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【手続補正書】
【提出日】平成23年10月14日(2011.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）流体；及び
（ｂ）多価金属イオンを含み、約１０ミクロン以下の平均粒径を有する表面変性無機粒子；
を含む表面変性無機粒子の分散液。
【請求項２】
平均粒径が約５ミクロン未満である、請求項１に記載の分散液。
【請求項３】
平均粒径が約１ミクロン未満である、請求項１に記載の分散液。
【請求項４】
多価金属イオンが、カルシウム、亜鉛、コバルト、鉛、ストロンチウム、リチウム、バリウム、マグネシウム、マンガン、セリウム、アルミニウム、又はこれらの混合物を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の分散液。
【請求項５】
多価金属イオンが、カルシウム、マグネシウム、亜鉛、マンガン、セリウム、又はこれらの混合物を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の分散液。
【請求項６】
無機酸化物が、シリカ、シリケート、アルミナ、アルミノシリケート、チタニア、ジルコニア、セリア、又はこれらの混合物を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の分散液。
【請求項７】
無機酸化物が、ゲル状、コロイド状、沈殿状、ヒューム状、又はこれらの混合物である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の分散液。
【請求項８】
流体が、水、錯化剤、バインダー、フィルム形成剤、殺バクテリア剤、又はポリマーを含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の分散液。
【請求項９】
錯化剤が酸性又は塩基性物質を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の分散液。
【請求項１０】
錯化剤が、亜リン酸、リン酸、トリ及びポリリン酸、有機ホスホン酸、又はこれらの混合物を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の分散液。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の分散液を含む被覆。
【請求項１２】
（ａ）錯化剤を含む流体；及び
（ｂ）多価金属イオンを含む表面変性無機粒子；
を含む表面変性無機粒子の分散液。
【請求項１３】
平均粒径が約１０ミクロン未満である、請求項１２に記載の分散液。
【請求項１４】
平均粒径が約５ミクロン未満である、請求項１２に記載の分散液。
【請求項１５】
多価金属イオンが、カルシウム、亜鉛、コバルト、鉛、ストロンチウム、リチウム、バリウム、マグネシウム、マンガン、セリウム、又はこれらの混合物を含む、請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の分散液。
【請求項１６】
多価金属イオンが、カルシウム、マグネシウム、マンガン、亜鉛、セリウム、又はこれらの混合物を含む、請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の分散液。
【請求項１７】
無機酸化物が、シリカ、シリケート、アルミナ、アルミノシリケート、チタニア、ジルコニア、セリア、又はこれらの混合物を含む、請求項１２〜１６のいずれか１項に記載の分散液。
【請求項１８】
無機酸化物が、ゲル状、コロイド状、沈殿状、ヒューム状、又はこれらの混合物である、請求項１２〜１７のいずれか１項に記載の分散液。
【請求項１９】
流体が、水、錯化剤、バインダー、フィルム形成剤、殺バクテリア剤、又はポリマーを含む、請求項１２〜１８のいずれか１項に記載の分散液。
【請求項２０】
錯化剤が、亜リン酸、リン酸、トリ及びポリリン酸、有機ホスホン酸、又はこれらの混合物を含む、請求項１２〜１９のいずれか１項に記載の分散液。
【請求項２１】
請求項１２〜２０のいずれか１項に記載の分散液を含む被覆。
【請求項２２】
錯化剤の存在下において分散液を粉砕するプロセスによって製造される、請求項１２〜２０のいずれか１項に記載の分散液。
【請求項２３】
（ａ）表面変性無機粒子を、錯化剤を含む流体と混合し；そして
（ｂ）無機粒子を粉砕し、ここで無機酸化物粒子は多価金属イオンによって表面変性されている；
ことを含む、表面変性無機粒子の分散液の製造方法。
【請求項２４】
表面変性無機酸化物粒子の平均直径が約１０ミクロン未満である、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
平均粒径が約５ミクロン未満である、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
多価金属イオンが、カルシウム、亜鉛、コバルト、鉛、ストロンチウム、リチウム、バリウム、マグネシウム、マンガン、セリウム、又はこれらの混合物を含む、請求項２３〜２５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２７】
多価金属イオンが、カルシウム、マグネシウム、マンガン、亜鉛、セリウム、又はこれらの混合物を含む、請求項２３〜２５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２８】
無機酸化物が、シリカ、シリケート、アルミナ、アルミノシリケート、チタニア、ジルコニア、セリア、又はこれらの混合物を含む、請求項２３〜２７のいずれか１項に記載の方法
【請求項２９】
無機酸化物が、ゲル状、コロイド状、沈殿状、ヒューム状、又はこれらの混合物である、請求項２３〜２８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３０】
流体が、水、錯化剤、バインダー、フィルム形成剤、殺バクテリア剤、又はポリマーを含む、請求項２３〜２９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３１】
錯化剤が、亜リン酸、リン酸、トリ及びポリリン酸、有機ホスホン酸、又はこれらの混合物を含む、請求項２３〜３０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３２】
請求項２３〜３１のいずれか１項に記載の方法によって製造される無機酸化物分散液。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月21日(2011.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材に撥水性、撥油性、防汚性、汚れ除去性、耐汚染性、および染み除去性を付与する方法であって、
式１：
【化１】
