(57)【要約】［課題］  プラズマを用いた基板処理装置において、処理室を構成する処理容器の温度に起因する処理レートの低下や、被処理基板毎の処理レートのバラつき等を抑制する。［手段］  基板を処理する処理室の少なくとも一部を形成する処理容器と、処理容器の外周に巻回するように設けられたコイル、及びコイルに高周波電力を供給する高周波電源を備えるプラズマ生成部と、処理室内であってコイルの下端よりも下方に設けられた基板載置台と、基板載置台に設けられたヒータと、コイルの上端よりも上方に位置する処理容器の部分の温度を測定する温度センサと、を有する基板処理装置を提供する。
2019053806.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室の少なくとも一部を形成する処理容器と、
前記処理容器の外周に巻回するように設けられたコイル、及び前記コイルに高周波電力を供給する高周波電源を備えるプラズマ生成部と、
前記処理室内であって前記コイルの下端よりも下方に設けられた基板載置台と、
前記基板載置台に設けられたヒータと、
前記コイルの上端よりも上方に位置する前記処理容器の部分の温度を測定する温度センサと、を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記処理容器内に第１の処理ガスを供給するガス供給系と、
前記処理容器内に第１の処理ガスを供給する処理（ａ）、及び前記温度センサにより測定された温度が第１の温度以上となるまで、高周波電力を前記コイルに供給して前記処理容器内に供給された前記第１の処理ガスのプラズマを生成する処理（ｂ）を実行するように、前記ガス供給系及び前記プラズマ生成部を制御するよう構成された制御部と、
を更に有する請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理容器内に第１の処理ガス及び第２の処理ガスを供給するガス供給系と、
前記処理容器内に第１の処理ガスを供給する処理（ａ）、前記温度センサにより測定された温度が第１の温度以上となるまで、高周波電力を前記コイルに供給して前記処理容器内に供給された前記第１の処理ガスのプラズマを生成する処理（ｂ）、前記処理（ｂ）の後、前記基板載置台に前記基板を載置する処理（ｃ）、前記処理容器内に第２の処理ガスを供給する処理（ｄ）、及び高周波電力を前記コイルに供給して前記処理容器内に供給された前記第２の処理ガスのプラズマを生成し、当該プラズマにより前記基板載置台に載置された前記基板を処理する処理（ｅ）、を実行するように、前記ガス供給系及び前記プラズマ生成部を制御するよう構成された制御部と、
を更に有する請求項１記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記処理（ｂ）において、前記温度センサにより測定された温度が前記第１の温度以上となるまで、高周波電力の前記コイルへの供給の開始と停止を間欠的に１又は複数回繰り返し実行するように構成されている、請求項２記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記処理（ｃ）〜（ｅ）を所定の回数以上繰り返し実行し、前記所定の回数実行された状態における前記温度センサにより測定された温度を取得し、当該取得された温度を新たな前記第１の温度として記憶部に設定するよう構成されている、請求項３記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記処理（ａ）〜（ｅ）のいずれにおいても、前記基板載置台を加熱するように前記ヒータを制御するよう構成されている、請求項３記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記ヒータ及び前記基板載置台の少なくともいずれかの温度を測定する第２の温度センサを更に有し、
前記制御部は、前記処理（ａ）〜（ｅ）において、前記第２の温度センサにより測定された温度が第２の温度以上となるように前記ヒータを制御するよう構成されている、請求項３記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記処理（ａ）の前に、前記第２の温度センサにより測定された温度が前記第２の温度以上となるように前記ヒータによる昇温を行う処理（ｆ）を実行するよう構成されている、請求項７記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記温度センサは、前記コイルの上端から１５ｍｍ以上３０ｍｍ以下の所定の高さ位置における前記処理容器の温度を測定するように設けられている、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記高周波電源は、前記コイルを含む誘導結合構造の電気長の整数倍の波長を有する高周波電力を前記コイルに供給するように構成されている、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記制御部は、前記コイルを含む誘導結合構造の共振周波数を有する高周波電力を前記コイルに供給するように前記高周波電源を制御するよう構成されている、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記制御部は、処理（ｂ）において、前記コイルの上端の高さ位置にリング状のプラズマを形成するように前記高周波電源を制御するよう構成されている、請求項１１記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記処理容器は、石英により形成された筒状又はドーム状の容器である、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記温度センサは、前記処理容器の外周面の温度を測定するよう設けられている、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記温度センサは熱電対により構成されており、前記温度センサは、前記熱電対の温度検出点を前記処理容器の外周面に押圧するように構成された押圧機構を備える、請求項１４記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記熱電対の先端は、前記処理容器の外周面に対向する面を有する板状部材により構成されている、請求項１５記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記第１の処理ガスと前記第２の処理ガスは同一のガスである、請求項３記載の基板処理装置。
