Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年12月17日(2010.12.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続的還元反応により粉末を製造する方法において、前記粉末が耐熱金属粉末、弁金属粉末、耐熱金属合金粉末、弁金属合金、耐熱金属亜酸化物粉末、または弁金属亜酸化物粉末であり、
ａ）耐熱金属酸化物または弁金属酸化物を金属還元剤とともに連続的粉末混合物として供給し、
ｂ）その際前記耐熱金属酸化物または弁金属酸化物が五酸化タンタル、五酸化ニオブ、ニオブ亜酸化物、三酸化タングステン、三酸化クロム、三酸化モリブデン、五酸化バナジウム、酸化ニオブまたはこれらの混合物からなる群から選択され、前記金属還元剤がマグネシウムであり、
ｃ）前記混合物を反応容器中で加熱することにより発熱反応が引き起こされ、一定の供給速度を維持することにより、高い自立発熱反応を生じ、高温安定反応帯域が、前記耐熱金属酸化物または弁金属酸化物の融点を上回らず、前記金属還元剤の沸点を上回る温度を有するように調節し、前記耐熱金属酸化物または弁金属酸化物を前記反応帯域中で還元し、かつ
ｄ）実質的に不純物を含まない高い表面積の前記粉末を回収する
ことを特徴とする連続的還元反応により粉末を製造する方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
種々の酸化物とマグネシウムとの還元反応のエンタルピーおよびその断熱温度が示される表１から自立性になる種々の反応の可能性がよく理解できる。表１から反応１〜９が以下に記載する所定の条件下で自立性になる高い温度フラッシュを生じるが、反応１０がそれ自体に伝導するほど十分な熱エネルギーを放出しないことが理解できる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
【表１】
2004531646.tif 000001
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
有利な実施態様の詳細な説明
図１は本発明の方法を実施する装置を示す。垂直管形炉１０は、混合ブレンド１４として用意される耐熱金属酸化物粉末および還元剤粉末（他の実施例では反応物質を別々に供給することができる）を保持するホッパー１２、ブレンド１４をホッパー１２の外部に一定に排出するスクリュー供給器１６、スクリュー供給器１６から供給される酸化物粒子を分解する酸化物分散装置１８、自立反応を行う３帯域電気炉２６により加熱される酸化物分散装置１８に結合したパイプまたは反応器２４、還元生成物３０が集められる反応器２４に結合した受け器２８および未処理の（凝縮した）還元剤粉末が集められるトラップ３２を有する。反応器の熱帯域の長さは約５フィート（約１.５ｍ）である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
例１
図２に示されるように五酸化タンタルを気体のマグネシウムで還元した。マグネシウム溶融装置内の温度は９７５℃であり、炉内の温度はマグネシウムが冷却部分に凝縮することを避けるために９８５℃に維持した。アルゴンが溶融装置を流動し、炉は５５ｓｃｆｈであった。平均酸化物供給速度は１.５ｋｇ／ｈであった。還元は３時間継続した。不活性化の後に受け器を開放し、生成物を希釈硫酸で浸出し、残りのマグネシウムおよび酸化マグネシウムを除去した。引き続きケーキを炉内で６５℃で乾燥し、分析した。還元した粉末の表面積は１７ｍ２／ｇであり、かさ密度は２６.８ｇ／ｉｎ３であり、酸素含量は１３.２Ｗ／Ｗ％であった。一定の酸化物およびマグネシウム供給速度を維持できないために還元は６０％のみ終了し、これが試験の経過中に自立反応で不安定性を生じた。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
例４〜８
表４は種々の混合物供給速度で行われる試験の結果を示す。マグネシウム化学量は１００.５％であった。例５〜７で製造した粉末はコンデンサグレードのタンタル粉末の製造に適した特性を有した。反応帯域温度は五酸化タンタルの融点より低かった（表２および図３）。低い供給速度および高い供給速度および関係する反応帯域温度で製造した粉末は還元しなかった。還元は高い供給速度および関係する反応帯域温度で製造した粉末では特に少なかった（例８）。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
例１０〜１３
表６は本発明により（連続的マグネシウム還元）、バッチ式マグネシウム還元によりおよび３０Ｖおよび５０Ｖで陽極処理した前および後のナトリウム還元により製造した粉末から製造した焼結ペレットの計算した平均孔径（ＡＰＤ）を示す。ペレットは生密度５.０ｇ／ｃｃに圧縮し、１２１０℃で２０分間焼結した。ペレットを０.１Ｖ／Ｖ％Ｈ３ＰＯ４溶液中で、８０℃、電流密度１００ｍＡ／ｇで２時間かけて陽極処理し、形成電圧に保持した。Ｍｉｃｒｏｍｉｒｅｔｉｃｓ  Ａｕｔｏ  Ｐｏｒｅ  ＩＩＩモデル水銀細孔計を使用して孔径分布を測定した。バッチ式マグネシウム還元法およびナトリウム還元法により製造した焼結したペレットがより高い平均孔径を有するにもかかわらず、３０Ｖおよび５０Ｖに陽極処理する際のＡＰＤ損失は本発明の連続的マグネシウム還元法により製造した粉末から製造したペレットがより少ない。これはバッチ式マグネシウム還元法またはナトリウム還元法により製造した粉末から製造したペレットに対する本発明の連続的マグネシウム還元法から製造したペレットの形状の改良による徴候である。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
例えば表面積０.４４ｍ２／ｇのニオブ亜酸化物（ＮｂＯ２）とマグネシウム粉末の混合物を図２に示される垂直炉配置で混合物供給速度１７ｋｇ／ｈで処理した。マグネシウム化学量は１００.５％であった。炉を１１５０℃の温度に保った。製造した粉末はＯ１３.６％（ＮｂＯ中の酸素含量は１４.７％である）およびＮ３６０ｐｐｍを含有し、２.４ｍ２／ｇの表面積を有した。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月25日(2010.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ＶＩＰＲ１ポリペプチド又は核酸を含むアッセイ系を提供する工程と、
（ｂ）アッセイ系を試験剤と接触させる工程と、
（ｃ）（ｂ）の試験剤の有無の下でＶＩＰＲ１の発現又は活性を測定する工程と、
（ｄ）試験剤の存在下でのＶＩＰＲ１の発現又は活性の変化を、試験剤がない場合と比較して検出することによって、候補Ｅ２Ｆ／ＲＢ経路調節剤を同定する工程と
を含む、候補Ｅ２Ｆ／ＲＢ経路調節剤を同定する方法。
【請求項２】
