【事件の表示】
　特願２００５−１８１８９０「フォト装備」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　１月１９日出願公開、特開２００６−　１８２６３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１７年６月２２日（パリ条約による優先権主張　平成１６年６月３０日、大韓民国）の出願である。
　原審において、平成２０年９月４日付けで拒絶理由が通知され、これに対して同年１２月５日付けで手続補正がされるとともに意見書が提出されたものの、平成２１年３月２７日付けで拒絶査定がされた。
　上記拒絶査定に対し、同年７月１０日に、本件の拒絶査定不服審判の請求がされるとともに手続補正がされた。その後、前置報告書の内容について、審判請求人の意見を求めるために平成２２年７月２０日付けで審尋がされ、同年１０月２７日付けで回答書が提出された。
　
　
第２　平成２１年７月１０日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　〔補正の却下の決定の結論〕
　平成２１年７月１０日付けの手続補正を却下する。
　
〔理由〕
１．本件補正の目的
（１）本件補正後の特許請求の範囲の請求項１
　平成２１年７月１０日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、本件補正前（平成２０年１２月５日付け手続補正によって補正した。以下、同じ。）の特許請求の範囲の請求項１の記載を以下のとおり補正することを含むものである（下線は補正箇所を示す。）。
「ネガティブ現像液を供給する現像液供給部と、
　基板上に形成された光遮断金属層をパターニングして、ブラックマトリクスを形成する際に必要とするポジティブフォトレジストパターンを、ノボラック系樹脂とアクリル系の樹脂を含むポジティブフォトレジストと前記ネガティブ現像液を利用して形成する第１フォト装備と、
　前記ブラックマトリクス及び基板上に、ネガティブ現像液とカラーネガティブフォトレジストを利用して、Ｒ、Ｇ、Ｂカラーフィルターを形成する第２乃至第４フォト装備と、
　前記ブラックマトリクスを形成する際に必要とする前記ポジティブフォトレジストパターン及び前記Ｒ、Ｇ、Ｂの中、いずれか一つのカラーフィルターを形成するための第１バックアップフォト装備と、
　前記Ｒ、Ｇ、Ｂの中、残りの二つのカラーフィルターを形成するための第２バックアップフォト装備と
　を含
み、
　
前記第１フォト装備は、前記ポジティブフォトレジストにスプレイ方式で前記ネガティブ現像液を供給する場合、スプレイの角度は４０〜５０度の範囲を維持させる
　ことを特徴とするフォト装備。」
　
（２）本件補正前の特許請求の範囲の請求項１
　本件補正前の特許請求の範囲は、平成２０年１２月５日付けの手続補正により、下記のとおりのものとなっていた。
「ネガティブ現像液を供給する現像液供給部と、
　基板上に形成された光遮断金属層をパターニングして、ブラックマトリクスを形成する際に必要とするポジティブフォトレジストパターンを、ノボラック系樹脂とアクリル系の樹脂を含むポジティブフォトレジストと前記ネガティブ現像液を利用して形成する第１フォト装備と、
　前記ブラックマトリクス及び基板上に、ネガティブ現像液とカラーネガティブフォトレジストを利用して、Ｒ、Ｇ、Ｂカラーフィルターを形成する第２乃至第４フォト装備と、
　前記ブラックマトリクスを形成する際に必要とする前記ポジティブフォトレジストパターン及び前記Ｒ、Ｇ、Ｂの中、いずれか一つのカラーフィルターを形成するための第１バックアップフォト装備と、
　前記Ｒ、Ｇ、Ｂの中、残りの二つのカラーフィルターを形成するための第２バックアップフォト装備と
　を含むことを特徴とするフォト装備。」
　
（３）本件補正の目的について
　請求項１に係る補正は、補正前の「第１フォト装備」について、「ポジティブフォトレジストにスプレイ方式でネガティブ現像液を供給する場合、スプレイの角度は４０〜５０度の範囲を維持させる」点を限定する補正を内容とするものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下単に「特許法第１７条の２」という。）第４項第２号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載されている発明特定事項により特定される発明(以下「本願補正発明」という。)が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか否かについて、以下に検討する。
　
２　刊行物及び各刊行物の記載事項並びに引用発明の認定
（１）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先日前に頒布された刊行物である、特開平６−３３７３０８号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに、以下の事項の記載がある（下記「（２）引用発明の認定」において特に関連する部分に下線を引いた。）。
ア　【発明の詳細な説明】の欄
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラス基板上にブラックマトリクスパターンと、Ｂｌｕｅ，Ｇｒｅｅｎ，Ｒｅｄ各着色パターンから構成されるフィルタ色パターンと、適宜透明導電膜等を備えた液晶表示装置用のカラーフィルタに関する。
…（中略）…
【００１１】
【実施例】本発明の液晶表示装置用カラーフィルタを、図１、図２の一実施例に従って以下に詳細に説明する。
