【事件の表示】
　特願２００２−１３５４０７「磁気ヘッドのための薄膜を堆積する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年２月２８日出願公開、特開２００３−　５９０１６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成１４年５月１０日（パリ条約による優先権主張 平成13年(2001年)5月11日 米国）の出願であって、その請求項１ないし２６に係る発明は、平成２２年９月１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし２６に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１３に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
　「【請求項１３】酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、その混合物およびその層状化構造からなる群から選択されるＡＬＤ−形成されたヘッドギャップフィルレイヤーを含む、磁気読取りヘッドであって、
　前記ＡＬＤ−形成されたヘッドギャップフィルレイヤーが５ｎｍ〜３０ｎｍ（但し、３０ｎｍのものを除く）の厚さを有し、かつ前記ヘッドギャップフィルレイヤーが約２％未満の厚み変動を有する、磁気読取りヘッド。」
　
２．引用例
　当審が平成２２年２月２６日付けで通知した拒絶の理由に引用された、本願優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開平１１−２５４２６号公報（以下、「引用例１」という。）には、「スピンバルブＭＲヘッド及び同ヘッドを搭載した磁気ディスク装置」について、図面とともに、次の事項が記載されている。（以下、下線は当審で付加した。）
　
　ア．「【0058】次に、図２に示すス
ピンバルブＭＲヘッドのスピンバルブ膜160周辺の素子構造の製造方法
　まず、ＡｌＴｉＣ（アルテック）等からなる基体（図示せず）上に、例えばＮｉ−Ｆｅ（ニッケル・鉄の合金）からなる膜厚が１〜４μｍの高透過率軟磁性層701、及び
Ａｌ
２
Ｏ
３
（アルミナ）からなる膜厚が３０〜２００ｎｍの絶縁層702を、スパッタリング等により順に形成する
【0059】次に、スピンバルブ膜160を構成するフリー層162、非磁性層163、磁化固着層161、反強磁性層164用の、例えばＣｏ−Ｆｅ（コバルト・鉄の合金）からなる膜厚が２〜１０ｎｍの磁性層703、Ｃｕ（銅）からなる膜厚が２〜１０ｎｍの非磁性層704、Ｃｏ−Ｆｅからなる膜厚が２〜１０ｎｍの磁性層705、Ｆｅ−Ｍｎ（鉄・マンガンの合金）からなる膜厚が２〜１０ｎｍの反強磁性層706（イリジウム・マンガンの合金でもよい）を、スピンバルブ膜160を形成すべき領域より広い領域にスパッタリングにより形成する（図７（ｂ））。この工程は、目的とする領域以外にマスクを形成した後、上記４層703〜706を順にスパッタリングし、しかる後にマスクを除去することで実現できる。
【0060】次に、スピンバルブ膜160として残す領域にマスク707を形成した後（図７（ｃ））、マスク707が形成されていない部分の層703〜706を除去する（図７（ｄ））。この除去操作は、イオン・ミリング（ion milling）と呼ばれる手法でアルゴン・イオンを用いて行われ、これによりフリー層162、非磁性層163、磁化固着層161、及び反強磁性層164からなるスピンバルブ膜160が形成される。ここで、マスク707の断面は、イオン・ミリングによってスピンバルブ膜160に傾斜がつくように、下側ほど狭くなる傾斜がつけられている。なお、スピンバルブ膜160に傾斜をつけるのは、永久磁石184a，184bとの電気的接触を確実にするためのである。
【0061】次に、マスク707を残した状態で、永久磁石184a，184b用の例えばコバルト系合金（Ｃｏ−Ｐｔなど）からなる膜厚が８〜４０ｎｍの硬質磁性層801、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）等からなる膜厚が３０〜１００ｎｍのリード185a，185b用の導電層802を、スパッタリング等により順に形成する（図８（ａ））。
【0062】次に、マスク707を除去する（図８（ｂ））。これにより、スピンバルブ膜160の両側に永久磁石184a，184bとリード185a，185bとが形成される。
【0063】次に、図３中の穴32に相当する領域にマスク803を形成した後（図８（ｃ））、
Ａｌ
２
Ｏ
３
からなる絶縁層804を形成する
膜厚が３０〜５０ｎｍの図２、図３に示した絶縁層22及び図３に示した穴32を形成す
　
　上記記載事項によれば、引用例１には、次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が、記載されている。
