(57)【要約】本発明の配線基板は、実装面を有する基材と、上記基材の上記実装面に設けられた第１の端子電極と、上記基材の上記実装面に、上記第１の端子電極と離間して設けられた第２の端子電極と、上記基材の上記実装面に設けられ、上記第１の端子電極及び上記第２の端子電極を接続する導体配線層と、上記導体配線層の少なくとも一部を被覆するように上記導体配線層の表面に設けられ、セラミック成分を含む被覆セラミック層と、上記被覆セラミック層と上記導体配線層との境界を少なくとも被覆するように上記第１の端子電極の表面に設けられ、金属成分を含む第１の保護電極と、上記被覆セラミック層と上記導体配線層との境界を少なくとも被覆するように上記第２の端子電極の表面に設けられ、金属成分を含む第２の保護電極と、を備えることを特徴とする。
2019012912.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装面を有する基材と、
前記基材の前記実装面に設けられた第１の端子電極と、
前記基材の前記実装面に、前記第１の端子電極と離間して設けられた第２の端子電極と、
前記基材の前記実装面に設けられ、前記第１の端子電極及び前記第２の端子電極を接続する導体配線層と、
前記導体配線層の少なくとも一部を被覆するように前記導体配線層の表面に設けられ、セラミック成分を含む被覆セラミック層と、
前記被覆セラミック層と前記導体配線層との境界を少なくとも被覆するように前記第１の端子電極の表面に設けられ、金属成分を含む第１の保護電極と、
前記被覆セラミック層と前記導体配線層との境界を少なくとも被覆するように前記第２の端子電極の表面に設けられ、金属成分を含む第２の保護電極と、を備えることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第１の保護電極、及び、前記第２の保護電極は、いずれも、前記金属成分を７５体積％以上含む請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１の保護電極、及び、前記第２の保護電極は、いずれも、セラミック成分をさらに含む請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１の保護電極、及び、前記第２の保護電極は、いずれも、前記被覆セラミック層に含まれる上記セラミック成分と同じセラミック成分をさらに含む請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項５】
前記第１の保護電極に含まれる前記セラミック成分の割合、及び、前記第２の保護電極に含まれる前記セラミック成分の割合は、いずれも、前記金属成分及び前記セラミック成分の合計体積に対して５体積％以上２５体積％以下である請求項３又は４に記載の配線基板。
【請求項６】
前記第１の保護電極に含まれる前記セラミック成分の割合、及び、前記第２の保護電極に含まれる前記セラミック成分の割合は、いずれも、前記金属成分及び前記セラミック成分の合計体積に対して１０体積％以上２０体積％以下である請求項３又は４に記載の配線基板。
【請求項７】
前記第１の保護電極、及び、前記第２の保護電極は、いずれも、前記被覆セラミック層の側面及び上面を被覆する請求項１〜６のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項８】
前記第１の保護電極は、前記第１の端子電極の上面を被覆し、
前記第２の保護電極は、前記第２の端子電極の上面を被覆する請求項１〜７のいずれか１項に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品が実装される基板の構造として、特許文献１には、外部端子電極の少なくとも一部がソルダレジストによって被覆された構造が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２１５１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ソルダレジスト等のレジスト層は、基板表面に配置された端子電極そのものを被覆するだけでなく、基板表面に配置された端子電極同士を接続する導体配線層を被覆することもある。また、レジスト層が印刷により形成される場合、通常、レジスト層の端部は薄くなる。そのため、レジスト層の端部には、剥離や欠損等（以下、剥離や欠損等をまとめて剥離という）が発生しやすくなる。レジスト層が剥離した部分にはめっき液が浸入しやすいため、いわゆる半田スプラッシュに至るおそれがある。【０００５】
