【事件の表示】
　特願２００５−　４５１７０「垂直磁気記録媒体の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　９月　８日出願公開、特開２００５−２４３２２６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１７年２月２２日（パリ条約に基づく優先権主張　平成１６年２月２５日　大韓民国（ＫＲ））の出願であって、平成２０年６月２４日付け拒絶理由通知に対する応答時、同年１０月１日付けで手続補正がなされ、同年１０月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２１年２月２日付けで拒絶査定不服審判請求及び手続補正がなされた。
　その後、平成２２年１０月１９日付けで審尋がなされ、平成２３年１月１２日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成２１年２月２日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２１年２月２日付けの手続補正を却下する。 
［理　由］ 
（１）補正後の本願発明 
　平成２１年２月２日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１は、 
「【請求項１】
　基板と記録層との間に底層を備える垂直磁気記録媒体を製造する方法において、
　少なくとも２段階に分けて相異なるスパッタリング条件で、複数層構造からなる底層を形成する段階と、
　前記底層上に記録層を形成する段階とを含む垂直磁気記録媒体の製造方法であって、
　前記複数層構造の底層のうち前記記録層の直下に位置する底層が、他の底層より表面粗度が大きく、
　前記記録層の直下に位置する底層が、他の底層より高いスパッタリング圧力と低いスパッタリングパワ
ーに
と補正された。 
　上記補正は、 
　請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「記録層の直下に位置する低層」の形成条件について、「他の低層より高いスパッタリング圧力と低いスパッタリングパワー
とのうちの少なくとも一方
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか）否かについて以下に検討する。 
 　 
（２）引用例 
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００４−２２１３８号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。 
　ア．「【請求項１】
非磁性基体上に少なくとも下地層と磁気記録層と保護膜及び液体潤滑材層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体の製造方法において
前記下地層の形成時のガス圧を変化させ、表面層部分を初期層部分よりも高ガス圧で形成することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法
　 
　イ．「【００１９】
このように本発明は、２つの解決手段を提案するものである。まず、１つ目は、分離構造を作り易い高ガス圧成膜を最初から用いず、表面層部分にのみ適用することにより、下地層が薄くとも結晶性を保ち、表面層のみ適度に粒間が分離している構造をつくる手段である
（１）
下地層の成膜プロセスを段階的に行い、下地層の初期層部分は低ガス圧で形成し、表面部分は初期層部分よりも高いガス圧で成膜する方法を用いる。すなわち、初期層では緻密な構造で結晶性・配向性を確保し、表面層は初期層よりも疎な構造を作り、気体分子が吸着しやすくなるよう結晶粒界幅が大きい構造を作る
　 
　ウ．「【００４４】
[実施例５]　
非磁性基体として表面が平滑な化学強化ガラス基板（例えば、ＨＯＹＡ社製Ｎ−５ガラス基板）を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、Ｃｏ８６Ｚｒ５Ｎｂ９ターゲットを用いてＡｒガス圧５ｍＴｏｒｒ下でＣｏＺｒＮｂを３００ｎｍ形成した後、軟磁性のＮｉ基合金であるＮｉ８０Ｆｅ１２Ｎｂ３Ｂ５ターゲットを用い、Ａｒガス圧５ｍＴｏｒｒ下でＮｉＦｅＮｂＢ軟磁性シード層を３０ｎｍ成膜した。
【００４５】
さらにＲｕターゲットを用い、ＲｕをＡｒガス圧１０ｍＴｏｒｒ下で初期層を６ｎｍ形成した後、Ａｒガス圧８０ｍＴｏｒｒ下で２ｎｍ表面層を形成することにより合計８ｎｍ成膜した。
その後、９２（Ｃｏ７５Ｃｒ１０Ｐｔ１５）−８ＳｉＯ２ターゲットを用いてＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２磁気記録層をＡｒガス圧３０ｍＴｏｒｒ下で１２ｎｍ成膜した
【００４６】
最後にカーボンターゲットを用いてカーボンからなる保護膜６ｎｍを成膜後、真空装置から取り出した。その後、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑材層２ｎｍをディップ法により形成して二層垂直磁気記録媒体とした。
