(57)【要約】基板処理装置（１）は、複数のウェハＷを収容したキャリア（１１）を設置可能なキャリアブロック（３）と、ウェハＷ対する処理を行う液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２と、キャリアと液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２との間でウェハＷを搬送する搬送アームＡ２と、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２及び搬送アームＡ２を収容する筐体（１０）と、筐体よりも高い気密性で筐体を収容するエンクロージャ（２０）と、筐体内の気圧を調節する第一圧力調節部（４０）と、エンクロージャ内の気圧を調節する第二圧力調節部（５０）と、エンクロージャ内の気圧がエンクロージャ外の気圧及び筐体内の気圧のいずれよりも低い状態を保つように第一圧力調節部及び第二圧力調節部を制御することを実行する制御部（１００）と、を備える。
2019093244.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板を収容したキャリアを設置可能なキャリア支持部と、  前記基板に対する処理を行う処理ユニットと、  前記キャリアと前記処理ユニットとの間で前記基板を搬送する搬送アームと、  前記処理ユニット及び前記搬送アームを収容する筐体と、  前記筐体よりも高い気密性で前記筐体を収容するエンクロージャと、  前記筐体内の気圧を調節する第一圧力調節部と、  前記エンクロージャ内の気圧を調節する第二圧力調節部と、  前記エンクロージャ内の気圧が前記エンクロージャ外の気圧及び前記筐体内の気圧のいずれよりも低い状態を保つように前記第一圧力調節部及び前記第二圧力調節部を制御することを実行する制御部と、を備える基板処理装置。
【請求項２】
前記エンクロージャ内の酸素濃度を調節する第一空調部を更に備え、  前記制御部は、前記エンクロージャ内の酸素濃度を前記エンクロージャ外の酸素濃度よりも低く維持するように前記第一空調部を制御することを更に実行する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第一空調部は、    前記エンクロージャ内にガスを供給するガス供給部と、    前記ガス供給部から前記エンクロージャ内に送られるガスの酸素濃度を調節する濃度調節部と、    前記エンクロージャ内からガス供給部にガスを還流させる還流部と、を有し、  前記制御部は、前記エンクロージャ内の酸素濃度を前記エンクロージャ外の酸素濃度よりも低く維持する際に、前記エンクロージャ外の酸素濃度に比較して、前記ガス供給部から前記エンクロージャ内に送られるガスの酸素濃度を低くするように前記濃度調節部を制御することを実行する、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第一圧力調節部は、前記エンクロージャ内から前記筐体内にガスを送る送風部を有し、  前記第二圧力調節部は、前記エンクロージャ内のガスの一部を排気経路に導く第一排気部を有する、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記エンクロージャ内への出入り用の第一扉と、  前記第一扉の開放を許容する状態と前記第一扉の開放を禁止する状態とを切り替える第一ロックと、  前記エンクロージャ内の酸素濃度を計測する第一酸素濃度センサと、を更に備え、  前記制御部は、    前記エンクロージャ内の酸素濃度に比較して、前記ガス供給部から前記エンクロージャ内に送られるガスの酸素濃度を高くするように前記濃度調節部を制御することと、    前記第一酸素濃度センサによる酸素濃度の計測結果が所定値よりも低い場合に前記第一扉の開放を禁止するように前記第一ロックを制御することと、を更に実行する、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記筐体内のうち外部に開放可能な空間の酸素濃度を計測する第二酸素濃度センサを更に備え、  前記制御部は、前記第二酸素濃度センサによる酸素濃度の計測結果が所定値よりも低い場合にも前記第一扉の開放を禁止するように前記第一ロックを制御する、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記還流部内の酸素濃度を計測する第三酸素濃度センサを更に備え、  前記制御部は、前記第三酸素濃度センサによる酸素濃度の検出結果が所定値よりも低い場合にも前記第一扉の開放を禁止するように前記第一ロックを制御する、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記ガス供給部内の酸素濃度を計測する第四酸素濃度センサを更に備え、  前記制御部は、前記第四酸素濃度センサによる酸素濃度の検出結果が所定値よりも低い場合にも前記第一扉の開放を禁止するように前記第一ロックを制御する、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記処理ユニット内から前記エンクロージャ内に流出した揮発物の濃度を計測するための揮発物濃度センサを更に備え、  前記制御部は、前記揮発物濃度センサによる計測結果が所定値よりも高い場合にも前記第一扉の開放を禁止するように第一ロックを制御する、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記揮発物濃度センサは、前記第一排気部に設けられている、請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記ガス供給部は、    前記エンクロージャ内にガスを導く第一ガス管路と、    前記処理ユニット内にガスを導く第二ガス管路と、を含む請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記処理ユニット内のガスを前記排気経路に導く第二排気部を更に備える請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記第二排気部は、前記筐体の側方にガスを導出する第三ガス管路を有する、請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記キャリアを収容するキャリア収容部と、  前記キャリア収容部内を前記エンクロージャ外に開閉する第二扉と、  前記キャリア収容部内を前記エンクロージャ内に開閉する第三扉と、  前記キャリア収容部内と前記キャリア支持部との間で前記キャリアの受け渡しを行う受渡部と、  前記キャリア収容部内の酸素濃度を調節する第二空調部と、を更に備え、  前記制御部は、    前記第二扉の開放に先立って前記キャリア収容部内の酸素濃度を前記エンクロージャ外の酸素濃度に近付けるように前記第二空調部を制御することと、    前記第三扉の開放に先立って前記キャリア収容部内の酸素濃度を前記筐体内の酸素濃度に近付けるように第二空調部を制御することと、を更に実行する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記第二扉の開放を許容する状態と前記第二扉の開放を禁止する状態とを切り替える第二ロックと、  前記第三扉の開放を許容する状態と前記第三扉の開放を禁止する状態とを切り替える第三ロックと、  前記キャリア収容部内の酸素濃度を計測する第五酸素濃度センサと、を更に備え、  前記制御部は、    前記第五酸素濃度センサによる計測結果が所定値よりも低い場合に前記第二扉の開放を禁止するように前記第二ロックを制御することと、    前記第五酸素濃度センサによる測定結果が所定値よりも高い場合に前記第三扉の開放を禁止するように前記第三ロックを制御することと、を更に実行する、請求項１４に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本開示は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】  半導体の製造工程においては、塗布膜の酸化が懸念されている。特許文献１には、例えば酸素に敏感な材料が用いられた塗布膜の硬化処理において、当該材料が塗布された基板の加熱及び降温を低酸素雰囲気に維持された処理室内で行う基板の熱処理装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−９３７９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】  上記の熱処理装置といった基板処理装置において、塗布膜として、酸素に対して更に敏感な材料が用いられる場合がある。そのような場合、基板処理中の酸素濃度をより適切に管理することが求められる。【０００５】  本開示は、基板処理中の酸素濃度の管理に有用な基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】  本開示の一側面に係る基板処理装置は、複数の基板を収容したキャリアを設置可能なキャリア支持部と、基板に対する処理を行う処理ユニットと、キャリアと処理ユニットとの間で基板を搬送する搬送アームと、処理ユニット及び搬送アームを収容する筐体と、筐体よりも高い気密性で筐体を収容するエンクロージャと、筐体内の気圧を調節する第一圧力調節部と、エンクロージャ内の気圧を調節する第二圧力調節部と、エンクロージャ内の気圧がエンクロージャ外の気圧及び筐体内の気圧のいずれよりも低い状態を保つように第一圧力調節部及び第二圧力調節部を制御することを実行する制御部と、を備える。【０００７】  この基板処理装置によれば、筐体よりも気密性の高いエンクロージャで筐体を収容し、エンクロージャ内の気圧をエンクロージャ外の気圧及び筐体内の気圧よりも低い状態に保つことにより、筐体内から筐体外に漏出したガスがエンクロージャ外に漏出することを抑制することができる。このため、搬送領域、処理ユニット内等、筐体内の各部における酸素濃度を所望の状態に調節することが可能となる。したがって、本基板処理装置は、基板処理中における酸素濃度の管理に有用である。【０００８】  エンクロージャ内の酸素濃度を調節する第一空調部を更に備え、制御部は、エンクロージャ内の酸素濃度をエンクロージャ外の酸素濃度よりも低く維持するように第一空調部を制御することを更に実行してもよい。この場合、筐体を収容するエンクロージャ内の酸素濃度を調節することにより、筐体内の各部における酸素濃度を効率的に調節することができる。