【事件の表示】
　特願２００２−５６４５７７「非線形光学現象を用いるレーザスキャニングウエハ検査」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　８月２２日国際公開、ＷＯ０２／６５１０８、平成１６年　９月２４日国内公表、特表２００４−５２９３２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１４年２月１３日（ パリ条約による優先権主張　平成１３年２月１４日，米国）を国際出願日とする出願であって，平成１９年１１月２２日付けで拒絶理由通知書が出され，平成２０年４月２日付けで手続補正（以下，「本件補正１」という。）がなされ，同年５月１２日付けで最後の拒絶理由通知書が出され，同年９月１０日付けで手続補正（以下，「本件補正２」という。）がなされたが，平成２１年１月２３日付けで本件補正２についての補正却下の決定がなされるとともに，同日付で拒絶査定がなされ，これに対して，同年５月７日付けで拒絶査定不服審判が請求され，同年６月５日付けで手続補正（以下，「本件補正３」という。）がなされたものである。
　そして，平成２２年４月２３日付けで審尋がなされ，回答書が同年７月２６日付けで請求人より提出されたものである。
　
第２　本件補正３についての補正却下の決定
[結論]
　本件補正３を却下する。
[理由]
　本件補正３により，請求項１は次のように補正された。
「対象物の表面を検査する装置であって，
　前記対象物の前記表面の
第一の
　前記表面の前記
第一の
　前記表面の前記第一の部分から前記入射波長と異なる波長の光を受け，第二信号を生成する第二検出器と，
　前記対象物の前記表面を横切って前記表面の前記
第一の
第一の部分と異なる
第二の
　前記第一信号と前記第二信号とに基づき，欠陥が前記表面の前記スキャンされた部分上に存在するか否かを決定するよう構成され，欠陥に関する当該決定に基づき，
欠陥の確率が所定閾値より高いウエハ上の疑わしい位置を示す，
を備える装置。」（なお，下線は補正箇所を示す。）
　
１．補正の目的
（補正事項１）
　補正前の「前記対象物の前記表面を横切って前記表面の部分から前記表面の他の部分まで前記光ビームをスキャン」とあるのを，本件補正３により「前記表面を横切って前記表面の前記
第一の
第一の部分と異なる
第二の
　この補正事項は，スキャンの定義を明確にするものであって，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前（以下，「平成１８年法律改正前」という。）の特許法第１７条の２第５項第４号に規定する明りょうでない記載の釈明に該当するものである。
　
（補正事項２）
　補正前の「前記対象物の前記表面の単一の欠陥マップ」とあるのを，本件補正３により「
欠陥の確率が所定閾値より高いウエハ上の疑わしい位置を示す，
　
　以上のことから，本件補正３は，平成１８年法律改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する補正の目的を満たすものである。
　
２．独立特許要件について
　そこで，本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下，「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
（１）刊行物記載の事項
　原査定の拒絶の理由で引用され，本願優先権主張日前に頒布された刊行物である特開昭６０−１３５８０６号公報（以下，「刊行物１」という。）
ア．刊行物１記載の事項　
　刊行物１には，次の事項が記載されている。なお，下線は当審にて付記したものである。
（ア−１）「１．配線を有する基板の基材またはレジスト等から発生する螢光像を検出してこの螢光パターンの光像を縮小し，上記螢光検出と同じ箇所について上記基板の配線面からの反射光像を検出し，この検出によって得られる反射光検出パターン像を上記縮小螢光パターンでマスキングして上記配線の欠陥を検出することを特徴とする基板上の配線パターン検出方法。」（１頁左下欄５〜１２行）
