【事件の表示】
　特願２０００−５３８３４８「集積されたマイクロ光学システム」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　９月３０日国際公開、ＷＯ９９／４９４５５、平成１５年　８月１９日国内公表、特表２００３−５２４８４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１１年３月２６日（パリ条約に基づく優先権主張外国受理　平成１０年３月２６日　平成１１年３月２６日　米国（ＵＳ））を国際出願日とする特許出願であって、平成２０年１０月２１日付け拒絶理由通知に対する応答時、平成２１年４月２８日付けで手続補正がなされ、同年６月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１０月９日付けで拒絶査定不服審判請求及び手続補正がなされたものである。
　なおその後、平成２２年１１月３０日付けで審尋がなされたが、請求人からは回答がなされなかった。 
 　 
２．平成２１年１０月９日付けの手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２１年１０月９日付けの手続補正を却下する。 
［理　由］ 
（１）補正後の本願発明 
　平成２１年１０月９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により、本件補正前の特許請求の範囲の請求項２ないし２３、２５ないし３０は削除され、また、本件補正後の特許請求の範囲の請求項２については、 
本件補正前には、
「【請求項２４】　互いに接着された１より多くのウエハから形成されたダイを含む集積されたマイクロ光学装置であって、
　各ウエハが表面と底面とを有し、接着されたウエハが複数のダイを生じるように切断され、少なくとも２つの光学エレメントが各ダイの夫々の面上に形成され、該少なくとも２つの光学エレメントの少なくとも１つが屈折エレメントであり、結果として各ダイの光学システムが少なくとも０．６の開口数を有する集積されたマイクロ光学装置。」
とあったものが、
「【請求項２】　互いに接着された１より多くの
透明の
　各ウエハが表面と底面とを有し、接着されたウエハが複数のダイを生じるように切断され、少なくとも２つの光学エレメントが各ダイの夫々の面上に形成され、該少なくとも２つの光学エレメントの少なくとも１つが屈折エレメントであり、結果として各ダイの光学システムが少なくとも０．６の開口数を有する集積されたマイクロ光学装置。」 
と補正された。 
　上記補正は、 本件補正前の請求項２４に記載された発明を特定するために必要な事項である「ウエハ」について、「透明の」ものであるとの限定を付加するものである。 
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除、及び第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　
　そこで、本件補正後の上記請求項２に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか）否かについて以下に検討する。 
 　 
（２）引用例
（２−１）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平６−２５１４１０号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。 
　ア．「【請求項２】　
半導体レーザおよび光検出器を半導体レーザのレーザ光出射面と光検出器の受光面を同方向に向けてバッファ層を介して同一基板上に形成し、前記レーザ光出射面と受光面の下部の基板に開口部を形成し、さらに該開口部を第１透明層で充填し、その第１透明層の下面に回折格子を形成し、前記第１透明層の下部に第２透明層を積層し、その第２透明層の下面にグレーティングレンズまたは屈折率分布レンズまたは凸レンズによる集光レンズを形成し
光ヘッド
　 
　イ．「【００２５】図５に、光ヘッド１０１の製造方法を例示する。
(ａ)ｎ−ＧaＡs基板２の下面に、ｎ−ＡlＧaＡs バッファ層４７を成長させ、その下面に補強用ガラス基板１１を密着させ、その上面にＡｌ電極１２を蒸着する。
(ｂ)Ａｌ電極１２およびｎ−ＧaＡs基板２をエッチングして、レーザ光出射用の穴２ｂを加工する。
(ｃ)Ａｌ電極１２およびｎ−ＧaＡs基板２の上に、
プラズマＣＶＤ，スパッタリングなどの方法で、第１ガラス層３を堆積させ
【００２６】(ｄ)第１ガラス層３の上面にフォトマスク露光プロセスにより回折格子４を作製する。すなわち、第１ガラス層３の上面にフォトレジストを塗布し，乾燥し，回折格子パターンを露光し，現像し，イオンビーム加工などにより回折格子４を作製する。
(ｅ)