【０００９】  第一空調部は、エンクロージャ内にガスを供給するガス供給部と、ガス供給部からエンクロージャ内に送られるガスの酸素濃度を調節する濃度調節部と、エンクロージャ内からガス供給部にガスを還流させる還流部と、を有し、制御部は、エンクロージャ内の酸素濃度をエンクロージャ外の酸素濃度よりも低く維持する際に、エンクロージャ外の酸素濃度に比較して、ガス供給部からエンクロージャ内に送られるガスの酸素濃度を低くするように濃度調節部を制御することを実行してもよい。この場合、ガス供給部からエンクロージャ内に送られるガスの酸素濃度が調節されるので、エンクロージャ内の酸素濃度をより確実に維持することができる。また、エンクロージャ内のガスを還流部によってガス供給部に還流するので、酸素濃度の調節されたガスが循環利用され、効率よく酸素濃度を維持することができる。【００１０】  第一圧力調節部は、エンクロージャ内から筐体内にガスを送る送風部を有し、第二圧力調節部は、エンクロージャ内のガスの一部を排気経路に導く第一排気部を有していてもよい。この場合、簡易な構成で気圧を調節することが可能である。【００１１】  この基板処理装置は、エンクロージャ内への出入り用の第一扉と、第一扉の開放を許容する状態と第一扉の開放を禁止する状態とを切り替える第一ロックと、エンクロージャ内の酸素濃度を計測する第一酸素濃度センサと、を更に備え、制御部は、エンクロージャ内の酸素濃度に比較して、ガス供給部からエンクロージャ内に送られるガスの酸素濃度を高くするように濃度調節部を制御することと、第一酸素濃度センサによる酸素濃度の計測結果が所定値よりも低い場合に第一扉の開放を禁止するように第一ロックを制御することと、を更に実行してもよい。この場合、エンクロージャ内の酸素濃度が所定値以上に調節されるまでは第一ロックにより第一扉の開放が禁止されるので、例えばエンクロージャ内へ作業者の立ち入りに先立って、エンクロージャ内の酸素濃度を確実に上昇させることができる。【００１２】  更に、この基板処理装置は、筐体内のうち外部に開放可能な空間の酸素濃度を計測する第二酸素濃度センサを更に備え、制御部は、第二酸素濃度センサによる酸素濃度の計測結果が所定値よりも低い場合にも第一扉の開放を禁止するように第一ロックを制御してもよい。この場合、筐体のうち外部に開放可能な空間を作業者が開放するのに先立って、酸素濃度を確実に上昇させることができる。【００１３】  また、この基板処理装置は、還流部内の酸素濃度を計測する第三酸素濃度センサを更に備え、制御部は、第三酸素濃度センサによる酸素濃度の検出結果が所定値よりも低い場合にも第一扉の開放を禁止するように第一ロックを制御してもよい。この場合、還流部内の酸素濃度が所定値以上になるまでは第一ロックにより第一扉の開放が禁止されるので、エンクロージャ内の酸素濃度をより確実に上昇させることができる。【００１４】  ガス供給部内の酸素濃度を計測する第四酸素濃度センサを更に備え、制御部は、第四酸素濃度センサによる酸素濃度の検出結果が所定値よりも低い場合にも第一扉の開放を禁止するように第一ロックを制御してもよい。この場合、ガス供給部内の酸素濃度が所定値以上になるまでは第一ロックにより第一扉の開放が禁止されるので、エンクロージャ内の酸素濃度をより確実に上昇させることができる。【００１５】  更に、この基板処理装置は、処理ユニット内からエンクロージャ内に流出した揮発物の濃度を計測するための揮発物濃度センサを更に備え、制御部は、揮発物濃度センサによる計測結果が所定値よりも高い場合にも第一扉の開放を禁止するように第一ロックを制御してもよい。この場合、エンクロージャ内の揮発物濃度が所定値以下となるまでは第一ロックにより第一扉の開放が禁止されるので、エンクロージャ内への作業者の立ち入りに先立って、エンクロージャ内の揮発物を確実に削減することができる。【００１６】  揮発物濃度センサは、第一排気部に設けられていてもよい。この構成により、第一排気部を利用して、揮発物濃度を容易に検出することができる。【００１７】  ガス供給部は、エンクロージャ内にガスを導く第一ガス管路と、処理ユニット内にガスを導く第二ガス管路と、を含んでいてもよい。この場合、エンクロージャ内に第一ガス管路でガスを導きつつ、処理ユニット内には別経路として第二ガス管路でガスを導くので、処理ユニット内の酸素濃度をより厳密に調節することができる。【００１８】  処理ユニット内のガスを排気経路に導く第二排気部を更に備えていてもよい。この場合、揮発物濃度の高い処理ユニット内のガスを排気するので、揮発物濃度が過大となることを抑制できる。【００１９】  第二排気部は、筐体の側方にガスを導出する第三ガス管路を有していてもよい。この構成によれば、処理ユニット内からの排気用の管路をエンクロー��ャ内において取りまとめ易い。【００２０】  この基板処理装置は、キャリアを収容するキャリア収容部と、キャリア収容部内をエンクロージャ外に開閉する第二扉と、キャリア収容部内をエンクロージャ内に開閉する第三扉と、キャリア収容部内とキャリア支持部との間でキャリアの受け渡しを行う受渡部と、キャリア収容部内の酸素濃度を調節する第二空調部と、を更に備え、制御部は、第二扉の開放に先立ってキャリア収容部内の酸素濃度をエンクロージャ外の酸素濃度に近付けるように第二空調部を制御することと、第三扉の開放に先立ってキャリア収容部内の酸素濃度をエンクロージャ内の酸素濃度に近付けるように第二空調部を制御することと、を更に実行してもよい。この場合、第二扉を開放してキャリアを搬出及び搬入する際に、キャリア収容部内からエンクロージャ外への酸素濃度が低いガスの漏出を抑制することができる。第三扉を開放してキャリアを搬送する際に、キャリア収容部内からエンクロージャ内への酸素濃度が高いガスの漏出を抑制することができる。【００２１】  この基板処理装置は、第二扉の開放を許容する状態と第二扉の開放を禁止する状態とを切り替える第二ロックと、第三扉の開放を許容する状態と第三扉の開放を禁止する状態とを切り替える第三ロックと、キャリア収容部内の酸素濃度を計測する第五酸素濃度センサと、を更に備え、制御部は、第五酸素濃度センサによる計測結果が所定値よりも低い場合に第二扉の開放を禁止するように第二ロックを制御することと、第五酸素濃度センサによる測定結果が所定値よりも高い場合に第三扉の開放を禁止するように第三ロックを制御することと、を更に実行してもよい。この場合、キャリア収容部内の酸素濃度が適切に調節されるまでは、第二扉及び第三扉の開放が禁止されるので、第二扉又は第三扉の開放に先立って、キャリア収容部内の酸素濃度をより確実に調節させることができる。
【発明の効果】
【００２２】  本開示によれば、基板処理中の酸素濃度の管理に有用な基板処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、基板処理装置の概略構成を示す模式図である。
【図２】図２は、図１のII-II線に沿う断面図である。
【図３】図３は、ガス管路を示す側面図である。
【図４】図４（ａ）及び図４（ｂ）は、操作パネルを示す模式図である。
【図５】図５は、制御部の機能上の構成を示すブロック図である。
【図６】図６は、制御部のハードウェア構成を示すブロック図である。
【図７】図７は、空調処理手順を示すフローチャートである。
【図８】図８は、第一ロック解除処理手順を示すフローチャートである。
【図９】図９は、キャリア搬入処理手順を示すフローチャートである。
【図１０】図１０は、キャリア搬入処理手順を示すフローチャートである。
【図１１】図１１は、キャリア搬出処理手順を示すフローチャートである。
【図１２】図１２は、キャリア搬出処理手順を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２４】  以下、実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００２５】〔基板処理装置〕  基板処理装置１は、基板に対する処理を行う装置である。基板処理装置１は、例えば常圧の環境下で基板に対する処理を行う。なお、常圧とは、標準大気圧１０１３２５Ｐａを中心に上下２０％の圧力の範囲をいう。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハＷである。以下では、一例として、ウェハＷに対し、感光性被膜を形成する基板処理装置１について説明する。
【００２６】  図１及び図２に示されるように、基板処理装置１は、感光性被膜の形成用の塗布装置２と、エンクロージャ２０と、第一空調部３０と、第一圧力調節部４０と、第二圧力調節部５０と、排気部５１と、複数のロードロック６０と、受渡部６７と、複数の第二空調部７０と、制御部１００とを備える。塗布装置２は、キャリアブロック３（キャリア支持部）と、処理ブロック４と、筐体１０とを有している。
【００２７】  キャリアブロック３は、ウェハＷ用のキャリア１１を設置可能である。キャリア１１は、例えば円形の複数枚のウェハＷを密封状態で収容する。キャリアブロック３は、受け渡しアームＡ１を内蔵している。受け渡しアームＡ１は、キャリア１１からウェハＷを取り出して処理ブロック４に渡し、処理ブロック４からウェハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。
【００２８】  処理ブロック４は、ウェハＷに対する処理を行う複数の液処理ユニットＵ１（処理ユニット）及び複数の熱処理ユニットＵ２（処理ユニット）と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ２とを有している。液処理ユニットＵ１は、処理液をウェハＷの表面に塗布する処理（以下、「塗布処理」という。）を行う。液処理ユニットＵ１は、塗布処理中のウェハＷを収容して処理液を回収するカップＣを有している。熱処理ユニットＵ２は、上記塗布処理により形成された被膜の加熱等の熱処理を行う。熱処理ユニットＵ２は、被膜の加熱中のウェハＷを収容するチャンバを有している。処理ブロック４内におけるキャリアブロック３側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
【００２９】  筐体１０は、複数の液処理ユニットＵ１、複数の熱処理ユニットＵ２、棚ユニットＵ１０、受け渡しアームＡ１及び搬送アームＡ２を収容する。筐体１０は、必ずしも一体的に構成されていなくてもよく、例えば処理ブロックごとに分離可能となっていてもよい。
