【事件の表示】
　特願２００２−３６１７５４「プラズマＣＶＤ法による薄膜形成方法及び薄膜形成装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　１月　８日出願公開、特開２００４−　　２９６１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成１４年１２月１３日（特許法第４１条に基づく優先権主張　平成１４年４月５日）の出願であって、平成１９年３月２０日付けで拒絶理由が通知され（発送日は同年同月２８日）、同年５月２５日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで明細書の記載に係る手続補正がなされたが、同年６月２５日付けで拒絶査定がなされ（発送日は同年同月２７日）、これに対して、同年７月２７日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同年８月７日付けで明細書の記載に係る手続補正がなされた後に、平成２１年１２月４日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した審尋が通知され（発送日は同年同月９日）、平成２２年２月５日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成１９年８月７日付けの手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成１９年８月７日付けの手続補正を却下する。 
［理由］ 
２−１．本件補正
　平成１９年８月７日付けの手続補正（以下、「本件補正」ということがある。）は、平成１９年５月２５日付け手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜３の
「【請求項１】　反応室内に所定のガスを導入し、成膜ドラム上の基材と、対向電極を設置して、反応性ガスをプラズマ化して、基材上に薄膜を形成する方法において、基材をロールからロールに連続で巻き上げる方式で、成膜ドラムと対向電極との間に、プラズマ電源により高周波電力を印加し、かつその電源周波数が５０ｋＨｚ以下であり、反応室内の成膜ドラムと対向電極の内から選ばれる一つ以上に、磁石を配置し、かつ基材を搬送して接触するロール部をアースから１ＭΩ以上のインピーダンスを有することを特徴とするプラズマＣＶＤ法による薄膜形成方法。
 【請求項２】　反応室内に所定のガスを導入し、成膜ドラム上の基材と、対向電極を設置して、反応性ガスをプラズマ化して、基材上に薄膜を形成する装置において、基材をロールからロールに連続で巻き上げる方式で、成膜ドラムと対向電極との間に、電源周波数が５０ｋＨｚ以下であるプラズマ電源を設け、そのプラズマ電源により高周波電力を印加し、反応室内の成膜ドラムと対向電極の内から選ばれる一つ以上に、磁石を配置し、かつ基材を搬送して接触するロール部がアースから１ＭΩ以上のインピーダンスを有することを特徴とするプラズマＣＶＤ法による薄膜形成装置。
 【請求項３】　反応室の圧力をｐ０、搬送・巻取り室の圧力をｐ１とした時に、ｐ０＞１０ｐ１であることを特徴とする請求項１または２に記載するプラズマＣＶＤ法による薄膜形成方法及び薄膜形成装置。」を、
「【請求項１】　反応室内に所定のガスを導入し、成膜ドラム上の基材と、対向電極を設置して、反応性ガスをプラズマ化して、基材上に薄膜を形成する方法において、基材をロールからロールに連続で巻き上げる方式で、成膜ドラムと対向電極との間に、プラズマ電源により高周波電力を印加し、かつその電源周波数が５０ｋＨｚ以下であり、反応室内の成膜ドラムと対向電極の内から選ばれる一つ以上に、磁石を配置し、かつ基材を搬送して接触するゴムロールからなるロール部をアースから１ＭΩ以上のインピーダンスを有することを特徴とするプラズマＣＶＤ法による薄膜形成方法。
 【請求項２】　反応室内に所定のガスを導入し、成膜ドラム上の基材と、対向電極を設置して、反応性ガスをプラズマ化して、基材上に薄膜を形成する装置において、基材をロールからロールに連続で巻き上げる方式で、成膜ドラムと対向電極との間に、電源周波数が５０ｋＨｚ以下であるプラズマ電源を設け、そのプラズマ電源により高周波電力を印加し、反応室内の成膜ドラムと対向電極の内から選ばれる一つ以上に、磁石を配置し、かつ基材を搬送して接触するゴムロールからなるロール部がアースから１ＭΩ以上のインピーダンスを有することを特徴とするプラズマＣＶＤ法による薄膜形成装置。　
 【請求項３】　反応室の圧力をｐ0、搬送・巻取り室の圧力をｐ1とした時に、ｐ0＞１０ｐ1であることを特徴とする請求項１または２に記載するプラズマＣＶＤ法による薄膜形成方法及び薄膜形成装置。」と補正することを含むものである。
　
２−２．本件補正の目的
　本件補正は、補正前の請求項１、２の「基材を搬送して接触するロール部」を、「基材を搬送して接触するゴムロールからなるロール部」と補正するもので、「ロール部」の材質を「ゴムロール」に限定するものであるから、これは、平成１８年法律第５５号改正付則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定される特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
２−３．独立特許要件
　本件補正の特許請求の範囲に係る補正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、以下で本件補正後の特許請求の範囲の請求項２に記載された発明（以下、「補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるか否かについて検討する。
　
２−３−１．補正発明
