【事件の表示】
　特願２００２−　９２５２７「固体電解コンデンサの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月１０日出願公開、特開２００３−２８９０１６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年３月２８日の出願であって、平成２０年１月１１日付けの拒絶理由通知に対して、同年３月２４日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２０年５月２７日付けで拒絶査定がされ、それに対して、同年７月３日に拒絶査定に対する審判請求がされるとともに、同年８月４日に手続補正書が提出され、その後、平成２２年１２月１７日付けで審尋がされ、平成２３年２月１７日に回答書が提出されたものである。
　
　
２．補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２０年８月４日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正の内容
　平成２０年８月４日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜８を補正後の特許請求の範囲の請求項１〜６に補正するものであって、補正前後の請求項１は各々以下のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】　陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して巻回又は積層してコンデンサ素子を形成し、このコンデンサ素子を化成液中で修復化成し、その後に重合性モノマーと酸化剤とを含浸して導電性ポリマーからなる固体電解質層を形成する固体電解コンデンサの製造方法において、
　前記重合性モノマーと酸化剤の含浸工程以前に、コンデンサ素子内に窒素２原子を含む五員環化合物を重合性モノマーと酸化剤の総量に対して０．０００８〜２．５ｗｔ％含有させることを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】　陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して巻回又は積層してコンデンサ素子を形成し、このコンデンサ素子を化成液中で修復化成し、その後に３，４−エチレンジオキシチオフェンと酸化剤とを含浸してポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェンからなる固体電解質層を形成する固体電解コンデンサの製造方法において、前記３，４−エチレンジオキシチオフェンと酸化剤の重合以前に、コンデンサ素子内に窒素２原子を含む五員環化合物を３，４−エチレンジオキシチオフェンと酸化剤の総量に対して０．０００８〜０．５ｗｔ％含有させることを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると、以下のとおりである。
　
（２−１）補正事項１
　補正前の請求項１の「重合性モノマー」を「３，４−エチレンジオキシチオフェン」と補正して、補正後の請求項１とすること。
　
（２−２）補正事項２
　補正前の請求項１の「導電性ポリマー」を「ポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン」と補正して、補正後の請求項１とすること。
　
（２−３）補正事項３
　補正前の請求項１の「２．５ｗｔ％」を「０．５ｗｔ％」と補正して、補正後の請求項１とすること。
　
（２−４）補正事項４
　補正前の請求項２の「重合性モノマー」を「３，４−エチレンジオキシチオフェン」と補正して、補正後の請求項２とすること。
　
（２−５）補正事項５
　補正前の請求項３の「重合性モノマー」を「３，４−エチレンジオキシチオフェン」と補正して、補正後の請求項３とすること。
　
（２−６）補正事項６
　補正前の請求項４の「前記コンデンサ素子内に窒素２原子を含む五員環化合物を含有させる」を「前記コンデンサ素子内に含窒素複素環式化合物を含有させる」と補正して、補正後の請求項４とすること。
　
（２−７）補正事項７
　補正前の請求項４の「重合性モノマー」を「３，４−エチレンジオキシチオフェン」と補正して、補正後の請求項４とすること。
　
（２−８）補正事項８
　補正前の請求項５及び請求項６を削除するとともに、補正前の請求項７及び請求項８の番号を繰り上げ、必要に応じて引用する請求項の番号を変更して、それぞれ、補正後の請求項５及び請求項６とすること。
　
（２−９）補正事項９
　補正前の請求項７の「請求項１に記載の」を「請求項１ないし４のいずれかに記載の」と補正して、補正後の請求項５とすること。
　
（３）新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否について 
（３−１）補正事項３について
（３−１−１）補正事項３が、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、本願の願書に最初に添付された明細書及び図面を、各々「当初明細書」及び「当初図面」といい、これらをまとめて「当初明細書等」という。）に記載された事項の範囲内においてなされたものであるか否かについて検討する。
　補正事項３は、コンデンサ素子内における窒素２原子を含む五員環化合物の含有量を「３，４−エチレンジオキシチオフェンと酸化剤の総量に対して０．０００８〜０．５ｗｔ％」に限定しようとするものであり、当初明細書等において、窒素２原子を含む五員環化合物の含有量に関連すると認められる記載は以下のとおりである。
　
ａ．「【００１６】
（含窒素複素環式化合物）
　本発明で用いられる含窒素複素環式化合物としては、環の構成原子として窒素を含む複素環を有する化合物及びその誘導体が好ましい。なかでも、以下の構造式で示される窒素２原子を含む五員環化合物が好ましく、複素環の１位と３位の原子が窒素であるイミダゾール系がより好ましい。
【化１】  （略）
【００１７】
　また、含窒素複素環式化合物の含有量は、重合性モノマーと酸化剤の総量に対して０．０００８〜２．５ｗｔ％が好ましく、０．００８〜０．８ｗｔ％がより好ましい。含有量がこの範囲を越えると、ＥＳＲが上昇し、この範囲未満であると、静電容量が減少し、ＥＳＲが上昇する。」
　
