【事件の表示】
　特願２０００−　９９５１２「半導体レーザ発光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１０月１２日出願公開、特開２００１−２８４７０６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１２年３月３１日の出願であって、平成２１年９月１１日付けで手続補正がなされ、平成２１年１２月１１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２２年３月１２日に拒絶査定不服審判請求がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２１年９月１１日付け手続補正による補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし２１に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は次のとおりと認められる。
　
「複数のレーザ光発振部を有するレーザ光発光部品と、
　少なくとも一のレーザ光発振部で発振し、その出力端面から出射されたレーザ光の少なくとも一部を、他のレーザ光発振部内に折り返して入射させる光学部品と、
を備え、
　前記光学部品は、レーザ光発振部の出力端面から出射したレーザ光の出射方向前方に配され、レーザ光の一部を透過し、残りを反射若しくは散乱させる半透明部材であることを特徴とする半導体レーザ発光装置。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　引用刊行物の記載事項
（１）引用刊行物１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平９−１３９５４２号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  第一導電型のＧａＡｓ基板と、第二導電型のＧａＡｓキャップ層と、上記第一導電型のＧａＡｓ基板と第二導電型のＧａＡｓキャップ層との間にアレイ状に形成された複数の活性領域と、この複数の活性領域からレーザ光が出射されるように設けられた前端面及び後端面を有する半導体レーザ、この半導体レーザの複数の活性領域の一つから出射されたレーザ光の一部が他の活性領域に入射されるように、上記後端面の後方に配置された反射ミラーを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。
・・・」
　
　イ　「【０００２】
【従来の技術】図１０は、Ｍ．Ｓａｋａｍｏｔｏ  ｅｔ．ａｌ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５２（２６）、２２２０（１９８８）で開示された従来のアレイ型半導体レーザ装置を示す斜視図であり、図において、１はｎ−ＧａＡｓ基板、２はアレイ状活性領域、３はｐ−ＧａＡｓキャップ層、４ａは前端面、４ｂは後端面である。
【０００３】次に動作について説明する。ｐ−ＧａＡｓキャップ層３からホール（正孔）が、ｎ−ＧａＡｓ基板１からは電子が、それぞれアレイ状活性領域２に注入され、そこで再結合が起こって光が発生し、共振器長方向に沿って増幅することで、レーザ光となり，前端面４ａ及び後端面４ｂから出射されることになる。・・・」
　
　ウ　「【０００８】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．図１は、この発明の実施の形態１によるアレイ型半導体レーザ装置を示す斜視図、図２は、この発明の実施の形態１によるアレイ型半導体レーザ装置の動作を具体的に説明するための上面図である。図において、１〜４ｂは従来装置と同じものであり、その説明を省略する。５は反射ミラーである。
【０００９】図１に示すように、半導体レーザの後端面４ｂの後ろに、距離Ｌだけ隔てて、反射ミラー５を設置したものである。アレイ型半導体レーザの１つの活性領域［幅：（ｗ２−ｗ１）／２］に着目すると、出射光はガウス波と見なすことができ、拡がり角θで規定することができる。この拡がり角θは、ガウス波のスポットサイズ（ｗ０）と１対１の対応関係にあることが知られている。つまり次式（１）が成り立つ。
θ＝λ／πｗ０　　　　　　　　・・・・（１）
半導体レーザの後端面４ｂと反射ミラー５の距離Ｌを、次式を満たすように選択すれば、１つのストライプから出射した光が、反射ミラー５で反射して、隣のストライプに入り、光の帰還がかかって、全体として１つの波長で発振するようになる。
ｗ１＜２Ｌ・ｔａｎθ＜ｗ２　　　・・・・（２）
【００１０】・・・反射ミラー５を設けることによって、反射ミラー５で反射される光によって、各アレイ状活性領域２が光学的に同期する。」
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
「第一導電型のＧａＡｓ基板と、第二導電型のＧａＡｓキャップ層と、上記第一導電型のＧａＡｓ基板と第二導電型のＧａＡｓキャップ層との間にアレイ状に形成された複数の活性領域と、この複数の活性領域からレーザ光が出射されるように設けられた前端面及び後端面を有する半導体レーザ、この半導体レーザの複数の活性領域の一つから出射されたレーザ光の一部が他の活性領域に入射されるように、上記後端面の後方に配置された反射ミラーを備えた半導体レーザ装置。」