　補正発明は、平成１９年８月７日付けの手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項２に記載される以下のとおりのものである。　
「反応室内に所定のガスを導入し、成膜ドラム上の基材と、対向電極を設置して、反応性ガスをプラズマ化して、基材上に薄膜を形成する装置において、基材をロールからロールに連続で巻き上げる方式で、成膜ドラムと対向電極との間に、電源周波数が５０ｋＨｚ以下であるプラズマ電源を設け、そのプラズマ電源により高周波電力を印加し、反応室内の成膜ドラムと対向電極の内から選ばれる一つ以上に、磁石を配置し、かつ基材を搬送して接触するゴムロールからなるロール部がアースから１ＭΩ以上のインピーダンスを有することを特徴とするプラズマＣＶＤ法による薄膜形成装置。」
　
２−３−２．刊行物の記載
　（１）原査定において引用文献１として引用され本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特表平７−５０２０７４号公報（以下、「刊行物１」という。）には、次の事項が記載されている。
　（刊１−ア）「よく「プラズマ増強化学蒸着（plasma　enhanced　chemical　vapor　deposition）」すなわち「ＰＥＣＶＤ」と呼ばれているプラズマ重合は、種々の基体上に膜（フィルム）を形成するための既知の技術である。」（２頁左下欄８行−１０行）
　（刊１−イ）「第１図及び第２図に関連して更に詳細に説明する本発明の装置は、有機ケイ素、酸素及び不活性ガスを含むガス流から得られるプラズマから、蒸着硬質酸化ケイ素基材薄膜を再現可能に蒸着するのに使用するのが好ましい」（３頁右下欄１９行−２１行）
　（刊１−ウ）「第１図に概略的に示すように、プラズマ処理装置１０の実施例は包囲チャンバ１１を有し、該チャンバ１１内でプラズマが形成され且つ該チャンバ１１内には基体１３のような基体がプラズマ処理のために連続的に導入される。チャンバ１１には、ガス供給装置１５により１種類以上のガスが供給される。蒸気バリヤ特性をもつ製品を製造したい場合には、ガス供給装置１５は、酸素成分、不活性ガス成分及び揮発した有機ケイ素成分を供給できる。しかしながら、例えばブラズマエッチングを行いたい場合には、ガス供給装置１５は、酸素、又は酸素及びヘリウム、又は適当なエツチングガス混合物（例えば酸素及びハロゲン成分）を供給できる。
　チャンバ１１内の電界は、電源１７により創出される。一般に、電源１７は、蒸気バリヤコーティングのようなプラズマ処理中に約８ｋＷの電力を供給する」（３頁右下欄２４行−４頁左上欄５行）
　（刊１−エ）「次に、第２図に関連してチャンバ１１をより詳細に説明する（ここでは、プラズマ処理として、ＰＥＣＶＤすなわちプラズマ重合を例示する）。
　チャンバ１１は、該チャンバｌｌ内にプラズマを形成する手段３０を有する。プラズマ形成手段３０は、チャンバ１１内でプラズマに対面する表面３４を形成する、電気付勢電極３２を有する。第２図に示す実施例におけるプラズマ形成手段３０はまた、ガス入口３６を備えたガス供給装置１５のような膜形成ガス源を有している。
　基体１３は、ストリップ又はウェブとしてチャンバ１１内に供給され、該チャンバ１１に通され、且つ該チャンバ１１から出る。基体１３の連続的に変化できる部分（以下、「連続的変化可能部分」という）はプラズマに露出され、蒸気バリヤ特性をもつ薄膜コーティングのようなプラズマ処理を行う。」（４頁左上欄１８行−２８行）
　（刊１−オ）「導電／露出手段３２の一実施例では、電極３２（すなわちそのプラズマ対面表面３４）が円筒状すなわちドラム状であるが、軸線４０に沿って延びた全体として弧状の形状を用いることもできる。プラズマ対面表面３４をこのように弧状又は円筒状にする目的は、可撓性基体１３をプラズマ対面表面３４と転がり接触するように配置でき、これにより、プラズマ処理中の任意の一時点で少なくともプラズマに露出される基体部分に負のバイアスがかけられる間、プラズマを通って供給される基体１３の張力を調節する第２ロ−ラ４２ａ、４２ｂの補助によりウェブとして供給できるようにすることにある。手段４４が、距離Δの寸法すなわち幅をもつバンド４６にプラズマを閉じ込めるので、基体部分は閉じ込められたプラズマ内にある。」（４頁右上欄８行−１７行）　
　（刊１−カ）「閉込め手段４４は、プラズマ対面表面３４から距離Δだけ間隔を隔ててチャンバ１１内に取り付けられたシールド４８を有するのが好ましい。プラズマ対面表面３４が円筒状である場合には、シールド４８もプラズマ対面表面３４と同心状に配置され、その弧の長さ（従って、プラズマバンド４６の長さを形成する長さ）は円筒状ドラム面の約７０％にするのが好ましいけれども、可撓性基体材料の高速プラズマ処理を可能にするには少なくとも目に見える弧の長さにすべきである。」（４頁右上欄２４行−２９行）
　（刊１−キ）「シールド４８は、電気的に接地して「接地平面」（すなわち電源の戻り経路）を確立すべきである。チャンバ１１の壁の一部としてシールド４８を形成し、シールド４８（距離Δ及びシールド４８の弧の長さにより形成される）内の圧力を、これを包囲するチャンバ１１の空間内の圧力（約１ミクロン以下に減圧されている）より大きくするのが好ましいと考えられる。
　閉込め手段４４は、プラズマ内に磁界を発生させる磁気手段５０を更に有するのが好ましい。磁気手段５０は、プラズマに対面する側のシールド側面とは反対側のシールド側面上でシールド４８に取り付けることによりシールド４８に隣接して配置される少なくとも１つの磁極対５２ａ、５２ｂで構成できる。」（４頁左下欄２行−１１行）
　（刊１−ク）「例１は、本発明の装置を用いた基体製造方法の実際を示すものである。・・・ローラ４２ａ、４２ｂのキャプタン張力を約１７ポンド（約７．７ｋｇ）に設定し、巻戻し張力（ｒｅｗｉｎｄ　ｔｅｎｓｉｏｎ）及び巻解き張力（ｕｎｗｉｎｄ　ｔｅｎｓｉｏｎ）を約１７ポンド（約４．５ｋｇ）に設定した。ＰＥＴウェブの線速度は、１００フイート／分（約３０ｍ／分）に設定した。ドラムは、５０ｋＨの周波数の４ｋＷの電力で付勢された。」（４頁左下欄２０行−同頁右下欄１行）（なお、「５０ｋＨ」は「５０ｋＨｚ」の誤記であることは明らかなので、以下、「５０ｋＨｚ」と記載する。）
