(57)【要約】  磁気記録媒体は、ε酸化鉄を含む粒子の粉末を含む記録層を備え、５０℃にて磁気記録媒体の厚み方向に測定した保磁力Ｈｃ（５０）と２５℃にて磁気記録媒体の厚み方向に測定した保磁力Ｈｃ（２５）との比率（（Ｈｃ（５０）／Ｈｃ（２５））×１００）が、９５％以上であり、保磁力Ｈｃ（２５）が、２００ｋＡ／ｍ以上であり、磁気記録媒体の走行方向に測定した角形比が、３０％以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ε酸化鉄を含む粒子の粉末を含む記録層を備え、
５０℃にて磁気記録媒体の厚み方向に測定した保磁力Ｈｃ（５０）と２５℃にて磁気記録媒体の厚み方向に測定した保磁力Ｈｃ（２５）との比率（（Ｈｃ（５０）／Ｈｃ（２５））×１００）が、９５％以上であり、
前記保磁力Ｈｃ（２５）が、２００ｋＡ／ｍ以上であり、
磁気記録媒体の走行方向に測定した角形比が、３０％以下である磁気記録媒体。
【請求項２】
前記保磁力Ｈｃ（２５）が、２００ｋＡ／ｍ以上３４０ｋＡ／ｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記粒子は、コアシェル構造を有している請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記粒子は、
ε酸化鉄を含むコア部と、
軟磁性体を含むシェル部と
を備える請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記シェル部は、
前記コア部上に設けられた第１シェル部と、
前記第１シェル部上に設けられた第２シェル部と
を備え、
前記第１シェル部は、α−Ｆｅ、ＮｉＦｅ合金またはＦｅＳｉＡｌ合金を含み、
前記第２シェル部は、α酸化鉄、酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素を含む請求項４に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
活性化体積が、５０００ｎｍ3以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
磁気記録媒体の幅方向に測定した角形比が、３０％以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
ライブラリ装置に用いられる請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
最短記録波長が７５ｎｍ以下である記録再生装置に用いられる請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記記録再生装置は、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備える請求項９に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＴＯ（Linear Tape Open）６対応の高密度記録の磁気テープでは、針状磁性粉に代えて六方晶バリウムフェライト磁性粉が用いられている。高密度記録化を実現するための磁性粉としては、バリウムフェライト磁性粉以外にも、立方晶のＣｏＭｎ系スピネルフェライト磁性粉（例えば特許文献１参照）、ε−Ｆｅ2Ｏ3磁性粉（例えば特許文献２参照）などが報告されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４６８７１３６号公報
【特許文献２】特許第５０１３５０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年では、アーカイブ用途として磁気テープを用いたライブラリ装置が期待され始めている。ライブラリ装置内では、磁気テープに対して５０℃程度の温度が定常的にかかるため、熱による磁化消失により、高温環境下におけるＳＮＲ（Signal-Noise Ratio）の低下が懸念される。より高記録密度となる次世代の磁気テープでは、記録層に含まれる磁性粒子が更に微粒子化されるため、高温環境下におけるＳＮＲの低下がより顕著になると考えられる。【０００５】
本技術の目的は、高温環境下におけるＳＮＲの劣化を抑制できる磁気記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の課題を解決するために、本技術は、ε酸化鉄を含む粒子の粉末を含む記録層を備え、５０℃にて磁気記録媒体の厚み方向に測定した保磁力Ｈｃ（５０）と２５℃にて磁気記録媒体の厚み方向に測定した保磁力Ｈｃ（２５）との比率（（Ｈｃ（５０）／Ｈｃ（２５））×１００）が、９５％以上であり、保磁力Ｈｃ（２５）が、２００ｋＡ／ｍ以上であり、磁気記録媒体の走行方向に測定した角形比が、３０％以下である磁気記録媒体である。
【発明の効果】
【０００７】
本技術によれば、高温環境下におけるＳＮＲの劣化を抑制できる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果またはそれらと異質な効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体の構成を示す断面図である。
【図２】磁性粒子の構成を示す断面図である。
【図３】磁性粒子の構成を示す断面図である。
【図４】磁気記録媒体の構成を示す断面図である。
【図５】磁気記録媒体の構成を示す断面図である。
【図６】磁気記録媒体の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本技術の実施形態について以下の順序で説明する。
磁気記録媒体の構成
磁気記録媒体の製造方法
効果
変形例
【００１０】
［磁気記録媒体の構成］
本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体は、図１に示すように、長尺状の基体１１と、基体１１の一方の主面上に設けられた下地層（非磁性層）１２と、下地層１２上に設けられた記録層（磁性層）１３とを備える。磁気記録媒体が、必要に応じて、記録層１３上に設けられた保護層（図示せず）および潤滑剤層（図示せず）などをさらに備えるようにしてもよい。また、必要に応じて、基体１１の他方の主面上に設けられたバックコート層１４をさらに備えるようにしてもよい。磁気記録媒体は長尺状を有し、記録再生の際には長手方向に走行される。
【００１１】
一実施形態に係る磁気記録媒体は、好ましくは大規模磁気テープデータアーカイブ装置であるライブラリ装置に用いられる。また、一実施形態に係る磁気記録媒体は、例えば７５ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成されており、最短記録波長が７５ｎｍ以下である記録再生装置に用いられる。上記記録再生装置は、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備え、リング型ヘッドにより最短記録波長７５ｎｍ以下で信号を磁気記録媒体に記録する。
【００１２】
（保磁力Ｈｃ）
５０℃にて磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）に測定した保磁力Ｈｃ（５０）と２５℃にて磁気記録媒体の厚み方向に測定した保磁力Ｈｃ（２５）との比率Ｒ（＝（Ｈｃ（５０）／Ｈｃ（２５））×１００）が、９５％以上、好ましくは９６％以上、より好ましくは９７％以上、更により好ましくは９８％以上である。上記比率Ｒが９５％未満であると、保磁力Ｈｃの温度依存性が大きくなり、高温環境下におけるＳＮＲの劣化を抑制することが困難となる虞がある。
【００１３】
２５℃にて磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）に測定した保磁力Ｈｃ（２５）が、好ましくは２００ｋＡ／ｍ以上、より好ましくは２００ｋＡ／ｍ以上３４０ｋＡ／ｍ以下、更により好ましくは２２０ｋＡ／ｍ以上３２０ｋＡ／ｍ以下、特に好ましくは２３０ｋＡ／ｍ以上３００ｋＡ／ｍ以下である。保磁力Ｈｃ（２５）が２００ｋＡ／ｍ未満であると、上記比率Ｒが９５％未満となる虞がある。したがって、保磁力Ｈｃの温度依存性が大きくなり、高温環境下におけるＳＮＲの劣化を抑制することが困難となる虞がある。一方、保磁力Ｈｃ（２５）が３４０ｋＡ／ｍ以下であると、２５℃において良好なＳＮＲを得ることができる。
【００１４】
５０℃にて磁気記録媒体の厚み方向に測定した保磁力Ｈｃ（５０）が、好ましくは１９０ｋＡ／ｍ以上、より好ましくは１９０ｋＡ／ｍ以上３１０ｋＡ／ｍ以下、更により好ましくは２００ｋＡ／ｍ以上３００ｋＡ／ｍ以下、特に好ましくは２１０ｋＡ／ｍ以上２８０ｋＡ／ｍ以下である。保磁力Ｈｃ（５０）が１９０ｋＡ／ｍ以上であると、上記比率Ｒが９５％未満となる虞がある。したがって、保磁力Ｈｃの温度依存性が大きくなり、高温環境下におけるＳＮＲの劣化を抑制することが困難となる虞がある。一方、保磁力Ｈｃが３１０ｋＡ／ｍ以下であると、２５℃において良好なＳＮＲを得ることができる。
