【事件の表示】
　特願２００６−１０１８１０「ＣＤを動態制御する整合式光学計測およびリソグラフィ工程のシステム」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１０月１９日出願公開、特開２００６−２８７２３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
特許出願　　　　：平成１８年　４月　３日
（優先日　平成１７年４月２日　アメリカ合衆国）
拒絶理由　　　　：平成２１年　３月１３日（起案日）
意見及び手続補正：平成２１年　６月１６日
拒絶査定　　　　：平成２１年　８月１８日（起案日）
審判請求　　　　：平成２１年１２月１８日
手続補正　　　　：平成２１年１２月１８日
審尋　　　　　　：平成２２年１１月　４日（起案日）
回答　　　　　　：平成２３年　２月１４日
　
第２　補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２１年１２月１８日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　平成２１年１２月１８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は特許請求の範囲を下記のとおり補正するものである。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　本件補正前の請求項１，２及び８の「第２のプロセスウェーハ上の第２のレジストパターンを含む所定の第２のレジストパターンのＣＤを得るための，前記加熱工程に必要な第２の温度曲線を決定する装置」を「第２のプロセスウェーハ上の第２のレジストパターンを含む所定の３Ｄの第２のレジストパターンのＣＤを得るための，前記加熱工程に必要な前記３Ｄデータを基にした第２の温度曲線を決定する装置」と限定して減縮する。
　
　そうしてみると，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下，単に「特許法第１７条の２」という。）第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　そこで，本件補正後の請求項６に係る発明（以下「本件補正後発明」という。）について，特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか否か，すなわち，本件補正後発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かを以下で検討する。
　
２　本件補正後発明
　本件補正後発明は，特許請求の範囲の請求項１及び６に記載された下記のとおりのものである。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
【請求項１】
　整合された光学計測システムを含む半導体装置のリソグラフィ工程システムであって，
前記リソグラフィ工程システムは，
　プロセスウェーハを加熱するための複数の制御可能な温度加熱領域を含む加熱板を含み，前記プロセスウェーハ上にパターニングされたレジスト層を形成するための，前記制御可能な温度加熱領域の各々の温度に対応する第１の温度曲線を基にした加熱工程を含むリソグラフィ工程装置と，
　前記パターニングされたレジスト層からの散乱光線の生成および収集を行う装置と，
　前記散乱光線を処理して前記パターニングされたレジスト層のＣＤを含む３Ｄデータを得る装置と，
　第２のプロセスウェーハ上の第２のレジストパターンを含む所定の３Ｄの第２のレジストパターンのＣＤを得るための，前記加熱工程に必要な前記３Ｄデータを基にした第２の温度曲線を決定する装置と，
　前記第２の温度曲線を制御可能な温度加熱領域へ送信する装置と，を備え，
　前記第２の温度曲線を基に，前記加熱工程において前記第２のレジストパターンを加熱することを特徴とする半導体装置のリソグラフィ工程システム。
　
【請求項６】
　前記パターニングされたレジスト層からの散乱光線の生成および収集を行う装置は分光計を含み，
　前記分光計は，リフレクトメータまたはエリプソメータであることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ工程システム。
　
３　引用例
　本願の優先日よりも前に頒布された刊行物である特開２００３−２０９０５０号公報（拒絶理由通知の引用文献１，以下「引用例」という。なお，丸囲み数字については「〔１〕」，「〔２〕」などと代用表記する。）
　
記載事項ア　
「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は，半導体デバイスの製造において，特にフォトリソグラフィ工程において半導体基板上に所望のレジストパターンを形成する基板処理方法及び基板処理装置に関する。」
　
記載事項イ　
「【００１８】図１〜図３は本発明の第１の実施形態に係る塗布現像処理装置の全体構成を示す図であって，図１はその平面図，図２及び図３は塗布現像処理装置の正面図及び背面図である。
【００１９】この塗布現像処理装置１は，被処理基板として半導体ウェハＷをウェハカセットＣＲで複数枚たとえば２５枚単位で外部から装置１に搬入し又は装置１から搬出したり，ウェハカセットＣＲに対してウェハＷを搬入・搬出したりするためのカセットステーション１０と，塗布現像工程の中で１枚ずつウェハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理ステーション１２と，この処理ステーション１２と隣接して設けられる露光装置１００との間でウェハＷを受け渡しするためのインターフェース部１４とを一体に接続した構成を有している。
【００２０】カセットステーション１０では，図１に示すように，カセット載置台２０上の突起２０ａの位置に複数，例えば５個のウェハカセットＣＲがそれぞれのウェハ出入口を処理ステーション１２側に向けてＸ方向一列に載置され，カセット配列方向（Ｘ方向）およびウェハカセットＣＲ内に収納されたウェハのウェハ配列方向（Ｚ方向）に移動可能なウェハ搬送体２２が各ウェハカセットＣＲに選択的にアクセスするようになっている。さらに，このウェハ搬送体２２は，θ方向に回転可能に構成されており，図３に示すように後述する多段構成とされた第３の処理ユニット部Ｇ３に属する熱処理系ユニットにもアクセスできるようになっている。
