(57)【要約】  本発明の樹脂封止型半導体装置は、一方の面に形成された平板状の電極Ｅが少なくとも１本の溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３によって複数領域に分割されている半導体チップ２０と、複数領域を覆うようにして平板状の電極Ｅに接続される平板状の電極接続片３１Ｅとが樹脂封止されてなる樹脂封止型半導体装置１であって、電極接続片３１Ｅには、溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３に対向する位置に、当該電極接続片３１Ｅの厚み方向に貫通した貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３が形成されている。  本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、樹脂封止体内の溝付近に空洞が存在しない高品質な樹脂封止型半導体装置を提供できる。
2019167188.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に形成された平板状の電極が少なくとも１本の溝によって複数領域に分割されている半導体チップと、前記複数領域を覆うようにして前記平板状の電極に接続される平板状の電極接続片とが樹脂封止されてなる樹脂封止型半導体装置であって、
前記電極接続片には、前記溝に対向する位置に、当該電極接続片の厚み方向に貫通した貫通孔が形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】
前記貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿う方向に直交する方向の長さが、少なくとも前記溝の幅の長さを有することを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】
前記貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿う方向の長さが、当該樹脂の流路に沿う方向に直交する方向の長さよりも長い長孔形状をなすことを特徴とする請求項１又は２に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項４】
前記溝は、樹脂封止時において前記樹脂が前記半導体チップに流入する際の流入方向に沿って所定間隔を置いて並列配置される２本の溝と、当該並列配置される２本の溝に交差して配置される溝と、を有し、
前記貫通孔は、少なくとも、前記並列配置される２本の溝に交差して配置される溝に対向する位置で、かつ、前記並列配置される２本の溝に挟まれた区間に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項５】
前記貫通孔は、第１貫通孔と当該第１貫通孔と対をなす第２貫通孔とを有し、当該第１貫通孔及び当該第２貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿って並んで配置されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項６】
前記半導体チップは複数個存在し、複数個の前記半導体チップの各半導体チップに形成されている前記平板状の電極ごとに、前記平板状の電極接続片が接続されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項７】
一方の面に形成された平板状の電極が少なくとも一本の溝によって複数領域に分割されている半導体チップと、前記複数領域を覆うようにして前記平板状の電極に接続される平板状の電極接続片とが樹脂封止されてなる樹脂封止型半導体装置に用いられ、前記電極接続片を有するリードがフレーム部に一体形成されてなるリードフレームであって、
前記電極接続片には、前記溝に対向する位置に、当該電極接続片の厚み方向に貫通した貫通孔が形成されていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項８】
前記貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿う方向に直交する方向の長さが、少なくとも前記溝の幅の長さを有していることを特徴とする請求項７に記載のリードフレーム
【請求項９】
前記貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿う方向の長さが、当該樹脂の流路に沿う方向に直交する方向の長さよりも長い長孔形状を有することを特徴とする請求項７又は８に記載のリードフレーム。
【請求項１０】
前記溝は、樹脂封止時において前記樹脂が前記半導体チップに流入する際の流入方向に沿って所定間隔を置いて並列配置される２本の溝と、当該並列配置される２本の溝に交差して配置される溝と、を有し、
前記貫通孔は、少なくとも、前記並列配置される２本の溝に交差して配置される溝に対向する位置で、かつ、前記並列配置される２本の溝に挟まれた区間に形成されていることを特徴とする請求項７〜９のいずれかに記載のリードフレーム。
【請求項１１】
前記貫通孔は、第１貫通孔と当該第１貫通孔と対をなす第２貫通孔とを有し、当該第１貫通孔及び当該第２貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿って並んで配置されていることを特徴とする請求項７〜１０のいずれかに記載のリードフレーム。
【請求項１２】
前記半導体チップは複数個存在し、複数個の前記半導体チップの各半導体チップに形成されている前記平板状の電極ごとに、前記平板状の電極接続片を有するリードが前記フレーム部に一体形成されてなることを特徴とする請求項７〜１１のいずれかに記載のリードフレーム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂封止型半導体装置及びリードフレームに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板に搭載された半導体チップの電極と、リードフレームとが電気的に接続されている樹脂封止型半導体装置が知られている（例えば、特開２００４−１４６５７７号公報及び特開２００６−２０２８８５号公報）。【０００３】
特開２００４−１４６５７７号公報に記載されている半導体装置８００（従来の半導体装置８００とする。）は、図１０に示すように、平板形状に形成された半導体チップ８１０と、ソース用電極接続片８２０ａを有するソース用リード８２０と、ゲート用電極接続片８３０ａを有するゲート用リード８３０と、ソース用電極接続片８２０ａと半導体チップ８１０とを電気的に接続する複数の突起状端子（バンプ）８４０と、ゲート用電極接続片８３０ａと半導体チップ８１０とを電気的に接続する突起状端子（バンプ）８５０とを備え、半導体チップ８１０、ソース用電極接続片８２０ａ、ゲート用電極接続片８３０ａなどが樹脂封止されてなる半導体装置である。【０００４】
このように構成されている従来の半導体装置８００において、ソース用電極接続片８２０ａには厚さ方向に貫通したスリット８６０が、隣り合う突起状端子８４０を仕切るように形成されている。【０００５】
従来の半導体装置８００においては、スリット８６０の存在により、ソース用電極接続片８２０ａの温度が上昇しても、当該ソース用電極接続片８２０ａの熱膨張を抑制できるとともに、樹脂封止する際にスリット８６０から樹脂を流入させることができるとしている。【０００６】
一方、特開２００６−２０２８８５号公報に記載されている半導体装置９００（従来の半導体装置９００とする。）は、図１１に示すように、放熱ブロック９１０の表面に搭載された半導体チップ９２０，９３０と、半導体チップ９２０に接続された接合部９４１及び半導体チップ９３０に接続された接合部９４２を有する電極接続片９４０とを有し、これら半導体チップ９２０，９３０、接合部９４１及び接合部９４２などが樹脂封止されてなる半導体装置である。【０００７】
このような構成となっている従来の半導体装置９００において、電極接続片９４０には、放熱ブロック９１０に対向する２箇所の位置に第１貫通孔９４３がそれぞれ設けられているとともに、半導体チップ９２０，９３０との接合部９４１，９４２に対向する位置に第２貫通孔９４４がそれぞれ設けられている。【０００８】
従来の半導体装置９００においては、第１貫通孔９４３が存在していることによって、樹脂封止する際に、樹脂を流入させることができ、また、第２第１貫通孔９４４が存在していることによって、各接合部９４１，９４２の「はんだフィレット」の状態などを目視などで検査可能している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００４−１４６５７７号公報
【特許文献２】特開２００６−２０２８８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、電流の均一化や熱応力の緩和を目的として、半導体チップの電極が少なくとも１本の溝によって複数の領域に分割されているものがある（例えば、図１２参照。）。【００１１】
このような半導体チップ（ＩＧＢＴとする。）は、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、エミッタ電極Ｅは、３本の溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３によって、５つの領域Ａ１〜Ａ５に分割されている。そして、図１２（ｃ）に示すように、これら５つの領域Ａ１〜Ａ５が平板状のエミッタ電極接続片２００Ｅに接続されている。【００１２】
