【事件の表示】
　特許第６１９１８３８号発明「磁気センサ」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６１９１８３８号の請求項１ないし１０に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６１９１８３８号（以下、「本件特許」という。）の請求項１ないし１０に係る特許についての出願は、平成２７年３月９日に特許出願され、平成２９年８月１８日に特許権の設定登録がされ、その特許に対して、平成３０年３月６日に特許異議申立人特許業務法人楓国際特許事務所により特許異議の申立てがなされたものである。
第２　本件特許発明
　本件特許の請求項１−１０の特許に係る発明（以下、「本件特許発明１」−「本件特許発明１０」という。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１−１０に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　基準位置における被検出磁界の方向が基準方向に対してなす角度と対応関係を有する角度検出値を生成する磁気センサであって、
　磁界検出部と演算部とを備え、
　前記磁界検出部は、前記被検出磁界を検出する複数の磁気抵抗効果素子を含み、前記被検出磁界の方向が第１の方向に対してなす角度と対応関係を有する第１の信号と前記被検出磁界の方向が第２の方向に対してなす角度と対応関係を有する第２の信号とを出力し、
　前記複数の磁気抵抗効果素子の各々は、磁化方向が固定された磁化固定層と、前記被検出磁界の方向に応じて磁化の方向が変化する自由層と、前記磁化固定層と自由層の間に配置された非磁性層とを有し、
　前記演算部は、前記第１および第２の信号に基づいて前記角度検出値を算出し、
　前記被検出磁界の方向が所定の周期で回転する場合、前記角度検出値は、前記所定の周期の１／４の周期で変化する角度誤差成分を含み、
　前記磁界検出部における前記被検出磁界の強度が、２０〜１５０ｍＴの範囲の一部である副範囲であって、上限と下限の差が３０ｍＴ以上である副範囲内で変化するときの前記角度誤差成分の絶対値の最大値の変動量は、０．１°以下であることを特徴とする磁気センサ。
【請求項２】
　前記被検出磁界の方向が前記所定の周期で回転する場合、前記第１の信号は、理想的な正弦曲線を描くように周期的に変化する第１の理想成分と、前記第１の理想成分に対する第３高調波に相当する誤差成分である第１の第３高調波成分と、前記第１の理想成分に対する第５高調波に相当する誤差成分である第１の第５高調波成分とを含み、前記第２の信号は、理想的な正弦曲線を描くように周期的に変化する第２の理想成分と、前記第２の理想成分に対する第３高調波に相当する誤差成分である第２の第３高調波成分と、前記第２の理想成分に対する第５高調波に相当する誤差成分である第２の第５高調波成分とを含み、
　前記第１の理想成分が最大値をとるときの前記第１の理想成分に対する前記第１の第３高調波成分の比率を第１の比率とし、前記第１の理想成分が最大値をとるときの前記第１の理想成分に対する前記第１の第５高調波成分の比率を第２の比率とし、前記第２の理想成分が最大値をとるときの前記第２の理想成分に対する前記第２の第３高調波成分の比率を第３の比率とし、前記第２の理想成分が最大値をとるときの前記第２の理想成分に対する前記第２の第５高調波成分の比率を第４の比率とし、前記第１の比率と前記第３の比率の平均値を第３高調波成分比率とし、前記第２の比率と前記第４の比率の平均値を第５高調波成分比率としたときに、前記磁界検出部における前記被検出磁界の強度が前記副範囲内で変化するときの前記第３高調波成分比率と前記第５高調波成分比率との差の絶対値の変動量が０．１８％以下であることを特徴とする請求項１記載の磁気センサ。
【請求項３】
　前記演算部は、前記角度検出値を算出する角度検出値算出部と、前記角度検出値に対して補正処理を行って補正後角度検出値を生成する補正処理部とを含み、前記補正後角度検出値の誤差の絶対値の最大値は、前記角度検出値の誤差の絶対値の最大値よりも小さいことを特徴とする請求項１または２記載の磁気センサ。
【請求項４】
　前記補正処理部は、前記磁界検出部における前記被検出磁界の強度が前記副範囲内のどの値であっても、前記補正後角度検出値の誤差の最大値と最小値の差の１／２が０．１°以下になるように、前記補正処理を行うことを特徴とする請求項３記載の磁気センサ。
【請求項５】
　基準位置における被検出磁界の方向が基準方向に対してなす角度と対応関係を有する角度検出値を生成する磁気センサであって、
　磁界検出部と演算部とを備え、
　前記磁界検出部は、前記被検出磁界を検出する複数の磁気抵抗効果素子を含み、前記被検出磁界の方向が第１の方向に対してなす角度と対応関係を有する第１の信号と前記被検出磁界の方向が第２の方向に対してなす角度と対応関係を有する第２の信号とを出力し、
　前記複数の磁気抵抗効果素子の各々は、磁化方向が固定された磁化固定層と、前記被検出磁界の方向に応じて磁化の方向が変化する自由層と、前記磁化固定層と自由層の間に配置された非磁性層とを有し、
　前記演算部は、前記第１および第２の信号に基づいて前記角度検出値を算出し、
　前記被検出磁界の方向が所定の周期で回転する場合、前記角度検出値は、前記所定の周期の１／４の周期で変化する角度誤差成分を含み、
　前記磁界検出部における前記被検出磁界の強度が、２５〜１５０ｍＴの範囲の一部である副範囲であって、上限と下限の差が３０ｍＴ以上である副範囲内で変化するときの前記角度誤差成分の絶対値の最大値の変動量は、０．０５°以下であることを特徴とする磁気センサ。
【請求項６】
　前記被検出磁界の方向が前記所定の周期で回転する場合、前記第１の信号は、理想的な正弦曲線を描くように周期的に変化する第１の理想成分と、前記第１の理想成分に対する第３高調波に相当する誤差成分である第１の第３高調波成分と、前記第１の理想成分に対する第５高調波に相当する誤差成分である第１の第５高調波成分とを含み、前記第２の信号は、理想的な正弦曲線を描くように周期的に変化する第２の理想成分と、前記第２の理想成分に対する第３高調波に相当する誤差成分である第２の第３高調波成分と、前記第２の理想成分に対する第５高調波に相当する誤差成分である第２の第５高調波成分とを含み、
　前記第１の理想成分が最大値をとるときの前記第１の理想成分に対する前記第１の第３高調波成分の比率を第１の比率とし、前記第１の理想成分が最大値をとるときの前記第１の理想成分に対する前記第１の第５高調波成分の比率を第２の比率とし、前記第２の理想成分が最大値をとるときの前記第２の理想成分に対する前記第２の第３高調波成分の比率を第３の比率とし、前記第２の理想成分が最大値をとるときの前記第２の理想成分に対する前記第２の第５高調波成分の比率を第４の比率とし、前記第１の比率と前記第３の比率の平均値を第３高調波成分比率とし、前記第２の比率と前記第４の比率の平均値を第５高調波成分比率としたときに、前記磁界検出部における前記被検出磁界の強度が前記副範囲内で変化するときの前記第３高調波成分比率と前記第５高調波成分比率との差の絶対値の変動量が０．０９％以下であることを特徴とする請求項５記載の磁気センサ。
【請求項７】
　前記演算部は、前記角度検出値を算出する角度検出値算出部と、前記角度検出値に対して補正処理を行って補正後角度検出値を生成する補正処理部とを含み、前記補正後角度検出値の誤差の絶対値の最大値は、前記角度検出値の誤差の絶対値の最大値よりも小さいことを特徴とする請求項５または６記載の磁気センサ。
【請求項８】
　前記補正処理部は、前記磁界検出部における前記被検出磁界の強度が前記副範囲内のどの値であっても、前記補正後角度検出値の誤差の最大値と最小値の差の１／２が０．０５°以下になるように、前記補正処理を行うことを特徴とする請求項７記載の磁気センサ。
【請求項９】
　前記第２の方向は、前記第１の方向に直交していることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の磁気センサ。
【請求項１０】
　前記磁界検出部は、前記第１の信号を出力する第１の検出回路と、前記第２の信号を出力する第２の検出回路とを有し、
　前記第１の検出回路と前記第２の検出回路の各々は、前記複数の磁気抵抗効果素子のうちの２つ以上が直列に接続されて構成された磁気抵抗効果素子列を含み、
　前記複数の磁気抵抗効果素子の各々の前記自由層は、前記非磁性層に接する第１の面と、その反対側の第２の面とを有し、前記第２の面は、５回以上の回転対称とはならない４回対称の回転対称形状を有し、
　前記磁気抵抗効果素子列を構成する２つ以上の磁気抵抗効果素子の数は、偶数であり、
　前記磁気抵抗効果素子列を構成する２つ以上の磁気抵抗効果素子は、磁気抵抗効果素子の対を１つ以上含み、
　前記対を構成する２つの磁気抵抗効果素子における磁化固定層の磁化方向は、０°および１８０°を除く所定の相対角度をなし、
　前記第１の検出回路において、前記第１の方向は、前記対を構成する２つの磁気抵抗効果素子における磁化固定層の磁化方向の中間の方向またはそれとは反対の方向であり、
　前記第２の検出回路において、前記第２の方向は、前記対を構成する２つの磁気抵抗効果素子における磁化固定層の磁化方向の中間の方向またはそれとは反対の方向であること
を特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の磁気センサ。」
第３　申立理由の概要
理由１　特許異議申立人は、主たる証拠として甲第１号証及び従たる証拠として甲第２号証、甲第３号証を提出し、請求項１−１０に係る特許は第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるため、同法第１１３条第２号により取り消されるべきである旨主張している。
理由２　特許異議申立人は、本件特許発明１−１０は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たさないので、同法第１１３条第４号により取り消されるべきである旨主張している。
理由３　特許異議申立人は、本件特許発明１−１０は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たさないので、同法第１１３条第４号により取り消されるべきである旨主張している。 
理由４　特許異議申立人は、本件特許発明１−１０は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たさないので、同法第１１３条第４号により取り消されるべきである旨主張している。