　
（ア−２）「[発明の利用分野]
　本発明は，配線パターンを検出するパターン検出装置に係り，特に
プリント基板
　
（ア−３）「即ち第５図において，プリント基板１，高輝度光源１１，コンデンサレンズ１２，第１のフィルタ１６，半透鏡１７，第２のフィルタ１８，結像レンズ１４，螢光検出器１９は第３図および第４図に示したパターン検出装置の同一符号のものと同じ構成である。第６図において，第３図における反射光検出器１５に対して特に赤外光に対する感度の良い検出器という意味でダッシュを付した赤外反射検出器１５’と赤外反射ミラー２０を新たに設けてある。
高輝度光源１１から発した光３１は，第１のフィルタ１６により基材の螢光を発生させやすい波長の短い光３２になって半透鏡１７によって９０°向きを変えられて配線面２を照射する。第１のフィルタ１６は螢光励起用フィルタとしての機能を有するのみならず，赤外域の光を少量透過させる特性をフィルタ
基材から発生した螢光と，波長の短い強大な反射光および赤外光による反射光の合わさった光４２は
第２フィルタ１８を通り波長の短い強大な反射光がカットされた光４３
光４３は赤外反射ミラー２０によって赤外反射光４５と螢光４４に分臨される。
赤外反射光４５は赤外反射検出器１５’によって検出されて反射光のパターン像が得られ，螢光４４は螢光検出器１９によって検出されてパターン像が得られる。
　
（ア−４）「次に第１３図以下を用いて欠陥検出原理を説明する。第１３図は欠陥検出回路ユニットの構成を示す図である。
螢光検出器１９で検出された螢光パターン像の検出信号７１
２値化５３されて第１のメモリ５４に記憶される
赤外反射検出器１５’で検出された反射光パターン像の検出信号７１’
２値化５３’されて第３のメモリ５４’に記憶される
　
（ア−５）「[発明の効果]
　以上説明したように本発明は，プリント基板やセラミック基板の基材から発生する螢光を検出する螢光検出方式と，配線面からの赤外反射光を検出する反射光検出方式を併用するパターン検出方法であるため，パターン表面のキズによる虚報をなくし，光の反射率の低い短絡欠陥および配線パターンの上部のみ欠けた欠陥の検出が可能となる効果を奏する。」（６頁左上欄１１〜１９行）
　
（ア−６）第１４図には，第１メモリ５４に記憶された螢光パターン像が図示されている。
　
（ア−７）第１６図には，メモリ５４’に記憶された赤外反射光パターン像が図示されている。
　
（ア−８）第１５図には，第１メモリ５４に記憶された螢光パターン像を反転縮小させたパターン像が図示されている。
　
（ア−９）第１７図には，第１６図の赤外反射光パターン像に第１５図の螢光パターン像を反転縮小させたパターン像をマスクとしてマスキングさせて合成した像が図示されている。
　
（ア−１０）第１８図には，第１７図の像から抽出されて欠陥のパターン像が図示されている。
　
（ア−１１）「第１９図は本発明の他の実施例を示す。
　第１９図において，第１１図における同一符号で表わす構成はすべて同じ機能であることを示す。また，その動作も同じであるため説明は省略し，第１２図と異なる構成のみ説明する。縮小パターン形成回路６０は第１２図における反転縮小パターンの反転を行わなかったもので白黒が逆になっている点が異なる。具体的な電気回路も第２２図に示すものと同じである。形成された縮小パターンは第２のメモリ６１に記憶される。第２０図は第２のメモリ６１に記憶された縮小パターン像を示す。次に，第２のメモリ６１に記憶された縮小パターン像と第３のメモリ５４’に記憶された赤外反射光パターン像を合成回路６２で合成する。第２１図は合成したときの様子を模式的に示した図である。欠陥抽出手段５８において，縮小パターン像の配線パターンを表わす領域と赤外反射光パターン像の配線パターン以外を表す領域の重なった部分を欠陥として抽出し欠陥出力手段５９で出力する。第２１図において，互いに９０方向の異なる斜線が重なった部分が欠陥として出力されることになり，出力された結果は第１８図に示した欠陥パターン像と同じものが得られる。」（５頁右下欄７行〜６頁左上欄１０行）
