【事件の表示】
　特願２００１−３０２７８３「表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　４月１１日出願公開、特開２００３−１０９５２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００１年９月２８日の出願であって、平成２１年３月３１日付け（送達日：平成２１年４月７日）で拒絶査定がなされ、これに対し平成２１年７月７日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
　平成２１年７月７日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
[理由]
１．補正の内容
　平成２１年１月２６日付けの手続補正は、平成２１年３月３１日付けの補正の却下の決定により却下されているので、本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を、平成２０年５月７日付けの手続補正によって補正された本件補正前の、
「　電子線を放射させる電子源素子が一表面側に配設されたリヤプレートと、リヤプレートに対向配置され電子源素子から放射される電子線により励起されて発光する蛍光体層が設けられたフェースプレートと、リヤプレートとフェースプレートとの間に介在する枠状の支持用スペーサとを備え、リヤプレートとフェースプレートと支持用スペーサとで囲まれた空間が真空に保たれた表示装置であって、リヤプレートを補強する補強材がリヤプレートの他表面側に設けられてなり、補強材は、リヤプレートの前記一表面に直交する方向に延び且つリヤプレートの厚み方向に直交する断面が一定の規則に従い組織化された補強壁により形成されてなり、リヤプレートとの間に補強材を挟持する補助プレートを備えることを特徴とする表示装置。」
から、本件補正後の、
「　電子線を放射させる電子源素子が一表面側に配設されたリヤプレートと、リヤプレートに対向配置され電子源素子から放射される電子線により励起されて発光する蛍光体層が設けられたフェースプレートと、リヤプレートとフェースプレートとの間に介在する枠状の支持用スペーサとを備え、リヤプレートとフェースプレートと支持用スペーサとで囲まれた空間が真空に保たれた表示装置であって、リヤプレートを補強する補強材がリヤプレートの他表面側に設けられてなり、補強材は、リヤプレートの前記一表面に直交する方向に延び且つリヤプレートの厚み方向に直交する断面が一定の規則に従い組織化された補強壁により形成されてなり、リヤプレートとの間に補強材を挟持する補助プレートを備え、電子源素子は、下部電極と、下部電極に対向する表面電極と、下部電極と表面電極との間に介在し、下部電極の主表面側に列設された柱状の多結晶シリコンのグレイン、グレインの表面に形成された薄いシリコン酸化膜、グレイン間に介在する多数のナノメータオーダのシリコン微結晶および各シリコン微結晶それぞれの表面に形成されシリコン微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の多数のシリコン酸化膜を有する強電界ドリフト層とを備えることを特徴とする表示装置。」
に補正する事項を含むものである。
　
２．補正の適否
　上記の補正内容は、請求項１に係る発明の発明特定事項である、
「電子源素子」を、「電子源素子は、下部電極と、下部電極に対向する表面電極と、下部電極と表面電極との間に介在し、下部電極の主表面側に列設された柱状の多結晶シリコンのグレイン、グレインの表面に形成された薄いシリコン酸化膜、グレイン間に介在する多数のナノメータオーダのシリコン微結晶および各シリコン微結晶それぞれの表面に形成されシリコン微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の多数のシリコン酸化膜を有する強電界ドリフト層とを備える」に限定する補正事項である。
　
　当該補正事項は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定された、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