＜証拠方法＞
甲第１号証：特開２０１２−１０７９６３号公報
甲第２号証：Characteristics of TMR Angle Sensors,SENSOR+TEST Conferences 2011、２０１１年６月７日、予稿集、ｐ．３６１−３６５
甲第３号証：New generation TMR sensors,13th Symposium Magnetoresistive Sensors and Magnetic Systems、２０１５年３月３−４日、予稿集、ｐ．１６０−１６７
第４　理由１（第２９条第２項）について
１　甲第１号証−甲第３号証の記載事項
（１）甲第１号証には、以下のように記載されている。（下線は、当審で付与したものである。以下同様。）
「【００２１】
　図１に示したように、本実施の形態に係る
回転磁界センサ１は、基準位置における回転磁界ＭＦの方向が基準方向に対してなす角度を検出するものである。
「【００２７】
  第１および第２の検出回路１１，１２は、それぞれ、少なくとも１つの磁気抵抗効果素子列（以下、ＭＲ素子列と記す。）を含んでいる。各ＭＲ素子列は、直列に接続された複数の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と記す。）によって構成されている。後で詳しく説明するが、
各ＭＲ素子は、磁化方向が固定された磁化固定層と、回転磁界の方向に応じて磁化の方向が変化する自由層と、磁化固定層と自由層の間に配置された非磁性層とを有している。
「【００７２】
  
ＭＲ素子の両端間の電位差は、回転磁界ＭＦの方向ＤＭの回転に伴って周期的に変化する。ＭＲ素子の両端間の電位差のうち、周期的に変化する成分は、理想的な正弦曲線の成分の他に、電位差高調波成分を含む場合がある。
「【０１２７】
［第３の実施の形態］
  次に、図２０を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る回転磁界センサについて説明する。図２０は、本実施の形態に係る回転磁界センサ５の構成を示す回路図である。
本実施の形態に係る回転磁界センサ５は、第１の実施の形態における第１の検出回路１１、第２の検出回路１２および演算回路１３の代りに、第１の検出回路２１、第２の検出回路２２および演算回路２３を備えている。第１の検出回路２１は、回転磁界ＭＦの第１の方向Ｄ１の成分の強度を検出して、その強度を表す第１の信号Ｓ１を出力する。第２の検出回路２２は、回転磁界ＭＦの第２の方向Ｄ２の成分の強度を検出して、その強度を表す第２の信号Ｓ２を出力する。演算回路２３は、第１の信号Ｓ１および第２の信号Ｓ２に基づいて、基準位置ＰＲにおける回転磁界ＭＦの方向ＤＭが基準方向ＤＲに対してなす角度θと対応関係を有する角度検出値θｓを算出する。
【０１２８】
  以下、第１および第２の検出回路２１，２２の構成について詳しく説明する。
第１の検出回路２１は、
直列に接続された第１および第２のＭＲ素子列Ｒ３１，Ｒ３２と、直列に接続された第３および第４のＭＲ素子列Ｒ３３，Ｒ３４とを含んでいる。第１ないし第４のＭＲ素子列Ｒ３１〜Ｒ３４は、いずれも、直列に接続された複数のＭＲ素子によって構成されている。
「【０１３１】
  
第２の検出回路２２は、
直列に接続された第１および第２のＭＲ素子列Ｒ４１，Ｒ４２と、直列に接続された第３および第４のＭＲ素子列Ｒ４３，Ｒ４４とを含んでいる。第１ないし第４のＭＲ素子列Ｒ４１〜Ｒ４４は、いずれも、直列に接続された複数のＭＲ素子によって構成されている。
「【０１３４】
  次に、各ＭＲ素子列を構成する複数のＭＲ素子について詳しく説明する。まず、ブリッジ回路２４の第１ないし第４のＭＲ素子列Ｒ３１，Ｒ３２，Ｒ３３，Ｒ３４を構成する複数のＭＲ素子について説明する。第１ないし第４のＭＲ素子列Ｒ３１，Ｒ３２，Ｒ３３，Ｒ３４は、それぞれ、直列に接続された４つのＭＲ素子によって構成されている。
第１のＭＲ素子列Ｒ３１は、第１の対のＭＲ素子Ｒ３１１，Ｒ３１２と、第２の対のＭＲ素子Ｒ３１３，Ｒ３１４によって構成されている。
「【０１４１】
  図２１に示したように、ＭＲ素子Ｒ３１１，Ｒ３１２，Ｒ３１３，Ｒ３１４の磁化固定層の磁化方向Ｄ３１１，Ｄ３１２，Ｄ３１３，Ｄ３１４は、第３の方向Ｄ３と第４の方向Ｄ４の中間の方向が第１の方向Ｄ１と同じ方向（Ｘ方向）になるように固定されている。第３の方向Ｄ３と第４の方向Ｄ４は、０°および１８０°を除く所定の相対角度２φをなしている。
第３の方向Ｄ３は、第１の方向Ｄ１から時計回り方向に角度φだけ回転した方向である。第４の方向Ｄ４は、第１の方向Ｄ１から反時計回り方向に角度φだけ回転した方向である。
ＭＲ素子Ｒ３１１の磁化固定層の磁化方向Ｄ３１１は、第３の方向Ｄ３から時計回り方向に角度ψだけ回転した方向である。ＭＲ素子Ｒ３１２の磁化固定層の磁化方向Ｄ３１２は、第３の方向Ｄ３から反時計回り方向に角度ψだけ回転した方向である。ＭＲ素子Ｒ３１３の磁化固定層の磁化方向Ｄ３１３は、第４の方向Ｄ４から時計回り方向に角度ψだけ回転した方向である。ＭＲ素子Ｒ３１４の磁化固定層の磁化方向Ｄ３１４は、第４の方向Ｄ４から反時計回り方向に角度ψだけ回転した方向である。
「【０１８４】
  本実施の形態によれば、
φを４５°とし、ψを３０°とすることにより、
ＭＲ素子列において２次および３次の電位差高調波成分を低減することができる。
「【０１８７】
  なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、各ＭＲ素子列がＭＲ素子の対を４つ以上含み、各ＭＲ素子列において、３種類以上の次数の電位差高調波成分を低減できるようにしてもよい。例えば、第３の実施の形態における各ＭＲ素子の代りに、
磁化固定層の磁化方向が、
各ＭＲ素子における磁化固定層の磁化方向に対して−２２．５°、２２．５°だけ異なる２つのＭＲ素子を設けることによって、２次、３次および４次の電位差高調波成分に起因した回転磁界センサの検出角度の誤差を低減することが可能になる。
図１
図２０
図２１
　上記の記載事項を総合すると、第３の実施形態の回転磁界センサ５に関して、甲第１号証には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる（括弧内は、甲第１号証の記載箇所を示す。）。
「基準位置における回転磁界ＭＦの方向が基準方向に対してなす角度を検出する回転磁界センサ５であって（【００２１】、【０１２７】）、
　回転磁界センサ５は、第１の検出回路２１、第２の検出回路２２および演算回路２３を備え、
　第１の検出回路２１は、回転磁界ＭＦの第１の方向Ｄ１の成分の強度を検出して、その強度を表す第１の信号Ｓ１を出力し、
　第２の検出回路２２は、回転磁界ＭＦの第２の方向Ｄ２の成分の強度を検出して、その強度を表す第２の信号Ｓ２を出力し、
　演算回路２３は、第１の信号Ｓ１および第２の信号Ｓ２に基づいて、基準位置ＰＲにおける回転磁界ＭＦの方向ＤＭが基準方向ＤＲに対してなす角度θと対応関係を有する角度検出値θｓを算出し（【０１２７】）、
　第１の検出回路２１は、直列に接続された第１および第２のＭＲ素子列Ｒ３１，Ｒ３２と、直列に接続された第３および第４のＭＲ素子列Ｒ３３，Ｒ３４とを含んでおり、第１ないし第４のＭＲ素子列Ｒ３１〜Ｒ３４は、いずれも、直列に接続された複数のＭＲ素子によって構成され（【０１２８】）、
　第２の検出回路２２は、直列に接続された第１および第２のＭＲ素子列Ｒ４１，Ｒ４２と、直列に接続された第３および第４のＭＲ素子列Ｒ４３，Ｒ４４とを含んでおり、第１ないし第４のＭＲ素子列Ｒ４１〜Ｒ４４は、いずれも、直列に接続された複数のＭＲ素子によって構成され（【０１３１】）、
　各ＭＲ素子は、磁化方向が固定された磁化固定層と、回転磁界の方向に応じて磁化の方向が変化する自由層と、磁化固定層と自由層の間に配置された非磁性層とを有しており（【００２７】）、
　ＭＲ素子の両端間の電位差は、回転磁界ＭＦの方向ＤＭの回転に伴って周期的に変化し、ＭＲ素子の両端間の電位差のうち、周期的に変化する成分は、理想的な正弦曲線の成分の他に、電位差高調波成分を含む場合があり（【００７２】）、
　第１のＭＲ素子列Ｒ３１は、第１の対のＭＲ素子Ｒ３１１，Ｒ３１２と、第２の対のＭＲ素子Ｒ３１３，Ｒ３１４によって構成し（【０１３４】）、
　第３の方向Ｄ３を、第１の方向Ｄ１から時計回り方向に角度φだけ回転した方向とし、第４の方向Ｄ４を、第１の方向Ｄ１から反時計回り方向に角度φだけ回転した方向とすると、ＭＲ素子Ｒ３１１の磁化固定層の磁化方向Ｄ３１１は、第３の方向Ｄ３から時計回り方向に角度ψだけ回転した方向であり、ＭＲ素子Ｒ３１２の磁化固定層の磁化方向Ｄ３１２は、第３の方向Ｄ３から反時計回り方向に角度ψだけ回転した方向であり、ＭＲ素子Ｒ３１３の磁化固定層の磁化方向Ｄ３１３は、第４の方向Ｄ４から時計回り方向に角度ψだけ回転した方向であり、ＭＲ素子Ｒ３１４の磁化固定層の磁化方向Ｄ３１４は、第４の方向Ｄ４から反時計回り方向に角度ψだけ回転した方向であり（【０１４１】）、φを４５°とし、ψを３０°とすることにより、ＭＲ素子列において２次および３次の電位差高調波成分を低減することができ（【０１８４】）、
　磁化固定層の磁化方向が、各ＭＲ素子における磁化固定層の磁化方向に対して−２２．５°、２２．５°だけ異なる２つのＭＲ素子を設けることによって、２次、３次および４次の電位差高調波成分に起因した回転磁界センサの検出角度の誤差を低減することが可能になる（【０１８７】）、
　回転磁界センサ５。」
（２）甲第２号証には、以下のように記載されている（下線は、当審で付与した。なお、翻訳は、異議申立人の翻訳によった。）。
「Next, the dependence of the angle error on the magnetic field strength is shown in Fig.5. The minimum value of 
the angle error exists
it is smaller than 0.3 degrees over the range of 10mT-70mT
（翻訳：次に、角度誤差の磁場強度依存性を図５に示す。
角度誤差
１０ｍＴ〜７０ｍＴの範囲にわたり０．３度未満であり、
（３）甲第３号証には、以下のように記載されている（下線は、当審で付与した。なお、翻訳は、異議申立人の翻訳によった。）。
「With this filter concept eight pinning angles are already required for one angle sensor.