【００２１】図１に示すように処理ステーション１２は，装置背面側（図中上方）において，カセットステーション１０側から第３の処理ユニット部Ｇ３，第４の処理ユニット部Ｇ４及び第５の処理ユニット部Ｇ５がそれぞれ配置され，これら第３の処理ユニット部Ｇ３と第４の処理ユニット部Ｇ４との間には，第１の主ウェハ搬送装置Ａ１が設けられている。この第１の主ウェハ搬送装置Ａ１は，後述するように，この第１の主ウェハ搬送体１６が第１の処理ユニット部Ｇ１，第３の処理ユニット部Ｇ３及び第４の処理ユニット部Ｇ４等に選択的にアクセスできるように設置されている。また，第４の処理ユニット部Ｇ４と第５の処理ユニット部Ｇ５との間には第２の主ウェハ搬送装置Ａ２が設けられ，第２の主ウェハ搬送装置Ａ２は，第１と同様に，第２の主ウェハ搬送体１７が第２の処理ユニット部Ｇ２，第４の処理ユニット部Ｇ４及び第５の処理ユニット部Ｇ５等に選択的にアクセスできるように設置されている。
【００２２】また，第１の主ウェハ搬送装置Ａ１の背面側には熱処理系ユニットが設置されており，例えばウェハＷを疎水化処理するためのアドヒージョンユニット（ＡＤ）１１０，ウェハＷを加熱する加熱ユニット（ＨＰ）１１３が図３に示すように下方から順に２段ずつ重ねられている。なお，アドヒージョンユニット（ＡＤ）はウェハＷを温調する機構を更に有する構成としてもよい。第２の主ウェハ搬送装置Ａ２の背面側には，ウェハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置（ＷＥＥ）１２０，ウェハＷに塗布されたレジスト膜厚を検査する膜厚検査装置１１９及び本発明に係る光学観察装置（ＯＣＤ）４０が多段に設けられている。
【００２３】光学観察装置４０は，例えば光の回折，干渉によりレジストパターンを認識するものであり，計算上のパターン（ライブラリ）とをパターンマッチングし，一致した計算上のパターンを実際のパターンとするものである。この光学観察装置４０で得られた観察データは複数の基板ごとに制御部６０に送出されるようになっており，制御部６０はこれらのデータに基づき，後述するようにポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）の制御を行うようになっている。なお，第２の主ウェハ搬送装置Ａ２の背面側は，第１の主ウェハ搬送装置Ａ１の背面側と同様に熱処理ユニット（ＨＰ）１１３が配置構成される場合もある。
【００２４】図３に示すように，第３の処理ユニット部Ｇ３では，ウェハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット，例えばウェハＷに所定の加熱処理を施す高温度加熱処理ユニット（ＢＡＫＥ），ウェハＷに精度の良い温度管理化で冷却処理を施す冷却処理ユニット（ＣＰＬ），ウェハ搬送体２２から主ウェハ搬送体１６へのウェハＷの受け渡し部となるトランジションユニット（ＴＲＳ），上下２段にそれぞれ受け渡し部と冷却部とに分かれて配設された受け渡し・冷却処理ユニット（ＴＣＰ）が上から順に例えば１０段に重ねられている。なお，第３の処理ユニット部Ｇ３において，本実施形態では下から３段目はスペアの空間として設けられている。第４の処理ユニット部Ｇ４でも，例えばポストベーキングユニット（ＰＯＳＴ），ウェハ受け渡し部となるトランジションユニット(ＴＲＳ)，レジスト膜形成後のウェハＷに加熱処理を施すプリベーキングユニット（ＰＡＢ），冷却処理ユニット（ＣＰＬ）が上から順に例えば１０段に重ねられている。更に第５の処理ユニット部Ｇ５には，例えば，本発明に係る熱処理ユニットとして，露光後のウェハＷに加熱処理を施すためのポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ），冷却処理ユニット（ＣＰＬ），ウェハＷの受け渡し部となるトランジションユニット(ＴＲＳ)が例えば上から順に１０段に重ねられている。本実施形態では，ポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）が５つ備えられており，上段から順にＰＥＢ〔１〕〜ＰＥＢ〔５〕とする。
【００２５】図１において処理ステーション１２の装置正面側（図中下方）には，第１の処理ユニット部Ｇ１と第２の処理ユニット部Ｇ２とがＹ方向に併設されている。この第１の処理ユニット部Ｇ１とカセットステーション１０との間及び第２の処理ユニット部Ｇ２とインターフェース部１４との間には，図２に示すように，各処理ユニット部Ｇ１及びＧ２で供給する処理液の温調に使用される液温調ポンプ２４，２５がそれぞれ設けられており，更に，この塗布現像処理装置１外に設けられた図示しない空調器からの清浄な空気を各処理ユニット部Ｇ１〜Ｇ５内部に供給するためのダクト等３１，３２が設けられている。
【００２６】図２に示すように，第１の処理ユニット部Ｇ１では，カップＣＰ内でウェハＷをスピンチャックに載せて所定の処理を行う５台のスピナ型処理ユニット，例えば，ウェハ上にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）が３段及び露光時の光の反射を防止するために反射防止膜を形成するボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）が２段，下方から順に５段に重ねられている。また第２の処理ユニット部Ｇ２でも同様に，５台のスピナ型処理ユニット，例えば現像処理ユニット（ＤＥＶ）が５段に重ねられている。レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）ではレジスト液の排液が機構的にもメンテナンスの上でも面倒であることから，このように下段に配置するのが好ましい。しかし，必要に応じて上段に配置することも可能である。」
　
記載事項ウ　
「【００３３】図５は，当該光学観察装置４０の概念的な構成図を示す。この光学観察装置４０は，破線で示す光学系６１を含み，この光学系６１は，例えば白色光を発するキセノンランプ６２と，このキセノンランプ６２からの光を直角下方向に反射させるように配置されたハーフミラー５６と，このハーフミラー５６による反射光をウェハＷ表面に形成されたレジストパターンに導くレンズ５４と，ウェハＷからの反射回折光を検出する検出器５７とを有している。また，この光学観察装置４０には，ウェハＷを載置するステージ５３が設けられ，また検出器５７による検出結果を処理する処理部１１が接続されている。光学系６１は，図示しない駆動機構によりウェハＷの面方向に平行な方向（Ｘ−Ｙ方向）に移動可能に構成されており，ウェハＷ上に形成された１チップごとに光を照射し観察できるようになっている。
