【手続補正書】
【提出日】平成23年9月9日(2011.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次式の化合物：
【化１】
2010519915.tif 000001
（式中、
−ｎは０〜１０のいずれかの整数、またはそれらの間のいずれかの量であって、ｎ＝０という条件では、ｐ＝１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０であり；
−ｐは０〜１０のいずれかの整数、またはそれらの間のいずれかの量であって、ｐ＝０という条件では、ｎ＝１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０であり；
−Ｖ、Ｚ、ＱおよびＷは、いずれかのヌクレオシド、リボヌクレオシド、デオキシリボヌクレオシド、ヌクレオシドアナログ、リボヌクレオシドアナログまたはデオキシリボヌクレオシドアナログであり；
−ｍは１〜５００のいずれかの整数、またはそれらの間のいずれかの量であり；
−Ｓは、イノシン、イノシンアナログヌクレオシド、アデニンまたはアデニンアナログヌクレオシドであり；
−Ｄは、シトシン、シトシンアナログヌクレオシド、ウラシルまたはウラシルアナログヌクレオシドであり；
−ｋ1、ｋ2、ｋ3およびｋ4は、独立して、０〜１０を含めたいずれかの整数、またはそれらの間のいずれかの整数であり；
−Ｒは、独立して、ヌクレオシド間結合基によってジェミナルヌクレオシドに結合されたいずれかのリボヌクレオシドであるか、またはＲは不在であり；かつ
−Ｖ、Ｓ、Ｄ、Ｚ、Ｑ、ＲおよびＷのうちの１つ以上は、１つ以上のロックされた核酸（ＬＮＡ）モノマーを含む。）。
【請求項２】
次式の化合物：
Ｒk1−Ｖn−（Ｓm）−Ｗp−Ｒk2
式ＩＶｃ
（式中、
−ｎは０〜１０のいずれかの整数、またはそれらの間のいずれかの量であって、ｎ＝０という条件では、ｐ＝１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０であり；
−ｐは０〜１０のいずれかの整数、またはそれらの間のいずれかの量であって、ｐ＝０という条件では、ｎ＝１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０であり；
−ＶおよびＷは、いずれかのヌクレオシド、リボヌクレオシド、デオキシリボヌクレオシド、ヌクレオシドアナログ、リボヌクレオシドアナログまたはデオキシリボヌクレオシドアナログであり；
−ｍは１〜５００のいずれかの整数、またはそれらの間のいずれかの量であり；
−Ｓは、イノシン、イノシンアナログヌクレオシド、アデニンまたはアデニンアナログヌクレオシドであり；
−ｋ1およびｋ2は、独立して、０〜１０を含めたいずれかの整数、またはそれらの間のいずれかの整数であり；
−Ｒは、独立して、ヌクレオシド間結合基によってジェミナルヌクレオシドに結合されたいずれかのリボヌクレオシドであるか、またはＲは不在であり；かつ
−Ｖ、Ｓ、ＲおよびＷのうちの１つ以上は、１つ以上のロックされた核酸（ＬＮＡ）モノマーを含む。）。
【請求項３】
次式の化合物
Ｒk4−Ｑp−（Ｄm）−Ｚn−Ｒk3
式ＩＶｄ
（式中、
−ｎは０〜１０のいずれかの整数、またはそれらの間のいずれかの量であって、ｎ＝０という条件では、ｐ＝１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０であり；
−ｐは０〜１０のいずれかの整数、またはそれらの間のいずれかの量であって、ｐ＝０という条件では、ｎ＝１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０であり；
−ＺおよびＱは、いずれかのヌクレオシド、リボヌクレオシド、デオキシリボヌクレオシド、ヌクレオシドアナログ、リボヌクレオシドアナログまたはデオキシリボヌクレオシドアナログであり；
−ｍは１〜５００のいずれかの整数、またはそれらの間のいずれかの量であり、
−Ｄは、シトシン、シトシンアナログヌクレオシド、ウラシルまたはウラシルアナログヌクレオシドであり；
−ｋ3およびｋ4は、独立して、０〜１０を含めたいずれかの整数、またはそれらの間のいずれかの整数であり；
−Ｒは、独立して、ヌクレオシド間結合基によってジェミナルヌクレオシドに結合されたいずれかのリボヌクレオシドであるか、またはＲは不在であり、かつ；
−Ｒ、Ｚ、ＤおよびＱのうちの１つ以上は、１つ以上のロックされた核酸（ＬＮＡ）モノマーを含む。）。
【請求項４】
次式の化合物
【化２】
2010519915.tif 000002
（式中、
−ｎは０〜１０のいずれかの整数、またはそれらの間のいずれかの量であって、ｎ＝０という条件では、ｐ＝１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０であり；
