(57)【要約】本発明の課題は、放熱性の向上を図ることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することである。半導体装置（１）は、支持基板（２）と、半導体チップ（３）と、樹脂体（４）と、放熱用金属層（５）と、を備える。支持基板（２）は、その厚さ方向において互いに反対側にある第１面（２１）及び第２面（２２）を有する。半導体チップ（３）は、複数の電極（３５）を有する。半導体チップ（３）は、支持基板（２）の第１面（２１）側で支持基板（２）に接合されている。樹脂体（４）は、その厚さ方向において互いに反対側にある第１面（４１）及び第２面（４２）を有する。樹脂体（４）は、少なくとも支持基板（２）の側面（２３）と半導体チップ（３）の側面（３３）とを覆っている。放熱用金属層（５）は、支持基板（２）の第２面（２２）と樹脂体（４）の第２面（４２）の少なくとも一部とを覆うように支持基板（２）及び樹脂体（４）に接している。
2018181236.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さ方向において互いに反対側にある第１面及び第２面を有する支持基板と、
複数の電極を有し、前記支持基板の前記第１面側で前記支持基板に接合されている半導体チップと、
厚さ方向において互いに反対側にある第１面及び第２面を有し、少なくとも前記支持基板の側面と前記半導体チップの側面とを覆っている樹脂体と、
前記支持基板の前記第２面と前記樹脂体の前記第２面の少なくとも一部とを覆うように前記支持基板及び前記樹脂体に接している放熱用金属層と、を備える
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記放熱用金属層は、
前記支持基板の前記第２面及び前記樹脂体の前記第２面に接している第１金属層と、
前記第１金属層における前記支持基板側及び前記樹脂体側とは反対側に位置し、前記第１金属層よりも厚くかつ前記第１金属層よりも熱伝導率が高い第２金属層と、を有する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１金属層における金属粒子の平均粒径が、前記第２金属層における金属粒子の平均粒径よりも小さい
ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体チップは、
厚さ方向において互いに反対側にある表面及び裏面を有する基板と、
前記基板の前記表面上にある半導体層と、
前記半導体層における前記基板側とは反対の表面側に位置する前記複数の電極と、
前記半導体層の前記表面上に位置しており、前記複数の電極のそれぞれを露出させる複数の孔を有する電気絶縁層と、を含み、
前記半導体チップの前記複数の電極の表面それぞれと前記電気絶縁層の表面と前記樹脂体の前記第１面とに沿って形成されている複数の導体層を更に備える
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記複数の導体層の各々は、
前記複数の電極のうち一対一に対応する電極に接触しており前記複数の孔のうち対応する孔内に位置している第１配線層と、
前記電気絶縁層の前記表面と前記樹脂体の前記第１面とに沿って形成されている第２配線層と、を有する
ことを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記複数の導体層のうち少なくとも１つの導体層は、前記第２配線層における前記第１配線層側とは反対側に位置する端子層を有し、
前記端子層は、前記樹脂体の前記第１面に沿って形成されている
ことを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記電気絶縁層が有機膜であり、
前記電気絶縁層からなる第１電気絶縁層とは別に、前記第１電気絶縁層の前記表面の少なくとも一部と前記樹脂体の前記第１面の少なくとも一部とを覆う第２電気絶縁層を更に備え、
前記第２電気絶縁層は、前記第１電気絶縁層の前記表面と前記樹脂体の前記第１面との境界を覆っており、
前記第２配線層及び前記端子層は、前記第２電気絶縁層上に形成されている
ことを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記放熱用金属層からなる第１放熱用金属層とは別に第２放熱用金属層を更に備え、
前記第２放熱用金属層は、前記半導体チップの厚さ方向において前記半導体チップの一部に重なるように前記第２電気絶縁層上に形成されており、かつ、前記複数の導体層から離れている
ことを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２電気絶縁層が、前記第２放熱用金属層の一部が内側に配置される貫通孔を有し、
前記第２放熱用金属層は、前記第１電気絶縁層の表面と前記第２電気絶縁層の表面とに跨って形成されている
ことを特徴とする請求項８記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体チップは、トランジスタを含む
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体チップは、厚さ方向において互いに反対側にある表面及び裏面を有する基板と、前記トランジスタと、を含み、
前記トランジスタは、前記基板の前記表面上にある半導体層と、前記半導体層における前記基板側とは反対の表面側に位置する前記複数の電極と、を有する横型トランジスタである
ことを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記放熱用金属層を形成するにあたっては、
前記放熱用金属層の元になる金属層を前記支持基板の前記第２面及び前記樹脂体の前記第２面に接するようにめっきによって形成し、
その後、前記金属層をパターニングすることによって前記金属層の一部からなる前記放熱用金属層を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項２又は３記載の半導体装置の製造方法であって、
前記放熱用金属層を形成するにあたっては、
前記第１金属層の元になる第１金属膜を前記支持基板の前記第２面及び前記樹脂体の前記第２面に接するように乾式めっきによって形成してから、前記第２金属層の元になる第２金属膜を前記第１金属膜における前記支持基板側及び前記樹脂体側とは反対側に湿式めっきによって形成し、
その後、前記第１金属膜と前記第２金属膜とを含む積層膜からなる金属層をパターニングすることによって前記金属層の一部からなる前記放熱用金属層を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項４記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップと前記支持基板とを接合し、
その後、前記支持基板の前記側面と前記半導体チップの前記側面と前記支持基板の前記第２面とを覆うように前記樹脂体の元になる樹脂層を形成し、
その後、前記支持基板の前記第２面を露出させるように前記樹脂層を研磨することで前記樹脂層の一部からなる前記樹脂体を形成し、
その後、前記放熱用金属層及び前記複数の導体層を、めっきを利用して形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に半導体装置及びその製造方法に関し、より詳細には、半導体チップを備える半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置として、パワー半導体デバイスを備えた半導体装置が知られている（特許文献１）。【０００３】
特許文献１に記載された半導体装置は、支持部材（ダイパッド）、第１半導体チップ、第２半導体チップ、リード端子群、ボンディングワイヤ群、及び封止部材を備える。第１半導体チップは、電界効果トランジスタを含むパワー半導体デバイスを備える。第２半導体チップは、パワー半導体デバイスを制御するコントローラを備える。半導体装置では、第２半導体チップが接着剤によってダイパッドに固定され、第１半導体チップが第２半導体チップに接着剤によって固定されている。封止部材は、ダイパッド、第２半導体チップ、第１半導体チップ、リード端子群、及びボンディングワイヤ群を封止する。【０００４】
半導体装置では、小型化を図りつつ放熱性の向上を図ることが望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１６−１１５７２７号公報
【発明の概要】
【０００６】
本発明の目的は、小型化を図りつつ放熱性の向上を図ることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る第１の態様の半導体装置は、支持基板と、半導体チップと、樹脂体と、放熱用金属層と、を備える。前記支持基板は、その厚さ方向において互いに反対側にある第１面及び第２面を有する。前記半導体チップは、複数の電極を有する。前記半導体チップは、前記支持基板の前記第１面側で前記支持基板に接合されている。前記樹脂体は、その厚さ方向において互いに反対側にある第１面及び第２面を有する。前記樹脂体は、少なくとも前記支持基板の側面と前記半導体チップの側面とを覆っている。前記放熱用金属層は、前記支持基板の前記第２面と前記樹脂体の前記第２面の少なくとも一部とを覆うように前記支持基板及び前記樹脂体に接している。【０００８】
