【手続補正書】
【提出日】平成23年1月27日(2011.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
埋め込み型心臓刺激デバイス（ＩＣＳＤ）であって、
心臓活動を検知し、かつ心臓刺激出力を供給するように構成された演算回路要素と、
導電性金属で形成され、前記演算回路要素を収容するように形作られたキャニスタであって、第１主面および第２主面を有する前記キャニスタと、
外側金属層および内側金属層を備え、前記外側金属層と前記内側金属層との間に誘電体を有するＥＭＩシールドとを備え、
前記ＥＭＩシールドは、前記キャニスタの主面の一方から前記演算回路要素を分離し、前記外側金属層が前記キャニスタに電気的に伝導性接触するようにする、埋め込み型心臓刺激デバイス（ＩＣＳＤ）。
【請求項２】
前記外側金属層は、前記ＥＭＩシールドの前記内側金属層から電気的に絶縁される、請求項１に記載のＩＣＳＤ。
【請求項３】
前記ＥＭＩシールドの前記内側金属層は、前記演算回路要素の参照出力に電気的に接続される、請求項１または２のいずれかに記載のＩＣＳＤ。
【請求項４】
前記ＥＭＩシールドは外側周縁部を含み、
前記内側金属層は、前記外側周縁部に関連する前記ＥＭＩシールドの第１面の過半部分を占め、
前記内側金属層は、前記外側周縁部に隣接するプルバック領域まで延在しない、請求項１から３のいずれか１項に記載のＩＣＳＤ。
【請求項５】
前記プルバック領域は約６０ミルの幅を有する、請求項４に記載のＩＣＳＤ。
【請求項６】
前記外側金属層は、前記周縁部において前記誘電体の周りに延在する、請求項４または５のいずれかに記載のＩＣＳＤ。
【請求項７】
前記ＥＭＩシールドは、前記内側金属層の主要部を覆い、かつ、前記演算回路要素を前記内側金属層との接触から実質的に絶縁する内側誘電体層をさらに含む、請求項１から６のいずれか１項に記載のＩＣＳＤ。
【請求項８】
第１電極が、前記キャニスタ上に配設され、
前記ＩＣＳＤは、前記キャニスタ上に設けられたヘッダによって前記演算回路要素に結合するリード線アセンブリであって、少なくとも第２電極を含む前記リード線アセンブリをさらに備え、
前記演算回路要素は、高電圧コンデンサおよび電池システムを含み、前記第１および第２電極を含む電極システムを使用して振幅が５０Ｖより大きい範囲の刺激出力を送出するように構成されている、請求項１から７のいずれか１項に記載のＩＣＳＤ。
【請求項９】
第１電極が、前記キャニスタ上に配設され、
ＩＣＳＤは、前記キャニスタ上に設けられたヘッダによって前記演算回路要素に結合するリード線アセンブリであって、少なくとも第２電極を含む前記リード線アセンブリをさらに備え、
前記演算回路要素は、高電圧コンデンサおよび電池システムを含み、ＩＣＳＤを埋め込まれる患者のカーディオバージョン／デフィブリレーションを達成するのに十分な刺激出力を送出するように構成されている、請求項１から７のいずれか１項に記載のＩＣＳＤ。
【請求項１０】
埋め込み型医療デバイス（ＩＭＤ）であって、
心臓活動を検知するように構成された演算回路要素と、
導電性金属で形成され、前記演算回路要素を収容するように形作られたキャニスタと、
外側金属層および内側金属層を備え、前記外側金属層と前記内側金属層との間に誘電体を有するＥＭＩシールドとを備え、
前記ＥＭＩシールドは、前記演算回路要素と前記キャニスタの少なくとも一部との間に配設され、前記外側金属層が前記キャニスタに電気的に導電性接触するようにする、埋め込み型医療デバイス（ＩＭＤ）。
【請求項１１】
前記外側金属層は、前記ＥＭＩシールドの前記内側金属層から電気的に絶縁される、請求項１０に記載のＩＭＤ。
【請求項１２】
前記ＥＭＩシールドの前記内側金属層は、前記演算回路要素の参照ノードに電気的に接続される、請求項１０または１１のいずれかに記載のＩＭＤ。
【請求項１３】
前記ＥＭＩシールドは外側周縁部を含み、
前記内側金属層は、前記外側周縁部に関連する前記ＥＭＩシールドの第１面の主要部を覆い、
前記内側金属層は、前記外側周縁部に隣接するプルバック領域まで延在しない、請求項１０から１２のいずれか１項に記載のＩＭＤ。
【請求項１４】
前記プルバック領域は約６０ミルの幅を有する、請求項１３に記載のＩＭＤ。
【請求項１５】
前記外側金属層は、前記周縁部において前記誘電体の周りに延在する、請求項１３または１４のいずれかに記載のＩＭＤ。
【請求項１６】
前記ＥＭＩシールドは、内側誘電体層であって、前記内側金属層の過半部分を覆い、かつ、前記演算回路要素を前記内側金属層との接触から実質的に絶縁する前記内側誘電体層をさらに含む、請求項１０から１５のいずれか１項に記載のＩＭＤ。
