(57)【要約】【課題】スパッタリング効率をさらに向上させたスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法を提供することにある。【解決手段】上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るスパッタリングターゲットは、スパッタリング面を有し、純度が９９．９５ｗｔ％以上であるコバルトターゲットである。上記スパッタリング面に沿った六方最密格子構造の（１００）面、（００２）面、（１０１）面、（１０２）面、（１１０）面、（１０３）面、（１１２）面、及び（００４）面に相当するＸ線回折ピークの強度比（Ｉ（００２）＋Ｉ（００４））／（Ｉ（１００）＋Ｉ（００２）＋Ｉ（１０１）＋Ｉ（１０２）＋Ｉ（１１０）＋Ｉ（１０３）＋Ｉ（１１２）＋Ｉ（００４））が０．８５以上である。
2020021772.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタリング面を有し、純度が９９．９５ｗｔ％以上であるコバルトターゲットであり、
前記スパッタリング面に沿った六方最密格子構造の（１００）面、（００２）面、（１０１）面、（１０２）面、（１１０）面、（１０３）面、（１１２）面、及び（００４）面に相当するＸ線回折ピークの強度比（Ｉ（００２）＋Ｉ（００４））／（Ｉ（１００）＋Ｉ（００２）＋Ｉ（１０１）＋Ｉ（１０２）＋Ｉ（１１０）＋Ｉ（１０３）＋Ｉ（１１２）＋Ｉ（００４））が０．８５以上である
スパッタリングターゲット。
【請求項２】
請求項１に記載のスパッタリングターゲットであって、
前記スパッタリング面に沿った比透磁率が５未満である
スパッタリングターゲット。
【請求項３】
請求項１〜３のいずれか１つに記載のスパッタリングターゲットであって、
前記スパッタリング面に沿った六方最密格子構造の（００２）面に相当するＸ線回折ピークの半値幅が０．３°以下である
スパッタリングターゲット。
【請求項４】
コバルトインゴットに対して熱間鍛造及び熱間圧延を行ってコバルト板を形成し、
前記コバルト板に対して、六方最密格子構造から面心立方構造に転移する転移温度よりも高い温度で第１真空加熱を行い、
前記コバルト板が前記転移温度よりも低い温度になるように前記コバルト板を真空冷却し、
前記コバルト板に対して、圧下率が１７％以上３５％以下になるように冷間圧延を行い、
前記コバルト板に対して、前記転移温度よりも低い温度で第２真空加熱を行う
スパッタリングターゲットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置等のデバイスに用いられる薄膜材料の成膜方法としてスパッタリング法がある。その中でも成膜速度を向上させたマグネトロンスパッタリング法が利用されることが多い。【０００３】
しかしながら、コバルトのような強磁性材料をマグネトロンスパッタリング法のスパッタリングターゲット（以下、ターゲット）に適用した場合には次のような問題点がある。例えば、ターゲット裏面に配置された磁石からターゲット表面に漏洩する磁場が弱いときには、ターゲット表面における磁束密度が低下して、スパッタリング効率が著しく低下する。【０００４】
これに対し、スパッタリング面と平行な方向の透磁率を小さくし、スパッタリング面と垂直な方向の透磁率を高くすることにより、コバルトターゲットのスパッタリング効率を向上させた技術がある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２９７６７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のように、スパッタリング面と平行な方向における透磁率を小さくし、スパッタリング面と垂直な方向における透磁率を高くしてコバルトターゲットのスパッタリング効率を向上させた技術はある。