【事件の表示】
　特願２００１−２６２１７３「半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハ」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　３月１４日出願公開、特開２００３−　７７９２４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　  
　本願は、平成１３年８月３０日の出願であって、平成２１年３月２５日付けで拒絶査定がされ、それに対して、同年４月３０日に審判が請求されるとともに、同年５月２７日に手続補正書が提出された。その後、前置審査において同年９月１５日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月１８日に手続補正書が提出された。その後、当審において平成２２年１２月３日付けで審尋がされ、平成２３年２月７日に回答書が提出されたものである。 
　  
　
第２　本願発明  
　請求項１〜８に係る発明のうち、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。  
　  
「【請求項１】シリコン基板の表面にシリコン単結晶をエピタキシャル成長したエピタキシャル層を有するエピタキシャルウェーハを、作為的に酸化膜を形成することなく窒化ガスを含む雰囲気ガス中で９００℃から１２００℃までの範囲の熱処理温度かつ１ｓｅｃから６０ｓｅｃまでの範囲の熱処理時間で急速加熱・急冷処理をすることにより熱処理し、前記エピタキシャル層表面から内部に空孔を注入して、酸素析出核を形成することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。」 　  
　
　
第３　引用例の記載と引用発明
１　引用例とその記載内容
　前置審査における拒絶の理由で引用した、本願の出願の日前に日本国内において頒布された刊行物である特表２００１−５０９３１９号公報（以下「引用例」という。）には、「理想的な酸素析出シリコンウエハおよびそれのための酸素外方拡散の無い方法」（発明の名称）について、図１とともに、次の記載がある（下線は当審で付加。以下同じ。）。
　
ア　発明の背景
「
発明の背景
　半導体電子部品のほとんどの製造方法のための出発材料である単結晶シリコンは、種単結晶を溶融シリコンに浸漬し次いで遅い引出によって成長させるいわゆるチョクラルスキー法によって一般に製造されている。溶融シリコンは、石英ルツボに収容されているので、種々の不純物によって汚染され、不純物の中で主たるものは酸素である。固化シリコンにおける酸素の実際の凝離係数によっておよび溶融塊の温度でのシリコン中における酸素の溶解性によって決まる濃度に酸素が達するまで、シリコン溶融塊の温度で、酸素が結晶格子に入る。当該濃度は、電子デバイスの製造方法に典型的な温度における固形シリコンにおける酸素の溶解性よりも高い。結晶が溶融塊から成長し冷却されると、酸素の溶解性は急速に減少し、これにより、得られるスライスまたはウエハにおいて、酸素は過飽和濃度で存在する。　
　電子デバイスの製造において一般的に使用される熱処理サイクルは、酸素が過飽和になっているシリコンウエハにおいて酸素の析出を生じさせる。ウエハにおける析出位置に依存して、析出は有害または有益である。ウエハの活性デバイス領域に位置する酸素析出物は、デバイスの動作を損い得る。しかし、ウエハのバルクに位置する酸素析出物は、ウエハに接触するようになり得る望ましくない金属不純物を捕捉し得る。金属を捕捉するウエハのバルクに位置する酸素析出物の使用は、内的または本質的なゲタッリング（ＩＧ）と一般に呼ばれる。」（１０頁３〜２５行）
　
イ　好ましい態様の詳細な説明
「
好ましい態様の詳細な説明
  
本発明の理想的な析出ウエハのための出発材料は、従来のチョクラルスキー結晶成長法に従って成長された単結晶インゴットからスライスされた単結晶シリコンウエハである。
　チョクラルスキー成長シリコンは、典型的には、約５ｘ１０17〜約９ｘ１０17原子／ｃｍ3（ＡＳＴＭ標準Ｆ−１２１−８３）の範囲の酸素濃度を有する。ウエハの酸素析出挙動は理想的な析出ウエハにおける酸素濃度から本質的に切り離されるようになるので、出発ウエハは、チョクラルスキー法によって得られる範囲内または範囲外さえに入る酸素濃度を有していてよい。」（１５頁１５行〜１６頁５行）
