(57)【要約】  電子部品と回路配線層を含んだ状態で３次元積層造形される電子デバイスの絶縁樹脂層に、電子部品が収容されるキャビティを形成するに際し、電子部品の上端縁からキャビティの開口縁までの間隔上において、キャビティを埋め込むための絶縁樹脂を吐出するノズルが所定数以上並ぶように、キャビティの開口寸法を調整する第１調整工程を備えるキャビティの形成方法。
2019176088.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品と回路配線層を含んだ状態で３次元積層造形される電子デバイスの絶縁樹脂層に、前記電子部品が収容されるキャビティを形成するに際し、前記電子部品の上端縁から前記キャビティの開口縁までの間隔上において、前記キャビティを埋め込むための絶縁樹脂を吐出するノズルが所定数以上並ぶように、前記キャビティの開口寸法を調整する第１調整工程を備えるキャビティの形成方法。
【請求項２】
前記キャビティが隣接して配置される場合に、前記隣接するキャビティを隔てる仕切壁の厚さが所定距離未満となるときは、前記仕切壁を省くことによって、前記隣接するキャビティを一つのキャビティとする第２調整工程を備える請求項１に記載のキャビティの形成方法。
【請求項３】
前記第２調整工程は、前記一つのキャビティの開口縁が前記仕切壁と向かい合わせとなる方向において、前記一つのキャビティの開口寸法を前記仕切壁の厚さ分狭める請求項２に記載のキャビティの形成方法。
【請求項４】
前記電子部品と前記回路配線層が配線される方向において、前記間隔を広げる第３調整工程を備える請求項１乃至請求項３のいずれか一つに記載のキャビティの形成方法。
【請求項５】
前記キャビティは、底部から開口へ向かうに連れて、相対する壁面の間が広がる形状を備える請求項１乃至請求項４のいずれか一つに記載のキャビティの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、電子デバイスの３次元積層造形におけるキャビティの形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子デバイスの３次元積層造形に関して、電子部品が収容されるキャビティを絶縁樹脂層に形成する技術が、種々提案されている。【０００３】
例えば、下記特許文献１に記載の技術は、光造形プロセスにより光造形樹脂層を積層して光造形樹脂を形成し、該光造形樹脂中に半導体素子、抵抗、キャパシタ等のインサート部品を一体に内蔵するとともに、前記光造形樹脂層に配線を形成して該配線により前記インサート部品を電気的に接続した電子製品の製造方法であって、光造形プロセスにより光造形樹脂層を形成した後、該樹脂層に前記インサート部品を搭載し、次に、該樹脂層の上に光造形樹脂層を積層して形成し、前記インサート部品を光造形樹脂に内蔵することを特徴とする。【０００４】
さらに、下記特許文献１に記載の技術は、前記光造形樹脂層に前記インサート部品を収容する収納凹部を形成した後、該収納凹部に前記インサート部品を搭載することを特徴とする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−９３９８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１に記載の技術では、インサート部品が収納凹部に収容された際において、インサート部品と収納凹部との間隙が狭すぎると、その間隙を光造形樹脂で埋め込む速度が遅くなったり、その埋め込まれた光造形樹脂の上面が平坦化され難くなって、その上面に形成される配線に影響を及ぼす虞があった。【０００７】
そこで、本開示は、上述した点を鑑みてなされたものであり、電子部品と回路配線層を含んだ状態で３次元積層造形される電子デバイスの絶縁樹脂層に、電子部品が収容されるキャビティを形成する際において、電子デバイスの製造スループット向上と回路配線層の品質安定化を図ったキャビティの形成方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本明細書は、電子部品と回路配線層を含んだ状態で３次元積層造形される電子デバイスの絶縁樹脂層に、電子部品が収容されるキャビティを形成するに際し、電子部品の上端縁からキャビティの開口縁までの間隔上において、キャビティを埋め込むための絶縁樹脂を吐出するノズルが所定数以上並ぶように、キャビティの開口寸法を調整する第１調整工程を備えるキャビティの形成方法を開示する。
