(57)【要約】  光装置（３０）は、発光装置（１０）及びセンサ装置（２０）（受光素子（２２０））を備えている。発光装置（１０）は、基板（１００）、複数の発光部（１４０）、及び透光部（１０６）を備えている。発光部（１４０）は基板（１００）の第１面（１００ａ）側に位置している。発光部（１４０）は遮光部（１０２：第１遮光部）を有している。遮光部（１０２）は、その隣の発光部（１４０：第１発光部）を出射した光のうち第１面（１００ａ）側に、７０°〜９０°の少なくともいずれかの角度で発光装置（１０）から出射する光を覆う位置に位置している。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の第１面側に位置する第１発光部と、
前記第１発光部を出射した光のうち前記基板の前記第１面側に７０°〜９０°の少なくともいずれかの角度で出射する光を覆う位置に位置する第１遮光部と、
前記第１発光部および前記第１遮光部の間に位置する第１透光部と、
受光素子と、
を備える光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置において、
前記第１遮光部は、前記第１発光部の前記第１遮光部と反対側の端部から出射した光のうち前記基板の前記第１面側に７０°の角度で出射する光を覆う位置から、前記第１発光部の前記第１遮光部側の端部から出射した光のうち前記基板の前記第１面側に９０°の角度で出射する光を覆う位置までのいずれかに位置する光装置。
【請求項３】
請求項２に記載の発光装置において、
前記基板の厚みをｔ、前記基板の屈折率をｎ、前記第１発光部の中心から前記第１遮光部の中心までの距離をＰとすると、以下の式（１）を満たす光装置。
（１／Ｎ）×２ｔ×ｔａｎθ１−（Ｌ／２）≦Ｐ≦（１／Ｎ）×２ｔ×ｔａｎθ２＋（Ｌ／２）・・・（１）
ただし、θ１＝ｓｉｎ−１（１．０×ｓｉｎ（７０°）／ｎ）であり、θ２＝ｓｉｎ−１（１．０×ｓｉｎ（９０°）／ｎ）であり、Ｎは自然数である。
【請求項４】
基板と、
前記基板の第１面側に位置する第１発光部と、
基板に設けられた第１遮光部と、
前記第１発光部と前記第１遮光部の間に位置する第１透光部と、
受光素子と、
を備え、
前記基板の厚みをｔ、前記基板の屈折率をｎ、前記第１遮光部の幅をＬ、前記第１発光部の中心から前記第１遮光部の中心までの距離をＰとすると、以下の式（１）を満たす光装置。
（１／Ｎ）×２ｔ×ｔａｎθ１−（Ｌ／２）≦Ｐ≦（１／Ｎ）×２ｔ×ｔａｎθ２＋（Ｌ／２）・・・（１）
ただし、θ１＝ｓｉｎ−１（１．０×ｓｉｎ（７０°）／ｎ）であり、θ２＝ｓｉｎ−１（１．０×ｓｉｎ（９０°）／ｎ）であり、Ｎは自然数である。
【請求項５】
請求項４に記載の光装置において、
以下の式（２）を満たす発光装置。
（１／Ｎ）×２ｔ×ｔａｎθ１≦Ｐ≦（１／Ｎ）×２ｔ×ｔａｎθ２・・・（２）
【請求項６】
請求項３〜５のいずれか一項に記載の光装置において、
Ｎ＝１、２、又は３である光装置。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の光装置において、
前記第１遮光部は、第２発光部が有する金属電極である光装置。
【請求項８】
請求項７に記載の光装置において、
前記第１発光部の幅は、前記第２発光部の幅の９５％以上１０５％以下である光装置。
【請求項９】
請求項８に記載の光装置において、
第３発光部及び第２透光部を備え、
前記第３発光部、前記第２透光部、前記第１発光部、前記第１透光部、及び前記第２発光部はこの順に並んでおり、
前記第３発光部の幅は、前記第１発光部の幅の９５％以上１０５％以下であり、
前記第１発光部の中心と前記第２発光部の中心との間隔は、前記第１発光部の中心と前記第３発光部の中心との間隔の９５％以上１０５％以下である光装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の光装置において、
第２遮光部及び第２透光部を備え、
前記第２遮光部、前記第２透光部、前記第１発光部、前記第１透光部、及び前記第１遮光部はこの順に並んでおり、
前記第１発光部の中心と前記第１遮光部の中心との間隔である第１間隔は、前記第１発光部の中心と前記第２遮光部の中心との間隔である第２間隔の９５％以上１０５％以下である光装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の光装置において、
前記第１間隔は、前記第１発光部から前記基板の第２面を反射して前記第１面側に出射する光のうち、少なくとも８０°の光を遮光する間隔である光装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の光装置において、
前記第１発光部は、透光性の第１電極、有機層、及び遮光性の第２電極の積層構造からなる光装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の光装置において、
前記基板は少なくとも第１層及び第２層を積層した構成を有しており、
前記第１層を構成する材料の屈折率は、前記第２層を構成する材料の屈折率と異なる光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、透光性を有する有機発光層を用いた発光装置に透光性を持たせることが検討されている。例えば特許文献１に記載の発光装置は、基板、第１電極、有機層、及び複数の第２電極を備えている。第１電極及び有機層は、基板上で順に積層されている。複数の第２電極は例えばアルミニウム膜であり、有機層上でストライプ状に配置されている。ＯＬＥＤの外部からの光は、隣り合う第２電極の間の領域を透過することができる。これにより、ＯＬＥＤは、透光性を有している。【０００３】
また特許文献２には、不透明な電極をストライプにすることにより透光性を持たせた発光装置を車両のストップランプに使用することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２３３３６号公報
