(57)【要約】  粘着シート１上に電子部品２を載置する電子部品載置工程、硬化性の第１の樹脂組成物層３を備える第１の封止シートを積層する第１積層工程、粘着シート１を剥離する剥離工程、硬化性の第２の樹脂組成物層４を備える第２の封止シートを積層する第２積層工程、第１の樹脂組成物層３が硬化してなる第１の硬化層３’と、第２の樹脂組成物層４が硬化してなる第２の硬化層４’と、第１の硬化層３’および第２の硬化層４’により封止された電子部品２とを備える封止体５を得る硬化工程、孔６を形成する孔形成工程、封止体５をデスミア処理するデスミア工程、および電極７を形成する電極形成工程を含む半導体装置の製造方法。かかる半導体装置の製造方法は、半導体装置の高集積化および高機能化を可能とするとともに、効率的で歩留まり高い方法にも適用できる。
2019026266.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粘着シートの粘着面上に１または２以上の電子部品を載置する電子部品載置工程、
少なくとも前記電子部品を覆うように、少なくとも硬化性の第１の樹脂組成物層を備える第１の封止シートにおける前記第１の樹脂組成物層を積層する第１積層工程、
前記電子部品および前記第１の樹脂組成物層から前記粘着シートを剥離する剥離工程、
前記粘着シートの剥離により露出した前記電子部品の露出面を覆うように、少なくとも硬化性の第２の樹脂組成物層を備える第２の封止シートを積層する第２積層工程、
前記第１の樹脂組成物層が硬化してなる第１の硬化層と、前記第２の樹脂組成物層が硬化してなる第２の硬化層と、前記第１の硬化層および前記第２の硬化層により封止された前記電子部品とを備える封止体を得る硬化工程、
前記第１の硬化層および前記第２の硬化層の少なくとも一方を貫通する孔であって、前記電子部品の表面の一部を露出させる孔を形成する孔形成工程、
前記孔が形成された前記封止体をデスミア処理するデスミア工程、および
前記孔を通じて前記電子部品に電気的に接続された電極を形成する電極形成工程
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の樹脂組成物層の硬化は、前記第１積層工程と前記剥離工程との間の段階において行われることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の硬化層および前記第２の硬化層の少なくとも一方は、絶縁性を示すことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の樹脂組成物層および前記第２の樹脂組成物層の少なくとも一方における硬化は、加熱処理により行われることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記加熱処理は、複数回の加熱処理により段階的に行われることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記加熱処理は、温度Ｔ１で熱硬化させる第１の加熱処理と、温度Ｔ１よりも高い温度Ｔ２にて熱硬化させる第２の加熱処理とにより行われることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の樹脂組成物層の硬化は、前記第１の硬化層の反応率が８５％以上になるように行うことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２の樹脂組成物層の硬化は、前記第２の硬化層の反応率が８５％以上になるように行うことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１の樹脂組成物層および前記第２の樹脂組成物層の少なくとも一方は、熱硬化性樹脂を含有する樹脂組成物から形成されたものであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記樹脂組成物は、無機フィラーを含有することを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記無機フィラーは、最小被覆面積が５５０ｍ２／ｇ未満である表面処理剤により表面処理されていることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の樹脂組成物層および前記第２の樹脂組成物層は、同一の組成を有する前記樹脂組成物から形成されたものであることを特徴とする請求項９〜１１のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第２の樹脂組成物層の厚さは、１μｍ以上、１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の樹脂組成物層の厚さは、５０μｍ以上、１０００μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止された電子部品を備える半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造方法において、シート状に形成された封止材を備える封止シートを用いて、半導体チップといった電子部品を封止して、半導体パッケージを製造することが行われている。【０００３】
例えば、特許文献１には、支持体としての半導体ウエハ上に半導体チップを載置した後、当該半導体チップを封止用シートにて封止する方法が開示されている。また、特許文献２には、配線回路基板上に半導体チップを載置した後、当該半導体チップをシート状樹脂組成物にて封止する方法が開示されている。上述の半導体ウエハや配線回路基板には予め配線が設けられており、上記半導体チップの載置の際には、当該半導体チップに存在する取り出し電極と上記配線とが電気的に接続するように上述の半導体ウエハまたは配線回路基板上に載置される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−９６３０８号公報
【特許文献２】特許第５０４２２９７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、半導体装置の高集積化および高機能化が求められており、例えば、半導体チップが内蔵された基板（チップ内蔵基板）等の開発が進められている。しかしながら、特許文献１および特許文献２に開示される方法によって得られる半導体パッケージでは、半導体装置の高集積化および高機能化の要請に十分応えることはできない。【０００６】
また、近年、ファンアウト型ウエハレベルパッケージ（ＦＯＷＬＰ）、ファンアウト型パネルレベルパッケージ（ＦＯＰＬＰ）等の開発も進められている。このようなパッケージの製造方法では、複数の半導体チップを封止用シートにて一括封止した後、所定の位置で分割することで、複数の半導体パッケージが得られる。これにより、効率的に且つ歩留まり高く半導体パッケージを生産することができる。そのため、このようなパッケージの製造方法の使用に適した封止シートの開発も求められている。【０００７】
本発明は、このような実状に鑑みてなされたものであり、半導体装置の高集積化および高機能化を可能とするとともに、効率的で歩留まり高い方法にも適用できる半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、第１に本発明は、粘着シートの粘着面上に１または２以上の電子部品を載置する電子部品載置工程、少なくとも前記電子部品を覆うように、少なくとも硬化性の第１の樹脂組成物層を備える第１の封止シートにおける前記第１の樹脂組成物層を積層する第１積層工程、前記電子部品および前記第１の樹脂組成物層から前記粘着シートを剥離する剥離工程、前記粘着シートの剥離により露出した前記電子部品の露出面を覆うように、少なくとも硬化性の第２の樹脂組成物層を備える第２の封止シートを積層する第２積層工程、前記第１の樹脂組成物層が硬化してなる第１の硬化層と、前記第２の樹脂組成物層が硬化してなる第２の硬化層と、前記第１の硬化層および前記第２の硬化層により封止された前記電子部品とを備える封止体を得る硬化工程、前記第１の硬化層および前記第２の硬化層の少なくとも一方を貫通する孔であって、前記電子部品の表面の一部を露出させる孔を形成する孔形成工程、前記孔が形成された前記封止体をデスミア処理するデスミア工程、および前記孔を通じて前記電子部品に電気的に接続された電極を形成する電極形成工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する（発明１）。【０００９】
上記発明（発明１）に係る半導体装置の製造方法は、上述した工程を含むことにより、電極形成までの工程を、極めて簡単な作業内容にて、効率的に行うことができる。また、第１の硬化層および第２の硬化層の少なくとも一方に孔を形成し、当該孔に電極を設けるため、半導体パッケージの所望の側、特に両側に電極を形成することが可能となり、これにより、半導体パッケージの３次元実装も容易となり、その結果、半導体装置の高集積化および高機能化が容易となる。また、上記製造方法は、ＦＯＷＬＰやＦＯＰＬＰ、部品内蔵基板等の製造にも適用することができる。特に、上記製造方法は、複数の電子部品を一括して封止することができるため、例えば、後述する枠状部材を用いて、この枠状部材と複数の電子部品を一括して封止する、いわゆるパネルレベルパッケージの製造工程に適用することができる。【００１０】
上記発明（発明１）において、前記第１の樹脂組成物層の硬化は、前記第１積層工程と前記剥離工程との間の段階において行われることが好ましい（発明２）。【００１１】
上記発明（発明１，２）において、前記第１の硬化層および前記第２の硬化層の少なくとも一方は、絶縁性を示すことが好ましい（発明３）。【００１２】
上記発明（発明１〜３）において、前記第１の樹脂組成物層および前記第２の樹脂組成物層の少なくとも一方における硬化は、加熱処理により行われることが好ましい（発明４）。【００１３】
