(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号を出力する光素子と、
外部から入力されるシャットダウン制御信号に応じて、前記光素子による光信号の出力を制御するマイクロプロセッサと、
を含み、
前記マイクロプロセッサは、
検出対象レベルが第１信号レベルであって、前記シャットダウン制御信号の信号レベルが前記第１信号レベルであることを検出した場合に、第１割り込みを発生させ、前記検出対象レベルが第２信号レベルであって、前記シャットダウン制御信号の信号レベルが前記第２信号レベルであることを検出した場合に、第２割り込みを発生させる割り込み検出回路と、
前記第１割り込みの発生に応じて、前記光素子による光信号の出力停止を行い、前記第２割り込みの発生に応じて、前記光素子による光信号の出力停止の解除を行う制御回路と、
を含み、
前記制御回路は、前記第１割り込みの発生に応じて前記光素子による光信号の出力を停止する際に、併せて前記検出対象レベルを前記第１信号レベルから前記第２信号レベルに切り替え、前記第２割り込みの発生に応じて前記光素子による光信号の出力停止を解除する際に、併せて前記検出対象レベルを前記第２信号レベルから前記第１信号レベルに切り替える
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の光モジュールであって、
前記割り込み検出回路は、前記制御回路によって前記第１割り込み及び前記第２割り込みの発生に応じて前記光素子による光信号の出力停止、及び出力停止の解除の間の切り替え処理が実行される間、新たな割り込みの発生を制限する
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光モジュールであって、
前記割り込み検出回路は、前記光素子が光信号を出力中の状態であれば前記第１信号レベルとして高レベルの信号を検出し、前記光素子が光信号を出力停止中の状態であれば前記第２信号レベルとして低レベルの信号を検出する
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項４】
光信号を出力する光素子と、外部から入力されるシャットダウン制御信号に応じて、前記光素子による光信号の出力を制御するマイクロプロセッサと、を含む光モジュールの制御方法であって、
前記マイクロプロセッサにより、
前記シャットダウン制御信号の信号レベルが第１信号レベルであることを検出した場合に、第１割り込みを発生させ、前記シャットダウン制御信号の信号レベルが第２信号レベルであることを検出した場合に、第２割り込みを発生させるステップと、
前記第１割り込みの発生に応じて、前記光素子による光信号の出力停止を行い、前記第２割り込みの発生に応じて、前記光素子による光信号の出力停止の解除を行うステップと、
前記第１割り込みの発生に応じて前記光素子による光信号の出力を停止する際に、併せて前記検出対象レベルを前記第１信号レベルから前記第２信号レベルに切り替え、前記第２割り込みの発生に応じて前記光素子による光信号の出力停止を解除する際に、併せて前記検出対象レベルを前記第２信号レベルから前記第１信号レベルに切り替えるステップと、
