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【手続補正書】
【提出日】平成23年9月22日(2011.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
尿採取装置において、
使用者が排泄する尿を採取するための採取手段（１０２）と、
前記採取手段（１０２）によって採取された尿を前記装置から排出できる様になっている第１及び第２の出口手段（１０３、１０８）と、
前記採取手段（１０２）によって採取された尿を受け器（１１０）へ移送する様になっている移送通路（１１１）と、を備えており、
前記第１出口手段（１０３）は、流量変動装置（１０６）であって、前記変動装置を通る初期排出流量は前記変動装置を通る第２排出流量より大きくなる様に構成され配置されている流量変動装置（１０６）を含んでおり、
前記第２出口手段（１０８）は、前記採取手段（１０２）によって採取された尿を、前記変動装置を通る前記初期排出流量と同じか又はそれより高い第３排出流量で前記尿採取装置から排出できる様になっているオーバーフロー出口手段（１１８）を備えている、尿採取装置。
【請求項２】
前記流量変動装置（１０６）は、前記採取手段（１０２）の基部に収納されている膨張式プラグを備えている、請求項１に記載の尿採取装置。
【請求項３】
前記プラグ（１０６）は、初期には、より高い初期排出流量を許容するように構成され且つ配置されているが、液体と接触すると膨張して、第２の低い排出流量を提供する、請求項２に記載の尿採取装置。
【請求項４】
前記流量変動装置（１０６）は、スポンジ材料で形成されている、請求項１乃至３の何れか１項に記載の尿採取装置。
【請求項５】
前記移送通路（１１１）は、前記採取手段（１０２）に接続されている移送装置（１０７）の中に形成されており、前記移送装置（１０７）は、更に、前記受け器（１１０）に接続できるようになっている、請求項１乃至４の何れか１項に記載の尿採取装置。
【請求項６】
前記移送装置（１０７）は、前記移送通路（１１１）と前記オーバーフロー出口手段（１１８）を備えている、請求項５に記載の尿採取装置。
【請求項７】
前記移送通路（１１１）は、前記採取手段（１０２）内の前記尿が規定液面に達すると、尿を前記採取手段（１０２）から前記受け器（１１０）に流せるようし、前記オーバーフロー出口手段（１１８）は、前記受け器（１１０）内の液面が第２規定液面に達すると、尿の流れを排出できるようにするように、前記装置は配置されている、請求項１乃至６の何れか１項に記載の尿採取装置。
【請求項８】
前記オーバーフロー出口手段（１１８）は、前記移送通路の少なくとも一方の側に、流れを前記受け器（１１０）から外へ迂回させるために配置されている通路手段（１２０、１２１）を備えている、請求項１乃至７の何れか１項に記載の尿採取装置。
【請求項９】
前記移送通路（１１１）は、概ねＵ字形で、堰（１２４）を形成する基部（１２３）を有しており、尿は、前記堰を超えて前記採取手段（１０２）から前記受け器（１１０）に流れ込むようになっている、請求項１乃至８の何れか１項に記載の尿採取装置。
【請求項１０】
前記移送通路（１１１）の最上部は、更なる堰を形成しており、尿は、前記堰を越えて前記オーバーフロー出口手段（１１８）へ流れるようになっている、請求項１乃至９の何れか１項に記載の尿採取装置。
【請求項１１】
前記採取手段（１０２）は、太い端部（１０４）と細い端部（１０５）とを有する漏斗形状の部材を備えており、前記第１出口手段（１０３）は、前記細い端部（１０５）に在る、請求項１乃至１０の何れか１項に記載の尿採取装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月25日(2010.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のガス分析ユニットおよびコンピュータシステムを含むガス分析システムであって、
前記複数のガス分析ユニットがガスの単一の試料と流体連通するように構成され、
前記複数のガス分析ユニットが、
光イオン化検出器（ＰＩＤ）、
化学センサアレイ、および
１つまたは複数のイオン移動度スペクトロメータを含み、
前記コンピュータシステムが、前記ガス分析ユニットによって生成されたデータを個々にかつ並行して分析するように構成され、
前記データは検体の特性を示し、
前記コンピュータシステムが、前記検体を同定するためにデータを複合化するように構成されている、ガス分析システム。
【請求項２】
前記コンピュータシステムが、前記ガス分析ユニットによって生成された前記データを受け取り、前記検体を同定するために前記データを複合化するように構成される、請求項１に記載のガス分析システム。
【請求項３】
前記単一の試料の流路に配置され、前記単一の試料の試料流から前記化学センサアレイを切り離すように配列される１つまたは複数の弁をさらに含む、請求項１に記載のガス分析システム。
【請求項４】
前記コンピュータシステムが、前記ガス分析ユニットからのデータに基づき、候補検体を逐次フィルタリングすることによって、前記データを複合化するように構成される、請求項２に記載のガス分析システム。
【請求項５】
前記コンピュータシステムが、複数の候補検体のそれぞれに対応したライブラリ応答と化学センサアレイのデータの少なくとも一部の適合の確率を計算することによって、前記データを複合化するように構成される、請求項２に記載のガス分析システム。
【請求項６】
光イオン化検出器（ＰＩＤ）、化学センサアレイ、および１つまたは複数のイオン移動度スペクトロメータを含み単一の試料と流体連通するように構成された複数のガス分析ユニットを用いて、前記単一のガスの試料を監視する工程と、
前記ガス分析ユニットによって生成された、検体の特性のデータを個々にかつ並行して分析する工程と、
前記検体を同定するために前記ガス分析ユニットからの前記データを複合化する工程とを含む、方法。
【請求項７】
前記分析する工程が、１つまたは複数の前記ガス分析ユニットがしきい値に達する前記検体を検出すると開始される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
１つまたは複数の前記ガス分析ユニットがしきい値に達する前記検体を検出すると、検出アラームが発動される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記データを複合化する工程が、前記ガス分析ユニットからのデータに基づき候補検体を逐次フィルタリングする工程を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
