(57)【要約】  伝送線路（１０１）は、外部にそれぞれ接続される複数の接続部（ＴＡ）と、この接続部（ＴＡ）同士の間に位置する本体部（ＢＡ）と、で構成される。接続部（ＴＡ）は、外部の電極に接続される端子電極（１１）と、信号導体（１０）と、グランド導体（２１，２２）と、を有する。本体部（ＢＡ）は信号導体（１０）とグランド導体（２１，２２）とを有する。複数の接続部（ＴＡ）のうち少なくとも一つは、端子電極（１１）を含む第１領域と、信号伝搬経路に沿って第１領域に隣接する第２領域と、当該第２領域と本体部（ＢＡ）との間に位置する第３領域とで構成される。これら第１領域、第２領域、第３領域によって、接続部（ＴＡ）でのインピーダンス整合が図られる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部にそれぞれ接続される複数の接続部と、当該接続部同士の間に位置する本体部と、で構成される伝送線路であって、
前記接続部は、外部の電極に接続される端子電極と、信号導体と、グランド導体と、を有し、
前記本体部は信号導体とグランド導体とを有し、
前記複数の接続部のうち少なくとも一つは、前記端子電極を含む第１領域と、信号伝搬経路に沿って前記第１領域に隣接する第２領域と、当該第２領域と前記本体部との間に位置する第３領域とで構成され、
前記第１領域は、前記本体部に生じるキャパシタンス成分に比べて、前記端子電極と前記グランド導体との間に生じるキャパシタンス成分が大きく、
前記第２領域は、前記本体部に生じるインダクタンス成分に比べて、前記信号導体に生じるインダクタンス成分が大きく、
前記第３領域は、前記本体部に生じるキャパシタンス成分に比べて、前記信号導体と前記グランド導体との間に生じるキャパシタンス成分が大きい、
伝送線路。
【請求項２】
前記複数の接続部の全てが、前記第１領域、前記第２領域及び前記第３領域で構成される、
請求項１に記載の伝送線路。
【請求項３】
前記接続部及び前記本体部は、多層基板を構成する絶縁基材及び導体パターンで構成される、
請求項１又は２に記載の伝送線路。
【請求項４】
前記端子電極は、前記本体部の信号導体の線幅よりも幅が広い部分を有する、
請求項１から３のいずれかに記載の伝送線路。
【請求項５】
前記第２領域の前記信号導体の線幅は前記本体部の前記信号導体の線幅よりも細い、
請求項１から４のいずれかに記載の伝送線路。
【請求項６】
前記第３領域の前記信号導体と前記グランド導体との間隔は、前記本体部の前記信号導体と前記グランド導体との間隔に比較して近接している、
請求項１から５のいずれかに記載の伝送線路。
【請求項７】
前記端子電極及び前記グランド導体にそれぞれ導通し、前記外部の電極に接続されるコネクタを備える、
請求項１から６のいずれかに記載の伝送線路。
【請求項８】
前記信号導体の数及び前記端子電極の数はそれぞれ複数である、
請求項１から７のいずれかに記載の伝送線路。
【請求項９】
前記信号導体の数及び前記端子電極の数はそれぞれ複数であり、
前記複数の信号導体うち、隣接する信号導体が異なる層に配置されている、
請求項３に記載の伝送線路。
【請求項１０】
前記第３領域で、前記隣接する信号導体間に配置される前記グランド導体と、前記隣接する信号導体との間隔は、前記第２領域及び前記本体部に比べて狭い、
請求項９に記載の伝送線路。
【請求項１１】
請求項１から７のいずれかに記載の伝送線路と、当該伝送線路が実装される回路基板とを備え、
前記伝送線路の前記端子電極は前記回路基板の表面に形成されている電極に接続されている、
伝送線路の実装構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、信号を伝送する伝送線路と、この伝送線路を回路基板等へ実装する実装構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の絶縁基材を積層した積層体で構成される伝送線路は、伝送線路の信号導体の端部を、積層体の上面又は下面に形成された端子電極に接続する構造を備える。そのため、複数の信号導体を備える伝送線路においては、複数の信号導体の積層方向の位置が異なるので、各信号導体に接続される層間接続導体の長さが異なり、そのことに起因して、信号導体ごとの伝送線路の電気的特性が不揃いとなる。【０００３】
特許文献１には、各信号導体の端部に、信号導体の経路長を調整するための導体パターンを形成することによって、上記伝送線路ごとの電気的特性の不揃いを抑制した伝送線路が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１８／０２５６９７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に示されるような、伝送線路の信号導体の端部から端子電極が引き出された伝送線路においては、信号導体の端部から端子電極までの構造部に、その他の構造部（主要な伝送線路部）とは異なる寄生容量や寄生インダクタンス等の寄生成分が生じる。そのため、信号導体の端部から端子電極までの構造部でインピーダンス不整合が生じやすい。このようなインピーダンス不整合が生じると、挿入損失が増大し、また信号の反射による高周波回路上の不具合が生じる。【０００６】