　（刊１−ケ）「本発明の種々の特徴を利用した反応チャンバ及びその関連機器を示す概略側面図」（３頁左上欄「図面の簡単な説明」）と題されたＦＩＧ．２（５頁）を参照すると、以下のａ）〜ｄ）の点がみてとれる。　
　ａ）符号「１３」で示される線状の部材が、符号「４２ａ」、「３２」の外周である「３４」、「４２ｂ」でそれぞれ示される三つの円状の部材に左から右へ上記の順序で巻きついており、符号「３４」で示される部材と、符号「１３」で示される線状の部材の符号「３４」で示される部材に巻きついた部分が、符号「４８」で示される部材と、符号「４６」または「Δ」で示される空間を介して対向していること
　ｂ）符号「４６」または「Δ」で示される空間は、符号「１１」で示される部材と、符号「１１」で示される部材の一部をなす符号「４８」で示される部材とに設けられた符号「３６」で示される部分を介して、符号「４６」または「Δ」で示される空間と符号「１１」で示される部材の外部へ連通していること
　ｃ）符号「３４」で示される部材は、符号「１７」を付された「電源」に接続され、同電源はアースの記号（当審注：ＪＩＳ　Ｃ０６１７−２に規定される電気的接地を意味する）にも接続され、符号「４８」で示される部材が同様にアースの記号に接続されていること
　ｄ）符号「４８」で示される部材の、符号「４６」または「Δ」で示される空間とは反対側の部分に接して、符号「５２ａ」を付された部材「Ｎ」と符号「５２ｂ」を付された部材「Ｓ」が複数配置されていること
　ここで、上記摘示事項（刊１−エ）には「基体１３は、ストリップ又はウエブ」と記載されることから、符号「１３」で示される線状の部材は、長尺状で幅を有するウエブである「基体１３」であるといえる。
　そして、幅を有する「基体１３」が側面図であるＦＩＧ．２において巻きつくのであるから、符号「４２ａ」、「３４」、「４２ｂ」でそれぞれ示される三つの円状の部材は、紙面垂直方向の幅を有する円筒状部材と言えるものであり、同（刊１−オ）の「電極３２（すなわちそのプラズマ対面表面３４）」が円筒状すなわちドラム状であるが・・・プラズマを通って供給される基体１３の張力を調節する第２ロ−ラ４２ａ、４２ｂの補助によりウェブとして供給できる」との記載から、符号「４２ａ」、「３４」、「４２ｂ」でそれぞれ示される三つの円状の部材は、それぞれ「第２ロ−ラ４２ａ」、「円筒状すなわちドラム状」の「電極３２（すなわちそのプラズマ対面表面３４）」、「第２ロ−ラ４２ｂ」であるといえる。
　また、同（刊１−カ）には「プラズマ対面表面３４から距離Δだけ間隔を隔ててチャンバ１１内に取り付けられたシールド４８を有するのが好ましい。プラズマ対面表面３４が円筒状である場合には、シールド４８もプラズマ対面表面３４と同心状に配置され」と記載されることから、符号「１１」で示される部材は「チャンバ１１」であり、符号「４８」で示される部材は「シールド４８」であるといえるものであり、同（刊１−オ）には「手段４４が、距離Δの寸法すなわち幅をもつバンド４６にプラズマを閉じ込めるので、基体部分は閉じ込められたプラズマ内にある」と記載されることから、符号「４６」または「Δ」で示される空間は「プラズマを閉じ込める」「距離Δの寸法すなわち幅をもつバンド４６」であり、同（刊１−エ）には「ガス入口３６を備えたガス供給装置１５のような膜形成ガス源を有している」と記載されることから、符号「３６」で示される部分は「ガス入口３６」であるといえる。
　さらに、同（刊１−キ）には「磁気手段５０は、プラズマに対面する側のシールド側面とは反対側のシールド側面上でシールド４８に取り付けることによりシールド４８に隣接して配置される少なくとも１つの磁極対５２ａ、５２ｂで構成できる」と記載されることから、符号「５２ａ」を付された部材「Ｎ」と符号「５２ｂ」を付された部材「Ｓ」は、「磁気手段５０」の「少なくとも１つの磁極対５２ａ、５２ｂ」であり、それらは「シールド４８」の「プラズマを閉じ込める」「距離Δの寸法すなわち幅をもつバンド４６」とは反対側の側面上に配置されているといえる。
　したがって、ＦＩＧ．２からは次のことが視認されるといえる。
　ａ’）ウエブである「基体１３」が、「第２ロ−ラ４２ａ」、「円筒状すなわちドラム状」の「電極３２（すなわちそのプラズマ対面表面３４）」、「第２ロ−ラ４２ｂ」に左から右へ上記の順序で巻きついており、ウエブである「基体１３」の「プラズマ対面表面３４」に巻きついた部分が、「プラズマを閉じ込める」「距離Δの寸法すなわち幅をもつバンド４６」を介して「シールド４８」と対向していること
　ｂ’）「プラズマを閉じ込める」「距離Δの寸法すなわち幅をもつバンド４６」は、「チャンバ１１」と「チャンバ１１」の一部をなす「シールド４８」とに設けられた「ガス入口３６」を介して、「プラズマを閉じ込める」「距離Δの寸法すなわち幅をもつバンド４６」と「チャンバ１１」の外部へ連通していること
　ｃ’）「円筒状すなわちドラム状」の「電極３２（すなわちそのプラズマ対面表面３４）」は「電源１７」に接続され、同「電源１７」は電気的に接地され、「円筒状すなわちドラム状」の「電極３２（すなわちそのプラズマ対面表面３４）」のウエブである「部材１３」が巻きついた部分に対向する「シールド４８」が電気的に接地されていること
　ｄ’）「プラズマを閉じ込める」「距離Δの寸法すなわち幅をもつバンド４６」とは反対側の「シールド４８」の側面に複数の「磁極対５２ａ、５２ｂ」が配置されていること
　
　（２）原査定において引用文献２として引用され本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開平１０−２９８７６４号公報（以下、「刊行物２」という。）には、次の事項が記載されている。