【特許文献２】特開２０１５−１９５１７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したように、近年、透光性を有する発光装置が開発されている。一定の用途（例えば、自動車のテールランプ）においては、このような発光装置（発光部）が、受光素子（例えば、フォトダイオード（ＰＤ））を有する装置（例えば、光センサ又は撮像装置）と一緒に用いられる場合がある。この場合、発光装置から発せられる光による受光素子の誤検出を可能な限り抑える必要がある。【０００６】
本発明が解決しようとする課題としては、発光部から発せられる光による受光素子の誤検出を抑えることが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、基板と、
前記基板の第１面側に位置する第１発光部と、
前記第１発光部を出射した光のうち前記基板の前記第１面側に７０°〜９０°の少なくともいずれかの角度で出射する光を覆う位置に位置する第１遮光部と、
前記第１発光部および前記第１遮光部の間に位置する第１透光部と、
受光素子と、
を備える光装置である。【０００８】
請求項４に記載の発明は、基板と、
前記基板の第１面側に位置する第１発光部と、
基板に設けられた第１遮光部と、
前記第１発光部と前記第１遮光部の間に位置する第１透光部と、
受光素子と、
を備え、
前記基板の厚みをｔ、前記基板の屈折率をｎ、前記第１発光部の中心から前記第１遮光部の中心までの距離をＰとすると、以下の式を満たす光装置である。
（１／Ｎ）×２ｔ×ｔａｎθ１≦Ｐ≦（１／Ｎ）×２ｔ×ｔａｎθ２
ただし、θ１＝ｓｉｎ−１（１．０×ｓｉｎ（７０°）／ｎ）であり、θ２＝ｓｉｎ−１（１．０×ｓｉｎ（９０°）／ｎ）であり、Ｎは自然数である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。【００１０】
【図１】実施形態１に係る光装置を説明するための図である。
【図２】実施形態２に係る光装置を説明するための図である。
【図３】実施形態３に係る発光装置の構成を示す平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ断面図である。
【図５】発光部の配置間隔を説明するための図である。
【図６】各図は、第２電極の幅と第１放射位置及び第２放射位置の位置を説明するための図である。
【図７】発光部の配置間隔を説明するための図である。
【図８】変形例１に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図９】変形例２に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図１０】漏れ光の割合のシミュレーション結果を示す図である。
【図１１】漏れ光の放射角度と漏れ光の量の関係を示す図である。
【図１２】漏れ光の放射角度と漏れ光の量の関係を示す図である。
【図１３】漏れ光の放射角度と漏れ光の量の関係を示す図である。
【図１４】漏れ光の放射角度と漏れ光の量の関係を示す図である。
【図１５】漏れ光の放射角度と漏れ光の量の関係を示す図である。
【図１６】漏れ光の放射角度と漏れ光の量の関係を示す図である。
【図１７】漏れ光の放射角度と漏れ光の量の関係を示す図である。
【図１８】漏れ光の放射角度と漏れ光の量の関係を示す図である。
【図１９】漏れ光の放射角度と漏れ光の量の関係を示す図である。
【図２０】漏れ光の量と、間隔Ｐの関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１２】
（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る光装置３０を説明するための図である。光装置３０は、発光装置１０及びセンサ装置４０（受光素子４２０）を備えている。
【００１３】
発光装置１０は、基板１００、複数の発光部１４０及び複数の透光部１０６を備えている。基板１００は、第１面１００ａ及び第２面１００ｂを有している。第２面１００ｂは、第１面１００ａの反対側にある。複数の発光部１４０は、基板１００の第１面１００ａ側に位置している。複数の透光部１０６のそれぞれは、隣り合う発光部１４０の間に位置している。発光装置１０は、複数の透光部１０６によって透光性を有している。
【００１４】
図１に示す発光装置１０は、図３以降の図を用いて詳細を後述する発光装置１０と同様の構成を有している。図３以降の図を用いて詳細を後述するように、複数の発光部１４０からの光は、基板１００の第２面１００ｂから主に出力される。特に本実施形態では、各発光部１４０から発せられて基板１００の第１面１００ａ側から漏れる光の量が抑えられている。
【００１５】
センサ装置４０は、発光装置１０の周囲に設けられている。図１に示す例では、センサ装置４０は、基板１００の第１面１００ａの斜め前にあり、具体的には、基板１００に平行な方向から見たときの第１面１００ａ側かつ、基板１００に垂直な方向から見たときの第１面１００ａ又は第２面１００ｂと重ならない位置に位置している。他の例において、センサ装置４０は、基板１００の第１面１００ａの正面にあってもよいし、又は基板１００の第１面１００ａと第２面１００ｂの間の側方にあってもよい。さらに他の例において、センサ装置４０は、基板１００の第２面１００ｂの斜め前にあってもよく、具体的には、基板１００に平行な方向から見たときの基板１００の第２面１００ｂ側かつ、基板１００に垂直な方向から見たときの第１面１００ａ又は第２面１００ｂと重ならない位置に位置していてもよい。
【００１６】
センサ装置４０は、光装置３０の周囲の情報を取得するための光センシングを行う。図１に示す例において、センサ装置４０は、発光素子４１０及び受光素子４２０を含んでいる。一例において、センサ装置４０は、測距センサ、特にＬｉＤＡＲ（Ｌｉｇｈｔ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ  Ａｎｄ  Ｒａｎｇｉｎｇ）にすることができる。この例において、発光素子４１０は、センサ装置４０の外部に向けて光を発し、受光素子４２０は、発光素子４１０から発せられて対象物によって反射された光を受ける。一例において、発光素子４１０は、電気的エネルギーを光エネルギーに変換可能な素子、例えばレーザダイオード（ＬＤ）にすることができ、受光素子４２０は、光エネルギーを電気的エネルギーに変換可能な素子、例えばフォトダイオード（ＰＤ）にすることができる。センサ装置４０は、光が発光素子４１０から発せられてから受光素子４２０によって受けられるまでの時間に基づいて、センサ装置４０から対象物までの距離を検出することができる。
