(57)【要約】  本発明は、塗布性に優れ、膜厚ムラを抑制することができ、光学異方性層を形成した際に上層塗布液に対する塗布性も良好となる重合性液晶組成物、それを用いて形成した光学異方性層、光学積層体、光学積層体の製造方法および画像表示装置を提供すること課題とする。本発明の重合性液晶組成物は、重合性液晶化合物と、重合開始剤と、光、熱、酸および塩基からなる群から選択される少なくとも１種の作用により分解して極性基を生じる開裂基を含む１価の特定基を有する化合物と、を含有する重合性液晶組成物であって、特定基が、開裂基よりも末端側にフッ素原子またはケイ素原子を有する、重合性液晶組成物である。【特許請求の範囲】
【請求項１】
重合性液晶化合物と、重合開始剤と、光、熱、酸および塩基からなる群から選択される少なくとも１種の作用により分解して極性基を生じる開裂基を含む１価の特定基を有する化合物と、を含有する重合性液晶組成物であって、
前記特定基が、前記開裂基よりも末端側にフッ素原子またはケイ素原子を有する、重合性液晶組成物。
【請求項２】
前記化合物が、下記式（１）で表される繰り返し単位、または、下記式（２−１）もしくは（２−２）で表される繰り返し単位を有する重合体である、請求項１に記載の重合性液晶組成物。
【化１】
2018216806.tif 000034
ここで、前記式（１）および（２−１）中、Ｒ１は、水素原子または炭素数１〜３のアルキル基を表し、前記式（１）中の複数のＲ１は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。
また、前記式（１）、（２−１）および（２−２）中、Ｘ１およびＸ２は、それぞれ独立に単結合または２価の連結基を表し、ＲＫは、前記開裂基を表し、ＲＬは、フッ素原子またはケイ素原子を含む１価の有機基を表す。
【請求項３】
前記式（１）、（２−１）および（２−２）中のＲＫが、下記式（ｒｋ−１）〜（ｒｋ−１３）のいずれかで表される開裂基である、請求項２に記載の重合性液晶組成物。
【化２】
2018216806.tif 000035
ここで、前記式（ｒｋ−１）〜（ｒｋ−１３）中、＊１は、前記式（１）、（２−１）および（２−２）中のＸ１およびＸ２のいずれか一方との結合位置を表し、＊２は、前記式（１）、（２−１）および（２−２）中のＸ１およびＸ２のうち前記＊１と結合していない側との結合位置を表し、Ｒは、それぞれ独立に水素原子または１価の有機基を表す。
【請求項４】
前記化合物が、下記式（３）で表される繰り返し単位を有する重合体である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の重合性液晶組成物。
【化３】
2018216806.tif 000036
ここで、前記式（３）中、Ｒ１は、水素原子または炭素数１〜３のアルキル基を表し、Ｒは、水素原子または１価の有機基を表し、Ｘは、水素原子またはフッ素原子を表し、ｍａおよびｎａは、それぞれ独立に１〜２０の整数を表し、複数のＲは、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の重合性液晶組成物を用いて形成される、光学異方性層。
【請求項６】
請求項５に記載の光学異方性層と、前記光学異方性層上に設けられる上層とを有する光学積層体であって、
前記光学異方性層と前記上層とが互いに隣接して積層されている、光学積層体。
【請求項７】
支持体と、前記支持体上に設けられる第１の光学異方性層と、前記第１の光学異方性層上に設けられる第２の光学異方性層とを有する光学積層体であって、
前記第１の光学異方性層が、請求項５に記載の光学異方性層であり、
前記第１の光学異方性層と前記第２の光学異方性層とが互いに隣接して積層されている、光学積層体。
【請求項８】
前記第２の光学異方性層が、重合性液晶化合物を含有する重合性液晶組成物を用いて形成される、請求項７に記載の光学積層体。
【請求項９】
請求項８に記載された光学積層体を作製する光学積層体の製造方法であって、
支持体上に、請求項１〜４のいずれか１項に記載の重合性液晶組成物を塗布する第１塗布工程と、
前記第１塗布工程の後に、第１の光学異方性層を形成する第１光学異方性層形成工程と、
光、熱、酸および塩基からなる群から選択される少なくとも１種を作用させる作用工程と、
前記第１の光学異方性層上に、第２の光学異方性層を形成する重合性液晶組成物を直接塗布する第２塗布工程と、
前記第２塗布工程の後に、第２の光学異方性層を形成する第２光学異方性層形成工程と、を有し、
前記作用工程が、前記第１光学異方性層形成工程と前記第２塗布工程との間、または、前記第１光学異方性層形成工程または前記第２塗布工程と同時、に行う工程である、光学積層体の製造方法。
【請求項１０】
請求項５に記載の光学異方性層または請求項６〜８のいずれか１項に記載の光学積層体を有する、画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、重合性液晶組成物、光学異方性層、光学積層体、光学積層体の製造方法および画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学補償シートおよび位相差フィルムなどの光学フィルムは、画像着色解消および視野角拡大などの観点から、様々な画像表示装置で用いられている。
光学フィルムとしては延伸複屈折フィルムが使用されていたが、近年、延伸複屈折フィルムに代えて、液晶化合物を用いた光学異方性層を使用することが提案されている。【０００３】
例えば、特許文献１には、このような光学異方性層を少なくとも２層有する光学積層体を作製する際の下層用の光学異方性層を形成する組成物として、重合性液晶化合物と、フッ素原子を有する化合物を重合してなる部分構造を有する所定の重合体とを含有する組成物が記載されている（［請求項１］［請求項４］［請求項１１］）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１６／０９２８４４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者らは、特許文献１などに記載された重合性液晶組成物を用いて複数層の光学異方性層をより迅速に形成することを検討したところ、特許文献１に記載されている重合体や他の公知のフッ素系界面活性剤を用いると、重合性液晶組成物の塗布性が良好となり、また、乾燥時の乾燥風で引き起こされる膜厚ムラ（以下、「風ムラ」ともいう。）も抑制できることが分かったが、使用する重合体やフッ素系界面活性剤の種類によっては、形成された光学異方性層の上層（例えば、他の光学異方性層、配向膜など）を形成する塗布液（以下、「上層塗布液」ともいう。）の塗布性（以下、「上層塗布性」ともいう。）が劣る場合があることを明らかとした。【０００６】
そこで、本発明は、塗布性に優れ、膜厚ムラを抑制することができ、光学異方性層を形成した際に上層塗布液に対する塗布性も良好となる重合性液晶組成物、それを用いて形成した光学異方性層、光学積層体、光学積層体の製造方法および画像表示装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記課題を達成すべく鋭意検討した結果、光などの作用により分解して極性基を生じる開裂基を含む１価の特定基を有し、この特定基の開裂基よりも末端側にフッ素原子またはケイ素原子を有する化合物を重合性液晶組成物に配合することにより、塗布性に優れ、膜厚ムラを抑制することができ、光学異方性層を形成した際に上層塗布液に対する塗布性も良好となることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、以下の構成により上記課題を達成することができることを見出した。【０００８】
［１］  重合性液晶化合物と、重合開始剤と、光、熱、酸および塩基からなる群から選択される少なくとも１種の作用により分解して極性基を生じる開裂基を含む１価の特定基を有する化合物と、を含有する重合性液晶組成物であって、
特定基が、開裂基よりも末端側にフッ素原子またはケイ素原子を有する、重合性液晶組成物。
［２］  化合物が、後述する式（１）で表される繰り返し単位、または、後述する式（２−１）もしくは（２−２）で表される繰り返し単位を有する重合体である、［１］に記載の重合性液晶組成物。
［３］  後述する式（１）、（２−１）および（２−２）中のＲＫが、後述する式（ｒｋ−１）〜（ｒｋ−１３）のいずれかで表される開裂基である、［２］に記載の重合性液晶組成物。
［４］  化合物が、後述する式（３）で表される繰り返し単位を有する重合体である、［１］〜［３］のいずれかに記載の重合性液晶組成物。【０００９】
［５］  ［１］〜［４］のいずれかに記載の重合性液晶組成物を用いて形成される、光学異方性層。
［６］  ［５］に記載の光学異方性層と、光学異方性層上に設けられる上層とを有する光学積層体であって、
光学異方性層と上層とが互いに隣接して積層されている、光学積層体。
［７］  支持体と、支持体上に設けられる第１の光学異方性層と、第１の光学異方性層上に設けられる第２の光学異方性層とを有する光学積層体であって、
第１の光学異方性層が、［５］に記載の光学異方性層であり、
第１の光学異方性層と第２の光学異方性層とが互いに隣接して積層されている、光学積層体。