【請求項１８】
基板を処理する処理室の少なくとも一部を形成する処理容器と、
前記処理容器の外周に巻回するように設けられたコイルを備えるプラズマ生成部と、
前記処理室内であって前記コイルの下端よりも下方に設けられた基板載置台と、
前記基板載置台に設けられたヒータと、
前記コイルの上端よりも上方に位置する前記処理容器の部分の温度を測定する温度センサと、を有する基板処理装置を提供する工程と、
前記処理容器内に第１の処理ガスを供給する工程と、
前記温度センサにより前記コイルの上端よりも上方に位置する前記処理容器の部分の温度を測定しながら、高周波電力を前記コイルに供給して前記処理容器内に供給された前記第１の処理ガスのプラズマを生成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
基板を処理する処理室の少なくとも一部を形成する処理容器と、
前記処理容器の外周に巻回するように設けられたコイルを備えるプラズマ生成部と、
前記処理室内であって前記コイルの下端よりも下方に設けられた基板載置台と、
前記基板載置台に設けられたヒータと、
前記コイルの上端よりも上方に位置する前記処理容器の部分の温度を測定する温度センサと、を有する基板処理装置に、
前記処理容器内に第１の処理ガスを供給する手順と、
前記温度センサにより前記コイルの上端よりも上方に位置する前記処理容器の部分の温度を測定しながら、高周波電力を前記コイルに供給して前記処理容器内に供給された前記第１の処理ガスのプラズマを生成する手順と、
をコンピュータによって実行させるプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラッシュメモリ等の半導体装置は高集積化の傾向にある。それに伴い、パターンサイズが著しく微細化されている。これらのパターンを形成する際、製造工程の一工程として、基板に酸化処理や窒化処理等の所定の処理を行う工程が実施される場合がある。【０００３】
例えば、特許文献１には、プラズマ励起した処理ガスを用いて基板上に形成されたパターン表面を改質処理することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−７５５７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、基板処理装置では、基板への改質処理等の処理を行う際に、処理室の構成部材の温度により処理レートが変動することがある。そのため、処理室の構成部材の温度が所望の温度となっていないことにより、所望の処理レートが得られなかったり、処理室の温度が不安定であることにより、被処理基板毎の処理レートにバラつきが生じたりすることがある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、基板を処理する処理室の少なくとも一部を形成する処理容器と、前記処理容器の外周に巻回するように設けられたコイル、及び前記コイルに高周波電力を供給する高周波電源を備えるプラズマ生成部と、前記処理室内であって前記コイルの下端よりも下方に設けられた基板載置台と、前記基板載置台に設けられたヒータと、前記コイルの上端よりも上方に位置する前記処理容器の部分の温度を測定する温度センサと、を有する基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、プラズマを用いた基板処理装置において、処理室を構成する処理容器の温度に起因する処理レートの低下や、被処理基板毎の処理レートのバラつきを抑制し、半導体装置の品質を向上させる技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る基板処理装置のプラズマ生成原理を説明する説明図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の制御部の構成を示す図である。
【図４】（Ａ）は本発明の一実施形態に係る熱電対ユニットの一構成を示す図であり、（Ｂ）は他の一構成を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の処理工程を示すフロー図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る処理工程における本処理工程を示すフロー図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る処理工程における事前処理工程を示すフロー図である。
【図８】事前処理工程を行わない比較例（実験例）における、上側容器の温度と基板上に形成される膜の厚さとをプロットした図である。
【図９】事前処理工程を行う実施例における、上側容器の温度と基板上に形成される膜の厚さとをプロットした図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
＜本発明の第１実施形態＞
（１）基板処理装置の構成
本発明の第１実施形態に係る基板処理装置について、図１〜図４を用いて以下に説明する。本実施形態に係る基板処理装置は、主に基板面上に形成された膜に対して酸化処理を行うように構成されている。
【００１０】
（処理室）
基板処理装置１００は、ウエハ２００をプラズマ処理する反応炉２０２を備えている。反応炉２０２には、処理室２０１を構成する処理容器２０３が設けられている。処理容器２０３は、第１の容器であるドーム状又は筒状の上側容器２１０と、第２の容器である碗型の下側容器２１１とにより構成されている。上側容器２１０が下側容器２１１の上に被さることにより、処理室２０１が形成される。上側容器２１０は、非金属材料である石英（ＳｉＯ２）で形成されており、下側容器２１１は、例えばアルミニウム（Ａｌ）で形成されている。すなわち、反応炉２０２の内側壁の一部を構成する上側容器２１０の内側壁は石英で構成されている。
【００１１】
また、下側容器２１１の下部側壁には、ウエハ２００の搬入出口２４５とゲートバルブ２４４が設けられている。
【００１２】
