(57)【要約】  本開示に係る絶縁電線は、線状の金属導体と、この金属導体の外周面側に積層される絶縁層とを備える絶縁電線であって、上記絶縁層が、２以上の絶縁皮膜の積層構造を有し、上記２以上の絶縁皮膜の少なくとも１つが、ポリイミドを主成分とするポリイミド皮膜であり、上記絶縁層が沸点の異なる２種類以上の残留溶剤を含有する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
線状の金属導体と、この金属導体の外周面側に積層される絶縁層とを備える絶縁電線であって、
上記絶縁層が、２以上の絶縁皮膜の積層構造を有し、
上記２以上の絶縁皮膜の少なくとも１つが、ポリイミドを主成分とするポリイミド皮膜であり、
上記絶縁層が、沸点の異なる２種類以上の残留溶剤を含有する絶縁電線。
【請求項２】
上記絶縁層に対する上記残留溶剤それぞれの含有量が、０．００１質量％以上０．１質量％未満であり、
上記絶縁層に対する上記２種類以上の残留溶剤の合計含有量が、０．００２質量％以上０．１質量％以下である請求項１に記載の絶縁電線。
【請求項３】
上記ポリイミド皮膜中の上記ポリイミドが、ピロメリット酸二無水物に由来する構造単位及び３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に由来する構造単位の少なくともいずれかを含む請求項１又は請求項２に記載の絶縁電線。
【請求項４】
上記ポリイミド皮膜中の上記ポリイミドが、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルに由来する構造単位及び４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニルに由来する構造単位の少なくともいずれかを含む請求項１、請求項２又は請求項３に記載の絶縁電線。
【請求項５】
上記金属導体と上記絶縁層との間に積層される中間絶縁層を備えており、
上記中間絶縁層が、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂又はこれらの混合物を主成分とする樹脂組成物から形成されている請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の絶縁電線。
【請求項６】
上記樹脂組成物が、ポリアミドイミドを主成分とする請求項５に記載の絶縁電線。
【請求項７】
上記中間絶縁層の平均厚さが、５μｍ以上２５０μｍ以下である請求項５又は請求項６に記載の絶縁電線。
【請求項８】
線状の金属導体と、この金属導体の外周面側に積層される絶縁層とを備える絶縁電線であって、
上記絶縁層が、２以上の絶縁皮膜の積層構造を有し、
上記２以上の絶縁皮膜の少なくとも１つが、ポリイミドを主成分とするポリイミド皮膜であり、
上記絶縁層が、沸点の異なる２種類以上の残留溶剤を含有しており、
上記絶縁層に対する上記残留溶剤それぞれの含有量が、０．００１質量％以上０．１質量％未満であり、
上記絶縁層に対する上記２種類以上の残留溶剤の合計含有量が、０．００２質量％以上０．１質量％以下であり、
上記ポリイミド皮膜中の上記ポリイミドが、ピロメリット酸二無水物に由来する構造単位及び３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に由来する構造単位の少なくともいずれかを含んでおり、
上記ポリイミド皮膜中の上記ポリイミドが、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルに由来する構造単位及び４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニルに由来する構造単位の少なくともいずれかを含む絶縁電線。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、絶縁電線に関する。【０００２】
本出願は、２０１７年１１月２７日出願の日本出願第２０１７−２２７１１８号に基づく優先権を主張し、前記日本出願に記載された全ての記載内容を援用するものである。
【背景技術】
【０００３】
モーター用コイル等の製造に用いられる絶縁電線には、優れた耐熱性及び耐久性が求められる。一般的な絶縁電線は、線状の金属導体の外周面側に樹脂製の絶縁層を備えているため、この樹脂製の絶縁層には、絶縁性とともに金属導体に対する密着性、耐熱性及び耐久性が求められる。【０００４】
