(57)【要約】  本発明は、異常放電の発生を抑制する活性ガス生成装置の構造を提供することを目的とする。そして、本発明の活性ガス生成装置において、給電体（２３）は、高電圧側電極構成部（１）の金属電極（１０Ａ及び１０Ｂ）の上方に設けられ、平面視して高電圧側電極構成部（１）の金属電極（１０Ａ及び１０Ｂ）の全体を覆う形状を有している。給電部（３３Ａ及び３３Ｂ）はそれぞれ接地側電極構成部（２）の金属電極（２０Ａ及び２０Ｂ）の下方に設けられ、平面視して接地側電極構成部（２）の金属電極（２０Ａ及び２０Ｂ）の全体を覆う形状を有する。
2019049230.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間（７）に供給された原料ガスを活性化して得られる活性ガスを生成する活性ガス生成装置であって、
第１の電極構成部（１）と
前記第１の電極構成部の下方に設けられる第２の電極構成部（２）と、
前記第１及び第２の電極構成部に前記第１の電極構成部が高電圧となるように交流電圧を印加する交流電源部（５）とを備え、前記交流電源部による前記交流電圧の印加により、前記第１及び第２の電極構成部間に形成される放電空間に供給された原料ガスを活性化して得られる活性ガスが前記第２の電極構成部に設けられたガス噴出口（５５）から噴出され、
前記第１の電極構成部は、第１の誘電体電極（１１）と前記第１の誘電体電極の上面上に選択的に形成される第１の金属電極（１０Ａ，１０Ｂ）とを有し、前記第２の電極構成部は、第２の誘電体電極（２１）と前記第２の誘電体電極の下面上に選択的に形成される第２の金属電極（２０Ａ，２０Ｂ）とを有し、
前記活性ガス生成装置は、
前記第１の金属電極の上方に設けられ、前記第１の金属電極に前記交流電圧を伝達する第１の給電部（２３）と、
前記第２の金属電極の下方に設けられ、前記第２の金属電極に前記交流電圧を伝達する第２の給電部（３３Ａ，３３Ｂ）とをさらに備え、
前記第１の給電部は平面視して前記第１の金属電極の全体を覆う形状を有することを特徴とする、
活性ガス生成装置。
【請求項２】
請求項１記載の活性ガス生成装置であって、
前記第２の給電部は平面視して前記第２の金属電極の全体を覆う形状を有することを特徴とする、
活性ガス生成装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の活性ガス生成装置であって、
前記第１の金属電極の端部を全て覆うように、前記第１の誘電体電極の上面上に形成される第１の誘電体膜（１５Ａ，１５Ｂ）と、
前記第２の金属電極の端部を全て覆うように、前記第２の誘電体電極の下面上に形成される第２の誘電体膜（２５Ａ，２５Ｂ）とをさらに備える、
活性ガス生成装置。
【請求項４】
請求項３記載の活性ガス生成装置であって、
前記第２の金属電極は、平面視して前記第２の誘電体電極の中央領域（Ｒ２２）を挟んで互いに対向して形成される一対の第２の部分金属電極（２０Ａ，２０Ｂ）を含み、
前記第１の金属電極は、平面視して前記一対の第２の部分金属電極と重複する領域を有する一対の第１の部分金属電極（１０Ａ，１０Ｂ）を含み、
前記第１の誘電体膜は、前記一対の第１の部分金属電極それぞれの端部を全て覆うように、前記第１の誘電体電極の上面上に形成される一対の第１の部分誘電体膜（１５Ａ，１５Ｂ）を含み、
前記第２の誘電体膜は、前記一対の第２の部分金属電極それぞれの端部を全て覆うように、前記第２の誘電体電極の下面上に形成される一対の第２の部分誘電体膜（２５Ａ，２５Ｂ）を含み、
前記ガス噴出口は前記中央領域に形成される、
