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　特願２００２−２２９５９５「単結晶の引き上げ条件の設計方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　３月　４日出願公開、特開２００４−　６７４５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年８月７日の出願であって、平成１９年４月１７日付けで拒絶理由が通知され、同年６月２０日付けで意見書が提出され、同年１０月３０日付けで拒絶査定がなされ、同年１２月５日に拒絶査定不服審判が請求され、同年同月１８日付けで手続補正書が提出されたものであり、その後、平成２２年６月７日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した審尋が通知され、これに対する回答書が同年同月２８日に提出されている。
　
２．平成１９年１２月１８日付けの手続補正と本願発明
　平成１９年１２月１８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、
（１）補正前（願書に最初に添付された明細書）の特許請求の範囲である、
「【請求項１】
チョクラルスキー法によって原料融液を収容したルツボより単結晶を育成する際の、単結晶の引き上げ条件の設計方法であって、総合伝熱解析により得られた、育成する単結晶の外周面からルツボ内壁までの融液内の温度差ΔＴ（Ｋ）を、育成する単結晶の外周面からルツボ内壁までの融液表面での水平方向の距離Ｌ（ｃｍ）で割った、平均融液内温度勾配Ｇ（Ｋ／ｃｍ）を求め、該平均融液内温度勾配Ｇと、単結晶引き上げ中に育成単結晶の成長界面以外で発生する固化の発生率との関係から、引き上げ条件を設定することを特徴とする単結晶の引き上げ条件の設計方法。
【請求項２】
前記平均融液内温度勾配Ｇ（Ｋ／ｃｍ）を、２．１≦Ｇの範囲となるように引き上げ条件を設定することを特徴とする請求項１に記載の単結晶の引き上げ条件の設計方法。
【請求項３】
前記設計する引き上げ条件を、引き上げ速度ＳＥ（ｍｍ／ｍｉｎ）及び／又は炉内構造とすることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の単結晶の引き上げ条件の設計方法。
【請求項４】
引き上げ速度をＳＥ（ｍｍ／ｍｉｎ）とし、固液界面における結晶成長軸方向の結晶側温度勾配をｇ（Ｋ／ｍｍ）とした時に、さらにＳＥ／ｇ（ｍｍ２／Ｋ・ｍｉｎ）が所定範囲内となるように引き上げ条件を設定することを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の単結晶の引き上げ条件の設計方法。
【請求項５】
前記育成する単結晶をシリコンとすることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の単結晶の引き上げ条件の設計方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の方法で設計された引き上げ条件で、単結晶の引き上げを行うことを特徴とする単結晶の製造方法。」を
「【請求項１】
　チョクラルスキー法によって原料融液を収容したルツボより単結晶を育成する際の、単結晶の引き上げ条件の設計方法であって、総合伝熱解析により得られた、育成する単結晶の外周面からルツボ内壁までの融液内の温度差ΔＴ（Ｋ）を、育成する単結晶の外周面からルツボ内壁までの融液表面での水平方向の距離Ｌ（ｃｍ）で割った、平均融液内温度勾配Ｇ（Ｋ／ｃｍ）を求め、該平均融液内温度勾配Ｇと、単結晶引き上げ中に育成単結晶の成長界面以外で発生する固化の発生率との関係から、前記平均融液内温度勾配Ｇ（Ｋ／ｃｍ）を、２．１≦Ｇの範囲となるように引き上げ条件を設定することを特徴とする単結晶の引き上げ条件の設計方法。
【請求項２】
