【事件の表示】
　特願２００３−１０８６８１「単結晶の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１１月１１日出願公開、特開２００４−３１５２５６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１５年４月１４日の出願であって、平成１９年７月１２日付けで拒絶理由の起案がなされ、同年９月１３日に意見書及び明細書の記載に係る手続補正書の提出がなされ、同年１２月１３日付けで拒絶査定の起案がなされ、平成２０年１月１６日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされ、同年２月１４日付けで明細書の記載に係る手続補正書及び審判請求書の手続補正書の提出がなされ、平成２２年９月１０日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した審尋の起案がなされ、その指定期間内に回答書の提出がなされなかったものである。
　
ＩＩ．平成２０年２月１４日付けの手続補正と本願発明
　平成２０年２月１４日付けの手続補正は、補正前の特許請求の範囲の記載である、平成１９年９月１３日で手続補正された、
「　【請求項１】　チョクラルスキー法により単結晶を製造する方法であって、少なくとも、ルツボに収容された原料融液から単結晶棒を育成する工程と、単結晶製造装置に具備される重量検出手段により育成された後の単結晶棒の重量を引上げ及び回転を停止して炉内で測定する工程と、測定された重量に基づいて多結晶原料を準備する工程と、単結晶製造装置の炉内から育成単結晶棒を取り出す工程と、準備した多結晶原料をルツボに追加充填する工程と、ルツボに追加充填した多結晶原料を溶融して原料融液とする工程とを繰り返して前記ルツボから２以上の単結晶棒を製造することを特徴とする単結晶の製造方法。
　【請求項２】　前記多結晶原料を追加充填する工程では、予め単結晶棒の育成後にルツボ内に残った原料融液の表面を固化し、該固化した原料融液の表面上に多結晶原料を追加充填することを特徴とする請求項１に記載の単結晶の製造方法。
　【請求項３】　前記多結晶原料を準備する工程において、さらにドーパントを準備し、前記多結晶原料を追加充填する工程において、該ドーパントを合せて追加充填することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の単結晶の製造方法。
　【請求項４】　前記育成単結晶棒の重量を測定する工程において、測定条件を、製造する２以上の単結晶棒間で同一にすることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の単結晶の製造方法。
　【請求項５】　前記重量検出手段を、育成単結晶棒の重量の測定条件と同じ条件で調整しておくことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の単結晶の製造方法。
　【請求項６】　前記育成単結晶棒の重量を測定する工程において、単結晶製造装置の炉内の圧力を一定にして育成単結晶棒の重量を測定することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の単結晶の製造方法。
　【請求項７】　前記重量検出手段により育成単結晶棒の重量を測定する工程を、単結晶棒を育成する工程後のアフターヒート後であって、前記単結晶製造装置の炉内から育成単結晶棒を取り出す工程前のアイソレーションバルブの閉塞前とすることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の単結晶の製造方法。
　【請求項８】　前記重量検出手段をロードセルとすることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の単結晶の製造方法。
　【請求項９】　前記単結晶をシリコンとすることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の単結晶の製造方法。
　【請求項１０】　前記育成単結晶棒を直径２００ｍｍ以上とすることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の単結晶の製造方法。
