(57)【要約】【課題】高速応答と感度向上を可能にすると共に許容できる入射位置のずれを拡大可能な半導体受光素子を提供すること。【解決手段】入射光に対して透明な半導体基板の主面近傍部に形成された光吸収領域４と、前記光吸収領域４と同心状に前記光吸収領域４より大きく設定された入射領域と、前記半導体基板の主面に対向する裏面に前記半導体基板の主面側から前記入射領域に入射した入射光を前記光吸収領域４に向けて反射可能な部分球面状の凹面反射部６を備えた半導体受光素子１において、前記凹面反射部６の曲率半径をＲ、前記入射領域の直径をＢ、前記光吸収領域４と前記凹面反射部６との距離をＷ、前記光吸収領域４の直径をＰとすると、前記曲率半径Ｒを２ＢＷ／（Ｂ−Ｐ／２）≦Ｒ≦２ＢＷ／（Ｂ−Ｐ）の条件を満たすように設定する。【選択図】図４
2019150533.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光に対して透明な半導体基板の主面近傍部に形成された光吸収領域と、前記光吸収領域と同心状に前記光吸収領域より大きく設定された入射領域と、前記半導体基板の主面に対向する裏面に前記半導体基板の主面側から前記入射領域に入射した入射光を前記光吸収領域に向けて反射可能な部分球面状の凹面反射部を備えた半導体受光素子において、  前記凹面反射部の曲率半径をＲ、前記入射領域の直径をＢ、前記光吸収領域と前記凹面反射部との距離をＷ、前記光吸収領域の直径をＰとすると、前記曲率半径Ｒは、２ＢＷ／（Ｂ−Ｐ／２）≦Ｒ≦２ＢＷ／（Ｂ−Ｐ）の条件を満たすことを特徴とする半導体受光素子。
【請求項２】
入射光に対して透明な半導体基板の主面近傍部に形成された光吸収領域と、前記光吸収領域と同心状に前記光吸収領域より大きく設定された入射領域と、前記半導体基板の主面に対向する裏面に前記半導体基板の主面側から前記入射領域に入射した入射光を前記光吸収領域に向けて反射可能な回転放物面状の凹面反射部を備えた半導体受光素子において、  前記凹面反射部の回転放物面を近似する部分球面の曲率半径をＲ、前記入射領域の直径をＢ、前記光吸収領域と前記凹面反射部との距離をＷ、前記光吸収領域の直径をＰとすると、前記曲率半径Ｒは、２ＢＷ／（Ｂ−Ｐ／２）≦Ｒ≦２ＢＷ／（Ｂ−Ｐ）の条件を満たすことを特徴とする半導体受光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、受光した入射光を電気信号に変換して出力する半導体受光素子に関し、特に入射光を反射して受光部に導入可能な半導体受光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】  光通信分野では、通信量の急激な増加に対応するため、伝送速度を高速化する開発が行われている。光通信は、送信側から光ファイバケーブル等を介して光信号を送信し、受信側では半導体受光素子が受信した光信号を電気信号に変換している。【０００３】  受信側における伝送速度の高速化は、半導体受光素子の応答速度の高速化により実現されるが、そのためには素子容量と素子抵抗で規定される応答速度の上限を向上させる必要がある。素子容量は、半導体受光素子の受光部の面積、即ち光を電気（電荷）に変換する光吸収領域の直径が小さい程小さくなり、例えば応答周波数帯域が２０ＧＨｚ程度の半導体受光素子を実現する場合、光吸収領域の直径を２０μｍ程度とすれば素子容量が十分小さくなる。【０００４】  一方、光吸収領域の直径が小さくなる程受光面積が小さくなって受光量が少なくなるため、受信効率（感度）が低下する。その上、入射光のビーム径が小さい場合には、小さい光吸収領域に確実に光を入射させるように入射位置を調整する必要があり、入射位置のずれが敏感に感度に影響する。従って、半導体受光素子の応答速度の高速化と感度向上の両立が困難になっている。【０００５】  光計測分野においても、半導体受光素子の周波数応答特性を維持しながら感度向上のために受光面積をできるだけ大きくしたいという要求がある。