活性ガス生成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、高圧側誘電体電極と低圧側誘電体電極とを互いに平行に設置して、両電極間に高電圧を印加し、放電を発生させたエネルギーで活性ガスを得る活性ガス生成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
活性ガス生成装置の一種類として、一対の誘電体電極間に形成される放電空間に発生する誘電体バリア放電を利用した活性ガス生成装置がある。上記誘電体バリア放電によって、半導体の窒化処理・酸化処理等に必要な活性ガスを発生させることができる。【０００３】
このような誘電体バリア放電を利用する従来の活性ガス生成装置として例えば特許文献１で開示されたプラズマ発生装置がある。このプラズマ発生装置は、互いに対向した高圧側電極構成部，接地側電極構成部間に形成される放電空間にて誘電体バリア放電を発生させ、放電空間に原料ガスを通すことで活性ガスを生成する装置である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第５６９４５４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、誘電体バリア放電を利用する従来の活性ガス生成装置は、放電空間以外の意図しない部分で周辺ガスの絶縁破壊によって起こる放電である、異常放電が発生する可能性がある。【０００６】
放電空間以外における異常放電が発生した場合、近傍部品の構成元素の蒸発を招く現象が生じ、近傍部品が金属元素を含む場合、上記現象が半導体成膜工程においてはメタルコンタミネーションの要因となってしまい、製造される半導体装置の性能を悪化させる問題点があった。【０００７】
加えて、活性ガス生成装置を減圧下で使用する場合は、絶縁破壊に必要な電界強度が大気圧下よりも小さくなることから、異常放電がより起こりやすい使用環境となる。この環境下において、誘電体電極の表面のメタライズ処理で作られた金属電極の端部における電界強度が相対的に強くなるため、周辺のガスが絶縁破壊を引き起こしやすい部位、すなわち、異常放電が発生し易い部位となる。【０００８】
本発明では、上記のような問題点を解決し、異常放電の発生を抑制する活性ガス生成装置の構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明にかかる活性ガス生成装置は、放電空間に供給された原料ガスを活性化して得られる活性ガスを生成する活性ガス生成装置であって、第１の電極構成部と前記第１の電極構成部の下方に設けられる第２の電極構成部と、前記第１及び第２の電極構成部に前記第１の電極構成部が高電圧となるように交流電圧を印加する交流電源部とを備え、前記交流電源部による前記交流電圧の印加により、前記第１及び第２の電極構成部間に形成される放電空間に供給された原料ガスを活性化して得られる活性ガスが前記第２の電極構成部に設けられたガス噴出口から噴出され、前記第１の電極構成部は、第１の誘電体電極と前記第１の誘電体電極の上面上に選択的に形成される第１の金属電極とを有し、前記第２の電極構成部は、第２の誘電体電極と前記第２の誘電体電極の下面上に選択的に形成される第２の金属電極とを有し、前記活性ガス生成装置は、前記第１の金属電極の上方に設けられ、前記第１の金属電極に前記交流電圧を伝達する第１の給電部と、前記第２の金属電極の下方に設けられ、前記第２の金属電極に前記交流電圧を伝達する第２の給電部とをさらに備え、前記第１の給電部は平面視して前記第１の金属電極の全体を覆う形状を有することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１０】
この発明における活性ガス生成装置の第１の給電部は平面視して第１の金属電極の全体を覆う形状を有するため、高電圧側の第１の金属電極の上方に配置された第１の給電部によって、第１の金属電極の端部周辺領域の電位を均すことにより、第１の金属電極における端部の電界強度を低く抑えることができる。【００１１】
