【事件の表示】
　特願２００３−４１６６２５「トランジスタ」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月３０日出願公開、特開２００５−１７５３７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１５年１２月１５日の出願であって、平成１９年１０月３１日付けで手続補正がなされ、平成２０年１月２２日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年４月２８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされ、その後当審において平成２２年６月１０日付けで審尋がなされ、同年８月２３日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成２０年４月２８日付けの手続補正について
【補正の却下の決定の結論】
　平成２０年４月２８日付けの手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容 
  平成２０年４月２８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲及び明細書を補正するものであり、そのうちの特許請求の範囲についての補正は、以下のとおりである。
　
（補正事項ａ）補正前の請求項１を、補正後の請求項１の
「【請求項１】
　第１から第５導体構造を具え、
　第１導体構造は、データ導線を具備し、基板の上に位置し、
　第２導体構造は、ゲートを具備し、該基板の上に位置し、並びに第２導体構造の基板上の投影が第１導体構造の基板上の投影と相互に交叉し、
　第３導体構造は、ソースを具備し、基板の上に位置し、並びに第１導体構造と接触し、
第３導体構造の基板上の投影は第２導体構造の基板上の投影と相互に離間し、
　第４導体構造は、ドレインを具備し、基板の上に位置し、第４導体構造の基板上の投影が大部分或いは完全に該第２導体構造の基板上の投影の内部に位置することを特徴とする、トランジスタ。」
と補正すること。
　
（補正事項ｂ）補正前の請求項２を、補正後の請求項２の
「【請求項２】
　請求項１記載のトランジスタにおいて、該第４導体構造の基板上の投影は第３導体構造及び第１導体構造の基板上の投影と相互に離間していることを特徴とする、トランジスタ。」
と補正すること。
　
（補正事項ｃ）補正前の請求項３を、補正後の請求項３の
「【請求項３】
　請求項１記載のトランジスタにおいて、該第４導体構造の基板上の投影が第３導体構造の基板上の投影と大抵平行していることを特徴とする、トランジスタ。」
と補正すること。
　
（補正事項ｄ）補正前の請求項４を、補正後の請求項４の
「【請求項４】
　請求項１記載のトランジスタにおいて、該第１導体構造、該第３導体構造、該第４導体構造が同一層上に位置し、且つ該第１導体構造、該第３導体構造、該第４導体構造の位置が該第２導体構造の上であることを特徴とする、トランジスタ。」
と補正すること。
　
（２）補正の目的の適否についての検討
　補正事項ａは、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「第４導体構造は、ゲートを具備し、基板の上に位置し、並びに第２導体構造と接触し、第４導体構造の基板上の投影は第１導体構造の基板上の投影と相互に離間しているが、第４導体構造の基板上の投影と第３導体構造の基板上の投影は相互に交叉し、」及び「第５導体構造の基板上の投影の一部は第４導体構造の基板上の投影と相互に重畳し、その重畳する面積は、ゲートマスクとドレインマスクの間のアライメント偏差量に伴い変化せず、」を削除する補正を含むものであって、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項を限定したものとはいえず、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮に該当せず、さらに、同法同条同項第１号、第３号、第４号に掲げる請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれの事項をも目的とするものではないので、補正事項ａは、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
（３）むすび
　したがって、補正事項ａの他の補正内容並びに補正事項ｂ、補正事項ｃ及び補正事項ｄの補正内容について検討するまでもなく、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
３．本願発明
　平成２０年４月２８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし６に係る発明は、平成１９年１０月３１日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載されている事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　第１から第５導体構造を具え、
　第１導体構造は、データ導線を具備し、基板の上に位置し、
　第２導体構造は、ゲート導線を具備し、該基板の上に位置し、並びに第２導体構造の基板上の投影が第１導体構造の基板上の投影と相互に交叉し、
　第３導体構造は、ソースを具備し、基板の上に位置し、並びに第１導体構造と接触し、