【００１２】本発明の液晶表示装置用カラーフィルタは、図１の側断面図に示すように、カラーフィルタ用の透明ガラス基板１上に、規則的な平行線状、格子状等の適宜形状パターンの遮光性（若しくは光吸収性）のブラックマトリクスパターン２を設け、該ブラックマトリクスパターン２の形成領域より外側周辺には蒸着法、スパッタリング法等により形成されたクロム若しくは酸化クロム等の金属薄膜による適宜幅（後述する液晶封入シール用の接合シール部の幅）の接合用アンカー層３を備える。
【００１３】
前記各ブラックマトリクスパターン２の間には、Ｂｌｕｅ，Ｇｒｅｅｎ，Ｒｅｄ各着色パターンから構成されるフィルタ色パターン５を設け、
【００１４】
上記カラーフィルタにおいては、ブラックマトリクスパターン２とフィルタ色パターン５との隣接部分に空隙が形成されないように、ブラックマトリクスパターン２とフィルタ色パターン５は互いに密接するように配置する必要があり、そのためフィルタ色パターン５は、ブラックマトリクスパターン２上にオーバーラップするように設けられている。
【００１５】上記ブラックマトリクスパターン２を、ガラス基板１上にパターン形成する場合は、ガラス基板１上に金属蒸着方式やスパッタリング方式等により形成した遮光性（半透明乃至不透明）のクロム蒸着薄膜、若しくは遮光性の酸化クロム蒸着薄膜、又はこれらクロム、酸化クロム等の複合金属薄膜（積層膜）をパターンエッチング方式によりパターン形成するものであり、該ブラックマトリクスパターン２そのものは通電可能な導電材料である。
…（中略）…
【００２７】
本発明の液晶表示装置用カラーフィルタの製造は、まず、カラーフィルタ用のガラス基板１上に、真空蒸着方式、スパッタリング方式等によって、例えば膜厚；３００Å〜２０００Å以上（好ましくは６００Å〜２０００Å）、光学濃度；１．５以上（好ましくは２．０以上）の遮光性（半透明乃至不透明）のクロム層若しくは酸化クロム層、又はこれらの複合積層による金属薄膜を製膜する。
【００２８】
続いて、上記金属薄膜上に、ポジ型の感光性フォトレジスト
を全面的に塗布して乾燥させ、エッチングレジストとなる感光性樹脂層を設ける。
【００２９】具体的には、
例えばノボラック型フェノール樹脂とキノンジアジド等のアルカリ溶解禁止剤とを含むポジ型フォトレジストを全面的に塗布して乾燥させ、エッチングレジストとなる感光性樹脂層（例えば塗布膜厚；０．５μｍ〜１μｍ）を設ける。
【００３０】
次に、フォトファブリケーション（フォトリソグラフ法）方式により前記感光性樹脂層を紫外線を用いて、図２に示すような適宜形状のブラックマトリクスパターン２、及び接合用アンカー層３のパターン形状に、パターン露光（フォトマスク等の原版を用いて露光、若しくは電子ビーム露光）して
【００３１】続いて、
露光部分（光分解領域）の感光性樹脂層をアルカリ溶液（水酸化ナトリウム、例えばｐＨ値＝１０程度）にて現像処理して、ブラックマトリクスパターン２相当形状と、接合アンカー層３相当形状のレジストパターン（エッチング用レジストパターン）を形成する。
【００３２】
その後、該レジストパターンをエッチングマスクとして、下層の金属薄膜（クロム膜、酸化クロム膜）を適宜エッチング液（硝酸セリウム系エッチング液等）にてエッチング処理する。
【００３３】その後、上記レジストパターンを前記現像に使用したアルカリ性溶液よりも強アルカリ性の剥膜液（例えばｐＨ＝１１以上のアルカリ溶液）、又は適宜有機溶剤（アセトン系、メチルエチルケトン系等）により剥膜することにより、
図１のガラス基板１上に遮光性の金属薄膜によるブラックマトリクスパターン２と接合用アンカー層３が図２の平面図に示すようなパターン形状に形成されるものである。
【００３４】本発明による液晶表示装置用カラーフィルタは、図１に示すように、ブラックマトリクスパターン２を形成した後のガラス基板１上における該ブラックマトリクスパターン２形成領域内のパターン空白部分に、Ｂｌｕｅ，Ｇｒｅｅｎ，Ｒｅｄの各着色パターンからなるフィルタ色パターン５をパターン形成し、その上側から直接透明導電膜４を施すものである。
【００３５】
ガラス基板１上におけるブラックマトリクスパターン２の形成領域以外の部分に、Ｂｌｕｅ，Ｇｒｅｅｎ，Ｒｅｄの各着色パターンからなる上記フィルタ色パターン５をパターン形成する場合は、
【００３６】なお、そ
の他にフィルタ色パターン５の形成方法としては、上記染色法による方法以外に、Ｂｌｕｅ，Ｇｒｅｅｎ，Ｒｅｄの各着色顔料分散フォトレジストを用いた顔料分散フォトレジスト法
によって形成することは可能であり
　
（２）引用発明の認定
ア　引用例１の段落【００２７】の「本発明の液晶表示装置用カラーフィルタの製造は、まず、カラーフィルタ用のガラス基板１上に、…（中略）…遮光性（半透明乃至不透明）のクロム層…（中略）…による金属薄膜を製膜する。」との記載、段落【００２８】ないし段落【００３１】の「続いて、上記金属薄膜上に、ポジ型の感光性フォトレジスト…（中略）…を全面的に塗布して乾燥させ、エッチングレジストとなる感光性樹脂層を設ける。例えばノボラック型フェノール樹脂とキノンジアジド等のアルカリ溶解禁止剤とを含むポジ型フォトレジストを全面的に塗布して乾燥させ、エッチングレジストとなる感光性樹脂層（例えば塗布膜厚；０．５μｍ〜１μｍ）を設ける。次に、フォトファブリケーション（フォトリソグラフ法）方式により前記感光性樹脂層を紫外線を用いて、図２に示すような適宜形状のブラックマトリクスパターン２、及び接合用アンカー層３のパターン形状に、パターン露光（フォトマスク等の原版を用いて露光、若しくは電子ビーム露光）して、…（中略）…続いて、露光部分（光分解領域）の感光性樹脂層をアルカリ溶液（水酸化ナトリウム、例えばｐＨ値＝１０程度）にて現像処理して、ブラックマトリクスパターン２相当形状と、接合アンカー層３相当形状のレジストパターン（エッチング用レジストパターン）を形成する。…（中略）…その後、該レジストパターンをエッチングマスクとして、下層の金属薄膜（クロム膜、酸化クロム膜）を適宜エッチング液（硝酸セリウム系エッチング液等）にてエッチング処理する。…（中略）…図１のガラス基板１上に遮光性の金属薄膜によるブラックマトリクスパターン２と接合用アンカー層３が図２の平面図に示すようなパターン形状に形成されるものである。」との記載を参酌すると、引用例１には次の工程が記載されていると認められる。