2011505231.tif 000001
（式中、
Ｒfは、任意に少なくとも１個の酸素原子で中断されている炭素数約２〜約８の直鎖又は分岐鎖パーフルオロアルキル基、又はその混合であり、
Ｑは、炭素数１〜約１５のアルキレン、炭素数２〜約１５のヒドロキシアルキレン、−Ｏ（ＣnＨ2n）−、−（ＣＨ2ＣＦ2）m（ＣＨ2）n−、−ＣＯＮＲ1（ＣnＨ2n）−、−（ＣnＨ2n）ＯＣＯＮＲ1（ＣnＨ2n）−、（−ＣＯＮＲ1ＣＨ2）2ＣＨ−、−ＳＯ2Ｎ（Ｒ1）（ＣnＨ2n）−、又は−（ＣnＨ2n）ＳＯ2Ｎ（Ｒ1）（ＣnＨ2n）−であり、
各Ｒ1は、独立してＨ又は炭素数１〜約４のアルキルであり、
各ｎは、独立して１〜約１５であり、
各ｍは、独立して１〜約４であり、
Ｚは、水素又はメチルであり、
ｘは、正の整数であり、
ｙは、０又は正の整数であり、
ｔは、正の整数であり、
Ｍは、Ｈ+、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、又はアンモニウムである）の繰り返し単位を任意の配列で有する共重合体を含む組成物と基材を接触させる工程を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の組成物が塗布された基材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
表１１のデータから、本発明の実施例２７および２８は、優れた撥水性、撥油性、防汚性および汚れ除去性を付与したことが分かる。
なお、本発明は、特許請求の範囲を含め、以下の発明を包含する。
１．基材に撥水性、撥油性、防汚性、汚れ除去性、耐汚染性、および染み除去性を付与する方法であって、
式１：
【化２】
2011505231.tif 000002
（式中、
Ｒfは、任意に少なくとも１個の酸素原子で中断されている炭素数約２〜約８の直鎖又は分岐鎖パーフルオロアルキル基、又はその混合であり、
Ｑは、炭素数１〜約１５のアルキレン、炭素数２〜約１５のヒドロキシアルキレン、−Ｏ（ＣnＨ2n）−、−（ＣＨ2ＣＦ2）m（ＣＨ2）n−、−ＣＯＮＲ1（ＣnＨ2n）−、−（ＣnＨ2n）ＯＣＯＮＲ1（ＣnＨ2n）−、（−ＣＯＮＲ1ＣＨ2）2ＣＨ−、−ＳＯ2Ｎ（Ｒ1）（ＣnＨ2n）−、又は−（ＣnＨ2n）ＳＯ2Ｎ（Ｒ1）（ＣnＨ2n）−であり、
各Ｒ1は、独立してＨ又は炭素数１〜約４のアルキルであり、
各ｎは、独立して１〜約１５であり、
各ｍは、独立して１〜約４であり、
Ｚは、水素又はメチルであり、
ｘは、正の整数であり、
ｙは、０又は正の整数であり、
ｔは、正の整数であり、
Ｍは、Ｈ+、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、又はアンモニウムである）の繰り返し単位を任意の配列で有する共重合体を含む組成物と基材を接触させる工程を含む方法。
２．Ｒfが、独立してＣ6Ｆ13−、Ｃ4Ｆ9−、Ｃ3Ｆ7−、Ｃ3Ｆ7ＯＣＦ2ＣＦ2−、Ｃ3Ｆ7ＯＣＦ（ＣＦ3）−、およびＣ3Ｆ7Ｏ−（ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ）kＣＦＣＦ3）−（式中、ｋは１〜４である）からなる群から選択される、１に記載の方法。
３．Ｑが、−ＣＨ2ＣＨ2−、ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−、−Ｏ（ＣnＨ2n）−、−（ＣＨ2ＣＦ2）mＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＯＮＨＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−ＣＯＮＨＣＨ2ＣＨ2−、（−ＣＯＮＨＣＨ2）2ＣＨ−、−ＳＯ2Ｎ（ＣＨ3）ＣＨ2ＣＨ2−、および−ＳＯ2Ｎ（Ｃ2Ｈ5）ＣＨ2ＣＨ2−からなる群から選択される、１に記載の方法。
４．−［Ｒf−Ｑ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ（ＣＨ3）−ＣＨ2］x−の繰り返し単位が、前記共重合体中に約１０重量％以上の量で存在する、１に記載の方法。
５．−［ＣＨ−ＣＨ2−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−Ｃ（ＣＨ3）2ＣＨ2ＳＯ3Ｍ］z−の繰り返し単位が、前記共重合体中に約１０重量％〜約７０重量％で存在する、１に記載の方法。
６．−［ＣＨ2（Ｏ）ＣＨ−ＣＨ2−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ（ＣＨ3）−ＣＨ2］y−の繰り返し単位が、０重量％〜約１０重量％で存在する、１に記載の方法。
７．前記組成物を水性分散体又は溶液として前記基材と接触させる、１に記載の方法。
８．前記組成物を、吸尽、泡、フレックスニップ（ｆｌｅｘ−ｎｉｐ）、ニップ、パディング、キスロール、ベック（ｂｅｃｋ）、かせ、ウインス、液体注入、オーバーフローフラッド（ｏｖｅｒｆｌｏｗ  ｆｌｏｏｄ）、ロール、刷毛、ローラー、スプレー、ディッピング又は浸漬により前記基材と接触させる、１に記載の方法。
９．前記組成物が、Ａ）ノーアイロン、アイロン掛けし易さ、収縮抑制、しわ防止、パーマネントプレス、水分調節、柔軟性、強度、スリップ防止、帯電防止、スナッグ防止、ピリング防止、染みをはじく性質、染み除去性、汚れをはじく性質、汚れ除去性、撥水性、撥油性、臭気抑制、抗微生物、日焼け防止、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される、表面効果を付与する少なくとも１つの薬剤、又はＢ）界面活性剤、酸化防止剤、耐光剤（ｌｉｇｈｔ  ｆａｓｔｎｅｓｓ  ａｇｅｎｔ）、耐変色剤（ｃｏｌｏｒ  ｆａｓｔｎｅｓｓ  ａｇｅｎｔ）、水、ｐＨ調整剤、架橋剤、湿潤剤、エクステンダー、発泡剤、加工助剤、潤滑剤、ブロックイソシアネート、非フッ素化エクステンダー、又はこれらの組み合わせの少なくとも１つの存在下で塗布される、１に記載の方法。
１０．１に記載の組成物が塗布された基材。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月25日(2011.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超音波トランスデューサ及び滅菌カバーとともに使用される穿刺器具ガイドシステムであって、穿刺器具に種々の深さにある予測可能な軌道を提供する穿刺器具ガイドシステムにおいて、前記ガイドシステムは、ブラケットと、穿刺器具ガイドと、を含み、前記ブラケットは前記超音波トランスデューサ上に解放可能に取り付けられるべく構成されており、前記滅菌カバーは前記超音波トランスデューサと同超音波トランスデューサに取り付けられた前記ブラケットとを覆うように配置され、前記ブラケットは下側部を含み、前記穿刺器具ガイドは下側部を含み、前記ブラケットの下側部及び前記穿刺器具ガイドの下側部のうちの一方は凸状の突出部の形状であり、前記ブラケットの下側部及び前記穿刺器具ガイドの下側部のうちの他方は前記凸状の突出部を嵌合受承すべく凹陥部の形状であり、それにより、前記穿刺器具ガイドは、同穿刺器具ガイドを解放可能かつスナップ式に取り付けるべく嵌合状態の凸状の突出部及び凹陥部を貫通して延びる回動軸を中心に第一の回転方向に一体として回動され、前記穿刺器具ガイドは、前記滅菌カバーを同穿刺器具ガイドと前記ブラケットとの間に介挿した状態にて前記ブラケットに容易に取り付けられ、患者の身体を所望の深さまで貫通させるべく穿刺装置を受承する、予め定められた角度を有する経路を構築するように構成され、前記穿刺器具ガイドは、前記穿刺器具を患者の身体に進入した位置に残した状態にて、前記超音波トランスデューサ及び前記ニードルガイドシステムを除去可能とするように開放可能である、システム。