The impact of harmonic filters has been investigated by simulation before chip design. Fig.8 demonstrates that 
angle errors below 0.2° over a large field range
（翻訳：このフィルタ概念では、１つの角度センサに対しすでに８つのピニング角度が必要となる。
　チップ設計の前に高周波フィルタの効果をシミュレーションによって調査した。２つのフィルタによって
広い磁界範囲にわたり０．２°を下回る角度誤差
２　対比・判断
（１）本件特許発明１について
ア　対比
　本件特許発明１と引用発明を対比する。
（ア）引用発明の「回転磁界ＭＦ」、「回転磁界センサ５」、「演算回路２３」、「ＭＲ素子」は、それぞれ、本件特許発明１の「被検出磁界」、「磁気センサ」、「演算部」、「磁気抵抗効果素子」に相当する。
（イ）引用発明の「回転磁界センサ５は」「演算回路２３を備え、」「演算回路２３は、」「基準位置ＰＲにおける回転磁界ＭＦの方向ＤＭが基準方向ＤＲに対してなす角度θと対応関係を有する角度検出値θｓを算出し」ているので、
　引用発明の「基準位置における回転磁界ＭＦの方向が基準方向に対してなす角度を検出する回転磁界センサ５」は、本件特許発明１の「基準位置における被検出磁界の方向が基準方向に対してなす角度と対応関係を有する角度検出値を生成する磁気センサ」に相当する。
（ウ）引用発明の「第１の検出回路２１」及び「第２の検出回路２２」は、本件特許発明１の「磁界検出部」に相当するので、
　引用発明の「回転磁界センサ５」が、「第１の検出回路２１、第２の検出回路２２および演算回路２３を備え」ることは、本件特許発明１の「磁気センサ」が、「磁界検出部と演算部とを備え」ることに相当する。
（エ）
ａ　引用発明の「第１の検出回路２１は、回転磁界ＭＦの第１の方向Ｄ１の成分の強度を検出して」いるので、「第１の検出回路２１」の「直列に接続された第１および第２のＭＲ素子列Ｒ３１，Ｒ３２と、直列に接続された第３および第４のＭＲ素子列Ｒ３３，Ｒ３４」を構成する「直列に接続された複数のＭＲ素子」は、「回転磁界ＭＦ」を「検出」しているといえる。
　同様に、「第２の検出回路２２」の「直列に接続された第１および第２のＭＲ素子列Ｒ４１，Ｒ４２と、直列に接続された第３および第４のＭＲ素子列Ｒ４３，Ｒ４４」を構成する「直列に接続された複数のＭＲ素子」は、「回転磁界ＭＦ」を「検出」しているといえる。
　したがって、引用発明の「第１の検出回路２１」及び「第２の検出回路２２」が、「直列に接続された複数のＭＲ素子によって構成され」ることは、本件特許発明１の「前記磁界検出部は、前記被検出磁界を検出する複数の磁気抵抗効果素子を含」むことに相当する。
ｂ　引用発明の「回転磁界ＭＦの第１の方向Ｄ１の成分の強度」は、「回転磁界ＭＦ」の方向が「第１の方向Ｄ１」に対してなす角度と対応関係を有しているので、「その強度を表す第１の信号Ｓ１」は、本件特許発明１の「前記被検出磁界の方向が第１の方向に対してなす角度と対応関係を有する第１の信号」に相当する。
　同様に、引用発明の「その強度を表す第２の信号Ｓ２」は、本件特許発明１の「前記被検出磁界の方向が第２の方向に対してなす角度と対応関係を有する第２の信号」に相当する。
　上記ａ及びｂより、引用発明の「第１の検出回路２１」及び「第２の検出回路２２」が、「直列に接続された複数のＭＲ素子によって構成され」、「第１の検出回路２１は、回転磁界ＭＦの第１の方向Ｄ１の成分の強度を検出して、その強度を表す第１の信号Ｓ１を出力し、第２の検出回路２２は、回転磁界ＭＦの第２の方向Ｄ２の成分の強度を検出して、その強度を表す第２の信号Ｓ２を出力」することは、本件特許発明１の「前記磁界検出部は、前記被検出磁界を検出する複数の磁気抵抗効果素子を含み、前記被検出磁界の方向が第１の方向に対してなす角度と対応関係を有する第１の信号と前記被検出磁界の方向が第２の方向に対してなす角度と対応関係を有する第２の信号とを出力」することに相当する。
（オ）引用発明の「各ＭＲ素子は、磁化方向が固定された磁化固定層と、回転磁界の方向に応じて磁化の方向が変化する自由層と、磁化固定層と自由層の間に配置された非磁性層とを有」することは、本件特許発明１の「前記複数の磁気抵抗効果素子の各々は、磁化方向が固定された磁化固定層と、前記被検出磁界の方向に応じて磁化の方向が変化する自由層と、前記磁化固定層と自由層の間に配置された非磁性層とを有」することに相当する。
（カ）引用発明の「演算回路２３は、第１の信号Ｓ１および第２の信号Ｓ２に基づいて」「角度検出値θｓを算出」することは、本件特許発明１の「前記演算部は、前記第１および第２の信号に基づいて前記角度検出値を算出」することに相当する。
（キ）引用発明は「磁化固定層の磁化方向が、各ＭＲ素子における磁化固定層の磁化方向に対して−２２．５°、２２．５°だけ異なる２つのＭＲ素子を設けることによって、２次、３次および４次の電位差高調波成分に起因した回転磁界センサの検出角度の誤差を低減することが可能になる」のであるから、引用発明の「角度検出値θｓ」は、「４次の電位差高調波成分に起因した」「検出角度の誤差」を含んでいる。
　そして、引用発明は「回転磁界ＭＦの方向ＤＭ」が、所定の周期で回転するものであり、引用発明の「４次の電位差高調波成分」は、「回転磁界ＭＦの方向ＤＭの回転に伴って周期的に変化」する「ＭＲ素子の両端間」に含まれる「電位差高調波成分」であるから、「回転磁界ＭＦ」の周期の１／４の周期で変化するものであるといえるので、
　引用発明の「角度検出値θｓ」は、「４次の電位差高調波成分に起因した」「検出角度の誤差」を含んでいることは、本件特許発明１の「前記被検出磁界の方向が所定の周期で回転する場合、前記角度検出値は、前記所定の周期の１／４の周期で変化する角度誤差成分を含」むことに相当する。
　したがって、本件特許発明１と引用発明とは、次の一致点、相違点を有する。
（一致点）
「基準位置における被検出磁界の方向が基準方向に対してなす角度と対応関係を有する角度検出値を生成する磁気センサであって、
　磁界検出部と演算部とを備え、
　前記磁界検出部は、前記被検出磁界を検出する複数の磁気抵抗効果素子を含み、前記被検出磁界の方向が第１の方向に対してなす角度と対応関係を有する第１の信号と前記被検出磁界の方向が第２の方向に対してなす角度と対応関係を有する第２の信号とを出力し、
　前記複数の磁気抵抗効果素子の各々は、磁化方向が固定された磁化固定層と、前記被検出磁界の方向に応じて磁化の方向が変化する自由層と、前記磁化固定層と自由層の間に配置された非磁性層とを有し、
　前記演算部は、前記第１および第２の信号に基づいて前記角度検出値を算出し、
　前記被検出磁界の方向が所定の周期で回転する場合、前記角度検出値は、前記所定の周期の１／４の周期で変化する角度誤差成分を含む、磁気センサ。」
（相違点）
　被検出磁界の方向が所定の周期で回転する場合、所定の周期の１／４の周期で変化する角度誤差成分について、本件特許発明１は、「角度誤差成分の絶対値の最大値の変動量」を、「前記磁界検出部における前記被検出磁界の強度が、２０〜１５０ｍＴの範囲の一部である副範囲であって、上限と下限の差が３０ｍＴ以上である副範囲内で変化するとき」「０．１°以下である」としているのに対して、引用発明は、「４次の電位差高調波成分に起因した」「検出角度の誤差を低減すること」が記載されているが、そのような特定がない点。
イ　判断
　相違点について検討する。
　引用発明は、磁化固定層の磁化方向を、−２２．５°、２２．５°だけ異なる２つのＭＲ素子を設けることによって、４次の電位差高調波成分に起因した検出角度の誤差を低減することが記載されているが、回転磁界ＭＦの強度の変化に対して、４次の電位差高調波成分に起因した検出角度の誤差の変動量を少なくすることは記載されておらず、また、そのような示唆もない。
　また、甲第２号証には、角度誤差が、１０ｍＴ〜７０ｍＴの範囲にわたり０．３度未満であること（上記「１　（２）」）、甲第３号証には、角度誤差が、広い磁界範囲にわたり０．２°を下回ること（上記「１　（３）」）が記載されているが、被検出磁界の方向が所定の周期で回転する場合、所定の周期の１／４の周期で変化する角度誤差成分の変動量については、記載されていない。
　したがって、本件特許発明１は、引用発明、甲第２号証及び甲第３号証に記載された技術に基づいて、当業者が容易になし得たものとすることができない。
（２）本件特許発明２−４について
　本件特許発明１を直接又は間接的に引用する本件特許発明２−４は、本件特許発明１をさらに減縮したものであるから、上記本件特許発明１についての判断と同様の理由により、引用発明、甲第２号証及び甲第３号証に記載された技術に基づいて、当業者が容易になし得たものとすることができない。
（３）本件特許発明５−８について
