Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月5日(2011.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリ（ヘキサメチレンビグアニド）０．５ｐｐｍ〜２ｐｐｍ、
α−[４−トリス（２−ヒドロキシエチル）−アンモニウムクロリド−２−ブテニル]ポリ[１−ジメチルアンモニウムクロリド−２−ブテニル]−ω−トリス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムクロリド０．５ｐｐｍ〜３ｐｐｍ、
ヒアルロン酸０．００２ｗｔ％〜０．０４ｗｔ％、及び
下記一般式
【化１】
2011517660.tif 000001
（上式中、Ｒ１は炭素数１０の直鎖飽和アルキルであり、Ｒ２及びＲ３は各々メチルであり、そしてＲ４は−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−である）の両性界面活性剤０．０１ｗｔ％〜１．０ｗｔ％
を含む眼科組成物。
【請求項２】
前記ヒアルロン酸は０．００５ｗｔ％〜０．０２ｗｔ％で存在する、請求項１記載の眼科組成物。
【請求項３】
デキスパンテノール、ソルビトール、グリコール酸、２−アミノ−２−メチル−１，３−プロパンジオール又はそれらのいずれかの混合物をさらに含む、請求項１又は２記載の眼科組成物。
【請求項４】
プロピレングリコール、ヒドロキシプロピルグアー又はミリストアミドプロピルジメチルアミンをさらに含む、請求項１〜３のいずれか１項記載の眼科組成物。
【請求項５】
ヒドロキシプロピルメチルセルロースをさらに含む、請求項１〜４のいずれか１項記載の眼科組成物。
【請求項６】
ホウ酸／ホウ酸塩緩衝剤をさらに含む、請求項１〜５のいずれか１項記載の眼科組成物。
【請求項７】
ポロキサミンをさらに含む、請求項１〜５のいずれか１項記載の眼科組成物。
【請求項８】
デキスパンテノールは０．２ｗｔ％〜５ｗｔ％で存在する、請求項３記載の眼科組成物。
【請求項９】
ソルビトール又はキシリトール０．４％（ｗ/ｖ）〜５．０％（ｗ/ｖ）をさらに含む、請求項８記載の眼科組成物。
【請求項１０】
プロピレングリコールは０．０１％（ｗ/ｖ）〜１％（ｗ/ｖ）で存在する、請求項４記載の眼科組成物。
【請求項１１】
下記一般式
【化２】
2011517660.tif 000002
（上式中、Ｒ１は水素、アルキル又は−Ｃ（Ｏ）アルキルであり、該アルキルは１〜１２個の炭素原子を有しそして場合により１個以上の酸素原子を有し、Ａはメチレン基又はオキシアルキレン基であり、そしてｎは２〜８である）のジスクシネートをさらに含む、請求項１〜１０のいずれか１項記載の眼科組成物。
【請求項１２】
コンタクトレンズをクリーニングしそして消毒するための、請求項１〜１１のいずれか１項記載の眼科組成物の使用。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれか１項記載の眼科組成物にコンタクトレンズを少なくとも２時間浸漬させる工程を含む、コンタクトレンズをクリーニングしそして消毒する方法。
【請求項１４】
該浸漬後、クリーニングされそして消毒されたコンタクトレンズを、濯ぐことなく、目に入れる工程をさらに含む、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
ポリ（ヘキサメチレンビグアニド）０．８ｐｐｍ〜１．６ｐｐｍ、
α−[４−トリス（２−ヒドロキシエチル）−アンモニウムクロリド−２−ブテニル]ポリ[１−ジメチルアンモニウムクロリド−２−ブテニル]−ω−トリス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムクロリド０．５ｐｐｍ〜２ｐｐｍ、
ヒアルロン酸０．００５ｗｔ％〜０．０１５ｗｔ％、
下記一般式
【化３】
2011517660.tif 000003
（上式中、Ｒ１は少なくとも１個のヒドロキシルによって場合により置換されていてよいＣ８〜Ｃ１６アルキルであり、Ｒ２及びＲ３は各々メチルであり、そしてＲ４は１個のヒドロキシルによって場合により置換されていてよいＣ２〜Ｃ４アルキレンである）のスルホベタイン０．０１ｗｔ％〜０．６ｗｔ％、
ホウ酸／ホウ酸塩緩衝剤、
ポロキサマー、ポロキサミン又はそれらのいずれかの組み合わせから選ばれる非イオン性界面活性剤、及び、
塩化ナトリウム、塩化カリウム又はそれらのいずれかの組み合わせ、
を含む水性コンタクトレンズクリーニング及び消毒液組成物。
【請求項１６】
前記非イオン性界面活性剤はＨＬＢ値が１３〜２８であるポロキサミンである、請求項１５記載のコンタクトレンズ液。
【請求項１７】
Ｒ１は直鎖飽和Ｃ１０アルキルである、請求項１５又は１６記載のコンタクトレンズ液。
【請求項１８】
デキスパンテノール、ソルビトール、グリコール酸又はそれらのいずれかの混合物をさらに含む、請求項１５〜１７のいずれか１項記載のコンタクトレンズ液。
【請求項１９】
デキスパンテノールは０．２％（ｗ/ｖ）〜５％（ｗ/ｖ）で存在する、請求項１８記載のコンタクトレンズ液。
【請求項２０】
ソルビトール又はキシリトール０．４％（ｗ/ｖ）〜５％（ｗ/ｖ）をさらに含む、請求項１５〜１７のいずれか１項記載のコンタクトレンズ液。
【請求項２１】
クエン酸塩、クエン酸又はそれらの混合物をさらに含む、請求項１５〜２０のいずれか１項記載のコンタクトレンズ液。
【請求項２２】
プロピレングリコールをさらに含む、請求項１５〜２１のいずれか１項記載のコンタクトレンズ液。
【請求項２３】
プロピレングリコールは０．０１％（ｗ/ｖ）〜１％（ｗ/ｖ）で存在する、請求項２２記載のコンタクトレンズ液。
【請求項２４】
ヒドロキシプロピルメチルセルロースをさらに含む、請求項１５〜２３のいずれか１項記載のコンタクトレンズ液。
【請求項２５】
請求項１５記載のコンタクトレンズ液にコンタクトレンズを少なくとも２時間浸漬させる工程を含む、コンタクトレンズをクリーニングしそして消毒する方法。
【請求項２６】
該浸漬後、クリーニングされそして消毒されたコンタクトレンズを、濯ぐことなく、目に入れる工程をさらに含む、請求項２５記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月27日(2011.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式：
【化１】
2011517675.tif 000001
ただし、Ａ0は、ＰｈＡｃ、Ｄｃａ、Ｄｃａ−Ａｍｃ、Ａｃ−Ａｄａ、Ａｃ−Ａｍｃ、ＰｈＡｃ−Ａｄａ、Ａｃ、Ｄｃａ−Ａｄａ、Ｎａｃ−Ａｄａ、またはＣＨ3−（ＣＨ2）10−ＣＯ−Ａｄａであり、
Ａ4は、ＡｌａまたはＭｅ−Ａｌａであり、
Ａ6は、ＣｐａまたはＰｈｅ（Ｆ）5であり、
Ａ8は、Ａｌａ、またはＭｅ−Ａｌａであり、
Ａ10は、Ｔｙｒ（Ａｌｋ）であり、この際、ＡｌｋはＭｅまたはＥｔであり、
Ａ11は、ＨｉｓまたはＡｒｇであり、
Ａ12は、Ｌｙｓ、Ｌｙｓ（Ｍｅ）2またはＯｒｎであり、
Ａ17は、ＬｅｕまたはＧｌｕであり、