　（刊２−ア）「ローラ系を介して回転ドラム上を移動する導電性を有する基体表面にプラズマにより連続的に成膜するプラズマＣＶＤ装置において、前記基体の供給ローラから回転ドラムに至る経路の全てのローラのローラ表面とアース電位の間のインピーダンスの合計を１０ｋΩ以上、かつ回転ドラムから巻取ローラに至る経路の全てのローラのローラ表面とアース電位の間のインピーダンスの合計を１０ｋΩ以上とし、前記基体とその基体に高周波を印加する高周波電源の間にブロッキングコンデンサを介在させたことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。」（【請求項１】）
　（刊２−イ）「請求項１記載において、前記高周波電源の周波数が５０ＫＨｚ〜９００ＫＨｚの範囲に規制されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。」（【請求項２】）
　（刊２−ウ）「図３９は、冷却ドラムと高周波電力を印加しプラズマを励起するとともに自己バイアス電圧を発生させるプラズマＣＶＤ装置の概略構成図である・・・同図において１７１は例えばフレキシブルな合成樹脂フィルムなどからなる基体、１７２はその基体１７１を連続的に繰り出す供給ローラ、１７３は基体１７１をガイドする中間ローラ、１７４は回転ドラム、１７５は回転ドラム１７４に高周波を印加する高周波電源、１７６はガス導入口、１７７は成膜された基体１７１を巻き取る巻取ローラである。
　この方法では、イオン電流によるジュール熱はほとんど発生しないが、高周波電力による電流が基体の導電膜を通じて、基体搬送系や真空槽壁を介してアース側に流れて多量のジュール熱が発生する。この高周波電流を防止するためには徹底した高周波絶縁を行う必要があるが、周波数が高いため極めて困難である。薄膜とアース電位間に僅かな静電気容量があっても静電気的につながってしまい、同図に矢印１７８で示す如く薄膜中に高周波電流が流れ、多量のジュール熱が発生する。また、この際に発生する過電流によって基体の導電膜破壊が起こる。」（【0023】、【0024】）
　（刊２−エ）「バイアス電力を上げるとバイアスを印加した瞬間に導電膜が破断する場合がある。また、低バイアス電力で損傷がほぼ認められない場合でも回転ドラム上でしわが発生し、成膜時にしわ部分の熱負けが生じる。
　前記の損傷やしわ発生を防止する条件を検討した結果、中間ロール間の基体における高周波電流による単位面積当たりの発熱量を・・・抑制しなければならないことが分かった。また、この条件を満たすためには、バイアスの周波数を大幅に下げるとともに基体搬送系の高周波絶縁性（インピーダンス）を所定の値以上に高めなければならないことが分かった。」（【0038】、【0039】）
　（刊２−オ）「また、基体を搬送するためのローラ（供給ローラ、巻取ローラ、中間ローラなど）の本体またはその一部をセラミックや合成樹脂などの電気絶縁性の材料で構成するか、ローラの芯材に電気絶縁材を用いるか、あるいは導電性を有する芯材を持たない中空状のローラを使用する手段が有効である。」（【0048】）
　（刊２−カ）「この供給ローラ２ならびに巻取ローラ４は回転軸（芯材）及びローラ本体をセラミックス、合成樹脂、ガラス繊維及びそれらの複合物などで形成する・・・。」（【0055】）
　（刊２−キ）「図２４は、本発明の第７の実施の形態に係る中間ローラの拡大断面図である。この実施の形態に係る中間ローラ１３の場合、ローラ本体４３は硬質ゴムや硬質合成樹脂など比較的硬い電気絶縁材料からなり、前記第６の実施の形態と同様に傾斜溝４６が多数形成され、その傾斜溝４６には軟質ゴムなどからなる軟質材料４７が充填されている。」（【0145】）
　
２−３−３．引用発明の認定
　刊行物１の記載について検討する。
　ｉ）上記摘示事項（刊１−エ）には「第２図に関連してチャンバ１１をより詳細に説明する（ここでは、プラズマ処理として、ＰＥＣＶＤすなわちプラズマ重合を例示する）」と記載されており、第２図にはＰＥＣＶＤによる処理について示されているといえる。
　さらに、摘示事項（刊１−イ）には「第１図及び第２図に関連して更に詳細に説明する本発明の装置」とあるから、第２図にはＰＥＣＶＤによる処理装置について示されているということができる。
　そして、摘示事項（刊１−ア）に「プラズマ増強化学蒸着（plasma　enhanced　chemical　vapor　deposition）」すなわち「ＰＥＣＶＤ」と呼ばれているプラズマ重合は、種々の基体上に膜（フィルム）を形成するための既知の技術」とあり、「ＰＥＣＶＤ」は「ＣＶＤ」の一種であることは明らかで、「膜（フィルム）」は「薄膜」に相当するから、「ＰＥＣＶＤ」は「プラズマＣＶＤ法による薄膜形成」の技術に他ならない。
　したがって、第２図（ＦＩＧ．２）には、プラズマＣＶＤ法による薄膜形成処理装置が示されているということができる。
　ｉｉ）そして、第２図に示されるプラズマＣＶＤ法による薄膜形成処理装置について、視認事項（刊１−ケ）のｂ’）ｃ’）から、「チャンバ１１」内で、電気的に接地される「電源１７」に接続される「円筒状すなわちドラム状」の「電極３２（すなわちそのプラズマ対面表面３４）」と、電気的に接地されている「シールド４８」との間に、「プラズマを閉じ込める」「距離Δの寸法すなわち幅をもつバンド４６」があり、ウエブである「部材１３」が上記「電極３２（すなわちそのプラズマ対面表面３４）」に巻きついて上記「シールド４８」に対向しているといえる。また、「ガス入口３６」が上記「チャンバ１１」内の上記「距離Δの寸法すなわち幅をもつバンド４６」と外部を連通しており、摘示事項（刊１−エ）から「ガス入口３６を備えたガス供給装置１５のような膜形成ガス源を有している」ことから、「ガス入口３６」から「膜形成ガス」が「チャンバ１１」内の「バンド４６」へ導入されるといえる。
　ｉｉｉ）また、視認事項（刊１−ケ）のａ’）から、上記「基体１３」は、「第２ロ−ラ４２ａ」、上記「電極３２（すなわちそのプラズマ対面表面３４）」、「第２ロ−ラ４２ｂ」に左から右へ上記の順序で巻きついているといえる。
