(57)【要約】  基板を処理する処理室と、基板に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、基板を加熱する加熱部と、基板を搬送する搬送ロボット部と、処理ガス供給部、加熱部および搬送ロボット部の各部の少なくともいずれかに接続された第１電源部と、各部の少なくともいずれかと第１電源部との間に設けられた第１制御部と、第１制御部を駆動させる二つ以上の電源を有する第２電源部と、第１制御部と第２電源部との間に設けられ、第２電源部における二つ以上の電源のそれぞれからの電力比率を所定値となるようにして第１制御部への電力供給をさせる第２制御部と、を有する技術が提供される。
2019053869.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記基板に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記基板を加熱する加熱部と、
前記基板を搬送する搬送ロボット部と、
前記処理ガス供給部、前記加熱部および前記搬送ロボット部の各部の少なくともいずれかに接続された第１電源部と、
前記各部の少なくともいずれかと前記第１電源部との間に設けられた第１制御部と、
前記第１制御部を駆動させる二つ以上の電源を有する第２電源部と、
前記第１制御部と前記第２電源部との間に設けられ、前記第２電源部における前記二つ以上の電源のそれぞれからの電力比率を所定値となるようにして前記第１制御部への電力供給をさせる第２制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記処理ガス供給部、前記加熱部、前記搬送ロボット部、前記第１制御部および前記第２制御部のそれぞれに接続される第３制御部と、
前記第３制御部の制御に従って表示出力を行う表示部と、を有し、
前記第２制御部は、前記二つ以上の電源の電力比率が第１所定範囲から外れたことを検出すると、前記第３制御部に第１検出データを送信し、
前記第３制御部は、前記第１検出データを受信すると、処理中の基板処理に関するアラーム画面を前記表示部に表示させる
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第２制御部は、前記二つ以上の電源の電力比率が第２所定範囲から外れたことを検出すると、前記第３制御部に第２検出データを送信するとともに、前記二つ以上の電源のうちの少なくとも一つをオフ状態とし、前記二つ以上の電源のうちの他の少なくとも一つをオン状態として、前記第１制御部への電力供給をさせ、
前記第３制御部は、前記第２検出データを受信すると、処理中の基板処理に関するアラーム画面を前記表示部に表示させる
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第２制御部は、前記二つ以上の電源の電力比率が第２所定範囲から外れたことを検出すると、前記第３制御部に第２検出データを送信するとともに、前記二つ以上の電源のうちの少なくとも一つをオフ状態とし、前記二つ以上の電源のうちの他の少なくとも一つをオン状態として、前記第１制御部への電力供給をさせ、
前記第３制御部は、前記第２検出データを受信すると、電源に関するメンテナンス情報画面を前記表示部に表示させる
請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第３制御部は、前記表示部にメンテナンス情報画面を表示させるとともに、前記第３制御部と接続する上位装置にメンテナンスデータを送信する
請求項４に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程で用いられる基板処理装置は、基板を搬送する搬送ロボット部が処理室内に基板を搬送し、処理ガス供給部が処理ガスを供給するとともに、加熱部が所定温度に加熱することで、その処理室内の基板に対して成膜処理等の所定処理を行うように構成されたものが一般的である（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１６／０１７６８５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、基板処理装置の動作制御に必要な電源の寿命を長くすることができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一態様によれば、
基板を処理する処理室と、
前記基板に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記基板を加熱する加熱部と、
前記基板を搬送する搬送ロボット部と、
前記処理ガス供給部、前記加熱部および前記搬送ロボット部の各部の少なくともいずれかに接続された第１電源部と、
前記各部の少なくともいずれかと前記第１電源部との間に設けられた第１制御部と、
前記第１制御部を駆動させる二つ以上の電源を有する第２電源部と、
前記第１制御部と前記第２電源部との間に設けられ、前記第２電源部における前記二つ以上の電源のそれぞれからの電力比率を所定値となるようにして前記第１制御部への電力供給をさせる第２制御部と、
を有する技術が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本開示に係る技術によれば、二つ以上の電源からの電力比率を所定値とすることで、一つの電源のみを使用した場合と比べて、電源の寿命を長くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成の一例を模式的に示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成の一例を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成の他の例を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る基板処理装置が有する処理ガス供給部の構成例を模式的に示すブロック図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る基板処理装置が有する安全インターロック部の構成例を模式的に示すブロック図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る基板処理装置が有するコントローラの構成例を模式的に示すブロック図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る基板処理工程における監視制御処理の第１のシーケンス例を示すフロー図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る基板処理装置が表示出力するアラーム画面の一具体例を示す説明図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る基板処理工程における監視制御処理の第２のシーケンス例を示すフロー図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る基板処理工程における監視制御処理の第２のシーケンス例での電力比率制御の一具体例を示す説明図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置が表示出力するメンテナンス情報画面の一具体例を示す説明図である。
【図１２】本発明に係る基板処理装置が行う電力供給制御の変形例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
＜本発明の一実施形態＞
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【０００９】
（１）基板処理装置の概略構成の一例
先ず、図１および図２を参照しつつ、本実施形態に係る基板処理装置の概略構成の一例について説明する。ここでは、基板処理装置の一例として、縦型炉を具備する縦型基板処理装置を適用した場合について述べる。
【００１０】
ここで例に挙げる基板処理装置１は、半導体装置（半導体デバイス）の製造工程の一工程で用いられるもので、シリコンウエハ等の基板（以下、単に「ウエハ」という。）２に対して、ＣＶＤ処理等の所定処理を行うものである。
【００１１】
基板処理装置１の筐体４の前面には、ＦＯＵＰと呼ばれる基板収納容器（以下「カセット」という。）３が載置されるＩ／Ｏステージ（基板収納容器授受部）５が設けられており、そのＩ／Ｏステージを介して筐体４内へのカセット３の搬入および筐体４内からのカセット３の搬出が行われるようになっている。また、筐体４内には、搬入されたカセット３を保管するカセット棚（保管手段）６が設けられているとともに、ウエハ２の搬送エリアであり後述のボート（基板保持具）７のローディング、アンローディング空間となる気密室８が設けられている。なお、気密室８の内部は、ウエハ２の自然酸化膜を防止すべく、Ｎ２ガス等の不活性ガスが充填されるようになっている。
【００１２】
気密室８の前面側には、カセット載置ステージ（基板収納容器載置手段）９，１１が複数組（図示では２組）設けられており、気密室８のカセット載置ステージ９，１１との対峙部分には、それぞれカセットオープナ１２，１３（開閉手段）が設けられている。カセットオープナ１２，１３は、カセット３の一側面に設けられた開口部を塞ぐ蓋体（図示せず）を開閉するもので、カセット載置ステージ９，１１に載置された各カセット３について個別に開閉可能となっている。
【００１３】