Ａ20は、ＨａｒまたはＨｉｓであり、
Ａ21は、−Ｌｙｓ、Ｌｙｓ（Ｍｅ）2またはＯｒｎであり、
Ａ29は、ＨａｒまたはＡｇｍであり、
Ａ30は、存在しない、Ａｍｃ、Ａｐａ、Ａｄａ、またはＡｇｍであり、
Ａ0がＰｈＡｃである場合には、Ａ12およびＡ21が双方ともＯｒｎ以外でありかつＡ30が存在する、
を有する群から選択されるペプチドおよびその製薬上許容される塩。
【請求項２】
下記式：
【化２】
2011517675.tif 000002
Ａ0は、ＰｈＡｃ、Ｄｃａ、Ａｃ−Ａｄａ、Ａｃ−Ａｍｃ、ＰｈＡｃ−Ａｄａ、Ｄｃａ−Ａｄａ、Ｄｃａ−Ａｍｃ、またはＣＨ3−（ＣＨ2）10−ＣＯ−Ａｄａであり、
Ａ6は、ＣｐａまたはＰｈｅ（Ｆ）5であり、
Ａ8は、ＡｌａまたはＭｅ−Ａｌａであり、
Ａ10は、Ｔｙｒ（Ａｌｋ）であり、この際、Ａｌｋは、ＭｅまたはＥｔであり、
Ａ12は、Ｌｙｓ、またはＯｒｎであり、
Ａ17は、ＬｅｕまたはＧｌｕであり、
Ａ21は、−Ｌｙｓ、またはＯｒｎであり、
Ａ30は、存在しない、Ａｍｃ、Ａｐａ、Ａｄａ、またはＡｇｍであり、
Ａ0がＰｈＡｃである場合には、Ａ12およびＡ21が双方ともＯｒｎ以外でありかつＡ30が存在する、
を有する群から選択される、請求項１に記載のペプチドおよびその製薬上許容される塩。
【請求項３】
上記式を有する群から選択され、この際、Ａ0は、Ｄｃａ、Ａｃ−Ａｄａ、Ａｃ−Ａｍｃ、ＰｈＡｃ−Ａｄａ、Ｄｃａ−Ａｄａ、またはＣＨ3−（ＣＨ2）10−ＣＯ−Ａｄａであり、Ａ6は、Ｃｐａであり、Ａ10は、Ｔｙｒ（Ｍｅ）であり、およびＡ30は、存在しない、Ａｍｃ、Ａｐａ、またはＡｄａである、請求項２に記載のペプチドおよびその製薬上許容される塩。
【請求項４】
下記式：
【化３】
2011517675.tif 000003
【化４】
2011517675.tif 000004
【化５】
2011517675.tif 000005
【化６】
2011517675.tif 000006
【化７】
2011517675.tif 000007
を有する群から選択される、請求項１〜３のいずれか１項に記載のペプチド。
【請求項５】
下記式：
【化８】
2011517675.tif 000008
【化９】
2011517675.tif 000009
を有する群から選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載のペプチド。
【請求項６】
下記式：
【化１０】
2011517675.tif 000010
【化１１】
2011517675.tif 000011
を有する群から選択される、請求項１〜５のいずれか１項に記載のペプチド。
【請求項７】
ＧＨレベルを抑制する必要のある患者におけるＧＨレベルを抑制するための薬剤組成物の製造のための請求項１〜６のいずれか１項に記載の化合物の使用。
【請求項８】
ＩＧＦ−Ｉに対するレセプターを有する癌を有する患者の腫瘍組織中のＩＧＦ−ＩまたはＩＧＦ−ＩＩレベルを抑制するための薬剤組成物の製造のための請求項１〜６のいずれか１項に記載の化合物の使用。
【請求項９】
癌を有する患者の腫瘍組織中のＶＥＧＦまたはＦＧＦレベルを抑制するための薬剤組成物の製造のための請求項１〜６のいずれか１項に記載の化合物の使用。
【請求項１０】
ＩＧＦ−Ｉレベルを抑制する必要のある患者におけるＩＧＦ−Ｉレベルを抑制するための薬剤組成物の製造のための請求項１〜６のいずれか１項に記載の化合物の使用。
【請求項１１】
ＩＧＦ−Ｉに対するレセプターを有する癌を有する患者の血清中のＩＧＦ−Ｉレベルを抑制するための薬剤組成物の製造のための請求項１〜６のいずれか１項に記載の化合物の使用。
【請求項１２】
ＩＧＦ−ＩまたはＧＨに対するレセプターを有する癌を有する患者のＧＨレベルを抑制するための薬剤組成物の製造のための請求項１〜６のいずれか１項に記載の化合物の使用。
【請求項１３】
ＧＨ−ＲＨに対するレセプターを有する癌を有する患者のＧＨ−ＲＨレセプターを遮断するための薬剤組成物の製造のための請求項１〜６のいずれか１項に記載の化合物の使用。
【請求項１４】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の化合物および製薬上許容できる担体から実質的に構成される、患者の中のＧＨレベルを抑制するための製薬上投与可能な組成物。
【請求項１５】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の化合物、および、製薬上許容できる担体から実質的に構成される、ＩＧＦ−Ｉに対するレセプターを有する癌を有する患者の腫瘍組織中のＩＧＦ−ＩまたはＩＧＦ−ＩＩレベルを抑制するための製薬上投与可能な組成物。
【請求項１６】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の化合物、および製薬上許容できる担体から実質的に構成される、癌を有する患者の腫瘍組織中のＶＥＧＦレベルを抑制するための製薬上投与可能な組成物。
【請求項１７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の化合物、および製薬上許容できる担体から実質的に構成される、患者のＩＧＦ−Ｉレベルを抑制するための製薬上投与可能な組成物。
【請求項１８】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の化合物、および製薬上許容できる担体から実質的に構成される、ＩＧＦ−ＩまたはＧＨに対するレセプターを有する癌を有する患者のＧＨレベルを抑制するための製薬上投与可能な組成物。
【請求項１９】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の化合物、および製薬上許容できる担体から実質的に構成される、ＩＧＦ−Ｉに対するレセプターを有する癌を有する患者のＩＧＦ−Ｉレベルを抑制するための製薬上投与可能な組成物。
【請求項２０】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の化合物、および製薬上許容できる担体から実質的に構成される、ＧＨ−ＲＨに対するレセプターを有する癌を有する患者のＧＨ−ＲＨに対するレセプターを遮断するための製薬上投与可能な組成物。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年11月9日(2010.11.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  支持板を備え、この支持板の外周領域に、扇状に互いにオーバーラップする層板が配置されている、扇状砥石車において、層板（１０）が、第１の層板（１２）と第２の層板（２０）とからなり、第１の層板（１２）の研削面が、ベース（１４）と、このベースの上に配置されたベース結合層（１５）と、このベース結合層の上に配置された、砥粒からなる砥粒散在層（１６）と、この砥粒散在層（１６）の上に配置された被覆層（１８）とからなり、砥粒散在層（１６）の砥粒が、部分的にベース結合層（１５）に埋め込まれ、その尖端部が被覆層（１８）から突出し、第２の層板（２０）の研削面が、ベース（２２）と、このベースの上に配置された、研削作用物質と結合剤とからなる層（２４）とからなること、砥粒散在層（１６）の砥粒が、ジルコニウムコランダムまたは焼結コランダムまたはこの両物質の混合物からなっていること、研削作用物質がフルオロホウ酸カリウム、氷晶石、フッ化カルシウムまたは白雪石からなっていることを特徴とする扇状砥石車。
