【事件の表示】
　特願２００３−　２１５４１「垂直磁気記録媒体の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　８月１９日出願公開、特開２００４−２３４７４６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は、平成１５年１月３０日に出願したものであって、平成２０年４月１７日付け拒絶理由通知に対して同年６月１７日付けで手続補正がなされたが、同年１１月２７日付けで拒絶査定がされた。これに対し、平成２１年１月５日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年１月１９日付けで手続補正がなされた。
　その後、平成２２年１１月３０日付けで前置報告書を利用した審尋がなされ、平成２３年１月１４日付けで回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２１年１月１９日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年１月１９日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正
　
　平成２１年１月１９日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、明細書についてするもので、特許請求の範囲について、本件補正前に、
「【請求項１】
　ガラス基板上に軟磁性層と垂直磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体の製造方法であって、
　前記ガラス基板の主表面の表面粗さをＲｍａｘで６ｎｍ以下、Ｒａで０．６ｎｍ以下に形成し、
　アルゴンよりも原子半径の大きな希ガスを含む雰囲気の下で、マグネトロンスパッタリングにより、前記軟磁性層を形成し、
　アルゴン雰囲気の下で、マグネトロンスパッタリングにより、前記垂直磁気記録層を形成することを特徴とする、垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
　請求項１に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法であって、
　前記アルゴンよりも原子半径の大きな希ガスとは、キセノンおよび／またはクリプトンを含むものであることを特徴とする、垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
　請求項１又は２に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法であって、
　前記基板と前記軟磁性層との間に、Ｔｉを含む付着層を設けたことを特徴とする、垂直磁気記録媒体の製造方法。」
とあったところを、
　
本件補正後、
「【請求項１】
　
アモルファス
　
前記ガラス基板の主表面上に、アルゴン雰囲気の下で、マグネトロンスパッタリングにより、Ｔｉを含む付着層を形成し、
　
前記付着層上に、
アモルファスＣｏＴａＺｒ系またはアモルファスＦｅＴａＣ系の
　
前記軟磁性層上に、
【請求項２】
　請求項１に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法であって、
　前記アルゴンよりも原子半径の大きな希ガスとは、キセノンおよび／またはクリプトンを含むものであることを特徴とする、垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
　請求項１又は２に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法であって、
　
前記軟磁性層が前記付着層または前記垂直磁気記録層よりも厚い
とするものである。
　
２．補正の適否
　
　上記本件補正前後の構成を対比すると、補正後の請求項１は、補正前の請求項１に対応し、そして、補正後の請求項１に追加された「前記ガラス基板の主表面上に、」「Ｔｉを含む付着層を形成し、前記付着層上に、」軟磁性層を形成する構成は、補正前の請求項３に記載された発明の発明特定事項である「前記基板と前記軟磁性層との間に、Ｔｉを含む付着層を設けた」ことに対応するから、補正前の請求項３に特定された事項は、実質的に補正後の請求項１にすべて取り込まれたこととなる。
　すると、請求項３は記載上削除されるべきであるから、補正後の請求項３は、実質的に、新たに追加されたものと解するほかなく、したがって、補正後の請求項３についての本件補正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものとは認められない。また、請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しない。
　なお、仮に、きわめて形式的に、補正前の請求項１ないし３と、補正後の請求項１ないし３とがそれぞれ対応するものと解した場合であっても、結論が異なることとはならない。すなわち、請求項１及び２はともかく、請求項３について、「軟磁性層」と「付着層」または「垂直磁気記録層」との厚さの関係を特定した点は、補正前の請求項３にこれらの各層の厚さについては、なんら特定事項に含まれていないことから、補正前の請求項３に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものと認めることができない。
