【事件の表示】
　特願２００２−２４７５６０「半導体ウェーハの製造方法および半導体ウェーハ」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年３月１日出願公開、特開２００７−５３１１９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．　手続の経緯 　
　本願は、平成１４年８月２７日（優先権主張：平成１３年８年３０日）の出願であって、平成２０年３月２７日付けで拒絶査定され、これに対して平成２０年７月２日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに明細書についての手続補正がなされたが、当審からの平成２２年１月２９日付け拒絶理由に応答して、平成２２年７月３０日付けで特許請求の範囲を対象とする手続補正がなされたものである。 
 　 
２．　本願発明 　
　本願の請求項１ないし２に係る発明は、平成２２年７月３０日付けの手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし２に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１は、次のとおり記載されている。　
　　
「半導体ウェーハの製造方法において、
ａ）半導体ロッドを多数の半導体ウェーハに切断し、
ｂ）半導体ウェーハの縁部を面取りし、
ｃ）ＪＩＳ／ＵＳメッシュ＃２０００またはこれより細かい研削剤粒度を有する２個のセラミック結合研削盤を使用して半導体ウェーハの両面を同時研削し、
この場合、前記研削盤は、同一直線上に配置されたスピンドル上に取り付けられており、およびこの場合、半導体ウェーハは、材料取り入れ手段を用いて強制的に案内せずに保持され、したがって研削の際に交差する研削溝が形成され、
半導体ウェーハの片面または両面をエッチングし、
ｄ）半導体ウェーハの両面を予備研磨し、さらに半導体ウェーハの片面を仕上げ研磨して半導体ウェーハを製造することを特徴とする、半導体ウェーハの製造方法。」（以下この発明を「本願発明」という。）　
　
３．　刊行物に記載された発明　
　当審が通知した拒絶理由に引用された本願優先権主張日前に頒布された刊行物である特開２００１−１５４５９号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下の事項が図面とともに記載されている。　
　
（ａ）段落【００１５】　
「ＣＺ法により引き上げられたシリコンインゴットは、スライス工程（Ｓ１０１）で、厚さ８６０μｍ程度の８インチのシリコンウェーハにスライスされる。次に、このスライスドウェーハは、１次面取り工程（Ｓ１０２）で、その外周部が＃６００のメタル面取り用砥石により、所定の形状にあらく面取りされる。これにより、シリコンウェーハの外周部は、所定の丸みを帯びた形状（例えばＭＯＳ型の面取り形状）に成形される。・・・。」
（ｂ）段落【００１６】
「また、この１次両面研削に代えて、ラッピング工程（Ｓ１０４）を実施することもできる。・・・なお、
この一次両面研削工程または軽ラップ工程ではなく、次の仕上げ両面研削工程だけで処理する場合もある
（ｃ）段落【００１７】
「次いで、この１次両面研削後のウェーハまたはラップドウェーハの表裏面を、仕上げ両面研削する（Ｓ１０５）。具体的には、＃２０００番以上の細粒レジノイドボンド研削砥石やビトリファイド研削砥石を搭載した仕上げ両面研削装置により、綿密に両面研削される。このときの研削量は１０〜１００μｍ程度である。ここでいう
仕上げ両面研削装置としては、・・・両面同時に仕上げ研削する両面同時研削装置などが挙げられる。
（ｄ）段落【００１８】
「次に、シリコンウェーハの洗浄工程を行う（Ｓ１０６）。この洗浄は、超音波を加えたウルトラソニックによる。しかもこの洗浄は、アルカリ洗浄後に酸洗浄が施される洗浄である。このような洗浄によって、シリコンウェーハ面がウェーハ表裏面で０．１〜１μｍだけエッチングされる。・・・。」
（ｅ）段落 【００１９】
「その後、熱処理されたシリコンウェーハの表裏両面を不織布にウレタン樹脂を含浸・硬化させた研磨布を用いて研磨する（Ｓ１０８）。研磨量はウェーハ表裏両面を合わせて１０〜５０μｍ程度である。次に、この両面研磨後のシリコンウェーハの外周部をＰＣＲ加工する（Ｓ１０９）。・・・その後、このシリコンウェーハの片面に仕上げ研磨が施される（Ｓ１１０）。・・・。」　
（下線部は当審が付したものである。）
　
　したがって、刊行物１には次の発明（以下「刊行物１発明」という。）が記載されているものと認められる。　
「シリコンウェーハの製造方法において、
　シリコンインゴットを多数のシリコンウェーハにスライスし、