アッセイ系がＶＩＰＲ１ポリペプチドを発現する培養細胞を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
培養細胞がさらに欠陥Ｅ２Ｆ／ＲＢ機能を有する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
アッセイ系がＶＩＰＲ１ポリペプチドを含むスクリーニングアッセイを含み、候補試験剤が小分子モジュレーターである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
アッセイが結合アッセイである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
アッセイ系が、アポトーシスアッセイ系、細胞増殖アッセイ系、及び血管形成アッセイ系からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
アッセイ系がＶＩＰＲ１ポリペプチドを含む結合アッセイを含み、候補試験剤が抗体である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
アッセイ系がＶＩＰＲ１核酸を含む発現アッセイを含み、候補試験剤が核酸モジュレーターである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
核酸モジュレーターがアンチセンスオリゴマーである、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
核酸モジュレーターがＰＭＯである、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
（ｄ）（ｃ）で同定された候補Ｅ２Ｆ／ＲＢ経路調節剤を、Ｅ２Ｆ／ＲＢ機能に欠陥がある細胞を含むモデル系に投与し、Ｅ２Ｆ／ＲＢ機能が修復されたことを示すモデル系における表現型の変化を検出する工程
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
モデル系が欠陥Ｅ２Ｆ／ＲＢ機能を有するマウスモデルである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
Ｅ２Ｆ／ＲＢ機能に欠陥がある細胞を、ＶＩＰＲ１ポリペプチドに特異的に結合する候補モジュレーターと接触させることを含み、それによりＥ２Ｆ／ＲＢ機能が修復される、細胞のＥ２Ｆ／ＲＢ経路を調節する方法。
【請求項１４】
Ｅ２Ｆ／ＲＢ機能の欠陥に起因する疾病又は疾患を有することが事前に確定されている脊椎動物に候補モジュレーターを投与する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
候補モジュレーターが抗体及び小分子からなる群から選択される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
（ｄ）ＶＩＰＲ１を発現している非ヒト動物又は培養細胞を含む二次アッセイ系を提供する工程と、
（ｅ）二次アッセイ系を（ｂ）の試験剤又はそれから誘導した作用剤と、試験剤又はそれから誘導した作用剤が存在しない場合に二次アッセイ系により対照活性がもたらされる条件下で接触させる工程と、
（ｆ）作用剤の影響を受けた第２アッセイ系の活性を検出する工程
をさらに含み、作用剤の影響を受けた第２アッセイ系の活性と対照活性との差により試験剤又はそれから誘導した作用剤が候補Ｅ２Ｆ／ＲＢ経路調節剤であることが同定され、
ここで第２アッセイにより作用剤の影響を受けたＥ２Ｆ／ＲＢ経路における変化を検出する、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
二次アッセイ系が培養細胞を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
二次アッセイ系が非ヒト動物を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
非ヒト動物がＥ２Ｆ／ＲＢ経路の遺伝子をミスエクスプレスする、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
哺乳動物の細胞をＶＩＰＲ１ポリペプチド又は核酸と特異的に結合する作用剤と接触させることを含む、哺乳動物細胞内のＥ２Ｆ／ＲＢ経路を調節する方法。
【請求項２１】
Ｅ２Ｆ／ＲＢ経路に関連する病状を有することが事前に確定されている哺乳動物に作用剤を投与する、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
作用剤が小分子モジュレーター、核酸モジュレーター、又は抗体である、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
胸部腫瘍細胞、肺腫瘍細胞又は膵臓腫瘍細胞の増殖を阻害する際に用いるための、配列番号：１のＶＩＰＲ１核酸を特異的に結合するＶＩＰＲ１特異的核酸モジュレーター。
【請求項２４】
核酸モジュレーターがアンチセンスオリゴマーである、請求項２３に記載の特異的核酸モジュレーター。
【請求項２５】
核酸モジュレーターがｓｉＲＮＡ又はｄｓＲＮＡである、請求項２３又は２４に記載の特異的核酸モジュレーター。
【請求項２６】
腫瘍細胞の増殖を阻害するための医薬であって、配列番号：１のＶＩＰＲ１核酸を特異的に結合するＶＩＰＲ１特異的核酸モジュレーターを含有してなり、該腫瘍細胞が胸部腫瘍細胞、肺腫瘍細胞及び膵臓腫瘍細胞からなる群から選択される医薬。
【請求項２７】
核酸モジュレーターがアンチセンスオリゴマーである、請求項２６に記載の医薬。
【請求項２８】
核酸モジュレーターがｓｉＲＮＡ又はｄｓＲＮＡである、請求項２６に記載の医薬。
【請求項２９】
腫瘍細胞の増殖を阻害するための医薬の製造のための、配列番号：１のＶＩＰＲ１核酸を特異的に結合するＶＩＰＲ１特異的核酸モジュレーターの使用であって、該腫瘍細胞が胸部腫瘍細胞、肺腫瘍細胞及び膵臓腫瘍細胞からなる群から選択される使用。
【請求項３０】
核酸モジュレーターがアンチセンスオリゴマーである、請求項２９に記載の特異的核酸モジュレーター。
【請求項３１】
核酸モジュレーターがｓｉＲＮＡ又はｄｓＲＮＡである、請求項２９に記載の特異的核酸モジュレーター。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月9日(2010.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷機におけるシートのアライメントに対する装置であって：
前進方向に対して横断する方向において並びにスキュー位置に対してシートのアライメントを行なう、各組が駆動ローラ及び自由に回転可能であるよう担持されるカウンタプレッシャローラを有する２組のローラと、
前記２つの駆動ローラの各々に対する１つの駆動ユニットと、
を有し、
該駆動ユニットの各々は、モータ及びそこに連結される駆動シャフトを有し、前記駆動ローラは、夫々の駆動シャフトにおいてねじれずに収容され、