例えば、受光面積の直径が２００μｍ程度、応答周波数帯域が１５０ＭＨｚの半導体受光素子の要求があるが、単に光吸収領域の直径を要求される２００μｍにしただけでは、応答周波数帯域は数十ＭＨｚ程度に留まり要求性能を満たせない。【０００６】  このような応答速度の高速化と感度向上の実現のため、例えば特許文献１のように、半導体基板の主面に薄く形成された光吸収領域と、光吸収領域に対向するように半導体基板の裏面に形成された反射部を備え、主面側から光吸収領域に入射して透過した光が、反射部で反射して再度光吸収領域に入射するように構成された半導体受光素子が知られている。また、特許文献２のように、半導体基板の主面に形成された凸レンズ状又はフレネルレンズ状の受光窓の中央部に光吸収領域を備えると共に、半導体基板の裏面に平面の反射部を備え、主面側から受光窓に入射した光を集光しながら反射部に入射させ、反射部に入射した光を光吸収領域に集光するように反射させる半導体受光素子が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第２９９５９２１号公報
【特許文献２】特開平５−１３６４４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】  特許文献１では、光吸収領域の面積が受光面積であり、光吸収領域を小さくしたときに反射光を利用しても十分な受光量を確保することが困難になる。また、小さい光吸収領域に確実に光を入射させるために入射光の入射位置を正確に調整する必要があり、高速動作のために小さくした光吸収領域に対して入射位置ずれが感度に大きく影響する。【０００９】  特許文献２では、受光窓の面積が受光面積に相当し、光吸収領域を小さくしても大きい受光面積を確保して応答速度の高速化と感度向上を両立可能であるが、光吸収領域を形成後その周囲を凸レンズ状又はフレネルレンズ状に加工する必要があり、この加工を光吸収領域に影響がないように行うことが容易ではない。さらに、レンズが光吸収領域に焦点を結ぶように集光して焦点近傍に電荷が集中的に生成され、電荷の過剰な集中により電荷の移動が制限される空間電荷効果によって応答速度の高速化が阻害される虞がある。【００１０】  本発明の目的は、応答速度の高速化と感度向上を両立可能な半導体受光素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】  請求項１の発明は、入射光に対して透明な半導体基板の主面近傍部に形成された光吸収領域と、前記光吸収領域と同心状に前記光吸収領域より大きく設定された入射領域と、前記半導体基板の主面に対向する裏面に前記半導体基板の主面側から前記入射領域に入射した入射光を前記光吸収領域に向けて反射可能な部分球面状の凹面反射部を備えた半導体受光素子において、前記凹面反射部の曲率半径をＲ、前記入射領域の直径をＢ、前記光吸収領域と前記凹面反射部との距離をＷ、前記光吸収領域の直径をＰとすると、前記曲率半径Ｒは、前記凹面反射部の曲率半径をＲ、前記入射領域の直径をＢ、前記光吸収領域と前記凹面反射部との距離をＷ、前記光吸収領域の直径をＰとすると、前記曲率半径Ｒは、２ＢＷ／（Ｂ−Ｐ／２）≦Ｒ≦２ＢＷ／（Ｂ−Ｐ）の条件を満たすことを特徴としている。【００１２】  上記構成によれば、半導体受光素子の半導体基板の主面側から入射領域に入射した入射光のうち光吸収領域に入射しなかった入射光を、部分球面状の凹面反射部が光吸収領域に向けて集光するように反射する。そして、入射領域に入射した入射光を効率よく光吸収領域に導入可能、且つ凹面反射部で反射された入射光の過度の集光を抑えて光吸収領域に導入可能なように凹面反射部の曲率半径を設定している。従って、光吸収領域を入射領域より小さくし、空間電荷効果を抑えて半導体受光素子の応答速度の高速化が可能であると共に、入射領域の面積に相当する受光面積を確保して感度向上が可能である。その上、光吸収領域より大きい受光面積を確保したので、小さい光吸収領域であっても入射光の入射位置ずれによる感度低下を抑えることができる。