［８］  第２の光学異方性層が、重合性液晶化合物を含有する重合性液晶組成物を用いて形成される、［７］に記載の光学積層体。
［９］  ［８］に記載された光学積層体を作製する光学積層体の製造方法であって、
支持体上に、［１］〜［４］のいずれかに記載の重合性液晶組成物を塗布する第１塗布工程と、
第１塗布工程の後に、第１の光学異方性層を形成する第１光学異方性層形成工程と、
光、熱、酸および塩基からなる群から選択される少なくとも１種を作用させる作用工程と、
第１の光学異方性層上に、第２の光学異方性層を形成する重合性液晶組成物を直接塗布する第２塗布工程と、
第２塗布工程の後に、第２の光学異方性層を形成する第２光学異方性層形成工程と、を有し、
作用工程が、第１光学異方性層形成工程と第２塗布工程との間、または、第１光学異方性層形成工程または第２塗布工程と同時、に行う工程である、光学積層体の製造方法。
［１０］  ［５］に記載の光学異方性層または［６］〜［８］のいずれかに記載の光学積層体を有する、画像表示装置。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、塗布性に優れ、膜厚ムラを抑制することができ、光学異方性層を形成した際に上層塗布液に対する塗布性も良好となる重合性液晶組成物、それを用いて形成した光学異方性層、光学積層体、光学積層体の製造方法および画像表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。
なお、本願明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
【００１２】
また、本明細書において、Ｒｅ（λ）およびＲｔｈ（λ）は、それぞれ、波長λにおける面内のレタデーションおよび厚み方向のレタデーションを表す。例えば、Ｒｅ（４５０）は、波長４５０ｎｍにおける面内レタデーションを表す。なお、特に記載がないときは、波長λは、５５０ｎｍとする。
本発明において、Ｒｅ（λ）およびＲｔｈ（λ）は、ＡｘｏＳｃａｎ ＯＰＭＦ−１（オプトサイエンス社製）において、波長λで測定した値である。
具体的には、ＡｘｏＳｃａｎ ＯＰＭＦ−１にて、平均屈折率（（Ｎｘ＋Ｎｙ＋Ｎｚ）／３）と膜厚（ｄ（μｍ））を入力することにより、
遅相軸方向（°）
Ｒｅ（λ）＝Ｒ０（λ）
Ｒｔｈ（λ）＝（（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ）×ｄ
が算出される。
なお、Ｒ０（λ）は、ＡｘｏＳｃａｎ ＯＰＭＦ−１で算出される数値として表示されるものであるが、Ｒｅ（λ）を意味している。
【００１３】
また、本明細書において、屈折率ｎｘ、ｎｙ、および、ｎｚは、アッベ屈折率（ＮＡＲ−４Ｔ、アタゴ（株）製）を使用し、光源にナトリウムランプ（λ＝５８９ｎｍ）を用いて測定する。また、波長依存性を測定する場合は、多波長アッベ屈折計ＤＲ−Ｍ２（アタゴ（株）製）にて、干渉フィルタとの組み合わせで測定できる。
また、ポリマーハンドブック（ＪＯＨＮ ＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ，ＩＮＣ）、および、各種光学フィルムのカタログの値を使用できる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、および、ポリスチレン（１．５９）。
【００１４】
また、本明細書において、Ａプレートは以下のように定義される。
Ａプレートは、ポジティブＡプレート（正Ａプレート）とネガティブＡプレート（負Ａプレート）との２種があり、フィルム面内の遅相軸方向（面内での屈折率が最大となる方向）の屈折率をｎｘ、面内の遅相軸と面内で直交する方向の屈折率をｎｙ、厚み方向の屈折率をｎｚとしたとき、ポジティブＡプレートは式（Ａ１）の関係を満たすものであり、ネガティブＡプレートは式（Ａ２）の関係を満たすものである。なお、ポジティブＡプレートはＲｔｈが正の値を示し、ネガティブＡプレートはＲｔｈが負の値を示す。
式（Ａ１）    ｎｘ＞ｎｙ≒ｎｚ
式（Ａ２）    ｎｙ＜ｎｘ≒ｎｚ
なお、上記「≒」とは、両者が完全に同一である場合だけでなく、両者が実質的に同一である場合も包含する。「実質的に同一」とは、例えば、（ｎｙ−ｎｚ）×ｄ（ただし、ｄはフィルムの厚みである）が、−１０〜１０ｎｍ、好ましくは−５〜５ｎｍの場合も「ｎｙ≒ｎｚ」に含まれ、（ｎｘ−ｎｚ）×ｄが、−１０〜１０ｎｍ、好ましくは−５〜５ｎｍの場合も「ｎｘ≒ｎｚ」に含まれる。
【００１５】
また、本明細書において、Ｃプレートは、ポジティブＣプレート（正Ｃプレート）とネガティブＣプレート（負Ｃプレート）との２種があり、ポジティブＣプレートは式（Ｃ１）の関係を満たすものであり、ネガティブＣプレートは式（Ｃ２）の関係を満たすものである。なお、ポジティブＣプレートはＲｔｈが負の値を示し、ネガティブＣプレートはＲｔｈが正の値を示す。
式（Ｃ１）    ｎｚ＞ｎｘ≒ｎｙ
式（Ｃ２）    ｎｚ＜ｎｘ≒ｎｙ
なお、上記「≒」とは、両者が完全に同一である場合だけでなく、両者が実質的に同一である場合も包含する。「実質的に同一」とは、例えば、（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ（ただし、ｄはフィルムの厚みである）が、０〜１０ｎｍ、好ましくは０〜５ｎｍの場合も「ｎｘ≒ｎｙ」に含まれる。
【００１６】
［重合性液晶組成物］
本発明の重合性液晶組成物（以下、「本発明の液晶組成物」とも略す。）は、重合性液晶化合物と、重合開始剤と、光、熱、酸および塩基からなる群から選択される少なくとも１種の作用により分解して極性基を生じる開裂基を含む１価の特定基を有する化合物（以下、「特定化合物」とも略す。）と、を含有する。
また、特定化合物が有する特定基は、開裂基よりも末端側にフッ素原子またはケイ素原子を有する。
【００１７】
本発明においては、上述した通り、光などの作用により分解して極性基を生じる開裂基を含む１価の特定基を有し、この特定基の開裂基よりも末端側にフッ素原子またはケイ素原子を有する特定化合物を重合性液晶組成物に配合することにより、塗布性に優れ、膜厚ムラを抑制することができ、光学異方性層を形成した際に上層塗布液に対する塗布性も良好となる。
これは、詳細には明らかではないが、本発明者らは以下のように推測している。
すなわち、本発明の液晶組成物を塗布する際は、フッ素原子またはケイ素原子を有する特定化合物が界面活性剤またはレベリング剤として作用することにより、塗布性が良好となり、かつ、膜厚ムラを抑制することができたと考えられる。
また、本発明の液晶組成物を用いて光学異方性層を形成した後においては、空気界面側に偏在した特定化合物に対して光、熱、酸および塩基からなる群から選択される少なくとも１種を作用させることにより、特定基に含まれる開裂基が分解して極性基を生じ、かつ、この開裂基よりも末端側に存在するフッ素原子またはケイ素原子が脱離することにより、上層塗布液の塗布性も良好になったと考えられる。
以下、本発明の液晶組成物の各成分について詳細に説明する。
【００１８】
〔重合性液晶化合物〕
本発明の液晶組成物が含有する重合性液晶化合物は、特に限定されず、例えば、ホメオトロピック配向、ホモジニアス配向、ハイブリッド配向およびコレステリック配向のいずれかの配向が可能な化合物を用いることができる。
ここで、一般的に、液晶化合物はその形状から、棒状タイプと円盤状タイプに分類できる。さらにそれぞれ低分子と高分子タイプがある。高分子とは一般に重合度が１００以上のものを指す（高分子物理・相転移ダイナミクス，土井 正男 著，２頁，岩波書店，１９９２）。本発明では、いずれの液晶化合物を用いることもできるが、棒状液晶化合物（以下、「ＣＬＣ」とも略す。）またはディスコティック液晶化合物（円盤状液晶化合物）（以下、「ＤＬＣ」とも略す。）を用いることが好ましく、また、モノマーであるか、重合度が１００未満の比較的低分子量な液晶化合物を用いることが好ましい。
また、重合性液晶化合物が有する重合性基としては、具体的には、例えば、アクリロイル基、メタクリロイル基、エポキシ基、ビニル基等が挙げられる。
このような重合性液晶化合物を重合させることにより、液晶化合物の配向を固定することができる。なお、液晶化合物が重合によって固定された後においては、もはや液晶性を示す必要はない。
【００１９】
棒状液晶化合物としては、例えば、特表平１１−５１３０１９号公報の請求項１や特開２００５−２８９９８０号公報の段落［００２６］〜［００９８］に記載のものを好ましく用いることができ、ディスコティック液晶化合物としては、例えば、特開２００７−１０８７３２号公報の段落［００２０］〜［００６７］や特開２０１０−２４４０３８号公報の段落［００１３］〜［０１０８］に記載のものを好ましく用いることができるが、これらに限定されない。
【００２０】
本発明においては、上記重合性液晶化合物として、逆波長分散性の液晶化合物を用いることができる。
ここで、本明細書において「逆波長分散性」の液晶化合物とは、これを用いて作製された位相差フィルムの特定波長（可視光範囲）における面内のレターデーション（Ｒｅ）値を測定した際に、測定波長が大きくなるにつれてＲｅ値が同等または高くなるものをいう。
【００２１】
