(57)【要約】  導通信頼性を効果的に高めることができる導電性粒子を提供する。  本発明に係る導電性粒子は、１００℃における２０％Ｋ値の２５℃における２０％Ｋ値に対する比が、０．８５以下、２５℃における圧縮回復率が、５０％以上、８０％以下、１００℃における圧縮回復率が、４０％以上、７０％以下である第１の構成；１５０℃における２０％Ｋ値の２５℃における２０％Ｋ値に対する比が、０．７５以下、２５℃における圧縮回復率が、５０％以上、８０％以下、１５０℃における圧縮回復率が、２５％以上、５５％以下である第２の構成；又は、２００℃における２０％Ｋ値の２５℃における２０％Ｋ値に対する比が、０．６５以下、２５℃における圧縮回復率が、５０％以上、８０％以下、２００℃における圧縮回復率が、２０％以上、５０％以下である第３の構成を備える。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１００℃における２０％Ｋ値の２５℃における２０％Ｋ値に対する比が、０．８５以下であり、２５℃における圧縮回復率が、５０％以上、８０％以下であり、１００℃における圧縮回復率が、４０％以上、７０％以下である第１の構成を備えるか、
１５０℃における２０％Ｋ値の２５℃における２０％Ｋ値に対する比が、０．７５以下であり、２５℃における圧縮回復率が、５０％以上、８０％以下であり、１５０℃における圧縮回復率が、２５％以上、５５％以下である第２の構成を備えるか、又は、
２００℃における２０％Ｋ値の２５℃における２０％Ｋ値に対する比が、０．６５以下であり、２５℃における圧縮回復率が、５０％以上、８０％以下であり、２００℃における圧縮回復率が、２０％以上、５０％以下である第３の構成を備える、導電性粒子。
【請求項２】
前記第１の構成を備える、請求項１に記載の導電性粒子。
【請求項３】
前記第２の構成を備える、請求項１に記載の導電性粒子。
【請求項４】
前記第３の構成を備える、請求項１に記載の導電性粒子。
【請求項５】
前記１００℃における２０％Ｋ値が、５０００Ｎ／ｍｍ２以上、１６０００Ｎ／ｍｍ２以下である、請求項２に記載の導電性粒子。
【請求項６】
前記１５０℃における２０％Ｋ値が、４５００Ｎ／ｍｍ２以上、１５０００Ｎ／ｍｍ２以下である、請求項３に記載の導電性粒子。
【請求項７】
前記２００℃における２０％Ｋ値が、４０００Ｎ／ｍｍ２以上、１４０００Ｎ／ｍｍ２以下である、請求項４に記載の導電性粒子。
【請求項８】
前記２５℃における２０％Ｋ値が、８０００Ｎ／ｍｍ２以上、２００００Ｎ／ｍｍ２以下である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項９】
粒子径が、１μｍを超える、請求項１〜８のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項１０】
基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える、請求項１〜９のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項１１】
前記基材粒子が、有機無機ハイブリッド粒子である、請求項１０に記載の導電性粒子。
【請求項１２】
湾曲した状態のフレキシブル部材の電極の導電接続用途に用いられる、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料。
【請求項１４】
第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、
第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、
前記第１の接続対象部材と、前記第２の接続対象部材を接続している接続部とを備え、
前記接続部の材料が、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の導電性粒子であるか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料であり、
前記第１の電極と前記第２の電極とが、前記導電性粒子における導電部により電気的に接続されている、接続構造体。
【請求項１５】
前記第１の接続対象部材又は前記第２の接続対象部材として、フレキシブル部材を備え、
前記フレキシブル部材が湾曲した状態で、前記接続構造体が用いられる、請求項１４に記載の接続構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、電極間の電気的な接続に用いることができる導電性粒子に関する。また、本発明は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。該異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。また、導電性粒子として、導電層の表面が絶縁処理された導電性粒子が用いられることがある。【０００３】
上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために用いられている。上記異方性導電材料を用いた接続としては、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｂｏａｒｄ））等が挙げられる。【０００４】
上記導電性粒子の一例として、下記の特許文献１には、架橋ポリマー粒子と、該架橋ポリマー粒子の表面上に金属皮膜とを有する導電性粒子が開示されている。上記架橋ポリマー粒子は、ポリメタクリル酸メチルを含有するシード粒子を、式（１）で表されるジ（メタ）アクリレート化合物を含有するモノマーを含む乳化液中で膨潤させた後、上記モノマーをシード重合させて得られる。上記架橋ポリマー粒子の式（２）で表される圧縮回復増加率は−５％以上である。【０００５】
下記の特許文献２には、基材粒子と、該基材粒子の表面上に導電性金属層とを有する導電性粒子が開示されている。上記基材粒子の平均粒子径は１．０〜２．５μｍである。上記基材粒子の１０％Ｋ値は３０００Ｎ／ｍｍ２以上である。上記基材粒子の式（１）で求められる４０％Ｋ値減少率は３０％以上である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−８０４８４号公報
【特許文献２】特開２０１３−７３９１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、種々の電子デバイスの開発が進行しており、基板の素材も多様化している。例えば、曲面パネルや、自由に折り曲げることができるフレキシブルパネル等が開発されている。上記の曲面パネル等には柔軟性が要求されることから、曲面パネル等に用いられるフレキシブル部材として、従来のガラス基板の代わりにポリイミド基板等のプラスチック基板が検討されている。【０００８】
プラスチック基板に半導体チップ等を直接実装する場合には、実装時の圧力によってプラスチック基板が容易に変形、破壊等を生じてしまうため、実装時の圧力を極力低くする必要がある。実装時の圧力が低い場合において、従来の導電性粒子を用いて電極間の導電接続を行うと、導電性粒子に付与される圧力が低いために、導電性粒子の表面及び電極の表面等の酸化膜が排除されず、電極間を電気的に接続することが困難なことがある。さらに、導電性粒子に付与される圧力が低いために、導電性粒子を十分に変形させることができず、導電性粒子と電極との接触面積を十分に確保することが困難なことがある。結果として、電極間の接続抵抗が高くなることがある。【０００９】
また、導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料を用いて電極間が導電接続された接続構造体において、高温高湿度環境下でバインダー樹脂が脆くなったときに、圧縮された導電性粒子が元の形状に戻ろうとする作用が働いて、スプリングバックと呼ばれる現象が生じることがある。スプリングバックが発生すると、導電性粒子と電極との接触面積が低下し、導通信頼性が低下することがある。【００１０】
本発明の目的は、電極間を電気的に接続した場合に、接続抵抗を効果的に低くすることができ、導通信頼性を効果的に高めることができる導電性粒子を提供することである。また、本発明の目的は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の広い局面によれば、１００℃における２０％Ｋ値の２５℃における２０％Ｋ値に対する比が、０．８５以下であり、２５℃における圧縮回復率が、５０％以上、８０％以下であり、１００℃における圧縮回復率が、４０％以上、７０％以下である第１の構成を備えるか、１５０℃における２０％Ｋ値の２５℃における２０％Ｋ値に対する比が、０．７５以下であり、２５℃における圧縮回復率が、５０％以上、８０％以下であり、１５０℃における圧縮回復率が、２５％以上、５５％以下である第２の構成を備えるか、又は、２００℃における２０％Ｋ値の２５℃における２０％Ｋ値に対する比が、０．６５以下であり、２５℃における圧縮回復率が、５０％以上、８０％以下であり、２００℃における圧縮回復率が、２０％以上、５０％以下である第３の構成を備える、導電性粒子が提供される。【００１２】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記第１の構成を備える。この場合に、本発明に係る導電性粒子では、１００℃における２０％Ｋ値の２５℃における２０％Ｋ値に対する比が、０．８５以下であり、２５℃における圧縮回復率が、５０％以上、８０％以下であり、１００℃における圧縮回復率が、４０％以上、７０％以下である。【００１３】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記第２の構成を備える。この場合に、本発明に係る導電性粒子では、１５０℃における２０％Ｋ値の２５℃における２０％Ｋ値に対する比が、０．７５以下であり、２５℃における圧縮回復率が、５０％以上、８０％以下であり、１５０℃における圧縮回復率が、２５％以上、５５％以下である。【００１４】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記第３の構成を備える。この場合に、本発明に係る導電性粒子では、２００℃における２０％Ｋ値の２５℃における２０％Ｋ値に対する比が、０．６５以下であり、２５℃における圧縮回復率が、５０％以上、８０％以下であり、２００℃における圧縮回復率が、２０％以上、５０％以下である。【００１５】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記１００℃における２０％Ｋ値が、５０００Ｎ／ｍｍ２以上、１６０００Ｎ／ｍｍ２以下である。【００１６】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記１５０℃における２０％Ｋ値が、４５００Ｎ／ｍｍ２以上、１５０００Ｎ／ｍｍ２以下である。【００１７】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記２００℃における２０％Ｋ値が、４０００Ｎ／ｍｍ２以上、１４０００Ｎ／ｍｍ２以下である。【００１８】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記２５℃における２０％Ｋ値が、８０００Ｎ／ｍｍ２以上、２００００Ｎ／ｍｍ２以下である。【００１９】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、粒子径が、１μｍを超える。【００２０】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子が、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える。【００２１】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記基材粒子が、有機無機ハイブリッド粒子である。【００２２】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、湾曲した状態のフレキシブル部材の電極の導電接続用途に用いられる。【００２３】
本発明の広い局面によれば、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料が提供される。【００２４】