【００１３】  請求項２の発明は、入射光に対して透明な半導体基板の主面近傍部に形成された光吸収領域と、前記光吸収領域と同心状に前記光吸収領域より大きく設定された入射領域と、前記半導体基板の主面に対向する裏面に前記半導体基板の主面側から前記入射領域に入射した入射光を前記光吸収領域に向けて反射可能な回転放物面状の凹面反射部を備えた半導体受光素子において、前記凹面反射部の回転放物面を近似する部分球面の曲率半径をＲ、前記入射領域の直径をＢ、前記光吸収領域と前記凹面反射部との距離をＷ、前記光吸収領域の直径をＰとすると、前記曲率半径Ｒは、２ＢＷ／（Ｂ−Ｐ／２）≦Ｒ≦２ＢＷ／（Ｂ−Ｐ）の条件を満たすことを特徴としている。【００１４】  上記構成によれば、半導体受光素子の半導体基板の主面側から入射領域に入射した入射光のうち光吸収領域に入射しなかった入射光を、回転放物面状の凹面反射部が光吸収領域に向けて集光するように反射する。そして、入射領域に入射した入射光を効率よく光吸収領域に導入可能、且つ凹面反射部で反射された入射光の過度の集光を抑えて光吸収領域に導入可能なように凹面反射部の曲率半径を設定している。従って、光吸収領域を入射領域より小さくし、空間電荷効果を抑えて半導体受光素子の応答速度の高速化が可能であると共に、入射領域の面積に相当する受光面積を確保して感度向上が可能である。その上、光吸収領域より大きい受光面積を確保したので、小さい光吸収領域であっても入射光の入射位置ずれによる感度低下を抑えることができる。
【発明の効果】
【００１５】  本発明の半導体受光素子によれば、応答速度の高速化と感度向上を両立可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施例に係る半導体受光素子の平面図である。
【図２】図１のII−II線断面図である。
【図３】凹面反射部の反射膜の反射率について膜厚依存性を示す図である。
【図４】上限の曲率半径Ｒの凹面反射部を備えた半導体受光素子に平行光線からなる入射光が入射した例を示す図である。
【図５】凹面反射部の曲率半径Ｒの上限を説明する図である。
【図６】下限の曲率半径Ｒの凹面反射部を備えた半導体受光素子に平行光線からなる入射光が入射した例を示す図である。
【図７】半導体受光素子に受光部中心からずれて拡散光線からなる入射光が入射した例を示す図である。
【図８】凹面反射部の曲率半径の影響を結合効率で示す図である。
【図９】応答速度の高速化のため受光領域径を１０ｕｍに縮小したときの影響を結合効率で示す図である。
【図１０】半導体基板に拡散層を形成する工程を示す断面図である。
【図１１】図１０の半導体基板に受光部を形成する工程を示す断面図である。
【図１２】図１１の半導体基板に環状溝を形成する工程を示す断面図である。
【図１３】図１２の半導体基板に凸状部を形成する工程を示す断面図である。
【図１４】図１３の半導体基板に凹面反射部を形成する工程を示す断面図である。
【図１５】部分球面で近似された回転放物面状の凹面反射部を有する半導体受光素子を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】  以下、本発明を実施するための形態について実施例に基づいて説明する。
【実施例】
【００１８】  最初に、半導体受光素子１の全体構成について説明する。  図１、図２に示すように、半導体受光素子１は、半導体基板２と、半導体基板２の主面３の近傍部に配設された受光部４と、半導体基板２の主面３に対向する裏面５に配設された凹面反射部６と、受光部４に接続するｐ電極７と、半導体基板２の裏面５に接続するｎ電極８を有する。この半導体基板２はｎ−ＩｎＰ基板であって波長が１μｍより長い赤外光に対して透明であり、半導体基板２に入射した１μｍより長波長の赤外光は、半導体基板２内を進行する。尚、半導体基板２は半導体受光素子１の用途等に応じてＳｉ基板等、適宜基板材料を選択可能である。【００１９】  半導体基板２の主面３には例えば厚さ５μｍの第１のｎ−ＩｎＰ層１１が一様に形成され、第１のｎ−ＩｎＰ層１１上に受光部４が設けられている。