【事件の表示】
　特願２００６−３０２２４３「パワーモジュール及びモータ一体型コントロール装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　５月２２日出願公開、特開２００８−１１８０６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年１１月８日の出願であって、平成２１年１２月１０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２２年１月２８日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に特許請求の範囲を対象とする手続補正がなされたものである。
　
第２　原査定
　原査定における拒絶の理由の一つは、以下のとおりのものと認める。
「この出願の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
１．特開２００３−３１７６５号公報」
　
第３　平成２２年１月２８日付け手続補正の却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２２年１月２８日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正後の発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】
　第１主面及び該第１主面とは反対側の第２主面を有する放熱層と、
　前記第１主面の上に配置された絶縁層と、
　前記絶縁層に設けられた電流回路用配線部と、
　前記絶縁層の上に配置され、前記電流回路用配線部に電気的に接続された複数のスイッチング素子と、
　前記電流回路用配線部に電気的に接続された複数の外部端子と、
　前記絶縁層、前記電流回路用配線部、前記スイッチング素子、
及び、
を封止した第１樹脂と、
　
反りを回避するために
第２
　前記第２主面において、前記
第２
が発生した熱を逃すために該スイッチング素子の下部に設けられる、
と補正された。
　
　上記補正は、補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項について、上記下線部記載のように限定するものであって、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
２　引用刊行物
　本願の出願日前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開２００３−３１７６５号公報（以下「引用例」という。）には、パワーモジュールおよびインバータに関し、図面とともに次の事項が記載されている。
　
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型パッケージに係り、特に、樹脂封止された素子の温度上昇防止に効果的なモジュール構造に関する。」
　
イ　「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、インバータの信頼性の観点からは、それに用いられるパワーモジュールの熱抵抗を低減する他、さらに、封止樹脂による素子保護の信頼性を向上させること等も望まれる。」
　
ウ　「【０００７】まず、図１および図２により、本実施の形態に係るパワーモジュールの構成について説明する。なお、ここでは、パワー素子としてＩＧＢＴおよびフリーホイールダイオードを用いることとする。
【０００８】本実施の形態に係るパワーモジュール１は、図１(ｂ)に示すように、(１)熱伝導性に優れたＡｌＮ等のセラミック基板７、(２)セラミック基板７の一方の面(表面と呼ぶ)に、チタン含有の銀ろうまたは酸素を介した化学的結合によって接着された導体パターン８,９,１０(コレクタ電極８、エミッタ電極９、ゲート電極１０)、(３)セラミック基板７の他方の面(裏面と呼ぶ)内の、周縁部を除く領域全体に、チタン含有の銀ろうまたは酸素を介した化学的結合によって接着された導体膜１１、(４)端子取付け穴３ａ,４ａ,５ａが形成された一端部(接続端部と呼ぶ)がセラミック基板７の一辺側から突出するように、他端部(固定端部と呼ぶ)が各電極パターン８,９,１０にはんだ付けされた外部端子３,４,５(外部コレクタ端子３、外部エミッタ端子４、外部ゲート端子５)、(５)コレクタ電極８にはんだ１２で接合されたＩＧＢＴ１３およびフリーホイールダイオード１４、(６)フリーホイールダイオード１４がＩＧＢＴ１３に並列接続されるように(図２参照)、各パワー素子１３,１４をエミッタ電極９またはゲート電極１０に電気的に接続したボンディングワイヤ１６、(７)セラミック基板７の表面側を外部環境から保護するための封止樹脂２、を有している。さらに、トランスファー成形中に金型にセラミック基板７を均一に押し付けるために利用した、外部端子３,４,５と反対向きの補助端子１５を備えることもある。