【請求項２】
前記穿刺ガイドは、同ガイドと前記ブラケットとの間に前記カバーを介挿した状態にて、前記ブラケットに解放可能なスナップ式にて嵌合されるように構成されている、請求項１に記載の穿刺器具ガイドシステム。
【請求項３】
前記ブラケットの前記下側部は前記凹陥部を形成し、かつ前記ガイドの下側部は凸状の突出部を形成する、請求項１に記載の穿刺器具ガイドシステム。
【請求項４】
前記ブラケットは凸面の形状である上側部を含み、かつ前記ガイドは凹陥部の形状である上側部を含み、同ガイドが前記第一の回転方向にて前記回動軸を中心として回動される際に、前記凹陥部と前記凸面とはスナップ式に嵌合される、請求項３に記載の穿刺器具ガイドシステム。
【請求項５】
前記超音波トランスデューサは主たる長手軸と、従たる横軸と、前記主たる長手軸に沿って延びる長手側部と、前記従たる横軸にそって延びる横側部と、を有し、前記ブラケットは、前記ガイドが前記超音波トランスデューサの横側部に対面して配置されるように、前記超音波トランスデューサに取り付けられる、請求項１に記載の穿刺器具ガイドシステム。
【請求項６】
前記超音波トランスデューサは主たる長手軸と、従たる横軸と、前記主たる長手軸に沿って延びる長手側部と、前記従たる横軸にそって延びる横側部と、を有し、前記ブラケットは、前記ガイドが前記超音波トランスデューサの横側部に対面して配置されるように、前記超音波トランスデューサに取り付けられる、請求項４に記載の穿刺器具ガイドシステム。
【請求項７】
前記ガイドはベース部と可動部とを含み、前記可動部は前記ベース部に回動可能に連結されており、それにより、前記可動部が回動可能に閉止位置にある場合、同可動部は同可動部と前記ベース部との間に通路を形成し、前記通路は、前記穿刺器具を受承するために予め定められた角度を有する経路を構築する、請求項１に記載の穿刺器具ガイドシステム。
【請求項８】
前記可動部は付勢され、通常は前記回動可能に閉止位置にある、請求項７に記載の穿刺器具ガイドシステム。
【請求項９】
前記システムは複数の穿刺器具ガイドを含み、前記ガイドの各々は異なる予め定められた角度を有する経路を構築し、前記穿刺器具を患者の身体内へ、それぞれ異なる深さまで進入させることを可能にする、請求項１に記載の穿刺器具ガイドシステム。
【請求項１０】
前記ガイドは複数の予め定められた角度を有する経路を構築し、各経路は、患者の身体内へそれぞれ異なる深さまで進入させるべく、前記穿刺器具を受承するように配置されている、請求項１に記載の穿刺器具ガイドシステム。
【請求項１１】
前記ガイドはベース部と可動部とを含み、前記可動部は前記ベース部に回動可能に連結されており、それにより、前記可動部が回動可能に閉止位置にある場合、同可動部は、同可動部と前記ベース部との間に複数の対応する通路を形成し、前記通路は、前記穿刺器具を受承するために予め定められた角度を有する対応する経路を構築する、請求項１０に記載の穿刺器具ガイドシステム。
【請求項１２】
前記ガイドの一つは０．５ｃｍの進入深さを形成し、前記ガイドの２番目のものは１．０ｃｍの進入深さを形成し、前記ガイドの３番目のものは１．５ｃｍの進入深さを形成し、前記ガイドの４番目のものは２．０ｃｍの進入深さを形成し、前記ガイドの５番目のものは２．５ｃｍの進入深さを形成し、前記ガイドの６番目のものは３．０ｃｍの進入深さを形成し、かつ前記ガイドの７番目のものは３．５ｃｍの進入深さを形成する、請求項９に記載の穿刺器具ガイドシステム。
【請求項１３】
前記複数の予め定められた角度を有する経路は、それぞれ、０．５ｃｍ、１．０ｃｍ、１．５ｃｍ、２．０ｃｍ及び２．５ｃｍの進入深さを形成する、請求項１０に記載の穿刺器具ガイドシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図１１において、超音波トランスデューサ１０は、本発明のものと同様に、トランスデューサに「横方向に」取り付けられたニードルガイドを示す図である。「横方向に」取り付けられるとは、画像面に対して針が選択する経路が同画像面と交差するようにニードルガイドが取り付けられることを意味し、それにより、針及び、例えば動脈内のような針が配置される患者の解剖学的構造の断面が提供される。本発明は、超音波トランスデューサ上に横方向に取り付けられるのに特に適しているが、長手方向に取り付けるように配置することもできる。長手方向に取り付けられたニードルガイドは、図１２の図にて示されている。同図に示されるように、そのような配置では、針が取り得る角度を有する経路が、トランスデューサの画像面内にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
針、又はその他の穿刺器具をその位置にてそのままの状態にして、システム１００及び同システム１００が取り付けられているトランスデューサ１０を患者から除去するために、必要なことは、回動プレートを外面１７２から回動して除去することのみであり、それにより、対応する回動プレートは、開放位置、即ち、図７及び８に示されるような対応するスロットの横方向の位置に回動する。スロットが開放すると、トランスデューサ１０及びシステム１００の組み合わせは、針をそのままの状態にして、針から横方向に摺動除去される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月29日(2011.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エチレンのオリゴマー化のための触媒組成物であって、
（ｉ）  Ｒ’がアルキル、アルケニル、アリール、アラルキルまたはシクロアルキル基であり、Ｘが塩素または臭素であり、ｍが０から４までである、一般式ＭＸm（ＯＲ’）4-mまたはＭＸm（ＯＯＣＲ’）4-mを有する少なくとも１種類の遷移金属化合物、および
（ｉｉ）  有機アルミニウム化合物と環状アミドとの反応生成物、
を有してなり、
前記環状アミドが、ｘ＝１から９である、一般構造
【化１】
2011505244.tif 000001
を有することを特徴とする触媒組成物。
【請求項２】
前記遷移金属化合物がジルコニウム化合物であることを特徴とする請求項１記載の触媒組成物。
