【事件の表示】
　特願２００７−５２６９７４号「基板表面洗浄方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１２月１日国際公開、ＷＯ２００５／１１４７１５、平成１９年１２月２７日国内公表、特表２００７−５３８３９７号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１７年５月１０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００４年５月２０日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２１年６月２６日に拒絶査定がなされ、これに対し、平成２１年１１月２日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
第２．本願発明について
　本願の請求項１に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。（以下、「本願発明」という。）
　
「プラズマを利用して自然酸化物、化学的酸化物、または損傷された部分を有する基板の表面を洗浄する方法において、　
　Ｈ２とＮ２を混合したガスである第１工程ガスを洗浄装置の第１流入部に流入する段階と、　
　前記洗浄装置のプラズマ生成空間内で前記第１ガスからプラズマを生成し保持する段階と、
　前記洗浄装置の第２流入部にフッ素酸ガスの第２工程ガスを流入し、前記第２工程ガスは前記第１ガスのプラズマによってフッ素酸（ＨＦ）ラジカルで活性化される段階と、
　前記基板の前記表面に前記第１ガス、前記第２ガス、及び前記物質の副産物であるＮｘＨｙＦｚのポリマ膜を形成する段階と、　
　前記基板を熱処理して前記ポリマ膜を除去し、前記基板の前記表面を洗浄する段階とを有し、　
　前記ポリマ膜と前記自然酸化膜とを除去する段階後に、Ｈ２の流動とともに熱処理によって前記基板の前記表面の損傷層を除去すること特徴とする基板の表面を洗浄する方法。」　
　
２．引用刊行物とその記載
　刊行物：特開２００２−２８９５９６号公報
　
（１）刊行物
　原査定で引用され、本願優先日前に頒布された刊行物には、「プラズマを利用した表面処理装置及び方法」に関して図面とともに以下の記載がある。　
ア．「【００１８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するために、本発明の一態様によるプラズマを利用した表面処理装置は、真空状態で保持可能なチェンバーと、前記
チェンバー内に備えられ、シリコン基板を積載する基板積載部と、前記チェンバー内にプラズマ発生及び保持のためのキャリアガスが流入する第１工程ガス流入部と、前記第１工程ガスからプラズマを形成するプラズマ発生部と、前記プラズマ発生部と前記基板積載部との間に備えられ、前記基板へラジカルのみを通過させるためのフィルタと、前記プラズマ発生部と前記フィルタとの間に備えられ、前記チェンバー内に第２工程ガスが流入する第２工程ガス流入部とからなることを特徴とする。
【００１９】望ましくは、前記プラズマ発生部は、マイクロ波発生装置を前記プラズマ発生のためのエネルギー供給源として使用することを特徴とする。
【００２０】望ましくは、前記ラジカルの蒸着及び前記ラジカルを利用した副産物層の形成を防止して前記ラジカルが前記基板の表面に集中するように前記チェンバー壁面を所定の温度で保持するために加熱部をさらに備えることを特徴とする。
【００２１】望ましくは、前記フィルタが接地されるか、または、矩形波または正弦波の交流(alternating current；ＡＣ)電圧が印加されたバッフル(baffle)またはグリッド(grid)を前記フィルタとして使用することを特徴とする。
【００２２】さらに望ましくは、各ウェーハ工程の後、チェンバー内の環境を一定に保持するために、前記チェンバー内にコンディショニングガス(conditioning gas)が流入する第３工程ガス流入部をさらに備えることを特徴とする。
【００２３】また、本発明の一態様によるプラズマを利用した表面処理方法は、絶縁層を含んで少なくとも１つ以上の層を有するシリコン基板上にコンタクトホールを形成するための食刻のとき発生する望まない酸化膜及び損傷部位を除去するためのプラズマを利用した表面処理方法において、前記酸化膜の上にポリマー膜を形成するステップと、アニーリングして前記ポリマー膜及び前記酸化膜を除去するステップと、前記シリコン基板の表面の損傷部位を除去するステップとからなることを特徴とする。
