(57)【要約】  微細な配線間のレジストの除去が容易な技術を提供するための、カリウム塩およびセロソルブを含有することを特徴とするレジストの剥離液、およびレジストが施された基材を前記レジストの剥離液で処理することを特徴とするレジストの除去方法。【特許請求の範囲】
【請求項１】
カリウム塩およびセロソルブを含有することを特徴とするレジストの剥離液。
【請求項２】
更に、ケイ酸塩を含有するものである請求項１記載のレジストの剥離液。
【請求項３】
セロソルブが、イソプロピルセロソルブである請求項１または２記載のレジストの剥離液。
【請求項４】
カリウム塩が、水酸化カリウムである請求項１〜３の何れかに記載のレジストの剥離液。
【請求項５】
ケイ酸塩が、ケイ酸カリウムである請求項２記載のレジストの剥離液。
【請求項６】
カリウム塩を含有する第１液と、セロソルブを含有する第２液とを含むことを特徴とするレジストの剥離液キット。
【請求項７】
更に、ケイ酸塩を含有する第３液を含むものである請求項６記載のレジストの剥離液キット。
【請求項８】
レジストが施された基材を、請求項１〜５の何れかに記載のレジストの剥離液で処理することを特徴とするレジストの除去方法。
【請求項９】
レジストが施された基材からレジストを除去する工程を含むプリント配線板の製造方法において、レジストの除去を請求項１〜５の何れかに記載のレジストの剥離液を用いて行うことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項１０】
レジストが施された基材からレジストを除去する工程を含む半導体基板の製造方法において、レジストの除去を請求項１〜５の何れかに記載のレジストの剥離液を用いて行うことを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項１１】
レジストが施された基材からレジストを除去する工程を含むフラットパネルディスプレイの製造方法において、レジストの除去を請求項１〜５の何れかに記載のレジストの剥離液を用いて行うことを特徴とするフラットパネルディスプレイの製造方法。
【請求項１２】
レジストが施された基材からレジストを除去する工程を含むリードフレームの製造方法において、レジストの除去を請求項１〜５の何れかに記載のレジストの剥離液を用いて行うことを特徴とするリードフレームの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジストが施された基材からレジストを剥離することができるレジストの剥離液に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板の製造、主にセミアディティブ法で用いられるドライフィルムレジスト等のレジストの剥離液には微細配線化に伴いアミン系の剥離液が用いられている。【０００３】
しかしながら、従来のアミン系のレジストの剥離液は、難廃液処理性、海外での法規制の問題があり、その使用が避けられつつある。【０００４】
近年、アミン系のレジストの剥離液の問題点を回避するために、水酸化ナトリウムとセロソルブを含有する剥離液も報告されているが（特許文献１）、剥離時のレジストが細かく粉砕されないため、近年の微細な配線間のレジストの除去が困難という問題点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３２３７７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って、本発明は微細な配線間のレジストの除去が容易な技術を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは上記課題を解決するために鋭意研究した結果、カリウム塩およびセロソルブを含有する溶液が、特許文献１にあるような水酸化ナトリウムおよびセロソルブを含有する溶液と比べて顕著に微細な配線間のレジストでも細かく粉砕できることを見出し、本発明を完成させた。【０００８】
すなわち、本発明は、カリウム塩およびセロソルブを含有することを特徴とするレジストの剥離液である。【０００９】
また、本発明は、レジストが施された基材を、上記レジストの剥離液で処理することを特徴とするレジストの除去方法である。【００１０】
更に、本発明は、カリウム塩を含有する第１液と、セロソルブを含有する第２液とを含むことを特徴とするレジストの剥離液キットである。【００１１】
また更に、本発明はレジストが施された基材からレジストを除去する工程を含むプリント配線板、半導体基板、フラットパネルディスプレイまたはリードフレームの製造方法において、レジストの除去を上記レジストの剥離液を用いて行うことを特徴とするプリント配線板、半導体基板、フラットパネルディスプレイまたはリードフレームの製造方法である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のレジストの剥離液は、微細な配線間のレジストでも細かく粉砕できる。【００１３】
