(57)【要約】  本発明は、小型でコンデンサの寿命を劣化させない抵抗装置の提供を目的とする。本発明の抵抗装置は、直列接続される平滑コンデンサ（５ａ）および平滑コンデンサ（５ｂ）に直列接続される少なくとも１つの抵抗体（６１）と、平滑コンデンサ（５ａ）に並列接続される抵抗体（６２ａ）と、平滑コンデンサ（５ｂ）に並列接続される抵抗体（６２ｂ）と、抵抗体（６１，６２ａ，６２ｂ）を、内部に充填された封止材（５６）により密閉する絶縁ケース（５０）と、を備える。
2019181774.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直列接続される第１の平滑コンデンサ（５ａ）および第２の平滑コンデンサ（５ｂ）に直列接続される少なくとも１つの第１の抵抗体（６１）と、
前記第１の平滑コンデンサ（５ａ）に並列接続される第２の抵抗体（６２ａ）と、
前記第２の平滑コンデンサ（５ｂ）に並列接続される第３の抵抗体（６２ｂ）と、
前記第１、第２および第３の抵抗体（６１，６２ａ，６２ｂ）を、内部に充填された封止材（５６）により密閉する絶縁ケース（５０）と、を備える、
抵抗装置（３０Ａ）。
【請求項２】
前記第１、第２および第３の抵抗体（６１，６２ａ，６２ｂ）には電極端子（５２ａ，５２ｂ，５２ｃ）が接続され、
前記電極端子（５２ａ，５２ｂ，５２ｃ）は、前記絶縁ケース（５０）の上面から突出し、
前記絶縁ケース（５０）の内部に充填された前記封止材（５６）の上面は、前記絶縁ケース（５０）の上面より下にある、
請求項１に記載の抵抗装置（３０Ａ）。
【請求項３】
前記絶縁ケース（５０）には、前記絶縁ケース（５０）の上面から凹んだ少なくとも１つの溝（５３，５４，５５）が設けられ、
前記第１、第２および第３の抵抗体（６１，６２ａ，６２ｂ）は、前記溝（５３，５４，５５）に配置される、
請求項１または２に記載の抵抗装置（３０Ａ）。
【請求項４】
前記溝は、
前記第１の抵抗体（６１）が配置される第１の溝（５３）と、
前記第２の抵抗体（６２ａ）が配置される第２の溝（５４）と、
前記第３の抵抗体（６２ｂ）が配置される第３の溝（５５）と、を有する、
請求項３に記載の抵抗装置（３０Ａ）。
【請求項５】
前記第２の抵抗体（６２ａ）の一端と前記第３の抵抗体（６２ｂ）の一端が共通の端子（５２ｄ）により接続され、
前記溝は、
前記第１の抵抗体（６１）が配置される第１の溝（５３）と、
前記第２および第３の抵抗体（６２ａ，６２ｂ）が配置される第２の溝（５８）と、を有する、
請求項３に記載の抵抗装置（３０Ｂ）。
【請求項６】
前記第１、第２および第３の抵抗体（６１，６２ａ，６２ｂ）は、前記絶縁ケース（５０）に形成された一つの溝（５９）に配置され、
前記絶縁ケース（５０）は、前記溝（５９）の底面に、前記第１、第２および第３の抵抗体（６１，６２ａ，６２ｂ）を位置決めする突起（６０）を有する、
請求項３に記載の抵抗装置（３０Ｃ）。
【請求項７】
複数の前記第１の抵抗体（６１）が、直列または並列に接続され、前記第２および第３の抵抗体（６２ａ，６２ｂ）を挟み込んで配置される、
請求項１から６のいずれか１項に記載の抵抗装置（３０Ｃ）。
【請求項８】
前記第２および第３の抵抗体（６２ａ，６２ｂ）をが、前記第１の抵抗体（６１）を挟み込んで配置される、
請求項１から６のいずれか１項に記載の抵抗装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の抵抗装置を備える、
インバータ装置（１００）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、抵抗装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の抵抗装置は、突入電流防止抵抗と電圧バランス抵抗とを備える。これら２種類の抵抗は、それぞれプリント配線板または筺体に固定される。【０００３】
突入電流防止抵抗は、入力電源投入時に流れるコンデンサへの突入電流を抑制するために使用される。突入電流防止抵抗にはリレーが並列に接続されており、コンデンサの充電後にリレーをオフからオンへ切り替えることで、突入電流防止抵抗に流れる電流がバイパスされる。【０００４】
