【事件の表示】
　平成　９年特許願第　９１５２０号「液晶表示装置の製造方法及びその製造方法による液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　２月１３日出願公開、特開平１０−　４１５１９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯 
　本願は、平成９年３月２７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９６年３月２６日、大韓民国）の出願であって、平成１９年１０月２４日付けで拒絶理由通知がなされ、平成２０年１月３０日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がなされ、同年２月２６日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年６月２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年７月１日付けで手続補正がなされ、その後、平成２２年４月５日付けで審尋がなされ、同年８月５日に回答書が提出されたものである。
　
第２．平成２０年７月１日付けの手続補正について
１．手続補正の内容 
　平成２０年７月１日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、同年１月３０日付けで補正された本件補正前の請求項１〜１０及び００４３段落を、本件補正後の請求項１〜９及び００４３段落とするものであって、本件補正前の請求項１〜１０及び本件補正後の請求項１〜９は、以下のとおりである。
　
（１）本件補正前の請求項１〜１０
「　【請求項１】
　基板と、
　前記基板上に互いに離間して形成されたソース及びドレインと、
　前記ソース及び前記ドレインの各上面の端部に接し、前記基板上に形成される半導体層と、
　前記ソース、前記ドレイン、及び前記半導体層を覆うように形成されるゲート絶縁層と、
　前記半導体層の上方であって、前記ゲート絶縁層上に形成されるゲート電極と、
　前記ゲート電極に接続されるゲートバス配線と、
　前記ソースに接続される信号バス配線と、
　前記ゲート電極を含む前記ゲート絶縁層上に形成される保護膜と、
　前記ドレインに接続され、前記保護膜上に形成される画素電極とを含み、
　前記画素電極は、前記ゲートバス配線及び前記信号バス配線の少なくとも一方の一部に重畳され、
　前記保護膜及び前記ゲート絶縁層は、フッ素が添加されたポリイミド、テフロン、Cytop、フルオロポリアリールエーテル、フッ素が添加されたパリレン(parylene)、PFCB及びBCBの少なくとも一つを含むことを特徴とする液晶表示装置のトランジスタ基板。
　　【請求項２】
　基板と、
　前記基板上のゲート電極、ソース、ドレイン、半導体層及びゲート絶縁層を含むトランジタと、
　前記トランジスタ上に形成される保護膜と、
　前記ゲート電極に接続されるゲートバス配線と、
　前記ソースに接続される信号バス配線と、
　前記ドレインに接続され、前記保護膜上に位置する画素電極とを含み、
　前記ゲートバス配線及び前記信号バス配線の少なくも一方は前記保護膜の下に位置し、
　前記画素電極は前記ゲートバス配線及び前記信号バス配線の少なくも一方の一部に重畳され、
　前記ゲート絶縁層及び前記保護膜は、フッ素が添加されたポリイミド、テフロン、Cytop、フルオロポリアリールエーテル、フッ素が添加されたパリレン(parylene)、PFCB及びBCB中の少なくとも一つを含むことを特徴とする液晶表示装置のトランジスタ基板。
　　【請求項３】
　前記保護膜と前記トランジスタとの間に中間層が構成されていることを特徴とする、請求項２記載のトランジスタ基板。
　　【請求項４】
　前記ゲート絶縁層と前記半導体層との間に中間層が構成されていることを特徴とする、請求項２記載のトランジスタ基板。
　　【請求項５】
　前記保護膜と前記画素電極との間に中間層が構成されていることを特徴とする、請求項２記載のトランジスタ基板。
　　【請求項６】
　基板上に互いに離間するソース及びドレインと、前記ソースと接続された信号バス配線とを形成する段階と、
　前記基板上に、前記ソース及び前記ドレインの各上面の端部に接する半導体層を形成する段階と、
　前記ソース、前記ドレイン、及び前記半導体層を覆うようにゲート絶縁層を形成する段階と、
　前記半導体層の上方であって、前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成し、前記信号バス配線と交差するゲートバス配線を形成する段階と、
　前記ゲート電極及び前記ゲートバス配線を含む前記ゲート絶縁層上に保護膜を形成する段階と、
　前記ドレインと接続され、前記保護膜上に画素電極を形成する段階とを含み、
　前記ゲート絶縁膜及び前記保護膜は、フッ素が添加されたポリイミド、テフロン、Cytop、フルオロポリアリールエーテル、フッ素が添加されたパリレン(parylene)、PFCB及びBCB中の少なくとも一つを含み、