また、平板状のエミッタ電極Ｅに平板状のエミッタ電極接続片２００Ｅが接続された状態となると、、図１２（ｄ）に示すように、溝（図１２（ｄ）においては溝Ｓ１，Ｓ２のみが示されている。）は、当該溝Ｓ１，Ｓ２において樹脂の流入口となる側面側端部の開口が微細なものとなるとともに、当該溝Ｓ１，Ｓ２の上面側の開口が閉塞された状態となるため、溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３は、樹脂の流入口が微細なパイプ状となってしまう。図１２（ｄ）においては図示されていないが、溝Ｓ３も同様である。【００１３】
このような半導体チップ１００を用いて樹脂封止型半導体装置を製造する際には、樹脂封止の際に、樹脂が各領域間の溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３に安定して流入して行かず、樹脂封止後に形成された樹脂封止体内の溝付近（溝の内部、樹脂の流入口及び樹脂の流出口などを含む）に空洞（気泡）が生じてしまい、高品質な樹脂封止型半導体装置とならないといった課題がある。このような課題は、上記従来の半導体装置８００及び従来の半導体装置９００に記載されている技術を採用したとしても解消されるものではない。【００１４】
そこで、本発明は上記した課題を解決するためになされたものであり、樹脂封止体内の溝付近に空洞が存在しない高品質な樹脂封止型半導体装置を提供するととともに、樹脂封止体の溝付近に空洞が存在しない高品質な樹脂封止型半導体装置とすることができるリードフレームを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
［１］本発明の樹脂封止型半導体装置は、一方の面に形成された平板状の電極が少なくとも１本の溝によって複数領域に分割されている半導体チップと、前記複数領域を覆うようにして前記平板状の電極に接続される平板状の電極接続片とが樹脂封止されてなる樹脂封止型半導体装置であって、前記電極接続片には、前記溝に対向する位置に、当該電極接続片の厚み方向に貫通した貫通孔が形成されていることを特徴とする。【００１６】
［２］本発明の樹脂封止型半導体装置においては、前記貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿う方向に直交する方向の長さが、少なくとも前記溝の幅の長さを有することが好ましい。【００１７】
［３］本発明の樹脂封止型半導体装置においては、前記貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿う方向の長さが、当該樹脂の流路に沿う方向に直交する方向の長さよりも長い長孔形状をなすことが好ましい。【００１８】
［４］本発明の樹脂封止型半導体装置においては、前記溝は、樹脂封止時において前記樹脂が前記半導体チップに流入する際の流入方向に沿って所定間隔を置いて並列配置される２本の溝と、当該並列配置される２本の溝に交差して配置される溝と、を有し、前記貫通孔は、少なくとも、前記並列配置される２本の溝に交差して配置される溝に対向する位置で、かつ、前記並列配置される２本の溝に挟まれた区間に形成されていることが好ましい。【００１９】
［５］本発明の樹脂封止型半導体装置においては、前記貫通孔は、第１貫通孔と当該第貫通孔と対をなす第２貫通孔とを有し、当該第１貫通孔及び当該第２貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿って並んで配置されていることが好ましい。【００２０】
［６］本発明の樹脂封止型半導体装置においては、前記半導体チップは複数個存在し、複数個の前記半導体チップの各半導体チップに形成されている前記平板状の電極ごとに、前記平板状の電極接続片が接続されていること前記半導体チップは複数個存在し、当該複数個の半導体チップの各半導体チップに形成されている前記平板状の電極ごとに、前記平板状の電極接続片が接続されていることが好ましい。【００２１】
［７］本発明のリードフレームは、一方の面に形成された平板状の電極が少なくとも一本の溝によって複数領域に分割されている半導体チップと、前記複数領域を覆うようにして前記平板状の電極に接続される平板状の電極接続片とが樹脂封止されてなる樹脂封止型半導体装置に用いられ、前記電極接続片を有するリードがフレーム部に一体形成されてなるリードフレームであって、前記電極接続片には、前記溝に対向する位置に、当該電極接続片の厚み方向に貫通した貫通孔が形成されていることを特徴とする。【００２２】
［８］本発明のリードフレームにおいては、前記貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿う方向に直交する方向の長さが、少なくとも前記溝の幅の長さを有していることが好ましい。【００２３】
［９］本発明のリードフレームにおいては、前記貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿う方向の長さが、当該樹脂の流路に沿う方向に直交する方向の長さよりも長い長孔形状を有することが好ましい。【００２４】
［１０］本発明のリードフレームにおいては、前記溝は、樹脂封止時において前記樹脂が前記半導体チップに流入する際の流入方向に沿って所定間隔を置いて並列配置される２本の溝と、当該並列配置される２本の溝に交差して配置される溝と、を有し、前記貫通孔は、少なくとも、前記並列配置される２本の溝に交差して配置される溝に対向する位置で、かつ、前記並列配置される２本の溝に挟まれた区間に形成されていること好ましい。【００２５】
［１１］本発明のリードフレームにおいては、前記貫通孔は、第１貫通孔と当該第貫通孔と対をなす第２貫通孔とを有し、当該第１貫通孔及び当該第２貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿って並んで配置されていることが好ましい。【００２６】
［１２］本発明のリードフレームにおいては、前記半導体チップは複数個存在し、当該複数個の半導体チップの各半導体チップに形成されている前記平板状の電極ごとに、前記平板状の電極接続片が接続されていることが好ましい。
【本発明の効果】
【００２７】
本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、一方の面に形成された平板状の電極が少なくとも１本の溝によって複数領域に分割されている半導体チップと、複数領域を覆うようにして平板状の電極に接続される平板状の電極接続片とが樹脂封止されてなる樹脂封止型半導体装置であって、電極接続片には、溝に対向する位置に、当該電極接続片の厚み方向に貫通した貫通孔が形成されている。これにより、樹脂封止時においては、貫通孔は、空気抜き用の孔として機能することとなり、樹脂は溝内を安定して流れるため、樹脂封止体内の溝付近に空洞が発生することを防止できる。その結果、本発明の樹脂封止型半導体装置は、樹脂封止体内の溝付近に空洞が存在しない高品質な樹脂封止型半導体装置となる。
【００２８】
また、本発明のリードフレームによれば、一方の面に形成された平板状の電極が少なくとも一本の溝によって複数領域に分割されている半導体チップと、複数領域を覆うようにして平板状の電極に接続される平板状の電極接続片とが樹脂封止されてなる樹脂封止型半導体装置に用いられ、電極接続片を有するリードがフレーム部に一体形成されてなるリードフレームであって、電極接続片には、溝に対向する位置に、当該電極接続片の厚み方向に貫通した貫通孔が形成されている。これにより、樹脂封止時においては、貫通孔は、空気抜き用の孔として機能することとなり、樹脂は溝内を安定して流れるため、樹脂封止体内の溝付近に空洞が発生することを防止できる。その結果、このようなリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置は、樹脂封止体の溝付近に空洞が存在しない高品質な樹脂封止型半導体装置となる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１を説明するために示す図である。図１（ａ）は実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１の外観を示す斜視図であり、図１（ｂ）は実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１の内部構成の要部を拡大して示す平面図である。
【図２】樹脂封止時において樹脂が溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３内を流れる際の樹脂の流路について説明するために示す図である。
【図３】図１（ｂ）におけるａ−ａ線矢視断面図である。
【図４】図１（ｂ）におけるｂ−ｂ線矢視断面図である。
【図５】実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１に用いられるリードフレームＲＦ１を説明するために示す図である。
【図６】実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２を説明するために示す図である。図６（ａ）は実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２の外観を示す斜視図であり、図６（ｂ）は実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２の内部構成の要部を拡大して示す平面図である。
