(57)【要約】  光検出器は、基板と、基板の表面上に配置された膜体と、膜体を支持する第１電極ポストと、膜体を支持する第２電極ポストと、を備える。第１電極ポストは、第１電極パッドから基板とは反対側に向かって広がる筒状を呈する第１本体部と、第１本体部における基板側の端部に設けられた第１底部と、第１本体部における基板とは反対側の端部に設けられた第１鍔部と、を有する。第１鍔部には、第１本体部から離れるほど基板に近づくように傾斜した第１傾斜面が設けられている。第１配線層は、第１傾斜面を介して第１本体部の内面に至っている。第２電極ポスト及び第２配線層は、第１電極ポスト及び第１配線層と同様に形成されている。
2019031234.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
受光部、第１接続部及び第２接続部、前記受光部と前記第１接続部との間に配置された第１梁部、並びに、前記受光部と前記第２接続部との間に配置された第２梁部を有し、前記基板の表面との間に空隙が形成されるように前記基板の前記表面上に配置された膜体と、
前記基板の前記表面に形成された第１電極パッドと、
前記基板の前記表面に形成された第２電極パッドと、
前記第１電極パッドと前記第１接続部との間に配置され、前記膜体を支持すると共に、前記膜体と前記第１電極パッドとを電気的に接続する第１電極ポストと、
前記第２電極パッドと前記第２接続部との間に配置され、前記膜体を支持すると共に、前記膜体と前記第２電極パッドとを電気的に接続する第２電極ポストと、を備え、
前記膜体は、
前記受光部においてギャップを介して互いに対向する第１配線層及び第２配線層と、
温度に依存する電気抵抗を有し、前記受光部において前記第１配線層及び前記第２配線層のそれぞれと電気的に接続された抵抗層と、を含み、
前記第１電極ポストは、
前記第１電極パッドから前記基板とは反対側に向かって広がる筒状を呈する第１本体部と、
前記第１本体部における前記基板側の端部に設けられた第１底部と、
前記第１本体部における前記基板とは反対側の端部に設けられた第１鍔部と、を有し、
前記第１鍔部には、前記第１本体部から離れるほど前記基板に近づくように傾斜した第１傾斜面が設けられており、
前記第１配線層は、前記第１梁部を介して前記第１接続部に延在しており、前記第１傾斜面を介して前記第１本体部の内面に至っており、
前記第２電極ポストは、
前記第２電極パッドから前記基板とは反対側に向かって広がる筒状を呈する第２本体部と、
前記第２本体部における前記基板側の端部に設けられた第２底部と、
前記第２本体部における前記基板とは反対側の端部に設けられた第２鍔部と、を有し、
前記第２鍔部には、前記第２本体部から離れるほど前記基板に近づくように傾斜した第２傾斜面が設けられており、
前記第２配線層は、前記第２梁部を介して前記第２接続部に延在しており、前記第２傾斜面を介して前記第２本体部の内面に至っている、光検出器。
【請求項２】
前記第１配線層は、前記第１傾斜面を介して前記第１本体部の前記内面及び前記第１底部の内面に至っており、
前記第２配線層は、前記第２傾斜面を介して前記第２本体部の前記内面及び前記第２底部の内面に至っている、請求項１に記載の光検出器。
【請求項３】
前記第１傾斜面は、前記第１鍔部の外縁に沿って環状に設けられており、
前記第１配線層は、前記第１傾斜面、及び前記第１本体部の前記内面を覆っており、
前記第２傾斜面は、前記第２鍔部の外縁に沿って環状に設けられており、
前記第２配線層は、前記第２傾斜面、及び前記第２本体部の前記内面を覆っている、請求項１又は２に記載の光検出器。
【請求項４】
前記膜体は、前記第１配線層及び前記第２配線層における前記基板とは反対側の表面に形成された第１絶縁層を更に含み、
前記第１絶縁層は、前記第１接続部において前記第１配線層の側面を覆っており、前記第２接続部において前記第２配線層の側面を覆っている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の光検出器。
【請求項５】
前記膜体は、前記第１配線層及び前記第２配線層における前記基板側の表面に形成された第２絶縁層を更に含み、
前記第２絶縁層は、前記第１本体部の外面を介して、前記第１電極パッド上において前記第１底部の外面に形成された溝に入り込んでおり、前記第２本体部の外面を介して、前記第２電極パッド上において前記第２底部の外面に形成された溝に入り込んでいる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の光検出器。
【請求項６】
前記抵抗層は、前記受光部、前記第１接続部及び前記第２接続部に設けられており、前記第１梁部及び前記第２梁部のそれぞれにおいて分断されている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の光検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、光検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
光検出器として、基板と、基板の表面との間に空隙が形成されるように基板の表面上に配置された膜体と、膜体を支持する一対の電極ポストと、を備え、膜体が、ギャップを介して互いに対向する一対の配線層と、温度に依存する電気抵抗を有する抵抗層と、を有するものが知られている。このような光検出器では、電極ポストが円筒状を呈しており、膜体のうち電極ポストが接続される接続部において配線層が電極ポストと電気的に接続されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１１／４２５６９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述したような光検出器では、電極ポストの外面が膜体の接続部における基板側の表面と垂直に交わるため、その交わった部分で応力集中が起こり易く、その結果、膜体のうち電極ポストが接続される接続部において電気的な接続に不良が生じるおそれがある。【０００５】