　ｉｖ）さらに、視認事項（刊１−ケ）のｄ’）から、上記「距離Δの寸法すなわち幅をもつバンド４６」とは反対側の「シールド４８」の側面に複数の「磁極対５２ａ、５２ｂ」が配置されているといえる。
　ｖ）以上から、刊行物１には、
　
「チャンバ（１１）内で、電気的に接地される電源（１７）に接続される円筒状すなわちドラム状の電極（３２）（すなわちそのプラズマ対面表面（３４））と、電気的に接地されているシールド（４８）との間に、プラズマを閉じ込める距離Δの寸法すなわち幅をもつバンド（４６）があり、ウエブである部材（１３）が上記電極３２（すなわちそのプラズマ対面表面（３４））に巻きついて上記シールド（４８）に対向し、ガス入口（３６）から上記チャンバ（１１）内の上記バンド（４６）へ膜形成ガスが導入され、上記基体（１３）は、第２ロ−ラ（４２ａ）、上記電極（３２）（すなわちそのプラズマ対面表面（３４））、第２ロ−ラ（４２ｂ）に左から右へ上記の順序で巻きついており、上記バンド（４６）とは反対側のシールド（４８）の側面に複数の磁極対（５２ａ、５２ｂ）が配置されているプラズマＣＶＤ法による薄膜形成処理装置。」の発明（以下、「引用発明」という。）
　
が記載されているといえる。
　
２−３−４．補正発明と引用発明との対比
　ｉ）引用発明の「チャンバ（１１）」は、その内部に「プラズマを閉じ込める距離Δの寸法すなわち幅をもつバンド（４６）」を有し、「基体部分は閉じ込められたプラズマ内にあ」（摘示事項（刊１−オ））り、そこで「蒸気バリヤ特性をもつ薄膜コーティングのようなプラズマ処理」（摘示事項（刊１−エ）参照）が行われることから、補正発明の「反応室」に相当する。
　ｉｉ）次に、引用発明の「チャンバ（１１）内のバンド（４６）」へ「導入」される「膜形成ガス」についてみると、刊行物１の３頁右上欄２１−２３行には「本発明の一実施例では、蒸気バリヤ特性をもつ酸化ケイ素基材膜は、揮発した有機ケイ素化合物、酸素及び不活性ガスを含むガス流から得られるグロー放電プラズマから蒸着される」と記載され、同３頁左下欄２８行−右上欄３行には「揮発した有機ケイ素成分には、チャンバ内に流入する前に酸素成分及び不活性ガス成分を添加するのが好ましい・・・ガス流の不活性ガスはヘリウムが好ましい」と記載されていることから、引用発明において「チャンバ内に流入する」のは「揮発した有機ケイ素化合物」と「酸素」と「不活性ガス」としての「ヘリウム」との混合ガスであり、これらが「膜形成ガス」を構成しているといえる。
　一方、補正発明の「反応室内」へ「導入」される「所定のガス」についてみると、本願明細書の【0013】には「反応室４には、原料ガス導入口６より・・原料ガスと・・・酸素等の活性なキャリヤガスと、ヘリウム・・・等の不活性なキャリヤガスが供給され」と記載されることから、補正発明の「反応室内へ」「導入」される「所定のガス」は、「原料ガス」と「酸素等の活性なキャリヤガス」と「ヘリウム等の不活性なキャリヤガス」との混合ガスといえる。
　すると、引用発明の「揮発した有機ケイ素化合物」が形成される薄膜の原料ガスであることは明らかだから、引用発明の「膜形成ガス」と補正発明の「所定のガス」の構成が同じといえるので、引用発明の「膜形成ガス」は補正発明の「所定のガス」に相当するということができる。
　ｉｉｉ）また、補正発明の「反応性ガス」については、本願明細書【0016】に「プラズマ１１中で原料ガスと活性ガスが反応し、原子又は分子ラジカル種が生成され」と記載されることから、「原料ガスと活性ガス」が「プラズマ化」して薄膜を形成するものであり、上記「活性ガス」は本願明細書の【0013】に「酸素等の活性なキャリヤガス」とあるので「活性なキャリヤガス」といえる。
　すると、補正発明の「反応性ガス」は「原料ガス」と「酸素等の活性なキャリヤガス」からなるものといえる。
　一方、引用発明では、上記刊行物１の３頁右上欄２１−２５行によれば、「膜形成ガス」中の原料ガスである有機ケイ素化合物と酸素がプラズマ化されて膜が蒸着されるものであるから、引用発明の「膜形成ガス」中の原料ガスである揮発した有機ケイ素化合物と酸素は、補正発明の「反応性ガス」を構成する「原料ガス」と「酸素等の活性なキャリヤガス」に当たるものといえる。
　よって、引用発明の「膜形成ガス」中の原料ガスである揮発した有機ケイ素化合物と酸素は、補正発明の「反応性ガス」に相当するということができる。
　ｉｖ）引用発明の「円筒状すなわちドラム状の電極（３２）（すなわちそのプラズマ対面表面（３４））」は、「プラズマを閉じ込める距離Δの寸法すなわち幅をもつバンド（４６）」内で「ウエブである部材（１３）」が「巻きついて」おり、当該「ウエブである部材（１３）」が「プラズマに露出され、蒸気バリヤ特性をもつ薄膜コーティングのようなプラズマ処理」が行われる（摘示事項（刊１−エ）参照）ことから、補正発明の「成膜ドラム」に相当するといえる。
　ｖ）引用発明の「ウエブである部材（１３）」は、「プラズマに露出され、蒸気バリヤ特性をもつ薄膜コーティングのようなプラズマ処理」が行われる（摘示事項（刊１−エ）参照）ものであり、本願明細書の【0013】には「連続したウエッブ状のプラスティックフィルム基材」とあるので「基材」は「ウエッブ状」であるから、「基体（１３）」も「ウエブ」であるので、引用発明の「ウエブである部材（１３）」は補正発明の「基材」に相当する。
　ｖｉ）引用発明の「シールド（４８）」は、「電気的に接地されている」ので電極と言い得るものであり、「プラズマを閉じ込める距離Δの寸法すなわち幅をもつバンド（４６）」内で「電極３２（すなわちそのプラズマ対面表面（３４））」に「巻きついて」いる「ウエブである部材（１３）」に「対向」して設置され、上記「バンド（４６）」内で「プラズマを閉じ込める」ものだから、補正発明の「対向電極」に相当するといえる。
