(57)【要約】  本発明は、導電膜、及び高温かつ長時間の加熱処理を伴うことなく、短時間の光照射により、導電性の良好な導電膜、または導電パターンを得ることができる導電膜の製造方法、並びにかかる導電膜の製造方法を用いた電界効果型トランジスタの製造方法、および無線通信装置の製造方法を提供することを目的とする。  上記目的を達するための本発明の導電膜の製造方法は、基板上に、炭素単体物で表面被覆された導電性粒子を含有する導電性ペーストを塗布し塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜にフラッシュ光を照射する工程と、を含む導電膜の製造方法である。【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、炭素単体物で表面被覆された導電性粒子と、感光性有機成分とを含有する導電性ペーストを塗布し塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜にフラッシュ光を照射する工程と、を含む導電膜の製造方法。
【請求項２】
前記塗布膜において、前記炭素単体物の炭素重量比率が前記導電性粒子に対して重量比率０．５％〜２０％である請求項１に記載の導電膜の製造方法。
【請求項３】
前記導電膜は、パターニングされた配線と電極とを有し、前記配線は、その少なくとも一部において幅が２００μｍ以下であり、前記配線と前記電極との少なくとも一方は、幅２００μｍを超える広幅部を有し、前記広幅部は、開口部と非開口部とを有し、前記非開口部における導電膜の幅が２００μｍ以下である請求項１または２に記載の導電膜の製造方法。
【請求項４】
前記炭素単体物で表面被覆された前記導電性粒子の表面被覆層の平均厚みが、０．１〜１０ｎｍである請求項１〜３のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
【請求項５】
前記導電性粒子が銀粒子である請求項１〜４のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
【請求項６】
前記導電性粒子の平均粒子径が、１０〜２００ｎｍである請求項１〜５のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
【請求項７】
さらに露光及び現像する工程を含む請求項１〜６のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
【請求項８】
前記基板がアンダーコート層を有する請求項１〜７のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
【請求項９】
前記アンダーコート層がアクリル系樹脂またはシロキサン系樹脂の少なくとも一方を含有する請求項８に記載の導電膜の製造方法。
【請求項１０】
以下の工程（１）〜（４）を含む電界効果型トランジスタの製造方法であって、
（１）第一の電極を形成する工程、
（２）絶縁層を形成する工程、
（３）前記絶縁層により前記第一の電極と電気的に絶縁された第二の電極および第三の電極を形成する工程、
（４）前記第二の電極と前記第三の電極の間に半導体層を形成する工程、
前記第一の電極、前記第二の電極、および前記第三の電極の少なくとも一つが導電膜からなり、前記導電膜を請求項１〜９のいずれかに記載の導電膜の製造方法を用いて製造する、電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項１１】
前記半導体層を形成する工程に、カーボンナノチューブを含む溶液を塗布する手順を含む請求項１０に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項１２】
基板上に電界効果型トランジスタを形成する工程と、前記基板上にアンテナを形成する工程と、を含む無線通信装置の製造方法であって、前記電界効果型トランジスタを請求項１０または１１に記載の電界効果型トランジスタの製造方法を用いて形成する無線通信装置の製造方法。
【請求項１３】
基板上に電界効果型トランジスタを形成する工程と、前記基板上にアンテナを形成する工程と、を含む無線通信装置の製造方法であって、前記アンテナが導電膜からなり、前記導電膜を請求項１〜９のいずれかに記載の導電膜の製造方法を用いて形成する無線通信装置の製造方法。
【請求項１４】
基板上に形成された導電膜であって、前記導電膜が導電性粒子と炭素成分とを含有し、前記導電膜の表面または裏面のうち前記炭素成分が少ない方の面における前記炭素成分の元素濃度が、前記炭素成分が少ない面から前記導電膜中心部に向かって５０ｎｍの深部における前記炭素成分の元素濃度に比べ２倍以上低い導電膜。
【請求項１５】
前記導電膜は、パターニングされた配線と電極とを有し、前記配線は、その少なくとも一部において幅が２００μｍ以下であり、前記配線と前記電極との少なくとも一方は、幅２００μｍを超える広幅部を有し、前記広幅部は、開口部と非開口部とを有し、前記非開口部における導電膜の幅が２００μｍ以下である請求項１４に記載の導電膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電膜の製造方法、それを用いた電界効果型トランジスタの製造方法、および無線通信装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、非接触型のタグとしてＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ＩＤｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）技術を用いた無線通信システムの開発が進められている。ＲＦＩＤタグは、物流管理、商品管理、万引き防止などの様々な用途での利用が期待されており、交通カードなどのＩＣカード、商品タグなど一部で導入が始まっている。【０００３】
ＲＦＩＤシステムでは、リーダ／ライタと呼ばれる無線送受信機とＲＦＩＤタグとの間で、無線通信が行われる。そのため、ＲＦＩＤタグはＩＣチップと、リーダ／ライタとの無線通信するためのアンテナを有しており、タグ内に設置されたアンテナが、リーダ／ライタから送信される搬送波を受信し、タグが動作する。【０００４】
ＲＦＩＤタグは、あらゆる商品で使用されることが期待されており、低コスト化が要求されている。そのため、真空や高温を使用する製造プロセスから脱却し、塗布・印刷技術を用いてフレキシブル基材上に製造することによる低コスト化が検討されている。【０００５】
回路基板上に導電パターンを形成する方法として、樹脂に導電性粒子を分散させたペーストを塗布後、加熱をして導電性粒子を互いに接触させ、導電性を発現させる方法が知られている（特許文献１）。また、加熱以外の方法として、光を照射することにより導電性を発現する方法も知られている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特願２００９−２８６０９５号公報
【特許文献２】特開２０１５−１２４４１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載の導電パターンの製造方法は、導電性粒子を互いに接触させて導電性を発現させるための加熱処理を、高温かつ長時間行う必要があり、これを実生産に適用した場合の生産効率は、著しく低いものであった。【０００８】
また、特許文献２に記載の導電パターンの製造方法では、光照射処理において、塗布膜をプリベークする段階で、導電性粒子として使用している金属粒子の一部が融着するため、照射光を反射しやすくなり、実際の導電性発現に必要なエネルギーよりも、反射分だけ多くのエネルギーを必要とした。そのため、基板等の部材に必要以上のエネルギーが照射され、基板を劣化させる可能性が高く、これら問題を回避しつつ、導電パターンを得るための製造方法が求められているのが現状であった。【０００９】
そこで、本発明は、高温かつ長時間の加熱処理を伴うことなく、短時間の光照射により、導電性の良好な導電膜、または導電パターンを得ることができる導電膜の製造方法を提供することを目的とする。なお、本発明において、導電パターンとは、パターン状に形成した導電膜を表す。【００１０】
また、本発明は、本発明の導電膜の製造方法を用いた電界効果型トランジスタの製造方法、および無線通信装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明の導電膜の製造方法は、基板上に、炭素単体物で表面被覆された導電性粒子と、感光性有機成分とを含有する導電性ペーストを塗布し塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜にフラッシュ光を照射する工程と、を含む。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の導電膜の製造方法によれば、高温かつ長時間の加熱処理を伴うことなく、短時間の光照射により、導電性の良好な導電膜を得ることができる。【００１３】
また、本発明の電界効果型トランジスタの製造方法、または無線通信装置の製造方法によれば、本発明の導電膜の製造方法を用いた、電界効果型トランジスタ、または無線通信装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の導電膜の形態の一例を示す模式図
【図２】本発明の導電膜の形態の一例を示す模式図
【図３】本発明の導電膜の形態の一例を示す模式図
【図４】本発明の電界効果型トランジスタの製造方法の実施形態を示した模式断面図
【図５】本発明の導電膜の製造方法で得られた導電膜を用いて強誘電体メモリ素子を製造する方法の一例を示した模式断面図
【図６】本発明の導電膜の製造方法で得られた導電膜を用いてコンデンサを製造する方法の一例を示した模式断面図
【図７】本発明の無線通信装置の製造方法で形成した無線通信装置の模式図
【図８】本発明の無線通信装置の製造方法で形成した無線通信装置の模式図
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明を実施するための形態を詳細に説明する。なお、以下の実施の形態により本発明が限定されるものではない。
【００１６】
本発明の導電膜の製造方法は、基板上に、炭素単体物で表面被覆された導電性粒子と、感光性有機成分とを含有する導電性ペーストを塗布し塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜にフラッシュ光を照射する工程と、を含む。本発明における塗布膜とは、導電性ペーストを塗布する工程において、所望のパターンになるように塗布した膜も含む。
【００１７】
また、本発明の導電膜の製造方法は、前記塗布膜をさらに露光及び現像する工程を含むことが好ましい。すなわち、本発明の導電膜の製造方法の好適な態様は、基板上に、炭素単体物で表面被覆された導電性粒子および感光性有機成分を含有する導電性ペーストを塗布し塗布膜を形成する工程と、さらに露光及び現像してパターンを形成する工程と、前記塗布膜にフラッシュ光を照射する工程と、を含む。
【００１８】
（基板）
基板は、少なくとも導電性ペーストが塗布される面が絶縁性であれば、いかなる材質のものでもよい。例えば、シリコンウエハ、ガラス、サファイア、アルミナ焼結体等の無機材料、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリビニルクロライド、ポリエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴという場合がある）、ポリフッ化ビニリデン、ポリシロキサン、ポリビニルフェノール（以下、ＰＶＰという場合がある）、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリパラキシレン等の有機材料などが好適に用いられる。
【００１９】
本発明の導電膜の製造方法は、高温かつ長時間の加熱処理を伴うことがないため、耐熱性の低い基板に対しても適用することができる。
【００２０】
（アンダーコート層）
本発明の導電膜の製造方法において、前記基板がアンダーコート層を有することが好ましい。また、前記アンダーコート層がアクリル系樹脂またはシロキサン系樹脂の少なくとも一方を含有することが好ましい。これにより、導電性ペーストを基板上にパターン状に形成した場合におけるパターン形状を制御しやすくし、基板への密着性を向上し、フラッシュ光を前記塗布膜に照射した際の塗布膜の剥離を抑制しやすくすることができる。
【００２１】
アクリル系樹脂とは、繰返し単位に少なくともアクリル系モノマーに由来する構造を含む樹脂である。アクリル系モノマーの具体例としては、分子内に（メタ）アクリロイル基を有するすべての化合物が使用可能であるが、好ましくはアクリル酸、メチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、エチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、ｉ−ブチルアクリレート、ｉ−プロピルアクリレート、グリシジルアクリレート、Ｎ−メトキシメチルアクリルアミド、Ｎ−エトキシメチルアクリルアミド、Ｎ−ｎ−ブトキシメチルアクリルアミド、Ｎ−イソブトキシメチルアクリルアミド、ブトキシトリエチレングリコールアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、イソボルニルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、イソデキシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレングリコールアクリレート、メトキシジエチレングリコールアクリレート、オクタフロロペンチルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、ステアリルアクリレート、トリフルオロエチルアクリレート、アクリルアミド、アミノエチルアクリレート、フェニルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、１−ナフチルアクリレート、２−ナフチルアクリレート、チオフェノールアクリレート、ベンジルメルカプタンアクリレートなどの各種アクリル系モノマー、およびこれらのアクリレートを、各種メタクリレートに代えたものなどが挙げられる。なお、これらのアクリル系モノマーは、単独あるいは２種以上用いても構わない。
