(57)【要約】  撮像素子チップの反りを防いで撮像画質を向上させることのできる撮像ユニットと、この撮像ユニットを備える撮像装置を提供する。  撮像ユニット（５０）は、撮像素子チップ（１）が固定された第一の線膨張係数を有するパッケージ（２）と、パッケージ（２）に固定された回路基板（５２）と、を備える。回路基板（５２）は、第一の線膨張係数を有する導電層（５１ｔ）〜（５８ｔ）と、第一の線膨張係数よりも小さく撮像素子チップ（１）を構成する半導体基板の線膨張係数よりも大きい第二の線膨張係数を有する絶縁層（５１ｓ）〜（５７ｓ）と、を含む。回路基板（５２）の裏側部分Ｂの導電層の含有量は、回路基板（５２）の表側部分Ｓの導電層の含有量よりも多い。
2019163909.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像素子チップと、
前記撮像素子チップが固定され、且つ前記撮像素子チップと電気的に接続された、第一の線膨張係数を有する固定部材と、
前記固定部材に導電性部材を介して固定された回路基板と、を備え、
前記回路基板は、前記第一の線膨張係数を有する第一の部材と、前記第一の線膨張係数よりも小さく前記撮像素子チップを構成する半導体基板の線膨張係数よりも大きい第二の線膨張係数を有する第二の部材と、を含み、
前記回路基板の前記固定部材が固定されている側の面を第一の面とし、前記回路基板の前記第一の面の反対側の面を第二の面とし、前記回路基板における前記第一の面と前記第二の面の中間と前記第二の面との間の部分である裏側部分の前記第二の部材の含有量は、
前記回路基板における前記中間と前記第一の面との間の部分である表側部分の前記第二の部材の含有量よりも多い撮像ユニット。
【請求項２】
請求項１記載の撮像ユニットであって、
前記回路基板の前記裏側部分を前記第一の面と前記第二の面の並ぶ方向に２分割した場合の前記第二の面側の部分における前記第二の部材の含有量は、前記回路基板の前記表側部分を前記方向に２分割した場合の前記第一の面側の部分における前記第二の部材の含有量よりも多い撮像ユニット。
【請求項３】
請求項２記載の撮像ユニットであって、
前記裏側部分の前記第二の面側の前記部分における前記第二の部材の含有量は、前記表側部分の前記第一の面側の前記部分における前記第二の部材の含有量の１．２倍以上である撮像ユニット。
【請求項４】
請求項３記載の撮像ユニットであって、
前記裏側部分の前記第二の面側の前記部分における前記第二の部材の含有量は、前記表側部分の前記第一の面側の前記部分における前記第二の部材の含有量の１．５倍以上である撮像ユニット。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項記載の撮像ユニットであって、
前記裏側部分における前記第二の部材の含有量は、前記表側部分における前記第二の部材の含有量の１．２倍以上である撮像ユニット。
【請求項６】
請求項５記載の撮像ユニットであって、
前記裏側部分における前記第二の部材の含有量は、前記表側部分における前記第二の部材の含有量の１．５倍以上である撮像ユニット。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項記載の撮像ユニットを備える撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像ユニットとこれを備える撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサ又はＣＭＯＳ
（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  ＯＸｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサ等の撮像素子の高解像度化に伴い、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、スマートフォン等の携帯電話機、タブレット端末、又は電子内視鏡等の撮像機能を有する機器の需要が急増している。なお、以上のような撮像機能を有する機器を撮像装置と称する。【０００３】
撮像装置は、半導体チップである撮像素子チップと、この撮像素子チップを収容するパッケージと、このパッケージが実装される回路基板と、を含む撮像ユニットを備える。【０００４】
特許文献１から３には、半導体チップと、この半導体チップを収容するパッケージと、このパッケージが実装される回路基板と、を含むユニットの構造が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】日本国特開２００２−１００７０４号公報