「カラーフィルタ用のガラス基板上に、遮光性のクロム層による金属薄膜を製膜し、
　続いて、上記金属薄膜上に、ノボラック型フェノール樹脂とキノンジアジド等のアルカリ溶解禁止剤とを含むポジ型フォトレジストを全面的に塗布して乾燥させ、エッチングレジストとなる感光性樹脂層を設け、
　次に、フォトファブリケーション（フォトリソグラフ法）方式により前記感光性樹脂層を紫外線を用いて、適宜形状のブラックマトリクスパターン形状に、パターン露光（フォトマスク等の原版を用いて露光、若しくは電子ビーム露光）し、
　続いて、露光部分（光分解領域）の感光性樹脂層をアルカリ溶液（水酸化ナトリウム、例えばｐＨ値＝１０程度）にて現像処理して、ブラックマトリクスパターン相当形状のレジストパターン（エッチング用レジストパターン）を形成し、
　その後、該レジストパターンをエッチングマスクとして、下層の金属薄膜（クロム膜、酸化クロム膜）を適宜エッチング液（硝酸セリウム系エッチング液等）にてエッチング処理する
　基板上に遮光性の金属薄膜によるブラックマトリクスパターンを形成する工程」
　
イ　技術常識からして、上記「ブラックマトリクスパターンを形成する工程」が装置設備を用いて行われることは明らかである。
　
ウ　引用例１の段落【００１３】から段落【００１４】の「前記各ブラックマトリクスパターン２の間には、Ｂｌｕｅ，Ｇｒｅｅｎ，Ｒｅｄ各着色パターンから構成されるフィルタ色パターン５を設け、…（中略）…上記カラーフィルタにおいては、ブラックマトリクスパターン２とフィルタ色パターン５との隣接部分に空隙が形成されないように、ブラックマトリクスパターン２とフィルタ色パターン５は互いに密接するように配置する必要があり、そのためフィルタ色パターン５は、ブラックマトリクスパターン２上にオーバーラップするように設けられている。」　との記載及び段落【００３５】から段落【００３６】の「ガラス基板１上におけるブラックマトリクスパターン２の形成領域以外の部分に、Ｂｌｕｅ，Ｇｒｅｅｎ，Ｒｅｄの各着色パターンからなる上記フィルタ色パターン５をパターン形成する場合は、…（中略）…なお、その他にフィルタ色パターン５の形成方法としては、上記染色法による方法以外に、Ｂｌｕｅ，Ｇｒｅｅｎ，Ｒｅｄの各着色顔料分散フォトレジストを用いた顔料分散フォトレジスト法や、Ｂ…（中略）…によって形成することは可能であり…」との記載を参酌すると、引用例１には次の工程が記載されていると認められる。
「Ｂｌｕｅ，Ｇｒｅｅｎ，Ｒｅｄの各着色顔料分散フォトレジストを用いた顔料分散フォトレジスト法によって、ガラス基板上の各ブラックマトリクスパターンの間に、ブラックマトリクスパターン上にオーバーラップするように設けられた、Ｂｌｕｅ，Ｇｒｅｅｎ，Ｒｅｄの各着色パターンからなるフィルタ色パターンを形成する工程」
　
エ　技術常識からして、上記「フィルタ色パターンを形成する工程」が装置設備を用いて行われることは明らかである。
　
オ　上記アないしエを総合すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
＜引用発明＞
「カラーフィルタ用のガラス基板上に、遮光性のクロム層による金属薄膜を製膜し、
　続いて、上記金属薄膜上に、ノボラック型フェノール樹脂とキノンジアジド等のアルカリ溶解禁止剤とを含むポジ型フォトレジストを全面的に塗布して乾燥させ、エッチングレジストとなる感光性樹脂層を設け、
　次に、フォトファブリケーション（フォトリソグラフ法）方式により前記感光性樹脂層を紫外線を用いて、適宜形状のブラックマトリクスパターン形状に、パターン露光（フォトマスク等の原版を用いて露光、若しくは電子ビーム露光）し、
　続いて、露光部分（光分解領域）の感光性樹脂層をアルカリ溶液（水酸化ナトリウム、例えばｐＨ値＝１０程度）にて現像処理して、ブラックマトリクスパターン相当形状のレジストパターン（エッチング用レジストパターン）を形成し、
　その後、該レジストパターンをエッチングマスクとして、下層の金属薄膜（クロム膜、酸化クロム膜）を適宜エッチング液（硝酸セリウム系エッチング液等）にてエッチング処理する
　基板上に遮光性の金属薄膜によるブラックマトリクスパターンを形成する工程を行う装置設備と、
　Ｂｌｕｅ，Ｇｒｅｅｎ，Ｒｅｄの各着色顔料分散フォトレジストを用いた顔料分散フォトレジスト法によって、ガラス基板上の各ブラックマトリクスパターンの間に、ブラックマトリクスパターン上にオーバーラップするように設けられた、Ｂｌｕｅ，Ｇｒｅｅｎ，Ｒｅｄの各着色パターンからなるフィルタ色パターンを形成する工程を行う装置設備と
　を含むカラーフィルタ生産用装置設備」
　
（３）引用例２
　同じく原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先日前に頒布された刊行物である、特開２００２−２５８４７９号公報（以下「引用例２」という。）には、以下の事項の記載がある。
ア　【特許請求の範囲】の欄
「【請求項１】  （Ａ）アルカリ可溶性ノボラック樹脂、（Ｂ）アルカリ可溶性アクリル樹脂、（Ｃ）キノンジアジド基含有化合物を含有する厚さ５〜１００μmの厚膜用ポジ型ホトレジスト組成物において、前記（Ｂ）アルカリ可溶性アクリル樹脂が、（ｂ１）エーテル結合を有する重合性化合物から誘導された構成単位３０〜９０重量％、および（ｂ２）カルボキシル基を有する重合性化合物から誘導された構成単位５０〜２重量％を含有することを特徴とする厚膜用ポジ型ホトレジスト組成物。」
　
イ　【発明の詳細な説明】の欄