　ｖｉｉ）引用発明の「上記基体（１３）は、第２ロ−ラ（４２ａ）、上記電極（３２）（すなわちそのプラズマ対面表面（３４））、第２ロ−ラ（４２ｂ）に左から右へ上記の順序で巻きついて」いることについて検討する。
　刊行物１の摘示事項（刊１−オ）には「プラズマ対面表面３４をこのように弧状又は円筒状にする目的は・・・プラズマを通って供給される基体１３の張力を調節する第２ロ−ラ４２ａ、４２ｂの補助によりウェブとして供給できるようにすることにある」と記載され、また、同（刊１−ク）には「ローラ４２ａ、４２ｂのキャブタン張力を約１７ポンド（約７．７ｋｇ）に設定し、巻戻し張力（ｒｅｗｉｎｄ　ｔｅｎｓｉｏｎ）及び巻解き張力（ｕｎｗｉｎｄ　ｔｅｎｓｉｏｎ）を約１７ポンド（約４．５ｋｇ）に設定した。ＰＥＴウェブの線速度は、１００フイート／分（約３０ｍ／分）に設定した」と記載されることから、「ウェブ」である「基体１３」が、「基体１３の張力を調節する第２ロ−ラ４２ａ、４２ｂの補助によりウェブとして供給できるようにするため」に、「ローラ４２ａ、４２ｂ」から巻解かれ、巻戻されることによって一定の線速度で移動するものであることが分かる。
　そして、一定の線速度で巻解かれ巻戻されることは、連続的に「ウェブ」である「基体１３」が巻き上げられることともいえるから、これは補正発明の「連続で巻き上げる方式」ということができる。
　すなわち、引用発明では「上記基体（１３）は、第２ロ−ラ（４２ａ）、上記電極（３２）（すなわちそのプラズマ対面表面（３４））、第２ロ−ラ（４２ｂ）に左から右へ上記の順序で巻きついて」いることで、「基体（１３）」が連続で巻き上げられるものといえるから、これは補正発明の「基材をロールからロールに連続で巻き上げる方式」に相当するといえる。　
　ｖｉｉｉ）引用発明の「バンド（４６）とは反対側のシールド（４８）の側面に複数の磁極対（５２ａ、５２ｂ）が配置されている」は、「磁極対（５２ａ、５２ｂ）」は磁石であることが明らかだから、上記ｖｉ）の検討を併せみると、補正発明の「反応室内の対向電極に、磁石を配置」することに相当するといえる。
　ｉｘ）引用発明の「第２ロ−ラ（４２ａ）」、「円筒状すなわちドラム状の電極（３２）（すなわちそのプラズマ対面表面（３４））」、「第２ロ−ラ（４２ｂ）」は「ウエブである部材（１３）」を搬送して接触するものだから、補正発明の「基材を搬送して接触するロールからなるロール部」に相当するということができる。
　ｘ）引用発明の「電気的に接地される電源（１７）に接続される円筒状すなわちドラム状の電極（３２）（すなわちそのプラズマ対面表面（３４））」と「電気的に接地されているシールド（４８）」との間の電気的な接続について以下に検討する。　
　摘示事項（刊１−ウ）には「電源１７は、蒸気バリヤコーティングのようなプラズマ処理中に約８ｋＷの電力を供給する」とあるから、「電源１７」は「プラズマ」を発生させるための「電源」であって補正発明の「プラズマ電源」といい得るものである。
　また、同（刊１−ク）には「ドラムは、５０ｋＨｚの周波数の４ｋＷの電力で付勢された」とあり、この記載は引用発明の実施例である「例１」についての摘示だから、「ドラム」は「ドラム状の電極（３２）（すなわちそのプラズマ対面表面（３４））」であることは明らかで、引用発明では、「電源１７」が「５０ｋＨｚの周波数」の「電力」を「ドラム状の電極（３２）（すなわちそのプラズマ対面表面（３４））」すなわち「成膜ドラム」（上記ｉｖ）参照）に供給するものといえ、補正発明も引用発明も「５０ｋＨｚ」の同じ周波数の電力を供給することから、引用発明の電力の供給は「高周波電力」の供給であるといえる。
　また、「電源（１７）」は「電気的に接地」され、また「円筒状すなわちドラム状の電極（３２）（すなわちそのプラズマ対面表面（３４））」にも接続され、これに「距離Δの寸法すなわち幅をもつバンド（４６）」を介して「対向」する「シールド（４８）」すなわち「対向電極」（上記ｖｉ）参照）は「電気的に接地されている」ものである。
　したがって、引用発明は「５０ｋＨｚの周波数」のプラズマを発生させる「電源１７」を設けて、「円筒状すなわちドラム状の電極（３２）（すなわちそのプラズマ対面表面（３４））」と「シールド（４８）」との間に「電源１７」により高周波電力を供給するものであり、これは、補正発明の「電源周波数が５０ｋＨｚであるプラズマ電源を設」けて、「成膜ドラムと対向電極との間にそのプラズマ電源により高周波電力を印加」することに相当するといえる。
　ｘｉ）引用発明の「薄膜形成処理装置」が補正発明の「薄膜を形成する装置」、「薄膜形成装置」に相当することは明らかである。
　ｘｉｉ）以上のことから、補正発明と引用発明とは
 「反応室内に所定のガスを導入し、成膜ドラム上の基材と、対向電極を設置して、反応性ガスをプラズマ化して、基材上に薄膜を形成する装置において、基材をロールからロールに連続で巻き上げる方式で、電源周波数が５０ｋＨｚであるプラズマ電源を設け、成膜ドラムと対向電極との間にそのプラズマ電源により高周波電力を印加し、反応室内の対向電極に磁石を配置し、かつ基材を搬送して接触するロール部を有するプラズマＣＶＤ法による薄膜形成装置。」の点（一致点）で一致し、以下の点で両者は相違する。
　
（相違点１）補正発明は、「成膜ドラムと対向電極との間に」電源周波数が５０ｋＨｚである接地された「プラズマ電源を設け」、そのプラズマ電源により高周波電力を印加するものであるのに対して、引用発明は、接地された「電源１７」を「ドラム状の電極（３２）（すなわちそのプラズマ対面表面（３４））」に接続し、これに対向する「シールド（４８）」を接地して、高周波電力の供給を行っている点
　
（相違点２）補正発明においては「基材を搬送して接触するゴムロールからなるロール部がアースから１ＭΩ以上のインピーダンスを有する」ものであるのに対して、引用発明においては「ロール部」の「材質」と「インピーダンス」について特定されていない点
　
２−３−５．相違点の検討
　（１）相違点１について
