(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一定方向に回転する磁気記録媒体の表面に対向配置されるスライダの延在方向先端側に配置され、記録磁界を発生させる記録磁界発生部と；
前記磁気記録媒体側に向けて光束を伝播させる光導波路部と；
前記光束から近接場光を発生させる近接場光発生素子部と；
前記光導波路部を構成する絶縁層と、
を備え、
前記記録磁界発生部が、
補助磁極と；
磁気回路を介して前記補助磁極に接続され、この補助磁極との間で前記磁気記録媒体に対して前記記録磁界を発生させる主磁極と；
前記磁気回路を中心としてこの磁気回路の周囲に巻回されるコイルと；
を備え、
前記補助磁極、前記近接場光発生素子部及び前記主磁極は、前記スライダの延在方向先端面上にこの順で積層され、
前記光導波路部のコアは、前記磁気記録媒体側に向かうに従い漸次幅が縮小し、
前記コイルと前記近接場光発生素子部とが、同一平面上に形成されていることを特徴とする近接場光ヘッド。
【請求項２】
前記近接場光発生素子部が、
前記光束からプラズモンを発生させるプラズモン発生部と；
前記プラズモンから前記近接場光を発生させる近接場光発生部と；
を備えていることを特徴とする請求項１に記載の近接場光ヘッド。
【請求項３】
一定方向に回転する磁気記録媒体の表面に対向配置されるスライダの延在方向先端側に配置され、記録磁界を発生させる記録磁界発生部と；
前記磁気記録媒体側に向けて光束を伝播させる光導波路部と；
前記光束から近接場光を発生させる近接場光発生素子部と；
を備えた近接場光ヘッドを製造する方法であって、
前記スライダとなる基板上に、磁性材料からなる前記記録磁界発生部の補助磁極および磁気回路の一端を形成する工程と；
前記基板上に、第１絶縁層を成膜する工程と；
前記第１絶縁層上における前記光導波路部のコアおよび前記記録磁界発生部のコイルが設けられる箇所に凹部を形成する工程と；
前記凹部の内、前記光導波路部のコアとして構成される領域に光導波路部材を配する工程と；
前記光導波路部として構成される前記凹部における前記磁気記録媒体側端部に導電材料を成膜して前記近接場光発生素子部を形成すると同時に、前記凹部の内、前記コイルとして構成される領域に導電材料を成膜して前記コイルを形成する工程と；
前記第１絶縁層上に、第２絶縁層を成膜する工程と；
前記第１絶縁層および前記第２絶縁層に、前記磁気回路の一端と連通する貫通孔を形成する工程と；
前記貫通孔内に前記磁性材料を配するとともに、前記第２絶縁層上における前記貫通孔に対応した位置に前記磁性材料からなる前記磁気回路の他端を形成するとともに、前記第２絶縁層上における前記補助磁極に対向する位置に前記記録磁界発生部の主磁極を形成する工程と；
を備えていることを特徴とする近接場光ヘッドの製造方法。
【請求項４】
一定方向に回転する磁気記録媒体の表面に対向配置されるスライダの延在方向先端側に配置され、記録磁界を発生させる記録磁界発生部と；
前記磁気記録媒体側に向けて光束を伝播させる光導波路部と；
前記光束から近接場光を発生させる近接場光発生素子部と；
を備えた近接場光ヘッドを製造する方法であって、
前記スライダとなる基板上に、磁性材料からなる前記記録磁界発生部の主磁極および磁気回路の一端を形成する工程と；
前記基板上に、第１絶縁層を成膜する工程と；
前記光導波路部における前記磁気記録媒体側端部に対応する位置に導電材料を成膜すると同時に、前記記録磁界発生部のコイルとして構成される領域に導電材料を成膜する工程と；
前記第１絶縁層上における前記光導波路部のコアおよび前記コイルが設けられる箇所に、前記光導波路部のコアおよび前記コイルの形状をパターニングする工程と；
前記パターニングを用いて前記導電材料をエッチングして、前記近接場光発生素子部および前記コイルを形成する工程と；
前記第１絶縁層上に、第２絶縁層を成膜する工程と；
前記第１絶縁層および前記第２絶縁層に、前記磁気回路の一端と連通する貫通孔を形成する工程と；
前記貫通孔内に前記磁性材料を配するとともに、前記第２絶縁層上における前記貫通孔に対応した位置に前記磁性材料からなる前記磁気回路の他端を形成するとともに、前記第２絶縁層上における前記主磁極に対向する位置に前記記録磁界発生部の補助磁極を形成する工程と；
を備えていることを特徴とする近接場光ヘッドの製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の近接場光ヘッドと；
前記磁気記録媒体の表面に平行な方向に移動可能とされ、前記磁気記録媒体の表面に平行で且つ互いに直交する２軸回りに回動自在な状態で前記近接場光ヘッドを先端側で支持するビームと；
前記光導波路部に対して前記光束を入射させる光源と；
前記ビームの基端側を支持するとともに、前記ビームを前記磁気記録媒体の表面に平行な方向に向けて移動させるアクチュエータと；
前記磁気記録媒体を前記一定方向に回転させる回転駆動部と；
前記記録磁界発生部及び前記光源の作動を制御する制御部と；
を備えていることを特徴とする情報記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、近接場光ヘッド、近接場光ヘッドの製造方法および情報記録再生装置に関する。
本願は、２０１０年３月１０日に、日本に出願された特願２０１０−０５３６９９号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンピュータ機器におけるハードディスクなどの容量増加に伴い、単一記録面内における情報の記録密度が増加している。例えば、磁気ディスクの単位面積当たりの記録容量を多くするためには、面記録密度を高くする必要がある。ところが、記録密度が高くなるにつれて、記録媒体上で１ビット当たりの占める記録面積が小さくなっている。このビットサイズが小さくなると、１ビットの情報が持つエネルギーが、室温の熱エネルギーに近くなり、記録した情報が熱揺らぎなどのために反転したり、消えてしまったりするなどの熱減磁の問題が生じてしまう。【０００３】
一般的に用いられてきた面内記録方式では、磁化の方向が記録媒体の面内方向に向くように磁気を記録する方式であるが、この方式では上述した熱減磁による記録情報の消失などが起こり易い。そこで、このような不具合を解消するために、記録媒体に対して垂直な方向に磁化信号を記録する垂直記録方式に移行しつつある。この方式は、記録媒体に対して単磁極を近づける原理で磁気情報を記録する方式である。この方式によれば、記録磁界が記録膜に対してほぼ垂直な方向を向く。垂直な磁界で記録された情報は、記録膜面内においてＮ極とＳ極とがループを作り難いため、エネルギー的に安定を保ち易い。そのため、この垂直記録方式は、面内記録方式に対して熱減磁に強くなっている。【０００４】
しかしながら、近年の記録媒体は、より大量且つ高密度情報の記録再生を行いたいなどのニーズを受けて、さらなる高密度化が求められている。そのため、隣り合う磁区同士の影響や、熱揺らぎを最小限に抑えるために、保磁力の強いものが記録媒体として採用され始めている。そのため、上述した垂直記録方式であっても、記録媒体に情報を記録することが困難になっていた。【０００５】
そこで、上述した不具合を解消するために、光を集光したスポット光、若しくは、光を集光した近接場光を利用して磁区を局所的に加熱して一時的に保磁力を低下させ、その間に記録媒体への書き込みを行うハイブリッド磁気記録方式の記録再生ヘッドを備えた情報記録再生装置が提供されている。特に、近接場光を利用する場合には、従来の光学系において限界とされていた光の波長以下となる領域における光学情報を扱うことが可能となる。よって、従来の情報記録再生装置などを超える記録ビットの高密度化を図ることができる。【０００６】
近接場光を利用した記録再生ヘッド（以下、近接場光ヘッドという。）は、主磁極および補助磁極を有する記録磁界発生部と、光ファイバからレーザ光を受けることにより近接場光を発生させる近接場光発生層と、を備えている（例えば、特許文献１，２参照）。これら各構成品は、被覆層によって覆われた状態で、ビームの先端に固定されたスライダの側面上に、補助磁極、主磁極、近接場光発生層の順で積層配置されている。なお、被覆層は、光ファイバから出射されたレーザ光を近接場光発生層に導くための光導波路としての役割を果たす層を含み、異なる材料で形成された層が積層された多層構造とされている。【０００７】
このように構成された近接場光ヘッドを利用する場合には、近接場光を発生させると同時に記録磁界を印加することで、記録媒体に各種の情報を記録している。すなわち、光ファイバからレーザ光を照射すると、このレーザ光が被覆層の光導波路を伝播した後、近接場光発生層に達する。すると近接場光発生層は、内部の自由電子がレーザ光の電場によって一様に振動させられるため、プラズモンが励起されて先端部分に近接場光を発生させる。その結果、記録媒体の磁気記録層は、近接場光によって局所的に加熱され、一時的に保磁力が低下する。また、レーザ光の照射と同時に、記録磁界発生部に駆動電流を供給することで、主磁極に近接する記録媒体の磁気記録層に対して記録磁界を局所的に印加する。これにより、保磁力が一時的に低下した磁気記録層に各種の情報を記録することができる。つまり、近接場光の熱アシストと磁場との協働により、記録媒体への記録を行うことができる。なお、近接場光ヘッドを備えたスライダは、記録媒体が回転することにより生じる風圧を受けて記録媒体に対して浮上しつつ、記録媒体との距離を適正な距離に保つように構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】日本国特開２００７−１６４９３５号公報