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、厚膜用ポジ型ホトレジスト組成物、ホトレジスト膜およびこれを用いたバンプ形成方法に関するものである。さらに詳しくは、本発明は、回路基板の製造および半導体や電子部品の回路基板への実装の際に行われるバンプ形成、配線形成、層間絶縁層、回路保護膜、および精密部品加工・製造などのホトファブリケーションに好適なアルカリ現像可能な厚膜用ポジ型ホトレジスト組成物に関するものである。
…（中略）…
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記の従来技術の課題を解決し、現像時の基板との密着性や耐メッキ液性が良好である上に、アルカリ現像液による現像性、レジスト未露光部の基板からの剥離性に優れ、メッキによる金属層の形状が矩形で且つ安定し、メッキ工程に対する耐性に優れる、バンプ形成用材料として好適な厚膜形成に適するポジ型ホトレジスト組成物、ホトレジスト膜およびこれを用いたバンプ形成方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、（Ａ）アルカリ可溶性ノボラック樹脂、（Ｂ）アルカリ可溶性アクリル樹脂、（Ｃ）キノンジアジド基含有化合物を含有する厚さ５〜１００μmの厚膜用ポジ型ホトレジスト組成物において、前記（Ｂ）アルカリ可溶性アクリル樹脂が、（ｂ１）エーテル結合を有する重合性化合物から誘導された構成単位３０〜９０重量％、および（ｂ２）カルボキシル基を有する重合性化合物から誘導された構成単位５０〜２重量％を含有することを特徴とする厚膜用ポジ型ホトレジスト組成物である。請求項２の発明は、（Ａ）アルカリ可溶性ノボラック樹脂１００重量部に対して、（Ｂ）アルカリ可溶性アクリル樹脂５〜５０重量部および（Ｃ）キノンジアジド基含有化合物５〜１００重量部を含有することを特徴とする請求項１記載の厚膜用ポジ型ホトレジスト組成物である。請求項３の発明は、（Ｂ）アルカリ可溶性アクリル樹脂の重量平均分子量が１００００〜８０００００であることを特徴とする請求項１記載の厚膜用ポジ型ホトレジスト組成物である。請求項４の発明は、（Ｃ）キノンジアジド基含有化合物が下記一般式（１）または（２）で表される化合物のキノンジアジドスルホン酸エステルを含有することを特徴とする請求項１記載の厚膜用ポジ型ホトレジスト組成物である。
…（中略）…
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明をさらに詳細に説明する。
（Ａ）アルカリ可溶性ノボラック樹脂
本発明に用いられる（Ａ）アルカリ可溶性ノボラック樹脂は、例えばフェノール性水酸基を持つ芳香族化合物（以下、単に「フェノール類」という）とアルデヒド類とを酸触媒下で付加縮合させることにより得ることができる。この際使用されるフェノール類としては、例えばフェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−ブチルフェノール、ｍ−ブチルフェノール、ｐ−ブチルフェノール、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノール、３，４，５−トリメチルフェノール、ｐーフェニルフェノール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ヒドロキノンモノメチルエーテル、ピロガロール、フロログリシノール、ヒドロキシジフェニル、ビスフェノールＡ、没食子酸、没食子酸エステル、α−ナフトール、β−ナフトール等が挙げられる。またアルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、フルフラール、ベンズアルデヒド、ニトロベンズアルデヒド、アセトアルデヒド等が挙げられる。付加縮合反応時の触媒として、特に限定されるものではないが例えば酸触媒では、塩酸、硝酸、硫酸、蟻酸、蓚酸、酢酸等が使用される。（Ａ）アルカリ可溶性ノボラック樹脂の重量平均分子量はとくに制限されないが、１００００〜５００００が好ましい。
【００１１】（Ｂ）アルカリ可溶性アクリル樹脂
本発明に用いられる（Ｂ）アルカリ可溶性アクリル樹脂は、（ｂ１）エーテル結合を有する重合性化合物から誘導された構成単位３０〜９０重量％、および（ｂ２）カルボキシル基を有する重合性化合物から誘導された構成単位５０〜２重量％を含有することが必要である。エーテル結合を有する重合性化合物としては、２−メトキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシトリエチレングリコール（メタ）アクリレート、３−メトキシブチル（メタ）アクリレート、エチルカルビトール（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート等のエーテル結合およびエステル結合を有する（メタ）アクリル酸誘導体等のラジカル重合性化合物を例示することができ、好ましくは、２−メトキシエチルアクリレート、メトキシトリエチレングリコールアクリレートである。これらの化合物は単独もしくは２種以上組み合わせて使用できる。カルボキシル基を有する重合性化合物としては、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸などのモノカルボン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸などのジカルボン酸、２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸、２−メタクリロイルオキシエチルマレイン酸、２−メタクリロイルオキシエチルフタル酸、２−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸などのカルボキシル基およびエステル結合を有するメタクリル酸誘導体等のラジカル重合性化合物を例示することができ、好ましくは、アクリル酸、メタクリル酸である。これらの化合物は単独もしくは２種以上組み合わせて使用できる。
