【事件の表示】
　特願２００６−５３３８５６「ヘキサクロロシランからのシリコン含有膜の堆積」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　４月２１日国際公開、ＷＯ２００５／０３６５９３、平成１９年　３月２９日国内公表、特表２００７−５０７８８５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００４年　９月２０日（優先権主張外国庁受理２００３年　９月３０日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２２年　６月２２日付け（発送日：同年６月２９日）で拒絶理由が通知され、これに対して、同年　８月３０日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、同年　９月１５日付け（発送日：同年　９月２１日）で拒絶査定がなされ、これを不服として、同年１２月２１日付けで拒絶査定不服の審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
第２．平成２２年１２月２１日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２２年１２月２１日付けの手続補正を却下する。
　
［理　由］
［１］平成２２年１２月２１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）の内容
　本件補正は、平成２２年　８月３０日付けの手続補正により補正された本件補正前（以下、単に「本件補正前」という。）の特許請求の範囲の請求項１を下記のとおりに補正しようとする事項を含むものである。
　
　＜本件補正前の請求項１＞
「【請求項１】
基板を処理システムの処理チャンバーに供給することと、
基板を５００ないし１０００℃の温度まで加熱することと、
基板にＨＣＤ処理ガスを露出することと、
ＨＣＤ処理ガスの熱分解によって基板上にエピタキシャルシリコン含有膜を堆積することとを有している、シリコン含有膜を基板上に堆積する方法。」
　
＜本件補正により補正された請求項１＞
「【請求項１】
基板を処理システムの処理チャンバーに供給することと、
基板を５００ないし
８００
基板にＨＣＤ処理ガスを露出することと、
ＨＣＤ処理ガスの熱分解によって基板上にエピタキシャルシリコン含有膜を堆積することとを有している、シリコン含有膜を基板上に堆積する方法。」
　（なお、上記下線は、本件補正箇所を示している。）
　
［２］補正の適否について
１．補正の目的
　上記請求項１についての補正事項は、本件補正前の請求項１における「基板を５００ないし１０００℃の温度まで加熱する」を、「基板を５００ないし
８００
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
２．独立特許要件
　上記１．のように、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるので、次に、上記補正による補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際、独立して特許を受けることができるものであるのか否か（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものであるのか否か）について検討する。
　
（１）引用刊行物及びその記載事項
ア．原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先権主張の日前に国内において頒布された特開昭６２−２２９９３０号公報（以下、「刊行物１」という。）には、「エピタキシャル成長法」（発明の名称）に関する発明において、図面と共に、次の事項が記載されている。（なお、下線は、当審で引いたもの。）
（刊１ア）「シリコンのエピタキシャル成長もバイポーラ、ＣＭＯＳ−ＬＳＩなどの性能向上を背景に高品質、高性能化が要求されているプロセス技術の一つであり、シラン、ジシランなどを原料として高品質への研究開発がすすめられている。これらを原料としてエピタキシャル成長させるときの反応式（式（１）、（２））は、
　　ＳｉＨ４→Ｓｉ（ｓ）＋２Ｈ２（ｇ）・・・（１）
　　Ｓｉ２Ｈ６→２Ｓｉ（ｓ）＋３Ｈ２（ｇ）・・・（２）
となる。これらの反応は、