　前記設計する引き上げ条件を、引き上げ速度ＳＥ（ｍｍ／ｍｉｎ）及び／又は炉内構造とすることを特徴とする請求項１に記載の単結晶の引き上げ条件の設計方法。
【請求項３】
　引き上げ速度をＳＥ（ｍｍ／ｍｉｎ）とし、固液界面における結晶成長軸方向の結晶側温度勾配をｇ（Ｋ／ｍｍ）とした時に、さらにＳＥ／ｇ（ｍｍ２／Ｋ・ｍｉｎ）が所定範囲内となるように引き上げ条件を設定することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の単結晶の引き上げ条件の設計方法。
【請求項４】
　前記育成する単結晶をシリコンとすることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の単結晶の引き上げ条件の設計方法。
【請求項５】
　請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の方法で設計された引き上げ条件で、単結晶の引き上げを行うことを特徴とする単結晶の製造方法。」と補正し、
（２）明細書の【００１３】、【００１５】、【００１７】、【００１９】、【００２１】及び【００２２】の末尾にそれぞれ記載されていた請求項番号を削除する、
ものである。
　上記（１）に係る補正事項は、補正前の請求項１を削除し、それに伴って、補正前の請求項２〜６を新たに請求項１〜５とするものであって、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号に規定する事項を目的とするものである。
　また、上記（２）に係る補正事項は、上記（１）に係る補正事項と発明の詳細な説明の欄の記載の齟齬を解消するものであって、新たな事項を導入するものではなく、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　よって、本件補正は適法なものであり、本願請求項１〜５に係る発明は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項に特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　チョクラルスキー法によって原料融液を収容したルツボより単結晶を育成する際の、単結晶の引き上げ条件の設計方法であって、総合伝熱解析により得られた、育成する単結晶の外周面からルツボ内壁までの融液内の温度差ΔＴ（Ｋ）を、育成する単結晶の外周面からルツボ内壁までの融液表面での水平方向の距離Ｌ（ｃｍ）で割った、平均融液内温度勾配Ｇ（Ｋ／ｃｍ）を求め、該平均融液内温度勾配Ｇと、単結晶引き上げ中に育成単結晶の成長界面以外で発生する固化の発生率との関係から、前記平均融液内温度勾配Ｇ（Ｋ／ｃｍ）を、２．１≦Ｇの範囲となるように引き上げ条件を設定することを特徴とする単結晶の引き上げ条件の設計方法。」
　
３．引用文献
３−１．原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前に頒布された刊行物である特開平１０−２７３３７７号公報（以下、「引用文献１」という。）及び特開平１１−１５７９９６号公報（以下、「引用文献２」という。）には、それぞれ次の事項が記載されている。
　
３−１−１．引用文献１
（１）「本発明は、引上げＣＺ（Czochralski）法によりＳｉ（シリコン）の無転位の単結晶を製造するための単結晶製造方法・・・・・・に関する。」（【０００１】）
（２）「【発明が解決しようとする課題】ところで、単結晶の大径化に伴い、石英るつぼ自体が大型化すると石英るつぼ自体が高温化するので、ホットゾーン全体の断熱を強化する必要がある。しかしながら、ホットゾーン全体の断熱を強化すると、・・・・・・融液表面における半径方向の温度差が小さくなるので融液が石英るつぼの側壁近傍で固化し易くなり、成長速度が更に遅くなるという問題点がある。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、単結晶の大径化に伴って石英るつぼ自体が大型化しても、断熱を強化する必要がなく、かつ単結晶の成長速度が遅くなることを防止することができる単結晶製造方法・・・・・・を提供することを目的とする。」（【０００４】〜【０００５】）