…（中略）…
【００３３】なお、本発明の組成物は厚膜用として好適であるが、その利用範囲はこれに限定されず、例えば銅、クロム、鉄、ガラス基板等各種基板のエッチング時の保護膜や半導体製造用レジストとしても使用することができる。本発明の組成物をホトレジスト膜とした場合の膜厚は５〜１００μｍ、好ましくは５〜４０μｍ、さらに好ましくは２０〜３０μｍである。
【００３４】本発明の組成物をレジストフィルムとしたバンプの形成は例えば次のようにして行われる。
（１）塗膜の形成：上述のように調製した組成物の溶液を所定の配線パターンを有する基板上に厚さ１５μｍ〜１００μｍ、好ましくは２０〜４０μｍで塗布し、加熱により溶媒を除去することによって所望の塗膜を形成する。被処理基板上への塗布方法としては、スピンコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法、アプリケーター法などの方法を採用することができる。本発明の組成物の塗膜のプレベーク条件は、組成物中の各成分の種類、配合割合、塗布膜厚などによって異なるが、通常は７０〜１３０℃で、好ましくは８０〜１２０℃で、２〜６０分間程度である。
（２）放射線照射：得られた塗膜に所定のパターンのマスクを介して、放射線、例えば波長が３００〜５００ｎｍの紫外線または可視光線を照射することにより、バンプを形成する配線パターン部分のみを露光させる。これらの放射線の線源として、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドランプ、アルゴンガスレーザーなどを用いることができる。ここで放射線とは、紫外線、可視光線、遠紫外線、Ｘ線、電子線などを意味する。放射線照射量は、組成物中の各成分の種類、配合量、塗膜の膜厚などによって異なるが、例えば超高圧水銀灯使用の場合、１００〜２０００ｍＪ／ｃｍ2である。
（３）現像：放射線照射後の現像方法としては、アルカリ性水溶液を現像液として用いて、不要な部分を溶解、除去し、放射線未照射部分のみ残存させる。現像液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ［４，３，０］−５−ノナンなどのアルカリ類の水溶液を使用することができる。また上記アルカリ類の水溶液にメタノール、エタノールなどの水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加した水溶液を現像液として使用することもできる。現像時間は、組成物各成分の種類、配合割合、組成物の乾燥膜厚によって異なるが、通常１〜３０分間であり、また現像の方法は液盛り法、ディッピング法、パドル法、スプレー現像法などのいずれでも良い。現像後は、流水洗浄を３０〜９０秒間行い、エアーガンなどを用いて風乾させたり、オーブン中で乾燥させる。
…（中略）…
【００５６】
【発明の効果】本発明によれば、現像時の基板との密着性や耐メッキ液性が良好である上に、アルカリ現像液による現像性、レジスト未露光部の基板からの剥離性に優れ、メッキによる生成物の形状が矩形で且つ安定し、メッキ工程に対する耐性に優れる、バンプ形成用材料として好適な厚膜形成に適するポジ型ホトレジスト組成物、ホトレジスト膜およびこれを用いたバンプ形成方法が提供される。」
　
（４）引用例３
　同じく原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先日前に頒布された刊行物である、特開２００４−１０９９６８号公報（以下「引用例３」という。）には、図面とともに、以下の事項の記載がある。
ア　【発明の詳細な説明】の欄
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、カラーフィルター製造ラインシステムに係り、とりわけ、フォトリソグラフィ法を利用してカラーフィルターを製造するためのカラーフィルター製造ラインシステムに関する。
…（中略）…
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
【００１５】
図１に示すように、本実施の形態に係るカラーフィルター製造ラインシステム１は、複数枚のガラス基板が収納された複数の基板収納済みのカセットまたは空のカセットを保管するスタッカークレーン方式のコア装置１０と、コア装置１０の複数の基板出し入れ位置（基板搬出位置Ｃ１および基板搬入位置Ｃ２）のそれぞれに接続され、コア装置１０内に保管されている基板収納済みのカセット内に収納されたガラス基板に対してカラーフィルターを製造するための各種の処理を行う複数の処理ライン２０，３０，…，７０，９０とを備えている。なお、コア装置１０は水平な設置面上にて直線状に延びるように設置され、各処理ライン２０，３０，…，７０，９０は設置面上にてコア装置１０の側部から逆Ｕ字状に横方向に張り出すように設置されている。
【００１６】
まず、図１により、処理ライン２０，３０，…，７０，９０の構成について説明する。図１に示すように、各処理ライン２０，３０，…，７０，９０は、ガラス基板を水平状態で搬送するコンベア等からなる搬送路１５と、この搬送路１５上に配設された各種の処理装置２１，３１，…，９６とを有している。
【００１７】
このうち、処理ライン２０は、ガラス基板上にクロムを成膜するための処理ラインであり、搬送路１５上に処理装置（クロム成膜装置２１）が配設されている。
【００１８】