【００３０】  エンクロージャ２０は、筐体１０よりも高い気密性で筐体１０を収容している。エンクロージャ２０は、扉２１（第一扉）とロック２２（第一ロック）と操作パネル２３とを含む。扉２１は、エンクロージャ２０外からエンクロージャ２０内への作業者の出入り等に用いられる。ロック２２は、扉２１の開放を許容する状態（以下、「解除状態」という。）と扉２１の開放を禁止する状態（以下、「ロック状態」という。）とを切り替える。操作パネル２３は、エンクロージャ２０の外部空間側において、扉２１の近傍に配置されている。操作パネル２３は、入力部２３ａを有している（図４（ａ）参照）。操作パネル２３は、入力部２３ａへの入力により扉２１のロック解除を要求するために用いられる。
【００３１】  第一空調部３０は、エンクロージャ２０内の酸素濃度を調節する。第一空調部３０は、ガス供給部３１と、濃度調節部３２と、還流部３３とを有している。第一空調部３０は、ガス供給部３１、濃度調節部３２及び還流部３３によって、エンクロージャ２０内のガスを循環させるように構成されている。循環するガスは、例えば不活性ガス（例えば窒素）及び空気を含む。
【００３２】  ガス供給部３１は、エンクロージャ２０内にガスを圧送する送風機３１ａと、管路Ｌ１，Ｌ２と、フィルタ３１ｂ，３１ｃとを含む。送風機３１ａは、圧送するガスの温度を調節する温調ユニット３１ｄを有している。温調ユニット３１ｄの具体例としては、ヒータ及び冷却コイル等が挙げられる。管路Ｌ１（第一ガス管路）は、送風機３１ａからエンクロージャ２０内にガスを導く。管路Ｌ２（第二ガス管路）は、送風機３１ａから各液処理ユニットＵ１内にガスを導く。例えば管路Ｌ２は、各液処理ユニットＵ１内のカップＣにガスを導く。フィルタ３１ｂは、管路Ｌ１に設けられており、管路Ｌ１を流れるガス中のパーティクル等を除去する。フィルタ３１ｃは、管路Ｌ２に設けられており、管路Ｌ２を流れるガス中のパーティクル等を除去する。フィルタ３１ｂ、３１ｃの具体例としては、ＨＥＰＡフィルタ等が挙げられる。
【００３３】  還流部３３は、エンクロージャ２０内からガス供給部３１にガスを還流させる。例えば還流部３３は、管路Ｌ５，Ｌ６と、フィルタユニット３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄとを含む。管路Ｌ５は、エンクロージャ２０内及び熱処理ユニットＵ２からガス供給部３１にガスを導く。管路Ｌ６は、液処理ユニットＵ１からガス供給部３１にガスを導く。
【００３４】  フィルタユニット３３ａ，３３ｂは、管路Ｌ５に設けられている。フィルタユニット３３ａは、冷却部Ｃ１と、フィルタＦ１とを含む。冷却部Ｃ１は、例えば冷却コイルによりガスを冷却する。フィルタＦ１は、例えばＨＥＰＡフィルタであり、ガス中のパーティクル等を除去する。フィルタユニット３３ｂは、フィルタユニット３３ａとガス供給部３１との間に配置されており、フィルタＦ２を含む。フィルタＦ２は、例えば活性炭によりガス中の有機物を除去する。
【００３５】  フィルタユニット３３ｃ，３３ｄは、管路Ｌ６に設けられている。フィルタユニット３３ｃは、冷却部Ｃ３とフィルタＦ３とを含む。冷却部Ｃ３は、例えば冷却コイルによりガスを冷却する。フィルタＦ３は、例えばＨＥＰＡフィルタであり、ガス中のパーティクル等を除去する。フィルタユニット３３ｄは、フィルタユニット３３ｃとガス供給部３１との間に配置されており、フィルタＦ４を含む。フィルタＦ４は、例えば活性炭によりガス中の有機物を除去する。
【００３６】  なお、フィルタユニット３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄのいずれかに、ガス圧送用の送風機ｆが設けられていてもよい。例えば、図示の構成においては、フィルタユニット３３ａ，３３ｂ，３３ｄに送風機ｆが設けられている。
【００３７】  濃度調節部３２は、ガス供給部３１が供給するガスの酸素濃度を調節する。濃度調節部３２は、例えば管路Ｌ３，Ｌ４と、バルブ３２ａ，３２ｂとを含む。管路Ｌ３は、送風機３１ａからエンクロージャ２０内へのガスの流路内に空気を導入する。例えば管路Ｌ３は、フィルタユニット３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄのいずれか（例えばフィルタユニット３３ａ）から延出しており、フィルタユニット３３ａを経て空気を導入する。
【００３８】  バルブ３２ａは、管路Ｌ３に設けられており、管路Ｌ３内の流路の開度を調節する。管路Ｌ４は、ガス供給部３１からエンクロージャ２０内へのガスの流路内に不活性ガスを導入する。例えば管路Ｌ４は、窒素ガスの供給源Ｎと送風機３１ａとを接続し、供給源Ｎから送風機３１ａ内に窒素ガスを導入する。バルブ３２ｂは、管路Ｌ４に設けられており、管路Ｌ４内の流路の開度を調節する。なお、流路の開度を調節することは、流路を遮断することも含む。
【００３９】  第一圧力調節部４０は、筐体１０内の気圧を調節する。第一圧力調節部４０は、送風部４１，４２を有する。送風部４１は、エンクロージャ２０内から筐体１０内にガスを送る。送風部４１は、例えばフィルタ（不図示）が内蔵されたファンであり、パーティクル等が除去されたガスを筐体１０内に送る。送風部４２は、筐体１０内からエンクロージャ２０内にガスを送る。筐体１０内の気圧は、送風部４１によって送られるガスの量が、送風部４２によって送られるガスの量よりも多い場合には上昇し、少ない場合には低下する。
【００４０】  第二圧力調節部５０は、エンクロージャ２０内の気圧を調節する。第二圧力調節部５０は、送風部４３及び排気部５２（第一排気部）を有する。送風部４３はエンクロージャ２０内においてガスを循環させる。排気部５２は、管路Ｌ９とダンパ５２ａとを含む。管路Ｌ９は、エンクロージャ２０内から排気用の用力設備Ｘにガスを導く。ダンパ５２ａは、管路Ｌ９に設けられており、管路Ｌ９内の流路の開度を調節する。ダンパ５２ａの開度が上昇すると、エンクロージャ２０内からの排気量が増加してエンクロージャ２０内の気圧が低下し、ダンパ５２ａの開度が低下すると、エンクロージャ２０内からの排気量が低下してエンクロージャ２０内の気圧が上昇する。
【００４１】  排気部５１（第二排気部）は、管路Ｌ７，Ｌ８を有する。管路Ｌ７（第三ガス管路）は、各液処理ユニットＵ１内のカップＣから用力設備Ｘにガスを導く。管路Ｌ８（第三ガス管路）は、各熱処理ユニットＵ２内のチャンバから用力設備Ｘにガスを導く。管路Ｌ７，Ｌ８は、筐体１０の側方にガスを導出する（図３参照）。
【００４２】  複数（例えば２つ）のロードロック６０は、エンクロージャ２０の周壁とキャリアブロック３との間に設けられている。ロードロック６０は、収容部６１（キャリア収容部）と、扉６２，６３と、ロック６４（第二ロック）と、開閉駆動部６５と、操作パネル６６とを含む。収容部６１は、キャリア１１を収容する。扉６２（第二扉）は、ロードロック６０内をエンクロージャ２０外に開閉する。ロック６４は、例えば電磁ロックであり、扉６２の開放を許容する状態（以下、「解除状態」という。）と扉６２の開放を禁止する状態（以下、「ロック状態」という。）とを切り替える。
【００４３】  扉６３（第三扉）は、収容部６１内をエンクロージャ２０内に開閉する。開閉駆動部６５（第三ロック）は、扉６３の開放を許容する状態と扉６３の開放を禁止する状態とを切り替える。開閉駆動部６５は、扉６３の開閉用の動力源（例えば電動モータ）を含んでおり、扉６３の開閉駆動も行う。
【００４４】  操作パネル６６は、エンクロージャ２０の外部空間側において、扉６２の近傍に配置されている。操作パネル６６は、入力部６６ａ及び表示部６６ｂを有している（図４（ｂ）参照）。入力部６６ａは、扉６２のロック要求、扉６２のロック解除要求、及び収容部６１からキャリアブロック３へのキャリア１１の搬送要求等の入力に用いられる。表示部６６ｂは、収容部６１内のキャリア１１の有無の表示に用いられる。
【００４５】  受渡部６７は、キャリアブロック３と各ロードロック６０との間でキャリア１１の受け渡しを行う。例えば、受渡部６７は搬送ロボットＡ３を有する。搬送ロボットＡ３は、収容部６１内からキャリア１１を取り出してキャリアブロック３に搬送し、キャリアブロック３からキャリア１１を受け取って収容部６１内に搬送する。
【００４６】  複数（例えば２つ）の第二空調部７０は、複数のロードロック６０内の酸素濃度をそれぞれ調節する。各第二空調部７０は、管路Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ１３，Ｌ１４と、バルブ７１，７２，７３と、ポンプＰとを含む。管路Ｌ１１は、エンクロージャ２０外から収容部６１内にガスを導く。管路Ｌ１２は、エンクロージャ２０内から収容部６１内にガスを導く。管路Ｌ１３は、収容部６１内から管路Ｌ５にガスを導く。管路Ｌ１４は、収容部６１内から用力設備Ｘにガスを導く。
【００４７】  バルブ７１は、管路Ｌ１１に設けられており、管路Ｌ１１内の流路の開度を調節する。バルブ７２は、管路Ｌ１２に設けられており、管路Ｌ１２内の流路の開度を調節する。バルブ７３は、管路Ｌ１４に設けられており、管路Ｌ１４内の流路の開度を調節する。ポンプＰは、管路Ｌ１３に設けられており、収容部６１内から管路Ｌ５にガスを圧送する。バルブ７１，７３が閉じ、バルブ７２が開いた状態で、ポンプＰが駆動されると、エンクロージャ２０内のガスが収容部６１内に流入する。バルブ７２が閉じ、ポンプＰが停止した状態でバルブ７１，７３が開くと、エンクロージャ２０外のガスが収容部６１内に流入する。このように、エンクロージャ２０内外のガスを収容部６１内に選択的に流入させることにより、収容部６１内の酸素濃度が調節される。
【００４８】  基板処理装置１は、酸素濃度センサＤ１〜Ｄ６と、揮発物濃度センサＤ７と、圧力センサＤ８，Ｄ９と、キャリアセンサＤ１０と、扉開閉センサＤ１１と、を更に備える。
【００４９】  酸素濃度センサＤ１（第一酸素濃度センサ）は、エンクロージャ２０内に設置されており、エンクロージャ２０内の酸素濃度を計測する。基板処理装置１は、エンクロージャ２０内の複数個所に酸素濃度センサＤ１を備えていてもよい。酸素濃度センサＤ２（第二酸素濃度センサ）は、筐体１０内のうち外部に開放可能な空間に設置されている。例えば酸素濃度センサＤ２は、受け渡しアームＡ１及び搬送アームＡ２によるウェハＷの搬送領域内に設置されている。酸素濃度センサＤ３（第三酸素濃度センサ）は、還流部３３内に設置されている。例えば酸素濃度センサＤ３は、フィルタユニット３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄの内部にそれぞれ設置されている。基板処理装置１は、フィルタユニット３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄのそれぞれに複数の酸素濃度センサＤ３を備えていてもよい。酸素濃度センサＤ４（第四酸素濃度センサ）は、ガス供給部３１内に設置されている。例えば酸素濃度センサＤ４は、送風機３１ａ内に配置されていてもよい。基板処理装置１は、送風機３１ａ内に複数の酸素濃度センサＤ４を備えていてもよい。酸素濃度センサＤ５は、液処理ユニットＵ１のカップＣ内に設置されている。酸素濃度センサＤ６（第五酸素濃度センサ）は、ロードロック６０の収容部６１内に設置されている。
