(57)【要約】  逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物及び重合開始剤を含む液晶組成物の硬化物で形成された液晶硬化層を含む液晶硬化フィルムの製造方法であって、前記液晶組成物の層を形成する工程と、前記液晶組成物の層に含まれる前記液晶性化合物を配向させる工程と、前記液晶組成物の層を硬化させる工程と、を含み、前記液晶性化合物を配向させる工程の前記層と同一温度条件において、前記液晶組成物から前記重合開始剤を除いた試験組成物の残留分粘度が、８００ｃＰ以下である、液晶硬化フィルムの製造方法。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物及び重合開始剤を含む液晶組成物の硬化物で形成された液晶硬化層を含む液晶硬化フィルムの製造方法であって、
前記液晶組成物の層を形成する工程と、
前記液晶組成物の層に含まれる前記液晶性化合物を配向させる工程と、
前記液晶組成物の層を硬化させる工程と、を含み、
前記液晶性化合物を配向させる工程の前記層と同一温度条件において、前記液晶組成物から前記重合開始剤を除いた試験組成物の残留分粘度が、８００ｃＰ以下である、液晶硬化フィルムの製造方法。
【請求項２】
前記液晶組成物が、フッ素原子を含む界面活性剤を含む、請求項１記載の液晶硬化フィルムの製造方法。
【請求項３】
前記界面活性剤の１−オクタノール／水分配係数が、３．５以上６．７以下である、請求項２記載の液晶硬化フィルムの製造方法。
【請求項４】
前記液晶性化合物１００重量部に対する前記界面活性剤の量が、０．１０重量部以上０．５０重量部以下である、請求項２又は３記載の液晶硬化フィルムの製造方法。
【請求項５】
逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物を含む液晶組成物の硬化物で形成された液晶硬化層を備える液晶硬化フィルムであって、
前記液晶硬化層が、配向状態が固定されていてもよい前記液晶性化合物を含む、第一層、第二層及び第三層を、この順に含み、
前記第一層に含まれる前記液晶性化合物の分子が層平面に対してなす第一チルト角が、前記第一層において一定であり、
前記第二層に含まれる前記液晶性化合物の分子が層平面に対してなす第二チルト角が、前記第二層において一定であり、
前記第二チルト角が、前記第一チルト角とは不連続に異なり、
前記第三層に含まれる前記液晶性化合物の分子が層平面に対してなす第三チルト角が、前記第三層において一定であり、且つ、
前記第三チルト角が、前記第一チルト角及び第二チルト角とは不連続に異なる、液晶硬化フィルム。
【請求項６】
前記第一層、前記第二層及び前記第三層の合計厚み１００％に対する、前記第一層の厚みの割合が、１４％以上６６％以下であり、
前記第一層、前記第二層及び前記第三層の合計厚み１００％に対する、前記第二層の厚みの割合が、１％以上８０％以下であり、
前記第一層、前記第二層及び前記第三層の合計厚み１００％に対する、前記第三層の厚みの割合が、６％以上３３％以下である、請求項５記載の液晶硬化フィルム。
【請求項７】
前記第一チルト角が、０°以上２０°以下であり、
前記第二チルト角が、２０°以上７０°以下であり、
前記第三チルト角が、７０°以上９０°以下である、請求項５又は６記載の液晶硬化フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶硬化フィルム及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶性化合物を含む液晶組成物の膜を硬化させた液晶硬化層を備えるフィルムが知られていた。通常、このようなフィルムでは、液晶性化合物の分子は均一に配向しており、液晶性化合物の分子が層平面に対してなすチルト角は、厚み方向において一定であった。【０００３】
しかし、近年では、特定の液晶組成物を用いて、液晶硬化層における液晶性化合物の分子のチルト角を、厚み方向において不均一にする技術が開発されている（特許文献１〜３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第５３６３０２２号公報
【特許文献２】特開２０１５−１６１７１４号公報
【特許文献３】特開２０１６−１１０１５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１〜３に記載の技術で得られる液晶硬化層では、一般に、当該液晶硬化層の厚み方向において、液晶性化合物の分子のチルト角は連続的に異なっていた。具体的には、従来の液晶硬化層では、通常、液晶硬化層の一側に近いほどチルト角が小さく、他側に近いほどチルト角が大きくなっていた。よって、液晶性化合物の分子のチルト角が厚み方向において不連続に異なる液晶硬化層は、従来、知られていなかった。【０００６】
液晶硬化層は、液晶表示装置用の視野角補償フィルム等の光学用途において用いることが期待される。しかし、光学用途においては多様な光学設計を可能にするため、従来とは異なる構造の液晶硬化層の開発が求められる。中でも、逆波長分散性のレターデーションを有する液晶硬化層として、新規な構造のものが特に求められる。【０００７】
本発明は、前記の課題に鑑みて創案されたもので、液晶性化合物の分子のチルト角が厚み方向において不連続に異なり、逆波長分散性のレターデーションを有する液晶硬化層を備えた液晶硬化フィルム及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、前記の課題を解決するべく鋭意検討した。その結果、本発明者らは、逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物及び重合開始剤を含む液晶組成物の層に、液晶組成物から前記重合開始剤を除いた試験組成物が所定の残留分粘度となる温度条件で配向処理を施すことによって、前記の課題を解決できることを見い出した。このような知見に基づき、本発明者らは、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、以下のものを含む。【０００９】
〔１〕  逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物及び重合開始剤を含む液晶組成物の硬化物で形成された液晶硬化層を含む液晶硬化フィルムの製造方法であって、
前記液晶組成物の層を形成する工程と、
前記液晶組成物の層に含まれる前記液晶性化合物を配向させる工程と、
前記液晶組成物の層を硬化させる工程と、を含み、
前記液晶性化合物を配向させる工程の前記層と同一温度条件において、前記液晶組成物から前記重合開始剤を除いた試験組成物の残留分粘度が、８００ｃＰ以下である、液晶硬化フィルムの製造方法。
〔２〕  前記液晶組成物が、フッ素原子を含む界面活性剤を含む、〔１〕記載の液晶硬化フィルムの製造方法。
〔３〕  前記界面活性剤の１−オクタノール／水分配係数が、３．５以上６．７以下である、〔２〕記載の液晶硬化フィルムの製造方法。
〔４〕  前記液晶性化合物１００重量部に対する前記界面活性剤の量が、０．１０重量部以上０．５０重量部以下である、〔２〕又は〔３〕記載の液晶硬化フィルムの製造方法。
〔５〕  逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物を含む液晶組成物の硬化物で形成された液晶硬化層を備える液晶硬化フィルムであって、
前記液晶硬化層が、配向状態が固定されていてもよい前記液晶性化合物を含む、第一層、第二層及び第三層を、この順に含み、
前記第一層に含まれる前記液晶性化合物の分子が層平面に対してなす第一チルト角が、前記第一層において一定であり、
前記第二層に含まれる前記液晶性化合物の分子が層平面に対してなす第二チルト角が、前記第二層において一定であり、
前記第二チルト角が、前記第一チルト角とは不連続に異なり、
前記第三層に含まれる前記液晶性化合物の分子が層平面に対してなす第三チルト角が、前記第三層において一定であり、且つ、
前記第三チルト角が、前記第一チルト角及び第二チルト角とは不連続に異なる、液晶硬化フィルム。
〔６〕  前記第一層、前記第二層及び前記第三層の合計厚み１００％に対する、前記第一層の厚みの割合が、１４％以上６６％以下であり、
前記第一層、前記第二層及び前記第三層の合計厚み１００％に対する、前記第二層の厚みの割合が、１％以上８０％以下であり、
前記第一層、前記第二層及び前記第三層の合計厚み１００％に対する、前記第三層の厚みの割合が、６％以上３３％以下である、〔５〕記載の液晶硬化フィルム。
〔７〕  前記第一チルト角が、０°以上２０°以下であり、
前記第二チルト角が、２０°以上７０°以下であり、
前記第三チルト角が、７０°以上９０°以下である、〔５〕又は〔６〕記載の液晶硬化フィルム。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、液晶性化合物の分子のチルト角が厚み方向において不連続に異なり、逆波長分散性のレターデーションを有する液晶硬化層を備えた液晶硬化フィルム及びその製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る液晶硬化フィルムを、その厚み方向に平行な平面で切った断面を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施例４で偏光顕微鏡によって観察した液晶硬化層の断面の写真である。
【図３】図３は、図２の各部分を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、例示物及び実施形態を示して本発明について詳細に説明する。ただし、本発明は以下に示す例示物及び実施形態に限定されるものではなく、本発明の請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。
【００１３】
以下の説明において、用語「偏光板」及び用語「波長板」は、別に断らない限り、樹脂フィルム等の可撓性を有するフィルム及びシートを包含する。
【００１４】
以下の説明において、固有複屈折値が正の樹脂とは、延伸方向の屈折率がそれに直交する方向の屈折率よりも大きくなる樹脂を意味する。また、固有複屈折値が負の樹脂とは、延伸方向の屈折率がそれに直交する方向の屈折率よりも小さくなる樹脂を意味する。固有複屈折値は、誘電率分布から計算しうる。
【００１５】
以下の説明において、ある層のレターデーションとは、別に断らない限り、面内レターデーションＲｅを表す。この面内レターデーションＲｅは、別に断らない限り、Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄで表される値である。ここで、ｎｘは、層の厚み方向に垂直な方向（面内方向）であって最大の屈折率を与える方向の屈折率を表す。ｎｙは、層の前記面内方向であってｎｘの方向に直交する方向の屈折率を表す。ｄは、層の厚みを表す。レターデーションの測定波長は、別に断らない限り、５９０ｎｍである。
【００１６】
以下の説明において、ある層の遅相軸の方向とは、別に断らない限り、面内方向の遅相軸の方向をいう。
【００１７】
以下の説明において、要素の方向が「平行」及び「垂直」とは、別に断らない限り、本発明の効果を損ねない範囲内、例えば±５°、好ましくは±３°、より好ましくは±１°の範囲内での誤差を含んでいてもよい。
【００１８】
以下の説明において、別に断らない限り、ある層に含まれる液晶性化合物の分子の「チルト角」とは、その液晶性化合物の分子が層平面に対してなす角度を表す。このチルト角は、液晶性化合物の分子の屈折率楕円体において最大の屈折率の方向が層平面となす角度のうち、最大の角度に相当する。
【００１９】
［１．液晶硬化フィルムの製造方法の概要］
本発明の液晶硬化フィルムの製造方法では、逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物及び重合開始剤を含む液晶組成物の硬化物で形成された液晶硬化層を含む液晶硬化フィルムを製造する。以下の説明において、逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物を、適宜「逆分散液晶性化合物」ということがある。この製造方法は、
（ｉ）液晶組成物の層を形成する工程と；
（ii）液晶組成物の層に含まれる液晶性化合物を配向させる工程と；
（iii）液晶組成物の層を硬化させる工程と；
を含む。
【００２０】
ただし、前記の製造方法において、液晶性化合物を配向させる工程は、当該液晶性化合物を配向させる工程における液晶組成物の層の温度条件が、試験組成物の残留分粘度が通常８００ｃＰ以下となる温度条件と同一になるように、行う。前記の試験組成物とは、液晶組成物から重合開始剤を除いた組成を有する組成物である。また、試験組成物の残留分粘度とは、液晶性化合物を配向させる工程の液晶組成物の層と同一温度条件における、試験組成物の残留成分の粘度である。また、試験組成物の残留成分とは、試験組成物に含まれる成分のうち、液晶性化合物を配向させる工程の液晶組成物の層と同一温度条件において気化せずに残留した成分である。この製造方法によれば、逆分散液晶性化合物等の液晶性化合物の分子のチルト角が厚み方向において不連続に異なり、逆波長分散性のレターデーションを有する液晶硬化層を備えた液晶硬化フィルムを得ることができる。
【００２１】
［２．逆分散液晶性化合物］
逆分散液晶性化合物は、液晶性を有する化合物であり、通常、当該逆分散液晶性化合物を配向させた場合に、液晶相を呈することができる化合物である。
【００２２】
また、逆分散液晶性化合物は、前記の通り、逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物である。ここで、逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物とは、当該液晶性化合物の層を形成し、その層において液晶性化合物を配向させた際に、逆波長分散性の複屈折を発現する液晶性化合物をいう。通常は、液晶性化合物をホモジニアス配向させた場合に、液晶性化合物の層が逆波長分散性の複屈折を示すかどうかを調べることで、その液晶性化合物が逆波長分散性の複屈折を発現するかどうかを確認できる。ここで、液晶性化合物をホモジニアス配向させる、とは、当該液晶性化合物を含む層を形成し、その層における液晶性化合物の分子のメソゲン骨格の長軸方向を、前記層の面に平行なある一の方向に配向させることをいう。液晶性化合物が配向方向の異なる複数種類のメソゲン骨格を含む場合は、それらのうち最も長い種類のメソゲンが配向する方向が、前記の配向方向となる。
【００２３】
また、逆波長分散性の複屈折とは、波長４５０ｎｍにおける複屈折Δｎ（４５０）及び波長５５０ｎｍにおける複屈折Δｎ（５５０）が、下記式（Ｎ１）を満たす複屈折をいう。このような逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物は、通常、測定波長が長いほど、大きい複屈折を発現できる。
Δｎ（４５０）＜Δｎ（５５０）  （Ｎ１）
【００２４】
逆分散液晶性化合物は、当該逆分散液晶性化合物の分子中に、主鎖メソゲンと、前記主鎖メソゲンに結合した側鎖メソゲンとを含む化合物でありうる。主鎖メソゲン及び側鎖メソゲンを含む前記の逆分散液晶性化合物は、当該逆分散液晶性化合物が配向した状態において、側鎖メソゲンが主鎖メソゲンと異なる方向に配向できる。そのため、このように配向した逆分散液晶性化合物の層においては、主鎖メソゲン及び側鎖メソゲンは、異なる方向に配向しうる。このような場合、その層の複屈折は主鎖メソゲンに対応する屈折率と側鎖メソゲンに対応する屈折率との差として発現するので、結果として、逆波長分散性の複屈折を発現できる。
【００２５】
逆分散液晶性化合物は、重合性を有することが好ましい。よって、逆分散液晶性化合物は、その分子が、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びエポキシ基等の重合性基を含むことが好ましい。重合性を有する逆分散液晶性化合物は、液晶相を呈した状態で重合し、液晶相における分子の配向状態を維持したまま重合体となることができる。よって、液晶硬化層において逆分散液晶性化合物の配向状態を固定したり、液晶性化合物の重合度を高めて液晶硬化層の機械的強度を高めたりすることが可能である。
【００２６】
逆分散液晶性化合物の分子量は、好ましくは３００以上、より好ましくは５００以上、特に好ましくは８００以上であり、好ましくは２０００以下、より好ましくは１７００以下、特に好ましくは１５００以下である。このような範囲の分子量を有する逆分散液晶性化合物を用いることにより、液晶組成物の塗工性を特に良好にできる。
【００２７】
測定波長５９０ｎｍにおける逆分散液晶性化合物の屈折率異方性Δｎは、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０３以上であり、好ましくは０．１５以下、より好ましくは０．１０以下である。このような範囲の屈折率異方性Δｎを有する逆分散液晶性化合物を用いることにより、液晶性化合物の分子のチルト角が厚み方向において不連続に異なり、且つ、逆波長分散性のレターデーションを有する液晶硬化層を、容易に得ることができる。さらに、通常は、このような範囲の屈折率異方性Δｎを有する逆分散液晶性化合物を用いることにより、配向欠陥の少ない液晶硬化層を得やすい。
【００２８】
液晶性化合物の屈折率異方性は、例えば、下記の方法により測定できる。
液晶性化合物の膜を作成し、その膜に含まれる液晶性化合物をホモジニアス配向させる。その後、その膜のレターデーションを測定する。そして、「（膜の面内レターデーション）÷（膜の厚み）」から、液晶性化合物の屈折率異方性を求めることができる。この際、レターデーション及び光学厚みの測定を容易にするために、ホモジニアス配向させた液晶性化合物の膜は、硬化させてもよい。
【００２９】
逆分散液晶性化合物は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
【００３０】
逆分散液晶性化合物の例としては、下記式（Ｉａ）で表される化合物が挙げられる。以下の説明において、式（Ｉａ）で表される化合物を、適宜「化合物（Ｉａ）」ということがある。
【００３１】
【化１】
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【００３２】
前記式（Ｉａ）において、Ａ１ａは、芳香族炭化水素環および芳香族複素環からなる群より選ばれる少なくとも１つの芳香環を有する炭素数１〜６７の有機基を置換基として有する芳香族炭化水素環基；または、芳香族炭化水素環および芳香族複素環からなる群より選ばれる少なくとも１つの芳香環を有する炭素数１〜６７の有機基を置換基として有する芳香族複素環基；を表す。
【００３３】