カセット載置ステージ９，１１、カセット棚６およびＩ／Ｏステージ５の間のカセット３の搬送は、カセット搬送機１４によって行われる。カセット搬送機１４によるカセット３の搬送空間１５には、筐体４に設けられたクリーンユニット（図示せず）によって清浄化した空気が送られるようになっている。
また、気密室８の内部には、複数のウエハ２を水平多段に積載する基板保持具としてのボート７が設けられているとともに、ウエハ２のノッチ（またはオリエンテーションフラット）の位置を任意の位置に合わせる基板位置合せ装置１６が設けられており、さらにはカセット載置ステージ９，１１上のカセット３、基板位置合せ装置１６およびボート７の間でウエハ２の搬送を行うウエハ移載機（基板搬送部）１７が１組設けられている。
また、気密室８の上部には、ウエハ２を処理するための処理炉１８が設けられており、その処理炉１８の下端開口部である炉口が炉口ゲートバルブ１９によって開閉される。そして、処理炉１８の下方には、炉口ゲートバルブ１９の開状態でボート７を処理炉１８へローディングまたは処理炉１８からアンローディングするボートエレベータ（昇降部）２１が設けられている。
これらカセット搬送機１４、ウエハ移載機１７およびボートエレベータ２１は、基板処理装置１の筐体４内でウエハ２を搬送する「搬送ロボット部」として機能するものである。
【００１４】
処理炉１８は、例えば石英（ＳｉＯ２）等の耐熱性材料からなるアウタチューブを有している。アウタチューブは有天筒状であり、そのアウタチューブ内には上端および下端が開放されたインナチューブが同心に配置されている。そして、処理炉１８のインナチューブ内には、ボートエレベータ２１によって、複数のウエハ２を水平多段に積載したボート７が搬入（ボートロード）される。このとき、シールキャップがＯリングを介してアウタチューブの下端を気密に閉塞（シール）した状態となる。また、処理炉１８内に搬入されたボート７は、回転機構２０によって回転されるようになっている。その状態で、ボート７に保持されたウエハ２に対して、後述するように、ＣＶＤ処理等の所定処理が行われる。
つまり、処理炉１８は、ウエハ２を処理する「処理室」として機能するものである。
【００１５】
処理炉１８におけるアウタチューブの外周には、加熱手段としてのヒータ３３が同心に配置されている。ヒータ３３は、処理炉１８内のウエハ２を所定の温度に加熱するためのものである。この際、処理炉１８が所定の温度分布となるように、温度センサ（図示せず）が検出した温度情報に基づきヒータ３３への通電具合がフィードバック制御される。
つまり、ヒータ３３は、ウエハ２を加熱する「加熱部」として機能するものである。
【００１６】
なお、処理炉１８には、処理炉１８内へのガス供給を行う処理ガス供給部と、処理炉１８内からの排気を行う排気系とが接続されているが（いずれも図示せず）、これらについては詳細を後述する。
【００１７】
（２）基板処理装置の概略構成の他の例
続いて、図３を参照しつつ、本実施形態に係る基板処理装置の概略構成の他の例について説明する。ここでは、基板処理装置の他の例として、枚葉型の基板処理装置を適用した場合について述べる。
【００１８】
ここで例に挙げる基板処理装置１００についても、上述したものと同様に、半導体装置（半導体デバイス）の製造工程の一工程において、ウエハ２００に対して所定処理を行うものである。
【００１９】
基板処理装置１００は、処理容器２０２を備えている。処理容器２０２は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）等の金属材料または石英により、横断面が円形であり扁平な密閉容器として構成されている。また、処理容器２０２は、上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂとを備えており、これらの間に仕切部２０４が設けられている。
仕切部２０４よりも上方の上部容器２０２ａに囲まれた空間は、ウエハ２００を処理する処理空間（以下「処理室」ともいう。）２０１として機能する。つまり、基板処理装置１００は、ウエハ２を処理する処理室２０１としての機能を有している。
一方、仕切部２０４よりも下方の空間の下部容器２０２ｂに囲まれた空間は、ウエハ２００を移載するための搬送空間（移載室ともいう）２０３として機能する。移載室２０３として機能するために、下部容器２０２ｂの側面には、ゲートバルブ１４９０に隣接した基板搬入出口１４８０が設けられており、その基板搬入出口１４８０を介してウエハ２００が図示しない搬送室との間を移動するようになっている。下部容器２０２ｂの底部には、リフトピン２０７が複数設けられている。さらに、下部容器２０２ｂは、接地されている。
【００２０】
処理室２０１内には、ウエハ２００を支持する基板支持部（サセプタ）２１０が設けられている。サセプタ２１０は、ウエハ２００を載置する載置面２１１を有した基板載置台２１２を備える。
基板載置台２１２は、載置面２１１上のウエハ２００の温度を調整する温度調整部２１３を内蔵している。温度調整部２１３は、載置面２１１上のウエハ２００に対する加熱または冷却を行うことによって、そのウエハ２００を所定温度に維持するように構成されている。つまり、温度調整部２１３は、少なくとも、ウエハ２００を加熱する「加熱部」として機能するものである。なお、温度調整部２１３には、調整する温度を制御する温度制御部４００が接続されている。
また、基板載置台２１２は、温度調整部２１３に加えて、処理室２０１内にバイアス電圧を印加するためのバイアス電極２５６を内蔵している。そして、バイアス電極２５６には、印加するバイアス電圧を調整するためのインピーダンス調整部２５７が接続されている。
さらに、基板載置台２１２には、リフトピン２０７が貫通する貫通孔２１４が、リフトピン２０７と対応する位置にそれぞれ設けられている。
【００２１】
基板載置台２１２は、シャフト２１７によって支持される。シャフト２１７は、処理容器２０２の底部を貫通しており、さらには処理容器２０２の外部で昇降機構２１８に接続されている。そして、昇降機構２１８を作動させることで、基板載置台２１２を昇降させることが可能に構成されている。つまり、昇降機構２１８は、基板載置台２１２上のウエハ２００を搬送する「搬送ロボット部」として機能するものである。シャフト２１７下端部の周囲はベローズ２１９により覆われており、処理室２０１内は気密に保持されている。
【００２２】
基板載置台２１２は、ウエハ２００の搬送時には、基板載置面２１１が基板搬入出口１４８０の位置（ウエハ搬送位置）となるように下降し、ウエハ２００の処理時には、ウエハ２００が処理室２０１内の処理位置（ウエハ処理位置）まで上昇する。具体的には、基板載置台２１２をウエハ搬送位置まで下降させた時には、リフトピン２０７の上端部が基板載置面２１１の上面から突出して、リフトピン２０７がウエハ２００を下方から支持するようになっている。また、基板載置台２１２をウエハ処理位置まで上昇させたときには、リフトピン２０７は基板載置面２１１の上面から埋没して、基板載置面２１１がウエハ２００を下方から支持するようになっている。なお、リフトピン２０７は、ウエハ２００と直接触れるため、例えば、石英やアルミナ等の材質で形成することが望ましい。
【００２３】
処理室２０１の上部には、処理室２０１内に各種ガスを供給するためのガス導入口２４１が設けられており、そのガス導入口２４１に共通ガス供給管２４２が接続されている。共通ガス供給管２４２を介してガス導入口２４１に接続される処理ガス供給部の構成については、詳細を後述する。
【００２４】
また、処理室２０１の上部には、ガス導入口２４１から供給されるガスの経路２３２を分散させて処理室２０１内に均等に拡散させるために、分散板２３４を有したシャワーヘッド２３１が配されている。分散板２３４の支持部材２４４には、少なくとも整合器２５１と高周波電源２５２が接続され、電磁波（高周波電力やマイクロ波）が供給可能に構成される。これにより、分散板２３４を通じて、処理室２０１内に供給されるガスを励起してプラズマ化し得るようになっている。
【００２５】
処理室２０１（上部容器２０２ａ）の内壁上面には、処理室２０１の雰囲気を排気する第１排気部としての排気口２２１が設けられている。排気口２２１には、第１排気管としての排気管２２４ａが接続されており、排気管２２４ａには、処理室２０１内を所定の圧力に制御するＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）等の圧力調整器２２７、真空ポンプ２２３が順に直列に接続されている。主に、排気口２２１、排気管２２４、圧力調整器２２７により、排気系の一つである第１排気部（排気ライン）が構成される。なお、真空ポンプ２２３を第１排気部に含めるように構成してもよい。
【００２６】
移載室２０３の側面下部には、移載室２０３の雰囲気を排気する第２排気部としての移載室排気口１４８１が設けられている。移載室排気口１４８１には、第２排気管としての排気管１４８２が接続されており、排気管１４８２には、移載室２０３内を所定の圧力に制御するＡＰＣ等の圧力調整器２２８、真空ポンプ（ただし不図示）が順に直列に接続されている。主に、移載室排気口１４８１、排気管１４８２、圧力調整器２２８により、排気系の他の一つである第２排気部（排気ライン）が構成される。なお、図示しない真空ポンプを第２排気部に含めるように構成してもよい。
【００２７】
なお、上述した排気系のうち、特に第１排気部については、上述した縦型基板処理装置１にも同様の構成が設けられており、これにより処理炉１８内からの排気を行うように構成されているものとする。
【００２８】
（３）各例に共通の構成
次に、上述した縦型基板処理装置１および枚葉型の基板処理装置１００に共通する構成について説明する。
【００２９】
（処理ガス供給部）
