【事件の表示】
　特願２００２−２９６１４７「半導体レーザーダイオード及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　６月２７日出願公開、特開２００３−１７９３１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１４年１０月９日（パリ条約による優先権主張　２００１年１０月９日、大韓民国）に特許出願したものであって、平成１９年１２月２１日付け及び平成２０年７月４日付けで手続補正がなされたが、平成２０年８月１３日付けで平成２０年７月４日付け手続補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１１月１０日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。 
 　 
２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、平成２０年１１月１０日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項によって特定される、次のとおりのものと認められる。
 　  
「　基板と、
　　前記基板上の両側に各々形成されたマスクと、
　　前記マスク間の前記基板上に形成された光発生層と、
　　前記マスク上に各々形成されて前記光発生層内の側方向電流及び光を拘束するものであって、前記光発生層を積層した両端の側面と接触する側面を有する所定高さのダム状を有する遮断層と、
　　前記基板の下面及び前記光発生層の上面に各々形成された第１及び第２電極と、
　　を具備し、
　　前記第２電極と前記光発生層との間に電流制限層をさらに具備し、
　　前記電流制限層はポリイミド層であることを特徴とする半導体レーザーダイオード。」（以下「本願発明」という。）
 　  
　なお、本願発明は、補正前（平成１９年１２月２１日付け手続補正後のもの。）の請求項９に係る発明に相当するものと認められる。
　
３　刊行物の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開昭６１−３４９１号公報（以下「引用刊行物」という。）には、以下の記載がある。
　
（１）「（１）断面が台形状の突脈を形成した半導体基板と、
　前記突脈を除いた基板の表面に被着された遮蔽層と、
　前記突脈の平坦面の上部に積層された単結晶からなる第一の下部クラッド層と活性層と上部クラッド層と、
　前記遮蔽層の上部に形成される絶縁性の多結晶層と、
　前記突脈の傾斜面の上部に形成される高抵抗の第二の下部クラッド層とを具備したことを特徴とするレーザダイオード。」（１頁左下欄５行〜下から４行、特許請求の範囲）
　
（２）「第１図は第一の発明に係るレーザダイオードの一実施例を示した説明図である。
　１はストライプ構造のダブルヘテロ接合からなるレーザダイオードである。
　１０は、断面が台形状の突脈１１を形成したＮ型ＧａＡｓからなる半導体基板である。
　２０は、例えばＳｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ４等からなる遮蔽層であり、前記突脈１１を除く基板１０の表面に形成されている。
　しかして、前記突脈１１の平坦面上部には、例えばＮ型ＡｌＧａＡｓからなる第一のクラッド層３０と、Ｐ型ＡｌＧａＡｓからなる活性層３１と、Ｐ型ＡｌＧａＡｓからなる上部クラッド層３２とがＭＢＥ装置でもって積層されている。また、前記遮蔽層２０の上部には絶縁性の多結晶層３０ａが形成されている。さらに、前記突脈１１の傾斜面上部には、比較的高抵抗の第一の下部クラッド層３０ｂを形成している。
　４０、４１は例えばＴｉおよびＡｕ、Ａｕ−Ｇｅ等からなるＰ型電極、Ｎ型電極である。
　しかして、上述したレーザダイオード１に順方向電圧を印加すると、電流はトラップの少ない上部クラッド層３２から基板１０に向かって流れる。このとき、図示Ａの範囲以外の活性層３１と第二の下部クラッド層３０ｂには電流が流れないため、上部クラッド層３２からの電流は図示Ａの範囲内の活性層３１を通り、第一の下部クラッド層３０へと流れる。従って、第１図に示すＡの範囲内の活性層３１および第一の下部クラッド層３０のみを電流が通過する。従って、活性層３１（図示Ａの範囲内）にのみ電子および正孔が注入されるため、この狭い活性層３１で効率よく再結合する。」（２頁右下欄末行〜３頁右上欄１０行）
