【事件の表示】
　平成１１年特許願第３２５２５１号「ＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　５月２５日出願公開、特開２００１−１４４３２９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成１１年１１月１６日の出願であって、平成１８年１０月２３日付け、及び平成２１年３月１２日付けで手続補正がなされたが、同年５月２６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月１１日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２１年８月１１日付け手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２１年８月１１日付けの手続補正を却下する。 
　
［理由］ 
１．補正の内容 
　平成２１年８月１１日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の請求項１を以下のとおりの請求項１に補正することを含むものである。
「発光層、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、分割して配置されたオーミック電極、発光透過用の窓層、および結線用の台座電極を有するＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオードにおいて、
　窓層が透明酸化物層からなり、分割して配置されたオーミック電極が素子平面における台座電極の射影領域外に形成され、台座電極とＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層との間に該ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層より高い抵抗を呈する５Ω以上のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層（高抵抗ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層）が設けられ、オーミック電極とＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層との間に、該ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層よりも低抵抗で０．１Ω以下の、キャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3以上のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層（低抵抗ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層）が設けられていることを特徴とするＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード。」
　
２．補正の目的
　請求項１に係る本件補正は、補正前の請求項１の「高抵抗ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層」を「５Ω以上」のものに限定するとともに、「低抵抗ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層」を「０．１Ω以下」のものに限定するものであるので、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
３．独立特許要件
　本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下検討する。 
　
（１）引用例
ア　原査定の拒絶理由において引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１０−１７３２２４号公報（以下「引用例１」という。）には下記の記載がある。
　
（ア）「【特許請求の範囲】
・・・
【請求項５】  ＧａＡｓ系化合物半導体層から光を取り出す化合物半導体発光素子であって、
第１導電型ＧａＡｓ基板と、
該第１導電型ＧａＡｓ基板上に積層した複数層のＡｌＧａＩｎＰ層と、
これらＡｌＧａＩｎＰ層の最上層に形成された第２導電型ＧａＡｓ層と、
該第２導電型ＧａＡｓ層上の一部領域に形成された絶縁膜と、
前記第２導電型ＧａＡｓ層上の前記絶縁膜形成領域以外の領域に形成された、前記第２導電型ＧａＡｓ層と同一導電型ドーパントを含む金属薄膜電極と、
該金属薄膜電極上に形成された透明電極と、
前記絶縁膜上に形成され、少なくとも前記透明電極の一部と接する第１電極と、
前記第１導電型ＧａＡｓ基板裏面に形成された第２電極とを具備したことを特徴とする化合物半導体発光素子。
・・・
【請求項７】  前記絶縁膜は、第１導電型ＡｌＧａＩｎＰ膜あるいは第１導電型ＧａＡｓ膜であることを特徴とする請求項５及び６記載の化合物半導体発光素子及びその製造方法。
【請求項８】  前記金属薄膜電極は、複数の島状に配置されることを特徴とする請求項１乃至７記載の化合物半導体発光素子及びその製造方法。」
　
（イ）「【００１４】
【課題を解決するための手段】
・・・
