【事件の表示】
　特願２００３−２９５６６１「炭素ナノチューブの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１０月１４日出願公開、特開２００４−２８４９３８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１５年８月１９日（パリ条約による優先権主張２００３年３月１９日　中国）の出願であって、平成１８年２月６日付けで拒絶理由が通知され、同年５月１２日に意見書と手続補正書の提出がなされ、同年９月１３日付けで拒絶査定され、これに対し、同年１２月１８日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされ、その後、当審における、平成２１年８月７日付けの拒絶理由通知に対し、同年１１月１１日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　そして、本願請求項１〜８に係る発明（以下、「本願発明１〜８」という。）は、平成２１年１１月１１日付け手続補正書により補正された本願明細書及び図面からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
　　【請求項１】
　炭素ナノチューブの製造方法において、
１）金属基板を提供するステップと、
２）ステップ５）で使用する炭化水素ガスを準備するステップと、
３）該金属基板の表面を酸化して酸化物層を形成するステップと、
４）該酸化物層に触媒層を形成するステップと、
５）炭化水素ガスを導入して炭素ナノチューブを成長させながら、該酸化物層を還元するステップと、
を含み、
　前記金属基板は、チタン、ニッケル、銀、鉄、銅、又は、ステンレス鋼製であることを特徴とする炭素ナノチューブの製造方法。
　　【請求項２】
　前記金属基板は金属板、或は他の材料の基板に形成された金属層を含むことを特徴とする請求項１に記載の炭素ナノチューブの製造方法。
　　【請求項３】
　前記酸化物層は、厚さ１〜１０００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の炭素ナノチューブの製造方法。
　　【請求項４】
　前記触媒層は鉄、コバルト、ニッケル或はその酸化物を含み、前記炭化水素ガスはエチレン或はアセチレンを含むことを特徴とする請求項１に記載の炭素ナノチューブの製造方法。
　　【請求項５】
　前記触媒層は、厚さ１〜１０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の炭素ナノチューブの製造方法。
　　【請求項６】
前記触媒層は、ナノオーダーの触媒粒子を含むことを特徴とする請求項１に記載の炭素ナノチューブの製造方法。
　　【請求項７】
　前記ステップ５）の中の炭素ナノチューブは化学気相堆積法により成長することを特徴とする請求項１に記載の炭素ナノチューブの製造方法。
　　【請求項８】
　前記ステップ５）の中に、酸化物層は発生した水素により還元することを特徴とする請求項１に記載の炭素ナノチューブの製造方法。
　
２．当審の拒絶理由の概要
　当審において通知した拒絶の理由のうち特許法第３６条第６項第１項及び同条第４項第１号の記載不備に関しては、「本願明細書の特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない」及び「発明の詳細な説明の記載は特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない」というものであり、その概要は、次のとおりである。
　
