【事件の表示】
　特願２００１−３９４８６７「薄膜付き窒化アルミニウム基板およびこれからなるレーザー発光素子用サブマウント材」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　７月　９日出願公開、特開２００３−１９２４４２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年１２月２６日の出願であって、平成１９年１１月２０日付けの拒絶理由が通知され、平成２０年１月２４日に意見書とともに手続補正書が提出され、同年７月１１日付けで拒絶査定された。
　これに対し、同年８月１４日に拒絶査定不服審判請求がなされ、同年９月１１日に手続補正書が提出されたものであり、その後、平成２３年２月１７日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した審尋がなされ、これに対する回答書が同年４月１５日に提出されている。
　
２．平成２０年９月１１日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年９月１１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
（１）本件補正の内容
　本件補正は、補正前（平成２０年１月２４日付け手続補正書により補正されたもの）特許請求の範囲を、以下のようにするものである。
「　【請求項１】
　径が０．０５〜０．７ｍｍのバイアホールを有する窒化アルミニウム基板であって、このバイアホールにはタングステンまたはモリブデンを主成分とする導電部を具備すると共に、前記導電部と前記窒化アルミニウム基板とが同時焼成法により作製されたものであり、前記基板における窒化アルミニウム結晶粒子が前記基板における直線距離５０μｍの直線上に１５〜３０個存在し、かつ下記（イ）〜（ハ）を満たす窒化アルミニウム基板の片面あるいは両面に導電性薄膜が形成されてなることを特徴とする、薄膜付き窒化アルミニウム基板。
（イ）窒化アルミニウム基板の熱伝導率が１８０Ｗ／ｍＫ以上
（ロ）窒化アルミニウム基板の表面に存在する最大径５μｍ以上の脱粒痕の数が単位面積５０μｍ×５０μｍ中に５個以下
（ハ）窒化アルミニウム基板の厚さが０．１〜１ｍｍ
　　【請求項２】
　窒化アルミニウム基板が表面粗さ（Ｒａ）０．５μｍ以下のものである、請求項１記載の薄膜付き窒化アルミニウム基板。
　　【請求項３】
　窒化アルミニウム基板が表面粗さ（Ｒａ）が０．０２〜０．５μｍのものである、請求項１記載の薄膜付き窒化アルミニウム基板。
　　【請求項４】
　請求項１〜３のいずれか１項に記載の薄膜付き窒化アルミニウム基板からなることを特徴とする、レーザー発光素子用サブマウント材。」
を、
「　【請求項１】
　径が０．０５〜０．７ｍｍのバイアホールを有する窒化アルミニウム基板であって、このバイアホールにはタングステンまたはモリブデンを主成分とする導電部を具備すると共に、前記導電部と前記窒化アルミニウム基板とが同時焼成法により作製されたものであり、前記基板における窒化アルミニウム結晶粒子が前記基板における直線距離５０μｍの直線上に１５〜３０個存在し、かつ下記（イ）〜（ホ）を満たす窒化アルミニウム基板の片面あるいは両面に導電性薄膜が形成されて
、この導電性薄膜と導電部とが接合している
（イ）窒化アルミニウム基板の熱伝導率が１８０Ｗ／ｍＫ以上
（ロ）窒化アルミニウム基板の表面に存在する最大径５μｍ以上の脱粒痕の数が単位面積５０μｍ×５０μｍ中に５個以下
（ハ）窒化アルミニウム基板の厚さが０．１〜１ｍｍ
（ニ）窒化アルミニウム基板の表面粗さ（Ｒａ）が０．５μｍ以下
（ホ）窒化アルミニウム基板の表面に存在する脱粒痕の最大径が１０μｍ以下
　　【請求項２】
　窒化アルミニウム基板が表面粗さ（Ｒａ）が０．０２〜０．５μｍのものである、請求項１記載の薄膜付き窒化アルミニウム基板。
　　【請求項３】
　請求項１
または２
とする。
（当審注：アンダーラインが補正箇所）
　
（２）補正の目的について
　上記補正は、下記補正事項Ａ〜Ｃに示す補正を行うものである。
　
・補正事項Ａ
　補正前の請求項２を補正後の請求項１とし、「導電性薄膜と導電部とが接合している」ことを特定するとともに、「（ホ）窒化アルミニウム基板の表面に存在する脱粒痕の最大径が１０μｍ以下」なる特定事項を追加する。