上記発明（発明４）において、前記加熱処理は、複数回の加熱処理により段階的に行われることが好ましい（発明５）。【００１４】
上記発明（発明５）において、前記加熱処理は、温度Ｔ１で熱硬化させる第１の加熱処理と、温度Ｔ１よりも高い温度Ｔ２にて熱硬化させる第２の加熱処理とにより行われることが好ましい（発明６）。【００１５】
上記発明（発明１〜６）において、前記第１の樹脂組成物層の硬化は、前記第１の硬化層の反応率が８５％以上になるように行うことが好ましい（発明７）。【００１６】
上記発明（発明１〜７）において、前記第２の樹脂組成物層の硬化は、前記第２の硬化層の反応率が８５％以上になるように行うことが好ましい（発明８）。【００１７】
上記発明（発明１〜８）において、前記第１の樹脂組成物層および前記第２の樹脂組成物層の少なくとも一方は、熱硬化性樹脂を含有する樹脂組成物から形成されたものであることが好ましい（発明９）。【００１８】
上記発明（発明９）において、前記樹脂組成物は、無機フィラーを含有することが好ましい（発明１０）。【００１９】
上記発明（発明１０）において、前記無機フィラーは、最小被覆面積が５５０ｍ２／ｇ未満である表面処理剤により表面処理されていることが好ましい（発明１１）。【００２０】
上記発明（発明９〜１１）において、前記第１の樹脂組成物層および前記第２の樹脂組成物層は、同一の組成を有する前記樹脂組成物から形成されたものであることが好ましい（発明１２）。【００２１】
前上記発明（発明１〜１２）において、記第２の樹脂組成物層の厚さは、１μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましい（発明１３）。【００２２】
上記発明（発明１〜１３）において、前記第１の樹脂組成物層の厚さは、５０μｍ以上、１０００μｍ以下であることが好ましい（発明１４）。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置の高集積化および高機能化を可能とするとともに、効率的で歩留まり高い方法にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一部を説明する断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一部を説明する断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一部を説明する断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一部を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態について説明する。本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法は、粘着シートの粘着面上に１または２以上の電子部品を載置する電子部品載置工程、少なくとも上記電子部品を覆うように、少なくとも硬化性の第１の樹脂組成物層を備える第１の封止シートにおける上記第１の樹脂組成物層を積層する第１積層工程、上記電子部品および上記第１の樹脂組成物層から上記粘着シートを剥離する剥離工程、上記粘着シートの剥離により露出した上記電子部品の露出面を覆うように、少なくとも硬化性の第２の樹脂組成物層を備える第２の封止シートを積層する第２積層工程、上記第１の樹脂組成物層が硬化してなる第１の硬化層と、上記第２の樹脂組成物層が硬化してなる第２の硬化層と、上記第１の硬化層および上記第２の硬化層により封止された上記電子部品とを備える封止体を得る硬化工程、上記第１の硬化層および上記第２の硬化層の少なくとも一方を貫通する孔であって、上記電子部品の表面の一部を露出させる孔を形成する孔形成工程、上記孔が形成された上記封止体をデスミア処理するデスミア工程、および上記孔を通じて上記電子部品に電気的に接続された電極を形成する電極形成工程を含む。
【００２６】
〔封止シート〕
最初に、上記第１の封止シートおよび上記第２の封止シートとして使用できる封止シートについて説明する。当該封止シートは、硬化性の樹脂組成物層を少なくとも備える。ここで、樹脂組成物層が硬化性を有するとは、樹脂組成物層が硬化し得ることをいい、言い換えれば、樹脂組成物層は、封止シートを構成している状態では未硬化である。樹脂組成物層は、熱硬化性であってもよく、エネルギー線硬化性であってもよいが、熱硬化性であることが好ましい。樹脂組成物層が熱硬化性であることにより、積層された樹脂組成物層に対してエネルギー線を照射し難い場合であっても、当該樹脂組成物層を加熱することで良好に硬化することができる。また、封止シートは、上記樹脂組成物層の少なくとも一方の面に積層された剥離シートをさらに備えてもよい。
【００２７】
１．樹脂組成物層
上記樹脂組成物層は、熱硬化性樹脂を含有する樹脂組成物から形成されたものであることが好ましい。樹脂組成物が熱硬化性樹脂を含有することで、形成される樹脂組成物層は、所望の硬化性を有し易くなる。樹脂組成物層を硬化してなる硬化層は、絶縁性を示すことが好ましい。当該硬化層が絶縁性を示すことにより、得られる半導体装置では、短絡等の不具合が抑制され、優れた性能を得ることができる。特に、第１の硬化層および第２の硬化層の両方が、絶縁性を有することが好ましい。
【００２８】
（１）熱硬化性樹脂
上記樹脂組成物が熱硬化性樹脂を含有することにより、得られる樹脂組成物層によって電子部品を封止する際に、当該電子部品を強固に封止し易くなる。熱硬化性樹脂としては、樹脂組成物層の硬化を可能とするものであれば特に限定されず、例えば、封止材に通常含有される樹脂を使用することができる。具体的には、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ナフトール系樹脂、活性エステル系樹脂、ベンゾオキサジン系樹脂、シアネートエステル系樹脂などが挙げられ、これらは１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２９】
上記エポキシ樹脂は、一般的に、加熱を受けると三次元網状化し、強固な硬化物を形成する性質を有する。このようなエポキシ樹脂としては、公知の種々のエポキシ樹脂が用いることができ、具体的には、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、レゾルシノール、フェニルノボラック、クレゾールノボラック等のフェノール類のグリシジルエーテル；ブタンジオール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等のアルコール類のグリシジルエーテル；フタル酸、イソフタル酸、テトラヒドロフタル酸等のカルボン酸のグリシジルエーテル；アニリンイソシアヌレート等の窒素原子に結合した活性水素をグリシジル基で置換したグリシジル型もしくはアルキルグリシジル型のエポキシ樹脂；ビニルシクロヘキサンジエポキシド、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−ジシクロヘキサンカルボキシレート、２−（３，４−エポキシ）シクロヘキシル−５，５−スピロ（３，４−エポキシ）シクロヘキサン−ｍ−ジオキサン等のように、分子内の炭素−炭素二重結合を例えば酸化することによりエポキシが導入された、いわゆる脂環型エポキシドを挙げることができる。その他、ビフェニル骨格、トリフェニルメタン骨格、ジシクロヘキサジエン骨格、ナフタレン骨格等を有するエポキシ樹脂を用いることもできる。これらエポキシ樹脂は、１種を単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。上述したエポキシ樹脂の中でも、ビスフェノールＡのグリシジルエーテル（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、ビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂（ビフェニル型エポキシ樹脂）、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂（ナフタレン型エポキシ樹脂）またはこれらの組み合わせを使用することが好ましい。
【００３０】
上記フェノール樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ、テトラメチルビスフェノールＡ、ジアリルビスフェノールＡ、ビフェノール、ビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＦ、トリフェニルメタン型フェノール、テトラキスフェノール、ノボラック型フェノール、クレゾールノボラック樹脂、ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール（ビフェニル型フェノール）等が挙げられ、これらの中でも、ビフェニル型フェノールを使用することが好ましい。これらのフェノール樹脂は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂との反応性等の観点から、フェノール樹脂を併用することが好ましい。
【００３１】
樹脂組成物中における熱硬化性樹脂の含有量は、１０質量％以上であることが好ましく、特に１５質量％以上であることが好ましく、さらには、２０質量％以上であることが好ましい。また、当該含有量は、６０質量％以下であることが好ましく、特に５０質量％以下であることが好ましく、さらには４０質量％以下であることが好ましい。当該含有量が１０質量％以上であることで、樹脂組成物層１１の硬化がより十分なものとなり、電子部品をより強固に封止することができる。また、当該含有量が６０質量％以下であることで、樹脂組成物層１１の意図しない段階での硬化をより抑制することができ、保存安定性がより優れたものとなる。なお、熱硬化性樹脂の上記含有量は、固形分換算値である。