逆波長分散性の液晶化合物は、上記のように逆波長分散性のフィルムを形成できるものであれば特に限定されず、例えば、特開２００８−２９７２１０号公報に記載の一般式（Ｉ）で表される化合物（特に、段落番号［００３４］〜［００３９］に記載の化合物）、特開２０１０−８４０３２号公報に記載の一般式（１）で表される化合物（特に、段落番号［００６７］〜［００７３］に記載の化合物）、および、特開２０１６−０８１０３５公報に記載の一般式（１）で表される化合物（特に、段落番号［００４３］〜［００５５］に記載の化合物）等を用いることができる。
【００２２】
〔特定化合物〕
本発明の液晶組成物が含有する特定化合物は、光、熱、酸および塩基からなる群から選択される少なくとも１種の作用により分解して極性基を生じる開裂基を含む１価の特定基を有する化合物である。
また、特定化合物は、特定基が、開裂基よりも末端側にフッ素原子またはケイ素原子を有する。
ここで、極性基とは、ヘテロ原子またはハロゲン原子を少なくとも１原子以上有する基をいい、具体的には、例えば、水酸基、カルボニル基、カルボキシ基、アミノ基、ニトロ基、アンモニウム基、シアノ基などが挙げられる。中でも、水酸基、カルボキシ基が好ましい。
また、極性基を生じる開裂基とは、開裂によって上述した極性基を生じる基をいうが、本発明においては、ラジカル開裂後に酸素分子と反応し、極性基を生成する基も含む。
【００２３】
本発明においては、膜厚ムラ（風ムラ）をより抑制することができる理由から、特定化合物が、下記式（１）で表される繰り返し単位、または、下記式（２−１）もしくは（２−２）で表される繰り返し単位を有する重合体であることが好ましく、中でも、下記式（１）で表される繰り返し単位を有する重合体であることがより好ましい。
【化１】
2018216806.tif 000002
【００２４】
上記式（１）および（２−１）中、Ｒ１は、水素原子または炭素数１〜３のアルキル基を表し、式（１）中の複数のＲ１は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ１としては、水素原子またはメチル基であることが好ましい。
【００２５】
また、上記式（１）、（２−１）および（２−２）中、Ｘ１およびＸ２は、それぞれ独立に単結合または２価の連結基を表し、ＲＫは、開裂基を表し、ＲＬは、フッ素原子またはケイ素原子を含む１価の有機基を表す。
【００２６】
上記式（１）、（２−１）および（２−２）中のＸ１およびＸ２が示す２価の連結基としては、例えば、置換基を有していてもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキレン基、置換基を有していてもよい炭素数６〜１２のアリーレン基、エーテル基（−Ｏ−）、カルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）−）、および、置換基を有していてもよいイミノ基（−ＮＨ−）からなる群から選択される少なくとも１以上の基が挙げられる。
【００２７】
ここで、アルキレン基、アリーレン基およびイミノ基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基などが挙げられる。
アルキル基としては、例えば、炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基が好ましく、炭素数１〜８のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、シクロヘキシル基等）がより好ましく、炭素数１〜４のアルキル基であることが更に好ましく、メチル基またはエチル基であるのが特に好ましい。
アルコキシ基としては、例えば、炭素数１〜１８のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜８のアルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−ブトキシ基、メトキシエトキシ基等）がより好ましく、炭素数１〜４のアルコキシ基であることが更に好ましく、メトキシ基またはエトキシ基であるのが特に好ましい。
ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられ、中でも、フッ素原子、塩素原子であるのが好ましい。
【００２８】
炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキレン基について、直鎖状のアルキレン基としては、具体的には、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、デシレン基などが挙げられる。
また、分岐状のアルキレン基としては、具体的には、例えば、ジメチルメチレン基、メチルエチレン基、２，２−ジメチルプロピレン基、２−エチル−２−メチルプロピレン基などが挙げられる。
また、環状のアルキレン基としては、具体的には、例えば、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロオクチレン基、シクロデシレン基、アダマンタン−ジイル基、ノルボルナン−ジイル基、ｅｘｏ−テトラヒドロジシクロペンタジエン−ジイル基などが挙げられ、中でも、シクロヘキシレン基が好ましい。
【００２９】
炭素数６〜１２のアリーレン基としては、具体的には、例えば、フェニレン基、キシリレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、２，２’−メチレンビスフェニル基などが挙げられ、中でも、フェニレン基が好ましい。
【００３０】
上記式（１）、（２−１）および（２−２）中のＲＫが示す開裂基としては、例えば、下記式（ｒｋ−１）〜（ｒｋ−１３）のいずれかで表される開裂基（結合）が挙げられる。
【化２】
2018216806.tif 000003
【００３１】
上記式（ｒｋ−１）〜（ｒｋ−１３）中、＊１は、式（１）、（２−１）および（２−２）中のＸ１およびＸ２のいずれか一方との結合位置を表し、＊２は、式（１）、（２−１）および（２−２）中のＸ１およびＸ２のうち＊１と結合していない側との結合位置を表し、Ｒは、それぞれ独立に水素原子または１価の有機基を表す。
ここで、Ｒが示す１価の有機基としては、例えば、炭素数１〜２０の鎖状または環状のアルキル基、置換基を有していていてもよい炭素数６〜２０のアリール基等が挙げられる。
【００３２】
また、上記式（ｒｋ−１０）および（ｒｋ−１１）中のアニオン部は、開裂に影響を及ぼさないため特に限定されず、無機のアニオンでも有機のアニオンでも使用することが可能である。
無機のアニオンとしては、具体的には、例えば、塩化物イオン、臭化物イオンなどのハロゲン化物イオン；スルホン酸アニオン；等が挙げられる。
有機のアニオンとしては、具体的には、例えば、酢酸アニオンなどのカルボン酸アニオン；メタンスルホン酸アニオン、パラトルエンスルホン酸アニオンなどの有機スルホン酸アニオン；等を挙げることができる。
【００３３】
本発明においては、これらの開裂基のうち、光を利用して開裂させる場合においては、量子効率の観点から、上記式（ｒｋ−１）で表される開裂基が好ましく、また、酸を利用して開裂させる場合においては、開裂速度の観点から、上記式（ｒｋ−９）で表される開裂基が好ましい。
【００３４】
上記式（１）、（２−１）および（２−２）中のＲＬが示す、フッ素原子またはケイ素原子を含む１価の有機基としては、例えば、少なくとも１つの炭素原子がフッ素原子を置換基として有する、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数２〜２０のアルケニル基が挙げられる。
【００３５】
上記式（１）で表される繰り返し単位を有する重合体としては、例えば、下記式で表される重合体が挙げられる。なお、下記式中、「Ｃｆ」は、少なくとも１つの炭素原子がフッ素原子を置換基として有する、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数２〜２０のアルケニル基を表す。
【化３】
2018216806.tif 000004
2018216806.tif 000005
2018216806.tif 000006
【化４】
2018216806.tif 000007
2018216806.tif 000008
2018216806.tif 000009
【００３６】
本発明においては、酸を用いて開裂させる場合においては、開裂速度および合成の容易さの観点から、特定化合物が下記式（３）で表される繰り返し単位を有する重合体であることが好ましい。
【化５】
2018216806.tif 000010
【００３７】
上記式（３）中、Ｒ１は、水素原子または炭素数１〜３のアルキル基を表し、Ｒは、水素原子または１価の有機基を表し、Ｘは、水素原子またはフッ素原子を表し、ｍａおよびｎａは、それぞれ独立に１〜２０の整数を表し、複数のＲは、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ここで、Ｒが示す１価の有機基としては、例えば、炭素数１〜２０の鎖状または環状のアルキル基、置換基を有していていてもよい炭素数６〜２０のアリール基等が挙げられる。
【００３８】
上記式（３）中のＲ１としては、水素原子またはメチル基であることが好ましい。