前記カウンタプレッシャローラ及び／又は前記駆動ローラのランニング表面は、前記前進方向に対して横断方向に延在するカム輪郭を有し、
該カム輪郭は、前記ランニング表面を横断方向において二分する平面において位置決めされる中心を有する円形カムを定義付ける、
ことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記駆動ローラは、望ましくはセグメント化されたローラとして構成され、該セグメントローラは、前記シートを解放するよう周囲から切り欠きされた少なくとも１つのセグメントを有する、
ことを特徴とする請求項１乃至１７のうちいずれか一項記載の装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の装置におけるシートのアライメントに対する方法であって：
該装置におけるシートのスキューを検出する段階と；
スキュー修正を実行するよう、検出された前記スキューに応じて駆動ローラの回転動作を個別に制御する段階と；
前記シートの前進方向に対して横断する方向において前記シートの位置を検出する段階と；
前記シートの前進方向に対して横断する方向において前記シートを事前に特定された位置へともたらすよう、前記シートの前記前進方向に対して横断方向における前記駆動ローラのシフトを制御する段階と、
によって特徴付けられる方法。
【請求項４】
請求項１又は２記載の装置を有する印刷機であって、
該装置は、少なくとも１つの印刷ユニットに対して上流に配置される、
ことを特徴とする印刷機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の一実施例において、シートの先端エッジは、まず２つのセンサによって検出される。該２つのセンサは、駆動ローラの上流（シートの前進方向からみて）にあり、また、前進方向に対して横断方向に互いから距離を置く。先端エッジがセンサによって検出される時間における差異に基づき、駆動ローラは、先端エッジから基本的に同一の距離においてその都度シートをつかむよう制御される。例えば、これは、駆動ローラの回転が適時（センサによる先端エッジの検出における時差に対応する）に異なる点において開始される点において達成される。結果として、シートが駆動ローラによってつかまれ次第、シートの先端エッジは、前進方向に対して横断する方向において互いから距離を置く２つのセンサによって、再度検出され得る。シートの前進方向を考慮して、かかるセンサは、駆動ローラによってつかまれた後に先端エッジの検出を可能にするよう、駆動ローラの下流方向に配置される。先端エッジの検出における時差に基づき、夫々の駆動ローラの回転の速度は、シートのスキュー修正を実行するよう制御され得る。しかしながら、駆動ローラはまた、前進方向からみて、単一の上流におけるセンサの組又は下流におけるセンサの組による先端エッジの検出に基づいて始動され得る。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月29日(2010.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信機のマルチ・キャリア変調信号のピーク対平均電力比（ＰＡＰＲ）を低減するコンピュータ実装方法であって、
（ａ）前記送信機がＰＡＰＲ低減に利用可能な１つ又は複数のトーンを有するかどうかを判定するステップと、
（ｂ）前記送信機がＰＡＰＲ低減に利用可能な１つ又は複数のトーンを有すると前記ステップ（ａ）が判定したときには、
（ｂ１）ＰＡＰＲ低減に利用可能な少なくとも１つのトーンに少なくとも１つのＰＡＰＲ低減シンボルを割り当てるステップと、
（ｂ２）前記少なくとも１つのＰＡＰＲ低減シンボルを使用して前記マルチ・キャリア変調信号を生成するステップと、を含む方法。
【請求項２】
前記マルチ・キャリア変調信号は直交周波数分割多重（ＯＦＤＭ）信号である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ステップ（ａ）は、ＰＡＰＲ低減に利用可能な少なくとも１つのトーンがＰＡＰＲ低減用に事前に予約されているかどうかを判定する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記送信機がＰＡＰＲ低減用に事前に予約された少なくとも１つのトーンを有していると前記ステップ（ａ）が判定したときには、前記ステップ（ｂ１）は、ＰＡＰＲ低減用に事前に予約された少なくとも１つのトーンに少なくとも１つのＰＡＰＲ低減シンボルを割り当てるステップを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ステップ（ａ）は、ＰＡＰＲ低減に利用可能な少なくとも１つのトーンがそれ自体にどのデータシンボルも割り当てられていない非予約トーンであるかどうかを判定する、請求項１に記載の発明。
【請求項６】
前記送信機がどのシンボルも割り当てられていない非予約トーンである少なくとも１つのトーンを有していると前記ステップ（ａ）が判定したときには、前記ステップ（ｂ１）は、前記少なくとも１つの非予約トーンに少なくとも１つのＰＡＰＲ低減シンボルを割り当てるステップを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ＰＡＰＲ低減に利用可能な少なくとも１つのトーンがそれ自体にどのデータシンボルも割り当てられていない非予約トーンであると前記ステップ（ａ）が判定したときには、前記ステップ（ｂ）は、前記少なくとも１つの非予約トーンが隣接送信機によって使用されているかどうかを判定するステップをさらに含み、
前記少なくとも１つの非予約トーンが隣接送信機によって使用されていると前記ステップ（ｂ）が判定したときには、前記ステップ（ｂ）は、前記マルチ・キャリア変調信号用の干渉低減方法を適用するステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ステップ（ａ）は、前記送信機がＰＡＰＲ低減用に事前に予約された１つ又は複数の予約トーンを有するかどうかを判定するステップを含み、
前記送信機が１つ又は複数の予約トーンを有すると前記ステップ（ａ）が判定したときには、
前記ステップ（ｂ１）は、少なくとも１つの予約トーンに関する少なくとも１つの他のＰＡＰＲ低減シンボルを生成するステップをさらに含み、
前記ステップ（ｂ２）は、前記少なくとも１つのＰＡＰＲ低減シンボルと前記少なくとも１つの他のＰＡＰＲ低減シンボルとを使用して前記マルチ・キャリア変調信号を生成するステップを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記マルチ・キャリア変調がＰＡＰＲ低減用に使用可能な何らのトーンも有さないと前記ステップ（ａ）が判定したときには、ダウンストリームの増幅器によりマルチ・キャリア変調信号の歪を低減する技法を用いてマルチ・キャリア変調信号を生成し、前記技法は、トーンにＰＡＰＲ低減シンボルを割り当てない、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ＰＡＰＲ低減シンボル・ジェネレータと逆高速フーリエ変換（ＩＦＦＴ）プロセッサとを有するマルチ・キャリア変調器用のコントローラを含む装置であって、前記コントローラが、