Ａ１ａの具体例としては、式：−Ｃ（Ｒｆ）＝Ｎ−Ｎ（Ｒｇ）Ｒｈ、あるいは式：−Ｃ（Ｒｆ）＝Ｎ−Ｎ＝Ｃ（Ｒｆ１）Ｒｈで表される基で置換されたフェニレン基；１−ベンゾフラン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基；５−（２−ブチル）−１−ベンゾフラン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基；４，６−ジメチル−１−ベンゾフラン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基；６−メチル−１−ベンゾフラン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基；４，６，７−トリメチル−１−ベンゾフラン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基；４，５，６−トリメチル−１−ベンゾフラン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基；５−メチル−１−ベンゾフラン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基；５−プロピル−１−ベンゾフラン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基；７−プロピル−１−ベンゾフラン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基；５−フルオロ−１−ベンゾフラン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基；フェニル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基；４−フルオロフェニル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基；４−ニトロフェニル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基；４−トリフルオロメチルフェニル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基；４−シアノフェニル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基；４−メタンスルホニルフェニル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基；チオフェン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基；チオフェン−３−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基；５−メチルチオフェン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基；５−クロロチオフェン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基；チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基；２−ベンゾチアゾリル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基；４−ビフェニル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基；４−プロピルビフェニル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基；４−チアゾリル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基；１−フェニルエチレン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基；４−ピリジル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基；２−フリル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基；ナフト［１，２−ｂ］フラン−２−イル基で置換されたベンゾチアゾール−４，７−ジイル基；５−メトキシ−２−ベンゾチアゾリル基で置換された１Ｈ−イソインドール−１，３（２Ｈ）−ジオン−４，７−ジイル基；フェニル基で置換された１Ｈ−イソインドール−１，３（２Ｈ）−ジオン−４，７−ジイル基；４−ニトロフェニル基で置換された１Ｈ−イソインドール−１，３（２Ｈ）−ジオン−４，７−ジイル基；または、２−チアゾリル基で置換された１Ｈ−イソインドール−１，３（２Ｈ）−ジオン−４，７−ジイル基；等が挙げられる。ここで、ＲｆおよびＲｆ１は、それぞれ独立して、後述するＱ１と同じ意味を表す。Ｒｇは、後述するＡｙと同じ意味を表し、Ｒｈは、後述するＡｘと同じ意味を表す。
【００３４】
前記式（Ｉａ）において、Ｙ１ａ〜Ｙ８ａは、それぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ１−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ１−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ１−、−ＮＲ１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ１−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ１−、−Ｏ−ＮＲ１−、又は、−ＮＲ１−Ｏ−を表す。ここで、Ｒ１は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
【００３５】
前記式（Ｉａ）において、Ｇ１ａ及びＧ２ａは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数１〜２０の二価の脂肪族基を表す。また、前記脂肪族基には、１つの脂肪族基当たり１以上の−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ２−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ２−、−ＮＲ２−、又は、−Ｃ（＝Ｏ）−が介在していてもよい。ただし、−Ｏ−又は−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。ここで、Ｒ２は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
【００３６】
前記式（Ｉａ）において、Ｚ１ａ及びＺ２ａは、それぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜１０のアルケニル基を表す。
【００３７】
前記式（Ｉａ）において、Ａ２ａ及びＡ３ａは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基を表す。
【００３８】
前記式（Ｉａ）において、Ａ４ａ及びＡ５ａは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数６〜３０の二価の芳香族基を表す。
【００３９】
前記式（Ｉａ）において、ｋ及びｌは、それぞれ独立に、０又は１を表す。
【００４０】
中でも、好適な具体例としては、下記式（Ｉ）で表される化合物が挙げられる。以下の説明において、式（Ｉ）で表される化合物を、適宜「化合物（Ｉ）」ということがある。
【００４１】
【化２】
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【００４２】
化合物（Ｉ）は、通常、下記式で表すように、基−Ｙ５−Ａ４−（Ｙ３−Ａ２）ｎ−Ｙ１−Ａ１−Ｙ２−（Ａ３−Ｙ４）ｍ−Ａ５−Ｙ６−からなる主鎖メソゲン１ａ、及び、基＞Ａ１−Ｃ（Ｑ１）＝Ｎ−Ｎ（Ａｘ）Ａｙからなる側鎖メソゲン１ｂの２つのメソゲン骨格を含む。また、これらの主鎖メソゲン１ａ及び側鎖メソゲン１ｂは、互いに交差している。上記の主鎖メソゲン１ａ及び側鎖メソゲン１ｂをあわせて１つのメソゲンとすることもできるが、本発明では、２つのメソゲンに分けて表記する。
【００４３】
【化３】
2018173773.tif 000005
【００４４】
主鎖メソゲン１ａの長軸方向における屈折率をｎ１、側鎖メソゲン１ｂの長軸方向における屈折率をｎ２とする。この際、屈折率ｎ１の絶対値及び波長分散性は、通常、主鎖メソゲン１ａの分子構造に依存する。また、屈折率ｎ２の絶対値及び波長分散性は、通常、側鎖メソゲン１ｂの分子構造に依存する。ここで、液晶相において液晶性化合物の分子は、主鎖メソゲン１ａの長軸方向を回転軸として回転運動を行うので、ここでいう屈折率ｎ１及びｎ２とは、回転体としての屈折率を表している。
【００４５】
主鎖メソゲン１ａ及び側鎖メソゲン１ｂの分子構造に由来して、屈折率ｎ１の絶対値は屈折率ｎ２の絶対値より大きい。さらに、屈折率ｎ１及びｎ２は、通常、順波長分散性を示す。ここで、順波長分散性の屈折率とは、測定波長が大きいほど当該屈折率の絶対値が小さくなる屈折率を表す。主鎖メソゲン１ａの屈折率ｎ１は、小さい程度の順波長分散性を示す。よって、長波長で測定した屈折率ｎ１は、短波長で測定した屈折率ｎ１よりも小さくなるが、それらの差は小さい。これに対し、側鎖メソゲン１ｂの屈折率ｎ２は、大きな程度の順波長分散性を示す。よって、長波長で測定した屈折率ｎ２は、短波長で測定した屈折率ｎ２よりも小さくなり、且つ、それらの差は大きい。そのため、測定波長が短いと屈折率ｎ１と屈折率ｎ２との差Δｎは小さく、測定波長が長いと屈折率ｎ１と屈折率ｎ２との差Δｎが大きくなる。このようにして、主鎖メソゲン１ａ及び側鎖メソゲン１ｂに由来して逆波長分散性の複屈折が発現できる。
【００４６】
前記式（Ｉ）において、Ｙ１〜Ｙ８は、それぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ１−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ１−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ１−、−ＮＲ１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ１−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ１−、−Ｏ−ＮＲ１−、又は、−ＮＲ１−Ｏ−を表す。
【００４７】
ここで、Ｒ１は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒ１の炭素数１〜６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−へキシル基が挙げられる。
Ｒ１としては、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基が好ましい。
【００４８】
化合物（Ｉ）においては、Ｙ１〜Ｙ８は、それぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、又は、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−であることが好ましい。
【００４９】
前記式（Ｉ）において、Ｇ１及びＧ２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数１〜２０の二価の脂肪族基を表す。
炭素数１〜２０の二価の脂肪族基としては、例えば、炭素数１〜２０のアルキレン基、炭素数２〜２０のアルケニレン基等の鎖状構造を有する二価の脂肪族基；炭素数３〜２０のシクロアルカンジイル基、炭素数４〜２０のシクロアルケンジイル基、炭素数１０〜３０の二価の脂環式縮合環基等の二価の脂肪族基；が挙げられる。
【００５０】
Ｇ１及びＧ２の二価の脂肪族基の置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−へキシルオキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；が挙げられる。なかでも、フッ素原子、メトキシ基及びエトキシ基が好ましい。
【００５１】
また、前記脂肪族基には、１つの脂肪族基当たり１以上の−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ２−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ２−、−ＮＲ２−、又は、−Ｃ（＝Ｏ）−が介在していてもよい。ただし、−Ｏ−又は−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。ここで、Ｒ２は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、水素原子又はメチル基であることが好ましい。
前記脂肪族基に介在する基としては、−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−が好ましい。
【００５２】
これらの基が介在する脂肪族基の具体例としては、例えば、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ２−、−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＮＲ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＮＲ２−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−が挙げられる。
【００５３】
これらの中でも、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、Ｇ１及びＧ２は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキレン基、炭素数２〜２０のアルケニレン基等の鎖状構造を有する二価の脂肪族基が好ましく、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、デカメチレン基〔−（ＣＨ２）１０−〕等の、炭素数１〜１２のアルキレン基がより好ましく、テトラメチレン基〔−（ＣＨ２）４−〕、ヘキサメチレン基〔−（ＣＨ２）６−〕、オクタメチレン基〔−（ＣＨ２）８−〕、及び、デカメチレン基〔−（ＣＨ２）１０−〕が特に好ましい。
【００５４】
前記式（Ｉ）において、Ｚ１及びＺ２は、それぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜１０のアルケニル基を表す。
該アルケニル基の炭素数としては、２〜６が好ましい。Ｚ１及びＺ２のアルケニル基の置換基であるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられ、塩素原子が好ましい。
【００５５】
Ｚ１及びＺ２の炭素数２〜１０のアルケニル基の具体例としては、ＣＨ２＝ＣＨ−、ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）−、ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２−、ＣＨ３−ＣＨ＝ＣＨ−、ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２−ＣＨ２−、ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）−ＣＨ２−ＣＨ２−、（ＣＨ３）２Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ２−、（ＣＨ３）２Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ２−ＣＨ２−、ＣＨ２＝Ｃ（Ｃｌ）−、ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）−ＣＨ２−、ＣＨ３−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−が挙げられる。
【００５６】
なかでも、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、Ｚ１及びＺ２としては、それぞれ独立して、ＣＨ２＝ＣＨ−、ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）−、ＣＨ２＝Ｃ（Ｃｌ）−、ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２−、ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）−ＣＨ２−、又は、ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）−ＣＨ２−ＣＨ２−が好ましく、ＣＨ２＝ＣＨ−、ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）−、又は、ＣＨ２＝Ｃ（Ｃｌ）−がより好ましく、ＣＨ２＝ＣＨ−が特に好ましい。
【００５７】
前記式（Ｉ）において、Ａｘは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。「芳香環」は、Ｈｕｃｋｅｌ則に従う広義の芳香族性を有する環状構造、すなわち、π電子を（４ｎ＋２）個有する環状共役構造、及びチオフェン、フラン、ベンゾチアゾール等に代表される、硫黄、酸素、窒素等のヘテロ原子の孤立電子対がπ電子系に関与して芳香族性を示す環状構造を意味する。
【００５８】
Ａｘの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基は、芳香環を複数個有するものであってもよく、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環の両方を有するものであってもよい。
【００５９】
前記芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等が挙げられる。前記芳香族複素環としては、ピロール環、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環等の単環の芳香族複素環；ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノリン環、フタラジン環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾピラゾール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、チアゾロピリジン環、オキサゾロピリジン環、チアゾロピラジン環、オキサゾロピラジン環、チアゾロピリダジン環、オキサゾロピリダジン環、チアゾロピリミジン環、オキサゾロピリミジン環等の縮合環の芳香族複素環；が挙げられる。