低欠陥密度を実現するため、成長温度の低温化という方向で行われており、単純な熱分解のみでエピタキシャル成長を行なっている。
　一方、
シランのハロゲン化物においては、
しかし、反応温度が高温であるため、オートドーピングなどの欠陥があらわれ、高品質化に逆行することなる。
（発明が解決しようとする問題点）
　本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、
成長温度を低温化して高品質のエピタキシャル成長膜を成長させる
　
（刊１イ）「（実施例）
　・・・まず、本発明に用いる反応装置について第１図を用いて説明する。図中の１は、溶融石英からなる
ベルジャー（反応容器）
反応容器１の底部には高周波コイル２が設けられ、このコイル２の上方にサセプタ３が設けられている。
サセプタ３には、図示しないがシリコン基板がセットされる。
　本実施例では、こうした装置を用いて前記
反応容器１内にヘキサクロロジシラン（Ｓｉ
２
Ｃｌ
６
）
を夫々流し、シリコン基板上にエピタキシャル膜を成長した。
温度範囲は８００〜１１００℃
　上
記実施例によれば、エピタキシャル成長の際、ヘキサジクロロシランを原料ガスとして用いるため、反応温度を低くできる。
　　Ｓｉ２Ｃｌ６＋３Ｈ２⇔＊２Ｓｉ＋６ＨＣｌ
（＊；上下平行配置の→←を表記出来ないため、「⇔」で代理表記した。）
　そして、この反応により生じたＨＣｌが、反応容器１の内壁に堆積したシリコンをエツチングする。
　また、
成長時の温度範囲を８００〜１１００℃とするため、良好な単結晶を得ることができる。
　
（刊１ウ）「事実、ヘキサクロロジシランの流量を５０ｃｃ／ｍｉｎとしたとき、成長速度の成長温度依存性を７００〜１２００℃の範囲で測定したところ、第２図に示す通りとなった。同図により、１０００℃以下では反応律速、１０００℃以上では拡散律速になっており、１０００℃程度の温度でエピタキシャル成長させることができることが明らかである。具体的には、８００℃以下では多結晶になるが、８００〜１１００℃では単結晶が得られ、反応温度を一層低温化できる。」（３頁左上欄４〜１３行）
　
（２）当審の判断
　ア．刊行物１に記載の発明
　 上記記載事項（刊１ア）及び（刊１イ）を総合勘案すると、刊行物1には、次の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されている。
　「シリコンのエピタキシャル成長に際して、成長温度を低温化して高品質のエピタキシャル膜を成長させるために、
　反応容器１の底部に、高周波コイル２を設け、
　前記高周波コイル２の上方に設けたサセプタ３にシリコン基板をセットし、
　前記反応容器１の底部中央に、ノズル４を前記サセプタ３の上方まで突出して設け、
　該反応容器１内に供給されるガスの供給量を制御する制御部６を設けた装置を用いて、
　前記シリコン基板上にエピタキシャル膜を成長させる際に、前記反応容器１内にヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６）を流し、成長時の温度範囲を８００〜１１００℃とすることで、
　８００℃以下では多結晶になるが、８００〜１１００℃では単結晶が得られる、シリコン基板へのエピタキシャル膜の成長方法。」
　　
　イ．対比
　本願補正発明と刊行物発明とを対比すると、
（ア）刊行物発明の「シリコン基板」は、本願補正発明の「基板」に相当し、以下同様に、
　　「装置」は、「処理システム」に、
　　「反応容器」は、「処理チャンバー」に、
　　「ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６）」は、「ＨＣＤ処理ガス」に、
　　「成長」は、「堆積」に相当する。
（イ）刊行物発明は、シリコンのエピタキシャル成長を行うものであるから、刊行物発明の「エピタキシャル膜」は、本願補正発明の「エピタキシャルシリコン含有膜」及び「シリコン含有膜」に相当する。
（ウ）刊行物発明では、装置の反応容器内に設けたサセプタにシリコン基板をセットしてエピタキシャル成長を行うのであるから、シリコン基板を装置の反応容器内に「供給する」工程を有していることは明らかである。
（エ）刊行物発明では、シリコン基板のエピタキシャル成長に際して、「成長時の温度範囲を８００〜１１００℃」としている。また、シリコン基板は、高周波コイル２の上方に設けたサセプタ３にセットされたものであり、また、高周波コイルが加熱手段であることは明らかであるから、シリコン基板へのエピタキシャル成長時には、シリコン基板が「加熱」されていることは明らかである。