（３）「【発明の実施の形態】
・・・・・・
・・・・・・チャンバ１４の上部で昇降可能な熱遮蔽リング１５は、低熱伝導率の材料で形成されたドーナツ状（環状）のリングである。熱遮蔽リング１５の開口は、石英るつぼ１０と略同径で形成され、・・・・・・熱遮蔽リング１５がチャンバ１４内の最上方位置にある場合には、・・・・・・チャンバ１４の上部を覆うように、かつ・・・・・・熱遮蔽リング１５がチャンバ１４内の最下方位置にある場合には、・・・・・・チャンバ１４の上部を露出するように形成されている。換言すれば、熱遮蔽リング１５が、その昇降範囲の上方位置にあるときには、石英るつぼ１０内の溶融多結晶１１からの放熱を妨げ、一方、熱遮蔽リング１５が、その昇降範囲の下方位置にあるときには石英るつぼ１０から引き上げられている単結晶のボデー部６からの放熱を可能とするよう上方位置と下方位置が定められている。
・・・・・・熱遮蔽リング１５が最上方位置にある場合に結晶温度が高く、熱遮蔽リング１５が最下方位置にある場合に結晶温度が低くなる。・・・・・・熱遮蔽リング１５を下降させることにより・・・・・・石英るつぼ１０の側壁近傍の融液１１の表面温度が約１０℃高くなり、融液１１の固化発生確率が低下することが判明した。・・・・・・また、成長速度は、実験によれば熱遮蔽リング１５を設けることにより１割程度速くなることが判明した。」（【００１０】〜【００１７】）
　
３−１−２．引用文献２
（４）「本発明では、・・・・・・ＣＺ法による結晶引上げ装置を使用し・・・・・・。
・・・・・・
・・・・・・引上げ装置の炉内温度を、総合伝熱解析ソフトＦＥＭＡＧ（Ｆ．Ｄｕｐｒｅｔ，Ｐ．Ｎｉｃｏｄｅｍｅ，Ｙ．Ｒｙｃｋｍａｎｓ，Ｐ．Ｗｏｕｔｅｒｓ，ａｎｄ  Ｍ．Ｊ．Ｃｒｏｃｈｅｔ，Ｉｎｔ．Ｊ．Ｈｅａｔ  ＭａｓｓＴｒａｎｓｆｅｒ，３３，１８４９（１９９０））を使用して鋭意解析を行った。」（【００２５】〜【００２９】）
　
３−２．引用文献１に記載された発明
　ここで、引用文献１の記載について検討する。
（あ）上記（２）に記載の「ホットゾーン全体の断熱を強化すると、・・・・・・融液表面における半径方向の温度差が小さくなるので融液が石英るつぼの側壁近傍で固化し易くなり、成長速度が更に遅くなるという問題点がある。」とは、断熱を強化すると、融液表面における半径方向の温度差が小さくなり、単結晶の成長面の温度と石英るつぼの側壁近傍の温度との差が小さくなって融液が石英るつぼの側壁近傍で固化し易くなり、この固化により単結晶の成長速度が更に遅くなるということを意味している。このことを換言すれば、融液表面における半径方向の温度差が大きくなって、単結晶の成長面の温度と石英るつぼの側壁近傍の温度との差が大きくなると融液が石英るつぼの側壁近傍で固化し難くなり、この固化により単結晶の成長速度が更に遅くなることはないといえる。
（い）上記（２）の問題点を解決するために、上記（３）には、融液表面における半径方向の温度差を大きくすべく、「熱遮蔽リング１５が、その昇降範囲の下方位置にあるときには石英るつぼ１０から引き上げられている単結晶のボデー部６からの放熱を可能」とし、「熱遮蔽リング１５を下降させることにより・・・・・・石英るつぼ１０の側壁近傍の融液１１の表面温度が約１０℃高くなり、融液１１の固化発生確率」を「低下」させ、単結晶の「成長速度は、・・・・・・１割程度速くなること」が記載されているといえ、「石英るつぼ１０の側壁近傍の融液１１の表面温度が約１０℃高くな」ることは、融液表面における半径方向の温度差が大きくなることに他ならない。
（う）上記（あ）及び（い）の検討を踏まえ、引用文献１に記載された事項を整理して記載すると、引用文献１には、
