(57)【要約】  まず、金属部（２３）が形成された側壁（２７）を有する凹型パターン（２５）を有する基板Ｗを準備する。次に、基板Ｗのうち凹型パターン（２５）の側壁（２７）に形成された金属部（２３）の一部を表面側から酸化させることにより、酸化膜（２９）を形成する。次に、基板Ｗにエッチング液を供給することにより、酸化膜（２９）を選択的に除去する。酸化膜（２９）を形成する工程において、金属部（２３）が大気に露出した状態で金属部（２３）の一部が酸化される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属部が形成された側壁を有する凹型パターンを有する基板を準備する工程と、
前記基板のうち前記凹型パターンの前記側壁に形成された金属部の一部を表面側から酸化させることにより、酸化膜を形成する第１工程と、
前記基板にエッチング液を供給することにより、前記酸化膜を選択的に除去する第２工程とを含み、
前記第１工程において、前記金属部が大気に露出した状態で前記金属部の一部が酸化される、基板処理方法。
【請求項２】
前記第１工程は、前記基板を加熱することにより前記金属部の一部を酸化させる工程である、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記第１工程は、前記基板に電子線を照射することにより前記金属部の一部を酸化させる工程である、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記酸化膜の厚みと前記第１工程における前記酸化膜の形成条件とは、予め関連付けられており、前記第１工程において、前記酸化膜の形成条件に基づいて前記酸化膜を形成する、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記酸化膜の形成条件は、前記大気中の酸素濃度、前記大気中の湿度、前記基板の処理温度及び前記基板の処理時間のうち少なくとも１つを含む、請求項４に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記金属部は、Ｔｉ、Ｃｕ及びＣｏのうち少なくとも１つを含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記第１工程及び前記第２工程を複数回繰り返す、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体デバイスを製造する際の処理のーつとして、半導体ウエハ（以下ウエハという）等の基板の表面に形成された金属膜をエッチング液によりエッチングするウェットエッチング処理技術が知られている（特許文献１参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−０３３９４２号公報
【０００４】
しかしながら、表面に金属膜が形成された凹型パターンを有するウエハにおいて、凹型パターンの側壁をエッチング液で所望量だけエッチングしようとした場合、凹型パターンの上部と下部とでエッチングのスピードが異なり、上部と下部とで均一にエッチングすることができないという問題が生じている。【０００５】
これは、凹型パターン内に存在するエッチング液の置換性が凹型パターン内で不均一となるためであると考えられる。すなわち、凹型パターン内の上部においては、エッチング液に含まれるエッチングに寄与する反応種が常時新しい反応種と入れ替わるため、反応種の濃度が相対的に高くなる。これに対して、凹型パターン内の下部においては、エッチング液が滞留しやすいため、反応種が入れ替わりにくく、反応種の濃度が相対的に低くなる。このように凹型パターンの上部と下部とでエッチング液の濃度が異なることにより、凹型パターンの上部と下部とで反応種の濃度勾配が生じ、エッチング量に差が生じていると考えられる。【０００６】
本開示は、このような点を考慮してなされたものであり、基板の凹型パターン内の上部と下部とでエッチング量を均一化することが可能な、基板処理方法を提供する。
【発明の開示】
【０００７】
本開示の一態様は、金属部が形成された側壁を有する凹型パターンを有する基板を準備する工程と、前記基板のうち前記凹型パターンの前記側壁に形成された金属部の一部を表面側から酸化させることにより、酸化膜を形成する第１工程と、前記基板にエッチング液を供給することにより、前記酸化膜を選択的に除去する第２工程とを含み、前記第１工程において、前記金属部が大気に露出した状態で前記金属部の一部が酸化される、基板処理方法に関する。
【０００８】
本開示によれば、基板の凹型パターン内の上部と下部でエッチング量を均一化することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、一実施形態に係る基板処理システム（基板処理装置）の概略構成を示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示す処理ユニットの概略構成を示す側断面図である。
【図３】図３は、処理ユニットの処理流体供給部の概略構成を示す図である。
【図４】図４は、加熱処理ユニットの概略構成を示す図である。
【図５】図５（ａ）−（ｄ）は、処理中のウエハを示す概略断面図である。