【００３２】
（２）熱可塑性樹脂
また、樹脂組成物は、熱可塑性樹脂を含有していてもよい。上記樹脂組成物が熱可塑性樹脂を含有することにより、樹脂組成物層をシート状に形成することが容易となり、ハンドリング性が向上する。また樹脂組成物層を硬化してなる硬化層の低応力性が効果的に得られる。そのため、当該熱可塑性樹脂としては、樹脂組成物層をシート状に形成することを可能とするものであれば特に限定されず、例えば、封止材に通常含有される樹脂を使用することができる。熱可塑性樹脂の例としては、フェノキシ系樹脂、オレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエステルウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、アミド系樹脂、スチレン−イソブチレン−スチレン共重合体（ＳＩＳ）等のスチレン系樹脂、シラン系樹脂、ゴム系樹脂、ポリビニルアセタール系樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリスルホン系樹脂、フッ素系樹脂等が挙げられ、これらは、１種を単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、電極形成性の観点から、熱可塑性樹脂としては、フェノキシ系樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種を使用することが好ましい。
【００３３】
フェノキシ系樹脂としては、特に限定されないものの、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＡ／ビスフェノールＦ共重合型、ビスフェノールＳ型、ビスフェノールアセトフェノン型、ノボラック型、フルオレン型、ジシクロペンタジエン型、ノルボルネン型、ナフタレン型、アントラセン型、アダマンタン型、テルペン型、トリメチルシクロヘキサン型、ビフェノール型、ビフェニル型のフェノキシ系樹脂等が例示され、これらの中でもビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂を使用することが好ましい。フェノキシ系樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基であってもよい。フェノキシ系樹脂は１種を単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
【００３４】
樹脂組成物中における熱可塑性樹脂の含有量は、１質量％以上であることが好ましく、特に３質量％以上であることが好ましく、さらには、５質量％以上であることが好ましい。また、当該含有量は、３０質量％以下であることが好ましく、特に２０質量％以下であることが好ましく、さらには１０質量％以下であることが好ましい。当該含有量が上記範囲であることで、樹脂組成物層をシート状に形成することがより容易となる。なお、熱可塑性樹脂の上記含有量は、固形分換算値である。
【００３５】
（３）無機フィラー
また、樹脂組成物は、無機フィラーを含有していてもよい。上記樹脂組成物が無機フィラーを含有することにより、樹脂組成物層が硬化してなる硬化層が優れた機械的強度を有するものとなり、さらに、熱膨張率を低く抑えることができるため、得られる半導体装置の信頼性が向上する。かかる無機フィラーとしては、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、酸化チタン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、ムライト、コージェライト等の複合酸化物、モンモリロナイト、スメクタイト、ベーマイト、タルク、酸化鉄、炭化珪素、酸化ジルコニウム等を材料とするフィラーを例示することができ、これらは１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でもシリカフィラー、アルミナフィラーを使用することが好ましく、特にシリカフィラーを使用することが好ましい。
【００３６】
上記無機フィラーは、所定の最小被覆面積を有する表面処理剤により表面処理されていることが好ましい。これにより、樹脂組成物中における無機フィラーの分散性や充填性が優れたものとなるとともに、使用する表面処理剤に依って後述する効果を得ることもできる。
【００３７】
樹脂組成物層を硬化してなる硬化層の表面にメッキを形成した際における、メッキの膨れを抑制する観点からは、上記表面処理剤として、最小被覆面積が５５０ｍ２／ｇ未満である表面処理剤を使用することが好ましい。
【００３８】
最小被覆面積が５５０ｍ２／ｇ未満である表面処理剤により表面処理された無機フィラーは、デスミア工程で使用するアルカリ性の処理溶液との親和性が比較的高く、硬化層が当該処理溶液に晒されたときに、無機フィラーが硬化層から脱離し易い。そのため、デスミア工程に続き、電極形成工程において金属のメッキ処理を行った際に、硬化層における無機フィラーが脱離した部位に金属が侵入して、アンカー効果が発現され、メッキが硬化層に対して強固に密着するものとなる。その結果、硬化層とメッキとの界面に空気が入り込み難くなり、その後の製造工程や、得られる半導体装置の使用の際に熱が生じたとしても、空気が膨張してメッキの膨れが生じることが抑制される。
【００３９】
メッキの膨れの発生をより効果的に抑制する観点からは、表面処理剤の最小被覆面積は、５２０ｍ２／ｇ以下であることが好ましく、特に４５０ｍ２／ｇ以下であることが好ましい。一方、表面処理剤の最小被覆面積の下限値については、１００ｍ２／ｇ以上であることが好ましく、特に２００ｍ２／ｇ以上であることが好ましく、さらには３００ｍ２／ｇ以上であることが好ましい。最小被覆面積が１００ｍ２／ｇ以上であることで、樹脂組成物中における無機フィラーの分散性や充填性がより優れたものとなる。
【００４０】
なお、表面処理剤における最小被覆面積（ｍ２／ｇ）とは、１ｇの表面処理剤を用いて単分子膜を形成した際の当該単分子膜の面積（ｍ２）をいう。最小被覆面積は、表面処理剤の構造等から理論的に算出することができ、例えば、反応性基としてトリアルコキシシラン基を有する表面処理剤を考える場合、当該トリアルコキシシラン基が加水分解して生じるＳｉ（Ｏ）３の構造は、１個のＳｉ原子と３個のＯ原子とをそれぞれ頂点とする四面体となる。ここで、Ｓｉ原子が半径２．１０Åの球形であり、Ｏ原子が半径１．５２Åの球形であり、Ｓｉ−Ｏ結合の距離が１．５１Åであり、２つのＳｉ−Ｏ結合の辺のなす角度が１０９．５°であると仮定する。そして、当該四面体中の３個のＯ原子の全てが、無機フィラー表面のヒドロキシ基と反応するとして、３個のＯ原子が被覆できる最小の円形面積を計算すると、表面処理剤１分子当たり１．３３×１０−１９ｍ２／分子となる。これを、１モル当たりに換算すると８．０１×１０４ｍ２／モルとなり、この１モルあたりの面積を表面処理剤の分子量で除することで、当該表面処理剤の最小被覆面積（ｍ２／ｇ）を得ることができる。
【００４１】
最小被覆面積が５５０ｍ２／ｇ未満である表面処理剤の好適な例としては、エポキシシランおよびビニルシランが挙げられる。これらは単独で使用してもよく、組み合わせて使用してもよい。
【００４２】
上記エポキシシランの具体例としては、例えば３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、２−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等が挙げられる。これらの中でも、無機フィラーの脱離を効果的に促進できるという観点から、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランを使用することが好ましい。
【００４３】
上記ビニルシランの具体例としては、例えばビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン等が挙げられる。これらの中でも、無機フィラーの脱離を効果的に促進できるという観点から、ビニルトリメトキシシランを使用することが好ましい。
【００４４】
無機フィラーの形状は、粒状、針状、板状、不定型等の何れでもよいものの、無機フィラーとして、上述の表面処理剤により表面処理されたものを使用する場合には、当該表面処理を効果的に行うことができる点で、球状であることが好ましい。
【００４５】
上記無機フィラーの平均粒径は、０．０１μｍ以上であることが好ましく、特に０．１μｍ以上であることが好ましく、さらには０．３μｍ以上であることが好ましい。また、上記無機フィラーの平均粒径は、３．０μｍ以下であることが好ましく、特に１．０μｍ以下であることが好ましい。無機フィラーの平均粒径が０．０１μｍ以上であると、無機フィラーとして上述の表面処理剤により表面処理されたものを使用する場合に、表面処理剤によって表面処理し易い表面積を有するものとなり、効果的に表面処理することが可能となる。一方、無機フィラーの平均粒径が３．０μｍ以下であることで、硬化層中に無機フィラーが良好に充填され、硬化層がより良好な機械的強度を有するものとなる。特に、無機フィラーとして、上述の表面処理剤により表面処理されたものを使用する場合には、平均粒径が３．０μｍ以下であることで、無機フィラーが、表面処理剤によって表面処理し易い表面積を有するものとなり、効果的に表面処理することが可能となる。なお、本明細書における無機フィラーの平均粒径は、粒度分布測定装置（日機装社製，製品名「ナノトラックＷａｖｅ−ＵＴ１５１」）を使用して、動的光散乱法により測定した値とする。
【００４６】