第１ガラス層３の上に、屈折率の異なる第２ガラス層５をプラズマＣＶＤ，スパッタリングなどの方法で積層し
(ｆ)補強用ガラス基板１１を除去し、バッファ層４７の下面に面発光レーザ１およびフォトダイオード７，７を作製する。」 
　 
　ウ．「【００３１】−第２実施例−
図１０は、本発明の第２実施例の光ヘッド１０２の構成断面図である。この光ヘッド１０２は、図１の光ヘッド１０１における集光レンズ６がグレーティングレンズであったのに対して、凸レンズを用いたものである
　 
　エ．「【００３４】−第５実施例−
図１４は、本発明の第５実施例の光ヘッド１０５の構成断面図である。この光ヘッド１０５は、上記第１実施例から第３実施例の光ヘッド１０１，１０２，１０３の底面に、酸化ジルコニウム等のセラミック材料製のスライダ底補強層１３を形成し、且つ、全体を浮上スライダ形状に加工したものである。浮上スライダを製膜プロセスによって光ヘッドと一体に成形するため、スライダ底面に対する光ヘッドの位置決め調整が不要となる。
【００３５】光ヘッド１０５の浮上量は、光ヘッド１０５の形状や光記録媒体Ｒの線速度に依存するが、例えば２６μｍ以下である。浮上量変動量は、定常トラッキング状態で浮上量の約１０％であるから、浮上量２６μｍに対し、約２．６μｍである。集光レンズ６の焦点深度は、λ／ＮＡ2 で近似されるから、λ＝０．７８μｍ，
ＮＡ＝０．５５
　 
　特に図１０に示される第２実施例に係るものに着目し、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 
「半導体レーザおよび光検出器を半導体レーザのレーザ光出射面と光検出器の受光面を同方向に向けてバッファ層を介して同一基板上に形成し、前記レーザ光出射面と受光面の下部の基板に開口部を形成し、さらに該開口部をプラズマＣＶＤ，スパッタリングなどにより第１透明層で充填し、その第１透明層の下面に回折格子を形成し、前記第１透明層の下部にプラズマＣＶＤ，スパッタリングなどにより第２透明層を積層し、その第２透明層の下面に凸レンズによる集光レンズを形成した光ヘッド。」 
　 
（２−２）引用例２
　同じく原査定の拒絶の理由に引用された特開平５−２９０４０２号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。
　「【００２１】図２、図３は、本発明の第２実施例を示したものである。第１実施例と対応する箇所には同一符号を付した（以下の実施例についても同様）。このうち図２は全体概要図であり、図３は分解斜視図である。半導体レーザ１は、出射光の発光点２に近い方の面３、つまり成長層側の面が第１のプレート１６の下面１７上に形成された電極（図示していない）上にマウントされている。シリコン基板６は、中央位置に開口部１８がエッチングにより形成され、半導体レーザ１の出射光が入射する傾斜面７は、シリコン基板６の（１１１）の結晶面であり、そこに金の反射コートが施されている。
【００２２】また、開口部１８のＸ（＋）側、Ｙ（＋）側２方向の稜線８に、半導体レーザ１の側面を当接させることにより、シリコン基板６に対する半導体レーザ１の位置決めをしている。また、シリコン基板６上には５つの光検出器１９、２０、２１、２２、２３が形成されている。これら光検出器のうち、光検出器１９、２０はシリコン基板６の傾斜面７のＹ方向両側に位置し、受光面を各々Ｘ方向に３分割形成している。また、光検出器２１、２２は前記傾斜面７のＸ（＋）側に位置し、このうち光検出器２１は受光面をＹ方向に２分割形成されている。また、光検出器２３は半導体レーザ１のＸ（−）側に位置している。
【００２３】次に、
シリコン基板６の上面２４には、ガラスの平行平板状の第１のプレート１６、さらに第２のプレート２５、さらに第３のプレート２６が順次積層され接合されている。また、第１のプレート１６と第２のプレート２５の接合面には、一部のみがハーフミラー２７となるようにコーティングが施され、その他の面は全透過面となるように形成されている。さらに、第２のプレート２５の下面２８には、凹部２９が形成されこの凹部２９に偏光分離用の第１のホログラム３０が形成されている
【００２４】次に、
第２のプレート２５の上面にも凹部３２が形成され、この凹部３２に第２のホログラム３３及び球面状の凹面３４が形成されている
第３のプレート２６の上面には、円形の凹部３６が形成され、この凹部３６に第３のホログラム３７が形成されている
【００２５】なお、
第２のプレート２５、第３のプレート２６の凹部２９、３２、３６、及び第２のホログラム３３、第３のホログラム３７、及び凹面３４はプレス成形により一体形成されている。
また、シリコン基板６と第１のプレート１６、第２のプレート２５、第３のプレート２６は、各々複数個分の大きなプレート状のものを各々接合した後、同時に４角をカットして複数個のレーザユニットを同時に製造する
　
（３）対比 
