(57)【要約】  中空封止構造体（１）は、基板（１０）と、基板（１０）上に設けられた突起部であるＡｕバンプ（２５）上に、基板（１０）と離間して配置される電子部品（２０）と、絶縁材料から構成され、電子部品（２０）と基板（１０）との間に中空領域（Ｈ）が形成された状態で電子部品を封止する封止部（３０）と、を有し、平面視における前記電子部品の外周の全周において、電子部品（２０）と基板（１０）との間に外周から封止部が入り込んでいる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた突起部上に、前記基板と離間して配置される電子部品と、
絶縁材料から構成され、前記電子部品と前記基板との間に中空領域が形成された状態で前記電子部品を封止する封止部と、
を有し、
平面視における前記電子部品の外周の全周において、前記電子部品と前記基板との間に前記外周から前記封止部が入り込んでいる、中空封止構造体。
【請求項２】
前記電子部品と前記基板との間に入り込んでいる前記封止部は、前記突起部と離間している、請求項１に記載の中空封止構造体。
【請求項３】
平面視における前記電子部品と前記基板との間に入り込んでいる前記封止部の面積の割合は、平面視における前記電子部品の面積に対して１％〜３０％である、請求項１又は２に記載の中空封止構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、中空封止構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＳＡＷ（Surface  Acoustic  Wave）フィルタのような小型の電子部品の可動部の可動性を確保しながら、封止材料により電子部品を基板上で封止する構造として、中空構造を有した中空封止構造体が検討されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１７５９７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、中空構造を有している電子部品装置は、中空構造を有していない封止構造と比較して、基板と封止材料との間の接着強度が低くなり、中空封止構造体としての耐久性が低下する可能性がある。【０００５】
本発明は上記を鑑みてなされたものであり、耐久性が向上された中空封止構造体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る中空封止構造体は、基板と、前記基板上に設けられた突起部上に、前記基板と離間して配置される電子部品と、絶縁材料から構成され、前記電子部品と前記基板との間に中空領域が形成された状態で前記電子部品を封止する封止部と、を有し、平面視における前記電子部品の外周の全周において、前記電子部品と前記基板との間に前記外周から前記封止部が入り込んでいる。【０００７】
上記の中空封止構造体によれば、電子部品の外周の全周において、電子部品と基板との間に封止部が入り込んでいる。そのため、電子部品と基板との間に入り込んだ封止部により、電子部品と基板との接着性が向上し、中空封止構造体としての耐久性が向上する。【０００８】
ここで、前記電子部品と前記基板との間に入り込んでいる前記封止部は、前記突起部と離間している態様とすることができる。【０００９】
上記のように、封止部が突起部とは離間して設けられていることで、製造時等に封止部が拡散し、中空領域が適切に確保できなくなることを防ぐことができる。【００１０】
また、平面視における前記電子部品と前記基板との間に入り込んでいる前記封止部の面積の割合は、平面視における前記電子部品の面積に対して１％〜３０％である態様とすることができる。【００１１】
上記の構成とすることで、封止部による電子部品と基板との接着性向上効果が好適に奏されながら、中空領域を適切に確保することができ、電子部品の信頼性低下を防ぐことができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、耐久性が向上された中空封止構造体が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態に係る中空封止構造体の概略断面図である。
【図２】中空封止構造体の平面図であり、封止材料の分布を模式的に示した図である。
【図３】中空封止構造体の製造方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態を詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１５】
図１は、本発明の一実施形態に係る中空封止構造体１を示す概略断面図である。また、図２は、中空封止構造体１の平面図であり、封止材料の分布を模式的に示した図である。
