(57)【要約】  基板は、絶縁層１１と、前記絶縁層１１に設けられた導体１２と、を有している。前記導体１２は、底面及び側面の少なくとも一部が、前記絶縁層１１のおもて面よりも裏面側に位置している。
2018211991.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層に設けられた導体と、
を備え、
前記導体は、底面及び側面の少なくとも一部が、前記絶縁層のおもて面よりも裏面側に位置していることを特徴とする基板。
【請求項２】
前記導体の側面の全部が、前記絶縁層のおもて面よりも裏面側に位置していることを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記導体の頂面と前記絶縁層のおもて面とは厚み方向において同じ高さに位置することを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載の基板。
【請求項４】
前記導体の頂面は、前記絶縁層のおもて面よりも裏面側に位置することを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載の基板。
【請求項５】
前記導体の前記側面は凹部を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板。
【請求項６】
前記導体の前記側面は凸部を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板。
【請求項７】
前記絶縁層は、積層された複数の積層絶縁層を有し、
前記積層絶縁層の１つ以上に前記導体が設けられ、
前記導体は、底面及び側面の少なくとも一部が、前記積層絶縁層のおもて面よりも裏面側に位置していることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の基板。
【請求項８】
１つ以上の前記導体は、当該導体が設けられているある積層絶縁層のおもて面よりも頂面がおもて面側に位置し、
前記導体の頂面及び側面は、前記ある積層絶縁層に積層された他の積層絶縁層内に埋設されていることを特徴とする請求項７に記載の基板。
【請求項９】
ある積層絶縁層に設けられた導体と、前記ある積層絶縁層に積層された他の積層絶縁層に設けられた導体とは、導体部を介して接続されることを特徴とする請求項７又は８のいずれかに記載の基板。
【請求項１０】
前記絶縁層は密着層を有し、
前記密着層に前記導体が設けられていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の基板。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の基板と、
前記基板に設けられた電子部品と、
を備え、
前記電子部品は前記導体に設けられていることを特徴とする電子装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電子装置を備えた実装装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、電子部品搭載用基板及びその製造方法に関する。【０００２】
電子装置の高密度実装に伴い、電子部品搭載用基板にも導体の高密度化、小型化、薄型化、多層化が要求されるようになってきた。導体を高密度に実装したり、小型化をすると、絶縁層と絶縁層上に形成された導体との密着性が十分でない場合は、絶縁層と導体との間の密着が不十分となる。また、導体が絶縁層内で多層となっている場合は、絶縁層と導体との間の密着が不十分となる。【０００３】
導体を形成するために、セミアディティブ法を利用する場合には、絶縁層を加熱することによって、絶縁層と導体との密着性を向上させる技術が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１６９６００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、薄いプリント基板を作ろうとしたり、あるいはセミアディティブ法などで絶縁層のおもて面と導体とを密着させようとすると、絶縁層と導体との密着性を十分に確保できない。あるいは、絶縁層が薄い場合は、導体の剥離が生じ易くなる場合が多かった。絶縁層と導体との密着性が不十分な場合は、そもそもプリント基板の製造が不可能であったり、製造できたとしても製造歩留りの悪化が避けられないという課題があった。【０００６】
そこで、前記課題を解決するために、本開示は、電子部品搭載用基板の密着性を向上することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、絶縁層上に形成された導体を絶縁層に埋め込むこととした。また、絶縁層及び導体の組合せの層が絶縁層上に１層以上形成されている場合は、少なくともいずれかの組合せの層に含まれる導体の少なくとも一つを絶縁層の方向に埋め込むこととした。【０００８】
本開示に記載の電子部品搭載用基板は、電子部品を搭載可能な基板であり、絶縁層上に導体が形成されていればよい。本開示では、絶縁層上に導体が形成されている基板を、電子部品搭載用基板と称することとする。さらに本開示は、本開示に係る電子部品搭載用基板の搭載された、電子部品、電子デバイス、及び実装装置を含む。例えば、本開示に係る実装装置は、本開示に係る電子部品搭載用基板と、前記電子部品搭載用基板を用いて予め定められた処理を実行する電子部品と、を備える任意の装置である。このように、本開示は、電子部品搭載用基板を用いて動作するあらゆる電子部品、電子デバイス、及び装置に適用できる。
【発明の効果】
【０００９】
本開示によれば、導体の少なくとも一部を絶縁層又は絶縁層に埋め込むため、電子部品搭載用基板の密着性すなわちピール強度を向上することができる。これにより、本開示は、電子部品搭載用基板の製造時における歩留り率の低下を防ぐとともに、電子部品搭載用基板の耐久性を向上し、電子部品搭載用基板の品質を総合的に向上することができる。さらに本開示は、本開示の配線基板を用いて動作する電子部品、電子デバイス、及び装置の信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】絶縁層上に導体の形成する導体形成工程を説明する図である。
【図２】絶縁層上に導体の形成する導体形成工程を説明する図である。
【図３】導体を絶縁層に押し込む又は沈み込ませる押し込み工程を説明する図である。
【図４】加熱手順を説明する図である。
【図５】加熱手順を説明する図である。
【図６】加熱手順を説明する図である。
【図７】加熱手順を説明する図である。
【図８】加熱手順を説明する図である。
【図９】加熱したときの模式図を説明する図である。