第３導体構造の基板上の投影は第２導体構造の基板上の投影と相互に離間し、
　第４導体構造は、ゲートを具備し、基板の上に位置し、並びに第２導体構造と接触し、
第４導体構造の基板上の投影は第１導体構造の基板上の投影と相互に離間しているが、第４導体構造の基板上の投影と第３導体構造の基板上の投影は相互に交叉し、
　第５導体構造は、ドレインを具備し、基板の上に位置し、第５導体構造の基板上の投影の一部は第４導体構造の基板上の投影と相互に重畳し、その重畳する面積は、ゲートマスクとドレインマスクの間のアライメント偏差量に伴い変化せず、且つ、第５導体構造の基板上の投影は、第１導体構造、第２導体構造及び第３導体構造の基板上の投影といずれも相互に離間していることを特徴とする、トランジスタ。」
　
４．引用刊行物に記載された発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前である平成１３年２月２３日に頒布された刊行物である特開２００１−５１２９３号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図１、図２及び図６とともに、以下の事項が記載されている（ここにおいて、下線は、当合議体にて付加したものである。）。
　
「【００２４】
【発明の実施の形態】
◎　実施の形態１
以下、添付図面に示す実施の形態に基づいてこの発明を詳細に説明する。　図１は、本実施の形態における薄膜トランジスタ構造を示す上視図、図２は、図１におけるＡＡ'の断面図である。
本実施の形態における薄膜トランジスタは、図２に示すように、無アルカリガラスや石英等の絶縁基板２１上に、
ＭｏやＴｉ，Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ａｇ等を用いたモリブデン・タングステン(Ｍｏ-Ｗ)合金等の金属膜が積層されてなるソース電極２５とドレイン電極２６がパターン形成されている。
、ＣｒやＡｌ等の金属からなるゲート電極３０が形成されている。
【００２５】更に、
図１に示すように、ソース電極２５とドレイン電極２６は所定の線幅で所定の間隔を隔て、かつ互いに略平行となるように配設されている。このドレイン電極２６は信号線(データ線)３２と一体的にパターン形成され、また、このソース電極２５は画素電極２４に接するように形成されている。一方、ゲート電極３０はゲート線３１から突き出た部分によって構成され、ゲート電極をそのままゲート配線として使用している。本実施の形態では、このゲート線３１から突き出た部分であるゲート電極３０に対して略直交する形でソース電極２５とドレイン電極２６が配設されることで、薄膜トランジスタ(ＴＦＴ)の所謂ａ-Ｓｉアイランドを形成している。このドレイン電極２６は、図１に示すようにソース電極２５よりもゲート線３１に近い位置にてゲート電極３０に直交しており、ゲート線３１からａ-Ｓｉアイランドを形成するゲート電極３０を分断できるように構成されている。
「【００３５】以上説明したように、本実施の形態によるＴＦＴの構造及びＴＦＴの製造工程によれば、上述の優れた作用効果を得ることができるが
、本実施の形態では、副次的効果としてアライメントずれの影響を最小限に留めることができる点が挙げられる。図６(ａ)、(ｂ)は、このアライメントずれが生じた場合のＴＦＴ構造を示す上視図であり、図６(ａ)はゲート電極３０とゲート線３１が大きく右にずれた状態を示し、図６(ｂ)は、ゲート電極３０とゲート線３１が大きく左にずれた状態を示している。Printing/Plating技術を用いたＴＦＴにおいては、パターニングの際に熱圧縮、化学圧縮、合わせズレが生じる為に、図６(ａ)、(ｂ)に示すようにゲート線３１とデータ線３２とにズレが生じる。このようなズレは、ゲート・ソース間の容量(Ｃgs)の変化を生じさせるために、フリッカや焼き付けを生じさせてしまう。
本実施の形態では、ソース電極２５やドレイン電極２６を略平行とし、ゲート電極３０が形成された突出部に対して略直交するように構成することにより、図６(ａ)、(ｂ)に示すようなアライメントエラーが生じた場合においてもＣgsの値が全く変わらないことから、表示品位の劣化を防止することができる。
　
（２）図１、段落【００２４】の「絶縁基板２１上に、・・・ソース電極２５とドレイン電極２６がパターン形成されている。また、このパターン形成されたソース電極２５とドレイン電極２６の上層には、・・・ゲート絶縁膜・・・が着膜されている。更にこれらのゲート絶縁膜の上層には、・・・ゲート電極３０が形成されている。」及び段落【００２５】の「ドレイン電極２６は信号線(データ線)３２と一体的にパターン形成され」及び「ゲート電極３０はゲート線３１から突き出た部分によって構成され、ゲート電極をそのままゲート配線として使用している」という記載から、「信号線（データ線）３２」及び「ゲート線３１」は、「絶縁基板２１」上に形成されていることが、明らかである。
　
（３）したがって、引用刊行物には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「ソース電極２５、ドレイン電極２６、ゲート電極３０、ゲート線３１及び信号線（データ線）３２が絶縁基板２１上に形成されており、
ドレイン電極２６は信号線(データ線)３２と一体的にパターン形成され、
ゲート電極３０はゲート線３１から突き出た部分によって構成され、ゲート電極をそのままゲート配線として使用し、
ゲート電極３０に対して略直交する形でソース電極２５とドレイン電極２６が配設され、