【請求項３】
前記ジルコニウム化合物が、Ｒ2がアルキル、アルケニル、アリール、アラルキルまたはシクロアルキル基であり、ｍが、０＜ｍ≦４の範囲内の任意の数である式（Ｒ2ＣＯＯ）mＺｒＣｌ4-mを有するカルボン酸ジルコニウムであることを特徴とする請求項２記載の触媒組成物。
【請求項４】
前記有機アルミニウム化合物が、Ｒ1は、１から２０の炭素原子を有するアルキル基であり、ＸはＣｌ、ＢｒまたはＩを表し、ｎは１≦ｎ≦２の範囲内の任意の数である一般式Ｒ1nＡｌＸ3-nまたはＡｌ2Ｘ3Ｒ13を有することを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の触媒組成物。
【請求項５】
前記有機アルミニウム化合物が、Ａｌ（Ｃ2Ｈ5）3、Ａｌ2Ｃｌ3（Ｃ2Ｈ5）3、ＡｌＣｌ（Ｃ2Ｈ5）2またはそれらの混合物であることを特徴とする請求項４記載の触媒組成物。
【請求項６】
前記環状アミドが、ε−カプロラクタム、２−ピロリドン、γ−バレロラクタムおよびそれらの混合物から選択されることを特徴とする請求項１から５いずれか１項記載の触媒組成物。
【請求項７】
酢酸エチル、アセト酢酸エチル、安息香酸エチル、アニソール、テトラヒドロフラン、１，２−ジオキサン、チオフェンおよびそれらの混合物からなる群より選択される電子供与体化合物をさらに含むことを特徴とする請求項１から６いずれか１項記載の触媒組成物。
【請求項８】
前記遷移金属化合物と前記電子供与体化合物のモル比が、１：０．１から１：１０までであることを特徴とする請求項７記載の触媒組成物。
【請求項９】
前記有機アルミニウム化合物と前記環状アミドのモル比が、１：（０．１〜１）であることを特徴とする請求項１から８いずれか１項記載の触媒組成物。
【請求項１０】
有機溶媒と触媒組成物の存在下でのエチレンのオリゴマー化により直鎖状アルファオレフィンを調製するプロセスであって、前記触媒組成物が請求項１から９いずれか１項記載の触媒組成物であることを特徴とするプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月21日(2011.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラッシュメモリの寿命を保証寿命に従って延長するステップを備える方法であって、
前記寿命を延長するステップが、スペア領域を増加させるステップと、該スペア領域が前記フラッシュメモリの増加量を構成できるようにするステップとを含み、
前記スペア領域を増加させるステップが、前記フラッシュメモリ内に格納されているデータを圧縮するステップを含む方法。
【請求項２】
前記圧縮するステップが、可逆圧縮を行うステップである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記圧縮するステップが、不可逆圧縮を行うステップである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記フラッシュメモリが複数のブロックを備えており、前記スペア領域を増加させるステップが、前記複数のブロックのうちスペアブロックの個数を増加させるステップを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記複数のブロックの寿命の終わりを等化するステップをさらに含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記フラッシュメモリ内に格納されている重複データを削除することによって前記スペア領域を増加させるステップを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記フラッシュメモリが、シングルビットパーセルＮＯＲ型フラッシュメモリ、マルチビットパーセルＮＯＲ型フラッシュメモリ、シングルビットパーセルＮＡＮＤ型フラッシュメモリ、及びマルチビットパーセルＮＡＮＤ型フラッシュメモリのうちの少なくとも１つを含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
フラッシュメモリの複数のブロックの少なくとも一部に格納されたデータを圧縮するステップと、
前記フラッシュメモリの前記複数のブロックのうちスペアブロックの個数を増加させるステップであって、前記圧縮するステップを含むステップと、
前記フラッシュメモリの前記複数のブロックの寿命の終わりを等化するステップであって、前記増加させられた個数のスペアブロックの少なくとも一部を選択することを含むステップと、
前記フラッシュメモリの寿命を延長するステップであって、前記等化するステップを含むステップと、
前記フラッシュメモリの寿命を保証するステップであって、前記延長するステップを含むステップと
を含む方法。
【請求項９】
前記圧縮するステップが、可逆圧縮を行うステップである請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記圧縮するステップが、不可逆圧縮を行うステップである請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記増加させるステップが、前記フラッシュメモリ内に格納されている重複データを削除するステップを更に含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記フラッシュメモリが、シングルビットパーセルＮＯＲ型フラッシュメモリ、マルチビットパーセルＮＯＲ型フラッシュメモリ、シングルビットパーセルＮＡＮＤ型フラッシュメモリ、及びマルチビットパーセルＮＡＮＤ型フラッシュメモリのうちの少なくとも１つを含む請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
フラッシュメモリ内のスペア領域を増加させて、前記フラッシュメモリの寿命を保証寿命に従って延長する論理回路を備える装置であって、
前記スペア領域は、前記フラッシュメモリの増加量を構成することが可能であり、
前記スペア領域が、前記フラッシュメモリに格納されているデータを圧縮することによって少なくとも部分的に増加させられる、装置。
【請求項１４】
前記論理回路が、システムと前記フラッシュメモリとの間に結合される請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記圧縮が可逆圧縮である、請求項１３に記載の装置。
【請求項１６】
前記圧縮が不可逆圧縮である、請求項１３に記載の装置。
【請求項１７】
前記フラッシュメモリを更に備える請求項１３に記載の装置。
【請求項１８】
前記フラッシュメモリが、シングルビットパーセルＮＯＲ型フラッシュメモリ、マルチビットパーセルＮＯＲ型フラッシュメモリ、シングルビットパーセルＮＡＮＤ型フラッシュメモリ、及びマルチビットパーセルＮＡＮＤ型フラッシュメモリのうちの少なくとも１つを含む、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記フラッシュメモリ内のスペア領域を増加させる前記論理回路が、削除済みデータで占有されていると識別された領域を前記スペア領域に組み込むことによって少なくとも部分的に動作する、請求項１３に記載の装置。
