【事件の表示】
　特願２００１−３６６３１６「薄膜トランジスタ基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　６月１３日出願公開，特開２００３−１６８８００〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１３年１１月３０日の出願であって，平成２０年４月２３日付けの拒絶理由通知に対して，同年６月９日に手続補正書及び意見書が提出されたが，同年７月２日付けで拒絶査定がされ，これに対して同年８月７日に審判請求がされるとともに，同年９月８日に手続補正書が提出されたものである。
　
第２　平成２０年９月８日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであり，以下のとおりである。
　
〈補正事項ａ〉
　補正前の請求項１を削除するとともに，補正前の請求項２を独立請求項の形式で記載して，補正後の請求項１とすること。
　
〈補正事項ｂ〉
　補正前の請求項２が引用する補正前の請求項１の「Φは２価の芳香族基である」を，補正後の請求項１の「Φは４,４'−ジアミノジフェニルエーテル，４,４'−ジアミノジフェニルメタン，４,４'−ジアミノジフェニルスルホン及び２,２−ビス（４−アミノフェニル）プロパンからなる群から選ばれる芳香族ジアミンの２価の芳香族残基である」と補正すること。
　
２．　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無について
・〈補正事項ａ〉は，請求項の削除を目的とするものである。
・〈補正事項ｂ〉は，補正前の「２価の芳香族基」を具体的に限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
　したがって，本件補正は，平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　そして，〈補正事項ａ〉及び〈補正事項ｂ〉は，本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下「当初明細書等」という。）の記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであるから，本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内でなされたものである。
　
　そこで，以下，本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項に規定する独立特許要件を満たすか）どうかを，請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）について検討する。
　
３．　独立特許要件を満たすかどうかの検討
（１）補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（補正発明）は，次のとおりである。
「【請求項１】
　下記の一般式Ｉで示される繰り返し単位を有するポリイミドのフィルムからなる基板上にアモルファスシリコン薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタ基板であって，該アモルファスシリコン薄膜の成膜温度が２５０℃以上である薄膜トランジスタ基板。
【化１】
（式中，Ｒは４価のシクロヘキサン環であり，Φは４,４'−ジアミノジフェニルエーテル，４,４'−ジアミノジフェニルメタン，４,４'−ジアミノジフェニルスルホン及び２,２−ビス（４−アミノフェニル）プロパンからなる群から選ばれる芳香族ジアミンの２価の芳香族残基である）」
　
（２）刊行物に記載された発明
（２−１）　特開平１１−６０７３２号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１１−６０７３２号公報（以下「引用例１」という。）には，以下の記載がある。（下線は当合議体において付加。以下同様。）
　
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，低配向複屈折性，低応力複屈折性及び無色透明性を同時に満たすポリイミド系樹脂に関するもの
このポリイミド系樹脂は，
液晶ディスプレー用部品
などの光学用素子に用いる基材，フィルム材
として活用することができる
　
　イ　「【０００２】
【従来の技術】従来，レンズ，プリズム，光ディスク，光ファイバー，
ＬＣＤ用基板などの光学用素子
無色透明プラスチックが使用されるようになってきている
【０００３】しかし，最近の光学用素子においては，わずかな複屈折による偏光特性の変化や外部環境の変化に敏感に影響を受けるために，非常に高い精度が要求される。
特にＬＣＤ用基板
などは，高い耐熱性を保持した上で低複屈折性と無色透明性が必要とされる
　
　ウ　「【０００４】そこで，近年，
光学素子に必要とされる高温耐熱性を満足する樹脂の一つであるポリイミド系樹脂
　
