(57)【要約】  アンテナ装置（１０１Ａ，１０１Ｂ）は、第１コイル（Ｌ１）と、第１コイル（Ｌ１）に結合する第２コイル（Ｌ２）とを備える結合素子（３０）と、給電放射素子（１０）と、第１無給電放射素子（２１）と、第２無給電放射素子（２２）とを備える。そして、第１コイル（Ｌ１）は第１無給電放射素子（２１）とグランドとの間に接続され、第２コイル（Ｌ２）は第２無給電放射素子（２２）とグランドとの間に接続され、第１無給電放射素子（２１）は給電放射素子（１０）に電界結合する。
2020004130.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１コイル及び当該第１コイルに結合する第２コイルを備える第１結合素子と、
給電回路と、
給電放射素子と、
第１無給電放射素子と、
第２無給電放射素子と、を備え、
前記給電放射素子は、前記給電回路に接続され、
前記第１コイルは前記第１無給電放射素子とグランドとの間に接続され、
前記第２コイルは前記第２無給電放射素子とグランドとの間に接続され、
前記第１無給電放射素子は前記給電放射素子と電界結合することによって給電され、
前記第２無給電放射素子は前記第１結合素子を介して給電される、
アンテナ装置。
【請求項２】
前記第１結合素子は、複数の絶縁基材と、複数の導体パターンとが積層された素子であり、
前記複数の導体パターンは前記複数の絶縁基材の表面に形成され、
前記第１コイル及び前記第２コイルは、前記複数の導体パターンのうち、１つ以上の導体パターンによって形成される、
請求項１に記載のアンテナ装置。
【請求項３】
前記給電放射素子及び前記第１無給電放射素子は、互いに同方向に延伸する部分を有する、
請求項１又は２に記載のアンテナ装置。
【請求項４】
前記給電放射素子は、第１周波数帯域と、前記第１周波数帯域よりも周波数の高い第２周波数帯域とで共振し、
前記第１無給電放射素子及び前記第２無給電放射素子は前記第２周波数帯域で共振する、
請求項１から３のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項５】
前記第２無給電放射素子の共振周波数は前記給電放射素子の前記第２周波数帯域における共振周波数と前記第１無給電放射素子の共振周波数との間にある、
請求項４に記載のアンテナ装置。
【請求項６】
前記給電放射素子、前記第１無給電放射素子及び前記第２無給電放射素子は平面方向に並ぶように形成され、前記第１無給電放射素子は前記給電放射素子と前記第２無給電放射素子とで挟まれる位置にある、請求項５に記載のアンテナ装置。
【請求項７】
前記グランドはグランド導体であり、
前記給電放射素子は前記第１無給電放射素子に比べて前記グランド導体から離れた位置に配置されている、請求項１から６のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項８】
前記給電放射素子は、給電線と短絡線とを有する逆Ｆ型放射素子である、
請求項１から６のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項９】
前記短絡線とグランドとの間に直列接続されたインダクタを備える、
請求項８に記載のアンテナ装置。
【請求項１０】
前記給電放射素子は当該給電放射素子の給電線の接続部から前記第１無給電放射素子より遠ざかる方向に延伸する部分を有する、請求項８又は９に記載のアンテナ装置。
【請求項１１】
前記給電放射素子は前記給電回路とグランドとの間に接続され、
前記第１無給電放射素子及び前記第２無給電放射素子は前記給電放射素子で部分的に囲まれた、
請求項１から６のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項１２】
前記給電放射素子とグランドとの間に接続されたインピーダンス調整回路を備え、
前記第１無給電放射素子の共振周波数及び前記第２無給電放射素子の共振周波数での前記インピーダンス調整回路のインピーダンスは前記給電放射素子の共振周波数でのインピーダンスより高い、
請求項１１に記載のアンテナ装置。
【請求項１３】
前記第１無給電放射素子と前記第１コイルとの間に直列接続されたキャパシタを備える、
請求項１から１２のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項１４】
第３コイル及び当該第３コイルに結合する第４コイルを備える第２結合素子と、
前記給電回路から前記第１結合素子及び前記第２結合素子を介して給電される第３無給電放射素子と、を備え、
前記第３コイルは前記第２無給電放射素子とグランドとの間に接続され、
前記第４コイルは前記第３無給電放射素子とグランドとの間に接続される、
請求項１から１３のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれかに記載のアンテナ装置と、当該アンテナ装置に接続される前記給電回路が形成された回路基板と、前記アンテナ装置及び前記回路基板を収める筐体と、を備える電子機器。
【請求項１６】
前記給電放射素子、前記第１無給電放射素子及び前記第２無給電放射素子は、前記回路基板の一部を覆う誘電体又は絶縁体に形成された導体パターンである、
請求項１５に記載の電子機器。
【請求項１７】
前記給電放射素子は前記筐体の外縁に沿った形状を備える、請求項１５又は１６に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アンテナ装置及びそれを備える電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
アンテナ装置を備える携帯電子機器においては、携帯可能な、限られた大きさの筐体内に電子回路と共にアンテナ装置が設けられる。そのため、筐体内に収まる回路基板の大きさ及びアンテナ装置の大きさには自ずと制約がある。【０００３】
一方、通信に用いる周波数帯域の広帯域化が進んでいるが、上述のとおり、アンテナを設けるスペースに余裕がなく、複数の周波数帯域をカバーするために多数のアンテナを設けることが困難な状況になっている。【０００４】
アンテナ装置の放射利得の周波数特性を広帯域化する一つの方法として、給電回路から物理的に切り離された無給電放射素子を給電放射素子に磁界結合させることによって、無給電放射素子の特性を給電放射素子の特性に付加する手法が従来用いられている。【０００５】
例えば、特許文献１には、２つの放射素子と、この２つの放射素子に対する給電を制御する結合度調整回路とを備えたアンテナ装置が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２０１２／１５３６９０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、近年の更なる広帯域の通信に適用可能なアンテナ装置を構成するために、上述の、無給電放射素子を付加する手法を適用できない。例えば、給電放射素子に結合する無給電放射素子に更に別の無給電放射素子を近接配置しても広帯域化の効果は小さい。これは、新たに追加する無給電放射素子が、既に設けられている無給電放射素子から充分な電力を受けられないからである。【０００８】
