(57)【要約】  本発明は、グランドパターンを有する回路基板上に実装された電子部品と、前記電子部品を封止するエポキシ樹脂を有する封止体と、前記封止体上に形成されたシールド層とを有する電子部品パッケージであって、前記シールド層が、前記封止体側から、金属粒子層、銅めっき層、及びニッケルめっき層の順で積層されたものであり、前記シールド層が前記グランドパターンに接地されたことを特徴とする電子部品パッケージ及びその製造方法を提供する。当該電子部品パッケージは、シールド層の密着力に優れる。
2019167778.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グランドパターンを有する回路基板上に実装された電子部品と、前記電子部品を封止するエポキシ樹脂を有する封止体と、前記封止体上に形成されたシールド層とを有する電子部品パッケージであって、前記シールド層が、前記封止体側から、金属粒子層、銅めっき層、及びニッケルめっき層の順で積層されたものであり、前記シールド層が前記グランドパターンに接地されたことを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項２】
前記シールド層が、前記封止体の表面に形成した高分子層を介して形成されたものである請求項１記載の電子部品パッケージ。
【請求項３】
前記金属粒子層中の金属粒子が、高分子分散剤で被覆されたものである請求項１又は２記載の電子部品パッケージ。
【請求項４】
前記高分子分散剤が、反応性官能基［Ｙ］を有するものであり、前記高分子層が、反応性官能基［Ｘ］を有する高分子を含有する層であり、前記反応性官能基［Ｙ］と、前記反応性官能基［Ｘ］とが結合を形成したものである請求項３記載の電子部品パッケージ。
【請求項５】
前記反応性官能基［Ｙ］が塩基性窒素原子含有基である請求項４記載の電子部品パッケージ。
【請求項６】
前記反応性官能基［Ｙ］を有する高分子が、ポリアルキレンイミン、及びオキシエチレン単位を含むポリオキシアルキレン構造を有するポリアルキレンイミンからなる群から選ばれる１種以上である請求項４又は５記載の電子部品パッケージ。
【請求項７】
前記反応性官能基［Ｘ］が、ケト基、アセトアセチル基、エポキシ基、カルボキシル基、Ｎ−アルキロール基、イソシアネート基、ビニル基、（メタ）アクリロイル基、アリル基からなる群より選ばれる１種以上である請求項４〜６のいずれか１項記載の電子部品パッケージ。
【請求項８】
グランドパターンを有する回路基板上に実装された電子部品と、前記電子部品を封止するエポキシ樹脂を有する封止体とを有する電子部品パッケージの封止体の表面に、高分子を含有する流動体を塗布し乾燥して高分子層を形成し、前記高分子層上に金属粒子を有する分散液を塗布し乾燥して金属粒子層を形成し、前記金属粒子層上に無電解銅めっき及び電解銅めっきからなる群から選ばれる１種以上で銅めっき層を形成し、無電解ニッケルめっき及び電解ニッケルめっきからなる群から選ばれる１種以上でニッケルめっき層を形成して、金属粒子層、銅めっき層及びニッケルめっき層を有するシールド層を形成することを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の電子部品パッケージの製造方法において、高分子層を形成した後、前記高分子層の上から、前記グランドパターンが露出するように前記封止体の一部を切削してスリット部を形成し、前記高分子層の表面、及びスリット部の切削面に、金属粒子層を形成した後、銅めっき層及びニッケルめっき層を形成してシールド層を形成した後、前記スリット部を用いて電子部品を個片化する請求項８記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項１０】
請求項８記載の電子部品パッケージの製造方法において、高分子層を形成した後、前記高分子層の上から、ダイシングして封止体で封止された電子部品を個片化し、個片化した電子部品を仮固定基材に仮固定し、個片化した電子部品の前記高分子層の表面、及びダイシングにより生じた切削面に、金属粒子層を形成した後、銅めっき層及びニッケルめっき層を形成してシールド層を形成し、前記シールド層を前記グランドパターンに接地した後、前記仮固定基材から個片化した電子部品を取り出す請求項８記載の電子部品パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品パッケージ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、スマートフォンなどの携帯型情報端末においては、１つの半導体パッケージにＩＣおよび多数の電子部品を実装することによって１つの機能ブロックとして動作する、いわゆるシステムインパッケージ（ＳｉＰ）と呼ばれる半導体パッケージが広く用いられている。このような半導体パッケージは、外来ノイズによる誤動作を防止するとともに、自らがノイズ源とならないよう、電磁波ノイズ対策が施される。例えば、システムインパッケージに関するものではないが、特許文献１には、電磁波ノイズをシールドする層として複数のめっき層を備えた電子部品パッケージが開示されている。【０００３】
しかしながら、上記の電子部品パッケージは、電子部品を封止した封止体の上に、シールド層として直接めっき層を設けているが、めっき層が封止体から剥がれやすいという欠点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１０９３０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、電子部品を封止した封止体の上に、シールド層として銅めっき層とニッケルめっき層を設けた電子部品パッケージにおいて、シールド層と封止体との密着力に優れる電子部品パッケージ及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意研究した結果、電子部品を封止するエポキシ樹脂を有する封止体と、前記封止体上に形成されたシールド層とを有する電子部品パッケージにおいて、前記シールド層が、前記封止体側から、金属粒子層、銅めっき層、及びニッケルめっき層の順で積層されたものが、シールド層と封止体の密着力が著しく優れること、電磁波シールド性に優れることを見いだし、本発明を完成した。【０００７】
すなわち、本発明は、グランドパターンを有する回路基板上に実装された電子部品と、前記電子部品を封止するエポキシ樹脂を有する封止体と、前記封止体上に形成されたシールド層とを有する電子部品パッケージであって、前記シールド層が、前記封止体側から、金属粒子層、銅めっき層、及びニッケルめっき層の順で積層されたものであり、前記シールド層が前記グランドパターンに接地されたことを特徴とする電子部品パッケージ及びその製造方法を提供するものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の電子部品パッケージは、例えば、半導体装置の電磁波ノイズの遮蔽効果を高めるためにシールド層を設けた半導体パッケージや、高周波モジュール、フィルターを含むフロントエンドモジュール、送受信の通信モジュールなどの各機能を一つに機能統合して複数のモジュールを高密度実装した統合モジュールとしても好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、シールド層付電子部品パッケージの全体を表したものである。
