【事件の表示】
　特願２００５−　１６４１３「両面マスクの作成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　８月１０日出願公開、特開２００６−２０８４２９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１７年１月２５日にされた出願である。原審において、平成２０年３月１４日付けで拒絶理由が通知され、これに対して同年５月２３日付けで手続補正がされるとともに意見書が提出されたものの、同年６月２５日付けで拒絶査定がされた（同年７月１日発送）。
　この査定に対し、同年７月３１日に、本件の拒絶査定不服審判の請求がされ、同年８月１８日付けで手続補正がされた。その後、前置報告書の内容について、審判請求人の意見を求めるために平成２１年５月１２日付けで審尋したところ、同年７月８日付けで回答書が提出された。
　その後、当審において平成２２年２月４日付けで拒絶理由を通知したところ、同年４月１２日付けで手続補正がされるとともに意見書が提出された。
　
　
２　本願発明について
　本願に係る発明は、平成２２年４月１２日付けの手続補正によって補正された、特許請求の範囲の請求項１及び請求項２に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という）は以下のとおりである。
＜本願発明＞
「　表裏両面にパターンを有するフォトマスク（いわゆる両面マスク）の作成方法において、その製造工程が下記の工程からなることを特徴とする両面マスクの作成方法。
（ａ）透明基板の一方の面（下面）に遮光層を形成し、リソグラフィー手法により、転写有効領域内に該遮光層からなるメインパターンと、転写有効領域外に該遮光層からなるアライメントマークを形成する工程。
（ｂ）透明基板の他方の面（上面）の転写有効領域に遮光層を形成する工程。
（ｃ）透明基板の他方の面（上面）の全面にレジスト層を形成する工程。
（ｄ）透明基板の他方の面（上面）からレジスト層と透明基板を通して、透明基板の一方の面（下面）に形成されたアライメントマークのレーザー光による反射像を認識し、該アライメントマークの座標を測定し、前記一方の面（下面）のアライメントマークの座標を基準座標とすることでメインパターンのアライメントを調整して、他方の面（上面）のレジスト層にメインパターンを描画する工程。
（ｅ）リソグラフィー手法により、他方の面（上面）の遮光層にメインパターンを形成して、上面の遮光層からなるメインパターンを形成する工程。」
　
３　刊行物及び各刊行物の記載事項
（１）引用例１及び引用例１に記載された事項
　当審において平成２２年２月４日付けで通知した拒絶理由通知書（以下単に「拒絶理由通知書」という。）で引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００４−１４５１７４号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている（当審注：下記「（２）引用発明の認定」において特に関連する記載に下線を引いた。）。
　ア　【特許請求の範囲】
「【請求項１】
ブランクの両面にパターンをもつ構造のフォトマスク（以下、両面マスクと記す）を作成する方法において、表面パターンを描画した後、裏面パターンを描画する時に、先に、裏面にアライメントパターンを描画し、該アライメントパターンと前記表面パターンとの位置のずれを測定し、次に、前記測定した位置のずれ量を用いて、裏面パターンの位置を補正して裏面パターンを描画することを特徴とする両面マスクの作成方法。
【請求項２】
前記裏面アライメントパターンと表面パターンとの位置のずれが、それぞれのパターンの位置精度のセントラリティ及びローテイションを測定することにより得られることを特徴とする請求項１記載の両面マスクの作成方法。
【請求項３】
前記裏面パターンの位置の補正が、裏面のアライメントパターンの座標を変更して、表面パターンと重なるように補正し、裏面パターンを描画することを特徴とする請求項１又は２項記載の両面マスクの作成方法。」
　
　イ　段落【０００１】ないし【００４２】
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ブランクの両面にパターンを有するフォトマスク等を作製する描画方法に係るもので、特に表面と裏面の垂直方向のパターン重ね合わせのずれを回避する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、通常の方法で裏面パターンを描画すると、表面と裏面のセントラリティやローテイションの違いから、両パターンの垂直方向の重ね合わせがずれる問題が発生していた。
【０００３】
一般に、両面マスクにおいて、裏面パターンを描画するときに任意のパターンについてセントラリティ及びローテイションを制御しないと、表面パターンと垂直方向の重ね合わせを揃えることができない。 
【０００４】
通常の描画方法で、表と裏のパターンをそれぞれ描画した場合、任意のパターンについてセントラリティとローテイションを制御することはできなかったので、垂直方向の重ね合わせを揃えた表裏両面パターンを作成することが困難であった。 
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたもので、任意のパターンについてセントラリティとローテイションを制御し、両面パターンの垂直方向の重ね合わせ精度を向上させる両面マスクの作成方法を提供することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係る発明は、
ブランクの両面にパターンをもつ構造のフォトマスク（以下、両面マスクと記す）を作成する方法において、
【０００７】
本発明の請求項２に係る発明は、前記裏面アライメントパターンと表面パターンとの位置のずれが、それぞれのパターンの位置精度のセントラリティ及びローテイションを測定することにより得られることを特徴とする請求項１記載の両面マスクの作成方法である。
【０００８】 
本発明の請求項３に係る発明は、前記裏面パターンの位置の補正が、裏面のアライメントパターンの座標を変更して、表面パターンと重なるように補正し、裏面パターンを描画することを特徴とする請求項１又は２項記載の両面マスクの作成方法である。
【０００９】
【作用】
本発明の両面マスクの作成方法では、表面パターンと裏面のアライメントパターン中の検査パターンから求めたセントラリティ及びローテイションの差を補正するように、アライメントパターンの位置座標を変更することにより、裏面パターンのセントラリティ及びローテイションを任意の値に変更することが可能となり、垂直方向のパターンの重ね合わせ精度が向上する作用がある。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明は係る課題を解決するものであり、請求項１の発明では、事前に描画されたアライメントパターン中の基準点（以下アライメントマークと記す）でアライメント（位置あわせ）をとってパターンを描画する機能を利用して、裏面パターンを描画するものである。この機能は、ブランクの同一面における一回目パターンと二回目パターンを精度良く重ね合わせるための描画方法であり、本来、アライメントパターンは一回目パターンに含まれる。二回目パターンは、一回目パターンのアライメントマークでアライメントをとり、両パターンのずれがないように重ね描画するもので、位相シフトマスクなどの作成に使われる機能である。両面マスクにおいて本発明の描画方法では、裏面にこのアライメントパターンだけを描画し、処理後、再度レジストをコートし、次に、このアライメントマークでアライメントをとって裏面パターンを重ね描画することにより、アライメントマークに対して、精度良く重ね合わせることを目的として使用する。この時ブランクの同一面でなく表裏両面のパターンの重ね合わせのため、表面のパターンと裏面のアライメントパターンのセントラリティ及びローテイションをそれぞれ測定し、ずれ量（以下オフセットと記す）を求める。裏面のパターンの描画では、アライメントマークでアライメントをとり、このオフセット分ずらして裏面パターンを描画することにより、表面パターンとずれることなく裏面パターンを描画することができる。
【００１１】
次に、請求項１に係るブランクの両面にパターンをもつ構造のフォトマスク（以下、両面マスクと記す）を作成する方法の手順は以下の通りになる。
（ａ）ブランク用のガラス基板の両面にＣｒ層をスパッタリングにより形成し、該ブランク表面側のみレジストを塗布する手順。
（ｂ）前記レジスト層に表面パターンを描画し、現像、エッチング、レジスト層の剥膜をする手順。
（ｃ）前記表面パターンの位置精度のセントラリティ及びローテイションを測定する手順。
（ｄ）前記ブランク裏面側にレジストを塗布する手順。
（ｅ）前記レジスト層にアライメントパターンを描画し、現像、エッチング、レジスト層の剥膜をする手順。
（ｆ）前記アライメントパターンの位置精度のセントラリティ及びローテイションを測定する手順。
（ｇ）再度、前記ブランク裏面側にレジストを塗布する手順。
（ｈ）表面パターンと、アライメントパターンのセントラリティ及びローテイションの差を補正するように、ＪＯＢファイル内のアライメントパターンの座標を補正変更する手順。（ｉ）補正変更した前記ＪＯＢにより、アライメントパターンを用いて裏面パターンを重ね描画し、現像する手順。
