(57)【要約】  本実施形態の目的は、狭額縁化及び低コスト化が可能とすることにある。  本実施形態の電子機器は、第１絶縁基板と、第１導電層と、を備えた第１基板と、前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面を有する第２絶縁基板と、前記第２主面に位置する第２導電層と、を備え、前記第１主面と前記第２主面とを貫通する第１貫通孔を有する第２基板と、前記第１導電層と前記第２絶縁基板との間に位置し、前記第１貫通孔に繋がり、前記第１導電層まで貫通する第２貫通孔を有する絶縁膜と、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔に位置し、前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続部材と、を備え、前記第２貫通孔の幅は、前記第１貫通孔の幅より小さい。
2018181522.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁基板と、第１導電層と、を備えた第１基板と、
前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面を有する第２絶縁基板と、前記第２主面に位置する第２導電層と、を備え、前記第１主面と前記第２主面とを貫通する第１貫通孔を有する第２基板と、
前記第１導電層と前記第２絶縁基板との間に位置し、前記第１貫通孔に繋がり、前記第１導電層まで貫通する第２貫通孔を有する絶縁膜と、
前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔に位置し、前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続部材と、を備え、
前記第２貫通孔の幅は、前記第１貫通孔の幅より小さい、電子機器。
【請求項２】
前記第１貫通孔は、前記第１主面内に設けられた第１部分と、前記第２主面内に設けられた第２部分とを備え、
前記絶縁膜は、前記第１部分の縁部と前記第２貫通孔との間に位置し前記接続部材及び前記第２導電層の少なくとも一方と接触する環状の第１上面を備えている、請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
平面視で、前記第１部分及び前記第２部分は、同心円状に形成されている、請求項２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記第１導電層は、前記接続部材及び前記第２導電層の少なくとも一方と接触する円形状の第２上面を備えている、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項５】
前記第１貫通孔において、前記接続部材は、前記第２絶縁基板と前記第２導電層との間に位置している、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項６】
前記第１貫通孔において、前記第２導電層は、前記第２絶縁基板と前記接続部材との間に位置している、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項７】
前記第２基板は、被検出物の接触あるいは接近を検出する検出部を備え、
前記第２導電層は、前記検出部に繋がっている、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項８】
前記第１導電層と電気的に接続され、前記第２導電層から出力されたセンサ信号を読み取る検出回路を備えている、請求項７に記載の電子機器。
【請求項９】
前記第１基板は、前記検出部と交差するセンサ駆動電極を備えている、請求項７または８に記載の電子機器。
【請求項１０】
前記検出部は複数の画素が配置された表示領域に位置し、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔は前記表示領域を囲む非表示領域に位置している、請求項７乃至９のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１１】
第１絶縁基板及び第１導電層を備えた第１基板と、第２絶縁基板を備えた第２基板と、前記第１導電層と前記第２絶縁基板との間に位置する絶縁膜と、を備えた被加工物において、前記第２絶縁基板の内部の領域にレーザー光を集光させて改質させ、
前記第２絶縁基板を薄板化し、前記改質した領域を除去して前記第２絶縁基板を前記絶縁膜まで貫通する第１貫通孔を形成し、
前記第１貫通孔に繋がり、前記絶縁膜を前記第１導電層まで貫通する第２貫通孔を形成する、電子機器の製造方法。
【請求項１２】
前記レーザー光は、フェムト秒のパルス幅を有するフェムト秒レーザー光である、請求項１１に記載の電子機器の製造方法。
【請求項１３】
前記レーザー光を集光させて改質させる工程は、前記第２絶縁基板の内部の第１位置の領域、及び、前記第１位置とは異なる第２位置の領域でそれぞれ前記レーザー光を集光させて改質させる工程を含む、請求項１１または１２に記載の電子機器の製造方法。
【請求項１４】
前記第２絶縁基板を薄板化する工程は、前記第１絶縁基板及び前記第２絶縁基板をエッチングして、それぞれの厚さを減少させる工程を含む、請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の電子機器の製造方法。
【請求項１５】
前記第１絶縁基板及び前記第２絶縁基板は、ガラス基板である、請求項１１乃至１４のいずれか１項に記載の電子機器の製造方法。
【請求項１６】
前記第２貫通孔を形成する工程は、レーザー光を照射することによって行う、請求項１１乃至１５のいずれか１項に記載の電子機器の製造方法。
【請求項１７】
前記第２貫通孔を形成した後に、
前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔に位置し、前記第１導電層に接触した接続部材を形成し、
前記接続部材に接触した第２導電層を形成する、請求項１１乃至１６のいずれか１項に記載の電子機器の製造方法。
【請求項１８】
前記第２貫通孔を形成した後に、
前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔に位置し、前記第１導電層に接触した第２導電層を形成する、請求項１１乃至１６のいずれか１項に記載の電子機器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、電子機器及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置を狭額縁化するための技術が種々検討されている。一例では、樹脂製の第１基板の内面と外面とを貫通する孔の内部に孔内接続部を有する配線部と、樹脂製の第２基板の内面に設けられた配線部とが基板間接続部によって電気的に接続される技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−４０４６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態の目的は、狭額縁化及び低コスト化が可能な電子機器及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一実施形態によれば、  
第１絶縁基板と、第１導電層と、を備えた第１基板と、前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面を有する第２絶縁基板と、前記第２主面に位置する第２導電層と、を備え、前記第１主面と前記第２主面とを貫通する第１貫通孔を有する第２基板と、前記第１導電層と前記第２絶縁基板との間に位置し、前記第１貫通孔に繋がり、前記第１導電層まで貫通する第２貫通孔を有する絶縁膜と、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔に位置し、前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続部材と、を備え、前記第２貫通孔の幅は、前記第１貫通孔の幅より小さい、電子機器が提供される。  
一実施形態によれば、  
第１絶縁基板及び第１導電層を備えた第１基板と、第２絶縁基板を備えた第２基板と、前記第１導電層と前記第２絶縁基板との間に位置する絶縁膜と、を備えた被加工物において、前記第２絶縁基板の内部の領域にレーザー光を集光させて改質させ、前記第２絶縁基板を薄板化し、前記改質した領域を除去して前記第２絶縁基板を前記絶縁膜まで貫通する第１貫通孔を形成し、前記第１貫通孔に繋がり、前記絶縁膜を前記第１導電層まで貫通する第２貫通孔を形成する、電子機器の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本実施形態によれば、狭額縁化及び低コスト化が可能な電子機器及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの構成例を示す断面図である。
【図２】図２は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの他の構成例を示す断面図である。
【図３】図３は、図１に示した接続用孔Ｖの構成例を示す斜視図である。
【図４】図４は、図３に示した接続用孔Ｖの平面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、本実施形態の表示装置ＤＳＰの他の構成例を示す断面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、図５Ａに示した構成例において接続部材Ｃが設けられた断面図である。
【図６Ａ】図６Ａは、本実施形態の表示装置ＤＳＰの他の構成例を示す断面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、図６Ａに示した構成例において接続部材Ｃが設けられた断面図である。
【図７Ａ】図７Ａは、貫通孔ＶＡを形成する方法を説明するための図である（厚さＴ）。
【図７Ｂ】図７Ｂは、貫通孔ＶＡを形成する方法を説明するための図である（厚さ０．８Ｔ）。
【図７Ｃ】図７Ｃは、貫通孔ＶＡを形成する方法を説明するための図である（厚さ０．６Ｔ）。
【図７Ｄ】図７Ｄは、貫通孔ＶＡを形成する方法を説明するための図である（厚さ０．４Ｔ）。
【図７Ｅ】図７Ｅは、貫通孔ＶＡを形成する方法を説明するための図である（厚さ０．２Ｔ）。
