(57)【要約】  半導体デバイスにおけるソフトエラー検査方法において、前記半導体デバイスの裏面を研磨する工程と、前記研磨の後に、前記半導体デバイスのソフトエラー検査領域における複数の部分の厚さを測定する工程と、前記半導体デバイスの厚さに対応する波長のレーザ光を前記半導体デバイスの裏面に照射する工程と、前記半導体デバイスの前記レーザ光が照射されている部分のビット反転の時間を測定する工程と、を有することを特徴とするソフトエラー検査方法により上記課題を解決する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスにおけるソフトエラー検査方法において、
前記半導体デバイスの裏面を研磨する工程と、
前記研磨の後に、前記半導体デバイスのソフトエラー検査領域における複数の部分の厚さを測定する工程と、
前記半導体デバイスの厚さに対応する波長のレーザ光を前記半導体デバイスの裏面に照射する工程と、
前記半導体デバイスの前記レーザ光が照射されている部分のビット反転の時間を測定する工程と、
を有することを特徴とするソフトエラー検査方法。
【請求項２】
前記半導体デバイスの厚さに対応する前記レーザ光の波長は、前記半導体デバイスのソフトエラー検査領域の複数の部分におけるレーザ光の透過率が均一になるように設定されるものであることを特徴とする請求項１に記載のソフトエラー検査方法。
【請求項３】
前記半導体デバイスの厚さの測定は、前記半導体デバイスのソフトエラー検査領域において２次元的に行うものであって、
前記半導体デバイスへの前記レーザ光の照射は、前記ソフトエラー検査領域において前記レーザ光を走査しながら行うことを特徴とする請求項１または２に記載のソフトエラー検査方法。
【請求項４】
前記２次元的に測定された前記半導体デバイスの厚さに基づき、前記ソフトエラー検査領域において照射されるレーザ光の波長の分布の情報が配列された波長制御条件テーブルを作成する工程を有し、
前記レーザ光を走査する際には、前記波長制御条件テーブルにおける波長のレーザ光を照射することを特徴とする請求項３に記載のソフトエラー検査方法。
【請求項５】
前記半導体デバイスの厚さは、共焦点顕微鏡、または、干渉顕微鏡により測定するものであることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のソフトエラー検査方法。
【請求項６】
前記ソフトエラー検査方法は、照射された前記レーザ光の二光子吸収によりなされるものであることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のソフトエラー検査方法。
【請求項７】
半導体デバイスが設置されるステージと、
前記半導体デバイスに照射されるレーザ光を出射する照射源と、
前記半導体デバイスに接続され、前記レーザ光が照射されている領域のビット反転を測定する測定器と、
前記半導体デバイスのソフトエラー検査領域における複数の部分の厚さを測定する基板厚測定部と、
前記測定器により測定された前記半導体デバイスの前記レーザ光が照射されている部分ごとのビット反転の時間を記憶する記憶部と、
前記半導体デバイスの厚さに対応して前記照射源より出射するレーザ光の波長を変化させる制御を行う制御部と、
を有することを特徴とするソフトエラー検査装置。
【請求項８】
前記記憶部には、前記半導体デバイスの厚さに対応するレーザ光の波長が記憶されており、
前記レーザ光の波長は、前記半導体デバイスの厚さが変化しても、レーザ光の透過率が均一となるように設定されたものであることを特徴とする請求項７に記載のソフトエラー検査装置。
【請求項９】
請求項７または８に記載のソフトエラー検査装置を含み、前記制御部により制御がなされることを特徴とするソフトエラー検査システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ソフトエラー検査方法、ソフトエラー検査装置及びソフトエラー検査システムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩ（Large Scale Integration）等の半導体デバイスでは、放射線による誤動作、いわゆるソフトエラーが生じることが知られている。このようなソフトエラーは、インフラ系サーバやスパコンなどのミッションクリティカルな機器だけでなく、宇宙用や医療用等の耐放射線が求められる装置、ＦＡ（Factory Automation）機器や通信基地局機材等の２４時間止められない装置においては、課題となっている。【０００３】
