(57)【要約】  集積回路（５０）は、外部の受光素子（９）からの電流信号を増幅し電圧信号に変換する増幅器（１）と、受光素子（９）に印加するバイアス電圧（Ｖｂｉａｓ）をフィルタ処理するローパスフィルタ（１０）と、を備えている。ローパスフィルタ（１０）は、抵抗（２）と複数の容量素子（４）が直列に接続された容量直列体（３）とを有している。ローパスフィルタ（１０）の抵抗（２）は、一端がバイアス電圧（Ｖｂｉａｓ）が入力される電源端子（７ｂ）に接続され、他端が容量直列体（３）の入力端及び受光素子（９）のバイアス電圧が印加されるバイアス印加電極に接続されている。ローパスフィルタ（１０）の容量直列体（３）は、直列接続された２つの容量素子（４）間の接続端及び出力端のそれぞれがバイアス電圧（Ｖｂｉａｓ）の基準となる接地電位が選択的に接続される容量端子（６）に接続されている。
2019176052.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に形成され、外部の受光素子から入力される電流信号を電圧信号に変換する集積回路であって、
前記受光素子からの前記電流信号を増幅し前記電圧信号に変換する増幅器と、
前記受光素子に印加するバイアス電圧をフィルタ処理するローパスフィルタと、を備え、
前記ローパスフィルタは、抵抗と複数の容量素子が直列に接続された容量直列体とを有し、
前記抵抗は、一端が前記バイアス電圧が入力される電源端子に接続され、他端が前記容量直列体の入力端及び前記受光素子の前記バイアス電圧が印加されるバイアス印加電極に接続されており、
前記容量直列体は、直列接続された２つの前記容量素子間の接続端及び出力端のそれぞれが前記バイアス電圧の基準となる接地電位が選択的に接続される容量端子に接続されている、
ことを特徴とする集積回路。
【請求項２】
半導体基板に形成され、外部の受光素子から入力される電流信号を電圧信号に変換する集積回路であって、
前記受光素子からの前記電流信号を増幅し前記電圧信号に変換する増幅器と、
前記受光素子に印加するバイアス電圧をフィルタ処理するローパスフィルタと、を備え、
前記ローパスフィルタは、抵抗と複数の容量素子が直列に接続された容量直列体とを有し、
前記抵抗は、一端が前記バイアス電圧が入力される電源端子に接続され、他端が前記容量直列体の入力端及び前記受光素子の前記バイアス電圧が印加されるバイアス印加電極に接続されており、
前記容量直列体は、直列接続された２つの前記容量素子間の接続端のそれぞれが前記バイアス電圧の基準となる接地電位が選択的に接続される容量端子に接続され、出力端が前記接地電位に固定されている、
ことを特徴とする集積回路。
【請求項３】
前記容量端子は、当該集積回路に形成されたワイヤボンドパッドであることを特徴とする請求項１または２に記載の集積回路。
【請求項４】
前記容量素子は、ＭＩＭ型のキャパシタであることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の集積回路。
【請求項５】
光信号を受光する受光素子と、前記受光素子から入力される電流信号を電圧信号に変換する請求項１から４のいずれか１項に記載の集積回路と、を備えた光受信器。
【請求項６】
前記受光素子がアバランシェフォトダイオードの場合に、前記容量直列体の前記出力端側の前記容量端子に前記接地電位が接続されていることを特徴とする請求項５記載の光受信器。
【請求項７】
前記受光素子がアバランシェフォトダイオードよりも前記バイアス電圧が低いフォトダイオードの場合に、前記容量直列体の前記入力端側の前記容量端子に前記接地電位が接続されていることを特徴とする請求項５記載の光受信器。
【請求項８】
光信号を受光する受光素子と、前記受光素子から入力される電流信号を電圧信号に変換する請求項２に記載の集積回路と、を備えた光受信器であって、