（オ）刊行物１の（刊１ア）には、従来シリコンのエピタキシャル成長を行う際に「低欠陥密度を実現するため、成長温度の低温化という方向で行われており、
単純な熱分解のみでエピタキシャル成長を行なっている
（カ）刊行物発明は、高周波コイルの上方に設けたサセプタにシリコン基板をセットし、サセプタの上方に突出したノズルからヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６）を流すことで、エピタシャル膜を成長させるものであるから、シリコン基板にヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６）を「露出」させていることは明らかである。
　
　そうすると、両者は、
「基板を処理システムの処理チャンバーに供給することと、
　基板を加熱することと、
　基板にＨＣＤ処理ガスを露出することと、
　ＨＣＤ処理ガスの熱分解によって基板上にエピタキシャルシリコン含有膜を堆積することとを有している、シリコン含有膜を基板上に堆積する方法。」
の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
＜相違点＞
　本願補正発明では、「基板を５００ないし８００℃の温度まで加熱する」のに対して、刊行物発明では、基板が加熱され、成長時の温度が「８００〜１１００℃」であるものの、「基板」自体の加熱温度についての特定がなされておらず、８００℃で異なる結晶状態の結晶が得られる点。
　
　ウ．相違点についての判断
　（ア）まず、刊行物発明のシリコン基板自体の加熱温度についてみると、刊行物１の記載事項（刊１ア）には「成長温度を低温化して高品質のエピタキシャル成長膜を成長させる」、（刊１イ）には「成長時の温度範囲を８００〜１１００℃とするため、良好な単結晶を得ることができる。」と記載されているようにエピタキシャル成長膜の成長時の温度範囲を８００〜１１００℃としている。
　そして、基板上に、原料ガスの熱分解によるエピタキシャル膜の成長を行わせる場合、基板上において反応が行われることで、膜の堆積・成長が行われるため、成長時の温度である「成長温度」は、一般的に、エピタキシャル膜の成長が行われている成長時或いは成膜時の基板自体の温度であることは、例えば、下記刊行物２に記載されているように技術常識である。
　
＜周知・慣用技術を示す刊行物の記載事項＞
刊行物２：特開平０７−０１７７９６号公報
(刊２ア）「【００１７】・・
単結晶シリコン膜を得る
基板の加熱温度 (成膜温度) が７５０〜９００℃の範囲内
　
　したがって、刊行物発明においても、原料ガスであるヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６）の熱分解によるエピタキシャル膜の成長を行っているのであるから、その成長時には、基板を加熱し、基板の温度を上記「成長温度」にしていることは明らかである。
　
　（イ）次に、８００℃で異なる結晶状態の結晶が得られる点,即ち、刊行物発明の
　「成長時の温度範囲を８００〜１１００℃とすることで、
　８００℃以下では多結晶になるが、８００〜１１００℃では単結晶が得られ、」
との構成は、下限値である８００℃において単結晶が得られる場合と、多結晶が得られる場合の両結晶状態が特定されている点について。
　
　ところで、刊行物１の記載事項（刊１ウ）には、下記ａ．ｂ．の記載が有る。
　ａ．「１０００℃程度の温度でエピタキシャル成長させることができることが明らかである。」
　ｂ．第２図の説明である上記記載に続き「具体的には、８００℃以下では多結晶になるが、８００〜１１００℃では単結晶が得られ、反応温度を一層低温化できる。」
　
　そこで、まず、上記のａ．の記載について検討する。
　この記載は、同刊行物１の第２図に基づいて、「１０００℃以下では反応律速、１０００℃以上では拡散律速になっており、１０００℃程度の温度でエピタキシャル成長させることができることが明らかである。」と説明しているものであり、第２図を参照すれば、１０００℃以上の成長温度では、成長温度が上昇するにつれ成長速度が徐々に遅くなり、「拡散律速」となること、また、１０００℃以下では、成長温度が下降するにつれ成長速度が遅くなる（成長温度の上昇に伴い成長速度が速くなる）「反応律速」であり、その境界が１０００℃