コンデンサの耐圧不足を補うために複数のコンデンサを直列接続した場合、各コンデンサの漏れ電流のばらつきに依存し、各コンデンサに印加される電圧がアンバランスになり得る。それを防止するため、各コンデンサに電圧バランス抵抗が並列に接続される。【０００５】
特許文献１には、通常放電用抵抗体と、通常放電用抵抗体より抵抗値が小さい急速放電用抵抗体を有する抵抗装置が開示されている。通常放電用抵抗体は突入電流防止抵抗として用いられ、急速放電用抵抗体は電圧バランス抵抗として用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−３６１４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
コンデンサの突入電流を抑制するため、突入電流防止抵抗には耐パルス性が要求される。コンデンサの容量が大きいほど突入電流防止抵抗のサイズは大きくなる。そのため、突入電流防止抵抗は、入力電源投入時にのみ使用されるにもかかわらず、サイズの大きい抵抗体が必要になるという問題がある。【０００８】
一方、電圧バランス抵抗は定常的に発熱し、コンデンサの周囲温度を上げるため、コンデンサの寿命を劣化させるという問題がある。【０００９】
本発明は、上述の問題に鑑み、小型でコンデンサの寿命を劣化させない抵抗装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の抵抗装置は、直列接続される第１の平滑コンデンサおよび第２の平滑コンデンサに直列接続される少なくとも１つの第１の抵抗体と、第１の平滑コンデンサに並列接続される第２の抵抗体と、第２の平滑コンデンサに並列接続される第３の抵抗体と、第１、第２および第３の抵抗体を、内部に充填された封止材により密閉する絶縁ケースと、を備える。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の抵抗装置によれば、第１、第２および第３の抵抗体が絶縁ケース内で密閉されることにより熱的に結合される。第１の抵抗体と第２および第３の抵抗体とでは、温度上昇のタイミングが異なるため、一方の温度が上昇したときに、他方の抵抗体によりその発熱を冷却することが可能である。従って、第１、第２および第３の抵抗体の小型化が可能となり、抵抗装置の小型化が可能となる。また、第２および第３の抵抗体は電圧バランス抵抗として用いられる場合に定常的に発熱するが、その熱を第１の抵抗体に放熱することができるため、コンデンサの寿命の劣化を抑制することができる。本発明の目的、特徴、態様、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施の形態１のインバータ装置の回路図である。
【図２】突入電流防止抵抗と電圧バランス抵抗の温度変化を示す図である。
【図３】実施の形態１のインバータ装置の斜視図である。
【図４】実施の形態１のインバータ装置の側面図である。
【図５】実施の形態１の抵抗装置の分解斜視図である。
【図６】実施の形態１の抵抗装置の断面図である。
【図７】実施の形態２の抵抗装置の分解斜視図である。
【図８】実施の形態３の抵抗装置の分解斜視図である。
【図９】実施の形態３の抵抗装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１のインバータ装置１００の回路図である。インバータ装置１００は、三相（Ｒ相、Ｓ相、Ｔ相）の入力電源Ｐｉｎ、整流回路１０、突入電流防止抵抗４、突入電流防止リレー３、リレー駆動回路２、平滑コンデンサ５ａ、５ｂ、電圧バランス抵抗６ａ、６ｂおよびインバータ２０を備える。
【００１４】
整流回路１０は複数の整流ダイオード１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆを備えて構成される。整流ダイオード１ａ，１ｄはＲ相に接続され、整流ダイオード１ｂ，１ｅはＳ相に接続され、整流ダイオード１ｃ，１ｆはＴ相に接続される。平滑コンデンサ５ａと平滑コンデンサ５ｂは、耐圧を確保するため正ラインＬｐと負ラインＬｎの間で直列に接続される。この直列接続体に対して、突入電流防止抵抗４は整流回路１０の後段で直列に接続される。突入電流防止リレー３は、突入電流防止抵抗４と並列に接続され、そのオンオフはリレー駆動回路２により制御される。