【００２０】第５の発明の特徴は、ＧａＡｓ系化合物半導体層から光を取り出す化合物半導体発光素子であって、第１導電型ＧａＡｓ基板と、該第１導電型ＧａＡｓ基板上に積層した複数層のＡｌＧａＩｎＰ層と、これらＡｌＧａＩｎＰ層の最上層に形成された第２導電型ＧａＡｓ層と、該第２導電型ＧａＡｓ層上の一部領域に形成された絶縁膜と、前記第２導電型ＧａＡｓ層上の前記絶縁膜形成領域以外の領域に形成された、前記第２導電型ＧａＡｓ層と同一導電型ドーパントを含む金属薄膜電極と、該金属薄膜電極上に形成された透明電極と、前記絶縁膜上に形成され、少なくとも前記透明電極の一部と接する第１電極と、前記第１導電型ＧａＡｓ基板裏面に形成された第２電極とを具備したことにある。
・・・
【００２２】第５及び第６の発明によれば、厚い電流拡散層が不要になるので、生産性が向上し、コストが低くなる。第１電極下に絶縁膜があるので、電流が第１電極直下には流れず、透明電極と金属薄膜電極を介して第２導電型ＧａＮ層に効率良く注入される。このため、第１電極直下以外での高輝度な発光が可能である。
【００２３】第７の発明の特徴は、第５及び第６の発明において、前記絶縁膜は、第１導電型ＡｌＧａＩｎＰ膜あるいは第１導電型ＧａＡｓ膜であることにある。
【００２４】第７の発明によれば、第２導電型ＧａＡｓ層上に、これとｐｎ逆接合する第１導電型のＡｌＧａＩｎＰ膜あるいはＧａＡｓ膜を形成するので、同類製造方法によって生産性が向上する。
【００２５】第８の発明の特徴は、第１乃至第７の発明において、前記金属薄膜電極は、複数の島状に配置されることにある。
【００２６】第８の発明によれば、金属薄膜電極が板状でなく、島状に分散して配置できるので、透明電極を介して流れてきた電流を第２導電型ＧａＡｓ層へ効率良く分散することができる。」
　
（ウ）「【００４０】以下に、本発明の第二実施形態を図面に基づいて説明する。図７〜９は、本発明の第二実施形態に係わるＧａＡｓ系化合物半導体発光素子の製造方法を示す断面構造図である。
【００４１】まず、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の上にｎ型ＧａＡｓバッファ層３３、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３５、ＡｌＧａＩｎＰ活性層３７、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３９、及びｐ型ドーバントであるＺｎを含むｐ型ＧａＡｓコンタクト層４１を順次積層させる（図７（Ａ））。ｐ型ＧａＡｓコンタクト層４１の上の一部領域に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰあるいはｎ型ＧａＡｓの電流ブロック層４３を形成する（図７（Ｂ））。
【００４２】次に、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層４１の上の電流ブロック層４３が形成されていない領域に、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層４１と同一のｐ型ドーパントであるＺｎを含む金属薄膜電極４５を、ＡｕＺｎ＝５nm、４３０℃、１５分のシンタによって形成する（図８（Ａ））。さらに、電流ブロック層４３と金属薄膜電極４５の上に、ＩＴＯ透明電極４７を形成する（図８（Ｂ））。
【００４３】最後に、電流ブロック層４３の上のＩＴＯ透明電極４７をエッチング除去した後、ＩＴＯ透明電極４７の一部と接するＰ側電極４９を形成すると同時に、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の裏面にＮ側電極５１を形成する（図９）。
【００４４】このように第二実施形態では、Ｐ側電極４９の下にこれとｐｎ逆接合する、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰあるいはｎ型ＧａＡｓの電流ブロック層４３を形成し、Ｐ側電極４９の直下に電流が流れることを阻止している。また、Ｐ側電極４９がＩＴＯ透明電極４７の一部と接しているため、図９のように、電流がＩＴＯ透明電極４７を介して拡散され、ＡｌＧａＩｎＰ活性層３７に効率良く注入される。この結果、ＡｌＧａＩｎＰ活性層３７とｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３９との接合面において、均一な発光が得られると共に発光した光を効率良く取り出せる。 
【００４５】さらに、電流ブロック層４３をＧａＡｓ系化合物半導体で形成しているので、同類製造方法で形成可能であると共に、図１３で示した厚いｐ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層５７が不要であるため、生産性が向上し、コストが低くなる。
【００４６】なお、電流ブロック層４３、金属薄膜電極４５、ＩＴＯ透明電極４７、及びＰ側電極４９の構造は、図９で示した構造に限らず、図１０（Ａ）〜（Ｃ）のように、Ｐ側電極４９が金属薄膜電極４５及びＩＴＯ透明電極４７の両方に接する構造でも良く、少なくともＩＴＯ透明電極４７の一部に接していれば良いものである。