【図２】図２は、図１の電子部品パッケージの断面（Ａ−Ａ）を表したものである。
【図３】図３は、封止体の表面に高分子層を設けた電子部品パッケージの断面を表したものである。
【図４】図４は、封止体の表面に高分子層を設け、分割予定ラインに沿ってスリット部を形成し、その上に金属粒子層を設けた状態の断面を表したものである。なお、最終的には、金属粒子層上に銅めっき層、及びニッケルめっき層を順次積層し、本発明の電子部品パッケージとなる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の電子部品パッケージは、グランドパターンを有する回路基板上に実装された電子部品と、前記電子部品を封止するエポキシ樹脂を有する封止体と、前記封止体上に形成されたシールド層とを有する電子部品パッケージであって、前記シールド層が、前記封止体側から、金属粒子層、銅めっき層、及びニッケルめっき層の順で積層されたものであり、前記シールド層が前記グランドパターンに接地されたことを特徴とする電子部品パッケージである。
【００１１】
前記グランドパターンを有する回路基板としては、グランドパターンの一部が封止体の表面に露出する構造であることが好ましく、後述するシールド層とグランドパターンを接続することによって、優れた電磁波シールド性が得られる。
【００１２】
前記グランドパターンを有する回路基板としては、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁材からなる基材に、グランドパターンや配線パターンが少なくとも２層以上で形成されていてもよい。また、前記回路基板が２層以上で形成されている場合は、ビアホールで層間を電気的に接続されている構造が好ましい。
【００１３】
また、前記グランドパターンを有する回路基板としては、絶縁材からなる基材に、少なくとも２個以上の半導体装置を平面的に、または立体的に配置して搭載するための回路基板や、高周波モジュール、フィルターを含むフロントエンドモジュール、送受信の通信モジュールなどの各機能を一つに機能統合して複数のモジュールを高密度実装した統合モジュール用の回路基板を用いることもできる。
【００１４】
前記グランドパターンを有する回路基板の材料としては、ガラスエポキシ樹脂、液晶ポリマ、ポリテトラフルオロエチレンに代表されるフッ素樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリイミド樹脂やポリベンゾオキサゾール樹脂などの感光性絶縁材料、熱硬化性エポキシ樹脂を含むビルドアップフィルムや、ビルドアップフィルムにガラスクロスを入れたものなどが挙げられ、これらを単独で、または２種以上を複合化した材料を基材として用いることができる。
【００１５】
本発明では、前記グランドパターンを有する回路基板上に電子部品を実装した後、エポキシ樹脂を有する材料で封止体を形成する。前記エポキシ樹脂を有する材料としては、熱硬化性エポキシ樹脂を、フェノール系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、活性エステル系硬化剤等の硬化剤で硬化させたものや、これらにシリカ粒子に代表される無機質フィラーを加えたものなど一般的に使用される封止材料が使用できる。封止体を成形する方法としては、トランスファー成型法や、圧縮成型法が挙げられ、また、封止用樹脂シートを使用してラミネーターやプレス装置を用いて封止する方法などが挙げられる。
【００１６】
また、前記封止体の表面は、後述する金属粒子層や、後述する高分子層との密着性をより向上させるため、例えば、コロナ放電処理法等のプラズマ放電処理法；紫外線処理法等の乾式処理法；水、酸性またはアルカリ性薬液、有機溶剤等を用いた湿式処理法によって、表面処理されていてもよい。また、前述した特許文献１には、封止体の表面を薬剤で粗化処理することが記載されているが、本発明では封止体表面を粗化しないことが好ましい。
【００１７】
次に、本発明では、前記封止体上にシールド層を形成するために金属粒子層を設ける。金属粒子層は、封止体と後述する銅めっき層とを密着させるために、また、後述する銅めっき層を形成するためのめっき下地層として機能し、無電解銅めっきの触媒、または電解銅めっきの下地導電層として用いられる。
【００１８】
本発明では、前記封止体上に、封止体と前記シールド層との密着性をさらに向上させるために、封止体と金属粒子層の間に高分子層を設けることが好ましい。高分子層を形成する高分子としては、例えば、ウレタン樹脂、ビニル樹脂、アクリル樹脂、ウレタン−アクリル複合樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、アミド樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン等の各種樹脂が挙げられる。
【００１９】
前記高分子として用いる樹脂の中でも、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ウレタン−アクリル複合樹脂、エポキシ樹脂が好ましく、ポリエーテル構造を有するウレタン樹脂、ポリカーボネート構造を有するウレタン樹脂、ポリエステル構造を有するウレタン樹脂、アクリル樹脂、ウレタン−アクリル複合樹脂及びエポキシ樹脂からなる群より選ばれる１種以上の樹脂がより好ましい。また、ウレタン−アクリル複合樹脂は、密着性、導電性に優れた配線パターンが得られるのでさらに好ましい。
【００２０】
また、前記金属粒子層が、後述する高分子分散剤により分散された金属粒子から構成され、高分子分散剤中に、後述する反応性官能基［Ｙ］を有する化合物（ｂ１）を含有する場合、前記高分子層を形成する高分子は、反応性官能基［Ｙ］との反応性を有する官能基［Ｘ］を有する化合物（ａ１）であることが好ましい。前記反応性官能基［Ｘ］を有する化合物（ａ１）としては、例えば、アミノ基、アミド基、アルキロールアミド基、カルボキシル基、無水カルボキシル基、カルボニル基、アセトアセチル基、エポキシ基、脂環エポキシ基、オキセタン環、ビニル基、アリル基、（メタ）アクリロイル基、（ブロック化）イソシアネート基、（アルコキシ）シリル基等を有する化合物、シルセスキオキサン化合物などが挙げられる。
【００２１】
特に、前記金属粒子層の後述する高分子分散剤中の反応性官能基［Ｙ］を有する化合物（ｂ１）に、後述する塩基性窒素原子含有基を有する化合物を用いる場合、前記高分子層を形成する高分子は、反応性官能基［Ｘ］として、カルボキシル基、カルボニル基、アセトアセチル基、エポキシ基、脂環エポキシ基、アルキロールアミド基、イソシアネート基、ビニル基、（メタ）アクリロイル基、アリル基を有することが、最終的に得られる前記封止体と前記シールド層との密着性をより向上できるので好ましい。
【００２２】
