【事件の表示】
　特願２０００−５３３８９２「マスクを通過する横方向のオーバーグロースによる窒化ガリウム半導体層を製造する方法及びそれによって製造された窒化ガリウム半導体の構造体」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　９月　２日国際公開，ＷＯ９９／４４２２４，平成１４年　２月１９日国内公表，特表２００２−５０５５１９〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，１９９９年２月２６日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９８年２月２７日，米国）を国際出願とする出願であって，平成１９年２月８日付けの拒絶理由通知に対して，同年５月２２日に手続補正書及び意見書が提出されたが，同年９月７日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年１２月７日に審判請求がされるとともに，同日付けで手続補正書が提出されたものである。
　
第２　平成１９年１２月７日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正のうち，特許請求の範囲についてする補正の内容は，次のとおりである。
（１）補正事項１（請求項１についての補正）
　請求項１の，
「前記基板（１０２ａ）に対向する前記バッファ層（１０２ｂ）上に基底の窒化ガリウム層（１０４）を形成するステップ」及び
「これにより第２の過度成長した窒化ガリウムの半導体層（２０８）を形成するステップ」
との記載を，それぞれ，次のように補正する。
「前記基板（１０２ａ）に対向する前記バッファ層（１０２ｂ）上に少なくとも１０8ｃｍ-2の欠陥密度を有する基底の窒化ガリウム層（１０４）を形成するステップ」及び
「これにより，第２の連続的な過度成長した窒化ガリウムの半導体層全体にわたって１０4ｃｍ-2以下の欠陥密度を有する第２の連続的な過度成長した窒化ガリウムの半導体層（２０８）を形成するステップ」
　
（２）補正事項２（請求項１８についての補正）
　請求項１８の，
「前記基板（１０２ａ）に対向する前記バッファ層（１０２ｂ）上に基底の窒化ガリウム層（１０４）を形成するステップ」及び
「これにより第２の横方向に成長した窒化ガリウムの半導体層（２０８）を形成するステップ」
との記載を，それぞれ，次のように補正する。
「前記基板（１０２ａ）に対向する前記バッファ層（１０２ｂ）上に少なくとも１０8ｃｍ-2の欠陥密度を有する基底の窒化ガリウム層（１０４）を形成するステップ」及び
「これにより，第２の連続的な過度成長した窒化ガリウムの半導体層全体にわたって１０4ｃｍ-2以下の欠陥密度を有する第２の連続的な横方向に成長した窒化ガリウムの半導体層（２０８）を形成するステップ」
　
（３）補正事項３（請求項２４についての補正）
　請求項２４の，
「前記基板（１０２ａ）に対向する前記バッファ層（１０２ｂ）上に形成された基底の窒化ガリウム層（１０４）」及び
「前記第２の縦方向の窒化ガリウム層から，前記第１の横方向の窒化ガリウム層に対向する前記第２のパターン化層上に延びる第２の横方向の窒化ガリウム層（２０８ｂ）」
との記載を，それそれ，次のように補正する。
「前記基板（１０２ａ）に対向する前記バッファ層（１０２ｂ）上に形成された少なくとも１０8ｃｍ-2の欠陥密度を有する基底の窒化ガリウム層（１０４）」及び
「前記第２の縦方向の窒化ガリウム層から，前記第１の横方向の窒化ガリウム層に対向する前記第２のパターン化層上に延びる，第２の連続的な横方向の窒化ガリウム全体にわたって１０4ｃｍ-2以下の欠陥密度を有する第２の連続的な横方向の窒化ガリウム層（２０８ｂ）」
　
（４）補正事項４（請求項３４についての補正）
　請求項３４の，
「前記基板（１０２ａ）に対向する前記バッファ層（１０２ｂ）上に形成された基底の窒化ガリウム層（１０４）」，
「前記第１の横方向の窒化ガリウム層から延びる第２の横方向の窒化ガリウム層（２０８ｂ）」及び
「前記第２の横方向の窒化ガリウム層内の複数のマイクロ電子ディバイス（２１０）」
との記載を，それぞれ，次のように補正する。
「前記基板（１０２ａ）に対向する前記バッファ層（１０２ｂ）上に形成された少なくとも１０8ｃｍ-2の欠陥密度を有する基底の窒化ガリウム層（１０４）」，
「前記第１の横方向の窒化ガリウム層から延びる，第２の連続的な横方向の窒化ガリウム全体にわたって１０4ｃｍ-2以下の欠陥密度を有する第２の連続的な横方向の窒化ガリウム層（２０８ｂ）」及び
「前記第２の連続的な横方向の窒化ガリウム層内の複数のマイクロ電子ディバイス（２１０）」
　　
２　補正目的の適否
（１）補正事項１について
　補正事項１は，補正前の請求項１の発明特定事項である「前記基板（１０２ａ）に対向する前記バッファ層（１０２ｂ）上に基底の窒化ガリウム層（１０４）を形成するステップ」及び「これにより第２の過度成長した窒化ガリウムの半導体層（２０８）を形成するステップ」を，それぞれ，「前記基板（１０２ａ）に対向する前記バッファ層（１０２ｂ）上に少なくとも１０8ｃｍ-2の欠陥密度を有する基底の窒化ガリウム層（１０４）を形成するステップ」及び「これにより，第２の連続的な過度成長した窒化ガリウムの半導体層全体にわたって１０4ｃｍ-2以下の欠陥密度を有する第２の連続的な過度成長した窒化ガリウムの半導体層（２０８）を形成するステップ」と技術的に限定するものであるから，補正事項１に係る補正は，特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２は，補正前の請求項１８の発明特定事項である「前記基板（１０２ａ）に対向する前記バッファ層（１０２ｂ）上に基底の窒化ガリウム層（１０４）を形成するステップ」及び「これにより第２の横方向に成長した窒化ガリウムの半導体層（２０８）を形成するステップ」を，それぞれ，「前記基板（１０２ａ）に対向する前記バッファ層（１０２ｂ）上に少なくとも１０8ｃｍ-2の欠陥密度を有する基底の窒化ガリウム層（１０４）を形成するステップ」及び「これにより，第２の連続的な過度成長した窒化ガリウムの半導体層全体にわたって１０4ｃｍ-2以下の欠陥密度を有する第２の連続的な横方向に成長した窒化ガリウムの半導体層（２０８）を形成するステップ」と技術的に限定するものであるから，補正事項２に係る補正は，特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
