(57)【要約】  本発明の一態様によれば、破損しにくい、または、破損した場合に粉々に飛び散りにくい半導体パッケージ用支持ガラスを提供する。本発明の一態様によれば、比弾性率３０ＭＮｍ／ｋｇ以上であり、５０℃〜３５０℃の平均熱膨張係数αが５５〜８０×１０−７／℃である、半導体パッケージ用支持ガラスが提供される。及び／又は、明細書中に規定されるＸ値が３００００以上である支持ガラスが提供される。
2019021911.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
比弾性率３０ＭＮｍ／ｋｇ以上であり、  ５０℃〜３５０℃の平均熱膨張係数αが５５〜９０×１０−７／℃である、半導体パッケージ用支持ガラス。
【請求項２】
前記支持ガラスの母組成が、酸化物基準のモル百分率表示で、ＳｉＯ２を５０〜８０％、Ａｌ２Ｏ３を１〜３０％、Ｂ２Ｏ３を０〜５％、Ｐ２Ｏ５を０〜４％、Ｌｉ２Ｏを０〜２０％、Ｎａ２Ｏを０〜８％、Ｋ２Ｏを０〜１０％、ＭｇＯを３〜２０％、ＣａＯを０〜２０％、ＳｒＯを０〜２０％、ＢａＯを０〜１５％、ＺｎＯを０〜１０％、ＴｉＯ２を０〜１％、ＺｒＯ２を０〜８％を含有する請求項１に記載の半導体パッケージ用支持ガラス。
【請求項３】
前記支持ガラスの母組成が、酸化物基準のモル百分率表示で、ＳｉＯ２を６６〜７４％、Ａｌ２Ｏ３を６．５〜９％、Ｂ２Ｏ３を０〜５％、Ｐ２Ｏ５を０〜２％、Ｌｉ２Ｏを５〜１３％、Ｎａ２Ｏを３〜７％、Ｋ２Ｏを０超〜４％、ＭｇＯを５〜１０％、ＣａＯを０超〜１％、ＳｒＯを０〜３％、ＢａＯを０〜３％、ＺｎＯを０〜２％、ＴｉＯ２を０超〜１％、ＺｒＯ２を０超〜２％を含有する、請求項１に記載の半導体パッケージ用支持ガラス。
【請求項４】
前記支持ガラスの母組成が、酸化物基準のモル百分率表示で、ＳｉＯ２を５４〜６０％、Ａｌ２Ｏ３を１０〜１８％、Ｂ２Ｏ３を０〜３％、Ｐ２Ｏ５を０〜２％、Ｌｉ２Ｏを５〜１８％、Ｎａ２Ｏを０超〜３％、Ｋ２Ｏを０超〜４％、ＭｇＯを３〜１０％、ＣａＯを０超〜１％、ＳｒＯを０〜３％、ＢａＯを０〜３％、ＺｎＯを０〜２％、ＴｉＯ２を０超〜１％、ＺｒＯ２を０超〜２％を含有する請求項１に記載の半導体パッケージ用支持ガラス。
【請求項５】
前記支持ガラスの母組成が、Ｔａ２Ｏ５、Ｇｄ２Ｏ３、Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３を含有せず、  ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ及びＺｒＯ２の各成分の酸化物基準のモル百分率表示による含有量を用いて、下記式に基づき算出されるＸ値が３００００以上である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体パッケージ用支持ガラス。  Ｘ＝ＳｉＯ２×３２９＋Ａｌ２Ｏ３×７８６＋Ｂ２Ｏ３×６２７＋Ｐ２Ｏ５×（−９４１）＋Ｌｉ２Ｏ×９２７＋Ｎａ２Ｏ×４７．５＋Ｋ２Ｏ×（−３７１）＋ＭｇＯ×１２３０＋ＣａＯ×１１５４＋ＳｒＯ×７３３＋ＺｒＯ２×５１．８
【請求項６】
酸化物基準のモル百分率表示で、ＳｉＯ２を６６〜７４％、Ａｌ２Ｏ３を６．５〜９％、Ｂ２Ｏ３を０〜５％、Ｐ２Ｏ５を０〜２％、Ｌｉ２Ｏを５〜１３％、Ｎａ２Ｏを３〜７％、Ｋ２Ｏを０超〜４％、ＭｇＯを５〜１０％、ＣａＯを０超〜１％、ＳｒＯを０〜３％、ＢａＯを０〜３％、ＺｎＯを０〜２％、ＴｉＯ２を０超〜１％、ＺｒＯ２を０超〜２％を含有し、  ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ及びＺｒＯ２の各成分の酸化物基準のモル百分率表示による含有量を用いて、下記式に基づき算出されるＸ値が３００００以上である半導体パッケージ用支持ガラス。  Ｘ＝ＳｉＯ２×３２９＋Ａｌ２Ｏ３×７８６＋Ｂ２Ｏ３×６２７＋Ｐ２Ｏ５×（−９４１）＋Ｌｉ２Ｏ×９２７＋Ｎａ２Ｏ×４７．５＋Ｋ２Ｏ×（−３７１）＋ＭｇＯ×１２３０＋ＣａＯ×１１５４＋ＳｒＯ×７３３＋ＺｒＯ２×５１．８
【請求項７】
酸化物基準のモル百分率表示で、ＳｉＯ２を５４〜６０％、Ａｌ２Ｏ３を１０〜１８％、Ｂ２Ｏ３を０〜３％、Ｐ２Ｏ５を０〜２％、Ｌｉ２Ｏを５〜１８％、Ｎａ２Ｏを０超〜３％、Ｋ２Ｏを０超〜４％、ＭｇＯを３〜１０％、ＣａＯを０超〜１％、ＳｒＯを０〜３％、ＢａＯを０〜３％、ＺｎＯを０〜２％、ＴｉＯ２を０超〜１％、ＺｒＯ２を０超〜２％を含有し、  ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ及びＺｒＯ２の各成分の酸化物基準のモル百分率表示による含有量を用いて、下記式に基づき算出されるＸ値が３００００以上である半導体パッケージ用支持ガラス。  Ｘ＝ＳｉＯ２×３２９＋Ａｌ２Ｏ３×７８６＋Ｂ２Ｏ３×６２７＋Ｐ２Ｏ５×（−９４１）＋Ｌｉ２Ｏ×９２７＋Ｎａ２Ｏ×４７．５＋Ｋ２Ｏ×（−３７１）＋ＭｇＯ×１２３０＋ＣａＯ×１１５４＋ＳｒＯ×７３３＋ＺｒＯ２×５１．８
【請求項８】
比弾性率３０ＭＮｍ／ｋｇ以上であり、  ５０℃〜３５０℃の平均熱膨張係数が５５〜９０×１０−７／℃である、請求項５または請求項６に記載の半導体パッケージ用支持ガラス。
【請求項９】
失透温度Ｔが、粘度が１０４ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ４以下である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体パッケージ用支持ガラス。
【請求項１０】
化学強化された、請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体パッケージ用支持ガラス。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、半導体パッケージ用支持ガラスに関する。
【背景技術】
【０００２】  半導体デバイスの分野では、デバイスの集積度が増加される一方、デバイスの小型化が進んでいる。それに伴い、高集積度を有するデバイスのパッケージング技術への要望が高まっている。【０００３】  近年、半導体パッケージの分野において、ウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）またはパネルレベルパッケージ（ＰＬＰ）等の技術が注目されている（特許文献１等参照）。この技術は、例えばガラス基板上にシリコンチップを置き、封止樹脂でモールドすることによって封止する技術である。シリコンチップの面積よりも大きな面積に端子を配し得るため、効率的な配線が可能となり、結果として単位面積当たりの集積度を向上できる。また、大面積化によって、コストを低減できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】日本国特開２０１６−１６０１３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】  半導体パッケージの製造において、支持基板は製造途中で剥離（分離）される。支持基板の剥離技術としては、レーザ光等の光照射による剥離や物理的（機械的）な力を加える剥離等が知られている。剥離方法としては、生産性の観点から光照射による剥離が好ましい。そのため、支持基板として、光透過性の良いガラス基板が好適に用いられている。【０００６】  支持基板がガラス基板である場合、ハンドリング時や製造ラインを流れる際に、他部材との接触による破損の恐れが高い。従来知られているような半導体パッケージ用の支持ガラスでは、破損防止については十分考慮されていなかった。そのため、破損により破片が広範囲に粉々に飛び散る恐れがあった。このような場合、製造ラインの清掃が大変になる、破片が汚染源になるなどの問題が生じる。【０００７】  上述のような問題を鑑み、本発明の一態様によれば、破損しにくい、または、破損した場合に粉々に飛び散りにくい半導体パッケージ用支持ガラスを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】  本発明の一態様は、比弾性率３０ＭＮｍ／ｋｇ以上であり、５０℃〜３５０℃の平均熱膨張係数αが５５〜９０×１０−７／℃である、半導体パッケージ用支持ガラスである。