前記受光素子がアバランシェフォトダイオードの場合に、全ての前記容量端子に前記接地電位が接続されていないことを特徴とする光受信器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、外部の受光素子用の容量素子を備えた集積回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光通信では、フォトダイオード等の受光素子で受光した微弱な電流信号を増幅し電圧信号に変換するトランスインピーダンスアンプが用いられる。このような光通信用のトランスインピーダンスアンプが形成された集積回路には、フォトダイオードのバイアス電圧のノイズ除去用のローパスフィルタが搭載されているものがある（例えば特許文献１、非特許文献１）。トランスインピーダンスアンプが形成された集積回路に搭載されたローパスフィルタと集積回路に接続するフォトダイオードは、例えば非特許文献１の図１５、図１８のように結線されて使用される。トランスインピーダンスアンプが形成された集積回路に搭載されたローパスフィルタを使う場合はこのローパスフィルタを受光素子に近い位置に配置できるため、集積回路に搭載されたローパスフィルタはノイズ除去用フィルタとして使いやすい。【０００３】
非特許文献１の図１６、図１７には、トランスインピーダンスアンプにアバランシェフォトダイオードを接続する例が示されている。非特許文献１では、アバランシェフォトダイオードのアノードに内部の容量素子ではなく、外部の容量素子を接続している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００８−５０７９４３号公報（図４）
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】１１.３  Gbps Limiting Transimpedance Amplifier with RSSI  データシート、テキサスインスツルメンツ、２０１１年８月（図１５〜図１８）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
トランスインピーダンスアンプが形成された集積回路に搭載されたローパスフィルタにおける容量素子は集積回路の半導体製造プロセスにより耐圧が決まる。このため、トランスインピーダンスアンプが形成された集積回路に搭載された容量素子は数Ｖ程度のフォトダイオードのバイアス電圧では使えても、２０〜３０Ｖにも達するアバランシェフォトダイオードのバイアス電圧には適用できなかった。【０００７】
本願明細書に開示される技術は、フォトダイオードとアバランシェフォトダイオードのバイアス電圧の両方に適用できるローパスフィルタを搭載した集積回路を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願明細書に開示される一例の集積回路は、半導体基板に形成され、外部の受光素子から入力される電流信号を電圧信号に変換する集積回路である。集積回路は、受光素子からの電流信号を増幅し電圧信号に変換する増幅器と、受光素子に印加するバイアス電圧をフィルタ処理するローパスフィルタと、を備えている。ローパスフィルタは、抵抗と複数の容量素子が直列に接続された容量直列体とを有している。ローパスフィルタの抵抗は、一端がバイアス電圧が入力される電源端子に接続され、他端が容量直列体の入力端及び受光素子のバイアス電圧が印加されるバイアス印加電極に接続されている。ローパスフィルタの容量直列体は、直列接続された２つの容量素子間の接続端及び出力端のそれぞれがバイアス電圧の基準となる接地電位が選択的に接続される容量端子に接続されている。
【発明の効果】
【０００９】
本願明細書に開示される一例の集積回路は、搭載されたローパスフィルタの容量値が変更可能なので、フォトダイオードとアバランシェフォトダイオードのバイアス電圧の両方に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態１に係る光受信器及び集積回路の回路構成を示す図である。
【図２】図１の容量素子の断面図である。
