(57)【要約】  ミクロスローイングパワーを好適に測定することが可能なめっき装置を提供する。  第一のめっき装置（１Ａ）は、第一のめっき槽（１１Ａ）内に設けられる第一の陽極（１２Ａ）と、第一のめっき槽（１１Ａ）内に設けられており、穴部（５）を有する絶縁性基材（４）と、穴部（５）の底部と、絶縁性基材（４）における穴部（５）の開口側の面と、にそれぞれ設けられる一対の第一の陰極（１３ＡＸ，１３ＡＹ）と、第一の陽極（１２）と一対の第一の陰極（１３ＡＸ，１３ＡＹ）との間に電流を流すための第一のめっき電源（１４Ａ）と、一対の第一の陰極（１３ＡＸ，１３ＡＹ）のそれぞれに流れる電流値を計測する第一の電流計測回路（２２Ａ）と、を備える。
2019175990.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
めっき槽内に設けられる陽極と、
前記めっき槽内に設けられており、穴部を有する絶縁性基材と、
前記穴部の底部と、前記絶縁性基材における前記穴部の開口側の面と、にそれぞれ設けられる一対の陰極と、
前記陽極と前記一対の陰極との間に電流を流すためのめっき電源と、
前記一対の陰極のそれぞれに流れる電流値を計測する電流計測部及び前記一対の陰極のそれぞれの電圧値を計測する電圧測定部の少なくとも一方と、
を備えることを特徴とするめっき装置。
【請求項２】
めっき槽内に設けられる陽極と、
前記めっき槽内に設けられており、穴部を有する絶縁性基材と、
前記穴部の底部と、前記絶縁性基材における前記穴部の開口側の面と、にそれぞれ設けられる一対の陰極と、
前記陽極と前記一対の陰極との間に電流を流すためのめっき電源と、
前記一対の陰極に流れる電流の合計値が一定に保たれた状態で、一方の前記陰極の電位と他方の前記陰極の電位とを一致させるフィードバック回路と、
前記一対の陰極のそれぞれに流れる電流値を計測する電流計測部と、
を備えることを特徴とするめっき装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のめっき装置と、
第二のめっき装置と、
を備えるめっきシステムであって、
前記第二のめっき装置は、
第二のめっき槽内に設けられる第二の陽極及び一対の第二の陰極と、
前記第二の陽極と前記一対の第二の陰極との間に電流を流すための第二のめっき電源と、
前記一対の陰極に流れる電流の合計値が一定に保たれた状態で、一方の前記陰極の電位と他方の前記陰極の電位とを一致させる第二のフィードバック回路と、
を備えることを特徴とするめっきシステム。
【請求項４】
前記一対の第二の陰極のそれぞれに流れる電流値を計測する第二の電流計測部を備える
ことを特徴とする請求項３に記載のめっきシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばハーリングセル試験等に用いられるめっき装置及びめっきシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、めっき性能を評価する手法として、ハーリングセル試験が知られている。ハーリングセル試験では、一対の陰極間に陽極を配置してめっきを行い、一対の陰極に析出するめっきの均一電着性を評価する。【０００３】
電気めっきにおいて、電流密度とめっき（金属）析出量とには、基本的には比例関係が成立する。しかし、広範囲の電流密度に対して析出量にそれほど差が生じない条件が得られれば、複雑な形状の製品に対して一定膜厚のめっき成膜が可能となる。このように、電流密度に関わらず均一なめっき膜厚が得られる性能を均一電着性とよぶ。【０００４】
均一電着性には電流分布が大きく関与しており、電流分布には、大きく分けて一次電流分布と二次電流分布とがある。一次電流分布は、めっき浴、めっき条件等に関係なく、めっき槽内の幾何学的条件（被めっき物の形状、めっき槽の形状、電極配置等）によって決まり、数学的な計算等で求めることが可能である。めっき分布の大部分は、かかる一次電流分布によって決まる。【０００５】
しかし、実際にめっきを行うと、陰極界面において分極現象が生じ、新たな電流分布すなわち二次電流分布が発生する。二次電流分布は、陰極における分極、めっき浴の伝導度等といった電気化学的特性によって決まるものであり、めっき浴の種類、添加剤の種類及び量等によって変化する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来のハーリングセル試験では、均一電着性のうち、被めっき物の表面全体に均一に皮膜が析出する能力であるマクロスローイングパワーが測定されていた。しかし、従来のハーリングセル試験では、被めっき物の凹部（溝、穴等）に皮膜が析出する能力であるミクロスローイングパワーを測定することはできなかった。【０００７】
本発明は、前記の点に鑑みてなされたものであり、ミクロスローイングパワーを好適に測定することが可能なめっき装置及びめっきシステムを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記した課題を解決するために、本発明のめっき装置は、めっき槽内に設けられる陽極と、前記めっき槽内に設けられており、穴部を有する絶縁性基材と、前記穴部の底部と、前記絶縁性基材における前記穴部の開口側の面と、にそれぞれ設けられる一対の陰極と、前記陽極と前記一対の陰極との間に電流を流すためのめっき電源と、前記一対の陰極のそれぞれに流れる電流値を計測する電流計測部及び前記一対の陰極のそれぞれの電圧値を計測する電圧測定部の少なくとも一方と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によると、ミクロスローイングパワーを好適に測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】（ａ）は本発明の第一の実施形態に係る第一のめっき装置を示す模式図、（ｂ）は第一の陰極を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の第一の実施形態に係る第一のめっき装置の回路図の例を示す図である。
【図３】本発明の第一の実施形態に係る第一のめっき装置の回路図の例を示す図である。
【図４】本発明の第二の実施形態に係るめっきシステムを示す模式図である。
【図５】本発明の第二の実施形態に係る第二のめっき装置の回路図の例を示す図である。
【図６】本発明の第二の実施形態に係る第二のめっき装置の回路図の例を示す図である。
【図７】第一のめっき装置においてフィードバック回路による電位補正を行わなかった場合の陰極の電流値及び電圧値の経時変化を示すグラフである。
【図８】第一のめっき装置においてフィードバック回路による電位補正を行った場合の陰極の電流値及び電圧値の経時変化を示すグラフである。
【図９】（ａ）は第二のめっき装置においてフィードバック回路による電位補正を行わなかった場合の陰極の電流値及び電圧値の経時変化を示すグラフ、（ｂ）は第二のめっき装置においてフィードバック回路による電位補正を行った場合の陰極の電流値及び電圧値の経時変化を示すグラフである。
【図１０】（ａ）は第二のめっき装置においてフィードバック回路による電位補正を行った場合の電流配分比の経時変化示すグラフ、（ｂ）は第二のめっき装置においてフィードバック回路による電位補正を行った場合の電解電圧の経時変化を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の実施形態について、本発明のめっき装置及びめっきシステムをハーリングセル試験用のめっき試験器に適用した場合を例にとり、図面を参照して詳細に説明する。説明において、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