本発明の目的は、給電放射素子と無給電放射素子とを備えて、効果的に広帯域化を図ったアンテナ装置及びそれを備える電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示の一例としてのアンテナ装置は、
第１コイル及び当該第１コイルに結合する第２コイルを備える第１結合素子と、給電回路と、給電放射素子と、第１無給電放射素子と、第２無給電放射素子と、を備え、
前記給電放射素子は、前記給電回路に接続され、前記第１コイルは前記第１無給電放射素子とグランドとの間に接続され、前記第２コイルは前記第２無給電放射素子とグランドとの間に接続され、
前記第１無給電放射素子は前記給電放射素子と電界結合することによって給電され、前記第２無給電放射素子は前記第１結合素子を介して給電される。【００１０】
上記構成によれば、給電放射素子と第１無給電放射素子とを強く電界結合させることができ、かつ、第２無給電放射素子は結合素子を介して第１無給電放射素子と結合するので、第２無給電放射素子の放射素子としての特性が有効に利用される。そのため、広帯域のアンテナ装置が得られる。【００１１】
本開示の一例としての電子機器は、上記アンテナ装置と、当該アンテナ装置に接続される給電回路が形成された回路基板と、前記アンテナ装置及び前記回路基板を収める筐体と、を備える。【００１２】
上記構成により、筐体内の限られたスペースに設けられたアンテナ装置を備える電子機器が得られる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、給電放射素子と無給電放射素子とを備える広帯域のアンテナ装置、及びそれを備える電子機器が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１（Ａ）は第１の実施形態に係るアンテナ装置１０１Ａの回路図である。また、図１（Ｂ）は第１の実施形態に係るアンテナ装置１０１Ｂの回路図である。
【図２】図２（Ａ）はアンテナ装置１０１Ａを備える電子機器２０１の主要部の平面図であり、図２（Ｂ）はその側面図である。図２（Ｃ）は、回路基板４０に形成されたアンテナ装置１０１Ａの概略回路図である。
【図３】図３はアンテナ装置１０１Ａを備える電子機器の斜視図である。
【図４】図４はアンテナ装置１０１Ａを備える電子機器２０１の断面図である。
【図５】図５は結合素子３０の斜視図である。
【図６】図６は結合素子３０の各層に形成されている導体パターンを示す分解平面図である。
【図７】図７は、４つのコイル導体パターンを含む結合素子３０の回路図である。
【図８】図８はアンテナ装置１０１Ａの反射係数の周波数特性を示す図である。
【図９】図９は第２の実施形態に係るアンテナ装置１０２の回路図である。
【図１０】図１０（Ａ）はアンテナ装置１０２を備える電子機器２０２の主要部の平面図であり、図１０（Ｂ）はその側面図である。
【図１１】図１１は第３の実施形態に係るアンテナ装置１０３の回路図である。
【図１２】図１２は第４の実施形態に係るアンテナ装置１０４の回路図である。
【図１３】図１３はアンテナ装置１０４の反射係数の周波数特性を示す図である。
【図１４】図１４は比較例としてのアンテナ装置の回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
まず、本発明に係るアンテナ装置及び電子機器における各種態様の構成について記載する。
【００１６】
本発明に係る第１の態様のアンテナ装置は、
第１コイル及び当該第１コイルに結合する第２コイルを備える結合素子と、
給電回路から間接的に給電される第１無給電放射素子及び第２無給電放射素子並びに前記給電回路から直接的に給電される給電放射素子と、を備え、
前記第１コイルは前記第１無給電放射素子とグランドとの間に接続され、
前記第２コイルは前記第２無給電放射素子とグランドとの間に接続され、
前記第１無給電放射素子は前記給電放射素子に電界結合する。
【００１７】
上記構成によれば、給電放射素子と第１無給電放射素子とを強く電界結合させることができ、かつ、第２無給電放射素子は結合素子を介して第１無給電放射素子と結合するので、第２無給電放射素子の放射素子としての特性が有効に利用される。そのため、広帯域のアンテナ装置が得られる。
【００１８】
本発明に係る第２の態様のアンテナ装置では、前記第１結合素子は、複数の絶縁基材と、複数の導体パターンとが積層された素子であり、前記複数の導体パターンは前記複数の絶縁基材の表面に形成され、前記第１コイル及び前記第２コイルは、前記複数の導体パターンのうち、１つ以上の導体パターンによって形成される。この構造によれば、結合係数の高い小型の第１結合素子が構成され、小型のアンテナ装置が得られる。
【００１９】
本発明に係る第３の態様のアンテナ装置は、前記給電放射素子及び前記第１無給電放射素子が、互いに同方向に延伸する部分を有する。この構造によれば、給電放射素子と第１無給電放射素子との結合を高めることができる。
【００２０】
本発明に係る第４の態様のアンテナ装置は、前記給電放射素子が、第１周波数帯域と、前記第１周波数帯域よりも周波数の高い第２周波数帯域とで共振し、前記第１無給電放射素子及び前記第２無給電放射素子は前記第２周波数帯域で共振する。この構造によれば、第２周波数帯域を広帯域化できる。
【００２１】
本発明に係る第５の態様のアンテナ装置は、前記第２無給電放射素子の共振周波数が前記給電放射素子の前記第２周波数帯域における共振周波数と前記第１無給電放射素子の共振周波数との間にある。この構造によれば、周波数帯域の高い第２周波数帯域を効果的に広帯域化できる。
【００２２】
本発明に係る第６の態様のアンテナ装置は、前記給電放射素子、前記第１無給電放射素子及び前記第２無給電放射素子は平面方向に並ぶように形成され、前記第１無給電放射素子は前記給電放射素子と前記第２無給電放射素子とで挟まれる位置にある。この構造によれば、第１無給電放射素子に比べて第２無給電放射素子の放射効率が高まるので、給電放射素子の第２周波数帯域における共振周波数と第１無給電放射素子の共振周波数との間の利得が高まり、第２周波数帯域が効果的に広帯域化される。
【００２３】
本発明に係る第７の態様のアンテナ装置は、前記グランドはグランド導体であり、前記給電放射素子が前記第１無給電放射素子に比べてグランド導体から離れた位置に配置されている。この構造によれば、給電回路に接続される線長の長い給電放射素子の放射効率が高まる。
【００２４】
本発明に係る第８の態様のアンテナ装置は、前記給電放射素子が、給電線と短絡線とを有する逆Ｆ型放射素子である。この構造によれば、小型でありながら放射効率の高い給電放射素子を有するアンテナ装置が得られる。
【００２５】