（ｊ）前記裏面パターンの位置精度のセントラリティ及びローテイションを測定する手順。（ｋ）前記の裏面パターンと表面パターンのセントラリティ及びローテイションの対比により、表面裏面パターンの重ねのずれに問題がないことを確認後、エッチング、レジスト層を剥膜する手順。
（ｌ）表面裏面パターンの重ねのずれが発生した場合は、前記レジスト層を剥膜し、再度、工程（ｇ）に戻す手順。
【００１２】
本発明の請求項２に係る両面マスクを作成する方法におけるパターンの位置精度のセントラリティ及びローテイションを測定する手順は以下の通りになる。
（ａ）パターンの最外周の四隅に検査用パターンを描画する手順。
（ｂ）座標顕微鏡を用いて、ブランクのエッジ端部分から前記検査用パターンの座標を測定し、距離を算出する手順。
（ｃ）エッジ端部分から検査用パターンの前記距離のずれから、セントラリティ及びローテイションを算出する手順。
【００１３】
本発明の請求項３に係る両面マスクを作成する方法における裏面パターンの座標を変更する方法については、本発明ではアライメントパターンの位置座標を変更し、装置側で任意の値に補正する機能がついていない場合には、裏面パターン描画時のアライメントマークの読み込み座標（位置座標）を変更することで、任意の補正を行うことができる。
【００１４】
 
図１は、本発明の両面マスクの作成方法を説明する工程図である。
【００１５】
ブランク用ガラス基板は、ボロシリケート系又は石英ガラスを使用する。
遮光用金属薄膜層はクロームまたは酸化クローム、モリブデンシリサイドの層を単層又は複数層積層させて形成する。本発明に用いる両面ブランクは前記ガラス基板の表、裏面に遮光用金属薄膜層を形成して作製する。前記遮光用金属薄膜は真空蒸着法、スパッタリング法により成膜する。次に、スピンコーター機を用いて、前記両面ブランクの表面に光感光性のレジスト樹脂を塗布する。（工程（ａ）参照）
【００１６】
次に、前記両面ブランクのレジスト層に表パターンを描画する。
レジスト層を露光させてパターンの図形を形成し、現像工程、エッチング及びレジスト層を剥膜する工程を経て表パターンを形成したフォトマスクができる。（工程（ｂ）参照）
【００１７】
前記表パターンの位置精度、すなわち、セントラリティ及びローテイションを本発明の方法により測定する。
前記表パターンには検査用パターンが含まれている。
【００１８】
次に、前記両面ブランクの裏面に光感光性のレジスト樹脂を塗布する。（工程（ｄ）参照）
【００１９】
前記両面ブランクの裏面に、アライメントパターンを描画する。パターンを露光させて図形を形成し、現像工程、エッチング及びレジスト層を剥膜する工程を経て、アライメントパターンを形成したフォトマスクができる。前記アライメントパターンには検査用パターンが含まれている。（工程（ｅ）参照）
【００２０】
前記両面ブランクの裏面のアライメントパターンの位置精度、すなわち、セントラリティと及びローテイションを本発明の方法により測定する。（工程（ｆ）参照）
【００２１】
再度、前記両面ブランクの裏面に光感光性のレジスト樹脂を塗布する。（工程（ｇ）参照）
【００２２】
前記測定した表面のアライメントパターン（当審注：段落【００１７】の記載に照らし、「表面のパターン」の誤記と認める。）と裏面のアライメントパターンのセントラリティ及びローテイションを比較し、その差分を補正して、裏面パターンをアライメントマーク（アライメントパターン中の基準点）でアライメント（位置合わせ）をとる方法で描画を行う。装置上で補正する機能がない場合は、裏面パターンのＪＯＢファイル中のアライメントパターン読み込み位置座標を変更する。すなわち、前記差分をＪＯＢファイルに登録したアライメントパターン位置座標の差分に変換して、アライメントをずらすことにより補正する方法である。（工程（ｈ）参照）
【００２３】
裏パターンの現像のみを行う。（工程（ｉ）参照）
【００２４】
両面ブランク裏面の前記裏面パターンの位置精度、すなわち、セントラリティと及びローテイションを本発明の方法により測定する。前記裏パターンには検査用パターンが含まれている。（工程（ｊ）参照）
【００２５】
前記測定により、前記の裏面パターンと表面パターンのセントラリティ及びローテイションの対比により、表面裏面パターンの重ねのずれに問題がないことを確認後、エッチング、レジスト層の剥膜し、本発明の両面マスクが完成する。（工程（ｋ）参照）
【００２６】
ｊ工程において、表面裏面パターンの重ねのずれが発生した場合は、問題を対処後、前記レジスト層を剥膜し、再度、工程（ｇ）に戻す処置をする。以上本発明の両面マスクの作成方法により目的とする表裏の両面パターンの垂直方向の重ね合わせ精度の高い両面マスクが完成する。
【００２７】
次に、図２は、本発明の両面マスク（１０）の上面図である。説明のために表パターン（２０）はＦ文字とし、裏パターン（３０）はＬ文字とした。該パターン内に検査用パターン（５０）が含まれている。アライメントパターン（４０）は描画系座標（１００）上に配置されている。表裏パターン（２０、３０）は製品系座標（２００）上に配置され、基準点（座標原点）は描画系座標（１００）内に設定している。一般に両面マスク（１０）は垂直方向に重なり、表パターンＦ（２０）は正向き、裏パターンＬ（３０）は反向きとなる。 
【００２８】
図３は、表裏パターンの向き方向を説明する上面図である。 
【００２９】
左側では、本発明の両面マスク（１０）の表パターン（２０）はＦ文字を正向きに描画したもので、右側は両面マスク（１０）の裏パターン（３０）はＬ文字を正向きに描画した時、表パターンは波線で表している。 
【００３０】
図４は、測定した表面のパターンと裏面のアライメントパターンのローテイションを比較し、その差分を補正するために、裏面のＪＯＢファイル中よりアライメントパターン位置座標の補正変更方法を説明する図面である。実線は表パターン（２０）を示し四隅に検査用パターン（５０）が配置されている。同様に、波線は裏パターン（３０）を示し四隅に検査用パターン（５０）が配置されている。例えば、表パターン（２０）は、仮に基準状態で正常位置に表現され、裏面パターンは、原点（この場合は中心位置）を中心に時計回り方向に回転したずれが発生している。そのローテイションの差分はθ’である。このローテイションの差分はθ’場合は、図上で解るように、表面の検査パターンと中心を結んだ直線とＸ軸の交差する角度をθとすると、変換後、裏面の検査パターンの角度は、θ± θ’となる。従って、変換後の座標（ａ’、ｂ’）は、下記（１）式である。（ａ’、ｂ’）＝（ｃｏｓ（θ＋θ’）×ｃ、ｓｉｎ（θ＋θ’）×ｃ）―――――（１）
 （ａ’、ｂ’）：変換後の座標
【００３１】
図５は、測定した表面のパターンと裏面のアライメントパターンのセントラリティを比較し、その差分を補正するために、裏面のＪＯＢファイル中よりアライメントパターン位置座標の補正変更方法を説明する図面である。実線は表パターン（２０）を示し四隅に検査用パターン（５０）が配置されている。同様に、波線は裏パターン（３０）を示し四隅に検査用パターン（５０）が配置されている。例えば、表パターン（２０）は、仮に基準状態で正常位置に表現され、裏面パターンは、原点（この場合は中心位置）を中心に、左下方向にずれが発生している。そのセントラリティの差分は（ａ＋ｂ／２）である。このセントラリティの差分は、図上で解るように、変換後の座標は、Ｘ軸方向に（ａ＋ｂ／２）補正し平行移動させ重ね合わせる方法である。同様に、Ｙ軸方向も同じ方法によりセントラリティの差分を補正する。
【００３２】
請求項２項に係る両面マスクを作成する方法におけるパターンの位置精度のセントラリティ及びローテイションを測定する方法を順次説明する。 
【００３３】
アライメントパターンの最外周の四隅に検査用パターンを描画する場合に、検査用パターンの形状は特に限定しないが、位置座標の測定に適した形状が好ましい。座標顕微鏡を用いて、ブランクのエッジ端部分から前記検査用パターンの座標を測定し、距離を算出する。
【００３４】
エッジ端部分から検査用パターンの前記距離のずれから、セントラリティ及びローテイションを算出する。 
【００３５】
図６は、両面マスク（１０）の平面図であり、両面マスクの作成方法において、パターンの位置精度のセントラリティ及びローテイションを測定する方法を説明するものである。 
【００３６】
両面マスク（１０）はガラス基板のブランク（１）上に、例えば表用のパターンの四隅に検査用パターン（５０）が配置されている。本発明の両面マスクのセントラリティ及びローテイションは前記検査用パターン（５０）とブランク（１）端部との距離の測定値をもとに算出する方法を採用した。検査パターン（５０）は、四隅、例えばａ、ｂ、ｃ、ｄとし、各検査パターン（５０）からブランク端部（１）距離を座標顕微鏡を用いて測定する。図上に記載のように、ａｘ，ａｙ，ｂｘ，ｂｙ，ｃｘ，ｃｙ，ｄｘ，ｄｙの距離を算出する。Ｘ方向のセントラリティ、Ｙ方向のセントラリティは下記（２）式で、 
 Ｃｘ＝（（（ａｘ＋ｃｘ）／２）−（（ｂｘ＋ｄｘ）／２）））／２）Ｃｙ＝（（（ａｙ＋ｂｙ）／２）−（（ｃｙ＋ｄｙ））／２））／２）――――−（２）
 Ｃｘ：Ｘ方向のセントラリティ
 Ｃｙ：Ｙ方向のセントラリティ
【００３７】
セントラリティは、例えば左右のアライメントパターン（４０）の中心点とブランクの中心点とのずれの距離であり、正しい配置は前記中心点と中心点が重なるものであり、この状態で、セントラリティは０となる。
【００３８】
ローテイションは、各検査パターン（５０）の傾き、例えばθを計算し、その平均値である。ローテイションは下記（３）式で示される。
