【事件の表示】
　特願２００３−３７６５０２「ＧａＮ系半導体発光素子およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月　２日出願公開、特開２００５−１４２３１５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年１１月６日の特許出願であって、平成２１年５月１５日付けで手続補正がなされ、同年６月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月１６日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともにこれと同時に手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２１年９月１６日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年９月１６日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容及び目的
（１）補正の内容
　平成２１年９月１６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の請求項１につき、補正前（平成２１年５月１５日付け手続補正後のもの。）の
「　シリコン基板の主表面直上にて面内に分散形成された層厚０．１〜１μｍの酸化シリコン層と、該酸化シリコン層上に形成されたＧａＮ系半導体化合物からなる発光層部とを有し、
　前記酸化シリコン層には、前記発光層部からの紫外領域もしくは青色領域の発光を励起光としたフォトルミネッセンス発光を誘起させる発光源物質が分散形成されてなることを特徴とするＧａＮ系半導体発光素子。」
を、
「　シリコン基板の主表面直上にて面内に分散形成された層厚０．１〜１μｍ（ただし０．１μｍは除く）の酸化シリコン層と、該酸化シリコン層上に形成されたＧａＮ系半導体化合物からなる発光層部とを有し、
　前記酸化シリコン層には、前記発光層部からの紫外領域もしくは青色領域の発光を励起光としたフォトルミネッセンス発光を誘起させる発光源物質が分散形成されてなることを特徴とするＧａＮ系半導体発光素子。」
に補正する内容を含むものである。
　
（２）補正の目的
　本件補正は、補正前の請求項１に、（酸化シリコン層の層厚について）「ただし０．１μｍは除く」との限定を付加するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
２　独立特許要件
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（１）引用刊行物記載の発明 
　ア　引用刊行物１及び引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１１−２６１１６９号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている（下線は審決で付した。）。 
　 
（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異なる材料からなる基板上に成長させるようにした窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法において、
上記
基板上に成長マスクを直接形成した状態
・・・
【請求項３】  上記成長マスクはストライプ形状を有することを特徴とする請求項１記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法。
・・・
【請求項５】  
上記成長マスクはＳｉＯ
2
 
からなる
【請求項６】  
上記基板は
Ｓｉ基板
である
・・・
【請求項１１】  上記
成長マスクの開口部における上記基板上に上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を選択成長させ
【請求項１２】  窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体装置において、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異なる材料からなる
基板上に成長マスクを直接形成した状態
　
（イ）「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法および半導体装置に関し、特に、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザや発光ダイオード
に適用して好適なものである
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ系半導体は直接遷移半導体であり、その禁制帯幅は１．９ｅＶから６．２ｅＶに亘っており、可視領域から紫外線領域におよぶ発光が可能な発光素子の実現が可能であることから、近年注目を集めており、その開発が活発に進められている。・・・
