【事件の表示】
　特願２００１−５１２６４４「多層体及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　２月　１日国際公開，ＷＯ０１／０８２３２，平成１５年　９月　９日国内公表，特表２００３−５２６９０５〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第1　手続の経緯
　本願は，２０００年７月１４日（パリ条約に基づく優先権主張：１９９９年７月２３日，１９９９年１１月１８日，２０００年２月９日，米国）を国際出願日とする出願であって，平成１９年４月９日付けで拒絶理由通知がされ，平成１９年１０月１５日に意見書及び手続補正書が提出されたが，平成２０年３月３１日付けで拒絶査定がされ，これに対し，平成２０年７月４日に審判請求がされるとともに，同日に手続補正書が提出されたものである。その後，平成２２年６月１１付けで当審により審尋がされ，これに対し，平成２２年１１月３０日に回答書が提出された。
　
第２　平成２０年７月４日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　特許請求の範囲の請求項１，１７，３５（いずれも独立請求項）の記載についてみると，本件補正の内容は，補正前の「互いに直行配列した」との記載を，「互いに直交配列した」と補正するとともに，補正前の「多層体の製造方法」との記載を，「高温超伝導薄膜を備えた多層体の製造方法」と補正するものである。
　前者の補正内容は，誤記の訂正を目的とする補正に該当する。後者の補正内容は，補正前の発明特定事項を技術的に限定するものであるから，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものに該当する。
　したがって，請求項１，１７，３５についての本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項２号（特許請求の範囲の限定的減縮）及び３号（誤記の訂正）に掲げる事項を目的とするものに該当する。
　
　以上のとおり，請求項１，１７，３５についての補正は，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものであるから，補正後の発明が独立して特許を受けることができるものであるか否か（平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項に規定する独立特許要件を満たすか否か）について，以下，検討する。
　
２　補正発明１，１７，３５の内容
　本件補正によれば，本願の特許請求の範囲の請求項１，１７，３５の記載は，次のとおりである。以下，請求項１，１７，３５に係る発明を，それぞれ，「補正発明１」，「補正発明１７」，「補正発明３５」という。（下線は補正箇所を示す。）
　
（１）補正発明１
【請求項１】
「バッファ材料からなる第１の材料を成膜した層を形成すべく第３の材料の表面に第１の材料をエピタキシャル成膜する工程と，
　成膜された前記材料と同一の結晶構造を有したコンディショニング表面を形成すべく前記第１の材料層の表面を化学的にコンディショニングする工程であって，前記化学的にコンディショニングする工程は，(i)前記表面を平滑化すること，(ii)互いに
直交
　前記コンディショニング表面上に第２の材料層を成膜する工程とを有する
，高温超伝導薄膜を備えた
　
（２）補正発明１７
【請求項１７】
「バッファ材料からなる第１の材料を成膜した層を形成すべく第３の材料の表面に第１の材料をエピタキシャル成膜する工程と，
　成膜された前記材料とほぼ同一の結晶構造を有したコンディショニング表面を形成すべく，約９３３１０Ｐａ（約７００Ｔｏｒｒ）未満の酸素ガス圧下にて前記第１の材料層の表面を同第１の材料層の成膜温度及び結晶化温度から選択される温度より少なくとも５℃高い温度まで加熱する工程であって，(i)前記表面を平滑化すること，(ii)互いに
直交
　前記コンディショニング表面に第２の材料層を成膜する工程とを有する
，高温超伝導薄膜を備えた
　
（３）補正発明３５
【請求項３５】
「バッファ材料からなる第１の材料を成膜した層を形成すべく，多結晶の第３の材料の表面に，バッファ材料からなる第１の材料をエピタキシャル成膜する工程と，
　成膜された前記材料とほぼ同一の結晶構造を有したコンディショニング表面を形成すべく，多結晶材料の表面に成膜されている前記第１の材料成膜層の表面を同第１の材料層の成膜温度及び結晶化温度から選択される温度より少なくとも５℃高い温度まで加熱する工程であって，(i)前記表面を平滑化すること，(ii)互いに
直交
　前記コンディショニング表面上に第２の材料層を成膜する工程とを有する
，高温超伝導薄膜を備えた
　
３　独立特許要件についての検討（その１）（補正発明１について）
（１）引用例１の記載と引用発明１
（１−１）引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先日前に日本国内で頒布された刊行物である，特開平５−２８２９３２号公報（以下「引用例１」という。）には，「酸化物超伝導導体及びその製造方法」（発明の名称）に関し，図１〜図３とともに，次の記載がある。下線は当審で付加したものである。以下，同じ。
・「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は超電導コイルや電力輸送用超電導線，超電導デバイス，超電導膜材などの種々の超電導利用機器に適用される酸化物超電導導体に係り，特に臨界電流密度の向上を図った
酸化物超電導導体およびその製造方法
　
・「【０００３】前記酸化物超電導体の臨界電流密度が低いという問題は，酸化物超電導体の結晶自体に電気的な異方性が存在することが大きな原因となっており，特に酸化物超電導体はその結晶軸のａ軸方向とｂ軸方向には電気を通し易いが，ｃ軸方向には電気を通し難いことが知られている。このような観点から