【００２２】
シロキサン系樹脂とは、シラン化合物を重縮合した構造を有する化合物である。シラン化合物としては特に制限はないが、ジエトキシジメチルシラン、ジエトキシジフェニルシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ｐ−トリルトリメトキシシラン、ベンジルトリメトキシシラン、α−ナフチルトリメトキシシラン、β−ナフチルトリメトキシシラン、トリフルオロエチルトリメトキシシラン、トリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等を用いることができる。なお、これらのシラン化合物は、単独あるいは２種以上用いても構わない。
【００２３】
（導電性粒子）
本発明で用いられる導電性ペーストが含有する導電性粒子としては、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、鉛（Ｐｂ）、亜鉛（Ｚｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）又は炭素（Ｃ）等が挙げられる。中でも金、銀、銅、ニッケル、錫、ビスマス、鉛、亜鉛、パラジウム、白金、アルミニウム及び炭素からなる群から選ばれる少なくとも一つの元素を含有する導電性粒子であることが好ましい。
【００２４】
本発明の導電膜の製造方法においては、前記導電性粒子が、銀粒子であることがより好ましい。前記導電性粒子が銀粒子であることにより、導電性および安定性に優れる導電膜、導電パターンが得られやすくなる。
【００２５】
本発明の導電膜の製造方法においては、前記導電性粒子の平均粒子径が、１０〜２００ｎｍであることが好ましい。前記平均粒子径は、１０〜６０ｎｍがより好ましい。前記平均粒子径をかかる範囲とすることにより、所望の導電性を有する微細な導電パターンを形成しやすくなる。ここで導電性粒子の平均粒子径は、走査型電子顕微鏡を用いて無作為に選択した１００個の１次粒子の粒子径の算術平均値により算出する。それぞれの１次粒子の粒子径は、１次粒子における長径と短径を測定し、その算術平均値から算出する。
【００２６】
（炭素単体物）
本発明の導電膜の製造方法において、前記導電性粒子は炭素単体物で表面被覆されている。前記塗布膜において、前記炭素単体物の炭素重量比率が前記導電性粒子に対して重量比率０．５％〜２０％であることが好ましい。前記重量比率をこの範囲とすることにより、フラッシュ光を照射した際のエネルギーの吸収効率を増加させ、さらにフラッシュ光により前記炭素単体物が分解及び気化し、導電性粒子同士が接触及び融着しやすくなる。導電性粒子に対する炭素単体物の炭素重量比率は、炭素単体物と導電性粒子の熱天秤による質量減少を測定し、減少値が全て炭素の燃焼によるものであり、減少後の質量が導電性粒子のものであると仮定し算出する。本発明における炭素重量比率は導電性ペーストの塗布膜における、導電性粒子に対する炭素単体物の比率であるが、導電性ペースト中においても同様の炭素重量比率となっていることが好ましい。炭素単体物が導電性粒子の表面を被覆することにより、低温での導電性粒子同士の融着を抑制することができ、さらにフラッシュ光を照射した際のエネルギーの吸収効率をより均一にすることができる。
【００２７】
導電性粒子表面を炭素単体物で被覆する方法としては、例えば、熱プラズマ法により導電性粒子を作製する際に、反応性ガスと接触させる方法（特開２００７−１３８２８７号公報）が挙げられる。導電性粒子の表面は、完全に被覆されていることが好ましいが、本目的が達成される限りにおいては、一部に被覆が不完全な導電性粒子が存在することは許容される。また、導電性粒子を被覆する炭素単体物は完全な炭素単体物であることが好ましい。さらに、本目的が達成される限りにおいては、導電性粒子を被覆するものの中に、炭素単体物の他に、炭化水素を含んでも、また炭素単体物の一部が酸化または官能基で置換されたものを含んでも構わない。本発明において、「表面被覆された」とは、導電性粒子表面に対し被膜層が形成されていることを意味する。被膜層が形成されていることは、透過型電子顕微鏡を用いて確認できる。表面被覆物が炭素単体物で構成されていることは、通常はラマンスペクトル測定法により確認するが、測定できない場合は電子エネルギー損失分光法により確認する。ラマンスペクトル測定法の場合は、３００ｍｇの表面被覆された導電性粒子に３ｇのＮ―メチルピロリドンを用いて、室温でバス型超音波洗浄機（アズワン製、３８ｋＨｚ）に３０分浸して抽出し、抽出液を５３２ｎｍの励起波長で測定した際のラマンスペクトルが１３３０ｃｍ−１付近および１５８０ｃｍ−１付近にシグナルを有することで確認する。また、電子エネルギー損失分光法の場合は表面被覆層を直接測定し、２８５ｅＶ付近および２９０ｅＶ付近にそれぞれシグナルを有することで確認する。
【００２８】
本発明の導電膜の製造方法において、前記炭素単体物で表面被覆された導電性粒子の表面被覆層の平均厚みが、０．１〜１０ｎｍであることが好ましい。前記平均厚みをこの範囲とすることにより、導電性粒子同士の融着を抑制することで、微細パターン加工性を向上させやすくなり、かつフラッシュ光を照射処理することにより所望の導電性を発現させやすくすることができる。
【００２９】
表面被覆層の平均厚みは、炭素単体物で表面被覆された導電性粒子の熱天秤による質量減少を測定し、その値がすべて炭素の燃焼によるものと仮定し、粒子径から表面被覆層の平均厚みを、炭素の密度を２．０（ｇ／ｃｍ３）として算出する。平均粒子径Ｄｐ（μｍ）が分かっている導電性粒子に炭素を平均厚みＡ（μｍ）で被覆したとする。炭素被覆した粒子の個数をｎとする。熱天秤測定で最初に秤取した質量をＷ１（ｇ）、完全に炭素を飛ばした質量をＷ２（ｇ）、導電性粒子の密度をρ（ｇ／ｃｍ３）とすると、以下の式からＤｐとＷ２とが分かればｎを算出できる。
Ｗ２＝π／６×Ｄｐ３ρ×ｎ
そして、以下の式から表面被覆層の平均厚みＡを算出する。
Ｗ１−Ｗ２＝｛４／３×π（Ｄｐ／２＋Ａ）３−π／６×Ｄｐ３｝×２．０×ｎ
導電性ペースト中の全固形分に対する導電性粒子の含有量としては、６５〜９５質量％であることが好ましく、７０〜９５質量％であることがより好ましく、７０〜９０質量％であることがさらに好ましい。その範囲内で含有することで、パターン加工性と導電性の発現とを両立させやすくなる。ここで全固形分とは、導電性ペーストが含有する成分の内、溶剤を除く全成分をいう。
【００３０】
（感光性有機成分）
本発明の導電膜の製造方法は、前記導電性ペーストがさらに感光性有機成分を含む。感光性有機成分を含有することで、露光、現像によりパターンを形成することが可能になる。
【００３１】
感光性有機成分は、分子内に重合性不飽和基を有するモノマー、オリゴマーまたはポリマーを含むものであることが好ましい。
【００３２】
分子内に重合性不飽和基を有するモノマーとしては、炭素−炭素二重結合を有する化合物を用いることができる。かかるモノマーには、官能基としてビニル基、アリル基、アクリレート基、メタクリレート基、アクリルアミド基を有する単官能および多官能化合物が応用できる。具体的な例としては、アリル化シクロヘキシルジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、グリセロールジアクリレート、メトキシ化シクロヘキシルジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、トリグリセロールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ビスフェノールＡジアクリレート、ビスフェノールＡ−エチレンオキサイド付加物のジアクリレート、ビスフェノールＡ−プロピレンオキサイド付加物のジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、２−（２−エトキシエトキシ）エチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ラウリルアクリレート、２−フェノキシエチルアクリレート、イソデシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、トリデシルアクリレート、１，３−ブタンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレートまたは上記化合物のアクリル基を１部または全てメタクリル基に代えた化合物等が挙げられる。
【００３３】
本発明では、これらを１種または２種以上使用することができる。上記モノマーは、導電性ペースト中の全固形分に対し、１〜１５質量％の範囲で添加され、より好ましくは、２〜１０質量％の範囲である。上記モノマーが１質量％以上であれば、十分な感度が得られやすくなり、良好なパターン形成が容易になりやすい。一方、上記モノマーが１５質量％以下であれば、乾燥膜にタックが生じにくく、露光時にフォトマスクが接触しにくく、フォトマスクが汚れる問題や塗膜表面が乱れる問題が生じにくくなる。
【００３４】
分子内に重合性不飽和基を有するオリゴマーまたはポリマーを得るためには、まず、炭素−炭素二重結合を有する化合物から選ばれた成分の重合または共重合を行うことによりオリゴマーまたはポリマーを得る。次に、このようなオリゴマーまたはポリマーに対して、重合性不飽和基を有する化合物を側鎖または分子末端に反応させることによって、分子内に重合性不飽和基を有するオリゴマーまたはポリマーを得ることができる。
【００３５】
好ましい重合性不飽和基は、エチレン性不飽和基、すなわち炭素−炭素二重結合を有する基を構造中に含むものである。エチレン性不飽和基としては、ビニル基、アリル基、アクリル基、メタクリル基などが挙げられる。
【００３６】
前記重合性不飽和基を有する化合物をオリゴマーまたはポリマーに反応させる方法は、オリゴマーまたはポリマーの側鎖または分子末端中のメルカプト基、アミノ基、水酸基やカルボキシル基に対して、グリシジル基やイソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物やアクリル酸クロライド、メタクリル酸クロライドまたはアリルクロライドを、重合性不飽和基を有する化合物として反応させて作る方法がある。
【００３７】
グリシジル基を有するエチレン性不飽和化合物としては、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、アリルグリシジルエーテル、エチルアクリル酸グリシジル、クロトニルグリシジルエーテル、クロトン酸グリシジルエーテル、イソクロトン酸グリシジルエーテルなどが挙げられる。
【００３８】
イソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物としては、（メタ）アクリロイルイソシアナート、（メタ）アクリロイルエチルイソシアネートなどがある。
【００３９】
グリシジル基やイソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物やアクリル酸クロライド、メタクリル酸クロライドまたはアリルクロライドは、オリゴマーまたはポリマー中のメルカプト基、アミノ基、水酸基やカルボキシル基に対して０．０５〜１モル当量反応させることが好ましい。
【００４０】
感光性有機成分は、アルカリ可溶性樹脂であることが好ましい。アルカリ可溶性樹脂は、一般的に、カルボキシル基を含有する化合物と他モノマーとを共重合させることにより得られる。アルカリ可溶性樹脂は、（メタ）アクリル系共重合体であることが好ましい。ここで（メタ）アクリル系共重合体とは、共重合成分に少なくとも（メタ）アクリル系モノマーを含む共重合体をいう。ここで（メタ）アクリル系モノマーとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ｎ−ペンチル（メタ）アクリレート、アリル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、ブトキシトリエチレングリコール（メタ）アクリレート、シクロへキシル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、２−エチルへキシル（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、ヘプタデカフロロデシル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、イソボニル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、イソデキシル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、２−メトキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、オクタフロロペンチル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、トリフロロエチル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリルアミド、アミノエチル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、１−ナフチル（メタ）アクリレート、２−ナフチル（メタ）アクリレート、チオフェノール（メタ）アクリレート又はベンジルメルカプタン（メタ）アクリレートが挙げられる。