　
（３）「（ｃ）前記基板１０にＮ型ドーパントとして例えばＳｉを、Ｐ型ドーパントとして例えばＢｅをそれぞれ使用してＭＢＥ装置でもってＮ型ＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ（Ａｌ組成比Ｘは０．３〜０．７程度）、Ｐ型ＡｌＹＧａ１−ＹＡｓ（Ａｌ組成比ＹはＸ−０．３程度）、Ｐ型ＡｌＹＧａ１−ＹＡｓ（Ａｌ組成比Ｙは０．３〜０．７程度）を連続して成長してそれぞれ積層させる。但し、前記遮蔽層２０の上部に積層された各層は絶縁性の多結晶層３０ａになるという特性を備えている。さらに前記突脈１１の平坦面上部は、活性領域（第１の下部クラッド層３０、活性層３１、上部クラッド層３２）が形成される。しかし、前記突脈１１の傾斜面上部に成長されたＮ型ＧａＡｌＡｓは、単結晶であるが比較的高抵抗の第二の下部クラッド層３０ｂが形成されるという特性を備えている。」（３頁左下欄７行〜右下欄１行）
　
（４）「（ｄ）前記基板１０の表面にＴｉおよびＡｕを蒸着させてＰ型電極４０を形成する。次にＡｕ−Ｇｅを蒸着させてＮ型電極４１を形成する。」（３頁右下欄２行〜４行）
　
（５）第１図及び第２図から、突脈１１が基板１０の表面中央部に形成され、突脈１１を除く基板１０の表面、すなわち基板１０表面の両側に遮蔽層２０が各々形成されていることがみてとれる。
　また、上記（２）及び（３）によれば、下部クラッド層は、第一の下部クラッド層３０と第二の下部クラッド層３０ｂとからなるものと認められるところ、第１図及び第２図から、該下部クラッド層に活性層３１及び上部クラッド層３２が積層されること、絶縁性の多結晶層３０ａは、側面が傾斜して形成され、該側面は、下部クラッド層、活性層３１及び上部クラッド層３２が積層されたものの両端の側面と接触していることがみてとれる。
　
（６）第１図及び第２図（ｄ）から、Ｐ型電極４０は、上部クラッド層３２及び多結晶層３０ａの上面に形成されていることがみてとれる。
　
４　引用発明
（１）上記３（１）によれば、引用刊行物には、
「断面が台形状の突脈を形成した半導体基板と、前記突脈を除いた前記基板の表面に被着された遮蔽層と、前記突脈の平坦面の上部に積層された単結晶からなる第一の下部クラッド層と活性層と上部クラッド層と、前記遮蔽層の上部に形成される絶縁性の多結晶層と、前記突脈の傾斜面の上部に形成される高抵抗の第二の下部クラッド層とを具備したレーザダイオード。」の発明が記載されているものと認められる。
 　 
（２）上記３（２）及び（５）によれば、上記（１）の発明の「突脈を除いた前記基板の表面に被着された遮蔽層」は、基板表面の両側に各々形成されているものと認められる。
 　 
（３）上記３（２）及び（３）によれば、上記（１）の発明は、第一の下部クラッド層と第二の下部クラッド層とからなる下部クラッド層を具備するものと認められる。
　また、上記３（５）によれば、該下部クラッド層に活性層及び上部クラッド層が積層されるものと認められる。
　　
（４）上記３（５）によれば、上記（１）の発明の「絶縁性の多結晶層」は、側面が傾斜して形成され、該側面は、下部クラッド層、活性層及び上部クラッド層が積層されたものの両端の側面と接触しているものと認められる。
  　
（５）上記３（４）及び（６）によれば、上記（１）の発明は、基板の下面に形成されたＮ型電極及び上部クラッド層及び絶縁性の多結晶層の上面に形成されたＰ型電極を具備しているものと認められる。
　  　 
（６）以上によれば、引用刊行物には、次の発明が記載されているものと認められる。
　
「断面が台形状の突脈を形成した半導体基板と、前記突脈を除いた前記基板表面の両側に被着された遮蔽層と、前記突脈の平坦面の上部に積層された単結晶からなる第一の下部クラッド層及び前記突脈の傾斜面の上部に形成される高抵抗の第二の下部クラッド層からなる下部クラッド層と、該下部クラッドに積層された活性層と上部クラッド層と、前記遮蔽層の上部に形成された絶縁性の多結晶層と、基板の下面に形成されたＮ型電極及び上部クラッド層及び絶縁性の多結晶層の上面に形成されたＰ型電極とを具備するレーザダイオードであって、前記絶縁性の多結晶層は、側面が傾斜して形成され、該側面は、下部クラッド層、活性層及び上部クラッド層が積層されたものの両端の側面と接触しているレーザダイオード。」（以下「引用発明」という。）