先ず、図４を参照しつつ、ウエハ２００に処理ガスを供給する処理ガス供給部について説明する。ここでは、枚葉型の基板処理装置１００における処理ガス供給部を例に挙げて説明するが、縦型基板処理装置１においても同様の構成を適用することが可能である。
【００３０】
処理室２０１とガス導入口２４１を介して連通する共通ガス供給管２４２には、第１ガス供給管１１３ａ、第２ガス供給管１２３ａおよび第３ガス供給管１３３ａが接続されている。
【００３１】
第１ガス供給管１１３ａには、上流方向から順に、第１ガス供給源１１３、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１１５、および、開閉弁であるバルブ１１６が設けられている。そして、第１ガス供給源１１３から、第１元素を含有するガス（第１処理ガス）が、ＭＦＣ１１５、バルブ１１６、第１ガス供給管１１３ａ、共通ガス供給管２４２を介して、処理室２０１に供給される。
第１処理ガスとしては、例えば、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）ガス等のシリコン含有ガスが用いられる。ただし、これに限られることはなく、他の種類のガスを用いても構わない。
【００３２】
第２ガス供給管１２３ａには、上流方向から順に、第２ガス供給源１２３、ＭＦＣ１２５、および、バルブ１２６が設けられている。そして、第２ガス供給源１２３から、第１処理ガスが含有する第１元素とは異なる第２元素を含有するガス（第２処理ガス）が、ＭＦＣ１２５、バルブ１２６、第２ガス供給管１２３ａ、共通ガス供給管２４２を介して、処理室２０１に供給される。
第２処理ガスとしては、例えば、Ｏ３ガス等の酸素含有ガスが用いられる。ただし、これに限られることはなく、他の種類のガスを用いても構わない。
【００３３】
第３ガス供給管１３３ａには、上流方向から順に、第３ガス供給源１３３、ＭＦＣ１３５、および、バルブ１３６が設けられている。そして、第３ガス供給源１３３から、不活性ガスが、ＭＦＣ１３５、バルブ１３６、第３ガス供給管１３３ａ、共通ガス供給管２４２を介して、処理室２０１に供給される。
ここで、不活性ガスは、例えば、Ｎ２ガスである。なお、不活性ガスとして、Ｎ２ガスのほか、例えばＨｅガス、Ｎｅガス、Ａｒガス等の希ガスを用いることができる。
【００３４】
このような構成の処理ガス供給部を有することで、処理室２０１内のウエハ２００には、第１処理ガス、第２処理ガスまたは不活性ガスが、必要に応じて供給されることになる。
【００３５】
（安全インターロック部）
次いで、図５を参照しつつ、縦型基板処理装置１または枚葉型の基板処理装置１００が有する安全インターロック部について説明する。
【００３６】
例えば、枚葉型の基板処理装置１００においては、搬送ロボット部として機能する昇降機構２１８が処理室２０１内にウエハ２００を搬送し、その処理室２０１内のウエハ２００に対して、加熱部として機能する温度調整部２１３が加熱等を行うとともに、処理ガス供給部が処理ガスを供給し、これにより処理室２０１内のウエハ２００に対する所定処理を行うようになっている。このことは、縦型基板処理装置１においても同様である。すなわち、例えば、縦型基板処理装置１では、ボートエレベータ２１が処理室としての処理炉１８にウエハ２を搬送し、処理炉１８内のウエハ２に対して、加熱部として機能するヒータ３３が加熱等を行うとともに、処理ガス供給部が処理ガスを供給し、これにより処理炉１８内のウエハ２に対する所定処理を行うようになっている。このようなウエハ搬送、加熱、処理ガス供給等の動作は、装置オペレータの人体に影響を及ぼすことも有り得る。このことから、基板処理装置１，１００には、装置オペレータの安全な使用を確保するための安全インターロック部が組み込まれている。
【００３７】
安全インターロック部は、上述した動作を行う搬送ロボット部、加熱部および処理ガス供給部の各部の少なくともいずれかに関して、何らかの異常（例えば、所定動作のタイムアウトエラー）を検出した場合に、電顕供給の遮断によりその動作を停止させるものである。
【００３８】
具体的には、例えば枚葉型の基板処理装置１００における搬送ロボット部としての昇降機構２１８に関する構成例であれば、図５に示すように、昇降機構２１８の駆動モータ３０１と、その駆動モータ３０１に接続されて当該駆動モータ３０１への電力供給を行う第１電源部３０２との間に、スイッチング動作を行う電気電子回路からなる第１制御部３０３が設けられている。第１制御部３０３は、昇降機構２１８における動作に関して、所定の判断基準に従いつつ異常発生の有無を検出し得るとともに、異常発生を検出した場合に第１電源部３０２から駆動モータ３０１への電力供給を遮断するように構成されたものである。
【００３９】
第１制御部３０３には、その第１制御部３０３が動作するために必要な電力供給を行う第２電源部３０４が接続されている。第２電源部３０４は、第１制御部３０３を駆動させる二つの電源３０４ａ，３０４ｂを有して構成されている。なお、ここでは、二つの電源３０４ａ，３０４ｂを有している場合を例に挙げているが、三つ以上を有していてもよい。つまり、第２電源部３０４は、二つ以上の電源を有しているものであればよい。
【００４０】
また、第１制御部３０３と第２電源部３０４との間には、第２電源部３０４から第１制御部３０３への電力供給を制御する保護回路等からなる第２制御部３０５が設けられている。第２制御部３０５は、後述するように、第２電源部３０４から第１制御部３０３への電力供給にあたり、第２電源部３０４における二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂのそれぞれからの電力比率を調整し得るように構成されている。具体的には、第２制御部３０５は、二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂのそれぞれからの電力比率を所定値（例えば、５０％：５０％）となるようにすることができ、その状態で第１制御部３０３への電力供給をさせ得るようになっている。
【００４１】
なお、ここでは、昇降機構２１８の駆動モータ３０１の動作を制御する安全インターロック部の構成例を説明したが、加熱部や処理ガス供給部等の動作を制御する場合にも、同様の構成例を適用すればよい。このことは、枚葉型の基板処理装置１００のみならず、縦型基板処理装置１においても同様である。例えば、駆動モータ３０１で、カセット搬送機１４、ウエハ移載機１７、ボートエレベータ２１、回転機構２０等の動作を制御する安全インターロック部として構成してもよい。また、加熱部や処理ガス供給部等の動作を制御する場合にも、同様の構成例を適用すればよい。
【００４２】
（コントローラ）
次いで、図６を参照しつつ、上述した各部の動作を制御するコントローラ２６０について説明する。ここでは、枚葉型の基板処理装置１００におけるコントローラ２６０を例に挙げて説明するが、縦型基板処理装置１においても同様の構成を適用することが可能である。
【００４３】
コントローラ２６０は、基板処理装置１００の全体の動作を制御するためのもので、上述した搬送ロボット部、加熱部および処理ガス供給部に加えて、安全インターロック部の第１制御部３０３および第２制御部３０５にも接続されており、これらのそれぞれに接続されることで「第３制御部」として機能するようになっている。
【００４４】
具体的には、コントローラ２６０は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）２６０ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）２６０ｂ、記憶装置２６０ｃ、Ｉ／Ｏポート２６０ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ２６０ｂ、記憶装置２６０ｃ、Ｉ／Ｏポート２６０ｄは、内部バス２６０ｅを介して、ＣＰＵ２６０ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ２６０には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置２６１や、外部記憶装置２６２が接続可能に構成されている。入出力装置２６１からはコントローラ２６０に対して情報入力を行い得るとともに、入出力装置２６１はコントローラ２６０の制御に従って情報の表示出力を行う「表示部」として機能するようになっている。さらに、コントローラ２６０には、受信部２８５を通じてネットワーク２６３が接続可能に構成されている。このことは、コントローラ２６０がネットワーク２６３上に存在するホストコンピュータ等の上位装置２９０とも接続可能であることを意味する。
【００４５】
記憶装置２６０ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置２６０ｃ内には、基板処理装置１００の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件等が記載されたプロセスレシピ、ウエハ２００への処理に用いるプロセスレシピを設定するまでの過程で生じる演算データや処理データ等が読み出し可能に格納されている。なお、プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ２６０に実行させ、所定の結果を得ることができるように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単にプログラムともいう。なお、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。また、ＲＡＭ２６０ｂは、ＣＰＵ２６０ａによって読み出されたプログラム、演算データ、処理データ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。