【図３】図１の集積回路における第一の容量値変更例を示す図である。
【図４】図１の集積回路における第二の容量値変更例を示す図である。
【図５】実施の形態２に係る光受信器及び集積回路の回路構成を示す図である。
【図６】図５の集積回路における容量値変更例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る光受信器及び集積回路の回路構成を示す図である。図２は図１の容量素子の断面図である。光ファイバーで伝送された光信号を受信する光受信器６０は、光信号を受光し電流信号を出力する受光素子９と、受光素子９から入力される電流信号を電圧信号に変換する集積回路５０とを備えている。集積回路５０は、受光素子９で受光した微弱な電流信号を増幅し電圧信号に変換するトランスインピーダンスアンプ（ＴＩＡ）１、受光素子９に供給するバイアス電圧Ｖｂｉａｓのノイズ除去するためにフィルタ処理するローパスフィルタ１０、電源端子７ａ、７ｂ、７ｃ、受光素子９と接続する受光素子接続端子５ａ、５ｂ、複数の容量端子６ａ、６ｂ、６ｃ〜６ｎ、出力端子８を備えている。ローパスフィルタ１０は、抵抗２と複数の容量素子４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ〜４ｎが直列に接続された容量直列体３を備えている。抵抗２と容量直列体３の一端である直列体入力端との接続点は受光素子接続端子５ａに接続されており、容量直列体３の容量素子の各接続点及び容量直列体３の他の一端である直列体出力端は、それぞれ容量端子６ａ、６ｂ、６ｃ〜６ｎに接続されている。抵抗２は、一端が電源１１ｂに接続される電源端子７ｂに接続され、他の一端が容量直列体３の直列体入力端に接続されている。受光素子９は、例えばアバランシェ・フォトダイオード（ＡＰＤ）である。受光素子９のアノードは受光素子接続端子５ｂを介してトランスインピーダンスアンプ１に接続されている。受光素子９のカソード（バイアス印加電極）は、ローパスフィルタ１０に受光素子接続端子５ａを介して接続され、すなわちローパスフィルタ１０の抵抗２と容量直列体３の直列体入力端との接続点に接続されている。
【００１２】
トランスインピーダンスアンプ１は、電源端子７ｃから基準電位である接地電位（ＧＮＤ電位）が印加され、電源端子７ａに接続された電源１１ａから電圧Ｖｃｃが供給される。トランスインピーダンスアンプ１は、受光素子接続端子５ｂを介して入力された受光素子９の微弱な電流信号を増幅し電圧信号に変換した出力信号を出力端子８から出力する。図１において、容量素子４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ〜４ｎは、受光素子９のカソードに近い順に直列に接続されている例を示した。容量素子４ａは、一端が受光素子９のカソード側に接続され、他の一端が容量素子４ｂと容量端子６ａに接続されている。容量素子４ｂ以降は両端が容量端子に接続されている。容量素子４ｂの両端は容量端子６ａ、６ｂに接続され、容量素子４ｃの両端は容量端子６ｂ、６ｃに接続されている。図１では、容量素子４ｄと容量素子４ｎとの間の容量素子と、容量端子６ｃと容量端子６ｎとの間の容量端子は省略されている。なお、容量素子の符号は、総括的に４を用い、区別する場合に４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ〜４ｎを用いる。容量端子の符号は、総括的に６を用い、区別する場合に６ａ、６ｂ、６ｃ〜６ｎを用いる。
【００１３】
集積回路５０は、半導体基板２１に形成されており、受光素子接続端子５ａ、５ｂ、容量端子６ａ、６ｂ、６ｃ〜６ｎ、電源端子７ａ、７ｂ、７ｃ、出力端子８は、例えばワイヤを接続するワイヤボンドパッドである。なお、受光素子９はアバランシェフォトダイオードでも、ＰＩＮ型フォトダイオードでもよい。
【００１４】