　前記画素電極は前記ゲートバス配線及び前記信号バス配線の少なくも一方の一部に重畳するように形成することを特徴とする液晶表示装置のトランジスタ基板の製造方法。
　　【請求項７】
　前記ゲート絶縁層と前記半導体層との間に中間層を形成する段階を含むことを特徴とする、請求項６記載のトランジスタ基板の製造方法。
　　【請求項８】
　基板上にゲートバス配線及び該ゲートバス配線に接続されるゲート電極を形成する段階と、
　前記ゲートバス配線及び前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁層を形成する段階と、
　前記ゲート電極の上方であって、前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成する段階と、
　前記ゲートバス配線と交差する信号バス配線を形成し、該信号バス配線に接続されるソースと、該ソースから離間するドレインとを前記半導体層の上面の両端部にそれぞれ接するように形成する段階と、
　前記ソース及び前記ドレインを含む前記ゲート絶縁層上に保護膜を形成する段階と、
　前記ドレインに接続される画素電極を前記保護膜の上に形成する段階とを含み、
　前記ゲート電極、前記ソース、前記ドレイン、前記半導体層、及び前記ゲート絶縁層を含んでトランジスタと定義し、
　前記ゲート絶縁膜及び前記保護膜は、フッ素が添加されたポリイミド、テフロン、Cytop、フルオロポリアリールエーテル、フッ素が添加されたパリレン(parylene)、PFCB及びBCB中の少なくとも一つを含み、
　前記画素電極は前記ゲートバス配線及び前記信号バス配線の少なくも一方の一部に重畳するように形成することを特徴とする液晶表示装置のトランジスタ基板の製造方法。
　　【請求項９】
　前記保護膜と前記トランジスタとの間に中間層を形成する段階を含むことを特徴とする、請求項８記載のトランジスタ基板の製造方法。
　　【請求項１０】
　前記ゲート絶縁層と前記半導体層との間に中間層を形成する段階を含むことを特徴とする、請求項８記載のトランジスタ基板の製造方法。」 
　 
（２）本件補正後の請求項１〜９
　　　（下線部は補正箇所）　
「　　【請求項１】
　基板と、
　前記基板上に互いに離間して形成されたソース及びドレインと、
　前記ソース及び前記ドレインの各上面の端部に接し、前記基板上に形成される半導体層と、
　前記ソース、前記ドレイン、及び前記半導体層を覆うように形成されるゲート絶縁層と、
　前記半導体層の上方であって、前記ゲート絶縁層上に形成されるゲート電極と、
　前記ゲート電極に接続されるゲートバス配線と、
　前記ソースに接続される信号バス配線と、
　前記ゲート電極
及び
　前記ドレインに接続され、前記保護膜上に形成される画素電極とを含み、
　
前記基板上には、前記ソース、前記ドレイン、前記半導体層、前記ゲート絶縁層、及び前記ゲート電極を含むトランジスタが形成され、
　前記画素電極は、
前記信号バス配線と、前記トランジスタに隣接する他のトランジスタのゲート電極に接続されるゲートバス配線
　前記保護膜及び前記ゲート絶縁層は、フッ素が添加されたポリイミド、テフロン、Cytop、フルオロポリアリールエーテル、フッ素が添加されたパリレン(parylene)、PFCB及びBCBの少なくとも一つを含むことを特徴とする液晶表示装置のトランジスタ基板。
　　【請求項２】
　基板と、
　前記基板上のゲート電極、ソース、ドレイン、半導体層及びゲート絶縁層を含むトランジタと、
　前記トランジスタ上に形成される保護膜と、
　前記ゲート電極に接続されるゲートバス配線と、
　前記ソースに接続される信号バス配線と、
　前記ドレインに接続され、前記保護膜上に位置する画素電極とを含み、
　前記ゲートバス配線及び前記信号バス配線の少なくも一方は前記保護膜の下に位置し、
　前記画素電極は
、前記信号バス配線と、前記トランジスタに隣接する他のトランジスタのゲート電極に接続されるゲートバス配線
　前記ゲート絶縁層及び前記保護膜は、フッ素が添加されたポリイミド、テフロン、Cytop、フルオロポリアリールエーテル、フッ素が添加されたパリレン(parylene)、PFCB及びBCB中の少なくとも一つを含むことを特徴とする液晶表示装置のトランジスタ基板。
　　【請求項３】
　前記保護膜と前記トランジスタとの間に中間層が構成されていることを特徴とする、請求項２記載のトランジスタ基板。
　　【請求項４】
　前記ゲート絶縁層と前記半導体層との間に中間層が構成されていることを特徴とする、請求項２記載のトランジスタ基板。
　　【請求項
５
　基板上に互いに離間するソース及びドレインと、前記ソースと接続された信号バス配線とを形成する段階と、
　前記基板上に、前記ソース及び前記ドレインの各上面の端部に接する半導体層を形成する段階と、
　前記ソース、前記ドレイン、及び前記半導体層を覆うようにゲート絶縁層を形成する段階と、
　前記半導体層の上方であって、前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成し、前記信号バス配線と交差するゲートバス配線を形成する段階と、
　前記ゲート電極及び前記ゲートバス配線を含む前記ゲート絶縁層上に保護膜を形成する段階と、
