(57)【要約】  特性劣化を抑制しつつ小型化を図る。弾性波装置（１）は、第１音響インピーダンス層（３１）及び第２音響インピーダンス層（３２，３３）と、ＩＤＴ電極（５）と、電極（６１，６２）とを有する。ＩＤＴ電極（５）の少なくとも一部は、第１音響インピーダンス層（３１）と重複する。電極（６１，６２）の少なくとも一部は、第２音響インピーダンス層（３２，３３）と重複する。第１音響インピーダンス層（３１）及び第２音響インピーダンス層（３２，３３）の各々において、高音響インピーダンス層又は低音響インピーダンス層が導電層である。第２音響インピーダンス層（３２，３３）の導電層と電極（６１，６２）とによって、キャパシタ（７１，７２）が形成されている。第１音響インピーダンス層（３１）のおける導電層は、第２音響インピーダンス層（３２，３３）における導電層と電気的に絶縁している。
2019065669.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成されている第１音響インピーダンス層及び第２音響インピーダンス層と、
前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層上に形成されている圧電体層と、
前記圧電体層上に形成されており、前記圧電体層の厚さ方向からの平面視において、少なくとも一部が前記第１音響インピーダンス層と重複するＩＤＴ電極と、
前記圧電体層上に形成されており、前記厚さ方向からの平面視において、少なくとも一部が前記第２音響インピーダンス層と重複する少なくとも１つの電極と、を備え、
前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層の各々は、
少なくとも１層の高音響インピーダンス層と、
前記高音響インピーダンス層よりも音響インピーダンスが低い少なくとも１層の低音響インピーダンス層と、を有し、
前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層の各々において、前記高音響インピーダンス層又は前記低音響インピーダンス層が導電層であり、
前記第２音響インピーダンス層における前記導電層と前記電極とによって、キャパシタが形成されており、
前記第１音響インピーダンス層における前記導電層は、前記第２音響インピーダンス層における前記導電層と電気的に絶縁している、
弾性波装置。
【請求項２】
前記第１音響インピーダンス層の前記高音響インピーダンス層が複数設けられており、
前記第１音響インピーダンス層の前記低音響インピーダンス層が複数設けられており、
前記第１音響インピーダンス層の前記複数の高音響インピーダンス層と前記第１音響インピーダンス層の前記複数の低音響インピーダンス層とが前記厚さ方向において一層ごとに交互に並んでいる、
請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記第２音響インピーダンス層の前記高音響インピーダンス層が複数設けられており、
前記第２音響インピーダンス層の前記低音響インピーダンス層が複数設けられており、
前記第２音響インピーダンス層の前記複数の高音響インピーダンス層と前記第２音響インピーダンス層の前記複数の低音響インピーダンス層とが前記厚さ方向において一層ごとに交互に並んでいる、
請求項１又は２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記第１音響インピーダンス層は、前記高音響インピーダンス層として、前記導電層を含み、
前記第２音響インピーダンス層は、前記高音響インピーダンス層として、前記導電層を含む、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記電極を複数備え、
前記第２音響インピーダンス層は、前記複数の電極と一対一に対応して複数設けられており、
前記複数の第２音響インピーダンス層に含まれる複数の導電層のうちの少なくとも２つは、互いに電気的に接続されている、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記複数の第２音響インピーダンス層の前記複数の導電層のうちの前記少なくとも２つの間に、インダクタを構成する導電層が設けられている、
請求項５に記載の弾性波装置。
【請求項７】
前記複数の第２音響インピーダンス層の前記複数の導電層は、同じ材料で形成されている、
請求項５又は６に記載の弾性波装置。
【請求項８】
前記第１音響インピーダンス層の前記導電層は、前記第２音響インピーダンス層の前記導電層と同じ材料で形成されている、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項９】
前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチにより定まる弾性波の波長をλとしたときに、前記圧電体層の厚さが、１λ以下である、
請求項１〜８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項１０】
前記弾性波が板波である、
請求項９に記載の弾性波装置。
【請求項１１】
入力端子と出力端子とを結ぶ第１経路上に設けられた直列腕回路と、
前記第１経路上のノードとグランドとを結ぶ第２経路上に設けられた並列腕回路と、を備え、
前記直列腕回路は、複数の直列腕共振子を有し、
前記並列腕回路は、並列腕共振子を有し、
前記複数の直列腕共振子及び前記並列腕共振子のうち少なくとも１つの共振子は、
前記圧電体層及び前記ＩＤＴ電極を含む、
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項１２】
前記圧電体層及び前記ＩＤＴ電極を含む前記共振子は、前記複数の直列腕共振子のうち前記第１経路上において前記出力端子に最も近くに接続されている直列腕共振子であり、
前記キャパシタは、前記第１経路上において、前記出力端子と前記第１経路上において前記出力端子に最も近くに接続されている前記直列腕共振子との間に設けられている、
請求項１１に記載の弾性波装置。
【請求項１３】
基板及び圧電体層を準備する工程と、
前記基板と前記圧電体層との間に、少なくとも１層の導電層を含む第１音響インピーダンス層と、少なくとも１層の導電層を含む第２音響インピーダンス層とを形成する工程と、
前記圧電体層上であって、前記基板の厚さ方向からの平面視において、少なくとも一部が前記第１音響インピーダンス層と重複するＩＤＴ電極を形成し、少なくとも一部が前記第２音響インピーダンス層と重複する少なくとも１つの電極を形成する工程と、を有し、
前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層を形成する工程では、
高音響インピーダンス層を形成する工程と、
前記高音響インピーダンス層よりも音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層を形成する工程と、
を少なくとも１回ずつ繰り返し、
互いに電気的に絶縁するように、前記第１音響インピーダンス層における前記導電層と、前記第２音響インピーダンス層における前記導電層とを形成し、
前記電極を形成する工程では、前記第２音響インピーダンス層における前記導電層と前記電極とによって、キャパシタを形成する、
弾性波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、弾性波装置及び弾性波装置の製造方法に関し、特に、共振子又はフィルタに用いられる弾性波装置、及び弾性波装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、音響反射層（音響インピーダンス層）を用いた弾性波装置が知られている（例えば特許文献１参照）。【０００３】
特許文献１に記載された弾性波装置は、圧電体層を有する。圧電体層の第２の主面上には、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極が設けられている。また、圧電体層の第１の主面側には、音響反射層が積層されている。補強基板上には、支持層が積層されている。この支持層において、上面に向かって開いた凹部が設けられている。この凹部内に、音響反射層が充填されている。音響反射層は、平面視した場合、ＩＤＴ電極と重なる位置に設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１６／１４７６８８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１に記載された従来の弾性波装置と共にキャパシタを用いる場合、ディスクリート素子であるキャパシタを用いたり、基板表面上（圧電体層の第２の主面上）にキャパシタを形成したりすると、大型になるという問題があった。【０００６】
上記問題を解決するために、発明者は、キャパシタを弾性波装置と一体に形成することを試みた。【０００７】
しかしながら、キャパシタを弾性波装置と一体に形成する場合、上記キャパシタの影響により、不要な容量成分が弾性波装置のＩＤＴ電極に影響するという問題があった。これにより、弾性波装置の特性が劣化してしまうことになる。【０００８】
本発明は上記の点に鑑みてなされた発明であり、本発明の目的は、特性劣化を抑制しつつ小型化を図ることができる弾性波装置及び弾性波装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様に係る弾性波装置は、基板と、第１音響インピーダンス層及び第２音響インピーダンス層と、圧電体層と、ＩＤＴ電極と、少なくとも１つの電極とを備える。前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層は、前記基板上に形成されている。前記圧電体層は、前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層上に形成されている。前記ＩＤＴ電極は、前記圧電体層上に形成されている。前記ＩＤＴ電極の少なくとも一部は、前記圧電体層の厚さ方向からの平面視において、前記第１音響インピーダンス層と重複する。前記電極は、前記圧電体層上に形成されている。前記電極の少なくとも一部は、前記厚さ方向からの平面視において、前記第２音響インピーダンス層と重複する。前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層の各々は、少なくとも１層の高音響インピーダンス層と、少なくとも１層の第１低音響インピーダンス層と、を有する。前記低音響インピーダンス層は、前記高音響インピーダンス層よりも音響インピーダンスが低い。前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層の各々において、前記高音響インピーダンス層又は前記低音響インピーダンス層が導電層である。前記第２音響インピーダンス層における前記導電層と前記電極とによって、キャパシタが形成されている。前記第１音響インピーダンス層における前記導電層は、前記第２音響インピーダンス層における前記導電層と電気的に絶縁している。【００１０】