その結果、この発明における活性ガス生成装置は、第１の金属電極の端部における異常放電の発生を効果的に抑制することができる。【００１２】
この発明の目的、特徴、局面、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】この発明の実施の形態である活性ガス生成装置の構成を示す説明図である。
【図２】図１の高電圧側電極構成部の平面構造を示す説明図である。
【図３】図１の接地側電極構成部の平面構造を示す説明図である。
【図４】従来の活性ガス生成装置によるシミュレーション結果を示す説明図（その１）である。
【図５】従来の活性ガス生成装置によるシミュレーション結果を示す説明図（その２）である。
【図６】実施の形態の活性ガス生成装置によるシミュレーション結果を示す説明図（その１）である。
【図７】実施の形態の活性ガス生成装置によるシミュレーション結果を示す説明図（その２）である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
＜実施の形態＞
（構成）
図１はこの発明の実施の形態である活性ガス生成装置の構成を示す説明図である。同図においてＸＹＺ直交座標系を示している。
【００１５】
同図に示すように、実施の形態の活性ガス生成装置は、高電圧側電極構成部１、接地側電極構成部２、高周波電源５、金属筐体３０（給電部３３Ａ及び３３Ｂを含む）、給電体２３、及び支持台４１〜４３を主要構成要素として含んでいる。なお、給電部３３Ａ及び３３Ｂはそれぞれ、金属筐体３０と電気的に接続する態様で、金属筐体３０と別部品として構成しても良い。
【００１６】
第１の電極構成部である高電圧側電極構成部１と、第２の電極構成部である接地側電極構成部２とが互いに対向して平行に設けられ、接地側電極構成部２は、高電圧側電極構成部１の下方に設けられる。
【００１７】
交流電源部である高周波電源５は、高電圧側電極構成部１及び接地側電極構成部２に、高電圧側電極構成部１が高電圧となるように交流電圧を印加すべく、給電体２３を介して高電圧側電極構成部１に高電圧を印加し、金属筐体３０の給電部３３を介して接地側電極構成部２を接地レベルに設定している。
【００１８】
高周波電源５による交流電圧の印加により、高電圧側電極構成部１及び接地側電極構成部２間の放電空間７に誘電体バリア放電を発生させることにより、この放電空間７に供給された原料ガス（図示せず）を活性化して得られる活性ガスが接地側電極構成部２に設けられたガス噴出口５５から噴出される。
【００１９】
図２は高電圧側電極構成部１の平面構造を示す説明図であり、高電圧側電極構成部１を上方（＋Ｚ方向）から視た平面構造を示している。図３は接地側電極構成部２の平面構造を示す説明図であり、接地側電極構成部２を下方（−Ｚ方向）から視た平面構造を示している。図１において、高電圧側電極構成部１は図２のＡ−Ａ断面として、接地側電極構成部２は図３のＢ−Ｂ断面として示されている。なお、図２及び図３にそれぞれＸＹＺ直交座標系を示している。
【００２０】
高電圧側電極構成部１は、第１の誘電体電極である誘電体電極１１と誘電体電極１１の上面上に選択的に形成される金属電極１０Ａ及び１０Ｂ（第１の金属電極）とを有して構成される。
【００２１】
接地側電極構成部２は、第２の誘電体電極である誘電体電極２１と誘電体電極２１の下面上に選択的に形成される金属電極２０Ａ及び２０Ｂ（第２の金属電極）とを有して構成される。
【００２２】
誘電体電極１１及び２１はそれぞれＸ方向を長手方向、Ｙ方向を短手方向とした略長方形状の平板構造を呈している。
【００２３】