そこで、本開示は、膜体のうち電極ポストが接続される接続部において電気的な接続に不良が生じるのを抑制することができる光検出器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一側面の光検出器は、基板と、受光部、第１接続部及び第２接続部、受光部と第１接続部との間に配置された第１梁部、並びに、受光部と第２接続部との間に配置された第２梁部を有し、基板の表面との間に空隙が形成されるように基板の表面上に配置された膜体と、基板の表面に形成された第１電極パッドと、基板の表面に形成された第２電極パッドと、第１電極パッドと第１接続部との間に配置され、膜体を支持すると共に、膜体と第１電極パッドとを電気的に接続する第１電極ポストと、第２電極パッドと第２接続部との間に配置され、膜体を支持すると共に、膜体と第２電極パッドとを電気的に接続する第２電極ポストと、を備え、膜体は、受光部においてギャップを介して互いに対向する第１配線層及び第２配線層と、温度に依存する電気抵抗を有し、受光部において第１配線層及び第２配線層のそれぞれと電気的に接続された抵抗層と、を含み、第１電極ポストは、第１電極パッドから基板とは反対側に向かって広がる筒状を呈する第１本体部と、第１本体部における基板側の端部に設けられた第１底部と、第１本体部における基板とは反対側の端部に設けられた第１鍔部と、を有し、第１鍔部には、第１本体部から離れるほど基板に近づくように傾斜した第１傾斜面が設けられており、第１配線層は、第１梁部を介して第１接続部に延在しており、第１傾斜面を介して第１本体部の内面に至っており、第２電極ポストは、第２電極パッドから基板とは反対側に向かって広がる筒状を呈する第２本体部と、第２本体部における基板側の端部に設けられた第２底部と、第２本体部における基板とは反対側の端部に設けられた第２鍔部と、を有し、第２鍔部には、第２本体部から離れるほど基板に近づくように傾斜した第２傾斜面が設けられており、第２配線層は、第２梁部を介して第２接続部に延在しており、第２傾斜面を介して第２本体部の内面に至っている。【０００７】
この光検出器では、第１電極ポストの第１本体部が、第１電極パッドから基板とは反対側に向かって広がる筒状を呈している。このため、膜体のうち第１電極ポストが接続される第１接続部において応力集中が起こり難い。第２電極ポストについても同様であり、膜体のうち第２電極ポストが接続される第２接続部において応力集中が起こり難い。また、第１電極ポストの第１本体部における基板とは反対側の端部に第１鍔部が設けられている。このため、膜体のうち第１電極ポストが接続される第１接続部において変形が生じ難い。第２電極ポストについても同様であり、膜体のうち第２電極ポストが接続される第２接続部において変形が生じ難い。更に、第１配線層が、第１鍔部に設けられた第１傾斜面を介して第１本体部の内面に至っている。このため、膜体のうち第１電極ポストが接続される第１接続部において第１配線層自体に応力集中が起こり難い。第２電極ポストについても同様であり、膜体のうち第２電極ポストが接続される第２接続部において第２配線層自体に応力集中が起こり難い。以上により、この光検出器によれば、膜体のうち電極ポストが接続される接続部において電気的な接続に不良が生じるのを抑制することができる。【０００８】
本開示の一側面の光検出器では、第１配線層は、第１傾斜面を介して第１本体部の内面及び第１底部の内面に至っており、第２配線層は、第２傾斜面を介して第２本体部の内面及び第２底部の内面に至っていてもよい。この構成によれば、第１配線層と第１電極ポストとの電気的な接続、及び第２配線層と第２電極ポストとの電気的な接続を確実化することができる。【０００９】
本開示の一側面の光検出器では、第１傾斜面は、第１鍔部の外縁に沿って環状に設けられており、第１配線層は、第１傾斜面、及び第１本体部の内面を覆っており、第２傾斜面は、第２鍔部の外縁に沿って環状に設けられており、第２配線層は、第２傾斜面、及び第２本体部の内面を覆っていてもよい。この構成によれば、第１配線層と第１電極ポストとの電気的な接続、及び第２配線層と第２電極ポストとの電気的な接続をより一層確実化することができる。【００１０】
本開示の一側面の光検出器では、膜体は、第１配線層及び第２配線層における基板とは反対側の表面に形成された第１絶縁層を更に含み、第１絶縁層は、第１接続部において第１配線層の側面を覆っており、第２接続部において第２配線層の側面を覆っていてもよい。この構成によれば、第１配線層及び第２配線層を基板とは反対側から保護しつつ、第１接続部における第１配線層の剥離、及び第２接続部における第２配線層の剥離を防止することができる。【００１１】
本開示の一側面の光検出器では、膜体は、第１配線層及び第２配線層における基板側の表面に形成された第２絶縁層を更に含み、第２絶縁層は、第１本体部の外面を介して、第１電極パッド上において第１底部の外面に形成された溝に入り込んでおり、第２本体部の外面を介して、第２電極パッド上において第２底部の外面に形成された溝に入り込んでいてもよい。この構成によれば、第１配線層及び第２配線層を基板側から保護しつつ、第１電極パッド上での第２絶縁層の剥離や第１電極ポストの外面の露出、及び第２電極パッド上での第２絶縁層の剥離や第２電極ポストの外面の露出を防止することができる。【００１２】
本開示の一側面の光検出器では、抵抗層は、受光部、第１接続部及び第２接続部に設けられており、第１梁部及び第２梁部のそれぞれにおいて分断されていてもよい。この構成によれば、抵抗層によって第１接続部及び第２接続部が補強されるため、膜体のうち電極ポストが接続される接続部において電気的な接続に不良が生じるのをより確実に抑制することができる。また、抵抗層が第１梁部及び第２梁部において分断されているため、受光部で生じた熱が第１梁部及び第２梁部を介して逃げるのを抑制し、光検出器としての性能を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本開示によれば、膜体のうち電極ポストが接続される接続部において電気的な接続に不良が生じるのを抑制することができる光検出器を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、一実施形態の光検出器の平面図である。
【図２】図２は、図１の光検出器の画素部の平面図である。
【図３】図３は、図２の画素部の光検出素子の斜視図である。
【図４】図４は、図３の光検出素子の平面図である。
【図５】図５は、図３の光検出素子の断面図である。