（３）補正事項３について
　補正事項３は，補正前の請求項２４の発明特定事項である「前記基板（１０２ａ）に対向する前記バッファ層（１０２ｂ）上に形成された基底の窒化ガリウム層（１０４）」及び「前記第２の縦方向の窒化ガリウム層から，前記第１の横方向の窒化ガリウム層に対向する前記第２のパターン化層上に延びる第２の横方向の窒化ガリウム層（２０８ｂ）」を，それぞれ，「前記基板（１０２ａ）に対向する前記バッファ層（１０２ｂ）上に形成された少なくとも１０8ｃｍ-2の欠陥密度を有する基底の窒化ガリウム層（１０４）」及び「前記第２の縦方向の窒化ガリウム層から，前記第１の横方向の窒化ガリウム層に対向する前記第２のパターン化層上に延びる，第２の連続的な横方向の窒化ガリウム全体にわたって１０4ｃｍ-2以下の欠陥密度を有する第２の連続的な横方向の窒化ガリウム層（２０８ｂ）」と技術的に限定するものであるから，補正事項３に係る補正は，特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
（４）補正事項４について
　補正事項４は，補正前の請求項３４の発明特定事項である「前記基板（１０２ａ）に対向する前記バッファ層（１０２ｂ）上に形成された基底の窒化ガリウム層（１０４）」，「前記第１の横方向の窒化ガリウム層から延びる第２の横方向の窒化ガリウム層（２０８ｂ）」及び「前記第２の横方向の窒化ガリウム層内の複数のマイクロ電子ディバイス（２１０）」を，それぞれ，「前記基板（１０２ａ）に対向する前記バッファ層（１０２ｂ）上に形成された少なくとも１０8ｃｍ-2の欠陥密度を有する基底の窒化ガリウム層（１０４）」，「前記第１の横方向の窒化ガリウム層から延びる，第２の連続的な横方向の窒化ガリウム全体にわたって１０4ｃｍ-2以下の欠陥密度を有する第２の連続的な横方向の窒化ガリウム層（２０８ｂ）」及び「前記第２の連続的な横方向の窒化ガリウム層内の複数のマイクロ電子ディバイス（２１０）」と技術的に限定するものであるから，補正事項４に係る補正は，特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
　したがって，特許請求の範囲についての本件補正は，平成１８年法律５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項２号に掲げる事項（特許請求の範囲の減縮）を目的とするもの該当する。
　
　そこで，以下，本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項に規定する独立特許要件を満たすか）について検討する。
　
３　独立特許要件を満たすかどうかの検討
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は，次のとおりである。
　
【請求項１】
「炭化ケイ素を含む基板（１０２ａ）上に窒化アルミニウムを含むバッファ層（１０２ｂ）を形成して，前記基板（１０２ａ）に対向する前記バッファ層（１０２ｂ）上に少なくとも１０8ｃｍ-2の欠陥密度を有する基底の窒化ガリウム層（１０４）を形成するステップと，前記基底の窒化ガリウム層（１０４）を開口部のアレイを中に含むマスク（１０６）を用いてマスクするステップと，前記基底の窒化ガリウム層を前記開口部のアレイを通って前記マスク上に成長させ，これにより第１の過度成長した窒化ガリウムの半導体層（１０８）を形成するステップとを有する，窒化ガリウムの半導体層を製造する方法であって，
　前記第１の過度成長した窒化ガリウム層（１０８）を，前記第１の開口部のアレイから横方向にオフセットしている第２の開口部のアレイを中に含む第２のマスク（２０６）を用いてマスクするステップと，
　前記第１の過度成長した窒化ガリウム層を，前記第２の開口部のアレイを通って前記第２のマスク上に成長させ，これにより，第２の連続的な過度成長した窒化ガリウムの半導体層全体にわたって１０4ｃｍ-2以下の欠陥密度を有する第２の連続的な過度成長した窒化ガリウムの半導体層（２０８）を形成するステップと，
をさらに備えることを特徴とする窒化ガリウムの半導体層を製造する方法。」
　
（２）先願明細書の記載と先願発明
（２−１）先願明細書の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張の日前の他の出願であって，本願の出願後に出願公開された特願平１０−７７２４５号（特開平１１−１９１６５７号公報参照）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「先願明細書」という。）には，「窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子」（発明の名称）に関して，図１〜図６とともに，次の記載がある（下線は当審で付加したもの）。
　　ア　発明の背景等
・「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は窒化物半導体（Ｉｎ
X
Ａｌ
Y
Ｇａ
1-X-Y
Ｎ，０≦X，０≦Y，X＋Y≦１）の成長方法に係り，特に窒化物半導体よりなる基板の成長方法に関する
・「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＬＥＤ素子，ＬＤ素子，受光素子等の数々の電子デバイスに使用される窒化物半導体素子を作製する際，窒化物半導体よりなる基板を作製することができれば，その基板の上に新たな窒化物半導体を成長させて，格子欠陥が少ない窒化物半導体が成長できるので，それら素子の結晶性が飛躍的に良くなり，従来実現されていなかった素子が実現できるようになる。従って