＜第一の実施形態＞
図１（ａ）に示すように、本発明の第一の実施形態に係る第一のめっき装置１Ａは、一対の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹに対して同時にめっきを行い、均一電着性、より詳細にはミクロスローイングパワーを評価するハーリングセル試験を行うためのめっき試験器である。第一のめっき装置１Ａは、例えば定電流電解及び定電圧電解のいずれか（本実施形態では、一対の第一の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹに流れる電流の合計が一定値（一定電流）の定電流で、かつ、定電圧電解）によってめっきを行う。第一のめっき装置１Ａは、第一のめっき槽１１Ａと、第一の陽極１２Ａと、一対の第一の陰極１３Ａ（１３ＡＸ，１３ＡＹ）と、第一のめっき電源（整流器）１４Ａと、第一の回路部２０Ａと、制御部３１と、操作部３２と、表示部３３と、を備える。
【００１３】
≪第一のめっき槽≫
第一のめっき槽１１Ａ内には、めっき浴２が貯留される。めっき浴２としては、硫酸銅めっき（一般浴、ハイスロー浴）等が挙げられる。
【００１４】
≪第一の陽極≫
第一の陽極１２Ａは、第一のめっき槽１１Ａ内の一対の第一の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹ間でめっき浴２に浸かるように設けられる金属板である。
【００１５】
≪第一の陰極≫
一対の第一の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹは、互いに離間しており、第一のめっき槽１１Ａ内において第一の陽極１２Ａと対向する状態でめっき浴２に浸かるように設けられる金属板である。本実施形態において、第一のめっき装置１Ａは、絶縁性材料によって形成されている基材３と、基材３の一面上に設けられている一方の第一の陰極１３ＡＸと、絶縁性材料によって形成されて基材３とともに一方の第一の陰極を挟み込む基材４と、基材４の一面上に設けられている他方の第二の陰極１３ＡＹと、を備える。基材４及び他方の第二の陰極１３ＡＹには、円筒形状を呈する複数の穴部５が形成されている。一方の第一の陰極１３ＡＸは、穴部５の底面を構成する。また、基材３，４及び一対の第一の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹによって構成される構造体は、穴部５の開口が第一の陽極１２Ａに向く姿勢でめっき浴２内に設けられる。
【００１６】
≪第一のめっき電源（整流器）≫
第一のめっき電源（整流器）１４Ａは、一対の第一の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹにめっき電流を供給する。第一のめっき電源１４Ａは、第一の回路部２０Ａを介して第一の陽極１２Ａ及び一対の第一の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹと電気的に接続されており、一対の第一の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹにめっきを析出させるためのめっき電流を流す直流電源である。本実施形態において、第一のめっき電源１４Ａは、定電流電源であり、第一の陰極１３ＡＸに流れる電流と第一の陰極１３ＡＹに流れる電流との合計値を一定にする。
【００１７】
≪第一の回路部≫
第一の回路部２０Ａは、第一の陽極１２Ａ、一対の第一の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹ及び第一のめっき電源１４Ａとともに電気回路を構成する。第一の回路部２０Ａは、第一のフィードバック回路２１Ａと、第一の電流計測回路２２Ａと、第一の電圧計測回路２３Ａと、を備える。
【００１８】
≪第一のフィードバック回路≫
第一のフィードバック回路２１Ａは、第一の陽極１２Ａ及び第一の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹの電圧（電位）に基づいて、一対の第一の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹの一方の電位を他方の電位に一致させるようにフィードバック制御を行う。換言すると、第一のフィードバック回路２１は、第一の陽極１２Ａ及び第一の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹの電圧（電位）に基づいて、第一の陽極１２Ａと第一の陰極１３ＡＸとの間の電位差と、第一の陽極１２Ａと第一の陰極１３ＡＹとの間の電位差と、を一致させるようにフィードバック制御を行う。かかるフィードバック制御は、第一の陰極１３ＡＸに流れる電流と第一の陰極１３ＡＹに流れる電流との合計値が一定に維持された定電流の状態で行われる。なお、かかる定電流の状態は、第一のめっき電源１４Ａの性能によって実現されてもよく、第一の回路部２０Ａの回路構成によって実現されてもよい。また、第一のフィードバック回路２１Ａは省略可能である。
【００１９】
≪第一の電流計測回路≫
第一の電流計測回路２２Ａは、一対の第一の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹのそれぞれに流れる電流値を計測し、計測された電流値を制御部３１へ出力する。かかる電流値は、穴部５がめっき皮膜によって充填されて第一の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹが電気的に接続された場合に互いに近づく。すなわち、かかる電流値及びその経時変化（めっき開始から互いに近づくまでの時間）が、めっき浴２のミクロスローイングパワーを示すパラメータの一つである。
【００２０】
≪第一の電圧計測回路≫
第一の電圧計測回路２３Ａは、一対の第一の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹの電位すなわち電圧値を計測し、計測された電圧値を制御部３１へ出力する。なお、電圧値の計測が不要な場合には、第一の電圧計測回路２３Ａは省略可能である。かかる電圧値は、第一のフィードバック回路２１Ａによるフィードバック制御が行われない場合において、穴部５がめっき皮膜によって充填されて第一の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹが電気的に接続された場合に互いに近づく。すなわち、かかる電圧値及びその経時変化（めっき開始から互いに近づくまでの時間）が、めっき浴２のミクロスローイングパワーを示すパラメータの一つである。
【００２１】
≪制御部≫
制御部３１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read-Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力回路等によって構成されている。制御部３１は、第一の電流計測回路２２Ａによって計測された一対の第一の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹの電流値を取得し、表示部３３へ出力する。また、制御部３１は、第一の電圧計測回路２３Ａによって計測された一対の第一の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹの電圧値を取得し、表示部３３へ出力する。