本発明の広い局面によれば、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、前記第１の接続対象部材と、前記第２の接続対象部材を接続している接続部とを備え、前記接続部の材料が、上述した導電性粒子であるか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料であり、前記第１の電極と前記第２の電極とが、前記導電性粒子における導電部により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。【００２５】
本発明に係る接続構造体のある特定の局面では、前記第１の接続対象部材又は前記第２の接続対象部材として、フレキシブル部材を備え、前記フレキシブル部材が湾曲した状態で、前記接続構造体が用いられる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明に係る導電性粒子は、上記の第１の構成を備えるか、上記の第２の構成を備えるか、又は、上記の第３の構成を備える。本発明に係る導電性粒子では、上記の構成が備えられているので、電極間を電気的に接続した場合に、接続抵抗を効果的に低くすることができ、導通信頼性を効果的に高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に示す正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００２９】
（導電性粒子）
本発明に係る導電性粒子は、以下の第１の構成を備えるか、以下の第２の構成を備えるか、又は、以下の第３の構成を備える。
【００３０】
第１の構成：１００℃における２０％Ｋ値の２５℃における２０％Ｋ値に対する比が、０．８５以下であり、２５℃における圧縮回復率が、５０％以上、８０％以下であり、１００℃における圧縮回復率が、４０％以上、７０％以下である
【００３１】
第２の構成：１５０℃における２０％Ｋ値の２５℃における２０％Ｋ値に対する比が、０．７５以下であり、２５℃における圧縮回復率が、５０％以上、８０％以下であり、１５０℃における圧縮回復率が、２５％以上、５５％以下である
【００３２】
第３の構成：２００℃における２０％Ｋ値の２５℃における２０％Ｋ値に対する比が、０．６５以下であり、２５℃における圧縮回復率が、５０％以上、８０％以下であり、２００℃における圧縮回復率が、２０％以上、５０％以下である
【００３３】
本発明に係る導電性粒子は、上記第１の構成、上記第２の構成及び上記第３の構成のうちの少なくとも一方を備える。本発明に係る導電性粒子は、上記第１の構成、上記第２の構成及び上記第３の構成のうち、上記第１の構成のみを備えていてもよく、上記第２の構成のみを備えていてもよく、上記第３の構成のみを備えていてもよく、上記の３つの構成のうちのいずれか２つの構成の組み合わせを備えていてもよく、上記３つのすべての構成を備えていてもよい。
【００３４】
本発明に係る導電性粒子が上記第１の構成を備える場合に、７０〜１３０℃での導電接続を良好に行うことができる。本発明に係る導電性粒子が上記第２の構成を備える場合に、１２０〜１８０℃での導電接続を良好に行うことができる。本発明に係る導電性粒子が上記第３の構成を備える場合に、１７０〜２３０℃での導電接続を良好に行うことができる。本発明に係る導電性粒子が上記第１の構成、上記第２の構成及び上記第３の構成のすべての構成を備える場合に、７０〜２３０℃での導電接続を良好に行うことができる。
【００３５】
本発明では、上記の構成が備えられているので、電極間を電気的に接続した場合に、接続抵抗を効果的に低くすることができ、導通信頼性を効果的に高めることができる。
【００３６】
本発明に係る導電性粒子は、２５℃での２０％Ｋ値が比較的高く、２５℃では比較的硬質な導電性粒子である。電極間を電気的に接続する場合に、導電性粒子に付与される圧力が低くても、接続初期では導電性粒子は硬いので、電極の表面に存在する酸化膜を排除でき、電極間を電気的に接続することができる。また、本発明に係る導電性粒子は、１００℃、１５０℃又は２００℃における２０％Ｋ値の２５℃における２０％Ｋ値に対する変化率が比較的高いため、実装時に導電性粒子に付与される圧力が低くても、導電性粒子を十分に変形させることができ、導電性粒子と電極との接触面積を十分に確保することができる。結果として、本発明に係る導電性粒子を用いて電極間を電気的に接続すると、電極間の接続抵抗を効果的に低くすることができる。上記２０％Ｋ値は、導電性粒子に付与される圧力が低い場合における導電性粒子の硬さ及び変形の指標として用いることができる。本発明では、導電性粒子に付与される圧力が低い場合において、電極間の接続抵抗を効果的に低くするために、２０％Ｋ値が特定の関係を満足することが重要であることが見出された。
【００３７】
さらに、本発明に係る導電性粒子は、２５℃における圧縮回復率が比較的高く、圧縮された導電性粒子が元の形状に戻ろうとする作用が比較的働きやすい。上述した２５℃での２０％Ｋ値も比較的高く、接続初期では導電性粒子がその形状を維持しようとするので、電極の表面等の酸化膜をより一層容易に排除でき、電極間を電気的に接続することができる。また、本発明に係る導電性粒子は、１００℃、１５０℃又は２００℃における圧縮回復率が比較的低く、圧縮された導電性粒子が元の形状に戻ろうとする作用が比較的働き難く、スプリングバックが発生し難い。例えば、本発明に係る導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料を用いて電極間を電気的に接続した接続構造体に関して、接続構造体が高温高湿度環境下に曝されることでバインダー樹脂が脆くなっても、圧縮された導電性粒子が元の形状に戻ろうとする作用が働き難く、スプリングバックが発生し難い。このため、導電性粒子と電極との接触面積の低下を効果的に防止することができ、電極間の導通信頼性を効果的に高めることができる。本発明では、高温高湿度環境下での電極間の導通信頼性も高めることができる。
【００３８】
本発明では、上記の構成が備えられているので、導電性粒子を湾曲部における導電接続用途に好適に用いることができる。湾曲部における導電接続用途に導電性粒子を用いた場合には、特に優れた導通信頼性が効果的に発揮される。
【００３９】
上記導電性粒子は、フレキシブル部材の電極の導電接続用途に好適に用いることができ、湾曲した状態のフレキシブル部材の電極の導電接続用途により好適に用いることができる。上記導電性粒子の使用により、高い導通信頼性を発揮しつつ、フレキシブル部材を湾曲した状態で用いることができる。
【００４０】
フレキシブル部材を用いた接続構造体としては、フレキシブルパネル等が挙げられる。フレキブルパネルは、曲面パネルとして用いることが可能である。上記導電性粒子は、フレキシブルパネルの接続部を形成するために用いられることが好ましく、曲面パネルの接続部を形成するために用いられることが好ましい。
【００４１】
電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くし、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めるために、本発明では、２０％Ｋ値が特定の関係を満足することと、圧縮回復率が特定の関係を満足することとの、これら２つの構成を組み合わせることが重要であることが見出された。
【００４２】
上記第１の構成を備える本発明に係る導電性粒子では、１００℃における２０％Ｋ値の２５℃における２０％Ｋ値に対する比が、０．８５以下である。電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くする観点からは、１００℃における２０％Ｋ値の２５℃における２０％Ｋ値に対する比は、好ましくは０．５以上、より好ましくは０．５５以上であり、好ましくは０．８３以下、より好ましくは０．８０以下である。
【００４３】
上記第２の構成を備える本発明に係る導電性粒子では、１５０℃における２０％Ｋ値の２５℃における２０％Ｋ値に対する比は、０．７５以下である。電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くする観点からは、１５０℃における２０％Ｋ値の２５℃における２０％Ｋ値に対する比は、好ましくは０．４以上、より好ましくは０．４５以上であり、好ましくは０．７４以下、より好ましくは０．７３以下である。
【００４４】
上記第３の構成を備える本発明に係る導電性粒子では、２００℃における２０％Ｋ値の２５℃における２０％Ｋ値に対する比は、０．６５以下である。電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くする観点からは、２００℃における２０％Ｋ値の２５℃における２０％Ｋ値に対する比は、好ましくは０．３５以上、より好ましくは０．４以上であり、好ましくは０．６４以下、より好ましくは０．６３以下である。
【００４５】
上記１００℃における２０％Ｋ値は、好ましくは５０００Ｎ／ｍｍ２以上、より好ましくは５５００Ｎ／ｍｍ２以上、さらに好ましくは６０００Ｎ／ｍｍ２以上であり、好ましくは１６０００Ｎ／ｍｍ２以下、より好ましくは１５０００Ｎ／ｍｍ２以下、さらに好ましくは１４５００Ｎ／ｍｍ２以下である。上記１００℃における２０％Ｋ値が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。
【００４６】
上記１５０℃における２０％Ｋ値は、好ましくは４５００Ｎ／ｍｍ２以上、より好ましくは４７５０Ｎ／ｍｍ２以上、さらに好ましくは５０００Ｎ／ｍｍ２以上であり、好ましくは１５０００Ｎ／ｍｍ２以下、より好ましくは１４０００Ｎ／ｍｍ２以下、さらに好ましくは１３５００Ｎ／ｍｍ２以下である。上記１５０℃における２０％Ｋ値が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。
【００４７】
上記２００℃における２０％Ｋ値は、好ましくは４０００Ｎ／ｍｍ２以上、より好ましくは４２５０Ｎ／ｍｍ２以上、さらに好ましくは４５００Ｎ／ｍｍ２以上であり、好ましくは１４０００Ｎ／ｍｍ２以下、より好ましくは１３０００Ｎ／ｍｍ２以下、さらに好ましくは１２５００Ｎ／ｍｍ２以下である。上記２００℃における２０％Ｋ値が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。
【００４８】
上記２５℃における２０％Ｋ値は、好ましくは８０００Ｎ／ｍｍ２以上、より好ましくは８２５０Ｎ／ｍｍ２以上、さらに好ましくは８５００Ｎ／ｍｍ２以上であり、好ましくは２００００Ｎ／ｍｍ２以下、より好ましくは１９０００Ｎ／ｍｍ２以下、さらに好ましくは１８０００Ｎ／ｍｍ２以下である。上記２５℃における２０％Ｋ値が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。
【００４９】
電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くする観点からは、上記１５０℃における１０％Ｋ値は、好ましくは５７５０Ｎ／ｍｍ２以上、より好ましくは６０００Ｎ／ｍｍ２以上であり、好ましくは１７０００Ｎ／ｍｍ２以下、より好ましくは１６０００Ｎ／ｍｍ２以下である。
【００５０】
電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くする観点からは、上記２００℃における１０％Ｋ値は、好ましくは４７５０Ｎ／ｍｍ２以上、より好ましくは５０００Ｎ／ｍｍ２以上であり、好ましくは１４０００Ｎ／ｍｍ２以下、より好ましくは１３０００Ｎ／ｍｍ２以下である。
【００５１】
電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くする観点からは、上記２５℃における１０％Ｋ値は、好ましくは９５００Ｎ／ｍｍ２以上、より好ましくは１００００Ｎ／ｍｍ２以上であり、好ましくは２４０００Ｎ／ｍｍ２以下、より好ましくは２３０００Ｎ／ｍｍ２以下である。
【００５２】
上記導電性粒子の２５℃、１００℃、１５０℃、及び２００℃における１０％Ｋ値（１０％圧縮弾性率）、２０％Ｋ値（２０％圧縮弾性率）、３０％Ｋ値（３０％圧縮弾性率）及び４０％Ｋ値（４０％圧縮弾性率）は、以下のようにして測定できる。
【００５３】
