(57)【要約】  樹脂多層基板は、複数の絶縁樹脂基材層（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３）と、これら複数の絶縁樹脂基材層（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３）に形成された複数の導体パターンと、を有する。複数の導体パターンは、絶縁樹脂基材層の積層方向から視て重ならない位置に形成された複数の信号線（１１，１２）と、積層方向から視て複数の信号線（１１，１２）に重なるグランド導体（２１，２２）とを含む。グランド導体（２１，２２）には、積層方向から視て、二つの信号線（１１，１２）で挟まれる内側領域（ＺＩ）が、二つの信号線（１１，１２）の外側領域（ＺＯ）より開口率が高くなるように開口（Ａ１，Ａ２）が形成されている。
2019098012.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁樹脂基材層と、これら複数の絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有する樹脂多層基板であって、
前記複数の導体パターンは、前記絶縁樹脂基材層の積層方向から視て重ならない位置に形成された複数の信号線と、前記積層方向から視て前記複数の信号線に重なるグランド導体とを含み、
前記グランド導体に、開口率が不均一に分布するように、複数の開口が形成されており、
前記積層方向から視て、前記複数の信号線のうち二つの信号線で挟まれる内側領域に形成される開口による開口率は、二つの信号線で挟まれずに前記複数の信号線のうち最も外側の領域である外側領域に形成される開口による開口率より高い、
ことを特徴とする、樹脂多層基板。
【請求項２】
前記グランド導体は、前記信号線を前記積層方向で挟み込む複数のグランド導体で構成され、
異なる層に形成された前記グランド導体同士を互いに接続する層間接続導体を有する、
請求項１に記載の樹脂多層基板。
【請求項３】
前記層間接続導体は前記外側領域に設けられている、
請求項２に記載の樹脂多層基板。
【請求項４】
前記層間接続導体は前記内側領域に設けられている、
請求項２または請求項３に記載の樹脂多層基板。
【請求項５】
前記層間接続導体は樹脂成分を有する、
請求項２から４のいずれかに記載の樹脂多層基板。
【請求項６】
前記層間接続導体は前記開口を介して前記絶縁樹脂基材層に接触している、
請求項５に記載の樹脂多層基板。
【請求項７】
前記層間接続導体は、前記積層方向の両側で前記開口を介して前記絶縁樹脂基材層に接触している、
請求項６に記載の樹脂多層基板。
【請求項８】
前記層間接続導体は、前記複数の絶縁樹脂基材層に亘って形成されており、且つ前記積層方向にジグザグ状に配置された部分を有する、
請求項６または７に記載の樹脂多層基板。
【請求項９】
前記開口による開口率は、前記積層方向に垂直な方向で、前記層間接続導体に離間した領域に比べて前記層間接続導体に近い領域で高い、
請求項２から８のいずれかに記載の樹脂多層基板。
【請求項１０】
前記開口は、前記積層方向から視て、前記信号線と重ならない位置にのみ形成されている、請求項１から９のいずれかに記載の樹脂多層基板。
【請求項１１】
外部の回路に接続される第１接続部および第２接続部と、前記第１接続部と前記第２接続部との間を繋ぐ伝送線路部とを備える電子部品であって、
前記第１接続部、前記第２接続部および前記伝送線路部は樹脂多層基板で構成され、
前記樹脂多層基板は、
複数の絶縁樹脂基材層と、これら複数の絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有する樹脂多層基板であって、
前記複数の導体パターンは、前記絶縁樹脂基材層の積層方向から視て重ならない位置に形成された複数の信号線と、前記積層方向から視て前記複数の信号線に重なるグランド導体とを含み、
前記グランド導体に、開口率が不均一に分布するように、複数の開口が形成されており、
前記積層方向から視て、前記複数の信号線のうち二つの信号線で挟まれる内側領域に形成される開口による開口率は、二つの信号線で挟まれずに前記複数の信号線のうち最も外側の領域である外側領域に形成される開口による開口率より高い、
ことを特徴とする、電子部品。
【請求項１２】
回路基板へ表面実装される電子部品の実装構造であって、
前記電子部品は、
外部の回路に接続される第１接続部および第２接続部と、前記第１接続部と前記第２接続部との間を繋ぐ伝送線路部とを備え、
前記第１接続部、前記第２接続部および前記伝送線路部は樹脂多層基板で構成され、
前記樹脂多層基板は、
複数の絶縁樹脂基材層と、これら複数の絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有する樹脂多層基板であって、
前記複数の導体パターンは、前記絶縁樹脂基材層の積層方向から視て重ならない位置に形成された複数の信号線と、前記積層方向から視て前記複数の信号線に重なるグランド導体とを含み、
前記グランド導体に、開口率が不均一に分布するように、複数の開口が形成されており、
前記積層方向から視て、前記複数の信号線のうち二つの信号線で挟まれる内側領域に形成される開口による開口率は、二つの信号線で挟まれずに前記複数の信号線のうち最も外側の領域である外側領域に形成される開口による開口率より高い、