本発明の目的とするところは，結晶性の良い窒化物半導体の成長方法を提供することにあり，具体的には基板となる窒化物半導体の成長方法と，窒化物半導体基板を有する新規な構造の素子を提供することにある
　　イ　発明の実施の形態
・「【００２０】図１乃至図６は，本発明の第１の形態の成長方法の各工程において得られる窒化物半導体ウェーハの構造を示す模式的な断面図である。なお
図において，１は異種基板，２は窒化物半導体層，３は第１の窒化物半導体層，４は第２の窒化物半導体層，１１は第１の保護膜，１２は第２の保護膜を示す
【００２１】
本発明の第１の形態の成長方法では，第１の工程において，図１に示すように異種基板１上に成長させたバッファ層の上に，窒化物半導体層２を成長させ，この窒化物半導体層２上に第１の保護膜１１を部分的に形成する
本発明で用いることのできる異種基板１としては，窒化物半導体と異なる材料よりなる基板であればどのようなものでも良く
ＳｉＣ（６Ｈ，４Ｈ，３Ｃを含む
等，従来知られている窒化物半導体と異なる基板材料を用いることができる
【００２２】
図１に示される異種基板１上に形成されているバッファ層２としては
ＡｌＮ
等を９００℃以下の温度で，膜厚数十オングストローム〜数百オングストロームで成長させてなるものである
【００２３】本発明の第１の形態の成長方法において，第１の工程後に成長される窒化物半導体層２としては，アンドープ（不純物をドープしない状態，ｕｎｄｏｐｅ）のＧａＮ，ｎ型不純物をドープしたＧａＮ，またＳｉをドープしたＧａＮを用いることができる。また窒化物半導体２は，高温，具体的には９００℃〜１１００℃，好ましくは１０５０℃で異種基板上に成長され，膜厚は特に限定されないが，例えば１〜２０μｍ，好ましくは２〜１０μｍである。窒化物半導体層２の膜厚が上記範囲であると窒化物半導体層２と第１の窒化物半導体の総膜厚が抑えられウエハの反り（異種基板を有する状態での反り）が防止でき好ましい。
【００２４】第１の保護膜１１の材料としては，保護膜表面に窒化物半導体が成長しないか，若しくは成長しにくい性質を有する材料を好ましく選択し，例えば酸化ケイ素（ＳｉＯX），窒化ケイ素（ＳｉXＮY），酸化チタン（ＴｉＯX），酸化ジルコニウム（ＺｒＯX）等の酸化物，窒化物，またこれらの多層膜の他，１２００℃以上の融点を有する金属等を用いることができる。これらの保護膜材料は，窒化物半導体の成長温度６００℃〜１１００℃の温度にも耐え，その表面に窒化物半導体が成長しないか，成長しにくい性質を有している。
保護膜材料を窒化物半導体表面に形成するには，例えば蒸着，スパッタ，ＣＶＤ等の気相製膜技術を用いることができる
部分的（選択的）に形成するためには，フォトリソグラフィー技術を用いて，所定の形状を有するフォトマスクを作製し，そのフォトマスクを介して，前記材料を気相製膜することにより，所定の形状を有する第１の保護膜１１を形成できる
第１の保護膜１１の形状は特に問うものではなく，例えばドット，ストライプ，碁盤面状の形状で形成できるが，後に述べるように，ストライプ状の形状で特定の面方位に形成することが望ましい
・「【００２７】
次に，第２の工程では，図２に示すように，第１の保護膜１１を形成した窒化物半導体層２上に第１の窒化物半導体３を成長させる
【００２８】
図２に示すように，第１の保護膜１１を形成した窒化物半導体層２の上に第１の窒化物半導体層３を成長させると，第１の保護膜１１の上には第１の窒化物半導体層３が成長せず，露出した窒化物半導体層２上に，第１の窒化物半導体層３が選択成長される
さらに成長を続けると，第１の窒化物半導体層３が第１の保護膜１１の上で横方向に成長し，隣接した第１の窒化物半導体層３同士でつながって，図３に示すように，あたかも第１の保護膜１１の上に第１の窒化物半導体層３が成長したかのような状態となる
【００２９】
このように成長した第１の窒化物半導体層３の表面に現れる結晶欠陥（貫通転位）は，従来のものに比べ非常に少なくなる
しかし，第１の窒化物半導体層３の成長初期における窓部の上部と第１の保護膜１１の上部のそれぞれの結晶欠陥の数は著しく異なる
つまり，異種基板１上部の第１の保護膜１１が形成されていない部分（窓部）に成長されている成長初期の第１の窒化物半導体層３には，異種基板１と窒化物半導体層（例えば図２の場合はバッファ層）との界面から結晶欠陥が発生し縦方向に転位し易い傾向があるが，第１の保護膜１１の上部に成長されている成長初期の第１の窒化物半導体層３には，縦方向へ転位している結晶欠陥はほとんどない
【００３０】例えば，図３に示すウエハの窒化物半導体結晶の結晶欠陥による貫通転位の模式的な図のように，異種基板１から第１の窒化物半導体層３の表面方向に向かう複数の細線により示されるような結晶欠陥が発生，転位していると考えられる。図３に示される窓部の結晶欠陥は，異種基板１と窒化物半導体との格子定数のミスマッチにより，異種基板１と窒化物半導体との界面に，非常に多く発生する。そして，この窓部の結晶欠陥のほとんどは，第１の窒化物半導体層３を成長中，異種基板１と窒化物半導体との界面から表面方向に向かって転位をする。しかし，
この窓部から発生した結晶欠陥は，図３に示すように，第１の窒化物半導体層３の成長初期には転位し続けているが，第１の窒化物半導体層３が成長を続けるうちに，途中で表面方向に転位する結晶欠陥の数が激減する傾向にあり，第１の窒化物半導体層３の表面まで転位する結晶欠陥が非常に少なくなる
また，第１の保護膜１１上部に形成された第１の窒化物半導体層３は，異種基板１から成長したものではなく隣接する第１の窒化物半導体層３が成長中につながったものであるため，基板から成長した窒化物半導体層２上部に成長した第１の窒化物半導体層３の部分に比べて，成長のはじめから結晶欠陥が非常に少ない
この結果，成長終了後の第１の窒化物半導体層３の表面（保護膜上部及び窓部上部）には，転位した結晶欠陥が非常に少なく，あるいは透過型電子顕微鏡観察によると保護膜上部にはほとんど見られなくなる