【００４１】
（メタ）アクリル系モノマー以外の共重合成分としては、炭素−炭素二重結合を有する化合物が使用可能である。そのような化合物としては、例えば、スチレン、ｐ−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン若しくはα−メチルスチレン等の芳香族ビニル化合物、（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド若しくはＮ−ビニルピロリドン等のアミド系不飽和化合物、（メタ）アクリロニトリル、アリルアルコール、酢酸ビニル、シクロヘキシルビニルエーテル、ｎ−プロピルビニルエーテル、ｉ−プロピルビニルエーテル、ｎ−ブチルビニルエーテル、ｉ−ブチルビニルエーテル、２−ヒドロキシエチルビニルエーテル又は４−ヒドロキシブチルビニルエーテルが挙げられる。
【００４２】
アルカリ可溶性樹脂にアルカリ可溶性を付与する共重合成分である、カルボキシル基を含有する化合物としては、例えば、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸若しくはフマル酸又はこれらの酸無水物が挙げられる。
【００４３】
（メタ）アクリル系共重合体を用いる場合、感光性有機成分の露光による硬化反応の速度を大きくするためには、側鎖又は分子末端に炭素−炭素二重結合を有する（メタ）アクリル系共重合体とすることが好ましい。炭素−炭素二重結合を有する官能基としては、例えば、ビニル基、アリル基又は（メタ）アクリル基が挙げられる。このような官能基を（メタ）アクリル系共重合体に付加させるには、（メタ）アクリル系共重合体中のメルカプト基、アミノ基、水酸基又はカルボキシル基に対して、グリシジル基若しくはイソシアネート基と、炭素−炭素二重結合とを有する化合物又は（メタ）アクリル酸クロライド若しくはアリルクロライドを付加反応させる方法がある。
【００４４】
グリシジル基と炭素−炭素二重結合とを有する化合物としては、例えば、グリシジル（メタ）アクリレート、アリルグリシジルエーテル又はグリシジルエチルアクリレート、クロトニルグリシジルエーテル、グリシジルクロトネート又はグリシジルイソクロトネートが挙げられる。イソシアネート基と炭素−炭素二重結合とを有する化合物としては、例えば、（メタ）アクリロイルイソシアネート又は（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネートが挙げられる。
【００４５】
アルカリ可溶性樹脂は、酸解離性基を有するアルカリ可溶性樹脂であることが好ましい。酸解離性基を有するアルカリ可溶性樹脂は、一般的に、カルボキシル基を含有する化合物と酸解離性基を有する化合物とを共重合することにより得られる。より具体的な例としては、カルボキシル基を含有する（メタ）アクリル酸化合物と、酸解離性基を有する（メタ）アクリル酸エステルとの共重合が挙げられる。
【００４６】
酸解離性基が脱離後分解や気化するためには、酸解離性基が炭素数４〜１５の有機基であることが好ましく、６〜１５の有機基であることがより好ましい。酸解離性基の炭素数が４未満であると、脱離後、低温で気化するため、膜中に大きな気泡が発生して導電性粒子同士の接触を妨げ、導電性が悪化する場合がある。一方で、酸解離性基の炭素数が１５を超えると、脱離後、解離性基が膜中に残存して導電性粒子同士の接触を妨げ、やはり導電性が悪化する場合がある。なお、酸解離性基の酸解離性基が炭素数６〜１５の有機基である場合には、膜中に気泡が発生してもポストベークによって消失させることが容易であり、導電性が良好な導電パターンを形成可能である。
【００４７】
酸解離性基としては、例えば、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ベンジル基、メチルアダマンチル基又はテトラヒドロピラニル基が挙げられる。
【００４８】
酸解離性基を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸１−メチルアダマンチル、（メタ）アクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸ベンジル又は（メタ）アクリル酸テトラヒドロピラニルが挙げられる。
【００４９】
本発明で用いられる導電性ペーストにおいて、アルカリ可溶性樹脂の含有量は、感光性発現を考慮した場合、全固形分に対し５〜３０質量％の範囲内であることが好ましい。
【００５０】
アルカリ可溶性樹脂は、酸解離性基を有する化合物を２０〜８０モル％ラジカル共重合したアルカリ可溶性樹脂であることが好ましい。特に、酸解離性基を有する（メタ）アクリル酸エステルをアルカリ可溶性樹脂中にモノマー成分として２０〜８０モル％含有することが好ましい。このような酸解離性基を有するアルカリ可溶性樹脂を用いることで、空気下、１００〜３００℃で、酸解離性基が容易に熱酸化分解及び脱離し、膜が大きく収縮して、全固形分中の導電性粒子濃度を容易に上昇させることができる。そしてその結果として、導電性を得ることが容易となる。この場合、後述する光酸発生剤及び／又は熱酸発生剤を併用すると、その効果はさらに顕著となる。
【００５１】
アルカリ可溶性樹脂のカルボン酸当量は、２００〜１，４００ｇ／ｍｏｌが好ましく、４００〜１，０００ｇ／ｍｏｌがより好ましい。アクリル樹脂のカルボン酸当量は、酸価を測定することで算出することができる。また、アルカリ可溶性樹脂の二重結合当量は、硬度と耐クラック性とを高いレベルで両立できるため、１５０〜１０，０００ｇ／ｍｏｌであることが好ましい。アクリル樹脂の二重結合当量は、ヨウ素価を測定することで算出することができる。
【００５２】
アルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定されるポリスチレン換算で、１，０００〜１００，０００であることが好ましい。重量平均分子量（Ｍｗ）を上記範囲とすることで、良好な塗布特性が得られ、パターン形成する際の現像液への溶解性も良好となる。
【００５３】
（分散剤）
本発明の導電膜の製造方法に用いられる導電性ペーストは、分散剤を含有しても構わない。分散剤を含有することで、導電性ペースト中に導電性粒子を安定的に存在させることができる。
【００５４】
分散剤としては、アミン系のものが好ましい。市販のアミン系の分散剤としては、例えば、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ（登録商標）１０６、１０８、１１２、１１６、１４２、１４５、１６６、１８０、２００１、２００８、２０２２、２１５０、６９１９若しくは２１１１６（以上、いずれもビックケミー・ジャパン製）又はＥｆｋａ（登録商標）４３００、４４００、４４０１、４４０３、４４０６、４５１０、４５７０、４８００、５０５４、５０５５若しくは５２０７（以上、いずれもＢＡＳＦ製）が挙げられる。
【００５５】
さら分散性を向上させるため、分散剤は、アクリル系ブロック共重合体構造を有することが好ましい。アクリル系ブロック共重合体構造を有する市販のアミン系の分散剤としては、例えば、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ（登録商標）２００１、２００８、２０２２、２１５０、６９１９若しくは２１１１６又はＥｆｋａ（登録商標）４３００が挙げられる。
【００５６】
（光重合開始剤）
本発明の導電膜の製造方法に用いられる導電性ペーストは、光重合開始剤を含有しても構わない。光重合開始剤を含有することで、導電性ペーストにネガ型感光性を付与することができる。
【００５７】
光重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、α−アミノアルキルフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、有機過酸化物、イミダゾール系化合物、チタノセン系化合物、トリアジン系化合物、アシルホスフィンオキシド化合物、キノン化合物又はオキシムエステル系化合物が挙げられる。中でも、少量の添加であっても感度の高い、オキシムエステル系化合物が好ましく、カルバゾール骨格を有するオキシムエステル系化合物がより好ましい。カルバゾール骨格を有さないオキシムエステル系化合物としては、例えば、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ０１（ＢＡＳＦ社製）が挙げられる。また、カルバゾール骨格を有するオキシムエステル系化合物としては、例えば、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ０２（ＢＡＳＦ社製）、アデカオプトマー（登録商標）Ｎ１９１９（株式会社ＡＤＥＫＡ製）又はアデカアークルズ（登録商標）ＮＣＩ−８３１（株式会社ＡＤＥＫＡ製）が挙げられる。
【００５８】
（溶剤）
本発明の導電膜の製造方法に用いられる導電性ペーストは、溶剤を含有しても構わない。
【００５９】
溶剤としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、２−ヘプタノール、シクロヘキサノール、シクロペンタノール、２−ブタノール、２−ペンタノール、ｔ−ブタノール、ダイアセトンアルコール、α−テルピネオール、２−ヒドロキシイソイソ酪酸メチル、２−ヒドロキシイソイソ酪酸エチル、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、アセト酢酸エチル、アセト酢酸メチル、メチル−３−メトキシプロピオネート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、メチルベンゾエート、エチルベンゾエート、マロン酸ジエチル、β−プロピオラクトン、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、δ−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、ε−カプロラクトン、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジアセテート、１，３−ブチレングリコールジアセテート、シクロヘキサノールアセテート、ジメチルスルホキシド、メチルエチルケトン、酢酸イソブチル、酢酸イソブチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、アセチルアセトン、トリアセチン又は２−ヘプタノンが挙げられる。
【００６０】
（他の粒子）
本発明の導電膜の製造方法に用いられる導電性ペーストは、分散性向上や、導電性コントロールのため、炭素単体物で表面被覆された導電性粒子以外の他の粒子を含有しても構わない。他の粒子としては、例えば、表面被覆されていない金属粒子若しくは金属酸化物粒子、有機顔料又は無機顔料が挙げられる。
【００６１】
これら他の粒子の平均粒子径は、１０〜１００ｎｍが好ましい。平均粒子径が１０ｎｍ以上であると、分散安定化のための分散剤の使用量を少なくしやすくなり、所望の導電性を得ることが容易になりやすい。一方、平均粒子径が１００ｎｍ以下であると、微細パターン形成が容易になりやすい。ここで他の粒子の平均粒子径は、走査型電子顕微鏡を用いて無作為に選択した１００個の１次粒子の粒子径の算術平均値により算出する。それぞれの１次粒子の粒子径は、１次粒子における長径と短径を測定し、その算術平均値から算出する。
【００６２】
これら他の粒子としては、導電性コントロールに資する、カーボンブラックが好ましい。
【００６３】
カーボンブラックとしては、例えば、ＭＡ７７、７、８、１１、１００、１００Ｒ、１００Ｓ、２３０、２２０若しくは１４（以上、いずれも三菱化学株式会社製）、＃５２、４７、４５、４５Ｌ、４４、４０、３３、３２、３０、２５、２０、１０、５、９５、８５若しくは２６０（以上、いずれも三菱化学株式会社製）、Ｓｐｅｃｉａｌ  Ｂｌａｃｋ１００、２５０、３５０若しくは５５０（以上、いずれもエボニックデグサ社製）又はＰｒｉｎｔｅｘ９５、９０、５５、４５、４０、Ｐ、６０、Ｌ６、Ｌ、３００、３０、ＥＳ２３、９、ＥＳ２２、３５、Ａ若しくはＧ（以上、いずれもエボニックデグサ社製）を挙げることができる。中でもｐＨ値が４以下である、ＭＡ７７、７、８、１１、１００、１００Ｒ、１００Ｓ、２３０、２２０若しくは１４又はＳｐｅｃｉａｌ  Ｂｌａｃｋ１００、２５０、３５０若しくは５５０が好ましい。なお、カーボンブラックのｐＨ値は、ＪＩＳ  Ｋ５１０１に準拠して測定することができる。
【００６４】
（光酸発生剤及び熱酸発生剤）
本発明の導電膜の製造方法に用いられる導電性ペーストは、光酸発生剤及び／又は熱酸発生剤を含有しても構わない。前記導電性ペーストがさらに感光性有機成分を含み、前記感光性有機成分がアルカリ可溶性樹脂であって、アルカリ可溶性樹脂が酸解離性基を有するアルカリ可溶性樹脂である場合、発生した酸によって、酸解離性基の分解が促進され、空気下での熱処理温度を低下させることが可能となる。
【００６５】