【図８Ａ】図８Ａは、表示装置ＤＳＰを製造する製造方法の一例を説明するための図である（被加工物ＷＫ用意）。
【図８Ｂ】図８Ｂは、表示装置ＤＳＰを製造する製造方法の一例を説明するための図である（改質領域ＭＡ形成）。
【図８Ｃ】図８Ｃは、表示装置ＤＳＰを製造する製造方法の一例を説明するための図である（凹部ＣＣ形成）。
【図８Ｄ】図８Ｄは、表示装置ＤＳＰを製造する製造方法の一例を説明するための図である（凹部ＣＣ拡張）。
【図８Ｅ】図８Ｅは、表示装置ＤＳＰを製造する製造方法の一例を説明するための図である（貫通孔ＶＡ形成）。
【図８Ｆ】図８Ｆは、表示装置ＤＳＰを製造する製造方法の一例を説明するための図である（貫通孔ＶＢ形成）。
【図８Ｇ】図８Ｇは、表示装置ＤＳＰを製造する製造方法の一例を説明するための図である（接続部材Ｃ形成）。
【図８Ｈ】図８Ｈは、表示装置ＤＳＰを製造する製造方法の一例を説明するための図である（第２導電層Ｌ２形成）。
【図８Ｉ】図８Ｉは、表示装置ＤＳＰを製造する製造方法の一例を説明するための図である（保護膜ＰＦ形成及び光学素子ＯＤ接着）。
【図９Ａ】図９Ａは、表示装置ＤＳＰを製造する製造方法の他の例を説明するための図である（第２導電層Ｌ２及び接続部材Ｃ形成）。
【図９Ｂ】図９Ｂは、表示装置ＤＳＰを製造する製造方法の他の例を説明するための図である（保護膜ＰＦ形成及び光学素子ＯＤ接着）。
【図１０】図１０は、図１及び図２に示した断面形状の貫通孔ＶＡを形成するための一手法を説明するための図である。
【図１１】図１１は、図５Ａに示した断面形状の貫通孔ＶＡを形成するための一手法を説明するための図である。
【図１２】図１２は、図６Ａに示した断面形状の貫通孔ＶＡを形成するための一手法を説明するための図である。
【図１３】図１３は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一構成例を示す平面図である。
【図１４】図１４は、図１３に示した表示パネルＰＮＬの基本構成及び等価回路を示す図である。
【図１５】図１５は、図１３に示した表示パネルＰＮＬの一部の構造を示す断面図である。
【図１６】図１６は、センサＳＳの一構成例を示す平面図である。
【図１７】図１７は、図１３に示した検出電極Ｒｘ１の検出部ＲＳの構成例を示す図である。
【図１８】図１８は、図１３に示した接続用孔Ｖ１を含むＡ−Ｂ線で切断した表示パネルＰＮＬの一構成例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００９】
本実施形態においては、電子機器の一例として表示装置を開示する。この表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブックタイプのパーソナルコンピュータ、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。本実施形態にて開示する主要な構成は、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などに適用可能である。
【００１０】
図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの構成例を示す断面図である。第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していても良い。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。ここでは、第２方向Ｙ及び第３方向Ｚによって規定されるＹ−Ｚ平面における表示装置ＤＳＰの一部の断面を示している。
【００１１】
表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、絶縁膜ＯＩと、接続部材Ｃと、配線基板ＳＵＢ３とを備えている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、第３方向Ｚに対向している。以下の説明において、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上方（あるいは、単に上）と称し、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下方（あるいは、単に下）と称する。また、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かって見ることを平面視という。また、図１のＹ−Ｚ平面（あるいは、図示しないが第１方向Ｘ及び第３方向Ｚによって規定されるＸ−Ｚ平面）における表示装置ＤＳＰの断面を見ることを断面視という。
【００１２】
第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０と、第１絶縁基板１０の第２基板ＳＵＢ２と対向する側に位置する第１導電層Ｌ１と、を備えている。第１絶縁基板１０は、第２基板ＳＵＢ２と対向する主面１０Ａと、主面１０Ａとは反対側の主面１０Ｂとを有している。図示した例では、第１導電層Ｌ１は、主面１０Ａに位置している。なお、図示しないが、第１絶縁基板１０と第１導電層Ｌ１との間や、第１導電層Ｌ１の上には、各種絶縁膜や各種導電膜が配置されていても良い。
【００１３】
第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板２０と、第２導電層Ｌ２とを備えている。第２絶縁基板２０は、第１基板ＳＵＢ１と対向する主面（第１主面）２０Ａと、主面２０Ａとは反対側の主面（第２主面）２０Ｂとを有している。第２絶縁基板２０は、その主面２０Ａが第１導電層Ｌ１と対向し、且つ、第１導電層Ｌ１から第３方向Ｚに離間している。図示した例では、第２導電層Ｌ２は、主面２０Ｂに位置している。第１絶縁基板１０、第１導電層Ｌ１、第２絶縁基板２０、及び、第２導電層Ｌ２は、この順に第３方向Ｚに並んでいる。絶縁膜ＯＩは、第１導電層Ｌ１と第２絶縁基板２０との間に位置している。なお、第１導電層Ｌ１と第２絶縁基板２０との間には、他の導電層や空気層が位置していても良い。また、図示しないが、第２絶縁基板２０と第２導電層Ｌ２との間や、第２導電層Ｌ２の上には、各種絶縁膜や各種導電膜が配置されていても良い。
【００１４】
第１絶縁基板１０及び第２絶縁基板２０は、例えば無アルカリガラスによって形成されたガラス基板である。第１導電層Ｌ１及び第２導電層Ｌ２は、例えば、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、銀、銅、クロムなどの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金や、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明な導電材料などによって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。接続部材Ｃは、銀などの金属材料を含み、その粒径が数ナノメートルから数十ナノメートルのオーダーの微粒子を含むものであることが望ましい。絶縁膜ＯＩは、例えば、後述する遮光層、カラーフィルタ、オーバーコート層、配向膜や、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を接着するシールなどを含む有機絶縁膜であるが、無機絶縁膜を含んでいても良い。
【００１５】
配線基板ＳＵＢ３は、第１基板ＳＵＢ１の端子部ＴＥと導電部材ＥＭを介して電気的に接続されている。端子部ＴＥは、配線ＣＬを介して第１導電層Ｌ１と電気的に接続されている。このような配線基板ＳＵＢ３は、例えば可撓性を有するフレキシブル基板である。なお、本実施形態で適用可能なフレキシブル基板とは、その少なくとも一部分に、屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えていれば良い。例えば、本実施形態の配線基板ＳＵＢ３は、その全体がフレキシブル部として構成されたフレキシブル基板であっても良いし、ガラスエポキシなどの硬質材料によって形成されたリジッド部及びポリイミドなどの屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えたリジッドフレキシブル基板であっても良い。
【００１６】
ここで、本実施形態における第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２との接続構造について詳述する。
【００１７】
表示装置ＤＳＰは、第１導電層Ｌ１及び第２導電層Ｌ２を接続するための接続用孔Ｖを備えている。接続用孔Ｖは、第２基板ＳＵＢ２に設けられた貫通孔（第１貫通孔）ＶＡと、絶縁膜ＯＩに設けられた貫通孔（第２貫通孔）ＶＢと、を備えている。貫通孔ＶＢ及び貫通孔ＶＡは、この順に第３方向Ｚに並び、且つ、第３方向Ｚに沿った同一直線上に位置しており、接続用孔Ｖを形成している。このような接続用孔Ｖは、第２基板ＳＵＢ２の上方からレーザー光を照射したり、エッチングしたりすることによって形成される。
【００１８】
貫通孔ＶＡは、第２絶縁基板２０において主面２０Ａと主面２０Ｂとの間を貫通している。また、貫通孔ＶＡは、主面２０Ａに沿った第１部分ＶＡ１と、主面２０Ｂに沿った第２部分ＶＡ２とを備えている。言い換えると、第１部分ＶＡ１は主面２０Ａ内に設けられており、第２部分ＶＡ２は主面２０Ｂ内に設けられている。さらに言い換えると、第１部分ＶＡ１は第１主面２０Ａにおける貫通孔ＶＡの界面であり、第２部分ＶＡ２は第２主面２０Ｂにおける貫通孔ＶＡの界面であるといえる。第１部分ＶＡ１は幅ＷＡ１を有し、第２部分ＶＡ２は幅ＷＡ２を有している。なお、ここでの幅とは、Ｙ−Ｚ平面における第２方向Ｙに沿った長さである。図示した例では、幅ＷＡ１は、幅ＷＡ２より小さい。断面視においては、貫通孔ＶＡは、第３方向Ｚに沿って上方に向かうにしたがって（つまり、主面２０Ａから主面２０Ｂに向かうにしたがって）幅が拡大する断面形状を有している。このような断面形状の貫通孔ＶＡにおいては、幅ＷＡ１が貫通孔ＶＡの最小幅に相当する。なお、後述するが、貫通孔ＶＡは、第３方向Ｚに沿って上方に向かうにしたがって幅が縮小する断面形状を有していても良い。この場合、幅ＷＡ２が貫通孔ＶＡの最小幅に相当する。また、後述するが、貫通孔ＶＡは、第３方向Ｚに沿って上方に向かうにしたがって幅がほとんど変化しない断面形状を有していても良い。この場合、幅ＷＡ１及びＷＡ２は同等であり、いずれも貫通孔ＶＡの最小幅に相当する。