【００２２】
また、制御部３１は、一対の第二の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹの電流値（積算電流値）に基づいて、一対の第二の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹにおけるめっきの析出量（理論析出量）を算出し、表示部３３へ出力することができる。めっきの理論析出量Ａ［ｇ］は、陰極１３Ｂに流れる電流Ｉ［Ａ］、通電時間ｔ［ｓ］、ファラデー定数Ｆ［Ｃ／ｍｏｌ］、並びに、めっきとして析出する金属の原子量Ｍ［ｇ／ｍｏｌ］及びイオン価数ｚを用いて、下記式によって算出される。
Ａ＝Ｉ・ｔ・Ｍ／（ｚ・Ｆ）
ここで、ファラデー係数Ｆは、制御部３１に予め記憶されている。電流Ｉは、第二の電流計測回路２２Ａによって計測されている。通電時間ｔは、制御部３１によって計測されている。原子量Ｍ及びイオン価数ｚは、利用者による操作部３２の操作によって制御部３１に入力されているか、利用者による操作部３２の操作によって、予め制御部３１に記憶された値から選択されている。
【００２３】
≪操作部≫
操作部３２は、キーボード、マウス等によって構成されている。操作部３２は、利用者による操作結果を制御部３１へ出力する。
【００２４】
≪表示部≫
表示部３３は、モニタによって構成されている。表示部３３は、制御部３１から出力された電流値、電圧値等の経時変化をグラフ表示する。
【００２５】
＜回路図の一例＞
図２は、第一のめっき槽１１Ａ内の構成すなわち第一の陽極１２Ａ及び一対の第一の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹを、第一の陽極１２Ａ及び第一の陰極１３ＡＸによって構成される抵抗１５ＡＸと、第一の陽極１２Ａ及び第一の陰極１３ＡＹによって構成される抵抗１５ＡＹと、に模して記載した回路図である。図２に示すように、本発明の第一の実施形態に係る第一のめっき装置１Ａは、一対の第一の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹに流れる電流の合計が一定値（一定電流）に維持される定電流の状態における定電流電解でめっきを行う。めっき装置１Ａは、電気回路として、第一のめっき電源１４Ａと、一対の抵抗１５ＡＸ，１５ＡＹと、一対の電流計２２ＡＸ，２２ＡＹと、第一のフィードバック回路２１Ａと、定電圧回路２４Ａと、を備える。かかる回路において、抵抗１５ＡＸ、電流計２２ＡＸ及び定電圧回路２４Ａは、直列に接続されており、抵抗１５ＡＹ、電流計２２ＡＹ及び第一のフィードバック回路２１Ａは、直列に接続されている。また、抵抗１５ＡＸ、電流計２２ＡＸ及び定電圧回路２４Ａの組み合わせと、抵抗１５ＡＹ、電流計２２ＡＹ及び第一のフィードバック回路２１Ａの組み合わせとは、第一のめっき電源１４Ａに対して互いに並列に設けられている。
【００２６】
≪第一のめっき電源≫
本実施形態において、第一のめっき電源１４Ａの正極は、第一の陽極１２Ａと電気的に接続されており、第一のめっき電源１４Ａの負極は、一対の第一の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹと電気的に接続されている。
【００２７】
≪抵抗≫
抵抗１５ＡＸは、第一の陽極１２Ａと第一の陰極１３ＡＸとの間の電位差を表すセル抵抗である。抵抗１５ＡＹは、第一の陽極１２Ａと第一の陰極１３ＡＹとの間の電位差を表すセル抵抗である。
【００２８】
≪電流計≫
第一の電流計測回路２２Ａの一つである電流計２２ＡＸは、抵抗１５ＡＸすなわち第一の陰極１３ＡＸに流れる電流値を計測する。第一の電流計測回路２２Ａの一つである電流計２２ＡＹは、抵抗１５ＡＹすなわち第一の陰極１３ＡＹに流れる電流値を計測する。
【００２９】
≪第一のフィードバック回路≫
第一のフィードバック回路２１Ａは、基準となる第一の陰極１３ＡＸの電位に第一の陰極１３ＡＹの電位を一致させる（第一の陰極１３ＡＸと第一の陰極１３ＡＹとの間の電位差をゼロとする）制御を行う。第一のフィードバック回路２１Ａは、図示したＦＥＴ（Field Effect Transistor）に限定されず、バイポーラトランジスタ、半導体素子等によっても具現化可能である。
【００３０】
≪定電圧回路≫
第一の回路部２０Ａの一つである定電圧回路２４Ａは、第一の陰極１３ＡＹの電位を第一のフィードバック回路２１Ａの制御可能な電圧範囲に入れるために、第一の陰極１３ＡＸの電位を高くするための回路である。なお、第一のめっき装置１Ａは、定電圧回路２４Ａに代えて、当該定電圧回路２４Ａと同様の作用効果を奏するダイオード又は抵抗を備える構成であってもよい。
【００３１】
かかる電気回路を構成するに際して、電流値及び電圧値の計測用の信号入力線ｂ１〜ｂ３（図１参照）及び信号入力線ｂ１〜ｂ３と各極１２Ａ，１３ＡＸ，１３ＡＹとをそれぞれ接続するクリップ（図示せず）は、各極１２Ａ，１３ＡＸ，１３ＡＹの通電用の信号入力線ａ１〜ａ３（図１参照）及び信号入力線ａ１〜ａ３と各極１２Ａ，１３ＸＡ，１３ＡＹとをそれぞれ接続するクリップ（図示せず）とは別に設けられている（共用されていない）。
【００３２】
＜回路図の別例＞
本発明の第一の実施形態に係る第一のめっき装置１Ａの回路図の別例について、前記した一例との相違点を中心に説明する。図３に示すように、本発明の第一の実施形態に係る第一のめっき装置１Ａは、一対の第一の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹに流れる電流の合計が一定値（一定電流）に維持される定電流の状態における定電流電解でめっきを行う。図３に示す第一のめっき装置１Ａは、電気回路として、定電圧回路２４Ａに代えて、補助電源２５Ａを備える。
【００３３】
≪補助電源及び第一のめっき電源≫
第一の回路部２０Ａの一つである補助電源（整流器）２５Ａは、第一の陰極１３ＡＹに対してめっき電流を供給する直流電源である。本実施形態において、補助電源２５Ａは、定電流電源であり、第一のめっき電源１４Ａ及び補助電源２５Ａの組み合わせは、第一の陰極１３ＡＸに流れる電流と第一の陰極１３ＡＹに流れる電流との合計値を一定にする。補助電極２５Ａの正極は、第一の陽極１２Ａと電気的に接続されており、負極は、第一の陰極１３ＡＹと電気的に接続されている。
【００３４】
また、本実施形態において、第一のめっき電源１４Ａは、第一の陰極１３ＡＸに対してめっき電流を供給する。第一のめっき電源１４Ａの正極は、第一の陽極１２Ａと電気的に接続されており、負極は、第一の陰極１３ＡＸと電気的に接続されている。
【００３５】
かかる電気回路において、第一の陰極１３ＡＸには、第一のめっき電源１４Ａからのめっき電流が流れ、第一の陰極１３ＡＹには、補助電源２５Ａからのめっき電流が流れ、第一の陽極１２Ａには、第一の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹの合計めっき電流が流れる。
【００３６】
