【事件の表示】
　特許第５９７７２６７号発明「表面処理された金属粉、及びその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５９７７２６７号の明細書、特許請求の範囲を訂正請求書に添付された明細書、特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜１８〕について、訂正することを認める。 
　特許第５９７７２６７号の請求項１〜４、８〜１８に係る特許を維持する。 
　特許第５９７７２６７号の請求項５〜７に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。 
【理　由】
第１　手続の経緯 
　特許第５９７７２６７号の請求項１〜３３に係る特許についての出願は、２０１３年２月８日（優先権主張２０１２年２月８日　日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２８年７月２９日にその特許権の設定登録がされ、同年８月２４日に特許掲載公報が発行されたものである。
　そして、本件特許の請求項１〜１８に係る特許に対して、平成２９年２月２４日に、特許異議申立人高橋美穂（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがなされ、同年４月２６日付けで当審から取消理由が通知され、その指定期間内である同年６月２７日受付で特許権者から意見書の提出及び訂正の請求（以下、「本件訂正請求」といい、本件訂正請求による訂正を「本件訂正」という。）がされ、同年７月２６日付けで当審から申立人に対し通知書を送付し期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、申立人からは応答がなかった。
  
第２　本件訂正の適否について 
１　訂正の内容 
　本件訂正請求による訂正の内容は以下の（１）〜（８）のとおりである。 
（１）　訂正事項１ 
　特許請求の範囲の請求項１において、「Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｓｎのいずれか」を「Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉのいずれか」へと訂正し、「表面処理された銅粉。」を「表面処理された銅粉であって、
　Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉのいずれかがカップリング剤処理で吸着されており、加水分解したカップリング剤が銅粉に直接に吸着しており、
　カップリング剤がシラン、チタネート、アルミネートのいずれかであり、
　末端がアミノ基であるカップリング剤である、表面処理された銅粉。」へと訂正し、その結果として、請求項１を引用する請求項３〜１８も訂正する。 
  
（２）　訂正事項２ 
　特許請求の範囲の請求項２において、「Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｓｎのいずれか」を「Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉのいずれか」へと訂正し、「表面処理された銅粉。」を「表面処理された銅粉であって、
　Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉのいずれかがカップリング剤処理で吸着されており、加水分解したカップリング剤が銅粉に直接に吸着しており、
　カップリング剤がシラン、チタネート、アルミネートのいずれかであり、
　末端がアミノ基であるカップリング剤である、表面処理された銅粉。」へと訂正し、その結果として、請求項２を引用する請求項３〜１８もする。 
 
（３）　訂正事項３ 
　特許請求の範囲の請求項５を削除する。 
（４）　訂正事項４ 
　特許請求の範囲の請求項６を削除する。 
  
（５）　訂正事項５ 
　特許請求の範囲の請求項７削除する。 
  
（６）　訂正事項６ 
　特許請求の範囲の請求項８における、「請求項１〜７のいずれか」を「請求項１〜４のいずれか」へと訂正し、その結果として、請求項８を引用する請求項９〜１０も訂正する。
  
（７）　訂正事項７ 
　特許請求の範囲の請求項１１における、「請求項１〜１０のいずれか」を「請求項１〜４及び８〜１０のいずれか」へと訂正し、その結果として、請求項１１を引用する請求項１２〜１８も訂正する。
（８）　訂正事項８ 
　特許請求の範囲の請求項１２における、「請求項１〜１１のいずれか」を「請求項１〜４及び８〜１１のいずれか」へと訂正し、その結果として、請求項１２を引用する請求項１３〜１８も訂正する。
 
２　訂正の適否についての判断 
（１）　訂正の目的の適否、一群の請求項、新規事項の有無、及び、特許請求の範囲の拡張・変更の存否 
ア　訂正事項１〜２は、訂正前の請求項１または２における「Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｓｎのいずれか」との特定から「Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉのいずれか」との特定に減縮するとともに、「Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉのいずれかがカップリング剤処理で吸着されており、加水分解したカップリング剤が銅粉に直接に吸着しており、
　カップリング剤がシラン、チタネート、アルミネートのいずれかであり、
　末端がアミノ基であるカップリング剤である」という発明特定事項を追加するものであり、請求項１または２記載の発明の減縮を図るものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、この追加された発明特定事項は、訂正前の請求項５〜７に記載された事項であることから新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張、又は変更するものでもない。
イ　訂正事項３〜５は、請求項５〜７を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。さらに、請求項５〜７は、特許異議の申立てがなされていない請求項ではない。 
  