本発明の一態様に係る弾性波装置の製造方法は、基板及び圧電体層を準備する工程を有する。前記弾性波装置の製造方法は、前記基板と前記圧電体層との間に、第１音響インピーダンス層と、第２音響インピーダンス層とを形成する工程を有する。前記第１音響インピーダンス層は、少なくとも１層の導電層を含む。前記第２音響インピーダンス層は、少なくとも１層の導電層を含む。前記弾性波装置の製造方法は、ＩＤＴ電極を形成し、少なくとも１つの電極を形成する工程を有する。この工程では、前記圧電体層上であって、前記基板の厚さ方向からの平面視において、少なくとも一部が前記第１音響インピーダンス層と重複する前記ＩＤＴ電極を形成する。前記圧電体層上であって、前記基板の厚さ方向からの平面視において、少なくとも一部が前記第２音響インピーダンス層と重複する少なくとも１つの電極を形成する。前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層を形成する工程では、高音響インピーダンス層を形成する工程と、低音響インピーダンス層を形成する工程と、を少なくとも１回ずつ繰り返す。前記低音響インピーダンス層は、前記高音響インピーダンス層よりも音響インピーダンスが低い。前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層を形成する工程では、互いに電気的に絶縁するように、前記第１音響インピーダンス層における前記導電層と、前記第２音響インピーダンス層における前記導電層とを形成する。前記電極を形成する工程では、前記第２音響インピーダンス層における前記導電層と前記電極とによって、キャパシタを形成する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の上記態様に係る弾性波装置及び弾性波装置の製造方法によれば、弾性波装置について特性劣化を抑制しつつ小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本発明の実施形態１に係る弾性波装置の断面図である。
【図２】図２は、同上の弾性波装置の正面図である。
【図３】図３は、本発明の実施形態１に係るラダー型フィルタの回路図である。
【図４】図４Ａ〜図４Ｇは、同上の弾性波装置の製造工程を示す工程図である。
【図５】図５Ａ〜図５Ｄは、同上の弾性波装置の製造工程を示す工程図である。
【図６】図６は、本発明の実施形態２に係る弾性波装置の正面図である。
【図７】図７は、同上の弾性波装置の断面図である。
【図８】図８は、本発明の実施形態２に係るラダー型フィルタの回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、実施形態１，２に係る弾性波装置１，１ａ及びラダー型フィルタ９，９ａについて、図面を参照して説明する。なお、明細書及び図面に記載された構成要素について、明細書及び図面に記載された大きさ及び厚さ、並びにそれらの寸法関係は例示であり、これらの構成要素は、明細書及び図面に記載された例示には限定されない。また、図１は、図２のＸ１−Ｘ１線断面図である。図７は、図６のＸ２−Ｘ２線断面図である。
【００１４】
（実施形態１）
（１）弾性波装置の全体構成
実施形態１に係る弾性波装置１は、図１及び図２に示すように、基板２と、中間層３と、圧電体層４と、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極５と、複数（図示例では２つ）の電極６１，６２とを備える。弾性波装置１は、板波を利用した弾性波装置である。
【００１５】
中間層３は、第１音響インピーダンス層３１と、複数の第２音響インピーダンス層３２，３３とを有する。第１音響インピーダンス層３１は、複数の第１高音響インピーダンス層３１１，３１３と複数の第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５との積層構造を有し、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）においてＩＤＴ電極５と対向する。第２音響インピーダンス層３２は、複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３と複数の第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５との積層構造を有し、基板２の厚さ方向において電極６１と対向する。第２音響インピーダンス層３３は、複数の第２高音響インピーダンス層３３１，３３３と複数の第２低音響インピーダンス層３３２，３３４，３３５との積層構造を有し、基板２の厚さ方向において電極６２と対向する。
【００１６】
このような弾性波装置１において、複数の第１高音響インピーダンス層３１１，３１３は、導電性を有する第１導電層であり、複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３は、導電性を有する第２導電層である。
【００１７】
そして、弾性波装置１では、上記第２導電層と電極６１，６２とを一対の電極とするキャパシタ７１，７２が形成されており、上記第１導電層は、上記第２導電層と電気的に絶縁している。
【００１８】
実施形態１に係る弾性波装置は、例えば、ラダー型フィルタ９（図３参照）のようなフィルタであってもよい。
【００１９】
（２）弾性波装置の各構成要素
次に、実施形態１に係る弾性波装置の各構成要素について、図面を参照して説明する。
【００２０】
（２．１）基板
基板２は、中間層３及び圧電体層４を支持する支持基板である。より詳細には、基板２は、平板状に形成されており、主面を有する。基板２は、例えばＳｉによって形成されている。なお、基板２は、Ｓｉには限定されず、ＬｉＮｂＯ３若しくはＬｉＴａＯ３のようなセラミック、水晶、又はガラス等によって形成されてもよい。第１音響インピーダンス層３１は、ＩＤＴ電極５で励振された弾性波が基板２に漏洩するのを抑制する機能を有する。
【００２１】
（２．２）第１音響インピーダンス層及び第２音響インピーダンス層
中間層３は、第１音響インピーダンス層３１と、複数（図示例では２つ）の第２音響インピーダンス層３２，３３と、絶縁層３４とを有する。中間層３は、基板２と圧電体層４との間に介在する層である。中間層３は、基板２上に形成されている。
【００２２】
第１音響インピーダンス層３１は、複数（図示例では２層）の第１高音響インピーダンス層３１１，３１３と、複数（図示例では３層）の第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５とを含む。第１音響インピーダンス層３１では、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において、第１低音響インピーダンス層３１５、第１高音響インピーダンス層３１１、第１低音響インピーダンス層３１２、第１高音響インピーダンス層３１３、第１低音響インピーダンス層３１４が、基板２側からこの順に積層されている。
【００２３】
第１高音響インピーダンス層３１１，３１３は、音響インピーダンスが相対的に高い層である。第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５は、音響インピーダンスが相対的に低い層である。つまり、第１高音響インピーダンス層３１１，３１３は、第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５よりも音響インピーダンスが高い。
【００２４】
第２音響インピーダンス層３２は、第１音響インピーダンス層３１と同様、複数（図示例では２層）の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３と、複数（図示例では３層）の第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５とを含む。第２音響インピーダンス層３２では、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において、第２低音響インピーダンス層３２５、第２高音響インピーダンス層３２１、第２低音響インピーダンス層３２２、第２高音響インピーダンス層３２３、第２低音響インピーダンス層３２４が、基板２側からこの順に積層されている。
【００２５】
第２高音響インピーダンス層３２１，３２３は、音響インピーダンスが相対的に高い層である。第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５は、音響インピーダンスが相対的に低い層である。つまり、第２高音響インピーダンス層３２１，３２３は、第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５よりも音響インピーダンスが高い。言い換えると、第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５は、第２高音響インピーダンス層３２１，３２３よりも音響インピーダンスが低い。
【００２６】
第２音響インピーダンス層３３は、第２音響インピーダンス層３２と同様、複数（図示例では２層）の第２高音響インピーダンス層３３１，３３３と、複数（図示例では３層）の第２低音響インピーダンス層３３２，３３４，３３５とを含む。第２音響インピーダンス層３３では、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において、第２低音響インピーダンス層３３５、第２高音響インピーダンス層３３１、第２低音響インピーダンス層３３２、第２高音響インピーダンス層３３３、第２低音響インピーダンス層３３４が、基板２側からこの順に積層されている。
【００２７】
第２高音響インピーダンス層３３１，３３３は、音響インピーダンスが相対的に高い層である。第２低音響インピーダンス層３３２，３３４，３３５は、音響インピーダンスが相対的に低い層である。つまり、第２高音響インピーダンス層３３１，３３３は、第２低音響インピーダンス層３３２，３３４，３３５よりも音響インピーダンスが高い。言い換えると、第２低音響インピーダンス層３３２，３３４，３３５は、第２高音響インピーダンス層３３１，３３３よりも音響インピーダンスが低い。
【００２８】
絶縁層３４は、第１方向Ｄ１と直交する第２方向Ｄ２において、第１音響インピーダンス層３１と第２音響インピーダンス層３２との間に設けられている。絶縁層３４は、ＳｉＯ２のような電気絶縁性を有する材料によって形成されている。
【００２９】
（２．３）圧電体層
圧電体層４は、中間層３上に形成されている。より詳細には、圧電体層４は、ＬｉＮｂＯ３のような圧電材料によって中間層３上に形成されている。圧電体層４は、ＬｉＮｂＯ３に限定されず、ＬｉＴａＯ３等、他の圧電材料によって形成されてもよい。
【００３０】
圧電体層４の厚さは、図２に示すように、ＩＤＴ電極５の後述の電極指ピッチＰ１で定まる弾性波の波長よりも小さい。圧電体層４の厚さは例えば３４０ｎｍである。
【００３１】
（２．４）ＩＤＴ電極
ＩＤＴ電極５は、図１及び図２に示すように、圧電体層４上に形成されている。ＩＤＴ電極５の少なくとも一部は、基板２の厚さ方向である第１方向Ｄ１からの平面視において、第１音響インピーダンス層３１と重複する。また、図示しないが、ＩＤＴ電極５の近傍には、反射器が形成されている。ＩＤＴ電極５及び反射器は、Ａｌのような金属によって形成されている。なお、ＩＤＴ電極５及び反射器は、Ａｌには限定されず、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｎｉ等の他の金属又は合金によって形成されてもよい。
【００３２】
