【事件の表示】
　特願２００３−　２７８８３「有機半導体装置及びそれを有する表示素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　８月２６日出願公開、特開２００４−２４１５２８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１５年２月５日の出願であって、平成２０年１１月１９日付けの拒絶理由通知に対して、平成２１年１月２６日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年３月２３日付けで拒絶査定がされ、それに対して、同年４月３０日に拒絶査定に対する審判請求がされるとともに、同年５月２６日に手続補正書が提出され、その後、平成２２年１２月３日付けで審尋がなされたものの、それに対する回答はなされなかったものである。
　
　
２．補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２１年５月２６日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正の内容
　平成２１年５月２６日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜１２を、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜１０と補正するとともに、発明の詳細な説明、図面の簡単な説明及び図面の補正を行うものであって、補正前の請求項１及び４、並びに補正後の請求項１及び２は、各々以下のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】　電気絶縁性基板、第三の電極層、電気絶縁層、同一面に間隔を設けて配置された第一の電極層及び第二の電極層、並びに、前記第一の電極層及び第二の電極層の間隙を埋めると共にそれらの上面を覆うように設けた有機半導体層を順次有する有機半導体装置において、
　前記電気絶縁層が、（Ａ）体積抵抗率が１０6 Ωｃｍよりも大きい電気絶縁材料で構成される層と、（Ｂ）比誘電率が４以上の電気絶縁材料で構成される層とを有し、
　前記（Ａ）及び（Ｂ）の層の少なくとも一方が、有機の電気絶縁材料で構成され、そして、
　前記有機の電気絶縁材料で構成される層が、前記電気絶縁性基板に近い側に設けられている
ことを特徴とする有機半導体装置。」
　
　「【請求項４】　電気絶縁性基板、第三の電極層、電気絶縁層、有機半導体層、並びに、同一面に間隔を設けて配置された第一の電極層及び第二の電極層、を順次有する有機半導体装置において、
　前記電気絶縁層が、（Ａ）体積抵抗率が１０6 Ωｃｍよりも大きい電気絶縁材料で構成される層と、（Ｂ）比誘電率が４以上の電気絶縁材料で構成される層とを有し、
　前記（Ａ）及び（Ｂ）の層の少なくとも一方が、有機の電気絶縁材料で構成され、そして、
　前記有機の電気絶縁材料で構成される層が、前記電気絶縁性基板に近い側に設けられている
ことを特徴とする有機半導体装置。」
　
（補正後）
　「【請求項１】　電気絶縁性基板、第三の電極層、電気絶縁層、同一面に間隔を設けて配置された第一の電極層及び第二の電極層、並びに、前記第一の電極層及び第二の電極層の間隙を埋めると共にそれらの上面を覆うように設けた有機半導体層を順次有する有機半導体装置において、
　前記電気絶縁層が、（Ａ）体積抵抗率が１０6 Ωｃｍよりも大きい電気絶縁材料で構成される層と、（Ｂ）比誘電率が４以上の電気絶縁材料で構成される層とを有し、
　前記（Ａ）及び（Ｂ）の層の少なくとも一方が、有機の電気絶縁材料で構成され、かつ、
　前記有機の電気絶縁材料で構成される層（Ａ）が、前記電気絶縁材料で構成される層（Ｂ）より前記電気絶縁性基板に近い側に設けられている
ことを特徴とする有機半導体装置。」
　
　「【請求項２】　電気絶縁性基板、第三の電極層、電気絶縁層、有機半導体層、並びに、同一面に間隔を設けて配置された第一の電極層及び第二の電極層、を順次有する有機半導体装置において、
　前記電気絶縁層が、（Ａ）体積抵抗率が１０6 Ωｃｍよりも大きい電気絶縁材料で構成される層と、（Ｂ）比誘電率が４以上の電気絶縁材料で構成される層とを有し、
　前記（Ａ）及び（Ｂ）の層の少なくとも一方が、有機の電気絶縁材料で構成され、かつ、
　前記有機の電気絶縁材料で構成される層（Ａ）が、前記電気絶縁材料で構成される層（Ｂ）より前記電気絶縁性基板に近い側に設けられている
ことを特徴とする有機半導体装置。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると、以下のとおりである。
（２−１）補正事項１
