【事件の表示】
　特願２０００−２６０９２４「半導体ウエハの加工方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　３月１５日出願公開、特開２００２−　７５９３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成１２年８月３０日の特許出願であって、同２１年７月７日付けで拒絶の理由が通知され、同２１年９月２日に意見書とともに手続補正書が提出され、同２１年１２月２日付けで最後の拒絶の理由が通知され、同２２年２月２日に意見書とともに手続補正書が提出されたが、同２２年２月２６日付けで同２２年２月２日付け補正について却下の決定がされるとともに拒絶をすべき旨の査定がされた。
　これに対し、同２２年５月１９日に本件審判の請求がされるとともに手続補正書が提出され、同２２年１２月８日に回答書が提出された。
　
第２　補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２２年５月１９日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容の概要
　本件補正は、特許請求の範囲について補正をするとともに、それに関連して明細書の一部について補正をするものであって、特許請求の範囲の請求項１について補正前後の記載を補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
　
（１）補正前（改行して表記した）
　パターンが形成された半導体ウエハ表面に、両面粘着シートで厚さが４００〜８００μｍの支持ウエハを貼付ける工程と、
　前記支持ウエハを固定した状態の半導体ウエハの裏面に薄型加工を施す工程と、
　前記支持ウエハを貼り合わせた状態で、薄型加工後の半導体ウエハに対しダイシングを行い、半導体チップを形成する工程と、
　前記半導体チップから両面粘着シート及び支持ウエハを剥離する工程とを含むことを特徴とする半導体ウエハの加工方法。
　
（２）補正後            　
　パターンが形成された半導体ウエハ表面に、両面粘着シートで厚さが４００〜８００μｍの支持ウエハを貼付ける工程と、
　前記支持ウエハを固定した状態の半導体ウエハの裏面に薄型加工を施す工程と、
　前記支持ウエハを貼り合わせた状態で
移送された
側にダイシング用粘着テープを貼り付けた状態で、支持ウエハ、両面粘着テープ及び半導体ウエハを同時に
して
　前記半導体チップから
、前記ダイシングされた後の
　
２　補正の適否　　　
　本件補正のうち特許請求の範囲の請求項１についてする補正は、「移送された」及び「前記ダイシングされた後の」という事項を付加して発明を明りょうにするとともに、薄型加工後の半導体ウエハに対しダイシングを行う際に、半導体ウエハ「側にダイシング用粘着テープを貼り付けた状態で、支持ウエハ、両面粘着テープ及び半導体ウエハを同時に」ダイシングするという事項を付加することにより、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるか否かについて検討する。
　
（１）補正発明
　補正発明は、本件補正により補正された明細書及び願書に添付した図面の記載からみて以下のものである。
「パターンが形成された半導体ウエハ表面に、両面粘着シートで厚さが４００〜８００μｍの支持ウエハを貼付ける工程と、
　前記支持ウエハを固定した状態の半導体ウエハの裏面に薄型加工を施す工程と、
　前記支持ウエハを貼り合わせた状態で移送された薄型加工後の半導体ウエハ側にダイシング用粘着テープを貼り付けた状態で、支持ウエハ、両面粘着シート及び半導体ウエハを同時にダイシングして、半導体チップを形成する工程と、
　前記半導体チップから、前記ダイシングされた後の両面粘着シート及び支持ウエハを剥離する工程とを含むことを特徴とする半導体ウエハの加工方法。」
（請求人が、当審の審尋に対する平成２２年１２月８日付け回答書「５．補正案」の項で「請求項１に係る文言において、誤記訂正を目的の補正（下記補正案）を行いたく存じますので新たに拒絶理由通知を発送して頂きたくお願い申し上げます。「両面粘着テープ」を「両面粘着シート」に補正いたします。文の前後関係からも明白な誤記であることが分かります。」と述べているように、上記１（２）に示す特許請求の範囲の請求項１の「半導体チップを形成する工程」における「両面粘着テープ」は、「両面粘着シート」の誤記であるので、補正発明を上記のように認定した。）
　
（２）刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用され本件出願前に頒布された刊行物である米国特許第５４７６５６６号明細書（以下「引用刊行物」という。）の記載内容は以下のとおりである。
　
ア　引用刊行物記載の事項
　引用刊行物には以下の事項が記載されている。かっこ内は当審による仮訳である。
　
（ア）第１欄第９〜１２行
「The present invention relates to protecting a semiconductor wafer in a thinning process in general, and more specifically to using a laminated semiconductor wafer structure in the wafer thinning process. 」
（本発明は、一般に、薄型加工における半導体ウエハの保護に関し、より詳しくは、ウエハの薄型加工において、積層された半導体ウエハ構造を用いることに関する。）
　
（イ）第２欄第６１行〜第３欄第３行