【００１７】
センサ装置４０の受光素子４２０は、センサ装置４０の外部からの光を検出する。したがって、受光素子４２０の誤検出を防ぐため、発光装置１０から発せられた光が受光素子４２０に入射されることを可能な限り抑えることが望ましい。
【００１８】
光装置３０は、発光及び光センシングを行うための用途、例えば、自動車の、測距センサ付きテールランプに用いることができる。この例においては、発光装置１０が発光の機能を実現し、センサ装置４０が光センシングの機能を実現する。
【００１９】
上述した構成によれば、発光装置１０から発せられる光による受光素子４２０の誤検出を抑えることができる。具体的には、上述したように、本実施形態では、各発光部１４０から発せられて基板１００の第１面１００ａ側から漏れる光の量が抑えられている。したがって、発光装置１０から発せられる光がセンサ装置４０（受光素子４２０）へ入射されることを抑えることができる。したがって、発光装置１０から発せられる光による受光素子４２０の誤検出を抑えることができる。
【００２０】
特に本実施形態においては、センサ装置４０（受光素子４２０）が基板１００の第１面１００ａの正面又は斜め前にあっても、発光装置１０から発せられる光による受光素子４２０の誤検出を抑えることができる。上述したように、本実施形態では、各発光部１４０から発せられて基板１００の第１面１００ａ側から漏れる光の量が抑えられている。したがって、発光装置１０から発せられた光の基板１００の第１面１００ａの正面又は斜め前への漏れを抑えることができる。したがって、センサ装置２０（受光素子４２０）が基板１００の第１面１００ａの正面又は斜め前にあっても、発光装置１０から発せられる光による受光素子４２０の誤検出を抑えることができる。
【００２１】
（実施形態２）
図２は、実施形態２に係る光装置３０を説明するための図であり、実施形態１の図１に対応する。本実施形態に係る光装置３０は、以下の点を除いて、実施形態１に係る光装置３０と同様である。
【００２２】
センサ装置４０は、光装置３０の周囲の情報を取得するための光センシングを行う。図２に示す例において、センサ装置４０は、複数の受光素子４２０を含んでいる。一例において、センサ装置４０は、撮像センサにすることができる。この例において、複数の受光素子４２０は、画像を電気信号に変換可能な素子、例えば、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサ又はＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサにすることができる。一例において、各受光素子４２０は、光エネルギーを電気的エネルギーに変換可能な素子、例えばフォトダイオード（ＰＤ）にすることができる。センサ装置４０は、複数の受光素子４２０によって、センサ装置４０の外部の対象物の像を検出することができる。
【００２３】
センサ装置４０の受光素子４２０は、センサ装置４０の外部からの光を検出する。したがって、受光素子４２０の誤検出を防ぐため、発光装置１０から発せられて受光素子４２０に入射される光の量を可能な限り抑えることが望ましい。
【００２４】
光装置３０は、発光及び光センシングを行うための用途、例えば、自動車の、撮像センサ付きテールランプに用いることができる。この例においては、発光装置１０が発光の機能を実現し、センサ装置４０が光センシングの機能を実現する。
【００２５】
本実施形態においても、実施形態１と同様にして、発光装置１０から発せられる光による受光素子４２０の誤検出を抑えることができる。
【００２６】
（実施形態３）
図３は、実施形態３に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図４は、図３のＡ−Ａ断面図である。発光装置１０は、基板１００、複数の発光部１４０、及び透光部１０６を備えている。発光部１４０は基板１００の第１面１００ａ側に位置している。発光部１４０は遮光部１０２を有している。遮光部１０２（第１遮光部）は、その隣の発光部１４０（第１発光部）を出射した光のうち第１面１００ａ側に、７０°〜９０°の少なくともいずれかの角度で発光装置１０から出射する光を覆う位置に位置している。
【００２７】
言い換えると、遮光部１０２（第１遮光部）は、その隣の発光部１４０（第１発光部）のうち遮光部１０２と反対側の端部１４１から出射した光のうち第１面１００ａ側から７０°の角度で発光装置１０の外部に出射する光を覆う位置から、第１発光部の遮光部１０２側の端部１４２から出射した光のうち第１面１００ａ側に９０°の角度で発光装置１０の外部に出射する光を覆う位置までのいずれかに位置する。
【００２８】
このようにするための方法の一例としては、詳細を後述するように、遮光部１０２（第１遮光部）の中心からその隣の発光部１４０（第１発光部）の中心までの距離Ｐが以下の式を満たすように発光部１４０を配置することがある。
（１／Ｎ）×２ｔ×ｔａｎθ１−（Ｌ／２）≦Ｐ≦（１／Ｎ）×２ｔ×ｔａｎθ２＋（Ｌ／２）・・・（１）
ただし、ｔは基板１００の厚みであり、Ｌは遮光部１０２（第１遮光部）の幅であり、ｎは基板１００の屈折率であり、θ１＝ｓｉｎ−１（１．０×ｓｉｎ（７０°）／ｎ）であり、θ２＝ｓｉｎ−１（１．０×ｓｉｎ（９０°）／ｎ）であり、Ｎは自然数である。
【００２９】
以下、発光装置１０について詳細に説明する。
【００３０】
発光装置１０は、上記したように複数の発光部１４０を有している。複数の発光部１４０は、いずれも線状（例えば直線状）に延在している。本図に示す例において、複数の発光部１４０は互いに平行に延在している。ただし、ある発光部１４０の少なくとも一部が、その隣に位置する発光部１４０と平行でなくてもよい。また、発光部１４０は線状でなくてもよい。
