(57)【要約】  螺旋状のばね部が設けられた導電性部材からなる筒状体（２）であって、当該筒状体は、Ｎｉ金属層（５）と、Ｗを含有するＮｉ−Ｗ合金層（６）とを有し、当該Ｎｉ−Ｗ合金層の端部（６２）が、前記Ｎｉ金属層の外方に突出している。
2019208216.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
螺旋状のばね部が設けられた導電性部材からなる筒状体であって、  当該筒状体は、Ｎｉ金属層と、Ｗを含有するＮｉ−Ｗ合金層とを有し、  当該Ｎｉ−Ｗ合金層の端部が、前記Ｎｉ金属層の外方に突出している筒状体。
【請求項２】
前記Ｎｉ−Ｗ合金層が、前記Ｎｉ金属層の外周面側に配設されている請求項１記載の筒状体。
【請求項３】
前記Ｎｉ−Ｗ合金層が、前記Ｎｉ金属層の内周面側に配設されている請求項１記載の筒状体。
【請求項４】
芯線の外周面に金めっき層を形成する金めっき層形成工程と、  前記金めっき層の外周面にＮｉ金属層を形成するＮｉ金属層形成工程と、  前記Ｎｉ金属層の外周面にＷを含有するＮｉ−Ｗ合金層を形成するＮｉ−Ｗ合金層形成工程と、  前記Ｎｉ−Ｗ合金層の外周面にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、  前記レジスト層に螺旋溝を形成する螺旋溝形成工程と、  前記レジスト層をマスキング材としてエッチングを行うことにより前記螺旋溝の形成部分に位置する前記Ｎｉ金属層及び前記Ｎｉ−Ｗ合金層を除去するとともに、前記Ｎｉ金属層と前記Ｎｉ−Ｗ合金層のエッチング速度の違いに応じてＮｉ−Ｗ合金層の端部を前記Ｎｉ金属層の外方に突出させるように前記Ｎｉ金属層の端部を浸食する金属層除去工程と、  前記レジスト層を除去するレジスト層除去工程と、  前記螺旋溝の形成部分に位置する金めっき層を除去する金めっき層除去工程と、  前記芯線を引き抜く芯線引抜工程とを有する筒状体の製造方法。
【請求項５】
芯線の外周面に金めっき層を形成する金めっき層形成工程と、  前記金めっき層の外周面にＷを含有するＮｉ−Ｗ合金層を形成するＮｉ−Ｗ合金層形成工程と、  前記Ｎｉ−Ｗ合金層の外周面にＮｉ金属層を形成するＮｉ金属層形成工程と、  前記Ｎｉ金属層の外周面にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、  前記レジスト層に螺旋溝を形成する螺旋溝形成工程と、  前記レジスト層をマスキング材としてエッチングを行うことにより、前記螺旋溝の形成部分に位置する前記Ｎｉ金属層及び前記Ｎｉ−Ｗ合金層を除去するとともに、前記Ｎｉ金属層と前記Ｎｉ−Ｗ合金層のエッチング速度の違いに応じてＮｉ−Ｗ合金層の端部を前記Ｎｉ金属層の外方に突出させるように前記Ｎｉ金属層の端部を浸食する金属層除去工程と、  前記レジスト層を除去するレジスト層除去工程と、  前記螺旋溝の形成部分に位置する金めっき層を除去する金めっき層除去工程と、  前記芯線を引き抜く芯線引抜工程とを有する筒状体の製造方法。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、検査対象の検査に使用可能な筒状体、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】  従来より、極細の芯線の外周に、金めっき層、Ｎｉ電鋳層、及びレジスト層を形成した後、このレジスト層に螺旋状にレーザ光を照射して照射部分のレジスト層を除去し、次いでエッチングを行うことによりレジスト層が除去された部分のＮｉ電鋳層を除去し、その後に芯線を除去することにより、螺旋状のばね部を有する接触端子を製造することが行われていた（例えば特許文献１参照）。【０００３】  このようにして製造された接触端子は、検査対象の検査を行う際に、螺旋状のばね部が弾性変形することにより生じる復元力に応じ、接触端子の一端部が電極側に圧接されるとともに、接触端子の他端部が検査対象側に付勢される。これにより、電気的な導通が得られるように構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４５７２３０３号公報
【発明の概要】
【０００５】  ところで、上述のように構成された接触端子の一端部が圧接される電極に自然酸化膜が形成されると、電気的導通性が低下する可能性がある。このため、電極に金めっきを施して自然酸化膜が形成されるのを抑制し、あるいは電極の表面に形成された自然酸化膜を定期的に取り除く必要があった。