　
・補正事項Ｂ
　上記補正事項Ａに伴い、補正前の請求項１を削除する。
　
・補正事項Ｃ
　上記補正事項Ｂに伴い、補正前の請求項１を引用する補正前の請求項３を削除し、補正後の請求項１を引用する請求項２を追加する。
　
　しかしながら、上記補正事項Ａのように、補正前の発明の個々の特定事項をさらに限定するのではなく、単に新たな特定事項を追加する補正は、「特許請求の範囲の減縮」には該当せず、「誤記の訂正」、「明りょうでない記載の釈明」のいずれにも該当しない。
　また、上記補正事項Ｃは、補正前の請求項１を引用する補正前の請求項３を、補正後の請求項１を引用する補正後の請求項２に形式上補正しようとするものであるが、補正後の請求項１は上述のように補正前の請求項２を補正したものであり、補正前の請求項３は補正前の請求項２を引用するものではないから、補正後の請求項２は新たに請求項を追加する補正ということができ、これはいわゆる増項補正であって、「請求項の削除」を目的とするものに該当せず、「特許請求の範囲の減縮」、「誤記の訂正」、「明りょうでない記載の釈明」のいずれにも該当しない。
　
　したがって、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
（３）独立特許要件について
　本件補正は、上記（２）で述べたとおり、補正の目的が不適法であるため、補正却下されるべきものであるが、仮に、本件補正が特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するものとして、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本件補正発明」という。）について、特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に適合するか）についてさらに検討する。
　
（３−１）本件補正発明
　本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下、「本件補正発明」という。）は、次の事項により特定されるものである。
「　【請求項１】
　径が０．０５〜０．７ｍｍのバイアホールを有する窒化アルミニウム基板であって、このバイアホールにはタングステンまたはモリブデンを主成分とする導電部を具備すると共に、前記導電部と前記窒化アルミニウム基板とが同時焼成法により作製されたものであり、前記基板における窒化アルミニウム結晶粒子が前記基板における直線距離５０μｍの直線上に１５〜３０個存在し、かつ下記（イ）〜（ホ）を満たす窒化アルミニウム基板の片面あるいは両面に導電性薄膜が形成されて、この導電性薄膜と導電部とが接合していることを特徴とする、薄膜付き窒化アルミニウム基板。
（イ）窒化アルミニウム基板の熱伝導率が１８０Ｗ／ｍＫ以上
（ロ）窒化アルミニウム基板の表面に存在する最大径５μｍ以上の脱粒痕の数が単位面積５０μｍ×５０μｍ中に５個以下
（ハ）窒化アルミニウム基板の厚さが０．１〜１ｍｍ
（ニ）窒化アルミニウム基板の表面粗さ（Ｒａ）が０．５μｍ以下
（ホ）窒化アルミニウム基板の表面に存在する脱粒痕の最大径が１０μｍ以下」
　
（３−２）引用文献の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、特開２００１−３４８２７５号公報（以下、「引用文献１」という。）、特開２０００−１２４５６６号公報（以下、「引用文献２」という。）には、それぞれ次の事項が記載されている。
　
（３−２−１）引用文献１
（ア）「任意の一辺が１０μｍの正方形１００μｍ２の領域内に存在するＡｌＮ結晶粒子数が５以上であり、この領域内に入る粒界の総長さが１００μｍ以下である・・・ＡｌＮ基板。」（特許請求の範囲【請求項１】）
（イ）「該１００μｍ２の領域内に存在するＡｌＮ結晶粒子数が５以上１０以下である・・・請求項１記載のＡｌＮ基板。」（特許請求の範囲【請求項２】）
（ウ）「表面粗さＲａが０．０５μｍのとき、任意の一辺が１００μｍの正方形１００００μｍ２の領域内に存在する脱粒痕の数が１０個以下である・・・請求項１または請求項２に記載のＡｌＮ基板。」（特許請求の範囲【請求項３】）
（エ）「熱伝導率が１８０Ｗ／（ｍ・ｋ）以上である・・・請求項１ないし３のいずれかに記載のＡｌＮ基板。」（特許請求の範囲【請求項４】）