　本件特許発明５−８は、上記相違点に係る本件特許発明１と同様の構成である「前記磁界検出部における前記被検出磁界の強度が、２５〜１５０ｍＴの範囲の一部である副範囲であって、上限と下限の差が３０ｍＴ以上である副範囲内で変化するときの前記角度誤差成分の絶対値の最大値の変動量は、０．０５°以下であること」を備えるものであるから、上記本件特許発明１についての判断と同様の理由により、引用発明、甲第２号証及び甲第３号証に記載された技術に基づいて、当業者が容易になし得たものとすることができない。
（４）本件特許発明９、１０について
　本件特許発明１−８を直接又は間接的に引用する本件特許発明９，１０は、本件特許発明１−８をさらに減縮したものであるから、上記本件特許発明１についての判断と同様の理由により、引用発明、甲第２号証及び甲第３号証に記載された技術に基づいて、当業者が容易になし得たものとすることができない。
３　まとめ
　以上のとおりであるから、本件特許発明１−１０は、いずれも、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるということができず、同法第１１３条第２号により取り消すことができない。
第５　理由２（第３６条第４項第１号）について
１　本件特許発明１について
　異議申立人は、異議申立書において、
「本件特許発明１と甲１発明との相違点は、
　Ｇ　前記磁界検出部における前記被検出磁界の強度が、２０〜１５０ｍＴの範囲の一部である副範囲であって、上限と下限の差が３０ｍＴ以上である副範囲内で変化するときの前記角度誤差成分の絶対値の最大値の変動量は、０．１°以下である
　構成の有無である。
　しかし、Ｇの構成は、単に誤差の変動量を０．１°以下、と限定しただけであるから、達成すべき結果をそのまま記載しただけである。」（異議申立書第２３頁第３４行−第２４頁第３行）として、
　「請求項１−１０は、上述の様に、達成すべき結果（誤差等を低減すること）によって物を特定しようとする記載を含んでおり、発明の詳細な説明の特定の実施の形態のみが実施可能に記載されている場合であって、当業者が明細書及び図面の記載並びに出願時の技術常識を考慮しても、請求項に係る発明に含まれる他の部分についてはその実施をすることができないため、実施可能要件違反である。」（異議申立書第２９頁第１９−２４行）」と主張している。
　そこで、検討すると、発明の詳細な説明には、次の記載がある。
　発明が解決しようとする課題として、「本願の発明者による研究の課程で、
磁気センサでは、検出角度の誤差が被検出磁界の強度に応じて変化する
検出角度の誤差の変動量が小さい
　発明を実施するための形態として、「本願の発明者による研究の課程で
、角度誤差の磁界強度依存は、
前記所定の周期の１／４の周期で変化する角度誤差成分（以下、角度誤差４次成分と言う。）に起因するものであることが分かった。
印加磁界強度が、２０〜１５０ｍＴの範囲の一部である副範囲であって、上限と下限の差が３０ｍＴ以上である副範囲内で変化するときの角度誤差４次成分の絶対値の最大値Ｅ４の変動量は０．１°以下である
このような特性を有する本実施の形態に係る磁気センサ１によれば、印加磁界強度の広い範囲で角度誤差の変動量を小さくすることが可能になる。」
　上記記載より、磁気センサにおいて、検出角度の誤差が被検出磁界の強度に応じて変化するので、その変動量を小さくするという課題があり、角度誤差の磁界強度依存は、所定の周期の１／４の周期で変化する角度誤差成分（角度誤差４次成分）に起因するものであることが分かったので、
　本件特許発明１は、印加磁界強度が、２０〜１５０ｍＴの範囲の一部である副範囲であって、上限と下限の差が３０ｍＴ以上である副範囲内で変化するときの角度誤差４次成分の絶対値の最大値Ｅ４の変動量を０．１°以下にする手段によって、上記課題を解決したものであることが、理解できる。
　そうすると、請求項１に記載された「前記磁界検出部における前記被検出磁界の強度が、２０〜１５０ｍＴの範囲の一部である副範囲であって、上限と下限の差が３０ｍＴ以上である副範囲内で変化するときの前記角度誤差成分の絶対値の最大値の変動量は、０．１°以下である」は、検出角度の誤差の被検出磁界の強度に応じた変動量を小さくするという課題を解決するための手段であって、単に誤差の変動量を０．１°以下と規定しただけではなく、達成すべき結果をそのまま記載しただけとはいえない。
　そして、発明の詳細な説明には、「このことから、所望の副範囲内におけるＥ４の変動量を小さくするには、その副範囲内において、各印加磁界強度におけるＶ３ｒとＶ５ｒの差の絶対値の変動量を小さくすればよいことが分かる。これは、その副範囲内において印加磁界強度の増加に対するＶ３ｒの変化の割合と印加磁界強度の増加に対するＶ５ｒの変化の割合が互いに近づくように、Ｖ３ｒとＶ５ｒの磁界強度依存性を制御することによって実現することができる。」（段落【００９０】）、「本実施の形態では、以下で説明する
第１の手段と第２の手段を用いて、所望の副範囲において印加磁界強度の増加に対するＶ３ｒの変化の割合と印加磁界強度の増加に対するＶ５ｒの変化の割合が互いに近づくように、Ｖ３ｒの磁界強度依存性とＶ５ｒの磁界強度依存性を制御する。第１の手段は、ＭＲ素子５０の形状、特に自由層５１の形状を制御することである。第２の手段は、図５を参照して説明したオフセット角度φを調整することである。
第１ないし第３の実施例は、
第１の手段と第２の手段を組み合わせて用いた例である。
　「第２の実施例の磁気センサ１は、自由層５１の第２の面の形状を、ｄｒが０．１％、αが０°である形状とし、且つオフセット角度φを１０°としたものである。・・・第２の実施例の磁気センサ１では、
印加磁界強度が２０〜７０ｍＴの範囲において、
Ｅ４の変動量は０．１°以下である。
印加磁界強度が５０〜１５０ｍＴの範囲において、
Ｅ４の変動量は０．１°以下である。
　したがって、請求項１の記載は、達成すべき結果によって物を特定しようとする記載を含んでいるとはいえず、また、発明の詳細な説明は、本件特許発明１を、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載したものである。
　よって、異議申立人の主張は採用できない。
２　本件特許発明２について
　異議申立人は、異議申立書において、
「「Ｉ　前記第１の理想成分が最大値をとるときの前記第１の理想成分に対する前記第１の第３高調波成分の比率を第１の比率とし、前記第１の理想成分が最大値をとるときの前記第１の理想成分に対する前記第１の第５高調波成分の比率を第２の比率とし、前記第２の理想成分が最大値をとるときの前記第２の理想成分に対する前記第２の第３高調波成分の比率を第３の比率とし、前記第２の理想成分が最大値をとるときの前記第２の理想成分に対する前記第２の第５高調波成分の比率を第４の比率とし、前記第１の比率と前記第３の比率の平均値を第３高調波成分比率とし、前記第２の比率と前記第４の比率の平均値を第５高調波成分比率としたときに、前記磁界検出部における前記被検出磁界の強度が前記副範囲内で変化するときの前記第３高調波成分比率と前記第５高調波成分比率との差の絶対値の変動量が０．１８％以下である」
　しかし、Ｉの構成は、単に高調波の影響の変動（第３高調波成分比率と第５高調波成分比率との差の絶対値の変動量）を０．１８％以下、と規定しただけであるから、達成すべき結果をそのまま記載しただけである。」（異議申立書第２５頁第８−２９行）として、
　「請求項１−１０は、上述の様に、達成すべき結果（誤差等を低減すること）によって物を特定しようとする記載を含んでおり、発明の詳細な説明の特定の実施の形態のみが実施可能に記載されている場合であって、当業者が明細書及び図面の記載並びに出願時の技術常識を考慮しても、請求項に係る発明に含まれる他の部分についてはその実施をすることができないため、実施可能要件違反である。」（異議申立書第２９頁第１９−２４行）」と主張している。
　そこで、検討すると、発明の詳細な説明には、次の記載がある。
　発明が解決しようとうする課題として、「本願の発明者による研究の課程で、
磁気センサでは、検出角度の誤差が被検出磁界の強度に応じて変化する
検出角度の誤差の変動量が小さい
　発明を実施するための形態として、「本願の発明者による研究の課程で、
角度誤差の磁界強度依存は、
前記所定の周期の１／４の周期で変化する角度誤差成分（以下、角度誤差４次成分と言う。）に起因するものであることが分かった。
角度誤差４次成分の絶対値の最大値Ｅ４は、第３高調波成分比率Ｖ３ｒと第５高調波成分比率Ｖ５ｒの差の絶対値に比例することが分かった。
副範囲内におけるＶ３ｒとＶ５ｒの差の絶対値の変動量が０．１８％以下であれば、副範囲内におけるＥ４の変動量は０．１°以下になる。
　上記記載より、磁気センサにおいて、検出角度の誤差が被検出磁界の強度に応じて変化するので、その変動量を小さくするという課題があり、角度誤差の磁界強度依存は、所定の周期の１／４の周期で変化する角度誤差成分（角度誤差４次成分）に起因し、角度誤差４次成分の絶対値の最大値Ｅ４は、第３高調波成分比率Ｖ３ｒと第５高調波成分比率Ｖ５ｒの差の絶対値に比例することが分かったので、
