【事件の表示】
　特願２００５−５０５７９７「半導体レーザ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１１月　４日国際公開、ＷＯ２００４／０９５６６３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００４年（平成１６年）４月２３日（優先権主張２００３年４月２４日、日本国)を国際出願日とする特許出願であって、平成２１年１月１４日付けで手続補正がなされ、同年６月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月１日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに同日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２１年９月１日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年９月１日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容及び目的
（１）補正の内容
　平成２１年９月１日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲につき、補正前（平成２１年１月１４日付け手続補正後のもの。）の
「【請求項１】
　気密封止されたパッケージ内に活性領域がＡｌＧａＮ系結晶又はＩｎＧａＮ系結晶からなる半導体レーザ素子を備える半導体レーザ装置において、
　前記パッケージ内の雰囲気ガスを１０％以上の酸素を含む気体としたことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
　前記半導体レーザ素子は、レーザ出射面に誘電体酸化膜を具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
　前記雰囲気ガスを酸素と窒素の混合ガスとし、酸素の割合を２０％以上としたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
　前記半導体レーザ素子の定格出力が３０ｍＷ以上であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
　前記半導体レーザ素子の周囲温度が７０℃、出力が５０ｍＷの連続発振条件下において、２０００時間以上のＭＴＴＦが得られることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体レーザ装置。」
を
「【請求項１】
　気密封止されたパッケージ内に活性領域がＡｌＧａＮ系結晶又はＩｎＧａＮ系結晶からなる半導体レーザ素子を備える半導体レーザ装置において、
　前記半導体レーザ素子は定格出力が３０ｍＷ以上であるとともに、レーザ出射面に誘電体酸化膜を具備し、
　前記誘電体酸化膜の劣化を防止するために前記パッケージ内の雰囲気ガスを１０％以上の酸素を含む気体としたことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
　前記雰囲気ガスを酸素と窒素の混合ガスとし、酸素の割合を２０％以上としたことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
　前記半導体レーザ素子の周囲温度が７０℃、出力が５０ｍＷの連続発振条件下において、２０００時間以上のＭＴＴＦが得られることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体レーザ装置。」
に補正する内容を含むものである。
　
（２）補正の目的
　本件補正は、補正前の請求項４（請求項２を引用するもの)に、「前記誘電体酸化膜の劣化を防止するために」との限定を付加するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
２　独立特許要件
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（１）引用刊行物記載の発明 
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平７−１９３３４１号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。 
　 
　ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  発光半導体ダイオード（３）を有し、その発生放射（Ｒ）に対する出射面に被膜（４）が設けられているオプトエレクトロニク半導体装置（１０）において、
