【事件の表示】
　特許第６１５２４１９号発明「リチウム二次電池用高容量負極活物質、その製造方法、及びそれを含むリチウム二次電池」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６１５２４１９号の請求項に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許６１５２４１９号の請求項１〜２に係る特許についての出願は、２０１３年１１月２９日（パリ条約に基づく優先権主張外国庁受理　２０１２年１２月６日　（ＫＲ）韓国、２０１３年１１月２９日　（ＫＲ）韓国）を国際出願日とする出願であり、平成２９年６月２日にその特許権の設定登録がされ、同年６月２１日にその特許公報が発行され、その後、その特許に対し、同年１２月１９日に特許異議申立人河村真人（以下、「申立人」という。）により特許異議申立書（以下、「申立書」という。）が提出されたものである。 
第２　本件発明 
　本件特許の請求項１〜２に係る発明（以下それぞれ「本件発明１〜２」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１〜２に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 
「【請求項１】
　コア‐シェル構造の非晶質ＳｉＯｘ‐Ｃ複合体を備えた負極活物質の製造方法であって、
　前記コア‐シェル構造の非晶質ＳｉＯｘ‐Ｃ複合体が、フリーＳｉ結晶のケイ素酸化物（ＳｉＯｘ）粒子を含むコア部と、及び、前記コア部の少なくとも一部の表面に、炭素物質を含むコーティング層であるシェル部とを備えてなるものであり、
　コア部としてケイ素酸化物（ＳｉＯｘ）粒子を用意する段階と、並びに、
　常圧下の回転管状炉で、前記コア部の少なくとも一部の表面に、炭素含有気体又は炭素前駆体の気化物で化学蒸着し、及び、１０００℃未満の温度で熱処理し、前記コア部の少なくとも一部の表面に０．０１〜５μｍの厚さを有する炭素コーティング層であるシェル部を形成する段階とを含んでなることを特徴とする、コア‐シェル構造の非晶質ＳｉＯｘ‐Ｃ複合体を含む負極活物質の製造方法。
【請求項２】
　前記熱処理の温度が、９００℃以下であることを特徴とする、請求項１に記載の負極活物質の製造方法。」
第３　申立理由の概要 
　申立人は、証拠として、下記甲第１号証〜甲第２号証を提出し、以下の申立理由１〜３によって請求項１〜２に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。 
甲第１号証：国際公開第２０１２／７７２６８号
甲第２号証：特開２００４−４７４０４号公報
申立理由１ 　
　本件特許の請求項１〜２に係る発明は、甲第１号証に記載された発明と同一であるから、その特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものである。
申立理由２ 　
　本件特許の請求項１〜２に係る発明は、甲第１号証及び甲第２号証に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
申立理由３ 　
　本件特許に係る平成２９年１月１８日付け手続補正書により補正された事項は、新規に追加された事項であるから、その特許は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反してなされたものである。
第４　甲各号証の記載事項
１　甲第１号証について
（１−１）甲第１号証の記載事項 
　本件特許に係る優先日前に外国で頒布または電気通信回路を通じて公衆に利用可能となった、上記甲第１号証には以下の事項が記載されている（なお、下線は当審が付与したものであり、「・・・」は記載の省略を表す。以下同様。）。