【特許文献２】日本国特開２００７−１６４９３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、従来の近接場光ヘッドの構造は、記録磁界発生部上に被覆層および近接場光発生層が積層配置される形状となっている。つまり、従来の近接場光ヘッドを製造する場合には、まずスライダの側面上に記録磁界発生部を形成した後に、被覆層（光導波路部）および近接場光発生層（近接場光発生素子部）を順次形成することとなる。したがって、従来の近接場光ヘッドは、既存の磁気記録ヘッドに比べて大型になるとともに、製造プロセスの工程数が増加し、生産効率が低下するという問題がある。【００１０】
また、近接場光ヘッドが大型化すると、近接場光ヘッドを備えたスライダを移動させる際にビームに生じる慣性モーメントが大きくなるとともに、記録媒体に対してスライダを浮上させつつこの記録媒体との距離を適正な距離に保持することが困難になる。つまり、スライダの位置制御が不安定になるという問題がある。【００１１】
そこで、本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、生産効率を向上することができ、かつ、小型化することができる、近接場光ヘッド、近接場光ヘッドの製造方法および情報記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題を解決するために、本発明は以下の手段を提供する。
（１）本発明の一態様に係る近接場光ヘッドは、一定方向に回転する磁気記録媒体の表面に対向配置されるスライダの延在方向先端側に配置され、記録磁界を発生させる記録磁界発生部と；前記磁気記録媒体側に向けて光束を伝播させる光導波路部と；前記光束から近接場光を発生させる近接場光発生素子部と；前記光導波路部を構成する絶縁層と、を備え、前記記録磁界発生部が、補助磁極と；磁気回路を介して前記補助磁極に接続され、この補助磁極との間で前記磁気記録媒体に対して前記記録磁界を発生させる主磁極と；前記磁気回路を中心としてこの磁気回路の周囲に巻回されるコイルと；を備え、前記補助磁極、前記近接場光発生素子部及び前記主磁極は、前記スライダの延在方向先端面上にこの順で積層され、前記光導波路部のコアは、前記磁気記録媒体側に向かうに従い漸次幅が縮小し、前記コイルと前記近接場光発生素子部とが、同一平面上に形成されている。
【００１３】
この構成によれば、近接場光ヘッドを製造する際に、記録磁界発生部の少なくとも一部と近接場光発生素子部とを同時に形成することができる。したがって、製造プロセスの簡略化を図ることができ、生産効率を向上することができる。また、記録磁界発生部の少なくとも一部と近接場光発生素子部とを同時に形成することにより、近接場光ヘッドを小型化することができる。結果として、近接場光ヘッドを備えたスライダの位置制御を安定化させることができ、大量かつ高密度情報の記録再生を行うことができる。さらに、同一平面上に形成される記録磁界発生部の少なくとも一部と近接場光発生素子部との位置決めが容易になるため、高精度で、かつ、歩留まりが向上した近接場光ヘッドを提供することができる。【００１５】
この構成によれば、コイルと近接場光発生素子部とを同時に形成することができるとともに、小型化することができる。また、コイルと近接場光発生素子部とを同一材料で形成すれば、製造プロセスの簡略化を図ることができ、生産効率を向上することができる。また、コイルと近接場光発生素子部とが同一平面上に配されているため、互いの位置決めが容易になり、高精度で、かつ、歩留まりが向上した近接場光ヘッドを提供することができる。【００１６】
（２）上記（１）に記載の近接場光ヘッドでは、前記近接場光発生素子部が、前記光束からプラズモンを発生させるプラズモン発生部と、前記プラズモンから前記近接場光を発生させる近接場光発生部と、を備えている構成を採用してもよい。
【００１７】
この構成によれば、近接場光発生素子部において、高いエネルギー効率で近接場光を発生させることができる近接場光ヘッドを提供することができる。【００１８】
（３）また、本発明の他の態様に係る近接場光ヘッドの製造方法は、一定方向に回転する磁気記録媒体の表面に対向配置されるスライダの延在方向先端側に配置され、記録磁界を発生させる記録磁界発生部と、前記磁気記録媒体側に向けて光束を伝播させる光導波路部と、前記光束から近接場光を発生させる近接場光発生素子部と、を備えた近接場光ヘッドの製造方法において、前記スライダとなる基板上に、磁性材料からなる前記記録磁界発生部の補助磁極および磁気回路の一端を形成する工程と、前記基板上に、第１絶縁層を成膜する工程と、この第１絶縁層上における前記光導波路部のコアおよび前記記録磁界発生部のコイルが設けられる箇所に凹部を形成する工程と、前記凹部の内、前記光導波路部のコアとして構成される領域に光導波路部材を配する工程と、前記光導波路部として構成される前記凹部における前記磁気記録媒体側端部に導電材料を成膜して前記近接場光発生素子部を形成すると同時に、前記凹部の内、前記コイルとして構成される領域に導電材料を成膜して前記コイルを形成する工程と、前記第１絶縁層上に、第２絶縁層を成膜する工程と、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層に、前記磁気回路の一端と連通する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔内に前記磁性材料を配するとともに、前記第２絶縁層上における前記貫通孔に対応した位置に前記磁性材料からなる前記磁気回路の他端を形成するとともに、前記第２絶縁層上における前記補助磁極に対向する位置に前記記録磁界発生部の主磁極を形成する工程と、を備えていることを特徴としている。
【００１９】
この構成によれば、近接場光ヘッドを製造する際に、記録磁界発生部のコイルと近接場光発生素子部とを同時に形成することができる。したがって、製造プロセスの簡略化を図ることができ、生産効率を向上することができる。また、コイルと近接場光発生素子部とを同時に形成することにより、近接場光ヘッドの積層方向の厚さを薄くすることができ、近接場光ヘッドを小型化することができる。結果として、近接場光ヘッドを備えたスライダの位置制御を安定化させることができ、大量かつ高密度情報の記録再生を行うことができる。さらに、同一平面上に形成されるコイルと近接場光発生素子部との位置決めが容易になるため、高精度で、かつ、歩留まりが向上した近接場光ヘッドを提供することができる。【００２０】
また、本発明に係る近接場光ヘッドの製造方法は、一定方向に回転する磁気記録媒体の表面に対向配置されるスライダの延在方向先端側に配置され、記録磁界を発生させる記録磁界発生部と、前記磁気記録媒体側に向けて光束を伝播させる光導波路部と、前記光束から近接場光を発生させる近接場光発生素子部と、を備えた近接場光ヘッドの製造方法において、前記スライダとなる基板上に、磁性材料からなる前記記録磁界発生部の主磁極および磁気回路の一端を形成する工程と、前記基板上に、第１絶縁層を成膜する工程と、前記光導波路部における前記磁気記録媒体側端部に対応する位置に導電材料を成膜すると同時に、前記記録磁界発生部のコイルとして構成される領域に導電材料を成膜する工程と、前記第１絶縁層上における前記光導波路部のコアおよび前記コイルが設けられる箇所に、前記光導波路部のコアおよび前記コイルの形状をパターニングする工程と、前記パターニングを用いて前記導電材料をエッチングして、前記近接場光発生素子部および前記コイルを形成する工程と、前記第１絶縁層上に、第２絶縁層を成膜する工程と、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層に、前記磁気回路の一端と連通する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔内に前記磁性材料を配するとともに、前記第２絶縁層上における前記貫通孔に対応した位置に前記磁性材料からなる前記磁気回路の他端を形成するとともに、前記第２絶縁層上における前記主磁極に対向する位置に前記記録磁界発生部の補助磁極を形成する工程と、を備えていることを特徴としている。【００２１】
この構成によれば、近接場光ヘッドを製造する際に、記録磁界発生部のコイルと近接場光発生素子部とを同時に形成することができる。したがって、製造プロセスの簡略化を図ることができ、生産効率を向上することができる。また、コイルと近接場光発生素子部とを同時に形成することにより、近接場光ヘッドの積層方向の厚さを薄くすることができ、近接場光ヘッドを小型化することができる。結果として、近接場光ヘッドを備えたスライダの位置制御を安定化させることができ、大量かつ高密度情報の記録再生を行うことができる。さらに、同一平面上に形成されるコイルと近接場光発生素子部との位置決めが容易になるため、高精度で、かつ、歩留まりが向上した近接場光ヘッドを提供することができる。【００２２】
