訳：【００３８】ガラス板１０２及び１１０を保持するステージ１０８の移動は，ディスプレイガラス１０２上に載せられているフリット１０８に追随するように書かれたプログラムを実行するコンピュータ（図示せず）によって制御することができる。フリット１０８のパターンのほとんどは矩形であり，丸められた角を有する。角の曲率半径は０.５ｍｍ〜４ｍｍの範囲にあり，この領域における過熱を抑制する必要がある。過熱は，ｘ方向での進行速度が下げられてｙ方向での進行方向が上げられると，またはこの逆の場合に，おこり得る。デフォーカスされた封止ビーム１１８の径がほぼ３.５ｍｍであれば，完全に直角の角では余分の加熱があり得るであろう。この過熱効果を無効にするため，レーザビーム１１８の速度，パワーまたは半径を調節することができる。例えば，曲率半径をデフォーカスされたレーザビーム１１８の重なりより大きくしておくだけでこの効果を克服することができる。これが図１２に示される。）
　
　これら記載事項及び各図を考慮して，引用例に記載された発明を分説して記載すると，下記のとおりとなる（以下，この発明を「引用発明」といい，また，分説された構成を「構成要件Ａ」などという。）。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
Ａ　ＯＬＥＤディスプレイ（１００）は，カバープレート（１０２），１つまたはそれより多くのＯＬＥＤ（１０４）／電極（１０６），ドープされたフリット（１０８）及び基板（１１０）からなる多層サンドイッチ構造を有し，
Ｂ　ＯＬＥＤディスプレイ（１００）は，カバープレート（１０２）と基板（１１０）の間に配置されたＯＬＥＤ（１０４）を保護する，フリット（１０８）で形成された気密封止（１１２）を有し，
Ｃ　ＯＬＥＤ（１０４）は気密封止（１１２）の周内に配置され，
Ｄ　フリット（１０８）は，スクリーン印刷によるかまたは，形状が良く定められたパターンを与えるプログラマブルオーガーロボットによって，カバープレート（１０２）に塗布し，
Ｅ　フリットパターンがその上に配置されたカバープレート（１０２）を，フリット（１０８）の組成に依存する温度でフリット（１０８）を焼成する炉内に置き，
Ｆ　この加熱中に，フリット（１０８）は予備焼結され，有機結合剤はほとんど焼尽され，
Ｇ　フリット（１０８）をもつカバープレート（１０２）をＯＬＥＤ（１０４）／電極（１０６）が表面に配置された基板（１１０）の上に，フリット（１０８）及びＯＬＥＤ（１０４）／電極（１０６）がカバープレート（１０２）及び基板（１１０）の間に挟み込まれるような態様で置き，
Ｈ　レーザ（１１４）がカバーガラス（１０２）を通してフリット（１０８）上にレーザビーム（１１８）を集束させ，
Ｉ　温度勾配をより緩やかにするために，ほぼ３.５ｍｍのスポット径になるまでレーザビーム（１１８）をデフォーカスし，
Ｊ　９〜１２Ｗの範囲のレーザパワーを用いて０.５〜２ｍｍ/秒の範囲の速度で封止を行い，
Ｋ　フリット（１０８）のパターンのほとんどは矩形であり，丸められた角を有し，
Ｌ　角の曲率半径は０.５ｍｍ〜４ｍｍの範囲にあり，この領域における過熱を抑制する必要があり，
Ｍ　この過熱効果を無効にするため，レーザビーム（１１８）の速度，パワーまたは半径を調節することができ，
Ｎ　フリット（１０８）が溶融して，カバープレート（１０２）を基板（１１０）に接合する気密封止（１１２）を形成する間，封止線（１１６）に沿ってフリット（１０８）に実質的に一定の温度が維持されるように，レーザ（１１４）がフリット（１０８）を加熱する，
Ｏ　気密封止ＯＬＥＤディスプレイ（１００）の作成に好ましい方法。
　
第４　対比及び判断
１　対比
　本願発明と引用発明を対比すると，以下のとおりとなる。
　
(1)　第１基板，第２基板，無機封止材，有機電界発光表示装置の製造方法
　構成要件Ａ及びＧ並びに技術常識を勘案すると，引用発明の「基板（１１０）」は本願発明の「第１基板」に相当し，「少なくとも一つの有機発光ダイオードが形成された画素配列を含む第１基板」といえる。