酸化物超電導体を基材上に形成してこれを超電導体として使用するためには，基材上に結晶配向性の良好な状態で緻密な超電導体を形成し，しかも，電気を流そうとする方向に酸化物超電導体の結晶のａ軸あるいはｂ軸を配向させ，その他の方向に酸化物超電導体のｃ軸を配向させる必要がある
【０００４】従来，
基板や金属テープなどの基材上に結晶配向性の良好な酸化物超電導層を形成するために種々の手段が試みられてきた
酸化物超電導体と結晶構造の類似したＭｇＯあるいはＳｒＴｉＯ
3
などの単結晶基材を用い，これらの単結晶基材上にスパッタリングなどの成膜法により酸化物超電導層を形成する方法が実施されている
【０００５】前記
ＭｇＯあるいはＳｒＴｉＯ
3
の単結晶基材を用いてスパッタリングなどの成膜法を行なえば，酸化物超電導層の結晶が単結晶基材の結晶を基に結晶成長するために，その結晶配向性を良好にすることが可能であり
　
・「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで，酸化物超電導体を導電体として使用するためには，テープ状などの長尺の基材上に結晶配向性の良好な酸化物超電導層を形成する必要がある。ところが，金属テープなどの基材上に酸化物超電導層を直接形成すると，金属テープ自体が多結晶体でその結晶構造も酸化物超電導体と大きく異なるために，結晶配向性の良好な酸化物超電導層は到底形成できないものである。しかも，酸化物超電導層を形成する際に行なう熱処理によって金属テープと酸化物超電導層との間で拡散反応が生じて酸化物超電導層の結晶構造が崩れ，超電導特性が劣化する問題がある。」
　
・「【０００９】このように酸化物超電導層の結晶粒毎に，その結晶軸（ａ軸，ｂ軸，ｃ軸）の向きが無秩序になると，結晶配向性の乱れた結晶粒界において超電導状態の量子的結合性が失われる結果，超電導特性，特に臨界電流密度の低下を引き起こすものと思われる。また，前記酸化物超電導層４がその結晶軸が配向していない多結晶状態となるのは，その下に形成された中間層３の各結晶軸が配向していない多結晶状態であるために，酸化物超電導層４を成膜する場合に，中間層３の結晶に整合するように酸化物超電導層４が成長するためであると思われる。
【００１０】
本発明は
基材の成膜面に対して直角向きに結晶軸のｃ軸を配向させることができると同時に，成膜面と平行な面に沿って結晶軸のａ軸およびｂ軸をも揃えることができ，結晶配向性に優れた酸化物超電導層を備えた酸化物超電導導体の提供を目的としている
　
・「【００１７】
【実施例】以下，図面を参照して本発明の実施例について説明する。
図１は本発明に係る酸化物超電導導体の一実施例を示すものであり，本実施例の酸化物超電導導体１０は，板状の基材Ａと，この基材Ａの上面に形成された多結晶薄膜Ｂと，多結晶薄膜Ｂの上面に，ＣＶＤ法によって形成された酸化物超電導層Ｃとからなっている
【００１８】基材Ａは，例えば板材，線材，テープ材などの種々の形状のもので，基材Ａは，白金，ステンレス鋼，銅，ハステロイなどの金属材料や合金，あるいは，各種ガラスあるいは各種セラミックスなどからなるものである。
【００１９】
多結晶薄膜Ｂは，立方晶系の結晶構造を有する微細な結晶粒９が，多数，結晶粒界を介して接合一体化されてなり，各結晶粒９の結晶軸のｃ軸は基材Ａの上面（成膜面）に対して直角に向けられ，各結晶粒９の結晶軸のａ軸どうしおよびｂ軸どうしは，互いに同一方向に向けられて面内配向されている。また，各結晶粒９のｃ軸が基材Ａの（上面）成膜面に対して直角に配向されている
【００２０】
酸化物超電導層Ｃは，多結晶薄膜Ｂの上面に被覆されたものであり，その結晶軸のｃ軸は多結晶薄膜Ｂの上面に対して直角に配向され，その結晶軸のａ軸とｂ軸は先に説明した多結晶薄膜Ｂと同様に基材上面と平行な面に沿って面内配向している
　
・「【００３３】
次に図３に示す装置を用いて基材Ａ上にＹＳＺの多結晶薄膜Ｂを形成し，その後に酸化物超電導層Ｃを形成する場合について説明する
基材Ａ上に多結晶薄膜を形成するには，ＹＳＺのターゲットを用いるとともに，角度調整機構Ｄを調節してイオン源１３から照射されるイオンを基材ホルダ１１の上面に４５度前後の角度で照射できるようにする
次に基材Ａを収納している容器の内部を真空引きして減圧雰囲気とする
そして，イオン源１３とスパッタビーム照射装置１４を作動させる
　
・「【００３５】
このような照射角度でイオン照射を行ないながらスパッタリングを行なうことで，基材Ａ上に形成されるＹＳＺの多結晶薄膜の結晶軸のａ軸とｂ軸とを配向させることができる
【００３６】
前記のように，基材Ａの成膜面上にＹＳＺの多結晶薄膜Ｂを形成したならば，この多結晶薄膜Ｂ上に酸化物超電導層Ｃを形成する
酸化物超電導層Ｃを多結晶薄膜Ｂ上に形成するには図５に示すＣＶＤ装置を使用する
　
・「【００３８】
反応チャンバ２１内に導入された各原料化合物の気化ガスと酸素ガスとは，加熱された基材Ａ表面部で化学反応し，酸化物超電導粒子が生成し，それが基材Ａの多結晶薄膜Ｂの表面に堆積する
酸化物超電導粒子の堆積の際に多結晶薄膜Ｂが予めｃ軸配向し，ａ軸とｂ軸でも配向しているので，多結晶薄膜Ｂ上に形成される酸化物超電導層Ｃの結晶のｃ軸とａ軸とｂ軸も多結晶薄膜Ｂに整合するように成長して結晶化する
これによって結晶配向性の良好な酸化物超電導層Ｃが得られる
　
・「【００５１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の酸化物超電導導体は，基材上に多結晶薄膜を形成し，その上にＣＶＤ法によって酸化物超電導層を形成している
本発明で用いる多結晶薄膜は，結晶粒のａ軸どうしあるいはｂ軸どうしの粒界傾角が３０度以内であるので，ａ軸どうしあるいはｂ軸どうしの結晶配向性に優れるものである
よってその上に形成される酸化物超電導層もａ軸どうしあるいはｂ軸どうしが配向する結果，臨界電流密度の高い酸化物超電導導体を得ることができる
【００５２】更に，
スパッタリングによりターゲットから叩き出した構成粒子を基材の成膜面に堆積する際に斜め方向から所定の角度でイオンビームを照射するので，構成粒子を効率的に活性化できる結果，基材の成膜面に対して多結晶薄膜のｃ軸配向性に加えてａ軸配向性とｂ軸配向性も向上させることができる
