【事件の表示】
　特願２００５−３１４２９１「受光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　５月１７日出願公開、特開２００７−１２３５８７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１７年１０月２８日の特許出願であって、平成２２年３月４日に手続補正がなされたが、同年６月３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年９月１４日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである（以下、平成２２年９月１４日になされた手続補正を「本件補正」という。）。
　
　
第２　本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容・目的
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１につき、補正前（平成２２年３月４日になされた手続補正後のもの。）の
「　ショットキー接触型半導体受光素子であって、
　導電性を示すＳｉ系半導体からなる結晶基板と、
　前記結晶基板の一方側の面上に形成されたバッファ層と、
　前記バッファ層の上方に全面的に、少なくとも１層形成された、絶縁性のＩＩＩ族窒化物材料からなる光感受層であって、前記少なくとも１層の内のいずれかの組成がＡｌｘＧａｙＩｎ（１−ｘ−ｙ）Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、ｘ＋ｙ≦１）からなる光感受層と、
　受光面となる前記光感受層の一方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する一方側の電極たる透明ショットキー電極であって、前記透明ショットキー電極が、前記受光面略全面を被覆する様に形成された、検出対象とする光の波長に対して透明な透光性の金属薄膜と、前記金属薄膜の上面に一部形成された、前記透明ショットキー電極と外部との接続を容易ならしめるパッド電極と、からなるものと、
　前記結晶基板の他方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する他方側の電極と、からなることを特徴とするショットキー接触型半導体受光素子。」
を、補正後の
「　ショットキー接触型半導体受光素子であって、
　
ｎ型Ｓｉ
　前記結晶基板の一方側の面上に形成された
、ｎ型Ａｌ
ｕ
Ｇａ
１−ｕ
Ｎ（０≦ｕ≦１）とｎ型Ａｌ
ｖ
Ｇａ
１−ｖ
Ｎ（０≦ｖ≦１、ｖ≠ｕ）との超格子構造からなる
　前記バッファ層の上方に全面的に、少なくとも１層形成された、絶縁性のＩＩＩ族窒化物材料からなる光感受層であって、前記少なくとも１層の内のいずれかの組成がＡｌｘＧａｙＩｎ（１−ｘ−ｙ）Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、ｘ＋ｙ≦１）からなる光感受層と、
　受光面となる前記光感受層の一方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する一方側の電極たる透明ショットキー電極であって、前記透明ショットキー電極が、前記受光面略全面を被覆する様に形成された、検出対象とする光の波長に対して透明な透光性の金属薄膜と、前記金属薄膜の上面に一部形成された、前記透明ショットキー電極と外部との接続を容易ならしめるパッド電極と、からなるものと、
　前記結晶基板の他方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する他方側の電極と、からなることを特徴とするショットキー接触型半導体受光素子。」
に補正する内容を含むものである。
　
　上記の補正の内容は、補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「導電性を示すＳｉ系半導体からなる結晶基板」を、「ｎ型Ｓｉ」からなるものに限定し、同じく「バッファ層」を、「ｎ型ＡｌｕＧａ１−ｕＮ（０≦ｕ≦１）とｎ型ＡｌｖＧａ１−ｖＮ（０≦ｖ≦１、ｖ≠ｕ）との超格子構造からなる」ものに限定するものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
２　独立特許要件
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（１）引用刊行物の記載及び引用発明
　ア　引用刊行物１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２０００−１０１１３０号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている（下線は審決で付した。以下同じ。なお、丸囲み数字は、丸かっこ閉じ数字で代用した。）。
　
（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】　