３． 引用例に記載された発明
［１］引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された特開平８−２９８０８６号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに下記の記載がある。
　
Ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロチップや薄膜から、例えば炭素−ダイヤモンド薄膜から電子を引き抜いて放出させる平面表示画面を含めて、電極間隔を広くした平面表示画面の製造に関するものである。
【０００２】本発明は、より詳細には蛍光体要素を含む陽極に電子衝撃を加えるためのマイクロチップを有する陰極を備えた平面表示画面に関するものである。このような画面を、通常マイクロチップ蛍光画面と呼ぶ。
【０００３】
【従来の技術】図１は、平面マイクロチップ画面の構造を示す図である。
【０００４】このようなマイクロチップ画面は、マイクロチップ２を含む陰極１と、マイクロチップ２に対向する孔４を備えたゲート３とから主に構成されている。陰極１は、画面の表面を成すガラス製基板６を備えた陰極蛍光陽極５に対向している。」
　
Ｂ）「【０００６】陰極１は、列に分割され、導電層から網目状に配列した陰極導体で、ガラス基板１０上に構成されている。マイクロチップ２は、陰極導体上に付着させた抵抗層１１上に設けられており、陰極導体が画定する網目の内側に配設されている。図１は、網目の内部を部分的に示す図であるが、この図には陰極導体を示していない。陰極１は、行を成すように配設したゲート３と関連させてある。絶縁層（図示せず）が陰極導体とゲート３の間に設けられている。ゲート３の行と陰極１の列との交点が画素を画定する。
【０００７】本装置では、陰極１とゲート３の間に発生させた電界を利用して、電子をマイクロチップ２から陽極５の蛍光体要素７に向かって射出する。カラー表示画面の場合、陽極５には、蛍光体要素７の交互ストリップが設けてあり、各ストリップが１つの色（赤、緑、青）に対応している。ストリップは、絶縁体８によって相互に隔てられている。蛍光体要素７は、電極９の上に付着させてあり、電極９は、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）などの透明でストリップ状になった対応する導電層から成っている。赤、緑、青のストリップのグループを選択して陰極１に対する極性を与えると、陰極およびゲートから成る１つの画素のマイクロチップ２から放出される電子は、各色に対応する蛍光体要素７の方向に選択的に導かれる。」
　
Ｃ）「【００３１】
【発明の実施の形態】図３に示すように、本発明においては、画面の外面に固定した厚い剛性プレート２０および２１を使用して構造の剛性を高めている。したがって、電極間の空間１２を、単純な外周剛性フレーム２２で画定することができ、内部スペーサの配設による、陽極およびゲート／陰極をそれぞれ支持する基板６および１０の変形を防止する必要がない。
【００３２】本発明によれば、内部空間すなわち電極間の空間１２の所望の厚さに対応する厚さを有する外周剛性フレーム２２を使用することが好ましい。
【００３３】スペーサが画面の表面全体に分布していないため、単純な溶融ガラスによる封止を行う場合、ガラスが溶融過程で平坦化し、電極１２間の距離をあらかじめ決定することが困難になる。したがって、本発明によれば、例えば、フレーム２２の各表面と、この表面に関連する基板６および１０との間に挟んだ溶融ガラスの封止部分２箇所（図示せず）で、基板６および１０を組み合わせる。」
Ｄ）「【００４６】画面の表面となるプレート（一般に、陽極５を支持する基板６と関連があるプレート２０）は、表示を行う上で透明でなければならない。これとは対照的に、画面の底部となるプレート（例えば、プレート２１）は、不透明にすることができる。
　・・・
【００５１】画面の底部と関連する不透明なプレートは、例えば、セラミック、金属、またはその他の不透明プラスチックで作製することができる。また、不透明なプレートは、ハニカム構造や網目状構造にして、強度を低下させることなく軽量化することもできる。画面底部の基板（例えば、陰極を支持する基板１０）は、例えばセラミックで作製して不透明にすることもできる。」