ｂ．「【００２５】
　　【実施例】
　続いて、以下のようにして製造した実施例及び従来例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。
（実施例１）
　表面に酸化皮膜層が形成された陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して巻回して、素子形状が９φ×５Ｌのコンデンサ素子を形成した。そして、このコンデンサ素子を５０℃のリン酸二水素アンモニウム水溶液に３０分間浸漬して、修復化成を行った。
　一方、所定の容器に、ＥＤＴと５０％のパラトルエンスルホン酸第二鉄のブタノール溶液を１：３の割合で混合し、この混合液に対して１ｗｔ％となるようにイミダゾールを添加した。そして、コンデンサ素子を上記混合液に１０秒間浸漬し、１２０℃の恒温槽内に１時間放置して、コンデンサ素子内でＰＥＤＴの重合反応を発生させ、固体電解質層を形成した。そして、このコンデンサ素子を有底筒状の外装ケースに挿入し、開口端部に封口ゴムを装着して、加締め加工によって封止した。その後に、１５０℃、１２０分、８．２Ｖの電圧印加によってエージングを行い、固体電解コンデンサを形成した。
　なお、この固体電解コンデンサの定格電圧は６．３ＷＶ、定格容量は４７０μＦである。
【００２６】
（実施例２）
　修復化成後に１ｗｔ％のイミダゾール水溶液にコンデンサ素子を常温で１秒間浸漬し、１５０℃の恒温槽で６０分乾燥した後、このコンデンサ素子をＥＤＴと５０％のパラトルエンスルホン酸第二鉄のブタノール溶液の混合液に浸漬して重合反応を起こさせた。その他の条件は実施例１と同様にして固体電解コンデンサを形成した。」
　
（３−１−２）ここで、補正事項３による補正後の請求項１に記載された「コンデンサ素子内に窒素２原子を含む五員環化合物を３，４−エチレンジオキシチオフェンと酸化剤の総量に対して０．０００８〜０．５ｗｔ％含有させる」という事項が当初明細書等に記載されているか否かについて検討する。
　上記（３−１−１）から明らかなように、当初明細書の００１６段落及び００１７段落には、窒素２原子を含む五員環化合物の含有量について「重合性モノマーと酸化剤の総量に対して０．０００８〜２．５ｗｔ％が好ましく、０．００８〜０．８ｗｔ％がより好ましい。」ことが記載されているが、当該含有量に関して０．５ｗｔ％なる数値については何ら記載されていない。
　また、当初明細書の００２５段落には、「ＥＤＴと５０％のパラトルエンスルホン酸第二鉄のブタノール溶液を１：３の割合で混合し、この混合液に対して１ｗｔ％となるようにイミダゾールを添加した。」という記載がなされているが、０．５ｗｔ％なる数値に関しては全く記載されていない。また、前記００２５段落において、窒素２原子を含む五員環化合物であるイミダゾールは、「ＥＤＴと５０％のパラトルエンスルホン酸第二鉄のブタノール溶液」に対して１ｗｔ％添加されるのであり、ＥＤＴと酸化剤であるパラトルエンスルホン酸第二鉄の総量に対しての割合がどの程度となるのかは全く不明である。
　当初明細書等のその他の記載をみても、窒素２原子を含む五員環化合物の含有量を、重合性モノマーと酸化剤の総量に対して０．５ｗｔ％とすることについては何ら記載されていないし、当該含有量の上限値を重合性モノマーと酸化剤の総量に対して０．５ｗｔ％とすることが、本願出願時の技術常識からみて自明であるともいえない。
　
（３−１−３）以上のとおりであるから、補正事項３による補正後の請求項１に記載された「コンデンサ素子内に窒素２原子を含む五員環化合物を３，４−エチレンジオキシチオフェンと酸化剤の総量に対して０．０００８〜０．５ｗｔ％含有させる」という事項は、当初明細書等に記載されておらず、かつ、当初明細書等の記載から当業者にとって自明であるとも認められない。
　
（３−１−４）したがって、補正事項３に係る補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものではないから、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものではなく、特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たしていない。
　
（３−２）補正事項９について
　補正事項９は、補正前において請求項１のみを引用していた請求項７を、補正後において請求項１ないし４のいずれかを引用する請求項５に変更するものであるから、請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定する補正であるとは認められない。よって、補正事項９は、特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。
　また、特許法第１７条の２第４項第１号、第３号及び第４号に掲げる、請求項の削除、明りょうでない記載の釈明及び誤記の訂正のいずれを目的とするものにも該当しないことも明らかである。
　
（３−３）以上より、他の補正事項について検討するまでもなく、本件補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしておらず、同法第１７条の２第４項各号に掲げる事項のいずれを目的とするものにも該当しない。
　
（４）独立特許要件についての検討
（４−１）検討の前提
　以上、検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしておらず、同法第１７条の２第４項各号に掲げる事項のいずれを目的とするものにも該当しないが、仮に、本件補正が、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たし、かつ、同法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものとみなした場合において、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて検討する。
　
（４−２）補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、上記（１）の「補正後」の請求項１に記載したとおりのものである。
　
（４−３）引用刊行物に記載された発明
（４−３−１）引用例１
