(57)【要約】  キャピラリ摩耗を抑制することができる半導体装置用ボンディングワイヤを提供する。半導体装置用Ｃｕ合金ボンディングワイヤは、ワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸を含む１つの平面に垂直な方向に対して角度差が１５度以下である＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位の存在比率の合計が、平均面積率で４０％以上９０％以下であることを特徴とする。
2019031498.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置用Ｃｕ合金ボンディングワイヤであって、ワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸を含む１つの平面に垂直な方向に対して角度差が１５度以下である＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位の存在比率の合計が、平均面積率で４０％以上９０％以下であることを特徴とする半導体装置用Ｃｕ合金ボンディングワイヤ。
【請求項２】
前記ワイヤ表面の結晶方位のうち、前記ワイヤ中心軸方向に対して角度差が１５度以下である＜１００＞結晶方位の存在比率が、平均面積率で３０％以上１００％以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用Ｃｕ合金ボンディングワイヤ。
【請求項３】
前記ワイヤ中心軸に平行な方向の断面における結晶方位のうち、前記ワイヤ中心軸方向に対して角度差が１５度以下である＜１１１＞結晶方位と＜１００＞結晶方位の存在比率の合計が、平均面積率で２５％以上１００％以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置用Ｃｕ合金ボンディングワイヤ。
【請求項４】
Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕの１種以上を総計で０．０１質量％以上１．５質量％以下含み、残部がＣｕおよび不可避不純物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置用Ｃｕ合金ボンディングワイヤ。
【請求項５】
Ｐ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｇの１種以上を総計で０．００１質量％以上０．７５質量％以下含み、残部がＣｕおよび不可避不純物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置用Ｃｕ合金ボンディングワイヤ。
【請求項６】
さらにＰ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｇの１種以上を総計で０．００１質量％以上０．７５質量％以下含み、残部がＣｕおよび不可避不純物であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置用Ｃｕ合金ボンディングワイヤ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子上の電極と外部リード等の回路配線基板を接続するために利用される半導体装置用Ｃｕ合金ボンディングワイヤに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体素子上の電極と外部リードとの間を接合する半導体装置用ボンディングワイヤ（以下、ボンディングワイヤ）として、線径１５〜５０μｍ程度の細線が主に使用されている。ボンディングワイヤの接合方法は、超音波併用熱圧着方式が一般的であり、汎用ボンディング装置、ボンディングワイヤをその内部に通して接続に用いるキャピラリ冶具等が用いられる。ボンディングワイヤの接合プロセスは、ワイヤ先端をアーク入熱で加熱溶融し、表面張力によりボール（ＦＡＢ：Ｆｒｅｅ  Ａｉｒ  Ｂａｌｌ）を形成した後に、１５０〜３００℃の範囲内で加熱した半導体素子の電極上にこのボール部を圧着接合（以下、ボール接合）し、次にループを形成した後、外部リード側の電極にワイヤ部を圧着接合（以下、ウェッジ接合）することで完了する。【０００３】
ボンディングワイヤの材料は、これまで金（Ａｕ）が主流であったが、最近では銅（Ｃｕ）が使用され始めている。Ｃｕを用いたボンディングワイヤは、電気伝導率が高く、安価であることから、様々な半導体パッケージに採用されている。Ｃｕを用いたボンディングワイヤは、Ｃｕの表面にＰｄやＡｕ等の被覆層を有するもの（以下、複層Ｃｕワイヤ）と被覆層を有さないもの（以下、単相Ｃｕワイヤ）に大別される。複層Ｃｕワイヤは、単相Ｃｕワイヤの課題であったワイヤ表面の銅の酸化の抑制等により、使用性能面において優れる点が多い。したがって、複層Ｃｕワイヤは、特に線径が細く、厳しい性能が要求される高密度ＬＳＩ用途で多く採用されている。一方、単相Ｃｕワイヤは、複層Ｃｕワイヤに比べて安価であることから、線径が太く、比較的要求性能の低いパワーデバイス用途を中心に採用されている。【０００４】
一方で、単相Ｃｕワイヤのコストメリットを活かして、単相Ｃｕワイヤをより細い線径へと適用拡大しようとする試みがなされてきた。しかしながら、単相Ｃｕワイヤは線径が細くなるにつれてキャピラリ摩耗が増加する課題があり、その適用先は限られていた。本明細書において、キャピラリ摩耗とは、ボンディングワイヤとキャピラリ内部の接触界面の摩擦によって、キャピラリ内部が摩耗する現象と定義する。キャピラリ摩耗が発生すると、ループ形状の乱れ、ボール接合部やワイヤ接合部の接合強度低下などの不良を引き起こす。特に、キャピラリ先端の孔の近傍は、ボンディングワイヤと接触する機会が多いので摩耗しやすい。通常、使用前のキャピラリ先端の孔の形状は円形であるが、キャピラリ摩耗が増加するにしたがって楕円形となる。こうしたキャピラリ摩耗を低減する方法については、主にキャピラリの耐摩耗性を向上させる方法や、ワイヤ表面に異種金属を被覆する方法が検討されてきた。【０００５】
特許文献１には、ボンディングキャピラリに関し、酸化アルミニウムの結晶を主相とする第１の多結晶セラミックスからなり、前記酸化アルミニウムの結晶粒子の平均粒子径が０．３８μｍ以下であることにより、銅などからなる硬い金属細線（ボンディングワイヤ）を用いる場合に適した耐摩耗性の向上を図ることができる技術が開示されている。【０００６】
特許文献２には、Ａｇを主体とするボンディングワイヤに関し、被覆層の最表面にＡｕを１５〜５０ａｔ．％以上含むＡｕ含有領域を有することでボンディングワイヤの表面とキャピラリの界面に生じる摩擦を低減し、キャピラリの使用寿命を改善できることが開示されている。特許文献３には、ボールボンディング用貴金属被覆銅ワイヤにおいて、ワイヤ最表面に金（Ａｕ）極薄延伸層を形成した場合の効果として、キャピラリに対するワイヤ表面の滑りがよくなることが開示されている。【０００７】