−ｐは０〜１０のいずれかの整数、またはそれらの間のいずれかの量であって、ｐ＝０という条件では、ｎ＝１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０であり；
−Ｖ、Ｗ、ＺおよびＱはいずれかのヌクレオシドであり；
−ｍは１〜５００のいずれかの整数であり、
−Ｓは、イノシン、イノシンアナログヌクレオシド、アデニンまたはアデニンアナログヌクレオシドであり；
−Ｄは、シトシン、シトシンアナログヌクレオシド、ウラシルまたはウラシルアナログヌクレオシドであり；
−ｋ1、ｋ2、ｋ3およびｋ4は、独立して、０〜１０を含めたいずれかの整数、またはそれらの間のいずれかの整数であり；
−Ｒは、独立して、ヌクレオシド間結合基によってジェミナルヌクレオシドに結合されたいずれかのリボヌクレオシドであるか、またはＲは不在であり、かつ；
−Ｖ、Ｓ、Ｗ、Ｚ、ＤおよびＱのうちの１つ以上は、１つ以上のＬＮＡモノマーを含む）を製造する方法であって、
請求項２に記載の化合物に従うオリゴマーを、請求項３に記載の化合物に従うオリゴマーと、約０．５−１．０から約１．０−０．５のモル比で混合する工程と、前記第１のオリゴマーおよび前記第２のオリゴマーをアニールして二本鎖化合物を形成する工程とを含む方法。
【請求項５】
Ｓがイノシンであり、Ｄがシトシンである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項６】
請求項５に記載の化合物、ポリ−Ｌ−リジンおよびカルボキシメチルセルロースを含む組成物。
【請求項７】
請求項５に記載の化合物および免疫原を含む組成物。
【請求項８】
次式の化合物
【化３】
2010519915.tif 000003
【化４】
2010519915.tif 000004
【化５】
2010519915.tif 000005
または、
【化６】
2010519915.tif 000006
（式中、
−ＥLNAは、ＣｐＧまたはＣｐＧモチーフであり、ここで前記ＣｐＧまたは前記ＣｐＧモチーフを含むヌクレオシド、Ｃ、Ｇのうちの１つ以上はＬＮＡであり；
−ＦLNAは、ＣｐＧまたはＣｐＧモチーフであり、ここで前記ＣｐＧまたは前記ＣｐＧモチーフを含むヌクレオシド、Ｃ、Ｇのうちの１つ以上はＬＮＡであり；
−ｍは１〜５００のいずれかの整数、またはそれらの間のいずれかの量であり；
−Ｓは、イノシン、イノシンアナログヌクレオシド、アデニンまたはアデニンアナログヌクレオシドであり；
−Ｄは、シトシン、シトシンアナログヌクレオシド、ウラシルまたはウラシルアナログヌクレオシドであり；
−ｋ1、ｋ2、ｋ3およびｋ4は、独立して、０〜１０を含めたいずれかの整数、またはそれらの間のいずれかの整数であり；
−Ｒは、独立して、ヌクレオシド間結合によって結合されたいずれかのリボヌクレオシドである。）。
【請求項９】
Ｓがイノシンであり、Ｄがシトシンである、請求項８に記載の式ＶＩａ、ＶＩｂ、ＶＩｃまたはＶＩｄに従う化合物。
【請求項１０】
請求項９に記載の化合物および免疫原を含む組成物。
【請求項１１】
１〜５００のイノシン、シトシン、またはイノシンリボヌクレオチドおよびシトシンリボヌクレオチドの組合せ、ならびに１〜１０のロックされた核酸残基を含む第１の一本鎖ヌクレオチドポリマーと；
１〜５００のイノシン、シトシン、またはイノシンリボヌクレオチドおよびシトシンリボヌクレオチドの組合せ、ならびに１〜１０のロックされた核酸残基を含む第２の一本鎖ヌクレオチドポリマーとを含み；
前記第１の一本鎖ヌクレオチドポリマーおよび前記第２の一本鎖ヌクレオチドポリマーが水素結合して二本鎖核酸を形成し、前記二本鎖核酸が二本鎖ポリＩＣ領域およびロックされた核酸残基を含む二本鎖領域を含むことを特徴とする化合物。
【請求項１２】
１〜５００のイノシン、シトシン、またはイノシンリボヌクレオチドおよびシトシンリボヌクレオチドの組合せ、ならびに配列番号：２３に従う核酸配列を含む第１の一本鎖ヌクレオチドポリマーと；
１〜５００のイノシン、シトシン、またはイノシンリボヌクレオチドおよびシトシンリボヌクレオチドの組合せ、ならびに配列番号：２４に従う核酸配列を含む第２の一本鎖ヌクレオチドポリマーとを含み；
前記第１の一本鎖ヌクレオチドポリマーおよび前記第２の一本鎖ヌクレオチドポリマーが水素結合して二本鎖核酸を形成し、前記二本鎖核酸が二本鎖ポリＩＣ領域およびロックされた核酸残基を含む二本鎖領域を含むことを特徴とする化合物。
【請求項１３】
請求項１１に記載の化合物を含むアジュバント組成物。
【請求項１４】
請求項１２に記載の化合物を含むアジュバント組成物。
【請求項１５】
請求項１２に記載の化合物を含む、ＴＬＲ３およびＴＬＲ９のアゴニスト。