【事件の表示】
　特願２００１−　５４７７８「光記録媒体」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　９月１３日出願公開、特開２００２−２６０２８１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．手続の経緯
　
　本願は、平成１３年２月２８日の出願であって、平成１９年１２月２１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２０年１月２８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正がなされ、さらに、同年２月２６日付けで手続補正がなされたものである。
　その後、平成２２年５月２４日付けで前置報告に基づく審尋がなされ、同年８月２日付けで回答書が提出され、当審において平成２３年１月１７日付けで拒絶理由が通知され、同年３月２８日付けで手続補正がなされたものである。　
　
　
２．本願発明
　
　本願の請求項１及び２に係る発明は、平成２３年３月２８日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。　
　
「【請求項１】　光照射により、記録層が非晶質相と結晶相の可逆的相変化を利用した相変化記録層を有し、光入射面が透明基板側であり、透明基板上に下部誘電体保護層、記録層、上部誘電体保護層、ＳｉＣからなる第２上部誘電体保護層、ＡｇまたはＡｇ合金からなる反射放熱層の順に積層した光記録媒体であって、
前記下部誘電体保護層がＺｎＳ、ＳｉＯ2の混合物からなり、混合比ＺｎＳ：ＳｉＯ2が５０：５０〜８５：１５（モル比）であり、
前記上部誘電体保護層がＺｎＳ、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2の混合物からなり、混合比が（ＺｎＳ）ｘ（ＺｒＯ2）ｙ（ＳｉＯ2）１００−ｘ−ｙ（ここで、３０＜ｘ＜７０、３０＜ｙ＜７０）であり、
前記記録層がＳｂ、Ｔｅを主要構成元素とし、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅの３元素添加され、組成比が、ＸαＳｂβＴｅ（１００−α−β）（ここで、Ｘ：Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、０＜α＜１５、６０＜β＜８０）であることを特徴とする光記録媒体。」
　
　
３．引用例
　
　これに対して、当審の拒絶理由において引用した本願の出願前に頒布された刊行物である特開２０００−３３１３７８号公報（以下、「引用例１」という。）には図面とともに次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
ア）
「【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の光ディスクは、基板上の記録膜が、下部保護層／相変化記録層／多層の上部保護層／銀を主成分とする反射放熱層を有する構成であって、かつ前記反射放熱層と接触する上部保護層が硫黄を含まない誘電体であることを特徴とする。この結果、前記多層の上部保護層が２層である場合には、本発明の
記録型光ディスクの構造は、基板／下部保護層／相変化記録層／上部誘電体その１／上部誘電体その２／Ａｇ系合金反射放熱層のような構成となる。
【０００５】
反射放熱層としては、ＡｇあるいはＡｇを主成分とするＡｇ系合金が用いられる。
【０００６】ただＡｇあるいはＡｇを主成分とするＡｇ系合金は硫黄と接触すると硫化して変化するので、前記上部誘電体保護層を多層とし、
Ａｇ系反射放熱層と接触する上部誘電体保護層を硫黄を含まない誘電体層とする
【０００７】
前記の硫黄を含まない誘電体を構成する材料としては、
ＳｉＣ
が挙げられる。
【０００８】また、
反射放熱層と接触しない上部保護層および下部保護層を構成する材料としては、
ＺｎＳ−ＳｉＯ
2
が好ましい。
　
イ）