磁気記録層の成膜にはＲＦスパッタリングを用い、それ以外の各層は全てＤＣマグネトロンスパッタ法により行った
　 
　上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 
　「非磁性基体上に少なくとも下地層と磁気記録層と保護膜及び液体潤滑材層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体の製造方法において、
　ＤＣマグネトロンスパッタ法による前記下地層の成膜プロセスを段階的に行い、下地層の初期層部分は低ガス圧で成膜し、表面層部分は初期層部分よりも高ガス圧で成膜するようにし、
　その後、前記磁気記録層の成膜を行う垂直磁気記録媒体の製造方法であって、
　前記下地層のうちの初期層では緻密な構造で結晶性・配向性が確保され、表面層では適度に粒間が分離し初期層よりも疎な構造であり、
　前記下地層の成膜プロセスは、Ｒｕターゲットを用い、ＲｕをＡｒガス圧１０ｍＴｏｒｒ下で初期層を６ｎｍ形成した後、Ａｒガス圧８０ｍＴｏｒｒ下で２ｎｍ表面層を形成することにより合計８ｎｍ成膜を行うようにした垂直磁気記録媒体の製造方法。」 
　 
（３）対比 
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比すると、 
　ア．引用発明における「非磁性基体」、「下地層」、「磁気記録層」、「垂直磁気記録媒体」は、それぞれ本願補正発明における「基板」、「底層」、「記録層」、「垂直磁気記録媒体」に相当し、
　引用発明における「非磁性基体上に少なくとも下地層と磁気記録層と保護膜及び液体潤滑材層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体の製造方法」は、非磁性基体と磁気記録層との間に下地層が設けられることは明らかであるから、本願補正発明における「基板と記録層との間に底層を備える垂直磁気記録媒体を製造する方法」に相当する。
　
　イ．引用発明における「ＤＣマグネトロンスパッタ法による前記下地層の成膜プロセスを段階的に行い、下地層の初期層部分は低ガス圧で成膜し、表面層部分は初期層部分よりも高ガス圧で成膜するようにし」によれば、ＤＣマグネトロンスパッタ法による成膜プロセス中に変えられる「ガス圧」はスパッタリング条件の一つであり、また、下地層は、「初期層（部分）」と「表面層（部分）」の二層構造からなるといえるから、引用発明と本願補正発明とは「２段階に分けて相異なるスパッタリング条件で、複数層構造からなる底層を形成する段階」を有する点で共通する。
　
　ウ．引用発明における「その後、前記磁気記録層の成膜を行う」は、下地層上に対して磁気記録層の成膜が行われることが明らかであるから、本願補正発明における「前記底層上に記録層を形成する段階」に相当する。
　
　エ．引用発明における、下地層のうちの「表面層」、「初期層」は、それぞれ本願補正発明における「記録層の直下に位置する底層」、「他の底層」に相当し、
　引用発明における「前記下地層のうちの初期層では緻密な構造で結晶性・配向性が確保され、表面層では適度に粒間が分離し初期層よりも疎な構造であり」によれば、表面層は、緻密な構造の初期層よりも粒間が分離した疎な構造であることから、当然、初期層よりも表面粗度が大きいといえ、結局、引用発明と本願補正発明とは「前記複数層構造の底層のうち前記記録層の直下に位置する底層が、他の底層より表面粗度が大きく」の点で一致する。
　
　オ．引用発明における「ＤＣマグネトロンスパッタ法による前記下地層の成膜プロセスを段階的に行い、下地層の初期層部分は低ガス圧で成膜し、表面層部分は初期層部分よりも高ガス圧で成膜するようにし」、「前記下地層の成膜プロセスは、Ｒｕターゲットを用い、ＲｕをＡｒガス圧１０ｍＴｏｒｒ下で初期層を６ｎｍ形成した後、Ａｒガス圧８０ｍＴｏｒｒ下で２ｎｍ表面層を形成することにより合計８ｎｍ成膜を行う」によれば、表面層は初期層よりも高ガス圧すなわち高いスパッタリング圧力で形成され、また、表面層の厚さは２ｎｍであり、初期層の厚さ６ｎｍより薄いことは明らかであるから、引用発明と本願補正発明とは「前記記録層の直下に位置する底層が、他の底層より高いスパッタリング圧力により形成され、かつ、他の底層より薄い」点で共通するといえる。
　
　よって、本願補正発明と引用発明とは、 
　「基板と記録層との間に底層を備える垂直磁気記録媒体を製造する方法において、
　２段階に分けて相異なるスパッタリング条件で、複数層構造からなる底層を形成する段階と、
　前記底層上に記録層を形成する段階とを含む垂直磁気記録媒体の製造方法であって、
　前記複数層構造の底層のうち前記記録層の直下に位置する底層が、他の底層より表面粗度が大きく、
　前記記録層の直下に位置する底層が、他の底層より高いスパッタリング圧力により形成され、かつ、他の底層より薄いことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。」 