【図７】実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２に用いられるリードフレームＲＦ２を説明するために示す図である。
【図８】実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３を説明するために示す図である。図８（ａ）は実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３の外観を示す斜視図であり、図８（ｂ）は実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３の内部構成の要部を拡大して示す平面図である。
【図９】実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３に用いられるリードフレームＲＦ３を説明するために示す図である。
【図１０】特開２００４−１４６５７７号公報に記載されている半導体装置を説明するために示す図である。図１０（ａ）は一部が断面となっている平面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のａ−ａ線矢視断面図である。
【図１１】特開２００６−２０２８８５号公報に記載されている半導体装置を説明するために示す図である。
【図１２】電極が少なくとも１本の溝によって複数の領域に分割されている半導体チップ１００の一例を模式的に示す図である。図１２（ａ）は半導体チップ１００の平面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）を矢印ｙ方向に見た側面図であり、図１２（ｃ）は図１２（ａ）に示すエミッタ電極Ｅに、リード２００のエミッタ電極接続片２００Ｅを接続した状態を示す平面図であり、図１２（ｄ）は図１２（ｃ）を矢印ｙ方向に見た側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００３１】
［実施形態１］
実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１は、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、基板１０と、当該基板１０の一方の面に搭載された半導体チップ２０と、当該半導体チップ２０の各電極（詳細は後述する。）に接続されたリード３１，３２，３３とを有し、基板１０と、半導体チップ２０と、リード３１，３２，３３の一部とが樹脂封止体４０によって封止された構成となっている。
【００３２】
実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１に用いられる半導体チップ２０は、ＩＧＢＴであるとする。このため、電極としては、エミッタ電極Ｅ、コレクタ電極Ｃ及びゲート電極Ｇを有している。ここで、エミッタ電極Ｅは、リード３１の電極接続片３１Ｅ（エミッタ電極接続片３１Ｅという。）に接続され、コレクタ電極Ｃは基板１０上の回路パターンに接続されている。なお、コレクタ電極Ｃは、図１において目視できない位置にあるため、図１においては図示されていない（後述する図３参照。）。また、当該コレクタ電極Ｃは、基板１０の回路パターンを介してリード３２のコレクタ電極接続片３２Ｃに接続されている。また、ゲート電極Ｇは、ワイヤボンディングによってリード３３のゲート電極接続片３３Ｇに接続されている。
【００３３】
ところで、半導体チップ２０は、図１２において説明した半導体チップ１００と同様に、エミッタ電極Ｅが溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３によって５つの領域Ａ１〜Ａ５に分割されたものとなっている。ここで、溝Ｓ１，Ｓ２は、樹脂封止時において樹脂が半導体チップ２０に流入する際の流入方向に沿って所定間隔を置いて並列配置（この場合、平行配置）される溝であり、溝Ｓ３は、当該並列配置される２本の溝Ｓ１，Ｓ２に交差（この場合、直交）して配置される溝である。すなわち、溝Ｓ３は樹脂封止時において樹脂が半導体チップ２０に流入する際の流入方向に直交する方向に配置されている。
【００３４】
そして、図１（ｂ）に示すように、エミッタ電極Ｅの各領域Ａ１〜Ａ５には、当該各領域Ａ１〜Ａ５を覆うように、リード３１のエミッタ電極接続片３１Ｅが接続されている。具体的には、リード３１のエミッタ電極接続片３１Ｅは、平板状の電極接続片であって、当該平板状の電極接続片がエミッタ電極Ｅの各領域Ａ１〜Ａ５のほぼ全体を覆うように各領域Ａ１〜Ａ５に接続されている。
【００３５】
また、リード３１のエミッタ電極接続片３１Ｅには、エミッタ電極Ｅに形成されている溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３に対向する位置に、当該エミッタ電極接続片３１Ｅの厚み方向に貫通した貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３が形成されている。具体的には、貫通孔ｈ１１は、溝Ｓ１に対向した位置に設けられており、貫通孔ｈ１２は、溝Ｓ２に対向した位置に設けられており、貫通孔ｈ１３は、溝Ｓ３に対向した位置に設けられている。なお、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３は、それぞれ対応する溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３において、主に、樹脂封止時における空気抜き用の孔として機能する。
【００３６】
ここで、樹脂封止時における樹脂の流れについて図２を参照して説明する。図２において、溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３に描かれている破線Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は、各溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３における樹脂の流路を示している。なお、流路を示す破線Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３を以下の説明では、流路Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３として説明する。樹脂封止時においては、樹脂は、まずは、溝Ｓ１，Ｓ２に流入して当該溝Ｓ１，Ｓ２内を流路Ｒ１，Ｒ２に沿って矢印方向に流れて行き、その後、樹脂は溝Ｓ３にも流入して当該溝Ｓ３内を流路Ｒ３に沿って矢印方向に流れて行く。
【００３７】
ところで、エミッタ電極接続片３１（図２では図示せず。）が半導体チップ２０のエミッタ電極Ｅに接続された状態となったときには、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３は、図２の一点鎖線で示す位置に配置される。すなわち、貫通孔ｈ１１及び貫通孔ｈ１２は、溝Ｓ１及び溝Ｓ２に対向する位置に配置されるようにエミッタ電極接続片３１Ｅに形成されている。また、貫通孔ｈ１３は、溝Ｓ１，Ｓ２に交差（この場合、直交）する溝Ｓ３に対向する位置で、かつ、溝Ｓ１と溝Ｓ２とに挟まれた区間の所定位置（位置Ｐとする。）に配置されるようにエミッタ電極接続片３１Ｅに形成されている。
【００３８】
貫通孔ｈ１１、ｈ１２、ｈ１３が図２の一点鎖線で示す位置に配置されるようにエミッタ電極３１Ｅに形成されていることによって、樹脂封止時に樹脂が溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３に流入する際には、溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３内に溜まっている空気を抜け易くすることができる効果が得られる。特に、溝Ｓ３は、他の溝Ｓ１，Ｓ２に比べて樹脂が遅れて流入してくるため、溝Ｓ３内には空気が溜まり易い。しかも、溝Ｓ３において溝Ｓ１と溝Ｓ２とに挟まれた区間には、空気がより溜まり易く、かつ、溜まった空気が抜けにくいものとなる。このことを考慮して、溝Ｓ１と溝Ｓ２とに挟まれた区間の所定位置（位置Ｐ）に貫通孔ｈ１３を設けることによって、溝Ｓ３において溝Ｓ１と溝Ｓ２とに挟まれた区間に溜まった空気を確実に抜くことができる。
【００３９】
また、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３は、樹脂封止時において樹脂が溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を流れる際の樹脂の流路Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３に沿う方向に直交する方向の長さＤ１（図１（ｂ）参照。）が、少なくとも溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３の幅の長さｗ１（２００μｍ程度とする。）を有している。なお、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１においては、樹脂の流路Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３に沿う方向に直交する方向の長さＤ１（横方向長さＤ１とする。）は、溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３の幅の長さｗ１よりもよりもわずかに長い程度とする。