熱により酸を発生する化合物である熱酸発生剤としては、例えば、ＳＩ−６０、ＳＩ−８０、ＳＩ−１００、ＳＩ−１１０、ＳＩ−１４５、ＳＩ−１５０、ＳＩ−６０Ｌ、ＳＩ−８０Ｌ、ＳＩ−１００Ｌ、ＳＩ−１１０Ｌ、ＳＩ−１４５Ｌ、ＳＩ−１５０Ｌ、ＳＩ−１６０Ｌ、ＳＩ−１８０Ｌ若しくはＳＩ−２００（以上、いずれも三新化学工業（株）製）、４−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム、２−メチルベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム、２−メチルベンジル−４−アセチルフェニルメチルスルホニウム若しくは２−メチルベンジル−４−ベンゾイルオキシフェニルメチルスルホニウム又はこれらのメタンスルホン酸塩、トリフルオロメタンスルホン酸塩、カンファースルホン酸塩若しくはｐ−トルエンスルホン酸塩が挙げられる。中でも４−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム、２−メチルベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム、２−メチルベンジル−４−アセチルフェニルメチルスルホニウム若しくは２−メチルベンジル−４−ベンゾイルオキシフェニルメチルスルホニウム又はこれらのメタンスルホン酸塩、トリフルオロメタンスルホン酸塩、カンファースルホン酸塩若しくはｐ−トルエンスルホン酸塩が好ましく使用できる。
【００６６】
導電性ペースト中の熱酸発生剤の含有量としては、酸解離性基含を有するアルカリ可溶性樹脂中の酸解離性基の分解を促進し、導電性粒子同士の接触を妨げず、より高い導電性を得るため、アルカリ可溶性樹脂１００質量部に対し、０．０１〜２０質量部が好ましい。
【００６７】
光により酸を発生する化合物である光酸発生剤から発生する酸は、酸解離性基の分解を促進するため、パーフルオロアルキルスルホン酸又はｐ−トルエンスルホン酸等の強酸が好ましい。
【００６８】
光酸発生剤としては、例えば、ＳＩ−１０１、ＳＩ−１０５、ＳＩ−１０６、ＳＩ−１０９、ＰＩ−１０５、ＰＩ−１０６、ＰＩ−１０９、ＮＡＩ−１００、ＮＡＩ−１００２、ＮＡＩ−１００３、ＮＡＩ−１００４、ＮＡＩ−１０１、ＮＡＩ−１０５、ＮＡＩ−１０６、ＮＡＩ−１０９、ＮＤＩ−１０１、ＮＤＩ−１０５、ＮＤＩ−１０６、ＮＤＩ−１０９、ＰＡＩ−０１、ＰＡＩ−１０１、ＰＡＩ−１０６若しくはＰＡＩ−１００１（以上、いずれもみどり化学（株）製）、ＳＰ−０７７若しくはＳＰ−０８２（以上、いずれも（株）ＡＤＥＫＡ製）、ＴＰＳ−ＰＦＢＳ（東洋合成工業（株）製）、ＣＧＩ−ＭＤＴ若しくはＣＧＩ−ＮＩＴ（以上、いずれもチバジャパン（株）製）又はＷＰＡＧ−２８１、ＷＰＡＧ−３３６、ＷＰＡＧ−３３９、ＷＰＡＧ−３４２、ＷＰＡＧ−３４４、ＷＰＡＧ−３５０、ＷＰＡＧ−３７０、ＷＰＡＧ−３７２、ＷＰＡＧ−４４９、ＷＰＡＧ−４６９、ＷＰＡＧ−５０５若しくはＷＰＡＧ−５０６（以上、いずれも和光純薬工業（株）製）が挙げられる。
【００６９】
導電性ペースト中の光酸発生剤の含有量としては、酸解離性基を有するアルカリ可溶性樹脂中の酸解離性基の分解を促進し、導電性粒子同士の接触を妨げず、より高い導電性を得るため、アルカリ可溶性樹脂１００質量部に対し、０．０１〜２０質量部が好ましい。
【００７０】
また、酸解離性基の分解をより促進するために、熱酸発生剤と光酸発生剤とを併用しても構わない。
【００７１】
（増感剤）
本発明の導電膜の製造方法に用いられる導電性ペーストが光酸発生剤を含有する場合、導電性ペーストはさらに増感剤を含有しても構わない。増感剤は、熱処理により気化するもの、又は、硬化膜に残存した場合においても、光照射によって退色するものが好ましく、パターン加工における高解像性の観点から、光照射によって退色するものがより好ましい。
【００７２】
熱処理により気化する、又は、光照射によって退色する増感剤としては、例えば、３，３’−カルボニルビス（ジエチルアミノクマリン）等のクマリン、９，１０−アントラキノン等のアントラキノン、ベンゾフェノン、４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、アセトフェノン、４−メトキシアセトフェノン若しくはベンズアルデヒド等の芳香族ケトン又はビフェニル、１，４−ジメチルナフタレン、９−フルオレノン、フルオレン、フェナントレン、トリフェニレン、ピレン、アントラセン、９−フェニルアントラセン、９−メトキシアントラセン、９，１０−ジフェニルアントラセン、９，１０−ビス（４−メトキシフェニル）アントラセン、９，１０−ビス（トリフェニルシリル）アントラセン、９，１０−ジメトキシアントラセン、９，１０−ジエトキシアントラセン、９，１０−ジプロポキシアントラセン（ＤＰＡ；川崎化成（株）製）、９，１０−ジブトキシアントラセン（ＤＢＡ；川崎化成（株）製）、９，１０−ジペンタオキシアントラセン、２−ｔ−ブチル−９，１０−ジブトキシアントラセン若しくは９，１０−ビス（トリメチルシリルエチニル）アントラセン等の縮合芳香族が挙げられる。
【００７３】
熱処理により気化する増感剤としては、熱処理により昇華、蒸発又は熱分解による熱分解物が昇華若しくは蒸発するものが好ましい。増感剤の気化温度としては、プリベーク温度では気化せず、ポストベーク時に分解及び気化して導電性粒子を接触及び融着させるため、１５０〜３００℃が好ましい。
【００７４】
導電性ペースト中の増感剤含有量としては、光酸発生剤を感光するための増感効果が十分となり、導電性粒子同士の接触を妨げず、より高い導電性を得るため、アルカリ可溶性樹脂１００質量部に対し、０．００１〜２０質量部が好ましく、０．００５〜１５質量部がより好ましい。
【００７５】
（可視光に吸収を有する顔料及び／又は染料）
本発明の導電膜の製造方法に用いられる導電性ペーストは、可視光に吸収を有する顔料及び／又は染料を、導電性粒子同士の接触及び融着を阻害しない範囲で含有しても構わない。導電性ペースト組成物が可視光に吸収を有する顔料及び／又は染料を含有することより、フラッシュ光照射による反射をさらに抑制できる。
【００７６】
可視光に吸収を有する顔料としては、例えば、ラクタム系顔料、ペリレン系顔料、フタロシアニン系顔料、イソインドリン系顔料、ジアミノアントラキノン系顔料、ジオキサジン系顔料、インダントロン系顔料、カーボンブラック又は無機顔料が挙げられる。
【００７７】
青色の顔料としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー（以下、「ＰＢ」）１５、ＰＢ１５：１、ＰＢ１５：２、ＰＢ１５：３、ＰＢ１５：４、ＰＢ１５：５、ＰＢ１５：６、ＰＢ１６又はＰＢ６０が挙げられる。紫色の顔料としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ピグメントバイオレット（以下、「ＰＶ」）１９、ＰＶ２３又はＰＶ３７が挙げられる。赤色の顔料としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド（以下、「ＰＲ」）１４９、ＰＲ１６６、ＰＲ１７７、ＰＲ１７９、ＰＲ２０９又はＰＲ２５４が挙げられる。緑色の顔料としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン（以下、「ＰＧ」）７、ＰＧ３６又はＰＧ５８が挙げられる。黄色の顔料としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー（以下、「ＰＹ」）１５０、ＰＹ１３８、ＰＹ１３９又はＰＹ１８５が挙げられる。黒色の顔料としては、例えば、ＨＣＦ、ＭＣＦ、ＬＦＦ、ＲＣＦ、ＳＡＦ、ＩＳＡＦ、ＨＡＦ、ＸＣＦ、ＦＥＦ、ＧＰＦ若しくはＳＲＦ等のファーネスブラック、ＦＴ若しくはＭＴ等のサーマルブラック、チャンネルブラック又はアセチレンブラック等のカーボンブラックあるいはラクタム系顔料（例えば、“Ｉｒｇａｐｈｏｒ”（登録商標）ブラックＳ０１００ＣＦ；ＢＡＳＦ社製）が挙げられる。中でも、耐熱性、耐光性及び可視光の吸収性に優れるカーボンブラックが好ましく、導電性及び分散性の観点から、ファーネスブラック又はラクタム系顔料がより好ましい。
【００７８】
カーボンブラックとしては、例えば、ＭＡ７７、７、８、１１、１００、１００Ｒ、１００Ｓ、２３０、２２０若しくは１４（以上、いずれも三菱化学株式会社製）、＃５２、４７、４５、４５Ｌ、４４、４０、３３、３２、３０、２５、２０、１０、５、９５、８５若しくは２６０（以上、いずれも三菱化学株式会社製）、Ｓｐｅｃｉａｌ  Ｂｌａｃｋ１００、２５０、３５０若しくは５５０（以上、いずれもエボニックデグサ社製）、又は、Ｐｒｉｎｔｅｘ９５、９０、５５、４５、４０、Ｐ、６０、Ｌ６、Ｌ、３００、３０、ＥＳ２３、９、ＥＳ２２、３５、２５，２００、Ａ若しくはＧが挙げられる。中でもｐＨ値が４以下である、ＭＡ７７、７、８、１１、１００、１００Ｒ、１００Ｓ、２３０、２２０若しくは１４、又は、Ｓｐｅｃｉａｌ  Ｂｌａｃｋ１００、２５０、３５０若しくは５５０が好ましい。カーボンブラックのｐＨ値は、ＪＩＳ  Ｋ５１０１に準拠して測定することができる。
【００７９】
導電性ペースト中の可視光に吸収を有する顔料の添加量としては、組成物中の全固形分に対し、０．１〜１０質量％が好ましい。
【００８０】
可視光に吸収を有する染料としては、例えば、フェロセン系染料、フルオレノン系染料、ペリレン系染料、トリフェニルメタン系染料、クマリン系染料、ジフェニルアミン系染料、キナクリドン系染料、キノフタロン系染料、フタロシアニン系染料又はキサンテン系染料が挙げられるが、耐熱性、耐光性及び可視光の吸収性に優れる黒色染料が好ましく、ＶＡＬＩＦＡＳＴ（登録商標）  Ｂｌａｃｋ  １８８８、ＶＡＬＩＦＡＳＴ（登録商標）  Ｂｌａｃｋ  ３８３０、ＮＵＢＩＡＮ（登録商標）  Ｂｌａｃｋ  ＰＡ−２８０２又はＯＩＬ  Ｂｌａｃｋ  ８６０が好ましい。
【００８１】
導電性ペースト中の可視光に吸収を有する染料の添加量としては、組成物中の全固形分に対し、０．１〜１０質量％が好ましい。
【００８２】
（その他の成分）
本発明の導電膜の製造方法に用いられる導電性ペーストは、必要に応じて、密着改良剤、界面活性剤又は重合禁止剤等を含有しても構わない。
【００８３】
密着改良剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン又は３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤が挙げられる。
【００８４】
界面活性剤としては、例えば、ラウリル硫酸アンモニウム若しくはポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸トリエタノールアミン等の陰イオン界面活性剤、ステアリルアミンアセテート若しくはラウリルトリメチルアンモニウムクロライド等の陽イオン界面活性剤、ラウリルジメチルアミンオキサイド若しくはラウリルカルボキシメチルヒドロキシエチルイミダゾリウムベタイン等の両性界面活性剤、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル若しくはソルビタンモノステアレート等の非イオン界面活性剤、フッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤が挙げられる。
【００８５】
導電性ペースト中の界面活性剤の添加量としては、塗布性及び塗膜表面の均一性を良好にするため、組成物全体に対し、０．００１〜１０質量％が好ましく、０．０１〜１質量％がより好ましい。添加量が０．００１質量％より少ないと、塗布性及び塗膜表面の均一性の効果が不十分となる場合がある。一方で、添加量が１０質量％を超えると、ハジキや凹み等の塗膜欠陥や、粒子の凝集が起こる場合がある。
【００８６】
重合禁止剤としては、例えば、ヒドロキノン系、カテコール系、リン系、イオウ系、アミン系又はヒンダードフェノール系の化合物が挙げられる。これらの中でもヒドロキノン系とカテコール系のものが、溶剤への溶解性や顔料の分散安定性を阻害しない、ヒドロキノン系又はカテコール系の化合物が好ましく、ヒドロキノン、ｔｅｒｔ−ブチルヒドロキノン、２，５−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）ヒドロキノン、２，５−ビス（１，１−ジメチルブチル）ヒドロキノンやカテコール又はｔｅｒｔ−ブチルカテコールがより好ましい。
【００８７】
（導電性ペーストの調製方法）
本発明の導電膜の製造方法に用いられる導電性ペーストは、ボールミルや、サンドグラインダー、３本ロールミル、マイルド分散機、メディアレス分散機等の分散機を用いて調製される。導電性粒子を均一に分散したい場合は、分散剤を用いて、予め有機溶剤中に導電性粒子を分散させた分散液を調製し、この分散液を、モノマー、ポリマー、密着改良剤、界面活性剤及び重合禁止剤等を含有する溶液と混合する方法により調製しても良い。導電性粒子の分散液は、表面被覆層が損傷を受けるのを防ぐために、マイルド分散機又はメディアレス分散機を用いて分散させることが好ましく、メディアレス分散機を用いて分散させることがより好ましい。導電性粒子の分散液は、例えば、マイルド分散機ナノゲッター（登録商標）（アシザワファインテック（株））又は高圧湿式メディアレス微粒化装置ナノマイザー（ナノマイザー（株））等の分散機を用いて、有機溶剤中に導電性粒子を分散させて調製される。
【００８８】
（導電膜）
本発明の導電膜は、基板上に形成された導電膜であって、前記導電膜が導電性粒子と炭素成分とを含有し、前記導電膜の表面または裏面のうち前記炭素成分が少ない方の面における前記炭素成分の元素濃度が、前記炭素成分が少ない面から前記導電膜中心部に向かって５０ｎｍの深部における前記炭素成分の元素濃度に比べ２倍以上低い導電膜である。すなわち、前記炭素成分が少ない方の面における前記炭素成分の元素濃度Ｃ１と、前記炭素成分が少ない面から前記導電膜中心部に向かって５０ｎｍの深部における前記炭素成分の元素濃度Ｃ２との比Ｃ２／Ｃ１が２以上の導電膜である。
【００８９】