絶縁電線の絶縁層を形成する樹脂としては、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド等が用いられている。これらの樹脂の中でもポリイミドは、最も耐熱性に優れており、耐久性及び耐溶剤性も高いため、要求性能の高い絶縁電線の絶縁層の形成材料として好適に用いられている。【０００５】
一方、絶縁電線の絶縁層の形成方法としては、例えば金属導体の外周面に絶縁皮膜形成用のワニスを塗布した後、このワニスを焼き付ける方法が知られている（特許文献１）。この方法では１回の焼き付け工程により数μｍ程度の厚みの絶縁皮膜が形成される。そして十分な厚みの絶縁層が形成されるまで、ワニスの塗布工程及び焼き付け工程が複数回実施される。【０００６】
特許文献１に記載された絶縁電線は、絶縁層の最外層をポリイミド層とし、最外層以外の絶縁層を構成する樹脂をポリアミドイミド等とすることで、ポリイミド層とポリイミド層の下層の絶縁層との密着力を向上させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１２−２４３６１４号公報
【発明の概要】
【０００８】
本発明の一態様に係る絶縁電線は、線状の金属導体と、この金属導体の外周面側に積層される絶縁層とを備える絶縁電線であって、上記絶縁層が、２以上の絶縁皮膜の積層構造を有し、上記２以上の絶縁皮膜の少なくとも１つが、ポリイミドを主成分とするポリイミド皮膜であり、上記絶縁層が、沸点の異なる２種類以上の残留溶剤を含有する。
【０００９】
本発明の他の態様に係る絶縁電線は、線状の金属導体と、この金属導体の外周面側に積層される絶縁層とを備える絶縁電線であって、上記絶縁層が、２以上の絶縁皮膜の積層構造を有し、上記２以上の絶縁皮膜の少なくとも１つが、ポリイミドを主成分とするポリイミド皮膜であり、上記絶縁層が、沸点の異なる２種類以上の残留溶剤を含有しており、上記絶縁層に対する上記残留溶剤それぞれの含有量が、０．００１質量％以上０．１質量％未満であり、上記絶縁層に対する上記２種類以上の残留溶剤の合計含有量が、０．００２質量％以上０．１質量％以下であり、上記ポリイミド皮膜中の上記ポリイミドが、ピロメリット酸二無水物に由来する構造単位及び３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に由来する構造単位の少なくともいずれかを含んでおり、上記ポリイミド皮膜中の上記ポリイミドが、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルに由来する構造単位及び４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニルに由来する構造単位の少なくともいずれかを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る絶縁電線を示す模式的部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［本開示が解決しようとする課題］
耐溶剤性の高いポリイミドは、ワニスとの親和性が低い。このため、単にポリイミド皮膜の表面にポリイミドを含有するワニスが塗布されても、焼き付け後の２つのポリイミド皮膜間の密着力は十分に向上しない。そして絶縁層を形成する絶縁皮膜間の密着力が低いと、この絶縁層を備える絶縁電線が巻線加工される際に、絶縁皮膜が剥離するおそれがある。
【００１２】
上述のような事情に基づき、本開示は、絶縁層を形成する絶縁皮膜間の密着力を向上させることが可能な絶縁電線を提供することを目的とする。
【００１３】
［本開示の効果］
本開示によれば、絶縁層を形成する絶縁皮膜間の密着力を向上させることが可能な絶縁電線を提供することができる。
【００１４】
［本発明の実施形態の説明］
最初に本発明の実施態様を列記して説明する。
【００１５】
本発明の一態様に係る絶縁電線は、線状の金属導体と、この金属導体の外周面側に積層される絶縁層とを備える絶縁電線であって、上記絶縁層が、２以上の絶縁皮膜の積層構造を有し、上記２以上の絶縁皮膜の少なくとも１つが、ポリイミドを主成分とするポリイミド皮膜であり、上記絶縁層が、沸点の異なる２種類以上の残留溶剤を含有する。
【００１６】