そのため、本発明のレジストの剥離液はレジストが施された基材からレジストを除去する工程を含むプリント配線板、半導体基板、フラットパネルディスプレイまたはリードフレームの製造方法に好適である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明のレジストの剥離液（以下、「本発明剥離液」という）は、水酸化カリウムおよびセロソルブを含有するものである。
【００１５】
本発明剥離液におけるカリウム塩は特に限定されないが、例えば、水酸化カリウム、炭酸カリウム等が挙げられる。なお、カリウム塩には、後記するケイ酸塩に該当するケイ酸カリウムは含まれない。これらの中でも水酸化カリウムが好ましい。また、本発明剥離液におけるカリウム塩の含有量は特に限定されないが、例えば、０．７５ｍｏｌ／Ｌ以下が好ましく、０．６５ｍｏｌ／Ｌ以下がより好ましく、０．５５ｍｏｌ／Ｌ以下が特に好ましい。
【００１６】
本発明剥離液に用いられるセロソルブは、エチレングリコールのエーテル類をさすものであり、例えば、イソプロピルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ジメチルセロソルブ、フェニルブチルセロソルブ、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ、ベンジルセロソルブ、カルビドールセロソルブ、ジエチルセロソルブ等が挙げられる。これらの中でもイソプロピルセロソルブが好ましい。また、これらセロソルブは１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。本発明剥離液におけるセロソルブの含有量は特に限定されないが、例えば、０．００５〜０．２ｍｏｌ／Ｌが好ましく、０．０１〜０．１ｍｏｌ／Ｌがより好ましく、０．０１〜０．０５ｍｏｌ／Ｌが特に好ましい。
【００１７】
本発明剥離液には、金属へのアタック性を抑制するために、更にケイ酸塩を含有させることが好ましい。ケイ酸塩は特に限定されないが、例えば、ケイ酸カリウム、ケイ酸ナトリウム等が挙げられる。これらの中でもケイ酸カリウムが好ましい。本発明剥離液におけるケイ酸塩の含有量は特に限定されないが、例えば、０．００２〜０．１５ｍｏｌ／Ｌが好ましく、０．００６〜０．１ｍｏｌ／Ｌがより好ましく、０．０３〜０．０６５ｍｏｌ／Ｌが特に好ましい。
【００１８】
なお、本発明剥離液には、上記成分のみで構成されることが好ましいが、本発明の効果を阻害しない限り、例えば、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル系やシリコン系の消泡剤等のその他の成分を含有させてもよい。
【００１９】
以上説明した本発明剥離液は上記成分を水に溶解することにより調製できる。なお、本発明剥離液のｐＨはアルカリ性であれば特に限定されないが、通常、上記成分を水に溶解しただけでアルカリ性となるため、特にｐＨの調整は必要ない。また、本発明剥離液は、上記成分をそれぞれ分けて予め水に溶解させ、レジストの剥離液キットとし、これらを混合することで調製してもよい。具体的には、カリウム塩を含有する第１液と、セロソルブを含有する第２液とを含むことを特徴とするレジストの剥離液キットや、これに更にケイ酸塩を含有する第３液を含むレジストの剥離液キットや、更に、これに上記その他の成分を適宜各液に含有させたレジストの剥離液キット等が挙げられる。
【００２０】
本発明剥離液を用いてレジストが施された基材を処理することにより、レジストが細かく粉砕され、レジストを除去することができる。
【００２１】
レジストが施された基材を、本発明剥離液で処理する条件は特に限定されないが、例えば、１０〜８０℃にした本発明剥離液に、基材を１〜６０分間程度浸漬する条件や、１０〜８０℃にした本発明剥離液を基材に１〜６０分間程度噴霧する条件が挙げられる。なお、浸漬の際には、基材を揺動したり、本発明剥離液に超音波をかけてもよい。
【００２２】
レジストの種類は、特に限定されず、例えば、ドライフィルムレジスト、液体レジスト等の何れでもよい。ドライフィルムレジストの種類も特に限定されないが、例えば、アルカリ可溶タイプのものが好ましい。このようなアルカリ可溶タイプのドライフィルムレジストとしては、例えば、ＲＤ−１２２５（ＳＡＰ用２５μｍ厚）（日立化成株式会社製）等が挙げられる。
【００２３】
レジストが施される基材は、特に限定されないが、例えば、プリント配線板、半導体基板、フラットパネルディスプレイ、リードフレームに用いられる各種金属や合金で形成された、薄膜、基板、部品等が挙げられる。
【００２４】
上記のようにして本発明剥離液は、レジストが施された基材からレジストを除去することができるため、このようなレジストを除去する工程を含むプリント配線板、半導体基板、フラットパネルディスプレイ、リードフレーム等の製造方法に用いることができる。
【００２５】
