【手続補正書】
【提出日】平成23年10月18日(2011.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトリソグラフィ処理においてフォトマスク上に用いられる第３のマスクパターンを発生させる方法であって、
第１の特徴部を第１のマスクパターンに追加して第２のマスクパターンを生成する段階、
を含み、
前記第１の特徴部の大部分が、所定値よりも大きいサイズ特性を有し、該第１の特徴部は、ターゲットパターン内の第３の特徴部と重なり合う前記第１のマスクパターン内の第２の特徴部から位相幾何学的に分離され、かつ該第１の特徴部は、少なくとも部分的に該第１のマスクパターンと該ターゲットパターンとに依存する第１の費用関数の勾配に基づいて判断される位置に追加され、
前記第２のマスクパターンに基づいて第３のマスクパターンを発生させる段階、
を更に含み、
フォトマスクが、前記第３のマスクパターンに対応する、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記位置は、前記勾配の極値に対応することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の特徴部の所定の特徴部が、前記第１のマスクパターン内の所定の領域にわたる勾配の平均値に基づいて位置決めされることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記サイズ特性は、前記フォトリソグラフィ処理における前記フォトマスクの製造機能に基づいて判断されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記サイズ特性は、前記フォトリソグラフィ処理に用いられる光の波長を該フォトリソグラフィ処理における光路の開口数で割算した比の数分の１であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記サイズ特性は、少なくとも２０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の特徴部を追加する段階の前に前記第１のマスクパターンを焦点ぼけにする段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第２のマスクパターンと前記ターゲットパターンとに対応する第２の費用関数が、前記第１の費用関数とは異なる重み付けを含み、
前記第２の費用関数の前記重み付けは、縁部から遠い位置で増大する、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第２の費用関数は、像平面での前記ターゲットパターンと、前記フォトリソグラフィ処理における該像平面での前記第２のマスクパターンに対応する別のフォトマスクの投影との間の差のマグニチュードを含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の特徴部を追加する段階の前に前記第１のマスクパターンにおけるコントラストを高める段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の特徴部は、分解能以下補助特徴部を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の費用関数は、前記像平面での前記ターゲットパターンと、前記フォトリソグラフィ処理における該像平面での前記第１のマスクパターンに対応する別のフォトマスクの投影との間の差のマグニチュードを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第３のマスクパターンは、前記像平面での前記ターゲットパターンに対する第３の費用関数を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第３の費用関数は、前記像平面での前記ターゲットパターンと、前記フォトリソグラフィ処理における該像平面での前記フォトマスクの投影との間の差のマグニチュードを含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の特徴部は、前記第３のマスクパターンを発生させる前記段階中の収束を加速することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記収束は、前記第３のマスクパターンに対応する前記フォトマスクの製造可能性に基づいていることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第３のマスクパターンを発生させる前記段階は、前記フォトリソグラフィ処理における物体平面での前記ターゲットパターンの投影を含む逆リソグラフィ計算を伴うことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記第３のマスクパターン内の取り囲んだ等高線の面積をほぼ維持する直線投影を実施する段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１の特徴部を追加する段階は、前記第１の費用関数の第１の合計値に対して前記第２のマスクパターンに対応する前記第２の費用関数の第２の合計値を増大させることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記第３のマスクパターンに対応する第３の費用関数が、前記第２の合計値よりも小さい第３の合計値を有することを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記第１のマスクパターンを受け取る段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記第１のマスクパターンを判断する段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
コンピュータシステムとの併用のためのコンピュータプログラム製品であって、
コンピュータ可読記憶媒体と、
フォトリソグラフィ処理においてフォトマスク上に用いられる第３のマスクパターンを発生させるために該コンピュータ可読記憶媒体に組み込まれたコンピュータプログラム機構と、
を含み、
前記コンピュータプログラム機構は、
第１の特徴部を第１のマスクパターンに追加して第２のマスクパターンを生成するための命令、
を含み、
前記第１の特徴部の大部分が、所定値よりも大きいサイズ特性を有し、該第１の特徴部は、ターゲットパターン内の第３の特徴部と重なり合う前記第１のマスクパターン内の第２の特徴部から位相幾何学的に分離され、かつ該第１の特徴部は、少なくとも部分的に該第１のマスクパターンと該ターゲットパターンとに依存する第１の費用関数の勾配に基づいて判断される位置に追加され、
前記コンピュータプログラム機構は、
前記第２のマスクパターンに基づいて前記第３のマスクパターンを発生させるための命令、
を更に含み、
前記フォトマスクは、前記第３のマスクパターンに対応する、
ことを特徴とする製品。
【請求項２４】
コンピュータシステムであって、
少なくとも１つのプロセッサと、
少なくとも１つのメモリと、
前記メモリに記憶され、かつ前記プロセッサによって実行されるように構成された、フォトリソグラフィ処理においてフォトマスク上に用いられる第３のマスクパターンを発生させるためのものである少なくとも１つのプログラムモジュールと、
を含み、
少なくとも前記プログラムモジュールの機構が、
第１の特徴部を第１のマスクパターンに追加して第２のマスクパターンを生成するための命令、
を含み、
前記第１の特徴部の大部分が、所定値よりも大きいサイズ特性を有し、該第１の特徴部は、ターゲットパターン内の第３の特徴部と重なり合う該第１のマスクパターン内の第２の特徴部から位相幾何学的に分離され、かつ該第１の特徴部は、少なくとも部分的に該第１のマスクパターンと該ターゲットパターンとに依存する第１の費用関数の勾配に基づいて判断される位置に追加され、
少なくとも前記プログラムモジュールの機構が、
前記第２のマスクパターンに基づいて前記第３のマスクパターンを発生させるための命令、
を更に含み、
前記フォトマスクは、前記第３のマスクパターンに対応する、
ことを特徴とするシステム。
【請求項２５】
コンピュータシステムであって、
計算するための手段と、
記憶するための手段と、
少なくとも前記記憶するための手段に記憶され、かつ少なくとも前記計算するための手段によって実行されるように構成された、少なくともプログラムモジュールが、フォトリソグラフィ処理においてフォトマスク上に用いられる第３のマスクパターンを発生させるためのものである少なくとも１つのプログラムモジュール機構と、
を含み、
少なくとも前記プログラムモジュール機構は、
第１の特徴部を第１のマスクパターンに追加して第２のマスクパターンを生成するための命令、
を含み、
前記第１の特徴部の大部分が、所定値よりも大きいサイズ特性を有し、該第１の特徴部は、ターゲットパターン内の第３の特徴部と重なり合う該第１のマスクパターン内の第２の特徴部から位相幾何学的に分離され、かつ該第１の特徴部は、少なくとも部分的に該第１のマスクパターンと該ターゲットパターンとに依存する第１の費用関数の勾配に基づいて判断される位置に追加され、
少なくとも前記プログラムモジュール機構は、
前記第２のマスクパターンに基づいて前記第３のマスクパターンを発生させるための命令、
を更に含み、
前記フォトマスクは、前記第３のマスクパターンに対応する、
ことを特徴とするシステム。