結晶粒界が多数形成された多結晶薄膜であっても，結晶粒ごとのａ軸配向性とｂ軸配向性とｃ軸配向性のいずれもが良好になっている多結晶薄膜を形成することができ，その多結晶薄膜を基本としてＣＶＤ法によって結晶配向性の良好な酸化物超電導層を形成することができる
　
（１−２）引用発明１
　以上によれば，引用例１には，次の発明（以下「引用発明１」という。）が開示されている。
　
「基材Ａの表面に，スパッタリングで，結晶軸のａ軸，ｂ軸，ｃ軸のいずれの配向も揃った多結晶薄膜Ｂを成膜し，この多結晶薄膜Ｂの上に，ＣＶＤ法で，同様にａ軸，ｂ軸，ｃ軸のいずれの配向も揃った酸化物超伝導層Ｃを形成することにより，結晶配向性を有する酸化物超電導層を備えた酸化物超電導導体を製造する方法。」
　
（２）補正発明１と引用発明１の一致点及び相違点　
（２−１）補正発明１と引用発明１の対比
　　ア　引用発明１の「基材Ａ」，「多結晶薄膜Ｂ」，「酸化物超電導導体Ｃ」は，補正発明１の「第３の材料」，「第１の材料層」，「第２の材料層」に相当する。そして，補正発明１の「第１の材料層」に相当する引用発明の「多結晶薄膜Ｂ」が，「バッファ層」を構成していることは，明らかである。
　　イ　酸化物超伝導体は，一般に，高温超伝導体として知られているから，引用発明１の「酸化物超電導導体Ｃ」も，「高温超伝導薄膜」であるものと理解される。そして，引用発明１も，「多結晶薄膜Ｂ」（補正発明１の「第１の材料層」に相当）の表面上に，「酸化物超電導導体Ｃ」（補正発明１の「第２の材料層」に相当）を成膜するものであるから，「高温超伝導薄膜を備えた多層体の製造方法」といえる。
　　
（２−２）両者の一致点及び相違点
　そうすると，補正発明１と引用発明１は，
「バッファ材料からなる第１の材料を成膜した層を形成すべく第３の材料の表面に第１の材料を成膜する工程と，
　第１の材料層の表面上に第２の材料層を成膜する工程とを有する，高温超伝導薄膜を備えた多層体の製造方法。」
　である点で一致し，次の点で相違する。
　 
　〔相違点１〕
　補正発明１では，第３の材料の表面に第１の材料を成膜する工程において「エピタキシャル成膜」しているのに対し，引用発明１では，「第１の材料層」に相当する「多結晶薄膜Ｂ」をスパッタにより成膜しているものの，これが「エピタキシャル成膜」であるとはされていない点。
　
　〔相違点２〕
　補正発明１では，「成膜された前記材料と同一の結晶構造を有したコンディショニング表面を形成すべく前記第１の材料層の表面を化学的にコンディショニングする工程であって，前記化学的にコンディショニングする工程は，(i)前記表面を平滑化すること，(ii)互いに直交配列した表面領域を設けること，(iii)直線エッジを有する領域を設けること，(iv)高い密度を有した表面を設けること，(v)表面のくぼみやクラックを低減すること，(vi)不純物濃度を低減すること，及び(vii)剥離を低減することのうちの１つ以上に帰着する，化学的にコンディショニングする工程」を有し，「コンディショニング表面上に第２の材料層を成膜」しているのに対し，引用発明１では，「化学的にコンディショニングする工程」に相当する工程について何ら規定されていない点。
　
（３）相違点についての検討
（３−１）相違点１について
　　ア　基板上にバッファ層を成膜し，更にその上に酸化物超伝導体層を成膜して超伝導導体を製造するものにおいて，バッファ層の成膜をエピタキシャル成膜により行うことにより，結晶配向性の高いバッファ層を得る技術は，以下のイに示す引用例２及び引用例３に記載されており，本願の優先日前に公知である。
　　
　　イ　バッファ層の成膜をエピタキシャル成膜により行う公知例
　　（ア）原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平４−３００２９２号公報（以下「引用例２」という。）には，「複合酸化物超伝導薄膜の成膜方法」（発明の名称）に関し，図１とともに，次の記載がある。
・「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は，酸化物超電導薄膜の作製方法に関する。より詳細には，本発明は，Ｙ系等のＣｕ複合酸化物による超電導薄膜の成膜にあたって，特にＳｉウェハを基板として所望する結晶配向性を制御性良く形成するための新規な方法に関する
　
・「【００１１】
【課題を解決するための手段】即ち，
本発明に従うと，結晶が（００１）配向した領域と（１１０）配向した領域とが混在するＹ，ＢａおよびＣｕの複合酸化物超電導薄膜をＳｉウェハ上に成膜する方法であって，（１００）面を成膜面としたＳｉ基板上の最終的に（００１）配向したＹ−Ｂａ−Ｃｕ複合酸化物薄膜を形成する領域に，（１００）配向したＺｒＯ
２
薄膜を成膜する工程と，該Ｓｉ基板および該ＺｒＯ
２
薄膜上にＹ
２
Ｏ
３
薄膜を成膜する工程と，該Ｙ
２
Ｏ
３
薄膜上にＹ，ＢａおよびＣｕの複合酸化物超電導薄膜を成膜する工程
前記ＺｒＯ
２
　薄膜の上方の領域では，Ｙ，ＢａおよびＣｕの複合酸化物超電導薄膜が（００１）配向するように結晶成長させ，その他の領域では（１１０）配向するように結晶成長させることを特徴とする複合酸化物超電導薄膜の成膜方法が提供される
【００１２】さらに本発明の好ましい実施態様に従うと，上記本発明に係る方法において，前記ＺｒＯ２　薄膜の成膜に先立って，前記Ｓｉウェハの成膜面を希ＨＦ（弗化水素）酸液で洗浄する工程と，該工程後に該Ｓｉウェハを１×１０−６Ｔｏｒｒ以上の高真空中で９００℃以上に加熱する工程とを含むことを特徴とする複合酸化物超電導薄膜の成膜方法が提供される。」
　
・「【００２３】
【実施例】
本発明に係る成膜方法に従って，（１００）面を成膜面とした２枚のＳｉウェハを使用して，Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ複合酸化物を作製した
【００２４】まず，このＳｉウェハを，５０％の希弗化水素酸液で洗浄した。続いて，１枚のＳｉウェハを，１×１０−６Ｔｏｒｒ以下に排気した炉中で，９３０℃に１０分間保持した。