【００３１】また，第１の窒化物半導体層３の表面の窓部及び保護膜の上部共に結晶欠陥が少なくなるが，成長初期に結晶欠陥が多かった窓部の上部に成長した第１の窒化物半導体層３の表面には，保護膜上部に成長したものに比べやや結晶欠陥が多い傾向がある。このことは，恐らく第１の窒化物半導体層３の成長の途中で，多くの結晶欠陥の転位が止まったものの，わずかに転位を続ける結晶欠陥が窓部のほぼ直上部に転位し易い傾向があるのではないかと考えられる。
【００３２】
このような結晶欠陥の転位の違いによる結晶欠陥の数を断面ＴＥＭにより観察すると，窓部上部のみに転位が観測され保護膜上部にはほとんど欠陥が見られなくなる
好ましい形態においては，窓部上部の結晶欠陥密度が，ほぼ１０
6
個／ｃｍ
2
以下，好ましい条件においては１０
5
個／ｃｍ
2
以下であり，保護膜上部では，ほぼ１０
5
個／ｃｍ
2
以下，好ましい条件においては１０
4
個／ｃｍ
2
以下である
・「【００３８】
次に，好ましい工程として，第２の工程後に，第３の工程及び第４の工程を行うことにより素子構造の窒化物半導体基板を結晶性よく得ることができる
まず，本発明の第３の工程において，図４に示すように，第１の窒化物半導体層３の表面に結晶欠陥が現れ易いと思われる部分，例えば窓部の上部に，また表面に現れた結晶欠陥を覆うように，新たな保護膜（第２の保護膜１２）を設ける
このように第２の保護膜１２を設けると，第１の窒化物半導体層３の表面まで転位した結晶欠陥の更なる転位が防止でき，更に素子構造を形成した後で窓部上部の転位を中断した結晶欠陥がレーザ素子等を作動中に活性層等へ再転位する恐れが考えられるがこれを防止でき好ましい
【００３９】なお，図４では図３で成長させた第１の窒化物半導体層３表面の凹凸を少なくするため，研磨してフラットな面としているが，特に研磨せず，そのまま第１の窒化物半導体層３の表面に第２の保護膜１２を形成しても良い。
【００４０】
好ましくは第２の保護膜１２の表面積は特に問われないが，第２の保護膜で第１の窒化物半導体の表面に現れている結晶欠陥を覆うように形成されていることが望ましい。例えば第１の保護膜１１がストライプ状のとき，窓部の幅より大きい幅のストライプ状の第２の保護膜１２を窓部上部に形成する。第２の保護膜１２の材料としては，第１の保護膜と同様のものを用いることができる
【００４１】
次に，本発明の第４の工程において，第２の保護膜１２が形成された第１の窒化物半導体層３上に第２の窒化物半導体層４を成長させる
図５に示すように，最初は第１の窒化物半導体層３の場合と同様に，第２の保護膜１２の上には第２の窒化物半導体層４は成長せず，第１の窒化物半導体層３の上にのみ選択成長する
そして，第１の窒化物半導体層３の上に成長させる第２の窒化物半導体層４は，同じ窒化物半導体であり，しかも結晶欠陥の少ない第１の窒化物半導体層３の上に成長させているので，格子定数のミスマッチによる結晶欠陥が発生しにくい
さらに，第２の窒化物半導体層４の下地層となる第１の窒化物半導体層３には結晶欠陥が少ないため，第２の窒化物半導体層４の成長初期において転位する結晶欠陥も少なくなる
【００４２】
さらに成長を続けていくと，図６に示すように，隣接する第２の窒化物半導体層４同士が第２の保護膜１２の上部でつながり，第２の保護膜１２を覆うように成長する
このように成長する第２の窒化物半導体層４は，結晶欠陥の少ない第１の窒化物半導体層３を下地層として成長するので，結晶欠陥の非常に少ない窒化物半導体となる
この第２の窒化物半導体４を素子構造となる窒化物半導体の成長基板に用いることにより，非常に結晶性に優れた窒化物半導体素子を実現できる
　　ウ　発明の効果
・「【０１２７】
【発明の効果】窒化物半導体は理想の半導体として現在評価されているにもかかわらず，窒化物半導体基板が存在しないために，異種基板の上に成長された格子欠陥の多い窒化物半導体デバイスで実用化されている。そのためレーザ素子のような結晶欠陥が即寿命に影響するデバイスを実現すると，数十時間で素子がダメになっていた。ところが，本発明の成長方法によると，従来成長できなかった窒化物半導体基板が得られるため，この窒化物半導体基板の上に，素子構造となる窒化物半導体層を積層すると，格子欠陥の非常に少ない窒化物半導体デバイスが実現できる。例えば本発明の基板を用いてレーザ素子を作製すると，ほぼ実用化レベルまで達した素子ができる。このように従来できなかった窒化物半導体基板が本発明により得られることは，非常に産業上の利用価値が大きい。」
　
（２−２）先願明細書において，「実施例」として記載されたものは，基板にサファイヤ又はスピネルを用い，バッファ層に窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いており，本願補正発明のような，基板に炭化ケイ素（ＳｉＣ），バッファ層に窒化アルミニウムを用いたものではない。
　しかし，上に摘記したように，先願明細書には，次の記載がある。
「【００２１】本発明の第１の形態の成長方法では，第１の工程において，図１に示すように異種基板１上に成長させたバッファ層の上に，窒化物半導体層２を成長させ，この窒化物半導体層２上に第１の保護膜１１を部分的に形成する。
本発明で用いることのできる異種基板１としては，窒化物半導体と異なる材料よりなる基板であればどのようなものでも良く
ＳｉＣ（６Ｈ，４Ｈ，３Ｃを含む
等，従来知られている窒化物半導体と異なる基板材料を用いることができる
【００２２】
図１に示される異種基板１上に形成されているバッファ層２としては
ＡｌＮ
等を９００℃以下の温度で，膜厚数十オングストローム〜数百オングストロームで成長させてなるものである
　
　これらの記載から，先願明細書に接した当業者は，基板に炭化ケイ素（ＳｉＣ）を用い，バッファ層に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を用いるものも，発明の出発点となる基板及びバッファ層の構成として好適なものと理解する。