【０００９】  本発明の一態様は、前記支持ガラスの母組成が、酸化物基準のモル百分率表示で、ＳｉＯ２を５０〜８０％、Ａｌ２Ｏ３を１〜３０％、Ｂ２Ｏ３を０〜５％、Ｐ２Ｏ５を０〜４％、Ｌｉ２Ｏを０〜２０％、Ｎａ２Ｏを０〜８％、Ｋ２Ｏを０〜１０％、ＭｇＯを３〜２０％、ＣａＯを０〜２０％、ＳｒＯを０〜２０％、ＢａＯを０〜１５％、ＺｎＯを０〜１０％、ＴｉＯ２を０〜１％、ＺｒＯ２を０〜８％を含有することが好ましい。【００１０】  本発明の一態様は、前記支持ガラスの母組成が、Ｔａ２Ｏ５、Ｇｄ２Ｏ３、Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３を含有せず、  ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ及びＺｒＯ２の各成分の酸化物基準のモル百分率表示による含有量を用いて、下記式に基づき算出されるＸ値が３００００以上であることが好ましい。  Ｘ＝ＳｉＯ２×３２９＋Ａｌ２Ｏ３×７８６＋Ｂ２Ｏ３×６２７＋Ｐ２Ｏ５×（−９４１）＋Ｌｉ２Ｏ×９２７＋Ｎａ２Ｏ×４７．５＋Ｋ２Ｏ×（−３７１）＋ＭｇＯ×１２３０＋ＣａＯ×１１５４＋ＳｒＯ×７３３＋ＺｒＯ２×５１．８【００１１】  本発明の他の一態様の半導体パッケージ用支持ガラスは、酸化物基準のモル百分率表示で、ＳｉＯ２を６３〜８０％、Ａｌ２Ｏ３を７〜３０％、Ｂ２Ｏ３を０〜５％、Ｐ２Ｏ５を０〜４％、Ｌｉ２Ｏを５〜１５％、Ｎａ２Ｏを４〜８％、Ｋ２Ｏを０〜２％、ＭｇＯを３〜１０％、ＣａＯを０〜５％、ＳｒＯを０〜２０％、ＢａＯを０〜１５％、ＺｎＯを０〜１０％、ＴｉＯ２を０〜１％、ＺｒＯ２を０〜８％を含有し、  Ｔａ２Ｏ５、Ｇｄ２Ｏ３、Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３を含有せず、  ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ及びＺｒＯ２の各成分の酸化物基準のモル百分率表示による含有量を用いて、下記式に基づき算出されるＸ値が３００００以上である。  Ｘ＝ＳｉＯ２×３２９＋Ａｌ２Ｏ３×７８６＋Ｂ２Ｏ３×６２７＋Ｐ２Ｏ５×（−９４１）＋Ｌｉ２Ｏ×９２７＋Ｎａ２Ｏ×４７．５＋Ｋ２Ｏ×（−３７１）＋ＭｇＯ×１２３０＋ＣａＯ×１１５４＋ＳｒＯ×７３３＋ＺｒＯ２×５１．８【００１２】  本発明の他の一態様は、比弾性率３０ＭＮｍ／ｋｇ以上であり、  ５０℃〜３５０℃の平均熱膨張係数が５５〜９０×１０−７／℃であることが好ましい。【００１３】  上記態様において、失透温度Ｔが、粘度が１０４ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ４以下であることが好ましい。【００１４】  また、上記態様において、化学強化されていてもよい。
【発明の効果】
【００１５】  本発明の一態様によれば、破損しにくい、または、破損した場合に粉々に飛び散りにくい半導体パッケージ用支持ガラスを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１（Ａ）及び図１（Ｂ）はシリコン基板と貼り合わせる本発明の一態様の支持ガラスを表し、図１（Ａ）は貼り合わせ前の断面図、図１（Ｂ）は貼り合わせ後の断面図を示す。
【図２】図２は、本発明の一態様の積層基板の断面図を示す。
【図３】図３（ａ）および図３（ｂ）は、Ｓｔ  Ｌｉｍｉｔの測定例を示し、図３（ａ）は内部引張応力層の面積Ｓｔと破砕数の関係を示すグラフであり、図３（ｂ）は図３（ａ）中の点線で囲まれた部分の拡大図である。
【図４】図４は、ＤＣＤＣ法による破壊靭性値測定に用いるサンプルの説明図である。
【図５】図５は、ＤＣＤＣ法による破壊靭性値測定に用いる、応力拡大係数Ｋ１とクラック進展速度ｖとの関係を示すＫＩ−ｖ曲線を示す図である。
【図６】図６は、化学強化されたガラスについての、Ｓｔ  ＬｉｍｉｔとＸ値との関係をプロットしたグラフである。
【図７】図７は、化学強化されたガラスについての、Ｓｔ  ＬｉｍｉｔとＺ値との関係をプロットしたグラフである。
【図８】図８は化学強化されたガラスについての、Ｘ値とＺ値との関係をプロットしたグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】  以下において、本発明の一態様の半導体パッケージ用支持ガラスについて詳細に説明する。
【００１８】  本明細書において、数値範囲を示す「〜」とは、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含む意味で使用され、特段の定めがない限り、以下において「〜」は、同様の意味をもって使用される。
【００１９】  また、本明細書において、特に明記しない限りは、支持ガラス（ガラス板、ガラス基板含む）およびその製造方法における各成分の含有量は酸化物基準のモル百分率で表す。
【００２０】  まず、本発明の一態様の半導体パッケージ用支持ガラス（以下、支持ガラスとも記す）について説明する。なお、以下においては半導体基板としてシリコン基板を用いた例を中心に説明するが、シリコン基板以外の半導体基板にも適宜応用可能である。
【００２１】  図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、シリコン基板と貼り合わせる本発明の一態様の支持ガラスの断面図である。図１（Ａ）に表される本発明の一態様の支持ガラスＧ１は、シリコン基板１０と、剥離層２０（接合層として機能してもよい）を間に介して、例えば、２００℃〜４００℃の温度で貼り合わされ、図１（Ｂ）に表される積層基板３０が得られる。シリコン基板１０として、例えば、原寸のシリコンウェハ、シリコンチップ、シリコンチップが樹脂にモールドされた基板、素子が形成されたウェハ等が用いられる。剥離層２０は、例えば、２００〜４００℃の温度に耐えられる樹脂である。
【００２２】  本発明の一態様の支持ガラスは、シリコン基板と貼り合わせることにより使用される。例えば、ファンアウト型のウェハレベルパッケージ用の支持ガラス、ウェハレベルパッケージによる素子の小型化が有効なＭＥＭＳ、ＣＭＯＳおよびＣＩＳ等のイメージセンサ用の支持ガラス、貫通孔を有する支持ガラス（ガラスインターポーザ；ＧＩＰ）、並びに半導体バックグラインド用のサポートガラス等に使用される。本発明の一態様の支持ガラスは、特に、ファンアウト型のウェハレベルパッケージ用の支持ガラスとして好適である。
【００２３】  図２は、本発明の一態様の支持ガラスをファンアウト型のウェハレベルパッケージ用の支持基板として用いる本発明の一態様の積層基板の断面図である。
【００２４】  ファンアウト型のウェハレベルパッケージでは、例えば、２００℃〜４００℃の温度で、支持ガラスＧ２とシリコン基板４０（シリコンチップ）とを樹脂等の剥離層５０（接合層として機能してもよい）を介して積層させる。さらにシリコン基板４０を樹脂６０で包埋することにより積層基板７０が得られる。その後、紫外線を、支持ガラスＧ２を通して剥離層５０に照射させることにより、支持ガラスＧ２と樹脂６０で包埋されたシリコン基板４０とは剥離される。支持ガラスＧ２は再利用可能である。樹脂６０で包埋されたシリコン基板４０は、銅線等により配線される。なお、樹脂６０でシリコンチップが包埋された基板をシリコン基板としてもよい。
【００２５】＜第１の態様＞  第１の態様の支持ガラスは、比弾性率が３０ＭＮｍ／ｋｇ以上である。比弾性率は３１ＭＮｍ／ｋｇ以上が好ましく、３２ＭＮｍ／ｋｇ以上がより好ましく、３３ＭＮｍ／ｋｇ以上がさらに好ましい。また、比弾性率は５０ＭＮｍ／ｋｇ以下が好ましく、４５ＭＮｍ／ｋｇ以下がより好ましく、４０ＭＮｍ／ｋｇ以下がさらに好ましく、３６ＭＮｍ／ｋｇ以下が特に好ましい。比弾性率が３０ＭＮｍ／ｋｇ以上であれば、ガラス基板の自重たわみを抑えることができ、自重たわみに起因した破損を抑制できる。比弾性率が比較的高いガラスを半導体パッケージ用の支持基板として用いることで、ガラスの自重たわみに起因する破損を抑制できる。