　
３．本件補正についてのむすび
　
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
４．独立特許要件の検討
　
　上記「１．ないし３．」で検討したとおりの理由により、本件補正は、却下されるべきものであるが、仮に、本件補正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認められる場合において、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか）否かについても、以下に検討する。
　
（１）本件補正発明
　
　本件補正発明は、上記１．に本件補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（２）引用例
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−３３４４１５号公報（平成１４年１１月２２日公開、以下「引用例」という。）には、図面と共に、以下の記載がある。（なお、下線は当審で付与した。）
　
（２−１）「【０００７】本発明は、上記従来技術の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、記録磁区の熱安定性に優れ、低ノイズで情報を再生できる
垂直磁気記録媒体
　
（２−２）「【００２０】本発明の磁気記録媒体において、
面内軟磁性層は、
ＦｅＴａＣ、
ＣｏＴａＺｒ
などの材料を用い得る。
　
（２−３）「【００２４】実施例１
図１に、本発明の磁気記録媒体の概略断面図を示す。
磁気記録媒体９は、基板１上に、密着層（非磁性層）２、面内軟磁性層３、
記録層５
を備える。かかる構造を有する磁気記録媒体９を次のような方法により製造した。
【００２５】
まず、直径６５ｍｍのガラス基板１を用意し、ガラス基板１上に連続スパッタ装置を用いて、密着層として膜厚５ｎｍのＴｉからなる非磁性層２を成膜した。次いで、非磁性層２上に、面内軟磁性層３として、Ｆｅ
７９
Ｔａ
９
Ｃ
１２
を膜厚４００ｎｍにて成膜した。
　
（２−４）「【００２７】
次いで、Ａｒガス中で、ＣｏターゲットとＰｄターゲットのシャッターを交互に開閉しながらＤＣスパッタさせることによって、Ｃｏ層とＰｄ層とが交互に積層された人工格子構造の記録層５を形成した。
【００２８】得られた記録層の保磁力は３〔ｋＯｅ〕、飽和磁化は２３０〔ｅｍｕ／ｃｃ〕、垂直異方性磁界は１４〔ｋＯｅ〕、透磁率は３．５であった。」
　
　上記摘示事項及び図面の記載を総合勘案すると、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
　
「ガラス基板上に連続スパッタ装置を用いて、密着層としてＴｉからなる非磁性層を成膜し、
　非磁性層上に、面内軟磁性層として、Ｆｅ７９Ｔａ９Ｃ１２を成膜し、
　Ａｒガス中で、ＤＣスパッタさせることによって、記録層を形成する垂直磁気記録媒体の製造方法。」
　
（３）対比
　
　そこで、本件補正発明と引用発明とを対比する。
　
（３−１）引用発明の「密着層」は、本件補正発明の「付着層」に相当する。引用発明において、「密着層」を成膜するのがガラス基板の主表面上であることは、明らかである。
　したがって、本件補正発明と引用発明とは、「前記ガラス基板の主表面上に、」「スパッタリングにより、Ｔｉを含む付着層を形成」する点で共通する。
（３−２）引用発明の「面内軟磁性層」は、本件補正発明の「軟磁性層」に相当するから、本件補正発明と引用発明とは、「前記付着層上に、」「スパッタリングにより、」「ＦｅＴａＣ系の軟磁性層を形成」する点で共通する。
（３−３）引用発明と本件補正発明はともに「垂直磁気記録媒体の製造方法」であって、引用発明の「記録層」は、本件補正発明の「垂直磁気記録層」に相当するから、本件補正発明と引用発明とは、「前記軟磁性層上に、アルゴン雰囲気の下で、」「スパッタリングにより、垂直磁気記録層を形成する」「垂直磁気記録媒体の製造方法」である点で共通する。
　
　そうすると、本件補正発明と引用発明とは、次の点で一致する。
　
＜一致点＞
　
「前記ガラス基板の主表面上に、スパッタリングにより、Ｔｉを含む付着層を形成し、　
　前記付着層上に、スパッタリングにより、ＦｅＴａＣ系の軟磁性層を形成し、
　前記軟磁性層上に、アルゴン雰囲気の下で、スパッタリングにより、垂直磁気記録層を形成する垂直磁気記録媒体の製造方法。」の点。
　
　そして、次の点で相違する。
　
＜相違点＞
　
ａ．「ガラス基板」及び「軟磁性層」について、本件補正発明は、「アモルファス」であるのに対し、引用発明は、そのような限定がなされていない点。
ｂ．「ガラス基板」について、本件補正発明は、「主表面の表面粗さをＲｍａｘで６ｎｍ以下、Ｒａで０．６ｎｍ以下に形成」するのに対し、引用発明は、そのような限定がなされていない点。
ｃ．「スパッタリング」について、本件補正発明は、「マグネトロンスパッタリング」であるのに対し、引用発明は、そのような限定がなされていない点。
ｄ．「付着層」を形成する「スパッタリング」について、本件補正発明は、「アルゴン雰囲気の下で」行うのに対し、引用発明は、そのような限定がなされていない点。
