(57)【要約】本開示は樹脂組成物の流動性評価方法に関する。この方法は、樹脂組成物からなる試料を準備する工程と、試料に対して歪みを与え且つ温度Ｔにおいて試料のズリ弾性率を測定することによって、温度Ｔにおける試料のズリ弾性率の時間的変化を把握する工程とを含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂組成物の流動性評価方法であって、
前記樹脂組成物からなる試料を準備する工程と、
前記試料に対して歪みを与え且つ温度Ｔにおいて前記試料のズリ弾性率を測定することによって、前記温度Ｔにおける前記試料のズリ弾性率の時間的変化を把握する工程と、
を含む、流動性評価方法。
【請求項２】
前記試料のズリ弾性率の測定結果に基づいて、マクスウェルモデルの応力緩和の下記式（１）を用いて導かれる、Ｇ（ｔ）／Ｇ０＝０．３６７９となる時間ｔを読み取る工程を更に含む、請求項１に記載の流動性評価方法。
Ｇ（ｔ）＝Ｇ０×ｅ（−ｔ／τ）      （１）
［式（１）において、Ｇ（ｔ）は時間ｔ（秒）におけるズリ弾性率を示し、Ｇ０は初期のズリ弾性率を示し、ｔは時間（秒）を示し、τは応力緩和時間（秒）を示す。］
【請求項３】
前記試料のズリ弾性率の測定結果に基づいて、初期のズリ弾性率を把握する工程を更に含む、請求項１又は２に記載の流動性評価方法。
【請求項４】
少なくとも６０秒にわたって前記試料のズリ弾性率を測定する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の流動性評価方法。
【請求項５】
前記温度Ｔが−５０〜４００℃の範囲の特定の温度である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の流動性評価方法。
【請求項６】
前記試料に対して与える歪みの量が１〜３０％である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の流動性評価方法。
【請求項７】
前記試料の厚さが０．０１〜１ｍｍである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の流動性評価方法。
【請求項８】
前記樹脂組成物は半導体装置の製造に用いられる材料である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の流動性評価方法。
【請求項９】
前記樹脂組成物が埋め込み材料である、請求項８に記載の流動性評価方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の流動性評価方法を、前記温度Ｔが１２０℃である条件下で実施する工程と、
評価対象の樹脂組成物が下記条件１，２の両方を満たすか否かを判定する工程と、
を含み、
前記条件１，２の両方を満たす樹脂組成物を良と判定する、樹脂組成物の選別方法。
条件１：１２０℃における応力緩和時間が１２秒以下である。
条件２：１２０℃における初期のズリ弾性率が３５ｋＰａ以下である。
【請求項１１】
請求項１０に記載の選別方法で良と判定された樹脂組成物を埋め込み材料又は仮固定材として使用する、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、樹脂組成物の流動性評価方法、樹脂組成物の選別方法及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