【０００６】  本発明の目的は、簡単な構成で優れた電気的導通性が得られる筒状体、及びその製造方法を提供することである。
【０００７】  本発明の一例に係る筒状体は、螺旋状のばね部が設けられた導電性部材からなる筒状体であって、当該筒状体は、Ｎｉ金属層と、Ｗを含有するＮｉ−Ｗ合金層とを有し、当該Ｎｉ−Ｗ合金層の端部が、前記Ｎｉ金属層の外方に突出している。
【０００８】  また、本発明の一例に係る筒状体の製造方法は、芯線の外周面に金めっき層を形成する金めっき層形成工程と、前記金めっき層の外周面にＮｉ金属層を形成するＮｉ金属層形成工程と、前記Ｎｉ金属層の外周面にＷを含有するＮｉ−Ｗ合金層を形成するＮｉ−Ｗ合金層形成工程と、前記Ｎｉ−Ｗ合金層の外周面にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、前記レジスト層に螺旋溝を形成する螺旋溝形成工程と、前記レジスト層をマスキング材としてエッチングを行うことにより前記螺旋溝の形成部分に位置する前記Ｎｉ金属層及び前記Ｎｉ−Ｗ合金層を除去するとともに、前記Ｎｉ金属層と前記Ｎｉ−Ｗ合金層のエッチング速度の違いに応じてＮｉ−Ｗ合金層の端部を前記Ｎｉ金属層の外方に突出させるように前記Ｎｉ金属層の端部を浸食する金属層除去工程と、前記レジスト層を除去するレジスト層除去工程と、前記螺旋溝の形成部分に位置する金めっき層を除去する金めっき層除去工程と、前記芯線を引き抜く芯線引抜工程とを有している。
【０００９】  また、本発明の一例に係る筒状体の製造方法は、芯線の外周面に金めっき層を形成する金めっき層形成工程と、前記金めっき層の外周面にＷを含有するＮｉ−Ｗ合金層を形成するＮｉ−Ｗ合金層形成工程と、前記Ｎｉ−Ｗ合金層の外周面にＮｉ金属層を形成するＮｉ金属層形成工程と、前記Ｎｉ金属層の外周面にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、前記レジスト層に螺旋溝を形成する螺旋溝形成工程と、前記レジスト層をマスキング材としてエッチングを行うことにより、前記螺旋溝の形成部分に位置する前記Ｎｉ金属層及び前記Ｎｉ−Ｗ合金層を除去するとともに、前記Ｎｉ金属層と前記Ｎｉ−Ｗ合金層のエッチング速度の違いに応じてＮｉ−Ｗ合金層の端部を前記Ｎｉ金属層の外方に突出させるように前記Ｎｉ金属層の端部を浸食する金属層除去工程と、前記レジスト層を除去するレジスト層除去工程と、前記螺旋溝の形成部分に位置する金めっき層を除去する金めっき層除去工程と、前記芯線を引き抜く芯線引抜工程とを有している。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明に係る筒状体を用いた接触端子の一実施形態を示す正面図である。
【図２】接触端子を構成する筒状体の具体的構造を示す一部切欠き正面図である。
【図３】本発明に係る筒状体の製造方法の第一実施形態を示す工程図である。
【図４】筒状体の製造過程の第一段階を示す断面図である。
【図５】筒状体の製造過程の第二段階を示す断面図である。
【図６】筒状体の製造過程の第三段階を示す断面図である。
【図７】筒状体の製造過程の第四段階を示す断面図である。
【図８】筒状体の製造過程の第五段階を示す断面図である。
【図９】筒状体の製造過程の第六段階を示す断面図である。
【図１０】筒状体の製造過程の第七段階を示す断面図である。
【図１１】筒状体と中心導体とからなる接触端子の構成を示す断面図である。
【図１２】接触端子を備えた検査治具の構成を示す断面図である。
【図１３】筒状体の端部を電極に対向させた状態を示す斜視図である。
【図１４】検査対象の検査状態を示す断面図である。
【図１５】電極がベースプレートの端面から突出した状態を示す断面図である。
【図１６】本発明に係る筒状体の製造方法の第二実施形態を示す工程図である。
【図１７】本発明の第二実施形態に係る筒状体の端部を電極に対向させた状態を示す斜視図である。
【図１８】電極がベースプレートの端面よりも内方側に没入した状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】  以下、本発明に係る実施形態を図面に基づいて説明する。なお、各図において同一の符号を付した構成は、同一の構成であることを示し、その説明を省略する。（第一実施形態）