ショットキー障壁型の半導体受光素子であって、第一導電型のＧａＮ系半導体からなる層を受光層として有し、該受光層の片側の面を受光面とし、該受光面にはショットキー電極が少なくとも設けられ、該受光面のうち、ショットキー電極に覆われている領域と、露出している領域との境界線の長さの合計が、受光面の外周の長さよりも長い
半導体受光素子
・・・
【請求項５】　
上記受光層が、結晶基板上に第一導電型のＧａＮ系半導体からなる層を１層以上成長させてなる積層体の最上層であって、オーミック電極が受光層以外の層に設けられている
【請求項６】　
結晶基板が導電性を示す材料からなる基板であって、オーミック電極が結晶基板に設けられている
　
（イ）「【０００２】
【従来の技術】・・・
【０００３】上記ステッパーによる露光では、レーザー光の一部を受光素子で受け、出力の変動などをモニターしている。受光素子としてはフォトダイオード（ＰＤ）が有用である。ＰＤにはＳｉ系半導体材料を用いたものがあるが、レーザー光が、上記２４８ｎｍのような強烈なエネルギーを持つ光になると、Ｓｉ系のＰＤでは劣化が著しく、頻繁に新しいものと交換しなければならない状況となっている。
【０００４】一方、ＰＤには多くの受光原理に基づくものがあり、そのなかの１つにショットキー障壁型のＰＤがある。
紫外線を受光対象とするショットキー障壁型のＰＤ
サファイア基板上に、ＡｌＮバッファ層を介してＡｌＧａＮ層を成長させ、該ＡｌＧａＮ層上に、ショットキー電極（ショットキー障壁が形成されるように接合された電極）と、オーミック電極とを設けてＰＤを構成している
【０００５】上記公報のＰＤは、図４（ｂ）に示すように、
受光対象とする光Ｌ３を基板側から入射させ、ショットキー電極２０の直下の領域（半導体側に広がる空乏層の部分）１０ｂに到達させて受光する構造
このＰＤが光を基板側から入射させるものであることは、ショットキー電極が受光面に対して大面積を占有しており、光が基板側からしか入れない構造となっていることから明らかである
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記公報のＰＤには次のような問題点がある。
(1)
受光すべき光を、サファイア基板から厚いＡｌＧａＮ層を通過させてショットキー電極の裏面に導き受光する構成であるために、受光すべき光がＡｌＧａＮ層に吸収され、感度が低下する
光がショットキー接合によって形成される空乏層の領域またはその近傍に全く到達できない場合もある
(2)上記(1)の理由によって、検出可能な光の波長域が、ＡｌＧａＮのバンドギャップ近傍の狭い範囲に限られる。即ち、有感の波長域が狭い。
【０００７】本発明の目的は、新たな構成によって従来より優れた感度を有し、紫外域の波長の光に対しても優れた耐性を有するショットキー障壁型の半導体受光素子を提供することである。」
　
（ウ）「【００１５】
【作用】本発明の半導体受光素子（以下「受光素子」）は、ショットキー障壁型のＰＤである。従って、ショットキー電極だけでなく、これに対する他方の電極が受光素子として機能し得るように設けられる。この他方の電極はオーミック電極であることが好ましい。オーミック電極については後述する。ショットキー障壁を用いた光検出のメカニズム自体は、従来のショットキー障壁型のＰＤの場合と同様である。ｎ型の受光層について簡単に説明すると、両電極間に逆方向のバイアス電圧をかけて、受光層からショットキー電極へ電子が流れ込み易くしておき、受光層に光励起で発生した電子の流れを電流として検出するものである。
【００１６】本発明の重要な特徴は、図４（ａ）に示すように、空乏層１ｂが、ショットキー電極２の直下だけでなく、該電極の周囲に微量だけ広がってはみ出していることに着目し、それを利用したことにある。電極周囲に微量だけはみ出しているこの空乏層の部分（以下「空乏層のはみ出し部分」）には、
電極の上面側からも光Ｌ１が入射することができる
【００１７】
本発明では
電極の上面側から照射される光を検出することを可能にしている
【００１８】これに対して、
従来のショットキー障壁型の受光素子は
受光すべき光Ｌ３を基板側から入射させ、ショットキー電極２０の裏面側に形成される空乏層１０ｂの中央部で受けるもの
　
（エ）「【００３３】結晶基板は、ＧａＮ系半導体が結晶成長可能なものであればよく、サファイア、水晶、ＳｉＣ等や、ＧａＮ系結晶が挙げられる。結晶基板を絶縁体とするならば、サファイアのＣ面、Ａ面、特にＣ面サファイア基板が好ましい。また、
結晶基板が導電性を必要とするならば、６Ｈ−ＳｉＣ基板
が好ましい
　
（オ）「【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の受光素子は、ＧａＮ系材料を用いているために紫外線に対して優れた耐性を有する。また、ショットキー障壁型のＰＤであり不透明な電極を用いたものでありながら、
ショットキー電極の上面側からの光を受光する構造
受光すべき光は、ＧａＮ系材料からなる層を通過することなく、また電極側からの入射でありながら直接的に空乏層に入射することができる
　
　上記（ア）ないし（オ）を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「ショットキー障壁型の半導体受光素子であって、