このような剥離の問題は、セラミック材料を用いて形成されたレジスト層（以下、被覆セラミック層という）によって導体配線層が被覆される場合においても生じる。【０００６】
本発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、被覆セラミック層の端部の剥離が抑制された配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の配線基板は、実装面を有する基材と、上記基材の上記実装面に設けられた第１の端子電極と、上記基材の上記実装面に、上記第１の端子電極と離間して設けられた第２の端子電極と、上記基材の上記実装面に設けられ、上記第１の端子電極及び上記第２の端子電極を接続する導体配線層と、上記導体配線層の少なくとも一部を被覆するように上記導体配線層の表面に設けられ、セラミック成分を含む被覆セラミック層と、上記被覆セラミック層と上記導体配線層との境界を少なくとも被覆するように上記第１の端子電極の表面に設けられ、金属成分を含む第１の保護電極と、上記被覆セラミック層と上記導体配線層との境界を少なくとも被覆するように上記第２の端子電極の表面に設けられ、金属成分を含む第２の保護電極と、を備えることを特徴とする。【０００８】
本発明の配線基板において、上記第１の保護電極、及び、上記第２の保護電極は、いずれも、上記金属成分を７５体積％以上含むことが好ましい。【０００９】
本発明の配線基板において、上記第１の保護電極、及び、上記第２の保護電極は、いずれも、セラミック成分をさらに含むことが好ましい。特に、上記第１の保護電極、及び、上記第２の保護電極は、いずれも、上記被覆セラミック層に含まれる上記セラミック成分と同じセラミック成分をさらに含むことが好ましい。【００１０】
本発明の配線基板において、上記第１の保護電極に含まれる上記セラミック成分の割合、及び、上記第２の保護電極に含まれる上記セラミック成分の割合は、いずれも、上記金属成分及び上記セラミック成分の合計体積に対して５体積％以上２５体積％以下であることが好ましく、１０体積％以上２０体積％以下であることがより好ましい。【００１１】
本発明の配線基板において、上記第１の保護電極、及び、上記第２の保護電極は、いずれも、上記被覆セラミック層の側面及び上面を被覆することが好ましい。【００１２】
本発明の配線基板において、上記第１の保護電極は、上記第１の端子電極の上面を被覆し、上記第２の保護電極は、上記第２の端子電極の上面を被覆することが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、被覆セラミック層の端部の剥離が抑制された配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明の配線基板の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、図１に示す配線基板を実装面側から見た平面図である。
【図３】図３は、図２に示す配線基板から第１の保護電極及び第２の保護電極を除いた平面図である。
【図４】図４は、本発明の配線基板の製品形態の一例を模式的に示す断面図である。
【図５】図５は、図４に示すセラミック多層基板を上面側から見た平面図である。
【図６】図６は、図４に示すセラミック多層基板を下面側から見た平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の配線基板について説明する。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する本発明の個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
【００１６】
図１は、本発明の配線基板の一例を模式的に示す断面図である。図２は、図１に示す配線基板を実装面側から見た平面図である。なお、図１は、図２に示す配線基板のＩ−Ｉ線断面図でもある。また、図３は、図２に示す配線基板から第１の保護電極及び第２の保護電極を除いた平面図である。
【００１７】
