【事件の表示】
　特願２００４−　６６１８９「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子とその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　９月２２日出願公開、特開２００５−２５９８２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１６年３月９日の出願であって、平成２１年４月１日付けで手続補正がなされ、同年６月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月１６日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２１年９月１６日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年９月１６日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容  
　平成２１年９月１６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前（同年４月１日付け手続補正後）の請求項１を、以下のように補正することを含むものである。
　
「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子であって、
　第１の積層体と第２の積層体を含み、
　前記第１積層体はｎ型半導体層、活性層、およびｐ型半導体層が順に積層された半導体積層体を含み、
　前記半導体積層体の一主面上には前記活性層から放射された光を反射するための多層反射構造が形成されており、
　前記多層反射構造上には第１の接合用金属層が形成されており、
　前記半導体積層体の他方主面上には透光性電極層が形成されており、
　前記第２積層体は第２の接合用金属層を含み、
　前記第１積層体と前記第２積層体とは前記第１接合用金属層と前記第２接合用金属層とを互いに接合することによって接合されており、
　前記多層反射構造は前記半導体積層体側から順に透光性の導電性酸化物層とこれに隣接する反射金属層とを含み、
　前記透光性の導電性酸化物層の厚さを前記発光素子が前記透光性電極層の側において所定の光放射角度特性を有するように１ｎｍ〜３０μｍの範囲内で制御することによって透光性電極から取り出される光を増大させることを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子。」
　
２　目的外補正
　本件補正は、補正前の請求項１の「前記透光性の導電性酸化物層は、前記発光素子が前記透光性電極層の側において所定の光放射角度特性を有するように１ｎｍ〜３０μｍの範囲内の厚さを有する」との記載を、「前記透光性の導電性酸化物層の厚さを前記発光素子が前記透光性電極層の側において所定の光放射角度特性を有するように１ｎｍ〜３０μｍの範囲内で制御することによって透光性電極から取り出される光を増大させる」とするものである。しかしながら、「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子」という物の発明としては、本件補正後の上記記載は、「透光性の導電性酸化物層の厚さ」を「１ｎｍ〜３０μｍの範囲内」とすることを特定したに等しいものとして把握されるものであって、本件補正は、本件補正前の上記記載について、特許請求の範囲の減縮を目的として行ったものとはいえないから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものには該当しない。
　また、本件補正は、請求項の削除、誤記の訂正、明りようでない記載の釈明、のいずれにも該当しない。 
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５条改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記第２のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２１年４月１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜１５に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
　
「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子であって、
　第１の積層体と第２の積層体を含み、
　前記第１積層体はｎ型半導体層、活性層、およびｐ型半導体層が順に積層された半導体積層体を含み、
　前記半導体積層体の一主面上には前記活性層から放射された光を反射するための多層反射構造が形成されており、
　前記多層反射構造上には第１の接合用金属層が形成されており、
　前記半導体積層体の他方主面上には透光性電極層が形成されており、
　前記第２積層体は第２の接合用金属層を含み、
　前記第１積層体と前記第２積層体とは前記第１接合用金属層と前記第２接合用金属層とを互いに接合することによって接合されており、
　前記多層反射構造は前記半導体積層体側から順に透光性の導電性酸化物層とこれに隣接する反射金属層とを含み、
　前記透光性の導電性酸化物層は、前記発光素子が前記透光性電極層の側において所定の光放射角度特性を有するように１ｎｍ〜３０μｍの範囲内の厚さを有することを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子。」（以下「本願発明」という。）
　
２　刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である米国特許出願公開第２００３／０１４３７７２号明細書（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
（１）「［0001］1. Field of the Invention 
［0002］The present invention relates to a high efficiency light emitting device, and more particularly to a III-V compound semiconductor light emitting diode with a highly reflective metal reflector therein to avoid the light absorption by the substrate. 」
　（［０００１］１．発明の分野
［０００２］この発明は、高効率の発光素子に関し、特に基板による光の吸収を避けるためにその中に高反射金属反射鏡を備えたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光ダイオードに関する。）
　
（２）「 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS  
・・・
［0019］FIG. 7A  shows a schematic view of an AlGaInN light emitting structure according to the present invention. 