処理室２０１は、周囲に共振コイル２１２が設けられているプラズマ生成空間２０１ａと、プラズマ生成空間２０１ａに連通し、ウエハ２００が処理される基板処理空間２０１ｂを有する。プラズマ生成空間２０１ａは処理室の内、共振コイル２１２の下端より上方であって、且つ共振コイル２１２の上端より下方の空間を言う。一方、基板処理空間２０１ｂは、基板がプラズマを用いて処理される空間であって、共振コイル２１２の下端より下方の空間を言う。
【００１３】
（サセプタ）
処理室２０１の底側中央であって基板処理空間２０１ｂ内には、ウエハ２００を載置する基板載置台としてのサセプタ２１７が配置されている。サセプタ２１７は例えば窒化アルミニウム、セラミックス、石英等の非金属材料から形成されている。
【００１４】
サセプタ２１７の内部には、加熱機構としてのヒータ２１７ｂと、温度センサとしての熱電対２７５が埋め込まれている。ヒータ２１７ｂは、ヒータ電力調整機構２７６を介して電力が供給されると、ウエハ２００表面を例えば２５℃から７５０℃程度まで加熱することができるように構成されている。熱電対２７５は、ヒータ２１７ｂの温度、もしくは、ヒータ２１７ｂにより加熱されるサセプタ２１７の温度を測定するように設置されている。
【００１５】
サセプタ２１７には、サセプタを昇降させる駆動機構を備えるサセプタ昇降機構２６８が設けられている。下側容器２１１の底面にはウエハ突上げピン２６６が設けられており、サセプタ２１７が下降したときに、貫通孔２１７ａを突き抜けるように構成されている。
主に、サセプタ２１７、ヒータ２１７ｂ、及び熱電対２７５により、本実施形態に係る基板載置部が構成されている。
【００１６】
（ガス供給部）
上側容器２１０の上部には、ガス供給ヘッド２３６が設けられている。ガス供給ヘッド２３６は、キャップ状の蓋体２３３と、ガス導入口２３４と、バッファ室２３７と、開口２３８と、遮蔽プレート２４０と、ガス吹出口２３９とを備えている。
【００１７】
ガス導入口２３４には、酸素（Ｏ２）ガスを供給する酸素ガス供給管２３２ａの下流端と、水素（Ｈ２）ガスを供給する水素ガス供給管２３２ｂの下流端と、不活性ガスとしてのアルゴン（Ａｒ）ガスを供給する不活性ガス供給管２３２ｃと、が合流するように接続されている。酸素ガス供給管２３２ａには、上流側から順に、Ｏ２ガス供給源２５０ａ、流量制御装置としてのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２５２ａ、開閉弁としてのバルブ２５３ａが設けられている。水素ガス供給管２３２ｂには、上流側から順に、Ｈ２ガス供給源２５０ｂ、ＭＦＣ２５２ｂ、バルブ２５３ｂが設けられている。不活性ガス供給管２３２ｃには、上流側から順に、Ａｒガス供給源２５０ｃ、ＭＦＣ２５２ｃ、バルブ２５３ｃが設けられている。酸素ガス供給管２３２ａと水素ガス供給管２３２ｂと不活性ガス供給管２３２ｃとが合流した下流側には、バルブ２４３ａが設けられ、ガス導入口２３４の上流端に接続されている。バルブ２５３ａ、２５３ｂ、２５３ｃ、２４３ａを開閉させることによって、ＭＦＣ２５２ａ、２５２ｂ、２５２ｃによりそれぞれのガスの流量を調整しつつ、ガス供給管２３２ａ、２３２ｂ、２３２ｃを介して、Ｏ２ガス、Ｈ２ガス、不活性ガス等の処理ガスを処理室２０１内へ供給できるように構成されている。
【００１８】
主に、ガス供給ヘッド２３６、酸素ガス供給管２３２ａ、水素ガス供給管２３２ｂ、不活性ガス供給管２３２ｃ、ＭＦＣ２５２ａ，２５２ｂ，２５２ｃ、バルブ２５３ａ，２５３ｂ，２５３ｃ，２４３ａにより、本実施形態に係るガス供給系（ガス供給部）が構成されている。
【００１９】
（排気部）
下側容器２１１の側壁には、処理室２０１内から反応ガス等の雰囲気を排気するガス排気口２３５が設けられている。ガス排気口２３５には、ガス排気管２３１の上流端が接続されている。ガス排気管２３１には、上流側から順に圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４２、開閉弁としてのバルブ２４３ｂ、真空排気装置としての真空ポンプ２４６が設けられている。
主に、ガス排気口２３５、ガス排気管２３１、ＡＰＣバルブ２４２、バルブ２４３ｂにより、本実施形態に係る排気部が構成されている。尚、真空ポンプ２４６を排気部に含めても良い。
【００２０】
（プラズマ生成部）
処理室２０１の外周部、すなわち上側容器２１０の側壁の外側には、処理室２０１を囲うように螺旋状の共振コイル２１２が設けられている。共振コイル２１２は、プラズマ生成空間２０１ａの外周に巻回するように設けられ、誘導結合構造を構成している。共振コイル２１２には、ＲＦセンサ２７２、高周波電源２７３、高周波電源２７３のインピーダンスや出力周波数の整合を行う整合器２７４が接続される。
【００２１】
高周波電源２７３は、共振コイル２１２に高周波電力を供給するものである。ＲＦセンサ２７２は高周波電源２７３の出力側に設けられ、供給される高周波の進行波や反射波の情報をモニタするものである。ＲＦセンサ２７２によってモニタされた反射波電力は整合器２７４に入力される。
【００２２】
共振コイル２１２は、所定の波長の定在波を形成するため、一定の波長で共振するように巻径、巻回ピッチ、巻数が設定される。すなわち、共振コイル２１２の電気的長さは、高周波電源２７３から供給される高周波電力の所定周波数における１波長の整数倍に相当する長さに設定される。
【００２３】
共振コイル２１２は、例えば、８００ｋＨｚ〜５０ＭＨｚ、０．５〜５ＫＷの高周波電力によって０．０１〜１０ガウス程度の磁場を発生し得る様に、５０〜３００ｍｍ２の有効断面積であって且つ２００〜５００ｍｍのコイル直径とされ、上側容器２１０の外周側に２〜６０回程度巻回される。
【００２４】
本実施形態では、高周波電力の周波数を２７．１２ＭＨｚ、共振コイル２１２の電気的長さを１波長の長さ（約１１メートル）に設定している。
【００２５】
共振コイル２１２の両端は電気的に接地され、可動タップ２１３を介して接地される。図１中の符号２１４は他方の固定グランドを示す。可動タップ２１３は、共振コイル２１２の共振特性を高周波電源２７３と略等しくするように位置が調整される。さらに、共振コイル２１２のインピーダンスを微調整するため、共振コイル２１２の両端の間には、可動タップ２１５によって給電部が構成される。
【００２６】
遮蔽板２２３は、共振コイル２１２の外側の電界を遮蔽すると共に、共振回路を構成するのに必要な容量成分を共振コイル２１２との間に形成する。