スマートフォン、タブレットＰＣ等の電子機器の多機能化に伴い、半導体素子を多段に積層することによって高容量化したスタックドＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｐａｃｋａｇｅ）が普及している。半導体素子の実装にはフィルム状接着剤が広く用いられている。しかし、多機能化の傾向があるにも関わらず、現行のワイヤボンドを使用した半導体素子の接続方式ではデータの処理速度に限界がある。他方、充電せずにより長時間使用したいとのニーズが高まっていることから、省電力化も求められつつある。高速化及び省電力化を目的として、半導体素子をまるごとダイボンドフィルムで埋め込むことで素子の小型化を図る構造が開発されている（例えば、特許文献１の図６参照）。【０００３】
また、ワイヤボンドではなく貫通電極によって半導体素子同士を接続する新しい構造の電子機器装置も開発されてきている。貫通電極を有した半導体素子の作製には、半導体素子を支持体に仮固定して加工するための仮固定材が必要となる。この半導体素子は表面に無数の電極を有した構造をしているため、仮固定材には、この表面の微細な凹凸を埋め込む優れた流動性が必要となる（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１７−１６８８５０号公報
【特許文献２】国際公開第２０１７／１９１８１５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
樹脂組成物からなるダイボンドフィルムに半導体素子を埋め込む工程においては、ダイボンドフィルムは大きく変形する必要がある。あるいは、仮固定材を構成する樹脂組成物は貫通電極のような微細な凹凸に対して追従することが求められる。半導体装置の製造過程において、埋め込み材料又は仮固定材として使用予定の樹脂組成物がそのような変形能及び追従性を有しているかを事前に予測することは難しく、実際に使ってみないと分からないことが多い。【０００６】
従来、樹脂組成物の性能を評価する指標の一つとして流動性が知られている。例えば、レオメータを用いて樹脂組成物のズリ粘度を測定することによって、その流動性を把握し、埋込性の良否を判断することがある。しかし、上述のようなフィルムの大きな変形及び微細な凹凸への追従性はズリ粘度だけでは説明できない事象を含むものであり、従来の方法では樹脂組成物の適否を十全に評価することができなかった。【０００７】
本開示は、上記事情に鑑みてなされたものであり、樹脂組成物の流動性を評価するための新たな方法を提供することを目的とする。本開示は、この評価方法を含む樹脂組成物の選別方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示は樹脂組成物の流動性評価方法を提供する。この評価方法は、樹脂組成物からなる試料を準備する工程と、試料に対して歪みを与え且つ温度Ｔにおいて試料のズリ弾性率を測定することによって、温度Ｔにおける試料のズリ弾性率の時間的変化を把握する工程とを含む。温度Ｔにおけるズリ弾性率の時間的変化を把握することで、樹脂組成物の特性（変形能及び微細な凹凸への追従性）をより的確に評価することができる。この評価方法は、例えば、半導体装置の製造過程において使用されるダイボンディングフィルム及び仮固定材等を構成する樹脂組成物の埋込性の良否を判断するのに有用である。【０００９】
ズリ弾性率の時間的変化を定量化するため、マクスウェルモデルの応力緩和の式を利用してもよい。すなわち、本開示に係る評価方法は、試料のズリ弾性率の測定結果に基づいて、マクスウェルモデルの応力緩和の下記式（１）を用いて導かれる、Ｇ（ｔ）／Ｇ０＝０．３６７９となる時間（応力緩和時間τ）を読み取る工程を更に含んでもよい。
Ｇ（ｔ）＝Ｇ０×ｅ（−ｔ／τ）      （１）
［式（１）において、Ｇ（ｔ）は時間ｔ（秒）におけるズリ弾性率を示し、Ｇ０は初期のズリ弾性率を示し、ｔは時間（秒）を示し、τは応力緩和時間（秒）を示す。］
なお、「Ｇ（ｔ）／Ｇ０＝０．３６７９」における数値「０．３６７９」は以下のとおり算出されるものである。
ｔ＝τのとき