　引用発明は、プラズマ電源である接地された「電源１７」を「ドラム状の電極（３２）（すなわちそのプラズマ対面表面（３４））」に接続し、これに対向する「シールド（４８）」を接地して高周波電力を供給するもので、「ドラム状の電極（３２）（すなわちそのプラズマ対面表面（３４））」と「シールド（４８）」との間に接地されたプラズマ電源を設け、そのプラズマ電源により高周波電力を印加するものではない。
　しかしながら、例えば、拒絶査定時に引用された特開２０００−３３６１９６号公報（公開日　平成１２年１２月５日）の【図１】、【0027】には、「成膜用ドラム８」とこれに対向して配置される「電極９」との間に、成膜のため、「電源１０」を設けてＲＦ電圧を印加することが示されており、成膜ドラムと対向電極との間にプラズマ電源により高周波電力を印加することは、上記文献に示されるように周知技術である。
　そして、高周波電源を用いる装置において接地してアースをとることは危険防止のために当然になされることであり、成膜ドラムと対向電極との間に成膜のための必要な電位差を与えられるのであれば、接地位置は何処であっても電気的に等価であるから接地位置は任意といえるので、接地位置をプラズマ電源とすることは設計的に成し得ることといえる。
　すると、引用発明において、高周波電力の印加方式として上記周知技術の採用に当たり特段の阻害要因も見いだせないことから、上記周知技術を採用して「ドラム状の電極（３２）（すなわちそのプラズマ対面表面（３４））」と「シールド（４８）」との間に接地した「プラズマ電源」を設け、そのプラズマ電源で高周波電力を印加するようにすることに格別の困難性は見いだせない。
　
　（２）相違点２について　
　ｉ）刊行物２についての上記摘示事項（刊２−ア）及び（刊２−イ）には、それぞれ「ローラ系を介して回転ドラム上を移動する導電性を有する基体表面にプラズマにより連続的に成膜するプラズマＣＶＤ装置において、前記基体の供給ローラから回転ドラムに至る経路の全てのローラのローラ表面とアース電位の間のインピーダンスの合計を１０ｋΩ以上、かつ回転ドラムから巻取ローラに至る経路の全てのローラのローラ表面とアース電位の間のインピーダンスの合計を１０ｋΩ以上とし、前記基体とその基体に高周波を印加する高周波電源の間にブロッキングコンデンサを介在させたことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。」と「前記高周波電源の周波数が５０ＫＨｚ〜９００ＫＨｚの範囲に規制されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。」が記載されており、これは「基体」を「ローラ系」を「介し」て「回転ドラム」へ移動させる間に「基体表面にプラズマにより連続的に成膜するプラズマＣＶＤ装置」である点で引用発明と共通する。
  ｉｉ）摘示事項（刊２−キ）には「中間ローラ１３の場合、ローラ本体４３は硬質ゴムや硬質合成樹脂など比較的硬い電気絶縁材料からなり、前記第６の実施の形態と同様に傾斜溝４６が多数形成され、その傾斜溝４６には軟質ゴムなどからなる軟質材料４７が充填されている。」とあるから、「ローラ系」をなす「中間ローラ１３」をゴム製とすることができることが分かる。
　また、同（刊２−オ）には「基体を搬送するためのローラ（供給ローラ、巻取ローラ、中間ローラなど）の本体またはその一部をセラミックや合成樹脂などの電気絶縁性の材料で構成する」とあり、同（刊２−カ）にも同様に「供給ローラ２ならびに巻取ローラ４は回転軸（芯材）及びローラ本体をセラミックス、合成樹脂、ガラス繊維及びそれらの複合物などで形成する」とあって、「中間ローラ１３」の材質としてゴムの使用が記載されているのだから、同じく「基体を搬送するためのローラ」である「供給ローラ２」及び「巻取ローラ４」を電気絶縁性の材料であるゴム製とすることは設計的事項というべきである。
　ｉｉｉ）さらに、摘示事項（刊２−ウ）には「高周波電力による・・多量のジュール熱が発生・・基体の導電膜破壊が起こる」と記載され、同（刊２−エ）には、「損傷やしわ発生を防止する条件を検討した結果・・・基体搬送系の高周波絶縁性（インピーダンス）を所定の値以上に高めなければならない」と記載されることから、刊行物２のプラズマＣＶＤ装置は、「基体の供給ローラから回転ドラムに至る経路の全てのローラのローラ表面とアース電位の間のインピーダンスの合計を１０ｋΩ以上、かつ回転ドラムから巻取ローラに至る経路の全てのローラのローラ表面とアース電位の間のインピーダンスの合計を１０ｋΩ以上」とするものであるといえる。
　ｉｖ）ところで、引用発明を見ると、刊行物１の【第２図】に示されている装置においては、摘示事項（刊１−ク）から「５０ｋＨｚの周波数の４ｋＷの電力」である高周波電力を印加するものであり、「シールド４８」は接地されており、同（刊１−オ）に「プラズマに露出される基体部分に負のバイアスがかけられる」とあることから、これは高周波によって自己バイアスがかかるものということができる。
　そして、上記摘示事項（刊２−ウ）、（刊２−エ）に記載されるように、高周波電力による自己バイアスがかけられる場合には、ジュール熱の発生による損傷やしわ発生を防止することが要求されるから、引用発明においても当然にそれらが要求されるものである。
　ｖ）ここで、補正発明の「基材を搬送して接触するゴムロールからなるロール部」の「アースから」の「インピーダンス」の「アース」すなわち接地位置が何処を意味するかについて検討するに、例えば「基材が搬送されて接触する金属ロールへの電力漏れを防止するために、金属ロールとアース間におけるインピーダンスを１ｋΩ以上に設定した」（本願明細書【0012】）とあることから、「金属ロール」が「アース」されていることが明らかであり、さらにいえば「真空薄膜装置では装置壁全体がアースである」（本願明細書【0019】）ことから、ロールを支持する部分がアースということができる。