【請求項２】  ｎ個おきの層板（１０）（ｎ＝１，２，３，４・・・）が第１の層板（１２）または第２の層板（２０）として形成され、他の層板が、第２の層板（２０）または第１の層板（１２）として形成されていることを特徴とする請求項１記載の扇状砥石車。
【請求項３】  第１の層板（１２）のグループと第２の層板（２０）のグループが交互に設けられていることを特徴とする請求項１記載の扇状砥石車。
【請求項４】  グループあたりの層板の数が同じであるかまたは異なっていることを特徴とする請求項３記載の扇状砥石車。
【請求項５】  第１の層板（１２）の被覆層（１８）が研削作用物質を備えていることを特徴とする請求項１記載の扇状砥石車。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
その際、ｎ個おきの層板（ｎ＝１，２，３，４・・・）は、第１の層板または第２の層板として、他の層板は第２の層板または第１の層板として形成可能である。第１の層板のグループと第２の層板のグループを交互に設けることができる。この場合、グループあたりの層板の数が同じでもよいし、異なっていてもよい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
図１では、第１の層板１２と第２の層板２０が交互に設けられている。しかし、ｎ個おきの層板（ｎ＝１，２，３，４・・・）を第１の層板１２または第２の層板２０として形成可能である。更に、複数の第１の層板からなるグループと、複数の第２の層板からなるグループを交互に設けることができる。この場合、グループあたりの層板の数は異なっていてもよい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
例５：  例１の扇状砥石車が製作され、砥粒としてジルコニウムコランダムの代わりに、同じ大きさの粒の焼結コランダムが使用された。この砥石車によって、例１と同じ条件で、２０１ｇの材料が除去された。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年8月8日(2011.8.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
図２ａの時点（１）における初期状態では、加入者端末装置ＵＥから、Ｅ−ＤＰＤＣＨは、ＤＰＣＣＨに比べて所定の増幅係数でもって送られる。ここで、この所定の増幅係数は技術仕様書に倣ってβedで表される。一般に、この増幅係数βedはＥ−ＤＰＤＣＨの振幅とＤＰＣＣＨの振幅の互いに対する比を表している。冒頭で述べたように、基地局の送信電力制御が迅速であるために加入者端末装置ＵＥが最大許容送信電力または物理的に可能な最大送信電力を超えてしまう場合に限り、加入者端末装置ＵＥの送信信号の電力Ｐは最大送信電力を超さないようにスケーリングされる。図２ａによれば、このスケーリングは時点（２）以降まずＥ−ＤＰＤＣＨに対してのみ行われ、ＤＰＣＣＨは初めのうちはスケーリングされない。しかし、Ｅ−ＤＰＤＣＨのスケーリングが進み、Ｅ−ＤＰＤＣＨの送信電力とＤＰＣＣＨの送信電力の比が所定の限界値に達すると、時点（３）以降はＥ−ＤＰＤＣＨに加えてＤＰＣＣＨもスケーリングされる。この場合、両方のチャネルのスケーリングは一様に行われる、すなわち、一定の増幅係数βedで行われる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＵＭＴＳ無線通信システムの加入者端末装置（ＵＥ）の送信電力を制御する方法において、
第３チャネルとしてのＤＰＣＣＨの他に、前記加入者端末装置（ＵＥ）から前記ＵＭＴＳ無線通信システムの基地局（ＮＢ１）への上り方向（ＵＬ）の通信のために少なくとも１つのＥ−ＤＰＤＣＨが第１チャネルとして構成されているものの、ＤＰＤＣＨは第２チャネルとして構成されておらず、前記第１チャネル（Ｅ−ＤＰＤＣＨ）の送信電力は、前記第３チャネル（ＤＰＣＣＨ）の送信電力に対して所定の増幅係数で送られ、
前記加入者端末装置（ＵＥ）の最大送信電力が超過されていることが検出された場合には、まず前記第１チャネル（Ｅ−ＤＰＤＣＨ）をスケーリングすることにより、前記第１チャネル（Ｅ−ＤＰＤＣＨ）の送信電力を前記第３チャネル（ＤＰＣＣＨ）の送信電力に相対して低下させ、
前記第１チャネル（Ｅ−ＤＰＤＣＨ）と前記第３チャネル（ＤＰＣＣＨ）の送信電力の比が所定の値に達した場合には、前記第１チャネル（Ｅ−ＤＰＤＣＨ）の他に前記第３チャネル（ＤＰＣＣＨ）もスケーリングする、
ただし、前記チャネル（Ｅ−ＤＰＤＣＨ，ＤＰＣＣＨ）のスケーリングは一定の増幅係数で行われる、ことを特徴とするＵＭＴＳ無線通信システムの加入者端末装置（ＵＥ）の送信電力を制御する方法。
【請求項２】
ＵＭＴＳ無線通信システムの加入者端末装置（ＵＥ）の送信電力を制御する方法において、
第３チャネルとしてのＤＰＣＣＨの他に、前記加入者端末装置（ＵＥ）から前記ＵＭＴＳ無線通信システムの基地局（ＮＢ１）への上り方向（ＵＬ）の通信のために少なくとも１つのＥ−ＤＰＤＣＨが第２チャネルとして、少なくとも１つのＥ−ＤＰＤＣＨが第１チャネルとして構成されており、前記第１チャネル（Ｅ−ＤＰＤＣＨ）の送信電力は、前記第３チャネル（ＤＰＣＣＨ）の送信電力に対して所定の増幅係数で送られ、
前記加入者端末装置（ＵＥ）の最大送信電力が超過されていることが検出された場合には、まず前記第１チャネル（Ｅ−ＤＰＤＣＨ）をスケーリングすることにより、前記第１チャネル（Ｅ−ＤＰＤＣＨ）の送信電力を前記第３チャネル（ＤＰＣＣＨ）の送信電力に相対して低下させ、一方で前記第２チャネル（ＤＰＤＣＨ）はまずはスケーリングせず、
前記加入者端末装置（ＵＥ）の最大送信電力が引き続き超過されていることが検出された場合には、所定の最小増幅係数に達したときに前記第１チャネル（Ｅ−ＤＰＤＣＨ）をＤＴＸモードに切り替え、
前記加入者端末装置（ＵＥ）の最大送信電力がいまだに超過されていることが検出された場合には、前記第２チャネル（ＤＰＤＣＨ）と前記第３チャネル（ＤＰＣＣＨ）をスケーリングする、ことを特徴とするＵＭＴＳ無線通信システムの加入者端末装置（ＵＥ）の送信電力を制御する方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の方法を実行する手段（ＳＥＥ，ＳＴ）を有するＵＭＴＳ無線通信システムの加入者端末装置（ＵＥ）。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年5月27日(2011.5.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２】