【００１５】
上記の保磁力Ｈｃ（２５）は以下のようにして求められる。まず、長尺状の磁気記録媒体から測定サンプルを切り出し、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて測定サンプルの厚み方向（磁気記録媒体の厚み方向）に測定サンプル全体のＭ−Ｈループを測定する。次に、アセトンまたはエタノールなどを用いて塗膜（下地層１２、記録層１３など）を払拭し、基体１１のみを残してバックグラウンド補正用とし、ＶＳＭを用いて基体１１の厚み方向（磁気記録媒体の厚み方向）に基体１１のＭ−Ｈループを測定する。その後、測定サンプル全体のＭ−Ｈループから基体１１のＭ−Ｈループを引き算して、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループを得る。得られたＭ−Ｈループから保磁力Ｈｃを求める。なお、上記のＭ−Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−Ｈループを磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。
【００１６】
上記の保磁力Ｈｃ（５０）は、測定サンプおよび基体１１のＭ−Ｈループの測定をいずれも５０℃にて行うこと以外は上記の保磁力Ｈｃ（２５）の測定方法と同様にして求められる。
【００１７】
（角形比Ｓ１、Ｓ２）
磁気記録媒体の走行方向（長手方向）に測定した角形比Ｓ１が、好ましくは３０％以下、より好ましくは２５％以下、更により好ましくは２０％以下である。角形比Ｓ１が３０％を超えると、記録層１３の垂直配向性が低くなり、上記比率Ｒが９５％未満となる虞がある。したがって、保磁力Ｈｃの温度依存性が大きくなり、高温環境下におけるＳＮＲの劣化を抑制することが困難となる虞がある。
【００１８】
磁気記録媒体の幅方向に測定した角形比Ｓ２が、好ましくは３０％以下、より好ましくは２５％以下、更により好ましくは２０％以下である。角形比Ｓ２が３０％を超えると、記録層１３の垂直配向性が低くなり、上記比率Ｒが９５％未満となる虞がある。したがって、保磁力Ｈｃの温度依存性が大きくなり、高温環境下におけるＳＮＲの劣化を抑制することが困難となる虞がある。
【００１９】
磁気記録媒体の任意の面内方向に測定した角形比Ｓが、好ましくは３０％以下、より好ましくは２５％以下、更により好ましくは２０％以下である。角形比Ｓが３０％を超えると、記録層１３の垂直配向性が低くなり、上記比率Ｒが９５％未満となる虞がある。したがって、保磁力Ｈｃの温度依存性が大きくなり、高温環境下におけるＳＮＲの劣化を抑制することが困難となる虞がある。
【００２０】
上記の角形比Ｓ１は以下のようにして求められる。まず、長尺状の磁気記録媒体から測定サンプルを切り出し、ＶＳＭを用いて磁気記録媒体の走行方向（長手方向）に対応する測定サンプル全体のＭ−Ｈループを測定する。次に、アセトンまたはエタノールなどを用いて塗膜（下地層１２、記録層１３など）を払拭し、基体１１のみを残して、バックグラウンド補正用とし、ＶＳＭを用いて基体１１の走行方向（磁気記録媒体の走行方向）に対応する基体１１のＭ−Ｈループを測定する。その後、測定サンプル全体のＭ−Ｈループから基体１１のＭ−Ｈループを引き算して、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループを得る。得られたＭ−Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）および残留磁化Ｍｒ（ｅｍｕ）を以下の式に代入して、角形比Ｓ１（％）を計算する。なお、上記のＭ−Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。
角形比Ｓ１（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００
【００２１】
上記の角形比Ｓ２は、磁気記録媒体の幅方向に対応する測定サンプル全体および基体１１のＭ−Ｈループを測定する以外のことは上記の角形比Ｓ１の測定方法と同様にして求められる。
【００２２】
上記の角形比Ｓは、磁気記録媒体の任意の面内方向に対応する測定サンプル全体および基体１１のＭ−Ｈループを測定する以外のことは上記の角形比Ｓ１の測定方法と同様にして求められる。
【００２３】
（活性化体積Ｖact）
活性化体積Ｖactが、好ましくは５０００ｎｍ3以下、より好ましくは４０００ｎｍ3以下、更により好ましくは３０００ｎｍ3以下である。活性化体積Ｖactが５０００ｎｍ3以下であると、ビット反転領域を急峻にすることができ、良好なＳＮＲを得ることができる。
【００２４】
上記の活性化体積Ｖactは、Ｓｔｒｅｅｔ＆Ｗｏｏｌｌｅｙにより導出された下記の式により求められる。
Ｖact（ｎｍ3）＝ｋB×Ｔ×Χirr／（μ0×Ｍｓ×Ｓ）
（但し、ｋB：ボルツマン定数（１．３８×１０-23Ｊ／Ｋ）、Ｔ：温度（Ｋ）、Χirr：非可逆磁化率、μ0：真空の透磁率、Ｓ：磁気粘性係数、Ｍｓ：飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｍ3））
【００２５】
上記式に代入される非可逆磁化率Χirr、飽和磁化Ｍｓおよび磁気粘性係数Ｓは、ＶＳＭを用いて以下のようにして求められる。なお、ＶＳＭによる測定方向は、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）とする。また、ＶＳＭによる測定は、長尺状の磁気記録媒体から切り出された測定サンプルに対して２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−Ｈループを磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。
【００２６】
（非可逆磁化率Χirr）
非可逆磁化率Χirrは、残留磁化曲線（ＤＣＤ曲線）の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近における傾きと定義される。まず、磁気記録媒体全体に−１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に約１５．９ｋＡ／ｍ（２００Ｏｅ）の磁界を印加し再びゼロに戻し残留磁化量を測定する。その後も同様に、先ほどの印加磁界よりもさらに１５．９ｋＡ／ｍ大きい磁界を印加しゼロに戻す測定を繰り返し行い、印加磁界に対して残留磁化量をプロットしＤＣＤ曲線を測定する。得られたＤＣＤ曲線から、磁化量ゼロとなる点を残留保磁力Ｈｒとし、さらにＤＣＤ曲線を微分し、各磁界におけるＤＣＤ曲線の傾きを求める。このＤＣＤ曲線の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近の傾きがΧirrとなる。
【００２７】
（飽和磁化Ｍｓ）
まず、磁気記録媒体の厚み方向に磁気記録媒体（測定サンプル）全体のＭ−Ｈループを測定する。次に、アセトンおよびエタノールなどを用いて塗膜（下地層１２、記録層１３など）を払拭し、基体１１のみを残して、バックグラウンド補正用として、基体１１のＭ−Ｈループを同様に厚み方向に測定する。その後、磁気記録媒体全体のＭ−Ｈループから基体１１のＭ−Ｈループを引き算して、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループを得る。得られたＭ−Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）の値と、測定サンプル中の記録層１３の体積（ｃｍ3）から、Ｍｓ（ｅｍｕ／ｃｍ3）を算出する。なお、記録層１３の体積は測定サンプルの面積に記録層１３の平均厚みを乗ずることにより求められる。記録層１３の体積の算出に必要な記録層１３の平均厚みの算出方法については後述する。
【００２８】
（磁気粘性係数Ｓ）
まず、磁気記録媒体（測定サンプル）全体に−１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に、ＤＣＤ曲線より得られた残留保磁力Ｈｒの値と同等の磁界を印加する。磁界を印加した状態で１０００秒間、磁化量を一定の時間間隔で継続的に測定する。このようにして得られた、時間ｔと磁化量Ｍ（ｔ）の関係を以下の式に照らし合わせて、磁気粘性係数Ｓを算出する。
Ｍ（ｔ）＝Ｍ０＋Ｓ×ｌｎ（ｔ）
（但し、Ｍ（ｔ）：時間ｔの磁化量、Ｍ０：初期の磁化量、Ｓ：磁気粘性係数、ｌｎ（ｔ）：時間の自然対数）
