【事件の表示】
　特願２００５−３２６４０３「発光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　４月２７日出願公開、特開２００６−１１３５９７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年８月４日（国内優先権主張　平成１４年９月２５日）に出願した特願２００３−２８６２９２号の一部を平成１７年１１月１０日に新たな特許出願とした特願２００５−３２６４０３号であって、平成２０年７月３１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し同年９月３日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　その後、当審において平成２２年４月５日付けで拒絶理由の通知をし、これに対して平成２２年６月７日付けで意見書が提出され、同日付けで手続補正がなされた。
　
第２　本願発明  
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２２年６月７日付け手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項に特定される次のとおりのものである。
　
「基板と、
　前記基板上の行方向に配列される走査線と、列方向に配列されるデータ線と、
　前記走査線と前記データ線との交差部に対応して配置されたスイッチング素子と、
　前記走査線及び前記データ線の上方側に配置された第１電極と、
　前記第１電極の上に配置された第２電極と、
　前記第１電極と前記第２電極との間に配置された発光層と、
　前記スイッチング素子の下方側に配置された補助配線と、を備え、
　前記第２電極と前記補助配線とは、前記第２電極と前記補助配線との間に配置されている絶縁膜に形成された第１コンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。」
　
第３　引用例
１　引用例１
　当審が通知した拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００１−２３００８６号公報（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。（下記「２　引用例１に記載された発明」において直接引用した記載に下線を付した。また、丸囲みの数字を、〔　〕囲みで記載した。） 
 　 
 「【０００１】 
 【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴと称する場合がある。）を備えたアクティブ駆動型有機ＥＬ発光装置（以下、単に有機ＥＬ装置と称する場合がある。）に関する。さらに詳しくは、民生用、工業用の表示機器、カラーディスプレイ等に好適に用いられる有機ＥＬ装置に関する。なお、本明細書の特許請求の範囲や、詳細な説明において、“ＥＬ”と記載しているのは、“エレクトロルミネッセンス“のことである。」 
 　 
 「【０００５】この点、図１０、図１１および図１８を参照してより詳細に説明する。図１０は、図１８に示すアクティブ駆動型有機ＥＬ発光装置１００をスイッチ駆動させるための回路図を示しているが、基板上にゲートライン（走査電極線）５０（図１８では１０８）と、ソースライン（信号電極線）５１とがそれぞれ形成してあり、ＸＹマトリックス状をなしていることを表している。また、ソースライン（信号電極線）５１と平行に、共通電極線５２が設けてある。そして、これらのゲートライン５０およびソースライン５１には、一画素あたり、第１のＴＦＴ５５および第２のＴＦＴ５６とが設けてある。また、第２のＴＦＴ５６のゲート側と共通電極線５２との間には、当該ゲート電圧を一定にホールドするためのコンデンサー５７が連結してある。したがって、図１０に示す回路図に示される第２のＴＦＴ５６のゲートにコンデンサー５７により維持された電圧を印加し、スイッチングすることにより、結果として、有機ＥＬ素子２６を効果的に駆動することができる。なお、図１１に示す平面図は、図１０に示す回路図に準拠したスイッチ部等の平面方向の透視図である。よって、図１８に示すアクティブ駆動型有機ＥＬ発光装置１００においては、下部電極（ＩＴＯ、インジウムチンオキサイド）１０２側、すなわち基板１０４側からＥＬ発光を取り出す場合には、ＴＦＴ１０６、ゲートライン１０８、ソースライン（図示せず。）等がＥＬ発光を遮るため、画素における開口率が小さくなるという問題があった。なお、図１９に示すような、ＴＦＴ２００と、有機ＥＬ素子２０２とを、同一平面上に配置したアクティブ駆動型有機ＥＬ発光装置２０４にあっては、ＴＦＴ２００等がＥＬ発光を遮ることはないが、図１８に示すアクティブ駆動型有機ＥＬ発光装置１００と比較して、さらに画素における開口率が低下することになる。」 