そこで、本発明の目的は、信号導体の端部から端子電極までの構造部におけるインピーダンス整合を図った伝送線路及びその伝送線路の実装構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本開示の一例としての伝送線路は、
外部にそれぞれ接続される複数の接続部と、当該接続部同士の間に位置する本体部と、で構成される。前記接続部は、外部の電極に接続される端子電極と、信号導体と、グランド導体と、を有し、前記複数の接続部のうち少なくとも一つは、端子電極を含む第１領域と、信号伝搬経路に沿って第１領域に隣接する第２領域と、当該第２領域と本体部との間に位置する第３領域とで構成される。そして、第１領域は、本体部に生じるキャパシタンス成分に比べて、端子電極とグランド導体との間に生じるキャパシタンス成分が大きく、第２領域は、本体部に生じるインダクタンス成分に比べて、信号導体に生じるインダクタンス成分が大きく、第３領域は、本体部に生じるキャパシタンス成分に比べて、信号導体とグランド導体との間に生じるキャパシタンス成分が大きい。【０００８】
上記構成により、第１領域のキャパシタンス成分と第２領域のインダクタンス成分と第３領域のキャパシタンス成分とでＣ−Ｌ−Ｃ回路が構成される。そのため、第１領域に生じるキャパシタンス成分によるインピーダンスのずれは、第２領域のインダクタンス成分及び第３領域のキャパシタンス成分によって補正され、伝送線路の本体部の特性インピーダンスに整合させることができる。したがって、インピーダンスの不連続性による反射及び挿入損失の増加が抑制される。【０００９】
（２）本開示の一例では、前記複数の接続部の全てが、第１領域、第２領域及び第３領域で構成される。この構成によれば、全ての接続部においてインピーダンスが整合して、インピーダンスの不連続性による反射及び挿入損失の増加がより抑制される。【００１０】
（３）本開示の一例では、伝送線路の端部及び本体部は、多層基板を構成する絶縁基材及び導体パターンで構成される。この構成によれば、多層基板の製造方法で伝送線路が容易に製造できる。【００１１】
（４）本開示の一例では、端子電極は、本体部の信号導体の線幅よりも幅が広い部分を有する。つまり、端子電極は、本体部の信号導体の線幅よりも幅が広い部分を有する電極である。この構成によれば、端子電極と信号導体との接続構造を容易に構成できる。【００１２】
（５）本開示の一例では、前記第２領域の信号導体の線幅は本体部の信号導体の線幅よりも細い。この構成によれば、信号導体のパターンを定めるだけで第２領域を容易に構成できる。【００１３】
（６）本開示の一例では、第３領域の信号導体とグランド導体との間隔は、本体部の信号導体とグランド導体との間隔に比較して近接している。この構成によれば、第３領域の信号導体の線幅を変えることなく、つまり導体パターンに凹凸部やエッジ部を設けることなく第３領域が構成されるので、信号導体パターンの凹凸部やエッジ部に生じる損失が回避できる。【００１４】
（７）本開示の一例では、端子電極及びグランド導体にそれぞれ導通して、外部の電極に接続されるコネクタを備える。このようにコネクタを備えると、コネクタのグランド導体と端子電極との間に生じるキャパシタンス成分が大きくなる傾向があるが、本発明によれば、上記Ｃ−Ｌ−Ｃ回路構造によって、インピーダンス整合が図れるように第２領域及び第３領域を予め定めておくことができる。【００１５】
（８）本開示の一例では、上記（１）から（７）に記載の構造において、信号導体の数及び端子電極の数はそれぞれ複数である。この構成によれば、複数の信号導体を備える伝送線路において、接続部におけるインピーダンス整合を図れる。【００１６】
（９）本開示の一例では、上記（３）に記載の構造において、前記信号導体の数及び前記端子電極の数はそれぞれ複数であり、複数の信号導体うち、隣接する信号導体が異なる層に配置されている。この構成によれば、隣接する信号導体間の間隔を大きくすることができ、信号導体間の信号のアイソレーションを確保しやすい。また、信号導体間に存在するグランド導体によって、信号導体間のアイソレーションが向上する。また、信号導体が並置される構造に比べて、全体に幅の細い伝送線路が構成できる。なお、この構成によれば、端子電極から信号導体までの、積層体の厚み方向の距離が信号導体ごとに異なるが、接続部ごとにインピーダンス整合がなされる。【００１７】
（１０）本開示の一例では、上記（９）に記載の構造において、第３領域で、前記隣接する信号導体間に配置されるグランド導体と、前記隣接する信号導体との間隔は、第２領域及び本体部に比べて狭い。この構成によれば、信号導体のパターンは第３領域と本体部とで一定にできるので、信号導体パターンの凹凸部やエッジ部に生じる損失が回避できる。【００１８】
（１１）本開示の一例としての伝送線路の実装構造は、上記（１）〜（７）のいずれかに記載の伝送線路と、当該伝送線路が実装される回路基板とを備え、伝送線路の端子電極は回路基板の表面に形成されている電極に接続されている。この構成によれば、接続部におけるインピーダンス整合が図られた伝送線路の実装構造が得られる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、外部に接続される接続部におけるインピーダンス整合を図った伝送線路及びその伝送線路の実装構造が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１（Ａ）は第１の実施形態に係る伝送線路１０１の斜視図、図１（Ｂ）は伝送線路１０１の断面図である。