本発明に係る第２の態様の半導体装置では、第１の態様において、前記放熱用金属層は、第１金属層と、第２金属層と、を有する。前記第１金属層は、前記支持基板の前記第２面及び前記樹脂体の前記第２面に接している。前記第２金属層は、前記第１金属層における前記支持基板側及び前記樹脂体側とは反対側に位置している。前記第２金属層は、前記第１金属層よりも厚くかつ前記第１金属層よりも熱伝導率が高い。【０００９】
本発明に係る第３の態様の半導体装置では、第２の態様において、前記第１金属層における金属粒子の平均粒径が、前記第２金属層における金属粒子の平均粒径よりも小さい。【００１０】
本発明に係る第４の態様の半導体装置では、第１乃至３のいずれか一つの態様において、前記半導体チップは、基板と、半導体層と、前記複数の電極と、電気絶縁層と、を含む。前記基板は、その厚さ方向において互いに反対側にある表面及び裏面を有する。前記半導体層は、前記基板の前記表面上にある。前記複数の電極は、前記半導体層における前記基板側とは反対の表面側に位置している。前記電気絶縁層は、前記半導体層の前記表面上に位置している。前記電気絶縁層は、前記複数の電極のそれぞれを露出させる複数の孔を有する。半導体装置は、複数の導体層を更に備える。前記複数の導体層は、前記半導体チップの前記複数の電極の表面それぞれと前記電気絶縁層の表面と前記樹脂体の前記第１面とに沿って形成されている。【００１１】
本発明に係る第５の態様の半導体装置では、第４の態様において、前記複数の導体層の各々は、第１配線層と、第２配線層と、を有する。前記第１配線層は、前記複数の電極のうち一対一に対応する電極に接触しており前記複数の孔のうち対応する孔内に位置している。前記第２配線層は、前記電気絶縁層の前記表面と前記樹脂体の前記第１面とに沿って形成されている。【００１２】
本発明に係る第６の態様の半導体装置では、第５の態様において、前記複数の導体層のうち少なくとも１つの導体層は、前記第２配線層における前記第１配線層側とは反対側に位置する端子層を有する。前記端子層は、前記樹脂体の前記第１面に沿って形成されている。【００１３】
本発明に係る第７の態様の半導体装置では、第６の態様において、前記電気絶縁層が有機膜である。半導体装置は、前記電気絶縁層からなる第１電気絶縁層とは別に、第２電気絶縁層を更に備える。前記第２電気絶縁層は、前記第１電気絶縁層の前記表面の少なくとも一部と前記樹脂体の前記第１面の少なくとも一部とを覆っている。前記第２電気絶縁層は、前記第１電気絶縁層の前記表面と前記樹脂体の前記第１面との境界を覆っている。前記第２配線層及び前記端子層は、前記第２電気絶縁層上に形成されている。【００１４】
本発明に係る第８の態様の半導体装置は、第７の態様において、前記放熱用金属層からなる第１放熱用金属層とは別に第２放熱用金属層を更に備える。前記第２放熱用金属層は、前記半導体チップの厚さ方向において前記半導体チップの一部に重なるように前記第２電気絶縁層上に形成されており、かつ、前記複数の導体層から離れている。【００１５】
本発明に係る第９の態様の半導体装置では、第８の態様において、前記第２電気絶縁層が、前記第２放熱用金属層の一部が内側に配置される貫通孔を有する。前記第２放熱用金属層は、前記第１電気絶縁層の表面と前記第２電気絶縁層の表面とに跨って形成されている。【００１６】
本発明に係る第１０の態様の半導体装置では、第１乃至９のいずれか一つの態様において、前記半導体チップは、トランジスタを含む。【００１７】
本発明に係る第１１の態様の半導体装置では、第１０の態様において、前記半導体チップは、基板と、前記トランジスタと、を含む。前記基板は、その厚さ方向において互いに反対側にある表面及び裏面を有する。前記トランジスタは、前記基板の前記表面上にある半導体層と、前記半導体層における前記基板側とは反対の表面側に位置する前記複数の電極と、を有する横型トランジスタである。【００１８】
本発明に係る第１２の態様の半導体装置の製造方法は、第１乃至１１のいずれか一つの態様の半導体装置の製造方法であって、前記放熱用金属層を形成するにあたっては、前記放熱用金属層の元になる金属層を前記支持基板の前記第２面及び前記樹脂体の前記第２面に接するようにめっきによって形成し、その後、前記金属層をパターニングすることによって前記金属層の一部からなる前記放熱用金属層を形成する。【００１９】
本発明に係る第１３の態様の半導体装置の製造方法は、第２又は３の態様の半導体装置の製造方法であって、前記放熱用金属層を形成するにあたっては、前記第１金属層の元になる第１金属膜を前記支持基板の前記第２面及び前記樹脂体の前記第２面に接するように乾式めっきによって形成してから、前記第２金属層の元になる第２金属膜を前記第１金属膜における前記支持基板側及び前記樹脂体側とは反対側に湿式めっきによって形成し、その後、前記第１金属膜と前記第２金属膜とを含む積層膜からなる金属層をパターニングすることによって前記金属層の一部からなる前記放熱用金属層を形成する。【００２０】
本発明に係る第１４の態様の半導体装置の製造方法は、第４の態様の半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップと前記支持基板とを接合し、その後、前記支持基板の前記側面と前記半導体チップの前記側面と前記支持基板の前記第２面とを覆うように前記樹脂体の元になる樹脂層を形成し、その後、前記支持基板の前記第２面を露出させるように前記樹脂層を研磨することで前記樹脂層の一部からなる前記樹脂体を形成し、その後、前記放熱用金属層及び前記複数の導体層を、めっきを利用して形成する。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図２】図２は、同上の半導体装置の平面図である。
【図３】図３は、同上の半導体装置の下面図である。
【図４】図４Ａ〜４Ｃは、同上の半導体装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図５】図５Ａ〜５Ｃは、同上の半導体装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図６】図６Ａ〜６Ｃは、同上の半導体装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図７】図７Ａ及び７Ｂは、同上の半導体装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図８】図８は、本発明の一実施形態の変形例１に係る半導体装置の断面図である。
【図９】図９Ａ〜９Ｃは、同上の半導体装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図１０】図１０Ａ〜１０Ｃは、同上の半導体装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図１１】図１１Ａ及び１１Ｂは、同上の半導体装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図１２】図１２Ａ及び１２Ｂは、同上の半導体装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の一実施形態の変形例２に係る半導体装置の下面図である。
【図１４】図１４は、本発明の一実施形態の変形例３に係る半導体装置の下面図である。
【図１５】図１５は、同上の半導体装置に関し、図１４のＸ−Ｘ線断面図である。
【図１６】図１６は、本発明の一実施形態の変形例４に係る半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
下記の実施形態等において説明する図１〜１６は、模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
【００２３】
（実施形態）
以下では、本実施形態の半導体装置１について、図１〜３に基づいて説明する。ここにおいて、図１は、図３のＸ−Ｘ線断面に対応する断面図である。
【００２４】
半導体装置１は、支持基板２と、半導体チップ３と、樹脂体４と、放熱用金属層５と、を備える。支持基板２は、その厚さ方向において互いに反対側にある第１面２１及び第２面２２を有する。半導体チップ３は、複数（ここでは、３つ）の電極３５を有する。半導体チップ３は、支持基板２の第１面２１側で支持基板２に接合されている。樹脂体４は、その厚さ方向において互いに反対側にある第１面４１及び第２面４２を有する。樹脂体４は、支持基板２の側面２３と半導体チップ３の側面３３とを覆っている。放熱用金属層５は、支持基板２の第２面２２と樹脂体４の第２面４２の一部とを覆うように支持基板２及び樹脂体４に接している。
【００２５】
以上の構成により、半導体装置１は、小型化を図りつつ放熱性の向上を図ることが可能となる。
【００２６】
半導体装置１では、複数（ここでは、３つ）の電極３５に一対一で電気的に接続されている複数（ここでは、３つ）の導体層７を更に備える。半導体装置１では、複数の導体層７の各々の一部が、外部接続用の端子層７３を構成している。したがって、半導体装置１は、樹脂体４と、支持基板２と、放熱用金属層５と、複数の導体層７と、を含むパッケージ１０を備え、パッケージ１０によって半導体チップ３が保護されている。
【００２７】
半導体装置１の各構成要素については、以下に、より詳細に説明する。
【００２８】