また、本発明に係る情報記録再生装置は、上述の近接場光ヘッドと、前記磁気記録媒体の表面に平行な方向に移動可能とされ、前記磁気記録媒体の表面に平行で且つ互いに直交する２軸回りに回動自在な状態で前記近接場光ヘッドを先端側で支持するビームと、前記光導波路部に対して前記光束を入射させる光源と、前記ビームの基端側を支持するとともに、前記ビームを前記磁気記録媒体の表面に平行な方向に向けて移動させるアクチュエータと、前記磁気記録媒体を前記一定方向に回転させる回転駆動部と、前記記録磁界発生部及び前記光源の作動を制御する制御部と、を備えていることを特徴としている。【００２３】
この構成によれば、上述した近接場光ヘッドを備えているため、書き込みの信頼性が高く、高密度記録化に対応することができる高品質な情報記録再生装置を提供することができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明に上記（１）係る近接場光ヘッドによれば、近接場光ヘッドを製造する際に、記録磁界発生部の少なくとも一部と近接場光発生素子部とを同時に形成することができる。したがって、製造プロセスの簡略化を図ることができ、生産効率を向上することができる。また、記録磁界発生部の少なくとも一部と近接場光発生素子部とを同時に形成することにより、近接場光ヘッドを小型化することができる。結果として、近接場光ヘッドを備えたスライダの位置制御を安定化させることができ、大量かつ高密度情報の記録再生を行うことができる。さらに、同一平面上に形成される記録磁界発生部の少なくとも一部と近接場光発生素子部との位置決めが容易になるため、高精度で、かつ、歩留まりが向上した近接場光ヘッドを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施形態における情報記録再生装置の構成図である。
【図２】同実施形態における近接場光ヘッドの拡大断面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿う断面図（一部透過図）である。
【図４】図３のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図５】図３のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態における近接場光ヘッドの第１の製造方法を説明する図（１）である。
【図７】本発明の第１実施形態における近接場光ヘッドの第１の製造方法を説明する図（２）である。
【図８】本発明の第１実施形態における近接場光ヘッドの第１の製造方法を説明する図（３）である。
【図９】本発明の第１実施形態における近接場光ヘッドの第１の製造方法を説明する図（４）である。
【図１０】本発明の第１実施形態における近接場光ヘッドの第１の製造方法を説明する図（５）である。
【図１１】本発明の第１実施形態における近接場光ヘッドの第１の製造方法を説明する図（６）である。
【図１２】本発明の第１実施形態における近接場光ヘッドの第２の製造方法を説明する図（１）である。
【図１３】本発明の第１実施形態における近接場光ヘッドの第２の製造方法を説明する図（２）である。
【図１４】本発明の第１実施形態における近接場光ヘッドの第２の製造方法を説明する図（３）である。
【図１５】本発明の第１実施形態における近接場光ヘッドの第２の製造方法を説明する図（４）である。
【図１６】本発明の第１実施形態における近接場光ヘッドの第２の製造方法を説明する図（５）である。
【図１７】本発明の第１実施形態における近接場光ヘッドの別の態様を示す図である。
【図１８】本発明の第１実施形態における近接場光ヘッドのさらに別の態様を示す図である。
【図１９】本発明の第２実施形態における近接場光ヘッドを示す図であり、図３のＢ−Ｂ線に沿う断面に相当する図である。
【図２０】本発明の第２実施形態における近接場光ヘッドを示す図であり、図３のＣ−Ｃ線に沿う断面に相当する図である。
【図２１】本発明の第２実施形態における近接場光ヘッドの製造方法を説明する図（１）である。
【図２２】本発明の第２実施形態における近接場光ヘッドの製造方法を説明する図（２）である。
【図２３】本発明の第２実施形態における近接場光ヘッドの製造方法を説明する図（３）である。
【図２４】本発明の第２実施形態における近接場光ヘッドの製造方法を説明する図（４）である。
【図２５】本発明の第２実施形態における近接場光ヘッドの製造方法を説明する図（５）である。
【図２６】本発明の第２実施形態における近接場光ヘッドの別の態様を示す図である。
【図２７】本発明の第２実施形態における近接場光ヘッドのさらに別の態様を示す図である。
【図２８】本発明の実施形態における近接場光ヘッドの別の態様を示す拡大断面図（図４に相当）である。
【図２９】本発明の実施形態における近接場光発生素子の形状例（１）を示す図（正面図）である。
【図３０】本発明の実施形態における近接場光発生素子の形状例（２）を示す図（斜視図）である。
【図３１】本発明の実施形態における近接場光発生素子の形状例（３）を示す図（正面図）である。
【図３２】本発明の実施形態における近接場光発生素子の配置例（１）を示す図である。
【図３３】本発明の実施形態における近接場光発生素子の配置例（２）を示す図である。
【図３４】本発明の実施形態における近接場光発生素子の配置例（３）を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
（第１実施形態）
次に、本発明の第１実施形態を図面に基づいて説明する。なお、本実施形態の情報記録再生装置１は、垂直記録層ｄ２を有するディスク（磁気記録媒体）Ｄに対して、近接場光と記録磁界とを協働させたハイブリッド磁気記録方式によりディスクＤに記録再生を行う装置である（図２参照）。
【００２７】
（情報記録再生装置）
図１は情報記録再生装置の構成図である。
図１に示すように、本実施形態の情報記録再生装置１は、近接場光ヘッド２と、近接場光ヘッド２を支持するビーム３と、近接場光ヘッド２にレーザ光（光束）Ｌ（図２参照）を入射させる光束入射機構４と、ビーム３を移動させるアクチュエータ５と、ディスクＤを一定方向に回転させるスピンドルモータ６と、上述した各構成品を総合的に制御する制御部８と、各構成品を内部に収容するハウジング９と、を備えている。
【００２８】
ハウジング９は、アルミニウムなどの金属材料により、平面視四角形状に形成されているとともに、内側に各構成品を収容する凹部９ａが形成されている。また、このハウジング９には、凹部９ａの開口を塞ぐように図示しない蓋が着脱可能に固定されるようになっている。凹部９ａの略中心には、スピンドルモータ６が取り付けられており、スピンドルモータ６にディスクＤが固定される。なお、本実施形態では、３枚のディスクＤがスピンドルモータ６に固定されている場合を例に挙げて説明している。ただし、ディスクＤの数は３枚に限定されるものではない。
【００２９】
凹部９ａ内における一つの隅角部には、アクチュエータ５が取り付けられている。このアクチュエータ５には、軸受１０を介してキャリッジ１１が取り付けられている。キャリッジ１１は、例えば金属材を切削加工によって形成されたものであり、軸受１０を介してアクチュエータ５に固定される基端部１１ａから先端に向かう部分が３枚のディスクＤの上面にそれぞれ配置されるように３層構造となっている。つまり、キャリッジ１１を側面から見た時に、Ｅ型になるように形成されている。そして、３層に分かれたキャリッジ１１の各先端には、ビーム３の基端側が固定されている。よって、アクチュエータ５は、キャリッジ１１を介してビーム３の基端側を支持しており、ビーム３をディスク面（磁気記録媒体の表面）Ｄ１（図２参照）に平行な水平方向に向けてスキャン移動させることができるようになっている。
【００３０】
ビーム３は、上述したようにアクチュエータ５によってキャリッジ１１とともに水平方向に移動可能とされているとともに、ディスク面Ｄ１に平行で、かつ、互いに直交する２軸（Ｘ軸、Ｙ軸）回りに回動自在な状態で近接場光ヘッド２を先端側で支持している。なお、ビーム３およびキャリッジ１１は、ディスクＤの回転停止時にアクチュエータ５の駆動によって、ディスクＤ上から退避するようになっている。
【００３１】
（近接場光ヘッド）
図２は近接場光ヘッドの拡大断面図であり、図３は図２のＡ−Ａ線に沿う断面図（一部透過図）である。
図２、図３に示すように、近接場光ヘッド２は、レーザ光Ｌから生成した近接場光を利用して、回転するディスクＤに各種の情報を記録再生するヘッドである。近接場光ヘッド２は、ディスク面Ｄ１から所定距離Ｈだけ浮上した状態でディスクＤに対向配置されたスライダ２０の延在方向先端側に配置され、記録磁界を発生させてディスクＤに情報を記録する記録磁界発生部２１と、ディスクＤに記録されている情報を再生する再生素子２２と、導入されたレーザ光Ｌから近接場光を発生させる近接場光発生素子２６と、を備えている。また、本実施形態の近接場光ヘッド２は、コア２３とクラッド２４とからなる光導波路部２５を備えている。なお、図２以降において、スライダ２０の延在方向をＸ軸方向に設定し、延在方向先端側を＋Ｘ方向とする。また、スライダ２０の幅方向をＹ軸方向に設定し、図２における紙面手前側を＋Ｙ方向とする。さらに、鉛直方向をＺ軸方向に設定し、鉛直上方側を＋Ｚ方向とする。