（オ）「ＡｌＮ基板表面に薄膜が形成された・・・請求項１ないし４のいずれかに記載のＡｌＮ基板。」（特許請求の範囲【請求項５】）
（カ）「・・・まず、本発明では、ＡｌＮ基板において、任意の、一辺が１０μｍの正方形１００μｍ２の領域内に存在するＡｌＮ結晶粒子数を５以上としている。この数字が５未満、つまりは４以下であるとＡｌＮ結晶粒子に過度の粒成長（異常粒成長）を伴ったものが存在することになる。異常粒成長を伴ったＡｌＮ基板は熱伝導率が高くなるものの、ＡｌＮ粒子が必要以上に大きいため表面研磨の際に脱粒が起き易くなる。一方、該領域内のＡｌＮ粒子数があまり大きすぎるとＡｌＮ粒子のサイズが小さくなるため熱伝導率が１８０Ｗ／ｍ・ｋ未満になり易い。従って、好ましいＡｌＮ結晶粒子数は５以上１０以下となる。」（段落【００２１】）
（キ）「次に、本発明では該領域内に入る粒界の総長さを１００μｍ以下にしている。粒界の総長さが１００μｍを超えると粒界量が多すぎるため熱伝導率が低下し易い。一方、粒界の総長さが少ないと確かに熱伝導率は向上するが、ＡｌＮ結晶粒子の結合力が落ちるため脱粒が起き易くなってしまう。従って、該領域内における粒界の総長さの好ましい範囲は３０μｍ以上１００μｍ以下である。
　このような構成を具備するＡｌＮ基板であれば表面研磨の際の脱粒を防ぎ、かつ熱伝導率を１８０Ｗ／ｍ・ｋ以上と高熱伝導率を為し得ることが可能である。」（段落【００２２】〜【００２３】）
（ク）「また、本発明では、ＡｌＮ基板の表面粗さＲａが０．０５μｍのとき、任意の一辺が１００μｍの正方形１００００μｍ２の領域内に存在する脱粒痕の数が１０個以下であることを特徴としている。ＡｌＮ基板にレーザダイオードなどのレーザ発振素子を搭載する際は、表面粗さＲａが０．０５μｍ以下程度まで鏡面加工された後、後述するように金属薄膜を設けた後ろう付けによりレーザダイオードを取付けることになる。このとき、レーザダイオード取付面に脱粒痕が１０個を超えて存在すると薄膜を均一な膜厚に形成し難く、剥離の原因となりやすい。なお、本発明の脱粒痕とは、ＡｌＮ結晶粒子の脱粒並びに焼結助剤成分を主とする偏析粒子の脱粒した痕を含むものである。」（段落【００２５】）
（ケ）「・・・この薄膜は、特に限定されるものではないが、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕなどの金属成分もしくはこれら金属成分を含む合金からなる金属薄膜であることが望ましい。・・・」（段落【００２６】）
（コ）「・・・各試料に対し、表面粗さＲａが０．０５μｍ以下となるよう表面研磨（鏡面加工）することにより実施例（試料Ｎｏ．１〜４）および比較例（試料Ｎｏ．５〜６）にかかるＡｌＮ基板（縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ×板厚０．６３５ｍｍ）を作製した。」（段落【００３９】）
　
（３−２−２）引用文献２
（サ）「窒化アルミニウム焼結体の貫通孔に導電層が充填されてなる基板において、窒化アルミニウム焼結体の熱伝導率が１９０Ｗ／ｍＫ以上であり、・・・該基板の相対する両面に導電パターンが形成され、該両面に存在する導電パターンの少なくとも一部が導電層により電気的に互いに接続されてなるメタライズ基板。」（特許請求の範囲【請求項１】）
（シ）「【発明の実施の形態】本発明において、窒化アルミニウム焼結体の貫通孔に導電層が充填されてなる基板とは、いわゆるビアを含む窒化アルミニウム焼結体で、貫通孔のサイズは特に限定されないが、直径は０．０３〜０．５０ｍｍであり、・・・また、導電層を構成する物質は高融点金属であれば特に限定されないが、通常タングステン、モリブデンなどの高融点金属であり、・・・
　本発明におけるビアを含む窒化アルミニウム焼結体よりなる基板は、窒化アルミニウム焼結体の熱伝導率が１９０Ｗ／ｍＫ以上で・・・あることを特徴とする。」（段落【０００９】〜【００１０】）
（ス）「本発明において、・・・ビアを有する成形体（以下、「脱脂体」という）は、次いで非酸化性雰囲気又は乾燥した還元性ガス雰囲気下で焼成する。・・・焼成の温度条件は、１段目は１２００〜１７００℃、好ましくは、１５００〜１６５０℃で焼成し、次いで２段目は１８００〜１９５０℃、好ましくは、１８２０〜１９００℃で焼成することが必要である。・・・１段目および２段目の焼成温度は、途中で降温せずに１回の焼成で行っても良いし、１段目と２段目の間で降温し、２回の焼成に分けて行っても良い。ただし、時間およびエネルギー効率を考えると途中で降温せずに１回の焼成で行う方が好ましい。」（段落【００３８】）