【００１２】  図１は、接触端子１の一例を示す正面図、図２は、接触端子１を構成する本発明に係る筒状体２の具体的構造を示す一部切欠き正面図である。
【００１３】  接触端子１は、図１に示すように、導電性を有する素材により円筒状等に形成された筒状体２と、導電性を有する素材により断面略円形の棒状に形成された中心導体３とを備えている。
【００１４】  筒状体２は、図２に示すように、最内層の金めっき層４と、その外周面側に配設されたニッケル（以下、Ｎｉという）又はＮｉおよび所定量のリン（以下、Ｐいう）を含有するＮｉ−Ｐ合金等からなるＮｉ金属層５と、一定量のタングステン（以下、Ｗという）を含有するＮｉ−Ｗ合金層６とにより構成されている。
【００１５】  筒状体２の両端部を除く部分には、筒状体２の軸方向に伸縮する螺旋状のばね部５１，６１が、Ｎｉ金属層５及びＮｉ−Ｗ合金層６にそれぞれ所定長さに亘って形成されている。なお、当実施形態では、後述のようにＮｉ金属層５に形成されたばね部５１の幅寸法ｗ１が、Ｎｉ−Ｗ合金層６に形成されたばね部６１の幅寸法ｗ２よりも小さく形成されている。
【００１６】  また、Ｎｉ−Ｗ合金層６の端部６２は、金めっき層４及びＮｉ金属層５の端面よりも一定距離だけ外方側に突出している。Ｎｉ−Ｗ合金層６の端部６２の突出量は、１μｍ以上で、かつ筒状体２の外径の０．５倍以下であることが好ましい。
【００１７】  図３は、本発明に係る筒状体２の製造方法の第一実施形態を示す工程図、図４〜図１０は、筒状体２の製造過程の第一段階〜第七段階を示す断面図、図１１は、筒状体２と中心導体３とからなる接触端子１の構成を示す断面図、図１２は、接触端子１を備えた検査治具８の構成を示す断面図、図１３は、筒状体２の端部６２を電極８５に対向させた状態を示す斜視図、図１４は、検査対象９の検査状態を示す断面図、図１５は、電極８５がベースプレート８３の端面から突出した状態を示す断面図である。
【００１８】  本発明に係る筒状体２の製造方法は、図３に示すように、後述する芯線１０の外周面に金めっき層４を形成する金めっき層形成工程Ｋ１と、金めっき層４の外周面にＮｉ金属層５を形成するＮｉ金属層形成工程Ｋ２と、Ｎｉ金属層５の外周面にＷを含有するＮｉ−Ｗ合金層６を形成するＮｉ−Ｗ合金層形成工程Ｋ３と、Ｎｉ−Ｗ合金層６の外周面にレジスト層７を形成するレジスト層形成工程Ｋ４と、レジスト層７に螺旋溝７１を形成する螺旋溝形成工程Ｋ５と、レジスト層７をマスキング材としたエッチングにより螺旋溝７１の形成部分に位置するＮｉ金属層５及びＮｉ−Ｗ合金層６を除去するとともに、Ｎｉ金属層５とＮｉ−Ｗ合金層６のエッチング速度の違いに応じてＮｉ−Ｗ合金層６の端部６２をＮｉ金属層５の外方に突出させる金属層除去工程Ｋ６と、レジスト層７を除去するレジスト層除去工程Ｋ７と、レジスト層７の螺旋溝７１の形成部分に位置する金めっき層４を除去する金めっき層除去工程Ｋ８と、芯線１０を引き抜く芯線引抜工程Ｋ９とを有している。
【００１９】  金めっき層形成工程Ｋ１では、ステンレス鋼又はアルミニウム合金等の鋼線、又はナイロン樹脂又はポリエチレン樹脂等の合成樹脂製の線材からなる芯線１０の表面に、図４に示すように、０．２μｍ〜１μｍ程度の厚みを有する金めっき層４を形成する。なお、芯線１０は、５μｍ以上、例えば３０μｍ程度の極細の外径を有するものを使用することが可能である。また、芯線１０として合成樹脂製の線材を使用した場合には、無電解めっきにより金めっき層４を形成することが好ましい。
【００２０】  次いで、Ｎｉ金属層形成工程Ｋ２において、図外の電鋳装置を使用して金めっき層４の外周面に電鋳処理を施すことにより、図５に示すように、Ｎｉ、又は０．５重量％〜１０重量％のＰを含有するＮｉ−Ｐ合金等からなるＮｉ金属層５を、金めっき層４の外周面に形成する。Ｎｉ金属層５は、その厚さが４μｍ〜１５μｍ程度に設定されている。
【００２１】  また、Ｎｉ−Ｗ合金層形成工程Ｋ３において、図外の電鋳装置を使用してＮｉ金属層５の外周面に電鋳処理を施すことにより、図６に示すように、例えば１０重量％〜９０重量％のＷを含有するＮｉ−Ｗ合金からなるＮｉ−Ｗ合金層６を形成する。Ｎｉ−Ｗ合金層６は、その厚さが２μｍ〜８μｍ程度に設定され、Ｎｉ金属層５よりも薄肉に形成されている。
