(57)【要約】  ＲＦＩＣモジュール（１０１）は、第１平面導体（１０）と、第１平面導体（１０）に対面する第２平面導体（２０）と、両端が第１平面導体（１０）と第２平面導体（２０）との間に接続されるインダクタ（４１）と、両端が第１平面導体（１０）と第２平面導体（２０）との間に接続されるＲＦＩＣ（４０）と、を備える。第１平面導体（１０）の平面視で、インダクタ（４１）は第１平面導体（１０）の外縁の一部である第１箇所に近接し、ＲＦＩＣ（４０）は、第１平面導体（１０）の外縁のうち、第１箇所から離れた第２箇所に近接する。
2020049804.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１平面導体と、
前記第１平面導体に対面する第２平面導体と、
第１端及び第２端を有するインダクタと、
第１端及び第２端を有するＲＦＩＣと、を備え、
前記インダクタの第１端は前記第１平面導体の外縁の一部である第１箇所に接続され、前記インダクタの第２端は第２平面導体の外縁の一部である第２箇所に接続され、
前記ＲＦＩＣの第１端は前記第１平面導体の外縁の一部である第３箇所に接続され、前記ＲＦＩＣの第２端は第２平面導体の外縁の一部である第４箇所に接続された、
ＲＦＩＣモジュール。
【請求項２】
前記第２箇所及び前記第４箇所を結ぶ線と、前記第１箇所及び前記第３箇所を結ぶ線とは、平行であり、且つ前記第１平面導体及び前記第２平面導体の平面視で重なる、
請求項１に記載のＲＦＩＣモジュール。
【請求項３】
前記第２箇所及び前記第４箇所を結ぶ線と、前記第１箇所及び前記第３箇所を結ぶ線とは、平行であり、且つ前記第１平面導体及び前記第２平面導体の平面視で重ならない、
請求項１に記載のＲＦＩＣモジュール。
【請求項４】
前記第２箇所及び前記第４箇所を結ぶ線と、前記第１箇所及び前記第３箇所を結ぶ線とは、非平行であり、かつそれらの中央同士で交差しない、
請求項１に記載のＲＦＩＣモジュール。
【請求項５】
前記第１平面導体及び前記第２平面導体の長さはいずれの方向においても、前記ＲＦＩＣの処理する通信信号の１／８波長以下である、
請求項１から４のいずれかに記載のＲＦＩＣモジュール。
【請求項６】
前記インダクタのインダクタンスは、前記ＲＦＩＣからみた電流経路に含まれる前記インダクタ以外の、前記第１平面導体及び前記第２平面導体全体が有するインダクタンスよりも大きい、請求項１から５のいずれかに記載のＲＦＩＣモジュール。
【請求項７】
前記ＲＦＩＣに対して直列接続されるキャパシタを備える、
請求項１から６のいずれかに記載のＲＦＩＣモジュール。
【請求項８】
前記キャパシタが内部に形成された絶縁性基材を備える、
請求項７に記載のＲＦＩＣモジュール。
【請求項９】
前記インダクタが内部に形成された絶縁性基材を備える、
請求項１から７のいずれかに記載のＲＦＩＣモジュール。
【請求項１０】
互いに対面する第１主面及び第２主面を有する絶縁性基材を備え、
前記第１平面導体は前記絶縁性基材の第１主面に形成され、前記第２平面導体は前記絶縁性基材の第２主面に形成され、
前記インダクタ及び前記ＲＦＩＣは前記絶縁性基材の第１主面に配置され、
前記絶縁性基材に、前記インダクタの第２端と前記第２平面導体との間を接続する第１ビア導体と、前記ＲＦＩＣの第２端と前記第２平面導体との間を接続する第２ビア導体と、が形成された、
請求項１から７のいずれかに記載のＲＦＩＣモジュール。
【請求項１１】
前記第１ビア導体及び前記第２ビア導体はそれぞれ単一である、
請求項１０に記載のＲＦＩＣモジュール。
【請求項１２】
互いに対面する第１主面及び第２主面を有する絶縁性基材と、当該絶縁性基材の第１主面に被覆された絶縁体層と、を備え、
前記第１平面導体は前記絶縁体層の表面又は表面付近に形成され、前記第２平面導体は前記絶縁性基材の第２主面に形成され、
前記インダクタ及び前記ＲＦＩＣは前記絶縁性基材の第１主面に配置され、
前記絶縁性基材に、前記インダクタの第２端と前記第２平面導体との間を接続する第１ビア導体と、前記ＲＦＩＣの第２端と前記第２平面導体との間を接続する第２ビア導体と、が形成され、
前記絶縁体層に、前記インダクタの第１端と前記第１平面導体との間を接続する第４ビア導体と、前記ＲＦＩＣの第１端と前記第１平面導体との間を接続する第３ビア導体と、が形成された、
請求項１から７のいずれかに記載のＲＦＩＣモジュール。
【請求項１３】
前記第１ビア導体、前記第２ビア導体、前記第３ビア導体及び前記第４ビア導体はそれぞれ単一である、
請求項１２に記載のＲＦＩＣモジュール。
【請求項１４】
長手方向を有する導体で構成される放射体と、
第１平面導体と、前記第１平面導体に対面する第２平面導体と、第１端及び第２端を有するインダクタと、第１端及び第２端を有するＲＦＩＣと、を有し、前記インダクタの第１端が前記第１平面導体の外縁の一部である第１箇所に接続され、前記インダクタの第２端が第２平面導体の外縁の一部である第２箇所に接続され、前記ＲＦＩＣの第１端が前記第１平面導体の外縁の一部である第３箇所に接続され、前記ＲＦＩＣの第２端が第２平面導体の外縁の一部である第４箇所に接続された、ＲＦＩＣモジュールと、を備え、
前記ＲＦＩＣモジュールが前記放射体の長手方向の端部付近に配置された、
ＲＦＩＤタグ。
【請求項１５】
前記放射体は面状又は板状であり、
前記第１平面導体及び前記第２平面導体は複数の辺を有し、
前記複数の辺のうち、前記インダクタ及び前記ＲＦＩＣの接続部を結ぶ線に近い辺は、前記放射体の長手方向に沿っている、