【００１９】
貫通孔ＶＢは、貫通孔ＶＡに繋がり、絶縁膜ＯＩにおいて第１導電層Ｌ１まで貫通している。貫通孔ＶＢは、幅ＷＢを有している。図示した例では、貫通孔ＶＢは、第３方向Ｚに沿って上方に向かうにしたがって幅がほとんど変化しない断面形状を有しているが、その上部、下部、中間部のいずれかで幅が異なる断面形状を有していても良い。いずれにしても、本実施形態では、貫通孔ＶＢの幅ＷＢとは、貫通孔ＶＢにおける最上部の幅に相当する。幅ＷＢは、貫通孔ＶＡのいずれの幅よりも小さく、当然のことながら図示した例の最小幅である幅ＷＡ１よりも小さい。また、貫通孔ＶＢは、第１部分ＶＡ１の中央に位置している。絶縁膜ＯＩは、第１部分ＶＡ１の縁部ＶＥと貫通孔ＶＢとの間に位置する上面（第１上面）ＯＩＴを備えている。つまり、上面ＯＩＴは、第２絶縁基板２０に覆われていない部分に相当する。
【００２０】
第１導電層Ｌ１は、絶縁膜ＯＩに覆われていない上面（第２上面）Ｌ１Ａと、絶縁膜ＯＩに覆われた上面Ｌ１Ｂと、を備えている。図示した例では、第１導電層Ｌ１には貫通孔は形成されていない。
【００２１】
接続部材Ｃは、貫通孔ＶＡ及び貫通孔ＶＢに位置し、第１導電層Ｌ１及び第２導電層Ｌ２を電気的に接続している。図示した例では、接続部材Ｃは、第２絶縁基板２０の主面２０Ｂ、及び、貫通孔ＶＡにおける第２絶縁基板２０の内面２０Ｓにそれぞれ接触している。また、接続部材Ｃは、絶縁膜ＯＩの上面ＯＩＴ及び内面ＯＩＳにそれぞれ接触している。また、接続部材Ｃは、第１導電層Ｌ１の上面Ｌ１Ａに接触している。
【００２２】
第２導電層Ｌ２は、主面２０Ｂに位置し、接続部材Ｃと接触している。図示した例では、第２導電層Ｌ２は、貫通孔ＶＡ及び貫通孔ＶＢにも位置し、接続部材Ｃと接触している。貫通孔ＶＡにおいては、接続部材Ｃは、第２絶縁基板２０（あるいはその内面２０Ｓ）と第２導電層Ｌ２との間に位置している。貫通孔ＶＢにおいては、接続部材Ｃは、絶縁膜ＯＩ（あるいはその内面ＯＩＳ）と第２導電層Ｌ２との間に位置している。
【００２３】
上述した接続構造により、第２導電層Ｌ２は、接続部材Ｃ及び第１導電層Ｌ１を介して配線基板ＳＵＢ３と電気的に接続される。このため、第２導電層Ｌ２に対して信号を書き込んだり、第２導電層Ｌ２から出力された信号を読み取ったりするための制御回路は、配線基板ＳＵＢ３を介して第２導電層Ｌ２と接続可能となる。
【００２４】
保護膜ＰＦは、第２導電層Ｌ２を覆っている。また、保護膜ＰＦは、貫通孔ＶＡにおいて接続部材Ｃ及び第２導電層Ｌ２が充填されなかった中空部分に充填されている。偏光板等を含む光学素子ＯＤは、保護膜ＰＦの上に接着されている。保護膜ＰＦは、例えば、アクリル系樹脂などの有機絶縁材料によって形成されている。
【００２５】
本実施形態によれば、第２基板ＳＵＢ２に設けられた第２導電層Ｌ２は、第１基板ＳＵＢ１に設けられた第１導電層Ｌ１と、接続用孔Ｖの接続部材Ｃを介して電気的に接続されている。このため、第２導電層Ｌ２に対して信号を書き込んだり、第２導電層Ｌ２から出力された信号を読み取ったりするための配線や配線基板を第２基板ＳＵＢ２に設ける必要がない。このため、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ-Ｙ平面において、第２基板ＳＵＢ２の基板サイズを縮小することができるとともに、表示装置ＤＳＰの周縁部の額縁幅を縮小することができる。また、第２基板ＳＵＢ２に配線基板を設ける場合と比較して、コストを削減することができる。これにより、狭額縁化及び低コスト化が可能となる。
【００２６】
また、貫通孔ＶＡには、接続部材Ｃ及び第２導電層Ｌ２が位置しており、両者が互いに接触している。このため、接続部材Ｃ及び第２導電層Ｌ２の一方のみが貫通孔ＶＡに位置する場合と比較して、接続部材Ｃと第２導電層Ｌ２との接触面積を拡大することができる。したがって、接続部材Ｃと第２導電層Ｌ２との接続不良を抑制することができる。
【００２７】
また、第１導電層Ｌ１には貫通孔が形成されず、貫通孔ＶＢにおいては、第１導電層Ｌ１の上面ＬＩＡが絶縁膜ＯＩから露出している。第１導電層Ｌ１は、その上面Ｌ１Ａにおいて、接続部材Ｃ及び第２導電層Ｌ２の少なくとも一方と接触する。このため、第１導電層Ｌ１に貫通孔が形成された場合と比較して、第１導電層Ｌ１と、接続部材Ｃ及び第２導電層Ｌ２の少なくとも一方との接触面積を拡大することができる。したがって、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２との接続不良を抑制することができる。
【００２８】
また、貫通孔ＶＢの幅ＷＢは、貫通孔ＶＡの幅ＷＡ１より小さい。絶縁膜ＯＩは、第２絶縁基板２０に覆われていない上面ＯＩＴを備えている。このため、接続部材Ｃや第２導電層Ｌ２を形成する際に、これらを形成するための導電材料を貫通孔ＶＡに充填した際に、導電材料を上面ＯＩＴに留めることができ、接続部材Ｃや第２導電層Ｌ２の途切れを抑制することができる。
【００２９】
図２は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの他の構成例を示す断面図である。  
図２に示した構成例は、図１に示した構成例と比較して、第２導電層Ｌ２が接続部材Ｃの下に位置する点で相違している。すなわち、第２導電層Ｌ２は、貫通孔ＶＡ及び貫通孔ＶＢに位置している。図示した例では、第２導電層Ｌ２は、主面２０Ｂ及び内面２０Ｓにそれぞれ接触している。また、第２導電層Ｌ２は、上面ＯＩＴ及び内面ＯＩＳにそれぞれ接触している。また、第２導電層Ｌ２は、上面Ｌ１Ａに接触している。  
接続部材Ｃは、主面２０Ｂに位置し、第２導電層Ｌ２と接触している。図示した例では、接続部材Ｃは、貫通孔ＶＡ及び貫通孔ＶＢにも位置し、第２導電層Ｌ２と接触している。貫通孔ＶＡにおいては、第２導電層Ｌ２は、第２絶縁基板２０（あるいはその内面２０Ｓ）と接続部材Ｃとの間に位置している。貫通孔ＶＢにおいては、第２導電層Ｌ２は、絶縁膜ＯＩ（あるいはその内面ＯＩＳ）と接続部材Ｃとの間に位置している。接続部材Ｃは、保護膜ＰＦによって覆われている。  
このような構成例においても、上記の構成例と同様の効果が得られる。また、たとえ接続用孔Ｖにおいて第２導電層Ｌ２が途切れたとしても、接続部材Ｃが接続用孔Ｖに位置し、第２導電層Ｌ２と接触するため、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とを電気的に接続することができる。なお、接続用孔Ｖにおいて第２導電層Ｌ２が途切れることなく第１導電層Ｌ１と接触可能であれば、接続部材Ｃを省略しても良い。
【００３０】
図３は、図１に示した接続用孔Ｖの構成例を示す斜視図である。  
第１部分ＶＡ１は貫通孔ＶＡの下孔に相当し、第２部分ＶＡ２は貫通孔ＶＡの上孔に相当する。図示した例では、第１部分ＶＡ１及び第２部分ＶＡ２は、Ｘ−Ｙ平面においていずれも円形状に形成されている。第１部分ＶＡ１の面積は、第２部分ＶＡ２の面積よりも小さい。また、第１部分ＶＡ１の直径Ｄ１は、第２部分ＶＡ２の直径Ｄ２よりも小さい。ここでの直径とは、第１方向Ｘに沿った長さに相当する。一例では、直径Ｄ２は、直径Ｄ１の２〜４倍である。  
第３部分ＶＢ１は貫通孔ＶＢの上孔に相当し、第４部分ＶＢ２は貫通孔ＶＢの下孔に相当する。図示した例では、第３部分ＶＢ１及び第４部分ＶＢ２は、Ｘ−Ｙ平面においていずれも円形状に形成されている。第３部分ＶＢ１の直径Ｄ３は、直径Ｄ１よりも小さい。上面ＯＩＴは、第３部分ＶＢ１の周囲にＸ−Ｙ平面において環状に形成されている。第１導電層Ｌ１において、上面Ｌ１Ａは、第４部分ＶＢ２と重なり、Ｘ−Ｙ平面において円形状に形成されている。  
図３に示す例では、第１部分ＶＡ１の中心Ｏ１、及び、第２部分ＶＡ２の中心Ｏ２は、第３方向Ｚに平行な同一直線ＬＡ上に位置している。また、中心Ｏ１は、第３部分ＶＢ１の中心と一致している。また、第４部分ＶＢ２の中心Ｏ３は、中心Ｏ１及びＯ２と同一直線ＬＡ上に位置している。
【００３１】
図４は、図３に示した接続用孔Ｖの平面図である。ここでは、第１導電層Ｌ１が後述するパッドに相当するものとし、第１導電層Ｌ１に接続される配線や第１導電層Ｌ１の周囲の配線等の図示を省略している。図示した例では、第１導電層Ｌ１は、Ｘ−Ｙ平面において八角形状に形成されている。
【００３２】
ここで、第１導電層Ｌ１と、貫通孔ＶＡ及びＶＢとの位置関係に着目する。平面視（Ｘ−Ｙ平面）において、第１部分ＶＡ１及び貫通孔ＶＢは、第１導電層Ｌ１の第１方向Ｘ及び第２方向Ｙの幅よりも小さい円形状に形成され、第１導電層Ｌ１のほぼ中央に位置している。第２部分ＶＡ２は、第１部分ＶＡ１よりも大きく、図示した例では、第１導電層Ｌ１よりも大きい。上面ＯＩＴは、右上がりの斜線で示した環状の領域に相当する。上面Ｌ１Ａは、右下がりの斜線で示した円形状の領域に相当する。上面ＯＩＴ及び上面Ｌ１Ａは、図１に示した例では接続部材Ｃと接触し、図２に示した例では第２導電層Ｌ２と接触している。なお、上面ＯＩＴ及び上面Ｌ１Ａは、接続部材Ｃ及び第２導電層Ｌ２の両方と接触している場合もあり得る。上面第１部分ＶＡ１、第２部分ＶＡ２、貫通孔ＶＢ、及び、上面Ｌ１Ａは、いずれも平面視で円形であり、中心Ｏを共有する同心円状に形成されている。
【００３３】
図５Ａは、本実施形態の表示装置ＤＳＰの他の構成例を示す断面図である。  
図５Ａに示した構成例は、図１に示した構成例と比較して、断面視（Ｙ−Ｚ平面）において貫通孔ＶＡが第３方向Ｚに沿って上方に向かうにしたがって幅が縮小する断面形状を有している点で相違している。すなわち、Ｙ−Ｚ平面における第１部分ＶＡ１の幅ＷＡ１は、第２部分ＶＡ２の幅ＷＡ２よりも大きい。このような断面形状を有する貫通孔ＶＡにおいては、幅ＷＡ２が貫通孔ＶＡの最小幅に相当する。貫通孔ＶＢの幅ＷＢは、幅ＷＡ２よりも小さい。なお、図５ＡではＹ−Ｚ平面の断面視における形状について述べたが、Ｘ−Ｚ平面についても同様の形状である。
【００３４】
図５Ｂは、図５Ａに示した構成例において接続部材Ｃが設けられた断面図である。  
接続部材Ｃは、第２絶縁基板２０の主面２０Ｂ及び内面２０Ｓに接触し、絶縁膜ＯＩの上面ＯＩＴ及び内面ＯＩＳに接触し、第１導電層Ｌ１の上面Ｌ１Ａに接触している。なお、図示した接続部材Ｃは、図２に示した構成例と同様に第２導電層Ｌ２に置換することができる。  
このような構成例においても、上記の構成例と同様の効果が得られる。
【００３５】
図６Ａは、本実施形態の表示装置ＤＳＰの他の構成例を示す断面図である。  