θ＝ａｖｅｒａｇｅ（ＡＲＣＳＩＮ（（ｂｙ−ａｙ）／Ｅ）、ＡＲＣＳＩＮ（（ａｘ−ｃｘ）／Ｅ）、ＡＲＣＳＩＮ（（ｄｘ−ｂｘ）／Ｅ）、ＡＲＣＳＩＮ（（ｃｙ−ｄｙ）／Ｅ））　　　　　　　　　　　　　　　　―――――（３）
θ：ローテイション
【００３９】
ローテイションは、アライメントパターン（４０）とブランク（１）との傾きの角度であり、正しい配置はブランク（１）上に配置するアライメントパターン（４０）の余白距離が上下、左右均等になるものであり、この状態で、ローテイションは０となる。
【００４０】
上述したように、セントラリティ、ローテイションの実測値を数式に代入する本発明の方法（（２）式、（３）式）が構築され、両面マスクにおいて、裏面パターンを描画する時、任意のパターンのセントラリティ、ローテイションが制御可能となるため、表面パターンと垂直方向の重ね合わせを揃えることが容易になった。
【００４１】
【実施例】
次に、本発明の実施例に従って、以下に具体的に説明する。図７は、両面マスク（１０）両面に、アライメントパターン（４０）及び四隅に検査パターンを配置し、その内部エリアに実線で表した裏パターンと、波線の表パターンが配置されている。表裏のパターンは各々１００ｍｍ角のパターンを形成した。実施例は本発明の製造方法で補正後、裏パターンを描画した両面マスクを実施例１に記述し、従来の方法は比較例１に記述した。表裏パターンの垂直方向の重ね合わせ精度の測定は、図７に示すＡ〜Ｅの５ヶ所で測定した。
【００４２】
 ＜実施例１＞
表パターンの検査パターンと裏用アライメントパターンとを検査比較し、その差分を算出した。裏パターンの描画はセントラリティ及びローテイションの前記差分を補正後、実施例１の両面マスクを作製した。（以下略）」
　
ウ　【図１】ないし【図７】
　【図１】ないし【図７】にはそれぞれ下記のことが図示されている。
　【図１】　両面マスク作成の工程図
　【図２】　両面マスク上面図
　【図３】　両面マスクの表裏関係を示す上面図
　【図４】　アライメントマークの座標変換方法を説明する上面図
　【図５】　アライメントマークの座標変換方法を説明する上面図
　【図６】　アライメントマークの座標変換方法を説明する上面図
　【図７】　アライメントマークの実施例を説明する上面図
　
（２）引用発明の認定
　ア　引用例１の段落【０００１】の「本発明は、ブランクの両面にパターンを有するフォトマスク等を作製する描画方法に係るもので、特に表面と裏面の垂直方向のパターン重ね合わせのずれを回避する技術に関する。」との記載、段落【０００６】の「ブランクの両面にパターンをもつ構造のフォトマスク（以下、両面マスクと記す）を作成する方法」及び段落【００１４】の「図１は、本発明の両面マスクの作成方法を説明する工程図である。」との記載を参酌すると、引用例１には「ブランクの両面にパターンを有するフォトマスク（両面マスク）の作成方法」が記載されていると認められる。
　イ　引用例１の段落【００１５】の「ブランク用ガラス基板は、ボロシリケート系又は石英ガラスを使用する。…（中略）…遮光用金属薄膜層はクロームまたは酸化クローム、モリブデンシリサイドの層を単層又は複数層積層させて形成する。本発明に用いる両面ブランクは前記ガラス基板の表、裏面に遮光用金属薄膜層を形成して作製する。前記遮光用金属薄膜は真空蒸着法、スパッタリング法により成膜する。次に、スピンコーター機を用いて、前記両面ブランクの表面に光感光性のレジスト樹脂を塗布する。（工程（ａ）参照）」との記載を参酌すると、引用例１の両面マスクの製造方法は「（工程ａ）石英ガラス基板の表裏両面にクロームの層からなる遮光用金属薄膜層を形成して両面ブランク作製した後、前記両面ブランクの表面に光感光性のレジスト樹脂を塗布する工程」を有していると認められる。
　ウ　引用例１の段落【００１６】の「次に、前記両面ブランクのレジスト層に表パターンを描画する。……、レジスト層を露光させてパターンの図形を形成し、現像工程、エッチング及びレジスト層を剥膜する工程を経て表パターンを形成したフォトマスクができる。（工程（ｂ）参照）」との記載及び段落【００１７】の「……前記表パターンには検査用パターンが含まれている。」との記載を参酌すると、引用例１の両面マスクの製造方法は、「（工程ｂ）表側のレジスト層を露光させてパターンの図形を形成し、現像工程、エッチング及びレジスト層を剥膜する工程を経て、検査用パターンを含む表パターンを形成したフォトマスクを形成する工程」を有していると認められる。
　エ　引用例１の段落【００１８】の「次に、前記両面ブランクの裏面に光感光性のレジスト樹脂を塗布する。（工程（ｄ）参照）」との記載を参酌すると、引用例１の両面マスクの製造方法は、「（工程ｄ）前記両面ブランクの裏面に光感光性のレジスト樹脂を塗布する工程」を有していると認められる。
　オ　引用例１の段落【００１９】の「前記両面ブランクの裏面に、アライメントパターンを描画する。パターンを露光させて図形を形成し、現像工程、エッチング及びレジスト層を剥膜する工程を経て、アライメントパターンを形成したフォトマスクができる。前記アライメントパターンには検査用パターンが含まれている。（工程（ｅ）参照）」との記載を参酌すると、引用例１の両面マスクの製造方法は、「（工程ｅ）前記両面ブランクの裏面をパターンを露光させて図形を形成し、現像工程、エッチング及びレジスト層を剥膜する工程を経て、前記両面ブランクの裏面に検査用パターンを含むアライメントパターンを形成する工程」を有していると認められる。
　カ　引用例１の段落【００２０】の「前記両面ブランクの裏面のアライメントパターンの位置精度、すなわち、セントラリティと及びローテイションを本発明の方法により測定する。（工程（ｆ）参照）」との記載を参酌すると、引用例１の両面マスクの製造方法は、「（工程ｆ）前記両面ブランクの裏面のアライメントパターンの位置精度、すなわち、セントラリティと及びローテイションを測定する工程」を有していると認められる。
　キ　引用例１の段落【００２１】の「再度、前記両面ブランクの裏面に光感光性のレジスト樹脂を塗布する。（工程（ｇ）参照）」との記載を参酌すると、引用例１の両面マスクの製造方法は、「（工程ｇ）再度、前記両面ブランクの裏面に光感光性のレジスト樹脂を塗布する工程」を有していると認められる。
　ク　引用例１の段落【００２２】の「前記測定した表面のアライメントパターンと裏面のアライメントパターンのセントラリティ及びローテイションを比較し、その差分を補正して、裏面パターンをアライメントマーク（アライメントパターン中の基準点）でアライメント（位置合わせ）をとる方法で描画を行う。装置上で補正する機能がない場合は、裏面パターンのＪＯＢファイル中のアライメントパターン読み込み位置座標を変更する。すなわち、前記差分をＪＯＢファイルに登録したアライメントパターン位置座標の差分に変換して、アライメントをずらすことにより補正する方法である。（工程（ｈ）参照）」との記載を参酌すると、段落【００１７】の記載に照らすと「表面のアライメントパターン」は「表面のパターン」の誤記と認められるから、引用例１の両面マスクの製造方法は、「（工程ｈ）前記測定した表面のパターンと裏面のアライメントパターンのセントラリティ及びローテイションを比較し、その差分を補正して、裏面パターンをアライメントマーク（アライメントパターン中の基準点）でアライメント（位置合わせ）をとる方法で描画を行う工程であって、装置上で補正する機能がない場合は、前記差分をＪＯＢファイルに登録したアライメントパターン位置座標の差分に変換して、アライメントをずらすことにより補正する方法で行う工程」を有していると認められる。
　ケ　引用例１の段落【００２３】の「裏パターンの現像のみを行う。（工程（ｉ）参照）」との記載を参酌すると、引用例１の両面マスクの製造方法は、「（工程ｉ）裏パターンの現像のみを行う工程」を有していると認められる。
　コ　引用例１の段落【００２４】の「両面ブランク裏面の前記裏面パターンの位置精度、すなわち、セントラリティと及びローテイションを本発明の方法により測定する。前記裏パターンには検査用パターンが含まれている。（工程（ｊ）参照）」との記載を参酌すると、引用例１の両面マスクの製造方法は、「（工程ｊ）両面ブランク裏面の前記裏面パターンの位置精度、すなわち、セントラリティと及びローテイションを測定する工程」を有していると認められる。
　サ　引用例１の段落【００２５】の「前記測定により、前記の裏面パターンと表面パターンのセントラリティ及びローテイションの対比により、表面裏面パターンの重ねのずれに問題がないことを確認後、エッチング、レジスト層の剥膜し、本発明の両面マスクが完成する。（工程（ｋ）参照）」との記載を参酌すると、引用例１の両面マスクの製造方法は、「（工程ｋ）前記測定により、前記の裏面パターンと表面パターンのセントラリティ及びローテイションの対比により、表面裏面パターンの重ねのずれに問題がないことを確認後、エッチング、レジスト層を剥膜し、両面マスクを完成する工程」を有していると認められる。
　シ　以上を総合すると、引用例１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
＜引用発明＞
「ブランクの両面にパターンを有するフォトマスク（両面マスク）の作成方法であって、その製造工程が下記の工程からなる両面マスクの作成方法。
（工程ａ）石英ガラス基板の表裏両面にクロームの層からなる遮光用金属薄膜層を形成して両面ブランク作製した後、前記両面ブランクの表面に光感光性のレジスト樹脂を塗布する工程
（工程ｂ）表側のレジスト層を露光させてパターンの図形を形成し、現像工程、エッチング及びレジスト層を剥膜する工程を経て、検査用パターンを含む表パターンを形成したフォトマスクを形成する工程