ＩＤＴ電極５は、第１電極５１と、第２電極５２とを有する。第１電極５１は、互いに平行である複数の第１電極指５３と、複数の第１電極指５３を繋げる第１バスバー５４とを有する。第２電極５２は、互いに平行である複数の第２電極指５５と、複数の第２電極指５５を繋げる第２バスバー５６とを有する。第１電極５１の第１電極指５３と第２電極５２の第２電極指５５とは互いに間挿し合っている。上述したように、圧電体層４の厚さは、ＩＤＴ電極５の電極指ピッチＰ１（第１電極指５３、第２電極指５５の周期）で定まる弾性波の波長をλとしたときに、１λ以下である。電極指ピッチＰ１とは、第１電極指５３及び第２電極指５５が延びている方向（第１電極指５３及び第２電極指５５の長さ方向）と直交する方向（弾性波伝搬方向）において互いに異なる電位を有して隣接する第１電極指５３と第２電極指５５との間隔をいう。言い換えると、電極指ピッチＰ１とは、図２に示すように、隣り合う第１電極指５３と第２電極指５５との互いに対応する辺（図２では第１電極指５３及び第２電極指５５それぞれにおいて中心線に平行な上側の辺）間の距離である。
【００３３】
（２．５）電極
複数の電極６１，６２は、圧電体層４上に形成されている。より詳細には、複数の電極６１，６２は、圧電体層４上であってＩＤＴ電極５とは異なる位置に形成されている。また、電極６１の少なくとも一部は、基板２の厚さ方向である第１方向Ｄ１からの平面視において、第２音響インピーダンス層３２と重複する。同様に、電極６２の少なくとも一部は、基板２の厚さ方向である第１方向Ｄ１からの平面視において、第２音響インピーダンス層３３と重複する。複数の電極６１，６２は、圧電体層４上において、隣接して設けられている。電極６１，６２の各々は、例えば四角形の平板状に形成されている。電極６１，６２は、Ａｌのような金属によって形成されている。なお、電極６１，６２は、Ａｌには限定されず、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｎｉ等の他の金属又は合金によって形成されてもよい。また、電極６１，６２は、ＩＤＴ電極５と同じ金属又は合金によって形成されていてもよいし、ＩＤＴ電極５と異なる金属又は合金によって形成されていてもよい。さらに、電極６１，６２は、同じ金属又は合金によって形成されていてもよいし、互いに異なる金属又は合金によって形成されていてもよい。
【００３４】
（２．６）第１音響インピーダンス層及び第２音響インピーダンス層
上述したように、中間層３は、第１音響インピーダンス層３１と、複数（図示例では２つ）の第２音響インピーダンス層３２，３３とを有する。
【００３５】
第１音響インピーダンス層３１は、上述したように、複数（図示例では２層）の第１高音響インピーダンス層３１１，３１３と複数（図示例では３層）の第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５との積層構造を有する。第１高音響インピーダンス層３１１，３１３と第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５とは、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において交互に配置されている。第１音響インピーダンス層３１は、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）においてＩＤＴ電極５と対向する。
【００３６】
第１高音響インピーダンス層３１１，３１３は、それぞれ、導電性を有する第１導電層として形成されている。例えば、第１高音響インピーダンス層３１１，３１３は、Ｗのような金属によって形成されている。なお、第１高音響インピーダンス層３１１，３１３は、Ｗには限定されず、Ｐｔのような他の金属によって形成されてもよい。
【００３７】
第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５は、ＳｉＯ２のような絶縁体によって形成されている。また、第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５の音響インピーダンスは、第１高音響インピーダンス層３１１，３１３の音響インピーダンスよりも低い。
【００３８】
第１音響インピーダンス層３１では、上述したように、第１高音響インピーダンス層３１１，３１３と第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５とが交互に積層されている。このため、圧電体層４から伝搬してきた板波は、第１低音響インピーダンス層３１４と第１高音響インピーダンス層３１３との界面、及び、第１低音響インピーダンス層３１２と第１高音響インピーダンス層３１１との界面で反射される。
【００３９】
第２音響インピーダンス層３２は、上述したように、複数（図示例では２層）の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３と複数（図示例では３層）の第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５との積層構造を有する。第２高音響インピーダンス層３２１，３２３と第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５とは、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において交互に配置されている。第２音響インピーダンス層３２は、電極６１に対応して設けられている。第２音響インピーダンス層３２は、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において電極６１と対向する。また、第２音響インピーダンス層３２は、基板２の厚さ方向と直交する第２方向Ｄ２において第１音響インピーダンス層３１と並んで配置されている。
【００４０】
第２高音響インピーダンス層３２１，３２３は、それぞれ、導電性を有する第２導電層として形成されている。例えば、第２高音響インピーダンス層３２１，３２３は、Ｗのような金属によって形成されている。なお、第２高音響インピーダンス層３２１，３２３は、Ｗには限定されず、Ｐｔのような他の金属によって形成されてもよい。
【００４１】
第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５は、ＳｉＯ２のような絶縁体によって形成されている。また、第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５の音響インピーダンスは、第２高音響インピーダンス層３２１，３２３の音響インピーダンスよりも低い。
【００４２】
第２音響インピーダンス層３３は、第２音響インピーダンス層３２と同様、複数（図示例では２層）の第２高音響インピーダンス層３３１，３３３と複数（図示例では３層）の第２低音響インピーダンス層３３２，３３４，３３５との積層構造を有する。第２高音響インピーダンス層３３１，３３３と第２低音響インピーダンス層３３２，３３４，３３５とは、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において交互に配置されている。第２音響インピーダンス層３３は、電極６２に対応して設けられている。第２音響インピーダンス層３３は、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において電極６２と対向する。また、第２音響インピーダンス層３３は、基板２の厚さ方向と直交する第２方向Ｄ２において第１音響インピーダンス層３１と並んで配置されている。
【００４３】
第２高音響インピーダンス層３３１，３３３は、それぞれ、導電性を有する第２導電層として形成されている。例えば、第２高音響インピーダンス層３３１，３３３は、第２高音響インピーダンス層３２１，３２３と同様、Ｗのような金属によって形成されている。なお、第２高音響インピーダンス層３３１，３３３は、Ｗには限定されず、Ｐｔのような他の金属によって形成されてもよい。
【００４４】
第２低音響インピーダンス層３３２，３３４，３３５は、第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５と同様、ＳｉＯ２のような絶縁体によって形成されている。また、第２音響インピーダンス層３３においても、第２音響インピーダンス層３２と同様、第２低音響インピーダンス層３３２，３３４，３３５の音響インピーダンスは、第２高音響インピーダンス層３３１，３３３の音響インピーダンスよりも低い。
【００４５】
上記のように基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において第２音響インピーダンス層３２が圧電体層４を介して電極６１と対向して形成されている。これにより、弾性波装置１には、第２音響インピーダンス層３２の第２高音響インピーダンス層３２３と電極６１との間に、第２高音響インピーダンス層３２３と電極６１とを一対の電極とするキャパシタ７１が形成されている。つまり、第２音響インピーダンス層３２の第２高音響インピーダンス層３２３と電極６１とによって、キャパシタ７１が形成されている。
【００４６】
同様に、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において第２音響インピーダンス層３３が圧電体層４を介して電極６２と対向して形成されている。これにより、第２音響インピーダンス層３３の第２高音響インピーダンス層３３３と電極６２との間に、第２高音響インピーダンス層３３３と電極６２とを一対の電極とするキャパシタ７２が形成されている。つまり、第２音響インピーダンス層３３の第２高音響インピーダンス層３３３と電極６２とによって、キャパシタ７２が形成されている。
【００４７】
第２音響インピーダンス層３２の第２高音響インピーダンス層３２３と第２音響インピーダンス層３３の第２高音響インピーダンス層３３３とは、互いに電気的に接続されている。また、複数の第２高音響インピーダンス層３２３，３３３は、同じ材料で形成されている。つまり、第２高音響インピーダンス層３２３と第２高音響インピーダンス層３３３とが一体化されている。これにより、実施形態１の弾性波装置１では、電極６１と電極６２との間には、複数（図示例では２つ）のキャパシタ７１，７２が直列に接続されている。なお、第２音響インピーダンス層３２の第２高音響インピーダンス層３２１と第２音響インピーダンス層３３の第２高音響インピーダンス層３３１とにおいても、互いに電気的に接続されている。また、複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３３１は、同じ材料で形成されている。
【００４８】
ここで、第１高音響インピーダンス層３１３は、絶縁層３４を介して、第２高音響インピーダンス層３２３及び第２高音響インピーダンス層３３３とそれぞれ電気的に絶縁している。同様に、第１高音響インピーダンス層３１１は、絶縁層３４を介して、第２高音響インピーダンス層３２１及び第２高音響インピーダンス層３３１とそれぞれ電気的に絶縁している。
【００４９】
一方、第１音響インピーダンス層３１の第１高音響インピーダンス層３１３は、第２音響インピーダンス層３２，３３の第２高音響インピーダンス層３２３，３３３と同じ材料で形成されている。同様に、第１音響インピーダンス層３１の第１高音響インピーダンス層３１１は、第２音響インピーダンス層３２，３３の第２高音響インピーダンス層３２１，３３１と同じ材料で形成されている。
【００５０】
（３）弾性波装置の製造方法
次に、実施形態１に係る弾性波装置１の製造方法について、図４Ａ〜図４Ｇ及び図５Ａ〜図５Ｄを参照して説明する。弾性波装置１の製造方法では、第１工程〜第１１工程を順次行う。