ア　「１．本発明のリチウムイオン二次電池負極材用粉末
　本発明のリチウムイオン二次電池負極材用粉末は、低級酸化珪素粉末の表面に導電性炭素皮膜を有し、この酸化珪素粉末の粒度分布において、１μｍ≦Ｄ５０≦２０μｍであり、Ｄ５０とＤ１０の関係が１．４≦Ｄ５０／Ｄ１０≦２．４を満足することを特徴とする。
　低級酸化珪素粉末とは、上述のように、ｘが０．４≦ｘ≦１．２を満足す
るＳｉＯｘの粉末である。」（［００３３］〜［００３４］）
イ　「絶縁体である低級酸化珪素粉末に導電性炭素皮膜を形成することで、この低級酸化珪素粉末を負極材用粉末として用いたリチウムイオン二次電池の放電容量を改善することができる。導電性炭素皮膜の厚さは、１．５ｎｍ以上、７．５ｎｍ以下とするのが好ましい。導電性炭素皮膜が１．５ｎｍ未満では電気伝導性が不足する可能性があり、７．５ｎｍを超えて厚いと低級酸化珪素粉末の表面から剥離しやすく、いずれの場合とも、リチウムイオン二次電池の放電容量が不十分となるおそれがあるからである。」（［００３５］）
ウ　「
リチウムイオン二次電池負極材用粉末は、ＣｕＫα線を用いたＸＲＤで測定した場合に、１０°≦２θ≦３０°に現れるＳｉＯｘに由来するハローの最大値Ｐ１と、２θ＝２８．４±０．３°に現れるＳｉ（１１１）の最強線ピークの値Ｐ２が、Ｐ２／Ｐ１＜０．０１を満足すること、すなわちアモルファスであることが好ましい。これは、負極材用粉末中の低級酸化珪素粉末が、結晶性を有する場合と比較して、アモルファスである場合にはリチウムイオンの侵入による膨張が緩和されやすく、リチウムイオン二次電池のサイクル特性に優れるからである。
エ　「５．導電性炭素皮膜の形成方法
　粒度を調整した低級酸化珪素粉末の表面への導電性炭素皮膜の形成は、ＣＶＤ等により行う。具体的には、装置としてロータリーキルンを用い、ガスとして炭素源である炭化水素ガスまたは有機物含有ガスと、不活性ガスとの混合ガスを用いて行う。
・・・
　導電性炭素皮膜の形成処理温度は、７００℃以上、７５０℃以下とする。
また、処理時間は、２０分以上、１２０分以下とし、形成する導電性炭素皮膜の厚さに応じて設定する。この処理条件は、結晶性の低い導電性炭素皮膜を得られる範囲である。また、低級酸化珪素粉末の表面と炭素皮膜との界面近傍におけるＳｉＣの生成が抑制される範囲でもある。」（［００６６］〜［００６８］）
オ　「実施例
　本発明の効果を確認するため、リチウムイオン二次電池を用いた以下の試験を行い、その結果を評価した。
１．試験条件
１−１．リチウムイオン二次電池の構成
　リチウムイオン二次電池の構成は、前記図１に示すコイン形状とした。
　最初に負極２について説明する。
珪素粉末と二酸化珪素粉末とを所定の割合で配合し、混合、造粒および乾燥した混合造粒原料を原料とし、前記図２に示す装置を用いて析出基板上に低級酸化珪素を析出させた。
この低級酸化珪素（ＳｉＯｘ）の粉末は、ｘ＝１を満たしていた。
　
低級酸化珪素粉末の表面には導電性炭素皮膜を形成し、リチウムイオン二次電池負極材用粉末とした。炭素皮膜の形成には、装置としてロータリーキルン、ガスとしてノルマルブタンとＡｒとの混合ガスを使用し、処理温度は７００℃とした。炭素皮膜の形成処理温度、炭素皮膜率および炭素皮膜の厚さは、表４〜６に示す通りとした。
カ　「［表６］
 
」（［００８４］）
キ　「
このリチウムイオン二次電池負極材用粉末を６５質量％、アセチレンブラックを１０質量％、ＰＡＡを２５質量％とした混合物に、ｎ‐メチルピロリドンを加えてスラリーを作製する。このスラリーを厚さ２０μｍの銅箔に塗布し、１２０℃の雰囲気下で３０分乾燥した後、片面の面積が１ｃｍ
２
となる大きさに打ち抜いて負極２とした。
ク　「表６に示すように、試験番号９〜１４はいずれも初期放電容量が１６５９ｍＡｈ／ｇ以上と優れた値であった。・・・
　また、