本発明に係る第９の態様のアンテナ装置は、前記逆Ｆ型放射素子の短絡線とグランドとの間に直列接続されたインダクタを備える。この構造によれば、小型でありながらローバンドでの通信に対応する給電放射素子を有するアンテナ装置が得られる。
【００２６】
本発明に係る第１０の態様のアンテナ装置は、前記逆Ｆ型放射素子への給電線の接続部から前記第１無給電放射素子より遠ざかる方向に延伸する部分を有する。この構造によれば、第１無給電放射素子が給電放射素子に与える影響は小さく、第１無給電放射素子と給電放射素子との磁界結合を高めることができる。
【００２７】
本発明に係る第１１の態様のアンテナ装置は、前記給電放射素子が前記給電回路とグランドとの間に接続され、前記第１無給電放射素子及び前記第２無給電放射素子は前記給電放射素子で部分的に囲まれる。この構造によれば、給電放射素子と共に第１無給電放射素子及び第２無給電放射素子を限られたスペースに配置することができ、小型のアンテナ装置が構成される。
【００２８】
本発明に係る第１２の態様のアンテナ装置は、前記給電放射素子とグランドとの間に接続されたインピーダンス調整回路を備え、前記第１無給電放射素子の共振周波数及び前記第２無給電放射素子の共振周波数での前記インピーダンス調整回路のインピーダンスは前記給電放射素子の共振周波数でのインピーダンスより高い。この構造によれば、第１無給電放射素子の共振周波数及び第２無給電放射素子の共振周波数で、給電放射素子は第１無給電放射素子及び第２無給電放射素子に対して実質的に影響を与えないので、第１無給電放射素子又は第２無給電放射素子単体での放射効率が維持できる。
【００２９】
本発明に係る第１３の態様のアンテナ装置は、前記第１無給電放射素子と前記第１コイルとの間に直列接続されたキャパシタを備える。この構造によれば、第１無給電放射素子の線長を短くすることなく、第１無給電放射素子の共振周波数を所定周波数に定めることができる。そのため、第１無給電放射素子と給電放射素子との結合度を確保できる。
【００３０】
本発明に係る第１４の態様のアンテナ装置は、第３コイル及び当該第３コイルに結合する第４コイルを備える第２結合素子と、前記給電回路から第１結合素子及び第２結合素子を介して給電される第３無給電放射素子と、を備え、前記第３コイルは前記第２無給電放射素子とグランドとの間に接続され、前記第４コイルは前記第３無給電放射素子とグランドとの間に接続される。この構造によれば、３つの無給電放射素子により、更なる広帯域化が図れる。
【００３１】
本発明に係る第１５の態様の電子機器は、上記第１の態様のアンテナ装置から上記第１２の態様のアンテナ装置のいずれかに記載のアンテナ装置と、当該アンテナ装置に接続される前記給電回路が形成された回路基板と、前記アンテナ装置及び前記回路基板を収める筐体と、を備える。この構造によれば、広帯域のアンテナ装置を備える電子機器が得られる。
【００３２】
本発明に係る第１６の態様の電子機器は、前記給電放射素子、前記第１無給電放射素子及び前記第２無給電放射素子が、前記回路基板の一部を覆う誘電体又は絶縁体に形成された導体パターンである。この構造によれば、回路基板に各放射素子を形成する構造に比べて、省スペースかつ高利得のアンテナ装置を備える電子機器が得られる。
【００３３】
本発明に係る第１７の態様の電子機器は、前記給電放射素子が前記筐体の外縁に沿った形状を備える。この構造によれば、筐体内部の空間を制限することなく、相対的に大サイズの給電放射素子を備える電子機器が構成される。
【００３４】
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明又は理解の容易性を考慮して、実施形態を説明の便宜上分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせは可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
【００３５】
《第１の実施形態》
図１（Ａ）は第１の実施形態に係るアンテナ装置１０１Ａの回路図である。また、図１（Ｂ）は第１の実施形態に係る別のアンテナ装置１０１Ｂの回路図である。
【００３６】
アンテナ装置１０１Ａは、給電放射素子１０と、第１無給電放射素子２１と、第２無給電放射素子２２と、結合素子３０とを備える。
【００３７】
結合素子３０は第１コイルＬ１と、この第１コイルＬ１に電磁界結合（主として磁界結合）する第２コイルＬ２とを備える。第１コイルＬ１と第２コイルＬ２の結合を高めることを考慮すると、結合素子３０は、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とを積層した、積層体のトランスやチップ部品であることが好ましい。
【００３８】
結合素子３０の第１コイルＬ１は第１無給電放射素子２１とグランドとの間に接続されていて、第２コイルＬ２は第２無給電放射素子２２とグランドとの間に接続されている。
【００３９】
第１無給電放射素子２１と給電放射素子１０とは同方向に延伸する部分を有し、その延伸する部分で、第１無給電放射素子２１は給電放射素子１０に電界結合する。図１（Ａ）、図１（Ｂ）中の両端矢印線は、この電界結合を図示するものである。なお、第１無給電放射素子２１と給電放射素子１０とが同方向に延伸する部分は、第１無給電放射素子２１と給電放射素子１０とが互いに間隔をおいて並走する部分である。
【００４０】
給電放射素子１０は、主放射素子１１、副放射素子１２、給電線１３、及び短絡線１４を備える逆Ｆ型放射素子である。給電線１３とグランドとの間には給電回路１が接続される。短絡線１４とグランドとの間にはインダクタＬｓが直列接続されている。
【００４１】
図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示すＸ−Ｙ座標軸の採り方において、主放射素子１１は、Ｙ方向に延伸する第１延伸部１１Ａ、第１延伸部１１Ａの端からＸ方向に延伸する第２延伸部１１Ｂと、第２延伸部１１Ｂの端から−Ｙ方向に延伸する第３延伸部１１Ｃと、第３延伸部１１Ｃの端から−Ｘ方向に延伸する第４延伸部１１Ｄとで構成される。
【００４２】
副放射素子１２は主放射素子１１のうち第１延伸部１１Ａの途中からＸ方向に延伸し、主放射素子１１の第２延伸部１１Ｂと第４延伸部１１Ｄとの間に配置される。そして、この副放射素子１２の先端付近と主放射素子１１の先端付近（第４延伸部１１Ｄの先端付近）との間に浮遊容量Ｃｓを形成している。この浮遊容量Ｃｓは主放射素子１１を構成する導体パターンと副放射素子１２を構成する導体パターンとの間に生じる容量である。この浮遊容量は逆Ｆアンテナの放射素子に付加される容量成分であり、この浮遊容量の大きさによって主放射素子１１及び副放射素子１２の共振周波数が調整されている。
【００４３】