微小圧縮試験機を用いて、円柱（直径１００μｍ、ダイヤモンド製）の平滑圧子端面で、２５℃、１００℃、１５０℃又は２００℃において、圧縮速度０．３３ｍＮ／秒、及び最大試験荷重２０ｍＮの条件下で導電性粒子１個を圧縮する。このときの荷重値（Ｎ）及び圧縮変位（ｍｍ）を測定する。得られた測定値から、各温度における１０％Ｋ値（１０％圧縮弾性率）、２０％Ｋ値（２０％圧縮弾性率）、３０％Ｋ値（３０％圧縮弾性率）又は４０％Ｋ値（４０％圧縮弾性率）を下記式により求めることができる。上記微小圧縮試験機として、例えば、島津製作所社製「微小圧縮試験機ＭＣＴ−Ｗ２００」、フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ−１００」及びフィッシャー社製「フィッシャースコープＨＭ−２０００」等が用いられる。上記導電性粒子の各温度における１０％Ｋ値、２０％Ｋ値、３０％Ｋ値又は４０％Ｋ値は、任意に選択された５０個の導電性粒子の各温度における１０％Ｋ値、２０％Ｋ値、３０％Ｋ値又は４０％Ｋ値を算術平均することにより、算出することが好ましい。
【００５４】
１０％Ｋ値、２０％Ｋ値、３０％Ｋ値又は４０％Ｋ値（Ｎ／ｍｍ２）＝（３／２１／２）・Ｆ・Ｓ−３／２・Ｒ−１／２
Ｆ：導電性粒子が１０％圧縮変形したときの荷重値（Ｎ）、２０％圧縮変形したときの荷重値（Ｎ）、３０％圧縮変形したときの荷重値（Ｎ）又は４０％圧縮変形したときの荷重値（Ｎ）
Ｓ：導電性粒子が１０％圧縮変形したときの圧縮変位（ｍｍ）、２０％圧縮変形したときの圧縮変位（ｍｍ）、３０％圧縮変形したときの圧縮変位（ｍｍ）又は４０％圧縮変形したときの圧縮変位（ｍｍ）
Ｒ：導電性粒子の半径（ｍｍ）
【００５５】
上記Ｋ値は、導電性粒子の硬さを普遍的かつ定量的に表す。上記Ｋ値を用いることにより、導電性粒子の硬さを定量的かつ一義的に表すことができる。
【００５６】
本発明に係る導電性粒子では、２５℃における圧縮回復率は、５０％以上、８０％以下である。電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くする観点、及び電極間の導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、２５℃における圧縮回復率は、好ましくは５１％以上、より好ましくは５２％以上であり、好ましくは７８％以下、より好ましくは７５％以下である。
【００５７】
上記第１の構成を備える本発明に係る導電性粒子では、１００℃における圧縮回復率は、４０％以上、７０％以下である。電極間の導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、１００℃における圧縮回復率は、好ましくは４１％以上、より好ましくは４２％以上であり、好ましくは６８％以下、より好ましくは６５％以下である。
【００５８】
上記第２の構成を備える本発明に係る導電性粒子では、１５０℃における圧縮回復率は、２５％以上、５５％以下である。電極間の導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、１５０℃における圧縮回復率は、好ましくは２６％以上、より好ましくは２７％以上であり、好ましくは５３％以下、より好ましくは５０％以下である。
【００５９】
上記第３の構成を備える本発明に係る導電性粒子では、２００℃における圧縮回復率は、２０％以上、５０％以下である。電極間の導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、２００℃における圧縮回復率は、好ましくは２１％以上、より好ましくは２２％以上であり、好ましくは４８％以下、より好ましくは４５％以下である。
【００６０】
上記導電性粒子の２５℃、１００℃、１５０℃、及び２００℃における圧縮回復率は、以下のようにして測定できる。
【００６１】
試料台上に導電性粒子を散布する。散布された導電性粒子１個について、微小圧縮試験機を用いて、円柱（直径１００μｍ、ダイヤモンド製）の平滑圧子端面で、２５℃、１００℃、１５０℃又は２００℃において、導電性粒子の中心方向に、圧縮速度０．３３ｍＮ／秒、及び最大試験荷重５ｍＮの条件下で導電性粒子１個を圧縮する。その後、原点用荷重値（０．４０ｍＮ）まで除荷を行う。この間の荷重−圧縮変位を測定し、下記式から各温度における圧縮回復率を求めることができる。なお、負荷速度は０．３３ｍＮ／秒とする。上記微小圧縮試験機として、例えば、島津製作所社製「微小圧縮試験機ＭＣＴ−Ｗ２００」、フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ−１００」及びフィッシャー社製「フィッシャースコープＨＭ−２０００」等が用いられる。
【００６２】
圧縮回復率（％）＝［Ｌ２／Ｌ１］×１００
Ｌ１：負荷を与えるときの原点用荷重値から反転荷重値に至るまでの圧縮変位
Ｌ２：負荷を解放するときの反転荷重値から原点用荷重値に至るまでの除荷変位
【００６３】
上記導電性粒子の粒子径は、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは１μｍを超え、より一層好ましくは２μｍ以上、さらに好ましくは２．５μｍを超え、特に好ましくは３μｍ以上である。上記導電性粒子の粒子径は、好ましくは１０００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは４０μｍ以下、特に好ましくは５μｍ以下、最も好ましくは２．７５μｍ以下である。上記導電性粒子の粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができ、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。上記導電性粒子の粒子径が、１μｍ以上、５μｍ以下であると、導電接続用途に好適に用いることができる。
【００６４】
上記導電性粒子の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることがより好ましい。上記導電性粒子の粒子径は、例えば、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することや、複数回のレーザー回折式粒度分布測定装置による測定結果の平均値を算出することにより求められる。
【００６５】
上記導電性粒子の粒子径の変動係数は、低いほど好ましいが、通常は０．１％以上であり、好ましくは１０％以下、より好ましくは８％以下、さらに好ましくは５％以下である。上記導電性粒子の粒子径の変動係数が、上記下限以上及び上記上限以下であると、導通信頼性をより一層高めることができる。但し、上記導電性粒子の粒子径の変動係数は、５％未満であってもよい。
【００６６】
上記変動係数（ＣＶ値）は、以下のようにして測定できる。
【００６７】
ＣＶ値（％）＝（ρ／Ｄｎ）×１００
ρ：導電性粒子の粒子径の標準偏差
Ｄｎ：導電性粒子の粒子径の平均値
【００６８】
上記導電性粒子の形状は特に限定されない。上記導電性粒子の形状は、球状であってもよく、扁平状等の球形状以外の形状であってもよい。
【００６９】
電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くする観点、及び電極間の導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備えることが好ましい。上記導電性粒子が、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備えることによって、２０％Ｋ値が特定の関係を満足することと、圧縮回復率が特定の関係を満足することとの、これら２つの構成を満足する導電性粒子を容易に得ることができる。上記の構成を満足する導電性粒子は、基材粒子の重合条件及び導電部の硬度を適宜調整することにより得ることができる。
【００７０】
基材粒子に関しては、例えば、上記基材粒子が後述する金属を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合には、縮合反応条件、焼成時の酸素分圧、焼成温度、焼成時間の調整を行うことで、縮合反応時はラジカル重合反応を抑えつつ、焼成工程でラジカル重合反応が行われるようにすることができる。結果として、上記の構成を満足する導電性粒子を得ることが可能な基材粒子を容易に得ることができる。
【００７１】
導電部に関しては、上記導電部の材料である金属種、導電部の厚みを適宜調整することにより、上記導電粒子の物性が上記基材粒子の物性と相まって、所望の物性を得ることができる。上記金属種としては、ニッケルを含む材料が好ましい例として挙げられる。
【００７２】
次に、図面を参照しつつ、本発明を具体的な実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態のみに限定されず、本発明の特徴を損なわない程度に、以下の実施形態は適宜変更、改良等されてもよい。
【００７３】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。
【００７４】
図１に示す導電性粒子１は、基材粒子２と、導電部３とを有する。導電部３は、基材粒子２の表面上に配置されている。導電性粒子１では、導電部３は、基材粒子２の表面に接している。導電部３は、基材粒子２の表面を覆っている。導電性粒子１は、基材粒子２の表面が導電部３により被覆された被覆粒子である。導電性粒子１では、導電部３は、単層の導電部（導電層）である。
【００７５】
導電性粒子１は、後述する導電性粒子１１，２１とは異なり、芯物質を有しない。導電性粒子１は導電性の表面に突起を有さず、導電部３の外表面に突起を有しない。導電性粒子１は球状である。
【００７６】
このように、本発明に係る導電性粒子は、導電性の表面に突起を有していなくてもよく、導電部の外表面に突起を有していなくてもよく、球状であってもよい。また、導電性粒子１は、後述する導電性粒子１１，２１とは異なり、絶縁性物質を有しない。但し、導電性粒子１は、導電部３の外表面上に配置された絶縁性物質を有していてもよい。
【００７７】
図２は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。
【００７８】
図２に示す導電性粒子１１は、基材粒子２と、導電部１２と、複数の芯物質１３と、複数の絶縁性物質１４とを有する。導電部１２は、基材粒子２の表面上に配置されている。複数の芯物質１３は、基材粒子２の表面上に配置されている。導電部１２は、基材粒子２と、複数の芯物質１３とを覆うように、基材粒子２の表面上に配置されている。導電性粒子１１では、導電部１２は、単層の導電部（導電層）である。
【００７９】
導電性粒子１１は、外表面に複数の突起１１ａを有する。導電性粒子１１では、導電部１２は外表面に、複数の突起１２ａを有する。複数の芯物質１３は、導電部１２の外表面を隆起させている。導電部１２の外表面が複数の芯物質１３によって隆起されていることで、突起１１ａ及び１２ａが形成されている。複数の芯物質１３は導電部１２内に埋め込まれている。突起１１ａ及び１２ａの内側に、芯物質１３が配置されている。導電性粒子１１では、突起１１ａ及び１２ａを形成するために、複数の芯物質１３を用いている。上記導電性粒子では、上記突起を形成するために、複数の上記芯物質を用いなくてもよい。上記導電性粒子では、複数の上記芯物質を備えていなくてもよい。
【００８０】
導電性粒子１１は、導電部１２の外表面上に配置された絶縁性物質１４を有する。導電部１２の外表面の少なくとも一部の領域が、絶縁性物質１４により被覆されている。絶縁性物質１４は絶縁性を有する材料により形成されており、絶縁性粒子である。このように、本発明に係る導電性粒子は、導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を有していてもよい。但し、本発明に係る導電性粒子は、絶縁性物質を必ずしも有していなくてもよい。
【００８１】
図３は、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。
【００８２】
図３に示す導電性粒子２１は、基材粒子２と、導電部２２と、複数の芯物質１３と、複数の絶縁性物質１４とを有する。導電部２２は全体で、基材粒子２側に第１の導電部２２Ａと、基材粒子２側とは反対側に第２の導電部２２Ｂとを有する。
【００８３】
導電性粒子１１と導電性粒子２１とでは、導電部のみが異なっている。すなわち、導電性粒子１１では、１層構造の導電部が形成されているのに対し、導電性粒子２１では、２層構造の第１の導電部２２Ａ及び第２の導電部２２Ｂが形成されている。第１の導電部２２Ａと第２の導電部２２Ｂとは、異なる導電部として形成されていてもよく、同一の導電部として形成されていてもよい。
【００８４】