一般に、ソフトエラーは欠陥が残らないため検査が困難である。具体的には、ソフトエラーの検査方法としては、高地でのランニング試験や加速器を使った試験等がある。加速器を使った試験は、更に、中性子やイオンをＬＳＩチップの全面に照射する方法と、集光可能な電子やレーザ光を局所的に照射する方法とに分けられる。これらの方法のうち、レーザ評価法は、真空にする必要がないため小規模な機材で実現可能であり、また特定のメモリ領域を個別に評価できる点で優れている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−３１３０００号公報
【特許文献２】特表２０１２−５１２４０９号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Dale McMorrow, William T. Lotshaw, Joseph S. Melinger, Stephen Buchner, John D. Davis, Reed K. Lawrence, James H. Bowman, Ron D. Brown, Dave Carlton, Joseph Pena, JuanVasquez, Nadim Haddad, Kevin Warren, and Lloyd Massengill, "Single-Event Upset in Flip-Chip SRAM Induced by Through-Wafer, Two-Photon Absorption", IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, VOL. 52, NO. 6, DECEMBER 2005, p.2421-2425
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
レーザ評価法では、赤外域の波長（例えば、１５００ｎｍ）のレーザ光を用いて二光子吸収という過程を経て電荷を発生させる。具体的には、ＬＳＩチップ等の半導体デバイスの表面側にはトランジスタ等が形成されており、これらのトランジスタ等に接続される配線等が金属材料により形成されているため、半導体デバイスの裏面側よりレーザ光を照射して検査を行う。従って、レーザ光をトランジスタが形成されている部分に、所定のパワーで照射するためには、裏面から表面側のトランジスタが形成されている部分までの距離、即ち、半導体デバイスの厚さが所定の厚さとなるようにシリコン基板の裏面を研磨する必要がある。【０００７】
しかしながら、半導体デバイスの裏面から表面側のトランジスタが形成されている部分までの距離、即ち、半導体デバイスの厚さが、全面にわたり略一定の厚さとなるように研磨することは極めて困難である。このため、レーザ評価法により半導体デバイスのソフトエラー検査を行う場合、正確な検査を行うことができなかった。尚、研磨に熟練した人であれば、時間と労力をかけることにより、半導体デバイスの厚さが略均一になるように研磨することは可能であるかもしれない。しかしながら、この場合には多大な時間と労力を要するためスループットの低下招き、また、半導体デバイスの厚さを研磨により完全に均一にすることはほぼ不可能であるため、厳密にはソフトエラー検査を正確には行うことができない。【０００８】
このため、レーザ評価法によるソフトエラー検査方法において、半導体デバイスのソフトエラーの評価を正確、かつ、迅速に行うことのできる方法が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本実施の形態の一観点によれば、半導体デバイスにおけるソフトエラー検査方法において、前記半導体デバイスの裏面を研磨する工程と、前記研磨の後に、前記半導体デバイスのソフトエラー検査領域における複数の部分の厚さを測定する工程と、前記半導体デバイスの厚さに対応する波長のレーザ光を前記半導体デバイスの裏面に照射する工程と、前記半導体デバイスの前記レーザ光が照射されている部分のビット反転の時間を測定する工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
開示のソフトエラー検査方法によれば、半導体デバイスのソフトエラーの評価を正確、かつ、迅速に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】半導体デバイスの裏面研磨の説明図（１）
【図２】半導体デバイスの裏面研磨の説明図（２）
【図３】シリコンに照射される光の波長と透過深さとの相関図
【図４】本実施の形態におけるソフトエラー検査装置の構造図
【図５】本実施の形態におけるソフトエラー検査方法のフローチャート
【図６】本実施の形態に用いられる波長制御条件テーブルの説明図