しかし、デバイスの高精度化にともなって、該ターゲットにおいては、さらなる改善が要求されている。【０００７】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、スパッタリング効率をさらに向上させたスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るスパッタリングターゲットは、スパッタリング面を有し、純度が９９．９５ｗｔ％以上であるコバルトターゲットである。上記スパッタリング面に沿った六方最密格子構造の（１００）面、（００２）面、（１０１）面、（１０２）面、（１１０）面、（１０３）面、（１１２）面、及び（００４）面に相当するＸ線回折ピークの強度比（Ｉ（００２）＋Ｉ（００４））／（Ｉ（１００）＋Ｉ（００２）＋Ｉ（１０１）＋Ｉ（１０２）＋Ｉ（１１０）＋Ｉ（１０３）＋Ｉ（１１２）＋Ｉ（００４））が０．８５以上である。【０００９】
このようなスパッタリングターゲットによれば、コバルトターゲットのスパッタリング面に対して垂直に配向した磁化容易軸Ｃの量が著しく高いため、スパッタリング面近傍におけるプラズマの捕捉効果が高まり、スパッタリング効率が大きく向上する。さらに、磁化容易軸Ｃの向きがスパッタリング面で均一に揃うことにより、該ターゲットを用いれば、基板上には均一な膜厚分布の膜、均一なシート抵抗の膜が形成される。【００１０】
上記のスパッタリングターゲットにおいては、上記スパッタリング面に沿った比透磁率が５未満であってもよい。【００１１】
このようなスパッタリングターゲットによれば、スパッタリング面に沿った比透磁率が５未満であるため、スパッタリング面に対して垂直に漏れる磁束密度が著しく高くなる。これにより、スパッタリング面近傍におけるプラズマの捕捉効果が高まり、スパッタリング効率が大きく向上する。さらに、該ターゲットを用いれば、基板上には均一な膜厚分布の膜、均一なシート抵抗の膜が形成される。【００１２】
上記のスパッタリングターゲットにおいては、上記スパッタリング面に沿った六方最密格子構造の（００２）面に相当するＸ線回折ピークの半値幅が０．３°以下であってもよい。【００１３】
このようなスパッタリングターゲットによれば、スパッタリング面に沿った六方最密格子構造の（００２）面に相当するＸ線回折ピークの半値幅が０．３°以下であることから、磁化容易軸Ｃの向きがスパッタリング面で均一に揃っていることになる。これにより、スパッタリング面近傍におけるプラズマの捕捉効果が高まり、スパッタリング効率が大きく向上する。さらに、該ターゲットを用いれば、基板上には均一な膜厚分布の膜、均一なシート抵抗の膜が形成される。【００１４】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るスパッタリングターゲットの製造方法では、コバルトインゴットに対して熱間鍛造及び熱間圧延を行ってコバルト板が形成される。上記コバルト板に対して、六方最密格子構造から面心立方構造に転移する転移温度よりも高い温度で第１真空加熱が行われる。上記コバルト板が上記転移温度よりも低い温度になるように上記コバルト板が真空冷却される。上記コバルト板に対して、圧下率が１７％以上３５％以下になるように冷間圧延が行われる。上記コバルト板に対して、上記転移温度よりも低い温度で第２真空加熱が行われる。【００１５】
このようなスパッタリングターゲットの製造方法によれば、コバルトターゲットのスパッタリング面に対して垂直に配向した磁化容易軸Ｃの量が著しく高くなるため、スパッタリング面近傍におけるプラズマの捕捉効果が高まり、スパッタリング効率が大きく向上する。さらに、磁化容易軸Ｃの向きがスパッタリング面で均一に揃うことにより、該ターゲットを用いれば、基板上には均一な膜厚分布の膜、均一なシート抵抗の膜が形成される。
【発明の効果】
【００１６】