【図６】図６は、図３の光検出素子の断面図である。
【図７】図７は、光共振構造の原理を示す図である。
【図８】図８は、図５の光検出素子の製造方法を示す図である。
【図９】図９は、図５の光検出素子の製造方法を示す図である。
【図１０】図１０は、図５の光検出素子の製造方法を示す図である。
【図１１】図１１は、図５の光検出素子の製造方法を示す図である。
【図１２】図１２は、図５の光検出素子の製造方法を示す図である。
【図１３】図１３は、図５の光検出素子の製造方法を示す図である。
【図１４】図１４は、図５の光検出素子の製造方法を示す図である。
【図１５】図１５は、図５の光検出素子の製造方法を示す図である。
【図１６】図１６は、図５の光検出素子の製造方法を示す図である。
【図１７】図１７は、図５の光検出素子の製造方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本開示の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１６】
図１に示される光検出器１は、ボロメータとしての機能を利用することで、光を検出する。当該光は、例えばテラヘルツ波を含む赤外線である。当該光が赤外線である場合、光検出器１は、赤外イメージャ、又はサーモグラフィー等に用いられる。光検出器１は、特に１μｍ〜数十μｍの波長帯域の光の検出に優れた特性を有している。図１に示されるように、光検出器１は、基板２と、画素部３と、リファレンス部４と、信号処理回路部５と、を備えている。基板２は、例えばＳｉ基板である。基板２の厚さは、例えば数百μｍ程度である。画素部３、リファレンス部４、及び信号処理回路部５は、基板２上に形成されている。画素部３及びリファレンス部４は、それぞれ、信号処理回路部５と電気的に接続されている。なお、信号処理回路部５は、基板２内に形成されていてもよい。
【００１７】
図２に示されるように、画素部３は、複数の光検出素子１０によって構成されている。複数の光検出素子１０は、二次元マトリックス状に配置されている。図３に示されるように、光検出素子１０は、基板２（正確には、基板２の一部）と、光反射層６１と、第１電極パッド６２と、第２電極パッド６３と、膜体２０と、第１電極ポスト７と、第２電極ポスト８と、を備えている。
【００１８】
光反射層６１は、基板２の表面２ａに形成されている。光反射層６１は、基板２の厚さ方向（すなわち、基板２の表面２ａに垂直な方向）において、後述する光吸収層３６と対向しており、光吸収層３６と共に光共振構造を構成している。光反射層６１の厚さは、例えば数百ｎｍ程度である。光反射層６１の材料は、例えば、光（例えば赤外線）に対する反射率が大きいＡｌ等の金属材料である。
【００１９】
第１電極パッド６２及び第２電極パッド６３は、基板２の表面２ａに形成されている。光反射層６１、第１電極パッド６２及び第２電極パッド６３は、基板２の厚さ方向から見た場合に例えば矩形状の外形を構成している。第１電極パッド６２及び第２電極パッド６３は、当該外形の対角に位置している。第１電極パッド６２及び第２電極パッド６３は、それぞれ、基板２の厚さ方向から見た場合に例えば矩形状を呈している。第１電極パッド６２及び第２電極パッド６３は、それぞれ、基板２に形成された配線（図示省略）を介して、信号処理回路部５と電気的に接続されている。第１電極パッド６２及び第２電極パッド６３のそれぞれの厚さは、例えば数百ｎｍ程度である。第１電極パッド６２及び第２電極パッド６３のそれぞれの材料は、例えば、導電性を有するＡｌ等の金属材料である。
【００２０】
膜体２０は、基板２の表面２ａとの間に空隙Ｓが形成されるように基板２の表面２ａ上に配置されている。膜体２０は、基板２の表面２ａと略平行に配置されている。膜体２０と基板２の表面２ａとの距離は、例えば数μｍ程度である。図３及び図４に示されるように、膜体２０は、受光部２１、第１接続部２２及び第２接続部２３、並びに、第１梁部２４及び第２梁部２５を有している。受光部２１、第１接続部２２及び第２接続部２３、並びに、第１梁部２４及び第２梁部２５は、一体的に形成されており、基板２の厚さ方向から見た場合に例えば矩形状の外形を構成している。第１接続部２２及び第２接続部２３は、当該外形の対角に位置している。第１接続部２２及び第２接続部２３は、それぞれ、基板２の厚さ方向から見た場合に例えば矩形状を呈している。
【００２１】
受光部２１は、基板２の厚さ方向において光反射層６１と対向している。第１接続部２２は、基板２の厚さ方向において第１電極パッド６２と対向している。第２接続部２３は、基板２の厚さ方向において第２電極パッド６３と対向している。
【００２２】
第１梁部２４は、受光部２１と第１接続部２２との間に配置されている。第１梁部２４は、受光部２１の一方の側において受光部２１の外縁に沿って延在している。第１梁部２４の一端は、第１接続部２２と接続されており、第１梁部２４の他端は、第２接続部２３の近傍の位置で受光部２１と接続されている。受光部２１と第１接続部２２との間、及び受光部２１と第１梁部２４との間には、第１スリット２０ａが一続きに形成されている。第２梁部２５は、受光部２１と第２接続部２３との間に配置されている。第２梁部２５は、受光部２１の他方の側において受光部２１の外縁に沿って延在している。第２梁部２５の一端は、第２接続部２３と接続されており、第２梁部２５の他端は、第１接続部２２の近傍の位置で受光部２１と接続されている。受光部２１と第２接続部２３との間、及び受光部２１と第２梁部２５との間には、第２スリット２０ｂが一続きに形成されている。第１梁部２４及び第２梁部２５のそれぞれの幅は、例えば数μｍ程度である。第１梁部２４及び第２梁部２５のそれぞれの長さは、例えば数十〜数百μｍ程度である。第１スリット２０ａ及び第２スリット２０ｂのそれぞれの幅は、例えば数μｍ程度である。
【００２３】
第１電極ポスト７は、第１電極パッド６２と第１接続部２２との間に配置されている。第１電極ポスト７は、膜体２０を支持すると共に、膜体２０と第１電極パッド６２とを電気的に接続している。第２電極ポスト８は、第２電極パッド６３と第２接続部２３との間に配置されている。第２電極ポスト８は、膜体２０を支持すると共に、膜体２０と第２電極パッド６３とを電気的に接続している。第１電極ポスト７及び第２電極ポスト８のそれぞれの高さは、例えば数μｍ程度である。第１電極ポスト７及び第２電極ポスト８のそれぞれの材料は、例えばＴｉ等の金属材料である。