【００５０】  揮発物濃度センサＤ７は、液処理ユニットＵ１又は熱処理ユニットＵ２からエンクロージャ２０内に流出した揮発物の濃度（以下、「エンクロージャ２０内の揮発物濃度」という。）を計測する。揮発物濃度センサＤ７は、排気部５２に設けられている。
【００５１】  圧力センサＤ８は、筐体１０内に設置されており、筐体１０内の圧力を計測する。圧力センサＤ９は、エンクロージャ２０内に設置されており、エンクロージャ２０内の圧力を計測する。
【００５２】  キャリアセンサＤ１０は、ロードロック６０の収容部６１内に設置されており、収容部６１内のキャリア１１の有無を検出する。扉開閉センサＤ１１は、扉２１の開閉状態を検出する。扉開閉センサＤ１１は、エンクロージャ２０内において、扉２１の近傍に設置されている。扉開閉センサＤ１２は、扉６２の開閉状態を検出する。扉開閉センサＤ１２は、ロードロック６０の収容部６１内において、扉６２の近傍に設置されている。
【００５３】  制御部１００は、エンクロージャ２０内の気圧がエンクロージャ２０外の気圧及び筐体１０内の気圧のいずれよりも低い状態を保つように第一圧力調節部４０及び第二圧力調節部５０を制御する。制御部１００は、エンクロージャ２０内の酸素濃度をエンクロージャ２０外の酸素濃度よりも低く維持するように第一空調部３０を制御することを更に実行してもよい。例えば、制御部１００は、エンクロージャ２０内の酸素濃度をエンクロージャ２０外の酸素濃度よりも低く維持する際に、エンクロージャ２０外の酸素濃度に比較して、ガス供給部３１からエンクロージャ２０内に送られるガスの酸素濃度を低くするように濃度調節部３２を制御することを実行する。
【００５４】  また、制御部１００は、エンクロージャ２０内の酸素濃度に比較して、ガス供給部３１からエンクロージャ２０内に送られるガスの酸素濃度を高くするように濃度調節部３２を制御することと、酸素濃度センサＤ１による酸素濃度の計測結果が所定値よりも低い場合に扉２１の開放を禁止するようにロック２２を制御することと、を更に実行してもよい。制御部１００は、酸素濃度センサＤ２による酸素濃度の計測結果が所定値よりも低い場合、酸素濃度センサＤ３による酸素濃度の検出結果が所定値よりも低い場合、酸素濃度センサＤ４による酸素濃度の検出結果が所定値よりも低い場合、又は揮発物濃度センサＤ７による計測結果が所定値よりも高い場合にも扉２１の開放を禁止するようにロック２２を制御してもよい。
【００５５】  更に、制御部１００は、扉６２の開放に先立って収容部６１内の酸素濃度をエンクロージャ２０外の酸素濃度に近付けるように第二空調部７０を制御することと、扉６３の開放に先立ってロードロック６０内の酸素濃度をエンクロージャ２０内の酸素濃度に近付けるように第二空調部７０を制御することと、酸素濃度センサＤ６による計測結果が所定値よりも低い場合に扉６２の開放を禁止するようにロック６４を制御することと、酸素濃度センサＤ６による測定結果が所定値よりも高い場合に扉６３の開放を禁止するように開閉駆動部６５を制御することと、を実行してもよい。
【００５６】  例えば図５に示されるように、制御部１００は、機能上の構成（以下、「機能モジュール」という。）として、気圧調節部１０１と、第一酸素濃度調節部１０２と、第一ロック制御部１０３と、第二酸素濃度調節部１０４と、第二ロック制御部１０５と、搬送制御部１０６と、第三ロック制御部１０７とを有している。
【００５７】  気圧調節部１０１は、圧力センサＤ８から筐体１０内の気圧データを取得し、筐体１０内の気圧が目標気圧よりも低い場合には、エンクロージャ２０内から筐体１０内に送るガスの量を増加させるように送風部４１を制御する。なお、筐体１０内の気圧が目標気圧よりも低い場合、気圧調節部１０１は、筐体１０内からエンクロージャ２０内に送るガスの量を低下させるように送風部４２を制御してもよい。筐体１０内の気圧の目標気圧は、例えば、エンクロージャ２０内の気圧よりも数Ｐａ程度高い値である。
【００５８】  また、気圧調節部１０１は、圧力センサＤ９からエンクロージャ２０内の気圧データを取得し、エンクロージャ２０内の気圧が目標気圧よりも高い場合には、エンクロージャ２０内から用力設備Ｘ（排気経路）に導かれるガスの量を上昇させるように排気部５２を制御する。例えば気圧調節部１０１は、ダンパ５２ａの開度を上昇させる。エンクロージャ２０内の気圧の目標気圧は、エンクロージャ２０外の気圧及び筐体１０内の気圧のいずれよりも低い値である。
【００５９】  第一酸素濃度調節部１０２は、エンクロージャ２０内の酸素濃度をエンクロージャ２０外の酸素濃度よりも低く維持するように第一空調部３０を制御する。第一酸素濃度調節部１０２は、酸素濃度センサＤ１から取得したエンクロージャ２０内の酸素濃度の計測結果に基づいて、エンクロージャ２０外の酸素濃度に比較して、ガス供給部３１からエンクロージャ２０内に送られるガスの酸素濃度を低くするように濃度調節部３２を制御する。また、第一酸素濃度調節部１０２は、第一ロック制御部１０３から取得した情報に基づいて、エンクロージャ２０内の酸素濃度に比較して、ガス供給部３１からエンクロージャ２０内に送られるガスの酸素濃度を高くするように濃度調節部３２を制御する。
【００６０】  ガス供給部３１からエンクロージャ２０内に送られるガスの酸素濃度を低くする場合、第一酸素濃度調節部１０２は、バルブ３２ａの開度を低下させ、バルブ３２ｂの開度を上昇させるように濃度調節部３２を制御する。一方、ガス供給部３１からエンクロージャ２０内に送られるガスの酸素濃度を高くする場合、第一酸素濃度調節部１０２は、バルブ３２ａの開度を上昇させ、バルブ３２ｂの開度を低下させるように濃度調節部３２を制御する。
【００６１】  第一ロック制御部１０３は、入力部２３ａに対するロック解除の要求の有無と、酸素濃度センサＤ１〜Ｄ４による計測結果と、揮発物濃度センサＤ７による計測結果とに基づいて、ロック２２を制御する。具体的に、第一ロック制御部１０３は、入力部２３ａにロック解除の要求が入力された後、酸素濃度センサＤ１による酸素濃度の計測結果が所定値よりも低い場合には、扉２１の開放を禁止するようにロック２２を制御する。第一ロック制御部１０３は、酸素濃度センサＤ２〜Ｄ４による酸素濃度の計測結果が所定値よりも低い場合にも、扉２１の開放を禁止するようにロック２２を制御してもよい。更に、第一ロック制御部１０３は、揮発物濃度センサＤ７から取得した計測結果が所定値よりも高い場合にも、扉２１の開放を禁止するようにロック２２を制御してもよい。
【００６２】  第一ロック制御部１０３は、酸素濃度センサＤ１〜Ｄ４による酸素濃度の計測結果が所定値以上である状態が所定時間以上保持されるとともに、揮発物濃度センサＤ７による揮発物濃度の計測結果が所定値以下である状態が所定時間以上保持された場合に、扉２１の開放を許容するようにロック２２を制御する。酸素濃度の上記所定値は、空気中の酸素濃度に近い値（例えば１９．５％）に設定されている。揮発物濃度の上記所定値は、揮発物の種類等によって適宜設定されている。揮発物濃度の上記所定値は、例えば５ｐｐｍである。上記所定時間は、計測結果のばらつき等を考慮して適宜設定されている。上記所定時間は例えば１分である。
【００６３】  第二酸素濃度調節部１０４は、扉６２の開放に先立って収容部６１内の酸素濃度をエンクロージャ２０外の酸素濃度に近付けるように第二空調部７０を制御する。具体的に、第二酸素濃度調節部１０４は、入力部６６ａに対するロック解除の要求の有無に基づいて、第二空調部７０を制御する。
【００６４】  また、第二酸素濃度調節部１０４は、扉６３の開放に先立って収容部６１内の酸素濃度を筐体１０内の酸素濃度に近付けるように第二空調部７０を制御する。具体的に、第二酸素濃度調節部１０４は、入力部６６ａに対するキャリア１１の搬送（収容部６１からキャリアブロック３への搬送）要求の有無に基づいて、第二空調部７０を制御する。
【００６５】  第二ロック制御部１０５は、入力部６６ａに対するロック解除の要求有無と、酸素濃度センサＤ６による計測結果とに基づいて、ロック６４を制御する。具体的に、第二ロック制御部１０５は、入力部６６ａにロック解除の要求が入力された後、酸素濃度センサＤ６による計測結果が所定値よりも低い場合には、扉６２の開放を禁止するようにロック６４を制御する。第二ロック制御部１０５は、酸素濃度センサＤ６による酸素濃度の計測結果が所定値以上である状態が所定時間以上保持された場合に、扉６２の開放を許容するようにロック６４を制御する。酸素濃度の上記所定値は、空気中の酸素濃度に近い値（例えば１９．５％）に設定されている。上記所定時間は、計測結果のばらつき等を考慮して適宜設定されている。上記所定時間は例えば１分である。
【００６６】  搬送制御部１０６は、入力部６６ａに対するキャリアの搬送要求の有無と、キャリアセンサＤ１０による検出結果と、キャリアブロック３における搬出対象のキャリア１１の有無とに基づいて、収容部６１内とキャリアブロック３との間でキャリア１１を搬送するように開閉駆動部６５及び搬送ロボットＡ３を制御する。具体的に、搬送制御部１０６は、入力部６６ａにキャリア１１の搬送要求が入力された場合に、収容部６１内のキャリア１１をキャリアブロック３に搬送するように搬送ロボットＡ３を制御し、これに合わせて扉６３を開閉させるように開閉駆動部６５を制御する。また、搬送制御部１０６は、キャリアブロック３に搬出対象のキャリア１１がある場合に、搬出対象のキャリア１１をキャリアブロック３から収容部６１内に搬送するように搬送ロボットＡ３を制御し、これに合わせて扉６３を開閉させるように開閉駆動部６５を制御する。この際に、搬送制御部１０６は、キャリアセンサＤ１０によりキャリア１１が検出されていない収容部６１をキャリア１１の搬送先として選択する。
【００６７】  また、搬送制御部１０６は、キャリアセンサＤ１０から取得したロードロック６０内のキャリア１１の有無の検出結果に基づいて、当該検出結果を表示するように表示部６６ｂを制御する。例えば搬送制御部１０６は、キャリアセンサＤ１０が収容部６１内のキャリア１１を検出している場合には当該収容部６１に対応する表示部６６ｂを点灯させ、キャリアセンサＤ１０が収容部６１内のキャリア１１を検出していない場合には当該収容部６１に対応する表示部６６ｂを消灯させる。