　
　「アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）から、形成された絶縁層を含むスピンバルブＭＲヘッドであって、絶縁層の厚さが３０〜２００ｎｍまたは３０〜５０ｎｍであるスピンバルブＭＲヘッド」
　
　同じく、当審が通知した拒絶の理由に引用された、本願優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２０００−５４１３４号公報（以下、「引用例２」という。）には、「原子蒸着法を用いた薄膜形成法」について、図面とともに、次の事項が記載されている。
　
　イ．「【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜製造方法に係り、特に
原子層蒸着法（Atomic Layer Deposition:以下、”ＡＬＤ法”と称する）による薄膜製造方法
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】一般的に、薄膜は半導体素子の誘電体（dielectric）、液晶表示素子の透明な導電体（transparent conductor）及び電子発光薄膜表示素子の保護層等で多様に使われる。前記薄膜は蒸気法、化学気相蒸着法、ＡＬＤ法等によって形成される。
【0003】この中から、前記ＡＬＤ法は表面調節工程であり２次元的な層間（layer by layer）蒸着を用いる。
このようなＡＬＤ法は
非常に優秀な段差被覆性を有する
膜密度が高くて優秀な化学量論的な膜を得ることができる
　ウ．「【0039】図12は本発明による薄膜製造方法によって製造されたアルミニウム酸化膜のサイクル当厚さを示したグラフである。
【0040】具体的に、Ｘ軸はサイクル数を示す。ここで、一つのサイクルは図１１に説明されたように第１反応物注入、物理吸着された第１反応物の除去、第１反応物注入、物理吸着された第１反応物除去、第２反応物注入及び物理吸着された第２反応物の除去、第２反応物注入、物理吸着された第２反応物を取り除く段階を示す。また、Ｙ軸はアルミニウム酸化膜の厚さを示す。図１２に示されたように
本発明の薄膜製造方法によると、アルミニウム酸化膜がサイクル当１．１Åの厚さに成長され、これは理論値と類似な値を示す
　エ．「【0041】
図13は本発明による薄膜製造方法によって製造されたアルミニウム酸化膜の基板内均一度を説明するために示したグラフである
【0042】具体的に、Ｘ軸は８インチ基板の中央点、前記中央点を中心に１．７５インチの半径を有する円で９０度間隔で４点、前記中央点を中心に３．５インチの半径を有する円で９０度間隔で４点を合せて総９点の測定位置を示す。Ｙ軸はアルミニウム酸化膜の厚さを示す。
図13に示されたように８インチ基板内で均一度が非常に優秀なことが分かる
　
　同じく、当審が通知した拒絶の理由に引用された、本願優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２０００−１１３３２号公報（以下、「引用例３」という。）には、「磁気抵抗効果センサおよび磁気記録再生装置」について、図面とともに、次の事項が記載されている。
　
　オ．「【0002】
【従来の技術】現在の磁気ディスク装置には、記録を誘導型薄膜ヘッドで行い、再生を磁気抵抗効果型ヘッドで行う記録再生分離型ヘッドが用いられる。
磁気抵抗効果型ヘッドは、外部磁界に依存して電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を用いており、図１に示すように、磁気抵抗効果膜，磁区制御膜，電極からなる磁気抵抗効果素子と、不要な磁界を遮断するための上下のシールド層および素子とシールド間を遮断する絶縁層からなる
【0003】
磁気ディスク装置の高記録密度化に伴い、上下のシールド間隔が狭くなるため、シールドと磁気抵抗効果素子の間の絶縁膜の厚さが薄くなる
　
３．対比
　引用例１発明の「アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）」は、本願発明の「酸化アルミニウム」に相当する。
　本願発明において、「ヘッドギャップフィルレイヤー」とは、発明の詳細な説明の記載（段落[0018]〜[0019]など）からみて、酸化アルミニウムから形成される第１ギャップ絶縁層６または第２ギャップ絶縁層３０を意味することは明らかであるから、引用例１発明の「絶縁層」は、本願発明の「ヘッドギャップフィルレイヤー」に相当する。
　そして、引用例発明の「スピンバルブＭＲヘッド」は、本願発明の「磁気読取りヘッド」に相当する。
　
　したがって、本願発明と引用例１発明との一致点、相違点は、次のとおりである。
　
　［一致点］