【００６０】
Ａｘが有する芳香環は置換基を有していてもよい。かかる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ５；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ５；−ＳＯ２Ｒ６；等が挙げられる。ここで、Ｒ５は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、又は、炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表し、Ｒ６は、後述するＲ４と同じく、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。
【００６１】
また、Ａｘが有する芳香環は、同一又は相異なる置換基を複数有していてもよく、隣り合った二つの置換基が一緒になって結合して環を形成していてもよい。形成される環は単環であってもよく、縮合多環であってもよく、不飽和環であってもよく、飽和環であってもよい。
さらに、Ａｘの炭素数２〜３０の有機基の「炭素数」は、置換基の炭素原子を含まない有機基全体の総炭素数を意味する（後述するＡｙにて同じである。）。
【００６２】
Ａｘの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基としては、例えば、芳香族炭化水素環基；芳香族複素環基；芳香族炭化水素環及び複素環の組み合わせを含む基；芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数３〜３０のアルキル基；芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数４〜３０のアルケニル基；芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数４〜３０のアルキニル基；が挙げられる。
【００６３】
Ａｘの好ましい具体例を以下に示す。但し、Ａｘは以下に示すものに限定されるものではない。なお、下記式中、「−」は環の任意の位置からのびる結合手を表す（以下にて同じである。）。
（１）芳香族炭化水素環基
【００６４】
【化４】
2018173773.tif 000006
【００６５】
【化５】
2018173773.tif 000007
【００６６】
（２）芳香族複素環基
【００６７】
【化６】
2018173773.tif 000008
【００６８】
【化７】
2018173773.tif 000009
【００６９】
上記式中、Ｅは、ＮＲ６ａ、酸素原子又は硫黄原子を表す。ここで、Ｒ６ａは、水素原子；又は、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基を表す。
【００７０】
【化８】
2018173773.tif 000010
【００７１】
上記式中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立して、ＮＲ７、酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−、又は、−ＳＯ２−を表す（ただし、酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−、−ＳＯ２−が、それぞれ隣接する場合を除く。）。Ｒ７は、前記Ｒ６ａと同じく、水素原子；又は、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基を表す。
【００７２】
【化９】
2018173773.tif 000011
【００７３】
（上記式中、Ｘは前記と同じ意味を表す。）
【００７４】
【化１０】
2018173773.tif 000012
【００７５】
〔各式中、Ｘ１は、−ＣＨ２−、−ＮＲｃ−、酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−または−ＳＯ２−を表し、Ｅ１は、−ＮＲｃ−、酸素原子または硫黄原子を表す。ここで、Ｒｃは、水素原子、または、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基を表す。（但し、各式中において酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−、−ＳＯ２−は、それぞれ隣接しないものとする。）〕
（３）芳香族炭化水素環及び複素環の組み合わせを含む基
【００７６】
【化１１】
2018173773.tif 000013
【００７７】
（上記式中、Ｘ、及びＹは、それぞれ独立して、前記と同じ意味を表す。また、上記式中、Ｚは、ＮＲ７、酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−、又は、−ＳＯ２−を表す（ただし、酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−、−ＳＯ２−が、それぞれ隣接する場合を除く。）。）
（４）芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、アルキル基
【００７８】
【化１２】
2018173773.tif 000014
【００７９】
（５）芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、アルケニル基
【００８０】
【化１３】
2018173773.tif 000015
【００８１】
（６）芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、アルキニル基
【００８２】
【化１４】
2018173773.tif 000016
【００８３】
上記したＡｘの中でも、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環基、炭素数４〜３０の芳香族複素環基、又は、芳香族炭化水素環及び複素環の組み合わせを含む炭素数４〜３０の基であることが好ましく、下記に示すいずれかの基であることがより好ましい。
【００８４】
【化１５】
2018173773.tif 000017
【００８５】
【化１６】
2018173773.tif 000018
【００８６】
さらに、Ａｘは、下記に示すいずれかの基であることが更に好ましい。
【００８７】
【化１７】
2018173773.tif 000019
【００８８】
Ａｘが有する環は、置換基を有していてもよい。かかる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ８；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ８；−ＳＯ２Ｒ６；が挙げられる。ここでＲ８は、メチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル基；又は、フェニル基等の炭素数６〜１４のアリール基；を表す。なかでも、置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、及び炭素数１〜６のアルコキシ基が好ましい。
【００８９】
Ａｘが有する環は、同一又は相異なる置換基を複数有していてもよく、隣り合った二つの置換基が一緒になって結合して環を形成していてもよい。形成される環は、単環であってもよく、縮合多環であってもよい。
Ａｘの炭素数２〜３０の有機基の「炭素数」は、置換基の炭素原子を含まない有機基全体の総炭素数を意味する（後述するＡｙにて同じである。）。
【００９０】
前記式（Ｉ）において、Ａｙは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ３、−ＳＯ２−Ｒ４、−Ｃ（＝Ｓ）ＮＨ−Ｒ９、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。ここで、Ｒ３は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、炭素数５〜１２の芳香族炭化水素環基を表す。Ｒ４は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。Ｒ９は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数５〜２０の芳香族基を表す。
【００９１】
Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基の炭素数１〜２０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、１−メチルペンチル基、１−エチルペンチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−へキシル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基が挙げられる。置換基を有してもよい炭素数１〜２０のアルキル基の炭素数は、１〜１２であることが好ましく、４〜１０であることが更に好ましい。
【００９２】
Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基の炭素数２〜２０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基、トリデセニル基、テトラデセニル基、ペンタデセニル基、ヘキサデセニル基、ヘプタデセニル基、オクタデセニル基、ノナデセニル基、イコセニル基が挙げられる。置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基の炭素数は、２〜１２であることが好ましい。
【００９３】
Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基の炭素数３〜１２のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基が挙げられる。
【００９４】
Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基の炭素数２〜２０のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロピニル基、２−プロピニル基（プロパルギル基）、ブチニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、ペンチニル基、２−ペンチニル基、ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、ヘプチニル基、オクチニル基、２−オクチニル基、ノナニル基、デカニル基、７−デカニル基が挙げられる。
【００９５】
Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、及び置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基の置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜２０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基等の、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜８のシクロアルキル基；シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素数３〜８のシクロアルキルオキシ基；テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、ジオキソラニル基、ジオキサニル基等の炭素数２〜１２の環状エーテル基；フェノキシ基、ナフトキシ基等の炭素数６〜１４のアリールオキシ基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、−ＣＨ２ＣＦ３等の、少なくとも１個がフッ素原子で置換された炭素数１〜１２のフルオロアルコキシ基；ベンゾフリル基；ベンゾピラニル基；ベンゾジオキソリル基；ベンゾジオキサニル基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ７ａ；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ７ａ；−ＳＯ２Ｒ８ａ；−ＳＲ１０；−ＳＲ１０で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基；水酸基；が挙げられる。ここで、Ｒ７ａ及びＲ１０は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環基を表す。Ｒ８ａは、前記Ｒ４と同じく、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。
【００９６】
Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基の置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜８のシクロアルキル基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ７ａ；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ７ａ；−ＳＯ２Ｒ８ａ；水酸基；が挙げられる。ここでＲ７ａ及びＲ８ａは、前記と同じ意味を表す。
【００９７】
Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基の置換基としては、例えば、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、及び、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基の置換基と同じ置換基が挙げられる。
【００９８】
Ａｙの、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ３で表される基において、Ｒ３は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、炭素数５〜１２の芳香族炭化水素環基を表す。これらの具体例は、前記Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、及び、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基；並びに、前記Ａｘで説明した芳香族炭化水素環基のうち炭素数が５〜１２のものの例として挙げたものと同じものが挙げられる。
【００９９】
Ａｙの、−ＳＯ２−Ｒ４で表される基において、Ｒ４は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。Ｒ４の、炭素数１〜２０のアルキル基、及び炭素数２〜２０のアルケニル基の具体例は、前記Ａｙの、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基の例として挙げたものと同じものが挙げられる。
【０１００】
Ａｙの、−Ｃ（＝Ｓ）ＮＨ−Ｒ９で表される基において、Ｒ９は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数５〜２０の芳香族基を表す。これらの具体例は、前記Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基；並びに、前記Ａｘで説明した芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基等の芳香族基のうち炭素数が５〜２０のものの例として挙げたものと同じものが挙げられる。
【０１０１】
Ａｙの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基としては、前記Ａｘで説明したのと同じものが挙げられる。
【０１０２】
これらの中でも、Ａｙとしては、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ３、−ＳＯ２−Ｒ４、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基で表される基が好ましい。さらに、Ａｙとしては、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、置換基を有してもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環基、置換基を有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、置換基を有していてもよく芳香族炭化水素環及び複素環の組み合わせを含む炭素数３〜９の基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ３、−ＳＯ２−Ｒ４で表される基が更に好ましい。ここで、Ｒ３及びＲ４は、前記と同じ意味を表す。
【０１０３】
Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基の置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２〜１２の環状エーテル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、フェニルスルホニル基、４−メチルフェニルスルホニル基、ベンゾイル基、−ＳＲ１０が好ましい。ここで、Ｒ１０は前記と同じ意味を表す。
【０１０４】
Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環基、置換基を有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、置換基を有していてもよく芳香族炭化水素環及び複素環の組み合わせを含む炭素数３〜９の基の置換基としては、フッ素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基が好ましい。
【０１０５】
また、ＡｘとＡｙは、一緒になって、環を形成していてもよい。かかる環としては、例えば、置換基を有していてもよい、炭素数４〜３０の不飽和複素環、炭素数６〜３０の不飽和炭素環が挙げられる。
【０１０６】
前記炭素数４〜３０の不飽和複素環、及び、炭素数６〜３０の不飽和炭素環は、特に制約はなく、芳香族性を有していても有していなくてもよい。
ＡｘとＡｙが一緒になって形成される環としては、例えば、下記に示す環が挙げられる。なお、下記に示す環は、式（Ｉ）中の
【０１０７】
【化１８】
2018173773.tif 000020
【０１０８】
として表される部分を示すものである。
【０１０９】
【化１９】