上述のように半導体装置１は、支持基板２と、半導体チップ３と、樹脂体４と、放熱用金属層５と、を備える。
【００２９】
半導体チップ３は、半導体素子である。半導体チップ３は、トランジスタ３６を含む。ここにおいて、半導体チップ３は、基板３０と、トランジスタ３６と、を含む。基板３０は、その厚さ方向において互いに反対側にある表面３１及び裏面３２を有する。トランジスタ３６は、半導体層３４と、複数の電極３５と、を有する横型トランジスタである。半導体層３４は、基板３０の表面３１上に形成されている。複数の電極３５は、半導体層３４における基板３０側とは反対の表面３４ａ側に位置する。トランジスタ３６は、複数の電極３５として、ソース電極３５Ｓ、ドレイン電極３５Ｄ及びゲート電極３５Ｇを有する。
【００３０】
トランジスタ３６は、例えば、ＧａＮ系ＦＥＴ（GaN-based Field Effect Transistor）である。より詳細には、トランジスタ３６は、ノーマリオフ型のＧａＮ系ＨＥＭＴ（HEMT：High Electron Mobility Transistor）の一種である。基板３０は、例えば、シリコン基板である。したがって、基板３０は、導電性基板の一種である。基板３０の表面３１は、例えば、（１１１）面である。トランジスタ３６の半導体層３４は、基板３０上に例えばＭＯＶＰＥ（Metal Organic Vapor Phase Epitaxy）によって成長されたエピタキシャル成長層である。半導体層３４の厚さは、例えば、数μｍ程度である。半導体層３４は、例えば、バッファ層、アンドープのＧａＮ層、アンドープのＡｌＧａＮ層及びｐ型ＡｌＧａＮ層を含んでいる。半導体層３４では、バッファ層、アンドープのＧａＮ層、アンドープのＡｌＧａＮ層及びｐ型ＡｌＧａＮ層が、基板３０側からこの順に並んでいる。したがって、半導体層３４は、アンドープのＧａＮ層とアンドープのＡｌＧａＮ層とのヘテロ接合を有している。これにより、半導体層３４では、ヘテロ接合の近傍に、２次元電子ガス（two-dimensional electron gas）が発生している。バッファ層は、例えば、アンドープのＡｌＮ層である。半導体層３４では、ｐ型ＡｌＧａＮ層がアンドープのＡｌＧａＮ層の表面の一部のみを覆っている。したがって、半導体層３４における基板３０側とは反対側の表面３４ａは、アンドープのＡｌＧａＮ層の表面においてｐ型ＡｌＧａＮ層に覆われていない部位と、ｐ型ＡｌＧａＮ層の表面と、を含む。アンドープのＧａＮ層及びアンドープのＡｌＧａＮ層は、それぞれの成長時に不可避的に混入されるＭｇ、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ等の不純物が存在してもよい。
【００３１】
トランジスタ３６では、ソース電極３５Ｓ、ゲート電極３５Ｇ及びドレイン電極３５Ｄは、半導体層３４の表面３４ａ側に設けられている。ソース電極３５Ｓ、ゲート電極３５Ｇ及びドレイン電極３５Ｄは、半導体層３４の表面３４ａに沿った一方向において、ソース電極３５Ｓ、ゲート電極３５Ｇ及びドレイン電極３５Ｄの順で並んで配置されている。上記一方向において、ソース電極３５Ｓとゲート電極３５Ｇとドレイン電極３５Ｄとは互いに離れている。ソース電極３５Ｓ及びドレイン電極３５Ｄは、アンドープのＡｌＧａＮ層の表面においてｐ型ＡｌＧａＮ層に覆われていない部位に形成されている。ゲート電極３５Ｇは、ｐ型ＡｌＧａＮ層の表面に形成されている。これにより、トランジスタ３６は、ノーマリオフ型のトランジスタを実現している。トランジスタ３６は、ｐ型ＡｌＧａＮ層の代わりに、ｐ型金属酸化物半導体層（例えば、ＮｉＯ層）からなるゲート層を備えていてもよい。ゲート層は、半導体装置１において、ゲート電極３５Ｇとソース電極３５Ｓとの間に電圧が印加されておらず、ドレイン電極３５Ｄとソース電極３５Ｓとの間に電圧が印加されていないときに、半導体層３４に空乏層を形成する。これにより、トランジスタ３６では、ノーマリオフ型のトランジスタを実現することができる。
【００３２】
半導体チップ３は、電気絶縁層３８を更に有する。電気絶縁層３８は、半導体層３４の表面３４ａ上に位置している。電気絶縁層３８は、複数（ここでは、３つ）の電極３５のそれぞれを露出させる複数（ここでは、３つ）の孔３８１（図１及び４Ａ参照）を有する。電気絶縁層３８は、電気絶縁性を有する有機膜である。有機膜は、例えば、ポリイミド膜である。
【００３３】
半導体チップ３の平面視形状（半導体チップ３をその厚さ方向から見たときの外周形状）は、長方形状であるが、これに限らず、例えば、正方形状でもよい。半導体チップ３における基板３０の厚さは、例えば、１２０μｍ〜３００μｍであるが、これに限らない。
【００３４】
半導体チップ３は、支持基板２に接合されている。支持基板２の平面視形状は、長方形状であるが、これに限らず、例えば、正方形状でもよい。支持基板２の平面サイズは、半導体チップ３の平面サイズよりも大きい。支持基板２は、その厚さ方向において互いに反対側にある第１面２１及び第２面２２を有する。半導体チップ３は、支持基板２の第１面２１側で支持基板２に接合されている。
【００３５】
半導体装置１は、半導体チップ３と支持基板２とを接合している接合部６を備える。接合部６は、金属粒子を含み導電性を有する樹脂ペースト、特に銀粒子を分散させて得られる銀ペーストを用いて形成されており、より好適には焼結銀により形成されているが、これに限らず、はんだにより形成されていてもよい。焼結銀は、銀粒子同士が焼結により結合された焼結体である。焼結銀は、多孔質銀である。接合部６を焼結銀により形成する場合には、支持基板２の第１面２１に銀ナノ粒子と揮発性のバインダと溶剤とを含む銀ナノペーストを塗布してから、半導体チップ３を銀ナノペーストを介して支持基板２に重ね合わせ、銀ナノペーストを加熱して焼結銀を形成すればよい。接合部６をはんだにより形成する場合には、鉛フリーはんだを用いるのが好ましい。鉛フリーはんだとしては、例えば、ＡｕＳｎを採用することができる。この場合、半導体装置１では、接合部６がＡｕＳｎ以外の鉛フリーはんだの一種であるＳｎＣｕＡｇにより形成されている場合に比べて、耐熱性の向上が可能となる。これにより、半導体装置１は、例えば、配線基板（プリント配線板等）に２次実装する際に接合部６が再溶融するのを抑制することが可能となる。接合部６をはんだにより形成する場合には、基板３０の裏面３２及び支持基板２の第１面２１それぞれにはんだ接合用の金属層を形成しておく必要がある。
【００３６】
支持基板２は、樹脂体４よりも熱伝導率の高い材料により形成された熱伝導性基板である。これにより、半導体装置１では、半導体チップ３で発生した熱が支持基板２を介して放熱用金属層５へ伝熱され放熱用金属層５から放熱されやすい。支持基板２は、セラミック基板である。支持基板２として用いるセラミック基板は、例えば、窒化アルミニウム基板であるが、これに限らず、アルミナ基板でもよい。支持基板２の厚さは、例えば、６００μｍであるが、これに限らない。
【００３７】
半導体装置１は、上述のように、支持基板２の側面２３と半導体チップ３の側面３３とを覆っている樹脂体４を備える。樹脂体４は、その厚さ方向において互いに反対側にある第１面４１及び第２面４２を有する。樹脂体４の厚さ方向の一方向から見た樹脂体４の外周形状は、正方形状であるが、これに限らず、例えば、長方形状でもよい。樹脂体４の厚さは、例えば、０．９ｍｍ程度である。樹脂体４は、電気絶縁性を有する樹脂によって形成されており、電気絶縁性を有する。ここにおいて、樹脂体４は、例えば、封止用の樹脂（エポキシ系樹脂等）によって形成されており、遮光性を有する。封止用の樹脂は、例えば、エポキシ樹脂と、黒色顔料と、エポキシ樹脂よりも熱伝導率の高いフィラーと、を含んでいる。黒色顔料は、例えば、カーボンブラックである。フィラーの材料は、例えば、アルミナである。封止用の樹脂は、エポキシ樹脂の代わりに、例えば、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂等を含んでいてもよい。
【００３８】
半導体装置１では、半導体チップ３の電気絶縁層３８の表面３８ａが樹脂体４から露出している。より詳細には、半導体装置１では、半導体チップ３の電気絶縁層３８（以下、「第１電気絶縁層３８」ともいう）の表面３８ａと樹脂体４の第１面４１とが略面一となっている。また、半導体装置１では、支持基板２の第２面２２が樹脂体４から露出している。より詳細には、半導体装置１では、支持基板２の第２面２２と樹脂体４の第２面４２とが略面一となっている。
【００３９】
半導体装置１は、第１電気絶縁層３８の表面３８ａと樹脂体４の第１面４１とを覆っている第２電気絶縁層８を更に備える。第２電気絶縁層８は、例えば、ポリイミド膜等の有機膜である。ここにおいて、半導体装置１では、第２電気絶縁層８が、半導体チップ３の第１電気絶縁層３８の表面３８ａと樹脂体４の第１面４１との境界を覆っている。要するに、第２電気絶縁層８は、第１電気絶縁層３８の表面３８ａと樹脂体４の第１面４１との境界を覆うように第１電気絶縁層３８の表面３８ａと樹脂体４の第１面４１とに跨って形成されている。これにより、半導体装置１は、耐湿性の向上を図れる。また、半導体装置１では、第２電気絶縁層８が例えばポリイミド膜で構成されているので、第２電気絶縁層８と第１電気絶縁層３８及び樹脂体４との密着性を向上させることが可能となる。
【００４０】