を実行することを特徴とする前記光モジュールの制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光モジュール及び光モジュールの制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光モジュールでの光出力の停止及び再開には、シャットダウン制御信号が用いられる（以下、シャットダウン制御信号をＴＸ＿ＤＩＳ制御信号と表記する）。このＴＸ＿ＤＩＳ制御信号の信号レベルに応じて、光出力の停止及び再開が制御される。例えば、ＴＸ＿ＤＩＳ制御信号の信号レベルが「ハイレベル（Ｈ）」のときは光出力が禁止され、ＴＸ＿ＤＩＳ制御信号の信号レベルが「ロウレベル（Ｌ）」のときは光出力が許可される。ＭＳＡ規格では、ＴＸ＿ＤＩＳ制御信号の信号レベルが「Ｌ」から「Ｈ」に変化したときから光出力が定常状態の９０％以上になるまでの時間であるシャットダウン時間Ｔ＿ｏｆｆの上限、及び、ＴＸ＿ＤＩＳ制御信号の信号レベルが「Ｈ」から「Ｌ」に変化したときから光出力が定常状態の１０％以下になるまでの時間であるシャットダウン解除時間Ｔ＿ｏｎの上限、が規定されている。図６は、シャットダウン時間Ｔ＿ｏｆｆ、及びシャットダウン解除時間Ｔ＿ｏｎを例示する図である。
【０００３】
ＸＦＰ  ＭＳＡ規格では、シャットダウン時間Ｔ＿ｏｆｆは最大で１０μｓ以下と規定され、シャットダウン解除時間Ｔ＿ｏｎは最大で２ｍｓ以下と規定されている。また、ＣＦＰ  ＭＳＡ規格では、シャットダウン時間Ｔ＿ｏｆｆは最大で１００μｓ以下と規定され、シャットダウン解除時間Ｔ＿ｏｎは最大で１００ｍｓ以下と規定されている。また、ＳＦＰ  ＭＳＡ規格では、シャットダウン時間Ｔ＿ｏｆｆは最大で１０μｓ以下と規定され、シャットダウン解除時間Ｔ＿ｏｎは最大で１ｍｓ以下と規定されている。規格毎に異なるものの、いずれの規格においても、シャットダウン時間Ｔ＿ｏｆｆ及びシャットダウン解除時間Ｔ＿ｏｎは短時間に規定されており、光モジュールには、ＴＸ＿ＤＩＳ制御信号の信号レベル変化に対する高速応答が要求されている。
【０００４】
ＴＸ＿ＤＩＳ制御信号に対する高速応答を実現するために、シャットダウン回路をハードウェアで実装した光モジュールが知られている（例えば特許文献１参照）。この例では、シャットダウン回路がＴＸ＿ＤＩＳ制御信号の信号レベル変化を検知し、信号レベルの変化があった場合には直ちに光信号の出力停止又は出力再開を行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６―１９１３０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、シャットダウン回路をハードウェアで構成する場合、部品数が多くなってしまう。一方で、マイクロプロセッサに内蔵されたファームウェアによりシャットダウン制御を行う場合、マイクロプロセッサ自身がＴＸ＿ＤＩＳ制御信号の信号レベル変化を検出する必要がある。このような信号レベル変化の検出を行う方法としては、ポーリングによる方法や、エッジ検出（片側エッジ又は両側エッジ）による割り込みを用いる方法が考えられる。しかしながら、ポーリングによる方法では、一定の時間間隔で信号レベルの検出を行うので、信号レベルの変化を検出するまでに時間がかかってしまい、高速応答の実現が難しい。また、エッジ検出による割り込みを用いる方法では、短時間に信号レベル変化が連続した場合などにおいて、これらの信号レベル変化に対する取りこぼし（検出もれ）が生じるおそれがある。このような信号レベル変化の取りこぼしは、ＴＸ＿ＤＩＳ制御信号が指示する状態と実際の光出力の状態との間に不一致を引き起こしてしまうおそれがある。
【０００７】