【特許文献２】日本国特開２００１−１２７２００号公報
【特許文献３】日本国特開２００９−０９４１６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体チップを収容するパッケージを回路基板に実装する際には、パッケージと回路基板とを半田によって電気的に接続する工程において、ユニットが高温状態に置かれる。この工程の終了後、ユニットの温度が低下すると、ユニットの構成部品の線膨張係数の違いによって、バイメタル効果による反りが発生する。【０００７】
半導体チップが撮像素子チップである場合には、バイメタル効果による反りによって撮像素子チップの受光面の平坦性が確保できなくなる。このように受光面が反ると、受光面の周辺においては焦点がずれることになり、撮像画質に影響を与える。撮像素子チップのサイズが大きい場合には、バイメタル効果による反りへの対策が特に重要となる。特許文献１から３では、こういった撮像素子チップの反りの課題については認識していない。【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、撮像素子チップの反りを防いで撮像画質を向上させることのできる撮像ユニットと、この撮像ユニットを備える撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の撮像ユニットは、撮像素子チップと、上記撮像素子チップが固定され、且つ上記撮像素子チップと電気的に接続された、第一の線膨張係数を有する固定部材と、上記固定部材に導電性部材を介して固定された回路基板と、を備え、上記回路基板は、上記第一の線膨張係数を有する第一の部材と、上記第一の線膨張係数よりも小さく上記撮像素子チップを構成する半導体基板の線膨張係数よりも大きい第二の線膨張係数を有する第二の部材と、を含み、上記回路基板の上記固定部材が固定されている側の面を第一の面とし、上記回路基板の上記第一の面の反対側の面を第二の面とし、上記回路基板における上記第一の面と上記第二の面の中間と上記第二の面との間の部分である裏側部分の上記第二の部材の含有量は、上記回路基板における上記中間と上記第一の面との間の部分である表側部分の上記第二の部材の含有量よりも多いものである。【００１０】
本発明の撮像装置は、上記撮像ユニットを備えるものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、撮像素子の反りを防いで撮像画質を向上させることのできる撮像ユニットと、この撮像ユニットを備える撮像装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の撮像装置の一実施形態であるデジタルカメラ１００の概略構成を示す図である。
【図２】図１に示すデジタルカメラ１００における撮像ユニット５０の断面模式図である。
【図３】図２に示す回路基板５２の構成例を示す部分断面模式図である。
【図４】図２に示す撮像ユニット５０の反り状態を説明するための模式図である。
【図５】検証した回路基板５２の構成を示す図である。
【図６】検証した回路基板５２の構成を示す図である。
【図７】検証した回路基板５２の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１４】
図１は、本発明の撮像装置の一実施形態であるデジタルカメラ１００の概略構成を示す図である。
【００１５】
図１に示すデジタルカメラ１００は、撮像レンズ４１と、絞り４２と、レンズ駆動部４３と、絞り駆動部４４と、レンズ制御部４５と、を有するレンズ装置４０を備える。
【００１６】
レンズ装置４０は、デジタルカメラ１００本体に着脱可能なものであってもよいし、デジタルカメラ１００本体と一体化されたものであってもよい。
【００１７】
撮像レンズ４１は光軸方向に移動可能なフォーカスレンズ又はズームレンズ等を含む。
【００１８】
レンズ装置４０のレンズ制御部４５は、デジタルカメラ１００のシステム制御部１１と有線又は無線によって通信可能に構成される。
【００１９】
レンズ制御部４５は、システム制御部１１からの指令にしたがい、レンズ駆動部４３を介して撮像レンズ４１に含まれるフォーカスレンズを駆動してフォーカスレンズの主点の位置を変更したり、絞り駆動部４４を介して絞り４２の開口量を制御したりする。
【００２０】
デジタルカメラ１００は、更に、撮像光学系を通して被写体を撮像するための撮像ユニット５０と、システム制御部１１と、操作部１４と、を備える。
【００２１】
撮像ユニット５０は、ＣＣＤ型イメージセンサ又はＣＭＯＳ型イメージセンサ等の撮像素子５１と、撮像素子５１が実装された回路基板５２と、を備える。