　【請求項１１】　チョクラルスキー法により単結晶を製造する際に使用する単結晶製造装置であって、少なくとも、原料融液を収容するルツボと、原料融液を加熱する発熱体と、ワイヤーまたはシャフトにより原料融液から単結晶棒を回転させながら引上げるための引上げ手段と、前記ワイヤー又はシャフトにより引上げられた後の育成単結晶棒の重量を引上げ及び回転を停止して測定する重量検出手段と、重量検出手段による測定結果を記憶する記憶手段と、ルツボに追加充填する多結晶原料及び／又はドーパントの量を重量検出手段による測定結果から演算処理して求めるための演算手段と、演算手段により演算した結果を表示する表示部とを備えることを特徴とする単結晶製造装置。
　【請求項１２】　前記重量検出手段がロードセルであることを特徴とする請求項１１に記載の単結晶製造装置。」を、
「　【請求項１】　チョクラルスキー法により単結晶を製造する方法であって、少なくとも、ルツボに収容された原料融液から単結晶棒を育成する工程と、単結晶製造装置に具備される重量検出手段により育成された後の単結晶棒の重量を単結晶製造装置の炉内の圧力を一定にし、かつ引上げ及び回転を停止して炉内で測定する工程と、測定された重量に基づいて多結晶原料を準備する工程と、単結晶製造装置の炉内から育成単結晶棒を取り出す工程と、準備した多結晶原料をルツボに追加充填する工程と、ルツボに追加充填した多結晶原料を溶融して原料融液とする工程とを繰り返して前記ルツボから２以上の単結晶棒を製造することを特徴とする単結晶の製造方法。
　【請求項２】　前記多結晶原料を追加充填する工程では、予め単結晶棒の育成後にルツボ内に残った原料融液の表面を固化し、該固化した原料融液の表面上に多結晶原料を追加充填することを特徴とする請求項１に記載の単結晶の製造方法。
　【請求項３】　前記多結晶原料を準備する工程において、さらにドーパントを準備し、前記多結晶原料を追加充填する工程において、該ドーパントを合せて追加充填することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の単結晶の製造方法。
　【請求項４】　前記育成単結晶棒の重量を測定する工程において、測定条件を、製造する２以上の単結晶棒間で同一にすることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の単結晶の製造方法。
　【請求項５】　前記重量検出手段を、育成単結晶棒の重量の測定条件と同じ条件で調整しておくことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の単結晶の製造方法。
　【請求項６】　前記重量検出手段により育成単結晶棒の重量を測定する工程を、単結晶棒を育成する工程後のアフターヒート後であって、前記単結晶製造装置の炉内から育成単結晶棒を取り出す工程前のアイソレーションバルブの閉塞前とすることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の単結晶の製造方法。
　【請求項７】　前記重量検出手段をロードセルとすることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の単結晶の製造方法。
　【請求項８】　前記単結晶をシリコンとすることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の単結晶の製造方法。
　【請求項９】　前記育成単結晶棒を直径２００ｍｍ以上とすることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の単結晶の製造方法。」と補正するものである。
　この特許請求の範囲に係る補正事項は、
（１）補正前の請求項６に特定される事項を補正後の請求項１に加入させて、該請求項６を削除し、
（２）補正前の請求項１１及び１２を削除し、補正前の請求項７〜１０をそれぞれ新たに請求項６〜９とするものであり、
　この補正事項は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号に規定する事項に該当し、適法なものである。
　よって、本願の請求項１〜９に係る発明は、平成２０年２月１４日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜９に記載されたとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は以下のとおりのものである。