候補検体を前記逐次フィルタリングする工程が、前記ＰＩＤからのデータに基づき候補検体の第１のフィルタリングリストを提供する工程を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１のフィルタリングリスト、および少なくともイオン移動度スペクトロメータの１つからのデータに基づき、候補検体の第２のフィルタリングリストを提供する工程をさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２のフィルタリングリスト、および前記化学センサアレイからのデータに基づき、候補検体の第３のフィルタリングリストを提供する工程をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第３のフィルタリングリスト、およびガス分析ユニットからの前記データを相互に関連付けることに基づき最終検体候補物質を提供する工程をさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
さらに、フィルタリングリストを提供するために、前記ガス分析ユニットからのデータに基づき、候補検体を逐次フィルタリングする工程と、
前記フィルタリングリスト、および前記ガス分析ユニットからのデータを相互に関連付けることに基づき最終検体候補物質を提供する工程とを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１５】
さらに、前記化学センサアレイの応答と、複数の候補検体のそれぞれに一致するライブラリ応答との適合の確率を計算する工程を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１６】
前記化学センサアレイの前記応答に基づき、候補検体のＰＩＤ応答を予測する工程と、
前記予測ＰＩＤ応答および実測ＰＩＤ応答に基づき、前記複数の候補検体のそれぞれの適合の確率を計算する工程とをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記化学センサアレイの前記応答に基づき、候補検体の前記１つまたは複数のイオン移動度スペクトロメータの応答を予測する工程と、
前記１つまたは複数のイオン移動度スペクトロメータの予測応答、および前記１つまたは複数のイオン移動度スペクトロメータの実測応答に基づき、前記複数の候補検体のそれぞれの適合の確率を計算する工程とをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記化学センサアレイの前記応答に基づき、候補検体に対する前記１つまたは複数のイオン移動度スペクトロメータの応答を予測する工程と、
前記１つまたは複数のイオン移動度スペクトロメータの前記予測応答、および前記１つまたは複数のイオン移動度スペクトロメータの実測応答に基づき、前記複数の候補検体のそれぞれの適合の確率を計算する工程とをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記化学センサアレイの前記応答の前記計算された適合の確率と、前記予測ＰＩＤ応答および前記実測ＰＩＤ応答に基づいて計算された前記適合の確率とに基づきそれぞれの前記候補検体の範囲の組み合わせた適合の確率を計算する工程をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記化学センサアレイの応答に対する前記計算された適合の確率と、前記１つまたは複数のイオン移動度スペクトロメータの前記予測応答、および前記１つまたは複数のイオン移動度スペクトロメータの前記実測応答に基づいて計算された前記適合の確率とに基づきそれぞれの前記候補検体の範囲の組み合わせた適合の確率を計算する工程をさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記化学センサアレイの前記応答に対する前記計算された適合の確率と、前記予測ＰＩＤ応答および前記実測ＰＩＤ応答に基づいて計算された前記適合の確率と、前記１つまたは複数のイオン移動度スペクトロメータの前記予測応答および前記１つまたは複数のイオン移動度スペクトロメータの前記実測応答に基づいて計算された前記適合の確率とに基づきそれぞれの前記候補検体の範囲の組み合わせた適合の確率を計算する工程をさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年5月2日(2011.5.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
タイル状ディスプレイにおける各ディスプレイ素子は、アクセス領域と、相互接続領域と、ディスプレイ領域と、オーバーラップ領域とを有することができる。アクセス領域は、ディスプレイ素子内部の、他の方法ではアクセス不能な電極に、電気的アクセスを可能にするディスプレイ素子部分に相当する。アクセス領域はそれ自体は、情報を電子的に表示することはできない。アクセス領域は、任意のサイズ、形状、又はディスプレイ素子上の配置を有することができる。相互接続領域は、外部ディスプレイ電子装置、例えばドライバーとの電気的接続が形成されるディスプレイ部分に相当する。相互接続領域は、アクセス領域、ディスプレイ領域、又はこれらの組み合わせの全て又は一部を含むことができる。相互接続領域は、ディスプレイ素子の1つ又は2つ以上のエッジに沿っていることが可能であり、或いは、エッジに沿わない1つ又は2つ以上のディスプレイ素子領域内に配置することができる。ディスプレイ素子のディスプレイ領域は、情報を電子的に表示することができるディスプレイ素子領域であり、そしていかなるアクセス領域も含まない。ディスプレイ素子のオーバーラップ領域は、隣接するディスプレイ素子とオーバーラップするディスプレイ素子部分である。オーバーラップ領域は、相互接続領域の全て又は一部、ディスプレイ領域の全て又は一部、アクセス領域の全て又は一部、又はこれらの組み合わせを含むことができる。好ましくは、オーバーラップ領域は、ディスプレイ領域の全て又は一部を含む。オーバーラップされた隣接ディスプレイ素子領域は、相互接続領域の全て又は一部、ディスプレイ領域の全て又は一部、アクセス領域の全て又は一部、又はこれらの組み合わせを含むことができる。各ディスプレイ素子のアクセス領域が、隣接ディスプレイ素子のオーバーラップ部分、又はタイル状ディスプレイを保持するケースによって視界から隠されるか、又はタイル状ディスプレイの鑑賞領域の外側エッジに沿っていることが望ましい。鑑賞領域は、ディスプレイ画像内に明らかなギャップを有さない、そして観察者によって見ることができる、タイル状ディスプレイの電子的に更新可能な領域である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年3月4日(2011.3.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
建物のコンクリート区間（１４）に固定するための、クライミング型枠のクライミングシュー（１０）であって、前記クライミングシュー（１０）は、前記クライミングシュー（１０）をコンクリート区間（１４）の壁（１２）に固定するための壁シュー部（１８）と爪（５０）が設けられた摺動シュー部（１６）とを備え、前記爪（５０）は、前記爪（５０）間に案内されるやり方で移動可能に配置されるクライミングレール（２０）を保持し、前記爪（５０）が、前記クライミングレール（２０）の部分的な区間を包囲し、少なくとも１つの爪（５０）が、枢動式及び／又はテレスコピック式で、前記壁シュー部（１８）へ取外し可能に接続される前記摺動シュー部（１６）上に設けられることを特徴とするクライミングシュー。