【００２４】望ましくは、前記ポリマー膜を形成するステップは、Ｈ２またはＮ２を含む第１工程ガスを流入させてプラズマを形成するステップと、前記プラズマをフィルタリングして前記シリコン基板へラジカルのみを通過させるステップと、ハロゲン元素を含む第２工程ガスを流入させるステップとを含むことを特徴とする。　
【００２５】
望ましくは、前記第２工程ガスは、ＨＦ、ＨＣｌ、ＢＣｌ３、ＨＢｒまたはＣｌＦ３のうち少なくとも１つであることを特徴とする。
【００２６】
望ましくは、前記ポリマー膜及び前記酸化膜は、加熱チェンバーでアニーリングしてＵＶランプまたはＩＲランプで加熱して除去されることを特徴とする。
【００２７】
望ましくは、前記シリコン基板表面の損傷部位は、加熱チェンバーでアニーリングして除去されることを特徴とする。
【００２８】さらに望ましくは、前記損傷部位を除去するステップは、前記ポリマー膜及び酸化膜を除去した後、同一のチェンバー内でインシチュー(in-situ)にて遂行されることを特徴とする。」（下線部は当審にて加入。以下、同様）
　
イ．「【００３５】図３は、本発明の一実施形態によるプラズマ食刻装置の構成を示す。
このプラズマ食刻装置は、マイクロ波プラズマを利用した乾式洗浄工程を遂行する。
シリコン基板１８０は、真空状態で保持可能なチェンバー１４０の下に位置した基板積載部１６０に備えられ、Ｎ２、Ｈ２、またはこれらの混合ガスは、第１工程ガス流入口１３０を通じて流入する。このとき、Ｎ２、Ｈ２、またはこれらの混合ガスは、プラズマ発生及び保持のためのキャリアガスとして作用する。次いで、プラズマは、マイクロ波ソースモジュール(microwave source module)１１０及びプラズマアプリケータ１２０を動作させることによって発生し、ＨＦガスは、第２工程ガス流入口１９０を通じて流入する。このとき、ＨＦガス以外にフッ素を含むハロゲン元素、ＨＣｌ、ＢＣｌ３、ＨＢｒ、またはＣｌＦ３などのハロゲン元素も第２工程ガスとして使用することができる。
アニーリング(annealing)するためのヒーター２１０によって加熱チェンバーをアニーリングし、これにより、前記シリコン基板表面の損傷部位を取り除く。
　
ウ．「【００３８】図５Ａ乃至図５Ｅは、本発明の一実施形態による自然酸化膜及びシリコン基板表面の損傷部位を除去する過程を順次に示す断面図である。
【００３９】図５Ａは、シリコン基板４０上に層間絶縁層４１を形成した後、接触領域での前記層間絶縁層４１を食刻してコンタクトホールを形成した状態を示す。このとき、接触領域で露出した前記シリコン基板４０の表面が食刻のとき損傷される。その結果、損傷部位４２及び自然酸化膜４３は、前記シリコン基板４０上に順次に形成される。このとき、前記自然酸化膜４３及び損傷部位４２は、コンタクト抵抗または漏れ電流を増加させて素子特性を低下させる致命的欠陥要因として作用するので、これを除去する工程が要求される。
【００４０】
図５Ｂは、Ｈ２またはＮ２ガスから発生したプラズマ及び第２工程ガスとしてのＨＦガスを利用して、層間絶縁層４１、コンタクトホールの側壁、及び自然酸化膜４３の上部にＮｘＨｙＦｚポリマー膜または副産物層を形成した状態を示す。
【００４１】
図５Ｃは、アニーリングしてポリマー膜４４を除去した状態を示す。このとき、アニーリングによってポリマー膜４４の構成成分が分解されつつ、下部の自然酸化膜４３の構成成分と結合してＮ２Ｏ、Ｏ、Ｆ、ＨＦ、ＮＨ３、及びＳｉＦ４などで励起される。
【００４２】図５Ｄは、アニーリングして自然酸化膜４３が除去された後、シリコン基板の表面が疎水処理(Hydrophobic Cleaning)された状態を示す。
【００４３】図５Ｅは、同一のチェンバーでインシチューにてシリコン損傷部位４２を除去した状態を示す。」
　
エ．上記記載ウ．段落【００４０】においてＮｘＨｙＦｚポリマー膜は、第１工程ガスであるＮ２とＨ２を混合したガスから発生したプラズマにより励起されることにより、その下流に注入される第２工程ガスであるＨＦガスを活性化することにより形成されるものであるから、刊行物に記載の発明は、「第２工程ガスは、前記第１ガスのプラズマによってＨＦラジカルで活性化される段階」を備えるものといえる。
　
　以上の記載（ア．〜ウ．）、刊行物の記載から認定した事項エ．及び図３，５の記載を総合勘案すると、刊行物には、以下の発明が記載されている。（以下、「引用発明」という。）
　
　「プラズマを利用して自然酸化膜４３を有するシリコン基板４０の表面を処理する方法において、