受光部４は、第１のｎ−ＩｎＰ層１１側から順に、例えば厚さ１μｍのＩｎＧａＡｓ層からなる光吸収領域１２と厚さ２μｍのｐ型拡散領域１３を有して、１０ＧＨｚ程度の高速応答が求められる場合には直径４０μｍの円柱状のｐｉｎフォトダイオードを形成している。光吸収領域１２には、ｐ型拡散領域１３側から及び第１のｎ−ＩｎＰ層１１側から光が入射し、入射光が吸収されて電荷を生成する。ｐ電極７はｐ型拡散領域１３に接続され、第１のｎ−ＩｎＰ層１１の表面と受光部４のｐ電極７以外の部分は、入射光の反射を防ぐ反射防止膜１４（例えば膜厚１００ｎｍのシリコン窒化膜）により覆われている。【００２０】  半導体基板２の裏面５には、主面３と反対側に凸状であって部分球面状の例えば幅（外径）３００μｍの凹面反射部６が配設され、ｎ電極８以外の部分が誘電体膜１５（例えば膜厚１００ｎｍのシリコン酸化膜）に覆われている。凹面反射部６は、凹面反射部６の頂点（主面３と反対側に最も突出した点）が円柱状の受光部４の軸心Ｚに一致するように配設され、受光部４の光吸収領域１２と同心状に例えば直径２００μｍの受光部４より大きい入射領域１６が設定されている。凹面反射部６には、半導体基板２側から順に、誘電体膜１５と金属膜１７（例えば膜厚１０ｎｍのクロム膜と膜厚４０ｎｍの金膜の積層膜）が成膜され、主面３側からの入射光に対して高い反射率を有する反射膜が形成されている。【００２１】  図３は、反射膜を構成するシリコン酸化膜とクロム膜と金膜の膜厚を変えたときの反射率の演算結果を、同じ反射率となる点をつなげて等高線状に示している。反射率の演算は、半導体基板２から反射膜に垂直入射する想定で行い、半導体基板２とシリコン酸化膜の屈折率を夫々３．２２４と１．４５、クロム膜と金膜の複素屈折率を夫々３．６−ｊ３．６と０．５５−ｊ１１．５（ｊは虚数単位）としている。クロム膜はシリコン酸化膜と金膜の密着層として機能する。反射率９０％を超える高い反射率を得るためには、シリコン酸化膜の膜厚にもよるが、シリコン酸化膜の膜厚が１００ｎｍの場合にはクロム膜の膜厚が１０ｎｍ程度、金膜の膜厚が４０ｎｍ程度あれば十分であることが分かる。【００２２】  凹面反射部６は、受光部４側から軸心Ｚに平行に入射領域１６に入射して凹面反射部６に到達した入射光を光吸収領域１２に向けて反射可能なように曲率半径Ｒが設定��れている。図４に示すように、例えば平面視円形の光吸収領域１２の直径Ｐが４０μｍ、光吸収領域１２と凹面反射部６の頂点の距離Ｗが１５０μｍ、凹面反射部６の外径Ｄが３００μｍ、入射領域１６の直径Ｂが２００μｍの場合には、曲率半径Ｒを３７５μｍ以下に設定することにより、受光部４側から受光部４の軸心Ｚに平行に入射領域１６に入射した入射光を凹面反射部６で反射して光吸収領域１２に効率よく導くことができる。曲率半径Ｒをこれより大きくすると、入射領域１６の外周側部分に入射する入射光が光吸収領域１２より径方向外側を通るように反射されて光吸収領域１２に入射せず、結合効率が低下する。ここで結合効率とは、入射光のうち光吸収領域１２に入射する光の割合である。【００２３】  一方、曲率半径Ｒを小さくしていくと、入射領域１６に入射した入射光が凹面反射部６により光吸収領域１２の中央部分に集光されるようになり、やがて光吸収領域１２の中央部分に焦点を結ぶようになる。光吸収領域１２の中央部分に集光し過ぎると、入射光によって生成された電荷が光吸収領域１２の中央部分に過剰に集中し、この電荷集中による空間電荷効果のため電荷の移動が制限されて半導体受光素子１の応答速度の高速化が阻害される。これら結合効率の低下及び空間電荷効果を回避するため、曲率半径Ｒを下記の条件式（１）を満たすように設定する。  ２ＢＷ／（Ｂ−Ｐ／２）≦Ｒ≦２ＢＷ／（Ｂ−Ｐ）…（１）【００２４】  ここで、曲率半径Ｒの条件式（１）について説明する。  図５に示すように、凹面反射部６を曲率半径Ｒの円弧Ａで表し、凹面反射部６の頂点をＴ、曲率半径Ｒの円弧Ａの中心をＣ、軸心Ｚに平行に直径Ｂの入射領域１６の最外周部分に入射した光線ｉと円弧Ａの交点をＩとする。