「【００１２】本発明の光ディスクの記録層の各層の膜厚は、光学的、熱的特性から最適化されたものを採用されるが、６３５ｎｍの光を用いるＤＶＤ系メディアの場合、下部誘電体保護層２として、ＺｎＳ−ＳｉＯ２のような屈折率２付近の誘電体を用いる場合、５０〜２５０ｎｍ程度、好ましくは５０〜８０ｎｍまたは１６０〜２２０ｎｍ程度である。
相変化型記録層３は
ＡｇＩｎＳｂＴｅ系
　
ウ）
【００１４】、【００１７】の【表１】に示される実施例１には、基板／
下部保護層
相変化記録層
上部誘電体その１
上部誘電体その２
ＰＯ（ポリオレフィン基板）/ＰＣ（ポリカーボネート基板）／
ＺｎＳ−ＳｉＯ
2
ＡｇＩｎＳｂＴｅ
ＺｎＳ−ＳｉＯ
2
ＳｉＣ
　
　
　前掲ア）ないしウ）の記載事項及び図面からみて、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
　
「基板／下部保護層／相変化記録層／上部誘電体その１／上部誘電体その２／Ａｇ系合金反射放熱層の構成からなる記録型光ディスクであって、
　下部保護層を構成する材料がＺｎＳ−ＳｉＯ2であり
　相変化記録層を構成する材料がＡｇＩｎＳｂＴｅ系であり、
　上部誘電体その１を構成する材料がＺｎＳ−ＳｉＯ2であり、
　上部誘電体その２を構成する材料がＳｉＣであり、
　反射放熱層がＡｇあるいはＡｇを主成分とするＡｇ系合金である
　記録型光ディスク。」
　
　
　同じく、当審の拒絶理由において引用した本願の出願前に頒布された刊行物である特開２０００−３４８３８０号公報（以下、「引用例２」という。）には図面とともに次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
エ）
「【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の如く
ＺｎＳと主にＳｉＯ
2
とから成る誘電体層を用いた光記録媒体は
ＺｎＳと酸化シリコンの場合記録ビットのジッター特性が不十分
　
オ）
「【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の光記録媒体は、
透明基板上に、照射する光の出力に応じて非晶質又は結晶質に相変化する記録層と反射層とが設けられ、該記録層の少なくとも一方の界面に、
酸化物と硫化亜鉛を主成分とする透明誘電体層を積層した
【００１８】本発明は、上記構成により、透明誘電体層の屈折率が大きくなり、その結果透明誘電体層での光の干渉効果によるエンハンスメント効果が増大し再生時の信号強度（振幅）が大きくなるので、Ｃ／Ｎ比が向上し、
ジッター特性が良好になる。
繰り返し記録、消去、再生に対する耐久性も高まる。
　
カ）
「【００２４】上記第一透明誘電体層２及び第二透明誘電体層４の組成は、屈折率１．５以上の酸化物と硫化亜鉛（ＺｎＳ）を主成分とするが、好ましくは
ＺｎＳ・ＺｒＯ
2
（ＺｎＳ）
d
（ＺｒＯ
2
）e（ｄ＋ｅ＝１００モル％）とした場合、ｄ＝５０〜９５モル％が良く
【００２５】また、
ＺｎＳ・ＺｒＯ
2
に酸化物等から成るＭａを添加しても良く、ＺｎＳ・（ＺｒＯ
2
Ｍａ）と表した場合、Ｍａは酸化珪素（ＳｉＯ
2
）
【００２６】一方、ＺｎＳ・Ａｌ2Ｏ3の場合も同様に、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を除く上記Ｍａを添加しても良い。
【００２７】上記
Ｍａの添加量は、ＺｒＯ
2
に対して（ＺｒＯ
2
）
100-f
（Ｍａ）
f
　
キ）
【００４１】の【表２】に示される実施例の「NO2」には、
透明誘電体層の主成分であるＺｎＳ・ＺｒＯ
2
に添加成分（Ｍａ）としてＳｉＯ
2
を２０（モル％）添加した実施例が開示されている。
ＳｉＯ
2
の添加量２０（モル％）とはＺｒＯ
2
に対するＳｉＯ
2
の添加量を示している。
　
　
　同じく、当審の拒絶理由において引用した本願の出願前に頒布された刊行物である特開２０００−３３９７５１号公報（以下、「引用例３」という。）には図面とともに次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