【発明の効果】
【０００９】
本開示によれば、キャビティの形成方法は、電子部品と回路配線層を含んだ状態で３次元積層造形される電子デバイスの絶縁樹脂層に、電子部品が収容されるキャビティを形成する際において、電子デバイスの製造スループット向上と回路配線層の品質安定化を図ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】３次元積層電子デバイス製造装置を示す図である。
【図２】制御装置を示すブロック図である。
【図３】基板上に造形された３次元積層造形物を示す斜視図である。
【図４】第２印刷部で使用されるインクジェットヘッドのノズルを示す図である。
【図５】基板上に造形された３次元積層造形物を示す斜視図である。
【図６】基板上に造形された３次元積層造形物を示す斜視図である。
【図７】基板上に造形された３次元積層造形物を示す斜視図である。
【図８】基板上に造形された３次元積層造形物を示す斜視図である。
【図９】基板と３次元積層電子デバイスを示す斜視図である。
【図１０】キャビティの形成方法の流れを示すフローチャートである。
【図１１】基板上に造形された３次元積層造形物のキャビティを示す図である。
【図１２】基板上に造形された３次元積層造形物のキャビティを示す図である。
【図１３】同３次元積層造形物を図１２の線Ａ−Ａで切断した断面を示す図である。
【図１４】基板上に造形された３次元積層造形物のキャビティを示す図である。
【図１５】基板上に造形された３次元積層造形物のキャビティを示す図である。
【図１６】基板上に造形された３次元積層造形物のキャビティを示す図である。
【図１７】基板上に造形された３次元積層造形物のキャビティを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本開示の好適な実施形態を、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１２】
図１に、３次元積層電子デバイス製造装置１０を示す。３次元積層電子デバイス製造装置１０は、搬送装置２０と、第１造形ユニット２２と、第２造形ユニット２４と、装着ユニット２６と、制御装置（図２参照）２７を備えている。それら搬送装置２０と第１造形ユニット２２と第２造形ユニット２４と装着ユニット２６とは、３次元積層電子デバイス製造装置１０のベース２８の上に配置されている。ベース２８は、概して長方形状をなしており、以下の説明では、ベース２８の長手方向をＸ軸方向、ベース２８の短手方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の両方に直交する方向をＺ軸方向と称して説明する。
【００１３】
搬送装置２０は、Ｘ軸スライド機構３０と、Ｙ軸スライド機構３２とを備えている。そのＸ軸スライド機構３０は、Ｘ軸スライドレール３４とＸ軸スライダ３６とを有している。Ｘ軸スライドレール３４は、Ｘ軸方向に延びるように、ベース２８の上に配設されている。Ｘ軸スライダ３６は、Ｘ軸スライドレール３４によって、Ｘ軸方向にスライド可能に保持されている。さらに、Ｘ軸スライド機構３０は、電磁モータ（図２参照）３８を有しており、電磁モータ３８の駆動により、Ｘ軸スライダ３６がＸ軸方向の任意の位置に移動する。また、Ｙ軸スライド機構３２は、Ｙ軸スライドレール５０とステージ５２とを有している。Ｙ軸スライドレール５０は、Ｙ軸方向に延びるように、ベース２８の上に配設されている。Ｙ軸スライドレール５０の一端部が、Ｘ軸スライダ３６に連結されている。そのため、Ｙ軸スライドレール５０は、Ｘ軸方向に移動可能とされている。そして、そのＹ軸スライドレール５０には、ステージ５２が、Ｙ軸方向にスライド可能に保持されている。さらに、Ｙ軸スライド機構３２は、電磁モータ（図２参照）５６を有しており、電磁モータ５６の駆動により、ステージ５２がＹ軸方向の任意の位置に移動する。これにより、ステージ５２は、Ｘ軸スライド機構３０及びＹ軸スライド機構３２の駆動により、ベース２８上の任意の位置に移動する。
