【事件の表示】
　特願２００６−１６７９０１「平板表示装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　１月２５日出願公開、特開２００７−　１９０１４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
平成１８年　６月１６日：特許出願
（優先日　平成１７年　７月　６日　大韓民国）
平成２１年　４月２０日：拒絶理由
平成２１年　７月２３日：意見及び手続補正
平成２１年　８月２４日：拒絶査定
平成２２年　１月　４日：審判請求
平成２２年　１月　４日：手続補正（以下「本件補正」という。）
平成２２年１２月２８日：審尋
平成２３年　３月３１日：回答
　
第２　補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は特許請求の範囲を以下のとおり補正するものである。
　
(1)　補正事項１
　本件補正前の請求項１及び２１の「ソース電極及びドレイン電極」について，「前記ソース電極及びドレイン電極のうち，他の１つの電極が前記半導体層より大きな仕事関数を有し」と限定する。
　
(2)　補正事項２
　本件補正前の請求項１，４，２１及び２２の「ゲート」について，「前記ゲートが前記半導体層上に形成され」と限定する。
　
(3)　補正事項３
　本件補正前の請求項１，４，２１及び２２の「画素電極」について，「前記画素電極が前記基板と直接接触されて前記ソース/ドレイン電極と同一層で形成された（る）」と限定する。
　
(4)　補正事項４
　請求項６ないし８及び２３を削除する。また，これにともない，請求項９ないし２２及び２４ないし２８を，請求項６ないし２４として書き改める。
　
　そうしてみると，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下，単に「特許法第１７条の２」という。）第４項第１号に規定する請求項の削除及び同項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　そこで，本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正後発明」という。）について，特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか否か，すなわち，本件補正後発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かを以下で検討する。
　
２　本件補正後発明
　本件補正後発明は下記のとおりのものである。なお，「ソース電極及びドレイン電極」と「ソース及びドレイン電極」は，「ソース電極及びドレイン電極」で統一した。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　基板と，
　前記基板上に形成されたソース電極及びドレイン電極と，
　前記ソース電極及びドレイン電極とコンタクトされる半導体層と，
　基板上に形成されたゲートと，
　前記ソース電極及びドレイン電極とゲートとの間に形成され，開口部を備える絶縁膜と，
　前記絶縁膜の開口部によって一部分が露出される画素電極と，を備え，
　前記半導体層は，有機半導体物質を含み，
　前記ソース電極及びドレイン電極は，異なる物質からなり，
　前記画素電極は，ソース電極及びドレイン電極のうち一つの電極から延設されて，前記一つの電極と同じ物質からなり，
　前記ソース電極及びドレイン電極のうち，他の１つの電極が前記半導体層より大きな仕事関数を有し，
　前記ゲートが前記半導体層上に形成され，
　前記画素電極が前記基板と直接接触されて前記ソース/ドレイン電極と同一層で形成されたことを特徴とする平板表示装置。
　
３　引用例
(1)　引用例１
　本願の優先日よりも前に頒布された刊行物である特開２００４−８７４５８号公報（拒絶理由通知の引用文献２，以下「引用例１」という。）には，各図とともに以下の事項が記載されている。
　
記載事項ア　
「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は，薄膜トランジスタと発光ダイオードの有機集積デバイスに関するもので，特にトップゲート薄膜トランジスタと発光ダイオードを含む有機集積デバイスに関する。」
　
記載事項イ　