【００２９】
（基体）
支持体となる基体１１は、可撓性を有する長尺状の非磁性基体である。非磁性基体はフィルムであり、フィルムの厚みは、例えば３μｍ以上８μｍ以下である。基体１１の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィン類、セルローストリアセテート、セルロースダイアセテート、セルロースブチレートなどのセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミドイミドなどのプラスチック、アルミニウム合金、チタン合金などの軽金属、アルミナガラスなどのセラミックなどを用いることができる。
【００３０】
（記録層）
記録層１３は、いわゆる垂直記録層であり、例えば、磁性粉、結着剤および導電性粒子を含んでいる。記録層１３が、必要に応じて、潤滑剤、研磨剤、防錆剤などの添加剤をさらに含んでいてもよい。
【００３１】
（磁性粉）
磁性粉は、ε酸化鉄を含むナノ粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）の粉末を含んでいる。ε酸化鉄粒子は微粒子でも高保持力を得ることができる。ε酸化鉄粒子は、球状もしくはほぼ球状を有しているか、または立方体状もしくはほぼ立方体状を有している。ε酸化鉄粒子が上記のような形状を有しているため、磁性粒子としてε酸化鉄粒子を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、媒体の厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制できる。したがって、磁性粉の分散性を高め、より良好なＳＮＲを得ることができる。
【００３２】
ε酸化鉄粒子は、コアシェル型構造を有する。具体的には、ε酸化鉄粒子は、図２に示すように、コア部２１と、このコア部２１の周囲に設けられた２層構造のシェル部２２とを備える。２層構造のシェル部２２は、コア部２１上に設けられた第１シェル部２２ａと、第１シェル部２２ａ上に設けられた第２シェル部２２ｂとを備える。
【００３３】
コア部２１は、ε酸化鉄を含んでいる。コア部２１に含まれるε酸化鉄は、ε−Ｆｅ2Ｏ3結晶を主相とするものが好ましく、単相のε−Ｆｅ2Ｏ3からなるものがより好ましい。
【００３４】
軟磁性層である第１シェル部２２ａは、コア部２１の周囲のうちの少なくとも一部を覆っている。具体的には、第１シェル部２２ａは、コア部２１の周囲を部分的に覆っていてもよいし、コア部２１の周囲全体を覆っていてもよい。コア部２１と第１シェル部２２ａの交換結合を十分なものとし、磁気特性を向上する観点からすると、コア部２１の表面全体を覆っていることが好ましい。
【００３５】
第１シェル部２２ａは、いわゆる軟磁性層であり、例えば、α−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ合金またはＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金などの軟磁性体を含んでいる。α−Ｆｅは、コア部２１に含まれるε酸化鉄を還元することにより得られるものであってもよい。
【００３６】
第２シェル部２２ｂは、酸化防止層としての酸化被膜である。第２シェル部２２ｂは、α酸化鉄、酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素を含んでいる。α酸化鉄は、例えばＦｅ3Ｏ4、Ｆｅ2Ｏ3およびＦｅＯのうちの少なくとも１種の酸化鉄を含んでいる。第１シェル部２２ａがα−Ｆｅ（軟磁性体）を含む場合には、α酸化鉄は、第１シェル部２２ａに含まれるα−Ｆｅを酸化することにより得られるものであってもよい。
【００３７】
ε酸化鉄粒子が、上述のように第１シェル部２２ａを有することで、熱安定性を確保するためにコア部２１単体の保磁力Ｈｃを大きな値に保ちつつ、ε酸化鉄粒子（コアシェル粒子）全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できる。また、ε酸化鉄粒子が、上述のように第２シェル部２２ｂを有することで、磁気記録媒体の製造工程およびその工程前において、ε酸化鉄粒子が空気中に暴露されて、粒子表面に錆びなどが発生することにより、ε酸化鉄粒子の特性が低下することを抑制することができる。したがって、磁気記録媒体の特性劣化を抑制することができる。
【００３８】
磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）Ｄは、好ましくは２２ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上２２ｎｍ以下、更により好ましくは１２ｎｍ以上２２ｎｍ以下である。
【００３９】
上記の磁性粉の平均粒子サイズＤは、以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気記録媒体をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法などにより加工して薄片を作製し、ＴＥＭ（Transmission Electron Microscope）により薄片の断面観察を行う。次に、撮影したＴＥＭ写真から５００個のε酸化鉄粒子を無作為に選び出し、それぞれの粒子の最大粒子サイズｄmaxを測定して、磁性粉の最大粒子サイズｄmaxの粒度分布を求める。ここで、“最大粒子サイズｄmax”とは、いわゆる最大フェレ径を意味し、具体的には、ε酸化鉄粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のものをいう。その後、求めた最大粒子サイズｄmaxの粒度分布から最大粒子サイズｄmaxのメジアン径（５０％径、Ｄ５０）を求めて、これを粒子の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）Ｄとする。
【００４０】
記録層１３の平均厚みが、好ましくは３０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下、より好ましくは４０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、更により好ましくは４０ｎｍ以上８０ｎｍ以下、最も好ましくは４０ｎｍ以上７０ｎｍ以下である。
【００４１】
記録層１３の平均厚み［ｎｍ］は以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気記録媒体をＦＩＢ法などにより加工して、磁気記録媒体の幅方向に平行な主面を有する薄片を作製し、ＴＥＭにより薄片の断面観察を行う。観察倍率としては、記録層１３の厚みが明瞭に観察できるよう、少なくとも１０万倍以上で行うのが好ましい。断面ＴＥＭの観察は、磁気記録媒体の長手方向（走行方向）に１００ｍごとに合計５か所の位置で行われる。一視野あたり均等に５０ポイントにおいて記録層１３の厚みを観察し、５視野全ての厚みを単純に平均（算術平均）して記録層１３の平均厚み［ｎｍ］を求める。
【００４２】
（結着剤）
結着剤としては、ポリウレタン系樹脂、塩化ビニル系樹脂などに架橋反応を付与した構造の樹脂が好ましい。しかしながら結着剤はこれらに限定されるものではなく、磁気記録媒体に対して要求される物性などに応じて、その他の樹脂を適宜配合してもよい。配合する樹脂としては、通常、塗布型の磁気記録媒体において一般的に用いられる樹脂であれば、特に限定されない。
【００４３】
例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル−エチレン共重合体、ポリ弗化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、合成ゴムなどが挙げられる。
【００４４】
また、熱硬化性樹脂、または反応型樹脂の例としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂などが挙げられる。
【００４５】
また、上述した各結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、−ＳＯ3Ｍ、−ＯＳＯ3Ｍ、−ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）2などの極性官能基が導入されていてもよい。ここで、式中Ｍは、水素原子、あるいはリチウム、カリウム、ナトリウムなどのアルカリ金属である。
【００４６】