以上述べたように、本発明によれば、スパッタリング効率をさらに向上させたスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図（ａ）は、本実施形態に係るターゲットの模式的斜視図である。図（ｂ）は、参考例に係るターゲットの模式的斜視図である。
【図２】本実施形態に係るターゲットの製造過程を示すフロー図である。
【図３】図２に対応したターゲットの製造過程を示す模式図である。
【図４】本実施形態に係るターゲットのＸ線回折測定結果である。
【図５】ＸＲＤのピーク強度の割合を示すグラフ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。各図面には、ＸＹＺ軸座標が導入される場合がある。また、同一の部材または同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その部材を説明した後には適宜説明を省略する場合がある。また、本実施形態で例示される圧下率とは、初期厚みがｔ０であったものが圧延によりｔ１の厚みになった場合、（（ｔ０―ｔ１）／ｔ０）×１００（％）で定義される。
【００１９】
図１（ａ）は、本実施形態に係るターゲットの模式的斜視図である。図１（ｂ）は、参考例に係るターゲットの模式的斜視図である。
【００２０】
図１（ａ）に示す本実施形態に係るターゲット１００は、コバルトの純度が９９．９５ｗｔ％以上であり、例えば、コバルトの純度が５Ｎ（９９．９９９）ｗｔ％以上のスパッタリングターゲットである。図１（ａ）には、一例として、円板状のターゲット１００が示されている。Ｘ−Ｙ軸平面は、ターゲット１００のスパッタリング面１０ａ及び裏面１０ｂに対して平行は面に対応している。Ｚ軸は、ターゲット１００の厚み方向に相当する。
【００２１】
ターゲット１００は、スパッタリング面１０ａと、スパッタリング面１０ａとは反対側の裏面１０ｂとを有する。スパッタリング面１０ａは、スパッタリング成膜の際にプラズマ（スパッタリングガス）に晒される面である。裏面１０ｂは、図示しない磁石に対向する面である。すなわち、裏面１０ｂの側に磁石が配置されて、ターゲット１００がマグネトロンスパッタリングのターゲットとして利用される。また、必要に応じて、裏面１０ｂ側には、バッキングプレートが配置されることがある。
【００２２】
ターゲット１００が円板状の場合、ターゲット１００の外形は、１００ｍｍ以上５００ｍｍ以下であり、例えば、４００ｍｍである。ターゲット１００は、円板状に限らず、矩形状の板でもよい。その場合のサイズは、横の長さが２５０ｍｍ以上５００ｍｍ以下であり、縦の長さが１００ｍｍ以上１５０ｍｍ以下である。また、ターゲット１００の厚みは、２ｍｍ以上６ｍｍ以下であり、例えば、３ｍｍである。
【００２３】
図１（ａ）に示すターゲット１００では、ターゲット１００がコバルトの六方最密格子構造（ｈｃｐ）で構成され、その磁化容易軸Ｃが優先的にターゲット１００のスパッタリング面１０ａに対し垂直に向いている。このような構成であれば、ターゲット１００の裏面１０ｂ側に配置された磁石から、ターゲット１００の内部を経由し、スパッタリング面１０ａへ漏洩する磁束Ｂが大きくなって、スパッタリング面１０ａ付近の磁束密度が高くなる。
【００２４】
これにより、スパッタリング面１０ａ近傍におけるプラズマの捕捉効果が高まって、スパッタリング効率が大きく向上する。
【００２５】
また、スパッタリング面１０ａに対する垂直な磁化容易軸Ｃの向きがターゲット１００の中心部と周辺部とで揃うことにより、ターゲット１００が均一な磁気特性を有する。これにより、ターゲット１００を用いて基板に成膜を行えば、基板上には均一な膜厚分布の膜、均一なシート抵抗の膜が形成される。
【００２６】