（セ）「・・・本発明の基板は、２５℃での熱伝導率が１９０Ｗ／ｍＫ以上で・・・相対する表面に導電パターンが形成され、該両面に存在する導電パターンの少なくとも一部がビアにより電気的に接続されてなるメタライズ基板であり、・・・レーザーダイオードや発光ダイオードのサブマウントやチップキャリア、およびヒートシンク、ＩＣパッケージ等の電子・半導体機器部品に好適に利用されうる。」（段落【００４８】）
（ソ）「実施例１
　・・・厚さ約０．５０ｍｍの窒化アルミニウムグリーンシートを作製した。上記グリーンシートを６５×６５ｍｍに切断した。続いて、この窒化アルミニウムグリーンシートを３枚積層した。積層圧力は、５０ｋｇｆ／ｃｍ２、積層温度８０℃、積層時間は１５分であった。次に、この積層グリーンシート６５×６５ｍｍを、φ０．６５ｍｍのパンチング用金型にて１．５ｍｍピッチに打抜き、貫通孔が４０×４０個並んだものを用意した。・・・圧入法により前記貫通孔を形成した窒化アルミニウムグリーンシート体の貫通孔内にタングステンペーストの充填を行った。・・・
　このように作製したビアを有する窒化アルミニウム成形体を、・・・脱脂後、前記脱脂体を窒化アルミニウム製の容器に入れ、窒素雰囲気中１５８０℃で６時間加熱し（１段目焼成）、さらに１８７０℃で１０時間加熱した（２段目焼成）。・・・」（段落【００６１】〜【００６２】）
（タ）「実施例１６〜１８、比較例７、８
実施例１において、表２に示す２段目の焼成温度を変更した以外は、実施例１と同様にした。その結果を表２に示す。」（段落【００７８】）として、段落【００８５】の【表３】には、実施例１６に、２段目の焼成温度を１８２０℃とした、熱伝導率２０７Ｗ／ｍＫの焼結体が例示されている。
（当審注：上記「その結果を表２に示す。」は、「その結果を表３に示す。」の誤記と認める。）
　
（３−３）引用発明
（ａ）引用文献１には、記載事項（ア）に、「任意の一辺が１０μｍの正方形１００μｍ２の領域内に存在するＡｌＮ結晶粒子数が５以上であり、この領域内に入る粒界の総長さが１００μｍ以下であるＡｌＮ基板。」と記載され、記載事項（イ）に、「該１００μｍ２の領域内に存在するＡｌＮ結晶粒子数が５以上１０以下である・・・請求項１記載のＡｌＮ基板。」と記載され、記載事項（ウ）に、「表面粗さＲａが０．０５μｍのとき、任意の一辺が１００μｍの正方形１００００μｍ２の領域内に存在する脱粒痕の数が１０個以下である・・・請求項１または請求項２に記載のＡｌＮ基板。」と記載され、記載事項（エ）に、「熱伝導率が１８０Ｗ／（ｍ・ｋ）以上である・・・請求項１ないし３のいずれかに記載のＡｌＮ基板。」と記載され、記載事項（オ）に、「ＡｌＮ基板表面に薄膜が形成された・・・請求項１ないし４のいずれかに記載のＡｌＮ基板。」と記載されている。
　これらの記載から、引用文献１には、「任意の一辺が１０μｍの正方形１００μｍ２の領域内に存在するＡｌＮ結晶粒子数が５以上１０以下であり、この領域内に入る粒界の総長さが１００μｍ以下であり、表面粗さＲａが０．０５μｍのとき、任意の一辺が１００μｍの正方形１００００μｍ２の領域内に存在する脱粒痕の数が１０個以下であり、熱伝導率が１８０Ｗ／（ｍ・ｋ）以上である、ＡｌＮ基板表面に薄膜が形成されたＡｌＮ基板。」が記載されているといえる。
（ｂ）上記記載事項（ア）の「この領域内に入る粒界の総長さが１００μｍ以下である」ことについて、記載事項（キ）には、「領域内における粒界の総長さの好ましい範囲は３０μｍ以上１００μｍ以下である」と記載されている。
（ｃ）上記記載事項（ウ）の「表面粗さＲａが０．０５μｍのとき」について、記載事項（コ）には、「表面粗さＲａが０．０５μｍ以下となるよう表面研磨（鏡面加工）する」と記載されており、上記「表面粗さＲａが０．０５μｍのとき」には、「表面粗さＲａが０．０５μｍ以下のとき」も包含されるといえる。