【００５１】
第１工程では、図４Ａに示すように、基板２を準備する。基板２は、例えばＳｉ基板である。
【００５２】
第２工程〜第７工程では、基板２上に、複数の第１高音響インピーダンス層３１１，３１３と複数の第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５との積層構造を有する第１音響インピーダンス層３１を形成する。同様に、第２工程〜第７工程では、基板２上に、複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３と複数の第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５との積層構造を有する第２音響インピーダンス層３２を形成する。さらに、第２工程〜第７工程では、基板２上に、複数の第２高音響インピーダンス層３３１，３３３と複数の第２低音響インピーダンス層３３２，３３４，３３５との積層構造を有する第２音響インピーダンス層３３を形成する。
【００５３】
第２工程では、図４Ｂに示すように、第１低音響インピーダンス層３１５、第２低音響インピーダンス層３２５，３３５、及び絶縁層３４の一部３４３を形成する。つまり、第２工程では、基板２上に絶縁膜を形成する。絶縁膜の材料は、例えばＳｉＯ２である。第２工程では、ＣＶＤ法によって絶縁膜を形成する。これにより、第１低音響インピーダンス層３１５と第２低音響インピーダンス層３２５，３３５とを同時に形成することができる。つまり、第２工程では、第１低音響インピーダンス層３１５と第２低音響インピーダンス層３２５，３３５とを、同一の材料を用いて１つの工程で同時に形成する。
【００５４】
第３工程では、図４Ｃに示すように、第１高音響インピーダンス層３１１及び第２高音響インピーダンス層３２１，３３１の元になる導電膜３０１を形成する。より詳細には、第３工程では、ＣＶＤ、スパッタ、又は蒸着のような薄膜形成法により、第２工程で形成した絶縁膜上に導電膜３０１を形成する。導電膜３０１の材料は、例えばＷである。
【００５５】
第４工程では、図４Ｄに示すように、第１高音響インピーダンス層３１１及び第２高音響インピーダンス層３２１，３３１を形成する。より詳細には、第４工程では、エッチングによって導電膜の一部を除去して、第１高音響インピーダンス層３１１と第２高音響インピーダンス層３２１，３３１とを互いに電気的に絶縁するように形成する。
【００５６】
第５工程では、図４Ｅに示すように、第１低音響インピーダンス層３１２、第２低音響インピーダンス層３２２，３３２、及び絶縁層３４の一部３４１を形成する。より詳細には、第４工程では、第１高音響インピーダンス層３１１と第２高音響インピーダンス層３２１，３３１を覆うように絶縁膜を形成する。絶縁膜の材料は、例えばＳｉＯ２である。第５工程では、ＣＶＤ法によって絶縁膜を形成する。これにより、第１低音響インピーダンス層３１２と第２低音響インピーダンス層３２２，３３２とを同時に形成することができる。つまり、第５工程では、第１低音響インピーダンス層３１２と第２低音響インピーダンス層３２２，３３２とを、同一の材料を用いて１つの工程で同時に形成する。
【００５７】
第６工程では、図４Ｆに示すように、第１高音響インピーダンス層３１３及び第２高音響インピーダンス層３２３，３３３の元になる導電膜３０３を形成する。より詳細には、第６工程では、絶縁膜上に導電膜３０３を形成する。導電膜３０３の材料は、例えばＷである。第６工程では、ＣＶＤ、スパッタ、又は蒸着のような薄膜形成法により、絶縁膜上に導電膜３０３を形成する。
【００５８】
第７工程では、図４Ｇに示すように、第１高音響インピーダンス層３１３及び第２高音響インピーダンス層３２３，３３３を形成する。より詳細には、第７工程では、エッチングによって導電膜３０３の一部を除去して、第１高音響インピーダンス層３１３と第２高音響インピーダンス層３２３，３３３とを互いに電気的に絶縁するように形成する。ここで、導電膜３０３のうち、基板２の厚さ方向からの平面視で、導電膜３０１が除去された部分と重なる部分をエッチングによって除去する。これにより、第１高音響インピーダンス層３１１及び第１低音響インピーダンス層３１２の積層構造上に第１高音響インピーダンス層３１３が形成される。また、第２高音響インピーダンス層３２１，３３１及び第２低音響インピーダンス層３２２，３３２の積層構造上に第２高音響インピーダンス層３２３，３３３が形成される。
【００５９】
第８工程では、図５Ａに示すように、第１低音響インピーダンス層３１４、第２低音響インピーダンス層３２４，３３４、及び絶縁層３４の一部３４２を形成する。より詳細には、第８工程では、第１高音響インピーダンス層３１３と第２高音響インピーダンス層３２３，３３３と絶縁層３４の一部３４１の露出部位とを覆うように絶縁膜を形成する。第８工程の絶縁膜の材料は、例えばＳｉＯ２である。第８工程の絶縁膜は、第５工程の絶縁膜と同じ材料によって形成されることが好ましい。ただし、第８工程の絶縁膜は、第５工程の絶縁膜と同じ材料によって形成されることには限定されず、第５工程の絶縁膜と異なる材料によって形成されてもよい。第８工程では、第１低音響インピーダンス層３１４と第２低音響インピーダンス層３２４，３３４とを、同一の材料を用いて１つの工程で同時に形成する。
【００６０】
第９工程では、図５Ｂに示すように、中間層３上に圧電体層４を形成する。
【００６１】
第１０工程及び第１１工程では、圧電体層４上においてＩＤＴ電極５と複数の電極６１，６２とを互いに異なる位置に形成する。
【００６２】
第１０工程では、図５Ｃに示すように、ＩＤＴ電極５と複数の電極６１，６２と複数の配線６０との元になる導電膜５０１を圧電体層４上に形成する。より詳細には、第１０工程では、スパッタ又は蒸着のような薄膜形成法により、圧電体層４上に導電膜５０１を形成する。導電膜５０１の材料は、例えばＡｌである。
【００６３】
第１１工程では、図５Ｄに示すように、フォトリソグラフィ及びエッチングによって、圧電体層４上にＩＤＴ電極５と複数の電極６１，６２と複数の配線６０とを形成する。より詳細には、第１１工程では、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）からの平面視において、第１高音響インピーダンス層３１１，３１３と第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５との積層構造に対向する位置に、ＩＤＴ電極５を形成する。また、基板２の厚さ方向からの平面視において、第２高音響インピーダンス層３２１，３２３と第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５との積層構造に対向する位置に、電極６１を形成する。同様に、基板２の厚さ方向からの平面視において、第２高音響インピーダンス層３３１，３３３と第２低音響インピーダンス層３３２，３３４，３３５との積層構造に対向する位置に、電極６２を形成する。なお、第１１工程では、ＩＤＴ電極５と複数の電極６１，６２と複数の配線６０とを圧電体層４上に、フォトリソグラフィ及びエッチングによって形成することに限定されず、例えばリフトオフによって形成してもよい。リフトオフによってＩＤＴ電極５と複数の電極６１，６２と複数の配線６０とを形成する場合、第１０工程を省略することができる。
【００６４】
（４）共振子の動作
実施形態１に係る弾性波装置１は、弾性波共振子とキャパシタとを構成する。実施形態１に係る弾性波装置１のうちの一部は、弾性波共振子として動作する。上述したように、ＩＤＴ電極５の電極指ピッチＰ１で定められる弾性波の波長よりも圧電体層４の厚さが薄いため、ＩＤＴ電極５に交番電界が印加された場合、弾性波である板波が効率よく励振され、かつ圧電体層４を伝搬する。弾性波装置１では、中間層３に第１音響インピーダンス層３１が形成されているから、中間層３側に漏洩した板波が、第１高音響インピーダンス層３１３と第１低音響インピーダンス層３１４との界面、及び、第１高音響インピーダンス層３１１と第１低音響インピーダンス層３１２との界面で反射される。したがって、板波が高いエネルギー強度を有する状態で圧電体層４を伝搬することができる。
【００６５】
（５）ラダー型フィルタ
実施形態１に係る弾性波装置は、図３に示すようなラダー型フィルタ９であってもよい。以下、実施形態１に係るラダー型フィルタ９について説明する。
【００６６】
ラダー型フィルタ９は、直列腕回路９７と、複数（図示例では２つ）の並列腕回路９８１，９８２とを備える。直列腕回路９７は、入力端子９６１と出力端子９６２とを結ぶ第１経路（直列腕）上に直列に接続されている。複数の並列腕回路９８１，９８２は、それぞれ、第１経路上のノードとグランドとを結ぶ第２経路上に設けられている。
【００６７】
直列腕回路９７は、複数（図示例では３つ）の直列腕共振子９１〜９３を有する。並列腕回路９８１は、並列腕共振子９４を有する。並列腕共振子９４の一端は、直列腕共振子９１と直列腕共振子９２との接続点（第１経路上のノード）に接続されており、並列腕共振子９４の他端は、グランドに接続されている。並列腕回路９８２は、並列腕共振子９５を有する。並列腕共振子９５の一端は、直列腕共振子９２と直列腕共振子９３との接続点（第１経路上のノード）に接続されており、並列腕共振子９５の他端は、グランドに接続されている。
【００６８】
上記のようなラダー型フィルタ９において、例えば、複数の直列腕共振子９１〜９３のうち上記第１経路上において出力端子９６２に最も近くに接続されている直列腕共振子９３に、弾性波装置１（図１参照）の構成が用いられている。言い換えると、弾性波装置１のうちの圧電体層４及びＩＤＴ電極５を用いた共振子は、直列腕共振子９３である。なお、出力端子９６２に最も近くに接続されている直列腕共振子９３とは、複数の直列腕共振子９１〜９３の中で、出力端子９６２に対して電気的に最も近くに接続されている共振子である。
【００６９】
上記のように、直列腕共振子９３に弾性波装置１の構成が用いられると、直列腕共振子９３と出力端子９６２との間には、複数のキャパシタ７１，７２が接続されている。複数のキャパシタ７１，７２は、直列に接続されている。言い換えると、キャパシタ７１，７２は、上記第１経路上において、出力端子９６２と第１経路上において出力端子９６２に最も近くに接続されている直列腕共振子９３との間に設けられている。キャパシタ７２と出力端子９６２との間にインダクタ７３が接続されることによって、整合回路、サージ対策回路、又はフィルタ回路を構成することができる。なお、インダクタ７３は、キャパシタ７２と出力端子９６２との間に接続されていることには限定されず、キャパシタ７１と直列腕共振子９３との間に接続されていてもよい。
【００７０】
上述のように、ラダー型フィルタ９に整合回路、サージ対策回路、又はフィルタ回路が設けられる場合、小型かつ低損失な回路が要求される。図３の例では、直列腕共振子９３と出力端子９６２との間に上記回路を構成する素子を設けることができる。これらの素子を基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において作成することができるので、例えば櫛型電極を用いる場合において、小型かつ低損失で作成することができる。つまり、基板２の厚さ方向にキャパシタ７１，７２を作成することができるので、大容量かつ低抵抗の素子を作成することができる。
【００７１】
また、キャパシタ７１，７２を基板２内に作成することができるので、小型化かつ付加素子（例えばディスクリート素子）の低減化を図ることができる。