「Illustrated in FIG. 1 is a cross-sectional view of a laminated semiconductor wafer structure 10 having a semiconductor wafer 12, a double-sided adhesive tape 14, and a UV transparent support substrate 16. Semiconductor wafer 12 has an active surface 18 and an inactive surface 20, where inactive surface 20 is exposed. Semiconductor wafers are generally made from silicon, although gallium arsenide can also be used. Both materials are brittle in nature and can fracture easily if stressed, especially if the semiconductor wafer is very thin as compared to its diameter.」
（図１には、半導体ウエハ１２、両面粘着テープ１４及び紫外線透過型支持基板１６を有する積層された半導体ウエハ構造１０の横断面図が示されている。半導体ウエハ１２は、能動面１８と非能動面２０とを備えており、非能動面２０は、露出されている。半導体ウエハは一般にシリコンから製造されるが、ガリウム砒素も使用可能である。両方の材料は本来的に脆く、特に、半導体ウエハがその直径に比して非常に薄い場合、応力がかかると容易に破砕する。）
　
（ウ）第３欄第１１〜１６行
「As illustrated in FIG. 1, double-sided adhesive tape 14 has dissimilar adhesives on the two sides. The first side has a UV curable adhesive 22 that adheres to the active surface 18 of semiconductor wafer 12. The second side has a non-UV curable adhesive 24 that adheres to the UV transparent support substrate 16.」
（図１に示されるように、両面粘着テープ１４は、両面で相違する接着剤を持っている。第１の面には半導体ウエハ１２の能動面１８に付着する紫外線硬化型の接着剤２２がある。第２の面には紫外線透過型支持基板１６に付着する非紫外線硬化型の接着剤２４がある。）
　
（エ）第３欄第２０〜２３行
「As further illustrated in FIG. 1, the UV transparent support substrate 16 should be at least as large in diameter as the semiconductor wafer 12 that substrate 16 supports, although support substrate 16 can be larger than the wafer. 」
（図１に更に示されているように、紫外線透過型支持基板１６は、少なくとも基板１６が支持する半導体ウエハ１２と同じ大きさの径とすべきであるが、半導体ウエハよりも大きくできる。）
　
（オ）第３欄第２９〜３７行
「Depending on the stiffness of the material used for support substrate 16, the substrate 16 can range in thicknesses from 20 mils to 700 mils (0.5 millimeter to 18 millimeters). 
　A major advantage to assembling the laminated semiconductor wafer structure 10 is that support substrate 16 provides mechanical support for the semiconductor wafer 12 during any backside 20 processing, such as backgrinding, and any subsequent handling. 」
（支持基板１６に使用される物質の硬さに応じて、基板１６は、２０ミルから７００ミル（０．５ｍｍ〜１８ｍｍ)の厚さとなる。
　積層された半導体ウエハ構造１０を組み立てることに対する大きな利点は、バックグラインディングのような任意の背面２０処理及び任意の後のハンドリング中に支持基板１６が半導体ウエハ１２の機械的な保持体をなすということである。）
　
（カ）第３欄第５３〜６２行
「After a semiconductor wafer 12 has been processed such that it has an active surface 18 and an inactive surface 20 and is ready to be thinned, wafer 12 is mounted onto UV transparent support substrate 16 using the double-sided adhesive tape 14, according to the above discussion of FIG. 1. The laminated semiconductor wafer structure 10 is then processed through a normal backgrind or backlap process to thin the wafer to a desired thickness. Structure 26, as illustrated in FIG. 2, is only intended to represent a generic wafer backgrinding tool. 」
（半導体ウエハ１２が、その能動面１８及び非能動面２０を有し、薄型加工準備となるように処理された後、ウエハ１２は図１の上記の説明にしたがって、両面粘着テープ１４を用いて、紫外線透過型支持基板１６上にマウントされる。積層された半導体ウエハ構造１０は、その後、ウエハを所望の厚さに薄くするために、通常のバックグラインドあるいはバックラップ製法によって処理される。構造２６は、図２に示されているように、単に一般的なウエハのバックグラインディング工具を表わすように意図されている。）