【００３２】
スライダ２０は、石英ガラスなどの光透過性材料や、ＡｌＴｉＣ（アルチック）などのセラミックによって直方体状に形成されている。このスライダ２０は、ディスクＤに対向する対向面２０ａを有しており、ジンバル部３０（図２参照）を介してビーム３の先端にぶら下がるように支持されている。このジンバル部３０は、水平面内方向（Ｘ軸回り及びＹ軸回り）にのみ変位するように動きが規制された部品である。これによりスライダ２０は、上述したようにディスク面Ｄ１に平行で、かつ、互いに直交する２軸（Ｘ軸、Ｙ軸）回りに回動自在とされている。
【００３３】
また対向面２０ａには、回転するディスクＤによって生じた空気流の粘性から、浮上するための圧力を発生させる凸条部２０ｂが形成されている。この凸条部２０ｂは、スライダ２０の長手方向（Ｘ方向）に沿って延びるように形成されており、レール状に並ぶように短手方向（Ｙ方向）に間隔を空けて２つ形成されている。ただし、凸条部２０ｂはこの場合に限定されるものではなく、スライダ２０をディスク面Ｄ１から離そうとする正圧とスライダ２０をディスク面Ｄ１に引き付けようとする負圧とを調整して、スライダ２０を最適な状態で浮上させるように設計されていれば、どのような凹凸形状でも構わない。なお、この凸条部２０ｂの表面２０ｃはＡＢＳ（ＡＩＲ  ＢＥＡＲＩＮＧ  ＳＵＲＦＡＣＥ）と呼ばれている。
【００３４】
そしてスライダ２０は、この２つの凸条部２０ｂによってディスク面Ｄ１から浮上する力を受けている。一方、ビーム３はディスク面Ｄ１に垂直なＺ方向に撓むようになっており、スライダ２０の浮上力を吸収している。つまり、スライダ２０は、浮上した際にビーム３によってディスク面Ｄ１側に押さえ付けられる力を受けている。よってスライダ２０は、この両者の力のバランスによって、上述したようにディスク面Ｄ１から所定距離Ｈ離間した状態で浮上するようになっている。しかもスライダ２０は、ジンバル部３０によってＸ軸回り及びＹ軸回りに回動するようになっているため、常に姿勢が安定した状態で浮上するようになっている。
なお、ディスクＤの回転に伴って生じる空気流は、スライダ２０の流入端側（ビーム３の−Ｘ方向端部）から流入した後、凸条部２０ｂの表面２０ｃに沿って流れ、スライダ２０の流出端側（ビーム３の＋Ｘ方向端部）から抜けている。
【００３５】
記録磁界発生部２１は、図３に示すように、ディスクＤに記録磁界を作用させて情報を記録する素子であって、スライダ２０の流出端側の側面（先端面）に固定された補助磁極３１と、磁気回路３２を介して補助磁極３１に接続され、ディスクＤに対して垂直な記録磁界を補助磁極３１との間で発生させる主磁極３３と、磁気回路３２を中心として磁気回路３２の周囲を螺旋状に巻回するコイル３４と、を備えている。
【００３６】
補助磁極３１、主磁極３３および磁気回路３２は、磁束密度が高い高飽和磁束密度（Ｂｓ）材料（例えば、ＣｏＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金など）により形成されている。また、コイル３４は、ショートしないように、隣り合うコイル線間、磁気回路３２との間、両磁極３１，３３との間に隙間が空くように配置されており、この状態でクラッド２４によってモールドされている。なお、クラッド２４は、コア２３とスライダ２０との間に配される第１絶縁層３５と、コア２３を介して第１絶縁層３５の反対側に配される第２絶縁層３６と、で構成されている（図４参照）。
【００３７】
そして、コイル３４は、情報に応じて変調された電流が制御部８から供給されるようになっている。すなわち、磁気回路３２およびコイル３４は、全体として電磁石を構成している。なお、主磁極３３および補助磁極３１は、ディスクＤに対向する端面（−Ｚ方向端面）がスライダ２０の凸条部２０ｂの表面２０ｃと面一となるように設計されている。また、図３に示すように、磁気回路３２は、第１絶縁層３５および第２絶縁層３６を貫通するように形成されている。さらに、磁気回路３２のＸ方向両端部は、両磁極３１，３３のそれぞれと同じ導電材料にて接続されている。このように構成することで、両磁極３１，３３間に記録磁界を発生させることができる。
【００３８】
図４は図３のＢ−Ｂ線に沿う断面図、図５は図３のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。図３〜図５に示すように、光導波路部２５は、レーザ光Ｌの入射側（＋Ｚ方向端部）がスライダ２０の上方を向くとともに、出射側（−Ｚ方向端部）がディスクＤ側を向いた状態で固定されている。この光導波路部２５は、入射側から導入されたレーザ光ＬをディスクＤに対向する出射側に伝播させるコア２３と、コア２３に密着するクラッド２４と、から構成されており、全体として略板状に形成されている。
【００３９】
コア２３は、入射側（＋Ｚ方向端面）から出射側（−Ｚ方向端面）にかけて漸次絞り成形されており、レーザ光Ｌを内部で徐々に集光させながら伝播させることができるようになっている。具体的に、コア２３は入射側から反射面２３ａと、光束集光部２３ｂと、近接場光生成部２３ｃと、を有している。
【００４０】
反射面２３ａは、後述する光導波路４２から導入されたレーザ光Ｌを導入方向とは異なる方向に反射させる機能を有している。この反射面２３ａによって光導波路４２から導入されたレーザ光Ｌは、コア２３内で全反射を繰り返しながら出射側に向けて伝播する。
【００４１】
光束集光部２３ｂは、入射側から出射側に向かう長手方向（Ｚ方向）に直交する断面積（ＸＹ方向の断面積）が漸次減少するように絞り成形された部分であり、導入されたレーザ光Ｌを集光させながら出射側に向けて伝播させている。つまり、光束集光部２３ｂに導入されたレーザ光Ｌのスポットサイズを、徐々に小さいサイズに絞ることができるようになっている。この光束集光部２３ｂにおける第１絶縁層３５に当接する面が、Ｚ方向出射側（−Ｚ方向）に向かって前記断面積が減少するように傾斜している。
【００４２】
近接場光生成部２３ｃは、光束集光部２３ｂの端部から出射側に向けてさらに絞り成形された部分である。具体的には、コア２３の出射側の近傍において、内部を伝播するレーザ光Ｌの光軸（Ｚ軸）に対して傾斜した傾斜面２３ｄによって絞り成形されている。この傾斜面２３ｄによって、コア２３は出射側が尖形した状態となっている。なお、この傾斜面２３ｄは、第１絶縁層３５に当接する面に形成されている。
【００４３】
なお、近接場光生成部２３ｃは、３つの側面を有するように断面三角形状に形成されており、そのうちの１つの側面（第２絶縁層３６に面する平坦面）が主磁極３３に対向するように配置され、その側面に近接場光発生素子２６が設けられている。また、近接場光生成部２３ｃの出射側で外部に露出する端面２３ｅは、凸条部２０ｂの表面２０ｃと面一となるように設計されている。
【００４４】
第１絶縁層３５および第２絶縁層３６から構成されるクラッド２４は、コア２３よりも屈折率が低い材料で形成されており、コア２３の入射側の端面および出射側の端面２３ｅを外部に露出させた状態でコア２３の側面に密着して、コア２３を内部に封止している。具体的に、クラッド２４は、コア２３とスライダ２０との間に配される第１絶縁層３５と、コア２３と主磁極３３との間でコア２３の平坦面２３ｆ側を覆うように形成された第２絶縁層３６と、で構成されている。このように、第１絶縁層３５および第２絶縁層３６がコア２３の各側面に密着しているため、コア２３とクラッド２４との間に隙間が生じないようになっている。
【００４５】
なお、クラッド２４およびコア２３として使用される材料の組み合わせの一例を記載すると、例えば、石英（ＳｉＯ2）でコア２３を形成し、フッ素をドープした石英でクラッド２４を形成する組み合わせが考えられる。この場合には、レーザ光Ｌの波長が４００ｎｍのときに、コア２３の屈折率が１．４７となり、クラッド２４の屈折率が１．４７未満となるので好ましい組み合わせである。
【００４６】
また、ゲルマニウムをドープした石英でコア２３を形成し、石英（ＳｉＯ2）でクラッド２４を形成する組み合わせも考えられる。この場合には、レーザ光Ｌの波長が４００ｎｍのときに、コア２３の屈折率が１．４７より大きくなり、クラッド２４の屈折率が１．４７となるのでやはり好ましい組み合わせである。
【００４７】
特に、コア２３とクラッド２４との屈折率差が大きいほど、コア２３内にレーザ光Ｌを閉じ込める力が大きくなるので、コア２３に酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5：波長が５５０ｎｍのときに屈折率が２．１６）を用い、クラッド２４に石英などを用いて、両者の屈折率差を大きくすることがより好ましい。また、赤外領域のレーザ光Ｌを利用する場合には、赤外光に対して透明な材料であるシリコン（Ｓｉ：屈折率が約４）でコア２３を形成することも有効である。