［0020］FIG. 7B  shows a schematic view of supporting substrate for an AlGaInN light emitting diode 
［0021］FIG. 8  shows a schematic view of an AlGaInN light emitting diode structure according to the present invention.」
　（図面の簡単な説明
・・・
　［００１９］図７Ａは、この発明によるＡｌＧａＩｎＮ発光構造の概略図を示す。
　［００２０］図７Ｂは、ＡｌＧａＩｎＮ発光ダイオードのための支持基板の概略図を示す。
　［００２１］図８は、この発明によるＡｌＧａＩｎＮ発光ダイオード構造の概略図を示す。）
　
（３）「［0032］Taking the AlGaInN LED as a second preferred embodiment, an example of the AlGaInN LED epi-layer structure is shown in  FIG. 7A . First, an AlGaInN LED epi-layer structure  215  is grown on the temporary Si substrate  200  with a buffer layer  202 . The buffer layer  202  can be an AlN amorphous or polycrystalline layer, which is deposited by a sputtering method. The AlGaInN LED structure  215  which comprises of an n-type GaN layer  204 , an InGaN multiple quantum well (MQW)  206 , and a p-type GaN layer  208  grown by MOVPE (Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy) A transparent ohmic contact metal layer (TCL)  210  such as Ni/Au is then deposited on the p-type GaN layer  208  and annealed to form low resistance ohmic contact. Subsequently, a transparent conductive layer  212  and a highly reflective metal layer  214  are successively deposited on the TCL layer  210 . 
［0033］Thereafter, the AlGaInN LED epi-layer structure  215  on the temporary Si substrate  200  is bonded to another silicon base substrate  220 , as shown in  FIG. 7B . Similar to that shown in  FIG. 6 b , the silicon base substrate  220  has an ohmic contact layer  222  on both surfaces. Before bonding, a conductive oxide layer  226  or a refractory metal layer  226  is optionally deposited on the metal refractive（審決注：「reflective」の誤りと認める。） layer  214  to prevent the metal bonding layer  224  from reacting with the reflective metal layer  214 . After bonding, the temporary Si substrate  200  and the buffer layer  202  are removed by lapping, polishing, etching or a combination thereof. Because the hardness or chemical properties of Si and AlGaInN are quiet different, it is quite easy to remove