【請求項２】
前記クライミングシュー（１０）の２つの爪（５０）が、前記クライミングレール（２０）を、前記クライミングレール（２０）の部分的な区間内で包囲し、１つの爪（５０）が、前記摺動シュー部（１６）上に枢動式に固定されることを特徴とする請求項１記載のクライミングシュー。
【請求項３】
前記枢動運動は、前記爪（５０）の閉じた状態及び外側に枢動した状態の両方において、係止ボルト（５６）によって阻止されることを特徴とする請求項２記載のクライミングシュー。
【請求項４】
前記摺動シュー部（１６）が、水平に位置合せされたスタブシャフト（３４）によって、前記壁シュー部分（１８）に取外し可能に連結されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のクライミングシュー。
【請求項５】
前記クライミングシュー（１０）の前記壁シュー部分（１８）が、垂直に位置合せされた軸（５８）を有する請求項４記載のクライミングシュー。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】クライミング型枠のための分離可能なクライミングシュー
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
本発明は、建物のコンクリート区間に固定するための、クライミング型枠のためのクライミングシューに関し、クライミングシューは、立設される建物の壁に沿って案内されるクライミングレールを、既に立設されたコンクリート区間内で保持する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
一方では、クライミングレールがクライミングシュー内で移動可能であり、他方では、クライミングレールが建物の壁上で案内されるようにして保持されるようなやり方で、クライミングレールを包囲するクライミングシューが知られている。クライミングシューを壁から取り外す場合、クライミングレールをクライミングシューから引き抜かなくてはならず、そうすることで、コンクリート区間の設けられた係留点にて取付られたクライミングシューを取り外すことが可能になる。
米国特許出願公開第２００３／０５２２５９号明細書は、クライミング型枠を開示及び記載している。足場ユニットは、クライミングレールによって、コンクリートが打たれる壁に沿って案内され、かつ、プラットフォームを、必要に応じて、壁に沿って基礎構造の上方に位置決めする。クライミングレールは、クライミングシュー内で壁に沿って取外し可能に案内される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
本発明の目的は、クライミングレールがクライミングシューの内部を通るときでもコンクリート区間上の静止固定部から取り外すことができる、クライミング型枠のためのクライミングシューを提供することである。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
この目的は、クライミングシューをコンクリート区間の壁に固定するための壁シュー部と爪が設けられた摺動シューとを備えるクライミングシューによって達成され、爪は、案内されるやり方で爪の間に取外し可能に配置された、クライミングレールを保持し、爪は、クライミングレールの一部の区間を包囲し、少なくとも１つの爪が、枢動式及び／又はテレスコピック式で、壁シュー部へ取外し可能に接続される摺動シュー部分上に設けられる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
摺動シュー部分上の１つの爪が、摺動シュー部上に枢動式及び／又はテレスコピック式に構成される場合、建物に取り付けられた複数のクライミングシューの中でも、本発明に係るクライミングシューは、例えば、提供されるクライミング型枠のための使用がもはや必要とされないときに、いつでも壁から取り外すことができる。これは、１つのコンクリート区間が完成し、新しいコンクリート区間を立設しようとする場合、常に当てはまる。クライミング型枠のために使用されるクライミングレールは、立設される２つのコンクリート区間の高さよりも大きい長さを有する。したがって、クライミングレールが、最も低いクライミングシューを完全に解放するほど高く上るまで、最も低いクライミングシューは、立設される壁上に常に維持されなければならない。クライミングレールが、クライミングシューと係合していないとき、これらのクライミングシューを取り外すことができる。従来技術で知られるこのクライミングシューを取り外すためには、予備プラットフォーム又は補給プラットフォームが一般に必要とされ、知られているクライミング型枠を動作させることができるように、従来技術で知られるクライミング型枠を正しく動作させるために、相当な量のクライミングシューの供給が必要とされる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
本発明に係るクライミングシューが、水平に位置合せされたスタブシャフトによって互いに取外し可能に結合される、摺動シュー部及び壁シュー部として構成される場合、枢動爪に加えてクライミングシューを分割することができるので、クライミングシューの取外しがより一層簡単になる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
建物のコンクリート区間１４上に固定するための、クライミング型枠のクライミングシュー１０は、爪５０が設けられた摺動シュー部１６を備える。少なくとも１つの爪５０が、摺動シュー部１６上に枢動式及び／又はテレスコピック式に設けられる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月6日(2011.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
現在のＥ級の高電力増幅器（ＨＰＡ）はそれらが高度に同調された負荷回路であるために有用な帯域幅を限定されている。Ｅ級のＨＰＡは通常、狭い周波数帯域幅が要求とされるオーディオＨＩ−ＦＩシステム、ハム無線、高電力プラズマ発生のような応用でオーディオ、ＨＦおよびＵＨＦ周波数で使用されている。近年、モノリシックのＥ級電力増幅器における出版物はハンドセットセル電話機市場をカバーする狭い帯域幅（５００ＭＨｚ未満）のＲＦ周波数に限定されている。
【特許文献１】Wilkinson, A.J., “Transmission-Line Load-Network Topology For Class-E Power Amplifiers”, IEEE Transactions on Microwave theory and techniques Vol.49, No.6, 2001年６月、1202-1210頁
