【手続補正書】
【提出日】平成23年10月6日(2011.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の不揮発性集積回路メモリデバイス中にデータを記憶する方法であって、
重畳的に符号化されたデータが分配されるだろう、少なくとも２である、不揮発性集積回路メモリデバイスの数に少なくとも部分的に基づいて、重畳的に符号化の特性を選択することと、
前記選択された特性を有するデータを重畳的に符号化すること、および
前記重畳的に符号化されたデータが少なくとも２つの不揮発性集積回路メモリデバイスに交互配置で分配されるように、前記重畳的に符号化されたデータを記憶すること、
を含む方法。
【請求項２】
重畳的に符号化することは、少なくともｍ個のブロック符号化されたデータのセクタに対応するデータを重畳的に符号化することを含み、ここでｍ／ｎは前記重畳符号の符号化率に対応し、
記憶することは、前記重畳的に符号化されたデータをｎ個の不揮発性集積回路メモリデバイスに記憶することを含む、請求項１の方法。
【請求項３】
さらに、
ｍ個のセクタに対応する符号化されていないデータをホストから受け取ること、および
前記ｍ個のブロック符号化されたセクタを生成するために、前記符号化されていないデータのｍ個のセクタをブロック符号化すること、
を含む請求項２の方法。
【請求項４】
ｍ個のセクタは、ファイルシステムに従う一クラスタ中のセクタの数に対応する、請求項２の方法。
【請求項５】
さらに、符号化率ｍ／ｎを用いて重畳符号化することを含み、ｎはｍ＋１に等しい、請求項２の方法。
【請求項６】
さらに、
前記ｍ個のブロック符号化されたデータのセクタのいずれかの中のデータがブランクデータに対応するかどうかを決定すること、および
もしそのデータがブランクデータに対応すると決定されたならば、前記ブロック符号化されたデータの重畳符号化をバイパスすること、
を含む、請求項２の方法。
【請求項７】
セクタがブランクであることを決定することは、前記セクタに対するフォーマッティングの検査に少なくとも部分的に基づく、請求項６の方法。
【請求項８】
さらに、前記重畳符号化に対する符号化率ｍ／ｎを、データが分配される不揮発性集積回路メモリデバイスの数に少なくとも部分的に基づいて選択すること、を含む請求項２の方法。
【請求項９】
さらに、パンクチャリングパターンを、データが分配される不揮発性集積回路メモリデバイスの数に少なくとも部分的に基づいて選択すること、を含む請求項２の方法。
【請求項１０】
複数の不揮発性集積回路メモリデバイスからデータを読み出す方法であって、
重畳的に符号化されたデータが分配されるだろう、少なくとも２である、不揮発性集積回路メモリデバイスの数に少なくとも部分的に基づいて、重畳的に符号化の特性を選択することと、
少なくとも２つの不揮発性集積回路メモリデバイスから重畳的に符号化されたデータを取り出すことであって、前記重畳的に符号化されたデータは前記少なくとも２つの不揮発性集積回路メモリデバイスに分配されている、ということ、および
前記選択された特性を有する前記メモリデバイスから取り出された前記重畳的に符号化されたデータを逆重畳化することであって、逆重畳化することは前記重畳的に符号化されたデータの元々の順序を復元するために、前記重畳的に符号化されたデータを再配列することを含む、ということ、
を含む方法。
【請求項１１】
逆重畳化することは、データを挿入すること、およびビタビアルゴリズムによって復号すること、を含む請求項１０の方法。
【請求項１２】
さらに、取り出すことの前に、前記取り出された重畳符号化されたデータに対応するデータのクラスタに対するホストからのリクエストを受け取ること、
を含む請求項１０の方法。
【請求項１３】
さらに、前記逆重畳化されたデータをブロック復号化すること、を含む請求項１０の方法。
【請求項１４】
さらに、
ブランクデータに対応する前記取り出されたデータの部分を決定すること、および
それらの部分に対する逆重畳化をバイパスすること、
を含む請求項１０の方法。
【請求項１５】
複数の不揮発性集積回路メモリデバイス中にデータを記憶する方法であって、
重畳的に符号化されたデータが分配されるだろう、少なくとも２である、不揮発性集積回路メモリデバイスの数ｎに少なくとも部分的に基づいて、重畳的に符号化の特性を選択することと、
ｍ個のデータの第１のサイズの部分を、前記選択された特性にしたがって、ｍ／ｎの符号化率を用いて、ｍ個の重畳符号の第２のサイズの部分に重畳符号化することであって、前記第２の部分は、前記第１のサイズのセクタよりｎ／ｍ倍大きく、前記ｍ個の第１のサイズの部分の少なくとも１つは、ブランクデータとは対照的な実データを含む、ということ、及び、
ｎ個の不揮発性集積回路メモリデバイス中に前記ｍ個の重畳符号の第２のサイズの部分を記憶することであって、前記ｍ個の不揮発性集積回路メモリデバイスはｍ個の第１のサイズの部分を記憶するように構成され、ｎは少なくとも２である、ということ、
を含む方法。
【請求項１６】
さらに、重畳符号化することはさらに、前記重畳符号をパンクチャすることを含むことを含む、請求項１５の方法。