　補正前の請求項１の「そして、　前記有機の電気絶縁材料で構成される層が、前記電気絶縁性基板に近い側に設けられている」を「かつ、　前記有機の電気絶縁材料で構成される層（Ａ）が、前記電気絶縁材料で構成される層（Ｂ）より前記電気絶縁性基板に近い側に設けられている」と改めて、補正後の請求項１とすること。
　
（２−２）補正事項２
　補正前の請求項２及び３を削除するとともに、補正前の請求項４〜１２の番号を繰り上げ、必要に応じて引用する請求項の番号を変更して、補正後の請求項２〜１０とすること。
　
（２−３）補正事項３
　補正前の請求項４の「そして、　前記有機の電気絶縁材料で構成される層が、前記電気絶縁性基板に近い側に設けられている」を「かつ、　前記有機の電気絶縁材料で構成される層（Ａ）が、前記電気絶縁材料で構成される層（Ｂ）より前記電気絶縁性基板に近い側に設けられている」と改めて、補正後の請求項２とすること。
　
（２−４）補正事項４
　補正前の明細書の００１２段落、００１３段落、００２５段落及び００２６段落を削除し、補正前の００１１段落、００１４〜００２４段落及び００２７〜００６２段落を、各々、補正後の明細書の００１１〜００５８段落と補正すること。
　
（２−５）補正事項５
　補正前の図面の簡単な説明の図３及び図４を削除し、補正前の図５〜１２を、各々、補正後の図３〜１０と補正すること。
　
（２−６）補正事項６
　補正前の図面の図３及び図４を削除し、補正前の図５〜１２を、各々、補正後の図３〜１０と補正すること。
　
（３）新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否について 
（３−１）補正事項１及び３について
　補正事項１及び３は、補正前の請求項１及び４に係る発明の発明特定事項である「有機の電気絶縁材料で構成される層」について、「（Ａ）体積抵抗率が１０6 Ωｃｍよりも大きい電気絶縁材料で構成される層」であり、かつ、「（Ｂ）比誘電率が４以上の電気絶縁材料で構成される層」「より前記電気絶縁性基板に近い側に設けられている」と減縮するものであるから、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、「有機の電気絶縁材料で構成される層」が「（Ａ）体積抵抗率が１０6 Ωｃｍよりも大きい電気絶縁材料で構成される層」であり、かつ「（Ｂ）比誘電率が４以上の電気絶縁材料で構成される層」「より前記電気絶縁性基板に近い側に設け」られることは、当初明細書の００５６〜００５７段落に記載されているものと認められるから、補正事項１及び３は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。したがって、補正事項１及び３は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすものである。
　
（３−２）補正事項２について
　補正事項２は、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　
（３−３）補正事項４〜６について
　補正事項４〜６は、特許請求の範囲の補正と整合を取るためのものであり、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであることは明らかである。したがって、当該補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
（３−４）以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものであり、同法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含んでいるから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて、以下において更に検討する。
　
（４）独立特許要件についての検討
（４−１）補正後の発明
　本件補正による補正後の本願の請求項１〜１０に係る発明は、平成２１年５月２６日に提出された手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項２に係る発明（以下「補正発明」という。）は、上記（１）の「補正後」の請求項２に記載したとおりのものである。
　
（４−２）引用刊行物に記載された発明
（４−２−１）本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平１−２２９２２９号公報（以下「引用例」という。）には、第１〜４図とともに、以下の記載がある（なお、下線は当合議体にて付加したものである。以下同じ）。
　
ａ．「［産業上の利用分野］