【００３４】処理部１１は，例えば，検出器５７による検出結果３５と，レジストパターンの状態（例えば線幅，各パターンの間ピッチ，高さ等）に対応する回折パターンを計算（シミュレーション）により導出する算出部５９と，この算出部５９により導出された複数の回折パターンを記憶する記憶部５８と，検出結果３５と記憶部５８に記憶された複数の回折パターンとを比較し，その比較された複数の回折パターンのうち検出結果３５に対応する１つの回折パターンを測定結果として記憶部５８から抽出する解析部５２とを有している。これにより，この光学観察装置４０は，検出結果３５と記憶部５８に記憶された計算上のパターン（ライブラリ）とをパターンマッチングし，一致した計算上のパターンを実際のパターンとみなすことができる。より具体的な一例として，本実施形態では，例えばスキャテロメトリ（Ｓｃａｔｔｅｒｏｍｅｔｒｙ）技術によりパターンマッチングを行っている。」
　
記載事項エ　
「【００３５】図６及び図７は，本発明に係るポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）の平面図及び断面図である。なお，ＰＥＢ〔１〕〜ＰＥＢ〔５〕は同一の構成を有している。また，他の熱処理系のユニットであるプリベーキングユニット（ＰＡＢ）やポストベーキングユニット（ＰＯＳＴ）は，このポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）とほぼ同一の構成を有している。
【００３６】図６に示すように，これらのユニットは筐体７５に囲繞されており，処理室３０内において背面側には，温度コントローラ３４による制御の下，ウェハＷを載置させて例えば７０℃〜１５０度で加熱処理するための加熱板８６が設けられ，正面側には，ウェハＷを載置させて温調する温調プレート７１が設けられている。
【００３７】加熱板８６は支持体８８に支持されており，この支持体８８の下方部からウェハＷを支持するための昇降ピン８５が昇降シリンダ８２により昇降可能に設けられている。また，加熱板８６の上部には，加熱処理の際に加熱板８６を覆う図示しないカバー部材が配置されている。
【００３８】温調プレート７１の温度調整機構としては，例えば冷却水やペルチェ素子等を使用してウェハＷの温度を所定の温度，例えば４０℃前後に調整して温度制御が行われるようになっている。この温調プレート７１は，図６に示すように切欠き７１ａが形成されており，この温調プレート７１の下方に埋没している昇降ピン８４が，昇降シリンダ８１によって温調プレート表面から出没可能になっている。また，この温調プレート７１には，例えばモータ７９ａによりレール７７に沿って移動可能となっており，これにより，ウェハの温調を行いながら加熱板８６に対してウェハの受け渡しが行われるようになっている。
【００３９】また，このポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）には，気圧コントロールのためのエアの流路７５ｃが形成されており，この流路７５ｃからのエアはファン８７ａを介して処理室３０に流入されるようになっている。また，処理室３０内のエアは両壁面に設けられたファン８７ｂにより排気口７５ｄから排気されるようになっている。
【００４０】更にこの筐体７５の温調プレート側７１の一方の側面部分には，例えば第４の処理ユニット部Ｇ４に関しては，第1の主ウェハ搬送装置Ａ１との間でウェハＷの受け渡しを行うために，開口部７５ａが設けられており，他方の側面部分には，第２の主ウェハ搬送装置Ａ２側の開口部に対向するように開口部７５ｂが設けられている。これら開口部７５ａ，７５ｂにはそれぞれ図示しない駆動部により開閉自在とされたシャッタ７６ａ，７６ｂが設けられている。」
　
記載事項オ　
「【００４２】図８は，ＰＥＢ〔１〕〜ＰＥＢ〔５〕の制御系を示している。制御部６０は光学観察装置４０の線幅測定で得られた複数の基板の線幅データを記憶している。図８においてＰＥＢ〔１〕〜ＰＥＢ〔５〕におけるそれぞれの加熱板を，符号８６〔１〕〜８６〔５〕で表している。加熱板８６には，図示するように，例えばニクロム線等からなる９個のヒータ９１〜９９が内蔵されており，各ヒータ９１〜９９は，温度コントローラ３４ａによりそれぞれ別個独立してその加熱温度が制御されるようになっている。他のＰＥＢ〔２〕〜ＰＥＢ〔５〕における加熱板８６〔２〕〜８６〔５〕についても同様に温度コントローラ３４ｂ〜３４ｅにより制御されるようになっている。」
　
記載事項カ　
「【００４３】次に，以上説明した塗布現像処理装置１の一連の処理工程について，図９に示すフローを参照しながら説明する。
【００４４】先ず，カセットステーション１０において，ウェハ搬送体２２がカセット載置台２０上の処理前のウェハＷを収容しているカセットＣＲにアクセスして，そのカセットＣＲから１枚のウェハＷを取り出す。そして，次にウェハＷは，受け渡し・冷却処理ユニット（ＴＣＰ）を介して第１の主ウェハ搬送装置Ａ１に受け渡され，ボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）へ搬送される。そしてここで，露光時においてウェハからの露光光の反射を防止するために反射防止膜が形成される（ステップ１）。
【００４５】次に，ウェハＷは，第３の処理ユニット部Ｇ３におけるベーキング処理ユニットに搬送され，例えば１２０℃で所定の加熱処理が行われ（ステップ２），冷却処理ユニット（ＣＰＬ）で所定の冷却処理が行われた後（ステップ３），ウェハＷは，レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）において，所望のレジスト膜が形成される（ステップ４）。
【００４６】レジスト膜が形成されると，第１の主ウェハ搬送装置Ａ１によりウェハＷはプリベーキングユニット（ＰＡＢ）に搬送され，例えば１００℃前後で所定の加熱処理及び温調処理が行われる（ステップ５）。
