【事件の表示】
　特願２００１−１６３７７８号「シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１２月１３日出願公開、特開２００２−３５６３９５号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯  
　本願は、平成１３年５月３１日の出願であって、平成１９年９月２１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１０月３１日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年１１月２８日付けで特許請求の範囲の手続補正がなされ、その後、平成２２年４月５日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を利用した審尋がなされ、同年５月６日付けで回答書が提出されたものである。  
 　  
２．平成１９年１１月２８日付けの手続補正についての補正却下の決定  
［補正却下の決定の結論］  
　平成１９年１１月２８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。  
［理由］  
(2-1)補正後の本願発明 
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、次のように補正された。
「チョクラルスキー法によって窒素ドープしたシリコン単結晶を製造する方法であって、シリコン単結晶を育成する際に、シリコン単結晶の直胴部を成長させるときの引上げ速度をＶ（ｍｍ／ｍｉｎ）とし、シリコンの融点から１４００℃の間の引上げ軸方向の結晶温度勾配をＧ（℃／ｍｍ）で表した時に、Ｖ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）の値をドープされる窒素濃度に対して
シリコン単結晶育成中に
して大きく
　
(2-2)補正の目的および新規事項の追加の有無 
　本件請求項１の補正事項は、補正前の「ドープされる窒素濃度に対して制御する」を、補正後の「ドープされる窒素濃度に対してシリコン単結晶育成中に制御して大きくする」にするものである。  
　これは、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「制御する」ことについて、「シリコン単結晶育成中に」および、制御「して大きく」するとの事項を付加することで、制御をどの時点で行うか、また、どのような制御を行うかを具体的に限定するものであり、  
　かつ、補正後の請求項１に記載された発明は、補正前の請求項１に記載された発明と、産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるので、  
　上記補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的にするものに該当する。  
　そして、上記補正は、新規事項を追加するものではない。  
 　 
(2-3)独立特許要件 
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反しないか）について以下に検討する。 
 　 
(2-3-1)引用例の記載事項  
　原査定の拒絶理由で引用した特開２０００−５３４８９号公報（以下、「引用例」という。）には、以下の記載がある。
(a)「【００２３】さらに具体的には、請求項８に記載したように、ＣＺ法によってシリコン単結晶を育成する際に、引上げ速度をＦ［ｍｍ／ｍｉｎ］とし、シリコンの融点から１４００℃の間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をＧ［℃／ｍｍ］で表した時、結晶中心から結晶周辺までの距離Ｄ［ｍｍ］を横軸とし、Ｆ／Ｇ［ｍｍ２ ／℃・ｍｉｎ］の値を縦軸として欠陥分布を示した欠陥分布図のＮ−領域内で結晶を引上げる場合において、窒素をドープしながら結晶を引上げることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの製造方法である。
【００２４】このように、実験・調査の結果を解析して求めた図１の欠陥分布図を元に、窒素をドープしながら、Ｖ−リッチ領域とＮ−領域の境界線ならびにＮ−領域とＩ−リッチ領域の境界線で囲繞されたＮ−領域内に収まるように、結晶の引上げ速度Ｆとシリコンの融点から１４００℃の間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値Ｇを制御して結晶を引上げれば、Ｎ−領域の範囲が大幅に拡大する。従って、窒素をドープしながらＮ−領域結晶製造条件で引上げれば、制御幅が広く、制御も容易でありシリコン単結晶ウエーハを高歩留りで製造することができる。」
