(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一方の面の側に、光導波路と、前記光導波路を伝播する光を変調する変調器と、前記光導波路または前記変調器に接続されており光を回折し前記半導体基板の他方の面の側に進行させるグレーティングカプラが設けられている第１の基板と、
一方の面の側に、電子回路が設けられている第２の基板と、
を有し、
前記半導体基板は、前記光を透過する材料により形成されており、
前記第１の基板の一方の面と前記第２の基板の一方の面とは、対向した状態で電気的に接続されており、
前記第１の基板の一方の面の側に、光ファイバが設置されており、
前記第１の基板の一方の面の側において、前記光導波路と前記光ファイバとの間で、光が伝達されるものであることを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
前記第１の基板における前記変調器は、前記第２の基板に設けられている前記電子回路により駆動されるものであることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
【請求項３】
前記第１の基板における半導体基板の厚さは、６４μｍ以上、３７０μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の光半導体装置。
【請求項４】
前記第１の基板の一方の面と前記第２の基板の一方の面とは、前記第１の基板の一方の面と前記第２の基板の一方の面との間に設けられたバンプにより電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の光半導体装置。
【請求項５】
前記第１の基板の一方の面から他方の面において、前記半導体基板を貫通する貫通電極が設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の光半導体装置。
【請求項６】
前記貫通電極は、前記第１の基板の一方の面と前記第２の基板の一方の面との間に設けられたバンプを介し、前記第２の基板と電気的に接続されていることを特徴とする請求項５に記載の光半導体装置。
【請求項７】
前記第１の基板は、前記第１の基板における他方の面において、インターポーザを介しプリント基板と接続されており、
前記インターポーザと前記プリント基板との間には、シート状の光導波路が設けられており、
前記シート状の光導波路の端部は、斜めに切断されており、
前記グレーティングカプラと、前記シート状の光導波路の端部との間において、光信号を伝達することを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の光半導体装置。
【請求項８】
前記第１の基板には、発光素子が設置されていることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の光半導体装置。
【請求項９】
前記発光素子は、前記第２の基板における他方の面の側に設けられたヒートスプレッダと接続されていることを特徴とする請求項８に記載の光半導体装置。
【請求項１０】
半導体基板の一方の面の側に、光導波路と、前記光導波路を伝播する光を変調する変調器と、前記光導波路または前記変調器に接続されており光を回折し前記半導体基板の一方の面の側に進行させるグレーティングカプラが設けられている第１の基板と、
一方の面の側に、電子回路が設けられている第２の基板と、
を有し、
前記第１の基板の一方の面と前記第２の基板の一方の面とは、対向した状態で電気的に接続されており、
前記第１の基板の一方の面の側に、光ファイバが設置されており、
前記第１の基板の一方の面の側において、前記光導波路と前記光ファイバとの間で、光が伝達されるものであって、
前記第１の基板における他方の面には、インターポーザが接続されており、
前記第２の基板における他方の面の側には、プリント基板が設けられており、
前記インターポーザは、前記プリント基板と接続されており、
前記プリント基板と前記第２の基板との間には、シート状の光導波路が設けられており、
前記シート状の光導波路の端部は、斜めに切断されており、