線分ＣＩに対して入射角と反射角が等しくなるように光線ｉが反射された反射光線ｒは、線分ＣＴ上にある曲率半径Ｒの凹面反射部６の焦点Ｆに至る。頂点Ｔと焦点Ｆの距離（焦点距離）はＲ／２に近似される。また、簡単化のため、円弧Ａの頂点Ｔにおける接線と光線ｉの延長線との交点をＩ’として、線分ＦＴ、反射光線ｒ、弧ＴＩからなる図形を三角形ＦＴＩ’で近似する。【００２５】  直径Ｐの光吸収領域１２が頂点Ｔから距離Ｗの位置にあるときに、反射光線ｒが光吸収領域１２の最外周部分に入射する場合を曲率半径Ｒの上限に設定する。この場合、反射光線ｒを近似する線分ＦＩ’と光吸収領域１２が交差する交点をＸ、交点Ｘから線分ＴＩ’に対して引いた垂線と線分ＴＩ’の交点をＴ’とすると、三角形ＦＴＩ’と三角形ＸＴ’Ｉ’が相似であることを利用して、条件式（１）の上限の曲率半径Ｒ＝２ＢＷ／（Ｂ−Ｐ）が導かれる。光吸収領域１２の直径Ｐが４０μｍ、光吸収領域１２と凹面反射部６の頂点の距離Ｗが１５０μｍ、入射領域１６の直径Ｂが２００μｍの場合に上限の曲率半径Ｒが３７５μｍとなる。【００２６】  図６に示すように、図４の半導体受光素子１において凹面反射部６の曲率半径Ｒを３３０μｍにしたとき、凹面反射部６で反射された入射光を光吸収領域１２の中央部分が受光し、この中央部分に生成した電荷の集中によって空間電荷効果が無視できなくなる。このとき、直径Ｂの入射領域１６の最外周部分に入射する光線ｉが光吸収領域１２の最外周から中心側にＰ／４ずれた位置に入射する。この場合を曲率半径Ｒの下限に設定して図５と同様に三角形の相似関係を利用すると、条件式（１）の下限の曲率半径Ｒ＝２ＢＷ／（Ｂ−Ｐ／２）が導かれる。光吸収領域１２の直径Ｐが４０μｍ、光吸収領域１２と凹面反射部６の頂点の距離Ｗが１５０μｍ、入射領域１６の直径Ｂが２００μｍの場合に下限の曲率半径Ｒが３３３μｍとなる。このように設定された条件式（１）を満たすように曲率半径Ｒを設定して入射光を効率よく光吸収領域１２に導入して半導体受光素子１の応答速度の高速化と感度向上を両立することができる。【００２７】  ここまでは大きいビーム径の平行光線状の入射光が半導体受光素子１に入射する場合を説明したが、光通信の光ファイバ中を伝わる光のビーム径は小さく絞られており、光ファイバの出力端から出射する光は、１４°程度の頂角を有する円錐状に広がり、半導体基板２内でも屈折の法則に従ってその角度が小さくなるが円錐状に広がる。この円錐状の入射光が受光部４に直接入射するように、光ファイバの出力端の位置を調整する必要があるが、この調整は容易ではない。【００２８】  この場合においても、図７に示すように光吸収領域１２の直径Ｐを例えば４０μｍとして、条件式（１）を満たす曲率半径Ｒの凹面反射部６を備えた半導体受光素子１であれば、円錐状の入射光を凹面反射部６で反射して光吸収領域１２に導くことができる。例えば光ファイバからの出射光の頂角が１４°の場合に、出射位置Ｏから受光部４の軸心Ｚまでの距離Ｍと結合効率の関係を図８に示す。凹面反射部６が無い場合には、線Ｌ０で示すように出射位置Ｏが軸心Ｚから１５μｍ程度ずれると結合効率が急激に低下する。結合効率が５０％に低下する位置ずれの全幅（ＦＷＨＭ：Full Width at Half Maximum）は４０μｍ程度であり、この範囲内に出射位置Ｏを調整する必要がある。凹面反射部６の反射がある場合は、例えば曲率半径Ｒが３６０μｍのときにＦＷＨＭが１８０μｍ程度になり、許容可能な入射位置ずれが拡大されて実効的な受光面積が大きくなる。【００２９】  更なる応答速度の高速化のため、光吸収領域１２の直径Ｐを１０μｍとし、Ｗ＝１５０μｍ、Ｂ＝２００μｍの場合に条件式（１）は３０８μｍ≦Ｒ≦３１５μｍと計算され、これを満たす曲率半径Ｒの凹面反射部６を備えた半導体受光素子１は、図９に示すように１２０μｍ以上のＦＷＨＭを確保でき、許容可能な入射位置ずれが拡大されて実効的な受光面積が大きくなる。【００３０】  次に、半導体受光素子１の形成方法について説明する。  図１０に示すように、清浄な半導体基板２の主面３上に、順に第１のｎ−ＩｎＰ層１１、ＩｎＧａＡｓ層２２、第２のｎ−ＩｎＰ層２３を気相成長法等により成膜する。