また、上記式（３）中のＲとしては、水素原子であることが好ましい。
また、上記式（３）中のｍａは、１または２であることが好ましく、ｎａは、３〜７であることが好ましい。
また、上記式（３）中のＸは、フッ素原子であることが好ましい。
【００３９】
上記式（３）で表される繰り返し単位としては、例えば、下記式（３−１）〜（３−６）で表されるいずれかの単量体を重合することにより得られる繰り返し単位が挙げられる。
【００４０】
【化６】
2018216806.tif 000011
【００４１】
このような特定化合物の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０００〜５０００００が好ましく、１５００〜４０００００がより好ましく、２０００〜３０００００が特に好ましい。
また、特定化合物の数平均分子量（Ｍｎ）は、５００〜２５００００が好ましく、１０００〜２０００００がより好ましく、１５００〜１５００００が特に好ましい。
また、特定化合物の分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、１．００〜２０．００が好ましく、１．００〜１８．００がより好ましく、１．００〜１６．００が特に好ましい。
なお、重量平均分子量および数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）によって下記の条件で測定された値である。
［溶離液］テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
［装置名］Ｅｃｏｓｅｃ  ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ（東ソー株式会社製）
［カラム］ＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨＺＭ−Ｈ、ＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨＺ４０００、ＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨＺＭ２００（東ソー株式会社製）
［カラム温度］４０℃
［流速］５０ｍｌ／ｍｉｎ
【００４２】
本発明においては、本発明の液晶組成物中に含まれる特定化合物の含有量は、上述した重合性液晶化合物１００質量部に対して、０．１〜１０質量部であることが好ましく、０．５〜５質量部であることがより好ましい。
【００４３】
〔重合開始剤〕
本発明の液晶組成物が含有する重合開始剤は特に限定されないが、重合反応の形式に応じて、熱重合開始剤および光重合開始剤が挙げられる。
本発明においては、紫外線照射によって重合反応を開始可能な光重合開始剤であることが好ましい。
光重合開始剤としては、例えば、α−カルボニル化合物（米国特許第２３６７６６１号、同２３６７６７０号の各明細書記載）、アシロインエーテル（米国特許第２４４８８２８号明細書記載）、α−炭化水素置換芳香族アシロイン化合物（米国特許第２７２２５１２号明細書記載）、多核キノン化合物（米国特許第３０４６１２７号、同２９５１７５８号の各明細書記載）、トリアリールイミダゾールダイマーとｐ−アミノフェニルケトンとの組み合わせ（米国特許第３５４９３６７号明細書記載）、アクリジンおよびフェナジン化合物（特開昭６０−１０５６６７号公報、米国特許第４２３９８５０号明細書記載）およびオキサジアゾール化合物（米国特許第４２１２９７０号明細書記載）、アシルフォスフィンオキシド化合物（特公昭６３−４０７９９号公報、特公平５−２９２３４号公報、特開平１０−９５７８８号公報、特開平１０−２９９９７号公報記載）等が挙げられる。
【００４４】
〔光酸発生剤〕
本発明の液晶組成物は、上述した特定化合物が、酸の作用により分解して極性基を生じる開裂基を含む１価の特定基を有する化合物である場合、光酸発生剤を含有していることが好ましい。
【００４５】
光酸発生剤としては、波長３００ｎｍ以上、好ましくは波長３００〜４５０ｎｍの活性光線に感応し、酸を発生する化合物が好ましいが、その化学構造に制限されるものではない。また、波長３００ｎｍ以上の活性光線に直接感応しない光酸発生剤についても、増感剤と併用することによって波長３００ｎｍ以上の活性光線に感応し、酸を発生する化合物であれば、増感剤と組み合わせて好ましく用いることができる。本発明で使用される光酸発生剤としては、ｐＫａが４以下の酸を発生する光酸発生剤が好ましく、ｐＫａが３以下の酸を発生する光酸発生剤がより好ましく、２以下の酸を発生する光酸発生剤が最も好ましい。なお本発明において、ｐＫａは、基本的に２５℃の水中におけるｐＫａを指す。水中で測定できないものは、測定に適する溶剤に変更し測定したものを指す。具体的には、化学便覧等に記載のｐＫａが参考にできる。ｐＫａが３以下の酸としては、スルホン酸またはホスホン酸であることが好ましく、スルホン酸であることがより好ましい。
【００４６】
光酸発生剤の例として、オニウム塩化合物、トリクロロメチル−ｓ−トリアジン類、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、第四級アンモニウム塩類、ジアゾメタン化合物、イミドスルホネート化合物、および、オキシムスルホネート化合物などを挙げることができる。これらの中でも、オニウム塩化合物、イミドスルホネート化合物、オキシムスルホネート化合物が好ましく、オニウム塩化合物、オキシムスルホネート化合物が特に好ましい。光酸発生剤は、１種単独または２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００４７】
〔溶媒〕
本発明の液晶組成物は、光学異方性層を形成する作業性等の観点から、溶媒を含有するのが好ましい。
溶媒としては、具体的には、例えば、ケトン類（例えば、アセトン、２−ブタノン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなど）、エーテル類（例えば、ジオキサン、テトラヒドロフランなど）、脂肪族炭化水素類（例えば、ヘキサンなど）、脂環式炭化水素類（例えば、シクロヘキサンなど）、芳香族炭化水素類（例えば、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼンなど）、ハロゲン化炭素類（例えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、ジクロロベンゼン、クロロトルエンなど）、エステル類（例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなど）、水、アルコール類（例えば、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、シクロヘキサノールなど）、セロソルブ類（例えば、メチルセロソルブ、エチルセロソルブなど）、セロソルブアセテート類、スルホキシド類（例えば、ジメチルスルホキシドなど）、アミド類（例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなど）等が挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００４８】
［光学異方性層］
本発明の光学異方性層は、上述した本発明の液晶組成物を用いて形成される光学異方性膜である。
光学異方性膜の形成方法としては、例えば、上述した本発明の液晶組成物を用いて、所望の配向状態とした後に、重合により固定化する方法などが挙げられる。
また、重合条件は特に限定されないが、光照射による重合においては、紫外線を用いることが好ましい。照射量は、１０ｍＪ／ｃｍ２〜５０Ｊ／ｃｍ２であることが好ましく、２０ｍＪ／ｃｍ２〜５Ｊ／ｃｍ２であることがより好ましく、３０ｍＪ／ｃｍ２〜３Ｊ／ｃｍ２であることが更に好ましく、５０〜１０００ｍＪ／ｃｍ２であることが特に好ましい。また、重合反応を促進するため、加熱条件下で実施してもよい。
【００４９】
［光学積層体］
本発明の光学積層体は、本発明の光学異方性層と、光学異方性層上に設けられる上層とを有する光学積層体であって、光学異方性層と上層とが互いに隣接して積層されている、光学積層体である。
ここで、上層は特に限定されず、例えば、他の光学異方性層、配向膜などが挙げられるが、本発明の他の光学異方性層であることが好ましい。
また、本発明の光学積層体は、本発明の光学異方性層を支持する支持体を有していることが好ましい。
【００５０】
すなわち、本発明の光学積層体としては、支持体と、支持体上に設けられる第１の光学異方性層（以下、「第１光学異方性層」とも略す。）と、第１の光学異方性層上に設けられる第２の光学異方性層（以下、「第２光学異方性層」とも略す。）とを有する光学積層体であって、第１の光学異方性層が、上述した本発明の光学異方性層であり、第１の光学異方性層と第２の光学異方性層とが互いに隣接して積層されている光学積層体が、好適態様として挙げられる。以下、本発明の光学積層体の好適態様について詳述する。
【００５１】
〔支持体〕
支持体としては、例えば、ガラス基板およびポリマーフィルムが挙げられる。