【請求項１７】
さらに、
ブランクデータに対応する前記ｍ個のデータの第１の部分の少なくとも１つを決定すること、および
前記ｍ個の不揮発性集積回路メモリデバイスに対する前記ｍ個の重畳符号の第２のサイズのセクタの対応する部分の重畳符号化をバイパスすること、
を含む請求項１５の方法。
【請求項１８】
さらに、重畳符号化をすることの前に前記データをブロック符号化することを含む、請求項１５の方法。
【請求項１９】
複数の不揮発性集積回路メモリデバイスからデータにアクセスする方法であって、
ホストからデータに対するリクエストを受け取ること、
２つ以上の前記不揮発性集積回路メモリデバイスの少なくとも１つから１つ以上のデータの関連するセクタを取り出すことであって、前記１つ以上の関連するセクタは、第１のサイズである、ということ、
重畳的に符号化されたデータが分配されるだろう、少なくとも２である、不揮発性集積回路メモリデバイスの数に少なくとも部分的に基づいて、重畳的に符号化の特性を選択することと、および
前記リクエストされたページの少なくとも部分に関する１つ以上の情報のセクタを生成するために、前記１つ以上の関連するセクタの少なくとも一部を逆重畳化することであって、前記生成された情報の前記１つ以上のセクタは、逆重畳化された重畳符号の符号化率だけ前記第１のセクタサイズより小さい第２のセクタサイズであり、前記生成された情報のセクタは、前記不揮発性集積回路メモリデバイスから、次々に、ページを逆重畳化するために、読み出される、ということ、
を含む方法。
【請求項２０】
逆重畳化することは、
パンクチャされたデータの補償をすること、および
ビタビアルゴリズムによって復号化すること、
を含む請求項１９の方法。
【請求項２１】
前記ホストから前記リクエストを受け取ることは、前記ホストからデータのクラスタに対するリクエストを受け取ること、を含む請求項１９の方法。
【請求項２２】
さらに、前記リクエストされたデータを生成するために、前記生成された情報からブロック符号を復号化すること、を含む請求項１９の方法。
【請求項２３】
さらに、
前記取り出されたセクタの１つ以上がブランクであると決定すること、および
前記ブランクセクタを、前記生成された情報がブランクデータに対応するように逆重畳化すること、
を含む請求項１９の方法。
【請求項２４】
装置であって、
第１のバッファ、
第２のバッファ、
ホストおよび複数の不揮発性集積回路メモリデバイスの間のインターフェイスを取り、前記第２のバッファから前記不揮発性集積回路メモリデバイスへのデータの前記記憶を、そのデータが前記不揮発性集積回路メモリデバイスに交互配置で分配されるように制御する、ように構成され制御ロジック、
前記第１のバッファ中に記憶されるデータを符号化し、前記不揮発性集積回路メモリデバイスへの転送のために前記第２のバッファ中に前記符号化されたデータを記憶し、重畳的に符号化されたデータが分配されるだろう、少なくとも２である、不揮発性集積回路メモリデバイスの数に少なくとも部分的に基づいて、重畳的に符号化の特性を選択するように構成される重畳符号エンコーダ、および
重畳的に符号化されたデータが分配されるだろう不揮発性集積回路メモリデバイスの数に少なくとも部分的に基づいて、前記不揮発性集積回路メモリデバイスから取り出された前記第２のバッファ中に記憶されるデータを逆重畳し、前記第１のバッファ中に前記復号化されたデータを記憶する、ように構成された重畳符号デコーダ、
を含む装置。
【請求項２５】
前記制御ロジックはさらに、前記第１のバッファへのデータ転送、および／または、前記第１のバッファから前記第２のバッファへのデータ転送を制御するように構成される、請求項２４の装置。
【請求項２６】
さらに、前記ホストから転送されたデータをブロック符号化し、前記ホストに転送されるブロック符号化されたデータを復号化する、ように構成された誤り訂正符号（ＥＣＣ）モジュールを含む、請求項２４の装置。
【請求項２７】
さらに、ブランクデータを検知することに応答して、前記重畳符号エンコーダおよび／または重畳符号デコーダをバイパスするように構成されたブランクセクタバイパスモジュールを含む、請求項２４の装置。
【請求項２８】
前記ブランクセクタバイパスモジュールはさらに、セクタが、前記セクタに対するフォーマッティングの検査に少なくとも部分的に基づいて、ブランクであることを決定するように構成されている、請求項２７の装置。
【請求項２９】
前記装置は、ＮＡＮＤフラッシュメモリコントローラに埋め込まれている、請求項２４の装置。
【請求項３０】
前記制御ロジックはさらに、前記重畳符号エンコーダに対する符号化率ｍ／ｎを、データが分配される不揮発性集積回路メモリデバイスの数に少なくとも部分的に基づいて選択するように構成されている、請求項２４の装置。
【請求項３１】
前記制御ロジックはさらに、前記重畳符号エンコーダに対するパンクチャリングパターンを、データが分配される不揮発性集積回路メモリデバイスの数に少なくとも部分的に基づいて選択するように構成されている、請求項２４の装置。