【図６】図６は、一実施形態に係る基板処理方法を示すフロー図である。
【図７】図７（ａ）（ｂ）は、ウエハの変形例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して一実施形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面に示されている構成には、図示と理解のしやすさの便宜上、サイズ及び縮尺等が実物のそれらから変更されている部分が含まれうる。
【００１１】
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００１２】
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
【００１３】
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚のウエハＷを水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
【００１４】
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウエハＷを保持する基板保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、基板保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウエハＷの搬送を行う。
【００１５】
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
【００１６】
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウエハＷを保持する基板保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、基板保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウエハＷの搬送を行う。
【００１７】
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウエハＷに対して所定の基板処理を行う。
【００１８】
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
【００１９】
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
【００２０】
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウエハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
【００２１】
処理ユニット１６へ搬入されたウエハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。
そして、受渡部１４に載置された処理済のウエハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
【００２２】
ところで本実施形態において、処理ステーション３内に、複数の処理ユニット１６に隣接してウエハＷを加熱処理する加熱ユニット１６Ａが設けられている。なお、図１において、便宜上、加熱ユニット１６Ａを２つ示しているが、加熱ユニット１６Ａの数は任意の数とすることができる。
【００２３】
［処理ユニット］
次に、処理ユニット１６の概略構成について図２を参照して説明する。図２は、処理ユニット１６の概略構成を示す図である。
【００２４】
図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、処理流体供給部４０と、回収カップ５０とを備える。
【００２５】
チャンバ２０は、基板保持機構３０と処理流体供給部４０と回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan  Filter  Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。
【００２６】
基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウエハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウエハＷを回転させる。
【００２７】
処理流体供給部４０は、ウエハＷに対して処理流体を供給する。処理流体供給部４０は、処理流体供給源７０に接続される。
【００２８】
回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウエハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。
【００２９】
本実施形態において、処理流体供給部４０は、アーム４５と、アーム４５にそれぞれ設けられた、薬液ノズル４１およびリンスノズル４２を含んでいる（図３参照）。
【００３０】