【図１０】導体の押し込み工程後の状態を説明する図である。
【図１１】導体の押し込み工程後の状態を説明する図である。
【図１２】導体を絶縁層に押し込む又は沈み込ませる押し込み工程を説明する図である。
【図１３】導体を絶縁層に押し込む又は沈み込ませる押し込み工程を説明する図である。
【図１４】導体の押し込み工程後の状態を説明する図である。
【図１５】導体の押し込み工程後の状態を説明する図である。
【図１６】ＶＩＡ形成工程を説明する図である。
【図１７】第２の実施形態に係る電子部品搭載用基板の一例を示す断面図である。
【図１８】無電解めっき層と導体との境界部分の一例を示す断面図である。
【図１９】凹凸の第１例を示す拡大図である。
【図２０】凹凸の第２例を示す拡大図である。
【図２１】絶縁層のおもて面での凹凸の規則性の一例を示す。
【図２２】第３の実施形態に係る電子部品搭載用基板の製造方法の説明図である。
【図２３】導体凹部を有する導体を製造する方法の一例を示した断面図である。
【図２４】導体凸部を有する導体を製造する方法の一例を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
添付の図面を参照して本開示の実施形態を説明する。以下に説明する実施形態は本開示の実施の例であり、本開示は以下の実施形態に制限されるものではない。なお、本明細書及び図面において符号が同じ構成要素は、相互に同一のものを示すものとする。
【００１２】
（第１の実施形態）
本実施形態では、絶縁体層が絶縁層である場合について説明する。本開示に係る電子部品搭載用基板の製造方法は、以下に述べる導体形成工程及び押し込み工程を順に備える。これにより、本開示は、絶縁層と導体との間の密着性すなわちピール強度を向上することができる。
【００１３】
本開示の絶縁層上に導体の形成する導体形成工程を図１（ａ）から図１（ｃ）に示す。図１（ａ）から図１（ｃ）において、１１は絶縁層、１２は導体、１２１は金属箔、１２２は金属めっきを示す。なお、図１の上下方向が基板の厚み方向であり、図１における上面がおもて面となり、図１における下面が裏面となる。
【００１４】
絶縁層１１は、プリント基板に用いることの可能な絶縁体である。絶縁層１１に用いられる材料は、例えば樹脂であるが、これに限らず絶縁性をもつガラスやセラミックなどの任意の物質が含まれていてもよい。絶縁層１１は、２種類以上の絶縁性の物質が混合されていてもよい。例えば、絶縁層１１に、繊維状又は粒状の絶縁体が含まれていてもよい。
【００１５】
絶縁層１１は、樹脂に基材を混入した絶縁体であってもよい。樹脂としては、熱効硬化型樹脂、又は紫外線硬化型樹脂が好ましい。一定の耐熱性があれば、熱可塑性樹脂を使ってもよい。熱硬化性の樹脂としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂が例示できる。熱可塑性樹脂は、熱変形温度が５０度Ｃ以上であればよい。変形温度は高ければ高いほどよい。基材としては、ガラス繊維、セラミック粒子、セルロース繊維が例示できる。蜘蛛の巣の繊維などの自然物でもよい。基材は、これらに限定されるものではない。また、ガラスクロスに上記の樹脂を含浸させて半硬化させたプリプレグを積層し、加熱・加圧して絶縁層を構成してもよい。以下のいずれの実施形態でも同様である。
【００１６】
導体１２は、プリント基板の導体に用いることの可能な任意の材料によって形成されている導体層であり、金属箔、金属めっき、圧延板を含む。導体１２を構成する金属箔１２１、金属めっき１２２の材料は導電性のあるあらゆる金属、合金又はペーストである。或いは、導電性があれば、カーボンやセラミックス等の金属以外のあらゆる物質であっても、導体１２の一部又は全部として用いることができる。導体１２に適用する金属としては、銅、金、銀、アルミニウム、ニッケル又はこれらの金属を質量％で最も多く含む合金やペーストが例示できるが、これらに限定されるものではない。以下のいずれの実施形態でも同様である。
【００１７】
金属箔１２１が張られた絶縁層１１（図１（ａ））の金属箔１２１に、金属めっきを行う（図１（ｂ））。次に、公知のパネルめっき法やパターンめっき法で、絶縁層１１にパターン化された導体１２を形成する（図１（ｃ））。このように形成された導体１２は、金属箔とその金属箔にめっきされた金属めっき層を含むことになる。
【００１８】
本開示の絶縁層上に導体の形成する他の導体形成工程を図２（ａ）から図２（ｄ）に示す。この製造方法はセミアディティブ法として知られている。図２（ａ）から図２（ｄ）において、１１は絶縁層、１２は導体、１３はパターンレジストを示す。
【００１９】
パターンレジスト１３の材料としては、感光性ドライフィルム、液状レジスト、ＥＤレジストが例示できるが、これらに限定されるものではない。以下のいずれの実施形態でも同様である。これらの材料は光硬化型や光溶解型がある。
【００２０】
絶縁層１１（図２（ａ））にパターンレジストを塗布し、最終的に導体となる部分以外のパターンレジストを除去する（図２（ｂ））。残されたパターンレジスト１３以外の部分に無電解めっきなどで導体を成長させる（図２（ｃ））。パターンレジスト１３を除去し、導体１２を残す。このときに、後述する図１７に示すように、絶縁層１１に垂直な断面では、導体１２の上面（頂面）の角１２Ｅが丸みを帯びる。この導体形成工程で、絶縁層１１にパターン化された導体１２を形成する。導体形成工程は、ここで説明した方法に限定されるものではない。
【００２１】
本開示の導体を絶縁層に押し込む押し込み工程を図３（ａ）から図３（ｂ）に示す。図３（ａ）から図３（ｂ）において、１１は絶縁層、１２は導体を示す。絶縁層１１のおもて面に形成された導体１２（（図３（ａ））を、機械的に絶縁層１１に機械的に押し込むと、導体１２の一部が絶縁層１１のおもて面に埋まる（図３（ｂ））。図３（ｂ）は、本開示の電子部品搭載用基板の例である。機械的に押し込む作業は、例えば、平面のプレス面を有するプレス機を用いて、絶縁層１１のおもて面に形成された導体１２の全て、又は一部を絶縁層１１に押し込む。
【００２２】
導体１２を絶縁層１１に押し込むことによって、導体１２の底面だけでなく、導体１２の側面の少なくとも一部が絶縁層１１に密着し、絶縁層１１と導体１２との間のピール強度が向上する。
【００２３】
導体１２が絶縁層１１に埋め込まれた電子部品搭載用基板を実現する方法は、絶縁層１１への導体１２の機械的な埋め込みに限定されない。例えば、押し込み工程において、導体１２と絶縁層１１の両方又はいずれかを加熱し、導体１２を絶縁層１１に沈み込ませてもよい。これにより、導体１２に力を加えることなく、絶縁層１１に導体１２を埋め込むことができる。
【００２４】