【００２２】  さらに、レジスト層形成工程Ｋ４において、金めっき層４、Ｎｉ金属層５及びＮｉ−Ｗ合金層６が形成された芯線１０を、フォトレジスト液が収容されたフォトレジスト漕内に所定時間浸漬する。これにより、図７に示すように、Ｎｉ−Ｗ合金層６の外周面にレジスト層７が形成される。
【００２３】  次いで、螺旋溝形成工程Ｋ５において、芯線１０を一定速度で回転させるとともに、図外のレーザ照射装置を芯線１０の軸線方向に移動させつつ、レーザ光を照射することにより、図８に示すように、レジスト層７に螺旋溝７１を形成する。
【００２４】  そして、金属層除去工程Ｋ６において、外周にレジスト層７が形成された芯線１０を、酸性の電解研磨溶液中に浸漬し、Ｎｉ−Ｗ合金層６の外周部に残存したレジスト層７をマスキング材としてエッチングを行うことにより、螺旋溝７１の形成部分に位置するＮｉ金属層５及びＮｉ−Ｗ合金層６を除去する。この結果、図９に示すように、レジスト層７の螺旋溝７１に沿って螺旋状に延びるばね部５１及びばね部６１が、Ｎｉ金属層５及びＮｉ−Ｗ合金層６にそれぞれ形成される。
【００２５】  上述の製造法によれば、Ｎｉ−Ｗ合金層６が、Ｎｉ金属層５の外周面側に配設されるとともに、Ｎｉ−Ｗ合金層６の端部６２がＮｉ金属層５の外方に突出し、優れた電気的導通性を有する筒状体２を容易に製造することができる。
【００２６】  すなわち、一定量のＷを含有するＮｉ−Ｗ合金層６は、Ｎｉ金属層５に比べて優れた耐食性を有しているため、Ｎｉ−Ｗ合金層６のエッチング速度は、Ｎｉ金属層５よりも遅くなる傾向がある。したがって、電解研磨溶液への浸漬時間が同じであっても、Ｎｉ金属層５の端部が、Ｎｉ−Ｗ合金層６の端部６２よりも大きく浸食され、これによって、Ｎｉ−Ｗ合金層６の端部６２がＮｉ金属層５の外方に突出した状態となる。
【００２７】  また、同様にして、螺旋溝７１の形成部分に位置するＮｉ金属層５は、Ｎｉ−Ｗ合金層６よりも顕著に浸食されるため、Ｎｉ金属層５に形成されたばね部５１の幅寸法ｗ１が、Ｎｉ−Ｗ合金層６に形成されたばね部６１の幅寸法ｗ２よりも小さくなる（図２参照）。
【００２８】  次いで、レジスト層除去工程Ｋ７において、レジスト層除去液等を使用してレジスト層７を溶解させて除去するとともに、金めっき層除去工程Ｋ８において、超音波洗浄法等により螺旋溝７１の形成部分に位置する金めっき層４を除去する（図１０参照）。
【００２９】  芯線引抜工程Ｋ９において、芯線１０を引っ張ってその外径を縮小させることにより、金めっき層４から芯線１０を剥離させて引き抜くようにする。この結果、図２に示すように、金めっき層４が内周面に設けられたＮｉ金属層５と、その外周面側に配設されたＮｉ−Ｗ合金層６とを有する筒状体２が製造される。
【００３０】  一方、中心導体３は、筒状体２内に挿入可能な外径を有する断面円形の棒状体からなり、中心導体３の一端部には、先窄まり形状の接続部３１が形成されている。そして、中心導体３の本体部が筒状体２内に挿入されるとともに、接続部３１を含む中心導体３の先端部が筒状体２外に所定距離だけ突出した状態で、図１１に示すように、筒状体２と中心導体３とが、カシメ加工、溶接、圧入、その他の方法で一体に連結される等により、筒状体２と中心導体３とを備えた接触端子１が製造される。
【００３１】  上述のようにして製造された接触端子１は、図１２に示すように、検査治具８を構成する支持部材８１及びベースプレート８３に支持される。この検査治具８は、例えばガラスエポキシ基板、フレキシブル基板、セラミック多層配線基板、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ用の電極板、タッチパネル用等の透明導電板、及び半導体パッケージ用のパッケージ基板やフィルムキャリア、又は半導体ウェハや半導体素子等の半導体基板等からなる検査対象９の検査等に使用される。
【００３２】  支持部材８１は、例えば板状の支持プレート８１ａ，８１ｂ，８１ｃが積層されることにより構成されている。そして、支持プレート８１ａ，８１ｂ，８１ｃを貫通するように、複数の貫通孔Ｈが形成されている。
【００３３】  支持プレート８１ｂ及び支持プレート８１ｃには、所定径の開口孔からなる挿通孔部Ｈａがそれぞれ形成されている。また、支持プレート８１ａには、挿通孔部Ｈａよりも小径の貫通孔からなる小径部Ｈｂが、検査対象９である基板等の被検査点９１と対向する部位に形成されている。支持プレート８１ａの小径部Ｈｂと、支持プレート８１ｂ及び支持プレート８１ｃの挿通孔部Ｈａとが連通されることにより、接触端子１の設置部となる貫通孔Ｈが形成されている。