「【０００９】【発明が解決しようとする課題】上記の問題を解決するために，本発明は薄膜トランジスタと発光ダイオードに用いる有機集積デバイスとその有機集積デバイスの製造方法を提供することを目的とする。また本発明は，薄膜トランジスタと発光ダイオードに用いる有機集積デバイスを含む有機集積デバイスディスプレイを提供することも目的とする。本発明は最初にトップゲートＯＴＦＴとＯＬＥＤを統合する。幾つかの層はトップゲートＯＴＦＴとＯＬＥＤの両方に共用でき，また幾つかの層は，同じ材料からなり，同じ製造工程で形成され，その工程を簡素化できる。」
　
記載事項ウ　
「【００１５】（実施例）図１ａから１ｅは，本発明の第一実施例による，薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と発光ダイオード（ＬＥＤ）の有機集積デバイスを形成する製造工程の断面図である。
【００１６】図１ａにおいて先ず，ＯＴＦＴ領域とＯＬＥＤ領域を備える基板１０を準備する。基板として好ましいのは，シリコンウェハー，ガラス，水晶，プラスチック基板或いは可とう性基板等である。第一導電層１２は，基板１０上に形成される。次ぎに第一導電層内のＯＴＦＴ領域内に第一開口部１４を形成して，基板１０を露出させる。こうすることによって，第一導電層１２は，これから形成されるトップゲートＯＴＦＴのソースとドレイン及びこれから形成されるＯＬＥＤのアノードとなる。第一導電層１２は，金属，導電性ポリマー，或いはその他如何なる導電材料を用いてもよい。ＯＬＥＤのアノードに適した材料には，電子ホールを有機半導体に注入するもの，例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）或いは酸化亜鉛が好ましい。
【００１７】続いて，図１ｂによると，有機半導体層２０は第一開口部１４に充填され，トップゲートＯＴＦＴの有機活性層（ＯＡＬ）となる。有機半導体層２０は小分子材料，高分子材，或いは有機金属錯体を用いることができる。
【００１８】続いて，図１ｃによると，誘電層３０は基板１０上に形成され，第二開口部３５はＯＬＥＤ領域内の誘電層３０に形成される。誘導層３０は無機材料，有機材料，或いは強誘電材料のようなその他高誘電定数の材料（Ｋ＞３）とすることができる。
【００１９】続いて，図１ｄによると，ホール輸送層（ＨＴＬ）４１，発光層（ＥＬ）４３，及び電子輸送層（ＥＴＬ）４５が順序形成され，第二開口部３５に充填される。ホール輸送層（ＨＴＬ）４１と電子輸送層（ＥＴＬ）４５は，有機或いは無機材料になる。発光層４３は，小分子材料，高分子材或いは有機金属錯体のような有機半導体材料になる。
【００２０】最後に，図１ｅによると，第二導電層は，誘電層３０と電子輸送層４５上に形成される。第二導電層はそれからパターン化され，ＯＴＦＴ領域内にゲート５０とＯＬＥＤ領域内にカソード５２をそれぞれ形成する。ゲート５０とカソード５２は，同じ材料とすることができる。ＯＬＥＤのカソードとしての要求を満たすために，材料は，電子を有機半導体に注入できるものが好ましく，例えばＣａ，Ｍｇ，Ａｌ或いはこれらの合金のような低仕事関数材料である。」
　
記載事項エ　
「【００３６】【発明の効果】結論として，本発明は以下の優れた点を持つ。
（１）トップゲートＯＴＦＴとＯＬＥＤを一緒に同じ基板上に集積したのは本発明が初めてである。幾つかの層はＯＴＦＴとＯＬＥＤによって共用され，幾つかの層は同じ材料からなり，また同じ工程で形成されるため，全ての製造工程を簡素化する。
（２）本発明のＯＴＦＴにおいて，有機半導体層上に形成される誘電層は，保護層となることができる。したがって，保護層を追加する必要はない。
（３）画素と画素は誘電層によって分けられる。これは効果的に漏電とクロストークを減少させ，デバイスの特質と回路設計を改善させる。」
　
記載事項オ　
「【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と，
前記基板上のトップゲート有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）と，
前記基板上の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）と，
からなる薄膜トランジスタと発光ダイオードに用いる有機集積デバイス。
【請求項２】
前記トップゲートＯＴＦＴは，前記ＯＬＥＤを駆動し，ゲート，誘電体，ソース，ドレイン，及び前記ソースとドレイン間の有機活性層を含み，