図１に示すように、中空封止構造体１は、基板１０と、基板１０上に実装された電子部品２０と、電子部品２０を封止する封止部３０と、を有する。中空封止構造体１は、電子部品２０が内部に封止された構造体であり、例えば、通信機器等に適用される。
【００１６】
基板１０は、板状の絶縁体に対して導体配線が形成された配線基板である。例えば、シリコン（Ｓｉ）基板、ガラス基板、又は、サファイア基板等を用いることができる。基板１０は、配線層を有していてもよく、例えば多層配線基板であってもよい。
【００１７】
電子部品２０は、基板１０上にフリップチップ実装され、基板１０に形成された配線と電気的に接続される。中空封止構造体１に用いられる電子部品２０の種類は特に限定されず、例えば、ＳＡＷ（Surface  Acoustic  Wave）フィルタ、センサ等のＭＥＭＳ（Micro  Electro  Mechanical  Systems）、半導体素子、コンデンサ等が挙げられる。ただし、電子部品２０が可動部を有するデバイスである場合、中空封止構造体１が好適に用いられる。このような電子部品２０としては、例えば、ＳＡＷフィルタ、ＭＥＭＳ（Micro  Electro  Mechanical  Systems）等が挙げられる。本実施形態では、電子部品２０がＳＡＷフィルタである場合について説明する。電子部品２０がＳＡＷフィルタである場合、電子部品２０は、圧電基板２１と、圧電基板２１の表面に配置された一対のくし形電極であるＩＤＴ（Inter  Digital  Transducer）２２と、を有する。
【００１８】
電子部品２０は、基板１０上に設けられる導体の突起部であるＡｕバンプ２５を介して基板１０に対して、ＩＤＴ２２が取り付けられた圧電基板２１の表面が下方となるように（基板１０表面と対向するように）、フリップチップ実装される。これにより、電子部品２０は、基板１０上において、基板１０から離間した状態で保持される。なお、Ａｕバンプ２５に代えて、はんだバンプ等を用いることもできる。電子部品２０と基板１０との間を電気的に接続するためには、導体材料のバンプが用いられるが、電気的な接続が不要な部分については、例えば絶縁材料等による突起部を用いてもよい。本実施形態の中空封止構造体１では、４つのＡｕバンプ２５（図２参照）により電子部品２０が基板１０から離間して支持されている。
【００１９】
封止部３０は、基板１０の上面を全て覆いつつ電子部品２０を封止するように設けられる。封止部３０は、電子部品２０の上面（基板１０に対向する下面とは逆側の面：ＩＤＴ２２が配置された面と対向する面）及び電子部品２０の側面において電子部品２０と接すると共に、電子部品２０の下面側が中空となるように設けられる。この結果、封止部３０により、電子部品２０と基板１０との間には中空領域Ｈが形成される。電子部品２０においては、一対のＩＤＴ２２及びその間の圧電基板２１表面が露出していることで、ＳＡＷフィルタとして機能する。したがって、電子部品２０の一対のＩＤＴ２２及びその間の圧電基板２１表面が露出するように、中空領域Ｈが設けられる。
【００２０】
封止部３０は、絶縁材料から構成されていればよく、その材料は特に限定されない。ただし、封止部３０は、電子部品２０と基板１０との間の中空領域Ｈを確保した状態で形状を維持することが求められる。
【００２１】
上記の中空封止構造体１の大きさは、電子部品２０の大きさ等に基づいて適宜選択される。例えば、電子部品２０として、平面視において一辺０．５ｍｍ〜３ｍｍ程度の四角形状の電子部品が用いられる場合、基板１０は、電子部品２０よりも大きなものが用いられる。また、封止部３０の厚さ（基板１０表面から封止部３０の最上面までの高さ）は、基板１０上にフリップチップ実装された電子部品２０よりも厚く設定されるが、例えば、２０μｍ〜２５０μｍ程度とされる。
【００２２】
封止部３０として好適に用いられる樹脂組成物について説明するが、以下の材料に限定されるものではない。封止部３０に用いられる樹脂組成物は、例えば、（Ａ）熱硬化性樹脂と、（Ｂ）無機充填剤と、を含有することができる。
【００２３】