　
Ｅ）「【００５３】実施例においては、プレート２０および２１を、間に（透明な）溶融ガラス層２４を挟んでそれぞれ基板６および１０と組み合わせる。ガラス層２４の溶融温度は、後続する作業で、間にフレーム２２を挟んで基板６および１０を組み合わせるのに使用するガラス封止部分（図示せず）の溶融温度より若干高めに設定する。
【００５４】本発明の別の実施例では、基板６および１０を制御した雰囲気、例えば窒素中で組み合わせ、高温で封止する。次にプレート２０および２１を低温で接合して基板６および１０に接着する。内部空間１２を排気チューブ１５を介してポンプで真空引きし、チューブの開放端部を封止する。」
　
Ｆ）「【００６７】また、前記の説明では、マイクロチップ画面について述べたが、本発明は、例えば炭素−ダイヤモンドなど、電子射出膜を含む蛍光体画面に適用することができる。」
　
　上記Ａ）〜Ｆ）及び図面の記載から、下記の事項を読み取ることが出来る。
　
（１）上記記載Ｂ）【０００６】の、「陰極１は、列に分割され、導電層から網目状に配列した陰極導体で、ガラス基板１０上に構成されている。マイクロチップ２は、陰極導体上に付着させた抵抗層１１上に設けられており」という記載からみて、上記記載Ａ）の「陽極に電子衝撃を加えるためのマイクロチップ」が、「ガラス基板１０上」に「陰極導体」及び「抵抗層１１」を介して「ガラス基板１０上」に設けられていることが読み取れる。
　
（２）上記記載Ａ）【０００４】の、「このようなマイクロチップ画面は、マイクロチップ２を含む陰極１と、マイクロチップ２に対向する孔４を備えたゲート３とから主に構成されている。陰極１は、画面の表面を成すガラス製基板６を備えた陰極蛍光陽極５に対向している。」という記載、及び、上記記載Ｂ）【０００６】の、「陰極１は、列に分割され、導電層から網目状に配列した陰極導体で、ガラス基板１０上に構成されている。」という記載からみて、「ガラス基板１０」上に設けられた「陰極１」と「基板６」とが「対向している」ことが読み取れる。
　
（３）上記記載Ａ）【０００２】の、「蛍光体要素を含む陽極に電子衝撃を加えるためのマイクロチップを有する陰極を備えた平面表示画面に関するものである」、同【０００４】の、「陰極１は、画面の表面を成すガラス製基板６を備えた陰極蛍光陽極５に対向している」という記載からみて、「基板６」に「蛍光体要素」が設けられていることが読み取れる。
　
（４）上記記載Ｃ）【００３１】の、「電極間の空間１２を、単純な外周剛性フレーム２２で画定することができ」という記載、及び、上記記載Ｅ）【００５３】の、「間にフレーム２２を挟んで基板６および１０を組み合わせる」という記載からみて、「基板および基板１０の間に挟まれる電極間の空間１２を画定する外周剛性フレーム２２」という技術事項が読み取れる。
　
（５）上記記載Ｅ）【００５３】の、「間にフレーム２２を挟んで基板６および１０を組み合わせる」という記載、及び、同【００５４】の、「内部空間１２を排気チューブ１５を介してポンプで真空引きし、チューブの開放端部を封止する」という記載からみて、「基板６および基板１０と外周剛性フレーム２２の内部空間１２が真空引きされ封止された」平面表示画面という技術事項が読み取れる。
　
（６）上記記載Ｃ）【００３１】の、「画面の外面に固定した厚い剛性プレート２０および２１を使用して構造の剛性を高めている」という記載、上記記載Ｄ）【００４６】の、「画面の底部となるプレート（例えば、プレート２１）は、不透明にすることができる」という記載、同【００５１】の、「不透明なプレートは、ハニカム構造や網目状構造にして、強度を低下させることなく軽量化することもできる」という記載、及び、上記記載Ｅ）【００５３】の、「プレート２０および２１を、間に（透明な）溶融ガラス層２４を挟んでそれぞれ基板６および１０と組み合わせる」という記載からみて、「剛性プレート２１が基板１０の外面に組み合わせられ」、「剛性プレート２１が、ハニカム構造を備える」という技術事項が読み取れる。
　