　
（２）引用刊行物２
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平２−３２５８１号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「［産業上の利用分野］
　この発明は、集積型半導体レーザ装置（以下単に集積型レーザ装置と略称す）に関し、特に単峰性遠視野像が得られる集積型レーザ装置に関するものである。」（第１頁左下欄第１２〜１６行）
　
　イ　「［実施例］
　・・・
　第１図は本発明の集積型レーザ装置の構成及び作用の説明図，第２図は本発明の一実施例に用いる集積型レーザ素子の断面説明図である。
　第１図において、２０は集積型レーザ素子，２１は発光点，２２及び２４は凸レンズ，２３は複スリット，２５は反射鏡又は半透鏡である。
　また第２図において、１はｐ型ＧａＡｓ基板，２はｎ型ＧａＡｓ電流阻止層，３はｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層，４はｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層，５はｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層，６はｎ型ＧａＡｓキャップ層、７，８は夫々ｎ側電極，ｐ側電極である。
　この第２図の素子の構造において、Ｖ溝外のｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３の厚さＤを約０．３μm程度にすれば、各Ｖ溝上部のｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層４で発振が起り、ストライプ間隔ｄを適切に設計すれば、これらの各ストライブからの光は位相同期発振する。
　・・・
　第１図に示す如く、集積型レーザチップ２０からの出射光は、凸レンズ２２によって、複スリット２３上に、発光点２１の実像として、集光されるようにする。
　又、発光点２１の光点は、図示するように５点の光点となっており、その光点は１つおきに、１８０°づつずれているようになっている。
　この複スリット２３は、発光点２１の実像の光点（５点）列のうちで光点を１つおきに遮断するように作られている。
　この複スリット２３を通過した光は、仮に集積型レーザチップ２０を出た出射光が最高次モードで発振していても、この複スリット２３を通過した光についてはすべて同位相になっている。
　この後、凸レンズ２４によって反射鏡（又は半透鏡）２５によって、凸レンズ２４に戻り、複スリット２３上に実像（光点）を結ぶ。
　この実像（光点）がすべて複スリット２３を透過可能なように凸レンズ２４は配置されている。
　このようにすると、反射鏡２５から戻った光は凸レンズ２２によって、集積型レーザチップ２０の端面の発光点位置に、発光点の１つおきに戻って来る。
　・・・
　・・・本実施例の場合、レーザストライブ１つおきに発振利得が増大し、その上、この発振利得が増大したストライブからの出射光が、すべて同位相となっている。
　・・・
　一方出射光は、第１図に示す如く、Ａ方向にもＢ方向にも、取り出すことが可能であり、Ｂ方向から取り出すときは、反射鏡２５を半透鏡にしておけばよいことは言うまでもない。」（第３頁左下欄第１３行〜第４頁右上欄第２０行）
　
　ウ　上記イに照らして第１図を見ると、以下の（ア）及び（イ）がが見て取れる。
　（ア）「集積型レーザ装置」は、「（５点の光点列からなる）発光点２１を有する『集積型レーザチップ２０』」と、「凸レンズ２２」と、「複スリット２３」と、「凸レンズ２４」と、「反射鏡２５」とからなること
　（イ）「集積型レーザ装置」の出射光は、「集積型レーザチップ２０」の「反射鏡２５」が設けられていない方向（Ａ方向）にも、「反射鏡２５」が設けられた方向（Ｂ方向）にも取り出すことが可能であり、前記出射光を「集積型レーザチップ２０」の「反射鏡２５」が設けられた方向（Ｂ方向）から取り出すときは、反射鏡２５を半透鏡にしておけばよいこと
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
「５点の光点列からなる発光点２１を有する集積型レーザチップ２０と、凸レンズ２２と、複スリット２３と、凸レンズ２４と、反射鏡２５とからなる集積型レーザ装置であって、
　集積型レーザチップ２０からの出射光は、凸レンズ２２によって、複スリット２３上に、発光点２１の実像として、集光され、発光点２１の光点は、１つおきに、１８０°づつずれているようになっており、複スリット２３は、発光点２１の実像の光点（５点）列のうちで光点を１つおきに遮断するように作られており、