ことを特徴とする、電子部品の実装構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の絶縁樹脂基材層と、これら複数の絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有する樹脂多層基板、この樹脂多層基板による電子部品、およびその実装構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、多層基板を構成する樹脂基材は、所定温度以上の熱を受けると、その一部が熱分解され、CO2 等の気体および水を生じる。また、酸化した導体パターンが熱により還元反応を起こして生じる酸素と、熱可塑性樹脂中の炭素とが酸化反応してCO2 を生じる。さらに、積層体の構成要素は、その製造過程において吸湿する。このような気体および水を多層基板中に残したまま、多層基板を加熱すると、ガス（気体や蒸気）が膨張し、層間剥離（デラミネーション）が発生する。従って、通常は、多層基板形成時に、減圧下において加熱・加圧を実施し、所定の予熱工程を設けることで加熱・加圧中にガスを積層体外へ排出させている。【０００３】
しかし、多層基板が、面積の大きな金属パターンを有していると、ガスはこの金属パターンを透過できない。従って、ガスの生じた場所によっては、多層基板外へのガスの排出経路が、金属パターンを有さない場合よりも長くなるので、基板内にガスが残留するおそれがある。そして、多層基板の製造時や、他の基板への実装時の加熱により残留ガスが膨張し、やはり層間剥離が生じるおそれがある。【０００４】
そこで、例えば特許文献１には、広面積の金属パターンに、積層方向に貫通する微小なガス抜き穴を設ける構造が示されている。この構造により、多層基板の加熱時に内部に生じるガスは、ガス抜き穴を通じて、短い排出経路を通って排出される。すなわち、多層基板内に残留するガス量が低減され、加熱時に生じる層間剥離が低減される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１３６３４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
多層基板に、信号線と、グランド導体と、この信号線とグランド導体との間の絶縁樹脂基材層とで高周波伝送線路が構成される場合、グランド導体は上述の広面積の金属パターンに相当する。【０００７】
しかし、グランド導体にガス抜き穴としての開口を設けると、伝送線路の特性が劣化するおそれがある。例えば、グランド導体のシールド性が低下することにより、伝送線路から外部への不要輻射が増大し、または外部からノイズを受けやすくなる。また、信号線とグランド導体との間に生じる容量の連続性の低下により、伝送線路の特性インピーダンスが不均一となる。このことにより、反射損失および挿入損失が増大する。また、ガス抜きが不充分であると、層間剥離による外形や外面が変形し、実装性が著しく低下してしまう。【０００８】
そこで、本発明の目的は、伝送線路の電気的特性の劣化を抑制しつつ、加熱等による層間剥離の問題を解消した樹脂多層基板を提供することにある。また、本発明の目的は、外形や外面の変形を抑制して、回路基板等への実装性を高めた電子部品、およびその実装構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）本発明の樹脂多層基板は、
複数の絶縁樹脂基材層と、これら複数の絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有する樹脂多層基板であって、
前記複数の導体パターンは、前記絶縁樹脂基材層の積層方向から視て重ならない位置に形成された複数の信号線と、前記積層方向から視て前記複数の信号線に重なるグランド導体とを含み、
前記グランド導体に、開口率が不均一に分布するように、複数の開口が形成されており、
前記積層方向から視て、前記複数の信号線のうち二つの信号線で挟まれる内側領域に形成される開口による開口率は、二つの信号線で挟まれずに前記複数の信号線のうち最も外側の領域である外側領域に形成される開口による開口率より高い、
ことを特徴とする。【００１０】
上記構成により、内側領域から発生するガスは、外側へ比較的長い距離を移動するまでに、内側領域の開口から効率良く抜ける。そのため、加熱時に樹脂多層基板全体からガス抜きが効果的になされる。【００１１】
（２）前記グランド導体は、前記信号線を前記積層方向で挟み込む複数のグランド導体で構成され、異なる層に形成された前記グランド導体同士を互いに接続する層間接続導体を有することが好ましい。この構造によれば、伝送線路の側方が層間接続導体で電気的にシールドされるので、側方への不要輻射が抑制され、または外部からノイズを受け難くなる。さらには、信号線を挟む複数のグランド導体の電位が安定化されて、伝送線路の電気的特性が安定化する。【００１２】
（３）前記層間接続導体は前記外側領域に設けられていることが好ましい。このことにより、複数の伝送線路から外部への不要輻射または外部から受けるノイズが効果的に抑制される。【００１３】
（４）前記層間接続導体は前記内側領域に設けられていることが好ましい。このことにより、二つの信号線間が層間接続導体でシールドされる。【００１４】
（５）前記層間接続導体は樹脂成分を有することが好ましい。これにより、層間接続導体の形成が容易となり、また、絶縁樹脂基材層と層間接続導体との高い接合性が得られる。【００１５】
（６）前記層間接続導体は前記開口を介して前記絶縁樹脂基材層に接触していることが好ましい。この構造によれば、層間接続導体の積層方向における端部からもガスが抜けるので、ガスがより効率よく抜ける。【００１６】
（７）前記層間接続導体は、前記積層方向の両側で前記開口を介して前記絶縁樹脂基材層に接触していることが好ましい。この構造によれば、層間接続導体から発生されるガスがより効率よく抜ける。【００１７】
（８）前記層間接続導体は、前記複数の絶縁樹脂基材層に亘って形成されており、且つ前記積層方向にジグザグ状に配置された部分を有することが好ましい。この構造によれば、積層方向の単位厚みあたりの開口量が大きくなるので、絶縁樹脂基材層および層間接続導体から発生されるガスが効率よく抜ける。【００１８】