前記の発光半導体ダイオード（３）が、外界（４０）から気密封止されたエンベロープ（２０）内に配置され、酸化性ガス（３０）がエンベロープ（２０）内に存在していることを特徴とするオプトエレクトロニク半導体装置。
【請求項２】  請求項１に記載のオプトエレクトロニク半導体装置において、前記の酸化性ガス（３０）が酸素を含んでいることを特徴とするオプトエレクトロニク半導体装置。
【請求項３】  請求項２に記載のオプトエレクトロニク半導体装置において、窒素とするのが好ましい乾燥した純水な（審決注：「純粋な」の誤記と認められる。）不活性ガスがエンベロープ（２０）内に存在し、これに酸素ガス（３０）が加えられ、エンベロープ（２０）内の雰囲気の酸素含有量が少なくとも約０．２容量％、好ましくは約１０容量％としたことを特徴とするオプトエレクトロニク半導体装置。
【請求項４】  請求項１〜３のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニク半導体装置において、前記の発光半導体ダイオード（３）の放射波長が約１μmよりも短いことを特徴とするオプトエレクトロニク半導体装置。
・・・
【請求項６】  請求項１〜５のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニク半導体装置において、前記の発光半導体ダイオード（３）がダイオードレーザ（３）を以って構成されていることを特徴とするオプトエレクトロニク半導体装置。
【請求項７】  請求項６に記載のオプトエレクトロニク半導体装置において、前記のダイオードレーザ（３）から放出される最大出力が少なくとも約１０ｍＷ、好ましくは少なくとも約２０ｍＷであることを特徴とするオプトエレクトロニク半導体装置。」
　
　イ　「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光半導体ダイオードを有し、その発生放射に対する出射面に被膜が設けられているオプトエレクトロニク半導体装置に関するものである。このような装置は特に、例えばグラスファイバ光学系、光ディスクシステム及びバーコード読取器における光源として用いるのに適している。最初に述べた分野では放射波長はしばしば１μm と１．５μm との間にあり、他の分野では放射波長はしばしば０．６μm と０．９μm との間にある。これらに対応する半導体材料系はそれぞれＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ及び（Ａｌ）ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ又はＩｎＧａＰ／ＩｎＡｌＧａＰである。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオードとして（ＡｌＧａ）Ａｓダイオードレーザを有するこのような装置は１９９０年１月に発行された“ＩＥＥＥ  Journal of Quantum Electronics”，Vol.２６，No.１の第６８〜７４頁の論文“Analysis of Rapid Degradation in High-Power （ＡｌＧａ）Ａｓ laserdiodes ”（Ｗ．Ｊ．Fritz 氏著）に記載されており既知である。この論文に記載された装置は乾燥窒素雰囲気又は真空中で検査したダイオードレーザを有し、このダイオードレーザから生ぜしめられる放射に対する出射面として作用するミラー面にはガスを透過しない酸化アルミニウム又は酸化アルミニウム−シリコン被膜が設けられている。この被膜上にはダイオードレーザの動作中に炭素の多い層が堆積され、この層はダイオードレーザのはんだ付中に用いたフラックスやフラックス洗浄液に含まれている有機不純物から生じるということが確かめられている。この場合、ダイオードレーザは不安定となる。すなわち、例えば、被膜が設けられているミラー面における放射の（有効）反射の変化の為に出力が時間とともに減少（又は変動）する。炭化水素含有量に基づいてより一層厳しい洗浄条件を選択することにより著しく改善された特性が得られた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した既知の装置の場合、洗浄条件が厳しくなる為に製造するのが比較的困難となり、従って装置が比較的高価となるという欠点がある。既知の装置の価格は選択処理における不合格品の割合によっても影響される。
【０００４】本発明の目的は、放射に対する出射面に被膜が設けられた発光ダイオードを有するオプトエレクトロニク半導体装置であって、前述した欠点を全く或いは殆ど有さず、容易に且つ廉価に製造でき、極めて安定で従って有効寿命の長いオプトエレクトロニク半導体装置を提供せんとするにある。」