前記構造層（１４）は、前記２つのレリーフ構造（１４ｏ、１４ｕ）の平均レベルが<１０μｍ、特に<５μｍであることを特徴とする請求項１に記載の転写フィルム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２３】
構造層（１４）を備える多層体であって、該構造層は多層体の正面を形成し、第１レリーフ構造（１４ｏ）が該構造層の第１面に成形され、該多層体の正面を形成する該多層体において、
第２レリーフ構造（１４ｕ）は、前記構造層の第１面と対向する関係にある第２面に成形され、該第２レリーフ構造（１４ｕ）は第１レリーフ構造（１４ｏ）とは異なり、少なくともその領域方向に反射層（１８）によって被覆され、前記構造層（１４）は前記２つのレリーフ構造（１４ｏ、１４ｕ）の平均レベルが<１０μｍ、好ましくは<５μｍであることを特徴とする多層体。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
本発明の目的はさらに、構造層を備える多層体によって達成される。構造層は多層体の正面を形成し、第１レリーフ構造は、多層体の正面を形成する構造層の第１面に成形される。第２レリーフ構造は構造層の第１面と対向する関係にある第２面に成形される。第１レリーフ構造と異なる第２レリーフ構造は少なくともその領域方向に反射層に被覆され、構造層の厚さは、２つのレリーフ構造の平均レベルが、<１０μｍ、好ましくは<５μｍである。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
構造層の厚さは、２つのレリーフ構造の平均レベルが<１０μｍ、好ましくは<５μｍである。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
階段状プロファイルの具体的な事例は長方形プロファイルである。この場合、局所的なプロファイル深度は離散準位を想定するのみである。この際、２つの隣接する凹部の間隔は好ましくは０．５と５０μｍの間である。平均レベルに対するプロファイル深度は好ましくは<５μｍである。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年3月15日(2011.3.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）バイオマスを、アンモニアまたは分解時にアンモニアを放出する化合物を含んでなる水溶液と接触させ、バイオマス−水性アンモニア混合物を形成し、前処理されたバイオマス生産物を生産する工程であって、ここでアンモニアはバイオマス−水性アンモニア混合物を７.０より大きいｐＨで維持するために少なくとも十分な濃度で存在するが、前記アンモニアはバイオマスの乾燥重量に対して１２重量パーセント未満で存在し、かつさらにバイオマスの乾燥重量はバイオマス−水性アンモニア混合物の重量に対して１５重量パーセント以上の高固体濃度にある、工程、
ｂ）工程（ａ）の生産物を糖化酵素共同体と接触させ、発酵性糖を生産する工程、
を含んでなる、発酵性糖の生産のためのバイオマスの処理方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
定義
本開示では多数の用語が用いられる。以下の定義が提供される。
「発酵性糖」という用語は、発酵方法中の微生物による炭素源として使用可能なオリゴ糖および単糖を示す。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０４】
実施例１０
極めて少量のアンモニアで前処理され、糖化されたトウモロコシ穂軸バイオマスからの１
，３−プロパンジオールの生産
トウモロコシ穂軸の前処理および糖化から生産された加水分解物を発酵させ、１，３−プロパンジオールを生産した。加水分解物を、スチームガン反応器内でトウモロコシ穂軸片を前処理することにより生産した。第１のトウモロコシ穂軸バイオマスをＰＥＨＲｅａｃｔｏｒ内に負荷し（「一般的方法」に記載）、真空を適用し、希釈水酸化アンモニウム溶液を注入することで、アンモニア４ｇ／バイオマスの乾燥重量１００ｇのアンモニア濃度およびバイオマスの乾燥重量３０ｇ／バイオマス−水性アンモニア混合物全体１００ｇの濃度にあるバイオマスの乾燥重量が得られた。アンモニアおよびトウモロコシ穂軸を負荷した反応容器を４℃で３０分間回転させた。内容物をスチームガン反応器に移し（「一般的方法」に記載）、温度を１４５℃に上昇させ、混合物の温度を２０分間保持した。スチームガンから得られた材料をフラッシュタンクに排出し、フラッシュタンク上で真空を維持することでアンモニアの除去を促進した。ｐＨ調節後、前処理されたバイオマスを、２８．４ｍｇ／ｇのセルロース、スペザイム（Ｓｐｅｚｙｍｅ）ＣＰ（登録商標）セルラーゼおよび１０．１ｍｇの活性タンパク質／ｇのβ−グルコシダーゼ、キシラナーゼ、β−キシロシダーゼおよびアラビノフラノシダーゼよりなるセルロース酵素共同体を用い、バイオマスの乾燥重量３０ｇ／前処理されたバイオマス−糖化酵素共同体混合物１００ｇで、５０℃およびｐＨ５．５で７２時間かけて糖化した。生産された加水分解物を、組換え大腸菌（Ｅ．ｃｏｌｉ）株ＲＪ８ｎ  ｐＢＥ９３−ｋ１により１，３−プロパンジオールに変換するための発酵性糖のソースとして使用した。株ＲＪ８ｎ  ｐＢＥ９３−ｋ１の作成は、ＰＣＴ出願の国際公開第２００４／０１８６４５号明細書にて詳細に記載されており（実施例７）、それは米国特許第６，３５８，７１６号明細書に記載のＲＪ８ｎ株の派生株である。加水分解物を、最終ｐＨを６．８に調節した状態や、７．５ｇ／ＬのＫＨ２ＰＯ４、２．０ｇ／Ｌのクエン酸＊Ｈ２Ｏ、４．０ｍｌ／Ｌの２８％ＮＨ４ＯＨ、３．０ｇ／Ｌの（ＮＨ４）２ＳＯ４、２．０ｇ／ＬのＭｇＳＯ４＊７Ｈ２Ｏ、０．２ｇ／ＬのＣａＣｌ２＊２Ｈ２Ｏ、０．３３ｇ／Ｌのクエン酸第二鉄アンモニウム、０．５ｇ／Ｌの酵母抽出物、０．１ｍｇ／ＬのビタミンＢ１２、１．０ｍｇ／ＬのＦｅＳＯ４＊７Ｈ２Ｏ、１ｍｇ／ＬのＺｎＳＯ４＊７Ｈ２Ｏ、０．１ｇ／ＬのＣｕＳＯ４＊５Ｈ２Ｏ、１ｍｇ／ＬのＣｏＣｌ２＊６Ｈ２Ｏ、０．３ｍｇ／ＬのＭｎＳＯ４＊７Ｈ２Ｏ、０．１ｇ／ＬのＨ３ＢＯ４、０．１０ｇ／ＬのＮａＭｏＯ４＊２Ｈ２Ｏ、１０ｍｇ／ＬのＮａＣｌよりなる水性培地が平衡した状態で、１０％で使用した。２５０ｍＬのバッフル付きフラスコ内の５０ｍＬの培地内の冷凍ストック（抗凍結剤として１５％グリセロール）から培養を開始した。培養物を３４℃および３００ｒｐｍの振盪下で２４時間インキュベートした。生産された１，３−プロパンジオールの量を、以下の条件下でＨＰＬＣによって測定した。
カラム：ショウデックス（Ｓｈｏｗｄｅｘ）ＳＨ１０１１
試料容量：２０μＬ
移動相：０．０１Ｎ  Ｈ２ＳＯ４
流速：０．５ｍｌ／分
カラム温度：５０℃
検出器：ウォーターズ（Ｗａｔｅｒｓ）９９６フォトダイオードアレイ
検出器温度：４０℃
実行時間：４０分
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２０】
実施例１５
極めて少量のアンモニアで前処理され、糖化されたトウモロコシ穂軸バイオマスから得られる加水分解物に対する酵母発酵によるエタノールの生産