【００４７】次に，ウェハＷは冷却処理ユニット（ＣＰＬ）で所定の温度で冷却処理される（ステップ６）。この後，ウェハＷは第２の主搬送装置Ａ２により取り出されて膜厚検査装置１１９へ搬送され，レジスト膜厚の測定が行われる場合もある。そしてウェハＷは，第５の処理ユニット部Ｇ５におけるトランジションユニット(ＴＲＳ)及びインターフェース部１４を介して露光装置１００に受け渡されここで露光処理される（ステップ７）。
【００４８】次に，ウェハＷはインターフェース部１４及び第５の処理ユニット部Ｇ５におけるトランジションユニット(ＴＲＳ)を介して第２の主搬送装置Ａ２に受け渡された後，ポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）〔１〕〜〔５〕のうちいずれかに搬送され，ここで所定の加熱処理及び温調処理が行われる（ステップ８）。この後，冷却処理ユニット（ＣＰＬ）で所定の冷却処理が行われる（ステップ９）露光処理終了後，ウェハＷはインターフェース部１４において一旦バッファカセットＢＲに収容される場合もある。そして，ウェハＷは現像処理ユニット（ＤＥＶ）に搬送され現像処理が行われる(ステップ１０)。
【００４９】次に，ウェハＷは第２の主ウェハ搬送装置Ａ２を介して光学観察装置４０に搬入され，ここでレジストパターンが認識されてレジストパターンの線幅が測定される。この線幅の測定は，ウェハ上の複数のチップについて行うようにしてもよい。このように複数のチップに対して測定した場合は，それら線幅の平均値を求めるようにすればよい。
【００５０】図１０は，例えばＰＥＢ〔１〕〜ＰＥＢ〔５〕における加熱板８６〔１〕〜８６〔５〕でそれぞれ加熱処理されたウェハＷ〔１〕〜Ｗ〔５〕上の線幅の測定結果を示す。例えば目標線幅が１５０ｎｍであるとき，ウェハＷ〔２〕の線幅が目標線幅であり，他のウェハＷ〔１〕，〔３〕〜〔５〕は目標より図示のようにずれがあったとする。ここで，図１１に示すように，加熱板によるウェハの加熱温度が高いほど線幅が小さくなる関係にあるため，この関係を利用して図１２に示すように，加熱板８６〔１〕，〔３〕〜〔５〕の加熱温度にオフセットをかける。すなわち，ウェハＷ〔２〕の線幅が目標線幅で所望の線幅が得られたので加熱板８６〔２〕の加熱温度は変更せず，加熱板８６〔１〕，〔３〕〜〔５〕の加熱温度を図示するように補正する。
【００５１】本実施形態は，加熱温度の補正前は，加熱板８６〔１〕〜８６〔５〕すべて同一の加熱温度（例えば９０℃）で処理した結果，各ウェハ〔１〕，〔３〕〜〔５〕に線幅のずれが生じたので，それぞれの加熱板〔１〕，〔３〕〜〔５〕を補正しようとするものである。例えば図１１においては，加熱板〔１〕は８９℃，加熱板〔３〕は９２℃，加熱板〔４〕は８８℃，加熱板〔５〕は９１℃に補正している。この場合，各ヒータ９１〜９９は加熱板面内で全て同一温度になるように制御することが好ましい。
【００５２】従来においては，複数のポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）間で同じ環境，すなわち同じ加熱温度に設定して厳しく線幅の管理を行った場合であっても複数のウェハ間で線幅のばらつきが生じていたが，本実施形態のように，線幅の測定結果に基づきウェハの加熱温度を補正することにより，精密に線幅を制御でき，所望のレジストパターンを形成することができる。従って，複数のウェハ間でばらつきを抑え，線幅の均一性を向上させることができる。」
　
記載事項キ　
「【００５４】また，本実施形態は，最初に数枚のテスト用のウェハを用いて加熱温度の補正を行うようにしてから，実際の製品ウェハを用いて製造することも可能であるし，あるいは製品製造段階において動的に加熱温度の制御を行うことも可能である。」
　
記載事項ク　
「【００５５】次に，１枚のウェハ面内における加熱温度の制御について説明する。図１３（ａ）は，ウェハ面内（ウェハ径方向）における，光学観察装置４０で測定された線幅を示している。このように，例えばウェハ面内における線幅が均一でない場合，図１１に示す相関関係により，図１４に示すように，加熱板８６に載置された当該ウェハＷを図１３（ｂ）で示すような温度になるように制御する。この場合，１つの加熱板８６内における各ヒータ９１〜９９による加熱温度を別個独立して制御し加熱板８６内（加熱板８６の径方向）で加熱温度が異なるようにする。これにより，ウェハ面内における線幅を均一にすることができる。
【００５６】また，同様に，例えば測定された線幅が図１５（ａ）のＡに示すような場合には，（ｂ）のＣに示すように加熱板８６の温度制御をすることにより，また，線幅が（ａ）のＢに示すような場合には，（ｂ）のＤに示すように加熱板８６の温度制御をすることにより，ウェハ面内における線幅を均一にすることができる。」
　
　これら記載事項及び各図を考慮して引用例に記載された発明を分説して記載すると，下記のとおりとなる（以下，この発明を「引用発明」といい，また，分説された構成を「構成要件Ａ」などという。）。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
Ａ　塗布現像処理装置（１）は，カセットステーション（１０）と，処理ステーション（１２）と，インターフェース部（１４）とを一体に接続した構成を有し，
Ｂ　カセットステーション（１０）では，ウェハ搬送体（２２）が各ウェハカセット（ＣＲ）に選択的にアクセスするようになっており，
Ｃ　処理ステーション（１２）は，ウェハ上にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ），レジスト膜形成後のウェハＷに加熱処理を施すプリベーキングユニット（ＰＡＢ），露光後のウェハＷに加熱処理を施すためのポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ），現像処理ユニット（ＤＥＶ），光学観察装置（４０）を含み，
Ｄ　光学観察装置（４０）は光学系（６１）を含み，光学系（６１）は，例えば白色光を発するキセノンランプ（６２）と，このキセノンランプ（６２）からの光を直角下方向に反射させるように配置されたハーフミラー（５６）と，このハーフミラー（５６）による反射光をウェハ（Ｗ）表面に形成されたレジストパターンに導くレンズ（５４）と，ウェハ（Ｗ）からの反射回折光を検出する検出器（５７）とを有し，
Ｅ　光学観察装置（４０）には，ウェハ（Ｗ）を載置するステージ（５３）が設けられ，また検出器（５７）による検出結果を処理する処理部（１１）が接続され，