【００１４】
ステージ５２は、基台６０と、保持装置６２と、昇降装置６４とを有している。基台６０は、平板状に形成され、上面に基板が載せられる。保持装置６２は、基台６０のＸ軸方向の両側部に設けられている。そして、基台６０に載置された基板のＸ軸方向の両縁部が、保持装置６２によって挟まれることで、基板が固定的に保持される。また、昇降装置６４は、基台６０の下方に配設されており、基台６０をＺ軸方向で昇降させる。
【００１５】
第１造形ユニット２２は、ステージ５２の基台６０に載置された基板（図３参照）７０の上に回路配線層を造形するユニットであり、第１印刷部７２と、焼成部７４とを有している。第１印刷部７２は、インクジェットヘッド（図２参照）７６を有しており、基台６０に載置された基板７０の上に、金属インクを線状に吐出する。金属インクは、金属の微粒子が溶剤中に分散されたものである。なお、インクジェットヘッド７６は、例えば、圧電素子を用いたピエゾ方式によって複数のノズルから金属インクを吐出する。
【００１６】
焼成部７４は、レーザ照射装置（図２参照）７８を有している。レーザ照射装置７８は、基板７０の上に吐出された金属インクにレーザを照射する装置であり、レーザが照射された金属インクは焼成し、回路配線層が形成される。なお、金属インクの焼成とは、エネルギーを付与することによって、溶媒の気化や金属微粒子保護膜の分解等が行われ、金属微粒子が接触または融着をすることで、導電率が高くなる現象である。そして、金属インクが焼成することで、金属製の回路配線層が形成される。
【００１７】
また、第２造形ユニット２４は、ステージ５２の基台６０に載せられた基板７０の上に絶縁層を造形するユニットであり、第２印刷部８４と、硬化部８６とを有している。第２印刷部８４は、インクジェットヘッド（図２参照）８８を有しており、基台６０に載せらされた基板７０の上に紫外線硬化樹脂を吐出する。紫外線硬化樹脂は、紫外線の照射により硬化する樹脂である。なお、インクジェットヘッド８８は、例えば、圧電素子の変形によって樹脂を複数のノズルから吐出するピエゾ方式でもよく、樹脂を加熱して気泡を発生させ複数のノズルから吐出するサーマル方式でもよい。
【００１８】
硬化部８６は、平坦化装置（図２参照）９０と照射装置（図２参照）９２とを有している。平坦化装置９０は、インクジェットヘッド８８によって基板７０の上に吐出された紫外線硬化樹脂の上面を平坦化するものであり、例えば、紫外線硬化樹脂の表面を均しながら余剰分の樹脂を、ローラもしくはブレードによって掻き取ることで、紫外線硬化樹脂の厚みを均一させる。また、照射装置９２は、光源として水銀ランプもしくはＬＥＤを備えており、基板７０の上に吐出された紫外線硬化樹脂に紫外線を照射する。これにより、基板７０の上に吐出された紫外線硬化樹脂が硬化し、絶縁層が形成される。
【００１９】
また、装着ユニット２６は、ステージ５２の基台６０に載せられた基板７０の上に電子部品（図７参照）９４を装着するユニットであり、供給部１００と、装着部１０２とを有している。供給部１００は、テーピング化された電子部品９４を１つずつ送り出すテープフィーダ（図２参照）１１０を複数有しており、供給位置において、電子部品９４を供給する。なお、供給部１００は、テープフィーダ１１０に限らず、トレイから電子部品９４をピックアップして供給するトレイ型の供給装置でもよい。また、供給部１００は、テープ型とトレイ型との両方、あるいはそれ以外の供給装置を備えた構成でもよい。
【００２０】
装着部１０２は、装着ヘッド（図２参照）１１２と、移動装置（図２参照）１１４とを有している。装着ヘッド１１２は、電子部品９４を吸着保持するための吸着ノズル（図７参照）１１６を有している。吸着ノズル１１６は、正負圧供給装置（図示省略）から負圧が供給されることで、エアの吸引により電子部品９４を吸着保持する。そして、正負圧供給装置から僅かな正圧が供給されることで、電子部品９４を離脱する。また、移動装置１１４は、テープフィーダ１１０による電子部品９４の供給位置と、基台６０に載せられた基板７０との間で、装着ヘッド１１２を移動させる。これにより、装着部１０２では、テープフィーダ１１０から供給された電子部品９４が、吸着ノズル１１６により保持され、その吸着ノズル１１６によって保持された電子部品９４が、基板７０の上に装着される。