ウ　訂正事項６〜８は、訂正事項３〜５に伴い、引用請求項から請求項５〜７を削除する訂正であるから、それぞれ、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 
    
エ　そして、訂正事項１〜８は一群の請求項について適法に請求されたものである。 
  
（２）　訂正の適否についての結論 
　以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は特許法第１２０条の５第２項第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項、及び、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項〜第７項までの規定に適合するので、訂正後の請求項〔１〜１８〕について訂正を認める。 
  
第３　特許異議申立について 
１　請求項１〜４、８〜１８に係る発明 
　上記のとおり、本件訂正請求により訂正は認められるので、本件請求項１〜４、８〜１８に係る発明は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１〜４、８〜１８に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 
「　【請求項１】
　励起源をＡｌ　Ｋα、出力を２１０Ｗ、検出面積８００μｍφ、入射角・取出角を４５°とするＸＰＳのsurvey測定で、Ｎの光電子が１０００ｃｐｓ（ｃｏｕｎｔ　ｐｅｒ　ｓｅｃｏｎｄ）以上で検出され、かつＴｉ、Ａｌ、Ｓｉのいずれかの光電子が１０００ｃｐｓ以上で検出され、焼結開始温度が400℃以上である、表面処理された銅粉であって、Ｄ50が１．０μｍ以下である、表面処理された銅粉であって、
　Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉのいずれかがカップリング剤処理で吸着されており、加水分解したカップリング剤が銅粉に直接に吸着しており、
　カップリング剤がシラン、チタネート、アルミネートのいずれかであり、
　末端がアミノ基であるカップリング剤である、表面処理された銅粉。
　　【請求項２】
　励起源をＡｌ　Ｋα、出力を２１０Ｗ、検出面積８００μｍφ、入射角・取出角を４５°とするＸＰＳのsurvey測定で、表面のＮが１％以上で検出され、かつＴｉ、Ａｌ、Ｓｉのいずれか１種以上が０．６％以上で検出され、焼結開始温度が400℃以上である、表面処理された銅粉であって、Ｄ50が１．０μｍ以下である、表面処理された銅粉であって、
　Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉのいずれかがカップリング剤処理で吸着されており、加水分解したカップリング剤が銅粉に直接に吸着しており、
　カップリング剤がシラン、チタネート、アルミネートのいずれかであり、
　末端がアミノ基であるカップリング剤である、表面処理された銅粉。
　　【請求項３】
　ＸＰＳのsurvey測定で、表面のＮが１％以上で検出され、かつＳｉ、Ｔｉ又はＡｌが０．６％以上で検出される、請求項１又は２に記載の表面処理された銅粉。
　　【請求項４】
　ＸＰＳのsurvey測定で、表面のＮが１％以上で検出され、Ｎの光電子が１０００ｃｐｓ（ｃｏｕｎｔ　ｐｅｒ　ｓｅｃｏｎｄ）以上で検出され、かつＳｉ又はＴｉが０．６％以上で検出され、Ｓｉ、Ｔｉ又はＡｌの光電子が１０００ｃｐｓ以上で検出される、請求項１〜３のいずれかに記載の表面処理された銅粉。
　　【請求項５】
　（削除）
　　【請求項６】
　（削除）
　　【請求項７】
　（削除）
　　【請求項８】
　表面処理された銅粉が、シランカップリング剤で表面処理された銅粉である、請求項１〜４のいずれかに記載の表面処理された銅粉。
　　【請求項９】
　シランカップリング剤がアミノシランである、請求項８に記載の表面処理された銅粉。
　　【請求項１０】
　アミノシランが、モノアミノシラン又はジアミノシランである、請求項９に記載の表面処理された銅粉。
　　【請求項１１】
　請求項１〜４及び８〜１０のいずれかに記載の表面処理された銅粉が、さらに有機化合物で表面処理されてなる、表面処理された銅粉。
　　【請求項１２】
　請求項１〜４及び８〜１１のいずれかに記載の表面処理された銅粉を使用した導電性金属粉ペースト。
　　【請求項１３】
　請求項１２に記載のペーストを使用して製造されたチップ積層セラミックコンデンサー。
　　【請求項１４】
　内部電極断面に直径が１０ｎｍ以上のＳｉＯ2、ＴｉＯ2又はＡｌ2Ｏ3が存在している、請求項１３に記載のチップ積層セラミックコンデンサー。
　　【請求項１５】
　内部電極断面に最大径０．５μm以上のＳｉＯ2、ＴｉＯ2又はＡｌ2Ｏ3が０．５個/μｍ2以下で存在している、請求項１３又は１４に記載のチップ積層セラミックコンデンサー。
　　【請求項１６】
　請求項１３〜１５のいずれかに記載のチップ積層セラミックコンデンサーを最外層に実装した多層基板。
　　【請求項１７】
　請求項１３〜１５のいずれかに記載のチップ積層セラミックコンデンサーを内層に実装した多層基板。
　　【請求項１８】
　請求項１６又は１７に記載の多層基板を搭載した電子部品。」
２　取消理由の概要 
　訂正前の請求項１〜６、８〜１８に係る特許に対して、平成２９年４月２６日付けで特許権者に通知した取消理由の概要は以下のとおりである。 
  