上記の（Ａ）成分として、エポキシ樹脂又はフェノール樹脂を用いることができる。上記の（Ａ）成分として用いられるエポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のグリシジル基を有するものであれば特に制限なく用いることができる。１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用して用いてもよい。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＢ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＢＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＣ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＧ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰＨ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＴＭＣ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂、ヘキサンジオールビスフェノールＳジグリシジルエーテル等のビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ノボラックフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビキシレノールジグリシジルエーテル等のビキシレノール型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡグリシジルエーテル等の水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、及びそれらの二塩基酸変性ジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂などが挙げられる。
【００２４】
また、上記の（Ａ）成分として用いられるフェノール樹脂は、１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有するものであれば、特に制限無く公知のフェノール樹脂を用いることができる。例えば、フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシノール、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のフェノール類又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド類とを酸性触媒下で縮合あるいは共縮合させて得られる樹脂、ビフェニル骨格型フェノール樹脂、パラキシリレン変性フェノール樹脂、メタキシリレン・パラキシリレン変性フェノール樹脂、メラミン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、シクロペンタジエン変性フェノール樹脂、多環芳香環変性フェノール樹脂、キシリレン変性ナフトール樹脂等が挙げられる。
【００２５】
なお、（Ａ）成分である熱硬化性樹脂には、硬化促進剤が含まれていてもよい。硬化促進剤の種類は特に制限されないが、アミン系もしくはリン系を選択することができる。特に、イミダゾール類は、誘導体が豊富であり、所望の活性温度を得やすいことから（Ａ）成分の熱硬化性樹脂における硬化促進剤として選択することができる。
【００２６】
（Ａ）成分におけるエポキシ樹脂とフェノール樹脂との混合比率、及び、エポキシ樹脂及び／又はフェノール樹脂に帯する硬化促進剤の混合比率は、封止部３０が適切に形状維持を行うことができる範囲で適宜設定することができる。
【００２７】
封止部３０に用いられる樹脂組成物の（Ｂ）成分としては、従来公知の無機充填剤が使用でき、特定のものに限定されない。例えば、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、無定形シリカ、結晶性シリカ、溶融シリカ、球状シリカ、タルク、クレー、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等が挙げられる。表面改質等により、樹脂中への分散性の向上又はワニス中での沈降抑制がしやすいこと、また比較的小さい熱膨張率を有することから所望の硬化膜特性が得られやすいことから、シリカ類を選択することができる。これらの無機充填剤は、必要に応じて予め分散処理を行っても良い。分散処理の手法としては、例えば、高速せん断力により分散を進行させるナノマイザーや、ビーズと呼ばれる球体の媒体を用いて無機充填剤を粉砕するビーズミルなどが挙げられる。
【００２８】
また、上記の無機充填剤は、表面改質を行ってもよい。表面改質の手法は特に限定されないが、シランカップリング剤を用いる場合、表面改質が簡便であり、官能基の種類が豊富であり、所望の特性を付与しやすい。シランカップリング剤としては、例えば、アルキルシラン、アルコキシシラン、ビニルシラン、エポキシシラン、アミノシラン、アクリルシラン、メタクリルシラン、メルカプトシラン、スルフィドシラン、イソシアネートシラン、サルファーシラン、スチリルシラン、アルキルクロロシラン等が使用可能である。