ポリマーフィルムの材料としては、セルロース系ポリマー；ポリメチルメタクリレート、ラクトン環含有重合体等のアクリル酸エステル重合体を有するアクリル系ポリマー；熱可塑性ノルボルネン系ポリマー；ポリカーボネート系ポリマー；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系ポリマー；ポリスチレン、アクリロニトリル・スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）等のスチレン系ポリマー；ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン・プロピレン共重合体等のポリオレフィン系ポリマー；、塩化ビニル系ポリマー；ナイロン、芳香族ポリアミド等のアミド系ポリマー；イミド系ポリマー；スルホン系ポリマー；ポリエーテルスルホン系ポリマー；ポリエーテルエーテルケトン系ポリマー；ポリフェニレンスルフィド系ポリマー；塩化ビニリデン系ポリマー；ビニルアルコール系ポリマー；ビニルブチラール系ポリマー；アリレート系ポリマー；ポリオキシメチレン系ポリマー；エポキシ系ポリマー；またはこれらのポリマーを混合したポリマーが挙げられる。
【００５２】
上記支持体の厚みについては特に限定されないが、５〜２００μｍであることが好ましく、１０〜１００μｍであることがより好ましく、２０〜９０μｍであることが更に好ましい。
【００５３】
〔第１光学異方性層〕
第１光学異方性層は、上述した本発明の光学異方性層である。
本発明においては、上記第１光学異方性層の厚みについては特に限定されないが、０．１〜１０μｍであるのが好ましく、０．５〜５μｍであるのがより好ましい。
【００５４】
〔第２光学異方性層〕
第２光学異方性層は、第１光学異方性層と異なる光学異方性層であれば特に限定されず、公知の光学異方性層を用いることができる。
第２光学異方性層は、重合性液晶化合物を含有する重合性液晶組成物を用いて形成されることが好ましい。
なお、第２光学異方性層を形成するための重合性液晶組成物としては、例えば、本発明の液晶組成物から上述した特定化合物を除き、上述した重合開始剤および溶媒ならびに任意の添加剤（例えば、界面活性剤および密着改良剤など）を配合した組成物が挙げられる。
【００５５】
本発明においては、第２光学異方性層の厚みについては特に限定されないが、０．１〜１０μｍであるのが好ましく、０．５〜５μｍであるのがより好ましい。
【００５６】
［光学積層体の製造方法］
本発明の光学積層体の製造方法は、上述した本発明の光学積層体の好適態様を作製する方法であり、上述した支持体上に、上述した本発明の液晶組成物を塗布する第１塗布工程と、第１塗布工程の後に、第１の光学異方性層を形成する第１光学異方性層形成工程と、光、熱、酸および塩基からなる群から選択される少なくとも１種を作用させる作用工程と、第１の光学異方性層上に、第２の光学異方性層を形成する重合性液晶組成物を直接塗布する第２塗布工程と、第２塗布工程の後に、第２の光学異方性層を形成する第２光学異方性層形成工程と、を有する。
また、本発明の光学積層体の製造方法においては、作用工程は、第１光学異方性層形成工程と第２塗布工程との間、または、第１光学異方性層形成工程または第２塗布工程と同時、に行う工程である。
【００５７】
〔第１塗布工程〕
第１塗布工程は、上述した支持体上に、上述した本発明の液晶組成物を塗布する工程である。
本発明の液晶組成物を塗布する方法は特に限定されず、塗布方法としては、具体的には、例えば、スピンコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、ダイコート法等が挙げられる。
【００５８】
〔第１光学異方性層形成工程〕
第１光学異方性層形成工程は、第１塗布工程の後に、第１の光学異方性層を形成する工程であり、第１塗布工程で得られた塗膜に対して硬化処理（紫外線の照射（光照射処理）または加熱処理）を施すことにより形成することができる。
また、硬化処理の条件は特に限定されないが、光照射による重合においては、紫外線を用いることが好ましい。照射量は、１０ｍＪ／ｃｍ２〜５０Ｊ／ｃｍ２であることが好ましく、２０ｍＪ／ｃｍ２〜５Ｊ／ｃｍ２であることがより好ましく、３０ｍＪ／ｃｍ２〜３Ｊ／ｃｍ２であることが更に好ましく、５０〜１０００ｍＪ／ｃｍ２であることが特に好ましい。また、重合反応を促進するため、加熱条件下で実施してもよい。
【００５９】
〔作用工程〕
作用工程は、光、熱、酸および塩基からなる群から選択される少なくとも１種を作用させる工程である。
また、作用工程は、上層としての第２の光学異方性層を形成する際の塗布性を担保する観点から、第１光学異方性層形成工程と第２塗布工程との間、または、第１光学異方性層形成工程または第２塗布工程と同時に行う工程である。
ここで、「第１光学異方性層形成工程と第２塗布工程との間」とは、第１光学異方性層形成工程（例えば、熱重合）で形成した第１の光学異方性層に対して、第２塗布工程を施す前に、作用工程（例えば、光を作用させる工程）を行うことをいう。
また、「第１光学異方性層形成工程と同時」とは、第１光学異方性層を形成する工程、例えば、光ラジカル発生によるオレフィン系モノマーの重合、および、光酸発生によるエポキシモノマーの重合などにより第１光学異方性層を形成する工程と、作用工程（例えば、光を作用させる工程）とを同時に行うことをいう。すなわち、第１光学異方性層の重合に用いる光と、開裂に用いる光が、同時に２つの作用を引き起こすことを意味する。
また、「第２塗布工程と同時」とは、第１光学異方性層形成工程（例えば、光重合）で形成した第１の光学異方性層に対して、第２塗布工程を施す際に、作用工程（例えば、熱を作用させる工程）を同時に行うことをいう。
このうち、光を作用させ、第１光学異方性層形成工程と同時に行う工程であることが、プロセス簡略化の観点から好ましい。
【００６０】
また、光を作用させる方法としては、例えば、第１光学異方性層に紫外線を照射する方法などが挙げられる。光源としては、高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ等の紫外線を発光するランプ等を用いることが可能である。また、照射量は、１０ｍＪ／ｃｍ２〜５０Ｊ／ｃｍ２であることが好ましく、２０ｍＪ／ｃｍ２〜５Ｊ／ｃｍ２であることがより好ましく、３０ｍＪ／ｃｍ２〜３Ｊ／ｃｍ２であることが更に好ましく、５０〜１０００ｍＪ／ｃｍ２であることが特に好ましい。
また、熱を作用させる方法としては、例えば、第１光学異方性層を加熱する方法などが挙げられる。加熱する温度としては、５０〜２００℃であることが好ましく、６０〜１５０℃であることがより好ましく、７０〜１３０℃であることが特に好ましい。
また、酸を作用させる方法としては、例えば、第１光学異方性層に予め酸を添加しておく方法、第１光学異方性層に光酸発生剤を添加しておき、光をトリガーとして酸を発生させる方法、第１光学異方性層に熱酸発生剤を添加しておき、熱をトリガーとして酸を発生させる方法などが挙げられる。これらのうち、光酸発生剤および熱酸発生剤を用いる方法が好ましい。
また、塩基を作用させる方法としては、例えば、第１光学異方性層に予め塩基を添加しておく方法、第１光学異方性層に光塩基発生剤を添加しておき、光をトリガーとして塩基を発生させる方法、第１光学異方性層に熱塩基発生剤を添加しておき、熱をトリガーとして塩基を発生させる方法などが挙げられる。これらのうち、光塩基発生剤および熱塩基発生剤を用いる方法が好ましい。
【００６１】
〔第２塗布工程〕
第２塗布工程は、第１の光学異方性層上に、第２の光学異方性層を形成する重合性液晶組成物を直接塗布する工程である。
第２の光学異方性層を形成する重合性液晶組成物を塗布する方法は特に限定されず、第１塗布工程と同様方の方法が挙げられる。
【００６２】
〔第２光学異方性層形成工程〕
第２光学異方性層形成工程は、第２塗布工程の後に、第２の光学異方性層を形成する工程であり、第２塗布工程で得られた塗膜に対して硬化処理（紫外線の照射（光照射処理）または加熱処理）を施すことにより形成することができる。
また、硬化処理の条件は特に限定されないが、光照射による重合においては、紫外線を用いることが好ましい。照射量は、１０ｍＪ／ｃｍ２〜５０Ｊ／ｃｍ２であることが好ましく、２０ｍＪ／ｃｍ２〜５Ｊ／ｃｍ２であることがより好ましく、３０ｍＪ／ｃｍ２〜３Ｊ／ｃｍ２であることが更に好ましく、５０〜１０００ｍＪ／ｃｍ２であることが特に好ましい。また、重合反応を促進するため、加熱条件下で実施してもよい。
【００６３】
［画像表示装置］
本発明の画像表示装置は、本発明の光学異方性層または本発明の光学積層体を有する、画像表示装置である。
本発明の画像表示装置に用いられる表示素子は特に限定されず、例えば、液晶セル、有機エレクトロルミネッセンス（以下、「ＥＬ」と略す。）表示パネル、プラズマディスプレイパネル等が挙げられる。
これらのうち、液晶セル、有機ＥＬ表示パネルであるのが好ましく、液晶セルであるのがより好ましい。すなわち、本発明の画像表示装置としては、表示素子として液晶セルを用いた液晶表示装置、表示素子として有機ＥＬ表示パネルを用いた有機ＥＬ表示装置であるのが好ましい。
【００６４】
〔液晶表示装置〕
本発明の画像表示装置の一例である液晶表示装置は、上述した本発明の光学異方性層または本発明の光学積層体と、液晶セルとを有する液晶表示装置である。