本発明の目的は、シャットダウン制御信号の信号レベルに応じた光出力の停止及び再開をマイクロプロセッサが制御する場合に、高速応答を実現し、かつシャットダウン制御信号と実際の光出力の状態とが一致しない状態を継続させないようにすることのできる光モジュール及び光モジュールの制御方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明に係る光モジュールは、光信号を出力する光素子と、外部から入力されるシャットダウン制御信号の信号レベルが第１信号レベル及び第２信号レベルのいずれであるかに応じて、前記光素子による光信号の出力停止又は出力停止の解除を行うマイクロプロセッサと、を含み、前記マイクロプロセッサは、前記シャットダウン制御信号の信号レベルが所与の検出対象レベルであることを検出した場合に割り込みを発生させる割り込み検出回路と、前記割り込みの発生に応じて、前記光素子による光信号の出力停止、及び出力停止の解除のいずれかを行う制御回路と、を含み、前記制御回路は、前記光素子が光信号を出力中の状態、及び出力停止中の状態のいずれであるかに応じて、前記検出対象レベルを前記第１信号レベルと前記第２信号レベルとの間で切り替えることを特徴とする。
【０００９】
前記光モジュールにおいて、前記制御回路は、前記割り込みの発生に応じて前記光素子による光信号の出力を停止する際に、併せて前記検出対象レベルを前記第１信号レベルから前記第２信号レベルに切り替え、前記割り込みの発生に応じて前記光素子による光信号の出力停止を解除する際に、併せて前記検出対象レベルを前記第２信号レベルから前記第１信号レベルに切り替えることとしてもよい。
【００１０】
さらに、前記光モジュールにおいて、前記制御回路は、前記割り込みの発生に応じて前記光素子による光信号の出力停止、及び出力停止の解除の間の切り替え処理を実行する間、新たな割り込みの発生を制限することとしてもよい。
【００１１】
また、前記光モジュールにおいて、前記割り込み検出回路は、前記光素子が光信号を出力中の状態であれば前記第１信号レベルとして高レベルの信号を検出し、前記光素子が光信号を出力停止中の状態であれば前記第２信号レベルとして低レベルの信号を検出することとしてもよい。
【００１２】
また、本発明に係る制御方法は、光信号を出力する光素子と、外部から入力されるシャットダウン制御信号の信号レベルが第１信号レベル及び第２信号レベルのいずれであるかに応じて、前記光素子による光信号の出力停止又は出力停止の解除を行うマイクロプロセッサと、を含む光モジュールの制御方法であって、前記マイクロプロセッサにより、前記シャットダウン制御信号の信号レベルが所与の検出対象レベルであることを検出した場合に割り込みを発生させるステップと、前記割り込みの発生に応じて、前記光素子による光信号の出力停止、及び出力停止の解除のいずれかを行うステップと、前記光素子が光信号を出力中の状態、及び出力停止中の状態のいずれであるかに応じて、前記検出対象レベルを第１信号レベルと第２信号レベルとの間で切り替えるステップと、を実行することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態に係る光モジュールの一例を示す図である。
【図２】ＭＰＵの内部構成を例示する図である。
【図３Ａ】第１割り込み処理のフローを示す図である。
【図３Ｂ】第２割り込み処理のフローを示す図である。
【図４】本発明の実施形態に係る光モジュールが実行する制御の一例を示すタイミングチャートである。
【図５】比較例における制御の一例を示すタイミングチャートである。
【図６】シャットダウン時間及びシャットダウン解除時間を例示する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。
【００１５】
図１は、本発明の実施形態に係る光モジュール１の一例を示す図である。本実施形態では、光モジュール１は光送受信機として実現される。同図に示すように、光モジュール１は、ＣＤＲ（クロックデータリカバリ）回路２０及び７０、ＬＤ駆動回路３０、ＴＯＳＡ（Transmitter Optical SubAssembly）４０、ＭＰＵ（マイクロプロセッサ）５０、ＡＰＣ(Auto Power Control)回路６０、並びにＲＯＳＡ(Receiver Optical SubAssembly)８０を備える。