そして、第２のｎ−ＩｎＰ層２３の所定の領域以外を覆う図示外の拡散マスク（例えばシリコン窒化膜）を形成し、選択拡散法により所定の領域に例えばＺｎを拡散させたｐ型拡散領域１３を形成する。【００３１】  次に、図１１に示すように、ｐ型拡散領域１３を含む所定の部分を残して第１のｎ−ＩｎＰ層１１が露出するように、選択エッチング法により第２のｎ−ＩｎＰ層２３、ＩｎＧａＡｓ層２２を除去して光吸収領域１２を備えた受光部４を形成する。例えば、図示を省略するが、ｐ型拡散領域１３を覆うエッチングマスク（例えばフォトレジスト又はシリコン窒化膜等の誘電体膜）を第２のｎ−ＩｎＰ層２３上に形成し、第１のｎ−ＩｎＰ層１１が露出するようエッチングする。このとき、第１のｎ−ＩｎＰ層１１も上面側がエッチングされて薄くなる。化学エッチングの場合、通常用いられるエッチング液は臭化水素（ＨＢr）とメタノールの混合液であるが、これに限定されるものではなく公知のエッチング液を使用できる。ドライエッチングにより受光部４を形成してもよい。図示を省略するが、エッチングマスクを除去後、以降の工程で受光部４が形成された主面３側を保護するために、フォトレジスト膜等を厚く（例えば厚さ１５μｍ程度）堆積しておく。【００３２】  次に、図１２に示すように、受光部４が形成された半導体基板２の裏面５に、選択エッチング法により平面視略円形の環状溝２６を形成する。例えばエッチングマスクとして裏面５に成膜したシリコン窒化膜２４に、半導体基板２の裏面５が露出する幅２０μｍの開口部２５を平面視円形に形成する。そして、上記のエッチング液により開口部２５から露出した半導体基板２の裏面５をエッチングする。こうして裏面５に例えば外径３００μｍ、深さ５μｍの環状溝２６を形成する。【００３３】  次に、エッチングマスクを除去後、図１３に示すように、上記のエッチング液により半導体基板２の裏面５を適当な時間全面エッチングして、凹面反射部６を構成する曲率半径Ｒの部分球面状の曲面部２７を形成する。環状溝２６の開口部近傍は、環状溝２６内及び半導体基板２の裏面５側の２方向からエッチングが進行するため、１方向からエッチングが進行する裏面５の平坦な領域と比べてエッチングが促進される。そのため、環状溝２６の内側領域には、部分球面状の曲面部２７が形成される。環状溝２６の外側も環状溝２６の開口部近傍ではエッチングが促進されるので、環状溝２６から平坦な領域に滑らかに連なるように曲面が形成される。【００３４】  次に、主面３側を保護するフォトレジスト膜を除去し、図１４に示すようにシリコン窒化膜等からなる反射防止膜１４をプラズマＣＶＤ法等により成膜する。そして、半導体基板２の裏面５に反射膜としてプラズマＣＶＤ法等により誘電体膜１５と真空蒸着法等により金属膜１７を成膜した後、曲面部２７の金属膜１７を残し、これ以外の領域の金属膜１７を選択エッチング法等により除去して凹面反射部６を形成する。金属膜１７は、例えば誘電体膜１５との密着性を高めるクロム膜と金膜の積層膜である。【００３５】  次に、図示を省略するが、受光部４の上面を覆う反射防止膜１４の一部を除去してｐ電極７を形成し、半導体基板２の裏面５の誘電体膜１５の一部を除去してｎ電極８を形成し、所定の大きさにダイシングして図１、図２に示す半導体受光素子１を得る。【００３６】  実施例に係る半導体受光素子１の作用、効果について説明する。  図４に示すように、平行光線からなる入射光が半導体受光素子１の受光部４が形成された主面３側から受光部４の軸心Ｚに平行に直径Ｂの入射領域１６に入射すると、入射光の一部は受光部４の上面から直径Ｐの光吸収領域１２に入射する。受光部４の上面から光吸収領域１２に入射しなかった入射光は、部分球面状の凹面反射部６で光吸収領域１２に向かって集光するように反射される。上記条件式（１）を満たすように凹面反射部６の曲率半径Ｒを設定したので、凹面反射部６で反射された入射光は光吸収領域１２に効率よく入射可能であり、過度の集光を抑えて光吸収領域１２における空間電荷効果を抑えることが可能である。