第１の導電部２２Ａは、基材粒子２の表面上に配置されている。基材粒子２と第２の導電部２２Ｂとの間に、第１の導電部２２Ａが配置されている。第１の導電部２２Ａは、基材粒子２に接している。第２の導電部２２Ｂは、第１の導電部２２Ａに接している。基材粒子２の表面上に第１の導電部２２Ａが配置されており、第１の導電部２２Ａの表面上に第２の導電部２２Ｂが配置されている。
【００８５】
導電性粒子２１は、外表面に複数の突起２１ａを有する。導電性粒子２１では、導電部２２は外表面に、複数の突起２２ａを有する。第１の導電部２２Ａは外表面に、突起２２Ａａを有する。第２の導電部２２Ｂは外表面に、複数の突起２２Ｂａを有する。導電性粒子２１では、導電部２２は、２層の導電部（導電層）である。導電部２２は、２層以上の導電部であってもよい。
【００８６】
以下、導電性粒子の他の詳細を説明する。なお、以下の説明において、「（メタ）アクリル」は「アクリル」と「メタクリル」との一方又は双方を意味し、「（メタ）アクリレート」は「アクリレート」と「メタクリレート」との一方又は双方を意味する。
【００８７】
基材粒子：
上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがより好ましい。上記基材粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを備えるコアシェル粒子であってもよい。
【００８８】
上記基材粒子は、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがさらに好ましく、樹脂粒子であってもよく、有機無機ハイブリッド粒子であってもよい。これらの好ましい基材粒子の使用により、本発明の効果がより一層効果的に発揮され、電極間の電気的な接続により一層適した導電性粒子が得られる。
【００８９】
上記導電性粒子を用いて電極間を接続する際には、上記導電性粒子を電極間に配置した後、圧着することにより上記導電性粒子を圧縮させる。基材粒子が樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であると、上記圧着の際に上記導電性粒子が変形しやすく、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなる。このため、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。
【００９０】
上記樹脂粒子の材料として、種々の樹脂が好適に用いられる。上記樹脂粒子の材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂；ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂；ポリアルキレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及び、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を１種もしくは２種以上重合させて得られる重合体等が挙げられる。
【００９１】
導電材料に適した任意の圧縮時の物性を有する樹脂粒子を設計及び合成することができ、かつ基材粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子の材料は、エチレン性不飽和基を複数有する重合性単量体を１種又は２種以上重合させた重合体であることが好ましい。
【００９２】
上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を重合させて得る場合には、上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。
【００９３】
上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン等のスチレン系単量体；（メタ）アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレート化合物；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレン（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等の酸素原子含有（メタ）アクリレート化合物；（メタ）アクリロニトリル等のニトリル含有単量体；酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル化合物；エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン等の不飽和炭化水素；トリフルオロメチル（メタ）アクリレート、ペンタフルオロエチル（メタ）アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、クロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。
【００９４】
上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、グリセロールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）テトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等の多官能（メタ）アクリレート化合物；トリアリル（イソ）シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、γ−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、ビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。
【００９５】
上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子を得ることができる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、並びに非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。
【００９６】
上記基材粒子が金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合に、上記基材粒子の材料である無機物としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア及びカーボンブラック等が挙げられる。上記無機物は金属ではないことが好ましい。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されないが、例えば、加水分解性のアルコキシシリル基を２つ以上持つケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。
【００９７】
上記有機無機ハイブリッド粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有するコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。上記コアが有機コアであることが好ましい。上記シェルが無機シェルであることが好ましい。電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くする観点からは、上記基材粒子は、有機コアと上記有機コアの表面上に配置された無機シェルとを有する有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。
【００９８】
上記有機コアの材料としては、上述した樹脂粒子の材料等が挙げられる。
【００９９】
上記無機シェルの材料としては、上述した基材粒子の材料として挙げた無機物が挙げられる。上記無機シェルの材料は、シリカであることが好ましい。上記無機シェルは、上記コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を焼成させることにより形成されていることが好ましい。上記金属アルコキシドはシランアルコキシドであることが好ましい。上記無機シェルはシランアルコキシドにより形成されていることが好ましい。
【０１００】
上記基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子の材料である金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金及びチタン等が挙げられる。但し、上記基材粒子は金属粒子ではないことが好ましい。
【０１０１】
上記基材粒子の粒子径は、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは２μｍ以上、さらに好ましくは２．５μｍを超え、特に好ましくは３μｍ以上であり、好ましくは１０００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは４０μｍ以下、特に好ましくは５μｍ以下である。上記基材粒子の粒子径が上記下限以上であると、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなるため、電極間の導通信頼性がより一層高くなり、導電性粒子を介して接続された電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。さらに基材粒子の表面に導電部を形成する際に凝集し難くなり、凝集した導電性粒子が形成され難くなる。上記基材粒子の粒子径が、上記上限以下であると、導電性粒子が十分に圧縮されやすく、導電性粒子を介して接続された電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。また、電極間の間隔が小さくなり、かつ導電部の厚みを厚くしても、小さい導電性粒子が得られる。
【０１０２】
上記基材粒子の粒子径は、基材粒子が真球状である場合には、直径を示し、基材粒子が真球状ではない場合には、最大径を示す。
【０１０３】
上記基材粒子の粒子径は、数平均粒子径を示す。上記基材粒子の粒子径は粒度分布測定装置等を用いて求められる。基材粒子の粒子径は、任意の基材粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求めることが好ましい。導電性粒子において、上記基材粒子の粒子径を測定する場合には、例えば、以下のようにして測定できる。
【０１０４】
導電性粒子の含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製する。検査用埋め込み樹脂中に分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、導電性粒子の断面を切り出す。そして、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）を用いて、画像倍率を２５０００倍に設定し、５０個の導電性粒子を無作為に選択し、各導電性粒子の基材粒子を観察する。各導電性粒子における基材粒子の粒子径を計測し、それらを算術平均して基材粒子の粒子径とする。
【０１０５】
導電部：
上記導電部の材料である金属は特に限定されない。上記金属としては、例えば、金、銀、パラジウム、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素及びこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属としては、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）及びはんだ等が挙げられる。電極間の接続抵抗がより一層低くなるので、錫を含む合金、ニッケル、パラジウム、銅又は金が好ましく、ニッケル又はパラジウムが好ましい。
【０１０６】
また、導通信頼性を効果的に高めることができるので、上記導電部及び上記導電部の外表面部分はニッケルを含むことが好ましい。ニッケルを含む導電部１００重量％中のニッケルの含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上、より一層好ましくは６０重量％以上、さらに好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上である。上記ニッケルを含む導電部１００重量％中のニッケルの含有量は、９７重量％以上であってもよく、９７．５重量％以上であってもよく、９８重量％以上であってもよい。