【００１５】
突入電流防止抵抗４は、平滑コンデンサ５ａ，５ｂに流れる充電電流を制限するためのものである。突入電流防止抵抗４がなければ、入力電源Ｐｉｎが投入されたとき、未充電の平滑コンデンサ５ａ，５ｂへ過大な突入電流が流れてしまう。平滑コンデンサ５ａ，５ｂが充電されると、リレー駆動回路２により突入電流防止リレー３がオフからオンへ動作移行し、それまで突入電流防止抵抗４に流れていた電流は突入電流防止リレー３を介して突入電流防止抵抗４をバイパスする。従って、突入電流防止抵抗４には電流が流れなくなる。
【００１６】
平滑コンデンサ５ａ，５ｂの電圧分圧比は平滑コンデンサ５ａ，５ｂの漏れ電流に依存するため、漏れ電流のばらつきにより平滑コンデンサ５ａ，５ｂの印加電圧にもばらつきが生じる。印加電圧のばらつきを抑制するため、平滑コンデンサ５ａ，５ｂにはそれぞれ電圧バランス抵抗６ａ，６ｂが並列接続される。平滑コンデンサ５ａ，５ｂの充電開始と同時に、電圧バランス抵抗６ａ，６ｂに電圧が印加されるが、電圧バランス抵抗６ａ，６ｂに流れる電流値は比較的小さいため、電圧バランス抵抗６ａ，６ｂの温度は少しずつ上昇していく。
【００１７】
インバータ２０は、ＩＧＢＴ(Insulated Gate Bipolar Transistor)７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅ，７ｆ、ダイオード８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅ，８ｆ、および駆動回路９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ，９ｅ，９ｆを備える。なお、ＩＧＢＴはパワー半導体素子の一例である。正ラインＬｐと負ラインＬｎとの間には、Ｕ相をスイッチングするＩＧＢＴ７ａ，７ｄからなる直列回路と、Ｖ相をスイッチングするＩＧＢＴ７ｂ，７ｅからなる直列回路と、Ｗ相をスイッチングするＩＧＢＴ７ｃ，７ｆからなる直列回路とがそれぞれ接続されている。ＩＧＢＴ７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅ，７ｆには、ダイオード８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅ，８ｆがそれぞれ逆並列接続されている。ＩＧＢＴ７ａ，７ｄの接合点はモータのＵ相端子Ｕに、ＩＧＢＴ７ｂ，７ｅの接合点はモータのＶ相端子Ｖに、ＩＧＢＴ７ｃ，７ｆの接合点はモータのＷ相端子Ｗにそれぞれ接続される。ＩＧＢＴ７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅ，７ｆのゲートおよびエミッタには、それぞれ駆動回路９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ，９ｅ，９ｆから駆動信号が個別に供給される。駆動回路９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ，９ｅ，９ｆは、光絶縁用のフォトカプラを備え、マイクロプロセッサ等の外部制御回路からの制御信号を受信して、駆動信号を生成し、接続端子を経由してＩＧＢＴ７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅ，７ｆのゲートおよびエミッタに駆動信号を供給する。
【００１８】
図１では、三相（Ｒ相、Ｓ相、Ｔ相）の入力電源Ｐｉｎを三相（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）の電力出力へ変換するインバータ装置１００を例示しているが、他の各種インバータ装置または各種コンバータ装置にも本発明は適用可能である。また、図１では突入電流防止抵抗４と突入電流防止リレー３が整流回路１０の後段に配置されているが、整流回路１０の前段で入力電源ＰｉｎのＵ相、Ｖ相、Ｗ相それぞれに配置されても良い。
【００１９】