　本件特許発明２は、副範囲内におけるＶ３ｒとＶ５ｒの差の絶対値の変動量が０．１８％以下にする手段によって、上記課題を解決したものであることが、理解できる。
　そうすると、請求項２に記載された「前記第１の理想成分が最大値をとるときの前記第１の理想成分に対する前記第１の第３高調波成分の比率を第１の比率とし、前記第１の理想成分が最大値をとるときの前記第１の理想成分に対する前記第１の第５高調波成分の比率を第２の比率とし、前記第２の理想成分が最大値をとるときの前記第２の理想成分に対する前記第２の第３高調波成分の比率を第３の比率とし、前記第２の理想成分が最大値をとるときの前記第２の理想成分に対する前記第２の第５高調波成分の比率を第４の比率とし、前記第１の比率と前記第３の比率の平均値を第３高調波成分比率とし、前記第２の比率と前記第４の比率の平均値を第５高調波成分比率としたときに、前記磁界検出部における前記被検出磁界の強度が前記副範囲内で変化するときの前記第３高調波成分比率と前記第５高調波成分比率との差の絶対値の変動量が０．１８％以下である」は、検出角度の誤差の被検出磁界の強度に応じた変動量を小さくするという課題を解決するための手段であって、単に高調波の影響の変動（第３高調波成分比率と第５高調波成分比率との差の絶対値の変動量）を０．１８％以下、と規定しただけではなく、達成すべき結果をそのまま記載しただけとはいえない。
　そして、発明の詳細な説明には、「第２の実施例の磁気センサ１は、自由層５１の第２の面の形状を、ｄｒが０．１％、αが０°である形状とし、且つオフセット角度φを１０°としたものである。・・・第２の実施例の磁気センサ１では、
印加磁界強度が２０〜７０ｍＴの範囲において、Ｖ３ｒとＶ５ｒの差の絶対値の変動量が０．１８％以下であり、
印加磁界強度が５０〜１５０ｍＴの範囲において、Ｖ３ｒとＶ５ｒの差の絶対値の変動量が０．１８％以下であり、
　したがって、請求項２の記載は、達成すべき結果によって物を特定しようとする記載を含んでいるとはいえず、また、発明の詳細な説明は、本件特許発明２を、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載したものである。
　よって、異議申立人の主張は採用できない。
３　本件特許発明３について
　異議申立人は、異議申立書において、
「本件特許発明３と甲１発明は、「Ｊ　前記演算部は、前記角度検出値を算出する角度検出値算出部と、前記角度検出値に対して補正処理を行って補正後角度検出値を生成する補正処理部とを含み、前記補正後角度検出値の誤差の絶対値の最大値は、前記角度検出値の誤差の絶対値の最大値よりも小さいこと」の構成で相違する。
　しかし、検出された角度に何らかの補正を行うことで、誤差の大きさを減少させることは当然であり、本件特許発明３には、補正処理の具体的な記載がないから、Ｊの構成も、達成すべき結果をそのまま記載しただけであり、実質的な相違点になり得ない。」（異議申立書第２５頁第２９−３７行）として、
　「請求項１−１０は、上述の様に、達成すべき結果（誤差等を低減すること）によって物を特定しようとする記載を含んでおり、発明の詳細な説明の特定の実施の形態のみが実施可能に記載されている場合であって、当業者が明細書及び図面の記載並びに出願時の技術常識を考慮しても、請求項に係る発明に含まれる他の部分についてはその実施をすることができないため、実施可能要件違反である。」（異議申立書第２９頁第１９−２４行）」と主張している。
　そこで、検討すると、発明の詳細な説明には、次の記載がある。
「【００３５】
  次に、図３を参照して、磁気センサ１の構成について詳しく説明する。図３は、磁気センサ１の構成を示す回路図である。
磁気センサ１は、
演算部３０を備えている。
「【００３９】
  図４は、演算部３０の構成を示す機能ブロック図である。
演算部３０は、角度検出値算出部３１と、補正処理部３２と、
とを含んでいる。角度検出値算出部３１は、
角度検出値θｓを算出する。補正処理部３２は、角度検出値θｓに対して補正処理を行って補正後角度検出値θｔを生成する。補正後角度検出値θｔの誤差の絶対値の最大値は、角度検出値θｓの誤差の絶対値の最大値よりも小さい。
　上記記載より、磁気センサ１は、演算部３０を備えており、演算部３０は、角度検出値算出部３１と、補正処理部３２と、とを含んでおり、角度検出値算出部３１は、角度検出値θｓを算出し、補正処理部３２は、角度検出値θｓに対して補正処理を行って補正後角度検出値θｔを生成し、補正後角度検出値θｔの誤差の絶対値の最大値は、角度検出値θｓの誤差の絶対値の最大値よりも小さいことが読み取れる。
　そうすると、本件特許発明３の構成Ｊは、発明の詳細な説明に記載された、磁気センサ１の演算部３０の構成について特定したものであり、達成すべき結果をそのまま記載しただけとはいえない。
　そして、発明の詳細な説明には、補正処理の第１の例について、より具体的に説明があり（段落【０１２１】−【０１２８】）、「図２４に示したように、印加磁界強度が８０ｍＴのときの
補正後角度誤差ＣＡＥの絶対値の最大値は、
角度誤差ＡＥの絶対値の最大値に比べて大幅に小さくなっている。
　したがって、請求項３の記載は、達成すべき結果によって物を特定しようとする記載を含んでいるとはいえず、また、発明の詳細な説明は、本件特許発明３を、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載したものである。
　よって、異議申立人の主張は採用できない。
４　本件特許発明４について
　異議申立人は、異議申立書において、
「本件特許発明４と甲１発明は、「Ｋ　前記補正処理部は、前記磁界検出部における前記被検出磁界の強度が前記副範囲内のどの値であっても、前記補正後角度検出値の誤差の最大値と最小値の差の１／２が０．１°以下になるように、前記補正処理を行うこと」の構成で相違する。
　しかし、検出された角度に何らかの補正を行なうことで、誤差の所定値内に抑えることは当然であり、本件特許発明４にも、補正処理の具体的な記載がないから、Ｋの構成も、達成すべき結果をそのまま記載しただけであり、実質的な相違点にはなり得ない。」（異議申立書第２６頁第２−１０行）として、
　「請求項１−１０は、上述の様に、達成すべき結果（誤差等を低減すること）によって物を特定しようとする記載を含んでおり、発明の詳細な説明の特定の実施の形態のみが実施可能に記載されている場合であって、当業者が明細書及び図面の記載並びに出願時の技術常識を考慮しても、請求項に係る発明に含まれる他の部分についてはその実施をすることができないため、実施可能要件違反である。」（異議申立書第２９頁第１９−２４行）」と主張している。
　そこで、検討する。
　本件特許発明４は、本件特許発明３を引用しているので、本件特許発明４の構成Ｋは、本件特許発明３の構成Ｊを更に限定したものといえ、
　本件特許発明３の構成Ｊは、発明の詳細な説明に記載された、磁気センサ１の演算部３０の構成について特定したものであり、達成すべき結果をそのまま記載しただけとはいえないことは、上記「３　本件特許発明３」で検討した通りであるから、本件特許発明４の構成Ｋについても、同様である。
　そして、発明の詳細な説明には、補正処理の第１の例について、より具体的に説明があり（段落【０１２１】−【０１２８】）、「ここで、
補正後角度誤差ＣＡＥの最大値と最小値の差の１／２を補正後角度誤差ＣＡＥの振幅と定義する。
副範囲内における補正後角度誤差ＣＡＥの振幅を０．１°以下にすることができ
　したがって、請求項４の記載は、達成すべき結果によって物を特定しようとする記載を含んでいるとはいえず、また、発明の詳細な説明は、本件特許発明４を、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載したものである。
　よって、異議申立人の主張は採用できない。
５　本件特許発明５について
　異議申立人は、異議申立書において、
「本件特許発明５と甲１発明との相違点は、
　Ｇ１　前記磁界検出部における前記被検出磁界の強度が、２５〜１５０ｍＴの範囲の一部である副範囲であって、上限と下限の差が３０ｍＴ以上である副範囲内で変化するときの前記角度誤差成分の絶対値の最大値の変動量は、０．０５°以下である
　構成の有無である。
　しかし、Ｇ１の構成は、単に誤差の変動量を０．０５°以下、と限定しただけであるから、達成すべき課題をそのまま記載しただけである。」（異議申立書第２６頁第１２行−第２６頁第１９行）として、