【００２５】
次に，上記の処理を終えたＳｉウェハと，未処理のＳｉウェハとに対して，それぞれＺｒＯ
２
薄膜を堆積させた
・・・（中略）・・・
【００２７】
次に，ＣＦ
４
とＨ
２
との混合ガスを使用した反応性イオンエッチングにより，ＺｒＯ
２
薄膜の一部を除去した
【００２８】
続いて，部分的に露出したＳｉ基板と上記パターニングされたＺｒＯ
２
　薄膜との表面全体に，Ｙ
２
Ｏ
３
薄膜を成膜した
成膜法は，金属ＹをターゲットとしたＭＢＥ法とし，成膜中に酸素ガスを供給することにより，Ｙ
２
Ｏ
３
薄膜を成膜した
・・・（中略）・・・）
【００３０】
最後に，Ｙ
２
Ｏ
３
薄膜上に，マグネトロンスパッタリング法によりＹ−Ｂａ−Ｃｕ複合酸化物薄膜を成膜した
・・・（中略）・・・
【００３２】
以上のようにして作製した２枚の試料について，ＺｒＯ
２
薄膜上の領域と，その他の領域との結晶配向性を，走査型トンネル顕微鏡およびＸ線回折により検査したところ，ＺｒＯ
２
薄膜上の領域では（００１）配向していた。また，その他の領域では，（１１０）配向していた
　
　以上の記載から，引用例２においては，Ｓｉ基板上にＭＢＥ法によるエピタキシャル成膜で結晶配向性を有するＹ２Ｏ３薄膜（バッファ層）を形成し，その上に複合酸化物超電導薄膜を成膜していることが分かる。
　
　　（イ）原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平９−２６０７３３号公報（以下「引用例３」という。）には，「酸化物超伝導体薄膜積層体及び酸化物超伝導体積層体の製造方法」（発明の名称）に関し，図１〜５とともに，次の記載がある。
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は
酸化物超電導体薄膜積層体及び酸化物超電導体薄膜積層体の製造方法に関する
　
・「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，これまで原子の相互拡散のない低温で１２３型超電導体のａ軸配向単結晶薄膜を用いたＳＩＳ型ジョセフソン素子は作製できていない。それは以下の理由によると考えられる。即ち，１２３型超電導体が超電導特性を有するにはある特定の格子定数を有することが必要である。一般に，１２３型超電導体のａ軸配向単結晶薄膜は単結晶基板上でエピタキシャル成長させて作られるため，基板の格子定数とのミスマッチングから生じる格子歪みにより１２３型超電導体の格子定数が変化しそのため超電導特性が低下する。特に，低温で成膜すると１２３型超電導体の格子定数は単結晶基板の格子定数に近くなるため，超電導特性が大きく低下してしまうのである。
【０００６】したがって，
本発明の目的は，低温でも単結晶基板の格子定数の影響を受けず，高い超電動特性の１２３型超電導体のａ軸配向単結晶薄膜を備えた積層体とその製造方法を提供することにある
　
・「【０００８】又，
本発明によれば，ＭｇＯ（１００）単結晶基板を，基板温度５００℃〜１３００℃に維持して，酸素分圧１０ｍＴｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒで熱処理し，その後，この基板上に，基板温度を５００℃〜８５０℃に維持して，スパッタ堆積法により，下記組成式
で表される酸化物から成るｃ軸配向単結晶薄膜を積層し，その薄膜の上に，基板温度を４５０℃〜７５０℃に維持して，スパッタ堆積法により，下記組成式
で表される酸化物超電導体から成るａ軸配向単結晶薄膜を積層する
　
・「【００１０】こ
の酸化物超電導体薄膜積層体は好適には，ＭｇＯ（１００）単結晶基板を用い，該基板の温度を５００℃〜１３００℃に維持して，酸素分圧１０ｍＴｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒで熱処理し，その後，この基板上に，基板温度を５００℃〜８５０℃に維持して，スパッタ堆積法により，式Ｎｄ
１＋ｘ
Ｂａ
２−ｘ
Ｃｕ
３
Ｏ
７−ｙ
（ｘはゼロ乃至０．８の数，ｙはゼロ乃至１の数である）の酸化物から成るｃ軸配向単結晶薄膜を３乃至１００ｎｍの厚みに積層し，その薄膜の上に，基板温度を４５０℃〜７５０℃に維持して，スパッタ堆積法により，式ＹＢａ
２
Ｃｕ
３
 Ｏ
７−ｚ
（ｚはゼロ乃至１の数である）の酸化物超電導体から成るａ軸配向単結晶薄膜を１０乃至１０００ｎｍの厚みに積層して作製される
　
　以上の記載から，引用例３においては，単結晶基板上にスパッタ堆積によるエピタキシャル成膜で配向単結晶薄膜（バッファ層）を形成し，その上に酸化物超伝導体層を成膜していることが分かる。
　
　　ウ　このように，酸化物超伝導体層を成膜するためのバッファ層（結晶配向性を有する）を，エピタキシャル成膜により形成することは，引用例２及び引用例３に記載されており，本願の優先日前に公知であった。
　そして，バッファ層の上に成膜される酸化物超伝導体層の超伝導特性は，その成長の基礎となるバッファ層の結晶配向性に大きく依存することが技術常識であるから，引用発明１において，「多結晶薄膜Ｂ」の成膜をエピタキシャル成膜により行うようにすることは，当業者が容易に考え付くことである。
　したがって，相違点１の構成とすることは，当業者にとって容易であったといえる。
　
（３−２）相違点２について
　　ア　結晶配向性を有する下層の上に，この結晶配向性を受けついた酸化物超伝導体層の上層を成膜するものにおいて，下層にエッチングなどの処理を施すことにより，下層表面に結晶面がきれいに現れるようにしたり，下層表面の結晶性配向性を改善したりして，その上に形成される酸化物超伝導体層の上層の結晶配向性を高めることは，以下のイの周知例１，２，３にもあるように，本願の優先日前に周知の技術である。
　
　　イ　エッチングなどにより下層にエッチングを施す技術の周知例
　　（ア）周知例１（平成２−９７９３号公報）
・「実施例４
　実施例２と同様にして
ＹＢａ
２
Ｃｕ
３
Ｏ
１−ｘ
の単結晶薄膜を製造するに当り，下記の作業を行い，生成する薄膜の性状をチェックした
　