導電膜表面および膜内の炭素元素濃度比の測定方法としては、二次イオン質量分析法で得た導電膜中の炭素成分の強度比から算出することができる。また、本発明の導電膜は、前記導電膜の表面または裏面のうち前記炭素成分が少ない方の面における前記炭素成分の元素濃度が、前記炭素成分が少ない面から前記導電膜中心部に向かって５０ｎｍの深部における前記炭素成分の元素濃度に比べ５倍以上低いことが好ましく、１０倍以上低いことがさらに好ましい。すなわち、上記の比Ｃ２／Ｃ１が５以上であることが好ましく、１０以上であることがさらに好ましい。上記の比Ｃ２／Ｃ１の上限に特に限定はないが１０００倍以下であることが好ましい。上記の比Ｃ２／Ｃ１が２以上の導電膜の形成方法としては、例えば、上述のように炭素単体物で表面被覆された導電性粒子と、感光性有機成分とを含有する導電性ペーストを塗布し、形成した塗布膜にフラッシュ光を照射する方法が挙げられる。
【００９０】
また、本発明の導電膜は、パターニングされた配線と電極とを有し、前記配線は、その少なくとも一部において幅が２００μｍ以下であり、前記配線と前記電極との少なくとも一方は、幅２００μｍを超える広幅部を有し、前記広幅部は、開口部と非開口部とを有し、前記非開口部における導電膜の幅が２００μｍ以下であることが好ましい。これにより、幅が２００μｍ以下のパターンを組み合わせることで、任意の形状の配線または電極パターンを形成することができる。
【００９１】
（導電膜および導電パターンの形成方法）
以下では、導電性ペーストを用いた導電膜および導電パターンの形成方法について詳細に説明する。
【００９２】
（導電性粒子および感光性有機成分を含有する導電性ペーストを用いて基板上に塗布膜を形成する工程）
導電性ペーストを基板に塗布する方法としてはスピナーを用いた回転塗布、スプレー塗布、ロールコーティング、スクリーン印刷、ブレードコーター、ダイコーター、カレンダーコーター、メニスカスコーター、バーコーター、インクジェットなどの方法を用いて、全面または部分的に塗布する。また、塗布膜厚は、塗布手法、組成物の固形分濃度、粘度などによって異なるため、乾燥後の膜厚が所定の値になるように調整する。
【００９３】
次に基板上に塗布した塗布膜から溶剤を除去する。これにより、塗布膜が形成される。溶剤を除去する方法としては、オーブン、ホットプレート、赤外線などによる加熱乾燥や真空乾燥などが挙げられる。加熱乾燥は５０℃から１８０℃の範囲で１分から数時間行うのが好ましい。これにより、基板上に配線に対応するパターン、及び電極に対応するパターンを一括形成することができる。また、本発明の導電膜の製造方法は、前記配線が、その少なくとも一部において幅が２００μｍ以下であり、前記配線と前記電極との少なくとも一方は、幅２００μｍを超える広幅部を有し、前記広幅部は、開口部と非開口部とを有し、前記非開口部における導電膜の幅が２００μｍ以下であることが好ましい。
【００９４】
図１は、本発明の導電膜の形態例を示す模式図である。図１に示すように、形態例に係るパターニングされた導電膜は、開口部１と非開口部２とを有する電極３及び配線４を有する。図１の形態例において、電極の幅５は２００μｍを超えている。すなわち、電極３が幅２００μｍを超える広幅部を有している。また、図１の形態例において、配線の幅６は２００μｍ以下である。すなわち、配線４は上述した少なくとも一部において幅が２００μｍ以下である配線である。さらに、図１の形態例において、電極３が有する前記広幅部は、開口部１と非開口部２とを有する。そして、非開口部における導電膜の幅７が２００μｍ以下である。
【００９５】
図１に示すように、非開口部を設けることで、幅が２００μｍ以下となる導電膜のパターンのみで２００μｍを超える広幅パターンを形成する。
【００９６】
なお、図１には、説明の簡略化のために、４箇所の開口部１が例示されているが、本形態例に係る導電膜は、勿論、開口部が４箇所のものに限定されず、上述した範囲を満たせば、開口部が１箇所以上のものであってもよい。また、幅２００μｍを超える広幅部を有した配線パターンにおいても同様の形態を取ることができる。
【００９７】
また、非開口部の形状は図１のような格子形状に限られるものではなく、図２及び図３に示すように長方形やその組み合わせなど、上述した範囲を満たせばよい。ただし、導電膜面積の観点から格子状の形状であることが好ましい。
【００９８】
このように、幅が２００μｍ以下の導電膜のパターンを組み合わせることで、任意の形状の配線または電極パターンを形成することができる。また、導電性ペーストを基板上にパターン状に形成し、フラッシュ光を前記塗布膜に照射した際、同一の光照射条件で幅２００μｍを超える広幅部パターンと幅２００μｍ以下のパターンに対し、同時かつ均一に導電性を発現することができ、さらに基板からのパターンの剥離を抑制することができる。
（塗布膜を、フォトリソグラフィにより塗布膜のパターンに加工する工程）
溶剤除去後の塗布膜を、フォトリソグラフィによりパターン加工する。露光に用いられる光源としては水銀灯のｉ線（３６５ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｇ線（４３６ｎｍ）を用いるのが好ましい。
【００９９】
露光後、現像液を用いて未露光部を除去することによって、所望のパターンが得られる。アルカリ現像を行う場合の現像液としては、水酸化テトラメチルアンモニウム、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノエチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどの化合物の水溶液が好ましい。また場合によっては、これらの水溶液にＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトンなどの極性溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類などを単独あるいは複数種添加したものを現像液として用いてもよい。また、これらのアルカリ水溶液に界面活性剤を添加したものを現像液として使用することもできる。有機現像を行う場合の現像液としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルトリアミドなどの極性溶媒を単独あるいは、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、キシレン、水、メチルカルビトール、エチルカルビトールなどと組み合わせた混合溶液が使用できる。
【０１００】
現像は、基板を静置または回転させながら上記の現像液を塗布膜面にスプレーする、基板を現像液中に浸漬する、あるいは浸漬しながら超音波をかけるなどの方法によって行うことができる。
【０１０１】
現像後、水によるリンス処理を施してもよい。ここでもエタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類などを水に加えてリンス処理をしてもよい。
【０１０２】
このように、フォトリソグラフィにより導電膜をパターン加工することで、上述の開口部および非開口部のような所望のパターンを容易に形成することができる。
【０１０３】
（塗布膜または塗布膜のパターンにフラッシュ光を照射する工程）
次に導電性を発現させるために塗布膜または塗布膜のパターンにフラッシュ光を照射する。フラッシュ光を照射する前後又は照射と同時に、熱処理を行っても構わない。この熱処理方法としては、例えば、オーブン、イナートオーブン、ホットプレート、赤外線などによる加熱処理や真空処理などが挙げられる。また、光吸収により発生する熱を放熱させるため、基板を冷却しながらフラッシュ光を照射しても構わない。
【０１０４】
フラッシュ光の光源としては、例えば、キセノンランプ、ハロゲンランプ、重水素ランプ、ＬＥＤ、レーザー、プラズマ、発光ダイオード、白熱球又はフィラメントにカンタル線、タングステン若しくはカーボン等を使用した光源が挙げられる。本発明の導電膜の製造方法は、前記フラッシュ光の光源が、キセノンランプ、ハロゲンランプ、重水素ランプ、プラズマからなる群から選ばれる光源であることが好ましい。前記フラッシュ光の光源がかかる群から選ばれる光源であることにより、紫外線から赤外線までの連続的な波長スペクトルをもつ光を照射することができる。また、本発明の導電膜の製造方法は、前記光源が、キセノンランプまたはハロゲンランプであることがより好ましく、キセノンランプであることがさらに好ましい。前記光源がキセノンランプまたはハロゲンランプ、さらに好ましくはキセノンランプであることにより、近赤外線領域を含む光を照射することが可能となる。
【０１０５】
本発明における、フラッシュ光の照射とは、点灯時間が１μｓ〜１００００μｓの光の照射のことをいい、前記点灯時間をパルス照射時間という。本発明において、フラッシュ光のパルス照射時間は、適宜調整すればよいものであるが、１０μｓ〜５０００μｓの範囲内とすることが好ましく、１０μｓ〜２０００μｓの範囲内とすることがより好ましい。また、フラッシュ光の１回あたりの照射エネルギーは、０．１Ｊ／ｃｍ２〜５０Ｊ／ｃｍ２が好ましく、０．１Ｊ／ｃｍ２〜５Ｊ／ｃｍ２がより好ましい。
【０１０６】
フラッシュ光の照射回数は、塗膜の組成や、膜厚、面積などに応じて適宜調整すればよく、照射回数は１回のみであってもよく、２回以上繰り返し行ってもよい。フラッシュ光を複数回照射する場合には、フラッシュ光の照射間隔は適宜調整すればよい。中でも照射間隔を１０μ秒〜１秒の範囲内で設定することが好ましく、５０μ秒〜１秒の範囲内に設定することがより好ましい。フラッシュ光を上記のように設定することにより、塗布膜およびパターンおよび基板の急激な変性を抑え、導電性に優れた膜およびパターンを得ることができる。
【０１０７】
このようにして得られた導電膜および導電パターンの厚みは、用途に応じて適宜調製すればいいが、０．０１μｍ〜１００μｍ程度であることが好ましい。
【０１０８】
（電界効果型トランジスタ）
本発明の電界効果型トランジスタ（以下、ＦＥＴという）の製造方法は、以下の工程（１）〜（４）を含む電界効果型トランジスタの製造方法であって、
（１）第一の電極を形成する工程、
（２）絶縁層を形成する工程、
（３）前記絶縁層により前記第一の電極と電気的に絶縁された第二の電極および第三の電極を形成する工程、
（４）前記第二の電極と前記第三の電極の間に半導体層を形成する工程、
前記第一の電極、前記第二の電極、および前記第三の電極の少なくとも一つが導電膜からなり、前記導電膜を本発明の導電膜の製造方法を用いて製造する。
【０１０９】
図４は、本発明のＦＥＴの製造方法の実施形態の例を示す模式断面図である。図４では、（１）アンダーコート層１３を有する基板１１の表面上に第一の電極１２を前述の塗布膜の形成方法を用いて形成し、（２）第一の電極１２を覆うように絶縁層１４を形成し、（３）絶縁層１４上に第二の電極１５および第三の電極１６を形成し、（４）第二の電極１５と第三の電極１６の間に半導体層１７を塗布法により形成している。
【０１１０】
図４への記載は省略するが、さらに第一の電極用の配線、第二の電極および第三の電極用の配線の形成工程を含んでいても良い。
【０１１１】
図４で示した製造方法で作製したＦＥＴの構造は第一の電極が半導体層の下側（基板側）に配置され、半導体層の同一平面上に第二の電極および第三の電極が配置される、いわゆるボトムゲート構造であるが、これに限られるものではなく、工程（１）および（３）の順序を入れ替えることで第三の電極が半導体層の上側（基板と反対側）に配置され、半導体層と同一平面上に第一の電極および第二の電極が配置される、いわゆるトップゲート構造をとってもいい。
【０１１２】
工程（１）または（３）の少なくとも一つの電極は、導電膜からなり、前記導電膜を、本発明の導電膜の製造方法を用いて製造する。より具体的な電極の形成方法としては前述の導電膜の形成方法を用いることができる。第二の電極１５および第三の電極１６に対し前述の導電膜の形成方法を用いる場合は、絶縁層１４がアンダーコート層の役割も果たす。
【０１１３】
また、公知の技術を組み合わせて他の電極を形成しても良い。公知の技術としては、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子線ビーム法、スパッタリング法、メッキ法、ＣＶＤ法などが挙げられる。また電極パターンの形成方法としては、上記方法で作製した電極薄膜を公知のフォトリソグラフィ法などで所望の形状にパターン形成してもよいし、電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターン形成してもよい。
【０１１４】
その際、電極に用いられる材料は、一般的に電極として使用されうる導電材料であればいかなるものでもよい。例えば、酸化錫、酸化インジウム、酸化錫インジウムなどの導電性金属酸化物；白金、金、銀、銅、鉄、錫、亜鉛、アルミニウム、インジウム、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、カルシウム、マグネシウム、パラジウム、モリブデン、アモルファスシリコンやポリシリコンなどの金属やこれらの合金；ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質；ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン；ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体；ヨウ素などのドーピングなどで導電率を向上させた導電性ポリマーなど；炭素材料など；および有機成分と導電体を含有する材料などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１１５】
これらの電極材料は、単独で用いてもよいが、複数の材料を積層または混合して用いてもよい。
【０１１６】