　
　【請求項１】　チョクラルスキー法により単結晶を製造する方法であって、少なくとも、ルツボに収容された原料融液から単結晶棒を育成する工程と、単結晶製造装置に具備される重量検出手段により育成された後の単結晶棒の重量を単結晶製造装置の炉内の圧力を一定にし、かつ引上げ及び回転を停止して炉内で測定する工程と、測定された重量に基づいて多結晶原料を準備する工程と、単結晶製造装置の炉内から育成単結晶棒を取り出す工程と、準備した多結晶原料をルツボに追加充填する工程と、ルツボに追加充填した多結晶原料を溶融して原料融液とする工程とを繰り返して前記ルツボから２以上の単結晶棒を製造することを特徴とする単結晶の製造方法。
　
ＩＩＩ．引用文献
（１）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用文献１として引用された本願の出願日前に頒布された刊行物である国際公開第０２／０６８７３２号（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。
（１−１）「半導体集積回路の基板として使用されるシリコン単結晶ウェーハは、例えばチョクラルスキー（ＣＺ）法によりシリコン単結晶を引上げて製造される。ＣＺ法では、先ず、石英ルツボ内に原料の多結晶シリコン（多結晶原料）を充填し、石英ルツボを保持する黒鉛ルツボをその外周にある円筒状の黒鉛ヒーターで加熱し、多結晶シリコンを溶融させる。次いで、種結晶をシリコン融液に浸して絞り部を形成して無転位化した後、必要な直径と長さになるまでシリコン単結晶を成長させる。」（１頁９〜１５行）
（１−２）「従来のバッチ式で原料追加を行なう場合の製造コストを低減する方法として、マルチプーリング（・・・・・・)法が知られている(・・・・・・）。この方法は、抵抗規格を満足する範囲のドーパント濃度を持つシリコン単結晶を引き上げた後、引き上げ重量分の棒（・・・・・・）状多結晶原料（・・・・・・）を吊り下げて石英ルツボ内に残余しているシリコン融液に浸しながら、徐々に溶融させて追加充填し、再度、同様のシリコン単結晶の引き上げを繰り返すことで、一度しか使用できない石英ルツボから複数本のシリコン単結晶を製造し、製造歩留まりを向上させると共に、石英ルツボのコストを低減させようとするものである。」（２頁１３〜２２行）
（１−３）「リチャージ法・・・・・・においては、原料供給とシリコン単結晶の取り出しを並行して行うことができ、作業時間が短縮されて作業効率がよいことが記載されている。」（３頁３〜８行）
　
（２）引用例２
　原査定の拒絶の理由に引用文献２として引用された本願の出願日前に頒布された刊行物である特開２０００−３４４５９５号公報（以下、「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
（２−１）「本発明は、回転引き上げ式の単結晶製造方法において、貴金属からなる二重るつぼを用い、育成中の結晶重量を天秤またはロードセルにより直接計測しながら、単結晶を前記るつぼの中から引き上げ育成し、育成炉体上部に設置した重量測定センサを兼ね備えた密封容器内にガスを供給し、前記密封容器内に保管した粉体原料を結晶の成長量と同じ量だけ外るつぼと内るつぼとの間に供給管から連続的に供給する。」（【００５４】）
　
（３）引用例３
　原査定の拒絶の理由に周知技術を記載した参考文献１として引用された本願の出願日前に頒布された刊行物である特開昭６３−３１５５９１号公報（以下、「引用例３」という。）には、次の事項が記載されている。
（３−１）「１）ロードセルを介し吊下げられた単結晶保持手段を用いて単結晶を保持し、この単結晶保持手段を所定の回転周期で回転させつつ、所定の引上速度で引上げることにより、電力によって加熱される溶融体から前記単結晶を成長させつつ引上げ、
　この引上げの間、前記電力を前記ロードセルからの重量検出値に基づいて制御する単結晶引上制御装置において、
　前記単結晶保持手段の回転角を検出する回転角検出手段と、
　前記回転角ごとの前記ロードセルの検出値から、少なくとも前記回転周期で変化する成分を取除いた値を前記重量検出値とするロードセル検出値補正手段と、を備えたことを特徴とする単結晶引上制御装置。」（特許請求の範囲）