【００２６】  第１の態様の支持ガラスは、５０℃〜３５０℃での平均熱膨張係数αが５５×１０−７／℃〜８０×１０−７／℃である。αが５５×１０−７／℃〜９０×１０−７／℃であれば、支持ガラスと他部材（例えばシリコン基板）とを貼り合わせる熱処理工程で発生する応力を小さくしやすい。その結果、上記応力の発生に起因する支持ガラスの破損を抑制できる。なお、支持ガラスとシリコン基板との間にある剥離層による影響は、剥離層が支持ガラスやシリコン基板と比べて十分に薄いため無視できる。
【００２７】  αは、６０×１０−７／℃以上が好ましく、６３×１０−７／℃以上がより好ましく、６７×１０−７／℃以上がさらに好ましい。一方、αは８５×１０−７／℃以下が好ましく、８０×１０−７／℃以下がより好ましく、７５×１０−７／℃以下がさらに好ましい。
【００２８】  ５０℃〜３５０℃の平均熱膨張係数αとは、ＪＩＳ Ｒ３１０２（１９９５年）で規定されている方法で測定した、熱膨張係数を測定する温度範囲が５０℃〜３５０℃である平均熱膨張係数である。
【００２９】  第１の態様の支持ガラスは、化学強化された支持ガラスであってもよい。支持ガラスが化学強化されている場合は、表面圧縮応力（ＣＳ）が３００ＭＰａ以上であり、かつ、ガラス表面から９０μｍの深さの部分の圧縮応力値（ＣＳ９０）が２５ＭＰａ以上、またはガラス表面から１００μｍの深さの部分の圧縮応力値（ＣＳ１００）が１５ＭＰａ以上であることが好ましい。
【００３０】  第１の態様の支持ガラスが化学強化されている場合は、上記「支持ガラスの母組成」とは、化学強化前のガラスの組成である。ここで、支持ガラスの引張応力を有する部分（以下、引張応力部分ともいう）はイオン交換されていない部分である。そして、支持ガラスの厚みが十分大きい場合には、支持ガラスの引張応力部分は、化学強化前のガラスと同じ組成を有する。その場合には、引張応力部分の組成を母組成とみなし得る。支持ガラスの母組成の好ましい態様については後述する。
【００３１】  第１の態様の支持ガラスの母組成は、ＳｉＯ２を５０〜８０％、Ａｌ２Ｏ３を１〜３０％、Ｂ２Ｏ３を０〜５％、Ｐ２Ｏ５を０〜４％、Ｌｉ２Ｏを０〜２０％、Ｎａ２Ｏを０〜８％、Ｋ２Ｏを０〜１０％、ＭｇＯを３〜２０％、ＣａＯを０〜２０％、ＳｒＯを０〜２０％、ＢａＯを０〜１５％、ＺｎＯを０〜１０％、ＴｉＯ２を０〜１％、ＺｒＯ２を０〜８％を含有するものが好ましい。
【００３２】  また、第１の態様の支持ガラスの母組成は、ＳｉＯ２を６６〜７４％、Ａｌ２Ｏ３を６．５〜９％、Ｂ２Ｏ３を０〜５％、Ｐ２Ｏ５を０〜２％、Ｌｉ２Ｏを５〜１３％、Ｎａ２Ｏを３〜７％、Ｋ２Ｏを０超〜４％、ＭｇＯを５〜１０％、ＣａＯを０超〜１％、ＳｒＯを０〜３％、ＢａＯを０〜３％、ＺｎＯを０〜２％、ＴｉＯ２を０超〜１％、ＺｒＯ２を０超〜２％含有するものであってもよい。
【００３３】  また、第１の態様の支持ガラスの母組成は、ＳｉＯ２を５４〜６０％、Ａｌ２Ｏ３を１０〜１８％、Ｂ２Ｏ３を０〜３％、Ｐ２Ｏ５を０〜２％、Ｌｉ２Ｏを５〜１８％、Ｎａ２Ｏを０超〜３％、Ｋ２Ｏを０超〜４％、ＭｇＯを３〜１０％、ＣａＯを０超〜１％、ＳｒＯを０〜３％、ＢａＯを０〜３％、ＺｎＯを０〜２％、ＴｉＯ２を０超〜１％、ＺｒＯ２を０超〜２％を含有するものであってもよい。
【００３４】  支持ガラスの組成については後述する。
【００３５】  第１の態様の支持ガラスは、支持ガラスの母組成におけるＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ及びＺｒＯ２の各成分の酸化物基準のモル百分率表示による含有量を用いて、下記式に基づき算出されるＸ値が３００００以上、及び／又は、下記式に基づき算出されるＺ値が２００００以上であることが好ましい。  Ｘ＝ＳｉＯ２×３２９＋Ａｌ２Ｏ３×７８６＋Ｂ２Ｏ３×６２７＋Ｐ２Ｏ５×（−９４１）＋Ｌｉ２Ｏ×９２７＋Ｎａ２Ｏ×４７．５＋Ｋ２Ｏ×（−３７１）＋ＭｇＯ×１２３０＋ＣａＯ×１１５４＋ＳｒＯ×７３３＋ＺｒＯ２×５１．８  Ｚ＝ＳｉＯ２×２３７＋Ａｌ２Ｏ３×５２４＋Ｂ２Ｏ３×２２８＋Ｐ２Ｏ５×（−７５６）＋Ｌｉ２Ｏ×５３８＋Ｎａ２Ｏ×４４．２＋Ｋ２Ｏ×（−３８７）＋ＭｇＯ×６６０＋ＣａＯ×５６９＋ＳｒＯ×２９１＋ＺｒＯ２×５１０
【００３６】  また、第１の態様の支持ガラスの母組成は、例えば、ＳｉＯ２を６３〜８０％、Ａｌ２Ｏ３を７〜３０％、Ｂ２Ｏ３を０〜５％、Ｐ２Ｏ５を０〜４％、Ｌｉ２Ｏを５〜１５％、Ｎａ２Ｏを４〜８％、Ｋ２Ｏを０〜２％、ＭｇＯを３〜１０％、ＣａＯを０〜５％、ＳｒＯを０〜２０％、ＢａＯを０〜１５％、ＺｎＯを０〜１０％、ＴｉＯ２を０〜１％、ＺｒＯ２を０〜８％を含有するものでもよい。
【００３７】  本発明者らは、上記式に基づき算出されるＸ値が、支持ガラスの破損（破砕）時に生じる破片の数（破砕数）とよく相関し、Ｘ値が大きくなるほど、ガラスの破損時の破砕数が少なくなる傾向があることを実験的に見出した。
【００３８】  上記知見に基づいて、破砕数が少なく、粉々に飛び散りにくいガラスとする観点から、第１の態様の支持ガラスにおいては、Ｘ値は３００００以上が好ましく、以下、段階的に、３２０００以上、３４０００以上、３６０００以上、３８０００以上、４００００以上、４２０００以上、４４０００以上、４５０００以上、４６０００以上がより好ましい。
【００３９】  また、本発明者らは、上記式に基づき算出されるＺ値がＸ値と同様の傾向を示し、Ｚ値が大きくなるほど、ガラスの破損時の破砕数が少なくなる傾向があることを実験的に見出した。Ｘ値と同様の観点から、Ｚ値は２００００以上が好ましく、以下、段階的に、２２０００以上、２４０００以上、２６０００以上、２８０００以上、２９０００以上、３００００以上がより好ましい。
【００４０】  Ｘ値およびＺ値は支持ガラスの母組成における上記各成分量によって調整できる。第１の態様において、支持ガラスの母組成は特に限定されず、上記Ｘ値が３００００以上、及び／又は、上記Ｚ値が２００００以上となるガラス組成を適宜選択すればよい。
【００４１】  また、下記式に基づき算出されるＹ値が、支持ガラスの破損（破砕）時に生じる破片の数（破砕数）と相関し、Ｙ値が大きくなるほど、ガラスの破損時の破砕数が少なくなる傾向があることを実験的に見出した。  Ｙ＝ＳｉＯ２×０．００８８４＋Ａｌ２Ｏ３×０．０１２０＋Ｂ２Ｏ３×（−０．００３７３）＋Ｐ２Ｏ５×０．０００６８１＋Ｌｉ２Ｏ×０．００７３５＋Ｎａ２Ｏ×（−０．００２３４）＋Ｋ２Ｏ×（−０．００６０８）＋ＭｇＯ×０．０１０５＋ＣａＯ×０．００７８９＋ＳｒＯ×０．００７５２＋ＢａＯ×０．００４７２＋ＺｒＯ２×０．０２０２
【００４２】  上記知見に基づいて、ガラスが破損する場合であっても破砕数が少なく、粉々に飛び散りにくいガラスとする観点から、第１の態様の支持ガラスにおいては、Ｙ値は０．７以上が好ましく、０．７５以上がより好ましく、０．７７以上がさらに好ましく、０．８０以上が特に好ましく、０．８２以上が最も好ましい。
【００４３】  第１の態様によれば、破損しにくく、または、破損した場合でも破砕数がより少なく、より粉々に飛び散りにくく、生産性が高い支持ガラスが得られる。
【００４４】  例えば、支持ガラスと他の部材との物理的な接触による破損に加え、支持ガラスと貼り合わせる部材（シリコン基板など）との積層工程におけるガラス基板の急速加熱や、支持ガラスと貼り合わせる部材（シリコン基板など）の熱膨張係数の違いにより発生する応力によって、支持ガラスが破損しうる。支持ガラスが破損した際、支持ガラスの飛散性が高かったり、破砕性が強かったりすると、製造ライン（装置内）は、より広範囲に、より細かい破片（ガラスカレット）で汚染されうる。半導体パッケージの製造ラインは、高度にクリーン度が要求されるため、復帰するための装置内の清掃をより念入りに行わなくてはならず、復帰までのダウンタイムが長くなりうる。また、ガラスカレットが装置内に残留し、工程不良を発生させる恐れもある。そのため、仮に破損が生じた場合でも、その破砕性（粉々に飛び散らない）が低いガラスが求められている。
【００４５】  第１の態様の支持ガラスは、上記のような場面において発生しうる破損に対する耐性に優れるため好ましい。
