【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年7月1日(2011.7.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高密度化ＳｉＣ製品の製造方法であって、
a)  開口気孔率を有する多孔質ＳｉＣプレホームを供給する段階；
b)  充填シリコンカーバイドプレホームを製造するために多孔質シリコンカーバイドプレホーム内の細孔の実質的な数を炭素前駆体で充填する段階；
c)  得られる高密度化ＳｉＣ製品が多孔質ＳｉＣプレホームよりも低い気孔率を示すように、多孔質シリコンカーバイドプレホームの細孔内に炭素質多孔質構造を製造するために、予め選択された炭化する温度で充填シリコンカーバイドプレホームを加熱する段階を含む製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の製造方法であって、シリコンが炭素質多孔質構造を通って拡散し、多孔質シリコンカーバイドプレホームの細孔内に含まれている炭素と反応して、多孔質シリコンカーバイドプレホームの細孔内にシリコンカーバイドを作るように、炭素質多孔質構造を凡そシリコンの融点を超す温度および予め選択されたシリコン化する圧力において、不活性な雰囲気中でシリコンと接触させる段階をさらに含む製造方法。
【請求項３】
炭素質多孔質構造をシリコンと接触させる段階がガスと液体からなる群から選択されるシリコンを利用することを含む、請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
予め選択されたシリコン化する圧力が大気圧、高圧、真空または部分的真空からなる群から選択されることを特徴とする、請求項２に記載の製造方法。
【請求項５】
炭素前駆体が多孔質シリコンカーバイドプレホームを通って拡散できるガス状の炭素前駆体であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法。
【請求項６】
充填シリコンカーバイドプレホームが重合した充填シリコンカーバイドプレホームであるように、充填シリコンカーバイドプレホーム内に含まれた炭素前駆体を重合するために、予め選択された重合する温度で充填シリコンカーバイドプレホームを加熱する段階をさらに含む、請求項１〜５のいずれかに記載の製造方法。
【請求項７】
予め選択された重合する温度が約７０°Ｃから約２５０°Ｃの範囲にある、請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
炭素前駆体が液体の炭素前駆体であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法。
【請求項９】
液体の炭素前駆体がフルフリルアルコールを含むことを特徴とする、請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
液体の炭素前駆体がさらに触媒を含むことを特徴とする、請求項８に記載の製造方法。
【請求項１１】
液体の炭素前駆体がさらにジエチレングリコール、ポリエチレングリコール、トリエチレングリコール、水およびその組み合わせからなる群から選択される細孔形成剤および触媒を含むことを特徴とする、請求項８に記載の製造方法。
【請求項１２】
液体の炭素前駆体が液体のＳｉＣ−Ｃ前駆体からなる群から選択されることを特徴とする、請求項８に記載の製造方法。
【請求項１３】
予め選択された炭化する温度が約８００°Ｃから約１８００°Ｃの範囲にあることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれかに記載の製造方法であって、多孔質シリコンカーバイドプレホームを供給する段階が、
a)  開口気孔率を有するグラファイトブロックを供給する段階；
b)  グラファイトブロックをニア・ネット・シェイプグラファイト製品に機械加工する段階；および
c)  多孔質シリコンカーバイドプレホームを形成するために、ニア・ネット・シェイプグラファイト製品を予め選択されたシリコン化する温度で一酸化シリコンと接触する段階を含む製造方法。
【請求項１５】
予め選択されたシリコン化する温度が約１４００°Ｃから約２０００°Ｃの範囲にあることを特徴とする、請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１６】