更に、極性官能基としては、−ＮＲ１Ｒ２、−ＮＲ１Ｒ２Ｒ３+Ｘ-の末端基を有する側鎖型のもの、＞ＮＲ１Ｒ２+Ｘ-の主鎖型のものが挙げられる。ここで、式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、水素原子、または炭化水素基であり、Ｘ-は弗素、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン元素イオン、または無機もしくは有機イオンである。また、極性官能基としては、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＣＮ、エポキシ基なども挙げられる。
【００４７】
（添加剤）
記録層１３は、非磁性補強粒子として、酸化アルミニウム（α、βまたはγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）などをさらに含有していてもよい。
【００４８】
（下地層）
下地層１２は、非磁性粉および結着剤を主成分として含む非磁性層である。下地層１２が、必要に応じて、導電性粒子、潤滑剤、硬化剤および防錆剤などのうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。
【００４９】
（下地層の平均厚み）
下地層１２の平均厚みは、好ましくは０．６μｍ以上２．０μｍ以下、より好ましくは０．８μｍ以上１．４μｍ以下である。なお、上記の下地層１２の平均厚みの算出方法は、記録層１３の平均厚みの算出方法と同様である。
【００５０】
（非磁性粉）
非磁性粉は、無機物質でも有機物質でもよい。また、非磁性粉は、カーボンブラックなどでもよい。無機物質としては、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物などが挙げられる。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、板状などの各種形状が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００５１】
（結着剤）
結着剤は、上述の記録層１３と同様である。
【００５２】
［磁気記録媒体の製造方法］
次に、上述の構成を有する磁気記録媒体の製造方法の一例について説明する。まず、非磁性粉および結着剤などを溶剤に混練、分散させることにより、下地層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉および結着剤などを溶剤に混練、分散させることにより、記録層形成用塗料を調製する。記録層形成用塗料および下地層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置および混練装置を用いることができる。
【００５３】
上述の塗料調製に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノールなどのアルコール系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、エチレングリコールアセテートなどのエステル系溶媒、ジエチレングリコールジメチルエーテル、２−エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒などが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、適宜混合して用いてもよい。
【００５４】
上述の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば、連続二軸混練機、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、ニーダー、加圧ニーダー、ロールニーダーなどの混練装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。また、上述の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えば、ロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、パールミル（例えばアイリッヒ社製「ＤＣＰミル」など）、ホモジナイザー、超音波分散機などの分散装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。
【００５５】
次に、下地層形成用塗料を基体１１の一方の主面に塗布して乾燥させることにより、下地層１２を形成する。続いて、この下地層１２上に記録層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、記録層１３を下地層１２上に形成する。なお、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体１１の厚み方向に磁場配向させる。記録層１３の形成後、必要に応じて、記録層１３上に保護層および潤滑剤層を形成してもよいし、基体１１の他方の主面にバックコート層１４を形成してもよい。
【００５６】
その後、下地層１２および記録層１３が形成された基体１１を大径コアに巻き直し、硬化処理を行う。最後に、下地層１２および記録層１３が形成された基体１１に対してカレンダー処理を行った後、所定の幅に裁断する。以上により、目的とする磁気記録媒体が得られる。
【００５７】
［効果］
本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体は、ε酸化鉄を含む粒子の粉末を含む記録層１３を備える。また、５０℃にて磁気記録媒体の厚み方向に測定した保磁力Ｈｃ（５０）と２５℃にて磁気記録媒体の厚み方向に測定した保磁力Ｈｃ（２５）との比率（（Ｈｃ（５０）／Ｈｃ（２５））×１００）が９５％以上であり、保磁力Ｈｃ（２５）が２００ｋＡ／ｍ以上であり、磁気記録媒体の走行方向に測定した角形比Ｓ１が３０％以下である。これにより、保磁力Ｈｃの温度依存性を低減し、高温環境下におけるＳＮＲの劣化を抑制できる。
【００５８】
また、５０℃にて磁気記録媒体の厚み方向に測定した保磁力Ｈｃ（５０）と２５℃にて磁気記録媒体の厚み方向に測定した保磁力Ｈｃ（２５）との比率（（Ｈｃ（５０）／Ｈｃ（２５））×１００）が９５％以上であり、磁気記録媒体の走行方向に測定した角形比Ｓ１が３０％以下であり、保磁力Ｈｃ（２５）が２００ｋＡ／ｍ以上３４０ｋＡ／ｍ以下であり、活性化体積が５０００ｎｍ3以下である場合には、高温環境下におけるＳＮＲの劣化を抑制し、かつ、良好なＳＮＲを得ることができる。
【００５９】
［変形例］
（変形例１）
上述の一実施形態では、ε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部２２を有している場合について説明したが、図３に示すように、ε酸化鉄粒子が単層構造のシェル部２３を有していてもよい。この場合、シェル部２３は、第１シェル部２２ａと同様の構成を有する。但し、ε酸化鉄粒子の特性劣化を抑制する観点からすると、上述した一実施形態におけるように、ε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部２２を有していることが好ましい。
【００６０】
（変形例２）
磁気記録媒体が、図４に示すように、基体１１の両主面のうち、バックコート層１４側となる他方の主面（以下「裏面」という。）に設けられた強化層１５をさらに備えていてもよい。この場合、強化層１５上にバックコート層１４が設けられる。
【００６１】
なお、強化層１５は、基体１１の両主面のうちのいずれに設けられていてもよく、基体１１の両主面のうち、記録層１３側となる一方の主面（以下「表面」という。）に強化層１５が設けられていてもよい。この場合、強化層１５上に下地層１２が設けられる。
【００６２】
強化層１５は、磁気記録媒体の機械的強度を高めて、優れた寸法安定性を得るためのものである。強化層１５は、例えば、金属および金属化合物のうちの少なくとも１種を含んでいる。ここで、金属には、半金属が含まれるものと定義する。金属は、例えば、アルミニウムおよび銅のうちの少なくとも１種であり、好ましくは銅である。銅は、安価で蒸気圧が比較的低いため、安価に強化層１５を成膜が可能であるからである。金属化合物は、例えば、金属酸化物である。金属酸化物は、例えば、酸化アルミニウム、酸化銅および酸化シリコンのうちの少なくとも１種であり、好ましくは酸化銅である。蒸着法などにより安価に強化層１５を成膜が可能であるからである。強化層１５は、例えば、真空斜方蒸着法により形成される蒸着膜であってもよいし、スパッタ法により形成されるスパッタ膜であってもよい。
【００６３】