このとき、導体１２を絶縁層１１に押し込まなくてもよいが、弱い力で導体１２を絶縁層１１に押し込んでもよい。これにより、導体１２の頂面である上面の位置を容易に制御することができる。このように、本開示における押し込みは、微弱な力での押し込みも含む。以下、押し込み工程の一例として、押し込み工程において、導体１２を絶縁層１１に機械的に押し込む押し込み手順に加え、導体１２と絶縁層１１の両方又はいずれかを加熱する加熱手順を有する例について説明する。
【００２５】
押し込み工程において、導体１２を絶縁層１１に機械的に押し込む際に、導体１２と絶縁層１１の両方又はいずれかを加熱してもよい。絶縁層が固すぎる場合やピール強度をより向上させたい場合に有効である。加熱は、ヒータを押し当てたり、ＬＥＤライト光や赤外線を照射したり、熱風を浴びせたりすることで実現する。ヒータで加熱したパネルで導体１２を機械的に押し込むことでもよい。
【００２６】
加熱手順を図４、図５、図６、図７、図８に示す。図４、図５、図６、図７、図８において、１１は絶縁層、１２は導体である。図４、図５、図６、図７、図８において、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は順番を示す。熱の加熱手順としては、まず加熱し（図４（ｂ））、加熱しながら機械的に押し込む（図４（ｃ））手順でもよい。まず加熱し（図５（ｂ））、加熱を中止して機械的に押し込む（図５（ｃ））手順でもよい。加熱することと機械的に押し込むことを同時に進める（図６（ｂ））手順でもよい。まず機械的に押し込み（図７（ｂ））、機械的に押し込みながら加熱する（図７（ｃ））手順でもよい。まず機械的に押し込み（図８（ｂ））、機械的な押し込みを中止して加熱する（図８（ｃ））手順でもよい。
【００２７】
加熱したときの模式図を図９（ａ）に示す。導体１２は金属であり、絶縁層１１は樹脂であるため、膨張率は絶縁層１１より導体１２の方が大きい。そのため、適度な温度で加熱することによって、導体１２は絶縁層１１に密着し、アンカー効果が得られる。その後、徐熱しても（図９（ｂ）、導体１２と絶縁層１１の密着度は加熱する前より向上している。従って、絶縁層１１と導体１２との間のピール強度が向上する。
【００２８】
押し込み工程において、導体の押し込み後の状態を図１０（ａ）、図１０（ｂ）、図１１（ａ）、図１１（ｂ）、図１１（ｃ）で説明する。図１０（ａ）、図１０（ｂ）、図１１（ａ）、図１１（ｂ）、図１１（ｃ）は、本開示の電子部品搭載用基板の例である。図１０（ａ）、図１０（ｂ）、図１１（ａ）、図１１（ｂ）、図１１（ｃ）において、１１は絶縁層、１２は導体である。これらの説明において、図１０（ａ）に示すように、導体１２では、絶縁層１１の側（絶縁層１１に近い側）を底面、底面に対向する側（（絶縁層から遠い側）を上面（頂面）、上面と底面に挟まれる側を側面と呼称し、絶縁層１１では、導体１２の載っている側をおもて面と言い、反対側の面を裏面と言う。
【００２９】
導体１２を、導体１２の底面及び側面の一部が絶縁層１１のおもて面よりも低い位置となるまで押し込んでもよい（図１０（ａ））。導体１２の底面の全部及び側面の一部が絶縁層１１と密着するため、絶縁層１１と導体１２との間のピール強度が向上する。また、導体１２を、導体１２の上面が絶縁層１１のおもて面と同一面となる位置まで押し込んでもよい（図１０（ｂ））。導体１２の底面の全部及び側面の全部が絶縁層１１と密着するため、絶縁層１１と導体１２との間のピール強度がより向上する。
【００３０】
なお、図１０（ａ）では、底面の両側に配置されている側面が共に絶縁層１１に埋め込まれる例を示したが、本開示はこれに限定されず、例えば底面の両側に配置されている側面の片方のみが絶縁層１１に埋め込まれていてもよい。図１０（ａ）では導体１２の上面がｘ軸方向に広がっているが、本開示はこれに限定されず、導体１２の上面はｘ軸方向に対して傾斜していてもよい。
【００３１】
さらに、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）では、導体１２の断面形状が四角形である例を示したが、本開示に係る導体１２の断面形状は任意である。例えば、導体１２の上面は湾曲していてもよく、側面と上面との境界が連続した曲線をなしていてもよい。
【００３２】
導体１２を、導体１２の底面、側面だけでなく、上面が絶縁層１１のおもて面よりも低い位置となるまで押し込んでもよい（図１１（ａ）、図１１（ｂ）、図１１（ｃ））。図１１（ａ）では、導体１２を、導体１２の上面が絶縁層１１のおもて面よりも低い位置となるまで押し込んでいるが、導体１２の上面は露出している。導体１２の底面の全部及び側面の全部が絶縁層１１と密着するため、絶縁層１１と導体１２との間のピール強度がより向上する。図１１（ｂ）では、導体１２を、導体１２の上面が絶縁層１１のおもて面よりも低い位置となるまで押し込んでいるが、導体１２の上面の一部は露出している。導体１２の底面の全部、側面の全部及び上面の一部が絶縁層１１と密着するため、絶縁層１１と導体１２との間のピール強度がいっそう向上する。図１１（ｃ）では、導体１２を、導体１２の上面が絶縁層１１のおもて面よりも低い位置となるまで押し込んで、導体１２の上面まで絶縁層１１にうずもれている。導体１２の底面の全部、側面の全部及び上面の全部が絶縁層１１と密着するため、絶縁層１１と導体１２との間のピール強度がさらにいっそう向上する。
【００３３】
なお、図１０（ａ）、図１０（ｂ）及び図１１（ａ）では導体１２の３面が絶縁層１１と密着する。ｙ−ｚ平面についても同様の構造を有する場合、導体１２の５面が、絶縁層１１と密着する。このように、ｘ軸方向に広がる導体１２の底面に加え、ｙ軸方向に広がる導体１２の側面の一部又は全部が絶縁層１１と密着するため、導体１２に印加されるｘ、ｚ軸方向の負荷に対し、ピール強度を高めることができる。
【００３４】
また、図１１（ｂ）及び図１１（ｃ）では導体１２の４面が絶縁層１１と密着する。ｙ−ｚ平面についても同様の構造を有する場合、導体１２の６面が、絶縁層１１と密着する。このように、ｘ軸方向に広がる導体１２の底面に加え、ｙ軸方向に広がる導体１２の側面の一部又は全部、及びｘ軸方向に広がる導体１２の上面の一部又は全部、が絶縁層１１と密着するため、導体１２に印加されるｘ、ｙ、ｚ軸方向の負荷に対し、ピール強度を高めることができる。
【００３５】
なお、図１０及び図１１では導体１２の底面が絶縁層１１と密着する例を示したが、本開示はこれに限定されない。例えば、本開示は、図１０（ａ）、図１０（ｂ）、図１１（ａ）において、導体１２の底面の一部又は全部が絶縁層１１の裏面に露出する、導体１２の２面が絶縁層１１と密着する形態も含む。ｙ−ｚ平面についても同様の構造を有する場合、導体１２の４面が、絶縁層１１と密着する。この場合、ｙ軸方向に広がる導体１２の側面の一部又は全部が絶縁層１１と密着するため、導体１２に印加されるｘ、ｚ軸方向の負荷に対し、ピール強度を高めることができる。