処理ライン３０は、ガラス基板上に成膜されたクロムをパターニングしてブラックマトリックスを形成するための処理ラインであり、搬送路１５上に処理装置（フォトレジスト塗布装置３１、プリベーク装置３２、露光装置３３、現像装置３４、洗浄装置３５およびポストベーク装置３６）が配設されている。なお、処理ライン３０は、後述する処理ライン４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ，５０，６０とともに、フォトリソグラフィを含む処理工程を実現する主製版ラインを構成している。
【００１９】
処理ライン４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂはそれぞれ、ガラス基板上に所定のパターンを備えた各色（赤色、緑色または青色）の着色層を形成するための処理ラインであり、処理ライン３０と同様に、搬送路１５上に処理装置（フォトレジスト（着色感材）塗布装置４１、プリベーク装置４２、露光装置４３、現像装置４４、洗浄装置４５およびポストベーク装置４６）が配設されている。
【００２０】
処理ライン５０は、ガラス基板上に保護層を形成するための処理ラインであり、処理ライン３０と同様に、搬送路１５上に処理装置（フォトレジスト塗布装置５１、プリベーク装置５２、露光装置５３、現像装置５４、洗浄装置５５およびポストベーク装置５６）が配設されている。
【００２１】
処理ライン６０は、ガラス基板上に柱状体を形成するための処理ラインであり、処理ライン４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂと同様に、搬送路１５上に処理装置（フォトレジスト塗布装置６１、プリベーク装置６２、露光装置６３、現像装置６４、洗浄装置６５およびポストベーク装置６６）が配設されている。
【００２２】
処理ライン７０は、ガラス基板上にＩＴＯ層を形成するための処理ラインであり、搬送路１５上に処理装置（ＩＴＯ成膜装置７１）が配設されている。なお、ＳＴＮタイプのカラーフィルターを製造する場合にはＩＴＯ層のパターニングを行う必要があり、この場合には、処理ライン７０に、処理ライン３０，４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ，５０，６０と同様の処理装置（塗布装置、プリベーク装置、露光装置、現像装置、洗浄装置およびポストベーク装置）を配設するようにするとよい。
【００２３】
処理ライン９０は、処理ライン３０，４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ，５０，６０と同様の処理工程を実現する予備の製版ラインであり、搬送路１５上に、処理ライン３０，４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ，５０，６０と同様の処理装置（塗布装置９１、プリベーク装置９２、露光装置９３、現像装置９４、洗浄装置９５およびポストベーク装置９６）が配設されている。
…（中略）…
【００３９】
また、本実施の形態によれば、スタッカークレーン方式のコア装置１０に、処理ライン（主製版ライン）３０，４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ，５０，６０と同様の処理工程を実現する処理ライン（予備の製版ライン）９０を接続しているので、フォトリソグラフィプロセスを含む処理工程（製版工程）において製品に欠陥（共通欠陥等）が発生してその製版工程を実現する製版ラインを一時的に停止する必要がある場合でも、その製版工程を処理ライン９０において継続することが可能であり、製造ラインシステム全体の稼働率が低下することを防止することができる。また、製版工程において必要となるプロセス条件の決定を処理ライン９０を用いて行うことにより、前の製品の製造と時間的に並行して次の製品のプロセス条件を決定した上で当該処理ライン９０で次の製品の製造を継続することが可能となり、製造ラインシステム全体の稼働率が低下することを防止することができる。さらに、律速段階となる製版ラインで実現される製版工程をその製版ラインとともに処理ライン９０でも実現することにより、律速段階を解消することが可能となり、製造ラインシステム全体の稼働率が低下することを防止することができる。
【００４０】
なお、上述した実施の形態においては、コア装置１０に処理ライン（予備の製版ライン）９０を一つだけ接続し、この処理ライン９０により必要に応じて各製版ライン３０，４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ，５０，６０と同様の処理工程を実現するようにしているが、これに限らず、各製版ライン３０，４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ，５０，６０ごとに予備の製版ラインを接続し、それぞれの予備の製版ラインにより各製版ライン３０，４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ，５０，６０と同様の処理工程を実現するようにしてもよい。
…（中略）…
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、フォトリソグラフィプロセスを含む処理工程（製版工程）を実現する複数の製版ラインの配置構成等を柔軟に変更することができる高い稼働率のカラーフィルター製造ラインシステムを提供することができる。」
　
イ　【図１】
　
３　本願補正発明と引用発明の対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明における「ポジ型フォトレジスト」及び「フィルタ色パターン」が、それぞれ、本願補正発明における「ポジティブフォトレジスト」及び「カラーフィルタ」に相当することは当業者には明らかである。また、引用発明の「カラーフィルタ生産用装置設備」は「フォトファブリケーション（フォトリソグラフ法）方式」によるものであるから、本願補正発明における「フォト装備」に相当することも当業者には明らかである。
　