【００３１】
発光部１４０は、基板１００を用いて形成されている。発光部１４０はボトムエミッション型であり、基板１００の第２面１００ｂ側から光を放射する。
【００３２】
基板１００は、例えばガラスや透光性の樹脂などの透光性の材料で形成されている。基板は、例えば矩形などの多角形であるが、他の形状（例えば円形）であってもよい。基板１００は可撓性を有している。基板１００が可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特にガラスを有する基板１００に可撓性を持たせる場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。樹脂材料で形成された基板１００に可撓性を持たせる場合、基板１００の材料は、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、及びポリイミドの少なくとも一つである。なお、基板１００が樹脂材料で形成されている場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも発光面（好ましくは両面）に、ＳｉＮｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されているのが好ましい。
【００３３】
発光部１４０は、上記したように基板１００の第１面１００ａに形成されており、透光性の第１電極１１０、有機層１２０、及び遮光性の第２電極１３０を有している。
【００３４】
第１電極１１０は透明導電膜で形成されている。この透明導電膜は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｕｎｇｓｔｅｎ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。透明電極の材料の屈折率は、例えば１．５以上２．２以下である。透明電極の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。透明電極は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、透明電極は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよいし、薄い金属電極であってもよい。
【００３５】
有機層１２０は、第１電極１１０と第２電極１３０の間に位置しており、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層を有している。ただし、正孔注入層及び正孔輸送層の一方は形成されていなくてもよい。また、電子輸送層及び電子注入層の一方は形成されていなくてもよい。有機層１２０は、さらに他の層を有していてもよい。有機層１２０は、例えばマスクを用いた蒸着法を用いて形成されるが、少なくとも一部の層が塗布法により形成されていてもよい。有機層１２０は、後述する絶縁膜１５０の上、及び第１電極１１０のうち発光部１４０となるべき領域のそれぞれに連続して形成されている。
【００３６】
図４に示す例において、有機層１２０の２つの端部は絶縁膜１５０の上に位置している。ただし、絶縁膜１５０の端部は後述する透光部１０６に位置していてもよい。また、複数の発光部１４０それぞれの有機層１２０は、互いに繋がっていてもよい。この場合、後述する透光部１０６は有機層１２０で覆われている。
【００３７】
第２電極１３０は、例えば金属層を有しており、透光性を有していない。第２電極１３０が有する金属層は、例えば、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属からなる層、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる層である。図４に示す例において、第２電極１３０の２つの端部はいずれも絶縁膜１５０の上に位置している。
【００３８】
また、第１電極１１０の上には絶縁膜１５０が形成されている。絶縁膜１５０は、第１電極１１０のうち発光部１４０となるべき領域に開口を有している。言い換えると、絶縁膜１５０は発光部１４０を画定している。絶縁膜１５０は、例えばポリイミドなどに感光性の物質を含ませた材料を用いて形成されている。絶縁膜１５０は、第１電極１１０が形成された後、かつ有機層１２０が形成される前に形成されている。
【００３９】
図４に示す例において、第１電極１１０は、発光部１４０ごとに分けられている。このため、発光部１４０の端部は絶縁膜１５０によって覆われており、かつ、後述する透光部１０６には第１電極１１０が位置していない。ただし、複数の発光部１４０それぞれの第１電極１１０は、互いに繋がっていてもよい。この場合、透光部１０６にも第１電極１１０が位置している。
【００４０】
発光装置１０は遮光部１０２、及び透光部１０４，１０６を有している。
【００４１】
遮光部１０２は第２電極１３０と重なる領域である。ただし、第２電極１３０が透光性の電極である場合、又は隣り合う発光部１４０の間隔が広い場合、第２電極１３０の上に遮光部材（例えば遮光膜）が設けられていてもよい。この場合、遮光部１０２は、この遮光部材と重なる領域である。また、隣り合う第２電極１３０の間隔が広い場合、隣り合う第２電極１３０の間の領域、例えば透光部１０６の一部の上に、遮光部材（例えば遮光膜）が設けられていてもよい。この場合、遮光部１０２は、第２電極１３０と重なる領域と、遮光膜と重なる領域の双方になる。また、遮光部材は、隣り合う第２電極１３０の中間点を覆う位置に配置されていてもよい。なお、遮光部材は、例えば第２電極１３０と同じ金属膜であるが、第２電極１３０とは異なる膜であってもよい。
【００４２】