【００３６】
また、図１１（ｂ）において、導体１２の底面の全部が絶縁層１１の裏面に露出する、導体１２の３面が絶縁層１１と密着する形態も含む。ｙ−ｚ平面についても同様の構造を有する場合、導体１２の５面が、絶縁層１１と密着する。この場合、ｘ軸方向に広がる導体１２の上面の一部、ｙ軸方向に広がる導体１２の側面の一部又は全部、が絶縁層１１と密着するため、導体１２に印加されるｘ、ｙ、ｚ軸方向の負荷に対し、ピール強度を高めることができる。
【００３７】
また、図１１（ｂ）において、導体１２の底面の一部が絶縁層１１の裏面に露出する、導体１２の４面が絶縁層１１と密着する形態も含む。ｙ−ｚ平面についても同様の構造を有する場合、導体１２の６面が、絶縁層１１と密着する。この場合、ｘ軸方向に広がる導体１２の上面の一部、ｙ軸方向に広がる導体１２の側面の全部、ｘ軸方向に広がる導体１２の底面の一部、が絶縁層１１と密着するため、導体１２に印加されるｘ、ｙ、ｚ軸方向の負荷に対し、ピール強度を高めることができる。
【００３８】
次に、電子部品搭載用基板が、絶縁層及び導体の組合せの層が絶縁層上に形成されている多層基板である例について説明する。以下の例では、絶縁層は、少なくとも１層の組合せの層に含まれる絶縁層であり、少なくとも１層の組合せの層に含まれる導体の少なくとも一部が、絶縁層に埋め込まれている。具体的には、絶縁層と、前記絶縁層に形成された導体と、前記導体及び前記絶縁体基板の上層に、絶縁層及び前記絶縁層に形成された導体の組合せを各１組以上と、を備え、前記導体のうち少なくとも一つは、前記絶縁層又は絶縁層に埋め込まれている電子部品搭載用基板について説明する。
【００３９】
図１２（ａ）、図１２（ｂ）、図１２（ｃ）、図１３（ａ）、図１３（ｂ）、図１３（ｃ）において、１１ａは積層絶縁層、１２は導体、１４は積層絶縁層である。図１２及び図１３では、積層絶縁層１４及び導体１２の組み合わせの一例として、積層絶縁層１４−１及び導体１２−１の組み合わせの層と、積層絶縁層１４−２及び導体１２−２の組み合わせの層と、積層絶縁層１４−３及び導体１２−３の組み合わせの層と、を形成する例を示す。積層絶縁層１１ａ，１４は絶縁層を構成している。
【００４０】
導体形成工程又は第二の導体形成工程では、積層絶縁層１１ａ上に、又は各積層絶縁層１４上に導体を形成する（図１２（ａ）、図１２（ｂ）、図１２（ｃ）、図１３（ａ）、図１３（ｂ）、図１３（ｃ））。組合せの層に導体を形成するには、積層絶縁層１１ａ上に導体１２を形成する（導体形成工程）。さらに、導体１２及び積層絶縁層１１ａの上層に、積層絶縁層１４を形成して、その積層絶縁層１４上にさらに導体を形成する（第二の導体形成工程）。第二の導体形成工程を所用の回数だけ繰り返す。
【００４１】
積層絶縁層１４の材料は、積層絶縁層１１ａに適用できるものと同じでよい。以下のいずれの実施形態でも同様である。
【００４２】
導体１２を最上層の積層絶縁層１４に押し込む又は沈み込ませる押し込み工程では、最上層の積層絶縁層１４を形成した後（図１２（ｂ））、最上層の導体１２を積層絶縁層１４に押し込む又は沈み込ませる（図１２（ｃ））。
【００４３】
導体１２を積層絶縁層１１ａに押し込む又は沈み込ませる押し込み工程や、導体１２を中間の積層絶縁層１４に押し込む又は沈み込ませる押し込み工程では、積層絶縁層１１ａに導体１２を形成した後や、積層絶縁層１４を形成して導体１２を形成した後に、導体１２を積層絶縁層１１ａや積層絶縁層１４に機械的に押し込む（図１３（ａ））。最後の第二の導体形成工程では、最上層の積層絶縁層１４上に導体１２を形成し（図１３（ｂ））、押し込み工程では、最上層の導体１２を最上層の積層絶縁層１４に機械的に押し込む又は沈み込ませる（図１３（ｃ））。
【００４４】
導体形成工程や第二の導体形成工程で導体１２を形成するには、図１（ａ）から図１（ｃ）に示す工程、あるいは図２（ａ）から図２（ｄ）に示す工程を適用することができる。
【００４５】
押し込み工程において、導体１２を積層絶縁層１１ａや積層絶縁層１４に押し込む又は沈み込ませる際に、積層絶縁層１１ａ、積層絶縁層１４、導体１２の少なくともいずれかに加熱してもよい。加熱は、ヒータを押し当てたり、赤外線を照射したり、熱風を浴びせたりして、実現することができる。ヒータで加熱したパネルで導体１２を機械的に押し込むことでもよい。加熱手順は図４、図５、図６、図７、図８に示したものと同様の手順が可能である。
【００４６】
本開示の電子部品搭載用基板では、積層絶縁層１１ａと積層絶縁層１４が一体化されていることがある。あるいは、積層絶縁層１４が隣接して複数ある場合は、隣接する積層絶縁層１４同士が一体化されていることがある。
【００４７】
押し込み工程において、積層絶縁層１４への導体１２の押し込み後の状態は図１０（ａ）、図１０（ｂ）、図１１（ａ）、図１１（ｂ）、図１１（ｃ）と同様である。積層絶縁層１４への導体１２の押し込み後の状態を図１４（ａ）、図１４（ｂ）、図１５（ａ）、図１５（ｂ）、図１５（ｃ）で説明する。図１４（ａ）、図１４（ｂ）、図１５（ａ）、図１５（ｂ）、図１５（ｃ）は、本開示の電子部品搭載用基板の例である。図１４（ａ）、図１４（ｂ）、図１５（ａ）、図１５（ｂ）、図１５（ｃ）において、１２は導体、１４は積層絶縁層である。これらの説明において、図１４（ａ）に示すように、導体１２では、積層絶縁層１１ａの側（積層絶縁層１１ａに近い側）を底面、底面に対向する側（積層絶縁層１１ａから遠い側）を上面、上面と底面に挟まれる側を側面と呼称し、積層絶縁層１４でも、積層絶縁層１１ａから遠い側を上面と呼称する。
【００４８】
導体１２を、導体１２の底面及び側面の一部が積層絶縁層１４の上面よりも低い位置となるまで押し込んでもよい（図１４（ａ））。導体１２の底面の全部及び側面の一部が積層絶縁層１４と密着するため、積層絶縁層１４と導体１２との間のピール強度が向上する。また、導体１２を、導体１２の上面が積層絶縁層１４の上面と同一面となる位置まで押し込んでもよい（図１４（ｂ））。導体１２の底面の全部及び側面の全部が積層絶縁層１４と密着するため、積層絶縁層１４と導体１２との間のピール強度がより向上する。
【００４９】
導体１２を、導体１２の底面、側面だけでなく、上面が積層絶縁層１４の上面よりも低い位置となるまで押し込んでもよい（図１５（ａ）、図１５（ｂ）、図１５（ｃ））。図１５（ａ）では、導体１２を、導体１２の上面が積層絶縁層１４の上面よりも低い位置となるまで押し込んでいるが、導体１２の上面は露出している。導体１２の底面の全部及び側面の全部が積層絶縁層１４と密着するため、積層絶縁層１４と導体１２との間のピール強度がより向上する。図１５（ｂ）では、導体１２を、導体１２の上面が積層絶縁層１４の上面よりも低い位置となるまで押し込んでいるが、導体１２の上面の一部は露出している。導体１２の底面の全部、側面の全部及び上面の一部が積層絶縁層１４と密着するため、積層絶縁層１４と導体１２との間のピール強度がいっそう向上する。図１５（ｃ）では、導体１２を、導体１２の上面が積層絶縁層１４の上面よりも低い位置となるまで押し込んで、導体１２の上面まで積層絶縁層１４に埋まっている。導体１２の底面の全部、側面の全部及び上面の全部が積層絶縁層１４と密着するため、積層絶縁層１４と導体１２との間のピール強度がさらにいっそう向上する。