【図７】本実施の形態におけるソフトエラー検査方法の説明図（１）
【図８】本実施の形態におけるソフトエラー検査方法の説明図（２）
【発明を実施するための形態】
【００１２】
実施するための形態について、以下に説明する。尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００１３】
最初に、ソフトエラー及びソフトエラー検査方法の概要について説明する。高エネルギービームがＬＳＩチップ内部に入射するとエネルギーが失われつつも進み続け、その飛跡に沿って電子・正孔対が生成される。これらの電荷が電極に移動してストレージノード内に流入し、閾値以上の電荷になると、それまで記録されていたビット情報が反転する（０→１、または、１→０）。この現象はシングルイベントアップセット（ＳＥＵ：Single Event Upset）と呼ばれ、ＬＳＩチップ内メモリの最大の誤動作要因である。
【００１４】
後述するように、本実施の形態においては、ＳＥＵを加速評価するためエネルギービームを用いているが、電子線等の荷電粒子と、レーザ光とではＳＥＵの発生メカニズムが異なる。電子線等の荷電粒子の場合では、ＬＳＩチップに電子線等の荷電粒子を照射することにより、電離作用により電子・正孔対が生成される。これに対し、レーザ光の場合では、ＬＳＩチップにレーザ光を照射すると、二光子吸収といって２個の光子を同時に吸収する励起過程により、電子・正孔対が生成される。具体的には、光子によるエネルギーがＳｉのバンドギャップエネルギーである１．１２ｅＶを上回れば、間接遷移により電子・正孔対が生成される。このように、電子線等の荷電粒子とレーザ光では電子・正孔対の発生メカニズムは異なるが、その後のＳＥＵを誘起する過程は同じである。
【００１５】
上記のように、レーザ評価法により半導体デバイスのソフトエラー検査を行う際には、シリコン基板の裏面より研磨を行う。具体的には、図１に示されるように、半導体デバイス１０のシリコン基板の表面１０ａには、トランジスタ形成層１１が形成されている。トランジスタ形成層１１には、トランジスタとトランジスタに接続される金属により形成された配線等が形成されており、このような配線等はソフトエラー検査を行う際に障害となる場合がある。従って、半導体デバイス１０のシリコン基板の裏面１０ｂ側より赤外線を照射するため、半導体デバイス１０のシリコン基板の裏面１０ｂの研磨を行う。
【００１６】
この場合、図１（ａ）に示すように、半導体デバイス１０のシリコン基板の裏面１０ｂからトランジスタ形成層１１までの距離が同じとなるように、即ち、半導体デバイス１０のシリコン基板の裏面１０ｂと表面１０ａとが平行となるように研磨する必要がある。しかしながら、このような研磨は極めて困難であり、実際に研磨を行うと、図１（ｂ）に示すように、半導体デバイス１０のシリコン基板の裏面１０ｂは、表面１０ａに対し傾斜してしまう。このような傾向は、研磨に慣れていない人が行った場合に、より一層顕著となる。
【００１７】
図１（ｂ）に示すように、半導体デバイス１０のシリコン基板の裏面１０ｂが、表面１０ａに対し傾斜していると、半導体デバイス１０のシリコン基板の裏面１０ｂから表面側のトランジスタ形成層１１までの距離が場所によって異なってしまう。従って、ソフトエラー検査のために赤外域のレーザ光を照射した場合、トランジスタ形成層１１に到達するまでの透過率も異なるため、正確なソフトエラー検査を行うことができない。
【００１８】
尚、半導体デバイス１０のシリコン基板の裏面１０ｂの研磨の方法としては、上記以外には、半導体デバイス１０のシリコン基板の裏面１０ｂにディンプル面１０ｃを形成するディンプル研磨のような局所研磨がある。しかしながら、このようなディンプル研磨では、検査したい所望の位置の裏面１０ｂに正確にディンプル面１０ｃを形成する必要があるが、半導体デバイス１０のシリコン基板の所望の位置の裏面１０ｂに正確にディンプル面１０ｃを形成することは極めて困難である。また、ディンプル研磨では、ディンプル面１０ｃにおける厚さは部分ごとに異なる。
【００１９】
以上のように、半導体デバイスのソフトエラーの評価を行う際には、半導体デバイスのシリコン基板の裏面から研磨を行う必要があるが、シリコン基板の厚さが均一になるように研磨することは極めて困難である。このため、半導体デバイスのソフトエラーの検査を正確、かつ、簡単で迅速に行うことのできるレーザ評価法によるソフトエラー検査方法が求められている。
【００２０】