図１及び図３に示すように、金属電極２０Ａ及び２０Ｂ（一対の第２の部分金属電極）は誘電体電極２１の下面上に形成され、平面視して誘電体電極２１の中央領域Ｒ２２を挟んで互いに対向して配置される。金属電極２０Ａ及び２０Ｂはそれぞれ平面視して略長方形状を呈し、Ｘ方向を長手方向とし、Ｙ方向を互いに対向する方向としている。金属電極２０Ａ及び２０Ｂは互いの平面視した大きさは同一であり、その配置は中央領域Ｒ２２を中心として対称となっている。
【００２４】
同様にして、図１及び図２に示すように、金属電極１０Ａ及び１０Ｂ（一対の第１の部分金属電極）は誘電体電極１１の上面上に形成され、平面視して誘電体電極１１の中央領域Ｒ１２を挟んで互いに対向して配置される。金属電極１０Ａ及び１０Ｂは平面視して略長方形状を呈し、Ｘ方向を長手方向とし、Ｙ方向を互いに対向する方向としている。金属電極１０Ａ及び１０Ｂは互いに平面視した大きさは同一であり、その配置は中央領域Ｒ１２を中心として対称となっている。中央領域Ｒ１２及び中央領域Ｒ２２は互いに完全同一形状で平面視して完全重複する態様で設けられる。したがって、金属電極１０Ａ及び１０Ｂは、平面視して金属電極２０Ａ及び２０Ｂと重複する領域を有する位置関係となる。
【００２５】
なお、金属電極１０Ａ及び１０Ｂ並びに金属電極２０Ａ及び２０Ｂは、誘電体電極１１の上面並びに誘電体電極２１の下面にてメタライズ処理されることにより形成され、その結果、誘電体電極１１と金属電極１０Ａ及び１０Ｂとは一体形成されて高電圧側電極構成部１（第１の電極構成部）を構成し、誘電体電極２１と金属電極２０Ａ及び２０Ｂとは一体形成されて接地側電極構成部２（第２の電極構成部）を構成する。メタライズ処理として印刷焼成方法やスパッタリング処理、蒸着処理等を用いた処理が考えられる。
【００２６】
そして、図１及び図３に示すように、誘電体電極２１の中央領域Ｒ２２（平面視して金属電極１０Ａ及び１０Ｂと金属電極２０Ａ及び２０Ｂとが重複しない領域）に例えば５つのガス噴出口５５がＸ方向に沿ってライン状に設けられる。
【００２７】
そして、本実施の形態の活性ガス生成装置は、図１に示すように、上述した構成の高電圧側電極構成部１及び接地側電極構成部２が金属筐体３０内に収容されている。
【００２８】
接地側電極構成部２は、金属筐体３０の底部に設けられた給電部３３（給電部３３Ａ及び３３Ｂ）及び金属筐体３０の収容空間Ｒ３０の底面上に離散して設けられた支持台４１〜４３によって下面から支持される。この際、給電部３３Ａの上面が金属電極２０Ａの下面に接触し、給電部３３Ｂの上面が金属電極２０Ｂの下面に接触するように配置される。なお、支持台４２はガス噴出口５５に合致した平面領域に開口部を有しており、ガス噴出口５５及び上記開口部を介して放電空間７で得られた活性ガスを下方に噴出することができる。
【００２９】
そして、接地側電極構成部２の上方に高電圧側電極構成部１が配置される。高電圧側電極構成部１，接地側電極構成部２間の放電空間７のギャップ長は高電圧側電極構成部１，接地側電極構成部２間に設けられた一対のスペーサ９によって規定される。一対のスペーサ９は平面視してガス噴出口５５を挟むように互いに対向して設けられ、各々がＹ方向に延びる複数の貫通口（図示せず）を有し、複数の貫通口を介して放電空間７で得られた活性ガスを誘電体電極２１に設けられたガス噴出口５５から噴出することができる。
【００３０】
高電圧側電極構成部１の上方に設けられる金属製の給電体２３は、下方（−Ｚ方向に）選択的に突出して設けられる突出部２３Ａ及び２３Ｂを有し、突出部２３Ａの下面が金属電極１０Ａの上面に接触し、突出部２３Ｂの下面が金属電極１０Ｂの接触するように、高電圧側電極構成部１上に配置される。
【００３１】