【００２７】
主に、共振コイル２１２、ＲＦセンサ２７２、整合器２７４により、本実施形態に係るプラズマ生成部が構成されている。尚、プラズマ生成部として高周波電源２７３を含めても良い。
【００２８】
ここで、本実施形態に係る装置のプラズマ生成原理および生成されるプラズマの性質について図２を用いて説明する。本実施形態においては、プラズマ発生時の共振コイル２１２における共振のずれを電源側で補償するため、プラズマが発生した際の共振コイル２１２からの反射波電力をＲＦセンサ２７２において検出し、検出された反射波電力に基づいて整合器２７４が高周波電源２７３の出力を補正する。
【００２９】
具体的には、整合器２７４は、ＲＦセンサ２７２において検出されたプラズマが発生した際の共振コイル２１２からの反射波電力が最小となる様に、高周波電源２７３のインピーダンス或いは出力周波数を増加または減少させる。インピーダンスを制御する場合、整合器２７４は、予め設定されたインピーダンスを補正する可変コンデンサ制御回路により構成され、周波数を制御する場合、整合器２７４は、予め設定された高周波電源２７３の発振周波数を補正する周波数制御回路により構成される。
【００３０】
かかる構成により、本実施形態における共振コイル２１２では、プラズマを含む当該共振コイルの実際の共振周波数による高周波電力が供給されるので（或いは、プラズマを含む当該共振コイルの実際のインピーダンスに整合するように高周波電力が供給されるので）、位相電圧と逆位相電圧が常に相殺される状態の定在波が形成され、当該共振コイルの電気的中点（電圧がゼロのノード）に最も高い位相電流が生起される。従って、電気的中点の近傍のプラズマ生成空間２０１ａ内においては、処理室壁やサセプタ２１７との容量結合が殆どなく、電気的ポテンシャルの極めて低いドーナツ状の誘導プラズマが形成される。また、当該共振コイルの電気的な始点及び終点（即ち共振コイル２１２の上端及び下端）の近傍のプラズマ生成空間２０１ａ内にも、図２に示すように、電気的ポテンシャルの極めて低いドーナツ状の誘導プラズマがそれぞれ形成される。すなわち、本実施形態では、共振コイル２１２の上端、中点、及び下端のそれぞれの高さ位置に、プラズマ密度の高いドーナツ状の誘導プラズマが形成される。
【００３１】
（温度センサ）
上側容器２１０の外側には、上側容器２１０の外周面の温度を測定するように配置された温度センサとしての熱電対ユニット２８０が設けられている。熱電対ユニット２８０の温度検出点は、後述の押圧機構により上側容器２１０の外周面に押し付けられるように接触している。なお、熱電対ユニット２８０を単に熱電対と称する場合もある。
【００３２】
熱電対ユニット２８０は、上側容器２１０の外周面のうち、特に共振コイル２１２の上端よりも上方に位置する部分の温度を測定するように設置される。具体的には、例えば共振コイル２１２の上端から上方１０ｍｍ〜５０ｍｍの範囲、より望ましくは１５ｍｍ〜３０ｍｍの範囲の所定の位置の外周面の温度を測定するように設置することが望ましい。本実施形態では３０ｍｍとしている。
【００３３】
すなわち、共振コイル２１２に近過ぎる位置に熱電対ユニット２８０を設置する場合、共振コイル２１２から生じる高周波電磁界によって、熱電対ユニット２８０からの温度検出信号にノイズが生じる可能性があるほか、共振コイル２１２の電気的特性に実質的に影響を与える可能性がある。したがって、熱電対ユニット２８０は共振コイル２１２の上端から少なくとも１０ｍｍ以上、望ましくは１５ｍｍ以上離間して設置されることが望ましい。
【００３４】
また、以下の理由により、熱電対ユニット２８０は、可能な限り共振コイル２１２の上端に近い外周面の位置の温度を測定するように設置することが望ましい。
【００３５】
共振コイル２１２の上端、中点、及び下端近傍の位置では、他の位置に比べてプラズマ放電が集中的に発生するため、それらの位置に対応する上側容器２１０の部分は、プラズマ放電によって集中的に加熱される。
本実施形態では、上述のように共振コイル２１２の上端にできるだけ近い位置に熱電対ユニット２８０を配置することによって、共振コイル２１２の上端近傍に集中的に発生するプラズマ放電によって加熱される上側容器２１０の部分（もしくはその部分に近い部分）の温度を測定することができるので、他の位置に設けられる熱電対に比べて、上側容器２１０内で生じるプラズマ放電による上側容器２１０の温度変化を応答性良く検出することができる。したがって、熱電対ユニット２８０は共振コイル２１２の上端から少なくとも５０ｍｍ以内、望ましくは３０ｍｍ以内の位置に設置されることが望ましい。
【００３６】
なお、上側容器２１０の外周面の温度を測定する場合、共振コイル２１２の下端より下方の位置に熱電対を設けることも考えられる。しかし共振コイル２１２の下端より下方の位置はサセプタ２１７に比較的近いため、サセプタ２１７に設けられたヒータ２１７ｂからの熱の影響（特に輻射熱の影響）を受けやすく、プラズマ放電による上側容器２１０の温度変化を応答性良く検出するための位置としては不適切である。特に、プラズマ放電開始以前にヒータ２１７ｂによる加熱が行われていた場合、上側容器２１０の共振コイル２１２の下端より下方の部分は、ヒータ２１７ｂからの輻射熱等の影響により温度が局所的に上昇するため、プラズマ放電による上側容器２１０の温度変化を検出するための位置としては不適切である。
【００３７】
また、上側容器２１０の外周面の温度を測定する場合、共振コイル２１２の中点近傍の位置に熱電対を設けることも考えられる。しかし熱電対をこのような位置に設けようとすると、共振コイル２１２の巻き線の間に熱電対を設ける必要があるため、熱電対が共振コイル２１２の電気的特性に影響を及ぼしやすい。したがって、当該位置も熱電対を設ける位置としては不適切である。
【００３８】
続いて、熱電対ユニット２８０のより詳細な構成を図４（Ａ）に示す。熱電対ユニット２８０は、熱電対２８１と、熱電対２８１の温度検出点である先端部分を覆うように設けられた、アルミニウム等で形成された金属ブロック２８２と、熱電対２８１を内側で保持する外管２８３と、外管２８３の内側で熱電対２８１のフランジ部分に接するように設けられた弾性体としてのバネ２８４と、バネ２８４を熱電対２８１のフランジ部分に押し付けるように設けられた押圧部材２８５と、外管２８３を吊り下げるように保持する保持部２８６とにより構成されている。熱電対２８１の先端に金属ブロック２８２を設けることにより上側容器２１０との接触面積を広げるとともに、バネ２８４と押圧部材２８５により構成される押圧機構により熱電対２８１を上側容器２１０の外周面に押し付けることにより、熱電対２８１と上側容器２１０の外周面との接触を安定させている。これにより、上側容器２１０の温度変化に対して、熱電対２８１による検出応答性を高めることができる。