グラファイトブロックが約１０％から約６０％の開口気孔率を有することを特徴とする、請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１７】
高密度化ＳｉＣ製品の製造方法であって、
a)  開口気孔率を有する多孔質ＳｉＣプレホームを供給する段階；
b)  充填シリコンカーバイドプレホームを製造するために、多孔質シリコンカーバイドプレホーム内の細孔の実質的な数を、触媒をさらに含む液体の炭素前駆体で充填する段階；c)  充填シリコンカーバイドプレホーム内に含まれた液体の炭素前駆体を重合し、重合した充填シリコンカーバイドを形成するために、予め選択された重合する温度で充填シリコンカーバイドプレホームを加熱する段階；および
d)  多孔質シリコンカーバイドプレホームの細孔内に炭素質多孔質構造を作るために、予め選択された炭化する温度で重合した充填シリコンカーバイドプレホームを加熱する段階を含む方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の製造方法であって、シリコンが炭素質多孔質構造を通って拡散し、多孔質シリコンカーバイドプレホームの細孔内に含まれている炭素と反応して、多孔質シ
リコンカーバイドプレホームの細孔内にシリコンカーバイドを作るように、炭素質多孔質構造を凡そシリコンの融点を超す温度でおよび予め選択されたシリコン化する圧力において、不活性な雰囲気中でシリコンと接触させる段階をさらに含む製造方法。
【請求項１９】
液体の炭素前駆体が液体のＳｉＣ−Ｃ前駆体からなる群から選択されることを特徴とする、請求項１〜１８のいずれかに記載の製造方法。
【請求項２０】
炭素質多孔質構造をシリコンと接触させる段階がガスと液体からなる群から選択されるシリコンを利用することを含む、請求項１８に記載の製造方法。
【請求項２１】
高密度化ＳｉＣ製品の製造方法であって、
a)  開口気孔率を有する多孔質ＳｉＣプレホームを供給する段階；
b)  多孔質シリコンカーバイドプレホーム内の細孔の実質的な数を、多孔質シリコンカーバイドプレホームを通って拡散できるガス状の炭素前駆体で充填する段階；
c)  ガス状の炭素前駆体を分解し、多孔質シリコンカーバイドプレホームの細孔内に熱分解炭素をデポジットして、充填シリコンカーバイドプレホームを製造するために、予め選択された炭化する温度で充填ＳｉＣプレホームを加熱する段階；および
d)  シリコンが炭素質多孔質構造を通って拡散し、多孔質シリコンカーバイドプレホームの細孔内に含まれている炭素と反応して、多孔質シリコンカーバイドプレホームの細孔内にシリコンカーバイドを作るように、炭化多孔質ＳＩＣプレホームを凡そシリコンの融点を超す温度および予め選択されたシリコン化する圧力において、不活性な雰囲気中でシリコンと接触させる段階を含む製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
ＳｉＣ材料を製造するためには複数の製造方法がある。最も基本的で簡単な製造方法は砂と炭素を約１６００から約２５００°Ｃの温度で化合することである。ＳｉＣの合成の他の方法には化学蒸着法およびポリカーボシランポリマーのような有機ＳｉＣ前駆体の熱分解法が含まれる。非加圧焼結および熱プレス等のニア・ネット・シェイプ高密度ＳｉＣ成分の従来の製造方法は操作および制御が困難で、かつコストが高い。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
ニア・ネット・シェイプＳｉＣ製品の製造のための非加圧焼結等の従来のセラミック製造方法では、これらのＳｉＣ成分のいくつの複雑性の増加によりコスト高になっている。ＳｉＣ製品を製造するために、出発ＳｉＣ粉末は乾燥粉末またはスラリに加工され、ついで形成、焼成、および機械加工される。形成または成型工程には、高温焼成中に起こる収縮に適応するように設計された鋳型またはダイが必要である。ＳｉＣ製品の収縮は必要な高密度化または焼結を達成するために重要である。従って、設計され、製造されるすべてのＳｉＣ製品に対して特別な鋳型を設計し、作る必要がある。鋳型の設計には材料の収縮挙動の知識を要し、それはＳｉＣ粒子サイズ分布、スラリの化学およびレオロジ、焼成温度、加熱および冷却速度等の関数である。これらのパラメータの影響は特定のニア・ネット・シェイプＳｉＣ製品を製造するために適した鋳型について十分な情報が利用できるまで実験的に決定する必要がある。さらに、鋳型は鋳型の寸法変化を生じる各使用による腐