（工程ｄ）前記両面ブランクの裏面に光感光性のレジスト樹脂を塗布する工程
（工程ｅ）前記両面ブランクの裏面をパターンを露光させて図形を形成し、現像工程、エッチング及びレジスト層を剥膜する工程を経て、前記両面ブランクの裏面に検査用パターンを含むアライメントパターンを形成する工程
（工程ｆ）前記両面ブランクの裏面のアライメントパターンの位置精度、すなわち、セントラリティと及びローテイションを測定する工程
（工程ｇ）再度、前記両面ブランクの裏面に光感光性のレジスト樹脂を塗布する工程
（工程ｈ）前記測定した表面のパターンと裏面のアライメントパターンのセントラリティ及びローテイションを比較し、その差分を補正して、裏面パターンをアライメントマーク（アライメントパターン中の基準点）でアライメント（位置合わせ）をとる方法で描画を行う工程であって、装置上で補正する機能がない場合は、前記差分をＪＯＢファイルに登録したアライメントパターン位置座標の差分に変換して、アライメントをずらすことにより補正する方法で行う工程
（工程ｉ）裏パターンの現像のみを行う工程
（工程ｊ）両面ブランク裏面の前記裏面パターンの位置精度、すなわち、セントラリティと及びローテイションを測定する工程
（工程ｋ）前記測定により、前記の裏面パターンと表面パターンのセントラリティ及びローテイションの対比により、表面裏面パターンの重ねのずれに問題がないことを確認後、エッチング、レジスト層を剥膜し、両面マスクを完成する工程」
　
（３）引用例２及び引用例２に記載された事項
　拒絶理由通知書で引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平５−２１３１７号公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　ア　特許請求の範囲
「【請求項１】 アライメント光に対して非透光膜からなるマスクアライメント用パターンをウエハの表面に形成する工程と、上記パターンを基準として上記ウエハの表面側に設定されたマスクとの位置合わせを行なう工程と、上記ウエハの表裏面を反転させてその裏面を上記マスクに対向させる工程と、この表裏面の反転されたウエハとマスクとの位置合わせを上記パターンを基準として行なう工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　イ　段落【０００５】ないし【００１６】
「【０００５】この発明は上記課題を解決するためになされたもので、簡単な手段で容易かつ安価に形成され、高精度なマスクアライメントを行なうことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明による半導体装置の製造方法は、アライメント光に対して非透光膜からなるマスクアライメント用パターンをウエハの表面に形成する工程と、上記パターンを基準として上記ウエハの表面側に設定されたマスクとの位置合わせを行なう工程と、上記ウエハの表裏面を反転させてその裏面を上記マスクに対向させる工程と、この表裏面の反転されたウエハとマスクとの位置合わせを上記パターンを基準として行なう工程とを備えたことを特徴とする。
【０００７】
【作用】上記製造方法によれば、ウエハの表裏面のマスクアライメントを上記ウエハの表面側に設定されたマスクで行なうものであるから、片面マスクアライメントの露光機を用いて転写することが可能となり、これによつて製造された半導体集積回路自体が安価となる。また、上記ウエハの表裏面のマスクアライメントを上記ウエハの表面に形成された同一のマスクアライメント用パターンを基準として行なうものであるから、上記ウエハの表裏面におけるマスクとの位置合わせが高精度に達成される。しかも、上記マスクアライメント用パターンはウエハの片面のみに形成すればよいから、上記パターンの形成が容易である。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図面にもとづいて説明する。図１は、この発明による一実施例をウエハの表面にマスクアライメント用パターンを形成するまでの製造方法を説明する断面図である。同図（ａ）で示すように、たとえば、ケイ素Ｓi からなる半導体ウエハ１の表面１ａに、これを酸化させることによつて、２酸化ケイ素（SiＯ2)からなる絶縁層２が被着形成される。つぎに、同図（ｂ）で示すように、上記絶縁層２の表面にホトレジスト膜（感光性塗膜）３が被着されたのち、同図（ｃ）で示すように、所望の食刻用パターン４が形成されたマスク５を対向配設し、このマスク５を通して紫外線のような活性化光線Ａを上記ホトレジスト膜３に照射する。この光線Ａの照射で、上記ホトレジスト膜３における露光された部分３ａと、露光されていない部分３ｂとを形成し、上記露光された部分３ａを定着するとともに、露光されていない部分３ｂを洗浄して、同図（ｄ）で示すように、上記ホトレジスト膜３に所望の食刻用パターンをもつた開口３ｃが形成される。
【０００９】つぎの同図（ｅ）で示す食刻工程において、上記ホトレジスト膜３に対して耐食性を有し、かつ上記絶縁層３を腐蝕させることができる、たとえば、フツ化水素酸からなる食刻液を用いると、上記ホトレジスト膜３の小孔３ｃに対応する部分の絶縁層２が食刻されて、この絶縁層２に小孔２ａが形成される。その後、上記ホトレジスト膜３は溶剤で除去され、上記半導体ウエハ１の表面に小孔２ａを有する絶縁層２が同図（ｆ）で示すように被着形成される。さらに、上記半導体ウエハ１の露出表面および絶縁層２の表面に、同図（ｇ）で示すように、たとえば、アルミニウム(Al)からなる非透光膜６が被着される。上記ウエハ１上の絶縁層２は、フツ化水素酸による腐蝕処理その他の適当な手段で除去されて、同図（ｈ）で示すように、上記半導体ウエハ１の表面１ａにマスクアライメント用パターン７が被着形成される。
【００１０】図２は、図１の後工程において上記ウエハの表面に成膜して食刻する製造工程の一例を説明する断面図である。同図（ａ）で示すように、半導体ウエハ１の表面１ａに２酸化ケイ素（SiＯ2)からなる絶縁層２１を被着形成し、その表面にホトレジスト膜３１を同図（ｂ）のように被着したのち、同図（ｃ）で示すように、食刻用マスク５１を上記ウエハ１の表面１ａのマスクアライメント用パターン７と位置合わせをして露光現像する。これを洗浄して、同図（ｄ）のような所望の食刻用パターンをもつたホトレジスト膜３１が形成される。
【００１１】つぎの同図（ｅ）で示す食刻工程において、上記ホトレジスト膜３１の小孔３１ａを通して上記絶縁層２１を腐蝕させたのち、上記ホトレジスト膜３１を除去すると、半導体ウエハ１の表面に小孔２１ａを有する絶縁層２１が同図（ｆ）で示すように被着形成される。
【００１２】図３は、図２の後工程において上記ウエハの裏面に成膜して食刻する製造工程の一例を説明する断面図である。同図（ａ）で示すように、半導体ウエハ１の表裏面を反転させて、その裏面１ｂに２酸化ケイ素（SiＯ2)からなる絶縁層２２を被着形成し、その裏面にホトレジスト膜３２を同図（ｂ）のように被着したのち、同図（ｃ）で示すように、食刻用マスク５２を上記ウエハ１の裏面１ｂのマスクアライメント用パターン７と位置合わせをして露光現像する。
【００１３】上記位置合わせに際し、アライメント光Ｂとして赤外線やレーザ光が使用され、これらの光はウエハ１を透過するけれども、上記パターン７を形成するアルミニウム(Al)を透過しないから、上記マスク５２とウエハ１との位置合わせを適確に行なうことができる。その後、同図（ｅ）のようにホトレジスト膜３２の小孔を通して上記絶縁層２２を腐蝕させたのち、上記ホトレジスト膜３２を除去して、同図（ｆ）のように、上記半導体ウエハ１の裏面１ｂに小孔２２ａを有する絶縁層２２が被着形成される。
【００１４】上述のようにして、半導体ウエハ１にはその表裏面１ａ，１ｂに絶縁層２１，２２が形成され、これら各絶縁層２１，２２の小孔２１ａ，２２ａから不純物を注入すると、上記半導体ウエハ１の表裏面１ａ，１ｂに半導体層８，９が形成されて、図４で示すような半導体装置が製造される。
【００１５】上記製造方法によれば、ウエハ１の表裏面１ａ，１ｂのマスクアライメントを上記ウエハ１の表面１ａ側に設定されたマスク５１，５２で行なうものであるから、片面マスクアライメントの露光機を用いて転写することが可能となり、これによつて製造された半導体集積回路自体が安価となる。また、上記ウエハ１の表裏面１ａ，１ｂのマスクアライメントを上記ウエハ１の表面１ａに形成された同一のマスクアライメント用パターン７を基準として行なうものであるから、上記ウエハ１の表裏面におけるマスク５１，５２との位置合わせが高精度に達成される。しかも、上記マスクアライメント用パターン７はウエハ１の片面のみに形成すればよいから、上記パターンの形成が容易である。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、この発明の製造方法によれば、簡単な手段で容易かつ安価に形成され、高精度なマスクアライメントを行なうことができる。」 
　ウ　【図１】ないし【図３】
　【図１】ないし【図３】にはそれぞれ次のことが図示されている。
　【図１】　ウエハの表面にマスクアライメント用パターンを形成するまでの製造方法を説明する断面図
　【図２】　図１の後工程においてウエハの表面に成膜して食刻する製造工程の一例を説明する断面図　
　【図３】　図２の後工程においてウエハの裏面に成膜して食刻する製造工程の一例を説明する断面図
　
（４）引用例３及び引用例３に記載された事項