【０００３】ところで、一般に、高性能の半導体装置を得るためには、この半導体装置を構成する半導体層の結晶の品質が非常に重要である。例えば、従来のＧａＡｓ系半導体を用いた光素子では、半導体層の積層欠陥密度は１０3 ｃｍ-2以下である。これに対し、ＧａＮ系半導体は、通常サファイアやＳｉＣなどの格子定数の異なる基板上に成長されるが、その積層欠陥密度は１０8 〜１０10ｃｍ-2程度と極めて高い。ＧａＮ系半導体の性質上、このような高密度の結晶欠陥が存在するにもかかわらず、すでに発光ダイオードが実用化され、半導体レーザも室温連続発振が達成されており、電子走行素子も試作例が近年報告されている。
【０００４】しかしながら、結晶欠陥の少ないＧａＮ系半導体では発光効率が高くなる傾向があることが実験的に確認されており、また、理論計算により、電子移動度はキャリアが少ないときには結晶欠陥によって規定されることが指摘されている。このため、近年、ＧａＮ系半導体の結晶欠陥の低減化方法が模索されてきている。特に、ＧａＮ系半導体レーザの長寿命化には、ＧａＮ系半導体の結晶欠陥の低減が必須とされている。
【０００５】ＧａＮ系半導体の結晶欠陥低減のための従来の方策について、ＧａＮを例にとって説明する。・・・ＧａＮの結晶欠陥低減のための第２の方策は、選択成長技術を用いることである（J.Crystal Growth,144(1994)133)。この方法では、ｃ面サファイア基板またはＳｉＣ基板上にあらかじめ単結晶のＧａＮ層を形成しておき、その上にＳｉＯ2 膜やＳｉＮ膜からなる成長マスクを形成した状態で２回目のＧａＮの成長を行う。この場合、この成長マスクで覆われていない開口部のＧａＮ層上に成長したＧａＮ結晶が横方向に（成長マスク上に）延びてゆくとき、下地から引き継がれる貫通欠陥は成長マスクによって阻止されるので、成長マスク上に成長したＧａＮ層はより低結晶欠陥密度の高品質な結晶となる。この技術は、Ｓｉ基板上に単結晶のＧａＡｓを成長させる技術（ＧａＡｓオンＳｉ基板技術）で用いられてきたものであるが、近年ＧａＮの結晶成長においても試みられ、結晶欠陥の低減に成功を収めつつある（Jpn.J.Appl.Phys.,36(1997)L899)。
【０００６】上述のＧａＮの選択成長技術についてより詳細に説明する。すなわち、この技術では、図１６に示すように、まず、例えば、ｃ面サファイア基板１０１上に例えば５００〜６００℃程度の低温で厚さが例えば２０〜３０ｎｍのアモルファス状のＧａＮバッファ層を成長させた後、基板温度を１０００℃程度まで上昇させてこのＧａＮバッファ層を固相エピタキシャル成長により結晶化させ、結晶粒の方位がそろった多結晶のＧａＮ層を形成する。そして、この多結晶ＧａＮ層上にＧａＮをある程度厚く（典型的には３μｍ程度）成長させると、積層欠陥密度が１０10ｃｍ-2程度の単結晶のＧａＮ層１０２が得られる。次に、このＧａＮ層１０２上にＳｉＯ2 膜などからなるストライプ形状の成長マスク１０３を形成し、１０００℃程度の温度で有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法やハイドライド気相エピタキシャル成長（ＨＶＰＥ）法によりＧａＮを成長させる。すると、成長マスクで覆われていない開口部のＧａＮ層１０２上に成長したＧａＮは横方向成長によって成長マスク１０３上に広がってゆき、ＧａＮをある程度の厚さ、例えば、マスク幅の２〜５倍の厚さ（例えば、８〜２０μｍ）成長させると、成長マスク１０３の各開口部から横方向成長したＧａＮ結晶同士が合体して連続的な単結晶のＧａＮ層１０４が成長する。このとき、成長マスク１０３上のＧａＮ層１０４のみならず、成長マスク１０３の開口部上のＧａＮ層１０４の貫通転位も横方向に曲がって、ＧａＮ層１０４全体としての結晶欠陥が低減する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の従来の選択成長技術は、ＧａＮの結晶欠陥低減には有効であるものの、次のような欠点を有している。すなわち、第１に、低結晶欠陥密度の単結晶のＧａＮ層１０４を成長させるためには、あらかじめｃ面サファイア基板１０１上に単結晶のＧａＮ層１０２を形成しておく必要がある。これは、結晶成長を２回行わなければならないことを意味し、結晶成長のコストがほぼ２倍になる。第２に、ＧａＮ層１０４の選択成長は、成長マスク１０３の各開口部から成長したＧａＮ層１０４の側面同士が合体して欠陥が減少するまで続ける必要があるので、現在のところＭＯＣＶＤ法などで少なくとも８μｍ程度と厚くＧａＮ層１０２を成長させなければならない。これは、成長時間と原料とを多く消費することを意味し、結晶成長のコストが高くなる。
【０００８】したがって、この発明の目的は、低結晶欠陥密度の高品質の単結晶の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を低コストで成長させることができる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法およびこの成長方法を用いて製造される半導体装置を提供することにある。」
　
（ウ）「【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は、従来技術が有する上述の課題を解決すべく、鋭意検討を行った。以下にその概要について説明する。