　「請求項１−１０は、上述の様に、達成すべき結果（誤差等を低減すること）によって物を特定しようとする記載を含んでおり、発明の詳細な説明の特定の実施の形態のみが実施可能に記載されている場合であって、当業者が明細書及び図面の記載並びに出願時の技術常識を考慮しても、請求項に係る発明に含まれる他の部分についてはその実施をすることができないため、実施可能要件違反である。」（異議申立書第２９頁第１９−２４行）」と主張している。
　そこで、検討すると、発明の詳細な説明には、「第２の実施例の磁気センサ１では、
印加磁界強度が２５〜５５ｍＴの範囲において、
Ｅ４の変動量は０．０５°以下である。
印加磁界強度が６０〜１５０ｍＴの範囲において、
Ｅ４の変動量は０．０５°以下である。
　上記「１　本件特許発明１について」を踏まえると、上記記載より、
　本件特許発明５は、印加磁界強度が、２５〜１５０ｍＴの範囲の一部である副範囲であって、上限と下限の差が３０ｍＴ以上である副範囲内で変化するときの角度誤差４次成分の絶対値の最大値Ｅ４の変動量を０．０５°以下にする手段によって、磁気センサにおいて、検出角度の誤差が被検出磁界の強度に応じて変化するので、その変動量を小さくするという課題を解決したものであることが、理解できる。
　そうすると、請求項５に記載された「前記磁界検出部における前記被検出磁界の強度が、２５〜１５０ｍＴの範囲の一部である副範囲であって、上限と下限の差が３０ｍＴ以上である副範囲内で変化するときの前記角度誤差成分の絶対値の最大値の変動量は、０．０５°以下である」は、検出角度の誤差の被検出磁界の強度に応じた変動量を小さくするという課題を解決するための手段であって、単に誤差の変動量を０．０５°以下と規定しただけではなく、達成すべき結果をそのまま記載しただけとはいえない。
　そして、発明の詳細な説明には、「このことから、所望の副範囲内におけるＥ４の変動量を小さくするには、その副範囲内において、各印加磁界強度におけるＶ３ｒとＶ５ｒの差の絶対値の変動量を小さくすればよいことが分かる。これは、その副範囲内において印加磁界強度の増加に対するＶ３ｒの変化の割合と印加磁界強度の増加に対するＶ５ｒの変化の割合が互いに近づくように、Ｖ３ｒとＶ５ｒの磁界強度依存性を制御することによって実現することができる。」（段落【００９０】）、「本実施の形態では、以下で説明する
第１の手段と第２の手段を用いて、所望の副範囲において印加磁界強度の増加に対するＶ３ｒの変化の割合と印加磁界強度の増加に対するＶ５ｒの変化の割合が互いに近づくように、Ｖ３ｒの磁界強度依存性とＶ５ｒの磁界強度依存性を制御する。第１の手段は、ＭＲ素子５０の形状、特に自由層５１の形状を制御することである。第２の手段は、図５を参照して説明したオフセット角度φを調整することである。
第１ないし第３の実施例は、
第１の手段と第２の手段を組み合わせて用いた例である。
　「第２の実施例の磁気センサ１は、自由層５１の第２の面の形状を、ｄｒが０．１％、αが０°である形状とし、且つオフセット角度φを１０°としたものである。・・・第２の実施例の磁気センサ１では、
印加磁界強度が２５〜５５ｍＴの範囲において、
Ｅ４の変動量は０．０５°以下である。
印加磁界強度が６０〜１５０ｍＴの範囲において、
Ｅ４の変動量は０．０５°以下である。
　したがって、請求項５は、達成すべき結果によって物を特定しようとする記載を含んでいるとはいえず、また、発明の詳細な説明は、本件特許発明５を、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載したものである。
　よって、異議申立人の主張は採用できない。
６　本件特許発明６について
　異議申立人は、異議申立書において、
「「Ｉ１　前記第１の理想成分が最大値をとるときの前記第１の理想成分に対する前記第１の第３高調波成分の比率を第１の比率とし、前記第１の理想成分が最大値をとるときの前記第１の理想成分に対する前記第１の第５高調波成分の比率を第２の比率とし、前記第２の理想成分が最大値をとるときの前記第２の理想成分に対する前記第２の第３高調波成分の比率を第３の比率とし、前記第２の理想成分が最大値をとるときの前記第２の理想成分に対する前記第２の第５高調波成分の比率を第４の比率とし、前記第１の比率と前記第３の比率の平均値を第３高調波成分比率とし、前記第２の比率と前記第４の比率の平均値を第５高調波成分比率としたときに、前記磁界検出部における前記被検出磁界の強度が前記副範囲内で変化するときの前記第３高調波成分比率と前記第５高調波成分比率との差の絶対値の変動量が０．０９％以下である」
　しかし、Ｉ１の構成は、単に高調波の影響の変動（第３高調波成分比率と第５高調波成分比率との差の絶対値の変動量）を０．０９％以下、と規定しただけであるから、達成すべき結果をそのまま記載しただけである。」（異議申立書第２７頁第２４行−第２８頁１行）として、
　「請求項１−１０は、上述の様に、達成すべき結果（誤差等を低減すること）によって物を特定しようとする記載を含んでおり、発明の詳細な説明の特定の実施の形態のみが実施可能に記載されている場合であって、当業者が明細書及び図面の記載並びに出願時の技術常識を考慮しても、請求項に係る発明に含まれる他の部分についてはその実施をすることができないため、実施可能要件違反である。」（異議申立書第２９頁第１９−２４行）」と主張している。
　そこで、検討すると、発明の詳細な説明には、「
副範囲内におけるＶ３ｒとＶ５ｒの差の絶対値の変動量が０．０９％以下であれば、副範囲内におけるＥ４の変動量は０．０５°以下になる。
　上記「２　本件特許発明２について」を踏まえると、上記記載より、
　本件特許発明６は、副範囲内におけるＶ３ｒとＶ５ｒの差の絶対値の変動量が０．０９％以下にする手段によって、磁気センサにおいて、検出角度の誤差が被検出磁界の強度に応じて変化するので、その変動量を小さくするという課題を解決したものであることが、理解できる。
　そうすると、請求項６に記載された「前記第１の理想成分が最大値をとるときの前記第１の理想成分に対する前記第１の第３高調波成分の比率を第１の比率とし、前記第１の理想成分が最大値をとるときの前記第１の理想成分に対する前記第１の第５高調波成分の比率を第２の比率とし、前記第２の理想成分が最大値をとるときの前記第２の理想成分に対する前記第２の第３高調波成分の比率を第３の比率とし、前記第２の理想成分が最大値をとるときの前記第２の理想成分に対する前記第２の第５高調波成分の比率を第４の比率とし、前記第１の比率と前記第３の比率の平均値を第３高調波成分比率とし、前記第２の比率と前記第４の比率の平均値を第５高調波成分比率としたときに、前記磁界検出部における前記被検出磁界の強度が前記副範囲内で変化するときの前記第３高調波成分比率と前記第５高調波成分比率との差の絶対値の変動量が０．０９％以下である」は、検出角度の誤差の被検出磁界の強度に応じた変動量を小さくするという課題を解決するための手段であって、単に高調波の影響の変動（第３高調波成分比率と第５高調波成分比率との差の絶対値の変動量）を０．０９％以下、と規定しただけではなく、達成すべき結果をそのまま記載しただけとはいえない。
　そして、発明の詳細な説明には、「第２の実施例の磁気センサ１は、自由層５１の第２の面の形状を、ｄｒが０．１％、αが０°である形状とし、且つオフセット角度φを１０°としたものである。・・・第２の実施例の磁気センサ１では、
印加磁界強度が２５〜５５ｍＴの範囲において、Ｖ３ｒとＶ５ｒの差の絶対値の変動量が０．０９％以下であり、
印加磁界強度が６０〜１５０ｍＴの範囲において、Ｖ３ｒとＶ５ｒの差の絶対値の変動量が０．０９％以下であり、
　したがって、請求項６の記載は、達成すべき結果によって物を特定しようとする記載を含んでいるとはいえず、また、発明の詳細な説明は、本件特許発明６を、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載したものである。
　よって、異議申立人の主張は採用できない。
７　本件特許発明７について
　異議申立人は、異議申立書において、
「本件特許発明７と甲１発明は、「Ｊ１　前記演算部は、前記角度検出値を算出する角度検出値算出部と、前記角度検出値に対して補正処理を行って補正後角度検出値を生成する補正処理部とを含み、前記補正後角度検出値の誤差の絶対値の最大値は、前記角度検出値の誤差の絶対値の最大値よりも小さいこと」の構成で相違する。
　しかし、検出された角度に何らかの補正を行うことで、誤差の大きさを減少させることは当然であり、本件特許発明７には、補正処理の具体的な記載がないから、Ｊ１の構成も、達成すべき結果をそのまま記載しただけであり、実質的な相違点になり得ない。」（異議申立書第２８頁第６−１４行）として、
　「請求項１−１０は、上述の様に、達成すべき結果（誤差等を低減すること）によって物を特定しようとする記載を含んでおり、発明の詳細な説明の特定の実施の形態のみが実施可能に記載されている場合であって、当業者が明細書及び図面の記載並びに出願時の技術常識を考慮しても、請求項に係る発明に含まれる他の部分についてはその実施をすることができないため、実施可能要件違反である。」（異議申立書第２９頁第１９−２４行）」と主張している。
