【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本実施形態において、パターン化アセンブリ120及び太陽電池110のうちの一方にバイアスをかけることができ、その一方で、パターン化アセンブリ120及び太陽電池110のうちの他方を電気的に浮遊させることができる。他の実施形態では、パターン化アセンブリ120及び太陽電池110のうちのバイアスをかけない一方を接地させることができる。他の実施形態では、パターン化アセンブリ120及び太陽電池110の双方にバイアスをかけるか;電気的に浮遊させるか;又は接地させることができる。バイアスをかける場合は、パターン化アセンブリ120、及び/又は太陽電池110に直接バイアスをかけるか、又は、例えばプラテン112のような他の構成要素を介して間接的にバイアスをかけることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
電流をパターン化アセンブリ120、太陽電池110、又は双方に印加する場合には、その電流は、パルス化電流、連続するDC又はRF電流とすることができる。パルス化電流をパターン化アセンブリ120及び太陽電池110の双方に印加する場合には、パルスを同期させるのがよい。例えば、パルス周波数、パルス幅、パルスの振幅、及び/又はパルスのタイミングを同期させることができる。パルス化電流は、システム100のアンテナ104a及び104bのうちの少なくとも1つに印加するパルス化DC又はRFの電流に同期させることもできる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
図3Dの断面図に示すように、アセンブリ120は、このアセンブリ120及び太陽電池を所望な方位に置くことができる太陽電池アライナを備えることもできる。パターン化アセンブリのアライナは、太陽電池110の側面の全体又は一部に接触するエッジ140aとすることができる。パターン化アセンブリのアライナは、太陽電池110の1つ以上の位置合わせ箇所と相通じて、パターン化アセンブリ120と太陽電池とを所望な方位に整列させる1つ以上の位置合わせ箇所140bを備えることもできる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
動作中、パターン化アセンブリ420は、粒子源114と太陽電池との間に位置させることができる。次に、粒子源114に含まれる粒子116を、太陽電池110の方へ向けることができる。その間、パターン化アセンブリ420に、電源106によってバイアスをかけることができる。太陽電池110の方へ向けられる粒子116の一部は、アセンブリセグメント420bの上に入射して、太陽電池110に注入されるのを防止することができる。一方、粒子の他の部分は、アパーチャ420aを通過するので、太陽電池110に注入することができる。図4に示したように、アパーチャ420aに入る粒子116は、アセンブリ420によって生じる静電力による影響を受けるので、粒子116の軌道は変化する。粒子116の電荷、及びアセンブリ420に印加されるバイアスのタイプと大きさに依存して、アセンブリは、粒子116を集束させることができる。従って、パターン化アセンブリ420は、太陽電池110に導入される粒子116の分解能を向上させることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
図5A−5Bには、システム400に組み込まれるパターン化アセンブリ520の平面図及び断面図を示してある。少なくとも1つのアパーチャ420aと少なくとも1つのパターン化アセンブリセグメント420bとに加えて、パターン化アセンブリ420は、このアセンブリ420と太陽電池（図示せず）とを所望の方位に整列させるために、アセンブリ520のどこかに位置させる、太陽電池アライナを備えることができる。本実施形態において、太陽電池アライナは、太陽電池の側面の全体又はその一部に接触するエッジ（図示せず）とすることができる。太陽電池アライナは、太陽電池又は太陽電池の位置合わせ箇所と相通じてパターン化アセンブリ420と太陽電池とを所望の方位に整列させる位置合わせ箇所440bとすることもできる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
図6A及び6Bには、システム400に組み込むことができる他のパターン化アセンブリ620の平面図及び断面図を示してある。パターン化アセンブリ620は、1つ以上のパターン化アセンブリユニット622を備えることができる。各ユニット622は、第1及び第2のパターン化アセンブリセグメント626a及び626bと、セグメント626aと626bとの間に位置するアパーチャ624とを備えることができる。パターン化アセンブリ620が複数のパターン化アセンブリユニット622を備える場合には、これらのパターン化アセンブリユニット622を、隣接するパターン化アセンブリユニット622の間に位置する第1の絶縁セグメント632によって、互いに離間させることができる。図6Bに示すように、パターン化アセンブリ620は、このパターン化アセンブリ620の任意の位置に配置する太陽電池アライナを備えることもできる。この太陽電池アライナは、太陽電池（図示せず）の側面の全体又は一部と接触するエッジ（図示せず）とし、太陽電池を所望な方位に向かせることができる。あるいは、太陽電池アライナは、太陽電池の1つ以上の位置合わせ箇所と相通じる位置合わせ箇所640bとすることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