補助電源２５Ａの負極の電位は、第一のめっき電源１４Ａの負極の電位よりも所定範囲（例えば、数百［ｍＶ］〜数［Ｖ］）だけ低くなるように設定されている。これは、第一の陰極１３ＡＹの電位を第一のフィードバック回路２１Ａの制御可能な電圧範囲に入れるための措置である。また、補助電源２５Ａは、第一の陰極１３ＡＹに流れるめっき電流を十分に供給することが可能な能力を有する。
【００３７】
かかる電気回路を構成するに際して、電流値及び電圧値の計測用の信号入力線ｂ１〜ｂ３（図１参照）及び信号入力線ｂ１〜ｂ３と各極１２Ａ，１３ＡＸ，１３ＡＹとをそれぞれ接続するクリップ（図示せず）は、各極１２Ａ，１３ＡＸ，１３ＡＹの通電用の信号入力線ａ１〜ａ３（図１参照）及び信号入力線ａ１〜ａ３と各極１２Ａ，１３ＡＸ，１３ＡＹとをそれぞれ接続するクリップ（図示せず）とは別に設けられている（共用されていない）。
【００３８】
第一のめっき装置１Ａにおいてめっきが行われると、第一の陰極１３ＡＹ上に析出しためっき皮膜が穴部５内で成長し、第一の陰極１３ＡＹと電気的に接続される。第一のフィードバック回路２１Ａによるフィードバック制御が行われている場合には、この時点で、第一の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹの電流値が近づく。また、第一のフィードバック回路２１Ａによるフィードバック制御が行われていない場合には、この時点で、第一の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹの電流値及び電圧値が略一致する。制御部３１は、めっき開始からかかる時点までの時間を、ミクロスローイングパワーのパラメータとして測定することができる。
【００３９】
また、第一のめっき装置１Ａは、第一の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹ及び基材４，５の組み合わせに関して、穴部５の形状（径、深さ、間隔等）が異なるものを用意して測定を行うことによって、様々な凹部（溝、穴等）を有する被めっき物に対するミクロスローイングパワーの違い（埋め込み性）を予測することを可能とする。
【００４０】
本発明の第一の実施形態に係る第一のめっき装置１Ａは、第一の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹが穴部５の底面及び開口の周縁のそれぞれに設けられているので、ミクロスローイングパワーを好適に測定することができる。
また、第一のめっき装置１Ａは、電流計２２ＡＸ，２２ＡＹの影響を排除したハーリングセル試験を行うことができる。
【００４１】
＜第二の実施形態＞
続いて、本発明の第二の実施形態に係るめっきシステムについて、第一の実施形態に係る第一のめっき装置１Ａとの相違点を中心に説明する。図４に示すように、本発明の第二の実施形態に係るめっきシステムＭＳは、第二のめっき装置１Ｂとして、第二のめっき槽１１Ｂと、第二の陽極１２Ｂと、一対の第二の陰極１３Ｂ（１３ＢＸ，１３ＢＹ）と、第二のめっき電源（整流器）１４Ｂと、第二の回路部２０Ｂと、を備える。制御部３１、操作部３２及び表示部３３は、第一のめっき装置１Ａと共用化されている。
【００４２】
本発明の第二の実施形態に係るめっき装置１Ｂは、一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹに対して同時にめっきを行い、析出しためっきの重量に基づいて均一電着性、より詳細にはマクロスローイングパワーを評価するハーリングセル試験を行うためのめっき試験器である。第二のめっき装置１Ｂは、例えば定電流電解及び定電圧電解のいずれか（本実施形態では、一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹに流れる電流の合計が一定値（一定電流）の定電流で、かつ、定電圧電解）によってめっきを行う。
【００４３】
≪第二のめっき槽≫
第二のめっき槽１１Ｂ内には、第一のめっき槽１１Ａと同種のめっき浴２が貯留される。めっき浴２としては、硫酸銅めっき（一般浴、ハイスロー浴）等が挙げられる。
【００４４】
≪第二の陽極≫
第二の陽極１２Ｂは、第二のめっき槽１１Ｂ内の一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹ間でめっき浴２に浸かるように設けられる金属板である。第二の陽極１２Ｂは、一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹとの距離を変更可能である。すなわち、第二の陽極１２Ｂは、一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹ間において、一方の第二の陰極１３ＢＸに近づけたり（すなわち、他方の第二の陰極１３ＢＹから遠ざけたり）、他方の陰極１３ＢＹに近づけたり（すなわち、一方の第二の陰極１３ＢＸから遠ざけたり）することができる。
【００４５】
≪第二の陰極≫
一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹは、互いに離間しており、第二のめっき槽１１Ｂ内において第二の陽極１２Ｂを間に挟んだ状態でめっき浴２に浸かるように設けられる金属板である。なお、第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの少なくとも一方は、実際にめっきが施された加工品となる金属製のめっき対象物であってもよい。
【００４６】
なお、第二の陽極１２Ｂと一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹとの配置関係は、前記したものに限定されない。例えば、一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹは、第二の陽極１２Ｂの一方側にそれぞれ異なる距離で配置されていてもよい。
【００４７】
≪第二のめっき電源（整流器）≫
第二のめっき電源（整流器）１４Ｂは、一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹにめっき電流を供給する。第二のめっき電源１４Ｂは、第二の回路部２０Ｂを介して第二の陽極１２Ｂ及び一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹと電気的に接続されており、一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹにめっきを析出させるためのめっき電流を流す直流電源である。本実施形態において、第二のめっき電源１４Ｂは、定電流電源であり、第二の陰極１３ＢＸに流れる電流と第二の陰極１３ＢＹに流れる電流との合計値を一定にする。
【００４８】
≪第二の回路部≫
第二の回路部２０Ｂは、第二の陽極１２Ｂ、一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹ及び第二のめっき電源１４Ｂとともに電気回路を構成する。第二の回路部２０Ｂは、第二のフィードバック回路２１Ｂと、第二の電流計測回路２２Ｂと、第二の電圧計測回路２３Ｂと、を備える。
【００４９】
≪第二のフィードバック回路≫
