【事件の表示】
　特願２０００−３０５６７０「膜体の露光処理方法及びマイクロデバイス素子の作製方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　４月１９日出願公開、特開２００２−１１６５５４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１２年１０月５日の出願であって、平成１９年１１月２７日付けで通知された拒絶の理由に対して、平成２０年１月１７日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２１年４月１０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年７月１４日付けで審判請求がなされたものである。
　
　本願の請求項１〜１２に係る発明は、平成２０年１月１７日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項６に係る発明（以下、「本願発明６」という。）は次のとおりである。
　
　「【請求項６】　所定の基板上に第１の膜体を形成する工程と、
　前記第１の膜体が形成された前記基板を第１の基板保持部材の主面上に設置する工程と、
　前記基板の前記第１の基板保持部材の前記主面上への設置後、３０秒以上の第１の待機時間が経過した後に前記第１の膜体に対して露光処理を施す工程と、
　前記第１の膜体の上方において第２の膜体を形成する工程と、
　前記第２の膜体が形成された前記基板を第２の基板保持部材の主面上に設置する工程と、
　前記基板の前記第２の基板保持部材の前記主面上への設置後、３０秒以上の第２の待機時間が経過した後において前記基板のアライメント位置計測を実施し、前記第２の膜体に対して露光処理を施す工程と、
を含むことを特徴とする、マイクロデバイス素子の作製方法。」
　
　
２．引用刊行物の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された、
　特開平６−８９８４０号公報（以下、「刊行物１」という。）、
　特開平４−９６３１４号公報（以下、「刊行物２」という。）、
　特開昭６０−１５８６２６号公報（以下、「刊行物３」という。）、
には、次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
（１）刊行物１
　（１ａ）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示基板や
半導体素子等の製造に用いられる露光装置
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の装置は、
図５
温度や気圧等を一定に保つ恒温室１内に基板を露光する露光部１ａと、露光部１ａ内の露光位置２に基板を搬送する搬送部１ｂとが収納されており、前処理が終了した基板が入ったカセット４を不図示の搬入部から恒温室１内に搬入するか、外部の処理装置５から基板を１枚ずつ搬入した後、搬送装置３によって直ちに基板を露光位置２に搬送し、基板に対する露光を行っていた
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来の技術においては、
恒温室内に搬入された基板の温度が前処理の影響で恒温室内の温度と異なることがある
その場合、時間の経過に伴って、例えば基板に対する露光の前後で基板の温度が変化して基板が伸縮し、その結果、基板に対する露光精度が低下するという問題があった
【０００４】本発明は上記の如き問題点に鑑みて成されたものであり、基板の温度変化による露光精度の低下を防ぐことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的のため本発明では、基板を露光する露光手段と、基板を外部から搬入する搬入部と、基板を搬入部から露光手段の露光位置に搬送する搬送手段とを恒温室内に収納した露光装置において、
基板が搬入部に搬入されてからの時間を計測する
計測時間が所定値となった後に、基板を搬送手段によって露光位置に搬送する
光手段の露光位置に搬送する搬送手段とを恒温室内に収納した露光装置において、搬送手段の搬送経路中で基板を待機させる基板待機手段と；基板の待機時間を計測する【０００６】また、基板を露光する露光手段と、基板を外部から搬入して露計時手段と；計時手段による計測時間が所定値となった後に、基板を基板待機手段から露光位置に搬送する制御手段とを備えたこととした。