実施例１０で１，３−プロパンジオールを生産するのに使用されたものと同じ加水分解物をさらに使用し、酵母発酵によりエタノールを生産した。この加水分解物を、振盪フラスコ内で野生型サッカロミセス・セレビシェ（Ｓａｃｃｈａｒｏｍｙｃｅｓ  ｃｅｒｅｖｉｓｉａｅ）によりエタノールに変換するための発酵性糖のソースとして使用した。加水分解物を、１０ｇ／Ｌの酵母抽出物および２０ｇ／Ｌのペプトンよりなる水性培地が平衡した状態で、１０％（ｖ／ｖ）の強度で使用した。酵母を２５０ｍＬのバッフル付きフラスコ内の５０ｍＬの培地内で培養した。培養物を、２５０ｒｐｍの振盪下、３０℃で２４時間インキュベートした。生産されたエタノールの量を実施例９に記載のようにＨＰ
ＬＣによって測定した、２つのフラスコからの結果を下記の表１３に挙げる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月24日(2011.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
逆浸透膜を調製する方法であって、以下：
（Ａ）多孔性支持膜の表面上に、
（ａ）ポリアミン；
（ｂ）多官能性ハロゲン化アシル；および
（ｃ）ナノ粒子
を含む組成物を提供する工程、
（Ｂ）該ナノ粒子の存在下で該多孔性支持膜の表面上で該ポリアミンと該多官能性ハロゲン化アシルを界面重合して、（ｉ）該多孔性支持膜および（ｉｉ）ポリアミドマトリクスおよび該ポリアミドマトリクス内のナノ粒子を含むフィルムを含む逆浸透膜を形成する工程、
を包含する、方法。
【請求項２】
前記逆浸透膜を酸性水溶液で処理する工程をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記逆浸透膜を塩基性水溶液で処理する工程をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記ポリアミンが、ジアミノベンゼン、トリアミノベンゼン、ポリエーテルイミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、３，５−ジアミノ安息香酸、２，４−ジアミノトルエン、２，４−ジアミノアニソール、キシリレンジアミン、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、ピペラジン、およびトリス（２−ジアミノエチル）アミンからなる群より選択される、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記多官能性ハロゲン化アシルが、トリメソイルクロリドおよびフタロイルクロリドからなる群より選択される、方法。
【請求項６】
前記ナノ粒子がゼオライドを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ナノ粒子がカーボンナノチューブを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記フィルムが約５０ｎｍから約５００ｎｍの平均厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ナノ粒子が約１０ｎｍから約１０００ｎｍの平均流体力学的径を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記フィルムに近位の親水性層を提供する工程をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、前記親水性層がポリビニルアルコール、ポリビニルピロール、ポリビニルピロリドン、ヒドロキシプロピルセルロース、ポリエチレングリコール、けん化ポリエチレン−酢酸ビニル共重合体、トリエチレングリコール、ジエチレングリコール、およびその組合せからなる群より選択される親水性ポリマーを含む、方法。
【請求項１２】
前記親水性層が該親水性層内にナノ粒子を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法に従って調製された、逆浸透膜。
【請求項１４】
前記膜が加えられた圧力のｐｓｉ当たりの一日毎の膜の平方フィート当たり、約０．０３から約０．３ガロンの流束を有する、請求項１３に記載の膜。
【請求項１５】
前記膜は、約７０°未満の純水の平衡接触角を有する、請求項１３に記載の膜。
【請求項１６】
前記膜は、少なくとも約−１５ｍＶの負のゼータ電位を有する、請求項１３に記載の膜。
【請求項１７】
前記膜は、約７０ｎｍ未満のＲＭＳ表面粗度を有する、請求項１３に記載の膜。
【請求項１８】
（ａ）請求項１に記載の方法に従って調製された逆浸透膜を提供する工程であって、該膜は第一の面と第二の面を有する工程と、
（ｂ）第一の塩濃度を有する第一の容積の第一の溶液と、該膜の該第一の面を、第一の圧力で接触させる工程と、
（ｃ）第二の塩濃度を有する第二の容積の第二の溶液と、該膜の該第二の面を、第二の圧力で接触させる工程と
を含み、
該第一の溶液は、該膜を介して該第二の溶液と流体連絡し、
該第一の塩濃度は、該第二の塩濃度よりも高く、それによって、該膜に浸透圧を生じさせ、
該第一の圧力は、該浸透圧を上回るように該第二の圧力よりも十分に高く、それによって、該第二の容積が増加して該第一の容積が減少する、
水を浄化するための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月15日(2010.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの活性薬剤を含む経口医薬製剤であって、
該活性薬剤が２−［４−（４−クロロベンゾイル）フェノキシ］−２−メチル−プロパン酸のコリンとの塩であり、
該製剤が少なくとも一つの腸溶コーティングをさらに含む、経口医薬製剤。
【請求項２】
製剤が、放出調節経口医薬製剤である、請求項１に記載の製剤。
【請求項３】
少なくとも一つの速度制御機構をさらに含む、請求項２に記載の製剤。
【請求項４】
少なくとも一つの腸溶コーティングが、１以上のメタクリル酸コポリマー類、アクリル酸エチル／メタクリル酸コポリマー類、酢酸フタル酸セルロース、酢酸酪酸セルロース、フタル酸ヒドロキシプロピルメチルセルロース、酢酸コハク酸ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ポリ酢酸フタル酸ビニル、酢酸トリメリト酸セルロース、カルボキシメチルエチルセルロース及びシェラックからなる群より選ばれる、請求項１又は２に記載の製剤。
【請求項５】
少なくとも一つの速度制御機構が親水性薬剤、疎水性薬剤またはそれらの組み合わせである、請求項３に記載の製剤。
【請求項６】
親水性薬剤がセルロース、ポリエチレンオキサイド、ポリエチレングリコール、キサンタンガム、アルギン酸類、ポリビニルピロリドン、デンプン、アクリル酸の架橋ホモポリマーまたはコポリマーである、請求項５に記載の製剤。
【請求項７】