　本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開２００２−３３２４４号公報（以下「引用例１」という。）には、図１〜４とともに以下の記載がある（なお、下線は当合議体にて付加したものである。以下同じ）。
　
ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は固体電解コンデンサの製造方法に関し、特に導電性高分子を固体電解質層とする固体電解コンデンサを製造する方法に関するものである。
　
ｂ．「【００２１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態について、図１および図２を参照して詳細に説明する。
【００２２】まず、
弁作用を有するタンタル金属粉末に固体電解コンデンサの陽極となるタンタルワイヤ１を埋め込んで加圧成形した後焼結して多孔質の陽極体２を形成する。次いで陽極体２をリン酸水溶液中において、電気化学的に陽極酸化して陽極体２の表面に酸化タンタル（Ｔａ
2
Ｏ
5
）の誘電体皮膜３を形成して多孔質体素子６を作製する（図１、図２（ａ））。
【００２３】次に、
誘電体皮膜３が形成された多孔質体素子６を酸化剤溶液７に所定の時間浸漬し（図２（ｂ））、乾燥を行った後、図２（ｃ）のように、酸化重合遅延剤を含むモノマー溶液（モノマー／酸化重合遅延剤混合溶液８）に所定の時間浸漬した後、多孔質体素子６を酸化剤溶液７から引き上げ、空気中で乾燥する。
【００２４】
上記の図２（ｂ）〜図２（ｃ）の工程を数回（３〜１０回程度）繰返して実施する。この工程により、多孔質体素子６の誘電体皮膜３の細孔内と表面には所定の厚さの導電性高分子からなる電解質層４が形成される。
【００２５】酸化剤溶液７としては、ｐ―トルエンスルフォン酸第二鉄，ドデシルベンゼンスルフォン酸第二鉄，ベンゼンスルフォン酸第二鉄、ナフタレンスルフォン酸第二鉄等）のスルフォン酸第二鉄塩やその他硫酸または過酸化水素溶液が使用できる。
【００２６】
モノマー溶液としては、ピロール，チオフェンまたはそれらの誘導体（３，４―エチレンジオキシチオフェンや３，４―ジメチルピロール等）やアニリンが使用できる。
【００２７】また、酸化重合遅延剤としては、パラ―ベンゾキノンジオキシム，ジエチルケトンオキシム等のオキシウム化合物、ジニトロベンゼン，ニトロトルエン，２、２―ジフェニル―ピクリル―ヒドラジル，ピクリン酸等のニトロ化合物、Ｎ―ニトロソフェニルヒドロキシルアミンアンモニウム塩，ニトロソトルエン，ニトロソベンゼン等のニトロソ化合物、２、２、６、６―テトラメチル―１―ピペリジニルオキシ，４、４―ジメチル―３―オキサゾリニルオキシ，２、２、５、５―テトラメチル―１―ピロリジニルオキシ，５、５―ジメチル―１―ピロリン―Ｎ―オキシド，２、５、５―トリメチル―１―ピロリン、Ｎ―ターシャリブチル―α―フェニルニトロン，α―（４―ピリジル―１―オキシド）―Ｎ―ターシャリブチルニトロン，２―メチル―２―ニトロソプロパン、２―ヒドロキシメチル―２―ニトロソプロパン，２、４、６―トリ―ターシャリブチル―ニトロソベンゼン，ニトロソデュレン，ピリジン―Ｎ―オキシド等のニトロキシド系化合物、ベンゾキノン，ナフトキノン，ハイドロキノン，メチルハイドロキノン，ハイドロキノンモノメチルエーテル，２、５―ジフェニル―ｐ―ベンゾキノン，モノ―ｔ―ブチル―ｐ―ベンゾキノン等のキノン系化合物、カテコール，ピロガロール，２、６―ジ―ｔ―ブチル―４―メチルフェノール，フェノール，カテコール，レゾルシン，ナフトール等のフェノール系化合物を使用できる。
【００２８】酸化重合遅延剤は、モノマー溶液に０．１〜２０ｗｔ％で添加されるが、好ましい添加量は１〜２０ｗｔ％である。酸化重合遅延剤の最も好ましい添加量は、１〜１０ｗｔ％である。酸化重合遅延剤の添加量が０．１ｗｔ％よりも少ない場合には、誘電体皮膜３の細孔内壁の誘電体皮膜３の表面への電解質層４の被覆率が著しく減少する。また、酸化重合遅延剤の添加量が２０ｗｔ％を越える場合には、モノマーの酸化重合反応が著しく抑制されるために、電解質層４が細孔内壁ばかりでなく、外部表面にも析出しにくくなる。
【００２９】次に、上記工法にて、電解質層４を形成後、カーボンペーストおよび銀ペーストを電解質層４表面に順次形成することによって陰極層５を形成し、コンデンサ素子を完成する。このコンデンサ素子のタンタルワイヤ１と陰極層５の銀ペーストに外部リード端子を接続した後、エポキシ樹脂等の外装樹脂にてコンデンサ素子を外装することにより目的のコンデンサが製造される。
【００３０】
なお、上記の実施の形態では、酸化重合遅延剤は、モノマー溶液へ混合したが、酸化剤溶液へ混合してもよく、また、モノマー溶液および酸化剤溶液の両方に添加することもできる。
　
ｃ．「【００３４】図４を参照して上述したように、従来技術では、多孔質体素子６を酸化剤溶液に浸漬して素子空孔部１０内に酸化剤を付着させ、次いでモノマー溶液に浸漬を行うと、浸漬を行った時点から、化学酸化重合が始まり、モノマーが素子空孔部１０の細部にまで浸透するまでに電解質である導電性高分子層１１が形成されてしまう。この結果、素子空孔部１０の入り口が導電性高分子層１１で詰まってしまい、次回の処理工程で、酸化剤またはモノマーが素子空孔部１０内に浸透しなくなってしまう。
【００３５】
本発明では、少なくともモノマー溶液および酸化剤溶液のいずれか一方に酸化重合遅延剤を混入させたために、多孔質体素子６の表面でモノマーと酸化剤が接触する場合には、酸化重合遅延剤も同時にモノマーおよび酸化剤に接触することになる。そのために、多孔質体素子６をモノマー溶液に浸漬した時点からは、酸化重合遅延剤の作用のために化学酸化重合反応が始まらない。従って、重合開始が始まるまでに素子の細孔部にモノマーが浸透するために、素子空孔部まで導電性高分子層が形成されるとともに、空孔部入り口での導電性高分子層による詰まりもなくなる。
　
（４−３−２）引用例２
（４−３−２−１）本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において周知技術を示すものとして引用された刊行物である特開２０００−１３８１３３号公報（以下「引用例２」という。）には、図６〜８とともに以下の記載がある。
　