工程（２）における絶縁層の形成方法としては、抵抗加熱蒸着法、電子線ビーム法、スパッタリング法、メッキ法、ＣＶＤ法、イオンプレーティングコーティング法、インクジェット法、印刷法、スピンコート法、ブレードコート法、スリットダイコート法、スクリーン印刷法、バーコーター法、鋳型法、印刷転写法、浸漬引き上げ法などの公知の技術が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１１７】
絶縁層に用いられる材料は、特に限定されないが、酸化シリコン、アルミナ等の無機材料；ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリビニルクロライド、ポリエチレンテレフタレート、ポリフッ化ビニリデン、ポリシロキサン、ポリビニルフェノール等の有機材料；あるいは無機材料粉末と有機材料の混合物を挙げられる。中でもケイ素原子と炭素原子の結合を含む有機化合物を含むことが好ましい。また、それに加えて金属原子および酸素原子の結合を含む金属化合物を含むことがさらに好ましい。
【０１１８】
絶縁層は単層でも複数層でもよい。また、１つの層を複数の絶縁性材料から形成してもよいし、複数の絶縁性材料を積層して複数の絶縁層を形成しても構わない。
【０１１９】
工程（４）における半導体層の形成方法としては、抵抗加熱蒸着、電子線、スパッタリング、ＣＶＤなど乾式の方法を用いることも可能であるが、製造コストや大面積への適合の観点から塗布法を用いることが好ましい。塗布法としては、前記組成物の説明と同様の方法を用いることができ、塗布法としては、スピンコート法、ブレードコート法、スリットダイコート法、スクリーン印刷法、バーコート法、鋳型法、印刷転写法、浸漬引き上げ法、インクジェット法などの公知の塗布方法が挙げられる。塗膜厚み制御や配向制御など、得ようとする塗膜特性に応じて塗布方法を選択できる。また、形成した塗膜に対して、大気下、減圧下または不活性ガス雰囲気下（窒素やアルゴン雰囲気下）でアニーリング処理を行ってもよい。
【０１２０】
半導体層に用いられる半導体材料としては、半導体性を有するものであれば特に制限はなく、シリコン半導体や酸化物半導体等の無機半導体、ペンタセンやポリチオフェン誘導体等の有機半導体、カーボンナノチューブ（以下、ＣＮＴという場合がある）やグラフェン、フラーレン等のカーボン半導体を用いることができる。これらの中でも、塗布形成できる点から、ＣＮＴ、グラフェン、フラーレンおよび有機半導体が好ましい。
【０１２１】
本発明の電界効果型トランジスタの製造方法は、前記半導体層を形成する工程に、カーボンナノチューブを含む溶液を塗布する手順を含むことがより好ましい。カーボンナノチューブを含む溶液を塗布することにより、２００℃以下の低温で半導体層を形成でき、また、高い半導体特性が得られやすくなる。
【０１２２】
さらに、ＣＮＴの表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したＣＮＴ複合体を用いることにより、ＣＮＴの保有する高い電気的特性を損なうことなくＣＮＴを溶液中に均一に分散することが可能になるため、特に好ましい。また、ＣＮＴが均一に分散した溶液を用いることで、ＣＮＴが均一に分散した膜をインクジェット法等の塗布法により形成することができる。
【０１２３】
ＣＮＴに共役系重合体を付着させる方法は、（Ｉ）溶融した共役系重合体中にＣＮＴを添加して混合する方法、（ＩＩ）共役系重合体を溶媒中に溶解させ、この中にＣＮＴを添加して混合する方法、（ＩＩＩ）ＣＮＴを溶媒中に超音波等で予備分散させておき、そこへ共役系重合体を添加し混合する方法、（ＩＶ）溶媒中に共役系重合体とＣＮＴを入れ、この混合系へ超音波を照射して混合する方法などが挙げられる。本発明では、いずれの方法を用いてもよく、複数の方法を組み合わせてもよい。
【０１２４】
共役系重合体としては、ポリチオフェン系重合体、ポリピロール系重合体、ポリアニリン系重合体、ポリアセチレン系重合体、ポリ−ｐ−フェニレン系重合体、ポリ−ｐ−フェニレンビニレン系重合体などが挙げられるが、特に限定されない。上記重合体は単一のモノマーユニットが並んだものが好ましく用いられるが、異なるモノマーユニットをブロック共重合したもの、ランダム共重合したものも用いられる。また、グラフト重合したものも用いることができる。
【０１２５】
（強誘電体メモリ素子）
本発明の導電膜の製造方法で得られた導電膜を用いて強誘電体メモリ素子を製造する方法の一態様は、以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む強誘電体メモリ素子の製造方法であって、
（ａ）強誘電体メモリ素子の第一の電極を形成する工程、
（ｂ）前記強誘電体メモリ素子の前記第一の電極上に強誘電体層を形成する工程、
（ｃ）前記強誘電体層上に強誘電体メモリ素子の第二の電極を形成する工程、
前記強誘電体メモリ素子の前記第一の電極または前記強誘電体メモリ素子の前記第二の電極の少なくとも一つが導電膜からなり、前記導電膜を、本発明の導電膜の製造方法を用いて製造する。
【０１２６】
図５は、本発明の導電膜の製造方法で得られた導電膜を用いて強誘電体素子を製造する方法の一例を示す模式断面図である。図５では、（ａ）アンダーコート層２３を有する基板２１の表面上に第一の電極２２を前述の塗布膜およびパターンの形成方法を用いて形成し、（ｂ）第一の電極１２を覆うように強誘電体層２４を形成し、（ｃ）強誘電体層２４上に第二の電極２５を形成している。
【０１２７】
図５への記載は省略するが、さらに第一の電極用の配線および第二の電極用の配線の形成工程を含んでいても良い。
【０１２８】
工程（ａ）または（ｃ）の少なくとも一方における強誘電体メモリ素子の電極は、導電膜からなり、前記導電膜を、本発明の導電膜の製造方法を用いて製造する。第二の電極２５に対し前述の導電膜の形成方法を用いる場合は、強誘電体層２４がアンダーコート層の役割も果たす。より具体的な電極の形成方法としては前述の導電膜および導電パターンの形成方法を用いることができる。
【０１２９】
工程（ｂ）における強誘電体層の形成方法としては、抵抗加熱蒸着法、電子線ビーム法、スパッタリング法、メッキ法、ＣＶＤ法、イオンプレーティングコーティング法、インクジェット法、印刷法、スピンコート法、ブレードコート法、スリットダイコート法、スクリーン印刷法、バーコーター法、鋳型法、印刷転写法、浸漬引き上げ法などの公知の技術が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１３０】
強誘電体層とは、強誘電特性を示す層である。強誘電特性とは外部に電場が無くても電気双極子が整列しており、かつ双極子の方向が外部電場によって反転する（これを分極反転という）性質のことである。
【０１３１】
強誘電体層に含まれる材料としては、強誘電特性を示す化合物であれば特に限定はなく、無機及び有機の強誘電体化合物が挙げられる。無機強誘電体化合物としては、ジルコン酸チタン酸鉛、チタン酸バリウム、Ｂｉ層状強誘電体材料、（Ｎａ０．５Ｋ０．５）ＮｂＯ３などのパイロナイオベート等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１３２】
有機強誘電体化合物としては、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリ（フッ化ビニリデン−トリフルオロエチレン）（ＰＶＤＦ−ＴｒＦＥ）、ポリ（フッ化ビニリデン−テトラフルオロエチレン）（ＰＶＤＦ−ＴｅＦＥ）、ポリ（フッ化ビニリデン−クロロトリフルオロエチレン）（ＰＶＤＦ−ＣＴＦＥ）、ポリ（フッ化ビニリデン−クロロフルオロエチレン）（ＰＶＤＦ−ＣＦＥ）、ポリ（フッ化ビニリデン−トリフルオロエチレン−クロロフルオロエチレン）（ＰＶＤＦ−ＴｒＦＥ−ＣＦＥ）、ポリ（フッ化ビニリデン−トリフルオロエチレン−クロロトリフルオロエチレン）（ＰＶＤＦ−ＴｒＦＥ−ＣＴＦＥ）のような共重合体に代表されるフッ素を含むオリゴマー又はポリマー、ポリビニリデン・シアン化物（ＰＶＣＮ）、メチレン鎖の数が奇数のナイロン、デオキシリボ核酸（ＤＮＡ）、イミダゾール誘導体、クロコン酸誘導体等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１３３】
これらの無機強誘電体化合物、及び有機強誘電体化合物は、単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【０１３４】
（コンデンサ）
本発明の導電膜の製造方法で得られた導電膜を用いてコンデンサを製造する方法の一態様は、以下の工程（Ａ）〜（Ｃ）を含むコンデンサの製造方法であって、
（Ａ）コンデンサの第一の電極を形成する工程、
（Ｂ）前記導電膜上に、誘電体層を形成する工程、
（Ｃ）前記誘電体層上にコンデンサの第二の電極を形成する工程、
前記コンデンサの前記第一の電極または前記コンデンサの前記第二の電極の少なくとも一つが導電膜からなり、前記導電膜を、本発明の導電膜の製造方法を用いて製造する。
【０１３５】
図６は、本発明の導電膜の製造方法で得られた導電膜を用いてコンデンサを製造する方法の一例を示す模式断面図である。図６では、（Ａ）アンダーコート層３３を有する基板３１の表面上にコンデンサの第一の電極３５を前述の塗布膜およびパターンの形成方法を用いて形成し、（Ｂ）第一の電極３５を覆うように誘電体層３４を形成し、（Ｃ）誘電体層３４上にコンデンサの第二の電極３６を形成している。
【０１３６】
図６への記載は省略するが、さらに第一の電極用の配線および第二の電極用の配線の形成工程を含んでいても良い。
【０１３７】
工程（Ａ）または（Ｃ）の少なくとも一方におけるコンデンサの電極は、導電膜からなり、前記導電膜を、本発明の導電膜の製造方法を用いて製造する。第二の電極３６に対し前述の導電膜の形成方法を用いる場合は、誘電体層３４がアンダーコート層の役割も果たす。より具体的な電極の形成方法としては前述の導電膜および導電パターンの形成方法を用いることができる。
【０１３８】
工程（Ｂ）における誘電体層の形成方法としては、抵抗加熱蒸着、電子線ビーム、スパッタリング、メッキ、ＣＶＤ、イオンプレーティングコーティング、インクジェット、印刷、スピンコート法、ブレードコート法、スリットダイコート法、スクリーン印刷法、バーコーター法、鋳型法、印刷転写法、浸漬引き上げ法などの公知の技術が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１３９】
工程（Ｂ）における誘電体層の形成方法としては、上述の強誘電体メモリ素子の製造方法の工程（ｂ）と同様の方法が使用できる。
【０１４０】
誘電体材料は特に限定はしないが、上述の電界効果型トランジスタの絶縁層と同様の材料を使用することができる。
【０１４１】
（無線通信装置）
本発明の無線通信装置の製造方法の一態様は、基板上に電界効果型トランジスタを形成する工程と、前記基板上にアンテナを形成する工程と、を含む無線通信装置の製造方法であって、前記電界効果型トランジスタを本発明の電界効果型トランジスタの製造方法を用いて形成する。
【０１４２】
上記の方法で得られるＦＥＴを含有する無線通信装置の製造方法について説明する。この方法は、上記の製造方法でＦＥＴを形成する工程と、そのＦＥＴが形成される、基板の表面上にアンテナパターンを形成する工程と、を含む。電界効果型トランジスタとアンテナパターンの形成順序は問わない。なお、本発明においてアンテナとは電波を送受信するための物である。
【０１４３】
無線通信装置は、例えばＲＦＩＤのような、外部のリーダ／ライタに搭載されたアンテナから送信される搬送波をＲＦＩＤタグが受信することで電気通信を行う装置である。
【０１４４】
具体的な動作は、例えばリーダ／ライタに搭載されたアンテナから送信された無線信号を、ＲＦＩＤタグのアンテナが受信し、ＲＦＩＤ内のＦＥＴが無線信号のコマンドに応じた動作を行う。その後、コマンドに応じた結果の回答を無線信号としてＲＦＩＤタグのアンテナからリーダ／ライタのアンテナへ送信する。なお、コマンドに応じた動作は、ＦＥＴから構成される公知の復調回路、動作制御ロジック回路、変調回路などで行われる。
【０１４５】
無線通信装置は、図７、図８に一例を示すように、アンテナパターン１０１を形成した基板１００上に、本発明のＦＥＴの製造方法にて製造されたＦＥＴを含む回路１０２と、それとアンテナとの接続配線１０３を形成することで、製造することができる。
【０１４６】
アンテナパターンおよび接続配線パターンを形成する方法としては、抜き刃を用いて銅箔やアルミニウム箔などの金属箔を加工して基板に転写する方法、基板に貼り付けた金属箔を、金属箔上に形成したレジスト層をマスクとしてエッチングする方法、基板に導電性ペーストのパターンを塗布法により形成し、熱や光によってそのパターンを硬化させる方法などがある。
【０１４７】
本発明の無線通信装置の製造方法の別の一態様は、基板上に電界効果型トランジスタを形成する工程と、前記基板上にアンテナを形成する工程と、を含む無線通信装置の製造方法であって、前記アンテナが導電膜からなり、前記導電膜を本発明の導電膜の製造方法を用いて形成することが好ましい。かかる手順を含むことにより、無線通信装置の生産効率をより向上させることができる。本態様における電界効果型トランジスタを製造する方法としては、本発明の電界効果型トランジスタの製造方法を用いても、一般的に使用される電界効果型トランジスタを用いても構わない。
（その他の用途）
ここまで、本発明の導電膜の製造方法を用いた用途を説明してきたが、本発明は上述した用途によってのみ限定されるべきものではない。例えば、本発明の導電膜の製造方法は、タッチパネル、ディスプレイ、イメージセンサ、有機エレクトロルミネッセンス照明、太陽電池等に用いられる導電性パターンの形成にも好適に利用できる。
【実施例】
【０１４８】