前記グレーティングカプラと、前記シート状の光導波路の端部との間において、光信号を伝達することを特徴とする光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンを用いた光導波路は、光通信における波長が１．３〜１．５μｍの光に対して低損失であり、また、半導体プロセス技術を用いて作製することができるため、光通信における様々な素子に使用することが可能である。このような光導波路を用いた光半導体装置としては、例えば、図１及び図２に示すように、光導波路、変調器、光検出器、電子回路等を集積した光半導体装置がある。
【０００３】
最初に、図１に示される光半導体装置について説明する。この光半導体装置は、第１の基板９１０の一方の面と、第２の基板９３０の一方の面とを貼り合せることにより形成されている。第１の基板９１０には、光導波路９１１、光導波路を伝播する光の位相等を変調する変調器９１２、変調器９１２を駆動するドライバとなる電子回路９１３、光の検出を行なう光検出器９１４、ＴＩＡ（Transimpedance Amplifier）９１５等を有している。尚、ＴＩＡ９１５は、光検出器９１４において出力される電流を電圧に変換し増幅する機能を有するものであり、トランジスタ等の電子回路により形成されている。第１の基板９１０は、全体が酸化シリコン（ＳｉＯ２）層９１６により形成されており、光導波路９１１、変調器９１２、電子回路９１３、光検出器９１４、ＴＩＡ９１５等は、酸化シリコン層９１６の内部に形成されている。また、酸化シリコン層９１６の内部にはメタル配線９１７が形成されており、第１の基板９１０の他方の面には、メタル配線９１８が形成されている。酸化シリコン層９１６の内部に形成されたメタル配線９１７の一部と第１の基板９１０の他方の面に形成されたメタル配線９１８とは導電ビア９１９により電気的に接続されている。また、酸化シリコン層９１６の内部に形成されたメタル配線９１７と変調器９１２、電子回路９１３、光検出器９１４、ＴＩＡ９１５等とは、酸化シリコン層９１６の内部に形成されている導通ビア９２０により電気的に接続されている。
【０００４】
また、第２の基板９３０には、シリコン基板９３１の上に酸化シリコン層９３２、シリコン層９３３が形成されており、シリコン層９３３の表面にトランジスタ等の電子回路９３４が形成されている。シリコン層９３３の表面に形成された電子回路９３４の上には、酸化シリコン層９３５が形成されており、酸化シリコン層９３５の内部にはメタル配線９３６が形成されている。また、メタル配線９３６と電子回路９３４とは導通ビア９３７により電気的に接続されており、第２の基板９３０に設けられたメタル配線９３６の一部は第１の基板９１０の他方の面に設けられたメタル配線９１８と導電ビア９３８により接続されている。図１に示される半導体装置は、このように形成された第１の基板９１０の一方の面に形成された酸化シリコン層９１６と第２の基板９３０の一方の面に形成された酸化シリコン層９３５とが貼り合わされ接合されることにより形成されているものである。
【０００５】
次に、図２に示される半導体装置について説明する。この半導体装置は、図１に示される半導体装置と同様に、第１の基板９５０の一方の面と、第２の基板９７０の一方の面とを貼り合せることにより形成されている。第１の基板９５０には、酸化シリコン層９５１の上にシリコン層９５２が形成されており、シリコン層９５２の表面にトランジスタ等の電子回路９５３が形成されている。シリコン層９５２の表面に形成された電子回路９５３の上には、酸化シリコン層９５４が形成されており、酸化シリコン層９５４の内部にはメタル配線９５５が形成されている。また、メタル配線９５５と電子回路９５３とは導通ビア９５６により電気的に接続されており、メタル配線９５５の一部と第１の基板９５０の他方の面の酸化シリコン層９５１の上に形成されたメタル配線９５７とは導通ビア９５８により電気的に接続されている。
【０００６】