【００６８】  第三ロック制御部１０７は、酸素濃度センサＤ６による測定結果が所定値よりも高い場合に扉６３の開放を禁止するように、搬送制御部１０６を介して開閉駆動部６５を制御する。第三ロック制御部１０７は、酸素濃度センサＤ６による酸素濃度の計測結果が所定値以下である状態が所定時間以上保持された場合に、扉６３の開放を許容するように、搬送制御部１０６を介して開閉駆動部６５を制御する。酸素濃度の上記所定値は、エンクロージャ２０内の酸素濃度の目標値と同等に設定されている。上記所定時間は、計測結果のばらつき等を考慮して適宜設定されている。上記所定時間は例えば１分である。
【００６９】  制御部１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成されている。例えば、図６に示されるように、制御部１００は、回路９１を有している。回路９１は、一つ又は複数のプロセッサ９２と、メモリ９３と、ストレージ９４と、入出力ポート９５と、タイマー９６とを有している。入出力ポート９５は、バルブ３２ａ，３２ｂ、送風部４１、送風部４２、排気部５２、ロック２２、バルブ７１，７２，７３、ポンプＰ、ロック６４、開閉駆動部６５、搬送ロボットＡ３，酸素濃度センサＤ１〜Ｄ４、揮発物濃度センサＤ７、圧力センサＤ８，Ｄ９、入力部２３ａ、酸素濃度センサＤ６、キャリアセンサＤ１０、扉開閉センサＤ１１、入力部６６ａ、及び表示部６６ｂ等との間で電気信号の入出力を行う。タイマー９６は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。
【００７０】  ストレージ９４は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有している。記憶媒体は、各機能モジュールを構成するためのプログラムを記録している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ９３は、ストレージ９４の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ９２による演算結果を一時的に記録する。プロセッサ９２は、メモリ９３と協働して上記プログラムを実行することで、各機能モジュールを構成する。
【００７１】  なお、制御部１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えば制御部１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。
【００７２】〔基板処理方法〕  続いて、基板処理方法の一例として、基板処理装置１が実行する基板処理の内容を説明する。この基板処理は、塗布装置２における基板処理と、当該基板処理に付随して実行される空調処理と、エンクロージャ２０へのキャリアの搬入処理と、エンクロージャ２０からのキャリア１１の搬出処理とを含む。以下、各処理の手順を説明する。
【００７３】（基板処理手順）  塗布装置２は、次の手順で基板処理を実行する。まず、受け渡しアームＡ１が、キャリア１１内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送する。次に、搬送アームＡ２が、棚ユニットＵ１０のウェハＷを液処理ユニットＵ１に搬送し、液処理ユニットＵ１が、当該ウェハＷに塗布処理を施す。次に、搬送アームＡ２が、ウェハＷを液処理ユニットＵ１から熱処理ユニットＵ２に搬送し、熱処理ユニットＵ２が、当該ウェハＷに熱処理を施す。次に、搬送アームＡ２が、ウェハＷを熱処理ユニットＵ２から棚ユニットＵ１０に搬送し、受け渡しアームＡ１が、当該ウェハＷを棚ユニットＵ１０からキャリア１１内に戻す。以上で一枚のウェハＷに対する塗布処理及び熱処理が完了する。
【００７４】（空調処理）  図７は、空調処理手順を示すフローチャートである。まず、制御部１００は、ステップＳ０１を実行する。ステップＳ０１では、扉２１がロック状態（扉２１が閉じられ、扉２１の開放がロック２２により禁止されている状態）であることを第一酸素濃度調節部１０２が確認する。扉２１がロック状態ではない場合、第一酸素濃度調節部１０２は扉２１がロック状態となるのを待機する。
【００７５】  扉２１がロック状態となった後、制御部１００は、ステップＳ０２を実行する。ステップＳ０２では、第一酸素濃度調節部１０２が、エンクロージャ２０内の酸素濃度をエンクロージャ２０外の酸素濃度よりも低く維持する循環処理を開始させるように第一空調部３０（例えば濃度調節部３２）を制御する。具体的に、第一酸素濃度調節部１０２は、バルブ３２ａの開度を低下させ（例えばバルブ３２ａを閉じ）、バルブ３２ｂの開度を上昇させるように濃度調節部３２を制御し、各送風機ｆによるガスの圧送を開始するように第一空調部３０を制御する。
【００７６】  続けて、制御部１００は、ステップＳ０３，Ｓ０４を順に実行する。ステップＳ０３では、気圧調節部１０１が、圧力センサＤ８から筐体１０内の気圧データを取得すると共に、圧力センサＤ９からエンクロージャ２０内の気圧データを取得する。ステップＳ０４では、気圧調節部１０１が、ステップＳ０３で取得した気圧データに基づいて、エンクロージャ２０内の気圧が目標気圧以下であるか否かを判定する。
【００７７】  ステップＳ０４において、エンクロージャ２０内の気圧が目標気圧以下でないと判定された場合には、制御部１００は、ステップＳ０５を実行する。ステップＳ０５では、気圧調節部１０１が、ダンパ５２ａの開度を上昇させるように排気部５２を制御する。
【００７８】  次に、制御部１００は、ステップＳ０６を実行する。ステップＳ０４において、エンクロージャ２０内の気圧が目標気圧以下であると判定された場合は、制御部１００は、ステップＳ０５を実行することなくステップＳ０６を実行する。ステップＳ０６では、気圧調節部１０１が、筐体１０内の気圧が目標気圧以上であるか否かを判定する。
【００７９】  ステップＳ０６において、筐体１０内の気圧が目標気圧以上でないと判定された場合には、制御部１００は、ステップＳ０７，Ｓ０８を順に実行する。ステップＳ０７では、気圧調節部１０１が、エンクロージャ２０内から筐体１０内に送るガスの量を増加させるように送風部４１を制御する。ステップＳ０８では、気圧調節部１０１が、筐体１０内からエンクロージャ２０内に送るガスの量を低下させるように送風部４２を制御する。なお、制御部１００は、ステップＳ０７，Ｓ０８の順序を入れ替えて実行してもよく、ステップＳ０７，Ｓ０８を並行して実行してもよい。或いは、制御部１００は、ステップＳ０７，Ｓ０８のうちのいずれか一方のみを実行してもよい。
【００８０】  次に、制御部１００は、ステップＳ０９，Ｓ１０を順に実行する。ステップＳ０６において、筐体１０内の気圧が目標気圧以上であると判定された場合、制御部１００は、ステップＳ０７，Ｓ０８を実行することなくステップＳ０９，Ｓ１０を実行する。ステップＳ０９では、第一酸素濃度調節部１０２が、酸素濃度センサＤ１からエンクロージャ２０内の酸素濃度の計測結果を取得する。ステップＳ１０では、第一酸素濃度調節部１０２が、ステップＳ０９で取得した計測結果に基づいて、エンクロージャ２０内の酸素濃度が所定値よりも低いか否かを判定する。
【００８１】  ステップＳ１０において、エンクロージャ２０内の酸素濃度が所定値よりも高いと判定された場合には、制御部１００は、ステップＳ１１を実行する。ステップＳ１１では、第一酸素濃度調節部１０２は、バルブ３２ｂの開度を上昇させるように第一空調部３０を制御する。なお、第一酸素濃度調節部１０２は、バルブ３２ａの開度を低下させるように第一空調部３０を制御してもよい。
【００８２】  次に、制御部１００は、ステップＳ１２を実行する。ステップＳ１２では、第一酸素濃度調節部１０２が、入力部２３ａからの扉２１のロック解除の要求があるか否かを判定する。
【００８３】  ステップＳ１２において、入力部２３ａからの扉２１のロック解除の要求がないと判定された場合、制御部１００は、処理をステップＳ０３に戻す。以降、ステップＳ１２において、扉２１のロック解除の要求があると判定されるまでは、制御部１００は、筐体１０内及びエンクロージャ２０内の圧力調節と、エンクロージャ２０内の酸素濃度の調節とを継続する。
【００８４】  ステップＳ１２において、入力部２３ａからの扉２１のロック解除の要求があると判定された場合、制御部１００は、ステップＳ１３を実行する。ステップＳ１３では、制御部１００は、第一ロック解除処理を実行する。第一ロック解除処理の具体的内容は後述する。以上で空調処理手順が完了する。
【００８５】  図８は、第一ロック解除処理手順を示すフローチャートである。図８に示すように、制御部１００は、まずステップＳ１０１を実行する。ステップＳ１０１では、第一酸素濃度調節部１０２が、エンクロージャ２０内の酸素濃度を上昇させる処理を開始するように濃度調節部３２及び排気部５２を制御する。例えば第一酸素濃度調節部１０２は、バルブ３２ａの開度を上昇させ、バルブ３２ｂの開度を低下させる（例えばバルブ３２ｂを閉じる）ように濃度調節部３２を制御し、ダンパ５２ａの開度を上昇させるように排気部５２を制御する。
【００８６】  次に、制御部１００は、ステップＳ１０２，Ｓ１０３を順に実行する。ステップＳ１０２では、第一酸素濃度調節部１０２が、酸素濃度センサＤ１〜Ｄ４からエンクロージャ２０内の酸素濃度の計測結果を取得する。ステップＳ１０３では、第一酸素濃度調節部１０２が、ステップＳ１０２で取得した計測結果に基づいて、酸素濃度センサＤ１〜Ｄ４の計測結果に所定値以下の値がないか否かを判定する。
【００８７】  ステップＳ１０３において、酸素濃度センサＤ１〜Ｄ４の計測結果に所定値以下の値があると判定された場合、制御部１００は、処理をステップＳ１０２に戻す。以後、酸素濃度センサＤ１〜Ｄ４の計測結果に所定値以下の値がなくなるまで、酸素濃度センサＤ１〜Ｄ４の計測結果の確認が繰り返される。
【００８８】  ステップＳ１０３において、酸素濃度センサＤ１〜Ｄ４の計測結果に所定値以下の値はないと判定された場合、制御部１００は、ステップＳ１０４，Ｓ１０５を順に実行する。ステップＳ１０４では、第一酸素濃度調節部１０２が、揮発物濃度センサＤ７からエンクロージャ２０内の揮発物濃度の計測結果を取得する。ステップＳ１０５では、第一酸素濃度調節部１０２が、揮発物濃度センサＤ７の計測結果が所定値以下であるか否かを判定する。