【００２４】
図５は、光検出素子１０の断面図である。図５のI−I、II−II、III−III、IV−IV、V−Vは、それぞれ、図４のI−I線、II−II線、III−III線、IV−IV線、V−V線に沿っての断面図である。図５に示されるように、膜体２０は、第１配線層３１及び第２配線層３２と、第１絶縁層３３及び第２絶縁層３４と、抵抗層３５と、光吸収層３６と、分離層３７と、を有している。
【００２５】
図４及び図５に示されるように、基板２の厚さ方向から見た場合に、第１配線層３１及び第２配線層３２は、受光部２１においてギャップＧを介して互いに対向している。ギャップＧは、ラインＬに沿って延在している。ラインＬは、基板２の厚さ方向から見た場合に、例えば第１接続部２２と第２接続部２３とを結ぶように蛇行状に延在している。具体的には、ラインＬは、蛇行部Ｌ１を有している。蛇行部Ｌ１は、複数の曲線部Ｌ２を含んでいる。蛇行部Ｌ１は、受光部２１において、受光部２１の一方の側に延び、曲線部Ｌ２において、例えば１８０°折り返して、受光部２１の他方の側に延び、曲線部Ｌ２において、例えば１８０°折り返して、再び受光部２１の一方の側に伸びることを繰り返すことによって構成されている。
【００２６】
本実施形態では、一方の側とは、基板２の厚さ方向から見た場合に、第１接続部２２と第２接続部２３とを結ぶ直線に対して一方の側（例えば第１梁部２４が存在する側）をいい、他方の側とは、基板２の厚さ方向から見た場合に、第１接続部２２と第２接続部２３とを結ぶ直線に対して一方の側とは反対の側（例えば第２梁部２５が存在する側）をいう。また、一方の側とは、基板２の厚さ方向から見た場合に、膜体２０の重心を通る直線に対して一方の側（例えば第１梁部２４が存在する側）であり、他方の側とは、基板２の厚さ方向から見た場合に、膜体２０の重心を通る直線に対して一方の側とは反対の側（第２梁部２５が存在する側）であってもよい。
【００２７】
基板２の厚さ方向から見た場合に、受光部２１において、ラインＬに沿った方向における第１配線層３１及び第２配線層３２のそれぞれの長さは、例えば、数十〜数百μｍ程度である。基板２の厚さ方向から見た場合に、ラインＬに垂直な方向における第１配線層３１及び第２配線層３２のそれぞれの幅は、例えば数μｍ程度である。基板２の厚さ方向から見た場合に、ラインＬに垂直な方向におけるギャップＧの幅は、例えば数μｍ程度である。ラインＬに垂直な方向とは、基板２の厚さ方向から見た場合に、ラインＬの各位置における接線に垂直な方向をいう。曲線部の各位置においては、ラインＬに垂直な方向はそれぞれ相違する。第１配線層３１及び第２配線層３２のそれぞれの厚さは、例えば数十〜数百ｎｍ程度である。
【００２８】
第１配線層３１は、受光部２１から第１梁部２４を介して第１接続部２２に延在している。第１配線層３１は、第１接続部２２において第１電極ポスト７上に形成されている。第１配線層３１は、第１電極ポスト７と電気的に接続されている。第２配線層３２は、受光部２１から第２梁部２５を介して第２接続部２３に延在している。第２配線層３２は、第２接続部２３において第２電極ポスト８上に形成されている。第２配線層３２は、第２電極ポスト８と電気的に接続されている。第１配線層３１及び第２配線層３２のそれぞれの材料は、例えばＴｉ等の金属材料である。
【００２９】
第１絶縁層３３は、第１配線層３１及び第２配線層３２のそれぞれにおける基板２とは反対側の表面を覆うように、受光部２１、第１梁部２４及び第２梁部２５、並びに、第１接続部２２及び第２接続部２３に渡って形成されている。第１絶縁層３３は、第１配線層３１及び第２配線層３２のそれぞれにおける基板２とは反対側の表面のうちラインＬに沿った領域を露出させた状態で、第１配線層３１及び第２配線層３２における基板２とは反対側の表面に形成されている。第２絶縁層３４は、第１配線層３１及び第２配線層３２のそれぞれにおける基板２側の表面を覆うように、受光部２１、第１梁部２４及び第２梁部２５、並びに、第１接続部２２及び第２接続部２３に渡って形成されている。第１絶縁層３３及び第２絶縁層３４のそれぞれの厚さは、例えば数十ｎｍ程度である。第１絶縁層３３及び第２絶縁層３４のそれぞれの材料は、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）等である。
【００３０】
抵抗層３５は、受光部２１において、基板２の反対側から第１絶縁層３３を覆うように形成されている。抵抗層３５は、受光部２１において、第１配線層３１及び第２配線層３２のそれぞれにおける基板２とは反対側の表面のうちラインＬに沿った領域に接触している。つまり、抵抗層３５は、受光部２１において、第１配線層３１及び第２配線層３２のそれぞれと電気的に接続されている。抵抗層３５は、温度に依存する電気抵抗を有している。抵抗層３５の厚さは、例えば数十〜数百ｎｍ程度である。抵抗層３５の材料は、例えば、温度変化による電気抵抗率の変化が大きいアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等である。
【００３１】
光吸収層３６は、受光部２１において、基板２の表面２ａと対向している。光吸収層３６は、抵抗層３５に対して基板２とは反対側に配置されている。光吸収層３６は、基板２の厚さ方向から見た場合に、受光部２１の全領域に広がっている。光吸収層３６の厚さは、例えば十数ｎｍ程度である。光吸収層３６の材料は、例えばＷＳｉ２又はＴｉ等である。
【００３２】
分離層３７は、受光部２１においては抵抗層３５と光吸収層３６との間に位置するように、受光部２１、第１梁部２４及び第２梁部２５、並びに、第１接続部２２及び第２接続部２３に渡って形成されている。分離層３７の厚さは、第１配線層３１、第２配線層３２、抵抗層３５及び光吸収層３６のそれぞれの厚さよりも大きい。分離層３７の厚さは、例えば数百ｎｍ程度である。分離層３７の材料は、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）等である。
【００３３】