【００２２】
撮像素子５１は、複数の画素が二次元状に配置された受光面（後述の図３の受光面１０）を有し、撮像光学系によってこの受光面に結像される被写体像をこの複数の画素によって電気信号（画素信号）に変換して出力する。
【００２３】
システム制御部１１は、撮像素子５１を駆動し、レンズ装置４０の撮像光学系を通して撮像した被写体像を撮像画像信号として出力させる。
【００２４】
システム制御部１１には、操作部１４を通してユーザからの指示信号が入力される。
【００２５】
システム制御部１１は、デジタルカメラ１００全体を統括制御するものであり、ハードウェア的な構造は、プログラムを実行して処理を行う各種のプロセッサである。
【００２６】
各種のプロセッサとしては、プログラムを実行して各種処理を行う汎用的なプロセッサであるＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｓｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙ）等の製造後に回路構成を変更可能なプロセッサであるプログラマブルロジックデバイス（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｌｏｇｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅ：ＰＬＤ）、又はＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の特定の処理を実行させるために専用に設計された回路構成を有するプロセッサである専用電気回路等が含まれる。
【００２７】
これら各種のプロセッサの構造は、より具体的には、半導体素子等の回路素子を組み合わせた電気回路である。
【００２８】
システム制御部１１は、各種のプロセッサのうちの１つで構成されてもよいし、同種又は異種の２つ以上のプロセッサの組み合わせ（例えば、複数のＦＰＧＡの組み合わせ又はＣＰＵとＦＰＧＡの組み合わせ）で構成されてもよい。
【００２９】
更に、このデジタルカメラ１００の電気制御系は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｓｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）から構成されるメインメモリ１６と、メインメモリ１６へのデータ記憶及びメインメモリ１６からのデータ読み出しの制御を行うメモリ制御部１５と、撮像ユニット５０から出力される撮像画像信号に対しデジタル信号処理を行ってＪＰＥＧ（Ｊｏｉｎｔ  Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ  Ｅｘｐｅｒｔｓ  Ｇｒｏｕｐ）形式等の各種フォーマットにしたがった撮像画像データを生成するデジタル信号処理部１７と、記憶媒体２１へのデータ記憶及び記憶媒体２１からのデータ読み出しの制御を行う外部メモリ制御部２０と、有機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイ又は液晶ディスプレイ等で構成される表示部２３と、表示部２３の表示を制御する表示制御部２２と、を備える。
【００３０】
図２は、図１に示すデジタルカメラ１００における撮像ユニット５０の断面模式図である。
【００３１】
図２に示すように、撮像ユニット５０は、撮像素子５１と、撮像素子５１の背面に固着された回路基板５２と、を備える。
【００３２】
撮像素子５１は、矩形板状又は円形板状等の板状の底部２ａと、底部２ａの端部に立設された矩形枠状又は円形枠状等の枠状の壁部２ｂと、を有するパッケージ２を備える。パッケージ２は、壁部２ｂで囲まれる部分に凹部２ｃを有する構成である。
【００３３】
撮像素子５１は、更に、パッケージ２の凹部２ｃの底面２ｄに固定された撮像素子チップ１と、パッケージ２の壁部２ｂの上面に接着材４により固定され、パッケージ２の凹部２ｃを塞いで撮像素子チップ１を封止する樹脂又はガラス等の透光性部材で構成された保護カバー３と、を備える。パッケージ２は固定部材を構成する。
【００３４】
撮像素子チップ１は、フォトダイオード等の光電変換素子、及び、光電変換素子に蓄積された電荷を信号に変換して読み出す読み出し回路等が形成された受光面１０を含む半導体チップである。撮像素子チップ１は、平面形状が矩形であり、ダイボンド材として用いられる樹脂等の接着部材５によってパッケージ２の底面２ｄに固定されている。撮像素子チップ１の半導体基板は、例えばシリコンによって構成されている。