　本発明は、アクティブマトリクス型液晶表示器のスイッチング素子等に用いられる、非晶質シリコン（以下、ａ−Ｓｉという）薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）およびその製造方法に関するものである。」（第２ページ左上欄第４〜９行）
　
ｂ．「［実施例］
　以下、本発明における実施例を図面に基いて説明する。
　第１図および第２図において、１は絶縁性基板、２はゲート電極、３は耐熱性有機高分子層、４は無機絶縁層、５は無機絶縁層の第１層を形成する窒化シリコン層、６は第２層を形成する酸化シリコン層、７は紫外光、１３はマスクである。
　以下、第１図および第２図における（ａ）、（ｂ）、（ｃ）で示した工程順に従い説明を行う。
（ａ）
クロム等を用いた厚さ２００ｎｍのゲート電極２が形成された絶縁性基板１上に、感光性を有した耐熱性有機高分子層３として、耐熱性ポリイミド溶液をスピナーにより塗布し、これを窒素雰囲気中、８０℃で３０分間プリベークした後、所定の形状を有したマスク１３により基板周辺部をマスクして、紫外光７により露光する
（ｂ）露光された耐熱性有機高分子層３を、Ｎ−メチル−ピロリドン溶液により現像して、基板周辺部の耐熱性有機高分子層３を除去し、イソプロピルアルコールによりリンスを行い、乾燥後、窒素雰囲気中、２００℃て３０分間仮焼成し、さらに４００℃で１時間本焼成をする。
　本焼成後の耐熱性高分子層３の膜厚はゲート電極２上で７０ｎｍ、これ以外の部分で２００ｎｍであり、両者間の段差は非常に緩かになっている。
　なお、本焼成の温度は、以後のＴＦＴ作成の最高温度（通常は３００℃前後）よりも高くすることが重要である。
（ｃ）
無機絶縁層４として、窒化シリコン層５を７０ｎｍ、酸化シリコン層６を２００ｎｍ、基板温度３００℃にて、プラズマＣＶＤ法により形成する。
窒化シリコン層５は、耐熱性有機高分子層３に含まれるアルカリイオンの移動を遮断するために設けられたものであり、ａ−ＳｉＴＦＴの信頼性の観点から重要である。なお、無機絶縁層４は必ずしも多層にする必要はないが、少なくとも窒化シリコン層は、上記理由により設けることが好ましい
　
第３図および第４図は、上記第１の実施例によりゲート絶縁層を形成したときのａ−ＳｉＴＦＴの断面図と、ゲート配線の断面図である。８は非晶質シリコン層、９はソース電極、１０はドレイン電極、１１はソース配線、１２は画素電極である。耐熱性有機高分子層３を設けたことにより、無機絶縁層４が平坦化されるため、ゲート電極２およびゲート配線２′の段差部においても、無機絶縁層の膜厚はほぼ均一である。従って上記段差部での絶縁不良の発生確率は大幅に低減する。
　
（４−２−２）上記（４−２−１）ｂ．によれば、実施例において、「耐熱性有機高分子層３」上には「無機絶縁層４」が形成されているところ、該「無機絶縁層４」として「窒化シリコン層５」１層のみのものも想定されていることが明らかである。
　また、実施例における上記「耐熱性有機高分子層３」は、「耐熱性ポリイミド溶液」から形成されるものであるから、ポリイミド層であることは明らかである。
　
（４−２−３）以上によれば、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていものと認められる。
　「ゲート電極２が形成された絶縁性基板１上に、ポリイミド層、窒化シリコン層５、非晶質シリコン層８、及びソース電極９並びにドレイン電極１０を順次有する非晶質シリコン薄膜トランジスタ。」
　
（４−３）補正発明と引用発明との対比
（４−３−１）引用発明の「絶縁性基板１」及び「ゲート電極２」は、各々、補正発明の「電気絶縁性基板」及び「第三の電極層」に相当する。また、引用発明の「ポリイミド層」及び「窒化シリコン層５」は、補正発明の「電気絶縁層」に相当する。
　
（４−３−２）引用発明の「ソース電極９」及び「ドレイン電極１０」は、引用例の第３図の記載からみて、同一平面上において所定の間隔を設けて配置されていることは明らかであるから、「同一面に間隔を設けて配置された第一の電極層及び第二の電極層」に相当する。
　
（４−３−３）引用発明の「非晶質シリコン層８」は、引用例の第３図の記載からみて、「ソース電極９」及び「ドレイン電極１０」の間隙を埋め、かつ、「ソース電極９」及び「ドレイン電極１０」の上面を覆う半導体層である点で、補正発明の「有機半導体層」と共通するものである。
　また、引用発明の「非晶質シリコン薄膜トランジスタ」は、「半導体装置」である点で、補正発明の「有機半導体装置」と共通するものである。
  　
（４−３−４）引用発明の「ポリイミド層」は、有機の電気絶縁材料であって、「窒化シリコン層５」よりも「絶縁基板１」の近くに設けられている点で、補正発明の「（Ａ）」の層と共通するものである。