透光部１０４は、複数の遮光部１０２の間の領域のうち絶縁膜１５０を含む領域である。透光部１０６は、複数の遮光部１０２の間の領域のうち絶縁膜１５０を含まない領域である。透光部１０６の透光率は、透光部１０４の透光率よりも低い。また、透光部１０６は第１電極１１０とも重なっていない。本図に示す例において、有機層１２０は透光部１０６の少なくとも一部には形成されていない。そして透光部１０４の幅は、透光部１０６の幅よりも狭い。また透光部１０６の幅は遮光部１０２の幅よりも広くてもよいし、狭くてもよい。遮光部１０２の幅を１とした場合、透光部１０４の幅は例えば０以上（又は０超）０．２以下であり、透光部１０６の幅は例えば０．３以上３以下である。また遮光部１０２の幅は、例えば５０μｍ以上５００μｍ以下であり、透光部１０４の幅は例えば０μｍ以上（又は０μｍ超）１００μｍ以下であり、透光部１０６の幅は例えば１５μｍ以上１０００μｍ以下である。
【００４３】
発光装置１０は透光部１０４，１０６を複数有している。このため、発光装置１０は透光性を有している。また、発光部１４０は、遮光部１０２と重なっている。このため、発光部１４０からの発光の大部分は、基板１００のうち発光部１４０が形成されていない第２面１００ｂから、外部に放射される。
【００４４】
発光装置１０は、さらに第１端子１１２及び第１配線１１４を有している。第１端子１１２は、第１電極１１０を発光装置１０外部の駆動回路に接続するための端子であり、フレキシブルプリント配線板などの外部の配線が接続される。第１配線１１４は第１端子１１２を第１電極１１０に接続している。第１端子１１２及び第１配線１１４は、いずれも第１面１００ａに形成されている。第１端子１１２及び第１配線１１４の少なくとも一部は、第１電極１１０と一体になっていてもよい。この場合、第１端子１１２及び第１配線１１４の少なくとも一部は、第１電極１１０と同じ透明導電膜であり、第１電極１１０と同一の工程で同時に形成される。
【００４５】
なお、第１端子１１２及び第２端子１３２は、基板１００の縁において、発光部１４０と交わる方向（例えば直交する方向）に延在している。そして、第１端子１１２は、複数の第１電極１１０に接続しており、第２端子１３２は複数の第２電極１３０に接続している。
【００４６】
基板１００の第１面１００ａ側には、封止部２００が形成されている。封止部２００は発光部１４０を封止するために設けられている。本図に示す例において、封止部２００は、透光性の封止板２０４の両面に透光性のバリア層２０２を設けた構成を有しており、透光性の接着層２２０を用いて基板１００の第１面１００ａ側に固定されている。言い換えると、発光部１４０の上及び絶縁膜１５０の上には、接着層２２０を介して封止部２００が位置している。また、基板１００の透光部１０６となる領域の上にも、接着層２２０を介して封止部２００が位置している。なお、接着層２２０には吸湿剤が含まれていてもよい。
【００４７】
封止板２０４は樹脂製である。封止板２０４を構成する樹脂は、基板１００を構成する樹脂として例示した物を用いることができる。また、バリア層２０２は、例えばＳｉＮｘやＳｉＯＮなどの無機バリア層である。基板１００がバリア層を有している樹脂基板である場合、封止部２００は基板１００と同一の構造を有していてもよい。
【００４８】
なお、封止部２００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。また、接着層２２０の厚さは、例えば５μｍ以上１００μｍ以下である。
【００４９】
発光装置１０は、発光部１４０と封止部２００の間に被覆層を備えていてもよい。この被覆層は、発光部１４０を覆っており、発光部１４０を封止している。この被覆層は、無機材料からなる層（以下、無機層と記載）を少なくとも一つ（好ましくは複数）有している。この無機材料は、例えば酸化アルミニウムは酸化チタンなどの金属酸化物である。例えばこの被覆層は、酸化アルミニウムからなる第１層と酸化チタンからなる第２層とを繰り返し積層した積層膜を有している。この場合、積層膜の厚さは、例えば１ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。また、第１層及び第２層は、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成されている。この場合、第１層の厚さ、及び第２層の厚さは、例えば１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。なお、上記した無機層は、他の成膜法、例えばＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて形成されていてもよい。この場合、無機層は、例えばＳｉＯ２層又はＳｉＮ層である。また無機層の膜厚は、例えば１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。
【００５０】
また、発光装置１０は、封止部２００として、中空封止構造を有していてもよい。この場合、発光装置１０は、凹部を有する封止部材を有している。そして封止部材は、凹部の内側に発光部１４０が位置するように、基板１００の第１面１００ａ側に固定される。
【００５１】
図５は、発光部１４０の配置間隔を説明するための図である。本図において、説明のため発光部１４０を簡略化し、かつ光の放射方向をアレンジしている。本図及び図４に示すように、発光部１４０が第２面１００ｂに向けて発光した光のうち少なくとも一部は、第２面１００ｂにおいてフレネル反射されて第１面１００ａに向けて反射する。このため、この反射光の一部が発光装置１０の第１面１００ａ側から外部に放射される（光が漏れる）可能性が出てくる。
【００５２】