半導体装置１では、上述のように電気絶縁層３８が複数の電極３５のそれぞれを露出させる複数の孔３８１（以下、「第１孔３８１」ともいう）を有している。これに対し、第２電気絶縁層８は、第１電気絶縁層３８の複数の第１孔３８１のそれぞれの内側に電極３５の表面３５ａを露出させる第２孔８１を有する。ここで、第１孔３８１の内側の第２孔８１は、第１孔３８１よりも開口面積が小さい。
【００４１】
半導体装置１は、上述のように複数の導体層７を備える。複数の導体層７の各々は、めっき層である。複数の導体層７の各々は、例えば、チタン膜と銅膜との積層膜である。ここにおいて、チタン膜の厚さは、例えば、０．１μｍ、銅膜の厚さは、例えば、１００μｍである。複数の導体層７は、半導体チップ３の複数の電極３５の表面３５ａそれぞれと第１電気絶縁層３８の表面３８ａと樹脂体４の第１面４１とに沿って形成されている。より詳細には、複数の導体層７は、複数の電極３５のうち一対一に対応する電極３５の表面３５ａ上と第２電気絶縁層８の表面８ａ上とに跨って形成されている。ここにおいて、複数の導体層７の各々の一部は、複数の電極３５のうち一対一に対応する電極３５の表面３５ａ上で第２孔８１内に形成されている。複数の導体層７の各々の一部は、電極３５の表面３５ａ及び第２孔８１の内側面を覆い第２孔８１内が導体層７の一部で満たされるように形成されている。複数の導体層７の各々は、複数の電極３５のうち一対一に対応する電極３５（つまり、接触している電極３５）と電気的に接続されている。半導体装置１では、電極３５にボンディングワイヤを接続する必要がないので、ワイヤボンディングによって半導体チップ３にダメージが発生するのを防止することができる。また、半導体装置１では、複数の電極３５の各々にボンディングワイヤではなく導体層７が接続されているので、パッケージ１０におけるインダクタンス成分を低減することが可能となる。以下では、説明の便宜上、ソース電極３５Ｓと電気的に接続されている導体層７をソース配線層７Ｓと称し、ゲート電極３５Ｇと電気的に接続されている導体層７をゲート配線層７Ｇと称し、ドレイン電極３５Ｄと電気的に接続されている導体層７をドレイン配線層７Ｄと称することもある。
【００４２】
従来、パワー半導体素子用のボンディングワイヤとしては、直径１００μｍ〜５００μｍのＡｌ線が用いられている。これに対して、半導体装置１では、電極３５の表面３５ａのうち第２孔８１により露出する部位の形状が、直径５００μｍの円を内包する形状である。より詳細には、電極３５の表面３５ａのうち第２孔８１により露出する部位の面積が、電極３５にＡｌ線をワイヤボンディングすると仮定したときのＡｌ線と電極３５との接合面積よりも大きい。半導体装置１では、導体層７において電流の流れる方向に直交する断面の面積が、直径５００μｍのＡｌ線の断面積よりも大きい。
【００４３】
複数の導体層７の各々は、第１配線層７１と、第２配線層７２と、を有する。第１配線層７１は、複数の電極３５のうち一対一に対応する電極３５の表面３５ａに接触しており複数の第２孔８１のうち対応する第２孔８１内に位置している。第２配線層７２は、第２電気絶縁層８の表面８ａ上に形成されている。複数の導体層７の各々では、第２配線層７２の配線幅が第１配線層７１の配線幅以上であるのが好ましい。これにより、半導体装置１では、複数の導体層７のそれぞれから、より効率的に放熱させることが可能となり、放熱性を向上させることが可能となる。ここにおいて、第２配線層７２の少なくとも一部の配線幅が第１配線層７１の配線幅よりも大きいのが好ましい。
【００４４】
複数の導体層７の各々は、第２配線層７２における第１配線層７１側とは反対側に位置する端子層７３を有する。端子層７３は、第２電気絶縁層８の表面８ａ上に形成されている。したがって、端子層７３は、樹脂体４の第１面４１に沿って形成されている。端子層７３は、外部接続用の端子としての機能を有する。複数の導体層７の各々において、第２配線層７２及び端子層７３の厚さは、例えば、１００μｍ程度である。半導体装置１では、ボンディングワイヤを用いることなく半導体チップ３の電極３５と端子層７３とが第１配線層７１及び第２配線層７２を介して電気的に接続されているので、小型化を図れ、また、パッケージ１０における寄生インダクタンスを低減できて動作信頼性の向上を図れる。また、半導体装置１では、半導体チップ３におけるトランジスタ３６のスイッチング速度の向上（高速化）を図ることが可能となる。
【００４５】
半導体装置１は、樹脂体４の第１面４１とは反対の第２面４２側に、支持基板２の第２面２２と樹脂体４の第２面４２の一部とを覆っている放熱用金属層５を備えている。ここにおいて、放熱用金属層５は、支持基板２の第２面２２と樹脂体４の第２面４２の一部とに接している。より詳細には、放熱用金属層５は、支持基板２の第２面２２の全面と、樹脂体４の第２面４２の一部と、に接している。放熱用金属層５の平面視形状は、正方形状であるが、これに限らず、例えば、長方形状でもよい。放熱用金属層５の平面サイズは、支持基板２の平面サイズよりも大きい。放熱用金属層５の平面サイズは、樹脂体４の平面サイズよりも小さいが、これに限らず、例えば、樹脂体４の平面サイズと同じでもよい。放熱性の観点から、放熱用金属層５の平面サイズは、より大きいほうが好ましい。
【００４６】
放熱用金属層５は、第１金属層５１と、第２金属層５２と、を有する。第１金属層５１は、支持基板２の第２面２２及び樹脂体４の第２面４２に接している。第２金属層５２は、第１金属層５１における支持基板２側及び樹脂体４側とは反対側に位置している。放熱用金属層５では、例えば、第２金属層５２の材料が銅であり、第１金属層５１の材料がチタンである。第１金属層５１の材料は、第２金属層５２の材料よりも樹脂体４及び支持基板２との密着性の高い材料であるのが好ましい。第２金属層５２の材料は、銅に限らず、例えば、アルミニウム等でもよい。また、第１金属層５１の材料は、チタンに限らず、例えば、クロム、ニッケル等でもよい。
【００４７】
放熱用金属層５では、第２金属層５２は、第１金属層５１よりも厚い。放熱用金属層５では、第１金属層５１の厚さが例えば５００ｎｍであり、第２金属層５２の厚さが例えば１００μｍである。これらの数値はあくまでも一例であり、第１金属層５１の厚さは、例えば、１００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度であり、第２金属層５２の厚さは、例えば、１８μｍ〜５００μｍ程度であるのが好ましい。放熱用金属層５では、第１金属層５１における金属粒子の平均粒径（平均結晶粒径）が、第２金属層５２における金属粒子の平均粒径（平均結晶粒径）よりも小さい。放熱用金属層５は、めっきによって形成されている。ここにおいて、「めっき」は、物体上に金属をつける広義のめっきであり、乾式めっき、湿式めっきを含む。第１金属層５１は、乾式めっき（ここでは、スパッタ）によって形成されている。第２金属層５２は、湿式めっき（ここでは、電気めっき）によって形成されている。これにより、半導体装置１では、放熱用金属層５と支持基板２及び樹脂体４との密着性の向上を図れ、かつ、放熱用金属層５の厚膜化が容易になる。
【００４８】
放熱用金属層５では、第１金属層５１の金属粒子の平均結晶粒径が例えば１ｎｍ〜２００ｎｍであり、第２金属層５２の金属粒子の平均結晶粒径が例えば５μｍ〜２０μｍである。ここにおいて「平均結晶粒径」とは、例えば、放熱用金属層５をその厚さ方向に沿って切断した試料の断面を例えば走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：ＳＥＭ）によって観察して断面ＳＥＭ画像を取得し、その断面ＳＥＭ画像を画像処理して求めた金属粒子の結晶粒径値を用いて算出される値である。「結晶粒径値」は、断面ＳＥＭ画像から得られる金属粒子の面積と同一面積を有する円の直径であり、「平均結晶粒径」は、所定数（例えば、５０個）の金属粒子の結晶粒径値の平均値である。平均結晶粒径の相対的な大小関係を議論する上では、平均結晶粒径は、上述の平均値に限らず、例えば、個数基準粒度分布曲線から求められるメディアン径（ｄ50）でもよい。個数基準粒度分布曲線は、画像イメージング法により粒度分布を測定することで得られる。具体的には、個数基準粒度分布曲線は、上述のＳＥＭ画像を画像処理して求めた金属粒子の大きさ（二軸平均径）と個数とから得られる曲線である。個数基準粒度分布曲線においては、積算値が５０％のときの粒径値をメディアン径（ｄ50）という。
【００４９】
半導体装置１は、第３電気絶縁層９を更に備える。第３電気絶縁層９は、複数の導体層７の各々における第１配線層７１及び第２配線層７２と、第２電気絶縁層８と、を覆っている。第３電気絶縁層９は、例えば、ソルダレジスト層であるが、これに限らず、電気絶縁性を有する層であればよい。複数の導体層７の各々における端子層７３は、導体層７において第３電気絶縁層９によって覆われずに露出した部位である。本明細書では、ゲート配線層７Ｇにおける端子層７３をゲート端子層７３Ｇと称し、ソース配線層７Ｓにおける端子層７３をソース端子層７３Ｓと称し、ドレイン配線層７Ｄにおける端子層７３をドレイン端子層７３Ｄと称する。
【００５０】