　一方、刊行物２のプラズマＣＶＤ装置においても、ロールを支持する部分である装置の壁は「真空槽壁などのアース電位構造材」（【0097】）であるから、やはりロールを支持する部分がアースということができる。
　したがって、補正発明と刊行物２のプラズマＣＶＤ装置とは、ロールのインピーダンスの基準は何れも装置筐体のロール支持部分で共通するということができる。
　ｖｉ）すると、刊行物２のプラズマＣＶＤ装置は、上記ｉｉｉ）において述べたように、ジュール熱の発生を防ぐために「基体搬送系の高周波絶縁性（インピーダンス）」の合計を「１０ｋΩ以上」とするものであるが、インピーダンスがより高い方がよいことは明らかであり、上記ｉｉ）で検討したようにローラの材質として電気絶縁性であるゴムを採用できること、インピーダンスが導電路の長さやその断面積にも影響されることに鑑みれば、引用発明において刊行物２に示される技術手段を適用し、「円筒状すなわちドラム状の電極（３２）（すなわちそのプラズマ対面表面（３４））」、「第２ロ−ラ４２ａ、４２ｂ」をゴム製とし、それらがアースから１ＭΩ以上のインピーダンスとなるようにすることに必要に応じてなし得る程度のことであって、格別の困難性は見いだせない。
　
　そして、上記各相違点に基づく補正発明の奏する作用効果も引用例１，２の記載から予測できる範囲のものであり、格別なものではない。
　以上から、補正発明は刊行物１，２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
２−３−６．むすび
　したがって、本件補正は，特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下する。　　
　
３．本願発明について
３−１．本願発明の認定
　平成１９年８月７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲に記載される発明は、平成１９年５月２５日付け手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項２に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
　
「反応室内に所定のガスを導入し、成膜ドラム上の基材と、対向電極を設置して、反応性ガスをプラズマ化して、基材上に薄膜を形成する装置において、基材をロールからロールに連続で巻き上げる方式で、成膜ドラムと対向電極との間に、電源周波数が５０ｋＨｚ以下であるプラズマ電源を設け、そのプラズマ電源により高周波電力を印加し、反応室内の成膜ドラムと対向電極の内から選ばれる一つ以上に、磁石を配置し、かつ基材を搬送して接触するロール部がアースから１ＭΩ以上のインピーダンスを有することを特徴とするプラズマＣＶＤ法による薄膜形成装置。」
　
３−２．刊行物の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１（特表平７−５０２０７４号公報）、刊行物２（特開平１０−２９８７６４号公報）には、それぞれ上記「２−３−２．（１）」、「２−３−２．（２）」で摘示した事項が記載されている。
　
３−３．対比・判断
　本願発明は、補正発明の「基材を搬送して接触するゴムロールからなるロール部」の内から、「ゴムロールからなる」という特定事項を除いて、「基材を搬送して接触するロール部」とするものである。
　してみると、本願発明の発明特定事項のうち、「基材を搬送して接触するロール部」を、「基材を搬送して接触するゴムロールからなるロール部」に限定したものに相当する補正発明が、上記「２−３．独立特許要件」に記載したとおり、刊行物１、２及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、補正発明と同様の理由により、本願発明も刊行物１、２及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。
　そして、本願発明の奏する作用効果も刊行物１，２及び周知技術の記載から予測できる範囲のものであり、格別なものではない。
　
４．請求人の主張について
　請求人は回答書において、刊行物２ではその目的とするところは自己バイアスを印加することだから、自己バイアスの問題が発生しない刊行物１のプラズマ処理装置に刊行物２のプラズマＣＶＤ装置の技術を適用することは動機付けとなる事項が存在しない旨を主張する。
　そこで、引用発明を見ると、上記「（２）相違点２について」で述べたように、刊行物１の【第２図】に示されている装置においては、摘示事項（刊１−ク）から「５０ｋＨｚの周波数の４ｋＷの電力」である高周波電力を印加するものであり、「シールド４８」は接地されており、同（刊１−オ）に「プラズマに露出される基体部分に負のバイアスがかけられる」とあることから、これは高周波によって自己バイスがかかるものということができる。
　すると、刊行物１のプラズマ処理装置においても自己バイアスは印加されると言い得るものだから、高周波電力による自己バイアスを印加させることで発生するジュール熱の問題も、その程度の差はあっても当然に存在し、また、刊行物２のプラズマＣＶＤ装置においても、高周波電力による自己バイアスを印加させることで発生するジュール熱の問題があるのだから、両装置で入力される高周波電力が５０ｋＨｚで同じことを勘案すれば、刊行物１のＣＶＤ法による薄膜形成装置に刊行物２のプラズマＣＶＤ装置の技術手段を適用することの動機付けとなる事項が存在しないとの上記請求人の主張は採用し得ない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１，２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本願は他の請求項に記載された発明について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。