 　 
 「【００２９】 
 【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について具体的に説明する。なお、参照する図面は、この発明が理解できる程度に各構成成分の大きさ、形状および配置関係を概略的に示してあるに過ぎない。したがって、この発明は図示例にのみ限定されるものではない。また、図面では、断面を表すハッチングを省略する場合がある。 
 【００３０】［第１の実施形態］第１の実施形態のアクティブ駆動型有機ＥＬ発光装置は、図１に示すように、
基板１０上に、電気絶縁膜１２に埋設されたＴＦＴ１４と、このＴＦＴ１４の上方に設けられた層間絶縁膜（平坦化膜）１３と、上部電極２０および下部電極２２の間に有機発光媒体２４を含んで構成した有機ＥＬ素子２６と、ＴＦＴ１４および有機ＥＬ素子２６を電気接続するための電気接続部２８と、を備えたアクティブ駆動型有機ＥＬ発光装置６１である。
有機ＥＬ素子２６の発光（ＥＬ発光）を、上部電極２０の側から取り出すとともに、上部電極２０を低抵抗化するために、当該上部電極２０を透明導電材料からなる主電極１６と、低抵抗材料からなる補助電極１８とから構成してある
 　 
 「【００３９】 
 （２）上部電極 
 〔１〕構成１ 
 第１の実施形態において、図１に示すように、
上部電極２０を、透明導電材料からなる主電極１６と、低抵抗材料からなる補助電極１８とから構成してあることを特徴としている。このように主電極１６のみならず、低抵抗材料からなる補助電極１８を設けることにより、上部電極２０の面抵抗を著しく低減することができる。
 【００４０】〔２〕構成２ 
 また、図１３〜図１５に示すように、上部電極２０における補助電極１８の構成として、当該補助電極１８を、上部補助電極１７と、下部補助電極１９とから構成してあることが好ましい。このように構成することにより、上部補助電極１７が電気絶縁されていたとしても、下部補助電極１９において、主電極１６と電気接続することができ、逆に下部補助電極１９が電気絶縁されていたとしても、上部補助電極１７において、主電極１６と電気接続することができる。また、このように構成することにより、異なる構成材料を用いてそれぞれ形成することができるため、補助電極１８と主電極１６との電気接続がより確実になる。例えば、透明酸化物導電材料からなる主電極１６と、金属材料からなる補助電極１８とを直接電気接続するよりも、金属に対しても、透明酸化物導電材料に対しても比較的電気接続性が良好な半導体材料、例えば、非結晶性無機酸化物であるインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）からなる下部補助電極１９を介して、金属材料からなる上部補助電極１７と電気接続したほうが、主電極１６との電気接続がより確実になるためである。さらに、このように構成することにより、エッチング特性が異なる構成材料を用いてそれぞれ形成することができるため、後述するように補助電極１８の断面形状を容易にオーバーハング状とすることができる。 
 【００４１】〔３〕構成３ 
 また、図１３〜図１６に示すように、上部電極２０における補助電極１８の構成として、当該補助電極１８の断面形状をオーバーハング状とすることが好ましい。この理由は、補助電極１８上に絶縁膜が積層されていたとしても、オーバーハングした下部において、主電極１６に対して電気接続することができるためである。すなわち、補助電極１８を形成した後に、絶縁膜や有機発光媒体を蒸着法等により形成し、さらに主電極１６を形成すると、補助電極１８上に絶縁膜が被覆してしまい、補助電極１８と主電極１６とを電気接続するのが困難となる場合がある。それに対して、補助電極１８の断面形状がオーバーハング状であれば、絶縁膜を蒸着等した場合であっても、補助電極１８の側面には絶縁膜が付着しにくいので、この露出した補助電極１８の側面を利用して、主電極１６に対して確実に電気接続することが可能となる。例えば、図１４において、上部補助電極１７が、有機発光媒体２４等により電気絶縁されているものの、下部補助電極１９において、主電極１６と電気接続してあるのは、補助電極１８のこの構成に由来した接続容易性を示している。 