しかしながら、これらの技術を用いても後述する課題があり、要求されるキャピラリ摩耗性能を満足することができなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１４−１４６６２２号公報
【特許文献２】特開２０１６−１１５８７５号公報
【特許文献３】特開２０１７−９２０７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述のキャピラリ摩耗は、主にループ形成プロセスで生じる。ループ形成プロセスでは、キャピラリからボンディングワイヤを繰り出しながらキャピラリを移動させて、ボール接合部とウェッジ接合部の間にループを形成する。この間、キャピラリ先端の孔の内側とボンディングワイヤは常に接触し続けるため、キャピラリ先端の孔付近が摩耗する。ワイヤの線径が細い場合には、ボンディングワイヤとキャピラリの接触界面に応力が集中し易く、キャピラリ摩耗が増加する傾向にあった。【００１０】
キャピラリ摩耗を低減するためには、例えばキャピラリの耐摩耗性を向上させること、キャピラリとボンディングワイヤの接触界面の摩擦抵抗を減らすことが有効と考えられていた。しかしながら、特許文献１に開示されているキャピラリの耐摩耗性を向上させる技術や、特許文献２、３に開示されているボンディングワイヤの最表面の構造を変化させる技術を用いても、線径が３０μｍ以下の細い単相Ｃｕワイヤを用いた場合には、キャピラリ摩耗を低減することは困難であった。このように、細い線径の単相Ｃｕワイヤを用いた場合において、キャピラリ摩耗を低減する技術が求められていた。【００１１】
ウェッジ接合では、キャピラリを介して、ボンディングワイヤに超音波と荷重を印加し、外部電極と接合を行う。外部電極には、ＡｇやＰｄをめっきした電極が一般に使用される。ウェッジ接合によって、ボンディングワイヤが変形した部分はテールと呼ばれる。テールの変形挙動は、ウェッジ接合部の接合強度や接合の安定性に影響を及ぼすため、変形挙動の制御が重要となる。従来の単相Ｃｕワイヤは、ウェッジ接合を行ったときのテールの変形量にばらつきがあり、良好な接合強度が得られないことがあった。テールの変形量が小さい場合には、ウェッジ接合部の接合強度が不足し、ボンディングワイヤが電極から剥がれてしまう不良が発生することがあった。テールの変形量が大きい場合には、ウェッジ接合を行った際にボンディングワイヤがテール部の近傍で破断してしまい、接合装置が停止してしまうことがあった。以上から、単相Ｃｕワイヤを用いた場合において、ウェッジ接合部の接合強度を十分に確保し、安定して接合を行うためには、テールの変形量を適正な範囲に制御する技術が求められていた。【００１２】
ボール接合後、ループを形成した際のボール直上の曲折部をネック部と称す。ネック部は、その他のループ部に比べて大きな曲げ変形を受けるため、その一部が損傷する課題があった。ネック部は、ボール形成の際にアーク入熱の影響を受けた部分（以下、熱影響部）に相当する。熱影響部は、入熱により結晶粒が粗大化するため、他のループ部分に比べて強度が低く、損傷を受けやすい。したがって、単相Ｃｕワイヤには、熱影響部における強度低下を抑制し、ネック部の損傷を低減する技術が求められていた。【００１３】
半導体デバイスの長寿命化にともない、長期使用寿命の改善が求められている。長期使用寿命を評価する方法として、一般に高温放置試験、高温高湿試験、熱サイクル試験などが行われる。単相Ｃｕワイヤの場合、温度１３０℃、相対湿度８５％の高温高湿試験において、比較的短時間でボール接合部近傍に剥離が発生し、接合強度が低下する課題があった。したがって、高温高湿試験におけるボール接合部寿命の改善が必要であり、具体的には４００時間以上の条件で動作性能を満足する必要があった。単相Ｃｕワイヤを用いた場合、純Ａｌ電極とボール接合を行い、市販の封止樹脂でモールドし、温度が１３０℃、相対湿度が８５％の条件で高温高湿試験を実施した結果、３００時間でボール接合部の接合強度が著しく低下した。接合強度の低下が見られたボール接合部の断面を研磨し、走査型電子顕微鏡によって観察した結果、ボール接合部の接合界面には、ＡｌとＣｕを主体とする複数の金属間化合物が形成されており、その近傍で剥離が発生していた。このように、単相Ｃｕワイヤには、高温高湿環境におけるボール接合部の剥離を抑制し、ボール接合部寿命を改善する技術が求められていた。【００１４】
電子機器の高性能化や高機能化に伴い、半導体実装の高密度化が進んでいる。実装の高密度化により、電極間の狭ピッチ化が進んでいることから、高いループ直進性が求められている。一方で、使用されるボンディングワイヤの線径は細くなっており、その強度は低下傾向にある。細い単相Ｃｕワイヤを用いる場合、接合後の樹脂封止工程で樹脂が流れこむ際にボンディングワイヤのループ部分が湾曲し、直進性が失われる課題があった。したがって、単相Ｃｕワイヤには、樹脂封止後も高いループ直進性を維持するために、ループ部分の変形を抑制する技術が求められていた。【００１５】
本発明は、キャピラリ摩耗を抑制することができる半導体装置用Ｃｕ合金ボンディングワイヤを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明に係る半導体装置用Ｃｕ合金ボンディングワイヤは、ワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸を含む１つの平面に垂直な方向に対して角度差が１５度以下である＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位の存在比率の合計が、平均面積率で４０％以上９０％以下であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る半導体装置用Ｃｕ合金ボンディングワイヤは、ワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸を含む１つの平面に垂直な方向に対して角度差が１５度以下である＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位の存在比率の合計が、平均面積率で４０％以上９０％以下とすることで、細い線径の単相Ｃｕワイヤを用いた場合であってもキャピラリ摩耗を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】測定領域の説明に供する斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本実施形態のボンディングワイヤは、半導体装置用Ｃｕ合金ボンディングワイヤであって、ワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸を含む１つの平面に垂直な方向に対して角度差が１５度以下である＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位の存在比率の合計が、平均面積率で４０％以上９０％以下であることを特徴とする。