【０００９】さて、セラミック基板７の表面側を外部環境から保護するための封止樹脂２は、図１(ｃ)に示すように、パワー素子１３,１４、ボンディングワイヤ１６、各電極８,９,１０および外部端子３,４,５の固定端部の周辺に充填されている。さらに、この封止樹脂２は、セラミック基板７の裏面側にまわり込み、セラミック基板７の裏面側の導体膜１１の周縁部にまで及んでいる。このように、セラミック基板７の裏面側の周縁部まで封止樹脂２の端部２ａで覆うことによって、セラミック基板７と封止樹脂２との接着力が強くなるため、封止樹脂２による素子保護の信頼性を向上させることができる。また、脆性材料であるセラミック基板２の縁が封止樹脂２によって機械的衝撃から保護されるため、パワー素子１３,１４だけでなく、セラミック基板７の保護の信頼性も向上する。
【００１０】ここで、セラミック基板７の裏面に密着した導体膜１１は、図１(ａ)に示すように、周縁部以外の領域１１ａだけが封止樹脂２から外部に露出させている。このようにしているのは、この露出領域１１ａを外部冷却体とのはんだ付け面として利用可能とするためである。また、このように利用される導体膜１１がセラミック基板２の裏面に密着していることは、セラミック基板２の表面側における異種材料の密着(電極８,９,１０とセラミック基板２との密着、コレクタ電極８とパワー素子１３,１４との密着等)による熱応力の発生防止につながる。したがって、パワーモジュール１の変形が防止される。
【００１１】このように、本実施の形態に係る構造によれば、パワー素子１３,１４からの熱がセラミック基板７を介して効果的に放出することができる上に、封止樹脂２による素子保護および基板保護の信頼性向上と、パワーモジュール１の変形防止とを図ることができる。したがって、パワーモジュール１の信頼性が一層向上する。」
　
エ　「【００３２】(Ｆ)変更例６
インバータ等にパワーモジュールを実装する際等には、複数のパワーモジュールが一組として使用される。このような使用形態に対応するため、図１０(ａ)に示すように、一列に並べた複数のセラミック基板７を１つの封止樹脂２で封止するようにしてもよい。このようにするには、図１０(ｃ)に示すように、外部端子３,４,５(ここでは、さらに補助エミッタ端子４'も含めている)となるリードを複数組有するリードフレーム１９に必要数のセラミック基板７をはんだ付けし、それらのセラミック基板７をインサート成形すればよい。この場合には、もちろん、図１０(ｂ)に示すように、複数のセラミック基板７の裏面側の導体膜１１の、周縁部を除く領域１１ａが封止樹脂２から露出することになる。
【００３３】このような構造とすることによって、本実施の形態に係るパワーモジュール１の必要数(ここでは一例として３個)分を一体のモジュールとして取り扱うことができる。ただし、図１０(ａ)に示したように、一列に並べた複数のセラミック基板７を１つの封止樹脂２で封止した場合、パワーモジュール単体よりも封止樹脂の幅ｄが大きくなる。このため、熱応力が生じると、パワーモジュール単体よりも大きな反りが封止樹脂に生じる。そこで、モジュール全体としての変形を抑制するため、図１１に示すように、個々のセラミック基板７を封止する個別の封止樹脂２と、それらの間をつなぐ連結部３１とを一体成形するようにしてもよい。なお、各封止樹脂２の間をつなぐ連結部３１の形状と位置と個数とは、適宜に定めれられていればよい。」
　
オ　図１（ｃ）の記載より、パワーモジュール１において、導体膜１１が表面及び裏面を有しており、該裏面の樹脂で封止された領域以外の部分が、導体膜が外部に露出した露出領域となっており、該露出領域がパワー素子の下部に設けられている態様が看て取れる。
　
　上記各記載事項によれば、引用例には、次の発明が記載されているといえる（以下「引用発明」という。）。
　
「表面及び裏面を有する導体膜と、
　前記表面の上に配置されたセラミック基板と、
　前記セラミック基板に設けられた電極パターンと、
　前記セラミック基板の上に配置され、前記電極パターンに電気的に接続された複数のパワー素子と、
　前記電極パターンにはんだ付けされた複数の外部端子と、
　前記セラミック基板、前記電極パターン、前記パワー素子、及び、前記表面の全て及び前記裏面の一部を封止した封止樹脂と、
を備え、