【００４６】＜第２の態様＞  第２の態様の支持ガラスは、ＳｉＯ２を６６〜７４％、Ａｌ２Ｏ３を６．５〜９％、Ｂ２Ｏ３を０〜５％、Ｐ２Ｏ５を０〜２％、Ｌｉ２Ｏを５〜１３％、Ｎａ２Ｏを３〜７％、Ｋ２Ｏを０超〜４％、ＭｇＯを５〜１０％、ＣａＯを０超〜１％、ＳｒＯを０〜３％、ＢａＯを０〜３％、ＺｎＯを０〜２％、ＴｉＯ２を０超〜１％、ＺｒＯ２を０超〜２％を含有し、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ及びＺｒＯ２の各成分の酸化物基準のモル百分率表示による含有量を用いて、下記式に基づき算出されるＸ値が３００００以上である。  Ｘ＝ＳｉＯ２×３２９＋Ａｌ２Ｏ３×７８６＋Ｂ２Ｏ３×６２７＋Ｐ２Ｏ５×（−９４１）＋Ｌｉ２Ｏ×９２７＋Ｎａ２Ｏ×４７．５＋Ｋ２Ｏ×（−３７１）＋ＭｇＯ×１２３０＋ＣａＯ×１１５４＋ＳｒＯ×７３３＋ＺｒＯ２×５１．８
【００４７】  支持ガラスの組成については後述する。
【００４８】  Ｘ値は、上記第１の態様の説明に準じるため、詳細な説明は省略する。第２の態様の支持ガラスのＸ値は、３００００以上であり、上記第１の態様と同様に、以下、段階的に、３２０００以上、３４０００以上、３６０００以上、３８０００以上、４００００以上、４２０００以上、４４０００以上、４５０００以上、４６０００以上がより好ましい。Ｘ値が上記値以上であれば、破砕数が少なく、粉々に飛び散りにくい支持ガラスとできる。
【００４９】  また、Ｚ値及びＹ値についても、第１の態様の説明に準じる。上記第１の態様と同様に、Ｚ値は、２００００以上が好ましく、以下、段階的に、２２０００以上、２４０００以上、２６０００以上、２８０００以上、２９０００以上、３００００以上がより好ましい。Ｙ値は、０．７以上が好ましく、０．７５以上がより好ましく、０．７７以上がさらに好ましく、０．８０以上が特に好ましく、０．８２以上が最も好ましい。
【００５０】  第２の態様の支持ガラスは、比弾性率が３０ＭＮｍ／ｋｇ以上が好ましく、以下、段階的に、３１ＭＮｍ／ｋｇ以上、３２ＭＮｍ／ｋｇ以上、３３ＭＮｍ／ｋｇ以上がより好ましい。また、比弾性率は５０ＭＮｍ／ｋｇ以下が好ましく、以下段階的に、４５ＭＮｍ／ｋｇ以下、４０ＭＮｍ／ｋｇ以下、３６ＭＮｍ／ｋｇ以下がより好ましい。比弾性率が上記範囲であれば、ガラス基板の自重たわみを抑えることができ、半導体パッケージ用の支持基板として用いた際に、たわみによる不良（例えば搬送工程の不良）を防止できる。
【００５１】  第２の態様の支持ガラスは、５０℃〜３５０℃での平均熱膨張係数αが５５×１０−７／℃〜９０×１０−７／℃が好ましい。αは、６０×１０−７／℃以上が好ましく、６３×１０−７／℃以上がより好ましく、６７×１０−７／℃以上がさらに好ましい。一方、αは８５×１０−７／℃以下が好ましく、８０×１０−７／℃以下がより好ましく、７５×１０−７／℃以下がさらに好ましい。である。αが上記範囲であれば、支持ガラスとシリコン基板とを貼り合わせる熱処理工程で、積層基板に発生する残留歪を小さくしやすい。なお、支持ガラスとシリコン基板との間にある剥離層による影響は、剥離層が支持ガラスやシリコン基板と比べて十分に薄いため無視できる。
【００５２】  第２の態様の支持ガラスは、上記第１の態様の支持ガラスと同様に、化学強化された支持ガラスであってもよい。詳細な説明は、上記第１の態様に準じる。
【００５３】＜第３の態様＞  第３の態様の支持ガラスは、ＳｉＯ２を５４〜６０％、Ａｌ２Ｏ３を１０〜１８％、Ｂ２Ｏ３を０〜３％、Ｐ２Ｏ５を０〜２％、Ｌｉ２Ｏを５〜１８％、Ｎａ２Ｏを０超〜３％、Ｋ２Ｏを０超〜４％、ＭｇＯを３〜１０％、ＣａＯを０超〜１％、ＳｒＯを０〜３％、ＢａＯを０〜３％、ＺｎＯを０〜２％、ＴｉＯ２を０超〜１％、ＺｒＯ２を０超〜２％を含有し、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ及びＺｒＯ２の各成分の酸化物基準のモル百分率表示による含有量を用いて、下記式に基づき算出されるＸ値が３００００以上である。  Ｘ＝ＳｉＯ２×３２９＋Ａｌ２Ｏ３×７８６＋Ｂ２Ｏ３×６２７＋Ｐ２Ｏ５×（−９４１）＋Ｌｉ２Ｏ×９２７＋Ｎａ２Ｏ×４７．５＋Ｋ２Ｏ×（−３７１）＋ＭｇＯ×１２３０＋ＣａＯ×１１５４＋ＳｒＯ×７３３＋ＺｒＯ２×５１．８
【００５４】  支持ガラスの組成については後述する。
【００５５】  Ｘ値は、上記第１の態様の説明に準じるため、詳細な説明は省略する。第３の態様の支持ガラスのＸ値は、３００００以上であり、上記第１の態様と同様に、以下、段階的に、３２０００以上、３４０００以上、３６０００以上、３８０００以上、４００００以上、４２０００以上、４４０００以上、４５０００以上、４６０００以上がより好ましい。Ｘ値が上記値以上であれば、破砕数が少なく、粉々に飛び散りにくい支持ガラスとできる。  また、Ｚ値及びＹ値についても、第１の態様の説明に準じる。上記第１の態様と同様に、Ｚ値は、２００００以上が好ましく、以下、段階的に、２２０００以上、２４０００以上、２６０００以上、２８０００以上、２９０００以上、３００００以上がより好ましい。Ｙ値は、０．７以上が好ましく、０．７５以上がより好ましく、０．７７以上がさらに好ましく、０．８０以上が特に好ましく、０．８２以上が最も好ましい。
【００５６】  比弾性率および５０℃〜３５０℃での平均熱膨張係数αは、第２の態様の説明に準じる。上記第２の態様と同様に、比弾性率は３０ＭＮｍ／ｋｇ以上が好ましく、以下、段階的に、３１ＭＮｍ／ｋｇ以上、３２ＭＮｍ／ｋｇ以上、３３ＭＮｍ／ｋｇ以上がより好ましい。また、比弾性率は５０ＭＮｍ／ｋｇ以下が好ましく、以下段階的に、４５ＭＮｍ／ｋｇ以下、４０ＭＮｍ／ｋｇ以下、３６ＭＮｍ／ｋｇ以下がより好ましい。比弾性率が上記範囲であれば、ガラス基板の自重たわみを抑えることができ、半導体パッケージ用の支持基板として用いた際に、たわみによる不良（例えば搬送工程の不良）を防止できる。
【００５７】  上記第２の態様と同様に、５０℃〜３５０℃での平均熱膨張係数αが５５×１０−７／℃〜９０×１０−７／℃が好ましい。αは、６０×１０−７／℃以上が好ましく、６３×１０−７／℃以上がより好ましく、６７×１０−７／℃以上がさらに好ましい。一方、αは８５×１０−７／℃以下が好ましく、８０×１０−７／℃以下がより好ましく、７５×１０−７／℃以下がさらに好ましい。である。αが上記範囲であれば、支持ガラスとシリコン基板とを貼り合わせる熱処理工程で、積層基板に発生する残留歪を小さくしやすい。なお、支持ガラスとシリコン基板との間にある剥離層による影響は、剥離層が支持ガラスやシリコン基板と比べて十分に薄いため無視できる。
【００５８】  第３の態様の支持ガラスは、上記第１の態様および第２の態様の支持ガラスと同様に、化学強化された支持ガラスであってもよい。詳細な説明は、上記第１の態様および第２の態様に準じる。
【００５９】＜支持ガラス＞  つづいて、本発明の一態様の支持ガラスについて説明する。
【００６０】  以下において支持ガラスのガラス組成を、支持ガラスの母組成ということがある。  また、支持ガラスが化学強化され、かつ、支持ガラスの厚みが十分大きい場合には、支持ガラスの引張応力部分は、イオン交換されていない部分である。したがって、支持ガラスの引張応力部分は、化学強化前のガラスと同じ組成を有する。その場合は、支持ガラスの、引張応力部分の組成を支持ガラスの母組成とみなし得る。
【００６１】  ガラスの組成は、公知の組成（成分）の機器分析法を用いて求められる。例えば、簡易的には蛍光エックス線法による半定量分析によって求めることも可能である。より正確には、ＩＣＰ発光分析等の湿式分析法により測定できる。
【００６２】  本発明の一態様の支持ガラスの組成（支持ガラスの母組成）としては、例えば、ＳｉＯ２を５０〜８０％、Ａｌ２Ｏ３を１〜３０％、Ｂ２Ｏ３を０〜５％、Ｐ２Ｏ５を０〜４％、Ｌｉ２Ｏを０〜２０％、Ｎａ２Ｏを０〜８％、Ｋ２Ｏを０〜１０％、ＭｇＯを３〜２０％、ＣａＯを０〜２０％、ＳｒＯを０〜２０％、ＢａＯを０〜１５％、ＺｎＯを０〜１０％、ＴｉＯ２を０〜１％、ＺｒＯ２を０〜８％を含有するものが好ましい。
【００６３】  例えば、ＳｉＯ２を６６〜７４％、Ａｌ２Ｏ３を６．５〜９％、Ｂ２Ｏ３を０〜５％、Ｐ２Ｏ５を０〜２％、Ｌｉ２Ｏを５〜１３％、Ｎａ２Ｏを３〜７％、Ｋ２Ｏを０超〜４％、ＭｇＯを５〜１０％、ＣａＯを０超〜１％、ＳｒＯを０〜３％、ＢａＯを０〜３％、ＺｎＯを０〜２％、ＴｉＯ２を０超〜１％、ＺｒＯ２を０超〜２％を含有するガラスが挙げられる。