【００４６】
Ｉ／Ｏポート２６０ｄは、ゲートバルブ１４９０、昇降機構２１８、圧力調整器２２７，２２８、真空ポンプ２２３、ＭＦＣ１１５，１２５，１３５、バルブ１１６，１２６，１３６、温度制御部４００、インピーダンス調整部２５７、整合器２５１、高周波電源２５２、第１制御部３０３、第２制御部３０５、等に接続されている。
【００４７】
演算部としてのＣＰＵ２６０ａは、記憶装置２６０ｃからの制御プログラムを読み出して実行するとともに、入出力装置２６１からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置２６０ｃからプロセスレシピを読み出すように構成されている。また、受信部２８５から入力された設定値と、記憶装置２６０ｃに記憶されたプロセスレシピや制御データとを比較・演算して、演算データを算出可能に構成されている。また、演算データから対応する処理データ（プロセスレシピ）の決定処理等を実行可能に構成されている。そして、ＣＰＵ２６０ａは、読み出されたプロセスレシピの内容に沿うように、ゲートバルブ１４９０の開閉動作、昇降機構２１８の昇降動作、インピーダンス調整部２５７の電圧調整、整合器２５１の電力の整合動作、高周波電源２５２のオンオフ制御、ＭＦＣ１１５，１２５，１３５の動作制御、バルブ１１６，１２６，１３６のオンオフ制御、圧力調整器２２７，２２８の圧力調整動作、真空ポンプ２２３のオンオフ制御、第１制御部３０３や第２制御部３０５等についての動作制御、等を行うように構成されている。
【００４８】
なお、コントローラ２６０は、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていてもよい。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）２６２を用意し、かかる外部記憶装置２６２を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本実施形態に係るコントローラ２６０を構成することができる。ただし、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置２６２を介して供給する場合に限らない。例えば、ネットワーク２６３（インターネットや専用回線）等の通信手段を用い、外部記憶装置２６２を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。なお、記憶装置２６０ｃや外部記憶装置２６２は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において、記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置２６０ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置２６２単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。
【００４９】
（４）基板処理工程
次に、上述した縦型基板処理装置１または枚葉型の基板処理装置１００における処理動作例について説明する。以下の説明では、枚葉型の基板処理装置１００における処理動作を例に挙げるが、縦型基板処理装置１においても同様の処理動作を行うことが可能である。ここで例に挙げて説明する処理動作は、半導体装置（半導体デバイス）の製造工程の一工程として行うもので、ウエハに対する所定処理を行う基板処理工程を構成するものである。
【００５０】
なお、本明細書において、「ウエハ」という文言を用いた場合には、「ウエハそのもの」を意味する場合や、「ウエハとその表面に形成された所定の層や膜等とその積層体（集合体）」を意味する場合（すなわち、表面に形成された所定の層や膜等を含めてウエハと称する場合）がある。また、本明細書において「ウエハの表面」という文言を用いた場合は、「ウエハそのものの表面（露出面）」を意味する場合や、「ウエハに形成された所定の層や膜等の表面、すなわち、積層体としてのウエハの最表面」を意味する場合がある。
したがって、本明細書において「ウエハに対して所定のガスを供給する」と記載した場合は、「ウエハそのものの表面（露出面）に対して所定のガスを直接供給する」ことを意味する場合や、「ウエハに形成されている層や膜等に対して、すなわち、積層体としてのウエハの最表面に対して所定のガスを供給する」ことを意味する場合がある。
また、本明細書において「基板」という文言を用いた場合も「ウエハ」という言葉を用いた場合と同様であり、その場合、上記説明において、「ウエハ」を「基板」に置き換えて考えればよい。
【００５１】
基板処理装置１００が基板処理工程で行う処理動作には、ＣＶＤ処理等によりウエハ面上への膜形成を行う成膜処理と、処理動作中に何らかの異常を検出した場合にその処理動作を停止して安全を確保する安全インターロック処理と、その安全インターロック処理の適切化を図るための監視制御処理と、が含まれる。以下、これらの各処理について順に説明する。
なお、以下の説明において、基板処理装置１００を構成する各部の動作はコントローラ２６０により制御される。
【００５２】
（成膜処理）
成膜処理に際しては、先ず、処理対象となるウエハ２００を処理室２０１に搬入する。具体的には、ウエハ２００をリフトピン２０７上に載置させた後、昇降機構２１８によって基板載置台２１２を上昇させて、ウエハ２００を基板載置面２１１上に載置させるとともに、そのウエハ２００を処理室２０１内の処理位置（ウエハ処理位置）に位置させる。
【００５３】
ウエハ２００をウエハ処理位置に位置させたら、処理室２０１内を所定圧力（真空度）とするとともに、温度センサ（不図示）が検出した温度値に基づき、載置面２１１上のウエハ２００が所定温度となるように、基板載置台２１２に内蔵された温度調整部２１３による加熱量をフィードバック制御する。
【００５４】
そして、処理室２０１内の雰囲気が安定したら、第１ガス供給管１１３ａ等を介してＴＥＯＳガス等の第１処理ガスを所定流量で処理室２０１に供給するとともに、第２ガス供給管１２３ａ等を介してＯ３ガス等の第２処理ガスを所定流量で処理室２０１に供給する。これにより、処理室２０１内では、ＣＶＤ処理によってウエハ２００の面上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ膜）等の所定膜が成膜されることになる。また、必要に応じて、整合器２５１および高周波電源２５２を利用して処理室２０１内に高周波電力等を供給することで、処理室２０１内に処理ガスのプラズマを発生させる。
【００５５】
その後は、第３ガス供給管１３３ａ等を介した不活性ガスの供給による処理室２０１内のパージ処理や、温度調整部２１３を利用した処理室２０１内の降温処理等を経て、処理済のウエハ２００の処理室２０１内からの搬出処理を行って、そのウエハ２００に対する一連の処理動作を終了する。
【００５６】
（安全インターロック処理）
上述した一連の手順を経る成膜処理に際して、基板処理装置１００には安全インターロック部が具備されていることから、その安全インターロック部によって動作の安全性が監視されている。具体的には、上述した成膜処理を行っている過程で、安全インターロック部が何らかの異常発生の有無を監視しており、異常発生を検出すると、電力供給の遮断により処理動作を停止させるようになっている。
例えば、搬送ロボット部として機能する昇降機構２１８については、第１電源部３０２からの電力供給によってウエハ２００の搬送を行うが、その電力供給が第１制御部３０３によって制御されている。そして、第１制御部３０３が異常発生を検出すると、第１電源部３０２からの電力供給を遮断することで、昇降機構２１８の駆動モータ３０１の動作を停止させる。
ウエハ２００への加熱等を行う温度調整部２１３や、ウエハ２００への処理ガス供給を行う処理ガス供給部等についても、全く同様に電力供給が制御される。
【００５７】
このような制御処理を行う安全インターロック部では、例えば、その制御処理を司る第１制御部３０３に対しても、第２電源部３０４から電力供給がされるようになっている。つまり、第１制御部３０３は、第１電源部３０２からの電力供給の制御処理を行うために、第２電源部３０４からの電力供給を必要とする。仮に、第２電源部３０４からの電力供給が途絶えた場合には、安全インターロック部として機能しないおそれを排除するために、第１制御部３０３は、異常発生の検出有無にかかわらず、制御対象となる動作を停止させた状態、すなわち機能停止状態（シャットダウン状態）とするようになっている。
【００５８】
機能停止状態の頻繁な発生は、基板処理装置１００が行う成膜処理等の生産性を損なうおそれがある。また、機能停止状態の発生によって、成膜処理等の内容にも悪影響が及んでしまい、その処理結果の品質の低下等を招いてしまうおそれもある。したがって、基板処理装置１００が動作するために必要とする電力供給の中でも、特に第１制御部３０３に対する電力供給については、長寿命な電源によって行うことが好ましく、また故障等に対する耐性に優れた電源によって行うことが好ましい。
【００５９】