薄膜を成長させる蒸着基板として，表面を研磨したＳｒＴｉＯ
３
単結晶とこれをさらにフッ硝酸で化学エッチングした２種類のものを用いた
エッチングをしていない基板そのものと膜を３００Å，１０００Å蒸着したものの３種類について走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって調べた
その結果ＳｒＴｉＯ
３
研磨面は非常に平滑であり，この上に蒸着した膜も３００Åという非常に薄い膜厚のときから連続性のよい表面の平滑な膜になっていることが判明した
　更にエッチングをした基板とその上に１０００Å蒸着したものの２種類についてＳＥＭによって調べたところ，エッチングを行った基板の表面は数μｍのエッチピットが現れていた。この上に１０００Å蒸着したものでもＳＥＭ像はほとんど同様であり，膜は忠実に基板表面を覆って成長しているのが判明した。このことは本発明によって合成した膜の表面が非常に平滑性に優れていることを表していると言える。
　第４図に研磨面上に２０００Å蒸着した試料について実施例５の方法によって酸素処理を行ってから測定した電気抵抗の温度変化の結果を示す。電気抵抗が零になる温度は９０．２Ｋであり抵抗変化の温度幅も１．７Ｋと非常に狭い値になっており極めて良質な超伝導薄膜ができていることがわかる。」（８頁左上欄２行〜同右上欄５行）
　
　　（イ）周知例２（特開平５−１４８０６６号公報）
・「【０００２】
【従来の技術】
薄膜を成膜する際に使用する基板は，一般に薄膜を構成する材料，薄膜に要求される特性等に合わせて選択される
特殊な場合を除いて，基板と薄膜との間の反応や，相互拡散は起こらないことが好ましい
その一方，薄膜の結晶状態，結晶方向には基板の結晶構造が大きく影響する
即ち，所定の方向の単結晶または所定の配向性を有する多結晶で構成された薄膜を作製する場合には，基板成膜面に現れている基板材料の結晶面を選択する必要がある
【０００３】
酸化物超電導体は，その超電導特性に結晶異方性があるので薄膜を作製する場合には，構成する酸化物超電導体の結晶方向が重要である
酸化物超電導体は比較的反応性が高く，さらに基板等と反応を起こしたり，基板の成分元素が拡散した酸化物超電導薄膜は超電導特性が大幅に劣化する
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
薄膜の成膜に使用される上記の基板は，一般に薬品による化学的研磨と研磨材を使用した機械的研磨とによりその成膜面が仕上げられている
【０００５】酸化物超電導薄膜は，結晶性がよく，平滑なものほど超電導特性が優れている。
結晶がよく，平滑な酸化物超電導薄膜を作製するためには，基板成膜面の結晶性，平坦性およびそれらの均一性が重要である
　
　　（ウ）周知例３（特開平８−９２０００号公報）
・「・・・
超伝導薄膜の基板用単結晶に必要な条件として下記のものが求められる
１．膜と格子定数が近い（構造も近い方が望ましい）
２．膜と熱膨張係数が近い
３．膜との反応がない（構成元素が膜に拡散しない）
４．膜の使用温度範囲に相転移がない（Ｔｃ〜成膜温度）
５．誘電率が小さい｛誘電正接（ｔａｎδ）も小さい方が望ましい｝
６．高品質結晶が得られる
７．大形基板の入手が可能
８．安定供給が可能（望ましくは安価）
９．
表面の歪み（加工変質層）がない
表面が平坦である
９，１０が加工法に関係する
従来より，コロイダルシリカなどの軟質砥粒によるメカノケミカルポリッシングまたは化学薬品によるケミカルポリッシングで基板用単結晶表面の仕上げをしたり，また成膜前にスパッタエッチングによる処理方法が採用されている
　
　　ウ　そこで，上記周知技術に照らして相違点２の容易想到性について検討すると，引用例１の段落【００３６】，【００３８】には，次の記載がある。
・「
前記のように，基材Ａの成膜面上にＹＳＺの多結晶薄膜Ｂを形成したならば，この多結晶薄膜Ｂ上に酸化物超電導層Ｃを形成する
酸化物超電導層Ｃを多結晶薄膜Ｂ上に形成するには図５に示すＣＶＤ装置を使用する
・「
反応チャンバ２１内に導入された各原料化合物の気化ガスと酸素ガスとは，加熱された基材Ａ表面部で化学反応し，酸化物超電導粒子が生成し，それが基材Ａの多結晶薄膜Ｂの表面に堆積する
酸化物超電導粒子の堆積の際に多結晶薄膜Ｂが予めｃ軸配向し，ａ軸とｂ軸でも配向しているので，多結晶薄膜Ｂ上に形成される酸化物超電導層Ｃの結晶のｃ軸とａ軸とｂ軸も多結晶薄膜Ｂに整合するように成長して結晶化する
これによって結晶配向性の良好な酸化物超電導層Ｃが得られる
　この記載から，引用発明１において，酸化物超伝導層Ｃが，多結晶薄膜Ｂの結晶配向性と整合して成長することが，良好な酸化物超伝導体層Ｃを得るために必要であることが分かる。そして，そのためには，多結晶薄膜Ｂの表面にきれいな結晶面が現れている必要があることが当業者に自明であるから，引用発明１の多結晶薄膜Ｂの表面に上記周知技術を適用し，薄膜表面の結晶状態を整えた上で，酸化物超伝導体層Ｃを成膜するようにすることは，当業者が適宜なし得る技術上の設計事項といえる。
　したがって，相違点２の構成とすることは，当業者が適宜なし得たことである。
　
（４）以上のとおり，引用発明１に引用例２，３の技術及び周知技術を適用することにより，相違点１及び相違点２の構成とすることは，当業者にとって容易であったといえる。したがって，補正発明１は，引用発明１，引用例２，３に記載の技術及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けるこことができない。
　よって，補正発明１は，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４　独立特許要件についての検討（その２）（補正発明１７について）
（１）引用例４の記載と引用発明２
（１−１）引用例４の記載
 　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平４−２１５９７号公報（以下，「引用例４」という。）には，「酸化物超伝導導体用基材」（発明の名称）に関し，第１図〜第５図とともに，次の記載がある。 