　拒絶理由通知書で引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平９−４３８６０号公報（以下「引用例３」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　ア　段落【０００２】ないし【０００５】
「【０００２】
【従来の技術】図１に基づいて、透明基板の表面にフォトリソグラフィ法によってパターニングを施す従来方法を説明する。先ず、図１（ａ）に示すように、透明基板１の表面にパターニングを施す導電膜２を形成し、この導電膜２の表面にポジ型フォトレジスト膜３を形成する。尚、透明基板１の隅部にはアライメントマーカーＭを形成している。
 【０００３】次いで、同図（ｂ）に示すように、露光機に設けた顕微鏡でアライメントマーカーＭを基準に透明基板１をアライメントした後、フォトレジスト膜３上にマスク４を重ね、この状態で同図（ｃ）に示すように、露光を行い、光（紫外線）が当った部分を可溶化する。
【０００４】この後、同図（ｄ）に示すように、現像にて露光部（可溶化した部分）を洗い流し、同図（ｅ）に示すように、エッチングを行い、更に同図（ｆ）に示すように、フォトレジスト膜３をアッシングにて除去することで、パターニングを施す。
【０００５】そして、透明基板１の裏面にもパターニングを施すには、図２に示すように、透明基板１の裏面側に導電膜２及びフォトレジスト膜３を形成するとともに、透明基板１の表面側に設けたアライメントマーカーＭを裏面側から顕微鏡で見てアライメントを行い、フォトレジスト膜３上にマスク４を重ね、この後は前記と同様の手順によって裏面側にもパターニングを施すようにしている。」
　イ　【図１】及び【図２】
　【図１】及び【図２】にはそれぞれ次のことが図示されている。
　【図１】　基板の表面側にパターニングを施す従来法の工程図
　【図２】　裏面側のアライメントを行う従来法を説明した図
　
（５）引用例４及び引用例４に記載された事項
　拒絶理由通知書で引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２０００−１００７１３号公報（以下「引用例４」という。）には、図面とともに以下事項が記載されている。
　ア　段落【０００１】ないし【００７４】
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、両面に露光可能な光透過性の被露光基板、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法に関し、特にデバイスとして表面に微細なパターンが形成されたいわゆる回折光学素子に適用して好適な発明である。
…（中略）…
【０００７】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するために、本発明の被露光基板は、両面に露光されるものであって、アライメント光に対して光透過性を有し、一方の面に、両面のそれぞれの露光時に用いる位置合わせ用のアライメントマークを備える。
…（中略）…
【００１４】本発明の露光装置の一態様は、前記所定パターンを通過した照明光を前記被露光面に指向する第１光学系と、前記アライメントマークを照明し、その反射光を検出して位置合わせを行う第２光学系とを備え、前記補正光学系が前記第２光学系に設けられている。
…（中略）…
【００１７】本発明の露光方法は、前記被露光基板に所定パターンを投影露光する露光方法であって、前記一方の面を被露光面として露光する際には、表面に存する前記アライメントマークを照明して位置合わせを行い、他方の面を被露光面として露光する際には、裏面に存する前記アライメントマークを照明して位置合わせを行う。
…（中略）…
【００３２】光源９からの光束は照明用レンズ８により集光し、ハーフミラー９で反射させ、結像レンズ７を介しウェハー５面上のアライメントマークＡＭを照明している。１０はＣＣＤカメラである。結像レンズ７はウェハー５面上のアライメントマークＡＭをハーフミラー１９，１８を介してＣＣＤカメラ１０面上に結像している。２０は画像処理回路であり、ＣＣＤカメラ１０面上に結像したウェハー５面上のアライメントマークＡＭの位置情報よりレチクル４とウェハー５との位置関係を求めている。
…（中略）…
【００７３】本実施形態においては、両面に露光可能であって片面のみにアライメントマークが設けられた光透過性の被露光基板であるウェハー５を用いて、先ず一方の被露光面、例えばアライメントマークが設けられた第１面に当該アライメントマークを使用した位置合わせを行った後に露光する。次いで、ウェハー５を裏返して設置し、他方の被露光面である第２面を露光する。ここで、アライメントマークはその裏面（第１面）に設けられたかたちとなるが、所定の補正光学系３１を用いて集光位置をシフトさせ、裏面に存するアライメントマークを照明して同様に位置合わせを行う。このとき、第１面の露光と同一のアライメントマークを用いるため、第１面及び第２面の双方にそれぞれアライメントマークを設ける場合に比べて正確な位置合わせが可能となり、コストパフォーマンスにも優れている。更に、第２面を第１面と自己整合的に露光することができるため、両面の露光パターンが互いに強い関連性を持つ回折光学素子の露光を正確に行うことができる。
【００７４】また、本実施形態では、両面が露光されて各々所定パターンの形成された素子として回折光学素子を例示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば被露光基板を半導体ウェハーとして、半導体メモリ等の素子を形成する場合にも適用可能である。」
　イ　【図１】及び【図１２】
　【図１】及び【図１２】にはそれぞれ次のことが図示されている。
　【図１】　第１の実施形態のステッパーの概略構成を示す模式図
　【図１２】　第１の実施形態において、裏面に存するアライメントマークを照明して位置合わせを行う様子を示す模式図
　
（６）引用例５及び引用例５に記載された事項
　拒絶理由通知書で引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１−２１４１１８号公報（以下「引用例５」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　ア　特許請求の範囲の欄
「　半導体基板主面のパターンを位置合わせマークとして用いて半導体裏面に所望のパターンを形成する半導体製造装置において、両面を同時に可視光で観察するのではなく、半導体基板裏面側から赤外線を透過させ、反射してくる赤外線を検知し、半導体基板主面側のパターンを認識する事を特徴とする半導体製造装置。」 
　イ　第１頁左欄第１３ないし第２頁左下欄第２行
「〔産業上の利用分野〕 
　この発明はウエハを裏返しにした状態で下側面のパターンと上側面のパターンを同時に観察しマスク合せの為のアライメントを行う半導体装置に関するものである。
…（中略）…
〔課題を解決するための手段〕
　この発明に係る赤外線アライメント法は観察光線を可視光線から赤外線に変え、両面を同時に観察するのではなく、基板を透過させ反射してくる赤外線のコントラストの違いを赤外線カメラで検知し、ＣＲＴモニタ上に映し出す構造にしたものである。
〔作用〕
　この発明における赤外線アライメント方法は赤外線が、例えばＧａＡｓウエハを透過するという特徴を利用してこれにより、ＧａＡｓ中を透過し反射して来た赤外線のコントラストの違いを検知する事にパターン形状を認識する事ができる。
　以下、この発明の一実施例を図に基づいて説明する。第１図（ａ）はこの発明の半導体製造装置のアライメント方法の構成図を示したもので、図において、（１）はＧａＡｓウエハ、（２）は対物レンズ、（３）は赤外線カメラ、（４）は信号線、（５）はＣＲＴモニタ、（６）は赤外線ランプである。
　即ち、ウエハ（１）の裏側から赤外線を透過させ、第１図（ｂ）のウエハ拡大断面図に示すように、反射してくる赤外線のコントラストの違い（Ａ’）（Ｂ’）（Ｃ’）を対物レンズ（２）を介して赤外線カメラ（３）で検知し、ＣＲＴモニタ（５）上へ映し出す方法を取つている。ここで特筆すべき事はＧａＡｓ基板は赤外線を透過するという事で、基板を透過した赤外線は表面のパターンの材質（ＧａＡｓ，ＳｉＮ等の無機膜または金属膜等）によりその反射率が異なる為、反射してくる赤外線のコントラストが異なるという事の２点である。この２点を利用して赤外線の反射光をカメラで検知させる様にした。
　なお上記実施例においては半導体基板はＧａＡｓウエハと説明したが赤外線を透過する物質、例えばＳｉ　ＩｎＧａＡｓ等のウエハであっても同一の効果を得ることは論をまたない。
〔発明の効果〕
　以上のようにこの発明によれば、マーク検知用の光線を可視光線から赤外線に変え、さらに基板を透過させ、反射してくる赤外線を検知する様にしたので、ウェハの下側に対物レンズを設置する必要がなく、装置を小型化および簡略化する事が可能になる。」
　イ　第１図及び第２図
　第１図（ａ）には、半導体製造装置のアライメント方法の構成図が、第１図（ｂ）にはウェハの拡大断面図が、第２図は従来の半導体製造装置のアライメント方法の構成図がそれぞれ図示されている。
　
（７）引用例６及び引用例６に記載された事項
　拒絶理由通知書で引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平９−１６６８７７号公報（以下「引用例６」という。）には、図面とともに以下事項が記載されている。
　ア　段落【００１５】ないし段落【００３５】