　したがって，先願明細書には，基板に炭化ケイ素（ＳｉＣ）を用い，バッファ層に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を用いるものも，開示されているものと認められる。
　そして，このことは，基板に窒化ガリウム（ＧａＮ）の層を成長させるものにおいて，基板に炭化ケイ素（ＳｉＣ），バッファ層（中間層）に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を用いたものが，本願の優先日前に当業者に周知となっていたことに照らせば（以下の周知例参照。），いっそう明らかである。
　
〔
周知例
（なお，以下の周知例１〜４は，原審の拒絶の理由において，本願の優先日前の技術水準を示すものとして引用されたものである。）
〔
周知例１
　Ok-Hyun Nam，Lateral epitaxy of low defect density GaN layers via
organometallic vapor phase epitaxy，Appl. Phys. Lett.（１９９７年１１月３日発行）71巻，18号，2638頁〜2640頁
・特に，FIG.1〜FIG.4及び2638頁左欄下から１２行〜2639頁右欄１２行の記載を参照。
〔
周知例２
　T. Warren Weeks, Jr.，GaN thin films deposited via organometallic
vapor phase epitaxy on α(6H)-SiC(0001) using high-temperature 
monocrystalline AlN buffer layers，Applied Physics Letters（１９９５年７月１７日発行）67巻，３号，401頁〜403頁
・特に，FIG.1〜４及び401頁左欄１４〜404頁右欄５行の記載を参照。
〔
周知例３
　特開平０９−１８０９９８号公報（１９９７年７月１１日公開）
・図２及び段落【０００１】〜【０００４】の記載参照。
　なお，段落【０００１】〜【０００４】の記載を摘示すると，次のとおりである。
「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は化合物半導体装置に関するものであり，特に，６Ｈ−ＳｉＣ等の六方晶系の半導体基板上に，ＧａＮ等のウルツ鉱型化合物半導体を整合性良くヘテロエピタキシャル成長させる化合物半導体装置に関するものである。
【０００２】【従来の技術】従来，青色発光素子として用いられているＧａＮは，ウルツ鉱型化合物半導体であるため，類似の結晶構造を有する六方晶系の６Ｈ−ＳｉＣ基板上にＭＯＶＰＥ法（有機金属気相成長法）を用いてエピタキシャル成長させていた。
【０００３】例えば，（０００１）Ｓｉ面の６Ｈ−ＳｉＣ基板，即ち，Ｓｉ面が露出した６Ｈ−ＳｉＣ基板を用意し，ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）を２０〜２００μｍｏｌ／分，アンモニア（ＮＨ3 ）を２００００〜２０００００μｍｏｌ／分（０．０２〜０．２ｍｏｌ／分），及び，キャリアガスとしての水素を流し，成長圧力を７０〜７６０Ｔｏｒｒ，基板温度を８００〜１１００℃とした状態で，０．０２〜０．１μｍのＡｌＮ中間層を成長させたのち，引き続いて，ＴＭＧ（トリメチルガリウム）を１０〜１００μｍｏｌ／分，アンモニア（ＮＨ3 ）を０．０２〜０．２ｍｏｌ／分，及び，キャリアガスとしての水素を流し，成長圧力を７０〜７６０Ｔｏｒｒ，基板温度を８００〜１１００℃とした状態で，ＧａＮエピタキシャル層を成長させている。
【０００４】なお，この場合の成長層速度は，ＡｌＮ中間層が０．１〜１μｍ／時であり，ＧａＮエピタキシャル層が０．５〜５μｍ／時である。また，この場合，ＧａＮエピタキシャル層のａ軸及びｃ軸は，６Ｈ−ＳｉＣ基板のａ軸及びｃ軸方向に一致することになる。」
〔
周知例４
　特開平０９−２１９５４０号公報（１９９７年８月１９日公開）
・図１及び段落【０００１】，【０００６】〜【０００８】の記載参照。
　なお，段落【０００１】，【０００６】〜【０００８】の記載を摘示すると，次のとおりである。
「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は，ＧａＮ（窒化ガリウム）薄膜の形成方法に関し，さらに詳細には，ＳｉＣ（シリコン・カーバイド）基板上にバッファー層としてＡｌＮ（窒化アルミニウム）薄膜を介してＧａＮ薄膜を形成するＧａＮ薄膜の形成方法に関する。」
「【０００６】従来，ＧａＮ薄膜の欠陥密度の高さを改善するためには，薄膜構造を模式的に示した図１（ｂ）に示すように，基板材料として，例えば，ＳｉＣ基板の一種である６Ｈ−ＳｉＣ（０００１）基板を用い，６Ｈ−ＳｉＣ（０００１）基板上に厚さ１０ｎｍ以上のＡｌＮ薄膜を形成し，このＡｌＮ薄膜上にＧａＮ薄膜（例えば，厚さ１．５μｍ）を形成するようにしていた。
【０００７】即ち，ＡｌＮ薄膜は，ＳｉＣ基板との格子不整合率が１％であるとともに，ＧａＮ薄膜との格子不整合率が２．５％であり，こうしたＡｌＮ薄膜をＳｉＣ基板とＧａＮ薄膜とのバッファー層として用いたものであった。
【０００８】上記した図１（ｂ）に示す薄膜構造において，厚さ１０ｎｍ以上のＡｌＮ薄膜上に１．５μｍの厚さのＧａＮ薄膜を形成した場合には，構造欠陥の中の貫通転位に関しては１０10ｃｍ-2オーダーの転位密度が得られたが，さらに転位密度を大幅に低減することが望まれていた。」　
　     
（２−３）先願発明
　先願明細書の上記（２−１）ア〜ウの記載内容，及び上記（２−２）の検討によれば，先願明細書には，次の発明（以下「先願発明」という。）が記載されているといえる。
　