前記ＯＬＥＤは，アノード，カソード，及び前記アノードとカソード間の発光層を含み，
前記ＯＴＦＴのソース或いはドレインは，前記ＯＬＥＤのアノード或いはカソードと同じ層からなる請求項１記載の有機集積デバイス。」
　
　これら記載事項及び各図を考慮して引用例１に記載された発明を分説して記載すると，下記のとおりとなる（以下，この発明を「引用発明１」といい，また，分説された構成を「構成要件Ａ」などという。）。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
Ａ　トップゲートＯＴＦＴとＯＬＥＤを含む有機集積デバイスであって，
Ｂ　ＯＴＦＴ領域とＯＬＥＤ領域を備える基板（１０）を準備し，
Ｃ　次に第一導電層（１２）は，基板（１０）上に形成され，
Ｄ　第一導電層内のＯＴＦＴ領域内に第一開口部（１４）を形成して，基板（１０）を露出させ，
Ｅ　こうすることによって，第一導電層（１２）は，これから形成されるトップゲートＯＴＦＴのソースとドレイン及びこれから形成されるＯＬＥＤのアノードとなり，
Ｆ　続いて，有機半導体層（２０）は第一開口部（１４）に充填され，トップゲートＯＴＦＴの有機活性層（ＯＡＬ）となり，
Ｇ　続いて，誘電層（３０）は基板（１０）上に形成され，
Ｈ　第二開口部（３５）はＯＬＥＤ領域内の誘電層（３０）に形成され，
Ｉ　続いて，ホール輸送層（４１），発光層（４３），及び電子輸送層（４５）が順序形成され，第二開口部（３５）に充填され，
Ｊ　最後に，第二導電層は，誘電層（３０）と電子輸送層（４５）上に形成され，
Ｋ　第二導電層はそれからパターン化され，ＯＴＦＴ領域内にゲート（５０）とＯＬＥＤ領域内にカソード（５２）をそれぞれ形成し，
Ｌ　トップゲートＯＴＦＴとＯＬＥＤを一緒に同じ基板上に集積し，幾つかの層はトップゲートＯＴＦＴとＯＬＥＤによって共用され，幾つかの層は同じ材料からなり，また同じ工程で形成されるため，全ての製造工程を簡素化し，
Ｍ　ゲート（５０）とカソード（５２）は，同じ材料とすることができ，
Ｎ　前記トップゲートＯＴＦＴのソース或いはドレインは，前記ＯＬＥＤのアノードと同じ層からなり，
Ｏ　第一導電層（１２）は，金属，導電性ポリマー，或いはその他如何なる導電材料を用いてもよく，
Ｐ　ＯＬＥＤのアノードに適した材料には，電子ホールを有機半導体に注入するもの，例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）或いは酸化亜鉛が好ましく，
Ｑ　ＯＬＥＤのカソードとしての要求を満たすために，材料は，電子を有機半導体に注入できるものが好ましく，例えばＣａ，Ｍｇ，Ａｌ或いはこれらの合金のような低仕事関数材料である，
Ｒ　トップゲートＯＴＦＴとＯＬＥＤを含む有機集積デバイス。
　
　
　また，記載事項オの【請求項２】の「前記ＯＴＦＴのソース或いはドレインは，前記ＯＬＥＤのアノード或いはカソードと同じ層からなる」という記載を考慮すると，引用例１には，引用発明１のアノードとカソードの関係を入れ替えた下記の発明も記載されている（以下，この発明を「引用発明２」という。）。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
Ａ　トップゲートＯＴＦＴとＯＬＥＤを含む有機集積デバイスであって，
Ｂ　ＯＴＦＴ領域とＯＬＥＤ領域を備える基板（１０）を準備し，
Ｃ　次に第一導電層（１２）は，基板（１０）上に形成され，
Ｄ　第一導電層内のＯＴＦＴ領域内に第一開口部（１４）を形成して，基板（１０）を露出させ，
Ｅ　こうすることによって，第一導電層（１２）は，これから形成されるトップゲートＯＴＦＴのソースとドレイン及びこれから形成されるＯＬＥＤのカソードとなり，
Ｆ　続いて，有機半導体層（２０）は第一開口部（１４）に充填され，トップゲートＯＴＦＴの有機活性層（ＯＡＬ）となり，
Ｇ　続いて，誘電層（３０）は基板（１０）上に形成され，
Ｈ　第二開口部（３５）はＯＬＥＤ領域内の誘電層（３０）に形成され，
Ｉ　続いて，電子輸送層，発光層，及びホール輸送層が順序形成され，第二開口部（３５）に充填され，
Ｊ　最後に，第二導電層は，誘電層（３０）とホール輸送層上に形成され，
Ｋ　第二導電層はそれからパターン化され，ＯＴＦＴ領域内にゲート（５０）とＯＬＥＤ領域内にアノード（５２）をそれぞれ形成し，
Ｌ　トップゲートＯＴＦＴとＯＬＥＤを一緒に同じ基板上に集積し，幾つかの層はトップゲートＯＴＦＴとＯＬＥＤによって共用され，幾つかの層は同じ材料からなり，また同じ工程で形成されるため，全ての製造工程を簡素化し，