　エ　「【００１０】このように，ポリイミド系樹脂の光学特性の問題は，複屈折に関しては直接応力複屈折を低減化したものではなく，また配向複屈折と応力複屈折を同時に低減化したものでもない。また，光線透過率の問題は複屈折の問題と連動する。このため，配向複屈折及び応力複屈折を同時に低減することにより，ポリイミド系樹脂に発生する低複屈折性と高光線透過率を同時に満足できると考えられる。しかし，ポリイミド系樹脂の配向複屈折と応力複屈折の測定は，一般の光学用樹脂のように簡単に測定できるわけではないので，両複屈折を明らかにしてポリイミド系樹脂に発生する複屈折を小さくすることは難しい。」
　
　オ　「【００１２】上記の複屈折に関する基礎的な検討結果より，本発明者らは，
ポリイミド系樹脂に脂環式基などの非芳香族性基をもつ酸成分や塩基成分を適当に高分子内に導入することにより，無色透明性が高く，配向複屈折および応力複屈折を同時に低減化したポリイミド，ポリイミド共重合体またはポリイミド混合物を用いるポリイミド系樹脂が得られることを見出し，本発明に至った。また本発明はこのポリイミド系樹脂の特性を生かした光学用素子を提供するもの
　
　カ　「【００１５】
【発明の実施の形態】本発明のポリイミド系樹脂を製造するにあたって使用できる
酸成分としては，脂環式基または脂肪族基を有するカルボン酸またはその誘導体としての酸無水物，酸塩化物，エステル化物として次のものがあげられる。酸無水物の例として下記の化合物が挙げられる
【００１６】
【化１５】
ビス（エキソ―ビシクロ（２，２，１）ヘプタンー２，３−ジカルボン酸無水物
　
　キ　「【００１８】
【化１７】
１，２，４，５―シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物
　
　ク　「【００２３】
上記の脂環式基または脂肪族基を有する酸成分はそれぞれ単独で用いてもよい
【００２４】塩基成分としては，脂環式基または脂肪族基を有するジアミン化合物およびジイソシアネート化合物が用いられるが，ジアミン化合物の例をあげれば，・・・等がある。
【００２５】上記の脂環式基または脂肪族基を有する塩基成分はそれぞれ単独で用いてもよいし，適宜組み合わせて用いても良い。」
　
　ケ　「【００２６】
上記の脂環式基または脂肪族基を有する酸成分および／または塩基成分は反応させる全成分に対して２５〜１００モル％の範囲で用いることが好ましく，５０〜１００モル％の範囲で用いることがさらに好ましい
【００２７】この場合において，脂環式基または脂肪族基を有する酸成分と塩基成分の含有量が多ければ多いほど得られるポリイミド樹脂より作製される光学用素子の低配向複屈折性及び低応力複屈折性と無色透明性は高まるが，
脂環式基または脂肪族基を有する成分が全成分に対して２５〜１００モル％の範囲で用いられれば少なくともこの発明で求められる低配向複屈折性及び低応力複屈折性と無色透明性を同時に満足するので，上記の脂環式または脂肪族成分を有する酸成分や塩基成分以外の酸成分や塩基成分を用いることができる
　
　コ　「【００２９】上記のその他の塩基成分として，ジアミンとしての例を挙げれば，
　・・・，
４，４’―ジアミノジフェニルエーテル
　・・・，
４，４’―ジアミノジフェニルメタン
　・・・，
２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン
　・・・，
４，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル
　
　サ　「【００３０】本発明に使用する
ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸の製造方法は，通常のポリアミド酸の製造条件と同じでよく
　
　シ　「【００３６】本発明のポリイミド系樹脂の成形体の製造法としては，目的とする成形体の形状により異なるが，例えば
ポリイミドフィルムを得る場合には石英板，ステンレス板，カプトンフィルムなどの光学用基板に上記ポリアミド酸溶液を一定の厚みになるように流延し，７０℃から３５０℃まで段階的に加熱し
脱水閉環させ，ポリアミド酸溶液から溶媒を除くと同時にイミド化することができる
　
　ス　「【００３７】このようにして得られる
本発明のポリイミド系樹脂を用いたフィルム
無色透明である
　
　セ　「【００４０】
本発明におけるポリイミド系樹脂を用いた光学用素子としては
ＬＣＤ用基板
ＬＣＤ用電極基板等の液晶素子用部材
などが挙げられる
　
　ソ　「【００４５】
実施例１〜１４
光線透過率および複屈折等を調べ，表１に示した
・・・
【００４７】評価結果
【表１】
表１において，
HAC-SO
2
 はビス（エキソ）―ビシクロ（２，２，１）ヘプタンー２，３―ジカルボン酸無水物
BAPBは４，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル
FBAPPは２，２’−ビス（４ーフェノキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン
を表す
　
・ここで，上記ア〜オ，ス，セの記載から，
引用例１に記載されたポリイミド系樹脂が，耐熱性と無色透明性が必要なＬＣＤ用基板，すなわち，液晶表示装置用基板に用いられる