【００３４】  なお、支持部材８１は、板状の支持プレート８１ａ，８１ｂ，８１ｃが積層されて構成される例に限らず、例えば一体の部材に、小径部Ｈｂ及び挿通孔部Ｈａからなる貫通孔Ｈが設けられた構成としてもよい。また、支持部材８１の支持プレート８１ｂ，８１ｃが互いに積層された例に代え、支持プレート８１ｂと支持プレート８１ｃとが互いに離間して配設された状態で、例えば支柱等により連結された構成としてもよい。
【００３５】  支持プレート８１ｃの一端側には、例えば絶縁性の樹脂材料からなるベースプレート８３が配設される。このベースプレート８３により貫通孔Ｈの開口部、つまり挿通孔部Ｈａの端面が閉塞されようになっている。ベースプレート８３には、貫通孔Ｈに対向する位置において、ベースプレート８３を貫通するように配線８４が取り付けられている。そして、図１３に示すように、配線８４の端面からなる電極８５が、接触端子１の筒状体２に対向するように配置されている。
【００３６】  基板等からなる検査対象９の検査時には、図１４に示すように、支持部材８１に支持された接触端子１の一端部、具体的には、筒状体２を構成するＮｉ−Ｗ合金層６の端部６２が、ベースプレート８３に設けられた電極８５に当接する。また、接触端子１の他端部、具体的には、中心導体３の接続部３１が、検査対象９に設けられた配線パターンや半田バンプ等の被検査点９１に当接する。
【００３７】  そして、接触端子１に作用する圧力に応じて、筒状体２のばね部、具体的にはＮｉ金属層５のばね部１１及びＮｉ−Ｗ合金層６のばね部６１が圧縮されて弾性変形した状態となる。この結果、筒状体２の復元力に応じて、その一端部が電極８５に圧接されて接触端子１の基端部と電極８５とが導通接続される。また、中心導体３の接続部３１が被検査点９１に弾性的に圧接されて接触端子１の先端部と被検査点９１とが導通接続される。
【００３８】  このように、接触端子１は、螺旋状のばね部５１，６１が設けられた導電性部材からなる筒状体２を備え、筒状体２がＮｉ金属層５と、Ｗを含有するＮｉ−Ｗ合金層６とを有し、Ｎｉ−Ｗ合金層６の端部６２が、Ｎｉ金属層５の外方に突出するように設置されているため、簡単な構成で優れた電気的導通性が得られるという利点がある。
【００３９】  すなわち、筒状体２を構成するＮｉ金属層５及びＮｉ−Ｗ合金層６の両方を電極８５に接触させる場合に比べて、筒状体２と電極８５との接触面積が大幅に低減されて、両者の接触圧力を十分に高めることができる。しかも、一定量のＷを含有するＮｉ−Ｗ合金層６は、Ｎｉ金属層５等に比べて硬度が顕著に高いという特性を有しているため、電極８５の表面に自然酸化膜が形成されている場合に、この自然酸化膜を突き破って接触端子１と電極８５とを導通接続させる確実性が増大する。
【００４０】  したがって、従来技術のように、電極８５に金めっきを施して自然酸化膜が形成されるのを抑制したり、電極８５の表面に形成された自然酸化膜を定期的に取り除く等の作業を行ったりすることなく、接触端子１と電極８５とを導通接続させた状態で、検査対象９の検査を適正に行うことが容易である。
【００４１】  例えば、Ｎｉ−Ｗ合金層６を構成するＷの含有量を１０重量％以上に設定することにより、Ｎｉ−Ｗ合金層６の硬度を効果的に高めることができる。また、Ｎｉ−Ｗ合金層６におけるＷの含有量を９０重量％未満に設定することにより、Ｎｉ−Ｗ合金層６の強度を十分に維持することができる。
【００４２】  タングステンの含有率が高いと、Ｎｉ−Ｗ合金層６の抵抗値が高くなるため、Ｎｉ−Ｗ合金層６におけるＷの含有量は１０〜７０重量％がさらに望ましい。また、タングステンの含有率が高い方が、ＮｉもしくはＮｉ合金と、Ｎｉ−Ｗとのエッチング量の差が大きくなるので、Ｎｉ−Ｗ合金層６におけるＷの含有量は３０〜７０重量％がさらに望ましい。