【００１６】
ＣＤＲ回路２０は、入力される電気信号からクロック情報を再生し、再生したクロック情報に基づき整形された電気信号をＬＤ駆動回路３０に供給する。ＬＤ駆動回路３０は、ＣＤＲ回路２０が出力する電気信号に応じた駆動電流をＴＯＳＡ４０へ供給する。ＴＯＳＡ４０（光素子）は、ＬＤ駆動回路３０から供給される駆動電流と、ＡＰＣ回路６０から供給されるバイアス電流と、により直接変調された光信号を出力する。ＡＰＣ回路６０は、オートパワーコントロールを行う回路であり、ＴＯＳＡ４０からの光出力が一定になるようにＴＯＳＡ４０に供給するバイアス電流を制御する。
【００１７】
ＭＰＵ５０は、光モジュール１の各部を制御する処理を実行する。この制御の一つとして、ＭＰＵ５０は、光モジュール１の外部から入力されるシャットダウン制御信号（以下、ＴＸ＿ＤＩＳ制御信号と表記する）に基づいて、ＴＯＳＡ４０による光信号の出力停止、及び出力停止の解除を行う。ＴＸ＿ＤＩＳ制御信号は、ＭＰＵ５０の入力端子の一つに入力される。ＴＸ＿ＤＩＳ制御信号は、第１信号レベル、及び第２信号レベルの２つの信号レベルを有する矩形波であり、このＴＸ＿ＤＩＳ制御信号により光モジュール１に対して光信号の出力停止と出力停止の解除とが交互に指示される。以下では具体例として、光信号の出力停止を指示する場合、第１信号レベルとして「ハイレベル（Ｈ）」のＴＸ＿ＤＩＳ制御信号がＭＰＵ５０に入力されるものとする。また、光信号の出力停止の解除を指示する場合、第２信号レベルとして信号レベルが「ロウレベル（Ｌ）」のＴＸ＿ＤＩＳ制御信号が入力されるものとする。ＭＰＵ５０が具体的に実行する制御内容については、後述する。なお、以下ではＴＸ＿ＤＩＳ制御信号の信号レベルに応じてＴＯＳＡ４０による光信号の出力が停止された状態をＴｘ＿ＯＦＦ状態と表記し、ＴＯＳＡ４０による光信号の出力停止が解除された状態（光信号の出力を実行中の状態）をＴｘ＿ＯＮ状態と表記する。
【００１８】
ＲＯＳＡ８０は、入力される光信号を電気信号に変換し、該電気信号をＣＤＲ回路７０に供給する。ＣＤＲ回路７０は、ＲＯＳＡ８０から供給されるクロック情報を再生し、再生した電気信号に基づき整形された電気信号を出力する。
【００１９】
ここで、ＭＰＵ５０の内部構成について説明する。本実施形態の場合、ＭＰＵ５０は、いわゆるマイクロコントローラとして実現される。図２は、ＭＰＵ５０の内部構成を示す図である。同図に示すように、ＭＰＵ５０は、割り込み検出回路９０、ＣＰＵ及び周辺モジュール機能を有する制御回路１００、割込み検出条件を設定する第１レジスタ１１０、並びに割込み要因の検出を示す第２レジスタ１２０を備える。これらの他にも図示していないタイマーなども備えられる。ＭＰＵ５０は、これらの他にもファームウェアとしてメインプログラム、第１割り込みプログラム、及び第２割り込みプログラムを格納した記憶手段も備えている。
【００２０】
割り込み検出回路９０は、ＭＰＵ５０が備える入力端子の一つである割り込み要求端子に接続されており、当該割り込み要求端子に入力される信号レベルに応じて割り込みを発生させる。具体的に割り込み検出回路９０は、入力される信号レベルが所定の割り込み発生条件に合致した場合に、割り込みの発生を制御回路１００に通知する。本実施形態では、割り込み要求端子を介して割り込み検出回路９０に対してＴＸ＿ＤＩＳ制御信号が入力される。
【００２１】