（ａ）前記マルチ・キャリア変調器がＰＡＰＲ低減に利用可能な１つ又は複数のトーンを有するかどうかを判定し、
（ｂ）前記コントローラが、前記マルチ・キャリア変調器がＰＡＰＲ低減に利用可能な１つ又は複数のトーンを有すると判定したときには、
（ｂ１）前記ＰＡＰＲ低減シンボル・ジェネレータが、ＰＡＰＲ低減に利用可能な少なくとも１つのトーンに関する少なくとも１つのＰＡＰＲ低減シンボルを生成し、
（ｂ２）前記ＩＦＦＴプロセッサが、前記少なくとも１つのＰＡＰＲ低減シンボルを使用して前記マルチ・キャリア変調信号を生成する、ように適合される、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月1日(2010.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アミノ酸番号217で切断されたヒトDLL4のN末端断片(SEQ ID NO: 25)に特異的に結合する、モノクローナル抗体。
【請求項２】
ヒトDLL4 DSLドメイン(SEQ ID NO: 26)内のアミノ酸を含むエピトープに結合する、請求項1記載のモノクローナル抗体。
【請求項３】
アミノ酸番号66〜73 (QAVVSPGP)を含むエピトープに結合する、請求項1または2記載のモノクローナル抗体。
【請求項４】
アミノ酸番号139〜146 (LISKIAIQ)を含むエピトープに結合する、請求項1〜3のいずれか一項記載のモノクローナル抗体。
【請求項５】
アミノ酸番号66〜73 (QAVVSPGP)および139〜146 (LISKIAIQ)を含むエピトープに結合する、請求項1〜4のいずれか一項記載のモノクローナル抗体。
【請求項６】
(i) CDRアミノ酸配列CDR1 (SEQ ID NO: 1)、CDR2 (SEQ ID NO: 2、SEQ ID NO: 3、またはSEQ ID NO: 4)、およびCDR3 (SEQ ID NO: 5)を含む、重鎖可変領域; ならびに
(ii) CDRアミノ酸配列CDR1 (SEQ ID NO: 9)、CDR2 (SEQ ID NO: 10)、およびCDR3 (SEQ ID NO: 11)を含む、軽鎖可変領域
を含む、ヒトDLL4に特異的に結合する抗体。
【請求項７】
重鎖可変領域が、CDRアミノ酸配列CDR1 (SEQ ID NO: 1)、CDR2 (SEQ ID NO: 3)、およびCDR3 (SEQ ID NO: 5)を含み、かつ軽鎖可変領域が、CDRアミノ酸配列CDR1 (SEQ ID NO: 9)、CDR2 (SEQ ID NO: 10)、およびCDR3 (SEQ ID NO: 11)を含む、請求項6記載の抗体。
【請求項８】
SEQ ID NO: 6、SEQ ID NO: 7、およびSEQ ID NO: 8からなる群より選択されるアミノ酸を含む重鎖可変領域を含む、ヒトDLL4に特異的に結合する抗体。
【請求項９】
重鎖可変領域がSEQ ID NO: 7のアミノ酸を含む、請求項8記載の抗体。
【請求項１０】
SEQ ID NO: 12のアミノ酸を含む軽鎖可変領域を含む、請求項1〜8のいずれか一項記載の抗体。
【請求項１１】
(a) SEQ ID NO: 6、SEQ ID NO: 7、またはSEQ ID NO: 8に対し少なくとも90%の配列同一性を有する重鎖可変領域；および
(b) SEQ ID NO: 12に対し少なくとも90%の配列同一性を有する軽鎖可変領域
を含む、ヒトDLL4に特異的に結合する抗体。
【請求項１２】
SEQ ID NO: 7を含む重鎖可変領域およびSEQ ID NO: 12を含む軽鎖可変領域を含む、ヒトDLL4に特異的に結合する抗体。
【請求項１３】
ATCC寄託番号PTA-8427またはPTA-8425で寄託したプラスミドによりコードされる抗体と同じ重鎖ポリペプチド配列および軽鎖ポリペプチド配列を含む、抗体。
【請求項１４】
ATCC寄託番号PTA-8670で寄託したプラスミドによりコードされる21M18抗体中に包含される重鎖可変領域CDRアミノ酸配列および軽鎖可変領域CDRアミノ酸配列を包含する、モノクローナル抗体。
【請求項１５】
ATCC寄託番号PTA-8427またはPTA-8425で寄託したプラスミドによりコードされる抗体と、ヒトDLL4への特異的結合について競合する、ヒト化抗体。
【請求項１６】
ヒト化抗体である、請求項1〜15のいずれか一項記載の抗体。
【請求項１７】
ヒト抗体である、請求項1〜15のいずれか一項記載の抗体。
【請求項１８】
二重特異性抗体である、請求項1〜17のいずれか一項記載の抗体。
【請求項１９】
IgG1抗体である、請求項1〜18のいずれか一項記載の抗体。
【請求項２０】
IgG2抗体である、請求項1〜18のいずれか一項記載の抗体。
【請求項２１】
ヒトDLL1またはヒトDLL3と交差反応しない、請求項1〜20のいずれか一項記載の抗体。
【請求項２２】
マウスDLL4と交差反応しない、請求項1〜21のいずれか一項記載の抗体。
【請求項２３】
約0.1μMまたはそれ未満のKDを有する、請求項1〜22のいずれか一項記載の抗体。
【請求項２４】
請求項1〜22のいずれか一項記載の抗体および薬学的に許容される担体を含む、薬学的組成物。
【請求項２５】
癌を処置するための医薬の製造における、請求項1〜22のいずれか一項記載の抗体の使用。
【請求項２６】
抗体が固形腫瘍における癌幹細胞頻度を低下させる、請求項25記載の抗体の使用。
【請求項２７】
癌が結腸癌、乳癌、肺癌、または膵臓癌である、請求項25または26記載の抗体の使用。
【請求項２８】
請求項1〜23のいずれか一項記載の抗体を発現する、細胞。
【請求項２９】
ATCC寄託番号PTA-8670で寄託した、ハイブリドーマ。
【請求項３０】
請求項1〜23のいずれか一項記載の抗体またはその可変領域をコードするポリヌクレオチドに対し少なくとも90%同一であるポリヌクレオチドを含む、ポリヌクレオチド。
【請求項３１】
請求項1〜23のいずれか一項記載の抗体またはその可変領域をコードする、ポリヌクレオチド。
【請求項３２】
SEQ ID NO: 13、SEQ ID NO: 14、またはSEQ ID NO: 15に対し少なくとも90%同一であるポリヌクレオチドを含む、ポリヌクレオチド。
【請求項３３】
SEQ ID NO: 13、SEQ ID NO: 14、SEQ ID NO: 15、またはSEQ ID NO: 16を含む、ポリヌクレオチド。
【請求項３４】
請求項30〜33のいずれか一項記載のポリヌクレオチドを含む、ベクター。
【請求項３５】