以上説明した本実施形態の半導体装置１は、支持基板２と、半導体チップ３と、樹脂体４と、放熱用金属層５と、を備える。支持基板２は、その厚さ方向において互いに反対側にある第１面２１及び第２面２２を有する。半導体チップ３は、複数（ここでは、３つ）の電極３５を有する。半導体チップ３は、支持基板２の第１面２１側で支持基板２に接合されている。樹脂体４は、その厚さ方向において互いに反対側にある第１面４１及び第２面４２を有する。樹脂体４は、支持基板２の側面２３と半導体チップ３の側面３３とを覆っている。放熱用金属層５は、支持基板２の第２面２２と樹脂体４の第２面４２の一部とを覆うように支持基板２及び樹脂体４に接している。以上の構成により、半導体装置１は、小型化を図りつつ放熱性の向上を図ることが可能となる。
【００５１】
半導体装置１では、パッケージ１０の厚さは、樹脂体４の厚さと、放熱用金属層５の厚さと、第２電気絶縁層８の厚さと、第２電気絶縁層８の表面８ａ上の第２配線層７２の厚さと、第２配線層７２上の第３電気絶縁層９の厚さと、の合計厚さであり、例えば、１ｍｍ程度である。
【００５２】
以下では、半導体装置１の製造方法の一例について図４Ａ〜７Ｂに基づいて簡単に説明する。
【００５３】
半導体装置１の製造方法では、まず、半導体チップ３を準備する（図４Ａ参照）。
【００５４】
半導体装置１の製造方法では、半導体チップ３を準備した後、第１工程〜第１０工程を順次行う。
【００５５】
第１工程では、半導体チップ３と支持基板２とを接合する（図４Ｂ参照）。より詳細には、第１工程では、半導体チップ３と支持基板２とを接合部６によって接合する。
【００５６】
第２工程では、支持基板２が接合された半導体チップ３の第１電気絶縁層３８の表面３８ａを支持シート１１に対向させ半導体チップ３を支持シート１１に接着する（図４Ｃ参照）。支持シート１１は、例えば、粘着性シートである。粘着性シートは、例えば、シート本体と、シート本体の厚さ方向の一面に設けられた粘着層と、を有する。シート本体は、例えば、樹脂シートである。樹脂シートの材料は、例えば、ポリエチレンテレフタレート等である。粘着層は、第１電気絶縁層３８に対して粘着性を有しており、かつ、紫外線、赤外線、熱のいずれかによって粘着力を低下させることが可能な接着剤によって形成されているのが好ましい。粘着層は、例えば、アクリル樹脂系接着剤、ウレタン樹脂系接着剤、シリコーン樹脂系粘着剤、エポキシ樹脂系接着剤等によって形成されている。
【００５７】
第３工程では、半導体チップ３及び支持基板２を覆うように支持シート１１上に樹脂体４の元になる樹脂層４０を形成する（図５Ａ参照）。ここで、樹脂層４０は、その厚さ方向において互いに反対側にある第１面４０１及び第２面４０２を有する。樹脂層４０は、半導体チップ３の側面３３と支持基板２の側面２３及び第２面２２とを覆っている。したがって、樹脂層４０は、樹脂体４よりも厚い。ここにおいて、樹脂層４０の第２面４０２と支持基板２の第２面２２との間には樹脂層４０の一部が介在している。樹脂層４０の第１面４０１は、支持シート１１に接する面である。樹脂層４０の第１面４０１は、半導体チップ３の第１電気絶縁層３８の表面３８ａと略面一となる。樹脂層４０の第２面４０２は、第１面４０１とは反対側の面である。第３工程では、樹脂層４０をプレス成形法によって形成しているが、これに限らない。例えば、第３工程では、スピンコート法、ドクターブレード法、ポッティング法、トランスファー成形法、コンプレッションモールド法等を利用して樹脂層４０の材料を支持シート１１、半導体チップ３及び支持基板２を覆うように塗布してから熱硬化又は紫外線硬化させることで樹脂層４０を形成してもよい。また、第３工程では、熱硬化型の樹脂シートを、支持シート１１、半導体チップ３及び支持基板２を覆うように支持シート１１に貼り付けてから、樹脂シートを熱硬化させることで樹脂層４０を形成してもよい。
【００５８】
第４工程では、樹脂層４０及び半導体チップ３から支持シート１１を剥離する（図５Ｂ参照）。ここにおいて、第４工程では、支持シート１１の粘着層の粘着力を低下させ、樹脂層４０及び半導体チップ３から支持シート１１を剥離する。これにより、第４工程では、樹脂層４０の第１面４０１及び半導体チップ３の第１電気絶縁層３８の表面３８ａ及び複数の電極３５の表面３５ａが露出させることができる。
【００５９】
第５工程では、樹脂層４０を樹脂体４の厚さになるまで第１面４０１とは反対の第２面４０２側から研磨することによって樹脂体４を形成する（図５Ｃ参照）。要するに、第５工程では、支持基板２の第２面２２が露出しかつ樹脂層４０の第２面４０２が支持基板２の第２面２２と略面一となるように樹脂層４０を研磨する。第５工程では、支持基板２の第２面２２を露出させることが必須であり、樹脂層４０の第２面４０２と支持基板２の第２面２２とが面一となることは必須ではない。第５工程では、樹脂層４０の第１面４０１側を研磨する必要がないので、半導体チップ３にダメージが発生するのを抑制できる。
【００６０】
第６工程では、フォトリソグラフィ技術等を利用してポリイミド膜からなる第２電気絶縁層８を形成する（図６Ａ参照）。
【００６１】
第７工程では、めっきによって放熱用金属層５の元になる金属層５０及び複数の導体層７の元になる金属層７０を形成する（図６Ｂ参照）。金属層５０は、乾式めっき（例えば、スパッタ）によって形成された第１金属膜５１０（例えば、チタン膜）と、湿式めっき（例えば、電解めっき）によって第１金属膜５１０上に形成された第２金属膜５２０（例えば、銅膜）と、の積層膜である。第１金属膜５１０は、第１金属層５１の元になる膜である。第２金属膜５２０は、第２金属層５２の元になる膜である。金属層７０は、乾式めっき（例えば、スパッタ）によって形成された第３金属膜（例えば、チタン膜）と、湿式めっき（例えば、電気めっき）によって第３金属膜上に形成された第４金属膜（例えば、銅膜）と、の積層膜である。
【００６２】
第８工程では、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術等を利用して金属層５０をパターニングすることで放熱用金属層５を形成し、また、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術等を利用して金属層７０をパターニングすることで複数の導体層７を形成する（図６Ｃ参照）。
【００６３】
第９工程では、フォトリソグラフィ技術等を利用して、ソルダレジスト層からなる第３電気絶縁層９を形成する（図７Ａ参照）。
【００６４】
第２工程において支持シート１１に複数の半導体チップ３を接着するようにすれば、第２工程から第９工程まで行うことによって、複数の半導体装置１の集合体を形成することができる。
【００６５】
この場合、第１０工程では、例えばダイシングソー（Dicing Saw）等によって複数の半導体装置１の集合体を個々の半導体装置１に分離することで複数の半導体装置１を得る（図７Ｂでは１つの半導体装置１のみ図示してある）。
【００６６】
上述の半導体装置１の製造方法では、第４工程と第５工程との順番を逆にしてもよい。
【００６７】
以上説明した半導体装置１の製造方法では、放熱用金属層５を形成するにあたっては、放熱用金属層５の元になる金属層５０を支持基板２の第２面２２及び樹脂体４の第２面４２に接するようにめっきによって形成し（第７工程）、その後、金属層５０をパターニングすることによって金属層５０の一部からなる放熱用金属層５を形成する（第８工程）。これにより、半導体装置１の製造方法では、小型化を図りつつ放熱性の向上を図ることが可能な半導体装置１を提供することが可能となる。
【００６８】
また、半導体装置１の製造方法では、放熱用金属層５を形成するにあたっては、第１金属層５１の元になる第１金属膜５１０を支持基板２の第２面２２及び樹脂体４の第２面４２に接するように乾式めっきによって形成してから、第２金属層５２の元になる第２金属膜５２０を第１金属膜５１０における支持基板２側及び樹脂体４側とは反対側に湿式めっきによって形成し（第７工程）、その後、第１金属膜５１０と第２金属膜５２０とを含む積層膜からなる金属層５０をパターニングすることによって金属層５０の一部からなる放熱用金属層５を形成する（第８工程）。これにより、半導体装置１の製造方法では、小型化を図りつつ放熱性の向上を図ることが可能な半導体装置１を提供することが可能となる。
【００６９】
また、半導体装置１の製造方法では、半導体チップ３と支持基板２とを接合し（第１工程）、その後、支持基板２の側面２３と半導体チップ３の側面３３と支持基板２の第２面２２とを覆うように樹脂体４の元になる樹脂層４０を形成し（第３工程）、その後、支持基板２の第２面２２を露出させるように樹脂層４０を研磨することで樹脂層４０の一部からなる樹脂体４を形成し（第５工程）、その後、放熱用金属層５及び複数の導体層７を、めっきを利用して形成する（第７工程、第８工程）。これにより、半導体装置１の製造方法では、小型化を図りつつ放熱性の向上を図ることが可能な半導体装置１を提供することが可能となる。
【００７０】
上記の実施形態は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
【００７１】
図８は、実施形態の変形例１の半導体装置１ｂの断面図である。変形例１の半導体装置１ｂに関し、実施形態の半導体装置１と同様の構成要素には実施形態の半導体装置１と同一の符号を付して説明を省略する。
【００７２】
変形例１の半導体装置１ｂは、実施形態の半導体装置１の半導体チップ３の代わりに、２つの半導体チップ３Ａ、３Ｂを備えている。２つの半導体チップ３Ａ、３Ｂの各々の構成要素は、半導体チップ３と同じであり、複数の電極３５及び複数の導体層７のレイアウトが相違するだけである。２つの半導体チップ３Ａ、３Ｂは、互いの側面３３同士が対向するように並んでいる。