【００４７】また、電流ブロック層４３は、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰあるいはｎ型ＧａＡｓである必要はなく、ＳｉＯ2 等の絶縁膜で形成しても良いものである。この場合は、図１０（Ａ）〜（Ｄ）で示すような構造にすることが可能である。さらに、金属薄膜電極４５の形状は必ずしも板状でなくても良く、第一実施形態でも説明したように、図６のような複数の島状に配置しても良い。」
　
　上記（ア）ないし（ウ）から、引用例１には、以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
「ＧａＡｓ系化合物半導体層から光を取り出す化合物半導体発光素子であって、
　第１導電型ＧａＡｓ基板と、
　該第１導電型ＧａＡｓ基板上に積層した複数層のＡｌＧａＩｎＰ層と、
　これらＡｌＧａＩｎＰ層の最上層に形成された第２導電型ＧａＡｓ層と、
　該第２導電型ＧａＡｓ層上の一部領域に形成された絶縁膜と、
　前記第２導電型ＧａＡｓ層上の前記絶縁膜形成領域以外の領域に形成された、前記第２導電型ＧａＡｓ層と同一導電型ドーパントを含む金属薄膜電極と、
　該金属薄膜電極上に形成された透明電極と、
　前記絶縁膜上に形成され、少なくとも前記透明電極の一部と接する第１電極と、
　前記第１導電型ＧａＡｓ基板裏面に形成された第２電極とを具備し、
　前記金属薄膜電極は、複数の島状に配置される化合物半導体発光素子において、
　ｎ型ＧａＡｓ基板３１の上にｎ型ＧａＡｓバッファ層３３、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３５、ＡｌＧａＩｎＰ活性層３７、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３９、及びｐ型ドーバントであるＺｎを含むｐ型ＧａＡｓコンタクト層４１を順次積層させ、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層４１の上の一部領域に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰあるいはｎ型ＧａＡｓの電流ブロック層４３を形成し、次に、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層４１の上の電流ブロック層４３が形成されていない領域に、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層４１と同一のｐ型ドーパントであるＺｎを含む金属薄膜電極４５を、ＡｕＺｎ＝５nm、４３０℃、１５分のシンタによって形成し、さらに、電流ブロック層４３と金属薄膜電極４５の上に、ＩＴＯ透明電極４７を形成し、最後に、電流ブロック層４３の上のＩＴＯ透明電極４７をエッチング除去した後、ＩＴＯ透明電極４７の一部と接するＰ側電極４９を形成すると同時に、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の裏面にＮ側電極５１を形成した、化合物半導体発光素子。」
　
イ　原査定の拒絶理由において引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平８−１１１５４４号公報（以下「引用例２」という。）には下記の記載がある。
　
（ア）「【０００２】
【従来の技術】一般に、表面発光タイプの半導体発光素子では、基板表面側に形成した発光層（または「活性層」と呼ぶ）の上に表面電極としてボンディングパッドが形成され、基板裏面側に裏面電極が全面に形成される。上記ボンディングパッドの面積は、ワイヤボンディングされる関係上、１００μmφ程度の比較的大きなものとされる。発光層が発した光がボンディングパッドに遮られて外部出射効率が低下するのを防ぐために、例えば、ＡlＧaＩnＰ系の半導体発光素子では、ＡlＧaＩnＰ発光層と表面電極としてのボンディングパッドとの間にＡl0.7Ｇa0.3ＡsやＧaＰからなる電流拡散層が設けられている。これにより、ボンディングパッドの直下からその周囲へ電流を拡散させるようにしている。しかしながら、それでも上記発光層が発した光の多くはボンディングパッドに遮られ、素子外部に取り出すことができない。
【０００３】そこで、従来より、図１７(a)，(b)に示すように（同図(b)は同図(a)におけるＮ−Ｎ線断面を示す）、アンドープＡlＧaＩnＰ活性層１３３と表面電極（ボンディングパッド）１３８との間にｐ型ＡlＧaＡs電流拡散層１３５を形成するとともに、ボンディングパッド１３８の直下のｐ型ＡlＧaＩnＰクラッド層１３４（活性層１３３上に接する）と上記電流拡散層１３５との間に、ボンディングパッド１３８と実質的に同じパターンを持つ電流阻止層１７４を設ける手段が提案されている(特開平４−２２９６６５号公報)。これは、電流拡散層１３５によって電流を拡散するだけでなく、活性層１３３のうちボンディングパッド１３８直下の部分に電流が注入されるのを電流阻止層１７４によって阻止して、ボンディングパッド１３８直下での発光を相対的に抑えようとするものである。なお、図中、１３６は表面電極１３８をオーミック接触させるためのｐ型ＧaＡsコンタクト層、１３２はｎ型ＡlＧaＩnＰクラッド層、１３１はｎ型ＧaＡs基板、１３９は裏面電極をそれぞれ示している。