【００８９】  ステップＳ１０５において、揮発物濃度センサＤ７の計測結果が所定値よりも高いと判定された場合、制御部１００は、処理をステップＳ１０４に戻す。以後、揮発物濃度センサＤ７の計測結果が所定値以下となるまで、揮発物濃度センサＤ７の計測結果の確認が繰り返される。
【００９０】  ステップＳ１０５において、揮発物濃度センサＤ７の計測結果が所定値以下であると判定された場合、制御部１００はステップＳ１０６を実行する。ステップＳ１０６では、第一ロック制御部１０３が、扉２１の開放を許容するようにロック２２を制御する。以上により、第一ロック解除処理が完了し、扉２１を開放することが可能となる。これにより、作業者等が、エンクロージャ２０内に立ち入ってメンテナンス作業を行うことが可能となる。
【００９１】（キャリアの搬入処理手順）  図９及び図１０は、キャリア搬入処理手順を示すフローチャートである。まず、制御部１００は、ステップＳ２１を実行する。ステップＳ２１では、第二ロック制御部１０５が、扉６２のロック解除の要求が入力部６６ａに入力されるのを待機する。
【００９２】  ステップＳ２１において、入力部６６ａから扉６２のロック解除の要求があった後、制御部１００は、ステップＳ２２，Ｓ２３を順に実行する。ステップＳ２２では、第二酸素濃度調節部１０４が、ロードロック６０内の酸素濃度をエンクロージャ２０外の酸素濃度に近付ける処理を開始するように第二空調部７０を制御する。第二酸素濃度調節部１０４は、バルブ７１の開度を上昇させ、バルブ７２の開度を低下させ（例えばバルブ７２を閉じ）、バルブ７３の開度を上昇させるように第二空調部７０を制御する。ステップＳ２３では、第二ロック制御部１０５が、酸素濃度センサＤ６から取得したロードロック６０内の酸素濃度の計測結果が所定値以上であるか否かを判定する。
【００９３】  ステップＳ２３において、酸素濃度センサＤ６の計測結果が所定値より低いと判定された場合、制御部１００は、処理をステップＳ２２に戻す。以後、酸素濃度センサＤ６の計測結果が所定値以上となるまで、酸素濃度センサＤ６の計測結果の確認が繰り返される。
【００９４】  ステップＳ２３において、酸素濃度センサＤ６の計測結果が所定値以上であると判定された場合、制御部１００は、ステップＳ２４を実行する。ステップＳ２４では、第二酸素濃度調節部１０４が、ロードロック６０内の酸素濃度を上昇させる処理を停止するように第二空調部７０を制御する。例えば第二酸素濃度調節部１０４は、バルブ７１、バルブ７２、及びバルブ７３を閉じるように第二空調部７０を制御する。
【００９５】  次に、制御部１００は、ステップＳ２５を実行する。ステップＳ２５では、第二ロック制御部１０５が、ロック状態（扉６２が閉じられ、扉６２の開放がロック６４により禁止されている状態）を解除状態（扉６２が閉じられ、扉６２の開放がロック６４により禁止されていない状態）に切り替え、扉６２の開放を許容するようにロック６４を制御する。
【００９６】  次に、制御部１００は、ステップＳ２６を実行する。ステップＳ２６では、搬送制御部１０６が、収容部６１内へのキャリア１１の搬入を待機する。具体的に、搬送制御部１０６は、収容部６１内のキャリアセンサＤ１０がキャリア１１を検出するのを待機する。
【００９７】  収容部６１内のキャリアセンサＤ１０がキャリア１１を検出すると、制御部１００は、ステップＳ２７を実行する。ステップＳ２７では、搬送制御部１０６が、ロードロック６０内にキャリア１１がある旨を表示するように表示部６６ｂを制御する。
【００９８】  図１０に示すように、制御部１００は、次にステップＳ２８を実行する。ステップＳ２８では、搬送制御部１０６が、キャリア１１の搬送の要求が入力部６６ａに入力されるのを待機する。
【００９９】  キャリア１１の搬送の要求が入力されると、制御部１００は、ステップＳ２９，Ｓ３０を順に実行する。ステップＳ２９では、第二ロック制御部１０５が、扉６２が閉じられていることを確認する。具体的に、第二ロック制御部１０５は、扉６２が閉じられていることを扉開閉センサＤ１２が検出していることを確認する。扉６２が閉じられていない場合、第二ロック制御部１０５は扉６２が閉じられるのを待機する。
【０１００】  次に、制御部１００はステップＳ３０を実行する。ステップＳ３０では、第二ロック制御部１０５が、解除状態をロック状態に切り替え、扉６２の開放を禁止するようにロック６４を制御する。
【０１０１】  次に、制御部１００は、ステップＳ３１，Ｓ３２を順に実行する。ステップＳ３１では、第二酸素濃度調節部１０４が、ロードロック６０内の酸素濃度を低下させる処理を開始するように第二空調部７０を制御する。第二酸素濃度調節部１０４は、バルブ７１の開度を低下させ（例えばバルブ７１を閉じ）、バルブ７２の開度を上昇させ、バルブ７３の開度を低下させ（例えばバルブ７３を閉じ）、ポンプＰによるガスの圧送を開始するように第二空調部７０を制御する。ステップＳ３２では、第三ロック制御部１０７が、酸素濃度センサＤ６から取得したロードロック６０内の酸素濃度の計測結果が所定値以下であるか否かを判定する。
【０１０２】  ステップＳ３２において、酸素濃度センサＤ６の計測結果が所定値よりも高いと判定された場合には、制御部１００は、処理をステップＳ３１に戻す。以後、酸素濃度センサＤ６の計測結果が所定値以下となるまで、酸素濃度センサＤ６の計測結果の確認が繰り返される。
【０１０３】  ステップＳ３２において、酸素濃度センサＤ６の計測結果が所定値以下であると判定された場合には、制御部１００は、ステップＳ３３を実行する。ステップＳ３３では、第二酸素濃度調節部１０４が、ロードロック６０内の酸素濃度の低下処理を停止するように第二空調部７０を制御する。例えば第二酸素濃度調節部１０４は、開度を０とするようにバルブ７１、バルブ７２、及びバルブ７３を閉じ、ポンプＰによるガスの圧送を停止させるように第二空調部７０を制御する。
【０１０４】  次に、制御部１００は、ステップＳ３４，Ｓ３５，Ｓ３６を順に実行する。ステップＳ３４では、第三ロック制御部１０７が、ロック状態を解除状態に切り替えるように開閉駆動部６５を制御し、搬送制御部１０６が、扉６３を開くように開閉駆動部６５を制御する。ステップＳ３５では、搬送制御部１０６が、ロードロック６０内のキャリア１１をキャリアブロック３へ搬送するように搬送ロボットＡ３を制御する。ステップＳ３６では、搬送制御部１０６が、ロードロック６０内にキャリア１１がないことを表示するように表示部６６ｂを制御する。例えば搬送制御部１０６は、点灯状態から消灯状態に切り替えるように表示部６６ｂを制御する。
【０１０５】  次に、制御部１００は、ステップＳ３７を実行する。ステップＳ３７では、搬送制御部１０６が、扉６３を閉じるように開閉駆動部６５を制御し、第三ロック制御部１０７が、解除状態をロック状態に切り替えるように開閉駆動部６５を制御する。以上により、キャリア搬入処理が完了する。
【０１０６】（キャリアの搬出処理手順）  図１１及び図１２は、キャリア搬出処理手順を示すフローチャートである。図１１に示すように、制御部１００は、まずステップＳ４１を実行する。ステップＳ４１では、第二酸素濃度調節部１０４が、キャリアブロック３に設置されたキャリア１１が取り出し対象となるまで待機する。取り出し対象のキャリア１１とは、例えば収容した全てのウェハＷの塗布処理が完了しているキャリア１１である。
【０１０７】  次に、制御部１００は、ステップＳ４２，Ｓ４３を順に実行する。ステップＳ４２では、第二酸素濃度調節部１０４が、複数のロードロック６０のうち空のロードロック６０内の酸素濃度を低下させる処理を開始するように第二空調部７０を制御する。第二酸素濃度調節部１０４は、バルブ７１の開度を低下させ（例えばバルブ７１を閉じ）、バルブ７２の開度を上昇させ、バルブ７３の開度を低下させ（例えばバルブ７３を閉じ）、ポンプＰによるガスの圧送を開始するように第二空調部７０を制御する。ステップＳ４３では、第三ロック制御部１０７が、酸素濃度センサＤ６から取得したロードロック６０内の酸素濃度の計測結果が所定値以下であるか否かを判定する。
【０１０８】  ステップＳ４３において、酸素濃度センサＤ６の計測結果が所定値よりも高いと判定された場合には、制御部１００は、処理をステップＳ４２に戻す。以後、酸素濃度センサＤ６の計測結果が所定値以下となるまで、酸素濃度センサＤ６の計測結果の確認が繰り返される。
【０１０９】  ステップＳ４３において、酸素濃度センサＤ６の計測結果が所定値以下であると判定された場合には、制御部１００は、ステップＳ４４を実行する。ステップＳ４４では、第二酸素濃度調節部１０４が、ロードロック６０内の酸素濃度の低下処理を停止するように第二空調部７０を制御する。例えば第二酸素濃度調節部１０４は、開度を０とするようにバルブ７１、バルブ７２、及びバルブ７３を閉じ、ポンプＰによるガスの圧送を停止させるように第二空調部７０を制御する。
【０１１０】  次に、制御部１００は、ステップＳ４５，Ｓ４６，Ｓ４７を順に実行する。ステップＳ４５では、第三ロック制御部１０７が、ロック状態を解除状態に切り替えるように開閉駆動部６５を制御し、搬送制御部１０６が、扉６３を開くように開閉駆動部６５を制御する。ステップＳ４６では、搬送制御部１０６が、キャリアブロック３のキャリア１１をロードロック６０内へ搬送するように搬送ロボットＡ３を制御する。ステップＳ４７では、搬送制御部１０６が、ロードロック６０内にキャリア１１があることを表示するように表示部６６ｂを制御する。例えば搬送制御部１０６は、消灯状態から点灯状態に切り替えるように表示部６６ｂを制御する。
【０１１１】  次に、制御部１００は、ステップＳ４８を実行する。ステップＳ４８では、搬送制御部１０６が、扉６３を閉じるように開閉駆動部６５を制御し、第三ロック制御部１０７が、解除状態をロック状態に切り替えるように開閉駆動部６５を制御する。
【０１１２】  図１２に示すように、制御部１００は、次にステップＳ４９を実行する。ステップＳ４９では、第二酸素濃度調節部１０４が、扉６２のロック解除の要求が入力部６６ａに入力されるのを待機する。
【０１１３】  扉６２のロック解除の要求が入力されると、制御部１００は、ステップＳ５０，Ｓ５１を順に実行する。ステップＳ５０では、第二酸素濃度調節部１０４が、ロードロック６０内の酸素濃度を上昇させる処理を開始するように第二空調部７０を制御する。第二酸素濃度調節部１０４は、バルブ７１の開度を上昇させ、バルブ７２の開度を低下させ（例えばバルブ７２を閉じ）、バルブ７３の開度を上昇させるように第二空調部７０を制御する。ステップＳ５１では、第二酸素濃度調節部１０４が、酸素濃度センサＤ６から取得したロードロック６０内の酸素濃度の計測結果が所定値以上であるか否かを判定する。