【０１０７】
なお、導電部の表面には、酸化により水酸基が存在することが多い。一般的に、ニッケルにより形成された導電部の表面には、酸化により水酸基が存在する。このような水酸基を有する導電部の表面（導電性粒子の表面）に、化学結合を介して、絶縁性物質を配置することができる。
【０１０８】
導電性粒子１，１１のように、上記導電部は、１つの層により形成されていてもよい。導電性粒子２１のように、導電部は、複数の層により形成されていてもよい。すなわち、導電部は、２層以上の積層構造を有していてもよい。導電部が複数の層により形成されている場合には、最外層は、金層、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は錫と銀とを含む合金層であることが好ましく、金層であることがより好ましい。最外層がこれらの好ましい導電部である場合には、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。また、最外層が金層である場合には、耐腐食性をより一層効果的に高めることができる。
【０１０９】
上記基材粒子の表面に上記導電部を形成する方法は特に限定されない。上記導電部を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを基材粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。導電部の形成が簡便であるので、無電解めっきによる方法が好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。
【０１１０】
上記導電部の厚みは、好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、さらに好ましくは０．３μｍ以下である。上記導電部の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、十分な導電性が得られ、かつ導電性粒子が硬くなりすぎずに、電極間の接続の際に導電性粒子が十分に変形する。
【０１１１】
上記導電部が複数の層により形成されている場合に、最外層の導電部の厚みは、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは０．５μｍ以下、より好ましくは０．１μｍ以下である。上記最外層の導電部の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、最外層の導電部による被覆が均一になり、耐腐食性が十分に高くなり、かつ電極間の接続抵抗が十分に低くなる。
【０１１２】
上記導電部の厚みは、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて、導電性粒子の断面を観察することにより測定できる。
【０１１３】
芯物質：
上記導電性粒子は、上記導電部の外表面に複数の突起を有することが好ましい。上記導電性粒子が、上記導電部の外表面に複数の突起を有していることで、電極間の導通信頼性をより一層高めることができる。上記導電性粒子により接続される電極の表面には、酸化被膜が形成されていることが多い。さらに、上記導電性粒子の導電部の表面には、酸化被膜が形成されていることが多い。上記突起を有する導電性粒子を用いることで、電極間に導電性粒子を配置した後、圧着させることにより、突起により酸化被膜が効果的に排除される。このため、電極と導電性粒子とをより一層確実に接触させることができ、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。さらに、上記導電性粒子が表面に絶縁性物質を有する場合、又は導電性粒子がバインダー樹脂中に分散されて導電材料として用いられる場合に、導電性粒子の突起によって、導電性粒子と電極との間の樹脂が効果的に排除される。このため、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【０１１４】
上記芯物質が上記導電部中に埋め込まれていることによって、上記導電部の外表面に複数の突起を容易に形成することができる。但し、導電性粒子の導電部の表面に突起を形成するために、芯物質を必ずしも用いなくてもよい。
【０１１５】
上記突起を形成する方法としては、基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成した後、芯物質を付着させ、さらに無電解めっきにより導電部を形成する方法等が挙げられる。上記突起を形成する他の方法としては、基材粒子の表面上に、第１の導電部を形成した後、該第１の導電部上に芯物質を配置し、次に第２の導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面上に導電部（第１の導電部又は第２の導電部等）を形成する途中段階で、芯物質を添加する方法等が挙げられる。また、突起を形成するために、上記芯物質を用いずに、基材粒子に無電解めっきにより導電部を形成した後、導電部の表面上に突起状にめっきを析出させ、さらに無電解めっきにより導電部を形成する方法等を用いてもよい。
【０１１６】
上記基材粒子の外表面上に芯物質を配置する方法としては、例えば、基材粒子の分散液中に、芯物質を添加し、基材粒子の表面に芯物質を、ファンデルワールス力等により集積させ、付着させる方法、並びに基材粒子を入れた容器に、芯物質を添加し、容器の回転等による機械的な作用により基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法等が挙げられる。付着させる芯物質の量を制御しやすいため、分散液中の基材粒子の表面に芯物質を集積させ、付着させる方法が好ましい。
【０１１７】
上記芯物質の材料は特に限定されない。上記芯物質の材料としては、例えば、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム及びジルコニア等が挙げられる。導電性を高めることができ、さらに接続抵抗を効果的に低くすることができるので、金属が好ましい。上記芯物質は金属粒子であることが好ましい。上記芯物質の材料である金属としては、上記導電材料の材料として挙げた金属を適宜使用可能である。
【０１１８】
上記芯物質の材料のモース硬度は高いことが好ましい。モース硬度が高い材料としては、チタン酸バリウム（モース硬度４．５）、ニッケル（モース硬度５）、シリカ（二酸化珪素、モース硬度６〜７）、酸化チタン（モース硬度７）、ジルコニア（モース硬度８〜９）、アルミナ（モース硬度９）、炭化タングステン（モース硬度９）及びダイヤモンド（モース硬度１０）等が挙げられる。上記芯物質は、ニッケル、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが好ましく、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることがより好ましい。上記芯物質は、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることがさらに好ましく、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが特に好ましい。上記芯物質の材料のモース硬度は、好ましくは４以上、より好ましくは５以上、より一層好ましくは６以上、さらに好ましくは７以上、特に好ましくは７．５以上である。
【０１１９】
上記芯物質の形状は特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。
【０１２０】
上記芯物質の粒子径は、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上であり、好ましくは０．９μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下である。上記芯物質の粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。
【０１２１】
上記芯物質の粒子径は、数平均粒子径を示す。芯物質の粒子径は、任意の芯物質５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求めることが好ましい。
【０１２２】
上記導電性粒子１個当たりの上記の突起の数は、好ましくは３個以上、より好ましくは５個以上である。上記突起の数の上限は特に限定されない。上記突起の数の上限は導電性粒子の粒子径及び導電性粒子の用途等を考慮して適宜選択できる。
【０１２３】
上記導電性粒子１個当たりの上記の突起の数は、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求めることが好ましい。
【０１２４】
複数の上記突起の高さは、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上であり、好ましくは０．９μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下である。上記突起の高さが、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。
【０１２５】
複数の上記突起の高さは、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求めることが好ましい。
【０１２６】
絶縁性物質：
上記導電性粒子は、上記導電部の表面上に配置された絶縁性物質を備えることが好ましい。この場合には、導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡をより一層防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁性物質が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、２つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。上記導電性粒子が導電部の外表面に複数の突起を有する場合には、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁性物質をより一層容易に排除できる。
【０１２７】
電極間の圧着時に上記絶縁性物質をより一層容易に排除できることから、上記絶縁性物質は、絶縁性粒子であることが好ましい。
【０１２８】
上記絶縁性物質の材料としては、上述した樹脂粒子の材料、及び上述した基材粒子の材料として挙げた無機物等が挙げられる。上記絶縁性物質の材料は、上述した樹脂粒子の材料であることが好ましい。上記絶縁性物質は、上述した樹脂粒子又は上述した有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましく、樹脂粒子であってもよく、有機無機ハイブリッド粒子であってもよい。
【０１２９】
上記絶縁性物質の他の材料としては、ポリオレフィン化合物、（メタ）アクリレート重合体、（メタ）アクリレート共重合体、ブロックポリマー、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂の架橋物、熱硬化性樹脂及び水溶性樹脂等が挙げられる。上記絶縁性物質の材料は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１３０】
上記ポリオレフィン化合物としては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びエチレン−アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記（メタ）アクリレート重合体としては、ポリメチル（メタ）アクリレート、ポリドデシル（メタ）アクリレート及びポリステアリル（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記ブロックポリマーとしては、ポリスチレン、スチレン−アクリル酸エステル共重合体、ＳＢ型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、及びＳＢＳ型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、並びにこれらの水素添加物等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ビニル重合体及びビニル共重合体等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びメラミン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂の架橋としては、ポリエチレングリコールメタクリレート、アルコキシ化トリメチロールプロパンメタクリレートやアルコキシ化ペンタエリスリトールメタクリレート等の導入が挙げられる。上記水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキシド及びメチルセルロース等が挙げられる。また、重合度の調整に、連鎖移動剤を使用してもよい。連鎖移動剤としては、チオールや四塩化炭素等が挙げられる。