 　 
５　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
 　  
　ア　引用発明の「半導体基板」、「遮蔽層」、「下部クラッド層、活性層及び上部クラッド層が積層されたもの」、「『Ｎ型電極』及び『Ｐ型電極』」及び「レーザダイオード」は、本願発明の「基板」、「基板上の両側に各々形成されたマスク」、「マスク間の前記基板上に形成された光発生層」、「基板の下面及び前記光発生層の上面に各々形成された第１及び第２電極」及び「半導体レーザダイオード」に相当する。
 　 
　イ（ア）引用発明の「遮蔽層の上部に形成された絶縁性の多結晶層」は、「側面は、下部クラッド層、活性層及び上部クラッド層が積層されたものの両端の側面と接触している」ものであるから、「前記マスク上に各々形成されて前記光発生層内の側方向電流及び光を拘束するものであって、前記光発生層を積層した両端の側面と接触する側面を有する」「遮断層」といえる。
　
（イ）他方、本願発明の「遮断層」について、本願明細書（平成２０年１１月１０日付け手続補正後のもの。以下同じ。）には、当該層が「所定高さのダム状」であることは全く記載がない。
　してみると、本願発明の「遮断層」が「所定高さのダム状」であるとは、「遮断層」がある高さを有しており、図３、図５ないし図７に示されるように、側面が傾斜して形成されるものであるといった程度のことを意味するものと解される。
　
（ウ）しかるところ、引用発明の「絶縁性の多結晶層」がある高さを有していることは明らかであり、その側面は傾斜して形成されたものであるから、該多結晶層は、「所定高さのダム状」であるといえる。
　
（エ）上記（ア）ないし（ウ）によれば、引用発明の「絶縁性の多結晶層」は、本願発明の「前記マスク上に各々形成されて前記光発生層内の側方向電流及び光を拘束するものであって、前記光発生層を積層した両端の側面と接触する側面を有する所定高さのダム状を有する遮断層」に相当する。
　
　ウ　以上によれば、両者は、
「　基板と、
　　前記基板上の両側に各々形成されたマスクと、
　　前記マスク間の前記基板上に形成された光発生層と、
　　前記マスク上に各々形成されて前記光発生層内の側方向電流及び光を拘束するものであって、前記光発生層を積層した両端の側面と接触する側面を有する所定高さのダム状を有する遮断層と、
　　前記基板の下面及び前記光発生層の上面に各々形成された第１及び第２電極と、
　　を具備する半導体レーザーダイオード。」
である点で一致し、
「本願発明は、第２電極と光発生層との間にポリイミド層である電流制限層を具備するのに対して、引用発明は、かかる電流制限層を有しない点」（以下「相違点」という。）
で相違するものと認められる。
 　 
６　判断
　半導体レーザダイオードにおいて、電極と光発生層との間にポリイミドからなる電流制限層を設けることは本願の優先日当時において周知の技術である（例えば、特開平１０−２７９４０号公報の【００１０】、【００１２】及び図１、特開２０００−２０８８７６号公報の【００４８】及び図１を参照。）。
　他方、上記３（２）によれば、引用発明は、レーザダイオードに順方向電圧を印加するとき、活性層及びクラッド層の特定範囲内のみを電流が通過するようにしたものであるから、引用発明において、電流の流れる範囲をより確実に制限するために、第２電極と光発生層との間にポリイミドからなる電流制限層を設けることは、当業者が必要に応じて適宜なし得る程度のことである。
　しかるところ、本願明細書には、「また２重に電流を拘束することによって活性層の外に漏れる電流を効果的に防止できる。」（【００３６】）との記載があり、当該記載は、遮断層とともに電流制限層を設けることに基づく効果をいうものと推測できるが、本願発明においてかかる効果が奏されるとしても、引用発明において電流制限層を設けることによっても同様の効果が奏されることは明らかであり、本願発明において、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る域を超えるほどの格別顕著な効果が奏されるということはできない。
 　 
７　むすび
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。