アンテナ装置１０１Ａは、第１無給電放射素子２１と結合素子３０の第１コイルＬ１との間に直列接続されたキャパシタＣを備える。このキャパシタＣは第１無給電放射素子２１を所定長に維持したまま、第１無給電放射素子２１の共振周波数を所定周波数に高めるために設けられている。このことにより、ハイバンド用の第１無給電放射素子２１が極端に短くならないので、この第１無給電放射素子２１と給電放射素子１０との結合を高めることができる。ただし、第１無給電放射素子２１の共振周波数を所定周波数に高めるために第１無給電放射素子２１をさほど短くしなくてもよい場合には、図１（Ｂ）に示すアンテナ装置１０１Ｂのように、キャパシタＣは無くてもよい。
【００４４】
給電放射素子１０は給電回路１から直接的に給電される。第１無給電放射素子２１は、給電放射素子１０の特に主放射素子１１との電界結合によって給電される。第２無給電放射素子２２は結合素子３０を介して第１無給電放射素子２１から給電される。
【００４５】
なお、「無給電放射素子」の名称は給電回路１から直接的に給電されない放射素子という意味での名称であり、上述のとおり、間接的には給電される。
【００４６】
上記インダクタＬｓは、短絡線１４からグランド側へ、通信周波数帯のハイバンドの高周波電流を流れ難くする。このことにより、第１無給電放射素子２１の電界結合付近が等価的なショートにならないようにして、インダクタＬｓを備えない場合に比べて、第１無給電放射素子２１と給電放射素子１０との電界結合がより有効に作用する。ただし、例えば、第１無給電放射素子２１と給電放射素子１０との電界結合が問題とならない場合には、図１（Ｂ）に示すアンテナ装置１０１Ｂのように、インダクタＬｓは無くてもよい。
【００４７】
図２（Ａ）はアンテナ装置１０１Ａを備える電子機器２０１の主要部の平面図であり、図２（Ｂ）はその側面図であり、図２（Ｃ）は、回路基板４０に形成されたアンテナ装置１０１Ａの概略回路図である。図３はアンテナ装置１０１Ａを備える電子機器の主要部の斜視図である。また、図４はアンテナ装置１０１Ａを備える電子機器２０１の断面図である。
【００４８】
電子機器２０１は、図４に示すように、アンテナ装置１０１Ａと、このアンテナ装置１０１Ａに接続される給電回路が形成された回路基板４０と、アンテナ装置１０１Ａ及び回路基板４０を収める筐体５０と、を備える。
【００４９】
図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）に表れているように、回路基板４０はグランド導体形成領域ＧＲとグランド導体非形成領域ＮＧＲとを備える。この回路基板４０のグランド導体非形成領域ＮＧＲを覆う位置にアンテナ４１が配置されている。このアンテナ４１は、誘電体又は絶縁体に所定の導体パターンが形成されたものである。アンテナ４１の表面には、給電放射素子１０、第１無給電放射素子２１及び第２無給電放射素子２２が形成されている。このアンテナ４１の表面が放射素子形成領域である。平面内に形成された複数の放射素子を取り囲む最小の矩形領域を放射素子形成領域としてもよい。また、給電放射素子１０、第１無給電放射素子２１及び第２無給電放射素子２２は平面方向に並ぶように形成されており、第１無給電放射素子２１は給電放射素子１０と第２無給電放射素子２２とで挟まれる位置にある。したがって、給電放射素子１０と第２無給電放射素子２２は第１無給電放射素子２１よりも放射素子形成領域の外側に位置する。これら給電放射素子１０、第１無給電放射素子２１及び第２無給電放射素子２２は、例えばLDS法（Laser Direct Structuring）によって形成されたCu等の導体パターンである。
【００５０】
本実施形態によれば、回路基板４０に各放射素子を形成する構造に比べて、省スペースかつ高利得のアンテナ装置を備える電子機器が得られる。
【００５１】
主放射素子１１を構成する導体パターンと副放射素子１２を構成する導体パターンとの間に、図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示した浮遊容量Ｃｓが生じるので、主放射素子１１を構成する導体パターン又は副放射素子１２を構成する導体パターンの開放端をトリミングすることによって浮遊容量Ｃｓの大きさを調整することができる。
【００５２】
回路基板４０には、図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ｃ）に示した給電回路１が形成されている。また、回路基板４０には結合素子３０、インダクタＬｓ、及びキャパシタＣが形成されている。（図２（Ｃ）に示す例ではチップキャパシタＣ及びチップインダクタＬｓが実装されている。）結合素子３０は第１コイルＬ１と第２コイルＬ２を備えるチップ部品（積層体のトランス）であり、回路基板４０に実装されている。
【００５３】
図２（Ｃ）に表れているように、回路基板４０上にアンテナ４１が搭載され、電気的に接続された状態で、アンテナ４１に形成されている給電放射素子１０は給電回路１の一端及びチップインダクタＬｓの一端に接続される。また、第１無給電放射素子２１はチップキャパシタＣの一端に接続され、第２無給電放射素子２２は結合素子３０の第２無給電放射素子接続端子ＰＳ２（図１（Ａ）、図１（Ｂ）参照）に接続される。
【００５４】
第２無給電放射素子２２は第１無給電放射素子２１に対して非平行に延伸している。そのため、第２無給電放射素子２２は第１無給電放射素子２１と不要な電界結合をすることなく、結合素子３０を介して主に磁界結合する。
【００５５】
本実施形態によれば、給電放射素子１０が逆Ｆ型放射素子であるので、小型でありながら放射効率の高い給電放射素子を有するアンテナ装置が得られる。また、逆Ｆ型放射素子の短絡線１４とグランドとの間に直列接続されたインダクタＬｓを備えるので、小型でありながら低い周波数帯域（例えば、後述するローバンド）での通信に対応する給電放射素子を有するアンテナ装置が得られる。なお、図２（Ａ）、図２（Ｃ）においては、給電線１３と短絡線１４との間には導体パターンが形成されていない例を示したが、この部分に導体パターンが形成されていてもよい。つまり、給電線１３から短絡線１４まで連続する導体パターンが形成されていてもよい。
【００５６】
また、本実施形態によれば、逆Ｆ型放射素子への給電線１３の接続部から第１無給電放射素子２１より遠ざかる方向に延伸する第２延伸部１１Ｂを有するので、給電放射素子１０の放射に寄与する大部分が第１無給電放射素子２１から離れた場所に位置するので、給電放射素子１０の放射が第１無給電放射素子２１によって妨げられることを抑制できる。換言すれば、第１無給電放射素子２１が給電放射素子１０に与える影響は小さい。第２無給電放射素子２２は第１無給電放射素子２１よりも給電放射素子１０から離れた位置にあるため、給電放射素子１０に与える影響は更に小さい。これによって、給電放射素子１０の放射特性をほとんど変化させることなく、第１無給電放射素子２１及び第２無給電放射素子２２の放射特性を給電放射素子１０の放射特性に加えることができる。
【００５７】