図8A及び8Bには、図7に示すパターン化アセンブリ720の例の平面図及び断面図を示してある。第1及び第2の部分740及び750、並びに、これらの各部分740及び750における少なくとも1つのアパーチャ742及び752並びに少なくとも1つのパターン化アセンブリセグメント744及び754を有することに加えて、パターン化アセンブリ720は、このパターン化アセンブリ720と太陽電池とを所望の方位に整列させる太陽電池アライナを備えることもできる。図8Bの断面図に示すように、太陽電池アライナは、太陽電池の側面の全体又はその一部と接触するエッジ770aを含むことができる。太陽電池アライナは、太陽電池の1つ以上の位置合わせ箇所と相通じる少なくとも1つの位置合わせ箇所770bを含むこともできる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
図9Aに示すように、表面層906は、太陽電池900の下側の表面904に形成することができる。本開示において、表面層906は、例えばパッシベーティング層、誘電体層、ハード・マスク、金属層、フォトレジスト層のような、ポリマー、無機、セラミック、又は金属の層、又はその組合せで構成することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
次に、パターン化アセンブリ920を、下側の表面904の近くに配置することができる(図9F)。アセンブリ920のアパーチャ920aは、露出させたp型部分910aと整列させることができる一方で、アセンブリセグメント920bは、露出させたｎ型部分916aに整列させることができる。一実施形態において、図9Fに示すように、露出させたｐ型領域910a及びｎ型領域916aの各部分の大きさは、アパーチャ920aの大きさより小さくすることができる。他の実施形態では、露出させたｐ型領域910a及びｎ型領域916aの各部分の大きさは、アパーチャ920aの大きさと等しくすることができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
ｎ型コンタクト領域916aを形成するには、パターン化アセンブリ920のアパーチャ920aを露出したｎ型の部分と整列させるのに対し、アセンブリセグメント920bは、ｐ型コンタクト領域910aと整列させることができる。その後、追加のｎ型粒子914を、露出したｎ型部分916aに導入することができる。このプロセスでは、ｎ型領域916よりも高いｎ型キャリア濃度を有するｎ型コンタクト領域916aを形成することができる（図9G）。しかしながら、パターン化アセンブリセグメント920bによって、n型粒子914がｐ型コンタクト領域910aに導入されるのを防止することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
以下に、コンタクト領域1010a及び1016aを形成するためのステップを説明する。太陽電池1000の下側の表面1004に、表面層1006を形成することができる。上述したように、表面層は、例えば、パッシベーティング層、誘電体層、ハード・マスク、金属層、レジスト層を含むものとすることができる。表面層1006を形成した後に、この表面層1006の一部を除去することができる（図10E）。前の実施形態にて述べたように、表面層1006の部分は、リソグラフィ及びエッチングプロセスにより除去することができる。あるいは、表面層1006の一部は、パターン化アセンブリを配置して、例えば、エッチングプロセスにより選択的に表面層1006を取り除くことによって除去することができる。表面層1006の部分を除去することにより、ｐ型領域1010の一部及びｎ型領域1016の一部1016aを露出させることができる。図10Eに示すように、露出したｐ型部分1010a及びｎ型部分1016aの各々は、p型領域1010及びｎ型領域1016の各々より小さくすることができる。一実施形態では、図10Eに示すように、露出させるｐ型部分1010a及びｎ型部分1016aのそれぞれの大きさを、アパーチャ1020aの大きさより小さくすることができる。他の実施形態では、露出したｐ型部分1010a及びｎ型部分1016aのそれぞれを、アパーチャ1020aの大きさに等しくすることができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
次に、パターン化アセンブリ1020を、太陽電池1000の近くに配置することができる(図10E)。アセンブリ1020のアパーチャ1020aは露出したp型部分に整列させるのに対し、アセンブリセグメント1020bは、露出したｎ型部分に整列させることができる。パターン化アセンブリを整列させた後、追加のｐ型粒子1008を、露出したｐ型部分1010aに導入することができる(図10E)。このプロセスで、ｐ型領域1010より高いｐ型キャリア濃度を有するp型コンタクト領域1010aを形成することができる。しかしながら、パターン化アセンブリセグメント1020bによって、ｐ型粒子1008がｎ型領域の露出部分に導入されるのを防ぐことができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
ｎ型コンタクト領域1016aを形成するために、パターン化アセンブリ1020のアパーチャ1020aを、露出したｎ型部分に整列させる一方で、アセンブリセグメント1020bを、ｐ型コンタクト領域1010aに整列させることができる。その後、追加のｎ型粒子1014を、露出したｎ型部分に導入することができる。このプロセスで、ｎ型領域1016より高いｎ型キャリア濃度を有するｎ型コンタクト領域1016aを形成することができる（図10F）。しかしながら、パターン化アセンブリ部分1020bによって、ｎ型粒子1014がｐ型コンタクト領域1010aに導入するのを防止することができる。