　【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の光半導体素子の製造方法は、受光部を有する光半導体素子を半導体ウエハに形成する光半導体素子の製造方法であって、（ａ）半導体素子を半導体ウエハに形成すると同時に、半導体ウエハの半導体素子が形成されない領域にフォトマスクとの位置決め用のマークを形成する第１の工程と、（ｂ）半導体素子が形成されていない領域であって、マークの形成領域を含む領域にテープを貼付し、マークを被覆する第２の工程と、（ｃ）半導体ウエハの表面全体に感光性の黒色レジストを塗布する第３の工程と、（ｄ）テープを半導体ウエハから剥離し、マークを露出させる第４の工程と、（ｅ）検出されたマークの位置に従って、半導体ウエハとフォトマスクとの位置決めを行う第５の工程とを備えることを特徴とする。
…（中略）…
【００２３】次いで、テープを半導体ウエハから剥離し、マークを露出させる。この結果、黒色レジストが完全な遮光性を有していても、光によるマークの検出が可能となる。引き続き、検出されたマーク位置に従って、半導体ウエハとフォトマスクとの位置決めを行う。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明の光半導体素子の製造方法の実施の形態を説明する。なお、図面の説明にあたって同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００２５】図１および図２は、本発明の光半導体素子の製造方法の一実施形態の工程図である。なお、図中、左側には半導体ウエハを上方から見た場合の態様を、右側には半導体ウエハの断面図を示す。図１および図２に示すように、本実施形態の光半導体素子の製造方法では、まず、半導体ウエハ１００にホトリソグラフィ工程、デポジッション工程、エッチング工程などの工程を施して半導体素子１１０を多数形成すると同時に、半導体ウエハ１００の半導体素子１１０が形成されていない領域にフォトマスクとの位置決め用のマーク１２０を形成する（図１（ａ）参照）。ここで、フォトマスクとの位置決め用のマーク１２０は、光半導体素子の製造工程のホトリソグラフィ工程で素子のパターン露光をする際に用いるフォトマスクと半導体素子との位置決め用マークを用いることができる。なお、半導体ウエハ１００には、ホトリソグラフィ工程での方向検知用に半導体ウエハ１００の結晶学的基準方向を示す切り欠きであるオリエンテーションフラット１３０が設けられている。マーク１２０は、オリエンテーションフラット１３０に対し、ほぼ平行に２箇所設けられる。
【００２６】次に、半導体素子１１０が形成されていない領域であって、マーク１２０の領域を含む領域にマスキングテープ２００を貼付してマーク１２０を被覆（図１（ｂ）参照）後、半導体ウエハ１００の表面全体に感光性の黒色レジスト３００を塗布する（図１（ｃ）参照）。感光性の黒色レジスト３００の塗布にあたっては、半導体ウエハ１００をレジストコーティング用の回転塗布装置にセットして、液状の感光性の黒色レジスト剤を滴下し、１０００ｒｐｍの回転により所定の膜厚となるように塗布する。図１（ｃ）に示すように、黒色レジスト３００は、半導体素子１１０の形成面の全面を覆うとともに、マスキングテープ２００上も覆う。
…（中略）…
【００２８】次いで、感光性の黒色レジフト３００が塗布された半導体ウエハ１００に８０℃で３０分間程度の加熱処理を施して、感光性の黒色レジスト３００をプリベークし、以後の露光時に寸法不良を誘発する原因となる感光性の黒色レジスト３００の溶剤を蒸発させる。このプリベークにより、半導体ウエハ１００と感光性の黒色レジストとは、ある程度密着した状態となる。
【００２９】次に、マスキングテープ２００を半導体ウエハ１００から剥離し、マーク１２０を露出させる（図２（ａ）参照）。この結果、感光性の黒色レジスト３００が完全な遮光性を有していても、光によるマーク１２０の検出が可能となる。
【００３０】引き続き、マスクアライナ装置によって、検出されたマーク１２０の位置に従って半導体ウエハ１００とフォトマスク（図示せず）との位置決めを行う。そして、フォトマスクを介して感光性の黒色レジスト３００を露光し、現像、リンス後ポストキュア（２３０℃、１５分間）して、露光された感光性の黒色レジストの不要部を除去し、パターン付けを完了する。こうして、半導体素子１１０の表面に遮光膜の機能を果たす黒色レジスト３００が所定のパターンで形成される（図２（ｂ）参照）。
…（中略）…
【００３５】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明の光半導体素子の製造方法によれば、半導体ウエハのフォトマスクとの位置決め用マークをテープで被覆して感光性の黒色レジストを塗布し、その後にテープを剥離してマークを露出させて黒色レジストのホトリソグラフィ工程でのフォトマスクとの位置決めを行うこととしたので、光半導体素子のパターンをホトリソグラフィ工程で露光する際に用いるフォトマスクと半導体素子との位置決め用マークを利用することができ、従来の製造装置を変更することなく完全な遮光性を有する黒色レジストが形成された光半導体素子を製造することができる。」
　イ　【図１】及び【図２】
　【図１】及び【図２】には、光半導体素子の製造方法の説明図が図示されている。
　
（８）引用例７及び引用例７に記載された事項
　拒絶理由通知書で引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平８−２７４０１３号公報（以下「引用例７」という。）には、図面とともに以下事項が記載されている。
　ア　【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板上に予め形成された位置検出マークを有する半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程における露光装置のアライメント、もしくは現像後の重ね合わせ測定などによる位置検出では、半導体装置を構成する各薄膜層に位置検出マークを形成し、それらの位置検出マークを可視光及びレーザー光を用いることで検出している。例えば露光装置のアライメントに使用する位置検出マークとして数μｍの正方形上のパターンが等間隔で連なった回折格子マークが、また重ね合わせ測定に使用する位置検出マークとして１０〜数十μｍの正方形上のパターンを重ね合わせたマークが利用されている。
…（中略）…
【０００４】また図４はアライメント用の位置検出マークの場合である。層間絶縁膜５及び接続孔の埋め込む第１配線膜６で形成されたアライメント用の位置検出マークを、第２配線膜７が被覆し、フォトレジスト４がその上に塗布されており、このような膜構成でアライメントが実行されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】…（中略）…
【０００６】また図４はアライメント用の位置検出マークを示しているが、このように層間絶縁膜５と埋め込み第１配線膜６を化学的機械研磨法などで平坦化し、第２配線膜７として金属薄膜を成膜した場合には、回折・干渉及び画像処理のいずれの方式によっても位置検出マークを検出できないという問題が発生する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】以上の様な課題を解決するために本発明では、予め位置検出用に形成された位置検出マークを含む半導体基板上に、少なくとも一層の薄膜が成膜されている半導体装置の製造方法において、半導体基板に形成された前記位置検出マークを含む領域に成膜された薄膜を選択的に除去し、前記位置検出マークを露出させる工程を有することを特徴とする。また予め半導体基板上に形成された位置検出マークを検出する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記請求項１記載の半導体装置の製造方法によって露出された位置検出マークを検出する工程を有することを特徴とする。
【０００８】
【実施例】…（中略）…
【００１４】次に位置検出マークが露光装置のアライメントマークである場合の本発明の実施例が図２であり、層間絶縁膜の接続孔に配線膜を形成する例である。
【００１５】まず前工程で、ゲート電極パターンなどが形成された半導体基板１上に、層間絶縁膜５が成膜されており、接続孔と同時に形成されたアライメントマークの段差部には、例えばタングステン等の第１配線膜６が化学的機械研磨法によって埋め込みで形成されている。さらに層間絶縁膜５及び第１配線膜を被覆して、アルミニウム等の第２配線膜が成膜されている（図２（ａ））。従来の半導体装置の製造方法ではこのような膜構成のもとで実施されており、図４に示すようなフォトレジストが塗布されたアライメント時では、層間絶縁膜５に形成されて第１配線膜で埋め込まれたアライメントマークが、平坦化されたアルミニウムなどの金属膜によって検出できなくなる。
【００１６】本発明では、以下に示す工程によって第２配線層に配線パターンを形成する前に、アライメントマークを構成する第１配線膜６及びその周辺の層間絶縁膜５をのみを露出させる。
【００１７】まず図２（ａ）の膜構成上にフォトレジスト４を塗布する（図２（ｂ））。続けて、アライメントマークを構成する第１配線膜６及びその周辺の層間絶縁膜５のみを開口させるフォトマスクパターンを介して、前記フォトレジスト４を露光し、さらに現像によって除去する（図２（ｃ））。この時のフォトマスクパターンのアライメントにも、アライメントマークが必要となるが、本実施例ではそのアライメントマークは検出できない。しかしながら、図２（ｃ）において開口させる領域が、アライメントマークを使用せずに露光装置の機械的なアライメント精度で可能な程度に大きければ、十分実施可能である。例えば、露光装置の機械的なアライメント精度が１０μｍ程度で、アライメントマークの寸法が１００μｍ程度ならば、２００μｍの寸法の開口部で十分アライメント可能である。