 【００４２】なお、補助電極１８の断面形状をオーバーハング状とするには、上述したように、補助電極１８を下部補助電極１９と上部補助電極１７とから構成し、下部補助電極１９および上部補助電極１７に、それぞれエッチング速度が異なる構成材料から形成することにより、容易に形成することができる。具体的に、下部補助電極１７をＡｌやＡｌ合金等の金属材料から形成し、上部補助電極１７をシリカ、アルミナ、窒化Ｓｉ、窒化Ｃｒ、窒化Ｔａ、窒化Ｗ等の非金属材料から形成することが好ましい。したがって、例えば、下部補助電極１９をＡｌ、上部補助電極１７をＣｒからそれぞれ形成し、次いでフォトリソグラフィー法によりＣｒを硝酸セリウムアンモニウム溶液でエッチングした後、さらにＡｌを燐酸、硝酸、酢酸の混合溶液でエッチングすることにより、下部補助電極１９のＡｌのみがオーバーエッチングされるため、オーバーハングを容易に得ることができる。このようなオーバーハングの例を図１３〜図１６に示す。各種形状が可能であり、下部補助電極１９と上部補助電極１７とからなる２層構成のオーバーハング状の補助電極１８のほか、図１６（ｅ）に示すように３層構成のオーバーハング状の補助電極１８も可能である。なお、図１３〜図１６中の矢印は、オーバーハングの突出方向を示している。 
 【００４３】〔４〕構成４ 
 また、図４に示すように、上部電極２０における補助電極１８の構成として、当該補助電極１８を平面視した場合に、平面内において周期的に配置してあることが好ましい。これにより大幅かつ均一に上部電極の低抵抗化が実現できるし、また、補助電極１８を周期的に配置することにより、形成することも容易となる。 
 【００４４】〔５〕構成５ 
 また、図１および図２に示すように、上部電極２０における補助電極１８の構成として、当該補助電極１８を、平面視した場合に、隣接する下部電極２２の間に配置してあることが好ましい。例えば、図２において、点線で示す隣接する画素３１と画素３１との間に補助電極１８が設けてあるのは、このことを示している。すなわち、このように補助電極１８を配置すると、画素３１における開口率を狭めることがなく、より高い発光輝度を得ることができる。なお、補助電極１８の他の配置例として、図５に示すカラーフィルタまたは蛍光膜６０とともに、下部電極２２間に相当する垂直方向位置に、ブラックマトリックス（遮光部）が設けてある場合には、当該ブラックマトリックスの遮光部と、補助電極とが垂直方向において重なるように、補助電極１８を配置することが好ましい。このように構成すると、ブラックマトリックスを配置した場合であっても、画素における開口率を狭めることがなく、また、補助電極における反射光を有効に防止することができる。 
 【００４５】〔６〕構成６ 
 また、図１および図２に示すように、上部電極２０における補助電極１８の構成として、ＴＦＴ１４を電気絶縁するための電気絶縁膜１２および層間絶縁膜（平坦化膜）１３、あるいはいずれか一方の絶縁膜１２、１３上に、補助電極１８を設けることが好ましい。このように構成すると、補助電極とＴＦＴに関係する配線との間で形成される電気容量を低減できるため、有機ＥＬ素子のスイッチング動作を早めることができる。また、図３に示すように、補助電極１８の別な配置構成として、隣接する下部電極２２の間に、層間絶縁膜１３とは異なる電気絶縁膜２５を配置し、その絶縁膜２５上に補助電極１８を設けることが好ましい。このように構成すると、下部電極２２の段差で生じる上部電極２０との短絡やリークが減少し、画素欠陥を減らすことができる。さらに、図６に示すように、補助電極１８の配置構成として、補助電極１８が、主電極１６上に形成してあるとともに、補助電極１８の面積を主電極１６の面積よりも小さくしてあることが好ましい。このように構成すると、画素における開口率を狭めることがなく、補助電極の形成や、補助電極の面抵抗の調整がより容易となる。なお、言うまでもなく、上述した層間絶縁膜等に対する配置に関する構成６は、補助電極１８が、隣接する下部電極２２の間に配置してあることから、構成５の配置構成も満足するものである。」 
 　 
 「【００６１】（２）駆動方法 
 次ぎに、ＴＦＴ１４による有機ＥＬ素子の駆動方法につき説明する。
ＴＦＴ１４は、図１０に示すように、第１のトランジスター（Ｔｒ１）５５および第２のトランジスター（Ｔｒ２）５６を含んでいるととともに、コンデンサ−５７とともに、電気スイッチの一部を構成している。