【００３９】
また、図４（Ｂ）には、熱電対ユニット２８０の他の態様である熱電対ユニット２８０´を示す。熱電対ユニット２８０´は、先端に金属パットが溶接されて一体化された熱電対２８１´を備えている。先端に金属パットを直接溶接する構造とすることにより、上側容器２１０との接触面積を広げるとともに、熱電対２８１´の温度検出点と上側容器２１０との接触面との距離をより小さくすることができる。
【００４０】
（制御部）
制御部としてのコントローラ２２１は、図１に示された信号線Ａ〜Ｇを通じて、接続された各構成をそれぞれ制御するように構成されている。
【００４１】
図３に示すように、制御部（制御手段）であるコントローラ２２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）２２１ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）２２１ｂ、記憶装置２２１ｃ、Ｉ／Ｏポート２２１ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ２２１ｂ、記憶装置２２１ｃ、Ｉ／Ｏポート２２１ｄは、内部バス２２１ｅを介して、ＣＰＵ２２１ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ２２１には、例えばタッチパネルやディスプレイ等として構成された入出力装置２２２が接続されている。
【００４２】
記憶装置２２１ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置２２１ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する処理工程の手順や条件などが記載されたプログラムレシピ等が読み出し可能に格納されている。プロセスレシピは、後述する処理工程における各手順をコントローラ２２１に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプログラムレシピや制御プログラム等を総称して、単にプログラムともいう。なお、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プログラムレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。また、ＲＡＭ２２１ｂは、ＣＰＵ２２１ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域として構成されている。
【００４３】
Ｉ／Ｏポート２２１ｄは、図３に示す通り、コントローラ２２１と基板処理装置１００を構成する各構成とを、信号線Ａ〜Ｇを介して接続している。
【００４４】
ＣＰＵ２２１ａは、記憶装置２２１ｃからの制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置２２２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置２２１ｃからプロセスレシピを読み出すように構成されている。ＣＰＵ２２１ａは、読み出されたプロセスレシピの内容に沿うように、信号線Ａを通じてＡＰＣバルブ２４２の開度調整動作、バルブ２４３ｂの開閉動作、及び真空ポンプ２４６の起動・停止を、信号線Ｂを通じてサセプタ昇降機構２６８の昇降動作を、信号線Ｃを通じてヒータ電力調整機構２７６によるヒータ２１７ｂへの供給電力量調整動作を、信号線Ｄを通じてゲートバルブ２４４の開閉動作を、信号線Ｅを通じてＲＦセンサ２７２、整合器２７４及び高周波電源２７３の動作を、信号線Ｆを通じてＭＦＣ２５２ａ〜２５２ｃによる各種ガスの流量調整動作、及びバルブ２５３ａ〜２５３ｃ、２４３ａの開閉動作、等を制御するように構成されている。またＣＰＵ２２１ａは、読み出されたプロセスレシピの内容を実行するために、信号線Ａを通じて熱電対２７５による測定温度値を、信号線Ｇを通じて熱電対２８０による測定温度値を取得するように構成されている。
【００４５】
コントローラ２２１は、外部記憶装置（例えば、磁気テープ、ＨＤＤ等の磁気ディスク、ＣＤ等の光ディスク、ＭＯなどの光磁気ディスク、ＵＳＢメモリ等の半導体メモリ）２２３に格納された上述のプログラムをコンピュータにインストールすることにより構成することができる。記憶装置２２１ｃや外部記憶装置２２３は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されている。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。本明細書において、記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置２２１ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置２２３単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合が有る。なお、コンピュータへのプログラムの提供は、外部記憶装置２２３を用いず、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。
【００４６】
（２）処理工程
第１実施形態に係る処理工程は、図５に示すように、主に、プラズマ生成空間２０１ａにおいてプラズマ放電を発生させて処理室２０１（特に上側容器２１０）の加熱処理を行う事前処理工程（プラズマ予備加熱工程）Ｓ４００と、酸化プラズマ処理を行って製品用基板を処理する本処理工程（製品用基板処理工程）Ｓ５００とから構成される。この処理工程は、例えばフラッシュメモリ等の半導体デバイスの製造工程の一工程として、基板処理装置１００により実施される。
【００４７】