【００４８】
さらに、クラッド２４およびコア２３として使用される材料は、後述するように熱膨張率の高い材料を用いることが好ましく、このような材料として以下に示すような樹脂材料が好適に用いられている。例えばＰＭＭＡ（メタクリル酸メチル樹脂）により、厚さが３〜１０μｍでコア２３を形成し、フッ素含有重合体により、厚さが数十μｍでクラッド２４を形成する組み合わせが考えられる。また、コア２３およびクラッド２４をともにエポキシ樹脂（例えば、コア屈折率１．５２２〜１．５２３、クラッド屈折率１．５１８〜１．５１９）で構成したり、フッ素化ポリイミドで構成したりすることも可能である。この場合、コア２３とクラッド２４とを構成する樹脂材料の配合などを調整して、両者の屈折率差を大きくすることが好ましい。例えば、フッ素化ポリイミドの場合、フッ素含有量を調整したり、放射光などのエネルギー照射によって、屈折率を制御したりすることができる。
【００４９】
そして、近接場光発生素子２６は、例えば金（Ａｕ）や白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）などからなる金属膜であり、コア２３の近接場光生成部２３ｃに形成されている。近接場光発生素子２６は、コア２３内を伝播してきたレーザ光Ｌから近接場光を発生させ、近接場光を光導波路部２５の端面２３ｅとディスクＤとの間に局在化させるものである。
【００５０】
スライダ２０の上面（＋Ｚ方向端面）には光導波路４２が固定されている。この光導波路４２は、コア４２ａとクラッド４２ｂとを備えた導波路であり、コア４２ａ内をレーザ光Ｌが伝播するようになっている。光導波路４２の先端（＋Ｘ方向端部）は、光導波路部２５のコア２３の入射側端部に接続されており、レーザ光Ｌを反射面２３ａに向けて出射させている。なお、コア４２ａおよびクラッド４２ｂは、上述したコア２３およびクラッド２４とそれぞれ同様の材料により構成されている。
【００５１】
また、光導波路４２の基端側は、図１に示すように、ビーム３およびキャリッジ１１に沿って引き出された後、レーザ光源４３に接続されている。このレーザ光源４３は、キャリッジ１１の基端部１１ａの側面に取り付けられた制御基板４４上に図示しないＩＣチップなどの各種電子部品とともに実装されている。特にレーザ光源４３は、レーザ光Ｌを直線偏光の状態で出射するようになっている。すなわち、レーザ光源４３および光導波路４２は、近接場光ヘッド２にレーザ光Ｌを直線偏光の状態で入射させる光束入射機構４として機能する。なお、レーザ光源４３が実装されている制御基板４４は、可撓性のフラットケーブル（フレキシブル基板）４５によって制御部８に接続されている。これにより制御部８は、各構成品に電気的な信号を送って総合的な制御を行っている。特にレーザ光源４３は、レーザ光Ｌを出射するタイミングが制御部８によって制御されている。
【００５２】
再生素子２２は、ディスクＤの垂直記録層ｄ２から漏れ出ている磁界の大きさに応じて電気抵抗が変換する磁気抵抗効果膜であり、第２絶縁層３６の側面（＋Ｘ方向側面）に形成された第３絶縁層３７の側面（＋Ｘ方向側面）に形成されている。この再生素子２２には、図示しないリード膜などを介して制御部８からバイアス電流が供給されている。これにより制御部８は、ディスクＤから漏れ出た磁界の変化を電圧の変化として検出することでき、この電圧の変化から信号の再生を行うことができるようになっている。そして、再生素子２２および第３絶縁層３７を覆うように保護層３８が形成されている。
【００５３】
なお、本実施形態のディスクＤは、図２に示すように、ディスク面Ｄ１に垂直な方向に磁化容易軸を有する垂直記録層ｄ２と、高透磁率材料からなる軟磁性層ｄ３との少なくとも２層で構成される垂直２層膜ディスクＤを使用する。このようなディスクＤとしては、例えば、基板ｄ１上に、軟磁性層ｄ３と、中間層ｄ４と、垂直記録層ｄ２と、保護層ｄ５と、潤滑層ｄ６とを順に成膜したものを使用する。
【００５４】
基板ｄ１としては、例えば、アルミ基板やガラス基板などが用いられる。軟磁性層ｄ３は、高透磁率層である。中間層ｄ４は、垂直記録層ｄ２の結晶制御層である。垂直記録層ｄ２は、垂直異方性磁性層となっており、例えばＣｏＣｒＰｔ系合金が使用される。保護層ｄ５は、垂直記録層ｄ２を保護するためのもので、例えばＤＬＣ（ダイヤモンド・ライク・カーボン）膜が使用される。潤滑層ｄ６は、例えば、フッ素系の液体潤滑材が使用される。
【００５５】
（近接場光ヘッドの製造方法）
次に、上述のように構成された近接場光ヘッド２の製造方法について説明する。なお、以降の近接場光ヘッド２の製造過程を示す図においては、各図の左側に図３のＤ−Ｄ線に沿う断面図を示し、右側に図３のＥ−Ｅ線に沿う断面図を示す。
【００５６】
（第１の製造方法）
図６に示すように、まずスライダ２０となる基板（例えば、ＡｌＴｉＣ（アルチック）など）上に、磁性材料の補助磁極３１とともに、磁気回路３２の下部ヨーク３２ａをパターニングする。なお、補助磁極３１と下部ヨーク３２ａとの間は磁性材料にて連結されている。続いて、光導波路部２５のクラッド２４の役割とともに、各磁極とコイル３４との間の絶縁の役割をする第１絶縁層３５を成膜する。
【００５７】
続いて、図７に示すように、第１絶縁層３５上にレジスト材４７を塗布する。続いて、光導波路部２５のコア２３およびコイル３４のパターニング用の凹型レジストパターン４８を形成する。レジストパターニングには、例えば、図７に示す型４９で押し付けるナノインプリントのような方法を用いれば、効率良く、低コストで加工ができる。
【００５８】
続いて、図８に示すように、ドライエッチング法で、上述したレジストパターン４８が第１絶縁層３５上に転写され、光導波路部２５のコア２３形成用の溝５０とコイル３４形成用の溝５１が加工されるまで、レジスト材４７と第１絶縁層３５をエッチングする。そうすることで、光導波路部２５のコア２３、近接場光発生素子２６、およびコイル３４を形成する場所となる溝５０，５１を第１絶縁層３５上に加工することができる。なお、溝５０，５１の加工には、レジストをコート＆パターニングせずに、第１絶縁層３５を型で直接押し付けるプレス法を用いてもよい。
【００５９】
続いて、コア２３用の溝５０に光導波路部材５２を形成する。形成方法としては、光導波路部材５２として構成される所定量の樹脂などを溝５０に直接注入する方法がある。また、コイル３４用の溝５１を保護材５３で保護した上で、光導波路部材５２を、スピンコート法を用いて溝５０内に形成する方法でもよい。そうすることで、コア２３を形成することができる。
【００６０】
続いて、図９に示すように、近接場光発生素子２６およびコイル３４の材料（例えば、Ａｕなど）５４を所定膜厚となるように成膜する。続いて、近接場光発生素子２６およびコイル３４が形成される部分以外の膜をフォトリソとエッチング法で除去する。続いて、研磨などの手段で、溝５０における近接場光発生素子２６が配される箇所および溝５１の中にある前記膜以外の膜を除去する。そうすることで、近接場光発生素子２６とコイル３４を同一平面上に同時に形成することができる。
【００６１】
続いて、図１０に示すように、第１絶縁層３５、近接場光発生素子２６、コイル３４、およびコア２３を覆うように、光導波路部２５のクラッド２４の役割とともに、各磁極とコイル３４との間の絶縁の役割をする第２絶縁層３６を成膜する。続いて、磁気回路３２を形成するために、補助磁極３１と主磁極３３とを繋ぐための貫通孔５５を形成する。具体的には、貫通孔５５は、コイル３４の中心部に相当する位置を通過させて、第１絶縁層３５および第２絶縁層３６を貫通し、下部ヨーク３２ａが露出するように形成する。
【００６２】
続いて、図１１に示すように、第２絶縁層３６上に磁性材料からなる主磁極３３および磁気回路３２の上部ヨーク３２ｂを形成するとともに、貫通ヨーク３２ｃを形成（貫通孔５５を磁性材料で埋める）する。なお、主磁極３３と上部ヨーク３２ｂとの間は磁性材料にて連結されている。また、主磁極３３と補助磁極３１との位置を入れ替えて形成してもよい。このように構成することで、貫通ヨーク３２ｃを介して上部ヨーク３２ｂと下部ヨーク３２ａとの間が磁性材料にて連結され、補助磁極３１と主磁極３３との間が磁性材料にて連結されることとなる。これにより、磁気回路３２が形成され、この磁気回路３２およびコイル３４により記録磁界発生部２１が形成される。
【００６３】
さらに、主磁極３３および第２絶縁層３６を覆うように第３絶縁層３７を成膜し、この第３絶縁層３７上に再生素子２２を形成する。なお、再生素子２２は、補助磁極３１および主磁極３３に対向する位置に形成する。また、再生素子２２はその位置が比較的自由に設定され、例えば、補助磁極３１を形成する前の基板上に配置されてもよい。続いて、再生素子２２および第３絶縁層３７を覆うように保護層３８を形成する。
このようにすることで、近接場光ヘッド２を製造することができる。
【００６４】
（第２の製造方法）
次に、上述のように構成された近接場光ヘッド２の上述とは別の製造方法について説明する。