　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体電解コンデンサ及びその製造方法に係り、特に、耐電圧特性の向上を図るべく改良を施した固体電解コンデンサ及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】タンタルあるいはアルミニウム等のような弁作用を有する金属を利用した電解コンデンサは、陽極側対向電極としての弁作用金属を焼結体あるいはエッチング箔等の形状にして誘電体を拡面化することにより、小型で大きな容量を得ることができることから、広く一般に用いられている。特に、電解質に固体電解質を用いた固体電解コンデンサは、小型、大容量、低等価直列抵抗であることに加えて、チップ化しやすく、表面実装に適している等の特質を備えていることから、電子機器の小型化、高機能化、低コスト化に欠かせないものとなっている。
【０００３】
この種の固体電解コンデンサにおいて、小型、大容量用途としては、一般に、アルミニウム等の弁作用金属からなる陽極箔と陰極箔をセパレータを介在させて巻回してコンデンサ素子を形成し、このコンデンサ素子に駆動用電解液を含浸し、アルミニウム等の金属製ケースや合成樹脂製のケースにコンデンサ素子を収納し、密閉した構造を有している
【０００４】また、
固体電解コンデンサに用いられる固体電解質としては、
近年、反応速度が緩やかで、かつ陽極電極の酸化皮膜層との密着性に優れたポリエチレンジオキシチオフェン（以下、ＰＥＤＴと記す）に着目した技術（特開平２−１５６１１号公報）が存在している
【０００５】例えば、
巻回型のコンデンサ素子にＰＥＤＴからなる固体電解質層を形成するタイプの固体電解コンデンサは、図６に示すように、化成→コンデンサ素子形成→修復化成→ＥＤＴと酸化剤の含浸→重合→外装ケースへの挿入→樹脂封止→エージングという製造工程によって作製される。
【０００６】まず、図８に示すように、アルミニウム等の弁作用金属からなる陽極箔１の表面を塩化物水溶液中での電気化学的なエッチング処理により粗面化して、多数のエッチングピット８を形成した後、ホウ酸アンモニウム等の水溶液中で電圧を印加して誘電体となる酸化皮膜層４を形成する（化成）。陽極箔１と同様に、図７に示すような陰極箔２も、アルミニウム等の弁作用金属からなるが、その表面にはエッチング処理を施すのみである。また、図７に示すように、陽極箔１及び陰極箔２には、それぞれの電極を外部に接続するためのリード線６、７を、ステッチ、超音波溶接等の公知の手段により接続する。
【０００７】次に、以上のようにして
表面に酸化皮膜層４が形成された陽極箔１とエッチングピット８のみが形成された陰極箔２とを、図７に示すようにセパレータ３を介して巻回して、コンデンサ素子１０を形成し、その後、修復化成を行う。この修復化成は、前記巻回工程において電極箔に機械的ストレスがかかり、これが原因となって酸化皮膜に亀裂が発生する等の損傷を受けた場合に、再度化成液中で化成することによって、この亀裂の発生した部分に酸化皮膜を形成して、損傷を修復するものである。
【０００８】
続いて、修復化成を施したコンデンサ素子１０を３，４−エチレンジオキシチオフェン（以下、ＥＤＴと記す）と酸化剤の混合溶液（重合液）に浸漬することにより、この重合液をコンデンサ素子１０に含浸する。あるいはまた、コンデンサ素子１０をＥＤＴと酸化剤溶液に交互に浸漬して含浸する。いずれの場合でも、コンデンサ素子１０にＥＤＴと酸化剤を含浸した後、重合反応させ、図８に示すようなＰＥＤＴからなる固体電解質層５を生成する。
【０００９】この後、コンデンサ素子１０を図示していない外装ケースに挿入する。続いて、外装ケース内にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を付着して熱硬化させることによって、コンデンサ素子１０の外周に外装樹脂を被覆し（樹脂封止）、固体電解コンデンサを完成する。なお、このように樹脂封止を行うと、酸化皮膜層４が損傷して漏れ電流特性が低下するため、樹脂封止後に、コンデンサ定格電圧に応じた電圧を印加して高温のエージングを行うことにより酸化皮膜層４を修復し、特性の向上を計っている。
【００１０】なお、上記の製造方法においては、コンデンサ素子にＥＤＴと酸化剤を含浸する方法として浸漬法を用いたが、ＥＤＴと酸化剤を常温で、シリンジ等により定量注入する方法（注入法）を用いることもできる。
【００１１】このようにして得られたＰＥＤＴを用いた固体電解コンデンサは、陽極箔の化成電圧に対してコンデンサの耐電圧を高く設定することができるという特徴を有しているため、小型・大容量の固体電解コンデンサを実現することができる。」
　
（４−３−２−２）以上によれば、引用例２には、本願出願前の周知技術として以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　「表面に酸化皮膜層４が形成された陽極箔１とエッチングピット８のみが形成された陰極箔２とを、セパレータ３を介して巻回して形成したコンデンサ素子１０を、化成液中で修復化成し、続いて前記コンデンサ素子１０に３，４−エチレンジオキシチオフェンと酸化剤を含浸した後、重合反応させてポリエチレンジオキシチオフェンからなる固体電解質層５を生成する固体電解コンデンサの製造方法。」
　
（４−３−３）引用例３
　本願の出願前に外国において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である国際公開００／１４１３９号（以下「引用例３」という。）には、以下の記載がある。
ａ．“Background of the Invention
　
A solid state electrolytic capacitor is made from a porous pellet of sintered tantalum powder, a dielectric tantalum oxide layer formed on the surface of the sintered tantalum powder, a solid-state conductor impregnated into the volume of the pellet, and external connections such as silver paint, etc. The tantalum forms the positive electrode of the capacitor and the solid-state conductor forms the negative electrode (also called the cathode or counter-electrode).