（ｄ）上記（ａ）の「ＡｌＮ基板表面に薄膜が形成されたＡｌＮ基板」について、記載事項（ク）に、「ＡｌＮ基板にレーザダイオードなどのレーザ発振素子を搭載する際は、表面粗さＲａが０．０５μｍ以下程度まで鏡面加工された後、後述するように金属薄膜を設けた後ろう付けによりレーザダイオードを取付けることになる。」と記載され、記載事項（ケ）に、「この薄膜は、特に限定されるものではないが、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕなどの金属成分もしくはこれら金属成分を含む合金からなる金属薄膜であることが望ましい。」と記載されており、上記「薄膜」の電気的特性は「導電性」であるといえる。
（ｅ）上記「ＡｌＮ基板」は、記載事項（コ）より、その板厚は「０．６３５ｍｍ」であるといえる。
　
（ｆ）上記（ａ）〜（ｅ）の検討を踏まえ、記載事項（ア）〜（コ）の事項を本件補正発明の記載ぶりに則して整理すると、引用文献１には、
「任意の一辺が１０μｍの正方形１００μｍ２の領域内に存在するＡｌＮ結晶粒子数が５以上１０以下であり、この領域内に入る粒界の総長さが３０μｍ以上１００μｍ以下であり、表面粗さＲａが０．０５μｍ以下のとき、任意の一辺が１００μｍの正方形１００００μｍ２の領域内に存在する脱粒痕の数が１０個以下であり、熱伝導率が１８０Ｗ／（ｍ・ｋ）以上である、ＡｌＮ基板表面に導電性の薄膜が形成された板厚０．６３５ｍｍのＡｌＮ基板。」なる発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（３−４）対比・判断
　本件補正発明と引用発明とを比較する。
（ａ）引用発明の「ＡｌＮ基板」は、本件補正発明の「径が０．０５〜０．７ｍｍのバイアホールを有する窒化アルミニウム基板」と、「窒化アルミニウム基板」である点で共通する。
（ｂ）引用発明の「任意の一辺が１０μｍの正方形１００μｍ２の領域内に存在するＡｌＮ結晶粒子数が５以上１０以下」であることは、「任意の一辺が５０μｍの正方形２５００μｍ２の領域内に存在するＡｌＮ結晶粒子数が１２５（＝５×２５００／１００）以上２５０（＝１０×２５００／１００）以下」であるといえ、「長さ５０μｍの直線上に存在するＡｌＮ結晶粒子数が１１．２（＝√５×５０／１０）以上１５．８（＝√１０×５０／１０）以下」であるといえる。
　してみると、引用発明の「任意の一辺が１０μｍの正方形１００μｍ２の領域内に存在するＡｌＮ結晶粒子数が５以上１０以下」であることは、本件補正発明の「前記基板における窒化アルミニウム結晶粒子が前記基板における直線距離５０μｍの直線上に１５〜３０個存在」することと、「前記基板における窒化アルミニウム結晶粒子が前記基板における直線距離５０μｍの直線上に１５〜１５．８個存在」する点で重複する。
（ｃ）引用発明のＡｌＮ基板の「表面粗さＲａが０．０５μｍ以下」であることは、本件補正発明の「（ニ）窒化アルミニウム基板の表面粗さ（Ｒａ）が０．５μｍ以下」であることと、「（ニ）窒化アルミニウム基板の表面粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍ以下」である点で重複する。
（ｄ）引用発明の「任意の一辺が１００μｍの正方形１００００μｍ２の領域内に存在する脱粒痕の数が１０個以下」であることは、「任意の一辺が５０μｍの正方形２５００μｍ２の領域内に存在する脱粒痕の数が２．５（＝１０×２５００／１００００）個以下」であるといえるから、本件補正発明の「（ロ）窒化アルミニウム基板の表面に存在する最大径５μｍ以上の脱粒痕の数が単位面積５０μｍ×５０μｍ中に５個以下」であることと、「（ロ）窒化アルミニウム基板の表面に存在する脱粒痕の数が単位面積５０μｍ×５０μｍ中に２．５個以下」である点で共通する。
（ｅ）引用発明のＡｌＮ基板の「熱伝導率が１８０Ｗ／（ｍ・ｋ）以上」であることは、本件補正発明の「（イ）窒化アルミニウム基板の熱伝導率が１８０Ｗ／ｍＫ以上」であることに相当する。
（ｆ）引用発明の「ＡｌＮ基板表面に導電性の薄膜が形成され」たことは、本件補正発明の「窒化アルミニウム基板の片面あるいは両面に導電性薄膜が形成され」たことと、「窒化アルミニウム基板の表面に導電性薄膜が形成され」た点で共通する。
（ｇ）引用発明の「板厚０．６３５ｍｍのＡｌＮ基板」は、本件補正発明の「（ハ）窒化アルミニウム基板の厚さが０．１〜１ｍｍ」と、「（ハ）窒化アルミニウム基板の厚さが０．６３５ｍｍ」である点で一致する。
　
　上記（ａ）〜（ｇ）を踏まえると、両者は、