したがって、第１の給電部である給電体２３は、金属電極１０Ａ及び１０Ｂの上方に設けられ、金属電極１０Ａ及び１０Ｂに交流電圧を伝達することができる。なお、給電体２３へ電源供給のための導入端子類は図１では図示していない。
【００３２】
図２に示すように、給電体２３は、平面視して金属電極１０Ａ及び１０Ｂの全体を覆う形状を有している。
【００３３】
一方、第２の給電部である給電部３３（給電部３３Ａ及び３３Ｂ）は、金属電極２０Ａ及び２０Ｂの下方に設けられ、給電部３３Ａの上面が金属電極２０Ａの下面に接触し、給電部３３Ｂの上面が金属電極２０Ｂの下面に接触しているため、金属電極２０Ａ及び２０Ｂに交流電圧の基準レベルとなる接地レベルを伝達することができる。
【００３４】
図３に示すように、給電部３３Ａは平面視して金属電極２０Ａの全体を覆う形状を有し、給電部３３Ｂは平面視して金属電極２０Ｂの全体を覆う形状を有する。すなわち、給電部３３Ａ及び３３Ｂからなる給電部３３は金属電極２０Ａ及び２０Ｂの全体を覆う形状を有している。
【００３５】
図１及び図２に示すように、金属電極１０Ａの端部を全て覆うように、誘電体電極１１の上面上から金属電極１０Ａの一部上にかけて、カバー誘電体１５Ａが形成され、金属電極１０Ｂの端部を全て覆うように、誘電体電極１１の上面上から金属電極１０Ｂの一部下にかけて、カバー誘電体１５Ｂが形成される。
【００３６】
このように、第１の金属電極である金属電極１０Ａ及び１０Ｂそれぞれの端部を全て覆うように、誘電体電極２１の上面上に、第１の誘電体膜となるカバー誘電体１５Ａ及び１５Ｂが形成される。カバー誘電体１５Ａ及び１５Ｂにより一対の第１の部分誘電体膜が構成される。
【００３７】
加えて、図１及び図３に示すように、金属電極２０Ａの端部を全て覆うように、誘電体電極２１の下面上から金属電極２０Ａの一部上にかけて、カバー誘電体２５Ａが形成され、金属電極２０Ｂの端部を全て覆うように、誘電体電極２１の下面上から金属電極２０Ｂの一部下にかけて、カバー誘電体２５Ｂが形成される。
【００３８】
このように、第２の金属電極である金属電極２０Ａ及び２０Ｂの端部の全てを覆うように、誘電体電極２１の下面上に、第２の誘電体膜となるカバー誘電体２５Ａ及び２５Ｂが形成される。カバー誘電体２５Ａ及び２５Ｂにより一対の第２の部分誘電体膜が構成される。
【００３９】
なお、カバー誘電体１５Ａ及び１５Ｂ並びにカバー誘電体２５Ａ及び２５Ｂの構成材料としてはペーストガラスやアルミナ等が考えられるが、誘電率が高いものが望ましい。
【００４０】
このような構成の実施の形態１の活性ガス生成装置は、シリコンウェハー等の成膜対象物に対し成膜処理を行う図示しない処理チャンバー（図示せず）の直上に設置されている。
【００４１】
そして、本実施の形態の活性ガス生成装置は、高周波電源５から高電圧側電極構成部１，接地側電極構成部２間に１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚ、Ｖ０ｐ（０ピーク値）：２〜１０ｋＶの交流電圧を印加することにより、放電空間７に誘電体バリア放電を発生させている。
【００４２】
実施の形態１の活性ガス生成装置は、図示しないガス供給口を経由して窒素や酸素、希ガス類や水素、弗素類のガスを放電空間７内に供給している。これらのガスは、内部の放電空間７を経由して活性化され、この活性ガスを含んだガスは接地側電極構成部２の誘電体電極２１に設けられたガス噴出口５５から下方の処理チャンバーへと噴出される。そして、処理チャンバー内で成膜対象物に対する成膜処理が実行される。
【００４３】
（効果）
本実施の形態の活性ガス生成装置において、第１の給電部である給電体２３が、平面視して第１の金属電極である金属電極１０Ａ及び１０Ｂの全体を覆う形状を有することを第１の特徴している。本実施の形態の活性ガス生成装置は上記第１の特徴を有するため、金属電極１０Ａ及び１０Ｂの上方に配置された給電体２３によって、金属電極１０Ａ及び１０Ｂの端部周辺領域の電位を均すことにより、金属電極１０Ａ及び１０Ｂにおける端部の電界強度を低く抑えることができる。