ク）
「【００３１】第１誘電体層は、
ＺｎＳＳｉＯ
2
（２０ｍｏｌ％）
ＺｎＳＳｉＯ
2
（２０ｍｏｌ％）
ＺｎＳＳｉＯ
2
（２０ｍｏｌ％）
ＺｎＳＳｉＯ
2
（２０ｍｏｌ％）
ＺｎＳＳｉＯ
2
（２０ｍｏｌ％）
ＺｎＳＳｉＯ
2
（２０ｍｏｌ％）
ＺｎＳＳｉＯ
2
（２０ｍｏｌ％）
　
ケ）
「【００３８】
【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明する。
実施例１〜８
幅０．５μｍ、深さ３５ｎｍのグルーブを有する１．２ｍｍ厚のポリカーボネート基板に、以下の実施例１〜８に示す第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、合金または金属層を枚葉形スパッタ装置によって、７秒タクトで連続製膜し、次いで、紫外線硬化樹脂のスピンコートによるハードコート、オーバーコートを形成し、相変化形光記録媒体を作製した。第１誘電体および第２誘電体層は、ＺｎＳＳｉＯ2を用いた。反射層は、アルミニウム合金を用いた。ついで、大口径のＬＤを有する初期化装置によって、ディスクの記録層の結晶化処理を行った。このようにして得た相変化形光記録媒体の再結晶化上限線速度の評価は、波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５のピックアップを搭載したテスターを用いて、１３ｍＷのＤＣ光照射で行った。
実施例１〜８の相変化形光記録媒体の再結晶化上限線速度、初期化前の反射率、４Ｘ速度（４．８ｍ／ｓ）記録および８Ｘ速度（９．６ｍ／ｓ）記録の最適記録パワーでのオーバーライト１０００回後の１Ｘ速度再生のジッターと保存推定寿命を下表に示した。
いずれの相変化形光記録媒体も、４Ｘおよび８Ｘのいずれの記録線速度でもオーバーライト後のジッターは３５ｎｓ以下とオレンジブック規格を満足した。
　
コ）
【００３９】の【表１】に示される「実施例６」には、
Ａｇ
0.5
Ｉｎ
8
Ｓｂ64Ｔｅ
27
に記録層添加元素種としてＧｅを0.5添加した記録層組成（ａｔ％）が開示されている。
　
　
４．対比
　
　本願発明と引用発明１と対比する。
（１）引用発明１の「記録型光ディスク」は、本願発明の「光記録媒体」に相当し、引用発明１の記録型光ディスクの記録層である「相変化記録層」は、本願発明の「光照射により、記録層が非晶質相と結晶相の可逆的相変化を利用した相変化記録層」に相当する。
　
（２）引用発明１の光記録媒体は「基板／下部保護層／相変化記録層／上部誘電体その１／上部誘電体その２／Ａｇ系合金反射放熱層」の構成からなるものであるから、光照射面はＡｇ系合金反射放熱層の反対側である基板側であることは明らかであって、かかる基板が透明基板であることは自明であるから、本願発明と引用発明１とは、基板が「透明基板」であって「光入射面が透明基板側」である点で共通している。
　
（３）引用発明１の「ＺｎＳ−ＳｉＯ2」で構成される「下部保護層」は、本願発明の「下部誘電体保護層」に相当し、本願発明と引用発明１とは、「前記下部誘電体保護層がＺｎＳ、ＳｉＯ2の混合物」からなる点で共通している。
　
（４）引用発明１の「上部誘電体その１」は、本願発明の「上部誘電体保護層」に相当する。
　
（５）引用発明１の「ＳｉＣ」で構成される「上部誘電体その２」は、本願発明の「ＳｉＣからなる第２上部誘電体保護層」に相当する
　
（６）引用発明１の「ＡｇあるいはＡｇを主成分とするＡｇ系合金である」「反射放熱層」は、本願発明の「ＡｇまたはＡｇ合金からなる反射放熱層」に相当する。
　
（７）引用発明１の「相変化記録層」は「ＡｇＩｎＳｂＴｅ系」を用いていることから、本願発明と引用発明１とは、「記録層が少なくともＳｂ、Ｔｅ、Ａｇ、Ｉｎを構成元素としている」点で共通している。
　
（８）引用発明１の記録型光ディスクは「基板／下部保護層／相変化記録層／上部誘電体その１／上部誘電体その２／Ａｇ系合金反射放熱層」の順に積層されているので、本願発明と引用発明１とは「透明基板上に下部誘電体保護層、記録層、上部誘電体保護層、ＳｉＣからなる第２上部誘電体保護層、ＡｇまたはＡｇ合金からなる反射放熱層の順に積層」されている点で共通している。