　
　ウ　「【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、発光半導体ダイオードを有し、その発生放射に対する出射面に被膜が設けられているオプトエレクトロニク半導体装置において、前記の発光半導体ダイオードが、外界から気密封止されたエンベロープ内に配置され、酸化性ガスがエンベロープ内に存在していることを特徴とする。
【０００６】驚いたことに、本発明によれば、エンベロープ内に酸化性のガスを存在させることによりレーザミラーの被膜上に炭素の多い層を堆積させないということを確かめた。本発明者の研究により、エンベロープを外界から気密封止し、エンベロープ内には単に乾燥した窒素を入れただけと思われている装置のダイオードレーザ出力の変動は通常よりも可成り少なくなったことを確かめた。しかし、ダイオードレーザが最小の変動を呈するこれらの装置は実際には気密封止されておらず、漏れが大きいということを検査により確かめた。エンベロープ内に侵入する酸素の為に、炭素の多い層がレーザミラーの被膜上に堆積されなかったものである。酸化性のガスはダイオードレーザの動作中に発生される熱及び放射と相俟って、炭素の多い前記の（液体又は固体）層が装置内で雰囲気からダイオードレーザの被膜上に堆積するのを阻止しうること明らかである。炭素又は気体の炭素含有化合物が例えば気体の二酸化炭素に或いは重合しない又は重合しにくい化合物のような他の気体化合物に変換される為、被膜上の堆積体は生じないことがないか或いは生じた場合でも除去される。外界から気密封止されたエンベロープを用いることにより、水蒸気やその他の不所望な（場合によっては腐食性の）ガスが装置内に侵入するのを阻止する。これにより例えば腐食によるダイオードレーザの劣化を阻止する。上述した本発明の手段の組合せにより、本発明の装置に特に安定な特性及び極めて長い有効寿命を与えるものである。
【０００７】酸化性のガスとしては、オゾン又は一酸化炭素のような種々のガスを選択しうる。酸化性のガスとしては酸素を用いるのが好ましい。これにより極めて良好な結果が得られ、更に酸素は常規の温度及び圧力で気体（ガス）である為、装置を外界から気密封止する前にこの酸素を装置内に容易に導入することができる。この導入は種々の方法で行うことができる。本発明による装置には乾燥した純粋な窒素又はアルゴンのような乾燥した純粋な不活性ガスを充填し、これに酸素をある割合で添加するのが好ましい。上述した問題を回避するには、酸素濃度を極めて低く、例えば約０．２容量％にするのが適していることを確かめた。所望の酸素量は、装置を外界から気密封止した瞬時にこの装置内に存在している有機物質（有機不純物）の量によっても部分的に決定される。炭素含有物質によるよごれが比較的大きいこれらの場合には、酸素量を約１０容量％とすることにより良好な結果が得られた。酸素量を約２０容量％とすることにより、他の不純物のない乾燥空気を用いうるという追加の利点が得られる。
【０００８】炭素の多い前述した堆積体は、特に約１μm よりも短い放射波長で発光するダイオードレーザを有する装置を用いた場合に生じるということを確かめた。約１μm よりも長い放射波長では、気相での有機化合物の化学反応の影響はほんのわずかしか生じない。このような影響は有機化合物に振動が発生することにより生じる。約１μm よりも短い波長では、電子的な励起の度合が増大する。この励起は通常スペクトルのＵＶ（紫外線）部分で有機化合物に対し最大となる。しかし、これらの励起は可視放射の場合に光化学反応にも作用する。上述した問題及び本発明による装置の有効性は特に（Ａｌ）ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ又はＩｎＧａＰ／ＩｎＡｌＧａＰのダイオードレーザを有する装置において得られたものである。これらのダイオードレーザは約０．６μm と約０．９μm との間の波長を有する放射を放出する。
【０００９】特開昭６０−１８６０７６号公報には、エンベロープ内に酸素含有雰囲気を入れ、気密封止した赤外線放射ダイオードレーザが開示されている。しかし、このダイオードレーザはガスを透過しない被膜を有しないレーザである。酸素はレーザと窒素ガスとの間の反応を防止する目的で加えられたものである。酸素はレーザの動作中レーザのミラー面上に保護酸化物被膜を形成する。
【００１０】特に、いわゆる高出力ダイオードレーザの場合に良好な結果が得られた。これらのダイオードは、最大放出光出力が少なくとも約１０ｍＷ、好ましくは少なくとも約２０ｍＷであるダイオードレーザである。このような高出力は光ディスク上に書込みを行うような多くの分野にとって極めて望ましいものである。本発明によって解決した問題はこのようなダイオードで最も強く生じるものである。その理由は、このような出力で被膜が受ける温度が比較的高くなり、光束が密になる為であると思われる。」