膜体２０には、複数の貫通孔２０ｃ，２０ｄが形成されている。複数の貫通孔２０ｃ，２０ｄは、後述する犠牲層６９を除去するエッチングガスが通過する孔である。各貫通孔２０ｃ，２０ｄは、基板２の厚さ方向から見た場合に例えば円形状を呈している。各貫通孔２０ｃ，２０ｄの直径は、例えば数μｍ程度である。
【００３４】
次に、図６を参照しつつ、第２電極ポスト８及び第２接続部２３の構成について、より詳細に説明する。なお、第１電極ポスト７及び第１接続部２２の構成は、第２電極ポスト８及び第２接続部２３の構成と同等であるため、図６では、第１電極ポスト７及び第１接続部２２の構成をかっこ書きの符号で示し、その説明を省略する。図６のI−I、V−Vは、それぞれ、図４のI−I線、V−V線に沿っての断面図である。
【００３５】
図６に示されるように、第２電極ポスト８は、第２本体部８１と、第２底部８２と、第２鍔部８３と、を有している。第２本体部８１、第２底部８２、及び第２鍔部８３は、例えばＴｉ等の金属材料によって一体的に形成されている。第２本体部８１は、第２電極パッド６３から基板２とは反対側に向かって広がる例えば円筒状等の筒状を呈している。第２本体部８１の内面８１ａ及び外面８１ｂは、それぞれ、例えば円錐台状のテーパ面である。
【００３６】
第２底部８２は、第２本体部８１における基板２側の端部に設けられている。第２底部８２は、第２電極パッド６３に接触している。第２底部８２の内面８２ａは、例えば円形状の平坦面（基板２の表面２ａに平行な平坦面）であり、第２本体部８１の内面８１ａと接続されている。第２底部８２の外面には、その外縁に沿って環状に延在する溝８２ｂが形成されている。溝８２ｂは、第２底部８２及び第２電極パッド６３によって画定されている。
【００３７】
第２鍔部８３は、第２本体部８１における基板２とは反対側の端部に設けられている。第２鍔部８３は、外向きフランジ状に形成されている。第２鍔部８３における基板２とは反対側の表面８３ａは、例えば円形状の内縁及び矩形状の外縁を有する平坦面（基板２の表面２ａに平行な平坦面）であり、第２本体部８１の内面８１ａと接続されている。第２鍔部８３における基板２側の表面８３ｂは、例えば円形状の内縁及び矩形状の外縁を有する平坦面（基板２の表面２ａに平行な平坦面）であり、第２本体部８１の外面８１ｂと接続されている。第２鍔部８３においては、表面８３ａの外縁と表面８３ｂの外縁とが第２傾斜面８３ｃによって接続されている。つまり、第２傾斜面８３ｃは、第２鍔部８３の外縁に沿って環状に設けられている。第２傾斜面８３ｃは、基板２の表面２ａに平行な方向において第２本体部８１から離れるほど、基板２の表面２ａに垂直な方向において基板２に近づくように傾斜している。第２傾斜面８３ｃは、例えば四角錘台状のテーパ面である。
【００３８】
第２配線層３２は、第２梁部２５を介して第２接続部２３に延在している。第２配線層３２は、第２接続部２３において、第２鍔部８３の第２傾斜面８３ｃ及び表面８３ａを介して、第２本体部８１の内面８１ａ及び第２底部８２の内面８２ａに至っている。第２配線層３２は、第２接続部２３において、第２鍔部８３の第２傾斜面８３ｃ及び表面８３ａ、並びに、第２本体部８１の内面８１ａ及び第２底部８２の内面８２ａを覆っている。これにより、第２配線層３２は、第２接続部２３において、直角以下の角度で屈曲することなく、滑らかに形成されることになる。
【００３９】
第１絶縁層３３は、第２接続部２３において、第２配線層３２の側面３２ａを覆っている。第２絶縁層３４は、第２接続部２３において、第２配線層３２における基板２側の表面、第２鍔部８３の表面８３ｂ、及び第２本体部８１の外面８１ｂを介して、第２電極パッド６３上において溝８２ｂに入り込んでいる。つまり、第２接続部２３では、第２絶縁層３４の一部が、第２電極ポスト８と第２電極パッド６３との間に配置されている。抵抗層３５は、受光部２１だけでなく、第２接続部２３にも設けられている。抵抗層３５は、第２梁部２５のうちその両端部を除く部分には形成されていない。つまり、抵抗層３５は、第２梁部２５において分断されている。
【００４０】
第１電極ポスト７及び第１接続部２２のそれぞれの構成は、第２電極ポスト８及び第２接続部２３のそれぞれの構成と同等である。ただし、第１接続部２２に延在しているのは、第２配線層３２ではなく第１配線層３１である。すなわち、第１電極ポスト７は、第１本体部７１と、第１底部７２と、第１鍔部７３と、を有している。第１本体部７１、第１底部７２、及び第１鍔部７３は、例えばＴｉ等の金属材料によって一体的に形成されている。第１本体部７１は、第１電極パッド６２から基板２とは反対側に向かって広がる筒状を呈している。第１底部７２は、第１本体部７１における基板２側の端部に設けられている。第１鍔部７３は、第１本体部７１における基板２とは反対側の端部に設けられている。第１鍔部７３には、第１本体部７１から離れるほど基板２に近づくように傾斜した第１傾斜面７３ｃが設けられている。第１傾斜面７３ｃは、第１鍔部７３の外縁に沿って環状に設けられている。第１配線層３１は、第１梁部２４を介して第１接続部２２に延在しており、第１傾斜面７３ｃを介して第１本体部７１の内面７１ａ及び第１底部７２の内面７２ａに至っている。第１配線層３１は、第１傾斜面７３ｃ、並びに、第１本体部７１の内面７１ａ及び第１底部７２の内面７２ａを覆っている。第１絶縁層３３は、第１接続部２２において第１配線層３１の側面３１ａを覆っている。第２絶縁層３４は、第１本体部７１の外面７１ｂを介して、第１電極パッド６２上において第１底部７２の外面に形成された溝７２ｂに入り込んでいる。抵抗層３５は、受光部２１だけでなく、第１接続部２２にも設けられている。抵抗層３５は、第１梁部２４のうちその両端部を除く部分には形成されていない。つまり、抵抗層３５は、第１梁部２４において分断されている。
【００４１】
以上のように構成された光検出器１では、以下のように、光が検出される。まず、光が受光部２１に入射すると、後述する光共振構造を構成する光吸収層３６において熱が生じる。このとき、受光部２１と基板２とは、空隙Ｓによって熱的に分離されている。また、受光部２１と第１接続部２２及び第１梁部２４とは、第１スリット２０ａによって熱的に分離されている。また、受光部２１と第２接続部２３及び第２梁部２５とは、第２スリット２０ｂによって熱的に分離されている。このため、光吸収層３６において生じた熱が、第１梁部２４及び第１接続部２２、並びに、第２梁部２５及び第２接続部２３を介して、基板２側に逃げるようなことが抑制される。更に、光吸収層３６と第１配線層３１及び第２配線層３２とは、分離層３７によって熱的に分離されている。このため、光吸収層３６において生じた熱が分離層３７を介して抵抗層３５に十分に伝わる前に、当該熱が第１配線層３１及び第２配線層３２を介して基板２側に逃げるようなことが抑制される。