ソース電極２５とドレイン電極２６は所定の線幅で所定の間隔を隔て、かつ互いに略平行となるように配設されている、
薄膜トランジスタ。」
　
５．対比
（１）刊行物発明における「ゲート電極３０」、「ゲート線３１」、「信号線（データ線）３２」、「絶縁基板２１」及び「薄膜トランジスタ」は、各々本願発明における「ゲートを具備し」た「第４導体構造」、「ゲート導線を具備し」た「第２導体構造」、「データ導線を具備し」た「第１導体構造」、「基板」及び「トランジスタ」に相当する。
　
（２）刊行物発明の「ソース電極２５」と本願発明の「ドレインを具備し」た「第５導体構造」とは、「導体構造」（以下「第５導体構造」という。）という点で共通する。
　
（３）刊行物発明の「ドレイン電極２６」と本願発明の「ソースを具備し」た「第３導体構造」とは、「導体構造」（以下「第３導体構造」という。）である点で共通する。
　
（４）引用刊行物の図１及び段落【００２５】の「この
ドレイン電極２６は、
ゲート線３１に近い位置にてゲート電極３０に直交
　
（５）引用刊行物の図１及び段落【００２５】の「このゲート線３１から突き出た部分である
ゲート電極３０に対して略直交する形で
ドレイン電極２６が配設
　
（６）引用刊行物の図６及び段落【００３５】の「
Printing/Plating技術を用いたＴＦＴにおいては、パターニングの際に熱圧縮、化学圧縮、合わせズレが生じる為に、図６(ａ)、(ｂ)に示すようにゲート線３１とデータ線３２とにズレが生じる。
ソース電極２５
ゲート電極３０が形成された突出部に対して略直交するように構成
図６(ａ)、(ｂ)に示すようなアライメントエラーが生じた場合においてもＣgsの値が全く変わらない
　
（７）刊行物発明において、「ドレイン電極２６」の「絶縁基板２１上」の投影及び「ドレイン電極２６」「と一体的にパターン形成され」た「信号線(データ線)３２」の「絶縁基板２１上」の投影が、いずれも「ソース電極２４」の「絶縁基板２１上」の投影と相互に離間していることは明らかである。また、引用刊行物の図１及び段落【００２５】の「このドレイン電極２６は、図１に示すようにソース電極２５よりもゲート線３１に近い位置にてゲート電極３０に直交しており」という記載から、刊行物発明において、「ソース電極２５」の「絶縁基板２１上」の投影が「ゲート線３１」の「絶縁基板２１上」の投影と相互に離間していることも明らかである。
　
（８）以上を勘案すると、本願発明と刊行物発明とは、
「第１から第５導体構造を具え、
　第１導体構造は、データ導線を具備し、基板の上に位置し、
　第２導体構造は、ゲート導線を具備し、該基板の上に位置し、並びに第２導体構造の基板上の投影が第１導体構造の基板上の投影と相互に交叉し、
　第３導体構造は、基板の上に位置し、並びに第１導体構造と接触し、
第３導体構造の基板上の投影は第２導体構造の基板上の投影と相互に離間し、
　第４導体構造は、ゲートを具備し、基板の上に位置し、並びに第２導体構造と接触し、
第４導体構造の基板上の投影は第１導体構造の基板上の投影と相互に離間しているが、第４導体構造の基板上の投影と第３導体構造の基板上の投影は相互に交叉し、
　第５導体構造は、基板の上に位置し、第５導体構造の基板上の投影の一部は第４導体構造の基板上の投影と相互に重畳し、その重畳する面積は、ゲートマスクと第５導体構造をパターニングするためのマスクの間のアライメント偏差量に伴い変化せず、且つ、第５導体構造の基板上の投影は、第１導体構造、第２導体構造及び第３導体構造の基板上の投影といずれも相互に離間していることを特徴とする、トランジスタ。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点）
　本願発明では、「第３導体構造」が「ソースを具備し」、「第５導体構造」が「ドレインを具備し」ているのに対し、刊行物発明では、本願発明の「第３導体構造」に対応する導体構造が「ドレイン電極２６」であり、本願発明の「第５導体構造」に対応する導体構造が「ソース電極２５」である点。
　
６．判断
（１）以下、上記相違点について検討する。
　薄膜トランジスタにおいて、ソース電極とドレイン電極とが相互に置換可能であることは、例えば、以下の周知例に記載されるように、従来から周知の技術である。
（周知例）：特開平８−８４３２号公報には、アクティブマトリックス液晶ディスプレイに用いられる薄膜トランジスタの構成に関して、以下の記載がなされている。
「【００３７】また、薄膜トランジスタのチャンネル領域下部に走査電極を形成するようにパターンニングされたゲート電極と、
液晶を駆動するため透明導電膜より成る画素電極に画像信号を伝達する前記ソース電極(あるいはドレイン電極)と、前記画素電極と接続されたドレイン電極(あるいはソース電極)とを有し、
　
　したがって、刊行物発明において、「ソース電極２５」と「ドレイン電極２６」を置き換えることにより、本願発明のように、「第３導体構造は、ソースを具備し」、「第５導体構造は、ドレインを具備」する構成とすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得たことである。
　よって、上記相違点は、当業者が容易に想到し得る範囲に含まれる程度のものである。
　
（２）以上、検討したとおり、本願発明と刊行物発明との相違点は、当業者が、周知技術を勘案することにより容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
７．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。