（３−２）「本発明は単結晶断面径を自動的に一定に制御するために、単結晶の重さを測定しながら溶融体の加熱電力を制御し、溶融体から単結晶を成長させつつ引上げる単結晶引上制御装置に関するもので、
　特に前記の重さの測定値中の結晶回転に基づく誤差成分を取除いて、精度のよい単結晶断面径を得るようにした単結晶引上制御装置に関する。」（１頁右欄１〜７行）
　
（４）引用例４
　原査定の拒絶の理由に周知技術を記載した参考文献３として引用された本願の出願日前に頒布された刊行物である特開平８−２６１９０３号公報（以下、「引用例４」という。）には、次の事項が記載されている。
（４−１）「シリコン半導体等の単結晶体を製造する方法の一例として、半導体材料等の融液に浸した種結晶を回転させながら引上げて結晶体を成長させるチョクラルスキー法が用いられる。チョクラルスキー法を用いた結晶体製造装置では、引上げにより成長させる結晶体（以下、成長結晶体ということがある）の大きさを制御する・・・・・。」（【０００２】）
（４−２）「図１０(Ａ)のように、・・・・・・ロードセル49の出力から成長結晶体３の重量Mgが求められる。・・・・・・。
・・・・・・
しかし図１０(Ａ)の計測方法は、比較的大きな計測誤差の発生が避けられない問題点がある。・・・・・・図１０(Ａ)のロードセル49の出力は高周波及び中間周波の波状ノイズを含み、・・・・・・。高周波の波状ノイズの原因は巻上げ時のワイヤロープ46の捩れやズレにより(1)式の（L2/L1）が変動することにあり、中間周波の波状ノイズの原因はプーリ49の外周溝の真円からの偏差や枢支軸心と滑車中心とのずれ等の機械的誤差にあると考えられ、・・・・・・。」（【０００５】〜【０００７】）
　
ＩＶ．対比・判断
（あ）上記（１−２）に記載されている「マルチプーリング法」は、引用例１の文脈からみて上記（１−１）の「チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を引上げて製造」する方法に関するものであることは明らかである。
（い）上記（１−１）に記載の「チョクラルスキー法」は、シリコン単結晶を製造するものといえ、「石英ルツボ内に原料の多結晶シリコン（・・・・・・）を充填し、・・・・・・多結晶シリコンを溶融させ・・・・・・、種結晶をシリコン融液に浸して絞り部を形成して無転位化した後、必要な直径と長さになるまでシリコン単結晶を成長させる」ものである。
（う）「マルチプーリング法」は、上記（１−２）の記載によれば、「シリコン単結晶を引き上げた後、引き上げ重量分の棒（・・・・・・）状多結晶原料（・・・・・・）を吊り下げて石英ルツボ内に残余しているシリコン融液に浸しながら、徐々に溶融させて追加充填し、再度、同様のシリコン単結晶の引き上げを繰り返す」ものといえる。
（お）上記（あ）〜（う）の検討を踏まえて、引用例１の（１−１）〜（１−２）の記載を本願発明の記載ぶりに則して整理すると、引用例１には、
「チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を引上げて製造する方法であって、石英ルツボ内に原料の多結晶シリコンを充填し、多結晶シリコンを溶融させ、種結晶をシリコン融液に浸して絞り部を形成して無転位化した後、必要な直径と長さになるまでシリコン単結晶を成長させ、シリコン単結晶を引き上げた後、引き上げ重量分の棒状多結晶原料を吊り下げて石英ルツボ内に残余しているシリコン融液に浸しながら、徐々に溶融させて追加充填し、再度、同様のシリコン単結晶の引き上げを繰り返すシリコン単結晶を引上げて製造する方法。」の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されているといえる。
　
　次に、本願発明と引用例１発明とを対比する。
（か）引用例１発明の「シリコン単結晶」は、棒状であることは明らかであって、本願発明の「単結晶棒」に相当する。また、引用例１発明の「チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を引上げて製造する方法」は、本願発明の「チョクラルスキー法により単結晶を製造する方法」とみることができる。
（き）引用例１発明の「石英ルツボ内に原料の多結晶シリコンを充填し、多結晶シリコンを溶融させ、種結晶をシリコン融液に浸して絞り部を形成して無転位化した後、必要な直径と長さになるまでシリコン単結晶を成長させ、シリコン単結晶を引き上げ」ることは、本願発明の「ルツボに収容された原料融液から単結晶棒を育成する工程」に相当する。