　シリコンウェーハの外周部を面取りし、
　＃２０００番以上のビトリファイド研削砥石を搭載した両面同時研削装置を使用してシリコンウェーハの両面を同時研削し、シリコンウェーハの両面をエッチングし、
　シリコンウェーハの両面を研磨し、さらにシリコンウェーハの片面を仕上げ研磨してシリコンウェーハを製造する、シリコンウェーハの製造方法。」
　
４．　対比 　
　本願発明と刊行物１発明とを対比すると、その文言上の意義、構造及び機能等からみて、刊行物１発明における「シリコンウェーハ」は、本願発明の「半導体ウェーハ」に相当し、以下同様に、「シリコンインゴット」は「半導体ロッド」に、「スライス」は「切断」に、「外周部」は「縁部」に、「研磨」は「予備研磨」にそれぞれ相当する。
　また、一般に、「ビトリファイド研削砥石」は、セラミックを結合材としたものであること、そして刊行物１発明の「２０００番」が、本願発明の「ＪＩＳ／ＵＳメッシュ＃２０００」に相当するものであること、また、両面同時研削装置が半導体ウェーハを両面から挟む２個の研削盤を有することは、研削の技術分野において技術常識であるから、刊行物１発明における「２０００番以上のビトリファイド研削砥石を搭載した両面同時研削装置」は、本願発明の「ＪＩＳ／ＵＳメッシュ＃２０００またはこれより細かい研削剤粒度を有する２個のセラミック結合研削盤」に相当するものである。　
　したがって、両者の一致点及び相違点は次のとおりである。 　
　
〈一致点〉　
「半導体ウェーハの製造方法において、
ａ）半導体ロッドを多数の半導体ウェーハに切断し、
ｂ）半導体ウェーハの縁部を面取りし、
ｃ）ＪＩＳ／ＵＳメッシュ＃２０００またはこれより細かい研削剤粒度を有する２個のセラミック結合研削盤を使用して半導体ウェーハの両面を同時研削し、半導体ウェーハの両面をエッチングし、　
ｄ）半導体ウェーハの両面を予備研磨し、さらに半導体ウェーハの片面を仕上げ研磨して半導体ウェーハを製造する、半導体ウェーハの製造方法。」　
〈相違点〉　
　両面同時研削の際に、本願発明においては、「研削盤は、同一直線上に配置されたスピンドル上に取り付けられ」るとともに「半導体ウェーハは、材料取り入れ手段を用いて強制的に案内せずに保持され」ており、この結果、「研削の際に交差する研削溝が形成され」るのに対して、刊行物１発明においては、そのような構成になっているか否か明確でない点。
 　 
５．　相違点についての検討及び判断    　
（１）相違点について 　
　「材料取り入れ手段」に関して、請求人は、平成２２年７月３０日付け意見書において、「本発明に係る『材料取り入れ手段』とは、半導体ウェーハを強制的に案内せずに（半導体ウェーハをチャックなどの保持具で拘束することなく）、研削加工の間にそれを取り入れておく器具（ホルダ）を表します。」（第２ページ第５０行〜第３ページ第２行）と主張していることから、「半導体ウェーハを拘束することなく研削加工の間にそれを取り入れておく器具」を意味するものであることは明らかである。　
　そして、加工対象表面の平坦化を行う際に、研削盤を同一直線上に配置されたスピンドル上に取り付けて、加工対象をチャックなどの保持具で拘束することなく保持した状態とすることは、従来より周知の技術（特開２０００−３３５６０号公報の図１、特開平９−２４８７４０号公報の図３、特開平１０−２５６２０３号公報の図１、特開平１１−１１４７８６号公報の図５、特公平４−２３８７号公報の図５を参照。）であり、このように加工対象を拘束せず研削盤を回転させて表面の平坦化処理を行うと、結果として交差する研削溝が形成されることは技術常識である。　
　したがって、刊行物１発明に上記周知技術を適用して、本願発明の相違点に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。 　
 
　なお、請求人は同意見書において、周知技術として例示した特開２０００−３３５６０号公報は、両面研磨の技術分野に関するものであり、本願発明の両面研削とは技術分野が異なる旨を主張している。　
　しかしながら、研削と研磨はどちらも表面の平坦化を目的とした極めて関連のある技術であり、研磨に用いる技術が研削に適用できないとする合理的な理由はないことから請求人の主張は採用できない。　
　 
（２）作用効果について　
　本願発明を全体構成でみても刊行物１発明及び上記周知技術から予測できる作用効果以上の顕著な作用効果を奏するものではない。
　
６．　むすび 　
　したがって、本願発明は、上記刊行物１及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、請求項２に係る発明を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 　
 　よって、結論のとおり審決する。