　また、引用発明の「窒化シリコン層５」は、有機の電気絶縁材料の層上に設けられる点で、補正発明の「（Ｂ）」の層と共通するものである。
　
（４−３−５）以上によれば、補正発明と引用発明とは、
　「電気絶縁性基板、第三の電極層、電気絶縁層、半導体層、並びに、同一面に間隔を設けて配置された第一の電極層及び第二の電極層、を順次有する半導体装置において、
　前記電気絶縁層が、（Ａ）電気絶縁材料で構成される層と、（Ｂ）電気絶縁材料で構成される層とを有し、
　前記（Ａ）及び（Ｂ）の層の少なくとも一方が、有機の電気絶縁材料で構成され、かつ、
　前記有機の電気絶縁材料で構成される層（Ａ）が、前記電気絶縁材料で構成される層（Ｂ）より前記電気絶縁性基板に近い側に設けられている
ことを特徴とする半導体装置。」
　である点で一致し、以下の３点で相違する。
　
（相違点１）
　補正発明は、半導体層として「有機半導体層」を用いているのに対して、引用発明は、半導体層として「非晶質シリコン層」を用いている点。
　
（相違点２）
　補正発明は、電気絶縁性基板に近い側に設けられる有機の電気絶縁材料で構成される層（Ａ）が、「体積抵抗率が１０6 Ωｃｍよりも大きい」ものであるのに対して、引用発明は、そのような特定をしていない点。
　
（相違点３）
　補正発明は、電気絶縁材料で構成される層（Ｂ）が、「比誘電率が４以上」であるのに対して、引用発明は、そのような特定をしていない点。
　
（４−４）相違点についての検討
（４−４−１）相違点１について
（４−４−１−１）一般に、ゲート電極及びゲート絶縁膜を形成した基板上に形成されるトランジスタの半導体層として有機半導体層は、例えば、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である下記周知例１及び２に記載されているとおり、当業者において周知である。
　
ａ．周知例１：特開２００２−１１０９９９号公報
　上記周知例１には、図１及び２とともに以下の記載がある。
　「【００２２】また
図２に示すトランジスタは、基板１上にゲート電極２を形成する工程、ゲート電極２を覆うようにゲート絶縁膜３を形成する工程、ゲート絶縁層３上にチャネル生成半導体層６を形成する工程、チャネル生成半導体層６表面にソース電極４およびドレイン電極５を分離して形成する工程とにより製造される
　
　「【００８０】３）チャネル生成半導体層６およびその形成工程
本発明に係わるチャネル生成半導体層６は、有機半導体材料、有機−無機ハイブリッド系半導体材料のほか、無機半導体材料も使用することができる
【００８１】チャネル生成半導体層の形成工程は、蒸着、塗布、溶液からの付着等、種々の薄膜形成方法を用いることができるが、基板温度４００℃未満の工程で形成できることが好ましく、印刷、スピンコート、スプレー等を含む塗布工程および基板温度４００℃未満の工程で形成できることがより好ましい。これらの基板温度は３００℃、２００℃と低いければ、より好ましいことは言うまでもない。
【００８２】このような方法で、膜厚１０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度のチャネル生成半導体層６を形成すればよい。なお、ここで述べたチャネル生成半導体層６の膜厚とは、例えば図１に示すトランジスタにおいてはゲート絶縁層３からの厚さ、図２〜図４に示すトランジスタにおいてはソース電極４あるいはドレイン電極５と、ゲート絶縁層３との間の距離を指す。
【００８３】
有機半導体材料としては有機低分子、有機高分子、有機オリゴマーのいずれであってもよい。有機半導体材料は近年、種々のものが開発されており、そのいずれをも用いることが出来る。
　
　「【０１１６】
ポリイミド製の樹脂基板１表面に４ｍｍ×１ｍｍのアルミニウム矩形電極をメタルマスクを介して膜厚８０ｎｍ蒸着し、ゲート電極２を形成した。
【０１１７】このゲート電極２上に、実施例１と同様に薄膜を成膜した。すなわち、
樹脂基板１上にゲート電極２を覆うように、シアノエチルプルラン中にチタン酸バリウム粒子を分散させた膜厚５００ｎｍ、比誘電率６０のゲート絶縁層３を形成した。
【０１１８】
次に、ゲート電極２位置にあわせてゲート絶縁３上にメタルマスクを配置した後、ゲート絶縁膜３表面に金を膜厚４０ｎｍ蒸着した。すなわち、ゲート絶縁層３上のゲート電極２の両端に相当する領域にメタルマスクによって分離して設けられたソース電極４およびドレイン電極５を形成した。
【０１１９】さらに
ゲート絶縁膜３、ソース電極４およびドレイン電極５上にペンタセンを膜厚２００ｎｍ蒸着してチャネル生成半導体層を作成した。
　
ｂ．周知例２：特開２０００−１７４２７７号公報
　上記周知例２には、図１〜３とともに、以下の記載がある。