図１及び図２に示す配線基板１は、実装面１１を有する基材１０と、第１の端子電極２１と、第２の端子電極２２と、導体配線層３０と、被覆セラミック層４０と、第１の保護電極５１と、第２の保護電極５２と、を備えている。第１の端子電極２１及び第２の端子電極２２は、図１及び図３に示すように、基材１０の実装面１１に、互いに離間して設けられている。導体配線層３０は、図１及び図３に示すように、基材１０の実装面１１に設けられ、第１の端子電極２１及び第２の端子電極２２を接続している。被覆セラミック層４０は、図１及び図３に示すように、導体配線層３０を被覆するように導体配線層３０の表面に設けられている。図１及び図２に示すように、第１の保護電極５１及び第２の保護電極５２は、いずれも導体配線層３０の表面に設けられている。第１の保護電極５１は、被覆セラミック層４０と導体配線層３０との境界（図１中、Ａで示す部分）を被覆するように第１の端子電極２１の表面に設けられており、第２の保護電極５２は、被覆セラミック層４０と導体配線層３０との境界（図１中、Ｂで示す部分）を被覆するように第２の端子電極２２の表面に設けられている。なお、第１の保護電極５１及び第２の保護電極５２は、互いに離間して設けられている。
【００１８】
本発明の配線基板においては、少なくとも被覆セラミック層と導体配線層との境界が、第１の保護電極及び第２の保護電極によって被覆されていることを特徴としている。本発明の配線基板では、第１の保護電極及び第２の保護電極によって被覆セラミック層と導体配線層との境界が露出しないため、被覆セラミック層の端部が直接衝撃を受けることがない。したがって、被覆セラミック層の端部の剥離、すなわち、第１の端子電極側の導体配線層と被覆セラミック層との界面での剥離、及び、第２の端子電極側の導体配線層と被覆セラミック層との界面での剥離を抑制することができる。また、被覆セラミック層の剥離に伴う、めっき液の浸入を抑制することもできる。なお、第１の保護電極及び第２の保護電極が印刷により形成される場合、これらの保護電極の端部も被覆セラミック層の端部と同様に薄くなるが、保護電極に含まれる金属成分は被覆セラミック層に含まれるセラミック成分に比べて靭性が高いため、衝撃に耐えることができる。
【００１９】
本発明の配線基板において、基材は、配線基板の本体を構成するものである。本発明の配線基板は、多層基板でもよいし、単層基板でもよい。また、本発明の配線基板は、セラミック基板でもよいし、樹脂基板でもよい。セラミック基板を構成するセラミック材料としては、低温焼結セラミック材料でも高温焼結セラミック材料でもよく、例えば、後述する低温焼結セラミック材料等が挙げられる。樹脂基板を構成する樹脂材料としては、熱硬化性樹脂でも熱可塑性樹脂でもよく、例えば、ガラスエポキシ樹脂、液晶ポリマー等が挙げられる。
【００２０】
本発明の配線基板において、第１の端子電極、及び、第２の端子電極は、いずれも、例えば、導電性ペーストを焼き付けることによって形成される。この場合、スクリーン印刷等の印刷により形成することができる。
【００２１】
第１の端子電極、及び、第２の端子電極は、いずれも、金属成分を含む。第１の端子電極及び第２の端子電極に含まれる金属成分としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等が挙げられる。これらの金属の１種を主成分とする合金であってもよい。第１の端子電極及び第２の端子電極は、同じ金属成分を含むことが好ましい。
【００２２】
第１の端子電極、及び、第２の端子電極は、いずれも、セラミック成分をさらに含んでもよい。セラミック成分としては、例えば、後述する被覆セラミック層に含まれるセラミック成分等が挙げられる。第１の端子電極に含まれるセラミック成分の割合、及び、第２の端子電極に含まれるセラミック成分の割合は、いずれも、金属成分及びセラミック成分の合計体積に対して５体積％以下であることが好ましい。
【００２３】
第１の端子電極、及び、第２の端子電極の形状は特に限定されず、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００２４】
本発明の配線基板において、導体配線層は、例えば、導電性ペーストを焼き付けることによって形成される。この場合、スクリーン印刷等の印刷により形成することができる。また、第１の端子電極及び第２の端子電極を形成するために使用される導電性ペーストを使用することができる。
【００２５】
導体配線層は、金属成分を含む。導体配線層に含まれる金属成分としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等が挙げられる。これらの金属の１種を主成分とする合金であってもよい。導体配線層は、第１の端子電極及び第２の端子電極と同じ金属成分を含むことが好ましい。
【００２６】