【００７３】
変形例１の半導体装置１ｂでは、２つの半導体チップ３Ａ、３Ｂにおいて互いに同じ機能を果たす電極３５、３５（ここでは、ドレイン電極３５Ｄ、３５Ｄ）がそれぞれに接続された導体層７、７によって電気的に接続されている。要するに、半導体装置１では、半導体チップ３Ａのトランジスタ３６のドレイン電極３５Ｄと半導体チップ３Ｂのトランジスタ３６のドレイン電極３５Ｄとが電気的に接続されることで、２つのトランジスタ３６、３６が逆直列に接続されている。これにより、変形例１の半導体装置１ｂは、コモンドレインの双方向スイッチとして使用することができる。
【００７４】
変形例１の半導体装置１ｂは、実施形態の半導体装置１の樹脂体４の代わりに、２つの半導体チップ３Ａ、３Ｂそれぞれの側面３３及び２つの支持基板２それぞれの側面２３を覆う１つの樹脂体４ｂを備えている。また、変形例１の半導体装置１ｂは、実施形態の半導体装置１の第２電気絶縁層８の代わりに、第２電気絶縁層８ｂを備える。第２電気絶縁層８ｂは、半導体チップ３Ａの第１電気絶縁層３８の表面３８ａと、半導体チップ３Ｂの第１電気絶縁層３８の表面３８ａと、樹脂体４ｂの第１面４１と、を覆っている。第２配線層７２及び端子層７３は、第２電気絶縁層８ｂの表面８ｂａ上に形成されている。
【００７５】
変形例１の半導体装置１ｂでは、例えば２つのトランジスタ３６、３６のドレイン電極３５Ｄ同士をＡｌボンディングワイヤにより電気的に接続した構成した比較例の半導体装置と比べて、ドレイン電極３５Ｄ、３５Ｄ間の抵抗値及びインダクタンス成分をより小さくすることが可能となる。よって、変形例１の半導体装置１ｂでは、スイッチング動作が安定し、また、エネルギ損失をより抑制することが可能となる。また、変形例１の半導体装置１ｂでは、放熱性が向上し、動作安定性が更に向上する。
【００７６】
以下、変形例１の半導体装置１ｂに製造方法について図９Ａ〜図１２Ｂに基づいて説明する。変形例１の半導体装置１ｂの製造方法は、実施形態の半導体装置１の製造方法と略同じなので、実施形態の半導体装置１の製造方法と同様の工程については説明を適宜省略する。
【００７７】
半導体装置１ｂの製造方法では、半導体チップ３Ａ及び半導体チップ３Ｂを準備した後、第１工程〜第１０工程を順次行う。
【００７８】
第１工程では、半導体チップ３Ａを支持基板２と接合し、半導体チップ３Ｂを別の支持基板２とを接合する（図９Ａ参照）。より詳細には、第１工程では、半導体チップ３Ａと支持基板２とを接合部６によって接合し、半導体チップ３Ｂと支持基板２とを接合部６によって接合する。
【００７９】
第２工程では、支持基板２が接合された半導体チップ３Ａの第１電気絶縁層３８の表面３８ａを支持シート１１に対向させ半導体チップ３を支持シート１１に接着させ、また、支持基板２が接合された半導体チップ３Ｂの第１電気絶縁層３８の表面３８ａを支持シート１１に対向させ半導体チップ３を支持シート１１に接着させる（図９Ｂ参照）。
【００８０】
第３工程では、半導体チップ３Ａ及び支持基板２と、半導体チップ３Ｂ及び支持基板２とを覆うように支持シート１１上に樹脂体４ｂの元になる樹脂層４０ｂを形成する（図９Ｃ参照）。ここで、樹脂層４０ｂは、その厚さ方向において互いに反対側にある第１面４０１及び第２面４０２を有する。
【００８１】
第４工程では、樹脂層４０ｂ及び２つの半導体チップ３Ａ、３Ｂから支持シート１１を剥離する（図１０Ａ参照）。
【００８２】
第５工程では、樹脂層４０ｂを樹脂体４ｂの厚さになるまで第１面４０１とは反対の第２面４０２側から研磨することによって樹脂体４ｂを形成する（図１０Ｂ参照）。
【００８３】
第６工程では、フォトリソグラフィ技術等を利用してポリイミド膜からなる第２電気絶縁層８ｂを形成する（図１０Ｃ参照）。
【００８４】
第７工程では、めっきによって２つの放熱用金属層５の元になる金属層５０ｂ及び２つの半導体チップ３Ａ、３Ｂ毎に設ける複数の導体層７の元になる金属層７０ｂを形成する（図１１Ａ参照）。金属層５０ｂは、乾式めっき（例えば、スパッタ）によって形成された第１金属膜５１０（例えば、チタン膜）と、湿式めっき（例えば、電気めっき）によって第１金属膜５１０上に形成された第２金属膜５２０（例えば、銅膜）と、の積層膜である。金属層７０ｂは、乾式めっき（例えば、スパッタ）によって形成された第３金属膜（例えば、チタン膜）と、湿式めっき（例えば、電気めっき）によって第３金属膜上に形成された第４金属膜（例えば、銅膜）と、の積層膜である。
【００８５】
第８工程では、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術等を利用して金属層５０ｂをパターニングすることで２つの放熱用金属層５を形成し、また、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術等を利用して金属層７０ｂをパターニングすることで２つの半導体チップ３Ａ、３Ｂごとに複数の導体層７を形成する（図１１Ｂ参照）。
【００８６】
第９工程では、フォトリソグラフィ技術等を利用して、ソルダレジスト層からなる第３電気絶縁層９を形成する（図１２Ａ参照）。
【００８７】
第２工程において支持シート１１に２つの半導体チップ３Ａ、３Ｂを１組だけでなく複数組だけ接着するようにすれば、第２工程から第９工程まで行うことによって、複数の半導体装置１ｂの集合体を形成することができる。
【００８８】
この場合、第１０工程では、例えばダイシングソー（Dicing Saw）等によって複数の半導体装置１ｂの集合体を個々の半導体装置１ｂに分離することで複数の半導体装置１ｂを得る（図１２Ｂでは１つの半導体装置１ｂのみ図示してある）。
【００８９】
上述の半導体装置１ｂの製造方法では、第４工程と第５工程との順番を逆にしてもよい。
【００９０】
図１３は、実施形態の変形例２の半導体装置１ｃの下面図である。変形例２の半導体装置１ｃに関し、実施形態の半導体装置１と同様の構成要素には実施形態の半導体装置１と同一の符号を付して説明を省略する。
【００９１】
変形例２の半導体装置１ｃでは、第３電気絶縁層９のパターンが実施形態の半導体装置１の第３電気絶縁層９のパターンとは相違する。実施形態の半導体装置における第３電気絶縁層９（図３参照）は、ドレイン配線層７Ｄ及びソース配線層７Ｓのそれぞれが複数の端子層７３を有するようにパターニングされているのに対して、変形例２の半導体装置１ｃでは、ドレイン配線層７Ｄ及びソース配線層７Ｓのそれぞれが１つの端子層７３を有するようにパターニングされている点で相違する。
【００９２】
図１４は、実施形態の変形例３の半導体装置１ｄの下面図である。図１５は、図１４のＸ−Ｘ線断面図である。変形例３の半導体装置１ｄに関し、実施形態の半導体装置１と同様の構成要素には実施形態の半導体装置１と同一の符号を付して説明を省略する。
【００９３】
変形例３の半導体装置１ｄでは、実施形態の半導体装置１の放熱用金属層５（図１及び２参照）からなる第１放熱用金属層５とは別に第２放熱用金属層７７を更に備える点で実施形態の半導体装置１と相違する。
【００９４】
第２放熱用金属層７７は、半導体チップ３の厚さ方向において半導体チップ３の一部に重なるように第２電気絶縁層８上に形成されている。第２放熱用金属層７７は、複数の導体層７から離れている。ここにおいて、第２放熱用金属層７７は、複数の導体層７それぞれとの所定の電気絶縁距離を確保できるようにパターン設計されている。つまり、第２放熱用金属層７７は、半導体チップ３及び複数の導体層７とは電気的に絶縁されている。第２放熱用金属層７７は、ソース配線層７Ｓとドレイン配線層７Ｄとの間でゲート配線層７Ｇを避けるように形成されている。第２放熱用金属層７７は、複数の導体層７と同様、例えば、チタン膜と銅膜との積層膜により構成されている。
【００９５】
変形例３の半導体装置１ｄの製造方法は、実施形態の半導体装置１の製造方法と略同じであり、複数の導体層７を形成する工程において第２放熱用金属層７７を複数の導体層７と同時に形成する点が相違するだけである。
【００９６】
第２放熱用金属層７７は、第３電気絶縁層９により覆われているが、これに限らず、少なくとも一部が第３電気絶縁層９に覆われずに露出していてもよい。
【００９７】
図１６は、実施形態の変形例４の半導体装置１ｅの断面図である。変形例４の半導体装置１ｅに関し、変形例３の半導体装置１ｄと同様の構成要素には変形例３の半導体装置１ｄと同一の符号を付して説明を省略する。
【００９８】
変形例４の半導体装置１ｅでは、第２電気絶縁層８が、第２放熱用金属層７７の一部が内側に配置される貫通孔８２を有する。第２放熱用金属層７７は、第１電気絶縁層３８の表面３８ａと第２電気絶縁層８、８ｂの表面８ａとに跨って形成されている。変形例４の半導体装置１ｅは、変形例３の半導体装置１ｄと比べて、第２放熱用金属層７７と半導体チップ３との間の熱抵抗を低減することが可能となる。
【００９９】
変形例４の半導体装置１ｅの製造方法は、実施形態の半導体装置１の製造方法と略同じであり、フォトリソグラフィ技術等を利用してポリイミド膜からなる第２電気絶縁層８を形成する工程において貫通孔８２を第２孔８１と同時に形成する点と、複数の導体層７を形成する工程において第２放熱用金属層７７を複数の導体層７と同時に形成する点と、が相違するだけである。
【０１００】
上記の実施形態は、本発明の目的を達成できれば、変形例１〜４以外にも、設計等に応じて種々の変更が可能である。
【０１０１】