【０００７】さらに、基板を露光する露光手段と、基板を外部から搬入する搬入部と、基板を搬入部から露光手段の露光位置に搬送する搬送手段とを恒温室内に収納した露光装置において、搬入部に搬入された基板の温度を検出する温度測定手段と；温度測定手段による測定結果が所定値となった後に、基板を搬送手段によって露光位置に搬送する制御手段とを備えたこととした。
【０００８】その他、基板を露光する露光手段と、基板を外部から搬入して露光手段の露光位置に搬送する搬送手段とを恒温室内に収納した露光装置において、搬送手段の搬送経路中で基板を待機させる基板待機手段と；待機中の基板の温度を検出する温度測定手段と；温度測定手段による測定結果が所定値となった後に、基板を搬送手段によって露光位置に搬送する制御手段とを備えたこととした。
【０００９】
【作用】本発明では、
基板を露光装置中（恒温室内）に搬入した後、所定時間経過するまで基板の露光位置への搬送を中止する構成としたため、基板の温度を安定させた後に露光を行うことができる
　
　（１ｂ）「【００１０】
【実施例】
図１
基本的な構成は従来の装置と同様
恒温室（チャンバ）１内の搬送部１ｂは、基板の入ったカセット４を搬入する搬入部（不図示）と、カセット４がチャンバ内に搬入されたことを検出してカセット搬入からの時間を計測するタイマー６、及びタイマー６の計測結果に基づいて搬送装置３に動作信号を出力する制御部７とで構成されている
【００１１】上記の構成において、
カセット搬入から所定時間経過した後にタイマー６が制御部７に信号を出力する
制御部７はタイマー６からの信号を入力するとカセット４から基板を取り出して、露光部１ａ内の露光位置２へ基板を搬送する
【００１２】図２は、本発明の第２の実施例による露光装置の概略的な構成を示す図である。これは、図１に示す装置の搬送経路中に基板の待機部８を設けたものである。つまり、カセット４をチャンバ内に搬入した後、基板を一旦待機部８に配置してタイマー６で基板の待機時間を計測する。待機時間が所定の時間を経過した後、基板を露光位置２へ搬送する。この場合、待機部８を温度調節されたホルダで構成すれば、より速やかに基板の温度を安定させることができる。また、待機部８を複数設ける構成とすれば、処理能力が向上することは言うまでもない。
【００１３】図３は、本発明の第３の実施例による露光装置の概略的な構成を示す図である。これは、図１に示す装置のタイマー６の代わりに、チャンバ１内に搬入されたカセット４内の基板の温度を測定する温度センサ９を設けたものである。この場合、温度センサ９による測定結果が、チャンバ内の気温とほぼ一致した後にカセット４から基板を取り出し、露光位置に搬送するように制御部７によって搬送装置３を制御する。尚、温度センサ９は基板から放射される赤外線を検出する方式等の非接触式のものが好適である。
【００１４】図４は、本発明の第４の実施例による露光装置の概略的な構成を示す図である。これは、図２に示す装置のタイマー６の代わりに、待機部８に配置された基板の温度を測定する温度センサ９を設けたものである。この場合、待機部８に配置された基板の温度がチャンバ内の気温とほぼ一致した後に待機部８から露光位置２へ基板を搬送する。
【００１５】以上の各実施例において、いずれも基板の入ったカセットをチャンバ内に搬入する構成としたが、これは、
外部の処理装置から基板を１枚ずつ搬送装置でチャンバ内に搬入する構成であっても構わない
　
　（１ｃ）図１，２，５は次のとおり。　
　これら記載によれば、刊行物１には次の発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「温度や気圧等を一定に保つ恒温室１内に基板を露光する露光部１ａと、露光部１ａ内の露光位置２に基板を搬送する搬送部１ｂとが収納されており、搬送部１ｂには搬入部がある、露光装置を用いて半導体素子等を製造する方法であって、
　基板に前処理を行う工程、
　前処理が終了した基板を１枚ずつ恒温室１内の搬入部に搬入する工程、
　基板が恒温室１の搬入部に搬入されてからの時間を計測し、計測時間が、基板の温度が安定するまでの所定値となった後に、基板を露光部１ａの露光位置２に搬送して基板に対して露光を行う工程、
　を備えた、半導体素子等を製造する方法。」
　
（２）刊行物２
　（２ａ）「（従来の技術）