容量素子４は、例えばＭＩＭ（Metal Insulator Metal）型のキャパシタである。図２に、ＭＩＭ（Metal Insulator Metal）型のキャパシタである容量素子４を示した。容量素子４は、トランスインピーダンスアンプ１が形成された半導体基板２１の上方に形成されている。容量素子４は、第一電極２２と、第二電極２３と、第一電極２２と第二電極２３との間に形成された絶縁膜２４とを有し、絶縁膜２５により他の容量素子４、抵抗２、トランスインピーダンスアンプ１等と絶縁されている。ＭＩＭ型のキャパシタ等の半導体製造プロセスにて形成される容量素子４は、集積回路５０の半導体製造プロセスにより耐圧が決まる。実施の形態１では、容量素子４を複数直列に接続することで個別の容量素子４に印加される実効的な電圧値は低下する。また、ローパスフィルタ１０の容量直列体３の容量値及び耐圧は、接地電位（ＧＮＤ電位）に接続する、すなわち接地する容量端子６を選択することで、任意に変えられる。
【００１５】
図３、図４を用いて、容量直列体３の容量値の設定例を説明する。図３は図１の集積回路における第一の容量値変更例を示す図であり、図４は図１の集積回路における第二の容量値変更例を示す図である。例えば、容量素子４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ〜４ｎは、容量値が全てＣ［Ｆ］、耐圧がＶｒｓ［Ｖ］である場合を考える。図３のように、容量素子４ｎだけに接続している容量端子６ｎのみ接地すれば、容量直列体３の容量値はＣ/ｎ［Ｆ］となり、容量直列体３の耐圧はｎＶｒｓ［Ｖ］となる。このため、容量直列体３に印加するバイアス電圧Ｖｂｉａｓは、１個の容量素子４の耐圧のｎ倍まで印加可能となる。また、図４のように容量素子４ａ及び容量素子４ｂに接続されている容量端子６aのみで接地すれば、容量直列体３の容量値はＣ［Ｆ］となり、容量直列体３の耐圧はＶｒｓ［Ｖ］になる。なお、容量素子４の容量値は同一値に限らず、異なった容量値を含んでいてもよい。
【００１６】
実施の形態１の集積回路５０は、耐圧が数Ｖ程度の一般的な半導体集積回路の半導体製造プロセスで形成された複数の容量素子４を用いて、２０〜３０Ｖにも達するアバランシェフォトダイオードのバイアス電圧に適用できるローパスフィルタ１０が得られる。また、実施の形態１の集積回路５０は、接地用の容量端子６、例えばワイヤボンドパッドを、ワイヤボンディングで切り替えることができるため、フォトダイオードとアバランシェフォトダイオードとで最適な容量値と耐圧をもつローパスフィルタ１０を同じ集積回路において使い分けることができる。
【００１７】
以上のように、実施の形態１の集積回路５０は、半導体基板２１に形成され、外部の受光素子９から入力される電流信号を電圧信号に変換する集積回路である。集積回路５０は、受光素子９からの電流信号を増幅し電圧信号に変換する増幅器（トランスインピーダンスアンプ１）と、受光素子９に印加するバイアス電圧Ｖｂｉａｓをフィルタ処理するローパスフィルタ１０と、を備えている。ローパスフィルタ１０は、抵抗２と複数の容量素子４が直列に接続された容量直列体３とを有している。ローパスフィルタ１０の抵抗２は、一端がバイアス電圧Ｖｂｉａｓが入力される電源端子７ｂに接続され、他端が容量直列体３の入力端及び受光素子９のバイアス電圧Ｖｂｉａｓが印加されるバイアス印加電極（カソード）に接続されている。ローパスフィルタ１０の容量直列体３は、直列接続された２つの容量素子４間の接続端及び出力端のそれぞれがバイアス電圧Ｖｂｉａｓの基準となる接地電位（ＧＮＤ電位）が選択的に接続される容量端子６に接続されている。実施の形態１の集積回路５０は、このような構成により、搭載されたローパスフィルタ１０の容量値が変更可能なので、フォトダイオードとアバランシェフォトダイオードのバイアス電圧の両方に適用でき、受光素子９としてフォトダイオード、アバランシェフォトダイオードのいずれにも適用できる。
【００１８】