【０１１４】  ステップＳ５１において、酸素濃度センサＤ６の計測結果が所定値よりも低いと判定された場合には、制御部１００は、処理をステップＳ５０に戻す。以後、酸素濃度センサＤ６の計測結果が所定値以上となるまで、酸素濃度センサＤ６の計測結果の確認が繰り返される。
【０１１５】  ステップＳ５１において、酸素濃度センサＤ６の計測結果が所定値以上であると判定された場合には、制御部１００は、ステップＳ５２を実行する。ステップＳ５２では、第二酸素濃度調節部１０４が、ロードロック６０内の酸素濃度の上昇処理を停止するように第二空調部７０を制御する。第二酸素濃度調節部１０４は、開度を０とするようにバルブ７１、バルブ７２及びバルブ７３を制御する。
【０１１６】  次に、制御部１００は、ステップＳ５３，Ｓ５４を順に実行する。ステップＳ５３では、第二ロック制御部１０５が、ロック状態を解除状態に切り替えるようにロック６４を制御する。ステップＳ５４では、搬送制御部１０６が、キャリアセンサＤ１０がキャリア１１を検出しなくなるのを待機する。
【０１１７】  キャリアセンサＤ１０がキャリア１１を検出しなくなると、制御部１００は、ステップＳ５５を実行する。ステップＳ５５では、搬送制御部１０６が、ロードロック６０内にキャリア１１がないことを表示するように表示部６６ｂを制御する。例えば搬送制御部１０６は、点灯状態から消灯状態に切り替えるように表示部６６ｂを制御する。
【０１１８】  次に、制御部１００は、ステップＳ５６を実行する。ステップＳ５６では、搬送制御部１０６が、扉６２のロックの要求が入力部６６ａに入力されるのを待機する。ステップＳ５６において、扉６２のロックの要求が入力されると、制御部１００は、ステップＳ５７を実行する。ステップＳ５７では、第二ロック制御部１０５が、第二ロック制御部１０５が、扉６２が閉じられていることを確認する。具体的に、第二ロック制御部１０５は、扉６２が閉じられていることを扉開閉センサＤ１２が検出していることを確認する。扉６２が閉じられていない場合、第二ロック制御部１０５は扉６２が閉じられるのを待機する。
【０１１９】  次に、制御部１００は、ステップＳ５８を実行する。ステップＳ５８では、第二ロック制御部１０５が、解除状態をロック状態に切り替え、扉６２の開放を禁止するようにロック６４を制御する。以上により、キャリア搬出処理が完了する。
【０１２０】〔本実施形態の効果〕  基板処理装置１は、複数のウェハＷを収容したキャリア１１を設置可能なキャリアブロック３と、ウェハＷに対する処理を行う液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２と、キャリア１１と液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２との間でウェハＷを搬送する搬送アームＡ２と、液処理ユニットＵ１、熱処理ユニットＵ２、及び搬送アームＡ２を収容する筐体１０と、筐体１０よりも高い気密性で筐体１０を収容するエンクロージャ２０と、筐体１０内の気圧を調節する第一圧力調節部４０と、エンクロージャ２０内の気圧を調節する第二圧力調節部５０と、エンクロージャ２０内の気圧がエンクロージャ２０外の気圧及び筐体１０内の気圧のいずれよりも低い状態を保つように第一圧力調節部４０及び第二圧力調節部５０を制御することを実行する制御部１００と、を備える。
【０１２１】  この基板処理装置１によれば、筐体１０よりも気密性の高いエンクロージャ２０で筐体１０を収容し、エンクロージャ２０内の気圧をエンクロージャ２０外の気圧及び筐体１０内の気圧よりも低い状態に保つことにより、筐体１０内から筐体１０外に漏出したガスがエンクロージャ２０外に漏出することを抑制することができる。このため、搬送領域、液処理ユニットＵ１内等、筐体１０内の各部における酸素濃度を所望の状態に維持することが可能となる。したがって、基板処理装置１は、基板処理中の酸素濃度の管理に有用である。
【０１２２】  この基板処理装置１は、エンクロージャ２０内の酸素濃度を調節する第一空調部３０を更に備え、制御部１００は、エンクロージャ２０内の酸素濃度をエンクロージャ２０外の酸素濃度よりも低く維持するように第一空調部３０を制御することを更に実行してもよい。この場合、筐体１０を収容するエンクロージャ２０内の酸素濃度を調節することにより、筐体１０内の各部における酸素濃度を効率的に調節することができる。
【０１２３】  第一空調部３０は、エンクロージャ２０内にガスを供給するガス供給部３１と、ガス供給部３１からエンクロージャ２０内に送られるガスの酸素濃度を調節する濃度調節部３２と、エンクロージャ２０内からガス供給部３１にガスを還流させる還流部３３と、を有し、制御部１００は、エンクロージャ２０内の酸素濃度をエンクロージャ２０外の酸素濃度よりも低く維持する際に、エンクロージャ２０外の酸素濃度に比較して、ガス供給部３１からエンクロージャ２０内に送られるガスの酸素濃度を低くするように濃度調節部３２を制御することを実行してもよい。この場合、ガス供給部３１から濃度調節されたガスがエンクロージャ２０内に送られるので、エンクロージャ２０内の酸素濃度をより確実に維持することができる。また、エンクロージャ２０内のガスを還流部３３によってガス供給部３１に還流するので、酸素濃度の調節されたガスが循環利用され、効率よく酸素濃度を維持することができる。
【０１２４】  第一圧力調節部４０は、エンクロージャ２０内から筐体１０内にガスを送る送風部４１を有し、第二圧力調節部５０は、エンクロージャ２０内のガスの一部を排気経路に導く排気部５２を有していてもよい。この構成によれば、簡易な構成で気圧を調節することが可能である。
【０１２５】  この基板処理装置１は、エンクロージャ２０内への出入り用の扉２１と、扉２１の開放を許容する状態と扉２１の開放を禁止する状態とを切り替えるロック２２と、エンクロージャ２０内の酸素濃度を計測する酸素濃度センサＤ１と、を更に備え、制御部１００は、エンクロージャ２０内の酸素濃度に比較して、ガス供給部３１からエンクロージャ２０内に送られるガスの酸素濃度を高くするように濃度調節部３２を制御することと、酸素濃度センサＤ１による酸素濃度の計測結果が所定値よりも低い場合に扉２１の開放を禁止するようにロック２２を制御することと、を更に実行してもよい。この場合、エンクロージャ２０内の酸素濃度が所定値以上に調節されるまではロック２２により扉２１の開放が禁止されるので、例えばエンクロージャ２０内へ人間が立ち入る場合等における扉２１の開放に先立って、エンクロージャ２０内の酸素濃度を確実に上昇させることができる。
【０１２６】  更に、この基板処理装置１は、筐体１０内のうち外部に開放可能な空間の酸素濃度を計測する酸素濃度センサＤ２を更に備え、制御部１００は、酸素濃度センサＤ２による酸素濃度の計測結果が所定値よりも低い場合にも扉２１の開放を禁止するようにロック２２を制御してもよい。この場合、筐体１０のうち外部に開放可能な空間の開放に先立って、酸素濃度を確実に上昇させることができる。
【０１２７】  また、この基板処理装置１は、還流部３３内の酸素濃度を計測する酸素濃度センサＤ３を更に備え、制御部１００は、酸素濃度センサＤ３による酸素濃度の検出結果が所定値よりも低い場合にも扉２１の開放を禁止するようにロック２２を制御してもよい。この場合、還流部３３内の酸素濃度が所定値以上になるまではロック２２により扉２１の開放が禁止されるので、エンクロージャ２０内の酸素濃度をより確実に上昇させることができる。
【０１２８】  ガス供給部３１内の酸素濃度を計測する酸素濃度センサＤ４を更に備え、制御部１００は、酸素濃度センサＤ４による酸素濃度の検出結果が所定値よりも低い場合にも扉２１の開放を禁止するようにロック２２を制御してもよい。この場合、ガス供給部３１内の酸素濃度が所定値以上になるまではロック２２により扉２１の開放が禁止されるので、エンクロージャ２０内の酸素濃度をより確実に上昇させることができる。
【０１２９】  更に、この基板処理装置１は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２内からエンクロージャ２０内に流出した揮発物の濃度を計測するための揮発物濃度センサＤ７を更に備え、制御部１００は、揮発物濃度センサＤ７による計測結果が所定値よりも高い場合にも扉２１の開放を禁止するようにロック２２を制御してもよい。この場合、エンクロージャ２０内の揮発物濃度が所定値以下となるまではロック２２により扉２１の開放が禁止されるので、エンクロージャ２０内の揮発物を確実に低下させることができる。
【０１３０】  揮発物濃度センサＤ７は、排気部５２に設けられていてもよい。この構成により、排気部５２を利用して、揮発物を容易に検出することができる。また、ダンパ５２ａの開度が最大である場合には、排気部５２に導かれるガスの量が増加するので、揮発物をより容易に検出することができる。
【０１３１】  ガス供給部３１は、エンクロージャ２０内にガスを導く管路Ｌ１と、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２内にガスを導く管路Ｌ２と、を含んでいてもよい。この場合、エンクロージャ２０内に管路Ｌ１でガスを導きつつ、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２内には別経路として管路Ｌ２でガスを導くので、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２内の酸素濃度をより厳密に調節することができる。
【０１３２】  液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２内のガスを排気経路に導く排気部５１を更に備えていてもよい。この場合、揮発物濃度の高い液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２内のガスを排気するので、揮発物濃度が過大となることを抑制できる。また、揮発物濃度の高い液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２内のガスを還流部３３に還流させる場合と比較して、還流部３３のフィルタユニット３３ｂ，３３ｄが除去する揮発物の量が低減されるので、フィルタユニット３３ｂ，３３ｄのメンテナンス頻度の増加を抑制することができる。
【０１３３】  排気部５１は、筐体１０の側方にガスを導出する管路Ｌ７，Ｌ８を有していてもよい。この構成によれば、液処理ユニットＵ１ない及び熱処理ユニットＵ２内からの排気用の管路をエンクロージャ２０内において取りまとめ易い。