【００２１】
また、制御装置２７は、図２に示すように、コントローラ１２０と、複数の駆動回路１２２とを備えている。複数の駆動回路１２２は、上記電磁モータ３８，５６、保持装置６２、昇降装置６４、インクジェットヘッド７６、レーザ照射装置７８、インクジェットヘッド８８、平坦化装置９０、照射装置９２、テープフィーダ１１０、装着ヘッド１１２、移動装置１１４に接続されている。コントローラ１２０は、ＣＰＵ，ＲＯＭ，ＲＡＭ等を備え、コンピュータを主体とするものであり、複数の駆動回路１２２に接続されている。これにより、搬送装置２０、第１造形ユニット２２、第２造形ユニット２４、装着ユニット２６の作動が、コントローラ１２０によって制御される。
【００２２】
次に、３次元積層電子デバイスの製造方法について説明する。
【００２３】
まず、図３に示すように、基板７０の上に、３次元積層造形物２０２の１層目の絶縁層２０６が形成される。そのためには、ステージ５２が第２造形ユニット２４の下方に移動される。これにより、ステージ５２の基台６０に対してセットされている基板７０は、第２造形ユニット２４の下方に移動される。さらに、第２印刷部８４において、インクジェットヘッド８８が、基板７０の上面に対して紫外線硬化樹脂を薄膜状に吐出する。続いて、硬化部８６において、平坦化装置９０が、その吐出された紫外線硬化樹脂を、その膜厚が均一となるように平坦化する。その後、照射装置９２が、その平坦化された紫外線硬化樹脂に紫外線を照射する。これにより、紫外線硬化樹脂が硬化する。以後、上述した第２造形ユニット２４における工程（つまり、第２印刷部８４の工程と硬化部８６の工程）が繰り返されることによって、基板７０の上では、３次元積層造形物２０２の１層目の絶縁層２０６が形成される。
【００２４】
第２印刷部８４で使用されるインクジェットヘッド８８には、図４に示すように、第１ノズル列１３０と第２ノズル列１３２が設けられている。第１ノズル列１３０と第２ノズル列１３２は、インクジェットヘッド８８の長手方向に沿って設けられている。第１ノズル列１３０と第２ノズル列１３２では、複数のノズル１３４が所定ピッチを空けて並んでいる。さらに、第１ノズル列１３０の各ノズル１３４は、第２ノズル列１３２の各ノズル１３４に対して、インクジェットヘッド８８の長手方向において、所定ピッチの半分ずれた位置に設けられている。つまり、インクジェットヘッド８８では、各ノズル１３４が千鳥状に配置されている。
【００２５】
第１ノズル列１３０と第２ノズル列１３２では、各ノズル１３４から紫外線硬化樹脂が吐出される。コントローラ１２０は、３次元積層造形物２０２の製造状況に応じて、紫外線硬化樹脂を吐出するノズル１３４を選択することが可能である。
【００２６】
なお、インクジェットヘッド８８は、２つのノズル列１３０，１３２が設けられたものに限らず、１つ又は３つ以上のノズル列が設けられたものであってもよい。また、インクジェットヘッド８８は、各ノズル１３４が千鳥状に配置されたものに限らず、各ノズル１３４が格子状に配置されたものであってもよい。さらに、インクジェットヘッド８８は、各ノズル１３４が所定ピッチで並んだものに限らず、例えば、各ノズル１３４のピッチが徐々に変化したり、或いは、各ノズル１３４が不規則に並んだものであってもよい。
【００２７】
次に、基板７０の上に、３次元積層造形物２０２の１層目の回路配線層２０８が形成され、硬化される。そのためには、ステージ５２が第１造形ユニット２２の下方に移動される。さらに、図５に示すように、第１印刷部７２において、インクジェットヘッド７６が、３次元積層造形物２０２の絶縁層２０６の上面に対して、金属インクを配線回路パターンに応じて線状に吐出する。これにより、３次元積層造形物２０２の絶縁層２０６の上面では、１層目の回路配線層２０８が複数形成される。その後、焼成部７４において、レーザ照射装置７８が、その線状に吐出された金属インクにレーザを照射する。これにより、金属インクが硬化する。このようにして、３次元積層造形物２０２の絶縁層２０６の上面では、各回路配線層２０８が硬化される。
【００２８】