（く）引用例１発明では、明記されていないが、引用例１発明において、「単結晶製造装置」により、「チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を引上げて製造」し、この「単結晶製造装置」は「炉」を有していることは明らかである。
（け）引用例１発明の「引き上げ重量分の棒状多結晶原料を吊り下げて石英ルツボ内に残余しているシリコン融液に浸しながら、徐々に溶融させて追加充填」することは、本願発明の「準備した多結晶原料をルツボに追加充填する工程」に相当する。
　そして、この「追加充填」において、「引き上げ重量分の棒状多結晶原料」を追加しているから、引用例１には明記されていないが、追加充填するの前に、引き上げたシリコン単結晶に対し、「育成された後のシリコン単結晶棒の重量を測定する工程」、「測定した重量に基づいて多結晶原料を準備する工程」、さらに、上記（く）で検討したように引用例１発明は「炉」を有しているいえるから、「単結晶製造装置の炉内から育成したシリコン単結晶棒を取り出す工程」を有しているとみることができ、これら４の工程を有していることは本願発明と共通する。
（こ）ここで、引用例１発明において、上記４の工程の順序について検討すると、「育成されたシリコン単結晶棒の重量を測定する工程」の後に「測定した重量に基づいて棒状多結晶原料を準備する工程」があること、また、「単結晶製造装置の炉内から育成したシリコン単結晶棒を取り出す工程」の後に「引き上げ重量分の棒状多結晶原料を吊り下げて石英ルツボ内に残余しているシリコン融液に浸しながら、徐々に溶融させて追加充填」する工程、すなわち、「準備した多結晶原料をルツボに追加充填する工程」があることは、共に、技術常識に照らし明らかではあるが、「単結晶製造装置の炉内からシリコン単結晶棒を取り出す工程」が「育成されたシリコン単結晶棒の重量を測定する工程」及び「測定した重量に基づいて棒状多結晶原料を準備する工程」に対して時系列的にどこにあるのか（「育成されたシリコン単結晶棒の重量を測定する工程」に先立つのか、「育成されたシリコン単結晶棒の重量を測定する工程」の後で「測定した重量に基づいて棒状多結晶原料を準備する工程」前に行うのか、「測定した重量に基づいて棒状多結晶原料を準備する工程」の後に行うのか）は引用例１の記載からは不明である。
（さ）引用例１発明の「再度、同様のシリコン単結晶の引き上げを繰り返すシリコン単結晶を引上げて製造する」ことは、本願発明の「ルツボに追加充填した多結晶原料を溶融して原料融液とする工程とを繰り返して前記ルツボから２以上の単結晶棒を製造すること」に相当する。
（し）上記（か）〜（さ）の検討を踏まえると、両者は、
「チョクラルスキー法により単結晶を製造する方法であって、ルツボに収容された原料融液から単結晶棒を育成する工程に続き、
育成された後の単結晶棒の重量を測定する工程、測定された重量に基づいて多結晶原料を準備する工程、単結晶製造装置の炉内から育成単結晶棒を取り出す工程、準備した多結晶原料をルツボに追加充填する工程の４工程を有し、
その後、ルツボに追加充填した多結晶原料を溶融して原料融液とする工程とを繰り返して前記ルツボから２以上の単結晶棒を製造する単結晶の製造方法。」である点で一致し、次の点で相違している。
相違点Ａ：本願発明では、単結晶棒の重量を測定する工程が「単結晶製造装置に具備される重量検出手段により育成された後の単結晶棒の重量を単結晶製造装置の炉内の圧力を一定にし、かつ引上げ及び回転を停止して炉内で測定する」ものであるのに対し、引用例１発明では、かかる特定を有していない点
相違点Ｂ：本願発明では、単結晶棒の重量を測定する工程、測定された重量に基づいて多結晶原料を準備する工程、単結晶製造装置の炉内から育成単結晶棒を取り出す工程、準備した多結晶原料をルツボに追加充填する工程の順になされているのに対し、引用例１発明ではかかる特定を有していない点
　
　そこで、これらの相違点について検討する。
（た）まず、引用例２の記載をみてみると、上記（２−１）には、「育成中の結晶重量を・・・・・・ロードセルにより直接計測」することが記載されているといえ、引用例２には、単結晶製造装置に設けられた重量検出手段であるロードセルによって育成中の単結晶重量を計測することが開示されている。