「ＳｉＣ（炭化ケイ素）からなる異種基板１上にＡｌＮ（窒化アルミニウム）からなるバッファ層を形成し，前記バッファ層の上にＧａＮからなる窒化物半導体層２を成長させ，前記窒化物半導体層２の上にドットやストライプの形状の複数の窓部を有する第１の保護膜１１を形成し，前記第１の保護膜１１を形成した前記窒化物半導体層２上にＧａＮからなる第１の窒化物半導体層３を成長させ，前記第１の窒化物半導体層３の成長は，まず，前記第１の保護膜１１の窓部により露出した前記窒化物半導体層２上に，前記第１の窒化物半導体層３が選択成長され，さらに成長を続けると，前記第１の窒化物半導体層３が前記第１の保護膜１１の上で横方向に成長し，隣接した前記第１の窒化物半導体層３同士でつながり，前記横方向に成長した前記第１の窒化物半導体層３の表面に結晶欠陥が現れ易いと思われる部分である前記第１の保護膜１１の窓部の上部に複数の窓部を有する第２の保護膜１２を形成し，前記第２の保護膜１２が形成された前記第１の窒化物半導体層３上にＧａＮからなる第２の窒化物半導体層４を成長させ，前記第２の窒化物半導体層４の成長は，まず，前記第２の保護膜１２の窓部により露出した前記第１の窒化物半導体層３上に前記第２の窒化物半導体層４が選択成長され，さらに成長を続けると，前記第２の窒化物半導体層４が前記第２の保護膜１２の上で横方向に成長し，隣接した前記第２の窒化物半導体層４同士でつながることを特徴とする窒化物半導体の成長方法。」
　
（３）本願補正発明と先願発明の対比
（３−１）次に，本願補正発明と先願発明とを対比する。
　　ア　先願発明の「ＳｉＣからなる異種基板１」，「ＡｌＮからなるバッファ層」，「窒化物半導体層２」は，それぞれ，本願補正発明の「炭化ケイ素を含む基板（１０２ａ）」，「窒化アルミニウムを含むバッファ層（１０２ｂ）」，「基底の窒化ガリウム層（１０４）」に対応するから，先願発明の「ＳｉＣからなる異種基板１上にＡｌＮからなるバッファ層を形成し，前記バッファ層の上にＧａＮからなる窒化物半導体層２を成長させ」ることは，本願補正発明の「炭化ケイ素を含む基板（１０２ａ）上に窒化アルミニウムを含むバッファ層（１０２ｂ）を形成して，前記基板（１０２ａ）に対向する前記バッファ層（１０２ｂ）上に」「基底の窒化ガリウム層（１０４）を形成するステップ」に相当する。
　　イ　先願発明の「ドットやストライプの形状の複数の窓部」，「第１の保護膜１１」は，それぞれ，本願補正発明の「開口部のアレイ」，「マスク（１０６）」に対応するから，先願発明の「前記窒化物半導体層２の上にドットやストライプの形状の複数の窓部を有する第１の保護膜１１を形成」することは，本願補正発明の「前記基底の窒化ガリウム層（１０４）を開口部のアレイを中に含むマスク（１０６）を用いてマスクするステップ」に相当する。
　　ウ　先願発明の「前記第１の保護膜１１の窓部により露出した前記窒化物半導体層２上に，前記第１の窒化物半導体層３が選択成長され」ること，及び「横方向に成長」することは，それぞれ，本願補正発明の「前記基底の窒化ガリウム層を前記開口部のアレイを通って前記マスク上に成長させ」ること，及び「過度成長」に対応する（本願明細書の段落【００３３】の記載参照。）。
　したがって，先願発明の「前記第１の保護膜１１を形成した前記窒化物半導体層２上にＧａＮからなる第１の窒化物半導体層３を成長させ，前記第１の窒化物半導体層３の成長は，まず，前記第１の保護膜１１の窓部により露出した前記窒化物半導体層２上に，前記第１の窒化物半導体層３が選択成長され，さらに成長を続けると，前記第１の窒化物半導体層３が前記第１の保護膜１１の上で横方向に成長し，隣接した前記第１の窒化物半導体層３同士でつなが」るとの構成は，本願補正発明の「前記基底の窒化ガリウム層を前記開口部のアレイを通って前記マスク上に成長させ，これにより第１の過度成長した窒化ガリウムの半導体層（１０８）を形成するステップ」に相当する。
　　エ　先願発明の「第２の保護膜１２」は，「第２のマスク（２０６）」に対応する。そして，先願発明も，「窓部の上部」に「第２の保護膜１２」が形成されているから，先願発明の「前記第１の保護膜１１の窓部の上部に複数の窓部を有する」こと及び「第２の保護膜１２」は，それぞれ，本願補正発明の「前記第１の開口部のアレイから横方向にオフセットしている第２の開口部のアレイを中に含む」こと及び「第２のマスク（２０６）」に対応する。
　したがって，先願発明の「前記横方向に成長した前記第１の窒化物半導体層３の表面に結晶欠陥が現れ易いと思われる部分である前記第１の保護膜１１の窓部の上部に複数の窓部を有する第２の保護膜１２を形成」することは，本願補正発明の「前記第１の過度成長した窒化ガリウム層（１０８）を，前記第１の開口部のアレイから横方向にオフセットしている第２の開口部のアレイを中に含む第２のマスク（２０６）を用いてマスクするステップ」に相当する。
　　オ　先願発明の「前記第２の保護膜１２の窓部により露出した前記第１の窒化物半導体層３上に前記第２の窒化物半導体層４が選択成長され」ること，及び「前記第２の窒化物半導体層４が前記第２の保護膜１２の上で横方向に成長し，隣接した前記第２の窒化物半導体層４同士でつながる」ことは，それぞれ，本願補正発明の「前記第１の過度成長した窒化ガリウム層を，前記第２の開口部のアレイを通って前記第２のマスク上に成長させ」ること，及び「第２の連続的な過度成長した窒化ガリウムの半導体層（２０８）を形成する」ことに対応する。
　そうすると，先願発明の「前記第２の保護膜１２が形成された前記第１の窒化物半導体層３上にＧａＮからなる第２の窒化物半導体層４を成長させ，前記第２の窒化物半導体層４の成長は，まず，前記第２の保護膜１２の窓部により露出した前記第１の窒化物半導体層３上に前記第２の窒化物半導体層４が選択成長され，さらに成長を続けると，前記第２の窒化物半導体層４が前記第２の保護膜１２の上で横方向に成長し，隣接した前記第２の窒化物半導体層４同士でつながる」との構成は，本願補正発明の「前記第１の過度成長した窒化ガリウム層を，前記第２の開口部のアレイを通って前記第２のマスク上に成長させ，これにより，」「第２の連続的な過度成長した窒化ガリウムの半導体層（２０８）を形成するステップ」に相当する。
　　カ　先願発明の「窒化物半導体の成長方法」は，「窒化ガリウムの半導体層を製造する方法」である点で，本願補正発明と共通する。
　
（３−２）そうすると，本願補正発明と先願発明の一致点と相違点は，次のとおりとなる。
　
〔一致点〕