【００１８】さらに、前記開口されたフォトレジスト４をエッチングマスクとして、例えばＢＣｌ３，Ｃｌ２の混合ガスによって前記第２配線膜７をドライエッチングし、アライメントマークを構成する第１配線膜６及び層間絶縁膜６を露出させる（図１（ｄ））。
【００１９】この後の工程では従来と同様に、フォトレジストを塗布し、配線パターンを有するフォトマスクパターンを露光・現像し、フォトレジストパターンを形成する。この時の配線パターンのアライメントでは、図２（ｅ）に示すように既にアライメントマーク上の第２配線膜が除去されているため、アライメントマークが遮蔽されることなく位置検出が可能となる。
…（中略）…
【００２２】
【発明の効果】…（中略）…
【００２３】第２の実施例ではより本発明の効果が顕著である。従来の半導体装置の製造方法では遮蔽されて検出不可能であった位置検出マークであっても、本発明を適用することにより、位置検出マーク上の膜を除去することで位置検出マークが露出され、高精度の位置検出が可能となる。
【図面の簡単な説明】
　イ　【図２】及び【図４】
　【図２】には、半導体装置の製造方法の第２の実施例の断面図が、【図４】には、従来の半導体装置のアライメント時の断面図がそれぞれ図示されている。
　
（９）引用例８及び引用例８に記載された事項
　拒絶理由通知書で引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００４−４５９３３号公報（以下「引用例８」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　ア　段落【０００２】ないし【００１３】
「【０００２】
【従来の技術】
厚膜レジストで両面レジストパターンを形成する場合、厚膜レジストは液状であるため、基板の表裏に対して同時に厚膜レジストを塗布することができず、片面ずつレジスト塗布、ベーク、露光及び現像が行われる。 
【０００３】
表裏のレジストパターンの位置を精度良く露光するため、両面アライメント機能を有する片面露光機が用いられている。
【０００４】
次に、従来の両面レジストパターンの形成方法を説明する。
【０００５】
 図２（Ａ）〜（Ｇ）は従来の両面レジストパターンを形成する工程を示す図である。
【０００６】
まず、基板１１０の表面１１０ａに所望の厚さの表面用ネガレジスト１５０を塗布し、ベークする（図２（Ａ）参照）。
【０００７】
次に、両面アライメント用アライメントマーク１３０ａ，１３０ｂとレジストパターン１３０ｃとが描画されている表面用マスク１３０をネガレジスト１５０の表面に載置し、露光し、ネガレジスト１５０にアライメントマーク１３０ａ，１３０ｂとレジストパターン１３０ｃとを転写する（図２（Ｂ）参照）。
【０００８】
その後、現像を行い、基板１１０の表面１１０ａにアライメントマーク１５１，１５２とレジストパターン１５３とを形成する（図２（Ｃ）参照）。
【０００９】
 次に、アライメントマーク１５１，１５２とレジストパターン１５３とを形成した表面１１０ａを下側にして基板１１０の裏面１１０ｂに所望の厚さの裏面用ネガレジスト１６０を塗布し、ベークする（図２（Ｄ）参照）。
【００１０】
その後、両面アライメント用アライメントマーク１４０ａ，１４０ｂとレジストパターン１４０ｃとが描画されている裏面用マスク１４０をネガレジスト１６０の表面に載置する（図２（Ｅ）参照）。このとき、前述した片面露光機によって、基板１１０の表面１１０ａに形成されたアライメントマーク１５１，１５２と裏面用マスク１４０に描画されているアライメントマーク１４０ａ，１４０ｂとの位置合わせを行う。
【００１１】
位置合わせ後、露光し、ネガレジスト１６０にアライメントマーク１４０ａ，１４０ｂとレジストパターン１４０ｃとを転写する（図２（Ｆ）参照）。
【００１２】
その後、現像を行い、基板１１０の裏面１１０ｂにアライメントマーク１６１，１６２とレジストパターン１６３とを形成する。
【００１３】
その結果、基板１１０の表面１１０ａにアライメントマーク１５１，１５２とレジストパターン１５３とが形成されるとともに、裏面１１０ｂにアライメントマーク１６１，１６２とレジストパターン１６３とが形成される（図２（Ｇ）参照）。」
　イ　【図２】
　【図２】には、従来の両面レジストパターンを形成する工程を示す図が図示されている。
　
４　本願発明と引用発明の対比
（１）本願発明と引用発明における発明特定事項の対応関係
　引用発明における「石英ガラス基板」、「ブランク裏面」、「ブランク表面」及び「クロームの層からなる遮光用金属薄膜層」が、それぞれ、本願発明の「透明基板」、「透明基板の他方の面（上面）」、「透明基板の一方の面（下面）」及び「遮光層」に相当することは明らかである。また、引用発明における「裏パターン」、「表パターン」は、それぞれ、本願発明の「透明基板の他方の面（上面）」に形成される「メインパターン」に相当するパターン及び「透明基板の一方の面（下面）」に形成される「メインパターン」に相当するパターンを包含していることは明らかである。
　
（２）本願発明と引用発明の対比
　以下、上記「（１）」を踏まえて、本願発明と引用発明を、本願発明の発明特定事項の記載の順に従って対比する。
　引用発明における「ブランクの両面にパターンを有するフォトマスク（両面マスク）の作成方法であって、その製造工程が下記の工程からなる両面マスクの作成方法」を本願発明における「表裏両面にパターンを有するフォトマスク（いわゆる両面マスク）の作成方法において、その製造工程が下記の工程からなることを特徴とする両面マスクの作成方法」と対比すると、両者は「表裏両面にパターンを有するフォトマスク（いわゆる両面マスク）の作成方法」の点で一致する。
　引用発明における「（工程ａ）石英ガラス基板の表裏両面にクロームの層からなる遮光用金属薄膜層を形成して両面ブランク作製した後、前記両面ブランクの表面に光感光性のレジスト樹脂を塗布する工程」及び「（工程ｂ）表側のレジスト層を露光させてパターンの図形を形成し、現像工程、エッチング及びレジスト層を剥膜する工程を経て検査用パターンを含む表パターンを形成したフォトマスクを形成する工程」を本願発明における「（ａ）透明基板の一方の面（下面）に遮光層を形成し、リソグラフィー手法により、転写有効領域内に該遮光層からなるメインパターンと、転写有効領域外に該遮光層からなるアライメントマークを形成する工程」と対比する。引用発明における「表パターン」は「両面マスク」の被転写パターンであるから、これが「両面マスク」の転写有効領域内に形成されていることは明らかであるから、両者は「（ａ）透明基板の少なくとも一方の面（下面）に遮光層を形成し、リソグラフィー手法により、転写有効領域内に該遮光層からなるメインパターンを形成する工程」の点で一致する。
　引用発明における「（工程ａ）石英ガラス基板の表裏両面にクロームの層からなる遮光用金属薄膜層を形成して両面ブランク作製した後、前記両面ブランクの表面に光感光性のレジスト樹脂を塗布する工程」を本願発明における「（ｂ）透明基板の他方の面（上面）の転写有効領域に遮光層を形成する工程」と対比すると、両者は「（ｂ）透明基板の他方の面（上面）の少なくとも転写有効領域に遮光層を形成する工程」の点で一致する。
　引用発明における「（工程ｇ）再度、前記両面ブランクの裏面に光感光性のレジスト樹脂を塗布する工程」を本願発明における「（ｃ）透明基板の他方の面（上面）の全面にレジスト層を形成する工程」と対比すると、引用発明において光感光性のレジスト樹脂は全面に塗布するのが通常であるから、両者は、「（ｃ）透明基板の他方の面（上面）の全面にレジスト層を形成する工程」の点で一致する。
　引用発明における「前記測定した表面のアライメントパターンと裏面のアライメントパターンのセントラリティ及びローテイションを比較し、その差分を補正して、裏面パターンをアライメントマーク（アライメントパターン中の基準点）でアライメント（位置合わせ）をとる方法で描画を行う工程であって、装置上で補正する機能がない場合は、前記差分をＪＯＢファイルに登録したアライメントパターン位置座標の差分に変換して、アライメントをずらすことにより補正する方法で行う工程」を本願発明における「（ｄ）透明基板の他方の面（上面）からレジスト層と透明基板を通して、透明基板の一方の面（下面）に形成されたアライメントマークのレーザー光による反射像を認識し、該アライメントマークの座標を測定し、前記一方の面（下面）のアライメントマークの座標を基準座標とすることでメインパターンのアライメントを調整して、他方の面（上面）のレジスト層にメインパターンを描画する工程」と対比すると、両者は、「透明基板の一方の面（下面）側のメインパターンと透明基板の他方の面（上面）側のメインパターンを位置を合わせるように、透明基板の他方の面（上面）側のメインパターンのアライメントを調整して、他方の面（上面）のレジスト層にメインパターンを描画する工程」の点で一致する。