「引上げＣＺ法によりシリコンの無転位の単結晶を製造するための単結晶製造方法であって、熱遮蔽リングを下降させることにより、融液表面における半径方向の温度差を大きくし、融液の固化発生確率が低下し、単結晶の成長速度を速くする単結晶製造方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
４．対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
（か）上記（１）の記載をみると、引用発明は、原料融液を収容したルツボより単結晶を育成していることは明らかであるから、引用発明の「引上げＣＺ法によりシリコンの無転位の単結晶を製造」は、本願発明の「チョクラルスキー法によって原料融液を収容したルツボより単結晶を育成」に相当する。
　
（き）引用発明の「単結晶製造方法」において、「熱遮蔽リングを下降させることにより」、「融液表面における半径方向の温度差を大きく」し、「融液の固化発生確率が低下」して、「成長速度」は「速く」なるから、熱遮蔽リングの下降の程度、融液表面における半径方向の温度差、及び、固化発生確率と単結晶の成長速度との間には、それぞれに、相関関係が成立するとみることが当業者にとって自然である。
　
（く）上記（き）検討結果を換言すると、「熱遮蔽リング１５を下降させることにより」、「融液表面における半径方向の温度差を大きく」し、「融液の固化発生確率が低下」する範囲において、速い単結晶の成長速度で単結晶を製造しているといえ、このことは、引用発明の「単結晶製造方法」とは、「単結晶製造方法の条件設計方法」ということができ、引用発明は「引上げＣＺ法」による単結晶製造方法であるから、該「単結晶製造方法の条件設計方法」は、「引上げＣＺ法の条件設計方法」ということができ、本願発明の「単結晶の引上げ条件の設計方法」に相当する。
　
（け）引用発明の「融液表面における半径方向の温度差」は、本願発明の「育成する単結晶の外周面からルツボ内壁までの融液内の温度差ΔＴ（Ｋ）を、育成する単結晶の外周面からルツボ内壁までの融液表面での水平方向の距離Ｌ（ｃｍ）で割った、平均融液内温度勾配Ｇ（Ｋ／ｃｍ）」と「融液表面における半径方向の温度の差を表す変数」である点で一致する。
　
（こ）引用発明の「融液の固化発生確率」とは、引用文献１の（３）の「石英るつぼ１０の側壁近傍の融液１１の表面温度が約１０℃高くなり、融液１１の固化発生確率が低下する」との記載をみると、石英るつぼ近傍における融液の固化の発生確率とみることができるから、本願発明の「結晶引き上げ中に育成単結晶の成長界面以外で発生する固化の発生率」に相当する。なお、本願発明の「固化の発生率」と、本願明細書の発明の詳細な説明の「固化発生率」とは同義とみることができる。
　
（さ）本願発明の「引上げ条件」とは、本願明細書の「炉内構造、引き上げ速度ＳＥといった引き上げ条件」（【００２７】）との記載から、炉内構造、引上げ速度を含むものであり、「熱遮蔽物、整流筒等の形状又は配置など、炉内構造を変える」（【００２７】）との記載をみると、「炉内構造を変える」とは、熱遮蔽物の配置を換えること、すなわち、「熱遮蔽リングを下降させること」を含むといえ、引上げ速度は単結晶の成長速度と同義である。そうすると、引用発明の「熱遮蔽リングを下降させる」程度、及び「単結晶の成長速度」は、本願発明の「引上げ条件」に相当する。
　
（し）本願発明の「平均融液内温度勾配Ｇと、単結晶引き上げ中に育成単結晶の成長界面以外で発生する固化の発生率との関係から、前記平均融液内温度勾配Ｇ（Ｋ／ｃｍ）を、２．１≦Ｇの範囲となるように引き上げ条件を設定する」とは、本願明細書の「（炉内構造の設計）
　図４に示した単結晶製造装置を用いて整流筒下端と融液面との距離Ｌ２を、７０ｍｍ（ＨＺ１）・・・・・・に調整して、同じ速度で結晶を育成した時に平均融液内温度勾配Ｇが異なる２つの炉内構造を設定した。
（実施例１）