また、上記無機フィラーの最大粒径は、０．０５μｍ以上であることが好ましく、特に０．５μｍ以上であることが好ましい。また、当該最大粒径は、５μｍ以下であることが好ましく、特に３μｍ以下であることが好ましい。無機フィラーの最大粒径が上記範囲であることで、硬化層中に無機フィラーを充填し易くなり、硬化層がより優れた機械的強度を有するものとなる。本明細書における無機フィラーの最大粒径は、粒度分布測定装置（日機装社製，製品名「ナノトラックＷａｖｅ−ＵＴ１５１」）を使用して、動的光散乱法により測定した値とする。
【００４７】
樹脂組成物中における無機フィラーの含有量は、４０質量％以上であることが好ましく、特に５０質量％以上であることが好ましい。当該含有量が４０質量％以上であることで、硬化層の機械的強度を有することと、表面処理剤で表面処理したことによる効果とを両立し易くなる。また、樹脂組成物中における無機フィラーの含有量は、９０質量％以下であることが好ましく、特に８５質量％以下であることが好ましく、さらには８０質量％以下であることが好ましい。無機フィラーの含有量が９０質量％以下であることで、樹脂組成物層がより良好な機械的強度を有するものとなる。なお、無機フィラーの上記含有量は、固形分換算値である。
【００４８】
（４）硬化触媒
上記樹脂組成物は、硬化触媒をさらに含有することが好ましい。これにより、熱硬化性樹脂の硬化反応を効果的に進行させることが可能となり、樹脂組成物層を良好に硬化することが可能となる。硬化触媒としては、例えば、イミダゾール系硬化触媒、アミン系硬化触媒、リン系硬化触媒等が挙げられる。
【００４９】
イミダゾール系硬化触媒の具体例としては、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジ（ヒドロキシメチル）イミダゾールなどが挙げられ、反応性の観点から、２−エチル−４−メチルイミダゾールを使用することが好ましい。
【００５０】
アミン系硬化触媒の具体例としては、２，４−ジアミノ−６−〔２’―メチルイミダゾリル−（１’）〕エチル−ｓ−トリアジン等のトリアジン化合物、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７（ＤＢＵ）、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン等の第三級アミン化合物が挙げられる。中でも、２，４−ジアミノ−６−〔２’―メチルイミダゾリル−（１’）〕エチル−ｓ−トリアジンが好ましい。
【００５１】
また、リン系硬化触媒の具体例としては、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン等が挙げられる。
【００５２】
上述した硬化触媒は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００５３】
樹脂組成物中における硬化触媒の含有量は、０．０１質量％以上であることが好ましく、特に０．０５質量％以上であることが好ましく、さらには、０．１質量％以上であることが好ましい。また、当該含有量は、２．０質量％以下であることが好ましく、特に１．５質量％以下であることが好ましく、さらには１．０質量％以下であることが好ましい。当該含有量が上記範囲であることで、樹脂組成物層をより良好に硬化することが可能となる。なお、硬化触媒の上記含有量は、固形分換算値である。
【００５４】
（５）その他の成分
上記樹脂組成物は、さらに、可塑剤、安定剤、粘着付与材、着色剤、カップリング剤、帯電防止剤、酸化防止剤等を含有してもよい。
【００５５】
（６）樹脂組成物層の厚さ
第１の封止シートにおける第１の樹脂組成物層の厚さは、封止の用途や、封止後の硬化した樹脂組成物層の厚さ等を考慮して設定することができ、特に限定されない。第１の封止シートにおける第１の樹脂組成物層の厚さは、５０μｍ以上であることが好ましく、特に６０μｍ以上であることが好ましく、さらには７０μｍ以上であることが好ましい。また、第１の樹脂組成物層の厚さは、１０００μｍ以下であることが好ましく、５００μｍ以下であることがより好ましく、特に３００μｍ以下であることが好ましく、さらには２００μｍ以下であることが好ましい。第１の樹脂組成物層の厚さが５０μｍ以上であることで、第１積層工程において、電子部品が第１の樹脂組成物層に良好に埋め込まれるとともに、第１の樹脂組成物層を硬化してなる第１の硬化層によって電子部品を保護する効果を良好に得ることができる。また、第１の樹脂組成物層の厚さが１０００μｍ以下であることにより、第１の樹脂組成物層を硬化してなる第１の硬化層の硬化収縮の発生を低減でき、封止体の反りの発生を抑制することができる。
【００５６】
また、第２の封止シートにおける第２の樹脂組成物層の厚さは、１μｍ以上であることが好ましく、特に５μｍ以上であることが好ましく、さらには１０μｍ以上であることが好ましい。また、第２の樹脂組成物層の厚さは、１００μｍ以下であることが好ましく、８０μｍ以下であることがより好ましく、特に６０μｍであることが好ましい。第２の樹脂組成物層の厚さが１μｍ以上であることで、第２の樹脂組成物層を硬化してなる第２の硬化層によって電子部品を保護する効果を良好に得ることができるとともに、良好な絶縁性が得られる。また、第２の樹脂組成物層の厚さが１００μｍ以下であることで、第２の樹脂組成物層を硬化してなる第２の硬化層の硬化収縮の発生を低減でき、これにより、封止体の反りの発生を抑制することができる。
【００５７】
２．剥離シート
上記封止シートは、剥離シートを備えていてもよい。剥離シートを備えることで、封止シートの保管時や、第１積層工程および第２積層工程における取り扱い性が優れたものとなる。剥離シートの構成は任意であり、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム、ポリプロピレン、ポリエチレン等のポリオレフィンフィルムなどのプラスチックフィルムが挙げられる。これらの剥離面には、剥離処理が施されていることが好ましい。剥離処理に使用される剥離剤としては、例えば、シリコーン系、アルキド系、フッ素系、長鎖アルキル系等の剥離剤が挙げられる。
【００５８】
剥離シートの厚さについては特に制限はないが、通常２０μｍ以上、２５０μｍ以下である。
【００５９】
３．封止シートの物性
上記封止シートにおいて、上記樹脂組成物層を構成する材料は、硬化前における９０℃での溶融粘度（以下、「９０℃溶融粘度」ということがある。）が、上限値として１．０×１０５Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、特に１．０×１０４Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。９０℃溶融粘度の上限値が上記であると、第１積層工程において、加熱下で第１の樹脂組成物層に電子部品が良好に埋め込まれ、これにより、電部品の周囲におけるボイドの発生を効果的に抑制することができる。また、９０℃溶融粘度は、下限値として１.０Ｐａ・ｓ以上であることが好ましく、特に１０Ｐａ・ｓ以上であることが好ましい。９０℃溶融粘度の下限値が上記であると、第１積層工程において、加熱下で樹脂組成物層を電子部品に積層したときに、樹脂組成物層を構成する材料がフローし過ぎることがなく、装置の汚染やチップシフトを防止することができる。
【００６０】
ここで、樹脂組成物層を構成する材料の９０℃溶融粘度は、粘弾性測定装置を用いて測定することができる。具体的には、厚さ１５ｍｍの樹脂組成物層１３について、ＭＣＲ３０２（Ａｎｔｏｎ  ｐａｒｌ社製）を用い、温度範囲３０〜１５０℃、昇温速度５℃／ｍｉｎの条件で溶融粘度を測定することができる。
【００６１】
４．封止シートの製造方法
本実施形態に係る半導体装置の製造方法に使用される封止シートは、従来の封止シートと同様に製造することができる。例えば、上述の樹脂組成物、および所望によりさらに溶媒または分散媒を含有する塗工液を調製し、剥離シートの剥離面上に、ダイコーター、カーテンコーター、スプレーコーター、スリットコーター、ナイフコーター等によりその塗工液を塗布して塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥させることにより封止シートを製造することができる。塗工液は、塗布を行うことが可能であればその性状は特に限定されず、樹脂組成物層を形成するための成分を溶質として含有する場合もあれば、分散質として含有する場合もある。剥離シートは工程材料として剥離してもよいし、封止に使用するまでの間、樹脂組成物層を保護していてもよい。
【００６２】
また、封止シートの両面に剥離シートがそれぞれ積層された積層体の製造方法としては、前述の剥離シートの剥離面上に塗工液を塗布して塗膜を形成し、これを乾燥させて樹脂組成物層と剥離シートとからなる積層体を形成し、この積層体の樹脂組成物層における剥離シートとは反対の面を他の剥離シートの剥離面に貼付して、剥離シート／樹脂組成物層／剥離シートからなる積層体を得ることができる。この積層体における剥離シートの少なくとも一方は工程材料として剥離してもよいし、封止に使用するまでの間、樹脂組成物層を保護していてもよい。なお、上記溶媒としては、トルエン、酢酸エチル、メチルエチルケトンの有機溶媒等が挙げられる。
【００６３】
〔半導体装置の製造方法〕
続いて、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図１〜図４には、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明する断面図が示される。最初に、図１（ａ）に示されるように、電子部品載置工程として、粘着シート１の粘着面上に１または２以上の電子部品２を載置する。粘着シート１上に電子部品２を載置する手法は特に限定されず、一般的な手法を採用することができる。
【００６４】