「図１を参照すると、本発明の理想的な析出ウエハ１のための出発材料が、前表面３、後表面５、および前表面と後表面との間の仮想的な中央面７を有する。本明細書において、用語「前」および「後」とは、ウエハの２つのほぼ平面状の主表面を区別するために使用される。用語としてのウエハの前表面は、電子デバイスが後に設けられる表面を必ずしも意味するのではなく、また、用語としてのウエハの後表面は、電子デバイスが設けられる表面と反対側の主表面を必ずしも意味するのではない。加えて、シリコンウエハは典型的にいくらかの総合厚さ変化（ＴＴＶ）、たわみおよび反りを有するので、前表面の全ての地点と後表面の全ての地点との間の中間点は、正確に平面内にないことがある。実際に、ＴＴＶ、あわみおよび反りは一般にはわずかなものであるので、近似的には、中間点は、前表面と後表面との間のほぼ等距離である仮想的な中間平面内にあると言うことができる。　
　
本発明の方法の第１の態様において、
　
工程Ｓ
2
において、ウエハを高温に加熱し、ウエハ１における結晶格子空孔１３の数密度を増加させる熱処理にウエハを付す。好ましくは、この熱処理工程は、ウエハを急速に目標温度に加熱し、かなり短時間で該温度でアニールする急速熱的アニーラーにおいて行われる。一般に、ウエハは、１１５０℃以上、好ましくは少なくとも１１７５℃、より好ましくは少なくとも１２００℃、最も好ましくは少なくとも１２００℃〜１２７５℃の温度に付される。
　
本発明の第１の態様において、急速熱的アニール工程は、窒化雰囲気、すなわち、露出シリコン表面を窒化できるアンモニアなどの窒素含有化合物ガスまたは窒素ガス（Ｎ
2
）を含有する雰囲気の存在下で、行う。雰囲気は、全体的に窒素または窒素化合物ガスからなってよく、あるいはアルゴンのような非窒化ガスを付加的に含んでいてよい。ウエハにおける空格子点濃度の増加は、即時でない場合に、アニール温度達成時に、ほとんど達成される。ウエハは、少なくとも１秒間、典型的には少なくとも数秒間（例えば少なくとも３秒間）、好ましくは数十秒間（例えば、２０、３０、４０または５０秒間）、ウエハの所望特性に応じて、約６０秒までの時間で（これは、工業的な急速熱的アニーラーの限界に近い）、ほぼこの温度で一般に保持される。得られるウエハは、ウエハにおけるかなり均一な空格子点濃度（数密度）を有する。」
「
工程S
2
の完了後、ウエハは、工程S
3
において、結晶格子空格子点が単結晶において比較的移動しやすい温度範囲を通って、急速に冷却される。
　
工程S
4
において、ウエハは、酸素析出加熱処理に付される。
「
本発明の第３具体例によれば、工程S
1
（熱酸化工程）は、省略し、出発ウエハは、天然酸化物層以外の酸化物層を有しない。
　実験結果の示唆するところによれば、天然酸化物層以外に酸化物層を有しないウエハと、強化酸化物層を有するウエハとについての、この挙動上の差異は、酸素分子または他の酸化性ガスを雰囲気中に含めることで、回避することができる。」（２２頁９行〜２９行）
「本発明の方法の出発物質は、研磨シリコンウエハであってよく、これとは別の態様として、予めラップされ、エッチングされているが、研磨していないシリコンウエハであってもよい。加えて、ウエハは、空格子点または自己格子間点欠陥（主要な固有の点欠陥）を有することができる。例えば、ウエハは、中心から周縁部にかけて優勢な空格子点であってもよく、中心から周縁部にかけて優勢な自己格子間欠陥であってよく、またはウエハは、自己格子間欠陥優勢材料の軸方向に沿って対称的なリングによって囲まれた、空格子点優勢材料の中心コアーを有することができる。　
　
エピタキシャル層を、理想的な析出ウエハ上に蒸着する必要がある場合、本発明の方法は、エピタキシャル蒸着の前後のいずれかに実施することができる。
　
ウ　ここで、引用例の「本発明の理想的な析出ウエハのための出発材料は、従来のチョクラルスキー結晶成長法に従って成長された単結晶インゴットからスライスされた単結晶シリコンウエハである。」（１５頁２３〜２５行）の記載、及び「エピタキシャル層を、理想的な析出ウエハ上に蒸着する必要がある場合、本発明の方法は、エピタキシャル蒸着の前後のいずれかに実施することができる。」（２４頁５〜６行）の記載から、引用例において、析出ウエハのための出発材料は、「単結晶シリコンウエハ上にエピタキシャル成長したエピタキシャル層を有するエピタキシャルウエハ」であることは、当業者にとって明らかである。