【００６４】  また、例えば、ＳｉＯ２を５４〜６０％、Ａｌ２Ｏ３を１０〜１８％、Ｂ２Ｏ３を０〜３％、Ｐ２Ｏ５を０〜２％、Ｌｉ２Ｏを５〜１８％、Ｎａ２Ｏを０超〜３％、Ｋ２Ｏを０超〜４％、ＭｇＯを３〜１０％、ＣａＯを０超〜１％、ＳｒＯを０〜３％、ＢａＯを０〜３％、ＺｎＯを０〜２％、ＴｉＯ２を０超〜１％、ＺｒＯ２を０超〜２％を含有するガラスが挙げられる。
【００６５】  本発明の一態様の支持ガラスは、Ｘ＝ＳｉＯ２×３２９＋Ａｌ２Ｏ３×７８６＋Ｂ２Ｏ３×６２７＋Ｐ２Ｏ５×（−９４１）＋Ｌｉ２Ｏ×９２７＋Ｎａ２Ｏ×４７．５＋Ｋ２Ｏ×（−３７１）＋ＭｇＯ×１２３０＋ＣａＯ×１１５４＋ＳｒＯ×７３３＋ＺｒＯ２×５１．８に基づき算出されるＸ値は３００００以上が好ましい。
【００６６】  また、Ｚ＝ＳｉＯ２×２３７＋Ａｌ２Ｏ３×５２４＋Ｂ２Ｏ３×２２８＋Ｐ２Ｏ５×（−７５６）＋Ｌｉ２Ｏ×５３８＋Ｎａ２Ｏ×４４．２＋Ｋ２Ｏ×（−３８７）＋ＭｇＯ×６６０＋ＣａＯ×５６９＋ＳｒＯ×２９１＋ＺｒＯ２×５１０に基づき算出されるＺ値は２００００以上が好ましい。
【００６７】  ＳｉＯ２はガラスの骨格を構成する成分である。また、化学的耐久性を上げる成分であり、ガラス表面に傷（圧痕）がついた時のクラックの発生を低減させる成分であり、ＳｉＯ２の含有量は５０％以上が好ましい。ＳｉＯ２の含有量は、より好ましくは、以下、段階的に、５４％以上、５８％以上、６０％以上、６３％以上、６６％以上、６８％以上である。一方、ＳｉＯ２の含有量が８０％超であると溶融性が著しく低下する。ＳｉＯ２の含有量は８０％以下であり、より好ましくは７８％以下、さらに好ましくは７６％以下、特に好ましくは７４％以下、最も好ましくは７２％以下である。
【００６８】  Ａｌ２Ｏ３は支持ガラスの破砕性を向上する成分である。ここでガラスの破砕性が高いとは、ガラスが割れた際の破片数が少ないことをいう。破砕性の高いガラスは、破損した時に破片が飛び散りにくいことから、安全性が高いといえる。また、Ａｌ２Ｏ３は化学強化の際のイオン交換性能を向上させ、強化後の表面圧縮応力を大きくするために有効な成分であるため、Ａｌ２Ｏ３の含有量は１％以上が好ましい。Ａｌ２Ｏ３はガラスのＴｇを高くする成分であり、ヤング率を高くする成分でもある。Ａｌ２Ｏ３の含有量は、より好ましくは、以下、段階的に、３％以上、５％以上、６．５％以上、７％以上、８％以上、９％以上、１０％以上、１１％以上、１２％以上、１３％以上である。一方、Ａｌ２Ｏ３の含有量が３０％超であるとガラスの耐酸性が低下し、または失透温度が高くなる。また、ガラスの粘性が増大し溶融性が低下する。Ａｌ２Ｏ３の含有量は、好ましくは３０％以下であり、より好ましくは２５％以下、さらに好ましくは２０％以下、特に好ましくは１８％以下、最も好ましくは１５％以下である。一方、Ａｌ２Ｏ３の含有量が大きい場合はガラス溶融時の温度が大きくなり生産性が低下する。ガラスの生産性を考慮する場合は、Ａｌ２Ｏ３の含有量は好ましくは１１％以下であり、以下、段階的に、１０％以下、９％以下、８％以下、７％以下であることが好ましい。
【００６９】  Ｂ２Ｏ３は、支持ガラスのチッピング耐性を向上させ、また溶融性を向上させる成分である。Ｂ２Ｏ３は必須ではないが、Ｂ２Ｏ３を含有させる場合の含有量は、溶融性を向上するために好ましくは０．５％以上であり、より好ましくは１％以上、さらに好ましくは２％以上である。一方、Ｂ２Ｏ３の含有量が５％を超えると溶融時に脈理が発生し支持ガラスの品質が低下しやすいため５％以下が好ましい。Ｂ２Ｏ３の含有量は、より好ましくは４％以下、さらに好ましくは３％以下であり、特に好ましくは１％以下である。耐酸性を高くするためには含有しないことが好ましい。
【００７０】  Ｐ２Ｏ５は、チッピング耐性を向上させ、またイオン交換性能を向上させる成分である。Ｐ２Ｏ５は必須ではないが、Ｐ２Ｏ５を含有させる場合の含有量は、好ましくは０．５％以上であり、より好ましくは１％以上、さらに好ましくは２％以上である。一方、Ｐ２Ｏ５の含有量が４％超では、支持ガラスの破砕性が低下する、また耐酸性が著しく低下する。Ｐ２Ｏ５の含有量は、好ましくは４％以下、より好ましくは３％以下、さらに好ましくは２％以下、特に好ましくは１％以下である。耐酸性を高くするためには含有しないことが好ましい。
【００７１】  Ｌｉ２Ｏは、支持ガラスの破砕性を改善する成分である。Ｌｉ２Ｏは必須ではないが、破砕性を向上させるためには、Ｌｉ２Ｏの含有量は、好ましくは３％以上であり、より好ましくは４％以上、さらに好ましくは５％以上、特に好ましくは６％以上、典型的には７％以上である。一方、Ｌｉ２Ｏの含有量が２０％超ではガラスの耐酸性が著しく低下する。Ｌｉ２Ｏの含有量は、２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１８％以下、さらに好ましくは１６％以下、特に好ましくは１５％以下、最も好ましくは１３％以下である。
【００７２】  なお、本明細書において「実質的に含有しない」とは、原材料等に含まれる不可避の不純物を除いて含有しない、すなわち、意図的に含有させたものではないことを意味する。具体的には、ガラス組成中の含有量が、０．１モル％未満であることを指す。
【００７３】  Ｎａ２Ｏはガラスの溶融性を向上させる成分である。Ｎａ２Ｏは必須ではないが、Ｎａ２Ｏを含有させる場合の含有量は０超が好ましい。Ｎａ２Ｏの含有量は、より好ましくは１％以上、さらに好ましくは２％以上、特に好ましくは３％以上である。一方、Ｎａ２Ｏの含有量は、化学的耐久性の点で、好ましくは８％以下であり、より好ましくは７％以下、さらに好ましくは６％以下、特に好ましくは５％以下、最も好ましくは３％以下である。
【００７４】  Ｋ２Ｏは、溶融性を向上させる等のために含有させてもよい。Ｋ２Ｏは必須ではないが、Ｋ２Ｏを含有させる場合の含有量は、好ましくは０超であり、より好ましくは０．５％以上であり、さらに好ましくは１％以上、特に好ましくは２％以上、最も好ましくは３％以上である。一方、Ｋ２Ｏの含有量が１０％超であると、支持ガラスの破砕性が低下するため、Ｋ２Ｏの含有量は１０％以下が好ましい。Ｋ２Ｏの含有量は、より好ましくは８％以下であり、さらに好ましくは６％以下であり、特に好ましくは４％以下であり、最も好ましくは２％以下である。
【００７５】  ＭｇＯは、支持ガラスの溶融性を向上させる成分であり、破砕性を改善する成分であり、含有させることが好ましい。ＭｇＯを含有させる場合の含有量は、好ましくは３％以上であり、より好ましくは、以下、段階的に、４％以上、５％以上、６％以上、７％以上、８％以上である。一方、ＭｇＯの含有量が２０％超であると支持ガラスが溶融時に失透しやすくなる。ＭｇＯの含有量は２０％以下が好ましく、より好ましくは、以下、段階的に、１８％以下、１５％以下、１４％以下、１３％以下、１２％以下、１１％以下、１０％以下である。
【００７６】  ＣａＯは、支持ガラスの溶融性を向上させる成分であり、支持ガラスの破砕性を改善する成分である。ＣａＯは必須ではないが、ＣａＯを含有させる場合の含有量は、好ましくは０超であり、以下、段階的に、０．５％以上、１％以上、２％以上、３％以上、５％以上である。一方、ＣａＯの含有量が２０％超となると耐失透性が著しく低下するため２０％以下が好ましい。ＣａＯの含有量は、より好ましくは１４％以下であり、さらに好ましくは、以下、段階的に、１０％以下、８％以下、６％以下、３％以下、１％以下である。
【００７７】  ＳｒＯは、支持ガラスの溶融性を向上する成分であり、支持ガラスの破砕性を改善する成分である。ＳｒＯは必須ではないが、ＳｒＯを含有させる場合の含有量は、好ましくは０．５％以上であり、より好ましくは１％以上、さらに好ましくは２％以上であり、特に好ましくは３％以上、最も好ましくは５％以上である。一方、ＳｒＯの含有量が２０％超となると耐失透性が著しく低下するため２０％以下が好ましい。ＳｒＯの含有量の含有量は、より好ましくは１４％以下であり、さらに好ましくは、以下、段階的に、１０％以下、８％以下、６％以下、３％以下、１％以下である。
【００７８】  ＢａＯは、支持ガラスの溶融性を向上する成分であり、支持ガラスの破砕性を改善する成分である。ＢａＯは必須成分ではないが、ＢａＯを含有させる場合の含有量は、好ましくは０．５％以上であり、より好ましくは１％以上、さらに好ましくは２％以上であり、特に好ましくは３％以上、最も好ましくは５％以上である。一方、ＢａＯの含有量が１５％超となると耐失透性が著しく低下する。ＢａＯの含有量は１５％以下が好ましく、より好ましくは、以下、段階的に、１０％以下、８％以下、６％以下、３％以下、１％以下である。