Ｇ（ｔ）＝Ｇ０×ｅ（−１）
Ｇ（ｔ）／Ｇ０＝ｅ（−１）＝０．３６７９【００１０】
本開示は樹脂組成物の選定方法を提供する。この選定方法は、上記の流動性評価方法を、温度Ｔが１２０℃である条件下で実施する工程と、評価対象の樹脂組成物が下記条件１，２の両方を満たすか否かを判定する工程とを含み、条件１，２の両方を満たす樹脂組成物を良と判定する。
条件１：１２０℃における応力緩和時間が１２秒以下である。
条件２：１２０℃における初期のズリ弾性率が３５ｋＰａ以下である。【００１１】
上記選定方法は、例えば、半導体装置の製造過程において使用されるダイボンディングフィルム及び仮固定材等を構成する樹脂組成物を選定するのに有用である。【００１２】
本開示に係る半導体装置の製造方法は、この選定方法で良と判定された樹脂組成物を埋め込み材料又は仮固定材として使用するものである。
【発明の効果】
【００１３】
本開示によれば、樹脂組成物の流動性を評価するための新たな方法が提供される。すなわち、この評価方法によれば、ズリ粘度だけでは説明が困難であったフィルムの特性（例えば、変形能又は微細な凹凸への追従性）を定量的に評価することができる。また、本開示によれば、上記評価方法を含む樹脂組成物の選別方法及び半導体装置の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は図１に示す半導体装置を製造するための一連の工程を示す模式断面図である。
【図３】図３は図１に示す半導体装置を製造するための一連の工程を示す模式断面図である。
【図４】図４は図１に示す半導体装置を製造するための一連の工程を示す模式断面図である。
【図５】図５は図１に示す半導体装置を製造するための一連の工程を示す模式断面図である。
【図６】図６は図１に示す半導体装置を製造するための一連の工程を示す模式断面図である。
【図７】図７は試料１〜１４に係る樹脂組成物のズリ弾性率の時間的変化を示すグラフである。
【図８】図８は試料１〜１４に係る樹脂組成物の特性（横軸：ズリ弾性率［ｋＰａ］、縦軸：応力緩和時間τ（秒））をプロットしたグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本開示の実施形態について詳細に説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００１６】
＜樹脂組成物の流動性評価方法＞
本実施形態に係る評価方法は、樹脂組成物の流動性を評価するためのものであり、樹脂組成物からなる試料を準備する工程と、試料に対して歪みを与え且つ温度Ｔにおいて試料のズリ弾性率を測定することによって、温度Ｔにおける試料のズリ弾性率の時間的変化を把握する工程とを含む。
【００１７】
ズリ弾性率の時間的変化を定量化するため、マクスウェルモデルの応力緩和の式を利用してもよい。すなわち、試料のズリ弾性率の測定結果に基づいて、マクスウェルモデルの応力緩和の下記式（１）を用いて、Ｇ（ｔ）／Ｇ０＝０．３６７９となる時間（応力緩和時間τ）を読み取ってもよい。試料の初期ズリ弾性率（Ｇ０）は試料のズリ弾性率の測定結果に基づいて求めることができる。
Ｇ（ｔ）＝Ｇ０×ｅ（−ｔ／τ）      （１）
［式（１）において、Ｇ（ｔ）は時間ｔ（秒）におけるズリ弾性率を示し、Ｇ０は初期のズリ弾性率を示し、ｔは時間（秒）を示し、τは応力緩和時間（秒）を示す。］
【００１８】
温度Ｔにおけるズリ弾性率の測定は、例えば、少なくとも１０秒にわたって行うことが好ましく、測定時間は３０〜１８００秒又は６０〜６００秒であってもよい。温度Ｔは、安定的に測定を行う観点から、−５０〜４００℃の範囲の特定の温度であることが好ましく、評価対象の樹脂組成物の種類及び用途等に応じて設定すればよい。例えば、樹脂組成物の種類が熱硬化性樹脂組成物であり且つその用途が半導体装置の製造に使用されるダイボンディングフィルム又は仮固定材である場合、例えば、温度Ｔは３０〜３００℃であり、５０〜２００℃又は８０〜１５０℃であってもよい。