【図２】図２は伝送線路１０１を構成する積層体の各層の下面図である。
【図３】図３は伝送線路１０１の、接続部ＴＡ部分の拡大断面図である。
【図４】図４は接続部ＴＡに形成された、第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、第３領域Ａ３による作用を示すスミスチャートである。
【図５】図５（Ａ）は第２の実施形態に係る電子機器３０１の主要部の分解斜視図であり、図５（Ｂ）は電子機器３０１の主要部の斜視図である。
【図６】図６は、基板２０１に伝送線路１０１が実装された状態での部分拡大断面図である。
【図７】図７は第３の実施形態に係る伝送線路１０３の分解斜視図である。
【図８】図８（Ａ）は、コネクタ付き伝送線路１０３の実装状態を示す、携帯電子機器の断面図であり、図８（Ｂ）は当該携帯電子機器の筐体内部の平面図である。
【図９】図９は第４の実施形態に係る伝送線路１０４の断面図である。
【図１０】図１０は第５の実施形態に係る伝送線路を構成する積層体の各層の下面図である。
【図１１】図１１は第６の実施形態に係る伝送線路を構成する積層体の各層の下面図である。
【図１２】図１２は第６の実施形態に係る伝送線路の、信号導体に沿った位置での断面図である。
【図１３】図１３は第７の実施形態に係る伝送線路を構成する積層体の各層の下面図である。
【図１４】図１４（Ａ）は、第７の実施形態に係る伝送線路の、グランド導体の突出部２６Ｅを通る位置での断面図である。図１４（Ｂ）は、第７の実施形態に係る伝送線路の、端子電極１１Ａ，１１Ｂを通る位置での断面図である。
【図１５】図１５は第８の実施形態に係る伝送線路を構成する積層体の各層の下面図である。
【図１６】図１６は、本実施形態に係る伝送線路の、グランド導体の突出部２７Ｅを通る位置での断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明又は理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせは可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
【００２２】
《第１の実施形態》
図１（Ａ）は第１の実施形態に係る伝送線路１０１の斜視図、図１（Ｂ）は伝送線路１０１の断面図である。
【００２３】
伝送線路１０１は、所定の導体パターンが形成された絶縁基材Ｓ１〜Ｓ４とカバーフィルム３との積層体である。
【００２４】
伝送線路１０１は、外部にそれぞれ接続される二つの接続部ＴＡと、二つの接続部ＴＡ−ＴＡ間に位置する本体部ＢＡと、で構成される。接続部ＴＡは、後に示す外部の電極に接続される端子電極１１と信号導体１０とグランド導体２１，２２とを有する。本体部ＢＡは信号導体１０とグランド導体２１，２２とを有する。カバーフィルム３には、グランド導体２１を部分的に露出させる開口Ｂ１が形成されている。
【００２５】
図２は伝送線路１０１を構成する積層体の各層の下面図である。図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示す向きで、絶縁基材Ｓ１〜Ｓ４には、それらの下面に所定の導体パターンが形成されている。また、図３は伝送線路１０１の、接続部ＴＡ部分の拡大断面図である。図１（Ｂ）、図３においては、図の明瞭化のため、絶縁体層部分のハッチングは省略している。以降に示す各実施形態においても、断面図には、絶縁体層部分のハッチングを省略して図示する。
【００２６】
絶縁基材Ｓ１には、その全面にグランド導体２２が形成されている。
【００２７】
絶縁基材Ｓ２には、層間接続導体（ビア導体）Ｖを介してグランド導体２２と導通する電極２４と、層間接続導体（ビア導体）Ｖを介してグランド導体２２と導通するグランド導体２３とが形成されている。
【００２８】
絶縁基材Ｓ３には信号導体１０が形成されている。また、絶縁基材Ｓ３には層間接続導体（ビア導体）Ｖを介して電極２４に繋がる電極２５が形成されている。
【００２９】
絶縁基材Ｓ４には端子電極１１とグランド導体２１が形成されている。端子電極１１は層間接続導体（ビア導体）Ｖを介して信号導体１０の端部に接続されている。カバーフィルム３には、上記端子電極１１及びグランド導体２１の所定箇所を露出させる開口Ｂ１が形成されている。
【００３０】
上記絶縁基材Ｓ１〜Ｓ４は例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）やポリ・エーテル・エーテル・ケトン（ＰＥＥＫ）等の可撓性を有する樹脂シートである。また、上記各電極（導体）は、上記絶縁基材に銅箔を張り付け、その銅箔をフォトリソグラフィによってパターニングすることによって形成されたものである。カバーフィルム３は例えばポリイミドフィルムである。なお、このようにカバーフィルムを貼付する以外に、レジスト膜を印刷形成してもよい。