【００４０】
これにより、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３は、それぞれに対応する溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を跨ぐように配置される。すなわち、貫通孔ｈ１１を例にとって説明すると、当該貫通孔ｈ１１の長手方向中心軸（流路Ｒ１に沿った方向の中心軸）を溝Ｓ１の長手方向の中心軸（流路Ｒ１に沿った中心軸）に対応させるように配置した場合、当該貫通孔ｈ１１は、溝Ｓ１を跨ぐように配置されることとなる。他の貫通孔ｈ１２，ｈ１３も同様である。
【００４１】
また、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３は、樹脂の流路Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３（図２参照。）に沿う方向の長さＤ２（縦方向長さＤ２という。）が、当該樹脂の流路Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３に沿う方向に直交する方向の長さ（横方向長さＤ１）よりも長い長孔形状をなしている。このため、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３の平面視形状としては、流路Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３に沿った方向に長い形状、すなわち、縦方向に長い形状となる。ここで、縦方向に長い形状としては、「長円形」、「楕円形」、「卵型」及び「長方形」などの形状を例示できるが、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１においては、長円形状であるとする。なお、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１においては、縦方向長さＤ２は横方向長さＤ１よりもわずかに長い程度とする。
【００４２】
次に、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３と溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３との位置関係について説明する。まず、貫通孔ｈ１１，ｈ１２と溝Ｓ１，Ｓ２との位置関係について図３を参照して説明する。なお、図３において、図１及び図２と同一構成要素には同一符号が付されている。図３に示すように、貫通孔ｈ１１は溝Ｓ１に対向する位置に設けられており、かつ、当該溝Ｓ１の幅方向において当該溝Ｓ１を跨ぐように設けられている。貫通孔ｈ１２も同様に、溝Ｓ２に対向する位置に設けられ、かつ、溝Ｓ２の幅方向において当該溝Ｓ２を跨ぐように設けられている。
【００４３】
続いて、貫通孔ｈ１３と溝Ｓ３との位置関係について図４を参照して説明する。なお、図４において、図１、図２及び図３と同一構成要素には同一符号が付されている。図４に示すように、貫通孔ｈ１３は、溝Ｓ３に対向する位置に設けられ、かつ、溝Ｓ３の幅方向において当該溝Ｓ３を跨ぐように設けられている。
【００４４】
また、図３及び図４においては、図１において図示されていないコレクタ電極Ｃが示されている。当該コレクタ電極Ｃは、基板１０の一方の面（半導体チップ搭載面）に接続され、回路パターンを介してリード３２のコレクタ電極接続３２Ｃに接続されている。なお、コレクタ電極Ｃと基板１０との間、及びエミッタ電極Ｅとリード３１のエミッタ電極接続片３１Ｅとの間には、図３では図示されていないが、実際には、それぞれはんだ層が存在する。また、基板１０には、当該基板１０の他方の面（半導体チップ２０が搭載されている面とは反対側の面）には、放熱パッド５０が取り付けられている。
【００４５】
以上説明したように、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１おいては、図１〜図４に示したように、リード３１のエミッタ電極接続片３１Ｅには、エミッタ電極Ｅに形成されている溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３に対向する位置に、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３が形成されている。このため、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置によれば、次に示すような効果が得られる。
【００４６】
半導体チップ２０のエミッタ電極Ｅには、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３（図１、図３及び図４参照。）が形成されているエミッタ電極接続片３１Ｅが接続されていることによって、樹脂封止時においては、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３は、空気抜き用の孔として機能することとなり、樹脂は溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３内を安定して流れるため、樹脂封止体４０内の溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３付近に空洞が発生することを防止できる。その結果、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１は、樹脂封止体４０内の溝付近に空洞が存在しない高品質な樹脂封止型半導体装置となる。
【００４７】
すなわち、リード３１のエミッタ電極接続片３１Ｅには、溝Ｓ１に対向する位置に貫通孔ｈ１１が形成され、溝Ｓ２に対向する位置に貫通孔ｈ１２が形成され、溝Ｓ３に対向する位置に貫通孔ｈ１３が形成されている。このため、樹脂封止時においては、当該貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３は、それぞれ対応する溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３において空気抜き用の孔として機能することとなり、樹脂が溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３に流入する際には、溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３内に溜まっている空気が、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３から抜け易くなる。それによって、樹脂は溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３内を安定して流れるため、樹脂封止体４０内の溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３付近に空洞が発生することを防止できる。その結果、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１は、樹脂封止体４０内の溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３付近に空洞が存在しない高品質な樹脂封止型半導体装置となる。
【００４８】
特に、溝Ｓ３は、他の溝Ｓ１，Ｓ２に比べて樹脂が遅れて流入してくるため、溝Ｓ３内には空気が溜まり易い。しかも、溝Ｓ３において溝Ｓ１と溝Ｓ２とに挟まれた区間には、空気がより溜まり易く、かつ、溜まった空気が抜けにくいものとなる。このことを考慮して、溝Ｓ１と溝Ｓ２とに挟まれた区間の所定位置（位置Ｐ）に貫通孔ｈ１３を設けることによって、溝Ｓ３において溝Ｓ１と溝Ｓ２とに挟まれた区間に溜まった空気を確実に抜くことができる。それによって、樹脂は溝Ｓ１，Ｓ２だけではなく、溝Ｓ３内を安定して流れるため、樹脂封止体４０内の溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３付近に空洞が発生することを防止できる。
【００４９】
また、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１においては、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３は、横方向長さＤ１（図１（ｂ）参照。）が、溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３の幅（図１（ｂ）参照。）の長さｗ１よりもよりもわずかに長いものとしている。これにより、樹脂封止時においては、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３は、空気抜き用の孔としての機能がより高いものとなり、樹脂封止体４０内の溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３付近に空洞が発生することをより確実に防止できる。
【００５０】