　前記ドレインと接続され、前記保護膜上に画素電極を形成する段階とを含み、
　
前記ゲート電極、前記ソース、前記ドレイン、前記半導体層、及び前記ゲート絶縁層を含んでトランジスタと定義し、
　前記ゲート絶縁膜及び前記保護膜は、フッ素が添加されたポリイミド、テフロン、Cytop、フルオロポリアリールエーテル、フッ素が添加されたパリレン(parylene)、PFCB及びBCB中の少なくとも一つを含み、
　前記画素電極は
、前記信号バス配線と、前記トランジスタに隣接する他のトランジスタのゲート電極に接続されるゲートバス配線
　　【請求項
６
　前記ゲート絶縁層と前記半導体層との間に中間層を形成する段階を含むことを特徴とする、請求項
５
　　【請求項
７
　基板上にゲートバス配線及び該ゲートバス配線に接続されるゲート電極を形成する段階と、
　前記ゲートバス配線及び前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁層を形成する段階と、
　前記ゲート電極の上方であって、前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成する段階と、
　前記ゲートバス配線と交差する信号バス配線を形成し、該信号バス配線に接続されるソースと、該ソースから離間するドレインとを前記半導体層の上面の両端部にそれぞれ接するように形成する段階と、
　前記ソース及び前記ドレインを含む前記ゲート絶縁層上に保護膜を形成する段階と、
　前記ドレインに接続される画素電極を前記保護膜の上に形成する段階とを含み、
　前記ゲート電極、前記ソース、前記ドレイン、前記半導体層、及び前記ゲート絶縁層を含んでトランジスタと定義し、
　前記ゲート絶縁膜及び前記保護膜は、フッ素が添加されたポリイミド、テフロン、Cytop、フルオロポリアリールエーテル、フッ素が添加されたパリレン(parylene)、PFCB及びBCB中の少なくとも一つを含み、
　前記画素電極は
、前記信号バス配線と、前記トランジスタに隣接する他のトランジスタのゲート電極に接続されるゲートバス配線
　　【請求項
８
　前記保護膜と前記トランジスタとの間に中間層を形成する段階を含むことを特徴とする、請求項
７
　　【請求項
９
　前記ゲート絶縁層と前記半導体層との間に中間層を形成する段階を含むことを特徴とする、請求項
７
　 
２．補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると、以下のとおりとなる。
（１）補正事項１
　本件補正前の請求項１の「前記ゲート電極を含む前記ゲート絶縁層上に形成される保護膜と、」を、本件補正後の請求項１の「前記ゲート電極
及び
　
（２）補正事項２
　本件補正前の請求項１の「前記画素電極は、前記ゲートバス配線及び前記信号バス配線の少なくとも一方の一部に重畳され、」を、本件補正後の請求項１の「
前記基板上には、前記ソース、前記ドレイン、前記半導体層、前記ゲート絶縁層、及び前記ゲート電極を含むトランジスタが形成され、
　前記画素電極は、
前記信号バス配線と、前記トランジスタに隣接する他のトランジスタのゲート電極に接続されるゲートバス配線
　
（３）補正事項３
　本件補正前の請求項２の「前記画素電極は前記ゲートバス配線及び前記信号バス配線の少なくも一方の一部に重畳され、」を、本件補正後の請求項２の「前記画素電極は
、前記信号バス配線と、前記トランジスタに隣接する他のトランジスタのゲート電極に接続されるゲートバス配線
　
（４）補正事項４
　補正前の請求項５を削除すること。
　
（５）補正事項５
　上記補正事項４についての補正に伴い、補正前の請求項６ないし１０の項番を、それぞれ補正後の請求項５ないし９に補正するとともに、補正前の請求項７の「請求項６記載のトランジスタ基板の製造方法」を、補正後の請求項６の「請求項５記載のトランジスタ基板の製造方法」に補正し、補正前の請求項９の「請求項８記載のトランジスタ基板の製造方法」を、補正後の請求項８の「請求項７記載のトランジスタ基板の製造方法」に補正し、補正前の請求項１０の「請求項８記載のトランジスタ基板の製造方法」を、補正後の請求項９の「請求項７記載のトランジスタ基板の製造方法」に補正すること。
　
（６）補正事項６
　本件補正前の請求項６の「前記ゲート絶縁膜及び前記保護膜は、フッ素が添加されたポリイミド、テフロン、Cytop、フルオロポリアリールエーテル、フッ素が添加されたパリレン(parylene)、PFCB及びBCB中の少なくとも一つを含み、
　前記画素電極は前記ゲートバス配線及び前記信号バス配線の少なくも一方の一部に重畳するように形成すること」を、本件補正後の請求項５の「
前記ゲート電極、前記ソース、前記ドレイン、前記半導体層、及び前記ゲート絶縁層を含んでトランジスタと定義し、
　前記ゲート絶縁膜及び前記保護膜は、フッ素が添加されたポリイミド、テフロン、Cytop、フルオロポリアリールエーテル、フッ素が添加されたパリレン(parylene)、PFCB及びBCB中の少なくとも一つを含み、
　前記画素電極は
、前記信号バス配線と、前記トランジスタに隣接する他のトランジスタのゲート電極に接続されるゲートバス配線
　
（７）補正事項７