癌の処置が抗体および第2の治療剤を投与することを含む、請求項25〜27のいずれか一項記載の抗体の使用。
【請求項３６】
第2の治療剤が化学療法剤または第2の抗体である、請求項35記載の抗体の使用。
【請求項３７】
第2の治療剤が抗VEGF抗体である、請求項36記載の抗体の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月27日(2010.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細胞から核酸を分離及び／又は精製する方法であって、ａ）前記細胞を溶解液で溶解して核酸含有水溶液を生成する段階、ｂ）陰イオン交換体が核酸を結合するような条件下で、前記核酸含有水溶液を固体支持マトリックスに結合された陰イオン交換体に接触させる段階、ｃ）核酸溶離液からなる水性移動相を用いて前記陰イオン交換体から核酸を溶離する段階、及びｄ）下流用途に適するように前記溶離核酸を脱塩する段階を含んでなる方法において、炭酸カリウムを含む組成物を前記溶離液中に添加することを含み、溶離液中における前記組成物の存在が前記組成物の不存在下での前記核酸の回収率に比べて陰イオン交換体からの核酸回収率の増加をもたらすことを改良点とする方法。
【請求項２】
前記組成物が炭酸カリウムである、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記炭酸カリウムが約０．１〜２Ｍの濃度で存在する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記核酸がゲノムＤＮＡである、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記陰イオン交換体がＡＮＸ  Ｆａｓｔ  Ｆｌｏｗ樹脂である、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記陰イオン交換体がＤＥＡＥ  Ｓｅｐｈａｄｅｘ  Ａ２５樹脂、Ｑ  Ｓｅｐｈａｒｏｓｅ  Ｆａｓｔ  Ｆｌｏｗ樹脂、Ｑ  Ｓｅｐｈａｒｏｓｅ  ＸＬ及びＣａｐｔｏＱ樹脂からなる群から選択される、請求項１記載の方法。
【請求項７】
細胞から核酸を分離及び／又は精製するためのキットであって、ａ）前記細胞から核酸含有水溶液を生成するための溶解液、ｂ）核酸を結合するための、固体支持マトリックスに結合された陰イオン交換体、ｃ）前記陰イオン交換体から核酸を溶離するための溶離液であって、炭酸カリウムを含む溶離液、及びｄ）前記溶離核酸を脱塩するための脱塩手段を含んでなるキット。
【請求項８】
前記組成物が炭酸カリウムである、請求項７記載のキット。
【請求項９】
前記陰イオン交換体が高流速樹脂である、請求項７記載のキット。
【請求項１０】
前記陰イオン交換体がＤＥＡＥ  Ｓｅｐｈａｄｅｘ  Ａ２５樹脂、Ｑ  Ｓｅｐｈａｒｏｓｅ  Ｆａｓｔ  Ｆｌｏｗ樹脂、Ｑ  Ｓｅｐｈａｒｏｓｅ  ＸＬ及びＣａｐｔｏＱ樹脂からなる群から選択される、請求項７記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月26日(2011.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御信号を送信する方法であって、前記方法は、
複数の１ビット制御信号を一つの所定時間周波数領域内でコード分割多重接続（ＣＤＭＡ）方式によって多重化することであって、前記一つの所定時間周波数領域内で多重化された前記複数の１ビット制御信号は、前記１ビット制御信号の各々を多重化するために用いられた直交コードまたは準直交コードによって区分される、ことと、
前記多重化された制御信号を異なる周波数領域において反復することと、
前記反復された制御信号を送信することと
を含む、方法。
【請求項２】
前記制御信号送信のために用いられる時間領域が一つのＯＦＤＭシンボル領域を含む場合、前記多重化された制御信号を反復することは、前記多重化された制御信号を、前記一つのＯＦＤＭシンボル領域内で異なる周波数領域に反復する態様で実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記制御信号送信のために用いられる時間領域が複数のＯＦＤＭシンボル領域を含む場合、前記多重化された制御信号を反復することは、前記多重化された制御信号を、前記複数のＯＦＤＭシンボル領域のそれぞれとは異なるＯＦＤＭシンボル領域内で異なる周波数領域に反復する態様で実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記多重化することにおいて、前記複数の１ビット制御信号は、異なる直交位相成分によりさらに区分される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
制御信号を送信する方法であって、前記方法は、
複数の１ビット制御信号を一つの所定時間周波数領域内でコード分割多重接続（ＣＤＭＡ）方式によって多重化することと、
前記多重化された複数の１ビット制御信号が、前記一つの所定時間周波数領域以外のさらなる時間周波数領域内で反復されるように、時分割多重接続（ＴＤＭＡ）方式および周波数分割多重分割（ＦＤＭＡ）方式のうちの少なくとも一つによって、前記多重化された複数の１ビット制御信号をさらに多重化することと、
前記多重化された制御信号を送信することと
を含む、方法。
【請求項６】
異なる送信側に対する前記１ビット制御信号は、それぞれ、前記コード分割多重接続方式によって、前記一つの所定時間周波数領域および前記さらなる時間周波数領域内で多重化される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
特定の送信側に対する１ビット制御信号は、異なる直交コードまたは準直交コードを用いて他の１ビット制御信号と多重化され、
前記特定の送信側に対する前記多重化された１ビット制御信号は、前記一つの所定の時間周波数領域以外の前記さらなる時間周波数領域内で反復され、
前記特定の送信側に対する前記反復された１ビット制御信号が送信される、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記直交コードまたは準直交コードは、前記一つの時間周波数領域の大きさに対応する長さを有するコードシーケンスを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記複数の１ビット制御信号は、ＡＣＫ／ＮＡＣＫ信号を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記複数の１ビット制御信号は、ＡＣＫ／ＮＡＣＫ信号を含む、請求項５に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
なお、１ビット制御信号は、ＡＣＫ／ＮＡＣＫ信号または電力制御信号のいずれかであり、下りリンクまたは上りリンクのいずれかを通じて送信されることができる。