・「「産業上の利用分野」
　
この発明は
酸化物超電導導体用の基材に関する
「従来の技術」
　Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系，Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系，Ｔｉ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系などに代表される酸化物超電導体を用いて長尺の超電導導体を開発することがなされている。
　この種の酸化物超電導体を用いて長尺の超電導導体を実用化することを考えると，テープ状の金属などのように可撓性に優れ，しかも加工性の良好な材料からなる基材を用意し，この基材上に，酸化物超電導薄膜を形成して酸化物超電導導体を製造することが望まれる。
　ところが，現在までに報告されている酸化物超電導導体用の金属基材は，金，白金，銀，ハステロイなどに限られており，これらの材料からなる基材上に酸化物超電導薄膜を形成して得られた酸化物超電導導体は，チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）あるいはマグネシア（ＭｇＯ）等の単結晶体からなる基板上に酸化物超電導薄膜を形成して得られた酸化物超電導導体に対し，臨界電流密度が２〜３桁小さいのが現状である。
　このように金属製の基材上に形成した酸化物超電導薄膜の臨界電流密度が小さくなる主な原因として知られているのは，酸化物超電導体の結晶の配向性の問題である。即ち，この種の酸化物超電導体は，結晶の特定の方向に電流を流し易く，特定の方向に電流を流しにくい電気的異方生を有している。
　従って
酸化物超電導体を用いて超電導導体を製造しようとする場合，結晶の配向性を制御することが重要な課題となる
　ここでペロブスカイト構造を基本構造とする酸化物超電導体の結晶構造においては，結晶軸のｃ軸方向とｂ軸方向とに銅原子と酸素原子とが配列して結合され，この結合部分が結晶軸のｃ軸方向に層状に積層された構造をなしている。
　従って，この系の酸化物超電導体は，結晶のａ−ｂ面内の臨界電流密度が高くなるので，臨界電流密度を高めるためには，結晶のａ−ｂ面を基材表面に平行に配置するように，即ち，結晶軸のｃ軸を基材表面に垂直に向くように酸化物超電導体を成膜することが好ましい。更に，酸化物超電導薄膜を基材表面に成膜する必要がある背景から，用いる基材の表面の結晶格子の大きさは，酸化物超電導体のａｂ軸方向の結晶格子の大きさに等しいことが望ましい。
　以上のような観点から前述の単結晶体の基板を検討してみると，（１００）面で配向しているＳｒＴｉＯ３の結晶においては，ａ＝３．９１Åであり，（１００）面で配向しているＭｇＯの結晶においては，ａ＝４．２１Åであるのに対し，Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７−８なる組成のＹ系酸化物超電導体にあっては，ａ＝３．８９Å，ｂ＝３．８２Åであって前記の値に極めて近い値となっている。
　これに対し，Ａｇからなる基材は，ａ＝４．０９Åの面心立方の結晶構造を有してはいるものの，従来から酸化物超電導導体の製造用として用いられてきたものは，多結晶構造で結晶の向きも揃っていないものであった。このため，Ａｇの基材上に酸化物超電導薄膜を作製した場合に，基材の表面と酸化物超電導薄膜のａｂ軸の格子定数の不整合により，酸化物超電導薄膜をｃ軸配向させることが難しい問題があった。
　また，Ａｇからなる基材は，酸化物超電導体を形成した後に行う熱処理によって軟化する傾向があり，超電導磁石の電磁力に起因する外力が作用する装置への応用としては強度不足となる問題がある。また，基材自体が強度不足であると，応力付加によって基材上の超電導薄膜にクラックが入ったり，基材と超電導薄膜が剥離するおそれがあった。
　
本発明は前記課題を解決するためになされたもので，酸化物超電導薄膜を良好な結晶配向状態で形成できるとともに，機械強度が高く，応力付加に強い酸化物超電導導体を得ることができる基材を提供することを目的とする
［課題を解決するための手段」
　
請求項１に記載した発明は前記課題を解決するために，基材の外面に酸化物超電導薄膜を形成してなる酸化物超電導導体用の基材であって，前記基材を，貴金属よりも高強度の可撓性の耐熱性の金属基材部と，この金属基材部の外面に被覆された結晶質の面心立方構造の貴金属材料からなる被覆層とから構成し，前記被覆層の外面において，少なくとも酸化物超電導薄膜を形成する部分を，（１００）面の方向に結晶配向されてなる
「作用」
　酸化物超電導体の格子定数に近い格子定数を有する貴金属からなる被覆層を備えた基材を用い，この被覆層の結晶を（１００）面の方向に配向しているので，この被覆層上に酸化物超電導薄膜を成膜するならば，酸化物超電導薄膜が被覆層の表面の結晶構造に整合しつつ成長する。従って基材表面にＣ軸配向した酸化物超電導薄膜が生成する。
　また，貴金属製の被覆層を強度の高い金属基材部で補強しているので，貴金属単独からなる基材よりも機械強度に優れ，応力付加に対して強い構造となる。
　
以下に本発明を更に詳細に説明する
　
本発明の基材を形成し，更に酸化物超電導導体を製造するには，まず，圧延加工などの塑性加工により，厚さ０．１〜０．５ｍｍ程度の長尺のテープ状の可撓性のある第１図に示す金属基材部ｌを形成する
　また，金属基材部ｌを形成する耐熱金属は，貴金属よりも機械強度が高い高強度の金属材料を用いる。
　
次に前記金属基材部１の表面に第２図に示すようにＡｇ，Ａｕ，Ｐｔあるいはこれらの合金などの貴金属からなる被覆層２を形成し，２層構造の基材３を形成する
前記被覆層２を形成する方法は，メッキ法，クラッド法，圧着法，ＣＶＤ法あるいは溶着性などの公知の方法のいずれを用いても良く，要は必要な厚さの被覆層を形成できる手段を用いれば良い
　
これらの貴金属からなる被覆層２は，結晶構造が酸化物超電導体の結晶構造と類似であって，格子定数も近いものである
　