程度
　
　次に、８００℃で異なる結晶状態の結晶が得られる点について検討する。
　刊行物１の第２図自体には、８００℃を境界として、結晶状態の変化を示すデータは図示されていない。また、上記ｂ．の記載の前段には、「事実、ヘキサクロロジシランの流量を５０ｃｃ／ｍｉｎとしたとき、成長速度の成長温度依存性を７００〜１２００℃の範囲で測定したところ、第２図に示す通りとなった。」との記載にもあるように、特定の流量を条件とした場合のデータとして第２図を示したものである。
　また、刊行物１の(刊１イ）、（刊１ウ）に記載されているように、実施例等においては、エピタキシャル成長のプロセス条件として、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６）に加え、他の成分としての水素、ハロゲン化水素等のガスとその組成比、流量が規定されており、一般に、ガス成分及び組成比、流量、容器内圧力、基板の種類とその状態等もガスの熱分解、反応速度、成長速度及び結晶化度に影響を与えることは周知の事項であり、８００℃前後の温度においても、それらの条件によっては、成長する膜の結晶状態が変化することも、下記の刊行物２〜４にも記載されているように、周知の技術的事項である。
　
　＜周知・慣用技術を示す刊行物の記載事項＞
＊刊行物２：特開平０７−０１７７９６号公報
　(刊２ア）「【００１７】本発明により、特定方位に結晶が配向した単結晶シリコン膜を得るための成膜条件として、１（当審注：○内に１の代理表記）原料ガスが、クロロポリシランを１．０〜１０モル％の濃度で含有し、残部が水素および／または不活性ガスからなる混合ガスであり、２（当審注：○内に２の代理表記）
基板の加熱温度 (成膜温度) が７５０〜９００℃の範囲内
【００１８】成膜温度が７５０ ℃より低温であると、膜が多結晶化または非晶質化し、９００ ℃より高温では膜が多結晶化する。混合ガス中のクロロポリシランの濃度が 1.0〜10モル％の範囲を外れると、特定の方位に配向した単結晶シリコン膜を得ることはできず、膜が多結晶化または非晶質化する。」
＊刊行物３：特開２００１−９４１０５号公報
　（刊３ア）「【請求項４】  前記シリコンソース層は、前記ゲートの露出側壁にシリコンを選択的にエピタキシャル成長されることにより形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のゲート製造方法。
【請求項５】  前記
シリコンの選択的エピタキシャル成長は、約６００℃乃至７５０℃の温度で六塩化二珪素ガスを含むシリコンソースガス
＊刊行物４：特開２０００−２２３４１９号公報
（刊４ア）「【０００９】【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これまでの公知技術においては、
化学反応／単結晶成長に要するエネルギーは、全て熱エネルギー（加熱）の形で供給されているので、エピタキシャル成長温度を８００℃、特に７００℃から大幅に低下させることができない。
　
　したがって、上記刊行物１の
　「成長時の温度範囲を８００〜１１００℃とすることで、
　８００℃以下では多結晶になるが、８００〜１１００℃では単結晶が得られ、」
との記載は、圧力、他成分との組成比、流量、基板状態等のその他のプロセス条件にかかわらず、必ず、８００℃では多結晶になり、「８００〜１１００℃」との温度範囲の記載において下限は含まれず、８０１℃から単結晶となるとの臨界的な現象を説明しているとまでは、当該エピタキシャル成長の技術分野における当業者であれば、認識しないであろうことは、明らかである。
　以上より、刊行物１には、多結晶と単結晶との成長温度が、８００℃で重複している記載があるものの、その臨界的な根拠について説明されておらず、一方で、刊行物１の目的が、(刊１ア）に記載されているように「成長温度を低温化して高品質のエピタキシャル成長膜を成長させる」ことであることからも、上記刊行物２〜４に記載された周知技術に基づけば、８００〜１１００℃の温度範囲において、８００℃程度の成長温度において、より低い温度での成長を試みようとすることは通常の創作活動の範囲内のものであり、少なくとも、種々の条件を適宜選択して８００℃で単結晶成長を行うエピタキシャル膜の成長を行わせることは当業者ならば容易に想到し得たものである。
　
　一方、本件補正発明における「基板を５００ないし