このうち薬液ノズル４１は、例えばＤＨＦ（希フッ酸）等のエッチング用の薬液（エッチング液）を吐出するノズルである。また、リンスノズル４２は、例えばＤＩＷ（純水）等のリンス液を吐出するノズルである。
【００３１】
［加熱ユニット］
次に、加熱ユニット１６Ａの概略構成について、図４を参照して説明する。図４は、加熱ユニット１６Ａの概略構成を示す図である。
【００３２】
図４に示すように、加熱ユニット１６Ａは、処理容器５３と、処理容器５３内に配置され、処理対象のウエハＷが載置されるテーブル５４と、テーブル５４に設けられ、テーブル５４に載置されたウエハＷを加熱する電熱線等の加熱部（ヒーター）５５とを備えている。
【００３３】
処理容器５３には、酸素濃度調整部５６と湿度調整部５７とが接続されている。このうち酸素濃度調整部５６は、処理容器５３内に例えば酸素及び窒素を供給するものである。
この酸素濃度調整部５６から処理容器５３内に供給される酸素の量及び窒素の量を適宜調節することにより、処理容器５３内の酸素濃度を調整することができる。
【００３４】
また、湿度調整部５７は、処理容器５３内に例えば蒸気及びドライエアを供給するものである。この湿度調整部５７から処理容器５３内に供給される蒸気の量及びドライエアの量を適宜調節することにより、処理容器５３内の湿度を調整することができる。
【００３５】
なお、加熱ユニット１６Ａは、電熱線等の加熱部（ヒーター）５５に代えて、ＬＥＤランプ等の加熱部によりウエハＷを加熱するものであっても良い。
【００３６】
［基板処理方法］
次に、本実施形態による基板処理方法について、図５および図６を参照して説明する。
【００３７】
［基板準備］
はじめに、凹型パターン２５を有するウエハＷを準備する（図６のステップＳ１）。このウエハＷは、図５（ａ）に示すように凹凸状に形成された凹型パターン２５を有している。この凹型パターン２５は、底面２６と、底面２６から垂直に延びる側壁２７と、側壁２７上に形成された上面２８とを有している。また、ウエハＷは、ＳｉＯ、ＳｉＮ等の材料からなる本体部２４と、本体部２４上に形成された金属膜（金属部）２３とを有している。
【００３８】
金属膜２３は、凹型パターン２５の底面２６と側壁２７と上面２８とにそれぞれ略均一な厚みで形成されている。この場合、金属膜２３の厚みｔ１は、例えば１ｎｍ〜１０ｎｍである。また、金属膜２３としては、Ｔｉ、Ｃｕ及びＣｏのうち少なくとも１つを含む材料が用いられる。なお、本実施形態においては、金属膜２３の材料がＴｉＮである場合を例にとって説明する。
【００３９】
［金属膜の酸化］
次に、ウエハＷが基板搬送装置１７により加熱ユニット１６Ａ（図４参照）内に搬入され、処理容器５３内に設けられたテーブル５４に載置される。続いて、ウエハＷは、加熱部５５によって、その下面側から加熱される（第１工程、図６のステップＳ２）。このときウエハＷは、処理容器５３内の大気雰囲気中にあり、金属膜２３が大気に露出した状態で加熱される。
【００４０】
ウエハＷを加熱している間、金属膜２３が大気に露出していることにより、金属膜２３は大気中の酸素と反応して酸化する。これにより金属膜２３は、その厚み方向の一部が表面側（大気に露出している側）から酸化され、酸化膜２９を形成する（図５（ｂ））。例えば、金属膜２３がＴｉＮである場合、金属膜２３の一部にＴｉＯ２からなる酸化膜２９が形成される（図５（ｂ）参照）。
【００４１】
このようにウエハＷを加熱する場合、金属膜２３は、凹型パターン２５の底面２６側と上面２８側とで略均一に加熱される。このため、加熱中の金属膜２３の温度は、底面２６と側壁２７と上面２８とで互いに略均一となり、この結果、金属膜２３の酸化も、底面２６と側壁２７と上面２８とで互いに略均一に進行していくと考えられる。したがって、酸化膜２９の厚みｔ２は、底面２６と側壁２７と上面２８とで互いに略均一となり、また、酸化膜２９の厚みｔ２は、側壁２７の上部（上面２８側）と下部（底面２６側）との間でも略均一となる。具体的には、酸化膜２９の厚みｔ２は、例えば０．５ｎｍ〜５ｎｍである。
【００４２】
このようにしてウエハＷを加熱している間、処理容器５３内の大気は、酸素濃度調整部５６によって制御され、処理容器５３内の酸素濃度が所定値となるように調整されている。具体的には、酸素濃度調整部５６は、処理容器５３内に酸素及び窒素を供給することにより、処理容器５３内の酸素濃度をそれぞれ上昇及び下降させる。処理容器５３内の酸素濃度は、例えば１０％〜３０％であり、好ましくは１８％〜２５％である。
【００４３】
また、処理容器５３内の大気は、湿度調整部５７によって制御され、処理容器５３内の湿度が所定値となるように調整されている。具体的には、湿度調整部５７は、処理容器５３内に蒸気及びドライエアを供給することにより、処理容器５３内の湿度をそれぞれ上昇及び下降させる。
【００４４】
加熱部５５によってウエハＷを加熱する温度は、例えば２５０℃〜３５０℃であり、好ましくは２８０℃〜３２０℃である。さらに、ウエハＷを加熱する時間は、例えば１分〜１０分であり、好ましくは２分〜４分である。
【００４５】