【００５０】
最上層の導体１２を積層絶縁層１４に押し込む又は沈み込ませることによって、最終製品としての電子部品搭載用基板において、積層絶縁層１４と導体１２との間のピール強度が向上する。最上層の導体１２以外の導体を積層絶縁層１１ａや積層絶縁層１４に押し込む又は沈み込ませることによって、電子部品搭載用基板の製造過程において、積層絶縁層１１ａや積層絶縁層１４と導体１２との間のピール強度が向上して、製造過程での導体のはがれが防止できる。
【００５１】
導体形成工程や第二の導体形成工程では押し込み工程を有する。その押し込み工程では、組合せの層に形成された導体１２のうち、異なる層に形成された導体１２同士を、電気的に接続する導体部の一例であるＶＩＡを形成するＶＩＡ形成工程を含んでもよい。ＶＩＡ形成工程の後に、導体１２を積層絶縁層１４に押し込む又は沈み込ませる。
【００５２】
積層絶縁層１４で組合せの層に形成された導体１２のうち、異なる層に形成された導体１２同士を電気的に接続する導体部の一例であるＶＩＡについて説明する。図１６（ａ）、図１６（ｂ）、図１６（ｃ）、図１６（ｄ）にＶＩＡ形成工程を示す。図１６（ａ）、図１６（ｂ）、図１６（ｃ）、図１６（ｄ）において、１１ａは積層絶縁層、１２は導体、１４は積層絶縁層、１５はＶＩＡである。
【００５３】
導体形成工程や第二の導体形成工程では、積層絶縁層１１ａ上に導体１２、積層絶縁層１４、導体１２を順次形成していく（図１６（ａ）、図１６（ｂ））。異なる層に形成された導体１２同士をＶＩＡ１５で電気的に接続する（図１６（ｃ））。この後、導体１２を積層絶縁層１４に機械的に押し込む又は沈み込ませると、ＶＩＡ１５が圧縮されて、アンカー効果が高まり、積層絶縁層１４と導体１２との間のピール強度が向上する。ここでは、積層絶縁層１１ａ上の導体１２と積層絶縁層１４上の導体１２同士を電気的に接続するＶＩＡ１５について説明したが、積層絶縁層１４上の導体１２と積層絶縁層１４上の導体１２同士を電気的に接続するＶＩＡ１５についても同様である。最上層の導体１２とその下層の導体１２同士を電気的に接続するＶＩＡ１５についても同様である。
【００５４】
上記では、ＶＩＡ形成工程の後に、導体１２を積層絶縁層１１ａや積層絶縁層１４に機械的に押し込む又は沈み込ませたが、導体１２を積層絶縁層１１ａや積層絶縁層１４に機械的に押し込む又は沈み込ませた後にＶＩＡ１５を形成してもよいことはいうまでもない。
【００５５】
上記各実施形態では、積層絶縁層の片側を示しつつ説明したが、片面基板に適用するのみならず、両面基板や多層基板の場合は、積層絶縁層の両側のそれぞれの側に本開示の技術が適用できる。両面基板や多層基板の場合、本実施形態でいう上層や上面は、積層絶縁層から遠い側の層や面を上層や上面と考えてよい。
【００５６】
多層基板の場合、積層絶縁層上の導体、積層絶縁層から最も遠い最外層の導体及び積層絶縁層と最外層の間の層の任意の層の導体のうち、任意の導体を積層絶縁層や積層絶縁層に押し込む又は沈み込ませてもよい。例えば、最外層の導体が押し込まれ又は沈み込んでおり、かつ、積層絶縁層と最外層の間の中間層の導体が押し込まれ又は沈み込んだ形態、あるいは積層絶縁層と最外層の間の中間層の導体が押し込まれ又は沈み込んだ形態のいずれも含まれる。
【００５７】
両面基板や多層基板の場合、両側の導体を押し込む又は沈み込ませるときは、両側から同時に導体に圧力をかけて、押し込む又は沈み込ませてもよい。
【００５８】
加えて薄いプリント基板を作る際に、銅箔が傷みやすく、キャリア付銅箔の利用を余儀なくされている現状があり、この現状は、第一にキャリア付銅箔の価格の高さ、第二に不良率の高さ、第三に製造工程の管理度への要求の高さという課題もあった。本開示によれば、キャリア付銅箔を使用しなくても、基板厚の薄い一層プリント基板あるいは多層プリント基板を作ることが出来る。さらに、ＶＩＡを作ることによるビルドアップ法、あるいは貫通孔を作ることによるスルーホール法も本開示の技術の中で利用することができる。
【００５９】
（第２の実施形態）
第１の実施形態において、絶縁層１１のうちの導体１２と接するおもて面に、導体１２との密着性の高い密着層（不図示）が設けられてよい。密着層は、絶縁体層１１及び導体１２との密着性が高い絶縁性の任意の物質である。この場合、本開示に係る電子部品搭載用基板の製造方法は、導体形成工程の前にさらに密着層形成工程を備える。
【００６０】
密着層形成工程では、絶縁層１１上に密着層を形成する。導体形成工程では、密着層の上面に導体１２を形成する。密着層は、絶縁層１１上の導体１２の配置される領域の少なくとも一部に形成される。密着層は、導体１２の配置される全領域に形成されていることが好ましく、絶縁層１１の全体に形成されていてもよい。
【００６１】
密着層は、絶縁層１１よりも導体１２との密着性の高い任意の物質である。密着層は、絶縁層１１と導体１２との間の少なくとも一部に配置されている。密着層は、絶縁層１１と導体１２との間の少なくとも一部に配置されていれば絶縁層１１と導体１２との密着強度を高めることができ、絶縁層１１と導体１２との間の全領域に配置されていてもよい。密着層は、絶縁層１１と導体１２との密着強度を高める物質を含む。密着強度を高める物質は、化学的相互作用、物理的相互作用及び機械的結合のいずれを用いたものであってもよい。機械的結合としては、例えば、後述する第２の実施形態に説明する凹凸が例示できる。
【００６２】
化学的相互作用によって密着強度を高める物質として、密着層の一部又は全部に、接着剤として用いられている物質などが含まれていてもよい。例えば、一部又は全部の絶縁性物質による密着層の樹脂材料としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂などの他、無機材料など、導体１２と絶縁層１１の双方に対して密着性の高い物質であれば何でもよい。金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物及び酸化還元剤等の無機系の物質が、一部又は全部に含まれていてもよい。
【００６３】