前記テープ状の２層構造の基材３を形成したならば，好ましくは１気圧以下の酸素分圧下において，３００℃を越える温度で７００℃より低い温度，より好ましくは５００〜６００℃の温度で，１００時間以下，より好ましくは１〜６時間時間熱処理を行って被覆層２の表面の結晶を配向させる
　
ここで，銀などの金属は，強圧延加工などの強い塑性加工を受けると，加工組織，即ち優先方位を持った集合組織になって，特殊な方位に結晶が揃うことが知られている
従って，前述の圧延加工によりテープ状に形成して集合組織を発達させたものに熱処理を施すことにより結晶粒の結晶方位を特定方向に優先的に揃えることができ，この際の方位が（１００）方向であって，酸化物超電導体の格子定数ならびにＣ軸配向性に寄与する
　前記の熱処理によって被覆層２の表面の結晶は，（１００）面が配向する。なお，基材３を熱処理する際の雰囲気は，大気圧中でも差し支えない。ここで金属基材部ｌはハステロイなどの耐熱金属から形成されるので，熱処理によって強度低下を引き起こしたり損傷することもない。
　
次に前記基材３上に，スパッタリング，分子線エピタキシー法，レーザＰＶＤ法，ＣＶＤ法などの成膜手段を用いて第３図に示すように酸化物超電導薄膜４を形成する
　
前記基材３上に酸化物超電導薄膜４を形成する場合，基材表面の結晶が（１００）面に配向しているので，基材表面上に形成される酸化物超電導薄膜４の結晶の配向性も整った状態となる。即ち，酸化物超電導薄膜４の結晶のａ−ｂ面が被覆層２の上面に平行に向き，同結晶のＣ軸が被覆層２の表面に対して垂直になるように結晶配向す
　基材３上に酸化物超電導薄膜４を形成したならば，酸化物超電導薄膜４の均質化を目的として５００〜８００℃に１分〜数時間程度加熱した後に徐冷する熱処理を施しても良い。この熱処理によって酸化物超電導薄膜４の結晶構造が整えられて超電導特性が向上し，酸化物超電導導体５が得られる。
　前述のように表面結晶が配向した被覆層２上に更に酸化物超電導薄膜４を成膜するならば，被覆層２の結晶軸に酸化物超電導薄膜４の結晶軸を一致させなから成膜できるので，酸化物超電導薄膜４を基材上に配向状態で成膜することができる。・・・」(１頁左下欄下から５行〜３頁右下欄下から２行）
・「「実施例」
　
ハステロイＣ−２７６からなる厚さ０．３ｍｍ，幅５ｍｍのテープ状の金属基材部を圧延加工により形成し，これの表面に，Ａｇからなる厚さ０．１ｍｍの被覆層を形成し，全体を０．５〜１．０気圧の酸素分圧下において，５００℃で１時間熱処理を加えることで，被覆層表面のＡｇの結晶を（１００）面に沿うように配向させた
　
続いてレーザ蒸着装置を用いて被覆層上にＹ
１
Ｂａ
２
Ｃｕ
２
Ｏ
７−８
なる組成の酸化物超電導薄膜を成膜した
　第５図に，前記のように製造された酸化物超電導薄膜のＸ線回折試験結果を示す。第５図から明らかなように，Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ２Ｏ７−８なる組成の酸化物超電導体に特有の回折ピークが見られ，配向状態の酸化物超電導薄膜を被覆層上に形成できることが明らかになった。
　また，前記のように製造された酸化物超電導導体の引張り強度を測定した結果，５０ｋｇ／ｍｍ２の優秀な値を示した。これに対し，前記基材と同一寸法のＡｇテープを用い，これを熱処理して結晶配向させ，その上に超電導薄膜を形成して得られた酸化物超電導導体の引張り強度は１４ｋｇ／ｍｍ２であった。
　以上のことから本発明の基材を用いて製造された酸化物超電導導体は，配向性の良好な酸化物超電導薄膜を備えるとともに，Ａｇのみのテープ材と比較し，引張り強度も高いことが明らかになった。従って前記酸化物超電導導体は，電磁力による応力付加などにさらされる超電導磁石用などとして好適である。」（４頁左上欄８行〜右上欄下から３行）
　
（１−２）引用発明２　
　以上によれば，引用例４には，次の発明（以下「引用発明２」という。）が開示されている。
「圧延加工により形成したテープ状の金属基材部１の表面に貴金属からなる被覆層２を形成し，全体を１気圧以下の酸素分圧下において３００〜７００℃，好ましくは５００〜６００℃の熱処理を加えることで，被覆膜の結晶を配向させ，この被覆膜上に酸化物超伝導薄膜４を形成することにより，結晶配向性の高い超伝導導体を製造する方法。」
　
（２）補正発明１７と引用発明２の一致点及び相違点
（２−１）補正発明１７と引用発明２との対比
　　ア　引用発明２の「金属基材部１」，「被覆層２」，「酸化物超電導薄膜４」は，補正発明１７の「第３の材料」，「第１の材料層」，「第２の材料層」に相当する。そして，「第１の材料層」に相当する「被覆層２」が，「バッファ層」を構成していることは，明らかである。
　　イ　酸化物超伝導体は，一般に，高温超伝導体として知られているから，引用発明２の「酸化物超電導薄膜４」も，「高温超伝導薄膜」であるものと理解される。そして，引用発明２も，「被覆層２」（補正発明１７の「第１の材料層」に相当）の表面上に，「酸化物超電導薄膜４」（補正発明１７の「第２の材料層」に相当）を成膜するものであるから，「高温超伝導薄膜を備えた多層体の製造方法」といえる。
　　ウ　引用発明２においても，１気圧（７６０Ｔｏｒｒ）以下の酸素分圧下において「被覆層２」に熱処理を加えることで，「被覆層２」の表面の結晶を配向させている。そして，この配向は，金属基材部１（圧延加工により結晶配向性が与えられている）の配向に沿うものである。
　そうすると，引用発明２も，「成膜された前記材料とほぼ同一の結晶構造を有したコンディショニング表面を形成すべく，約９３３１０Ｐａ（約７００Ｔｏｒｒ）未満の酸素ガス圧下にて前記第１の材料層の表面を加熱し，これにより，(ii)互いに直交配列した表面領域を設けること，又は(iii)直線エッジを有する領域を設けること，に帰着する，熱処理工程」を含む点で，補正発明１７と共通する。
　
（２−２）両者の一致点及び相違点
　以上によれば，補正発明１７と引用発明２は，
「バッファ材料からなる第１の材料を成膜した層を形成すべく第３の材料の表面に第１の材料を成膜する工程と，