一般に、ＭＰＵにおける割り込み発生方式としては、エッジ検出方式とレベル検出方式とがある。エッジ検出方式は、入力される信号レベルの変化をトリガーとして割り込みを発生させる方式である。この方式によれば、信号レベルが「Ｈ」から「Ｌ」に変化した場合、及び／又は「Ｌ」から「Ｈ」に変化した場合に、割り込みが発生する。一方、レベル検出方式は、入力される信号レベルが所与の検出対象レベルに合致する場合に割り込みを発生させる方式である。例えば検出対象レベルが「Ｈ」に設定されている場合、割り込み検出回路９０は、「Ｈ」レベルの信号が入力されている間、常時割り込みを発生させる。本実施形態では、割り込み検出回路９０はこのレベル検出方式により割り込みを発生させることとする。
【００２２】
さらに、本実施形態において割り込み検出回路９０は、光信号の出力状態に応じて割り込み発生条件となる検出対象レベルを変化させる。具体的に、割り込み検出回路９０は、Ｔｘ＿ＯＮ状態においては信号レベル「Ｈ」を検出対象とする。これにより割り込み検出回路９０は、ＴＯＳＡ４０が光信号を出力している間、光出力の停止を指示するＴＸ＿ＤＩＳ制御信号を検出対象とすることになる。逆にＴｘ＿ＯＦＦ状態においては、割り込み検出回路９０は信号レベル「Ｌ」を検出対象とする。これにより割り込み検出回路９０は、ＴＯＳＡ４０が光出力を停止している間、光出力の停止解除を指示するＴＸ＿ＤＩＳ制御信号を検出対象とすることになる。
【００２３】
割り込み検出回路９０が検出すべき検出対象レベルは、第１レジスタ１１０によって指定される。すなわち、第１レジスタ１１０に信号レベル「Ｈ」を示す値が格納されていれば、割り込み検出回路９０は「Ｈ」を検出対象レベルとする。一方、第１レジスタ１１０に信号レベル「Ｌ」を示す値が格納されていれば、割り込み検出回路９０は「Ｌ」を検出対象レベルとする。後述する制御回路１００は、第１レジスタ１１０に格納されている値を書き換えることによって、割り込み検出回路９０の検出対象レベルを切り替えることができる。
【００２４】
制御回路１００は、通常、メインプログラムに従って光モジュール１の各部を制御するためのメインルーチンを繰り返し実行する。また、割り込み検出回路９０から割り込みの発生が通知された場合には、以下に説明する割り込み処理を行うことで、ＴＸ＿ＤＩＳ制御信号の信号レベルに応じて光信号の出力停止又は出力停止の解除を行う。すなわち、Ｔｘ＿ＯＮ状態において割り込み検出回路９０が信号レベル「Ｈ」のＴＸ＿ＤＩＳ制御信号を検出して割り込みを発生させた場合、制御回路１００は、第１割り込みプログラムに従って第１割り込み処理を実行する。この第１割り込み処理は、シャットダウン信号を出力してＬＤ駆動回路３０及びＡＰＣ回路６０への電源供給を停止し、その結果としてＴＯＳＡ４０による光信号の出力を停止させる処理である。また、Ｔｘ＿ＯＦＦ状態において割り込み検出回路９０が信号レベル「Ｌ」のＴＸ＿ＤＩＳ制御信号を検出して割り込みを発生させた場合、制御回路１００は、第２割り込みプログラムに従って第２割り込み処理を実行する。この第２割り込み処理は、シャットダウン信号の出力をオフにしてＬＤ駆動回路３０及びＡＰＣ回路６０への電源供給を再開し、その結果としてＴＯＳＡ４０による光信号の出力停止を解除する処理である。
【００２５】
図３Ａは、制御回路１００が実行する上記第１割り込み処理のフローを示し、図３Ｂは、上記第２割り込み処理のフローを示す。まず、第１割り込み処理では、制御回路１００は、シャットダウン信号の出力を開始して、ＴＯＳＡ４０による光信号の出力を停止させる（Ｓ１０１）。さらに制御回路１００は、第１レジスタ１１０に信号レベル「Ｌ」を示す値を登録して、割り込み検出回路９０の検出対象レベルを「Ｈ」から「Ｌ」に切り替える（Ｓ１０２）。
【００２６】
また、第２割り込み処理では、制御回路１００は、ＬＤ駆動回路３０及びＡＰＣ回路６０に対するシャットダウン信号の出力を停止して、ＴＯＳＡ４０による光信号の出力停止を解除する（Ｓ２０１）。さらに制御回路１００は、第１レジスタ１１０に信号レベル「Ｈ」を示す値を登録して、割り込み検出回路９０の検出対象レベルを「Ｌ」から「Ｈ」に切り替える（Ｓ２０２）。