図１０は、第２面１００ｂでフレネル反射された光が第１面１００ａ側から漏れる光（漏れ光）の割合をシミュレーションした結果を示す。なお、この図において、漏れ光の割合は、発光部１４０から第２面１００ｂに向けて発光した光の当該角度に放射された光の量を１として規格化した値で示されている。例えば、図５において、出射角度θ＝７０°の漏れ光は、発光部１４０から角度θ１で放射される光の量を１として規格化されており、出射角度θ＝９０°の漏れ光は、発光部１４０から角度θ２で放射される光の量を１として規格化されている。図５の角度θ（出射角度）が０°〜４０°までは、漏れ光は非常に少ない。一方、角度θが４０°を超えると漏れ光は徐々に大きくなり、角度θが６０°を超えると急激に上昇していく。そして、角度θが７０°を超えると漏れ光の割合は０．１を超えてしまう。このように、第１面１００ａ側から発光装置１０の外部に放射される光は、放射角が７０°以上の場合（上限は理論的に９０°）に、特に強くなる。このため、漏れ光のうち角度θ＝７０°〜９０°の方向に放射する成分を抑制することは重要である。
【００５３】
さらに、角度θが８０°を超えると漏れ光の割合は０．２を超えてしまう。なお、角度θが９０°に近づくにつれて、漏れ光が人の目に入る可能性は低くなる。このことから、漏れ光のうち角度θ＝８０°の方向に射出する成分を抑制することは、特に重要である。
【００５４】
なお、図５において封止部２００の図示を省略しているが、実際の放射角θは、封止部２００から空気に放射される光の放射角である。ただし、封止部２００から空気に放射される光の放射角θは、基板１００の第１面１００ａが空気に接していると仮定したときに第１面１００ａから放射される光の放射角と同じ値になる。
【００５５】
そこで、本実施形態では、上記した放射角θが７０°以上となる領域の少なくとも一部に、隣の発光部１４０を配置している。発光部１４０の第２電極１３０は、遮光性を有している。このため、発光部１４０からの発光の一部が第１面１００ａ側から放射されることを抑制できる。
【００５６】
より詳細には、図５に示すように、まず、発光部１４０ａ（第１発光部）のうち発光部１４０ｂ（第２発光部）とは逆側の端部１４１から放射された光のうち、第２面１００ｂで反射して第１面１００ａから放射角が７０°で放射される光ｌ１を考える。この光ｌ１が第１面１００ａに届く位置を第１放射位置１７２とする。次に、発光部１４０ａのうち発光部１４０ｂに近いほうの端部１４２から放射された光のうち、第２面１００ｂで反射して第１面１００ａから放射角が９０°で放射される光ｌ２を考える。この光ｌ２が第１面１００ａに届く位置を第２放射位置１７４とする。第１面１００ａのうち、発光部１４０ａから放射された光が放射されやすい位置は、第１放射位置１７２と第２放射位置１７４の間の位置になる。ここで、発光部１４０ｂが有する第２電極１３０（すなわち遮光部１０２）の少なくとも一部は、第１放射位置１７２と第２放射位置１７４の間に位置している。このため、発光部１４０が発光した光のうち第１面１００ａ側から放射される光の量は少なくなる。
【００５７】
ここで、発光部１４０ａのうち端部１４１から、第１放射位置１７２までの距離Ｌ１は、以下の式（２）で示される。また、発光部１４０ａの端部１４２から第２放射位置１７４までの距離Ｌ２は、以下の式（３）で示される。
Ｌ１＝２ｔ×ｔａｎθ１・・・（２）
Ｌ２＝２ｔ×ｔａｎθ２・・・（３）
ただし、上記したように、θ１＝ｓｉｎ−１（１．０×ｓｉｎ（７０°）／ｎ）であり、θ２＝ｓｉｎ−１（１．０×ｓｉｎ（９０°）／ｎ）である。
【００５８】
なお、図６（Ａ）に示すように、発光部１４０ｂが有する第２電極１３０の幅が第１放射位置１７２と第２放射位置１７４の間隔よりも広い場合、発光部１４０ｂは、第１放射位置１７２と第２放射位置１７４の間の領域１７０の全部を覆っていてもよい。また、図６（Ｂ）に示すように、発光部１４０ｂが有する第２電極１３０の幅が第１放射位置１７２と第２放射位置１７４の間隔よりも狭い場合、第２電極１３０の幅方向のすべてが、領域１７０に位置していてもよい。
【００５９】
また、図６（Ｃ）に示すように、第１放射位置１７２が第２電極１３０と重なっていて第２放射位置１７４が第２電極１３０と重ならないようにしてもよい。また、図６（Ｄ）に示すように、第２放射位置１７４が第２電極１３０と重なっていて第１放射位置１７２が第２電極１３０と重ならないようにしてもよい。
【００６０】
図１１〜図１９の各図は、ガラス製の基板１００の厚さｔが０．５ｍｍの場合における、漏れ光の量と漏れ光の放射角度（上記した角度θ）の関係をシミュレーションした結果を示す図である。なお、漏れ光の割合は、発光装置１０の第２面１００ｂから、垂直方向±２．５°の範囲で放射される光の合計値を１００％として規格化した値で示されている。また、漏れ光の分布は、５°単位で積分（例えば−２．５°〜２．５°の範囲で積分、２．５°〜７．５°の範囲で積分）されることにより算出されている。図１１〜図１９に示すように、隣り合う発光部１４０の中心間距離（間隔）Ｐ（言い換えると、発光部１４０と、その隣の遮光部１０２の間隔）が０．０１ｍｍ異なると、漏れ光の量は大きく変化する。そして、間隔Ｐが不適切な場合、角度θが７０°〜９０°の範囲における漏れ光の量を少なくすることはできない。一方、間隔Ｐが適切な場合、角度θが７０°〜９０°の範囲における漏れ光の量を少なくすることができる。
【００６１】
図２０は、ガラス製の基板１００の厚さｔが０．５ｍｍの場合における、角度θが７０°〜９０°の範囲における漏れ光の量と、間隔Ｐの関係を示すグラフである。このグラフから、基板１００の厚さｔが０．５ｍｍの場合、間隔Ｐを０．８３ｍｍ以上０．８７ｍｍ以下にするのが好ましいことがわかる。
【００６２】
また、図６（Ｂ）〜（Ｄ）に示す例において、領域１７０のうち第２電極１３０によって覆われている部分の幅は、領域１７０の幅の５０％以上であるようにしてもよい。また、いずれの場合においても、発光部１４０は、隣の発光部１４０が放射した光のうちθ＝８０°となる光を遮光するように配置されていてもよい。
【００６３】