以下に、液晶表示装置を構成する液晶セルについて詳述する。
【００６５】
＜液晶セル＞
液晶表示装置に利用される液晶セルは、ＶＡ（Ｖｉｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｅｎｄ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、またはＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）であることが好ましいが、これらに限定されるものではない。
ＴＮモードの液晶セルでは、電圧無印加時に棒状液晶性分子（棒状液晶化合物）が実質的に水平配向し、更に６０〜１２０゜にねじれ配向している。ＴＮモードの液晶セルは、カラーＴＦＴ液晶表示装置として最も多く利用されており、多数の文献に記載がある。
ＶＡモードの液晶セルでは、電圧無印加時に棒状液晶性分子が実質的に垂直に配向している。ＶＡモードの液晶セルには、（１）棒状液晶性分子を電圧無印加時に実質的に垂直に配向させ、電圧印加時に実質的に水平に配向させる狭義のＶＡモードの液晶セル（特開平２−１７６６２５号公報記載）に加えて、（２）視野角拡大のため、ＶＡモードをマルチドメイン化した（ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの）液晶セル（ＳＩＤ９７、Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ ｔｅｃｈ．Ｐａｐｅｒｓ（予稿集）２８（１９９７）８４５記載）、（３）棒状液晶性分子を電圧無印加時に実質的に垂直配向させ、電圧印加時にねじれマルチドメイン配向させるモード（ｎ−ＡＳＭモード（Ａｘｉａｌｌｙ  ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ａｌｉｇｎｅｄ  ｍｉｃｒｏｃｅｌｌ））の液晶セル（日本液晶討論会の予稿集５８〜５９（１９９８）記載）および（４）ＳＵＲＶＩＶＡＬ（Ｓｕｐｅｒ  Ｒａｎｇｅｄ  Ｖｉｅｗｉｎｇ  ｂｙ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶セル（ＬＣＤ（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ）インターナショナル９８で発表）が含まれる。また、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）型、光配向型（Ｏｐｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）、およびＰＳＡ（Ｐｏｌｙｍｅｒ−Ｓｕｓｔａｉｎｅｄ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）のいずれであってもよい。これらのモードの詳細については、特開２００６−２１５３２６号公報、および特表２００８−５３８８１９号公報に詳細な記載がある。
ＩＰＳモードの液晶セルは、棒状液晶性分子が基板に対して実質的に平行に配向しており、基板面に平行な電界が印加することで液晶性分子が平面的に応答する。ＩＰＳモードは電界無印加時で黒表示となり、上下一対の偏光板の吸収軸は直交している。光学補償シートを用いて、斜め方向での黒表示時の漏れ光を低減させ、視野角を改良する方法が、特開平１０−５４９８２号公報、特開平１１−２０２３２３号公報、特開平９−２９２５２２号公報、特開平１１−１３３４０８号公報、特開平１１−３０５２１７号公報、特開平１０−３０７２９１号公報などに開示されている。
【００６６】
〔有機ＥＬ表示装置〕
本発明の画像表示装置の一例である有機ＥＬ表示装置としては、例えば、視認側から、偏光子、本発明の光学異方性層または本発明の光学積層体、および、有機ＥＬ表示パネルをこの順で有する態様が好適に挙げられる。
【００６７】
＜偏光子＞
上記偏光子は、光を特定の直線偏光に変換する機能を有する部材であれば特に限定されず、従来公知の吸収型偏光子および反射型偏光子を利用することができる。
吸収型偏光子としては、ヨウ素系偏光子、二色性染料を利用した染料系偏光子、およびポリエン系偏光子などが用いられる。ヨウ素系偏光子および染料系偏光子には、塗布型偏光子と延伸型偏光子があり、いずれも適用できるが、ポリビニルアルコールにヨウ素または二色性染料を吸着させ、延伸して作製される偏光子が好ましい。
また、基材上にポリビニルアルコール層を形成した積層フィルムの状態で延伸および染色を施すことで偏光子を得る方法として、特許第５０４８１２０号公報、特許第５１４３９１８号公報、特許第４６９１２０５号公報、特許第４７５１４８１号公報、特許第４７５１４８６号公報を挙げることができ、これらの偏光子に関する公知の技術も好ましく利用することができる。
反射型偏光子としては、複屈折の異なる薄膜を積層した偏光子、ワイヤーグリッド型偏光子、選択反射域を有するコレステリック液晶と１／４波長板とを組み合わせた偏光子などが用いられる。
なかでも、密着性がより優れる点で、ポリビニルアルコール系樹脂（−ＣＨ２−ＣＨＯＨ−を繰り返し単位として含むポリマー。特に、ポリビニルアルコールおよびエチレン−ビニルアルコール共重合体からなる群から選択される少なくとも１つ）を含む偏光子であることが好ましい。
【００６８】
偏光子の厚みは特に限定されないが、３μｍ〜６０μｍであるのが好ましく、５μｍ〜３０μｍであるのがより好ましく、５μｍ〜１５μｍであるのが更に好ましい。
【００６９】
＜有機ＥＬ表示パネル＞
有機ＥＬ表示パネルは、陽極、陰極の一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄膜を形成した部材であり、発光層のほか正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有してもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の材料を用いることができる。
【実施例】
【００７０】
以下に、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。【００７１】
〔支持体の作製〕
セルロースアシレートフィルム（ＴＤ４０ＵＬ、富士フイルム（株）製）を、温度６０℃の誘電式加熱ロールを通過させ、フィルム表面温度を４０℃に昇温した後に、フィルムの片面に下記組成のアルカリ溶液を、バーコーターを用いて塗布量１４ｍｌ／ｍ２で塗布し、１１０℃に加熱した。
次いで、（株）ノリタケカンパニーリミテド製のスチーム式遠赤外ヒーターの下に、１０秒間搬送した。
次いで、同じくバーコーターを用いて、純水を３ｍｌ／ｍ２塗布した。
次いで、ファウンテンコーターによる水洗とエアナイフによる水切りを３回繰り返した後に、７０℃の乾燥ゾーンに１０秒間搬送して乾燥し、アルカリ鹸化処理したセルロースアシレートフィルムを作製して支持体とした。
2018216806.tif 000012
【００７２】
〔配向層Ｙ１の形成〕
上記のように鹸化処理した長尺状のセルロースアセテートフィルムに、下記組成の配向層塗布液を＃１４のワイヤーバーで連続的に塗布した。塗布後、６０℃の温風で６０秒、更に１００℃の温風で１２０秒乾燥し、配向層Ｙ１を形成した。なお、下記組成中、「重合開始剤（ＩＮ１）」は、光重合開始剤（ＩＲＧＡＣＵＲＥ２９５９、ＢＡＳＦ社製）を表す。
2018216806.tif 000013
【００７３】
【化７】
2018216806.tif 000014
【００７４】
〔配向層Ｙ２の形成〕
上記のように鹸化処理した長尺状のセルロースアセテートフィルムに、上記組成の配向層塗布液を＃１４のワイヤーバーで連続的に塗布した。塗布後、６０℃の温風で６０秒、更に１００℃の温風で１２０秒乾燥した。
次いで、乾燥後の塗布膜に連続的にラビング処理を施し、配向層Ｙ２を形成した。このとき、長尺状のフィルムの長手方向と搬送方向は平行とし、フィルム長手方向に対するラビングローラーの回転軸は時計回りに９０°の方向とした。【００７５】
〔実施例１〕
＜特定化合物Ｋ１の合成＞
特許第５９８３６２８号公報を参考に、以下のスキームに従い、モノマーを合成し、下記式Ｋ１で表される特定化合物Ｋ１を合成した。合成した特定化合物Ｋ１の重量平均分子量（Ｍｗ）は３３０００であった。
なお、下記スキーム中、「Ｖ−７０」は、２，２’−アゾビス（４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル）（和光純薬社製）を表し、「ＭＯＩ」は、２−イソシアナトエチルメタクリレート（カレンズＭＯＩ（登録商標）、昭和電工社製）を表す。
【化８】
2018216806.tif 000015
【化９】
2018216806.tif 000016
【００７６】
＜光学異方性層の形成＞
下記棒状液晶化合物Ａ（８０質量部）、下記棒状液晶化合物Ｂ（２０質量部）、光重合開始剤（ＩＲＧＡＣＵＲＥ９０７、ＢＡＳＦ社製）（３質量部）、増感剤（カヤキュアーＤＥＴＸ、日本化薬（株）製）（１質量部）、下記垂直配向剤Ａ（１質量部）、下記垂直配向剤Ｂ（０．５質量部）、および、上述した特定化合物Ｋ１（２．０質量部）をメチルエチルケトン２１５質量部に溶解して、光学異方性層形成用溶液を調製した。