　
(b)「【００３９】すなわち、窒素をドープすることによって、ＦＰＤやＣＯＰもなく、転位クラスターも存在しない領域の引上げ速度のマージンが拡大していることが判った。そして、ＯＳＦの発生挙動が従来のものとはかなり異なることも判った。これは、窒素をドープし、引上げ速度を変化させながら結晶を成長させ、得られた単結晶棒から輪切りのサンプルやウエーハ、及び縦割りのサンプルを切り出し、グローイン欠陥を測定し、また、熱酸化処理を施してＯＳＦの発生状況を確認した結果、判明したものである。」
　
(c)「【００４６】この時に、ノンドープ時にも言われているように、結晶が成長するにしたがって、結晶の温度勾配は変化するので、実際は結晶の頭の方と尾部の直前では、上記のような欠陥が無いＮ−領域となる引上げ速度が徐々に変化する。つまり、上記データは結晶中心付近のデータであるので、結晶の頭ではこれよりも速めに引上げ速度を設定し、後半では遅めに引上げ速度を決めれば良い。その結果、結晶全域にわたって、極低欠陥となる結晶が容易に作製でき、歩留りの向上と、簡便な品質管理を実現できる。」
　
(d)「【００４８】本発明における窒素のドープ量は、５×１０１１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上ドープした場合に特に効果が大きく、Ｎ−領域の範囲が大幅に拡大することが判った。例えば１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ ドープした場合には、先の効果は促進されており、窒素濃度が増加すればするほど、Ｎ−領域が拡大する効果は大きい。しかし、窒素濃度が５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ を越えてしまうと、ウエーハに熱処理を施した時に異常酸素析出が発生する等の弊害が発生する場合があるので、窒素濃度は５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下５×１０１１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上であることが好ましい。すなわち、前述のＦ／Ｇの定量値は、あくまでも１×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の窒素がドープされた時の値である。つまり、Ｆ／Ｇは窒素ドープ量に対して変化するので、実験で確認すればよい。」
　
(e)「【００７０】
【実施例】以下、本発明の具体的な実施の形態を実施例を挙げて説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）図３に示した引上げ装置３０で、１８インチ石英ルツボに原料多結晶シリコンをチャージし、直径６インチ、方位＜１００＞、導電型Ｐ型のシリコン単結晶棒を引上げた。ルツボの回転速度は４ｒｐｍとし、結晶回転速度を１５ｒｐｍとした。磁場強度を３０００Ｇとして、引上げ速度を０．５７〜０．５０ｍｍ／ｍｉｎの範囲で変化させて結晶を育成した。
【００７１】シリコン融液の湯温は約１４２０℃、湯面から環状の固液界面断熱材の下端までは、４ｃｍの空間とし、その上に１０ｃｍ高さの環状固液界面断熱材を配置し、湯面から引上げ室天井までの高さをルツボ保持軸を調整して３０ｃｍに設定し、上部囲繞断熱材を配備した。窒素ドープ量は１×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ とした。酸素濃度は、７〜１０ｐｐｍａ（ＪＥＩＤＡ）とした。そして、結晶中心部でのＦ／Ｇ値を０．１６１〜０．１４１ｍｍ２ ／℃・ｍｉｎに変化させて引上げた。」
　
(f)上記(a)で示した「・・・ＣＺ法によってシリコン単結晶を育成する際に、引上げ速度をＦ［ｍｍ／ｍｉｎ］とし、シリコンの融点から１４００℃の間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をＧ［℃／ｍｍ］で表した時、結晶中心から結晶周辺までの距離Ｄ［ｍｍ］を横軸とし、Ｆ／Ｇ［ｍｍ２ ／℃・ｍｉｎ］の値を縦軸として欠陥分布を示した欠陥分布図のＮ−領域内で結晶を引上げる場合において、窒素をドープしながら結晶を引上げる・・・結晶の引上げ速度Ｆとシリコンの融点から１４００℃の間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値Ｇを制御して結晶を引上げれば・・・」との記載、同(c)で示した「・・・ノンドープ時にも言われているように、結晶が成長するにしたがって、結晶の温度勾配は変化するので、実際は結晶の頭の方と尾部の直前では、上記のような欠陥が無いＮ−領域となる引上げ速度が徐々に変化する。