【００２０】
（ワイヤ表面の結晶方位の決定方法）
本明細書におけるボンディングワイヤ表面の結晶方位の測定方法について説明する。本明細書において、ワイヤ表面の結晶方位とは、ワイヤ表面に存在するＣｕおよびＣｕを主体とする合金部分の結晶方位と定義する。ワイヤ表面の結晶方位の測定には、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）に備え付けた、後方散乱電子線回折（ＥＢＳＤ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｅｄ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）法を利用することができる。ＥＢＳＤ法は、試料に電子線を照射したときに発生する反射電子の回折パターンを検出器面上に投影し、その回折パターンを解析することによって、各測定点の結晶方位を決定する手法である。ＥＢＳＤ法によって得られたデータの解析には専用ソフト（ＴＳＬソリューションズ製  ＯＩＭ  ａｎａｌｙｓｉｓ等）が好適である。本実施形態では、ボンディングワイヤを試料台に固定し、一方向からワイヤ表面に電子線を照射させて、結晶方位のデータを取得する。この方法を用いることにより、ワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸を含む１つの平面に垂直な方向に対する結晶方位と、ワイヤ中心軸方向に対する結晶方位を決定することができる。前記方法により決定した結晶方位データを用いて、特定の結晶方位の存在比率を算出する。
【００２１】
例として、ボンディングワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸を含む１つの平面に垂直な方向に対して＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位の存在比率の合計を算出する方法について説明する。＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位の存在比率の合計は、ＥＢＳＤによる測定領域の面積に対して、前記方法により決定した＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位が占める面積の比率を合計した値とする。
【００２２】
本明細書において、＜１１０＞結晶方位、＜１１１＞結晶方位とは、図１に示すように、ワイヤ表面のそれぞれ、＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位のうちワイヤ中心軸Ｘを含む１つの平面Ｐに垂直な方向Ｙに対して角度差が１５度以下のものと定義する。これは、前記方位差が１５度以下であれば、ボンディングワイヤの特性改善効果が得られるためである。ボンディングワイヤのワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸Ｘ方向に対して、角度差が１５度以下である＜１００＞結晶方位の存在比率についても、同様の方法を用いて算出することができる。
【００２３】
本明細書において、特定の結晶方位の存在比率の値には平均面積率を用いる。平均面積率は、ＥＢＳＤによって少なくとも１０箇所以上を測定して得られた存在比率の各値の算術平均とする。測定箇所の選択にあたっては、測定データの客観性を確保することが好ましい。その方法として、測定対象のボンディングワイヤから、測定用の試料をボンディングワイヤのワイヤ中心軸Ｘ方向に対して３〜５ｍ間隔で取得し、測定に供することが好ましい。測定領域Ａは、ＳＥＭの画像上において、円周方向の長さＷがワイヤの直径の２５％以下、ワイヤ中心軸Ｘ方向の長さＬが４０μｍ〜１００μｍであることが好ましい。
【００２４】
上記の方法によりＥＢＳＤ測定した結晶方位およびその前記面積率について、本発明の作用効果であるキャピラリ摩耗の低減効果と相関が強いことを確認した。ワイヤ表面は曲面であり、ワイヤの頂点（試料台に固定したワイヤの円周方向に対して最も高い位置）から円周方向に向かうにつれて、ワイヤ表面に垂直な方位からのずれが生じるが、上記方法による測定データが、キャピラリ摩耗の低減効果を示す実態と整合していると言える。これは、測定領域Ａの長さＷがワイヤの直径の少なくとも２５％以下であれば、曲面を有するワイヤ表面のＥＢＳＤの測定領域内において、円周方向に対するワイヤ表面に垂直な方位のずれを許容でき、キャピラリ摩耗の低減効果が得られるためである。ワイヤ中心軸Ｘ方向に対して測定領域Ａに下限を設ける理由は、長さＬが４０μｍ以上であれば測定データが試料の特性を十分に反映していると判断したためである。ワイヤ中心軸Ｘ方向に対して測定領域Ａに上限を設ける理由は、長さＬが１００μｍ以下であれば解析を効率的に行うことができるためである。
【００２５】
ボンディングワイヤの表面には銅酸化膜や不純物が存在する場合がある。不純物としては、有機物、硫黄、窒素やその化合物などが挙げられる。これらが存在する場合も、その厚さが薄い場合や存在量が少ない場合には、ＥＢＳＤ法の測定条件を適正化することにより、ボンディングワイヤ表面の結晶方位が測定可能である。ボンディングワイヤ表面の銅酸化膜が厚い場合や不純物の付着量が多い場合には、ＣｕおよびＣｕ合金部分の結晶方位が測定できないことがある。この場合には、ＥＢＳＤ測定を行う前に、アルカリ脱脂や酸洗、イオンスパッタ等によって、ボンディングワイヤの表面を処理することが有効である。
【００２６】
（キャピラリ摩耗の低減効果）
発明者らは、単相Ｃｕワイヤを使用した際のキャピラリ摩耗の発生原因を調査した結果、ワイヤ表面の結晶方位と相関が認められることを見出した。すなわち、ワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸を含む１つの平面に垂直な方向に対して角度差が１５度以下である＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位の存在比率の合計とキャピラリ摩耗との間に相関があり、前記＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位の存在比率の合計を適正な範囲に制御することにより、キャピラリ摩耗を低減する効果が得られる。
【００２７】