強化層１５は、２層以上の積層構造を有していることが好ましい。強化層１５の厚みを厚くしていくと、外力に対する基体１１の伸縮をより抑えることができる。しかしながら、蒸着法やスパッタリングなどの真空薄膜の作製技術を用いて強化層１５を形成する場合、上記のように強化層１５の厚みを厚くしていくと、強化層１５中に空隙が生じやすくなる虞がある。上記のように強化層１５を２層以上の積層構造とすることで、真空薄膜の作製技術を用いて強化層１５を形成する際に強化層１５中に生じる空隙を抑制し、強化層１５の緻密性を向上できる。したがって、強化層１５の水蒸気透過率を低減できるので、基体１１の膨張をさらに抑制し、磁気記録媒体の寸法安定性をさらに向上できる。強化層１５が２層以上の積層構造を有する場合、各層の材料は同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００６４】
強化層１５の平均厚みは、好ましくは１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。強化層１５の平均厚みが１５０ｎｍ以上であると、強化層１５として良好な機能（すなわち磁気記録媒体の良好な寸法安定性）が得られる。一方、強化層１５の平均厚みを５００ｎｍを超えて厚くしなくとも、強化層１５として十分な機能が得られる。なお、上記の強化層１５の平均厚みは、上述の記録層１３の平均厚みの算出方法と同様にして求められる。
【００６５】
磁気記録媒体が強化層１５を有する場合、長尺状の磁気記録媒体の長手方向のヤング率が、好ましくは７ＧＰａ以上１４ＧＰａ以下である。ヤング率が７ＧＰａ以上であると、良好な磁気ヘッド当たりを得ることができ、かつ、エッジダメージを抑制することができる。一方、ヤング率が１４ＧＰａ以下であると、良好な磁気ヘッド当たりを得ることができる。
【００６６】
また、磁気記録媒体の湿度膨張係数が、好ましくは０．５ｐｐｍ／％ＲＨ以上、４ｐｐｍ／％ＲＨ以下である。湿度膨張係数が上記範囲であると、磁気記録媒体の寸法安定性をさらに向上できる。
【００６７】
（変形例３）
磁気記録媒体が、図５に示すように、強化層１５上に設けられたカッピング抑制層１６をさらに備えていてもよい。なお、下地層１２およびカッピング抑制層１６が基体１１の裏面側に設けられた場合、バックコート層１４はカッピング抑制層１６上に設けられる。一方、下地層１２およびカッピング抑制層１６が基体１１の表面側に設けられた場合、下地層１２はカッピング抑制層１６上に設けられる。
【００６８】
カッピング抑制層１６は、基体１１上に強化層１５を形成したことにより発生するカッピングを抑制するためのものである。ここで、カッピングとは、長尺状の基体１１の幅方向に発生する湾曲を意味する。強化層１５には内部応力として引っ張り応力、すなわち基体１１の両主面のうち強化層１５が設けられた主面側を幅方向に且つ凹形状に湾曲させる応力が働く。これに対して、カッピング抑制層１６には、内部応力として圧縮応力、すなわち基体１１の両主面のうちカッピング抑制層１６が設けられた主面側を幅方向に且つ凸形状に湾曲させる応力が働く。このため、強化層１５とカッピング抑制層１６との内部応力が相殺し合って、磁気記録媒体にカッピングが発生することを抑制できる。したがって、磁気ヘッドと磁気記録媒体との接触状態を良好な状態に保持でき、かつトラック幅方向における高い寸法安定性を有する、オフトラック特性に優れた磁気記録媒体を提供できる。
【００６９】
カッピング抑制層１６は、例えば、炭素薄膜である。炭素薄膜は、ダイヤモンドライクカーボン（以下「ＤＬＣ」という。）を含む硬質炭素薄膜であることが好ましい。カッピング抑制層１６は、例えば、化学気相成長（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）法により形成されるＣＶＤ膜であってもよいし、スパッタ法により形成されるスパッタ膜であってもよい。
【００７０】
カッピング抑制層１６は、２層以上の積層構造を有していることが好ましい。磁気記録媒体の寸法安定性をさらに向上できるからである。なお、その原理は、強化層１５を２層以上の積層構造とする場合と同様である。カッピング抑制層１６が２層以上の積層構造を有する場合、各層の材料は同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００７１】
カッピング抑制層１６の平均厚みは、好ましくは１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。カッピング抑制層１６の平均厚みが１０ｎｍ未満であると、カッピング抑制層１６の圧縮応力が小さくなりすぎる虞がある。一方、カッピング抑制層１６の平均厚みが２００ｎｍを超えると、カッピング抑制層１６の圧縮応力が大きくなりすぎる虞がある。なお、カッピング抑制層１６の平均厚みは、上述の記録層１３の平均厚みの算出方法と同様にして求められる。
【００７２】
（変形例４）
磁気記録媒体は、図６に示すように、基体１１の表面上に設けられた第１強化層１７と、基体１１の裏面上に設けられた第２強化層１８と、第２強化層１８上に設けられた凝着抑制層１９とをさらに備えていてもよい。この場合、バックコート層１４は、凝着抑制層１９上に設けられる。基体１１、第１強化層１７、第２強化層１８および凝着抑制層１９により積層体１０が構成される。
【００７３】
なお、凝着抑制層１９は、第１、第２強化層１７、１８のうちいずれかの層上に設けられていればよく、第１強化層１７上に凝着抑制層１９が設けられていてもよい。この場合、下地層１２は、凝着抑制層１９上に設けられる。この場合、凝着抑制層１９が炭素薄膜である場合には、表面改質処理により凝着抑制層１９の表面の濡れ性を改善することが好ましい。炭素薄膜に対する下地層形成用塗料の塗布性を改善できるからである。
【００７４】
第１、第２強化層１７、１８は、磁気記録媒体の機械的強度を高めて、優れた寸法安定性を得るためのものである。第１、第２強化層１７、１８の材料としては、変形例２の強化層１５と同様の材料を例示することができる。なお、第１、第２強化層１７、１８の材料は同一の材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。第１、第２強化層１７、１８はそれぞれ、２層以上の積層構造を有していることが好ましい。磁気記録媒体の寸法安定性をさらに向上できるからである。なお、その原理は、変形例２において強化層１５を２層以上の積層構造とする場合と同様である。
【００７５】
第１、第２強化層１７、１８の平均厚みは、好ましくは７５ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。第１、第２強化層１７、１８の平均厚みが７５ｎｍ以上であると、第１、第２強化層１７、１８として良好な機能（すなわち磁気記録媒体の良好な寸法安定性）が得られる。一方、第１、第２強化層１７、１８の平均厚みを３００ｎｍを超えて厚くすると、磁気記録媒体の厚みが厚くなってしまう虞がある。また、第１、第２強化層１７、１８の平均厚みを３００ｎｍを超えて厚くしなくとも、第１、第２強化層１７、１８として十分な機能が得られる。なお、第１、第２強化層１７、１８の平均厚みは、上述の記録層１３の平均厚みの算出方法と同様にして求められる。
【００７６】
第１、第２強化層１７、１８は、内部応力として引っ張り応力が働くものである。具体的には、第１強化層１７は、基体１１の表面側を幅方向に且つ凹形状に湾曲させる応力が働くものであり、第２強化層１８は、基体１１の裏面側を幅方向に且つ凹形状に湾曲させる応力が働くものである。したがって、第１、第２強化層１７、１８の内部応力が相殺し合って、磁気記録媒体にカッピングが発生することを抑制できる。ここで、カッピングとは、長尺状の基体１１の幅方向に発生する湾曲を意味する。
【００７７】
第１、第２強化層１７、１８の平均厚みは、同一であってもよいし、異なっていてもよいが、同一またはほぼ同一であることが好ましい。基体１１の両面に設けられた第１、第２強化層１７、１８の内部応力（引っ張り応力）が同一またはほぼ同一となり、カッピングの発生をより抑制できるからである。ここで、第１、第２強化層１７、１８の平均厚みがほぼ同一とは、第１、第２強化層１７、１８の平均厚み差が５ｎｍ以内であることを意味する。
【００７８】
凝着抑制層１９は、積層体１０をロール状に巻き取った場合に、第１、第２強化層１７、１８が金属凝着して貼り付くことを抑制するためのものである。凝着抑制層１９は、導電性を有していてもよいし、絶縁性を有していてもよい。凝着抑制層１９は、内部応力として圧縮応力（すなわち基体１１の両主面のうち、凝着抑制層１９が設けられた面側を幅方向に且つ凸形状に湾曲させる応力）が働くものであってもよいし、内部応力として引っ張り応力（すなわち基体１１のうち、凝着抑制層１９が設けられた面側を幅方向に且つ凹形状に湾曲させる応力）が働くものであってもよい。
【００７９】