・上記オの記載から，引用例１に記載されたポリイミド系樹脂は，ポリイミド系樹脂に脂環式基などの非芳香族性基をもつ酸成分や塩基成分を適当に高分子内に導入されたものであるところ，上記ケの記載によれば，脂環式基または脂肪族基を有する成分は，全成分に対して２５〜１００モル％の範囲で用いられ，その他に上記の脂環式または脂肪族成分を有する酸成分や塩基成分以外の酸成分や塩基成分を用いられたものであることが分かる。
・さらに，上記ソの記載中の，実施例３及び５に注目すると，これらの実施例においては，酸成分である
HAC-SO
2
は
ビス（エキソ―ビシクロ（２，２，１）ヘプタンー２，３−ジカルボン酸無水物
唯一の塩基成分であるＢＡＰＰ及びＦＢＡＰＰは
４，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル
２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン
芳香族ジアミンであって，「脂環式基または脂肪族成分」を有しないジアミンである
「脂環式基または脂肪族基を有するカルボン酸またはその誘導体としての酸無水物，酸塩化物，エステル化物」と，「脂環式基または脂肪族成分」を有しないジアミンとを反応させても，低配向複屈折性及び低応力複屈折性と無色透明性を備えるポリイミド樹脂が得られる
・また，上記コに摘記した，「４，４’―ジアミノジフェニルエーテル」及び「４，４’―ジアミノジフェニルメタン」についても，ともに芳香族ジアミン，すなわち「脂環式基または脂肪族成分」を有しないジアミンであることは明らかである。
・上記カ〜コの記載によれば，低配向複屈折性及び低応力複屈折性と無色透明性を同時に満足するポリイミド樹脂は，
上記ソに記載された実施例に限られず
　
　したがって，引用例１には，以下の発明が記載されているものと認められる。
「ポリイミド樹脂からなる液晶表示装置用基板であって，
　前記ポリイミド樹脂が，脂環式基または脂肪族基を有するカルボン酸またはその誘導体としての酸無水物，酸塩化物，エステル化物を酸成分とし，脂環式基または脂肪族成分を有しないジアミンを塩基成分として製造されたものである，ポリイミド樹脂からなる液晶表示装置用基板。」
　
（３）補正発明と引用発明との比較
・ポリイミド樹脂が，繰り返し単位を有する高分子であることは明らかである。また，補正発明にかかる「ポリイミドのフィルム」がポリイミド樹脂からなることも明らかである。
　したがって，補正発明と引用発明とは，
「繰り返し単位を有するポリイミドからなる基板。」
である点で一致する。
　
　一方，両者は，以下の点で相違する。
・相違点１
　補正発明は，「フィルムからなる基板上にアモルファスシリコン薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタ基板であって，該アモルファスシリコン薄膜の成膜温度が２５０℃以上である薄膜トランジスタ基板」であるのに対して，引用発明は「液晶表示装置用基板」である点。
・相違点２
　補正発明においては，ポリイミドの繰り返し単位である一般式が
（式中，Ｒは４価のシクロヘキサン環であり，Φは４,４'−ジアミノジフェニルエーテル，４,４'−ジアミノジフェニルメタン，４,４'−ジアミノジフェニルスルホン及び２,２−ビス（４−アミノフェニル）プロパンからなる群から選ばれる芳香族ジアミンの２価の芳香族残基である）
と特定されているのに対して，引用発明においてはそのような特定がなされていない点。
　
（４）当審の判断
　以下，上記各相違点について検討する。
（４−１）相違点１について
　引用発明に係る液晶表示装置用基板の厚さは，適宜に設定しうる事項であるところ，ポリイミドをフィルム状のものとすることは，引用例１（前記「（２−１）　特開平１１−６０７３２号公報」のシを参照）にも記載されているように従来より周知の技術であるから，引用発明に係る液晶表示装置用基板をポリイミドのフィルムにより構成することも，当業者が適宜になし得たことである。
　また，以下の周知例１及び２にも示されているように，液晶表示装置用基板にアモルファスシリコンからなる薄膜トランジスタを形成する点は，従来より周知の技術であり，該周知技術において，前記アモルファスシリコンの成膜温度として２５０℃以上の温度は，ごく普通に採用される値である。
・　周知例１：特開平８−１７２１９５号公報
　本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平８−１７２１９５号公報には，図２〜４とともに次の記載がある。
「【０００２】
【従来の技術】図２は，前記
アクティブマトリクス型の液晶表示装置に用いられる典型的な従来技術の薄膜トランジスタ
アモルファスシリコンから成る半導体層５
【０００３】上述のような基板２上にまずゲート電極３の形成される構造の薄膜トランジスタ１は，逆スタガー型と呼ばれており，これに対して図３の薄膜トランジスタ１１で示すように，基板２上にソース電極８およびドレイン電極９を形成するようにした順スタガー型の薄膜トランジスタが用いられることもある。なお，図３において，前記図２の構成に対応する部分には同一の参照符を付して示す。また，この他にも，逆コプレナ型および順コプレナ型と称される構造を有する薄膜トランジスタが用いられることもある。