Ｍ　ゲート（５０）とアノード（５２）は，同じ材料とすることができ，
Ｎ　前記トップゲートＯＴＦＴのソース或いはドレインは，前記ＯＬＥＤのカソードと同じ層からなり，
Ｏ　第一導電層（１２）は，金属，導電性ポリマー，或いはその他如何なる導電材料を用いてもよく，
Ｐ　ＯＬＥＤのアノードに適した材料には，電子ホールを有機半導体に注入するもの，例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）或いは酸化亜鉛が好ましく，
Ｑ　ＯＬＥＤのカソードとしての要求を満たすために，材料は，電子を有機半導体に注入できるものが好ましく，例えばＣａ，Ｍｇ，Ａｌ或いはこれらの合金のような低仕事関数材料である，
Ｒ　トップゲートＯＴＦＴとＯＬＥＤを含む有機集積デバイス。
　
(2)　引用例２
　本願の優先日よりも前に頒布された刊行物である特開２００３−２５８２６５号公報（拒絶理由通知の引用文献３，以下「引用例２」という。）には，各図とともに以下の事項が記載されている。
　
記載事項Ａ　
「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は，薄膜トランジスタに関するもので，特に半導体層に有機半導体を用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の特性向上をもたらすとともに，印刷等の簡便なプロセスで素子を作成することを可能にする技術に関するものである。」
　
記載事項Ｂ　
「【００１０】【発明が解決しようとする課題】トランジスタ特性を上げるためには，電流が流れるチャネル（ソースとドレイン間の距離）を狭くしていくことが必要である。従来は，フォトリソグラフィー技術や電子線リソグラフィー技術など，高度な微細加工技術を適応して，チャネル長を短くすることが行われてきた。これらの手法では，適応する微細加工技術が極めて高度で高価であるため，低価格で高性能な素子を作ることが困難であった。また，チャネル長を著しく狭くすると，ソース−ドレイン間での漏洩電流が大きくなってしまい，トランジスタ特性としては電流増幅比（オン／オフ比）が大きく取れないという問題が生じていた。
【００１１】本発明は，トランジスタの基本特性の向上を左右するチャネル長の制御を，リソグラフィーなどの特殊微細加工技術を適応せずに実現可能にするトランジスタの基本素子構造を開発するとともに，その製造方法を提供するものである。また，本発明は，チャネル長が短くなった場合における，ソース−ドレイン間での漏洩電流を軽減させる薄膜トランジスタを提供するものである。」
　
記載事項Ｃ　
「【００１２】【課題を解決するための手段】有機薄膜トランジスタの場合，薄膜の厚さは特別な微細加工技術を適応しなくとも極めて薄くできるという点に着目し，この薄膜の厚さをソース−ドレイン電極間距離に適応することにより，極めて狭いチャネル長を高度な微細加工技術を適応しなくとも創製可能とした。また，ソース電極とドレイン電極を仕事関数の異なる材料で形成することによりソース−ドレイン間での漏洩電流を軽減させることができた。」
　
記載事項Ｄ　
「【００１４】また，本発明によれば，図５に示すような，基板１０上に，ソース又はドレイン６０，半導体層５０，ドレイン又はソース４０，絶縁層３０及びゲート電極２０を有する薄膜トランジスタにおいて，該基板１０上の一部に該ソース又はドレイン６０を設け，該ソース又はドレイン６０及び該基板１０を該半導体層５０により覆い，該半導体層５０上であって該ソース又はドレイン６０に対応する領域の一部にドレイン又はソース４０を設け，該ドレイン又はソース４０を絶縁層３０により覆い，該絶縁層３０上において該ドレイン又はソース４０に対応する領域のうち，該ドレイン又はソース４０が該ソース又はドレイン６０と重なり合っている領域に該ゲート電極２０を設けたことを特徴とする薄膜トランジスタが提供される。図５の構造の重要部分を図６に拡大して示す。本トランジスタ構造においては，チャネル７０がソース又はドレイン４０とドレイン又はソース６０の間に形成され，その長さ（チャネル長）は半導体層５０の膜厚により規定される。」
　
記載事項Ｅ　
「【００１６】また，本発明によれば，上記図３，５，７で示される薄膜トランジスタにおいて，半導体層５０が有機半導体材料で構成されることを特徴とする薄膜トランジスタが提供される。