第１、第２強化層１７、１８の引っ張り応力（内部応力）が異なる場合には、第１、第２強化層１７、１８のうち、より引っ張り応力が大きい強化層上に、内部応力として圧縮応力が働く凝着抑制層１９を設けるようにしてもよい。第１、第２強化層１７、１８の引っ張り応力の違いにより相殺仕切れなかった引っ張り応力を、凝着抑制層１９の圧縮応力により相殺することができるからである。また、第１、第２強化層１７、１８のうち、より引っ張り応力が小さい強化層上に、内部応力として引っ張り応力が働く凝着抑制層１９を設けるようにしてもよい。第１、第２強化層１７、１８の引っ張り応力の違いにより発生した圧縮応力を、凝着抑制層１９の引っ張り応力により相殺することができるからである。
【００８０】
凝着抑制層１９の平均厚みは、好ましくは１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ましくは２ｎｍ以上２５ｎｍ以下、更により好ましくは２ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。凝着抑制層１９の平均厚みが１ｎｍ以上であると、凝着抑制層１９の平均厚みが薄くなりすぎ、凝着抑制層１９としての機能が低下することを抑制できる。一方、凝着抑制層１９の平均厚みが１００ｎｍ以下であると、凝着抑制層１９の平均厚みが厚くなりすぎる、すなわち凝着抑制層１９の内部応力が大きくなりすぎることを抑制できる。凝着抑制層１９の平均厚みは、上述の記録層１３の平均厚みの算出方法と同様にして求められる。
【００８１】
第２強化層１８の平均厚みＤ２が７５ｎｍ以上３００ｎｍ以下である場合、第２強化層１８の平均厚みＤ２に対する凝着抑制層１９の平均厚みＤ４の比率（Ｄ４／Ｄ２）が、０．００５以上０．３５以下であることが好ましい。比率（Ｄ４／Ｄ２）が０．００５以上であると、第２強化層１８の平均厚みＤ２に対して凝着抑制層１９の平均厚みＤ４が薄くなりすぎ、凝着抑制層１９としての機能が低下することを抑制できる。一方、比率（Ｄ４／Ｄ２）が０．３５以下であると、第２強化層１８の平均厚みＤ２に対して凝着抑制層１９の平均厚みＤ４が厚くなりすぎる、すなわち第２強化層１８の引っ張り応力に対して凝着抑制層１９の圧縮応力が大きくなりすぎることを抑制できる。したがって、カッピングの発生をより抑制できる。
【００８２】
凝着抑制層１９は、例えば、炭素および金属酸化物のうちの少なくとも１種を含んでいる。凝着抑制層１９は、炭素を主成分とする炭素薄膜または金属酸化物を主成分とする金属酸化物膜であることが好ましい。炭素は、ダイヤモンドライクカーボン（以下「ＤＬＣ」という。）であることが好ましい。金属酸化物は、酸化アルミニウム、酸化銅および酸化コバルトのうちの少なくとも１種を含むことが好ましい。凝着抑制層１９は、例えば、化学気相成長（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）法により形成されるＣＶＤ膜であってもよいし、スパッタ法により形成されるスパッタ膜であってもよい。
【００８３】
凝着抑制層１９は、２層以上の積層構造を有していることが好ましい。磁気記録媒体の寸法安定性をさらに向上できるからである。なお、その原理は、変形例３において強化層１５を２層以上の積層構造とする場合と同様である。凝着抑制層１９が２層以上の積層構造を有する場合、各層の材料は同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００８４】
上述の構成を有する磁気記録媒体では、第１、第２強化層１７、１８の内部応力（引っ張り応力）が相殺し合って、磁気記録媒体にカッピングが発生することを抑制できる。したがって、磁気ヘッドと磁気記録媒体との接触状態を良好な状態に保持でき、かつトラック幅方向における高い寸法安定性を有する、オフトラック特性に優れた磁気記録媒体を提供できる。また、磁気記録媒体の製造工程において、積層体１０をロール状に巻き取った際に、凝着抑制層１９が第１、第２強化層１７、１８の間に介在するため、第１、第２強化層１７、１８の金属凝着を抑制することができる。
【００８５】
（変形例５）
磁気記録媒体が、リング型ヘッド以外の記録ヘッド（例えばSingle Pole Type（ＳＰＴ）の記録ヘッドなど）を備える記録再生装置を用いて、７５ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成されていてもよい。
【実施例】
【００８６】
以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。【００８７】
以下の実施例１〜１２、比較例１〜８において、平均粒子サイズ、保磁力Ｈｃ（２５）、Ｈｃ（５０）、角形比Ｓ１、Ｓ２、活性化体積Ｖact、記録層の平均厚みおよび下地層の平均厚みは、上述の一実施形態にて説明した方法により求められたものである。【００８８】
記録層用の磁性粉として、以下の粒子Ａ１〜Ａ５、粒子Ｂ〜Ｆの粉末を準備した。【００８９】
［粒子Ａ１〜Ａ５の粉末］
粒子Ａ１〜Ａ５の粉末を次のようにして作製した。まず、ほぼ球形を有するε酸化鉄ナノ粒子（ε−Ｆｅ2Ｏ3結晶粒子）の粉末を準備した。次に、以下のようにしてε酸化鉄ナノ粒子の粉末に対して還元処理および徐酸化処理を施すことにより、２層構造のシェル部を有するコアシェル型のε酸化鉄ナノ粒子の粉末を得た。【００９０】
（還元処理）
まず、ε酸化鉄ナノ粒子の粉末を石英ボートに載せ、管状炉へ投入した。投入後、管状炉を一度Ｎ2雰囲気に置換した後、所定の温度まで昇温させた。昇温後、１００％Ｈ2を流量１００ｍｌ／ｍｉｎでフローさせながら、３５０℃で加熱処理を行った。これにより、ε酸化鉄ナノ粒子の表面が還元されα−Ｆｅに変態し、ε酸化鉄ナノ粒子の表面にα−Ｆｅ層が形成された。この際、３５０℃での加熱処理（還元処理）の時間を、表１に示すように０．０４ｈ〜０．４５ｈの範囲で調整することにより、α−Ｆｅ層の厚みを０．３ｎｍ〜３．５ｎｍの範囲で変化させた。その後、再びＮ2雰囲気に置換して、室温まで冷却した。これにより、α−Ｆｅ層を表面に有するコアシェル型のε酸化鉄ナノ粒子の粉末が得られた。【００９１】
（徐酸化処理）
続いて、所定の温度まで加熱し、微量酸素を含むＮ2ガスを流量１００ｍｌ／ｍｉｎでフローさせながら、３００℃で５分間加熱処理を行った。これにより、α−Ｆｅ層の表面が酸化され、α−Ｆｅ層の表面にα−Ｆｅ2Ｏ3層が形成された。その後、再びＮ2雰囲気に置換して、室温まで冷却した。以上により、α−Ｆｅ2Ｏ3層（酸化被膜）およびα−Ｆｅ層（軟磁性層）を表面に有する、平均粒子サイズ２０ｎｍのコアシェル型のε酸化鉄ナノ粒子の粉末（粒子Ａ１〜Ａ５の粉末）が得られた。【００９２】
［粒子Ｂの粉末］
粒子Ｂの粉末を次のようにして作製した。まず、ほぼ球形を有するε酸化鉄ナノ粒子（ε−Ｆｅ2Ｏ3結晶粒子）の粉末を準備した。次に、以下のようにしてε酸化鉄ナノ粒子の粉末に対して還元処理およびスパッタリング処理を施すことにより、２層構造のシェル部を有するコアシェル型のε酸化鉄ナノ粒子の粉末を得た。【００９３】
（還元処理）
まず、粒子Ａ２の粉末と同様の還元処理を行うことにより、厚み２ｎｍのα−Ｆｅ層を表面に有するコアシェル型のε酸化鉄ナノ粒子の粉末を得た。【００９４】
（スパッタリング処理）
続いて、還元処理後の粒子が大気中に暴露されないように、スパッタリング処理を行うチャンバー内に搬送した。そして、粒子を振動させながら、Ａｌ2Ｏ3ターゲットを用いたスパッタリング処理を施すことにより、Ａｌ2Ｏ3層（酸化被膜）およびα−Ｆｅ層（軟磁性層）を表面に有する、平均粒子サイズ２０ｎｍのコアシェル型のε酸化鉄ナノ粒子の粉末（粒子Ｂの粉末）を得た。【００９５】
［粒子Ｃの粉末］
粒子Ｃの粉末を次のようにして作製した。まず、ほぼ球形を有するε酸化鉄ナノ粒子（ε−Ｆｅ2Ｏ3結晶粒子）の粉末を準備した。次に、以下のようにしてε酸化鉄ナノ粒子の粉末に対してスパッタリング処理を施すことにより、２層構造のシェル部を有するコアシェル型のε酸化鉄ナノ粒子の粉末を得た。【００９６】
（スパッタリング処理（軟磁性Ｎｉ−Ｆｅ膜被着））
まず、ε酸化鉄ナノ粒子をスパッタリング処理を行うチャンバー内に搬送した。そして、粒子を振動させながら、Ｎｉ−Ｆｅターゲットを用いたスパッタリング処理を施すことにより、Ｎｉ−Ｆｅ合金層を表面に有するコアシェル型のε酸化鉄ナノ粒子の粉末を得た。【００９７】
（スパッタリング処理（Ａｌ2Ｏ3層））
次に、粒子Ｂの粉末と同様のスパッタリング処理を行うことにより、Ａｌ2Ｏ3層（酸化被膜）およびＮｉ−Ｆｅ合金層（軟磁性層）を表面に有する、平均粒子サイズ２０ｎｍのコアシェル型のε酸化鉄ナノ粒子の粉末（粒子Ｃの粉末）を得た。【００９８】
［粒子Ｄの粉末］
ほぼ球形を有する、平均粒子サイズ２０ｎｍのε酸化鉄ナノ粒子（ε−Ｆｅ2Ｏ3結晶粒子）の粉末を準備し、還元処理および徐酸化処理を施さずにそのままの状態で粒子Ｄの粉末とした。【００９９】
［粒子Ｅの粉末］