【０００４】また、図１８(a)，(b)に示すように（同図(b)は同図(a)におけるＯ−Ｏ線断面を示す）、表面電極１４８を中央に位置する円形ボンディングパッド１８３と、このボンディングパッド１８３の周囲に放射状に伸びる枝部１８４ａ及びこれをつなぐブリッジ部１８４ｂからなる枝状電極１８４とによって構成するとともに、ボンディングパッド１８３とｐ型ＧaＡsコンタクト層１４６との間に、ｎ型電流阻止層１７５を設ける手段が提案されている(特開昭６１−６８８０号公報)。これは、ボンディングパッド１８３直下に電流が注入されるのを電流阻止層１７５によって阻止するとともに、ボンディングパッド１８３の周囲に枝状電極１８４によって直接電流を注入して、ボンディングパッド１８３直下での発光を相対的に抑えようとするものである。なお、図中、１４４はｐ型ＡlＧaＡsクラッド層、１４３はｐ型ＡlＧaＡs活性層、１４２はｎ型ＡlＧaＡsクラッド層、１４１はｎ型ＧaＡs基板、１４９は裏面電極をそれぞれ示している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１７の半導体発光素子では、これを作製する場合、ＧaＡs基板１３１上にクラッド層１３２、活性層１３３、クラッド層１３４および電流阻止層１７４を連続的に成長した後、この電流阻止層１７４の一部をエッチングしてパターン形成し、その後、その上に電流拡散層１３５とコンタクト層１３６を連続的に成長することになる。結局、２回のエピタキシャル成長が必要となり、工程が繁雑になるという問題がある。また、１回目の成長と２回目の成長との界面での結晶性が悪く、非発光再結合が発生する。さらに、再成長界面で発生した欠陥が原因となって、その上に成長する電流拡散層１３５の結晶性までも著しく低下する。このため、電流拡散距離の低下や光吸収が発生し、発光輝度が全体として低下するという問題がある。
【０００６】また、図１８の半導体発光素子では、枝状電極１８４から注入された電流が活性層１４３に達するまでにボンディングパッド１８３直下に横に拡散してしまい、ボンディングパッド１８３の直下での発光を十分に抑えることができないという問題がある。
【０００７】そこで、この発明の目的は、外部出射効率を高めることができ、全体として発光輝度を高めることができる上、１回のエピタキシャル成長により簡単に作製できる半導体発光素子を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、請求項１に記載の半導体発光素子は、ｎ型とｐ型のうち一方の導電型を持つ基板上に、上記一方の導電型を持つ下クラッド層、光を発することができる活性層およびｎ型とｐ型のうち他方の導電型を持つ上クラッド層を含む半導体層を備え、この半導体層上に表面電極を有する半導体発光素子において、上記表面電極は、所定の面積を持つボンディングパッドと、このボンディングパッドから周囲の領域に放射状に伸びる細長い枝部とを少なくとも有し、上記ボンディングパッドの直下に、このボンディングパッドから上記半導体層中に電流が注入されるのを阻止する電流阻止層を備え、上記ボンディングパッドの周囲を取り囲み上記枝部を横切る環状の領域に、上記半導体層の表面側から所定の深さに達する溝を設けて、上記枝部の先端側から上記溝の外側の半導体層に電流が注入されるようにしたことを特徴としている。
【０００９】また、請求項２に記載の半導体発光素子は、請求項１に記載の半導体発光素子において、上記溝は、上記半導体層の表面側から上記上クラッド層の表面または上記活性層の表面まで達していることを特徴としている。
【００１０】また、請求項３に記載の半導体発光素子は、請求項１または２に記載の半導体発光素子において、上記溝は、上記環状の領域のうち上記枝部が通っていない部分のみに設けられていることを特徴としている。
【００１１】
【作用】請求項１の半導体発光素子では、電流阻止層によってボンディングパッドから直接直下の半導体層に電流が注入されるのが阻止される。代わりに、表面電極の枝部の先端側から上記ボンディングパッドの周囲に設けられた溝の外側の半導体層に電流が注入される。この注入された電流は、上記溝のせいでボンディングパッド直下に拡散して回り込むのが抑制され、略そのまま活性層に達する。したがって、ボンディングパッド直下での発光が抑制される一方、ボンディングパッドの周囲での発光が相対的に強まり、結果として外部出射効率が高まる。しかも、上記電流阻止層は、上記半導体層上に設けられているので、上記半導体層の成長に連続して成長させることができ、エピタキシャル成長を１回で済ませることが可能となる。この成長後、表面電極等を形成すれば良い。これにより、この半導体発光素子は簡単に作製される。また、このように作製した場合、半導体層中に再成長界面が存在しないので、半導体層の結晶性が良好なものとなる。したがって、外部出射効率が高まることと相俟って、全体として発光輝度が高まる。
【００１２】請求項２の半導体発光素子では、上記溝は、上記半導体層の表面側から上クラッド層の表面または活性層の表面まで達しているので、上記枝部から半導体層に注入された電流はそのまま上クラッド層または活性層に達する。したがって、ボンディングパッド直下での発光がさらに抑制される一方、ボンディングパッド周囲での発光がさらに強まり、結果として、外部出射効率がさらに高まる。
【００１３】請求項３の半導体発光素子では、上記溝は、上記ボンディングパッドの周囲を取り囲む環状の領域のうち上記枝部が通っていない部分のみに設けられているので、上記枝部が上記溝の段差によって断線することがない。」
　