　
（訳文）［なお、訳文は引用例３に対応する特表２００２−５２４５９３号公報を参考とした。］
　「発明の背景
　
固体状態の電解コンデンサは、焼結タンタル粉末の多孔性ペレット、焼結タンタル粉末の表面に形成された誘電体タンタル酸化物、所定の容量のペレットに含浸させた固体状態の導体、および銀ペイントなどのような外部接続から製造されている。タンタルはコンデンサの正電極を形成し、固体状態の導体が負電極（陰極または対向電極とも呼ばれる）を形成する。
　
ｂ．“
Chemical oxidative polymerization is an effective way to impregnate conductive polymer into the pores of the tantalum pellet. In chemical oxidative polymerization, a monomer, oxidizing agent, and a dopant are reacted inside the porous pellet to form the conductive polymer.
　Several methods have been used to get the monomer, oxidizing agent, and dopant into the porous pellet and carry out the conversion to conductive polymer. In one method, the pellet is first dipped in a solution of the oxidizing agent and dopant, dried, and then dipped in a solution of the monomer. After the reaction is carried out, the pellet is washed and then the process is repeated until the desired amount of polymer is deposited in the pellet. In this method, it is difficult to control the morphology of the final polymer. It is also difficult to control the exact reaction stoichiometry between the monomer and the oxidizing agent. Control of this stoichiometry is critical to achieve the highest conductivity polymer (Satoh et al., Synthetic Metals, 1994). Cross contamination of the dipping solutions is a problem. Since the pellet must be dipped twice for each polymerization, the number of process steps is greatly increased. The excess reactants and the reduced form of the oxidizing agent need to be washed out of the part. This adds even more process steps and complexity to the process.
　In a related method, the sequence is reversed so that the pellet is dipped in the monomer solution first and the solvent is evaporated away. The pellet is then dipped in the oxidizing agent/dopant solution and the reaction is carried out. This method suffers from all the disadvantages of the previous method. In addition, some monomer may be lost in the solvent evaporation step.
　In the preferred method, all components are mixed together and the pellet is dipped in the combined solution. This method reduces the number of dips and allows more precise control over the reaction stoichiometry. However, the monomer and oxidizing agent can react in the dipping bath, causing premature polymerization and loss of reactants, adding some cost and complexity to the process. This is especially a problem with pyrrole monomer and Fe (III) oxidizing agents. To partially overcome this, the dipping bath can be kept at cryogenic temperature (Nishiyama et al., U. S. Patent 5,455,736). However, use of cryogenic temperatures adds considerable equipment and operational complexity to the process.
　The pyrrole/Fe (III) can be replaced with a monomer/oxidizing agent combination that is less reactive. 
For example, 3,4 ethylenedioxythiophene and an Fe (III) salt of an organic acid may be dissolved in alcohol or acetone (Jonas et al., U.S.Patent 4,910,645). With this combination, dilute solutions (less than 5% monomer) are stable near room temperature for several hours. The polymer (poly (3,4 ethylenedioxythiophene) or PEDT) can be formed by warming the solution.
Addition of a nonvolatile organic base, such as imidazole, also inhibits the reaction