　請求項１〜６、８〜１８に係る特許は、「末端がアミノ基であるカップリング剤」で処理されたという、本件特許の発明が解決すべき課題を解決するための手段が反映されておらず、発明の詳細な説明に記載されたものでないから、特許法第３６条第６項第１項の規定に違反してされたものである。
   
 ３　当審の判断 
（１）取消理由通知に記載した取消理由（特許法第３６条第６項第１号）について 
 ア　特許異議申立書の第６頁下から第３行〜第７頁第１８行に記載の理由（特許法第３６条第６項第１号違反）について
（ア）訂正前の請求項１〜請求項２の記載は、以下のとおりである。
「【請求項１】
　励起源をＡｌ　Ｋα、出力を２１０Ｗ、検出面積８００μｍφ、入射角・取出角を４５°とするＸＰＳのsurvey測定で、Ｎの光電子が１０００ｃｐｓ（ｃｏｕｎｔ　ｐｅｒ　ｓｅｃｏｎｄ）以上で検出され、かつＴｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｓｎのいずれかの光電子が１０００ｃｐｓ以上で検出され、焼結開始温度が400℃以上である、表面処理された銅粉であって、Ｄ50が１．０μｍ以下である、表面処理された銅粉。
　【請求項２】
　励起源をＡｌ　Ｋα、出力を２１０Ｗ、検出面積８００μｍφ、入射角・取出角を４５°とするＸＰＳのsurvey測定で、表面のＮが１％以上で検出され、かつＴｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｓｎのいずれか１種以上が０．６％以上で検出され、焼結開始温度が400℃以上である、表面処理された銅粉であって、Ｄ50が１．０μｍ以下である、表面処理された銅粉。」
（イ）また、本件特許公報の発明の詳細な説明【００１４】によると「チップ積層セラミックコンデンサー用電極の製造に好適に使用可能な、焼結遅延性に優れた、表面処理された銅粉、及びその製造方法を、提供すること」を解決すべき課題（以下、「課題」という。）とするものと認められる。
（ウ）ここで、本件特許公報の発明の詳細な説明の実施例において、上記課題が解決されていると認められるものは、末端にアミノ基を有するもののみであり、比較例４のようにアミノ基を有するシランカップリング剤であるものの末端にアミノ基がないシランカップリング剤である３−フェニルアミノプロピルトリメトキシシランを使用した場合は、上記課題を解決できていないことから、訂正前の請求項１及び請求項２に係る発明は、「末端がアミノ基であるカップリング剤」で処理されたという、本件特許の発明が解決すべき課題を解決するための手段が反映されておらず、発明の詳細な説明に記載されたものでないから、特許法第３６条第６項第１項の規定に違反してされたものである。
（エ）これに対し、本件訂正請求により、請求項１及び請求項２、それぞれに、訂正前の請求項７の発明特定事項であった「カップリング剤がシラン、チタネート、アルミネートのいずれかであり、末端がアミノ基であるカップリング剤である」という課題を解決するための手段を発明特定事項として備えることになったことから、上記の取消理由は解消し、特許法第３６条第６項第１号の規定に違反するものではないこととなった。 
（オ）また、本件訂正請求により請求項１又は２を引用する、３〜５、及び８〜１８の特許についても、特許法第３６条第６項第１号の規定に違反するものではない。
（２）取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
ア　特許異議申立書の第５頁第１４行〜第６頁第２５行に記載の理由（特許法第３６条第６項第１号違反）について
（ア）　訂正前の請求項１〜１８に係る特許に対して、取消理由で通知しなかった上記申立理由の概要は、次のとおりである。