粘着シート１としては、当該シートが発揮する粘着力によって、当該シート上に電子部品２を固定（剥離可能に固定）できるものであれば特に限定されず、基材と、当該基材に積層された粘着剤層とからなるものであってよく、または、自己粘着性を有する基材であってもよい。また、このような基材および粘着剤層は、第１の樹脂組成物層や第２の樹脂組成物層を熱硬化する際の加熱に耐えうる耐熱性を有することが好ましい。
【００６５】
粘着剤層を構成する粘着剤の例としては、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリビニルエーテル系粘着剤等を使用することができる。粘着剤には、可塑剤、安定剤、粘着付与材、着色剤、カップリング剤、帯電防止剤、酸化防止剤等を含有してもよい。
【００６６】
粘着シート１を構成する基材の材料は、特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム等のポリエステルフィルム；ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム等のポリオレフィンフィルム；ポリイミドフィルム、不織布、紙等が挙げられる。
【００６７】
粘着シート１が基材と粘着剤層とからなる場合、当該粘着剤層は、１００℃における、測定周波数を１Ｈｚとしたときの貯蔵弾性率が１×１０５Ｐａ以上であることが好ましい。粘着剤層がこのような貯蔵弾性率を有していれば、硬化工程の後に、粘着シート１を容易に剥離することができ、かつ被着体の表面に粘着剤が残るという不具合（いわゆる糊残り）を防止することができる。粘着剤層の１００℃における、測定周波数を１Ｈｚとしたときの貯蔵弾性率の上限は、特に限定されないが、１×１０７Ｐａ以下であることが好ましい。なお、上記貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置を用いて、ねじりせん断法により測定した値であり、測定方法の詳細は、後述する実施例に記載の通りである。
【００６８】
粘着シート１は、加熱後に、次のような粘着力を示すことが好ましい。まず、粘着シート１の粘着面を被着体（銅箔またはポリイミドフィルム）に貼着させ、１００℃及び３０分間の条件で加熱し、続いて１８０℃及び３０分間の条件で加熱し、さらに１９０℃及び１時間の条件で加熱した後、銅箔に対する室温での粘着力、及びポリイミドフィルムに対する室温での粘着力が、それぞれ０．７Ｎ／２５ｍｍ以上、２．０Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。このような加熱を行った後の粘着力が上記範囲であれば、硬化工程の途中で、粘着シート１が剥離することを効果的に防止できる。さらに、後述する第１の樹脂組成物層の硬化を、第１積層工程と粘着シート１の剥離工程との間の段階において行う場合に、粘着シート１が加熱された場合でも、粘着シート１を剥離し易い。なお、上記粘着力の測定方法の詳細は、後述する実施例に記載の通りとする。また、本明細書において室温とは、２２℃以上、２４℃以下の温度をいうものとする。
【００６９】
粘着シート１が基材と粘着剤層とからなる場合、当該粘着剤層は、粘着シート１が加熱された後に剥離された際における、粘着剤層の劣化に起因した糊残りを効果的に抑制する観点から、５％重量減少温度が２５０℃以上であることが好ましく、３００℃以上であることがより好ましい。この５％重量減少温度は、例えば、粘着剤層に使用する粘着剤の架橋度を高めること、粘着剤中の低分子の含有量を減少させること等によって調整することができる。なお、上記５％重量減少温度の測定方法の詳細は、後述する実施例に記載の通りである。
【００７０】
粘着シート１を構成する基材の厚さは、作業性、コスト等の観点から適宜設定することが可能であり、例えば、１０μｍ以上であることが好ましく、特に１５μｍ以上であることが好ましく、さらには２０μｍ以上であることが好ましい。また、基材の厚さは、５００μｍ以下であることが好ましく、特に３００μｍ以下であることが好ましく、さらには１００μｍ以下であることが好ましい。
【００７１】
粘着シート１が基材と粘着剤層とからなる場合、当該粘着剤層の厚さは、粘着力、作業性、コスト等の観点から適宜設定することが可能であり、例えば、１μｍ以上であることが好ましく、特に５μｍ以上であることが好ましく、さらには１０μｍ以上であることが好ましい。また、粘着剤層の厚さは、５００μｍ以下であることが好ましく、特に１００μｍ以下であることが好ましく、さらには５０μｍ以下であることが好ましい。
【００７２】
電子部品２としては、一般的に封止の対象となる電子部品であれば特に限定されず、例えば、半導体チップ等が挙げられる。さらに、電子部品２は、インターポーザの所定の位置に半導体チップが載置されたものであってもよい。この場合、そのように載置された状態で、当該半導体チップ等とともに、インターポーザの少なくとも一部が封止される。上記インターポーザの例としては、リードフレーム、ポリイミドテープ、プリント基板等が挙げられる。さらに、粘着シート１上における電子部品２の周囲に、銅等の金属からなるフレーム、樹脂製フレーム等のフレーム（枠状部材ともいう）を設け、当該電子部品２とともに、当該枠状部材の少なくとも一部を封止してもよい。上記枠状部材は、通常、厚さ方向に貫通した孔からなる１以上の開口部と、銅等や樹脂等により構成される枠状部とからなる。
【００７３】
上記枠状部材を用いる場合、電子部品載置工程において、例えば、粘着シート１の粘着面上に、上記枠状部材を載置した後、上記枠状部材の開口部の位置に、電子部品２を載置する。これにより、第１積層工程において、開口部の外への封止樹脂のしみ出しを抑制し、得られる半導体装置の厚さを均一にすることができ、さらに、硬化層の反りの発生を抑制し、得られる半導体装置の反りを抑制することができる。
【００７４】
続いて、図１（ｂ）に示されるように、第１積層工程として、電子部品２を覆うように、少なくとも硬化性の第１の樹脂組成物層３を備える第１の封止シートにおける第１の樹脂組成物層３を積層する。当該第１の封止シートは、前述した封止シートを使用することができる。第１の封止シートが片面のみに剥離シートを備える場合には、第１の封止シートにおける樹脂組成物層の露出面を、電子部品２を覆うように積層した後、剥離シートを第１の樹脂組成物層３から剥離することが好ましい。また、第１の封止シートが両面に剥離シートを備える場合には、一方の剥離シートを剥離して露出した樹脂組成物層の露出面を、電子部品２を覆うように積層した後、他方の剥離シートを第１の樹脂組成物層３から剥離することが好ましい。なお、第１の封止シートが片面または両面に剥離シートを備える場合には、第１の封止シートにおける樹脂組成物層３の露出面を、電子部品２を覆うように積層した後、後述するように、第１の樹脂組成物層３を硬化して、第１の硬化層３’を形成し、その後、剥離シートを第１の硬化層３’から剥離してもよい。
【００７５】
上記第１積層工程は、従来公知のラミネート装置を用いて行うことができ、積層の条件としては、例えば、第１の樹脂組成物層３の温度を４０℃以上とすることが好ましく、特に５０℃以上とすることが好ましい。また、当該温度は、１８０℃以下とすることが好ましく、１５０℃以下とすることがさらに好ましく、特に１２０℃以下とすることが好ましい。積層の圧力は、０．１ＭＰａ以上とすることが好ましい。また、当該圧力は、０．５ＭＰａ以下とすることが好ましい。積層に要する時間は、１０秒以上とすることが好ましく、特に３０秒以上とすることが好ましい。また、当該時間は、１０分間以下であることが好ましく、特に５分間以下であることが好ましい。
【００７６】
上記第１積層工程は、常圧条件下で行ってもよいが、第１の樹脂組成物層３の電子部品２への密着性と埋め込み性の観点から、減圧条件下で行うことが好ましい。減圧条件としては、例えば、５ｋＰａ以下とすることが好ましく、５００Ｐａ以下とすることがさらに好ましく、特に１００Ｐａ以下とすることが好ましい。
【００７７】
次に、図１（ｃ）に示されるように、第１の樹脂組成物層３を硬化して、第１の硬化層３’を形成することが好ましい。当該硬化は、加熱処理により行うことが好ましく、すなわち、第１の樹脂組成物層３を加熱することで硬化することが好ましい。硬化が完了した後における、第１の硬化層３’の反応率は８５％以上であることが好ましく、９０％以上であることが好ましく、特に９５％以上であることが好ましい。第１の硬化層３’の反応率が８５％以上となるように、第１の樹脂組成物層３を硬化する場合、第１の樹脂組成物層３の硬化反応がより良好に進行し、適度に三次元網状化しているため、後述するデスミア工程後において、第１の硬化層３’表面が過度に粗くならず、第１の硬化層３’表面の算術平均粗さが比較的小さくなる。これにより、その後の電極形成工程で、第１の硬化層３’の内部に導体が形成されにくくなるため、微細な電極を形成した場合でも、ショート等の絶縁不良を効果的に抑制できる。なお、上記反応率の測定方法は、後述する試験例に記載の通りである。
【００７８】
形成される第１の硬化層３’における電子部品２と反対側の面の算術平均粗さ（Ｒａ値）は、微細な電極を良好に形成し易いという観点から、３００ｎｍ以下であることが好ましく、１５０ｎｍ以下であることがより好ましく、特に１００ｎｍ以下であることが好ましく、さらには５０ｎｍ以下であることが好ましい。算術平均粗さ（Ｒａ値）の下限値は、特に制限はないが、後述する電極形成工程後に、電極７の密着性をより安定化させるという観点から、１ｎｍ以上であることが好ましく、特に５ｎｍ以上であることが好ましく、さらには１０ｎｍ以上であることが好ましい。なお、当該算術平均粗さ（Ｒａ値）の測定方法は、後述する試験例に記載の通りである。
【００７９】