　Ｎ２、Ｈ２の混合ガスである第１工程ガスを、マイクロ波プラズマを利用した乾式洗浄工程を遂行するプラズマ食刻装置のチェンバー内に第１工程ガス流入口１３０を通じて流入する段階と、
　プラズマ発生部において第１工程ガスからプラズマを発生及び保持する段階と、
　前記チェンバー内に第２工程ガス流入口１９０を通じてＨＦガスの第２工程ガスを流入する段階と、
　前記第２工程ガスは、前記第１行程ガスのプラズマによって、ＨＦラジカルで活性化される段階と、　
　層間絶縁層４１、コンタクトホールの側壁、及び自然酸化膜４３の上部にＮｘＨｙＦｚのポリマー膜４４を形成する段階と、
　シリコン基板４０をアニーリングしてポリマー膜４４とともに自然酸化膜４３を除去する段階とを有し、その後にシリコン損傷部位４２をアニーリングにより除去する方法。」
　
３．発明の対比
　本願発明と、引用発明とを対比すると、引用発明における「自然酸化膜４３」は、本願発明における「自然酸化物」に相当する。以下同様に、「シリコン基板４０」は、「基板」に、「処理」は、基板表面の酸化物や損傷層を除去するものであるから「洗浄」に、「プラズマを利用して自然酸化膜４３を有するシリコン基板４０の表面を処理する方法」は、「プラズマを利用して自然酸化物、化学的酸化物、または損傷された部分を有する基板の表面を洗浄する方法」に、「Ｎ２、Ｈ２の混合ガス」は、「Ｈ２とＮ２を混合したガス」に、「マイクロ波プラズマを利用した乾式洗浄工程を遂行するプラズマ食刻装置」は、「洗浄装置」に、「プラズマ発生部」は、「プラズマ生成空間」に、「プラズマを発生及び保持」は、「プラズマを生成し保持」に、「第１工程ガス」は、「第１工程ガス」及び「第１ガス」に、「第２工程ガス」は、「第２工程ガス」及び「第２ガス」に、「第１工程ガス流入口１３０」は、「第１流入部」に、「第２工程ガス流入口１９０」は、「第２流入部」に、「ＨＦガス」は、「フッ素酸ガス」に、「ＨＦラジカル」は、「フッ素酸（ＨＦ）ラジカル」に、「層間絶縁層４１、コンタクトホールの側壁、及び自然酸化膜４３の上部」は、「基板の表面」に、「アニーリング」は、「熱処理」に、「シリコン損傷部位４２」は、「基板の表面の損傷層」にそれぞれ相当する。
　
　よって、両者の一致点、相違点は次のとおりである。
　
［一致点］
　「プラズマを利用して自然酸化物、化学的酸化物、または損傷された部分を有する基板の表面を洗浄する方法において、　
　Ｈ２とＮ２を混合したガスである第１工程ガスを洗浄装置の第１流入部に流入する段階と、　
　前記洗浄装置のプラズマ生成空間内で前記第１ガスからプラズマを生成し保持する段階と、　
　前記洗浄装置の第２流入部にフッ素酸ガスの第２工程ガスを流入し、前記第２工程ガスは前記第１ガスのプラズマによってフッ素酸（ＨＦ）ラジカルで活性化される段階と、　
　前記基板の前記表面に前記第１ガス、前記第２ガス、及び前記物質の副産物であるＮｘＨｙＦｚのポリマ膜を形成する段階と、　
　前記基板を熱処理して前記ポリマ膜を除去し、前記基板の前記表面を洗浄する段階とを有し、
　前記ポリマ膜と前記自然酸化膜とを除去する段階後に、熱処理によって前記基板の前記表面の損傷層を除去すること特徴とする基板の表面を洗浄する方法。」
　
［相違点］
　ポリマ膜と前記自然酸化膜とを除去する段階後に、基板の表面の損傷層を除去するにあたって、本願発明においては、「Ｈ２の流動とともに熱処理」を行うのに対して、引用発明において、熱処理を「Ｈ２の流動とともに」行うかまでは明らかでない点。
　
４．当審の判断
　
［相違点について］
　半導体基板表面の損傷した部分を除去するために、半導体基板を加熱しながら水素ガスを流すことは、本願出願の優先権主張日前に周知（特開２００１−７７０３０号公報、特開２００１−３３２５０８号公報などを参照）であり、この周知の技術的事項に基づき、引用発明において基板の表面の損傷層を除去するために、Ｈ２の流動とともに熱処理を行うことには、格別な困難性は認められない。
　
　そして、本願発明により得られる効果も、引用発明及び周知の技術的事項から当業者が予測できる程度のものであって、格別なものとはいえない。
　
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知の技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
５．結び
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許をうけることができない。
　
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。