また、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１においては、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３は、縦方向長さＤ２（図１（ｂ）参照。）が、当該樹脂の流路Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３に沿う方向に直交する方向の長さ（横方向長さＤ１）よりも長い長円形状となっている。これによっても、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３は、空気抜き用の孔としての機能がより高いものとなり、樹脂封止体４０内の溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３付近に空洞が発生することをより確実に防止できる。
【００５１】
次に、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１に用いられるリードフレームＲＦ１について説明する。
実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１に用いられるリードフレームＲＦ１は、図５に示すように、エミッタ電極接続片３１Ｅを有するリード３１と、コレクタ電極接続片３２Ｃを有するリード３２と、ゲート電極接続片３３Ｇを有するリード３３とを有している。そして、これらリード３１，３２，３３は、フレーム部８０（外枠及び個々の部品の連結部を含む）に一体形成されている。なお、フレーム部８０は、樹脂封止がなされた後においては、切断された状態となっている。
【００５２】
図５に示すリードフレームＲＦ１において、エミッタ電極接続片３１Ｅには、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３が形成されている。当該貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３については、図１〜図４において説明したため、ここでは、当該貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３についての説明は省略する。
【００５３】
実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１は、このようなリードフレームＲＦ１を用いているため、樹脂封止時においては、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３は、空気抜き用の孔として機能することとなり、樹脂は溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３内を安定して流れるため、樹脂封止体４０内の溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３付近に空洞が発生することを防止できる。その結果、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１は樹脂封止体４０の溝付近に空洞が存在しない高品質な樹脂封止型半導体装置となる。
【００５４】
［実施形態２］
実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２が、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１と異なる点は、エミッタ電極接続片３１Ｅには、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３に加えて、貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３が形成されている点である。なお、外観構成を含むその他の構成は、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１と同様である。このため、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１と同一構成要素には同一符号を付し、かつ、重複する説明は可能な限り省略する。また、以下の説明においては、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３を「第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３」とし、貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３を「第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３」として説明する。
【００５５】
エミッタ電極接続片３１Ｅに設けられている第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３は、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３と同様に、エミッタ電極接続片３１Ｅの厚み方に貫通した貫通孔である。また、第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３は、図６（ｂ）に示すように、溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３に対向する位置で、かつ、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３と対をなすように設けられている。ここで、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３と対をなす第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３というのは、同じ溝に形成されている貫通孔同士を指している。すなわち、溝Ｓ１においては、第１貫通孔ｈ１１と第２貫通孔ｈ２１とが対をなし、溝Ｓ２においては、第１貫通孔ｈ１２と第２貫通孔ｈ２２とが対をなし、溝Ｓ３においては、第１貫通孔ｈ１３と第２貫通孔ｈ２３とが対をなしている。
【００５６】
そして、それぞれ対をなす第１貫通孔と第２第１貫通孔とは、樹脂封止時における樹脂の流路Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３（図２参照。）に沿って所定間隔を置いた位置に形成されている。例えば、第１貫通孔ｈ１１及び第２貫通孔ｈ２１においては、第１貫通孔ｈ１１は溝Ｓ１における流路Ｒ１の上流側の位置に形成され、第２貫通孔ｈ１２は同じ流路Ｒ１において第１貫通孔ｈ１１よりも下流側の位置に形成されている。
【００５７】
また、第１貫通孔ｈ１２及び第２貫通孔ｈ２２においては、第１貫通孔ｈ１２は溝Ｓ２における流路Ｒ２の上流側の位置に形成され、第２貫通孔ｈ１２は同じ流路Ｒ２において第１貫通路ｈ１２よりも下流側の位置に形成されている。
【００５８】
また、第１貫通孔ｈ１３及び第２貫通孔ｈ２３においては、第１貫通孔ｈ１３は溝Ｓ３における流路Ｒ３の上流側の位置に形成され、第２貫通孔ｈ１３は同じ流路Ｒ３において第１貫通路ｈ１３よりも下流側の位置に形成されている。
【００５９】
このように、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３及び第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３は、エミッタ電極接続片３１Ｅにそれぞれが対をなして形成されている。そして、樹脂封止時においては、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３は、主に、空気抜き用の孔として機能し、第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３は、主に、エミッタ電極Ｅ上を流れる樹脂を、それぞれ対応する溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３内に流入させるための樹脂の流入用の孔として機能する。
【００６０】
なお、第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３のうち、第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２の平面視形状は、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２においては、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３と同様の形状とし、第２貫通孔ｈ２３は円形（図６（ｂ）参照。）としているが、当該第２貫通孔ｈ２３も第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３と同様の形状（長円形状）としてもよい。また、長円形状をなす第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２の平面視サイズ（横方向長さＤ１及び縦方向長さＤ２）は、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３と同様であるとする。また、円形をなす第２貫通孔ｈ２３の平面視サイズ（径）は、この場合、長円形状をなす第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２の横方向長さＤ１と同じとしている。