【００３１】
本体部ＢＡは、信号導体１０とグランド導体２１，２２と、これらグランド導体２１，２２と信号導体１０との間に存在する絶縁基材とによってストリップラインが構成されている。同様に、接続部ＴＡは、信号導体１０とグランド導体２１，２２と、これらグランド導体２１，２２と信号導体１０との間に存在する絶縁基材とによってストリップラインが構成されている。
【００３２】
図３においてキャパシタの記号で表すように、端子電極１１とグランド導体２１との間、端子電極１１とそれに隣接する電極２５との間にキャパシタンス成分（寄生容量）が生じる。これらキャパシタンス成分が生じる領域は本発明に係る「第１領域」Ａ１に相当する。
【００３３】
図２に表れているように、信号導体１０のうち端子電極１１に繋がる部分は、本体部ＢＡの信号導体１０の線幅より細い。この信号導体１０の線幅の細い部分のインダクタンス成分は、本体部ＢＡにおける信号導体１０のインダクタンス成分より大きい。この信号導体１０の線幅の細い部分は、本発明に係る「第２領域」Ａ２に相当する。
【００３４】
信号導体１０のうち第２領域Ａ２と本体部ＢＡとの間の部分に対向する位置にグランド導体２３が形成されている。このグランド導体２３は層間接続導体Ｖを介してグランド導体２２と導通している。グランド導体２３と信号導体１０との間にキャパシタンス成分が生じる。このキャパシタンス成分が生じる領域は本発明に係る「第３領域」Ａ３に相当する。
【００３５】
このように、接続部ＴＡは、端子電極１１を含む第１領域Ａ１と、信号伝搬経路に沿って第１領域Ａ１に隣接する第２領域Ａ２と、この第２領域Ａ２と本体部ＢＡとの間に位置する第３領域Ａ３とで構成される。そして、第１領域Ａ１は、本体部ＢＡに生じるキャパシタンス成分に比べて、端子電極１１とグランド導体２１との間に生じるキャパシタンス成分が大きい。また、第２領域Ａ２は、本体部ＢＡに生じるインダクタンス成分に比べて、信号導体１０に生じるインダクタンス成分が大きい。さらに、第３領域Ａ３は、本体部ＢＡに生じるキャパシタンス成分に比べて、信号導体１０とグランド導体２１との間に生じるキャパシタンス成分が大きい。
【００３６】
図４は接続部ＴＡに形成された、第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、第３領域Ａ３による作用を示すスミスチャートである。図４において、各点は、伝送線路１０１の各部におけるインピーダンスを表し、曲線は第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、第３領域Ａ３によるリアクタンスの挿入によるインピーダンスの変化過程を表している。
【００３７】
図３に示した第１領域Ａ１のキャパシタンス成分の影響で、この第１領域Ａ１の手前から第１領域Ａ１側をみたインピーダンスは、基準点Ｐ０から等コンダクタンス円に沿ってＰ１へ変位する。また、第２領域Ａ２のインダクタンス成分の作用で、第２領域Ａ２の手前から第２領域Ａ２側をみたインピーダンスは等抵抗円に沿ってＰ２へ変位する。そして、第３領域Ａ３のキャパシタンス成分の作用で、第３領域Ａ３の手前から第３領域Ａ３側をみたインピーダンスは等コンダクタンス円に沿ってＰ０へ変位する。つまり、基準インピーダンス（５０Ω）に整合する。
【００３８】
なお、上述の説明では、理解の容易性を優先して、主たる寄与分であるキャパシタンス成分及びインダクタンス成分による集中定数回路が構成されているものとしたが、実際には、接続部ＴＡは分布定数回路で構成されているので、上記主たるキャパシタンス成分やインダクタンス成分以外の小さなインダクタンスやキャパシタンスも存在し、それらによってインピーダンスの変化過程は、図４に示した例より乱れる。
【００３９】
本体部ＢＡの信号導体１０は一定幅であるので、この本体部ＢＡの特性インピーダンスの変化は小さく、伝送損失は小さい。
【００４０】
なお、図２に示した例では、信号導体１０は、第２領域を構成する線幅の細い部分と本体部ＢＡ（線幅の太い部分）との境界で段差形状となっているが、信号導体１０の線幅の変化する境界をテーパー状にする等して、線幅の信号伝搬方向に沿った変化を緩やかにする方が好ましい。信号導体１０の線幅の変化部で生じる損失が抑制されるからである。
【００４１】
《第２の実施形態》
第２の実施形態では伝送線路の実装構造の例を示す。
【００４２】
図５（Ａ）は第２の実施形態に係る電子機器３０１の主要部の分解斜視図であり、図５（Ｂ）は電子機器３０１の主要部の斜視図である。
【００４３】
図５（Ｂ）に示すように、本実施形態の電子機器３０１は、基板２０１と、この基板２０１に実装された伝送線路１０１とを備える。基板２０１には伝送線路１０１以外の素子も実装されるが、図５（Ａ）、図５（Ｂ）では現れていない。
【００４４】
図５（Ａ）、図５（Ｂ）に示す伝送線路１０１の構成は第１の実施形態で示したとおりである。
【００４５】
伝送線路１０１の下面（実装面）には、カバーフィルム３からグランド導体２１を露出させている。
【００４６】