the Si substrate  200  and the buffer layer  202  and stop at n-type GaN layer  204 . Finally, an n-type ohmic contact  218  is deposited on the n-type GaN layer  204  and annealed to complete a vertically current conduction AlGaInN light emitting diode with good heat dissipation. The result is shown in  FIG. 8 . 」
　（［００３２］第２の好ましい態様としてＡｌＧａＩｎＮのＬＥＤを用い、ＡｌＧａＩｎＮのＬＥＤエピ層構造の一例が図７Ａに示されている。まず、ＡｌＧａＩｎＮのＬＥＤエピ層構造２１５が一時的なＳｉ基板２００の上にバッファ層２０２とともに成長される。このバッファ層２０２は、ＡｌＮのアモルファスまたは多結晶の層であり得るが、スパッタ法により積層される。ｎ型ＧａＮ層２０４、ＩｎＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）２０６及びｐ型ＧａＮ層２０８を含むＡｌＧａＩｎＮのＬＥＤ構造２１５は、ＭＯＶＰＥ（金属有機気相エピタキシー）により成長される。Ｎｉ／Ａｕのような透明なオーミックコンタクト金属層（ＴＣＬ）がｐ型ＧａＮ層２０８上に積層され、低抵抗オーミックコンタクトを形成するためにアニールされる。引き続き、透明な導電層２１２と高反射金属層２１４が連続してＴＣＬ層２１０上に積層される。
　［００３３］その後、一時的なＳｉ基板２００上のＡｌＧａＩｎＮのＬＥＤエピ層構造２１５は、図７Ｂに示されるように、別のシリコン基板２２０に接合される。図６ｂに示したのと同様に、シリコン基板２２０はその両面にオーミックコンタクト層２２２を有する。接合の前に、金属接合層２２４が反射金属層２１４と反応するのを防ぐために、導電性の酸化物層２２６または耐火性の金属層２２６が必要に応じて金属反射層２１４の上に積層される。接合後、一時的なＳｉ基板２００とバッファ層２０２は、ラッピング、ポリッシング、エッチングまたはそれらの組み合わせによって取り除かれる。ＳｉとＡｌＧａＩｎＮの硬さまたは化学的性質は全く異なるから、Ｓｉ基板２００とバッファ層２０２を取り除き、ｎ型ＧａＮ層２０４のところで止めるのは簡単である。最後に、ｎ型オーミックコンタクト層２１８がｎ型ＧａＮ層２０４の上に積層され、良好な熱の消散とともに垂直電流伝導ＡｌＧａＩｎＮ発光ダイオードを完成させるためにアニールされる。結果が図８に示されている。）
　
（４）「金属接合層２２４」は、「オーミックコンタクト層２２２」の表面に形成されたものであることが、図７Ｂから見て取れる。
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「ｎ型ＧａＮ層２０４、ＩｎＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）２０６及びｐ型ＧａＮ層２０８を含むＡｌＧａＩｎＮのＬＥＤ構造２１５が、一時的なＳｉ基板２００の上にバッファ層２０２とともに成長され、それからＮｉ／Ａｕのような透明なオーミックコンタクト金属層（ＴＣＬ）がｐ型ＧａＮ層２０８上に積層され、低抵抗オーミックコンタクトを形成するためにアニールされ、引き続き、透明な導電層２１２と高反射金属層２１４が連続してＴＣＬ層２１０上に積層され、
　その後、一時的なＳｉ基板２００上のＡｌＧａＩｎＮのＬＥＤエピ層構造２１５は、その両面にオーミックコンタクト層２２２を有する別のシリコン基板２２０に接合され、接合の前に、オーミックコンタクト層２２２の表面に形成された金属接合層２２４が反射金属層２１４と反応するのを防ぐために、導電性の酸化物層２２６が必要に応じて金属反射層２１４の上に積層され、
　接合後、一時的なＳｉ基板２００とバッファ層２０２は、ラッピング、ポリッシング、エッチングまたはそれらの組み合わせによって取り除かれ、最後に、ｎ型オーミックコンタクト層２１８がｎ型ＧａＮ層２０４の上に積層され、垂直電流伝導ＡｌＧａＩｎＮ発光ダイオードを完成させるためにアニールされる、ＡｌＧａＩｎＮ発光ダイオード構造。」
　
３　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
　