【００６１】
また、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３及び第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３は、平面視形状が互いに異なるようにしてもよい。例えば、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３のみを長円形状として、第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３は長円形状以外の形状（例えば、円形）としてもよく、逆に、第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３のみを長円形状として、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３は長円形状以外の形状（例えば、円形）としてもよい。また、図６に示す第２貫通孔ｈ２３のように、特定の貫通孔を他の貫通孔とは異なる形状としてもよい。
【００６２】
また、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３及び第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３は、平面視サイズが互いに異なるようにしてもよい。例えば、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３を第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３よりも大きなサイズとしてもよく、逆に、第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３を第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３よりも大きなサイズとしてもよく、特定の貫通孔を他の貫通孔とは異なるサイズとしてもよい。
【００６３】
以上説明したように、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２においては、図６に示したように、リード３１のエミッタ電極接続片３１Ｅには、対をなす貫通孔（第１貫通孔ｈ１１と第２貫通孔ｈ２１、第１貫通孔ｈ１２と第２貫通孔ｈ２２、第１貫通孔ｈ１３と第２貫通孔ｈ２３）同士が、樹脂の流路Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３に沿って並んで形成されているため、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１において得られる効果に加えて、次に示すような効果が得られる。
【００６４】
すなわち、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２においては、樹脂封止時においては、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３が空気抜き用の孔として機能することに加えて、第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３が形成されているため、樹脂は溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３内を安定して流れることとなり、樹脂封止体４０内の溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３付近に空洞が発生することを防止できるとともに、エミッタ電極接続片３１Ｅの表面上を流れる樹脂をそれぞれの溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３に確実に流入させることができる。その結果、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２は、樹脂封止体４０の溝付近に空洞が存在しない高品質な樹脂封止型半導体装置となる。
【００６５】
次に、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２に用いられるリードフレームＲＦ２について説明する。
実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２に用いられるリードフレームＲＦ２は、図７に示すように、基本的には、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１において用いられるリードフレームＲＦ１と同じである。リードフレームＲＦ２がリードフレームＲＦ２と異なる点は、リード３１のエミッタ電極接続片３１Ｅには、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３と第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３とが対をなすように形成されている点である。当該第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３及び第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３については、図６において説明したため、ここでは、当該第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３及び第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３についての説明は省略する。
【００６６】
実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２は、このようなリードフレームＲＦ２を用いているため、樹脂封止時においては、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３が空気抜き用の孔として機能することに加えて、第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３が形成されているため、エミッタ電極接続片３１Ｅの表面上を流れる樹脂をそれぞれの溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３に、より確実に流入させることができる。その結果、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２は、樹脂封止体４０の溝付近に空洞が存在しない高品質な樹脂封止型半導体装置となる。
【００６７】
［実施形態３］
実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３が、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１及び実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２と異なる点は、樹脂封止体４０内に２個の半導体チップ２０，６０が搭載されているとともに、リードとしては、リード３１，３３，３４，３５，３６が設けられている点である。以下、半導体チップ２０を第１半導体チップ２０とし、半導体チップ６０を第２半導体チップ６０として説明する。なお、第２半導体チップ６０も第１半導体チップ２０と同様に、エミッタ電極Ｅは、溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３によって領域Ａ１〜Ａ５に分割されているものとする（図１２参照。）。
【００６８】
第１半導体チップ２０は、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１及び実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２と同様に、エミッタ電極Ｅにリード３１のエミッタ電極接続片３１Ｅが接続され、図示されていないコレクタ電極Ｃが基板１０の回路パターンに接続されており、ゲート電極Ｇがワイヤボンディングによってリード３３のゲート電極接続片３３Ｇに接続されている。また、第１半導体チップ２０のコレクタ電極Ｃは基板１０の回路パターンを介してリード３５のコレクタ電極接続片３５Ｃに接続されている。
【００６９】
一方、第２半導体チップ６０は、基板７０上に載置されている。そして、当該第２半導体チップ６０のエミッタ電極Ｅは、リード３５のエミッタ電極接続片３５Ｅに接続されている。このため、第１半導体チップ２０のコレクタ電極Ｃと第２半導体チップ６０エミッタ電極Ｅとは、リード３５によって共通接続されている。また、第２半導体チップ６０のコレクタ電極Ｃ（図示せず。）は、基板７０の回路パターンに接続されている。そして、当該第２半導体チップ６０のコレクタ電極Ｃは、基板７０の回路パターンを介してリード３４のコレクタ電極接続片３４Ｃに接続され、第２半導体チップ６０のゲート電極Ｇは、ワイヤボンディングによってリード３６のゲート電極接続片３６Ｇに接続されている。
【００７０】