当該絶縁電線は、積層構造を形成する２以上の絶縁皮膜の少なくとも１つがポリイミドを主成分とするポリイミド皮膜であり、このポリイミド皮膜を含む絶縁層が、沸点の異なる２種類以上の残留溶剤を含有する。ポリイミド皮膜形成用のワニスに沸点の異なる２種類以上の溶剤が含まれていると、ポリイミド皮膜の形成時にワニスの急激な乾燥が抑制されるため、ポリイミド皮膜の表面が平滑に形成されやすい。また、ポリイミド皮膜は、２種類以上の残留溶剤を含有しているので、他の絶縁皮膜形成用のワニスとの親和性が向上している。したがって、当該絶縁電線は、沸点の異なる２種類以上の残留溶剤を含有する絶縁層を備えることで、ポリイミド皮膜を含む絶縁層を形成する絶縁皮膜間の密着力を向上させることができる。ここで、主成分とは、最も含有量の多い成分を示し、通常５０質量％以上の成分を示す。
【００１７】
上記絶縁層に対する上記残留溶剤それぞれの含有量が、０．００１質量％以上０．１質量％未満であり、上記絶縁層に対する上記２種類以上の残留溶剤の合計含有量が、０．００２質量％以上０．１質量％以下であるとよい。これにより、当該絶縁電線は、適切に絶縁層を形成する絶縁皮膜間の密着力を向上させることができる。
【００１８】
上記ポリイミド皮膜中の上記ポリイミドが、ピロメリット酸二無水物に由来する構造単位及び３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に由来する構造単位の少なくともいずれかを含むとよい。当該絶縁電線は、ポリイミドの原料となるテトラカルボン酸二無水物としてピロメリット酸二無水物及び３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物の少なくともいずれかを用いることで、ポリイミド皮膜の耐熱性を向上させることができる。
【００１９】
上記ポリイミド皮膜中の上記ポリイミドが、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルに由来する構造単位及び４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニルに由来する構造単位の少なくともいずれかを含むとよい。当該絶縁電線は、ポリイミドの原料となるジアミンとして４，４’−ジアミノジフェニルエーテル及び４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニルの少なくともいずれかを用いることで、ポリイミド皮膜の耐熱性を向上させることができる。
【００２０】
上記金属導体と上記絶縁層との間に積層される中間絶縁層をさらに備え、上記中間絶縁層が、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂又はこれらの混合物を主成分とする樹脂組成物から形成されているとよい。上記中間絶縁層の耐熱性の向上に寄与しうるからである。また、この耐熱性向上の観点から、上記樹脂組成物がポリアミドイミドを主成分とするのがさらによい。
【００２１】
上記中間絶縁層の平均厚さが、５μｍ以上２５０μｍ以下であるとよい。中間絶縁層の強度を維持するとともに、上記絶縁電線で形成されるコイルの占積率の低下を防止しうるからである。
【００２２】
［本発明の実施形態の詳細］
以下、適宜図面を参照しつつ、本発明の実施形態に係る絶縁電線を説明する。
【００２３】
［絶縁電線］
図１の絶縁電線１は、線状の金属導体２と、この金属導体２の外周面側に積層される絶縁層３とを備えている。また、絶縁電線１は、金属導体２及び絶縁層３間に積層される中間絶縁層４をさらに備えている。
【００２４】
＜金属導体＞
金属導体２は、絶縁電線１の電気伝導を担う金属製の線状体であり、横断面視で円形に形成されている。金属導体２の断面形状は、円形に限定されず、例えば矩形、角丸長方形又は楕円形であってもよい。また、金属導体２は、１つの線状体であってもよいし、複数の細線を撚り合わせた撚り線体であってもよい。
【００２５】
金属導体２の材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、銀、鉄等の金属又はこれらの合金が用いられるが、導電性及び加工性の観点から、銅又はアルミニウムが用いられると好ましい。また、金属導体２は、金属製の線状体の外周面に他の金属製の被膜を積層した多層構造を有していてもよい。
【００２６】