　
（ア−１２）第２１図には，回路の配線が認識できると共に，互いに９０°方向の異なる斜線が重なった部分が欠陥として出力されている状態が図示されている。
　
　以上の事項から，刊行物１には次の発明（以下，「刊行物１発明」という。）が記載されているものと認められる。
「プリント基板１の表面を検査する装置であって，
　高輝度光源１１からの光を第１のフィルタ１６に透過させて，前記プリント基板の前記表面の部分を螢光を発生させやすい短い波長と赤外域の波長を少量含む光で照射すべく構成し，
　波長の短い強大な反射光をカットする第２フィルタ１８を設け，前記表面の部分からの光４２は，波長の短い強大な反射光をカットされて光４３となり，該波長の短い反射光をカットされた光４３を赤外反射光４５と螢光４４に分離する赤外反射ミラー２０を有し，前記表面の部分からの赤外反射光４５を受け，反射光パターン像の検出信号７１’を生成する赤外反射検出器１５’と
　前記部分からの螢光４４を受け，螢光パタン像の検出信号７１を生成する螢光検出器１９と，
　前記反射光パターン像の検出信号７１’は，２値化５３されて第３のメモリに記憶され，前記螢光パターン像の検出信号７１は，２値化５３されて，第１のメモリ５４に記憶され，両メモリに記憶されたそれぞれのパターン像に基づき，欠陥を抽出する欠陥抽出手段５８と，欠陥抽出手段５８で抽出された欠陥のパターン像を出力するように構成された装置。」
　
（２）対比
　補正発明と刊行物１発明を対比すると，
ア．刊行物１発明の「プリント基板」は，補正発明の「対象物」に相当する。
　よって，刊行物１発明の「プリント基板１の表面を検査する装置」は，補正発明の「対象物の表面を検査する装置」に相当する。　
　
イ．刊行物１発明の「高輝度光源１１からの光を第１のフィルタ１６に透過させて，前記プリント基板の前記表面の部分を螢光を発生させやすい短い波長と赤外域の波長を少量含む光」は，短い波長と赤外域の波長の混合した光である。この光は，波長が定められているから，補正発明の「所定の入射波長の光ビーム」に相当する。そして，刊行物１発明の高輝度光源１１と第１のフィルタ１６とで，前記した短い波長と赤外域の波長の混合した光が作られ対象物の表面が照射されることとなるから，刊行物１発明の「高輝度光源１１と第１のフィルタ１６」が，補正発明の「光源」に相当する。
　そうすると，刊行物１発明の「高輝度光源１１からの光を第１のフィルタ１６に透過させて，前記プリント基板の前記表面の部分を螢光を発生させやすい短い波長と赤外域の波長を少量含む光で照射すべく構成」したものは，補正発明の「前記対象物の前記表面の第一の部分を所定の入射波長の光ビームで照射する光源」に相当する。
　
ウ．刊行物１発明の「波長の短い強大な反射光をカットする第２フィルタ１８を設け，前記表面の部分からの光４２は，波長の短い強大な反射光をカットされて光４３となり，該波長の短い反射光をカットされた光４３を赤外反射光４５と螢光４４に分離する赤外反射ミラー２０」を有するという特定事項について，上記「第２　２．（２）イ．」で述べたとおり，刊行物１発明においては，短い波長と赤外域の波長の混合した光がプリント基板の表面の部分に入射光として入射する。そして，上記特定事項によれば，プリント基板の表面の部分からは，短い波長，赤外域の波長及び螢光の波長が含まれる光４２が放出される。その後，入射光に含まれる波長である短い波長が第２フィルタ１８でカットされ，次に，入射光に含まれる波長である赤外反射光が赤外反射ミラー２０の作用で螢光と分離されて，赤外反射検出器に入射する。そうすると，刊行物１発明の「赤外反射光４５」，「反射光パターン像の検出信号７１’」及び「赤外反射検出器１５’」は，それぞれ補正発明の「前記表面の前記第一の部分から前記入射波長の光」「第一信号」及び「第一検出器」に相当する。
