(57)【要約】  ベース板（１）の上にトランジスタ（２）及び整合回路基板（３〜６）が設けられ、互いに接続されている。フレーム（１５）がベース板（１）の上に設けられ、トランジスタ（２）及び整合回路基板（３〜６）の周りを囲む。フレーム（１５）はベース板（１）よりも線膨張係数が小さい。フレーム（１５）にネジ止め部（１７）が設けられている。ベース板（１）のサイズはフレーム（１５）より小さい。
2019142349.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース板と、
前記ベース板の上に設けられ互いに接続されたトランジスタ及び整合回路基板と、
前記ベース板の上に設けられ、前記トランジスタ及び前記整合回路基板の周りを囲むフレームとを備え、
前記フレームは前記ベース板よりも線膨張係数が小さく、
ネジ止め部が前記フレームに設けられ、
前記ベース板のサイズは前記フレームより小さいことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
ベース板と、
前記ベース板の上に設けられ互いに接続されたトランジスタ及び整合回路基板と、
前記ベース板の上に設けられ、前記トランジスタ及び前記整合回路基板の周りを囲むフレームと、
前記フレームの上に設けられ、前記トランジスタ及び前記整合回路基板の上方を覆うキャップとを備え、
前記フレーム及び前記キャップは前記ベース板よりも線膨張係数が小さく、
ネジ止め部が前記キャップに設けられ、
前記ベース板のサイズは前記キャップより小さいことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項３】
互いに対向する上面と下面を有するベース板と、
前記ベース板の前記上面に設けられ互いに接続されたトランジスタ及び整合回路基板と、
前記ベース板の前記下面に設けられ、前記整合回路基板と材質、厚み、及び大きさが同じセラミック基板とを備えることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項４】
前記セラミック基板は前記トランジスタの真下には配置されていないことを特徴とする請求項３に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
ベース板と、
前記ベース板の上に設けられ互いに接続されたトランジスタ及び整合回路基板とを備え、
前記ベース板は、前記トランジスタの真下に配置された第１の金属と、前記第１の金属よりも線膨張係数が小さく熱抵抗が大きい第２の金属とを有することを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項６】
前記第２の金属は、前記トランジスタの下面から前記ベース板の下面に向かって４５°の角度で広がる領域内には設けられていないことを特徴とする請求項５に記載の半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波帯で使用される半導体増幅器には、高出力内部整合回路型トランジスタの半導体パッケージが用いられる。従来、半導体パッケージのベース板のネジ止め部にネジを締めることで半導体パッケージを半導体増幅器の筐体に実装していた（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】日本特開２０１４−４９７２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来はネジ止め部を設けるためにベース板のサイズを大きくする必要があった。しかし、ベース板は、実装する整合回路基板又はトランジスタ等の他の部材に比べて線膨張係数が大きい。この線膨張係数差に起因して、これらの部材の実装又はパッケージ化する際の高温処理で半導体パッケージに反りが生じていた。このため、半導体パッケージを半導体増幅器の筐体に実装する時にベース板の下面と筐体との間に隙間ができ、トランジスタからグランドである筐体までの経路が変わり、高周波特性と信頼性が低下するという問題があった。【０００５】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は高周波特性と信頼性を向上させることができる半導体パッケージを得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る半導体パッケージは、ベース板と、前記ベース板の上に設けられ互いに接続されたトランジスタ及び整合回路基板と、前記ベース板の上に設けられ、前記トランジスタ及び前記整合回路基板の周りを囲むフレームとを備え、前記フレームは前記ベース板よりも線膨張係数が小さく、ネジ止め部が前記フレームに設けられ、前記ベース板のサイズは前記フレームより小さいことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明では、線膨張係数の小さいフレームのサイズを大きくしてネジ止め部を設けている。従って、ベース板にネジ止め部を設ける必要がないため、線膨張係数の大きいベース板のサイズをフレームより小さくすることができる。これにより、整合回路基板とトランジスタの実装後のベース板の反りを抑制することができる。従って、ベース板の下面と半導体増幅器の筐体との密着性が上って接地が取れるため、高周波特性と信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施の形態１に係る半導体パッケージを示す上面図である。