具体的には、ワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸を含む１つの平面に垂直な方向に対して角度差が１５度以下である＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位の存在比率の合計を、平均面積率で４０％以上９０％以下とすることにより、キャピラリ摩耗を低減する効果が得られる。実際に、本実施形態のボンディングワイヤを用いて３０００本の接合を行った後、キャピラリ先端の孔を光学顕微鏡で観察した結果、キャピラリの孔は円形を維持しており、摩耗していないことを確認した。さらに、ＳＥＭによってキャピラリの先端を詳細に観察した結果、ワイヤの材料であるＣｕ合金はほとんど付着していなかった。このことから、本実施形態のボンディングワイヤがキャピラリ摩耗を低減する効果を発現した理由は、ワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸を含む１つの平面に垂直な方向に対して角度差が１５度以下である＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位の存在比率の合計を高めたことにより、ワイヤとキャピラリ間に生じる摩擦が低下したためと考えられる。
【００２８】
前記存在比率の合計が平均面積率で４０％未満の場合は、上記の効果が不十分であり、キャピラリ摩耗を低減する効果は認められなかった。前記存在比率の合計が平均面積率で９０％を超える場合は、ボール形成工程において異形ボールの発生率が増加するため、実用に適さないことが分かった。この原因として、ボンディングワイヤの先端をアーク放電によって溶融してボールを形成する際に、アークが拡がってしまい、ボンディングワイヤが溶融し始める場所が不安定になったこと等が考えられる。
【００２９】
ワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸を含む１つの平面に垂直な方向に対して角度差が１５度以下である＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位の存在比率の合計が、平均面積率で５０％以上８５％以下である場合、キャピラリ摩耗を低減する優れた効果が得られるため好ましい。
【００３０】
（ウェッジ接合部のテール形状のばらつきを低減する効果）
本実施形態のボンディングワイヤは、さらにワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸方向に対して角度差が１５度以下である＜１００＞結晶方位の存在比率が、平均面積率で３０％以上１００％以下であることが望ましい。発明者らは、ウェッジ接合部のテール形状に影響を及ぼす因子について調査した結果、ワイヤ表面の結晶方位と相関があり、前記＜１００＞結晶方位の存在比率を高めることにより、ウェッジ接合部のテール形状のばらつきを低減する効果が得られることを見出した。これは、前記＜１００＞結晶方位の存在比率を高めることにより、ワイヤ中心軸方向に対する変形抵抗のばらつきが低減される効果と、ワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸を含む１つの平面に垂直な方向に対して角度差が１５度以下である＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位の存在比率を制御することにより、キャピラリ摩耗を低減する効果が、相乗的に作用したためと考えられる。前記＜１００＞結晶方位の存在比率が３０％未満の場合には、ワイヤ中心軸方向に対する変形抵抗のばらつきを低減する効果が不十分であり、テール形状のばらつきを低減する効果は十分ではない。
【００３１】
（ネック部のワイヤ損傷低減）
本実施形態のボンディングワイヤは、さらにワイヤ中心軸に平行な方向の断面における結晶方位のうち、ワイヤ中心軸方向に対して角度差が１５度以下である＜１１１＞結晶方位と＜１００＞結晶方位の存在比率の合計が、平均面積率で２５％以上１００％以下であることが望ましい。発明者らは、ネック部のワイヤ損傷に影響を及ぼす因子について調査した結果、ワイヤ中心軸に平行な方向の断面における結晶方位と相関があり、前記＜１１１＞結晶方位と＜１００＞結晶方位の存在比率の合計を高めることにより、ネック部のワイヤ損傷を低減する効果が得られることを見出した。これは、前記＜１１１＞結晶方位と＜１００＞結晶方位の存在比率の合計を高めることにより、ネック部を形成する際の熱影響部の曲げ変形に対する変形抵抗を高めた効果と、ワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸を含む１つの平面に垂直な方向に対して角度差が１５度以下である＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位の存在比率を制御することにより、キャピラリ摩耗を低減する効果が、相乗的に作用したためと考えられる。前記＜１１１＞結晶方位と＜１００＞結晶方位の存在比率の合計が平均面積率で２５％未満の場合には、ネック部を形成する際の曲げ変形に対する変形抵抗を向上させる効果が不十分であり、ネック部のワイヤ損傷を低減する効果は十分ではない。
【００３２】
（高温高湿試験におけるボール接合部寿命の改善効果）
本実施形態のボンディングワイヤは、さらにＮｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕの１種以上を総計で０．０１質量％以上１．５質量％以下含み、残部がＣｕおよび不可避不純物であることが望ましい。発明者らは、温度１３０℃、相対湿度８５％の高温高湿試験におけるボール接合部寿命に影響を及ぼす因子について調査した結果、ボンディングワイヤに含まれる合金元素の種類と濃度に依存し、Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕの１種以上を総計で０．０１質量％以上１．５質量％以下含むことにより、高温高湿試験においてボール接合部寿命を改善する効果が得られることを見出した。ボール接合部の断面を研磨によって露出させ、走査型電子顕微鏡を用いて観察を行ったところ、金属間化合物の成長が抑制されていた。このことから、Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕの１種以上を適正な濃度含むことにより、ボール接合部の接合界面に形成される金属間化合物の成長が抑制された結果、高温高湿試験におけるボール接合部寿命が改善したと思われる。ボンディングワイヤに含まれるＮｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕの１種以上の濃度が総計で０．０１質量％未満の場合には、金属間化合物の成長を抑制する効果が不十分であり、高温高湿試験におけるボール接合部寿命を改善する効果が十分ではない。Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕの１種以上を総計で１．５質量％よりも多く含む場合には、ボールの硬度が上昇して、金属間化合物の成長が不均一になり、高温高湿試験におけるボール接合部寿命の改善効果は十分ではない。
【００３３】
本実施形態のボンディングワイヤが、ＰｔまたはＰｄを含む場合には、ボール接合部のワイヤと電極の界面に形成される金属間化合物の成長を抑制する効果が特に高く、高温高湿試験におけるボール接合部寿命の優れた改善効果が得られるため、好ましい。