　第一導電型のＧａＮ系半導体からなる層を受光層として有し、該受光層の片側の面を受光面とし、該受光面にはショットキー電極が少なくとも設けられ、
　該受光面のうち、ショットキー電極に覆われている領域と、露出している領域との境界線の長さの合計が、受光面の外周の長さよりも長く、
　上記受光層が、結晶基板上に第一導電型のＧａＮ系半導体からなる層を１層以上成長させてなる積層体の最上層であって、オーミック電極が受光層以外の層に設けられており、
　結晶基板が導電性を示す材料からなる基板であって、オーミック電極が結晶基板に設けられており、該結晶基板としてＳｉＣ基板が好ましく用いられるものである、半導体受光素子。」
　
　イ　引用刊行物２
　原査定に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物であるQ. Chen et al.，Schottky barrier detectors on GaN for visible-blind ultraviolet detection，Applied Physics Letters, Vol.70, No.17, 28 Apr 1997, pp.2277-2279（以下「引用刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている（なお、当審による訳文をかっこ書きで付した。）。
　
（ア）「We report on the fabrication and characterization of vertical geometry transparent Schottky barrier ultraviolet detectors based on n-/n+-GaN structures grown over sapphire substrates. Spectral responsivity measurements were made using illumination through the UV transparent Schottky barrier metal.」（要約欄）
（我々は、サファイア基板上に成長されたｎ−／ｎ＋-ＧａＮ構造に基づく垂直形透明ショットキー障壁紫外線検出器の製造と特性を報告する。スペクトル応答測定は、
紫外線透過性ショットキー障壁金属を通した光照射
　
（イ）「In this letter, we describe the fabrication and characterization of a vertical geometry transparent Schottky barrier detector using n--GaN/n+-GaN layers grown over sapphire substrates. A transparent Schottky contact allows for the use of front illumination. 」（2277頁左欄31行〜35行）
（この論文では、我々は、サファイア基板上に成長されたｎ−-ＧａＮ／ｎ＋-ＧａＮ層を用いた垂直型透明ショットキー障壁紫外線検出器の製造と特性を述べる。
透明ショットキー電極は、前面光照射の利用を可能にする
　
（ウ）「The epilayer structure used for the photodiodes consists of a 〜1 μm thick n+GaN layer (n=3×1018 cm-3) followed by a 〜0.4 μm thick n--GaN layer (n=3×1016 - 1×1017cm-3). The epilayer structure was deposited over basal plane sapphire substrates at 1000 °C and 76 Torr using a low-pressure metal-organic chemical-vapor deposition system. Prior to the epilayers, a 40 nm thick buffer layer of AlN was deposited at 600 °C. ・・・ Schottky barrier detectors were then fabricated beginning with the definition of 4 mm by 4 mm mesas using reactive ion etching. The bottom Ohmic contact to the n+ layer was made with e-beam evaporated 15 nm Ti/200 nm Al. The Ohmic contacts were annealed at 800 °C for 30 s. The top Schottky barrier was formed using a 5 nm thick e-beam evaporated Pd metal. The transmission spectrum of this Pd metal coating is nearly flat in the wavelength range of interest (200-365 nm) with approximately 70% of light transmission. The cross section of the device structure is shown in Fig. 1.」（2277頁左欄末行〜右欄18行）