物理的相互作用によって密着強度を高める物質として、密着層の一部又は全部に、還元作用を有する還元剤及び酸化作用を有する酸化剤の少なくともいずれかが含まれていてもよい。還元剤は、導体１２、絶縁層１１及び密着層の少なくともいずれかに含まれる物質を還元する作用を有する。酸化剤は、導体１２、絶縁層１１及び密着層の少なくともいずれかに含まれる物質を酸化する作用を有する。還元剤及び酸化剤は、導体１２、絶縁層１１及び密着層だけでなく、空気や水などの周辺環境その他の触媒などと単独又は相互の組み合わせで反応させるものであってもよい。
【００６４】
還元剤は、密着層の全体に含まれていてもよいし、密着層の導体１２側のおもて面のみに含まれていてもよいし、絶縁層１１側のおもて面のみに含まれていてもよい。酸化剤についても同様である。例えば、密着層の導体１２側のおもて面に還元剤が含まれ、密着層の絶縁層１１側のおもて面に酸化剤が含まれていてもよい。密着層に含まれている還元剤の割合は任意であり、還元する性質があれば微量であってもよい。酸化剤についても同様である。
【００６５】
密着層の絶縁層１１側のおもて面に含まれている還元剤は、密着層の導体１２側のおもて面に含まれている還元剤と異なってもよいし、同じであってもよい。異なる例としては、例えば、密着層の導体１２側に導体１２の還元に適した還元剤が含まれ、密着層の絶縁層１１側に絶縁層１１に適した還元剤が含まれている構成も採用しうる。同じ例としては例えば、絶縁層１１と導体１２との間に還元剤として機能する物質が含まれていれば、本開示に係る密着層を備えることになる。酸化剤も同様である。
【００６６】
図１２〜図１３に示す多層基板の例では、組合せの層に密着層を設けることができる。例えば、絶縁層１１とその上に形成される導体１２との間、組み合わせの層を構成する絶縁層１４−１及び導体１２−１の間、に密着層（不図示）を設ける。また、組合せの層を構成する絶縁層１４−１上に形成されている導体１２−１とその上に形成される絶縁層１４−２との間に、密着層（不図示）を設けてもよい。この場合、絶縁層１４−２及び導体１２−２の組み合わせの層に代えて、密着層及び導体１２−２の組み合わせの層が形成されていてもよい。
【００６７】
本実施形態に係る電子部品搭載用基板の製造方法は、導体形成工程の後に、第１の実施形態で説明した押し込み工程をさらに有していてもよい。これにより、ピール強度をさらに向上することができる。
【００６８】
（第３の実施形態）
図１７に、本開示の実施形態に係る電子部品搭載用基板の一例を示す。本実施形態に係る電子部品搭載用基板は、絶縁層１１上に導体１２が形成されている。導体１２は、絶縁層１１側の最下層に、無電解めっき層２１を含む。例えば、導体１２は、絶縁層１１側の最下層から、順に、無電解めっき層２１及び電解めっき層２２が積層されている。このように、絶縁層１１と無電解めっき層２１が接していることで、絶縁層１１及び導体１２の密着強度を高めることができる。
【００６９】
無電解めっき層２１は、電解めっきではない任意の方法で形成された任意の導体である。図１７では、無電解めっき層２１の上に電解めっき層２２が積層されている例を示すが、電解めっき層２２の配置されていない、導体１２の全体が無電解めっき層２１で形成されている形態もありうる。
【００７０】
図１８に、絶縁層１１及び導体１２の境界部分の拡大図を示す。図１８（ｂ）は絶縁層１１のおもて面１１Ｕでの断面形状を示し、図１８（ａ）はＡ−Ａ’断面形状を示す。絶縁層１１は、導体１２側のおもて面１１Ｕに、凹凸を有する。凹凸は、凹部若しくは凸部又はこれらの両方でありうる。
【００７１】
本開示では、絶縁層１１のおもて面１１Ｕに凹凸を形成し、その上から無電解めっき層２１を形成する。このため、図１９に示すように、無電解めっき層２１は、絶縁層１１側に配置されている導体１２下部から成長し、絶縁層１１のおもて面１１Ｕと直接接する。ここで、符号１１２−６及び１１２−９に示す凸部は、形成されていてもよいし、形成されていなくてもよい。
【００７２】
アンカー効果を得るために導体１２に凸形状を形成した場合、密着層のおもて面Ｕと無電解めっき層２１との間には、凸形状を形成するためのＮｉやＦｅなどの粒状物質が含まれている。一方、本開示は、密着層のおもて面に凹凸を形成するため、導体１２に凸形状を形成するための粒状物質が含まれていない。このため、導体１２の最下層における、無電解めっき層２１とは異なる物質の含有量が３０％以下である。例えば、本開示の導体１２の最下層は、無電解めっき層２１が単一の物質で形成されている。ここで、「単一の物質」は、金属及び合金を含む。また、本開示の導体１２側から密着層側への導体凸部同士では、図２２に示すトンネル１１３のような、密着層内での導通部が形成されていない。すなわち、無電解めっき層２１は、密着層のおもて面の片側のみに形成されている。
【００７３】
導体１２に形成した凸形状を用いてアンカーが形成されている場合、導体１２の位置から密着層の中心方向に向かって導体１２が成長している。このため、導体１２の配置されている密着層のおもて面付近から密着層の中心方向に向かって導体１２が細くなる。これに対し、本開示は、密着層のおもて面に凹凸を形成するため、密着層のおもて面付近から絶縁層１１に向かって導体１２が細くなる形状だけでなく、図１８の凹部１１１−１、１１１−３、１１１−６に示すような、密着層２１のおもて面付近から絶縁層１１に向かって広がる形状もありうる。
【００７４】
図１８の凹部１１１−８及び１１１−９は、図２０に示すように、絶縁層１１のおもて面１１Ｕ付近から絶縁層１１の中心方向に向かって斜めに形成されていてもよい。この場合、凹部１１１−８と凹部１１１−９との距離は、おもて面１１Ｕ付近よりも絶縁層１１の深くの方が近いことが好ましい。これにより、凹部１１１−８と凹部１１１−９とで絶縁層１１を抱え込み、導体１２と絶縁層１１とのピール強度をより高めることができる。
【００７５】
また、本開示は、絶縁層１１のおもて面１１Ｕに凹凸を形成するため、絶縁層１１のおもて面１１Ｕでの凹凸の配置が、凹凸の形成方法に起因する規則性を有する。
【００７６】
平面上又はロール上に形成された凹凸形状を用いて凹凸を形成した場合、平面又はロールの凹凸形状がそのままおもて面１１Ｕに現れる。例えば、凹凸形状に一定幅又は一定間隔の直線が含まれる場合、図１８に示す符号１１１−８，１１１−９及び図２１（ａ）に示すような、一定幅又は一定間隔の凹部又は凸部が残る。おもて面１１Ｕを切削して凹凸を形成した場合、図２１（ｂ）及び図２１（ｃ）に示すような、切削方向に線状の跡が残る。
【００７７】
起泡性の薬品を用いて凹凸を形成した場合、図１８に示す符号１１１−１〜１１１−７及び図２１（ｄ）に示すような、円形状の泡の跡が残る。凹部１１１−１〜１１１−７の内径は、一定であってもよいし、異なってもよい。また、凹部１１１−１のように、凹部１１１−１のなかに凸部１１２−１が形成されている二重円形状もある。この凸部１１２−１は、凹部１１１−２〜１１１−７にも形成されていてもよい。また、凹凸に含まれる円形は、凹部だけでなく凸部に形成されていてもよい。なお、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）のそれぞれに示す凹凸の断面形状は、上述の形状に限定されず、凹凸を形成する際に形成される任意の形状を含む。例えば、楔形状、鉤形状、台形、振り子、２山を持った台形などが例示できる。