【００３４】
（キャピラリ摩耗の更なる低減効果）
本実施形態のボンディングワイヤは、さらにＰ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｇの１種以上を総計で０．００１質量％以上０．７５質量％以下含むことにより、キャピラリ摩耗を更に低減する効果も得られる。これは、ワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸を含む１つの平面に垂直な方向に対して角度差が１５度以下である＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位の存在比率の合計を、４０％以上９０％以下とすることによりキャピラリ摩耗を低減する効果と、前記元素の一部がワイヤ表面へと偏析することによりワイヤとキャピラリの接触界面の摩擦抵抗を下げる効果が、相乗的に作用したためと考えられる。
【００３５】
（ウェッジ接合部のテール形状ばらつきの更なる低減効果）
本実施形態のボンディングワイヤは、さらにＰ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｇの１種以上を総計で０．００１質量％以上０．７５質量％以下含むことにより、ウェッジ接合部のテール形状のばらつきを更に低減する効果も得られる。これは、ワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸方向に対して角度差が１５度以下である＜１００＞結晶方位の存在比率を平均面積率で３０％以上１００％以下とすることによって、ワイヤ中心軸方向に対する変形抵抗のばらつきを低減する効果と、前記元素の一部がボンディングワイヤの強度を高めてワイヤ変形量のばらつきを低減する効果が、相乗的に作用したためと考えられる。
【００３６】
（ループ直進性の改善効果）
本実施形態のボンディングワイヤは、さらにＰ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｇの１種以上を総計で０．００１質量％以上０．７５質量％以下含むことにより、ボンディングワイヤを接合し、樹脂封止を行った後のループ直進性を改善する効果が得られる。前記元素の１種以上を総計で０．００１質量％以上含むことにより、樹脂封止時の樹脂流れに対する変形抵抗を高める効果と、ワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸を含む１つの平面に垂直な方向に対して角度差が１５度以下である＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位の存在比率を制御することにより、キャピラリ摩耗を低減し、キャピラリからボンディングワイヤが安定的に繰出される効果が相乗的に作用したためと考えられる。ボンディングワイヤに含まれるＰ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｇの１種以上の濃度が総計で０．００１質量％未満の場合には、樹脂封止後のループ直進性を改善する効果は十分ではない。Ｐ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｇの１種以上を総計で０．７５質量％よりも多く含む場合には、ワイヤ強度が増加し過ぎることによって、目的とするループ形状を形成することが困難となるため、ループ直進性の改善効果は十分ではない。
【００３７】
本実施形態のボンディングワイヤが、Ａｇを含む場合には、優れたループ直進性の改善効果が得られるため、好ましい。
【００３８】
（ボンディングワイヤの製造方法）
本実施形態の半導体装置用ボンディングワイヤの製造方法について説明する。
【００３９】
（溶解方法）
まず、銅の純度が４Ｎ〜６Ｎ（Ｃｕ濃度：９９．９９質量％以上９９．９９９９質量％以下）である高純度銅を用い、添加元素を必要な濃度含有した銅合金を溶解により作製する。溶解には、アーク溶解炉、高周波溶解炉等を利用することができる。大気中からのＯ２、Ｈ２等のガスの混入を防ぐために、真空雰囲気あるいはＡｒやＮ２等の不活性雰囲気中で溶解を行うことが好ましい。溶解後は、炉内で徐冷してインゴット（鋳塊）を作製する。溶解によって製造したインゴットは表面に対し酸洗浄、アルコール洗浄を行い、その後乾燥させることが好ましい。
【００４０】
（合金化）
銅に合金元素を添加して合金化する場合には、銅と高純度の添加成分を直接溶解して合金化する方法と、銅に添加元素を３〜５質量％程度含有する母合金を予め作製しておき、銅と母合金を溶解して合金化する方法などを用いることができる。母合金を利用する手法は、低濃度で元素分布を均一化する場合に有効である。ボンディングワイヤに含まれる元素の濃度分析には、ＩＣＰ発光分光分析装置等を利用することができる。ボンディングワイヤの表面に酸素、炭素、硫黄などの元素が吸着している場合には、濃度分析を行う前にボンディングワイヤの表面から１〜２ｎｍの領域をスパッタ等で削ってから濃度分析を行っても良い。その他の方法として、酸洗を用いる方法も有効である。
【００４１】
（伸線加工、熱処理の説明）
製造した銅合金のインゴットは、まず圧延や鍛造加工により太径に加工し、次いで引抜加工により最終線径まで細く加工していくことが好ましい。引抜加工には、ダイヤモンドコーティングされたダイスを複数個セットできる連続伸線装置を用いることができる。連続伸線の際は、ダイスの摩耗およびワイヤの表面疵の低減を目的として、潤滑液を使用することが好ましい。最終線径に到達する前段階の中間線径では、引抜加工の途中段階で、ひずみ取りを主目的として中間熱処理を行うことが好ましい。最終線径では、ボンディングワイヤを再結晶させて破断伸びを調整するための最終熱処理を行う。中間熱処理および最終熱処理は、ワイヤを連続的に掃引しながら行う方法を用いることが有効である。なお、熱処理時のボンディングワイヤ表面の酸化をできるだけ抑制する目的から、ＡｒガスやＮ２ガスを還流させながら行うことが好ましい。酸化をより防ぐためにＨ２を数％含むことも有効である。
【００４２】
（ワイヤ表面の結晶方位の制御方法）
ワイヤ表面の結晶方位は、ワイヤの引抜加工条件や最終熱処理条件を制御することが有効である。その代表的な制御方法を以下に示す。ワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸を含む１つの平面に垂直な方向に対して角度差が１５度以下である＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位の存在比率の合計を、平均面積率で４０％以上９０％以下に制御する方法の一例を示す。引抜加工を行うと、ワイヤ表面の結晶方位は、ワイヤ中心軸を含む１つの平面に垂直な方向に対して＜１１０＞結晶方位の存在比率が増加する傾向にある。一方、引抜加工を行った後に熱処理を行うと、再結晶が起こり、前記＜１１０＞結晶方位は減少し、前記＜１１１＞結晶方位は増加する傾向にある。ワイヤ表面の結晶方位を制御するためには、引抜加工によって前記＜１１０＞結晶方位を発達させた後、最終熱処理によって再結晶させることにより、前記＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位の存在比率を制御することが有効である。