基板２０１の実装面にはレジスト膜が形成されている。基板２０１は、伝送線路１０１の端子電極１１が接続される基板側接続電極６１を備え、これがレジスト膜から露出している。また、基板２０１の実装面には、基板側グランド導体５１を露出させている。
【００４７】
基板２０１に伝送線路１０１が表面実装されることで、伝送線路１０１の端子電極１１は基板側接続電極６１に接続され、伝送線路１０１のグランド導体２１は基板側グランド導体５１に接続される。また、伝送線路１０１のグランド導体２１は基板側グランド導体５１に接続される。これらの接続は例えばはんだ付けにより行われる。
【００４８】
図６は、基板２０１に伝送線路１０１が実装された状態での部分拡大断面図である。図６においてキャパシタの記号で表すように、基板側接続電極６１と基板側グランド導体５１との間にもキャパシタンス成分（寄生容量）が生じる。伝送線路１０１単独での寄生容量は図３に示したとおりである。つまり、伝送線路１０１を基板２０１に実装することで、第１領域Ａ１に付加されるキャパシタンス成分が増大する。伝送線路１０１の接続部に形成する第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、第３領域Ａ３によるインピーダンス整合回路は、上記基板への実装状態で第１領域Ａ１に付加されるキャパシタンス成分の増大に応じて定めればよい。そのことで、伝送線路１０１を基板２０１に実装した状態で接続部のインピーダンス整合がより高精度に行われる。
【００４９】
《第３の実施形態》
第３の実施形態では、コネクタ付き伝送線路及びその実装構造の例について示す。
【００５０】
図７は第３の実施形態に係る伝送線路１０３の分解斜視図である。この伝送線路１０３は、二つの同軸コネクタ４を備える。この同軸コネクタ４を取り付ける前の伝送線路の基本的な構造は図１（Ａ）に示した伝送線路１０１と同じである。同軸コネクタ４の中心導体は端子電極１１に接続され、同軸コネクタ４の外導体はグランド導体２１に接続される。
【００５１】
このように、コネクタ４を設けると、コネクタ４の外導体と端子電極１１との間に寄生容量が生じ、この寄生容量が伝送線路の第１領域Ａ１に付加される。このような場合でも、伝送線路１０３の接続部に形成する第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、第３領域Ａ３（図３参照）によるインピーダンス整合回路は、上記コネクタ４の取り付けによって第１領域Ａ１に付加されるキャパシタンス成分の増大に応じて定めればよい。そのことで、コネクタ４の取付状態で、接続部のインピーダンス整合がより高精度に行われる。
【００５２】
図８（Ａ）は、上記コネクタ付き伝送線路１０３の実装状態を示す、携帯電子機器の断面図であり、図８（Ｂ）は当該携帯電子機器の筐体内部の平面図である。
【００５３】
携帯電子機器３０２は、薄型の筐体２１０を備える。筐体２１０内には、回路基板２０２ａ，２０２ｂと、バッテリーパック２０６等が配置される。回路基板２０２ａ，２０２ｂの表面には、チップ部品が実装される。回路基板２０２ａ，２０２ｂ及びバッテリーパック２０６は、筐体２１０を平面視して、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間にバッテリーパック２０６が配置されるように、筐体２１０に設置される。筐体２１０はできる限り薄型に形成されるので、筐体２１０の厚み方向での、バッテリーパック２０６と筐体２１０との間隔は極狭い。したがって、この間に通常の同軸ケーブルを配置することはできない。
【００５４】
本実施形態の伝送線路１０３は可撓性を有するので隙間に沿って曲げられる。この伝送線路１０３は、その厚み方向と、筐体２１０の厚み方向とが一致するように配置することで、バッテリーパック２０６と筐体２１０との間に、伝送線路１０３を通すことができる。これにより、バッテリーパック２０６を中間に配して離間された回路基板２０２ａ，２０２ｂを伝送線路１０３で接続できる。
【００５５】
本発明の伝送線路は伝送線路のインピーダンス整合回路部が導体パターンのみで構成されているのでプロセスが簡素化できる。また、曲げ応力に対する耐性が高い。つまり、インピーダンス整合のためのチップ部品を伝送線路に搭載した場合のように、伝送線路の曲げに伴ってチップ部品が曲げ応力を受けて脱落する、といった不具合が生じない。
【００５６】
《第４の実施形態》
第４の実施形態では、第１の実施形態で示した伝送線路とは第３領域の構造が異なる伝送線路について示す。
【００５７】
図９は第４の実施形態に係る伝送線路１０４の断面図である。図１（Ｂ）に示した伝送線路１０１とは、第３領域Ａ３の構造が異なる。本実施形態の伝送線路１０４では、絶縁基材Ｓ１の下面にグランド導体２２が形成されていて、絶縁基材Ｓ２の下面に信号導体１０形成されている。絶縁基材Ｓ３の下面には信号導体突出部１２が形成されている。また、絶縁基材Ｓ３には、信号導体１０と信号導体突出部１２とを導通させる層間接続導体（ビア導体）が形成されている。絶縁基材Ｓ４には端子電極１１とグランド導体２１が形成されている。
【００５８】
信号導体突出部１２とグランド導体２１との対向する、破線で囲んで示す領域に生じるキャパシタンス成分は本体部ＢＡに生じるキャパシタ成分に比べて大きい。このキャパシタンス成分の大きな領域が本発明に係る「第３領域」Ａ３に相当する。その他の構成は第１の実施形態で示した構成と同じである。