Ｆ　処理部（１１）は，例えば，検出器（５７）による検出結果（３５）と，レジストパターンの状態（例えば線幅，各パターンの間ピッチ，高さ等）に対応する回折パターンを計算（シミュレーション）により導出する算出部（５９）と，この算出部（５９）により導出された複数の回折パターンを記憶する記憶部（５８）と，検出結果（３５）と記憶部（５８）に記憶された複数の回折パターンとを比較し，その比較された複数の回折パターンのうち検出結果（３５）に対応する１つの回折パターンを測定結果として記憶部（５８）から抽出する解析部（５２）とを有して，
Ｇ　光学観察装置（４０）は，検出結果（３５）と記憶部（５８）に記憶された計算上のパターン（ライブラリ）とをパターンマッチングし，一致した計算上のパターンを実際のパターンとみなし，
Ｈ　光学観察装置（４０）で得られた観察データは複数の基板ごとに制御部（６０）に送出されるようになっており，制御部（６０）はこれらのデータに基づき，ポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）の制御を行うようになっており，ポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）の加熱板（８６）には，例えばニクロム線等からなる９個のヒータ（９１〜９９）が内蔵されており，各ヒータ（９１〜９９）は，温度コントローラ（３４ａ）によりそれぞれ別個独立してその加熱温度が制御され，
Ｉ　ウェハ搬送体（２２）が，カセット（ＣＲ）から１枚のウェハ（Ｗ）を取り出し，
Ｊ　ウェハ（Ｗ）は，レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）において，所望のレジスト膜が形成され，プリベーキングユニット（ＰＡＢ）に搬送され，例えば１００℃前後で所定の加熱処理及び温調処理が行われ，インターフェース部（１４）を介して露光装置（１００）に受け渡されここで露光処理され，ポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）に搬送され，ここで所定の加熱処理及び温調処理が行われ，現像処理ユニット（ＤＥＶ）に搬送され現像処理が行われ，光学観察装置（４０）に搬入され，ここでレジストパターンが認識されてレジストパターンの線幅が測定され，
Ｋ　１枚のウェハ面内における加熱温度の制御は，例えばウェハ面内における線幅が均一でない場合，１つの加熱板（８６）内における各ヒータ（９１〜９９）による加熱温度を別個独立して制御し加熱板（８６）内で加熱温度が異なるようにして，ウェハ面内における線幅を均一にすることができる，
Ｌ　塗布現像処理装置（１）。
　
４　周知例
(1)　周知例１
　特開２００２−３３４９１３号公報（平成１４年１１月２２日公開，以下「周知例１」という。）には，各図とともに以下のとおり記載されている。
「【００２１】異なるテストパターンプロフィールをモデル化するために，これらの特徴が，高さおよび幅だけでなくより多くの寸法によってキャラクタライズされる。図２（ａ）は，頂部の丸みと底部の脚部とを含む台形のプロファイル形状を有するテストパターン特徴の断面図である。図２（ｂ）は，特徴の脚部の底部幅ｗ１と，台形底部幅ｗ２と，丸い頂部幅ｗ３と，台形頂部幅ｗ３と，丸い頂部幅ｗ４と，底部脚部高さｐ１と，頂部丸みの前方の高さｐ２と，全高ｈとを含む，関連の特徴寸法である。頂部の丸みと底部の脚部とを含む台形特徴に関する２つの重要な寸法統計値が，式（ｐ１／ｈ）＊１００で算出される底部脚部パーセント高さと，式（ｐ２／ｈ）＊１００で算出される頂部丸みパーセント高さである。
【００２２】幾つかの応用例は，Ｔ形の頂部，丸み，アンダカット，凹形の側壁，凸形の側壁，および，下部の厚さを計算に入れるための他のプロファイル測定値を含んでよく，一方，他の応用例は，より単純な特徴プロファイル寸法を使用してもよい。本発明の原理を例示するために，特徴の頂部幅と隣接する特徴の相互間の距離とを，後述する数学モデルで考察する。しかし，本発明の原理と着想は複雑な特徴プロファイルのキャラクタリゼーションにも適用される。」
「【００２５】本発明の目的の１つは，ＯＰＣ方法の使用，マイクロローディング効果を補正するためのダミーパターン，または，位相シフトマスクの使用の効果を評価するために，テストパターンの格子特徴のより多くの２次元または３次元寸法プロファイルを得るための方法およびシステムである。残りの図が，マスク設計と格子製造プロセスとにおける補正方法の効果を評価するために幾つかの構成のマクロ格子テストパターンのプロファイル寸法を抽出する目的で算出スペクトルデータを使用する方法およびシステムを例示する。図５（ａ），図５（ｂ），および，図５（ｃ）の目的は，マクロ格子テストパターンにおける個々の特徴のプロファイル寸法が楕円偏光計測装置とスペクトルデータ照合プロセスとによって求めることができることを示すことである。図６（ａ）と図６（ｂ）は，異なるマクロ格子テストパターンにおける個々の特徴が反射率計測装置と同様のスペクトルデータ照合プロセスとによって求めることができる同様のプロセスを示す。楕円偏光計測装置，反射率計測装置，または，他の光学計測装置が使用可能である。図７と図８は，算出されたスペクトルデータを含むプロファイルライブラリが，マクロ格子の特徴寸法を得るためにマクロ格子のテストパターンの測定スペクトルデータに対して照合される方法およびシステムを示す。
【００２６】図５（ａ）は，３線テストパターン線クラスタと間隔と別の３線テストパターン線クラスタという構成を示すマクロ格子テストパターンの断面図である。第１のテストパターン線クラスタでは，中間のテストパターン線３２が変数Ｌ０によって表される線幅を有し，中間テストパターン線３２とその次のパターン線３３との間の距離が変数Ｌ１によって表され，その次のテストパターン線３３の幅が変数Ｌ２である。Ｌ３は，第１のクラスタのテストパターン線３３と第２のクラスタのテストパターン線３４の間の可変距離である。図５（ｂ）は，図５（ａ）のテストパターンからの反射スペクトルの計算で使用される変数の値の表である。ナノメートル（ｎｍ）単位の３組の値が，図５（ａ）におけるマクロ格子テストパターンの変数Ｌ０，Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に対して選択された。