　本件補正前の請求項８の「前記画素電極は前記ゲートバス配線及び前記信号バス配線の少なくも一方の一部に重畳するように形成すること」を、本件補正後の請求項７の「前記画素電極は
、前記信号バス配線と、前記トランジスタに隣接する他のトランジスタのゲート電極に接続されるゲートバス配線
　
（８）補正事項８
　本件補正前の００４３段落の「【表２】」を、本件補正後の００４３段落の「【表２】
」と補正すること。
　
３．補正の目的及び新規事項の追加の有無についての検討
（１）補正事項１ないし３、６及び７について
　補正事項１ないし３、６及び７は、特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　また、補正事項１ないし３、６及び７が、本願の願書に最初に添付された明細書又は図面（以下、本願の願書に最初に添付された明細書及び図面を、各々「当初明細書」及び「当初図面」といい、これらをまとめて「当初明細書等」という。）に記載された事項の範囲内においてなされたものであることは明らかであるから、補正事項１ないし３、６及び７は、特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすものである。
　
（２）補正事項４及び５について
　補正事項４及び５についての補正は、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　
（３）補正事項８について
　補正事項８についての本件補正は、平成２０年１月３０日付けの手続補正により、誤って内容を削除してしまった当初明細書の００４３段落に記載の表を復活すべく、発明の詳細な説明を補正するものであって、補正事項８は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
（４）補正の目的及び新規事項の追加の有無についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正事項１ないし８についての補正はいずれも適法になされたものであるから、本件補正は適法になされたものである。
　
第３．本願発明について 
　本件補正は適法になされたものであるから、本願の請求項１ないし９に係る発明は、平成２０年７月１日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その明細書の特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された事項により特定されるものである。そして、そのうちの請求項２に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２．１．（２）の「補正後」の箇所に記載をした請求項２のうち、「トランジタ」と記載されている部分を「トランジスタ」の誤記とし、また、「少なくも」と記載されている部分を「少なくとも」の誤記としてそれぞれ読替えた、以下のとおりのものと認定する。
　
「基板と、
　前記基板上のゲート電極、ソース、ドレイン、半導体層及びゲート絶縁層を含むトランジスタと、
　前記トランジスタ上に形成される保護膜と、
　前記ゲート電極に接続されるゲートバス配線と、
　前記ソースに接続される信号バス配線と、
　前記ドレインに接続され、前記保護膜上に位置する画素電極とを含み、
　前記ゲートバス配線及び前記信号バス配線の少なくとも一方は前記保護膜の下に位置し、
　前記画素電極は、前記信号バス配線と、前記トランジスタに隣接する他のトランジスタのゲート電極に接続されるゲートバス配線の一部に重畳され、
　前記ゲート絶縁層及び前記保護膜は、フッ素が添加されたポリイミド、テフロン、Cytop、フルオロポリアリールエーテル、フッ素が添加されたパリレン(parylene)、PFCB及びBCB中の少なくとも一つを含むことを特徴とする液晶表示装置のトランジスタ基板。」
　
　なお、このような本願発明において、「画素電極」がその一部に重畳されるとされる「信号バス配線」は、当該「画素電極」に対応した「トランジスタ」に接続される「信号バス配線」のことを指すものと理解される。
　
第４．引用例に記載された発明
１．引用例１と引用発明
（１）本願の優先権主張日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平０４−１６３５２８号公報（以下「引用例１」という。）には、第３図ないし第６図とともに「従来の技術」として、以下の事項が記載されている。なお、下線は当合議体が付加したものである（以下同じ）。
　
「〈従来の技術〉
　
アクティブマトリクス表示装置、特に液晶を用いるアクティブマトリクス表示装置は表示コントラストが高く、表示容量に制約が少ない等の利点があるため研究開発が盛んに行なわれており、実用化も進みつつある。ところがアクティブマトリクス表示装置に用いるアクティブマトリクス基板は製造工程が複雑で歩留りが低いために、コストが高いという欠点がある。
　典型的なアクティブマトリクス基板について、その主要な部分の平面図を第３図に、その部分の断面図を第４図に示す。