　本件特許発明７の構成Ｊ１は、本件特許発明３の構成Ｊと同じであるので、本件特許発明７については、本件特許発明３と同様である。
　したがって、請求項７の記載は、達成すべき結果によって物を特定しようとする記載を含んでいるとはいえず、また、発明の詳細な説明は、本件特許発明７を、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載したものである。
　よって、異議申立人の主張は採用できない。
８　本件特許発明８について
　異議申立人は、異議申立書において、
「本件特許発明８と甲１発明は、「Ｋ１　前記補正処理部は、前記磁界検出部における前記被検出磁界の強度が前記副範囲内のどの値であっても、前記補正後角度検出値の誤差の最大値と最小値の差の１／２が０．０５°以下になるように、前記補正処理を行うこと」の構成で相違する。
　しかし、検出された角度に何らかの補正を行なうことで、誤差の所定値内に抑えることは当然であり、本件特許発明４にも、補正処理の具体的な記載がないから、Ｋ１の構成も、達成すべき結果をそのまま記載しただけであり、実質的な相違点にはなり得ない。」（異議申立書第２８頁第１７−２５行）として、
　「請求項１−１０は、上述の様に、達成すべき結果（誤差等を低減すること）によって物を特定しようとする記載を含んでおり、発明の詳細な説明の特定の実施の形態のみが実施可能に記載されている場合であって、当業者が明細書及び図面の記載並びに出願時の技術常識を考慮しても、請求項に係る発明に含まれる他の部分についてはその実施をすることができないため、実施可能要件違反である。」（異議申立書第２９頁第１９−２４行）」と主張している。
　そこで、検討する。
　本件特許発明８は、本件特許発明７を引用しているので、本件特許発明８の構成Ｋ１は、本件特許発明７の構成Ｊ１を更に限定したものといえ、
　本件特許発明７の構成Ｊ１は、発明の詳細な説明に記載された、磁気センサ１の演算部３０の構成について特定したものであり、達成すべき結果をそのまま記載しただけとはいえないことは、上記「７　本件特許発明７」で検討した通りであるから、本件特許発明８の構成Ｋ１についても、同様である。
　そして、発明の詳細な説明には、補正処理の第１の例について、より具体的に説明があり（段落【０１２１】−【０１２８】）、「ここで、
補正後角度誤差ＣＡＥの最大値と最小値の差の１／２を補正後角度誤差ＣＡＥの振幅と定義する。
副範囲内における補正後角度誤差ＣＡＥの振幅を０．０５°以下にすることができる。
　したがって、請求項８の記載は、達成すべき結果によって物を特定しようとする記載を含んでいるとはいえず、また、発明の詳細な説明は、本件特許発明８を、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載したものである。
　よって、異議申立人の主張は採用できない。
９　本件特許発明９について
　発明の詳細な説明には、次の記載がある、
「【００３６】
  第１の検出回路１０は、被検出磁界ＭＦの方向ＤＭが第１の方向に対してなす角度と対応関係を有する第１の信号Ｓ１を生成する。第２の検出回路２０は、被検出磁界ＭＦの方向ＤＭが第２の方向に対してなす角度と対応関係を有する第２の信号Ｓ２を生成する。本実施の形態では、第１の方向はＸ方向であり、第２の方向はＹ方向である。従って、
第２の方向は、第１の方向に直交している。
　したがって、発明の詳細な説明は、本件特許発明９を、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載したものである。
　よって、異議申立人の主張は採用できない。
１０　本件特許発明１０について
　異議申立人は、異議申立書において、
　「請求項１０は、「前記複数の磁気抵抗効果素子の各々の前記自由層は、前記非磁性層に接する第１の面と、その反対側の第２の面とを有し、前記第２の面は、５回以上の回転対称とはならない４回対称の回転対称形状を有する」とあるが、本件特許明細書には、当該形状をどの様にして実現したのか、何ら記載されていないし、自明でもない。」（異議申立書第２９頁第２５−２９行）」と主張している。
　そこで、検討すると、発明の詳細な説明には、次の記載がある。
「【００９３】
  図１３は、自由層５１の第２の面の形状を説明するための説明図である。図１３において、符号５１ａは、自由層５１の第２の面の外縁を示している。なお、図１３では、理解を容易にするために、第２の面の外縁５１ａの形状を、誇張して描いている。また、符号５１Ｃは、自由層５１の第２の面の形状を定義するために使用する基準円を示している。基準円５１Ｃは、真円である。
【００９４】
  ここで、
自由層５１の第２の面の面重心を、第２の面の中心と定義する。
第２の面の外縁５１ａ上の任意の点と第２の面の中心とを結ぶ直線が、Ｘ方向（図２参照）に対してなす角度を記号θａで表す。
第２の面の中心から、第２の面の外縁５１ａ上の任意の点までの距離をＲ（θａ）と定義する。
【００９５】
  本実施の形態では、ＭＲ素子５０の作製段階で、第２の面の形状を以下のように制御する。すなわち、本実施の形態では、第２の面の形状を、５回以上の回転対称とはならない４回対称の回転対称形状にすると共に、後で説明する歪み比率と歪み方向を制御する。５回以上の回転対称とはならない４回対称の回転対称形状は、ｎを２以上の整数としたときに、４×ｎ回の回転対称となる形状を含まない。以下、５回以上の回転対称とはならない４回対称の回転対称形状を、４回対称形状と言う。
【００９６】
  第２の面の形状が４回対称形状である場合には、角度θａを０°以上３６０°未満の範囲内で変化させると、Ｒ（θａ）は、角度θａが９０°ずつ異なる４つの値のときに最大値をとり、角度θａが９０°ずつ異なる他の４つの値のときに最小値をとるように変化する。
【００９７】
  ここで、
Ｒ（θａ）の最大値とＲ（θａ）の最小値の平均値を基準円５１Ｃの半径Ｒｃとして、基準円５１Ｃを定義する。
Ｒ（θａ）の最大値から基準円５１Ｃの半径Ｒｃを引いた値を歪み長ｄと定義する。また、Ｒｃに対する歪み長ｄの比率を百分率で表したものを歪み比率ｄｒと定義し、Ｒｃに対するＲ（θａ）の比率を百分率で表したものをｒ（θａ）と定義する。
角度θａが０°以上９０°未満の範囲内でＲ（θａ）が最大値をとるときの角度θａを、歪み方向αと定義する。
ｒ（θａ）は、
【００９８】
  
ｒ（θａ）＝１００＋ｄｒ・ｃｏｓ（４（θａ−α））
　上記記載より、自由層の第２の面の４回対称の回転対称形状として、自由層５１の第２の面の面重心を、第２の面の中心と定義し、第２の面の外縁５１ａ上の任意の点と第２の面の中心とを結ぶ直線が、Ｘ方向（図２参照）に対してなす角度を記号θａで表し、第２の面の中心から、第２の面の外縁５１ａ上の任意の点までの距離をＲ（θａ）と定義し、Ｒ（θａ）の最大値とＲ（θａ）の最小値の平均値を基準円５１Ｃの半径Ｒｃとして、基準円５１Ｃを定義し、Ｒ（θａ）の最大値から基準円５１Ｃの半径Ｒｃを引いた値を歪み長ｄと定義する。また、Ｒｃに対する歪み長ｄの比率を百分率で表したものを歪み比率ｄｒと定義し、Ｒｃに対するＲ（θａ）の比率を百分率で表したものをｒ（θａ）と定義し、角度θａが０°以上９０°未満の範囲内でＲ（θａ）が最大値をとるときの角度θａを、歪み方向αと定義すると、ｒ（θａ）は、
  ｒ（θａ）＝１００＋ｄｒ・ｃｏｓ（４（θａ−α））
　で表せることが記載されているので、
　発明の詳細な説明には、複数の磁気抵抗効果素子の各々の自由層の４回対称の回転対称形状が、具体的に記載されている。
　したがって、発明の詳細な説明は、本件特許発明１０を、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載したものである。
　よって、異議申立人の主張は採用できない。
５　まとめ
　以上のとおりであるから、本件特許発明１−１０は、特許法第３６条４項１号に規定する要件を満たしているから、特許法第１１３条第４号により取り消すことはできない。
第６　理由３（特許法第３６条第６項第１号）について
１　本件特許発明１−８について
　異議申立人は、異議申立書において、
「請求項１−１０には、達成すべき結果（誤差等を低減すること）により規定された発明が記載されているが、発明の詳細な説明には、特定の手段による発明が記載されているのみであり、出願時の技術常識に照らしても、請求項に係る発明の範囲まで、発明の詳細な説明において開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえないため、サポート要件違反である。」（異議申立書第３０頁第５−１０行）と主張している。
　しかしながら、上記「第５　１」−「第５　８」で検討したように、請求項１−８に記載されたものは、検出角度の誤差の被検出磁界の強度に応じた変動量を小さくするという課題を解決するための手段であって、達成すべき結果（誤差等を低減すること）により規定するものではない。