【００７２】
さらに、共振子と同じ工程でキャパシタ７１，７２を作成することができるので、共振子とキャパシタとを別工程で作成する場合に比べて、コストを低減させることができる。
【００７３】
（６）効果
以上説明したように、実施形態１に係る弾性波装置１では、ＩＤＴ電極５と対向する第１音響インピーダンス層３１の第１高音響インピーダンス層３１１，３１３と、電極６１，６２と対向する第２音響インピーダンス層３２，３３の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３とが電気的に絶縁している。これにより、キャパシタがディスクリート素子である場合又はキャパシタが配線基板上に形成される場合に比べて、特性劣化を抑制しつつ、弾性波装置１全体のサイズを小型にすることができる。
【００７４】
実施形態１に係る弾性波装置１では、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において第２音響インピーダンス層３２，３３が電極６１，６２の少なくとも一部と重複し、かつ、第２音響インピーダンス層３２，３３の複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３が第２導電層を含む。これにより、上記第２導電層を、キャパシタ７１，７２において電極６１，６２とは異なる他方の電極として用いることができる。その結果、第２導電層とは別にキャパシタの他方の電極が設けられる場合に比べて、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）においてキャパシタ７１，７２を小型にすることができる。
【００７５】
実施形態１に係る弾性波装置１では、複数の電極６１，６２に対応する複数の第２音響インピーダンス層３２，３３における複数の第２高音響インピーダンス層３２３，３３３が互いに電気的に接続されている。これにより、複数のキャパシタ７１，７２を容易に形成することができる。
【００７６】
実施形態１に係る弾性波装置１では、複数の第２高音響インピーダンス層３２３，３３３が同じ材料で形成されている。同様に、複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３３１も同じ材料で形成されている。これにより、複数の第２音響インピーダンス層３２，３３を容易に形成することができる。
【００７７】
実施形態１に係る弾性波装置１では、第１音響インピーダンス層３１の第１高音響インピーダンス層３１３と第２音響インピーダンス層３２，３３の第２高音響インピーダンス層３２３，３３３とが同じ材料で形成されている。同様に、第１音響インピーダンス層３１の第１高音響インピーダンス層３１１と第２音響インピーダンス層３２，３３の第２高音響インピーダンス層３２１，３３１とが同じ材料で形成されている。これにより、第１音響インピーダンス層３１と第２音響インピーダンス層３２，３３とを容易に形成することができる。
【００７８】
実施形態１に係る弾性波装置１の製造方法では、高音響インピーダンス層（第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３）を形成する工程において、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において電極６１，６２と対向する位置に第２導電層を形成する。これにより、共振子と同じ工程でキャパシタ７１，７２を製造することができるので、共振子とキャパシタとを別々に製造する場合に比べて、弾性波装置１の製造工程を簡略にすることができる。
【００７９】
（７）変形例
以下、実施形態１の変形例について説明する。
【００８０】
実施形態１に係る弾性波装置１は、２つの電極６１，６２を備えるが、実施形態１の変形例として、弾性波装置１は、１つの電極のみを備えてもよいし、３つ以上の電極を備えてもよい。要するに、弾性波装置１は、少なくとも１つの電極を備えていればよい。
【００８１】
実施形態１では、弾性波装置１は、２つの第２音響インピーダンス層３２，３３を備えるが、実施形態１の変形例として、弾性波装置１は、１つの第２音響インピーダンス層のみを有してもよいし、３つ以上の第２音響インピーダンス層を有してもよい。要するに、弾性波装置１は、少なくとも１つの第２音響インピーダンス層を有してもよい。
【００８２】
第１音響インピーダンス層３１の積層数（第１高音響インピーダンス層及び第１低音響インピーダンス層の総数）は、５層には限定されず、３層であってもよいし、７層以上であってもよい。また、第１音響インピーダンス層３１において、第１高音響インピーダンス層と第１低音響インピーダンス層とは同じ数であってもよい。つまり、第１音響インピーダンス層３１の積層数は、２層、４層、又は６層などの偶数層であってもよい。
【００８３】
第２音響インピーダンス層３２，３３の各々の積層数（第２高音響インピーダンス層及び第２低音響インピーダンス層の総数）も、第１音響インピーダンス層３１と同様であり、５層には限定されず、３層であってもよいし、７層以上であってもよい。また、第２音響インピーダンス層３２，３３の各々において、第２高音響インピーダンス層と第２低音響インピーダンス層とは同じ数であってもよい。つまり、第２音響インピーダンス層３２，３３の各々の積層数は、２層、４層、又は６層などの偶数層であってもよい。
【００８４】
実施形態１では、第１音響インピーダンス層３１における複数の第１高音響インピーダンス層３１１，３１３の全てが、導電性を有する第１導電層であるが、複数の第１高音響インピーダンス層３１１，３１３のいずれかのみが、第１導電層であってもよい。要するに、複数の第１高音響インピーダンス層３１１，３１３は、少なくとも１層の第１導電層を含んでいればよい。
【００８５】
実施形態１では、第２音響インピーダンス層３２における複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３の全てが、導電性を有する第２導電層であるが、複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３のいずれかのみが、第２導電層であってもよい。要するに、複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３は、少なくとも１層の第２導電層を含んでいればよい。同様に、第２音響インピーダンス層３３における複数の第２高音響インピーダンス層３３１，３３３の全てが、導電性を有する第２導電層であるが、複数の第２高音響インピーダンス層３３１，３３３のいずれかのみが、第２導電層であってもよい。要するに、複数の第２高音響インピーダンス層３３１，３３３は、少なくとも１層の第２導電層を含んでいればよい。
【００８６】
第１音響インピーダンス層３１における複数の第１高音響インピーダンス層３１１，３１３は、同じ材料によって形成されていることには限定されず、異なる材料によって形成されていてもよい。第２音響インピーダンス層３２における複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３も、同じ材料によって形成されていることには限定されず、異なる材料によって形成されていてもよい。第２音響インピーダンス層３３における複数の第２高音響インピーダンス層３３１，３３３も、同じ材料によって形成されていることには限定されず、異なる材料によって形成されていてもよい。
【００８７】
第１音響インピーダンス層３１における複数の第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５は、同じ材料によって形成されていることには限定されず、異なる材料によって形成されていてもよい。第２音響インピーダンス層３２における複数の第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５も、同じ材料によって形成されていることには限定されず、異なる材料によって形成されていてもよい。第２音響インピーダンス層３３における複数の第２低音響インピーダンス層３３２，３３４，３３５も、同じ材料によって形成されていることには限定されず、異なる材料によって形成されていてもよい。
【００８８】
第１音響インピーダンス層３１は、第１高音響インピーダンス層３１１，３１３が第１導電層である例に限らず、第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５が第１導電層であってもよい。同様に、第２音響インピーダンス層３２，３３も、第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３が第２導電層である例に限らず、第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５，３３２，３３４，３３５が第２導電層であってもよい。いずれにおいても、第２導電層と電極とを一対の電極とするキャパシタが形成されており、第１導電層が第２導電層と電気的に絶縁していればよい。
【００８９】
弾性波装置１のうちの圧電体層４及びＩＤＴ電極５を用いた共振子は、図３の例では直列腕共振子９３であるが、直列腕共振子９１又は直列腕共振子９２であってもよいし、並列腕共振子９４又は並列腕共振子９５であってもよい。要するに、複数の直列腕共振子９１〜９３及び複数の並列腕共振子９４，９５のうち少なくとも１つの共振子が、弾性波装置１のうちの圧電体層４及びＩＤＴ電極５を用いた共振子であればよい。
【００９０】
図３の例では、キャパシタ７１，７２がラダー型フィルタ９の出力側（直列腕共振子９３と出力端子９６２との間）に設けられており、キャパシタ７１，７２を構成する第２導電膜が互いに電気的に接続されている。しかしながら、ラダー型フィルタ９の出力側ではなく、ラダー型フィルタ９の入力側（例えば入力端子９６１と直列腕共振子９１との間）に少なくとも２つのキャパシタが設けられていてもよい。この場合、少なくとも２つのキャパシタを構成する少なくとも２つの第２導電膜は、互いに電気的に接続されている。あるいは、ラダー型フィルタ９の入力側と出力側との両方に、それぞれ少なくとも２つのキャパシタが設けられていてもよい。この場合、ラダー型フィルタ９の入力側に設けられているキャパシタの電極と、ラダー型フィルタ９の出力側に設けられているキャパシタの電極とは、電気的に接続されていない。
【００９１】
実施形態１では、基板２上に、第１音響インピーダンス層３１と、第２音響インピーダンス層３２，３３とを形成しているが、実施形態１の変形例として、圧電体層４上に、第１音響インピーダンス層３１と、第２音響インピーダンス層３２，３３とを形成してもよい。要するに、基板２と圧電体層４との間に、第１音響インピーダンス層３１と、第２音響インピーダンス層３２，３３とを形成すればよい。
【００９２】
本変形例では、圧電体層４の元になる圧電基板上に、第１音響インピーダンス層３１と、第２音響インピーダンス層３２，３３とを形成し、その後、第１音響インピーダンス層３１及び第２音響インピーダンス層３２，３３を圧電体層４とで挟むように、基板２を積層する。本変形例であっても、基板２と圧電体層４との間に、ＩＤＴ電極５の少なくとも一部と重複する第１音響インピーダンス層３１と、電極６１，６２とによってキャパシタ７１，７２を形成する導電層（第２高音響インピーダンス層３２３，３３３）を含む第２音響インピーダンス層３２，３３とを同時に形成することができる。
【００９３】
（実施形態２）