その後、第２造形ユニット２４における工程及び第１造形ユニット２２における工程が繰り返される。これにより、図６に示すように、３次元積層造形物２０２では、２層目の絶縁層２１０が形成され、２層目の回路配線層２１２が複数形成され、硬化される。
【００２９】
但し、第２造形ユニット２４における工程では、第２印刷部８４の工程と硬化部８６の工程が繰り返される際において、インクジェットヘッド８８が、１層目の各回路配線層２０８の上面に対して、所定の部分が概して円形に露出するように、紫外線硬化樹脂を吐出する。これにより、２層目の絶縁層２１０では、複数のビアホール２１４が形成される。各ビアホール２１４は、２層目の絶縁層２１０の上面から１層目の回路配線層２０８の上面に向かうに連れて先細りした形状である。さらに、インクジェットヘッド８８が、１層目の絶縁層２０６の上面に対して、所定の部分が概して矩形に露出するように、紫外線硬化樹脂を吐出する。これにより、２層目の絶縁層２１０では、キャビティ２１６が形成される。
【００３０】
また、第１造形ユニット２２における工程では、第１印刷部７２の工程において、金属インクが、２層目の絶縁層２１０の上面から、各ビアホール２１４の傾斜面を経由して、１層目の各回路配線層２０８の上面に至るまで吐出される。従って、焼成部７４の工程が実行されると、２層目の回路配線層２１２が、各ビアホール２１４の傾斜面を経由して、１層目の各回路配線層２０８と電気的に接続される。
【００３１】
その後、第２造形ユニット２４における工程及び第１造形ユニット２２における工程が繰り返される。これにより、図７に示すように、３次元積層造形物２０２では、３層目の絶縁層２１８が形成され、３層目の回路配線層２２０が複数形成され、硬化される。その際、２層目の絶縁層２１０にある各ビアホール２１４は、硬化した紫外線硬化樹脂で埋められる。さらに、３層目の絶縁層２１８では、２層目の絶縁層２１０に形成された各ビアホール２１４やキャビティ２１６と同様にして、複数のビアホール２２２やキャビティ２２４が形成される。これにより、３層目の回路配線層２２０が、各ビアホール２２２の傾斜面を経由して、２層目の各回路配線層２１２と電気的に接続される。また、３層目の絶縁層２１８に形成されたキャビティ２２４は、２層目の絶縁層２１０にあるキャビティ２１６と上下方向で連なった状態で設けられる。
【００３２】
なお、以下の説明において、キャビティ２１６，２２４を区別せずに総称する場合は、キャビティ２２４と表記する。また、キャビティ２２４の形成方法については、後述する。さらに、図７では、１層目の絶縁層２０６の上面にある各回路配線層２０８と、２層目の絶縁層２１０に形成された各ビアホール２１４やキャビティ２１６は、省略している。
【００３３】
続いて、ステージ５２が装着ユニット２６の下方に移動される。装着ユニット２６では、テープフィーダ１１０により供給された電子部品９４が、図７に示すように、装着ヘッド１１２の吸着ノズル１１６に保持される。その保持された電子部品９４は、装着ヘッド１１２が移動装置１１４で移動するに伴って、キャビティ２２４に装着される。その際、電子部品９４の各電極９６は、上方を向く。さらに、電子部品９４の各電極９６の上面と、３層目の絶縁層２１８の上面は、同一平面上に位置する。
【００３４】
その後、第２造形ユニット２４における工程（つまり、第２印刷部８４の工程と硬化部８６の工程）が繰り返される。これにより、図７に示すように、３層目の絶縁層２１８にある各ビアホール２２２は、硬化した紫外線硬化樹脂で埋められる。また、キャビティ２２４を区画する内壁面と電子部品９４との間隙も、硬化した紫外線硬化樹脂で埋められる。さらに、第１造形ユニット２２における工程が行われる。これにより、４層目の回路配線層２２６が、３層目の回路配線層２２０の一部と電子部品９４の各電極９６とを繋ぐように形成され、硬化される。これにより、電子部品９４は、各回路配線層２０８，２１２，２２０，２２６と電気的に接続される。
【００３５】
その後、第２造形ユニット２４における工程（つまり、第２印刷部８４の工程と硬化部８６の工程）が繰り返される。これにより、図８に示すように、４層目の絶縁層２２７が形成される。
【００３６】