上述した加熱による第１の樹脂組成物層３の硬化では、加熱処理の温度を、例えば、１００℃以上とすることが好ましく、特に１２０℃以上とすることが好ましい。また、当該温度は、２４０℃以下とすることが好ましく、特に２００℃以下とすることが好ましい。また、加熱処理の時間は、１５分間以上とすることが好ましく、特に２０分間以上とすることが好ましい。また、当該時間は、３００分間以下とすることが好ましく、特に１００分間以下とすることが好ましい。また、上述した加熱による第１の樹脂組成物層３の硬化は、複数回の加熱処理により段階的に行うことが好ましい。これにより、第１の硬化層３’における上記反応率が所望の値を達成し易くなる。この場合の加熱は、２回以上に分けて行うことが好ましく、特に、温度Ｔ１で熱硬化させる第１の加熱処理と、温度Ｔ１よりも高い温度Ｔ２にて熱硬化させる第２の加熱処理とによる、２段階の加熱の処理により行われることがより好ましい。この場合、第１の加熱処理では、温度Ｔ１が１００℃以上、１３０℃以下であることが好ましく、加熱処理の時間は１５分以上、６０分以下であることが好ましい。また、第２の加熱処理では、温度Ｔ２が、１５０℃以上、２２０℃以下であることが好ましく、加熱処理の時間は３０分以上、１２０分以下であることが好ましい。
【００８０】
なお、図１〜図４に示される半導体装置の製造方法の例では、第１の樹脂組成物層３の硬化を、第１積層工程と剥離工程との間の段階で行っているものの、その他の段階において行ってもよい。例えば、第１の樹脂組成物層３の硬化は、粘着シート１を剥離した後であって、第２の封止シートを積層する前に行ってもよい。また、第１の樹脂組成物層３の硬化は、粘着シート１を剥離した後であって、第２の封止シートの積層が完了した後、第２の樹脂組成物層の硬化と同時に行ってもよい。
【００８１】
続いて、図２（ａ）に示されるように、剥離工程として、電子部品２および第１の硬化層３’から粘着シート１を剥離する。なお、当該剥離の際に、第１の樹脂組成物層３の硬化が行われていない場合には、粘着シート１は、電子部品２および第１の樹脂組成物層３から剥離されるものとなる。また、粘着シート１がエネルギー線硬化性を有する粘着剤層を備える場合には、前述の通り、剥離の前に、当該粘着剤層に対してエネルギー線を照射して硬化させて、粘着シート１の粘着力を低下させることで、当該剥離を容易に行うことが可能となる。
【００８２】
次に、図２（ｂ）に示されるように、第２積層工程として、粘着シート１の剥離により露出した電子部品２の露出面を覆うように、少なくとも硬化性の第２の樹脂組成物層４を備える第２の封止シートを積層する。第２の封止シートとしては、前述した封止シートを使用することができる。特に、第２の封止シートとしては、第２の樹脂組成物層４が第１の樹脂組成物層３と同一の材料からなる封止シートを使用することが好ましい。すなわち、本実施形態に係る半導体装置の製造方法において、第１の樹脂組成物層３および第２の樹脂組成物層４は、第１の樹脂組成物層３および第２の樹脂組成物層４の間の密着性の観点から、同一の組成を有する樹脂組成物から形成されたものであることが好ましい。第２の封止シートが片面のみに剥離シートを備える場合には、第２の封止シートにおける樹脂組成物層の露出面を電子部品２の露出面を覆うように積層した後、剥離シートを第２の樹脂組成物層４から剥離することが好ましい。また、第２の封止シートが両面に剥離シートを備える場合には、一方の剥離シートを剥離して露出した樹脂組成物層の露出面を電子部品２の露出面を覆うように積層した後、他方の剥離シートを第２の樹脂組成物層４から剥離することが好ましい。また、第２の封止シートが剥離シートを備える場合には、第２の封止シートにおける樹脂組成物層４の露出面を、電子部品２の露出面を覆うように積層した後、後述するように、第２の樹脂組成物層４を硬化して、第２の硬化層４’を形成したあと、剥離シートを第２の硬化層４’から剥離してもよい。
【００８３】
上記第２積層工程は、従来公知のラミネート装置を用いて行うことができ、積層の条件としては、例えば、第２の樹脂組成物層４の温度を４０℃以上とすることが好ましく、特に５０℃以上とすることが好ましい。また、当該温度は、１８０℃以下とすることが好ましく、１５０℃以下とすることがさらに好ましく、特に１２０℃以下とすることが好ましい。積層の圧力は、０．１ＭＰａ以上とすることが好ましい。また、当該圧力は、０．５ＭＰａ以下とすることが好ましい。積層に要する時間は、１０秒以上とすることが好ましく、特に３０秒以上とすることが好ましい。また、当該時間は、１０分間以下であることが好ましく、特に５分間以下であることが好ましい。
【００８４】
上記第２積層工程は、常圧条件下で行ってもよいが、第２の樹脂組成物層４の電子部品２への密着性と埋め込み性の観点から、減圧条件下で行うことが好ましい。減圧条件としては、例えば、５ｋＰａ以下とすることが好ましく、特に１００Ｐａ以下とすることが好ましい。また、減圧条件としては、０．１Ｐａ以上とすることが好ましく、特に０．１ｋＰａ以上とすることが好ましい。
【００８５】
次に、図２（ｃ）に示されるように、硬化工程として、第２の樹脂組成物層４を硬化して、第２の硬化層４’を形成し、これにより、第１の樹脂組成物層３が硬化してなる第１の硬化層３’と、第２の樹脂組成物層４が硬化してなる第２の硬化層４’と、第１の硬化層３’および第２の硬化層４’により封止された電子部品２とを備える封止体５を得る。第２の樹脂組成物層４の硬化は、熱硬化であることが好ましく、すなわち、第２の接着剤層４を加熱することで硬化することが好ましい。硬化が完了した後における、第２の硬化層４’の反応率は８５％以上であることが好ましく、特に９０％以上であることが好ましく、さらには９５％以上であることが好ましい。第２の硬化層４’の反応率が８５％以上となるように、第２の樹脂組成物層４を硬化する場合、第２の樹脂組成物層４の硬化反応がより良好に進行し、適度に三次元網状化しているため、後述するデスミア工程後において、第２の硬化層４’表面が過度に粗くならず、第２の硬化層４’表面の算術平均粗さが比較的小さくなる。これにより、その後の電極形成工程で、第２の硬化層４’の内部に導体が形成されにくくなるため、微細な電極を形成した場合でも、ショート等の絶縁不良を効果的に抑制できる。なお、上記反応率の測定方法は、後述する試験例に記載の通りである。
【００８６】
形成される第２の硬化層４’における電子部品２と反対側の面の算術平均粗さ（Ｒａ値）は、微細な電極を良好に形成し易いという観点から、３００ｎｍ以下であることが好ましく、１５０ｎｍ以下であることがより好ましく、特に１００ｎｍ以下であることがさらに好ましく、さらには５０ｎｍ以下であることが好ましい。算術平均粗さ（Ｒａ値）の下限値は、特に制限はないが、後述する電極形成工程後に、電極７の密着性をより安定化させるという観点から、１ｎｍ以上であることが好ましく、特に５ｎｍ以上であることが好ましく、さらには１０ｎｍ以上であることが好ましい。なお、当該算術平均粗さ（Ｒａ値）の測定方法は、後述する試験例に記載の通りである。
【００８７】
上述した加熱による第２の樹脂組成物層４の硬化では、加熱処理の温度を、例えば、１００℃以上とすることが好ましく、特に１２０℃以上とすることが好ましい。また、当該温度は、２４０℃以下とすることが好ましく、特に２００℃以下とすることが好ましい。また、加熱処理の時間は、１５分間以上とすることが好ましく、特に２０分間以上とすることが好ましい。また、当該時間は、３００分間以下とすることが好ましく、特に１００分間以下とすることが好ましい。また、上述した加熱による第２の樹脂組成物層４の硬化は、複数回の加熱処理により段階的に行うことが好ましい。これにより、第２の硬化層４’における上記反応率が所望の値を達成し易くなる。この場合の加熱は、２回以上に分けて行うことが好ましく、特に、温度Ｔ１で熱硬化させる第１の加熱処理と、温度Ｔ１よりも高い温度Ｔ２にて熱硬化させる第２の加熱処理による、２段階の加熱の処理により行われることがより好ましい。第１の加熱処理では、温度Ｔ１が１００℃以上、１３０℃以下であることが好ましく、加熱処理の時間は１５分以上、６０分以下であることが好ましい。第２の加熱処理では、温度Ｔ２が、１５０℃以上、２２０℃以下であることが好ましく、加熱処理の時間は３０分以上、１２０分以下であることが好ましい。
【００８８】
次に、第１の硬化層および前記第２の硬化層の少なくとも一方には、従来公知の任意な方法により電極を形成することができる。以下では、セミアディティブ法により形成する例を説明する。
【００８９】
すなわち、硬化工程に続いて、孔形成工程として、第１の硬化層３’および第２の硬化層４’の少なくとも一方を貫通する孔６であって、電子部品２の表面の一部を露出させる孔を形成する。孔６の形成は、得られる半導体装置の構成等に合わせて、第１の硬化層３’および第２の硬化層４’の所望の片側に設けることができ、また、第１の硬化層３’および第２の硬化層４’の両方の側に設けることもできる。ここで、図３（ａ）には、第２の硬化層４’を貫通する孔６を形成した状態の断面図が示されている。この場合、第２の硬化層４’における第１の硬化層３’とは反対側の面から、第２の硬化層４’と電子部品２との界面までを貫通する孔６を形成する。一方、図４（ａ）には、第１の硬化層３’を貫通する孔６を形成した状態の断面図が示されている。この場合、第１の硬化層３’における第２の硬化層４’とは反対側の面から、第１の硬化層３’と電子部品２との界面までを貫通する孔６を形成する。孔６の形成は、一般的な方法で行ってよく、例えば、孔６を形成する面に対し、レーザー照射装置を使用して、一般的な照射条件にて、レーザーを照射することで形成することができる。
【００９０】
次に、デスミア工程として、孔６が形成された封止体５をデスミア処理する。上述した孔形成工程では、孔６を形成する際に、第１の硬化層３’または第２の硬化層４’を構成する成分の残渣（スミア）が発生し、当該スミアが孔６内に残ることがある。しかしながら、デスミア工程を行うことで、孔６内のスミアを除去することができ、続く電極形成工程において孔６内に電極を形成した際に、当該電極の導通不良を抑制することができる。
【００９１】