　
　以上のことからすると、本願発明と引用発明１とは、
　
「光照射により、記録層が非晶質相と結晶相の可逆的相変化を利用した相変化記録層を有し、光入射面が透明基板側であり、透明基板上に下部誘電体保護層、記録層、上部誘電体保護層、ＳｉＣからなる第２上部誘電体保護層、ＡｇまたはＡｇ合金からなる反射放熱層の順に積層した光記録媒体であって、
前記下部誘電体保護層がＺｎＳ、ＳｉＯ2の混合物からなり、
前記記録層が少なくともＳｂ、Ｔｅ、Ａｇ、Ｉｎを構成元素としている光記録媒体。」
　
である点で一致し、次の相違点で相違する。
　
（相違点１）
　上部誘電体保護層に関して、本願発明では、「上部誘電体保護層がＺｎＳ、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2の混合物からなり、混合比が（ＺｎＳ）ｘ（ＺｒＯ2）ｙ（ＳｉＯ2）１００−ｘ−ｙ（ここで、３０＜ｘ＜７０、３０＜ｙ＜７０）」としているのに対して、引用発明1では、ＺｎＳ−ＳｉＯ2を用いている点。
　
（相違点２）
　下部誘電体保護層であるＺｎＳ、ＳｉＯ2混合物の混合比に関して、本願発明では、「混合比ＺｎＳ：ＳｉＯ2が５０：５０〜８５：１５（モル比）」としているのに対して、引用発明１では、ＺｎＳ−ＳｉＯ2の混合比を特定していない点。　
　
（相違点３）
　少なくともＳｂ、Ｔｅ、Ａｇ、Ｉｎを構成元素とする記録層の組成に関して、本願発明では、「記録層がＳｂ、Ｔｅを主要構成元素とし、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅの３元素添加され、組成比が、ＸαＳｂβＴｅ（１００−α−β）（ここで、Ｘ：Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、０＜α＜１５、６０＜β＜８０）」としているのに対して、引用発明１では、Ｇｅが添加されておらず組成比も特定していない点。
　
　
５．当審の判断
　
　上記相違点について検討する。
　
（相違点１）について
　引用例２には、相変化型の記録層を有する光記録媒体において、該記録層の少なくとも一方の界面に、酸化物と硫化亜鉛を主成分とする透明誘電体層を積層することにより、従来のＺｎＳとＳｉＯ2とから成る誘電体層を用いた光記録媒体に比べて、ジッター特性、繰り返し記録、耐久性が高まるという技術事項が開示されている（前掲エ）、オ）参照。）。
　引用例２では、前記酸化物と硫化亜鉛を主成分とする透明誘電体層として、ＺｎＳ・ＺｒＯ2を用いており、さらに、このＺｎＳ・ＺｒＯ2に添加物としてＳｉＯ2を添加しても良いとし、ＺｒＯ2に対して２０（モル％）添加した実施例が開示されている（前掲カ）、キ）参照。）。
　ここでＳｉＯ2を添加した場合の（ＺｎＳ）（ＺｒＯ2）（ＳｉＯ2）の混合比について検討すると、引用例２では、（ＺｎＳ）（ＺｒＯ2）の混合比については（ＺｎＳ）d（ＺｒＯ2）e（ｄ＋ｅ＝１００モル％）とした場合、ｄ＝５０〜９５モル％が良いとしていることから、ｄ＝５０〜７０モル％を選択することも任意であって、この場合においてＳｉＯ2をＺｒＯ2に対して２０（モル％）添加した誘電体層全体の混合比（ＺｎＳ）ｘ（ＺｒＯ2）ｙ（ＳｉＯ2）１００−ｘ−ｙは、ｘ＝４５〜６４、ｙ＝４５〜３２となり、本願発明の混合比「（ＺｎＳ）ｘ（ＺｒＯ2）ｙ（ＳｉＯ2）１００−ｘ−ｙ（ここで、３０＜ｘ＜７０、３０＜ｙ＜７０）」を満たしている。　
　してみると、引用例２には、本願発明の「（ＺｎＳ）ｘ（ＺｒＯ2）ｙ（ＳｉＯ2）１００−ｘ−ｙ（ここで、３０＜ｘ＜７０、３０＜ｙ＜７０）」を満たす誘電体層が実質的に開示されているといえる。
　