2018173773.tif 000021
【０１１０】
【化２０】
2018173773.tif 000022
【０１１１】
【化２１】
2018173773.tif 000023
【０１１２】
（式中、Ｘ、Ｙ、Ｚは、前記と同じ意味を表す。）
また、これらの環は置換基を有していてもよい。かかる置換基としては、Ａｘが有する芳香環の置換基として説明したのと同じものが挙げられる。
【０１１３】
ＡｘとＡｙに含まれるπ電子の総数は、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、好ましくは４以上、より好ましくは６以上であり、好ましくは２４以下、より好ましくは２０以下、特に好ましくは１８以下である。
【０１１４】
ＡｘとＡｙの好ましい組み合わせとしては、下記の組み合わせ（α）及び組み合わせ（β）が挙げられる。
（α）Ａｘが炭素数４〜３０の、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基、又は、芳香族炭化水素環及び複素環の組み合わせを含む基であり、Ａｙが水素原子、炭素数３〜８のシクロアルキル基、（ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、若しくは炭素数３〜８のシクロアルキル基）を置換基として有していてもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環基、（ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基）を置換基として有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、（ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基）を置換基として有していてもよく芳香族炭化水素環及び複素環の組み合わせを含む炭素数３〜９の基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルケニル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基であり、当該置換基が、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２〜１２の環状エーテル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、ベンゼンスルホニル基、ベンゾイル基及び−ＳＲ１０のいずれかである組み合わせ。
（β）ＡｘとＡｙが一緒になって不飽和複素環又は不飽和炭素環を形成している組み合わせ。
ここで、Ｒ１０は前記と同じ意味を表す。
【０１１５】
ＡｘとＡｙのより好ましい組み合わせとしては、下記の組み合わせ（γ）が挙げられる。
（γ）Ａｘが下記構造を有する基のいずれかであり、Ａｙが水素原子、炭素数３〜８のシクロアルキル基、（ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、若しくは炭素数３〜８のシクロアルキル基）を置換基として有していてもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環基、（ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基）を置換基として有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、（ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基）を置換基として有していてもよく芳香族炭化水素環及び複素環の組み合わせを含む炭素数３〜９の基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルケニル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基であり、当該置換基が、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２〜１２の環状エーテル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、ベンゼンスルホニル基、ベンゾイル基、−ＳＲ１０のいずれかである組み合わせ。ここで、Ｒ１０は前記と同じ意味を表す。
【０１１６】
【化２２】
2018173773.tif 000024
【０１１７】
【化２３】
2018173773.tif 000025
【０１１８】
（式中、Ｘ、Ｙは、前記と同じ意味を表す。）
ＡｘとＡｙの特に好ましい組み合わせとしては、下記の組み合わせ（δ）が挙げられる。
（δ）Ａｘが下記構造を有する基のいずれかであり、Ａｙが水素原子、炭素数３〜８のシクロアルキル基、（ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、若しくは炭素数３〜８のシクロアルキル基）を置換基として有していてもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環基、（ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基）を置換基として有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、（ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基）を置換基として有していてもよく芳香族炭化水素環及び複素環の組み合わせを含む炭素数３〜９の基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルケニル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基であり、当該置換基が、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２〜１２の環状エーテル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、ベンゼンスルホニル基、ベンゾイル基、及び、−ＳＲ１０のいずれかである組み合わせ。下記式中、Ｘは前記と同じ意味を表す。ここで、Ｒ１０は前記と同じ意味を表す。
【０１１９】
【化２４】
2018173773.tif 000026
【０１２０】
前記式（Ｉ）において、Ａ１は、置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。三価の芳香族基としては、三価の炭素環式芳香族基であってもよく、三価の複素環式芳香族基であってもよい。本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、三価の炭素環式芳香族基が好ましく、三価のベンゼン環基又は三価のナフタレン環基がより好ましく、下記式に示す三価のベンゼン環基又は三価のナフタレン環基がさらに好ましい。なお、下記式においては、結合状態をより明確にすべく、置換基Ｙ１、Ｙ２を便宜上記載している（Ｙ１、Ｙ２は、前記と同じ意味を表す。以下にて同じ。）。
【０１２１】
【化２５】
2018173773.tif 000027
【０１２２】
これらの中でも、Ａ１としては、下記に示す式（Ａ１１）〜（Ａ２５）で表される基がより好ましく、式（Ａ１１）、（Ａ１３）、（Ａ１５）、（Ａ１９）、（Ａ２３）で表される基がさらに好ましく、式（Ａ１１）、（Ａ２３）で表される基が特に好ましい。
【０１２３】
【化２６】
2018173773.tif 000028
【０１２４】
Ａ１の、三価の芳香族基が有していてもよい置換基としては、前記Ａｘの芳香環の置換基として説明したのと同じものが挙げられる。Ａ１としては、置換基を有さないものが好ましい。
【０１２５】
前記式（Ｉ）において、Ａ２及びＡ３は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基を表す。炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基としては、例えば、炭素数３〜３０のシクロアルカンジイル基、炭素数１０〜３０の二価の脂環式縮合環基が挙げられる。
【０１２６】
炭素数３〜３０のシクロアルカンジイル基としては、例えば、シクロプロパンジイル基；シクロブタン−１，２−ジイル基、シクロブタン−１，３−ジイル基等のシクロブタンジイル基；シクロペンタン−１，２−ジイル基、シクロペンタン−１，３−ジイル基等のシクロペンタンジイル基；シクロヘキサン−１，２−ジイル基、シクロヘキサン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基等のシクロへキサンジイル基；シクロヘプタン−１，２−ジイル基、シクロヘプタン−１，３−ジイル基、シクロヘプタン−１，４−ジイル基等のシクロへプタンジイル基；シクロオクタン−１，２−ジイル基、シクロオクタン−１，３−ジイル基、シクロオクタン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等のシクロオクタンジイル基；シクロデカン−１，２−ジイル基、シクロデカン−１，３−ジイル基、シクロデカン−１，４−ジイル基、シクロデカン−１，５−ジイル基等のシクロデカンジイル基；シクロドデカン−１，２−ジイル基、シクロドデカン−１，３−ジイル基、シクロドデカン−１，４−ジイル基、シクロドデカン−１，５−ジイル基等のシクロドデカンジイル基；シクロテトラデカン−１，２−ジイル基、シクロテトラデカン−１，３−ジイル基、シクロテトラデカン−１，４−ジイル基、シクロテトラデカン−１，５−ジイル基、シクロテトラデカン−１，７−ジイル基等のシクロテトラデカンジイル基；シクロエイコサン−１，２−ジイル基、シクロエイコサン−１，１０−ジイル基等のシクロエイコサンジイル基；が挙げられる。
【０１２７】
炭素数１０〜３０の二価の脂環式縮合環基としては、例えば、デカリン−２，５−ジイル基、デカリン−２，７-ジイル基等のデカリンジイル基；アダマンタン−１，２−ジイル基、アダマンタン−１，３−ジイル基等のアダマンタンジイル基；ビシクロ［２．２．１］へプタン−２，３−ジイル基、ビシクロ［２．２．１］へプタン−２，５-ジイル基、ビシクロ［２．２．１］へプタン−２，６−ジイル基等のビシクロ［２．２．１］へプタンジイル基；が挙げられる。
【０１２８】
これらの二価の脂環式炭化水素基は、任意の位置に置換基を有していてもよい。置換基としては、前記Ａｘの芳香環の置換基として説明したものと同じものが挙げられる。
【０１２９】
これらの中でも、Ａ２及びＡ３としては、炭素数３〜１２の二価の脂環式炭化水素基が好ましく、炭素数３〜１２のシクロアルカンジイル基がより好ましく、下記式（Ａ３１）〜（Ａ３４）で表される基がさらに好ましく、下記式（Ａ３２）で表される基が特に好ましい。
【０１３０】
【化２７】
2018173773.tif 000029
【０１３１】
前記炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基は、Ｙ１及びＹ３（又はＹ２及びＹ４）と結合する炭素原子の立体配置の相違に基づく、シス型及びトランス型の立体異性体が存在しうる。例えば、シクロヘキサン−１，４−ジイル基の場合には、下記に示すように、シス型の異性体（Ａ３２ａ）とトランス型の異性体（Ａ３２ｂ）が存在し得る。
【０１３２】
【化２８】
2018173773.tif 000030
【０１３３】
前記炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基は、シス型であってもよく、トランス型であってもよく、シス型及びトランス型の異性体混合物であってもよい。中でも、配向性が良好であることから、トランス型あるいはシス型であるのが好ましく、トランス型がより好ましい。
【０１３４】
前記式（Ｉ）において、Ａ４及びＡ５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数６〜３０の二価の芳香族基を表す。Ａ４及びＡ５の芳香族基は、単環のものであっても、多環のものであってもよい。Ａ４及びＡ５の好ましい具体例としては、下記のものが挙げられる。
【０１３５】
【化２９】
2018173773.tif 000031
【０１３６】
上記Ａ４及びＡ５の二価の芳香族基は、任意の位置に置換基を有していてもよい。当該置換基としては、例えば、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ニトロ基、−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ８ｂ基；が挙げられる。ここでＲ８ｂは、炭素数１〜６のアルキル基である。なかでも、置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、アルコキシ基が好ましい。また、ハロゲン原子としては、フッ素原子がより好ましく、炭素数１〜６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基がより好ましく、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基がより好ましい。
【０１３７】
これらの中でも、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、Ａ４及びＡ５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、下記式（Ａ４１）、（Ａ４２）又は（Ａ４３）で表される基がより好ましく、置換基を有していてもよい式（Ａ４１）で表される基が特に好ましい。
【０１３８】
【化３０】
2018173773.tif 000032
【０１３９】
前記式（Ｉ）において、Ｑ１は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を示す。置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、前記Ａｙで説明した置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基のうち、炭素数が１〜６のものが挙げられる。これらの中でも、Ｑ１は、水素原子及び炭素数１〜６のアルキル基が好ましく、水素原子及びメチル基がより好ましい。
【０１４０】
前記式（Ｉ）において、ｍ及びｎは、それぞれ独立に、０又は１を表す。中でも、ｍは好ましくは１であり、また、ｎは好ましくは１である。
【０１４１】
化合物（Ｉ）は、例えば、下記に示す反応により製造しうる。
【０１４２】
【化３１】
2018173773.tif 000033
【０１４３】
（式中、Ｙ１〜Ｙ８、Ｇ１、Ｇ２、Ｚ１、Ｚ２、Ａｘ、Ａｙ、Ａ１〜Ａ５、Ｑ１、ｍ及びｎは、前記と同じ意味を表す。）
【０１４４】
前記の反応式に示したように、式（３）で表されるヒドラジン化合物と式（４）で表されるカルボニル化合物とを反応させることにより、化合物（Ｉ）を製造することができる。以下、式（３）で表されるヒドラジン化合物を、適宜「ヒドラジン化合物（３）」ということがある。また、式（４）で表されるカルボニル化合物を、適宜「カルボニル化合物（４）」ということがある。
【０１４５】
前記の反応において、「ヒドラジン化合物（３）：カルボニル化合物（４）」のモル比は、好ましくは１：２〜２：１、より好ましくは１：１．５〜１．５：１である。このようなモル比で反応させることにより、高選択的かつ高収率で、目的とする化合物（Ｉ）を製造できる。
【０１４６】
この場合、反応系は、（±）−１０−カンファースルホン酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸；塩酸、硫酸等の無機酸；等の酸触媒を含んでいてもよい。酸触媒を用いることで、反応時間が短縮され、収率が向上する場合がある。酸触媒の量は、カルボニル化合物（４）１モルに対して、通常０．００１モル〜１モルである。また、酸触媒は、反応系にそのまま配合してもよく、適切な溶液に溶解させた溶液として配合してもよい。
【０１４７】
この反応に用いる溶媒としては、反応に不活性なものを用いうる。溶媒としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒；酢酸エチル、酢酸プロピル、プロピオン酸メチル等のエステル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド系溶媒；ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄系溶媒；及びこれらの２種以上からなる混合溶媒；等が挙げられる。これらの中でも、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、及び、アルコール系溶媒とエーテル系溶媒の混合溶媒が好ましい。
【０１４８】
溶媒の使用量は、特に限定されず、用いる化合物の種類及び反応規模等を考慮して設定しうる。溶媒の具体的な使用量は、ヒドラジン化合物（３）１ｇに対し、通常１ｇ〜１００ｇである。
【０１４９】
反応は、通常、−１０℃以上、用いる溶媒の沸点以下の温度範囲で、円滑に進行しうる。各反応の反応時間は、反応規模によるが、通常、数分から数時間である。
【０１５０】
ヒドラジン化合物（３）は、次のようにして製造しうる。
【０１５１】
【化３２】
2018173773.tif 000034
【０１５２】
（式中、Ａｘ及びＡｙは、前記と同じ意味を表す。Ｘａは、ハロゲン原子、メタンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基等の脱離基を表す。）
【０１５３】
前記の反応式に示したように、式（２ａ）で表される化合物とヒドラジン（１）とを、適切な溶媒中で反応させることで、対応するヒドラジン化合物（３ａ）を得ることができる。この反応における「化合物（２ａ）：ヒドラジン（１）」のモル比は、好ましくは１：１〜１：２０、より好ましくは１：２〜１：１０である。さらに、ヒドラジン化合物（３ａ）と式（２ｂ）で表される化合物とを反応させることで、ヒドラジン化合物（３）を得ることができる。
【０１５４】
ヒドラジン（１）としては、通常１水和物のものを用いうる。ヒドラジン（１）は、市販品をそのまま使用することができる。
【０１５５】
この反応に用いる溶媒としては、反応に不活性なものを用いうる。溶媒としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド系溶媒；ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄系溶媒；及びこれらの２種以上からなる混合溶媒；が挙げられる。これらの中でも、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、及び、アルコール系溶媒とエーテル系溶媒の混合溶媒が好ましい。