（９）前記開口による開口率は、前記積層方向に垂直な方向で、前記層間接続導体に離間した領域に比べて前記層間接続導体に近い領域で高いことが好ましい。この構造により、全体の開口総面積が抑制され、層間接続導体から発生されるガスが効率良く抜ける。【００１９】
（１０）前記開口は、前記積層方向から視て、前記信号線と重ならない位置に形成されていることが好ましい。この構造によれば、信号線と、この信号線に近接するグランド導体部分との間に生じる容量変化を効果的に抑制できる。【００２０】
（１１）本発明の電子部品は、
外部の回路に接続される第１接続部および第２接続部と、前記第１接続部と前記第２接続部との間を繋ぐ伝送線路部とを備え、
前記第１接続部、前記第２接続部および前記伝送線路部は樹脂多層基板で構成され、
前記樹脂多層基板は、
複数の絶縁樹脂基材層と、これら複数の絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有する樹脂多層基板であって、
前記複数の導体パターンは、前記絶縁樹脂基材層の積層方向から視て重ならない位置に形成された複数の信号線と、前記積層方向から視て前記複数の信号線に重なるグランド導体とを含み、
前記グランド導体に、開口率が不均一に分布するように、複数の開口が形成されており、
前記積層方向から視て、前記複数の信号線のうち二つの信号線で挟まれる内側領域に形成される開口による開口率は、二つの信号線で挟まれずに前記複数の信号線のうち最も外側の領域である外側領域に形成される開口による開口率より高い、
ことを特徴とする。【００２１】
上記構成により、層間剥離による外形や外面の変形が抑制され、例えば回路基板への表面実装等の実装性が高まる。【００２２】
（１２）本発明の電子部品の実装構造は、
回路基板へ表面実装される電子部品の実装構造であって、
前記電子部品は、
外部の回路に接続される第１接続部および第２接続部と、前記第１接続部と前記第２接続部との間を繋ぐ伝送線路部とを備え、
前記第１接続部、前記第２接続部および前記伝送線路部は樹脂多層基板で構成され、
前記樹脂多層基板は、
複数の絶縁樹脂基材層と、これら複数の絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有する樹脂多層基板であって、
前記複数の導体パターンは、前記絶縁樹脂基材層の積層方向から視て重ならない位置に形成された複数の信号線と、前記積層方向から視て前記複数の信号線に重なるグランド導体とを含み、
前記グランド導体に、開口率が不均一に分布するように、複数の開口が形成されており、
前記積層方向から視て、前記複数の信号線のうち二つの信号線で挟まれる内側領域に形成される開口による開口率は、二つの信号線で挟まれずに前記複数の信号線のうち最も外側の領域である外側領域に形成される開口による開口率より高い、
ことを特徴とする。【００２３】
上記構成により、平坦性の高い電子部品が回路基板へ表面実装された実装構造が得られる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、伝送線路の電気的特性の劣化を抑制しつつ、加熱等による層間剥離の問題を解消した樹脂多層基板が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１（Ａ）は第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１の外観斜視図である。図１（Ｂ）は、樹脂多層基板１０１の実装構造を示す断面図である。
【図２】図２は樹脂多層基板１０１の主要部を構成する複数の絶縁樹脂基材層を積層する前の平面図である。
【図３】図３（Ａ）は、図１（Ａ）、図２におけるＹ１−Ｙ１部分での縦断面図であり、図３（Ｂ）は、図１（Ａ）、図２におけるＹ２−Ｙ２部分での縦断面図である。
【図４】図４は第２の実施形態に係る樹脂多層基板１０２の縦断面図である。
【図５】図５は、グランド導体２１に形成されている開口Ａ４の形状を示す部分平面図である。
【図６】図６は第３の実施形態に係る樹脂多層基板の主要部を構成する複数の絶縁樹脂基材層を積層する前の平面図である。
【図７】図７（Ａ）、図７（Ｂ）は第４の実施形態に係る樹脂多層基板１０４の縦断面図である。
【図８】図８は第５の実施形態に係る樹脂多層基板１０５の主要部を構成する複数の絶縁樹脂基材層を積層する前の平面図である。
【図９】図９（Ａ）は、図８におけるＹ１−Ｙ１部分での縦断面図であり、図９（Ｂ）は、図８におけるＹ２−Ｙ２部分での縦断面図である。
【図１０】図１０は、第６の実施形態に係る電子部品の実装構造を示す斜視図である。
【図１１】図１１は、図１０におけるＸ−Ｘ部分での縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせは可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
【００２７】
《第１の実施形態》
図１（Ａ）は第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１の外観斜視図である。図１（Ｂ）は、樹脂多層基板１０１の実装構造を示す断面図である。図１（Ｂ）に示す例では、この樹脂多層基板１０１は、他の回路基板２０１と或る部品３０１との間を接続するケーブルとして用いられる電子部品である。この樹脂多層基板１０１は本発明に係る「電子部品」の例でもある。樹脂多層基板１０１は、第１接続部ＣＮ１と、第２接続部ＣＮ２と、伝送線路部ＴＬとを備える。第１接続部ＣＮ１は、図１（Ａ）に示す上面に接続用電極が露出していて、第２接続部ＣＮ２は、図１（Ａ）に示す下面に接続用電極が露出している。伝送線路部ＴＬには第１接続部ＣＮ１と第２接続部ＣＮ２との間を繋ぐストリップライン型の高周波伝送線路が形成されている。この伝送線路部ＴＬは、必要に応じて屈曲される。また、第１接続部ＣＮ１、第２接続部ＣＮ２には必要に応じてコネクタが設けられる。