第二のフィードバック回路２１Ｂは、第二の陽極１２Ｂ及び第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの電圧（電位）に基づいて、一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの一方の電位を他方の電位に一致させるようにフィードバック制御を行う。換言すると、第二のフィードバック回路２１Ｂは、第二の陽極１２Ｂ及び第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの電圧（電位）に基づいて、第二の陽極１２Ｂと第二の陰極１３ＢＸとの間の電位差と、第二の陽極１２Ｂと第二の陰極１３ＢＹとの間の電位差と、を一致させるようにフィードバック制御を行う。かかるフィードバック制御は、第二の陰極１３ＢＸに流れる電流と第二の陰極１３ＢＹに流れる電流との合計値が一定に維持された定電流の状態で行われる。なお、かかる定電流の状態は、第二のめっき電源１４Ｂの性能によって実現されてもよく、第二の回路部２０Ｂの回路構成によって実現されてもよい。
【００５０】
≪第二の電流計測回路≫
第二の電流計測回路２２Ｂは、一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹのそれぞれに流れる電流値を計測し、計測された電流値を制御部３１へ出力する。
【００５１】
≪第二の電圧計測回路≫
第二の電圧計測回路２３Ｂは、一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの電位すなわち電圧値を計測し、計測された電圧値を制御部３１へ出力する。なお、電圧値の計測が不要な場合には、第二の電圧計測回路２３Ｂは省略可能である。
【００５２】
≪制御部≫
制御部３１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read-Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力回路等によって構成されている。制御部３１は、操作部３２から出力された第二の陽極１２Ｂと一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹとの距離（又はその比）を、実際の試験前に予め記憶している。または、制御部３１は、各種パラメータの算出前に、操作部３２から出力された第二の陽極１２Ｂと一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹとの距離（又はその比）を取得し、取得された距離（又はその比）に基づいて各種パラメータを算出する。また、制御部３１は、第二の電流計測回路２２Ｂによって計測された一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの電流値を取得し、表示部３３へ出力する。また、制御部３１は、第二の電圧計測回路２３Ｂによって計測された一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの電圧値を取得し、表示部３３へ出力する。
【００５３】
また、制御部３１は、第二の電流計測回路２２Ｂ（詳細には、後記する電流計２２ＢＸ，２２ＢＹ）によって計測された一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの電流値に基づいて、一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹに流れる電流の比である電流配分比を算出し、表示部３３へ出力することができる。
【００５４】
また、制御部３１は、一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの電流値（積算電流値）に基づいて、一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹにおけるめっきの析出量（理論析出量）を算出し、表示部３３へ出力することができる。めっきの理論析出量Ａ［ｇ］は、陰極１３Ｂに流れる電流Ｉ［Ａ］、通電時間ｔ［ｓ］、ファラデー定数Ｆ［Ｃ／ｍｏｌ］、並びに、めっきとして析出する金属の原子量Ｍ［ｇ／ｍｏｌ］及びイオン価数ｚを用いて、下記式によって算出される。
Ａ＝Ｉ・ｔ・Ｍ／（ｚ・Ｆ）
ここで、ファラデー係数Ｆは、制御部３１に予め記憶されている。電流Ｉは、第二の電流計測回路２２Ｂによって計測されている。通電時間ｔは、制御部３１によって計測されている。原子量Ｍ及びイオン価数ｚは、利用者による操作部３２の操作によって制御部３１に入力されているか、利用者による操作部３２の操作によって、予め制御部３１に記憶された値から選択されている。
【００５５】
また、制御部３１には、第二の陰極１３Ｂに流れる電流の値とめっきの実際の析出量との関係性、すなわち、過去の実験に基づいて、第二の陰極１３Ｂに流れる電流の値と、当該電流の値によって単位時間あたりに実際に析出するめっきの析出量と、が第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹごとに関連付けてマップ等として記憶されている。利用者は、めっき前の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの重量と、めっき後の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの重量（めっき付き）と、を重量計を用いて計測し、これらの差から各第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹに析出しためっきの析出量（実測析出量）を得る。そして、利用者は、操作部３２を操作することによって、かかる実測析出量と一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの電流値（電流計２２ＢＸ、２２ＢＹの計測値）と、に基づく前記関係性を、制御部３１に記憶させる。制御部３１は、電流計２２ＢＸ，２２ＢＹの計測結果（一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹに流れる電流の値）を用いて前記関係性を参照するとともに、通電時間ｔを考慮することによって、めっきの析出量（推定析出量）を算出し、表示部３３へ出力することができる。
【００５６】
また、制御部３１は、予め記憶された第二の陽極１２Ｂと一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹそれぞれとの距離と、算出された一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの推定析出量と、に基づいて、均一電着指数ＴＡを算出し、表示部３３へ出力することができる。ここで、第二の陽極１２Ｂに近い第二の陰極１３Ｂと第二の陽極１２Ｂとの距離をｄ１、第二の陽極１２Ｂから遠い第二の陰極１３Ｂと第二の陽極１２Ｂとの距離をｄ２、第二の陽極１２Ｂに近い第二の陰極１３Ｂの推定析出量をＡ１、第二の陽極１２Ｂから遠い第二の陰極１３Ｂの推定析出量をＡ２とすると、均一電着指数ＴＡ［％］は、下記式によって算出可能である。
ＴＡ＝｛（ｄ２／ｄ１）−（Ａ１／Ａ２）｝／｛（ｄ２／ｄ１）＋（Ａ１／Ａ２）−２｝×１００
ここで、推定析出量Ａ１，Ａ２は、前記した電流値と実際の析出量（事前実験での実測析出量）との関係性を用いて算出されている。極間距離ｄ１，ｄ２は、第二のめっき槽１１Ｂに設けられた目盛（距離比を示す目盛、又は、単に距離を示すメジャー。図示せず）を見た利用者による操作部３２の操作によって制御部３１に入力されているか、利用者による操作部３２の操作によって、予め制御部３１に記憶された値から選択されている。
【００５７】