このように、酸化膜２９の形成条件を制御することにより、金属膜２３の酸化の進む程度を調整することができ、これにより、酸化膜２９の厚みｔ２（後述するエッチング量）を制御することができる。このような酸化膜２９の形成条件としては、ウエハＷを加熱する際の大気中の酸素濃度、大気中の湿度、ウエハＷの加熱時間（処理時間）及びウエハＷの加熱時間（処理時間）のうち、１つ又は複数を挙げることができる。
【００４６】
この酸化膜２９の厚みｔ２と酸化膜２９の形成条件とは、予め関連付けられており、例えば制御装置４の記憶部１９（図１参照）に記憶されていても良い。この場合、必要となる酸化膜２９の厚みｔ２（エッチング量）を制御装置４に入力することにより、制御装置４は、この厚みｔ２に対応する酸化膜２９の形成条件を自動的に求める。そして制御装置４は、求められた酸化膜２９の形成条件に基づいて、酸化膜２９を形成するように加熱ユニット１６Ａを制御しても良い。
【００４７】
その後、酸化膜２９が形成されたウエハＷが基板搬送装置１７により加熱ユニット１６Ａから搬出される。
【００４８】
［基板搬入］
次に、加熱ユニット１６Ａから搬出されたウエハＷは、基板搬送装置１７により処理ユニット１６（図２参照）内に搬入され、基板保持機構３０により保持される（図６のステップＳ３）。次に、駆動部３３を動作させることによりウエハＷが回転を開始する。ウエハＷは、後述の乾燥処理が終了するまで、ずっと回転し続ける。
【００４９】
［エッチング処理］
次に、アーム４５が駆動することによりウエハＷの中心部の真上に薬液ノズル４１が位置し、薬液ノズル４１からウエハＷの表面の中心部にＤＨＦ等のエッチング用の薬液が所定時間にわたって供給される（第２工程、図６のステップＳ４）。供給された薬液は遠心力により広がり、ウエハＷの外方に向けて流れる。このとき、ウエハＷの表面の全域は薬液の液膜により覆われる。具体的には、ウエハＷに形成された酸化膜２９が薬液Ｌによって覆われる（図５（ｃ）参照）。
【００５０】
このようにウエハＷの表面に薬液を供給することにより、ウエハＷに形成された酸化膜２９が選択的に除去される。すなわち、ＤＨＦ等のエッチング用の薬液により、ＴｉＯ２からなる酸化膜２９が全体にわたって除去される一方、薬液と反応しにくいＴｉＮからなる金属膜２３は、除去されることなく残存する（図５（ｄ）参照）。
【００５１】
上述したように、酸化膜２９の厚みｔ２は、底面２６と側壁２７と上面２８とで互いに略均一であり、側壁２７の上部と下部との間でも略均一となっている。したがって、当初の金属膜２３をエッチングにより除去した分の厚みであるエッチング量（すなわち酸化膜２９の厚みｔ２）を、側壁２７の上部と下部との間で略均一とすることができる。
【００５２】
［リンス処理］
続いて、薬液の供給を停止するとともに、ウエハＷの中心部の真上にリンスノズル４２が位置し、リンスノズル４２からウエハＷの表面の中心部にＤＩＷ等のリンス液が所定時間にわたって供給される（図６のステップＳ５）。供給されたリンス液は遠心力により広がり、ウエハＷの外方に向けて流れる。このとき、ウエハＷの表面の全域はリンス液の液膜により覆われる。これによりウエハＷの表面上に残存する薬液（ＤＨＦ）および薬液処理時の反応生成物が、リンス液により洗い流されてウエハＷ表面から除去される。その後、リンス液の供給を停止する。
【００５３】
［乾燥処理］
リンス処理が終了したら、乾燥処理を実行する（図６のステップＳ６）。すなわち、リンスノズル４２からのリンス液の吐出を停止するとともに、ウエハＷの回転数を増加させ、ウエハＷの振り切り乾燥処理を行う。
【００５４】
この乾燥処理が終了したら、ウエハＷの回転を停止する。これによりウエハＷに対する一連の処理が終了したことになる。その後、ウエハＷが基板搬送装置１７により処理ユニット１６から搬出される。
【００５５】
以上に説明したように、本実施形態によれば、金属膜２３が大気に露出した状態で、ウエハＷの凹型パターン２５の側壁２７に形成された金属膜２３の一部を表面側から酸化させ、酸化膜２９を形成する（第１工程）。その後、ウエハＷにエッチング用の薬液を供給することにより、酸化膜２９を選択的に除去する（第２工程）。このように、エッチング用の薬液を供給する工程（第２工程）の前に、凹型パターン２５に形成された金属膜２３を酸化させる工程（第１工程）が設けられている。これにより、側壁２７の上部と下部との間で金属膜２３に対して略均一の厚みに酸化膜２９を形成することができる。したがって、エッチング用の薬液によって酸化膜２９を選択的に除去することにより、金属膜２３の上部と下部とで均一にエッチングを施すことができる。すなわち、ウエハＷの凹型パターン２５内の上部と下部でエッチング量を均一化することができる。
【００５６】
また、本実施形態によれば、酸化膜２９を形成する際、ウエハＷを加熱することにより金属膜２３の一部を酸化させている。ウエハＷを加熱する場合、ウエハＷの凹型パターン２５内の上部と下部で略均一に金属膜２３を加熱することができるので、金属膜２３の側壁２７の上部と下部との間で略均一の厚みに酸化膜２９を形成することができる。
【００５７】
また、本実施形態によれば、酸化膜２９の厚みと酸化膜２９の形成条件（例えば、大気中の酸素濃度、大気中の湿度、ウエハＷの処理温度及びウエハＷの処理時間のうち少なくとも１つ）とは、予め関連付けられている。この場合、金属膜２３を酸化させる工程（第１工程）において、酸化膜２９の形成条件に基づいて酸化膜２９を形成する。これにより、酸化膜２９の形成条件を適宜調整することにより、所望のエッチング量だけ金属膜２３をエッチングすることができる。