【００４３】  Ｎｉ−Ｗ合金層６におけるＷの含有量は、Ｎｉ−Ｗ合金層６の表面をエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）によって測定する。この測定方法は、Ｎｉ−Ｗ合金層６の所定のポイントを設定し、複数のポイントの平均により算出する。所定のポイントは、特に限定されるものではないが、例えば、Ｎｉ−Ｗ合金層６の長さ方向に等間隔で定めたポイントに設定することもできる。また、図１で示される如く、ばね部６１と、ばね部６１を挟んで形成されている二つの筒状部から１又はそれ以上のポイントを夫々設定することもできる。具体的には、Ｎｉ−Ｗ合金層６が露出した状態で表面をＥＤＸ測定する。後述する図１７の接触端子１ａにおいては、端部６２ａ付近のＮｉ−Ｗ合金層６ａの露出部分の表面、又はＮｉ金属層５ａを剥離させて露出させたＮｉ−Ｗ合金層６ａの表面を測定すればよい。測定前に、対象物の表面をエタノール洗浄する。測定は例えば、ＳＥＭとＥＤＸとを組み合わせた装置を使用することができる。電子ビームは、１５ｋＶ、８０μＡとする。Ｗ含有量は、長さ方向（パイプ軸方向）に５ポイント測定し、その平均値として算出する。
【００４４】  また、上述の第一実施形態に示すように、Ｎｉ−Ｗ合金層６が、Ｎｉ金属層５の外周面側に配設された構成によれば、電極８５に当接する端部６２が設けられたＮｉ−Ｗ合金層６を、その内面側に配設されたＮｉ金属層５により効果的に補強することにより、筒状体２の強度及び弾力性を十分に維持することができる。
【００４５】  しかも、Ｎｉ金属層５は、Ｎｉ−Ｗ合金層６に比べて高い導電性を有しているため、筒状体２の端部を除いて、接触端子１を通る電流の大半がＮｉ金属層５を流れることになる。したがって、筒状体２が、Ｎｉ金属層５とＮｉ−Ｗ合金層６とを有する複数層構造とされることにより、接触端子１の電気抵抗が上昇するのを効果的に抑制できるという利点がある。特に、上述の実施形態に示すように、Ｎｉ−Ｗ合金層６の厚さをＮｉ金属層５よりも薄肉に形成した場合には、接触端子１の電気抵抗が上昇するのを、より効果的に抑制することができる。
【００４６】  さらに、図１５に示すように、配線８４の端面からなる電極８５がベースプレート８３の端面から突出している場合、又は電極８５とベースプレート８３の端面とが面一に形成されている場合において、Ｎｉ−Ｗ合金層６が、Ｎｉ金属層５の外周面側に配設された構成とすることにより、Ｎｉ−Ｗ合金層６の端部６２と電極８５との接触範囲を広範囲に設定することができる。この結果、筒状体２と電極８５との電気的導通性を良好に維持しつつ、電極８５に打痕が形成されること等を効果的に抑制できるという利点がある。
【００４７】  なお、０．５重量％〜１０重量％のＰを含有するＮｉ−Ｐ合金からなるＮｉ金属層５は、１５０℃以上の高温下においても、塑性変形しにくいという特性を有している。このため、Ｎｉ金属層５を、０．５重量％〜１０重量％のＰを含有するＮｉ−Ｐ合金により構成することにより、筒状体２の強度及び弾力性を、より向上させることができる。
【００４８】  また、上述のようにＮｉ−Ｗ合金層６の端部６２の突出量を１μｍ以上に設定した場合には、Ｎｉ金属層５が電極８５に接触するのを抑制して、Ｎｉ−Ｗ合金層６の端部６２を電極８５に接触させることができる。しかも、上述のようにＮｉ−Ｗ合金層６の端部６２の突出量を筒状体２の外径の０．５倍以下に設定することにより、筒状体２の電気抵抗の増大を低減できるとともに、電極８５にＮｉ−Ｗ合金層６の端部６２を接触させる際等に、このＮｉ−Ｗ合金層６の端部６２が折損するおそれを低減できるという利点がある。
【００４９】  なお、図３に示す筒状体の製造方法において、金めっき層形成工程Ｋ１と、金めっき層除去工程Ｋ８とを省略し、芯線１０の外周面にＮｉ金属層５を電鋳により形成し、Ｎｉ金属層５の内周面に位置する金めっき層４を省略した構造としてもよい。（第二実施形態）
【００５０】  図１６は、本発明の第二実施形態に係る筒状体の製造方法を示す工程図、図１７は、本発明の第二実施形態に係る筒状体２ａを用いた接触端子１ａの構成を示す斜視図、図１８は、電極８５がベースプレート８３の端面よりも内方側に没入した状態を示す断面図である。
【００５１】  第二実施形態に係る筒状体の製造方法では、芯線の外周面に金めっき層４を形成する金めっき層形成工程Ｋ１と、金めっき層４の外周にＷを含有するＮｉ−Ｗ合金層６ａを形成するＮｉ−Ｗ合金層形成工程Ｋ２ａと、Ｎｉ−Ｗ合金層６ａの外周面にＮｉ金属層５ａを形成するＮｉ金属層形成工程Ｋ３ａと、Ｎｉ金属層５ａの外周面にレジスト層を形成するレジスト層形成工程Ｋ４と、このレジスト層に螺旋溝を形成する螺旋溝形成工程Ｋ５と、レジスト層をマスキング材としたエッチングにより前記螺旋溝の形成部分に位置するＮｉ金属層５ａ及びＮｉ−Ｗ合金層６ａを除去するとともに、Ｎｉ金属層５及びＮｉ−Ｗ合金層６のエッチング速度の違いに応じてＮｉ−Ｗ合金層６ａの端部をＮｉ金属層５ａの外方側に突出させる金属層除去工程Ｋ６と、レジスト層を除去するレジスト層除去工程Ｋ７と、前記螺旋溝の形成部分に位置する金めっき層４を除去する金めっき層除去工程Ｋ８と、芯線を引き抜く芯線引抜工程Ｋ９とを有している。