【００３５】
パッケージ２は、アルミナセラミック等の絶縁材料で構成されたもの、又は、タングステン等の導電性部材からなる導電層とアルミナセラミック等の絶縁材料からなる絶縁層とが積層された多層構造のもの等が用いられる。
【００３６】
パッケージ２の凹部２ｃの底面２ｄには、図示省略の多数の端子が形成されており、これら端子と、撮像素子チップ１に形成されている電極パッドとが図示省略の導電性ワイヤ等によって電気的に接続されている。また、パッケージ２の保護カバー３が固定される側と反対側の背面２ｅには、パッケージ２の凹部２ｃの底面２ｄに形成された各端子と電気的に接続された第一の端子が露出している。
【００３７】
回路基板５２は、パッケージ２の背面２ｅに、複数の導電性部材７によって接着されて固定されている。パッケージ２のこの背面２ｅに露出した上記の複数の第一の端子の各々に、この導電性部材７が接触している。
【００３８】
導電性部材７は、接着機能を持つ導電性材料で構成されていればよく、例えば、鉛と錫の合金からなるハンダ又は錫と銅の合金からなるハンダ等が用いられる。
【００３９】
回路基板５２は板状の部材である。回路基板５２には、撮像素子チップ１を駆動する回路及び撮像素子チップ１から出力される信号を処理する回路等が形成されている。回路基板５２のパッケージ２と固定されている側の第一の面５２ａには、導電性部材７と接触する位置に、これら回路の端子（第二の端子）が形成されている。
【００４０】
したがって、回路基板５２に含まれる回路の第二の端子と、パッケージ２の背面に形成された第一の端子とは、導電性部材７によって電気的に接続されている。
【００４１】
回路基板５２は、セラミック等の絶縁材料からなる絶縁層によって構成される第一の部分と、タングステン等の導電材料からなる導電層によって構成される第二の部分とを含む。
【００４２】
図３は、図２に示す回路基板５２の構成例を示す部分断面模式図である。
【００４３】
回路基板５２は、パッケージ２が固定されている側の第一の面５２ａと、第一の面５２ａと反対側の第二の面５２ｂとの間に、導電層５１ｔ、絶縁層５１ｓ、導電層５２ｔ、絶縁層５２ｓ、導電層５３ｔ、絶縁層５３ｓ、導電層５４ｔ、絶縁層５４ｓ、導電層５５ｔ、絶縁層５５ｓ、導電層５６ｔ、絶縁層５６ｓ、導電層５７ｔ、絶縁層５７ｓ、導電層５８ｔが、第一の面５２ａから第二の面５２ｂに向かってこの順番で積層された構成である。
【００４４】
絶縁層５１ｓ〜５７ｓは、第一の部材を構成している。導電層５１ｔ〜５８ｔは、第二の部材を構成している。
【００４５】
絶縁層５１ｓ〜５７ｓの各々の線膨張係数は、パッケージ２の線膨張係数（第一の線膨張係数）と同じになっている。２つの線膨張係数が同じであるとは、この２つの線膨張係数が完全に一致する場合の他、この２つの線膨張係数の差が例えば小数点以下程度に小さいことを言う。
【００４６】
例えば、パッケージ２の材料としてセラミック（線膨張係数＝７．１[ppm/℃]）を採用し、回路基板５２の絶縁層５１ｓ〜５７ｓとしてセラミックを用いることで、絶縁層５１ｓ〜５７ｓの各々の線膨張係数を、パッケージ２の線膨張係数と同じにすることができる。
【００４７】
導電層５１ｔ〜５８ｔの各々の線膨張係数は、絶縁層５１ｓ〜５７ｓの各々の線膨張係数よりも小さく、撮像素子チップ１を構成する半導体基板の線膨張係数よりは大きくなっている。
【００４８】
例えば、撮像素子チップ１を構成する半導体基板としてケイ素（線膨張係数＝３[ppm/℃]）を採用し、絶縁層５１ｓ〜５７ｓとしてセラミック（線膨張係数＝７．１[ppm/℃]）を採用し、導電層５１ｔ〜５８ｔとしてタングステン（線膨張係数＝４．５[ppm/℃]）を採用することで、上記の条件を満たすことができる。
【００４９】
なお、本明細書における線膨張係数とは、撮像素子５１の受光面１０に沿った方向における長さの変化を表すものである。
【００５０】
図３では、回路基板５２における第一の面５２ａと第二の面５２ｂの中間と第二の面５２ｂとの間の部分を裏側部分Ｂとして示している。また、回路基板５２における上記中間と第一の面５２ａとの間の部分を表側部分Ｓとして示している。また、裏側部分Ｂを第一の面５２ａと第二の面５２ｂの並ぶ方向に２分割した場合の第二の面５２ｂ側の部分を、裏面２５％厚部分Ｂａとして示している。また、表側部分Ｓを第一の面５２ａと第二の面５２ｂの並ぶ方向に２分割した場合の第一の面５２ａ側の部分を、表面２５％厚部分Ｓａとして示している。
【００５１】