実施の形態１の光受信器６０は、光信号を受光する受光素子９と、受光素子９から入力される電流信号を電圧信号に変換する集積回路５０と、を備えている。集積回路５０は、半導体基板２１に形成されており、受光素子９からの電流信号を増幅し電圧信号に変換する増幅器（トランスインピーダンスアンプ１）と、受光素子９に印加するバイアス電圧Ｖｂｉａｓをフィルタ処理するローパスフィルタ１０と、を備えている。ローパスフィルタ１０は、抵抗２と複数の容量素子４が直列に接続された容量直列体３とを有している。ローパスフィルタ１０の抵抗２は、一端がバイアス電圧Ｖｂｉａｓが入力される電源端子７ｂに接続され、他端が容量直列体３の入力端及び受光素子９のバイアス電圧Ｖｂｉａｓが印加されるバイアス印加電極（カソード）に接続されている。ローパスフィルタ１０の容量直列体３は、直列接続された２つの容量素子４間の接続端及び出力端のそれぞれがバイアス電圧Ｖｂｉａｓの基準となる接地電位（ＧＮＤ電位）が選択的に接続される容量端子６に接続されている。実施の形態１の光受信器６０は、このような構成により、搭載されたローパスフィルタ１０の容量値が変更可能なので、フォトダイオードとアバランシェフォトダイオードのバイアス電圧の両方に適用でき、受光素子９としてフォトダイオード、アバランシェフォトダイオードのいずれにも適用できる。
【００１９】
実施の形態２．
図５は実施の形態２に係る光受信器及び集積回路の回路構成を示す図であり、図６は図５の集積回路における容量値変更例を示す図である。実施の形態２の光受信器６０及び集積回路５０は、受光素子９のカソードから最も遠くに位置する容量素子４ｎにおける他の容量素子４と接続されていない一端、すなわち容量直列体３の直列体出力端が常時接地されている点で、実施の形態１の集積回路５０と異なる。例えば、容量直列体３の直列体出力端はスルーホール等で常時接地されている。
【００２０】
実施の形態２の集積回路５０は、実施の形態１における容量直列体３の直列体出力端が接続された容量端子６ｎをスルーホールに置き換えることで、１個分の容量端子の面積、例えば１個分のワイヤボンドパッドの面積を削減できるとともにワイヤボンディング工程を省くことができる。実施の形態２の集積回路５０は、容量直列体３の直列体出力端以外の２つの容量素子４の接続点が接続された容量端子６で接地したとしても電気的な影響はない。なお、図５、図６では、図１の容量端子６ｎが削除された例を示したが、容量端子６ｎを設けておいて、容量端子６ｎをスルーホール等で常時接地してもよい。この場合は、容量端子６ｎを接地するワイヤボンディング工程を省くことができる。
【００２１】
図５、図６を用いて、容量直列体３の容量値の設定例を説明する。例えば、容量素子４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ〜４ｎは、容量値が全てＣ［Ｆ］、耐圧がＶｒｓ［Ｖ］である場合を考える。図５のように、容量素子４ｎの一端、すなわち容量直列体３の直列体出力端のみ接地されている場合は、容量直列体３の容量値はＣ/ｎ［Ｆ］となり、容量直列体３の耐圧はｎＶｒｓ［Ｖ］となる。このため、容量直列体３に印加するバイアス電圧Ｖｂｉａｓは、１個の容量素子４の耐圧のｎ倍まで印加可能となる。また、図６のように容量素子４ａ及び容量素子４ｂに接続されている容量端子６ａで接地すれば、容量直列体３の容量値はＣ［Ｆ］となり、容量直列体３の耐圧はＶｒｓ［Ｖ］になる。なお、容量素子４の容量値は同一値に限らず、異なった容量値を含んでいてもよい。
【００２２】
実施の形態２の集積回路５０は、実施の形態１の集積回路５０と同様に、搭載されたローパスフィルタ１０の容量値が変更可能であり、フォトダイオードとアバランシェフォトダイオードのバイアス電圧の両方に適用でき、受光素子９としてフォトダイオード、アバランシェフォトダイオードのいずれにも適用できる。
【００２３】