均一電着指数ＴＡ［％］は、一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹに析出するめっきの均一性の度合いを示すパラメータである。均一電着指数ＴＡは、およそ±１００％の範囲内で推移する値であり、一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹへの電流配分比が極間距離比ｄ２／ｄ１と一致する場合に、０［％］となる。また、均一電着指数ＴＡは、一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの析出量が等しい場合に、極間距離比ｄ２／ｄ１に関わらず、１００［％］となる。すなわち、均一電着指数ＴＡは、１００［％］に近い値を示すほど、一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹに均一に電着していることを示す。
【００５８】
また、制御部３１は、各第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹに実際に流れる電流値を用いて均一電着指数ＴＢを算出し、表示部３３へ出力することもできる。ここで、第二の陽極１２Ｂに近い第二の陰極１３Ｂに流れる電流の値をＩ１、第二の陽極１２Ｂから遠い第二の陰極１３Ｂに流れる電流の値をＩ２とすると、均一電着指数ＴＢ［％］は、下記式によって算出可能である。
ＴＢ＝｛（ｄ２／ｄ１）−（Ｉ１／Ｉ２）｝／｛（ｄ２／ｄ１）＋（Ｉ１／Ｉ２）−２｝×１００
ここで、電流値Ｉ１，Ｉ２は、第二の電流計測回路２２Ｂによって計測されている。
【００５９】
極間距離ｄ１，ｄ２を用いた均一電着指数ＴＡは、比較的、理論に近い値であるのに対し、実際に流れる電流の値Ｉ１，Ｉ２（電流配分比Ｉ１／Ｉ２）を用いた均一電着指数ＴＢは、実際のめっき浴２の性能（例えば、添加剤の性能、導電率）に影響される値である。利用者は、均一電着指数ＴＡ，ＴＢを比較したり、電流の値Ｉ１，Ｉ２（電流配分比Ｉ１：Ｉ２、Ｉ１／Ｉ２等）の変化に伴う均一電着指数ＴＢの値の変化を見たりすることによって、めっき浴２の性能及び状態（例えば、添加剤の性能、バランス、電流効率への影響）を知ることができる。
【００６０】
なお、制御部３１は、理論析出量を用いて均一電着指数ＴＡ，ＴＢを算出し、表示部３３へ出力することもできる。この場合には、推定析出量に基づく均一電着指数ＴＡ，ＴＢと理論析出量に基づく均一電着指数ＴＡ，ＴＢとを利用者に比較させることができる。
【００６１】
また、制御部３１は、推定析出量及び理論析出量に基づいて電流効率を算出し、表示部３３へ出力することができる。電流効率とは、第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹに流れる電流がどれだけ効率よくめっきの析出に用いられたかを示すパラメータである。
電流効率［％］＝（推定析出量／理論析出量）×１００
電流効率としては、第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの合計析出量に基づく総合的な電流効率に加え、各第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹごとの電流効率も算出可能である。
【００６２】
また、めっきシステムＭＳの利用者は、第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹに析出しためっきの析出量（実測析出量）を、重量計を用いて実際に計測するとともに、操作部３２を操作することによって実測析出量を制御部３１に入力させることができる。
この場合には、制御部３１は、操作部３２から出力された実測析出量を取得し、取得された実測析出量と、算出された理論析出量と、に基づいて、電流効率を算出し、表示部３３へ出力することができる。
電流効率［％］＝（実測析出量／理論析出量）×１００
かかる電流効率は、一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの全体の析出量に関して算出されてもよく、第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹごとの個別の析出量に関して算出されてもよい。
【００６３】
また、制御部３１は、均一電着指数ＴＡ，ＴＢ及び電流効率を、第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの電流密度ごとに算出し、電流密度と均一電着指数ＴＡ，ＴＢ及び電流効率とを関連付けて表示部３３へ出力することができる。ここで、電流密度は、第二の陰極１３ＢＸに流れる電流値ＩＸ、第二の陰極１３ＢＹに流れる電流値ＩＹ、第二の陰極１３ＢＸの有効表面積（めっき浴２内のめっきが析出可能な表面積）ＳＸ、第二の陰極１３ＢＹの有効表面積（めっき浴２内のめっきが析出可能な表面積）ＳＹを用いた下記式によって算出される。
一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの平均電流密度［Ａ／ｍ２］＝（ＩＸ＋ＩＹ）／（ＳＸ＋ＳＹ）
第二の陰極１３ＢＸの電流密度［Ａ／ｍ２］＝ＩＸ／ＳＸ
第二の陰極１３ＢＹの電流密度［Ａ／ｍ２］＝ＩＹ／ＳＹ
ここで、第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの有効表面積ＳＸ，ＳＹは、予め制御部３１に記憶されているか、電流密度の算出前に利用者による操作部３２の操作によって制御部３１に入力される。本実施形態では、第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹは、同一形状に形成されており、有効表面積ＳＸ及び有効表面積ＳＹは、同一の値に設定されている。なお、本発明は、第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹがそれぞれ異なる形状に形成されていたり、有効表面積ＳＸ及び有効表面積ＳＹが異なる値に設定されていたりする場合にも適用可能である。
【００６４】
≪操作部≫
例えば、操作部３２は、利用者による操作に基づいて、第二の陽極１２Ｂと一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹとのそれぞれの距離（又は距離の比）を制御部３１へ出力する。
【００６５】
＜回路図の一例＞
図５は、第二のめっき槽１１Ｂ内の構成すなわち第二の陽極１２Ｂ及び一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹを、第二の陽極１２Ｂ及び第二の陰極１３ＢＸによって構成される抵抗１５ＢＸと、第二の陽極１２Ｂ及び第二の陰極１３ＢＹによって構成される抵抗１５ＢＹと、に模して記載した回路図である。図４に示すように、本発明の第二の実施形態に係る第二のめっき装置１Ｂは、一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹに流れる電流の合計が一定値（一定電流）に維持される定電流の状態における定電流電解でめっきを行う。めっき装置１Ｂは、電気回路として、第二のめっき電源１４Ｂと、一対の抵抗１５ＢＸ，１５ＢＹと、一対の電流計２２ＢＸ，２２ＢＹと、第二のフィードバック回路２１Ｂと、定電圧回路２４Ｂと、を備える。かかる回路において、抵抗１５ＢＸ、電流計２２ＢＸ及び定電圧回路２４Ｂは、直列に接続されており、抵抗１５ＢＹ、電流計２２ＢＹ及び第二のフィードバック回路２１Ｂは、直列に接続されている。また、抵抗１５ＢＸ、電流計２２ＢＸ及び定電圧回路２４Ｂの組み合わせと、抵抗１５ＢＹ、電流計２２ＢＹ及び第二のフィードバック回路２１Ｂの組み合わせとは、第二のめっき電源１４Ｂに対して互いに並列に設けられている。