金属導体２の平均断面積の下限としては、０．０１ｍｍ２が好ましく、０．１ｍｍ２がより好ましい。一方、金属導体２の平均断面積の上限としては１００ｍｍ２が好ましく、５０ｍｍ２がより好ましい。金属導体２の平均断面積が上記下限に満たないと、金属導体２の電気抵抗が増大し、絶縁電線１の使用時における発熱が大きくなるおそれがある。逆に、金属導体２の平均断面積が上記上限を超えると、絶縁電線１の断面積が大きくなり、絶縁電線１を用いて製造されるコイル等が大型化するおそれがある。ここで、平均断面積とは、任意の５つの横断面視における断面積の平均値を示す。
【００２７】
＜中間絶縁層＞
中間絶縁層４は、金属導体２の外周を覆う被覆層であり、絶縁性を有している。中間絶縁層４は、図１に示すように、金属導体２の外周面に積層されているが、金属導体２の外周面側に積層されていればよく、金属導体２と中間絶縁層４との間に他の層が積層されていてもよい。
【００２８】
中間絶縁層４は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂又はこれらの混合物を主成分とする樹脂組成物で形成されている。樹脂組成物としては、例えばポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリエーテルイミド、Ｈ種ポリエステル、ポリエステルイミド、ポリウレタン等が用いられる。これらの樹脂組成物の中でも、耐熱性向上の観点から、ポリアミドイミドが用いられると好ましい。なお、中間絶縁層４には、必要に応じて硬化剤が添加されてもよい。
【００２９】
中間絶縁層４の平均厚さの下限としては、５μｍが好ましく、１０μｍがより好ましく、１５μｍがさらに好ましい。一方、中間絶縁層４の平均厚さの上限としては、２５０μｍが好ましく、２００μｍがより好ましく、１５０μｍがさらに好ましい。中間絶縁層４の平均厚さが上記下限に満たないと、中間絶縁層４の強度が不足するおそれがある。逆に、中間絶縁層４の平均厚さが上記上限を超えると、絶縁電線１で形成されるコイルの占積率が低下するおそれがある。ここで、平均厚さとは、１つの横断面視における任意の５か所の厚さの平均値を示す。
【００３０】
中間絶縁層４は、揮発性の溶剤中に上述の樹脂組成物を溶解させたワニスを金属導体２の外周面に塗布した後、加熱によって溶剤を揮発させるとともに樹脂組成物を硬化させることにより形成される。
【００３１】
＜絶縁層＞
絶縁層３は、中間絶縁層４の外周を覆う被覆層であり、絶縁性を有している。絶縁層３は、図１では中間絶縁層４の外周面に積層されているが、金属導体２の外周面側に積層されていればよく、中間絶縁層４と絶縁層３との間に他の層が積層されていてもよい。
【００３２】
絶縁層３は、２以上の絶縁皮膜の積層構造を有している。具体的には、絶縁層３は、図１に示すように、中間絶縁層４の外周面に積層される絶縁皮膜３ｃと、絶縁皮膜３ｃの外周面に積層される絶縁皮膜３ｂと、絶縁皮膜３ｂの外周面に積層される絶縁皮膜３ａとを有し、これらの絶縁皮膜が積層構造を形成している。なお、絶縁層３は、２以上の絶縁皮膜の積層構造を有していればよく、３つの絶縁皮膜の積層構造を有するものに限定されない。
【００３３】
絶縁層３の平均厚さの下限としては、５μｍが好ましく、１０μｍがより好ましく、１５μｍがさらに好ましい。一方、絶縁層３の平均厚さの上限としては、２５０μｍが好ましく、２００μｍがより好ましく、１５０μｍがさらに好ましい。絶縁層３の平均厚さが上記下限に満たないと、絶縁層３の強度が不足するおそれがある。逆に、絶縁層３の平均厚さが上記上限を超えると、絶縁電線１で形成されるコイルの占積率が低下するおそれがある。
【００３４】
（絶縁皮膜）
絶縁皮膜３ａ、絶縁皮膜３ｂ及び絶縁皮膜３ｃは、ポリイミドを主成分とするポリイミド皮膜であり、沸点の異なる２種類以上の残留溶剤を含有している。なお、絶縁層３を形成する絶縁皮膜の全てがポリイミド皮膜でなくてもよく、２以上の絶縁皮膜の少なくとも１つが、ポリイミドを主成分とし、沸点の異なる２種類以上の残留溶剤を含有するポリイミド皮膜であればよい。
【００３５】
ポリイミド皮膜におけるポリイミドの含有量の下限としては、５０質量％が好ましく、５５質量％がより好ましく、６０質量％がさらに好ましい。一方、上記含有量の上限は１００質量％未満であればよいが、上記含有量の上限としては、９８質量％が好ましく、９５質量％がより好ましい。上記含有量が上記下限未満であると、ポリイミド皮膜が十分な耐熱性を持たないおそれがある。逆に、上記含有量が好ましい上記上限を超えると、ポリイミド皮膜に他の添加物を加えることが困難となり、ポリイミド皮膜の設計自由度が低下するおそれがある。