【０１３１】
上記導電部の表面上に絶縁性物質を配置する方法としては、化学的方法、及び物理的もしくは機械的方法等が挙げられる。上記化学的方法としては、例えば、界面重合法、粒子存在下での懸濁重合法及び乳化重合法等が挙げられる。上記物理的もしくは機械的方法としては、スプレードライ、ハイブリダイゼーション、静電付着法、噴霧法、ディッピング及び真空蒸着による方法等が挙げられる。絶縁性物質が脱離し難いことから、上記導電部の表面に、化学結合を介して上記絶縁性物質を配置する方法が好ましい。
【０１３２】
上記導電部の外表面、及び絶縁性物質の表面はそれぞれ、反応性官能基を有する化合物によって被覆されていてもよい。導電部の外表面と絶縁性物質の表面とは、直接化学結合していなくてもよく、反応性官能基を有する化合物によって間接的に化学結合していてもよい。導電部の外表面にカルボキシル基を導入した後、該カルボキシル基がポリエチレンイミン等の高分子電解質を介して絶縁性物質の表面の官能基と化学結合していても構わない。
【０１３３】
上記絶縁性物質の粒子径は、導電性粒子の粒子径及び導電性粒子の用途等によって適宜選択できる。上記絶縁性物質の粒子径は、好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上であり、好ましくは４０００ｎｍ以下、より好ましくは２０００ｎｍ以下である。絶縁性物質の粒子径が、上記下限以上であると、導電性粒子がバインダー樹脂中に分散されたときに、複数の導電性粒子における導電部同士が接触し難くなる。絶縁性物質の粒子径が、上記上限以下であると、電極間の接続の際に、電極と導電性粒子との間の絶縁性物質を排除するために、圧力を高くしすぎる必要がなくなり、高温に加熱する必要もなくなる。
【０１３４】
上記絶縁性物質の粒子径は、数平均粒子径を示す。上記絶縁性物質の粒子径は粒度分布測定装置等を用いて求められる。絶縁性物質の粒子径は、任意の絶縁性物質５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求めることが好ましい。導電性粒子において、絶縁性物質の粒子径を測定する場合には、例えば、以下のようにして測定できる。
【０１３５】
導電性粒子を含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製する。その検査用埋め込み樹脂中の分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、導電性粒子の断面を切り出す。そして、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）を用いて、画像倍率５万倍に設定し、５０個の導電性粒子を無作為に選択し、各導電性粒子の絶縁性物質を観察する。各導電性粒子における絶縁性物質の粒子径を計測し、それらを算術平均して絶縁性物質の粒子径とする。
【０１３６】
（導電材料）
本発明に係る導電材料は、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。上記導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散されて用いられることが好ましく、バインダー樹脂中に分散されて導電材料として用いられることが好ましい。上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。上記導電材料は、電極間の電気的な接続に用いられることが好ましい。上記導電材料は回路接続用導電材料であることが好ましい。
【０１３７】
上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂として、公知の絶縁性の樹脂が用いられる。上記バインダー樹脂は、熱可塑性成分（熱可塑性化合物）又は硬化性成分を含むことが好ましく、硬化性成分を含むことがより好ましい。上記硬化性成分としては、光硬化性成分及び熱硬化性成分が挙げられる。上記光硬化性成分は、光硬化性化合物及び光重合開始剤を含むことが好ましい。上記熱硬化性成分は、熱硬化性化合物及び熱硬化剤を含むことが好ましい。
【０１３８】
上記バインダー樹脂としては、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１３９】
上記ビニル樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、例えば、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。
【０１４０】
上記導電材料は、上記導電性粒子及び上記バインダー樹脂の他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
【０１４１】
電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くする観点、及び電極間の導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記導電材料の２５℃での粘度（η２５）は、好ましくは２０Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは３０Ｐａ・ｓ以上であり、好ましくは４００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは３００Ｐａ・ｓ以下である。上記粘度（η２５）は、配合成分の種類及び配合量により適宜調整することができる。
【０１４２】
上記粘度は、例えば、Ｅ型粘度計（東機産業社製「ＴＶＥ２２Ｌ」）等を用いて、２５℃及び５ｒｐｍの条件で測定可能である。
【０１４３】
上記導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。上記導電材料が、導電フィルムである場合には、導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記導電ペーストは、異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは、異方性導電フィルムであることが好ましい。
【０１４４】
上記導電材料１００重量％中、上記バインダー樹脂の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、さらに好ましくは５０重量％以上、特に好ましくは７０重量％以上であり、好ましくは９９．９９重量％以下、より好ましくは９９．９重量％以下である。上記バインダー樹脂の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に導電性粒子が効率的に配置され、導電材料により接続された接続対象部材の接続信頼性がより一層高くなる。
【０１４５】
上記導電材料１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は、好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上であり、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは４０重量％以下、特に好ましくは２０重量％以下、最も好ましくは１０重量％以下である。上記導電性粒子の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。
【０１４６】
（接続構造体）
上記導電性粒子を用いて、又は上記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料を用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。
【０１４７】
上記接続構造体は、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、第１の接続対象部材及び第２の接続対象部材を接続している接続部とを備え、上記接続部の材料が、上述した導電性粒子であるか、又は上述した導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料であることが好ましい。上記接続部が、上述した導電性粒子により形成されているか、又は上述した導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されていることが好ましい。導電性粒子が用いられた場合には、接続部自体が導電性粒子である。
【０１４８】
上記第１の接続対象部材は、第１の電極を表面に有することが好ましい。上記第２の接続対象部材は、第２の電極を表面に有することが好ましい。上記第１の電極と上記第２の電極とが、上記導電性粒子における導電部により電気的に接続されていることが好ましい。
【０１４９】
上記接続構造体は、上記第１の接続対象部材又は上記第２の接続対象部材として、フレキシブル部材を備えることが好ましい。この場合に、上記第１の接続対象部材及び上記第２の接続対象部材の少なくとも一方がフレキシブル部材であればよく、上記第１の接続対象部材及び上記第２の接続対象部材の双方がフレキシブル部材であってもよい。上記フレキシブル部材が湾曲した状態で、上記接続構造体が用いられることが好ましい。上記接続部が湾曲した状態で、上記接続構造体が用いられることが好ましい。
【０１５０】
図４は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に示す正面断面図である。
【０１５１】
図４に示す接続構造体５１は、第１の接続対象部材５２と、第２の接続対象部材５３と、第１の接続対象部材５２及び第２の接続対象部材５３を接続している接続部５４とを備える。接続部５４は、導電性粒子１を含む導電材料により形成されている。上記導電材料が熱硬化性を有し、接続部５４が導電材料を熱硬化させることにより形成されていることが好ましい。なお、図４では、導電性粒子１は、図示の便宜上、略図的に示されている。導電性粒子１に代えて、導電性粒子１１、２１等を用いてもよい。
【０１５２】
第１の接続対象部材５２は表面（上面）に、複数の第１の電極５２ａを有する。第２の接続対象部材５３は表面（下面）に、複数の第２の電極５３ａを有する。第１の電極５２ａと第２の電極５３ａとが、１つ又は複数の導電性粒子１により電気的に接続されている。従って、第１の接続対象部材５２及び第２の接続対象部材５３が導電性粒子１における導電部３により電気的に接続されている。
【０１５３】
上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例としては、第１の接続対象部材と第２の接続対象部材との間に上記導電材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。上記熱圧着の圧力は９．８×１０４〜４．９×１０６Ｐａ程度である。上記熱圧着の加熱の温度は、７０〜２３０℃程度である。上記熱圧着の加熱の温度は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１００℃以上であり、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１５０℃以下である。上記熱圧着の圧力及び温度が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性をより一層高めることができる。
【０１５４】
上記接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板等の電子部品等が挙げられる。上記接続対象部材は電子部品であることが好ましい。上記導電性粒子は、電子部品における電極の電気的な接続に用いられることが好ましい。