食のために寿命に限界があり、これはさらに焼結ＳｉＣ製品の予期し得ない寸法をもたらす。加えて、固体装填が高く、化学およびレオロジが制御されたスラリの製造には、粗い粒子が細かい粉末に混ぜられたバイモダル（bimodal）のＳｉＣ粉末の使用が必要である。粗いＳｉＣ粒子の使用は材料の熱ショック抵抗の悪化および等方性の悪化のような多くの問題を提示する。最近の技術進歩は細かい微小構造を有する単一材料および複合材料が優れたより均一な性質を有することを示している。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
最近の研究は、ニア・ネット・シェイプグラファイト製品から出発して、ニア・ネット・シェイプＳｉＣ製品を製造する新しいＳｉＣの製造方法の開発をもたらした。この新しい製造方法は化学蒸着法(ＣＶＲ)法として知られている。ＣＶＲ法は非常に複雑な形のＳｉＣ製品を上述の従来の製造方法よりもはるかに低いコストで製造する能力がある。しかし、ＣＶＲ法で製造されたＳｉＣ製品はＳｉＣ製品の化学的、機械的および熱的性質に有害ないくつかの気孔率を含む。この残存気孔率を克服することは有利であろう。このような気孔率をＳｉＣの第二の相に変換することは有利であろう。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
（本発明の概要）
上述の観点において、本発明は本質的に気孔率がないか、または実質的に気孔率が低減した高密度の、ニア・ネット・シェイプシリコンカーバイド（ＳｉＣ）製品の製造方法を提供する。本明細書に記載した製造方法はニア・ネット・シェイプＳｉＣプレホーム（プリフォーム）中の開口気孔率を高密度ＳｉＣの第二の相に変換することによって、多孔質ニア・ネット・シェイプＳｉＣプレホームを高密度化する。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
本発明の１つの実施形態として、高密度化ＳｉＣ（シリコンカーバイド）製品の製造方法が有利に提供される。この実施形態において、多孔質ＳｉＣプレホームが提供される。プレホームはホームを仕上げるために形成できる製品である。本発明のすべての実施形態において、多孔質ＳｉＣプレホームは開口気孔率を有するグラファイトブロックから出発して形成できる。グラファイトブロックはニア・ネット・シェイプグラファイト製品に機械加工される。本明細書で、用語「ニア・ネット・シェイプ」は最終の許容誤差に適合するためにその部品が最小の後機械加工のみを要することを示す。用語「プレホーム」（プリフォーム）はニア・ネット・シェイプ製品を包含する。グラファイトプレホームはついで多孔質シリコンカーバイドプレホームを形成するために第一の予め選択された温度で一酸化シリコンと接触できる。充填シリコンカーバイドプレホームを製造するために、多孔質シリコンカーバイドプレホーム内の細孔の実質的な数が炭素前駆体で充填される。ついで充填されたシリコンカーバイドプレホームは充填されたシリコンカーバイドプレホーム内に含まれる炭素前駆体を重合するために第二の予め選択された温度で過熱され、重合し
た充填シリコンカーバイドプレホームが形成される。重合した充填されたシリコンカーバイドプレホームは多孔質シリコンカーバイドプレホームの細孔内に炭素質多孔質構造を作るために第三の予め選択された温度でさらに加熱される。ＳｉＣプレホームの内側の炭素質多孔質構造はついで第四の予め選択された温度と第一の予め選択された圧力で、不活性雰囲気中でシリコンと接触される。この段階において、シリコンは炭素質多孔質構造を通して流れ、多孔質シリコンカーバイドプレホームの細孔内に含まれる炭素と反応し、多孔質シリコンカーバイドプレホームの細孔内にシリコンカーバイドを作る。製造された高密度化シリコンカーバイドは気孔率がないか、または実質的に気孔率が低減した気孔率を有することで特徴づけられる。気孔率の除去または実質的な低減は、本発明に記載した製造方法を使用して製造されたＳｉＣ製品の酸化抵抗性、強度、剛性、熱伝導性および熱安定性を含む殆どの化学的、機械的および熱的性質を顕著に改善するが、これらに限定されない。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
（発明の詳細な説明）