また、第２の基板９７０には、シリコン基板９７１の表面に酸化シリコン層９７２が形成されている。酸化シリコン層９７２の内部には、光導波路９７３、光の位相等を変調する変調器９７４、変調器９７４を駆動するドライバとなる電子回路９７５、光の検出を行なう光検出器９７６、ＴＩＡ９７７等が形成されている。尚、ＴＩＡ９７７は、光検出器９７６において出力される電流を電圧に変換し増幅する機能を有するものであり、トランジスタ等の電子回路により形成されている。また、酸化シリコン層９７２の内部には、メタル配線９７８が形成されている。このように酸化シリコン層９７２の内部に形成されたメタル配線９７８と変調器９７４、電子回路９７５、光検出器９７６、ＴＩＡ９７７等とは、酸化シリコン層９７２の内部に形成されている導通ビア９７９により電気的に接続されている。更に、第２の基板９７０の内部に設けられたメタル配線９７８の一部は第１の基板９５０の他方の面に設けられたメタル配線９５７と導電ビア９８０により接続されている。図２に示される半導体装置は、このように形成された第１の基板９５０の一方の面に形成された酸化シリコン層９５４と第２の基板９７０の一方の面に形成された酸化シリコン層９７２とが貼り合わされ接合されることにより形成されているものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００９／０２９４８１４号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００９／０２９７０９１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、図１及び図２に示される光半導体装置は、光ファイバ等と接続することにより用いられるものであるが、光ファイバを正確な位置合せがなされた状態で設置することは困難である。また、図１に示される光半導体装置では、第１の基板９１０と第２の基板９３０とを張り合わせた後、導電ビア９３８を形成する必要があるが、このような工程で、このような深い導電ビア９３８を形成することは、製造上、極めて困難である。このことは、図２に示される光半導体装置においても同様であり、第１の基板９５０と第２の基板９７０とを張り合わせた後、導電ビア９８０を形成する必要があるが、このような工程で、このような深い導電ビア９８０を形成することは製造上、極めて困難である。
【０００９】
従って、光ファイバと接続する際、正確な位置合せを容易に行なうことができ、また、製造が容易な光半導体装置が求められている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本実施の形態の一観点によれば、半導体基板の一方の面の側に、光導波路と、前記光導波路を伝播する光を変調する変調器と、前記光導波路または前記変調器に接続されており光を回折し前記半導体基板の他方の面の側に進行させるグレーティングカプラが設けられている第１の基板と、一方の面の側に、電子回路が設けられている第２の基板と、を有し、前記半導体基板は、前記光を透過する材料により形成されており、前記第１の基板の一方の面と前記第２の基板の一方の面とは、対向した状態で電気的に接続されており、前記第１の基板の一方の面の側に、光ファイバが設置されており、前記第１の基板の一方の面の側において、前記光導波路と前記光ファイバとの間で、光が伝達されるものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
開示の光半導体装置によれば、光ファイバと接続する際、正確な位置合せを容易に行なうことができ、また、容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】光半導体装置の構造図（１）
【図２】光半導体装置の構造図（２）
【図３】第１の実施の形態における光半導体装置の構造図
【図４】第１の実施の形態における光半導体装置の説明図（１）
【図５】図４の一点鎖線４Ａ−４Ｂにおける断面図
【図６】第１の実施の形態における光半導体装置と光ファイバとの接続の説明図
【図７】第１の実施の形態における光半導体装置のシリコン基板の厚さの説明図（１）
【図８】第１の実施の形態における光半導体装置のシリコン基板の厚さの説明図（２）
【図９】第１の実施の形態における光半導体装置の説明図（２）
【図１０】第２の実施の形態における光半導体装置の説明図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
発明を実施するための形態について、以下に説明する。尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００１４】
〔第１の実施の形態〕