（１）補正前の請求項４は「金属基板」の材料として「チタン」、「ニッケル」、「銀」、「鉄」、「銅」、「ステンレス鋼」が挙げられているが、これらについても、「アルミニウム」の場合と同様に、技術常識に照らしてみれば、７００〜１０００℃の温度において、炭素ナノチューブが金属基板と直接に接続することが実現できる程度にまでに還元される、とは直ちにいえず、発明の詳細な説明をみても、これを裏付ける具体的説明は一切ない。そうすると、請求項４が、発明の詳細な説明に記載されたものであるとはいえない。
　ここで、上記「アルミニウム」の場合とは、７００〜１０００℃の温度において、水、アルミナの標準生成自由エネルギーの値を比較すると、酸化アルミニウムの標準生成自由エネルギーの方が低いことからみても、当該温度において、酸化アルミニウムが水素により還元されるとは直ちにいえない（標準生成自由エネルギーの値については、社団法人日本金属学会編「改訂２版金属データブック」、昭和５９年１月３０日、丸善株式会社、９０頁参照）というものである。
（２）本願明細書の段落【０００４】には、「金属材料は化学気相堆積法の成長環境を妨げ易く、例えば、触媒と合金を形成し、或いは本体の触媒作用で炭化水素ガスを分解して炭素が堆積し、炭素ナノチューブを正常に成長することはできない。」との記載があるから、補正前の請求項１に係る発明おいて、炭素ナノチューブの成長と同時に金属基板表面の酸化物層を還元するにあたって、炭素ナノチューブの成長と該酸化層の還元の程度とのバランスを調整することにより、金属基板材料の「化学気相堆積法の成長環境を妨げる」という悪影響を回避することが必須であり、そのためには、炭化水素ガス導入速度や、炭化水素ガスの種類、金属基板の材料の種類や、酸化物層の厚さ、炭素ナノチューブ形成温度・時間等の諸条件を総合的に調整することが必要であると解されるところ、発明の詳細な説明には段落【００２０】、【００２５】を見る限り、「金属基板」の材料としてステンレス鋼以外のものを用いる場合に、上記した諸条件について何ら具体的に記載されているとはいえないし、ステンレス鋼を用いた場合についても、炭化水素ガス導入速度や、具体的な酸化物層の厚さ、炭素ナノチューブ形成温度・時間については記載されていないから、本願発明の詳細な説明が、当業者が補正前の請求項１に係る発明を実施するにあたって、過度の試行錯誤なく実施可能な程度に記載されているとはいえない。そうすると、本願発明の詳細な説明が、当業者が補正前の請求項１に係る発明を実施するにあたって、過度の試行錯誤なく実施可能な程度に記載されているとはいえないし、補正前の請求項２〜１０は、同請求項１を引用するものであって、これらについても同様に、発明の詳細な説明が、補正前の請求項２〜１０を当業者が実施できる程度に記載されているとはいえない。
　
３．当審の判断
３−１．上記２（１）について
（あ）上記（１）における補正前の請求項４に特定された「金属基板」の材料は、平成２１年１１月１１日付け手続補正により本願発明１の特定事項に含まれることとなった。
　そこで、この「金属基板」の材料の一つである「チタン」について検討する。
（い）上記「社団法人日本金属学会編「改訂２版金属データブック」、昭和５９年１月３０日、丸善株式会社、９０頁」に記載の「酸化物の標準生成エネルギー温度図」によれば、７００〜１０００℃の温度範囲にわたり、「ＴｉＯ２」、「２／３ＴｉＯ３」、「２ＴｉＯ」を表す直線は「Ｈ２Ｏ（ｇ）」の直線よりかなり下方にあることが見て取れる。これは、熱力学における常識に照らし、この温度範囲において「ＴｉＯ２」、「２／３ＴｉＯ３」、「２ＴｉＯ」が「Ｈ２Ｏ（ｇ）」に比して安定であることを示しているから、「ＴｉＯ２」、「２／３ＴｉＯ３」、「２ＴｉＯ」を「Ｈ２Ｏ（ｇ）」が生成する反応条件、すなわち水素で還元が熱力学的平衡条件（平衡論）の観点からはできないことを表しているといえる。
（う）なお、念のため、上記「酸化物の標準生成エネルギー温度図」において「ＴｉＯ２」、「２／３ＴｉＯ３」、「２ＴｉＯ」の内、最も標準生成エネルギーが「Ｈ２Ｏ」に近い「ＴｉＯ２」が「Ｈ２」により平衡論的に還元できるか否かを、以下熱力学データを用いてみてみることとする。
