【事件の表示】
　特願２００２−５５５９４５「マイクロエマルションを用いて有機および／または無機の汚れを除去する固体表面洗浄方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　７月１８日国際公開、ＷＯ０２／５５２２３、平成１６年　８月２６日国内公表、特表２００４−５２５７５３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯 
　本件出願は、平成１４年１月７日（優先権主張２００１年１月９日、フランス国）を国際出願日とする出願であって、同１９年６月１２日付けで拒絶の理由が通知され、同２０年７月３日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、同年１０月６日に本件審判の請求がなされ、同年１０月３０日に手続補正がなされ、当審において同２２年４月１６日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月２０日に意見書の提出がなされたものである。 
 　 
第２．拒絶理由
　当審において通知した拒絶理由は、特許法第２９条第２項、第３６条第４項及び第６項を根拠とするものであり、概要は、以下のとおりである。
　
（第２９条第２項） 
１．特開平５−２９１２３３号公報 
２．特開平９−１５７６９８号公報 
　
　請求項１ないし１２に係る発明は、刊行物１、２に記載された発明に基づいて、容易に発明をすることができたものである。
　特許性を主張するためには、特許請求の範囲を減縮するとともに、その技術的意義、有利な効果を明確にする必要がある。
 　 
（第３６条第４項及び第６項） 
１．請求項１の「液分を除去」は、具体的内容が不明確である。除去手段は何か。除去すべき対象は何か。完全に除去しうるのなら、後工程は不要と考えられるが、前後の工程といかに関係するのか。 
２．請求項記載事項と、発明の詳細な説明との対応関係が不明確である。実施例が十分ではなく、サポートされているか疑問である。
　
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第３．第２９条第２項について
１．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２０年１０月３０日に補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものと認められる。
　
「下記の段階（a）〜（d）から成ることを特徴とする固体表面洗浄方法：
（a）マイクロエマルション型の洗浄組成物を用いて固体表面を洗浄し、
（b）洗浄した表面の液分を除去し、
（c）液分を除去した表面を沸点の低い有機溶媒または有機溶媒混合物で濯ぎ洗いし、
（d）上記（c）段階で用いたものと同じ有機溶媒または有機溶媒混合物の加熱によって生じる蒸気に曝すことによって、濯ぎ洗いした表面を乾燥させる。」
　
２．刊行物記載の発明
（１）刊行物１
　これに対し、本願優先日前に頒布された刊行物であって、当審で通知した拒絶理由に引用された特開平５−２９１２３３号公報（以下「刊行物１」という。）には、次のように記載されている。 
　
ア．段落０００１
「【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハの製造方法さらには鏡面加工後の半導体ウェーハの乾燥方法に関し、特にＧａＡｓウェーハの乾燥に利用して好適な技術に関するものである。」
　
イ．段落０００３
「そこで、従来、鏡面研磨後のＧａＡｓウェーハを、リン酸−過酸化水素−水、あるいはフッ化水素酸−過酸化水素酸−水の混合液により洗浄することにより清浄な表面を得る方法が提案されている（特開昭６２−２５２１４０）。さらに、一般にはエッチング液による処理後に超純水による洗浄、乾燥が行なわれており、乾燥方法としてはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を用いた蒸気乾燥法が多用されている。このＩＰＡ蒸気乾燥法は、水洗後のウェーハをＩＰＡ蒸気に晒すことによりウェーハの表面に凝結させて付着している水分をＩＰＡで置換除去するもので、ウェーハの大量処理には好適な方法である。」
　
ウ．段落０００９
「【実施例】以下、本発明の一実施例を図１を用いて説明する。先ず、液体封止チョクラルスキー法により引き上げた直径２インチのノンドープＧａＡｓ単結晶を１ｍｍの厚さのウェーハに切り出し、ラッピング、ポリシングで表面研磨を行なって、トリクレン、アセトン、メタノールにより有機洗浄した後、超純水で水洗を行なった（ステップＳ１〜Ｓ３）。この後、上記ウェーハを液体状態のＩＰＡの入った槽内に５分間ずつ２回浸漬して表面の付着水をＩＰＡで置換した後、ＩＰＡ蒸気乾燥装置により乾燥させた（ステップＳ４，Ｓ５）。なお、上記置換用のＩＰＡの入った槽にはポア径０．１μｍのフィルタを備えた循環濾過装置を装備させ、上記置換処理（ステップＳ４）中ずっとＩＰＡを濾過し続けた。」
　
　上記記載を、図１を参照しつつ、技術常識を踏まえ、本願発明に照らして整理すると、上記刊行物１には、次の発明（以下「刊行物１発明」という。）が記載されていると認められる。
　 
「下記の段階（a）〜（d）から成る半導体ウェーハの洗浄乾燥方法：
（a）トリクレン、アセトン、メタノール等の有機溶剤、又はリン酸−過酸化水素−水の混合液を用いてウェーハ表面を洗浄し、
（b）超純水で水洗を行い、
（c）表面をＩＰＡで濯ぎ洗いし、
（d）上記（c）段階で用いたものと同じＩＰＡの加熱によって生じる蒸気に曝すことによって、濯ぎ洗いした表面を乾燥させる。」
　
（２）刊行物２
　同じく、特開平９−１５７６９８号公報（以下「刊行物２」という。）には、次のように記載されている。 
