【手続補正書】
【提出日】平成23年5月18日(2011.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にテルル含有膜を形成する方法であって：
ａ）リアクタおよびその中に配置された少なくとも１つの基板を準備し；
ｂ）テルル前駆体を前記リアクタへ導入し、ここで前記テルル前駆体は以下の一般式の１つを有し：
−    (ＸＲ1Ｒ2Ｒ3)Ｔｅ(ＸＲ4Ｒ5Ｒ6)            (Ｉ）
−    (−(Ｒ1Ｒ2Ｘ)nＴｅ−)y                    (IIa)
−    (−(Ｒ1Ｒ2Ｘ)nＴｅ(ＸＲ3Ｒ4)m−)y          (IIb)
−    (−(Ｒ1Ｒ2Ｘ)nＴｅ(ＸＲ3Ｒ4)m)Ｔｅ−)y    (IIc)
−    以下の化学構造を有するＴｅ(ＸＮＲ1ＣＲ2Ｒ3ＣＲ4Ｒ5ＮＲ6)        (III)：
【化１】
2011522120.tif 000001
−    以下の化学構造を有するＴｅ(ＸＮＲ1ＣＲ2＝ＣＲ3ＮＲ4)            (ＩＶ)：
【化２】
2011522120.tif 000002
ここで：
−Ｘは炭素、シリコンまたはゲルマニウムであり；
−ｎおよびｍは０、１および２から選択される整数であり；
−式（IIa）および（IIb）において、ｙは２、３および４から選択される整数であり；
−式（IIc）において、ｙは１、２および３から選択される整数であり；
−Ｒ1-6の各々は独立してＨ、Ｃ1−Ｃ6アルキル、Ｃ1−Ｃ6アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6アルキルシリル、Ｃ1−Ｃ6ペルフロオロカーボン、Ｃ1−Ｃ6アルキルシロキシ、Ｃ1−Ｃ6アルキルアミノ、アルキルシリルアミノ、およびアミノアミドの中から選択され；
−式Ｉの前記テルル前駆体はＴｅ(ＧｅＭｅ3)2；Ｔｅ(ＧｅＥｔ3)2；Ｔｅ(ＧｅｔＢｕ3)2；Ｔｅ(ＧｅｔＢｕＭｅ2)2；Ｔｅ(ＳｉＥｔ3)2；Ｔｅ(ＳｉｉＰｒ3)2；Ｔｅ(ＳｉｔＢｕ3)2；Ｔｅ(ＳｉｔＢｕＭｅ2)2；Ｔｅ(Ｇｅ(ＳｉＭｅ3)3)2；Ｔｅ(Ｓｉ(ＳｉＭｅ3)3)2；Ｔｅ(ＧｅＭｅ3)(Ｓｉ(ＳｉＭｅ3)3)；およびＴｅ(Ｇｅ(ＳｉＭｅ3)3)2からなる群より選択され；
−式IIa、IIb、およびIIcの前記テルル前駆体は((ＧｅＭｅ2)Ｔｅ−)3；((ＧｅＥｔ2)Ｔｅ−)3；((ＧｅＭｅＥｔ)Ｔｅ−)3；((ＧｅｉＰｒ2)Ｔｅ−)4；((ＳｉＭｅ2)Ｔｅ−)3；((ＳｉＥｔ2)Ｔｅ−)3；((ＳｉＭｅＥｔ)Ｔｅ−)3；((ＳｉｉＰｒ2)Ｔｅ−)4；((ＧｅＭｅ2)2Ｔｅ(ＧｅＭｅ2)2Ｔｅ−)；((ＧｅＭｅ2)3Ｔｅ−)2；((ＳｉＭｅ2)3Ｔｅ−)2；ＣＨ2ＣＨ2ＧｅＭｅ2ＴｅＧｅＭｅ2−；およびＳｉＭｅ2ＳｉＭｅ2ＧｅＭｅ2ＴｅＧｅＭｅ2−からなる群より選択され；
ｃ）前記リアクタを少なくとも１００℃の温度に維持し；
ｄ）前記テルル前駆体を前記基板上へ分解して、テルル含有膜を形成する
ことを含む方法。
【請求項２】
前記リアクタを１００℃と５００℃の間の温度に維持することをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記リアクタを１５０℃と３５０℃の間の温度に維持することをさらに含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記リアクタを１Ｐａと１０5Ｐａの間の圧力に維持することをさらに含む請求項１ないし３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記リアクタを２５Ｐａと１０3Ｐａの間の圧力に維持することをさらに含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記リアクタへ少なくとも１種の還元性ガスを導入することをさらに含み、ここで前記還元性ガスは：Ｈ2；ＮＨ3；ＳｉＨ4；Ｓｉ2Ｈ6；Ｓｉ3Ｈ8；水素ラジカル；およびこれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１種を含む請求項１ないし５