　なお、以下の熱力学データは、「社団法人日本金属学会著　「新制金属講座新版製錬篇　冶金物理化学」　社団法人日本金属学会　昭和３９年９月３０日発行　４１〜４２頁」に基づく。
　
Ｈ２（ｇ）＋１／２Ｏ２（ｇ）＝Ｈ２Ｏ（ｇ）のΔＧ０Ｔ（Ｈ２Ｏ）は
ΔＧ０Ｔ（Ｈ２Ｏ）＝−５７２５０＋４．４８ＴｌｏｇＴ−２．２１Ｔ（ｃａｌ）
　
Ｔｉ（Ｓ）＋Ｏ２（ｇ）＝ＴｉＯ２（ｓ）のΔＧ０Ｔ（ＴｉＯ２）は
ΔＧ０Ｔ（ＴｉＯ２）＝−２１９４００−３．４６ＴｌｏｇＴ＋５４．１５Ｔ（ｃａｌ）
　
　ここで、各温度におけるΔＧ０Ｔ（Ｈ２Ｏ）及びΔＧ０Ｔ（ＴｉＯ２）を計算する（以下の計算値では（ｃａｌ）の単位表記を省略する）。
　
　　　　　　　　　　　　　ΔＧ０Ｔ（Ｈ２Ｏ）　　ΔＧ０Ｔ（ＴｉＯ２）
Ｔ＝７００℃＝９７３Ｋ　　　−４６３７５　　　　　−１７６７７２
Ｔ＝８００℃＝１０７３Ｋ 　　−４５０５３　　　　　−１７２５４８
Ｔ＝９００℃＝１１７３Ｋ　　　−４３７１３　　　　−１６８３３９
Ｔ＝１０００℃＝１２７３Ｋ　　−４２３５６　　　　−１６４１４３
　なお、これらΔＧ０Ｔ（Ｈ２Ｏ）及びΔＧ０Ｔ（ＴｉＯ２）値は、上記「酸化物の標準生成エネルギー温度図」から読み取れる値とほぼ一致している。
　
ＴｉＯ２（ｓ）＋２Ｈ２（ｇ）＝Ｔｉ（ｓ）＋２Ｈ２Ｏ（ｇ）
　　　　　　　　　　　　　　＋２×ΔＧ０Ｔ（Ｈ２Ｏ）−ΔＧ０Ｔ（ＴｉＯ２）
よって、
ΔＧ＝２×ΔＧ０Ｔ（Ｈ２Ｏ）−ΔＧ０Ｔ（ＴｉＯ２）
　　＝−２ＲＴｌｎ（ＰＨ２Ｏ／ＰＨ２）
Ｔ＝７００〜１０００℃において、
（ＰＨ２Ｏ／ＰＨ２）≒０
　よって、Ｈ２Ｏ（ｇ）は平衡論的には生じ得ないから、ＴｉＯ２（ｓ）はＨ２（ｇ）により還元できない。
（え）上記（い）及び（う）の検討結果から、平衡論的にみると、７００〜１０００℃において、ＴｉＯ２（ｓ）はＨ２（ｇ）により還元できないといえ、平衡論的に不可能な反応を可能とするためには、可能とする反応条件の明示が不可欠であるところ、発明の詳細な説明には、金属基板の材料がステンレス鋼の場合について記載はあるものの、チタンにおけるかかる反応条件についての記載はなく、しかも、ステンレス鋼の場合の反応条件をもとにかかる反応条件を導出できるものとは直ちにいえず、発明の詳細な説明に開示された内容は本願発明１の範囲まで拡張することはできないし、発明の詳細な説明は、本願発明１を当業者が実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているとはいえない。
　よって、本願明細書の特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないし、発明の詳細な説明の記載は同条第４項第１号に規定する要件をも満たしていない。
　なお、請求人が提出した、「Preparation of Cu nano-powders by hydrothermal decomposition hydrogen reduction（以下、「文献１」という。）」及び「Atomic Energy Science and Technology、１９９９年７月、第３３巻、第４号、ｐ．３６０−３６２（以下、「文献２」という。）」についてみておくと、文献１のＣｕ、文献２のＮｉなどの酸化物の標準生成自由エネルギーは、上記「酸化物の標準生成エネルギー温度図」をみると、Ｈ２Ｏ（ｇ）の標準生成自由エネルギーよりも大きいから、平衡論的にみれば水素によって還元できることは明らかであり、文献１及び２には、金属元素の種類によってはその酸化物を水素で還元できることは示されているとはいえるものの、このことをもってチタンの酸化物が水素によって還元できるとは直ちにいえない。