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比すると、 
　ア．引用発明における「回折格子」及び「凸レンズによる集光レンズ」は、本願補正発明における「少なくとも２つの光学エレメント」に相当し、その中でも引用発明における「凸レンズによる集光レンズ」は、本願補正発明における「屈折エレメント」に相当する。
　
　イ．引用発明における「・・さらに該開口部をプラズマＣＶＤ，スパッタリングなどにより第１透明層で充填し、その第１透明層の下面に回折格子を形成し、前記第１透明層の下部にプラズマＣＶＤ，スパッタリングなどにより第２透明層を積層し、その第２透明層の下面に凸レンズによる集光レンズを形成した光学ヘッド」によれば、
　引用発明における「第１透明層」及び「第２透明層」は、互いに積層され、いずれも表面と底面とを有することは明らかであって、そのそれぞれの底面（下面）上に回折格子や凸レンズといった光学エレメントが形成されるものである点において、本願補正発明における「透明のウエハ」と共通する。
　また、引用発明における「凸レンズによる集光レンズ」をはじめとする光学素子全体が、本願補正発明における「光学システム」に相当し、当然、所定の開口数を有するものである。
　さらに、引用発明における「光学ヘッド」は、回折格子や凸レンズといった複数の光学エレメントなどが積層されることによって集積・小型化された構造体を含むものであり、本願補正発明における「集積されたマイクロ光学装置」に相当するといえる。
　
　ウ．以上のことからすると、結局、本願補正発明と引用発明とは「互いに［積層］された１より多くの［透明層］から形成された［構造体］を含む集積されたマイクロ光学装置であって、各［透明層］が表面と底面とを有し、少なくとも２つの光学エレメントが［構造体］の夫々の面上に形成され、該少なくとも２つの光学エレメントの少なくとも１つが屈折エレメントであり、結果として［構造体］の光学システムが［所定］の開口数を有する集積されたマイクロ光学装置。」である点で共通するということができる。
　
　よって、本願補正発明と引用発明とは、 
「互いに［積層］された１より多くの［透明層］から形成された［構造体］を含む集積されたマイクロ光学装置であって、
　各［透明層］が表面と底面とを有し、少なくとも２つの光学エレメントが［構造体］の夫々の面上に形成され、該少なくとも２つの光学エレメントの少なくとも１つが屈折エレメントであり、結果として［構造体］の光学システムが［所定］の開口数を有する集積されたマイクロ光学装置。」 
である点で一致し、以下の点で相違する。 
〔相違点１〕
　夫々の面上に光学エレメントが形成され、互いに積層された１より多くの［透明層］及び［構造体］について、本願補正発明では「互いに接着されたウエハが複数のダイを生じるように切断され」て形成されたものであるのに対し、引用発明ではプラズマＣＶＤ，スパッタリングなどにより順次積層形成されたものである点。
　
〔相違点２〕
　光学システムが有する開口数について、本願補正発明では「少なくとも０．６」と特定するのに対し、引用発明では特定がない点。
　
（４）判断 
　上記相違点について検討する。 
〔相違点１〕について 
　引用発明の光学ヘッドにあっても集積構造の小さな素子であり、このような素子を作製する場合には、２次元配列状に複数の素子を一括して形成し、これを切り出して個々の素子を得るようにすることは技術的常套手段といえるものであることを考慮すると、結局かかる相違点は、夫々の面上に光学エレメントが形成された透明層の積層構造体を、本願補正発明では、まず予め、夫々の面上に光学エレメントが形成された透明層を個別に作成しておき、次いで、その個別に作成された透明層（すなわちウエハ）を接着するようにして得るものであるのに対し、引用発明では、膜形成技術などを用いて透明層を順次積層形成する毎にその面上に光学エレメントを形成していくものであるという製造上の違いであるといえる。しかしながら、引用例２には、引用発明の光ヘッドと同様、夫々の面上に光学エレメントが形成された複数の透明層を互いに積層した積層構造体を備える光ヘッドであって、該積層構造体を、まず予め、夫々の面上に光学エレメントが形成された透明層であるプレートを個別に形成しておき、次いで、その個別に作成されたプレートを接合することにより得ることが記載されており〔なお、この引用例２には、複数の素子（ユニット）を一括して配列形成し、これを切り出して個々の素子（ユニット）を得る点についても記載されている〕、引用発明においても、この引用例２に記載の積層構造体の製造に関する手法を採用し、夫々の面上に光学エレメントが形成され、互いに積層された１より多くの透明層を、プラズマＣＶＤ，スパッタリングなどにより順次積層形成されたものとすることに代えて、互いに接着されたウエハが複数のダイを生じるように切断されて形成されたものとすることは当業者であれば容易になし得ることである。