【０１５５】
上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銀電極、ＳＵＳ電極、銅電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、３価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び３価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記３価の金属元素としては、Ｓｎ、Ａｌ及びＧａ等が挙げられる。
【０１５６】
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
【０１５７】
（実施例１）
（１）基材粒子の作製
攪拌機及び温度計が取り付けられた５００ｍＬの反応容器内に、０．１３重量％のアンモニア水溶液３００ｇを入れた。次に、反応容器内のアンモニア水溶液中に、メチルトリメトキシシラン１．９ｇと、ビニルトリメトキシシラン１２．７ｇと、シリコーンアルコキシオリゴマーＡ（信越化学工業社製「ＫＲ−５１７」）０．４ｇとの混合物をゆっくりと添加した。撹拌しながら、加水分解及び縮合反応を進行させた後、２５重量％アンモニア水溶液１．６ｍＬ添加した後、アンモニア水溶液中から粒子を単離して、得られた粒子を酸素分圧１０−１０ａｔｍ、３８０℃（焼成温度）で２時間（焼成時間）焼成して、有機無機ハイブリッド粒子（基材粒子）を得た。得られた有機無機ハイブリッド粒子（基材粒子Ａ）の粒子径は３．０μｍであった。
【０１５８】
（２）導電性粒子の作製
パラジウム触媒液を５重量％含むアルカリ溶液１００重量部に、上記基材粒子Ａ１０重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ａを取り出した。次いで、基材粒子Ａをジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ａの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ａを十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、分散液を得た。次に、アルミナ粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）１ｇを３分間かけて上記分散液に添加し、芯物質が付着された基材粒子を含む懸濁液を得た。
【０１５９】
また、硫酸ニッケル０．３５ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン１．３８ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．５ｍｏｌ／Ｌを含むニッケルめっき液（ｐＨ８．５）を用意した。
【０１６０】
得られた懸濁液を６０℃にて攪拌しながら、上記ニッケルめっき液を懸濁液に徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。その後、懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Ａの表面にニッケル−ボロン導電層（厚み０．１５μｍ）を配置して、表面が導電層である導電性粒子を得た。導電部の外表面の全表面積１００％中、突起がある部分の表面積は７０％であった。
【０１６１】
（３）導電材料（異方性導電ペースト）の作製
導電材料（異方性導電ペースト）を作製するため、以下の材料を用意した。
【０１６２】
（導電材料（異方性導電ペースト）の材料）
熱硬化性化合物Ａ：エポキシ化合物（ナガセケムテックス社製「ＥＰ−３３００Ｐ」）
熱硬化性化合物Ｂ：エポキシ化合物（ＤＩＣ社製「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４０３２Ｄ」）
熱硬化性化合物Ｃ：エポキシ化合物（四日市合成社製「エポゴーセーＰＴ」、ポリテトラメチレングリコールジグリシジルエーテル）
熱硬化剤：熱カチオン発生剤（三新化学社製  サンエイド「ＳＩ−６０」）
フィラー：シリカ（平均粒子径０．２５μｍ）
【０１６３】
導電材料（異方性導電ペースト）を以下のようにして作製した。
【０１６４】
（導電材料（異方性導電ペースト）の作製方法）
熱硬化性化合物Ａ１０重量部と、熱硬化性化合物Ｂ１０重量部と、熱硬化性化合物Ｃ１５重量部と、熱硬化剤５重量部と、フィラー２０重量部とを配合し、配合物を得た。さらに得られた導電性粒子を配合物１００重量％中での含有量が１０重量％となるように添加した後、遊星式攪拌機を用いて２０００ｒｐｍで５分間攪拌することにより、導電材料（異方性導電ペースト）を得た。
【０１６５】
（４）接続構造体Ｘの作製
Ｌ／Ｓが２０μｍ／２０μｍのＡｌ−Ｔｉ４％電極パターン（Ａｌ−Ｔｉ４％電極厚み１μｍ）を上面に有するポリイミド基板（フレキシブルプリント基板）を用意した。また、Ｌ／Ｓが２０μｍ／２０μｍの金電極パターン（金電極厚み２０μｍ）を下面に有する半導体チップを用意した。
【０１６６】
上記ポリイミド基板の上面に、作製直後の異方性導電ペーストを厚さ３０μｍとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層の上面に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電ペースト層の温度が１２０℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、圧着面積から算出される１ＭＰａの低圧力を付与しつつ、異方性導電材料層を１００℃で硬化させ、接続構造体Ｘを得た。
【０１６７】
（５）接続構造体Ｙの作製
異方性導電材料層を硬化させる際の温度を１５０℃に変更したこと以外は接続構造体Ｘと同様にして、接続構造体Ｙを作製した。
【０１６８】
（６）接続構造体Ｚの作製
異方性導電材料層を硬化させる際の温度を２００℃に変更したこと以外は接続構造体Ｘと同様にして、接続構造体Ｚを作製した。
【０１６９】
（実施例２）
導電性粒子を作製する際に、アルミナ粒子スラリーをニッケル粒子スラリーに変更したこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体Ｘ，Ｙ，Ｚを得た。
【０１７０】
（実施例３）
導電性粒子を作製する際に、突起形成にアルミナ粒子スラリーを用いる代わりに、導電部の形成時に部分的に析出量が変わるように調整して突起を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体Ｘ，Ｙ，Ｚを得た。
【０１７１】
（実施例４）
導電性粒子を作製する際に、アルミナ粒子スラリーをタングステンカーバイド粒子スラリーに変更したこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体Ｘ，Ｙ，Ｚを得た。
【０１７２】
（実施例５）
導電性粒子を作製する際に、アルミナ粒子スラリーを酸化チタン粒子スラリーに変更したこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体Ｘ，Ｙ，Ｚを得た。
【０１７３】
（実施例６）
導電性粒子を作製する際に、導電部をニッケル−リン導電層（リン含有量８重量％）に変更したこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体Ｘ，Ｙ，Ｚを得た。
【０１７４】
（実施例７）
導電性粒子を作製する際に、ニッケルめっき液の組成を変更し、実施例１におけるニッケル−ボロン導電部（厚み０．１５μｍ）の厚みを０．１２μｍに変更した。さらに、この厚みを変更した上記導電部の外表面に、還元剤として塩化チタン（ＩＩＩ）を含むニッケルめっき液を用い、高純度のニッケルめっき層（厚み３０ｎｍ）を形成して、多層の導電部を形成した。上記の変更及び多層の導電部を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体Ｘ，Ｙ，Ｚを得た。
【０１７５】
（実施例８）
導電性粒子を作製する際に、ニッケルめっき液の組成を変更し、実施例１におけるニッケル−ボロン導電部（厚み０．１５μｍ）の厚みを０．１２μｍに変更した。さらに、この厚みを変更した上記導電部の外表面に、還元剤及び添加剤として塩化チタン（ＩＩＩ）およびスズ酸ナトリウム３水和物を含むニッケルめっき液を用い、耐腐食性を有するニッケル−錫合金めっき層（厚み３０ｎｍ）を形成して、多層の導電部を形成した。上記の変更及び多層の導電部を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体Ｘ，Ｙ，Ｚを得た。
【０１７６】
（実施例９）
導電性粒子を作製する際に、ニッケルめっき液の組成を変更し、実施例１におけるニッケル−ボロン導電部（厚み０．１５μｍ）の厚みを０．１２μｍに変更した。さらに、この厚みを変更した上記導電部の外表面に、還元剤及び添加剤として塩化チタン（ＩＩＩ）および酢酸インジウム（ＩＩＩ）を含むニッケルめっき液を用い、耐腐食性を有するニッケル−インジウム合金めっき層（厚み３０ｎｍ）を形成して、多層の導電部を形成した。上記の変更及び多層の導電部を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体Ｘ，Ｙ，Ｚを得た。
【０１７７】
（実施例１０）
基材粒子を作製する際に、焼成温度を３８０℃から３３０℃に変更したこと以外は、基材粒子Ａと同様にして、基材粒子Ｂを得た。基材粒子Ａの代わりに基材粒子Ｂを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体Ｘ，Ｙ，Ｚを得た。
【０１７８】
（実施例１１）
基材粒子を作製する際に、焼成温度を３８０℃から３６５℃に変更したこと以外は、基材粒子Ａと同様にして、基材粒子Ｃを得た。基材粒子Ａの代わりに基材粒子Ｃを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体Ｘ，Ｙ，Ｚを得た。
【０１７９】
（実施例１２）
基材粒子を作製する際に、焼成温度を３８０℃から４１０℃に変更したこと以外は、基材粒子Ａと同様にして、基材粒子Ｄを得た。基材粒子Ａの代わりに基材粒子Ｄを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体Ｘ，Ｙ，Ｚを得た。
【０１８０】
（実施例１３）
基材粒子を作製する際に、焼成温度を３８０℃から４２０℃に変更したこと、及び酸素分圧を１０−１０ａｔｍから１０−９ａｔｍ変更した以外は、基材粒子Ａと同様にして、基材粒子Ｅを得た。基材粒子Ａの代わりに基材粒子Ｅを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体Ｘ，Ｙ，Ｚを得た。
【０１８１】
（実施例１４）
４つ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コック、冷却管及び温度プローブが取り付けられた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、以下のモノマー組成物を入れ、モノマー組成物の固形分率が５重量％となるようにイオン交換水を秤取した後、２００ｒｐｍで攪拌し、窒素雰囲気下７０℃で２４時間重合を行った。上記モノマー組成物は、メタクリル酸メチル１００ｍｍｏｌと、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−Ｎ−２−メタクリロイルオキシエチルアンモニウムクロライド１ｍｍｏｌと、２，２’−アゾビス（２−アミジノプロパン）二塩酸塩１ｍｍｏｌとを含む。反応終了後、凍結乾燥して、表面にアンモニウム基を有し、平均粒子径２２０ｎｍ及びＣＶ値１０％の絶縁性粒子を得た。
【０１８２】
絶縁性粒子を超音波照射下でイオン交換水に分散させ、絶縁性粒子の１０重量％水分散液を得た。
【０１８３】
実施例１で得られた導電性粒子１０ｇをイオン交換水５００ｍＬに分散させ、絶縁性粒子の水分散液４ｇを添加し、室温で６時間攪拌した。３μｍのメッシュフィルターでろ過した後、更にメタノールで洗浄し、乾燥し、絶縁性粒子が付着した導電性粒子を得た。
【０１８４】