【０００４】さらにまた，前述の薄膜トランジスタ１において，オーミックコンタクト層６，７および半導体層５のエッチング時に，チャネル１０部分から半導体層５が腐食してしまうことを防止するために，図４の薄膜トランジスタ２１で示すような，半導体層５上でチャネル１０に臨む領域に，エッチングストッパ層２２を形成するようにした構成も用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述の各薄膜トランジスタ１，１１，２１では，
半導体層５には主に
アモルファス（非晶質）シリコンが用いられ，広く実施されている
アモルファスシリコンは，成膜温度は約２５０°Ｃ程度
樹脂などの基板に使用可能
　
・　周知例２：特開平１−２３６６５４号公報
　本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１−２３６６５４号公報には，第１図，第２図及び第６図とともに次の記載がある。
「最近，
液晶
用いた表示装置
アクティブマトリックス型表示装置
　このような表示装置では，クロストークのない高いコントラストの表示が行えるように，
各画素の駆動，制御を行なう手段としてアクティブ素子が用いられている
　この
アクティブ素子としては
透明絶縁基板上に形成されたＴＦＴのアレイが用いられている
　第６図は，このようなＴＦＴのアレイを備えたアクティブマトリックス型液晶表示装置を示すもので，ガラス或いは
プラスチックからなる第１の基板１上には
半導体層４例えば水素化アモルファスシリコン
「第１図及び第２図は，この製造方法により得られた
アクティブマトリックス型液晶表示装置
　さて，このようなアクティブマトリックス型液晶表示装置を製造方法するには，ガラス或いは
プラスチックからなる第１の基板２４上
次に，ゲート電極２５が形成された第１の基板２４をプラズマＣＶＤ装置内に装着し，ヒータにより基板温度が３３０℃になるように電圧・電流を調整し，加熱する。
　　・・・
　次に，
反応ガスをシラン（ＳｉＨ
４
），水素（Ｈ
２
）に切り換え，基板温度を３００℃とし，窒化シリコン膜２７が形成された基板２４上に，ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を堆積し，半導体層２８を形成する
　次に，半導体層２８を所定形状に形成後，この半導体層２８を含む窒化シリコン膜２７上に例えばＩＴＯを堆積し，これを所定形状にエツチングして表示画素電極２１を形成する。
　次に，表示画素電極２１，半導体層２８を含む窒化シリコン膜２７上に，例えばアルミニウムを堆積し，更にエツチングして半導体層２８を挾んでデータ線Ｘｉと一体のドレイン電極２９及び表示画素電極２１と一体のソース電極３０を形成する。」（第３ページ右上欄１行〜同ページ左下欄１１行）
　
　それゆえ，引用発明に係る液晶表示装置用基板上に，アモルファスシリコン薄膜トランジスタを形成して薄膜トランジスタ基板とすること，及び，該アモルファスシリコン薄膜の成膜温度を２５０℃以上とすることは当業者が適宜になし得たことである。
　よって，相違点１は，当業者が適宜になし得たことである。
　
（４−２）相違点２について
　一般に，ポリイミド樹脂は，酸成分（典型的にはカルボン酸二無水物）と塩基成分（典型的にはジアミン）を重合させてポリアミド酸を得て，これを脱水閉環（脱水環化）することにより製造されることは，引用例１（前記「（２−１）　特開平１１−６０７３２号公報」のカ〜シを参照）のほか，以下の周知例３にも記載されているように，従来より周知の技術である。さらに，この際のポリイミド樹脂の一般式が，前記酸成分を構成する有機基と，前記塩基成分を構成する有機基を含む，補正発明の式［Ｉ］と同じ構造となることも，前記周知例３にも示されているように技術常識である。なお，補正発明の式［Ｉ］と，周知例３に記載された式［Ｉ］とは一見異なるが，これらの式を各々繰り返し連ねたものに差異がないことは明らかである。
・　周知例３：特開２００１−７２７６８号公報
　本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００１−７２７６８号公報には次の記載がある。
「【０００２】
【従来の技術】
　　・・・
ポリイミドは一般に極性溶媒中でジアミンとカルボン酸二無水物を反応させることによりポリアミド酸とした後，熱もしくは触媒を用いることにより脱水環化し対応するポリイミドとすることができる
　　・・・。」
「【０００７】即ち，本発明は一般式［Ｉ］
【化５】
（式中，繰り返し単位数ｍは正の整数を表し，
Ｒ
1
は脂肪族テトラカルボン酸を構成する４価の有機基
Ｒ
2
はジアミンを構成する２価の有機基
　