少なくとも一つの製薬上許容される賦形剤をさらに含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の製剤。
【請求項８】
製薬上許容される賦形剤が、充填剤、結合剤、潤滑剤、流動促進剤、溶解度向上剤、懸濁剤、甘味剤および／または香味剤、保存剤、緩衝液、湿展剤、崩壊剤、発泡剤、界面活性剤、保湿剤、可塑剤、顔料、固化防止剤、溶媒及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項７に記載の製剤。
【請求項９】
製剤が、ポリビニルピロリドン（類）、ヒドロキシプロピルメチルセルロース（類）、ヒドロキシプロピルセルロース（類）の１以上を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の製剤。
【請求項１０】
製剤が、コロイド状二酸化ケイ素および／またはフマル酸ナトリウムステアリルを含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の製剤。
【請求項１１】
製剤が、タルクおよび／またはクエン酸トリエチルを含む、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の製剤。
【請求項１２】
活性薬剤を含む固体剤型であって、
該活性薬剤が２−［４−（４−クロロベンゾイル）フェノキシ］−２−メチル−プロパン酸、２−［４−（４−クロロベンゾイル）フェノキシ］−２−メチル−プロパン酸の塩または緩衝２−［４−（４−クロロベンゾイル）フェノキシ］−２−メチル−プロパン酸のうちの少なくとも一つであり、
単一ｐＨでのイン・ビトロ溶解で解けている剤型のパーセントが、０．５時間で少なくとも１５．０％かつ７１．０％以下であり、１時間で少なくとも４０．０％かつ８１．０％以下であり、
該溶解のパーセントが、ＵＳＰ装置２（USP 29 NF 24）を用い、５０ｒｐｍ±４％の撹拌、９００ｍＬの０．０５Ｍ  リン酸ナトリウム緩衝液からなりｐＨ６．８±０．０５でありかつ３７±０．５℃に維持された媒体中で測定され、３００ｎｍでのＵＶ分光測光法によって分析される、固体剤型。
【請求項１３】
単一ｐＨでのイン・ビトロ溶解で解けている剤型のパーセントが、０．５時間で５７．０％以下である、請求項１２に記載の固体剤型。
【請求項１４】
単一ｐＨでのイン・ビトロ溶解で解けている剤型のパーセントが、１時間で７０．０％以下である、請求項１２又は１３に記載の固体剤型。
【請求項１５】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の経口医薬製剤又は請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の固体剤型を含む併用療法製剤であって、
該併用療法製剤が、
該請求項１〜１１のいずれか１項に記載の経口医薬製剤若しくは請求項１２〜１４
のいずれか１項に記載の固体剤型と同じ経口医薬製剤若しくは固体剤型内に抗高血圧
剤を含む併用療法剤であるか、又は、
該請求項１〜１１のいずれか１項に記載の経口医薬製剤若しくは請求項１２〜１４
のいずれか１項に記載の固体剤型とともに同時投与するための別個のかつ異なる経口
医薬製剤若しくは固体剤型に位置する抗高血圧剤を含む併用療法剤である、
併用療法製剤。
【請求項１６】
抗高血圧剤が、アムロジピン、ベナゼプリル、ベニジピン、カンデサルタン、カプトプリル、カルベジロール、ダロジピン、ジルチアゼム、ジアゾキシド、ドキサゾシン、エナラプリル、エプレロノン、エプロサルタン、フェロジピン、フェノルドパム、フォシノプリル、グアナベンズ、イロプロスト、イルベサルタン、イスラジピン、レルカルジニピン、リシノプリル、ロサルタン、ミノキシジル、ネビボロール、ニカルジピン、ニフェジピン、ニモジピン、ニソルジピン、オマパトリラット、フェノキシベンゾアミン、プラゾシン、キナプリル、レセルピン、セモチアジル、シタクスセンタン、テラゾシン、テルミサルタン、ラベトロール、バルサルタン、トリアムテレン、メトプロロール、メチルドーパ、ラミプリル、オルメサルタン、チモロール、ベラパミル、クロニジン、ナドロール、ベンドロメチアジド、トルセミド、ヒドロクロロチアジド、スピンロノラクトン、ペリンドプリル、ヒドララジン、ベタキソロール、フロシミド、ペンブトロール、アセブトロール、アテノルール、ビソプロロール、ナドロール、ペンブトロール、ピンドロール、プロプラノロール、チモロール、インダパミド、トランドプリル、アミロリド、モエキシプリル、メトロゾンおよびバルサルタンからなる群より選ばれる、請求項１５に記載の併用療法製剤。
【請求項１７】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の経口医薬製剤又は請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の固体剤型を含む併用療法製剤であって、
該併用療法製剤が、
該請求項１〜１１のいずれか１項に記載の経口医薬製剤若しくは請求項１２〜１４
のいずれか１項に記載の固体剤型と同じ経口医薬製剤若しくは固体剤型内に脂質調節
剤を含む併用療法剤であるか、又は、
該請求項１〜１１のいずれか１項に記載の経口医薬製剤若しくは請求項１２〜１４
のいずれか１項に記載の固体剤型とともに同時投与するための別個のかつ異なる経口
医薬製剤若しくは固体剤型に位置する脂質調節剤を含む併用療法剤である、
併用療法製剤。
【請求項１８】
脂質調節剤が、アトルバスタチン、シンバスタチン、フルバスタチン、プラバスタチン、ロバスタチン、セリバスタチン、ロスバスタチン、ピタバスタチン、クロフィブリン酸、ナイアシン／ニコチン酸、トルセトラピブ、コレスチポール、オメガ−３酸エチルエステル類、コレセベラム、コレスチラミン、エゼチミベ、ＭＤ−０７２７、ゲムフィブロジルおよびプロブコールからなる群より選ばれる、請求項１７に記載の併用療法製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月27日(2011.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理チャンバ内に配置された基板上に膜を堆積する方法であって、前記基板が、隣接する隆起した面の間に形成されたギャップを有する方法であって、
第１の前駆物質堆積ガスのフローを前記基板処理チャンバに供給するステップと、
前記第１の前駆物質堆積ガスのフローから第１の高密度プラズマを形成し、前記ギャップが塞がれるまで、同時に起こる堆積およびスパッタリング要素を有する第１の堆積プロセスによって、前記基板上および前記ギャップ内に、前記膜の第１部分を堆積するステップと、
前記膜の第１部分の大部分をエッチバックして、前記ギャップを再開口するステップと、
第２の前駆物質堆積ガスのフローを前記基板に供給するステップと、
前記第２の前駆物質堆積ガスのフローから第２の高密度プラズマを形成して、同時に起こる堆積およびスパッタリング要素を有する第２の堆積プロセスによって、前記基板上および前記再開口されたギャップ内に、前記膜の第２部分を堆積するステップと、
を備える方法。