例えば、半導体チップ３の基板３０は、シリコン基板に限らず、例えば、ＧａＮ基板、ＳｉＣ基板、サファイア基板等でもよい。
【０１０２】
また、半導体チップ３のトランジスタ３６は、ノーマリオフ型の横型トランジスタに限らず、ノーマリオン型の横型トランジスタでもよい。
【０１０３】
また、半導体チップ３の複数の電極３５の各々は、オーミック電極であるが、これに限らず、例えば、オーミック電極と、このオーミック電極上に形成されたパッド電極と、を含んでいてもよい。
【０１０４】
また、トランジスタ３６は、半導体層３４及び複数の電極３５に加えて基板３０を含んでいてもよい。
【０１０５】
また、トランジスタ３６は、ＧａＮ系ＨＥＭＴに限らず、例えば、ＳｉＣ系ＨＥＭＴ、ＧａＡｓ系ＨＥＭＴ、パワーＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ等でもよい。
【０１０６】
また、半導体チップ３が含む機能デバイスは、トランジスタ３６に限らず、例えば、ダイオード等でもよいし、集積回路等でもよい。
【０１０７】
また、支持基板２は、セラミック基板に限らず、例えば、銅基板でもよい。ここにおいて、基板３０と支持基板２との線膨張率差によって半導体チップ３が反って半導体チップ３にダメージが発生するのを抑制する観点から、支持基板２の材料は、半導体チップ３の基板３０の材料との線膨張率差が小さい材料が好ましい。シリコン、窒化アルミニウム、アルミナ及び銅の線膨張率は、それぞれ、２．６×１０-6／Ｋ、４．６×１０-6／Ｋ、７．１×１０-6／Ｋ及び１６．６×１０-6／Ｋである。
【０１０８】
支持基板２として銅基板を採用する場合には、半導体チップ３の反りを抑制する観点から、支持基板２の平面サイズが小さく、かつ、支持基板２の厚さが厚いほうが好ましい。ここにおいて、半導体チップ３で発生した熱をより効率良く放熱用金属層５へ伝熱させる観点から、支持基板２の平面サイズは、半導体チップ３の平面サイズよりも大きいのが好ましい。また、支持基板２として銅基板を採用する場合、半導体チップ３の反りを抑制する観点から、支持基板２の厚さは、例えば、５００μｍ以上であるのが好ましい。半導体装置１では、半導体チップ３の基板３０がシリコン基板で、支持基板２が銅基板の場合には、基板３０と支持基板２とが導電性を有する接合部６によって接合されることで、基板３０と支持基板２とが電気的に接続される。
【０１０９】
また、基板３０が導電性基板で、支持基板２がセラミック基板の場合、半導体装置１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅでは、セラミック基板の厚さ方向に貫通し基板３０に電気的に接続されるビア（Via）を設けてもよい。
【０１１０】
また、放熱用金属層５は、支持基板２の第２面２２と樹脂体４の第２面４２の全部とを覆っていてもよい。
【０１１１】
また、第２電気絶縁層８は、第１電気絶縁層３８の表面３８ａと樹脂体４の第１面４１との境界を覆っていれば、第１電気絶縁層３８の表面３８ａの少なくとも一部と樹脂体４の第１面４１の少なくとも一部を覆っているだけでもよい。
【０１１２】
変形例１の半導体装置１ｂは、２つのトランジスタ３６のドレイン電極３５Ｄ同士を電気的に接続したコモンドレインの双方向スイッチであるが、これに限らず、２つのトランジスタ３６のソース電極３５Ｓ同士を電気的に接続したコモンソースの双方向スイッチでもよい。
【０１１３】
（まとめ）
以上説明した実施形態等から以下の態様が開示されている。
【０１１４】
第１の態様に係る半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）は、支持基板（２）と、半導体チップ（３、３Ａ、３Ｂ）と、樹脂体（４、４ｂ）と、放熱用金属層（５）と、を備える。支持基板（２）は、その厚さ方向において互いに反対側にある第１面（２１）及び第２面（２２）を有する。半導体チップ（３、３Ａ、３Ｂ）は、複数の電極（３５）を有する。半導体チップ（３、３Ａ、３Ｂ）は、支持基板（２）の第１面（２１）側で支持基板（２）に接合されている。樹脂体（４、４ｂ）は、その厚さ方向において互いに反対側にある第１面（４１）及び第２面（４２）を有する。樹脂体（４、４ｂ）は、少なくとも支持基板（２）の側面（２３）と半導体チップ（３、３Ａ、３Ｂ）の側面（３３）とを覆っている。放熱用金属層（５）は、支持基板（２）の第２面（２２）と樹脂体（４、４ｂ）の第２面（４２）の少なくとも一部とを覆うように支持基板（２）及び樹脂体（４、４ｂ）に接している。
【０１１５】
以上の構成により、半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）は、小型化を図りつつ放熱性の向上を図ることが可能となる。
【０１１６】
第２の態様の半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）では、第１の態様において、放熱用金属層（５）は、第１金属層（５１）と、第２金属層（５２）と、を有する。第１金属層（５１）は、支持基板（２）の第２面（２２）及び樹脂体（４）の第２面（４２）に接している。第２金属層（５２）は、第１金属層（５１）における支持基板（２）側及び樹脂体（４、４ｂ）側とは反対側に位置している。第２金属層（５２）は、第１金属層（５１）よりも厚くかつ第１金属層（５１）よりも熱伝導率が高い。これにより、半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）では、放熱用金属層（５）と支持基板（２）及び樹脂体（４、４ｂ）との密着性の向上を図りつつ放熱性の向上を図ることが可能となる。
【０１１７】
第３の態様の半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）では、第２の態様において、第１金属層（５１）における金属粒子の平均粒径が、第２金属層（５２）における金属粒子の平均粒径よりも小さい。これにより、半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）では、放熱用金属層（５）と支持基板（２）及び樹脂体（４、４ｂ）との密着性の向上を図ることが可能となる。
【０１１８】
第４の態様の半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）では、第１乃至３のいずれか一つの態様において、半導体チップ（３、３Ａ、３Ｂ）は、基板（３０）と、半導体層（３４）と、複数の電極（３５）と、電気絶縁層（３８）と、を含む。基板（３０）は、その厚さ方向において互いに反対側にある表面（３１）及び裏面（３２）を有する。半導体層（３４）は、基板（３０）の表面（３１）上にある。複数の電極（３５）は、半導体層（３４）における基板（３０）側とは反対の表面（３４ａ）側に位置する。電気絶縁層（３８）は、半導体層（３４）の表面（３４ａ）上に位置している。電気絶縁層（３８）は、複数の電極（３５）のそれぞれを露出させる複数の孔（３８１）を有する。半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）は、複数の導体層（７）を更に備える。複数の導体層（７）は、半導体チップ（３、３Ａ、３Ｂ）の複数の電極（３５）の表面それぞれと電気絶縁層（３８）の表面（３８ａ）と樹脂体（４、４ｂ）の第１面（４１）とに沿って形成されている。これにより、半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）では、複数の導体層（７）の各々の代わりにボンディングワイヤが用いられている場合と比べて、インダクタンス成分を低減でき、かつ、放熱性を向上させることが可能となる。
【０１１９】
第５の態様の半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）では、第４の態様において、複数の導体層（７）の各々は、第１配線層（７１）と、第２配線層（７２）と、を有する。第１配線層（７１）は、複数の電極（３５）のうち一対一に対応する電極（３５）に接触しており複数の孔（３８１）のうち対応する孔（３８１）内に位置している。第２配線層（７２）は、電気絶縁層（３８）の表面（３８ａ）と樹脂体（４、４ｂ）の第１面（４１）とに沿って形成されている。これにより、半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）では、例えば第２配線層（７２）の配線幅を第１配線層（７１）の配線幅よりも広くすることにより、放熱性を向上させることが可能となる。
【０１２０】
第６の態様の半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）では、第５の態様において、複数の導体層（７）のうち少なくとも１つの導体層（７）は、第２配線層（７２）における第１配線層（７１）側とは反対側に位置する端子層（７３）を有する。端子層（７３）は、樹脂体（４、４ｂ）の第１面（４１）に沿って形成されている。これにより、半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）では、例えば、端子層（７３）とプリント配線板等の回路基板の導体部とをはんだによって電気的に接続することが可能となり、また、端子層（７３）と回路基板の導体部とをボンディングワイヤによって電気的に接続することも可能となる。
【０１２１】