つまり、上記データは結晶中心付近のデータであるので、結晶の頭ではこれよりも速めに引上げ速度を設定し、後半では遅めに引上げ速度を決めれば良い・・・」との記載、および、同(d)で示した「・・・Ｆ／Ｇは窒素ドープ量に対して変化する・・・」との記載等からして、シリコン単結晶を成長させるときの引上げ速度をＦ（ｍｍ／ｍｉｎ）とし、シリコンの融点から１４００℃の間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をＧ（℃／ｍｍ）で表した時、この平均値Ｇは［結晶中心部と結晶周辺部を含む面内における引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値（仮に「Ｇ’」とする。）］であって、この結晶内温度勾配Ｇ’が結晶の引上げにしたがって変化すると共にこの変化する結晶内温度勾配Ｇ’に応じて引上げ速度Ｆを窒素ドープしながら変化させる（引上げ速度Ｆと結晶内温度勾配Ｇ’を窒素ドープしながら制御する）こと、および、Ｆ／Ｇ’（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）が窒素ドープ量に対して変化することが示されているので、引用例には、「シリコン単結晶を成長させるときの引上げ速度をＦ（ｍｍ／ｍｉｎ）とし、シリコンの融点から１４００℃の間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配をＧ’（℃／ｍｍ）で表した時に、Ｆ／Ｇ’（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）の値をドープされる窒素濃度に対して窒素ドープしながら制御する」ことが記載されているということができる。
　
　上記(a)ないし(f)の記載事項より、引用例には、
「ＣＺ法によって窒素ドープしたシリコン単結晶を製造する方法であって、シリコン単結晶を育成する際に、シリコン単結晶を成長させるときの引上げ速度をＦ（ｍｍ／ｍｉｎ）とし、シリコンの融点から１４００℃の間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配をＧ’（℃／ｍｍ）で表した時に、Ｆ／Ｇ’（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）の値をドープされる窒素濃度に対して窒素ドープしながら制御する、シリコン単結晶の製造方法。」の発明（以下、「引用例記載の発明」という。）が開示されている。
　
(2-3-2)対比  
　本願補正発明と引用例記載の発明とを対比する。  
○引用例記載の発明の「ＣＺ法」、「Ｆ」、「Ｇ’」、「Ｆ／Ｇ’」および「結晶内温度勾配」は、本願補正発明の「チョクラルスキー法」、「Ｖ」、「Ｇ」、「Ｖ／Ｇ」および「結晶温度勾配」にそれぞれ相当する。
　
○引用例記載の発明の「窒素ドープしながら」制御することは、「シリコン単結晶育成中に窒素ドープしながら」制御することであるということができるので、本願補正発明の「シリコン単結晶育成中に」制御することに相当する。
　
○引用例記載の発明の「ＣＺ法（チョクラルスキー法）」によって「シリコン単結晶を成長させる」ことは、ＣＺ法によって成長するシリコン単結晶が頭部、肩部、直胴部および尾部からなると共に、この直胴部がシリコン単結晶を成長させる際の重要部であること自体良く知られた事項であることから、「ＣＺ法」によって「シリコン単結晶の直胴部を成長させる」ことであるということができるので、本願補正発明の「シリコン単結晶の直胴部を成長させる」ことに相当する。
　
　上記より、本願補正発明と引用例記載の発明とは、
「チョクラルスキー法によって窒素ドープしたシリコン単結晶を製造する方法であって、シリコン単結晶を育成する際に、シリコン単結晶の直胴部を成長させるときの引上げ速度をＶ（ｍｍ／ｍｉｎ）とし、シリコンの融点から１４００℃の間の引上げ軸方向の結晶温度勾配をＧ（℃／ｍｍ）で表した時に、Ｖ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）の値をドープされる窒素濃度に対してシリコン単結晶育成中に制御する、シリコン単結晶の製造方法。」という点で共通し、以下の点で相違している。
　
＜相違点＞
　本願補正発明では、「Ｖ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）の値をドープされる窒素濃度に対して制御して大きくする」のに対して、
　引用例記載の発明では、「Ｖ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）の値をドープされる窒素濃度に対して制御する」点
　
(2-3-3)判断
＜相違点＞について検討する。