試験番号１〜１４のいずれのリチウムイオン二次電池とも、１０回目の放電容量と初回放電容量との比の値が９３％と、サイクル特性が優れていたことを確認した。
（１−２）甲第１号証に記載された発明
　上記（１−１）の摘記事項について検討する。
ア　上記（１−１）ア〜イによれば、リチウムイオン二次電池の負極材用粉末として用いる導電性炭素皮膜を形成した低級酸化珪素粉末は、粒度分布において、１μｍ≦Ｄ５０≦２０μｍであり、Ｄ５０とＤ１０の関係が１．４≦Ｄ５０／Ｄ１０≦２．４を満足し、ｘが０．４≦ｘ≦１．２を満足するＳｉＯｘの粉末であり、導電性炭素皮膜の厚さは、１．５ｎｍ以上、７．５ｎｍ以下とするものである。
イ　上記（１−１）ウによれば、リチウムイオン二次電池負極材用粉末は、負極材用粉末中の低級酸化珪素粉末が、結晶性を有する場合と比較して、アモルファスである場合には、リチウムイオンの侵入による膨張が緩和されやすく、リチウムイオン二次電池のサイクル特性に優れるものになる。
ウ　また、上記（１−１）エによれば、低級酸化珪素粉末の表面への導電性炭素皮膜の形成は、ＣＶＤにより行う。その際、結晶性の低い導電性炭素皮膜を得られ、また、低級酸化珪素粉末の表面と炭素皮膜との界面近傍におけるＳｉＣの生成が抑制されるため、形成処理温度は、７００℃以上、７５０℃以下としている。
エ　そして、上記ア〜ウで検討した事項の具体的態様として（１−１）オ〜クの記載事項があり、この記載事項において、負極にする試験番号１４の導電性炭素皮膜を形成した低級酸化珪素粉末の製造方法に注目すると、甲第１号証には、以下の甲１発明が記載されているものと認められる。
＜甲１発明＞
　「珪素粉末と二酸化珪素粉末とを所定の割合で配合し、混合、造粒および乾燥した混合造粒原料を原料とし、析出基板上に低級酸化珪素（ＳｉＯｘ、ｘ＝１）の粉末を析出させ、低級酸化珪素粉末の表面に、ＣＶＤにより導電性炭素皮膜を形成し、その形成には、装置としてロータリーキルン、ガスとしてノルマルブタンとＡｒとの混合ガスを使用し、処理温度を７００℃とする、負極に用いる炭素皮膜厚さが１１．３６ｎｍである導電性炭素皮膜を形成した低級酸化珪素粉末の製造方法。」
２　甲第２号証の記載事項 
　本件特許に係る優先日前に日本国内において頒布された、上記甲第２号証には次の事項が記載されている。
ア　「［実施例２］
　酸化珪素（ＳｉＯx：ｘ＝１．０２）を、ヘキサンを分散媒としてボールミルで粉砕し、得られた懸濁物をろ過し、窒素雰囲気下で脱溶剤後、平均粒子径が約０．８μｍの粉末を得た。」（【００４３】）
イ　「［実施例４］
　実施例２で使用した酸化珪素粉末を原料にして、縦型管状炉（内径約５０ｍｍφ）を用いて、アセチレン−アルゴン混合ガス通気下、８００℃、１時間の熱ＣＶＤを行った。その後、約１２００℃に設定したロータリーキルンにより、不活性気流下で平均滞留時間約１時間熱処理を施して不均化を行った。こうして得られた導電性珪素複合体の粉末の分析結果は、炭素量：１７．５％、活性珪素量：２５．４％、平均粒子径：３．１μｍであり、Ｘ線回折（シェーラー法）により求めた二酸化珪素中に分散した珪素の結晶の大きさは約２０ｎｍであった。」（【００５０】）
第５　判断
１　申立理由１（新規性）について
（１）　本件発明１について
（１−１）　本件発明１と甲１発明との対比
ア　本件発明１と甲１発明とを対比すると、甲１発明の「低級酸化珪素（ＳｉＯｘ、ｘ＝１）の粉末」は、本件発明１の「ケイ素酸化物（ＳｉＯｘ）粒子」に相当し、甲１発明の「導電性炭素皮膜」は、本件発明１の「炭素物質を含むコーティング層」に相当するものである。そして、甲１発明の「負極に用いる」「導電性炭素皮膜を形成した低級酸化珪素粉末」は、「低級酸化珪素粉末の表面に、導電性炭素皮膜を形成」したものであるから、「低級酸化珪素粉末」がコア部分を占め、「導電性炭素皮膜」がシェル部分を占めるものであり、また、負極において、活物質として用いられるものであるので、本件発明１の「コア‐シェル構造の」「ＳｉＯｘ‐Ｃ複合体を含む負極活物質」に相当する。