【００１７】また，本発明によれば，上記図３，５，７で示される薄膜トランジスタにおいて，半導体層５０の厚さが１μｍ以下であることを特徴とする薄膜トランジスタが提供される。
【００１８】また，本発明によれば，上記図３，５，７で示される薄膜トランジスタにおいて，ソース又はドレイン４０および６０の一方は，仕事関数の大きい材料である金，白金，パラジウム，銅，ニッケル，インジウム-錫酸化物又はポリチオフェン若しくはこれらを複数組み合わせた材料から選択され，ソース又はドレイン４０および６０の他方は，仕事関数の小さい材料であるインジウム，アルミニウム，銀，カルシウム，マグネシウム又はリチウム若しくはこれらを複数組み合わせた材料から選択されることを特徴とする薄膜トランジスタが提供される。
【００１９】また，本発明によれば，上記図３，５，７で示される薄膜トランジスタにおいて，半導体層５０がp型の有機半導体材料であり，ゲート電極２０に近い方の上記ソース又はドレイン電極４０は，仕事関数の大きな材料により構成し，ゲート電極２０に遠い方のソース又はドレイン電極６０は，仕事関数の小さな材料により構成されることを特徴とする薄膜トランジスタが提供される。
【００２０】また，本発明によれば，上記図３，５，７で示される薄膜トランジスタにおいて，上記p型の半導体は，ペンタセン，テトラセン，チオフェン，フタロシアニン及びこれらの末端が置換された誘導体並びにポリチオフェン，ポリフェニレン，ポリフェニレンビニレン，ポリフルオレン及びこれらの末端もしくはその側鎖が置換された誘導体のポリマーの中から選択されたものであることを特徴とする薄膜トランジスタが提供される。」
　
記載事項Ｆ　
「【００６１】【発明の効果】本発明の有機薄膜トランジスタは，その素子構造が積層薄膜で構成されるため，単純上塗り工程で製造可能であり，印刷技術の適応が極めて容易になる。また同時に，積層方向への素子の複合化が容易になり，三次元集積化が容易となる。さらに，有機半導体層が，ソース電極により被われる構造であるため，半導体層の封止効果としても働き，酸素や水分による半導体の劣化を防ぎ，素子の長寿命化をもたらす。本発明の有機薄膜トランジスタの素子構造は，チャネル長を有機半導体層の膜厚で制御できるため，１μｍ以下のチャネル長も容易に実現されるため，極めて低電圧駆動化が容易となる。有機材料を用いて，印刷技術を適応することにより，フィルム素子化，大面積素子化，フレキシブル素子化が可能であり，耐衝撃性も向上する。」
　
記載事項Ｇ　
「【請求項２】　基板上に，ソース又はドレイン，半導体層，ドレイン又はソース，絶縁層及びゲート電極を有する薄膜トランジスタにおいて，該基板上の一部に該ソース又はドレインを設け，該ソース又はドレイン及び該基板を該半導体層により覆い，該半導体層上であって該ソース又はドレインに対応する領域の一部にドレイン又はソースを設け，該ドレイン又はソースを絶縁層により覆い，該絶縁層上において該ドレイン又はソースに対応する領域のうち，該ドレイン又はソースが該ソース又はドレインと重なり合っている領域に該ゲート電極を設けたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
・・・
【請求項４】  上記請求項１乃至３に記載の薄膜トランジスタにおいて，上記半導体層が有機半導体材料で構成されることを特徴とする薄膜トランジスタ。
・・・
【請求項６】  上記請求項１乃至５に記載の薄膜トランジスタにおいて，上記ソース及び上記ドレインは，仕事関数の異なる材質で構成されることを特徴とする薄膜トランジスタ。」
　
４　対比
　本件補正後発明と引用発明１を対比すると以下のとおりとなる。
　
(1)　基板
　引用発明１の「基板（１０）」は，本件補正後発明の「基板」に相当する。
　
(2)　ソース電極及びドレイン電極
　構成要件ＣないしＥからみて，引用発明１の「ソース」及び「ドレイン」と本件補正後発明の「ソース電極」及び「ドレイン電極」は，「前記基板上に形成されたソース電極及びドレイン電極」の点で一致する。
　
(3)　半導体層
　構成要件Ｆからみて，引用発明１の「有機半導体層（２０）」と本件補正後発明の「半導体層」は，「前記ソース電極及びドレイン電極とコンタクトされる半導体層」の点で一致する。
　また，引用発明１の「有機半導体層（２０）」は，「前記半導体層は，有機半導体物質を含み」という構成を備える。
　
(4)　ゲート