　上記(2-3-1)の(b)で示した「・・・窒素をドープすることによって、ＦＰＤやＣＯＰもなく、転位クラスターも存在しない領域の引上げ速度のマージンが拡大していることが判った・・・」との記載、および、同(d)で示した「・・・窒素濃度が増加すればするほど、Ｎ−領域が拡大する効果は大きい・・・窒素濃度は５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下５×１０１１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以上であることが好ましい・・・」との記載からして、引用例には、窒素濃度の増加によりＮ−領域が拡大する効果が大きくなる（引上げ速度Ｖのマージンが拡大し得る）ことが記載されているということができる。
　さらに、一般に、結晶の引上げにしたがって引上げ軸方向の結晶温度勾配Ｇが減少することは、本願出願前周知の事項（例えば、原審の拒絶理由で通知した特開２０００−３３５９９３号公報の特に【００３８】【００４０】参照）であり、また、酸素濃度等を故意に制御しなければ結晶の引上げにしたがって窒素濃度が斬増することも、本願出願前周知の事項（例えば、原審の拒絶理由で通知した特開２００１−６８４７７号公報の特に【００２４】参照）である。
　そうすると、引用例記載の発明において、酸素濃度等を故意に制御しなければ結晶の引上げにしたがって窒素濃度が斬増すると共に窒素濃度の増加によりＮ−領域が拡大する効果が大きくなる（引上げ速度Ｖのマージンが拡大し得る）ことから、結晶の引上げにしたがって窒素濃度が斬増するような一般な引上げにし、そして、結晶の引上げにしたがって引上げ速度Ｖのマージンが拡大し得る（上限が高くなり得る）と共に引上げ軸方向の結晶温度勾配Ｇが減少すること等を考慮することで、「Ｖ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）の値をドープされる窒素濃度に対して制御して大きくなる」ようにすることは、当業者であれば容易に想到し得ることである。
　したがって、相違点に係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、当業者であれば容易になし得ることである。
　そして、本願補正発明の作用効果は、引用例記載の発明および本願出願前周知の事項から当業者であれば十分に予測し得るものである。
　よって、本願補正発明は、引用例記載の発明および本願出願前周知の事項に基いて当業者であれば容易に発明をすることができたものである。
　
(2-3-4)まとめ  
　上記からして、本願補正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について  
(3-1)本願発明  
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１９年６月２１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおり特定されるものである。
「チョクラルスキー法によって窒素ドープしたシリコン単結晶を製造する方法であって、シリコン単結晶を育成する際に、シリコン単結晶の直胴部を成長させるときの引上げ速度をＶ（ｍｍ／ｍｉｎ）とし、シリコンの融点から
１４００℃の間の引上げ軸方向の結晶温度勾配をＧ（℃／ｍｍ）で表した時に、Ｖ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）の値をドープされる窒素濃度に対して制御することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。」 
 　 
(3-2)引用例の記載事項  
　原査定で引用した引用例の記載事項は、上記２．(2-3-1)に記載したとおりである。 
 　 
(3-2)対比・判断 
　上記２．(2-2)で示したように、本件補正における請求項１の補正事項は
、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項に限定事項を付加するものであることから、本願発明は、本願補正発明を包含している。 
　そうすると、本願補正発明が、上記２．(2-3-3)で示したように、引用例記載の発明および本願出願前周知の事項に基いて当業者であれば容易に発明をすることができたものであるので、本願補正発明を包含する本願発明も同じく、引用例記載の発明および本願出願前周知の事項に基いて当業者であれば容易に発明をすることができたものということができる。
　
(3-3)むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用例記載の発明および本願出願前周知の事項に基いて当業者であれば容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　それゆえ、本願は、特許請求の範囲の請求項２および３に係る発明について、検討するまでもなく、拒絶すべきものである。　
　よって、結論のとおり審決する。