【００３６】
ポリイミド皮膜形成用のワニスは、ポリアミド酸の原料となるテトラカルボン酸二無水物及びジアミンを溶剤中に溶解させた後、テトラカルボン酸二無水物及びジアミンの縮合重合反応を促進することにより得られる。ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸は、加熱によりイミド化されてポリイミドとなる。ポリイミド皮膜は、このワニスを中間絶縁層４又は他の絶縁皮膜の外周面に塗布した後、焼き付けによって大部分の溶剤を揮発させるとともに溶剤中のポリアミド酸をイミド化することにより形成される。なお、ポリイミド皮膜形成用のワニスには、顔料、染料、無機又は有機のフィラー、潤滑剤、密着向上剤等の添加剤が必要に応じて添加されてもよい。
【００３７】
ポリアミド酸の原料となるテトラカルボン酸二無水物としては、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）及び３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）の少なくともいずれかが用いられる。したがって、ポリイミド皮膜中のポリイミドは、ピロメリット酸二無水物に由来する構造単位及び３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に由来する構造単位の少なくともいずれかを含んでいる。
【００３８】
また、これらの酸無水物に限定されず、ポリアミド酸の原料となるテトラカルボン酸二無水物として、例えば４，４’−オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ［２．２．２］オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボンキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸二無水物等の酸無水物が用いられてもよい。
【００３９】
ポリアミド酸の原料となるジアミンとしては、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（ＯＤＡ）及び４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル（ＢＡＰＢ）の少なくともいずれかが用いられる。したがって、ポリイミド皮膜中のポリイミドは、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルに由来する構造単位及び４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニルに由来する構造単位の少なくともいずれかを含んでいる。
【００４０】
また、これらのジアミンに限定されず、ポリアミド酸の原料となるジアミンとして、例えば４，４’−メチレンジアニリン（ＭＤＡ）、２，２−ビス［４−（アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰＰ）、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＴＰＥ−Ｑ）、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＴＰＥ−Ｒ）、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］シクロヘキサン（４−ＡＰＢＺ）、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン（３−ＡＰＢ）、１，５−ビス（３−アミノフェノキシ）ナフタレン（１，５−ＢＡＰＮ）等のジアミンが用いられてもよい。
【００４１】
ポリイミド皮膜形成用のワニスに含まれる溶剤としては、例えばＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ−エチルピロリドン（ＮＥＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、モノメチルホルムアルデヒド（ＮＭＦ）、β−アルコキシプロピオンアミド、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、γ−ブチロラクトン（γ−ＢＬ）等の非プロトン性極性溶媒の中から２種類以上が組み合わせて用いられる。