前記高分子層は、前記封止体の上の全面に薄膜として設けられていることが好ましいが、電子部品パッケージのグランドパターンとシールド層を接続するためには、封止体から露出したグランドパターンを避けて高分子層が設けられていることが好ましい。また、前記高分子層は、電子部品パッケージのシールド層を形成しない箇所には高分子層を形成しないことが好ましい。電子部品パッケージのシールド層を形成しない箇所とは、例えば、電子部品パッケージのシールド層とは反対側の回路基板側、はんだボールが形成された箇所、はんだボールが形成される予定の箇所等が挙げられる。
【００２３】
前記高分子層を形成する高分子を前記封止体の表面に塗布する際には、前記高分子を溶媒中に溶解又は分散した流動体を用いる。塗布する方法としては、例えば、コーティング方式、ディッピング方式、ローラーコート方式、スピンコート方式、ロータリー方式、スプレー方式、ディスペンサー方式、インクジェット印刷法、パッド印刷法、反転印刷法、フレキソ印刷法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法等が挙げられる。
【００２４】
また、前記高分子を含有する流動体を塗布する際に、高分子層を塗布したくない箇所をマスキングテープやシール材料で保護した後に、前記流動体を塗布することもできる。
【００２５】
次に、前記高分子を含有する流動体は、前記高分子層を形成するために塗布した後乾燥させる。前記乾燥は、前記高分子を含有する流動体に含まれる溶媒を揮発させるために行う。前記乾燥は、８０〜３００℃の温度範囲で、１〜２００分程度行うことが好ましい。
【００２６】
前記高分子を用いて形成する高分子層の厚さは、前記封止体と後述する金属粒子層との密着性をより向上できることから、５〜５，０００ｎｍの範囲が好ましく、最終的に得られるシールド層の封止体への密着力に優れる点から、１０〜２００ｎｍの範囲がより好ましい。
【００２７】
本発明におけるシールド層を形成する金属粒子層は、前記封止体や、前記高分子層との密着性に優れることから、高分子分散剤により分散された金属粒子から構成されることが好ましい。
【００２８】
前記高分子分散剤は、金属粒子に配位する官能基を有する高分子が好ましい。前記官能基としては、例えば、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基、アセトアセチル基、リン原子含有基、チオール基、チオシアナト基、グリシナト基等が挙げられる。
【００２９】
前記高分子分散剤は、前記封止体や、前記高分子層との密着力を向上させるため、反応性官能基［Ｙ］を有する化合物（ｂ１）を含有するものが好ましい。
【００３０】
前記化合物（ｂ１）が有する反応性官能基［Ｙ］は、前記封止体中に存在するエポキシ基、フェノール性水酸基、水酸基、または前記高分子中の反応性官能基［Ｘ］との結合に関与するものであり、具体例としては、アミノ基、アミド基、アルキロールアミド基、カルボキシル基、無水カルボキシル基、カルボニル基、アセトアセチル基、エポキシ基、脂環エポキシ基、オキセタン環、ビニル基、アリル基、（メタ）アクリロイル基、（ブロック化）イソシアネート基、（アルコキシ）シリル基等を有する化合物、シルセスキオキサン化合物等が挙げられる。
【００３１】
特に、前記封止体や、前記高分子層との密着性をより向上させるため、前記反応性官能基［Ｙ］が塩基性窒素原子含有基であることが好ましい。
【００３２】
前記塩基性窒素原子含有基としては、例えばイミノ基、１級アミノ基、２級アミノ基等が挙げられる。
【００３３】
また、前記化合物（ｂ１）として、１分子中に複数の塩基性窒素原子含有基を有する化合物を用いることで、前記塩基性窒素原子含有基の一方は、前記封止体に存在するエポキシ基、または前記高分子層を形成する高分子が有する前記反応性官能基［Ｘ］との結合に関与し、他方は、前記金属粒子層中に含まれる金属粒子との相互作用に寄与し、最終的に得られる後述の金属めっき層と前記封止体との密着性をさらに向上できるため好ましい。
【００３４】
前記塩基性窒素原子含有基を有する化合物は、前記金属粒子の分散安定性、及び前記高分子層との密着性をより向上できることから、ポリアルキレンイミン、または、オキシエチレン単位を含むポリオキシアルキレン構造を有するポリアルキレンイミンが好ましい。
【００３５】
前記を有するポリアルキレンイミンとしては、ポリエチレンイミンとポリオキシアルキレンとが、直鎖状の結合したものであってもよく、前記ポリエチレンイミンからなる主鎖に対して、その側鎖に前記ポリオキシアルキレンがグラフトしたものであってもよい。
【００３６】
前記ポリオキシアルキレン構造を有するポリアルキレンイミンの具体例としては、ポリエチレンイミンとポリオキシエチレンとのブロック共重合体、ポリエチレンイミンの主鎖中に存在するイミノ基の一部にエチレンオキサイドを付加反応させてポリオキシエチレン構造を導入したもの、ポリアルキレンイミンが有するアミノ基と、ポリオキシエチレングリコールが有する水酸基と、エポキシ樹脂が有するエポキシ基とを反応させたもの等が挙げられる。
【００３７】
前記ポリアルキレンイミンの市販品としては、株式会社日本触媒製の「エポミン（登録商標）ＰＡＯシリーズ」の「ＰＡＯ２００６Ｗ」、「ＰＡＯ３０６」、「ＰＡＯ３１８」、「ＰＡＯ７１８」等が挙げられる。
【００３８】
前記ポリアルキレンイミンの数平均分子量は、３，０００〜３０，０００の範囲が好ましい。
【００３９】
前記化合物（ｂ１）が有する反応性官能基［Ｙ］が、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基、アセトアセチル基、リン原子含有基、チオール基、チオシアナト基、グリシナト基等である場合は、これらの官能基は金属粒子と配位する官能基としても機能するため、前記化合物（ｂ１）は金属粒子の高分子分散剤としても用いることができる。
【００４０】
次に、前記金属層を構成する金属粒子としては、遷移金属またはその化合物が挙げられ、前記遷移金属の中でもイオン性の遷移金属が好ましい。前記イオン性の遷移金属としては、例えば、銅、銀、金、ニッケル、パラジウム、白金、コバルト等の金属やこれら金属の複合体が挙げられる。これらの金属粒子は、１種で用いることも２種以上併用することもできる。また、これらの金属粒子の中でも、特に酸化劣化などの取り扱い上の問題点が少ないことやコストの面から、銀粒子が好ましい。
【００４１】
前記金属粒子としては、１〜２０，０００ｎｍ程度の平均粒子径を有する粒子状のものを用いることが好ましく、１〜２００ｎｍの平均粒子径を有する金属ナノ粒子を用いることが、マイクロメートルオーダーの平均粒子径を有する金属粒子を用いる場合と比較して、後述する銅めっき工程において、無電解銅めっきの触媒として用いる際の銅めっき析出性や、電解銅めっきの下地層として用いる際の抵抗値をより低下できることからより好ましい。なお、本発明において、平均粒子径は、前記導電性物質（ｂ２）を分散良溶媒にて希釈し、動的光散乱法により測定した体積平均値である。この測定にはマイクロトラック社製「ナノトラックＵＰＡ」を用いることができる。
【００４２】