ここで、比較例としてのアンテナ装置の回路図を図１４に示す。この比較例としてのアンテナ装置は、給電放射素子６０と、第１無給電放射素子７１と、第２無給電放射素子７２と、結合素子８０とを備える。結合素子８０の第１コイルＬＡは給電放射素子６０とグランドとの間に接続されていて、第２コイルＬＢは第１無給電放射素子７１とグランドとの間に接続されている。第２無給電放射素子７２は第１無給電放射素子７１に電界結合させるために近接配置されている。
【００５８】
図１４に示すような比較例のアンテナ装置では、無給電放射素子（第１無給電放射素子７１）にさらなる無給電放射素子（第２無給電放射素子７２）を強く結合させることはできず、さらなる無給電放射素子（第２無給電放射素子７２）が、無給電放射素子（第１無給電放射素子７１）から充分な電力を受けることは難しい。そのため、第２無給電放射素子７２を付加することによる広帯域化効果は小さい。また、このように給電放射素子６０と第１無給電放射素子７１とを結合素子８０で結合させると、第１無給電放射素子７１が給電放射素子６０の放射特性を変化させてしまう。
【００５９】
次に、上記結合素子３０の構成例を示す。
【００６０】
図５は結合素子３０の斜視図であり、図６は結合素子３０の各層に形成されている導体パターンを示す分解平面図である。
【００６１】
本実施形態の結合素子３０は電子機器内の回路基板に実装される、直方体状のチップ部品である。図５においては、結合素子３０の外形とその内部の構造とを分離して図示している。結合素子３０の外形は二点鎖線で表している。結合素子３０の外面には、第１グランド端子ＰＧ１、第１無給電放射素子接続端子ＰＳ１、第２グランド端子ＰＧ２、及び第２無給電放射素子接続端子ＰＳ２が形成されている。また、結合素子３０は第１面ＭＳ１と当該第１面とは反対側の面である第２面ＭＳ２とを備える。本実施形態では、第１面ＭＳ１が実装面であり、この面が回路基板に対向する。
【００６２】
結合素子３０の内部には、第１導体パターンＬ１１、第２導体パターンＬ１２、第３導体パターンＬ２１、第４導体パターンＬ２２が形成されている。第１導体パターンＬ１１と第２導体パターンＬ１２とは層間接続導体Ｖ１を介して接続されている。第３導体パターンＬ２１と第４導体パターンＬ２２とは層間接続導体Ｖ２を介して接続されている。なお、図５においては、上記各導体パターンが形成された絶縁基材Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ２１，Ｓ２２を積層方向に分離して表している。
【００６３】
第１グランド端子ＰＧ１及び第１無給電放射素子接続端子ＰＳ１は第１コイルＬ１の両端が接続される端子であり、第１無給電放射素子接続端子ＰＳ１及び第２グランド端子ＰＧ２は第２コイルの両端が接続される端子である。
【００６４】
図６に表れているように、絶縁基材Ｓ１１に第１導体パターンＬ１１、絶縁基材Ｓ１２に第２導体パターンＬ１２、絶縁基材Ｓ２１に第３導体パターンＬ２１、絶縁基材Ｓ２２に第４導体パターンＬ２２、がそれぞれ形成されている。これらコイル導体パターンは、実装面に近い層から順に第１導体パターンＬ１１、第２導体パターンＬ１２、第３導体パターンＬ２１、第４導体パターンＬ２２が配置されるように、絶縁基材Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ２１，Ｓ２２が積層されている。なお、図６では、コイル導体パターンが形成されている絶縁基材について表している。本実施形態の結合素子３０は、絶縁基材Ｓ１１より下方、絶縁基材Ｓ２２より上方のそれぞれに、コイル導体パターンが形成されていない複数の絶縁基材が積層されている。
【００６５】
第１導体パターンＬ１１の第１端は第１グランド端子ＰＧ１に接続されていて、第２端は層間接続導体Ｖ１を介して第２導体パターンＬ１２の第１端に接続されている。第２導体パターンＬ１２の第２端は第１無給電放射素子接続端子ＰＳ１に接続されている。また、第３導体パターンＬ２１の第１端は第２無給電放射素子接続端子ＰＳ２に接続されていて、第３導体パターンＬ２１の第２端は層間接続導体Ｖ２を介して第４導体パターンＬ２２の第１端に接続されている。第４導体パターンＬ２２の第２端は第２グランド端子ＰＧ２に接続されている。
【００６６】
結合素子３０を樹脂多層基板で構成する場合、上記絶縁基材Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ２１，Ｓ２２は例えば液晶ポリマー（LCP）シートであり、導体パターンＬ１１，Ｌ１２，Ｌ２１，Ｌ２２は例えば銅箔をパターンニングしたものである。また、結合素子３０をセラミック多層基板で構成する場合、上記絶縁基材Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ２１，Ｓ２２は例えば低温同時焼成セラミックス（LTCC［Low Temperature Co-fired Ceramics］）であり、導体パターンＬ１１，Ｌ１２，Ｌ２１，Ｌ２２は例えば銅ペーストを印刷形成したものである。
【００６７】
図７は、上記４つのコイル導体パターンを含む結合素子３０の回路図である。第２導体パターンＬ１２と第１導体パターンＬ１１は直列接続されて第１コイルＬ１を構成している。同様に、第４導体パターンＬ２２と第３導体パターンＬ２１は直列接続されて第２コイルＬ２を構成している。第１コイルＬ１と第２コイルＬ２は電磁界結合する。
【００６８】
上記構成により、各導体パターンＬ１１，Ｌ１２，Ｌ２１，Ｌ２２は平面視で全周に亘って重なり、各導体パターンＬ１１，Ｌ１２，Ｌ２１，Ｌ２２は積層方向に最も近接している（他の絶縁基材を介さないで積層方向に隣接している）ので、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２との結合係数は高い。
【００６９】
なお、導体パターンの形成されていない他の絶縁基材を介して、適切な結合係数に適宜調整することも可能である。
【００７０】
図８はアンテナ装置１０１Ａの反射係数の周波数特性を示す図である。ここで、横軸は周波数、縦軸は給電回路１から視たアンテナ装置１０１Ａの反射損失（Ｓ１１）である。図８において、周波数ｆ１１，ｆ１２，ｆ２１，ｆ２２で共振点が生じている。ここで、周波数ｆ１１は主放射素子１１の第１周波数帯域Ｆ１での共振周波数であり、周波数ｆ１２は副放射素子１２の共振周波数である。この周波数ｆ１２は、第１周波数帯域よりも周波数の高い第２周波数帯域Ｆ２での共振周波数である。また、周波数ｆ２１は第１無給電放射素子２１の共振周波数であり、周波数ｆ２２は第２無給電放射素子２２の共振周波数である。
【００７１】
第１周波数帯域Ｆ１は例えば７００ＭＨｚから９６０ＭＨｚまでのローバンドの通信周波数帯であり、第２周波数帯域Ｆ２は例えば１７００ＭＨｚから２７００ＭＨｚまでのハイバンドの通信周波数帯である。この例では、主放射素子１１の共振が、ローバンドの通信に使用され、副放射素子１２の共振が１８００ＭＨｚ帯等のハイバンドの通信に用いられる。さらに、第２無給電放射素子２２の共振周波数ｆ２２の共振、及び第１無給電放射素子２１の共振周波数ｆ２１の共振は、上記ｆ１２より高域のハイバンドの通信に使用される。このように、給電放射素子１０は第１周波数帯域Ｆ１と第２周波数帯域Ｆ２の両方に共振周波数を有し、第１無給電放射素子２１及び第２無給電放射素子２２は第２周波数帯域Ｆ２に共振周波数を有する。