８００
　そして、本件審判請求人が上記温度範囲の補正を行う目的とするところは、審判請求書の請求の理由によれば、「５００〜１０００℃の温度範囲から、引例に開示されている８００〜１１００℃の温度範囲の重複部分を除くものであり、「除くクレーム」とする補正」であり、また、本願明細書の【００２９】「シリコン含有膜を堆積するために使用されるプロセス条件は、約１００Ｔｏｒｒ未満の処理チャンバー圧力を含むものとすることができる。あるいは、プロセス圧力は、約１Ｔｏｒｒ未満、例えば０.４Ｔｏｒｒとすることができる。プロセス条件はさらに、約５００℃と約９００℃の間、好ましくは約８００℃の基板温度を含むものとすることができる。本発明の一実施形態において、基板温度を約８００℃とすることができ、処理チャンバー圧力を０.４Ｔｏｒｒとすることができる。３０８において、ＨＣＤ処理ガスの分解からシリコン含有膜が基板上に堆積する。」等の記載からも、８００℃を境界にして、エピタキシャルシリコン含有膜の結晶状態が著しく変化することを示してはおらず、本願補正発明における５００〜８００℃との数値範囲において少なくともその上限温度に臨界的な意義を有しているものでもない。
　
　また、上記相違点１に係る構成によって、本願補正発明が奏する効果は、刊行物１の記載及び周知技術から予測される範囲のものであって、格別顕著なものとは認められない。
　したがって、刊行物発明において、シリコン基板上にシリコンのエピタキシャル成長を行わせる際に、シリコン基板を８００℃或いはその下方近傍程度に加熱することは、当業者ならば容易に想到し得たものである。
　よって、本願補正発明は刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３．まとめ
　以上より、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３．本願発明について　
１．本願発明
　平成２２年１２月２１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜４４のうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２２年　８月３０日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】
基板を処理システムの処理チャンバーに供給することと、
基板を５００ないし１０００℃の温度まで加熱することと、
基板にＨＣＤ処理ガスを露出することと、
ＨＣＤ処理ガスの熱分解によって基板上にエピタキシャルシリコン含有膜を堆積することとを有している、シリコン含有膜を基板上に堆積する方法。」
　
２．引用刊行物及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先権主張の日前に国内において頒布された刊行物１及び周知技術を示す刊行物２〜４の記載事項は、上記「第２．［２］２．（１）引用刊行物とその記載事項」及び「同２．（２）当審の判断」に記載されたとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、前記「第２．［２］２．（２）当審の判断」で検討した本願補正発明の
　１．「基板を５００ないし８００℃の温度まで加熱することと、」を、
　　　「基板を５００ないし１０００℃の温度まで加熱することと、」と
　その基板を加熱する際の温度範囲を広げたものである。
　
　一方、温度範囲以外の本願発明の構成要件を全て含み、さらに温度範囲の限定においてその上限を１０００℃から８００℃に減縮したものに相当する本願補正発明が、前記「第２．［２］２．（２）イ．対比及びウ．相違点」に記載したとおり、刊行物発明と、基板を加熱する際の温度範囲以外の構成は、一致している。
　そして、基板を加熱する際の温度範囲については、本願発明と刊行物発明とを対比すれば、両者は８００℃を越えて１０００℃までの温度範囲において一致するから、本願発明と、刊行物発明は、すべての構成において一致する。
　よって、本願発明は、刊行物１に記載された発明である。
　
４．むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであり、本願の請求項２〜４４に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。