【特許文献２】米国特許第3,919,656号明細書
【特許文献３】米国特許第6,472,934 B1号明細書
【特許文献４】韓国特許公開第10-2004-104177号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月28日(2011.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のアクセス・サービス・ネットワークとの第１のペアワイズ・マスタ・キーで表されるセキュリティ・アソシエーションを有する少なくとも１つの第１の基地局を含み、前記第１のアクセス・サービス・ネットワークは認証サーバとのセキュリティ・アソシエーションを有し、さらに、前記認証サーバとのセキュリティ・アソシエーションを有していない第２のアクセス・サービス・ネットワークに関連付けられた少なくとも１つの第２の基地局を含む無線通信の方法であって、前記方法は移動ユニットで実行され、前記方法は、
第１の鍵を前記第１のペアワイズ・マスタ・キーを用いて前記移動ユニットで生成する工程を含み、前記第１の鍵のコピーが、前記ペアワイズ・マスタ・キーを用いて前記第１のアクセス・サービス・ネットワークによって生成され、そして前記第２のアクセス・サービス・ネットワークへ送信されるものであり、さらに、
前記第１の鍵が一時的であることを示す情報を受け取る工程と、
前記第１の鍵を使用して、前記第２の基地局との一時的なセキュリティ・アソシエーションを確立する工程とを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第１の鍵を生成する工程が前記第１のペアワイズ・マスタ・キーと前記第２の基地局に関連付けられた識別子とを使用して、前記第１の鍵を生成する工程を含むことと、
前記第１の鍵が一時的であることを示す情報を受け取る工程が、前記第１の鍵が前記第１のペアワイズ・マスタ・キーを用いて生成されたことを示す情報を受け取る工程および第２のペアワイズ・マスタ・キーが前記第２のアクセス・サービス・ネットワークによって生成されたことを示す情報を受け取る工程の少なくとも１つを含むこととを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２のペアワイズ・マスタ・キーについて、前記第１の鍵が一時的であることを示す情報を受け取る工程に応じて前記第２のアクセス・サービス・ネットワークとネゴシエートする工程を含み、
前記第２のペアワイズ・マスタ・キーについてネゴシエートする工程は、
前記第２の基地局との通信リンクに関連付けられたチャネル状態を決定する工程と、
前記チャネル状態が相互認証を行うのに十分信頼できると決定されたときに、前記第２のペアワイズ・マスタ・キーについてネゴシエートする工程とを含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の基地局から暗号化されたデータ受け取る工程を含み、前記暗号化されたデータが前記第１の基地局によって前記第２の基地局へ提供され、前記暗号化されたデータは、前記第１の鍵から導出された少なくとも１つの暗号化鍵を用いて暗号化されていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
移動ユニットと、第１のアクセス・サービス・ネットワークとの第１のペアワイズ・マスタ・キーで表されるセキュリティ・アソシエーションを有する少なくとも１つの第１の基地局とを含み、前記第１のアクセス・サービス・ネットワークは認証サーバとのセキュリティ・アソシエーションを有し、さらに、前記認証サーバとのセキュリティ・アソシエーションを有していない第２のアクセス・サービス・ネットワークに関連付けられた少なくとも１つの第２の基地局を含む無線通信の方法であって、前記方法は前記第１のアクセス・サービス・ネットワークで実行され、前記方法は、
前記第１のペアワイズ・マスタ・キーを用いて第１の鍵を生成する工程を含み、前記第１の鍵のコピーが、前記第１のペアワイズ・マスタ・キーを用いて前記移動ユニットによって生成され、さらに、
前記第１の鍵を示す情報を前記第２のアクセス・サービス・ネットワークへ提供する工程と、
前記第１の鍵が一時的であることを示す情報を前記第２のアクセス・サービス・ネットワークへ提供する工程とを含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
前記第１のアクセス・サービス・ネットワークに関連付けられた前記第１のペアワイズ・マスタ・キーと前記第２の基地局に関連付けられた識別子とを使用して、前記第１の鍵を生成する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の鍵を示す情報を提供する工程が、移動ユニットが第２の基地局へとハンドオフされることを決定する工程に応じて前記第１の鍵を示す情報を前記移動ユニット、前記第２の基地局、および、前記第２のアクセス・サービス・ネットワークの少なくとも１つへ提供することと、
前記第１の鍵が一時的であることを示す情報を提供する工程が、移動ユニットが第２の基地局へとハンドオフされることを決定する工程に応じて前記第１の鍵が一時的であることを示す情報を前記移動ユニット、前記第２の基地局、および、前記第２のアクセス・サービス・ネットワークの少なくとも１つへ提供する工程とを含むこととを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項８】
乱数、および前記乱数と前記第１の鍵を使用して暗号化されたデータを前記第２の基地局へと提供する工程を含む請求項５に記載の方法。
【請求項９】
移動ユニットと、第１のアクセス・サービス・ネットワークとの第１のペアワイズ・マスタ・キーで表されるセキュリティ・アソシエーションを有する少なくとも１つの第１の基地局とを含み、前記第１のアクセス・サービス・ネットワークは認証サーバとのセキュリティ・アソシエーションを有し、さらに、前記認証サーバとのセキュリティ・アソシエーションを有していない第２のアクセス・サービス・ネットワークに関連付けられた少なくとも１つの第２の基地局を含む無線通信の方法であって、前記方法は、
第１のペアワイズ・マスタ・キーを使用する第１のアクセス・サービス・ネットワークによって生成される第１の鍵を示す情報を受け取る工程と、
前記第１の鍵が一時的であることを示す情報を受け取る工程と、
前記第１の鍵を使用して、前記移動ユニットとの一時的なセキュリティ・アソシエーションを確立する工程とを含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記第１の鍵を示す情報を受け取る工程が、前記第１のアクセス・サービス・ネットワークと関連する前記第１のペアワイズ・マスタ・キーと、前記第２の基地局に関連付けられた識別子とを使用して生成される第１の鍵を示す情報を受け取る工程を含むことと、前記第１の鍵が一時的であることを示す前記情報を受け取る工程が、第２のペアワイズ・マスタ・キーが前記第２のアクセス・サービス・ネットワークによって生成されたことを示す情報を受け取る工程を含むこととを特徴とし、