【００７２】
第２無給電放射素子２２の共振周波数ｆ２２は、第１無給電放射素子２１の共振周波数ｆ２１と給電放射素子１０の第２周波数帯域における共振周波数ｆ１２との間に定められている。そのため、給電放射素子１０の共振周波数（特に、本実施形態では副放射素子１２の共振周波数ｆ１２、すなわち給電放射素子１０の第２周波数帯域における共振周波数）から第１無給電放射素子２１の共振周波数ｆ２１まで連続する広帯域に亘ってアンテナ装置１０１Ａ，１０１Ｂは使用可能となる。また、第２無給電放射素子２２は、第１無給電放射素子２１よりも放射素子形成領域において外側（給電回路１から電気的に離れた位置）に位置するため、放射が妨げられ難い。そのため、第２無給電放射素子２２は広帯域化に効果的に寄与する。
【００７３】
なお、主放射素子１１の基本共振周波数（λ／４共振）以外に、例えば３λ／４共振等の高次共振モードを利用してもよい。また、上記給電放射素子が上記副放射素子を備えない逆Ｆ型放射素子についても同様に高周波数帯域を広帯域化できる。
【００７４】
《第２の実施形態》
第２の実施形態では、第１無給電放射素子と給電放射素子とが先端部同士で電界結合する例について示す。
【００７５】
図９は第２の実施形態に係るアンテナ装置１０２の回路図である。このアンテナ装置１０２は、第１無給電放射素子２１と、第２無給電放射素子２２と、給電放射素子１０と、結合素子３０とを備える。
【００７６】
結合素子３０の第１コイルＬ１は第１無給電放射素子２１とグランドとの間に接続されていて、第２コイルＬ２は第２無給電放射素子２２とグランドとの間に接続されている。
【００７７】
第１無給電放射素子２１と給電放射素子１０とは、先端部同士が近接している。また、第１無給電放射素子２１の先端部と給電放射素子１０の先端部とは同方向に延伸する。但し、給電放射素子１０の給電線の接続部（給電点）からの延伸方向と、第１無給電放射素子２１の結合素子３０からの延伸方向とは逆向きである。第１無給電放射素子２１と給電放射素子１０とは、主に先端部同士の近接する部分（図中の破線で囲む部分）で、電界結合する。
【００７８】
給電放射素子１０は給電回路１から直接的に給電される。第１無給電放射素子２１は、給電放射素子１０との電界結合によって給電される。第２無給電放射素子２２は結合素子３０を介して第１無給電放射素子２１から給電される。
【００７９】
給電放射素子１０は、その１／４波長共振で第１周波数帯域（例えば７００ＭＨｚから９６０ＭＨｚまでのローバンド）の通信に使用され、その３／４波長共振で第２周波数帯域（例えば１７００ＭＨｚから２７００ＭＨｚまでハイバンド）の通信に使用される。また、第１無給電放射素子２１の共振及び第２無給電放射素子２２の共振が第２周波数帯域の通信に使用される。
【００８０】
このように、給電放射素子１０の先端部（給電線の接続部から遠い側の端部）、及び第１無給電放射素子２１の先端部は電界強度の強い部分であるので、第１無給電放射素子２１の先端部と給電放射素子１０の先端部との並走距離が短くても、給電放射素子１０と第１無給電放射素子２１とを強く結合させることができる。
【００８１】
図１０（Ａ）はアンテナ装置１０２を備える電子機器２０２の主要部の平面図であり、図１０（Ｂ）はその側面図である。
【００８２】
電子機器２０２は、アンテナ装置１０２と、このアンテナ装置１０２に接続される給電回路が形成された回路基板４０と、アンテナ装置１０２及び回路基板４０を収める筐体と、を備える。図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）では筐体を図示していない。
【００８３】
回路基板４０はグランド導体形成領域ＧＲとグランド導体非形成領域ＮＧＲとを備える。この回路基板４０のグランド導体非形成領域ＮＧＲを覆う位置にアンテナ４１が配置されている。このアンテナ４１は、誘電体又は絶縁体に所定の導体パターンが形成されたものである。アンテナ４１の表面には、給電放射素子１０、第１無給電放射素子２１及び第２無給電放射素子２２が形成されている。これら給電放射素子１０、第１無給電放射素子２１及び第２無給電放射素子２２は、例えばLDS法（Laser Direct Structuring）によって形成されたCu等の導体パターンである。
【００８４】
回路基板４０には、図９に示した給電回路１が形成されている。また、回路基板４０には結合素子３０が形成されている。結合素子３０は第１コイルＬ１と第２コイルＬ２を備えるチップ部品であり、回路基板４０に実装されている。
【００８５】
回路基板４０上にアンテナ４１が搭載され、電気的に接続された状態で、アンテナ４１に形成されている給電放射素子１０は給電回路１の一端に接続される。また、第１無給電放射素子２１及び第２無給電放射素子２２は結合素子３０に接続される。
【００８６】
図１０（Ａ）に表れているように、給電放射素子１０、第１無給電放射素子２１及び第２無給電放射素子２２の放射素子形成領域において、第２無給電放射素子２２が第１無給電放射素子２１に比べて外側の位置にある。この構造によれば、第１無給電放射素子２１に比べて第２無給電放射素子２２の放射効率が高まるので、給電放射素子１０の第２周波数帯域における共振周波数と第１無給電放射素子２１の共振周波数との間の周波数帯での利得が高まり、第２周波数帯域が効果的に広帯域化される。
【００８７】
また、図１０（Ａ）に表れているように、給電放射素子１０が第１無給電放射素子２１に比べてグランド導体形成領域ＧＲから離れた位置に配置されている。この構造によれば、給電回路１に接続される線長の長い給電放射素子１０の放射効率が高まる。
【００８８】
《第３の実施形態》
第３の実施形態では、給電放射素子がループ状放射素子である例について示す。
【００８９】
図１１は第３の実施形態に係るアンテナ装置１０３の回路図である。このアンテナ装置１０３は、第１無給電放射素子２１と、第２無給電放射素子２２と、給電放射素子１０と、結合素子３０とを備える。
【００９０】
給電放射素子１０は、給電回路１の接続端とは反対側の端部が、インピーダンス調整回路１５を介してグランドに接続されている。給電放射素子１０とインピーダンス調整回路１５とグランドと給電回路１とでループが構成されるので、給電放射素子１０はループ状放射素子と言うことができる。この給電放射素子１０は第１無給電放射素子２１及び第２無給電放射素子２２を囲む位置に形成されている。
【００９１】
第１無給電放射素子２１と給電放射素子１０とは同方向に延伸する部分（第１無給電放射素子２１と給電放射素子１０とが並走する部分）を有し、その延伸する部分で、第１無給電放射素子２１は給電放射素子１０に電界結合する。
【００９２】