「窒化アルミニウム基板であって、前記基板における窒化アルミニウム結晶粒子が前記基板における直線距離５０μｍの直線上に１５〜１５．８個存在し、かつ下記（イ）〜（ニ）を満たす窒化アルミニウム基板の表面に導電性薄膜が形成されている、薄膜付き窒化アルミニウム基板。
（イ）窒化アルミニウム基板の熱伝導率が１８０Ｗ／ｍＫ以上
（ロ）窒化アルミニウム基板の表面に存在する脱粒痕の数が単位面積５０μｍ×５０μｍ中に２．５個以下
（ハ）窒化アルミニウム基板の厚さが０．６３５ｍｍ
（ニ）窒化アルミニウム基板の表面粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍ以下」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
・相違点Ａ
　本件補正発明の窒化アルミニウム基板は、「径が０．０５〜０．７ｍｍのバイアホールを有する」ものであって、この「バイアホールにはタングステンまたはモリブデンを主成分とする導電部を具備すると共に、前記導電部と前記窒化アルミニウム基板とが同時焼成法により作製されたもの」であるのに対し、引用発明は、かかる事項を有していない点。
　
・相違点Ｂ
　本件補正発明は、「導電性薄膜と導電部とが接合している」のに対し、引用発明は、かかる事項を有していない点。
　
・相違点Ｃ
　単位面積５０μｍ×５０μｍ中に２．５個以下の脱粒痕について、本件補正発明は、最大径が５μｍ以上であるのに対し、引用発明では最大径について特定されていない点。
　
・相違点Ｄ
　本件補正発明は、「（ホ）窒化アルミニウム基板の表面に存在する脱粒痕の最大径が１０μｍ以下」であるのに対し、引用発明は、かかる事項を有していない点。
　
　上記相違点Ａ〜Ｄについて検討する。
・相違点Ａについて
　引用文献２には、記載事項（サ）に、「窒化アルミニウム焼結体の貫通孔に導電層が充填されてなる基板において、窒化アルミニウム焼結体の熱伝導率が１９０Ｗ／ｍＫ以上であり、・・・該基板の相対する両面に導電パターンが形成され」と記載され、記載事項（シ）に、「窒化アルミニウム焼結体の貫通孔に導電層が充填されてなる基板とは、いわゆるビアを含む窒化アルミニウム焼結体で、貫通孔のサイズは特に限定されないが、直径は０．０３〜０．５０ｍｍであり、・・・また、導電層を構成する物質は高融点金属であれば特に限定されないが、通常タングステン、モリブデンなどの高融点金属であり、・・・」と記載されている。また、記載事項（ソ）には、「・・・圧入法により前記貫通孔を形成した窒化アルミニウムグリーンシート体の貫通孔内にタングステンペーストの充填を行った。・・・
　このように作製したビアを有する窒化アルミニウム成形体を、・・・脱脂後、前記脱脂体を窒化アルミニウム製の容器に入れ、窒素雰囲気中１５８０℃で６時間加熱し（１段目焼成）、さらに１８７０℃で１０時間加熱した（２段目焼成）。・・・」と記載されている。この２段階の焼成について、例えば、国際公開第０１／９４２７３号の第１７頁第９行には、「２段加熱を採用した同時焼成法」ということが記載されている。
　これらの記載から、引用文献２には、「直径が０．０３〜０．５０ｍｍの貫通孔にタングステン、モリブデンなどの導電層が充填された窒化アルミニウム基板」において、「前記導電層と窒化アルミニウム基板とが同時焼成法により作製」される点が記載されているといえる。
　引用文献２の「貫通孔」について、記載事項（ソ）に、「φ０．６５ｍｍのパンチング用金型にて１．５ｍｍピッチに打抜き、貫通孔が４０×４０個並んだものを用意した。・・・圧入法により前記貫通孔を形成した窒化アルミニウムグリーンシート体の貫通孔内にタングステンペーストの充填を行った。」と記載されている。
　一方、本件補正発明の「バイアホール」は、本願明細書段落【００３４】に、「直径０．２５ｍｍのバイアホールを打抜き加工により形成し、その後、前記高融点金属ペーストを充填した。」と記載されているから、引用文献２の「貫通孔」は、本件補正発明の「バイアホール」に相当するといえる。
　そして、引用文献１と引用文献２とは、表面に導電膜が形成された１８０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する窒化アルミニウム基板という同一のものであるから、引用発明のＡｌＮ基板において、引用文献２の「直径が０．０３〜０．５０ｍｍの貫通孔にタングステン、モリブデンなどの導電層が充填された窒化アルミニウム基板において、「前記導電層と窒化アルミニウム基板とが同時焼成法により作製」する技術を採用し、相違点Ａに係る本件補正発明の特定事項をなすことは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