また、実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３においては、第１半導体チップ２０のエミッタ電極Ｅに接続されているエミッタ電極接続片３１Ｅには、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２と同様に、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３と、第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３とが形成されている。また、第２半導体チップ６０エミッタ電極Ｅに接続されているエミッタ電極接続片３５Ｅにも、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２と同様に、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３と、第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３とが形成されている。
【００７１】
ここで、エミッタ電極接続片３５Ｅに形成されている第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３と第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３との位置関係は、エミッタ電極接続片３１Ｅに形成されている第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３と第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３との位置関係と同じであるとする。すなわち、エミッタ電極接続片３５Ｅにおいても、第１貫通孔ｈ１１と第２貫通孔ｈ２１とが対をなし、当該対をなす第１貫通孔ｈ１１と第２貫通孔ｈ２１とは同じ溝Ｓ１の流路Ｒ１に沿って並んで配置され、かつ、第１貫通孔ｈ１１は第２貫通孔ｈ２１よりも流路Ｒ１の上流に位置するように配置されている。
【００７２】
同様に、第１貫通孔ｈ１２と第２貫通孔ｈ２２とが対をなし、当該対をなす第１貫通孔ｈ１２と第２貫通孔ｈ２２とは同じ溝Ｓ２の流路Ｒ２に沿って並んで配置され、かつ、第１貫通孔ｈ１２は第２貫通孔ｈ２２よりも流路Ｒ２の上流に位置するように配置されている。
【００７３】
同様に、第１貫通孔ｈ１３と第２貫通孔ｈ２３とが対をなし、当該対をなす第１貫通孔ｈ１３と第２貫通孔ｈ２３とは同じ溝Ｓ３の流路Ｒ３に沿って並んで配置され、かつ、第１貫通孔ｈ１３は第２貫通孔ｈ２３よりも流路Ｒ３の上流に位置するように配置されている。
【００７４】
また、エミッタ電極接続片３５Ｅに形成されている第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３及び第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３の平面視形状は、エミッタ電極接続片３１Ｅに形成されている第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３及び第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３の平面視形状とそれぞれ同じであるとする。また、エミッタ電極接続片３５Ｅに形成されている第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３及び第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３の平面視サイズは、エミッタ電極接続片３１Ｅに形成されている第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３及び第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３の平面視サイズとそれぞれ同じであるとする。
【００７５】
ところで、このように構成されている実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３において、樹脂封止時における樹脂の充填方向は、図８（ｂ）において、白抜き矢印Ｆで示す方向であるとする。このため、樹脂はｘ軸に沿って、図示の左方向に流れて行き、第１半導体チップ２０及び第２半導体チップ６０の部分のみに注目した場合には、第１半導体チップ２０及び第２半導体チップ６０のエミッタ電極Ｅにおいて、それぞれのエミッタ電極Ｅに形成されている溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３に流入して行く。
【００７６】
具体的には、第１半導体チップ２０においては、図８（ｂ）に示すように、樹脂は、溝Ｓ１，Ｓ２内を流路Ｒ１，Ｒ２に沿って矢印方向（図示の上方向）に流れて行くとともに、溝Ｓ３内を流路Ｒ３に沿って矢印方向（図示左方向）に流れて行く。一方、第２半導体チップ６０においては、図８（ｂ）に示すように、樹脂は、溝Ｓ１，Ｓ２内を流路Ｒ１，Ｒ２に沿って矢印方向（図示の下方向）に流れて行くとともに、溝Ｓ３内を流路Ｒ３に沿って矢印方向（図示左方向）に流れて行く。
【００７７】
以上説明したように、実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３においては、樹脂封止体４０内に２個の半導体チップ(第１半導体チップ２０及び第２半導体チップ６０)が搭載されている樹脂封止型半導体装置であるが、このような樹脂封止型半導体装置においても、エミッタ電極接続片３１Ｅ及びエミッタ電極接続片３５Ｅには、それぞれ対をなす貫通孔（第１貫通孔ｈ１１と第２貫通孔ｈ２１、第１貫通孔ｈ１２と第２貫通孔ｈ２２、第１貫通孔ｈ１３と第２貫通孔ｈ２３）同士が、それぞれ樹脂の流路Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３に沿って並んで配置されている。
【００７８】
このため、実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３においては、樹脂封止体４０内に搭載されている第１半導体チップ２０及び第２半導体チップ６０のそれぞれのエミッタ電極Ｅに形成されている溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３付近に空洞が発生することを防止できるとともに、溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３に樹脂を確実に流入させることができる。その結果、樹脂封止体４０内に複数の半導体チップ（この場合、２個の半導体チップ）が搭載されている樹脂封止型半導体装置であっても、樹脂封止体４０の溝付近に空洞が存在しない高品質な樹脂封止型半導体装置となる。
【００７９】
次に、実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３に用いられるリードフレームＲＦ３について説明する。
【００８０】
実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３に用いられるリードフレームＲＦ３は、図９に示すように、第１半導体チップ２０に対応する側の構成としては、エミッタ電極接続片３１Ｅを有するリード３１と、ゲート電極接続片３３Ｇを有するリード３３とを有している。一方、第２半導体チップ６０に対応する側の構成としては、コレクタ電極接続片３４Ｃを有するリード３４と、ゲート電極接続片３６Ｇを有するリード３６とを有している。
【００８１】
また、実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３に用いられるリードフレームＲＦ３は、第１半導体チップ２０のコレクタ電極Ｃと第２半導体チップ６０のエミッタ電極Ｅとを共通接続するリード３５とがフレーム部８０によって連結された構成となっている。なお、リード３５は、第１半導体チップ２０のコレクタ電極Ｃに接続するためのコレクタ電極接続片３５Ｃと、第２半導体チップ６０のエミッタ電極Ｅに接続するためのエミッタ電極接続片３５Ｅを有している。そして、これら各リード３１，３３，３４，３５，３６がフレーム部８０に一体形成されている。
【００８２】
図９に示すリードフレームＲＦ３において、エミッタ電極接続片３１Ｅには、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３と第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３とが対をなすように形成されているとともに、エミッタ電極接続片３５Ｅにおいても、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３と第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３とが対をなすように形成されている。当該第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３及び第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３については、図８において説明したため、ここでは、当該第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３及び第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３についての説明は省略する。
【００８３】