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察したところ、導電性粒子の表面に絶縁性粒子による被覆層が１層のみ形成されていた。画像解析により導電性粒子の中心より２．５μｍの面積に対する絶縁性粒子の被覆面積（即ち絶縁性粒子の粒子径の投影面積）を算出したところ、被覆率は４０％であった。
【０１８５】
絶縁性粒子が付着した導電性粒子を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、導電材料及び接続構造体Ｘ，Ｙ，Ｚを得た。
【０１８６】
（実施例１５）
基材粒子を作製する際に、基材粒子の粒子径を５μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体Ｘ，Ｙ，Ｚを得た。
【０１８７】
（実施例１６）
導電性粒子を作製する際に、ニッケルめっき液の組成を変更し、導電部をニッケル−リン導電層（リン含有量８重量％、厚み０．１３μｍ）に変更したこと、及びニッケル−リン導電層の表面上に金めっき層（厚み０．０２μｍ）を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体Ｘ，Ｙ，Ｚを得た。
【０１８８】
（実施例１７）
導電性粒子を作製する際に、ニッケル−ボロン導電層の表面上に金めっき層（厚み０．０２μｍ）を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体Ｘ，Ｙ，Ｚを得た。
【０１８９】
（実施例１８）
導電性粒子を作製する際に、高純度のニッケルめっき層の表面上に金めっき層（厚み０．０２μｍ）を形成したこと以外は、実施例７と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体Ｘ，Ｙ，Ｚを得た。
【０１９０】
（実施例１９）
導電性粒子を作製する際に、ニッケルめっき液の組成を変更し、導電部をニッケル−リン導電層（リン含有量８重量％、厚み０．１３μｍ）に変更したこと、及びニッケル−リン導電層の表面上にパラジウムめっき層（厚み０．０２μｍ）を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体Ｘ，Ｙ，Ｚを得た。
【０１９１】
（実施例２０）
導電性粒子を作製する際に、ニッケル−ボロン導電層の表面上にパラジウムめっき層（厚み０．０２μｍ）を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体Ｘ，Ｙ，Ｚを得た。
【０１９２】
（実施例２１）
導電性粒子を作製する際に、高純度のニッケルめっき層の表面上にパラジウムめっき層（厚み０．０２μｍ）を形成したこと以外は、実施例７と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体Ｘ，Ｙ，Ｚを得た。
【０１９３】
（実施例２２）
基材粒子を作製する際に、基材粒子の粒子径を３．０μｍから１．０μｍに変更し、導電性粒子を作製する際に、ニッケルめっき液の組成を変更し、実施例１におけるニッケル−ボロン導電部（厚み０．１５μｍ）の厚みを０．０７５μｍに変更したこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体Ｘ，Ｙ，Ｚを得た。
【０１９４】
（実施例２３）
基材粒子を作製する際に、基材粒子の粒子径を３．０μｍから２．０μｍに変更し、導電性粒子を作製する際に、ニッケルめっき液の組成を変更し、実施例１におけるニッケル−ボロン導電部（厚み０．１５μｍ）の厚みを０．０７５μｍに変更したこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体Ｘ，Ｙ，Ｚを得た。
【０１９５】
（実施例２４）
種粒子として平均粒子径０．８０μｍのポリスチレン粒子を用意した。該ポリスチレン粒子３．９重量部と、イオン交換水５００重量部と、５重量％ポリビニルアルコール水溶液１２０重量部とを混合し、超音波により分散させた後、耐圧密閉重合機に添加し、均一に撹拌した。
【０１９６】
次に、モノマーであるジビニルベンゼン１２０重量部に、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート（日油社製「パーブチルＺ」）２．０重量部と、過酸化ベンゾイル（日油社製「ナイパーＢＷ」）２．０重量部とを溶解させて、溶解液を得た。得られた溶解液に、ラウリル硫酸トリエタノールアミン５．０重量部と、エタノール６０重量部と、イオン交換水１０００重量部とを添加して、乳化液を得た。
【０１９７】
種粒子としての上記ポリスチレン粒子が添加された耐圧密閉重合機に、得られた乳化液をさらに添加し、４時間撹拌し、種粒子にモノマーを吸収させて、モノマーが膨潤した種粒子を含む懸濁液を得た。
【０１９８】
得られた懸濁液に、５重量％ポリビニルアルコール水溶液４９０重量部を添加し、加熱を開始して１４０℃で６時間反応させ、粒子径３．０８μｍの基材粒子Ｆを得た。
【０１９９】
基材粒子Ａの代わりに基材粒子Ｆを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体Ｘ，Ｙ，Ｚを得た。
【０２００】
（比較例１）
基材粒子を作製する際に、焼成温度を３８０℃から１２０℃に変更した以外は、基材粒子Ａと同様にして、基材粒子Ｇを得た。基材粒子Ａの代わりに基材粒子Ｇを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体Ｘ，Ｙ，Ｚを得た。
【０２０１】
（比較例２）
基材粒子を作製する際に、メチルトリメトキシシラン１．９ｇを８．８ｇに変更したこと、及びビニルトリメトキシシラン１２．７ｇを５．８ｇに変更したこと以外は、基材粒子Ａと同様にして、基材粒子Ｈを得た。基材粒子Ａの代わりに基材粒子Ｈを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体Ｘ，Ｙ，Ｚを得た。
【０２０２】
（比較例３）
シード粒子として平均粒子径０．８μｍのポリスチレン粒子を用意した。該ポリスチレン粒子２．５ｇと、イオン交換水５００ｇと、５重量％ポリビニルアルコール水溶液１００ｇとを、混合し、超音波により分散させた後、セパラブルフラスコに添加し、均一に撹拌した。
【０２０３】
また、過酸化ベンゾイル（日油社製、ナイパーＢＷ）６．３ｇと、ラウリル硫酸トリエタノールアミン３０ｇと、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２４３ｇとをイオン交換水１１００ｇに添加し、乳化液を調製した。
【０２０４】
さらに、モノマーとして、１，４−ブタンジオールジアクリレート７８ｇを用意した。
【０２０５】
シード粒子としての上記ポリスチレン粒子が添加されたセパラブルフラスコに、上記モノマーと、上記乳化剤とをさらに添加し、１２時間撹拌し、シード粒子に上記モノマーを吸収させた。その後、５重量％ポリビニルアルコール水溶液５００ｇを添加し、９時間反応させることで基材粒子Ｉを得た。
【０２０６】
基材粒子Ａのかわりに基材粒子Ｉを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体Ｘ，Ｙ，Ｚを得た。
【０２０７】
（評価）
（１）１０％Ｋ値
Ｈ．ＦＩＳＣＨＥＲ社製  超微小押し込み硬さ試験機  フィッシャースコープＨＭ２０００を用いて、得られた導電性粒子の２５℃における１０％Ｋ値、１００℃における１０％Ｋ値、１５０℃における１０％Ｋ値及び２００℃における１０％Ｋ値を上述した方法で測定した。得られた測定結果から、１００℃における１０％Ｋ値の２５℃における１０％Ｋ値に対する比、１５０℃における１０％Ｋ値の２５℃における１０％Ｋ値に対する比、及び２００℃における１０％Ｋ値の２５℃における１０％Ｋ値に対する比を算出した。なお、１００℃、１５０℃、２００℃の加熱は、測定ステージの表面が１００℃、１５０℃、２００℃になるよう測定ステージをヒーターにより加熱した。
【０２０８】
（２）２０％Ｋ値
得られた導電性粒子の２５℃における２０％Ｋ値、１００℃における２０％Ｋ値、１５０℃における２０％Ｋ値及び２００℃における２０％Ｋ値を上述した方法で測定した。得られた測定結果から、１００℃における２０％Ｋ値の２５℃における２０％Ｋ値に対する比、１５０℃における２０％Ｋ値の２５℃における２０％Ｋ値に対する比、及び２００℃における２０％Ｋ値の２５℃における２０％Ｋ値に対する比を算出した。
【０２０９】
（３）３０％Ｋ値
得られた導電性粒子の２５℃における３０％Ｋ値、１００℃における３０％Ｋ値、１５０℃における３０％Ｋ値及び２００℃における３０％Ｋ値を上述した方法で測定した。得られた測定結果から、１００℃における３０％Ｋ値の２５℃における３０％Ｋ値に対する比、１５０℃における３０％Ｋ値の２５℃における３０％Ｋ値に対する比、及び２００℃における３０％Ｋ値の２５℃における３０％Ｋ値に対する比を算出した。
【０２１０】
（４）４０％Ｋ値
得られた導電性粒子の２５℃における４０％Ｋ値、１００℃における４０％Ｋ値、１５０℃における４０％Ｋ値及び２００℃における４０％Ｋ値を上述した方法で測定した。得られた測定結果から、１００℃における４０％Ｋ値の２５℃における４０％Ｋ値に対する比、１５０℃における４０％Ｋ値の２５℃における４０％Ｋ値に対する比、及び２００℃における４０％Ｋ値の２５℃における４０％Ｋ値に対する比を算出した。
【０２１１】
（５）圧縮回復率
得られた導電性粒子の２５℃における圧縮回復率、１００℃における圧縮回復率、１５０℃における圧縮回復率及び２００℃における圧縮回復率を上述した方法で測定した。
【０２１２】
（６）粒子径
得られた導電性粒子の粒子径を、堀場製作所社製「レーザー回折式粒度分布測定装置」を用いて測定した。また、導電性粒子の粒子径は、２０回の測定結果を平均することにより算出した。
【０２１３】
（７）導通信頼性（初期）
得られた接続構造体Ｘ，Ｙ，Ｚの上下の電極間の接続抵抗Ａをそれぞれ、４端子法により測定した。なお、電圧＝電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗Ａを求めることができる。接続抵抗Ａから導通信頼性（初期）を下記の基準で判定した。
【０２１４】
［導通信頼性（初期）の判定基準］
○○○：接続抵抗Ａが２．０Ω以下
○○：接続抵抗Ａが２．０Ωを超え、３．０Ω以下
○：接続抵抗Ａが３．０Ωを超え、５．０Ω以下
△：接続抵抗Ａが５．０Ωを超え、１０Ω以下
×：接続抵抗Ａが１０Ωを超える
【０２１５】
（８）高温高湿放置後の導通信頼性
上記の（７）接続抵抗の評価後の接続構造体Ｘ，Ｙ，Ｚを８５℃及び湿度８５％の条件下で５００時間放置した。５００時間放置後の接続構造体Ｘ，Ｙ，Ｚにおいて、上下の電極間の接続抵抗Ｂをそれぞれ、４端子法により測定した。接続抵抗Ａ，Ｂから高温高湿放置後の導通信頼性を下記の基準で判定した。
【０２１６】
［高温高湿放置後の導通信頼性の判定基準］
○○○：接続抵抗Ｂが接続抵抗Ａの１．２５倍未満
○○：接続抵抗Ｂが接続抵抗Ａの１．２５倍以上、１．５倍未満
○：接続抵抗Ｂが接続抵抗Ａの１．５倍以上、２倍未満
△：接続抵抗Ｂが接続抵抗Ａの２倍以上、５倍未満
×：接続抵抗Ｂが接続抵抗Ａの５倍以上
【０２１７】
結果を下記の表１〜表６に示す。表中、Ｋ値の単位は、「Ｎ／ｍｍ２」であり、圧縮回復率の単位は「％」である。
【０２１８】
【表１】
2018181694.tif 000003
【０２１９】
【表２】
2018181694.tif 000004
【０２２０】
【表３】
2018181694.tif 000005
【０２２１】
【表４】
2018181694.tif 000006
【０２２２】
【表５】
2018181694.tif 000007
【０２２３】
【表６】
2018181694.tif 000008
【符号の説明】
【０２２４】
１…導電性粒子
２…基材粒子
３…導電部
１１…導電性粒子
１１ａ…突起
１２…導電部
１２ａ…突起
１３…芯物質
１４…絶縁性物質
２１…導電性粒子
２１ａ…突起
２２…導電部
２２ａ…突起
２２Ａ…第１の導電部
２２Ａａ…突起
２２Ｂ…第２の導電部
２２Ｂａ…突起
５１…接続構造体
５２…第１の接続対象部材
５２ａ…第１の電極
５３…第２の接続対象部材
５３ａ…第２の電極
５４…接続部
【図１】
2018181694.tif 000009
【図２】
2018181694.tif 000010
【図３】
2018181694.tif 000011
【図４】
2018181694.tif 000012
【国際調査報告】
2018181694.tif 000013
2018181694.tif 000014
2018181694.tif 000015