　以上を総合勘案すると、引用例１には下記の発明が記載されていると認められる。　
　
「陽極に電子衝撃を加えるためのマイクロチップがその上に設けられた基板１０と、基板１０に対向している蛍光体要素が設けられた基板６と、基板６および基板１０の間に挟まれる電極間の空間１２を画定する外周剛性フレーム２２とを備え、基板６および基板１０と外周剛性フレーム２２の内部空間１２を真空引きされ封止された平面表示画面であって、剛性プレート２１が基板１０の外面に組み合わせられてなり、剛性プレート２１が、ハニカム構造を備える平面表示画面。」（以下、「引用発明１」という。）
　
［２］引用例２
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された特表２０００−５１３８３１号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに下記の記載がある。
　
Ａ）「第２ｆ図は、外側支持構造体が一対の支持構造体６４及び６６からなる例を示す。支持構造体６４及び６６は種々の方法において形成され、種々の材料からなることができる。このため支持構造体６４及び６６は第２ｆ図に全般的に示される。支持構造体６４及び６６の特定の形状の場合の実施例は以下に与えられる。
  支持構造体６４は外側表面４０Ｅに沿ってベースプレート構造体４０に取着される。示される例では、ベースプレート構造体４０へのベースプレート支持構造体６４の取着は、結合材料の層６８を用いて実現される。結合層６８は、ベースプレート支持構造体６４がベースプレート支持構造体４０に直に隣接する概ね全ての領域、すなわち結合材料６８が存在しなかった場合には支持構造体６４が概ねベースプレート構造体４０に接触する領域に存在する。こうしてディスプレイ構成要素４０、６４及び６８は、強化された複合ベースプレート構造体４０／６４／６８を形成する。」（第２７頁２７行−第２８頁９行）
　
Ｂ）「支持構造体６４及び６６は、空気圧及び他の外力によりディスプレイが圧潰するのを防ぐためにプレート構造体４０と４２との間にスペーサを挿入する必要性を排除或いは概ね削減するような強度を有するフラットパネルディスプレイを実現する。支持構造体６４及び６６それぞれの厚さは、プレート構造体４０及び４２の厚さ及び機械的強度、支持構造体６４及び６６の機械的強度、アクティブ領域５４の大きさ、ディスプレイの対角線長、（もし存在するなら）プレート構造体４０と４２との間にあるスペーサの数、形状及び配置のような種々の要因に依存する。」（第２９頁９−１６行）
　
Ｃ）「第３．８図及び第４．２図では、ベースプレート支持構造体６４は一様な厚さの一群の下側をなす平行な横方向に分離したバー１０６及び同様に一様な厚さの上側方形プレート１０８を用いて形成される。従って第３．８図及び第４．２図の支持構造体６４は、第３．７図及び第４．１図の支持構造体６４と基本的に逆である。プレート１００及びバー１０２の材料及び構成についての内容は、ここでバー１０６及びプレート１０８についても当てはまる。第３．８図及び第４．２図の部分１１０はバー１０８間の覆われた溝部を示す。」（第３８頁２１−２８行）
　
　上記Ａ）〜Ｃ）及び図面の記載から、下記の事項を読み取ることが出来る。
　
（１）上記記載Ａ）の、「支持構造体６４は外側表面４０Ｅに沿ってベースプレート構造体４０に取着される。・・・こうしてディスプレイ構成要素４０、６４及び６８は、強化された複合ベースプレート構造体４０／６４／６８を形成する。」という記載からみて、「ベースプレート４０の外側表面４０Ｅに沿って支持構造体６４を取着」することによって、ベースプレート４０を「強化する」という技術事項が読み取れる。
　また、上記記載Ｃ）の、「ベースプレート支持構造体６４は一様な厚さの一群の下側をなす平行な横方向に分離したバー１０６及び同様に一様な厚さの上側方形プレート１０８を用いて形成される。」という記載及び図４．２の記載を併せてみると、「ベースプレート４０を強化するバー１０６が、ベースプレート４０の外側表面４０Ｅに沿って取着される」という技術事項が読み取れる。