【００１９】
試料に対して与える歪みの量は、安定的に測定を行う観点から、０．１〜３０％の範囲であることが好ましく、評価対象の樹脂組成物の種類及び用途等に応じて設定すればよい。例えば、樹脂組成物の種類が熱硬化性樹脂組成物であり且つその用途が半導体装置の製造に使用されるダイボンディングフィルム又は仮固定材である場合、例えば、歪みの量は０．５〜２５％であり、１〜２０％又は２〜１５％であってもよい。
【００２０】
試料はフィルム状に形成することが好ましい。試料の厚さは、安定的に測定を行う観点から、１０〜１０００μｍであることが好ましく、評価対象の樹脂組成物の種類及び用途等に応じて設定すればよい。例えば、樹脂組成物の種類が熱硬化性樹脂組成物であり且つその用途が半導体装置の製造において半導体チップ（例えば、コントローラチップ）が埋め込まれるダイボンディングフィルム、又は仮固定材である場合、例えば、フィルムの厚さは５０〜８００μｍであり、８０〜６００μｍ又は１００〜５００μｍであってもよい。なお、フィルムの厚さが薄すぎてズリ弾性率の測定が困難である場合は、複数枚を重ね合わせることによって厚さを増した試料を準備すればよい。
【００２１】
本実施形態に係る評価方法によれば、温度Ｔにおけるズリ弾性率の時間的変化を把握することで、樹脂組成物の特性をより的確に評価することができる。この評価方法は、例えば、半導体装置の製造過程において使用されるダイボンディングフィルムを構成する樹脂組成物の埋込性の良否を判断するのに有用である。
【００２２】
＜樹脂組成物の選定方法＞
本実施形態に係る選定方法は、例えば、半導体装置の製造過程において使用されるダイボンディングフィルムを構成する樹脂組成物を選定するためのものである。すなわち、この選定方法は、上記実施形態に係る流動性評価方法を、温度Ｔが１２０℃である条件下で実施する工程と、評価対象の樹脂組成物が下記条件１，２の両方を満たすか否かを判定する工程とを含み、条件１，２の両方を満たす樹脂組成物を良と判定する。
条件１：１２０℃における応力緩和時間が１２秒以下である。
条件２：１２０℃における初期のズリ弾性率が３５ｋＰａ以下である。
【００２３】
条件１に関し、１２０℃における応力緩和時間が１２秒以下であることは、樹脂組成物に対して熱が加わってから十分に短い時間でズリ弾性率が低下し、流動性が高まることを意味する。これにより、半導体装置を製造に要する時間の短縮化に寄与する。かかる観点から、１２０℃における応力緩和時間は１１秒以下であることが好ましく、０．１〜１１秒であってもよい。
【００２４】
条件２に関し、１２０℃における初期のズリ弾性率が３５ｋＰａ以下であることは、初期の段階からズリ弾性率がある程度低いことを意味する。１２０℃における初期のズリ弾性率は３０ｋＰａ以下であることが好ましく、１〜３０ｋＰａであってもよい。
【００２５】
上記実施形態においては、温度Ｔが１２０℃である条件下でズリ弾性率の測定を実施する場合を例示したが、半導体装置の製造過程において樹脂組成物が使用される温度条件に応じて温度Ｔは設定すればよく、例えば８０℃又は１００℃であってもよいし、１４０℃であってもよい。
【００２６】
＜半導体装置及びその製造方法＞
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、上記実施形態に係る選定方法で良と判定された樹脂組成物を埋め込み材料として使用するものである。以下、図面を参照しながら、半導体装置及びその製造方法の一例について説明する。
【００２７】