以上のように、実施の形態２の集積回路５０は、半導体基板２１に形成され、外部の受光素子９から入力される電流信号を電圧信号に変換する集積回路である。集積回路５０は、受光素子９からの電流信号を増幅し電圧信号に変換する増幅器（トランスインピーダンスアンプ１）と、受光素子９に印加するバイアス電圧Ｖｂｉａｓをフィルタ処理するローパスフィルタ１０と、を備えている。ローパスフィルタ１０は、抵抗２と複数の容量素子４が直列に接続された容量直列体３とを有している。ローパスフィルタ１０の抵抗２は、一端がバイアス電圧Ｖｂｉａｓが入力される電源端子７ｂに接続され、他端が容量直列体３の入力端及び受光素子９のバイアス電圧Ｖｂｉａｓが印加されるバイアス印加電極（カソード）に接続されている。ローパスフィルタ１０の容量直列体３は、直列接続された２つの容量素子４間の接続端のそれぞれがバイアス電圧Ｖｂｉａｓの基準となる接地電位（ＧＮＤ電位）が選択的に接続される容量端子６に接続され、出力端が接地電位（ＧＮＤ電位）に固定されている。実施の形態２の集積回路５０は、このような構成により、搭載されたローパスフィルタ１０の容量値が変更可能なので、フォトダイオードとアバランシェフォトダイオードのバイアス電圧の両方に適用でき、受光素子９としてフォトダイオード、アバランシェフォトダイオードのいずれにも適用できる。
【００２４】
実施の形態２の光受信器６０は、光信号を受光する受光素子９と、受光素子９から入力される電流信号を電圧信号に変換する集積回路５０と、を備えている。集積回路５０は、半導体基板２１に形成されており、受光素子９からの電流信号を増幅し電圧信号に変換する増幅器（トランスインピーダンスアンプ１）と、受光素子９に印加するバイアス電圧Ｖｂｉａｓをフィルタ処理するローパスフィルタ１０と、を備えている。ローパスフィルタ１０は、抵抗２と複数の容量素子４が直列に接続された容量直列体３とを有している。ローパスフィルタ１０の抵抗２は、一端がバイアス電圧Ｖｂｉａｓが入力される電源端子７ｂに接続され、他端が容量直列体３の入力端及び受光素子９のバイアス電圧Ｖｂｉａｓが印加されるバイアス印加電極（カソード）に接続されている。ローパスフィルタ１０の容量直列体３は、直列接続された２つの容量素子４間の接続端のそれぞれがバイアス電圧Ｖｂｉａｓの基準となる接地電位（ＧＮＤ電位）が選択的に接続される容量端子６に接続され、出力端が接地電位（ＧＮＤ電位）に固定されている。実施の形態２の光受信器６０は、このような構成により、搭載されたローパスフィルタ１０の容量値が変更可能なので、フォトダイオードとアバランシェフォトダイオードのバイアス電圧の両方に適用でき、受光素子９としてフォトダイオード、アバランシェフォトダイオードのいずれにも適用できる。
【００２５】
なお、容量素子４は、一つの容量素子に限らず、複数の容量素子に分割されていてもよい。また、矛盾のない範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【００２６】
１…トランスインピーダンスアンプ、２…抵抗、３…容量直列体、４、４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、４ｎ…容量素子、６、６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｎ…容量端子、７ａ、７ｂ、７ｃ…電源端子、９…受光素子、１０…ローパスフィルタ、２１…半導体基板、５０…集積回路、６０…光受信器、Ｖｂｉａｓ…バイアス電圧
【図１】
2019176052.tif 000003
【図２】
2019176052.tif 000004
【図３】
2019176052.tif 000005
【図４】
2019176052.tif 000006
【図５】
2019176052.tif 000007
【図６】
2019176052.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月24日(2018.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に形成され、外部の受光素子から入力される電流信号を電圧信号に変換する集積回路であって、
前記受光素子からの前記電流信号を増幅し前記電圧信号に変換する増幅器と、