本実施の形態における光半導体装置について図３に基づき説明する。本実施の形態における光半導体装置は、第１の基板１１０の一方の面と第２の基板１３０の一方の面とを対向させた状態で接続することにより形成されている。第１の基板１１０は、半導体基板であるシリコン基板１１１の上に、酸化シリコン層１１２が形成されており、酸化シリコン層１１２の内部には、図４等において図示する光導波路１２４及び光導波路１２４を伝播する光を変調する変調器１１３が形成されている。従って、光導波路１２４及び光導波路１２４を伝播する光を変調する変調器１１３の周囲は、クラッドとなる酸化シリコン層１１２により覆われている。光変調器１１３は酸化シリコン層１１２の内部に形成されたメタル配線１１４と電極１２７により接続されており、メタル配線１１４の一部は、第１の基板１１０の一方の面に設けられた電極１１５と導電ビア１１６により電気的に接続されている。また、メタル配線１１４の他の一部は、第１の基板１１０の他方の面の酸化シリコン層１１７の上に形成された電極１１８とシリコン基板１１１を貫通する貫通電極であるＴＳＶ（through-silicon via：シリコン貫通電極）１１９により電気的に接続されている。また、第１の基板１１０の一方の面に形成された電極１２０と他方の面に形成された電極１２１とはシリコン基板１１１を貫通する貫通電極であるＴＳＶ１２２により電気的に接続されている。尚、電極１１８及び１２１には、後述するインターポーザ等と接続するためのバンプ１２３が形成されている。
【００１５】
第２の基板１３０は、シリコン基板１３１の上に酸化シリコン層１３２、シリコン層１３３が順次積層して形成されており、シリコン層１３３の表面には、トランジスタ１３４及び１３５等の電子回路が形成されている。図３においては、トランジスタ１３４及び１３５等の電子回路は変調器１１３を駆動するためのものを示しているが、トランジスタ１３４及び１３５等は変調器１１３を駆動する電子回路以外のもの、例えば、論理回路等であってもよい。
【００１６】
シリコン層１３３におけるトランジスタ１３４及び１３５等の電子回路の上には、酸化シリコン層１３６が形成されており、酸化シリコン層１３６の内部には、メタル配線１３７及び１３８が形成されている。トランジスタ１３４及び１３５等の電子回路とメタル配線１３７及び１３８との間は、トランジスタ１３４及び１３５等の電子回路における端子と、その端子に対応するメタル配線１３７及び１３８とが、導電ビア１３９及び１４０により電気的に接続されている。また、メタル配線１３７等の一部は、第２の基板１３０の一方の面に設けられた電極１４１と導電ビア１４２により電気的に接続されている。同様に、メタル配線１３８等の一部は、第２の基板１３０の一方の面に設けられた電極１４３と導電ビア１４４により電気的に接続されている。また、第２の基板１３０の他方の面には、酸化シリコン層１４５が形成されている。
【００１７】
尚、本実施の形態においては、第１の基板１１０の一方の面と第２の基板１３０の一方の面とを対向させた状態で接続することにより形成されている。この際、第１の基板１１０における電極１１５と第２の基板１３０における電極１４１とはマイクロバンプ１４６により接続されており、第１の基板１１０における電極１２０と第２の基板１３０における電極１４３とはマイクロバンプ１４７により接続されている。本実施の形態においては、一方の面から他方の面を貫通するＴＳＶ１２２は、第１の基板１１０においてのみ形成されており、ＴＳＶ１２２を第１の基板１１０と第２の基板１３０とを貼り合せる前に形成することが可能である。また、ＴＳＶ１２２は第１の基板１１０にのみに貫通穴を形成することにより形成することができるため、図１に示される導電ビア９３８及び図２に示される導電ビア９８０よりも容易に形成することができる。
【００１８】
（光ファイバ等との接続）
次に、図４及び図５に基づき、本実施の形態における光半導体装置において、発光素子の設置及び光ファイバの接続について説明する。尚、図５は、図４における一点鎖線４Ａ−４Ｂにおいて切断した断面図である。本実施の形態においては第１の基板１１０におけるシリコン基板１１１は、厚さが６４μｍ以上、３７０μｍ以下となるように形成されている。このような厚さでシリコン基板１１１を形成することにより、光ファイバ１５０を所望の位置に設置することができ、また、所望の特性で電気信号を伝送することが可能となる。具体的には、第１の基板１１０には、変調器１１３と接続される光導波路１２４及びグレーティングカプラ１２５が形成されており、光導波路１２４と光ファイバ１５０との間にはファイバカプラ１５１が設けられている。