【００４２】
光吸収層３６において生じた熱は、分離層３７を介して抵抗層３５に伝わる。そして、この熱によって抵抗層３５は、温度が上昇すると共に電気抵抗が低下する。この電気抵抗の変化は、信号として、第１配線層３１及び第２配線層３２、並びに、第１電極ポスト７及び第２電極ポスト８を介して、信号処理回路部５に送られる。信号処理回路部５では、抵抗層３５の電気抵抗の変化が電圧または電流の変化に変換される。このとき、リファレンス部４のリファレンス素子からも、電気抵抗の変化が信号として信号処理回路部５に送られる。信号処理回路部５では、リファレンス素子の抵抗層の電気抵抗の変化が電圧または電流の変化に変換される。リファレンス素子は、光検出素子１０における受光以外の要因による温度変化を補償するための素子である。信号処理回路部５では、光検出素子１０による電圧または電流の変化とリファレンス素子による電圧または電流の変化との差分に基づいて光が検出される。
【００４３】
次に、光共振構造について詳細に説明する。図７に示されるように、光吸収層３６に入射した入射光Ａ（波長がλである）は、一部が光吸収層３６によって反射光Ｂ１として反射され、他の一部が光吸収層３６を透過する。光吸収層３６を透過した入射光Ａの他の一部は、光反射層６１によって反射光Ｂ２として反射される。そして、反射光Ｂ１と反射光Ｂ２とは、光吸収層３６の反射面において、互いに干渉して打ち消される。これにより、光吸収層３６の当該反射面において入射光Ａが吸収される。吸収された入射光Ａのエネルギーによって光吸収層３６において熱が生じる。
【００４４】
入射光Ａの吸収率は、光吸収層３６のシート抵抗、及び、光吸収層３６と光反射層６１との間の光学距離ｔによって決められる。光吸収層３６の厚さは、シート抵抗が真空インピーダンス（３７７Ω／ｓｑ）となるように略１６ｎｍ（光吸収層３６の材料が、ＷＳｉ２である場合）に設定されている。これによれば、光吸収層３６によって反射された反射光Ｂ１の振幅が光反射層６１によって反射された反射光Ｂ２の振幅と一致する。このため、光吸収層３６の反射面において、反射光Ｂ１と反射光Ｂ２とが効率的に干渉して打ち消される。従って、入射光Ａの吸収率が向上される。
【００４５】
また、光学距離ｔは、ｔ＝（２ｍ−１）λ／４（ｍ＝１、２、３、・・・）となるように設定されている。これによれば、反射光Ｂ１と反射光Ｂ２との位相が１８０°ずれる。このため、光吸収層３６の反射面において、反射光Ｂ１と反射光Ｂ２とが効率的に干渉して打ち消される。従って、入射光Ａの吸収率が向上される。このように、光反射層６１は、光吸収層３６と光共振構造を構成している。基板２の厚さ方向から見た場合に、光反射層６１及び光吸収層３６の重なっている部分の面積が広ければ広いほど、入射光Ａが効率よく吸収される。
【００４６】
以上説明したように、光検出器１では、第１電極ポスト７の第１本体部７１が、第１電極パッド６２から基板２とは反対側に向かって広がる筒状を呈している。このため、膜体２０のうち第１接続部２２において応力集中が起こり難い。第２電極ポスト８についても同様であり、第２接続部２３において応力集中が起こり難い。また、第１電極ポスト７の第１本体部７１には、第１鍔部７３が設けられている。このため、第１接続部２２において変形が生じ難い。第２電極ポスト８についても同様であり、第２接続部２３において変形が生じ難い。更に、第１配線層３１が、第１鍔部７３に設けられた第１傾斜面７３ｃを介して第１本体部７１の内面７１ａに至っている。このため、第１接続部２２において第１配線層３１自体に応力集中が起こり難い。第２電極ポスト８についても同様であり、第２接続部２３において第２配線層３２自体に応力集中が起こり難い。更に、第１配線層３１が、第１傾斜面７３ｃを介して第１本体部７１の内面７１ａだけではなく、第１底部７２の内面７２ａにも至っている。これにより、第１配線層３１と第１電極ポスト７との電気的な接続を確実化することができる。第２電極ポスト８についても同様であり、第２配線層３２と第２電極ポスト８との電気的な接続を確実化することができる。
【００４７】
以上により、光検出器１によれば、膜体２０のうち第１電極ポスト７及び第２電極ポスト８のそれぞれが接続される第１接続部２２及び第２接続部２３のそれぞれにおいて電気的な接続に不良が生じるのを抑制することができる。また、光検出器１によれば、第１電極ポスト７及び第２電極ポスト８の厚さを厚くすると共に第１配線層３１及び第２配線層３２の厚さを薄くすることができる。これにより、第１電極ポスト７及び第２電極ポスト８の補強と第１配線層３１及び第２配線層３２の熱コンダクタンスの低減との両立を図ることができる。
【００４８】
また、光検出器１では、第１傾斜面７３ｃが、第１鍔部７３の外縁に沿って環状に設けられており、第１配線層３１が、第１傾斜面７３ｃ、及び第１本体部７１の内面７１ａを覆っており、第２傾斜面８３ｃが、第２鍔部８３の外縁に沿って環状に設けられており、第２配線層３２が、第２傾斜面８３ｃ、及び第２本体部８１の内面８１ａを覆っている。この構成によれば、第１配線層３１と第１電極ポスト７との電気的な接続、及び第２配線層３２と第２電極ポスト８との電気的な接続をより一層確実化することができる。
【００４９】
また、光検出器１では、第１絶縁層３３が、第１接続部２２及び第２接続部２３のそれぞれにおいて第１配線層３１の側面３１ａ及び第２配線層３２の側面３２ａのそれぞれを覆っている。この構成によれば、第１配線層３１及び第２配線層３２を基板２とは反対側から保護しつつ、第１接続部２２における第１配線層３１の剥離、及び第２接続部２３における第２配線層３２の剥離を防止することができる。
【００５０】