【００５９】
このように、信号導体１０側から積層方向に突出する部分で、グランド導体２１との間にキャパシタンス成分を形成してもよい。
【００６０】
《第５の実施形態》
第５の実施形態では、第１の実施形態で示した伝送線路とは第３領域の構造が異なる伝送線路について示す。
【００６１】
図１０は第５の実施形態に係る伝送線路を構成する積層体の各層の下面図である。絶縁基材Ｓ１〜Ｓ３には、それらの下面に所定の導体パターンが形成されている。
【００６２】
図１０に表れているように、絶縁基材Ｓ１にはグランド導体２２が形成されている。また、この絶縁基材Ｓ１には、グランド導体非形成部２２Ａが形成されている。絶縁基材Ｓ２には、層間接続導体（ビア導体）を介してグランド導体２２と導通する電極２４と、信号導体１０と、が形成されている。絶縁基材Ｓ３には、信号導体１０の端部１０Ｅに繋がる端子電極１１と、層間接続導体（ビア導体）を介して電極２４に繋がるグランド導体２１が形成されている。カバーフィルム３には、上記端子電極１１及びグランド導体２１の所定箇所を露出させる開口が形成されている。
【００６３】
信号導体１０とグランド導体非形成部２２Ａとの対向部分はキャパシタンス成分が小さい。そのためこの部分のインダクタンス成分は本体部ＢＡに生じるキャパシタンス成分に比べて大きい。この信号導体１０とグランド導体非形成部２２Ａとの対向部分は本発明に係る「第２領域」Ａ２に相当する。
【００６４】
信号導体１０の太い部分１０Ｆとグランド導体２１，２２との対向部分のキャパシタンス成分は本体部ＢＡに生じるキャパシタンス成分に比べて大きい。このキャパシタンス成分の大きな領域が本発明に係る「第３領域」Ａ３に相当する。
【００６５】
本実施形態によれば、少ない絶縁基材の層数で第３領域を容易に構成できる。
【００６６】
《第６の実施形態》
第６の実施形態では、信号導体の線幅の変化が少ない伝送線路の例について示す。
【００６７】
図１１は第６の実施形態に係る伝送線路を構成する積層体の各層の下面図である。図１２は第６の実施形態に係る伝送線路の、信号導体に沿った位置の断面図である。
【００６８】
図１１に表れているように、絶縁基材Ｓ１にはグランド導体２２が形成されている。また、この絶縁基材Ｓ１には、グランド導体非形成部２２Ａが形成されている。絶縁基材Ｓ２には、層間接続導体（ビア導体）を介してグランド導体２２と導通する電極２４と、層間接続導体（ビア導体）を介してグランド導体２２と導通するグランド導体２３とが形成されている。絶縁基材Ｓ３には、層間接続導体（ビア導体）を介して電極２４に繋がる電極２５と、信号導体１０と、が形成されている。絶縁基材Ｓ４には、層間接続導体（ビア導体）を介して信号導体１０の端部１０Ｅに繋がる端子電極１１と、グランド導体２１とが形成されている。カバーフィルム３には、上記端子電極１１及びグランド導体２１の所定箇所を露出させる開口Ｂ１が形成されている。
【００６９】
信号導体１０とグランド導体非形成部２２Ａとの対向部分はキャパシタンス成分が小さい。そのためこの部分のインダクタンス成分は本体部ＢＡに生じるキャパシタンス成分に比べて大きい。この信号導体１０とグランド導体非形成部２２Ａとの対向部分は本発明に係る「第２領域」Ａ２に相当する。
【００７０】
また、グランド導体２３と信号導体１０との間にキャパシタンス成分が生じる。このキャパシタンス成分が生じる領域は本発明に係る「第３領域」Ａ３に相当する。
【００７１】
図１２に示す第１領域Ａ１の構成は、第１の実施形態で示した第１領域Ａ１の構成と同じである。
【００７２】
本実施形態によれば、信号導体１０の線幅は、その端部１０Ｅを除いて一定であるので、線幅の変化部で生じる損失が無く、線路全体の伝送損失が小さい。
【００７３】
《第７の実施形態》
第７の実施形態では、複数の信号導体を備える伝送線路の例について示す。
【００７４】
図１３は第７の実施形態に係る伝送線路を構成する積層体の各層の下面図である。図１４（Ａ）は、本実施形態に係る伝送線路の、後に示すグランド導体の突出部２６Ｅを通る位置での断面図である。図１４（Ｂ）は、本実施形態に係る伝送線路の、後に示す端子電極１１Ａ，１１Ｂを通る位置での断面図である。
【００７５】
絶縁基材Ｓ１〜Ｓ４には、それらの下面に所定の導体パターンが形成されている。
【００７６】
絶縁基材Ｓ１には、その全面にグランド導体２２が形成されている。
【００７７】
絶縁基材Ｓ２には、グランド導体２６が形成されている。このグランド導体２６は、外周に沿った枠状部２６Ｆと中央を通る桟状部２６Ｂと、枠状部２６Ｆから桟状部２６Ｂ方向へ突出する突出部２６Ｅとを有する。グランド導体２６は複数の層間接続導体（ビア導体）を介してグランド導体２２と導通する。
【００７８】
絶縁基材Ｓ３には、グランド導体２７が形成されている。このグランド導体２７は、外周に沿った枠状部２７Ｆと中央を通る桟状部２７Ｂと、を有する。また、この絶縁基材Ｓ３には、枠状部２７Ｆと桟状部２７Ｂとで囲まれる領域内に信号導体１０Ａ，１０Ｂが形成されている。グランド導体２７は複数の層間接続導体を介してグランド導体２６と導通する。
【００７９】