【００４４】
その結果、本実施の形態の活性ガス生成装置は、金属電極１０Ａ及び１０Ｂそれぞれの端部における異常放電の発生を効果的に抑制することができる効果を奏する。
【００４５】
さらに、本実施の形態の活性ガス生成装置において、第２の給電部である給電部３３（給電部３３Ａ及び３３Ｂ）が、平面視して金属電極２０Ａ及び２０Ｂの全体を覆う形状を有することを第２の特徴としている。本実施の形態の活性ガス生成装置は上記第２の特徴を有するため、金属電極２０Ａ及び２０Ｂの下方に配置された給電部３３によって、金属電極２０Ａ及び２０Ｂそれぞれの端部周辺領域の電位を均すことにより、金属電極２０Ａ及び２０Ｂにおける端部の電界強度を低く抑えることができる。
【００４６】
その結果、本実施の形態の活性ガス生成装置は、金属電極２０Ａ及び２０Ｂの端部における異常放電の発生を効果的に抑制することができる。
【００４７】
さらに、本実施の形態の活性ガス生成装置は、金属電極１０Ａ及び１０Ｂの端部を全て覆うように、誘電体電極１１の上面上に形成される第１の誘電体膜であるカバー誘電体１５Ａ及び１５Ｂの存在により、金属電極１０Ａ及び１０Ｂにおける端部の電界強度を弱めることができる。
【００４８】
加えて、本実施の形態の活性ガス生成装置は、金属電極２０Ａ及び２０Ｂの端部を全て覆うように、誘電体電極２１の下面上に形成される第２の誘電体膜であるカバー誘電体２５Ａ及び２５Ｂの存在により金属電極２０Ａ及び２０Ｂにおける端部の電界強度を弱めることができる。
【００４９】
その結果、本実施の形態の活性ガス生成装置は、金属電極１０Ａ及び１０Ｂ並びに金属電極２０Ａ及び２０Ｂそれぞれの端部における異常放電の発生をより一層抑制することができる。
【００５０】
さらに、本実施の形態の活性ガス生成装置は、高電圧側電極構成部１側に２つの金属電極１０Ａ及び１０Ｂ（一対の第１の部分金属電極）を有し、接地側電極構成部２側に２つの金属電極２０Ａ及び２０Ｂ（一対の第２の部分金属電極）を有する構造において、金属電極１０Ａ及び１０Ｂそれぞれにおける異常放電の発生を効果的に抑え、かつ、金属電極２０Ａ及び２０Ｂそれぞれにおける異常放電の発生を効果的に抑制することができる。
【００５１】
本実施の形態の活性ガス生成装置は、上述した効果をするため、異常放電が原因で発生するメタルコンタミネーションを防止することができる。
【００５２】
また、本実施の形態の活性ガス生成装置は、フィルター等の濾過器を使用することなく、比較的簡単な構成でメタルコンタミネーションを防止することができる効果も奏する。
【００５３】
（シミュレーション結果）
以下、本実施の形態の効果のシミュレーション結果を参照して説明する。図４及び図５は従来の活性ガス生成装置によるシミュレーション結果を示す説明図である。図４の着目領域Ｒ５１の拡大図が図５となる。
【００５４】
図６及び図７は本実施の形態の活性ガス生成装置によるシミュレーション結果を示す説明図である。図６の着目領域Ｒ１の拡大図が図７である。なお、シミュレーション解析条件を以下に示す。
【００５５】
高周波電源５により供給する交流電圧の高電圧側の電圧は４４００Ｖである。誘電体電極１１及び誘電体電極２１それぞれの構成材料としてセラミックを模擬(比誘電率９．９)している。カバー誘電体１５Ａ及び１５Ｂ並びにカバー誘電体２５Ａ及び２５Ｂそれぞれの比誘電率を４．４、厚みを７０μｍに設定している。
【００５６】
さらに、カバー誘電体１５Ａ及び１５Ｂの形成幅Ｗ１５Ａ及びＷ１５Ｂは、金属電極１０Ａ及び１０Ｂの端部を中心として、金属電極１０Ａ及び１０Ｂ上が１ｍｍの長さ、誘電体電極１１上が１ｍｍの長さとなるように、計２ｍｍの長さに設定している。