前記金属粒子層を形成するためには、前記封止体に後述する各種塗布方式で塗布することが好ましく、そのためには、金属粒子を各種溶媒に分散させた金属粒子分散液として用いることが好ましい。前記溶媒としては、例えば、蒸留水、イオン交換水、純水、超純水等の水性媒体；アルコール溶剤、エーテル溶剤、ケトン溶剤、エステル溶剤等の有機溶剤が挙げられる。
【００４３】
前記アルコール溶剤またはエーテル溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブタノール、イソブチルアルコール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、ヘプタノール、ヘキサノール、オクタノール、ノナノール、デカノール、ウンデカノール、ドデカノール、トリデカノール、テトラデカノール、ペンタデカノール、ステアリルアルコール、アリルアルコール、シクロヘキサノール、テルピネオール、ターピネオール、ジヒドロターピネオール、２−エチル−１，３−ヘキサンジオール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、グリセリン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル等が挙げられる。
【００４４】
前記ケトン溶剤としては、例えば、アセトン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン等が挙げられる。また、前記エステル溶剤としては、例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、３―メトキシブチルアセテート、３−メトキシ−３−メチル−ブチルアセテート等が挙げられる。さらに、その他の有機溶剤として、トルエン等の炭化水素溶剤、特に炭素原子数８以上の炭化水素溶剤が挙げられる。
【００４５】
前記炭素原子数８以上の炭化水素溶剤としては、例えば、オクタン、ノナン、デカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、シクロオクタン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ドデシルベンゼン、テトラリン、トリメチルベンゼンシクロヘキサン等の非極性溶剤が挙げられ、他の溶媒と必要に応じて組み合わせて用いることができる。さらに、混合溶剤であるミネラルスピリット、ソルベントナフサ等の溶媒を併用することもできる。
【００４６】
前記金属粒子分散液は、例えば、前記高分子分散剤と、前記金属粒子と、必要に応じて前記溶媒とを混合することによって製造することができる。具体的には、ポリアルキレンイミン鎖と、親水性セグメントと、疎水性セグメントとを有する化合物を分散した媒体中に、予め調製した前記金属のイオン溶液を加え、該金属イオンを還元することによって製造することができる。
【００４７】
また、前記金属粒子分散液には、水性媒体、有機溶剤等の溶媒中における導電性物質の分散安定性、被塗布面への濡れ性を向上するために、必要に応じて、界面活性剤、消泡剤、レオロジー調整剤等を加えてもよい。
【００４８】
前記金属粒子層は、前記封止体の上の全面及び側面に薄膜として設けられていてもよいが、電子部品パッケージのグランドパターンとシールド層を接続するためには、封止体から露出したグランドパターンと接触するように金属粒子層が設けられることが必要である。また、金属粒子層は、電子部品パッケージのシールド層を形成しない箇所には金属粒子層を形成しないことが好ましい。電子部品パッケージのシールド層を形成しない箇所とは、例えば、電子部品パッケージのシールド層とは反対側のはんだボールが形成された箇所、はんだボールが形成される予定の箇所等が挙げられる。
【００４９】
前記金属粒子層は、前記封止体のシールド層を形成したい箇所の全面に設けられることもできるが、前記金属粒子分散液を後述する塗布方法によってパターンを形成することもできる。金属粒子層でパターンを形成した場合は、後述する銅めっき層、ニッケルめっき層は金属粒子層のパターンの上のみに形成されるため、シールド層自体をパターニングすることができる。前記金属粒子層のパターンは、電磁波シールド性を阻害しない範囲で、金属粒子層が無い部分を形成することができるが、例えば、金属粒子層にドット状に穴が空いたパターンや、金属粒子層が格子状に配置されたパターン、その他種々のパターンを形成することができる。
【００５０】
前記金属粒子分散液を前記封止体の表面及び側面に塗布する際には、塗布する方法としては、例えば、コーティング方式、ディッピング方式、ローラーコート方式、スピンコート方式、ロータリー方式、スプレー方式、ディスペンサー方式、インクジェット印刷法、パッド印刷法、反転印刷法、フレキソ印刷法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法等が挙げられる。金属粒子層のパターンを形成する場合は、インクジェット印刷法、パッド印刷法、反転印刷法、フレキソ印刷法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法を用いることが好ましい。
【００５１】
前記塗布方式の中でも、特に、金属粒子層を薄膜で均質に形成する塗布方式を選択することが好ましく、ディッピング方式、スピンコート方式、スプレー方式、インクジェット印刷法、フレキソ印刷法を選択することが好ましい。
【００５２】
また、前記金属粒子分散液を塗布する際に、金属粒子層を形成しない箇所をマスキングテープやシール材料で保護した後に、金属粒子分散液を塗布することもできる。前記マスキングテープやシール材料としては、例えば、めっき用マスキング粘着テープ、プリント基板用マスキングテープ、半導体ウエハの加工時に使用されるダイシングテープ、電子部品工程用熱剥離シートなどが挙げられ、前記シールド層を形成しない箇所についてシール材料を敷設し、金属粒子を塗布した後、後述する金属めっき工程時にもシールド層を形成しない箇所が保護できる材料を選択することが好ましい。
【００５３】
次に、前記金属粒子分散液は、金属粒子層を形成するために塗布した後乾燥させる。前記乾燥は、金属粒子分散液に含まれる溶媒を揮発させるため、また、後述する電解銅めっきの導電層として用いる場合には、金属粒子同士を密着し接合することで導電性を有する金属粒子層を形成するために行う。前記乾燥は、８０〜３００℃の温度範囲で、１〜２００分程度行うことが好ましい。ここで、前記封止体や前記高分子層との密着性に優れた金属粒子層（めっき下地層）を得るためには、前記乾燥の温度を１００〜２００℃の範囲にすることがより好ましい。
【００５４】
前記乾燥は大気中で行っても良いが、金属粒子のすべてが酸化することを防止するため、乾燥工程の一部または全部を還元雰囲気下で行ってもよい。
【００５５】
また、前記乾燥工程は、例えば、オーブン、熱風式乾燥炉、赤外線乾燥炉、レーザー照射、マイクロウェーブ、光照射（フラッシュ照射装置）等を用いて行うことができる。
【００５６】
上記のような方法により、前記金属粒子分散液を用いて形成された金属粒子層は、前記パターン中に８０〜９９．９質量％の範囲で導電性物質を含有し、０．１〜２０質量％の範囲で高分子分散剤を含有するものであることが好ましい。
【００５７】