（２）引用発明の「カラーフィルタ生産用装置設備」においては、「アルカリ溶液（水酸化ナトリウム、例えばｐＨ値＝１０程度）にて現像処理」するものであるから、「アルカリ溶液（水酸化ナトリウム）」すなわち現像液を供給する設備を有することは明らかである。したがって、引用発明の「カラーフィルタ生産用装置設備」と本願補正発明の「フォト装備」は、「現像液供給部」を有する点で共通する。
　
（３）上記（１）を踏まえると、引用発明における「カラーフィルタ用のガラス基板上に、…（中略）……基板上に遮光性の金属薄膜によるブラックマトリクスパターンを形成する工程を行う装置設備」と本願補正発明における「基板上に形成された…（中略）……第１フォト装備」は、「基板上に形成された光遮断金属層をパターニングして、ブラックマトリクスを形成する際に必要とするポジティブフォトレジストパターンを、ノボラック系樹脂を含むポジティブフォトレジストと現像液を利用して形成するフォト装備」の点で共通する。
　
（４）引用発明における「Ｂｌｕｅ，Ｇｒｅｅｎ，Ｒｅｄの各着色顔料分散フォトレジストを用いた顔料分散フォトレジスト法によって、ガラス基板上の各ブラックマトリクスパターンの間に、ブラックマトリクスパターン上にオーバーラップするように設けられた、Ｂｌｕｅ，Ｇｒｅｅｎ，Ｒｅｄの各着色パターンからなるフィルタ色パターンを形成する工程を行う装置設備」と、本願補正発明における「前記ブラックマトリクス及び基板上に、…（中略）…Ｒ、Ｇ、Ｂカラーフィルターを形成する第２乃至第４フォト装備」は、「ブラックマトリクス及び基板上に、Ｒ、Ｇ、Ｂカラーフィルターを形成するフォト装備」の点で共通する。
　
（５）上記（１）ないし（４）を踏まえると、本願補正発明と引用発明は、
「現像液を供給する現像液供給部と、
　基板上に形成された光遮断金属層をパターニングして、ブラックマトリクスを形成する際に必要とするポジティブフォトレジストパターンを、ノボラック系樹脂を含むポジティブフォトレジストと前記現像液を利用して形成するフォト装備と、
　前記ブラックマトリクス及び基板上に、Ｒ、Ｇ、Ｂカラーフィルターを形成するフォト装備と、
　を含むフォト装備」
の点で一致し、以下の相違点１ないし相違点３の点で相違する。
　
＜相違点１＞
　本願補正発明は、
　基板上に形成された光遮断金属層をパターニングしてブラックマトリクスを形成する際に必要とするフォトレジストパターンを形成するフォト装備とＲ、Ｇ、Ｂカラーフィルターを形成するフォト設備がそれぞれ別個のものであって、合計４つのフォト装備を含み、
　Ｒ、Ｇ、Ｂカラーフィルターの形成手法がネガティブ現像液とカラーネガティブフォトレジストを利用するものであり、
　ポジティブフォトレジストが、ノボラック系樹脂だけでなくアクリル系の樹脂を含むものであり、ポジティブフォトレジストの現像液がネガティブ現像液を利用して形成するものであって、
　現像液供給部供給する現像液がネガティブ現像液であるのに対して、
　引用発明は、
　フォト装備がいくつあるのか不明であり、
　Ｒ、Ｇ、Ｂカラーフィルター（Ｂｌｕｅ，Ｇｒｅｅｎ，Ｒｅｄの各着色パターンからなるフィルタ色パターン）の形成手法がネガティブ現像液とカラーネガティブフォトレジストを利用することの特定がなく、
　ポジティブフォトレジスト（ポジ型フォトレジスト）について、ノボラック系樹脂だけでなくアクリル系の樹脂を含むことの特定がなく、
　現像液供給部が供給する現像液がネガティブ現像液であることの特定がない点。
　
＜相違点２＞
　本願補正発明は、ブラックマトリクスを形成する際に必要とするポジティブフォトレジストパターン及びＲ、Ｇ、Ｂのうち、いずれか１つのカラーフィルターを形成するための第１バックアップフォト装備と、Ｒ、Ｇ、Ｂの中、残りの２つのカラーフィルターを形成するための第２バックアップフォト装備とを含むとの特定があるのに対して、引用発明は、このようなバックアップフォト装備を含むことの特定がない点。
　
＜相違点３＞
　本願補正発明は、ポジティブフォトレジスト形成するフォト装備が、フォトレジストにスプレイ方式で現像液を供給する場合、スプレイの角度は４０〜５０度の範囲を維持させるのに対して、引用発明はこのような限定を有していない点。
　
４　相違点の検討・判断
　上記各相違点について検討する。
（１）相違点１について
　カラーフィルターの製造装置において、基板上に形成された光遮断金属層をパターニングしてブラックマトリクスを形成する際に必要とするフォトレジストパターンを形成するフォト装備と、Ｒ、Ｇ、Ｂカラーフィルターを形成するフォト設備とを、それぞれ別個のものとして、合計４つのフォト装備を含むようにすることは、例えば引用例３に記載されているように技術常識にすぎず、当業者には自明のことである。したがって、この点は実質的な相違点とはいえない。
　Ｒ、Ｇ、Ｂカラーフィルターの形成手法として、カラーネガティブフォトレジストとＫＯＨ（「ネガティブ現像液」に相当する。）を利用するものは技術常識である（例えば特開２００１−２５５４０９号公報（特に段落【００２２】〜【００２４】、【図８】参照）及び特開２００３−２２２８７７号公報（特に段落【００６１】参照）等参照）。したがって、当業者は、引用発明におけるＲ、Ｇ、Ｂカラーフィルター（フィルタ色パターン）を形成するために用いるＢｌｕｅ，Ｇｒｅｅｎ，Ｒｅｄの各着色顔料分散フォトレジストとして、カラーネガティブフォトレジストを用い、現像液としてＫＯＨを使用することを適宜選択することができる。
　ポジ型フォトレジストとして、ノボラック系樹脂だけでなくアクリル系の樹脂を含み、現像液としてＫＯＨを用いるものは、周知のものであり、引用例２に記載されている。したがって、当業者は、引用発明におけるポジ型フォトレジストに代えて、ノボラック系樹脂だけでなくアクリル系の樹脂を含むポジ型フォトレジストを選択し、現像液としてＫＯＨを選択することができる。この場合、現像液供給部が供給する現像液は、ＫＯＨとすることとなるから、現像液供給部が供給する現像液はネガティブ現像液となる。