（ち）次に、引用例３の記載をみてみると、上記（３−１）には、「引上げの間、・・・・・・電力を前記ロードセルからの重量検出値に基づいて制御する単結晶引上制御装置において、前記単結晶保持手段の回転角を検出する回転角検出手段と、前記回転角ごとの前記ロードセルの検出値から、少なくとも前記回転周期で変化する成分を取除いた値を前記重量検出値とするロードセル検出値補正手段と、を備えた」ものが記載されているといえ、引用例３には、結晶を引上げている単結晶引上装置において、ロードセルの検出値は単結晶保持手段の回転周期で変化することが開示されている。
（つ）また、引用例４をみると、上記（４−２）には、「ロードセル49の出力から成長結晶体３の重量Mgが求められる。・・・・・・しかし・・・・・・、比較的大きな計測誤差の発生が避けられない問題点がある。・・・・・・ロードセル49の出力は高周波及び中間周波の波状ノイズを含み、・・・・・・高周波の波状ノイズの原因は巻上げ時のワイヤロープ46の捩れやズレに・・・・・・あり、中間周波の波状ノイズの原因はプーリ49の外周溝の真円からの偏差や枢支軸心と滑車中心とのずれ等の機械的誤差にある」と記載され、この「成長結晶体」は、上記（４−１）によれば、「チョクラルスキー法を用いた結晶体製造装置では、引上げにより成長させる結晶体」であるといえるから、引用例４には、チョクラルスキー法を用いた結晶体製造装置では、引上げにより成長させる結晶体のロードセルによる重量測定値は巻上げ（引上げ）時のワイヤロープの捩れやズレ、プーリの機械的誤差により計測誤差の発生が避けられないことが開示されているといえる。
（て）そうすると、単結晶製造装置で育成中（引上中）の単結晶の重量をロードセルにて測定することは引用例２に記載されており、そのロードセルの重量計測値は単結晶の引上げや回転により誤差が生じることが引用例３、４に記載されているように本願発明に係る特許出願前に周知であったといえる。
（と）以上を踏まえて、相違点Ａについて検討すると、引用例１発明においても、育成された単結晶の重量は測定されているものであり、引用例２において「育成中」の単結晶が炉内でその重量を測定されていることが示されているから、甲第２号証に接した当業者は、同じく重量の測定である「育成された後」の単結晶の重量の測定を炉内で行おうとの動機付けを得るといえ、その際、測定誤差を少なくするために、上記（て）で述べた周知の知見に基づいて単結晶の引上げ及び回転を停止して測定することは当業者であれば困難なくなし得ることである。そして、「炉内の圧力を一定」にすることは、圧力を一定にすれば雰囲気の気体の移動が小さく、単結晶の回転等の結晶の移動が小さくなることが自明であることからみて適宜なし得ることである。
（な）次に、相違点Ｂについて検討すると、引用例２の記載に基づいて、育成された後の単結晶の重量の測定を炉内で行えば、「単結晶製造装置の炉内から育成単結晶棒を取り出す工程」は、「単結晶棒の重量を測定する工程」の後、あるいはこの工程に続く「測定された重量に基づいて多結晶原料を準備する工程」の後におのずとなるから、作業性等を考慮して、「単結晶製造装置の炉内から育成単結晶棒を取り出す工程」を「測定された重量に基づいて多結晶原料を準備する工程」の後とすること、すなわち、上記相違点Ｂに係る本願発明の特定事項をなすことは困難なくなし得ることである。
　なお、本願の【００５７】に記載される実施例のように、「測定された重量に基づいて多結晶原料を準備する工程」と「単結晶製造装置の炉内から育成単結晶棒を取り出す工程」とを並行的に開始することも、引用例１の上記（１−３）に記載されるように、単結晶製造方法において、作業工程を並行して行い作業時間を短縮させることは広く行われていることであるから、当業者であれば容易になし得ることである。
（に）そして、これら相違点Ａ及びＢに係る本願発明の特定事項がもたらす作用・効果は格別なものとはいえない。
　よって、本願発明は引用例１及び２に記載された発明並びに引用例３及び４に記載された周知技術により、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　
Ｖ．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１及び２に記載された発明並びに引用例３及び４に記載された周知技術により、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。