【００４２】
ポリイミド皮膜には、焼き付けにより揮発しなかった溶剤が残留する。すなわち、ポリイミド皮膜は、沸点の異なる少なくとも２種類以上の残留溶剤を含有する。
【００４３】
ポリイミド皮膜に対する残留溶剤それぞれの含有量の下限としては、０．００１質量％が好ましく、０．００３質量％がより好ましく、０．００５質量％がさらに好ましい。一方、上記含有量の上限は、０．１質量％未満であると好ましく、０．０８質量％未満であるとより好ましく、０．０７質量％未満であるとさらに好ましい。上記含有量が上記下限未満であると、ポリイミド皮膜の表面が平滑に形成されないおそれがある。逆に、上記含有量が上記上限以上であると、ポリイミド皮膜の誘電率が高くなり、ポリイミド皮膜の絶縁性が低下するおそれがある。なお、絶縁層に対する残留溶剤それぞれの含有量は、ポリイミド皮膜に対する残留溶剤と同じである。
【００４４】
ポリイミド皮膜に対する２種類以上の残留溶剤の合計含有量の下限としては、０．００２質量％が好ましく、０．０１質量％がより好ましく、０．０２質量％がさらに好ましい。一方、上記含有量の上限としては、０．１質量％が好ましく、０．０９質量％がより好ましく、０．０８質量％がさらに好ましい。上記含有量が上記下限未満であると、ポリイミド皮膜の表面が平滑に形成されないおそれがあるとともに、ポリイミド皮膜と他の絶縁皮膜形成用のワニスとの親和性が十分に向上しないおそれがある。逆に、上記含有量が上記上限を超えると、ポリイミド皮膜の誘電率が高くなり、ポリイミド皮膜の絶縁性が低下するおそれがある。なお、絶縁層に対する２種類以上の残留溶剤の合計含有量は、ポリイミド皮膜に対する２種類以上の残留溶剤の合計含有量と同じである。
【００４５】
（利点）
当該絶縁電線１は、積層構造を形成する絶縁皮膜３ａ、絶縁皮膜３ｂ及び絶縁皮膜３ｃがポリイミド皮膜であり、このポリイミド皮膜が、ポリイミドを主成分とし、沸点の異なる２種類以上の残留溶剤を含有している。このため、当該絶縁電線１は、ポリイミド皮膜を形成する際のポリイミド皮膜形成用のワニスの急激な乾燥を抑制し、ポリイミド皮膜の表面の平滑化を促す。また、当該絶縁電線１は、ポリイミド皮膜に適切な量の２種類以上の残留溶剤を含有しているので、ポリイミド皮膜と他の絶縁皮膜形成用のワニスとの親和性を向上させる。したがって、当該絶縁電線１は、絶縁層３を形成する絶縁皮膜間の密着力を向上させることができる。
【００４６】
また、当該絶縁電線１は、ポリイミド皮膜中のポリイミドが、ピロメリット酸二無水物に由来する構造単位及び３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に由来する構造単位の少なくともいずれかを含み、かつ４，４’−ジアミノジフェニルエーテルに由来する構造単位及び４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニルに由来する構造単位の少なくともいずれかを含むので、絶縁層３を形成するポリイミド皮膜の耐熱性を向上させることができる。
【００４７】
［他の実施形態］
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本開示の範囲は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【００４８】
上記実施形態では、絶縁電線１が金属導体２及び絶縁層３間に中間絶縁層４を備えているものについて説明したが、絶縁電線１は中間絶縁層４を備えていなくてもよい。すなわち、絶縁電線１は、線状の金属導体２と、この金属導体２の外周面に直接積層される絶縁層３とを備えているものであってもよい。
【００４９】
上記実施形態では、ポリイミド皮膜が、沸点の異なる２種類以上の残留溶剤を含有しているものについて説明したが、ポリイミド皮膜が、沸点の異なる３種類以上の残留溶剤を含有していてもよい。この場合、ポリイミド皮膜が含有する３種類以上の残留溶剤の中から選択される２種類以上の残留溶剤それぞれの含有量が、０．００１質量％以上０．１質量％未満であり、ポリイミド皮膜が含有する全ての残留溶剤の合計含有量が、０．００２質量％以上０．１質量％以下であればよい。
【実施例】
【００５０】