・相違点Ｂについて
　引用文献２には、記載事項（サ）に、「該基板の相対する両面に導電パターンが形成され、該両面に存在する導電パターンの少なくとも一部が導電層により電気的に互いに接続されてなる」と記載されており、前記「両面に存在する導電パターンの少なくとも一部が導電層により電気的に互いに接続されてなる」ことは、「導電パターンの少なくとも一部と導電層とが接合している」ことであるといえる。
　そして、引用文献１と引用文献２とは、表面に導電膜が形成された１８０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する窒化アルミニウム基板という同一のものであるから、引用発明のＡｌＮ基板において、引用文献２の「導電パターンの少なくとも一部と導電層とが接合」する技術を採用し、相違点Ｂに係る本件補正発明の特定事項をなすことは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
・相違点Ｃについて
　本件補正発明が、最大径５μｍ以上の脱粒痕の数が単位面積５０μｍ×５０μｍ中に５個以下とすることについて、本願明細書段落【００２３】には、「また、従来の熱伝導率１８０Ｗ／ｍＫ以上の窒化アルミニウム基板は結晶粒子サイズが大きいことから、鏡面加工を施すと大きな脱粒痕が多くでき易かった。これは結晶粒子サイズが大きいことから一つの窒化アルミニウム結晶粒子が脱粒するだけで、例えば最大径７μｍ以上の大きな脱粒痕ができてしまう。また、結晶粒子サイズが大きいことから単位面積当たりにおいて結晶粒子を固定するための粒界相の割合が実質的に少なくなってしまい脱粒が起き易くなってしまっていた。」と記載され、同【００２４】には、「熱伝導率１８０Ｗ／ｍＫ以上を保ちつつ、適度な粒界相量を具備していることから脱粒が起き難く、仮に脱粒が起きたとしても最大径５μｍ以上の脱粒痕は少なくて済むことになる。」と記載されており、本件補正発明は、適度な粒界相量とすることで、最大径５μｍ以上の脱粒痕の数を単位面積５０μｍ×５０μｍ中で５個以下にしているといえる。
　一方、引用文献１には、記載事項（カ）に、「本発明では、ＡｌＮ基板において、任意の、一辺が１０μｍの正方形１００μｍ２の領域内に存在するＡｌＮ結晶粒子数を５以上としている。この数字が５未満、つまりは４以下であるとＡｌＮ結晶粒子に過度の粒成長（異常粒成長）を伴ったものが存在することになる。異常粒成長を伴ったＡｌＮ基板は熱伝導率が高くなるものの、ＡｌＮ粒子が必要以上に大きいため表面研磨の際に脱粒が起き易くなる。一方、該領域内のＡｌＮ粒子数があまり大きすぎるとＡｌＮ粒子のサイズが小さくなるため熱伝導率が１８０Ｗ／ｍ・ｋ未満になり易い。従って、好ましいＡｌＮ結晶粒子数は５以上１０以下となる。」と記載され、記載事項（キ）に、「本発明では該領域内に入る粒界の総長さを１００μｍ以下にしている。粒界の総長さが１００μｍを超えると粒界量が多すぎるため熱伝導率が低下し易い。一方、粒界の総長さが少ないと確かに熱伝導率は向上するが、ＡｌＮ結晶粒子の結合力が落ちるため脱粒が起き易くなってしまう。従って、該領域内における粒界の総長さの好ましい範囲は３０μｍ以上１００μｍ以下である。
　このような構成を具備するＡｌＮ基板であれば表面研磨の際の脱粒を防ぎ、かつ熱伝導率を１８０Ｗ／ｍ・ｋ以上と高熱伝導率を為し得ることが可能である。」と記載されており、引用発明は、粒界の総長さを３０μｍ以上１００μｍ以下とすることにより、任意の一辺が１００μｍの正方形１００００μｍ２の領域内に存在する脱粒痕の数が１０個以下にしているといえ、前記粒界の総長さの下限を設定し、換言すれば、ＡｌＮ結晶粒子の大きさに制限をかけて、脱粒痕の大きさに制限をかけているといえる。
　してみると、引用発明も脱粒痕の大きさに制限をかけているといえるから、本件補正発明のように、脱粒痕の最大径を５μｍ以上とするか否かは、窒化アルミニウム基板の表面粗さや要求される熱伝導率に応じて、当業者が適宜選択しうる設計事項に過ぎない。
　
・相違点Ｄについて