【００４３】
まず、引抜加工の適正条件について説明する。引抜加工において、ワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸を含む１つの平面に垂直な方向に対して角度差が１５度以下である＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位の存在比率を発達させるためには、引抜加工の加工率を増加させることが有効である。引抜加工における加工率を次式で定義する。
【００４４】
Ｐ＝｛（Ｒ１２−Ｒ２２）／Ｒ１２｝×  １００
Ｐ：引抜加工の加工率
Ｒ１：引抜加工前のワイヤの直径（ｍｍ）、Ｒ２：最終製品のワイヤの直径（ｍｍ）
【００４５】
本実施形態のボンディングワイヤを製造するためには、引抜加工の加工率を９２％以上１００％未満の範囲とすることが有効である。これは、引抜加工の加工率が９２％以上であれば、引抜加工直後の前記＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位の存在比率を増加させることができるためである。また、その後の最終熱処理を適正な温度範囲で行えば、さらに前記＜１１１＞結晶方位を増加させることができ、最終的に前記＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位の存在比率の合計を４０％以上に制御できる。最終製品のワイヤ線径に到達する前に中間熱処理を行う場合には、中間熱処理を行った線径を、引抜加工前のワイヤの直径（Ｒ１）として用いる。
【００４６】
次に、最終熱処理の適正条件について説明する。前記＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位の存在比率の合計の値に影響を及ぼす最終熱処理の条件は、主に熱処理温度、熱処理時間と降温プロセスである。
【００４７】
最終熱処理の温度および熱処理時間は、それぞれ３５０℃以上６７０℃以下、０．０５秒以上１．６秒以下とすることが有効である。この熱処理温度および熱処理時間の範囲内であれば、引抜加工によって発達させた前記＜１１０＞結晶方位を残しつつ、再結晶により前記＜１１１＞結晶方位を増加させることができる。最終熱処理の温度の下限が３５０℃、熱処理時間の下限が０．０５秒である理由は、これらの下限未満の条件では、再結晶が起こるものの、ボンディングワイヤに求められる強度や伸び特性等の機械的特性が十分得られないためである。最終熱処理の温度の上限が６７０℃、熱処理時間の上限が１．６秒である理由は、これらの上限を超える条件では、前記＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位以外の結晶方位が発達して、前記＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位の存在比率の合計が４０％未満になるためである。
【００４８】
最終熱処理後の降温プロセスについて説明する。最終熱処理後のワイヤは、３００℃以上３５０℃未満の温度範囲で、０．０３秒以上１．０秒未満保持した後、室温まで冷却することが有効である。これは、降温中に前記温度範囲に保持することで、前記＜１１０＞結晶方位を残しつつ、＜１１１＞結晶方位を有する結晶粒を優先的に成長させることができるためである。降温プロセスの温度、保持時間が３００℃未満、０．０３秒未満の場合には、前記＜１１０＞結晶方位を残しつつ、＜１１１＞結晶方位を有する結晶粒を優先的に成長させる効果が得られない。降温プロセスの温度、保持時間が３５０℃以上、１．０秒以上になると、再結晶等が起こることにより、前記＜１１０＞結晶方位が低下して、前記＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位の存在比率の合計が４０％未満になる可能性があるためである。この降温プロセスは、例えば、ワイヤを連続的に掃引する構造を想定した場合、ワイヤに熱処理を行った後に、不活性ガスを循環させた場所を設け、その場所を通過させる機構とすることが有効である。こうした最終熱処理によって前記＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位の存在比率の合計を４０％以上９０％以下の範囲に制御することができる。
【００４９】
（ワイヤ表面のワイヤ中心軸方向に対する結晶方位の制御方法）
ワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸方向に対して角度差が１５度以下である＜１００＞結晶方位の存在比率を、平均面積率で３０％以上１００％以下に制御する方法について説明する。前記＜１００＞結晶方位を制御するためには、引抜加工時のワイヤの送り速度と引抜加工の加工率を制御することが有効である。ワイヤの送り速度を変化させることによって、ワイヤ表面のワイヤ中心軸方向の結晶方位の発達に寄与するダイスとワイヤの界面に発生する摩擦力を制御することができる。引抜加工の加工率を上げるほど、＜１００＞結晶方位が増加する傾向にある。前記＜１００＞結晶方位を制御するためには、ワイヤの送り速度は５００ｍ／ｍｉｎ以上７００ｍ／ｍｉｎ以下とすることが有効である。引抜加工の加工率は、９５％以上とすることが有効である。上記の条件であれば、前記＜１００＞結晶方位を、平均面積率で３０％以上１００％以下に制御することができる。ワイヤの送り速度が５００ｍ／ｍｉｎ未満、引抜加工の加工率の下限が９５％未満では、前記＜１００＞結晶方位の存在比率が３０％未満となってしまう。ワイヤの送り速度が７００ｍ／ｍｉｎ超ではダイスの摩耗が大きくなり、生産性の低下が問題となる。
【００５０】
（ワイヤ中心軸に平行な方向の断面における結晶方位の制御方法）
ワイヤ中心軸に平行な方向の断面における結晶方位のうち、ワイヤ中心軸方向に対して角度差が１５度以下である＜１１１＞結晶方位と＜１００＞結晶方位の存在比率の合計を、平均面積率で２５％以上１００％以下に制御する方法について代表的な制御方法を示す。前記＜１１１＞結晶方位と＜１００＞結晶方位を制御するためには、引抜加工に用いるダイス１個あたりの減面率を制御することが有効である。具体的には、ダイス１個あたりの加工率は１８％以上とすることが有効である。ここで、ダイス１個あたりの加工率とは、引抜加工前のワイヤの断面積に対する、引抜加工によって減少したワイヤの断面積の比率とする。これは、ダイス１個あたりの加工率を１８％以上とすることで、ワイヤ表面だけでなく、ワイヤ内部まで引抜加工による結晶の回転やすべり変形が起こるためである。