それ故、光吸収領域１２を入射領域１６より小さくして応答速度を高速化可能であると共に、入射領域１６の面積に相当する実効的な受光面積を確保して感度向上が可能である。その上、光吸収領域１２より大きい受光面積を確保したので、光吸収領域１２を小さくしても入射光の入射位置ずれによる感度低下を抑えることができる。【００３７】  凹面反射部６は、図１５のように放物線Ｐを回転させた回転放物面状に形成されていてもよく、条件式（１）を満たすようにこの回転放物面を近似する部分球面の曲率半径Ｒを設定した半導体受光素子１Ａにおいても、上記実施例の半導体受光素子１と同様の作用、効果を有する。尚、回転放物面はエッチング液を用いて形成することが困難なので、ドライエッチング等によって形成することが好ましい。【００３８】  その他、当業者であれば、本発明の趣旨を逸脱することなく、前記実施形態に種々の変更を付加した形態で実施可能であり、本発明はそのような変更形態も包含するものである。
【符号の説明】
【００３９】１，１Ａ    ：半導体受光素子２          ：半導体基板３          ：主面４          ：受光部５          ：裏面６          ：凹面反射部１２        ：光吸収領域１６        ：入射領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2019150533.tif 000007
【図６】
2019150533.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【手続補正書】
【提出日】平成31年4月26日(2019.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光に対して透明な半導体基板の主面近傍部に形成された光吸収領域と、前記光吸収領域と同心状に前記光吸収領域より大きく設定された入射領域と、前記半導体基板の主面に対向する裏面に前記半導体基板の主面側から前記入射領域に入射した入射光を前記光吸収領域に向けて反射可能な部分球面状の凹面反射部を備えた半導体受光素子において、
前記凹面反射部の曲率半径をＲ、前記入射領域の直径をＢ、前記半導体基板内における前記光吸収領域と前記凹面反射部との距離をＷ、前記光吸収領域の直径をＰとすると、結合効率の低下を回避するために、
Ｒ≦２ＢＷ／（Ｂ−Ｐ）
の条件を満たすと共に、空間電荷効果を回避するために、
Ｒ≧２ＢＷ／（Ｂ−Ｐ／２）
の条件を満たすように前記曲率半径Ｒの範囲を設定したことを特徴とする半導体受光素子。
【請求項２】
入射光に対して透明な半導体基板の主面近傍部に形成された光吸収領域と、前記光吸収領域と同心状に前記光吸収領域より大きく設定された入射領域と、前記半導体基板の主面に対向する裏面に前記半導体基板の主面側から前記入射領域に入射した入射光を前記光吸収領域に向けて反射可能な回転放物面状の凹面反射部を備えた半導体受光素子において、
前記凹面反射部の回転放物面を近似する部分球面の曲率半径をＲ、前記入射領域の直径をＢ、前記半導体基板内における前記光吸収領域と前記凹面反射部との距離をＷ、前記光吸収領域の直径をＰとすると、結合効率の低下を回避するために、
Ｒ≦２ＢＷ／（Ｂ−Ｐ）
の条件を満たすと共に、空間電荷効果を回避するために、
Ｒ≧２ＢＷ／（Ｂ−Ｐ／２）
の条件を満たすように前記曲率半径Ｒの範囲を設定したことを特徴とする半導体受光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
加工する必要があり、この加工を光吸収領域に影響がないように行うことが容易ではない。さらに、レンズが光吸収領域に焦点を結ぶように集光して焦点近傍に電荷が集中的に生成され、電荷の過剰な集中により電荷の移動が制限される空間電荷効果によって応答速度の高速化が阻害される虞がある。
［００１０］
本発明の目的は、応答速度の高速化と感度向上を両立可能な半導体受光素子を提供することである。
課題を解決するための手段
［００１１］