一方、図１（ｂ）に示すターゲット１０１のように、コバルトの六方最密格子構造の磁化容易軸Ｃがスパッタリング面１０ａに対して斜め傾いていたり、平行に配向されたり、あるいは、ターゲット１０１中に、コバルトの面心立方構造（ｆｃｃ）の結晶が残存したりすると、ターゲット１０１の内部に磁石からの磁束が入りやすくなり、スパッタリング面１０ａ近傍における磁束密度が低くなる。あるいは、スパッタリング面１０ａ近傍における磁束密度のばらつきが大きくなったりする。
【００２７】
これにより、ターゲット１０１を用いた場合は、プラズマの捕捉効果が低下し、スパッタリング効率が著しく低下する。また、ターゲット１０１を用いて成膜を行っても、基板内では、均一な膜厚分布を持った膜、均一なシート抵抗を持った膜が形成されにくくなる。
【００２８】
これに対して、本実施形態に係るターゲット１００では、コバルト結晶面を３指数表記で表した場合、六方最密格子構造の（００２）面及び（００４）面がスパッタリング面１０ａの全域においてスパッタリング面１０ａに沿って配向されている。ここで、ｈｃｐ（００２）面と、ｈｃｐ（００４）とは、磁化容易軸Ｃに対して垂直な面である。
【００２９】
例えば、ターゲット１００においては、スパッタリング面１０ａに沿った六方最密格子構造の（１００）面、（００２）面、（１０１）面、（１０２）面、（１１０）面、（１０３）面、（１１２）面、及び（００４）面に相当するＸ線回折ピークの強度比（Ｉ（００２）＋Ｉ（００４））／（Ｉ（１００）＋Ｉ（００２）＋Ｉ（１０１）＋Ｉ（１０２）＋Ｉ（１１０）＋Ｉ（１０３）＋Ｉ（１１２）＋Ｉ（００４））がスパッタリング面１０ａにおける複数点計測の平均値で０．８５以上である。この強度比においては、０．９以上がより好ましく、０．９５以上がさらにより好ましい。上記の強度比が０．８５より小さくなると、充分に均一な膜厚分布、均一なシート抵抗分布が得られなくなる可能性があり、好ましくない。
【００３０】
また、ターゲット１００においては、スパッタリング面１０ａに沿った比透磁率μがスパッタリング面１０ａにおける複数点計測の平均値で５未満である。上記の比透磁率μが５以上になると、充分に均一な膜厚分布、均一なシート抵抗分布が得られなくなる可能性があり、好ましくない。
【００３１】
また、ターゲット１００においては、スパッタリング面１０ａに沿った六方最密格子構造の（００２）面に相当するＸ線回折ピークの半値幅がスパッタリング面１０ａにおける複数点計測の平均値で０．３°以下である。上記の半値幅が０．３°より大きくなると、充分に均一な膜厚分布、均一なシート抵抗分布が得られなくなる可能性があり、好ましくない。
【００３２】
以上のような磁気特性と備えたターゲット１００であれば、ターゲット１００のＸ−Ｙ軸方向の透磁率を小さくすることができ、磁石からのスパッタリング面１０ａへの漏洩磁束密度が大きくなる。また、スパッタリング面１０ａ近傍における磁束密度の斑が小さくなる。これにより、ターゲット１００を用いて基板に成膜を行えば、基板上には均一な膜厚分布の膜、均一なシート抵抗の膜が形成される。
【００３３】
次に、ターゲット１００の製造過程について説明する。
【００３４】
図２は、本実施形態に係るターゲットの製造過程を示すフロー図である。図３（ａ）〜図３（ｄ）は、図２に対応したターゲットの製造過程を示す模式図である。
【００３５】
本実施形態に係るターゲットの製造過程では、例えば、コバルト材が坩堝等内で電子ビームによって溶解され、溶解したコバルト材が冷却された後に、図３（ａ）に示すコバルトインゴット１００ｉが形成される。
【００３６】
次に、コバルトインゴット１００ｉに対して、１０００℃以上で熱間鍛造が行われる。これにより、図３（ｂ）に示すコバルトブロック１００ｂが形成される。
【００３７】
次に、コバルトブロック１００ｂに対して、１０００℃以上で熱間圧延が行われる。これにより、図３（ｃ）に示すコバルト板１００ｐが形成される。
【００３８】