なお、図８では、２層目の絶縁層２１０の上面にある各回路配線層２１２と、３層目の絶縁層２１８に形成された各ビアホール２２２やキャビティ２２４は、省略している。これらの点は、図９でも同様である。
【００３７】
続いて、図９に示すように、３次元積層造形物２０２は、溶剤などによって、基板７０から分離され、３次元積層電子デバイス２０４となる。
【００３８】
次に、キャビティの形成方法について説明する。なお、以下の説明では、キャビティが形成される３次元積層電子デバイスについて、上述した３次元積層電子デバイス２０４と実質的に共通する部分には同一の符号を付することによって、詳しい説明を省略する。
【００３９】
図１０に示すように、キャビティの形成方法３００は、第１調整工程Ｐ１０と、第２調整工程Ｐ２０と、第３調整工程Ｐ３０とを備えている。キャビティの形成方法３００は、３次元積層電子デバイス２０４が製造される際において、コントローラ１２０によって実行される。
【００４０】
第１調整工程Ｐ１０では、キャビティ２２４の開口寸法が調整される。具体的には、図１１に示すように、電子部品９４の短手方向におけるキャビティ２２４の開口寸法Ｄ１は、電子部品９４の上端縁９５からキャビティ２２４の開口縁２２５までの間隔Ｇ１上において、紫外線硬化樹脂を吐出する（インクジェットヘッド８８の）ノズル１３４が少なくとも所定個数並ぶことが可能な長さに調整される。
【００４１】
この点は、図１２に示すように、電子部品９４の長手方向におけるキャビティ２２４の開口寸法Ｄ２についても、同様である。つまり、その開口寸法Ｄ２は、電子部品９４の上端縁９５からキャビティ２２４の開口縁２２５までの間隔Ｇ２上において、紫外線硬化樹脂を吐出する（インクジェットヘッド８８の）ノズル１３４が少なくとも所定個数並ぶことが可能な長さに調整される。
【００４２】
キャビティ２２４（及びキャビティ２１６）の断面は、図１３に示すように、キャビティ２２４（及びキャビティ２１６）の内周面である傾斜面２２８の間が、キャビティ２２４（及びキャビティ２１６）の底面２３０から開口２３２へ向かうに連れて広がる形状を有している。図１３に示されたキャビティ２２４（及びキャビティ２１６）の断面は、電子部品９４の短手方向に沿った断面であるが、電子部品９４の長手方向に沿った断面も、同様な形状を有している。なお、図１１及び図１２では、底面２３０と傾斜面２２８の境界線や、隣接する傾斜面２２８の境界線は、省略されている。
【００４３】
上記の所定個数は、キャビティ２２４を区画する内壁面（つまり、傾斜面２２８及び底面２３０）と電子部品９４との間隙に紫外線硬化樹脂が埋め込まれる速度の要求値に応じて、或いは、その間隙に埋め込まれた紫外線硬化樹脂の上面が平坦化装置９０で平坦化されることにより３層目の絶縁層２１８の上面（及び電子部品９４の各電極９６の上面）と面一になることが可能な最小間隔の観点から定められる。
【００４４】
第２調整工程Ｐ２０では、隣接して配置されるキャビティ２２４が、所定条件を満たすと、一体化される。以下、具体的に説明する。例えば、図１４に示すように、２つのキャビティ２２４Ａ，２２４Ｂが隣接して配置される場合を想定する。そのような場合において、隣接する２つのキャビティ２２４Ａ，２２４Ｂを隔てる仕切壁２３４の厚さ２３４ｔが所定距離未満となるときは、図１５に示すように、仕切壁２３４が省かれることによって、２つのキャビティ２２４Ａ，２２４Ｂが一つのキャビティ２２４（以下、一体化されたキャビティ２２４という。）にされる。
【００４５】
上記の所定距離は、基板７０の大型化を防止する観点から定められてもよいし、仕切壁２３４を形成することが可能な最小厚さの観点から定められてもよい。
【００４６】
なお、第２調整工程Ｐ２０では、一体化されたキャビティ２２４の開口縁２２５が仕切壁２３４と向かい合わせとなる方向において、つまり、図１５では電子部品９４の短手方向において、一体化されたキャビティ２２４の開口寸法Ｄ３が、図１６に示す開口寸法Ｄ４まで狭められてもよい。ここで、図１６の開口寸法Ｄ４とは、図１５の開口寸法Ｄ３と比べ、仕切壁２３４の厚さ２３４ｔ分小さい寸法をいう。
【００４７】