【０１５６】
溶媒の使用量は、特に限定されず、用いる化合物の種類及び反応規模等を考慮して設定しうる。溶媒の具体的な使用量は、ヒドラジン１ｇに対し、通常１ｇ〜１００ｇである。
【０１５７】
反応は、通常、−１０℃以上、用いる溶媒の沸点以下の温度範囲で、円滑に進行しうる。各反応の反応時間は、反応規模によるが、通常、数分から数時間である。
【０１５８】
また、ヒドラジン化合物（３）は、次のように、公知の方法を用いて、ジアゾニウム塩（５）を還元することによっても製造しうる。
【０１５９】
【化３３】
2018173773.tif 000035
【０１６０】
式（５）中、Ａｘ及びＡｙは、前記と同じ意味を表す。Ｘｂ−は、ジアゾニウムに対する対イオンである陰イオンを示す。Ｘｂ−としては、例えば、ヘキサフルオロリン酸イオン、ホウフッ化水素酸イオン、塩化物イオン、硫酸イオン等の無機陰イオン；ポリフルオロアルキルカルボン酸イオン、ポリフルオロアルキルスルホン酸イオン、テトラフェニルホウ酸イオン、芳香族カルボン酸イオン、芳香族スルホン酸イオン等の有機陰イオン；が挙げられる。
【０１６１】
上記反応に用いる還元剤としては、例えば金属塩還元剤が挙げられる。金属塩還元剤とは、一般に、低原子価金属を含む化合物、もしくは金属イオンとヒドリド源からなる化合物である（「有機合成実験法ハンドブック」１９９０年社団法人有機合成化学協会編  丸善株式会社発行８１０ページを参照）。
【０１６２】
金属塩還元剤としては、例えば、ＮａＡｌＨ４、ＮａＡｌＨｐ（Ｏｒ）ｑ（ｐ及びｑは、それぞれ独立して１〜３の整数を表し、ｐ＋ｑ＝４である。ｒは、炭素数１〜６のアルキル基を表す。）、ＬｉＡｌＨ４、ｉＢｕ２ＡｌＨ、ＬｉＢＨ４、ＮａＢＨ４、ＳｎＣｌ２、ＣｒＣｌ２、ＴｉＣｌ３が挙げられる。ここで「ｉＢｕ」は、イソブチル基を表す。
【０１６３】
還元反応においては公知の反応条件を採用しうる。例えば、特開２００５−３３６１０３号公報、新実験化学講座  １９７８年  丸善株式会社発行  １４巻、実験化学講座  １９９２年  丸善株式会社発行  ２０巻、等の文献に記載の条件で反応を行いうる。
また、ジアゾニウム塩（５）は、アニリン等の化合物から常法により製造しうる。
【０１６４】
カルボニル化合物（４）は、例えば、エーテル結合（−Ｏ−）、エステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−）、カーボネート結合（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）及びアミド結合（−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−）の形成反応を任意に組み合わせて、所望の構造を有する複数の公知化合物を適切に結合及び修飾することにより、製造しうる。
【０１６５】
エーテル結合の形成は、以下のようにして行いうる。
（ｉ）式：Ｄ１−ｈａｌ（ｈａｌはハロゲン原子を表す。以下にて同じ。）で表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＭｅｔ（Ｍｅｔはアルカリ金属（主にナトリウム）を表す。以下にて同じ。）で表される化合物とを、混合して縮合させる（ウイリアムソン合成）。なお、式中、Ｄ１及びＤ２は任意の有機基を表す（以下にて同じ。）。
（ii）式：Ｄ１−ｈａｌで表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＨで表される化合物とを、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基存在下、混合して縮合させる。
（iii）式：Ｄ１−Ｊ（Ｊはエポキシ基を表す。）で表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＨで表される化合物とを、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基存在下、混合して縮合させる。
（iv）式：Ｄ１−ＯＦＮ（ＯＦＮは不飽和結合を有する基を表す。）で表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＭｅｔで表される化合物とを、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基存在下、混合して付加反応させる。
（ｖ）式：Ｄ１−ｈａｌで表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＭｅｔで表される化合物とを、銅あるいは塩化第一銅の存在下、混合して縮合させる（ウルマン縮合）。
【０１６６】
エステル結合及びアミド結合の形成は、以下のようにして行いうる。
（vi）式：Ｄ１−ＣＯＯＨで表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＨ又はＤ２−ＮＨ２で表される化合物とを、脱水縮合剤（Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイミド等）の存在下に脱水縮合させる。
（vii）式：Ｄ１−ＣＯＯＨで表される化合物にハロゲン化剤を作用させることにより、式：Ｄ１−ＣＯ−ｈａｌで表される化合物を得て、このものと式：Ｄ２−ＯＨ又はＤ２−ＮＨ２で表される化合物とを、塩基の存在下に反応させる。
（viii）式：Ｄ１−ＣＯＯＨで表される化合物に酸無水物を作用させることにより、混合酸無水物を得た後、このものと式：Ｄ２−ＯＨ又はＤ２−ＮＨ２で表される化合物とを反応させる。
（ix）式：Ｄ１−ＣＯＯＨで表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＨ又はＤ２−ＮＨ２で表される化合物とを、酸触媒あるいは塩基触媒の存在下に脱水縮合させる。
【０１６７】
カルボニル化合物（４）は、より具体的には、下記反応式に示す方法により製造しうる。
【０１６８】
【化３４】
2018173773.tif 000036
【０１６９】
（式中、Ｙ１〜Ｙ８、Ｇ１、Ｇ２、Ｚ１、Ｚ２、Ａ１〜Ａ５、Ｑ１、ｍ及びｎは、前記と同じ意味を表す。Ｌ１及びＬ２は、それぞれ独立に、水酸基、ハロゲン原子、メタンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基等の脱離基を表す。−Ｙ１ｂは、−Ｌ１と反応して−Ｙ１−となりうる基を表し、−Ｙ２ｂは、−Ｌ２と反応して−Ｙ２−となりうる基を表す。）
【０１７０】
前記の反応式に示したように、エーテル結合（−Ｏ−）、エステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−）、又は、カーボネート結合（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）の形成反応を用いることにより、式（６ｄ）で表される化合物に、式（７ａ）で表される化合物、次いで、式（７ｂ）で表される化合物を反応させて、カルボニル化合物（４）を製造することができる。
【０１７１】
具体例として、Ｙ１が、式：Ｙ１１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−で表される基であり、且つ、式：Ｚ２−Ｙ８−Ｇ２−Ｙ６−Ａ５−（Ｙ４−Ａ３）ｍ−Ｙ２−で表される基が、式：Ｚ１−Ｙ７−Ｇ１−Ｙ５−Ａ４−（Ｙ３−Ａ２）ｎ−Ｙ１−で表される基と同一である、化合物（４’）の製造方法を以下に示す。
【０１７２】
【化３５】
2018173773.tif 000037
【０１７３】
（式中、Ｙ３、Ｙ５、Ｙ７、Ｇ１、Ｚ１、Ａ１、Ａ２、Ａ４、Ｑ１、ｎ及びＬ１は、前記と同じ意味を表す。Ｙ１１は、Ｙ１１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−がＹ１となる基を表す。Ｙ１は前記と同じ意味を表す。）
【０１７４】
前記の反応式に示したように、式（６）で表されるジヒドロキシ化合物（化合物（６））と式（７）で表される化合物（化合物（７））とを反応させることにより、化合物（４’）を製造し得る。この反応における「化合物（６）：化合物（７）」のモル比は、好ましくは１：２〜１：４、より好ましくは１：２〜１：３である。このようなモル比で反応させることにより、高選択的かつ高収率で目的とする化合物（４’）を得ることができる。
【０１７５】
化合物（７）が、Ｌ１が水酸基である化合物（カルボン酸）である場合には、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩、ジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水縮合剤の存在下に反応させることにより、目的物を得ることができる。脱水縮合剤の使用量は、化合物（７）１モルに対し、通常１モル〜３モルである。
【０１７６】
また、化合物（７）が、Ｌ１が水酸基である化合物（カルボン酸）である場合には、メタンスルホニルクロリド、ｐ−トルエンスルホニルクロリド等のスルホニルハライド、及びトリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、４−（ジメチルアミノ）ピリジン等の塩基の存在下に反応させることによっても、目的物を得ることができる。スルホニルハライドの使用量は、化合物（７）１モルに対し、通常１モル〜３モルである。また、塩基の使用量は、化合物（７）１モルに対し、通常１モル〜３モルである。この場合、前記式（７）中、Ｌ１がスルホニルオキシ基の化合物（混合酸無水物）を単離して、次の反応を行ってもよい。
【０１７７】
さらに、化合物（７）が、Ｌ１がハロゲン原子である化合物（酸ハライド）である場合には、塩基の存在下に反応させることにより、目的物を得ることができる。塩基としては、例えば、トリエチルアミン、ピリジン等の有機塩基；水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム等の無機塩基が挙げられる。塩基の使用量は、化合物（７）１モルに対し、通常１モル〜３モルである。
【０１７８】
上記反応に用いる溶媒としては、例えば、クロロホルム、塩化メチレン等の塩素系溶媒；Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド系溶媒；１，４−ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，３−ジオキソラン等のエーテル溶媒；ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；シクロペンタン、シクロヘキサン等の脂環式炭化水素系溶媒；及びこれらの溶媒の２種以上からなる混合溶媒；等が挙げられる。
溶媒の使用量は、特に限定されず、用いる化合物の種類及び反応規模等を考慮して設定しうる。溶媒の具体的な使用量は、ヒドロキシ化合物（６）１ｇに対し、通常１ｇ〜５０ｇである。
【０１７９】
化合物（６）の多くは公知物質であり、公知の方法により製造しうる。例えば、下記反応式に示す方法により製造しうる（国際公開第２００９／０４２５４４号、及び、Ｔｈｅ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，２０１１，７６，８０８２−８０８７等参照。）。化合物（６）として市販されているものを、所望により精製して用いてもよい。
【０１８０】
【化３６】
2018173773.tif 000038
【０１８１】
（式中、Ａ１及びＱ１は、前記と同じ意味を表し、Ａ１ｂは、ホルミル化又はアシル化されることによりＡ１になりうる２価の芳香族基を表し、Ｒ’は、メチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル基、メトキシメチル基等の炭素数２〜６のアルコキシアルキル基等の、水酸基の保護基を表す。）
【０１８２】
前記の反応式に示したように、式（６ａ）で表されるジヒドロキシ化合物（１，４−ジヒドロキシベンゼン、１，４−ジヒドロキシナフタレン等）の水酸基をアルキル化して、式（６ｂ）で表される化合物を得る。その後、ＯＲ’基のオルト位を、公知の方法により、ホルミル化又はアシル化することにより、式（６ｃ）で表される化合物を得る。そして、このものを脱保護（脱アルキル化）することにより、目的とする化合物（６）を製造しうる。
また、化合物（６）として、市販されているものをそのまま、又は所望により精製して用いてもよい。
【０１８３】
化合物（７）の多くは公知化合物であり、例えば、エーテル結合（−Ｏ−）、エステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−）、カーボネート結合（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）及びアミド結合（−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−）の形成反応を任意に組み合わせて、所望の構造を有する複数の公知化合物を適切に結合及び修飾することにより、製造しうる。
【０１８４】
例えば、化合物（７）が、下記式（７’）で表される化合物（化合物（７’））である場合には、式（９’）で表されるジカルボン酸（化合物（９’））を用いて、下記のようにして製造することができる。
【０１８５】
【化３７】
2018173773.tif 000039
【０１８６】
（式中、Ｙ５、Ｙ７、Ｇ１、Ｚ１、Ａ２、Ａ４及びＹ１１は、前記と同じ意味を表す。Ｙ１２は、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｙ１２がＹ３となる基を表す。Ｒは、メチル基、エチル基等のアルキル基；フェニル基、ｐ−メチルフェニル基等の置換基を有していてもよいアリール基；を表す。）
【０１８７】
先ず、化合物（９’）に、式（１０）で表されるスルホニルクロライドを、トリエチルアミン、４−（ジメチルアミノ）ピリジン等の塩基存在下で反応させる。次いで、反応混合物に、化合物（８）と、トリエチルアミン、４−（ジメチルアミノ）ピリジン等の塩基を加えて反応を行う。
スルホニルクロライドの使用量は、化合物（９’）１当量に対して、通常０．５当量〜０．７当量である。
また、化合物（８）の使用量は、化合物（９’）１当量に対して、通常０．５当量〜０．６当量である。
塩基の使用量は、化合物（９’）１当量に対して、通常０．５当量〜０．７当量である。
反応温度は、２０℃〜３０℃であり、反応時間は反応規模等にもよるが、数分から数時間である。
【０１８８】
上記反応に用いる溶媒としては、前記化合物（４’）を製造する際に用いうる溶媒として例示したものが挙げられる。なかでも、エーテル溶媒が好ましい。
溶媒の使用量は、特に限定されず、用いる化合物の種類及び反応規模等を考慮して設定しうる。溶媒の具体的な使用量は、化合物（９’）１ｇに対し、通常１ｇ〜５０ｇである。
【０１８９】
いずれの反応においても、反応終了後は、有機合成化学における通常の後処理操作を行いうる。また、所望により、カラムクロマトグラフィー、再結晶法、蒸留法等の公知の分離精製法を施すことにより、目的物を単離しうる。
目的とする化合物の構造は、ＮＭＲスペクトル、ＩＲスペクトル、マススペクトル等の測定、元素分析等により、同定できる。
【０１９０】
［３．重合開始剤］
液晶組成物は、重合開始剤を含む。重合開始剤の種類は、液晶組成物に含まれる重合性の化合物の種類に応じて選択しうる。例えば、重合性の化合物がラジカル重合性であれば、ラジカル重合開始剤を使用しうる。また、重合性の化合物がアニオン重合性であれば、アニオン重合開始剤を使用しうる。さらに、重合性の化合物がカチオン重合性であれば、カチオン重合開始剤を使用しうる。重合開始剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
【０１９１】
ラジカル重合開始剤としては、加熱によって重合性の化合物の重合を開始しうる活性種を発生する化合物である熱ラジカル発生剤；可視光線、紫外線（ｉ線など）、遠紫外線、電子線、Ｘ線等の露光光の露光により、重合性の化合物の重合を開始しうる活性種を発生する化合物である光ラジカル発生剤；のいずれも使用可能である。中でも、ラジカル重合開始剤としては、光ラジカル発生剤が好適である。
【０１９２】
光ラジカル発生剤としては、例えば、アセトフェノン系化合物、ビイミダゾール系化合物、トリアジン系化合物、Ｏ−アシルオキシム系化合物、オニウム塩系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、α−ジケトン系化合物、多核キノン系化合物、キサントン系化合物、ジアゾ系化合物、イミドスルホナート系化合物を挙げられる。これらの化合物は、露光によって、活性ラジカル、活性酸、又は、活性ラジカル及び活性酸の両方を発生しうる。
【０１９３】
アセトフェノン系化合物の具体例としては、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）ブタン−１−オン、１−ヒドロキシシクロヘキシル・フェニルケトン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１，２−オクタンジオン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−４’−モルフォリノブチロフェノンを挙げることができる。
【０１９４】
ビイミダゾール系化合物の具体例としては、２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニル）−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−ブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニル）−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４−ジクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４，６−トリクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−ブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４−ジブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４，６−トリブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾールを挙げることができる。
【０１９５】