図６Ａに示した構成例は、図１に示した構成例と比較して、断面視（Ｙ−Ｚ平面）において貫通孔ＶＡが第３方向Ｚに沿って上方に向かうにしたがって幅がほとんど変化しない断面形状を有している点で相違している。すなわち、Ｙ−Ｚ平面における第１部分ＶＡ１の幅ＷＡ１は、第２部分ＶＡ２の幅ＷＡ２と同等である。このような断面形状を有する貫通孔ＶＡにおいては、幅ＷＡ１及びＷＡ２が貫通孔ＶＡの最小幅に相当する。貫通孔ＶＢの幅ＷＢは、幅ＷＡ１及びＷＡ２のいずれもよりも小さい。なお、図６ＡではＹ−Ｚ平面の断面視における形状について述べたが、Ｘ−Ｚ平面についても同様の形状である。
【００３６】
図６Ｂは、図６Ａに示した構成例において接続部材Ｃが設けられた断面図である。  
接続部材Ｃは、第２絶縁基板２０の主面２０Ｂ及び内面２０Ｓに接触し、絶縁膜ＯＩの上面ＯＩＴ及び内面ＯＩＳに接触し、第１導電層Ｌ１の上面Ｌ１Ａに接触している。なお、図示した接続部材Ｃは、図２に示した構成例と同様に第２導電層Ｌ２に置換することができる。  
このような構成例においても、上記の構成例と同様の効果が得られる。
【００３７】
次に、貫通孔ＶＡを形成する方法の一例について、図７Ａ乃至図７Ｅを参照しながら説明する。
【００３８】
図７Ａは、第２絶縁基板２０のＹ−Ｚ平面における断面図である。第２絶縁基板２０第３方向Ｚに沿って厚さＴ１を有している。第２絶縁基板２０の主面２０Ｂ側からレーザー光を照射し、第２絶縁基板２０の内部の領域ＭＡ（ＭＡ１乃至ＭＡ３）にレーザー光を集光させる。このときの光源としては、レーザー光の集光部分の周辺が熱的にも化学的にもほとんど損傷を受けない点で、フェムト秒のパルス幅を有するレーザー光を出射するフェムト秒レーザーが好適である。
【００３９】
上記レーザー光照射により、領域ＭＡ１乃至ＭＡ３が改質される。改質された領域ＭＡ１乃至ＭＡ３は、いずれも主面２０Ａ及び２０Ｂとの間に位置し、且つ、これらの主面２０Ａ及び２０Ｂから離間している。領域ＭＡ１は深さＤＰ１を有し、領域ＭＡ２は深さＤＰ２を有し、領域ＭＡ３は深さＤＰ３を有している。ここでの深さは、いずれも第３方向Ｚに沿った長さである。深さＤＰ２は深さＤＰ１より小さく、深さＤＰ３は深さＤＰ２より小さい。また、領域ＭＡ２は領域ＭＡ３よりも第３方向Ｚに沿って主面２０Ｂに近接しており、領域ＭＡ１は領域ＭＡ２よりも第３方向Ｚに沿って主面２０Ｂに近接している。
【００４０】
次いで、第２絶縁基板２０の主面２０Ｂをエッチング等で薄板化する。図７Ｂは、第２絶縁基板２０の厚さがＴ２（＞Ｔ１）まで減少した状態を示している。第２絶縁基板２０は、例えばガラス基板であり、フッ化水素酸（ＨＦ）水溶液などのエッチング液により溶解し、薄板化される。また、改質された領域ＭＡ１乃至ＭＡ３は、上記のエッチング液により、ガラスよりも溶解されやすい。図７Ｂに示した例では、第２絶縁基板２０の厚さの減少に伴って、領域ＭＡ１がエッチング液に晒され、主面２０Ｂよりも窪んだ凹部ＣＣ１が形成される。図７Ｂに示した凹部ＣＣ１は、幅Ｗ１０を有するとともに、深さＤＰ１０を有している。
【００４１】
図７Ｃは、第２絶縁基板２０の主面２０Ｂをさらにエッチングし、第２絶縁基板２０の厚さがＴ３（＞Ｔ２）まで減少した状態を示している。図示した例では、第２絶縁基板２０の厚さの減少に伴って、領域ＭＡ２がエッチング液に晒され、主面２０Ｂよりも窪んだ凹部ＣＣ２が形成される。図７Ｃに示した凹部ＣＣ２は、幅Ｗ２０を有するとともに、深さＤＰ２０を有している。なお、領域ＭＡ１も引き続きエッチング液に晒されるため、凹部ＣＣ１が拡張される。図７Ｃに示した凹部ＣＣ１は、幅Ｗ１０よりも大きな幅Ｗ１１を有するとともに、深さＤＰ１０よりも大きい深さＤＰ１１を有している。
【００４２】
図７Ｄは、第２絶縁基板２０の主面２０Ｂをさらにエッチングし、第２絶縁基板２０の厚さがＴ４（＞Ｔ３）まで減少した状態を示している。図示した例では、第２絶縁基板２０の厚さの減少に伴って、領域ＭＡ３がエッチング液に晒され、主面２０Ｂよりも窪んだ凹部ＣＣ３が形成される。図７Ｄに示した凹部ＣＣ３は、幅Ｗ３０を有するとともに、深さＤＰ３０を有している。なお、領域ＭＡ１及びＭＡ２も引き続きエッチング液に晒されるため、凹部ＣＣ１及びＣＣ２がそれぞれ拡張される。図７Ｄに示した凹部ＣＣ１は、幅Ｗ１１よりも大きな幅Ｗ１２を有するとともに、深さＤＰ１１よりも大きい深さＤＰ１２を有している。図７Ｄに示した凹部ＣＣ２は、幅Ｗ２０よりも大きな幅Ｗ２１を有するとともに、深さＤＰ２０よりも大きい深さＤＰ２１を有している。
【００４３】
図７Ｅは、第２絶縁基板２０の主面２０Ｂをさらにエッチングし、第２絶縁基板２０の厚さがＴ５（＞Ｔ４）まで減少した状態を示している。図示した例では、第２絶縁基板２０の厚さの減少に伴って、領域ＭＡ１乃至ＭＡ３がエッチング液に晒され、凹部ＣＣ１は拡張されて主面２０Ｂから主面２０Ａまで貫通した貫通孔ＶＡ１０となる。同様に、凹部ＣＣ２は貫通孔ＶＡ２０となり、凹部ＣＣ３は貫通孔ＶＡ３０となる。Ｙ−Ｚ平面における貫通孔ＶＡ１０の幅Ｗ１３は幅Ｗ１２よりも大きく、貫通孔ＶＡ２０の幅Ｗ２２は幅Ｗ２１よりも大きく、貫通孔ＶＡ３０の幅Ｗ３１は幅Ｗ３０よりも大きい。また、幅Ｗ２２は幅Ｗ３１よりも大きく、幅Ｗ１３は幅Ｗ２２よりも大きい。
【００４４】
このように、第２絶縁基板２０の内部に予め改質した領域ＭＡ１乃至ＭＡ３を形成しておくことにより、第２絶縁基板２０のエッチングによって、第２絶縁基板２０の厚さを減少するのに伴い、領域ＭＡ１乃至ＭＡ３を起点とした貫通孔を形成することができる。また、領域ＭＡ１乃至ＭＡ３の深さや幅や位置に応じて、貫通孔の幅や深さを調整することができる。なお、図７Ａ乃至図７Ｅでは、Ｙ−Ｚ平面における形状ついて述べたが、Ｘ−Ｚ平面における形状についても同様である。これは、本実施形態のレーザー光のＸ−Ｙ平面におけるエネルギー分布が一点を中心として等方的に分布するからである。
【００４５】
次に、図１に示した構成例の表示装置ＤＳＰを製造する製造方法の一例について、図８Ａ乃至図８Ｉを参照しながら説明する。
【００４６】
まず、図８Ａに示すように、第１絶縁基板１０及び第１導電層Ｌ１を備えた第１基板ＳＵＢ１と、第２絶縁基板２０を備えた第２基板ＳＵＢ２と、第１導電層Ｌ１と第２絶縁基板２０との間に位置する絶縁膜ＯＩと、を備えた被加工物ＷＫを用意する。第１絶縁基板１０及び第２絶縁基板２０は、いずれもガラス基板である。
【００４７】
続いて、図８Ｂに示すように、被加工物ＷＫの主面２０Ｂ側からレーザー光ＬＢ１を照射し、第２絶縁基板２０の内部の領域ＭＡにレーザー光を集光させる。このときの光源としては、レーザー光の集光部分の周辺が熱的にも化学的にもほとんど損傷を受けない点で、フェムト秒のパルス幅を有するレーザー光を出射するフェムト秒レーザーが好適である。
【００４８】
続いて、図８Ｃに示すように、第２絶縁基板２０の薄板化と、第１絶縁基板１０の薄板化を行う。具体的には、第１絶縁基板１０の主面１０Ｂ及び第２絶縁基板２０の主面２０Ｂをそれぞれエッチング液に接触させ、第１絶縁基板１０及び第２絶縁基板２０のそれぞれの厚さを減少させる。図示した例では、第２絶縁基板２０の厚さの減少に伴って、領域ＭＡがエッチング液に晒され、領域ＭＡにおける主面２０Ｂの近傍の部分が除去され、主面２０Ｂよりも窪んだ凹部ＣＣが形成される。そして、図８Ｄに示すように、第１絶縁基板１０及び第２絶縁基板２０をさらにエッチングする。第２絶縁基板２０のさらなる厚さの減少に伴って、凹部ＣＣが拡張される。そして、図８Ｅに示すように、第１絶縁基板１０及び第２絶縁基板２０をさらにエッチングする。第２絶縁基板２０のさらなる厚さの減少に伴って、領域ＭＡがエッチング液に晒され、凹部ＣＣがさらに拡張されて主面２０Ｂから絶縁膜ＯＩまで貫通した貫通孔ＶＡが形成される。このように、貫通孔ＶＡは、第２絶縁基板２０が等方的にエッチングされることによって形成される。このため、一例では、図４を参照して説明したように第１部分ＶＡ１及び第２部分ＶＡ２が同心円状に形成される。また、例えばナノオーダー以上の長いパルス幅を有するレーザー光を照射して第２絶縁基板２０を熱的に溶解することで貫通孔ＶＡを形成した場合と比較して、第２絶縁基板２０へのダメージが少なく、また、貫通孔ＶＡの周囲に残渣がほとんど発生せず、凹凸が少ない。
【００４９】
続いて、図８Ｆに示すように、貫通孔ＶＡに繋がり、絶縁膜ＯＩを第１導電層Ｌ１まで貫通した貫通孔ＶＢを形成する。一例では、被加工物ＷＫの主面２０Ｂ側からレーザー光ＬＢ２を照射し、貫通孔ＶＡから露出した絶縁膜ＯＩを除去することで、貫通孔ＶＢが形成される。このときのレーザー光ＬＢ２は、主として有機絶縁膜を含む絶縁膜ＯＩを貫通し、且つ、第１導電層Ｌ１を貫通させない程度の条件で照射されることが望ましい。
【００５０】
続いて、図８Ｇに示すように、貫通孔ＶＡ及びＶＢに位置し、第１導電層Ｌ１に接触した接続部材Ｃを形成する。一例では、溶剤を含む接続部材Ｃを貫通孔ＶＡ及びＶＢに注入し、第１導電層Ｌ１に接触させた後に、溶剤を除去することで、第２絶縁基板２０、絶縁膜ＯＩ、及び、第１導電層Ｌ１にそれぞれ接触した接続部材Ｃが形成される。
【００５１】
続いて、図８Ｈに示すように、接続部材Ｃに接触した第２導電層Ｌ２を形成する。このとき、第２導電層Ｌ２は、主面２０Ｂの上に形成されるとともに、貫通孔ＶＡ及びＶＢにも充填される。
【００５２】
続いて、図８Ｉに示すように、第２導電層Ｌ２の上に保護膜ＰＦを形成し、その後、保護膜ＰＦの上に光学素子ＯＤが接着される。接続用孔Ｖに起因した段差は、保護膜ＰＦによって緩和されているため、光学素子ＯＤを接着した際、光学素子ＯＤの下地の段差による光学素子ＯＤの剥離を抑制することができる。
【００５３】
以上の工程により、図１に示した表示装置ＤＳＰを製造することができる。
【００５４】
次に、図２に示した構成例の表示装置ＤＳＰを製造する製造方法の一例について、図９Ａ及び図９Ｂを参照しながら説明する。なお、ここで説明する製造方法においても、図８Ａ乃至図８Ｆを参照して説明した工程、つまり貫通孔ＶＡ及びＶＢを形成するまでの工程は同一である。
【００５５】
図９Ａに示すように、貫通孔ＶＡ及びＶＢに位置し、第１導電層Ｌ１に接触した第２導電層Ｌ２を形成する。第２導電層Ｌ２は、第２絶縁基板２０、絶縁膜ＯＩ、及び、第１導電層Ｌ１にそれぞれ接触する。その後、第２導電層Ｌ２に接触した接続部材Ｃを形成する。接続部材Ｃは、貫通孔ＶＡ及びＶＢに充填される。
【００５６】
続いて、図９Ｂに示すように、接続部材Ｃ及び第２導電層Ｌ２の上に保護膜ＰＦを形成し、その後、保護膜ＰＦの上に光学素子ＯＤが接着される。
【００５７】
以上の工程により、図２に示した表示装置ＤＳＰを製造することができる。