（イ）「【００３４】(実施例３)図１６(a)，(b)は第３の実施例の半導体発光素子の構造を示している。同図(a)は素子の表面を示し、同図(b)は同図(a)におけるＭ−Ｍ線断面を示している。この図に示すように、この半導体発光素子は、n型のＧaＰ基板２１上に、半導体層としてn型の(Ａl0.7Ｇa0.3)xＩn1-xＰ(x＝１→０．５)組成勾配層４０、n型の(Ａl0.7Ｇa0.3)0.5Ｉn0.5Ｐ下クラッド層２２、アンドープの(Ａl0.3Ｇa0.7)0.5Ｉn0.5Ｐ活性層２３およびp型の(Ａl0.7Ｇa0.3)0.5Ｉn0.5Ｐ上クラッド層２４を備えている。この上クラッド層２４上に、ドーピング濃度が１０17cm-3以下のp型の(Ａl0.7Ｇa0.3)0.5Ｉn0.5Ｐ電流阻止層７３と、円形（直径１００μｍ）のボンディングパッド８５および枝部としての枝状電極８６からなる表面電極２８を備えている。枝状電極８６はボンディングパッド８５から四方に放射状に伸びている。上記電流阻止層７３は、ボンディングパッド８５と同一の径を持ち、このボンディンンディングパッド（審決注：「ボンディングパッド」の誤りと認める。）８５の直下に設けられている。ボンディングパッド８５の周囲を隣接して取り囲む環状の領域のうち上記枝状電極８６が通っていない部分のみに、上クラッド層２４の表面から活性層２３の表面まで達する溝３０が設けられている。すなわち、溝３０は、上記環状の領域を周方向に約９０°毎に分割した４つの円弧状の部分に設けられている。」
　　
（ウ）　上記（ア）及び（イ）から、引用例２には、以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
「n型のＧaＰ基板２１上に、半導体層としてn型の(Ａl0.7Ｇa0.3)xＩn1-xＰ(x＝１→０．５)組成勾配層４０、n型の(Ａl0.7Ｇa0.3)0.5Ｉn0.5Ｐ下クラッド層２２、アンドープの(Ａl0.3Ｇa0.7)0.5Ｉn0.5Ｐ活性層２３およびp型の(Ａl0.7Ｇa0.3)0.5Ｉn0.5Ｐ上クラッド層２４を備え、この上クラッド層２４上に、ドーピング濃度が１０17cm-3以下のp型の(Ａl0.7Ｇa0.3)0.5Ｉn0.5Ｐ電流阻止層７３と、円形（直径１００μｍ）のボンディングパッド８５および枝部としての枝状電極８６からなる表面電極２８を備え、枝状電極８６はボンディングパッド８５から四方に放射状に伸び、上記電流阻止層７３は、ボンディングパッド８５と同一の径を持ち、このボンディングパッド８５の直下に設けられ、ボンディングパッド８５の周囲を隣接して取り囲む環状の領域のうち上記枝状電極８６が通っていない部分のみに、上クラッド層２４の表面から活性層２３の表面まで達する溝３０が設けられ、溝３０は、上記環状の領域を周方向に約９０°毎に分割した４つの円弧状の部分に設けられ、電流阻止層によってボンディングパッドから直接直下の半導体層に電流が注入されるのが阻止され、代わりに、表面電極の枝部の先端側から上記ボンディングパッドの周囲に設けられた溝の外側の半導体層に電流が注入され、この注入された電流は、上記溝のせいでボンディングパッド直下に拡散して回り込むのが抑制され、略そのまま活性層に達し、したがって、ボンディングパッド直下での発光が抑制される一方、ボンディングパッドの周囲での発光が相対的に強まり、結果として外部出射効率が高まり、しかも、上記電流阻止層は、上記半導体層上に設けられているので、上記半導体層の成長に連続して成長させることができ、エピタキシャル成長を１回で済ませることが可能となる半導体発光素子。」
　
（２）対比
　本願補正発明と引用発明１を対比する。
　
ア　引用発明１の、「ＡｌＧａＩｎＰ活性層３７」、「（ｎ型ＧａＡｓ基板３１の上に順次積層した）ｎ型ＧａＡｓバッファ層３３、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３５、ＡｌＧａＩｎＰ活性層３７、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３９」、「（複数の島状に配置される）金属薄膜電極４５」、「ＩＴＯ透明電極４７」及び「Ｐ側電極４９」は、それぞれ、本願補正発明の、「発光層」、「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層」、「分割して配置されたオーミック電極」、「発光透過用の窓層」及び「結線用の台座電極」に相当し、引用発明１と本願補正発明とは、「発光層、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、分割して配置されたオーミック電極、発光透過用の窓層、および結線用の台座電極を有するＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード」である点で一致する。
　