ところで、シリコンが用いられている半導体デバイスにおいては、二光子吸収が起きる赤外光の波長は１．１μｍ〜２．１μｍであるが、シリコンにおける透過率は波長（エネルギー）に依存しており、照射される赤外光の波長が変化すると透過率も変化する。図３は、シリコンにおいて、照射される光の波長と透過深さとの関係を示す。図３に示されるように、シリコンに照射される光の波長が変化するとシリコンにおける透過深さも変化する。
【００２１】
図３は、非特許文献１の記載に基づくものであり、透過深さは吸光度測定から定義することができる。既知の波長、試料厚さに対して入射光と出射光の比を取り、完全に吸収されれば吸光度は１、透過率は０となり、その厚さをプロットしたものが図３である。図３は光がそれ以上侵入できない深さともいうことができる。尚、吸光度と透過性の関係性は、Ａを吸光度、Ｉ０を入射光強度、Ｉを試料通過後の光（出射光）の強度とした場合、Ａ＝−ｌｏｇ１０（Ｉ／Ｉ０）となり、透過率はＩ／Ｉ０である。
【００２２】
また、シリコンに不純物元素がドープされている場合には、ドープされている不純物元素の濃度に対応して、透過深さの値も変化する。具体的には、図３に示されるように、不純物元素がドープされているシリコンでは、波長が１．１μｍ〜１．２μｍの赤外光の透過率が最も高く、ドープされている不純物の濃度に依存して透過深さが変化し、例えば、数十μｍから数百μｍまで変化する。尚、Ｎ＝２．４×１０１９ｃｍ−３は、シリコンにＮ型となる不純物元素が２．４×１０１９ｃｍ−３の濃度でドープされているものである。また、Ｎ＝６×１０１８ｃｍ−３は、シリコンにＮ型となる不純物元素が６×１０１８ｃｍ−３の濃度でドープされているものである。
【００２３】
このため、シリコン基板に不純物元素がドープされている半導体デバイスの検査を行う場合には、図３に示されるように、照射される光の波長と透過深さとの関係が既知である場合には、その関係を用いることができる。また、既知ではない場合には、ドープされている不純物元素の濃度が既知であるシリコン基板を準備し、そのシリコン基板において、波長を変化させた場合における透過率や透過深さを測定し、波長と透過深さとの関係のグラフやテーブル等を作成してもよい。
【００２４】
ところで、半導体デバイスであるＬＳＩチップの厚さは、仕様により様々であり、例えば、チップ化された時点で厚さが約１００μｍまでバックグラインドされているものや、厚さが約１ｍｍ程度のものまである。レーザ評価法によるソフトエラー検査方法では、レーザ光をＬＳＩチップのシリコン基板の裏面から照射して、トランジスタが形成されているトランジスタ形成層まで透過させる必要がある。このため、ＬＳＩチップのシリコン基板の厚さが厚い場合には、裏面から研磨し薄くする必要があるが、シリコン基板を裏面より研磨して、全体的に厚さが数μｍ程度となるようにすることは困難である。尚、シリコン基板は、厚さが５０μｍ程度であれば、研磨に関するノウハウがなくとも、シリコン基板が割れたり破損したりすることなく、比較的容易に研磨することができる。
【００２５】
ところで、ソフトエラーの原因となる電荷を発生させる場所は、シリコン基板の表面側のトランジスタが形成されているトランジスタ形成層である。従って、本実施の形態においては、裏面が研磨されたシリコン基板の検査対象となる領域における各々の部分の厚さを測定し、各々の部分における透過率が略一定になるように赤外光の波長を設定し照射する。即ち、シリコン基板の厚さに応じて、透過率が略一定となるように赤外光の波長を変化させてシリコン基板に照射する。これにより、シリコン基板の表面側に形成されているトランジスタ形成層に入射する赤外光の強度を均一にすることができ、シリコン基板の厚さが部分ごとに異なる場合であっても、正確なソフトエラーの検査を行うことが可能となる。
【００２６】
シリコン基板の検査対象となる領域の厚さの測定は、共焦点顕微鏡や光干渉計等の干渉顕微鏡を用いて行うことができる。本実施の形態においては、半導体デバイスのシリコン基板の厚さをソフトエラーの検査の対象となる領域の部分ごとに測定し、測定された厚さに基づき波長を変化させながらレーザ光を照射して、ソフトエラーの検査を行う。これにより、ソフトエラーの検査を正確、かつ、迅速に行うことができる。
【００２７】
（ソフトエラー検査装置及びソフトエラー検査システム）
次に、本実施の形態におけるソフトエラー検査装置について説明する。図４は、本実施の形態におけるソフトエラー検査装置及びソフトエラー検査システムを示す。本実施の形態におけるソフトエラー検査装置は、走査ステージ２０、走査制御部２１、照射源３０、照射制御部３１、基板厚測定部４０、基板厚測定制御部４１、測定器５０、制御部６０等を有している。制御部６０は、情報処理部６１、記憶部６２を有しており、表示部６３及び入力部６４が接続されている。
【００２８】