　「酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、その混合物およびその層状化構造からなる群から選択される（材料から）形成されたヘッドギャップフィルレイヤーを含む、磁気読取りヘッド。」である点。
　
　［相違点］
　［相違点１］
　　ヘッドギャップフィルレイヤーの形成が、本願発明では、ＡＬＤ−形成であるのに対し、引用例１発明では、スパッタリング等により形成される点。
　［相違点２］
　　ヘッドギャップフィルレイヤーの厚さが、本願発明では５ｎｍ〜３０ｎｍ（但し、３０ｎｍのものを除く）であるのに対し、引用例１発明では、３０〜２００ｎｍまたは３０〜５０ｎｍである点。
　［相違点３］
　　ヘッドギャップフィルレイヤーの厚み変動が、本願発明では約２％未満であるのに対し、引用例１発明では、特定されていない点。
　
４．相違点につての判断
　［相違点１］について
　引用例２には、ＡＬＤ法は各種の薄膜形成に使用できる方法であって、非常に優秀な段差被覆性を有し、膜密度が高くて優秀な化学量論的な膜を得ることができること、アルミニウム酸化膜の形成において、均一度が非常に優秀なこと等が記載されている。（上記イ〜エ）
　絶縁層の膜密度が向上し、厚さが非常に均一なものとなれば、好ましいことは明らかであるから、絶縁層の特性の向上を期待して、引用例１発明の絶縁層の形成に引用例２に記載されたＡＬＤ法を採用することは、当業者が容易に想到しうることである。
　
　［相違点２］について
　ヘッドギャップフィルレイヤー（絶縁膜）の厚さは、薄すぎれば絶縁膜として機能しないから、しかるべき下限があることは明らかであり、引用例１において、３０ｎｍが下限であるとする特段の理由は記載されていない。
　一方、引用例３には、磁気ディスク装置の高記録密度化に伴い、上下のシールド間隔が狭くなるため、シールドと磁気抵抗効果素子の間の絶縁膜の厚さが薄くなる傾向にあること（上記オ）が記載されている。
　ＡＬＤ法を採用することにより、絶縁層の膜密度が向上し厚さが非常に均一なものとなれば、絶縁膜の膜厚を薄くしても、ピンホールが生成しにくくなり、絶縁耐圧が低下するおそれが少ないことは、当業者が推考しうることであるといえる。
　ところで、本願の発明の詳細な説明には、「ギャップ層は５ｎｍ〜
１００ｎｍ
４０ｎｍ
　そうすると、ヘッドギャップフィルレイヤーの厚さを５ｎｍ〜３０ｎｍ（但し、３０ｎｍのものを除く）とすることは単なる設計事項にすぎない。
　
　［相違点３］について
　引用例２には、ＡＬＤ法で積層すると膜厚の変動が極めて少ないことが記載されている。（上記エ）
　図13から膜厚の変動率の数値を正確に読み取ることはできないが、極めて膜厚の変動が小さいことは明らかである。
　一方、本願の発明の詳細な説明には、２０ｎｍ積層後の膜厚変動が２％未満であったことが記載されている（段落[0042]〜[0043]）が、膜厚の変動を２％未満とすることによる効果等については何ら記載されていない。
　そうすると、厚みの変動が２％未満であることは、厚さの均一度が非常に優秀であることを意味するものであって、単にＡＬＤ法を採用することによって得られる効果に過ぎないというべきである。
　
　そして、上記各相違点について総合的に検討しても、本願発明が当業者が予測し得ない効果を奏するものということはできない。
　
　したがって、本願発明は、その優先権主張の日前に頒布された刊行物である引用例１ないし３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　なお、請求人は、意見書において「そのため、この記載（引用例１）を見た当業者は、形成されるフィルレイヤーによってＮｉ−Ｆｅ層の全面が被覆されればよく、例えばそのフィルレイヤーの厚み変動は、絶縁層としての特性に影響を与えないことを想起します。
　従って、ＡＬＤ法で積層すると膜密度が高く、膜厚の変動が極めて少ないことが仮に引用文献２に記載されていたとしても、引用文献１の記載に基づいて、製造コストを犠牲にしてまで、フィルレイヤーの厚み変動が約２％未満になるような手段でフィルレイヤーを形成するだけの動機付けがありません。」と主張している。
　しかし、フィルレイヤーの厚みが変動すればその上に積層されるスピンバルブ層の厚さも変動し、スピンバルブＭＲヘッドの特性に影響することは明らかであるから、フィルレイヤーの厚み変動は、絶縁層としての特性に影響を与えないことを想起することはない。
　また、ＡＬＤ法で積層すると膜密度が高く、膜厚の変動が極めて少ないのであるから、絶縁層としての特性が向上しうることは当業者が予測しうることであり、製造コストがかかることが特段の阻害要因になるということはできない。
　したがって、請求人の上記主張を採用することはできない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願請求項１３に係る発明は、その出願前に頒布された刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。