【図２】図１のＩ−ＩＩに沿った断面図である。
【図３】実施の形態１に係る半導体パッケージの内部を示す上面図である。
【図４】比較例に係る半導体パッケージを示す斜視図である。
【図５】比較例に係る半導体パッケージの裏面のＺ方向変位を示す斜視図である。
【図６】比較例に係る半導体パッケージの側面図である。
【図７】実施の形態２に係る半導体パッケージを示す断面図である。
【図８】実施の形態３に係る半導体パッケージを示す断面図である。
【図９】実施の形態４に係る半導体パッケージを示す断面図である。
【図１０】実施の形態４に係る半導体パッケージを示す下面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施の形態に係る半導体パッケージについて図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
【００１０】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る半導体パッケージを示す上面図である。図２は図１のＩ−ＩＩに沿った断面図である。図３は、実施の形態１に係る半導体パッケージの内部を示す上面図である。この半導体パッケージは高出力内部整合回路型トランジスタである。
【００１１】
ベース板１の上にトランジスタ２及び整合回路基板３〜６が設けられている。入力リード端子７がＡｕワイヤ８により整合回路基板３の配線に接続されている。整合回路基板３と整合回路基板４の配線がＡｕワイヤ９により接続されている。整合回路基板４の配線がＡｕワイヤ１０によりトランジスタ２の制御電極に接続されている。トランジスタ２の下面電極はベース板１に接続されている。トランジスタ２の上面電極がＡｕワイヤ１１により整合回路基板５の配線に接続されている。整合回路基板５と整合回路基板６の配線がＡｕワイヤ１２により接続されている。整合回路基板６の配線がＡｕワイヤ１３により出力リード端子１４に接続されている。
【００１２】
フレーム１５がベース板１の上に設けられ、トランジスタ２及び整合回路基板３〜６の周りを囲んでいる。キャップ１６がフレーム１５の上に設けられ、トランジスタ２及び整合回路基板３〜６の上方を覆っている。ベース板１は線膨張係数９．１［１０−６／Ｋ］のＣｕＭｏからなる。フレーム１５及びキャップ１６は線膨張係数５．２［１０−６／Ｋ］のコバールからなる。従って、フレーム１５及びキャップ１６はベース板１よりも線膨張係数が小さい。
【００１３】
フレーム１５にネジ止め部１７が設けられている。ネジ止め部１７はフレーム１５の対向する２辺にそれぞれ２個ずつ設けられた切り欠きであるが、ネジ穴でもよい。このネジ止め部１７にネジ１８を通して半導体パッケージを半導体増幅器の筐体１９にネジ止めする。
【００１４】
続いて、本実施の形態の効果を比較例と比較して説明する。図４は、比較例に係る半導体パッケージを示す斜視図である。図５は、比較例に係る半導体パッケージの裏面のＺ方向変位を示す斜視図である。図６は、比較例に係る半導体パッケージの側面図である。比較例では、半導体パッケージのベース板１にネジ止め部１７を設けるため、線膨張係数が大きいベース板１のサイズを大きくする必要がある。従って、半導体パッケージに反りが生じるため、半導体増幅器の筐体１９に実装する時にベース板１の下面と筐体１９との間に隙間ができ、トランジスタ２からグランドである筐体１９までの経路が変わり、高周波特性と信頼性が低下する。
【００１５】
これに対して、本実施の形態では、線膨張係数の小さいフレーム１５のサイズを大きくしてネジ止め部１７を設けている。従って、ベース板１にネジ止め部１７を設ける必要がないため、線膨張係数の大きいベース板１のサイズをフレーム１５より小さくすることができる。これにより、整合回路基板３〜６とトランジスタ２の実装後のベース板１の反りを抑制することができる。従って、ベース板１の下面と半導体増幅器の筐体１９との密着性が上って接地が取れるため、高周波特性と信頼性を向上させることができる。また、ベース板１に対して上方にあるフレーム１５を半導体増幅器の筐体１９にネジ止めすることで、ベース板１をネジ止めする場合に比べてベース板１の反りの矯正力が大きい。
【００１６】
実施の形態２．
図７は、実施の形態２に係る半導体パッケージを示す断面図である。本実施の形態では、キャップ１６のサイズを大きくしてネジ止め部１７を設けている。そして、線膨張係数の大きいベース板１のサイズをキャップ１６より小さくする。これによりベース板１の反りを抑制することができる。従って、ベース板１の下面と半導体増幅器の筐体１９との密着性が上って接地が取れるため、高周波特性と信頼性を向上させることができる。また、ベース板１に対して上方にあるキャップ１６を半導体増幅器の筐体１９にネジ止めすることで、ベース板１をネジ止めする場合に比べてベース板１の反りの矯正力が大きい。