【００５２】  第二実施形態に係る筒状体の製造方法によれば、金めっき層形成工程Ｋ１で形成された金めっき層４の外周面に、図１７に示すようにＮｉ−Ｗ合金層６ａが形成されるとともに、その外周面にＮｉ金属層５ａが形成された筒状体２ａが製造される。この筒状体２ａは、Ｎｉ−Ｗ合金層６ａがＮｉ金属層５ａの内周面側に配設されている点で、Ｎｉ−Ｗ合金層６がＮｉ金属層５の外周面側に配設された上述の第一実施形態と異なっている。
【００５３】  このようにＮｉ−Ｗ合金層６ａがＮｉ金属層５ａの内周面側に配設されている場合には、第一実施形態に係る筒状体２に比べて、Ｎｉ−Ｗ合金層６ａの端部６２ａが筒状体２ａの軸心近くに位置することになる。このため、Ｎｉ−Ｗ合金層６ａの端部６２ａと、電極８５との位置合わせが容易であるという利点がある。
【００５４】  例えば、図１８に示すように、電極８５がベースプレート８３の端面よりも内方側に没入している場合において、筒状体２の軸心と電極８５の軸心との間に大きな位置ずれが生じると、Ｎｉ−Ｗ合金層６ａがベースプレート８３の端面に当接して、電極８５とＮｉ−Ｗ合金層６ａとを接触させることができない可能性がある。しかし、第二実施形態のように、Ｎｉ−Ｗ合金層６ａを筒状体２ａの内方側に位置させた場合には、第一実施形態のようにＮｉ−Ｗ合金層６を筒状体２の外方側に位置させた場合に比べて、Ｎｉ−Ｗ合金層６ａがベースプレート８３の端面に当接するのを極力、抑制することができる。したがって、上述のようにＮｉ−Ｗ合金層６ａをＮｉ金属層５ａの内周面側に配設することにより、電極８５とＮｉ−Ｗ合金層６ａとを接触させるための位置合わせを容易に行うことができる。
【００５５】  なお、図１６に示す接触端子の製造方法において、金めっき層形成工程Ｋ１と、金めっき層除去工程Ｋ８とを省略し、芯線の外周面にＮｉ−Ｗ合金層６ａを電鋳により形成し、Ｎｉ−Ｗ合金層６ａの内周面に位置する金めっき層４を省略した構造としてもよい。
【００５６】  また、筒状体２，２ａは、必ずしも接触端子の構成部材として用いられる例に限らず、種々の用途に使用可能である。また、必ずしも筒状体２，２ａと中心導体３とを組み合わせる例に限られず、筒状体２，２ａをそのまま接触端子として用いてもよい。
【００５７】  すなわち、本発明の一例に係る筒状体は、螺旋状のばね部が設けられた導電性部材からなる筒状体であって、当該筒状体は、Ｎｉ金属層と、Ｗを含有するＮｉ−Ｗ合金層とを有し、当該Ｎｉ−Ｗ合金層の端部が、前記Ｎｉ金属層の外方に突出している。
【００５８】  この構成によれば、筒状体と電極と接触面積が大幅に低減されて、両者の接触圧力を十分に高めることができる。しかも、一定量のＷを含有するＮｉ−Ｗ合金層は、Ｎｉ、又はＮｉ−Ｐ合金等からなるＮｉ金属層等に比べて硬度が顕著に高いという特性を有しているため、電極の表面に自然酸化膜が形成されている場合でも、この自然酸化膜を突き破って筒状体と電極とを導通接続させることが容易である。
【００５９】  また、前記Ｎｉ−Ｗ合金層が、前記Ｎｉ金属層の外周面側に配設された構成とすることが好ましい。
【００６０】  この構成によれば、電極に当接する端部が設けられたＮｉ−Ｗ合金層を、電気抵抗の低いＮｉ金属層により効果的に補強することができる。したがって、筒状体の導電性を良好に維持しつつ、筒状体の強度及び弾力性を十分に維持することができる。
【００６１】  また、前記Ｎｉ−Ｗ合金層が、前記Ｎｉ金属層の内周面側に配設された構成としてもよい。
【００６２】  この構成によれば、Ｎｉ−Ｗ合金層の端部が筒状体の軸心近くに位置することになるため、電極がベースプレート内に没入している場合においても、Ｎｉ−Ｗ合金層の端部と、電極との位置合わせが容易であるという利点がある。