【実施例】
【００５１】
（ボンディングワイヤの作製方法）
ボンディングワイヤの作製方法について説明する。原材料となるＣｕは純度が９９．９９質量％以上で残部が不可避不純物からなるものを用いた。ボンディングワイヤが、添加元素としてＮｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｇを含む場合には、Ｃｕとこれらの元素を高周波溶解炉によって溶解させ、合金化を行った。不可避不純物以外の添加元素の合計の狙い濃度が０．５質量％未満の場合には、添加元素を高濃度で含んだＣｕ合金を使用して、目的とする濃度の合金を製造した。【００５２】
溶解時の雰囲気は、酸素等の不純物の混入を極力防ぐためＡｒ雰囲気とした。溶解で製造したインゴットの形状は、直径が数ｍｍの円柱状である。得られたインゴットに対し、表面の酸化膜を除去するために、硫酸、塩酸等による酸洗浄を行った。その後、インゴットに対して、圧延加工および鍛造加工を行い、φ０．３〜０．５ｍｍのワイヤを作製した。その後、中間熱処理を行い、さらに引抜加工によってφ２０μｍまで加工した。引抜加工時のワイヤの送り速度は５００ｍ／ｍｉｎ以上７００ｍ／ｍｉｎ以下とした。潤滑液は市販のものを用いた。このとき、ダイス１個あたりの加工率は１９％以上２５％以下とした。引抜加工の加工率は９２％以上９９．５％以下とした。中間熱処理および最終熱処理は、３５０以上６７０℃以下の温度で、ワイヤを２０〜７００ｍ／ｍｉｎの送り速度で連続的に掃引しながら行った。熱処理時の雰囲気は、酸化を防ぐ目的でＮ２雰囲気もしくはＡｒ雰囲気とした。作製したボンディングワイヤの構成は、表１に示す通りである。【００５３】
（評価方法）
本実施形態のボンディングワイヤに含まれる各添加元素の濃度は、ＩＣＰ発光分光分析装置を用いて分析した。本評価に用いたボンディングワイヤの線径はφ２０μｍとした。【００５４】
本実施形態のボンディングワイヤのワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸を含む１つの平面に垂直な方向に対して角度差が１５度以下である＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位の存在比率の合計の値は、ＥＢＳＤ法によって測定したデータから算出した。前記存在比率は、ワイヤを３ｍ間隔で１０箇所の測定値の算術平均とした。前記測定領域は、ＥＢＳＤの測定を行う画面上において、円周方向が５μｍ（ワイヤ直径の２５％）、ワイヤ中心軸方向が４０μｍの直線に囲まれる領域とした。さらに前記測定領域は、試料台に固定したサンプルの円周方向に対して最も高い位置が含まれる領域とした。【００５５】
本実施形態のボンディングワイヤのワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸方向に対して角度差が１５度以下である＜１００＞結晶方位の存在比率は、ＥＢＳＤ法によって測定したデータから算出した。前記存在比率は、ワイヤを３ｍ間隔で１０箇所の測定値の平均値とした。測定領域は、ＥＢＳＤの測定を行う画面上において、円周方向が５μｍ（ワイヤ直径の２５％）、ワイヤ中心軸方向が４０μｍの直線に囲まれる領域とした。さらに前記測定領域は、試料台に固定したサンプルの円周方向に対して最も高い位置が含まれる領域とした。【００５６】
本実施形態のワイヤ中心軸に平行な方向の断面におけるボンディングワイヤのワイヤ中心軸方向に対して角度差が１５度以下である＜１１１＞結晶方位と＜１００＞結晶方位の存在比率の合計は、ワイヤ断面をＡｒイオンビームで研磨して露出させた後、ＥＢＳＤによって測定した。ワイヤ中心軸方向に対して角度差が１５度以下である＜１１１＞結晶方位と＜１００＞結晶方位の存在比率の合計は、ワイヤを３ｍ間隔で１０箇所の測定値の算術平均とした。測定領域は、ワイヤ中心軸方向は８０μｍ、直径方向は２０μｍとした。このとき、直径方向はワイヤの両端が全て含まれるよう測定領域を設定した。【００５７】
（キャピラリ摩耗の評価方法）
キャピラリ摩耗の評価は、キャピラリ摩耗が発生するまでに要したボンディングワイヤの接合試行回数によって判定した。キャピラリおよび接合装置は汎用品を用いた。キャピラリ摩耗の発生有無の判定は、キャピラリの先端の孔を光学顕微鏡で観察し、真円性が保たれていれば問題なしと判断し、真円性が損なわれていれば摩耗していると判断した。上述のキャピラリの観察は、接合試行回数５００本毎に実施した。接合試行回数が３０００本未満でキャピラリ摩耗が発生した場合は、実用上問題があると判断し０点とした。接合試行回数が３０００本以上５０００本未満でキャピラリ摩耗が発生した場合は、実用上問題ないと判断し１点とした。接合試行回数が５０００本以上７０００本未満でキャピラリ摩耗が発生した場合は、良好と判断し２点とした。接合試行回数が７０００本以上でもキャピラリ摩耗が発生しなければ、優れていると判断し３点とした。評価結果は、表２の「キャピラリ摩耗」の欄に表記した。０点のみが不合格であり、それ以外は合格である。【００５８】
（ウェッジ接合部のテール形状ばらつきの評価方法）
ウェッジ接合部のテール形状のばらつきは、ウェッジ接合の連続接合性評価によって評価することができる。これは、テール形状のばらつきが大きいと接合強度不足によりウェッジ接合部からボンディングワイヤが剥離したり、ウェッジ接合部近傍でボンディングワイヤが破断するため、接合装置が停止するためである。ウェッジ接合における連続接合性の評価には、ウィンドウ評価を用いた。ウィンドウ評価は、ウェッジ接合を行う際の超音波と荷重のパラメータを変化させ、一定回数連続接合が可能な接合条件の広さによって連続接合性を判定する手法である。キャピラリは汎用品を用いた。接合装置はＫｕｌｉｃｋｅ  ＆  Ｓｏｆｆａ社製ＩＣｏｎｎを用いた。接合相手の電極には、リードフレームにＡｇめっきを施した電極を用いた。接合時のステージ温度は１７５℃とした。超音波の発振出力のパラメータを２０〜８０、荷重のパラメータを２０〜８０の範囲で、それぞれ１０ずつ変化させ、合計４９条件について接合を試行した。４９条件のうち、連続して２００本以上接合可能な条件が４０条件未満であれば実用上問題があると判断し０点とした。前記条件が４０条件以上４３条件未満であれば実用上問題ないと判断し１点とした。前記条件が４３条件以上４５条件未満であれば良好であると判断し２点とした。前記条件が４５条件以上であれば、優れていると判断し３点とした。評価結果は、表２の「ウェッジ接合のウィンドウ評価」の欄に表記した。０点が不合格であり、それ以外は合格である。【００５９】
（ネック部のワイヤ損傷の評価方法）
ネック部のワイヤ損傷の評価は、汎用の接合装置を用いて接合後、ネック部分を観察して、損傷が発生しているか否かを評価した。ループ長さは２．５ｍｍ、ループ高さは０．２ｍｍ、ループ形状は台形とした。接合した２００本のボンディングワイヤのネック部分を電子顕微鏡で観察し、損傷が発生した箇所が２箇所以上あれば不良と判断し０点とした。損傷が発生した箇所が１箇所であれば実用上問題がないと判断し１点、不良が全く発生しなければ優れていると判断し２点とした。評価結果は、表２の「ネック部のワイヤ損傷」の欄に表記した。０点が不合格、それ以外は合格である。【００６０】