「炭化ケイ素を含む基板上に窒化アルミニウムを含むバッファ層を形成して，前記基板に対向する前記バッファ層上に基底の窒化ガリウム層を形成するステップと，前記基底の窒化ガリウム層を開口部のアレイを中に含むマスクを用いてマスクするステップと，前記基底の窒化ガリウム層を前記開口部のアレイを通って前記マスク上に成長させ，これにより第１の過度成長した窒化ガリウムの半導体層を形成するステップとを有する，窒化ガリウムの半導体層を製造する方法であって，
　前記第１の過度成長した窒化ガリウム層を，前記第１の開口部のアレイから横方向にオフセットしている第２の開口部のアレイを中に含む第２のマスクを用いてマスクするステップと，
　前記第１の過度成長した窒化ガリウム層を，前記第２の開口部のアレイを通って前記第２のマスク上に成長させ，これにより，第２の連続的な過度成長した窒化ガリウムの半導体層を形成するステップと，
をさらに備えることを特徴とする窒化ガリウムの半導体層を製造する方法。」
　
〔相違点〕
〔相違点１〕
　本願補正発明は，「前記基板に対向する前記バッファ層上に少なくとも１０8ｃｍ-2の欠陥密度を有する基底の窒化ガリウム層を形成する」のに対して，先願発明は，本願補正発明の「前記基板に対向する前記バッファ層上に」「基底の窒化ガリウム層を形成する」ステップに対応する「前記バッファ層の上にＧａＮからなる窒化物半導体層２を成長させ」るステップを有するものの，本願補正発明の「少なくとも１０8ｃｍ-2の欠陥密度を有する基底の窒化ガリウム層を形成する」ことは明示されていない点。
　
〔相違点２〕
　本願補正発明は，「第２の連続的な過度成長した窒化ガリウムの半導体層全体にわたって１０4ｃｍ-2以下の欠陥密度を有する第２の連続的な過度成長した窒化ガリウムの半導体層（２０８）を形成する」のに対して，先願発明は，本願補正発明の「第２の連続的な過度成長した窒化ガリウムの半導体層（２０８）を形成する」ステップに対応する「前記第２の窒化物半導体層４が前記第２の保護膜１２の上で横方向に成長し，隣接した前記第２の窒化物半導体層４同士でつながる」ステップを有するものの，本願補正発明の「第２の連続的な過度成長した窒化ガリウムの半導体層全体にわたって１０4ｃｍ-2以下の欠陥密度を有する」ことは明示されていない点。
　
（４）相違点についての検討
（４−１）相違点１について
　　ア　先願明細書には，「前記第１の窒化物半導体層３の結晶欠陥密度は，前記第１の保護膜１１の窓部上部の結晶欠陥密度が，ほぼ１０6個／ｃｍ2以下，好ましい条件においては１０5個／ｃｍ2以下であり，前記第１の保護膜１１上部の結晶欠陥密度が，ほぼ１０5個／ｃｍ2以下，好ましい条件においては１０4個／ｃｍ2以下である。」との記載がある（先願明細書の段落【００３２】）。
　ここで，先願発明の「第１の窒化物半導体層３」は，本願補正発明の「第１の過度成長した窒化ガリウムの半導体層」に相当するものである。
　　イ　先願発明の「前記第１の保護膜１１の上で横方向に成長し」た「第１の窒化物半導体層３」（本願補正発明の「第１の過度成長した窒化ガリウムの半導体層」に相当する。）は，先願発明の「ＧａＮからなる窒化物半導体層２」（本願補正発明の「基底の窒化ガリウム層」に相当する。）よりも上層に形成されているところ，先願明細書には，次の記載がある。
「この窓部の結晶欠陥のほとんどは，第１の窒化物半導体層３を成長中，異種基板１と窒化物半導体との界面から表面方向に向かって転位をする。しかし，この窓部から発生した結晶欠陥は，図３に示すように，第１の窒化物半導体層３の成長初期には転位し続けているが，第１の窒化物半導体層３が成長を続けるうちに，途中で表面方向に転位する結晶欠陥の数が激減する傾向にあり，第１の窒化物半導体層３の表面まで転位する結晶欠陥が非常に少なくなる。」（段落【００３０】）
　この記載から，先願発明の「第１の窒化物半導体層３」の下層である「ＧａＮからなる窒化物半導体層２」の結晶欠陥密度は，第１の窒化物半導体層３が成長を続けるうちに，途中で表面方向に転位する結晶欠陥の数が激減して非常に少なくなる以前の結晶欠陥密度と同程度の結晶欠陥密度を有していることが分かる。　したがって，先願発明の「ＧａＮからなる窒化物半導体層２」の結晶欠陥密度は，先願発明の「第１の窒化物半導体層３」の保護膜１１の窓部上部での「欠陥密度」（結晶欠陥が最も少ない部分での欠陥密度）である「１０6個／ｃｍ2」よりもはるかに大きいことが明らかである。
　そして，本願補正発明の「基底の窒化ガリウム層」の形成に用いられているMOCVD（有機金属気相成長法／金属有機化学気相成長法）は，窒化ガリウム層の標準的な成長方法であり，この点，先願発明も同じであるから（先願明細書ではMOVPEと表記しているが，MOCVDと同じである），本願補正発明の「基底の窒化ガリウム層」に相当する先願発明の「ＧａＮからなる窒化物半導体層２」の結晶欠陥密度の数値範囲と，本願補正発明の「基底の窒化ガリウム層」の結晶欠陥密度の数値範囲は，重なるものと推認される。
　　ウ　このことは，上記周知例１の2638頁左欄４〜７行に，基板に炭化ケイ素（ＳｉＣ）を用い，バッファ層に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を用いて，従来の方法で窒化ガリウム（ＧａＮ）薄膜を成長させた場合に，１０8〜１０10個／ｃｍ2の転移密度の欠陥が生じることが記載され，上記周知例２の407頁右欄２２，２３頁にも，１０9個／ｃｍ2の転移密度の欠陥が生じることが記載され，上記周知例４の段落【０００６】〜【０００８】にも，貫通転移の密度が１０10個／ｃｍ2の程度になることが記載されていることからも，裏付けられる。
　　エ　そうすると，先願明細書に明示の記載はないものの，先願発明の「ＧａＮからなる窒化物半導体層２」が有すると考えられる結晶欠陥密度は，本願補正発明の「基底の窒化ガリウム層」の結晶欠陥密度と同程度と認められるから，相違点１は，実質的に相違しない。
　
（４−２）相違点２について