【００２８】
図１（Ｂ）に示す例では、樹脂多層基板１０１はコネクタ５１を介して部品３０１に接続され、コネクタ５２を介して回路基板２０１に形成されている回路に接続される。また、この例では、回路基板２０１に電子部品１６０が実装されている。樹脂多層基板１０１は、電子部品１６０を避けて、この電子部品と不要結合しないように配置されている。
【００２９】
図２は樹脂多層基板１０１の主要部を構成する複数の絶縁樹脂基材層を積層する前の平面図である。図２には上記Ｙ１−Ｙ１部分およびＹ２−Ｙ２部分に相当する位置を一点鎖線で表している。また、信号線１１，１２が対向する位置を二点鎖線で表している。
【００３０】
図３（Ａ）は、図１（Ａ）、図２におけるＹ１−Ｙ１部分での縦断面図であり、図３（Ｂ）は、図１（Ａ）、図２におけるＹ２−Ｙ２部分での縦断面図である。なお、図２では、説明の都合上、個片状態を図示するが、通常の製造工程では集合基板状態で行われる。
【００３１】
樹脂多層基板１０１は、三つの絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３と、絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３による積層体の両面を覆うレジスト膜ＲＦと、絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に形成された複数の導体パターンと、を有する。これら導体パターンは、信号線１１，１２と、絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の積層方向（Ｚ軸に平行な方向）から視て信号線１１，１２に重なるグランド導体２１，２２とを含む。これら信号線１１，１２、グランド導体２１，２２、および信号線１１，１２とグランド導体２１，２２との間の絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３によって二つのストリップライン型の伝送線路、または一つのストリップライン型差動伝送線路、が構成されている。
【００３２】
上記絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）やポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を主材料とする熱可塑性樹脂基材である。
【００３３】
絶縁樹脂基材層Ｌ１にはグランド導体２１と層間接続用導体パターン２０とを接続する層間接続導体Ｖ１が形成されている。また、絶縁樹脂基材層Ｌ２には層間接続用導体パターン２０と導通する層間接続導体Ｖ２が形成されていて、絶縁樹脂基材層Ｌ３にはグランド導体２２と層間接続導体Ｖ２とを接続する層間接続導体Ｖ３が形成されている。これら層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３は、例えば絶縁樹脂基材層に設けた、層間接続導体形成用開口に、Ｃｕ，Ｓｎのうち１以上の金属もしくはそれらの合金の金属粉と樹脂成分を含む導電性ペーストを配設した後、積層プロセスにおける加熱プレス処理により固化させることによって設けられたビア導体である。
【００３４】
上記グランド導体２１，２２、層間接続用導体パターン２０、信号線１１，１２等は、上記絶縁樹脂基材層に貼り付けられたCu箔がフォトリソグラフィによってパターンニングされたものである。
【００３５】
上記構造により、伝送線路の側方が層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３で電気的にシールドされるので、側方への不要輻射が抑制され、または外部からノイズを受け難くなる。さらには、信号線を挟む複数のグランド導体の電位が安定化されて、伝送線路の電気的特性が安定化する。
【００３６】
グランド導体２１，２２には複数の開口Ａ１，Ａ２が形成されている。これら開口Ａ１，Ａ２は、積層方向（Ｚ軸に平行な方向）から視て（平面視して）、二つの信号線１１，１２で挟まれる内側領域ＺＩの開口率は、二つの信号線１１，１２の外側の領域である外側領域ＺＯの開口率より高い。
【００３７】
図２に示す例では、平面視して、信号線１１，１２の外側領域ＺＯに小径の開口Ａ１が形成されていて、信号線１１，１２で挟まれる内側領域ＺＩに大径の開口Ａ２が形成されている。
【００３８】
つまり、グランド導体２１，２２には、平面視で信号線１１、１２の外側領域ＺＯに比べて内側領域ＺＩで開口率が高くなるように複数の開口Ａ１，Ａ２が分布している。
【００３９】
上記構成により、内側領域ＺＩから発生するガスは、外側へ比較的長い距離を移動するまでに、内側領域ＺＩに存在する開口Ａ２から速やかに抜ける。そのため、加熱時に樹脂多層基板全体からガス抜きが効果的になされる。このことにより、樹脂多層基板の製造段階、使用段階における加熱時に層間剥離が発生し難くなり、層間剥離による伝送線路の特性インピーダンスの変化等の電気的特性の劣化が防止される。さらに、層間剥離による、樹脂多層基板の表面の凹凸や湾曲が無くなる、または軽減されるので、この樹脂多層基板の実装性が高まる。特に、屈曲部があると、その屈曲部に掛かる応力によって層間剥離が生じやすいので、このような屈曲部を有する樹脂多層基板にも有効である。
【００４０】