　以上のことから，第１発明の「波長の短い強大な反射光をカットする第２フィルタ１８を設け，前記表面の部分からの光４２は，波長の短い強大な反射光をカットされて光４３となり，該波長の短い反射光をカットされた光４３を赤外反射光４５と螢光４４に分離する赤外反射ミラー２０を有し，前記表面の部分からの赤外反射光４５を受け，反射光パターン像の検出信号７１’を生成する赤外反射検出器１５’」は，「前記表面の前記第一の部分から前記入射波長の光を受け，第一信号を生成する第一検出器」に相当する。
　
エ．刊行物１発明において，螢光は，短い波長の入射光でプリント基板の表面の部分を照射することで励起され発生するものである。したがって，入射光に含まれる波長とは異なる波長の光である。そうすると，刊行物１発明の「螢光４４」，「螢光パタン像の検出信号７１」及び「螢光検出器１９」は，それぞれ補正発明の「入射波長と異なる波長の光」，「第二信号」及び「第二検出器」に相当する。
　以上のことから，第１発明の「前記部分からの螢光４４を受け，螢光パタン像の検出信号７１を生成する螢光検出器１９」は，補正発明の「前記表面の前記第一の部分から前記入射波長と異なる波長の光を受け，第二信号を生成する第二検出器」に相当する。
　
オ．刊行物１発明においては，反射光パターン像の検出信号７１’及び螢光螢光パターン像の検出信号７１は，共に２値化されている。２値化には，所定の閾値が必要とされることは技術常識であるので，閾値により欠陥を含む像が得られているといえる。そして，両メモリに記憶された，２値化されたそれぞれのパターン像に基づき，欠陥を抽出が行われているから，刊行物１発明の「前記反射光パターン像の検出信号７１’は，２値化５３されて第３のメモリに記憶され，前記螢光パターン像の検出信号７１は，２値化５３されて，第１のメモリ５４に記憶され，両メモリに記憶されたそれぞれのパターン像に基づき，欠陥を抽出する欠陥抽出手段５８」と，補正発明の「前記第一信号と前記第二信号とに基づき，欠陥が前記表面の前記スキャンされた部分上に存在するか否かを決定するよう構成」することとは，「前記信号と前記第二信号とに基づき，欠陥が前記表面の部分上に存在するか否かを決定するよう構成」するという点で共通する。
　また，刊行物１発明の「欠陥抽出手段５８で抽出された欠陥のパターン像」は，上記したように反射光と螢光の信号を閾値を用いて２値化した像に基づいて作成されるから，２値化に際して使用した閾値により欠陥の確率が高い部分と非欠陥が低い部分とに分けられ，かつ，反射光と螢光の双方の情報を含む単一の情報といえる。
　そうすると，刊行物１発明の「欠陥抽出手段５８で抽出された欠陥のパターン像」と，補正発明の「欠陥の確率が所定閾値より高いウエハ上の疑わしい位置を示す，前記対象物の前記表面の単一の欠陥マップ」とは，「欠陥の確率が所定閾値より高いウエハ上の疑わしい位置を示す，前記対象物の前記表面の単一の欠陥情報」という点で共通する。
　さらに，刊行物１においては，欠陥抽出手段にどのような装置を用いるのか明記されていないが，メモリに記憶したパターン像を重ね合わせることから何らかの回路を用いて行われていることは明らかである。
　そうすると，刊行物１発明において，欠陥抽出手段で使用された回路と，補正発明の「プロセッサ」とは，「回路」という点で共通する。
　
　以上のことから，両発明は，次の（一致点）に記す点で一致し，（相違点）に記す点で相違する。
（一致点）
「対象物の表面を検査する装置であって，
　前記対象物の前記表面の第一の部分を所定の入射波長の光ビームで照射する光源と，
　前記表面の前記第一の部分から前記入射波長の光を受け，第一信号を生成する第一検出器と，
　前記表面の前記第一の部分から前記入射波長と異なる波長の光を受け，第二信号を生成する第二検出器と，
　前記第一信号と前記第二信号とに基づき，欠陥が前記表面の部分上に存在するか否かを決定するよう構成され，欠陥に関する当該決定に基づき，欠陥の確率が所定閾値より高いウエハ上の疑わしい位置を示す，前記対象物の前記表面の単一の欠陥情報を作成するよう構成された回路と，
を備える装置」
　
（相違点）
ア．相違点１