イ　そして、甲１発明の「珪素粉末と二酸化珪素粉末とを所定の割合で配合し、混合、造粒および乾燥した混合造粒原料を原料とし、析出基板上に低級酸化珪素（ＳｉＯｘ、ｘ＝１）の粉末を析出させ」る工程は、本件発明１の「コア部としてケイ素酸化物（ＳｉＯｘ）粒子を用意する段階」に相当する。
ウ　また、甲１発明の「ロータリーキルン」、「ノルマルブタン」、「ＣＶＤにより」「形成し」、「処理温度を７００℃とする」は、それぞれ、本件発明１の「回転管状炉」、「炭素含有気体」、「化学蒸着し」、「１０００℃未満の温度で熱処理し」に相当するので、甲１発明の「低級酸化珪素粉末の表面に、導電性炭素皮膜を形成し、その形成には、装置としてロータリーキルン、ガスとしてノルマルブタンとＡｒとの混合ガスを使用し、処理温度を７００℃とする」工程は、本件発明１の「回転管状炉で、前記コア部の少なくとも一部の表面に、炭素含有気体又は炭素前駆体の気化物で化学蒸着し、及び、１０００℃未満の温度で熱処理し、前記コア部の少なくとも一部の表面に」「炭素コーティング層であるシェル部を形成する段階」に相当する。
エ　さらに、甲１発明の「炭素皮膜厚さが１１．３６ｎｍ」は、本件発明１の「０．０１〜５μｍの厚さを有する炭素コーティング層」と、厚さが０．０１１３６μｍの点で重複する。
（１−２）　本件発明１と甲１発明との一致点と相違点
　上記（１−１）の検討から、本件発明１と甲１発明の一致点と相違点は次のとおりである。
＜一致点＞
　コア‐シェル構造のＳｉＯｘ‐Ｃ複合体を備えた負極活物質の製造方法であって、
　前記コア‐シェル構造のＳｉＯｘ‐Ｃ複合体が、ケイ素酸化物（ＳｉＯｘ）粒子を含むコア部と、及び、前記コア部の少なくとも一部の表面に、炭素物質を含むコーティング層であるシェル部とを備えてなるものであり、
　コア部としてケイ素酸化物（ＳｉＯｘ）粒子を用意する段階と、並びに、
　回転管状炉で、前記コア部の少なくとも一部の表面に、炭素含有気体又は炭素前駆体の気化物で化学蒸着し、及び、１０００℃未満の温度で熱処理し、前記コア部の少なくとも一部の表面に０．０１１３６μｍの厚さを有する炭素コーティング層であるシェル部を形成する段階とを含んでなることを特徴とする、コア‐シェル構造のＳｉＯｘ‐Ｃ複合体を含む負極活物質の製造方法。
＜相違点＞
相違点１：コア‐シェル構造ＳｉＯｘ‐Ｃ複合体について、本件発明１では、「非晶質」であるとするのに対し、甲１発明では、「非晶質」であるか不明な点。
相違点２：ＳｉＯｘ‐Ｃ複合体のコア部において、本件発明１では、「フリーＳｉ結晶のケイ素酸化物（ＳｉＯｘ）粒子を含む」のに対し、甲１発明では、そのような特性を有するか不明な点。
相違点３：回転管状炉での化学蒸着において、本件発明１では、「常圧下」とするのに対し、甲１発明では、「常圧下」であるか不明な点。
（１−３）　相違点についての検討
ア　上記相違点のうち、事案に鑑みて、相違点２について先に検討する。本件特許明細書には、「フリーＳｉ結晶」について、以下の記載が存在する。「本発明において、フリーＳｉ結晶とは、ケイ素酸化物（ＳｉＯｘ）の金属酸化物にＳｉ結晶などが存在しないものを意味する。具体的に、前記Ｓｉ結晶は、５〜５０ｎｍの粒径の微結晶及びこのような微結晶より大きい粒径を有する結晶をも含む。」（【００２１】）
イ　一方、甲第１号証には、第４の１（１−１）ウで摘記したように、「アモルファスであることが好ましい。」とは記載されているものの、「ＣｕＫα線を用いたＸＲＤで測定した場合に、１０°≦２θ≦３０°に現れるＳｉＯｘに由来するハローの最大値Ｐ１と、２θ＝２８．４±０．３°に現れるＳｉ（１１１）の最強線ピークの値Ｐ２が、Ｐ２／Ｐ１＜０．０１を満足する」程度のアモルファスであると記載されていることから、「ケイ素酸化物（ＳｉＯｘ）の金属酸化物にＳｉ結晶などが存在しない」フリーＳｉ結晶とすることまでは記載されているものでない。