以下、本発明の実施例について説明する。まず、実施例及び比較例で用いた材料について説明する。以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明する。なお、本発明は下記実施例に限定されるものではない。実施例における各評価法を以下の［１］および［２］で説明する。【０１４９】
［１］抵抗値の評価
表面抵抗測定機（ロレスタ（登録商標）−ＦＰ；三菱油化株式会社製）を用いて表面抵抗値（Ω／□）を測定した。また、表面粗さ形状測定機（サーフコム（登録商標）１４００Ｄ；株式会社東京精密製）を用いて膜厚（ｃｍ）を測定した。表面抵抗値と膜厚の両値を乗算することで、体積抵抗率（μΩ・ｃｍ）を算出した。【０１５０】
［２］ＦＥＴの移動度の評価
ＦＥＴのゲート電圧（Ｖｇ）を変えたときのソース・ドレイン間電流（Ｉｄ）−ソース・ドレイン間電圧（Ｖｓｄ）特性を測定した。測定には半導体特性評価システム４２００−ＳＣＳ型（ケースレーインスツルメンツ（株）製）を用い、大気下で測定した。Ｖｇ＝＋２０Ｖ〜−２０Ｖに変化させたときのＶｓｄ＝−５ＶにおけるＩｄの値の変化から移動度を求めた。【０１５１】
合成例；アルカリ可溶性樹脂１
５００ｍＬのフラスコに２，２’−アゾビス（イソブチロニトリル）を２ｇ、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート（以下、ＰＧＭＥＡという）を５０ｇ仕込んだ。その後、メタクリル酸を１５．６９ｇ、スチレンを３７．４５ｇ、ジシクロペンタニルメタクリレートを４６．８６ｇ仕込み、室温でしばらく撹拌し、フラスコ内をバブリングによって十分に窒素置換した後、７０℃で５時間加熱撹拌した。次に、得られた溶液にメタクリル酸グリシジルを１０．４６ｇ、ジメチルベンジルアミンを１ｇ、ｐ−メトキシフェノールを０．２ｇ、ＰＧＭＥＡを１００ｇ添加し、９０℃で４時間加熱撹拌し、アルカリ可溶性樹脂１の溶液を得た。得られたアルカリ可溶性樹脂１の溶液に固形分濃度が４０質量％になるようにＰＧＭＥＡを加えた。アクリル樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は２５，０００であった。【０１５２】
調製例１；感光性樹脂溶液１（感光性有機成分）
クリーンボトルに、２５．０ｇのアルカリ可溶性樹脂１の溶液（４０質量％）、光重合開始剤として１．５ｇのイルガキュア（登録商標）ＯＸＥ０２（オキシムエステル系化合物；ＢＡＳＦ社製）、５．５ｇのライトアクリレート（登録商標）ＰＥ−４Ａ（共栄社化学社製）及び分散剤として２．０ｇのＤＩＳＰＥＲＢＹＫ（登録商標）１４０（ビックケミー・ジャパン株式会社製）（アミン価：１４６ｍｇＫＯＨ／ｇ）を入れ、自転公転ミキサー“あわとり練太郎”（登録商標）（ＡＲＥ−３１０；（株）シンキー製）で混合して、感光性樹脂溶液１を得た。【０１５３】
調製例２；導電性ペーストＡ
得られた感光性樹脂溶液１に、導電性粒子として表面炭素被覆層の平均厚みが１ｎｍで、平均粒子径が４０ｎｍの銀粒子（日清エンジニアリング株式会社製）を加え、さらにＰＧＭＥＡを固形分比率が８０質量％になるように加えた後に混ぜ合わせ、３本ローラー（ＥＸＡＫＴ  Ｍ−５０；ＥＸＡＫＴ社製）を用いて混練することで、導電性ペーストＡを得た。【０１５４】
調製例３；導電性ペーストＢ
上記と同様の方法で得られた感光性樹脂溶液１に、表面炭素被覆層の平均厚みが５ｎｍで粒子径が４０ｎｍの銀微粒子（日清エンジニアリング株式会社製）を加え、さらにＰＧＭＥＡを固形分比率が８０質量％になるように加えた後に混ぜ合わせ、３本ローラー（ＥＸＡＫＴ  Ｍ−５０；ＥＸＡＫＴ社製）を用いて混練することで、導電性ペーストＢを得た。【０１５５】
調製例４；導電性ペーストＣ
上記と同様の方法で得られた感光性樹脂溶液１に、表面炭素被覆層の平均厚みが５ｎｍで粒子径が６０ｎｍの銀微粒子（日清エンジニアリング株式会社製）を加え、さらにＰＧＭＥＡを固形分比率が８０質量％になるように加えた後に混ぜ合わせ、３本ローラー（ＥＸＡＫＴ  Ｍ−５０；ＥＸＡＫＴ社製）を用いて混練することで、導電性ペーストＣを得た。【０１５６】
調製例５；導電性ペーストＤ
上記と同様の方法で得られた感光性樹脂溶液１に、表面炭素被覆層の平均厚みが３ｎｍで平均粒子径が２００ｎｍの銀微粒子（日清エンジニアリング株式会社製）を加え、さらにＰＧＭＥＡを固形分比率が８０質量％になるように加えた後に混ぜ合わせ、３本ローラー（ＥＸＡＫＴ  Ｍ−５０；ＥＸＡＫＴ社製）を用いて混練することで、導電性ペーストＤを得た。【０１５７】
調整例６；導電性ペーストＥ
上記と同様の方法で得られた感光性樹脂溶液１に、表面炭素被覆層の平均厚みが１ｎｍで平均粒子径が２００ｎｍの銀微粒子（日清エンジニアリング株式会社製）を加え、さらにＰＧＭＥＡを固形分比率が８０質量％になるように加えた後に混ぜ合わせ、３本ローラー（ＥＸＡＫＴ  Ｍ−５０；ＥＸＡＫＴ社製）を用いて混練することで、導電性ペーストＥを得た。【０１５８】
調製例７；導電性ペーストＦ       
８０．００ｇの平均粒子径が２００ｎｍの銀粒子（三井金属（株）製）、分散剤として４．０６ｇのＤＩＳＰＥＲＢＹＫ（登録商標）１４０（ビックケミー・ジャパン株式会社製）（アミン価：１４６ｍｇＫＯＨ／ｇ）、１９６．１４ｇのＰＧＭＥＡに対し、ホモジナイザーにて、１２００ｒｐｍ、３０分の混合処理を施し、さらに、その混合液を、ジルコニアビーズが充填されたミル型分散機を用いて分散し、導電性ペーストＦを得た。【０１５９】
調製例８；導電性ペーストＧ
感光性樹脂溶液１に、導電性粒子として８０．０ｇの平均粒子径が２００ｎｍの銀粒子（三井金属（株）製）を加え、さらにＰＧＭＥＡを固形分比率が８０質量％になるように加えた後に混ぜ合わせ、３本ローラー（ＥＸＡＫＴ  Ｍ−５０；ＥＸＡＫＴ社製）を用いて混練することで、導電性ペーストＧを得た。【０１６０】
調製例９；アンダーコート層溶液Ａ
メチルトリメトキシシラン６１．２９ｇ（０．４５モル）、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン１２．３１ｇ（０．０５モル）、およびフェニルトリメトキシシラン９９．１５ｇ（０．５モル）をプロピレングリコールモノブチルエーテル（沸点１７０℃）２０３．３６ｇに溶解し、これに、水５４．９０ｇ、リン酸０．８６４ｇを撹拌しながら加えた。得られた溶液をバス温１０５℃で２時間加熱し、内温を９０℃まで上げて、主として副生するメタノールからなる成分を留出せしめた。次いでバス温１３０℃で２．０時間加熱し、内温を１１８℃まで上げて、主として水とプロピレングリコールモノブチルエーテルからなる成分を留出せしめた後、室温まで冷却し、固形分濃度２６．０重量％のポリシロキサン溶液Ａを得た。得られたポリシロキサンの重量平均分子量は６０００であった。【０１６１】
得られたポリシロキサン溶液Ａを１０ｇはかり取り、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート（以下、ＰＧＭＥＡという）５４．４ｇを混合して、室温にて２時間撹拌し、アンダーコート層溶液Ａを得た。【０１６２】
調製例１０；アンダーコート層Ｂ
アクリル樹脂ＳＰＣＲ−１０Ｘ（商品名、昭和電工（株）製）の３６重量％ＰＧＭＥＡ溶液を８ｇはかり取り、ＰＧＭＥＡ４０ｇを混合して、室温にて撹拌し、アンダーコート層溶液Ｂを得た。【０１６３】
調製例１１；アンダーコート層Ｃ
アクリル樹脂Ｖ−６８４１（商品名、ＤＩＣ（株）製）の５８重量％メチルイソブチルケトン溶液を８ｇはかり取り、ＰＧＭＥＡ１５ｇを混合して、室温にて撹拌し、アンダーコート層溶液Ｃを得た。【０１６４】
（実施例１）
ＰＥＴ基板（膜厚５０μｍ）上に、導電性ペーストＡを乾燥膜の膜厚が１μｍになるようにスクリーン印刷し、得られた塗布膜を１００℃の熱風オーブン内で１分間プリベークした。得られたプリベーク膜にフラッシュランプアニール装置（ＰｕｌｓｅＦｏｒｇｅ１２００（ＮＯＶＡＣＥＮＴＲＩＸ製））を用いて、フラッシュ光を照射した（エネルギー量：２Ｊｃｍ−２）。フラッシュ光照射後の導電膜の表面抵抗値から以下の基準に従って導電性の評価を行った。結果を、表１に示す。
表面抵抗値が
「Ａ」：１００Ω／□未満
「Ｂ」：１００Ω／□以上１ｋΩ／□未満
「Ｃ」：１ｋΩ／□以上１ＭΩ／□未満
「Ｄ」：１ＭΩ／□以上または測定不可。【０１６５】
（実施例２）
ＰＥＴ基板（膜厚５０μｍ）上に、アンダーコート層溶液Ａを８００ｒｐｍ×２０秒の条件でスピンコートした後、１２０℃で５分間熱処理後、再度アンダーコート層溶液Ａを８００ｒｐｍ×２０秒の条件でスピンコートし、１５０℃で３０分間熱処理することによって、膜厚５００ｎｍのアンダーコート層Ａを形成した。【０１６６】
次にアンダーコート層Ａ上に導電性ペーストＡを乾燥膜の膜厚が１μｍになるようにスクリーン印刷し、得られた塗布膜を１００℃の熱風オーブン内で１分間プリベークした。得られたプリベーク膜をフラッシュランプアニール装置（ＰｕｌｓｅＦｏｒｇｅ１２００（ＮＯＶＡＣＥＮＴＲＩＸ製））を用いて、フラッシュ光を照射した（エネルギー量：２Ｊｃｍ−２）。フラッシュ光照射後の導電膜の表面抵抗値から実施例１と同様の基準に従って導電性の評価を行った。結果を、表１に示す。【０１６７】
（実施例３〜７）
実施例２と同様の方法で、表１記載のアンダーコート層および導電性ペーストの導電膜を得て、それぞれの導電膜について実施例１と同様の評価をした。評価結果を、表１に示す。【０１６８】
（比較例１）
ＰＥＴ基板（膜厚５０μｍ）上に、アンダーコート層溶液Ａを８００ｒｐｍ×２０秒の条件でスピンコートした後、１２０℃で５分間熱処理した。再度アンダーコート層溶液Ａを８００ｒｐｍ×２０秒の条件でスピンコートし、１５０℃で３０分間熱処理することによって、膜厚５００ｎｍのアンダーコート層Ａを形成した。【０１６９】
次にアンダーコート層Ａ上に導電性ペーストＦを乾燥膜の膜厚が１μｍになるようにスクリーン印刷し、得られた塗布膜を１００℃の熱風オーブン内で１分間プリベークした。得られたプリベーク膜をフラッシュランプアニール装置（ＰｕｌｓｅＦｏｒｇｅ１２００（ＮＯＶＡＣＥＮＴＲＩＸ製））を用いて、フラッシュ光を照射した（エネルギー量：２Ｊｃｍ−２）。フラッシュ光照射後の導電膜の表面抵抗値から以下の基準に従って導電性の評価を行った。結果を、表１に示す。【０１７０】
（比較例２）
比較例１と同様の方法で、導電性ペーストＧの導電膜を得て、実施例１と同様の評価をした。評価結果を、表１に示す。【０１７１】
【表１】
2019009101.tif 000002
【０１７２】
（実施例８）
ＰＥＴ基板（膜厚５０μｍ）上に、アンダーコート層溶液Ａを８００ｒｐｍ×２０秒の条件でスピンコートした後、１２０℃で５分間熱処理した。再度アンダーコート層溶液Ａを８００ｒｐｍ×２０秒の条件でスピンコートし、１５０℃で３０分間熱処理することによって、膜厚５００ｎｍのアンダーコート層Ａを形成した。【０１７３】
次に、アンダーコート層Ａ上に導電性ペーストＡを、スピンコーターを用いて５００ｒｐｍで１０秒、１０００ｒｐｍで４秒の条件でスピンコートした後、ホットプレートを用いて９０℃で１分間プリベークし、膜厚１μｍのプリベーク膜を得た。その後、ストライプ状の透光パターン（１０μｍ×２０ｍｍ）を有するフォトマスクを介して露光装置“ＰＥＭ−８Ｍ”（商品名、ユニオン光学（株）製）を用いて露光した後、０．５％ＫＯＨ溶液で６０秒間浸漬現像し、超純水でリンスし、ストライプパターンを得た。得られたストライプパターンに実施例１と同様の方法でフラッシュ光を照射した。フラッシュ光照射後のストライプ状の導電パターンの表面抵抗値および膜厚から以下の基準に従って導電性の評価を行った。【０１７４】
体積抵抗率が
「Ａ」：１００μΩ・ｃｍ未満
「Ｂ」：１００μΩ・ｃｍ以上１ｍΩ・ｃｍ未満
「Ｃ」：１ｍΩ・ｃｍ以上または測定不可
また、ストライプ状の導電パターンの線幅を顕微鏡で測定し、解像性を評価した。結果を、表２に示す。【０１７５】
解像性
「Ａ」：１０μｍ×２０ｍｍのストライプ状の導電パターンが形成できる。
「Ｂ」：１０μｍ×２０ｍｍのストライプ状の導電パターンが形成できない。【０１７６】
本発明において、導電パターンが形成できるとは、１０μｍ×２０ｍｍのストライプ状の導電パターンが誤差２μｍの範囲で形成できること、および、未露光部分について、パターン形成前後の４００ｎｍにおける透過率を、分光光度計を用いて測定し、パターン形成前の透過率をＴ０、膜形成後の透過率をＴとしたときに、式（Ｔ０−Ｔ）／Ｔ０で表される透過率変化を算出し、透過率変化が１％未満であることの両方を満たすことを意味する。【０１７７】
（実施例９および１０）
実施例８と同様の方法で、表２記載の導電性ペーストの導電パターンを得て、それぞれの導電パターンについて実施例１と同様の評価をした。評価結果を、表２に示す。【０１７８】
（比較例３）
実施例８と同様の方法で、導電性ペーストＧの導電パターンを得て、実施例１と同様の評価をした。評価結果を、表２に示す。【０１７９】
【表２】
2019009101.tif 000003
【０１８０】
（実施例１１）
ＰＥＴ基板（膜厚５０μｍ）上に、８００ｒｐｍ×２０秒の条件でスピンコートした後、１２０℃で５分間熱処理した。再度アンダーコート層溶液Ａを８００ｒｐｍ×２０秒の条件でスピンコートし、１５０℃で３０分間熱処理することによって、膜厚５００ｎｍのアンダーコート層Ａを形成した。【０１８１】
次に、アンダーコート層Ａ上に導電性ペーストＡを、スピンコーターを用いて１５００ｒｐｍで１０秒の条件でスピンコートした後、ホットプレートを用いて９０℃で１分間プリベークし、膜厚３００ｎｍのプリベーク膜を得た。その後、図１に示した非開口部を透光パターンとして有するフォトマスクを介して露光装置“ＰＥＭ−８Ｍ”（商品名、ユニオン光学（株）製）を用いて露光した後、０．５％ＫＯＨ溶液で６０秒間浸漬現像し、超純水でリンスし、パターンを得た。フォトマスクの透光パターンのデザインは、配線部を１０μｍ×２０ｍｍ、電極部３１０μｍ×３１０μｍ、電極部の開口部の幅を１０μｍ、非開口部を１０μｍ×１０μｍとした。得られたパターンをフラッシュランプアニール装置（ＰｕｌｓｅＦｏｒｇｅ１２００（ＮＯＶＡＣＥＮＴＲＩＸ製））を用いて、フラッシュ光を照射した（エネルギー量：１Ｊｃｍ−２）。フラッシュ光照射後の導電膜の表面抵抗値から以下の基準に従って導電性の評価を行った。【０１８２】