粒子Ｅの粉末として、Ａｌが添加された、ほぼ球形を有する、平均粒子サイズ１７ｎｍのε酸化鉄ナノ粒子の粉末を準備した。【０１００】
［粒子Ｆの粉末］
粒子Ｆの粉末として、Ｇａが添加された、ほぼ球形を有する、平均粒子サイズ１７ｎｍのε酸化鉄ナノ粒子の粉末を準備した。【０１０１】
上記の粒子Ａ１〜Ａ５、粒子Ｂ〜Ｆの粉末、バリウムフェライト（ＢａＦｅ）粒子の粉末およびメタル粒子の粉末を用いて、実施例１〜１２、比較例１〜８の磁気テープを以下のようにして作製した。【０１０２】
［実施例１〜５、８〜１０、比較例１、２］
（記録層形成用塗料の調製工程）
記録層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第１組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第１組成物と、下記配合の第２組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、記録層形成用塗料を調製した。【０１０３】
（第１組成物）
粒子Ａ１〜Ａ５の粉末（表１、２参照）：１００質量部
塩化ビニル系樹脂（シクロヘキサノン溶液３０質量％）：１０質量部
（重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ3Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
酸化アルミニウム粉末：５質量部
（α−Ａｌ2Ｏ3、平均粒径０．２μｍ）
カーボンブラック：２質量部
（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）【０１０４】
（第２組成物）
塩化ビニル系樹脂：１．１質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
ｎ−ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１２１．３質量部
トルエン：１２１．３質量部
シクロヘキサノン：６０．７質量部【０１０５】
最後に、上述のようにして調製した記録層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）：４質量部と、ミリスチン酸：２質量部とを添加した。【０１０６】
（下地層形成用塗料の調製工程）
下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第３組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第３組成物と、下記配合の第４組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。【０１０７】
（第３組成物）
針状酸化鉄粉末：１００質量部
（α−Ｆｅ2Ｏ3、平均長軸長０．１５μｍ）
塩化ビニル系樹脂：５５．６質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
カーボンブラック：１０質量部
（平均粒径２０ｎｍ）【０１０８】
（第４組成物）
ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５質量部
ｎ−ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１０８．２質量部
トルエン：１０８．２質量部
シクロヘキサノン：１８．５質量部【０１０９】
最後に、上述のようにして調製した下地層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）：４質量部と、ミリスチン酸：２質量部とを添加した。【０１１０】
（バックコート層形成用塗料の調製工程）
バックコート層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バックコート層形成用塗料を調製した。
カーボンブラック（旭社製、商品名：＃８０）：１００質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ−２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部【０１１１】
（成膜工程）
上述のようにして作製した塗料を用いて、非磁性支持体である厚み６．２μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（ＰＥＮフィルム）上に平均厚み１．２μｍの下地層、および平均厚み７５ｎｍの記録層を以下のようにして形成した。まず、ＰＥＮフィルム上に、下地層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、ＰＥＮフィルム上に下地層を形成した。次に、下地層上に、記録層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、下地層上に記録層を形成した。なお、記録層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をＰＥＮフィルムの厚み方向に磁場配向させた。続いて、下地層、および記録層が形成されたＰＥＮフィルムに対してカレンダー処理を行い、記録層表面を平滑化した。その後、記録層とは反対側の面に、バックコート層形成用塗料を膜厚０．６μｍに塗布し乾燥することにより、バックコート層を形成した。【０１１２】
（裁断の工程）
上述のようにして下地層、記録層およびバックコート層が形成されたＰＥＮフィルムを１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断した。これにより、表２に示す保磁力Ｈｃ（２５）、Ｈｃ（５０）、角形比Ｓ１、Ｓ２および活性化体積Ｖactを有する磁気テープを得た。【０１１３】
なお、保磁力Ｈｃ（２５）、Ｈｃ（５０）は、上記の粒子Ａ１〜Ａ５の還元処理の工程において、α−Ｆｅ層の厚みを調整すると共に、上記の記録層の成膜工程において、記録層の成膜時の配向磁場中、乾燥風の風量を調整することで、表２に示す値に設定された。また、角形比Ｓ１、Ｓ２は、上記の記録層の成膜工程において、記録層の成膜時の配向磁場中、乾燥風の風量を調整し、表２に示す値に設定された。さらに、活性化体積Ｖactは、上記の記録層形成用塗料の調製工程において、磁性粉（粒子Ａ１〜Ａ５）の分散状態を調整することで、表２に示す値に設定された。【０１１４】
［実施例６］
上記の記録層の成膜工程において、ソレノイドコイルにより、磁性粉をＰＥＮフィルムの長手方向（磁気テープの走行方向）に磁場配向させたのちに、磁性粉をＰＥＮフィルムの厚み方向（垂直方向）に磁場配向させた。また、記録層の成膜工程において、磁場配向の際の磁場の強度、および乾燥風の風量を調整することにより、角形比Ｓ１、Ｓ２を表２に示す値に設定した。上記以外のことは実施例２と同様にして磁気テープを得た。【０１１５】
［実施例７、比較例３］
上記の記録層の成膜工程において、ソレノイドコイルにより、磁性粉をＰＥＮフィルムの幅方向に磁場配向させたのちに、磁性粉をＰＥＮフィルムの厚み方向（垂直方向）に磁場配向させた。また、記録層の成膜工程において、磁場配向の際の磁場の強度、および乾燥風の風量を調整することにより、角形比Ｓ１、Ｓ２を表２に示す値に設定した。上記以外のことは実施例２と同様にして磁気テープを得た。【０１１６】
［実施例１１、１２、比較例４、７、８］
表２に示すように、粒子Ａ１の粉末に代えて、粒子Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆの粉末を用いたこと以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。【０１１７】
［比較例５］
表２に示すように、粒子Ａ１の粉末に代えて、六角板状を有するバリウムフェライト（ＢａＦｅ）粒子の粉末を用いたこと以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。【０１１８】
［比較例６］
表２に示すように、粒子Ａ１の粉末に代えて、針状を有するＦｅ−Ｃｏ合金系のメタル粒子の粉末を用いたこと以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。【０１１９】
［磁気テープの評価］
上述のようにして得られた実施例１〜１２、比較例１〜８の磁気テープに以下の評価を行った。【０１２０】
（２５℃環境におけるＳＮＲ）