図１に示す半導体装置１００は、基板１０に、第１のワイヤ１１を介して１段目の第１の半導体素子Ｗａがワイヤボンディング接続されている。更に、第１の半導体素子Ｗａ上に、第２の半導体素子Ｗｂがフィルム状接着剤（樹脂組成物）を介して圧着する工程を経ることで、第２の半導体素子Ｗｂ及び第１のワイヤ１１がフィルム状接着剤の硬化物２０に埋め込まれてなる半導体装置である。半導体装置１００では、基板１０と第２の半導体素子Ｗｂとが第２のワイヤ１２を介して電気的に接続されるとともに、第２の半導体素子Ｗｂが封止材４０により封止されている。本実施形態においては、熱硬化性樹脂組成物からなるフィルム状接着剤２０Ｐ（図３参照）が流動性を評価する対象である。フィルム状接着剤２０Ｐは加熱処理によって硬化物２０となるものである。
【００２８】
基板１０は、表面に回路パターン１０ａ，１０ｂを有する。第１の半導体素子Ｗａは、回路パターン１０ａ上に接着剤１５を介して圧着されている。第１の半導体素子Ｗａは、半導体装置１００を駆動するためのコントローラチップである。第１の半導体素子Ｗａの厚さは、例えば、１０〜１７０μｍである。第２の半導体素子Ｗｂは、第１の半導体素子Ｗａ及び回路パターン１０ｂの一部が覆われるようにフィルム状接着剤の硬化物２０を介して基板１０に搭載されている。第２の半導体素子Ｗｂの厚さは、例えば、２０〜４００μｍであってよい。
【００２９】
フィルム状接着剤の硬化物２０は、基板１０上の第１の半導体素子Ｗａ及び回路パターン１０ａ，１０ｂに起因する段差に追従したものであることが好ましい。換言すれば、基板１０及びその表面上に配置された第１の半導体素子Ｗａと、硬化物２０との界面に空隙がないことが好ましい。
【００３０】
図２〜６は半導体装置１００を製造するための一連の工程を示す模式断面図である。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１の半導体素子Ｗａを第１のワイヤ１１を介して基板１０と電気的に接続する第１のワイヤボンディング工程と、第２の半導体素子Ｗｂとその片面に貼付されたフィルム状接着剤２０Ｐとを有する接着剤付き半導体素子３０を準備する工程と、接着剤付き半導体素子３０を基板１０に接着するダイボンド工程と、第２の半導体素子Ｗｂを第２のワイヤ１２を介して基板１０と電気的に接続する第２のワイヤボンディング工程とを少なくとも含む。
【００３１】
図２に示すとおり、基板１０上の回路パターン１０ａ上に、接着剤１５を有する第１の半導体素子Ｗａを圧着し、第１のワイヤ１１を介して基板１０上の回路パターン１０ａと第１の半導体素子Ｗａとを電気的にボンディング接続する（第１のワイヤボンディング工程）。
【００３２】
図３に示すとおり、第２の半導体素子Ｗｂと、その一方の面にフィルム状接着剤２０Ｐとの接着剤付き半導体素子３０を別途準備する（接着剤付き半導体素子を準備する工程）。接着剤付き半導体素子３０は、半導体ウェハの片面に、ダイボンディングフィルム（フィルム状接着剤２０Ｐと同じ樹脂組成物）及びダイシングフィルムをこの順序で積層し、ダイシング工程及びピックアップ工程を経ることによって得てもよい。
【００３３】
次に、図４及び図５に示すとおり、接着剤付き半導体素子３０を、フィルム状接着剤２０Ｐによって第１のワイヤ１１及び第１の半導体素子Ｗａが覆われるように、基板１０に圧着させる（ダイボンド工程）。ダイボンド工程は、フィルム状接着剤２０Ｐを８０〜１８０℃、０．０１〜０．５０ＭＰａの条件で０．５〜３．０秒間圧着することが好ましい。フィルム状接着剤２０Ｐを６０〜１７５℃、０．３〜０．７ＭＰａの条件で、５分間以上加圧及び加熱することで、フィルム状接着剤２０Ｐが硬化して硬化物２０となる。
【００３４】
次いで、図６に示すとおり、基板１０と第２の半導体素子Ｗｂとを第２のワイヤ１２を介して電気的に接続する（第２のワイヤボンディング工程）。その後、回路パターン１０ｂ、第２のワイヤ１２及び第２の半導体素子Ｗｂを封止材４０で封止する。このような工程を経ることで半導体装置１００を製造することができる。