【請求項２】
前記膜の第１部分の大部分をエッチバックするステップが、前記膜に対して腐食性のエッチャントガスのフローから、前記処理チャンバ内で第３の高密度プラズマを形成する工程を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記膜の第１部分の大部分をエッチバックするステップが、前記基板に電気的バイアスを印加する工程をさらに備える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１および第２の前駆物質堆積ガスがそれぞれ、シリコン含有ガスおよび酸素含有ガスを備え、それによって、前記膜がシリコン酸化膜を備え、および前記エッチャントガスがハロゲン含有ガスを備える、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記ハロゲン含有ガスがフッ素含有ガスを備える、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の前駆物質堆積ガスおよび第２の前駆物質堆積ガスの少なくとも一方が、ドーパント含有ガスをさらに備える、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の前駆物質堆積ガスおよび第２の前駆物質堆積ガスの少なくとも一方が、分子状水素Ｈ２を備える、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記分子状水素Ｈ２が、５００ｓｃｃｍを超える流量で前記プロセスチャンバに提供される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記膜の第１部分が、前記ギャップを臨界厚さの５％より大きく塞ぐ前記臨界厚さを超える厚さで、前記基板上および前記ギャップ内に堆積される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記膜の第１部分が、前記ギャップを前記臨界厚さの１０％より大きく塞ぐ前記臨界厚さを超える厚さで、前記基板上および前記ギャップ内に堆積される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記ギャップが、隣接する隆起した面の間に形成された複数のギャップを備え、第１のギャップが、第２のギャップの幅の少なくとも５倍の幅を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記ギャップが、少なくとも５：１のアスペクト比と、１００ｎｍ未満の幅とを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ギャップが、少なくとも６：１のアスペクト比と、６５ｎｍ未満の幅とを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記膜の第２部分が、前記ギャップが再び塞がれるまで、前記基板上および前記再開口されたギャップ内に堆積され、
前記膜の第２部分の大部分をエッチバックして、前記ギャップを再開口するステップと、
第３の前駆物質堆積ガスのフローを前記基板処理チャンバに提供するステップと、
前記第３の前駆物質堆積ガスのフローから第３の高密度プラズマを形成して、同時に起こる堆積およびスパッタリング要素を有する第３の堆積プロセスによって、前記基板上および前記再開口されたギャップ内に前記膜の第３部分を堆積するステップと、
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
基板処理チャンバ内に配置された基板上にシリコン酸化膜を堆積する方法であって、前記基板が、前記基板上の空き領域および密集領域内に分布する複数のギャップを有し、前記密集領域内の少なくとも１つのギャップが、５：１より大きいアスペクト比と１００ｎｍ未満の幅とを有し、前記空き領域内の少なくとも１つのギャップが、前記密集領域内の少なくとも１つのギャップの幅の少なくとも５倍の幅を有する方法であって、
ＳｉＨ４、Ｏ２および第１の流動ガスからなる第１のフローを前記基板処理チャンバに供給するステップと、
前記ＳｉＨ４、Ｏ２および第１の流動ガスからなる第１のフローから第１の高密度プラズマを形成して、前記密集領域内の少なくとも１つのギャップが塞がれるまで、同時に起こる堆積およびスパッタリング要素を有する第１の堆積プロセスによって、前記基板上および前記ギャップ内に、前記シリコン酸化膜の第１部分を堆積するステップと、
フッ素含有ガスの第１のフローを前記基板処理チャンバに供給するステップと、
前記フッ素含有ガスの第１のフローから第２の高密度プラズマを形成し、前記シリコン酸化膜の第１部分の大部分をエッチバックして、前記ギャップを再開口するステップと、
前記シリコン酸化膜の第１部分がエッチバックされている間、前記基板にバイアスを印加するステップと、
ＳｉＨ４、Ｏ２および第２の流動ガスからなる第２のフローを前記基板処理チャンバに供給するステップと、
前記ＳｉＨ４、Ｏ２および第２の流動ガスからなる第２のフローから第３の高密度プラズマを形成して、同時に起こる堆積およびスパッタリング要素を有する第２の堆積プロセスによって、前記基板上および前記再開口されたギャップ内に、前記シリコン酸化膜の第２部分を堆積するステップと、
を備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月27日(2011.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンオキシナイトライドゲート誘電体膜を形成する方法であって、
シリコンオキシナイトライド膜を形成するために、プラズマ窒化処理を使用して窒素を誘電体膜内に組み込むステップと、
約７００〜１１００℃の範囲の第１温度の約１〜１００ミリトールの第１酸素部分圧を伴う不活性環境を備える第１環境内で、前記シリコンオキシナイトライド膜をアニーリングするステップと、
約９００〜１１００℃の範囲の第２温度の約０．１〜１００トールの第２酸素部分圧を備える第２環境内で、前記シリコンオキシナイトライド膜をアニーリングするステップであって、前記２酸素部分圧が前記第１酸素部分圧よりも高い前記ステップと、
を備える方法。
【請求項２】
前記シリコンオキシナイトライド膜を第１環境内でアニーリングするステップが、約１５ミリトールの前記第１酸素部分圧において、約１０５０℃の前記第１温度で、約３０秒の第１期間の間に生じ、また、前記シリコンオキシナイトライド膜を第２環境内でアニーリングするステップが、約０．５トールの第２酸素部分圧において、約１０５０℃の第２温度で、約１５秒の第２期間の間に生じる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記シリコンオキシナイトライド膜を第２環境内でアニーリングするステップが、前記シリコンオキシナイトライド膜を酸素または酸素を備えるガスでアニーリングするステップを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記誘電体膜が二酸化シリコンである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記誘電体膜内に組み込まれた前記窒素が、前記シリコンオキシナイトライドゲート誘電体の頂面において最大の窒素濃縮が形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記誘電体膜内に組み込まれた前記窒素が、５％と等しい、またはこれよりも高い窒素濃度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