図２を参照し、突入電流防止抵抗４と電圧バランス抵抗６ａ，６ｂの温度変化について説明する。図２において、曲線４１は突入電流防止抵抗４の温度変化を、曲線４２は電圧バランス抵抗６ａ，６ｂの温度変化を示している。なお、実施の形態１のインバータ装置１００において、突入電流防止抵抗４と電圧バランス抵抗６ａ，６ｂは図５，６で後述するように熱的に結合されるが、図２は、突入電流防止抵抗４と電圧バランス抵抗６ａ，６ｂが熱的に結合されていない状態、すなわち突入電流防止抵抗４と電圧バランス抵抗６ａ，６ｂ間で熱の移動が無いと仮定した状態での温度変化を示している。
【００２０】
まず、曲線４１で表される突入電流防止抵抗４の温度変化について説明する。時刻Ｔ＝０に入力電源Ｐｉｎが投入されると、突入電流防止抵抗４の温度は急激に上昇する。これは、平滑コンデンサ５ａ，５ｂの充電が始まり、突入電流防止抵抗４によって平滑コンデンサ５ａ，５ｂへの突入電流を制限するためである。平滑コンデンサ５ａ，５ｂが充電されるにつれ、突入電流防止抵抗４に流れる電流は小さくなる。時刻Ｔ＝Ｔ１において突入電流防止リレー３がオフからオンへ動作移行すると、電流が突入電流防止リレー３により突入電流防止抵抗４をバイパスするため、突入電流防止抵抗４の温度は低下していく。このように、突入電流防止抵抗４には平滑コンデンサ５ａ，５ｂが充電される短時間のみ大電流が流れるため、耐パルス性の高い巻線抵抗などが用いられる。
【００２１】
次に、曲線４２で表される電圧バランス抵抗６ａ，６ｂの温度変化について検討する。時刻Ｔ＝０に入力電源Ｐｉｎが投入されると、平滑コンデンサ５ａ，５ｂの充電が始まり、それと同時に電圧バランス抵抗６ａ，６ｂに電圧が印加される。しかし、電圧バランス抵抗６ａ，６ｂに流れる電流値が比較的小さいため、電圧バランス抵抗６ａ、６ｂの温度は少しずつ上昇していく。
【００２２】
突入電流防止抵抗４と電圧バランス抵抗６ａ，６ｂの温度変化を比較すると、両者の温度上昇のタイミングは異なる。突入電流防止抵抗４の温度がピークとなる時点（Ｔ＝Ｔ１）では、電圧バランス抵抗６ａ、６ｂの温度はそれほど上昇していない。反対に、電圧バランス抵抗６ａ、６ｂの温度が高いときには、突入電流防止抵抗４の温度はピークを過ぎて低下している。
【００２３】
図３は、インバータ装置１００の斜視図であり、図４は、図３に示す矢印の向きに見たインバータ装置１００の側面図である。インバータ装置１００において、プリント配線板３３の上面には、突入電流防止リレー３（図示せず）、平滑コンデンサ５ａ，５ｂ、抵抗装置３０Ａ、駆動回路９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ，９ｅ，９ｆ（図示せず）およびリレー駆動回路２（図示せず）が実装され、下面には、整流モジュール３１とＩＧＢＴモジュール３２が実装される。整流モジュール３１とＩＧＢＴモジュール３２は、半田付けによってプリント配線板３３に電気的に接続される。
【００２４】
整流モジュール３１は、１つのパッケージ内に複数のダイオード１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆを同封したモジュールであり、整流回路１０を構成する。ＩＧＢＴモジュール３２は、１つのパッケージ内にＩＧＢＴ７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅ，７ｆとダイオード８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅ，８ｆを同封したモジュールである。整流モジュール３１とＩＧＢＴモジュール３２は発熱電子部品であるため、これらにはヒートシンク３４が取り付けられ、ヒートシンク３４により冷却される。
【００２５】
抵抗装置３０Ａの構成について説明する。図５は抵抗装置３０Ａの分解斜視図であり、図６は図５の抵抗装置３０Ａを組み立てた状態でのＡ−Ａ断面図である。抵抗装置３０Ａは、抵抗体６１，６２ａ，６２ｂおよび絶縁ケース５０を備えている。抵抗体６１は突入電流防止抵抗４として用いられ、抵抗体６２ａ，６２ｂは電圧バランス抵抗６ａ，６ｂとして用いられる。
【００２６】