本発明の１実施形態として、高密度化ＳｉＣ製品の製造方法が有利に提供される。得られた高密度ＳｉＣ製品はプレホームまたはニア・ネット・シェイプＳｉＣ製品中の気孔率を高密度ＳｉＣの第二相に変換することによって作られる。プレホームとして使用される多孔質のＳｉＣ製品は多孔質セラミック体の製造用の異なった従来の製造方法を使用して製造される。好適には、当業者に理解されるように、プレホームＳｉＣ製品は化学蒸着法(ＣＶＲ)を使用して製造される。ＳｉＣプレホームは好適には１０容量％から６０容量％の範囲の開口気孔率を含む。この製造方法において、開いた細孔はＳｉＣの第二相に変換される。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
多孔質シリコンカーバイドプレホームが提供されるすべての実施形態において、多孔質シリコンカーバイド構造は開口気孔率を有するグラファイトブロックを供給して製造できる。グラファイトブロックはついでニア・ネット・シェイプ製品に機械加工され、ついで多孔質シリコンカーバイドプレホームを形成するために第一の選択された温度で一酸化シリコンガスと接触される。本発明のすべての実施形態において、第一の選択された温度は約１４００°Ｃから約２０００°Ｃの範囲である。多孔質シリコンカーバイドプレホームまたはＳｉＣプレホームは本明細書に記載のような他の方法で製造される。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
炭素質多孔質構造はついで第四の予め選択された温度および第一の予め選択された温度で不活性な雰囲気中でシリコンと接触される。炭素質多孔質構造を不活性な雰囲気中でシリコンと接触させる本発明の実施形態において、第四の選択された温度は凡そシリコンの融点を超す。このシリコン化段階において、シリコンは炭素質多孔質構造を通って浸潤ま
たは拡散し、多孔質シリコンカーバイドプレホームの細孔内に含まれている炭素と反応して多孔質シリコンカーバイドプレホームの細孔内にシリコンカーバイドを作る。造られたシリコンカーバイドはニア・ネット・シェイプ高密度シリコンカーバイド製品である。炭素のＳｉＣへの変換は高密度化をもたらすモル容量の増加を伴う。製造された高密度シリコンカーバイドは開口気孔率を本質的に有さないか、または開口気孔率は実質的に減少している。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
本発明の他の実施形態として、高密度化ＳｉＣ製品の製造法が有利に提供される。この実施形態において、開口気孔率を有する多孔質シリコンカーバイドプレホームが提供される。開口気孔率は好適には約１０％から約６０％の範囲である。多孔質シリコンカーバイドプレホームは開口気孔率を有するグラファイトブロックを供給し、グラファイトブロックをニア・ネット・シェイプグラファイト製品に機械加工し、多孔質ニア・ネット・シェイプシリコンカーバイドプレホームまたは多孔質シリコンカーバイドプレホームを形成するために第一の予め選択された温度でニア・ネット・シェイプグラファイト製品を一酸化シリコンと接触することによって形成される。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
ＳｉＣ粉末加工法のような他の従来の製造法が多孔質シリコンカーバイドプレホームを形成するために使用できる。しかし、好適には多孔質ＳｉＣプレホームはＣＶＲ法を使用して製造される。ＣＶＲ法を使用する実施例において、ニア・ネット・シェイプグラファイト製品を製造するために、既知の開口気孔率のグラファイトブロックを供給し、機械加工することによってニア・ネット・シェイプ多孔質ＳｉＣ製品が製造される。粒子および細孔サイズ分布特性が変化した複数のグラファイトのグレードが利用できる。ニア・ネット・シェイプグラファイト製品は高温で一酸化シリコン（ＳｉＯ）に曝露される。ＳｉＯガスはグラファイト製品を通って拡散し、グラファイトと反応し、最小の、予測可能な、かつ一定の寸法増加を有する多孔質ＳｉＣプレホームを作る。多孔質ＳｉＣプレホームを製造するための他の適した製造方法は当業者に周知であり、本発明の範囲内であると考えるべきである。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
本発明のさらに他の実施形態として、本発明はニア・ネット・シェイプを有する高密度化ＳｉＣ製品の製造方法を有利に含む。本実施形態において、開口気孔率を有する多孔質シリコンカーバイドプレホームが提供される。開口気孔率は好適には約１０％から約６０％の気孔率である。多孔質シリコンカーバイドプレホームはグラファイトブロックまたは本明細書に記載した他の適した製造方法から形成できる。当業者が理解するように、多孔質シリコンカーバイドプレホームを製造する好適な製造方法はＣＶＲ法の利用である。