　補正発明が「前記対象物の前記表面を横切って前記表面の前記第一の部分から前記第一の部分と異なる前記表面の第二の部分まで前記光ビームをスキャンするためのスキャナ」を有しているのに対して，刊行物１発明は，かかるスキャナを具備していない点。
　
イ．相違点２
　欠陥情報が，補正発明では「欠陥の確率が所定閾値より高いウエハ上の疑わしい位置を示す，欠陥マップ」であるのに対して，刊行物１発明では欠陥のパターン像である点。
　
ウ．相違点３
　欠陥情報を作成する回路が，補正発明では「プロセッサ」であるのに対して，刊行物１発明では「回路」であって，具体的な信号を処理する装置が不明な点。
　
（３）判断
　上記相違点について，順に検討する。
ア．相違点１について
　刊行物１発明において，視野に入らないプリント基板の部位について検査を行うためには，検査範囲を移動させる必要があることはいうまでもない。そのために，スキャンを行うことは，当業者であれば容易に案出し得ることといえる。加えて，回路や基板等の検査において，光ビームをスキャンすることは下記刊行物Ａ〜Ｄに記載されているように本出優先権主張日前より周知の事項である。
　しがたって，刊行物１発明において，スキャンを行う周知の技術的事項を適用して，相違点１に記載の補正発明の如く構成することは，当業者が容易に案出し得たことである。
　
刊行物Ａ：特開平１−３１４９５３号公報（なお，下線は当審にて付記したものである。以下，同様。）
（Ａ−１）「２．特許請求の範囲
１）
試料表面に検査光を投射してこの検査光による光スポットを前記試料表面に形成する投光部
前記光スポットを前記試料表面の検査対象部分の全面にわたつて移動させる光スポット移動機構
前記試料表面の前記光スポットが形成された部分から出射される散乱光のうちの前記検査光の波長に等しい波長を有する普通散乱光を受光してその結果に応じた散乱光信号を出力する散乱光受光部
前記散乱光のうちの前記検査光の波長とは異なる波長を有する蛍光散乱光を受光してその結果に応じた蛍光信号を出力する蛍光受光部
前記散乱光信号と前記蛍光信号とが入力されこれらの両入力信号について所定の信号処理を行い前記試料表面における異常状態の外的態様及び内的態様と前記異常状態が存在する前記試料表面上の位置とを表す異常データ信号を出力する信号処理部
光学的表面検査装置
（Ａ−２）「第１図は本発明の一実施例の構成図である。図において，１は半導体基板である円板状試料２の鏡面状に形成された表面２ａをレーザビーム３で照射するようにした投光部で，この投光部１はレーザビーム３によって試料表面２ａに形成されたレーザスポット４を回転多面鏡や振動ミラー等を用いたビーム偏向器１ａによって試料表面２ａを充分に横切る直線状に往復振動させるように構成され１いる。なお，この場合，試料２はステージ５に載せられていて，このステージ５はコントローラ６によって起動，停止が制御されるモータ７によって，試料２をその表面２ａを含む平面に沿ってかつスポット４の直線状振動方向に垂直な方向に移動させるようになっているので，
試料表面２ａはその全面にわたってスポット４で走査されることになる
　９，１０はそれぞれスポット４が形成された試料表面２ａの部分から出射される散乱光１１を集光して光ファイバ束１２，１３に入射させるようにしたいずれも細長いシリンドリカルレンズで，１４はレンズ９とファイバ束１２とからなる受光器，１５はレンズ１０とファイバ束１３とからなる受光器である。この場合，レンズ９，１０はスポット４から出射されるレーザービーム３の正反射光１６を受光しないように構成されている。１７は受光器１４で集光した散乱光１１のうちのレーザビーム３０波長に等しい波長の普通散乱光のみを透過させ１光電子増倍管１８に入射させるようにした干渉フィルタ。１８ａはフイルタ１７を介して入射される前記の普通散乱光の光量に応じて増倍管１８が出力する信号としての散乱光信号で，１９は受光器１４とフィルタＩ７と増倍管１８とからなる散乱光受光部である。また，２０は受光器１５で集光した散乱光１１のうちのレーザビーム３の波長よりも長い波長を有する蛍光散乱光のみを透過させて光電子増倍管２１に入射させるようにしたカラーフィルタ。２１ａはフィルタ２０を介して入射させる前述の蛍光散乱光の光量に応じて増倍管２１が出力する信号としての蛍光信号で，２２は受光器Ｉ５とフィルタ２０と増倍管２１とからなる蛍光受光部である。」（３頁左上欄９行〜同頁左下欄１８行）