【００６３】  また、本発明の一例に係る筒状体の製造方法は、芯線の外周面に金めっき層を形成する金めっき層形成工程と、前記金めっき層の外周面にＮｉ金属層を形成するＮｉ金属層形成工程と、前記Ｎｉ金属層の外周面にＷを含有するＮｉ−Ｗ合金層を形成するＮｉ−Ｗ合金層形成工程と、前記Ｎｉ−Ｗ合金層の外周面にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、前記レジスト層に螺旋溝を形成する螺旋溝形成工程と、前記レジスト層をマスキング材としてエッチングを行うことにより前記螺旋溝の形成部分に位置する前記Ｎｉ金属層及び前記Ｎｉ−Ｗ合金層を除去するとともに、前記Ｎｉ金属層と前記Ｎｉ−Ｗ合金層のエッチング速度の違いに応じてＮｉ−Ｗ合金層の端部を前記Ｎｉ金属層の外方に突出させるように前記Ｎｉ金属層の端部を浸食する金属層除去工程と、前記レジスト層を除去するレジスト層除去工程と、前記螺旋溝の形成部分に位置する金めっき層を除去する金めっき層除去工程と、前記芯線を引き抜く芯線引抜工程とを有している。
【００６４】  この構成によれば、Ｎｉ−Ｗ合金層が、Ｎｉ金属層の外周面側に配設されるとともに、Ｎｉ−Ｗ合金層の端部がＮｉ金属層の外方に突出した筒状体を備え、優れた電気的導通性を有する筒状体を容易に製造することができる。
【００６５】  また、本発明の一例に係る筒状体の製造方法は、芯線の外周面に金めっき層を形成する金めっき層形成工程と、前記金めっき層の外周面にＷを含有するＮｉ−Ｗ合金層を形成するＮｉ−Ｗ合金層形成工程と、前記Ｎｉ−Ｗ合金層の外周面にＮｉ金属層を形成するＮｉ金属層形成工程と、前記Ｎｉ金属層の外周面にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、前記レジスト層に螺旋溝を形成する螺旋溝形成工程と、前記レジスト層をマスキング材としてエッチングを行うことにより、前記螺旋溝の形成部分に位置する前記Ｎｉ金属層及び前記Ｎｉ−Ｗ合金層を除去するとともに、前記Ｎｉ金属層と前記Ｎｉ−Ｗ合金層のエッチング速度の違いに応じてＮｉ−Ｗ合金層の端部を前記Ｎｉ金属層の外方に突出させるように前記Ｎｉ金属層の端部を浸食する金属層除去工程と、前記レジスト層を除去するレジスト層除去工程と、前記螺旋溝の形成部分に位置する金めっき層を除去する金めっき層除去工程と、前記芯線を引き抜く芯線引抜工程とを有している。
【００６６】  この構成によれば、Ｎｉ−Ｗ合金層が、Ｎｉ金属層の内周面側に配設されるとともに、Ｎｉ−Ｗ合金層の端部がＮｉ金属層の外方に突出した筒状体を備え、Ｎｉ−Ｗ合金層の端部と、電極との位置合わせが容易な筒状体を容易に製造することができる。
【００６７】  このような構成の筒状体は、簡単な構成で優れた電気的導通性を得ることが容易である。また、上述の筒状体の製造方法によれば、優れた電気的導通性を有する筒状体を容易に製造することができる。
【００６８】  この出願は、２０１８年４月２７日に出願された日本国特許出願特願２０１８−０８６０８２を基礎とするものであり、その内容は、本願に含まれるものである。なお、発明を実施するための形態の項においてなされた具体的な実施態様又は実施例は、あくまでも、本発明の技術内容を明らかにするものであって、本発明は、そのような具体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきものではない。
【符号の説明】
【００６９】  １，１ａ  接触端子  ２，２ａ  筒状体  ３  中心導体  ４  金めっき層  ５，５ａ  Ｎｉ金属層  ６，６ａ  Ｎｉ−Ｗ合金層  ７  レジスト層  ８  検査治具  ９  検査対象  １０  芯線  ３１  接続部  ５１  Ｎｉ金属層のばね部  ６１  Ｎｉ−Ｗ合金層のばね部  ６２，６２ａ  Ｎｉ−Ｗ合金層の端部  ７１  レジスト層の螺旋溝  ８１  支持部材  ８１ａ，８１ｂ，８１ｃ  支持プレート  ８３  ベースプレート  ８４  配線  ８５  電極  ９１  被検査点  Ｈ  貫通孔  Ｈａ  挿通孔部  Ｈｂ  小径部  Ｋ１  金めっき層形成工程  Ｋ２  Ｎｉ金属層形成工程  Ｋ２ａ  Ｎｉ−Ｗ合金層形成工程  Ｋ３  Ｎｉ−Ｗ合金層形成工程  Ｋ３ａ  Ｎｉ金属層形成工程  Ｋ４  レジスト層形成工程  Ｋ５  螺旋溝形成工程  Ｋ６  金属層除去工程  Ｋ７  レジスト層除去工程  Ｋ８  金めっき層除去工程  Ｋ９  芯線引抜工程  ｗ１，ｗ２  ばね部の幅寸法
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【国際調査報告】
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