記録／再生ヘッドおよび記録／再生アンプを取り付けた１／２インチテープ走行装置（Mountain Engineering II社製MTS Transport）を用いて、２５℃環境における磁気テープのＳＮＲ（電磁変換特性）を測定した。記録ヘッドにはギャップ長０．２μｍのリングヘッドを用い、再生ヘッドにはシールド間距離０．１μｍのＧＭＲヘッドを用いた。相対速度は６ｍ／ｓ、記録クロック周波数は１６０ＭＨｚとした。また、ＳＮＲは、下記の文献に記載の方法に基づき算出した。その結果を、実施例４のＳＮＲを０ｄＢとする相対値で表２に示した。
Y.Okazaki: ”An Error Rate Emulation System.”,IEEE Trans. Man., 31,pp.3093-3095(1995)【０１２１】
（ＳＮＲ劣化量）
まず、記録／再生ヘッドおよび記録／再生アンプを取り付けた１／２インチテープ走行装置（Mountain Engineering II社製MTS Transport）を用いて、２５℃、５０℃環境におけるＳＮＲを測定した。なお、測定条件およびＳＮＲの算出方法は、上記の“２５℃環境におけるＳＮＲ”の測定方法と同様とした。次に、下記の式にてＳＮＲ劣化量を算出した。その結果を表２に示した。
（ＳＮＲ劣化量）［ｄＢ］＝（環境温度５０℃にて測定されたＳＮＲ）−（環境温度２５℃にて測定されたＳＮＲ）【０１２２】
表１は、実施例１〜１２、比較例１〜４、７、８の磁気テープの作製に用いた磁性粉の構成を示す。
【表１】
2018203468.tif 000003
【０１２３】
表２は、実施例１〜１２、比較例１〜８の磁気テープの構成および評価結果を示す。
【表２】
2018203468.tif 000004
Ｈｃ（２５）：環境温度２５℃にて磁気テープの厚み方向（垂直方向）に測定された保磁力
Ｈｃ（５０）：環境温度５０℃にて磁気テープの厚み方向（垂直方向）に測定された保磁力
Ｓ１：環境温度２５℃にて磁気テープの長手方向に測定された角形比
Ｓ２：環境温度２５℃にて磁気テープの幅方向に測定された角形比
Ｖact：磁性粉の活性化体積【０１２４】
上記の評価により以下のことがわかった。
実施例１〜１２では、（ａ）記録層がε酸化鉄粒子の粉末を含み、（ｂ）保磁力Ｈｃ（５０）と保磁力Ｈｃ（２５）との比率Ｒ（＝Ｈｃ（５０）／Ｈｃ（２５）×１００）が９５％以上であり、（ｃ）保磁力Ｈｃ（２５）が２００ｋＡ／ｍ以上であり、（ｄ）磁気記録媒体の走行方向に測定した角形比Ｓ１が３０％以下であるため、温度変化に対するＳＮＲの劣化量を抑制できる。
実施例１〜８、１１、１２では、（ａ）記録層がε酸化鉄粒子の粉末を含み、（ｂ）保磁力Ｈｃ（５０）と保磁力Ｈｃ（２５）との比率Ｒが９５％以上であり、（ｃ）保磁力Ｈｃ（２５）が２００ｋＡ／ｍ以上３４０ｋＡ／ｍ以下であり、（ｄ）磁気記録媒体の走行方向に測定した角形比Ｓ１が３０％以下であり、（ｅ）活性化体積Ｖactが５０００ｎｍ3以下であるため、温度変化に対するＳＮＲの劣化量を抑制でき、かつ、環境温度２５℃において良好なＳＮＲを得ることができる。【０１２５】
比較例１では、保磁力Ｈｃ（２５）が２００ｋＡ／ｍ未満であるため、保磁力Ｈｃの温度依存性が大きく、保磁力Ｈｃ（５０）と保磁力Ｈｃ（２５）との比率Ｒが９５％未満であり、温度変化に対するＳＮＲの劣化量が大きくなる。
比較例２では、長手方向、幅方向の角形比Ｓ１、Ｓ２がいずれも３０％を超えるため、垂直配向性が低く、保磁力Ｈｃ（５０）と保磁力Ｈｃ（２５）との比率Ｒが９５％未満であり、温度変化に対するＳＮＲの劣化量が大きくなる。
比較例３では、幅方向の角形比Ｓ２が３０％を大きく超えるため、垂直配向性が低く、保磁力Ｈｃ（５０）と保磁力Ｈｃ（２５）との比率Ｒが９５％未満であり、温度変化に対するＳＮＲの劣化量が大きくなる。また、環境温度２５℃におけるＳＮＲが悪化する。
比較例４では、シェル層を形成していないため、保磁力Ｈｃ（２５）が高すぎ、信号の記録が困難である。
比較例５、６では、磁性粉としてバリウムフェライト（ＢａＦｅ）粒子の粉末、Ｆｅ−Ｃｏ合金系のメタル粒子の粉末を用いているため、保磁力Ｈｃ（２５）が２００ｋＡ／ｍ未満である。したがって、保磁力Ｈｃの温度依存性が大きく、保磁力Ｈｃ（５０）と保磁力Ｈｃ（２５）との比率Ｒが９５％未満となり、温度変化に対するＳＮＲの劣化量が大きくなる。また、比較例６では、粒子が針状を有するため、長手方向、幅方向の角形比Ｓ１、Ｓ２がいずれも３０％を大きく超える。したがって、垂直配向性が非常に低く、環境温度２５℃におけるＳＮＲが大きく悪化する。
比較例７、８では、Ａｌ、Ｇａを添加して保磁力Ｈｃを調整しているが、保磁力Ｈｃの温度依存性が大きく、保磁力Ｈｃ（５０）と保磁力Ｈｃ（２５）との比率Ｒが９５％未満であり、温度変化に対するＳＮＲの劣化量が大きくなる。【０１２６】
以上、本技術の実施形態および実施例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態および実施例に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。【０１２７】
例えば、上述の実施形態および実施例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。また、化合物等の化学式は代表的なものであって、同じ化合物の一般名称であれば、記載された価数等に限定されない。【０１２８】
また、上述の実施形態および実施例の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。【０１２９】
また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
ε酸化鉄を含む粒子の粉末を含む記録層を備え、
５０℃にて磁気記録媒体の厚み方向に測定した保磁力Ｈｃ（５０）と２５℃にて磁気記録媒体の厚み方向に測定した保磁力Ｈｃ（２５）との比率（（Ｈｃ（５０）／Ｈｃ（２５））×１００）が、９５％以上であり、
前記保磁力Ｈｃ（２５）が、２００ｋＡ／ｍ以上であり、
磁気記録媒体の走行方向に測定した角形比が、３０％以下である磁気記録媒体。
（２）
前記保磁力Ｈｃ（２５）が、２００ｋＡ／ｍ以上３４０ｋＡ／ｍ以下である（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）
前記粒子は、コアシェル構造を有している（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）
前記粒子は、
ε酸化鉄を含むコア部と、
軟磁性体を含むシェル部と
を備える（１）から（３）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（５）
前記シェル部は、
前記コア部上に設けられた第１シェル部と、
前記第１シェル部上に設けられた第２シェル部と
を備え、
前記第１シェル部は、α−Ｆｅ、ＮｉＦｅ合金またはＦｅＳｉＡｌ合金を含み、
前記第２シェル部は、α酸化鉄、酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素を含む（４）に記載の磁気記録媒体。
（６）
活性化体積が、５０００ｎｍ3以下である（１）から（５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（７）
磁気記録媒体の幅方向に測定した角形比が、３０％以下である（１）から（６）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（８）
ライブラリ装置に用いられる（１）から（７）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（９）
最短記録波長が７５ｎｍ以下である記録再生装置に用いられる（１）から（８）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１０）
前記記録再生装置は、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備える（９）に記載の磁気記録媒体。
【符号の説明】
【０１３０】
１１    基体
１２    下地層
１３    記録層
１４    バックコート層
１５    強化層
１６    カッピング抑制層
１７    第１強化層
１８    第２強化層
１９    凝着抑制層
２１    コア部
２２、２３    シェル部
２２ａ    第１シェル部
２２ｂ    第２シェル部
【図１】
2018203468.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2018203468.tif 000009
【図６】
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【国際調査報告】
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