　構成要件Ｊ及びＫからみて，引用発明１の「ゲート（５０）」と本件補正後発明の「ゲート」は，「基板上に形成されたゲート」の点で一致する。
　また，引用発明１の「ゲート（５０）」は，「前記ゲートが前記半導体層上に形成され」という構成を備える。
　
(5)　絶縁膜
　構成要件Ｇ及びＨからみて，引用発明１の「誘電層（３０）」と本件補正後発明の「絶縁層」は，「前記ソース電極及びドレイン電極とゲートとの間に形成され，開口部を備える絶縁膜」の点で一致する。
　
(6)　画素電極
　構成要件Ｅ及びＨからみて，引用発明１の「アノード」と本件補正後発明の「画素電極」は，「前記絶縁膜の開口部によって一部分が露出される画素電極」の点で一致する。また，構成要件Ｃ，Ｅ，Ｌ及びＮからみて，引用発明１の「アノード」は，「ソース電極及びドレイン電極のうち一つの電極から延設されて，前記一つの電極と同じ物質からなり」という構成，及び，「前記基板と直接接触されて前記ソース/ドレイン電極と同一層で形成された」という構成を備える。
　
(7)　平板表示装置
　(1)ないし(6)の対比及び構成要件ＡないしＲからみて，引用発明１の「有機集積デバイス」は，本件補正後発明の「平板表示装置」に相当する。
　
　そうしてみると，本件補正後発明と引用発明１は，
「　基板と，
　前記基板上に形成されたソース電極及びドレイン電極と，
　前記ソース電極及びドレイン電極とコンタクトされる半導体層と，
　基板上に形成されたゲートと，
　前記ソース電極及びドレイン電極とゲートとの間に形成され，開口部を備える絶縁膜と，
　前記絶縁膜の開口部によって一部分が露出される画素電極と，を備え，
　前記半導体層は，有機半導体物質を含み，
　前記画素電極は，ソース電極及びドレイン電極のうち一つの電極から延設されて，前記一つの電極と同じ物質からなり，
　前記ゲートが前記半導体層上に形成され，
　前記画素電極が前記基板と直接接触されて前記ソース/ドレイン電極と同一層で形成された平板表示装置。」
の点で一致し，以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　本件補正後発明の「前記ソース電極及びドレイン電極」は「異なる物質からなり」という構成を備えるのに対して，引用発明１のソース及びドレインはこれが明らかではない点。
　
（相違点２）
　本件補正後発明は「前記ソース電極及びドレイン電極のうち，他の１つの電極が前記半導体層より大きな仕事関数を有し」という構成を備えるのに対して，引用発明１はこれが明らかではない点。
　
　なお，本件補正後発明と引用発明２を対比しても，引用発明１と同じ一致点及び相違点が導き出される。
　
５　判断
（相違点１及び２について）
　引用例２には，薄膜トランジスタのソース及びドレインを仕事関数の異なる材質とする構成が記載されている（請求項６）。この構成は，引用例２の請求項２に記載された薄膜トランジスタの構成（引用発明１のＯＴＦＴとは異なる構成）を前提としたものであるから直ちに引用発明１と組合せ可能な構成とはいえないが，引用発明１のＯＴＦＴにおいても合理的な理由があれば引用発明１のＯＴＦＴにおいても，引用例２に記載されているようにソース及びドレインを仕事関数の異なる材質にし得るものである。
　そこで，引用発明１について検討すると，引用発明１を表示装置として具体化するに際しては，ＯＴＦＴのＯＬＥＤ側のソース又はドレイン（図１ａの右側の層，以下「ＯＴＦＴの一方の電極」という。）の材質（例えばＩＴＯ）は低抵抗とはいえないところ，ＯＴＦＴの非ＯＬＥＤ側のドレイン又はソース（図１ａの左側の層，以下「ＯＴＦＴの他方の電極」という。）はデータ線又は電源線と同じ層となるから低抵抗かつ有機半導体層（２０）にオーミックな材質とするべきである。したがって，有機半導体層（２０）をペンタセンなどＰ型半導体で構成した場合において，ＯＴＦＴの他方の電極をＯＴＦＴの一方の電極とは異なる材質かつ有機半導体層（２０）より大きな仕事関数の材質（例えばＡｕ）とすることは，当業者が引用発明を表示装置として具体化するに際して容易にできることである。また，そうしてなるものは，相違点１及び２に係る構成を備えたものとなる。
　なお，引用発明１は構成要件Ｎを備えるからＯＴＦＴの一方の電極とＯＬＥＤのアノードは同じ層となるべきである一方，引用発明１は構成要件Ｃ，Ｅ，Ｌ，Ｏ及びＰを備えるからＯＴＦＴの一方の電極とＯＴＦＴの他方の電極が異なる材質の層とすることを排除しないものである。
　
　
　なお，以下のように考えることもできる。