　さらに、チタン以外の上記金属についてみておくと、平衡論的には酸化物が水素によって還元出来ると推定される鉄の場合は、７００〜１０００℃の温度範囲で浸炭が起こる可能性があり、仮に、炭素ナノチューブが成長できる適切な反応速度で酸化膜が還元できたとしても炭素ナノチューブの成長がこの浸炭によって阻害される可能性が否定できないし、他の金属についても平衡論的に水素によって酸化膜が還元可能であっても、その還元速度が炭素ナノチューブを成長させるために適切なものであるか否かは不明であり、しかも、これら金属の酸化膜の物性はステンレス鋼の酸化膜とは異なっているから、これら金属においても、ステンレス鋼の場合の反応条件をもとに、炭素ナノチューブが成長する適切な反応速度によって酸化膜を還元する反応条件を導出できるものとは直ちにいえない。
　
３−２．上記２（２）について
　本願明細書の段落【０００４】には「金属材料は化学気相堆積法の成長環境を妨げ易く、例えば、触媒と合金を形成し、或いは本体の触媒作用で炭化水素ガスを分解して炭素が堆積し、炭素ナノチューブを正常に成長することはできない。」と記載されているから、本願発明１においては、炭素ナノチューブの成長と金属基板表面の酸化物層の還元の程度（速度）とのバランスを調整することにより、「チタン、ニッケル、銀、鉄、銅、又は、ステンレス鋼製」の金属基板の酸化物層の還元が化学気相堆積法の成長環境を妨げる（例えば、炭素ナノチューブの成長に先行して優先的に酸化物層の還元が起きる）という悪影響を回避することが必須である。しかし、段落【００１３】、【００２０】、及び【００２５】を含む発明の詳細な説明のすべての記載をみても「金属基板」としては実施例にステンレス鋼のみが記載され、この実施例のステンレス鋼について、上記悪影響を回避するための炭化水素ガス導入速度や、具体的な酸化物層の厚さ、炭素ナノチューブ形成温度・時間に関する記載はされていない。さらに、ステンレス鋼以外の金属、すなわち、チタン、ニッケル、銀、鉄、銅についても、上記悪影響を回避するための炭化水素ガス導入速度や、炭化水素ガスの種類、酸化物層の厚さ、炭素ナノチューブ形成温度・時間等を総合的に調整する反応条件について具体的なものを導き出す記載はなされているとはいえない。
　しかも、平成１９年１月１７日付け審判請求書に係る手続補正書に参照図面１として添付された「ステンレス鋼上に成長させたナノチューブのＳＥＭ像」において、ナノチューブがステンレス鋼上から酸化物層を介さずに成長しているとは直ちにいえず、また、同手続補正書に参考図面２として添付された「横軸が印加電圧を、縦軸が電流を示す」グラフを参照しても、基板となるステンレス鋼の酸化物層が炭化水素ガスによって分解された水素によって還元され、ナノチューブがステンレス鋼と酸化物層を介さずに直接結合していることを直ちに確認することはできず、発明の詳細な説明に実施例としてあげられているステンレス鋼の場合において、現実に、ナノチューブが酸化物層を介さずに成長しているかどうか判然としない。そして、上記チタン、ニッケル、銀、鉄、銅の場合において炭素ナノチューブが酸化物層を介さずに成長することができるかもなおさらに不明であるといわざるを得ない。
　そうすると、補正前の請求項１及び４に係る発明について指摘した拒絶理由は解消しておらず、発明の詳細な説明は、当業者が本願発明１を実施するにあたって、過度の試行錯誤なく実施可能な程度に記載されているとはいえない。  
　そして、補正後の請求項２〜８は、同請求項１を引用するものであるから、本願発明２〜８についても同様に、発明の詳細な説明が、これら発明を当業者が実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているとはいえない。
　よって、発明の詳細な説明の記載は特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
４．むすび
　したがって、本願は、当審で通知した上記拒絶の理由の、特許法第３６条第６項第１号及び同条第４項第１号に規定する要件を満たしておらず、その他の拒絶の理由を検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。