導体配線層は、セラミック成分をさらに含んでもよい。セラミック成分としては、例えば、後述する被覆セラミック層に含まれるセラミック成分等が挙げられる。導体配線層に含まれるセラミック成分の割合は、金属成分及びセラミック成分の合計体積に対して５体積％以下であることが好ましい。
【００２７】
導体配線層の形状は、第１の端子電極及び第２の端子電極を接続することができる限り、特に限定されない。
【００２８】
本発明の配線基板において、被覆セラミック層は、例えば、セラミックペーストを焼き付けることによって形成される。この場合、スクリーン印刷等の印刷により形成することができる。
【００２９】
被覆セラミック層は、セラミック成分を含む。被覆セラミック層に含まれるセラミック成分としては、例えば、低温焼結セラミック材料等が挙げられる。
低温焼結セラミック材料とは、セラミック材料のうち、１０００℃以下の焼成温度で焼結可能であり、ＡｇやＣｕとの同時焼成が可能である材料を意味する。
【００３０】
低温焼結セラミック材料としては、例えば、クオーツやアルミナ、フォルステライト等のセラミック材料にホウ珪酸ガラスを混合してなるガラス複合系低温焼結セラミック材料、ＺｎＯ−ＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系の結晶化ガラスを用いた結晶化ガラス系低温焼結セラミック材料、ＢａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系セラミック材料やＡｌ２Ｏ３−ＣａＯ−ＳｉＯ２−ＭｇＯ−Ｂ２Ｏ３系セラミック材料等を用いた非ガラス系低温焼結セラミック材料等が挙げられる。
【００３１】
被覆セラミック層は、金属成分を実質的に含まないことが好ましい。被覆セラミック層が金属成分を含む場合、被覆セラミック層に含まれる金属成分の割合は、セラミック成分及び金属成分の合計体積に対して３体積％以下であることが好ましい。
【００３２】
本発明の配線基板において、被覆セラミック層は、導体配線層の一部を被覆してもよいし、導体配線層の全部を被覆してもよい。また、被覆セラミック層は、導体配線層の表面に加えて、基材の実装面に設けられていてもよい。このように、被覆セラミック層の形状は特に限定されない。
【００３３】
本発明の配線基板において、第１の保護電極、及び、第２の保護電極は、いずれも、例えば、導電性ペーストを焼き付けることによって形成される。この場合、スクリーン印刷等の印刷により形成することができる。
【００３４】
第１の保護電極、及び、第２の保護電極は、いずれも、金属成分を含む。第１の保護電極及び第２の保護電極に含まれる金属成分としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等が挙げられる。これらの金属の１種を主成分とする合金であってもよい。第１の保護電極及び第２の保護電極は、同じ金属成分を含むことが好ましく、第１の端子電極及び第２の端子電極と同じ金属成分を含むことがより好ましい。
【００３５】
第１の端子電極側の導体配線層と被覆セラミック層との界面での剥離、及び、第２の端子電極側の導体配線層と被覆セラミック層との界面での剥離を抑制する観点から、第１の保護電極、及び、第２の保護電極は、いずれも、金属成分を７５体積％以上含むことが好ましく、８０体積％以上含むことがより好ましく、８５体積％以上含むことがさらに好ましく、１００体積％含んでもよい。一方、セラミック成分等の他の成分を含む場合、第１の保護電極、及び、第２の保護電極は、いずれも、金属成分を９５体積％以下含むことが好ましく、９０体積％以下含むことがより好ましい。第１の保護電極に含まれる金属成分の割合は、第２の保護電極に含まれる金属成分の割合と同じであることが好ましいが、異なっていてもよい。
【００３６】
第１の保護電極、及び、第２の保護電極は、いずれも、セラミック成分をさらに含むことが好ましい。
第１の保護電極及び第２の保護電極にセラミック成分が含まれると、被覆セラミック層との接合強度が高くなるため、被覆セラミック層と第１の保護電極との界面での剥離、及び、被覆セラミック層と第２の保護電極との界面での剥離を抑制することができる。
【００３７】
特に、第１の保護電極、及び、第２の保護電極は、いずれも、被覆セラミック層に含まれるセラミック成分と同じセラミック成分をさらに含むことが好ましい。したがって、第１の保護電極及び第２の保護電極は、セラミック成分として、上述の低温焼結セラミック材料を含むことが好ましい。セラミック成分が同じであると被覆セラミック層との反応性が高くなるため、接合強度を高くすることができる。