本実施の形態では、後述する方法により、第１の基板１１０におけるシリコン基板１１１の上に光ファイバ１５０を設置することができるため、光導波路１２４に対し光ファイバ１５０を所望の位置に設置することができる。従って、ファイバカプラ１５１を介した光導波路１２４と光ファイバ１５０との間における光信号の伝達を確実なものとすることができる。尚、シリコン基板１１１が設けられている側とは反対側となる光ファイバ１５０の上には、光ファイバ１５０の位置を固定するため、シリコン基板１５２が設けられている。また、第１の基板１１０のシリコン基板１１１の上には、発光素子１５３が設けられており、発光素子１５３は、金属ペースト等により形成されるＴＩＭ（Thermal Interface Material）１５４を介し、ヒートスプレッダ１５５が接続されている。ヒートスプレッダ１５５は、発光素子１５３がダイオードレーザ（diode laser）等であるため、発光素子１５３において発生した熱を逃がすために設けられており、第２の基板１３０の他方の面の側にＴＩＭ１５４を介して設置されている。また、本実施の形態においては、波長が１．３〜１．５μｍの光を用いた場合、グレーティングカプラ１２５により回折された光は、シリコン基板１１１を透過するため、グレーティングカプラ１２５により回折された光が通る開口部等を設ける必要はない。
【００１９】
（第１の基板におけるシリコン基板）
次に、本実施の形態において光ファイバ１５０が設置される第１の基板１１０におけるシリコン基板１１１の厚さについて、図６〜図８に基づき説明する。尚、図６は、シリコン基板１１１と光ファイバ１５０との位置関係を模式的に示すものであり、図６（ａ）は、光ファイバ１５０に沿った方向の断面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）における一点鎖線６Ａ−６Ｂにおいて切断した断面図である。
【００２０】
用いられる光ファイバ１５０の直径Ｄ１は一般的に約８０μｍであり、中心部分には光が伝播する直径Ｄ２が１０μｍ弱のコア１５０ａが形成されている。第１の基板１１０におけるシリコン基板１１１には、光ファイバ１５０を設置する部分にＶ溝１５８が形成されている。Ｖ溝１５８は、Ｖ溝１５８の表面１５８ａが、（１１１）面となるように形成されているため、シリコン基板１１１には表面は（１１０）等となる基板が用いられている。従って、高さＴが約１０μｍのファイバカプラ１５１の中心と光ファイバ１５０におけるコア１５０ａの中心とが略一致するように光ファイバ１５０を設置しようとすると、Ｖ溝１５８の最も深い部分の深さＦは約６４μｍとなる。よって、第１の基板１１０におけるシリコン基板の厚さは、６４μｍ以上であることが好ましい。
【００２１】
次に、図７に示されるように、シリコン基板１１１に相当するシリコン基板１１１ａにＴＳＶ１２２に相当するＴＳＶ１２２ａが形成されているものについて、シリコン基板１１１の厚さｈとＳ２１３ｄＢ  Ｂａｎｄｗｉｄｔｈとの関係について測定した結果を示す。尚、図８に示される値は実測値である。また、シリコン基板１１１ａにおける抵抗率は１７Ωｍであり、ＴＳＶ１２２ａは直径Ｖ１が約６０μｍであって、銅（Ｃｕ）により形成されており、銅により形成されたＴＳＶ１２２ａの周囲には厚さＶ２が１μｍの酸シリコン層１２２ｂが形成されている。
【００２２】
この結果を図８に示す。図８に示されるように、シリコン基板１１１ａの厚さｈが３５０μｍの場合では、Ｓ２１３ｄＢ  Ｂａｎｄｗｉｄｔｈは約１７．５ＧＨｚであり、シリコン基板１１１ａの厚さｈが３７０μｍの場合では、Ｓ２１３ｄＢ  Ｂａｎｄｗｉｄｔｈは約２．５ＧＨｚであった。Ｓ２１３ｄＢ  Ｂａｎｄｗｉｄｔｈの値はデジタル２値信号のビットレートの７０％以上であることが好ましく、２５Ｇｂ／ｓの信号を扱う場合、２５ＧＨｚの７０％に相当する１７．５ＧＨｚ以上であることが好ましい。よって、シリコン基板１１１ａの厚さｈは、３７０ｎｍ以下であることが好ましく、更には、３５０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２３】
（プリント基板）