次に、熱間圧延後、室温または室温付近にまでコバルト板１００ｐが冷却された後、コバルト板１００ｐに対しては、４４９℃よりも高い温度で真空加熱（第１真空加熱）が行われる。この４４９℃とは、コバルトの相転移温度であり、例えば、コバルトが４４９℃より低い温度から４４９℃より高い温度になると、コバルトは、六方最密格子構造から面心立方構造に転移する。この温度よりも高い温度（例えば、６００℃以上８００℃以下）でコバルト板１００ｐに対して真空中での加熱が行われる。
【００３９】
仮に、１０００℃以上での熱間圧延を行った後、コバルト板１００ｐを転移温度よりも低い温度になるまで急冷したとすれば、過冷却によって面心立方構造から六方最密格子構造に転移できなかった面心立方構造がコバルト板１００ｐに残存することになる。すなわち、急冷させたコバルト板１００ｐには、六方最密格子構造と面心立方構造とが混在することになる。そして、このままの状態で後工程に進んでも、コバルト板１００ｐにおいては、六方最密格子構造と面心立方構造とが混在した状態が続くことになる。
【００４０】
これに対し、本実施形態では、１０００℃以上での熱間圧延を行った後、転移温度よりも高い温度でコバルト板１００ｐに真空加熱を施している。これにより、コバルト板１００ｐの結晶構造が全て面心立方構造に一旦リセットされる。
【００４１】
なお、熱間圧延後に真空加熱を行う別の意義としては、熱間圧延で生じるコバルト板１００ｐの反りの緩和、コバルト板１００ｐにおける硬度のばらつきの緩和、及びコバルト板１００ｐ中の結晶粒径ばらつきの緩和がある。
【００４２】
次に、コバルト板１００ｐに対する真空加熱が終わった後、真空中でコバルト板１００ｐが冷却される。すなわち、コバルト板１００ｐの外周に不活性ガス、大気等の雰囲気がない条件でコバルト板１００ｐが冷却されるため、コバルト板１００ｐは急冷されず、長い時間をかけて徐冷される。そして、コバルト板１００ｐが転移温度よりも低い温度になれば、面心立方構造が六方最密格子構造に転移して、六方最密格子構造で構成されたコバルト板１００ｐが形成される。
【００４３】
次に、コバルト板１００ｐが室温または室温近傍まで冷やされた後、図３（ｄ）に示すように、コバルト板１００ｐに対して、冷間圧延が行われる。例えば、コバルト板１００ｐを直方体と見なした場合、直方体における２組の対辺の対向方向にそれぞれ冷間圧延が施される。すなわち、直交する２軸方向への冷間圧延が施される。
【００４４】
この冷間圧延での圧下率は、１７％以上３５％以下、好ましくは、１７％以上３０％以下、より好ましくは１７％以上２５％以下である。圧下率が１７％より低くなると六方最密格子構造の（００２）面及び（００４）面がスパッタリング面１０ａから反れて配向されたり、圧下率が３５％より大きくなると、コバルト板１００ｐに亀裂が生じたりする可能性があり、好ましくない。
【００４５】
このように、圧下率が１７％以上という高い圧下率でコバルト板１００ｐに冷間圧延を施すことにより、コバルト板１００ｐ内にランダムに配向されていた六方最密格子構造の磁化容易軸Ｃがスパッタリング面１０ａの全域においてコバルト板１００ｐの厚み方向（Ｃ軸方向）に揃う。すなわち、六方最密格子構造の（００２）面及び（００４）面がスパッタリング面１０ａの全域においてスパッタリング面１０ａに沿って配向する。
【００４６】
この際、冷間圧延でなく、転移温度直下での温間圧延を施すと、圧延による加圧エネルギーがコバルト板１００ｐに与えられることによってコバルト板１００ｐが転移温度以上の温度になり、コバルト板１００ｐ内に面心立方構造が発生する可能性がある。本実施形態では、コバルト板１００ｐが室温または室温近傍になった状態から冷間圧延を施すので、コバルト板１００ｐに圧延による加圧エネルギーが与えられたとしても、コバルト板１００ｐが転移温度以上の温度になることはない。すなわち、コバルト板１００ｐは、六方最密格子構造を維持する。