　そして、甲１発明における、「析出基板上に」「析出させ」た「低級酸化珪素（ＳｉＯｘ、ｘ＝１）の粉末」が、その製造条件等から「ケイ素酸化物（ＳｉＯｘ）の金属酸化物にＳｉ結晶などが存在しない」フリーＳｉ結晶となっていると認定し得る、具体的かつ客観的な証拠は認められないので、上記相違点２は実質的な相違点である。
（１−４）　小活
　してみると、相違点１、３を検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明ではなく、本件特許の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものとはいえない。
（２）　本件発明２について
（２−１）　本件発明２と甲１発明との対比
ア　本件発明２は、本件発明１を引用し、「熱処理の温度」を「９００℃以下」とすることを更に特定するものである。
イ　本件発明２と甲１発明とを対比すると、上記（１−２）で示した３点で相違し、その他の点で一致する。
（２−２）　判断
　ここで、相違点２については、上記（１−３）で示したように実質的な相違点であるから、相違点１、３を検討するまでもなく、本件発明２も、甲１発明ではなく、本件特許の請求項２に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものとはいえない。
２　申立理由２（進歩性）について
（１）　本件発明１について
（１−１）相違点についての検討
ア　まず、上記（１−３）で示した実質的な相違点である相違点２について検討する。
イ　上記（１−３）イで示したように、甲第１号証には、ＳｉＯｘ‐Ｃ複合体のコア部のケイ素酸化物（ＳｉＯｘ）粒子について、「アモルファスであることが好ましい。」とは記載されているものの、「ケイ素酸化物（ＳｉＯｘ）の金属酸化物にＳｉ結晶などが存在しない」フリーＳｉ結晶とすること、すなわち、ＣｕＫα線を用いたＸＲＤで測定した場合に、１０°≦２θ≦３０°に現れるＳｉＯｘに由来するハローの最大値Ｐ１と、２θ＝２８．４±０．３°に現れるＳｉ（１１１）の最強線ピークの値Ｐ２とした際に、Ｐ２／Ｐ１＝０とするまでのことは記載されていない。
　また、上記第４の２ア〜イによれば、甲第２号証には、ＳｉＯｘ‐Ｃ複合体のコア部において、二酸化珪素中に分散した珪素の結晶の大きさが約２０ｎｍであったと記載されているにとどまり、「フリーＳｉ結晶のケイ素酸化物（ＳｉＯｘ）粒子」を用いる技術的事項は何ら記載されていない。
　してみると、相違点２に係る本件請求項１の発明特定事項は、甲第１〜２号証いずれにも記載されていなことから、当該相違点２は、甲１発明において、甲第１号証または甲第２号証の記載事項に基づいても当業者が容易に相当し得る事項であるとは認められない。
ウ　また、相違点２に係る発明特定事項を備えた本件発明１は、本件明細書【００５４】【表１】によれば、図面【図１】に示される特徴的なピークを示さないＸ線回折曲線を有するＳｉＯをコア部として用いた態様である「実施例」の「５０サイクル目の正規化した容量（％）」評価項目が「９７％」という水準の効果を奏するものであり、これに対し、甲１発明におけるサイクル特性に関しては、上記第４の１（１−１）クで摘記したところによると「１０回目の放電容量と初回放電容量との比の値が９３％」という水準であり、５０サイクルまでの充放電寿命を有するのか不明ではあるし、仮に、甲１発明が１０サイクル目以降１０サイクル毎に放電容量が９３％ずつ低下すると仮定して５０サイクル目の放電容量と初回放電容量との割合を換算してみると、（０．９３）５×１００（％）、すなわち、７０％程度という水準であると認められるから、本件発明１の効果は、甲１発明からは、予測できない優れた効果を有するものであるといえる。