　以上より、相違点１は格別のものではない。
　
（２）相違点２について
　引用例３には、カラーフィルターの製造装置において、ブラックマトリックス形成のための処理ラインの装備並びにそれぞれ赤色、緑色及び青色の着色層を形成するための３つ処理ラインの装備に加えて、これらと同様の処理工程を実現する予備の製版ラインを１つ設け、律速段階となる製版ラインで実現される製版工程をその製版ラインとともに予備の製版ラインでも実現することにより、律速段階を解消することができる旨記載されている。すなわち、引用例３には、生産を補助する予備の製版ラインを設けることが記載されている。当該技術手段を同一技術分野に属する引用発明のカラーフィルタ生産用装置設備に適用することは当業者が適宜なし得ることであるところ、その際に、予備の製版ラインを１つだけでなく２つ設けることは当業者が適宜選択できる設計事項である。また、予備の製版ラインはそれぞれ、ブラックマトリックス形成のための処理並びに赤色、緑色及び青色の着色層（引用発明の「フィルタ色パターン」に相当する）を形成するための３つ処理の、計４つの処理のうちのいずれも行うことができるのであるから、２つの予備の製版ラインに対して均等に２つずつ処理工程を割り振ることは、当業者において自然なことである。したがって、引用発明において、ブラックマトリクスを形成する際に必要とするポジティブフォトレジストパターン及びＲ、Ｇ、Ｂのうち、いずれか１つのカラーフィルターを形成するための第１バックアップフォト装備と、Ｒ、Ｇ、Ｂの中、残りの２つのカラーフィルターを形成するための第２バックアップフォト装備とを備えるようにすることは、引用例３の記載に基いて当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　以上より、相違点２は格別のものではない。
　
（３）相違点３について
　現像液をフォトレジストに対して斜め方向からスプレイ方式で供給することは、周知の技術である（例えば、特開２００２−２７３３１４号公報、特開平３−１２９１８号公報及び特開２０００−２１８２０２号公報参照）。したがって、当業者は引用発明においてポジティブフォトレジスト（ポジ型フォトレジスト）に対して現像液を供給する手法として、フォトレジストに対して斜め方向からスプレイ方式で現像液を供給することを適宜採用することができる。そして、現像が適正に行われるように、スプレイの角度を実験的に好適化することは、当業者の通常の創作能力の発揮によりなせることにすぎない。
　したがって、相違点３は格別なものではない。
　
（４）相違点の検討・判断の小括
　以上のとおり、相違点１ないし相違点３は格別なものではない。
　そして、本願補正発明が奏する作用効果も、引用発明、引用例２に記載された事項、引用例３に記載された事項、周知の事項及び技術常識から、当業者が予測できる範囲のものである。
　よって、本願補正発明は、引用発明、引用例２に記載された事項、引用例３に記載された事項、周知の事項及び技術常識に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５　本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たさないものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記結論のとおり決定する。
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２１年７月１０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし請求項１４に係る発明は、本件補正前の、平成２０年１２月５日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし請求項１４に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明を以下「本願発明」という（上記「第２」の「１」の「（２）本件補正前の特許請求の範囲の請求項１」参照）。
　
２　刊行物及び各刊行物の記載事項並びに引用発明の認定
　原査定の拒絶の理由に引用された各引用例及び各引用例の記載事項並びに引用発明の認定は、前記「第２」の「２　刊行物及び各刊行物の記載事項並びに引用発明の認定」に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明は、前記「第２」の「２」ないし「４」で検討した本願補正発明から「第１フォト装備は、ポジティブフォトレジストにスプレイ方式でネガティブ現像液を供給する場合、スプレイの角度は４０〜５０度の範囲を維持させる」という限定を省いたものである（「第２」の「１」の「（３）本件補正の目的について」を参照）。そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、更に限定したものに相当する本願補正発明が、前記「第２」の「４」の「（４）相違点の検討・判断の小括」に記載したとおり、引用発明、引用例２に記載された事項、引用例３に記載された事項、周知の事項及び技術常識に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明、引用例２に記載された事項、引用例３に記載された事項、周知の事項及び技術常識に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、引用発明、引用例２に記載された事項、引用例３に記載された事項、当業者に周知の事項及び技術常識に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。