実施形態２に係る弾性波装置１ａは、図６に示すように、ＩＤＴ電極５と共にインダクタ８（第３音響インピーダンス層３７）を有する点で、実施形態１に係る弾性波装置１（図２参照）と相違する。なお、実施形態１に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。また、図７は、図６のＸ２−Ｘ２線断面図である。
【００９４】
実施形態２に係る弾性波装置１ａは、図６及び図７に示すように、基板２と、中間層３ａと、圧電体層４と、ＩＤＴ電極５と、複数（図示例では２つ）の電極６３，６４とを備える。なお、実施形態２の基板２、圧電体層４、及びＩＤＴ電極５は、実施形態１の基板２、圧電体層４、及びＩＤＴ電極５（図１及び図２参照）と同様の構成要素なので、同一の符号を付して説明を省略する。
【００９５】
複数の電極６３，６４は、圧電体層４上に形成されている。より詳細には、複数の電極６３，６４は、圧電体層４上であってＩＤＴ電極５とは異なる位置に形成されている。複数の電極６３，６４は、圧電体層４上において、隣接して設けられている。電極６３，６４の各々は、例えば四角形の平板状に形成されている。電極６３，６４は、Ａｌのような金属によって形成されている。なお、電極６３，６４は、Ａｌには限定されず、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｎｉ等の他の金属又は合金によって形成されてもよい。また、電極６３，６４は、ＩＤＴ電極５と同じ金属又は合金によって形成されていてもよいし、ＩＤＴ電極５と異なる金属又は合金によって形成されていてもよい。さらに、電極６３，６４は、同じ金属又は合金によって形成されていてもよいし、互いに異なる金属又は合金によって形成されていてもよい。
【００９６】
中間層３ａは、第１音響インピーダンス層３１（図１参照）と、複数（図示例では２つ）の第２音響インピーダンス層３５，３６と、第３音響インピーダンス層３７とを有する。中間層３ａは、基板２上に形成されている。なお、実施形態２の第１音響インピーダンス層３１は、実施形態１の第１音響インピーダンス層３１と同様の構成及び機能であるので、説明を省略する。
【００９７】
第２音響インピーダンス層３５は、複数（図示例では２層）の第２高音響インピーダンス層３５１，３５３と複数（図示例では３層）の第２低音響インピーダンス層３５２，３５４，３５５との積層構造を有する。第２音響インピーダンス層３５は、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において電極６３と対向する。
【００９８】
第２高音響インピーダンス層３５１，３５３は、それぞれ、導電性を有する第２導電層として形成されている。例えば、第２高音響インピーダンス層３５１，３５３は、Ｗのような金属によって形成されている。なお、第２高音響インピーダンス層３５１，３５３は、Ｗには限定されず、Ｐｔのような他の金属によって形成されてもよい。
【００９９】
第２低音響インピーダンス層３５２，３５４，３５５は、ＳｉＯ２のような絶縁体によって形成されている。また、第２低音響インピーダンス層３５２，３５４，３５５の音響インピーダンスは、第２高音響インピーダンス層３５１，３５３の音響インピーダンスよりも低い。
【０１００】
第２音響インピーダンス層３６は、第２音響インピーダンス層３５と同様、複数（図示例では２層）の第２高音響インピーダンス層３６１，３６３と複数（図示例では３層）の第２低音響インピーダンス層３６２，３６４，３６５との積層構造を有する。第２音響インピーダンス層３６は、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において電極６４と対向する。
【０１０１】
第２高音響インピーダンス層３６１，３６３は、それぞれ、導電性を有する第２導電層として形成されている。例えば、第２高音響インピーダンス層３６１，３６３は、第２高音響インピーダンス層３５１，３５３と同様、Ｗのような金属によって形成されている。なお、第２高音響インピーダンス層３６１，３６３は、Ｗには限定されず、Ｐｔのような他の金属によって形成されてもよい。
【０１０２】
第２低音響インピーダンス層３６２，３６４，３６５は、第２低音響インピーダンス層３５２，３５４，３５５と同様、ＳｉＯ２のような絶縁体によって形成されている。また、第２音響インピーダンス層３６においても、第２音響インピーダンス層３５と同様、第２低音響インピーダンス層３６２，３６４，３６５の音響インピーダンスは、第２高音響インピーダンス層３６１，３６３の音響インピーダンスよりも高い。
【０１０３】
上記のように基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において第２音響インピーダンス層３５が圧電体層４を介して電極６３と対向して形成されている。これにより、弾性波装置１ａには、第２音響インピーダンス層３５の第２高音響インピーダンス層３５３と電極６３との間に、第２高音響インピーダンス層３５３と電極６３とを一対の電極とするキャパシタ７４が形成されている。
【０１０４】
同様に、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において第２音響インピーダンス層３６が圧電体層４を介して電極６４と対向して形成されている。これにより、第２音響インピーダンス層３６の第２高音響インピーダンス層３６３と電極６４との間に、第２高音響インピーダンス層３６３と電極６４とを一対の電極とするキャパシタ７５が形成されている。
【０１０５】
第３音響インピーダンス層３７は、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）及び電極６３とＩＤＴ電極５とが並んでいる第２方向Ｄ２と直交する第３方向Ｄ３において、第２音響インピーダンス層３５と第２音響インピーダンス層３６との間に設けられている。第３音響インピーダンス層３７は、複数（図示例では２層）の第３高音響インピーダンス層３７１，３７３と複数（図示例では３層）の第３低音響インピーダンス層３７２，３７４，３７５との積層構造を有する。
【０１０６】
第３高音響インピーダンス層３７１，３７３は、それぞれ、導電性を有する第３導電層として形成されている。例えば、第３高音響インピーダンス層３７１，３７３は、Ｗのような金属によって形成されている。そして、第３高音響インピーダンス層３７１，３７３は、それぞれ、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）からの平面視でミアンダ状に形成されている。第３高音響インピーダンス層３７１，３７３は、第１方向Ｄ１において、重なっている。
【０１０７】
上記より、実施形態２に係る弾性波装置１ａでは、第２音響インピーダンス層３５の第２高音響インピーダンス層３５３と第２音響インピーダンス層３６の第２高音響インピーダンス層３６３との間に、インダクタ８を構成する第３高音響インピーダンス層３７３が設けられている。
【０１０８】
第３音響インピーダンス層３７の第３高音響インピーダンス層３７３は、第２音響インピーダンス層３５，３６の第２高音響インピーダンス層３５３，３６３と電気的に接続されている。また、第３高音響インピーダンス層３７３は、第２高音響インピーダンス層３５３，３６３と同じ材料で形成されている。つまり、第３高音響インピーダンス層３７３と第２高音響インピーダンス層３５３，３６３とが一体化されている。これにより、実施形態２の弾性波装置１ａでは、電極６３と電極６４との間には、複数のキャパシタ７４，７５とインダクタ８とが直列に接続されている。なお、第３音響インピーダンス層３７の第３高音響インピーダンス層３７１においても、第３高音響インピーダンス層３７１は、第２高音響インピーダンス層３５１，３６１と電気的に接続されている。また、第３高音響インピーダンス層３７１は、第２高音響インピーダンス層３５１，３６１と同じ材料で形成されている。
【０１０９】
実施形態２に係る弾性波装置１ａは、図８に示すようなラダー型フィルタ９ａに用いられる。以下、実施形態２に係る弾性波装置１ａを備えるラダー型フィルタ９ａについて説明する。
【０１１０】
ラダー型フィルタ９ａは、実施形態１に係るラダー型フィルタ９（図３参照）と同様、直列腕回路９７と、複数（図示例では２つ）の並列腕回路９８１，９８２とを備える。直列腕回路９７は、入力端子９６１と出力端子９６２とを結ぶ第１経路（直列腕）上に直列に接続されている。複数の並列腕回路９８１，９８２は、それぞれ、第１経路上のノードとグランドとを結ぶ第２経路上に設けられている。
【０１１１】
上記のようなラダー型フィルタ９ａにおいて、例えば、出力端子９６２に最も近い直列腕共振子９３に、弾性波装置１ａが用いられている。言い換えると、弾性波装置１ａのうちの圧電体層４及びＩＤＴ電極５を用いた共振子は、直列腕共振子９３である。
【０１１２】
上記のように、直列腕共振子９３に弾性波装置１ａが用いられると、直列腕共振子９３と出力端子９６２との間の接続点とグランドとの間には、複数（図示例では２つ）のキャパシタ７４，７５とインダクタ８とが直列に接続されている。これにより、キャパシタ７４，７５及びインダクタ８の共振周波数においてショートスタブのような機能を有する回路を構成することができる。
【０１１３】
以上説明したように、実施形態２に係る弾性波装置１ａでは、複数の第２音響インピーダンス層３５，３６の複数の第２高音響インピーダンス層３５３，３６３間に第３高音響インピーダンス層３７３が設けられている。同様に、複数の第２高音響インピーダンス層３５１，３６１間に第３高音響インピーダンス層３７１が設けられている。これにより、キャパシタ７４，７５と共にインダクタ８もＩＤＴ電極５と一体に形成することができる。言い換えると、キャパシタ７４，７５と共にインダクタ８も共振子と一体に形成することができる。
【０１１４】
なお、実施形態２の変形例として、第２音響インピーダンス層３５，３６の各々の積層数（第２高音響インピーダンス層及び第２低音響インピーダンス層の総数）は、５層には限定されず、３層であってもよいし、７層以上であってもよい。また、第２音響インピーダンス層３５，３６の各々において、第２高音響インピーダンス層と第２低音響インピーダンス層とは同じ数であってもよい。つまり、第２音響インピーダンス層３５，３６の各々の積層数は、２層、４層、又は６層などの偶数層であってもよい。
【０１１５】
実施形態２では、第２音響インピーダンス層３５における複数の第２高音響インピーダンス層３５１，３５３の全てが、導電性を有する第２導電層であるが、複数の第２高音響インピーダンス層３５１，３５３のいずれかのみが、第２導電層であってもよい。要するに、複数の第２高音響インピーダンス層３５１，３５３は、少なくとも１層の第２導電層を含んでいればよい。同様に、第２音響インピーダンス層３６における複数の第２高音響インピーダンス層３６１，３６３の全てが、導電性を有する第２導電層であるが、複数の第２高音響インピーダンス層３６１，３６３のいずれかのみが、第２導電層であってもよい。要するに、複数の第２高音響インピーダンス層３６１，３６３は、少なくとも１層の第２導電層を含んでいればよい。
【０１１６】
実施形態２では、第３音響インピーダンス層３７における複数の第３高音響インピーダンス層３７１，３７３の全てが、導電性を有する第３導電層であるが、複数の第３高音響インピーダンス層３７１，３７３のいずれかのみが、第３導電層であってもよい。要するに、複数の第３高音響インピーダンス層３７１，３７３は、少なくとも１層の第３導電層を含んでいればよい。
【０１１７】