【００６６】
≪第二のめっき電源≫
本実施形態において、第二のめっき電源１４Ｂの正極は、第二の陽極１２Ｂと電気的に接続されており、第二のめっき電源１４Ｂの負極は、一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹと電気的に接続されている。
【００６７】
≪抵抗≫
抵抗１５ＢＸは、第二の陽極１２Ｂと第二の陰極１３ＢＸとの間の電位差を表すセル抵抗である。抵抗１５ＢＹは、第二の陽極１２Ｂと第二の陰極１３ＢＹとの間の電位差を表すセル抵抗である。
【００６８】
≪電流計≫
第二の電流計測回路２２Ｂの一つである電流計２２ＢＸは、抵抗１５ＢＸすなわち第二の陰極１３ＢＸに流れる電流値を計測する。第二の電流計測回路２２Ｂの一つである電流計２２ＢＹは、抵抗１５ＢＹすなわち第二の陰極１３ＢＹに流れる電流値を計測する。
【００６９】
≪第二のフィードバック回路≫
第二のフィードバック回路２１Ｂは、基準となる第二の陰極１３ＢＸの電位に第二の陰極１３ＢＹの電位を一致させる（第二の陰極１３ＢＸと第二の陰極１３ＢＹとの間の電位差をゼロとする）制御を行う。第二のフィードバック回路２１Ｂは、図示したＦＥＴ（Field Effect Transistor）に限定されず、バイポーラトランジスタ、半導体素子等によっても具現化可能である。
【００７０】
≪定電圧回路≫
第二の回路部２０Ｂの一つである定電圧回路２４Ｂは、第二の陰極１３ＢＹの電位を第二のフィードバック回路２１Ｂの制御可能な電圧範囲に入れるために、第二の陰極１３ＢＸの電位を高くするための回路である。なお、第二のめっき装置１Ｂは、定電圧回路２４Ｂに代えて、当該定電圧回路２４Ｂと同様の作用効果を奏するダイオード又は抵抗を備える構成であってもよい。
【００７１】
かかる電気回路を構成するに際して、電流値及び電圧値の計測用の信号入力線ｂ１〜ｂ３（図４参照）及び信号入力線ｂ１〜ｂ３と各極１２Ｂ，１３ＢＸ，１３ＢＹとをそれぞれ接続するクリップ（図示せず）は、各極１２Ｂ，１３ＢＸ，１３ＢＹの通電用の信号入力線ａ１〜ａ３（図４参照）及び信号入力線ａ１〜ａ３と各極１２Ｂ，１３ＢＸ，１３ＢＹとをそれぞれ接続するクリップ（図示せず）とは別に設けられている（共用されていない）。
【００７２】
＜回路図の別例＞
本発明の第二の実施形態に係る第二のめっき装置１Ｂの回路図の別例について、前記した一例との相違点を中心に説明する。図６に示すように、本発明の第二の実施形態に係る第二のめっき装置１Ｂは、一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹに流れる電流の合計が一定値（一定電流）に維持される定電流の状態における定電流電解でめっきを行う。図５に示す第二のめっき装置１Ｂは、電気回路として、定電圧回路２４Ｂに代えて、補助電源２５Ｂを備える。
【００７３】
≪補助電源及び第二のめっき電源≫
第二の回路部２０Ｂの一つである補助電源（整流器）２５Ｂは、第二の陰極１３ＢＹに対してめっき電流を供給する直流電源である。本実施形態において、補助電源２５Ｂは、定電流電源であり、第二のめっき電源１４Ｂ及び補助電源２５Ｂの組み合わせは、第二の陰極１３ＢＸに流れる電流と第二の陰極１３ＢＹに流れる電流との合計値を一定にする。補助電極２５Ｂの正極は、第二の陽極１２Ｂと電気的に接続されており、負極は、第二の陰極１３ＢＹと電気的に接続されている。
【００７４】
また、本実施形態において、第二のめっき電源１４Ｂは、第二の陰極１３ＢＸに対してめっき電流を供給する。第二のめっき電源１４Ｂの正極は、第二の陽極１２Ｂと電気的に接続されており、負極は、第二の陰極１３ＢＸと電気的に接続されている。
【００７５】
かかる電気回路において、第二の陰極１３ＢＸには、第二のめっき電源１４Ｂからのめっき電流が流れ、第二の陰極１３ＢＹには、補助電源２５Ｂからのめっき電流が流れ、第二の陽極１２Ｂには、第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの合計めっき電流が流れる。
【００７６】
補助電源２５Ｂの負極の電位は、第二のめっき電源１４Ｂの負極の電位よりも所定範囲（例えば、数百［ｍＶ］〜数［Ｖ］）だけ低くなるように設定されている。これは、第二の陰極１３ＢＹの電位を第二のフィードバック回路２１Ｂの制御可能な電圧範囲に入れるための措置である。また、補助電源２５Ｂは、第二の陰極１３ＢＹに流れるめっき電流を十分に供給することが可能な能力を有する。
【００７７】
かかる電気回路を構成するに際して、電流値及び電圧値の計測用の信号入力線ｂ１〜ｂ３（図４参照）及び信号入力線ｂ１〜ｂ３と各極１２Ｂ，１３ＢＸ，１３ＢＹとをそれぞれ接続するクリップ（図示せず）は、各極１２Ｂ，１３ＢＸ，１３ＢＹの通電用の信号入力線ａ１〜ａ３（図４参照）及び信号入力線ａ１〜ａ３と各極１２Ｂ，１３ＢＸ，１３ＢＹとをそれぞれ接続するクリップ（図示せず）とは別に設けられている（共用されていない）。
【００７８】
本発明の第二の実施形態に係るめっきシステムＭＳは、電着均一性として、ミクロスローイングパワーに加えてマクロスローイングパワーを測定することができる。したがって、めっきシステムＭＳは、めっき浴２の性能を好適に測定することができる。
また、第二のめっき装置１Ｂを備えるめっきシステムＭＳは、第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹに流れる電流の合計値が一定に維持された状態において第二のフィードバック回路２１Ｂが第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの電位を一致させるので、配線抵抗、接触抵抗等といった回路中に入り得る抵抗成分の影響を排除し、本来の二次電流配分によるハーリングセル試験を行うことができる。
また、第二のめっき装置１Ｂを備えるめっきシステムＭＳは、本来の二次電流配分に基づいて、再現性及び信頼性の高いめっきの析出量及び（電流密度、より詳細には、一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの平均電流密度ごとの）均一電着指数ＴＢを測定することができる。
また、第二のめっき装置１Ｂを備えるめっきシステムＭＳは、電流計２２ＢＸ，２２ＢＹの影響を排除したハーリングセル試験を行うことができる。
また、第二のめっき装置１Ｂを備えるめっきシステムＭＳは、電流計２２ＢＸ，２２ＢＹの計測結果を用いることによって、第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹに流れる電流の電流配分比（Ｉ１：Ｉ２、Ｉ１／Ｉ２等）を正確に算出することができる。