【００２７】
第２レジスタ１２０には、割り込み要因の発生を示すフラグが格納される。割り込み要因が発生した場合、割り込み検出回路９０が制御回路１００に割り込み信号を送り、制御回路１００は、この割り込み信号を受けて現在実行しているメインプログラムを停止し、割り込み処理を行う。割り込み検出回路９０は、割り込みを発生させている間、第２レジスタ１２０に割り込みの発生を示すフラグを設定する。第２レジスタ１２０に割り込みの発生を示すフラグが設定されると、制御回路１００への割り込み信号が遮断されて、制御回路１００は、自身が割り込み処理を実行している間、割り込み検出回路９０による新たな割り込みの発生をマスク（制限）することができる。このような制御によれば、制御回路１００は、割り込み処理を実行している間、新たな割り込みの発生を受け付けないようにすることができる。さらに、制御回路１００は、割込み処理終了時には第２レジスタ１２０に設定された割込み要因の発生を示すフラグをクリアし、割込み信号の発生のマスク(制限)を解除することにより次の割込み要因を検出できるようにする。このことにより、ＴＸ＿ＤＩＳ制御信号レベルに変化がないにも関わらず、何度も割込みが発生するような事態を防ぐことができる。
【００２８】
以下、光モジュール１が実行する制御内容の具体例について、図４のタイミングチャートを用いて説明する。ここでは初期状態として、検出対象レベルは「Ｈ」に設定されており、光信号の出力が行われている（Ｔｘ＿ＯＮ状態にある）ものとする。
【００２９】
まず、時刻ｔ１にＴＸ＿ＤＩＳ制御信号の信号レベルが「Ｌ」から「Ｈ」に変化すると、割り込み検出回路９０が「Ｈ」レベルを検出して割り込みを発生させる。これを受けて制御回路１００は、１回目の割り込み処理（ＩＲＱ１）を実行する。この割り込み処理が完了すると、シャットダウン信号がオンになり光信号の出力が停止される。併せて、検出対象レベルは「Ｌ」に切り替えられる。
【００３０】
続いて時刻ｔ２にＴＸ＿ＤＩＳ制御信号の信号レベルが「Ｈ」から「Ｌ」に変化すると、割り込み検出回路９０が「Ｌ」レベルを検出して割り込みを発生させる。これを受けて制御回路１００は、２回目の割り込み処理（ＩＲＱ２）を実行する。すなわち、シャットダウン信号をオフにして光信号の出力停止を解除するとともに、割り込み検出回路９０の検出対象レベルを「Ｈ」に切り替える。
【００３１】
その後、時刻ｔ３においては時刻ｔ１の場合と同様に「Ｈ」レベルが検出され、３回目の割り込み処理（ＩＲＱ３）が実行される。さらに今度は、３回目の割り込み処理が完了するよりも前に、ＴＸ＿ＤＩＳ制御信号の信号レベルは時刻ｔ４に「Ｈ」から「Ｌ」に切り替わり、続いて時刻ｔ５に「Ｌ」から「Ｈ」に切り替わっている。前述したように、制御回路１００が割り込み処理を実行している間は割り込みの発生がマスクされるので、この時刻ｔ４及びｔ５における信号レベル変化は無視されることになる。しかしながら、信号レベル変化は２回生じているので、割り込み処理の終了後にはＴＸ＿ＤＩＳ制御信号が指示する状態と実際の光出力状態との間で不一致は生じていない。
【００３２】
その後、時刻ｔ６には再びＴＸ＿ＤＩＳ制御信号の信号レベルが「Ｈ」から「Ｌ」に変化し、これに応じて４回目の割り込み処理（ＩＲＱ４）が実行される。この４回目の割り込み処理の実行中に、さらにＴＸ＿ＤＩＳ制御信号の信号レベルが「Ｌ」から「Ｈ」に変化しているが、前述の通りこの変化が発生した時点では割り込みが発生しない。そのため、このままでは４回目の割り込み処理が完了してＴｘ＿ＯＮ状態になると、ＴＸ＿ＤＩＳ制御信号は光信号の出力停止を指示する「Ｈ」レベルになっているにもかかわらず、ＴＯＳＡ４０は光信号を出力するという不一致の状態が生じることになる。