ｅ．「軟磁性層」を形成する「スパッタリング」について、本件補正発明は、「アルゴンよりも原子半径の大きな希ガスを含む雰囲気の下で」行うのに対し、引用発明は、そのような限定がなされていない点。
　
（４）判断
　
　そこで、上記相違点について検討する。
　
相違点ａ．について
　「ガラス基板」として「アモルファスガラス」すなわち結晶化ガラスではないものは、ごく普通に用いられているから、引用発明において、「ガラス基板」として「アモルファスガラス」を用いることは、当業者が適宜なし得る。
　また、引用例の「更に、成膜されたＦｅ７９Ｔａ９Ｃ１２を真空中でカーボンヒーターにより４５０℃の温度で３０秒加熱した後、徐冷して、Ｆｅ微結晶構造を膜中に含有する面内軟磁性層３を形成した。」（【００２５】）なる記載から、引用例の「成膜されたＦｅ７９Ｔａ９Ｃ１２」が本来的にはアモルファスであることは明らかであるから、引用発明において、「成膜されたＦｅ７９Ｔａ９Ｃ１２」をアモルファスのまま用いることも、当業者が適宜なし得る。
　
相違点ｂ．について
　「ガラス基板の主表面の表面粗さ」について、「Ｒｍａｘで６ｎｍ以下、Ｒａで０．６ｎｍ以下」とすることは周知である（例えば、特開２００１−２５０２２６号公報【００３３】、特開２００２−３２９０９号公報【００４４】参照）から、引用発明において、「ガラス基板」の主表面の表面粗さをＲｍａｘで６ｎｍ以下、Ｒａで０．６ｎｍ以下に形成することは、当業者が適宜なし得る。
　
相違点ｃ．について
　「スパッタリング」として「マグネトロンスパッタリング」は、ごく普通に用いられているから、引用発明において、「スパッタリング」として「マグネトロンスパッタリング」を用いることは、当業者が適宜なし得る。
　
相違点ｄ．について
　「スパッタリング」を「アルゴン雰囲気の下で」行うのはごく普通のことであるから、引用発明において、「密着層」を形成する「スパッタリング」を「アルゴン雰囲気の下で」行うことは、当業者が適宜なし得る。
　
相違点ｅ．について
　「スパッタリング」をクリプトンやキセノンすなわち「アルゴンよりも原子半径の大きな希ガス」を含む雰囲気の下で行うことは常套手段であって、それによってスパッタリングの際の成膜速度が速く、また、内部応力の小さい膜が成膜されることもよく知られているものである（例えば、特開平１０−２６５９５３号公報【００２１】、特開平７−１１０９１２号公報【００１０】【００１１】、特開平４−２７４０２６号公報【０００７】、特開平２−２６３９８２号公報３頁左下欄２０行ないし右下欄２行、特開昭６３−１４０５０９号公報３頁左上欄１１行ないし１３行参照）。特に特開昭６３−１４０５０９号公報には、軟磁性膜をＫｒガスを用いて成膜することが開示されており、引用発明において、「面内軟磁性層」を形成する「スパッタリング」を「アルゴンよりも原子半径の大きな希ガスを含む雰囲気の下で」行うことは、当業者が適宜なし得る。
　
　そして、上記相違点を総合的に判断しても、本件補正発明が奏する効果は引用例及び周知技術から、当業者が十分に予測できたものであって、格別なものとはいえない。
　なお、この点について付言すると、内部応力が大きいと膜が基板から剥離することはよく知られた課題であって（例えば、特開２００１−２９１２２５号公報【００２４】、特開２００３−１６６２０号公報【００６１】、特開２００２−８３４１７号公報【００４３】、特開２００１−２０７２６６号公報【００１４】参照）、内部応力の小さい膜となるようにすれば剥離し難くなるとの効果も自明である。
　
　したがって、本件補正発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）独立特許要件の検討についてのむすび
　
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　
１．本願発明
　
　平成２１年１月１９日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし３に係る発明は、平成２０年６月１７日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２［理由］１．」に本件補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
２．引用例
　
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、上記「第２［理由］４．（２）」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　
　本願発明は、上記「第２［理由］４．（３）及び（４）」で検討した本件補正発明から、「ガラス基板」について「アモルファス」、「前記ガラス基板の主表面上に、アルゴン雰囲気の下で、マグネトロンスパッタリングにより、Ｔｉを含む付着層を形成し」、「軟磁性層」について「前記付着層上に」「アモルファスＣｏＴａＺｒ系またはアモルファスＦｅＴａＣ系の」、「垂直磁気記録層」について「前記軟磁性層上に」との構成を削除したものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本件補正発明が、上記「第２［理由］４．（３）及び（４）」に記載したとおり、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。