（２）上記記載Ｃ）の、「ベースプレート支持構造体６４は一様な厚さの一群の下側をなす平行な横方向に分離したバー１０６及び同様に一様な厚さの上側方形プレート１０８を用いて形成される。」という記載及び図４．２の記載からみて、「バー１０６」が「一様な厚さの一群の下側をなす平行な横方向に分離」したものからなり、「ベースプレート４０に取着したバー１０６の上側に方形プレート」を設けるという技術事項が読み取れる。
　
（３）上記記載Ｂ）の、「プレート構造体４０と４２との間にスペーサを挿入する必要性を排除或いは概ね削減するような強度を有するフラットパネルディスプレイを実現する」という記載からみて、「フラットパネルディスプレイ」という技術事項が読み取れる。
　
　以上を総合勘案すると、引用例２には下記の発明が記載されていると認められる。　
　
「ベースプレート４０を強化するバー１０６が、ベースプレート４０の外側表面４０Ｅに沿って取着されてなり、バー１０６が、一様な厚さの一群の下側をなす平行な横方向に分離したものからなり、ベースプレート４０に取着したバー１０６の上側に方形プレートを備えるフラットパネルディスプレイ」（以下、「引用発明２」という。）
　
［３］引用例３
　本願の出願前に頒布された特開２００１−１５５６２２号公報（以下、「引用例３」という。）には、図面とともに下記の記載がある。
　
Ａ）「【００４６】本実施形態の電界放射型電子源１０は、図１に示すように、ｎ形シリコン基板１の主表面上にノンドープの多結晶シリコン層３が形成され、該多結晶シリコン層３上に強電界ドリフト層６が形成され、該強電界ドリフト層６上に金薄膜よりなる導電性薄膜７が形成されている。また、ｎ形シリコン基板１の裏面にはオーミック電極２が形成されている。
【００４７】ところで、本実施形態では、導電性基板としてｎ形シリコン基板１を用いているが、導電性基板は、電界放射型電子源１０の負極を構成するとともに真空中において上述の強電界ドリフト層６を支持し、なお且つ、強電界ドリフト層６へ電子を注入するものである。したがって、導電性基板は、電界放射型電子源１０の負極を構成し強電界ドリフト層６を支持することができればよいので、ｎ形シリコン基板に限定されるものではなく、クロムなどの金属基板であってもよいし、図３に示すようにガラス基板（あるいはセラミック基板）などの絶縁性基板１１の一表面に導電性膜（例えば、ＩＴＯ膜）１２を形成したものであってもよい。このような絶縁性基板１１の一表面に導電性膜１２を形成した基板を用いる場合には、半導体基板を用いる場合に比べて、電子源の大面積化および低コスト化が可能になる。
【００４８】また、上述の強電界ドリフト層６は、多孔質多結晶シリコンを酸により酸化して形成されており、導電性基板と導電性薄膜７との間に電圧を印加したときに電子が注入される層である。強電界ドリフト層６は、多数のグレインよりなる多結晶体であり、各グレインの表面には酸化膜を有するナノメータ単位の構造（以下、ナノ構造と称す）が存在する。強電界ドリフト層６に注入された電子がナノ構造に衝突することなく（つまり、電子散乱することなく）強電界ドリフト層６の表面に到達するためには、ナノ構造の大きさは、単結晶シリコン中の電子の平均自由行程である約５０ｎｍよりも小さいものであることが必要である。ナノ構造の大きさは、具体的には１０ｎｍより小さいものがよく、好ましくは５ｎｍよりも小さいものがよい。」
　
Ｂ）「【００５７】ところで、強電界ドリフト層６は、上述の陽極酸化処理により形成されたナノ構造よりなるシリコン微結晶の表面が希硝酸によって酸化されているものと考えられる。要するに、本実施形態では、強電界ドリフト層６は、図５に示すように、少なくとも、柱状の多結晶シリコン６１（グレイン）と、多結晶シリコン６１の表面に形成された薄いシリコン酸化膜６２と、柱状の多結晶シリコン間に介在する微結晶シリコン層６３と、微結晶シリコン層６３の表面に形成されたシリコン酸化膜６４とから構成されると考えられる。」
　