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記テルル前駆体および前記還元性ガスを実質的に同時にまたは逐次的にチャンバへ導入する請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記還元性ガスおよび前記テルル前駆体を実質的に同時に前記チャンバへ導入し、前記チャンバは化学気相堆積のために構成されている請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記還元性ガスおよび前記テルル前駆体を逐次的に前記チャンバへ導入し、前記チャンバは原子層堆積のために構成されている請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記テルル前駆体はＴｅ(ＧｅＭｅ3)(Ｓｉ(ＳｉＭｅ3)3)である請求項１ないし６の何れか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記テルル前駆体は前記一般式（III）または（ＩＶ）の前駆体を含む請求項１ないし６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記テルル前駆体は：Ｔｅ(ＧｅＮｔＢｕＣＨ2ＣＨ2ＮｔＢｕ)；Ｔｅ(ＧｅＮｔＢｕＣＨ＝ＣＨＮｔＢｕ)；Ｔｅ((ＧｅＮｔＢｕＣＨ(ＣＨ3)ＣＨ(ＣＨ3)ＮｔＢｕ)；Ｔｅ(ＳｉＮｔＢｕＣＨ2ＣＨ2ＮｔＢｕ)；Ｔｅ(ＳｉＮｔＢｕＣＨ＝ＣＨＮｔＢｕ)；およびＴｅ((ＳｉＮｔＢｕＣＨ(ＣＨ3)ＣＨ(ＣＨ3)ＮｔＢｕ)からなる群より選択される少なくとも１種を含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
少なくとも１種のゲルマニウム含有前駆体および少なくとも１種のアンチモン含有前駆体を前記リアクタへ導入し；前記ゲルマニウム含有前駆体および前記アンチモン含有前駆体の少なくとも一部を前記基板上に堆積させてゲルマニウム、テルルおよびアンチモン含有膜を形成することをさらに含む請求項１ないし６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の方法の製品を含むテルル含有薄膜で被覆された基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
本発明の実施形態を示して説明してきたが、当業者は本発明の精神または教示から逸脱することなくその変更を行うことができる。ここで説明した実施形態は例示的なだけで限定的ではない。組成物および方法の多くの変形および変更が可能であり、本発明の範囲内にある。したがって、保護の範囲はここで説明した実施形態に限定されないが、以下の特許請求の範囲によってのみ限定され、その範囲は特許請求の範囲に内容の全ての等価物を含むであろう。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［１］基板上にテルル含有膜を形成する方法であって：
ａ）リアクタおよびその中に配置された少なくとも１つの基板を準備し；ｂ）テルル前駆体を前記リアクタへ導入し、ここで前記テルル前駆体は以下の一般式の１つを有し：
−    (ＸＲ1Ｒ2Ｒ3)Ｔｅ(ＸＲ4Ｒ5Ｒ6)            (Ｉ）
−    (−(Ｒ1Ｒ2Ｘ)nＴｅ−)y                    (IIa)
−    (−(Ｒ1Ｒ2Ｘ)nＴｅ(ＸＲ3Ｒ4)m−)y          (IIb)
−    (−(Ｒ1Ｒ2Ｘ)nＴｅ(ＸＲ3Ｒ4)m)Ｔｅ−)y    (IIc)
−    Ｔｅ(ＸＮＲ1ＣＲ2Ｒ3ＣＲ4Ｒ5ＮＲ6)        (III)
−    Ｔｅ(ＸＮＲ1ＣＲ2＝ＣＲ3ＮＲ4)            (ＩＶ)
ここで：
−Ｘは炭素、シリコンまたはゲルマニウムであり；
−ｎおよびｍは０、１および２から選択される整数であり；
−式（IIa）および（IIb）において、ｙは２、３および４から選択される整数であり；
−式（IIc）において、ｙは１、２および３から選択される整数であり；