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
（項目１）
複数の１ビット制御信号を所定時間−周波数領域内でコード分割多重接続（ＣＤＭＡ）方式で多重化する段階と、
多重化された上記制御信号を相異なる周波数領域に反復する段階と、
反復された上記制御信号を送信する段階と、
を含む、制御信号送信方法。
（項目２）
上記所定時間−周波数領域は、１  ＯＦＤＭシンボル領域内の時間−周波数領域である、項目１に記載の制御信号送信方法。
（項目３）
上記制御信号送信のために用いられる時間領域が一つのＯＦＤＭシンボル領域である場合、上記反復段階は、多重化された上記制御信号を上記一つのＯＦＤＭシンボル領域で相異なる周波数領域に反復する、項目２に記載の制御信号送信方法。
（項目４）
上記制御信号送信のために用いられる時間領域が複数のＯＦＤＭシンボル領域である場合、上記反復段階は、多重化された上記制御信号を相異なるＯＦＤＭシンボル領域で相異なる周波数領域に反復する、項目２に記載の制御信号送信方法。
（項目５）
上記多重化段階で、上記複数の１ビット制御信号はそれぞれの多重化に用いられた直交コードまたは準直交コードにより区分される、項目１に記載の制御信号送信方法。
（項目６）
上記複数の１ビット制御信号は、相異なる直交位相成分で区分して変調され、
上記多重化段階で、上記複数の１ビット制御信号は、上記変調に用いられた上記相異なる直交位相成分によりさらに区分される、項目５に記載の制御信号送信方法。
（項目７）
複数の１ビット制御信号を所定時間−周波数領域内でコード分割多重接続（ＣＤＭＡ）方式で多重化する段階と、
多重化された上記制御信号を送信する段階と、
を含み、
上記複数の１ビット制御信号は、特定送信側に対する複数の１ビット制御信号を含むことを特徴とする制御信号送信方法。
（項目８）
上記所定時間−周波数領域は複数の時間−周波数領域を含み、
上記多重化段階は、時分割多重接続（ＴＤＭＡ）及び周波数分割多重接続（ＦＤＭＡ）のうち一つ以上によりさらに多重化され、
上記特定送信側に対する複数の１ビット制御信号は、上記複数の時間−周波数領域に分散して多重化される、項目７に記載の制御信号送信方法。
（項目９）
上記複数の時間−周波数領域のそれぞれでは、相異なる送信側に対する１ビット制御信号が上記コード分割多重接続方式で多重化される、項目８に記載の制御信号送信方法。
（項目１０）
上記特定送信側に対する複数の１ビット制御信号は、相異なる直交コードまたは準直交コードにより多重化される、項目９に記載の制御信号送信方法。
（項目１１）
上記直交コードまたは準直交コードは、上記複数の時間−周波数領域の資源ブロック数に該当する長さを有するコードシーケンスである、項目１０に記載の制御信号送信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月16日(2010.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器を製造する方法であって、
（ｉ）閉じた底部、
（ｉｉ）内径及び高さを有する側壁、及び
（ｉｉｉ）閉じた底部と側壁との間に形状を有する下部本体、を有する金属容器を準備するステップ、
ダイシステムを準備するステップであって、該ダイシステムは、（ｉ）容器の閉じた底部を受け入れることができる直径を有する開口及び（ｉｉ）下部本体形状を有する内部を有する容器基部ホルダーと、１又は複数の拡張用硬質金属ダイを有する内部と、を具え、１又は複数の拡張用硬質金属ダイのうち少なくとも１つの拡張用硬質金属ダイは、容器基部ホルダーの下部本体形状と共働する下部本体形状を有するチップを含み、容器基部ホルダーとチップの各下部本体形状は、金属容器の下部本体形状と異なるものであるダイシステムを準備するステップ、
容器の閉じた底部を、容器基部ホルダーの開口直径の中へ配置するステップ、及び
１又は複数の拡張用硬質金属ダイを、容器内で軸方向に移動させることにより、（ｉ）側壁の内径を、１又は複数の拡張用硬質金属ダイの軸方向移動により径方向に拡張させて大内径に拡径し、（ｉｉ）側壁の高さを短縮し、（ｉｉｉ）大内径が側壁の高さに沿って一様となる形状に容器の下部本体形状を再形成するステップと、
を含んでいる、容器製造方法。
【請求項２】
密閉具を受け入れることができるように容器の開口端部を成形するステップをさらに含んでいる、請求項１の方法。
【請求項３】
密閉具を受け入れることができるように容器の開口端部を成形するステップは、容器の開口近傍にある壁の直径を、小内径に縮径するステップを含んでいる、請求項２の方法。
【請求項４】
小内径に縮径するステップは、１又は複数のダイネッキングステップを含んでいる、請求項３の方法。
【請求項５】
ダイネッキングステップは、ノックアウトなしで行われる請求項４の方法。
【請求項６】
大内径は、内径よりも８％超大きい請求項１の方法。
【請求項７】
大内径は、内径よりも２０％超大きい請求項１の方法。
【請求項８】
１又は複数の拡張用ダイを移動させるステップは、自動化されたプロセスの一部である請求項１の方法。
【請求項９】
小内径≧内径である請求項３の方法。
【請求項１０】
小内径≦内径である請求項３の方法。
【請求項１１】
側壁は薄い請求項１の方法。
【請求項１２】
容器の最終の下部本体形状は、最後の拡張用ダイによって設定される請求項１の方法。
【請求項１３】
１又は複数の拡張用硬質金属ダイを移動させるステップは、容器の略高さ位置を移動する１又は複数の拡張用ダイをさらに含んでいる請求項１の方法。
【請求項１４】
容器を拡張して拡張容器を製造するダイシステムであって、
容器基部ホルダーと、１又は複数の拡張用硬質金属ダイとを具え、
容器基部ホルダーは、（ｉ）容器を受け入れることができる直径を有する開口と、（ｉｉ）下部本体形状を有する内部とを有し、
１又は複数の拡張用硬質金属ダイのうち少なくとも１つの拡張用硬質金属ダイは、容器基部ホルダーの下部本体形状と共働する下部本体形状を有するチップを含み、チップは第１容器の下部本体形状を再形成する寸法を有し、少なくとも１つの拡張用硬質金属ダイは、容器内で軸方向に移動することにより、容器の内径を径方向に拡張させて拡張容器を形成する寸法を有し、拡張容器は、容器よりも高さが低く、該高さに沿って一様な直径を有する、ダイシステム。
【請求項１５】
容器は２０２直径容器であり、拡張容器は２０４直径容器である請求項１４のダイシステム。
【請求項１６】
容器は２０２直径容器であり、拡張容器は２０６直径容器である請求項１４のダイシステム。
【請求項１７】
容器は２０２直径容器であり、拡張容器は２１１直径容器である請求項１４のダイシステム。
【請求項１８】
容器は２０２直径容器であり、拡張容器は３００直径容器である請求項１４のダイシステム。
【請求項１９】
容器は２０４直径容器であり、拡張容器は２０６直径容器である請求項１４のダイシステム。
【請求項２０】