給電放射素子１０は給電回路１から直接的に給電される。第１無給電放射素子２１は、給電放射素子１０の特に主放射素子１１との電界結合によって給電される。第２無給電放射素子２２は結合素子３０を介して第１無給電放射素子２１から給電される。
【００９３】
給電放射素子１０は第１周波数帯域（例えば７００ＭＨｚから９６０ＭＨｚまでのローバンド）の通信に使用され、第１無給電放射素子２１及び第２無給電放射素子２２は第２周波数帯域（例えば１７００ＭＨｚから２７００ＭＨｚまでハイバンド）の通信に使用される。
【００９４】
インピーダンス調整回路１５はハイバンドにおいて高インピーダンスとなって、給電放射素子１０の先端部（給電回路１の接続部から遠い側の端部）は実質的に開放状態となる。言い換えると、ハイバンドにおいて給電放射素子１０の先端部が実質的に開放状態となるようにインピーダンス調整回路１５のリアクタンスが定められている。このため、ハイバンドにおいて第１無給電放射素子２１及び第２無給電放射素子２２が上記ループで電気的に囲まれることがない。換言すれば、第１無給電放射素子２１及び第２無給電放射素子２２が放射する際には、給電放射素子１０がインピーダンス調整回路１５によってオープンに見えるようになる。そのため、ハイバンドにおいて第１無給電放射素子２１及び第２無給電放射素子２２は給電放射素子１０の影響を受けることなく放射素子として作用する。つまり、第１無給電放射素子２１又は第２無給電放射素子２２単体での放射効率が維持される。
【００９５】
本実施形態によれば、給電放射素子１０が給電回路１とグランドとの間に接続され、第１無給電放射素子２１及び第２無給電放射素子２２は給電放射素子１０で部分的に囲まれるので、給電放射素子１０と共に第１無給電放射素子２１及び第２無給電放射素子２２を限られたスペースに配置することができ、小型のアンテナ装置が構成される。
【００９６】
《第４の実施形態》
第４の実施形態では、３つ以上の無給電放射素子及び２つ以上の結合素子を備えるアンテナ装置の例について示す。
【００９７】
図１２は第４の実施形態に係るアンテナ装置１０４の回路図である。このアンテナ装置１０４は、給電放射素子１０、第１無給電放射素子２１、第２無給電放射素子２２、第３無給電放射素子２３、及び結合素子３０Ａ，３０Ｂを備える。
【００９８】
本実施形態のアンテナ装置１０４は、図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示した例とは異なり、第３無給電放射素子２３と二つの結合素子３０Ａ，３０Ｂを備える。
【００９９】
結合素子３０Ａは第１コイルＬ１と、この第１コイルＬ１に電磁界結合（主として磁界結合）する第２コイルＬ２とを備える。結合素子３０Ｂは第３コイルＬ３と、この第３コイルＬ３に電磁界結合（主として磁界結合）する第４コイルＬ４とを備える。
【０１００】
第１無給電放射素子２１とグランドとの間には結合素子３０Ａの第１コイルＬ１が接続されている。第２無給電放射素子２２とグランドとの間には結合素子３０Ａの第２コイルＬ２と結合素子３０Ｂの第３コイルＬ３との直列回路が接続されている。第３無給電放射素子２３とグランドとの間には結合素子３０Ｂの第４コイルＬ４が接続されている。
【０１０１】
給電放射素子１０は、主放射素子１１、副放射素子１２、給電線１３、及び短絡線１４を備える逆Ｆ型放射素子である。給電線１３とグランドとの間には、キャパシタＣを介して給電回路１が接続される。短絡線１４とグランドとの間にはインダクタＬｓが直列接続されている。
【０１０２】
上記給電放射素子１０の構成は第１の実施形態で示したとおりである。また、第１無給電放射素子２１及び第２無給電放射素子２２の構成は第１の実施形態で示した第１無給電放射素子２１及び第２無給電放射素子２２のとおりである。
【０１０３】
図１３はアンテナ装置１０４の反射係数の周波数特性を示す図である。ここで、横軸は周波数、縦軸は給電回路１から視たアンテナ装置１０４の反射損失（Ｓ１１）である。図１３において、周波数ｆ１１，ｆ１２，ｆ２１，ｆ２２，ｆ２３で共振点が生じている。ここで、周波数ｆ１１は主放射素子１１の第１周波数帯域Ｆ１での共振周波数であり、周波数ｆ１２は副放射素子１２の共振周波数である。この周波数ｆ１２は、第１周波数帯域よりも周波数の高い第２周波数帯域Ｆ２での共振周波数である。また、周波数ｆ２１は第１無給電放射素子２１の共振周波数であり、周波数ｆ２２は第２無給電放射素子２２の共振周波数であり、周波数ｆ２３は第３無給電放射素子２３の共振周波数である。
【０１０４】
第１周波数帯域Ｆ１は例えば７００ＭＨｚから９６０ＭＨｚまでのローバンドの通信周波数帯であり、第２周波数帯域Ｆ２は例えば１７００ＭＨｚから２７００ＭＨｚまでのハイバンドの通信周波数帯である。この例では、主放射素子１１の共振が、ローバンドの通信に使用され、副放射素子１２の共振が１８００ＭＨｚ帯等のハイバンドの通信に用いられる。また、第１無給電放射素子２１の共振周波数ｆ２１の共振、第２無給電放射素子２２の共振周波数ｆ２２の共振、及び第３無給電放射素子２３の共振周波数ｆ２３の共振で、上記ｆ１２より高域のハイバンドの通信に使用される。
【０１０５】
このように、給電放射素子１０は第１周波数帯域Ｆ１と第２周波数帯域Ｆ２の両方に共振周波数を有し、第１無給電放射素子２１、第２無給電放射素子２２、及び第３無給電放射素子２３は第２周波数帯域Ｆ２に共振周波数を有する。
【０１０６】
このように３つ以上の無給電放射素子を設けることによって、また、各無給電放射素子に接続される結合素子を備えることによって、更なる広帯域化を図ることができる。
【０１０７】
なお、本発明におけるアンテナ装置は、当然ながら送信用に限らず、受信用又は送受信用に用いることができ、送受が逆の関係であっても同様に作用する。「給電回路」は送信電力を出力する回路に限る意味を持つものではなく、受信時には受信信号を入力して増幅する回路に相当する。
【０１０８】
また、本発明における電子機器は既に示した電子機器２０１，２０２に限らない。例えば、第３の実施形態や第４の実施形態で示したアンテナ装置を備える電子機器も本発明における電子機器に含まれる。
【０１０９】
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形及び変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。
【符号の説明】
【０１１０】
Ｃ…キャパシタ
ＧＲ…グランド導体形成領域
Ｌ１，ＬＡ…第１コイル
Ｌ２，ＬＢ…第２コイル
Ｌ３…第３コイル
Ｌ４…第４コイル
Ｌ１１…第１導体パターン
Ｌ１２…第２導体パターン
Ｌ２１…第３導体パターン
Ｌ２２…第４導体パターン
Ｌｓ…インダクタ
ＭＳ１…第１面
ＭＳ２…第２面
ＮＧＲ…グランド導体非形成領域
ＰＧ１…第１グランド端子
ＰＧ２…第２グランド端子
ＰＳ１…第１無給電放射素子接続端子
ＰＳ２…第２無給電放射素子接続端子
Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ２１，Ｓ２２…絶縁基材