・・・
【００１３】以上のように、ＧａＮと異なる任意の基板上に成長マスクを直接形成し、この際、成長マスクを、その表面の任意の点からその端までの最短距離がその表面におけるＧａおよびＮの拡散長よりも小さくなるように形成し、その状態でＧａＮの成長を行うことにより、成長マスクの開口部における基板表面に方位のそろった結晶核を高密度で生成し、これらの結晶核の集団を横方向に制御して成長させる（グラフォエピタキシー）ことにより、低温成長によるＧａＮバッファ層のようなアモルファス層を基板上にあらかじめ成長させることなく、１回の成長で表面が平坦で低結晶欠陥密度の単結晶のＧａＮ層を成長させることができる。
・・・
【００２１】上述のように構成されたこの発明においては、
基板上に成長マスクを直接形成した状態で基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させる
成長マスクの開口部における基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を選択成長させることができるように成長マスクを形成し
　
（エ）「【００２２】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。・・・
【００２３】図１〜図８はこの発明の第１の実施形態によるＧａＮ層の成長方法を示す。
【００２４】この第１の実施形態においては、まず、図１および図２に示すように、ｃ面サファイア基板１上に例えばＣＶＤ法によりＳｉＯ2 膜２を形成した後、
このＳｉＯ
2
 膜２を
ストライプ形状にパターニングし、成長マスクを形成する
このＳｉＯ
2
 膜２の厚さは例えば０．１μｍとする
【００２５】次に、成長マスクとしてのＳｉＯ2 膜２が形成されたｃ面サファイア基板１をＭＯＣＶＤ装置の反応管内に導入する。そして、この反応管内でまず、水素（Ｈ2 ）および窒素（Ｎ2 ）をそれぞれ流量８ｌ／ｍｉｎおよび７ｌ／ｍｉｎで供給しながら１０５０℃、１０分間の熱処理を行ってｃ面サファイア基板１の表面のサーマルクリーニングを行った後、成長温度まで基板温度を下げ、温度が安定した状態で反応管内にアンモニア（ＮＨ3 ）およびトリメチルガリウム（ＴＭＧ）をそれぞれ流量１０ｌ／ｍｉｎおよび１００μｍｏｌ／ｍｉｎで同時に供給し、ＧａＮの成長を行う。・・・
【００２６】成長初期においては、図３に示すように、ＳｉＯ2 膜２の開口部におけるｃ面サファイア基板１の表面にＧａＮの結晶核３がｃ面サファイア基板１の結晶方位に対して一定の結晶方位を持って高密度にエピタキシャル成長する。このとき、ＳｉＯ2 膜２の表面におけるＧａおよびＮの拡散長がこのＳｉＯ2 膜２の表面の任意の点からその端までの最短距離よりも長いため、このＳｉＯ2 膜２の表面に結晶核３はほとんど生成されない。すなわち、結晶核３は、ＳｉＯ2 膜２の開口部におけるｃ面サファイア基板１の表面に選択的に生成する。
【００２７】時間の経過とともに各結晶核３が成長し、一定時間経過後には互いに合体し、図４に示すように、ＳｉＯ2 膜２の開口部におけるｃ面サファイア基板１上にほぼ単結晶のＧａＮ層４が成長する。このときのＧａＮ層４の表面は通常、凹凸が存在する面になっている。
【００２８】さらに時間が経過すると、図５に示すように、ＧａＮ層４の表面がＳｉＯ2 膜２の表面とほぼ同一の高さになる。
【００２９】この時点で成長温度を例えば１０００℃程度に上昇させ、また、ＴＭＧの流量を例えば３０μｍｏｌ／ｍｉｎとして、ＧａＮの成長を続ける。これによって、図６に示すように、ＧａＮ層４は、厚さを増しながら、ＳｉＯ2 膜２の幅方向への横方向成長によりＳｉＯ2 膜２上にも成長してゆく。通常、この時点でも、ＧａＮ層４の表面には凹凸が存在している。ＧａＮ層４が２μｍ程度の厚さまで成長すると、図７に示すように、ＧａＮ層４の表面の凹凸はほとんどなくなる。このようにして成長したＧａＮ層４の側面の面方位は｛１−１０１｝となる。
【００３０】ＧａＮ層４の成長がさらに進むと、ＳｉＯ2 膜２の各開口部から横方向成長したＧａＮ層４同士がそれらの側面で合体し、ＧａＮ層４の厚さが６μｍ程度になった時点で、図８に示すように、表面が平坦な単結晶のＧａＮ層４が連続膜として得られる。
【００３１】図１０に、最初にＧａＮバッファ層を成長させる従来のＧａＮ層の成長方法における成長速度を用いる場合にＧａＮ層を厚さ０．１μｍ成長させるのに必要な時間（約３０秒）だけ成長を行ったＧａＮ層４の表面のＳＥＭ写真を示す。図１０より、ＳｉＯ2 膜２の開口部の端からこのＳｉＯ2 膜２上へのＧａＮ層４の横方向成長が見られる。この場合、・・・ＧａＮ層４はＳｉＯ2 膜２の開口部の両側のＳｉＯ2 膜２上にそれぞれ０．３μｍ横方向成長している。また、Ｘ線回折の結果、このＧａＮ層４はアモルファスではなく、ｃ軸配向した結晶であることが確認された。
・・・
【００３４】以上のように、この第１の実施形態によれば、ｃ面サファイア基板１上に成長マスクとしてのストライプ形状のＳｉＯ2 膜２を直接形成し、このときこのＳｉＯ2 膜２の幅を成長温度におけるＧａおよびＮの拡散長よりも狭くし、このＳｉＯ2 膜２が形成されたｃ面サファイア基板１上にＧａＮの成長を行っていることにより、１回の成長により、表面が平坦で低結晶欠陥密度の高品質の単結晶のＧａＮ層４を低コストで成長させることができる。」