図２において、開口Ａ１はＸ軸に平行な方向に実質的に一定ピッチで配列されている。開口Ａ２についても、Ｘ軸に平行な方向に実質的に一定ピッチで配列されていて、Ｙ軸に平行な方向に等間隔の関係で配置されている。
【００４１】
このように、開口Ａ１，Ａ２は、周期性をもって規則的に配列されていることが好ましい。このことにより、開口の分布に偏りが少なくなって、ガス抜き効果が面方向で均一となりやすく、すなわち局部的にガスが残留しないので、層間剥離の抑制効果が高まる。なお、開口Ａ１のＸ軸方向の配列ピッチと開口Ａ２のＸ軸方向の配列ピッチは異なっていてもよい。また、開口Ａ１と開口Ａ２はＹ軸に平行な方向に揃って並んでいなくてもよい。また、開口はＸ軸に平行な方向、またはＹ軸に平行な方向に、一直線上に配列されていなくてもよく、千鳥配置であってもよい。
【００４２】
上記開口Ａ１，Ａ２は、平面視で、信号線１１，１２と重ならない位置に形成されている。そのため、信号線１１，１２と、この信号線１１，１２に近接するグランド導体２１，２２部分との間に生じる容量変化を効果的に抑制でき、伝送線路の特性インピーダンスの連続性を保てる。しかも、開口は平面視で信号線と重なっていないので、開口を設けることに起因して、伝送線路から外部への不要輻射が増大すること、または外部からノイズを受けやすくなる、といった問題が回避できる。また、信号線とグランド導体との間に生じる容量の連続性が低下することなく、伝送線路の特性インピーダンスの均一性が保たれる。なお、この例では、開口Ａ１，Ａ２の全てが、積層方向から視て、信号線１１，１２と重ならない位置にのみ形成されているが、開口Ａ１，Ａ２の一部が信号線１１，１２に重なってもよい。重なり量が少なければ、上記容量変化が問題とならないからである。
【００４３】
グランド導体２１，２２は、信号線１１，１２を積層方向で挟み込む。層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３は、グランド導体２１，２２同士を互いに接続する。この構造によれば、信号線１１，１２の側方が層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３で電気的にシールドされるので、側方への不要輻射が抑制され、または外部からノイズを受け難くなる。さらには、信号線１１，１２の間にも層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３が形成されているので、信号線１１，１２間が層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３でアイソレーションされる。また、グランド導体２１，２２の電位が安定化されて、伝送線路の電気的特性が安定化する。
【００４４】
上記開口Ａ１の直径は３０μｍ〜７０μｍ、開口Ａ２の直径は５０μｍ〜９０μｍである。信号線１１，１２の線幅は１００μｍ〜１４０μｍである。すなわち、開口Ａ１，Ａ２の直径は信号線１１，１２の線幅より小さい。この構造により、開口Ａ１，Ａ２が伝送線路の電気的特性に与える影響は小さい。
【００４５】
また、上記層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３の直径は８０μｍ〜１００μｍである。開口Ａ１，Ａ２の直径は層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３の直径より小さい。開口の直径はある程度以上であればガス抜き効果があるのに対し、層間接続導体はその幅の増大に伴って電気的特性（電気抵抗値の低下）が向上する。そのため、上記構造により、ガス抜き効果を維持しつつ層間接続導体の電気的特性を高めることができる。
【００４６】
上記層間接続導体は、上述のとおり、加熱前は樹脂成分を有する導電性ペーストであるので、複数の絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の積層加熱プレス時の工程で同時に形成される。つまり、層間接続導体の形成は容易である。また、導電性ペーストに樹脂成分を有するので、絶縁樹脂基材層と層間接続導体との高い接合性が得られる。上記導電性ペーストの樹脂成分は絶縁樹脂基材層の樹脂成分と同種であることが好ましい。
【００４７】
なお、レジスト膜ＲＦは、絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の積層、加熱プレスによって積層体を形成した後、印刷形成する、このレジスト膜ＲＦに代えて、カバーレイフィルムを絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３とともに積層し、加熱プレスしてもよい。レジスト膜ＲＦは例えばエポキシ樹脂である。エポキシ樹脂は、絶縁樹脂基材層の材料である上記ＬＣＰやＰＥＥＫに比べてガス透過性が高い。そのため、レジスト膜ＲＦを設けてもガス透過性は殆ど損なわれない。
【００４８】
図２、図３（Ａ）、図３（Ｂ）に示した例では、信号線１１，１２の内側領域ＺＩに層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を形成したので、信号線１１，１２間が層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３でアイソレーションされる点では好ましいが、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３から発生するガスを外部へ放出させる点では、信号線１１，１２の内側領域ＺＩに層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３が無い方が好ましい。
【００４９】
《第２の実施形態》