【００１７】
実施の形態３．
図８は、実施の形態３に係る半導体パッケージを示す断面図である。本実施の形態ではベース板１にネジ止め部１７が設けられている。セラミック基板２０がベース板１の下面に設けられた溝に埋め込まれている。セラミック基板２０は、整合回路基板３〜６と材質（即ち線膨張係数）、厚み、及び大きさが同じである。これによりベース板１の反りを抑制することができる。従って、ベース板１の下面と半導体増幅器の筐体１９との密着性が上って接地が取れるため、高周波特性と信頼性を向上させることができる。ただし、トランジスタ２の放熱性を維持するため、ベース板１に比べて熱抵抗が大きいセラミック基板２０はトランジスタ２の直下には配置されていない。
【００１８】
実施の形態４．
図９は、実施の形態４に係る半導体パッケージを示す断面図である。図１０は、実施の形態４に係る半導体パッケージを示す下面図である。本実施の形態ではベース板１にネジ止め部１７が設けられている。ベース板１は、トランジスタ２の真下に配置されたＣｕＭｏからなる第１の金属２１と、第１の金属２１よりも線膨張係数が小さく熱抵抗が大きいモリブデン等からなる第２の金属２２とを有する。
【００１９】
線膨張係数が小さい第２の金属２２をベース板１に組み込むことでベース板１の反りを抑制することができる。従って、ベース板１の下面と半導体増幅器の筐体１９との密着性が上って接地が取れるため、高周波特性と信頼性を向上させることができる。
【００２０】
また、熱抵抗が小さい第１の金属２１をトランジスタ２の真下に配置することで放熱性を確保している。具体的には、トランジスタ２の下面からベース板１の下面に向かって４５°の角度で広がる領域を通ってトランジスタ２の熱が拡散される。そこで、線膨張係数が小さい第２の金属２２は、この熱抵抗に影響する領域内には設けず、熱抵抗に影響の無い領域に設ける。
【符号の説明】
【００２１】
１  ベース板、２  トランジスタ、３〜６  整合回路基板、１５  フレーム、１６  キャップ、１７  ネジ止め部、２０  セラミック基板、２１  第１の金属、２２  第２の金属
【図１】
2019142349.tif 000003
【図２】
2019142349.tif 000004
【図３】
2019142349.tif 000005
【図４】
2019142349.tif 000006
【図５】
2019142349.tif 000007
【図６】
2019142349.tif 000008
【図７】
2019142349.tif 000009
【図８】
2019142349.tif 000010
【図９】
2019142349.tif 000011
【図１０】
2019142349.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月19日(2018.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース板と、
前記ベース板の上に設けられ互いに接続されたトランジスタ及び整合回路基板と、
前記ベース板の上に設けられ、前記トランジスタ及び前記整合回路基板の周りを囲むフレームとを備え、
前記フレームは前記ベース板よりも線膨張係数が小さく、
ネジ止め部が前記フレームに設けられ、
前記ベース板のサイズは前記フレームより小さいことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
ベース板と、
前記ベース板の上に設けられ互いに接続されたトランジスタ及び整合回路基板と、
前記ベース板の上に設けられ、前記トランジスタ及び前記整合回路基板の周りを囲むフレームと、
前記フレームの上に設けられ、前記トランジスタ及び前記整合回路基板の上方を覆うキャップとを備え、
前記フレーム及び前記キャップは前記ベース板よりも線膨張係数が小さく、
ネジ止め部が前記キャップに設けられ、
前記ベース板のサイズは前記キャップより小さいことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項３】
互いに対向する上面と下面を有するベース板と、
前記ベース板の前記上面に設けられ互いに接続されたトランジスタ及び整合回路基板と、
前記ベース板の前記下面に設けられ、前記整合回路基板と材質、厚み、及び大きさが同じセラミック基板とを備えることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項４】
前記セラミック基板は前記トランジスタの真下には配置されていないことを特徴とする請求項３に記載の半導体パッケージ。
【国際調査報告】
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2019142349.tif 000015
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