（フォトダイオードに用いられたエピ層構造は、〜１μｍ厚のｎ＋ＧａＮ層と、〜０．４μｍ厚のｎ−ＧａＮ層とからなる。エピ層構造は、サファイア基板の底面に、低圧有機金属化学気相成長装置を用いて、１０００℃、７６Torrで、堆積された。エピ層に先立ち、４０nm厚のＡｌＮバッファ層が６００℃で堆積された。・・・。次に、ショットキー障壁検出器は、反応性イオンエッチングを用いた４ｍｍ×４ｍｍのメサの画定を始めに製造された。ｎ＋層への底面オーミック電極は、電子ビーム蒸着された１５ｎｍのＴｉと２００ｎｍのＡｌによって形成された。オーミック電極は８００℃で３０秒間アニールされた。
上面のショットキー障壁は、５ｎｍ厚の電子ビーム蒸着されたＰｄ金属を用いて形成された
このＰｄ金属被膜の透過スペクトルは、関心の波長範囲（２００−３６５ｎｍ）においてほぼ平坦であり、およそ７０％の光透過率であった
　
（エ）上記（ウ）を踏まえて図１を見ると、
ショットキー障壁を形成するＰｄ金属被覆は、ｎ
−
-ＧａＮ層の上面の全面を被覆している
　
　ウ　引用刊行物３
　本願明細書に引用されている、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００４−３０７３２２号公報（以下「引用刊行物３」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（ア）「【実施例９】
【０１６８】
　実施例９は第１２の形態の半導体デバイス（受光素子）の一実施例である。
図１０は実施例９の受光素子を示す図である
【０１６９】
　実施例９の受光素子は、第９の形態のIII族窒化物結晶で作製したｎ型ＧａＮ基板６００上に積層したIII族窒化物半導体積層構造で作製されている。
【０１７０】
　ここで、ＧａＮ基板６００の厚さは、３００μｍである。
【０１７１】
　
実施例９の受光素子の構造は、ｎ型ＧａＮ基板６００上に、ｎ型ＧａＮ層６１０，絶縁性ＧａＮ層６２０が積層され、その上に、Ｎｉ／Ａｕから成る透明ショットキー電極６３０が形成されたＭＩＳ型受光素子である
【０１７２】
　ｎ型ＧａＮ基板６００の裏面には、Ｔｉ／Ａｌからなるオーミック電極６４０が形成され、
透明ショットキー電極６３０の上部の一部には、Ａｕからなる電極６５０が形成されている
【０１７３】
　実施例９の受光素子では、
透明ショットキー電極６３０側から光（紫外線）６０１０を入射すると、キャリアが発生し、電極から光電流が取り出される
【０１７４】
　実施例９の受光素子は、従来のサファイア基板等のIII族窒化物と異なる基板上に受光素子構造を結晶成長して作製されたものや、気相成長や、その他の手法で作製されたＧａＮ基板上に作製されたものに比べ、基板上に積層された受光素子構造の結晶欠陥が低く、結晶品質が高いので、暗電流が小さく、Ｓ／Ｎ比が高かった。」
　
（イ）上記（ア）を踏まえて図１０を見ると、透明ショットキー電極６３０が、絶縁性ＧａＮ層６２０の上に全面を被覆するように形成され、光６０１０を入射する面を構成していることが見て取れる。
　
　エ　引用刊行物４
　本願明細書に引用されている、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００３−２３１７５号公報（以下「引用刊行物４」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（ア）「【０００５】次に、図４は例えば、Applied Physics Letters 70(17), 2277 (1997).に示された従来構造の
紫外線検出器
１は透明ショットキ電極、２はオーミック電極、３０はGaN（0.4μm）、３１はn+GaN( 1μm)、４はサファイア基板
【０００６】次に動作について説明する。
紫外線を含んだ入射光５が表面から照射され、半導体層３０で電子正孔対が生成される
　
（イ）上記（ア）を踏まえて図４を見ると、
透明ショットキ電極１は、GaN層３０の上に全面を被覆するように形成されている
　
（２）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
　ア　引用発明の「ショットキー障壁型の半導体受光素子」は、本願補正発明の「ショットキー接触型半導体受光素子」に相当する。
　
　イ　引用発明の「結晶基板」は、「導電性を示す材料からなる基板」であって「ＳｉＣ基板が好ましく用いられる」ものであるから、引用発明の「結晶基板」は、「導電性を示すＳｉ系半導体からなる結晶基板」である点で、本願補正発明の「ｎ型Ｓｉからなる結晶基板」と、一致する。
　