以下、第１実施形態に係る処理工程を、図５〜７を用いて説明する。なお、以下で説明する本実施形態に係る処理工程において、基板処理装置１００を構成する各部の動作は、コントローラ２２１により制御される。
【００４８】
（２−１）ヒータ昇温工程（Ｓ１００）
最初に、ヒータ２１７ｂに電力を供給し、サセプタ２１７の加熱を開始する。ヒータ２１７ｂは、第２の温度センサとしての熱電対２７５により測定された温度が所定の温度（第２の温度）以上となるように、より望ましくはこの所定の温度以上で定められた目標温度又は目標温度範囲内となるように制御される。以降、全処理工程が終了するまでヒータ２１７ｂによる加熱は継続する。この目標温度（範囲）は、本処理工程Ｓ５００において設定されるヒータ２１７ｂの目標温度（範囲）と同一である。ただし、事前処理工程Ｓ４００開始までは、この目標温度（範囲）を本処理工程Ｓ５００におけるものよりも低く設定してもよい。
【００４９】
（２−２）基板処理指示待機（アイドリング）（Ｓ２００）
続いて、基板処理装置１００に対して、本処理工程Ｓ５００を実行して基板を処理させる指示が入出力装置２２２等を介して入力されるまで待機する（アイドリング状態で待機する）。具体的には、指示入力判定Ｓ２００において、当該指示が入力されていない場合は一定間隔で当該判定を再度実行し、当該指示が入力された場合は、次のステップに進む。当該指示において、本処理工程Ｓ５００において処理される基板の枚数の指示（即ち、本処理工程Ｓ５００の実行回数）も併せて入力される。
【００５０】
（２−３）処理容器温度判定（Ｓ３００）
続いて、温度判定Ｓ３００において、第１の温度センサとしての熱電対ユニット２８０（又は２８０´）により測定される上側容器２１０の外周面の温度が、所定の温度（判定用温度）以上であるか否かを判定する。当該測定された温度が判定用温度以上であると判定された場合、本処理工程Ｓ５００に進む。当該測定された温度が判定用温度未満であると判定された場合、事前処理工程Ｓ４００に進む。この判定用温度については、別に詳述する。
【００５１】
（２−４）本処理工程（製品用基板処理工程）（Ｓ５００）
本処理工程Ｓ５００では、製品用基板であるウエハ２００の表面上に形成されたシリコン（Ｓｉ）膜に改質処理としての酸化プラズマ処理を施し、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）を形成する。なお、本実施形態では、本処理工程として酸化プラズマ処理を行う例について説明するが、他の処理ガスを用いたプラズマ処理や、他の処理対象基板、処理対象膜種に対するプラズマ処理を行う場合であっても、本発明は適用可能である。
【００５２】
本処理工程Ｓ５００は、図６に示す基板搬入工程Ｓ５１０、真空排気工程Ｓ５２０、反応ガス供給工程Ｓ５３０、プラズマ処理工程Ｓ５４０、真空排気工程Ｓ５５０、基板搬出工程Ｓ５６０から構成される。
【００５３】
（基板搬入工程Ｓ５１０）
サセプタ昇降機構２６８がサセプタ２１７を下降させて、ウエハ突上げピン２６６がサセプタ２１７表面よりも所定の高さ分だけ突出した状態とする。続いて、処理室２０１に隣接する真空搬送室から、ウエハ搬送機構を用いてウエハ突上げピン２６６上にウエハ２００を移載する。その後、サセプタ昇降機構２６８がサセプタ２１７を上昇させることにより、ウエハ２００はサセプタ２１７の上面に支持される。
【００５４】
（真空排気工程Ｓ５２０）
続いてウエハ２００の昇温を行う。サセプタ２１７はヒータ２１７ｂによってヒータ昇温工程Ｓ１００の段階から予め加熱されており、例えば１５０〜７５０℃の範囲内の所定値にサセプタ２１７上のウエハ２００を加熱する。ここでは、ウエハ２００の温度が６００℃となるよう加熱する。ヒータ２１７ｂを制御する際の目標温度（範囲）も同様の所定値が設定される。ただし、ヒータ２１７ｂの目標温度（範囲）は、これらの所定値よりも高い値が設定されてもよい。また、ウエハ２００の昇温を行う間、真空ポンプ２４６によりガス排気管２３１を介して処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内の圧力を所定の値とする。
【００５５】
（反応ガス供給工程Ｓ５３０）
次に、反応ガス（第２の処理ガス）として、酸素含有ガスであるＯ２ガスとＨ２ガスの混合ガスの処理室２０１内への供給を開始する。具体的には、バルブ２５３ａ及び２５３ｂを開け、ＭＦＣ２５２ａ及び２５２ｂにて流量制御しながら、処理室２０１内へＯ２ガス及びＨ２ガスを供給する。このとき、Ｏ２ガスの流量を、例えば２０〜２０００ｓｃｃｍの範囲内の所定値とする。また、Ｈ２ガスの流量を、例えば２０〜１０００ｓｃｃｍの範囲内の所定値とする。
また、処理室２０１内の圧力が、例えば５０〜２００Ｐａの範囲内の所定圧力となるように、ＡＰＣ２４２の開度を調整する。このように、後述のプラズマ処理工程Ｓ５４０の終了時まで反応ガスの供給を継続する。
【００５６】
（プラズマ処理工程Ｓ５４０）
次に、共振コイル２１２に対して高周波電源２７３から高周波電力の印加を開始する。共振コイル２１２に供給する高周波電力は、例えば１００〜５０００Ｗの範囲内の所定の電力であって、好ましくは１００〜３５００Ｗ、より好ましくは１０００〜３５００Ｗとする。プラズマ放電を安定的に生じさせるためには１０００Ｗ以上であることが望ましく、電力が１００Ｗより低い場合、プラズマ放電を安定的に生じさせることが難しい。
【００５７】
これにより、Ｏ２ガス及びＨ２ガスが供給されているプラズマ生成空間２０１ａ内に高周波電界が形成され、誘導プラズマが励起される。プラズマ状のＯ２ガス及びＨ２ガスは解離し、酸素を含む酸素ラジカル（酸素活性種）や酸素イオン、水素を含む水素ラジカル（水素活性種）や水素イオン、等の反応種が生成される。
【００５８】
ウエハ２００の表面には、誘導プラズマにより生成されたラジカル等が供給される。供給されたラジカル等はウエハ２００の表面に形成されているＳｉ膜と均一に反応し、Ｓｉ膜表面をＳｉＯ２層へと改質する。
【００５９】
その後、所定の処理時間、例えば１０〜３００秒が経過したら、高周波電源２７３からの電力の出力を停止して、処理室２０１内におけるプラズマ放電を停止する。また、反応ガスの処理室２０１内への供給を停止する。
【００６０】
（真空排気工程Ｓ５５０）
その後、ガス排気管２３１を介して、処理室２０１内の反応ガス等を処理室２０１外へと排気する。その後、ＡＰＣバルブ２４２の開度を調整し、処理室２０１内の圧力を処理室２０１に隣接する真空搬送室と同じ圧力に調整する。