【００２９】
（Ｂ）成分の無機充填剤の添加量は、封止部３０が適切に形状維持を行うことができる範囲で適宜設定することができる。
【００３０】
さらに、封止部３０に用いられる樹脂組成物には、エラストマーが含まれていてもよい。樹脂組成物に含まれるエラストマーは、カルボキシル基当量が、３４０ｇ／ｅｑ．以上、４３００ｇ／ｅｑ．以下であれば、特に制限なく使用できる。
【００３１】
エラストマー成分の平均分子量は、中空部への樹脂の流入を抑制する観点から、３０万以上とすることができ、４０万以上とすることができる。更に、エラストマー成分の平均分子量を５０万以上とすることができる。また、平均分子量が大きすぎる場合には、所望以上に流動性が抑制されてしまい、チップの埋め込み不良が生じる可能性がある。そのため、エラストマー成分の平均分子量は１０００万以下とすることができる。また、エラストマー成分の平均分子量は５００万以下とすることができ、さらに、３００万以下とすることができる。
【００３２】
また、上記の封止部３０に用いられる樹脂組成物には、封止部３０としての機能を損なわない範囲で、さらに他の添加剤が含まれていてもよい。このような添加剤の具体例としては、有機溶剤、顔料、染料、離型剤、酸化防止剤、表面張力調整剤、イオン捕捉剤等を挙げることができる。
【００３３】
ここで、図１及び図２を参照しながら、本実施形態に係る中空封止構造体１における封止部３０についてさらに説明する。
【００３４】
封止部３０は、電子部品２０の下面（基板１０に対向する面）と基板１０との間に中空領域Ｈを形成することに加えて、電子部品２０の下面と基板１０との間の一部の領域に入り込んでいる。その結果、図１に示すように、電子部品２０の圧電基板２１の下面（ＩＤＴ２２の実装面）の外縁において、圧電基板２１は封止部３０と接している。
【００３５】
図２は、中空封止構造体１の平面図であり、基板１０上であって電子部品２０よりも下方における封止部３０の分布を示す図である。図２では、基板１０の外形及びＡｕバンプ２５を実線で示すと共に、電子部品２０の外形を破線で示している。図２に示すように、基板１０と電子部品２０との間の高さ位置では、電子部品２０の外周の全周において、封止部３０が電子部品２０の下側に入り込んでいる。また、電子部品２０の下側に入り込んだ封止部３０は、図１に示すように、電子部品２０の下面（圧電基板２１の下面）及び基板１０の上面とも接している。したがって、電子部品２０の外周の封止部３０が入り込んでいる領域では、電子部品２０下面と基板１０の上面とが封止部３０によって接続されている。そのため、電子部品２０と基板１０との接着性が向上する。
【００３６】
また、電子部品２０の下側における封止部３０の端部３０ａは、基板１０上に設けられる突起部であるＡｕバンプ２５とは接していない。すなわち、封止部３０は、Ａｕバンプ２５とは離間している。封止部３０とＡｕバンプ２５とが接していてもよい。ただし、硬化前の流動性を有する状態の封止部３０がＡｕバンプ２５と接した場合、硬化前の封止部３０がＡｕバンプ２５や電子部品２０表面等を伝って電子部品２０のＩＤＴ２２等ＳＡＷフィルタとしての機能を発揮するために必要な構成部に到達する可能性がある。したがって、Ａｕバンプ２５から離間するように封止部３０を形成する態様とすることができる。
【００３７】
電子部品２０の下側に入り込んでいる封止部３０の面積の割合（すなわち、図２における破線で示す電子部品２０よりも内側に設けられる封止部３０の面積の割合）は、平面視における電子部品２０の面積に対して１％〜３０％とすることができる。上記の範囲とすることで、封止部３０による接着性の向上効果が高められる。また、平面視における電子部品２０の面積に対して、封止部３０が占める割合が５％以上であると、電子部品２０の下側に入り込んだ封止部３０による接着性の向上効果が高められる。また、平面視における電子部品２０の面積に対して、封止部３０が占める割合が２９％以下であると、電子部品２０の下側に入り込んだ封止部３０が、電子部品２０のＩＤＴ２２等ＳＡＷフィルタとしての機能を発揮するために必要な構成部と接触することを防ぐことができ、電子部品２０の性能低下等を防ぐことができる。
【００３８】