　引用発明における「前記測定した表面のアライメントパターンと裏面のアライメントパターンのセントラリティ及びローテイションを比較し、その差分を補正して、裏面パターンをアライメントマーク（アライメントパターン中の基準点）でアライメント（位置合わせ）をとる方法で描画を行う工程であって、装置上で補正する機能がない場合は、前記差分をＪＯＢファイルに登録したアライメントパターン位置座標の差分に変換して、アライメントをずらすことにより補正する方法で行う工程」、「（工程ｉ）裏パターンの現像のみを行う工程」、「（工程ｊ）両面ブランク裏面の前記裏面パターンの位置精度、すなわち、セントラリティと及びローテイションを測定する工程」及び「（工程ｋ）前記測定により、前記の裏面パターンと表面パターンのセントラリティ及びローテイションの対比により、表面裏面パターンの重ねのずれに問題がないことを確認後、エッチング、レジスト層を剥膜し、両面マスクを完成する工程」を本願発明における「（ｅ）リソグラフィー手法により、他方の面（上面）の遮光層にメインパターンを形成して、上面の遮光層からなるメインパターンを形成する工程」と対比すると、両者は「（ｅ）リソグラフィー手法により、他方の面（上面）の遮光層にメインパターンを形成して、上面の遮光層からなるメインパターンを形成する工程」の点で一致する。
　
（３）本願発明と引用発明の一致点及び相違点の認定
　以上を総合すると、本願発明と引用発明は、
 「表裏両面にパターンを有するフォトマスク（いわゆる両面マスク）の作成方法において、その製造工程が下記の工程を備えた両面マスクの作成方法。
　（ａ’）透明基板の少なくとも一方の面（下面）に遮光層を形成し、リソグラフィー手法により、転写有効領域内に該遮光層からなるメインパターンを形成する工程
　（ｂ’）透明基板の他方の面（上面）の少なくとも転写有効領域に遮光層を形成する工程
　（ｃ）透明基板の他方の面（上面）の全面にレジスト層を形成する工程
　（ｄ’）透明基板の一方の面（下面）側のメインパターンと透明基板の他方の面（上面）側のメインパターンの位置を合わせるように、透明基板の他方の面（上面）側のメインパターンのアライメントを調整して、他方の面（上面）のレジスト層にメインパターンを描画する工程
　（ｅ）リソグラフィー手法により、他方の面（上面）の遮光層にメインパターンを形成して、上面の遮光層からなるメインパターンを形成する工程」
の点で一致し、次の相違点１ないし相違点３において相違する。
　
＜相違点１＞（工程（ｄ’）に関連した相違点）
　透明基板の一方の面（下面）側のメインパターンと透明基板の他方の面（上面）側のメインパターンの位置を合わせるように、透明基板の他方の面（上面）側のメインパターンのアライメントを調整するに当たり、本願発明においては、透明基板の他方の面（上面）からレジスト層と透明基板を通して、透明基板の一方の面（下面）に形成されたアライメントマークのレーザー光による反射像を認識し、該アライメントマークの座標を測定し、前記一方の面（下面）のアライメントマークの座標を基準座標とすることでメインパターンのアライメントを調整するという方法を採用しているのに対し、引用発明はこのような方法を採用しておらず、測定した表面のパターンと裏面のアライメントパターンのセントラリティ及びローテイションを比較し、その差分を補正して、裏面パターンをアライメントマーク（アライメントパターン中の基準点）でアライメント（位置合わせ）をとる方法で描画を行う工程であって、装置上で補正する機能がない場合は、前記差分をＪＯＢファイルに登録したアライメントパターン位置座標の差分に変換して、アライメントをずらすことにより補正する方法で行う点。
　
＜相違点２＞ （工程（ｂ’）に関連した相違点）
　本願発明の透明基板の他方の面（上面）側の遮光層は透明基板の他方の面（上面）の転写有効領域に形成されるのに対し、引用発明のブランク裏面側の遮光用金属薄膜層にはこのような限定がなく全面に形成されると考えられる点。 
　
＜相違点３＞（工程（ａ’）に関連した相違点）
　本願発明においては、透明基板の一方の面（下面）に遮光層を形成する工程と透明基板の他方の面（上面）に遮光層を形成する工程が別工程で行われるとともに、透明基板の一方の面（下面）に遮光層を形成する工程と透明基板の他方の面（上面）に遮光層を形成する工程との間に、透明基板の一方の面（下面）にリソグラフィー手法により、転写有効領域内に該遮光層からなるメインパターンと、転写有効領域外に該遮光層からなるアライメントマークを形成する工程が行われているのに対し、引用発明においては、石英ガラス基板の表裏両面にクロームの層からなる遮光用金属薄膜層を形成して両面ブランク作製した後に、表側のレジスト層を露光させてパターンの図形を形成し、現像工程、エッチング及びレジスト層を剥膜する工程を経て、検査用パターンを含む表パターンを形成したフォトマスクを形成する工程を行う点。
　
５　相違点の検討・判断
（１）相違点１及び相違点２について 
　下面側のパターンに上面側のパターンを位置合わせするために、下面に設けられたアライメントマークを基準にして、上面側から基板を通してアライメントマークの位置を捉えて、上面側のパターンを下面側のパターンに位置合わせすることは、本願の出願時において当業者に周知の技術的事項である（例えば、引用例２ないし引用例５を参照）。したがって、このような位置合わせの手法を引用発明に適用することを試みることは当業者が適宜なし得ることである。そして、引用発明おいては、両面ブランクの裏面に遮光用金属薄膜層が存在するので、反対側の面（表面）にアライメントマークを設けても裏面側からは見ることができないが、このようにアライメントマークの検知を邪魔する層がある場合にこれが存在しないようにすればいいことは、引用例３、引用例６及び引用例７等に照らせば、当業者には自明であると認められる。さらに、基板の反対側に設けたアライメントマークを用いて位置合わせをする具体的技術として、引用例２には、上面側からウエハ１（「基板」に相当する。）及びホトレジスト膜を透過するレーザ光であるアライメント光と、ウエハ１の下面に設けられた前記アライメント光を透過しないアルミニウム製のアライメントマークを用いて位置合わせを行うことが記載されており（引用例２の段落【００１３】を参照）、アライメント光を用いた位置合わせ手段として、アライメントマークからの反射像を認識することは、本願の出願時において当業者に周知の技術的事項である（例えば、引用例４及び引用例５を参照）。
　これらを踏まえれば、両面ブランクを構成する透明基板である石英ガラス基板上の表パターンと裏パターンの位置を合わせるように裏パターンのアライメントを調整するに当たり、周知技術を踏まえて、アライメントマークが見える（光が届く）ようにするために転写有効領域以外のブランク裏面側の遮光用金属薄膜層が存在しないようにして、引用例２に記載された、ウエハ及びホトレジスト膜を透過するレーザ光と該レーザ光を反射するアライメントマークを用いて位置合わせ、すなわち、ブランク表面側に形成されたアライメントマークを基準にして、裏パターンが表パターンと位置合わせされるように裏パターンの位置座標を記載した描画手順ファイル（ＪＯＢファイル）中の裏パターンの位置座標を補正し（「アライメントマークの座標を測定し、前記一方の面（下面）のアライメントマークの座標を基準座標とすることでメインパターンのアライメントの調整を行うことに相当する。）、さらに、アライメントマークの反射像を認識して位置合わせを行うようにして、相違点１及び相違点２に係る発明特定事項を得るようにすることは当業者が容易に想到し得たものであると認められる。
　したがって、相違点１及び相違点２は格別なものとは認められず、相違点１及び相違点２をもって進歩性を認めることはできない。
　
（２）相違点３について
　両面にパターンを形成するに際して、１）両面に被加工層を形成してからそれぞれパターン加工することと、２）一面にのみ被加工層を形成してパターン加工し、その後に他面に被加工層を形成してパターン加工することの２つの選択肢があることは、当業者には自明の事項である。そして、パターン加工される被加工層を用いて何らかのマークをパターンと同時に形成することも当業者には周知の事項である（例えば引用例１を参照）。さらに、下面に形成されたパターンに位置合わせされるように上面にパターンを形成する際、まず、前記下面にパターンが形成される層を形成し、次いで、前記パターンが形成される層に、リソグラフィ手法により前記パターンとアライメントマークを形成し、その後、前記上面にパターンが形成される層を形成することは、引用例８にも記載されているように（段落【０００６】ないし【０００９】及び図２参照）、パターン加工の分野で知られていることである。してみれば、引用発明のブランク表面側にアライメントマークを形成するに当たり、まず、引用発明のブランク表面側に遮光用金属薄膜層を形成し、次いで、前記遮光用金属薄膜層に、リソグラフィ手法により、表パターンとアライメントマークを形成し、その後、ブランク裏面側の転写有効領域に遮光用金属薄膜層を形成することは、当業者にとって容易に想到し得ることであると認められる。
　したがって、相違点３は格別なものとは認められず、相違点３をもって進歩性を認めることはできない。
　
（３）小括
　以上検討したとおり、相違点１ないし相違点３は格別なものとは認められない。そして、本願発明の作用効果も、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された事項及び周知技術から当業者が予測し得る域を超えるものとは認められない。
　したがって、本願発明は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　
６　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１係る発明は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された事項及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。