である点で一致し、以下の点で相違する。 
［相違点］　 
　記録層の直下に位置する底層が、本願補正発明では、他の底層より高いスパッタリング圧力と低いスパッタリングパワーにより形成されるものであるのに対し、引用発明では、他の底層より高いスパッタリング圧力により形成されるものであるが、スパッタリングパワーについての特定がない点。
　
（４）判断 
　上記相違点について検討する。 
　引用発明ではスパッタリング圧力については他の底層（初期層）より高くすることの明記はあるものの、スパッタリングパワーについての記載はなく、結局、スパッタリングパワーは変化させずに一定、すなわち他の底層と同じパワーに設定されているものと解されるところであるが、そもそもスパッタリング圧力やスパッタリングパワーはいずれも成膜される層の特性に影響を与えるパラメータであり、いずれのパラメータも成膜時に適宜調整されるものであることは当業者にとって技術常識である。そして一般的に、スパッタリング圧力が高い方が低い場合よりも成膜される層の表面粗さが増加することに加えて、スパッタリングパワーが低い方が高い場合よりも成膜される層の表面粗さが増加することは、例えば特開２００４−４８６３９号公報に記載（段落【００４０】、【００４３】、図８を参照）されているように周知といえる技術事項である点や、本願明細書には、実施例としてスパッタリング圧力のみを変化させる例が記載されているのみであり、スパッタリング圧力に加えてスパッタリングパワーについても変化させた場合に、垂直磁気異方性の減少を最小限に抑えながら垂直保磁力を増加させるという課題を解決する上でより際だった優れた効果を奏するといった格別の技術的意義があるものとも認められない点を総合的に判断すると、引用発明においても表面層を、初期層より高いスパッタリング圧力とすることに加えて低いスパッタリングパワーとして形成するようにすることも当業者が容易になし得ることである。
　
　なお、請求人は審判請求書において、本願発明は、引用例に記載された発明よりも、より低電力で記録媒体を製造することができる旨主張しているが、スパッタリングパワーを相対的に低くした場合、成膜速度（成膜レート）も相対的に低下すると考えられ（例えば上記特開２００４−４８６３９号公報の段落【００４１】参照）、同じ厚さの層を形成するためには相対的に長時間のスパッタリングを行わなければならず、トータル的に消費する電力についてみると、必ずしも本願発明の方が引用発明よりも格別に優れているとはいえないはずであり、かかる主張は採用すべき根拠がない。
　
　そして、本願補正発明が奏する効果は、引用発明及び周知の技術事項から、当業者が十分に予測できたものであって、格別顕著なものがあるとはいえない。 
　 
（５）むすび 
 　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
 　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
３．本願発明について 
　平成２１年２月２日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２０年１０月１日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものである。 
　「【請求項１】
　基板と記録層との間に底層を備える垂直磁気記録媒体を製造する方法において、
　少なくとも２段階に分けて相異なるスパッタリング条件で、複数層構造からなる底層を形成する段階と、
　前記底層上に記録層を形成する段階とを含む垂直磁気記録媒体の製造方法であって、
　前記複数層構造の底層のうち前記記録層の直下に位置する底層が、他の底層より表面粗度が大きく、
　前記記録層の直下に位置する底層が、他の底層より高いスパッタリング圧力と低いスパッタリングパワーとのうちの少なくとも一方により形成され、かつ、他の底層より薄いことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。」
 　 
（１）引用例 
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。 
 　 
（２）対比・判断 
　本願発明は、前記「２．」で検討した本願補正発明の発明特定事項である「記録層の直下に位置する底層」の形成条件について、スパッタリング圧力及びスパッタリングパワーに関する選択肢が、他の底層よりスパッタリング圧力を高くかつスパッタリングパワーを低くする場合のみとする限定を省いたものに相当する。 
 　そうすると、上記選択肢を限定したものであって、本願発明の発明特定事項を全て含むものに相当する本願補正発明が前記「２．（４）」に記載したとおり、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
 　 
（３）むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。