第２の実施形態では、層間接続導体がグランド導体に形成された開口を介して絶縁樹脂基材層に接触している例を示す。
【００５０】
図４は第２の実施形態に係る樹脂多層基板１０２の縦断面図である。樹脂多層基板１０２は、絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５と、絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５による積層体の両面を覆うレジスト膜ＲＦと、絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５に形成された複数の導体パターンと、を有する。これら導体パターンは、信号線１１と、絶縁樹脂基材層の積層方向（Ｚ軸に平行な方向）から視て信号線１１に重なるグランド導体２１，２２とを含む。この信号線１１、グランド導体２１，２２、および信号線１１とグランド導体２１，２２との間の絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５によって、ストリップライン型の伝送線路が構成されている。
【００５１】
絶縁樹脂基材層Ｌ１にはグランド導体２１と層間接続用導体パターン２１１とを接続する層間接続導体Ｖ１１が形成されている。絶縁樹脂基材層Ｌ２には層間接続用導体パターン２１１と層間接続用導体パターン２１２とを接続する層間接続導体Ｖ１２が形成されている。絶縁樹脂基材層Ｌ３には層間接続用導体パターン２１２と層間接続用導体パターン２０とを接続する層間接続導体Ｖ１３が形成されている。また、絶縁樹脂基材層Ｌ４には層間接続用導体パターン２０と導通する層間接続導体Ｖ２が形成されていて、絶縁樹脂基材層Ｌ５にはグランド導体２２と層間接続導体Ｖ２とを接続する層間接続導体Ｖ３が形成されている。
【００５２】
第１、第２の実施形態で示した樹脂多層基板とは異なり、グランド導体２１，２２、層間接続用導体パターン２１１，２１２，２０に、層間接続導体を絶縁樹脂基材層に接触させる開口Ａ４がそれぞれ形成されている。
【００５３】
図５は、グランド導体２１に形成されている開口Ａ４の形状を示す部分平面図である。開口Ａ４は複数の円弧状の開口の集合であり、全体としてはリング状を成す。層間接続導体Ｖ１１の上端は、このリング状の開口Ａ４から露出する。そのことにより、開口Ａ４から露出する層間接続導体はレジスト膜ＲＦに接触する。層間接続導体Ｖ１１の下端は開口Ａ４から露出して絶縁樹脂基材層Ｌ２に接触する。同様に、層間接続導体Ｖ１２の上端は開口Ａ４から露出して絶縁樹脂基材層Ｌ１に接触し、層間接続導体Ｖ１２の下端は開口Ａ４から露出して絶縁樹脂基材層Ｌ３に接触する。また、層間接続導体Ｖ１３の上端は開口Ａ４から露出して絶縁樹脂基材層Ｌ２に接触し、層間接続導体Ｖ１３の下端は開口Ａ４から露出して絶縁樹脂基材層Ｌ４に接触する。また、層間接続導体Ｖ２の上端は開口Ａ４から露出して絶縁樹脂基材層Ｌ３に接触する。さらに、層間接続導体Ｖ３の下端は開口Ａ４から露出してレジスト膜ＲＦに接触する。
【００５４】
このような構造によれば、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３，Ｖ２，Ｖ３の積層方向における端部からもガスが抜けるので、ガスがより効率よく抜ける。
【００５５】
なお、図４に示したように、全ての層間接続導体について、層間接続導体と電極パターンとの接する位置に開口Ａ４を設けることが好ましいが、部分的に開口Ａ４を設けてもガス抜き効果は高まる。
【００５６】
上記層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３は、絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に亘って形成されており、且つ積層方向にジグザグ状に配置されている。このような構造により、積層方向の単位厚みあたりの開口量（合計開口面積）が大きくなるので、絶縁樹脂基材層および層間接続導体から発生されるガスが効率よく抜ける。
【００５７】
《第３の実施形態》
第３の実施形態では、第１、第２の第の実施形態とは開口の分布が異なる樹脂多層基板の例を示す。
【００５８】
図６は樹脂多層基板の主要部を構成する複数の絶縁樹脂基材層を積層する前の平面図である。
【００５９】
グランド導体２１，２２には複数の開口Ａ１，Ａ２，Ａ３が形成されている。これら開口Ａ１，Ａ２，Ａ３は、平面視して、信号線１１，１２の外側領域ＺＯに小径の開口Ａ１が形成されていて、信号線１１，１２で挟まれる内側領域ＺＩに大径の開口Ａ２および小径の開口Ａ３が形成されている。つまり、グランド導体２１，２２には、平面視で信号線１１、１２の外側領域ＺＯに比べて内側領域ＺＩで開口率が高くなるように複数の開口Ａ１，Ａ２が分布している。
【００６０】
また、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３と信号線１１との間、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３と信号線１２との間に、それぞれ開口Ａ３が形成されている。この例では、平面視で層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３の四方を囲むように、開口Ａ２，Ａ３が形成されている。
【００６１】
本実施形態によれば、積層方向に垂直な方向で、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３に離間した領域に比べて層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３に近い領域で開口率が高い。この構造により、全体の開口総面積を抑制しつつ、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３から発生されるガスを開口Ａ２，Ａ３から効率良く抜くことができる。