第２音響インピーダンス層３５における複数の第２高音響インピーダンス層３５１，３５３は、同じ材料によって形成されていることには限定されず、異なる材料によって形成されていてもよい。第２音響インピーダンス層３６における複数の第２高音響インピーダンス層３６１，３６３も、同じ材料によって形成されていることには限定されず、異なる材料によって形成されていてもよい。第３音響インピーダンス層３７における複数の第３高音響インピーダンス層３７１，３７３も、同じ材料によって形成されていることには限定されず、異なる材料によって形成されていてもよい。
【０１１８】
第２音響インピーダンス層３５における複数の第２低音響インピーダンス層３５２，３５４，３５５は、同じ材料によって形成されていることには限定されず、異なる材料によって形成されていてもよい。第２音響インピーダンス層３６における複数の第２低音響インピーダンス層３６２，３６４，３６５も、同じ材料によって形成されていることには限定されず、異なる材料によって形成されていてもよい。第３音響インピーダンス層３７における複数の第３低音響インピーダンス層３７２，３７４，３７５も、同じ材料によって形成されていることには限定されず、異なる材料によって形成されていてもよい。
【０１１９】
第２音響インピーダンス層３５，３６は、第２高音響インピーダンス層３５１，３５３，３６１，３６３が第２導電層である例に限らず、第２低音響インピーダンス層３５２，３５４，３５５，３６２，３６４，３６５が第２導電層であってもよい。同様に、第３音響インピーダンス層３７も、第３高音響インピーダンス層３７１，３７３が第３導電層である例に限らず、第３低音響インピーダンス層３７２，３７４，３７５が第３導電層であってもよい。
【０１２０】
図８の例では、キャパシタ７４，７５がラダー型フィルタ９ａの出力側（直列腕共振子９３と出力端子９６２との間）に設けられており、キャパシタ７４，７５を構成する第２導電膜が互いに電気的に接続されている。しかしながら、ラダー型フィルタ９ａの出力側ではなく、ラダー型フィルタ９ａの入力側（例えば入力端子９６１と直列腕共振子９１との間）に少なくとも２つのキャパシタが設けられていてもよい。この場合、少なくとも２つのキャパシタを構成する少なくとも２つの第２導電膜は、互いに電気的に接続されている。あるいは、ラダー型フィルタ９ａの入力側と出力側との両方に、それぞれ少なくとも２つのキャパシタが設けられていてもよい。この場合、ラダー型フィルタ９ａの入力側に設けられているキャパシタの電極と、ラダー型フィルタ９ａの出力側に設けられているキャパシタの電極とは、電気的に接続されていない。
【０１２１】
実施形態１では、基板２上に、第１音響インピーダンス層３１と、第２音響インピーダンス層３５，３６と、第３音響インピーダンス層３７とを形成しているが、実施形態２の変形例として、圧電体層４上に、第１音響インピーダンス層３１と、第２音響インピーダンス層３５，３６と、第３音響インピーダンス層３７とを形成してもよい。要するに、基板２と圧電体層４との間に、第１音響インピーダンス層３１と、第２音響インピーダンス層３５，３６と、第３音響インピーダンス層３７とを形成すればよい。
【０１２２】
本変形例では、圧電体層４の元になる圧電基板上に、第１音響インピーダンス層３１と、第２音響インピーダンス層３５，３６と、第３音響インピーダンス層３７とを形成し、その後、第１音響インピーダンス層３１、第２音響インピーダンス層３５，３６及び第３音響インピーダンス層３７を圧電体層４とで挟むように、基板２を積層する。本変形例であっても、基板２と圧電体層４との間に、ＩＤＴ電極５の少なくとも一部と重複する第１音響インピーダンス層３１と、電極６３，６４とによってキャパシタ７４，７５を形成する導電層（第２高音響インピーダンス層３５３，３６３）を含む第２音響インピーダンス層３５，３６と、インダクタ８を形成する第３音響インピーダンス層３７とを同時に形成することができる。
【０１２３】
以上説明した実施形態１，２は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。実施形態１，２は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
【０１２４】
（まとめ）
以上説明した実施形態１，２及び変形例から以下の態様が開示されていることは明らかである。
【０１２５】
第１の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）は、基板（２）と、第１音響インピーダンス層（３１）及び第２音響インピーダンス層（３２）と、圧電体層（４）と、ＩＤＴ電極（５）と、少なくとも１つの電極（６１，６２；６３，６４）とを備える。第１音響インピーダンス層（３１）及び第２音響インピーダンス層（３２）は、基板（２）上に形成されている。圧電体層（４）は、第１音響インピーダンス層（３１）及び第２音響インピーダンス層（３２）上に形成されている。ＩＤＴ電極（５）は、圧電体層（４）上に形成されている。ＩＤＴ電極（５）の少なくとも一部は、圧電体層（４）の厚さ方向（第１方向Ｄ１）からの平面視において、第１音響インピーダンス層（３１）と重複する。電極（６１，６２；６３，６４）は、圧電体層（４）上に形成されている。電極（６１，６２；６３，６４）の少なくとも一部は、上記厚さ方向からの平面視において、第２音響インピーダンス層（３２）と重複する。第１音響インピーダンス層（３１）及び第２音響インピーダンス層（３２，３３；３４，３５）の各々は、少なくとも１層の高音響インピーダンス層（第１高音響インピーダンス層３１１，３１３）と、少なくとも１層の低音響インピーダンス層（第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５）と、を有する。低音響インピーダンス層は、高音響インピーダンス層よりも音響インピーダンスが低い。第１音響インピーダンス層（３１）及び第２音響インピーダンス層（３２，３３）の各々において、高音響インピーダンス層又は低音響インピーダンス層が導電性である。第２音響インピーダンス層（３２，３３；３４，３５）における導電層と電極（６１，６２；６３，６４）とによって、キャパシタ（７１，７２；７４，８５）が形成されている。第１音響インピーダンス層（３１）における導電層は、第２音響インピーダンス層（３２，３３；３４，３５）における導電層と電気的に絶縁している。
【０１２６】
第１の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、ＩＤＴ電極（５）の少なくとも一部が重複する第１音響インピーダンス層（３１）の導電層と、電極（６１，６２；６３，６４）の少なくとも一部が重複する第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）の導電層とが電気的に絶縁している。これにより、キャパシタがディスクリート素子である場合又はキャパシタが配線基板上に形成される場合に比べて、特性劣化を抑制しつつ、弾性波装置（１；１ａ）全体のサイズを小型にすることができる。
【０１２７】
第１の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、基板（２）の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）が電極（６１，６２；６４，６５）の少なくとも一部と重複し、かつ、第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）の複数の高音響インピーダンス層（第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３；３５１，３５３，３６１，３６３）が導電層を含む。これにより、第２音響インピーダンス層（３２，３３；３４，３５）における導電層を、キャパシタ（７１，７２；７４，７５）において電極（６１，６２；６３，６４）とは異なる他方の電極として用いることができる。その結果、第２音響インピーダンス層（３２，３３；３４，３５）における導電層とは別にキャパシタの他方の電極が設けられる場合に比べて、基板（２）の厚さ方向（第１方向Ｄ１）においてキャパシタ（７１，７２；７４，７５）を小型にすることができる。
【０１２８】
第２の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、第１の態様において、第１音響インピーダンス層（３１）の高音響インピーダンス層（第１高音響インピーダンス層３１１，３１３）が複数設けられている。第１音響インピーダンス層（３１）の低音響インピーダンス層（第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５）が複数設けられている。第１音響インピーダンス層（３１）の複数の高音響インピーダンス層と第１音響インピーダンス層（３１）の複数の低音響インピーダンス層とが厚さ方向（第１方向Ｄ１）において一層ごとに交互に並んでいる。
【０１２９】
第３の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、第１又は２の態様において、第２音響インピーダンス層（３２）の高音響インピーダンス層（第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３；３５１，３５３，３６１，３６３）が複数設けられている。第２音響インピーダンス層（３２）の低音響インピーダンス層（第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５，３３２，３３４，３３５；３５２，３５４，３５５，３６２，３６４，３６５）が複数設けられている。第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）の複数の高音響インピーダンス層と第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）の複数の低音響インピーダンス層とが厚さ方向（第１方向Ｄ１）において一層ごとに交互に並んでいる。
【０１３０】
第４の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、第１〜３の態様のいずれか１つにおいて、第１音響インピーダンス層（３１）は、高音響インピーダンス層（第１高音響インピーダンス層３１１，３１３）として、導電層を含む。第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）は、高音響インピーダンス層（第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３；３５１，３５３；３６１，３６３）として、導電層を含む。
【０１３１】
第５の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）は、第１〜４の態様のいずれか１つにおいて、電極（６１，６２；６３，６４）を複数備える。第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）は、複数の電極（６１，６２；６３，６４）と一対一に対応して複数設けられている。複数の第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）に含まれる複数の導電層（複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３；３５１，３５３，３６１，３６３）のうち少なくとも２つは、互いに電気的に接続されている。