トリアジン系化合物の具体例としては、２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−メチル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−〔２−（５−メチルフラン−２−イル）エテニル〕−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−〔２−（フラン−２−イル）エテニル〕−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−〔２−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）エテニル〕−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−〔２−（３，４−ジメトキシフェニル）エテニル〕−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−エトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−ｎ−ブトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン等の、ハロメチル基を有するトリアジン系化合物を挙げることができる。
【０１９６】
Ｏ−アシルオキシム系化合物の具体例としては、１−〔４−（フェニルチオ）フェニル〕−ヘプタン−１，２−ジオン  ２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）、１−〔４−（フェニルチオ）フェニル〕−オクタン−１，２−ジオン  ２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）、１−〔４−（ベンゾイル）フェニル〕−オクタン−１，２−ジオン  ２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）、１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−エタノン  １−（Ｏ−アセチルオキシム）、１−［９−エチル−６−（３−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−エタノン  １−（Ｏ−アセチルオキシム）、１−（９−エチル−６−ベンゾイル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−エタノン  １−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−［９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロフラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロピラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−５−テトラヒドロフラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−５−テトラヒドロピラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−｛２−メチル−４−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラニル）ベンゾイル｝−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−［９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロフラニルメトキシベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロピラニルメトキシベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−５−テトラヒドロフラニルメトキシベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−５−テトラヒドロピラニルメトキシベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−｛２−メチル−４−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラニル）メトキシベンゾイル｝−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）を挙げることができる。
【０１９７】
光ラジカル発生剤としては、市販品をそのまま用いてもよい。具体例としては、ＢＡＳＦ社製の、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ９０７、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ１８４、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ３６９、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ６５１、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ８１９、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ９０７、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ３７９、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ  ＯＸＥ０２、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ  ＯＸＥ０４、ＡＤＥＫＡ社製の、商品名：アデカオプトマーＮ１９１９等が挙げられる。
【０１９８】
アニオン重合開始剤としては、例えば、アルキルリチウム化合物；ビフェニル、ナフタレン、ピレン等の、モノリチウム塩又はモノナトリウム塩；ジリチウム塩やトリリチウム塩等の多官能性開始剤；が挙げられる。
【０１９９】
カチオン重合開始剤としては、例えば、硫酸、リン酸、過塩素酸、トリフルオロメタンスルホン酸等のプロトン酸；三フッ化ホウ素、塩化アルミニウム、四塩化チタン、四塩化スズのようなルイス酸；芳香族オニウム塩又は芳香族オニウム塩と、還元剤との併用系；が挙げられる。
【０２００】
重合開始剤の量は、逆分散液晶性化合物１００重量部に対して、好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．５重量部以上であり、好ましくは３０重量部以下、より好ましくは１０重量部以下である。重合開始剤の量が前記範囲に収まることにより、重合を効率的に進行させることができる。
【０２０１】
［４．液晶組成物が含みうる任意の成分］
液晶組成物は、逆分散液晶性化合物及び重合開始剤に組み合わせて、更に任意の成分を含みうる。これらの任意の成分は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
【０２０２】
液晶組成物は、例えば、所望の液晶硬化層を安定して得る観点から、分子中にフッ素原子を含む界面活性剤を含むことが好ましい。以下の説明において、分子中にフッ素原子を含む界面活性剤を、適宜「フッ素系界面活性剤」ということがある。
【０２０３】
フッ素系界面活性剤としては、所定の範囲の１−オクタノール／水分配係数を有するものが特に好ましい。以下の説明において、１−オクタノール／水分配係数を、適宜「ｌｏｇＰ」と呼ぶことがある。フッ素系界面活性剤の具体的なｌｏｇＰの範囲は、好ましくは３．５以上であり、液晶硬化層での配向欠陥の発生を効果的に抑制できる観点から、より好ましくは４．８以上、さらに好ましくは５．３以上である。また、好ましくは６．７以下、より好ましくは６．３以下である。フッ素系界面活性剤のｌｏｇＰが前記範囲の上限以下であることにより、液晶性化合物の分子のチルト角が厚み方向において不連続に異なるという液晶硬化層の特異的な構造を容易に得ることができる。
【０２０４】
フッ素系界面活性剤のｌｏｇＰは、下記の測定方法によって測定しうる。
フッ素系界面活性剤を１重量％含む試料溶液を調製し、ＪＩＳ  ７２６０−１１７：２００６｛分配係数（１−オクタノール／水）の測定−高速液体クロマトグラフィー｝に概ね準拠した方法で、ＨＰＬＣ／ＥＬＳＤ分析（高速液体クロマトグラフィー／蒸発光散乱検出分析）を行って、溶出時間（ｒ．ｔ．）を測定する。他方、ＪＩＳ  ７２６０−１１７：２００６に記載のある、ｌｏｇＰの値が既知の標識化合物に、前記フッ素系界面活性剤と同じ操作により、ＨＰＬＣ／ＥＬＳＤ分析を行い、溶出時間（ｒ．ｔ．）を測定する。標識化合物の測定結果に基づいて、溶出時間とｌｏｇＰとの関係を示す検量線を作成する。その後、フッ素系界面活性剤について測定された溶出時間を、前記の検量線に当てはめることにより、フッ素系界面活性剤のｌｏｇＰを求める。
この測定方法の具体的な条件は、実施例の説明において詳述する条件を採用しうる。
【０２０５】
フッ素系界面活性剤は、フルオロアルキル基を含んでいてもよい。このフルオロアルキル基としては、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、パーフルオロアルキル基が好ましく、特に−Ｃ６Ｆ１３基が好ましい。
【０２０６】
フッ素系界面活性剤はノニオン系界面活性剤であることが好ましい。フッ素系界面活性剤がイオン性基を含まないノニオン系界面活性剤である場合に、液晶硬化層の面状態及び配向性を、特に良好にすることができる。
【０２０７】
フッ素系界面活性剤は、重合性を有さなくてもよく、重合性を有していてもよい。重合性を有するフッ素系界面活性剤は、液晶組成物の層を硬化させる工程で重合できるので、通常は、液晶硬化層においては重合体の分子の一部に含まれる。
【０２０８】
フッ素系界面活性剤としては、例えば、ＡＧＣセイミケミカル社製のサーフロンシリーズ（Ｓ４２０など）、ネオス社製のフタージェントシリーズ（２５１、ＦＴＸ−２１２Ｍ、ＦＴＸ−２１５Ｍ、ＦＴＸ−２０９など）、ＤＩＣ社製のメガファックシリーズ（Ｆ−４４４など）等が挙げられる。また、フッ素系界面活性剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
【０２０９】
フッ素系界面活性剤の量は、逆分散液晶性化合物１００重量部に対して、好ましくは０．１０重量部以上、より好ましくは０．１２重量部以上であり、好ましくは０．５０重量部以下、より好ましくは０．３０重量部以下である。フッ素系界面活性剤の量が前記の範囲にあることにより、液晶性化合物の分子のチルト角が厚み方向において不連続に異なる液晶硬化層を容易に実現することができる。
【０２１０】
液晶組成物は、例えば、溶媒を含みうる。溶媒としては、逆分散液晶性化合物を溶解できるものが好ましい。このような溶媒としては、通常、有機溶媒を用いる。有機溶媒の例としては、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン溶媒；酢酸ブチル、酢酸アミル等の酢酸エステル溶媒；クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素溶媒；１，４−ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，３−ジオキソラン、１，２−ジメトキシエタン等のエーテル溶媒；及びトルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒；が挙げられる。また、溶媒は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
【０２１１】
溶媒の沸点は、取り扱い性に優れる観点から、好ましくは６０℃〜２５０℃、より好ましくは６０℃〜１５０℃である。
【０２１２】
溶媒の量は、逆分散液晶性化合物１００重量部に対して、好ましくは２００重量部以上、より好ましくは２５０重量部以上、特に好ましくは３００重量部以上であり、好ましくは６５０重量部以下、より好ましくは５５０重量部以下、特に好ましくは４５０重量部以下である。溶媒の量を、前記範囲の下限値以上にすることにより異物発生の抑制ができ、前記範囲の上限値以下にすることにより乾燥負荷の低減ができる。
【０２１３】
液晶組成物は、例えば、試験組成物の残留分粘度を調整するための添加剤を含んでいてもよい。適切な種類の添加剤を適切な量だけ用いることにより、液晶性化合物を配向させる工程の液晶組成物の層と同一温度条件における試験組成物の残留分粘度を下げて、８００ｃＰ以下へと調整することができる。ただし、添加剤の種類及び量は、逆分散液晶性化合物の種類及び量などの要素に応じて様々であり、一概に規定できるものではない。よって、添加剤の種類及び量は、実験的に決定することが好ましい。
【０２１４】
液晶組成物は、例えば、逆分散液晶性化合物以外に任意の液晶性化合物を含んでいてもよい。任意の液晶性化合物の種類及び量が適切である場合、その任意の液晶性化合物は、試験組成物の残留分粘度を調整するための添加剤として機能できることがある。また、任意の液晶性化合物は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
【０２１５】
任意の液晶性化合物としては、例えば、順分散液晶性化合物を用いてもよい。ここで、前記の順分散液晶性化合物とは、順波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物をいう。順波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物とは、当該液晶性化合物の層を形成し、その層において液晶性化合物を配向させた場合に、順波長分散性の複屈折を発現する液晶性化合物をいう。通常は、液晶性化合物をホモジニアス配向させた場合に、液晶性化合物の層が順波長分散性の複屈折を示すかどうかを調べることで、その液晶性化合物が順波長分散性の複屈折を発現するかどうかを確認できる。
【０２１６】
また、順波長分散性の複屈折とは、波長４５０ｎｍにおける複屈折Δｎ（４５０）及び波長５５０ｎｍにおける複屈折Δｎ（５５０）が、下記式（Ｎ２）を満たす複屈折をいう。このような順波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物は、通常、測定波長が長いほど、小さい複屈折を発現できる。
Δｎ（４５０）＞Δｎ（５５０）  （Ｎ２）
【０２１７】
逆分散液晶性化合物及び任意の液晶性化合物の合計１００重量部に対する任意の液晶性化合物の量は、好ましくは２０重量部以下、より好ましくは１５重量部以下、特に好ましくは１２重量部以下である。任意の液晶性化合物の量を前記の範囲に収めることにより、逆波長分散性のレターデーションを有する液晶硬化層を、容易に得ることができる。
【０２１８】
さらに、任意の成分としては、例えば、金属；金属錯体；酸化チタン等の金属酸化物；染料、顔料等の着色剤；蛍光材料、燐光材料等の発光材料；レベリング剤；チキソ剤；ゲル化剤；多糖類；紫外線吸収剤；赤外線吸収剤；抗酸化剤；イオン交換樹脂；等が挙げられる。これらの成分の量は、逆分散液晶性化合物の合計１００重量部に対して、各々０．１重量部〜２０重量部としうる。
【０２１９】
［５．液晶組成物の層を形成する工程］
液晶硬化フィルムの製造方法では、液晶組成物の層を形成する工程を行う。通常は、適切な支持面に液晶組成物の層を形成する。
【０２２０】
支持面としては、液晶組成物の層を支持できる任意の面を用いうる。この支持面としては、液晶硬化層の面状態を良好にする観点から、通常、凹部及び凸部の無い平坦面を用いる。液晶硬化層の生産性を高める観点から、前記の支持面としては、長尺の基材の表面を用いることが好ましい。ここで「長尺」とは、幅に対して、５倍以上の長さを有する形状をいい、好ましくは１０倍若しくはそれ以上の長さを有し、具体的にはロール状に巻き取られて保管又は運搬される程度の長さを有するフィルムの形状をいう。
【０２２１】
基材としては、通常、樹脂フィルムやガラス板を用いる。特に、後述するように、高い温度で配向処理を行う場合、その温度に耐えうる基材を選択するのが好ましい。樹脂としては、通常、熱可塑性樹脂を用いる。中でも、配向規制力の高さ、機械的強度の高さ、及びコストの低さといった観点から、樹脂としては、正の固有複屈折値を有する樹脂が好ましい。更には、透明性、低吸湿性、寸法安定性及び軽量性に優れることから、ノルボルネン系樹脂等の、脂環式構造含有重合体を含む樹脂を用いることが好ましい。基材に含まれる樹脂の好適な例を商品名で挙げると、ノルボルネン系樹脂として、日本ゼオン社製「ゼオノア」を挙げうる。
【０２２２】
支持面としての基材の表面には、液晶組成物の層における液晶性化合物の配向を促進するため、配向規制力を付与するための処理が施されていることが好ましい。配向規制力とは、液晶組成物中の液晶性化合物を配向させることができる、支持面の性質をいう。支持面に配向規制力を付与するため処理としては、例えば、光配向処理、ラビング処理、配向膜形成処理、イオンビーム配向処理、延伸処理などが挙げられる。
【０２２３】
液晶組成物の層を形成する工程において、液晶組成物は、通常、流体状で用意される。そのため、通常は、支持面に液晶組成物を塗工して、前記液晶組成物の層を形成する。液晶組成物を塗工する方法としては、例えば、カーテンコーティング法、押し出しコーティング法、ロールコーティング法、スピンコーティング法、ディップコーティング法、バーコーティング法、スプレーコーティング法、スライドコーティング法、印刷コーティング法、グラビアコーティング法、ダイコーティング法、ギャップコーティング法、及びディッピング法が挙げられる。
【０２２４】
［６．液晶性化合物を配向させる工程］
液晶組成物の層を形成した後で、液晶組成物の層に含まれる逆分散液晶性化合物等の液晶性化合物を配向させる工程を行う。これにより、液晶組成物の層の面内方向においては、液晶性化合物は、通常、支持面の配向規制力に応じた方向に配向する。また、液晶性化合物は、層の厚み方向においては、不連続に異なるチルト角を有するように配向する。
【０２２５】
液晶性化合物を配向させる工程は、試験組成物の残留分粘度が所定範囲に収まる温度条件と同一温度条件に、液晶組成物の層を調整して、行う。前記残留分粘度の具体的範囲は、通常８００ｃＰ（センチポアズ）以下、好ましくは６００ｃＰ以下、より好ましくは４００ｃＰ以下、さらに好ましくは２００ｃＰ以下である。このように試験組成物の残留分粘度が低くなる温度条件と同一温度条件で液晶組成物の層中の液晶性化合物を配向させることにより、液晶性化合物の分子のチルト角が厚み方向において不連続に異なる液晶硬化層を得ることができる。前記残留分粘度の下限は、所望の厚みの液晶硬化層を得る観点から、好ましくは５ｃＰ以上、より好ましくは１０ｃＰ以上である。
【０２２６】
一般に、液晶組成物の層に含まれる液晶性化合物を配向させる工程では、液晶組成物の層の温度を、液晶性化合物の液晶化温度以上に調整する。このような温度においては、通常、液晶組成物に含まれる溶媒等の揮発性成分は気化し、固形分が残留する。高温による基材の劣化を避ける観点、及び、エネルギーコストの抑制の観点から、従来の液晶硬化層の形成方法では、配向時の温度はなるべく低く設定することが技術常識であった。そのため、従来の配向時の温度条件では、液晶組成物から重合開始剤を除いた試験組成物の残留成分の粘度は高い傾向があった。