【００３５】
上記実施形態においては、第１のワイヤ１１及び第１の半導体素子Ｗａが埋め込まれてなる半導体装置を例示したが、第１のワイヤ１１の少なくとも一部のみが埋め込まれてなるワイヤ埋め込み型の半導体装置であってもよい。
【００３６】
また、上記実施形態においては、流動性の評価対象の一つである埋め込み材料（ダイボンドフィルム）を使用した半導体装置及びその製造方法について説明したが、本開示は仮固定材（仮固定用樹脂フィルム）を評価対象としてもよい。そして、本開示の選定方法によって良と判定された仮固定材を使用して半導体装置を製造してもよい。特許文献２に仮固定材の具体的な構成及び使用方法について詳細に記載されている。仮固定用樹脂フィルムを使用した半導体装置の製造方法は、例えば、以下の工程を含む。
（ａ）回路が形成された面を有する半導体ウェハと支持体とを仮固定用樹脂フィルムを介して仮固定する工程。
（ｂ）支持体に仮固定された半導体ウェハを加工する工程。
（ｃ）加工された半導体ウェハを支持体及び仮固定用樹脂フィルムから分離する工程。
（ｄ）分離された半導体ウェハを個片化することによって半導体素子を得る工程。
（ｅ）半導体素子を配線基板等に実装する工程。
なお、（ａ）工程において、回路が形成された面（凹凸を有する面）が仮固定用樹脂フィルムと接するように仮固定する。仮固定用樹脂フィルムが熱硬化性樹脂組成物からなる場合、（ａ）工程と（ｂ）工程との間に、仮固定用樹脂フィルムを熱硬化させる工程を実施してもよい。
【実施例】
【００３７】
以下、本開示について実施例を挙げてより具体的に説明する。ただし、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。【００３８】
［積層体の作製］
計１４種類のダイボンディング用又は仮固定材用の熱硬化性樹脂組成物（流動性評価対象）を準備した。ポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製、Ａ３１、厚さ３８μｍ）の離型処理面上に各樹脂組成物を塗布した後、９０℃で５分間、１３０℃で５分間加熱乾燥した。これにより、ＰＥＴフィルム上に樹脂層（厚さ：３０μｍ）を形成した。この樹脂層上に別のＰＥＴフィルムを保護フィルムとして更に貼り合わせることによって計１４種類の積層体（ＰＥＴフィルム／樹脂組成物／ＰＥＴフィルム）を作製した。【００３９】
上記のようにして作製した各積層体から試料を作製し、ズリ弾性率を測定するとともに応力緩和時間（τ）を測定した。これらの結果から熱硬化性樹脂組成物の流動性（具体的には段差埋込性）を評価した。【００４０】
［試料の調製］
後述のとおり、ズリ弾性率及び応力緩和時間の測定はいずれも、動的粘弾性装置ＡＲＥＳ（ティー・エー・インスツルメント社製）を使用した。樹脂層の厚さが３０μｍのままでは測定できないため、厚さ３０μｍの樹脂層を８０℃でロールラミネートして６枚重ね合わせた後、打ち抜き加工によって試料（厚さ１８０μｍ、１０ｍｍ角）を得た。【００４１】
［ズリ弾性率の測定］
動的粘弾性装置ＡＲＥＳ（ティー・エー・インスツルメント社製）に直径８ｍｍの円形アルミプレート治具をセットし、更にここに試料をセットした。その後、１２０℃で１０％の歪みを与えた状態で保持し、応力の変化を記録した。【００４２】
［初期のズリ弾性率（Ｇ０）の算出］
ズリ弾性率の測定結果から、歪みを与えた直後のズリ弾性率を初期のズリ弾性率（Ｇ０）とした。表１及び表２に計１４種類の試料の結果を示す。【００４３】
［応力緩和時間（τ）の算出］
ズリ弾性率の測定結果及び上記式（１）から、Ｇ（ｔ）／Ｇ０＝０．３６７９となる応力緩和時間（τ）を求めた。表１及び表２に計１４種類の試料の結果を示す。図７は試料１〜１４に係る樹脂組成物のズリ弾性率の時間的変化を示すグラフである。【００４４】