Ｃ）「【０１０７】（実施形態６）ところで、既に説明したが実施形態１における強電界ドリフト層６は、図５に示すように、少なくとも、柱状の多結晶シリコン（グレイン）５１と、多結晶シリコン５１の表面に形成された薄いシリコン酸化膜５２と、多結晶シリコン５１間に介在するナノメータオーダの微結晶シリコン層６３と、微結晶シリコン層６３の表面に形成され当該微結晶シリコン層６３の結晶粒径よりも小さな膜厚の絶縁膜であるシリコン酸化膜６４とから構成されるものと考えられる。すなわち、強電界ドリフト層６は、各グレインの表面が多孔質化し各グレインの中心部分では結晶状態が維持されていると考えている。したがって、強電界ドリフト部６に印加された電界はほとんどシリコン酸化膜６４にかかるから、注入された電子はシリコン酸化膜６４にかかっている強電界により加速され多結晶シリコン５１間を表面に向かって図５中の矢印Ａの向きへ（図５中の上方向へ向かって）ドリフトするので、電子の放出効率を向上させることができる。そこで、本願発明者らは電子の放出効率をより一層の高効率化のために上記シリコン酸化膜６４に着目した。言い換えれば、本願発明者らは、微結晶シリコン層６３の表面が完全に酸化した状態では図１４に示すように微結晶シリコン層６３の表面の全面が酸素原子６５により覆われているのに対して、上述の急速熱酸化法により酸化した場合には図１５に示すように微結晶シリコン層６３の表面が酸素原子６５により完全に覆われていないのではないか（つまり、酸素原子６５による微結晶シリコン層６３の被覆率が不十分ではないのか）と考えた。」
　
　上記Ａ）〜Ｃ）及び図面の記載から、下記の事項を読み取ることが出来る。
　
（１）上記記載Ａ）〜Ｃ）の記載からみて、「電界放射型電子源１０」が、「導電性膜１２」と、「導電性薄膜７」と、「柱状の多結晶シリコン６１（グレイン）、多結晶シリコン６１の表面に形成された薄いシリコン酸化膜６２、柱状の多結晶シリコン間に介在するナノメータオーダの微結晶シリコン層６３、および、微結晶シリコン層６３の表面に形成され当該微結晶シリコン層６３の結晶粒径よりも小さな膜厚のシリコン酸化膜６４を有する強電界ドリフト層６」とを備えるという技術事項が読み取れる。
　
（２）上記記載Ａ）〜Ｃ）の記載及び図３、５の記載からみて、「導電性膜１２」に対向して「導電性薄膜７」が設けられていること、「導電性膜１２」と「導電性薄膜７」の間に「強電界ドリフト層６」が設けられていること、「柱状の多結晶シリコン６１（グレイン）」が「導電性薄膜１２」の主表面側に列設されていること、「ナノメータオーダの微結晶シリコン層６３」が多数の微結晶シリコンからなること、及び、「シリコン酸化膜６４」が多数あることは明らかである。
　
　以上を総合勘案すると、引用例３には下記の発明が記載されていると認められる。　
　
「　導電性膜１２と、導電性膜１２に対向する導電性薄膜７と、導電性膜１２と導電性薄膜７との間に介在し、導電性膜１２の主表面側に列設された柱状の多結晶シリコンのグレイン、グレインの表面に形成された薄いシリコン酸化膜、グレイン間に介在する多数のナノメータオーダのシリコン微結晶および各シリコン微結晶それぞれの表面に形成されシリコン微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の多数のシリコン酸化膜を有する強電界ドリフト層とを備える電界放射型電子源１０。」（以下、「引用発明３」という。）
　
４．対比
　そこで、本願補正発明と引用発明１とを対比する。　
　引用発明１の「陽極に電子衝撃を加えるためのマイクロチップ」は本願補正発明の「電子線を放射させる電子源素子」に、「その上に設けられた」は「一表面側に配設された」に、「基板１０」は「リヤプレート」に、「基板１０に対向している」は「リヤプレートに対向配置され」に、「蛍光体要素」は「電子源素子から放射される電子線により励起されて発光する蛍光体層」に、「基板６」は「フェースプレート」に、「基板６および基板１０の間に挟まれる」は「リヤプレートとフェースプレートとの間に介在する」は「電極間の空間１２を画定する外周剛性フレーム２２」は「枠状の支持用スペーサ」に、「基板６および基板１０と外周剛性フレーム２２の内部空間１２」は「リヤプレートとフェースプレートと支持用スペーサとで囲まれた空間」に、「真空引きされ封止された」は「真空に保たれた」に、「平面表示画面」は「表示装置」に、「剛性プレート２１」は「リヤプレートを補強する補強材」に、「基板１０の外面に組み合わせられて」は「リヤプレートの他表面側に設けられて」に、それぞれ相当する。