　半導体素子の製造に当たっては光または電子ビームリソグラフィ技術が利用されているが、集積度が増大するにつれてパターン（Ｐａｔｔｅｒｎ）形成精度やパターン検査精度が重要になってきている。このため半導体素子に光または電子ビームリソグラフィ技術を施す際には温度によるガラスマスク（Ｇｌａｓｓ　Ｍａｓｋ）や被処理半導体基板の変形がパターンの形成精度や検査精度への影響を減らすべく、恒温化された装置内に放置して温度を調整する方式が採られている。
　（発明が解決しようとする課題）
　
恒温装置内に被処理半導体ウエーハ
を放置することによって変形をなくして、パターンの形成精度や検査精度の向上を図ってきた
このような変形をより効果的とするために恒温装置内の放置時間も必要以上に長く、生産のスループット（Ｔｈｒｏｕｇｈ　Ｐｕｔ）が低下する難点があった
　［発明の構成］
　（課題を解決するための手段）
　半導体基板またはガラスマスクの基板温度か温度分布を測定して一定の温度か温度分布に達したことを検知した後に露光工程を施すこと点に本発明に係わる半導体素子用パターンの形成または試験方法の特徴がある。」（第１頁左下欄第１７行〜第２頁左上欄第１１行）
　
　（２ｂ）「一方、恒温放置によりパターン精度への影響を防止する方法ではスループットに問題が発生ずる。と言うのは厳密に恒温化した装置ではある時間以上放置するとガラスマスクも恒温化される。しかし、放置前の温度、カセットやガラスマスクの熱伝導率などにバラツキがあるために夫々が熱的に平衡になるにもバラツキがある。即ち、すべての場合に一定にならず、各部品には好適の放置時間があることに問題がある。
　これに加えて、熱的変動の発生時にも問題がある。恒温化した装置にガラスマスクを放置した場合何らかの熱的変動があった場合に問題が生ずる。これは温度モニター（Ｍｏｎｉｔｅｒ）手段はガラスマスクに直接設置されておらず周辺機器に設置されているためにモニタリング（Ｍｏｎｉｔｅｒｉｎｇ）されるべきガラスマスクを設置している基板温度が不明となるためである。このように周辺雰囲気の恒温化手段によるガラスマスクなどを０．１℃オーダー（Ｏｄｅｒ）の管理では完全でないことが判明した。
　本発明はこのような知見を基に完成されたもので、半導体基板またはガラスマスクの基板に対して直接測定できる温度センサー（Ｓｅｎｓｏｒ）を設置して１／１００オーダの温度または温度分布を制御して半導体基板またはガラスマスクの熱変形に伴うパターン形成精度やパターン検査精度の向上を目指すものである。これによりバッチ（Ｂａｔｃｈ）処理時においても個々に変形がなくなるので同様な結果が得られる。」（第３頁左上欄１８行〜左下欄第６行）
　
　（２ｃ）「次に概略を第１図及び第２図に示した電子ビーム描画装置による実施例を説明する。即ち、
第１図
電子ビーム描画装置
試料室１に配置するステージ（Ｓｔａｇｅ）２には試料ホルダー３を載置し
ここに被処理試料である
半導体ウエーハ４を配置する
被処理試料である
半導体ウエーハ４に接触させるか試料ホルダー４に接触して各々の温度と温度差が一定レベルになってから描画して高精度のパターンが形成できる
　
　第１図は次のとおり。　
　
（３）刊行物３　
　（３ａ）「第一に温度制御されたウエハチヤツクにウエハを載せてから、ウエハが目標温度となるまでに、ある程度の待ち時間（５インチウエハの場合約６秒）が必要である。この待ち時間は無駄な時間なり、露光装置の性能の重要な要素であるスループツトの低下を招くことになる。」（第２頁左上欄第５〜１０行）
　
　（３ｂ）本発明は、上記欠点を除去し、予めウエハを予備温度制御しておくことにより、無駄時間を排除し、装置のスループツトを大幅に改善し、・・・（中略）・・・を可能とする半導体露光装置を提供することを目的とする。」（第２頁右上欄第７〜１２行）
　
　（３ｃ）「このような系において、ウエハ４ａは予備温度制御ステージ６に於て予備温度制御された後、吸着アーム等によりウエハチヤツク５に搬入され、マスク１との位置合せが行なわれ露光される。この時すでに、予備温度制御ステージ６には次に露光されるウエハ４ｂが待機し、温度制御され、ウエハ４ａが露光終了し、ウエハチヤツク５外に搬出されると同時にウエハチヤツク５に搬入される。」（第２頁左下欄第１７行〜右下欄第４行）
　
　第１図は以下のとおり。　
　
３．対比・判断
　本願発明６と刊行物１記載の発明とを対比すると、