【００２７】図５（ｃ）と図５（ｄ）は，３組の寸法変数値に対応し算出された反射スペクトルデータの楕円偏光計測グラフを示す。図５（ｃ）のＸ軸はナノメートル単位の波長であり，Ｙ軸はｔａｎ（ψ）を示す。図５（ｃ）のグラフに見て分るように，回折ビームの波長の関数としてのｔａｎ（ψ）の３つのグラフが，互いに識別可能である。これら３つのグラフが互いに識別可能なので，算出されたスペクトルデータは，マクロ格子テストパターンからの測定されたスペクトルデータに対して照合され，それによってテストパターン全体のプロファイルデータを得るための方法を提供することが可能である。図５（ｄ）は，Ｘ軸においてナノメートル単位の波長と，Ｙ軸においてＣＯＳ（Δ）とを有する。この場合にも同様に，グラフから明らかなように，回折ビームの波長の関数としての３つのグラフＣＯＳ（Δ）は互いに識別可能である。」
　
(2)　周知例２
　特開平９−２３７８１２号公報（平成９年９月９日公開，以下「周知例２」という。）には，各図とともに以下のとおり記載されている。
「【００１２】図１は，本発明の原理を説明する。図１を参照するに，本発明では，エリプソメトリを使い，基板１０上に形成されたパターン１１に入射した光ビームの偏光状態を検出することにより，パターン１１の横方向への幅Ｗを求める。
【００１３】入射光ビームはパターン１１に入射角θで入射し，互いに直交する振動電界成分ＥｐとＥｓが，偏光角φの直線偏光を形成する。かかる入射光ビームは，パターン１１の一の側から他の側に通過するが，その際各振動成分で基板１０との境界あるいは空気との境界における屈折率と反射率が異なることと，パターン内部を通過する際に生じる位相おくれのために，パターン通過後の振動成分Ｅｐ’，Ｅｓ’は楕円偏光を形成する。
【００１４】図２は，図１の一部を拡大して詳細に示す。図２を参照するに，パターン１１はパターン要素１１ａ，１１ｂよりなり，パターン要素１１ａには直線偏光状態の入射光ビームを構成する光線ａ〜ｃが入射し，屈折・反射された後楕円偏光となって出射する。」
　
(3)　周知例３
　特開２００５−９９４１号公報（平成１７年１月１３日公開，以下「周知例３」という。）には，各図とともに以下のとおり記載されている。
「【００２１】図２に，分光エリプソメトリ法を用いた周期的パターンの断面形状測定装置の光学系の一例を示す。光源４から出た入射光４ａは，回転可能なポラライザ５を通過することにより，偏光面（Ｓ偏光，Ｐ偏光）が調整されるとともに位相が揃えられ，周期的パターン６に向けて照射される。周期的パターン６で反射された反射光４ｂは，その波長に応じて分光光学系７によって空間的に波長分離される。その分離光４ｃは，アレー状に光電検出器が配列した光検出器８により波長ごとに検出され，波長ごとのＳ偏光及びＰ偏光の強度比や位相差が検出され，それらの情報は計算機９へと送られる。計算機９では，光検出器５からの情報と後述するライブラリ情報とが比較されて周期的パターンの断面形状が算出され，その結果が被測定対象物である周期的パターン６の断面形状として出力される。
【００２２】この図２で説明する分光エリプソメトリ法においては，入射角度を固定し，複数の波長を有する入射光（ブロードバンド光）４ａを照射して反射光４ｂの状態を検出している。しかしながら，分光エリプソメトリ法ではレジスト膜厚やレジストパターン形状が異なっても，入射光の入射条件（入射角度・入射光の波長等）によっては同じ強度比・位相差状態となってしまう場合がある。そのため，複数の入射条件（複数の入射角度による照射，又は，複数の波長の入射光での照射）における反射光の変化を検出することにより，測定精度を向上させることも行われる。 【００２３】上記に説明した分光エリプソメトリ法を用いた断面形状測定装置は，光を用いたＣＤ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ，すなわち周期的パターンの線幅）測定装置として前述の計測機器メーカから販売されている。これらの装置によりＣＤ測定に限らず周期的パターンの高さや側壁角度（Ｓｉｄｅ  ｗａｌｌ  ａｎｇｌｅ）の測定も可能である。これらの測定値に基づいて，図３に示す手順に従って被測定物としての周期的パターンの断面形状が測定される。
【００２４】まず測定前の準備段階として，想定される周期的パターンの断面形状を計算機９上で定義し，各断面形状からの反射光の状態をシミュレーション計算により求めてその状態値をライブラリとして保持しておく。すなわち，周期的パターン６を構成する物質Ｍ２（レジスト）の光学定数（屈折率ｎ，吸収係数ｋ，各物質の厚さｄ）に基づき（工程１），複数の異なる入射光の入射条件（複数の入射角度，複数の波長光の照射）において（工程２），想定される断面形状（工程３）に入射光が入射した場合に反射光から得られる情報（強度比の変化，位相差の変化）を計算により求める（工程４）。
【００２５】異なる断面形状を各種定義してそれぞれの断面形状に対してこの一連の計算を行い（工程３），得られた計算結果とそれに対応する断面形状とを関連付けてライブラリとして記憶装置に記憶させる。ここでライブラリとは，光学定数と互いに異なる断面形状を有する周期的パターンとに基づいて行われたシミュレーション計算によって得られた光束状態が，その光束状態に対応する周期的パターンの断面形状や光学定数に関連付けられたデータ又はデータベースのことを言う。
【００２６】工程１において用いる周期的パターンの光学定数は，複数の入射条件のパラメータとして入射角度又は入射光波長のいずれを用いるかによって必要とされる内容が異なる。単波長を用いて入射角度を変化させ，各入射角度ごとに得られる反射光に対して測定を行う場合は，測定に用いる単波長に対する光学定数を計算機に入力する。一方，入射角度を固定して入射光の波長を変化させ，各波長ごとに得られる反射光に対して測定を行う場合は，測定に用いる各波長ごとの光学定数を計算機に入力する必要がある。
【００２７】次に，実際の被測定物としての周期的パターン６に入射光４ａを入射し（工程５），得られる反射光４ｂの情報（強度比の変化，位相差の変化）を光検出器８により検出する（工程６）。記憶装置に記憶されたライブラリの光束情報とこの検出値より得られた実際の反射光４ｂの情報とを比較して，ライブラリの中から実際の反射光４ｂの情報と一致する光束情報を抽出する（工程７）。計算機９上で定義された断面形状のうち，その光束情報に関連付けられた周期的パターンの断面形状を，実際の被測定物としての周期的パターン６の断面形状とする（工程８）。」
