【手続補正書】
【提出日】平成23年8月9日(2011.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
精製された四フッ化ケイ素ガスの製造方法であって、
当該方法は、
四フッ化ケイ素と一酸化炭素とを含む四フッ化ケイ素原料ガスを、表面を有する不活性基板と前記表面又は前記表面の近傍にある触媒金属酸化物とを含む触媒に接触させる工程と、
前記一酸化炭素を前記触媒金属酸化物と反応させて１つ以上の金属カルボニル錯体を形成することにより、前記一酸化炭素の少なくとも一部を前記触媒の表面上に吸着させ、それにより低減した一酸化炭素濃度を有する精製された四フッ化ケイ素ガス流を製造する吸着工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記不活性基板は、安定剤として酸化イットリウムを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記四フッ化ケイ素原料ガスは、約０．００１容量％〜約３．０容量％の一酸化炭素を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記四フッ化ケイ素原料ガス中の前記一酸化炭素の少なくとも約９７％が除去されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記四フッ化ケイ素原料ガスは、フッ化水素、塩酸、二酸化硫黄、三酸化硫黄、硫化水素及びそれらの混合物から成る群から選ばれた酸性化合物を含み、
前記四フッ化ケイ素原料ガスの一部をイオン交換樹脂に接触させて、低減した酸性化合物の濃度を有する精製された四フッ化ケイ素ガス流を製造することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記四フッ化ケイ素原料ガスを前記触媒に接触させる前に、前記四フッ化ケイ素原料ガスを前記イオン交換樹脂に接触させて、前記酸性化合物の一部を除去することを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記四フッ化ケイ素原料ガスは不活性化合物を含み、
前記四フッ化ケイ素原料ガスを低温に冷却し、
冷却された四フッ化ケイ素原料ガスを蒸留塔に供給して、低減した不活性化合物の濃度を有する精製された四フッ化ケイ素ガス流を製造することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記四フッ化ケイ素原料ガスは二酸化炭素を含み、
少なくとも１つのグリコールジエーテルを含む吸収液体により前記四フッ化ケイ素ガスを接触させることにより、前記二酸化炭素の一部を除去することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
約−３０℃〜約９０℃の温度で、前記四フッ化ケイ素原料ガスを前記触媒に接触させることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記触媒と前記金属カルボニル錯体とを少なくとも５００℃以上に加熱して、前記金属カルボニル錯体を分解し且つ酸化炭素を形成することによって、前記触媒を再生しており、前記酸化炭素は前記触媒から放出されることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
四フッ化ケイ素ガスから不純物を除去するための触媒であって、
当該触媒は、
表面を有し、ジルコニア、アルミナケイ酸塩、シリカ、アルミナ、イットリア及びそれらの混合物から成る群から選ばれた不活性基板であって、前記不活性基板は、ランタニド系元素、アクチニド系元素、マグネシウム、イットリウム、カルシウム及びそれらの混合物から成る群から選ばれた金属を含む金属酸化物安定剤を含み、前記安定剤の量が約０．１重量％未満である、不活性基板と、
前記不活性基板の前記表面又は前記表面の近傍にあり、銅、マンガン、クロム、コバルト、タリウム、モリブデン、銀及びそれらの混合物から成る群から選ばれた触媒金属を含んだ触媒金属酸化物と、
を含むことを特徴とする触媒。
【請求項１２】
不活性基板と当該不活性基板の表面又は表面の近傍にある触媒金属酸化物とを含む触媒の調製方法であって、
当該方法は、
前記不活性基板の表面上又はバルク全体にわたって触媒金属を含浸させる工程であって、前記不活性基板は、ランタニド系元素、アクチニド系元素、マグネシウム、イットリウム、カルシウム及びそれらの混合物から成る群から選ばれた金属を含む金属酸化物安定剤を含み、前記安定剤の量が約０．１重量％未満である、触媒金属含浸工程と、
金属を含浸させた前記不活性基板を少なくとも約２５０℃の温度に加熱して、前記不活性基板の前記表面又は前記表面の近傍に触媒金属酸化物を形成する加熱工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１３】
前記不活性基板は不活性な金属酸化物を含み、