検査対象となる試料である半導体デバイス１０は、ＬＳＩチップ等であり、半導体デバイス１０は走査ステージ２０の上に設置され、走査ステージ２０により２次元、即ち、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に動かすことができる。走査ステージ２０は、走査制御部２１により制御される。尚、本実施の形態においては、半導体デバイス１０は、図１（ａ）または図１（ｂ）に示されるものである。
【００２９】
照射源３０は、半導体デバイス１０に照射されるレーザ光を出射するものであり、波長を変化させることのできる波長可変レーザであって、照射制御部３１により制御される。本実施の形態においては、照射源３０からレーザ光が出射される場合について説明するが、電子線等の荷電粒子が出射されるものであってもよい。半導体デバイス１０がシリコンにより形成された半導体デバイスである場合には、シリコンにおいて二光子吸収が生じる波長領域が１１００ｎｍ〜２１００ｎｍであるため、例えば、照射源３０より出射されるレーザ光の波長は、約１５００ｎｍである。
【００３０】
基板厚測定部４０は、共焦点顕微鏡や光干渉計等の干渉顕微鏡であり、基板厚測定制御部４１により制御される。測定器５０は、テスタ等であり、半導体デバイス１０の端子に接続されており、半導体デバイス１０内に記憶されている情報の変化を測定することができる。
【００３１】
制御部６０は、本実施の形態におけるソフトエラー検査装置全体の制御及びソフトエラー検査方法に関する情報処理動作を行うものであり、走査制御部２１、照射制御部３１、基板厚測定制御部４１、測定器５０等が接続されている。また、情報処理部６１には、情報を記憶する記憶部６２、必要な情報を表示するための表示部６３、情報処理部６１に情報を入力するための入力部６４等が接続されている。本実施の形態においては、制御部６０における制御により、以下に説明するソフトエラー検査方法を実行することができるソフトエラー検査システムとなっている。
【００３２】
（ソフトエラー検査方法）
次に、本実施の形態におけるソフトエラー検査方法について、図５に基づき説明する。本実施の形態におけるソフトエラー検査方法の検査の対象となる半導体デバイス１０は、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、フラッシュメモリ、ＦＰＧＡ（field-programmable gate array）、ＡＳＩＣ（application specific integrated circuit）等である。本実施の形態におけるソフトエラー検査方法は、制御部６０における制御に基づき行われる。尚、本実施の形態においては、シリコンに照射される赤外光の波長と透過深さとの関係は予め測定されているか、または、文献等より得られているものとし、この情報は記憶部６２に記憶されているものとする。
【００３３】
最初に、ステップ１０２（Ｓ１０２）において、ソフトエラーの検査対象となる半導体デバイス１０におけるシリコン基板の裏面を研磨する。具体的には、半導体デバイス１０のシリコン基板の厚さが、約５０μｍ程度となるように研磨する。この厚さであれば、シリコン基板において割れや破損が生じないからである。本実施の形態においては、研磨後のシリコン基板の厚さにバラツキ等があってもよい。
【００３４】
次に、ステップ１０４（Ｓ１０４）からステップ１０８（Ｓ１０８）では、半導体デバイス１０のソフトエラーの検査対象となる領域（ソフトエラー検査領域）における複数の部分の厚さを各々部分ごとに２次元的に測定する。これにより、ソフトエラー検査領域における厚さの２次元情報を得る。
【００３５】
具体的には、ステップ１０４では、半導体デバイス１０のソフトエラーの検査対象となる領域のある部分の厚さを基板厚測定部４０により測定し、ステップ１０６（Ｓ１０６）に移行する。ステップ１０６では、半導体デバイス１０のソフトエラーの検査対象となる領域の部分ごとの厚さの測定が終了したか否か、即ち、検査対象となる領域の部分ごとの厚さを測定するための走査が終了したか否かを判断する。ソフトエラーの検査対象となる領域の部分ごとの厚さを測定するための走査が終了した場合には、ステップ１１０に移行し、ソフトエラーの検査対象となる領域の部分ごとの厚さを測定するための走査が終了していない場合には、ステップ１０８に移行する。ステップ１０８では、半導体デバイス１０のソフトエラーの検査対象となる領域内において、次に厚さが測定される部分に位置を動かし、ステップ１０４に移行する。この後、ステップ１０４において、位置が動かされた次に厚さが測定される部分の半導体デバイス１０の厚さを測定する。このように、ステップ１０４からステップ１０８の工程を繰り返して行うことにより、半導体デバイス１０のソフトエラーの検査対象となる領域における厚さの分布のマップを作成する。この情報は、制御部６０内の記憶部６２に記憶される。