イ　引用発明１の「ｎ型ＡｌＧａＩｎＰあるいはｎ型ＧａＡｓの電流ブロック層４３」は、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の上にｎ型ＧａＡｓバッファ層３３、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３５、ＡｌＧａＩｎＰ活性層３７、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３９、及びｐ型ドーバントであるＺｎを含むｐ型ＧａＡｓコンタクト層４１を順次積層させた、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層４１の上の一部領域に形成されるもので、その上に、Ｐ側電極４９を形成するものであるので、本願補正発明の「高抵抗ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層」と、「台座電極とＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層との間に設けられたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層」である点で一致する。
　
ウ　引用発明１の「ｐ型ＧａＡｓコンタクト層４１」は、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の上にｎ型ＧａＡｓバッファ層３３、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３５、ＡｌＧａＩｎＰ活性層３７、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３９、及びｐ型ＧａＡｓコンタクト層４１の順に積層されたもので、その上に、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層４１と同一のｐ型ドーパントであるＺｎを含む金属薄膜電極４５が形成されるものであるので、本願補正発明の「低抵抗ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層」と、「オーミック電極とＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層との間に設けられた、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層」である点で一致する。
　
エ　引用発明１の「ＩＴＯ透明電極４７」のＩＴＯは透明酸化物であるので、引用発明１は、本願補正発明の「窓層が透明酸化物層からなり」との特定事項を具備する。
　
オ　引用発明１の「（複数の島状に配置される）金属薄膜電極４５」は、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層４１の上の電流ブロック層４３が形成されていない領域に形成され、Ｐ側電極４９は、電流ブロック層４３の上に形成されるものであるので、引用発明１は、本願補正発明の「分割して配置されたオーミック電極が素子平面における台座電極の射影領域外に形成され」との特定事項を具備する。
　
カ　上記アないしオから、本願補正発明と引用発明１とは、
「発光層、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、分割して配置されたオーミック電極、発光透過用の窓層、および結線用の台座電極を有するＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオードにおいて、
　窓層が透明酸化物層からなり、分割して配置されたオーミック電極が素子平面における台座電極の射影領域外に形成され、台座電極とＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層との間にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層が設けられ、オーミック電極とＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層との間に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層が設けられているＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１：
　本願補正発明は、台座電極とＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層との間に設けられたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層が、該ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層より高い抵抗を呈する５Ω以上の高抵抗ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層であるのに対し、引用発明１はそのようなものであるのか明らかでない点。
　
相違点２：
　本願補正発明は、オーミック電極とＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層との間に設けられたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層が、該ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層よりも低抵抗で０．１Ω以下の、キャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3以上の低抵抗ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層であるのに対し、引用発明１はそのようなものであるのか明らかでない点。