　
　エ　「【００１２】
【実施例】以下図面につき本発明の実施例につき説明するに、図面は線図的なものであり実際のものに正比例して描いておらず、特に発光半導体ダイオードの寸法を明瞭のために誇張して示してある。又、各図間で対応する素子には同じ符号を付してある。
【００１３】図１は本発明によるオプトエレクトロニク半導体装置を線図的に示す断面図である。この装置１０は、金属装着片１と、金属壁部９を有する基部８と、金属カバー１１とから成るエンベロープ２０を有する。金属装着片１は扇形の台部分２を有し、その側面２Ａは装置１０の中心線を有し、この側面上に発光半導体ダイオード、この場合レーザダイオード３が固着されている。
【００１４】本例のレーザダイオード３は、約７８０ｎｍの波長で放射Ｒを放出するリッジ導波管型の（Ａｌ）ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ半導体ダイオードである。レーザダイオード３の発光放射Ｒに対する出射面、この場合双方の出射面に、この場合酸化アルミニウムを有する被膜４が設けられている。この被膜４のために、レーザダイオード３のミラー面が表面安定化（不活性化）され、レーザダイオード３が、ミラー面における（化学）反応により生ぜしめられる劣化に対し保護される。この場合被膜４の厚さは、レーザダイオード３から生じる放射Ｒが、ホトダイオード（図示せず）が存在する基部８の壁部９の方向にわずかに入射される（この場合の関連の被膜４の厚さは約１／２λである）とともに、カバー１１に開けた孔１２に対して固着したガラス窓１３を経て装置１０から大部分放出される（この場合の関連の被膜４の厚さは約１／４λである）ように選択する。このようにしたレーザダイオードは、光学的なレジストレーションディスク上に情報を書込むようないわゆる高エネルギー分野にとって特に適している。」
　
　オ　上記摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
　 
「　ダイオードレーザ（３）を有し、その発生放射（Ｒ）に対する出射面に被膜（４）が設けられているオプトエレクトロニク半導体装置（１０）において、
　前記のダイオードレーザ（３）が、外界（４０）から気密封止されたエンベロープ（２０）内に配置され、酸化性ガス（３０）がエンベロープ（２０）内に存在しているオプトエレクトロニク半導体装置であって、
　前記の酸化性ガス（３０）が酸素を含んでおり、窒素とするのが好ましい乾燥した純粋な不活性ガスがエンベロープ（２０）内に存在し、これに酸素ガス（３０）が加えられ、エンベロープ（２０）内の雰囲気の酸素含有量が少なくとも約０．２容量％、好ましくは約１０容量％とし、
　前記被膜（４）は酸化アルミニウムを有するものであり、
　エンベロープ内に酸化性のガスを存在させることによりレーザミラーの被膜上に炭素の多い層を堆積させないものである、オプトエレクトロニク半導体装置。」
　
（２）対比 
　本願補正発明と引用発明とを対比する。 
　
　ア　引用発明の「ダイオードレーザ（３）」は、本願補正発明の「半導体レーザ素子」に相当する。
　
　イ　引用発明の「（外界（４０）から気密封止された）エンベロープ（２０）」は、本願補正発明の「(気密封止された）パッケージ」に相当する。
　
　ウ　引用発明の「オプトエレクトロニク半導体装置」は、「ダイオードレーザ（３）を有」するものであり、「前記のダイオードレーザ（３）が、外界（４０）から気密封止されたエンベロープ（２０）内に配置され」るものであるから、引用発明の「オプトエレクトロニク半導体装置」は、「気密封止されたパッケージ内に半導体レーザ素子を備える半導体レーザ装置」である点で、本願発明の「気密封止されたパッケージ内に活性領域がＡｌＧａＮ系結晶又はＩｎＧａＮ系結晶からなる半導体レーザ素子を備える半導体レーザ装置」と一致する。
　
　エ　引用発明は、「その発生放射（Ｒ）に対する出射面に被膜（４）が設けられている」ものであり、「前記被膜（４）は酸化アルミニウムを有するものであ」るから、引用発明は、本願補正発明の「レーザ出射面に誘電体酸化膜を具備し」との特定事項を備える。
　