【００３８】
一方、被覆セラミック層に含まれるセラミック成分と異なるセラミック成分としては、例えば、ジルコニア、アルミナ、チタニア、マグネシア、シリカ等が挙げられる。
【００３９】
被覆セラミック層と第１の保護電極との界面での剥離、及び、被覆セラミック層と第２の保護電極との界面での剥離を抑制する観点から、第１の保護電極に含まれるセラミック成分の割合、及び、第２の保護電極に含まれるセラミック成分の割合は、いずれも、金属成分及びセラミック成分の合計体積に対して５体積％以上２５体積％以下であることが好ましく、１０体積％以上２０体積％以下であることがより好ましい。第１の保護電極に含まれるセラミック成分の割合は、第２の保護電極に含まれるセラミック成分の割合と同じであることが好ましいが、異なっていてもよい。
【００４０】
なお、第１の保護電極等に含まれる金属成分又はセラミック成分の割合は、断面の組成分析を行い、元素マッピングの面積比率から求めることができる。また、上記の割合は焼成前後で変化しないため、原料ペーストに含まれる金属成分又はセラミック成分の割合を、第１の保護電極等に含まれる金属成分又はセラミック成分の割合とすることもできる。
【００４１】
本発明の配線基板において、第１の保護電極、及び、第２の保護電極は、互いに離間して設けられている。第１の保護電極、及び、第２の保護電極は、いずれも、被覆セラミック層と導体配線層との境界を少なくとも被覆していればよいが、第１の端子電極側の導体配線層と被覆セラミック層との界面での剥離、及び、第２の端子電極側の導体配線層と被覆セラミック層との界面での剥離を抑制する観点からは、被覆セラミック層の側面及び上面を被覆することが好ましい。
【００４２】
また、第１の保護電極は、第１の端子電極の上面を被覆することが好ましく、第１の端子電極の上面の全体を被覆することがより好ましい。第１の保護電極は、第１の端子電極の側面を被覆してもよい。同様に、第２の保護電極は、第２の端子電極の上面を被覆することが好ましく、第２の端子電極の上面の全体を被覆することがより好ましい。また、第２の保護電極は、第２の端子電極の側面を被覆してもよい。
【００４３】
第１の保護電極、及び、第２の保護電極の形状は特に限定されず、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００４４】
本発明の配線基板においては、第１の保護電極の表面、及び、第２の保護電極の表面に、めっき電極が設けられていてもよい。
めっき電極は、第１の保護電極及び第２の保護電極を形成した後、電解めっき又は無電解めっきを施すことによって形成することができる。
【００４５】
本発明の配線基板において、第１の保護電極及び第２の保護電極は、他の電子部品と接続される。これらの保護電極と他の電子部品とは、半田等の接合材料によって接続される。
【００４６】
以下、本発明の配線基板の製造方法の一実施形態について説明する。
例えば、本発明の配線基板が多層セラミック基板である場合、まず、低温焼結セラミック材料のようなセラミック材料を主成分とするセラミックグリーンシートを作製する。積層後に表面に配置されるセラミックグリーンシートの表面に、第１及び第２の端子電極並びに導体配線層となる導電性ペースト層、被覆セラミック層となるセラミックペースト層、第１及び第２の保護電極となる導電性ペースト層を形成する。これらのペースト層は、スクリーン印刷等の方法によって形成することができる。その他、所定のセラミックグリーンシートに対して、導体配線を形成する。その後、複数のセラミックグリーンシートを積層及び圧着することにより、未焼成の積層体を得る。得られた未焼成の積層体を焼成することにより、配線基板が得られる。焼成後の積層体に対して、電解めっき又は無電解めっきを施すことによって、第１及び第２の保護電極の表面にめっき電極を形成してもよい。
【００４７】
なお、セラミックグリーンシートが焼結する温度では実質的に焼結しない無機材料（Ａｌ２Ｏ３等）を含有する拘束用グリーンシートを準備し、未焼成の積層体の両主面に拘束用グリーンシートを配置した状態で未焼成の積層体を焼成してもよい。
この場合、拘束用グリーンシートは、焼成時において実質的に焼結しないので収縮が生じず、未焼成の積層体に対して主面方向での収縮を抑制するように作用する。その結果、配線基板の寸法精度を高めることができる。その一方で、焼成後に拘束用グリーンシートを除去する際に配線基板の表面は衝撃を受けるが、上述のように、第１の保護電極及び第２の保護電極で被覆されるように被覆セラミック層を形成するため、被覆セラミック層の端部が直接衝撃を受けることがなく、被覆セラミック層の剥離を抑制することができる。