エ　よって、相違点１、３についての検討を示すまでもなく、本件発明１は、甲１発明及び甲第１〜２号証に記載された事項から当業者が容易に想到し得ないものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものとはいえない。
（２）　本件発明２について
（２−１）判断
　上記１の（２−１）で示したように、本件発明２においても甲１発明との相違点は、本件発明１と甲１発明とを対比した時と同じ相違点１〜３であり、上記（１−１）に示したように、相違点２に係る発明特定事項は、甲１発明において、甲第１号証または、甲第２号証の記載事項から当業者が容易になし得るものでないし、また、相違点２に係る発明特定事項を備える本件発明２は、甲第１〜２号証の記載から予測できない優れた効果を有するものであるので、本件発明２についても、甲１発明及び甲第１〜２号証に記載された事項から当業者が容易に想到し得ないものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものとはいえない。
３　申立理由３（新規事項の追加）について
（１）　申立理由３の概要
　申立書には、本件特許に係る平成２９年１月１８日付け手続補正書による補正により請求項１に係る発明が、回転管状炉による炭素皮膜形成処理での圧力条件が「常圧下」であるとの発明特定事項を備えることになったが、これは本件特許の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「本件特許の当初明細書等」という。）に記載されていないものであり、新規に追加された事項であるとの主張が示されている。（申立書第１１頁第９行〜第１８行）
（２）　検討・判断
ア　新規事項の追加というには、当初明細書等と補正された明細書等の記載事項を比較すると、補正された明細書等には、当初明細書等の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものというべき記載の認定が必要である。そこで、本件特許の当初明細書等における回転管状炉による炭素皮膜形成処理での圧力条件について以下に検討する。
イ　申立人の主張するように、本件特許の当初明細書等には、直接的に、回転管状炉による炭素皮膜形成処理での圧力条件について「常圧下」で実施することは、記載されていない。
ウ　しかしながら、本件特許の当初明細書の【００４８】には、実施例１として「中間粒径が５μｍである
ＳｉＯ １０ｇを回転管状炉に投入し、アルゴンガスを０．５Ｌ／分で流した後、５℃／分の速度で８００℃まで温度を上温させた。回転管状炉を１０ｒｐｍ／分の速度で回転させると共に、アルゴンガスを１．８Ｌ／分、アセチレンガスを０．３Ｌ／分で流し、かつ、３時間熱処理して
エ　したがって、平成２９年１月１８日付け手続補正書による補正により請求項１に発明特定事項として備えられた「常圧下」は、本件特許の当初明細書等の記載から自明な事項であり、当初明細書等の全ての記載事項を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものであるとはいえないから、上記補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反してなされたものとはいえない。
第６　むすび 
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１〜２に係る特許を取り消すことはできない。 
　また、他に本請求項１〜２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成３０年４月５日（２０１８．４．５）