　訂正前の請求項１に係る特許は、「表面処理された銅粉」であるものの、これに包含される「カップリング剤を使用しない方法で表面処理された銅粉」及び「アミノシラン以外のカップリング剤によって表面処理された銅粉」が本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載されていない。
　したがって、訂正前の請求項１に係る特許及び訂正前の請求項１を引用する訂正前の請求項２〜１８に係る特許は、発明の詳細な説明に記載されたものではなく、特許法第３６条第６項第１号の規定する要件を満たしていない。
（イ）　本件特許公報の発明の詳細な説明【００１５】には、「銅粉とアミノシラン水溶液を混合して、アミノシランを銅粉表面に吸着させることで、表面処理後の凝集がなく、焼結遅延性が劇的に向上することを見出して、本発明に到達した。」、【００２４】には、「本発明においては、銅粉を、アミノシラン水溶液と混合して、銅粉分散液を調製する工程、を行って、この銅粉分散液から、表面処理された銅粉を得ることができる。」と記載されており、「アミノシランからなるカップリング剤を用いて銅粉の表面を処理する」部分を強調して記載していると認められる。しかしながら、【００１５】には、上記摘記された部分以降に、「さらに、・・・アミノシラン以外のカップリング剤によって表面処理した場合にも、同様に優れた特性の表面処理された金属粉を得られることがわかった。」と記載されているし（当審注：「・・・」は、記載の省略を表す。）、【００５４】には、「本発明は、銅粉について上述した通り、シランカップリング剤で表面処理を行うことによって、好適に実施することができるが、シランカップリング剤以外のカップリング剤で表面処理を行うことによっても、好適に実施することができる。シランカップリング剤以外のカップリング剤としては、チタネート、アルミネートを挙げることができる。」とも記載されているので、アミノシラン以外のチタネートやアルミネートのカップリング剤を用いて銅粉の表面処理をすることによっても、本件発明の目的を達成できることが記載されている。更に、【００８９】〜【００９９】に記載される実施例１５〜１７においては、アミノ基含有の「チタネートカップリング剤ＫＲ４４」により表面処理された銅粉の態様においても、アミノシランカップリング剤を用いて表面処理された銅粉と同様に、上記課題を解決することが記載されていることから、発明の詳細な説明、全体として、課題を解決する手段として、「アミノシランからなるカップリング剤を用いて銅粉の表面を処理する」ことのみが必須なものであるとはいえない。
（ウ）　したがって、上記特許異議申立書に記載の理由により、請求項１〜４及び８〜１８に係る特許が、発明の詳細な説明に記載されたものではないということはできず、特許法第３６条第６項第１号の規定に違反するものではない。
イ　特許異議申立書の第７頁第１９行〜第８頁第１９行に記載の理由（特許法第３６条第４項第１号（委任省令要件）違反）について
（ア）　本件特許明細書の発明の詳細な説明に対して、取消理由で通知しなかった上記申立理由の概要は、次のとおりである。
　訂正前の請求項１に係る特許に関し、発明の詳細な説明【００１５】には、「アミノシラン以外のカップリング剤によって表面処理した場合にも同様に優れた特性の表面処理された金属粉が得られる」と記載されているが、【００８４】には、「十分な焼結遅延性を実現するには、シランカップリング剤としては、アミノ基を有するアミノシランであることが必要であることがわかった。」と記載されており、また、特許権者が平成２８年６月１５日付けで提出した意見書においても、【００８４】の記載と同旨の主張があることから、使用するカップリング剤の点で、発明の詳細な説明の記載内容に矛盾が生じているため、本件特許明細書の発明の詳細な説明は、銅粉においてカップリング剤を施す発明の技術上の意義を理解するために必要な事項を記載したものとはいえない。