　ウ　引用発明の「受光層」は、「結晶基板上に第一導電型のＧａＮ系半導体からなる層を１層以上成長させてなる積層体の最上層」であるから、引用発明の「受光層」は、「前記結晶基板の一方側の面の上方に全面的に、少なくとも１層形成された、ＩＩＩ族窒化物材料からなる光感受層であって、前記少なくとも１層の内のいずれかの組成がＡｌｘＧａｙＩｎ（１−ｘ−ｙ）Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、ｘ＋ｙ≦１）からなる光感受層」である点で、本願補正発明の「（前記結晶基板の一方側の面上に形成された）前記バッファ層の上方に全面的に、少なくとも１層形成された、絶縁性のＩＩＩ族窒化物材料からなる光感受層であって、前記少なくとも１層の内のいずれかの組成がＡｌｘＧａｙＩｎ（１−ｘ−ｙ）Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、ｘ＋ｙ≦１）からなる光感受層」と一致する。
　
　エ　引用発明の「ショットキー電極」は、「（受光層の）受光面に」「設けられ」たものであるから、引用発明の「ショットキー電極」は、「受光面となる前記光感受層の一方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する一方側の電極たるショットキー電極」である点で、本願補正発明の「受光面となる前記光感受層の一方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する一方側の電極たる透明ショットキー電極であって、前記透明ショットキー電極が、前記受光面略全面を被覆する様に形成された、検出対象とする光の波長に対して透明な透光性の金属薄膜と、前記金属薄膜の上面に一部形成された、前記透明ショットキー電極と外部との接続を容易ならしめるパッド電極と、からなるもの」と一致する。
　
　オ　引用発明の「オーミック電極」は、「（結晶基板の）受光層以外の層に設けられて」いるものであるから、引用発明の「オーミック電極」は、本願補正発明の「前記結晶基板の他方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する他方側の電極」に相当する。
　
　以上アないしオによると、本願補正発明と引用発明とは、
「ショットキー接触型半導体受光素子であって、
　導電性を示すＳｉ系半導体からなる結晶基板と、
　前記結晶基板の一方側の面の上方に全面的に、少なくとも１層形成された、ＩＩＩ族窒化物材料からなる光感受層であって、前記少なくとも１層の内のいずれかの組成がＡｌｘＧａｙＩｎ（１−ｘ−ｙ）Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、ｘ＋ｙ≦１）からなる光感受層と、
　受光面となる前記光感受層の一方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する一方側の電極たるショットキー電極と、
　前記結晶基板の他方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する他方側の電極と、からなるショットキー接触型半導体受光素子。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点］
ａ．導電性を示すＳｉ系半導体からなる結晶基板が、本願補正発明では、「ｎ型Ｓｉ」であり、「（結晶基板の一方側の面上に形成された）ｎ型ＡｌｕＧａ１−ｕＮ（０≦ｕ≦１）とｎ型ＡｌｖＧａ１−ｖＮ（０≦ｖ≦１、ｖ≠ｕ）との超格子構造からなるバッファ層」を備えるのに対して、引用発明では、結晶基板の材料がそのようなものに特定されておらず、また、超格子構造からなるバッファ層を有してない点（以下「相違点１」という。）。
　
ｂ．ショットキー電極が、本願補正発明では、「透明」であって、「前記受光面略全面を被覆する様に形成された、検出対象とする光の波長に対して透明な透光性の金属薄膜と、前記金属薄膜の上面に一部形成された、前記透明ショットキー電極と外部との接続を容易ならしめるパッド電極と、からなる」ものであるのに対して、引用発明では、そのようなものではない点（以下「相違点２」という。）。
　
ｃ．光感受層が、本願補正発明では「絶縁性」であるのに対して、引用発明では「第一導電型」である点（以下「相違点３」という。）。
　
（３）判断
　上記各相違点について検討する。
　
　ア　相違点１について
　ＧａＮ系半導体を結晶成長可能な導電性の結晶基板として、一方の表面上にＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子構造が形成されたＳｉ基板を用いることは周知の技術である（必要であれば、本願明細書で引用された、特開２００４−６３７６２号公報、S. A. Nikishin他、Appl. Phys. Lett., 76, 3028、及びA. Dadgar他、Appl. Phys. Lett., 78, 2211等を参照。）。
　したがって、引用発明における「導電性を示す材料からなる基板」として、上記周知のＳｉ基板を採用することは、当業者が容易になし得たことである。
　そして、基板の導電型は、その上に形成する半導体層の導電型等を考慮して当業者が適宜選択し得るものであり、引用発明における基板の導電性をｎ型とすることに、何ら困難性は認められない。また、本願補正発明において、結晶基板の導電型をｎ型としたことに、設計的事項の域を超えるほどの格別の技術的意義も見い出せない。
　
　イ　相違点２について