前記金属粒子分散液を用いて形成された金属層の厚さは、後述する無電解銅めっき工程でのめっき触媒としての活性（めっき析出性）や、電解銅めっき工程での導電層としての抵抗値を低くできることから、５〜５００ｎｍの範囲が好ましい。
【００５８】
本発明のシールド層を構成する銅めっき層は、電界ノイズをシールドするために用いられる。銅めっき層の形成方法としては、例えば、無電解銅めっき、電解銅めっき等の湿式めっき法が挙げられ、これらのめっき法を組み合わせて銅めっき層を形成してもよい。例えば、前記金属粒子層を無電解銅めっき触媒として用いて無電解銅めっきを行い、その無電解銅めっき層を導電層として電解銅めっきを行う方法や、前記金属粒子層を導電層として用いて電解銅めっきを行うことができる。
【００５９】
前記めっき法の中でも、前記金属粒子層と、前記めっき法で形成した銅めっき層との密着性がより向上し、また、銅めっき工程の生産性に優れることから電解銅めっき法がより好ましい。
【００６０】
前記無電解めっき法は、例えば、前記金属粒子層に、無電解銅めっき液を接触させることで、無電解銅めっき液中に含まれる銅金属を析出させ金属皮膜からなる無電解銅めっき層を形成する方法である。
【００６１】
前記無電解銅めっき液としては、例えば、銅と、還元剤と、水性媒体、有機溶剤等の溶媒とを含有するものが挙げられる。
【００６２】
前記還元剤としては、例えば、ジメチルアミノボラン、次亜燐酸、次亜燐酸ナトリウム、ジメチルアミンボラン、ヒドラジン、ホルムアルデヒド、水素化ホウ素ナトリウム、フェノール等が挙げられる。
【００６３】
また、前記無電解銅めっき液としては、必要に応じて、酢酸、蟻酸等のモノカルボン酸；マロン酸、コハク酸、アジピン酸、マレイン酸、フマール酸等のジカルボン酸化合物；リンゴ酸、乳酸、グリコール酸、グルコン酸、クエン酸等のヒドロキシカルボン酸化合物；グリシン、アラニン、イミノジ酢酸、アルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸等のアミノ酸化合物；イミノジ酢酸、ニトリロトリ酢酸、エチレンジアミンジ酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、ジエチレントリアミンペンタ酢酸等のアミノポリカルボン酸化合物などの有機酸、またはこれらの有機酸の可溶性塩（ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩等）、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン等のアミン化合物等の錯化剤を含有するものを用いることができる。
【００６４】
前記無電解銅めっき液は、２０〜９８℃の範囲で用いることが好ましい。
【００６５】
前記電解銅めっき法は、例えば、前記金属粒子層を構成する金属、または、前記無電解銅めっきによって形成された無電解銅めっき層の表面に、電解銅めっき液を接触した状態で通電することにより、前記電解銅めっき液中に含まれる銅等の金属を、カソードに設置した前記金属粒子層、または前記無電解銅めっきによって形成された無電解銅めっき層の表面に析出させ、電解銅めっき層を形成する方法である。
【００６６】
前記電解銅めっき液としては、例えば、銅の硫化物と、硫酸と、水性媒体とを含有するもの等が挙げられる。具体的には、硫酸銅と硫酸と水性媒体とを含有するものが挙げられる。
【００６７】
前記電解銅めっき液は、２０〜９８℃の範囲で用いることが好ましい。
【００６８】
前記めっき処理の方法は、毒性の高い物質を用いることなく、作業性がよいため、電解銅めっき法が好ましい。また、電解銅めっきは、無電解銅めっきと比較して、めっき時間が短縮でき、めっきの膜厚の制御が容易であることから好ましい。
【００６９】
前記銅めっき法で形成した銅めっき層の厚さは、電界シールド性に優れることから、０．５〜３０μｍの範囲が好ましい。また、電解銅めっき法により銅めっき層を形成する場合、その層の厚さは、めっき処理工程における処理時間、電流密度、めっき用添加剤の使用量等を制御することによって調整することができる。
【００７０】
本発明のシールド層を構成するニッケルめっき層は、磁界ノイズをシールドするために用いられる。また、前記ニッケルめっき層は、銅めっき層表面の酸化劣化や腐食を防止するためにも用いられる。ニッケルめっき層の形成方法としては、例えば、無電解ニッケルめっき、電解ニッケルめっき等の湿式めっき法が挙げられ、これらのめっき法を組み合わせてニッケルめっき層を形成してもよい。磁界シールド性に優れることから、前記ニッケル層は電解ニッケルめっきで形成することが好ましい。
【００７１】
前記ニッケルめっき層の上に別の金属のめっき層が積層されていてもよく、例えば、金めっき層、スズめっき層、クロムめっき層を設けるとニッケルめっき層表面の腐食が防止できる。また、前記ニッケルめっき層の上に、前記金属粒子層を保護膜として形成することもできる。金属粒子層としては、例えば、銀ナノ粒子層が挙げられる。さらに、前記ニッケルめっき層の上に、保護膜として樹脂皮膜を形成してもよい。前記樹脂被膜としては、前記高分子密着層として例示した樹脂などが挙げられる。
【００７２】
前記ニッケルめっき法で形成したニッケルめっき層の厚さは、磁界シールド性に優れることから、０．５〜１０μｍの範囲が好ましい。
【００７３】
次に、本発明の電子部品パッケージの製造方法について述べる。製造方法としては、例えば、グランドパターンを有する回路基板上に実装された電子部品と、前記電子部品を封止するエポキシ樹脂を有する封止体とを有する電子部品パッケージの封止体の表面に、金属粒子を有する分散液を塗布し乾燥して金属粒子層を形成し、前記金属粒子層上に無電解銅めっき及び電解銅めっきからなる群から選ばれる１種以上で銅めっき層を形成し、無電解ニッケルめっき及び電解ニッケルめっきからなる群から選ばれる１種以上でニッケルめっき層を形成して、金属粒子層、銅めっき層及びニッケルめっき層を有するシールド層を形成する製造方法が挙げられる。
【００７４】
ここで、製造方法として、前記封止体の表面に、高分子を含有する流動体を塗布し乾燥して高分子層を形成し、前記高分子層上に金属粒子を有する分散液を塗布し乾燥して金属粒子層を形成し、その後、前記銅めっき層、ニッケルめっき層を有する前記シールド層を形成する製造方法が、前記封止体と前記シールド層の密着力に優れるため好ましい。
【００７５】
前記高分子層は、前記封止体の上の全面に薄膜として設けられていることが好ましいが、電子部品パッケージのグランドパターンとシールド層を接続するためには、封止体から露出したグランドパターンを避けて高分子層が設けられていることが好ましい。また、前記高分子層は、電子部品パッケージのシールド層を形成しない箇所には高分子層を形成しないことが好ましい。電子部品パッケージのシールド層を形成しない箇所とは、例えば、電子部品パッケージのシールド層とは反対側の回路基板側、はんだボールが形成された箇所、はんだボールが形成される予定の箇所等が挙げられる。
【００７６】