【請求項２０】
前記フラッシュメモリ内のスペア領域を増加させる前記論理回路が、前記フラッシュメモリ内に格納されている重複データを削除することによって更に動作する、請求項１３に記載の装置。
【請求項２１】
前記スペア領域を増加させるステップが、削除済みデータで占有されていると識別された領域を前記スペア領域に組み込むステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記スペアブロックの個数に対応するスペア領域が、削除済みデータで占有されていると識別された領域を組み込むことにより増加させられる、請求項８に記載の方法。
【請求項２３】
前記スペア領域を増加させるステップが、前記フラッシュメモリ内に以前に格納されたデータを圧縮して、前記以前に格納されたデータで占有されていたブロックを前記スペア領域に組み込めるようにするステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月5日(2011.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光体を含む少なくとも一つのランプと、構成要素を備える制御装置とを収容できる電球型外部エンベロープであって、
前記発光体を収容する略球形部と、
前記略球形部から主軸に沿って延び、前記制御装置の構成要素の少なくとも一部を収容し、首部を有する細長先端部と、
開放端を有し、前記首部の内側表面部分に連結され、前記制御装置の構成要素の少なくとも残りの部分を完全に収容できる主軸方向の長さに渡って前記首部から突出し、且つ、前記首部を強化する略管状の首延長部とを含む電球型外部エンベロープ。
【請求項２】
前記略球形部及び前記細長先端部は、同一の材料又は、互いに適合する材料で形成され、
前記首延長部は、前記首部の材料と同じ材料又は、前記首部の材料に適合する材料で形成され、
前記首延長部は略円筒形又は略円錐形である、請求項１に記載の電球型外部エンベロープ。
【請求項３】
前記首部は、略円錐部分及び略円筒部分を含む、請求項１に記載の電球型外部エンベロープ。
【請求項４】
前記電球型外部エンベロープの材料はガラス又は、プラスチックであり、
前記首部は、その外側表面部分にねじ山が設けられた円筒部分を有し、
前記略球形部、及び一部の前記細長先端部は、前記細長先端部の残りの部分、前記首部、及び前記首延長部の材料とは異なる材料で形成され、前記細長先端部の残りの部分、前記首部、及び前記首延長部は、互いに適合する材料で形成される、請求項１に記載の電球型外部エンベロープ。
【請求項５】
ベースを有するランプ用の電球型ガラス製外部エンベロープの略鉛直な製造を行う方法であって、前記外部エンベロープは、主軸を有し、且つ、首部及び首延長部を含み、前記方法は、
ａ）下側に面した状態でスカート部を有する電球型エンベロープを設けるステップと、
ｂ）管状部及びフランジ部を有するフレアを設けるステップと、
ｃ）前記エンベロープの首部を火炎で加熱するステップと、
ｄ）前記主軸に略垂直で、前記フレアの前記管状部が下側に面した状態で、前記スカート部から前記首部の中に前記フレアを持ち上げるステップと、
ｅ）前記スカート部が落下して、前記エンベロープの前記首部の内側表面部分が前記フレアの前記フランジ部に溶融するまで、前記首部のガラスを溶融するステップと、
ｆ）前記首部及び前記フレアの所望の形状を形成するのに適した内面を有する成形型を、前記フレアの一部、及び前記首部の少なくとも一部を挟んで閉じるステップと、
ｇ）前記首延長部から前記エンベロープ内に気体を吹き込んで、前記エンベロープの内部を過圧状態にしながら、加熱する火炎を取り除くことによって、前記エンベロープの溶融したガラスが、前記成形型一杯に膨らみ、その後冷却されるようにするステップと、
ｈ）前記成形型を取り除くステップと、
ｉ）前記エンベロープの前記ガラスをアニールするステップとを含む。
【請求項６】
前記エンベロープの前記首部は、白熱灯における一般的な首部の壁面厚さよりも７〜９％大きい壁面厚さを有し、
前記成形型は、相互に閉じることができる少なくとも２つの部分を含み、
前記成形型は、前記首部の少なくとも一部を形成するねじ山を有する内側表面部分と、前記首延長部のセクションを形成する略円錐形の内側表面部分とを有し、
前記気体は空気である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
放電ガスが充填された放電体積を密封し、且つ、管の内面に塗布された蛍光発光体塗膜を有する少なくとも一つの放電管で形成される放電管配列を含むコンパクト形蛍光ランプであって、前記管は、連続したアーク路を形成すると共に、前記アーク路の各端部に配設される電極を更に含み、前記コンパクト形蛍光ランプは、
電極及び対応する電源に接続されて、前記管内の電流を制御する安定器回路と、
電球型外部エンベロープとを含み、前記電球型外部エンベロープは、
前記放電管配列を取り囲む略球形部と、
前記略球形部と同一の材料を含み、前記安定器回路の構成要素の少なくとも一部を取り囲む細長先端部と、
前記首部の内側表面部分に結合して前記首部から突出し、前記安定器回路の構成要素の少なくとも残りの部分を収容できる空間を提供する略管状の首延長部とを含み、
前記細長先端部は、ベースを収容して固定するのに適した外側表面が設けられた略円筒の首部を有し、前記ベースが前記首部に接続し、前記首部が前記略球形部及び前記細長先端部とは異なる材料を含む、
コンパクト形蛍光ランプ。
【請求項８】
前記放電管配列はらせん配列又は多指配列であり、
前記電球型外部エンベロープは分離線を有し、その分離線に沿って、前記エンベロープが２つのセクションに分かれることにより、前記エンベロープ内に前記放電管配列及び前記安定器回路の構成要素を配置することができ、前記２つのセクションは、後で互いに溶融される、請求項７に記載のコンパクト形蛍光ランプ。
【請求項９】
前記略円筒の首部の外側表面部分にはねじ山が設けられ、そのねじ山にベースがねじ込まれる、請求項７に記載のコンパクト形蛍光ランプ。
【請求項１０】
前記安定器回路の引き出し線は、前記首延長部から引き出され、対応する電源への接続が確実に行われるように前記ベース内で終端処理される、請求項７に記載のコンパクト形蛍光ランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月30日(2011.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子（１）を製造するための方法において、
ａ）前記発光素子（１）の主放射軸に対して垂直に延びる方向において近接場（１０１，２０１）のフィールド経過を設定するステップ、