絶縁基材Ｓ４には端子電極１１Ａ，１１Ｂとグランド導体２１とが形成されている。端子電極１１Ａ，１１Ｂは層間接続導体を介して信号導体１０Ａ，１０Ｂに接続される。また、グランド導体２１は複数の層間接続導体を介してグランド導体２７と導通する。
【００８０】
上記信号導体１０Ａ，１０Ｂは、それらの周囲がグランド導体２１，２２，２６Ｆ，２６Ｂ，２７Ｆ，２７Ｂで囲まれることにより、側方がグランド導体で閉じた二つのストリップラインが構成される。
【００８１】
図１３に表れているように、信号導体１０Ａ，１０Ｂのうち端子電極１１Ａ，１１Ｂに繋がる部分は、本体部ＢＡの信号導体１０Ａ，１０Ｂの線幅より細い。この信号導体１０Ａ，１０Ｂの線幅の細い部分のインダクタンス成分は、本体部ＢＡにおける信号導体１０Ａ，１０Ｂのインダクタンス成分より大きい。この信号導体１０Ａ，１０Ｂの線幅の細い部分が、本発明に係る「第２領域」Ａ２に相当する。
【００８２】
信号導体１０Ａ，１０Ｂの一部はグランド導体の突出部２６Ｅと積層方向に対向する。このグランド導体の突出部２６Ｅと信号導体１０Ａ，１０Ｂとの対向部分にキャパシタンス成分が生じる。このキャパシタンス成分が生じる領域が本発明に係る「第３領域」Ａ３に相当する。
【００８３】
なお、グランド導体の突出部２６Ｅは、桟状部２６Ｂに設けてもよい。また、枠状部２６Ｆと桟状部２６Ｂとを連結する形状であってもよい。
【００８４】
本実施形態では、二つの信号導体を備える伝送線路の例を示したが、同様に、桟状部２６Ｂ，２７Ｂを複数本にし、信号導体を３本以上設けてもよい。
【００８５】
本実施形態によれば、少ない絶縁基材の層数で第３領域を容易に構成できる。
【００８６】
《第８の実施形態》
第８の実施形態では、異なる層に形成された複数の信号導体を備える伝送線路の例を示す。
【００８７】
図１５は第８の実施形態に係る伝送線路を構成する積層体の各層の下面図である。図１６は、本実施形態に係る伝送線路の、後に示すグランド導体の突出部２７Ｅを通る位置での断面図である。
【００８８】
絶縁基材Ｓ１〜Ｓ５には、それらの下面に所定の導体パターンが形成されている。
【００８９】
絶縁基材Ｓ１には、その全面にグランド導体２２が形成されている。
【００９０】
絶縁基材Ｓ２には、グランド導体２６が形成されている。このグランド導体２６は、外周に沿った枠状部２６Ｆと中央を通る桟状部２６Ｂと、を有する。また、この絶縁基材Ｓ２には、枠状部２６Ｆと桟状部２６Ｂとで囲まれる一つの領域内に信号導体１０Ｂが形成されている。グランド導体２６は複数の層間接続導体（ビア導体）を介してグランド導体２２と導通する。
【００９１】
絶縁基材Ｓ３には、グランド導体２７が形成されている。このグランド導体２７は、外周に沿った枠状部２７Ｆと中央を通る桟状部２７Ｂと、桟状部２７Ｂから枠状部２７Ｆ方向へ突出する突出部２７Ｅとを有する。
【００９２】
絶縁基材Ｓ４には、グランド導体２８が形成されている。このグランド導体２８は、外周に沿った枠状部２８Ｆと中央を通る桟状部２８Ｂと、を有する。また、この絶縁基材Ｓ４には、枠状部２８Ｆと桟状部２８Ｂとで囲まれる一つの領域内に信号導体１０Ａが形成されている。グランド導体２８は複数の層間接続導体（ビア導体）を介してグランド導体２７と導通する。
【００９３】
絶縁基材Ｓ５には端子電極１１Ａ，１１Ｂとグランド導体２１とが形成されている。端子電極１１Ａ，１１Ｂは層間接続導体を介して信号導体１０Ａ，１０Ｂに接続される。また、グランド導体２１は複数の層間接続導体を介してグランド導体２８と導通する。
【００９４】
上記信号導体１０Ａ，１０Ｂは、それらの周囲がグランド導体２１，２２，２６Ｆ，２６Ｂ，２７Ｆ，２７Ｂ，２８Ｆ，２８Ｂで囲まれることにより、側方がグランド導体で閉じた二つのストリップラインが構成される。
【００９５】
図１５に表れているように、信号導体１０Ａ，１０Ｂのうち端子電極１１Ａ，１１Ｂに繋がる部分は、本体部ＢＡの信号導体１０Ａ，１０Ｂの線幅より細い。この信号導体１０Ａ，１０Ｂの線幅の細い部分のインダクタンス成分は、本体部ＢＡにおける信号導体１０Ａ，１０Ｂのインダクタンス成分より大きい。この信号導体１０Ａ，１０Ｂの線幅の細い部分が、本発明に係る「第２領域」Ａ２に相当する。
【００９６】
信号導体１０Ａ，１０Ｂの一部はグランド導体の突出部２７Ｅと積層方向に対向する。このグランド導体の突出部２７Ｅと信号導体１０Ａ，１０Ｂとの対向部分にキャパシタンス成分が生じる。このキャパシタンス成分が生じる領域が本発明に係る「第３領域」Ａ３に相当する。
【００９７】
なお、グランド導体の突出部２７Ｅは、枠状部２７Ｆと連結する形状であってもよい。
【００９８】
本実施形態によれば、隣接する信号導体１０Ａ―１０Ｂ間の間隔を大きくとることができ、信号導体１０Ａ―１０Ｂ間の信号のアイソレーションを確保しやすい。また、信号導体１０Ａ―１０Ｂ間に存在する、グランド導体の桟状部２７Ｂによって、信号導体１０Ａ―１０Ｂ間のアイソレーションが向上する。また、信号導体が並置される構造に比べて幅の細い伝送線路が構成できる。なお、この構成によれば、端子電極１１Ａ，１１Ｂから信号導体１０Ａ，１０Ｂまでの、積層体の厚み方向の距離が信号導体ごとに異なるが、接続部ごとに適正なインピーダンス整合がなされるように、第２領域Ａ２のインダクタンス成分の大きさ及び第３領域Ａ３のキャパシタンス成分の大きさを定めればよい。