【００６２】
《第４の実施形態》
第４の実施形態では、信号線の高さ位置が互いに異なる位置に信号線が形成された樹脂多層基板１０４について示す。
【００６３】
図７（Ａ）、図７（Ｂ）は第４の実施形態に係る樹脂多層基板１０４の縦断面図である。図７（Ａ）は、各層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を通る面での縦断面図である。図７（Ｂ）は、小径開口Ａ１と大径開口Ａ２を通る面での縦断面図である。
【００６４】
樹脂多層基板１０４は、絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３と、これら絶縁樹脂基材層による積層体の両面を覆うレジスト膜ＲＦと、絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有する。これら導体パターンは、信号線１１，１２と、絶縁樹脂基材層の積層方向（Ｚ軸に平行な方向）から視て信号線１１，１２に重なるグランド導体２１，２２とを含む。この信号線１１，１２、グランド導体２１，２２、および信号線１１，１２とグランド導体２１，２２との間の絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３によって、それぞれストリップライン型の二つの伝送線路が構成されている。
【００６５】
グランド導体２１，２２に開口Ａ１，Ａ２が形成されていることと、その分布については、第１の実施形態で示したものと同様である。
【００６６】
本実施形態で示すように、信号線は積層方向で異なる高さ位置にあってもよい。
【００６７】
《第５の実施形態》
第５の実施形態では、めっき膜による層間接続導体を有する樹脂多層基板１０５について示す。
【００６８】
図８は樹脂多層基板１０５の主要部を構成する複数の絶縁樹脂基材層を積層する前の平面図である。信号線１１，１２が対向する位置を二点鎖線で表している。
【００６９】
図９（Ａ）は、図８におけるＹ１−Ｙ１部分での縦断面図であり、図９（Ｂ）は、図８におけるＹ２−Ｙ２部分での縦断面図である。
【００７０】
樹脂多層基板１０５は、三つの絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３と、絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３による積層体の両面を覆うレジスト膜ＲＦと、絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に形成された複数の導体パターンと、を有する。これら導体パターンは、信号線１１，１２と、絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の積層方向（Ｚ軸に平行な方向）から視て信号線１１，１２に重なるグランド導体２１，２２とを含む。これら信号線１１，１２、グランド導体２１，２２、および信号線１１，１２とグランド導体２１，２２との間の絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３によってストリップライン型の伝送線路が構成されている。
【００７１】
絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の積層体の側面にめっき膜ＭＰ１，ＭＰ２が形成されている。めっき膜ＭＰ１，ＭＰ２はグランド導体２１，２２同士を互いに接続する。このめっき膜ＭＰ１，ＭＰ２は例えばＣｕの無電解めっき法により形成されたものである。その他の構成は、第１の実施形態で示したとおりである。
【００７２】
本実施形態によれば、めっき膜ＭＰ１，ＭＰ２によって伝送線路にシールド性をもたせることができる。また、このように積層体の側面をめっき膜ＭＰ１，ＭＰ２で覆うと、ガスが閉じ込められやすいが、グランド導体２１，２２には開口Ａ１，Ａ２が形成されているので、ガスが積層体の外部へ放出されやすい。
【００７３】
なお、上記めっき膜による層間接続導体は、絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３による積層体の側面に形成されたものに限らない。積層体を貫通して複数のグランド導体同士を互いに接続するスルーホールめっきやフィルドビアめっきにより層間接続導体を形成してもよい。スルーホールめっきやフィルドビアめっきによる層間接続導体を用いれば、樹脂成分を含む層間接続導体を用いる場合に比べて、ガスの発生が少なくなる。しかし、スルーホールめっきやフィルドビアめっきによる層間接続導体はガスの透過性が低いので、平面視で層間接続導体の近傍に開口を設けることが好ましい。
【００７４】
《第６の実施形態》
第６の実施形態では、電子部品の実装構造について示す。
【００７５】
図１０は、第６の実施形態に係る電子部品の実装構造を示す斜視図である。図１１は、図１０におけるＸ−Ｘ部分での縦断面図である。本実施形態の樹脂多層基板１０６は、回路基板２０１に表面実装された電子部品としての樹脂多層基板であり、この電子部品はフラットケーブルとして作用する。
【００７６】
図１０、図１１に示すように、本実施形態の電子部品の実装構造は、回路基板２０１、この回路基板２０１に実装される樹脂多層基板１０６および電子部品１１１〜１１７を備える。樹脂多層基板１０６は、複数の絶縁性基材の積層体と、この積層体に形成された、伝送線路部ＴＬと、この伝送線路部ＴＬの第１部位に繋がる第１接続部ＣＮ１と、伝送線路部ＴＬの第２部位に繋がる第２接続部ＣＮ２と、を有する。