　オ　引用発明は、「エンベロープ（２０）内に存在している」「酸化性ガス（３０）」が「酸素を含んでおり」、「エンベロープ（２０）内の雰囲気の酸素含有量が少なくとも約０．２容量％、好ましくは約１０容量％とし」たものであり、これにより、「（エンベロープ内に酸化性のガスを存在させることにより）レーザミラーの被膜上に炭素の多い層を堆積させない」ものであるところ、「レーザミラーの（酸化アルミニウムを有するものである）被膜上に炭素の多い層」が「堆積」することは、「誘電体酸化膜の劣化」にあたるといえるから、引用発明は、本願補正発明の「前記誘電体酸化膜の劣化を防止するために前記パッケージ内の雰囲気ガスを１０％以上の酸素を含む気体とした」との特定事項を備える。
　
　よって、本願補正発明と引用発明とは、 
「　気密封止されたパッケージ内に半導体レーザ素子を備える半導体レーザ装置において、
　レーザ出射面に誘電体酸化膜を具備し、
　前記誘電体酸化膜の劣化を防止するために前記パッケージ内の雰囲気ガスを１０％以上の酸素を含む気体とした、半導体レーザ装置。」
である点で一致し、以下の点で相違する。 
　 
ａ．半導体レーザ素子が、本願補正発明では、「活性領域がＡｌＧａＮ系結晶又はＩｎＧａＮ系結晶からなる」のに対して、引用発明は、そのような事項を有していない点（以下「相違点１」という。）。
　
ｂ．本願補正発明は、「前記半導体レーザ素子は定格出力が３０ｍＷ以上である」とされているのに対して、引用発明は、そのような事項を有していない点（以下「相違点２」という。）。
　
（３）判断 
　上記相違点について検討する。 
　
　ア　相違点１について
　活性領域がＡｌＧａＮ系結晶又はＩｎＧａＮ系結晶からなる半導体レーザ素子であって、レーザ出射面に誘電体酸化膜を具備するものは、本願の優先日当時において周知である（必要であれば、特開２００２−２２３０４２号公報（特許請求の範囲、段落０１０２）、特開２００３−１１５１２６号公報（特許請求の範囲、段落００７０）、特開２００１−３３２８１７号公報（特許請求の範囲、段落００７１−００７２、００７９）参照。）ところ、引用発明は、エンベロープ内に酸化性のガスを存在させることによりレーザミラーの酸化アルミニウムを有するものである被膜上に炭素の多い層を堆積させないためのものであって、そのダイオードレーザの材料系にかかわらず成立するものと認められるから、引用発明におけるダイオードレーザとして、周知のＡｌＧａＮ系結晶又はＩｎＧａＮ系結晶からなるものを採用し、相違点１に係る本願補正発明の特定事項となすことは、当業者が容易になし得たことである。
　
　イ　相違点２について
　上記（１）ウ（【００１０】を参照。）によれば、引用発明は「光ディスク上に書込みを行うような多くの分野にとって極めて望ましい」ものである「高出力ダイオードレーザの場合に良好な結果が得られた」ものということができ、また、光書込みのための半導体レーザ素子として、最大出力が３０ｍＷ程度以上のものもよく知られている（例えば、上記アに示した、特開２００２−２２３０４２号公報（段落００２５）、特開２００３−１１５１２６号公報（段落００２６、００８０）、特開２００１−３３２８１７号公報（段落００１１、００９６）参照。）から、引用発明において、ダイオードレーザの定格出力を３０ｍＷ以上とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
　ウ　小括
　以上の検討によれば、本願補正発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。  
　
（４）むすび 
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであって、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２１年１月１４日付け手続補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１の記載は、上記第２の１（１）において、補正前のものとして示したとおりのものである（以下、補正前の請求項１に係る発明を「本願発明」という。）。
　
２　引用刊行物記載の発明
　本願の優先日前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物及び引用発明は、上記第２の２（１）に示したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明は、上記第２の２で検討した本願補正発明において、「前記半導体レーザ素子は定格出力が３０ｍＷ以上であるとともに、レーザ出射面に誘電体酸化膜を具備し」との限定（補正前の請求項２及び請求項４の特定事項）、及び「前記誘電体酸化膜の劣化を防止するために」との限定を省いたものである。
　そうすると、上記第２の２（２）ないし（３）での検討に照らして、本願発明は、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。  
　
　よって、結論のとおり審決する。