このアクティブマトリクス基板は、透明絶縁性基板１と、この透明絶縁性基板１上にマトリクス状に配列された絵素電極１１と、ゲートバス配線３と、ソースバス配線７と、これら絵素電極１１、ゲートバス配線３及びソースバス配線７に接続されているスイッチング素子であるＴＦＴを有する。
　
前記透明絶縁性基板１上に形成されたＴＦＴ近傍の断面構造は、第４図に示す通りである。透明絶縁性基板１上にゲート電極２が形成され、ゲート電極２は基板１上の全面に形成されているゲート絶縁膜４によって覆われている。ゲート電極２の上方のゲート絶縁膜４上には、アモルファスシリコン（以下ではａ−Ｓｉと略称する）からなる半導体層５が形成されている。半導体層５上には両端部においてｎ
＋
型ａ−Ｓｉからなるコンタクト層（図示していない。）が形成され、コンタクト層上にはそれぞれソース電極６とドレイン電極８が形成されている。ソース電極６はドレイン電極８とは反対側の部分においてソースバス配線７に接続している。このソースバス配線７はソース電極６の上記部分と同様にゲート絶縁膜４上に形成されている。
なお、前記ゲート電極２はゲートバス配線（図示せず）に接続されている。
　このようにして形成されているＴＦＴ上には保護膜（図示せず）が形成され、更にこのようにして形成された透明絶縁性基板１上の全面には配向膜（図示せず）が形成され、この基板を配向膜、透明電極等が形成されている透明絶縁性基板（図示せず）との間に液晶層を封入することによりアクティブマトリクス液晶表示装置が形成される。
　ところが、前記のように形成されたアクティブマトリクス基板には不良の発生することがある。この不良の原因に一つにソースバス配線７と絵素電極１１との間のショートがある。これは、ソースバス配線７と絵素電極１１とは同じゲート絶縁膜４上に形成されているばかりでなく、相互の間隔が高精細にすればする程接近することが要因と考えられる。
　そこで、このソースバス配線７と絵素電極１１との間のショートを防止するためには、当該配線７と絵素電極１１とを異なる層上に形成する構造が提案される。
　第５図は、ソースバス配線と絵素電極を別の層に形成したアクティブマトリクス基板の断面図を示す。第５図において第４図と同等部分は同一符号で示す。層間絶縁膜１０は、ＴＦＴが形成されている透明絶縁性基板１のほぼ全面に形成されている。
この層間絶縁膜１０はＴＦＴのドレイン電極８の端部の中央部上面において欠如しているホールが形成されており、このホールが層間絶縁膜１０上に形成されている絵素電極１１をドレイン電極８に電気的に接続するためのコンタクトホール１２として寄与している。
　
このような構造のアクティブマトリクス基板は、ソースバス配線７と絵素電極１１はそれらの間に層間絶縁膜１０が存在する立体的構造をなしていることから、平面に投影した場合の間隔をなくすることが可能となる。この構造のアクティブマトリクス基板の平面図を第６図に示しており、この図から明らかなようにソースバス配線７と絵素電極１１が重なっている。なお、重なっている部分は第６図に斜線で示す。又、ゲートバス配線３と絵素電極が重なっている部分も斜線で示す。
　
このようなアクティブマトリクス基板は、以下のようにして製造される。まず、ガラス等の透明絶縁性の基板１の上にＴａ，Ｃｒ等から成るゲート電極２を形成する。次に、ＳｉＮｘ，ＳｉＯｘ等から成るゲート絶縁膜４，非晶質シリコン（以下ａ−Ｓｉと略す。）、多結晶シリコン，ＣｄＳｅ等から成る半導体層５を積層する。更に、Ｔｉ，Ｍｏ，Ａｌ等から成るソース電極６及びドレイン電極８を形成する。通常、オーミックコンタクトを取るために半導体層５とソース電極６及びドレイン電極８の間にリンをドープしたａ−Ｓｉ（以下ｎ
＋
−Ｓｉと略称する。）層９が設けられる。最後に、ポリイミド樹脂・アクリル樹脂等から成る有機系層間絶縁膜１０，ＩＴＯ等の透明導電膜から成る絵素電極１１を形成する
　
（２）ここにおいて、引用例１記載の「透明絶縁性の基板１」は「透明絶縁性基板１」と同義のものと認められる。
　また、引用例１の「ソース電極６はドレイン電極８とは反対側の部分においてソースバス配線７に接続している。このソースバス配線７はソース電極６の上記部分と同様にゲート絶縁膜４上に形成されている。」及び「なお、前記ゲート電極２はゲートバス配線（図示せず）に接続されている。」との第４図に関するそれぞれの記載内容は、そのまま第５図に記載された従来構造の前提となっていると解するのが自然であり、第５図に関し引用符号付きで記載された「ゲートバス配線３」は「ゲート電極２」に接続されるものと理解される。
　また、引用例１における「アクティブマトリクス表示装置、特に液晶を用いるアクティブマトリクス表示装置は表示コントラストが高く、表示容量に制約が少ない等の利点があるため研究開発が盛んに行なわれており、実用化も進みつつある。ところがアクティブマトリクス表示装置に用いるアクティブマトリクス基板は製造工程が複雑で歩留りが低いために、コストが高いという欠点がある。」との記載は、引用例１において第５図に関して記載される「アクティブマトリクス基板」が、「液晶を用いるアクティブマトリクス表示装置」の「アクティブマトリクス基板」で良いことを示唆している。