【００５８】
なお、酸化膜２９を形成することなく（第１工程を経ることなく）、例えばＳＣ２（塩酸／過酸化水素／水の混合液）等の薬液によって金属膜２３を直接エッチングする場合、エッチング液に含まれる反応種が、凹型パターン２５内の下部に滞留しやすい。このため、凹型パターン２５の上部と下部とで反応種が入れ替わりにくく、凹型パターン２５の下部では反応種の濃度が低くなる傾向がある。この場合、凹型パターン２５の上部と下部とで反応種の濃度勾配が生じ、エッチング量に差が生じるおそれがある。これに対して、金属膜２３を一度にエッチングするのではなく、所望のエッチング量となるまで、金属膜２３に対するエッチング処理とリンス処理とを複数回繰り返すことも考えられる。この場合、凹型パターン２５の上部と下部とでエッチング液の置換性を向上させ、凹型パターン２５の上部と下部とでエッチング量を均一化することができる。
【００５９】
［変形例］
次に、本実施形態の変形例について説明する。
【００６０】
上記実施形態において、ウエハＷの金属膜２３の一部を酸化させることにより、酸化膜２９を形成する第１工程と、ウエハＷにエッチング用の薬液を供給することにより、酸化膜２９を選択的に除去する第２工程とを１回ずつ行う場合を例にとって説明した。しかしながら、これに限らず、第１工程と第２工程とを複数回繰り返すようにしても良い。具体的には、金属膜２３の一部に酸化膜２９を形成する工程（第１工程、図６のステップＳ２）と、ウエハＷに形成された酸化膜２９を選択的に除去する工程（第２工程、図６のステップＳ４）と、ウエハＷをリンス処理する工程（図６のステップＳ５）と、ウエハＷを乾燥処理する工程（図６のステップＳ６）とが、この順番で複数回繰り返されても良い。これにより、例えばエッチング量が大きい場合、すなわち金属膜２３を深くエッチングする場合であっても、ウエハＷの凹型パターン２５内の上部と下部とでエッチング量を均一化することができる。
【００６１】
また上記実施形態において、加熱ユニット１６Ａ内でウエハＷを加熱することにより、金属膜２３に酸化膜２９を形成する場合を例にとって説明した（第１工程）。しかしながら、これに限らず、ウエハＷに対して紫外線等の電子線を照射することにより、金属膜２３の一部を酸化させても良い。例えば、ＬＥＤランプによりウエハＷに紫外線を照射することにより、大気中の酸素からオゾンを生成し、このオゾンによって金属膜２３の一部を酸化して酸化膜２９を形成しても良い。この場合、紫外線は、金属膜２３の側壁２７の上部と下部との間で均等に照射されるので、側壁２７の上部と下部との間で略均一な厚みに酸化膜２９を形成することができる。これにより、金属膜２３の上部と下部とで均一にエッチングを施すことができ、エッチング量を均一化することができる。この場合においても、酸化膜２９の各種形成条件を制御することにより、金属膜２３の酸化の進み具合を調整することができ、金属膜２３をエッチングするエッチング量を制御することができる。
このような酸化膜２９の形成条件としては、大気中の酸素濃度、大気中の湿度、ウエハＷに対する電子線照射量及びウエハＷに対する電子線照射時間（処理時間）のうち、１つ又は複数の条件を挙げることができる。
【００６２】
また上記実施形態において、金属膜２３がウエハＷの側壁２７の上端から下端までの全体に形成されている場合を例にとって説明した（図５（ａ）参照）。しかしながら、これに限らず、エッチングを施す金属部は、側壁２７の一部のみに形成されていても良い。例えば、図７（ａ）に示すように、ウエハＷの凹型パターン２５の高さ方向に沿って、絶縁層３４と金属層（金属部）３５とが交互に形成されていても良い。この場合においても、凹型パターン２５の側壁２７に形成された金属層３５の一部を酸化させて酸化膜２９を形成し、その後、酸化膜２９を選択的に除去することができる。これにより、図７（ｂ）に示すように、側壁２７の上部と下部との間で略均一にエッチングを施すことができる。具体的には、上部と下部に配置された複数の金属層３５間でエッチング量を均一化することができる。
【００６３】
本開示は、上述の実施形態及び変形例に限定されるものではなく、当業者が想到しうる種々の変形が加えられた各種態様も含みうるものであり、本開示によって奏される効果も上述の事項に限定されない。したがって、本開示の技術的思想及び趣旨を逸脱しない範囲で、特許請求の範囲及び明細書に記載される各要素に対して種々の追加、変更及び部分的削除が可能である。
【図１】
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【図２】
2018230377.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2018230377.tif 000009
【国際調査報告】
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2018230377.tif 000011
2018230377.tif 000012