【００３３】
しかしながら本実施形態では、レベル検出方式の割り込み制御を行っており、４回目の割り込み処理において検出対象レベルが「Ｌ」から「Ｈ」に切り替えられる。そのため、４回目の割り込み処理が完了し、割り込みのマスクが解除される時刻ｔ８には、直ちに割り込み検出回路９０が「Ｈ」レベルのＴＸ＿ＤＩＳ制御信号を検出し、割り込みを発生させる。これに応じて制御回路１００は、５回目の割り込み処理（ＩＲＱ５）を実行し、光出力状態をＴｘ＿ＯＮ状態からＴｘ＿ＯＦＦ状態に遷移させる。このように、本実施形態では、若干のタイムラグは生じるものの、ＴＸ＿ＤＩＳ制御信号の指示する状態と実際の光出力状態との間の不一致は新たな割り込み処理によって解消されることになる。
【００３４】
以上説明したように、本実施形態に係る光モジュール１は、いわゆるレベル検出をトリガーとして割り込み処理を実行し、かつ、検出すべき制御信号の信号レベルを光出力状態に応じて切り替えるので、高速応答が実現されるようになる。また、ハードウェアで実装していたシャットダウン回路を省略することができるので、部品点数を抑えることもできる。
【００３５】
なお、割り込みを使わずに、ＭＰＵ５０が周期的にＴＸ＿ＤＩＳ制御信号の信号レベルをポーリングすることでＴＸ＿ＤＩＳ制御信号の変化を検出することも考えられる。しかしながら、このような方式によれば、最大でポーリング周期にほぼ一致する時間が経過するまで信号レベルの変化を検出できなくなるため、高速応答の実現が困難となる。つまり、応答速度がポーリング周期による制約を受ける。
【００３６】
この点、本実施形態に係る光モジュール１によれば、割り込み検出回路９０がレベル検出方式で割り込みを発生させるので、ＴＸ＿ＤＩＳ制御信号の信号レベルが変化した際に、直ちに割り込み処理を実行してＴＯＳＡ４０の光出力停止及び停止解除を切り替えることができる。つまり、高速応答が実現される。しかも、割り込み検出回路９０の検出対象レベルは、ＴＯＳＡ４０が光出力を停止中か実行中かに応じて切り替えられるので、光出力の停止を指示する制御信号、及び光出力停止の解除を指示する制御信号の双方を検出対象とすることができる。
【００３７】
また、ＭＰＵ５０を用いて高速応答を実現する態様として、エッジ検出方式の割り込みを利用する態様も考えられるが、このような方式と比較しても本実施形態に係る光モジュール１には利点がある。以下、このエッジ検出方式を用いる態様（以下、比較例と表記する）と本実施形態との比較について説明する。なお、この比較例はハードウェア構成としては本実施形態に係る光モジュール１と同様であってよいので、同様の構成要素については同一の参照符号で参照する。
【００３８】
この比較例においては、ＭＰＵ５０の割り込み検出回路９０は、割り込み検出をレベル検出方式で行うのはなくエッジ検出方式で行うよう設定されている。また、ここでは割り込み検出回路９０は、いわゆる両エッジ検出方式で割り込み検出を行うこととする。すなわち、割り込み検出回路９０は、波形の立ち上がりを示す信号レベル「Ｌ」から信号レベル「Ｈ」への変化（以下、立ち上がりエッジと表記する）、及び波形の立ち下がりを示す信号レベル「Ｈ」から信号レベル「Ｌ」への変化（以下、立ち下がりエッジと表記する）の双方を検出する。
【００３９】
この比較例では、割り込み処理の実行中にさらにエッジが検出された場合、ＭＰＵ５０内に割り込み待ちフラグが保持される。割り込み処理が完了した際にこの割り込み待ちフラグが存在している場合、制御回路１００は、続いてこの割り込み待ちフラグを発生させたエッジに対応する割り込み処理を実行することとする。
【００４０】