（１）引用発明は、「ｎ型ＧａＮ層２０４、ＩｎＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）２０６及びｐ型ＧａＮ層２０８を含むＡｌＧａＩｎＮのＬＥＤ構造２１５が、一時的なＳｉ基板２００の上にバッファ層２０２とともに成長され、Ｎｉ／Ａｕのような透明なオーミックコンタクト金属層（ＴＣＬ）がｐ型ＧａＮ層２０８上に積層され、低抵抗オーミックコンタクトを形成するためにアニールされ、引き続き、透明な導電層２１２と高反射金属層２１４が連続してＴＣＬ層２１０上に積層され」、かつ、「導電性の酸化物層２２６が必要に応じて金属反射層２１４の上に積層され」るものであって、前記「高反射金属層２１４」が「ＩｎＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）２０６」から放射された光を反射する、といえるから、
　ア　引用発明の「ｎ型ＧａＮ層２０４」、「ＩｎＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）２０６」、「ｐ型ＧａＮ層２０８」、「『ｎ型ＧａＮ層２０４』、『ＩｎＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）２０６』及び『ｐ型ＧａＮ層２０８』」及び「（金属反射層２１４の上に積層された）導電性の酸化物層２２６」は、それぞれ、本願発明の「ｎ型半導体層」、「活性層」、「ｐ型半導体層」、「（ｎ型半導体層、活性層、およびｐ型半導体層が順に積層された）半導体積層体」、「（前記半導体積層体の一主面上に形成され、前記活性層から放射された光を反射するための）多層反射構造」及び「（前記多層反射構造上に形成された）第１の接合用金属層」に相当する。また、
　イ　引用発明の「透明な導電層２１２」は、本願発明の「透光性の導電性酸化物層」と、「透光性の導電性層」である点で一致し、
　ウ　引用発明の「（ｐ型ＧａＮ層２０８上に積層された）透明なオーミックコンタクト金属層（ＴＣＬ）２１０、透明な導電層２１２及び高反射金属層２１４」は、本願発明の「（前記半導体積層体の一主面上に形成され、前記活性層から放射された光を反射するための）多層反射構造」に相当するといえ、
　エ　引用発明の「『ｎ型ＧａＮ層２０４』、『ＩｎＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）２０６』、『ｐ型ＧａＮ層２０８』、『透明なオーミックコンタクト金属層（ＴＣＬ）』、『透明な導電層２１２』、『高反射金属層２１４』及び『導電性の酸化物層２２６』」は、本願発明の「第１積層体」に相当するといえる。また、
　オ　引用発明は、本願発明の「第１積層体はｎ型半導体層、活性層、およびｐ型半導体層が順に積層された半導体積層体を含み、前記半導体積層体の一主面上には前記活性層から放射された光を反射するための多層反射構造が形成されており、前記多層反射構造上には第１の接合用金属層が形成されており」との事項を備え、
　カ　引用発明の「『ｎ型ＧａＮ層２０４』、『ＩｎＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）２０６』及び『ｐ型ＧａＮ層２０８』側から順に『透明なオーミックコンタクト金属層（ＴＣＬ）２１０』、『透明な導電層２１２』及び『高反射金属層２１４』が積層され」との事項は、本願発明の「前記多層反射構造は前記半導体積層体側から順に透光性の導電性酸化物層とこれに隣接する反射金属層とを含み」との事項と、「前記多層反射構造は前記半導体積層体側から順に透光性の導電性層とこれに隣接する反射金属層とを含み」との点で一致する。
　
（２）引用発明は、「一時的なＳｉ基板２００上のＡｌＧａＩｎＮのＬＥＤエピ層構造２１５」及び「（必要に応じて金属反射層２１４の上に積層された）導電性の酸化物層２２６）」が、「その両面にオーミックコンタクト層２２２を有する別のシリコン基板２２０に接合され」るものであり、前記オーミックコンタクト層２２２の表面には「金属接合層２２４」が形成されているから、
　ア　引用発明の「金属接合層２２４」及び「（金属接合層２２４を備えた）シリコン基板２２０」は、それぞれ、本願発明の「第２の接合用金属層」及び「（第２の接合用金属層を含む）第２積層体」に相当し、
　イ　引用発明は、本願発明の「第２積層体は第２の接合用金属層を含み、前記第１積層体と前記第２積層体とは前記第１接合用金属層と前記第２接合用金属層とを互いに接合することによって接合されており」との事項とを備える。
　
（３）引用発明の「ＡｌＧａＩｎＮ発光ダイオード構造」は、「『Ｓｉ基板２００』、『バッファ層２０２』、『ｎ型ＧａＮ層２０４』、『ＩｎＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）２０６』、『ｐ型ＧａＮ層２０８』、『透明なオーミックコンタクト金属層（ＴＣＬ）２１０』、『透明な導電層２１２』、『高反射金属層２１４』及び『導電性の酸化物層２２６』」と、これと接合された「（金属接合層２２４を備えた）シリコン基板２２０」とを含むものであるから、