（Ａ−３）第５図
　第５図には，異常データに基づき，試料表面２ａにおける異常状態の外的及び内的態様を表すパターンが表示されているものが図示されている。また，異常の大きさがＣＨ１〜ＣＨ３として円の大きさで表示されているものが図示されている。
（Ａ−４）「また，第１図において，２９はビーム照射領域信号２７ａが入力され該信号が時刻ｔ１でＨレベルになると計時を開始して，時刻ｔｌからの経過時間にもとづくビームスポット４の走査線ＯＰ上の位置に応じた信号２９ａを出力する位置検知回路，３０は試料領域信号２７ｂが入力され，該信号２７ｂが時刻ｔ２でＨレベルになるとそれまでＬレベルであったものが所定の時間幅τ１だけＨレベルになる第１エッジ信号３０ａを出力し，入力信号２７ｂが時刻ｔ８でＨレベルからＬレベルに変化するとそれまでＬレベルであったものが所定の時間幅τ１だけＨレベルになる第２エッジ信号３０ｂを出力する試料エッジ信号発生回路で，
３１は信号２７ｃが入力され
矩形波状パルス信号が現れると
出力信号３１ａとして出力する信号変換回路
　また，第１図における
３２は，信号２７ｄが入力され
矩形波状パルス信号が現れると
出力信号３２ａとして出力する信号変換回路
３３は信号２７ｅが入力され
出力信号３３ａとして出力する信号変換回路
出力信号２８ａが入力され
出力信号３４ａとして出力する信号変換回路
（Ａ−５）「さて，第１図においては，上述のような
散乱光信号１８ａ
アナログ信号処理回路２７に入力されると
三個のしきい値Ｖ
１
，Ｖ
２
，Ｖ
３
でそれぞれ二値化して得られる都合三個の信号２７ｃ，２７ｄ，２７ｅを出力する
　
刊行物Ｂ：特開２００１−３３２２０号公報
（Ｂ−１）「【請求項４】  レーザ光を出力する光源と，
この光源から出力される
レーザ光を，凹部の形成された基板上の所望の位置に照射する照射手段と，上記レーザ光が照射された基板から発生する蛍光を検出し，第１の検出信号を出力する第１の検出手段と，上記レーザ光が照射された基板の表面において散乱された反射光を検出し，第２の検出信号を出力する第２の検出手段と，上記第１及び第２の検出信号に基づいて，上記照射手段を制御する制御手段とを備え，上記照射手段は上記凹部の近傍において所定の方向にレーザ光を走査
記第１の検出手段はこのレーザ光の走査により上記基板から発生する蛍光の強度変化を検出して第１の検出信号を出力し，上記第２の検出手段は上記レーザ光の走査により上記基板において散乱された反射光の強度変化を検出して第２の検出信号を出力し
レーザ光を走査する
（Ｂ−２）「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はレーザ検査装置に関するものであり，例えば，
プリント基板
残留した未除去材料の検出，厚さ測定等の検査機能
　
刊行物Ｃ：特開平１０−２６７６２８号公報
（Ｃ−１）「【要約】
【課題】
回路基板
厚さ不足等による欠陥を短時間で検出
【解決手段】
被検出対象物１１から発する蛍光による２次元光学像
被検出対象物からの反射光による高さに応じた光学像
（Ｃ−２）「【００１８】・・・（略）・・・以上により基材１０の部分からは蛍光光が発生し，配線パターン８の部分からは蛍光光が得られないことにより，上記検出光学系に対して相対的に被検出対象物のプリント基板１１を載置したステージ２６を，
制御装置２９からの制御に基いて駆動される駆動系２７で２次元に移動（走査）させることによってＣＣＤセンサ１９からは，基材１０の部分を明るくし，配線パターン９の部分を暗くした２次元の蛍光画像信号５０を出力することができる。
　
刊行物Ｄ：特開平９−１６７７８９号公報