上述のデスミア処理は、一般的な手法により行うことができ、例えば、３０℃以上、１２０℃以下のアルカリ性溶液中に、封止体５を１〜３０分間浸漬させることで行うことができる。また、使用されるアルカリ性溶液としては、デスミア処理に一般的に使用される溶液（デスミア液）を使用することができ、例えば、過マンガン酸カリウムを含有する水酸化ナトリウム溶液、過マンガン酸ナトリウムおよび水酸化ナトリウムを含有する水溶液等を使用することができる。また、上記アルカリ性溶液としては、過マンガン酸ナトリウムおよび水酸化ナトリウムを含有する水溶液の他に、水酸化カリウムを含有する水溶液等も使用することができる。
【００９２】
最後に、電極形成工程として、孔６を通じて電子部品２に電気的に接続された電極７を形成する。ここで、図３（ｂ）には、孔形成工程において第２の硬化層４’に形成した孔６に、電極７を形成した状態の断面図が示されている。また、図４（ｂ）には、孔形成工程において第１の硬化層３’に形成した孔６に、電極７を形成した状態の断面図が示されている。電極７の形成は、一般的な手法により行うことができる。例えば、封止体５の孔６を形成した面に対して、銅、銀等の導電性金属を用いたメッキ処理を行い、孔６に対して当該導電性金属を埋め込むとともに、上記面を当該導電性金属で覆う。続いて、上記面を覆った導電性金属における不要な部分をエッチング等により除去して、孔６に埋め込まれた導電性金属と、当該埋め込まれた導電性金属に繋がり、上記面上に残った所定の形状を有する導電性金属とからなる電極７を形成することができる。ここで、上記面上に残った導電性金属を、所定の幅および長さを有する線状に形成することで、配線の形態の電極７を形成することもできる。電極７の形成により、封止された電子部品２とともに、当該電子部品２に電気的に接続された電極７を備える半導体装置が得られる。
【００９３】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、上述の通り、半導体装置の用途等に合わせて、第１の硬化層３’および第２の硬化層４’の所望の層に孔６を形成し、電極７を設けることができる。また、第１の硬化層３’および第２の硬化層４’の両方の層に孔６を形成し、電極７を設けることもできる。そのため、得られる半導体装置において、電極７を自由な位置に設け易くなり、得られた半導体装置の３次元実装も容易となる。その結果、半導体装置の高集積化および高機能化が容易となる。
【００９４】
また、本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、ファンアウト型ウエハレベルパッケージ（ＦＯＷＬＰ）、ファンアウト型パネルレベルパッケージ（ＦＯＰＬＰ）、部品内蔵基板等の製造にも適用することができる。特に、上記製造方法は、複数の電子部品を一括して封止することができるため、これによって得られるパッケージは、所定の位置で切断することで、複数の半導体パッケージに分割することができ、効率的に且つ歩留まり高く半導体パッケージを生産することができる。すなわち、本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、効率的で歩留まり高い方法にも適用することができる。
【００９５】
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【実施例】
【００９６】
以下、実施例および試験例等を示すことにより本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は下記の試験例等に何ら限定されるものではない。【００９７】
〔製造例１〕（第１の封止シートの製造）
熱可塑性樹脂としてのビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（三菱化学社製，製品名「ｊＥＲ１２５６」）５．１部（固形分換算，以下同じ）と、熱硬化性樹脂としてのビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学社製，製品名「ｊＥＲ８２８」）５．７部と、熱硬化性樹脂としてのビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製，製品名「ＮＣ−３０００−Ｌ」）５．７部と、熱硬化性樹脂としてのナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製，製品名「ＨＰ−４７００」）４．１部と、熱硬化性樹脂としてのビフェニル型フェノール（明和化成社製，製品名「ＭＥＨＣ−７８５１−ＳＳ」）１４．３部と、イミダゾール系硬化触媒としての２−エチル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製，製品名「２Ｅ４ＭＺ」）０．１部と、無機フィラーとしてのエポキシシラン処理シリカフィラー〔シリカフィラー（アドマテックス社製，製品名「ＳＯ−Ｃ２」，平均粒径：０．５μｍ，最大粒径：２μｍ，形状：球状）を３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学社製，製品名「ＫＢＭ−４０３」，最小被覆面積：３３０ｍ２／ｇ）を用いて表面処理したもの〕６５部とを、メチルエチルケトン中にて混合して、固形分濃度が５０質量％である樹脂組成物の塗工液を得た。当該塗工液を、厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの片面にアルキッド系剥離剤層を設けてなる剥離フィルム（リンテック社製，製品名「ＳＰ−ＰＥＴ３８ＡＬ−５」）の剥離面上に塗布し、得られた塗膜をオーブンにて１００℃で１分間乾燥することで、厚さ５０μｍの樹脂組成物層と剥離フィルムとからなる封止シートを作製し、これを第１の樹脂組成物層と剥離フィルムとからなる第１の封止シートとした。【００９８】
〔製造例２〕（第２の封止シートの製造）
樹脂組成物層の厚さを２０μｍに変更したこと以外は、製造例１と同様にして、厚さ２０μｍの樹脂組成物層と剥離フィルムとからなる封止シートを作製し、これを第２の樹脂組成物層と剥離フィルムとからなる第２の封止シートとした。【００９９】
〔製造例３〕（粘着シートの作製）
アクリル酸エステル共重合体（アクリル酸２−エチルヘキシル９２．８質量％と、アクリル酸２−ヒドロキシエチル７．０質量％と、アクリル酸０．２質量％との共重合体）４０質量部と、粘着付与材としての両末端水酸基水素化ポリブタジエン（日本曹達社製，製品名「ＧＩ−１０００」）５質量部と、架橋剤としてのヘキサメチレンジイソシアネートを有する脂肪族系イソシアネート（日本ポリウレタン工業社製，製品名「コロネートＨＸ」）３．５質量部とを、メチルエチルケトン中にて混合し、固形分濃度が３０質量％である粘着剤組成物の塗工液を調製した。【０１００】
次いで、調製した塗工液を、ロールコーターを用いて、ポリエチレンテレフタレートフィルムの一方の面をシリコーン系剥離層により剥離処理した剥離フィルム（リンテック社製，製品名「ＳＰ−ＰＥＴ３８２１５０」，厚さ：３８μｍ）の剥離処理面に塗布し、９０℃及び９０秒間の加熱を行い、続いて１１５℃及び９０秒間の加熱を行い、塗膜を乾燥させることで粘着剤層を形成し、厚さ５０μｍの粘着剤層と剥離フィルムとの積層体を得た。【０１０１】
続いて、得られた粘着剤層における剥離フィルムとは反対側の面を、基材としての透明ポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋紡社製，製品名「ＰＥＴ５０Ａ−４３００」，厚さ：５０μｍ，ガラス転移温度Ｔｇ：６７℃，ＭＤ方向熱収縮率：１．２％，ＣＤ方向熱収縮率：０．６％）の片面に貼り合わせて粘着シートを得た。【０１０２】
なお、得られた粘着剤層について、後述する方法により、１００℃における、測定周波数を１Ｈｚとしたときの貯蔵弾性率を測定したところ、２．３６×１０５Ｐａであった。また、得られた粘着シートの加熱後における銅箔に対する粘着力を後述する方法にて測定したところ、１．２Ｎ／２５ｍｍであった。また、粘着シートの加熱後におけるポリイミドフィルムに対する粘着力を後述する方法にて測定したところ、１．１Ｎ／２５ｍｍであった。また、粘着剤層の５％重量減少温度を後述する方法にて測定したところ、３０４℃であった。【０１０３】
上述した貯蔵弾性率は、次の通り測定した。上記の通り作製した、粘着剤層と剥離フィルムとの積層体を複数用いて、厚さの合計が３ｍｍとなるまで粘着剤層を積層した後、直径８ｍｍの円柱体（厚さ３ｍｍ）を打ち抜き、これをサンプルとした。当該サンプルについて、ＪＩＳ  Ｋ７２４４−６：１９９９に準拠し、粘弾性測定器（ＲＥＯＭＥＴＲＩＣ社製，製品名「ＤＹＮＡＭＩＣ  ＡＮＡＬＹＺＥＲ」）を用いてねじりせん断法により、測定周波数：１Ｈｚおよび測定温度：１００℃の条件で貯蔵弾性率（Ｐａ）を測定した。【０１０４】
上述した銅箔に対する粘着力は、次の通り測定した。上記の通り作製した粘着シートを長さ１００ｍｍ、幅２５ｍｍに裁断し、剥離フィルムを剥離したものを試験片とし、銅箔に対し０．５ＭＰａ、５０℃で２０分加圧して貼付した後、１００℃及び３０分間の条件での加熱、１８０℃及び３０分間の条件での加熱、および１９０℃及び１時間の条件での加熱を順に行った。その後、標準環境下（２３℃，５０％ＲＨ）にて、引張試験機（島津製作所社製，製品名「オートグラフＡＧ−ＩＳ」）を用いて１８０°の剥離角度、３００ｍｍ／分の剥離速度で粘着シートを剥離し、粘着力（ｍＮ／２５ｍｍ）を測定した。また、上述したポリイミドフィルムに対する粘着力は、粘着シートの貼付する対象を、銅箔からポリイミドフィルムに変更する以外、上記と同様の粘着力の測定方法により測定した。【０１０５】