　　
（３）判断
　
ア　相違点１について
　引用発明２の、「ドーピング濃度が１０17cm-3以下のp型の(Ａl0.7Ｇa0.3)0.5Ｉn0.5Ｐ電流阻止層７３」は、ボンディングパッドから直接直下の半導体層に電流が注入されるのを阻止するための高抵抗の層で、引用発明１の電流ブロック層４３と同じ機能を果たす層であるので、引用発明１の電流ブロック層４３をこの電流阻止層７３に置き換えることは、当業者が容易になし得るところであり、その際、その抵抗をどの程度とするかは当業者が設計上適宜に定め得る事項であって、所要の抵抗を得るために、当該層のドーピング濃度、厚み、面積を適宜定め、引用発明１を、本願補正発明の上記相違点１に係る構成を具備するものとすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
イ　相違点２について
　引用発明１の「ｐ型ＧａＡｓコンタクト層４１」は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３９とｐ型ドーパントであるＺｎを含む金属薄膜電極４５とのオーミック性をとるための低抵抗のコンタクト層であることは当業者に明らかであり（例えば、特開平１０−３２６９４５号公報の段落【００１１】を参照。）、その抵抗及びキャリア濃度をどの程度とするかは当業者が設計上適宜に定め得る事項であるので、引用発明１の「ｐ型ＧａＡｓコンタクト層４１」を、本願補正発明の上記相違点２に係る構成を具備する低抵抗ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層にすることは、当業者が適宜なし得た設計的事項にすぎない。
　
　よって、本願補正発明は、引用発明１、引用発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　　
　
　
第３　本願発明について
　
１．本願発明
　平成２１年８月１１日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２１年３月１２日付け手続補正書の特許請求の範囲１〜１２に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は次のものである。 
「発光層、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、分割して配置されたオーミック電極、発光透過用の窓層、および結線用の台座電極を有するＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオードにおいて、
　窓層が透明酸化物層からなり、分割して配置されたオーミック電極が素子平面における台座電極の射影領域外に形成され、台座電極とＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層との間に該ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層より高い抵抗を呈するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層（高抵抗ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層）が設けられ、オーミック電極とＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層との間に、該ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層よりも低抵抗で、キャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3以上のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層（低抵抗ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層）が設けられていることを特徴とするＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード。」（以下「本願発明」という。）
 　 
２．引用例
　上記「第２　３．（１）　」に記載のとおりのものである。
　
３．対比・判断 
　本願発明は、本願補正発明において、「高抵抗ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層」を「５Ω以上」とした限定及び「低抵抗ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層」を「０．１Ω以下」とした限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　３．（３）」で検討したとおり、引用発明１、引用発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用発明１、引用発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび 
　したがって、本願発明は、引用発明１、引用発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。