　引用例２には，図５及び６とともに，「半導体層５０がp型の有機半導体材料であり，ゲート電極２０に近い方の上記ソース又はドレイン電極４０は，仕事関数の大きな材料により構成し，ゲート電極２０に遠い方のソース又はドレイン電極６０は，仕事関数の小さな材料により構成される」（記載事項Ｅの【００１９】）有機薄膜トランジスタが開示されている（以下「引用例２の有機薄膜トランジスタ」という。）。また，引用例２に記載された発明が解決しようとする課題（記載事項Ｂ）は引用発明２のＯＴＦＴにも妥当するものを含む。
　そうしてみると，引用発明２のＯＴＦＴに替えて，引用例２の有機薄膜トランジスタを採用することは当業者が容易にできることであり，そのようにしてなる有機集積デバイスは相違点１及び２に係る構成を備えたものとなる。
　すなわち，引用発明２のカソードは基板（１０）上に形成され（構成要件Ｃ及びＥ）低仕事関数材料である（構成要件Ｑ）からゲート電極に遠い方の電極６０と同じ層となり，また，ゲート電極に近い方の電極４０は仕事関数の大きな材料となる。そして，引用例２の記載事項Ｅの【００１８】及び【００２０】に例示された材料を考慮すると，引用発明２のＯＴＦＴに替えて，引用例２の有機薄膜トランジスタを採用してなるものは，相違点１及び２に係る構成を備えたものとなる。
　
　また，本件補正後発明の作用効果は引用例１及び２に記載された発明から当業者が予測できる範囲内のものである。
　
６　小括
　以上のとおり，本件補正後発明は，引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって，本件補正は特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから，同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明
１　本願発明
　本件補正は却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，下記のものである。なお，「ソース電極及びドレイン電極」と「ソース及びドレイン電極」は，「ソース電極及びドレイン電極」で統一した。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　基板と，
　前記基板上に形成されたソース電極及びドレイン電極と，
　前記ソース電極及びドレイン電極とコンタクトされる半導体層と，
　基板上に形成されたゲートと，
　前記ソース電極及びドレイン電極とゲートとの間に形成され，開口部を備える絶縁膜と，
　前記絶縁膜の開口部によって一部分が露出される画素電極と，を備え，
　前記半導体層は，有機半導体物質を含み，
　前記ソース電極及びドレイン電極は，異なる物質からなり，
　前記画素電極は，ソース電極及びドレイン電極のうち一つの電極から延設されて，前記一つの電極と同じ物質からなることを特徴とする平板表示装置。
　
２　引用発明
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は「第２　補正の却下の決定」の「３　引用例」に記載したとおりである。
　
３　対比及び判断
　本願発明は，(1)本件補正後発明の「ソース電極及びドレイン電極」について，「前記ソース電極及びドレイン電極のうち，他の１つの電極が前記半導体層より大きな仕事関数を有し」という限定を削除し，(2)本件補正後発明「ゲート」について，「前記ゲートが前記半導体層上に形成され」という限定を削除し，(3)本件補正後発明の「画素電極」について，「前記画素電極が前記基板と直接接触されて前記ソース/ドレイン電極と同一層で形成された」という限定を削除してなるものである。
　そうすると，本願発明の構成要件を全て含み，さらに他の構成要件を付加したものに相当する本件補正後発明が「第２　補正の却下の決定」で述べた理由により引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　小括
　以上のとおり，本願発明は引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明することができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　総括
　したがって，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。