　よって、本件特許に係る発明の詳細な説明は、銅粉に係る訂正前の請求項１〜１８に係る特許について、経済産業省令で定めるところにより記載されたものでなく、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
（イ）　上記アで示したように、本件特許公報の発明の詳細な説明には、アミノシラン以外のカップリング剤を用いて表面処理をした銅粉が、課題を解決することが発明の詳細な説明【００１５】「アミノシラン以外のカップリング剤によって表面処理した場合にも、同様に優れた特性の表面処理された金属粉を得られることがわかった。」の他に、【００５４】及び【００８９】〜【００９９】（実施例）に記載されている。そして、【００８４】の「十分な焼結遅延性を実現するためには、シランカップリング剤としては、アミノ基を有するアミノシランであることが必要であることがわかった」との記載は、本件発明においてアミノシランを使用する部分を強調して記載したものであり、また、特許権者による平成２８年６月１５日付け提出の意見書における、カップリング剤の使用に関する「引用文献１に記載のシランカップリング剤のうち、アミノシランでないものについては、本願発明において使用したとしても、焼結遅延性を期待することができないカップリング剤です。」という主張についても（但し、特許異議申立書に括弧書きで記載される特許権者の上記主張は、直接は確認できない。）、引用文献１のカップリング剤がアミノシランでないことから本件特許発明と異なることを主張するものであり、本件特許発明においてアミノシランでないカップリング剤が焼結遅延性を実現できないという主張ではないと解されることから、これらの記載が【００１５】の上記記載と、直ちに矛盾するものとは認められない。
（ウ）　したがって、上記特許異議申立書に記載の理由により、本件特許の発明の詳細な説明は、本件特許の技術上の意義を理解するために必要な事項を記載したものではないということはできず、特許法３６条第４項第１号の規定に違反するものでない。
４　むすび 
　以上のとおり、取消理由、特許異議の申立理由によっては、本件訂正請求によって訂正された請求項１〜４、８〜１８に係る特許を取り消すことはできない。 
　また、他に、本件訂正請求により訂正された請求項１〜４、８〜１８に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 
　そして、本件訂正請求により、請求項５〜７に係る特許は削除されたため、当該請求項５〜７に係る特許に対する特許異議の申立てについては、対象となる特許が存在しない。 
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２９年１０月２日（２０１７．１０．２）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　励起源をＡｌ　Ｋα、出力を２１０Ｗ、検出面積８００μｍφ、入射角・取出角を４５°とするＸＰＳのｓｕｒｖｅｙ測定で、Ｎの光電子が１０００ｃｐｓ（ｃｏｕｎｔ　ｐｅｒ　ｓｅｃｏｎｄ）以上で検出され、かつＴｉ、Ａｌ、Ｓ
ｉの
であって、
　
Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉのいずれかがカップリング剤処理で吸着されており、加水分解したカップリング剤が銅粉に直接に吸着しており、
　
カップリング剤がシラン、チタネート、アルミネートのいずれかであり、
　
末端がアミノ基であるカップリング剤である、表面処理された銅粉
　【請求項２】
　励起源をＡｌ　Ｋα、出力を２１０Ｗ、検出面積８００μｍφ、入射角・取出角を４５°とするＸＰＳのｓｕｒｖｅｙ測定で、表面のＮが１％以上で検出され、かつＴｉ、Ａｌ、Ｓ