［段差埋込性］
樹脂組成物の段差埋込性（流動性）を以下のようにして評価した。厚さ６２５μｍのシリコンミラーウェハ（６インチ）表面に、樹脂組成物からなるフィルム状接着剤（厚さ３０μｍ）を８０℃でロールラミネートにて貼り合せることによって、接着剤付き半導体チップを得た。他方、厚さ７２５μｍシリコンミラーウェハ（８インチ）表面に、ブレードダイシングによって１００μｍの間隔で複数の溝（幅４０μｍ、深さ４０μｍ）で形成した。【００４５】
真空ラミネーター（（株）エヌ・ピー・シー製、ＬＭ−５０Ｘ５０−Ｓ）のステージ上に、溝が形成された面が上面となるようにシリコンミラーウェハ（厚さ７２５μｍ）を配置した。その上に、接着剤付き半導体チップを、接着剤が付いている側が下になるように配置した。１５ｍｂａｒの条件下で、１２０℃の温度、０．１ＭＰａの圧力で２分間加熱加圧し、真空ラミネートした。【００４６】
真空ラミネート後、樹脂組成物によって溝が埋められている程度をデジタルマイクロスコープで観察して評価した。すなわち、真空ラミネート後の積層体をエポキシ樹脂注型し、注型樹脂を硬化させた後に研磨によって断面を露出させた。この断面をデジタルマイクロスコープ（(株)）エーエンス製、ＶＨＸ−５０００）で観察した。埋込性の評価基準は以下のとおりとした。
Ａ：溝が樹脂組成物によって完全に埋まっていると認められる。
Ｂ：溝の断面積のうち樹脂組成物によって埋まっている割合が７０％以上である。
Ｃ：溝の断面積のうち樹脂組成物によって埋まっている割合が７０％未満である。
【００４７】
【表１】
2019171475.tif 000003
【００４８】
【表２】
2019171475.tif 000004
【００４９】
表１に示されるように、試料１〜６に係る樹脂組成物は初期のズリ弾性率（Ｇ０）が３５ｋＰａ以下（条件２）であり且つ応力緩和時間（τ）が１２秒以下（条件１）であり、段差埋込性に優れていた。これに対し、表２に示されるように、条件１及び条件２の両方を充足しない樹脂組成物（試料７，１２，１３）は段差埋込性が不十分であり、条件１及び条件２の一方を充足しない樹脂組成物（試料８−１１，１４）も段差埋込性が不十分であった。図８は試料１〜１４に係る樹脂組成物の特性（横軸：初期のズリ弾性率［ｋＰａ］、縦軸：応力緩和時間（秒））をプロットしたグラフである。このグラフに示されたとおり、段差埋め込み性は初期のズリ弾性率だけでなく、応力緩和時間にも依存する。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本開示によれば、樹脂組成物の流動性を評価するための新たな方法及びこの方法を含む樹脂組成物の選別方法、並びに、半導体装置の製造方法が提供される。
【符号の説明】
【００５１】
１０…基板、１０ａ，１０ｂ…回路パターン、１１…第１のワイヤ、１２…第２のワイヤ、１５…接着剤、２０…フィルム状接着剤の硬化物、２０Ｐ…フィルム状接着剤（樹脂組成物）、３０…接着剤付き半導体素子、４０…封止材、１００…半導体装置、Ｗａ…第１の半導体素子、Ｗｂ…第２の半導体素子
【図１】
2019171475.tif 000005
【図２】
2019171475.tif 000006
【図３】
2019171475.tif 000007
【図４】
2019171475.tif 000008
【図５】
2019171475.tif 000009
【図６】
2019171475.tif 000010
【図７】
2019171475.tif 000011
【図８】
2019171475.tif 000012
【国際調査報告】
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2019171475.tif 000014