　また、引用例１における「このアクティブマトリクス基板は、透明絶縁性基板１と、この透明絶縁性基板１上にマトリクス状に配列された絵素電極１１と、ゲートバス配線３と、ソースバス配線７と、これら絵素電極１１、ゲートバス配線３及びソースバス配線７に接続されているスイッチング素子であるＴＦＴを有する。」、「前記透明絶縁性基板１上に形成されたＴＦＴ近傍の断面構造は、第４図に示す通りである。透明絶縁性基板１上にゲート電極２が形成され、ゲート電極２は基板１上の全面に形成されているゲート絶縁膜４によって覆われている。ゲート電極２の上方のゲート絶縁膜４上には、アモルファスシリコン（以下ではａ−Ｓｉと略称する）からなる半導体層５が形成されている。半導体層５上には両端部においてｎ＋型ａ−Ｓｉからなるコンタクト層（図示していない。）が形成され、コンタクト層上にはそれぞれソース電極６とドレイン電極８が形成されている。」及び「層間絶縁膜１０は、ＴＦＴが形成されている透明絶縁性基板１のほぼ全面に形成されている。」との各記載から、引用例１に記載の「ＴＦＴ」は、「透明絶縁性基板１」、「層間絶縁膜１０」、「ゲートバス配線３」、「ソースバス配線７」及び「絵素電極１１」は含まないものであると解される一方、残りの「ゲート電極２」、「ソース電極６」、「ドレイン電極８」、「半導体層５」及び「ゲート絶縁膜４」を含んで構成されるものとみるのが自然である。
　また、引用例１には「層間絶縁膜１０はＴＦＴのドレイン電極８の端部の中央部上面において欠如しているホールが形成されており、このホールが層間絶縁膜１０上に形成されている絵素電極１１をドレイン電極８に電気的に接続するためのコンタクトホール１２として寄与している。」との記載があり、これによれば、引用例１記載の「液晶を用いるアクティブマトリクス表示装置のアクティブマトリクス基板」は、「ドレイン電極８」に接続され、「層間絶縁膜１０」上に位置する「絵素電極１１」を含んでいることは明らかである。
　また、引用例１には第５図に関し、「ソースバス配線７と絵素電極１１が重なっている」及び「ゲートバス配線３と絵素電極が重なっている」との記載がなされているところ、さらに第６図を参照すると、「絵素電極１１」は、その「絵素電極１１」に対応したＴＦＴに対して接続される「ソースバス配線７」と、当該ＴＦＴに隣接する他のＴＦＴに接続される「ゲートバス配線３」の一部に重なっていることが、その図面により見て取れる。
　さらに、引用例１には第５図に関し、「このような構造のアクティブマトリクス基板は、ソースバス配線７と絵素電極１１はそれらの間に層間絶縁膜１０が存在する立体的構造をなしている」との記載があり、かつ、上記したとおり「ソースバス配線７と絵素電極１１が重なっている」及び「ゲートバス配線３と絵素電極が重なっている」との記載もなされていることからみて、引用例１の第５図及び第６図に記載された「アクティブマトリクス基板」は、「ゲートバス配線３」及び「ソースバス配線７」が「層間絶縁膜１０」の下に位置した構造であることも明らかである。
　
（３）したがって、引用例１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が開示されているものと認められる。
　
「透明絶縁性基板１と、
　前記透明絶縁性基板１上のゲート電極２、ソース電極６、ドレイン電極８、半導体層５及びゲート絶縁層４を含むＴＦＴと、
　前記ＴＦＴ上に形成される層間絶縁膜１０と、
　前記ゲート電極２に接続されるゲートバス配線３と、
　前記ソース電極６に接続されるソースバス配線７と、
　前記ドレイン電極８に接続され、前記層間絶縁膜１０上に位置する前記絵素電極１１とを含み、
　前記ゲートバス配線３及び前記ソースバス配線７は前記層間絶縁膜１０の下に位置し、
　前記絵素電極１１は、その絵素電極１１に対応するＴＦＴに接続される前記ソースバス配線７と、前記ＴＦＴに隣接する他のＴＦＴに接続されるゲートバス配線３の一部に重なることを特徴とする液晶を用いるアクティブマトリクス表示装置のアクティブマトリクス基板。」
　
２．引用例２
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開昭６３−１２１７２号公報（以下「引用例２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
「２．特許請求の範囲
　１．
ゲート絶縁膜がポリイミド前駆体薄膜あるいはポリイミド前駆体薄膜を部分的又は完全にイミド化させた薄膜であることを特徴とするアモルファスシリコン薄膜トランジスタ。
「「問題点を解決するための手段」
　
本発明は、特願昭６０−１５７，３５４に示されたポリイミド前駆体をラングミュア・ブロジェット法（ＬＢ法）により基板上に累積したポリイミド前駆体薄膜あるいは該薄膜を部分的又は完全にイミド化させた薄膜をゲート絶縁膜として使用してアモルファスシリコンＴＦＴを作成することによって、上記問題点を解決したものである。ここに採用された薄膜は２０００Å以下、好ましくは１０００Å以下でも非常にピンホールの少ない膜が得られ、絶縁破壊強度は１×１０
６
Ｖ／ｃｍ以上にすることができる。又、耐熱性の面でも一般のＬＢ膜より優れている。更に、ポリイミド前駆体の分子構造を適切に選び、累積膜を部分的あるいは完全にイミド化させることによって、２００℃以上、更には完全にイミド化させた場合には、４００℃以上の耐熱性を実現できる。