【請求項１７】
埋め込み型医療デバイス（ＩＭＤ）で使用するためのＥＭＩシールドであって、
外側金属層と、
内側金属層と、
前記外側金属層を前記内側金属層から分離する第１誘電体とを備え、
前記ＩＭＤの演算回路要素と前記ＩＭＤの筐体との間に配置する大きさに作られ、かつ形作られるＥＭＩシールド。
【請求項１８】
前記内側金属層の主要部を覆って配設された第２誘電体をさらに備え、前記内側金属層は、該内側金属層にワイヤを取付けるためのはんだパッドを含む、請求項１７に記載のＥＭＩシールド。
【請求項１９】
前記ＥＭＩシールドは周縁部を含み、前記内側金属層は、前記周縁部まで延在しない、請求項１７または１８のいずれかに記載のＥＭＩシールド。
【請求項２０】
前記外側金属層は、前記周縁部を包み込む、請求項１９に記載のＥＭＩシールド。
【請求項２１】
埋め込み型医療デバイスを製造する方法であって、
内側面および外側面を有する少なくとも第１筐体要素であって、導電性金属表面を少なくとも前記内側面上に有する前記少なくとも第１筐体要素を含む筐体要素を設けること、
前記埋め込み型医療デバイスの方法を実施するように構成された演算回路要素を設けること、
外側金属層、内側金属層、および、前記外側金属層と前記内側金属層との間の第１誘電体層を含むＥＭＩシールドを設けること、
前記筐体要素および前記演算回路要素を組立てて、前記ＥＭＩシールドが、前記演算回路要素を前記第１筐体要素から分離し、前記外側金属層が、前記内側面上の前記導電性金属表面に電気接触するようにすること
を備える方法。
【請求項２２】
前記演算回路要素は参照電圧出力を有し、
前記内部金属層を、前記演算回路要素の前記参照電圧出力に電気的に結合することをさらに含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
埋め込み型心臓刺激デバイス（ＩＣＳＤ）を製造する方法であって、
導電性金属で形成された第１および第２キャニスタセクションであって、第１および第２キャニスタセクションがそれぞれ、主面および側面を含む、第１および第２キャニスタセクションを設けること、
前記第１および第２キャニスタセクションのそれぞれに対応するコンポーネントを有するＥＭＩシールドであって、外側金属層、内側金属層、および前記外側金属層と前記内側金属層との間の第１誘電体層を有する前記ＥＭＩシールドを設けること、
電池、コンデンサブロック、および制御回路要素を含むＩＣＳＤ用の演算回路要素を設けること、および、
前記第１および第２キャニスタセクション、前記ＥＭＩシールド、および前記演算回路要素を組立てて、前記ＥＭＩシールドのコンポーネントが前記演算回路要素と、それぞれ第１および第２キャニスタセクションとの間に配置された状態で、前記ＥＭＩシールドのコンポーネントの前記外側金属層が、前記第１および第２キャニスタセクションの対応する内部表面に電気的に結合するようにすること
を備える方法。
【請求項２４】
前記演算回路要素は参照電圧出力を含み、
前記ＥＭＩシールドのコンポーネントのそれぞれの前記内側金属層を、前記参照電圧出力に電気的に結合することをさらに含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記ＥＭＩシールドのコンポーネントはそれぞれ、外側周縁部を有し、前記内側金属層は、少なくとも１０ミルの幅を有する周縁セクションまで延在しない、請求項２３または２４のいずれかに記載の方法。
【請求項２６】
前記ＥＭＩシールドのコンポーネントはそれぞれ、前記外側周縁部まで延在し、かつ、前記外側周縁部を包み込む外側金属層を有する、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
埋め込み型カーディオバータ−デフィブリレータ（ＩＣＤ）であって、
電池、エネルギー貯蔵回路要素、および制御回路要素を含む演算回路要素であって、埋め込み式電極から信号を受信することによって患者の心臓活動を監視し、悪性不整脈の識別に応答して、前記患者の心臓に刺激を送出するよう構成される前記演算回路要素と、
少なくとも導電性材料領域を含むキャニスタと、
前記演算回路要素と前記キャニスタとの間に配設された電磁干渉（ＥＭＩ）シールドであって、刺激の送出中に、非線形作用を実質的に防止するよう構成される前記電磁干渉（ＥＭＩ）シールドとを備える埋め込み型カーディオバータ−デフィブリレータ（ＩＣＤ）。
【請求項２８】
前記ＥＭＩシールドは、該ＥＭＩシールドと前記キャニスタとの間の空隙の両端の電圧差の発生を制限するよう構成される、請求項２７に記載のＩＣＤ。