次に、図３を参照しながら、中空封止構造体１の製造方法を説明する。まず、図３（Ａ）に示すように、基板１０上に、Ａｕバンプ２５を設けて電子部品２０をフリップチップ実装する。なお、この段階では、基板１０は上に複数の電子部品２０が取り付けられる。一方、封止部３０を形成するための封止材料シート４０を準備する。封止材料シート４０は、フィルム状の支持体３５上に封止部３０となる封止材料層３０Ａが層状に形成されたものである。支持体３５としては、高分子フィルム又は金属箔等を用いることができる。なお、封止材料層３０Ａに含まれる材料は、封止部３０と同様である。封止材料シート４０は、封止材料層３０Ａに含まれる各材料を有機溶剤により溶解・分散したワニスを作成し、支持体３５上にダイコータ等を用いて塗工した後、乾燥することで製造することができる。有機溶剤としては従来公知のものを使用することができる。なお、封止材料シート４０の製造時には、封止材料層３０Ａ上に保護を目的とした層を形成してもよい。保護を目的とした層を形成することで、取扱い性の向上及び異物混入の防止等の効果が得られる。保護を目的とした層は、例えば、高分子フィルム又は金属箔等を用いることができる。ただし、保護を目的とした層は、封止材料シート４０の使用時には剥がされる。
【００３９】
次に、図３（Ｂ）に示すように、電子部品２０が取り付けられた基板１０の表面と、封止材料シート４０の封止材料層３０Ａとが対向した状態で、基板１０と封止材料シート４０とを近付け、基板１０上の電子部品２０を覆うように、電子部品２０を封止材料層３０Ａ内に埋め込む。封止材料層３０Ａ内に電子部品２０を埋め込むために、加熱により封止材料層３０Ａを軟化又は溶融した後に、基板１０と封止材料シート４０の支持体３５とが近付くように加圧する。この結果、電子部品２０が封止材料層３０Ａ内に埋め込まれる。このときの加圧条件等を調整することで、図３（Ｂ）に示すように、電子部品２０の下側（電子部品２０と基板１０との間）に中空領域Ｈが形成されると共に、封止材料層３０Ａの一部を電子部品２０の下側に入り込ませることができる。図３（Ｂ）に示すように、電子部品２０が封止材料層３０Ａ内の所望の位置に埋め込まれて、電子部品２０の下側に封止材料層３０Ａが入り込んだ状態となったことを確認した後、支持体３５を剥離し、所定の温度で加熱する。加熱により、電子部品２０が内部に埋め込まれた封止材料層３０Ａが硬化する。この結果、封止材料層３０Ａ内の所望の位置で電子部品２０が固定される。
【００４０】
その後、図３（Ｃ）に示すように、基板１０を分割し、封止部３０の内部に電子部品２０が封止された中空封止構造体１が得られる。
【００４１】
このように、本実施形態に係る中空封止構造体１によれば、電子部品２０の外周の全周において、電子部品２０の下面と基板１０の上面との間に封止部３０が入り込んでいる。そのため、電子部品２０の下側に入り込んだ封止部３０により、電子部品２０下面と基板１０の上面とが接続された状態となり、電子部品２０と基板１０との接着性が向上し、中空封止構造体としての耐久性が向上する。
【００４２】
また、本実施形態に係る中空封止構造体１において、封止部３０は、突起部であるＡｕバンプ２５とは離間して設けられている。したがって、製造時等に封止部３０が拡散し、中空領域Ｈが適切に確保できなくなることを防ぐことができる。
【００４３】
また、平面視において電子部品２０の下側に入り込んでいる封止部３０の面積の割合は、平面視における電子部品２０の面積に対して１％〜３０％であることで、封止部３０による電子部品２０と基板１０との接着性向上効果が好適に奏されながら、中空領域を適切に確保することができ、電子部品の信頼性低下を防ぐことができる。
【００４４】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は上記の実施形態に限定されず、種々の変更を行うことができる。
【００４５】
例えば、上記実施形態では、中空封止構造体１として１つの電子部品２０が基板１０上に設けられた４つのＡｕバンプ２５によって実装されている構造を有している場合について説明した。しかしながら、バンプの形状や数、電子部品２０の配置等は適宜変更することができる。また、封止部３０の形状等についても適宜変更することができる。
【実施例】
【００４６】
以下、実施例及び比較例に基づき本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。【００４７】
＜封止部に対応する樹脂組成物の作成＞
上記実施形態の中空封止構造体における封止部に用いられる樹脂組成物を作成した。樹脂組成物の成分として、以下の材料を用いた。
Ａ：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、商品名「８０６」、エポキシ基当量：１６０ｇ／ｅｑ、２５℃にて液状を示すエポキシ樹脂）
Ｂ：ノボラック型フェノール樹脂（明和化成株式会社製、商品名「ＤＬ−９２」、フェノール性水酸基当量：１０７ｇ／ｅｑ）
Ｃ：イミダゾール（四国化成工業株式会社製、２Ｐ４ＭＺ）
Ｄ：アクリル酸エステルポリマー（ナガセケムテックス株式会社製、商品名「ＳＧ−２８０  ＥＫ２３」、分子量９０万）
Ｅ：シリカ（株式会社アドマテックス製、商品名「５μｍ  ＳＸ−Ｅ２」、フェニルアミノシラン処理、平均粒径：５．８μｍ）【００４８】