【００７８】
凹凸の規則性は、狭い範囲で規則性が見られなくても、広い範囲まで含めると規則性を見出すことができる。特に、電子部品搭載用基板はチップに分離されて電子部品等に搭載されるため、凹凸の形成方法によっては凹凸の規則性は１チップ内では現れないこともありうる。この場合は、２以上の任意の数のチップで初めて凹凸形成物質の痕跡が表れうる。
【００７９】
図２２を参照しながら、本開示に係る電子部品搭載用基板の製造方法を説明する。本実施形態に係る電子部品搭載用基板の製造方法は、導体形成工程の前に凹凸形成工程を有する。
【００８０】
凹凸形成工程では、絶縁層１１を用意し（図２２（ａ））、絶縁層１１のおもて面１１Ｕに凹凸を形成する（図２２（ｂ））。凹凸の形成は、おもて面１１Ｕのうちの導体１２の配線パターンの形成されうる全体の領域に行う。おもて面１１Ｕの全体に凹凸を形成した場合、絶縁層１１の導体１２の存在するおもて面１１Ｕの側の導体１２の配置されていない領域にも、図１８に示すような凹凸が形成されている。
【００８１】
凹凸の形成方法は任意であり、例えば、平面上又はロール上に形成された凹凸形状をおもて面１１Ｕに転写する、或いは凹凸形状を有する絶縁性のシートをおもて面１１Ｕに埋め込むなどの物理的な形成、ブラシなどによっておもて面１１Ｕを切削するなどの機械的な形成、薬品を用いておもて面１１Ｕを溶解又は膨潤させるなどの化学的な形成、が例示でき、これらを組み合わせてもよい。なお、絶縁層１１のおもて面１１Ｕの凹凸形状は、導体１２の配置されている領域とそうでない領域とで異なっていてもよい。
【００８２】
導体形成工程は、前述の第１の実施形態において説明したとおりであるが、本実施形態は無電解めっき層２１を備える点で異なる。無電解めっき層２１を形成し（図２２（ｃ））、電解めっき層２２を形成し（図２２（ｄ））、無電解めっき層２１を除去する（図２２（ｅ））。無電解めっき層２１の形成は、化学めっきのほか、液状又はペースト状の導体の塗布が例示できる。無電解めっき層２１の形成は、おもて面１１Ｕのうちの導体１２の配線パターンの形成されうる全体の領域に行う。電解めっき層２２は、配線パターンの形状に形成する。無電解めっき層２１の除去は、電解めっき層２２を残しつつ、配線パターン以外の領域に形成されている無電解めっき層２１を除去する。このときに、導体１２の角（図１７に示す符号１２Ｅ）が丸くなる。本開示では、導体１２を絶縁層１１側から成長させるため、絶縁層１１に垂直な断面では、導体１２の絶縁層１１側の面に対向する上面の角が丸みを帯びている。
【００８３】
なお、絶縁層１１のおもて面１１Ｕのうちの凹凸を形成する領域、及び、無電解めっき層２１を形成する領域は、おもて面１１Ｕのうちの導体１２の配線パターンの形成される領域のみであってもよい。
【００８４】
また、電解めっき層２２を形成せず、配線パターンの形状に無電解めっき層２１を直接形成してもよい。この場合、導体１２の全体が無電解めっき層２１で構成される。
【００８５】
また、本実施形態では、本開示に係る電子部品搭載用基板の一例として片面基板を例示したが、本開示はこれに限定されない。例えば、本開示に係る電子部品搭載用基板は両面基板であってもよい。この場合、本実施形態で説明した絶縁層１１及び導体１２の構造が片面のみに形成されていてもよいし、両面に形成されていてもよい。また、本開示に係る電子部品搭載用基板は多層基板であってもよい。この場合、本実施形態で説明した絶縁層１１及び導体１２の構造が多層基板の少なくとも一つの層に含まれていればよい。
【００８６】
以上説明したように、本実施形態は、導体１２が絶縁層１１側の最下層に無電解めっき層２１を含み、絶縁層１１及び無電解めっき層２１が接している。このため、本実施形態は、ピール強度の強い電子部品搭載用基板を提供することができる。
【００８７】
なお、本実施形態では第１の実施形態への適用例について説明したが、本実施形態は第２の実施形態に適用してもよい。この場合、凹凸を形成するのは、導体１２に接する密着層のおもて面であってもよいし、絶縁層１１に接する密着層のおもて面であってもよいし、密着層に接する絶縁層１１のおもて面１１Ｕであってもよい。
【００８８】
（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態について説明する。本実施の形態の導体１２は側面に導体凹部（凹部）２００を有する。
【００８９】
この導体凹部２００は、粒状物質２５０を含有するレジスト材料を用いることで形成されてもよい。具体的な一例を示す。
【００９０】
まず、粒状物質２５０を含有するレジスト材料を用いてレジスト層２９０を形成する（図２３（ａ）参照）。
【００９１】
その後、レジスト層２９０のうちの導体１２を設ける箇所をエッジング等によって除去する（図２３（ｂ）参照）。この際、エッジング剤を選択する等して、粒状物質２５０を除去しないようにする。なお、レジスト層２９０内に含有されている粒状物質２５０はレジスト層２９０とともに除去されることになる。
【００９２】
その後、レジスト層２９０に設けられた開口２９５の側面から粒状物質２５０を露出させた状態で無電解めっき又は電解めっき等によるめっきを行い、導体１２を形成する。この結果、導体凹部２００を有する導体１２が形成されることになる（図２３（ｃ）参照）。
【００９３】
その後、レジスト層２９０及び粒状物質２５０をエッチング等によって除去する。この際も、レジスト層２９０内に含有されている粒状物質２５０はレジスト層２９０とともに除去されることになる（図２３（ｄ）参照）。
【００９４】
次に、導体凹部２００を有する導体１２を半硬化状態の絶縁層１１に押し込み（図２３（ｅ）参照）、その後で絶縁層１１を硬化させる。
【００９５】
以上のような工程を経ることで、導体１２の導体凹部２００内に絶縁層１１の一部が位置することになり、導体１２の絶縁層１１に対する密着力を高めることができる。
【００９６】
（第５の実施形態）
次に、第５の実施形態について説明する。本実施の形態の導体１２の側面が導体凸部（凸部）２１０を有する。なお、導体１２の側面には導体凸部２１０と導体凹部２００とが混在して設けられてもよい。
【００９７】
この導体凸部２１０は、粒状物質２５０を含有するレジスト材料を用いることで形成されてもよい。具体的な一例を示す。
【００９８】
まず、粒状物質２５０を含有するレジスト材料を用いてレジスト層２９０を形成する（図２４（ａ）参照）。