　
　なお、請求人は審判請求書において、「引用文献１は、プラズマＣＶＤ法や樹脂の充填により形成したガラス層を用いるものであり、複数の透明な（板状の）ウエハを用いる本願発明とは構造が異なる。従って、例え引用文献２（特開平０５−２９０４０２号公報）等に、ウエハを張り合わす内容が記載されていても、これを引用文献１の第１ガラス層３や第２ガラス層５に置き換えることは構造上不可能であり、これらの記載から、磁気光学ヘッドをウエハレベルで作製することに想到することはできない。特に、引用文献１は、基板２に開口部が設けられ、例えば樹脂状のガラスをその開口部に充填するものであり、かかる樹脂状のガラスをウエハで置き換えることは不可能である。」旨主張している。しかしながら、原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第９６／２７８８０号に記載（第１図を参照）された、引用発明の光ヘッドと同様の、夫々の面上に光学エレメントが形成された複数の透明層を互いに積層してなる積層型近接場光ヘッドに見られるように、基板の開口部には別途の充填層で充填しておき、残りの、夫々の面上に光学エレメントが形成され互いに積層された複数の透明層につき、引用例２に記載の上記技術事項を採用すればよいのであり、引用発明に対して、引用例２に記載の技術事項を適用することが技術的に不可能とまでいえるものではなく、したがって技術的阻害要因があるものではない。
　
〔相違点２〕について 
　光学ヘッドにおいて、対物レンズ系の開口数はきわめて基本的なパラメータであり、当該開口数を具体的にどの程度に定めるかは当業者にとって設計的事項であるところ、引用例１においては、「ＮＡ＝０．５５」の例示（上記「（２−１）エ．参照」）がなされているが、より高い記録密度とするために開口数を大きくすることは技術常識であって、例えばＤＶＤ光学系では開口数（ＮＡ）０．６と規格されており、また上記の国際公開第９６／２７８８０号には合成のＮＡを０．９１とすることが記載（特に、７頁下から８行目を参照）されているように、開口数を「少なくとも０．６」とすることは当業者が適宜なし得ることである。
　
　そして、上記各相違点を総合的に判断しても本願補正発明が奏する効果は、引用発明及び引用例２に記載の技術事項から、当業者が十分に予測できたものであって、格別顕著なものがあるとはいえない。 
　 
（５）むすび 
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明及び引用例２に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
 　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
３．本願発明について 
　平成２１年１０月９日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項２４に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２１年４月２８日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項２４に記載された、次のとおりのものである。 
「【請求項２４】　互いに接着された１より多くのウエハから形成されたダイを含む集積されたマイクロ光学装置であって、
　各ウエハが表面と底面とを有し、接着されたウエハが複数のダイを生じるように切断され、少なくとも２つの光学エレメントが各ダイの夫々の面上に形成され、該少なくとも２つの光学エレメントの少なくとも１つが屈折エレ
メントであり、結果として各ダイの光学システムが少なくとも０．６の開口数を有する集積されたマイクロ光学装置。」
 　 
１．引用例 
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。 
 　 
２．対比・判断 
　本願発明は、前記「２．」で検討した本願補正発明の発明特定事項である「ウエハ」について、「透明の」ものであるとの限定を省いたものに相当する。 
 　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、更に他の限定事項を付加したものに相当する本願補正発明が前記「２．（４）」に記載したとおり、引用発明及び引用例２に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び引用例２に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
 　 
（３）むすび 
　以上のとおり、本願の請求項２４に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。