第７の態様の半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）では、第６の態様において、電気絶縁層（３８）が有機膜である。半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）は、電気絶縁層（３８）からなる第１電気絶縁層（３８）とは別に、第２電気絶縁層（８）を更に備える。第２電気絶縁層（８、８ｂ）は、第１電気絶縁層（３８）の表面（３８ａ）の少なくとも一部と樹脂体（４、４ｂ）の第１面（４１）の少なくとも一部とを覆っている。第２電気絶縁層（８）は、第１電気絶縁層（３８）の表面（３８ａ）と樹脂体（４、４ｂ）の第１面（４１）との境界を覆っている第２配線層（７２）及び端子層（７３）は、第２電気絶縁層（８）上に形成されている。これにより、半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）では、電気絶縁性及び耐湿性の向上を図ることが可能となり、信頼性の向上を図ることが可能となる。
【０１２２】
第８の態様の半導体装置（１ｄ、１ｅ）は、第７の態様において、放熱用金属層（５）からなる第１放熱用金属層（５）とは別に第２放熱用金属層（７７）を更に備える。第２放熱用金属層（７７）は、半導体チップ（３、３Ａ、３Ｂ）の厚さ方向において半導体チップ（３、３Ａ、３Ｂ）の一部に重なるように第２電気絶縁層（８、８ｂ）上に形成されており、かつ、複数の導体層（７）から離れている。これにより、半導体装置（１ｄ、１ｅ）では、放熱性をより向上させることが可能となる。
【０１２３】
第９の態様の半導体装置（１ｅ）では、第８の態様において、第２電気絶縁層（８、８ｂ）が、第２放熱用金属層（７７）の一部が内側に配置される貫通孔（８２）を有する。第２放熱用金属層（７７）は、第１電気絶縁層（３８）の表面（３８ａ）と第２電気絶縁層（８、８ｂ）の表面（８ａ、８ｂａ）とに跨って形成されている。これにより、半導体装置（１ｅ）では、放熱性を更に向上させることが可能となる。
【０１２４】
第１０の態様の半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）では、第１乃至９のいずれか一つの態様において、半導体チップ（３、３Ａ、３Ｂ）は、トランジスタ（３６）を含む。これにより、半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）では、トランジスタ（３６）で発生する熱をより効率良く放熱させることが可能となる。
【０１２５】
第１１の態様の半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）では、第１０の態様において、半導体チップ（３、３Ａ、３Ｂ）は、基板（３０）と、トランジスタ（３６）と、を含む。基板（３０）は、その厚さ方向において互いに反対側にある表面（３１）及び裏面（３２）を有する。トランジスタ（３６）は、半導体層（３４）と、複数の電極（３５）と、を有する横型トランジスタである。半導体層（３４）は、基板（３０）の表面（３１）上にある。複数の電極（３５）は、半導体層（３４）における基板（３０）側とは反対の表面（３４ａ）側に位置する。これにより、半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）では、トランジスタ（３６）を構成する横型トランジスタで発生する熱をより効率良く放熱させることが可能となる。
【０１２６】
第１２の態様の半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）の製造方法は、第１乃至１１のいずれか一つの態様の半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）の製造方法であって、放熱用金属層（５）を形成するにあたっては、放熱用金属層（５）の元になる金属層（５０、５０ｂ）を支持基板（２）の第２面（２２）及び樹脂体（４、４ｂ）の第２面（４２）に接するようにめっきによって形成し、その後、金属層（５０、５０ｂ）をパターニングすることによって金属層（５０、５０ｂ）の一部からなる放熱用金属層（５）を形成する。これにより、半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）の製造方法では、小型化を図りつつ放熱性の向上を図ることが可能な半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）を提供することが可能となる。
【０１２７】
第１３の態様の半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）の製造方法は、第２又は３の態様の半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）の製造方法であって、放熱用金属層（５）を形成するにあたっては、第１金属層（５１）の元になる第１金属膜（５１０）を支持基板（２）の第２面（２２）及び樹脂体（４、４ｂ）の第２面（４２）に接するように乾式めっきによって形成してから、第２金属層（５２）の元になる第２金属膜（５２０）を第１金属膜（５１０）における支持基板（２）側及び樹脂体（４、４ｂ）側とは反対側に湿式めっきによって形成し、その後、第１金属膜（５１０）と第２金属膜（５２０）とを含む積層膜からなる金属層（５０、５０ｂ）をパターニングすることによって金属層（５０、５０ｂ）の一部からなる放熱用金属層（５）を形成する。これにより、半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）の製造方法では、小型化を図りつつ放熱性の向上を図ることが可能な半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）を提供することが可能となる。
【０１２８】
第１４の態様の半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）の製造方法は、第４の態様の半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）の製造方法であって、半導体チップ（３、３Ａ、３Ｂ）と支持基板（２）とを接合し、その後、支持基板（２）の側面（２３）と半導体チップ（３、３Ａ、３Ｂ）の側面（３３）と支持基板（２）の第２面（２２）とを覆うように樹脂体（４、４ｂ）の元になる樹脂層（４０、４０ｂ）を形成し、その後、支持基板（２）の第２面（２２）を露出させるように樹脂層（４０、４０ｂ）を研磨することで樹脂層（４０、４０ｂ）の一部からなる樹脂体（４、４ｂ）を形成し、その後、放熱用金属層（５）及び複数の導体層（７）を、めっきを利用して形成する。これにより、半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）の製造方法では、小型化を図りつつ放熱性の向上を図ることが可能な半導体装置（１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ）を提供することが可能となる。
【符号の説明】
【０１２９】
１、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ  半導体装置
２  支持基板
２１  第１面
２２  第２面
２３  側面
３、３Ａ、３Ｂ  半導体チップ
３０  基板
３１  表面
３２  裏面
３３  側面
３４  半導体層
３４ａ  表面
３５  電極
３５ａ  表面
３６  トランジスタ
３８  電気絶縁層（第１電気絶縁層）
３８ａ  表面
３８１  孔
４、４ｂ  樹脂体
４０、４０ｂ  樹脂層
４１  第１面
４２  第２面
５  放熱用金属層（第１放熱用金属層）
５０、５０ｂ  金属層
５１  第１金属層
５１０  第１金属膜
５２  第２金属層
５２０  第２金属膜
６  接合部
７  導体層
７１  第１配線層
７２  第２配線層
７３  端子層
７７  第２放熱用金属層
８、８ｂ  第２電気絶縁層
８ａ、８ｂａ  表面
８２  貫通孔
９  第３電気絶縁層
【図１】
2018181236.tif 000003
【図２】
2018181236.tif 000004
【図３】
2018181236.tif 000005
【図４】
2018181236.tif 000006
【図５】
2018181236.tif 000007
【図６】
2018181236.tif 000008
【図７】
2018181236.tif 000009
【図８】
2018181236.tif 000010
【図９】
2018181236.tif 000011
【図１０】
2018181236.tif 000012
【図１１】
2018181236.tif 000013
【図１２】
2018181236.tif 000014
【図１３】
2018181236.tif 000015
【図１４】
2018181236.tif 000016
【図１５】
2018181236.tif 000017
【図１６】
2018181236.tif 000018
【国際調査報告】
2018181236.tif 000019
2018181236.tif 000020
2018181236.tif 000021
2018181236.tif 000022