走査電極線（ゲート線と称する場合がある。）（Ｙj〜Ｙj+n）５０を介して伝達される走査パルスと、信号電極線（Ｘi〜Ｘi+n）５１を介して伝達される信号パルスによって、所望の第１のトランジスター（Ｔｒ１）５５が選択され、共通電極線（Ｃi〜Ｃi+n）５２と第１のトランジスター（Ｔｒ１）５５のソース４５との間に形成してあるコンデンサー５７に所定の電荷が充電されることになる。これにより、第２のトランジスター（Ｔｒ２）５６のゲート電圧が一定値となり、第２のトランジスター（Ｔｒ２）５６はＯＮ状態となる。このＯＮ状態において、次にゲートパルスが伝達されるまでゲート電圧が所定値にホールドされるため、第２のトランジスター（Ｔｒ２）５６のドレイン４７に接続されている下部電極２２に対して電流を供給しつづけることになる。
 　 
「【図１】（第１の実施形態におけるアクティブ駆動型有機ＥＬ発光装置の断面図）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
「【図１０】（アクティブ駆動型有機ＥＬ発光装置の一例における回路図）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
  　 
２　引用例１に記載された発明 
　上記の【図１】から、ＴＦＴ１４の上方に下部電極２２が配置され、下部電極２２の上に上部電極２０が配置されていることが見て取れる。 
　また、【０００５】段落の「基板上にゲートライン（走査電極線）５０（図１８では１０８）と、ソースライン（信号電極線）５１とがそれぞれ形成してあり、ＸＹマトリックス状をなしていることを表している。」の記載を参酌すれば、【図１０】の記載から、走査電極線５０は行方向に配列され、信号電極線５１は列方向に配列され、走査電極線５０と信号電極線５１との交差部に対応して第１のトランジスター５５が配置されていることは自明である。 
 　上記引用例１の記載事項（図面の記載も含む）から、引用例１には、発光装置に関して、 
 「基板１０上に、電気絶縁膜１２に埋設されたＴＦＴ１４と、このＴＦＴ１４の上方に設けられた層間絶縁膜（平坦化膜）１３と、ＴＦＴ１４の上方に配置された下部電極２２および下部電極２２の上に配置された上部電極２０の間に有機発光媒体２４を含んで構成した有機ＥＬ素子２６と、ＴＦＴ１４および有機ＥＬ素子２６を電気接続するための電気接続部２８と、を備え、 
 　有機ＥＬ素子２６の発光（ＥＬ発光）を、上部電極２０の側から取り出すとともに、上部電極２０を低抵抗化するために、当該上部電極２０を透明導電材料からなる主電極１６と、低抵抗材料からなる補助電極１８とから構成してあるアクティブ駆動型有機ＥＬ発光装置６１であり、 
 　ＴＦＴ１４は、第１のトランジスター（Ｔｒ１）５５および第２のトランジスター（Ｔｒ２）５６を含み、
 　走査電極線（Ｙj〜Ｙj+n）５０を介して伝達される走査パルスと、信号電極線（Ｘi〜Ｘi+n）５１を介して伝達される信号パルスによって、所望の第１のトランジスター（Ｔｒ１）５５が選択され、共通電極線（Ｃi〜Ｃi+n）５２と第１のトランジスター（Ｔｒ１）５５のソース４５との間に形成してあるコンデンサー５７に所定の電荷が充電されることになり、これにより、第２のトランジスター（Ｔｒ２）５６のゲート電圧が一定値となり、第２のトランジスター（Ｔｒ２）５６はＯＮ状態となり、このＯＮ状態において、次にゲートパルスが伝達されるまでゲート電圧が所定値にホールドされるため、第２のトランジスター（Ｔｒ２）５６のドレイン４７に接続されている下部電極２２に対して電流を供給しつづけることになり、 
 　走査電極線５０は行方向に配列され、信号電極線５１は列方向に配列され、走査電極線５０と信号電極線５１との交差部に対応して第１のトランジスター５５が配置されており、 
 　上部電極２０を、透明導電材料からなる主電極１６と、低抵抗材料からなる補助電極１８とから構成してあり、このように主電極１６のみならず、低抵抗材料からなる補助電極１８を設けることにより、上部電極２０の面抵抗を著しく低減することができる発光装置。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 
 　 
 ３　引用例２
　当審が通知した拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−１７３７６６号公報（以下、「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。（下線は、当審において付した。） 