【００７７】
樹脂多層基板１０６は、図１０、図１１におけるＸ軸方向を長手方向とし、第１接続部ＣＮ１と第２接続部ＣＮ２とが長手方向の両端に形成されている。
【００７８】
図１１に表れているように、回路基板２０１には、樹脂多層基板１０６の第１接続部ＣＮ１および第２接続部ＣＮ２がそれぞれ接続される回路基板側接続部ＣＮ１１，ＣＮ１２が形成されている。また、回路基板２０１にはレジスト膜９が形成されている。
【００７９】
図１０に表れているように、回路基板２０１上に樹脂多層基板１０６を実装した状態で、樹脂多層基板１０６の伝送線路部ＴＬと回路基板２０１との間に電子部品１１１，１１２，１１３が配置されている。
【００８０】
樹脂多層基板１０６の第１接続部ＣＮ１は、回路基板２０１の回路基板側第１接続部ＣＮ１１に形成されているパッド電極に、はんだＳＯを介して接続される。同様に、樹脂多層基板１０６の第２接続部ＣＮ２は、回路基板２０１の回路基板側第２接続部ＣＮ１２に形成されているパッド電極に、はんだＳＯを介して接続される。これらはんだＳＯは実装前にはプリコートされたはんだ、または、はんだボールである。
【００８１】
樹脂多層基板１０６の絶縁樹脂基材層は回路基板２０１の絶縁体部に比べて誘電率が低く、誘電損失も小さい。例えば、回路基板２０１の絶縁体部の比誘電率は約４であるのに対し、樹脂多層基板１０６の絶縁樹脂基材層の比誘電率は約３である。
【００８２】
樹脂多層基板１０６は、他の電子部品１１１〜１１７と同様に、真空吸着ヘッドで吸引され、回路基板へマウントされ、その後のリフローはんだ工程で、回路基板２０１に表面実装される。
【００８３】
図１１に示した断面は、信号線を通る面であるので、グランド導体に形成された開口が表れていないが、各絶縁樹脂基材層に形成された導体パターンは図２等に示したものと同様である。従って、本実施形態の樹脂多層基板１０６は、層間剥離による外形や外面の変形（膨張や泡状突起）が少なく、平坦性が確保されているので、このような長尺状の樹脂多層基板（電極部品）であっても表面実装が可能となる。
【００８４】
《他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、二つの信号線を有する樹脂多層基板について示したが、三つ以上の信号線を有する樹脂多層基板についても同様に適用できる。その場合、開口は、絶縁樹脂基材層の積層方向から視て、複数の信号線のうち二つの信号線で挟まれる内側領域に形成される開口による開口率が、二つの信号線で挟まれずに複数の信号線のうち最も外側の領域である外側領域に形成される開口による開口率より高くなるように、開口を形成すればよい。
【００８５】
以上に示した各実施形態では、グランド導体に円形に開口を形成した例を示したが、開口は円形に限らない。矩形、角丸の矩形、長円形、楕円形などであってもよい。また、層間接続導体の横断面形状についても同様である。
【００８６】
以上に示した各実施形態では、開口率を定めるために、直径が異なる複数種の開口を分布させる例を示したが、開口の分布密度によって開口率を定めてもよい。例えば、内側領域ＺＩに形成する開口の直径と、外側領域ＺＯに形成する開口の直径とが同一であっても、内側領域ＺＩに形成する開口の配列ピッチを細かくすることで、内側領域ＺＩの開口率を高めてもよい。
【００８７】
図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示した例では、二つの部材間を接続するケーブルとして用いる電子部品を構成したが、全体が回路基板に実装される電子部品や、単体で所定の回路を構成する樹脂多層基板であっても同様に構成できる。
【００８８】
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。
【符号の説明】
【００８９】
Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４…開口
Ａ１…小径開口
Ａ２…大径開口
ＣＮ１…第１接続部
ＣＮ２…第２接続部
ＣＮ１１，ＣＮ１２…回路基板側接続部
Ｌ１〜Ｌ５…絶縁樹脂基材層
ＭＰ１，ＭＰ２…めっき膜
ＲＦ…レジスト膜
ＴＬ…伝送線路部
Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３…層間接続導体
Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３…層間接続導体
ＺＩ…内側領域
ＺＯ…外側領域
１１，１２…信号線
２０…層間接続用導体パターン
２１，２２…グランド導体
５１，５２…コネクタ
１０１，１０２，１０４，１０５，１０６…樹脂多層基板
１１１，１１２，１１３…電子部品
１６０…電子部品
２０１…回路基板
２１１，２１２…層間接続用導体パターン
３０１…部品
【図１】
2019098012.tif 000003
【図２】
2019098012.tif 000004
【図３】
2019098012.tif 000005
【図４】
2019098012.tif 000006
【図５】
2019098012.tif 000007
【図６】
2019098012.tif 000008
【図７】
2019098012.tif 000009
【図８】
2019098012.tif 000010
【図９】
2019098012.tif 000011
【図１０】
2019098012.tif 000012
【図１１】
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【国際調査報告】
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