回路基板５２全体に含まれる導電層５１ｔ〜５８ｔの総量（以下、全体量という）に占める、回路基板５２の裏側部分Ｂにある導電層５５ｔ，５６ｔ，５７ｔ，５８ｔの総量の割合（以下、裏側含有率という）は、回路基板５２の表側部分Ｓにある導電層５１ｔ，５２ｔ，５３ｔ，５４ｔの総量の上記全体量に占める割合（以下、表側含有率という）よりも多くなっている。
【００５２】
更に、回路基板５２の裏面２５％厚部分Ｂａにある導電層５７ｔ，５８ｔの総量の上記全体量に占める割合（以下、裏面２５％厚含有率という）は、回路基板５２の表面２５％厚部分Ｓａにある導電層５１ｔ，５２ｔの総量の上記全体量に占める割合（以下、表面２５％厚含有率という）よりも多くなっている。
【００５３】
裏側含有率と表側含有率の関係は、裏側含有率が表側含有率よりも多くなっていればよいが、裏側含有率が表側含有率の１．２倍以上であることが好ましい。裏側含有率が表側含有率の１．５倍以上であることが更に好ましい。
【００５４】
なお、裏側含有率が表側含有率よりも多くなっていれば、裏面２５％厚含有率が表面２５％厚含有率よりも多くなっていることは必須ではない。しかし、裏面２５％厚含有率が表面２５％厚含有率よりも多くなっていることが好ましい。裏面２５％厚含有率は表面２５％厚含有率の１．２倍以上であることがより好ましく、１．５倍以上であることが更に好ましい。
【００５５】
以上のように構成された撮像ユニット５０は、撮像素子チップ１の線膨張係数がパッケージ２の線膨張係数よりも小さい。このため、撮像素子チップ１及びパッケージ２は、バイメタル効果によって、図４に示すように、実線矢印にて示す方向に反りが生じ得る。
【００５６】
一方、パッケージ２と回路基板５２は線膨張係数が同じであるため、パッケージ２と回路基板５２の線膨張係数の差に起因する反りは生じない。しかし、回路基板５２においては、裏側含有率が表側含有率よりも多くなっている。このため、回路基板５２単体では、裏側含有率と表側含有率の差によって、図４に示す点線矢印のように、撮像素子チップ１及びパッケージ２の反りの方向とは反対の方向に反りが生じる。この結果、撮像素子チップ１及びパッケージ２の反りが、回路基板５２の反りによってキャンセルされることになり、撮像素子チップ１及びパッケージ２の反りを低減することができる。
【００５７】
特に、裏面２５％厚含有率が表面２５％厚含有率よりも多くなっていると、回路基板５２の反りが生じやすくなるため、撮像素子チップ１及びパッケージ２の反りをより効果的に低減することができる。
【００５８】
次に、上述した回路基板５２の構成による効果をシミュレーションによって検証した結果を説明する。このシミュレーションでは、撮像ユニット５０において、パッケージ２の材料をセラミック及びタングステンとし、図３に示した回路基板５２の導電層の材料をタングステンとし、図３に示した回路基板５２の絶縁層の材料をセラミックとし、回路基板５２の各導電層の全体量に占める含有率を図５から図７に示すように設定した。
【００５９】
図５は、裏側含有率が６０％であり、表側含有率が４０％であり、裏面２５％厚含有率が３０％であり、表面２５％厚含有率が２０％である検証例を示している。
【００６０】
図６は、裏側含有率が５５％であり、表側含有率が４５％であり、裏面２５％厚含有率が２７．５％であり、表面２５％厚含有率が２２．５％である検証例を示している。
【００６１】
図７は、裏側含有率が３５％であり、表側含有率が６５％である参考検証例を示している。
【００６２】
また、図５〜図７の例について、それぞれ、回路基板５２に含まれる導電層の全体量を、パッケージ２に含まれる導電層の全体量と同じにした第一の条件と、パッケージ２に含まれる導電層の全体量よりも２％程度少なくした第二の条件とで検証を行った。
【００６３】
撮像素子チップ１の受光面１０における８０％像高位置での反り量をシミュレーションした結果、図７の参考検証例では、第一の条件においては反り量が１３．５４μｍとなり、第二の条件においては反り量が１５．０８μｍとなった。
【００６４】
図６の検証例では、第一の条件においては反り量が１０．０８μｍとなり、第二の条件においては反り量が１１．９６μｍとなった。
【００６５】
図５の検証例では、第一の条件においては反り量が８．８３μｍとなり、第二の条件においては反り量が１０．８μｍとなった。
【００６６】
受光面１０における８０％像高位置での反り量は、１２μｍ以下となっていれば実用上は問題がない。図５及び図６の検証例では、反り量が１２μｍ以下となっているのに対し、図７の参考検証例では反り量が１２μｍを超えている。この結果からも、裏側含有率が表側含有率よりも多くなっていることで、撮像素子チップ１の反りを低減できることが分かる。
【００６７】
また、図５の検証例と図６の検証例では、図５の検証例の反り量が相対的に少なくなっている。この結果から、裏側含有率をより大きくすることで、撮像素子チップ１の反り量をより減らせることが分かる。