【００４８】
本発明の配線基板は、上記実施形態に限定されるものではなく、配線基板の構成、製造条件等に関し、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【００４９】
図４は、本発明の配線基板の製品形態の一例を模式的に示す断面図である。
図４においては、配線基板の一例であるセラミック多層基板１００の一方主面（以下、上面という）に実装用端子電極１１０が形成されており、セラミック多層基板１００の他方主面（以下、下面という）に外部端子電極１２０が形成されている。
【００５０】
セラミック多層基板１００の実装用端子電極１１０は、電子部品１３０を実装するために用いられる。電子部品１３０を覆うように、セラミック多層基板１００の上面には樹脂層１４０が形成される。一方、セラミック多層基板１００の外部端子電極１２０は、セラミック多層基板１００を別の基板（図示せず）に実装するために用いられる。
【００５１】
図５は、図４に示すセラミック多層基板を上面側から見た平面図である。図６は、図４に示すセラミック多層基板を下面側から見た平面図である。
本発明は、図４及び図５に示すように、セラミック多層基板１００の実装用端子電極１１１及び１１２同士を短絡させる箇所１５０で適用することもできるし、図４及び図６に示すように、セラミック多層基板１００の外部端子電極１２１及び１２２同士を短絡させる箇所１６０で適用することもできる。
上記の箇所に本発明を適用することにより、セラミック多層基板の層を増やすことなく、また、セラミック多層基板内部の回路に悪影響を及ぼすことなく必要な箇所を短絡させることができるため、モジュールを安価に製造することができる。
【実施例】
【００５２】
以下、本発明の配線基板をより具体的に開示した実施例を示す。なお、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。【００５３】
［評価用サンプルの作製］
（実施例１）
ＢａＯ、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３を主成分とするセラミックグリーンシートの表面に、Ｃｕを主成分とする導電性ペーストを用いた第１及び第２の端子電極並びに導体配線層となる導電性ペースト層、ＢａＯ、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３を主成分とするセラミックペーストを用いた被覆セラミック層となるセラミックペースト層、並びに、Ｃｕを主成分とする導電性ペーストを用いた第１及び第２の保護電極となる導電性ペースト層を、図１に示した構造が得られるように、それぞれスクリーン印刷により形成した。セラミックグリーンシートを所定枚数積層し、圧着させることにより、未焼成の積層体を得た。得られた未焼成の積層体を所定の温度で焼成することにより、焼結体を得た。得られた焼結体に無電解Ｎｉめっき、無電解Ａｕめっきを順に施すことにより、第１及び第２の保護電極の表面にめっき電極を形成した。以上により、実施例１の評価用サンプルを作製した。【００５４】
（実施例２）
第１及び第２の保護電極となる導電性ペースト層を形成するために、Ｃｕを９５体積％、ＢａＯ、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３を５体積％含む導電性ペーストを用いたことを除いて、実施例１と同様の方法により未焼成の積層体の作製及び焼成、並びに、めっき電極の形成を行った。以上により、実施例２の評価用サンプルを作製した。【００５５】
（実施例３）
第１及び第２の保護電極となる導電性ペースト層を形成するために、Ｃｕを８５体積％、ＢａＯ、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３を１５体積％含む導電性ペーストを用いたことを除いて、実施例１と同様の方法により未焼成の積層体の作製及び焼成、並びに、めっき電極の形成を行った。以上により、実施例３の評価用サンプルを作製した。【００５６】
（実施例４）
第１及び第２の保護電極となる導電性ペースト層を形成するために、Ｃｕを７５体積％、ＢａＯ、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３を２５体積％含む導電性ペーストを用いたことを除いて、実施例１と同様の方法により未焼成の積層体の作製及び焼成、並びに、めっき電極の形成を行った。以上により、実施例４の評価用サンプルを作製した。【００５７】