まず、上述の図６と同様に、まずスライダ２０となる基板（例えば、ＡｌＴｉＣ（アルチック）など）上に、磁性材料の補助磁極３１とともに、磁気回路３２の下部ヨーク３２ａをパターニングする。なお、補助磁極３１と下部ヨーク３２ａとの間は磁性材料にて連結されている。続いて、光導波路部２５のクラッド２４の役割とともに、各磁極とコイル３４との間の絶縁の役割をする第１絶縁層３５を成膜する。
【００６５】
続いて、上述の図７と同様に、第１絶縁層３５上にレジスト材４７を塗布する。続いて、光導波路部２５のコア２３およびコイル３４のパターニング用の凹型レジストパターン４８を形成する。レジストパターニングには、例えば、図７に示す型４９で押し付けるナノインプリントのような方法を用いれば、効率良く、低コストで加工ができる。続いて、ドライエッチング法で、上述したレジストパターン４８が第１絶縁層３５上に転写され、光導波路部２５のコア２３形成用の溝５０とコイル３４形成用の溝５１が加工されるまで、レジスト材４７と第１絶縁層３５をエッチングする。そうすることで、光導波路部２５のコア２３、近接場光発生素子２６、およびコイル３４を形成する場所となる溝５０，５１を第１絶縁層３５上に加工することができる。なお、溝５０，５１の加工には、レジストをコート＆パターニングせずに、第１絶縁層３５を型で直接押し付けるプレス法を用いてもよい。
【００６６】
続いて、図１２に示すように、第１絶縁層３５を覆うように、光導波路部材５２を成膜する。
【００６７】
続いて、図１３に示すように、光導波路部材５２に対して研磨などの手段を用い、各溝５０，５１の光導波路部材５２が削れ無くなった時点で研磨を終了する。そうすることで、コア２３を形成することができる。なお、この時点でコイル３４が形成される溝５１にも光導波路部材５２が若干浸入している。
【００６８】
続いて、図１４に示すように、近接場光発生素子２６とコイル３４の材料５４（例えば、Ａｕなど）を所定膜厚となるように成膜する。続いて、近接場光発生素子２６およびコイル３４が形成される部分以外の膜をフォトリソとエッチング法で除去する。続いて、研磨などの手段で、溝５０における近接場光発生素子２６が配される箇所および溝５１の中にある前記膜以外の膜を除去する。そうすることで、近接場光発生素子２６およびコイル３４を同一平面で同時に形成することができる。
【００６９】
続いて、図１５に示すように、第１絶縁層３５、近接場光発生素子２６、コイル３４、およびコア２３を覆うように、光導波路部２５のクラッド２４の役割とともに、各磁極とコイル３４との間の絶縁の役割をする第２絶縁層３６を成膜する。続いて、磁気回路３２を形成するために、補助磁極３１と主磁極３３とを繋ぐための貫通孔５５を形成する。具体的には、貫通孔５５は、コイル３４の中心部に相当する位置を通過させて、第１絶縁層３５および第２絶縁層３６を貫通し、下部ヨーク３２ａが露出するように形成する。
【００７０】
続いて、図１６に示すように、第２絶縁層３６上に磁性材料からなる主磁極３３および磁気回路３２の上部ヨーク３２ｂを形成するとともに、貫通ヨーク３２ｃを形成（貫通孔５５を磁性材料で埋める）する。なお、主磁極３３と上部ヨーク３２ｂとの間は磁性材料にて連結されている。また、主磁極３３と補助磁極３１との位置を入れ替えて形成してもよい。このように構成することで、貫通ヨーク３２ｃを介して上部ヨーク３２ｂと下部ヨーク３２ａとの間が磁性材料にて連結され、補助磁極３１と主磁極３３との間が磁性材料にて連結されることとなる。これにより、磁気回路３２が形成され、この磁気回路３２およびコイル３４により記録磁界発生部２１が形成される。
【００７１】
さらに、主磁極３３および第２絶縁層３６を覆うように第３絶縁層３７を成膜し、この第３絶縁層３７上に再生素子２２を形成する。なお、再生素子２２は、補助磁極３１および主磁極３３に対向する位置に形成する。また、再生素子２２はその位置が比較的自由に設定され、例えば、補助磁極３１を形成する前の基板上に配置されてもよい。続いて、再生素子２２および第３絶縁層３７を覆うように保護層３８を形成する。
このようにすることで、近接場光ヘッド２を製造することができる。
【００７２】
なお、上述した近接場光ヘッド２の別の構造として、図１７、図１８のように構成してもよい。図１７、図１８においても、上述した近接場光ヘッド２の製造過程を示す図と同様に、各図の左側に図３のＤ−Ｄ線に相当する位置の断面図を示し、右側に図３のＥ−Ｅ線に相当する位置の断面図を示す。
【００７３】
図１７の近接場光ヘッドは、近接場光発生素子２６、主磁極３３およびコイル３４が同一平面上に形成されている。このように構成することで、上述した近接場光ヘッド２よりも積層段数が少なくなるため、よりコンパクトな近接場光ヘッドを提供することが可能となる。
【００７４】
図１７のような近接場光ヘッドを製造するには、上述の図７において、主磁極３３を形成するためのパターンを押し付け型に描きこむことで、コア２３およびコイル３４用の溝５０，５１とともに、主磁極３３用の溝５７を同時に形成することができる。また、溝５７に主磁極３３を形成する方法に関しては、例えば、図９において、主磁極３３用の溝５７以外の溝５０，５１は保護した上で、磁性材料を成膜した後、研磨などで主磁極３３用の溝５７以外の磁性材料を除去することで形成することができる。
【００７５】
また、図１０において貫通孔５５を開ける時に、貫通孔５８を同時に開けておくことで、図１１で下部ヨーク３２ａと上部ヨーク３２ｂとを繋ぐ工程と同時に、図１７のように上部ヨーク３２ｂと主磁極３３とを繋ぐことができる。このようにして、図１７の近接場光ヘッドを製造することができる。
【００７６】
図１８は、近接場光発生素子２６、補助磁極３１、主磁極３３、およびコイル３４が同一平面上に形成されている。このように構成することで、上述した近接場光ヘッド２よりも積層段数が更に少なくなるため、さらにコンパクトな近接場光ヘッドを提供することが可能となる。
【００７７】
図１８のような近接場光ヘッドを製造するには、上述の図６において、補助磁極３１ではなく、下部ヨーク５９を形成しておく。また、図７において、主磁極３３および補助磁極３１形成のためのパターンを押し付け型に描きこむことで、コア２３およびコイル３４用の溝５０，５１とともに、主磁極３３および補助磁極３１用の溝６０，６１を同時に形成することができる。また、溝６０，６１に主磁極３３および補助磁極３１を形成する方法に関しては、例えば、図９において、主磁極３３および補助磁極３１用の溝６０，６１以外の溝部は保護した上で、磁性材料を成膜した後、研磨などで主磁極３３および補助磁極３１用の溝６０，６１以外の磁性材料を除去することでできる。
【００７８】
また、図１０において貫通孔５５を開ける時に、貫通孔６２を開けておくことで、図１１で下部ヨーク３２ａと上部ヨーク３２ｂとを繋ぐ工程と同時に、図１８のように上部ヨーク３２ｂと主磁極３３とを繋ぐことができる。このようにして、図１８の近接場光ヘッドを製造することができる。
【００７９】
なお、図１７、図１８の近接場光ヘッドにおいて、主磁極３３と補助磁極３１との位置が変わってもよいし、近接場光発生素子２６の左側に主磁極３３および補助磁極３１が配置されてもよい。
【００８０】
本実施形態によれば、近接場光ヘッド２を製造する際に、記録磁界発生部２１のコイル３４と近接場光発生素子２６とを同時に形成することができる。したがって、製造プロセスの簡略化を図ることができ、生産効率を向上することができる。また、記録磁界発生部２１のコイル３４と近接場光発生素子２６とを同時に形成することにより、近接場光ヘッド２の積層方向の厚さを薄くすることができ、近接場光ヘッド２を小型化することができる。結果として、近接場光ヘッド２を備えたスライダ２０の位置制御を安定化させることができ、大量かつ高密度情報の記録再生を行うことができる。さらに、同一平面上に形成される記録磁界発生部２１のコイル３４と近接場光発生素子２６との位置決めが容易になるため、高精度で、かつ、歩留まりが向上した近接場光ヘッド２を提供することができる。
【００８１】
また、情報記録再生装置１は上述の近接場光ヘッド２を備えているため、書き込みの信頼性が高く、高密度記録化に対応することができる高品質な情報記録再生装置１を提供することができる。
【００８２】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。なお、本実施形態の情報記録再生装置は、第１実施形態の情報記録再生装置と近接場光ヘッドの構成が異なるのみで、その他の構成は略同一であるため、同一箇所には同一符号を付して詳細な説明は省略する。また、以降の近接場光ヘッド１０２の製造過程を示す図においては、各図の左側に図３のＤ−Ｄ線に沿う断面図を示し、右側に図３のＥ−Ｅ線に沿う断面図を示す。
【００８３】
図１９は本実施形態における図３のＢ−Ｂ線に沿う断面図であり、図２０は図３のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。図１９、図２０に示すように、近接場光ヘッド１０２は、補助磁極１３１と主磁極１３３とが第１実施形態とは反対の位置、つまり、主磁極１３３がコア１２３よりもスライダ２０側（−Ｘ側）に配され、補助磁極１３１がコア１２３を介してスライダ２０の反対側に配されている。また、近接場光発生素子１２６は、主磁極１３３に対向する位置に形成されており、コア１２３の光束集光部１２３ｂおよび傾斜面１２３ｄが第２絶縁層１３６に面する側に形成されている。