容器は２０４直径容器であり、拡張容器は２１１直径容器である請求項１４のダイシステム。
【請求項２１】
容器は２０４直径容器であり、拡張容器は３００直径容器である請求項１４のダイシステム。
【請求項２２】
容器は２０６直径容器であり、拡張容器は２１１直径容器である請求項１４のダイシステム。
【請求項２３】
容器は２０６直径容器であり、拡張容器は３００直径容器である請求項１４のダイシステム。
【請求項２４】
容器は２１１直径容器であり、拡張容器は３００直径容器である請求項１４のダイシステム。
【請求項２５】
容器はアルミニウムでつくられる請求項１に記載の方法。
【請求項２６】
容器は、アルミニウム協会規格３１０４、３００４、５０４２、１０６０及び１０７０から成る群から選択される請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
アルミニウムはハードテンパー材である請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
ハードテンパーはＨ１９又はＨ３９である請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
容器はスチールでつくられる請求項１に記載の方法。
【請求項３０】
側壁の厚さは０．００７０インチ未満である請求項１１に記載の方法。
【請求項３１】
側壁の厚さは０．００６０インチ未満である請求項１１に記載の方法。
【請求項３２】
側壁の厚さは０．００５０インチ未満である請求項１１に記載の方法。
【請求項３３】
側壁の厚さは０．００４０インチ未満である請求項１１に記載の方法。
【請求項３４】
側壁の厚さは０．００３０インチ未満である請求項１１に記載の方法。
【請求項３５】
側壁の厚さは約０．００８８インチである請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月7日(2010.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）  （ｉ）基板と、
（ｉｉ）１つ又は２つ以上の層を含む輻射線感光性塗膜と、
（ｉｉｉ）任意選択の酸素不透過性上塗り層と
を含む平版印刷版前駆体に、該輻射線感光性塗膜が感光性を有する輻射線に対し像様露光すること、
（ｂ）ｐＨ値＞６を有し、
（ｉ）水と、
（ｉｉ）（ｍ１）  ポリアルキレンオキシド鎖及びラジカル重合性基の両方を含む少なくとも１種の化合物から誘導された構造単位、及び
（ｍ２）  （ｍ１）のラジカル重合性基と共重合可能であり、そしてｐＫs＜５の少なくとも１つの酸性基を含み、該単数又は複数の酸性官能基は遊離酸基として又は塩の形態で存在することができる少なくとも１種の化合物から誘導された構造単位
を含む
少なくとも１種の親水性ポリマーと、
（ｉｉｉ）任意選択の、界面活性剤、アルカリ試薬、水溶性皮膜形成親水性ポリマー、並びに有機溶剤、殺生物剤、錯化剤、緩衝物質、フィルタ色素、消泡剤、防食剤、及びラジカル抑制剤から選択された添加剤、から選択された少なくとも１種の薬剤と
を含む水性現像剤を用いて該像様露光された前駆体を処理すること、そして
（ｃ）  水によるすすぎ、乾燥、及びベーキングから選択された任意選択の少なくとも１つの工程
を含んで成る画像形成された平版印刷版の製造方法。
【請求項２】
該輻射線感光性塗膜が、基板上に中間層なしで存在する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該輻射線感光性塗膜が、２５０〜７５０ｎｍの範囲から選択された波長の輻射線に対して感光性を有し、そして工程（ａ）において、該前駆体が、２５０〜７５０ｎｍの範囲から選択された波長の輻射線に対し像様露光される請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
該輻射線感光性塗膜が、７５０超〜１２００ｎｍの範囲から選択された波長の輻射線に対して感光性を有し、そして工程（ａ）において、該前駆体が、７５０超〜１２００ｎｍの範囲から選択された波長の輻射線に対し像様露光される請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
該親水性ポリマー（ｉｉ）が、ポリ（エチレングリコール）メタクリレート；ポリ（エチレングリコール）アクリレート；ポリ（プロピレングリコール）メタクリレート、ポリ（プロピレングリコール）アクリレート；アクリル酸又はメタクリル酸とエチレンオキシド及びプロピレンオキシドのブロックコポリマーとのモノエステル；２，４−トルエンジイソシアネート末端ポリエチレングリコール若しくはポリプロピレングリコール、又はポリエチレングリコール及びポリプロピレングリコール又はポリ（エチレングリコール−ｒａｎ−プロピレンオキシド）のブロックコポリマーと、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシエチルメタクリレート、又はアリルアルコールとの反応生成物；イソシアナトエチルアクリレート又はイソシアナトエチルメタクリレートと、ポリエチレングリコール若しくはポリプロピレングリコール、又はポリエチレングリコール及びポリプロピレングリコール又はポリ（エチレングリコール−ｒａｎ−プロピレンオキシド）のブロックコポリマーとの単独反応物；ポリ（エチレングリコール）アクリレート又はポリ（エチレングリコール）メタクリレートのエステル化又はエーテル化によって形成された反応生成物から選択された少なくとも１種の化合物から誘導された構造単位（ｍ１）を含む請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
該親水性ポリマー（ｉｉ）は、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、Ｃ1〜Ｃ6アルコールで開環された無水マレイン酸、ビニル安息香酸、ビニルホスホン酸、ビニルスルホン酸、ビニルベンゼンスルホン酸、リン酸と、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート又はアリルアルコールとのリン酸のモノエステル、リン酸と、エチレングリコールメタクリレート又はエチレングリコールアクリレートとのモノエステル、リン酸と、ポリエチレングリコールメタクリレート又はポリエチレングリコールアクリレートとのモノエステル、スルホプロピル（メタ）アクリロイルエチルジアルキルアンモニウムヒドロキシドから選択された少なくとも１種の化合物から誘導された構造単位（ｍ２）を含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
該親水性ポリマー（ｉｉ）が、少なくとも１つのラジカル重合性基を含有するがしかしｐＫs＜５の酸性基もポリアルキレンオキシド鎖も含有しない少なくとも１種のモノマーから誘導された構造単位（ｍ３）をさらに含む請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