絶縁ケース５０は、直方体形状であり、上面から凹んだ溝５３，５４，５５が形成されている。溝５３には抵抗体６１が配置され、溝５４，５５にはそれぞれ抵抗体６２ａ，６２ｂが配置される。言い換えれば、溝５３は抵抗体６１が配置される第１の溝であり、溝５４は抵抗体６２ａが配置される第２の溝であり、溝５５は抵抗体６２ｂが配置される第３の溝である。これにより、抵抗体６２ａ，６２ｂ，６２ｃの絶縁ケース５０における位置決めを容易に行うことができ、抵抗体６２ａ，６２ｂ，６２ｃの位置ばらつきが抑制される。抵抗体６１，６２ａ，６２ｂは円筒形状である。抵抗体６１の両端には電極端子５２ｃが接続され、抵抗体６２ａの両端には電極端子５２ａが接続され、抵抗体６３ｂの両端には電極端子５２ｂが接続される。
【００２７】
図５では、突入電流防止抵抗４のサイズを電圧バランス抵抗６ａ，６ｂよりも大きくし、突入電流防止抵抗４を配置するための溝５３を電圧バランス抵抗６ａ，６ｂを配置するための溝５４，５５よりも大きくしている。これにより、突入電流防止抵抗４を誤って電圧バランス抵抗６ａ，６ｂを配置するための溝５４，５５に配置することを防ぐことができる。
【００２８】
抵抗体６１，６２ａ，６２ｂが溝５３，５４，５５に配置された状態で、溝５３，５４，５５にセメントなどの封止材５６が充填される。こうして、抵抗体６１，６２ａ，６２ｂは、絶縁ケース５０に密閉され、熱的に結合される。すなわち、突入電流防止抵抗４と電圧バランス抵抗６ａ，６ｂは熱的に結合される。図６に示すように、封止材５６の封入面すなわち上面が絶縁ケース５０の上面より下になるように、封止材５６の封入量は調整される。これにより、電極端子５２ａ，５２ｂ，５２ｃ間の沿面距離が、絶縁ケース５０の上面と封止材５６の封入面との距離だけ長くなる。同様に、電極端子５２ａ，５２ｂ，５２ｃと抵抗装置３０Ａが取り付けられる筐体４０との沿面距離も長くなる。
【００２９】
電極端子５２ａ，５２ｂ，５２ｃは絶縁ケース５０から上方に突出しており、その突出した部分が平型接続子などの接続子と配線を用いてプリント配線板３３へ接続される（図３参照）。より具体的には、電極端子５２ｃは、図１において抵抗体６１の両端に示す接続点７０ｃに配線接続される。電極端子５２ａは、図１において抵抗体６２ａの両端に示す接続点７０ａに配線接続される。電極端子５２ｂは、図１において抵抗体６２ｂの両端に示す接続点７０ｂに配線接続される。電極端子５２ｃと電極端子５２ａ，５２ｂとの間で形状またはサイズを変えておけば、平型接続子などのコネクタを用いて電極端子５２ａ，５２ｂ，５２ｃを接続点７０ａ，７０ｂ，７０ｃに接続する際の誤接続を防止することができる。
【００３０】
抵抗装置３０Ａには、ねじ穴５７が設けられた金具５１が取り付けられている。金具５１を筐体４０へねじ止めすることにより、抵抗装置３０Ａはその底面が筐体４０に直接接触した状態で固定される。これにより、抵抗装置３０Ａの発熱をインバータ装置１００の筺体４０へ逃がすことができるため、抵抗装置３０Ａの小型化を行うことができる。なお、抵抗装置３０Ａは筐体４０の底面に取り付けられる他、筐体４０の側面またはヒートシンク３４へ取り付けられても良く、同様の効果が得られる。また、抵抗装置３０Ａの固定方法は、上記に限らない。電極端子５２ａ，５２ｂ，５２ｃをプリント配線板３３に設けたスルーホールに挿入してプリント配線板３３とはんだ付けすることにより、抵抗装置３０Ａをプリント配線板３３に取り付けても良い。
【００３１】
以上に説明したように、実施の形態１の抵抗装置３０Ａは、直列接続された第１の平滑コンデンサである平滑コンデンサ５ａおよび第２の平滑コンデンサである平滑コンデンサ５ｂに直列接続される第１の抵抗体である抵抗体６１と、平滑コンデンサ５ａに並列接続される第２の抵抗体である抵抗体６２ａと、平滑コンデンサ５ｂに並列接続される第３の抵抗体である抵抗体６２ｂと、抵抗体６１，６２ａ，６２ｂを、内部に充填された封止材５６により密閉する絶縁ケース５０とを備える。これにより、突入電流防止抵抗４と電圧バランス抵抗６ａ，６ｂは熱的に結合される。図２に示したように、突入電流防止抵抗４と電圧バランス抵抗６ａ，６ｂの温度上昇のタイミングは異なっており、突入電流防止抵抗４の温度が上昇しているときは、電圧バランス抵抗６ａ，６ｂの温度は上昇していない。従って、突入電流防止抵抗４で生じた熱が電圧バランス抵抗６ａ，６ｂに移動することにより、突入電流防止抵抗４の熱容量が大きくなるのと同等の効果が得られ、突入電流防止抵抗４の温度上昇が抑制される。