　また、引用発明１における「ハニカム構造」は、その強度を発揮すべき力学的性状を鑑みるに、ハニカムを構成する壁が基板１０の表面に直交する方向に延びているもの解するのが自然である。
してみると、同ハニカムを構成する壁が、基板６の「厚み方向に直交する断面が一定の規則に従い組織化された」ものとなることも明らかである。
　したがって、引用発明１の「剛性プレートが、ハニカム構造を備える」は、本願補正発明の「補強材は、リヤプレートの前記一表面に直交する方向に延び且つリヤプレートの厚み方向に直交する断面が一定の規則に従い組織化された補強壁により形成されてなり」に相当する。
　
　したがって、本願補正発明と引用発明１とは、
「　電子線を放射させる電子源素子が一表面側に配設されたリヤプレートと、リヤプレートに対向配置され電子源素子から放射される電子線により励起されて発光する蛍光体層が設けられたフェースプレートと、リヤプレートとフェースプレートとの間に介在する枠状の支持用スペーサとを備え、リヤプレートとフェースプレートと支持用スペーサとで囲まれた空間が真空に保たれた表示装置であって、リヤプレートを補強する補強材がリヤプレートの他表面側に設けられてなり、補強材は、リヤプレートの前記一表面に直交する方向に延び且つリヤプレートの厚み方向に直交する断面が一定の規則に従い組織化された補強壁により形成されてなることを特徴とする表示装置。」
である点において一致し、次の点において相違する。
　
（相違点）
ア）リヤプレートの補強構造に関し、本願補正発明が「リヤプレートとの間に補強材を挟持する補助プレートを備え」るのに対して、引用発明１は当該構成を欠く点。
　
イ）電子源素子に関し、本願補正発明が「下部電極と、下部電極に対向する表面電極と、下部電極と表面電極との間に介在し、下部電極の主表面側に列設された柱状の多結晶シリコンのグレイン、グレインの表面に形成された薄いシリコン酸化膜、グレイン間に介在する多数のナノメータオーダのシリコン微結晶および各シリコン微結晶それぞれの表面に形成されシリコン微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の多数のシリコン酸化膜を有する強電界ドリフト層とを備える」のに対して、引用発明１は「マイクロチップ」である点。
　
５．判断
　上記相違点について検討する。
（１）相違点ア）について
　引用発明２における「ベースプレート４０」、「ベースプレート４０を強化するバー１０６」は、それぞれ本願補正発明の「リヤプレート」、「補強材」に相当する。
　一方、引用発明２において、ベースプレート４０に取着したバー１０６の「上側に」方形プレートが設けられているから、ベースプレート４０と方形プレートとの間に「ベースプレート４０を強化するバー１０６」を挟持している。
　したがって、引用発明２は、上記相違点ア）として挙げた「リヤプレートとの間に補強材を挟持する補助プレートを備え」るフラットパネルディスプレイであるといえる。
　
　引用発明１と引用発明２とは、平面型表示装置という同一の技術分野に属し、補強用スペーサを不要にするという解決する課題が共通するものであるから（「２．［１］Ｃ）」及び「２．［２］Ｂ）」を参照）、引用発明１の「ハニカムを構成する壁」からなる補強材に対して、引用発明２におけるベースプレート４０と方形プレートとの間に補強材（ベースプレート４０を強化するバー１０６）を挟持するようになすことは、当業者が容易になしえることである。
　
　したがって、上記相違点ア）に係る構成は、引用発明１及び引用発明２に基づいて、当業者が容易に想到し得るものである。
　
（２）相違点イ）について
　引用発明３は、上記相違点イ）として挙げた、「下部電極と、下部電極に対向する表面電極と、下部電極と表面電極との間に介在し、下部電極の主表面側に列設された柱状の多結晶シリコンのグレイン、グレインの表面に形成された薄いシリコン酸化膜、グレイン間に介在する多数のナノメータオーダのシリコン微結晶および各シリコン微結晶それぞれの表面に形成されシリコン微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の多数のシリコン酸化膜を有する強電界ドリフト層とを備える」電子源素子という、引用発明１が欠く構成を備えるものである。