図５は、比較例における制御の一例を示すタイミングチャートである。この図の例では、まず時刻ｔ１１に立ち上がりエッジが検出され、これに応じて１回目の割り込み処理（ＩＲＱ１）が実行される。この割り込み処理は、立ち上がりエッジに応じた割り込み処理なので、シャットダウン信号をオンにして光出力状態をＴｘ＿ＯＦＦ状態に遷移させる処理である。続いて時刻ｔ１２に立ち下がりエッジが検出された際には、これに応じて２回目の割り込み処理（ＩＲＱ２）が実行される。この割り込み処理は、立ち下がりエッジに応じた割り込み処理なので、１回目とは逆に、シャットダウン信号をオフにして光出力状態をＴｘ＿ＯＮ状態に遷移させる処理である。
【００４１】
さらにその後、時刻ｔ１３には立ち上がりエッジが検出され、これに応じて１回目と同様に３回目の割り込み処理（ＩＲＱ３）が実行される。このとき、図４の場合と同様に、３回目の割り込み処理の実行中にさらにＴＸ＿ＤＩＳ制御信号の信号レベルが時刻ｔ１４に「Ｈ」から「Ｌ」に、時刻ｔ１５に「Ｌ」から「Ｈ」に変化するものとする。この場合、時刻ｔ１４の立ち下がりエッジが検出された段階で、割り込み待ちフラグが保持される。そのため、３回目の割り込み処理（ＩＲＱ３）が完了すると、続いて制御回路１００は時刻ｔ１４の立ち下がりエッジに応じた４回目の割り込み処理（ＩＲＱ４）を直ちに実行する。しかしながら、割り込み待ちフラグは通常１回分の割り込みしか保持しておくことができない。そのため、時刻ｔ１５の立ち上がりエッジによる割り込みは発生せず、この信号レベルの変化は無視されてしまうことになる。その結果、４回目の割り込み処理が完了した時点においては、ＴＸ＿ＤＩＳ制御信号の信号レベルが「Ｈ」、すなわち光信号の出力停止を指示するものになっているにも関わらず、ＴＯＳＡ４０の光出力状態はＴｘ＿ＯＮ状態、すなわち光信号の出力停止が解除された状態になってしまう。
【００４２】
このように、比較例によれば、短時間にＴＸ＿ＤＩＳ制御信号の信号レベル変化が連続した場合に、このような信号レベル変化を取りこぼし、ＴＸ＿ＤＩＳ制御信号と実際の光出力状態との間で不一致を生じさせるおそれがある。既に説明したように、レベル検出方式を用いた本実施形態に係る光モジュール１によれば、このような不一致が生じた場合にも、割り込み処理のマスクが解除されれば直ちに新たな割り込みが発生して不一致を解消することができる。しかしながら、エッジ検出方式を用いる比較例では、一度ＴＸ＿ＤＩＳ制御信号と光出力状態との不一致が生じると、信号レベルの変化が再び生じるまでこのような不一致が解消されないという問題がある。なお、以上説明した比較例では両側エッジ検出方式を用いることとしたが、片側エッジ検出方式を利用し、かつ割り込み処理を実行するたびに検出対象とするエッジを立ち下がりエッジと立ち上がりエッジとで切り替えることとしても、同様に解消されない不一致が生じるおそれがある。
【００４３】
なお、本発明の実施形態は上記実施形態だけに限らない。例えば、光モジュール１は、光送受信機以外の光モジュールであってもよい。例えば、光モジュール１は、光送信機であってもよい。
【符号の説明】
【００４４】
１  光モジュール、２０，７０  ＣＤＲ回路、３０  ＬＤ駆動回路、４０  ＴＯＳＡ、５０  ＭＰＵ、６０  ＡＰＣ回路、８０  ＲＯＳＡ、９０  割り込み検出回路、１００  制御回路、１１０  第１レジスタ、１２０  第２レジスタ。
【図１】
0005869380.tif 000002
【図２】
0005869380.tif 000003
【図３Ａ】
0005869380.tif 000004
【図３Ｂ】
0005869380.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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