 　 
 「【００１２】ところで、上述の従来の表示装置の構造では、有機ＥＬ層５からの光放出の方向がＴＦＴを設けた絶縁性基板１側であるため、放出される光がＴＦＴによって遮断されてしまい表示画素１の開口率を大きくするには制限があった。 
 【００１３】また従来の構造であると、発光光を遮断しない程度にＴＦＴを極力小さくしなければならないという制約があるため、ＴＦＴのサイズ及びＴＦＴの能力にも制限があった。 
 【００１４】そこで本発明は、より確実に有機ＥＬ層５に水分の付着が防止できる封止構造を有し、かつ全体の厚さを薄くすることができる有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とし、また、表示画素の開口率を向上させ、
ＥＬ素子を駆動するＴＦＴのサイズや駆動能力の決定に自由度の増大が図れる
 　 
 「【００３３】また、本実施形態や、以下に述べるだい４、６の実施形態において、第１の基板１のみに溝を形成したが、対向する基板（本実施形態の場合、キャップ１０）にも溝を形成し、ここにも乾燥剤を配置すると更に効果的である。 
 ＜第３の実施形態＞図３は第３の実施の形態であり、色要素としてカラーフィルタ２１を備え、第１の基板１’と第２の基板２２とを有する有機ＥＬ表示装置の断面図である。第１の実施形態と同様の構造については同じ番号を付し、詳しい説明を省略する。本実施形態は、第１の実施形態と異なり、有機ＥＬ層５から発した光は、透明な対向電極２５を透過して図面上方に発光する。有機ＥＬ層５は全面から白色光を発し、カラーフィルタ２１によってそれぞれの色の光となってカラー表示を行う。 
 【００３４】画素電極２３は、平坦化絶縁膜３及びこの平坦化絶縁膜３に設けたコンタクトホールを含む面に形成した不透明導電材料、例えばモリブデン（Ｍｏ）よりなる下層２３ａと、その上に形成されたＩＴＯよりなる上層２３ｂとの積層構造である。Ｍｏの上層２３ａとＩＴＯの下層２３ｂとは同形状でよい。下層２３ａは、有機ＥＬ層５で発生した光を反射し、効率よく光を放出するために設けられる。不透明導電材料は、Ｍｏに限定されることなく、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）等の金属でもよい。また、その上にＩＴＯの上層２３ｂを設けたのは、仕事関数が高く、有機ＥＬ層５の発光を効率よく行うためである。 
 【００３５】また、対向電極と有機ＥＬ層５との間には、リチウム、ナトリウム等のアルカリ金属、カリウム、カルシウム、マグネシウム等のアルカリ土類金属、又はこれら金属のフッ素化合物等の仕事関数の高い材料からなるバッファ層２４が形成されている。 
 【００３６】第２の基板２２は、ガラスや合成樹脂よりなる透明基板である。本実施形態は上方から光を発するので、第１の基板１’は透明でも不透明でも良い。 
 【００３７】
有機ＥＬ層５から発光される光は透明な対向電極２５から外部（図中、矢印で示す紙面上方向）へ出射される。即ち、ＴＦＴの存在しない絶縁性基板２２側に発光する。
 【００３８】以下に、透明で絶縁性の第２の基板２２に形成した色要素であるカラーフィルタ２１について説明する。上述の有機ＥＬ表示装置の表示パネルに色要素としてカラーフィルタ２１を設ける。図３に示すように、対向電極２５側に、透明フィルム又はガラス基板等の第２の基板２２上に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）を備えたカラーフィルタ２１を設ける。 
 【００３９】このカラーフィルタ２１は第２の基板２２の有機ＥＬ層５の対向電極２５側に設けられている。そして第２の基板２２と第１の基板１’とは、それらの周辺を接着機能を有するシール２６にて接着して固定されている。なお、カラーフィルタ２１は有機ＥＬ層５とＴＦＴからなる各表示画素１に対応して各色が設けられている。各色間には光を遮断するブラックマトリックス（ＢＭ）２７が備えられていても良い。有機ＥＬ層５からの発光光は、カラーフィルタ２１を通ってそれぞれの色を図の矢印の方向に出射する。 