このことを鑑み、本実施形態における安全インターロック部は、第１制御部３０３への電力供給を行う第２電源部３０４が二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂを有しているとともに、第１制御部３０３と第２電源部３０４との間に第２制御部３０５が設けられている。そして、第１制御部３０３に対して、二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂのそれぞれがいずれも電力供給を行うとともに、第２制御部３０５が各電源３０４ａ，３０４ｂのそれぞれからの電力比率を調整する。電力比率は、例えば、第２電源部３０４が二つの電源３０４ａ，３０４ｂを有している場合であれば、５０％：５０％といった所定値になるように、第２制御部３０５によって制御される。なお、電力比率は予め定められていればよく、特定の値に限定されるものではない。このような電力比率の調整を行った上で、第１制御部３０３に対しては、その調整後の状態での電力供給が行われることになる。
【００６０】
このように、第１制御部３０３への電力供給にあたり、二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率を所定値とするように調整すれば、第２電源部３０４が一つの電源のみを使用した場合と比べて、各電源３０４ａ，３０４ｂの一つあたりの電力供給量が抑えられ、その結果として各電源３０４ａ，３０４ｂの寿命を長くすることができる。つまり、二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率を調整した上で並列的に電力供給を行うことで、各電源３０４ａ，３０４ｂの長寿命化が図れるのである。
【００６１】
しかも、第２電源部３０４が二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂを有しており、これらの各電源３０４ａ，３０４ｂから並列的に電力供給を行えば、仮に各電源３０４ａ，３０４ｂのうちのいずれかに故障が発生したり寿命を迎えたりした場合（以下、これらを単に「故障等」という。）であっても、故障等が発生していないものからの電力供給が継続されるので、第１制御部３０３への電力供給が完全に途絶えてしまうのを回避することができる。
【００６２】
つまり、本実施形態における安全インターロック部では、第２電源部３０４が二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂを有しており、第２制御部３０５が各電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率を所定値に調整した上で、第１制御部３０３への電力供給を行うようになっているので、その電力供給を行う第２電源部３０４についての長寿命化が図れ、また第２電源部３０４における故障等に対する耐性を優れたものとすることができる。
【００６３】
（監視制御処理）
第１制御部３０３への電力供給にあたっては、上述したように、第２電源部３０４が二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂを有していることで、仮に各電源３０４ａ，３０４ｂのうちのいずれかに故障等が発生した場合であっても、第１制御部３０３への電力供給が完全に途絶えてしまうことがない。ただし、これにより各電源３０４ａ，３０４ｂの間の電力比率のバランスが崩れ、その影響が成膜処理等に及んでしまい、その結果として成膜品質の低下等が生じてしまうことは好ましくない。このことから、本実施形態においては、安全インターロック処理の適切化を図るべく、以下のような監視制御処理を行うようになっている。
【００６４】
（第１のシーケンス例）
先ず、図７および図８を参照しつつ、監視制御処理に関する第１のシーケンス例について説明する。
【００６５】
上述したように、第１制御部３０３への電力供給の際には、第２制御部３０５が第２電源部３０４の各電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率を所定値（例えば、５０％：５０％）に調整する。このとき、図７に示すように、第２制御部３０５は、予め設定されたタイミングで（例えば、所定時間が経過する毎に）、各電源３０４ａ，３０４ｂからの電力値を測定する（ステップ１０１、以下ステップを「Ｓ」と略す。）。そして、第２制御部３０５は、測定した電力値から各電源３０４ａ，３０４ｂの間の電力比率（すなわち、電力値のバランス）を求め、その電力比率が第１の所定値の範囲内に入っているか否かを判定する（Ｓ１０２）。第１の所定値は、例えば、上限を７０％、下限を３０％とすることが考えられる。その場合、第２制御部３０５は、各電源３０４ａ，３０４ｂの電力値について、それぞれの間の電力比率として換算した場合に、上限７０％〜下限３０％の範囲内に属しているか否かを判定することになる。なお、第１の所定値は、上限７０％〜下限３０％に限定されることはなく、適宜設定されたものであればよい。
【００６６】
この判定の結果、電力比率が第１の所定値の範囲内であれば（Ｓ１０２のＹ判定）、第２制御部３０５は、上述した処理を継続して繰り返す（Ｓ１０１〜Ｓ１０２）。
一方、判定の結果、電力比率が第１の所定値の範囲を超えたことを検出した場合には（Ｓ１０２のＮ判定）、第２制御部３０５は、その旨の検出データである第１検出データを、第３制御部として機能するコントローラ２６０に対して送信する。
【００６７】
第２制御部３０５からの第１検出データを受け取ると、コントローラ２６０は、表示部として機能する入出力装置２６１を利用したアラーム報知を行う（Ｓ１０３）。また、後述するアラーム画面で選択された指示に基づいて、成膜処理等を含む実行中の全処理を完了させた後に、次の成膜処理を継続して行うか、または次の成膜処理を停止させる（Ｓ１０４）。
【００６８】
アラーム報知は、入出力装置２６１における表示画面上にアラーム画面を表示出力させることによって行う。すなわち、入出力装置２６１は、アラーム報知の必要が生じると、コントローラ２６０からの制御指示に従いつつ、表示中の操作画面をアラーム画面に切り替える。
【００６９】
アラーム画面は、処理中の基板処理に関するアラームを装置オペレータに対して報知するための画面である。具体的には、図８に示すように、ウエハ２００に対する処理を継続させるか、またはウエハ２００に対する処理を停止させるかを、装置オペレータに選択させるための画面である。つまり、入出力装置２６１は、アラーム画面として、次の基板処理の開始要否を選択させる画面（具体的には、処理中の基板処理を終えた後における次の基板処理の開始の要否）を表示出力し、これを装置オペレータに対するアラーム報知とする。
【００７０】
そして、アラーム画面上において、処理を継続させる旨が選択された場合には、コントローラ２６０は、処理を継続させる。すなわち、次の基板処理を開始させる。一方、処理を停止させる旨が選択された場合には、コントローラ２６０は、現在処理中の基板処理の完了後、全処理を停止させて、基板処理装置１００に対するメンテナンス作業等を行い得る状態とする。すなわち、次の基板処理を開始せずに、基板処理装置１００に対するメンテナンス作業等を行い得る状態とする。
【００７１】
このように、第１のシーケンス例では、第２電源部３０４の各電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率が経時的に変化し、その電力比率のバランスが第１の所定値の範囲を超えた場合に、次の基板処理の開始要否を選択させるアラーム画面を表示出力することで、装置オペレータに対するアラーム報知を行う。したがって、次の基板処理を開始させるか否かを装置オペレータに選択させることが可能となり、仮に各電源３０４ａ，３０４ｂのうちのいずれかに故障等が発生した場合であっても、その影響が成膜処理等に及んでしまうのを未然に回避することができる。
【００７２】
さらに詳しく説明すると、例えば、各電源３０４ａ，３０４ｂのいずれかに故障等が発生した場合には、その影響が成膜処理等に及んでしまい、その結果として、処理対象となった基板の損傷や処理雰囲気の異常化等が発生してしまうおそれがある。
具体的には、基板の損傷としては、例えば、搬送ロボット部としての昇降機構２１８の異常動作によるウエハ２００の割れ、温度調整部２１３による異常な冷却によるウエハ２００の割れやその面上における膜剥がれ、成膜処理が中断されることによるウエハ２００の面上の膜特性の不明確化等、が挙げられる。これらのうち、膜特性が不明確である場合には、どのような処理が行われたか不明であることから、ウエハ２００の再利用が難しくなる。その場合、膜特性が悪い部分をエッチング等により除去して再利用することも考えられるが、膜特性が不明であると良好なエッチング等が困難になる。
また、処理雰囲気の異常化については、具体的には、処理ガスの供給や加熱等が所望の条件となる前の段階で停止した場合に、処理室２０１内の雰囲気が所定の環境から逸脱してしまい、その結果として、成膜処理を行っても膜特性が得られない雰囲気となってしまう、といったことが起こり得る。
しかるに、第１のシーケンス例では、アラーム報知を行って適切な処置を装置オペレータに選択させ得るようにしているので、仮に各電源３０４ａ，３０４ｂのうちのいずれかに故障等が発生した場合であっても、基板の損傷や処理雰囲気の異常化等が発生してしまうのを抑制することができる。
【００７３】
（第２のシーケンス例）
続いて、図９、図１０および図１１を参照しつつ、監視制御処理に関する第２のシーケンス例について説明する。
【００７４】
図９に示すように、第２のシーケンス例においても、上述した第１のシーケンス例の場合と同様に、各電源３０４ａ，３０４ｂからの電力値を測定して（Ｓ２０１）、その電力比率が第１の所定値（例えば、上限７０％〜下限３０％）の範囲内に入っているか否かを判定する（Ｓ２０２）。そして、この判定の結果、電力比率が第１の所定値の範囲内であれば（Ｓ２０２のＹ判定）、上述した処理を継続して繰り返す（Ｓ２０１〜Ｓ２０２）。