調製した光学異方性層形成用溶液を、上述した配向層Ｙ１上に、＃３．０のワイヤーバーで塗布し、７０℃で２分間加熱し、４０℃に冷却した後に、酸素濃度が１．０体積％以下の雰囲気になるように窒素パージしながら１６０Ｗ／ｃｍの空冷メタルハライドランプ（アイグラフィックス（株）製）を用いて、照射量３００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射し、光学異方性層を形成しつつ、特定化合物Ｋ１中の開裂基を分解させた。なお、形成した光学異方性層について、上述した方法により光学特性を調べたところ、ポジティブＣプレートであった。【００７７】
【化１０】
2018216806.tif 000017
【００７８】
〔実施例２〕
＜特定化合物Ｋ２の合成＞
国際公開第２０１３／１１５１９５号を参考に、以下のスキームに従い、モノマーを合成し、下記式Ｋ２で表される特定化合物Ｋ２を合成した。合成した特定化合物Ｋ２の重量平均分子量（Ｍｗ）は３７０００であった。
なお、下記スキーム中、モノマーの合成に用いたフッ素原子を導入するための化合物は、特開２０１２−２１１３０６号公報の［００７３］〜［００８０］段落を参考に合成した。
【化１１】
2018216806.tif 000018
【化１２】
2018216806.tif 000019
【００７９】
＜光学異方性層の形成＞
特定化合物Ｋ１の代わりに特定化合物Ｋ２を用いた以外は、実施例１と同様の方法で、光学異方性層を形成した。なお、形成した光学異方性層について、上述した方法により光学特性を調べたところ、ポジティブＣプレートであった。【００８０】
〔実施例３〕
＜特定化合物Ｋ３の合成＞
特許第５９８３６２８号公報を参考に、以下のスキームに従い、モノマーを合成し、下記式Ｋ３で表される特定化合物Ｋ３を合成した。合成した特定化合物Ｋ３の重量平均分子量（Ｍｗ）は２５０００であった。
なお、下記スキーム中、「(+)-10-Camphorsulfonic Acid」は、東京化成工業社製の「（＋）−１０−カンファースルホン酸」を表す。
【化１３】
2018216806.tif 000020
【化１４】
2018216806.tif 000021
【００８１】
＜光学異方性層の形成＞
特定化合物Ｋ１の代わりに特定化合物Ｋ３を用い、更に下記式Ｂ−１−１で表される光酸発生剤を５．０質量部添加した以外は、実施例１と同様の方法で光学異方性層形成用溶液を調製した。なお、下記式Ｂ−１−１におけるＴｓは、トシル基（ｐ−トルエンスルホニル基）を表す。
調製した光学異方性層形成用溶液を、上述した配向層Ｙ１上に、＃３．０のワイヤーバーで塗布し、７０℃で２分間加熱し、４０℃に冷却した後に、酸素濃度が１．０体積％以下の雰囲気になるように窒素パージしながら１６０Ｗ／ｃｍの空冷メタルハライドランプ（アイグラフィックス（株）製）を用いて、照射量３００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射し、光学異方性層を形成した。その後、１２０℃で１分間アニーリング処理を施し、光学異方性層形成時の紫外線照射により発生した酸による開裂基の分解を促進させることにより、特定化合物Ｋ３中の開裂基を分解した。なお、形成した光学異方性層について、上述した方法により光学特性を調べたところ、ポジティブＣプレートであった。
【化１５】
2018216806.tif 000022
【００８２】
〔実施例４〕
＜特定化合物Ｋ４の合成＞
実施例１と同様の方法で、下記式Ｋ４で表される特定化合物Ｋ４を合成した。合成した特定化合物Ｋ４の重量平均分子量（Ｍｗ）は３４０００であった。
【化１６】
2018216806.tif 000023
【００８３】
＜光学異方性層の形成＞
上記棒状液晶化合物Ａ（８０質量部）、上記棒状液晶化合物Ｂ（２０質量部）、光重合開始剤（イルガキュアー９０７、ＢＡＳＦ社製）（３質量部）、増感剤（カヤキュアーＤＥＴＸ、日本化薬（株）製）（１質量部）、上述した特定化合物Ｋ４（２．０質量部）をメチルエチルケトン（１９３質量部）に溶解して、光学異方性層形成用溶液を調製した。
調製した光学異方性層形成用溶液を、上述した配向層Ｙ２上に、ワイヤーバーコーター＃２．２で塗布し、６０℃で２分間加熱し、６０℃に維持したまま、酸素濃度が１．０体積％以下の雰囲気になるように窒素パージしながら１６０Ｗ／ｃｍの空冷メタルハライドランプ（アイグラフィックス（株）製）を用いて、照射量３００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射し、光学異方性層を形成しつつ、特定化合物Ｋ４中の開裂基を分解させた。なお、形成した光学異方性層について、上述した方法により光学特性を調べたところ、ポジティブＡプレートであった。【００８４】
〔実施例５〕
＜特定化合物Ｋ５の合成＞
実施例１と同様の方法で、下記式Ｋ５で表される特定化合物Ｋ５を合成した。合成した特定化合物Ｋ５の重量平均分子量（Ｍｗ）は３４０００であった。
【化１７】
2018216806.tif 000024
【００８５】
＜光学異方性層の形成＞
特定化合物Ｋ４の代わりに特定化合物Ｋ５を用いた以外は、実施例４と同様の方法で、光学異方性層を形成した。なお、形成した光学異方性層について、上述した方法により光学特性を調べたところ、ポジティブＡプレートであった。【００８６】
〔実施例６〕
＜特定化合物Ｋ６の合成＞
実施例３と同様の方法で、下記式Ｋ６で表される特定化合物Ｋ６を合成した。合成した特定化合物Ｋ６の重量平均分子量（Ｍｗ）は２８０００であった。
【化１８】
2018216806.tif 000025
【００８７】
＜光学異方性層の形成＞
特定化合物Ｋ４の代わりに特定化合物Ｋ６を用い、更に上記式Ｂ−１−１で表される光酸発生剤を５．０質量部添加した以外は、実施例４と同様の方法で光学異方性層形成用溶液を調製した。
調製した光学異方性層形成用溶液を、上述した配向層Ｙ２上に、ワイヤーバーコーター＃２．２で塗布し、６０℃で２分間加熱し、６０℃に維持したまま、酸素濃度が１．０体積％以下の雰囲気になるように窒素パージしながら１６０Ｗ／ｃｍの空冷メタルハライドランプ（アイグラフィックス（株）製）を用いて、照射量３００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射し、光学異方性層を形成した。その後、１２０℃で１分間アニーリング処理を施し、光学異方性層形成時の紫外線照射により発生した酸による開裂基の分解を促進させることにより、特定化合物Ｋ６中の開裂基を分解した。なお、形成した光学異方性層について、上述した方法により光学特性を調べたところ、ポジティブＡプレートであった。【００８８】
〔実施例７〕
下記組成物をミキシングタンクに投入し、攪拌してＣプレート用の光学異方性層形成用溶液を調製した。
次いで、上述した配向層Ｙ１上に、＃３．２のワイヤーバーで連続的に塗布した。フィルムの搬送速度（Ｖ）は４０ｍ／ｍｉｎとした。光学異方性層形成用溶液の溶媒の乾燥および円盤状液晶化合物の配向熟成のために、６０℃の温風で８０秒間加熱した。
次いで、７０℃にて、照射量３００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線照射を行い、液晶化合物の配向を固定化し光学異方性層を形成しつつ、特定化合物Ｋ４中の開裂基を分解させた。なお、形成した光学異方性層について、上述した方法により光学特性を調べたところ、ネガティブＣプレートであった。【００８９】
―――――――――――――――――――――――――――――――――
光学異方性層形成用溶液
―――――――――――――――――――――――――――――――――
・下記円盤状液晶化合物Ｄ１                        ８０．００質量部
・下記円盤状液晶化合物Ｄ２                        ２０．００質量部
・下記重合性モノマー１                            １０．００質量部
・光重合開始剤（IRGACURE 907、ＢＡＳＦ社製）        ３．００質量部
・増感剤（KAYACURE DETX-S、日本化薬（株）製）       １．００質量部
・特定化合物Ｋ４                                    ３．００質量部
・メチルエチルケトン                            ２２５．００質量部
・ｔ−ブチルアルコール                            ６９．００質量部
・シクロヘキサノン                                ５２．００質量部
―――――――――――――――――――――――――――――――――
【化１９】
2018216806.tif 000026
【化２０】
2018216806.tif 000027
【００９０】
〔実施例８〕
特定化合物Ｋ４の代わりに特定化合物Ｋ５を用いた以外は、実施例７と同様の方法で、光学異方性層を形成した。なお、形成した光学異方性層について、上述した方法により光学特性を調べたところ、ネガティブＣプレートであった。【００９１】
〔実施例９〕