前記不活性基板は、水素酸素炎中で、不活性金属を含む第１の金属ハロゲン化物を水素と反応させて、不活性基板の粉末を生成することにより調製されることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の金属ハロゲン化物と水素との反応と同時に、水素酸素炎中で、触媒金属を含む第２の金属ハロゲン化物を水素と反応させることにより、前記触媒金属を前記不活性基板の全体に含浸させることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記触媒金属を、金属塩溶液から前記不活性基板上に析出させることにより、前記不活性基板上に前記触媒金属を含浸させることを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
不活性な金属酸化物を含む不活性基板と当該不活性基板の表面又は表面の近傍にある触媒金属酸化物とを含む触媒の調製方法であって、
当該方法は、
水素酸素炎中で、不活性金属を含む第１の金属ハロゲン化物を水素と反応させて、不活性基板の粉末を生成する工程と、
前記第１の金属ハロゲン化物と水素との反応と同時に、水素酸素炎中で、触媒金属を含む第２の金属ハロゲン化物を水素と反応させて、前記触媒金属を前記不活性基板上又は前記不活性基板のバルク全体に含浸させる工程と、
金属を含浸させた前記不活性基板を少なくとも約２５０℃の温度に加熱して、前記不活性基板の前記表面又は前記表面の近傍に触媒金属酸化物を形成する加熱工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１７】
前記金属を含浸させた不活性基板を約２５０℃〜約１０００℃の温度に加熱することを特徴とする請求項１２乃至１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
前記触媒金属酸化物は、銅、マンガン、クロム、コバルト、タリウム、モリブデン、銀及びそれらの混合物から成る群から選ばれた金属を含むことを特徴とする請求項１乃至１０及び１２乃至１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
前記触媒金属酸化物は、銅、マンガン及びそれらの混合物から成る群から選ばれた金属を含むことを特徴とする請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
前記不活性基板は、ジルコニア、アルミナケイ酸塩、シリカ、アルミナ、イットリア及びそれらの混合物から成る群から選ばれることを特徴とする請求項１、３乃至１０及び１２乃至１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
前記不活性基板は、ランタニド系元素、アクチニド系元素、マグネシウム、イットリウム、カルシウム及びそれらの混合物から成る群から選ばれた金属を含んだ金属酸化物安定剤を含むことを特徴とする請求項１乃至１０及び１６乃至２０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
前記不活性基板は、約０．１重量％未満の安定剤を含むことを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
安定剤の金属を含む化合物を水素酸素炎中に導入して、不活性基板の粉末を生成する工程を含むことを特徴とする請求項１６乃至２２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
前記不活性基板は、約０．１重量％未満の酸化イットリウムを安定剤として含むことを特徴とする請求項１１及び１６乃至２３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２５】
前記触媒は、少なくとも約９５重量％の不活性基板と、約３重量％未満の触媒金属と、約０．５重量％未満の安定剤と、を含むことを特徴とする請求項１６乃至２４のいずれか１項に記載の触媒。
【請求項２６】
前記触媒は、約０．００１重量％〜約１．０重量％の触媒金属を含むことを特徴とする請求項１乃至２５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２７】
前記触媒は、約９５重量％〜約９９．９９９重量％の不活性基板を含むことを特徴とする請求項１乃至２６のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
（実施例６：ジルコニア基板に基づいた触媒と、アルミナケイ酸塩基板に基づいた触媒との間における、一酸化炭素除去活量の比較）
アルミナケイ酸塩粉末を調製した。アルミナケイ酸塩粉末支持体(alumina silicate powder support)の表面積及び気孔率はジルコニア支持体よりも１０％大きかった。しかしながら、以下の表３からわかるように、アルミナケイ酸塩基板に基づく触媒は、マンガン支持体に基づいた触媒ほどには一酸化炭素を除去しなかった。比較試験では、四フッ化ケイ素ガスは、５４０ｐｐｍの一酸化炭素を含有しており、２４℃であった。触媒層は、長さ１５ｃｍ、直径４ｃｍであった。