　「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、室温、或いは室温に近い低温プロセスを用いた有機半導体膜の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、
基板，ゲート電極，ゲート絶縁層，ソース電極，ドレイン電極、及びフタロシアニン配位化合物層の半導体層からなる薄膜トランジスタの製造方法
【０００９】また、本発明は、下記化１で表される金属フタロシアニン化合物を半導体層に用いることを特徴とする。
【００１０】次に、本発明は、半導体層として、チタニルフタロシアニンを用いることを特徴とする。ここで、チタニルフタロシアニンは、波長８４１ｎｍに最大のピークを有し、７１９ｎｍと８４１ｎｍの吸光度比が０.６ 以下である吸収スペクトルを有することが望ましい。
【００１１】ここでいう
有機ＴＦＴとは、導電ゲート電極，ゲート絶縁層，水平に間隔を置くソース電極とドレイン電極、及び有機半導体層によって構成される。有機TFTは、ゲート電極に印加される電圧の極性に応じて、蓄積状態または空乏状態の何れかで動作する
　
　「【００１８】
【発明の実施の形態】（実施例１）本発明により有機ＴＦＴ素子を、図１により説明する。
【００１９】
図１に実施例１の有機ＴＦＴ素子構造断面図を示す。１０１はガラス基板、１０２はゲート電極、１０３はゲート絶縁層、１０４はソース電極、１０５はドレイン電極、１０６は有機半導体層、である
【００２０】
図１に示した実施例１の有機ＴＦＴ素子は、図２の工程に従って作成された。コーニング１７３７ガラス基板１０１上に厚さ約１５０ｎｍのＣｒＭｏ膜をスパッタリング法により形成する。ホト工程によりＣｒＭｏをパターニングしてゲート電極１０２を形成する。その上にＣＶＤ法により、厚さ３００ｎｍの酸化シリコン(ＳｉＯ
2
）膜のゲート絶縁層１０３を形成する
【００２１】ＳｉＯ2 膜の形成に用いた原料ガスは以下の通りである：ＳｉＨ4＋Ｎ2Ｏ。ホト工程により、ＳｉＯ2 膜にゲート電極取り出し用の穴を形成する。
その上に蒸着法を用いて形成した厚さ１５０ｎｍのＡｕをホトエッチングによりパターニングして、ソース電極１０４，ドレイン電極１０５、を形成する
【００２２】ソース電極，ドレイン電極の大きさは、(１０００×５０μｍ2）である。この場合、チャネル幅Ｗは１０００μｍとなる。ソース／ドレイン電極間のギャップ、すなわち、チャネル長Ｌは５０μｍである。
その上に厚さ１００ｎｍのチタニルフタロシアニン（ＴｉＯＰｃ）有機半導体膜を真空蒸着法により形成する
【００２３】ＴｉＯＰｃ膜の作製条件は以下の通りである。
【００２４】蒸着装置チャンバー内に真空度は、３〜５×１０-6torrである。基板温度は室温である。昇華精製したＴｉＯＰｃ粉末をＭｏ製抵抗加熱ボートにのせ、約300℃に加熱して蒸着する。作製した有機ＴＦＴ素子をテトラヒドロフラン５０ｍｌを入れた密閉容器の中に入れ、約１３時間おく。密閉容器中の温度を数度上げることにより、溶媒処理の短縮が可能である。以上により、有機ＴＦＴが完成する。
【００２５】本実施例では、図３に示したように、ＴＨＦ溶媒処理を行う前の吸収スペクトルは６５４ｎｍ，７１９ｎｍと２つのピークを有するのに対して、ＴＨＦ溶媒処理後の吸収スペクトルは、８４１ｎｍにピークと６５０〜８００ｎｍの範囲に２つのピークが重ね合わされた形状となる。また、溶媒処理後の有機ＴＦＴ素子では、溶媒未処理の有機ＴＦＴ素子に比べて、オン電流が２桁増加し、ＴＦＴ特性が向上した。
【００２６】この結果、
本発明によれば、半導体層にチタニルフタロシアニン蒸着膜を用いた高性能有機ＴＦＴ素子が得られることが判る
　
（４−４−１−２）よって、上記周知技術を勘案すれば、引用発明において、半導体層として「有機半導体層」を用いることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（４−４−１−３）なお、相違点１に関連して、審判請求人は、審判請求書の請求の理由において、補正発明は『ゲート電極の突起に由来するリーク電流を少なくすること』を技術目的としたものであるのに対して、上記引用例、並びに、周知例１及び２に記載された半導体装置は、『ゲート絶縁層とチャネル生成半導体層との界面におけるキャリアの失活を低減すること』を技術目的としたものであって、両者は技術目的が全く相違する旨主張している。
　しかし、引用例の「耐熱性有機高分子層３を設けたことにより、無機絶縁層４が平坦化されるため、ゲート電極２およびゲート配線２′の段差部においても、無機絶縁層の膜厚はほぼ均一である。従って上記段差部での絶縁不良の発生確率は大幅に低減する。」（第３ページ左下欄第６〜１０行）という記載から、引用発明においては、ゲート電極２の段差による絶縁不良、すなわちリーク電流の発生を防止するために耐熱性有機高分子層３であるポリイミドが設けられたことは明らかである。したがって、引用発明においては、補正発明が解決すべき課題と同様な課題が認識されていると認められるから、出願人の上記主張は、採用することができない。