【００６８】
以上説明してきたように、本明細書には以下の事項が開示されている。
（１）
撮像素子チップと、
上記撮像素子チップが固定され、且つ上記撮像素子チップと電気的に接続された、第一の線膨張係数を有する固定部材と、
上記固定部材に導電性部材を介して固定された回路基板と、を備え、
上記回路基板は、上記第一の線膨張係数を有する第一の部材と、上記第一の線膨張係数よりも小さく上記撮像素子チップを構成する半導体基板の線膨張係数よりも大きい第二の線膨張係数を有する第二の部材と、を含み、
上記回路基板の上記固定部材が固定されている側の面を第一の面とし、上記回路基板の上記第一の面の反対側の面を第二の面とし、上記回路基板における上記第一の面と上記第二の面の中間と上記第二の面との間の部分である裏側部分の上記第二の部材の含有量は、
上記回路基板における上記中間と上記第一の面との間の部分である表側部分の上記第二の部材の含有量よりも多い撮像ユニット。
【００６９】
（２）
（１）記載の撮像ユニットであって、
上記回路基板の上記裏側部分を上記第一の面と上記第二の面の並ぶ方向に２分割した場合の上記第二の面側の部分における上記第二の部材の含有量は、上記回路基板の上記表側部分を上記方向に２分割した場合の上記第一の面側の部分における上記第二の部材の含有量よりも多い撮像ユニット。
【００７０】
（３）
（２）記載の撮像ユニットであって、
上記裏側部分の上記第二の面側の上記部分における上記第二の部材の含有量は、上記表側部分の上記第一の面側の上記部分における上記第二の部材の含有量の１．２倍以上である撮像ユニット。
【００７１】
（４）
（３）記載の撮像ユニットであって、
上記裏側部分の上記第二の面側の上記部分における上記第二の部材の含有量は、上記表側部分の上記第一の面側の上記部分における上記第二の部材の含有量の１．５倍以上である撮像ユニット。
【００７２】
（５）
（１）〜（４）のいずれか１つに記載の撮像ユニットであって、
上記裏側部分における上記第二の部材の含有量は、上記表側部分における上記第二の部材の含有量の１．２倍以上である撮像ユニット。
【００７３】
（６）
（５）記載の撮像ユニットであって、
上記裏側部分における上記第二の部材の含有量は、上記表側部分における上記第二の部材の含有量の１．５倍以上である撮像ユニット。
【００７４】
（７）
（１）〜（６）のいずれか１つに記載の撮像ユニットを備える撮像装置。
【００７５】
以上、図面を参照しながら各種の実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例又は修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。また、発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上記実施の形態における各構成要素を任意に組み合わせてもよい。
【００７６】
なお、本出願は、２０１８年２月２２日出願の日本特許出願（特願２０１８−０３０１３７）に基づくものであり、その内容は本出願の中に参照として援用される。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明は、デジタルカメラ、スマートフォン、タブレット端末、パーソナルコンピュータ、ロボット、又は内視鏡等の撮像機能を有する電子機器に適用して利便性が高く、有効である。
【符号の説明】
【００７８】
１００  デジタルカメラ
１１  システム制御部
１４  操作部
４１  撮像レンズ
４２  絞り
４３  レンズ駆動部
４４  絞り駆動部
４５  レンズ制御部
５０  撮像ユニット
５１  撮像素子
５２  回路基板
１５  メモリ制御部
１６  メインメモリ
１７  デジタル信号処理部
２０  外部メモリ制御部
２１  記憶媒体
２２  表示制御部
２３  表示部
１  撮像素子チップ
２  パッケージ
２ａ  底部
２ｂ  壁部
２ｃ  凹部
２ｄ  底面
２ｅ  背面
３  保護カバー
４  接着材
５  接着部材
７  導電性部材
１０  受光面
５２  回路基板
５２ａ  第一の面
５２ｂ  第二の面
５１ｔ〜５８ｔ  導電層
５１ｓ〜５７ｓ  絶縁層
Ｓ  表側部分
Ｓａ  表面２５％厚部分
Ｂ  裏側部分
Ｂａ  裏面２５％厚部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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