【手続補正書】
【提出日】平成23年7月28日(2011.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面（１０１）から電磁放射を放出し、前記前面と反対側の背面（１０２）で共通支持体（２）の第１主面（２０１）に固定される複数の半導体チップを有し、
前記複数の半導体チップは、それぞれ基板レス半導体層積層体（１）からなり、補助支持体なしに前記共通支持体に固定され、
前記半導体層積層体（１）の前記前面（１０１）と前記支持体（２）の前記第１主面（２０１）との間の距離Ｈは５０μｍ以下である発光ダイオード装置。
【請求項２】
前記半導体層積層体（１）の前記前面（１０１）と前記支持体（２）の前記第１主面（２０１）との間の距離Ｈは２０μｍ以下である請求項１に記載の発光ダイオード装置。
【請求項３】
少なくとも１つの半導体層積層体（１）は、固定層（３）により前記支持体（２）に固定される請求項１又は請求項２に記載の発光ダイオード装置。
【請求項４】
前記半導体層積層体（１）は、全体的に前記固定層（３）から横方向に突出する請求項３に記載の発光ダイオード装置。
【請求項５】
前記固定層（３）は、はんだ金属を含む請求項３又は請求項４に記載の発光ダイオード装置。
【請求項６】
前記支持体（２）の前記第１主面（２０１）上に少なくとも１つのバリアフレーム（８）が配置され、前記少なくとも１つのバリアフレームは、少なくとも部分的に前記固定層（３）を区切る請求項３から請求項５のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
【請求項７】
少なくとも１つの半導体層積層体（１）は、少なくとも部分的にその背面（１０２）を覆う電気絶縁層（７）を有する請求項１から請求項６のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
【請求項８】
少なくとも１つの半導体層積層体（１）は、その背面（１０２）のエッジ部を覆う電気絶縁層（７）を有する請求項１から請求項７のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
【請求項９】
少なくとも１つの半導体層積層体（１）は、その背面（１０２）のエッジ部を覆って横方向において少なくとも部分的に前記固定層（３）を区切る電気絶縁層（７）を有する請求項３から請求項６のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
【請求項１０】
前記電気絶縁層（７）は、前記背面（１０２）の周辺エッジ部を覆って横方向において完全に前記固定層（３）を区切る請求項９に記載の発光ダイオード装置。
【請求項１１】
基板レス半導体層積層体（１）の厚さは２０μｍ以下である請求項１から請求項１０のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
【請求項１２】
基板レス半導体層積層体（１）の厚さは１０μｍ以下である請求項１１に記載の発光ダイオード装置。
【請求項１３】
前記支持体（２）の前記第１主面（２０１）の平面視において２つの半導体層積層体（１）間の距離Ｄは１００μｍ以下である請求項１から請求項１２のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
【請求項１４】
前記支持体（２）の前記第１主面（２０１）の平面視において２つの半導体層積層体（１）間の距離Ｄは５０μｍ以下である請求項１３に記載の発光ダイオード装置。
【請求項１５】
前記半導体層積層体（１）は、前記支持体（２）上で矩形グリッド状に配置される請求項１から請求項１４のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
【請求項１６】
少なくとも１つの半導体層積層体（１）は、その前面（１０１）の平面視において長方形又は正方形である請求項１から請求項１５のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
【請求項１７】
少なくとも１つの半導体層積層体（１）は、切欠き部（１０００）を有し、前記支持体（２）は、前記切欠き部（１０００）の部分において電気接続層（９０）を有する請求項１から請求項１６のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
【請求項１８】
前記切欠き部（１０００）は、長方形又は正方形の第１角部に配置される請求項１６又は請求項１７に記載の発光ダイオード装置。
【請求項１９】
前記半導体層積層体（１）は、その前面（１０１）側での電気的接続に適した電気接触部（４）を有する請求項１７又は請求項１８に記載の発光ダイオード装置。
【請求項２０】
前記電気接触部（４）は、長方形又は正方形の第２角部に配置され、前記第２角部は、前記第１角部に隣接して又は前記第１角部の対角に位置する請求項１８又は請求項１９に記載の発光ダイオード装置。
【請求項２１】
少なくとも１つの半導体層積層体（１）は、その前面（１０１）側での電気的接続に適した２つの電気接触部（４、５）を有する請求項１から請求項２０のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