【００３６】
次に、ステップ１１０（Ｓ１１０）において、半導体デバイス１０における不純物濃度の値を入力する。具体的には、半導体デバイス１０における不純物濃度の値が既知であれば、その値を入力部６４より入力する。また、既知でない場合には、様々な方法により半導体デバイス１０における不純物濃度の値を測定し入力してもよい。
【００３７】
次に、ステップ１１２（Ｓ１１２）において、入力された半導体デバイス１０の不純物濃度の値に基づき、照射される透過率が均一となるように、ステップ１０４からステップ１０８において測定された半導体デバイス１０の厚さに対応した赤外光の波長を抽出する。
【００３８】
次に、ステップ１１４（Ｓ１１４）において、ステップ１１２において抽出された波長に基づき波長制御条件テーブルを作成する。波長制御条件テーブルは、例えば、図６に示されるように、半導体デバイス１０の厚さに対応した赤外光の波長が２次元状にＭ行Ｎ列で配列されているものであり、記憶部６２に記憶される。
【００３９】
次に、ステップ１１６（Ｓ１１６）において、図６に示される波長制御条件テーブルに基づき、レーザ光の波長を変化させながら、検査対象となる半導体デバイス１０に、所定の時間、レーザ光を照射することにより、ソフトエラーの検査を行う。具体的には、図７に示されるように、半導体デバイス１０の所定の位置にレーザ光を所定の時間照射し、レーザ光が照射されている位置のビット情報の時系列データを測定し、記憶部６２等に記憶する。
【００４０】
具体的には、図７に示されるように、レーザ光が照射されている状態で、テスタ等の測定器５０により、レーザ光が照射されている位置のビット情報の時系列データ、即ち、ビット情報の時間的変化を測定し、記憶部６２等に記憶する。図８は、測定器５０により検出されたレーザ光が照射されている位置のビット情報の時系列データを示す。図８（ａ）は、レーザ光の照射開始より、時間ｔ１が経過した時点で、ビット情報が０→１に反転している様子を示す。図８（ｂ）は、レーザ光の照射開始より、時間ｔ２が経過した時点で、ビット情報が０→１に反転している様子を示す。図８（ｃ）は、レーザ光の照射開始より、時間ｔ３が経過した時点で、ビット情報が０→１に反転し、更に、時間ｔ４が経過した時点で、ビット情報が１→０に再反転している様子を示す。尚、本願においては、ビット情報の反転をビット反転と記載する場合がある。
【００４１】
このような測定を半導体デバイス１０においてソフトエラーの検査対象となる領域において、測定する場所を変えるとともに、レーザ光の波長を変化させて、レーザ光を走査して測定を行う。
【００４２】
以上により、本実施の形態におけるソフトエラー検査方法は終了する。
【００４３】
本実施の形態におけるソフトエラー検査方法によれば、半導体デバイス１０の厚さが均一ではない場合であっても、ソフトエラーの検査対象となる領域において、正確な検査を行うことができる。
【００４４】
以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
【符号の説明】
【００４５】
１０        半導体デバイス
２０        走査ステージ
２１        走査制御部
３０        照射源
３１        照射制御部
４０        基板厚測定部
４１        基板厚測定制御部
５０        測定器
６０        制御部
６１        情報処理部
６２        記憶部
６３        表示部
６４        入力部
【図１】
2019026213.tif 000003
【図２】
2019026213.tif 000004
【図３】
2019026213.tif 000005
【図４】
2019026213.tif 000006
【図５】
2019026213.tif 000007
【図６】
2019026213.tif 000008
【図７】
2019026213.tif 000009
【図８】
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【国際調査報告】
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2019026213.tif 000012
2019026213.tif 000013
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