ｂ）設定された前記近接場から、前記方向に沿って前記発光素子（１）に関する屈折率プロフィール（１１１，２１１，５１１）を計算するステップ、
ｃ）前記発光素子（１）が少なくとも部分的に事前に決定された前記屈折率プロフィール（１１１，２１１，５１１）を有する、前記発光素子（１）に関する構造を求めるステップ、
ｄ）事前に決定された前記構造に従い前記発光素子（１）を構成するステップ
を有することを特徴とする、発光素子（１）を製造するための方法。
【請求項２】
前記発光素子（１）は半導体層列を備えた半導体ボディ（２）を有し、
前記半導体層列はビームを形成するために設けられている活性領域（２１）を有し、
前記ステップｄ）において、前記半導体層列を備えた前記半導体ボディ（２）を析出し、
前記半導体層列の半導体層は少なくとも部分的に化合物半導体材料を含有し、
前記屈折率プロフィール（１１１，２１１，５１１）を、前記半導体ボディ（２）の前記半導体層列の析出方向に沿った、化合物半導体材料の組成の変更によって調整する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記近接場（１０１，２０１）の所定のフィールド経過に関して以下の比例関係が成り立つ：
ＥN（Ｚ）〜ｅｘｐ［−（ｚ／ｄ）α］
但し、αは２より大きい偶数であり、ｄは前記近接場（１０１，２０１）の所定のフィールド経過の幅に関する尺度であり、前記主放射軸はｚ軸の０点を通過して延在している、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記近接場のフィールド経過を、前記発光素子（１）の主放射軸に対して垂直に延びる別の方向に沿って設定し、
前記ステップｂ）において、前記主放射軸に対して垂直に、且つ、前記屈折率プロフィール（１１１，２１１）に対して垂直に別の屈折率プロフィール（５１１）を求め、
前記ステップｃ）において、前記発光素子（１）が事前に決定された前記別の屈折率プロフィール（５１１）を有する、前記発光素子（１）に関する構造を求める、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
発光素子において、
ビームを形成するために設けられている活性領域（２１）を有し、該活性領域（２１）は主放射軸を有し、且つ該主放射軸に対して垂直に屈折率プロフィール（１１１，２１１）を有し、
前記屈折率プロフィール（１１１，２１１）は前記主放射軸から出発して該主放射軸の少なくとも一方の側において、該主放射軸からの間隔が大きくなるに連れ最大値（２４）に向かって上昇し、
前記屈折率は前記主放射軸からの間隔が大きくなるに連れ、前記最大値（２４）から前記主放射軸の領域における屈折率よりも低い値へと低下し、前記屈折率プロフィール（１１１，２１１，５１１）は前記最大値（２４）から出発して前記主放射軸に向かう方向においては、前記主放射軸から離れる方向よりも緩慢に低下することを特徴とする、発光素子。
【請求項６】
前記屈折率プロフィールは、前記主放射軸の両側において、主放射軸からの間隔が大きくなるに連れ最大値に向かって上昇する、請求項５記載の発光素子。
【請求項７】
前記屈折率プロフィールは、前記主放射軸から出発して、連続的に最大値に向かって上昇する、請求項５または６記載の発光素子。
【請求項８】
前記屈折率プロフィール（１１１，２１１，５１１）は部分的に、偶数の指数を有する多項式からの平方根に従い成形されている、請求項５から７までのいずれか１項記載の発光素子。
【請求項９】
前記多項式は式
Ａ＋Ｂ＊ｚβ−Ｃ＊ｚγ
を有し、但し、Ａ，ＢおよびＣは正の係数であり、βおよびγは偶数の正の数であり、γ＞βである、請求項８記載の発光素子。
【請求項１０】
前記近接場は輝度分布（３００）を有し、該輝度分布（３００）には輝度経過曲線の下方に広がる最大面積（３０１）を有する矩形が対応付けられており、該最大面積（３０１）を有する矩形は前記近接場の前記輝度経過曲線の下の総面積の少なくとも５０％を占める、請求項５から９までのいずれか１項記載の発光素子。
【請求項１１】
前記近接場は輝度分布（３００）を有し、該輝度分布（３００）には輝度経過曲線の下方に広がる最大面積（３０１）を有する矩形が対応付けられており、該最大面積（３０１）を有する矩形は前記近接場の前記輝度経過曲線の下の総面積の少なくとも６０％を占める、請求項５から９までのいずれか１項記載の発光素子。
【請求項１２】
前記発光素子（１）は半導体層列を備えた半導体ボディ（２）を有し、前記活性領域（２１）は前記半導体ボディ（２）内に形成されており、前記屈折率プロフィール（１１１，２１１）は前記半導体ボディ（２）の半導体層列の主延在方向に対して垂直に延びている、請求項５から１１までのいずれか１項記載の発光素子。
【請求項１３】
前記発光素子（１）は半導体層列を備えた半導体ボディ（２）を有し、前記活性領域（２１）は前記半導体ボディ（２）内に形成されており、前記屈折率プロフィール（５１１）は前記半導体ボディ（２）の半導体層列の主延在面内に延びている、請求項５から１１までのいずれか１項記載の発光素子。
【請求項１４】
前記発光素子（１）は半導体層列を備えた半導体ボディ（２）を有し、前記活性領域（２１）は前記半導体ボディ（２）内に形成されており、前記屈折率プロフィール（１１１，２１１）は前記半導体ボディ（２）の半導体層列の主延在方向に対して垂直に延びており、別の屈折率プロフィール（５１１）が、前記半導体ボディ（２）の半導体層列の主延在面に沿って延びる横断方向において、孔（４）を用いて形成されている、請求項５から１１までのいずれか１項記載の発光素子。
【請求項１５】
ビームを形成するために設けられている別の活性領域（２７）を有し、
前記活性領域（２１）において形成されたビームおよび前記別の活性領域（２７）において形成されたビームは共通の横光学モードを有する、請求項５から１１までのいずれか１項記載の発光素子。
【請求項１６】
前記別の活性領域（２７）は前記屈折率プロフィール（１１１，２１１）に関して、前記主放射軸と該屈折率プロフィール（１１１，２１１）の最大値（２４）の位置との間に配置されている、請求項１５記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月14日(2011.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能部材がチャンバに配置されている成膜設備のための真空チャンバであって、前記チャンバはチャンバフレームを含んでおり、前記フレームには挿入プレートが機械的に取外し可能かつ気密に挿入されており、前記挿入プレートのいくつかは機能部材を担持している、そのような真空チャンバにおいて、前記チャンバフレームは一体的な金属プレートから成形されていてアームを備える少なくとも１つの底面を含んでおり、前記アームは前記底面と接合された領域で曲げられており、それによって前記アームが前記チャンバフレームのウェブを形成するようになっていることを特徴とする、真空チャンバ。
【請求項２】