　
（オ）「【００３８】次に、この発明の第３の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法について説明する。図１３〜図１５にこの製造方法を示す。このＧａＮ系半導体レーザは、ＳＣＨ（Separate Confinement Heterostructure）構造を有するものである。
【００３９】この第３の実施形態においては、図１３に示すように、まず、第１または第２の実施形態と同様な方法により、ｃ面サファイア基板１上に成長マスクとしてのストライプ形状のＳｉＯ2 膜２を直接形成し、その上にＭＯＣＶＤ法により表面が平坦で低結晶欠陥密度の単結晶のＧａＮ層４を連続膜として成長させた後、引き続いてＭＯＣＶＤ法によりこのＧａＮ層４上にｎ型ＧａＮコンタクト層５、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層６、ｎ型ＧａＮ光導波層７、例えばＧａ1-x Ｉｎx Ｎ／Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ多重量子井戸構造の活性層８、ｐ型ＧａＮ光導波層９、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０およびｐ型ＧａＮコンタクト層１１を順次成長させる。このとき、これらの層の下地となるＧａＮ層４が低結晶欠陥密度の高品質の単結晶であることから、これらの層もまた低結晶欠陥密度の高品質の単結晶となる。・・・また、ｎ型ＧａＮコンタクト層５、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層６およびｎ型ＧａＮ光導波層７にはドナーとして例えばＳｉをドープし、ｐ型ＧａＮ光導波層９、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０およびｐ型ＧａＮコンタクト層１１にはアクセプタとして例えばＭｇをドープする。この後、これらの層にドープされたドナーおよびアクセプタの電気的活性化、特にｐ型ＧａＮ光導波層９、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０およびｐ型ＧａＮコンタクト層１１にドープされたアクセプタの電気的活性化のための熱処理を行う。・・・
【００４０】次に、ｐ型ＧａＮコンタクト層１１上に、所定幅のストライプ形状のレジストパターン（図示せず）を形成した後、このレジストパターンをマスクとして、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法によりｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０の厚さ方向の途中の深さまでエッチングし、リッジ部を形成する。次に、このレジストパターンを除去した後、ｐ型ＧａＮコンタクト層１１およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０上に所定幅のストライプ形状のレジストパターン（図示せず）を形成し、このレジストパターンをマスクとして例えばＲＩＥ法によりｎ型ＧａＮコンタクト層５の厚さ方向の途中の深さまでエッチングすることにより、ｐ型ＧａＮコンタクト層１１、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０、ｐ型ＧａＮ光導波層９、活性層８、ｎ型ＧａＮ光導波層７、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層６およびｎ型ＧａＮコンタクト層５の上層部をストライプ状にパターニングする。このパターニング終了後の状態を図１４に示す。
【００４１】次に、図１５に示すように、エッチングマスクに用いたレジストパターンを除去した後、ｐ型ＧａＮコンタクト層１１上に例えばＮｉ／Ａｕ膜やＮｉ／Ｐｔ／Ａｕ膜などからなるｐ側電極１２を形成するとともに、エッチングされた部分のｎ型ＧａＮコンタクト層５上に例えばＴｉ／Ａｌ膜からなるｎ側電極１３を形成する。
【００４２】この後、上述のようにしてレーザ構造が形成されたｃ面サファイア基板１を劈開などによりバー状に加工して両共振器端面を形成し、さらにこれらの共振器端面に端面コーティングを施した後、このバーを劈開などによりチップ化する。以上により、目的とするＳＣＨ構造のＧａＮ系半導体レーザが製造される。
【００４３】この第３の実施形態によれば、レーザ構造を形成する半導体層の下地となるＧａＮ層４を１回の成長により低コストで成長させることができることにより、従来に比べてＧａＮ系半導体レーザを低コストで製造することができる。」
　
（カ）「【００４４】以上、この発明の実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【００４５】例えば、上述の第１、第２および第３の実施形態において挙げた数値、構造、基板、原料、プロセスなどはあくまでも例に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる数値、構造、基板、原料、プロセスなどを用いてもよい。