なお、発光部１４０ａ，１４０ｂは、互いに隣り合っていてもよいし、これらの間にＮ個（Ｎは自然数）の発光部１４０が位置していてもよい。ここで、発光部１４０のピッチが大きくなると、２つの課題が生じる。一つ目は、発光装置１０の発光面において発光部１４０がある部分とない部分の輝度の差が大きくなってしまう。言い換えると、発光部１４０のピッチが大きくなると、発光装置１０の発光面に輝度分布が生じてしまう。二つ目は、単位面積当たりの発光部１４０の面積が小さくなるため、発光部１４０一つ当たりに求められる光量が増大し、発光部１４０の負荷が大きくなってしまう。この課題を解決するためには、発光部１４０の幅を広げることも考えられるが、この場合、第２電極１３０の幅が広くなってしまい、発光装置１０の透光性が低下してしまう。言い換えると、第２電極１３０を視認しやすくしてしまい、ストライプが目立ってしまう。このため、発光部１４０のピッチはある範囲内にあるのが好ましい。例えば基板１００の厚さｔが０．７ｍｍ以下の場合は、Ｎは、例えば１であるのが好ましい。また、基板１００の厚さｔが０．７ｍｍ超１．５ｍｍ以下の場合、Ｎは、例えば２、又は３であるのが好ましい。これにより、基板１００の厚さｔが０．７ｍｍ超の場合においても、ピッチが大きすぎて、発光装置１０の発光面に輝度分布が生じてしまう、発光部１４０の負荷が大きくなってしまうといった問題を解消できる。なお、前者の場合は、上記した（１）式においてＮ＝１の場合である。
【００６４】
なお、複数の発光部１４０の幅は、互いに等しく設計されている。このため、発光部１４０ａの幅は、発光部１４０ｂの幅の９５％以上１０５％以下となっている。そして、上記した式（１）、すなわち発光部１４０ａ、発光部１４０ｂの相対位置は、すべての隣り合う発光部１４０の組、又はＮ個おきに選択した２つの発光部１４０の組のすべてに対して成立するようにすることが好ましい（Ｎは自然数）。
【００６５】
言い換えると、図４に示すように、発光部１４０ａ（第１発光部）を基準にして発光部１４０ｂ（第２発光部／第１遮光部）とは逆側の発光部１４０を発光部１４０ｃ（第３発光部／第２遮光部）とすると、発光部１４０ｃ、透光部１０６（第２透光部）、発光部１４０ａ、別の透光部１０６（第１透光部）、及び発光部１４０ｂがこの順に並ぶことになる。この場合、発光部１４０ｃの幅及び発光部１４０ｂの幅は、いずれも発光部１４０ａの幅の９５％以上１０５％以下である。そして、発光部１４０ａの中心と発光部１４０ｂの中心との間隔は、発光部１４０ａの中心と発光部１４０ｃの中心との間隔の９５％以上１０５％以下である。
【００６６】
また、図７に示すように、発光部１４０の幅方向において発光部１４０の中心から放射された光のうち、第２面１００ｂで反射して第１面１００ａから放射角が７０°で放射される光ｌ３を考える。この光ｌ３が第１面１００ａに届く位置を第３放射位置１７６とする。次に、発光部１４０ａのうち中心から放射された光のうち、第２面１００ｂで反射して第１面１００ａから放射角が９０°で放射される光ｌ４を考える。この光ｌ４が第１面１００ａに届く位置を第４放射位置１７８とする。第１面１００ａのうち、発光部１４０ａから放射された光が特に放射されやすい位置は、第３放射位置１７６と第４放射位置１７８の間の領域１７１位置になる。ここで、発光部１４０ｂが有する第２電極１３０（すなわち遮光部１０２）の少なくとも一部（好ましくは第２電極１３０の幅方向において５０％以上）は、領域１７１に位置している。このようにする方法の一つは、例えば、発光部１４０ａの中心から発光部１４０ｂの中心までの間隔Ｐが、上記した（１）式を満たすようにすることである。このようにしても、発光部１４０が発光した光のうち第１面１００ａ側から放射される光の量は少なくなる。
【００６７】
なお、上記した（１）式の代わりに、下記（２）式を満たすように間隔Ｐが設定されていてもよい。
（１／Ｎ）×２ｔ×ｔａｎθ１≦Ｐ≦（１／Ｎ）×２ｔ×ｔａｎθ２・・・（２）
【００６８】
なお、本実施形態において、透光部１０６の一部に遮光層（例えば金属層）が設けられていてもよい。この場合、この遮光層の中心と発光部１４０の中心の間隔は、上記した発光部１４０の間隔と同じになり、上記した式（１）を満たす。
【００６９】
（変形例１）
図８は、変形例１に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、実施形態３の図４に対応している。本変形例に係る発光装置１０は、第２電極１３０の端部が絶縁膜１５０の端部よりも透光部１０６の近くに位置している点を除いて、実施形態３に係る発光装置１０と同様の構成である。絶縁膜１５０の全体が第２電極１３０で覆われているため、本変形例に係る発光装置１０は、図４に示した透光部１０４を有していない。
【００７０】
本変形例においても、図５に示した領域１７０に対する第２電極１３０（すなわち遮光部１０２）の位置は、実施形態３で説明したとおりである。このため、発光部１４０が発光した光のうち第１面１００ａ側から放射される光の量は少なくなる。
【００７１】
（変形例２）
図９は、変形例２に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、実施形態３の図４に対応している。本変形例に係る発光装置１０は、基板１００が複数の層を積層した構成を有している点を除いて、実施形態３又は変形例１に係る発光装置１０と同様の構成を有している。そして、基板１００を構成する層のうち少なくとも２つは、屈折率が互いに異なる材料を用いて形成されている。このため、これら２つの層の屈折率は互いに異なっている。
【００７２】
図９に示す例では、基板１００は、第１層１００ｃ及び第２層１００ｄを積層した構成を有している。なお、基板１００を構成する層の一つが主となる層、いわゆる基板であり、他の層がその基板をコーティングする層であってもよい。さらに、基板１００を構成する層の少なくとも２つ以上が、いわゆる基板であってもよい。例えば図９に示す例において、第１層１００ｃ及び第２層１００ｄがそれぞれ基板であってもよい。さらに、第２層１００ｄは構造物（例えば建築物）や移動体（例えば車両）の窓ガラスであってもよい。
【００７３】
本実施形態において、基板１００の屈折率ｎは、基板１００を構成する各層を構成する材料の屈折率（又は各層の屈折率）を、対応する層の厚さを用いて加重平均した値となる。具体的には、基板１００を構成する層を層１〜層ｍとして、層ｋの屈折率をｎｋ、層ｋの厚さをｔｋとした場合、基板１００の屈折率ｎ＝（（ｎｋ×ｔｋ）をｋ＝１〜ｍまで加算した値）／（ｔｋをｋ＝１〜ｍまで加算した値）となる。例えば基板１００が第１層１００ｃ及び第２層１００ｄによって構成されており、第１層１００ｃを構成する材料の屈折率をｎ１、第２層１００ｄを構成する材料の屈折率をｎ２、第１層１００ｃの厚さをｔ１、第２層１００ｄの厚さをｔ２とした場合、基板１００の屈折率ｎ＝（ｎ１×ｔ１＋ｎ２×ｔ２）／（ｔ１＋ｔ２）となる。