【００６１】
（基板搬出工程Ｓ５６０）
処理室２０１内が所定の圧力となったら、サセプタ２１７をウエハ２００の搬送位置まで下降させ、ウエハ突上げピン２６６上のウエハ２００を、ウエハ搬送機構を用いてウエハ２００を処理室２０１外へ搬出する。以上により本処理工程Ｓ５００としての酸化プラズマ処理工程を終了する。
【００６２】
（２−５）繰り返し回数判定（Ｓ６００）
本処理工程Ｓ５００の終了後、基板処理指示待機Ｓ２００の際に入力された、被処理基板の枚数の指示（即ち、本処理工程Ｓ５００の実行回数）を参照し、指示された枚数の基板処理が完了したか否かを判定する。完了したと判定された場合、次のステップに進む。完了していないと判定された場合、再度、他の被処理基板に対して本処理工程Ｓ５００を実行する。
【００６３】
（２−６）装置運用停止判定（Ｓ７００）
繰り返し回数判定Ｓ６００の終了後、基板処理装置１００の運用を停止する指示が入力されていた場合、基板処理装置１００の運用を停止し処理を終了する。運用停止指示が入力されていない場合、再度、基板処理指示待機Ｓ２００以降を実行する。
【００６４】
（２−７）事前処理工程（プラズマ予備加熱工程）
次に、事前処理工程Ｓ４００について説明する。事前処理工程Ｓ４００は、処理室２０１を構成する部材、特に上側容器２１０を加熱するために、本処理工程Ｓ５００の前段階で実行される。
【００６５】
ここで、事前処理工程Ｓ４００を実行する必要性についてまず説明する。図８は、本工程を行わず上側容器２１０の加熱がされていない状態で、２５枚の被処理基板それぞれに対して、本処理工程Ｓ５００を順次繰り返し実行していった比較例（実験例）における、上側容器２１０の温度（即ち、熱電対ユニット２８０の測定温度）と、本処理工程Ｓ５００において形成されるＳｉＯ２膜の膜厚とをプロットしたものである。発明者は、本実験例の結果が示す通り、本処理工程Ｓ５００で形成される膜の厚さが、ウエハ２００の温度だけでなく、上側容器２１０の温度にも依存することを見出した。
【００６６】
上側容器２１０の温度は本処理工程Ｓ５００を繰り返し実行することによって安定温度（定常温度）に達し、安定温度に達した後は、ＳｉＯ２膜の膜厚も安定する。本実験例では、７枚目の処理が行われた時点で安定温度（ａ）（約２２４℃）に達している。しかし、上側容器２１０の温度が安定温度に達するまでの間、ＳｉＯ２膜の膜厚は安定時よりも低くなっていることから、１枚目から全ての被処理基板に対して、安定した膜厚のＳｉＯ２膜を形成することができない。
【００６７】
本工程では、製品用基板を処理する本処理工程Ｓ５００に先立ってプラズマ生成空間２０１ａ内でプラズマ放電を発生させることによって、上側容器２１０等の処理室２０１を構成する部材の温度を、本処理工程Ｓ５００において形成される膜の膜厚が安定する温度となるまで加熱する。これにより、本処理工程Ｓ５００で処理される基板の１枚目から全ての被処理基板に対して、安定した厚さの膜を形成することができる。
【００６８】
なお、基板処理装置１００のように、処理室の一部を構成する処理容器の外周に、プラズマ励起のための共振コイル２１２のような構成が設けられている場合、処理容器を加熱するためのヒータを処理容器の外周に設けることは空間的な制約により困難である。したがって、本実施形態の装置構成において、処理容器自体を加熱する手段としてプラズマ放電を利用した加熱処理を実行することは最も望ましい形態の一つである。
【００６９】
以下、事前処理工程Ｓ４００を構成する各工程を、図７を用いて説明する。なお、事前処理工程Ｓ４００は、ダミー基板としてのウエハ２００をサセプタ２１７上に載置した状態で行うこともできるが、ここではダミー基板を用いない例について説明する。
【００７０】
（真空排気工程Ｓ４１０）
まず、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内の圧力を所定の値とする。真空ポンプ２４６は、少なくとも排気・調圧工程Ｓ４４０が終了するまで作動させておく。なお、ヒータ２１７ｂは、ヒータ昇温工程Ｓ１００から継続してサセプタ２１７を加熱するよう制御されている。
【００７１】
（放電ガス供給工程Ｓ４２０）
次に、放電用ガス（第１の処理ガス）として、本処理工程Ｓ５００における反応ガス（第２の処理ガス）と同じく、Ｏ２ガスとＨ２ガスの混合ガスを処理室２０１内へ供給する。具体的なガス供給手順や、供給ガス流量、処理室２０１内の圧力等の条件については、本処理工程Ｓ５００と同様である。このように、後述のプラズマ処理工程Ｓ５４０の終了時まで放電用ガスの供給を継続する。
【００７２】
なお、プラズマ放電工程Ｓ４３０におけるプラズマ放電を促進させる等の目的のため、Ａｒガス等の他のガスを供給してもよく、Ｏ２ガス及びＨ２ガスの少なくともいずれかを供給しないようにしてもよい。また、供給ガス流量や、処理室２０１内の圧力等の条件について異なる条件を設定してもよい。
但し、本処理工程Ｓ５００における反応ガスと同じ放電用ガスを用いる態様は、上側容器２１０を加熱する以外にも、処理室２０１内の環境を本処理工程Ｓ５００の安定状態に近づける効果があるため、好ましい態様の一つである。
【００７３】
（プラズマ放電工程Ｓ４３０）
次に、共振コイル２１２に対して高周波電源２７３から高周波電力の印加を開始する。共振コイル２１２に供給する高周波電力の大きさは本処理工程Ｓ５００と同様である。ただし、高周波電力の大きさは、プラズマ放電を促進させるため本処理工程Ｓ５００より大きくしてもよく、また、他の処理条件に合わせて、１００〜５０００Ｗの範囲内で異ならせてもよい。
【００７４】
これにより、プラズマ生成空間２０１ａ内の、特に共振コイル２１２の上端、中点、及び下端のそれぞれの高さ位置に集中的にプラズマ放電が発生する。発生したプラズマ放電は上側容器２１０を内側から加熱する。特に、集中的にプラズマ放電が発生する上述の高さ位置に対応する上側容器２１０の部分及びその近傍は集中的に加熱される。
【００７５】
コントローラ２２１は、熱電対ユニット２８０により、少なくとも本工程の間、上側容器２１０の外周面の温度を測定（モニタ）しており、この測定温度が所定の温度（第１の温度）以上となるまで、共振コイル２１２への高周波電力の印加を継続し、プラズマ放電を維持する。この測定温度が第１の温度以上となったことを検知すると、コントローラ２２１は高周波電源２７３からの高周波電力の供給を停止するとともに、放電用ガスの処理室２０１内への供給を停止し、本工程を終了する。