【００７９】  ＺｎＯはガラスの溶融性を向上させる成分である。ＺｎＯは必須成分ではないが、ＺｎＯを含有させる場合の含有量は、好ましくは０．２５％以上であり、より好ましくは０．５％以上である。一方、ＺｎＯの含有量が１０％超となるとガラスの耐候性が著しく低下する。ＺｎＯの含有量は１０％以下が好ましく、より好ましくは７％以下、さらに好ましくは５％以下であり、特に好ましくは２％以下であり、最も好ましくは１％以下である。
【００８０】  ＴｉＯ２は、支持ガラスの破砕性を改善する成分である。ＴｉＯ２は必須成分ではないが、ＴｉＯ２を含有させる場合の含有量は、好ましくは０超であり、より好ましくは０．１％以上であり、さらに好ましくは０．１５％以上、特に好ましくは０．２％以上である。一方、ＴｉＯ２の含有量が５％超であると溶融時に失透しやすくなり、支持ガラスの品質が低下する恐れがある。ＴｉＯ２の含有量は１％以下が好ましく、より好ましくは０．５％以下、さらに好ましくは０．２５％以下である。
【００８１】  ＺｒＯ２は、支持ガラスの破砕性を改善する効果がある。また、ＺｒＯ２は、イオン交換による表面圧縮応力を増大させる成分である。ＺｒＯ２は必須成分ではないが、ＺｒＯ２を含有させる場合の含有量は、好ましくは０超であり、より好ましくは０．５％以上であり、さらに好ましくは１％以上である。一方、ＺｒＯ２の含有量が８％超であると溶融時に失透しやすくなり、支持ガラスの品質が低下する恐れがある。ＺｒＯ２の含有量は８％以下が好ましく、より好ましくは６％以下、さらに好ましくは４％以下であり、特に好ましくは２％以下であり、最も好ましくは１．２％以下である。
【００８２】  Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５は、支持ガラスの破砕性を改善する成分である。Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５は必須ではないが、これらの成分を含有させる場合のそれぞれの含有量は、好ましくは０．５％以上であり、より好ましくは１％以上、さらに好ましくは１．５％以上であり、特に好ましくは２％以上、最も好ましくは２．５％以上である。一方、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５の含有量はそれぞれ８％超であると溶融時にガラスが失透しやすくなり支持ガラスの品質が低下する恐れがある。Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５の含有量はそれぞれ、８％以下が好ましく、より好ましくは６％以下、さらに好ましくは５％以下であり、特に好ましくは４％以下であり、最も好ましくは３％以下である。
【００８３】  Ｔａ２Ｏ５、Ｇｄ２Ｏ３は、支持ガラスの破砕性を改善するために少量含有してもよいが、屈折率や反射率が高くなるので１％以下が好ましく、０．５％以下がより好ましく、含有しないことがさらに好ましい。
【００８４】  さらに、ガラスに着色および光透過率の制御を行い使用する際は、所望の特性の達成を阻害しない範囲において着色成分を添加してもよい。着色成分としては、例えば、Ｃｏ３Ｏ４、ＭｎＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＣｕＯ、Ｃｒ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ５、Ｂｉ２Ｏ３、ＳｅＯ２、ＴｉＯ２、ＣｅＯ２、Ｅｒ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３等が好適なものとして挙げられる。
【００８５】  着色成分の含有量は、酸化物基準のモル百分率表示で、合計で７％以下の範囲が好ましい。７％を超えるとガラスが失透しやすくなり望ましくない。この含有量は好ましくは５％以下であり、より好ましくは３％以下であり、さらに好ましくは１％以下である。ガラスの可視光透過率を優先させる場合は、これらの成分は実質的に含有しないことが好ましい。
【００８６】  ガラスの溶融の際の清澄剤として、ＳＯ３、塩化物、フッ化物などを適宜含有してもよい。Ａｓ２Ｏ３は含有しないことが好ましい。Ｓｂ２Ｏ３を含有する場合は、０．３％以下が好ましく、０．１％以下がより好ましく、含有しないことが最も好ましい。
【００８７】  また、本発明の一態様の支持ガラスは、破壊靱性値（ＫＩＣ）が０．７ＭＰａ・ｍ１／２以上であることが好ましく、０．７５ＭＰａ・ｍ１／２以上であることがより好ましく、０．７７ＭＰａ・ｍ１／２以上であることがさらに好ましく、０．８０ＭＰａ・ｍ１／２以上であることが特に好ましく、０．８２ＭＰａ・ｍ１／２以上であることが最も好ましい。当該破壊靱性値（ＫＩＣ）が０．７ＭＰａ・ｍ１／２以上であると、ガラスの破壊時の破砕数を効果的に抑制できる。
【００８８】  なお、本明細書における破壊靱性値（ＫＩＣ）とは、後述の実施例にて詳述されるＤＣＤＣ法によりＫＩ−ｖ曲線を測定して求められる破壊靱性値である。
【００８９】  本発明の一態様の支持ガラスは、失透温度Ｔは、粘度が１０４ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ４以下が好ましい。失透温度ＴがＴ４より高い場合には、フロート法等によるガラス板成形時に失透による品質低下が生じやすいからである。
【００９０】  本発明の一態様の支持ガラスは、ガラス転移点Ｔｇは、５００℃〜８００℃の範囲が好ましい。Ｔｇが８００℃以下であれば、板状に成形する際の徐冷温度を過度に高くする必要がないため、温度分布が生成しにくく、残留歪を小さくできる。好ましくは７００℃以下、より好ましくは６００℃以下である。またＴｇが５００℃以上であれば、ガラスの化学的耐久性を高められる。好ましくは５２０℃以上、より好ましくは５４０℃以上である。
【００９１】  本発明の一態様の支持ガラスのヤング率は、より好ましくは７４ＧＰａ以上、特に好ましくは７８ＧＰａ以上、さらに好ましくは８２ＧＰａ以上である。ヤング率の上限は特に限定されるものではないが、例えば９０ＧＰａ以下であり、好ましくは８８ＧＰａ以下である。ヤング率は、例えば超音波パルス法により測定できる。
【００９２】  本発明の一態様の支持ガラスの密度は、３．０ｇ／ｃｍ３以下が好ましい。密度が３．０ｇ／ｃｍ３以下であれば、支持ガラスが軽量となり、支持ガラスの取り扱いが容易になる。また、支持ガラスの自重によるたわみを低減できる。密度は２．８ｇ／ｃｍ３以下がより好ましく、２．６ｇ／ｃｍ３以下がさらに好ましい。密度は、２．３５ｇ／ｃｍ３以上が好ましい。密度が２．３５ｇ／ｃｍ３以上であれば、ガラスのビッカース硬度が高くなり、ガラス表面を傷つき難くし得る。密度は２．３８ｇ／ｃｍ３以上がより好ましく、２．４０ｇ／ｃｍ３以上がさらに好ましく、２．４２ｇ／ｃｍ３以上が特に好ましい。
【００９３】  本発明の一態様の支持ガラスは、少なくとも一の主表面の面積が７０〜７０００ｃｍ２であることが好ましい。支持ガラスの面積は７０ｃｍ２以上であれば、最終的に得られる半導体パッケージの取り数が多くなり、生産性が向上する。面積は８０ｃｍ２以上であることがより好ましく、１７０ｃｍ２以上であることがさらに好ましく、３００ｃｍ２以上であることが特に好ましく、７００ｃｍ２以上であることが最も好ましい。
【００９４】  支持ガラスの面積は７０００ｃｍ２以下であれば支持ガラスの取り扱いが容易になり、貼り合わせる基板（半導体基板）や、製造ラインを流れる際の周辺部材との接触を防止できる。面積は、６０００ｃｍ２以下がより好ましく、４０００ｃｍ２以下がさらに好ましく、３０００ｃｍ２以下が特に好ましい。