【００７４】
本変形例によっても、発光部１４０が発光した光のうち第１面１００ａ側から放射される光の量は少なくなる。
【００７５】
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【００７６】
以下、参考形態の例を付記する。
１．基板と、
前記基板の第１面側に位置する第１発光部と、
前記第１発光部を出射した光のうち前記基板の前記第１面側に７０°〜９０°の少なくともいずれかの角度で出射する光を覆う位置に位置する第１遮光部と、
前記第１発光部および前記第１遮光部の間に位置する第１透光部と、を備える発光装置。
２．上記１に記載の発光装置において、
前記第１遮光部は、前記第１発光部の前記第１遮光部と反対側の端部から出射した光のうち前記基板の前記第１面側に７０°の角度で出射する光を覆う位置から、前記第１発光部の前記第１遮光部側の端部から出射した光のうち前記基板の前記第１面側に９０°の角度で出射する光を覆う位置までのいずれかに位置する発光装置。
３．上記２に記載の発光装置において、
前記基板の厚みをｔ、前記基板の屈折率をｎ、前記第１発光部の中心から前記第１遮光部の中心までの距離をＰとすると、以下の式（１）を満たす発光装置。
（１／Ｎ）×２ｔ×ｔａｎθ１−（Ｌ／２）≦Ｐ≦（１／Ｎ）×２ｔ×ｔａｎθ２＋（Ｌ／２）・・・（１）
ただし、θ１＝ｓｉｎ−１（１．０×ｓｉｎ（７０°）／ｎ）であり、θ２＝ｓｉｎ−１（１．０×ｓｉｎ（９０°）／ｎ）であり、Ｎは自然数である。
４．基板と、
前記基板の第１面側に位置する第１発光部と、
基板に設けられた第１遮光部と、
前記第１発光部と前記第１遮光部の間に位置する第１透光部と、
を備え、
前記基板の厚みをｔ、前記基板の屈折率をｎ、前記第１遮光部の幅をＬ、前記第１発光部の中心から前記第１遮光部の中心までの距離をＰとすると、以下の式（１）を満たす発光装置。
（１／Ｎ）×２ｔ×ｔａｎθ１−（Ｌ／２）≦Ｐ≦（１／Ｎ）×２ｔ×ｔａｎθ２＋（Ｌ／２）・・・（１）
ただし、θ１＝ｓｉｎ−１（１．０×ｓｉｎ（７０°）／ｎ）であり、θ２＝ｓｉｎ−１（１．０×ｓｉｎ（９０°）／ｎ）であり、Ｎは自然数である。
５．上記４に記載の発光装置において、
以下の式（２）を満たす発光装置。
（１／Ｎ）×２ｔ×ｔａｎθ１≦Ｐ≦（１／Ｎ）×２ｔ×ｔａｎθ２・・・（２）
６．上記３〜５のいずれか一項に記載の発光装置において、
Ｎ＝１、２、又は３である発光装置。
７．上記１〜５のいずれか一つに記載の発光装置において、
前記第１遮光部は、第２発光部が有する金属電極である発光装置。
８．上記７に記載の発光装置において、
前記第１発光部の幅は、前記第２発光部の幅の９５％以上１０５％以下である発光装置。
９．上記８に記載の発光装置において、
第３発光部及び第２透光部を備え、
前記第３発光部、前記第２透光部、前記第１発光部、前記第１透光部、及び前記第２発光部はこの順に並んでおり、
前記第３発光部の幅は、前記第１発光部の幅の９５％以上１０５％以下であり、
前記第１発光部の中心と前記第２発光部の中心との間隔は、前記第１発光部の中心と前記第３発光部の中心との間隔の９５％以上１０５％以下である発光装置。
１０．上記１〜９のいずれか一つに記載の発光装置において、
第２遮光部及び第２透光部を備え、
前記第２遮光部、前記第２透光部、前記第１発光部、前記第１透光部、及び前記第１遮光部はこの順に並んでおり、
前記第１発光部の中心と前記第１遮光部の中心との間隔である第１間隔は、前記第１発光部の中心と前記第２遮光部の中心との間隔である第２間隔の９５％以上１０５％以下である発光装置。
１１．上記１０に記載の発光装置において、
前記第１間隔は、前記第１発光部から前記基板の第２面を反射して前記第１面側に出射する光のうち、少なくとも８０°の光を遮光する間隔である発光装置。
１２．上記１〜１１のいずれか一つに記載の発光装置において、
前記第１発光部は、透光性の第１電極、有機層、及び遮光性の第２電極の積層構造からなる発光装置。
１３．上記１〜１２のいずれか一つに記載の発光装置において、
前記基板は少なくとも第１層及び第２層を積層した構成を有しており、
前記第１層を構成する材料の屈折率は、前記第２層を構成する材料の屈折率と異なる発光装置。
【００７７】
この出願は、２０１７年３月２７日に出願された日本出願特願２０１７−６０８２９を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
【図１】
2018180444.tif 000003
【図２】
2018180444.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2018180444.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【手続補正書】
【提出日】令和1年9月26日(2019.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項４に記載の発明は、基板と、
前記基板の第１面側に位置する第１発光部と、
基板に設けられた第１遮光部と、
前記第１発光部と前記第１遮光部の間に位置する第１透光部と、
受光素子と、
を備え、
前記基板の厚みをｔ、前記基板の屈折率をｎ、前記第１遮光部の幅をＬ、前記第１発光部の中心から前記第１遮光部の中心までの距離をＰとすると、以下の式を満たす光装置である。
（１／Ｎ）×２ｔ×ｔａｎθ１−（Ｌ／２）≦Ｐ≦（１／Ｎ）×２ｔ×ｔａｎθ２＋（Ｌ／２）
ただし、θ１＝ｓｉｎ−１（１．０×ｓｉｎ（７０°）／ｎ）であり、θ２＝ｓｉｎ−１（１．０×ｓｉｎ（９０°）／ｎ）であり、Ｎは自然数である。
【国際調査報告】
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