ｉの
であって、
　
Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉのいずれかがカップリング剤処理で吸着されており、加水分解したカップリング剤が銅粉に直接に吸着しており、
　
カップリング剤がシラン、チタネート、アルミネートのいずれかであり、
　
末端がアミノ基であるカップリング剤である、表面処理された銅粉
　【請求項３】
　ＸＰＳのｓｕｒｖｅｙ測定で、表面のＮが１％以上で検出され、かつＳｉ、Ｔｉ又はＡｌが０．６％以上で検出される、請求項１又は２に記載の表面処理された銅粉。
　【請求項４】
　ＸＰＳのｓｕｒｖｅｙ測定で、表面のＮが１％以上で検出され、Ｎの光電子が１０００ｃｐｓ（ｃｏｕｎｔ　ｐｅｒ　ｓｅｃｏｎｄ）以上で検出され、かつＳｉ又はＴｉが０．６％以上で検出され、Ｓｉ、Ｔｉ又はＡｌの光電子が１０００ｃｐｓ以上で検出される、請求項１〜３のいずれかに記載の表面処理された銅粉。
　【請求項５】（削除）
　【請求項６】（削除）
　【請求項７】（削除）
　【請求項８】
　表面処理された銅粉が、シランカップリング剤で表面処理された銅粉である、請求項１〜
４
　【請求項９】
　シランカップリング剤がアミノシランである、請求項８に記載の表面処理された銅粉。
　【請求項１０】
　アミノシランが、モノアミノシラン又はジアミノシランである、請求項９に記載の表面処理された銅粉。
　【請求項１１】
　請求項１〜
４及び８〜
　【請求項１２】
　請求項１〜
４及び８〜
　【請求項１３】
　請求項１２に記載のペーストを使用して製造されたチップ積層セラミックコンデンサー。
　【請求項１４】
　内部電極断面に直径が１０ｎｍ以上のＳｉＯ２、ＴｉＯ２又はＡｌ２Ｏ３が存在している、請求項１３に記載のチップ積層セラミックコンデンサー。
　【請求項１５】
　内部電極断面に最大径０．５μｍ以上のＳｉＯ２、ＴｉＯ２又はＡｌ２Ｏ３が０．５個／μｍ２以下で存在している、請求項１３又は１４に記載のチップ積層セラミックコンデンサー。
　【請求項１６】
　請求項１３〜１５のいずれかに記載のチップ積層セラミックコンデンサーを最外層に実装した多層基板。
　【請求項１７】
　請求項１３〜１５のいずれかに記載のチップ積層セラミックコンデンサーを内層に実装した多層基板。
　【請求項１８】
　請求項１６又は１７に記載の多層基板を搭載した電子部品。
　【請求項１９】
　銅粉を、末端にアミノ基を有するカップリング剤の水溶液と混合して、銅粉分散液を調製する工程、を含む、焼結開始温度が４００℃以上である、表面処理された銅粉を製造する方法であって、
　表面処理された銅粉は、Ｄ５０が１．０μｍ以下であり、励起源をＡｌ　Ｋα、出力を２１０Ｗ、検出面積８００μｍφ、入射角・取出角を４５°とするＸＰＳのｓｕｒｖｅｙ測定で、表面のＮが１％以上で検出され、かつＴｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｓｎのいずれか１種以上が０．６％以上で検出される、表面処理された銅粉である、方法。
　【請求項２０】
　銅粉を、末端にアミノ基を有するカップリング剤の水溶液と混合して、銅粉分散液を調製する工程、を含む、銅粉を表面処理して焼結遅延させる方法であって、
　表面処理された銅粉は、Ｄ５０が１．０μｍ以下であり、励起源をＡｌ　Ｋα、出力を２１０Ｗ、検出面積８００μｍφ、入射角・取出角を４５°とするＸＰＳのｓｕｒｖｅｙ測定で、表面のＮが１％以上で検出され、かつＴｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｓｎのいずれか１種以上が０．６％以上で検出される、表面処理された銅粉である、方法。
　【請求項２１】