【００９５】  本発明の一態様の支持ガラスの板厚（ｔ）は、特に限定されないが、板厚は２ｍｍ以下が好ましく、１．５ｍｍ以下がより好ましく、１．３ｍｍ以下がさらに好ましく、１．１ｍｍ以下が特に好ましい。板厚が上記上限以下であれば、支持ガラスが過度に重くなりすぎないため、支持ガラスを搬送する際の他の部材との接触による衝撃が小さくなり、破損の原因となる傷の発生を抑制でき。また、支持ガラスを化学強化する場合、化学強化の効果が高くなり好ましい。板厚は、支持基板としての自重たわみによる変形を抑制する効果を得る観点からは、０．１ｍｍ以上が好ましく、０．２ｍｍ以上がより好ましく、０．４ｍｍ以上がさらに好ましく、０．５ｍｍ以上が特に好ましい。
【００９６】  本発明の一態様の支持ガラスの形状は、特に限定されない。形状は、矩形（板状）であってもよく、円形（正円であっても、楕円であってもよい）であってもよい。また、支持ガラスは、オリエンテーションフラットやノッチを有してもよく、角部や端面が面取りされていてもよい。
【００９７】  本発明の一態様の支持ガラスは、例えば、以下のようにして製造できる。
【００９８】  支持ガラスは、例えば、ガラスの各成分の原料を調合し、ガラス溶融窯で加熱溶融する。その後、公知の方法によりガラスを均質化し、ガラス板等の所望の形状に成形し、徐冷する。
【００９９】  ガラス板の成形法としては、例えば、フロート法、プレス法、フュージョン法及びダウンドロー法が挙げられる。特に、大量生産に適したフロート法が好ましい。また、フロート法以外の連続成形法、すなわち、フュージョン法およびダウンドロー法も好ましい。
【０１００】  その後、成形したガラス板を必要に応じて研削および研磨処理して、支持ガラスとなるガラス基板を形成する。また、ガラス基板は、所定の形状及びサイズへの切断や面取り加工を行ってもよい。ガラス基板は、オリエンテーションフラットやノッチを形成してもよく、識別番号（ロット番号、アライメントマークなど）を付与してもよい。
【０１０１】  化学強化された支持ガラスを製造する場合は、上述のような通常の方法で製造したガラスに、化学強化処理を施せばよい。
【０１０２】  化学強化処理は、従来公知の方法によって実施できる。化学強化処理においては、大きなイオン半径の金属イオン（典型的には、ＮａイオンまたはＫイオン）を含む金属塩（例えば、硝酸カリウム）の融液に、浸漬などによってガラス板を接触させる。ガラス板中の小さなイオン半径の金属イオン（典型的には、ＮａイオンまたはＬｉイオン）は、大きなイオン半径の金属イオンと置換される。
【０１０３】  化学強化処理（イオン交換処理）は、特に限定されるものではない。例えば、化学強化処理は、３６０〜６００℃に加熱された硝酸カリウム等の溶融塩中に、ガラス板を０．１〜５００時間浸漬することによって実施できる。なお、溶融塩の加熱温度としては、３７５〜５００℃が好ましく、また、溶融塩中へのガラス板の浸漬時間は、０．３〜２００時間が好ましい。
【０１０４】  化学強化処理を行うための溶融塩としては、硝酸塩、硫酸塩、炭酸塩、塩化物などが挙げられる。このうち硝酸塩としては、硝酸リチウム、硝酸ナトリウム、硝酸カリウム、硝酸セシウム、硝酸銀などが挙げられる。硫酸塩としては、硫酸リチウム、硫酸ナトリウム、硫酸カリウム、硫酸セシウム、硫酸銀などが挙げられる。炭酸塩としては、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどが挙げられる。塩化物としては、塩化リチウム、塩化ナトリウム、塩化カリウム、塩化セシウム、塩化銀などが挙げられる。これらの溶融塩は単独で用いてもよいし、複数種を組み合わせて用いてもよい。
【０１０５】  本発明の一態様において、化学強化処理の処理条件は、特に限定されない。化学処理の条件は、ガラスの特性・組成や溶融塩の種類、ならびに、最終的に得られる支持ガラスに所望される表面圧縮応力（ＣＳ）や圧縮応力層の深さ（ＤＯＬ）等の化学強化特性などを考慮して、適切な条件を選択すればよい。
【０１０６】  また、本発明の一態様においては、化学強化処理を一回のみ行ってもよく、あるいは２以上の異なる条件で複数回の化学強化処理（多段強化）を行ってもよい。ここで、例えば、１段階目の化学強化処理として、ＣＳが相対的に低くなる条件で化学強化処理を行った後に、２段階目の化学強化処理として、ＣＳが相対的に高くなる条件で化学強化処理を行うと、支持ガラスの最表面のＣＳを高めつつ、内部引張応力面積（Ｓｔ）を抑制でき、結果として内部引張応力（ＣＴ）を低めに抑制できる。
【０１０７】  なお、化学強化された支持ガラスを製造する場合は、化学強化処理を施す前に、ガラス基板の所定の形状及びサイズへの切断や面取り加工を行えば、その後の化学強化処理によって端面にも圧縮応力層が形成されるため、好ましい。
【０１０８】  化学強化処理後、当該処理を施したガラスは、適宜洗浄および乾燥することが好ましい。
【０１０９】  本発明の一態様の支持ガラスは、例えば、ファンアウト型のウェハレベルパッケージ用又はパネルレベルパッケージ用の支持基板、ウェハレベルパッケージによる素子の小型化が有効なＭＥＭＳ、ＣＭＯＳおよびＣＩＳ等のイメージセンサ用の支持基板、貫通孔を有するガラス基板（ガラスインターポーザ；ＧＩＰ）、並びに半導体バックグラインド用のサポートガラス等に使用される。本発明の一態様の支持ガラスは、特に、ファンアウト型のウェハレベルパッケージまたはパネルレベルパッケージ用途に好適である。
【実施例】
【０１１０】  以下、本発明を実施例によって説明するが、本発明はこれらにより限定されるものではない。なお、表中の物性の各測定結果について、空欄は未測定であることを表す。【０１１１】（ガラス（支持ガラス）の作製）  表１〜５の例２−１〜２−５３に示される酸化物基準のモル百分率表示の各ガラス組成となるように、ガラスを次のように作製した。酸化物、水酸化物、炭酸塩または硝酸塩等、一般に使用されているガラス原料を適宜選択し、ガラスとして１０００ｇになるように秤量した。ついで、混合した原料を白金るつぼに入れ、１５００〜１７００℃の抵抗加熱式電気炉に投入して３時間程度溶融し、脱泡、均質化した。得られた溶融ガラスを型材に流し込み、ガラス転移点＋５０℃の温度において１時間保持した後、０．５℃／分の速度で室温まで冷却し、ガラスブロックを得た。得られたガラスブロックを切断、研削、研磨加工し下記の測定を行った。【０１１２】  密度測定は、液中ひょう量法［ＪＩＳＺ８８０７（２０１２年）固体の密度及び比重の測定方法］で行った。【０１１３】  平均熱膨張係数αおよびガラス転移点Ｔｇ測定は、［ＪＩＳ  Ｒ３０１３：３（２００１年）ガラスの粘性及び粘性定点−第３部：熱膨張法による転移温度測定方法］に準じて測定した。【０１１４】  ヤング率Ｅ、合成率Ｇ、及びポアソン比測定は、超音波パルス法［ＪＩＳ  Ｒ１６０２（１９９５年）］により測定した。【０１１５】  比弾性率は、ヤング率Ｅを密度で除して求めた。【０１１６】  破壊靱性値は、M.Y. He, M.R. Turner and A.G. Evans, Acta Metall. Mater. 43 (1995) 3453.に記載の方法を参考に、ＤＣＤＣ法により、図４に示される形状のサンプルおよびオリエンテック社製のテンシロンＵＴＡ−５ｋＮを用いて、図５に示されるような、応力拡大係数ＫＩ（単位：ＭＰａ・ｍ１／２）とクラック進展速度ｖ（単位：ｍ／ｓ）との関係を示すＫＩ−ｖ曲線を測定し、得られたＲｅｇｉｏｎＩＩＩのデータを一次式で回帰、外挿し、０．１ｍ／ｓの応力拡大係数ＫＩを破損靭性値ＫＩＣとした。ＤＣＤＣ法によりＫＩ−ｖ曲線を測定して求めた。【０１１７】  また、例２−１〜２−５３について、ガラスの組成に基づいて、Ｘ値、Ｙ値及びＺ値を求めた。【０１１８】  失透温度Ｔは、以下のようにして求めた。ガラスを粉砕し、４ｍｍメッシュと２ｍｍメッシュの篩を用いて分級し、純水で洗浄した後、乾燥してカレットを得た。２〜５ｇのカレットを白金皿に載せて一定温度に保った電気炉中で１７時間保持し、室温の大気中に取り出して冷却した後、偏光顕微鏡で失透の有無を観察する操作を繰り返して、失透温度Ｔを見積もった。【０１１９】  粘度が１０４ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ４は、ガラスについて、回転粘度計（ＡＳＴＭ  Ｃ  ９６５−９６に準ずる）により粘度が１０４ｄＰａ・ｓとなる温度をＴ４として測定した。  これらの結果を表１〜５に示す。【０１２０】  なお、例２−５１に記載の例は、米国特許出願公開第２０１５／０２５９２４４号明細書に記載の実施例である。【０１２１】  例２−３、２−７、２−５２、２−５３は、比弾性率が３０ＭＮｍ／ｋｇ以上であり、平均熱膨張係数αが５５〜９０×１０−７／℃の範囲であるため、ガラスの破損を抑制でき、またガラスが破損した場合��おいても、粉々に飛び散りにくいガラスが実現できる例である。【０１２２】  例２−１、２−３〜２−５０、２−５３についてはＸ値が３００００以上であり、ガラスの破損時の破砕数が十分に少ない、粉々に飛び散りにくいガラスが実現できる例である。一方、例２−２、例２−５１においてはＸ値が３００００以下である。【０１２３】  例２−１、２−３〜２−５０、２−５２についてはＺ値が２００００以上であり、より大きなＣＳ、ＤＯＬを導入したときにおいても、ガラスの破損時の破砕数が十分に少ないより安全性の高いガラスが実現できる例である。一方、例２−２、例２−５１においてはＺ値が２００００以下である。【０１２４】