Ｖ１，Ｖ２…層間接続導体
１…給電回路
１０，６０…給電放射素子
１１，７１…主放射素子
１１Ａ…第１延伸部
１１Ｂ…第２延伸部
１１Ｃ…第３延伸部
１１Ｄ…第４延伸部
１２，７２…副放射素子
１３…給電線
１４…短絡線
１５…インピーダンス調整回路
２１…第１無給電放射素子
２２…第２無給電放射素子
３０，３０Ａ，３０Ｂ，８０…結合素子
４０…回路基板
４１…アンテナ
５０…筐体
１０１Ａ，１０１Ｂ，１０２，１０３，１０４…アンテナ装置
２０１，２０２…電子機器
【図１】
2020004130.tif 000003
【図２】
2020004130.tif 000004
【図３】
2020004130.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2020004130.tif 000009
【図８】
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【図９】
2020004130.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2020004130.tif 000015
【図１４】
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【手続補正書】
【提出日】令和2年9月9日(2020.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１コイル及び当該第１コイルに結合する第２コイルを備える第１結合素子と、
給電回路と、
給電放射素子と、
第１無給電放射素子と、
第２無給電放射素子と、を備え、
前記給電放射素子は、前記給電回路に接続され、
前記第１コイルは前記第１無給電放射素子とグランドとの間に接続され、
前記第２コイルは前記第２無給電放射素子とグランドとの間に接続され、
前記第１無給電放射素子は前記給電放射素子と電界結合することによって給電され、
前記第２無給電放射素子は前記第１結合素子を介して給電される、
アンテナ装置。
【請求項２】
前記第１無給電放射素子の開放端と、前記給電放射素子の一部は他の導体を介さずに電界結合する、
請求項１に記載のアンテナ装置。
【請求項３】
前記第２無給電放射素子の開放端と前記第１無給電放射素子の開放端との最小距離は、前記第１無給電放射素子の開放端と前記給電放射素子との最小距離に比べて、離れている、
請求項１又は２に記載のアンテナ装置。
【請求項４】
前記第１結合素子は、複数の絶縁基材と、複数の導体パターンとが積層された素子であり、
前記複数の導体パターンは前記複数の絶縁基材の表面に形成され、
前記第１コイル及び前記第２コイルは、前記複数の導体パターンのうち、１つ以上の導体パターンによって形成される、
請求項１から３のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項５】
前記給電放射素子及び前記第１無給電放射素子は、互いに同方向に延伸する部分を有する、
請求項１から４のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項６】
前記給電放射素子は、第１周波数帯域と、前記第１周波数帯域よりも周波数の高い第２周波数帯域とで共振し、
前記第１無給電放射素子及び前記第２無給電放射素子は前記第２周波数帯域で共振する、
請求項１から５のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項７】
前記第２無給電放射素子の共振周波数は前記給電放射素子の前記第２周波数帯域における共振周波数と前記第１無給電放射素子の共振周波数との間にある、
請求項６に記載のアンテナ装置。
【請求項８】
前記給電放射素子、前記第１無給電放射素子及び前記第２無給電放射素子は平面方向に並ぶように形成され、前記第１無給電放射素子は前記給電放射素子と前記第２無給電放射素子とで挟まれる位置にある、請求項７に記載のアンテナ装置。
【請求項９】
前記グランドはグランド導体であり、
前記給電放射素子は前記第１無給電放射素子に比べて前記グランド導体から離れた位置に配置されている、請求項１から８のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項１０】
前記給電放射素子は、給電線と短絡線とを有する逆Ｆ型放射素子である、
請求項１から８のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項１１】
前記短絡線とグランドとの間に直列接続されたインダクタを備える、
請求項１０に記載のアンテナ装置。
【請求項１２】
前記給電放射素子は当該給電放射素子の給電線の接続部から前記第１無給電放射素子より遠ざかる方向に延伸する部分を有する、請求項１０又は１１に記載のアンテナ装置。
【請求項１３】
前記給電放射素子は前記給電回路とグランドとの間に接続され、
前記第１無給電放射素子及び前記第２無給電放射素子は前記給電放射素子で部分的に囲まれた、
請求項１から８のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項１４】
前記給電放射素子とグランドとの間に接続されたインピーダンス調整回路を備え、
前記第１無給電放射素子の共振周波数及び前記第２無給電放射素子の共振周波数での前記インピーダンス調整回路のインピーダンスは前記給電放射素子の共振周波数でのインピーダンスより高い、
請求項１３に記載のアンテナ装置。
【請求項１５】
前記第１無給電放射素子と前記第１コイルとの間に直列接続されたキャパシタを備える、
請求項１から１４のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項１６】
第３コイル及び当該第３コイルに結合する第４コイルを備える第２結合素子と、
前記給電回路から前記第１結合素子及び前記第２結合素子を介して給電される第３無給電放射素子と、を備え、
前記第３コイルは前記第２無給電放射素子とグランドとの間に接続され、
前記第４コイルは前記第３無給電放射素子とグランドとの間に接続される、
請求項１から１５のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項１７】
請求項１から１６のいずれかに記載のアンテナ装置と、当該アンテナ装置に接続される前記給電回路が形成された回路基板と、前記アンテナ装置及び前記回路基板を収める筐体と、を備える電子機器。
【請求項１８】
前記給電放射素子、前記第１無給電放射素子及び前記第２無給電放射素子は、前記回路基板の一部を覆う誘電体又は絶縁体に形成された導体パターンである、
請求項１７に記載の電子機器。
【請求項１９】
前記給電放射素子は前記筐体の外縁に沿った形状を備える、請求項１７又は１８に記載の電子機器。
【国際調査報告】
2020004130.tif 000017
2020004130.tif 000018