　刊行物１記載の発明の「基板に前処理を行う工程」とは、技術常識からみて、基板上にレジストを塗布する等により、基板上の何らかの膜体を形成する工程であることは自明であるから、刊行物１の「基板に前処理を行う工程」と、本願発明６の「所定の基板上に第１の膜体を形成する工程」は、「所定の基板上に膜体を形成する工程」の点で共通する。
　刊行物１記載の発明の「前処理が終了した基板を１枚ずつ恒温室１内に搬入する工程」と、本願発明６の「前記第１の膜体が形成された前記基板を第１の基板保持部材の主面上に設置する工程」とは、「前記膜体が形成された前記基板を、基板に露光処理を施す位置にある基板保持部材の主面上に設置するか、あるいは、露光処理を施す位置を含む恒温室内の搬入部に搬入する工程」の点で共通すると一応いえる。
　刊行物１記載の発明の「基板が恒温室１の搬入部に搬入されてからの時間を計測し、計測時間が、基板の温度が安定するまでの所定値となった後に、基板を露光部１ａの露光位置２に搬送して基板に対して露光を行う工程」と、本願発明６の「前記基板の前記第１の基板保持部材の前記主面上への設置後、３０秒以上の第１の待機時間が経過した後に前記第１の膜体に対して露光処理を施す工程」とは、「前記工程により前記基板を設置または搬入した後、所定の待機時間が経過した後に前記膜体が形成された前記基板に対して露光処理を施す工程」の点で共通するといえる。
　
　刊行物１記載の発明の「半導体素子等を製造する方法」は、その実体からみて、本願発明６の「マイクロデバイス素子の作製方法」に相当する。
　
　そうすると、両者の一致点、相違点は次のとおりと認められる。
　
［一致点］
　「所定の基板上に膜体を形成する工程と、
　前記膜体が形成された前記基板を、基板に露光処理を施す位置にある基板保持部材の主面上に設置するか、あるいは、露光処理を施す位置を含む恒温室内の搬入部に搬入する工程と、
　前記工程により前記基板を設置または搬入した後、所定の待機時間が経過した後に前記膜体が形成された前記基板に対して露光処理を施す工程と、
　を含む、マイクロデバイス素子の作製方法。」
　
［相違点１］
　本願発明６は、
　前記第１の膜体が形成された前記基板を第１の基板保持部材の主面上に設置する工程と、
　前記基板の前記第１の基板保持部材の前記主面上への設置後、３０秒以上の第１の待機時間が経過した後に前記第１の膜体に対して露光処理を施す工程と、
　を含むもので、
　要するに、露光処理を施す位置にある基板保持部材の主面上に基板を設置してから、所定の待機時間（３０秒以上）の経過後に露光するのに対して、
　刊行物１記載の発明は、
　恒温室内の搬入部（同じ恒温室内ではあるが、露光位置と搬入部とは異なる位置にある）に基板を搬入してから、所定の待機時間（具体的な秒数の規定なし）の経過後に、基板を露光位置に搬送して露光する点。
　
［相違点２］
　本願発明６は、第１の露光後に、更に、
　前記第１の膜体の上方において第２の膜体を形成する工程と、
　前記第２の膜体が形成された前記基板を第２の基板保持部材の主面上に設置する工程と、
　前記基板の前記第２の基板保持部材の前記主面上への設置後、３０秒以上の第２の待機時間が経過した後において前記基板のアライメント位置計測を実施し、前記第２の膜体に対して露光処理を施す工程と、
　を含むのに対して、
　刊行物１記載の発明は、そのような工程の明示がない点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
　
（相違点１について）
　刊行物１記載の発明は、「従来の技術においては、恒温室内に搬入された基板の温度が前処理の影響で恒温室内の温度と異なることがある。その場合、時間の経過に伴って、例えば基板に対する露光の前後で基板の温度が変化して基板が伸縮し、その結果、基板に対する露光精度が低下するという問題があった。本発明は上記の如き問題点に鑑みて成されたものであり、基板の温度変化による露光精度の低下を防ぐことを目的とする」（【０００３】【０００４】）というものであるから、基本的に本願と同様の課題を解決しようとするものであり、
　また、刊行物１記載の発明の解決手法は、恒温室内の搬入部（同じ恒温室内ではあるが、露光位置と搬入部とは異なる位置にある）に基板を搬入してから、所定の待機時間（具体的な秒数の規定なし）の経過後に、基板を露光位置に搬送して露光するというものであって、これは、本願発明６と、基板の温度が安定するまで放置するという点では全く同じであり、ただ、違いは、待機位置が、露光処理を施す位置か、あるいは、同じ恒温室内ではあるが別の位置（搬入部）かということと、具体的な待機時間の明示の有無だけである。