前記封止体の表面や前記高分子密着層の上に、前記金属粒子層を形成する方法としては、金属粒子分散液を塗布または印刷する方法や、乾燥する方法は、上記で例示した方法で実施することができ、前記金属粒子が銀ナノ粒子等のナノ粒子の場合、上記方法で乾燥することで金属粒子同士が融着して導電層を形成し、前記電解めっきにおけるめっき下地層として機能させることができるため好ましい。
【００７７】
前記封止体の表面に、前記高分子層を形成する方法としては、高分子を含む流動体を塗布または印刷する方法や、乾燥する方法は、上記で例示した方法で実施することができ、必要に応じて高分子を加熱硬化、紫外線で硬化させて高分子層を形成することができる。
【００７８】
また、前記電子部品パッケージの製造方法において、前記電子部品パッケージを個片化する前にシールド層を形成する方法としては、前記高分子層を形成した後、前記高分子層の上から、前記グランドパターンが露出するように前記封止体の一部を切削して、分割予定ラインにスリット部を形成し、前記高分子層の表面、及びスリット部の切削面に、金属粒子層を形成した後、銅めっき層及びニッケルめっき層を形成してシールド層を形成した後、前記スリット部を用いて電子部品を個片化する製造方法が挙げられる。
【００７９】
前記製造方法では、多量の前記電子部品パッケージに前記シールド層を効率的に製造でき、生産性に優れるため好ましい。
【００８０】
ここで、前記分割予定ラインに形成する前記スリット部は、前記電子部品パッケージの回路基板に含まれるグランドパターンと、金属粒子層、銅めっき層、ニッケルめっき層から成るシールド層とを接続するために設けるものであり、金属粒子層を形成する際には、グランドパターンと接触するように金属粒子を含む流動体を塗布して金属粒子層を形成することが好ましい。
【００８１】
前記分割予定ラインに形成する前記スリット部は、電子部品パッケージを封止する前または封止した後に、支持体に固定した後、スリット部を形成することもできる。前記支持対とは、後述する仮固定基材と同じものを使用することができる。
【００８２】
また、前記電子部品パッケージの製造方法において、前記電子部品パッケージを個片化した後にシールド層を形成する方法としては、前記高分子層を形成した後、前記高分子層の上から、ダイシングして封止体で封止された電子部品を個片化し、個片化した電子部品を仮固定基材に仮固定し、個片化した電子部品の前記高分子層の表面、及びダイシングにより生じた切削面に、金属粒子層を形成した後、銅めっき層及びニッケルめっき層を形成してシールド層を形成し、前記シールド層を前記グランドパターンに接地した後、前記仮固定基材から個片化した電子部品を取り出す製造方法が挙げられる。
【００８３】
ここで、前記仮固定基材としては、例えば、支持体に粘着加工された粘着シートや粘着フィルムとして、フッ素樹脂フィルムを支持体としたフッ素樹脂粘着フィルム、めっき用マスキング粘着テープ、プリント基板用マスキングテープ、半導体ウエハの加工時に使用されるダイシングテープ、電子部品工程用熱剥離シートなどが挙げられる。前記仮固定基材は、前記シールド層を形成しない前記箇所を保護することを目的としても使用することができる。
【００８４】
次に、金属粒子層の上に、電解めっきまたは無電解めっきにより銅めっき層やニッケルめっき層を形成する方法は、前述で例示した湿式めっき法で実施することができ、特に、電解めっき法を用いることが、生産性や得られる金属膜の力学的特性、コスト面、ニッケルめっきにおいては磁界シールド性に優れることから好ましい。
【００８５】
このようにして製造される本発明の電子部品パッケージは、前述で例示した用途における電子部品パッケージとして用いることができる。
【実施例】
【００８６】
以下、実施例により本発明を詳細に説明する。【００８７】
（調製例１：金属粒子分散液の調製）
エチレングリコール３０質量部と、イオン交換水７０質量部との混合溶媒に、分散剤としてポリエチレンイミンにポリオキシエチレンが付加した化合物を用いて平均粒径３０ｎｍの銀粒子を分散させた後、イオン交換水、エタノール及び界面活性剤を添加して、その粘度を１０ｍＰａ・ｓに調整することによって、金属粒子分散液を調製した。なお、この金属粒子分散液は、金属粒子と、反応性官能基として塩基性窒素原子含有基を有する高分子分散剤とを含有するものである。【００８８】
（製造例１：高分子層用樹脂の製造）
攪拌機、還流冷却管、窒素導入管、温度計を備えた反応容器に、ポリカーボネートポリオール（１，４−シクロヘキサンジメタノールと炭酸エステルとを反応させて得られる酸基当量１，０００ｇ／当量のポリカーボネートジオール）を１００質量部、２，２―ジメチロールプロピオン酸９．７質量部、１，４−シクロヘキサンジメタノール５．５質量部、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート５１．４質量部を、メチルエチルケトン１１１質量部の混合溶剤中で反応させることによって、分子末端にイソシアネート基を有するウレタンプレポリマーの有機溶剤溶液を得た。【００８９】
次いで、前記ウレタン樹脂の有機溶剤溶液にトリエチルアミンを７．３質量部加えることで、前記ウレタン樹脂が有するカルボキシル基の一部または全部を中和し、さらに水３５５質量部を加え十分に攪拌することにより、ウレタン樹脂の水性分散液を得た。【００９０】
次いで、前記水性分散液に、２５質量％のエチレンジアミン水溶液を４．３質量部加え、攪拌することによって、粒子状のポリウレタン樹脂を鎖伸長させ、次いでエージング・脱溶剤することによって、固形分濃度３０質量％のウレタン樹脂の水性分散液を得た。【００９１】
攪拌機、還流冷却管、窒素導入管、温度計、単量体混合物滴下用滴下漏斗、重合触媒滴下用滴下漏斗を備えた反応容器に脱イオン水１４０質量部、前記で得たウレタン樹脂の水分散液１００質量部を入れ、窒素を吹き込みながら８０℃まで昇温した。８０℃まで昇温した反応容器内に、攪拌下、メタクリル酸メチル６０質量部、アクリル酸ｎ−ブチル１０質量部、Ｎ−ｎ−ブトキシメチルアクリルアミド３０質量部を含有する単量体混合物と、過硫酸アンモニウム水溶液（濃度：０．５質量％）２０質量部を別々の滴下漏斗から、反応容器内温度を８０±２℃に保ちながら１２０分間かけて滴下し重合した。【００９２】
滴下終了後、同温度にて６０分間攪拌し、その後、前記反応容器内の温度を４０℃に冷却し、ついで、不揮発分が２０質量％になるように脱イオン水を添加した後、２００メッシュ濾布で濾過することによって、反応性官能基としてカルボキシル基とＮ−ｎ−ブトキシメチルアクリルアミド基を含有する高分子層用樹脂を得た。【００９３】
（調製例２：高分子層用樹脂を含有する流動体の調製）
前記高分子層用樹脂の製造で得られた高分子層用樹脂１０質量部に、エタノール９０質量部を攪拌混合し、高分子層用樹脂を含有する流動体を得た。【００９４】
（実施例１）
グランドパターンを有する回路基板上に実装された電子部品を、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂硬化剤と、充填材とを含む半導体封止用樹脂組成物で封止した。封止体の表面に、調製例１で調製した金属粒子分散液を、スプレー装置（スプレーイングシステムジャパン合同会社製スプレーノズルのスプレーチップＱＴＫＡ（流量サイズ０．１Ｌ／分）を備えたスプレー装置）で、金属粒子層としての乾燥後の膜厚が１５０ｎｍになるように塗布した。その後１８０℃で１０分間乾燥し、金属粒子層を形成した。この金属粒子層の表面抵抗値は４Ω／□であった。【００９５】