前記受光素子に印加するバイアス電圧をフィルタ処理するローパスフィルタと、を備え、
前記ローパスフィルタは、抵抗と複数の容量素子が直列に接続された容量直列体とを有し、
前記抵抗は、一端が前記バイアス電圧が入力される電源端子に接続され、他端が前記容量直列体の入力端及び前記受光素子の前記バイアス電圧が印加されるバイアス印加電極に接続されており、
前記容量直列体は、直列接続された２つの前記容量素子間の接続端及び出力端のそれぞれが前記バイアス電圧の基準となる接地電位が選択的に接続される容量端子に接続されており、
前記容量端子は、当該集積回路に形成されたワイヤボンドパッドである、
ことを特徴とする集積回路。
【請求項２】
半導体基板に形成され、外部の受光素子から入力される電流信号を電圧信号に変換する集積回路であって、
前記受光素子からの前記電流信号を増幅し前記電圧信号に変換する増幅器と、
前記受光素子に印加するバイアス電圧をフィルタ処理するローパスフィルタと、を備え、
前記ローパスフィルタは、抵抗と複数の容量素子が直列に接続された容量直列体とを有し、
前記抵抗は、一端が前記バイアス電圧が入力される電源端子に接続され、他端が前記容量直列体の入力端及び前記受光素子の前記バイアス電圧が印加されるバイアス印加電極に接続されており、
前記容量直列体は、直列接続された２つの前記容量素子間の接続端のそれぞれが前記バイアス電圧の基準となる接地電位が選択的に接続される容量端子に接続され、出力端が前記接地電位に固定されている、
ことを特徴とする集積回路。
【請求項３】
前記容量端子は、当該集積回路に形成されたワイヤボンドパッドであることを特徴とする請求項２記載の集積回路。
【請求項４】
前記容量素子は、ＭＩＭ型のキャパシタであることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の集積回路。
【請求項５】
光信号を受光する受光素子と、前記受光素子から入力される電流信号を電圧信号に変換する請求項１から４のいずれか１項に記載の集積回路と、を備えた光受信器。
【請求項６】
前記受光素子がアバランシェフォトダイオードの場合に、前記容量直列体の前記出力端側の前記容量端子に前記接地電位が接続されていることを特徴とする請求項５記載の光受信器。
【請求項７】
前記受光素子がアバランシェフォトダイオードよりも前記バイアス電圧が低いフォトダイオードの場合に、前記容量直列体の前記入力端側の前記容量端子に前記接地電位が接続されていることを特徴とする請求項５記載の光受信器。
【請求項８】
光信号を受光する受光素子と、前記受光素子から入力される電流信号を電圧信号に変換する請求項２に記載の集積回路と、を備えた光受信器であって、
前記受光素子がアバランシェフォトダイオードの場合に、全ての前記容量端子に前記接地電位が接続されていないことを特徴とする光受信器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本願明細書に開示される一例の集積回路は、半導体基板に形成され、外部の受光素子から入力される電流信号を電圧信号に変換する集積回路である。集積回路は、受光素子からの電流信号を増幅し電圧信号に変換する増幅器と、受光素子に印加するバイアス電圧をフィルタ処理するローパスフィルタと、を備えている。ローパスフィルタは、抵抗と複数の容量素子が直列に接続された容量直列体とを有している。ローパスフィルタの抵抗は、一端がバイアス電圧が入力される電源端子に接続され、他端が容量直列体の入力端及び受光素子のバイアス電圧が印加されるバイアス印加電極に接続されている。ローパスフィルタの容量直列体は、直列接続された２つの容量素子間の接続端及び出力端のそれぞれがバイアス電圧の基準となる接地電位が選択的に接続される容量端子に接続されており、容量端子は、当該集積回路に形成されたワイヤボンドパッドである。
【国際調査報告】
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