（Ｄ−１）「【００３９】続いて、薄膜の四番目の検査として、散乱光の観察を行う（Ｓ２０６）。この観察では、光源部１０２のヤグ・レーザから、ビーム径を例えば１μｍに絞ったレーザ光を半導体ウエハ１１０に照射する。そして、このときの散乱光を、集光器１０４で集光する。このとき、レーザ光の照射角度は、
ＰＬ測定の場合（上記工程）と同一でもよ
ウエハステージ１０１をＸ−Ｙ面上で走査する
マッピング像
【００４０】レーザ光を約１μｍに絞ることにより、薄膜内にレーザ光が入り込んで欠陥部に達し、散乱強度が増大する。また、
マッピングを行うことにより、薄膜内の欠陥の分布を測定することが可能
　
イ．相違点２について
　欠陥を検査する場合，欠陥の位置を知ることは重要なことであることは技術常識である。刊行物１には，摘記事項（ア−１１）及び（ア−１２）に記載のように，第２１図で示されるような，回路の配線と欠陥の位置関係が分かるものも記載されている。
　したがって，刊行物１発明において，欠陥の位置が回路配線との関係において分かるようなパターン像，すなわち，欠陥の位置が特定できるようなマップを出力するように構成し，相違点２に記載の補正発明の特定事項の如く構成することは，当業者が容易になし得たことといえる。
　
　もっとも，請求人は，審判請求書８頁４〜１１行に述べているように，刊行物１記載のものは，スキャンして欠陥マップを作成したものではない旨を主張する。しかしながら，上記「第２　２．（３）ア．」で言及したように，スキャンすることは周知の技術的事項である。刊行物１発明において，スキャンを行う周知の技術的事項を適用して，相違点１に記載の補正発明の如く構成すれば，必然的に，刊行物１発明のパターン像はスキャンにより得られたものとなり，上記したように欠陥の位置が特定できるようなマップを出力することは当業者が容易に案出し得たことといえる。
　しかも，スキャンにより欠陥マップを作成することも，刊行物Ａ及び刊行物Ｄに記載されているように周知である。（刊行物Ａの上記摘記事項（Ａ−３）に記した第５図の欠陥を示す表示の円の大きさは，摘記事項（Ａ−４）及び（Ａ−５）によると，しきい値Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３ で分けられたものであり，補正発明の「欠陥の確率が所定閾値より高いウエハ上の疑わしい位置を示す，前記対象物の前記表面の単一の欠陥マップ」に相当することは明らかである。
　また、刊行物Ｄの上記摘記事項（Ｄ−１）には、「Ｘ−Ｙ面条で走査することによって、散乱光のマッピング像を撮ることも可能である。・・・マッピングを行うことにより、薄膜内の欠陥分布を測定する事が可能となる。」と記載されている。）
　
ウ．相違点３について
　プロセッサは，信号を処理する回路として，例示するまでもなく本願優先権主張日前に周知の装置である。
　したがって，刊行物１発明において，欠陥情報を作成する回路に，周知のプロセッサを採用して，補正発明の如く構成することは，特段の創作力を要することなくなし得た事といえる。
　
　そして，補正発明の作用効果も，刊行物１及び周知の技術的事項から当業者が予測し得るものであって，格別顕著なものとはいえない。
　
　なお，請求人は，回答書及び審判請求書において，刊行物１記載の半透鏡１７がダイクロイックミラーであると刊行物１記載の発明は実現不能である旨を主張する。
　確かに，刊行物１には，第５図記載の実施例の説明として，摘記事項（ア−３）に「半透鏡１７は波長の短い光を反射し，螢光や赤外光等のような光を透過させる働きのある４５度青反射赤透過ダイクロイックミラーが適当である。」と記載されている。そして，第５図記載の実施例において，赤外光は，プリント基板に照射され，そして，その赤外反射光が赤外反射検出器１５’で検出される必要がある。半透鏡１７が青反射赤透過ダイクロイックミラーであるとすると，赤外光は，まず青反射赤透過ダイクロイックミラーで反射し，プリント基板を照射する必要があるが，反射光である赤外反射光もまた，青反射赤透過ダイクロイックミラーで反射してしまい，赤外反射検出器１５’で検出することが不可能になる。したがって，前記刊行物１記載の「半透鏡１７は波長の短い光を反射し，螢光や赤外光等のような光を透過させる働きのある４５度青反射赤透過ダイクロイックミラーが適当である。」とする記載事項は，当業者であれば誰しも分かる明らかな誤りである。しかしながら，符号１７の部材が半透鏡，すなわち，ハーフミラーであれば，実施可能であることも明白である。