次に、上記方法で形成した金属粒子層の上に、含リン銅を陽極に設定し、硫酸銅を含有する電解めっき液を用いて電流密度２．５Ａ／ｄｍ２で１０分間電解銅めっきを行うことによって、金属粒子層の表面に、厚さ５μｍの銅めっき層を積層した。前記電解銅めっき液としては、硫酸銅７０ｇ／Ｌ、硫酸２００ｇ／Ｌ、塩素イオン５０ｍｇ／Ｌ、添加剤（奥野製薬工業株式会社製「トップルチナＳＦ−Ｍ」）５ｍＬ／Ｌを使用した。【００９６】
次に、上記方法で形成した銅めっき層の上に、硫酸ニッケルでニッケルイオンを供給しながら電流密度２Ａ／ｄｍ２で５分間電解ニッケルめっきを行うことによって、銅めっき層の上に、厚さ２μｍのニッケルめっき層を積層してシールド層を形成した。【００９７】
（実施例２）
グランドパターンを有する回路基板上に実装された電子部品を、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂硬化剤と、充填材とを含む半導体封止用樹脂組成物で封止した。封止体の表面に、調製例２で調製した高分子層用樹脂を含有する流動体を、スプレー装置（スプレーイングシステムジャパン合同会社製スプレーノズルのスプレーチップＱＴＫＡ（流量サイズ０．１Ｌ／分）を備えたスプレー装置）で、高分子層としての乾燥後の膜厚が２００ｎｍになるように塗布した。その後１５０℃で１０分間乾燥し、高分子層を形成した。【００９８】
次に、上記方法で形成した高分子層の上に、調製例１で調製した金属粒子分散液を、スプレー装置（スプレーイングシステムジャパン合同会社製スプレーノズルのスプレーチップＱＴＫＡ（流量サイズ０．１Ｌ／分）を備えたスプレー装置）で、金属粒子層としての乾燥後の膜厚が１５０ｎｍになるように塗布した。その後１８０℃で１０分間乾燥し、金属粒子層を形成した。この金属粒子層の表面抵抗値は４Ω／□であった。【００９９】
次に、上記方法で形成した金属粒子層の上に、実施例１と同様にしての電解銅めっき、電解ニッケルめっきを行い、厚さ５μｍの銅めっき層と厚さ２μｍのニッケルめっき層からなるシールド層を形成した。【０１００】
（実施例３）
グランドパターンを有する回路基板上に実装された電子部品を、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂硬化剤と、充填材とを含む半導体封止用樹脂組成物で封止した。次に、電子部品を封止した封止体の、シールド層を形成しない回路基板側に、めっき用マスキング粘着テープを貼り付けた。次に、封止体の表面に、調製例２で調製した高分子層用樹脂を含有する流動体を、スプレー装置（スプレーイングシステムジャパン合同会社製スプレーノズルのスプレーチップＱＴＫＡ（流量サイズ０．１Ｌ／分）を備えたスプレー装置）で、高分子層としての乾燥後の膜厚が２００ｎｍになるように塗布した。その後１５０℃で１０分間乾燥し、高分子層を形成した。【０１０１】
次に、上記方法で形成した高分子層の表面を、ダイシング装置のダイヤモンドブレードで分割予定ラインに沿ってハーフダイシングを行い、スリット部を形成した。スリット部には、高分子層は無く、回路基板のグランド線が露出していることを確認した。【０１０２】
次に、上記で得られた高分子層が形成されハーフダイシングしてスリット部が形成された封止体に、調製例１で調製した金属粒子分散液を印刷した。金属粒子分散液の印刷は、インクジェットプリンター（コニカミノルタＩＪ株式会社製インクジェット試験機ＥＢ１００、評価用プリンタヘッドＫＭ５１２Ｌ、吐出量１４ｐＬ）を用いて、最初にスリット部に沿って印刷し、次いで、封止体の表面全体を印刷した。その後、１５０℃で１０分間乾燥することによって、金属粒子層を形成した。この金属粒子層の膜厚は各箇所の平均膜厚として８０ｎｍであった。【０１０３】
次に、上記方法で形成した金属粒子層の上に、無電解銅めっきを施し、厚さ０．２μｍの無電解銅めっき膜を形成した。なお、無電解銅めっきは、ＡＲＧカッパー（奥野製薬工業株式会社製）を、標準推奨条件（ＡＲＧカッパー１：３０ｍＬ／Ｌ、ＡＲＧカッパー２：１５ｍＬ／Ｌ、ＡＲＧカッパー３：２００ｍＬ／Ｌ）で建浴し、浴温４５℃で保持し、これに上記の金属粒子層を形成した基板を１５分間浸漬して、銅めっき膜を析出させることにより行った。【０１０４】
次に、上記方法で形成した無電解銅めっき層の上に、実施例１と同様にして電解銅めっき、電解ニッケルめっきを行い、厚さ５μｍの銅めっき層と厚さ２μｍのニッケルめっき層からなるシールド層を形成した。【０１０５】
（実施例４）
グランドパターンを有する回路基板上に実装された電子部品を、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂硬化剤と、充填材とを含む半導体封止用樹脂組成物で封止した。次に、封止体の表面に、高分子層（Ａ−１）用樹脂を含有する流動体を、スプレー装置（スプレーイングシステムジャパン合同会社製スプレーノズルのスプレーチップＱＴＫＡ（流量サイズ０．１Ｌ／分）を備えたスプレー装置）で、高分子層としての乾燥後の膜厚が２００ｎｍになるように塗布した。その後１２０℃で１０分間乾燥し、高分子層を形成した。【０１０６】
次に、上記方法で形成した高分子層の表面を、ダイシング装置のダイヤモンドブレードで分割ラインに沿って縦１０ｍｍ、横１０ｍｍのサイズにダイシングを行い個片化した。個片化した封止体のダイヤモンドブレードが接触した部分には、高分子層は無く、回路基板のグランド線が露出していることを確認した。次に、個片化した封止体４０個を２ｍｍ間隔で電子部品工程用熱剥離シートに貼り付けた。【０１０７】
次に、上記方法で電子部品工程用熱剥離シートに貼り付けた封止体の表面に、調製例１で調製した金属粒子分散液を印刷した。金属粒子分散液の印刷は、インクジェットプリンター（コニカミノルタＩＪ株式会社製インクジェット試験機ＥＢ１００、評価用プリンタヘッドＫＭ５１２Ｌ、吐出量１４ｐＬ）を用いて、封止体の表面、ダイシングで切り出した側面、封止体が貼り付けられた電子部品工程用熱剥離シートの表面にも印刷した。その後、１００℃で１０分間乾燥することによって、金属粒子層を形成した。この金属粒子層の膜厚は、各箇所の平均膜厚として９０ｎｍであった。【０１０８】
次に、上記方法で形成した金属粒子層の上に、実施例３と同様にして無電解銅めっきを施し、厚さ０．２μｍの無電解銅めっき層を形成した。【０１０９】
次に、上記方法で形成した無電解銅めっき層の上に、実施例１と同様にして電解銅めっき、電解ニッケルめっきを行い、厚さ５μｍの銅めっき層と厚さ２μｍのニッケルめっき層からなるシールド層を形成した。【０１１０】
（比較例１）
グランドパターンを有する回路基板上に実装された電子部品を、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂硬化剤と、充填材とを含む半導体封止用樹脂組成物で封止した。封止体の表面を粗化するために、フッ酸を用いて封止体中の充填材を溶解して封止体表面の粗化処理を行った。前記粗化処理には、６２％硝酸１０００ｍＬ／Ｌにフッ化アンモニウム１５０ｇ／Ｌを溶解した薬剤を使用した。粗化処理温度は４０℃とし、粗化処理時間は２０分間行った。【０１１１】