　ここで，引用発明に係るポリイミド樹脂は，「脂環式基または脂肪族基を有するカルボン酸またはその誘導体としての酸無水物，酸塩化物，エステル化物を酸成分とし，脂環式基または脂肪族成分を有しないジアミンを塩基成分として製造されたものである」。そして，引用例１には酸成分として，「１，２，４，５―シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物」（前記「（２−１）　特開平１１−６０７３２号公報」のキを参照），すなわち，脂環式基としてシクロヘキサン基を有するカルボン酸の無水物が例示されており，これは，本願明細書に記載された実施例において用いられているものでもある。
　一方，引用例１には塩基成分として，「４，４’―ジアミノジフェニルエーテル」及び「４，４’―ジアミノジフェニルメタン」（前記「（２−１）　特開平１１−６０７３２号公報」のコを参照），すなわち共に芳香族基を有する芳香族ジアミンが例示されている。これらの芳香族ジアミンは，補正発明に記載された芳香族ジアミンの群に含まれるものでもある。
　これらの例示された酸成分及び塩基成分を選択してポリイミドを製造することにより，前記周知例３に記載された一般式［Ｉ］中のＲ１に相当する有機基がシクロヘキサン環となり，同式中のＲ２に相当する有機基が，前記各芳香族ジアミンの芳香族基が残ったものとなることは明らかである。また，同式より，Ｒ１に相当する有機基が４価となり，Ｒ２に相当する有機基が２価となることも明らかである。
　また，脂肪族系ポリイミド及び脂環式ポリイミドであって，３００℃を越えるガラス転移温度を有するものは，前記周知例３のほか，以下の周知例４にも示されているように，従来より周知であるから，本願明細書に記載された実施例におけるガラス転移温度（３１５℃）は格別なものとはいえず，この点についての請求人の主張は採用できない。
・　上記周知例３（特開２００１−７２７６８号公報）には，さらに次の記載がある。
「【００２３】
実施例１
（２）
ガラス転移温度：３８５℃
　
・　周知例４：特開昭６３−２０５６４０号公報
　本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開昭６３−２０５６４０号公報には次の記載がある。
「
本発明は
芳香族ポリイミドと同等の耐熱性を有していながら
脂環式ポリイミド重合体
「
実施例２
ガラス転移温度は３０５℃であった
「
実施例４
ガラス転移温度は３３５℃であった
　
　したがって，前記引用例１に例示された各成分を選択して，一般式Ｉ
【化１】
（式中，Ｒは４価のシクロヘキサン環であり，Φは４,４'−ジアミノジフェニルエーテル，４,４'−ジアミノジフェニルメタン，４,４'−ジアミノジフェニルスルホン及び２,２−ビス（４−アミノフェニル）プロパンからなる群から選ばれる芳香族ジアミンの２価の芳香族残基である）
で示される繰り返し単位を有するポリイミドとすることは当業者が適宜になし得たことである。
　よって，相違点２は，当業者が適宜になし得たことである。
　
（５）小括
　上述したように，補正発明は，引用例１及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　よって，本願補正発明は，特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
４．むすび
　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．　本願発明
　平成２０年９月８日付けの手続補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明は，平成２０年６月９日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載から見て，その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　下記の一般式Ｉで示される繰り返し単位を有するポリイミドのフィルムからなる基板にアモルファスシリコン薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタ基板であって，該アモルファスシリコン薄膜の成膜温度が２５０℃以上である薄膜トランジスタ基板。
【化１】
（式中，Ｒは４価のシクロヘキサン環，シクロブタン環またはシクロペンタン環であり，Φは２価の芳香族基である）」
（以下「本願発明」という。）
　
２．　引用発明
　引用発明は，前記第２の３．「（２）　刊行物に記載された発明」に記載したとおりのものである。
　
３．対比・判断
　前記第２「１．　本件補正の内容」及び第２「２．　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無について」において示したように，補正発明は，本件補正前の請求項１（本願発明）について，補正前の請求項２に係る限定，及び前記〈補正事項ｂ〉に係る限定を付したものである。言い換えると，本願発明は，本願補正発明から前記各限定を除いたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである補正発明が，前記第２の３．「（３）補正発明と引用発明との比較」〜第２の３．「（５）　小括」において検討したとおり，引用発明及び従来周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。