 【００４０】ここで、有機ＥＬ層５の発光材料について説明する。有機ＥＬ層５の発光材料は、有機ＥＬ層５上に設けた色要素に応じて選択する。即ち、本実施形態の場合のように、Ｒ，Ｇ，Ｂを備えたカラーフィルタを用いる場合には、有機ＥＬ層５から発光する光として白色光を用いる。白色光を発光させるためには、有機ＥＬ層５の材料としては、ＺｎＢＴＺ錯体を用いたり、あるいは積層体のＴＰＤ（芳香族ジアミン）／ｐ−ＥｔＴＡＺ（１，２，４−トリアゾール誘導体）／Ａｌｑ（ただし、「Ａｌｑ」は赤色発光色素であるニールレッドで部分的にドープすることを意味する。）を用いることにより実現できる。 
 【００４１】ここで、透明絶縁性基板２２と絶縁性基板２とを接着するシール剤について説明する。両基板１’，２２を接着するシール２６は、エポキシ系の樹脂から成りその中に酸化カルシウム、五酸化リン、塩化カルシウム等の乾燥剤を混入させている。乾燥剤をシール剤に混入させることにより両基板１’，２２とシール２６とで形成される空間内の水分を乾燥剤にて吸収することができるため、水分による有機材料から成る各層への悪影響による表示劣化が防止できる。シール２６の組成は基本的には第１の実施形態のシール１１と同様である。本実施形態のように、上方から光を放出する形態の場合、乾燥剤シート１３を配置することはできないので、シール２６の乾燥剤は極めて重要である。 
 【００４２】以上のように、
本発明の有機ＥＬ表示装置によれば、カラーフィルタ２１を設けた第２の基板２２側から光を放出することができるので、ＴＦＴによって光が遮断されることがない
 【００４３】また、表示画素の開口率を向上できるので、明るい表示を得るために電流密度を大きくする必要もなくなり有機ＥＬ層５の寿命を長くすることができる。」 
 　 
「【図３】（本発明の有機ＥＬ表示装置の第３実施形態を示す断面図）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
 
 　 
４　引用例３
　当審が通知した拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１１−２５１０６９号公報（以下、「引用例３」という。）には、次の事項が記載されている。（下線は、当審において付した。） 
 　 
 「【０００６】 
 【発明が解決しようとする課題】ところが、上述の従来の表示装置の構造では、有機ＥＬ素子からの光放出の方向が、ＴＦＴを設けた基板１側であるため、放出される光がＴＦＴによって遮断されてしまい表示画素の開口率が大きくできなかった。また、発光光を遮断しない程度にＴＦＴを極力小さくしなければならないという制約があり、ＴＦＴのサイズを大きくすることも、またそのＴＦＴの能力を大きくすることにも制限があった。 
 【０００７】そこで本発明は、上記の従来の欠点に鑑みて為されたものであり、表示画素の開口率を向上させるとともに、
ＥＬ素子を駆動するＴＦＴのサイズや駆動能力の決定に自由度の増大が図れる表示装置及びその製造方法を提供する
 【０００８】 
 【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は、基板上に、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタによって駆動されるＥＬ素子と、が順に積層されて成っており、前記ＥＬ素子の発光光が前記基板側とは反対の方向から外部に放出されるものである。また、ＥＬ素子の陰極は前記ＴＦＴのソース電極又はドレイン電極と接続されているものである。 
 【０００９】更に、前記ＥＬ素子の陽極は、金属からなっておりその形状は表示画素の一部のみを覆った形状である。更にまた、ＥＬ素子の陽極は、蒸着法を用いて形成した金属膜から成るものである。 
 【００１０】 
 【発明の実施の形態】本発明の表示装置について以下に説明する。図１は、本実施の形態の有機ＥＬ素子及びＴＦＴを備えた表示装置の１つの画素を示す断面図である。同図に示す如く、前述の図５に示した従来の有機ＥＬ素子及びＴＦＴを備えた表示装置と異なる点は、基板１上に設けたＴＦＴと有機ＥＬ素子の積層順番が従来のものと逆である点である。 
 【００１１】表示画素は、ガラスや合成樹脂などから成る絶縁性基板、又は表面にＳｉＯ２膜やＳｉＮ膜などの絶縁膜を形成した導電性基板あるいは半導体基板等の基板１上に、ＴＦＴ及び有機ＥＬ素子を積層形成して成っている。なお、基板１は透明であっても不透明であっても良い。基板１上に形成したＴＦＴの構造は、従来の構造と同じであるので説明は省略するが、ソース電極１０ｓは平坦化絶縁膜のコンタクトホールを介してＴＦＴ上に形成する有機ＥＬ素子の陰極１３と接続されている構造である。ソース電極１０ｓは、ドレイン信号線からＴＦＴに供給されたドレイン信号が有機ＥＬ素子に供給される電極である。 