これに対し、本発明では、配向時の温度条件として、液晶組成物から重合開始剤を除いた試験組成物の残留成分の粘度を低くできる温度条件と同一の温度条件をあえて設定している。そして、この温度条件において液晶組成物の層に含まれる液晶性化合物を配向させることにより、液晶性化合物の分子のチルト角が厚み方向において不連続に異なる液晶硬化層を得るという意外な効果を得ている。
【０２２７】
液晶性化合物を配向させる工程の液晶組成物の層と同一温度条件において試験組成物の残留分粘度を上述した範囲に収める方法としては、例えば、下記（Ａ）及び（Ｂ）の方法が挙げられる。
（Ａ）液晶性化合物を配向させる工程における液晶組成物の層の温度を、適切に調整する。
（Ｂ）液晶組成物の組成を、適切に調整する。
【０２２８】
前記（Ａ）の方法では、通常、液晶組成物の層の温度を十分に高温にすることで、この温度と同一温度条件での試験組成物の残留分粘度を低くして、上述した範囲となるように調整する。液晶化温度よりもどの程度高温にすることで試験組成物の残留分粘度を上述した範囲に調整できるかは、逆分散液晶性化合物の種類及び液晶組成物の組成によって一様ではない。また、従来は、液晶性化合物を含む組成物の温度とその温度における前記組成物の残留分粘度との一般的な関係についても、知られていない。よって、液晶性化合物を配向させる工程における液晶組成物の層の適切な温度の設定は、実験的に決定することが好ましい。
【０２２９】
また、前記（Ｂ）の方法では、通常、液晶組成物に含まれる成分として、逆分散液晶性化合物に適切な種類及び量の添加剤を組み合わせることで、当該添加剤を含む試験組成物の残留分粘度を低くして、上述した範囲となるように調整する。どのような種類の添加剤をどれだけの量だけ用いることで試験組成物の残留分粘度を上述した範囲に調整できるかは、逆分散液晶性化合物の種類及び液晶組成物の組成によって一様ではない。また、従来は、液晶性化合物を含む組成物の残留分粘度を調整するために一般的に求められる当該組成物の組成についても、知られていない。よって、試験組成物の残留分粘度を調整するための添加剤の種類及び量は、実験的に決定することが好ましい。
【０２３０】
液晶性化合物を配向させる工程の液晶組成物の層と同一温度条件における試験組成物の残留分粘度は、下記の方法によって測定できる。
液晶組成物から重合開始剤を除いた試験組成物を用意する。この試験組成物をロータリーエバポレーターで減圧濃縮して溶媒を除去し、残留成分を得る。この残留成分について、予め、測定温度を変化させながら粘度を測定し、測定温度とその測定温度での粘度との情報を得る。この情報を、以下、適宜「温度−粘度情報」という。この「温度−粘度情報」から、液晶性化合物を配向させる工程での液晶組成物の層の温度における粘度を、残留分粘度として読み取る。
【０２３１】
液晶性化合物を配向させる工程では、通常は、液晶組成物の層の温度条件を、試験組成物の残留分粘度を前記範囲に収めることができる温度条件と同一の温度条件に調整する配向処理を行う。配向処理時の液晶組成物の層の具体的な温度は、逆分散液晶性化合物の液晶化温度以上の範囲で適切に設定され、中でも、基材に含まれる樹脂のガラス転移温度未満の温度であることが好ましい。これにより、配向処理による基材の歪みの発生を抑制できる。
【０２３２】
液晶性化合物を配向させる工程は、通常、オーブン内において行われる。この際、オーブンの設定温度と、そのオーブン内に置かれた液晶組成物の層の温度とは、異なる場合がありえる。この場合、予め、多数のオーブン設定温度において、その設定温度のオーブン内に置かれた液晶組成物の層の温度を測定し、記録しておくことが好ましい。この記録されたオーブンの設定温度とその設定温度のオーブン内に置かれた液晶組成物の層の温度との情報を、以下、適宜「設定温度−層温度情報」という。この「設定温度−層温度情報」を用いれば、オーブン設定温度から、オーブン内に置かれた液晶組成物の層の温度を容易に知ることができる。
【０２３３】
配向処理を行う際には、通常、液晶組成物の層の温度を、前記の温度条件に所定の時間だけ保持する。この際、保持する時間は、所望の液晶硬化層が得られる範囲で任意に設定でき、例えば３０秒間〜５分間でありうる。
【０２３４】
逆分散液晶性化合物を含む液晶組成物の層では、前記試験組成物の残留分粘度を前記範囲に収めることができる温度条件と同一温度条件での配向によって、逆分散液晶性化合物等の液晶性化合物の分子の配向状態が、面内方向においては均一になるが、厚み方向においては不連続に異なる。具体的には、液晶組成物の層の部分のうち、支持面に近い部分においては、液晶性化合物の分子は、通常、支持面に平行又は平行に近い方向に均一に配向する。また、液晶組成物の層の部分のうち、支持面とは反対側の界面（通常、液晶組成物の層の空気界面）に近い部分においては、液晶性化合物の分子は、通常、支持面に垂直又は垂直に近い方向に均一に配向する。さらに、液晶組成物の層の部分のうち、前記の２つの部分の間にある中間部分においては、液晶性化合物の分子は、通常、支持面に平行でなく垂直でもない方向に均一に配向する。そして、このように各部分の配向状態が不連続に異なるので、液晶性化合物の分子のチルト角が厚み方向において不連続に異なった液晶組成物の層が得られる。
【０２３５】
［７．液晶組成物の層を硬化させる工程］
液晶性化合物を配向させた後で、前記液晶組成物の層を硬化させて、液晶硬化層を得る工程を行う。この工程では、通常、逆分散液晶性化合物等の液晶性化合物の一部又は全部を重合させて、液晶組成物の層を硬化させる。重合の際、液晶性化合物は、通常、その分子の配向を維持したままで重合する。よって、前記の重合により、重合前の液晶組成物に含まれていた液晶性化合物の配向状態を固定できるので、所望の液晶硬化層が得られる。
【０２３６】
液晶性化合物の重合方法としては、液晶組成物に含まれる成分の性質に適合した方法を選択しうる。重合方法としては、例えば、活性エネルギー線を照射する方法、及び、熱重合法が挙げられる。中でも、加熱が不要であり、室温で重合反応を進行させられるので、活性エネルギー線を照射する方法が好ましい。ここで、照射される活性エネルギー線には、可視光線、紫外線、及び赤外線等の光、並びに電子線等の任意のエネルギー線が含まれうる。
【０２３７】
なかでも、操作が簡便なことから、紫外線等の光を照射する方法が好ましい。紫外線照射時の温度は、基材のガラス転移温度以下とすることが好ましく、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１００℃以下、特に好ましくは８０℃以下である。紫外線照射時の温度の下限は、１５℃以上としうる。紫外線の照射強度は、好ましくは０．１ｍＷ／ｃｍ２以上、より好ましくは０．５ｍＷ／ｃｍ２以上であり、好ましくは１００００ｍＷ／ｃｍ２以下、より好ましくは５０００ｍＷ／ｃｍ２以下である。紫外線の照射量は、好ましくは０．１ｍＪ／ｃｍ２以上、より好ましくは０．５ｍＪ／ｃｍ２以上であり、好ましくは１００００ｍＪ／ｃｍ２以下、より好ましくは５０００ｍＪ／ｃｍ２以下である。
【０２３８】
［８．任意の工程］
上述した製造方法により、支持面上に形成された液晶硬化層が得られる。基材上に形成された液晶硬化層が得られた場合には、基材及び液晶硬化層を含む複層フィルムを、液晶硬化フィルムとして用いてもよい。
【０２３９】
また、液晶硬化フィルムの製造方法は、液晶硬化層を支持面から剥離する工程を含んでいてもよい。この場合、液晶硬化層自体を、液晶硬化フィルムとして用いることができる。
【０２４０】
さらに、液晶硬化フィルムの製造方法は、基材上に形成された液晶硬化層を、任意のフィルム層に転写する工程を含んでいてもよい。よって、例えば、液晶硬化フィルムの製造方法は、基材上に形成された液晶硬化層と任意のフィルム層とを貼り合わせた後で、必要に応じて基材を剥離して、液晶硬化層及び任意のフィルム層を含む液晶硬化フィルムを得る工程を含んでいてもよい。この際、貼り合わせには、適切な粘着剤又は接着剤を用いてもよい。この場合、液晶硬化層及び任意のフィルム層を含む液晶硬化フィルムを得ることができる。
【０２４１】
また、前記のような製造方法によれば、長尺の基材を用いて、長尺の液晶硬化フィルムを得ることができる。このような長尺の液晶硬化フィルムは、連続的な製造が可能であり、生産性に優れる。また、他のフィルムとの貼り合わせを、ロールトゥロールによって行うことができるので、この点でも、生産性に優れる。通常、長尺の液晶硬化フィルムは、巻き取られてロールの状態で保存及び運搬がなされる。
【０２４２】
［９．液晶硬化フィルム］
上述した製造方法により、液晶性化合物の分子のチルト角が厚み方向において不連続に異なり、逆波長分散性のレターデーションを有する液晶硬化層を備える液晶硬化フィルムが得られる。
【０２４３】
図１は、本発明の一実施形態に係る液晶硬化フィルム１０を、その厚み方向に平行な平面で切った断面を模式的に示す断面図である。
図１に示すように、液晶硬化フィルム１０は、液晶硬化層１００を備えるフィルムである。図１には、液晶硬化層１００のみを含む液晶硬化フィルム１０を示すが、液晶硬化フィルム１０は、液晶硬化層１００に組み合わせて任意の層（図示せず。）を備えていてもよい。
【０２４４】
液晶硬化層１００は、逆分散液晶性化合物等の液晶性化合物を含む液晶組成物の硬化物で形成された層であって、第一層１１０、第二層１２０及び第三層１３０を、厚み方向においてこの順に含む。上述した製造方法で製造された場合、液晶硬化層は、通常、第一層、第二層及び第三層を、支持面側からこの順に含む。液晶組成物の硬化物で形成されているので、液晶硬化層１００並びに当該液晶硬化層１００に含まれる第一層１１０、第二層１２０及び第三層１３０は、液晶性化合物を含む。
【０２４５】
液晶硬化層１００に含まれる液晶性化合物の一部又は全部は、その配向状態を固定されていてもよい。通常、重合により、液晶性化合物は、その液晶性化合物の配向状態を維持したまま重合体となりうる。よって、配向状態を固定された液晶性化合物としては、例えば、重合した液晶性化合物が挙げられる。したがって、用語「配向状態が固定された液晶性化合物」には、液晶性化合物の重合体が包含される。逆分散液晶性化合物を含む上述した液晶組成物を用いて液晶硬化層１００を製造した場合には、その液晶硬化層１００並びに当該液晶硬化層１００に含まれる第一層１１０、第二層１２０及び第三層１３０は、配向状態を固定されていてもよい逆分散液晶性化合物を含む。
【０２４６】
前記の第一層１１０と第二層１２０とは、通常、その間に任意の層を介することなく直接に接している。また、前記の第二層１２０と第三層１３０とは、通常、その間に任意の層を介することなく直接に接している。したがって、液晶硬化層１００は、図１に示すように、通常は第一層１１０、第二層１２０及び第三層１３０のみを含む３層構造の層である。
【０２４７】
第一層１１０に含まれる液晶性化合物の分子が層平面に対してなす第一チルト角は、通常、第一層１１０において一定である。
また、第二層１２０に含まれる液晶性化合物の分子が層平面に対してなす第二チルト角は、通常、第二層１２０において一定である。さらに、第二チルト角は、第一チルト角とは、不連続に異なる。
また、第三層１３０に含まれる液晶性化合物の分子が層平面に対してなす第三チルト角は、通常、第三層１３０において一定である。さらに、第三チルト角は、第一チルト角及び第二チルト角とは不連続に異なる。
このように不連続に異なるチルト角を有する液晶性化合物の分子を含む第一層１１０、第二層１２０及び第三層１３０を含むので、液晶硬化層１００は、液晶性化合物の分子のチルト角が厚み方向において不連続に異なるという特異的な構造を有することができる。
ここで、あるチルト角と別のチルト角とが不連続に異なる、とは、それらのチルト角の間の差が１０°以上であることを表す。
【０２４８】
第一層１１０、第二層１２０及び第三層１３０のような、液晶硬化層１００に含まれる各層における液晶性化合物の分子のチルト角（第一チルト角、第二チルト角及び第三チルト角）は、下記の測定方法によって測定できる。
液晶硬化層１００をエポキシ樹脂で包埋して、試料片を用意する。この試料片を、ミクロトームを用いて、液晶硬化層１００の厚み方向に平行にスライスして、観察サンプルを得る。前記のスライスは、液晶硬化層１００の面内遅相軸方向と断面とが平行となるように行う。その後、観察サンプルを偏光顕微鏡のステージに置き、ステージを回転させながら、スライスにより現れた断面を観察する。断面に現れた液晶硬化層１００の第一層１１０、第二層１２０及び第三層１３０それぞれが消光位になったときのステージの回転角度から、第一層１１０、第二層１２０及び第三層１３０に含まれる液晶性化合物の分子のチルト角を測定できる。
【０２４９】
また、第一層１１０、第二層１２０及び第三層１３０それぞれにおける液晶性化合物の分子のチルト角が一定であるか否かは、下記の判定方向で判定できる。
液晶硬化層１００をエポキシ樹脂で包埋して、試料片を用意する。この試料片を、ミクロトームを用いて、液晶硬化層１００の厚み方向に平行にスライスして、観察サンプルを得る。前記のスライスは、液晶硬化層１００の面内遅相軸方向と断面とが平行となるように行う。その後、スライスにより現れた断面を偏光顕微鏡を用いて観察する。この観察は、観察サンプルと偏光顕微鏡の対物レンズとの間に波長板を挿入して、観察サンプルのレターデーションに応じた色を呈した像が見られるように行う。この観察で見られる像では、液晶硬化層の各部分は、その部分の液晶性化合物の分子のチルト角に対応した色に呈色する。観察された第一層１１０の色が第一層１１０内のどの位置でも同じである場合、第一層１１０に含まれる液晶性化合物の分子のチルト角（第一チルト角）が一定であると判定できる。また、観察された第二層１２０の色が第二層１２０内のどの位置でも同じである場合、第二層１２０に含まれる液晶性化合物の分子のチルト角（第二チルト角）が一定であると判定できる。さらに、観察された第三層１３０の色が第三層１３０内のどの位置でも同じである場合、第三層１３０に含まれる液晶性化合物の分子のチルト角（第三チルト角）が一定であると判定できる。
具体例を挙げると、本発明者らが行った実験では、第一層１１０が均一な黄色、第二層１２０が均一な赤紫色、第三層１３０が均一な青色で観察されたことから、第一層１１０、第二層１２０及び第三層１３０それぞれにおける液晶性化合物の分子のチルト角が一定であることを確認した事例がある。
【０２５０】
第一チルト角、第二チルト角及び第三チルト角の大きさは、液晶硬化フィルム１０の用途に応じて求められる液晶硬化層１００の光学特性に対応して、適切に設定しうる。好適な範囲を具体的に示すと、以下のようにしうる。
【０２５１】
第一チルト角は、好ましくは０°以上であり、好ましくは２０°以下、より好ましくは１０°以下である。このような範囲の第一チルト角を有する第一層１１０は、通常、前記の液晶硬化フィルムの製造方法において、支持面側の層として得ることができる。
【０２５２】
第二チルト角は、好ましくは２０°以上であり、好ましくは７０°以下、より好ましくは６０°以下である。
【０２５３】
また、第一チルト角と第二チルト角との差は、好ましくは１０°以上、より好ましくは１５°以上、特に好ましくは２０°以上であり、好ましくは７０°以下、より好ましくは６０°以下である。
【０２５４】
第三チルト角は、好ましくは７０°以上、より好ましくは８０°以上であり、好ましくは９０°以下である。このような範囲の第三チルト角を有する第三層１３０は、通常、前記の液晶硬化フィルムの製造方法において、支持面とは反対側の界面側の層として得ることができる。
【０２５５】
また、第二チルト角と第三チルト角との差は、好ましくは１０°以上、より好ましくは１５°以上、特に好ましくは２０°以上であり、好ましくは７０°以下、より好ましくは６０°以下である。
【０２５６】
第一層１１０、第二層１２０及び第三層１３０それぞれの厚みは、液晶硬化フィルム１０の用途に応じて求められる液晶硬化層１００の光学特性に対応して、適切に設定しうる。好適な範囲を具体的に示すと、以下のようにしうる。
【０２５７】
第一層１１０、第二層１２０及び第三層１３０の合計厚み１００％に対する、第一層１１０の厚みの割合は、好ましくは１４％以上、より好ましくは１８％以上であり、好ましくは６６％以下である。
【０２５８】
第一層１１０、第二層１２０及び第三層１３０の合計厚み１００％に対する、第二層１２０の厚みの割合は、好ましくは１％以上であり、好ましくは８０％以下、より好ましくは６４％以下である。
【０２５９】
第一層１１０、第二層１２０及び第三層１３０の合計厚み１００％に対する、第三層１３０の厚みの割合は、好ましくは６％以上、より好ましくは１８％以上であり、好ましくは３３％以下である。
【０２６０】
第一層１１０、第二層１２０及び第三層１３０のような、液晶硬化層１００に含まれる各層の厚みは、下記の測定方法によって測定できる。
液晶硬化層１００をエポキシ樹脂で包埋して、試料片を用意する。この試料片を、ミクロトームを用いて、液晶硬化層１００の厚み方向に平行にスライスして、観察サンプルを得る。前記のスライスは、液晶硬化層１００の面内遅相軸方向と断面とが平行となるように行う。その後、スライスにより現れた断面を偏光顕微鏡を用いて観察して、第一層１１０、第二層１２０及び第三層１３０それぞれの厚みを測定できる。
【０２６１】
液晶硬化層１００は、逆分散液晶性化合物を含む液晶組成物の硬化物によって形成されているので、通常、逆波長分散性のレターデーションを有する。ここで、逆波長分散性のレターデーションとは、波長４５０ｎｍにおけるレターデーションＲｅ（４５０）及び波長５５０ｎｍにおけるレターデーションＲｅ（５５０）が、通常下記式（Ｎ３）を満たすレターデーションをいう。逆波長分散性のレターデーションを有することにより、前液晶硬化層１００は、１／４波長板又は１／２波長板等の光学用途において、広い波長帯域において均一に機能を発現できる。
Ｒｅ（４５０）＜Ｒｅ（５５０）  （Ｎ３）
【０２６２】
液晶硬化層１００の具体的なレターデーションの範囲は、液晶硬化層の用途に応じて任意に設定しうる。例えば、液晶硬化層１００を１／４波長板として機能させたい場合には、測定波長５９０ｎｍにおける液晶硬化層１００のレターデーションＲｅ（５９０）は、好ましくは８０ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上、特に好ましくは１２０ｎｍ以上であり、好ましくは１９０ｎｍ以下、より好ましくは１７０ｎｍ以下、特に好ましくは１６０ｎｍ以下である。また、例えば、液晶硬化層１００を１／２波長板として機能させたい場合には、測定波長５９０ｎｍにおける液晶硬化層１００のレターデーションＲｅ（５９０）は、好ましくは２４５ｎｍ以上、より好ましくは２６５ｎｍ以上、特に好ましくは２７０ｎｍ以上であり、好ましくは３２０ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下、特に好ましくは２９５ｎｍ以下である。