以下、実施例によって本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。【００５１】
［Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１５のポリイミド皮膜形成用ワニスの調製］
ポリイミド皮膜形成用ワニスは、以下のテトラカルボン酸二無水物、ジアミン及び溶剤を用いて調製した。ポリイミド皮膜形成用ワニスは、ポリアミド酸の原料となるテトラカルボン酸二無水物及びジアミンを等モル比で溶剤中に溶解させた後、テトラカルボン酸二無水物及びジアミンの縮合重合反応を促進することにより得た。原料となるテトラカルボン酸二無水物の組成及びジアミンの組成と使用した溶剤の組成とを表１に示す。なお、表１では、テトラカルボン酸二無水物の組成比及びジアミンの組成比をモル比で示し、溶剤の組成比を質量比で示している。【００５２】
（テトラカルボン酸二無水物）
ポリアミド酸の原料となるテトラカルボン酸二無水物としては、ピロメリット酸二無水物及び３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を用いた。なお、表１ではこれらの酸無水物をＰＭＤＡ及びＢＰＤＡとそれぞれ表示し、これらの合計が１００となるように組成比を示している。【００５３】
（ジアミン）
ポリアミド酸の原料となるジアミンとしては、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル及び４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニルを用いた。なお、表１ではこれらのジアミンをＯＤＡ及びＢＡＰＢとそれぞれ表示し、これらの合計が１００となるように組成比を示している。【００５４】
（溶剤）
溶剤としては、三菱ケミカル株式会社の「ＮＭＰ」（Ｎ−メチルピロリドン、沸点２０２℃）、三菱ガス化学株式会社の「ＮＭＦ」（モノメチルホルムアルデヒド、沸点１９９℃）、三菱ガス化学株式会社の「ＤＭＡＣ」（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、沸点１６５℃）、東京化成工業株式会社の「Ｄ０７２２」（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、沸点１５３℃）、出光興産株式会社の「エクアミドＭ１００」（β−アルコキシプロピオンアミド、沸点２１６℃）、東京化成工業株式会社の「Ｅ０３５８」（Ｎ−エチルピロリドン、沸点２１８℃）及び三菱ケミカル株式会社の「ＧＢＬ」（γ−ブチロラクトン、沸点２０４℃）を用いた。なお、表１ではこれらをＮＭＰ、ＮＭＦ、ＤＭＡｃ、ＤＭＦ、Ｍ１００、ＮＥＰ及びγ−ＢＬとそれぞれ表示し、これらの合計が１００となるように組成比を示している。【００５５】
【表１】
2019102800.tif 000003
【００５６】
［Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１５の絶縁電線の試験］
Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１５のポリイミド皮膜形成用ワニスを直径１．０ｍｍの銅線の外周面に塗布した後、焼き付けによって大部分の溶剤を揮発させるとともに溶剤中のポリアミド酸をイミド化して平均厚さ３μｍのポリイミド皮膜を形成した。そして、このポリイミド皮膜形成用ワニスの塗布及び焼き付けを２０回繰り返して平均厚さ６０μｍの絶縁層を形成し、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１５の絶縁電線を作製した。この絶縁電線について、ポリイミド皮膜に対する残留溶剤それぞれの含有量と絶縁層の比誘電率とを測定した。また、この絶縁電線について剥離試験を行った。これらの測定結果及び試験結果を表２に示す。【００５７】
（残留溶剤の含有量の測定）
ポリイミド皮膜に対する残留溶剤の含有量は、ガスクロマトグラフ法により測定した。【００５８】
（比誘電率の測定）
絶縁層の比誘電率の測定は、絶縁電線の表面の３か所に銀ペーストを塗布した後、常温下においてこの銀ペーストと銅線との間の静電容量をＬＣＲメータで測定し、測定した静電容量の値と絶縁層の厚みから比誘電率を算出した。【００５９】
（剥離試験）