また、光検出器１では、第２絶縁層３４が、第１接続部２２において第１電極ポスト７の第１本体部７１の外面７１ｂを介して、第１電極パッド６２上において第１底部７２の外面に形成された溝７２ｂに入り込んでおり、第２絶縁層３４が、第２接続部２３において第２電極ポスト８の第２本体部８１の外面８１ｂを介して、第２電極パッド６３上において第２底部８２の外面に形成された溝８２ｂに入り込んでいる。この構成によれば、第１配線層３１及び第２配線層３２を基板２側から保護しつつ、第１電極パッド６２上での第２絶縁層３４の剥離や第１電極ポスト７の外面７１ｂの露出、及び第２電極パッド６３上での第２絶縁層３４の剥離や第２電極ポスト８の外面８１ｂの露出を防止することができる。
【００５１】
また、光検出器１では、抵抗層３５が、受光部２１、第１接続部２２及び第２接続部２３に設けられており、第１梁部２４及び第２梁部２５のそれぞれにおいて分断されている。この構成によれば、抵抗層３５によって第１接続部２２及び第２接続部２３が補強されるため、膜体２０のうち第１電極ポスト７及び第２電極ポスト８のそれぞれが接続される第１接続部２２及び第２接続部２３のそれぞれにおいて電気的な接続に不良が生じるのをより確実に抑制することができる。また、抵抗層３５が第１梁部２４及び第２梁部２５において分断されているため、受光部２１で生じた熱が第１梁部２４及び第２梁部２５を介して逃げるのを抑制し、光検出器１としての性能を向上させることができる。
【００５２】
次に、光検出素子１０の製造方法について、図８〜図１７を参照しつつ説明する。図８〜図１４、及び図１７の各図において、（ｂ）のI−I、II−II、III−III、IV−IV、V−Vは、それぞれ、（ａ）のI−I線、II−II線、III−III線、IV−IV線、V−V線に沿っての断面図である。図１５及び図１６においては、上記（ａ）のような図が省略されている。
【００５３】
まず、図８に示されるように、基板２を用意し、基板２の表面２ａに光反射層６１、第１電極パッド６２、及び第２電極パッド６３を形成する。光反射層６１、第１電極パッド６２、及び第２電極パッド６３は、エッチングによって上述した形状とされる。続いて、図９に示されるように、光反射層６１、第１電極パッド６２、及び第２電極パッド６３を覆うように基板２の表面２ａに犠牲層６９を形成する。犠牲層６９の材料は、例えばポリイミド等である。続いて、図１０に示されるように、エッチングによって犠牲層６９の一部を除去することで、犠牲層６９に貫通孔６９ａ，６９ｂを形成する。各貫通孔６９ａ，６９ｂは、それぞれ第１電極パッド６２及び第２電極パッド６３上に形成される。そして、各貫通孔６９ａ，６９ｂにおいては、第１電極パッド６２及び第２電極パッド６３のそれぞれにおける基板２とは反対側の表面が露出させられる。各貫通孔６９ａ，６９ｂの内面は、それぞれ、例えば円錐台状のテーパ面である。各貫通孔６９ａ，６９ｂの内面は、それぞれ、第１電極パッド６２及び第２電極パッド６３のそれぞれから基板２とは反対側に向かって広がっている。
【００５４】
続いて、図１１に示されるように、犠牲層６９上に第２絶縁層３４を形成する。第２絶縁層３４は、各貫通孔６９ａ，６９ｂのそれぞれにおいて、内面が例えば円錐台状のテーパ面となるように形成される。続いて、エッチングによって第２絶縁層３４の一部を除去することで、第２絶縁層３４に貫通孔３４ａ，３４ｂを形成する。各貫通孔３４ａ，３４ｂは、それぞれ第１電極パッド６２及び第２電極パッド６３上に形成される。そして、各貫通孔３４ａ，３４ｂにおいては、第１電極パッド６２及び第２電極パッド６３のそれぞれにおける基板２とは反対側の表面が露出させられる。各貫通孔３４ａ，３４ｂは、基板２の厚さ方向から見た場合に円形状を呈している。
【００５５】
続いて、図１２に示されるように、貫通孔６９ａにおける第２絶縁層３４上に第１電極ポスト７を形成すると共に，貫通孔６９ｂにおける第２絶縁層３４上に第２電極ポスト８を形成する。第１電極ポスト７及び第２電極ポスト８のそれぞれは、例えば蒸着によって形成される。この際、第２絶縁層３４が、各貫通孔６９ａ，６９ｂのそれぞれにおいて、内面がテーパ面であるため、第１電極ポスト７及び第２電極ポスト８のそれぞれがより確実に形成される。これにより、第１電極ポスト７及び第２電極ポスト８の成膜不良による断線が抑制される。よって、第１接続部２２及び第２接続部２３のそれぞれにおいて電気的な接続に不良が生じるのを抑制することができる。また、第１電極ポスト７及び第２電極ポスト８のそれぞれの厚さのばらつきが抑制され、強度が安定化される。更に、第２絶縁層３４が、第１接続部２２及び第２接続部２３のそれぞれにおいて、溝７２ｂ及び溝８２ｂのそれぞれに入り込んでいる部分を有しているため、第１電極ポスト７及び第２電極ポスト８のアライメントずれの許容範囲が広くなる。
【００５６】
続いて、図１３に示されるように、第１電極ポスト７及び第２電極ポスト８を覆うように第２絶縁層３４上に第１配線層３１及び第２配線層３２を形成する。第１配線層３１及び第２配線層３２のそれぞれは、例えば蒸着によって形成される。この際、第１鍔部７３の第１傾斜面７３ｃ及び第１本体部７１の内面７１ａ、並びに、第２鍔部８３の第２傾斜面８３ｃ及び第２本体部８１の内面８１ａが、テーパ面であるため、第１電極ポスト７及び第２電極ポスト８上において、第１配線層３１及び第２配線層３２がより確実に形成される。これにより、第１配線層３１及び第２配線層３２の成膜不良による断線が抑制される。よって、第１接続部２２及び第２接続部２３のそれぞれにおいて電気的な接続に不良が生じるのを抑制することができる。また、第１配線層３１及び第２配線層３２のそれぞれの厚さのばらつきが抑制され、強度が安定化される。なお、複数の光検出素子１０が二次元マトリックス状に配置されている場合において、画素の狭ピッチ化及びデッドスペースの低減のために、第１電極ポスト７及び第２電極ポスト８のアスペクト比が高くされたときには、上述した、第１電極ポスト７及び第２電極ポスト８、並びに、第１配線層３１及び第２配線層３２がより確実に形成される効果は、特に顕著となる。第１配線層３１及び第２配線層３２は、エッチングによって上述した形状とされる。
【００５７】