　
２　引用発明
　上記ア〜ウによれば、引用例には、次の発明が記載されているといえる（以下「引用発明」という。）。
　
「析出ウエハのための出発材料としての単結晶シリコンウエハ上にエピタキシャル成長したエピタキシャル層を有するエピタキシャルウエハを、熱酸化工程は省略し、天然酸化物層以外の酸化物層を有することなく、窒化雰囲気の存在下で、急速に目標温度に加熱し、１１５０℃以上の温度に付し、少なくとも１秒間、ウエハの所望特性に応じて約６０秒までの時間で保持する、結晶格子空孔１３の数密度を増加させる熱処理に付し、急速に冷却する。その後、酸化析出熱処理に付す、シリコンウエハの製造方法。」
　
　
第４　対比
１　本願発明と引用発明とを対比すると、
ア　単結晶シリコンウエハはシリコン基板でもあるから、引用発明の「析出ウエハのための出発材料としての単結晶シリコンウエハ上にエピタキシャル成長したエピタキシャル層を有するエピタキシャルウエハ」は、本願発明の「シリコン基板の表面にシリコン単結晶をエピタキシャル成長したエピタキシャル層を有するエピタキシャルウェーハ」に相当する。
　
イ　引用発明の「熱酸化工程は省略し、上記ウエハは、天然酸化物層以外の酸化物層を有することなく」は、本願発明の「作為的に酸化膜を形成することなく」に相当する。
　
ウ　引用発明の「窒化雰囲気の存在下」で熱処理を付すことは、本願発明の「窒化ガスを含む雰囲気ガス中」で熱処理することに相当する。
　
エ　熱処理の温度について、引用発明の「１１５０℃以上の温度」と、本願発明の「９００℃から１２００℃までの範囲の熱処理温度」とは、１１５０℃から１２００℃までの範囲で重なっており、その範囲で両者は一致する。
　
オ　熱処理の時間について、引用発明の「少なくとも１秒間、ウエハの所望特性に応じて約６０秒までの時間」は、本願発明の「１ｓｅｃから６０ｓｅｃまでの範囲の熱処理時間」に相当する。
　
カ　引用発明の「急速に目標温度に加熱し」、「急速に冷却する」熱処理を付すことは、「急速加熱・急冷処理すること」により熱処理を行うことと、技術的に同義である。
　
キ　引用発明では、「結晶格子空孔１３の数密度を増加させる熱処理に付し」ているから、本願発明と同様に、「熱処理し、空孔を注入」するものといえる。　
　
ク　引用発明の「シリコンウエハの製造方法」は、本願発明の「半導体ウェーハの製造方法」に相当する。　  
　
２　そうすると、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
　
〈一致点〉
　「シリコン基板の表面にシリコン単結晶をエピタキシャル成長したエピタキシャル層を有するエピタキシャルウェーハを、作為的に酸化膜を形成することなく窒化ガスを含む雰囲気ガス中で９００℃から１２００℃までの範囲の熱処理温度かつ１ｓｅｃから６０ｓｅｃまでの範囲の熱処理時間で急速加熱・急冷処理をすることにより熱処理し、空孔を注入する半導体ウェーハの製造方法。」
  
〈相違点〉
　空孔の注入について、本願発明は、「エピタキシャル層表面から内部に空孔を注入して、酸素析出核を形成する」のに対し、引用発明では、そのような特定がない点。
　
　　
第５　相違点についての検討
　引用発明は、「析出ウエハのための出発材料」として、「エピタキシャルウエハ」を用いているから、シリコン基板の表面にエピタキシャル層を有する上記「エピタキシャルウエハ」の構成からみて、引用発明においても、空孔は「エピタキシャル層表面から内部に」注入されていると考えるのが、自然であり、合理的である。　
　そして、引用発明において、「結晶格子空孔１３の数密度を増加させる熱処理に付し」、その後、「酸化析出熱処理に付す」ことから、引用発明も空孔を注入して、酸素析出核を形成するものであることは、当業者にとって明らかである。　
　そうすると、上記相違点は実質的なものではない。
　　
　以上のとおり、本件発明と引用発明との相違点は実質的なものではなく、両者は同一であるから、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明に該当し、特許を受けることができない。　  
　  
　 
第６　結言 　  
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。  
　  
　よって、結論のとおり審決する。