　光記録媒体の技術分野において、ジッター特性や繰り返し記録に対する耐久性を高めることは共通の課題であるから、引用例２に開示されている、記録層の少なくとも一方の界面に、（ＺｎＳ）d（ＺｒＯ2）e（ｄ＋ｅ＝１００モル％、ｄ＝５０〜７０モル％を選択）にＳｉＯ2をＺｒＯ2に対して２０（モル％）添加した誘電体層、すなわち、「（ＺｎＳ）ｘ（ＺｒＯ2）ｙ（ＳｉＯ2）１００−ｘ−ｙ（ここで、３０＜ｘ＜７０、３０＜ｙ＜７０）」を満たす誘電体層を用いるという技術事項を、引用発明１の記録層の一方の界面である「上部誘電体その１」に適用し、「上部誘電体保護層がＺｎＳ、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2の混合物からなり、混合比が（ＺｎＳ）ｘ（ＺｒＯ2）ｙ（ＳｉＯ2）１００−ｘ−ｙ（ここで、３０＜ｘ＜７０、３０＜ｙ＜７０）」とすることは、当業者であれば容易に想到しうるものであり、この点に格別の技術的困難性は認められない。
　
（相違点２）について
　引用例３には、光記録媒体の誘電体層としてＺｎＳＳｉＯ2（２０ｍｏｌ％）を用いることが開示されており（前掲ク）参照。）、引用発明１の下部誘電体保護層であるＺｎＳ、ＳｉＯ2混合物として、引用例３に開示されたＺｎＳＳｉＯ2（２０ｍｏｌ％）を用いること、すなわち、「混合比ＺｎＳ：ＳｉＯ2が５０：５０〜８５：１５（モル比）」を満たすＺｎＳＳｉＯ2を用いることは、当業者であれば適宜為しうる事項である。
　
（相違点３）について
　引用例３には、光記録媒体の記録層としてＡｇ0.5Ｉｎ8Ｓｂ64Ｔｅ27に記録層添加元素種としてＧｅを0.5添加した記録層組成（ａｔ％）が開示されいる（前掲コ）参照。）。引用例３に開示された前記記録層組成は、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅの合計の組成比αが９となり、Ｓｂの組成比βが６４であり、Ｔｅの組成比が２７であるからＳｂとＴｅの合計の組成比は９１となりＳｂとＴｅが主要構成元素であるといえるから、本願発明の「記録層がＳｂ、Ｔｅを主要構成元素とし、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅの３元素添加され、組成比が、ＸαＳｂβＴｅ（１００−α−β）（ここで、Ｘ：Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、０＜α＜１５、６０＜β＜８０）」を満たしていることは明らかである。そして、引用例３では、前記記録層組成を用いることにより、高線速度記録におけるオーバーライト１０００回後のジッター特性が向上するとしており、これはジッター特性や繰り返し記録に対する耐久性を高めていることにほかならない。
　
　光記録媒体の技術分野において、ジッター特性や繰り返し記録に対する耐久性を高めることは共通の課題であるから、引用発明１の「少なくともＳｂ、Ｔｅ、Ａｇ、Ｉｎを構成元素とする記録層」として、引用例３に開示された「Ａｇ0.5Ｉｎ8Ｓｂ64Ｔｅ27に記録層添加元素種としてＧｅを0.5添加した記録層組成（ａｔ％）」を採用し、「記録層がＳｂ、Ｔｅを主要構成元素とし、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅの３元素添加され、組成比が、ＸαＳｂβＴｅ（１００−α−β）（ここで、Ｘ：Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、０＜α＜１５、６０＜β＜８０）」とすることは、当業者であれば適宜為しうる事項である。
　
　そして、上記相違点を総合的に判断しても、本願発明の効果は、引用例１ないし引用例３に記載された発明から、当業者が十分に予測しうる程度のものにすぎず、顕著なものがあるとはいえない。
　
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例１ないし引用例３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
６．　むすび
　
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例１ないし引用例３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。