【表１】
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【０１２５】
【表２】
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【０１２６】
【表３】
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【０１２７】
【表４】
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【０１２８】
【表５】
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【０１２９】＜Ｘ、Ｙ、Ｚ値とガラスの破砕数の関係＞  ガラス組成とガラスの破砕性の関係を評価するに当たっては、イオン交換による化学強化処理によってガラス中に所定の引張応力を付与し、当該引張応力の指標である内部引張応力面積（Ｓｔ値；単位ＭＰａ・μｍ）に破損時の破砕挙動の相関性を調査することによって行った。その際、種々の化学強化条件により種々のＳｔ値をもったガラスを作製し、破損時の破砕数とＳｔ値の関係を調査した。具体的には、２５ｍｍ×２５ｍｍ×厚みｔ（ｍｍ）のガラスに対して、Ｓｔ値が変化するように種々の化学強化処理条件で化学強化処理を行って、種々のＳｔ値を有するガラスを作製した。そして、破砕数が１０個となったＳｔ値を、Ｓｔ  Ｌｉｍｉｔ値、と規定した。破砕数が１０個をまたぐ場合、１０個未満となる最大破砕数ｎ個のＳｔ値であるＳｔｎ値と、１０個超となる最小破砕数ｍ個のＳｔ値であるＳｔｍ値を用いて、下式によってＳｔ  Ｌｉｍｉｔ値を規定した。    ＳｔＬｉｍｉｔ値＝Ｓｔｎ＋（１０−ｎ）×（Ｓｔｍ−Ｓｔｎ）／（ｍ−ｎ）【０１３０】  Ｓｔ値は、折原製作所社製の表面応力計ＦＳＭ−６０００により測定され付属プログラムＦｓｍＶにより解析される値ＳｔＦもしくは複屈折イメージングシステムＡｂｒｉｏ−ＩＭおよび薄片化サンプルを用いた測定により得られる値ＳｔＡを用いて次のように定義される。    Ｓｔ＝ＳｔＦ＝１．５１５×ＳｔＡ【０１３１】  図３（ａ）および図３（ｂ）並びに表６にｔが１ｍｍのときの測定例を示す。図３は、Ｓｔ  Ｌｉｍｉｔの測定例を示し、図３（ａ）は板厚（ｔ）が１ｍｍのときの内部引張応力層の面積Ｓｔ（ＭＰａ・μｍ）と破砕数の関係を示すグラフであり、図３（ｂ）は図３（ａ）中の点線で囲まれた部分の拡大図である。図３（ｂ）のＳｔＬ１０は、それぞれ、破砕数が１０個となるときの内部引張応力面積（Ｓｔ；単位ＭＰａ・μｍ）を示す。【０１３２】
【表６】
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【０１３３】  Ｓｔ  Ｌｉｍｉｔ値が大きなガラスほど、破砕性が改善されたガラスである。なお、Ｓｔ  Ｌｉｍｉｔ値は破砕性の程度を表すための指標であり、破砕様式の許容限界を規定するものではない。【０１３４】  上記の手法と同様にして、Ｓｔ  ｌｉｍｉｔ値を求めた。表７および８に示す。【０１３５】  化学強化前のガラスについて、ヤング率Ｅ（単位；ＧＰａ）、ＤＣＤＣ法によって破壊靱性値ＫＩＣ（単位；ＭＰａ・ｍ１／２）を測定した結果を表７および８にあわせて示す。【０１３６】  なお、ヤング率Ｅは、超音波パルス法［ＪＩＳ  Ｒ１６０２（１９９５年）］により測定した。【０１３７】  また、破損靭性値は、M.Y. He, M.R. Turner and A.G. Evans, Acta Metall. Mater. 43 (1995) 3453.に記載の方法を参考に、ＤＣＤＣ法により、図４に示される形状のサンプルおよびオリエンテック社製のテンシロンＵＴＡ−５ｋＮを用いて、図５に示されるような、応力拡大係数ＫＩ（単位：ＭＰａ・ｍ１／２）とクラック進展速度ｖ（単位：ｍ／ｓ）との関係を示すＫＩ−ｖ曲線を測定し、得られたＲｅｇｉｏｎＩＩＩのデータを一次式で回帰、外挿し、０．１ｍ／ｓの応力拡大係数ＫＩを破損靭性値ＫＩＣとした。【０１３８】  例ＣＴ−１〜ＣＴ−２７の各例について、化学強化前のガラスの組成（支持ガラスの母組成）に基づいて、下記式からＸ、Ｙ、Ｚ値を算出した。これらの結果を表７および８に示す。  Ｘ＝ＳｉＯ２×３２９＋Ａｌ２Ｏ３×７８６＋Ｂ２Ｏ３×６２７＋Ｐ２Ｏ５×（−９４１）＋Ｌｉ２Ｏ×９２７＋Ｎａ２Ｏ×４７．５＋Ｋ２Ｏ×（−３７１）＋ＭｇＯ×１２３０＋ＣａＯ×１１５４＋ＳｒＯ×７３３＋ＺｒＯ２×５１．８  Ｙ＝ＳｉＯ２×０．００８８４＋Ａｌ２Ｏ３×０．０１２０＋Ｂ２Ｏ３×（−０．００３７３）＋Ｐ２Ｏ５×０．０００６８１＋Ｌｉ２Ｏ×０．００７３５＋Ｎａ２Ｏ×（−０．００２３４）＋Ｋ２Ｏ×（−０．００６０８）＋ＭｇＯ×０．０１０５＋ＣａＯ×０．００７８９＋ＳｒＯ×０．００７５２＋ＢａＯ×０．００４７２＋ＺｒＯ２×０．０２０２  Ｚ＝ＳｉＯ２×２３７＋Ａｌ２Ｏ３×５２４＋Ｂ２Ｏ３×２２８＋Ｐ２Ｏ５×（−７５６）＋Ｌｉ２Ｏ×５３８＋Ｎａ２Ｏ×４４．２＋Ｋ２Ｏ×（−３８７）＋ＭｇＯ×６６０＋ＣａＯ×５６９＋ＳｒＯ×２９１＋ＺｒＯ２×５１０【０１３９】  例ＣＴ−１、ＣＴ−５、ＣＴ−７〜ＣＴ−１２、ＣＴ−１４〜ＣＴ−１９及びＣＴ−２１〜ＣＴ−２４の支持ガラスについて、厚みｔが１ｍｍのときのＳｔ  ＬｉｍｉｔとＸ値との関係をプロットしたグラフを図６に、厚みｔが１ｍｍのときのＳｔ  ＬｉｍｉｔとＺ値との関係をプロットしたグラフを図７に、Ｘ値とＺ値との関係をプロットしたグラフを図８に、それぞれ示す。【０１４０】
【表７】
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【０１４１】
【表８】
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【０１４２】  表７および８並びに図６〜８の結果より、Ｘ値およびＺ値と１ｍｍ時のＳｔ  Ｌｉｍｉｔとは高い精度で相関しており、支持ガラス破損時の破砕性を高精度で表わすパラメータであることが分かる。また、Ｘ値およびＺ値が大きくなるほど、Ｓｔ  Ｌｉｍｉｔが大きくなることが分かった。ここで、支持ガラスのＳｔ  Ｌｉｍｉｔが大きいほど、たとえ支持ガラスが破損したとしても破砕数の少ないより安全な破損となることを表す。例えば、Ｘ値およびＺ値が、それぞれ３００００以上及び２００００以上である支持ガラスであれば、Ｓｔ  Ｌｉｍｉｔが３００００ＭＰａ・μｍよりも大きく、例えば、上述のようにＳｃもしくはＳｔが３００００ＭＰａ・μｍ以上である１ｍｍの高強度支持ガラスの例においても、ガラスの破損時の破砕数が十分に少ないより生産性の高いガラスが実現できるといえる。   【０１４３】  本発明を特定の態様を参照して詳細に説明したが、本発明の精神と範囲を離れることなく様々な変更および修正が可能であることは、当業者にとって明らかである。なお、本出願は、２０１７年７月２６日付けで出願された日本特許出願（特願２０１７−１４４８００）に基づいており、その全体が引用により援用される。また、ここに引用されるすべての参照は全体として取り込まれる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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