　複スリット２３を通過した光はすべて同位相になっており、この後、凸レンズ２４及び反射鏡２５によって、凸レンズ２４に戻り、複スリット２３上に実像（光点）を結び、この実像（光点）がすべて複スリット２３を透過可能なように凸レンズ２４は配置されており、反射鏡２５から戻った光は凸レンズ２２によって、集積型レーザチップ２０の端面の発光点位置に、発光点の１つおきに戻って来る集積型レーザ装置であり、
　当該集積型レーザ装置の出射光は、集積型レーザチップ２０の反射鏡２５が設けられていない方向にも、反射鏡２５が設けられた方向にも取り出すことが可能であり、前記出射光を集積型レーザチップ２０の反射鏡２５が設けられた方向から取り出すときは、反射鏡２５を半透鏡にしておけばよい、集積型レーザ装置。」
　
　
３　対比
　本願発明と引用発明１を対比する。
　
（１）引用発明１の「半導体レーザ装置」は、「・・・第一導電型のＧａＡｓ基板と第二導電型のＧａＡｓキャップ層との間にアレイ状に形成された複数の活性領域と、この複数の活性領域からレーザ光が出射されるように設けられた前端面及び後端面を有する半導体レーザ」と、「この半導体レーザの複数の活性領域の一つから出射されたレーザ光の一部が他の活性領域に入射されるように、上記後端面の後方に配置された反射ミラー」とを備えたものであるから、
　ア　引用発明１の「（複数の）活性領域」、「（複数の活性領域を有する）半導体レーザ」、「複数の活性領域の一つ」、「他の活性領域」及び「半導体レーザ装置」は、それぞれ、本願発明の「（複数の）レーザ光発振部」、「複数のレーザ光発振部を有するレーザ光発光部品」、「一のレーザ光発振部」、「他のレーザ光発振部」及び「半導体レーザ発光装置」に相当し、
　イ　引用発明１の「半導体レーザ装置」は、本願発明の「複数のレーザ光発振部を有するレーザ光発光部品を備え」との事項を備える。また、
　ウ　引用発明１の「反射ミラー」は、本願発明の「少なくとも一のレーザ光発振部で発振し、その出力端面から出射されたレーザ光の少なくとも一部を、他のレーザ光発振部内に折り返して入射させる光学部品」と、「少なくとも一のレーザ光発振部で発振し、光学部品が配置された側の端面から出射されたレーザ光を、他のレーザ光発振部内に折り返して入射させる光学部品」である点で一致し、
　エ　引用発明１の「半導体レーザ装置」は、本願発明の「少なくとも一のレーザ光発振部で発振し、その出力端面から出射されたレーザ光の少なくとも一部を、他のレーザ光発振部内に折り返して入射させる光学部品と、を備え」との事項と、「少なくとも一のレーザ光発振部で発振し、光学部品が配置された側の端面から出射されたレーザ光を、他のレーザ光発振部内に折り返して入射させる光学部品と、を備え」との点で一致する。
　
（２）引用発明１の「反射ミラー」は、「（半導体レーザの）後端面の後方に配置された」ものであるから、引用発明１の「（反射ミラーが、半導体レーザの）後端面の後方に配置され」との事項は、本願発明の「前記光学部品は、レーザ光発振部の出力端面から出射したレーザ光の出射方向前方に配され」との事項と、「前記光学部品は、レーザ光発振部の光学部品が配置された側の端面から出射したレーザ光出射方向の、前記端面から所定距離離れた位置に配され」との点で一致する。
　
.　したがって、本願発明と引用発明１とは、　  
「複数のレーザ光発振部を有するレーザ光発光部品と、
　少なくとも一のレーザ光発振部で発振し、光学部品が配置された側の端面から出射されたレーザ光を、他のレーザ光発振部内に折り返して入射させる光学部品と、
を備え、
　前記光学部品は、レーザ光発振部の光学部品が配置された側の端面から出射したレーザ光出射方向の、前記端面から所定距離離れた位置に配される、半導体レーザ発光装置。」
である点で一致し、次の点で相違する。　  
 　 
相違点
　光学部品が、本願発明では、レーザ光の一部を透過し、残りを反射若しくは散乱させる半透明部材であって、レーザ光発振部の出力端面から出射したレーザ光の出射方向前方に配されるものであるのに対し、引用発明１では、反射ミラーであって、半導体レーザの後端面の後方に配置されている点。
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
　上記２（２）によれば、引用刊行物２には、引用発明２が記載され、「５点の光点列からなる発光点２１を有する集積型レーザチップ２０と・・・反射鏡２５とからなる集積型レーザ装置」において、「当該集積型レーザ装置の出射光は、集積型レーザチップ２０の反射鏡２５が設けられていない方向にも、反射鏡２５が設けられた方向にも取り出すことが可能であり、前記出射光を集積型レーザチップ２０の反射鏡２５が設けられた方向から取り出すときは、反射鏡２５を半透鏡にしておけばよい」ことが示されているから、引用発明１の「半導体レーザ装置」において、その出射光を「（半導体レーザの後端面の後方に配置された）反射ミラー」が設けられた方向から取り出すようにするために、前記「反射ミラー」を半透鏡となし、その結果、当該半透鏡が、半導体レーザの活性領域の出力端面から出射したレーザ光の出射方向前方に配されるものとなして、上記相違点に係る本願発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明１及び２から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。