【００４７】
次に、コバルト板１００ｐに対して、転移温度よりも低い温度（例えば、４００℃以上４４９℃未満）で再度、真空加熱（第２真空加熱）が施される。この真空加熱は、転移温度よりも低い温度で実行されるため、コバルト板１００ｐは、六方最密格子構造を維持する。また、この真空加熱によって、コバルト板１００ｐ中に準安定的に存在していた微量の面心立方構造が六方最密格子構造に転移する。さらに、この真空加熱によって、冷間圧延によってコバルト板１００ｐに与えられた応力が緩和する。
【００４８】
この後、コバルト板１００ｐは、所定の形状に切り出されて、ターゲット１００が形成される。
【実施例】
【００４９】
図４は、本実施形態に係るターゲットのＸ線回折測定結果である。【００５０】
ターゲット１００としては、円板状のものを用いた。測定点は、スパッタリング面１０ａにおける外周１、中間２、中心３、中間４、外周５のそれぞれの位置での計５点である。外周１と中心３とを結ぶ線と、外周５と中心３とを結ぶ線とがなす角は、９０°である。また、ターゲット１００の厚みは、３ｍｍであり、外径は、４００ｍｍである。【００５１】
Ｘ線回折測定条件は、以下の通りである。
走査方法：２θ／θ法
ターゲット：Ｃｕ
管電圧：４０ｋＶ
管電流：１００ｍＡ
スキャンスピード：５°／ｍｉｎ
サンプリング幅：０．０２°
発散ｓｌｉｔ：１°
散乱ｓｌｉｔ：１°
受光ｓｌｉｔ：０．３ｍｍ【００５２】
図４に示すように、ターゲット１００のいずれの場所においても面心立方構造に帰属される、例えばｆｃｃ（２００）面のピーク（５１°付近）が観測されず、六方最密格子構造に帰属される鋭いピークが観測された。【００５３】
図５は、ＸＲＤのピーク強度の割合を示すグラフ図である。ここで、５０％以下については表示を略している。【００５４】
図５には、各測定点における、六方最密格子構造の（１００）面、（００２）面、（１０１）面、（１０２）面、（１１０）面、（１０３）面、（１１２）面、及び（００４）面に相当するＸ線回折ピークの強度の和（Ｉ（１００）＋Ｉ（００２）＋Ｉ（１０１）＋Ｉ（１０２）＋Ｉ（１１０）＋Ｉ（１０３）＋Ｉ（１１２）＋Ｉ（００４））に対する、（００２）面及び（００４）面に相当するＸ線回折ピークの和である強度Ｉ（００２）＋Ｉ（００４）の割合（％）が示されている。【００５５】
【表１】
2020021772.tif 000003
【００５６】
図５に示すＩ（００２）＋Ｉ（００４）の割合（％）の平均値は、表１に示すように、９５．１％であった。つまり、ターゲット１００における、Ｘ線回折ピークの強度比（Ｉ（００２）＋Ｉ（００４））／（Ｉ（１００）＋Ｉ（００２）＋Ｉ（１０１）＋Ｉ（１０２）＋Ｉ（１１０）＋Ｉ（１０３）＋Ｉ（１１２）＋Ｉ（００４））は、スパッタリング面１０ａにおける５点計測の平均値で０．８５以上になることが分かる。【００５７】
また、Ｉ（００２）＋Ｉ（００４）の最大値をＩｍａｘとし、最小値をＩｍｉｎとしたときの、（Ｉｍａｘ−Ｉｍｉｎ）／（Ｉｍａｘ＋Ｉｍｉｎ）の式Ａから導かれるＩ（００２）＋Ｉ（００４）のばらつきσは、０．００８％であり、優れた面内分布特性を示した。【００５８】
また、六方最密格子構造の（００２）面に帰属するピークの半値幅は、０．３°以下となることが好ましく、５点計測の実測の平均値で０．１８°以下であった。式Ａから導いたピークの半値幅のばらつきσは、０．０６°であった。【００５９】
特に、第２真空加熱を省略すると、コバルトターゲット中に面心立方構造が残存し、コバルトターゲットに、ｆｃｃ（２００）に帰属するピークが観測される場合がある。第２真空加熱を省略した場合、コバルトターゲットのｆｃｃ（２００）に帰属するピークの半値幅の平均値は、０．６１°となり、六方最密格子構造の（００２）面に帰属するピークの半値幅の平均値は０．５０°となる。従って、第２真空加熱を省略した場合のコバルトターゲットのｆｃｃ（２００）に帰属するピークの半値幅に対するｈｃｐ（００２）に帰属するピークの半値幅の比Ｒは、０．８２になる。【００６０】