【００８４】
（近接場光ヘッドの製造方法）
次に、上述したように構成された近接場光ヘッド１０２の製造方法について説明する。
【００８５】
図２１に示すように、まずスライダ２０となる基板（例えば、ＡｌＴｉＣ（アルチック）上に、磁性材料の主磁極１３３とともに、磁気回路１３２の下部ヨーク１３２ａをパターニングする。なお、主磁極１３３と下部ヨーク１３２ａとの間は磁性材料にて連結されている。続いて、光導波路部１２５のクラッド１２４の役割とともに、各磁極１３１，１３３とコイル１３４との間の絶縁の役割をする第１絶縁層１３５を成膜する。続いて、近接場光発生素子１２６およびコイル１３４の材料１５４（例えば、Ａｕなど）を所定膜厚となるように成膜する。続いて、近接場光発生素子１２６およびコイル１３４が形成される部分以外の膜を例えばフォトリソとエッチング法で除去する。さらに、第１絶縁層１３５上に、光導波路部材１５２を成膜する。
【００８６】
続いて、図２２に示すように、光導波路部材１５２上にレジスト材１４７を塗布し、光導波路部１２５のコア１２３およびコイル１３４のパターニング用の凸型レジストパターン１４８を形成する。レジストパターニングには、例えば、図２２に示す型１４９で押し付けるナノインプリントのような方法を用いれば、効率良く、低コストで加工ができる。
【００８７】
続いて、図２３に示すように、ドライエッチング法で、光導波路部材１５２にレジストパターンが転写され、光導波路部１２５のコア１２３およびコイル加工用出っ張り部１６５が加工され、近接場光発生素子１２６およびコイル１３４となる材料（膜）１５４が露出されるまで、レジスト材１４７および光導波路部材１５２をエッチングする。このようにすることで、光導波路部１２５のコア１２３とコイル加工用出っ張り部１６５を同一平面上に同時に形成することができる。
【００８８】
なお、光導波路部１２５のコア１２３およびコイル加工用出っ張り部１６５の加工には、レジストをコートおよびパターニングせずに、光導波路部材１５２を型で直接押し付けるプレス法も用いることができる。また、光導波路部１２５のコア１２３およびコイル１３４のパターニング用の凸型レジストパターン１４８をドライエッチングすることでもできる。
【００８９】
続いて、図２４に示すように、近接場光発生素子１２６およびコイル１３４となる材料１５４を、光導波路部１２５のコア１２３およびコイル加工用出っ張り部１６５が損傷を受けないような方法で、コア１２３およびコイル加工用出っ張り部１６５の真下の膜のみが残るようにエッチングする。エッチング手段としては、例えば、ウエットエッチング法がある。そうすることで、近接場光発生素子１２６とコイル１３４を同一平面上に同時に形成することができる。
【００９０】
続いて、図２５に示すように、第１絶縁層１３５、近接場光発生素子１２６、コイル１３４、およびコア１２３を覆うように、光導波路部１２５のクラッド１２４の役割とともに、各磁極１３１，１３３とコイル１３４と間の絶縁の役割をする第２絶縁層１３６を成膜する。続いて、磁気回路１３２を形成するために、補助磁極１３１と主磁極１３３とを繋ぐための貫通孔１５５を形成する。具体的には、貫通孔１５５は、コイル１３４の中心部に相当する位置を通過させて、第１絶縁層１３５および第２絶縁層１３６を貫通し、下部ヨーク１３２ａが露出するように形成する。
【００９１】
続いて、第２絶縁層１３６上に磁性材料からなる補助磁極１３１および磁気回路１３２の上部ヨーク１３２ｂを形成するとともに、貫通ヨーク１３２ｃを形成（貫通孔１５５を磁性材料で埋める）する。なお、補助磁極１３１と上部ヨーク１３２ｂとの間は磁性材料にて連結されている。また、主磁極１３３と補助磁極１３１との位置を入れ替えて形成してもよい。このように構成することで、貫通ヨーク１３２ｃを介して上部ヨーク１３２ｂと下部ヨーク１３２ａとの間が磁性材料にて連結され、補助磁極１３１と主磁極１３３との間が磁性材料にて連結されることとなる。これにより、磁気回路１３２が形成され、この磁気回路１３２およびコイル１３４により記録磁界発生部１２１が形成される。
【００９２】
そして、補助磁極１３１および第２絶縁層１３６を覆うように第３絶縁層１３７を成膜し、この第３絶縁層１３７上に再生素子１２２を形成する。なお、再生素子１２２は、補助磁極１３１および主磁極１３３に対向する位置に形成する。また、再生素子１２２はその位置が比較的自由に設定され、例えば、主磁極１３３を形成する前の基板上に配置されてもよい。続いて、再生素子１２２および第３絶縁層１３７を覆うように保護層１３８を形成する。
このようにすることで、近接場光ヘッド１０２を製造することができる。
【００９３】
なお、上述した近接場光ヘッド１０２の別の構造として、図２６、図２７のように構成してもよい。図２６、図２７においても、上述した近接場光ヘッド１０２の製造過程を示す図と同様に、各図の左側に図３のＤ−Ｄ線に相当する位置の断面図を示し、右側に図３のＥ−Ｅ線に相当する位置の断面図を示す。
【００９４】
図２６の近接場光ヘッドは、近接場光発生素子１２６、主磁極１３３およびコイル１３４が同一平面上に形成されている。このように構成することで、上述した近接場光ヘッド１０２よりも積層段数が少なくなるため、よりコンパクトな近接場光ヘッドを提供することが可能となる。
【００９５】
図２６のような近接場光ヘッドを製造するには、上述の図２１において、主磁極１３３ではなく、下部ヨーク１５９を形成する。また、近接場光発生素子１２６およびコイル１３４の形成に必要な膜以外が除去された第１絶縁層１３５上の所定の場所（近接場光発生素子１２６の近傍）に磁性材料からなる主磁極１３３を、例えば、リフトオフなどの手段で、パターニングする工程が追加される。このようにすることによって、図２６の近接場光ヘッドを製造することができる。
【００９６】
図２７は、近接場光発生素子１２６、補助磁極１３１、主磁極１３３、およびコイル１３４が同一平面上に形成されている。このように構成することで、上述した近接場光ヘッド１０２よりも積層段数が更に少なくなるため、さらにコンパクトな近接場光ヘッドを提供することが可能となる。
【００９７】
図２７のような近接場光ヘッドを製造するには、上述の図２１において、主磁極１３３ではなく、下部ヨーク１５９を形成する。また、近接場光発生素子１２６およびコイル１３４の形成に必要な膜以外が除去された第１絶縁層１３５上の所定の場所（近接場光発生素子１２６の近傍）に磁性材料からなる主磁極１３３および補助磁極１３１を、例えば、リフトオフなどの手段で、パターニングする工程が追加される。
また、図２５において貫通孔１５５を開ける時に、貫通孔１６２を開けておくことで、その後、下部ヨーク１３２ａと上部ヨーク１３２ｂとを繋ぐ工程と同時に、図２７のように上部ヨーク１３２ｂと補助磁極１３１とを繋ぐことができる。このようにすることによって、図２７の近接場光ヘッドを製造することができる。
【００９８】
本実施形態においても、第１実施形態と略同一の作用効果を得ることができる。
【００９９】
（情報記録再生方法）
次に、このように構成された情報記録再生装置１により、ディスクＤに各種の情報を記録再生する場合について以下に説明する。
まず、図１に示すように、スピンドルモータ６を駆動させてディスクＤを一定方向に回転させる。次いで、アクチュエータ５を作動させて、キャリッジ１１を介してビーム３をＸＹ方向にスキャンさせる。これにより、ディスクＤ上の所望する位置に近接場光ヘッド２を位置させることができる。この際、近接場光ヘッド２は、スライダ２０の対向面２０ａに形成された２つの凸条部２０ｂによって浮上する力を受けるとともに、ビーム３などによってディスクＤ側に所定の力で押さえ付けられる。近接場光ヘッド２は、この両者の力のバランスによって、図２に示すようにディスクＤ上から所定距離Ｈ離間した位置に浮上する。
【０１００】
また、近接場光ヘッド２は、ディスクＤのうねりに起因して発生する風圧を受けたとしても、ビーム３によってＺ方向の変位が吸収されるとともに、ジンバル部３０によってＸＹ軸回りに変位することができるようになっているので、うねりに起因する風圧を吸収することができる。そのため、近接場光ヘッド２を安定した状態で浮上させることができる。ここで、本実施形態の近接場光ヘッド２は、小型化を図ることができるため、より安定した状態で浮上させることができる。
【０１０１】
ディスクＤに情報を記録する場合、制御部８はレーザ光源４３を作動させて直線偏光のレーザ光Ｌを出射させるとともに、情報に応じて変調した電流をコイル３４に供給して記録磁界発生部２１を作動させる。
【０１０２】
まず、レーザ光源４３からレーザ光Ｌを光導波路４２に入射させて、レーザ光Ｌをスライダ２０側に導く。レーザ光源４３から出射されたレーザ光Ｌは、光導波路４２のコア４２ａ内を先端（流出端）側に向かって進み、光導波路部２５のコア２３内に伝播する。コア２３内に伝播したレーザ光Ｌは、光束集光部２３ｂ内を伝播する。光束集光部２３ｂを伝播するレーザ光Ｌは、ディスクＤ側に位置する出射側（−Ｚ方向）に向かってコア２３とクラッド２４との間で全反射を繰り返しながら伝播する。特に、コア２３の側面にはクラッド２４が密着しているので、コア２３の外部に光が漏れることはない。よって、導入されたレーザ光Ｌを無駄にすることなく絞りながら出射側に伝播させて、近接場光発生素子２６に入射させることができる。