　また、発明の詳細な説明には、本件特許発明１−８を、実施するための手段が記載されていることも、上記「第５　１」−「第５−８」で検討したとおりである。
　したがって、本件特許発明１−８は、発明の詳細な説明に記載したものである。
　よって、異議申立人の主張は採用できない。
２　本件特許発明９について
　発明の詳細な説明には、次の記載がある、
「【００３６】
  第１の検出回路１０は、被検出磁界ＭＦの方向ＤＭが第１の方向に対してなす角度と対応関係を有する第１の信号Ｓ１を生成する。第２の検出回路２０は、被検出磁界ＭＦの方向ＤＭが第２の方向に対してなす角度と対応関係を有する第２の信号Ｓ２を生成する。本実施の形態では、第１の方向はＸ方向であり、第２の方向はＹ方向である。従って、
第２の方向は、第１の方向に直交している。
　したがって、本件特許発明９は、発明の詳細な説明に記載したものである。
　よって、異議申立人の主張は採用できない。
３　本件特許発明１０について
　異議申立人は、異議申立書において、
「また、請求項１０には、誤差の補正処理に関する限定はないが、一方で、本件明細書の段落０１２６、０１２７及び図２５には、以下の様な記載がある。
　段落０１２６「
補正処理部３２では、印加磁界強度が副範囲内のどの値であっても補正後角度誤差ＣＡＥの振幅が０．１°以下になるように補正処理を行うことが好ましく、印加磁界強度が副範囲内のどの値であっても補正後角度誤差ＣＡＥの振幅が０．０５°以下になるように補正処理を行うことがより好ましい。
　段落０１２７「図２５は、副範囲５０〜１２０ｍＴにおける印加磁界強度と補正後角度誤差ＣＡＥの振幅との関係を示している。
図２５において、横軸は印加磁界強度を示し、縦軸は補正後角度誤差ＣＡＥの振幅を示している。
「図２５には、発明の効果を推認できるグラフがあるが、当該グラフの特性は、段落０１２６、０１２７の記載からすると、誤差の補正処理を行なった後の特性を示している。これら記載からすると、本件明細書等では、単に補正処理を行ったことにより誤差の変動量を０．０５％以下とする旨の開示があるだけである。
　そうとすると、誤差の補正処理の構成を限定していない請求項１０の発明（補正処理を行っていない発明）がどの様な特性を示すのか、不明である。
　したがって、出願時の技術常識に照らしても、請求項１０に係る発明の範囲まで、発明の詳細な説明において開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえないため、サポート要件違反である。」（異議申立書第３０頁最終行−第３１頁第１０行）と主張している。
　そこで、検討すると、上記「第５　１」「第５　５」で検討したように、
　請求項１に記載された「前記磁界検出部における前記被検出磁界の強度が、２０〜１５０ｍＴの範囲の一部である副範囲であって、上限と下限の差が３０ｍＴ以上である副範囲内で変化するときの前記角度誤差成分の絶対値の最大値の変動量は、０．１°以下である」、請求項５に記載された「前記磁界検出部における前記被検出磁界の強度が、２５〜１５０ｍＴの範囲の一部である副範囲であって、上限と下限の差が３０ｍＴ以上である副範囲内で変化するときの前記角度誤差成分の絶対値の最大値の変動量は、０．０５°以下である」は、発明の詳細な説明に記載された、検出角度の誤差の被検出磁界の強度に応じた変動量を小さくするという課題を解決するための手段である。
　そうすると、本件特許発明１及び本件特許発明５を、直接または間接的に引用する本件特許発明１０は、誤差の補正処理の構成に関係なく、既に、発明の詳細な説明に記載された課題を解決するための手段が反映しているものである。
　また、上記「第５　１０」で検討したように、発明の詳細な説明には、複数の磁気抵抗効果素子の各々の自由層の４回対称の回転対称形状が、具体的に記載されている。
　したがって、本件特許発明１０は、発明の詳細な説明に記載したものである。
　よって、異議申立人の主張は採用できない。
４　まとめ
　以上のとおりであるから、本件特許発明１−１０は、特許法第３６条６項１号に規定する要件を満たしているから、特許法第１１３条第４号により取り消すことはできない。
第７　理由４（特許法第３６条第６項第２号）について
１　本件特許発明１−８について
　異議申立人は、異議申立書において、
「請求項１−１０には、達成すべき結果そのもの（誤差等を低減すること）が記載されているだけであり、発明の課題を解決するための手段が何ら記載されていないため、不明瞭である。」（異議申立書第３１頁第１２−１４行）と主張している。
　しかしながら、上記「第５　１」−「第５−８」で検討したように、請求項１−８に記載されたものは、検出角度の誤差の被検出磁界の強度に応じた変動量を小さくするという課題を解決するための手段であって、達成すべき結果そのもの（誤差等を低減すること）が記載されているだけではない。
　したがって、本件特許発明１−８は、明確である。
　よって、異議申立人の主張は採用できない。
２　本件特許発明９について
　請求項９に記載された「前記第２の方向は、前記第１の方向に直交していること」は、磁気センサの構成であり、達成すべき結果そのもの（誤差等を低減すること）ではない。
　したがって、本件特許発明９は、明確である。
　よって、異議申立人の主張は採用できない。
３　本件特許発明１０について
　異議申立人は、異議申立書において、
（１）「また、請求項１０は、補正処理の構成を限定していない。しかし、上述の様に、図２５のグラフが示す特性は、補正処理を行った後の特性を示しているだけあり、補正処理の構成を限定していない請求項１０の発明（補正処理を行っていない発明）がどの様な特性を示すのか、不明であり、請求項１０の構成により発明の課題が解決できるか否か不明である。したがって、請求項１０は、「発明の技術的課題を解決するため必要な事項が請求項に記載」されているとは言えず、不明瞭であり、明確性要件違反である。」  （異議申立書第３１頁第１９−２６行）、
（２）「また、請求項１０の「前記複数の磁気抵抗効果素子の各々の前記自由層は、前記非磁性層に接する第１の面と、その反対側の第２の面とを有し、前記第２の面は、５回以上の回転対称とはならない４回対称の回転対称形状」との記載は、第２の面を５回転して対称とならずに４回転して対称である、と読める。しかし、例えば正方形や正五角形等は、５回転しても４回転しても、対称であるから、請求項１０の記載は、その記載だけでは、意味がわからない。」（異議申立書第３１頁第２７−３３行）と主張している。
　上記主張（１）について検討する。
　上記「第５　１」「第５　５」で検討したように、
　請求項１に記載された「前記磁界検出部における前記被検出磁界の強度が、２０〜１５０ｍＴの範囲の一部である副範囲であって、上限と下限の差が３０ｍＴ以上である副範囲内で変化するときの前記角度誤差成分の絶対値の最大値の変動量は、０．１°以下である」、請求項５に記載された「前記磁界検出部における前記被検出磁界の強度が、２５〜１５０ｍＴの範囲の一部である副範囲であって、上限と下限の差が３０ｍＴ以上である副範囲内で変化するときの前記角度誤差成分の絶対値の最大値の変動量は、０．０５°以下である」は、発明の詳細な説明に記載された、検出角度の誤差の被検出磁界の強度に応じた変動量を小さくするという課題を解決するための手段である。
　そうすると、本件特許発明１及び本件特許発明５を、直接または間接的に引用する本件特許発明１０は、誤差の補正処理の構成に関係なく、既に、発明の詳細な説明に記載された課題を解決するための手段が反映しているものである。
　したがって、上記主張（１）は、採用できない。
　上記主張（２）について検討する。
　請求項１０の「５回以上の回転対称とはならない４回対称の回転対称形状」は、４回対称の回転対称形状と捉えることができる。
　そして、ある中心の周りを（３６０／ｎ）°回転させると自ら重なる性質を、ｎ回対称ということは一般的であるから、４回対称の回転対称形状は、９０°回転させると自ら重なる性質を有するのであり、請求項１０の上記記載は明確である。
　したがって、上記主張（２）は、採用できない。
　よって、本件特許発明１０は、明確である。
４　まとめ
　以上のとおりであるから、本件特許発明１−１０は、特許法第３６条６項２号に規定する要件を満たしているから、特許法第１１３条第４号により取り消すことはできない。
第８　むすび
　したがって、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１ないし１０に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１ないし１０に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成３０年６月５日（２０１８．６．５）