次に、上記方法で粗化処理した封止体を、無電解銅めっき触媒としてパラジウムの塩化第一錫保護コロイド溶液からなる触媒液（奥野製薬工業株式会社製「キャタリストＣ」４０ｍＬ／Ｌ及び３５％塩酸１８０ｍＬ／Ｌを含有する水溶液）中に３０℃で３分間浸漬した。次に、９８％硫酸を１００ｍＬ／Ｌ含有する水溶液中に４０℃で３分間浸漬して無電解銅めっき触媒を活性化した。【０１１２】
次に、上記方法で粗化処理と、無電解銅めっき触媒の付与と活性化処理をした封止体に、実施例３と同様にして無電解銅めっきを施し、厚さ０．２μｍの無電解銅めっき層を形成した。【０１１３】
次に、上記方法で形成した無電解銅めっき層の上に、実施例１と同様にして電解銅めっき、電解ニッケルめっきを行い、厚さ５μｍの銅めっき層と厚さ２μｍのニッケルめっき層からなるシールド層を形成した。【０１１４】
（比較例２）
グランドパターンを有する回路基板上に実装された電子部品を、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂硬化剤と、充填材とを含む半導体封止用樹脂組成物で封止した。封止体の表面
マグネトロンスパッタの製膜方式でスパッタ処理を行った。このスパッタ法で、銅膜を厚さ０．２μｍで形成した。【０１１５】
次に、上記方法で形成した銅膜の上に、実施例１と同様にして電解銅めっき、電解ニッケルめっきを行い、厚さ５μｍの銅めっき層と厚さ２μｍのニッケルめっき層からなるシールド層を形成した。【０１１６】
＜シールド層の密着力（ピール強度）の測定＞
上記で得られた各シールド層が形成された電子部品パッケージについて、株式会社島津製作所製「オートグラフＡＧＳ−Ｘ  ５００Ｎ」を用いて封止体とシールド層間のピール強度を測定した。なお、測定に用いるリード幅は１ｍｍ、そのピールの角度は９０°とした。また、本発明でのピール強度の測定は、シールド層の厚さ７μｍにおける測定値を基準として実施した。【０１１７】
＜加熱後のシールド層の密着力（ピール試験）の測定＞
上記で得られた各シールド層が形成された電子部品パッケージについて、１５０℃に設定した乾燥機内に１６８時間保管して加熱した。加熱後、上記と同様の方法でピール強度を測定した。【０１１８】
＜耐熱性の評価＞
上記で測定した加熱前後のピール強度値を用いて、加熱前後での保持率を算出し、下記の基準にしたがって耐熱性を評価した。
Ａ：保持率が８０％以上である。
Ｂ：保持率が７０％以上８０％未満である。
Ｃ：保持率が５０％以上７０％未満である。
Ｄ：保持率が５０％未満である。【０１１９】
実施例１〜４、比較例１及び２で得られたシールド層が形成された電子部品パッケージのシールド層の加熱前後のピール強度の測定結果及び耐熱性の評価結果を表１に示す。【０１２０】
【表１】
2019167778.tif 000003
【０１２１】
表１に示した結果から、本発明のシールド層が形成された電子部品パッケージである実施例１〜４で得られたシールド層は、封止体とシールド層間のピール強度が高く、加熱後のピール強度の低下もわずかで、加熱後のピール強度の保持率も高く、優れた耐熱性を有することが確認できた。【０１２２】
一方、比較例１で得られたシールド層が形成された電子部品パッケージは、封止体を粗化処理してから金属めっき膜を形成した例であるが、加熱前後ともにピール強度が非常に低いことが確認できた。【０１２３】
また、比較例２で得られたシールド層が形成された電子部品パッケージは、支持体にスパッタリング法を用いて金属層を形成後、金属めっきを行った例であるが、加熱前後ともにピール強度が非常に低いことが確認できた。
【符号の説明】
【０１２４】
１・・・・回路基板
２・・・・シールド層
３・・・・金属粒子層
４・・・・銅めっき層
５・・・・ニッケル層
６・・・・グランドパターン
７・・・・配線パターン
８・・・・別の回路基板などとの接続パッド部
９・・・・半導体装置などの電子部品
１０・・・・高分子層
【図１】
2019167778.tif 000004
【図２】
2019167778.tif 000005
【図３】
2019167778.tif 000006
【図４】
2019167778.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月19日(2019.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グランドパターンを有する回路基板上に実装された電子部品と、前記電子部品を封止するエポキシ樹脂を有する封止体とを有する電子部品パッケージの封止体の表面に、高分子を含有する流動体を塗布し乾燥して高分子層を形成し、前記高分子層上に金属粒子を有する分散液を塗布し乾燥して金属粒子層を形成し、前記金属粒子層上に無電解銅めっき及び電解銅めっきからなる群から選ばれる１種以上で銅めっき層を形成し、無電解ニッケルめっき及び電解ニッケルめっきからなる群から選ばれる１種以上でニッケルめっき層を形成して、金属粒子層、銅めっき層及びニッケルめっき層を有するシールド層を形成する電子部品パッケージの製造方法において、高分子層を形成した後、前記高分子層の上から、ダイシングして封止体で封止された電子部品を個片化し、個片化した電子部品を仮固定基材に仮固定し、個片化した電子部品の前記高分子層の表面、及びダイシングにより生じた切削面に、金属粒子層を形成した後、銅めっき層及びニッケルめっき層を形成してシールド層を形成し、前記シールド層を前記グランドパターンに接地した後、前記仮固定基材から個片化した電子部品を取り出すことを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
すなわち、本発明は、グランドパターンを有する回路基板上に実装された電子部品と、前記電子部品を封止するエポキシ樹脂を有する封止体とを有する電子部品パッケージの封止体の表面に、高分子を含有する流動体を塗布し乾燥して高分子層を形成し、前記高分子層上に金属粒子を有する分散液を塗布し乾燥して金属粒子層を形成し、前記金属粒子層上に無電解銅めっき及び電解銅めっきからなる群から選ばれる１種以上で銅めっき層を形成し、無電解ニッケルめっき及び電解ニッケルめっきからなる群から選ばれる１種以上でニッケルめっき層を形成して、金属粒子層、銅めっき層及びニッケルめっき層を有するシールド層を形成する電子部品パッケージの製造方法において、高分子層を形成した後、前記高分子層の上から、ダイシングして封止体で封止された電子部品を個片化し、個片化した電子部品を仮固定基材に仮固定し、個片化した電子部品の前記高分子層の表面、及びダイシングにより生じた切削面に、金属粒子層を形成した後、銅めっき層及びニッケルめっき層を形成してシールド層を形成し、前記シールド層を前記グランドパターンに接地した後、前記仮固定基材から個片化した電子部品を取り出すことを特徴とする電子部品パッケージの製造方法を提供するものである。
【国際調査報告】
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