　また，構成要件Ａ及びＢからみて，引用発明の「カバープレート（１０２）」は本願発明の「第２基板」に相当し，「前記第１基板と合着されて形成された第２基板」といえる。
　さらにまた，構成要件ＡないしＣ及びＫからみて，引用発明の「フリット（１０８）」は本願発明の「無機封止材」に相当し，「前記画素配列の周りを取り囲んで，少なくとも直線部及び角部を具備して形成された無機封止材」といえる。
　そうしてみると，引用発明の「気密封止ＯＬＥＤディスプレイ（１００）の作成に好ましい方法」は本願発明の「有機電界発光表示装置の製造方法」に相当し，「少なくとも一つの有機発光ダイオードが形成された画素配列を含む第１基板と，前記第１基板と合着されて形成された第２基板と，前記画素配列の周りを取り囲んで，少なくとも直線部及び角部を具備して形成された無機封止材とを含む有機電界発光表示装置の製造方法」といえる。
　
(2)　塗布
　構成要件ＢないしＤからみて，引用発明の構成要件Ｄの工程は本願発明の「無機封止材を塗布する段階」に相当し，「前記第２基板の前記画素配列の周りに沿って前記無機封止材を塗布する段階」といえる。
　
(3)　焼成，合着，接着
　引用発明の構成要件Ｅ及びＦの工程は，本願発明の「前記無機封止材を所定の温度で焼成する段階」に相当する。
　また，引用発明の構成要件Ｇの工程は，本願発明の「前記第１基板と前記第２基板とを合着する段階」に相当する。
　さらにまた，引用発明の構成要件ＨないしＪの工程は，本願発明の「前記無機封止材に赤外線レーザを照射して前記第１基板と前記第２基板とを接着する段階」に相当する。
　
(4)　照射
　構成要件Ｌ及びＭ並びに技術常識を勘案すると，引用発明の「この過熱効果を無効にするため，レーザビーム（１１８）の速度，パワーまたは半径を調節する」という構成は，本願発明の「前記角部には前記直線部よりも低い強さの前記赤外線レーザを照射し」という構成に相当する。
　
(5)　一致点及び相違点
　そうしてみると，本願発明と引用発明は，
「　少なくとも一つの有機発光ダイオードが形成された画素配列を含む第１基板と，前記第１基板と合着されて形成された第２基板と，前記画素配列の周りを取り囲んで，少なくとも直線部及び角部を具備して形成された無機封止材とを含む有機電界発光表示装置の製造方法において，
　前記第２基板の前記画素配列の周りに沿って前記無機封止材を塗布する段階と，
　前記無機封止材を所定の温度で焼成する段階と，
　前記第１基板と前記第２基板とを合着する段階と，
　前記無機封止材に赤外線レーザを照射して前記第１基板と前記第２基板とを接着する段階を含み，
　前記角部には前記直線部よりも低い強さの前記赤外線レーザを照射する，
有機電界発光表示装置の製造方法。」
の点で一致し，以下の点で相違する。
　
（相違点）
　本願発明は，「前記直線部は複数の領域で区分して，前記角部に近い領域であるほど低い強さの前記赤外線レーザを照射する」のに対して，引用発明は，これが明らかではない点。
　
２　判断
　引用例には，図４Ａとともに，記載事項エの第２段落以降（Referring to FIGURE 4A...）のとおり記載されており，この記載を考慮すると，加熱を抑制するためには，加熱を抑制すべき領域の近傍においてもレーザビーム（１１８）を調節する必要があることは明らかである。したがって，引用発明において，角における加熱を抑制するための具体的な手段として相違点に係る構成を採用することは，当業者における通常の創意工夫の範囲内の事項である。
　また，本願発明の効果は，引用発明から予測できる範囲内のものである。
　
３　小括
　以上のとおり，本願発明は引用例に記載された発明に基いて当業者が容易に発明することができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第５　総括
　したがって，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。