 【００１２】この有機ＥＬ素子は、マグネシウム・インジウム合金（ＭｇＩｎ）又はアルミニウム・リチウム合金（ＡｌＬｉ）等から成りＴＦＴのソース電極１０Ｓに接続された陰極１３、Ｂｅｂｑ2から成る電子輸送層１４、キナクリドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光層１５、ＴＰＤ（4,4',4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylanine）からなる第１ホール輸送層１６、ＭＴＤＡＴＡ（4,4'-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl）から成る第２ホール輸送層１７、及びＰｔ，Ｒｈ，Ｐｄ等の金属電極から成り櫛歯状又は網目状の陽極１８が、この順番で積層形成されて成る。 
 【００１３】このように、有機ＥＬ素子の場合には、電子輸送層、発光層、第１ホール輸送層及び第２ホール輸送層から成る発光素子層の各層は有機化合物から成り、その発光素子層が陽極及び陰極に挟まれた構造である。ホール輸送層は１層でも良い。陽極１８から注入されたホールと、陰極１３から注入された電子とが発光層１５の内部で再結合し、発光層１５を形成する有機分子を励起して励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層１５から光が放たれ、この光が陽極１８から外部（図中、紙面上方向）へ放出される。」 
 　 
 「【００２４】 
 【発明の効果】本発明の表示装置及びその製造方法によれば、
ＥＬ素子の発光光が前記基板側とは反対の方向から外部に放出させることが実現できるので、
発光光を遮断しない程度にＴＦＴを極力小さくしなければならないという制約もなくなり、ＴＦＴのサイズ決定にも自由度が増す
 　 
「【図１】（本発明の表示装置の一表示画素を示す断面図）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
 　 
 第４　本願発明と引用発明との対比 
 １　本願発明と引用発明とを対比する。 
 　 
 　引用発明の「基板１０」が本願発明の「基板」に相当する。 
 　 
 　引用発明の「走査電極線５０」及び「信号電極線５１」が、それぞれ、本願発明の「走査線」及び「データ線」に相当する。そして、引用発明においては、「ＴＦＴ１４は、第１のトランジスター（Ｔｒ１）５５および第２のトランジスター（Ｔｒ２）５６を含み」、「走査電極線５０は行方向に配列され、信号電極線５１は列方向に配列され、走査電極線５０と信号電極線５１との交差部に対応して第１のトランジスター５５が配置されて」おり、また、「基板１０上」に、「ＴＦＴ１４」が構成されていること、並びに、引用例１の【０００５】の記載から、従来例のものにおいては、ゲートライン（走査電極線）とソースライン（信号電極線）が基板上に形成されていることが認められることから、技術常識を加味して考えると、引用発明の「走査電極線５０」及び「信号電極線５１」は「基板１０」上に配列されているといえる。 
 　よって、引用発明の「走査電極線５０は行方向に配列され、信号電極線５１は列方向に配列され」ていることが、本願発明の「前記基板上の行方向に配列される走査線と、列方向に配列されるデータ線」を備えることに相当する。 
 　 
 　引用発明の「走査電極線５０と信号電極線５１との交差部に対応して」「配置されて」いる「第１のトランジスター５５」が、本願発明の「前記走査線と前記データ線との交差部に対応して配置されたスイッチング素子」に相当する。 
 　 
 　引用発明の「下部電極２２」が本願発明の「第１電極」に相当し、また、引用発明においては「ＴＦＴ１４の上方に」「下部電極２２」が配置されていることから、技術常識を加味して考えると、引用発明においては「下部電極２２」は、「走査電極線５０と信号電極線５１」の上方側に配置されているといえる。 
 　したがって、引用発明の「下部電極２２」は、本願発明の「前記走査線及び前記データ線の上方側に配置された第１電極」に相当する。 
 　 
 　引用発明の「上部電極２０」における「主電極１６」が、本願発明の「第２電極」に相当するから、引用発明の「下部電極２２の上に配置された上部電極２０」における「主電極１６」が本願発明の「前記第１電極の上に配置された第２電極」に相当する。 
 　 