前記第２のペアワイズ・マスタ・キーについて前記移動ユニットとネゴシエートする工程と、
チャネル状態が相互認証を行うために十分な信頼性があると移動ユニットが決定する場合に、前記移動ユニットから受け取る工程であって、前記第２のペアワイズ・マスタ・キーについてネゴシエートする工程が、移動ユニットからの要求を受け取る工程に応じて前記第２のペアワイズ・マスタ・キーについてネゴシエートする工程を含むことを特徴とする、前記第２のペアワイズ・マスタ・キーについてネゴシエートするための要求を前記移動ユニットから受け取る工程と、
乱数、および前記乱数と前記第１の鍵を使用して暗号化されたデータを前記第２の基地局から受け取る工程とを含む請求項９に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年6月28日(2011.6.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性半導体記憶装置デバイスにおいて、
１つの導電型の半導体基板と、
前記半導体基板に形成された右側拡散領域であって、前記半導体基板の導電型と反対の導電型を有する前記右側拡散領域と、
前記右側拡散領域と別個に前記半導体基板に形成され、これにより前記右側及び左側拡散領域の間にチャネル領域を形成する左側拡散領域であって、前記右側拡散領域と同一の導電型である前記左側拡散領域と、
前記チャネル領域の中央チャネル部分上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された制御ゲート電極と、
前記基板及び前記制御ゲート電極を覆う誘電複合体と、
前記制御ゲート電極と前記右側拡散領域との間で前記誘電複合体の一部分内の右側電荷保存領域と、
前記制御ゲート電極と前記左側拡散領域との間で前記誘電複合体の一部分内の左側電荷保存領域と、
前記誘電複合体を覆うワードラインとを備える、不揮発性半導体記憶装置デバイス。
【請求項２】
請求項１の不揮発性半導体記憶装置デバイスにおいて、前記誘電複合体が、２つの二酸化ケイ素層の間に挟持された窒化ケイ素層を備える、不揮発性半導体記憶装置デバイス。
【請求項３】
請求項１の不揮発性半導体記憶装置デバイスにおいて、前記誘電複合体が、２つの二酸化ケイ素層の間に挟持された酸化アルミニウム層を備える、不揮発性半導体記憶装置デバイス。
【請求項４】
以下の（ａ）乃至（ｈ）の行程が順次行われる不揮発性記憶装置セルの製造方法。
（ａ）１つの導電型の半導体基板上にゲート酸化物絶縁層を形成する行程、
（ｂ）前記ゲート酸化物絶縁層上に制御ゲートを形成する行程、
（ｃ）前記ゲート酸化物絶縁層の一部分を覆い得るように前記制御ゲートの右側端縁及び左側端縁に隣接して右側スペーサ及び左側スペーサを取り付ける行程、
（ｄ）前記半導体基板の導電型と反対の導電型を有する右側拡散領域を前記半導体基板内に形成する行程、
（ｅ）前記右側拡散領域と別個に、前記右側拡散領域と同一の導電型を有する左側拡散領域を前記半導体基板内に形成し、これにより前記右側拡散領域及び前記左側拡散領域の間にチャネル領域を形成する行程、
（ｆ）スペーサを除去する行程、
（ｇ）前記制御電極及び半導体基板上に配置された誘電複合体であって、前記基板及び前記制御ゲート上に形成された底部二酸化ケイ素層と、該底部二酸化ケイ素層上に形成された窒化ケイ素層と、該窒化ケイ素層上に形成された頂部二酸化ケイ素層とを含む前記誘電複合体を形成する行程、
（ｈ）前記頂部二酸化ケイ素層上にワードラインを形成する行程。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
【開示の概要】
本出願は、２ビットの情報を保存する不揮発性半導体記憶デバイスを開示するものである。このデバイスは、１つの導電型の半導体基板と、反対の導電型の半導体基板に形成された右側及び左側拡散領域とを有している。左側及び右側拡散領域の間にチャネル領域が形成されている。薄いゲート酸化物膜を有する制御ゲートがチャネル領域の中央チャネル部分上に形成されている。このデバイスは、ゲート絶縁膜上に形成された制御ゲート電極を更に有している。誘電複合体が半導体基板及び制御ゲート電極を実質的に覆っている。制御ゲート電極と右側拡散領域との間で誘電複合体の一部分内に右側電荷保存領域が形成されている。同様に、制御ゲート電極と左側拡散領域との間の誘電複合体の一部分内に左側電荷保存領域が形成されている。ワードラインが誘電複合体を実質的に覆っている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
又、本発明は、この新規な記憶装置セルを製造する方法であって、（１）１つの導電型の半導体基板上にゲート酸化物層を形成することと、（２）ゲート酸化物絶縁層上に制御ゲートを形成することと、（３）ゲート酸化物絶縁層の一部分を覆い得るように、制御ゲートの右側及び左側端縁に隣接して右側スペーサ及び左側スペーサを取り付けることと、（４）半導体基板内に左側及び右側拡散領域を形成することと、（５）スペーサを除去することと、（６）制御ゲート及び半導体基板上に配置された誘電複合体であって、基板及び制御ゲート上に形成された二酸化ケイ素の底部層を含む上記誘電複合体と、二酸化ケイ素の底部層に形成されたケイ素窒化物層及び窒化物層上に形成された二酸化ケイ素の頂部層を形成することとを備える方法も含むものである。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
右側拡散領域すなわちチャネル１０４が、半導体基板１０２に形成されており、基板１０２の導電型と反対の導電型を有する。左側拡散領域すなわちチャネル１０６は右側拡散領域１０４と別個に半導体基板１０２に形成され、これにより、右側及び左側拡散領域１０４、１０６の間にチャネル領域１０８を形成し、左側拡散領域１０６は領域１０４と同一の導電型を有する（開示した実施の形態にてｎ＋）。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】不揮発性半導体記憶装置デバイス及び不揮発性記憶装置セルの製造方法
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年3月28日(2011.3.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重量％で、ＳｉＯ２：６４−７５％、Ａｌ２Ｏ３：０−５％、Ｂ２Ｏ３：０−５％、アルカリ土類金属酸化物（ＭｇＯを除く。）：９−１６％、アルカリ金属酸化物：１５−１８％、ＭｇＯ：２％未満、全鉄（Ｆｅ２Ｏ３として計算）：０．０５％以上を含有する組成を有する１枚のガラスを強化することにより製造されるソーダライムシリカガラスからなる熱強化グレージングであって、前記ガラスが、９３×１０−７／℃より大きい熱膨張係数と、０．７２ＭＰａｍ１／２より小さい破壊靱性を有する熱強化ガラスグレージング。