特定化合物Ｋ４の代わりに特定化合物Ｋ６を用い、更に上記式Ｂ−１−１で表される光酸発生剤を５．０質量部添加した以外は、実施例７と同様の方法で光学異方性層形成用溶液を調製した。
次いで、上述した配向層Ｙ１上に、＃３．２のワイヤーバーで連続的に塗布した。フィルムの搬送速度（Ｖ）は４０ｍ／ｍｉｎとした。光学異方性層形成用溶液の溶媒の乾燥および円盤状液晶化合物の配向熟成のために、６０℃の温風で８０秒間加熱した。
次いで、７０℃にて、照射量３００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線照射を行い、液晶化合物の配向を固定化し光学異方性層を形成した。その後、１２０℃で１分間アニーリング処理を施し、光学異方性層形成時の紫外線照射により発生した酸による開裂基の分解を促進させることにより、特定化合物Ｋ６中の開裂基を分解した。なお、形成した光学異方性層について、上述した方法により光学特性を調べたところ、ネガティブＣプレートであった。【００９２】
〔実施例１０〕
下記組成物をミキシングタンクに投入し、攪拌してＡプレート用の光学異方性層形成用溶液を調製した。
調製した光学異方性層形成用溶液を、上述した配向層Ｙ２上に、＃３．２のワイヤーバーで連続的に塗布した。フィルムの搬送速度（Ｖ）は４０ｍ／ｍｉｎとした。光学異方性層形成用溶液の溶媒の乾燥および円盤状液晶化合物の配向熟成のために、６０℃の温風で８０秒間加熱した。
次いで、７０℃にて、照射量３００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線照射を行い、液晶化合物の配向を固定化し光学異方性層を形成しつつ、特定化合物Ｋ１中の開裂基を分解させた。なお、形成した光学異方性層について、上述した方法により光学特性を調べたところ、ネガティブＡプレートであった。【００９３】
―――――――――――――――――――――――――――――――――
光学異方性層形成用溶液
―――――――――――――――――――――――――――――――――
・上記円盤状液晶化合物Ｄ１                        ８０．００質量部
・上記円盤状液晶化合物Ｄ２                        ２０．００質量部
・上記重合性モノマー１                            １０．００質量部
・下記配向助剤ＯＡ１                                ０．９０質量部
・下記配向助剤ＯＡ２                                ０．１０質量部
・光重合開始剤（IRGACURE 907、ＢＡＳＦ社製）        ３．００質量部
・増感剤（KAYACURE DETX-S、日本化薬（株）製）       １．００質量部
・特定化合物Ｋ１                                    ３．００質量部
・メチルエチルケトン                            ２２５．００質量部
・ｔ−ブチルアルコール                            ６９．００質量部
・シクロヘキサノン                                ５２．００質量部
―――――――――――――――――――――――――――――――――
【化２１】
2018216806.tif 000028
【００９４】
〔実施例１１〕
特定化合物Ｋ１の代わりに特定化合物Ｋ２を用いた以外は、実施例１０と同様の方法で、光学異方性層を形成した。なお、形成した光学異方性層について、上述した方法により光学特性を調べたところ、ネガティブＡプレートであった。【００９５】
〔実施例１２〕
特定化合物Ｋ１の代わりに特定化合物Ｋ３を用い、更に上記式Ｂ−１−１で表される光酸発生剤を５．０質量部添加した以外は、実施例１０と同様の方法で光学異方性層形成用溶液を調製した。
調製した光学異方性層形成用溶液を、上述した配向層Ｙ２上に、＃３．２のワイヤーバーで連続的に塗布した。フィルムの搬送速度（Ｖ）は４０ｍ／ｍｉｎとした。光学異方性層形成用溶液の溶媒の乾燥および円盤状液晶化合物の配向熟成のために、６０℃の温風で８０秒間加熱した。
次いで、７０℃にて、照射量３００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線照射を行い、液晶化合物の配向を固定化し光学異方性層を形成した。その後、１２０℃で１分間アニーリング処理を施し、光学異方性層形成時の紫外線照射により発生した酸による開裂基の分解を促進させることにより、特定化合物Ｋ３中の開裂基を分解した。なお、形成した光学異方性層について、上述した方法により光学特性を調べたところ、ネガティブＡプレートであった。【００９６】
〔比較例１〕
＜界面活性剤Ｓ１の合成＞
以下のスキームに従い、下記式Ｓ１で表される界面活性剤Ｓ１を合成した。合成した界面活性剤Ｓ１の重量平均分子量（Ｍｗ）は３００００であった。
【化２２】
2018216806.tif 000029
【００９７】
＜光学異方性層の形成＞
特定化合物Ｋ１の代わりに界面活性剤Ｓ１を用いた以外は、実施例１と同様の方法で、光学異方性層を形成した。なお、形成した光学異方性層について、上述した方法により光学特性を調べたところ、ポジティブＣプレートであった。【００９８】
〔比較例２〕
＜界面活性剤Ｓ２の合成＞
以下のスキームに従い、下記式Ｓ２で表される界面活性剤Ｓ２を合成した。合成した界面活性剤Ｓ２の重量平均分子量（Ｍｗ）は３３０００であった。
【化２３】
2018216806.tif 000030
【００９９】
＜光学異方性層の形成＞
特定化合物Ｋ４の代わりに界面活性剤Ｓ２を用いた以外は、実施例４と同様の方法で、光学異方性層を形成した。なお、形成した光学異方性層について、上述した方法により光学特性を調べたところ、ポジティブＡプレートであった。【０１００】
〔比較例３〕
＜界面活性剤Ｓ３の合成＞
比較例１と同様の方法で、下記式Ｓ３で表される界面活性剤Ｓ３を合成した。合成した界面活性剤Ｓ３の重量平均分子量（Ｍｗ）は３５０００であった。
【化２４】
2018216806.tif 000031
【０１０１】
＜光学異方性層の形成＞
特定化合物Ｋ４の代わりに界面活性剤Ｓ３を用いた以外は、実施例７と同様の方法で、光学異方性層を形成した。なお、形成した光学異方性層について、上述した方法により光学特性を調べたところ、ネガティブＣプレートであった。【０１０２】
〔比較例４〕
＜界面活性剤Ｓ４の合成＞
比較例２と同様の方法で、下記式Ｓ４で表される界面活性剤Ｓ４を合成した。合成した界面活性剤Ｓ４の重量平均分子量（Ｍｗ）は３２０００であった。
【化２５】
2018216806.tif 000032
【０１０３】
＜光学異方性層の形成＞
特定化合物Ｋ１の代わりに界面活性剤Ｓ４を用いた以外は、実施例１０と同様の方法で、光学異方性層を形成した。なお、形成した光学異方性層について、上述した方法により光学特性を調べたところ、ネガティブＡプレートであった。【０１０４】
〔液晶配向性〕
２枚の偏光板をクロスニコルに設置し、その間に、光学異方性層まで形成したサンプルを設置して光漏れの程度を観察し、以下の基準で評価した。結果を下記表１に示す。
なお、Ａプレートのサンプルは、最も暗くなる方位角で、Ｃプレートのサンプルは、特に方位角は調整せずに観察した。
＜評価基準＞
Ａ：光漏れがない。
Ｂ：光漏れがほとんどない。
Ｃ：光漏れが観察される。【０１０５】
〔ハジキ〕
実施例および比較例で形成した各光学異方性層について、Ａ４サイズの表面領域を検査し、円形または楕円形に抜けているように見える故障をハジキとみなし、以下の基準で評価した。結果を下記表１に示す。
＜評価基準＞
Ａ：ハジキが１個以下
Ｂ：ハジキが２〜４個
Ｃ：ハジキが５個以上【０１０６】
〔風ムラ〕
２枚の偏光板をクロスニコルに設置し、その間に、光学異方性層まで形成したサンプルを設置してスジ状のムラの有無を観察し、以下の基準で風ムラの評価を行った。結果を下記表１に示す。
なお、Ａプレートのサンプルは、偏光板面に対して水平に、Ｃプレートのサンプルは、偏光板面に対して、斜めにして観察した。
＜評価基準＞
Ａ：ムラが視認できない。
Ｂ：ムラがほとんど視認できない。
Ｃ：ムラが視認できる。【０１０７】
〔上層塗布性〕
実施例および比較例で形成した各光学異方性層の表面エネルギーを測定し、以下の基準で上層塗布性を評価した。結果を下記表１に示す。
＜評価基準＞
Ａ：４５ｍＮ／ｍ以上
Ｂ：４０ｍＮ／ｍ以上、４５ｍＮ／ｍ未満
Ｃ：３０ｍＮ／ｍ以上、４０ｍＮ／ｍ未満
Ｄ：３０ｍＮ／ｍ未満【０１０８】
【表１】
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【０１０９】
表１に示す結果から、従来公知の界面活性剤Ｓ１〜Ｓ４を用いた場合には、光学異方性層形成時の塗布性（ハジキ）、および、形成した光学異方性層の上層塗布液に対する塗布性を両立できないことが分かった（比較例１〜４）。
これに対し、特定化合物を用いた場合には、光学異方性層形成時の塗布性（ハジキ）に優れ、風ムラを抑制することができ、更に、形成した光学異方性層の上層塗布液に対する塗布性も良好となることが分かった（実施例１〜１２）。
【国際調査報告】
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