【００９９】
その後、レジスト層２９０のうちの導体１２を設ける箇所をエッジング等によって除去する（図２４（ｂ）参照）。この際、エッジング剤を選択する等して、粒状物質２５０を除去するようにする。なお、レジスト層２９０内に含有されている粒状物質２５０はレジスト層２９０とともに除去されることになる。
【０１００】
その後、無電解めっき又は電解めっき等によるめっきを行い、導体１２を形成する（図２４（ｃ）参照）。この結果、導体凸部２１０を有する導体１２が形成されることになる。
【０１０１】
その後、レジスト層２９０をエッチング等によって除去する（図２４（ｄ）参照）。この際も、レジスト層２９０内に含有されている粒状物質２５０はレジスト層２９０とともに除去されることになる。
【０１０２】
次に、導体凸部２１０を有する導体１２を半硬化状態の絶縁層１１に押し込み、その後で絶縁層１１を硬化させる（図２４（ｅ）参照）。
【０１０３】
以上のような工程を経ることで、絶縁層１１内に導体凸部２１０が位置することになり、導体１２の絶縁層１１に対する密着力を高めることができる。
【０１０４】
（第６の実施形態）
本実施形態では、本開示に係る電子部品搭載用基板の適用例について説明する。本実施形態に係る電子部品は、本開示に係る電子部品搭載用基板を備え、本開示に係る電子部品搭載用基板を用いて予め定められた処理を実行する。処理は電子部品による任意の処理である。
【０１０５】
本実施形態に係る電子デバイスは、搭載されている電子部品の少なくとも１つに、本開示に係る電子部品が用いられている。本実施形態に係る実装装置は、搭載されている電子部品及び電子デバイスのうちの少なくとも１つに、本開示に係る電子部品又は電子デバイスが用いられている。
【０１０６】
本開示は、電子部品搭載用基板を備えるあらゆる装置に適用可能である。本開示を適用可能な装置の一例を挙げると、例えば、自動車、家電製品、通信機器、制御機器、センサー、ロボット、ドローン、飛行機、宇宙船、船、生産機械、工事用機械、試験用機械、測量用機械、コンピュータ関連製品、デジタル機器、遊戯機器及び時計、が例示できる。
【０１０７】
装置には、装置に応じた任意の機能が搭載されている。この機能を実行する際に用いられる電子チップなどの電子デバイスに、本開示に係る電子部品搭載用基板を用いる。本開示に係る電子部品搭載用基板は、ピール強度を向上することができるため、電子部品、電子デバイス及び装置の信頼性を向上することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１０８】
本開示の電子部品搭載用基板及びその製造法は、各種の電子装置に実装したり、電子装置の製造に適用することができる。
【符号の説明】
【０１０９】
１１：絶縁層
１２：導体
１２１：金属箔
１２２：金属めっき
１３：パターンレジスト
１４：絶縁層
１５：ＶＩＡ
１１Ｕ：おもて面
１１１−１〜１１１−９：凹部
１１２−１、１１２−６、１１２−９：凸部
１１３：トンネル
２１：無電解めっき層
２２：電解めっき層
【図１】
2018211991.tif 000003
【図２】
2018211991.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2018211991.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
2018211991.tif 000017
【図１６】
2018211991.tif 000018
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【手続補正書】
【提出日】令和1年8月7日(2019.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒状物質を含有しない絶縁層と、
前記絶縁層に設けられた導体と、
を備え、
前記導体は、底面及び側面の少なくとも一部が、前記絶縁層のおもて面よりも裏面側に位置し、
前記導体の前記側面は複数の凹部を有し、前記複数の凹部の少なくとも一部は前記導体の内方に向かって広がる形状となっている、又は前記導体の前記側面は複数の凸部を有し、前記複数の凸部の少なくとも一部は外方に向かって広がる形状となっていることを特徴とする基板。
【請求項２】
前記導体の側面の全部が、前記絶縁層のおもて面よりも裏面側に位置していることを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記導体の頂面と前記絶縁層のおもて面とは厚み方向において同じ高さに位置することを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載の基板。
【請求項４】
前記導体の頂面は、前記絶縁層のおもて面よりも裏面側に位置することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板。
【請求項５】
前記導体の頂面は凹部及び凸部を有さないことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板。
【請求項６】
（削除）
【請求項７】
前記絶縁層は、積層された複数の積層絶縁層を有し、
前記積層絶縁層の１つ以上に前記導体が設けられ、
前記導体の頂面と前記積層絶縁層のおもて面とは厚み方向において同じ高さに位置することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板。
【請求項８】
前記絶縁層は、積層された複数の積層絶縁層を有し、
前記積層絶縁層の１つ以上に前記導体が設けられ、
前記導体の頂面は前記積層絶縁層のおもて面よりも裏面側に位置することを特徴とする請求項１乃至５及び７のいずれか１項に記載の基板。
【請求項９】
ある積層絶縁層に設けられた導体と、前記ある積層絶縁層に積層された他の積層絶縁層に設けられた導体とは、導体部を介して接続されることを特徴とする請求項７又は８のいずれかに記載の基板。
【請求項１０】
前記絶縁層は密着層を有し、
前記密着層に前記導体が設けられていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の基板。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の基板と、
前記基板に設けられた電子部品と、
を備え、
前記電子部品は前記導体に設けられていることを特徴とする電子装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電子装置を備えた実装装置。
【国際調査報告】
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