【請求項２】
３ｍｍより薄い厚さを有する請求項１記載の熱強化グレージング。
【請求項３】
前記ガラスが少なくとも９５×１０−７／℃の熱膨張係数を有する請求項１または２記載の熱強化グレージング。
【請求項４】
前記ガラスが０．７０ＭＰａｍ１／２より小さい破壊靱性を有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の熱強化グレージング。
【請求項５】
前記ガラスの熱膨張係数α／℃および破壊靱性ＦＴ（ＭＰａｍ１／２）が、α×１０７／ＦＴ≧１３５の関係を満たす請求項１〜４のいずれか１項に記載の熱強化グレージング。
【請求項６】
前記ガラスが少なくとも０．２重量％の酸化鉄(II)の含有量（酸化鉄（III）として計算）を有する請求項１〜５のいずれか１項に記載の熱強化グレージング。
【請求項７】
前記ガラスが少なくとも０．３重量％の酸化鉄(II)の含有量（酸化鉄（III）として計算）を有する請求項６記載の熱強化グレージング。
【請求項８】
２．３〜２．９ｍｍの範囲の厚さを有する請求項１〜７のいずれか１項に記載の熱強化グレージング。
【請求項９】
請求項１に記載の組成、熱膨張係数および破壊靱性を有する１枚のガラスを半強化することにより製造される、１．５〜２．５ｍｍの範囲の厚さをもつ少なくとも１枚の半強化ガラスペインを有する自動車用合わせグレージング。
【請求項１０】
重量％で、ＳｉＯ２：６４−７５％、Ａｌ２Ｏ３：０−５％、Ｂ２Ｏ３：０−５％、アルカリ土類金属酸化物（ＭｇＯを除く。）：９−１６％、アルカリ金属酸化物：１５−１８％、ＭｇＯ：２％未満、全鉄（Ｆｅ２Ｏ３として計算）：０．０５％以上を含有する組成を有する１枚のガラスから構成されるグレージングを強化する方法であって、前記ガラスが、９３×１０−７／℃より大きい熱膨張係数と、０．７２ＭＰａｍ１／２より小さい破壊靱性を有し、前記方法が、他は類似の条件で、要求される基準への、下記に示す標準組成の相当するグレージングを強化するために必要なクエンチ圧より少なくとも２０％少ないクエンチ圧で操作することを特徴とするグレージングを強化する方法。
記
標準組成
ＳｉＯ２：７２．１％
ＣａＯ  ：８．１５％
Ｆｅ２Ｏ３：１．０７％
Ａｌ２Ｏ３：０．５２％
ＭｇＯ  ：３．９６％
Ｎａ２Ｏ：１３．７％
Ｋ２Ｏ  ：０．２８％
ＴｉＯ２：０．０４％
ＳＯ３  ：０．１４％
第１鉄状態におけるＦｅ％：２５％
【請求項１１】
他は類似の条件で、前記クエンチ圧が、要求される基準への、前記標準組成の相当するグレージングを強化するために必要なクエンチ圧より少なくとも２５％少ないことを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記グレージングが、３ｍｍ〜５ｍｍの範囲の厚さを有するフロートガラスである請求項１０または１１記載の方法。
【請求項１３】
使用される前記クエンチ圧は、３ｍｍガラスに対して１２．５ｋＰａ以下から、５ｍｍガラスに対して５ｋＰａ以下までの範囲である請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
使用される前記クエンチ圧は、３ｍｍガラスに対して１０ｋＰａ以下から、５ｍｍガラスに対して５ｋＰａ以下までの範囲である請求項１４記載の方法。
【請求項１５】
重量％で、ＳｉＯ２：６４−７５％、Ａｌ２Ｏ３：０−５％、Ｂ２Ｏ３：０−５％、アルカリ土類金属酸化物（ＭｇＯを除く。）：９−１６％、アルカリ金属酸化物：１５−１８％、ＭｇＯ：２％未満、全鉄（Ｆｅ２Ｏ３として計算）：０．０５％以上を含有する組成を有する１枚のガラスから構成されるグレージングを強化する方法であって、前記ガラスが、９３×１０−７／℃より大きい熱膨張係数と、０．７２ＭＰａｍ１／２より小さい破壊靱性を有し、前記方法が、３ｍｍガラスに対して１２．５ｋＰａ以下、４ｍｍガラスに対して１０ｋＰａ以下、または５ｍｍガラスに対して６ｋＰａ以下のクエンチ圧で操作することを特徴とするグレージングを強化する方法。
【請求項１６】
３ｍｍガラスに対して１０ｋＰａ以下、４ｍｍガラスに対して７．５ｋＰａ以下、または５ｍｍガラスに対して５ｋＰａ以下のクエンチ圧で操作することを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
３ｍｍガラスに対して７．５ｋＰａ以下または４ｍｍガラスに対して６ｋＰａ以下のクエンチ圧で操作することを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
厚さが３ｍｍ未満の厚さをもつソーダライムシリカガラスの熱強化グレージングであって、前記ガラスが少なくとも１４．５重量％のＮａ２Ｏ、少なくとも１０．５重量％のＣａＯ、少なくとも０．５重量％の全鉄（Ｆｅ２Ｏ３として計算）を含有し、実質的にマグネシウムを含有しない組成を有するグリーンガラスであり、該ガラスが少なくとも３０％の第１鉄値（％第１鉄）を有する、ソーダライムシリカガラスの熱強化グレージング。
【請求項１９】
１．５ｍｍ〜２．５ｍｍの範囲の厚さをもち、請求項１８に記載の組成を有するグリーンガラスからなる、少なくとも１枚の半強化ガラスペインで構成される自動車用合わせグレージング。
【請求項２０】
請求項１８に記載の組成を有するガラスで構成される自動車用グレージングの強化方法であって、他は類似の条件で、要求される基準への、下記に示す標準組成の相当するグレージングを強化するために必要なクエンチ圧より１０％少ないクエンチ圧で操作することを特徴とする自動車用グレージングの強化方法。
記
標準組成
ＳｉＯ２：７２．１％
ＣａＯ  ：８．１５％
Ｆｅ２Ｏ３：１．０７％
Ａｌ２Ｏ３：０．５２％
ＭｇＯ  ：３．９６％
Ｎａ２Ｏ：１３．７％
Ｋ２Ｏ  ：０．２８％
ＴｉＯ２：０．０４％
ＳＯ３  ：０．１４％
第１鉄状態におけるＦｅ％：２５％
【請求項２１】
他は類似の条件で、要求される基準への、前記標準組成の相当するグレージングを強化するために必要なクエンチ圧より２５％少ないクエンチ圧で操作することを特徴とする請求項２０に記載の自動車用グレージングの強化方法。
【請求項２２】
重量％で、ＳｉＯ２：６７−７３％、Ａｌ２Ｏ３：０−３％、Ｂ２Ｏ３：０−３％、アルカリ土類金属酸化物（ＭｇＯを除く。）：１０−１４％、アルカリ金属酸化物：１５−１７％、ＭｇＯ：２％未満、全鉄（Ｆｅ２Ｏ３として計算）：０．０５％以上の組成を有するシート状のソーダライムシリカガラス。
【請求項２３】  全鉄（酸化第２鉄として計算）に対する第１鉄（酸化第２鉄として計算）比が３０％未満である請求項２２に記載のソーダライムシリカガラス。
【請求項２４】
２．８ｍｍ未満の厚さを有する、請求項２２または２３に記載のソーダライムシリカガラス。
【請求項２５】