　
本発明のポリイミド薄膜を形成するための両性ポリイミド前駆体は、例えば一般式（１）：
で表される操り返し単位を存する数平均分子量が２，０００〜３００，０００のものである。
・・・（中略）・・・
　
前記のごときＲ
１
の好ましい具体例としては、たとえば、
・・・（中略）・・・
　
・・・（中略）・・・
などがあげられる。
・・・（中略）・・・
　
前記のごときＲ
２
の具体例としては、Ｒ
２
の具体例（１）
・・・（中略）・・・
　
ここではＲ
９
は
・・・（中略）・・・
・・・（中略）・・・
等であり、前記のごときＲ
２
の好ましい具体例としては、例えば、
・・・（中略）・・・
（式中、Ｒ
９
は
・・・（中略）・・・
・・・（中略）・・・　
）などがあげられる。
・・・（中略）・・・
しかしフッ素原子により疏水性は水素原子とくらべ飛躍的に改善されるので、フッ素原子を含むものを利用するのが好ましい
　
第５．本願発明と引用発明との対比
１．両発明の構成の対応関係
　引用発明の「透明絶縁性基板１」、「ゲート電極２」、「ゲート絶縁膜４」、「半導体層５」、「ソース電極６」、「ドレイン電極８」、「層間絶縁膜１０」、「絵素電極１１」、「液晶を用いるアクティブマトリクス表示装置」、「アクティブマトリクス基板」、「ＴＦＴ」、「ゲートバス配線３」、「ソースバス配線７」、「重なること」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「ゲート電極」、「ゲート絶縁膜」、「半導体層」、「ソース」、「ドレイン」、「保護膜」、「画素電極」、「液晶表示装置」、「トランジスタ基板」、「トランジスタ」、「ゲートバス配線」、「信号バス配線」、「重畳され」ることに相当する。
　また、引用発明において「前記ゲートバス配線３及び前記ソースバス配線７は前記層間絶縁膜１０の下に位置し」ていることは、本願発明において「前記ゲートバス配線及び前記信号バス配線の少なくとも一方は前記保護膜の下に位置し」ていることに相当する。
　
２．一致点及び相違点
　以上を総合すると、本願発明と引用発明とは、
　「基板と、
　前記基板上のゲート電極、ソース、ドレイン、半導体層及びゲート絶縁層を含むトランジスタと、
　前記トランジスタ上に形成される保護膜と、
　前記ゲート電極に接続されるゲートバス配線と、
　前記ソースに接続される信号バス配線と、
　前記ドレインに接続され、前記保護膜上に位置する画素電極とを含み、
　前記ゲートバス配線及び前記信号バス配線の少なくとも一方は前記保護膜の下に位置し、
　前記画素電極は、前記信号バス配線と、前記トランジスタに隣接する他のトランジスタのゲート電極に接続されるゲートバス配線の一部に重畳されることを特徴とする液晶表示装置のトランジスタ基板。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点）
　本願発明は、「前記ゲート絶縁層及び前記保護膜は、フッ素が添加されたポリイミド、テフロン、Cytop、フルオロポリアリールエーテル、フッ素が添加されたパリレン(parylene)、PFCB及びBCB中の少なくとも一つを含む」との材料を特定する構成を備えているのに対して、引用発明は、そのような構成を備えていない点。
　
第６．相違点についての当審の判断
１．ゲート絶縁層の材料特定
ア　引用例２には、「ゲート絶縁膜がポリイミド前駆体薄膜あるいはポリイミド前駆体薄膜を部分的又は完全にイミド化させた薄膜であることを特徴とするアモルファスシリコン薄膜トランジスタ」（特許請求の範囲第１項）において、そのような薄膜、すなわちポリイミド薄膜を形成するための当該ポリイミド前駆体として、一般式（１）：
で表される操り返し単位を存する数平均分子量が２，０００〜３００，０００のものが開示されるとともに、一般式（１）のＲ１の好ましい具体例の一つとして
があげられており、また、Ｒ２の好ましい具体例の一つとしては、
であって、かつ、Ｒ９が
であるものも、開示されている。
　
イ　そして、引用例２には、上記一般式（１）からなるポリイミド前駆体を用いる効果として、ゲート絶縁膜として非常にピンホールの少ない膜が得られること、絶縁破壊強度を高くすることができること、また、耐熱性に優れたものが得られることが示唆されるとともに、さらに、Ｒ１やＲ２の好ましい具体例として上に摘記をした物質のごとくフッ素原子を含む場合には、疏水性をも改善される効果が示唆されており、引用発明の「ゲート絶縁層４」においても同様の効果を期待して、引用例２に記載されるようなフッ素原子を含むポリイミド前駆体により形成されるポリイミド、すなわち、本願発明の「フッ素が添加されたポリイミド」に相当するものを採用することは、当業者が適宜なし得たものである。
　
ウ　よって、本願発明の上記相違点に係る構成のうち、「ゲート絶縁層」に関して「フッ素が添加されたポリイミド、テフロン、Cytop、フルオロポリアリールエーテル、フッ素が添加されたパリレン(parylene)、PFCB及びBCB中の少なくとも一つを含む」との構成を実現することは、引用発明及び引用例２に記載された発明に基づき、当業者が容易になしえたものである。