　ア　引用発明の「ＡｌＧａＩｎＮ発光ダイオード構造」は、本願発明の「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子」に相当し、
　イ　引用発明は、本願発明の「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子であって、第１の積層体と第２の積層体を含み」との事項を備える。
　
（４）引用発明は、「最後に、ｎ型オーミックコンタクト層２１８がｎ型ＧａＮ層２０４の上に積層され」るから、引用発明の「『ｐ型ＧａＮ層２０８』、『ＩｎＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）２０６』及び『ｎ型ＧａＮ層２０４』の上に『ｎ型オーミックコンタクト層２１８』が積層され」との事項は、本願発明の「前記半導体積層体の他方主面上には透光性電極層が形成されており」との事項と、「前記半導体積層体の他方主面上には電極層が形成されており」の点で一致する。
　
　したがって、両者は、　  
「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子であって、
　第１の積層体と第２の積層体を含み、
　前記第１積層体はｎ型半導体層、活性層、およびｐ型半導体層が順に積層された半導体積層体を含み、
　前記半導体積層体の一主面上には前記活性層から放射された光を反射するための多層反射構造が形成されており、
　前記多層反射構造上には第１の接合用金属層が形成されており、
　前記半導体積層体の他方主面上には電極層が形成されており、
　前記第２積層体は第２の接合用金属層を含み、
　前記第１積層体と前記第２積層体とは前記第１接合用金属層と前記第２接合用金属層とを互いに接合することによって接合されており、
　前記多層反射構造は前記半導体積層体側から順に透光性の導電性層とこれに隣接する反射金属層とを含む、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子。」
である点で一致し、以下の点において相違する。
　
相違点
［相違点１］
　半導体積層体の他方主面上に形成されている電極層が、本願発明では、透光性であるのに対し、引用発明では、透光性であるのか否か明らかでない点。
［相違点２］
　透光性の導電性層が、本願発明では、酸化物層であるのに対し、引用発明では、酸化物層であるのか否か明らかでない点。
［相違点３］
　透光性の導電性層が、本願発明では、発光素子が電極層の側において所定の光放射角度特性を有するように１ｎｍ〜３０μｍの範囲内の厚さを有するのに対し、引用発明では、そのような厚さを有するか否か明らかではない点。
　
４　判断  
　上記相違点につき検討する。
［相違点１］について
　窒化ガリウム系半導体発光素子において、半導体積層体の主面上に形成する電極を透光性のものとしたものは、本願の出願時点で周知であるから（必要なら、特開平８−３２１１６号公報（【００１２】、図３）、特開２００１−４４４９１号公報（【００１３】、図１０）、特開２００１−１０２６３０号公報（【００３４】〜【００３６】、図４）参照。）、引用発明の「ｎ型オーミックコンタクト層２１８」を透光性のものとして、上記相違点１に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易に想到し得たことである。
［相違点２］について
　透光性の導電性層としてＩＴＯ等の酸化物層を用いることは、本願の出願時点で周知であるから、引用発明において、「透明な導電層２１２」を導電性酸化物層で構成し、上記相違点２に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易に想到し得たことである。
［相違点３］について
　引用発明の「ＡｌＧａＩｎＮ発光ダイオード構造」において、その「透明な導電層２１２」の厚さを具体的にどの程度とするかは当業者が適宜に定めるべき設計的事項というべきものであるところ、その厚さを１ｎｍ〜３０μｍの範囲内とし、その結果、当該発光ダイオード構造がｎ型オーミックコンタクト層２１８の側において所定の光放射角度特性を有するようなものとなして、上記相違点３に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易に想到し得たことである。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明及び上記周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。