　上記（１）アに示した引用刊行物１の記載によれば、従来のショットキー障壁型の受光素子は、受光すべき光を基板側から入射させ、ショットキー電極の裏面側に形成される空乏層の中央部で受けるものであったため、受光すべき光がＡｌＧａＮ層に吸収され、感度が低下する等の問題があったところ、この問題を解決するために、引用発明は、「受光面のうち、ショットキー電極に覆われている領域と、露出している領域との境界線の長さの合計が、受光面の外周の長さよりも長い」構成を採用し、ショットキー電極の上面側からの光を受光する構造を有して、電極の上面側から照射される光を検出することを可能にし、受光すべき光は、ＧａＮ系材料からなる層を通過することなく、また電極側からの入射でありながら直接的に空乏層に入射することができるとうい効果が得られるものである。
　そして、ショットキー障壁型の受光素子において、ショットキー電極の上面側からの光を受光する構造を有するものとしては、引用発明の上記構成のものに限らず、受光面のほぼ全面を被覆する透明な透光性の金属薄膜と、接続のための電極とからなる、透明ショットキー電極を用いることは、周知の技術である（必要であれば、上記（１）イないしエに示した、引用刊行物２ないし４を参照。）。
　したがって、引用発明において、上記周知技術を採用し、相違点２に係る本願補正発明の特定事項となすことは、当業者が容易になし得たことである。
　
　ウ　相違点３について
　ショットキー障壁型の半導体受光素子において、受光層として「絶縁性」のＩＩＩ族窒化物材料からなるものを用いることは、周知の技術である（必要であれば、上記（１）イ及びエに示した、引用刊行物２及び４を参照。）。
　したがって、引用発明において、上記周知技術を採用し、相違点３に係る本願補正発明の特定事項となすことは、当業者が容易になし得たことである。
　
　エ　まとめ
　以上アないしウの検討によれば、本願補正発明は、引用発明及び上記各周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。そして、本願補正発明の奏する効果も、引用刊行物１の記載及び各周知技術から、当業者が容易に想到し得る程度のものである。
　
（４）小括
　以上のとおり、本願補正発明は、引用刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。　
　
３　むすび
　以上のとおりであって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２２年３月４日付け手続補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１の記載は、上記第２の１において、補正前のものとして示したとおりのものである（以下、補正前の請求項１に係る発明を「本願発明」という。）。
　
２　引用刊行物記載の発明
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物１ないし引用刊行物４の記載事項及び引用発明は、上記第２の２（１）に示したとおりである。
　
３　対比・判断
　上記第２の１によれば、本願発明は、本願補正発明から、結晶基板について、「ｎ型Ｓｉ」からなるとの限定を省き、バッファ層について、「ｎ型ＡｌｕＧａ１−ｕＮ（０≦ｕ≦１）とｎ型ＡｌｖＧａ１−ｖＮ（０≦ｖ≦１、ｖ≠ｕ）との超格子構造からなる」との限定を省いたものである。
　してみると、上記第２の２（２）に示した本願補正発明と引用発明との対比を踏まえれば、本願発明と引用発明とは、
「ショットキー接触型半導体受光素子であって、
　導電性を示すＳｉ系半導体からなる結晶基板と、
　前記結晶基板の一方側の面の上方に全面的に、少なくとも１層形成された、ＩＩＩ族窒化物材料からなる光感受層であって、前記少なくとも１層の内のいずれかの組成がＡｌｘＧａｙＩｎ（１−ｘ−ｙ）Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、ｘ＋ｙ≦１）からなる光感受層と、
　受光面となる前記光感受層の一方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する一方側の電極たるショットキー電極と、
　前記結晶基板の他方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する他方側の電極と、からなるショットキー接触型半導体受光素子。」
である点で一致し、
　本願発明が、「前記結晶基板の一方側の面上に形成されたバッファ層」を有するのに対して、引用発明はそのようなバッファ層を有するか否か明らかではない点（以下「相違点１’」という。）、並びに、上記の相違点２及び相違点３において相違する。
　しかしながら、上記第２の２（３）アないしウにおける相違点１ないし相違点３の検討を踏まえれば、引用発明において、上記各周知技術を採用し、相違点１’並びに相違点２及び相違点３に係る本願発明の特定事項となすことは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、本願発明は、引用発明及び上記各周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。