・・・
【００４７】また、上述の第１、第２および第３の実施形態においては、基板としてｃ面サファイア基板を用いているが、必要に応じて、ＳｉＣ基板、
Ｓｉ基板
を用いてもよい
【００４８】さらに、上述の第３の実施形態においては、この発明をＧａＮ系半導体レーザの製造に適用した場合について説明したが、
この発明は、ＧａＮ系発光ダイオードはもちろん、
の製造に適用してもよい
　
（キ）「【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の第１の発明によれば、基板上に成長マスクを直接形成した状態で基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させるようにしていることにより、低結晶欠陥密度で高品質の単結晶の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を低コストで成長させることができる。
【００５０】また、この発明の第２の発明によれば、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体装置を低コストで製造することができる。」
　
（ク）上記摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
　 
「　窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異なる材料からなる基板上に成長マスクを直接形成した状態で上記基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体が成長されており、
　基板上に成長マスクを直接形成した状態で基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させるようにしているため、成長マスクの開口部における基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を選択成長させることができるように成長マスクを形成し、成長時には、まず、成長マスクの開口部における基板上にエピタキシャル成長により一定の結晶方位を持って高密度で生成された結晶核の成長により成長マスクの開口部が埋められ、次いで横方向成長により成長マスク上に成長が進み、各開口部から横方向成長した結晶同士が合体し、連続膜が形成され、
　上記基板はＳｉ基板であり、
　上記成長マスクはストライプ形状にパターニングされ、
　上記成長マスクはＳｉＯ2からなり、このＳｉＯ2 膜の厚さは例えば０．１μｍとした、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体装置であって、
　前記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体装置はＧａＮ系発光ダイオードである半導体装置。」
　
　イ　引用刊行物２
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００１−１７７１４５号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている（下線は審決で付した。）。 
　 
（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】絶縁基板と、
前記絶縁基板の上に積層形成されたＧａＮ系積層膜であって、その一つの層が
紫外光を可視光に変換する蛍光体を含む選択成長マスク材層を用いて成長されたＧａＮ系膜
このＧａＮ系積層膜の上に形成された、少なくとも紫外光成分を発光する活性層と、
を積層構造として有する半導体発光素子。
・・・
【請求項４】前記
蛍光体を含む選択成長マスク材層は、ストライプ状に形成されている
【請求項５】前記蛍光体を含む選択成長マスク材層は、格子状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
・・・
【請求項１１】前記
蛍光体を含むマスク材は、無機バインダと共に供給され、加熱固着させて得る
【請求項１２】
無機バインダは酸化シリコンである
　
（イ）「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子およびその製造方法に関するもので、特に発光効率の高い半導体発光装置に好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】光を利用した記憶装置は記憶容量が大きく、非接触による長寿命および高信頼性という特徴があるため、広く利用されている。ここで用いる光は短波長のものほど記録密度が上げられることから、青色から緑色の発光素子が使用されようとしている。また、青
色ＬＥＤとＹＡＧ蛍光体とを組み合わせることによって白色光を得る白色ＬＥＤ等新しい発光素子が実現している
【０００３】青色から緑色にかけての発光素子としては、現在、ＧａＮ系材料で高輝度の発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザダイオード（ＬＤ）が得られている。