　上記相違点Ｃの検討で述べたとおり、引用発明も脱粒痕の大きさに制限をかけているといえるから、本件補正発明のように、脱粒痕の最大径を１０μｍ以下に制限するか否かは、窒化アルミニウム基板の表面粗さや要求される熱伝導率に応じて、当業者が適宜選択しうる設計事項に過ぎない。
　
　よって、本件補正発明は、引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により出願の際独立して特許を受けることができない。
　
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　仮に、本件補正が特許法１７条の２第４項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するものとしても、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成２０年９月１１日付け手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２０年１月２４日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「　【請求項１】
　径が０．０５〜０．７ｍｍのバイアホールを有する窒化アルミニウム基板であって、このバイアホールにはタングステンまたはモリブデンを主成分とする導電部を具備すると共に、前記導電部と前記窒化アルミニウム基板とが同時焼成法により作製されたものであり、前記基板における窒化アルミニウム結晶粒子が前記基板における直線距離５０μｍの直線上に１５〜３０個存在し、かつ下記（イ）〜（ハ）を満たす窒化アルミニウム基板の片面あるいは両面に導電性薄膜が形成されてなることを特徴とする、薄膜付き窒化アルミニウム基板。
（イ）窒化アルミニウム基板の熱伝導率が１８０Ｗ／ｍＫ以上
（ロ）窒化アルミニウム基板の表面に存在する最大径５μｍ以上の脱粒痕の数が単位面積５０μｍ×５０μｍ中に５個以下
（ハ）窒化アルミニウム基板の厚さが０．１〜１ｍｍ」
　
４．引用文献の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１及び２、並びにその記載事項は、上記（３−２）に記載したとおりである。
　
５．引用発明
　引用発明については、上記（３−３）で述べたとおりである。
　
６．対比・判断
　引用発明と本願発明との一致点については、上記（３−４）で述べたとおりである。また、本願発明は、本件補正発明の、「この導電性薄膜と導電部とが接合している」、「（ニ）窒化アルミニウム基板の表面粗さ（Ｒａ）が０．５μｍ以下」、「（ホ）窒化アルミニウム基板の表面に存在する脱粒痕の最大径が１０μｍ以下」を削除したものであるから、引用発明と本願発明との相違点は、上記（３−４）で述べた相違点Ａ、Ｃであり、これら相違点の検討についても、上記（３−４）で述べたとおりである。
　
７．回答書における主張について
　なお、請求人は、回答書の（６）において、「そして、引用文献２の全ての実施例（実施例１〜１９）は、いずれも、２段目の焼成温度が１８７０℃〜１９３０℃（［表２］、［表３］）であって、引用文献１での焼結温度（即ち、「１８５０℃
以下
　とりわけ、引用文献１の「比較例」として示された「試料Ｎｏ．５」（焼結温度：１９００℃、焼結時間：１０時間）（［表１］）では、「異常粒成長が確認され、所定領域におけるＡｌＮ結晶粒子数は３と本願の範囲外であったため脱粒性は「不良」であった。」（［００５１］）ことを考慮しますと、引用文献２のような高温の焼成温度を採用した場合（例えば、引用文献２の「実施例１７」（焼成温度：１９００℃、焼成時間：１０時間））には、引用文献１と同一ないし同等な微細構造を有する窒化アルミニウムは形成されないと、当業者は考えると思われます。」と主張しているので一応検討する。
　引用文献２の実施例１６は、２段目の焼成温度が１８２０℃であり、上記「引用文献１での焼結温度（即ち、「１８５０℃
以下
　
８．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願は他の請求項について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。
　
　よって、上記のとおり審決する。