体積抵抗率が
「Ａ」：１００μΩ・ｃｍ未満
「Ｂ」：１００μΩ・ｃｍ以上１ｍΩ・ｃｍ未満
「Ｃ」：１ｍΩ・ｃｍ以上または測定不可
また、電極パターンを顕微鏡で測定し、解像性及びパターン剥離を評価した。結果を、表３に示す。【０１８３】
解像性
「Ａ」：パターン幅の誤差２μｍの範囲で非開口部パターンおよび開口部パターンが形成できる。
「Ｂ」：パターン幅の誤差２μｍの範囲で非開口部パターンおよび開口部パターンが形成できない。【０１８４】
本発明において、未露光部分について、パターン形成前後の４００ｎｍにおける透過率を、分光光度計を用いて測定し、パターン形成前の透過率をＴ０、膜形成後の透過率をＴとしたときに、式（Ｔ０−Ｔ）／Ｔ０で表される透過率変化を算出し、透過率変化が１％未満であることの両方を満たすことを意味する。【０１８５】
パターン剥離
「Ａ」：フラッシュ光照射後のパターンに対し、パターン幅の誤差２μｍの範囲で非開口部パターンおよび開口部パターンが維持されており、パターンの浮きまたはめくれがない。
「Ｂ」：フラッシュ光照射後のパターンに対し、パターン幅の誤差２μｍの範囲で非開口部パターンおよび開口部パターンが維持できず、パターンの浮きまたはめくれがある。【０１８６】
（実施例１２〜１９）
実施例１１と同様の方法で、配線部の幅および長さを実施例１１と同様とし、表３記載の導電性ペースト、電極部のサイズ、開口部および非開口部の幅を有する導電パターンを得て、それぞれの導電パターンについて実施例１１と同様の評価をした。評価結果を、表３に示す。【０１８７】
【表３】
2019009101.tif 000004
【０１８８】
（実施例２０）
ガラス基板（膜厚０．５ｍｍ）上に、アンダーコート層溶液Ａを８００ｒｐｍ×２０秒の条件でスピンコートした後、１２０℃で５分間熱処理した。再度アンダーコート層溶液Ａを８００ｒｐｍ×２０秒の条件でスピンコートし、１５０℃で３０分間熱処理することによって、膜厚５００ｎｍのアンダーコート層Ａを形成した。【０１８９】
次に、アンダーコート層Ａ上に導電性ペーストＡを、スピンコーターを用いて１５００ｒｐｍで１０秒の条件でスピンコートした後、ホットプレートを用いて９０℃で１分間プリベークし、膜厚３００ｎｍのプリベーク膜を得た。その後、図１に示した非開口部を透光パターンとして有するフォトマスクを介して露光装置“ＰＥＭ−８Ｍ”（商品名、ユニオン光学（株）製）を用いて露光した後、０．５％ＫＯＨ溶液で６０秒間浸漬現像し、超純水でリンスし、パターンを得た。フォトマスクの透光パターンのデザインは、配線部を１０μｍ×２０ｍｍ、電極部３１０μｍ×３１０μｍ、電極部の開口部の幅を１０μｍ、非開口部を１０μｍ×１０μｍとした。得られたパターンをフラッシュランプアニール装置（ＰｕｌｓｅＦｏｒｇｅ１２００（ＮＯＶＡＣＥＮＴＲＩＸ製））を用いて、フラッシュ光を照射した（エネルギー量：１Ｊｃｍ−２）。フラッシュ光照射後の導電膜の表面抵抗値から以下の基準に従って導電性の評価を行った。【０１９０】
体積抵抗率が
「Ａ」：１００μΩ・ｃｍ未満
「Ｂ」：１００μΩ・ｃｍ以上１ｍΩ・ｃｍ未満
「Ｃ」：１ｍΩ・ｃｍ以上または測定不可
また、得られた導電膜パターン中の炭素成分の強度比を、 二次イオン質量分析装置（ＡＥＤＥＰＴ−１０１０（ＰＨＩ社製））を用いて導電膜パターンの表面または裏面のうち前記炭素成分が少ない方の面における前記炭素成分の元素濃度Ｃ１と、前記炭素成分が少ない面から前記導電膜中心部に向かって５０ｎｍの深部における前記炭素成分の元素濃度Ｃ２との比Ｃ２／Ｃ１を算出した。結果を、表４に示す。【０１９１】
（実施例２１）
実施例２０と同様の方法で、得られたパターンをフラッシュランプアニール装置（ＰｕｌｓｅＦｏｒｇｅ１２００（ＮＯＶＡＣＥＮＴＲＩＸ製））を用いて、フラッシュ光を照射した（エネルギー量：１．５Ｊｃｍ−２）。得られた導電パターンについて実施例２０と同様の評価をした。評価結果を、表４に示す。【０１９２】
（比較例４）
ガラス基板（膜厚０．５ｍｍ）上に、アンダーコート層溶液Ａを８００ｒｐｍ×２０秒の条件でスピンコートした後、１２０℃で５分間熱処理した。再度アンダーコート層溶液Ａを８００ｒｐｍ×２０秒の条件でスピンコートし、１５０℃で３０分間熱処理することによって、膜厚５００ｎｍのアンダーコート層Ａを形成した。【０１９３】
次に、アンダーコート層Ａ上に導電性ペーストＡを、スピンコーターを用いて１５００ｒｐｍで１０秒の条件でスピンコートした後、ホットプレートを用いて９０℃で１分間プリベークし、膜厚３００ｎｍのプリベーク膜を得た。その後、図１に示した非開口部を透光パターンとして有するフォトマスクを介して露光装置“ＰＥＭ−８Ｍ”（商品名、ユニオン光学（株）製）を用いて露光した後、０．５％ＫＯＨ溶液で６０秒間浸漬現像し、超純水でリンスし、パターンを得た。フォトマスクの透光パターンのデザインは、配線部を１０μｍ×２０ｍｍ、電極部３１０μｍ×３１０μｍ、電極部の開口部の幅を１０μｍ、非開口部を１０μｍ×１０μｍとした。得られたパターンをオーブン（「ＩＨＰＳ−２２２」；エスペック（株）製）を用いて、２３０℃で１０分（空気中）ポストベークを実施した。得られた導電パターンについて実施例１８と同様の評価をした。評価結果を、表４に示す。【０１９４】
【表４】
2019009101.tif 000005
【０１９５】
（実施例２２）
（１）半導体溶液の作製
ポリ−３−ヘキシルチオフェン（アルドリッチ社製、レジオレギュラー、数平均分子量（Ｍｎ）：１３０００、以下Ｐ３ＨＴという）０．１０ｇをクロロホルム５ｍｌの入ったフラスコの中に加え、超音波洗浄機（井内盛栄堂（株）製ＵＳ−２、出力１２０Ｗ）中で超音波撹拌することによりＰ３ＨＴのクロロホルム溶液を得た。次いでこの溶液をスポイトにとり、メタノール２０ｍｌと０．１規定塩酸１０ｍｌの混合溶液の中に０．５ｍｌずつ滴下して、再沈殿を行った。固体になったＰ３ＨＴを０．１μｍ孔径のメンブレンフィルター（ＰＴＦＥ社製：４フッ化エチレン）によって濾別捕集し、メタノールでよくすすいだ後、真空乾燥により溶媒を除去した。さらにもう一度溶解と再沈殿を行い、９０ｍｇの再沈殿Ｐ３ＨＴを得た。【０１９６】
次に、ＣＮＴ１（ＣＮＩ社製、単層ＣＮＴ、純度９５％）１．５ｍｇと、上記Ｐ３ＨＴ１．５ｍｇを１５ｍｌのクロロホルム中に加え、氷冷しながら超音波ホモジナイザー（東京理化器械（株）製ＶＣＸ−５００）を用いて出力２５０Ｗで３０分間超音波撹拌した。超音波照射を３０分行った時点で一度照射を停止し、Ｐ３ＨＴを１．５ｍｇ追加し、さらに１分間超音波照射することによって、ＣＮＴ分散液Ａ（溶媒に対するＣＮＴ複合体濃度０．１ｇ／ｌ）を得た。【０１９７】
次に、半導体層１７を形成するための半導体溶液の作製を行った。上記ＣＮＴ分散液Ａをメンブレンフィルター（孔径１０μｍ、直径２５ｍｍ、ミリポア社製オムニポアメンブレン）を用いてろ過を行い、長さ１０μｍ以上のＣＮＴ複合体を除去した。得られたろ液５ｍｌにジクロロベンゼン４５ｍｌを加え、半導体溶液Ａ（溶媒に対するＣＮＴ複合体濃度０．０１ｇ／ｌ）とした。【０１９８】
（２）絶縁層材料の作製
メチルトリメトキシシラン（以下、ＭＴＭＳｉという）６１．２９ｇ（０．４５モル）、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（以下、β−ＥｐＥＴＭＳｉという）１２．３１ｇ（０．０５モル）、およびフェニルトリメトキシシラン（以下、ＰｈＴＭＳｉという）９９．１５ｇ（０．５モル）をプロピレングリコールモノブチルエーテル（沸点１７０℃）２０３．３６ｇに溶解し、これに、水５４．９０ｇ、リン酸０．８６４ｇを撹拌しながら加えた。得られた溶液をバス温１０５℃で２時間加熱し、内温を９０℃まで上げて、主として副生するメタノールからなる成分を留出せしめた。次いでバス温１３０℃で２．０時間加熱し、内温を１１８℃まで上げて、主として水とプロピレングリコールモノブチルエーテルからなる成分を留出せしめた後、室温まで冷却し、固形分濃度２６．０質量％の絶縁層材料Ａを得た。【０１９９】
得られた絶縁層材料Ａを５０ｇ量り取り、プロピレングリコールモノブチルエーテル（沸点１７０℃、以下ＰＧＭＢという）１６．６ｇを混合して、室温にて２時間撹拌し、絶縁層材料Ｂ（固形分濃度１９．５質量％）を得た。【０２００】
（３）ＦＥＴの作製
図１に示すようにＦＥＴの作製を行った。ＰＥＴ基板（膜厚５０μｍ）上に、アンダーコート層溶液Ｃを６００ｒｐｍ×１０秒の条件でスピンコートした後、１２０℃で５分間熱処理した。１５０℃で３０分間熱処理することによって、膜厚１μｍのアンダーコート層Ｃを形成した。【０２０１】
次にアンダーコート層Ｃ上に、導電性ペーストＡを、スピンコーターを用いて１５００ｒｐｍで１０秒の条件でスピンコートした後、ホットプレートを用いて９０℃で１分間プリベークし、膜厚３００ｎｍのプリベーク膜を得た。その後、フォトマスクを介して露光装置“ＰＥＭ−８Ｍ”（商品名、ユニオン光学（株）製）を用いて露光した後、０．５％ＫＯＨ溶液で６０秒間浸漬現像し、超純水でリンスし、ゲートパターンを得た。得られたパターンに実施例１と同様の方法でフラッシュ光を照射した。【０２０２】
次に上記（２）に記載の方法で作製した絶縁層材料Ｂを上記ゲート電極が形成されたＰＥＴ基板上に８００ｒｐｍ×２０秒の条件でスピンコートした後、１２０℃で５分間熱処理後、再度絶縁層溶液Ｂを８００ｒｐｍ×２０秒の条件でスピンコートし、窒素気流下１５０℃で３０分間熱処理することによって、膜厚４００ｎｍの絶縁層を形成した。【０２０３】
次に絶縁層の上に、導電性ペーストＢを、スピンコーターを用いて１５００ｒｐｍで１０秒の条件でスピンコートした後、ホットプレートを用いて９０℃で１分間プリベークし、膜厚３００ｎｍのプリベーク膜を得た。その後、フォトマスクを介して露光装置“ＰＥＭ−８Ｍ”（商品名、ユニオン光学（株）製）を用いて露光した後、０．５％ＫＯＨ溶液で６０秒間浸漬現像し、超純水でリンスし、得られたパターンに実施例１と同様の方法でフラッシュ光を照射し、絶縁層上にソース電極およびドレイン電極を作製した。【０２０４】
次に上記（１）に記載の方法で作製した半導体溶液Ａを、上記ソース電極およびドレイン電極の間にインクジェット装置（クラスターテクノロジー（株）製）を用いて４００ｐｌ滴下し、ホットプレート上で窒素気流下、１５０℃で３０分の熱処理を行い、半導体層を形成し、ＦＥＴを得た。ソース電極とドレイン電極の間隔は２０μｍであった。【０２０５】
得られたＦＥＴについて、［２］に記載の方法でＦＥＴの移動度の評価を行った結果、移動度は０．６ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃであった。【０２０６】
（実施例２３）
アンダーコート層溶液Ｂを用いて絶縁層を形成したこと以外は、実施例２２と同様にしてＦＥＴを作製し、特性を測定した。ＦＥＴの移動度の評価を行った結果、移動度は０．４ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃであった。【０２０７】
（実施例２４）
（１）ＲＦＩＤの作製
ＰＥＴ基板（膜厚５０μｍ）上に、アンダーコート層溶液Ｃを６００ｒｐｍ×１０秒の条件でスピンコートした後、１２０℃で５分間熱処理後、１５０℃で３０分間熱処理することによって、膜厚１μｍのアンダーコート層Ｃを形成した。【０２０８】
次にアンダーコート層Ｃ上に、導電性ペーストＡを乾燥膜の膜厚が１μｍになるようにスクリーン印刷し、得られた塗布膜を１００℃の熱風オーブン内で１分間プリベークした。その後、フォトマスクを介して露光装置“ＰＥＭ−８Ｍ”（商品名、ユニオン光学（株）製）を用いて露光した後、０．５％ＫＯＨ溶液で６０秒間浸漬現像し、超純水でリンスし、パターンを得た。得られたパターンに実施例１と同様の方法でフラッシュ光を照射し、基板上にアンテナパターンおよび接続配線パターン、ゲート電極、配線を作製した。その後は、実施例２２と同様にＦＥＴを作製し、ＲＦＩＤを作製した。【０２０９】
得られたＲＦＩＤは、アンテナとＦＥＴから構成される回路の導通があり、ＲＦＩＤとして動作することを確認した。
【符号の説明】
【０２１０】
１  開口部
２  非開口部
３  電極
４  配線
５  電極の幅
６  配線の幅
７  非開口部における導電膜の幅
１１  基板
１２  第一の電極
１３  アンダーコート層
１４  絶縁層
１５  第二の電極
１６  第三の電極
１７  半導体層
２１  基板
２２  第一の電極
２３  アンダーコート層
２４  強誘電体層
２５  第二の電極
３１  基板
３３  アンダーコート層
３４  誘電体層
３５  第一の電極
３６  第二の電極
１００  基板
１０１  アンテナパターン
１０２  回路
１０３  接続配線
【図１】
2019009101.tif 000006
【図２】
2019009101.tif 000007
【図３】
2019009101.tif 000008
【図４】
2019009101.tif 000009
【図５】
2019009101.tif 000010
【図６】
2019009101.tif 000011
【図７】
2019009101.tif 000012
【図８】
2019009101.tif 000013
【国際調査報告】
2019009101.tif 000014
2019009101.tif 000015
2019009101.tif 000016
2019009101.tif 000017
2019009101.tif 000018