【請求項２２】
少なくとも１つの半導体層積層体（１）は、その背面（１０２）側での電気的接続に適した２つの電気接触部（４、５）を有する請求項１から請求項２１のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
【請求項２３】
少なくとも２つの半導体層積層体（１）は、直列に接続される請求項１から請求項２２のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
【請求項２４】
前記半導体層積層体（１）を電気的に接続するための電気接続導体を有し、
前記電気接続導体は、前記支持体（２）の第１要面（２０１）と反対側の第２主面（２０２）と前記半導体層積層体（１）との間を接続する導電層（９、２１０）を有する請求項１から請求項２３のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
【請求項２５】
前記導電層（９）は、前記支持体（２）の前記第１主面（２０１）上に位置する請求項２４に記載の発光ダイオード装置。
【請求項２６】
前記支持体（２）は多層構造を有し、前記導電層（２１０）は、前記第１主面（２０１）と第２主面（２０２）との間に位置する請求項２４に記載の発光ダイオード装置。
【請求項２７】
前記導電層（９、２１０）は、互いに電気的に絶縁された部分を形成するように構造化される請求項２４から請求項２６のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
【請求項２８】
前記半導体層積層体（１）の前記前面（１０１）と前記支持体（２）の前記第１主面（２０１）は、少なくとも部分的に電気絶縁被覆層（１０）で覆われる請求項１から請求項２７のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
【請求項２９】
前記被覆層（１０）は、前記発光ダイオード装置の動作中に前記半導体層積層体（１）によって放出される電磁放射を少なくとも部分的に透過する請求項２８に記載の発光ダイオード装置。
【請求項３０】
前記被覆層（１０）は、蛍光変換材料（１１）を含む請求項２８又は請求項２９に記載の発光ダイオード装置。
【請求項３１】
前記被覆層（１０）は、前記電気接触部（４、５）及び／又は前記電気接続部（９０）の少なくとも一部を覆わない請求項２８から請求項３０のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
【請求項３２】
前記支持体（２）から遠い側の前記被覆層（１０）に電気接触層（１２）が配置され、前記電気接触層は、電気接触部（４、５）と電気接続部（９０）とを、及び／又は、２つの電気接触部（４、５）を、導電接続する請求項３１に記載の発光ダイオード装置。
【請求項３３】
支持体（２）を用意し、前記支持体は、前記支持体の第１主面（２０１）の平面視において互いに並んで配置された複数の実装部（２３０）を有し、
前記実装部の各々において、同時又は順次に、
前記支持体の前記第１主面に固定層（３）を形成し、
前面（１０１）から電磁放射を放出する半導体チップを、前記前面が前記固定層から遠い側に位置するように、前記固定層上に配置し、
前記半導体チップを前記固定層上で位置合わせし、
前記固定層によって前記半導体チップと前記支持体との間を機構的に安定的に接続し、
前記半導体チップは、基板レス半導体層積層体（１）からなり、前記半導体層積層体と前記支持体との間に補助支持体が配置されない発光ダイオード装置の作製方法。
【請求項３４】
前記固定層（３）は、前記半導体チップの位置合わせ中は液状である請求項３３に記載の発光ダイオード装置の作製方法。
【請求項３５】
前記固定層（３）は、前記半導体層積層体（１）との接触前又は接触後に溶融される請求項３４に記載の発光ダイオード装置の作製方法。
【請求項３６】
前記半導体層積層体（１）は、前記固定層（３）に自己整合する請求項３４又は請求項３５に記載の発光ダイオード装置の作製方法。
【請求項３７】
前記半導体層積層体（１）は、前記第１主面（２０１）の平面視において前記固定層（３）の中心に自己整合する請求項３６に記載の発光ダイオード装置の作製方法。
【請求項３８】
前記支持体（２）の前記実装部（２３０）に、横方向において前記固定層（３）を区切るバリアフレームが適用される請求項３３から請求項３７のいずれかに記載の発光ダイオード装置の作製方法。
【請求項３９】
前記バリアフレームは、開口部（８０）を有し、前記固定層（３）は、前記第１主面の平面視において前記開口部内に形成される請求項３８に記載の発光ダイオード装置の作製方法。
【請求項４０】
前記半導体層積層体（１）の前記前面（１０１）と反対側の背面（１０２）のエッジ部に、電気絶縁層（７）が適用される請求項３３から請求項３９のいずれかに記載の発光ダイオード装置の作製方法。
【請求項４１】
前記支持体は電気接続部（９０）を有し、
前記半導体層積層体（１）に切欠き部（１０００）を形成し、
前記半導体層積層体を、前記切欠き部が少なくとも部分的に前記電気接続部上に位置するように位置合わせする請求項３３から請求項４０のいずれかに記載の発光ダイオード装置の作製方法。