また、電圧バランス抵抗６ａ，６ｂの温度が上昇しているときに突入電流防止抵抗４の温度は上昇していない。従って、電圧バランス抵抗６ａ，６ｂで生じた熱が突入電流防止抵抗４に移動することにより、電圧バランス抵抗６ａ，６ｂの熱容量が大きくなるのと同等の効果が得られ、電圧バランス抵抗６ａ，６ｂの温度上昇が抑制される。その結果、突入電流防止抵抗４と電圧バランス抵抗６ａ，６ｂを小型化することが可能となる。また、電圧バランス抵抗６ａ，６ｂの温度上昇が抑制されるため、平滑コンデンサ５ａ，５ｂの周囲温度の上昇が抑制され、平滑コンデンサ５ａ，５ｂの寿命の劣化が抑制される。
【００３２】
実施の形態２．
図７は実施の形態２の抵抗装置３０Ｂの分解斜視図である。抵抗装置３０Ｂは、実施の形態１の抵抗装置３０Ａを一部変形したものであるため、以下では実施の形態１の抵抗装置３０Ａとの相違点について説明する。実施の形態１の抵抗装置３０Ａでは、図５に示すように、電圧バランス抵抗６ａ，６ｂとなる抵抗体６２ａ，６２ｂが絶縁ケース５０の異なる溝５４，５５に配置される。これに対して実施の形態２の抵抗装置３０Ｂでは、抵抗体６２ａ，６２ｂの等電位になる端部が共通の電極端子５２ｄによって接続され、抵抗体６２ａ，６２ｂは同じ溝５８に配置される。これ以外の点で、抵抗装置３０Ｂは実施の形態１の抵抗装置３０Ａと同様である。
【００３３】
実施の形態２の抵抗装置３０Ｂでは、抵抗体６２ａの一端と抵抗体６２ｂの一端が共通の電極端子５２ｄにより接続され、絶縁ケース５０は、抵抗体６１が配置される第１の溝である溝５３と、抵抗体６２，６３が配置される第２の溝である溝５８と、を有する。抵抗体６２ａ，６２ｂの電位の同じ端部を共通の電極端子５２ｄとすることによって、抵抗装置３０Ｂの小型化と部品数の削減が可能となる。また、電圧バランス抵抗６ａ，６ｂをより近い距離で実装することができるため、電圧バランス抵抗６ａ、６ｂ同士が受熱しあうことで両者の温度差が小さくなる。従って、抵抗体６２ａ，６２ｂの温度変化に伴う電圧バランス抵抗６ａ，６ｂの抵抗値のばらつきを小さくすることができる。
【００３４】
実施の形態３．
図８は実施の形態３の抵抗装置３０Ｃの分解斜視図であり、図９は図８の抵抗装置３０Ｃを組み立てた状態でのＢ−Ｂ断面図である。以下、抵抗装置３０Ｃの構成を、実施の形態２の抵抗装置３０Ｂと対比し、相違点について説明する。以下の説明で特に言及しない抵抗装置３０Ｃの構成は、実施の形態２の抵抗装置３０Ｂと同様である。
【００３５】
実施の形態２の抵抗装置３０Ｂでは、１つの抵抗体６１が突入電流防止抵抗４を構成したが、抵抗装置３０Ｃでは、２つの抵抗体６１が直列接続または並列接続されて突入電流防止抵抗４を構成する。実施の形態２の抵抗装置３０Ｂでは、突入電流防止抵抗４を構成する抵抗体６１と電圧バランス抵抗６ａ，６ｂを構成する抵抗体６２ａ，６２ｂは、異なる溝５３，５８に配置された。しかし抵抗装置３０Ｃにおいて、抵抗体６１，６２ａ，６２ｂは絶縁ケース５０に設けられた同一の溝５９に配置される。溝５９は、絶縁ケース５０の上面から凹んだ凹部である。
【００３６】
溝５９の底面には一端から他端にかけて２つの突起６０が設けられている。このように配置された２つの突起６０により、絶縁ケース５０の溝５９は、２つの突起６０に挟まれた領域と、一方の突起６０と溝５９の側面に挟まれた領域と、他方の突起６０と溝５９の側面に挟まれた領域という３つの領域に区分される。２つの突起６０に挟まれた領域には抵抗体６２ａ，６２ｂが配置され、他の領域には２つの抵抗体６１が抵抗体６２ａ，６２ｂを挟み込むように配置される。突起６０により、抵抗体６１と抵抗体６２ａ，６２ｂは接触せず、抵抗体６１，６２ａ，６２ｂの溝５９における位置決めがなされる。
【００３７】
抵抗体６１，６２ａ，６２ｂが溝５９に配置された状態で、溝５９にセメントなどの封止材５６が充填される。図９に示すように、封止材５６の封入面すなわち上面が絶縁ケース５０の上面より下になるように、封止材５６の封入量は調整される。こうして、抵抗体６１，６２ａ，６２ｂは、絶縁ケース５０に密閉され、熱的に結合される。すなわち、突入電流防止抵抗４と電圧バランス抵抗６ａ，６ｂは熱的に結合される。