　
（キ）第３欄最下行〜第４欄第３行
「Illustrated in FIG. 3 is a laminated backlapped semiconductor wafer structure 30, after the wafer backgrinding step of FIG. 2. Semiconductor wafer 32 is a thinned wafer having a backlapped surface 34. 」
（図２のウエハのバックグラインディング・ステップ後、積層されバックラップされた半導体ウエハ構造３０が、図３に示されている。半導体ウエハ３２は、バックラップされた面３４を有す薄くなったウエハである。）
　
（ク）第４欄第２１〜２５行
「As illustrated in FIG. 4, the backlapped surface 34 of the thinned semiconductor wafer 32 is mounted to the dicing tape 42. The support substrate 16 provides mechanical support for the thinned wafer 32 as the dicing tape 42 is applied to the backlapped surface 34 with pressure. 」
（図４に示されているように、薄くなった半導体ウエハ３２のバックラップされた面３４はダイシングテープ４２にマウントされる。ダイシングテープ４２が圧力をもってバックラップされた面３４に適用される際に、支持基板１６は、薄くなったウエハ３２の機械的支持を提供する。）
　
（ケ）第４欄第３１〜３４行
「Illustrated in FIG. 5 is a next step in the process flow. The dicing tape mounted laminated backlapped semiconductor wafer structure is irradiated with UV light from a UV source 46.」
（処理フローの次のステップが図５に示されている。積層されバックラップされた半導体ウエハ構造がマウントされたダイシングテープは、紫外線源４６から紫外線を照射される。）
　
（コ）第４欄第４２〜４６行
「The UV curable adhesive 22 loses its tackiness upon exposure to UV radiation. Therefore, the thinned semiconductor wafer 32 can be removed from the double-sided adhesive tape 14 and support substrate 6, as illustrated in FIG. 6. 」
（紫外線硬化型の接着剤２２は、紫外線に曝されてその粘着性を失う。したがって、図６に示されるように、薄くなった半導体ウエハ３２は、両面粘着テープ１４及び支持基板６から取り除くことができる。）
　
（サ）第４欄第５９〜６２行
「The thinned wafer 32 mounted on dicing tape 42 is ready to be diced or sawn. Once a thinned wafer is sawn into individual semiconductor dice, the potential for wafer breakage or damage is eliminated.」
（ダイシングテープ４２上にマウントされた、薄くなったウエハ３２は、ダイシングまたはソーイングされる準備ができている。薄くなったウエハが、個々の半導体ダイスに切られると、ウエハの破損の可能性が除去される。）
　
イ　引用刊行物記載の発明
　引用刊行物記載の事項を、技術常識を考慮しながら補正発明に照らして整理すると、引用刊行物には以下の発明が記載されている。
    
「半導体ウエハ１２の能動面１８に、両面粘着テープ１４で、厚さが０．５〜１８ｍｍの支持基板１６を貼付ける工程と、
　前記支持基板１６を固定した状態の半導体ウエハ１２の非能動面２０に薄型加工を施す工程と、
　前記支持基板１６を貼り合わせた状態で移送された薄型加工後の半導体ウエハ３２側にダイシングテープ４２を貼付ける工程と、
　半導体ウエハ３２から両面粘着テープ１４及び支持基板１６を剥離する工程と、
　両面粘着テープ１４及び支持基板１６を剥離された半導体ウエハ３２をダイシングして、半導体チップを形成する工程とを含む半導体ウエハの加工方法。」
　
（３）対比
　補正発明と引用刊行物記載の発明とを対比すると以下のとおりである。
　引用刊行物記載の発明の「半導体ウエハ１２の能動面１８」は、補正発明の「パターンが形成された半導体ウエハ表面」に相当することが明らかであり、以下同様に、「両面粘着テープ１４」は「両面粘着シート」に、「半導体ウエハ１２の非能動面２０」は「半導体ウエハの裏面」に、「ダイシングテープ４２」は「ダイシング用粘着テープ」に、それぞれ相当する。
　また、引用刊行物記載の発明の「支持基板１６」は、支持ウエハということが出来るものであり、その厚さが０．５〜１８ｍｍ、すなわち、５００〜１８０００μｍであることから、厚さ５００〜８００μｍの範囲で補正発明の「支持ウエハ」と一致している。
　
　また、補正発明は「支持ウエハを貼り合わせた状態で移送された薄型加工後の半導体ウエハ側にダイシング用粘着テープを貼り付けた状態で、支持ウエハ、両面粘着テープ及び半導体ウエハを同時にダイシング」するものであることからみて、当然、上記薄型加工後の半導体ウエハ側にダイシング用粘着テープを貼付ける工程を含んでいることが明らかである。