請求項２２〜２４のいずれかに記載のソーダライムシリカガラスの熱強化ペイン。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年4月18日(2011.4.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項６】
請求項４に記載の強誘電性液晶混合物を含有する、強誘電性スイッチングおよび／または表示デバイス。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項７】
アクティブマトリックス素子を備えており、また液晶層が単安定性モノドメインを形成している、請求項６に記載の強誘電性スイッチングおよび／または表示デバイス。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
ネマティックおよびコレステリック液晶に加えて、最近、光学活性の傾斜配向されたスメクティック（強誘電性）液晶が市販表示デバイスに使用されている。
クラーク(Clark)およびラガーウォル(Lagerwall)は、非常に薄いセルで強誘電性液晶（ＦＬＣ）を使用すると、慣用のＴＮ（「ねじれネマティック」）セルに比較して、１０００倍まで迅速な応答時間を有する光電気スイッチング素子(switching element)または表示素子が得られることを証明することができた（例えば、EP-A 0032362参照）。このおよびその他の好ましい性質、例えば双安定スイッチングの可能性およびコントラストが視野角からほとんど独立しているという事実によって、ＦＬＣは基本的に、コンピューターディスプレイなどの用途分野に格別に適している。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９４】
本発明はさらにまた、式（Ｉ）で表わされる化合物を液晶混合物、好ましくはスメクティックおよびネマティック液晶混合物、特に好ましくはカイラルスメクティック（強誘電性）液晶混合物に使用することに関する。反転モードで動作するか、またはアクティブマトリックス素子を備えたディスプレイで動作する、強誘電性液晶混合物における使用は、特に好適である。
カイラルスメクティック液晶層が、単安定性モノドメインを形成するアクティブマトリックスＬＣＤ用の混合物における使用は、非常に特に好ましい。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９６】
本発明による式（Ｉ）で表わされる化合物を含有する液晶混合物の追加の成分は、好ましくはスメクティックおよび／またはネマティックおよび／またはコレステリック相を有する公知化合物から選択される。この場合に適当な追加の混合物成分は、特に国際特許出願 PCT/EP96/03154およびDE-A 19748432に挙げられており、これらの刊行物の記載を、引用してここに組み入れる。
本発明による混合物はまた、電気光学素子または完全光学素子、例えば表示素子、スイッチング素子、光モジュレーター、画像処理および／または信号処理用素もしくは一般に非線型光学部品の領域で使用することができる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９７】
従って、本発明はまた、１種または２種以上の式（Ｉ）で表わされる化合物を含有するスイッチングデバイスおよび／または表示デバイス、好ましくはスメクティック液晶混合物を含有するスイッチングデバイスおよび／または表示デバイスを提供する。
アクティブマトリックス素子を備えたスイッチングデバイスおよび／または表示デバイスは、特に好ましいものとして挙げられる( 例えば、DE-A 198 22 830 参
照）。
本明細書では、本発明の技術的背景を説明するために、種々の刊行物が引用されている。これら全部の刊行物を、引用してここに組み入れる。
下記例は、本発明を説明するものであり、本発明を制限するものではない。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年5月18日(2011.5.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
式Ｉ
【化１】
2003508534.tif 000001
式中
Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ互いに独立であって、Ｈ、Ａ、ＯＨ、ＯＡ、Ｈａｌであり、
Ｒ１とＲ２は一緒になって３〜５個の炭素原子を有するアルキレン、−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−、−Ｏ−ＣＨ２−Ｏ−または−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−であり、
Ｒ３、Ｒ４はそれぞれ互いに独立であって、ＨまたはＡであり、
Ｘは、Ｒ８でモノ置換した、Ｒ５、Ｒ６またはＲ７であり、
Ｒ５は１〜１０個の炭素原子を有する直鎖または枝分かれしたアルキレンであり、その中で１個または２個のＣＨ２基は−ＣＨ＝ＣＨ−基、Ｏ、Ｓ、ＳＯで置換することが出来て、
Ｒ６は５〜１２個の炭素原子を有するシクロアルキルまたはシクロアルキルアルキレンであり、
Ｒ７はフェニルまたはフェニルメチルであり、
Ｒ８はＣＯＯＨ、ＣＯＯＡ、ＣＯＮＨ２、ＣＯＮＨＡ、ＣＯＮ（Ａ）２、またはＣＮであり、
Ａは１〜６個の炭素原子を有するアルキルであり、
Ｈａｌはフッ素、塩素、臭素またはヨウ素である、
で表される化合物およびその生理学的に許容しうる塩および溶媒和物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
本発明は式Ｉの化合物およびその生理学的に許容しうる塩およびその溶媒和物に関し、
【化４】
2003508534.tif 000002
式中
Ｒ１、Ｒ２  はそれぞれ互いに独立であって、Ｈ、Ａ、ＯＨ、ＯＡまたはＨａｌであり、
Ｒ１とＲ２は一緒になって３〜５個の炭素原子を有するアルキレン、−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−、−Ｏ−ＣＨ２−Ｏ−または−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−であり、
Ｒ３、Ｒ４  はそれぞれ互いに独立であって、ＨまたはＡであり、
Ｘは、Ｒ８でモノ置換した、Ｒ５、Ｒ６またはＲ７であり、
Ｒ５は１〜１０個の炭素原子を有する直鎖または枝分かれしたアルキレンであり、その中で１個または２個のＣＨ２基は−ＣＨ＝ＣＨ−基、Ｏ、ＳまたはＳＯで置換することが出来て、
Ｒ６は５〜１２個の炭素原子を有するシクロアルキルまたはシクロアルキルアルキレンであり、
Ｒ７はフェニルまたはフェニルメチルであり、
Ｒ８はＣＯＯＨ、ＣＯＯＡ、ＣＯＮＨ２、ＣＯＮＨＡ、ＣＯＮ（Ａ）２ またはＣＮであり、
Ａは１〜６個の炭素原子を有するアルキルであり、
Ｈａｌはフッ素、塩素、臭素またはヨウ素である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年3月11日(2011.3.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