　
(4)　周知例４
　特表２００４−５３６３１４号公報（平成１６年１２月２日公開，以下「周知例４」という。）には，各図とともに以下のとおり記載されている。
「【背景技術】【０００２】半導体工業において，ウエハー上の素子サイズの縮小が続いている。これらの素子には，ある高さ（又は深さ），幅及び形（輪郭）を持った隆起側面形状及び溝が含まれる。これらの素子の正確な計測は，適切な歩留まりを確保するために必要である。
【０００３】これらの微細な（限界寸法の）周期構造素子を計測するのに適当な技術は極めて限られている。光学的計測技術は，非接触で計測する技術なのでこれに最も適している。しかし，既存の光学的検出器の光線における最も小さなスポットサイズであっても，計測を必要とする周期構造素子のサイズより大きい。
【０００４】図１は，基本的な周期パターン１０を持つ基板８を描いたものである。このパターンは，特有の高さ，間隔及び高さを持っている。この図において，構造物の側壁は垂直ではないので，幅は構造物の高さにより変化する。図１はまた，各要素間の間隔より大きなスポットの探査用光線１２を示している。
【０００５】このような小さな構造を直接計測するのは難しいので，スキャタロメータの技術開発がもたらされた。このような技術は，一般的に周期的な構造物から反射された光は散乱し，そして，格子から散乱した光として数学的に取り扱うことができるという事実に基づく。周期的構造の解析のために，試料から散乱した光を計測し分析する計測装置を開発するために，大きな努力が積み重ねられた。
【０００６】例えば，米国特許No. 5,607,800は，広帯域の探査用光線が試料と相互に作用するときに生まれる反射（散乱）光を計測する概念を公開している。波長の関数としての反射光強度は，多数の既知の周期構造を持つ参照試料として記録される。次いで，試料が同様の方法で計測され，その出力が参照試料から得られた出力と比較される。試料の光学的反応と最も近い参照試料が，その試料に類似する周期構造をもつものとみなされる。
【０００７】関連する方法は，米国特許No. 5,739,909に公開されている。このシステムによれば，分光エリプソメータ計の計測値が周期構造の特性を調べるために使われる。この方法では，波長の関数としての偏光状態の変化が周期構造に関する情報として記録される。」
　
５　対比
　本件補正後発明と引用発明を対比すると以下のとおりとなる。
　
(1)　リソグラフィ工程装置
　構成要件Ｈ及びＫからみて，引用発明の「加熱板（８６）」と本件補正後発明の「加熱板」は，「プロセスウェーハを加熱するための複数の制御可能な温度加熱領域を含む加熱板」の点で一致する。そして，構成要件ＨないしＫからみて，引用発明の「ポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）」は「プロセスウェーハを加熱するための複数の制御可能な温度加熱領域を含む加熱板を含み，前記プロセスウェーハ上にパターニングされたレジスト層を形成するための，前記制御可能な温度加熱領域の各々の温度に対応する第１の温度曲線を基にした加熱工程」を行うことができ，しかも，構成要件Ｊからみて，リソグラフィ工程の一部をなす装置である。
　そうしてみると，引用発明の「ポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）」を含む処理装置は，本件補正後発明の「プロセスウェーハを加熱するための複数の制御可能な温度加熱領域を含む加熱板を含み，前記プロセスウェーハ上にパターニングされたレジスト層を形成するための，前記制御可能な温度加熱領域の各々の温度に対応する第１の温度曲線を基にした加熱工程を含むリソグラフィ工程装置」に対応する構成を備えているものである。
　
(2)　散乱光線の生成および収集を行う装置
構成要件Ｄ，Ｅ及びＪからみて，引用発明の「光学系（６１）」は本件補正後発明の「前記パターニングされたレジスト層からの散乱光線の生成および収集を行う装置」に相当する。
　
(3)　３Ｄデータを得る装置
　構成要件Ｆ及びＧからみて，引用発明の「処理部（１１）」は本件補正後発明の「前記散乱光線を処理して前記パターニングされたレジスト層のＣＤを含む３Ｄデータを得る装置」に相当する。
　
(4)　第２の温度曲線を決定する装置
　構成要件Ｈ及びＫからみて，引用発明の「制御部（６０）」と本件補正後発明の「第２の温度曲線を決定する装置」は，「前記加熱工程に必要な前記３Ｄデータを基にした第２の温度曲線を決定する装置」の点で共通する。
　
(5)　送信する装置
　構成要件Ｈからみて，引用発明の「温度コントローラ（３４ａ）」は本件補正後発明の「前記第２の温度曲線を制御可能な温度加熱領域へ送信する装置」に相当する。
　
(6)　半導体装置のリソグラフィ工程システム
　(1)ないし(5)の対比結果及び構成要件ＡないしＬからみて，引用発明の「塗布現像処理装置（１）」は本件補正後発明の「整合された光学計測システムを含む半導体装置のリソグラフィ工程システム」に相当する。また，構成要件Ｈ及びＫからみて，引用発明の「塗布現像処理装置（１）」は「前記第２の温度曲線を基に，前記加熱工程において前記第２のレジストパターンを加熱する」ものである。
　
　そうしてみると，本件補正後発明と引用発明は，
「　整合された光学計測システムを含む半導体装置のリソグラフィ工程システムであって，
前記リソグラフィ工程システムは，
　プロセスウェーハを加熱するための複数の制御可能な温度加熱領域を含む加熱板を含み，前記プロセスウェーハ上にパターニングされたレジスト層を形成するための，前記制御可能な温度加熱領域の各々の温度に対応する第１の温度曲線を基にした加熱工程を含むリソグラフィ工程装置と，
　前記パターニングされたレジスト層からの散乱光線の生成および収集を行う装置と，
　前記散乱光線を処理して前記パターニングされたレジスト層のＣＤを含む３Ｄデータを得る装置と，
　前記加熱工程に必要な前記３Ｄデータを基にした第２の温度曲線を決定する装置と，
　前記第２の温度曲線を制御可能な温度加熱領域へ送信する装置と，を備え，
　前記第２の温度曲線を基に，前記加熱工程において前記第２のレジストパターンを加熱する半導体装置のリソグラフィ工程システム。」