【００９９】
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形及び変更が適宜可能である。
【０１００】
例えば、接続部は１対に限らず、複数対であってもよい。また、複数の接続部と一つの接続部との間で信号導体が分岐する構造であっても、同様に適用できる。
【０１０１】
また、例えば複数の接続部ＴＡのうち一つ又は幾つかだけが各実施形態で示した伝送線路の接続部ＴＡの構造であってもよい。
【０１０２】
また、例えば第２領域Ａ２の信号導体１０はミアンダライン状等、迂回パターンにすることでインダクタンス成分を大きくしてもよい。また、第２領域Ａ２は、信号導体１０と対向するグランド導体にグランド導体非形成部（導体開口）を設けることで、インダクタンス成分を大きくしてもよい。
【符号の説明】
【０１０３】
Ａ１…第１領域
Ａ２…第２領域
Ａ３…第３領域
Ｂ１…開口
ＢＡ…本体部
Ｐ０…基準点
Ｓ１〜Ｓ５…絶縁基材
ＴＡ…接続部
３…カバーフィルム
４…同軸コネクタ
１０，１０Ａ，１０Ｂ…信号導体
１０Ｅ…信号導体の端部
１０Ｆ…信号導体の太い部分
１１，１１Ａ，１１Ｂ…端子電極
１２…信号導体突出部
２１，２２，２３，２６，２７，２８…グランド導体
２２Ａ…グランド導体非形成部
２４，２５…電極
２６Ｂ，２７Ｂ，２８Ｂ…グランド導体の桟状部
２６Ｅ，２７Ｅ…突出部
２６Ｆ，２７Ｆ，２８Ｆ…グランド導体の枠状部
５１…基板側グランド導体
６１…基板側接続電極
１０１，１０３，１０４…伝送線路
２０１…基板
２０２ａ，２０２ｂ…回路基板
２０６…バッテリーパック
２１０…筐体
３０１…電子機器
３０２…携帯電子機器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2019188785.tif 000013
【図１２】
2019188785.tif 000014
【図１３】
2019188785.tif 000015
【図１４】
2019188785.tif 000016
【図１５】
2019188785.tif 000017
【図１６】
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【手続補正書】
【提出日】令和2年6月15日(2020.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部にそれぞれ接続される複数の接続部と、当該接続部同士の間に位置する本体部と、で構成される伝送線路であって、
前記接続部は、外部の電極に接続される端子電極と、信号導体と、グランド導体と、を有し、
前記本体部は信号導体とグランド導体とを有し、
前記複数の接続部のうち少なくとも一つは、前記端子電極を含む第１領域と、信号伝搬経路に沿って前記第１領域に隣接する第２領域と、当該第２領域と前記本体部との間に位置する第３領域とで構成され、
前記第１領域は、前記本体部に生じるキャパシタンス成分に比べて、前記端子電極と前記グランド導体との間に生じるキャパシタンス成分が大きく、
前記第２領域は、前記本体部に生じるインダクタンス成分に比べて、前記信号導体に生じるインダクタンス成分が大きく、
前記第３領域は、前記本体部に生じるキャパシタンス成分に比べて、前記信号導体と前記グランド導体との間に生じるキャパシタンス成分が大きく、
前記接続部及び前記本体部は、多層基板を構成する絶縁基材及び導体パターンで構成され、
前記信号導体の数及び前記端子電極の数はそれぞれ複数であり、
前記複数の信号導体うち、隣接する信号導体が異なる層に配置され、
前記第３領域で、前記隣接する信号導体間に配置される前記グランド導体と、前記隣接する信号導体との間隔は、前記第２領域及び前記本体部に比べて狭い、
伝送線路。
【請求項２】
前記複数の接続部の全てが、前記第１領域、前記第２領域及び前記第３領域で構成される、
請求項１に記載の伝送線路。
【請求項３】
前記端子電極は、前記本体部の信号導体の線幅よりも幅が広い部分を有する、
請求項１または２に記載の伝送線路。
【請求項４】
前記第２領域の前記信号導体の線幅は前記本体部の前記信号導体の線幅よりも細い、
請求項１から３のいずれかに記載の伝送線路。
【請求項５】
前記第３領域の前記信号導体と前記グランド導体との間隔は、前記本体部の前記信号導体と前記グランド導体との間隔に比較して近接している、
請求項１から４のいずれかに記載の伝送線路。
【請求項６】
前記端子電極及び前記グランド導体にそれぞれ導通し、前記外部の電極に接続されるコネクタを備える、
請求項１から５のいずれかに記載の伝送線路。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の伝送線路と、当該伝送線路が実装される回路基板とを備え、
前記伝送線路の前記端子電極は前記回路基板の表面に形成されている電極に接続されている、
伝送線路の実装構造。
【国際調査報告】
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