　前記裏面において、前記封止樹脂で封止された領域以外の部分は、該導体膜が外部に露出した露出領域となっており、前記露出領域は該パワー素子の下部に設けられる、パワーモジュール。」
　
３　対比・判断
  本願補正発明と引用発明を対比する。
　引用発明の「表面」及び「裏面」はそれぞれ本願補正発明の「第１主面」及び「第２主面」に相当し、以下同様に、「表面及び裏面を有する導体膜」は「第１主面及び該第１主面とは反対側の第２主面を有する放熱層」に、「セラミック基板」は「絶縁層」に、「電極パターン」は「電流回路用配線部」に、「パワー素子」は「スイッチング素子」に、「封止樹脂」は「第１樹脂」及び「第２樹脂」にそれぞれ相当する。
　引用発明は、外部端子が電極パターンにはんだ付けされることによって導電接続するものと認められるから、引用発明は、本願補正発明の「前記電流回路用配線部に電気的に接続された複数の外部端子」との要件を備える。
　また、引用例の上記ウの「セラミック基板７の表面側を外部環境から保護するための封止樹脂２は、・・セラミック基板７の裏面側にまわり込み、セラミック基板７の裏面側の導体膜１１の周縁部にまで及んでいる。」との記載事項、及び上記エの「熱応力が生じると、パワーモジュール単体よりも大きな反りが封止樹脂に生じる。そこで、モジュール全体としての変形を抑制するため、図１１に示すように、個々のセラミック基板７を封止する個別の封止樹脂２と、それらの間をつなぐ連結部３１とを一体成形するようにしてもよい。」との記載事項からみて、引用発明における「前記裏面の一部を封止した封止樹脂」は、モジュールの反りを回避するためのものであると解されるから、引用発明は、本願補正発明の「反りを回避するために前記第２主面の一部を封止した第２樹脂」との要件を備える。
　そして、引用例の上記ウの「セラミック基板７の裏面に密着した導体膜１１は、図１(ａ)に示すように、周縁部以外の領域１１ａだけが封止樹脂２から外部に露出させている。このようにしているのは、この露出領域１１ａを外部冷却体とのはんだ付け面として利用可能とするためである。」及び「パワー素子１３,１４からの熱がセラミック基板７を介して効果的に放出することができる」との記載事項からみて、引用発明の導体膜の露出領域は、パワー素子が発生した熱を裏面側に逃がすためのものであると解されるから、引用発明は、本願補正発明の「露出領域」が「スイッチング素子が発生した熱を逃すため」のものである、との要件を備える。
　
　そうしてみると、本願補正発明と引用発明は実質的に差異がないというべきである。
　したがって、本願補正発明は、引用例に記載された発明である。
　
４　むすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第４　本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成２１年９月２８日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである（以下「本願発明」という。）。 
　
「【請求項１】
　第１主面及び該第１主面とは反対側の第２主面を有する放熱層と、
　前記第１主面の上に配置された絶縁層と、
　前記絶縁層に設けられた電流回路用配線部と、
　前記絶縁層の上に配置され、前記電流回路用配線部に電気的に接続された複数のスイッチング素子と、
　前記電流回路用配線部に電気的に接続された複数の外部端子と、
　前記絶縁層、前記電流回路用配線部、前記スイッチング素子、前記第１主面の全て、及び、前記第２主面の一部を封止した樹脂と、を備え、
　前記第２主面において、前記樹脂で封止された領域以外の部分は、該放熱層が外部に露出した露出領域を有し、前記露出領域は、前記スイッチング素子の下部を示す、パワーモジュール。」
　
第５　引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物及びその記載事項は、前記第３の２に記載したとおりである。
　
第６　対比・判断
　本願発明は、本願補正発明から、前記第３の１に記載した限定事項を除いたものである。してみると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記第３の３に記載したとおり、引用例に記載された発明であるから、本願発明も同様に、引用例に記載された発明である。
　 
第７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　そうすると、このような特許を受けることができない発明を包含する本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、原査定は妥当であり、結論のとおり審決する。