　
（４−４−２）相違点２について
　引用発明においては、補正発明の「層（Ａ）」に相当する材料として、ポリイミドが用いられているが、本願出願前の平成５年９月３０日に頒布された、社団法人日本化学会編「化学便覧　基礎編　改訂第４版」丸善株式会社発行　Ｉ−５５８〜５５９ページに記載されているように、ポリイミドの体積抵抗率が１０１６〜１０１７Ωｃｍ程度であり、１０６Ωｃｍよりも大きいことは当業者の技術常識である。さらに、本願の特許請求の範囲の請求項４及び発明の詳細な説明の００２９段落に、体積抵抗率が１０6 Ωｃｍよりも大きい有機電気絶縁材料としてポリイミドが挙げられていることも考慮すれば、相違点２は実質的なものではないことが明らかである。
　
（４−４−３）相違点３について
　引用発明においては、補正発明の「層（Ｂ）」に相当する材料として、窒化シリコンが用いられているが、本願出願前の平成１１年１２月２０日に頒布された、菅野卓雄、川西剛監修「半導体大事典」株式会社工業調査会発行　第５５４〜５５５ページに記載されているように、窒化シリコンの比誘電率は７程度であり、４以上であることは当業者の技術常識である。さらに、本願の特許請求の範囲の請求項６及び発明の詳細な説明の００３１段落に、比誘電率が４以上の電気絶縁材料として窒化シリコンが挙げられていることも考慮すれば、相違点３は実質的なものではないことが明らかである。
　
（４−４−４）以上検討したとおり、補正発明は、周知例１及び２に記載された周知技術を勘案することにより、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（４−５）独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおり、本件補正は、補正発明が特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから特許法第１７条の２第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項をいう。以下同じ。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　
（５）補正の却下についてのむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むものであるが、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
３．本願発明
　平成２１年５月２６日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１２に係る発明は、平成２１年１月２６日に提出された手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項４に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記２．（１）の「補正前」の請求項４に記載したとおりのものであり、再掲すると以下の通りである。
　
　「【請求項４】　電気絶縁性基板、第三の電極層、電気絶縁層、有機半導体層、並びに、同一面に間隔を設けて配置された第一の電極層及び第二の電極層、を順次有する有機半導体装置において、
　前記電気絶縁層が、（Ａ）体積抵抗率が１０6 Ωｃｍよりも大きい電気絶縁材料で構成される層と、（Ｂ）比誘電率が４以上の電気絶縁材料で構成される層とを有し、
　前記（Ａ）及び（Ｂ）の層の少なくとも一方が、有機の電気絶縁材料で構成され、そして、
　前記有機の電気絶縁材料で構成される層が、前記電気絶縁性基板に近い側に設けられている
ことを特徴とする有機半導体装置。」
　
　一方、本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平１−２２９２２９号公報（引用例）には、上記２．（４−２）に記載したとおりの事項及び発明（引用発明）が記載されているものと認められる。
　そして、上記２．（４）において検討したとおり、補正発明は、周知技術を勘案することにより、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、上記補正発明から技術的限定を省いた本願発明についても、当然に、周知技術を勘案することにより、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。