シリコンオキシナイトライドゲート誘電体を形成する方法であって、
シリコン基板上に二酸化シリコン膜が形成された構造を提供するステップと、
前記基板上にシリコンオキシナイトライド膜を形成するために、窒素源を備えるプラズマに前記構造を露出させるステップと、
約７００〜１１００℃の範囲の温度の約１〜１００ミリトールの第１酸素部分圧を伴う不活性環境を備える第１環境内で、前記シリコンオキシナイトライド膜をアニーリングするステップと、
約９００〜１１００℃の範囲の温度の約０．１〜１００トールの第２酸素部分圧を備える第２環境内で、前記シリコンオキシナイトライド膜をアニーリングするステップであって、前記第２部分圧が前記第１部分圧よりも高い前記ステップと、
前記シリコンオキシナイトライド膜上にゲート電極を堆積させるステップと、
を備える方法。
【請求項８】
前記シリコンオキシナイトライド膜を第１環境内でアニーリングするステップが、約１５ミリトールの前記第１酸素部分圧において、約１０５０℃の第１温度で、約３０秒の第１期間の間に生じ、また、前記シリコンオキシナイトライド膜を第２環境内でアニーリングするステップが、約０．５トールの前記第２酸素部分圧において、約１０５０℃の第２温度で、約１５秒の第２期間の間に生じる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記構造をプラズマに露出させる際に組み込まれる窒素が、５％と等しい、またはこれよりも高い窒素濃度を有する、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記シリコンオキシナイトライド膜を第１環境内でアニーリングするステップが、前記シリコンオキシナイトライド膜を不活性ガスまたは不活性ガスの混合物内でアニーリングするステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記第２酸素部分圧を備える第２環境内でアニーリングするステップが、酸素または酸素を備えるガスで前記シリコンオキシナイトライド膜をアニーリングするステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記シリコンオキシナイトライドゲート誘電体の厚さが、約９Åと等しいか、これよりも薄い、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
前記ゲート電極がポリシリコン膜、アモルファスシリコン膜、金属電極のうちの１つである、請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月12日(2010.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蓄電池であって、
ａ．充電状態で二酸化鉛として本質的に存在する正極と、
ｂ．負極と、
ｃ．アルカリ性電解質と、
ｄ．該電極に取り付けられた電気リード線と、
を備えることを特徴とする蓄電池。
【請求項２】
前記負極は、鉄、鉛、亜鉛、カドミウム、これらの金属の合金、およびこれらの金属と合金との組合せからなる群から選択される金属を含むことを特徴とする請求項１に記載の蓄電池。
【請求項３】
前記アルカリ性電解質は、リチウム、ナトリウム、カリウム、およびセシウムならなる群から選択されたアルカリ金属の水酸化物を含む水溶液であることを特徴とする請求項１に記載の蓄電池。
【請求項４】
前記アルカリ性電解質は水酸化テトラメチルアンモニウムの水溶液を含むことを特徴とする請求項１に記載の蓄電池。
【請求項５】
前記アルカリ性電解質は、炭酸塩、ホウ酸塩、ケイ酸塩、リン酸塩および硫酸塩の群から選択された緩衝剤を含むことを特徴とする請求項１に記載の蓄電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２００４年１月１３日に出願された米国特許出願第１０／７５６０１５号明細書に対応する一部継続出願である。
本発明は、特有の電気化学的性質によって区別される新規の種類の蓄電池に関する。その充電状態で、正極は二酸化鉛を含み、負極は亜鉛、カドミウム、鉛、鉄および／またはこれらの金属の合金と組合せを含む。電解質は、アルカリ金属の水酸化物または水酸化テトラメチルアンモニウムのアルカリ性水溶液からなり、炭酸塩、ホウ酸塩、ケイ酸塩、リン酸塩および硫酸塩を含む様々な緩衝剤が添加されていてもよい。放電すると、二酸化鉛は一酸化鉛に還元され、金属は酸化物へと酸化される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
鉛アルカリ蓄電池の化学は、その動作を理解するために重要である。当初は鉛から製造された正極は、充電すると二酸化鉛になり、放電中に一酸化鉛に還元される。負極が例えば亜鉛を含む場合は、この金属は電池が放電されると酸化亜鉛へと酸化される。電解質はアルカリ性であるため、溶液は過剰な水酸化物イオンを含む。放電中の電極の反応は、以下の化学反応式によって表すことができる。
正極：
（１）ＰｂＯ2 ＋Ｈ2 Ｏ＋２ｅ- →ＰｂＯ＋２ＯＨ- 
負極：
（２）Ｚｎ＋２ＯＨ- →ＺｎＯ＋Ｈ2 Ｏ＋２ｅ- 
上記の反応で、水酸化亜鉛は酸化亜鉛の形成の中間段階であってよい。これらの化学反応式が複合されると、電池の反応は、
（３）ＰｂＯ2 ＋Ｚｎ→ＰｂＯ＋ＺｎＯ
となる。反応全体で、放電中は濃度勾配があることはあるが、電解質の平均組成は変化しない。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年3月18日(2011.3.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】被覆層を組み込んだミクロ流体装置及びシステム
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の詳細な説明
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の詳細な説明】
発明の詳細な説明中の「保護層」を別紙の通り「被覆層」と訂正する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年5月31日(2011.5.31)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項４】該比が２８％またはそれよりも小さい値である請求項３記載の方法。