【０００４】このＧａＮ系発光素子の結晶成長技術に、最近ＥＬＯ（Ｅｐｉｔａｘｉａｌｌｙ  Ｌａｔｅｒａｌｌｙ  Ｏｖｅｒｇｒｏｗｎ）が注目されている。
【０００５】図１１はＥＬＯにおける成長の様子の概要を示す断面図である。まず、サファイア基板１の上に選択成長マスク２を形成し（図１１（ａ））、ＥＬＯでＧａＮ系膜の成長を行うと、結晶欠陥はＧａＮ系膜はＥＬＯにおける横方向と縦方向との成長速度の差により、選択成長マスクを埋め込むように成長する（図１１（ｂ）および図９（ｃ））。そしてこの際、結晶欠陥は速い横方向成長に沿って発生するため、選択成長マスク上のＥＬＯによるＧａＮ膜には転移が非常に少なくなる。この上にエピタキシャル層を積層して素子構造を得た場合、下地の欠陥密度が非常に低いため、発光特性に優れた半導体発光素子を得ることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このようなＧａＮ系材料を用いる高輝度の発光ダイオード（ＬＥＤ）のうち発光中心（Ｄ／Ａ）型の青色ＬＥＤ構造では、活性層であるＩｎＧａＮにドナーとしてのＳｉおよびアクセプタとしてのＺｎ、Ｍｇ等をドープしており、バンド端ではなく発光中心で所望の発光波長を得ようとするものであるため、可視光以外にも多くの紫外（Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ：ＵＶ）光が発生している。すなわち、この活性層の組成ではＩｎ１３％で中心波長４００ｎｍのバンド端の発光波長は３６５ｎｍ程度であるが、発光中心だけでなくこのバンド端のからの紫外光も存在し、注入電流を増加させるほどバンド端発光の割合は増加する。しかしながら、この紫外光は有効に利用されておらず、光取り出し効率は低いままにとどまっている。
【０００７】また、Ｉｎ組成を減少させて活性層から紫外光のみを発生するようにしたＵＶ発光ＬＥＤでは発生した紫外光は有効に取り出されておらず、外部量子効率は低いままにとどまっている。また、上述したＥＬＯ技術は低転移化のみに利用されている。
【０００８】本発明はこれらの問題を解決するためになされたもので、光取り出し効率の高い半導体発光装置を提供することを目的とする。」
　
（ウ）「【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、絶縁基板と、前記絶縁基板の上に積層形成されたＧａＮ系積層膜であって、
その一つの層が紫外光を可視光に変換する蛍光体を含む選択成長マスク材層を用いて成長されたＧａＮ系膜である
【００１０】この半導体発光素子によれば、
ＥＬＯ用の選択成長マスク層の中に、予め蛍光体を混入させてあるため、従来有効に利用されていなかった紫外光を活性層付近で可視光に変換させることが可能となり、蛍光体との結合効率を著しく向上させることができる
　
（エ）「【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００１９】図１は本発明にかかる半導体発光素子１０の構造を示す断面図である。サファイア基板１１の上にＧａＮバッファ層１２、ｎ−ＧａＮ層１３が積層され、その上に
蛍光体を均一に混入したＳｉＯ２でなるＥＬＯのためのマスク層１５
その上にこのマスクを用いてＥＬＯにより形成されたｎ−ＧａＮ層１６
【００２０】なお、活性層としてはここではＡｌｘInｙ Ga１−ｘ−ｙ N(0≦x≦0.1≦y≦1)膜であるが、BｚGa１−ｚN(0≦z≦1)膜等の種々の膜を用いることができる。」
　
（オ）「【００５０】
【発明の効果】以上のように、本発明にかかる半導体発光装置によれば、
選択成長マスク材の中に、予め蛍光体を混入させてあるため、発光層から発せられる紫外光の一部を活性層付近で可視光に変換させることが可能となり、発光装置全体としての発光効率を著しく向上させることができる
　
（２）対比 
　本願補正発明と引用発明とを対比する。 
　
　ア　引用発明の「（窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた）半導体装置」は、「ＧａＮ系発光ダイオードである」から、本願補正発明の「ＧａＮ系半導体発光素子」に相当する。
　
　イ　引用発明の「窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異なる材料からなる基板」は、「Ｓｉ基板」であるから、本願補正発明の「シリコン基板」に相当する。
　
　ウ　引用発明は「基板上に成長マスクを直接形成」するものであり、引用発明の「成長マスク」は、「ＳｉＯ2からなり」、かつ「ストライプ形状にパターニングされ」るものであるから、
　引用発明の「成長マスク」は、本願補正発明の「酸化シリコン層」に相当し、
　引用発明は、「シリコン基板の主表面直上にて面内に分散形成された酸化シリコン層を有する」点で、本願補正発明の「シリコン基板の主表面直上にて面内に分散形成された層厚０．１〜１μｍ（ただし０．１μｍは除く）の酸化シリコン層を有し、」との特定事項と一致する。
　