該親水性ポリマー（ｉｉ）が、アクリルアミド、ｎ−ビニルピロリドン、ビニルアセテート、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシエチルメタクリレート、及びアリルアルコールから選択された少なくとも１種のモノマーから誘導された構造単位（ｍ３）をさらに含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
請求項１及び請求項５〜８のいずれか１項に記載の少なくとも１種の親水性ポリマーと、少なくとも１種のアルカリ試薬とを含む、ｐＨ値＞６の水性現像剤。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月24日(2011.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスの三次元熱特性評価を行うための改良されたシステムであって、
前記デバイスの表面から反射する光エネルギを検出する熱反射率検出装置と、
前記熱反射率検出装置の出力を分析するために前記熱反射率検出装置に連結された分析器であって、該分析器の出力は、前記デバイスの表面の二次元格子上の表面温度分布を表すことと、
その二次元表面温度分布に基づいて前記デバイスの三次元温度プロフィールを測定する計算機と
を備えるシステム。
【請求項２】
可変波長光発生源をさらに備える請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
ＣＷレーザをさらに備える請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記熱反射率検出装置はＣＣＤカメラである請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記熱反射率検出装置は光電装置である請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記分析器は、ロックイン増幅器、マルチメータ及びオシロスコープからなる群から選ばれる請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記計算機は、前記熱反射率検出装置及び前記分析器の制御も行う請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記デバイスに電力を供給するパルス電流発生源をさらに備える請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
集積回路の三次元熱特性評価を行うための改良された方法であって、
前記集積回路の材料の熱反射率係数を決定する工程と、
前記集積回路を駆動する工程と、
前記集積回路の材料の熱反射率係数を最大にする照明波長を設定する工程と、
前記集積回路の材料を照明する工程と、
前記集積回路の材料の表面から反射する照明エネルギを測定する工程と、
前記集積回路の材料の照明した表面について二次元温度場を決定する工程と、
前記二次元温度場を利用して前記集積回路の体積について三次元温度特性評価を計算する工程と
を備える方法。
【請求項１０】
前記熱反射率係数は、ＣＣＤカメラ及び光電装置からなる群から選ばれる装置により決定される請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記照明エネルギは、ＣＣＤカメラ及び光電装置からなる群から選ばれる装置により測定される請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記集積回路は、可変波長光発生源及びＣＷレーザからなる群から選ばれる装置により照明される請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記二次元温度場は、ロックイン増幅器、マルチメータ及びオシロスコープからなる群から選ばれる装置を用いて決定される請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
三次元温度場は、格子ネスティング法を用いて計算され、前記格子ネスティング法は、全体の温度特性評価のうち解くのが困難な領域により多くの格子点を集中させるためにメッシュを系統的にかつ繰り返し改善し、前記格子ネスティング法はまた、さらなる改善を必要とするメッシュの領域のみに集中するために物理法則に基づく自動誤差予測器を使用する請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
集積回路の三次元熱特性評価を行うための改良された方法であって、
（ａ）前記集積回路の材料の熱反射率係数を決定する工程と、
（ｂ）照明装置の下方に前記集積回路を配置する工程と、
（ｃ）所定の変調周波数で前記集積回路を活性化する工程と、
（ｄ）前記集積回路の材料の熱反射率係数を最大にする照明波長を設定する工程と、
（ｅ）前記集積回路の材料の表面上のスポットを照明する工程と、
（ｆ）前記集積回路の材料の表面から反射する照明エネルギを測定する工程と、
（ｇ）前記集積回路の材料上の別のスポットを照明するべく、照明源に対して前記集積回路を水平方向に移動する工程と、
（ｈ）前記集積回路の表面全体を測定するために工程（ｅ）から工程（ｇ）を適宜に繰り返す工程と、
（ｉ）前記集積回路の材料の照明した表面について二次元温度場を決定する工程と、
（ｊ）前記二次元温度場を利用して前記集積回路の体積について三次元温度特性評価を計算する工程と
を備える方法。
【請求項１６】
前記熱反射率係数は、ＣＣＤカメラ及び光電子装置からなる群から選ばれる装置により決定される請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記照明エネルギは、ＣＣＤカメラ及び光電子装置からなる群から選ばれる装置により測定される請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記集積回路は、可変波長光発生源及ぶＣＷレーザからなる群から選ばれる装置により照明される請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記二次元温度場は、ロックイン増幅器、マルチメータ及びオシロスコープからなる群から選ばれる装置により決定される請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記三次元温度場は、格子ネスティング法を用いて計算され、前記格子ネスティング法は、全体の温度特性評価のうち解くのが困難な領域により多くの格子点を集中させるためにメッシュを系統的にかつ繰り返し改善し、前記格子ネスティング法はまた、さらなる改善を必要とするメッシュの領域のみに集中するために物理法則に基づく自動誤差予測器を使用する請求項１５に記載の方法。