　第５図記載の実施例の説明として，摘記事項（ア−３）にはまた「半透鏡１７，第２のフィルタ１８，結像レンズ１４，螢光検出器１９は第３図および第４図に示したパターン検出装置の同一符号のものと同じ構成である。」と記載されており，刊行物１の第３図及び第４図に関する説明には，「半透鏡１７」，「半透明鏡１７」としか説明されておらず，ダイクロイックミラーが適当であるとは記載されていないから，刊行物１の第３図及び第４図に関する実施例は，文字通り「半透鏡１７」が実施例として記載されている。そうすると，前記記載事項は，半透鏡の好ましい一例としてダイクロイックミラーが例示されていると解するのが自然である。一例としてあげられているダイクロイックミラーが実現不能であっても，刊行物１には「半透鏡１７」と記載されており，文字通り半透鏡として実施できるのであれば，刊行物１に記載の発明が実現不能とはいえない。
　よって，請求人の主張を採用することはできない。
　
　したがって，補正発明は，刊行物１記載の発明及び周知の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明できたものであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
３．むすび
　以上のとおり，本件補正３は，平成１８年法律改正前の特許法１７条の２第５項で準用する同法１２６条５項の規定に違反するものであり，同法１５９条１項で準用する同法５３条１項の規定により却下されるべきものである。　
　
第３　本願発明
　以上のとおり，本件補正３は上記「第２」に記すように却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，本件補正１で補正された明細書及び図面の記載事項からみて，その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　対象物の表面を検査する装置であって，
　前記対象物の前記表面の一部分を所定の入射波長の光ビームで照射する光源と，
　前記表面の前記部分から前記入射波長の光を受け，第一信号を生成する第一検出器と，
　前記表面の前記部分から前記入射波長と異なる波長の光を受け，第二信号を生成する第二検出器と，
　前記対象物の前記表面を横切って前記表面の前記部分から前記表面の他の部分まで前記光ビームをスキャンするためのスキャナと，
　前記第一信号と前記第二信号とに基づき，欠陥が前記表面の前記スキャンされた部分上に存在するか否かを決定するよう構成され，欠陥に関する当該決定に基づき，前記対象物の前記表面の単一の欠陥マップを作成するよう構成されたプロセッサと，
を備える装置。」
　
２．刊行物記載の事項
　原査定で引用された本願優先日前に頒布された刊行物である刊行物１には，上記「第２　２．（１）ア．」に記載のとおりの事項が記載されてる。
　
３．対比・判断
　本願発明は，上記「第２」で検討した補正発明の「前記表面を横切って前記表面の前記
第一の
第一の部分と異なる
第二の
欠陥の確率が所定閾値より高いウエハ上の疑わしい位置を示す，
　
　そうすると，本願発明の構成要件を全て含み，更に他の要件を付加したものに相当する補正発明が前記「第２　２．（３）」に記載したとおり，刊行物１発明及周知の技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由により，刊行物１発明及周知の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり，本願発明は，刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。