　
２．保護膜の材料特定
ア　本願発明の「保護膜」は、本願明細書の０００９段落に「前記保護膜２９は、その膜の下に形成されている薄膜トランジスタを保護しながら、薄膜トランジスタを液晶から電気的に絶縁する。」と記載されているとおり、絶縁性が要求されるものであって、その上に位置する「画素電極」と、その下に位置する「トランジスタ」等の構造体との間を、電気的接続が必要な箇所以外絶縁する、いわゆる「層間絶縁膜」としての機能も果たしているものと認められる。そして、次の周知例にもあるように、カップリング容量を小さくし、クロストークや信号遅延を低減させる観点から、層間絶縁膜としてフッ素が添加されたポリイミドやテフロンのような誘電率の低い材料を採用することは、本願の優先権主張日前からの周知技術である。
　
周知例１
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平８−７００４１号公報には、信号遅延を低減させるために、含フッ素ポリイミドを層間絶縁材料に用いること、すなわち、層間絶縁膜としてフッ素が添加されたポリイミドを用いることを示す、以下の事項が記載されている。
　
「【０００２】
【従来の技術】
近年半導体装置は、高集積化にともなう高速化が必要になり、信号遅延を低減させる目的で、多層配線層における絶縁材料の見直しが行われている。従来層間絶縁材料としては、ＳｉＯ
2 
、Ｓｉ
3
 Ｎ
4
 等の材料が用いられてきたが、比誘電率がＳｉＯ
2 
で４、Ｓｉ
3
 Ｎ
4
 で７と大きいことから、誘電率の低い絶縁材料の使用が求められている。
【０００３】例えば誘電率の低い材料として、高分子材料、中でも最も耐熱性の高いポリイミド樹脂が有力な候補として、従来から層間絶縁材料への適用が行われている。
しかし、このポリイミド樹脂でも比誘電率は３とまだ比較的大きく、さらに誘電率を低下させるために、ポリイミド中にフッ素原子を含有させた、含フッ素ポリイミドを層間絶縁材料に用いる検討が最近なされている。この含フッ素ポリイミドは通常のポリイミドに比べて誘電率が低く、吸湿性も低いなど、従来のポリイミドにはない様々な利点を有している。
　
周知例２
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平７−８４２８４号公報には、層間絶縁膜としてフッ素系ポリイミド膜を用いることにより、カップリング容量を十分に小さくし、クロストークを大幅に低減できることと、フッ素系ポリイミドの代わりにテフロンを用いても良いとのこと、すなわち、層間絶縁膜としてフッ素が添加されたポリイミドまたはテフロンを用いることを示す、以下の事項が記載されている。
　
「【００４２】
また、本実施例によれば、信号線９と画素電極１１，１２との間のカップリング容量は、層間絶縁膜であるフッ素系ポリイミド膜の比誘電率が２．８で、その膜厚が１．５μｍであるので、通常用いられている比誘電率が６．４のシリコン窒化膜（典型的な厚さ５００ｎｍ）を用いた場合の容量の約１／７となる。したがって、本実施例によれば、信号線９と画素電極１１，１２との間のカップリング容量を十分に小さくでき、クロストークを大幅に低減できる。
「【００５９】なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではない。
例えば、上記実施例では、層間絶縁膜としてフッ素系ポリイミド膜を用いたが、その代わりにテフロン等のフッ素樹脂を用いても良い。
　
イ　そして、引用発明に上記周知技術を適用し、「層間絶縁膜１０」の材料を「フッ素が添加されたポリイミド」または「テフロン」とすることも、当業者が適宜なし得たものである。
　
ウ　よって、本願発明の上記相違点に係る構成のうち、「保護膜」に関して「フッ素が添加されたポリイミド、テフロン、Cytop、フルオロポリアリールエーテル、フッ素が添加されたパリレン(parylene)、PFCB及びBCB中の少なくとも一つを含む」との構成を実現することは、上記周知技術を勘案することにより、引用発明に基づき、当業者が容易になしえたものである。
　
３．小括
　「前記ゲート絶縁層及び前記保護膜は、フッ素が添加されたポリイミド、テフロン、Cytop、フルオロポリアリールエーテル、フッ素が添加されたパリレン(parylene)、PFCB及びBCB中の少なくとも一つを含む」との本願発明の上記相違点に係る構成は、そのうちの「ゲート絶縁層」に関する材料特定については、上記（１）での検討により、引用発明及び引用例２に記載された発明に基づき、当業者が容易になしえたものと結論づけられ、また、そのうちの「保護膜」に関する材料特定については、上記（２）での検討により、周知技術を勘案することにより、引用発明に基づき、当業者が容易になしえたものであると結論づけられる。
　そうすると、本願発明は、周知技術を勘案することにより、引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第７．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。