次に、本実施の形態における光半導体装置と電子部品等が搭載されているプリント基板との接続について説明する。図９に示されるように、本実施の形態における光半導体装置に発光素子１５３が搭載され光ファイバ１５０が接続されたものは、例えば、プリント基板１６０等と接続されて用いられる。プリント基板１６０には不図示の電子部品等が搭載されており、本実施の形態における光半導体装置とプリント基板１６０とは、ＰＧＡ（Pin grid array）ソケット１６１及びインターポーザ１６２を介し接続されている。具体的には、プリント基板１６０における電極１６０ａはＰＧＡソケット１６１におけるピン１６１ａと電気的に接続されており、ピン１６１ａはインターポーザ１６２を介し、本実施の形態における光半導体装置の不図示のバンプと電気的に接続されている。
【００２４】
また、インターポーザ１６２とプリント基板１６０及びＰＧＡソケット１６１との間には、シート状の光導波路を形成することが可能なポリマーフィルム光導波路１７０が設けられており、ポリマーフィルム光導波路１７０の端部１７０ａは斜めに切断されている。また、ポリマーフィルム光導波路１７０の端部１７０ａの近傍には光学素子１７１及び１７２が設けられている。これにより、本実施の形態における光半導体装置におけるグレーティングカプラ１２５とポリマーフィルム光導波路１７０との端部１７０ａとの間において、光学素子１７１及び１７２を介し、光信号を伝達することができる。
【００２５】
また、本実施の形態においては、インターポーザ１６２とヒートスプレッダ１５５との間には、本実施の形態における光半導体装置を駆動するためのＩＣ（Integrated Circuit）１８０が設けられている。このＩＣ１８０より出力された電気信号は、インターポーザを介し、本実施の形態における光半導体装置に入力し、本実施の形態における光半導体装置を制御することができる。尚、ＩＣ１８０とヒートスプレッダ１５５との間には、ＴＩＭ１８１が設けられており、ヒートスプレッダ１５５は、ヒートパイプ１８２と接続されている。
【００２６】
〔第２の実施の形態〕
次に、第２の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第１の実施の形態とは異なる方法によりプリント基板と接続される光半導体装置である。図１０に基づき本実施の形態について説明する。本実施の形態における光半導体装置は、第１の実施の形態と同様のものであるが、グレーティングカプラ１２５ａを介して出射される光が、第２の基板１３０の設けられている側に出射される構造のものである。
【００２７】
本実施の形態における光半導体装置は、第１の基板１１０の他方の面にインターポーザ１６２が設けられており、インターポーザ１６２はＴＩＭ２５４を介しヒートスプレッダ２５５と接続されている。また、インターポーザ１６２はＩＣ１８０と接続されており、ＩＣ１８０からの電気信号はインターポーザ１６２を介し、本実施の形態における光半導体装置に伝達される。ＩＣ１８０は、ＴＩＭ１８１を介しヒートスプレッダ２５５と接続されており、ヒートスプレッダ２５５はヒートパイプ１８２と接続されている。
【００２８】
本実施の形態における光半導体装置は、第２の基板１３０が設けられている側において、プリント基板１６０と接続されている。具体的には、本実施の形態における光半導体装置は、ＰＧＡソケット１６１を介しインターポーザ１６２と接続されている。インターポーザ１６２とＰＧＡソケット１６１及びプリント基板１６０との間には、ポリマーフィルム光導波路１７０及びポリマーモールド２９０が設けられている。本実施の形態においては、第２の基板１３０には、グレーティングカプラ１２５ａを介して伝達される光を通すための開口部１４８が設けられている。尚、上記以外の内容については、第１の実施の形態と同様である。
【００２９】
以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
【００３０】
上記の説明に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
半導体基板の上に、光導波路と前記光導波路を伝播する光を変調する変調器が設けられている第１の基板と、
電子回路が設けられている第２の基板と、
を有し、
前記第１の基板の一方の面と前記第２の基板の一方の面とは、電気的に接続されており、
前記第１の基板に、光ファイバが設置されて、前記光導波路と前記光ファイバとの間で、光が伝達されるものであることを特徴とする光半導体装置。
（付記２）
前記第１の基板における前記変調器は、前記第２の基板に設けられている前記電子回路により駆動されるものであることを特徴とする付記１に記載の光半導体装置。