前記チャンバにより包摂される容積部の表面は少なくとも４０％、好ましくは少なくとも５０％、前記挿入プレートによって区切られていることを特徴とする、請求項１に記載の真空チャンバ。
【請求項３】
前記機能部材と前記挿入プレートはフランジ接合によって、好ましくは前記挿入プレートに設けられた留め具によって、取外し可能に結合されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の真空チャンバ。
【請求項４】
前記フレームによって形成される少なくとも２つ、好ましくはそれ以上の開口部は幾何学的に実質的に同一の形状を有しており、それにより少なくとも２つ、好ましくはそれ以上の前記挿入プレートを機械的な脱着によってそれぞれの位置に関して入れ替えることができることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の真空チャンバ。
【請求項５】
前記挿入プレートは少なくとも前記フレームとの結合領域において平坦なプレートであることを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の真空チャンバ。
【請求項６】
前記フレームは実質的に１つの軸に関してｎ個の対称部分を有しており、このときｎは２よりも大きい整数であり、前記挿入プレートは前記フレームの前記対称部分のうちの１つに呼応する仕方で挿入されていることを特徴とする、請求項１から５のいずれかに記載の真空チャンバ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月25日(2011.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に隣接する少なくとも２つの発光半導体素子（１０１，１１１）と、
各発光半導体素子を少なくとも部分的にそれぞれ包囲し、各発光半導体素子から放出された光の波長領域を部分的にまたは完全に変換する変換物質を含む複数の包囲部材（１０２，１１２）と、
前記少なくとも２つの発光半導体素子のあいだに配置されて各包囲部材を光学的に分離する少なくとも１つの光学減衰素子（１０３）と
を有しており、
前記光学減衰素子は、或る発光半導体素子から別の発光半導体素子の包囲部材への光の入力または或る包囲部材から別の包囲部材への光の入力が低減されるように配置されており、
前記少なくとも２つの発光半導体素子（６０１）を保護する透光性カバー（６０２，７０２）が設けられており、前記光学減衰素子は該透光性カバーの一部として形成されている
ことを特徴とするデバイス。
【請求項２】
前記透光性カバーに射出成形されたプラスティックのボディが接合されている、請求項１記載のデバイス。
【請求項３】
前記ボディは前記透光性カバーに接着されているかまたは圧着されている、請求項２記載のデバイス。
【請求項４】
前記包囲部材を光学的に分離できる高さの少なくとも１つのケイ素条片（６０３）が設けられている、請求項１記載のデバイス。
【請求項５】
前記少なくとも１つのケイ素条片と前記透光性カバーとがアノードボンディングによって接合されている、請求項４記載のデバイス。
【請求項６】
前記透光性カバーと一体に形成された少なくとも１つの成形部（８０１）が設けられており、該成形部に不透光性のコーティングが設けられており、該成形部は各包囲部材を光学的に分離できる高さを有する、請求項１記載のデバイス。
【請求項７】
前記不透光性のコーティングはクロムを含む、請求項６記載のデバイス。
【請求項８】
相互に隣接する少なくとも２つの発光半導体素子（９０１，９１１）を設け、各発光半導体素子を少なくとも部分的にそれぞれ包囲部材（９０２，９１２）によって包囲し、該包囲部材内に前記少なくとも２つの発光半導体素子から放出された光の波長領域を部分的にまたは完全に変換する変換物質を設け、
前記少なくとも２つの発光半導体素子のあいだに、各包囲部材を光学的に分離する少なくとも１つの光学減衰素子（９０３）を、或る発光半導体素子（９０１）から別の発光半導体素子の包囲部材（９１２）への光の入力または或る包囲部材（９１２）から別の包囲部材（９０２）への光の入力が低減されるように配置し、
前記少なくとも２つの発光半導体素子に対する透光性カバー（１２２）を用意し、該透光性カバーに各包囲部材を光学的に分離する高さの少なくとも１つの光学減衰素子（１２３）を形成し、前記透光性カバーを、前記少なくとも２つの発光半導体素子のあいだに少なくとも１つの光学減衰素子が位置して各包囲部材が光学的に分離されるように配置する
ことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項９】
前記光学減衰素子を前記透光性カバーに接着する、請求項８記載のデバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記光学減衰素子を前記透光性カバーに圧着する、請求項８記載のデバイスの製造方法。
【請求項１１】
少なくとも１つの成形部を有する前記光学減衰素子を型押しする、請求項８記載のデバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記成形部を不透光性材料によってコーティングする、請求項１１記載のデバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記光学減衰素子をアノードボンディングにより前記透光性カバーに接合する、請求項８記載のデバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月30日(2011.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁放射を放出する少なくとも１つの半導体チップ（１）を備えており、かつ接続アセンブリ（２）を備えている、オプトエレクトロニクス部品のチップアセンブリであって、
−  前記接続アセンブリ（２）が、互いに電気的に絶縁されている面（３，４）を有し、
−  少なくとも２つの電気的に絶縁されている導体（９，１０）が、少なくとも２つの面（３，４）に配置されており、
−  少なくとも１つの面（３，４）が空洞（６）を有し、
−  前記半導体チップ（１）が、前記空洞（６）の中に配置されており、少なくとも２つの接続位置（７，８）を有し、
−  前記接続位置（７，８）のそれぞれが、それぞれの１つの前記導体（９，１０）に導電接続されており、
−  少なくとも一方の前記面（４）が放熱面であり、
−  少なくとも１つの第２の半導体チップ（１）が前記空洞（６）の中に設けられており、
−  前記第２の半導体チップ（１）が、同様に少なくとも２つの接続位置（７，８）を有し、
−  電気的に絶縁されている少なくとも２つのさらなる導体が、少なくとも２つの面（３，４）に配置されており、
−  前記第２の半導体チップの前記接続位置（７，８）のそれぞれが、前記さらなる導体のそれぞれの１つに導電接続されており、
−  前記面（３，４）の少なくとも１つが電気的に絶縁されるように構成されている、