　上記設計した炉内構造ＨＺ１で、引き上げ速度ＳＥの設定を変えて上記総合伝熱解析を実施し、平均融液内温度勾配Ｇを算出したところ、図２に示すようなプロットを得た。図２のプロットより、平均融液内温度勾配Ｇ＝２．１とするには、引上げ速度ＳＥを０．６０ｍｍ／ｍｉｎとすればよいことが判明した。そこで、引き上げ速度を、０．６０ｍｍ／ｍｉｎに設定して、引き上げ実験を行ったところ固化発生率を約１０％とすることが出来た。さらに、引き上げ速度ＳＥ＝０．６５ｍｍ／ｍｉｎとして引き上げ実験を行ったところ、固化発生率が高くなったが、ＳＥ＝０．５５ｍｍ／ｍｉｎとすると固化がほとんど発生しないことが確認された。」（【００３７】〜【００３８】）との記載を参照すると、炉内構造を決めて、引上げ速度を基に平均融液内温度勾配Ｇを計算し、所定の固化の発生率となる温度勾配であるＧ＝２．１以上を与える引上げ速度を求めていること、すなわち、
ある炉内構造の基での引上げ速度と平均融液内温度勾配Ｇとの関係から、所定の固化の発生率となる温度勾配であるＧ＝２．１以上を与える引上げ速度を求めていること、
を含むといえる。
　一方、引用発明では、熱遮蔽リングの下降させてある炉内構造とし（上記（さ）を参照）とし、この炉内構造における、温度差と固化発生確率、すなわち、本願発明の固化発生率から、単結晶成長速度を求めているといえるから（上記（く）を参照）、上記（き）の検討を踏まえると、ある炉内構造の基で温度差と固化発生確率（上記（こ）の検討から、固化の発生率）と単結晶の成長速度との関係が与えられ、この温度差と固化発生確率（固化の発生率）から、単結晶の成長速度を求めているといえる。
　
（そ）そうすると、上記（け）〜（し）の検討を併せみると、本願発明と引用発明とは、「炉内構造」を決め「融液表面における半径方向の温度の差を表す変数」と、「結晶引き上げ中に育成単結晶の成長界面以外で発生する固化の発生率」を与えて、引上げ速度を求めている点で共通するが、本願発明は引上げ速度を変えることにより、引き上げ速度と平均融液内温度勾配Ｇの関係から、所定の固化の発生率となる温度勾配であるＧ＝２．１以下を与える引上げ速度を求めているのに対し、引用発明は温度差及び固化の発生率と単結晶成長速度との関係から、単結晶の成長速度を求めている点で相違している。
　
（た）上記（か）〜（そ）の検討を踏まえると、両者は、
「チョクラルスキー法によって原料融液を収容したルツボより単結晶を育成する際の、単結晶の引き上げ条件の設計方法であって、融液表面における半径方向の温度の差を表す変数と、結晶引き上げ中に育成単結晶の成長界面以外で発生する固化の発生率を与えて、引上げ速度を求める単結晶の引上げ条件の設計方法」である点で一致し、次の点で相違している。
相違点Ａ：融液表面における半径方向の温度の差を表す変数につき、本願発明が、総合伝熱解析により得られた育成する単結晶の外周面からルツボ内壁までの融液内の温度差ΔＴ（Ｋ）を、育成する単結晶の外周面からルツボ内壁までの融液表面での水平方向の距離Ｌ（ｃｍ）で割った、平均融液内温度勾配Ｇ（Ｋ／ｃｍ）であるのに対し、引用発明では、融液表面における半径方向の温度差である点
相違点Ｂ：引上げ速度につき、本願発明は引上げ速度を変えることにより、引上げ速度と平均融液内温度勾配Ｇとの関係から、所定の固化の発生率となる温度勾配であるＧ＝２．１以下を与える引上げ速度を求めているのに対し、引用発明は半径方向の温度差及び固化発生確率と単結晶の成長速度との関係から、引上げ速度である、単結晶の成長速度を求めている点
　
　次に、これら相違点について検討する。
・相違点Ａについて
（な）引用発明の「融液表面における半径方向の温度差」とは、育成する単結晶の外周面からルツボ内壁までの融液内の温度差であることは明らかであるから、本願発明のΔＴに相当する。
（に）本願発明はΔＴを総合伝熱解析により得ており、この「総合伝熱解析」とはどのようなものか、本願明細書の記載をみてみると、【００４３】に「ＦＥＭＡＧ」という総合伝熱解析ソフトを用いて計算することが記載されている。