【０１３２】
第５の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、複数の電極（６１，６２；６３，６４）に対応する複数の第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）における複数の導電層（複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３；３５１，３５３，３６１，３６３）のうち少なくとも２つが互いに電気的に接続されている。これにより、少なくとも２つのキャパシタ（７１，７２；７４，７５）を容易に形成することができる。
【０１３３】
第６の態様に係る弾性波装置（１ａ）では、第５の態様において、複数の第２音響インピーダンス層（３５，３６）の複数の導電層（複数の第２高音響インピーダンス層３５１，３５３，３６１，３６３）のうちの少なくとも２つの間に、インダクタ（８）を構成する導電層（第３高音響インピーダンス層３７１，３７３）が設けられている。
【０１３４】
第６の態様に係る弾性波装置（１ａ）では、複数の第２音響インピーダンス層（３５，３６）の複数の導電層（複数の第２高音響インピーダンス層３５１，３５３，３６１，３６３）のうちの少なくとも２つの間に導体層（第３高音響インピーダンス層３７１，３７３）が設けられている。これにより、キャパシタ（７４，７５）と共にインダクタ（８）もＩＤＴ電極（５）と一体に形成することができる。言い換えると、キャパシタ（７４，７５）と共にインダクタ（８）も共振子と一体に形成することができる。
【０１３５】
第７の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、第５又は６の態様において、複数の第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）の複数の導電層（複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３；３５１，３５３，３６１，３６３）は、同じ材料で形成されている。
【０１３６】
第７の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、複数の導電層（複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３；３５１，３５３，３６１，３６３）が同じ材料で形成されている。これにより、複数の第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）を容易に形成することができる。
【０１３７】
第８の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、第１〜７の態様のいずれか１つにおいて、第１音響インピーダンス層（３１）の導電層（第１高音響インピーダンス層３１１，３１３）は、第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）の導電層（複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３；３５１，３５３，３６１，３６３）と同じ材料で形成されている。
【０１３８】
第８の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、第１音響インピーダンス層（３１）の導電層（第１高音響インピーダンス層３１１，３１３）と第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）の導電層（複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３；３５１，３５３，３６１，３６３）とが同じ材料で形成されている。これにより、第１音響インピーダンス層（３１）と第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）とを容易に形成することができる。
【０１３９】
第９の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、第１〜８の態様のいずれか１つにおいて、ＩＤＴ電極（５）の電極指ピッチ（Ｐ１）により定まる弾性波の波長をλとしたときに、圧電体層（４）の厚さが、１λ以下である。
【０１４０】
第１０の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、第９の態様において、弾性波が板波である。
【０１４１】
第１１の態様に係る弾性波装置（ラダー型フィルタ９；９ａ）は、直列腕回路（９７）と、並列腕回路（９８１，９８２）と、を備える。直列腕回路（９７）は、入力端子（９６１）と出力端子（９６２）とを結ぶ第１経路上に設けられている。並列腕回路（９８１，９８２）は、第１経路上のノードとグランドとを結ぶ第２経路上に設けられている。直列腕回路（９７）は、複数の直列腕共振子（９１〜９３）を有する。並列腕回路（９８１，９８２）は、並列腕共振子（９４，９５）を有する。複数の直列腕共振子（９１〜９３）及び並列腕共振子（９４，９５）のうち少なくとも１つの共振子は、圧電体層（４）及びＩＤＴ電極（５）を含む。
【０１４２】
第１２の態様に係る弾性波装置（ラダー型フィルタ９）では、第１１の態様において、圧電体層（４）及びＩＤＴ電極（５）を含む上記共振子は、複数の直列腕共振子（９１〜９３）のうち第１経路上において出力端子（９６２）に最も近くに接続されている直列腕共振子（９３）である。キャパシタ（７１，７２）は、第１経路上において、出力端子（９６２）と第１経路上において出力端子（９６２）に最も近くに接続されている直列腕共振子（９３）との間に設けられている。
【０１４３】
第１３の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）の製造方法は、基板（２）及び圧電体層（４）を準備する工程を有する。弾性波装置（１；１ａ）の製造方法は、基板（２）と圧電体層（４）との間に、第１音響インピーダンス層（３１）と、第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）とを形成する工程を有する。第１音響インピーダンス層（３１）は、少なくとも１層の導電層（第１高音響インピーダンス層３１１，３１３）を含む。第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）は、少なくとも１層の導電層（第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３；３５１，３５３，３６１，３６３）を含む。弾性波装置（１；１ａ）の製造方法は、圧電体層（４）上であって、基板（２）の厚さ方向（第１方向Ｄ１）からの平面視において、少なくとも一部が第１音響インピーダンス層（３１）と重複するＩＤＴ電極（５）を形成し、少なくとも一部が第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）と重複する少なくとも１つの電極（６１，６２；６３，６４）を形成する工程を有する。第１音響インピーダンス層（３１）及び第２音響インピーダンス層（３２）を形成する工程では、高音響インピーダンス層（第１高音響インピーダンス層３１１，３１３、第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３；３５１，３５３，３６１，３６３）を形成する工程と、高音響インピーダンス層よりも音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層（第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５、第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５，３３２，３３４，３３５；３５２，３５４，３５５，３６２，３６４，３６５）を形成する工程と、を少なくとも１回ずつ繰り返す。第１音響インピーダンス層（３１）及び第２音響インピーダンス層（３２，３３；３４，３５）を形成する工程において、互いに電気的に絶縁するように、第１音響インピーダンス層（３１）における導電層（第１高音響インピーダンス層３１１，３１３）と、第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）における導電層（第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３；３５１，３５３，３６１，３６３）とを形成する。電極６１，６２；６３，６４）を形成する工程では、第２音響インピーダンス層（３２，３３；３４，３５）における導電層と電極（６１，６２；６３，６４）とによって、キャパシタ（７１，７２；７４，８５）を形成する。
【０１４４】
第１３の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）の製造方法では、第２音響インピーダンス層（３２，３３；３４，３５）を形成する工程において、基板（２）の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において電極（６１，６２；６３，６４）と対向する位置に導電層を形成する。これにより、共振子と同じ工程でキャパシタ（７１，７２；７４，７５）を製造することができるので、共振子とキャパシタとを別々に製造する場合に比べて、弾性波装置（１；１ａ）の製造工程を簡略にすることができる。
【符号の説明】
【０１４５】
１，１ａ  弾性波装置
２  基板
３，３ａ  中間層
３０１  導電膜
３０３  導電膜
３１  第１音響インピーダンス層
３１１，３１３  第１高音響インピーダンス層（導電層）
３１２，３１４，３１５  第１低音響インピーダンス層
３２  第２音響インピーダンス層
３３１，３３３  第２高音響インピーダンス層（導電層）
３３２，３３４，３３５  第２低音響インピーダンス層
３４  絶縁層
３４１，３４２，３４３  絶縁層の一部
３５  第２音響インピーダンス層
３５１，３５３  第２高音響インピーダンス層（導電層）
３５２，３５４，３５５  第２低音響インピーダンス層
３６  第２音響インピーダンス層
３６１，３６３  第２高音響インピーダンス層（導電層）
３６２，３６４，３６５  第２低音響インピーダンス層
３７  第３音響インピーダンス層
３７１，３７３  第３高音響インピーダンス層（導電層）
３７２，３７４，３７５  第３低音響インピーダンス層
４  圧電体層
５  ＩＤＴ電極
５０１  導電膜
５１  第１電極
５２  第２電極
５３  第１電極指
５４  第１バスバー
５５  第２電極指
５６  第２バスバー
６０  配線
６１〜６４  電極
７１，７２  キャパシタ
７３  インダクタ
７４，７５  キャパシタ
８  インダクタ
９，９ａ  ラダー型フィルタ（弾性波装置）
９１〜９３  直列腕共振子
９４，９５  並列腕共振子
９６１  入力端子
９６２  出力端子
９７  直列腕回路
９８１，９８２  並列腕回路
Ｄ１  第１方向（厚さ方向）
Ｄ２  第２方向
Ｄ３  第３方向
Ｐ１  電極指ピッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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