（付記３）
前記第１の基板にはＶ溝が形成されており、
前記光ファイバは、Ｖ溝に設置されるものであることを特徴とする付記１または２に記載の光半導体装置。
（付記４）
前記第１の基板における半導体基板の厚さは、６４μｍ以上、３７０μｍ以下であることを特徴とする付記１から３のいずれかに記載の光半導体装置。
（付記５）
前記第１の基板の一方の面と前記第２の基板の一方の面とは、前記第１の基板の一方の面と前記第２の基板の一方の面との間に設けられたバンプにより電気的に接続されていることを特徴とする付記１から４のいずれかに記載の光半導体装置。
（付記６）
前記第１の基板の一方の面から他方の面において、前記半導体基板を貫通する貫通電極が設けられていることを特徴とする付記１から５のいずれかに記載の光半導体装置。
（付記７）
前記貫通電極は、前記第１の基板の一方の面と前記第２の基板の一方の面との間に設けられたバンプを介し、前記第２の基板と電気的に接続されていることを特徴とする付記６に記載の光半導体装置。
（付記８）
前記第１の基板には、発光素子が設置されていることを特徴とする付記１から７のいずれかに記載の光半導体装置。
（付記９）
前記発光素子は、前記第２の基板における他方の面の側に設けられたヒートスプレッダと接続されていることを特徴とする付記１から８のいずれかに記載の光半導体装置。
（付記１０）
前記第１の基板は、前記第１の基板における他方の面において、インターポーザを介しプリント基板と接続されており、
前記インターポーザと前記プリント基板との間には、シート状の光導波路が設けられていることを特徴とする付記１から９のいずれかに記載の光半導体装置。
（付記１１）
前記第１の基板における他方の面は、インターポーザが接続されており、
前記インターポーザは、前記第２の基板における他方の面の側に設けられたプリント基板と接続されており、
前記プリント基板と前記インターポーザとの間には、シート状の光導波路が設けられていることを特徴とする付記１から９のいずれかに記載の光半導体装置。
（付記１２）
前記シート状の光導波路を伝播する光は、前記第１の基板における光導波路に接続されたグレーティングカプラを介して伝達されるものであることを特徴とする付記１０または１１に記載の光半導体装置。
（付記１３）
前記半導体基板は、シリコン基板であることを特徴とする付記１から１２のいずれかに記載の光半導体装置。
（付記１４）
前記光導波路は、シリコンを含む材料により形成されていることを特徴とする付記１から１３のいずれかに記載の光半導体装置。
（付記１５）
前記光導波路の周囲は酸化シリコンにより覆われていることを特徴とする付記１から１４のいずれかに記載の光半導体装置。
【符号の説明】
【００３１】
１１０      第１の基板
１１１      シリコン基板
１１２      酸化シリコン層
１１３      変調器
１１４      メタル配線
１１５      電極
１１６      導電ビア
１１７      酸化シリコン層
１１８      電極
１１９      ＴＳＶ
１２０      電極
１２１      電極
１２２      ＴＳＶ
１２３      バンプ
１２４      光導波路
１２５      グレーティングカプラ
１３０      第２の基板
１３１      シリコン基板
１３２      酸化シリコン層
１３３      シリコン層
１３４      トランジスタ
１３５      トランジスタ
１３６      酸化シリコン層
１３７      メタル配線
１３８      メタル配線
１３９      導電ビア
１４０      導電ビア
１４１      電極
１４２      導電ビア
１４３      電極
１４４      導電ビア
１４５      酸化シリコン層
１４６      マイクロバンプ
１４７      マイクロバンプ
１５０      光ファイバ
１５０ａ    コア
１５１      ファイバカプラ
１５２      シリコン基板
１５３      発光素子
１５４      ＴＩＭ
１５５      ヒートスプレッダ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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