好適には、非イオン性界面活性剤は、合計1〜80重量％、好適には、5〜50重量％、より好適には、7〜35重量％、最も好適には、10〜25重量％の量で使用する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年7月15日(2011.7.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  集中ガスレーザボンバードが施される、窒化ホウ素から出発して、管理雰囲気下でナノ構造体を製造する方法であって、窒化ホウ素の圧縮試料を使用し、約５×１０３Ｐａと８×１０４Ｐａの間の残留窒素圧において操作を行うことを特徴とする方法。
【請求項２】  レーザビームの出力が、約５０から８０Ｗであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  該試料をあらかじめアニール処理することを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】  窒化ホウ素の試料が不純物を含む場合は、気密密閉され、排気されたチャンバ内にまず試料を配置し、非集中的レーザビームボンバードによって、該窒化ホウ素の試料に対する予備的な脱ガス処理を行うことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】  該窒化ホウ素の試料を、該窒化ホウ素の試料と同じ化学的性質を有する支持体上に配置することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】  支持体の移動により、レーザビームに相対的な該試料の走査移動を確保することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】  レーザの移動により、レーザビームに相対的な該試料の走査移動を確保することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】  該試料に連続ＣＯ２レーザビームの作用を受けさせることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】  試料の局部的融合が、試料の温度勾配が安定化するために十分であることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】  請求項１から９のいずれか一項に記載の方法を実施するための装置であって、密閉して外部環境に対する気密性を高めることが可能なチャンバ（１）を備え、さらに前記チャンバ（１）は、真空源（３）に接続された第１の開口部（２）が一方に設けられ、管理雰囲気源（５）に接続された第２の開口部（４）が他方に設けられ、前記チャンバ（１）は、前記チャンバ（１）内に配置された試料（７）にレーザビーム（８）を集中させる、特にレンズ型の光学デバイス（６）がさらに装備されていることを特徴とする装置。
【請求項１１】  窒素の集中レーザボンバードが施される、窒化ホウ素から出発して、管理雰囲気下でナノ構造体を製造する方法であって、窒化ホウ素の圧縮試料を使用し、約５×１０３Ｐａと８×１０４Ｐａの間の残留窒素圧において操作を行う方法によって得られるナノ構造体であって、ナノフィラメント、ナノチューブまたはナノチューブのバンドル、またはツイストの形、またはナノリボンの形をとるナノ構造体。
【請求項１２】  触媒として作用しうる不純物またはドーピング成分をさまざまな濃度で含有することを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の方法の適用によって得られるナノ構造体。
【請求項１３】  絶縁体としての、または材料を補強するための請求項１１に記載のナノ構造体の応用。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
ガスレーザボンバードが施される六方晶系結晶形状を有する化合物から出発して、制御雰囲気下でナノ構造体を製造する本発明による方法は、化合物の圧縮試料を使用し、約５×１０３Ｐａと８×１０４Ｐａの間の残留ガス圧のもとで操作を行うことを特徴とする。真空は動的であっても、そうでなくてもよい。ただし本発明では、前記化合物として窒化ホウ素を用い、前記ガスとして窒素を用いる。それ以外の場合について言及することもあるが、それは参考用である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
なお、既知の方法で前記チャンバの気密性を高め、動的または非動的に、チャンバを排気し、次いで管理雰囲気で満たす。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
次いで、チャンバを真空源に接続して、１０−５ｍｂａｒ程度（約１×１０−３Ｐａ）、あるいは必要な場合はそれ以下の圧力にする。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
チャンバ内の残留気体の圧力は０．５×１０４Ｐａと８×１０４Ｐａの間の圧力で、あるいは処理される材料によってはそれより高くなる。したがって、窒化ホウ素については、窒素圧を１×１０４Ｐａにすると良好な結果が得られ、圧力が上昇すると、構造が多様化し、クラスタや、さらには木構造になる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
このようにして、径が１ナノメートルから数１０ナノメートル程度で、長さがマイクロメートル範囲（数１０マイクロメートル以内）の撚り状フィラメントから構成された窒化ホウ素のナノ構造体（図２、３、４および５を参照）を得ることが可能になる。図６はクラスタ状のナノリボンを示し、図７は木構造の構造体を示す。品質的に、これらの窒化ホウ素ナノ構造体は純粋なものであってもよいし、特に炭素のような不純物またはドーピング成分をさまざまな濃度で有していてもよく、前記不純物または前記ドーピング成分は触媒として作用してもしなくてもよく、前記不純物または前記ドーピング成分は試料内、または管理雰囲気内に存在する。前記ドーピング成分は材料の導電性を変えることができる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
次に、本発明の方法を実施するための装置を説明する。特に、その装置（図１を参照）は、密閉して外部環境に対する気密性を高めることが可能なチャンバ１を備え、さらに前記チャンバ１は、排気源３に接続された第１の開口部２が一方に設けられ、管理雰囲気源５に接続された第２の開口部４が他方に設けられ、前記チャンバ１は、前記チャンバ１内に配置された試料７にレーザビーム８を集中させる、特にレンズ型の光学デバイス６がさらに設けられている。このレーザは、ＣＯ２タイプの連続式レーザであるのが好ましい。