【００５８】
図１０は、図１及び図２に示した断面形状の貫通孔ＶＡを形成するための一手法を説明するための図である。  
第２絶縁基板２０の内部に位置する領域ＭＡ１１は、Ｙ−Ｚ平面において、第３方向Ｚに延びた概ね長方形状の断面形状を有している。領域ＭＡ１１を形成するに際して、レーザー光を集光させる位置ＦＰは、第３方向Ｚに延びた楕円で示している。ここでは、集光位置ＦＰを示す楕円が第３方向Ｚに沿って３個並んでいるが、これは、レーザー光の集光位置ＦＰを第３方向Ｚに沿って移動させたことを示すものである。なお、領域ＭＡ１１は、集光位置ＦＰを第３方向Ｚに沿って移動させた一列の領域のみならず、複数列の領域によって形成されも良い。  
このような長方形状の断面形状を有する領域ＭＡ１１が形成された場合には、第２絶縁基板２０が主面２０Ｂ側からエッチングされるのに伴って、領域ＭＡ１１の上方（主面２０Ｂに近接する側）は、領域ＭＡ１１の下方（主面２０Ａに近接する側）と比較して、エッチングによる除去が促進される。このため、領域ＭＡ１１を起点として形成された貫通孔ＶＡは、図１などの示したように、第３方向Ｚに沿って上方に向かうにしたがって第２方向Ｙに沿った幅が拡大する断面形状を有する。
【００５９】
図１１は、図５Ａに示した断面形状の貫通孔ＶＡを形成するための一手法を説明するための図である。  
第２絶縁基板２０の内部に位置する領域ＭＡ１２は、Ｙ−Ｚ平面において、三角形状の部分ＭＡ１２１と、第３方向Ｚに沿って延びた長方形状の部分ＭＡ１２２とが第３方向Ｚに繋がった断面形状を有している。部分ＭＡ１２１は領域ＭＡ１２の下方に位置し、部分ＭＡ１２２は領域ＭＡ１２の上方に位置している。部分ＭＡ１２１は、集光位置ＦＰを第２方向Ｙ（あるいはＸ−Ｙ面内）に沿って移動させることによって形成される。部分ＭＡ１２２は、集光位置ＦＰを第３方向Ｚに沿って移動させることによって形成される。  
このような断面形状を有する領域ＭＡ１２が形成された場合には、第２絶縁基板２０が主面２０Ｂ側からエッチングされるのに伴って、領域ＭＡ１２の部分ＭＡ１２１は、領域ＭＡ１２の部分ＭＡ１２２と比較して、エッチングによる除去が促進される。このため、領域ＭＡ１２を起点として形成された貫通孔ＶＡは、図５Ａなどの示したように、第３方向Ｚに沿って上方に向かうにしたがって第２方向Ｙに沿った幅が縮小する断面形状を有する。
【００６０】
図１２は、図６Ａに示した断面形状の貫通孔ＶＡを形成するための一手法を説明するための図である。  
第２絶縁基板２０の内部に位置する領域ＭＡ１３は、Ｙ−Ｚ平面において、第３方向Ｚに沿って上方に向かうにしたがって第２方向Ｙに沿った幅が縮小する三角形状の断面形状を有している。領域ＭＡ１３は、集光位置ＦＰを第３方向Ｚに沿って移動させつつ、第２方向Ｙ（あるいはＸ−Ｙ面内）に沿って移動させることによって形成される。  
このような断面形状を有する領域ＭＡ１３が形成された場合には、第２絶縁基板２０が主面２０Ｂ側からエッチングされるのに伴って、領域ＭＡ１３の上方及び下方が同等に除去される。このため、領域ＭＡ１３を起点として形成された貫通孔ＶＡは、図６Ａなどの示したように、第３方向Ｚに沿って上方に向かうにしたがって幅がほとんど変化しない断面形状を有する。
【００６１】
図１３は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一構成例を示す平面図である。ここでは、表示装置ＤＳＰの一例として、センサＳＳを搭載した液晶表示装置について説明する。  
表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、ＩＣチップＩ１、配線基板ＳＵＢ３などを備えている。表示パネルＰＮＬは、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シールＳＥと、後述する液晶層ＬＣと、を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１に対向している。シールＳＥは、図１３において右上がりの斜線で示した部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着している。
【００６２】
表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡ、及び、表示領域ＤＡを囲む額縁状の非表示領域ＮＤＡを備えている。表示領域ＤＡは、例えば第１領域に相当し、シールＳＥによって囲まれた内側に位置している。非表示領域ＮＤＡは、例えば表示領域（第１領域）ＤＡと隣り合う第２領域に相当する。シールＳＥは、非表示領域ＮＤＡに位置している。
【００６３】
ＩＣチップＩ１は、配線基板ＳＵＢ３に実装されている。なお、図示した例に限らず、ＩＣチップＩ１は、第２基板ＳＵＢ２よりも外側に延出した第１基板ＳＵＢ１に実装されていても良いし、配線基板ＳＵＢ３に接続される外部回路基板に実装されていても良い。ＩＣチップＩ１は、例えば、画像を表示するのに必要な信号を出力するディスプレイドライバＤＤを内蔵している。ここでのディスプレイドライバＤＤは、後述する信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び、共通電極駆動回路ＣＤの少なくとも一部を含むものである。また、図示した例では、ＩＣチップＩ１は、タッチパネルコントローラなどとして機能する検出回路ＲＣを内蔵している。なお、検出回路ＲＣは、ＩＣチップＩ１とは異なる他のＩＣチップに内蔵されていても良い。
【００６４】
表示パネルＰＮＬは、例えば、第１基板ＳＵＢ１の下方からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、第２基板ＳＵＢ２の上方からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであっても良い。
【００６５】
センサＳＳは、表示装置ＤＳＰへの被検出物の接触あるいは接近を検出するためのセンシングを行うものである。センサＳＳは、複数の検出電極Ｒｘ（Ｒｘ１、Ｒｘ２…）を備えている。検出電極Ｒｘは、第２基板ＳＵＢ２に設けられており、上記の第２導電層Ｌ２に相当する。検出電極Ｒｘは、それぞれ第１方向Ｘに沿って延出し、第２方向Ｙに間隔をおいて並んでいる。図１３では、検出電極Ｒｘとして、検出電極Ｒｘ１乃至Ｒｘ４が図示されているが、ここでは、検出電極Ｒｘ１に着目してその構造例について説明する。
【００６６】
すなわち、検出電極Ｒｘ１は、検出部ＲＳと、端子部ＲＴ１と、接続部ＣＮとを備えている。  
検出部ＲＳは、表示領域ＤＡに位置し、第１方向Ｘに沿って延出している。検出電極Ｒｘ１においては、主として検出部ＲＳがセンシングに利用される。図示した例では、検出部ＲＳは、帯状に形成されているが、より具体的には、図１７を参照して説明するように微細な金属細線の集合体によって形成されている。また、１つの検出電極Ｒｘ１は、２本の検出部ＲＳを備えているが、３本以上の検出部ＲＳを備えていても良いし、１本の検出部ＲＳを備えていても良い。  
端子部ＲＴ１は、非表示領域ＮＤＡの第１方向Ｘに沿った一端側に位置し、検出部ＲＳに繋がっている。接続部ＣＮは、非表示領域ＮＤＡの第１方向Ｘに沿った他端側に位置し、複数の検出部ＲＳを互いに接続している。図１３において、一端側とは表示領域ＤＡよりも左側に相当し、他端側とは表示領域ＤＡよりも右側に相当する。端子部ＲＴ１の一部は、平面視でシールＳＥと重なる位置に形成されている。
【００６７】
一方で、第１基板ＳＵＢ１は、上記の第１導電層Ｌ１に相当するパッドＰ１、及び、上記の配線ＣＬに相当する配線Ｗ１を備えている。パッドＰ１及び配線Ｗ１は、非表示領域ＮＤＡの一端側に位置し、平面視でシールＳＥと重なっている。パッドＰ１は、平面視で端子部ＲＴ１と重なる位置に形成されている。配線Ｗ１は、パッドＰ１に接続され、第２方向Ｙに沿って延出し、配線基板ＳＵＢ３を介してＩＣチップＩ１の検出回路ＲＣと電気的に接続されている。
【００６８】
接続用孔Ｖ１は、非表示領域ＮＤＡに位置し、端子部ＲＴ１とパッドＰ１とが対向する位置に形成されている。また、接続用孔Ｖ１は、第２基板ＳＵＢ２及びシールＳＥを貫通している。図１などを参照して説明したように、接続用孔Ｖ１には、接続部材Ｃが設けられている。これにより、端子部ＲＴ１とパッドＰ１とが電気的に接続される。つまり、第２基板ＳＵＢ２に設けられた検出電極Ｒｘ１は、第１基板ＳＵＢ１に接続された配線基板ＳＵＢ３を介して検出回路ＲＣと電気的に接続される。検出回路ＲＣは、検出電極Ｒｘから出力されたセンサ信号を読み取り、被検出物の接触あるいは接近の有無や、被検出物の位置座標などを検出する。
【００６９】
図示した例では、奇数番目の検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ３…の各々の端子部ＲＴ１、ＲＴ３…、パッドＰ１、Ｐ３…、配線Ｗ１、Ｗ３…、接続用孔Ｖ１、Ｖ３…は、いずれも非表示領域ＮＤＡの一端側に位置している。また、偶数番目の検出電極Ｒｘ２、Ｒｘ４…の各々の端子部ＲＴ２、ＲＴ４…、パッドＰ２、Ｐ４…、配線Ｗ２、Ｗ４…、接続用孔Ｖ２、Ｖ４…は、いずれも非表示領域ＮＤＡの他端側に位置している。このようなレイアウトによれば、非表示領域ＮＤＡにおける一端側の幅と他端側の幅とを均一化することができ、狭額縁化に好適である。
【００７０】
図示したように、パッドＰ３がパッドＰ１よりも配線基板ＳＵＢ３に近接するレイアウトでは、配線Ｗ１は、パッドＰ３の内側（つまり、表示領域ＤＡに近接する側）を迂回し、パッドＰ３と配線基板ＳＵＢ３との間で配線Ｗ３の内側に並んで配置されている。同様に、配線Ｗ２は、パッドＰ４の内側を迂回し、パッドＰ４と配線基板ＳＵＢ３との間で配線Ｗ４の内側に並んで配置されている。
【００７１】
図１４は、図１３に示した表示パネルＰＮＬの基本構成及び等価回路を示す図である。  