請求項１の発明は、入射光に対して透明な半導体基板の主面近傍部に形成された光吸収領域と、前記光吸収領域と同心状に前記光吸収領域より大きく設定された入射領域と、前記半導体基板の主面に対向する裏面に前記半導体基板の主面側から前記入射領域に入射した入射光を前記光吸収領域に向けて反射可能な部分球面状の凹面反射部を備えた半導体受光素子において、前記凹面反射部の曲率半径をＲ、前記入射領域の直径をＢ、前記半導体基板内における前記光吸収領域と前記凹面反射部との距離をＷ、前記光吸収領域の直径をＰとすると、結合効率の低下を回避するために、Ｒ≦２ＢＷ／（Ｂ−Ｐ）の条件を満たすと共に、空間電荷効果を回避するために、Ｒ≧２ＢＷ／（Ｂ−Ｐ／２）の条件を満たすように前記曲率半径Ｒの範囲を設定したことを特徴としている。
［００１２］
上記構成によれば、半導体受光素子の半導体基板の主面側から入射領域に入射した入射光のうち光吸収領域に入射しなかった入射光を、部分球面状の凹面反射部が光吸収領域に向けて集光するように反射する。そして、入射領域に入射した入射光を効率よく光吸収領域に導入可能、且つ凹面反射部で反射された入射光の過度の集光を抑えて光吸収領域に導入可能なように凹面反射部の曲率半径Ｒの範囲を設定している。従って、光吸収領域を入射領域より小さくし、空間電荷効果を抑えて半導体受光素子の応答速度の高速化が可能であると共に、入射領域の面積に相当する受光面積を確保して感度向上が可能である。その上、光吸収領域より大きい受光面積を確保したので、小さい光吸収領域であっても入射光の入射位置ずれによる感度低下を抑えることができる
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
。
［００１３］
請求項２の発明は、入射光に対して透明な半導体基板の主面近傍部に形成された光吸収領域と、前記光吸収領域と同心状に前記光吸収領域より大きく設定された入射領域と、前記半導体基板の主面に対向する裏面に前記半導体基板の主面側から前記入射領域に入射した入射光を前記光吸収領域に向けて反射可能な回転放物面状の凹面反射部を備えた半導体受光素子において、前記凹面反射部の回転放物面を近似する部分球面の曲率半径をＲ、前記入射領域の直径をＢ、前記半導体基板内における前記光吸収領域と前記凹面反射部との距離をＷ、前記光吸収領域の直径をＰとすると、結合効率の低下を回避するために、Ｒ≦２ＢＷ／（Ｂ−Ｐ）の条件を満たすと共に、空間電荷効果を回避するために、Ｒ≧２ＢＷ／（Ｂ−Ｐ／２）の条件を満たすように前記曲率半径Ｒの範囲を設定したことを特徴としている。
［００１４］
上記構成によれば、半導体受光素子の半導体基板の主面側から入射領域に入射した入射光のうち光吸収領域に入射しなかった入射光を、回転放物面状の凹面反射部が光吸収領域に向けて集光するように反射する。そして、入射領域に入射した入射光を効率よく光吸収領域に導入可能、且つ凹面反射部で反射された入射光の過度の集光を抑えて光吸収領域に導入可能なように凹面反射部の曲率半径Ｒの範囲を設定している。従って、光吸収領域を入射領域より小さくし、空間電荷効果を抑えて半導体受光素子の応答速度の高速化が可能であると共に、入射領域の面積に相当する受光面積を確保して感度向上が可能である。その上、光吸収領域より大きい受光面積を確保したので、小さい光吸収領域であっても入射光の入射位置ずれによる感度低下を抑えることができる。
発明の効果
［００１５］
本発明の半導体受光素子によれば、応答速度の高速化と感度向上を両立可能である。
図面の簡単な説明
［００１６］
［図１］本発明の実施例に係る半導体受光素子の平面図である。
［図２］図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
［図３］凹面反射部の反射膜の反射率について膜厚依存性を示す図である。
【国際調査報告】
2019150533.tif 000018
2019150533.tif 000019
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