続いて、図１４に示されるように、基板２の反対側から第１配線層３１及び第２配線層３２を覆うように、受光部２１、第１梁部２４及び第２梁部２５、並びに、第１接続部２２及び第２接続部２３に渡って第１絶縁層３３を形成する。第１絶縁層３３は、エッチングによって上述した形状とされる。この際、第１絶縁層３３が第１配線層３１の側面３１ａ及び第２配線層３２の側面３２ａを覆っているため、露出する異種材料の界面数が少なくなる。これにより、光検出素子１０の製造工程において、界面に起因するエッチング不良を低減することができる。更に、外部に露出している材料の種類が少なくなるため、エッチングガスやエッチング液等の選択の自由度が向上する。続いて、図１５に示されるように、受光部２１において、基板２の反対側から第１絶縁層３３を覆うように抵抗層３５を形成すると共に、第１接続部２２及び第２接続部２３において、第１絶縁層３３上に抵抗層３５を形成する。そして、受光部２１、第１接続部２２、及び第２接続部２３において、基板２の反対側から抵抗層３５を覆うように分離層３７を形成すると共に、第１梁部２４及び第２梁部２５において、第１絶縁層３３上に分離層３７を形成する。
【００５８】
続いて、図１６に示されるように、受光部２１において、分離層３７上に光吸収層３６を形成し、更に貫通孔２０ｃ，２０ｄを形成する。光吸収層３６は、エッチングによって上述した形状とされる。貫通孔２０ｃ，２０ｄは、エッチングによって上述した位置に形成される。続いて、図１７に示されるように、第１スリット２０ａ及び第２スリット２０ｂを形成し、更に、第１スリット２０ａ及び第２スリット２０ｂ、並びに、貫通孔２０ｃ，２０ｄからエッチングを進行させ、犠牲層６９を除去することで、空隙Ｓを形成する。第１スリット２０ａ及び第２スリット２０ｂは、エッチングによって上述した位置に形成される。
【００５９】
以上、本開示の一実施形態について説明したが、本開示は、上述した実施形態に限定されるものではない。
【００６０】
上記実施形態では、第２配線層３２が、第２本体部８１の内面８１ａ及び第２底部８２の内面８２ａに至っている例を示したが、第２配線層３２は、第２底部８２の内面８２ａには至っていなくてもよい。第２配線層３２は、第２接続部２３において、第２鍔部８３の第２傾斜面８３ｃを介して、第２本体部８１の内面８１ａに至っていればよい。第１配線層３１についても同様であり、第１配線層３１は、第１底部７２の内面７２ａには至っていなくてもよい。第１配線層３１は、第１接続部２２において、第１鍔部７３の第１傾斜面７３ｃを介して、第１本体部７１の内面７１ａに至っていればよい。
【００６１】
上記実施形態では、第２傾斜面８３ｃが、第２鍔部８３の外縁に沿って環状に設けられている例を示したが、第２傾斜面８３ｃは、例えば第２鍔部８３の外縁における一部だけに設けられていてもよい。また、第２配線層３２は、第２傾斜面８３ｃ、並びに、第２本体部８１の内面８１ａ及び第２底部８２の内面７２ａを覆っていなくてもよい。第２配線層３２は、第２傾斜面８３ｃを介して第２本体部８１の内面８１ａに至っていればよい。第１電極ポスト７についても同様であり、第１傾斜面７３ｃは、例えば第１鍔部７３の外縁における一部だけに設けられていてもよい。また、第１配線層３１は、第１傾斜面７３ｃ、並びに、第１本体部７１の内面７１ａ及び第１底部７２の内面７２ａを覆っていなくてもよい。第１配線層３１は、第１傾斜面７３ｃを介して第１本体部７１の内面７１ａに至っていればよい。
【００６２】
また、第２本体部８１の内面８１ａ及び外面８１ｂが、それぞれ、円錐台状のテーパ面である例を示したが、第２本体部８１の内面８１ａ及び外面８１ｂは、それぞれ、例えば四角錘台状のテーパ面であってもよい。第１本体部７１についても同様であり、第１本体部７１の内面７１ａ及び外面７１ｂは、それぞれ、例えば四角錘台状のテーパ面であってもよい。
【００６３】
また、第２鍔部８３における基板２とは反対側の表面８３ａの内縁が円形状であり、外縁が矩形状である例を示したが、表面８３ａの内縁及び外縁は、それぞれ、例えば円形状又は矩形状であってもよい。また、第２鍔部８３における基板２側の表面８３ｂの内縁が円形状であり、外縁が矩形状である例を示したが、表面８３ｂの内縁及び外縁は、それぞれ、例えば円形状又は矩形状であってもよい。第１鍔部７３についても同様であり、表面７３ａの内縁及び外縁は、それぞれ、例えば円形状又は矩形状であってもよい。また、表面７３ｂの内縁及び外縁は、それぞれ、例えば円形状又は矩形状であってもよい。
【００６４】
また、膜体２０は、基板２の厚さ方向から見た場合に、例えば矩形状を呈している例を示したが、これに限定されない。膜体２０は、基板２の厚さ方向から見た場合に、例えば円形状等の様々な形状を呈していてもよい。
【００６５】
また、第１配線層３１及び第２配線層３２、抵抗層３５、光吸収層３６並びに分離層３７のそれぞれは、様々な材料及び厚さが選択されることができる。第１配線層３１及び第２配線層３２、抵抗層３５並びに分離層３７のそれぞれについて、最適な材料及び厚さを選択することによって、感度の向上を容易に図ると共に、膜体２０の強度を向上させることができる。また、第１配線層３１及び第２配線層３２、並びに光吸収層３６のそれぞれについて、最適な材料を選択することによって、感度及び応答速度の向上を両立することが可能となる。
【００６６】
また、基板２の厚さ方向から見た場合に、貫通孔２０ｃ，２０ｄは、楕円形又は四角形等の様々な形状を呈していてもよい。また、貫通孔２０ｃ，２０ｄが形成される位置は、限定されない。貫通孔２０ｃ，２０ｄは、受光部２１の様々な位置に形成されていてもよい。
【００６７】
また、画素部３は、１つの光検出素子１０によって構成されていてもよい。
【符号の説明】
【００６８】
１…光検出器、２…基板、２ａ…表面、７…第１電極ポスト、８…第２電極ポスト、２０…膜体、２１…受光部、２２…第１接続部、２３…第２接続部、２４…第１梁部、２５…第２梁部、３１…第１配線層、３１ａ…側面、３２…第２配線層、３２ａ…側面、３３…第１絶縁層、３４…第２絶縁層、３５…抵抗層、６２…第１電極パッド、６３…第２電極パッド、７１…第１本体部、７１ａ…内面、７１ｂ…外面、７２…第１底部、７２ａ…内面、７２ｂ…溝、７３…第１鍔部、７３ｃ…第１傾斜面、８１…第２本体部、８１ａ…内面、８１ｂ…外面、８２…第２底部、８２ａ…内面、８２ｂ…溝、８３…第２鍔部、８３ｃ…第２傾斜面、Ｇ…ギャップ、Ｓ…空隙。
【図１】
2019031234.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【国際調査報告】
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