　　ア　先願発明の「前記第１の保護膜１１の上で横方向に成長し」た「第１の窒化物半導体層３」は，本願補正発明の「第１の過度成長した窒化ガリウムの半導体層」に相当するところ，上述のように，先願明細書には，「第１の窒化物半導体層３」について，「前記第１の窒化物半導体層３の結晶欠陥密度は，前記第１の保護膜１１の窓部上部の結晶欠陥密度が，ほぼ１０6個／ｃｍ2以下，好ましい条件においては１０5個／ｃｍ2以下であり，前記第１の保護膜１１上部の結晶欠陥密度が，ほぼ１０5個／ｃｍ2以下，好ましい条件においては１０4個／ｃｍ2以下である。」と記載されている（先願明細書の段落【００３２】）。
　　イ　そして，先願発明の「前記第２の保護膜１２の上で横方向に成長し，隣接した前記第２の窒化物半導体層４同士でつながる」「第２の窒化物半導体層４」は，「前記第２の保護膜１２が形成された前記第１の窒化物半導体層３上にＧａＮからなる第２の窒化物半導体層４を成長させ」ることにより，結晶欠陥密度を更に小さくしているから，「第２の窒化物半導体層」の結晶欠陥密度は，先願発明の「第１の窒化物半導体層３」における「結晶欠陥密度」の小さい部分よりも，更に結晶欠陥密度が小さくなっていると考えるのが，自然であり，合理的である。
　そうすると，引用発明の「第２の窒化物半導体層」の結晶欠陥密度は，本願補正発明の「第２の連続的な過度成長した窒化ガリウムの半導体層」の結晶欠陥密度と同様，１０４個／ｃｍ2より小さくなるものと推認される。
　　ウ　したがって，本願補正発明の「第２の連続的な過度成長した窒化ガリウムの半導体層」に対応する先願発明の「前記第２の保護膜１２の上で横方向に成長し，隣接した前記第２の窒化物半導体層４同士でつながる」「第２の窒化物半導体層４」においても，結晶欠陥密度が，全体にわたって１０４個／ｃｍ2以下となるものと認められ，本願補正発明の「第２の連続的な過度成長した窒化ガリウム層」の結晶欠陥密度と同程度と認められるから，相違点２は，実質的に相違しない。
　
（５）以上のとおり，上記相違点１，２は，実質的に相違しない。したがって，本願補正発明は，先願発明と同一であり，しかも，本願の発明者が上記先願発明の発明者と同一であるとも，また，本願の出願の時に，その出願人が当該他の出願の出願人と同一であるとも認められないから，特許法２９条の２の規定により，出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４　以上の次第で，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に違反するから，同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により，却下すべきものである。
　
第３　本願発明 
１　以上のとおり，本件補正（平成１９年１２月７日に提出された手続補正書による補正）は却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，本件補正前の請求項１（平成１９年５月２２日に提出された手続補正書により補正された請求項１）に記載された，次のとおりのものである。 
 　 
【請求項１】
「炭化ケイ素を含む基板（１０２ａ）上に窒化アルミニウムを含むバッファ層（１０２ｂ）を形成して，前記基板（１０２ａ）に対向する前記バッファ層（１０２ｂ）上に基底の窒化ガリウム層（１０４）を形成するステップと，前記基底の窒化ガリウム層（１０４）を開口部のアレイを中に含むマスク（１０６）を用いてマスクするステップと，前記基底の窒化ガリウム層を前記開口部のアレイを通って前記マスク上に成長させ，これにより第１の過度成長した窒化ガリウムの半導体層（１０８）を形成するステップとを有する，窒化ガリウムの半導体層を製造する方法であって，
　前記第１の過度成長した窒化ガリウム層（１０８）を，前記第１の開口部のアレイから横方向にオフセットしている第２の開口部のアレイを中に含む第２のマスク（２０６）を用いてマスクするステップと，
　前記第１の過度成長した窒化ガリウム層を，前記第２の開口部のアレイを通って前記第２のマスク上に成長させ，これにより第２の過度成長した窒化ガリウムの半導体層（２０８）を形成するステップと，
をさらに備えることを特徴とする窒化ガリウムの半導体層を製造する方法。」
　
２　先願明細書の記載内容と先願発明については，前記第２，３，（２−１），（２−３）において認定したとおりである。
　
３　対比・判断 
 　前記第２，１（１）及び２（１）で検討したように，本願補正発明は，補正前の請求項１において，「前記基板（１０２ａ）に対向する前記バッファ層（１０２ｂ）上に基底の窒化ガリウム層（１０４）を形成するステップ」及び「これにより第２の過度成長した窒化ガリウムの半導体層（２０８）を形成するステップ」との発明特定事項を，それぞれ，「前記基板（１０２ａ）に対向する前記バッファ層（１０２ｂ）上に少なくとも１０8ｃｍ-2の欠陥密度を有する基底の窒化ガリウム層（１０４）を形成するステップ」及び「これにより，第２の連続的な過度成長した窒化ガリウムの半導体層全体にわたって１０4ｃｍ-2以下の欠陥密度を有する第２の連続的な過度成長した窒化ガリウムの半導体層（２０８）を形成するステップ」と技術的に限定するものである。
　逆に言えば，本件補正前の発明（本願発明）は，本願補正発明から，これらの限定をなくしたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである本願補正発明が，前記第２，３（４）（５）において検討したとおり，先願発明と同一であり，しかも，本願の発明者が上記先願発明の発明者と同一であるとも，また，本願の出願の時に，その出願人が当該他の出願の出願人と同一であるとも認められないので，本願補正発明は，特許法２９条の２の規定により，特許を受けることができないものであるから，本願発明も，同様の理由により，特許を受けることができないものである。 
　
第４　結言 
　以上のとおり，本願発明は，特許法２９条の２の規定により，特許を受けることができない。 
　したがって，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。