【００７５】
一方、電力比率が第１の所定値の範囲を超えたことを検出した場合には（Ｓ２０２のＮ判定）、第２のシーケンス例においては、さらに、その電力比率が第２の所定値の範囲内に入っているか否かを判定する（Ｓ２０３）。第２の所定値は、上述した第１の所定値とは異なる値、さらに詳しくは第１の所定値よりも広い範囲を規定する値に設定されており、例えば、上限を８０％、下限を２０％とすることが考えられる。その場合、第２制御部３０５は、各電源３０４ａ，３０４ｂの電力値について、それぞれの間の電力比率として換算した場合に、上限８０％〜下限２０％の範囲内に属しているか否かを判定することになる。なお、第２の所定値は、上限８０％〜下限２０％に限定されることはなく、適宜設定されたものであればよい。
【００７６】
この判定の結果、電力比率が第２の所定値の範囲内であれば（Ｓ２０３のＹ判定）、第１の所定値の範囲を超えているが、第２の所定値の範囲からは外れていないことになるので、第２制御部３０５は、上述した第１のシーケンス例の場合と同様に、第１検出データをコントローラ２６０に対して送信する。
【００７７】
第２制御部３０５からの第１検出データを受け取ると、コントローラ２６０は、上述した第１のシーケンス例の場合と同様に、入出力装置２６１を利用したアラーム報知を行う（Ｓ２０４）。また、アラーム画面で選択された指示に基づいて、成膜処理等を含む実行中の全処理を完了させた後に、次の成膜処理を継続して行うか、または次の成膜処理を停止させる（Ｓ２０５）。これにより、次の基板処理を開始させるか否かを装置オペレータに選択させることが可能となり、仮に各電源３０４ａ，３０４ｂのうちのいずれかに故障等が発生した場合であっても、その影響が成膜処理等に及んでしまうのを未然に回避することができる。
【００７８】
一方、電力比率が第１の所定値の範囲のみならず、第２の所定値の範囲についても超えてしまったことを検出した場合には（Ｓ２０３のＮ判定）、第２制御部３０５は、その旨の検出データである第２検出データを、第３制御部として機能するコントローラ２６０に対して送信する。
【００７９】
さらに、第２制御部３０５は、電力比率が第２の所定値の範囲を超えたことを検出した場合に（Ｓ１０２のＮ判定）、各電源３０４ａ，３０４ｂのうちの少なくとも一つをオフ状態とし、各電源３０４ａ，３０４ｂのうちの他の少なくとも一つをオン状態とするように、電源切り替え（すなわち、電力供給状態の切り替え）を行って（Ｓ２０６）、その状態で第１制御部３０３への電力供給を行うようにする。
【００８０】
具体的には、図１０に示すように、第２制御部３０５は、各電源３０４ａ，３０４ｂのうち、電力値の測定結果が経時的に第２の所定値の下限（例えば２０％）よりも小さくなってしまったものについて、オフ状態（例えば０％）として第１制御部３０３への電力供給を行わせないようにする。また、これに伴い、相対的に電力値の測定結果が第２の所定値の上限（例えば８０％）より大きくなったものについては、オン状態（例えば１００％）として第１制御部３０３への電力供給を継続して行わせる。なお、第２電源部３０４が三つ以上の電源を有している場合に、例えば、一つの電源のみが第２の所定値の下限に満たなくなったときは、他の残りの二つ以上の電源で分担してオン状態（１００％）を維持すればよい。つまり、第２制御部３０５は、第２の所定値の範囲から外れた場合でも、各電源３０４ａ，３０４ｂにおけるオン／オフ状態を適宜切り替えて各電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率を調整することで、第１制御部３０３への電力供給が途絶えないようにする。
【００８１】
その後、第２制御部３０５からの第２検出データを受け取ると、コントローラ２６０は、入出力装置２６１を利用したアラーム報知を行う（Ｓ２０７）。また、アラーム画面で選択された指示に基づいて、成膜処理等を含む実行中の全処理を完了させた後に、次の成膜処理を継続して行うか、または次の成膜処理を停止させる（Ｓ２０８）。
【００８２】
アラーム報知は、入出力装置２６１における表示画面上にアラーム画面を表示出力させることによって行う。このときのアラーム画面は、第１検出データに応じて表示出力するもの（すなわち、上述した第１のシーケンス例の場合と同様のもの）とすることが考えられるが、基板処理に関するアラームを装置オペレータに対して報知するためのものであれば、これとは異なる内容のものであっても構わない。このようなアラーム報知を行うことで、仮に各電源３０４ａ，３０４ｂのうちのいずれかに故障等が発生した場合であっても、その影響が成膜処理等に及んでしまうのを未然に回避することができる。
【００８３】
また、第２検出データに応じて行うアラーム報知に際し、コントローラ２６０は、入出力装置２６１における表示画面上に、アラーム画面に代えて、またはアラーム画面と合わせて、メンテナンス情報画面を表示出力させるようにしてもよい。
【００８４】
メンテナンス情報画面は、電源に関するメンテナンス情報として、第２電源部３０４の各電源３０４ａ，３０４ｂのうちのいずれかのメンテナンスが必要であることを、装置オペレータに対して報知するための画面である。具体的には、図１１に示すように、各電源３０４ａ，３０４ｂのいずれかについてのメンテナンスが必要であることを伝えるとともに、基板処理装置１００をメンテナンスモードに移行させるか、または保守担当者を呼ぶかを、装置オペレータに選択させるための画面である。
【００８５】
このようなメンテナンス情報画面の表示出力を行えば、各電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率が第２の所定値の範囲から外れ、各電源３０４ａ，３０４ｂのうちのいずれかに故障等が発生している可能性が高い場合であっても、その故障等を修復するためのメンテナンスに迅速に対応することが可能となる。
【００８６】
入出力装置２６１にメンテナンス情報画面を表示出力させる際に、コントローラ２６０は、受信部２８５を通じてネットワーク２６３上に存在する上位装置２９０に対して、メンテナンスが必要である旨のメンテナンスデータを送信するようにしてもよい。基板処理装置１００の動作を管理する上位装置２９０にメンテナンスデータを送信すれば、そのメンテナンスデータを活用した処理を上位装置２９０の側で行うことが可能となり、より一層迅速で、かつ、適切なメンテナンスへの対応を実現することが可能となる。
【００８７】
以上のように、第２のシーケンス例では、第２電源部３０４の各電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率のバランスが第１の所定値の範囲を超えると、さらに当該電力比率のバランスが第２の所定値の範囲を超えたか否かを判定し、第２の所定値の範囲を超えている場合には、各電源３０４ａ，３０４ｂの少なくとも一つをオフ状態とし、他の少なくとも一つをオン状態とするように電源切り替えを行い、その状態で第１制御部３０３への電力供給を行う。したがって、各電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率のバランスが大きく崩れ、各電源３０４ａ，３０４ｂのうちのいずれかに故障等が発生している可能性が高い場合であっても、第１制御部３０３への電力供給が途絶えてしまうことがない。
【００８８】
しかも、第２のシーケンス例では、各電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率のバランスが第１の所定値の範囲を超えた場合のみならず、当該電力比率のバランスが第２の所定値の範囲を超えた場合にも、装置オペレータに対するアラーム報知を行う。したがって、次の基板処理を開始させるか否かを装置オペレータに選択させることが可能となり、仮に各電源３０４ａ，３０４ｂのうちのいずれかに故障等が発生した場合であっても、その影響が成膜処理等に及んでしまうのを未然に回避することができる。
【００８９】
また、第２のシーケンス例では、各電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率のバランスが第２の所定値の範囲を超えた場合に、入出力装置２６１における表示画面上にメンテナンス情報画面を表示出力させ、上位装置２９０にメンテナンスデータを送信する。したがって、各電源３０４ａ，３０４ｂのうちのいずれかに故障等が発生している可能性が高い場合であっても、その故障等を修復するためのメンテナンスに迅速かつ適切に対応し得るようになる。
【００９０】
（５）本実施形態の効果
本実施形態によれば、以下に示す一つまたは複数の効果を奏する。
【００９１】
（ａ）本実施形態では、第２電源部３０４が二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂを有しており、第２制御部３０５が各電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率を所定値に調整した上で、第１制御部３０３への電力供給を行う。したがって、第１制御部３０３への電力供給を行う第２電源部３０４についての長寿命化が図れ、また第２電源部３０４における故障等に対する耐性を優れたものとすることができる。つまり、二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率を所定値とすることで、一つの電源のみを使用した場合と比べて、動作制御に必要な電源の寿命を長くすることができる。
【００９２】