　成膜された前記材料とほぼ同一の結晶構造を有したコンディショニング表面を形成すべく，約９３３１０Ｐａ（約７００Ｔｏｒｒ）未満の酸素ガス圧下にて前記第１の材料層の表面を加熱する工程であって，(ii)互いに直交配列した表面領域を設けること，又は(iii)直線エッジを有する領域を設けること，に帰着する，加熱工程と，
　前記コンディショニング表面に第２の材料層を成膜する工程とを有する，高温超伝導薄膜を備えた多層体の製造方法。」
　である点で一致し，次の点で相違する。
　
〔相違点３〕
　補正発明１７では，第３の材料の表面に第１の材料を成膜する工程において「エピタキシャル成膜」しているのに対し，引用発明２では，「第１の材料」に相当する「被覆層２」が，「エピタキシャル成膜」であるかどうか不明である点。
　
〔相違点４〕
　補正発明１７では，「加熱工程」における加熱が，「第１の材料層の成膜温度及び結晶化温度から選択される温度より少なくとも５℃高い温度まで加熱する」ものであるのに対し，引用発明２では，「３００〜７００℃，好ましくは５００〜６００℃の熱処理を加える」ものである点。
　
（３）相違点についての検討
（３−１）相違点３について
　引用例４には，「被覆層２」が「エピタキシャル成膜」されたものであるとの記載はない。しかし，上記（２−１）ウによれば，「被覆層２」の結晶配向は，「圧延加工により形成したテープ状の金属基材部１」の結晶配向に沿うものであるから，引用発明２の「被覆層２」も，「エピタキシャル成膜」されたものといえる。
　また，仮に，引用発明２の「被覆層２」が，「エピタキシャル成膜」を意識したものとはいえないとしても，圧延加工により形成したテープ状の金属基材の上面にバッファ層をエピタキシャル成膜させ，この上に酸化物超伝導薄膜を形成する技術自体，以下の周知例４，５にも記載されているように，周知である
・周知例４（特開平５−１０９３２９号公報）
　　図１及び段落【００１０】〜【００１３】の記載。　
・周知例５（特表平１１−５０４６１２号公報）
　　２５頁の「例１１」についての記載。
　したがって，「エピタキシャル成膜」を意識して「被覆層２」を成膜することは，当業者が容易に考え付いたこといえる。
　
（３−２）相違点４について
　補正発明１７は，「第１の材料層の成膜温度及び結晶化温度から選択される温度より少なくとも５℃高い温度まで加熱する」というものであるが，「第１の材料層の成膜温度」は，用いる成膜方法に大きく依存するから，「その温度よりも少なくとも５℃高い温度」は用いる成膜方法によって大きく変動する。このように大きく変動する温度範囲に含まれる加熱処理で，どれほどの効果が得られるのか極めて疑問である。また，引用発明２の加熱処理は，「被覆層２」の表面を結晶配向させるために行うのであるから，結晶化温度から大きく外れない温度で処理がされるものと理解できる。本願明細書を見ても，「第１の材料層の成膜温度及び結晶化温度から選択される温度より少なくとも５℃高い温度まで加熱する」ことの格別の技術的意義は明らかにされていない。
　そうすると，相違点４は，実質的なものでないか，単に，結晶を配向させるいために必要とされる温度範囲の目安を提示した，というにすぎない。
　
（４）以上のとおり，相違点３及び相違点４は，実質的なものでないか，周知技術に照らして当業者が容易に考えついたものである。
　したがって，補正発明１７は，引用発明２及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって，補正発明１７は，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５　独立特許要件についての検討（補正発明３５について）
　補正発明３５は，「第３の材料」が「多結晶」である点を除き，補正発明１７と実質的に相違しない。
　そして，引用発明２においても，「第３の材料」に相当する「圧延加工により形成したテープ状の金属基材部１」は，多結晶になっていると考えられる。なぜなら，金属は，多くの場合，多結晶だからである。
　そうすると，補正発明３５も，補正発明１７と同じ理由で，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。　　
　
６　以上３〜５で検討したとおり，補正発明１，１７，３５は，独立特許要件を満たさないから，いずれにしても，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項に違反するので，特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　前記第２のとおり，本件補正は却下されたので，本願発明１，１７，３５（補正前の請求項１，１７，３５に係る発明）は，平成１９年１０月１５日に提出された補正書による特許請求の範囲の請求項１，１７，３５に記載されたとおりのものである。
　　
２　引用例１，４の記載と引用発明１，２
　引用例１の記載と引用発明１は，前記第２，３（１）で認定したとおりであり，引用例４の記載と引用発明２は，前記第２，４（１）のとおりである。
　
３　対比・判断
　前記第２の３〜５で検討したように，本願の補正発明１，１７，３５は，補正前の請求項１，１７，３５の発明特定事項を限定的に減縮したものである。逆に言えば，本願発明１，１７，３５は，本願補正発明からこのような限定をなくしたものである。
　そうすると，本願発明１，１７，３５の構成要素をすべて含み，これをより具体的に限定したものである本件補正発明１，１７，３５が，前記第２の３〜５で検討したとおり，引用発明１又は２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明１，１７，３５も，同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものといえ，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　
第４　結言
　以上のとおりであるから，本願は，その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。