＜樹脂組成物の作成＞
０．５Ｌのポリ容器にＭＥＫ（メチルエチルケトン）を１００ｇ入れ、Ａを７２．４ｇ、Ｂを４８．４ｇ、Ｄを１２．１ｇ、Ｅを８６６．７ｇ入れ、撹拌羽等で無機充填材Ｅ１を分散する。その後、硬化触媒としてＣを０．４ｇ加えて更に３０分撹拌する。これをナイロン製＃１５０メッシュ（開口１０６μｍ）でろ過して、ろ液を採取してワニス状の樹脂組成物を作製した。このワニス状樹脂組成物を、塗工機を使用して支持体となるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のフィルム上に、以下の条件で、樹脂組成物の厚みが１１０μｍになるようにフィルム状の樹脂組成物を作成した。
・塗布ヘッド方式：コンマ
・塗布および乾燥速度：１ｍ／分
・乾燥条件（温度／炉長）：８０℃／１．５ｍ、１００℃／１．５ｍ
・フィルム状の支持体：３８μｍ厚のポリエチレンテレフタレート
・保護を目的とした層：５０μｍ厚のポリエチレンテレフタレート【００４９】
各材料の全質量に対する割合（質量％）を表１に示す。【００５０】
【表１】
2018199254.tif 000003
【００５１】
＜実施例１〜５及び比較例１，２に係る試験片の作成＞
以下の方法で、密着性評価に用いる試験片を作成した。【００５２】
まず、１ｍｍ角サイズの開口が設けられた３００ミクロンのＳＵＳ板の一方の面の開口の端部から２ｃｍ離れた２箇所（開口を挟んだ位置）に両面テープを張り、その上に開口を塞ぐようにガラス板を貼り付けた。ガラス板を貼り付けた面を下にしたＳＵＳ板の開口部を覆うよう（ＳＵＳ板上）に１ｃｍ角の樹脂組成物を載せた。ＳＵＳ板の上に載せた樹脂組成物の上に所定の重量の重りを載せた状態で、下記条件にてオーブン内で所定時間加熱して実施例１〜５及び比較例１，２に係る試験片を作成した。
・オーブン：エスペック株式会社製ＳＡＦＥＴＹ  ＯＶＥＮ  ＳＰＨ−２０１
・温度：１４０℃【００５３】
＜評価＞
（１）樹脂組成物のシリコンチップとの密着性評価
実施例１〜５及び比較例１，２に係る試験片のそれぞれについて、ガラス板が取り付けられた側から基板を観察し、ガラス板と基板との隙間への樹脂の流れ込み量を確認した。流れ込み量は、樹脂組成物の一辺をａとした場合のａに対する割合として求めた。【００５４】
その後、以下条件で、基板とガラス板との密着性を測定した。
・接着力測定装置：株式会社アークテック製DAGE-4000HS【００５５】
密着性の測定により、得られた密着力を以下判断基準にて評価した。
Ａ：１０ＭＰａ以上
Ｂ：１０ＭＰａ未満
（２）樹脂組成物の温度サイクル試験（ＴＣＴ）評価【００５６】
評価方法（１）と同じ試験片を作成し、以下の方法で温度サイクル試験を実施した。
・装置：エスペック株式会社製ＴＳＡ−４１Ｌ−Ａ
・温度：−４０℃３０分、８０℃３０分（１サイクル）
・回数：１０００サイクル
１０００サイクル後に、基板とガラス板が外れていたものをＢ、外れていないものをＡとして評価した。【００５７】
＜評価結果＞
表２に、実施例１〜５及び比較例１，２のそれぞれについて、加熱時に使用した重りの重量、樹脂の流れ込み量（距離）、接着性及び温度サイクル試験（ＴＣＴ）に係る評価結果を示す。【００５８】
【表２】
2018199254.tif 000004
【符号の説明】
【００５９】
１…中空封止構造体、１０…基板、２０…電子部品、２５…Ａｕバンプ、３０…封止部、４０…封止材料シート。
【図１】
2018199254.tif 000005
【図２】
2018199254.tif 000006
【図３】
2018199254.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月21日(2019.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図２は、中空封止構造体１の平面図であり、基板１０上であって電子部品２０よりも下方における封止部３０の分布を示す図である。図２では、基板１０の外形を実線で示すと共に、電子部品２０及びＡｕバンプ２５の外形を破線で示している。図２に示すように、基板１０と電子部品２０との間の高さ位置では、電子部品２０の外周の全周において、封止部３０が電子部品２０の下側に入り込んでいる。また、電子部品２０の下側に入り込んだ封止部３０は、図１に示すように、電子部品２０の下面（圧電基板２１の下面）及び基板１０の上面とも接している。したがって、電子部品２０の外周の封止部３０が入り込んでいる領域では、電子部品２０下面と基板１０の上面とが封止部３０によって接続されている。そのため、電子部品２０と基板１０との接着性が向上する。
【国際調査報告】
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