　
（訳文）
　「
化学的酸化重合は、タンタルペレットの孔に導電性ポリマーを注入することが効果的である。化学的酸化重合では、モノマー、酸化剤、およびドーピング剤を多孔性ペレット内で反応し、導電性ポリマーを形成する。モノマーには、ピロール、アニリン、チオフェン、およびこれらの化合物の種々の誘導体が挙げられる。
　モノマー、酸化剤、およびドーピング剤を多孔性ペレット内に取り込み、導電性ポリマーへの変換を実施するためにいくつかの方法が使用されている。一つの方法では、最初にペレットを酸化剤およびドーピング剤の溶液に浸漬し、乾燥し、次いでモノマーの溶液に浸漬する。反応を実施した後、ペレットを洗浄し、次いで所望の量のポリマーがペレットに沈着されるまで、この方法を反復する。この方法では、最終ポリマーの形態を制御することが困難である。モノマーと酸化剤の正確な反応化学量論を制御することも困難である。この化学量論の制御は最も導電性の高いポリマーを得るために重要である（Satohら, Synthetic Metals, 1994）。浸漬溶液の交差汚染が問題である。ペレットは各重合あたり2回浸漬しなければならないので、工程段階の数はかなり増加する。過剰の反応物および酸化剤の還元体を要素から洗い流す必要がある。これにより工程にさらなる工程段階と複雑さを加えられる。
　関連する方法では、まずペレットをモノマー溶液に浸漬し、溶媒を留去するというように順序を逆にする。次いで、ペレットを酸化剤/ドーピング剤溶液に浸漬し、反応を実施する。この方法は以前の方法の欠点を全て有する。また、溶媒留去段階中に一部のモノマーが損失することがある。
　好ましい方法においては、全ての成分を混合し、合わせた溶液にペレットを浸漬する。この方法は、浸漬回数を減らし、反応化学量論をより正確に制御することができる。しかし、モノマーおよび酸化剤が浸漬浴中で反応して、早期重合を生じ、反応物を損失することがあり、いくぶん費用がかさみ、方法を複雑にすることがある。これは、特に、ピロールモノマーおよびFe(III)酸化剤の場合に問題となる。これを部分的に克服するためには、浸漬浴を極低温に維持することができる（Nishiyamaら、米国特許第5,455,736号）。しかし、極低温を使用すると大規模な装置および操作の複雑さが工程に加わる。
  ピロール/Fe(III)を、反応性の低いモノマー/酸化剤の組み合わせと交換することができる。
例えば、3,4-エチレンジオキシチオフェンおよび有機酸のFe(III)塩をアルコールまたはアセトンに溶解することができる（Jonasら、米国特許第4,910,645号）。この組み合わせの場合には、希釈された溶液（モノマー5%未満）はほぼ室温において数時間安定である。ポリマー（ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)またはPEDT）は、溶液を加温することによって形成することができる。
イミダゾールなどの不揮発性有機塩基の添加も反応を阻害する
　
（４−４）補正発明と引用発明との対比
（４−４−１）引用発明の「ポリエチレンジオキシチオフェン」は、「３，４−エチレンジオキシチオフェン」を酸化剤を用いて重合させて形成されるものであるから、補正発明の「ポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン」に相当することは明らかである。
　
（４−４−２）以上によれば、補正発明と引用発明とは、
　「陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して巻回又は積層してコンデンサ素子を形成し、このコンデンサ素子を化成液中で修復化成し、その後に３，４−エチレンジオキシチオフェンと酸化剤とを含浸してポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェンからなる固体電解質層を形成する固体電解コンデンサの製造方法。」
　である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点）
　補正発明は、「３，４−エチレンジオキシチオフェンと酸化剤の重合以前に、コンデンサ素子内に窒素２原子を含む五員環化合物を３，４−エチレンジオキシチオフェンと酸化剤の総量に対して０．０００８〜０．５ｗｔ％含有させ」ているのに対し、引用発明は、そのような特定をしていない点。
　
（４−５）相違点についての検討
（４−５−１）上記（４−３−１）によれば、引用例１には、固体電解コンデンサを製造する方法において、多孔質の陽極体２の表面に酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）の誘電体皮膜３が形成された多孔質体素子６を酸化剤溶液７に浸漬した後、酸化重合遅延剤を含むモノマー溶液に浸漬して、前記多孔質体素子６の誘電体皮膜３の細孔内と表面に導電性高分子からなる電解質層４を形成することが記載されていると認められる。
　また、該引用例１において、酸化重合遅延剤は、酸化重合開始以前に多孔質体素子６に供給されることは明らかである。
　さらに、００２６段落の記載によれば、引用例１においては、前記モノマー溶液として３，４―エチレンジオキシチオフェンの溶液が用いられることが明らかであり、当該３，４―エチレンジオキシチオフェンを酸化剤を用いて重合させれば、形成される電解質層４が、ポリ−３，４―エチレンジオキシチオフェンとなることは、技術常識からみて自明である。
　
（４−５−２）引用発明及び引用例１に記載された発明は、いずれも３，４−エチレンジオキシチオフェンを酸化剤と反応させて重合し、固体電解コンデンサの電解質を形成するものであるから、引用発明において、引用例１に記載の３，４−エチレンジオキシチオフェンと酸化剤の重合以前に酸化重合遅延剤を添加するという発明を採用することは、当業者であれば容易に想到し得たものである。
　
（４−５−３）また、３，４−エチレンジオキシチオフェンの酸化重合反応を抑制する物質として、窒素２原子を含む五員環化合物であるイミダゾールを添加することは、上記引用例３に加え、下記周知例１及び２に記載されていることから、当業者における周知技術であるといえる。したがって、引用発明において、引用発明１に記載の酸化重合遅延剤を適用するに際し、当該酸化重合遅延剤としてイミダゾールの如くの窒素２原子を含む五員環化合物を選択することは、当業者であれば直ちに察知し得る事項である。
　
ａ．周知例１：特開平６−３１８７７５号公報
　上記周知例１には、以下の記載がある。
　「【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に従って、この目的は序文に記載した方法により達成され、この方法は溶液が酸化剤および塩基を含み、さらに導電性重合体を非露光領域に形成し非導電性重合体を露光領域に形成することを特徴とする。非導電性重合体は、ここでは重合体の特定の導電率が導電性重合体の特定の導電率の少なくとも１／104 である重合体を意味すると認識する必要がある。酸化剤の存在により形成される重合体の特定の導電率値が酸化剤を用いない場合のものより高くなる。しかし、