表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。ここで、画素とは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、例えば、後述する走査線と信号線とが交差する位置に配置されたスイッチング素子を含む領域に存在する。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置されている。また、表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数本の走査線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、複数本の信号線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、共通電極ＣＥなどを備えている。走査線Ｇは、各々第１方向Ｘに沿って延出し、第２方向Ｙに並んでいる。信号線Ｓは、各々第２方向Ｙに沿って延出し、第１方向Ｘに並んでいる。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくても良く、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び、共通電極ＣＥは、それぞれ非表示領域ＮＤＡに引き出されている。非表示領域ＮＤＡにおいて、走査線Ｇは走査線駆動回路ＧＤに接続され、信号線Ｓは信号線駆動回路ＳＤに接続され、共通電極ＣＥは共通電極駆動回路ＣＤに接続されている。信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び、共通電極駆動回路ＣＤは、第１基板ＳＵＢ１上に形成されても良いし、これらの一部或いは全部が図１３に示したＩＣチップＩ１に内蔵されていても良い。
【００７２】
各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。より具体的には、スイッチング素子ＳＷは、ゲート電極ＷＧ、ソース電極ＷＳ、及び、ドレイン電極ＷＤを備えている。ゲート電極ＷＧは、走査線Ｇと電気的に接続されている。図示した例では、信号線Ｓと電気的に接続された電極をソース電極ＷＳと称し、画素電極ＰＥと電気的に接続された電極をドレイン電極ＷＤと称する。  
走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。画素電極ＰＥの各々は、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。保持容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間に形成される。
【００７３】
図１５は、図１３に示した表示パネルＰＮＬの一部の構造を示す断面図である。ここでは、表示装置ＤＳＰを第１方向Ｘに沿って切断した断面図を示す。
【００７４】
図示した表示パネルＰＮＬは、主として基板主面にほぼ平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。なお、表示パネルＰＮＬは、基板主面に対して垂直な縦電界や、基板主面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していても良い。横電界を利用する表示モードでは、例えば第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２のいずれか一方に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が備えられた構成が適用可能である。縦電界や斜め電界を利用する表示モードでは、例えば、第１基板ＳＵＢ１に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのいずれか一方が備えられ、第２基板ＳＵＢ２に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのいずれか他方が備えられた構成が適用可能である。なお、ここでの基板主面とは、Ｘ−Ｙ平面と平行な面である。
【００７５】
第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０、信号線Ｓ、共通電極ＣＥ、金属層Ｍ、画素電極ＰＥ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。なお、ここでは、スイッチング素子や走査線、これらの間に介在する各種絶縁膜等の図示を省略している。  
第１絶縁膜１１は、第１絶縁基板１０の上に位置している。図示しない走査線やスイッチング素子の半導体層は、第１絶縁基板１０と第１絶縁膜１１の間に位置している。信号線Ｓは、第１絶縁膜１１の上に位置している。第２絶縁膜１２は、信号線Ｓ及び第１絶縁膜１１の上に位置している。共通電極ＣＥは、第２絶縁膜１２の上に位置している。金属層Ｍは、信号線Ｓの直上において共通電極ＣＥに接触している。図示した例では、金属層Ｍは、共通電極ＣＥの上に位置しているが、共通電極ＣＥと第２絶縁膜１２との間に位置していても良い。第３絶縁膜１３は、共通電極ＣＥ及び金属層Ｍの上に位置している。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３の上に位置している。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３を介して共通電極ＣＥと対向している。また、画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向する位置にスリットＳＬを有している。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ及び第３絶縁膜１３を覆っている。  
走査線、信号線Ｓ、及び、金属層Ｍは、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料によって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。第１絶縁膜１１は、シリコン窒化物（ＳｉＮ）やシリコン酸化物（ＳｉＯ）などの無機絶縁膜であり、これらのいずれかからなる単層膜でも良いし、複数の向き絶縁膜を積層した多層膜であっても良い。第２絶縁膜１２は、アクリル樹脂などによって形成された有機絶縁膜である。第３絶縁膜１３は、シリコン窒化物（ＳｉＮ）によって形成された無機絶縁膜である。
【００７６】
なお、第１基板ＳＵＢ１の構成は、図示した例に限らず、画素電極ＰＥが第２絶縁膜１２と第３絶縁膜１３との間に位置し、共通電極ＣＥが第３絶縁膜１３と第１配向膜ＡＬ１との間に位置していても良い。このような場合、画素電極ＰＥはスリットを有していない平板状に形成され、共通電極ＣＥは画素電極ＰＥと対向するスリットを有する。また、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が櫛歯状に形成され、互いに噛み合うように配置されていても良い。
【００７７】
第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。  
遮光層ＢＭ及びカラーフィルタＣＦは、第２絶縁基板２０の第１基板ＳＵＢ１と対向する側に位置している。遮光層ＢＭは、各画素を区画し、信号線Ｓの直上に位置している。カラーフィルタＣＦは、画素電極ＰＥと対向し、その一部が遮光層ＢＭに重なっている。カラーフィルタＣＦは、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタなどを含む。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。  
なお、カラーフィルタＣＦは、第１基板ＳＵＢ１に配置されても良い。カラーフィルタＣＦは、４色以上のカラーフィルタを含んでいても良い。白色を表示する画素には、白色のカラーフィルタが配置されても良いし、無着色の樹脂材料が配置されても良いし、カラーフィルタを配置せずにオーバーコート層ＯＣを配置しても良い。
【００７８】
検出電極Ｒｘは、第２絶縁基板２０の主面２０Ｂに位置している。検出電極Ｒｘは、金属を含む導電層、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電材料によって形成されていても良いし、金属を含む導電層の上に透明導電層が積層されていても良いし、導電性の有機材料や、微細な導電性物質の分散体などによって形成されていても良い。
【００７９】
第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１は、第１絶縁基板１０と照明装置ＢＬとの間に位置している。第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２は、検出電極Ｒｘの上に位置している。第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、必要に応じて位相差板を含んでいても良い。
【００８０】
例えば、画素電極ＰＥは、上記の第１導電層Ｌ１と同一層に位置し、第１導電層Ｌ１と同一材料によって形成可能である。検出電極Ｒｘは、上記の第２導電層Ｌ２と同一層に位置し、第２導電層Ｌ２と同一材料によって形成可能である。遮光層ＢＭやオーバーコート層ＯＣは、図１５に示した表示領域のみならず、その外側の非表示領域にも配置され、上記の絶縁膜ＯＩに含まれる。
【００８１】
次に、本実施形態の表示装置ＤＳＰに搭載されるセンサＳＳの一構成例について説明する。以下に説明するセンサＳＳは、例えば相互容量方式の静電容量型であり、誘電体を介して対向する一対の電極間の静電容量の変化に基づいて、被検出物の接触あるいは接近を検出するものである。
【００８２】
図１６は、センサＳＳの一構成例を示す平面図である。  
図示した構成例では、センサＳＳは、センサ駆動電極Ｔｘ、及び、検出電極Ｒｘを備えている。図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、右下がりの斜線で示した部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１に設けられている。また、検出電極Ｒｘは、右上がりの斜線で示した部分に相当し、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、Ｘ−Ｙ平面において、互いに交差している。検出電極Ｒｘは、第３方向Ｚにおいて、センサ駆動電極Ｔｘと対向している。
【００８３】
センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、表示領域ＤＡに位置し、それらの一部が非表示領域ＮＤＡに延在している。図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、それぞれ第２方向Ｙに沿って延出した帯状の形状を有し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。検出電極Ｒｘは、それぞれ第１方向Ｘに沿って延出し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。検出電極Ｒｘは、図１３を参照して説明したように、第１基板ＳＵＢ１に設けられたパッドに接続され、配線を介して検出回路ＲＣと電気的に接続されている。センサ駆動電極Ｔｘの各々は、配線ＷＲを介して共通電極駆動回路ＣＤと電気的に接続されている。なお、センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘの個数やサイズ、形状は特に限定されるものではなく種々変更可能である。
【００８４】
センサ駆動電極Ｔｘは、上記の共通電極ＣＥを含み、画素電極ＰＥとの間で電界を発生させる機能を有するとともに、検出電極Ｒｘとの間で容量を発生させることで被検出物の位置を検出するための機能を有している。
【００８５】
共通電極駆動回路ＣＤは、表示領域ＤＡに画像を表示する表示駆動時に、共通電極ＣＥを含むセンサ駆動電極Ｔｘに対してコモン駆動信号を供給する。また、共通電極駆動回路ＣＤは、センシングを行うセンシング駆動時に、センサ駆動電極Ｔｘに対してセンサ駆動信号を供給する。検出電極Ｒｘは、センサ駆動電極Ｔｘへのセンサ駆動信号の供給に伴って、センシングに必要なセンサ信号（つまり、センサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の電極間容量の変化に基づいた信号）を出力する。検出電極Ｒｘから出力された検出信号は、図１３に示した検出回路ＲＣに入力される。
【００８６】
なお、上記した各構成例におけるセンサＳＳは、一対の電極間の静電容量（上記の例ではセンサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の静電容量）の変化に基づいて被検出物を検出する相互容量方式に限らず、検出電極Ｒｘの静電容量の変化に基づいて被検出物を検出する自己容量方式であっても良い。
【００８７】
図１７は、図１３に示した検出電極Ｒｘ１の検出部ＲＳの構成例を示す図である。  
図１７（Ａ）に示す例では、検出部ＲＳは、メッシュ状の金属細線ＭＳによって形成されている。金属細線ＭＳは、端子部ＲＴ１に繋がっている。図１７（Ｂ）に示す例では、検出部ＲＳは、波状の金属細線ＭＷによって形成されている。図示した例では、金属細線ＭＷは、鋸歯状であるが、正弦波状などの他の形状であっても良い。金属細線ＭＷは、端子部ＲＴ１に繋がっている。  
端子部ＲＴ１は、例えば検出部ＲＳと同一材料によって形成されている。端子部ＲＴ１には、平面視で円形状の接続用孔Ｖ１が形成されている。
【００８８】
図１８は、図１３に示した接続用孔Ｖ１を含むＡ−Ｂ線で切断した表示パネルＰＮＬの一構成例を示す断面図である。
【００８９】
第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０、パッドＰ１、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３などを備えている。図示した例では、パッドＰ１は、第１層Ｌ１１、第２層Ｌ１２、第３層Ｌ１３、及び、第４層Ｌ１４を備えている。第１層Ｌ１１は、第１絶縁膜１１と第２絶縁膜１２との間に位置している。第２層Ｌ１２及び第３層Ｌ１３は、第２絶縁膜１２と第３絶縁膜１３との間に位置している。第２層Ｌ１２は、第２絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＣＨ１２を経由して第１層Ｌ１１と接触している。第３層Ｌ１３は、第２層Ｌ１２の上に位置し、第２層Ｌ１２と接触している。第４層Ｌ１４は、第３絶縁膜１３とシールＳＥとの間に位置している。第４層Ｌ１４は、第３絶縁膜１３を貫通するコンタクトホールＣＨ１３を経由して第３層Ｌ１３と接触している。図１５に示した各部と、第１乃至第４層Ｌ１１乃至Ｌ１４との対応について説明すると、第１層Ｌ１１は、信号線Ｓと同一層に位置し、信号線Ｓと同一材料によって形成可能である。第２層Ｌ１２は、共通電極ＣＥと同一層に位置し、共通電極ＣＥと同一材料によって形成可能である。第３層Ｌ１３は、金属層Ｍと同一層に位置し、金属層Ｍと同一材料によって形成可能である。第４層Ｌ１４は、画素電極ＰＥと同一層に位置し、画素電極ＰＥと同一材料によって形成可能である。なお、図１３を参照して説明した配線Ｗ１などは、第１層Ｌ１１と同一層に位置し、第１層Ｌ１１と同一材料によって形成可能である。
【００９０】
第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板２０、検出電極Ｒｘ１、遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣなどを備えている。  
シールＳＥは、第３絶縁膜１３及び第４層Ｌ１４と、オーバーコート層ＯＣとの間に位置している。
【００９１】
上記の構成例において、例えば、第４層Ｌ１４は第１導電層Ｌ１に相当し、端子部ＲＴ１は第２導電層Ｌ２に相当し、シールＳＥ、オーバーコート層ＯＣ、及び、遮光層ＢＭは、絶縁膜ＯＩに相当する。  
接続用孔Ｖ１は、第２絶縁基板２０を貫通する貫通孔ＶＡ、及び、絶縁膜ＯＩを貫通する貫通孔ＶＢを含んでいる。接続部材Ｃは、接続用孔Ｖ１に設けられ、パッドＰ１と検出電極Ｒｘとを電気的に接続している。接続用孔Ｖ１において、接続部材Ｃと接触する部材についてより具体的に説明する。すなわち、接続部材Ｃは、貫通孔ＶＡにおいて、端子部ＲＴ１及び第２絶縁基板２０にそれぞれ接触している。また、接続部材Ｃは、貫通孔ＶＢにおいて、遮光層ＢＭ、オーバーコート層ＯＣ、シールＳＥにそれぞれ接触し、パッドＰ１の第４層Ｌ１４に接触している。
【００９２】
上述したセンサＳＳを備える表示装置ＤＳＰによれば、第２基板ＳＵＢ２に設けられた検出電極Ｒｘは、接続用孔Ｖに設けられた接続部材Ｃにより、第１基板ＳＵＢ１に設けられたパッドＰと接続されている。このため、検出電極Ｒｘと検出回路ＲＣとを接続するための配線基板を第２基板ＳＵＢ２に実装する必要がなくなる。つまり、第１基板ＳＵＢ１に実装された配線基板ＳＵＢ３は、表示パネルＰＮＬに画像を表示するのに必要な信号を伝送するための伝送路を形成するとともに、検出電極Ｒｘと検出回路ＲＣとの間で信号を伝送するための伝送路を形成する。したがって、配線基板ＳＵＢ３の他に別個の配線基板を必要とする構成例と比較して、配線基板の個数を削減することができ、コストを削減することができる。また、第２基板ＳＵＢ２に配線基板を接続するためのスペースが不要となるため、表示パネルＰＮＬの非表示領域、特に、配線基板ＳＵＢ３が実装される端辺の幅を縮小することができる。これにより、狭額縁化及び低コスト化が可能となる。
【００９３】
また、接続用孔Ｖの直下には、シリコン窒化物（ＳｉＮ）によって形成された第３絶縁膜１３が配置されている。第２絶縁基板２０に貫通孔ＶＡを形成するに際して、第２絶縁基板２０の内部にレーザー光を集光させるが、照射されたレーザー光が絶縁膜ＯＩを透過したとしても、直下に位置する第３絶縁膜１３がレーザー光を吸収できる。このため、レーザー光が透過したことによる他の部材への影響を軽減することができる。
【００９４】
以上説明したように、本実施形態によれば、狭額縁化及び低コスト化が可能な電子機器及びその製造方法を提供することができる。
【００９５】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【００９６】
本明細書にて開示した構成から得られる表示装置の一例を以下に付記する。  
（１）
第１絶縁基板と、第１導電層と、を備えた第１基板と、
前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面を有する第２絶縁基板と、前記第２主面に位置する第２導電層と、を備え、前記第１主面と前記第２主面とを貫通する第１貫通孔を有する第２基板と、
前記第１導電層と前記第２絶縁基板との間に位置し、前記第１貫通孔に繋がり、前記第１導電層まで貫通する第２貫通孔を有する絶縁膜と、
前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔に位置し、前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続部材と、を備え、
前記第２貫通孔の幅は、前記第１貫通孔の幅より小さい、電子機器。  
（２）
前記第１貫通孔は、前記第１主面内に設けられた第１部分と、前記第２主面内に設けられた第２部分とを備え、
前記絶縁膜は、前記第１部分の縁部と前記第２貫通孔との間に位置し前記接続部材及び前記第２導電層の少なくとも一方と接触する環状の第１上面を備えている、（１）に記載の電子機器。  
（３）
平面視で、前記第１部分及び前記第２部分は、同心円状に形成されている、（２）に記載の電子機器。  
（４）
前記第１導電層は、前記接続部材及び前記第２導電層の少なくとも一方と接触する円形状の第２上面を備えている、（１）乃至（３）のいずれかに記載の電子機器。  
（５）
前記第１貫通孔において、前記接続部材は、前記第２絶縁基板と前記第２導電層との間に位置している、（１）乃至（４）のいずれかに記載の電子機器。  
（６）
前記第１貫通孔において、前記第２導電層は、前記第２絶縁基板と前記接続部材との間に位置している、（１）乃至（４）のいずれかに記載の電子機器。  
（７）
前記第２基板は、被検出物の接触あるいは接近を検出する検出部を備え、
前記第２導電層は、前記検出部に繋がっている、（１）乃至（６）のいずれかに記載の電子機器。  
（８）
前記第１導電層と電気的に接続され、前記第２導電層から出力されたセンサ信号を読み取る検出回路を備えている、（７）に記載の電子機器。  
（９）
前記第１基板は、前記検出部と交差するセンサ駆動電極を備えている、（７）または（８）に記載の電子機器。  
（１０）
前記検出部は複数の画素が配置された表示領域に位置し、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔は前記表示領域を囲む非表示領域に位置している、（７）乃至（９）のいずれかに記載の電子機器。  
（１１）
第１絶縁基板及び第１導電層を備えた第１基板と、第２絶縁基板を備えた第２基板と、前記第１導電層と前記第２絶縁基板との間に位置する絶縁膜と、を備えた被加工物において、前記第２絶縁基板の内部の領域にレーザー光を集光させて改質させ、