（高温高湿試験におけるボール接合部寿命の評価方法）
高温高湿試験用のサンプルは、一般的な金属フレーム上のＳｉ基板に厚さ１．０μｍのＡｌ膜を成膜した電極に、汎用の接合装置を用いてボール接合を行い、市販のエポキシ樹脂によって封止して作製した。ボールはＮ２＋５ｖｏｌ．％Ｈ２ガスを流量０．４〜０．６Ｌ／ｍｉｎで流しながら形成し、ボール径はワイヤ線径に対して１．５〜１．６倍の範囲とした。高温高湿試験の試験温度は１３０℃，相対湿度は８５％とした。高温高湿試験におけるボール接合部の寿命は、ボール接合部の接合強度が試験開始前の５０％以下に低下するまでに要する時間とした。本評価では、ボール接合部の接合強度を１００時間毎に測定した。ボール接合部の接合強度は、ＤＡＧＥ社製の微小強度試験機を用いて測定した値を用いた。高温高湿試験後のシェア試験は、酸処理によって樹脂を除去してボール接合部を露出させてから行った。シェア強度の値は無作為に選択したボール接合部の１０か所の測定値の平均値を用いた。上記の評価において、ボール接合部の寿命が４００時間未満であれば実用上問題があると判断し０点、４００時間以上６００時間未満であれば、実用上問題ないと判断し１点、６００時間以上であれば優れていると判断し２点、１０００時間以上であれば特に優れていると判断し３点と表記した。評価結果は、表２の「高温高湿試験におけるボール接合部寿命」の欄に表記した。０点のみが不合格であり、それ以外は合格である。【００６１】
（ループ直進性の評価方法）
ループ直進性の評価は、汎用の接合装置を用いて接合後、樹脂で封止し、ループ部分を観察して、ループが曲がっているか否かを評価した。ループ長さは２．５ｍｍ、ループ高さは０．２ｍｍとした。２００本のボンディングワイヤのループ部分を軟Ｘ線装置によって観察し、ボール接合部とワイヤ接合部を直線で結んだ位置から最も離れている位置が、２０μｍ以上であれば不良とした。不良の本数が、３箇所以上あれば不良と判断し０点とした。不良の本数が２箇所であれば実用上問題がないと判断し１点、不良の本数が１箇所であれば優れていると判断し１点、不良が全く発生しなければ特に優れていると判断し２点とした。評価結果は、表２の「ループ直進性」の欄に表記した。０点が不合格、それ以外は合格である。【００６２】
（評価結果の説明）
実施例Ｎｏ．１〜７２は、半導体装置用銅合金ボンディングワイヤであって、ワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸を含む１つの平面に垂直な方向に対して角度差が１５度以下である＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位の存在比率の合計が、平均面積率で４０％以上９０％以下であるので、キャピラリ摩耗の評価に関して、いずれも実用上問題なかった。実施例Ｎｏ．３〜７２は、上記＜１１０＞結晶方位と＜１１１＞結晶方位の存在比率の合計が、平均面積率で５０％以上８５％以下であるので、キャピラリ摩耗の評価に関して、良好な評価結果が得られた。【００６３】
実施例Ｎｏ．５〜７２は、半導体装置用Ｃｕ合金ボンディングワイヤであって、ワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸を含む１つの平面に垂直な方向に対して角度差が１５度以下である＜１００＞結晶方位の存在比率が、平均面積率で３０％以上１００％以下であるので、ウェッジ接合のウィンドウ評価に関して、いずれも良好な評価結果が得られた。【００６４】
実施例Ｎｏ．７〜７２は、半導体装置用Ｃｕ合金ボンディングワイヤであって、ワイヤ中心軸に平行な方向な断面における結晶方位のうち、ワイヤ中心軸方向に対して角度差が１５度以下である＜１１１＞と＜１００＞結晶方位の存在比率の合計が、平均面積率で２５％以上１００％以下であるので、ネック部のワイヤ損傷に関して、優れた評価結果が得られた。【００６５】
実施例Ｎｏ．９〜２２は、Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕの１種以上を総計で０．０１質量％以上１．５質量％以下含むので、高温高湿試験におけるボール接合部寿命に関して、優れた評価結果が得られた。実施例Ｎｏ．１０，１１，１３，１４，１６，１７，１９〜２２は、Ｐｄ，Ｐｔを含むので特に優れた評価結果が得られた。【００６６】
実施例Ｎｏ．５９〜７２は、Ｐ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｇの１種以上を総計で０．００１質量％以上０．７５質量％以下含むので、ループ直進性、キャピラリ摩耗、ネック部のワイヤ損傷に関して、優れた評価結果が得られた。実施例Ｎｏ．６３，６８〜７２は、Ａｇを含むので、ループ直進性に関して、特に優れた効果を示した。【００６７】
実施例Ｎｏ．２３〜５８は、Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕの１種以上を総計で０．０１質量％以上１．５質量％以下含み、さらにＰ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｇの１種以上を総計で０．００１質量％以上０．７５質量％以下含むので、高温高湿試験におけるボール接合部寿命、キャピラリ摩耗、ウェッジ接合部のテール形状のばらつき、ループ直進性に関して、優れた評価結果が得られた。実施例Ｎｏ．２７，３２〜４０，４５，５０〜５８は、Ａｇを含むので、ループ直進性に関して特に優れた効果を示した。実施例Ｎｏ．２３〜５８は、Ｐｄ，Ｐｔを含むので、高温高湿試験におけるボール接合部寿命に関して、特に優れた評価結果が得られた。【００６８】
【表１】
2019031498.tif 000003
【００６９】
【表２】
2019031498.tif 000004
【図１】
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【手続補正書】
【提出日】令和1年10月10日(2019.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
実施例Ｎｏ．５〜７２は、半導体装置用Ｃｕ合金ボンディングワイヤであって、ワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸方向に対して角度差が１５度以下である＜１００＞結晶方位の存在比率が、平均面積率で３０％以上１００％以下であるので、ウェッジ接合のウィンドウ評価に関して、いずれも良好な評価結果が得られた。
【国際調査報告】
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