単量体またはドーピングしていないオリゴマーあるいは重合体と、さらに、ドーピングに用いる代表的な酸化剤、例えばFe(III) 塩を含む溶液は極めて不安定である。これらの成分を混合する場合、溶液中に即座にドーピングされた重合体が形成されるので、基板上に導電性重合体パターンを形成することができない。驚くべきことに、重合反応および／またはドーピング反応の反応速度が少量の塩基を溶液に添加することにより短くなることが見出された。
【０００８】
本発明の方法に適した重合体は芳香族化合物、例えばアニリンならびにピロール、フランおよびチオフェンのような、複素環式芳香族化合物である。
【０００９】本発明の方法に適する酸化剤は、例えば、トリス（トルエンスルホン酸塩）Fe(III) のような、可溶性Fe(III) 塩、Cu(BF4)2のような、Cu(II)塩、Ce(IV)塩およびCr(III) 塩である。適当な有機酸化剤は、例えば、2,3-ジクロロ-5,6- ジシアノパラベンゾキノン(DDQ) である。酸化剤の選定は、用いた単量体、オリゴマーまたは重合体の酸化還元電位に依存する。室温での重合／ドーピング反応を抑制することができるためには、酸化剤と単量体、オリゴマーまたは重合体の酸化還元電位は著しく異なる必要がない。
【００１０】
この方法に適する可溶性塩基は、例えば、イミダゾール、ジシクロヘキシルアミンおよび1,8-ジアザビシクロ[5,4,0] ウンデク-7- エン(DBU) である。
【００１１】
本発明の方法の好適例は単量体として3,4-エチレンジオキシチオフェンを用いることを特徴とする。3,4-エチレンジオキシチオフェン(EDOT)、適当な塩基の量および酸化剤としてFe(III) 塩を含む溶液は室温で安定である。
　
ｂ．周知例２：特表平９−５０４１３７号公報
　上記周知例２には、以下の記載がある。
　「実施例１
  
７０ｇの１−ブタノールに、以下のものを溶解した。
−１０ｇ（０．０１７６モル）のＦｅ(III)−ｐ−トルエンスルホン酸
−１．０ｇ（０．００７モル）の３，４−エチレンジオキシチオフェン（図１の式Ｉ、供給者Bayer AG）
−０．４ｇ（０．００５９モル）のイミダゾール(図１の式II、供給者Aldrich)
−０．０５ｇ（０．０００２１モル）の３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（図２、供給者Huls）
  上記Ｆｅ(III)塩は、市場では入手できない。この塩を、新たに沈殿させたＦｅ（ＯＨ）3および適切な有機酸をメタノールに溶解した溶液から沈殿させた。この沈殿は、J．A．Walker等により、「J．Polym．Chem．」 26(1988)1285-1294に記載されている。
  ０．５μｍのポリアミドフィルターで濾過した後に、被膜溶液が完成した。
イミダゾールの存在により、重合反応は、抑制され、溶液のポットライフは、少なくとも２４時間であった。
　
（４−５−４）ここで、補正発明における「窒素２原子を含む五員環化合物」の含有量である「３，４−エチレンジオキシチオフェンと酸化剤の総量に対して０．０００８〜０．５ｗｔ％」という数値について検討する。
　本願の明細書及び図面（以下、これらをまとめて「明細書等」という。）において、補正発明の「窒素２原子を含む五員環化合物」の含有量に関連した事項が直接的に記載されている箇所は、００１７段落、００２５段落及び００２６段落のみであるが、００１７段落には「含窒素複素環式化合物の含有量は、重合性モノマーと酸化剤の総量に対して０．０００８〜２．５ｗｔ％が好ましく、０．００８〜０．８ｗｔ％がより好ましい。含有量がこの範囲を越えると、ＥＳＲが上昇し、この範囲未満であると、静電容量が減少し、ＥＳＲが上昇する。」と記載されているのみであり、上記「窒素２原子を含む五員環化合物」の下限値及び上限値について実験結果等に裏付けられた具体的な根拠を何ら記載するものではない。
　また、００２５段落及び００２６段落には、上記「窒素２原子を含む五員環化合物」であるイミダゾールの含有量として１ｗｔ％なる数値が記載されているものの、当該１ｗｔ％なる数値は、「ＥＤＴと５０％のパラトルエンスルホン酸第二鉄のブタノール溶液を１：３の割合で混合し、この混合液に対して１ｗｔ％」または「１ｗｔ％のイミダゾール水溶液」であって、３，４−エチレンジオキシチオフェン（ＥＤＴ）と酸化剤の総量に対する割合を示すものではなく、「窒素２原子を含む五員環化合物」を「３，４−エチレンジオキシチオフェンと酸化剤の総量に対して０．０００８〜０．５ｗｔ％含有させる」ことの技術的意義を裏付けるものとはいえない。
　明細書等を精査しても、他に補正発明において「窒素２原子を含む五員環化合物」を「３，４−エチレンジオキシチオフェンと酸化剤の総量に対して０．０００８〜０．５ｗｔ％含有させる」とすることの技術的意義について記載した箇所はなく、本願出願時点における技術常識を加味したとしても、「窒素２原子を含む五員環化合物」を「３，４−エチレンジオキシチオフェンと酸化剤の総量に対して０．０００８〜０．５ｗｔ％含有させる」としたことにより、予期しない程度の顕著な効果を奏するものとは認めることはできない。
　したがって、補正発明において「窒素２原子を含む五員環化合物」を「３，４−エチレンジオキシチオフェンと酸化剤の総量に対して０．０００８〜０．５ｗｔ％含有させる」とすることの臨界的意義を認めることはできない。
　そして、「窒素２原子を含む五員環化合物」の含有量を「３，４−エチレンジオキシチオフェンと酸化剤の総量に対して０．０００８〜０．５ｗｔ％」とすることは、当業者が必要に応じて適宜に設定し得る程度のものにすぎない。
　
（４−５−５）なお、審判請求人は、審判請求書の請求の理由、及び、審尋の回答書において、上記引用例３の「イミダゾールなどの不揮発性有機塩基の添加も反応を阻害する（Mutsaersら、EP 0615256A2, 1994;de Leeuwら、1994）。しかし、これは、洗浄除去が困難な有機残渣をタンタルコンデンサの孔に残す」との記載によれば、引用例１に記載の重合遅延剤に代えて、引用例３のイミダゾールを使用することには、阻害要因がある旨主張している。
　しかし、引用発明における、ポリエチレンジオキシチオフェンが形成される陽極箔及び陰極箔として、引用例２には、アルミニウム箔を電気化学的エッチングすることにより粗面化したものが例示されている。一方、引用例３には、第１頁第１３〜１９行に示されるように、タンタル粉末の焼結により形成された多孔性ペレットの孔には有機残渣が残ることが記載されているが、電気化学的エッチングにより粗面化されたアルミニウム箔電極においても有機残渣が残ることが記載されているわけではない。
　むしろ、上記（４−５−３）にて述べたとおり、３，４−エチレンジオキシチオフェンの酸化重合反応を抑制する物質として、窒素２原子を含む五員環化合物であるイミダゾールは、周知例１及び２にも記載されているように技術分野を問わず、当業者において周知であることを考慮すれば、アルミニウム箔等が用いられることを前提とした陽極箔と陰極箔における酸化重合反応を抑制するためにイミダゾールの使用を試みることは、当業者が当然に行うことである。
　したがって、出願人の主張する事項は、引用発明における電解コンデンサに適用するに際しては、必ずしも阻害要因とはならないものと認められる。
　
（４−５−６）よって、引用発明において、「３，４−エチレンジオキシチオフェンと酸化剤の重合以前に、コンデンサ素子内に窒素２原子を含む五員環化合物を３，４−エチレンジオキシチオフェンと酸化剤の総量に対して０．０００８〜０．５ｗｔ％含有させ」ることは、当業者が容易になし得たことである。