【０１３４】  この基板処理装置１は、キャリア１１を収容するロードロック６０と、ロードロック６０内をエンクロージャ２０外に開閉する扉６２と、ロードロック６０内をエンクロージャ２０内に開閉する扉６３と、ロードロック６０とキャリアブロック３との間でキャリア１１の受け渡しを行う受渡部６７と、ロードロック６０内の酸素濃度を調節する第二空調部７０と、を更に備え、制御部１００は、扉６２の開放に先立ってロードロック６０内の酸素濃度をエンクロージャ２０外の酸素濃度に近付けるように第二空調部７０を制御することと、扉６３の開放に先立ってロードロック６０内の酸素濃度をエンクロージャ２０内の酸素濃度に近付けるように第二空調部７０を制御することと、を更に実行してもよい。この構成によれば、扉６２を開放してロードロック６０内からキャリア１１を搬出することができ、扉６３を開放してロードロック６０内へのキャリア１１の格納を行うことができる。また、キャリア１１の搬出及び格納に際し、ロードロック６０内からエンクロージャ２０外への酸素濃度が高いガスの漏出と、ロードロック６０内からエンクロージャ２０内への酸素濃度が低いガスの漏出とを合わせて抑制できる。
【０１３５】  この基板処理装置１は、扉６２の開放を許容する状態と扉６２の開放を禁止する状態とを切り替えるロック６４と、扉６３の開放を許容する状態と扉６３の開放を禁止する状態とを切り替える開閉駆動部６５と、ロードロック６０内の酸素濃度を計測する酸素濃度センサＤ６と、を更に備え、制御部１００は、酸素濃度センサＤ６による計測結果が所定値よりも低い場合に扉６２の開放を禁止するようにロック６４を制御することと、酸素濃度センサＤ６による測定結果が所定値よりも高い場合に扉６３の開放を禁止するように開閉駆動部６５を制御することと、を更に実行してもよい。この場合、ロードロック６０内の酸素濃度が適切に調節されるまでは、扉６２及び扉６３の開放が禁止されるので、扉６２又は扉６３の開放に先立って、ロードロック６０内の酸素濃度をより確実に調節させることができる。
【０１３６】  以上、実施形態について説明したが、本開示は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。例えば、基板処理装置１は、感光性被膜の形成に加えて、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を更に施すように構成されていてもよい。上述した構成は、所定の雰囲気に維持された空間内で行われる処理であれば、低酸素以外の雰囲気下で基板に対して行われる処理にも適用可能である。処理対象の基板は半導体ウェハに限られず、例えばガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）等であってもよい。
【０１３７】  以上の実施形態に関して、次のとおり付記する。（付記１）  複数の基板を収容したキャリアを設置可能なキャリア支持部と、  前記基板に対する処理を行う処理ユニットと、  前記キャリアと前記処理ユニットとの間で前記基板を搬送する搬送アームと、  前記処理ユニット及び前記搬送アームを収容する筐体と、  前記筐体よりも高い気密性で前記筐体を収容するエンクロージャと、  前記筐体内の気圧を調節する第一圧力調節部と、  前記エンクロージャ内の気圧を調節する第二圧力調節部と、  前記エンクロージャ内の気圧が前記エンクロージャ外の気圧及び前記筐体内の気圧のいずれよりも低い状態を保つように前記第一圧力調節部及び前記第二圧力調節部を制御することを実行する制御部と、を備える基板処理装置。（付記２）  前記エンクロージャ内の酸素濃度を調節する第一空調部を更に備え、  前記制御部は、前記エンクロージャ内の酸素濃度を前記エンクロージャ外の酸素濃度よりも低く維持するように前記第一空調部を制御することを更に実行する、付記１に記載の基板処理装置。（付記３）  前記第一空調部は、    前記エンクロージャ内にガスを供給するガス供給部と、    前記ガス供給部から前記エンクロージャ内に送られるガスの酸素濃度を調節する濃度調節部と、    前記エンクロージャ内からガス供給部にガスを還流させる還流部と、を有し、  前記制御部は、前記エンクロージャ内の酸素濃度を前記エンクロージャ外の酸素濃度よりも低く維持する際に、前記エンクロージャ外の酸素濃度に比較して、前記ガス供給部から前記エンクロージャ内に送られるガスの酸素濃度を低くするように前記濃度調節部を制御することを実行する、付記２に記載の基板処理装置。（付記４）  前記第一圧力調節部は、前記エンクロージャ内から前記筐体内にガスを送る送風部を有し、  前記第二圧力調節部は、前記エンクロージャ内のガスの一部を排気経路に導く第一排気部を有する、付記３に記載の基板処理装置。（付記５）  前記エンクロージャ内への出入り用の第一扉と、  前記第一扉の開放を許容する状態と前記第一扉の開放を禁止する状態とを切り替える第一ロックと、  前記エンクロージャ内の酸素濃度を計測する第一酸素濃度センサと、を更に備え、  前記制御部は、    前記エンクロージャ内の酸素濃度に比較して、前記ガス供給部から前記エンクロージャ内に送られるガスの酸素濃度を高くするように前記濃度調節部を制御することと、    前記第一酸素濃度センサによる酸素濃度の計測結果が所定値よりも低い場合に前記第一扉の開放を禁止するように前記第一ロックを制御することと、を更に実行する、付記４に記載の基板処理装置。（付記６）  前記筐体内のうち外部に開放可能な空間の酸素濃度を計測する第二酸素濃度センサを更に備え、  前記制御部は、前記第二酸素濃度センサによる酸素濃度の計測結果が所定値よりも低い場合にも前記第一扉の開放を禁止するように前記第一ロックを制御する、付記５に記載の基板処理装置。（付記７）  前記還流部内の酸素濃度を計測する第三酸素濃度センサを更に備え、  前記制御部は、前記第三酸素濃度センサによる酸素濃度の検出結果が所定値よりも低い場合にも前記第一扉の開放を禁止するように前記第一ロックを制御する、付記５又は６に記載の基板処理装置。（付記８）  前記ガス供給部内の酸素濃度を計測する第四酸素濃度センサを更に備え、  前記制御部は、前記第四酸素濃度センサによる酸素濃度の検出結果が所定値よりも低い場合にも前記第一扉の開放を禁止するように前記第一ロックを制御する、付記５〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。（付記９）  前記処理ユニット内から前記エンクロージャ内に流出した揮発物の濃度を計測するための揮発物濃度センサを更に備え、  前記制御部は、前記揮発物濃度センサによる計測結果が所定値よりも高い場合にも前記第一扉の開放を禁止するように第一ロックを制御する、付記５〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。（付記１０）  前記揮発物濃度センサは、前記第一排気部に設けられている、付記９に記載の基板処理装置。（付記１１）  前記ガス供給部は、    前記エンクロージャ内にガスを導く第一ガス管路と、    前記処理ユニット内にガスを導く第二ガス管路と、を含む付記４〜１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。（付記１２）  前記処理ユニット内のガスを前記排気経路に導く第二排気部を更に備える付記４〜１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。（付記１３）  前記第二排気部は、前記筐体の側方にガスを導出する第三ガス管路を有する、付記１２に記載の基板処理装置。（付記１４）  前記キャリアを収容するキャリア収容部と、  前記キャリア収容部内を前記エンクロージャ外に開閉する第二扉と、  前記キャリア収容部内を前記エンクロージャ内に開閉する第三扉と、  前記キャリア収容部内と前記キャリア支持部との間で前記キャリアの受け渡しを行う受渡部と、  前記キャリア収容部内の酸素濃度を調節する第二空調部と、を更に備え、  前記制御部は、    前記第二扉の開放に先立って前記キャリア収容部内の酸素濃度を前記エンクロージャ外の酸素濃度に近付けるように前記第二空調部を制御することと、    前記第三扉の開放に先立って前記キャリア収容部内の酸素濃度を前記筐体内の酸素濃度に近付けるように第二空調部を制御することと、を更に実行する、付記１〜１３のいずれか一項に記載の基板処理装置。（付記１５）  前記第二扉の開放を許容する状態と前記第二扉の開放を禁止する状態とを切り替える第二ロックと、  前記第三扉の開放を許容する状態と前記第三扉の開放を禁止する状態とを切り替える第三ロックと、  前記キャリア収容部内の酸素濃度を計測する第五酸素濃度センサと、を更に備え、  前記制御部は、    前記第五酸素濃度センサによる計測結果が所定値よりも低い場合に前記第二扉の開放を禁止するように前記第二ロックを制御することと、    前記第五酸素濃度センサによる測定結果が所定値よりも高い場合に前記第三扉の開放を禁止するように前記第三ロックを制御することと、を更に実行する、付記１４に記載の基板処理装置。
【符号の説明】
【０１３８】  １…基板処理装置、１１…キャリア、３…キャリアブロック（キャリア支持部）、４…処理ブロック、１０…筐体、２０…エンクロージャ、２１…扉（第一扉）、２２…ロック（第一ロック）、３０…第一空調部、３１…ガス供給部、３２…濃度調節部、３３…還流部、４０…第一圧力調節部、４１…送風部、５０…第二圧力調節部、５１…排気部（第二排気部）、５２…排気部（第一排気部）、６１…収容部（キャリア収容部）、６２…扉（第二扉）、６３…扉（第三扉）、６４…ロック（第二ロック）、６５…開閉駆動部（第三ロック）、６７…受渡部、７０…第二空調部、１００…制御部、Ａ２…搬送アーム、Ｄ１…酸素濃度センサ（第一酸素濃度センサ）、Ｄ２…酸素濃度センサ（第二酸素濃度センサ）、Ｄ３…酸素濃度センサ（第三酸素濃度センサ）、Ｄ４…酸素濃度センサ（第四酸素濃度センサ）、Ｄ６…酸素濃度センサ（第五酸素濃度センサ）、Ｄ７…揮発物濃度センサ、Ｌ１…管路（第一ガス管路）、Ｌ２…管路（第二ガス管路）、Ｌ７，Ｌ８…管路（第三ガス管路）、Ｕ１…液処理ユニット（処理ユニット）、Ｕ２…熱処理ユニット（処理ユニット）、Ｗ…ウェハ（基板）、Ｘ…用力設備（排気経路）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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