（ｂ）本実施形態では、第２電源部３０４の二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率のバランスが第１の所定値の範囲を超えた場合に、次の基板処理の開始要否を選択させるアラーム画面を表示出力することで、装置オペレータに対するアラーム報知を行う。したがって、次の基板処理を開始させるか否かを装置オペレータに選択させることが可能となり、仮に各電源３０４ａ，３０４ｂのうちのいずれかに故障等が発生した場合であっても、その影響で基板の損傷や処理雰囲気の異常化等が発生してしまうのを抑制することができる。つまり、各電源３０４ａ，３０４ｂの故障等の影響が成膜処理等に及んでしまうのを未然に回避することができ、これにより安全インターロック処理の適切化が図れる。
【００９３】
（ｃ）本実施形態では、第２電源部３０４の二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率のバランスが第２の所定値の範囲を超えた場合に、各電源３０４ａ，３０４ｂの少なくとも一つをオフ状態とし、他の少なくとも一つをオン状態とするように電源切り替えを行い、その状態で第１制御部３０３への電力供給を行う。したがって、各電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率のバランスが大きく崩れ、各電源３０４ａ，３０４ｂのうちのいずれかに故障等が発生している可能性が高い場合であっても、第１制御部３０３への電力供給が途絶えてしまうことがなく、当該第１制御部３０３への電力供給を適切に行うことができる。
【００９４】
しかも、二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率のバランスが第２の所定値の範囲を超えた場合にもアラーム報知を行うことで、各電源３０４ａ，３０４ｂの故障等の影響が成膜処理等に及んでしまうのを未然に回避することができる。
【００９５】
（ｄ）本実施形態では、第２電源部３０４の二つ以上の電源３０４ａ，３０４ｂからの電力比率のバランスが第２の所定値の範囲を超えた場合に、入出力装置２６１にメンテナンス情報画面を表示出力させ、上位装置２９０にメンテナンスデータを送信する。したがって、各電源３０４ａ，３０４ｂのうちのいずれかに故障等が発生している可能性が高い場合であっても、その故障等を修復するためのメンテナンスに迅速かつ適切に対応し得るようになる。
【００９６】
＜他の実施形態＞
以上に、本発明の一実施形態を具体的に説明したが、本開示が上述の実施形態に限定されることはなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更が可能である。
【００９７】
上述した実施形態では、基板処理工程で行う処理として、ウエハ面上にＳｉＯ膜を形成するＣＶＤ処理等の成膜処理を例に挙げたが、本発明がこれに限定されることはない。すなわち、本発明は、上述した実施形態で例に挙げた成膜処理の他に、上述した実施形態で例示した薄膜以外の成膜処理にも適用できる。また、基板処理の具体的内容は不問であり、成膜処理だけでなく、熱処理（アニール処理）、プラズマ処理、拡散処理、酸化処理、窒化処理、リソグラフィ処理等の他の基板処理を行う場合にも適用できる。
【００９８】
また、上述した実施形態では、主に第２電源部３０４が二つの電源３０４ａ，３０４ｂを有する場合を例に挙げたが、本発明がこれに限定されることはなく、二つ以上を有していてもよいことは既に説明したとおりである。このことは、上述した実施形態で説明した処理動作に加えて、以下のような処理動作にも対応し得ることを意味する。
例えば、図１２に示すように、基板処理装置１，１００の運転に際して、二つ以上の電源のうち、少なくとも一つの電源Ａを電源供給状態とするとともに、他の少なくとも一つの電源Ｂを電源供給停止状態とする。このとき、さらに他の電源が電源供給状態となっていてもよく、その場合には、電源Ａと他の電源との間で電力比率が調整されることになる。そして、その状態で、例えば、電源Ａが故障等により機能しなくなったことを検出すると、電源Ａを電源供給停止状態とする一方で、電源Ｂを電源供給状態とするように、第２制御部３０５が電源切り替えを行う。このようにすれば、電源Ａに故障等があっても、電源Ｂにより電力供給が行われるので、基板処理装置１，１００の継続運転が可能となる。つまり、基板処理装置１，１００の長期継続運転が実現可能となるので、その結果として、総合的に基板処理装置１，１００の信頼性の向上が図れるようになる。
【００９９】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
【０１００】
［付記１］
本発明の一態様によれば、
基板を処理する処理室と、
前記基板に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記基板を加熱する加熱部と、
前記基板を搬送する搬送ロボット部と、
前記処理ガス供給部、前記加熱部および前記搬送ロボット部の各部の少なくともいずれかに接続された第１電源部と、
前記各部の少なくともいずれかと前記第１電源部との間に設けられた第１制御部と、
前記第１制御部を駆動させる二つ以上の電源を有する第２電源部と、
前記第１制御部と前記第２電源部との間に設けられ、前記第２電源部における前記二つ以上の電源のそれぞれからの電力比率を所定値となるようにして前記第１制御部への電力供給をさせる第２制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
【０１０１】
［付記２］
好ましくは、
前記処理ガス供給部、前記加熱部、前記搬送ロボット部、前記第１制御部および前記第２制御部のそれぞれに接続される第３制御部と、
前記第３制御部の制御に従って表示出力を行う表示部と、を有し、
前記第２制御部は、前記二つ以上の電源の電力比率が第１所定範囲から外れたことを検出すると、前記第３制御部に第１検出データを送信し、
前記第３制御部は、前記第１検出データを受信すると、処理中の基板処理に関するアラーム画面を前記表示部に表示させる
付記１に記載の基板処理装置が提供される。
【０１０２】
［付記３］
好ましくは、
前記第２制御部は、前記二つ以上の電源の電力比率が第２所定範囲から外れたことを検出すると、前記第３制御部に第２検出データを送信するとともに、前記二つ以上の電源のうちの少なくとも一つをオフ状態とし、前記二つ以上の電源のうちの他の少なくとも一つをオン状態として、前記第１制御部への電力供給をさせ、
前記第３制御部は、前記第２検出データを受信すると、処理中の基板処理に関するアラーム画面を前記表示部に表示させる
付記２に記載の基板処理装置が提供される。
【０１０３】
［付記４］
好ましくは、
前記アラーム画面は、次の基板処理の開始要否を選択させる画面である
付記２または３に記載の基板処理装置が提供される。
【０１０４】
［付記５］
好ましくは、
前記第２制御部は、前記二つ以上の電源の電力比率が第２所定範囲から外れたことを検出すると、前記第３制御部に第２検出データを送信するとともに、前記二つ以上の電源のうちの少なくとも一つをオフ状態とし、前記二つ以上の電源のうちの他の少なくとも一つをオン状態として、前記第１制御部への電力供給をさせ、
前記第３制御部は、前記第２検出データを受信すると、電源に関するメンテナンス情報画面を前記表示部に表示させる
付記２から４のいずれか１つに記載の基板処理装置が提供される。
【０１０５】
［付記６］
好ましくは、
前記メンテナンス情報画面は、前記二つ以上の電源のうちのいずれかのメンテナンスが必要であることを報知する画面である
付記５に記載の基板処理装置が提供される。
【０１０６】
［付記７］
好ましくは、
前記第３制御部は、前記表示部にメンテナンス情報画面を表示させるとともに、前記第３制御部と接続する上位装置にメンテナンスデータを送信する
付記４または５に記載の基板処理装置が提供される。
【０１０７】
［付記８］
本発明の他の一態様によれば、
基板を処理する工程と、
前記基板の処理にあたり、前記基板に処理ガスを供給する処理ガス供給部、前記基板を加熱する加熱部、および、前記基板を搬送する搬送ロボット部の各部の少なくともいずれかに対して、前記各部の少なくともいずれかに接続された第１電源部から電力を供給するとともに、前記各部の少なくともいずれかと前記第１電源部との間に設けられた第１制御部により前記第１電源部からの電力供給を制御する工程と、
前記第１制御部を駆動させる二つ以上の電源を有する第２電源部から前記第１制御部への電力供給を行うとともに、当該電力供給にあたり、前記第１制御部と前記第２電源部との間に設けられた第２制御部が、前記第２電源部における前記二つ以上の電源のそれぞれからの電力比率を所定値となるようにする工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【０１０８】
［付記９］
本発明のさらに他の一態様によれば、
基板を処理する手順と、
前記基板の処理にあたり、前記基板に処理ガスを供給する処理ガス供給部、前記基板を加熱する加熱部、および、前記基板を搬送する搬送ロボット部の各部の少なくともいずれかに対して、前記各部の少なくともいずれかに接続された第１電源部から電力を供給するとともに、前記各部の少なくともいずれかと前記第１電源部との間に設けられた第１制御部により前記第１電源部からの電力供給を制御する手順と、
前記第１制御部を駆動させる二つ以上の電源を有する第２電源部から前記第１制御部への電力供給を行うとともに、当該電力供給にあたり、前記第１制御部と前記第２電源部との間に設けられた第２制御部が、前記第２電源部における前記二つ以上の電源のそれぞれからの電力比率を所定値となるようにする手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラムが提供される。