−Ｒ1-6の各々は独立してＨ、Ｃ1−Ｃ6アルキル、Ｃ1−Ｃ6アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6アルキルシリル、Ｃ1−Ｃ6ペルフロオロカーボン、Ｃ1−Ｃ6アルキルシロキシ、Ｃ1−Ｃ6アルキルアミノ、アルキルシリルアミノ、およびアミノアミドの中から選択され；
ｃ）前記リアクタを少なくとも約１００℃の温度に維持し；
ｄ）前記テルル前駆体を前記基板上へ分解して、テルル含有膜を形成する
ことを含む方法。
［２］前記リアクタを約１００℃と約５００℃の間の温度に維持することをさらに含む［１］に記載の方法。
［３］前記リアクタを約１５０℃と約３５０℃の間の温度に維持することをさらに含む［２］に記載の方法。
［４］前記リアクタを約１Ｐａと約１０5Ｐａの間の圧力に維持することをさらに含む［１］に記載の方法。
［５］前記リアクタを約２５Ｐａと約１０3Ｐａの間の圧力に維持することをさらに含む［４］に記載の方法。
［６］前記リアクタへ少なくとも１種の還元性ガスを導入することをさらに含み、ここで前記還元性ガスは：Ｈ2；ＮＨ3；ＳｉＨ4；Ｓｉ2Ｈ6；Ｓｉ3Ｈ8；水素ラジカル；およびこれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１種を含む［１］に記載の方法。
［７］前記テルル前駆体および前記還元性ガスを実質的に同時にまたは逐次的にチャンバへ導入する［６］に記載の方法。
［８］前記還元性ガスおよび前記テルル前駆体を実質的に同時に前記チャンバへ導入し、前記チャンバは化学気相堆積のために構成されている［７］に記載の方法。
［９］前記還元性ガスおよび前記テルル前駆体を逐次的に前記チャンバへ導入し、前記チャンバは原子層堆積のために構成されている［７］に記載の方法。
［１０］前記テルル前駆体は前記一般式（Ｉ）の前駆体を含む［１］に記載の方法。
［１１］前記テルル前駆体は：Ｔｅ(ＧｅＭｅ3)2；Ｔｅ(ＧｅＥｔ3)2；Ｔｅ(ＧｅｉＰｒ3)2；Ｔｅ(ＧｅｔＢｕ3)2；Ｔｅ(ＧｅｔＢｕＭｅ2)2；Ｔｅ(ＳｉＭｅ3)2；Ｔｅ(ＳｉＥｔ3)2；Ｔｅ(ＳｉｉＰｒ3)2；Ｔｅ(ＳｉｔＢｕ3)2；Ｔｅ(ＳｉｔＢｕＭｅ2)2；Ｔｅ(Ｇｅ(ＳｉＭｅ3)3)2；Ｔｅ(Ｓｉ(ＳｉＭｅ3)3)2；Ｔｅ(ＧｅＭｅ3)(Ｓｉ(ＳｉＭｅ3)3)；およびＴｅ(Ｇｅ(ＳｉＭｅ3)3)2からなる群より選択される少なくとも１種を含む［１０］に記載の方法。
［１２］前記テルル前駆体はＴｅ(ＧｅＭｅ3)(Ｓｉ(ＳｉＭｅ3)3)である［１１］に記載の方法。
［１３］前記テルル前駆体は一般式（IIa）、（IIb）または（IIc）の前駆体を含む［１］に記載の方法。
［１４］前記テルル前駆体は：((ＧｅＭｅ2)Ｔｅ−)3；((ＧｅＥｔ2)Ｔｅ−)3；((ＧｅＭｅＥｔ)Ｔｅ−)3；((ＧｅｉＰｒ2)Ｔｅ−)4；((ＳｉＭｅ2)Ｔｅ−)3；((ＳｉＥｔ2)Ｔｅ−)3；((ＳｉＭｅＥｔ)Ｔｅ−)3；((ＳｉｉＰｒ2)Ｔｅ−)4；((ＧｅＭｅ2)2Ｔｅ(ＧｅＭｅ2)2Ｔｅ−)；((ＧｅＭｅ2)3Ｔｅ−)2；((ＳｉＭｅ2)3Ｔｅ−)2；ＣＨ2ＣＨ2ＧｅＭｅ2ＴｅＧｅＭｅ2−；およびＳｉＭｅ2ＳｉＭｅ2ＧｅＭｅ2ＴｅＧｅＭｅ2−からなる群より選択される少なくとも１種を含む［１３］に記載の方法。
［１５］前記テルル前駆体は前記一般式（III）または（ＩＶ）の前駆体を含む［１］に記載の方法。
［１６］前記テルル前駆体は：Ｔｅ(ＧｅＮｔＢｕＣＨ2ＣＨ2ＮｔＢｕ)；Ｔｅ(ＧｅＮｔＢｕＣＨ＝ＣＨＮｔＢｕ)；Ｔｅ((ＧｅＮｔＢｕＣＨ(ＣＨ3)ＣＨ(ＣＨ3)ＮｔＢｕ)；Ｔｅ(ＳｉＮｔＢｕＣＨ2ＣＨ2ＮｔＢｕ)；Ｔｅ(ＳｉＮｔＢｕＣＨ＝ＣＨＮｔＢｕ)；およびＴｅ((ＳｉＮｔＢｕＣＨ(ＣＨ3)ＣＨ(ＣＨ3)ＮｔＢｕ)からなる群より選択される少なくとも１種を含む［１４］に記載の方法。
［１７］少なくとも１種のゲルマニウム含有前駆体および少なくとも１種のアンチモン含有前駆体を前記リアクタへ導入し；前記ゲルマニウム含有前駆体および前記アンチモン含有前駆体の少なくとも一部を前記基板上に堆積させてゲルマニウム、テルルおよびアンチモン含有膜を形成することをさらに含む［１］に記載の方法。
［１８］［１］に記載の方法の製品を含むテルル含有薄膜で被覆された基板。