　そうしてみると、引用刊行物記載の発明において、「支持基板１６を貼り合わせた状態で移送された薄型加工後の半導体ウエハ３２側にダイシング用粘着テープ４２を貼付ける工程と、半導体ウエハ３２から両面粘着テープ１４及び支持基板１６を剥離する工程と、両面粘着テープ１４及び支持基板１６を剥離された半導体ウエハ３２をダイシングして、半導体チップを形成する工程とを含む」ことは、「支持ウエハを貼り合わせた状態で移送された薄型加工後の半導体ウエハ側にダイシング用粘着テープを貼付ける工程と、半導体ウエハをダイシングして、半導体チップを形成する工程とを含む」という限りで、補正発明において、「支持ウエハを貼り合わせた状態で移送された薄型加工後の半導体ウエハ側にダイシング用粘着テープを貼り付けた状態で、支持ウエハ、両面粘着テープ及び半導体ウエハを同時にダイシングして、半導体チップを形成する工程を含む」ことと共通している。
　したがって、補正発明と引用刊行物記載の発明とは、以下の点で一致しているということができる。
　
［一致点］
「パターンが形成された半導体ウエハ表面に、両面粘着シートで厚さが５００〜８００μｍの支持ウエハを貼付ける工程と、
　前記支持ウエハを固定した状態の半導体ウエハの裏面に薄型加工を施す工程と、
　前記支持ウエハを貼り合わせた状態で移送された薄型加工後の半導体ウエハ側にダイシング用粘着テープを貼付ける工程と、
　半導体ウエハをダイシングして、半導体チップを形成する工程とを含む半導体ウエハの加工方法。」
　
　そして、補正発明と引用刊行物記載の発明とは、以下の２点で相違している。
ア　相違点１
　支持ウエハの厚さについて、補正発明では「４００〜８００μｍ」であるのに対して、引用刊行物記載の発明では「５００〜１８０００μｍ」である点。
　
イ　相違点２
　補正発明では、支持ウエハを貼り合わせた状態で移送された薄型加工後の半導体ウエハ側にダイシング用粘着テープを貼り付けた状態で、支持ウエハ、両面粘着シート及び半導体ウエハを同時にダイシングして、半導体チップを形成する工程と、前記半導体チップから、前記ダイシングされた後の両面粘着シート及び支持ウエハを剥離する工程とを含んでいるのに対して、引用刊行物記載の発明では、薄型加工後の半導体ウエハ側にダイシング用粘着テープを貼付ける工程の次に、半導体ウエハから両面粘着シート及び支持ウエハを剥離する工程と、両面粘着シート及び支持ウエハを剥離された半導体ウエハをダイシングして、半導体チップを形成する工程とを含んでいる点。
　
（４）相違点の検討
ア　相違点１について
　支持ウエハの厚さをどの程度にするかは、必要に応じて適宜設定すればよい事項にすぎず、また「４００〜８００μｍ」とすることに格別な技術的意義は認められないから、この点に格別の発明性は見当たらない。
　
イ　相違点２について
　半導体ウエハの加工方法において、半導体ウエハの裏面に薄型加工を施す前にその表面に貼り付けた保護テープを貼り合わせた状態で移送された薄型加工後の半導体ウエハ側にダイシング用粘着テープを貼り付けた状態で、保護テープ及び半導体ウエハを「同時に」ダイシングして、半導体チップを形成し、前記半導体チップから、前記ダイシングされた後の保護テープを剥離することは、例えば、特開平８−１９５３６２号公報、特開平１１−２０４５５１号公報に示されているように従来周知である。
　引用刊行物記載の発明は、粘着シートと支持ウエハと一体であり、支持ウエハは形状保持機能が高いことから、全体として形状保持機能が高く、反りの発生を抑制するものである。
　引用刊行物記載の発明において、上記周知技術を踏まえて「同時に」ダイシングするにあたり、加工精度の観点からは、反りの発生を抑制することは重要である。
　よって、引用刊行物記載の発明に、「保護テープ及び半導体ウエハを同時にダイシング」するという周知の事項を適用するにあたり、反りの発生を抑制する「粘着シートと支持ウエハと一体」である引用刊行物記載の発明の構造を活かし、「支持ウエハ」をも同時にダイシングし、相違点２に係る補正発明の構成とすることに、困難性は認められない。
　
ウ　補正発明の効果について
　請求人が回答書で主張する「切断不良の抑制」という効果も、刊行物記載の発明及び上記従来周知の事項から、当業者であれば予測できる程度のものであって格別のものではない。
　
エ　したがって、補正発明は、引用刊行物記載の発明及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　むすび
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本件出願の発明について
１　本件出願の発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項に係る発明は、平成２１年９月２日付手続補正書により補正された明細書及び願書に添付した図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項４に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本件出願の発明」という。）は、上記第２の１（１）に示す特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの「半導体ウ
エハの加工方法」である。
　
２　刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物及びその記載内容は、上記第２の２（２）に示したとおりである。
　
３　対比・検討
　本件出願の発明は、上記第２の２で検討した補正発明から、実質上、薄型加工後の半導体ウエハに対しダイシングを行う際に「半導体ウエハ側にダイシング用粘着テープを貼り付けた状態で、支持ウエハ、両面粘着テープ及び半導体ウエハを同時にダイシングする」という事項を削除したものである。
　そうすると、本件出願の発明を構成する事項の全てを含み、さらに他の事項を付加する補正発明が上記第２の２（４）エで示したとおり、引用刊行物記載の発明及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件出願の発明も同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　したがって、本件出願の発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、本件出願の請求項２ないし請求項４に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきであるから、結論のとおり審決する。