上記製造方法の中でもレジストが施された基材からレジストを除去する工程を含むプリント配線板の製造方法が好ましく、特にセミアディティブ法によるプリント配線板の製造方法が好ましい。本発明剥離液が除去できるライン／スペース（Ｌ／Ｓ）は、特に限定されないが、例えば、５０／５０μｍ以下のもの、好ましくは１０／１０〜４０／４０μｍのものでもレジストの除去が可能である。
【実施例】
【００２６】
以下、本発明を実施例を挙げて詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではない。【００２７】
実  施  例  １
レジストの剥離液の調製：
以下の表１に記載の成分を水に混合、溶解してレジストの剥離液を調製した。【００２８】
【表１】
2019111479.tif 000002
【００２９】
実  施  例  ２
剥離試験：
（１）基板作製方法
銅張積層板（古河電工（株）製：ＣＣＬ：電解銅箔ＧＴＳ  ３５μｍ箔）をドライフィルムレジスト−基材間の密着向上の為に粗化処理（ＪＣＵ製：エバケムネオブラウンＮＢＳII、エッチング量０．５μｍ）にて表面粗度をＲａ約０．７５μｍとした。その後、ドライフィルムレジスト（日立化成製：ＲＤ−１２２５（ＳＡＰ用）：２５μｍ厚）を使用してラミネートからパターン露光、現像までを実施した。本基板へ銅めっき（ＪＣＵ製：ＣＵ−ＢＲＩＴＥ  ＶＬ）を１５μｍ厚で施した後、５０×５０ｍｍ２へ切り出したものを試験片とした。なお、この試験片は、一枚に以下の表２のＬ／Ｓのパターン部分と、べた張り部分とを有するものである。【００３０】
（２）パターン基板上の残存するレジストの評価方法
上記評価方法にてスプレー稼働時間を４分に固定し、Ｌ／Ｓ＝２０／２０〜４０／４０μｍのパターン部分の剥離残渣の有無を以下の評価基準で評価した。その結果を表２に示した。【００３１】
＜剥離残渣の評価基準＞
（点数）（内容）
１：残渣なし
２：極僅かに残渣あり(顕微鏡で観察しても分かりにくい程度)
３：僅かに残渣あり
４：ほぼ剥離出来ているが、一部残渣多い
５：半分以上剥離出来ているが、一部残渣多い
６：ほぼ剥離不可であるが、一部剥離
７：剥離不可【００３２】
【表２】
2019111479.tif 000003
【００３３】
この結果より、セロソルブを含有するレジストの剥離液において、水酸化ナトリウムに代えて水酸化カリウムを用いた本発明組成は、水酸化ナトリウムを用いた比較組成よりも狭いＬ／Ｓであってもレジストを除去できることが分かった。【００３４】
（３）剥離性能の評価方法
液温を５０℃にした各剥離液をスプレー装置を使用して上記試験片へ剥離処理を実施し、試験片のべた張り部分のＤＦＲが目視で全面積の９０％以上剥離された時点を剥離時間とした。また、剥離片サイズ（長辺）はスプレー停止後に試験基板固定用の台に設置したカストリ用メッシュに付着したものを採取し、目視で実施した。その際のスプレー装置の条件はフルコーンノズルで流量５Ｌ／ｍｉｎ、圧力０．１ＭＰａとした。その結果を表３に示した。【００３５】
（４）金属のアタック性の評価方法
上記評価方法にてスプレー稼働時間を１０分に固定して処理を実施した。その後、基板の銅めっき箇所を電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ製：Ｓ−３４００Ｎ）により表面形状を以下の評価基準で評価した。その結果も表３に示した。【００３６】
＜金属アタック性の評価基準＞
（点数）（内容）
１：変化無し
２：極僅かに変化あり(顕微鏡で観察しても分かりにくい程度)
３：僅かに変化あり
４：はっきりとした変色が発生 【００３７】
【表３】
2019111479.tif 000004
【００３８】
この結果より、剥離液中のアルカリ濃度が同じ場合、水酸化カリウムを用いた方が剥離片サイズをより小さく、また剥離時間もより短くできることが分かった。【００３９】
実  施  例  ３
レジストの剥離液キット：
カリウム塩を０．２ｍｏｌ／Ｌで含有する第１液と、セロソルブを０．０１５ｍｏｌ／Ｌで含有する第２液をそれぞれ容器に入れ、レジストの剥離液キットを製造した。【００４０】
実  施  例  ４
レジストの剥離液キット：
カリウム塩を０．２ｍｏｌ／Ｌで含有する第１液と、セロソルブを０．０１５ｍｏｌ／Ｌで含有する第２液と、ケイ酸塩を０．０３ｍｏｌ／Ｌで含有する第３液をそれぞれ容器に入れ、レジストの剥離液キットを製造した。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明剥離液は、レジストが施された基材からレジストを除去する工程を含むプリント配線板、半導体基板、フラットパネルディスプレイまたはリードフレームの製造方法に利用できる。
以    上
【国際調査報告】
2019111479.tif 000005
2019111479.tif 000006
2019111479.tif 000007
2019111479.tif 000008