　
（４−５−７）以上検討したとおり、補正発明は、引用例３並びに周知例１及び２に記載された周知技術を勘案することにより、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（４−６）独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおり、本件補正は、補正発明が特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから特許法第１７条の２第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項をいう。以下同じ。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　
（５）補正の却下についてのむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしておらず、同法第１７条の２第４項各号に掲げる事項のいずれを目的とするものにも該当しない。仮に、本件補正が、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たし、かつ、同法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものとみなした場合であっても、同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成２０年８月４日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜８に係る発明は、平成２０年３月２４日に提出された手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜８に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記２．（１）の「補正前」の請求項１に記載したとおりのものであり、再掲すると以下の通りである。
　「【請求項１】　陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して巻回又は積層してコンデンサ素子を形成し、このコンデンサ素子を化成液中で修復化成し、その後に重合性モノマーと酸化剤とを含浸して導電性ポリマーからなる固体電解質層を形成する固体電解コンデンサの製造方法において、
　前記重合性モノマーと酸化剤の含浸工程以前に、コンデンサ素子内に窒素２原子を含む五員環化合物を重合性モノマーと酸化剤の総量に対して０．０００８〜２．５ｗｔ％含有させることを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。」
　
（２）引用刊行物に記載された発明
　本願の出願前に日本国内または外国において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開２００２−３３２４４号公報（引用例１）、特開２０００−１３８１３３号公報（引用例２）及び国際公開００／１４１３９号（引用例３）には、上記２．（４−３）に記載したとおりの事項及び発明が記載されているものと認められる。
　
（３）本願発明と引用発明との対比
（３−１）引用例２に周知技術として記載された発明（引用発明）の「３，４−エチレンジオキシチオフェン」及び「ポリエチレンジオキシチオフェン」は、それぞれ、本願発明の「重合性モノマー」及び「導電性ポリマー」に相当する。
　
（３−２）以上によれば、本願発明と引用発明とは、
　「陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して巻回又は積層してコンデンサ素子を形成し、このコンデンサ素子を化成液中で修復化成し、その後に重合性モノマーと酸化剤とを含浸して導電性ポリマーからなる固体電解質層を形成する固体電解コンデンサの製造方法。」
　である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点）
　本願発明は、「重合性モノマーと酸化剤の重合以前に、コンデンサ素子内に窒素２原子を含む五員環化合物を重合性モノマーと酸化剤の総量に対して０．０００８〜２．５ｗｔ％含有させ」ているのに対し、引用発明は、そのような特定をしていない点。
　
（４）相違点についての検討
（４−１）上記２．（４−５−１）に記したとおり、引用例１には、固体電解コンデンサを製造する方法において、多孔質の陽極体２の表面に酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）の誘電体皮膜３が形成された多孔質体素子６を酸化剤溶液７に浸漬した後、酸化重合遅延剤を含むモノマー溶液に浸漬して、前記多孔質体素子６の誘電体皮膜３の細孔内と表面に導電性高分子からなる電解質層４を形成することが記載されていると認められる。また、該引用例１において、酸化重合遅延剤は、酸化重合開始以前に多孔質体素子６に供給されることは明らかである。
　
（４−２）引用発明及び引用例１に記載された発明は、いずれもモノマーを酸化剤と反応させて重合し、固体電解コンデンサの電解質を形成するという共通の技術分野に属するものであるから、引用発明において、引用例１に記載のモノマーと酸化剤の重合以前に酸化重合遅延剤を添加するという発明を採用することは、当業者であれば容易に想到し得たものである。
　
（４−３）また、３，４−エチレンジオキシチオフェン等のモノマーの酸化重合反応を抑制する物質として、窒素２原子を含む五員環化合物であるイミダゾールは、引用例３、並びに、上記２．（４−５−３）に示した周知例１及び２に記載されているように当業者において周知である。したがって、引用発明において、引用例１に記載された酸化重合遅延剤を適用するに際し、当該酸化重合遅延剤としてイミダゾールの如くの窒素２原子を含む五員環化合物を選択することは、当業者であれば直ちに察知し得る事項である。
　
（４−４）さらに、本願発明において「窒素２原子を含む五員環化合物」を「重合性モノマーと酸化剤の総量に対して０．０００８〜２．５ｗｔ％含有させる」とすることの臨界的意義は、上記２．（４−５−４）に示したのと同様に認めることはできない。
　そして、「窒素２原子を含む五員環化合物」の含有量は、当業者が必要に応じて適宜に設定し得る程度のものにすぎない。
　
（４−５）なお、審判請求人は、審判請求書の請求の理由、及び、審尋の回答書において、上記引用例３の「イミダゾールなどの不揮発性有機塩基の添加も反応を阻害する（Mutsaersら、EP 0615256A2, 1994;de Leeuwら、1994）。しかし、これは、洗浄除去が困難な有機残渣をタンタルコンデンサの孔に残す」との記載によれば、引用例１に記載の重合遅延剤に代えて、引用例３のイミダゾールを使用することには、阻害要因がある旨主張しているが、これも、上記２．（４−５−５）に示したとおり、上記引用例３の記載は、引用発明における電解コンデンサに適用するに際しては、必ずしも阻害要因とはならないものと認められる。
　
（４−６）以上検討したとおり、本願発明は、引用例３並びに周知例１及び２に記載された周知技術を勘案することにより、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。