【手続補正書】
【提出日】平成23年8月9日(2011.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互接続エレメントのコンタクトを形成する方法であって、
（ａ）導電性エレメントと該相互接続エレメントとの間に配置した誘電体層を用いて、該導電性エレメントを、多重配線層を有する前記相互接続エレメントに接合する工程と、
（ｂ）前記誘電体層の主表面の少なくとも一部をいくつかの導電性ピンの間に露出させて、前記導電性エレメントをパタン形成して前記導電性ピンを形成する工程と、
（ｃ）前記主表面の露出した前記一部から延びるいくつかの開口部を前記誘電体層に形成する工程と、
（ｄ）前記導電性ピンを、前記誘電体層の前記開口部を介して、前記相互接続エレメントの導電性部位と電気的に相互接続する工程と
を含んでなる方法。
【請求項２】
工程（ａ）は、前記導電性エレメントを前記誘電体層で前記相互接続エレメントと接合することを含むものである請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記誘電体層は、接着剤を含むものである請求項２に記載の方法。
【請求項４】
工程（ｃ）は、前記誘電体層に前記開口部の内部へと延び、前記導電性部位を前記導電性ピンと相互接続する導電性トレースを形成することを含むものである請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記導電性エレメントは、単一の金属シートを含むものである請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記導電性エレメントは、層状金属構造体を含むものである請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記層状金属構造体は、外側の金属層と、前記相互接続エレメントに対向する内側の金属層と、前記内側の金属層と前記外側の金属層の間に介在する第３の金属層とを含み、工程（ｂ）は、前記外側の金属層を前記第３の金属層に関して選択的にエッチングすることを更に含み、工程（ｃ）は、前記導電性部位を前記内側の金属層の１以上の部分と相互接続することを含むものである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
工程（ｃ）は、前記第３の金属層と前記内側の金属層に、前記導電性部位と整合した開口部を形成することを更に含むものである請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記内側の金属層は、１つ以上の第１の開口部を有し、工程（ｃ）は、前記第３の金属層に、前記第１の開口部と前記導電性部位とに整合する貫通開口部を形成することを更に含むものである請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
相互接続エレメントのコンタクトを形成するための請求項１に記載された方法を含む、パッケージチップを形成する方法であって、
（ｄ）マイクロエレクトロニクス素子のコンタクトを前記導電性ピンと電気的に相互接続する工程を更に含む方法。
【請求項１１】
相互接続エレメントのコンタクトを形成するための請求項１に記載された方法を含む、パッケージチップを形成する方法であって、ここで、前記導電性ピンは、前記相互接続エレメントの第１の表面から突出しており、当該方法は、
（ｄ）マイクロエレクトロニクス素子のコンタクトを、前記相互接続エレメントの前記第１の表面から遠隔にある第２の表面に露出した前記相互接続エレメントの第２の導電性部位と相互接続する工程を更に含む方法。
【請求項１２】
露出したピン・インタフェースを有する多重配線層相互接続エレメントであって、
少なくとも１つの誘電体層で分離された多重配線層を有する相互接続エレメントであり、該多重配線層は前記相互接続エレメントの第１の表面に露出した複数の導電性部位を含み、少なくとも１つの誘電体層または１つ以上の第２構造体が、前記第１の表面から離れた前記相互接続エレメントの第２の表面に露出しているものである、相互接続エレメントと、
前記相互接続エレメントの第１の表面から離れる方向に前記第１の表面より高い高さまで突出する、実質的に固体である複数の導電性ピンであって、接合処理中に前記ピンが固体であるようにするため、接合金属の融点よりも実質的に融点が高い金属により形成された、複数の導電性ピンと、
前記複数の導電性部位を前記複数の導電性ピンと電気的に相互接続する金属トレースと
を備えてなる、多重配線層相互接続エレメント。
【請求項１３】
前記相互接続エレメントは接着剤で前記導電性ピンに接合されている請求項１２に記載の多重配線層相互接続エレメント。
【請求項１４】
前記接着剤は前記金属トレースが貫通する開口部を含むものである請求項１３に記載の多重配線層相互接続エレメント。
【請求項１５】
前記導電性ピンは、外側の金属層と、前記相互接続エレメントに対向する内側の金属層と、前記内側の金属層と前記外側の金属層の間に介在する第３の金属層とを含む層状金属構造体から形成されるものである請求項１２に記載の多重配線層相互接続エレメント。
【請求項１６】
前記導電性ピンは前記外側の金属層から形成されるものである請求項１５に記載の多重配線層相互接続エレメント。
【請求項１７】
前記金属トレースは、前記導電性部位を前記内側の金属層のいくつかの部分と相互接続するものである請求項１５に記載の多重配線層相互接続エレメント。