　ここで、刊行物１記載の発明では、露光部１ａの露光位置２と、搬送部１ｂの搬入部は、ともに、温度や気圧等を一定に保つ恒温室１内にあるから、露光部１ａの露光位置２の温度（通常設けられる基板保持部材［基板ホルダー］の温度ともいえる）と、搬送部１ｂの搬入部の温度とは、ほぼ同じである（搬入部は外気と接する可能性があるから、若干温度は低くなるかもしれないが、それでも恒温室である以上、露光位置とそれほど温度差があるとは考えられない）といえる。
　ところで、刊行物１には、待機（放置）する場所を、露光処理を施す位置とは異なる位置とした理由について、明記はないが、当業者であれば、『露光処理を施す位置で待機（放置）させた場合、生産効率（スループット）が低下するので、露光処理を施す位置とは少し離れた位置（同じ恒温室内）で待機（放置）させることを選択した』と、考えるものである。このことは、刊行物３で、露光装置直下のウエハチャックにウエハを載せてから放置するのでは、待ち時間がかかり生産効率（スループット）の低下を招くという問題が指摘されており、そのため、予備温度制御ステージでウエハを予備的に温度制御してから、ウエハチャックに搬入していることからも、明らかである。
　しかし、生産効率（スループット）の低下の懸念が少ないとか、多少低下しても待機スペースを設けたくないような場合には、露光処理を施す位置で待機（放置）させる態様があり得ることは、当業者には自明である。実際、刊行物２では、電子ビーム描画のガン・収束レンズ群の直下にある試料ホルダー３にウエハ４が配置された状態で待機（放置）させている。また、刊行物３の従来技術でも露光位置のウエハチャック上で待機（放置）していた。
　
　以上のことを勘案すると、刊行物１記載の発明において、露光部１ａの露光位置２に設けた基板保持部材［基板ホルダー］で基板を所定時間だけ待機（放置）させるような態様に変更することは、当業者であれば容易に想到し得ることである。
　また、その際、具体的な待機時間については、基板の種類、温度差の程度等を考慮して当業者が適宜決めることであり、本願発明６の「３０秒以上の待機時間」を採用することに何ら困難性はない。
　したがって、刊行物１記載の発明において、待機位置を変更して、本願発明６のごとくなすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
（相違点２について）
　刊行物１記載の発明には、第１の露光の後に、膜体（レジスト等）を再度形成して、基板のアライメント位置計測を実施してから第２の露光を施すことは、明記がない。
　しかし、一般に、刊行物１のような露光を伴なった半導体素子等の製造において、第１の露光の後に、膜体（レジスト等）を再度形成して、基板のアライメント位置計測を実施してから第２の露光を施すことは、通常のことであるから、
　そのような工程を刊行物１記載の発明において適用することは、当業者ならば当然に考えることである。
　しかも、その際、基板は、恒温室１の外に一旦搬出して、膜体（レジスト等）を再度形成した後に、恒温室１内に搬入されることになるので、再び恒温室１内に搬入される際には、再度、待機時間を設けることが必要であることは、当業者に自明である。
　そして、第２の露光の前には、基板のアライメント位置計測を行うことから、待機時間は、露光までの時間ではなく、アライメント計測までの時間とすることも、当業者であれば当然に想起することである。
　
　したがって、刊行物１記載の発明において、相違点２に係る本願発明６のごとくなすことは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
（効果について）
　そして、全体としてみて、本願発明６によって奏される効果も、刊行物１〜３に記載の事項から当業者であれば予測し得る程度のものであって、格別なものではない。
　
（まとめ）
　したがって、本願発明６は、刊行物１に記載された発明に基づき、また刊行物２，３の技術事項も適宜参照して、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項６に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないので、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。
　
４．むすび