第３調整工程Ｐ３０では、電子部品９４が配線される方向において、上記間隔Ｇ１が広げられる。以下、具体的に説明する。例えば、図１７に示すように、電子部品９４の電極９６と回路配線層２２６が接続される方向において、つまり、電子部品９４の短手方向において、電子部品９４の上端縁９５からキャビティ２２４の開口縁２２５までの距離が、上記間隔Ｇ１から間隔Ｇ３まで広げられる。これにより、一体化されたキャビティ２２４の開口寸法Ｄ３は、開口寸法Ｄ５まで広げられる。
【００４８】
以上詳細に説明したように、本実施形態のキャビティの形成方法３００では、第１調整工程Ｐ１０が実行されると、キャビティ２２４の開口寸法Ｄ１，Ｄ２が、電子部品９４の上端縁９５からキャビティ２２４の開口縁２２５までの間隔Ｇ１，Ｇ２上において、紫外線硬化樹脂を吐出する（インクジェットヘッド８８の）ノズル１３４が少なくとも所定個数並ぶことが可能な長さに調整される。
【００４９】
この点、上記の所定個数は、キャビティ２２４を区画する内壁面（つまり、傾斜面２２８及び底面２３０）と電子部品９４との間隙に紫外線硬化樹脂が埋め込まれる速度の要求値に応じて、或いは、その間隙に埋め込まれた紫外線硬化樹脂の上面が平坦化装置９０で平坦化されることにより３層目の絶縁層２１８の上面（及び電子部品９４の各電極９６の上面）と面一になることが可能な最小間隔の観点から定められる。
【００５０】
なお、上記間隙に埋め込まれた紫外線硬化樹脂の上面が絶縁層２１８の上面（及び電子部品９４の各電極９６の上面）と面一であると、電子部品９４の電極９６の上面から絶縁層２１８の上面に亘って形成される回路配線層２２６において段差が生じない。
【００５１】
従って、本実施形態のキャビティの形成方法３００は、電子部品９４と各回路配線層２０８，２１２，２２０，２２６を含んだ状態で３次元積層造形される３次元積層電子デバイス２０４の絶縁層２１０，２１８に、電子部品９４が収容されるキャビティ２２４を形成する際において、３次元積層電子デバイス２０４の製造スループット向上と回路配線層２２６の品質安定化を図ることが可能である。
【００５２】
ちなみに、本実施形態において、３次元積層電子デバイス２０４は、電子デバイスの一例である。各絶縁層２１０，２１８は、絶縁樹脂層の一例である。キャビティ２１６，２２４の傾斜面２２８は、キャビティの相対する壁面の一例である。キャビティ２１６，２２４の底面２３０は、キャビティの底部の一例である。紫外線硬化樹脂は、絶縁樹脂の一例である。電子部品９４の短手方向は、電子部品と回路配線層が配線される方向の一例である。
【００５３】
尚、本開示は上記実施形態に限定されるものでなく、その趣旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【００５４】
例えば、コントローラ１２０は、第１調整工程Ｐ１０、第２調整工程Ｐ２０、及び第３調整工程Ｐ３０を独立して実行してもよい。
【００５５】
また、キャビティ２２４（及びキャビティ２１６）の断面は、図１３に示された形状とは異なって、キャビティ２２４（及びキャビティ２１６）の内周面が底面２３０に対して垂直に設けられた形状等を有してもよい。
【符号の説明】
【００５６】
９４  電子部品
９５  電子部品の上端縁
１３４  ノズル
２０４  ３次元積層電子デバイス
２０６，２１０，２１８  絶縁層
２０８，２１２，２２０，２２６  回路配線層
２１６    キャビティ
２２４  （一つの）キャビティ
２２４Ａ，２２４Ｂ  隣接するキャビティ
２２５    キャビティの開口縁
２２８    キャビティの傾斜面
２３０    キャビティの底面
２３２    キャビティの開口
２３４    仕切壁
２３４ｔ  仕切壁の厚さ
３００    キャビティの形成方法
Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５  キャビティの開口寸法
Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３  間隔
Ｐ１０    第１調整工程
Ｐ２０    第２調整工程
Ｐ３０    第３調整工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【国際調査報告】
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