実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３は、このようなリードフレームＲＦ３を用いているため、樹脂封止時において、樹脂封止体４０内に搭載されている第１半導体チップ２０及び第２半導体チップ６０のそれぞれのエミッタ電極Ｅに形成されている溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３付近に空洞が発生することを防止できるとともに、溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３に樹脂を確実に流入させることができる。その結果、樹脂封止体４０内に複数の半導体チップ（この場合、２個の半導体チップ）が搭載されている樹脂封止型半導体装置であっても、樹脂封止体４０の溝付近に空洞が存在しない高品質な樹脂封止型半導体装置とすることができる。
【００８４】
なお、本発明は上述の実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能となるものである。たとえば、下記に示すような変形実施も可能である。
【００８５】
（１）上記各実施形態においては、樹脂封止型半導体装置に搭載される半導体チップはＩＧＢＴであるとしたが，ＩＧＢＴに限られるものではなく、平板状の電極が溝によって複数領域に分割されていて、当該複数領域を覆うようにして電極接続片で接続されるような半導体チップであれば、上記各実施形態と同様に実施可能である。
【００８６】
（２）上記各実施形態においては、半導体チップの電極が５個の領域に分割されている場合を例示したが、電極の分割数は５個に限られるものではなく、電極が２個以上の領域に分割されている場合であれば適用できる。すなわち、平板状の電極が少なくとも１本の溝によって複数領域に分割されている場合であれば適用できる。
【００８７】
（３）上記実施形態においては、第１貫通孔の形状は長円形としたが、長円形であることに限られるものではなく、例えば、角孔（例えば、長方形又は正方形など）であってもよい。
【００８８】
(４)上記実施形態３においては、第１半導体チップ２０及び第２半導体チップ６０のそれぞれのエミッタ電極接続片３１Ｅ，３５Ｅは、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２と同様に、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３及び第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３が形成されている場合を例示したが、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１と同様に、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３のみが形成されているものであってもよい。
【００８９】
(５) 上記実施形態３においては、半導体チップが２個である場合について説明したが、半導体チップが３個以上である場合にも適用できる。
【００９０】
(６)上記各実施形態においては、溝の断面（流路に直交する断面）は角形としたが、角形に限らず、例えば、Ｕ字型などであってもよい、
【符号の説明】
【００９１】
１，２，３・・・樹脂封止型半導体装置、１０，７０・・・基板、２０・・・半導体チップ（第１半導体チップ）、６０・・・半導体チップ（第２半導体チップ）、３１，３２，３３，３４，３５，３６・・・リード、３１Ｅ，３５Ｅ・・・エミッタ電極接続片、３２Ｃ，３４Ｃ，３５Ｃ・・・コレクタ電極接続片、３３Ｇ，３６Ｇ・・・ゲート電極接続片、４０・・・樹脂封止体、５０・・・放熱パッド、Ａ１〜Ａ５・・領域、Ｄ１・・・横方向長さ、Ｄ２・・・縦方向長さ、Ｅ・・・エミッタ電極、Ｃ・・・コレクタ電極、Ｇ・・・ゲート電極、Ｆ・・・樹脂の充填方向、ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３・・・第１貫通孔、ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３・・・第２貫通孔、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３・・・流路、ＲＦ１，ＲＦ２，ＲＦ３・・・リードフレーム、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３・・・溝，ｗ１・・・溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３の幅の長さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【手続補正書】
【提出日】平成31年2月7日(2019.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に形成された平板状の電極が少なくとも１本の溝によって複数領域に分割されている半導体チップと、前記複数領域を覆うようにして前記平板状の電極に接続される平板状の電極接続片とが樹脂封止されてなる樹脂封止型半導体装置であって、
前記電極接続片には、前記溝に対向する位置に、当該電極接続片の厚み方向に貫通した貫通孔が形成されており、
前記貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿う方向に直交する方向の長さが、少なくとも前記溝の幅の長さを有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】
前記貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿う方向の長さが、当該樹脂の流路に沿う方向に直交する方向の長さよりも長い長孔形状をなすことを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】
前記溝は、樹脂封止時において前記樹脂が前記半導体チップに流入する際の流入方向に沿って所定間隔を置いて並列配置される２本の溝と、当該並列配置される２本の溝に交差して配置される溝と、を有し、
前記貫通孔は、少なくとも、前記並列配置される２本の溝に交差して配置される溝に対向する位置で、かつ、前記並列配置される２本の溝に挟まれた区間に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項４】
前記貫通孔は、第１貫通孔と当該第１貫通孔と対をなす第２貫通孔とを有し、当該第１貫通孔及び当該第２貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿って並んで配置されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項５】
前記半導体チップは複数個存在し、複数個の前記半導体チップの各半導体チップに形成されている前記平板状の電極ごとに、前記平板状の電極接続片が接続されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項６】
一方の面に形成された平板状の電極が少なくとも一本の溝によって複数領域に分割されている半導体チップと、前記複数領域を覆うようにして前記平板状の電極に接続される平板状の電極接続片とが樹脂封止されてなる樹脂封止型半導体装置に用いられ、前記電極接続片を有するリードがフレーム部に一体形成されてなるリードフレームであって、
前記電極接続片には、前記溝に対向する位置に、当該電極接続片の厚み方向に貫通した貫通孔が形成されており、
前記貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿う方向に直交する方向の長さが、少なくとも前記溝の幅の長さを有していることを特徴とするリードフレーム。
【請求項７】
前記貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿う方向の長さが、当該樹脂の流路に沿う方向に直交する方向の長さよりも長い長孔形状を有することを特徴とする請求項６に記載のリードフレーム。
【請求項８】
前記溝は、樹脂封止時において前記樹脂が前記半導体チップに流入する際の流入方向に沿って所定間隔を置いて並列配置される２本の溝と、当該並列配置される２本の溝に交差して配置される溝と、を有し、
前記貫通孔は、少なくとも、前記並列配置される２本の溝に交差して配置される溝に対向する位置で、かつ、前記並列配置される２本の溝に挟まれた区間に形成されていることを特徴とする請求項６又は７に記載のリードフレーム。
【請求項９】
前記貫通孔は、第１貫通孔と当該第１貫通孔と対をなす第２貫通孔とを有し、当該第１貫通孔及び当該第２貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿って並んで配置されていることを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載のリードフレーム。
【請求項１０】
前記半導体チップは複数個存在し、複数個の前記半導体チップの各半導体チップに形成されている前記平板状の電極ごとに、前記平板状の電極接続片を有するリードが前記フレーム部に一体形成されてなることを特徴とする請求項６〜９のいずれかに記載のリードフレーム。
【国際調査報告】
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