 　引用発明の「下部電極２２および下部電極２２の上に配置された上部電極２０の間」に含んで構成される「有機発光媒体２４」が、本願発明の「前記第１電極と前記第２電極との間に配置された発光層」に相当する。 
 　 
 　引用発明の「低抵抗材料からなる補助電極１８」が、本願発明の「補助配線」に相当する。 
 　 
 　引用発明の「上部電極２０を、透明導電材料からなる主電極１６と、低抵抗材料からなる補助電極１８とから構成してあり、このように主電極１６のみならず、低抵抗材料からなる補助電極１８を設けることにより、上部電極２０の面抵抗を著しく低減することができる」ことと、本願発明の「前記第２電極と前記補助配線とは、前記第２電極と前記補助配線との間に配置されている絶縁膜に形成された第１コンタクトホールを介して電気的に接続されている」こととは、「前記第２電極と前記補助配線とは、電気的に接続されている」ことで一致する。 
 　 
 ２　一致点 
 　したがって、本願発明と引用発明は、 
 「基板と、 
 　前記基板上の行方向に配列される走査線と、列方向に配列されるデータ線と、 
 　前記走査線と前記データ線との交差部に対応して配置されたスイッチング素子と、 
 　前記走査線及び前記データ線の上方側に配置された第１電極と、 
 　前記第１電極の上に配置された第２電極と、 
 　前記第１電極と前記第２電極との間に配置された発光層と、 
 　補助配線と、を備え、 
 　前記第２電極と前記補助配線とは、電気的に接続されている発光装置。」の発明である点で一致し、次の点で相違する。 
 　 
 ３　相違点 
 　本願発明は、補助配線が「スイッチング素子の下方側に配置され」、第２電極と前記補助配線との電気的な接続が、「前記第２電極と前記補助配線との間に配置されている絶縁膜に形成された第１コンタクトホールを介して」接続されているのに対して、引用発明にはそのような限定がない点。 
 　 
 第５　当審の判断 
１　上記相違点について検討する。 
 　引用例２，３には、トップエミッション型の発光装置において、発光素子の駆動素子であるＴＦＴを発光素子から放出される光を遮ることのない画素電極（陰極）の下方に配置したため、ＴＦＴのサイズ等についての自由度を増したことが記載されており（上記の引用例２，３の掲載箇所の下線部、及び、図面の記載参照。）、トップエミッション型の発光装置において、ＴＦＴ等を画素電極の下方に配置して、そのサイズ等の自由度を増すことは周知の技術であるといえる。そして、上記周知技術から、ＴＦＴ等の素子だけでなく配線についても、トップエミッション型の発光装置において画素電極の下方に配置すれば、発光素子から放出される光を遮ることがないため、そのサイズや配線設計の自由度が増すことは容易に類推できることである。
 　よって、有機ＥＬ素子２６の発光（ＥＬ発光）を、上部電極２０の側から取り出すトップエミッション型の引用発明においては、上記周知技術を参酌して、上部電極２０の面抵抗を低減する補助電極１８のサイズ等の自由度を増すことを図って、補助電極１８を下部電極の下方の層に配置することは当業者が容易に想到し得ることである。そして、下部電極の下方の層であれば、どの層であっても、補助電極１８のサイズ等の自由度を増すことができるという効果が変わることがないから、下部電極の下方のどの位置に配置するかは、当業者が適宜設定し得る設計的事項であり、「スイッチング素子の下方側に配置」するとしたことに格別の困難性は認められない。
　また、引用発明のＴＦＴ１４は電気絶縁膜１２に埋設され、このＴＦＴ１４の上方にも層間絶縁膜１３を有しており、そして、異なる層に配置された導電性の部材同士を絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して接続することは，例を挙げるまでもない周知技術であるから、第２電極と前記補助配線との電気的な接続について「前記第２電極と前記補助配線との間に配置されている絶縁膜に形成された第１コンタクトホールを介して」接続されているとすることは当業者が容易に想到し得たことである。 
 　 
２　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。 
  　 
３　したがって、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明することができたものである。  
　
第６　むすび
　以上より、本願の請求項１に係る発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。