前記第２絶縁基板を薄板化し、前記改質した領域を除去して前記第２絶縁基板を前記絶縁膜まで貫通する第１貫通孔を形成し、
前記第１貫通孔に繋がり、前記絶縁膜を前記第１導電層まで貫通する第２貫通孔を形成する、電子機器の製造方法。  
（１２）
前記レーザー光は、フェムト秒のパルス幅を有するフェムト秒レーザー光である、（１１）に記載の電子機器の製造方法。  
（１３）
前記レーザー光を集光させて改質させる工程は、前記第２絶縁基板の内部の第１位置の領域、及び、前記第１位置とは異なる第２位置の領域でそれぞれ前記レーザー光を集光させて改質させる工程を含む、（１１）または（１２）に記載の電子機器の製造方法。  
（１４）
前記第２絶縁基板を薄板化する工程は、前記第１絶縁基板及び前記第２絶縁基板をエッチングして、それぞれの厚さを減少させる工程を含む、（１１）乃至（１３）のいずれかに記載の電子機器の製造方法。  
（１５）
前記第１絶縁基板及び前記第２絶縁基板は、ガラス基板である、（１１）乃至（１４）のいずれかに記載の電子機器の製造方法。  
（１６）
前記第２貫通孔を形成する工程は、レーザー光を照射することによって行う、（１１）乃至（１５）のいずれかに記載の電子機器の製造方法。  
（１７）
前記第２貫通孔を形成した後に、
前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔に位置し、前記第１導電層に接触した接続部材を形成し、
前記接続部材に接触した第２導電層を形成する、（１１）乃至（１６）のいずれかに記載の電子機器の製造方法。  
（１８）
前記第２貫通孔を形成した後に、
前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔に位置し、前記第１導電層に接触した第２導電層を形成する、（１１）乃至（１６）のいずれかに記載の電子機器の製造方法。
【符号の説明】
【００９７】
ＤＳＰ…表示装置  ＰＮＬ…表示パネル  ＳＳ…センサ
ＳＵＢ１…第１基板  ＳＵＢ２…第２基板  ＳＵＢ３…配線基板
１０…第１絶縁基板  ２０…第２絶縁基板
Ｌ１…導電層  Ｌ２…導電層  Ｃ…接続部材
Ｖ…接続用孔  ＶＡ…貫通孔  ＶＢ…貫通孔
Ｒｘ…検出電極  ＲＳ…検出部  ＲＴ…端子部
Ｐ…パッド  Ｗ…配線
ＯＩ…絶縁膜
【図１】
2018181522.tif 000003
【図２】
2018181522.tif 000004
【図３】
2018181522.tif 000005
【図４】
2018181522.tif 000006
【図５Ａ】
2018181522.tif 000007
【図５Ｂ】
2018181522.tif 000008
【図６Ａ】
2018181522.tif 000009
【図６Ｂ】
2018181522.tif 000010
【図７Ａ】
2018181522.tif 000011
【図７Ｂ】
2018181522.tif 000012
【図７Ｃ】
2018181522.tif 000013
【図７Ｄ】
2018181522.tif 000014
【図７Ｅ】
2018181522.tif 000015
【図８Ａ】
2018181522.tif 000016
【図８Ｂ】
2018181522.tif 000017
【図８Ｃ】
2018181522.tif 000018
【図８Ｄ】
2018181522.tif 000019
【図８Ｅ】
2018181522.tif 000020
【図８Ｆ】
2018181522.tif 000021
【図８Ｇ】
2018181522.tif 000022
【図８Ｈ】
2018181522.tif 000023
【図８Ｉ】
2018181522.tif 000024
【図９Ａ】
2018181522.tif 000025
【図９Ｂ】
2018181522.tif 000026
【図１０】
2018181522.tif 000027
【図１１】
2018181522.tif 000028
【図１２】
2018181522.tif 000029
【図１３】
2018181522.tif 000030
【図１４】
2018181522.tif 000031
【図１５】
2018181522.tif 000032
【図１６】
2018181522.tif 000033
【図１７】
2018181522.tif 000034
【図１８】
2018181522.tif 000035
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月8日(2019.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
次いで、第２絶縁基板２０の主面２０Ｂをエッチング等で薄板化する。図７Ｂは、第２絶縁基板２０の厚さがＴ２（＜Ｔ１）まで減少した状態を示している。第２絶縁基板２０は、例えばガラス基板であり、フッ化水素酸（ＨＦ）水溶液などのエッチング液により溶解し、薄板化される。また、改質された領域ＭＡ１乃至ＭＡ３は、上記のエッチング液により、ガラスよりも溶解されやすい。図７Ｂに示した例では、第２絶縁基板２０の厚さの減少に伴って、領域ＭＡ１がエッチング液に晒され、主面２０Ｂよりも窪んだ凹部ＣＣ１が形成される。図７Ｂに示した凹部ＣＣ１は、幅Ｗ１０を有するとともに、深さＤＰ１０を有している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図７Ｃは、第２絶縁基板２０の主面２０Ｂをさらにエッチングし、第２絶縁基板２０の厚さがＴ３（＜Ｔ２）まで減少した状態を示している。図示した例では、第２絶縁基板２０の厚さの減少に伴って、領域ＭＡ２がエッチング液に晒され、主面２０Ｂよりも窪んだ凹部ＣＣ２が形成される。図７Ｃに示した凹部ＣＣ２は、幅Ｗ２０を有するとともに、深さＤＰ２０を有している。なお、領域ＭＡ１も引き続きエッチング液に晒されるため、凹部ＣＣ１が拡張される。図７Ｃに示した凹部ＣＣ１は、幅Ｗ１０よりも大きな幅Ｗ１１を有するとともに、深さＤＰ１０よりも大きい深さＤＰ１１を有している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図７Ｄは、第２絶縁基板２０の主面２０Ｂをさらにエッチングし、第２絶縁基板２０の厚さがＴ４（＜Ｔ３）まで減少した状態を示している。図示した例では、第２絶縁基板２０の厚さの減少に伴って、領域ＭＡ３がエッチング液に晒され、主面２０Ｂよりも窪んだ凹部ＣＣ３が形成される。図７Ｄに示した凹部ＣＣ３は、幅Ｗ３０を有するとともに、深さＤＰ３０を有している。なお、領域ＭＡ１及びＭＡ２も引き続きエッチング液に晒されるため、凹部ＣＣ１及びＣＣ２がそれぞれ拡張される。図７Ｄに示した凹部ＣＣ１は、幅Ｗ１１よりも大きな幅Ｗ１２を有するとともに、深さＤＰ１１よりも大きい深さＤＰ１２を有している。図７Ｄに示した凹部ＣＣ２は、幅Ｗ２０よりも大きな幅Ｗ２１を有するとともに、深さＤＰ２０よりも大きい深さＤＰ２１を有している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
図７Ｅは、第２絶縁基板２０の主面２０Ｂをさらにエッチングし、第２絶縁基板２０の厚さがＴ５（＜Ｔ４）まで減少した状態を示している。図示した例では、第２絶縁基板２０の厚さの減少に伴って、領域ＭＡ１乃至ＭＡ３がエッチング液に晒され、凹部ＣＣ１は拡張されて主面２０Ｂから主面２０Ａまで貫通した貫通孔ＶＡ１０となる。同様に、凹部ＣＣ２は貫通孔ＶＡ２０となり、凹部ＣＣ３は貫通孔ＶＡ３０となる。Ｙ−Ｚ平面における貫通孔ＶＡ１０の幅Ｗ１３は幅Ｗ１２よりも大きく、貫通孔ＶＡ２０の幅Ｗ２２は幅Ｗ２１よりも大きく、貫通孔ＶＡ３０の幅Ｗ３１は幅Ｗ３０よりも大きい。また、幅Ｗ２２は幅Ｗ３１よりも大きく、幅Ｗ１３は幅Ｗ２２よりも大きい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０、信号線Ｓ、共通電極ＣＥ、金属層Ｍ、画素電極ＰＥ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。なお、ここでは、スイッチング素子や走査線、これらの間に介在する各種絶縁膜等の図示を省略している。  
第１絶縁膜１１は、第１絶縁基板１０の上に位置している。図示しない走査線やスイッチング素子の半導体層は、第１絶縁基板１０と第１絶縁膜１１の間に位置している。信号線Ｓは、第１絶縁膜１１の上に位置している。第２絶縁膜１２は、信号線Ｓ及び第１絶縁膜１１の上に位置している。共通電極ＣＥは、第２絶縁膜１２の上に位置している。金属層Ｍは、信号線Ｓの直上において共通電極ＣＥに接触している。図示した例では、金属層Ｍは、共通電極ＣＥの上に位置しているが、共通電極ＣＥと第２絶縁膜１２との間に位置していても良い。第３絶縁膜１３は、共通電極ＣＥ及び金属層Ｍの上に位置している。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３の上に位置している。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３を介して共通電極ＣＥと対向している。また、画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向する位置にスリットＳＬを有している。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ及び第３絶縁膜１３を覆っている。  
走査線、信号線Ｓ、及び、金属層Ｍは、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料によって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。第１絶縁膜１１は、シリコン窒化物（ＳｉＮ）やシリコン酸化物（ＳｉＯ）などの無機絶縁膜であり、これらのいずれかからなる単層膜でも良いし、複数の無機絶縁膜を積層した多層膜であっても良い。第２絶縁膜１２は、アクリル樹脂などによって形成された有機絶縁膜である。第３絶縁膜１３は、シリコン窒化物（ＳｉＮ）によって形成された無機絶縁膜である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１８】
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【国際調査報告】
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