　エ　引用発明は、「基板上に成長マスクを直接形成した状態で上記基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体が成長されて」いるところ、引用発明の「半導体装置」は「ＧａＮ系発光ダイオードである」から、上記「窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体」が発光層部を備えることは明らかであり、引用発明は、本願補正発明の「該酸化シリコン層上に形成されたＧａＮ系半導体化合物からなる発光層部とを有し」との特定事項を備える。
　
　したがって、本願補正発明と引用発明とは、 
「シリコン基板の主表面直上にて面内に分散形成された酸化シリコン層と、該酸化シリコン層上に形成されたＧａＮ系半導体化合物からなる発光層部とを有するＧａＮ系半導体発光素子。」
である点で一致し、以下の点で相違する。 
　 
ａ．酸化シリコン層が、本願補正発明では、「層厚０．１〜１μｍ（ただし０．１μｍは除く）」とされているのに対して、引用発明は、「（このＳｉＯ2 膜の）厚さは例えば０．１μｍとした」とされている点（以下「相違点１」という。）。
　
ｂ．本願補正発明は、「前記酸化シリコン層には、前記発光層部からの紫外領域もしくは青色領域の発光を励起光としたフォトルミネッセンス発光を誘起させる発光源物質が分散形成されてなる」とされているのに対して、引用発明は、そのような事項を有していない点（以下「相違点２」という。）。
　
　
（３）判断 
　上記相違点について検討する。 
　
　ア　相違点１について
　引用発明において、成長マスク（ＳｉＯ2）の厚さは、一実施形態の例示として、「厚さは例えば０．１μｍとした」とされているに過ぎず、引用発明において、基板上に成長マスクを直接形成した状態で基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長する際に、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の品質、成長時間等を考慮して、成長マスクの層厚として０．１〜１μｍの範囲の適宜の値を選択し、相違点１に係る本願補正発明の特定事項となすことは、当業者が容易になし得たことである。
　また、本願明細書の記載を見ても、相違点１に係る本願補正発明の特定事項である酸化シリコン層の層厚の範囲（上限値及び下限値)に格別の臨界的意義は認められないから、本願補正発明において、酸化シリコン層の層厚の範囲を限定することによって、引用発明から予測し得る域を超えるほどの格別の効果を奏するものと認めることもできない。
　
　イ　相違点２について
　引用刊行物２には、上記（１）イに示した事項が記載され、半導体発光素子において、紫外光を可視光に変換する蛍光体を含む選択成長マスク材層として、蛍光体を均一に混入した酸化シリコンでなるＥＬＯ用の選択成長マスク層を用いて成長されたＧａＮ系膜であるＧａＮ系積層膜を積層構造として有することで、ＥＬＯ用の選択成長マスク層の中に予め蛍光体を混入させてあるため、従来有効に利用されていなかった紫外光を活性層付近で可視光に変換させることが可能となり、蛍光体との結合効率を著しく向上させることができる技術が開示されている。
　一方、ＧａＮ系半導体発光素子において、ＧａＮ系半導体発光素子による紫外光もしくは青色光と、該紫外光もしくは青色光を励起光とする蛍光体からの発光とを用いて白色光を得ようとすることは、本願の出願時において当業者にとって周知の課題であって、引用発明においても当然考慮される事項であると認められるから、引用発明において、引用刊行物２に記載された上記技術を適用し、相違点２に係る本願補正発明の特定事項となすことは、当業者が適宜なし得たことである。
　
　ウ　小括
　以上の検討によれば、本願補正発明は、引用刊行物１に記載された発明及び引用刊行物２に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。  
　
（４）むすび 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２１年５月１５日付け手続補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１の記載は、上記第２の１（１）において、補正前のものとして示したとおりのものである（以下、補正前の請求項１に係る発明を「本願発明」という。）。
　
２　引用刊行物記載の発明
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物１及び２の記載事項並びに引用発明は、上記第２の２（１）に示したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明は、上記第２の２で検討した本願補正発明において、酸化シリコン層の層厚について、「ただし０．１μｍは除く」との限定を省いたものである。
　そうすると、上記第２の２（２）ないし（３）での検討に照らして、本願発明は、引用発明及び引用刊行物２に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１に記載された発明及び引用刊行物２に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。  
　
　よって、結論のとおり審決する。