　また、引用発明１と引用発明３とは、電界放出型電子源として同一の技術分野に属し、引用発明１の電子源に換えて引用発明３の電子源を適用することを阻害する、特段の事情もみいだせない。
　してみると、上記相違点イ）に係る構成は、引用発明１および引用発明３に基づいて、当業者が容易に想到し得るものである。
　
（３）まとめ
　すなわち、本願補正発明は、引用発明１ないし３に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用発明１ないし３から当業者が予測出来る範囲のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１ないし３に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
６．むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
　平成２１年７月７日付けの手続補正は上記のとおり却下され、また、平成２１年１月２６日付けの手続補正は平成２１年３月３１日付けの補正の却下の決定により却下されているので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２０年５月７日付け手続補正によって補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「　電子線を放射させる電子源素子が一表面側に配設されたリヤプレートと、リヤプレートに対向配置され電子源素子から放射される電子線により励起されて発光する蛍光体層が設けられたフェースプレートと、リヤプレートとフェースプレートとの間に介在する枠状の支持用スペーサとを備え、リヤプレートとフェースプレートと支持用スペーサとで囲まれた空間が真空に保たれた表示装置であって、リヤプレートを補強する補強材がリヤプレートの他表面側に設けられてなり、補強材は、リヤプレートの前記一表面に直交する方向に延び且つリヤプレートの厚み方向に直交する断面が一定の規則に従い組織化された補強壁により形成されてなり、リヤプレートとの間に補強材を挟持する補助プレートを備えることを特徴とする表示装置。」
　
第４　引用発明　
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１及び２とその記載事項は、前記「第２　３．」に記載されたとおりのものである。
　
第５　対比
　そこで、本願発明と引用発明１とを対比すると、
　本願発明と引用発明１とは、
「　電子線を放射させる電子源素子が一表面側に配設されたリヤプレートと、リヤプレートに対向配置され電子源素子から放射される電子線により励起されて発光する蛍光体層が設けられたフェースプレートと、リヤプレートとフェースプレートとの間に介在する枠状の支持用スペーサとを備え、リヤプレートとフェースプレートと支持用スペーサとで囲まれた空間が真空に保たれた表示装置であって、リヤプレートを補強する補強材がリヤプレートの他表面側に設けられてなり、補強材は、リヤプレートの前記一表面に直交する方向に延び且つリヤプレートの厚み方向に直交する断面が一定の規則に従い組織化された補強壁により形成されてなことを特徴とする表示装置。」
である点において一致し、次の点において相違する。
　
（相違点）
　リヤプレートの補強構造に関し、本願補正発明が「リヤプレートとの間に補強材を挟持する補助プレートを備え」るのに対して、引用発明１は当該構成を欠く点。
　
第６　判断
　当該相違点は、「第２　４．」に記載した相違点ア）と同一であるから、当該相違点に係る構成は、「第２　５．（１）」において相違点ア）について示したのと同様の理由より、引用発明１及び引用発明２に基づいて当業者が容易に想到し得るものである。
　そして、本願発明の作用効果も、引用発明１及び２から当業者が予測できる範囲のものである。
　
第７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。