なお、本工程における第１の温度は、処理容器温度判定Ｓ３００において定められた判定用温度と同じであるが、この判定用温度を第１の温度よりも高い値に設定してもよい。
【００７６】
ここで、第１の温度について詳述する。第１の温度の第１の設定例は、熱電対ユニット２８０の測定温度（上側容器２１０の外周面の温度）の安定温度を設定することである。すなわち、例えば図８に示される上述の実験例のように、事前に本処理工程Ｓ５００を連続的に実行することによってその際の安定温度の値を取得し、その安定温度の値を第１の温度として設定する。図８の実験例の安定温度を適用する場合、第１の温度として安定温度（ａ）：２２４℃を設定する。本実施形態では、第１の温度として安定温度（ａ）を設定する。
【００７７】
また、第２の設定例として、本処理工程Ｓ５００において形成される膜厚が所定の偏差以下となるような測定温度の範囲の値（例えばその範囲の下限値）を第１の温度として設定する。すなわち、例えば所定の膜厚偏差を０．５Å以下と設定した場合、図８の実験例では、本処理工程Ｓ５００が３回以上（被処理基板が３枚目以降）実行されると、膜厚の偏差が０．５Å以下に収束することが確認できる。したがって、３回目以降の本処理工程Ｓ５００における測定温度の値のいずれかや、そのうち最も低い測定温度である３回目の測定温度（下限温度（ｂ））以上の所定値や、下限温度（ｂ）と安定温度（ａ）の間の所定値などを、第１の温度として設定することができる。
【００７８】
このように、熱電対ユニット２８０の測定温度が第１の温度以上となるまでプラズマ放電を発生させて、上側容器２１０等を加熱することにより、本工程に続く本処理工程Ｓ５００において形成される膜の厚さを所定の偏差範囲に収めることができる。
【００７９】
（排気・調圧工程Ｓ４４０）
処理室２０１内のガスを処理室２０１外へと排気する。その後、ＡＰＣバルブ２４２の開度を調整し、処理室２０１内の圧力を真空搬送室と同じ圧力とする。これにより、事前処理工程Ｓ４００を終了し、引き続き本処理工程Ｓ５００が実行される。
【００８０】
（第１実施形態の効果）
図９は、事前処理工程Ｓ４００を実行し、上側容器２１０を予備加熱した状態で、２５枚の被処理基板それぞれに対して、本処理工程Ｓ５００を順次繰り返し実行していった実施例における、上側容器２１０の温度と、本処理工程Ｓ５００において形成されるＳｉＯ２膜の膜厚とをプロットしたものである。本実施例では、事前処理工程Ｓ４００における第１の温度を２２０℃に設定した。
【００８１】
本実施例では、１枚目の被処理基板が処理される段階から、上側容器２１０の温度が２２０℃近傍で安定していることが分かる。また、２枚目以降の被処理基板から、膜厚偏差が０．２Å以下の範囲で安定していることが分かる。すなわち、本実施形態に係る実施例によれば、２枚目以降の全ての被処理基板に対して、安定した膜厚のＳｉＯ２膜を形成することができる。
【００８２】
＜本発明の第２実施形態＞
続いて、本発明の第２実施形態について説明する。
第１実施形態における事前処理工程Ｓ４００では、プラズマ放電工程Ｓ４３０を、熱電対ユニット２８０の測定温度が第１の温度以上となるまで継続して行う態様としたが、第２実施形態では、プラズマ放電工程Ｓ４３０において、プラズマ放電を間欠的に１又は複数回実行するように構成される。
【００８３】
具体的には、放電ガス供給工程Ｓ４２０の後、プラズマ放電工程Ｓ４３０のサブセットである間欠放電工程として、高周波電力を共振コイル２１２へ印加してプラズマ放電を発生させ、所定時間（例えば１〜２分間）経過後、高周波電力の印加を停止する。
コントローラ２２１は、熱電対ユニット２８０により、少なくとも間欠放電工程の間、上側容器２１０の温度を測定しており、間欠放電工程の間、又は終了した時点において、この測定温度が第１の温度以上となったか否かを判定する。測定温度が第１の温度以上となったことを検知すると、コントローラ２２１は高周波電力の供給を停止するとともに、放電用ガスの処理室２０１内への供給を停止し、プラズマ放電工程Ｓ４３０を終了する。測定温度が第１の温度未満である場合、コントローラ２２１は再度、間欠放電工程を実行し、以降、測定温度が第１温度以上となるまで間欠放電工程を繰り返す。
【００８４】
各間欠放電工程の間に、処理室２０１内のガスを処理室２０１外へと排気するパージ工程を実行するようにしてもよい。また、間欠放電工程の実行中に測定温度が第１の温度以上となったことを検知した時点で、当該間欠放電工程を中止し、プラズマ放電工程Ｓ４３０を終了してもよい。
【００８５】
＜本発明の第３実施形態＞
続いて、本発明の第３実施形態について説明する。
第１実施形態では、基板処理指示待機Ｓ２００及び事前処理工程Ｓ４００において設定される第１の温度を、予め実験等により取得した所定の値とする態様としたが、第３実施形態では、第１の温度の値を基板処理装置１００の運用中に更新するようにしてもよい。
【００８６】
本実施形態では、例えば、本処理工程Ｓ５００が連続的に所定回数（例えば２０回以上）繰り返し実行された時点で熱電対ユニット２８０から取得された温度（すなわち安定温度とみなすことが可能な温度）を、第１の温度として新たに設定する。なお、第１の温度としての設定値は、例えばコントローラ２２１のＲＡＭ２２１ｂ上に記憶されており、この設定値がコントローラ２２１において更新されていく。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
本発明によれば、プラズマを用いた基板処理装置において、処理室を構成する処理容器の温度に起因する処理レートの低下や、被処理基板毎の処理レートのバラつきを抑制し、半導体装置の品質を向上させる技術が提供される。
【符号の説明】
【００８８】
１００…基板処理装置
２００…ウエハ
２０１…処理室
２１０…上側容器
２１２…共振コイル
２１７…サセプタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
2019053806.tif 000012
2019053806.tif 000013
2019053806.tif 000014
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