【０１０３】
この際、コア２３は、入射側から出射側に向かう長手方向（Ｚ方向）に直交する断面積が漸次減少するように絞り成形されている。そのため、レーザ光Ｌは光束集光部２３ｂ内を伝播するにしたがって徐々に絞り込まれてスポットサイズが小さくなる。
【０１０４】
スポットサイズが小さくなったレーザ光Ｌは、続いて、近接場光生成部２３ｃに入射する。すると、レーザ光Ｌは、近接場光発生素子２６に入射する。これにより、近接場光発生素子２６には表面プラズモンが励起される。励起された表面プラズモンは、共鳴効果によって増強されながら近接場光発生素子２６とコア２３（近接場光生成部２３ｃ）との界面からコア２３の出射側に向かって伝播する。そして、出射側に達した時点で、光強度の強い近接場光となって外部に漏れ出す。つまり、コア２３の端面２３ｅとディスクＤとの間に近接場光を局在化させることができる。するとディスクＤは、この近接場光によって局所的に加熱されて一時的に保磁力が低下する。
【０１０５】
一方、制御部８によってコイル３４に電流が供給されると、電磁石の原理により電流磁界が磁気回路３２内に磁界を発生させるので、主磁極３３と補助磁極３１との間にディスクＤに対して垂直方向の記録磁界を発生させることができる。すると、主磁極３３側から発生した磁束が、ディスクＤの垂直記録層ｄ２を真直ぐ通り抜けて軟磁性層ｄ３に達する。これによって、垂直記録層ｄ２の磁化をディスク面Ｄ１に対して垂直に向けた状態で記録を行うことができる。また、軟磁性層ｄ３に達した磁束は、軟磁性層ｄ３を経由して補助磁極３１に戻る。この際、補助磁極３１に戻るときには磁化の方向に影響を与えることはない。これは、ディスク面Ｄ１に対向する補助磁極３１の面積が、主磁極３３よりも大きいため磁束密度が大きく磁化を反転させるほどの力が生じないためである。つまり、主磁極３３側でのみ記録を行うことができる。
【０１０６】
その結果、近接場光と両磁極３１、３３で発生した記録磁界とを協働させたハイブリッド磁気記録方式により情報の記録を行うことができる。しかも垂直記録方式で記録を行うため、熱揺らぎ現象などの影響を受け難く、安定した記録を行うことができる。よって、書き込みの信頼性を高めることができる。
【０１０７】
また、ディスクＤに記録された情報を再生する場合には、ディスクＤの保磁力が一時的に低下している時に、再生素子２２がディスクＤの垂直記録層ｄ２から漏れ出ている磁界を受けて、その大きさに応じて電気抵抗が変化する。よって、再生素子２２の電圧が変化する。これにより制御部８は、ディスクＤから漏れ出た磁界の変化を電圧の変化として検出することができる。そして制御部８は、この電圧の変化から信号の再生を行うことで、ディスクＤに記録されている情報の再生を行うことができる。
【０１０８】
なお、記録再生を行わない場合には、レーザ光源４３の作動を停止させる。
【０１０９】
なお、本発明は上記実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では、近接場光ヘッドを浮上させた空気浮上タイプの情報記録再生装置を例に挙げて説明したが、この場合に限られず、ディスク面に対向配置されていればディスクと記録再生ヘッドとが接触していても構わない。つまり、本発明の近接場光ヘッドは、コンタクトスライダタイプの近接場光ヘッドであっても構わない。この場合であっても、略同一の作用効果を奏することができる。
【０１１０】
また、上記実施形態では、光導波路部２５のコア２３が一端側から他端側に向けて漸次絞り成形されている場合を例に挙げたが、この場合に限られず、図２８に示すように、ストレートに形成されていても構わない。なお、コア２３の形状を上記実施形態と異なる形状にする場合は、上記実施形態で説明したパターニング用の凹型レジストパターンの形状を代えればよい。
【０１１１】
また、上記実施形態では、本発明の近接場光ヘッド２をディスクＤに対して垂直な記録磁界を与える垂直磁気記録方式に採用する場合について説明したが、これに限らず、ディスクＤに対して水平な記録磁界を与える面内記録方式に採用しても構わない。
【０１１２】
また、上記実施形態における近接場光発生素子２６（１２６）の形状については特に限定していないが、例えば、図２９に示すように、円板部２６ａと棒状部２６ｂとで構成される近接場光発生素子２６Ａであってもよい。この近接場光発生素子２６Ａは、円板部２６ａにレーザ光（光束）Ｌが照射されるとプラズモンが発生し、棒状部２６ｂにおいてプラズモンから近接場光が発生するように構成されている。このように構成することで、高いエネルギー効率で近接場光を発生させることができる。なお、図２９は図３のＸ方向から見た正面図である。また、図３０に示すように、円板部２６ａの厚さを棒状部２６ｂよりも厚くしてもよい。また、図３１に示すように、円板部２６ａを矩形状の角板部２６ｃで構成してもよい。また、上記実施形態では近接場光発生素子２６（１２６）をコア２３の平坦面２３ｆ側に形成したが、図３２に示すように、コア２３の端面２３ｅに当接するように近接場光発生素子２６Ｂを形成してもよい。このとき、近接場光発生素子２６ＢはＺ方向から見ると三角形状となっているが、三角形の−Ｘ側に位置する頂点が光のスポット中央部に相当する位置に配されていることが好ましい。さらに、図３３に示すように、近接場光発生素子２６Ｃをコア２３の傾斜面２３ｄに形成してもよい。また、図３４は図３３のコア２３の形状が変形されたものであるが、傾斜面２３ｄおよび先端部２６ｇに近接場光発生素子２６Ｃを形成するように構成してもよい。なお、図３２、図３３はＹ方向から見た図であり、図３４はＸ方向から見た図である。また、図２９〜図３４に示した近接場光発生素子２６Ａ〜２６Ｃは、いずれも上記実施形態で説明したフォトリソなどの方法を用いて形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１１３】
本発明の近接場光ヘッドは、コンピュータ機器におけるハードディスクなどの情報記録再生装置に対して好適に利用することができる。
【符号の説明】
【０１１４】
１…情報記録再生装置
２…近接場光ヘッド
３…ビーム
５…アクチュエータ
６…スピンドルモータ（回転駆動部）
８…制御部
２０…スライダ（基板）
２１…記録磁界発生部
２３…コア
２５…光導波路部
２６…近接場光発生素子（近接場光発生素子部）
２６ａ…円板部（プラズモン発生部）
２６ｂ…棒状部（近接場光発生部）
３１…補助磁極
３２…磁気回路
３２ａ…下部ヨーク（磁気回路の一端）
３２ｂ…上部ヨーク（磁気回路の他端）
３３…主磁極
３４…コイル
３５…第１絶縁層
３６…第２絶縁層
４３…レーザ光源（光源）
５０…溝（凹部）
５１…溝（凹部）
５２…光導波路部材
５４…近接場光発生素子およびコイルの材料（導電材料）
５５…貫通孔
Ｄ…ディスク（磁気記録媒体）
Ｄ１…ディスク面（表面）
【図１】
0005854403.tif 000002
【図２】
0005854403.tif 000003
【図３】
0005854403.tif 000004
【図４】
0005854403.tif 000005
【図５】
0005854403.tif 000006
【図６】
0005854403.tif 000007
【図７】
0005854403.tif 000008
【図８】
0005854403.tif 000009
【図９】
0005854403.tif 000010
【図１０】
0005854403.tif 000011
【図１１】
0005854403.tif 000012
【図１２】
0005854403.tif 000013
【図１３】
0005854403.tif 000014
【図１４】
0005854403.tif 000015
【図１５】
0005854403.tif 000016
【図１６】
0005854403.tif 000017
【図１７】
0005854403.tif 000018
【図１８】
0005854403.tif 000019
【図１９】
0005854403.tif 000020
【図２０】
0005854403.tif 000021
【図２１】
0005854403.tif 000022
【図２２】
0005854403.tif 000023
【図２３】
0005854403.tif 000024
【図２４】
0005854403.tif 000025
【図２５】
0005854403.tif 000026
【図２６】
0005854403.tif 000027
【図２７】
0005854403.tif 000028
【図２８】
0005854403.tif 000029
【図２９】
0005854403.tif 000030
【図３０】
0005854403.tif 000031
【図３１】
0005854403.tif 000032
【図３２】
0005854403.tif 000033
【図３３】
0005854403.tif 000034
【図３４】
0005854403.tif 000035