上述した５％重量減少温度は、次の通り測定した。すなわち、上記の通り形成した粘着剤層について、示差熱・熱重量同時測定装置（島津製作所社製，製品名「ＤＴＧ−６０」）を用い、流入ガスを窒素として、ガス流入速度１００ｍｌ／ｍｉｎ、昇温速度２０℃／ｍｉｎで、４０℃から５５０℃まで昇温させて熱重量測定を行った（ＪＩＳ  Ｋ７１２０「プラスチックの熱重量測定方法」に準拠）。得られた熱重量曲線に基づいて、温度１００℃での質量に対して質量が５％減少する温度（５％重量減少温度）を求めた。【０１０６】
〔実施例１〕
（電子部品載置工程）
まず、製造例３において作製した粘着シートから剥離フィルムを剥離して露出した粘着面上に、複数の開口部を有する枠状部材（銅製，厚さ：１３０μｍ，開口部のサイズ：８ｍｍ×８ｍｍ）を貼着した。次いで、複数の半導体チップ（５ｍｍ×５ｍｍ，厚さ：１３０μｍ）を準備し、枠状部材における各々の開口部の所定位置に、半導体チップを１つずつ載置した。【０１０７】
（第１積層工程）
次いで、製造例１で作製した第１の封止シートにおける第１の樹脂組成物層側の面を、９０℃に加熱した状態で、半導体チップ及び枠状部材を覆うように粘着シート上に積層して、仮付けした。次いで、第１の封止シートを、真空ラミネータ装置を用いて、２ｈＰａ以下に減圧した状態に置き、その後９０℃、圧力０．１ＭＰａで耐熱ゴムを用いて１０秒間プレスした後、９０℃、圧力０．３ＭＰａで耐熱ゴムを用いて３０秒間プレスした。【０１０８】
（第１の封止シートの硬化工程）
その後、積層された第１の封止シートから、剥離フィルムを剥離し、第１の樹脂組成物層を１００℃（Ｔ１）で３０分間熱硬化した後、１８０℃（Ｔ２）で６０分間熱硬化し、第１の硬化層を形成した。次いで、第１の硬化層から粘着シートを剥離角度１８０°で剥離した。【０１０９】
（第２積層工程）
次いで、粘着シートを剥離して露出した、半導体チップおよび第１の硬化層の露出面に対して、製造例２で作製した第２の封止シートの第２の樹脂組成物層を積層した。当該積層は、真空ラミネータ装置を用いて、２ｈＰａ以下に減圧した状態に置き、その後９０℃、圧力０．３ＭＰａで耐熱ゴムを用いて１０秒間プレスした後、９０℃、圧力０．３ＭＰａで耐熱ゴムを用いて３０秒間プレスした。【０１１０】
（第２の封止シートの硬化工程）
その後、積層された第２の封止シートから、剥離フィルムを剥離し、第２の樹脂組成物層を１００℃（Ｔ１）で３０分間熱硬化した後、１８０℃（Ｔ２）で６０分間熱硬化し、第２の硬化層を形成した。これにより、第１の硬化層および第２の硬化層により封止された半導体チップを備える封止体を得た。【０１１１】
（孔形成工程）
得られた封止体における第２の硬化層側の面に対して、ＣＯ２レーザー加工機を使用してレーザーを照射して、封止体表面における直径が１００μｍであり、半導体チップに達するビアホールを形成した。【０１１２】
（デスミア工程）
次いで、封止体における第１の硬化層側の面（ビアホールが形成された第２の硬化層の面とは反対側の面）を保護テープで全面カバーした後、グリコールエーテル系溶媒とエチレングリコールモノブチルエーテルとが混合されてなるアルカリ性の膨潤液中に、６０℃で５分間浸漬した後、粗化液（アルカリ性過マンガン酸水溶液）に８０℃で１５分間浸漬し、最後に、硫酸の水溶液に４０℃で５分間浸漬して中和し、その後８０℃で５分間乾燥した。【０１１３】
（電極形成工程）
続いて、封止体を、無電解メッキ用溶液に４０℃で６分間浸漬し、次に無電解銅メッキ液に２５℃で１８分間浸漬し、その後、１５０℃にて３０分間アニール処理を行った。その後、封止体におけるビアホールが形成された面にめっき用レジスト層を貼りあわせ、露光、現像により、当該めっき用レジスト層における所定のパターンを有する領域を除去した。その後、硫酸銅電解めっきを行って、上記除去した領域に、１０μｍの厚さの銅からなる層を形成した。次に、残っためっき用レジスト層を剥離し、フラッシュエッチングにより不要な無電解銅めっき部分を除去することで、配線の形状を有する電極を得た。当該配線の配線パターンは、配線幅（Ｌ）が５０μｍであり配線間隔（Ｓ）が５０μｍである配線パターン１、および配線幅（Ｌ）が１０μｍであり配線間隔（Ｓ）が１０μｍである配線パターン２であった。最後に、保護テープを剥離し、アニール処理を１９０℃にて６０分間行うことで、第２の硬化層面に電極が形成された封止体を得た。【０１１４】
〔実施例２〕
第１の硬化層側の面に電極を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、封止体を得た。すなわち、第２の硬化層側の面には電極が形成されておらず、第１の硬化層側の面のみに電極が形成された封止体を得た。【０１１５】
〔実施例３〕
第１の封止シートの硬化工程および第２の封止シートの硬化工程のそれぞれにおいて、硬化条件として１８０℃（Ｔ１）で６０分間の一度の加熱処理により熱硬化したこと以外は、実施例１と同様にして、封止体を得た。【０１１６】
〔実施例４〕
第１の封止シートの硬化工程および第２の封止シートの硬化工程のそれぞれにおいて、硬化条件として１００℃（Ｔ１）で３０分間熱硬化した後、１５０℃（Ｔ２）で３０分間熱硬化したこと以外は、実施例１と同様にして、封止体を得た。【０１１７】
〔試験例１〕（反応率の測定）
製造例１と同様に作製した第１の封止シートについて、剥離フィルムを剥離して得た第１の樹脂組成物層を、下記条件の示差走査熱量計（ＤＳＣ）に供し、第１の樹脂組成物の熱硬化による発熱量（積分量）を測定した。これにより測定された発熱量をΔＨ０（ｋＪ）とした。
示差走査熱量計（ＤＳＣ）
装置：ＴＡインスツルメント社製
昇温速度：１０℃／ｍｉｎ
温度範囲：５０℃〜３００℃【０１１８】
また、製造例１と同様に作製した第１の封止シートを、実施例１の第１の封止シートの硬化工程における熱硬化と同様の条件〔１００℃（Ｔ１）で３０分間熱硬化した後、１８０℃（Ｔ２）で６０分間熱硬化〕にて熱硬化した後、剥離フィルムを剥がして得られた第１の硬化層を、上記と同様の条件にて示差走査熱量計（ＤＳＣ）に供し、第１の硬化層の熱硬化による発熱量（積分量）を測定した。測定された発熱量をΔＨ１（ｋＪ）とした。【０１１９】
そして、測定されたΔＨ０（ｋＪ）およびΔＨ１（ｋＪ）を用いて、下記式から実施例１に係る第１の硬化層の反応率（％）を算出した。結果を表１に示す。
反応率（％）＝（ΔＨ０−ΔＨ１）／ΔＨ０×１００【０１２０】
また、製造例２と同様に作製した第２の封止シートについても、剥離フィルムを剥離して得た第２の樹脂組成物層の発熱量ΔＨ０（ｋＪ）を、上記と同様に測定した。さらに、製造例２と同様に作製した第２の封止シートを、実施例１の第２の封止シートの硬化工程における熱硬化と同様の条件〔１００℃（Ｔ１）で３０分間熱硬化した後、１８０℃（Ｔ２）で６０分間熱硬化〕にて熱硬化した後、剥離フィルムを剥がして得られた第２の硬化層の発熱量ΔＨ１（ｋＪ）を、上記と同様に測定した。そして、測定されたΔＨ０（ｋＪ）およびΔＨ１（ｋＪ）から、上記と同様に算出することで、実施例１に係る第２の硬化層の反応率（％）を算出した。結果を表１に示す。【０１２１】
さらに、上述した発熱量ΔＨ１（ｋＪ）を測定する際の熱硬化の条件を、各実施例に記載される条件に変更した以外、上述の方法と同様にして、実施例２〜４に係る第１の硬化層の反応率（％）および第２の硬化層の反応率（％）を算出した。これらの結果も表１に示す。【０１２２】
〔試験例２〕（算術平均粗さの測定）
実施例１〜４の製造方法における第２の封止シートの硬化工程において得られ、孔形成工程を行う前における封止体（第１の硬化層および第２の硬化層により封止された半導体チップを備える封止体）において、第１の硬化層および第２の硬化層の表面について、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４に準拠して、接触型粗さ計（ミツトヨ社製，製品名「ＳＶ３０００Ｓ４」）を用いて、算術平均粗さＲａ（μｍ）を測定した。結果を表１に示す。【０１２３】
〔試験例３〕（電極形成性の評価）
実施例にて製造した封止体における配線パターン１（Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍ）および配線パターン２（Ｌ／Ｓ＝１０μｍ／１０μｍ）を、デジタル顕微鏡（キーエンス社製，製品名「ＶＨＸ−１００」）を用いて観察し、以下の基準により電極形成性を評価した。
Ａ：意図した配線パターンが形成されている。
Ｂ：意図した配線パターンからの逸脱が部分的に生じている。
Ｃ：意図した配線パターンからの逸脱が生じ、配線間の接触（ショート）も生じている。【０１２４】
【表１】
2019026266.tif 000003
【０１２５】
実施例に係る製造方法によれば、チップ実装工程から、封止樹脂への電極形成までの工程が、極めて簡単な作業内容にて、効率的に行えることが確認できた。また、表１に示される通り、封止体のいずれの面にも、良好な配線パターンを有する電極を形成できることが確認できた。これにより、半導体装置の高集積化および高機能化を可能とすることができる。以上より、実施例に係る製造方法によれば、電子部品を良好に封止することができ、半導体装置を良好に製造することができた。
【産業上の利用可能性】
【０１２６】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、チップ内蔵基板、ファンアウト型ウエハレベルパッケージやファンアウト型パネルレベルパッケージといった半導体装置の製造に好適に利用することができる。
【符号の説明】
【０１２７】
１…粘着シート
２…電子部品
３…第１の樹脂組成物層
３’…第１の硬化層
４…第２の樹脂組成物層
４’…第２の硬化層
５…封止体
６…孔
７…電極
【図１】
2019026266.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
2019026266.tif 000007
【国際調査報告】
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