本実施形態のターゲット１００には、第２真空加熱を施しているため、極微量の面心立方構造が残存したとしても、第２真空加熱を実行しない場合に比べて、ｆｃｃ（２００）に帰属するピークの強度がより弱くなり、ｆｃｃ（２００）に帰属するピークの半値幅はより広くなる。また、第２真空加熱を実行しない場合に比べて、ｈｃｐ（００２）に帰属するピークの強度は、より強くなり、ｈｃｐ（００２）に帰属するピークの半値幅は、より狭くなる。従って、本実施形態では、比Ｒは、０．８２以上になっていると推定できる。【００６１】
また、表１には、Ｘ線回折ピークの強度比と、（００２）に帰属するピークの半値幅に加え、ターゲットにおける最大比透磁率（μmax）が示されている。ここで、最大比透磁率μmaxは、印加磁場範囲におけるスパッタリング面１０ａに沿った比透磁率の最大値とする。【００６２】
また、表１に示すように、ターゲット１００の最大比透磁率は、スパッタリング面１０ａにおいて、４．２以上４．６以下の範囲にある。また、式Ａから導いた最大比透磁率のばらつきσは、０．０４５であった。このように、スパッタリング面１０ａに沿った比透磁率は、５未満となり、優れた比透磁率を示した。【００６３】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。
【符号の説明】
【００６４】
１０ａ…スパッタリング面
１０ｂ…裏面
１００、１０１…ターゲット
１００ｉ…コバルトインゴット
１００ｂ…コバルトブロック
１００ｐ…コバルト板
【図１】
2020021772.tif 000004
【図２】
2020021772.tif 000005
【図３】
2020021772.tif 000006
【図４】
2020021772.tif 000007
【図５】
2020021772.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月4日(2019.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタリング面を有し、純度が９９．９５ｗｔ％以上であるコバルトターゲットであり、
前記スパッタリング面に沿った六方最密格子構造の（１００）面、（００２）面、（１０１）面、（１０２）面、（１１０）面、（１０３）面、（１１２）面、及び（００４）面に相当するＸ線回折ピークの強度比（Ｉ（００２）＋Ｉ（００４））／（Ｉ（１００）＋Ｉ（００２）＋Ｉ（１０１）＋Ｉ（１０２）＋Ｉ（１１０）＋Ｉ（１０３）＋Ｉ（１１２）＋Ｉ（００４））が０．８５以上である
スパッタリングターゲット。
【請求項２】
請求項１に記載のスパッタリングターゲットであって、
前記スパッタリング面に沿った比透磁率が５未満である
スパッタリングターゲット。
【請求項３】
請求項１または２に記載のスパッタリングターゲットであって、
前記スパッタリング面に沿った六方最密格子構造の（００２）面に相当するＸ線回折ピークの半値幅が０．３°以下である
スパッタリングターゲット。
【請求項４】
コバルトインゴットに対して熱間鍛造及び熱間圧延を行ってコバルト板を形成し、
前記コバルト板に対して、六方最密格子構造から面心立方構造に転移する転移温度よりも高い温度で第１真空加熱を行い、
前記コバルト板が前記転移温度よりも低い温度になるように前記コバルト板を真空冷却し、
前記コバルト板に対して、圧下率が１７％以上３５％以下になるように冷間圧延を行い、
前記コバルト板に対して、前記転移温度よりも低い温度で第２真空加熱を行う
スパッタリングターゲットの製造方法。
【国際調査報告】
2020021772.tif 000009
2020021772.tif 000010
2020021772.tif 000011