剥離試験は、絶縁電線を長手方向に２０％予備伸張した後、この絶縁電線と同じ直径を有する鉄芯の周りに絶縁電線を３０回巻き付けて、絶縁層に割れや剥離が発生するか否かを確認する手法を採用した。なお、表２では、絶縁層に割れや剥離が発生しなかったものをＡとし、絶縁層に割れや剥離が発生したものをＢとしている。【００６０】
【表２】
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【００６１】
Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１２の絶縁電線は、表２に示すように、絶縁層を形成するポリイミド皮膜が２種類又は３種類の残留溶剤を含有する例であり、ポリイミド皮膜に対する残留溶剤それぞれの含有量が０．００１質量％以上０．１質量％未満であり、ポリイミド皮膜に対する残留溶剤の合計含有量が、０．００２質量％以上０．１質量％以下である。Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１２の絶縁電線は、絶縁層の比誘電率が３．２以上３．３以下でありかつ剥離試験においても絶縁層に割れや剥離が発生しないことが確認された。つまり、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１２の絶縁電線は、絶縁層の誘電率が低く、絶縁層を形成するポリイミド皮膜間の密着力が高いといえる。【００６２】
Ｎｏ．１３〜Ｎｏ．１４の絶縁電線は、絶縁層を形成するポリイミド皮膜が１種類の残留溶剤のみを含有する例である。Ｎｏ．１３〜Ｎｏ．１４の絶縁電線は、剥離試験においても絶縁層に割れや剥離が発生することが確認された。つまり、Ｎｏ．１３〜Ｎｏ．１４の絶縁電線は、絶縁層を形成するポリイミド皮膜間の密着力が十分でないといえる。【００６３】
Ｎｏ．１５の絶縁電線は、絶縁層を形成するポリイミド皮膜が１種類の残留溶剤のみを含有する例であり、かつポリイミド皮膜に対する残留溶剤の含有量が０．１質量％以上の例である。Ｎｏ．１５の絶縁電線は、絶縁層の比誘電率が３．６であり、絶縁層の誘電率が高いといえる。
【符号の説明】
【００６４】
１  絶縁電線
２  金属導体
３  絶縁層
３ａ，３ｂ，３ｃ  絶縁皮膜
４  中間絶縁層
【図１】
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【手続補正書】
【提出日】令和1年8月28日(2019.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
ポリイミド皮膜形成用のワニスに含まれる溶剤としては、例えばＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ−エチルピロリドン（ＮＥＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、モノメチルホルムアミド（ＮＭＦ）、β−アルコキシプロピオンアミド、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、γ−ブチロラクトン（γ−ＢＬ）等の非プロトン性極性溶媒の中から２種類以上が組み合わせて用いられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
（溶剤）
溶剤としては、三菱ケミカル株式会社の「ＮＭＰ」（Ｎ−メチルピロリドン、沸点２０２℃）、三菱ガス化学株式会社の「ＮＭＦ」（モノメチルホルムアミド、沸点１９９℃）、三菱ガス化学株式会社の「ＤＭＡＣ」（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、沸点１６５℃）、東京化成工業株式会社の「Ｄ０７２２」（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、沸点１５３℃）、出光興産株式会社の「エクアミドＭ１００」（β−アルコキシプロピオンアミド、沸点２１６℃）、東京化成工業株式会社の「Ｅ０３５８」（Ｎ−エチルピロリドン、沸点２１８℃）及び三菱ケミカル株式会社の「ＧＢＬ」（γ−ブチロラクトン、沸点２０４℃）を用いた。なお、表１ではこれらをＮＭＰ、ＮＭＦ、ＤＭＡｃ、ＤＭＦ、Ｍ１００、ＮＥＰ及びγ−ＢＬとそれぞれ表示し、これらの合計が１００となるように組成比を示している。
【国際調査報告】
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