　一方、引用文献１には、上記温度差（ΔＴ）を総合伝熱解析により得ることについて明記はされていないが、「石英るつぼの熱的負荷」を「ＣＺ炉内総合伝熱解析ソフト」を用いて調べる旨の記載がある（【０００６】）から、引用発明においても上記温度差（ΔＴ）を総合伝熱解析ソフトにより求めることが示唆されているといえ、他方、引用文献２には、（４）に摘示したように引上げ装置の炉内温度を総合伝熱解析ソフトＦＥＭＡＧを用いて解析することが記載されているから、上記温度差（ΔＴ）を総合伝熱解析ソフトを用いて計算して得ることは当業者であれば何ら困難なことではない。
（ぬ）そして、離間した２点間の数量差を表すに当たり、この数量差を傾きとして表すことはごく普通になされることであるから、融液表面における半径方向の温度差に代えて、上記温度差（ΔＴ）を、育成する単結晶の外周面からルツボ内壁までの融液表面での水平方向の距離Ｌで割った、平均融液内温度勾配Ｇを用いることは、当業者が適宜なし得ることである。
　よって、相違点Ａに係る本願発明の特定事項をなすことは、当業者であれば、困難なくなしえたことである。
・相違点Ｂについて
（は）上記（し）で述べたように、引用発明の単結晶の成長速度は、ある炉内構造における、所定の半径方向の温度差（ΔＴ）と所定の固化発生確率と単結晶成長速度との関係から導き出されているといえる。
　換言すると、引用発明の単結晶の成長速度は、ある炉内構造における所定の半径方向の温度差（ΔＴ）と所定の固化発生確率の関数であり、所定の半径方向の温度差（ΔＴ）と所定の固化発生確率から与えられるといえる。
（ひ）上記（き）で述べたように、熱遮蔽リングの下降の程度、融液表面における半径方向の温度差（ΔＴ）、及び、固化発生確率と単結晶の成長速度との間には、それぞれに、相関関係が成立するとみることができるから、固化発生率は融液表面における半径方向の温度差（ΔＴ）の関数とみることができる。
（ふ）上記（は）及び（ひ）の検討を併せみると、引用発明の単結晶の成長速度は、所定の半径方向の温度差（ΔＴ）のみの関数として扱うことができるといえる。
　そうすると、引用発明において、所定の半径方向の温度差（ΔＴ）と所定の固化発生確率と単結晶成長速度との関係から単結晶の成長速度を求めるに当たり、まず、単結晶の成長速度と所定の半径方向の温度差（ΔＴ）の関係を使って、いくつかの成長速度をもとに所定の半径方向の温度差（ΔＴ）を求め、次に、この所定の半径方向の温度差（ΔＴ）のうち、所定の固化発生確率を満足するものを与える成長速度のみを、最終的に求める成長速度とすることは、多数の変数を操作して所望の変数の値を求める際に当業者が適宜行う演算方法の一つにすぎない。
（へ）そして、上記所定の固化発生確率は単結晶に要求される品質等によって適宜その値が決定されるものであり、さらに、上記（ぬ）で検討したように、融液表面における半径方向の温度差（ΔＴ）を平均融液内温度勾配Ｇに置き換えることは当業者が適宜行うことであって、単結晶の成長速度、半径方向の温度差（ΔＴ）、及び固化発生確率の３者の間に成り立つ相関関係は、この３者において半径方向の温度差（ΔＴ）を半径方向の温度差（ΔＴ）を定数Ｌで除した平均融液内温度勾配Ｇに置き換えたものに対しても成り立つことは明らかである。
（ほ）そうすると、上記所定の固化発生確率、すなわち、固化の発生率となる平均融液内温度勾配Ｇのある値を、例えば、２．１以下と適宜決定し、単結晶の成長速度と平均融液内温度勾配Ｇの関係から、上記（ふ）の多数の変数を操作して所望の変数の値を求める演算方法を採用して、この２．１以下を満足する単結晶の成長速度を設定すること、すなわち、上記相違点Ｂに係る本願発明の特定事項をなすことは、当業者であれば困難なくなし得るものである。
　
　そして、上記相違点Ａ及びＢに係る本願発明の特定事項がもたらす作用・効果は格別なものとはいえない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。