【請求項１８】
請求項１２に記載された多重配線層相互接続エレメントを含むアセンブリであって、
前記導電性ピンと並んで配置されて接続されたコンタクトを有するマイクロエレクトロニクス素子を更に含む、アセンブリ。
【請求項１９】
請求項１２に記載された多重配線層相互接続エレメントを含むアセンブリであって、前記相互接続エレメントの前記導電性部位と相互接続されたコンタクトを有するマイクロエレクトロニクス素子を更に含むものである、アセンブリ。
【請求項２０】
前記導電性部位は前記導電性ピンから遠隔にある第２の表面にある請求項１９に記載のアセンブリ。
【請求項２１】
複数の導電性パッドを有する多層基板であって、該多層基板は少なくとも１つの誘電体層によって分離された多層配線層を有し、該多層配線層は、前記多層基板の第１の表面に露出した複数の導電性構造体を含み、少なくとも１つの誘電体層または１つ以上の第２構造体は、前記第１の表面から離れた前記多層基板の第２の表面に露出している、多層基板と、
第１の表面から離れる方向に前記第１の表面より高い高さまで突出する、実質的に固体である複数の導電性ポストであって、接合処理中に前記ポストが固体であるようにするため、接合金属の融点よりも実質的に融点が高い金属により形成された、複数の導電性ポストと、
前記多層基板と前記複数のポストとの間に配置された接合層とを備え、
前記接合層は、第１および第２の表面と、前記第１および第２の表面の間に延在する複数の金属化ビアとを有し、前記複数の金属化ビアは、前記複数のポストを前記多層基板上の前記複数の導電性パッドに電気的に結合するように配置されている、相互接続エレメント。
【請求項２２】
前記複数のポストは、外側の金属層と、前記接合層に対向する内側の金属層と、前記内側の金属層と前記外側の金属層の間に介在する第３の金属層とを含む層状金属構造体から形成される、請求項２１に記載の相互接続エレメント。
【請求項２３】
前記複数のポストは前記外側の金属層から形成される請求項２２に記載の相互接続エレメント。
【請求項２４】
請求項２１に記載された相互接続エレメントを含むアセンブリであって、前記複数のポストと相互接続されたコンタクトを有するマイクロエレクトロニクス素子を更に含む、アセンブリ。
【請求項２５】
請求項２１に記載された相互接続エレメントを含むアセンブリであって、前記多層基板の第２の表面に露出した、前記多層基板の第２の導電性パッドと相互接続されたコンタクトを有するマイクロエレクトロニクス素子を更に含む、アセンブリ。
【請求項２６】
前記第２の導電性パッドは、前記接合層に隣接した前記多層基板の第１の表面から遠隔にある前記第２の表面にある、請求項２５に記載のアセンブリ。
【請求項２７】
前記接合層は接着剤であることを特徴とする請求項２１に記載の相互接続エレメント。
【請求項２８】
相互接続エレメントを形成する方法であって、
複数のコンタクトパッドを有する多層基板を用意する工程であって、該多層基板は少なくとも１つの誘電体層によって分離された多層配線層を有し、該多層配線層は、前記多層基板の第１の表面に露出した複数の導電性構造体を含み、少なくとも１つの誘電体層または１つ以上の第２構造体は、前記第１の表面から離れた前記多層基板の第２の表面に露出している、多層基板を用意する工程と、
金属層を接合層で前記多層基板に接合する工程と、
前記金属層から、実質的に固体である複数の導電性ポストを形成する工程であって、前記ポストは、前記接合層に沿う横方向に前記ポストの最大の長さを規定する端部を有する、複数のポストを形成する工程と、
前記接合層内に、前記多層基板のコンタクトパッドを前記複数のポストに電気的に結合させる複数の金属化ビアを形成する工程であって、該金属化ビアは、前記ポストの前記端部を超えて配置されている、形成する工程と
を含んでなる方法。
【請求項２９】
前記接合層は誘電体層を構成することを特徴とする請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記誘電体層は接着剤層を構成することを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記金属層は単一の金属シートを含むことを特徴とする請求項２８に記載の方法。
【請求項３２】
前記金属層は層状金属構造体を含むことを特徴とする請求項２８に記載の方法。
【請求項３３】
相互接続エレメントのコンタクトを形成するための請求項２８に記載された方法を含む、パッケージチップを形成する方法であって、
マイクロエレクトロニクス素子のコンタクトを前記複数のポストに電気的に相互接続する工程を更に含む、方法。
【請求項３４】
相互接続エレメントのコンタクトを形成するための請求項２８に記載された方法を含む、パッケージチップを形成する方法であって、ここで、前記複数のポストは、前記相互接続エレメントの第１の表面から突出しており、
マイクロエレクトロニクス素子のコンタクトを、前記多層基板の前記第１の表面からは遠隔にある第２の表面に露出した前記多層基板の第２の導電性パッドと電気的に相互接続する工程を更に含む、方法。
【請求項３５】
前記ステップ（ｃ）が、前記誘電体層に関連した前記ピンの位置によって完全に決定されない位置を有する前記開口部を形成するものである、請求項１に記載の方法。
【請求項３６】
前記ポストは、接合処理中に前記ポストが固体であるようにするため、接合金属の融点よりも実質的に高い融点を有する金属から形成される、請求項２８に記載の方法。