また、第二のめっき装置１Ｂを備えるめっきシステムＭＳの利用者は、めっきシステムＭＳによって算出された第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹにおけるめっきの推定析出量及び理論析出量に基づいて、第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの（電流密度、より詳細には、一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの平均電流密度、又は、各第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの個別の電流密度ごとの）電流効率（すなわち、一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹ全体又は個別の陰極電流効率）を知ることができる。
電流配分比、電流効率及び均一電着指数ＴＢはめっき浴２の組成によって大きく変わるため、利用者は、電流配分比、電流効率及び均一電着指数ＴＢの経時変化を調べることによって、めっき浴２の特性及び状態の経時変化を知ることができる。
【００７９】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前記実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、第一のめっき装置１Ａにおける穴部５の径、深さ、間隔は、適宜変更可能である。また、変形例として、円筒形状を呈する比較的大径な第一の陰極と、円筒形状を呈する比較的小径な第二の陰極と、を備え、第二の陰極が第一の陰極に収容された状態でめっき皮膜を析出させる構成であってもよい。また、第一のめっき装置１Ａにおいて、穴部５は、第一の陰極１３Ａ及び基材４にも連続形成されたスルーホール形状を呈する構成であってもよい。
【実施例】
【００８０】
＜実施例１＞
第一のめっき装置１Ａ（図１参照）から第一のフィードバック回路２１Ａを省略した装置を用いて、銅めっき添加剤無し、空気撹拌無しで実施した。図７に示すように、電位補正を行わなかった場合には、めっき開始後１４００［秒］付近において、一対の第一の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹの電圧値及び電流値が略一致するようになった。これは、第一の陰極１３ＡＸ上で成長した銅めっきが、穴部５を埋めて第一の陰極１３ＡＹと電気的に接続されたためである。【００８１】
＜実施例２＞
第一のめっき装置１Ａ（図２参照）を用いて、銅めっきを添加剤無し、空気撹拌ありで実施した。図８に示すように、第一のフィードバック回路２１Ａによる電位補正を行った場合には、めっき開始後１０００［秒］付近において、一対の第一の陰極１３ＡＸ，１３ＡＹの電流値が近づいた。これは、第一の陰極１３ＡＸ上で成長した銅めっきが、穴部５を埋めて第一の陰極１３ＡＹと電気的に接続されたためである。【００８２】
＜実施例３＞
第二のめっき装置１Ｂ（図４参照）を用いて、硫酸銅めっきを一般浴、添加剤無しで実施した。電気回路における全電流を１．２［Ａ］、極間距離比（第二の陽極１２Ｂと第二の陰極１３ＢＸとの距離：第二の陽極１２Ｂと第二の陰極１３ＢＹとの距離）を１：５に設定した。第二のめっき装置１Ｂ（図４参照）において第二のフィードバック回路２１Ｂによる電位補正を行わなかった場合（比較例）の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの電流値及び電圧値の経時変化を図９（ａ）に示し、第二のめっき装置１Ｂにおいて第二のフィードバック回路２１Ｂによる電位補正を行った場合（実施例）の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの電流値及び電圧値の経時変化を図９（ｂ）に示す。【００８３】
図９（ａ）に示すように、電位補正を行わなかった場合には、めっき開始後１０００［秒］後において、一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの電位には、約１６０［ｍＶ］の電位差が生じた。また、配線抵抗等の影響によって、電流配分比（第二の陰極１３ＢＸに流れる電流値：第二の陰極１３ＢＹに流れる電流値）は、１：３．０５と低めの値となった。これは、配線抵抗等の存在が、一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹに流れる電流値を均一化する方向に影響するためである。そのため、推定析出量による均一電着指数ＴＢは、３０．９［％］と高めの値となった。【００８４】
これに対し、図９（ｂ）に示すように、電位補正を行った場合には、一対の第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの電位は、測定誤差の範囲内で完全に一致した。また、配線抵抗等の影響が除去されることによって、電流配分比は、１：４．１２となった。そのため、推定析出量による均一電着指数ＴＢは、１０．５［％］と劇的に小さくなった。すなわち、実施例３で用いられためっき浴２の推定析出量による均一電着指数ＴＢは、実際には１０．５［％］であることがわかった。【００８５】
＜実施例４＞
第二のめっき装置１Ｂ（図４参照）を用いて、硫酸銅めっきを添加剤無しで実施した。電気回路における全電流を１．２［Ａ］、極間距離比を１：５に設定した。第二のフィードバック回路２１Ｂによる電位補正を行い、一般浴及びハイスロー浴のそれぞれでめっきを行った。かかる場合における電流配分比の経時変化を図１０（ａ）に示し、電解電圧の経時変化を図１０（ｂ）に示す。【００８６】
図１０（ａ）に示すように、めっき浴２の種類によって、電流配分比に明確な違いが生じた。一般浴の推定析出量による均一電着指数ＴＢは１１［％］であり、ハイスロー浴の推定析出量による均一電着指数ＴＢは３３［％］であった。【００８７】
また、図１０（ｂ）に示すように、ハイスロー浴において、第二の陽極１２Ｂ上に皮膜（ブラックフィルム）が形成された状態（系列２〜５）と皮膜が形成されていない状態（系列１）とで、電解開始時の電解電位の挙動に違いが生じた。また、めっき開始時に見られる電解電圧の上昇は、第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹ近傍の銅イオンの減少による濃度過電圧の上昇を示している。このように、第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹに流れる電流の合計値を一定に維持した定電流の状態で第二の陰極１３ＢＸ，１３ＢＹの電位をフィードバック制御によって一致させることで、めっきの些細な変化を測定することが可能となる。
【符号の説明】
【００８８】
１Ａ  第一のめっき装置（めっき装置）
１Ｂ  第二のめっき装置
２      めっき浴
４      基材（絶縁性基材）
５      穴部
１１Ａ  第一のめっき槽（めっき槽）
１１Ｂ  第二のめっき槽
１２Ａ  第一の陽極（陽極）
１２Ｂ  第二の陽極
１３Ａ，１３ＡＸ，１３ＡＹ  第一の陰極（陰極）
１３Ｂ，１３ＢＸ，１３ＢＹ  第二の陰極
１４Ａ  第一のめっき電源（めっき電源）
１４Ｂ  第二のめっき電源
２１Ａ  第一のフィードバック回路（フィードバック回路）
２１Ｂ  第二のフィードバック回路
２２Ａ  第一の電流計測回路（電流計測部）
２２Ｂ  第二の電流計測回路（第二の電流計測部）
【図１】
2019175990.tif 000003
【図２】
2019175990.tif 000004
【図３】
2019175990.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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