【０２６３】
第一チルト角、第二チルト角及び第三チルト角が異なるので、三次元的に見ると、第一層１１０に含まれる液晶性化合物の分子の配向方向と、第二層１２０に含まれる液晶性化合物の分子の配向方向と、第三層１３０に含まれる液晶性化合物の分子の配向方向とは、非平行である。しかし、液晶硬化層１００の面内方向においては、第一層１１０に含まれる液晶性化合物の分子の配向方向と、第二層１２０に含まれる液晶性化合物の分子の配向方向と、第三層１３０に含まれる液晶性化合物の分子の配向方向とは、通常、平行である。よって、液晶硬化層１００は、通常、液晶硬化層１００を厚み方向から見た液晶性化合物の分子の配向方向に平行な面内遅相軸を有する光学異方性層でありうる。
【０２６４】
液晶硬化層１００では、配向欠陥の発生が抑制されていることが好ましい。よって、液晶硬化層１００における配向欠陥の数は、少ないことが好ましい。具体的には、１ｍｍ２当たりの配向欠陥の数は、好ましくは１０本未満、より好ましくは１本未満である。このような液晶硬化層１００を含む液晶硬化フィルム１０は、面内における光学特性の均一性に優れるので、高品質な光学フィルムとして用いることが可能である。
液晶硬化層１００の配向欠陥の数は、偏光顕微鏡を用いて、クロスニコル下において液晶硬化層１００を透過観察することによって測定できる。
【０２６５】
液晶硬化層１００の厚みは、レターデーション等の特性を所望の範囲にできるように、適切に設定しうる。具体的には、液晶硬化層１００の厚みは、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１．０μｍ以上であり、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは７μｍ以下である。
【０２６６】
液晶硬化フィルム１０が液晶硬化層１００と組み合わせて備えうる任意の層としては、液晶硬化層１００の製造に用いた基材；位相差フィルム；直線偏光子としての偏光フィルム；他の部材と接着するための接着剤層；フィルムの滑り性を良くするマット層；耐衝撃性ポリメタクリレート樹脂層などのハードコート層；反射防止層；防汚層；等が挙げられる。
【０２６７】
上述した液晶硬化フィルム１０が含む液晶硬化層１００は、液晶性化合物の分子のチルト角が厚み方向において不連続に異なるという特異的な構造を有するので、その特異的な構造に対応した光学特性を有することができる。そのため、液晶硬化フィルム１０を用いれば、多様な光学設計が可能となるので、光学設計の自由度を高めることができる。さらに、別々に製造した複数の液晶硬化層を接着して得られる光学フィルムとは異なり、前記の液晶硬化フィルム１０は接着剤層を備える必要が無いので、従来よりも薄くすることが可能である。
【０２６８】
［１０．用途］
液晶硬化フィルムは、例えば、位相差フィルム、光学補償フィルム、直線偏光板、円偏光板等の光学フィルムとして、好適に用いることができる。
【実施例】
【０２６９】
以下、実施例を示して本発明について具体的に説明する。ただし、本発明は以下に示す実施例に限定されるものではなく、本発明の請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。以下の説明において、量を表す「％」及び「部」は、別に断らない限り、重量基準である。また、以下に説明する操作は、別に断らない限り、常温常圧大気中において行った。【０２７０】
［液晶性化合物の説明］
後述する実施例及び比較例で使用した液晶性化合物の構造は、下記のとおりである。【０２７１】
【化３８】
2018173773.tif 000040
【０２７２】
【化３９】
2018173773.tif 000041
【０２７３】
【化４０】
2018173773.tif 000042
【０２７４】
［評価方法］
（１．フッ素系界面活性剤のｌｏｇＰの測定方法）
（１−１．フッ素系界面活性剤を含む試料溶液の調製方法）
フッ素系界面活性剤を１重量％含む試料溶液を調製した。この試料溶液の溶媒としては、テトラヒドロフラン又はアセトニトリルを用いた。テトラヒドロフラン又はアセトニトリルと混合する前のフッ素系界面活性剤が、当該フッ素系界面活性剤及び希釈溶媒を含む溶液であった場合には、得られる試料溶液中のフッ素系界面活性剤の含有量が１重量％となるように、テトラヒドロフラン又はアセトニトリルの量を調整した。【０２７５】
（１−２．ＨＰＬＣ／ＥＬＳＤ分析）
ＪＩＳ  ７２６０−１１７：２００６｛分配係数（１−オクタノール／水）の測定−高速液体クロマトグラフィー｝に概ね準拠した方法で、フッ素系界面活性剤を含む前記の試料溶液のＨＰＬＣ／ＥＬＳＤ分析を、下記のＨＰＬＣ／ＥＬＳＤ分析条件で行って、溶出時間（ｒ．ｔ．）を測定した。【０２７６】
・ＨＰＬＣ／ＥＬＳＤ分析条件
ＬＣシステム：ＬＣ−２０Ａ（島津製作所製）
カラム：Ｉｎｅｒｔｓｉｌ  ＯＤＳ−３  ３．０×１５０ｍｍ，５μｍ（ＧＬサイエンス製）
移動相：Ａ  水
Ｂ  アセトニトリル／テトラヒドロフラン＝８／２（ｖｏｌ／ｖｏｌ）
アセトニトリル：高速液体クロマトグラフィー用（国産化学製）
テトラヒドロフラン：ｉｎｈｉｂｉｔｏｒ−ｆｒｅｅ、ｆｏｒ  ＨＰＬＣ（ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ製）
タイムプログラム：０ｍｉｎから１５ｍｉｎ  Ｂ  ３０％から１００％
１５ｍｉｎから２５ｍｉｎ  Ｂ  １００％
カラム温度：４５℃
流量：０．８ｍＬ／ｍｉｎ
注入量：１０μＬ（試料の検出感度が低い場合は、５０μＬ又は１００μＬに調整）
検出：ＥＬＳＤ−ＬＴＩＩ（島津製作所）  Ｇａｉｎ６、３５０ｋＰａ、６５℃【０２７７】
（１−３．検量線の導出）
下記表１に示す標識化合物を用意した。表１に示す標識化合物は、ＪＩＳ７２６０−１１７：２００６に記載のある、ｌｏｇＰが既知の化合物である。この標識化合物をフッ素系界面活性剤の代わりに用いたこと以外は前記（１−１．フッ素系界面活性剤を含む試料溶液の調製方法）に記載の方法と同じ操作により、各標識化合物を含む試料溶液を調製した。その後、得られた試料溶液のＨＰＬＣ／ＥＬＳＤ分析を、前記（１−２．ＨＰＬＣ／ＥＬＳＤ分析）で説明した分析条件で行って、溶出時間を測定した。ただし、ＥＬＳＤ検出器の温度は、２５℃に設定した。【０２７８】
【表１】
2018173773.tif 000043
【０２７９】
溶出時間を横軸、ｌｏｇＰを縦軸とする座標系に、前記の標識化合物の分析結果をプロットし、最小二乗法によって近似直線を作成した。この近似直線を、検量線として採用した。【０２８０】
（１−４．フッ素系界面活性剤のｌｏｇＰの算出）
各フッ素系界面活性剤について測定された溶出時間を、前記の検量線に当てはめることにより、そのフッ素系界面活性剤のｌｏｇＰを求めた。ＨＰＬＣ／ＥＬＳＤ分析において溶出時間を示すピークが、１つのフッ素系界面活性剤当たり複数検出された場合には、最も面積の大きいピークのピークトップを、当該フッ素系界面活性剤の溶出時間として採用して、ｌｏｇＰを求めた。【０２８１】
（２．配向処理時の液晶組成物の層と同一温度条件における試験組成物の残留分粘度の測定方法）
後述する実施例及び比較例で用いる液晶組成物から重合開始剤を除いた組成を有する試験組成物を用意した。この試験組成物をロータリーエバポレーターで減圧濃縮して溶媒を除去し、残留成分を得た。こうして得られた各試験組成物の残留成分の粘度を、測定温度を変化させながら測定し、「温度−粘度情報」を記録した。この粘度測定は、試験組成物の残留成分を測定容器に０．３ｇ挿入し、電磁回転式のＥＭＳ粘度計（京都電子工業社製「ＥＭＳ−１０００」）を用いて、球状プローブ直径２ｍｍ、回転数１０００ｒｐｍの測定条件の下、９６℃から２００℃まで測定温度を変えて行った。【０２８２】
後述する実施例及び比較例において使用したオーブンでは、オーブンの設定温度と、そのオーブン内に置かれた液晶組成物の層の温度とは、必ずしも一致しない。そこで、予め、多数の設定温度において、その設定温度のオーブン内に置かれた液晶組成物の層の温度を測定し、「設定温度−層温度情報」を得た。【０２８３】
後述する実施例及び比較例において、配向処理時のオーブンの設定温度に対応する液晶組成物の層の温度を、前記の「設定温度−層温度情報」から読み出した。そして、読み出された液晶組成物の層の温度に対応する試験組成物の残留成分の粘度を、前記の「温度−粘度情報」から読み出し、これを配向処理時の液晶組成物の層と同一温度条件における試験組成物の残留分粘度として求めた。【０２８４】
（３．液晶硬化層に含まれる各層における液晶性化合物の分子のチルト角の測定方法）
液晶硬化層及び基材フィルムを含む液晶硬化フィルムをエポキシ樹脂で包埋して、試料片を用意した。この試料片を、ミクロトームを用いて、液晶硬化層の厚み方向に平行にスライスして、観察サンプルを得た。前記のスライスは、液晶硬化層の面内遅相軸方向と断面とが平行となるように行った。その後、観察サンプルを偏光顕微鏡のステージに置き、ステージを回転させながら、スライスにより現れた断面を観察した。断面に現れた液晶硬化層の第一層、第二層及び第三層それぞれが消光位になったときのステージの回転角度から、前記第一層、第二層及び第三層に含まれる液晶性化合物の分子のチルト角を測定した。【０２８５】
（４．液晶硬化層に含まれる各層の厚みの測定方法）
液晶硬化層及び基材フィルムを含む液晶硬化フィルムをエポキシ樹脂で包埋して、試料片を用意した。この試料片を、ミクロトームを用いて、液晶硬化層の厚み方向に平行にスライスして、観察サンプルを得た。前記のスライスは、液晶硬化層の面内遅相軸方向と断面とが平行となるように行った。その後、スライスにより現れた断面を偏光顕微鏡を用いて観察して、前記第一層、第二層及び第三層それぞれの厚みを測定した。【０２８６】
（５．液晶硬化層に含まれる各層での液晶性化合物の分子のチルト角が一定であることの確認方法）
液晶硬化層及び基材フィルムを含む液晶硬化フィルムをエポキシ樹脂で包埋して、試料片を用意した。この試料片を、ミクロトームを用いて、液晶硬化層の厚み方向に平行にスライスして、観察サンプルを得た。前記のスライスは、液晶硬化層の面内遅相軸方向と断面とが平行となるように行った。その後、スライスにより現れた断面を偏光顕微鏡を用いて観察した。この観察は、観察サンプルと偏光顕微鏡の対物レンズとの間に波長板を挿入して、観察サンプルのレターデーションに応じた色を呈した像が見られるように行った。観察された第一層の色が第一層内のどの位置でも同じである場合、第一層に含まれる液晶性化合物の分子のチルト角が一定であると判定した。また、観察された第二層の色が第二層内のどの位置でも同じである場合、第二層に含まれる液晶性化合物の分子のチルト角が一定であると判定した。さらに、観察された第三層の色が第三層内のどの位置でも同じである場合、第三層に含まれる液晶性化合物の分子のチルト角が一定であると判定した。【０２８７】
（６．逆波長分散性の評価方法）
位相差計（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製「ＡｘｏＳｃａｎ」）を用いて、評価用の複層体の液晶硬化層の波長４５０ｎｍ及び５５０ｎｍでの正面（入射角０°）のレターデーションＲｅ（４５０）及びＲｅ（５５０）を測定した。測定したレターデーションＲｅ（４５０）及びＲｅ（５５０）の値から、液晶硬化層の逆波長分散性を、以下の基準で評価した。
Ａ：Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＜１．０
Ｂ：Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）≧１．０【０２８８】
（７．液晶硬化層の配向欠陥の評価方法）
評価用の複層体の液晶硬化層を、偏光顕微鏡を用いて、クロスニコル下において、透過観察した。この観察の際、対物レンズは２０倍に設定した。観察の結果から、下記の基準によって液晶硬化層の配向欠陥を評価した。
Ａ：配向欠陥の数が、１本／ｍｍ２未満。
Ｂ：配向欠陥の数が、１本／ｍｍ２以上〜１０本／ｍｍ２未満。
Ｃ：配向欠陥の数が、１０本／ｍｍ２以上。【０２８９】
（８．液晶硬化層の傾斜配向性の評価方法）
位相差計（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製「ＡｘｏＳｃａｎ」）を用いて、評価用の複層体の液晶硬化層のレターデーションを、入射角−５０°〜５０°の範囲で測定した。測定されたレターデーションから、前記の位相差計に付属の解析ソフトウェア（ＡｘｏＭｅｔｒｉｃｓ社製の解析ソフトウェア「Ｍｕｌｔｉ−Ｌａｙｅｒ  Ａｎａｌｙｓｉｓ」；解析条件は、解析波長５９０ｎｍ、層分割数２０層（約０．１μｍごとに分割））により、液晶硬化層に含まれる液晶性化合物の分子の平均チルト角を解析した。前記の平均チルト角とは、液晶硬化層の第一層側の面での分子のチルト角が０°であり、且つ、分子のチルト角が厚み方向において一定比率で変化していると仮定した場合の、液晶性化合物の分子のチルト角の最大値を表す。この平均チルト角は、液晶硬化層に含まれる液晶性化合物の分子全体が層平面に対してなす角の大きさを表す代表値である。一般に、この平均チルト角が大きいほど、液晶硬化層に含まれる液晶性化合物の分子が、全体として、層平面に対してより大きいチルト角をなすと評価できる。測定された平均チルト角に基づいて、下記の基準によって液晶硬化層の傾斜配向性を評価した。
Ａ：平均チルト角が、１０°以上。
Ｂ：平均チルト角が、１０°未満。【０２９０】
［実施例１〜１１及び比較例１〜２］
（液晶組成物の調製）
重合性を有する逆分散液晶性化合物、任意の添加剤としての順分散液晶性化合物Ｋ３５、フッ素系界面活性剤０．１５重量部、光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製「ＩｒｇａｃｕｒｅＯＸＥ０４」）４．３重量部、溶媒としてのシクロペンタノン１４８．５重量部、及び、溶媒としての１．３−ジオキソラン２２２．８重量部を混合して、液晶組成物を得た。逆分散液晶性化合物の種類及び量；順分散液晶性化合物Ｋ３５の量；並びに、フッ素系界面活性剤の種類；は、表２に示す通りにした。【０２９１】
（基材フィルムの用意）
基材フィルムとして、片面にマスキングフィルムが貼り合わせられた熱可塑性のノルボルネン樹脂からなる樹脂フィルム（日本ゼオン社製「ゼオノアフィルム  ＺＦ１６」；厚み１００μｍ）を用意した。この基材フィルムからマスキングフィルムを剥離し、マスキング剥離面にコロナ処理を施した。次いで、基材フィルムのコロナ処理面にラビング処理を施した。【０２９２】
（液晶組成物の層の形成）
基材フィルムのラビング処理面に、＃６のワイヤーバーを使用して、液晶組成物を塗工して、液晶組成物の層を形成した。【０２９３】
（配向処理）
その後、液晶組成物の層を設定温度１１０℃〜１７０℃のオーブンで４分間加熱して、配向処理を行った。この際、オーブンの具体的な設定温度は、オーブン内の液晶組成物の層の温度が、試験組成物の残留分粘度が表２に示す値となる温度と同一になるように、設定した。これにより、溶媒は気化し、また、液晶組成物の層に含まれる液晶性化合物が配向した。【０２９４】
（硬化処理）
配向処理を施された液晶組成物の層に、窒素雰囲気下で、５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射して、液晶組成物の層を硬化させて、厚さ２μｍの液晶硬化層を形成した。これにより、液晶硬化層／基材フィルムの層構成を有する液晶硬化フィルムを得た。【０２９５】
（液晶硬化層のスライドガラスへの転写）
粘着剤を付与したスライドガラスに、液晶硬化フィルムの液晶硬化層側の面を貼合した。その後、基材フィルムを剥離した。これにより、液晶硬化層／粘着層／スライドガラスの層構成を有する評価用の複層体を得た。
得られた複層体を用いて、液晶硬化層の逆波長分散性、配向欠陥及び傾斜配向性を評価した。
また、特に実施例４では、液晶硬化フィルムを用いて、液晶硬化層に含まれる第一層、第二層及び第三層に含まれる液晶性化合物の分子のチルト角及び厚みを評価した。【０２９６】
［結果］
実施例及び比較例の逆分散液晶性化合物の種類及び量；順分散液晶性化合物Ｋ３５の量；フッ素系界面活性剤の種類；並びに、配向処理時における液晶組成物の層と同一温度条件での試験組成物の残留分粘度を、表２に示す。また、液晶硬化層の逆波長分散性及び傾斜配向性の評価結果を表３に示す。さらに、実施例４で測定した第一層、第二層及び第三層に含まれる液晶性化合物の分子のチルト角及び厚みの結果を、表４に示す。
ここで、いずれの実施例においても、液晶硬化層に含まれる第一層、第二層及び第三層それぞれでのチルト角は、一定であり、第一チルト角、第二チルト角及び第三チルト角は不連続に異なっていた。他方、比較例１では、平均チルト角は１０°未満であり、液晶硬化層に含まれる第一層、第二層及び第三層の層間が不明瞭であった。よって、比較例１では、液晶性化合物の分子のチルト角が厚み方向において不連続に異なっているとは確認できなかった。
また、特に実施例４で偏光顕微鏡によって観察した液晶硬化層の断面の写真を、図２に示す。さらに、図２の各部分を説明する説明図を、図３に示す。図３において、符号「２１０」は基材フィルム、符号「２２０」は液晶硬化層、符号「２２１」は第一層、符号「２２２」は第二層、符号「２２３」は第三層、符号２３０はエポキシ樹脂を、それぞれ示す。
さらに、実施例１〜５では配向欠陥の評価結果は「Ａ」であり、実施例６では配向欠陥の評価結果は「Ｂ」であった。【０２９７】
下記の表において、略称の意味は、下記のとおりである。
逆分散１：逆分散液晶性化合物１。
逆分散２：逆分散液晶性化合物２。
Ｋ３５：順分散液晶性化合物Ｋ３５。
Ｆ系界面活性剤：フッ素系界面活性剤。
Ｓ４２０：ＡＧＣセイミケミカル社製のフッ素系界面活性剤「Ｓ４２０」。
Ｆ４４４：ＤＩＣ社製のフッ素系界面活性剤「メガファックＦ−４４４」。
２１５Ｍ：ネオス社製のフッ素系界面活性剤「フタージェントＦＴＸ−２１５Ｍ」。
２１２Ｍ：ネオス社製のフッ素系界面活性剤「フタージェントＦＴＸ−２１２Ｍ」。
２５１：ネオス社製のフッ素系界面活性剤「フタージェント２５１」。
ＦＴＸ２０９：ネオス社製のフッ素系界面活性剤「フタージェントＦＴＸ−２０９」。【０２９８】
【表２】
2018173773.tif 000044
【０２９９】
【表３】
2018173773.tif 000045
【０３００】
【表４】
2018173773.tif 000046
【符号の説明】
【０３０１】
１０  液晶硬化フィルム
１００  液晶硬化層
１１０  第一層
１２０  第二層
１３０  第三層
【図１】
2018173773.tif 000047
【図２】
2018173773.tif 000048
【図３】
2018173773.tif 000049
【国際調査報告】
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2018173773.tif 000051
2018173773.tif 000052
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