（実施例５）
第１及び第２の保護電極となる導電性ペースト層を形成するために、Ｃｕを７０体積％、ＢａＯ、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３を３０体積％含む導電性ペーストを用いたことを除いて、実施例１と同様の方法により未焼成の積層体の作製及び焼成、並びに、めっき電極の形成を行った。以上により、実施例５の評価用サンプルを作製した。【００５８】
（実施例６）
第１及び第２の保護電極となる導電性ペースト層を形成するために、Ｃｕを８５体積％、ＺｒＯ２を１５体積％含む導電性ペーストを用いたことを除いて、実施例１と同様の方法により未焼成の積層体の作製及び焼成、並びに、めっき電極の形成を行った。以上により、実施例６の評価用サンプルを作製した。【００５９】
（比較例１）
第１及び第２の保護電極となる導電性ペースト層を形成しなかったことを除いて、実施例１と同様の方法により未焼成の積層体の作製及び焼成、並びに、めっき電極の形成を行った。以上により、比較例１の評価用サンプルを作製した。【００６０】
［界面剥離の評価］
（導体配線層／被覆セラミック層）
実施例１〜実施例６及び比較例１の評価用サンプルについて、断面を観察して、導体配線層と被覆セラミック層との界面の剥離の有無を確認した。各サンプル１００個中の界面剥離発生率を求め、下記の基準で評価した。結果を表１に示す。
◎（優）  ：１０％未満
○（良）  ：１０％以上２０％未満
△（可）  ：２０％以上４０％未満
×（不可）：４０％以上【００６１】
（被覆セラミック層／保護電極）
さらに、実施例２〜実施例６の評価用サンプルについて、断面を観察して、被覆セラミック層と保護電極との界面の剥離の有無を確認した。各サンプル１００個中の界面剥離発生率を求め、上記の基準で評価した。結果を表２に示す。【００６２】
【表１】
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【００６３】
【表２】
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【００６４】
表１に示すように、保護電極を配置した実施例１〜実施例６では、保護電極を配置しない比較例１と異なり、被覆セラミック層の端部が衝撃から保護されるため、導体配線層と被覆セラミック層との界面での剥離が抑制されている。実施例１〜実施例５の結果より、導体配線層と被覆セラミック層との界面での剥離を抑制する観点からは、保護電極に含まれる金属成分の割合は７５体積％以上であることが好ましいと考えられる。【００６５】
表２に示すように、保護電極にセラミック成分が含まれる実施例２〜実施例６では、被覆セラミック層と保護電極との界面での剥離も抑制されている。実施例２〜実施例５の結果より、被覆セラミック層と保護電極との界面での剥離を抑制する観点からは、保護電極に含まれるセラミック成分の割合は、金属成分及びセラミック成分の合計体積に対して５体積％以上２５体積％以下であることが好ましく、１０体積％以上２０体積％以下であることがより好ましいと考えられる。【００６６】
また、実施例３及び実施例６の結果より、保護電極に含まれるセラミック成分は、被覆セラミック層に含まれるセラミック成分と同じであることが好ましいと考えられる。これは、セラミック成分が同じであると反応性が高く、接合強度が高くなるためと考えられる。
【符号の説明】
【００６７】
１      配線基板
１０    基材
１１    実装面
２１    第１の端子電極
２２    第２の端子電極
３０    導体配線層
４０    被覆セラミック層
５１    第１の保護電極
５２    第２の保護電極
１００  セラミック多層基板
１１０，１１１，１１２  実装用端子電極
１２０，１２１，１２２  外部端子電極
１３０  電子部品
１４０  樹脂層
１５０  セラミック多層基板の実装用端子電極同士を短絡させる箇所
１６０  セラミック多層基板の外部端子電極同士を短絡させる箇所
Ａ，Ｂ  被覆セラミック層と導体配線層との境界
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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