【０１０９】
［付記１０］
本発明のさらに他の一態様によれば、
基板を処理する手順と、
前記基板の処理にあたり、前記基板に処理ガスを供給する処理ガス供給部、前記基板を加熱する加熱部、および、前記基板を搬送する搬送ロボット部の各部の少なくともいずれかに対して、前記各部の少なくともいずれかに接続された第１電源部から電力を供給するとともに、前記各部の少なくともいずれかと前記第１電源部との間に設けられた第１制御部により前記第１電源部からの電力供給を制御する手順と、
前記第１制御部を駆動させる二つ以上の電源を有する第２電源部から前記第１制御部への電力供給を行うとともに、当該電力供給にあたり、前記第１制御部と前記第２電源部との間に設けられた第２制御部が、前記第２電源部における前記二つ以上の電源のそれぞれからの電力比率を所定値となるようにする手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
【符号の説明】
【０１１０】
１，１００…基板処理装置、２，２００…ウエハ（基板）、１４…カセット搬送機、１７…ウエハ移載機、１８…処理炉、２１…ボートエレベータ、３３…ヒータ、２０１…処理室、２１３…温度調整部、２１８…昇降機構、２６０…コントローラ（第３制御部）、２６１…入出力装置（表示部）、２９０…上位装置、３０１…駆動モータ、３０２…第１電源部、３０３…第１制御部、３０４…第２電源部、３０４ａ，３０４ｂ…電源、３０５…第２制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2019053869.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【手続補正書】
【提出日】令和2年2月14日(2020.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記基板に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記基板を加熱する加熱部と、
前記基板を搬送する搬送ロボット部と、
前記処理ガス供給部、前記加熱部および前記搬送ロボット部の各部の少なくともいずれかに接続された第１電源部と、
前記各部の少なくともいずれかと前記第１電源部との間に設けられた第１制御部と、
前記第１制御部を駆動させる二つ以上の電源を有する第２電源部と、
前記第１制御部と前記第２電源部との間に設けられ、前記第２電源部における前記二つ以上の電源のそれぞれからの電力比率を所定値となるようにして前記第１制御部への電力供給をさせる第２制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記処理ガス供給部、前記加熱部、前記搬送ロボット部、前記第１制御部および前記第２制御部のそれぞれに接続される第３制御部と、
前記第３制御部の制御に従って表示出力を行う表示部と、を有し、
前記第２制御部は、前記二つ以上の電源の電力比率が第１所定範囲から外れたことを検出すると、前記第３制御部に第１検出データを送信し、
前記第３制御部は、前記第１検出データを受信すると、処理中の基板処理に関するアラーム画面を前記表示部に表示させる
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第２制御部は、前記二つ以上の電源の電力比率が第２所定範囲から外れたことを検出すると、前記第３制御部に第２検出データを送信するとともに、前記二つ以上の電源のうちの少なくとも一つをオフ状態とし、前記二つ以上の電源のうちの他の少なくとも一つをオン状態として、前記第１制御部への電力供給をさせ、
前記第３制御部は、前記第２検出データを受信すると、処理中の基板処理に関するアラーム画面を前記表示部に表示させる
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記アラーム画面は、次の基板処理の開始要否を選択させる画面である
請求項２または３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第２制御部は、前記二つ以上の電源の電力比率が第２所定範囲から外れたことを検出すると、前記第３制御部に第２検出データを送信するとともに、前記二つ以上の電源のうちの少なくとも一つをオフ状態とし、前記二つ以上の電源のうちの他の少なくとも一つをオン状態として、前記第１制御部への電力供給をさせ、
前記第３制御部は、前記第２検出データを受信すると、電源に関するメンテナンス情報画面を前記表示部に表示させる
請求項２から４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記メンテナンス情報画面は、前記二つ以上の電源のうちのいずれかのメンテナンスが必要であることを報知する画面である
請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第３制御部は、前記表示部にメンテナンス情報画面を表示させるとともに、前記第３制御部と接続する上位装置にメンテナンスデータを送信する
請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項８】
基板を処理する工程と、
前記基板の処理にあたり、前記基板に処理ガスを供給する処理ガス供給部、前記基板を加熱する加熱部、および、前記基板を搬送する搬送ロボット部の各部の少なくともいずれかに対して、前記各部の少なくともいずれかに接続された第１電源部から電力を供給するとともに、前記各部の少なくともいずれかと前記第１電源部との間に設けられた第１制御部により前記第１電源部からの電力供給を制御する工程と、
前記第１制御部を駆動させる二つ以上の電源を有する第２電源部から前記第１制御部への電力供給を行うとともに、当該電力供給にあたり、前記第１制御部と前記第２電源部との間に設けられた第２制御部が、前記第２電源部における前記二つ以上の電源のそれぞれからの電力比率を所定値となるようにする工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２制御部は、前記二つ以上の電源の電力比率が第１所定範囲から外れたことを検出すると、前記処理ガス供給部、前記加熱部、前記搬送ロボット部、前記第１制御部および前記第２制御部のそれぞれに接続される第３制御部に第１検出データを送信し、
前記第３制御部は、前記第１検出データを受信すると、処理中の基板処理に関するアラーム画面を表示部に表示させる
請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２制御部は、前記二つ以上の電源の電力比率が第２所定範囲から外れたことを検出すると、前記第３制御部に第２検出データを送信するとともに、前記二つ以上の電源のうちの少なくとも一つをオフ状態とし、前記二つ以上の電源のうちの他の少なくとも一つをオン状態として、前記第１制御部への電力供給をさせ、
前記第３制御部は、前記第２検出データを受信すると、処理中の基板処理に関するアラーム画面を前記表示部に表示させる
請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記アラーム画面は、次の基板処理の開始要否を選択させる画面である
請求項９または１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２制御部は、前記二つ以上の電源の電力比率が第２所定範囲から外れたことを検出すると、前記第３制御部に第２検出データを送信するとともに、前記二つ以上の電源のうちの少なくとも一つをオフ状態とし、前記二つ以上の電源のうちの他の少なくとも一つをオン状態として、前記第１制御部への電力供給をさせ、
前記第３制御部は、前記第２検出データを受信すると、電源に関するメンテナンス情報画面を前記表示部に表示させる
請求項９から１１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記メンテナンス情報画面は、前記二つ以上の電源のうちのいずれかのメンテナンスが必要であることを報知する画面である
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第３制御部は、前記表示部にメンテナンス情報画面を表示させるとともに、前記第３制御部と接続する上位装置にメンテナンスデータを送信する
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
基板を処理する手順と、
前記基板の処理にあたり、前記基板に処理ガスを供給する処理ガス供給部、前記基板を加熱する加熱部、および、前記基板を搬送する搬送ロボット部の各部の少なくともいずれかに対して、前記各部の少なくともいずれかに接続された第１電源部から電力を供給するとともに、前記各部の少なくともいずれかと前記第１電源部との間に設けられた第１制御部により前記第１電源部からの電力供給を制御する手順と、
前記第１制御部を駆動させる二つ以上の電源を有する第２電源部から前記第１制御部への電力供給を行うとともに、当該電力供給にあたり、前記第１制御部と前記第２電源部との間に設けられた第２制御部が、前記第２電源部における前記二つ以上の電源のそれぞれからの電力比率を所定値となるようにする手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。
【国際調査報告】
2019053869.tif 000015
2019053869.tif 000016
2019053869.tif 000017
2019053869.tif 000018