　
ア．段落０００１
「【発明の属する技術分野】本発明は、金属加工部品、樹脂成形部品、ガラス成形部品、電気基板、セラミック加工部品等の工業用洗浄を行うために使用する洗浄組成物及びこの洗浄方法に関する。」
　
イ．段落０００９
「【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため請求項１の洗浄組成物は、Ｗ／Ｏ型マイクロエマルジョンを形成するか、又はＷ／Ｏ型可溶性を形成する洗浄組成物であって、非水系洗浄剤と、界面活性剤と、極性溶剤と、水とを含み、１００重量部の全体に対して前記界面活性剤が０．２〜２０重量部、前記極性溶剤が０．０５〜５重量部、前記水が０．１〜１０重量部であり、残部が前記非水系洗浄剤であることを特徴とする。」
　
　上記記載を、技術常識を踏まえ整理すると、上記刊行物２には、次の事項（以下「刊行物２事項」という。）が記載されていると認められる。
「電気基板の工業用洗浄を行うために使用するＷ／Ｏ型マイクロエマルジョンを形成する洗浄組成物。」 
　
３．対比
　本願発明と刊行物１発明とを対比する。
　刊行物１発明における「半導体ウェーハの洗浄乾燥方法」は本願発明における「固体表面洗浄方法」に相当する。
　刊行物１発明における「トリクレン、アセトン、メタノール等の有機溶剤、又はリン酸−過酸化水素−水の混合液」と、本願発明における「マイクロエマルション型の洗浄組成物」とは、「洗浄剤」である限りにおいて一致する。
　本願発明の「沸点の低い有機溶媒または有機溶媒混合物」は、明細書の段落００２０の記載から「脂肪族アルコール」を含むものであるので、刊行物１発明の「ＩＰＡ」（イソプロピルアルコール）は本願発明の「沸点の低い有機溶媒または有機溶媒混合物」に相当する。
　刊行物１発明における「超純水で水洗を行い」と、本願発明における「洗浄した表面の液分を除去し」とは、「洗浄後の処理を行い」である限りにおいて一致する。
　
　そうすると、本願発明と刊行物１発明とは、以下の点で一致する。 
「下記の段階（a）〜（d）から成る固体表面洗浄方法：
（a）洗浄剤を用いて固体表面を洗浄し、
（b）洗浄後の処理を行い、
（c）表面を沸点の低い有機溶媒または有機溶媒混合物で濯ぎ洗いし、
（d）上記（c）段階で用いたものと同じ有機溶媒または有機溶媒混合物の加熱によって生じる蒸気に曝すことによって、濯ぎ洗いした表面を乾燥させる。」 
 　 
　そして、以下の点で相違する。
　相違点１：洗浄剤が、本願発明では「マイクロエマルション型の洗浄組成物」であるが、刊行物１発明は「トリクレン、アセトン、メタノール等の有機溶剤、又はリン酸−過酸化水素−水の混合液」である点。 
　相違点２：洗浄後の処理について、本願発明は「洗浄した表面の液分を除去」するものであるが、刊行物１発明は「超純水で水洗を行」うものであり「液分を除去」しているか明らかでない点。 
 　 
４．判断　
　相違点１について検討する。 
　刊行物２事項は「電気基板の工業用洗浄を行うために使用するＷ／Ｏ型マイクロエマルジョンを形成する洗浄組成物」であり、「電気基板」を洗浄対象とする洗浄剤である。
　刊行物１発明の洗浄対象は「半導体ウェーハ」であり、「電気基板」類似分野のものであることから、刊行物１発明の洗浄剤として、刊行物２事項のものを試みることに困難性は認められない。
　請求人は、意見書で、「引例１を出発点として本発明が発送さることはない」、「インセンティブはありません」と主張するにすぎないから、根拠がない。 
 　 
　相違点２について検討する。 
　濯ぎ洗いは、洗浄剤の残留を減らすためのものであるから、刊行物１発明においても、洗浄工程後、残留する洗浄剤を減らしたいことは明らかである。 
　よって、「洗浄した表面の液分を除去」することは、必要に応じてなしうる設計的事項にすぎない。
　請求人は、意見書で、「液分を除去することで後工程の溶媒乾燥時の溶媒の組成変化を防ぐことができます」と主張するが、液分を除去することにより予想される効果にすぎず、格別なものではない。
　
　また、これら相違点を総合勘案しても、格別な技術的意義が生じるとは認められない。
　
５．小括 
　本願発明は、刊行物１発明、刊行物２事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　
第４．第３６条第４項及び第６項について
１．拒絶理由で１．として指摘した点
　拒絶理由で１．として指摘した、「液分を除去」について、「完全に除去しうるのなら、後工程は不要と考えられるが、前後の工程といかに関係するのか」なる点、すなわち、「液分除去」の程度、前後工程との機能分担が不明確であり、仮に（ｂ）段階で完全に除去されるのであれば、表面に残った洗浄組成物を除去するための（ｃ）段階の濯ぎ工程は、不要と考えられるが、どうかという点に対し、請求人は補正も意見書における釈明もない。
　よって、本願は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
 　
２．拒絶理由で２．として指摘した点
　拒絶理由で２．として指摘した、「請求項記載事項と、発明の詳細な説明との対応関係が不明確である。実施例が十分ではなく、サポートされているか疑問である」なる点に対し、請求人は補正も意見書における釈明もない。
　すなわち、請求項１の「マイクロエマルション型の洗浄組成物」は段落０００９〜００１６に、「沸点の低い有機溶媒または有機溶媒混合物」は段落００２０に、いずれも多くの具体例が記載されているが、段落００４１〜００４３の実施例は、その一部にすぎない。
　よって、本願は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
第５．むすび
　本願は、上記第３、第４、いずれの理由によっても拒絶されるべきものであるから、結論のとおり審決する。