の点で一致し，以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　本件補正後発明の「第２の温度曲線を決定する装置」は「第２のプロセスウェーハ上の第２のレジストパターンを含む所定の３Ｄの」第２のレジストパターンのＣＤを得るための，前記加熱工程に必要な前記３Ｄデータを基にした第２の温度曲線を決定する装置であるのに対して，引用発明の「制御部（６０）」は，これが明らかではない点。
　
（相違点２）
　本件補正後発明の「前記パターニングされたレジスト層からの散乱光線の生成および収集を行う装置」は「分光計を含み，前記分光計は，リフレクトメータまたはエリプソメータである」のに対して，引用発明の「光学系（６１）」は，これが明らかではない点。
　
６　判断
（相違点１について）
　引用発明の「制御部（６０）」が直接的に考慮しているものは「線幅」であるが，引用発明の構成要件Ｆ，Ｇ及びＫ並びに引用例の記載事項キから明らかなとおり，引用発明の「制御部（６０）」は，観察されるレジストパターンが所望の線幅，ピッチ，高さ等のレジストパターン（すなわち３Ｄのレジストパターン）と一致するように加熱温度を制御するものである。すなわち，引用発明において３Ｄのレジストパターンは，評価の段階において考慮されているのみならず，製造段階においても考慮されているものである。
　そうしてみると，引用発明の「制御部（６０）」は，加熱温度が適切に補正された後に処理されるウェハ（すなわち第２のプロセスウェーハ）上のレジストパターンを含む，目標線幅に対応する線幅，ピッチ，高さ等の（計算上の）レジストパターンに一致する線幅，ピッチ，高さ等を有するレジストパターン（すなわち所定の３Ｄの第２のレジストパターン）の線幅を得るためのものである。
　したがって，相違点１は，実質的な相違点とはいえない。
　
（相違点２について）
　半導体製造装置の技術分野における光学的観察装置としてエリプソメータは周知であり，しかも，エリプソメータはレジストパターンの状態など表面近傍の微細な形状を観察することに適したものである（必要ならば，周知例１ないし４を参照。）。
　そうしてみると，引用発明の「光学観察装置（４０）」に替えてエリプソメータを採用し，相違点２に係る構成を備えたものとすることは当業者が容易にできることである。
　
　また，本件補正後発明の作用効果は，引用発明及び周知技術から当業者が予測できる範囲内のものである。
　
７　小括
　本件補正後発明は引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明することができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって，本件補正は特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから，同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明
１　本願発明
　平成２１年１２月１８日付けの手続補正は却下されたので，本願の請求項６に係る発明（以下「本願発明」という。）は，平成２１年６月１６日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１及び６に記載された事項により特定される，下記のものである。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
【請求項１】
　整合された光学計測システムを含む半導体装置のリソグラフィ工程システムであって，前記リソグラフィ工程システムは，
　プロセスウェーハを加熱するための複数の制御可能な温度加熱領域を含む加熱板を含み，前記プロセスウェーハ上にパターニングされたレジスト層を形成するための，前記制御可能な温度加熱領域の各々の温度に対応する第１の温度曲線を基にした加熱工程を含むリソグラフィ工程装置と，
　前記パターニングされたレジスト層からの散乱光線の生成および収集を行う装置と，
　前記散乱光線を処理して前記パターニングされたレジスト層のＣＤを含む３Ｄデータを得る装置と，
　第２のプロセスウェーハ上の第２のレジストパターンを含む所定の第２のレジストパターンのＣＤを得るための，前記加熱工程に必要な第２の温度曲線を決定する装置と，
　前記第２の温度曲線を制御可能な温度加熱領域へ送信する装置と，を備え，
　前記第２の温度曲線を基に，前記加熱工程において前記第２のレジストパターンを加熱することを特徴とする半導体装置のリソグラフィ工程システム。
　
　【請求項６】
　前記パターニングされたレジスト層からの散乱光線の生成および収集を行う装置は分光計を含み，
　前記分光計は，リフレクトメータまたはエリプソメータであることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ工程システム。
　
２　引用発明
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は，「第２　補正の却下の決定」の「３　引用例」に記載したとおりである。
　
３　対比及び判断
　本願発明は，本件補正後発明の「第２のプロセスウェーハ上の第２のレジストパターンを含む所定の３Ｄの第２のレジストパターンのＣＤを得るための，前記加熱工程に必要な前記３Ｄデータを基にした第２の温度曲線を決定する装置」を「第２のプロセスウェーハ上の第２のレジストパターンを含む所定の第２のレジストパターンのＣＤを得るための，前記加熱工程に必要な第２の温度曲線を決定する装置」と拡張するものである。
　そうすると，本願発明の構成要件を全て含み，さらに他の構成要件を付加したものに相当する本件補正後発明が「第２　補正の却下の決定」で述べた理由により引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明することができたものであるから，本願発明も同様に，引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明することができたものである。
　
４　小括
　以上のとおり，本願発明は引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　結論
　したがって，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。