【００３８】
絶縁ケース５０の溝５９の底面に突起６０を設け、突起６０により抵抗体６１，６２ａ，６２ｂを位置決めすることにより、実施の形態１，２に比べて絶縁ケース５０の材料を減らし、容易に製造することが可能になる。また、電圧バランス抵抗６ａ，６ｂを構成する抵抗体６２ａ，６２ｂを挟み込んで、突入電流防止抵抗４を構成する抵抗体６１を配置することにより、突入電流防止抵抗４と電圧バランス抵抗６ａ，６ｂの熱的結合性が向上するため、抵抗体６２ａ，６２ｂの発熱を抵抗体６１で冷却し、抵抗体６１の発熱を抵抗体６２ａ，６２ｂで冷却する効果が向上する。
【００３９】
本実施の形態では、突入電流防止抵抗４を複数の抵抗体６１で構成し、電圧バランス抵抗６ａ，６ｂを構成する抵抗体６２ａ，６２ｂの両側に抵抗体６１を配置した。しかし、突入電流防止抵抗４を１つの抵抗体６１で構成し、電圧バランス抵抗６ａを複数の抵抗体６２ａで構成し、電圧バランス抵抗６ｂを複数の抵抗体６２ｂで構成し、抵抗体６１を挟み込んで抵抗体６２ａ，６２ｂを配置しても良い。但し、抵抗体６２ａ，６２ｂの方が抵抗体６１よりも高温にある期間が長いため、抵抗体６２ａ，６２ｂを絶縁ケース５０の中央寄りに配置すれば、抵抗装置３０Ｃの均熱化が実現する。
【００４０】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。
【符号の説明】
【００４１】
１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ  整流ダイオード、２  リレー駆動回路、３  突入電流防止リレー、４  突入電流防止抵抗、５ａ，５ｂ  平滑コンデンサ、６ａ，６ｂ  電圧バランス抵抗、７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅ，７ｆ  ＩＧＢＴ、８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅ，８ｆ  ダイオード、９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ，９ｅ，９ｆ  駆動回路、１０  整流回路、２０  インバータ、３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ  抵抗装置、３１  整流モジュール、３２  ＩＧＢＴモジュール、３３  プリント配線板、３４  ヒートシンク、４０  筐体、５１  金具、５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ  電極端子、５３，５４，５５，５８，５９  溝、５６  封止材、５７  ねじ穴。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【手続補正書】
【提出日】令和2年4月3日(2020.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
図１では、三相（Ｒ相、Ｓ相、Ｔ相）の入力電源Ｐｉｎを三相（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）の電力出力Ｐｏｕｔへ変換するインバータ装置１００を例示しているが、他の各種インバータ装置または各種コンバータ装置にも本発明は適用可能である。また、図１では突入電流防止抵抗４と突入電流防止リレー３が整流回路１０の後段に配置されているが、整流回路１０の前段で入力電源ＰｉｎのＲ相、Ｓ相、Ｔ相それぞれに配置されても良い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
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【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
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【国際調査報告】
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