チップアセンブリ。
【請求項２】
前記放熱面が分割されており、前記半導体チップ（１）のそれぞれにおいて個別に熱を最適に放散させ得るように、複数の部分が空間的に互いに隔てられている、請求項１に記載のチップアセンブリ。
【請求項３】
前記半導体チップ（１）を、前記チップアセンブリの中で、直列もしくは並列、またはその両方において相互接続することができる、請求項１または請求項２に記載のチップアセンブリ。
【請求項４】
前記チップアセンブリが光学素子（１４）を有する、請求項１から請求項３のいずれかに記載のチップアセンブリ。
【請求項５】
前記接続アセンブリが第３の面（５）を有し、前記第３の面（５）が前記光学素子（１４）の保持面として具体化されている、請求項１から請求項４のいずれかに記載のチップアセンブリ。
【請求項６】
前記導体（９，１０）が、プラグコンタクト、はんだ付けピン、圧接接続のうちの少なくとも１つの形における電気接続部（１２）に導電接続されている、請求項１から請求項５のいずれかに記載のチップアセンブリ。
【請求項７】
前記半導体チップ（１）が電気絶縁性の白金基板（１７ｂ）を有する、請求項１から請求項６のいずれかに記載のチップアセンブリ。
【請求項８】
前記放熱面（４）が、ヒートシンクであり、導電性の冷却体に直接的に熱結合することができる、請求項１から請求項７のいずれかに記載のチップアセンブリ。
【請求項９】
オプトエレクトロニクス部品の接続アセンブリであって、
−  前記接続アセンブリが、互いに電気的に絶縁されている複数の面から構築されており、
−  電気的に絶縁されている少なくとも２つの導体が少なくとも２つの面に配置されており、
−  個々の前記面がプラスチックによって封止されており、
−  前記接続アセンブリの第１の面が接続面であり、
−  前記接続アセンブリの第２の面が放熱面であり、
−  電気的に絶縁されている少なくとも２つのさらなる導体が、少なくとも２つの面（３，４）に配置されており、
−  前記面（３，４）の少なくとも１つが電気的に絶縁されるように構成されている、
接続アセンブリ。
【請求項１０】
ハウジングと、カバーと、電気接続部と、請求項９に記載の接続アセンブリと、を備えているＬＥＤであって、
前記電気接続部が前記導体に導電接続されており、少なくとも１つの半導体チップが前記空洞の中に収容されている、
ＬＥＤ。
【請求項１１】
請求項１から請求項８のいずれかに記載のチップアセンブリを製造する方法であって、
−  第１のリードフレームを形成し、前記第１のリードフレームを接続リードフレームとして具体化するステップと、
−  第２のリードフレームを形成し、前記第２のリードフレームを放熱リードフレームとして具体化するステップと、
−  前記リードフレームを射出成型法によって封止するステップと、
−  少なくとも一方のリードフレームの中に空洞を形成するステップと、
−  前記空洞の中に半導体チップを収容するステップと、
−  前記半導体チップを前記リードフレームに電気的に接続するステップと、
−  前記空洞の中で前記半導体チップをポッティングするステップと、
を含んでいる、方法。
【請求項１２】
前記熱伝導リードフレームが空間的に分割されており、これによって、半導体チップのそれぞれにおいて熱が最適に放散される、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月20日(2011.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコーン接着剤組成物であって、
（ｉ）１３〜２５重量％の、トリアルキル加水分解性シランとケイ酸アルキルとの共加水分解生成物であるシリコーン樹脂であって、該共加水分解生成物が複数のケイ素結合ヒドロキシ基を含有する、シリコーン樹脂と、
（ｉｉ）８〜２０重量％の、２５℃で２００，０００ｍｍ2／ｓを超える粘度を有する、末端ケイ素結合ヒドロキシ基を含有する直鎖オルガノポリシロキサン流体と、
（ｉｉｉ）５〜３０重量％の、２５℃で１００，０００〜６００，０００ｍｍ2／ｓの粘度を有するトリアルキルシロキシ末端化ポリオルガノシロキサン流体と、
（ｉｖ）５〜２５重量％の、１００，０００〜８，０００，０００の分子量を有するポリ（エチレンオキシド）ポリマー、５００，０００〜４，５００，０００，０００の分子量を有するアクリル酸ポリマー、及び９０，０００〜１，３００，０００，０００の分子量を有するヒドロキシエチルセルロースポリマーから成る群から選択される水溶性粘膜接着性ポリマーと、任意に
（ｖ）０〜３５重量％の、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、エステル、揮発性直鎖及び環状シリコーン化合物から成る群から選択される溶媒と、
（ｖｉ）０〜１０重量％のシリコーンポリエーテルと、
（ｖｉｉ）０〜１５重量％のシリコーンワックスと、および
（ｖｉｉｉ）０〜３５重量％の薬剤、賦形剤及び／又は活性成分
を含む、シリコーン接着剤組成物。
【請求項２】
湿潤表面に装置又は物質を接着させる方法であって、該湿潤表面にシリコーン接着剤組成物を塗布することを含み、該シリコーン接着剤組成物が、
（ｉ）１３〜２５重量％の、トリアルキル加水分解性シランとケイ酸アルキルとの共加水分解生成物であって、該共加水分解生成物が複数のケイ素結合ヒドロキシ基を含有する、共加水分解生成物と、
（ｉｉ）８〜２０重量％の、２５℃で２００，０００ｍｍ2／ｓを超える粘度を有する、末端ケイ素結合ヒドロキシ基を含有する直鎖オルガノポリシロキサン流体と、
（ｉｉｉ）５〜３０重量％の、２５℃で１００，０００〜６００，０００ｍｍ2／ｓの粘度を有するトリアルキルシロキシ末端化ポリオルガノシロキサン流体と、
（ｉｖ）５〜２５重量％の、１００，０００〜８，０００，０００の分子量を有するポリ（エチレンオキシド）ポリマー、５００，０００〜４，５００，０００，０００の分子量を有するアクリル酸ポリマー、及び９０，０００〜１，３００，０００，０００の分子量を有するヒドロキシエチルセルロースポリマーから成る群から選択される水溶性粘膜接着性ポリマーと、任意に
（ｖ）０〜３５重量％の、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、エステル、揮発性直鎖及び環状シリコーン化合物から成る群から選択される溶媒と、
（ｖｉ）０〜１０重量％のシリコーンポリエーテルと、
（ｖｉｉ）０〜１５重量％のシリコーンワックスと、および
（ｖｉｉｉ）０〜３５重量％の薬剤、賦形剤及び／又は活性成分
を含む、湿潤表面に装置又は物質を接着させる方法。
【請求項３】
前記装置が、義歯、ヘアピース、人工器官、造瘻、創傷被覆材、テープ、口腔内パッチ又は経皮パッチである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記湿潤表面が、皮膚、口腔、歯肉、鼻腔内通路の粘膜内層、消化管、膣壁及び直腸壁、並びに植物起源の湿潤構成要素である、請求項２に記載の方法。