　銅粉分散液を撹拌する工程を含む、請求項１９〜２０のいずれかに記載の方法。
　【請求項２２】
　銅粉分散液を超音波処理する工程を含む、請求項１９〜２１のいずれかに記載の方法。
　【請求項２３】
　超音波処理する工程が、１〜１８０分間の超音波処理を行う工程である、請求項２２に記載の方法。
　【請求項２４】
　銅粉分散液をろ過して銅粉を回収する工程、
　ろ過して回収された銅粉を乾燥して、表面処理された銅粉を得る工程、
を含む、請求項１９〜２３のいずれかに記載の方法。
　【請求項２５】
　乾燥が、酸素雰囲気又は不活性雰囲気下で行われる、請求項２４に記載の方法。
　【請求項２６】
　銅粉分散液が、銅粉１ｇに対してカップリング剤０．０２５ｇ以上を含んでいる、請求項１９〜２５のいずれかに記載の方法。
　【請求項２７】
　カップリング剤水溶液が、次の式Ｉ：
　Ｈ２Ｎ−Ｒ１−Ｓｉ（ＯＲ２）２（Ｒ３）　　　　（式Ｉ）
（ただし、上記式Ｉにおいて、
Ｒ１は、直鎖状又は分枝を有する、飽和又は不飽和の、置換又は非置換の、環式又は非環式の、複素環を有する又は複素環を有しない、Ｃ１〜Ｃ１２の炭化水素の二価基であり、
　Ｒ２は、Ｃ１〜Ｃ５のアルキル基であり、
　Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ５のアルキル基、又はＣ１〜Ｃ５のアルコキシ基である。）
で表されるアミノシランの水溶液である、請求項１９〜２６のいずれかに記載の方法。
　【請求項２８】
　Ｒ１が、　−（ＣＨ２）ｎ−、−（ＣＨ２）ｎ−（ＣＨ）ｍ−（ＣＨ２）ｊ−１−、−（ＣＨ２）ｎ−（ＣＣ）−（ＣＨ２）ｎ−１−、−（ＣＨ２）ｎ−ＮＨ−（ＣＨ２）ｍ−、−（ＣＨ２）ｎ−ＮＨ−（ＣＨ２）ｍ−ＮＨ−（ＣＨ２）ｊ−、−（ＣＨ２）ｎ−１−（ＣＨ）ＮＨ２−（ＣＨ２）ｍ−１−、−（ＣＨ２）ｎ−１−（ＣＨ）ＮＨ２−（ＣＨ２）ｍ−１−ＮＨ−（ＣＨ２）ｊ−　からなる群から選択された基である（ただし、ｎ、ｍ、ｊは、１以上の整数である）、請求項２７に記載の方法。
　【請求項２９】
　カップリング剤水溶液が、次の式ＩＩ：
　（Ｈ２Ｎ−Ｒ１−Ｏ）ｐＴｉ（ＯＲ２）ｑ　　　　（式ＩＩ）
（ただし、上記式ＩＩにおいて、
Ｒ１は、直鎖状又は分枝を有する、飽和又は不飽和の、置換又は非置換の、環式又は非環式の、複素環を有する又は複素環を有しない、Ｃ１〜Ｃ１２の炭化水素の二価基であり、
　Ｒ２は、直鎖状又は分枝を有する、Ｃ１〜Ｃ５のアルキル基であり、
　ｐ及びｑは、１〜３の整数であり、ｐ＋ｑ＝４である。）
で表されるアミノ基含有チタネートの水溶液である、請求項１９〜２６のいずれかに記載の方法。
　【請求項３０】
　Ｒ１が、　−（ＣＨ２）ｎ−、−（ＣＨ２）ｎ−（ＣＨ）ｍ−（ＣＨ２）ｊ−１−、−（ＣＨ２）ｎ−（ＣＣ）−（ＣＨ２）ｎ−１−、−（ＣＨ２）ｎ−ＮＨ−（ＣＨ２）ｍ−、−（ＣＨ２）ｎ−ＮＨ−（ＣＨ２）ｍ−ＮＨ−（ＣＨ２）ｊ−、−（ＣＨ２）ｎ−１−（ＣＨ）ＮＨ２−（ＣＨ２）ｍ−１−、−（ＣＨ２）ｎ−１−（ＣＨ）ＮＨ２−（ＣＨ２）ｍ−１−ＮＨ−（ＣＨ２）ｊ−　からなる群から選択された基である（ただし、ｎ、ｍ、ｊは、１以上の整数である）、請求項２９に記載の方法。
　【請求項３１】
　銅粉が、湿式法によって製造された銅粉である、請求項１９〜３０のいずれかに記載の方法。
　【請求項３２】
　請求項１９〜３１のいずれかに記載の製造方法によって製造された表面処理された銅粉を、溶媒及び／又はバインダーと配合して、導電性金属粉ペーストを製造する方法。
　【請求項３３】
　請求項１９〜３１のいずれかに記載の製造方法によって製造された表面処理された銅粉を、溶媒及び／又はバインダーと配合して、導電性金属粉ペーストを得る工程、
　導電性金属粉ペーストを基材に塗布する工程、
　基材に塗布された導電性金属粉ペーストを加熱焼成する工程、
を含む、電極を製造する方法。