【００５７】
同様に、カバー誘電体２５Ａ及び２５Ｂの形成幅Ｗ２５Ａ及びＷ２５Ｂは、金属電極２０Ａ及び２０Ｂの端部を中心として、金属電極２０Ａ及び２０Ｂ上が１ｍｍの長さ、誘電体電極２１上が１ｍｍの長さとなるように、計２ｍｍの長さに設定している。
【００５８】
さらに、高電圧側電極構成部１，接地側電極構成部２間の放電空間７のギャップ長は１ｍｍ、誘電体電極１１及び２１それぞれの厚みは１ｍｍ、金属電極１０Ａ及び１０Ｂ並びに金属電極２０Ａ及び２０Ｂそれぞれの厚みは１０μｍに設定されている。
【００５９】
従来の活性ガス生成装置は、図４及び図５に示すように、給電体５３（本実施の形態の給電体２３に対応）及び給電体６３（本実施の形態の給電部３３に対応）がそれぞれ、金属電極形成領域Ｍ１００の一部上及び一部下に設けられている。すなわち、給電体５３は平面視して金属電極１０Ａ及び１０Ｂの一部とのみ重複する形状であり、金属電極１０Ａ及び１０Ｂの端部上には形成されておらず、給電体６３は平面視して金属電極２０Ａ及び２０Ｂの一部とのみ重複する形状であり、金属電極２０Ａ及び２０Ｂの端部上には形成されていない。
【００６０】
したがって、従来の活性ガス生成装置は、図５に示すように、金属電極１０Ｂ及び金属電極２０Ｂの端部にカバー誘電体３５（本実施の形態のカバー誘電体１５Ｂに対応）及びカバー誘電体４５（本実施の形態のカバー誘電体２５Ｂに対応）を設けても、金属電極１０Ｂ及び２０Ｂの端部に発生する周辺ガス領域を絶縁破壊させる強度の電界発生領域Ｅ５１及びＥ５２はカバー誘電体３５及び４５の膜厚を超えた大きさとなってしまう。
【００６１】
すなわち、金属電極１０Ｂの端部における高電圧側電極構成部１の上方、あるいは金属電極２０Ｂの端部における接地側電極構成部２の下方の周辺ガス領域まで絶縁破壊を起こすレベルの電界強度が発生している。
【００６２】
このように、図４及び図５で示すシミュレーション結果から、従来の活性ガス生成装置は、金属電極１０Ａ及び１０Ｂ並びに金属電極２０Ａ及び２０Ｂそれぞれの端部における異常放電の発生を抑制できていないことがわかる。
【００６３】
一方、本実施の形態の活性ガス生成装置は、給電体２３は平面視して金属電極１０Ａ及び１０Ｂの全体を覆う形状を有する上記第１の特徴と、給電部３３は平面視して金属電極２０Ａ及び２０Ｂの全体を覆う形状を有する第２の特徴とを具備している。
【００６４】
したがって、本実施の形態の活性ガス生成装置は、図６及び図７に示すように、金属電極１０Ｂ及び金属電極２０Ｂの端部に発生する周辺ガス領域を絶縁破壊させる強度の電界発生領域Ｅ１及びＥ２はカバー誘電体１５Ｂ及び２５Ｂの膜厚内に確実に収まり、周辺ガス領域では、小さな電界強度に抑制できている。
【００６５】
このように、図６及び図７で示すシミュレーション結果から、金属電極１０Ａ及び１０Ｂ並びに金属電極２０Ａ及び２０Ｂそれぞれの端部における異常放電の発生を効果的に抑制できていることがわかる。
【００６６】
この発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
【符号の説明】
【００６７】
１  高電圧側電極構成部
２  接地側電極構成部
５  高周波電源
１０Ａ，１０Ｂ，２０Ａ，２０Ｂ  金属電極
１１，２１  誘電体電極
１５Ａ，１５Ｂ，２５Ａ，２５Ｂ  カバー誘電体
２３  給電体
３０  金属筐体
３３Ａ，３３Ｂ  給電部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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