請求項１４に記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項１６】
前記第１平面導体と前記第２平面導体との対面方向は前記放射体の長手方向と同じである、
請求項１４に記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項１７】
前記放射体は螺旋状コイルである、
請求項１４に記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項１８】
長手方向を有する導体部を有する物品であり、
第１平面導体と、前記第１平面導体に対面する第２平面導体と、第１端及び第２端を有するインダクタと、第１端及び第２端を有するＲＦＩＣと、を有し、前記インダクタの第１端が前記第１平面導体の外縁の一部である第１箇所に接続され、前記インダクタの第２端が第２平面導体の外縁の一部である第２箇所に接続され、前記ＲＦＩＣの第１端が前記第１平面導体の外縁の一部である第３箇所に接続され、前記ＲＦＩＣの第２端が第２平面導体の外縁の一部である第４箇所に接続された、ＲＦＩＣモジュールと、を備え、
前記ＲＦＩＣモジュールが前記導体部の長手方向の端部付近に配置された、
物品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波信号を処理するＩＣを有するＲＦＩＣモジュール、このＲＦＩＣモジュールを備えるＲＦＩＤタグ及び物品に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、無線ＩＣチップと、無線ＩＣチップに接続される給電回路が設けられた給電回路基板と、給電回路基板が近接する放射板とを備えた無線ＩＣデバイスが示されている。この無線ＩＣデバイスは、給電回路基板に設けられた共振回路と無線ＩＣチップとで構成されるＲＦＩＣモジュールを放射板に結合させて、全体をＲＦＩＤタグとして機能させるものといえる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２００７／０８３５７４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の無線ＩＣデバイスは、上記ＲＦＩＣモジュールが放射板の中央又は中央付近に配置される。つまり、放射板の電流密度分布が最大の位置にＲＦＩＣモジュールが配置されるので、ＲＦＩＣモジュールが放射板にいかに効率良く電流を流すか、ということを配慮して設計される。そのため、上記ＲＦＩＣモジュールが放射板の端部に配置されると、放射板が放射素子として有効に作用しない。【０００５】
そこで、本発明の目的は、放射板として作用する放射部又は導体部の端部に配置される場合に最適なＲＦＩＣモジュール、このＲＦＩＣモジュールを備えるＲＦＩＤタグ及び物品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一例としてのＲＦＩＣモジュールは、第１平面導体と、前記第１平面導体に対面する第２平面導体と、第１端及び第２端を有するインダクタと、第１端及び第２端を有するＲＦＩＣと、を備え、前記インダクタの第１端は前記第１平面導体の外縁の一部である第１箇所に接続され、前記インダクタの第２端は第２平面導体の外縁の一部である第２箇所に接続され、前記ＲＦＩＣの第１端は前記第１平面導体の外縁の一部である第３箇所に接続され、前記ＲＦＩＣの第２端は第２平面導体の外縁の一部である第４箇所に接続される。【０００７】
上記構成のＲＦＩＣモジュールでは、第１平面導体と第２平面導体の電流密度分布の勾配が緩く、同様に第１平面導体と第２平面導体との間の電界強度分布の勾配が緩い。そのため、第１平面導体と第２平面導体にほぼ一様な電界が分布し、第１平面導体と第２平面導体の電圧位相が反転する関係となる。したがって、このＲＦＩＣモジュールが、放射板として作用する放射部又は導体部の端部に配置されると、放射部又は導体部に適正な電圧強度分布が形成され、放射部又は導体部は効率の良い放射素子として作用する。【０００８】
本開示の一例としてのＲＦＩＤタグは、長手方向を有する導体で構成される放射体と、
第１平面導体と、前記第１平面導体に対面する第２平面導体と、第１端及び第２端を有するインダクタと、第１端及び第２端を有するＲＦＩＣと、を有し、前記インダクタの第１端が前記第１平面導体の外縁の一部である第１箇所に接続され、前記インダクタの第２端が第２平面導体の外縁の一部である第２箇所に接続され、前記ＲＦＩＣの第１端が前記第１平面導体の外縁の一部である第３箇所に接続され、前記ＲＦＩＣの第２端が第２平面導体の外縁の一部である第４箇所に接続された、ＲＦＩＣモジュールと、を備え、前記ＲＦＩＣモジュールが前記放射体の長手方向の端部付近に配置される。【０００９】
上記構成のＲＦＩＤタグでは、上述のとおり、第１平面導体と第２平面導体との間にほぼ一様な電界が分布し、第１平面導体と第２平面導体の電圧位相が反転する関係となる。したがって、放射部に適正な電圧強度分布が形成され、放射効率の高い放射部を備えるＲＦＩＤタグが得られる。【００１０】
本開示の一例としての物品は、長手方向を有する導体部を有する物品であり、第１平面導体と、前記第１平面導体に対面する第２平面導体と、第１端及び第２端を有するインダクタと、第１端及び第２端を有するＲＦＩＣと、を有し、前記インダクタの第１端が前記第１平面導体の外縁の一部である第１箇所に接続され、前記インダクタの第２端が第２平面導体の外縁の一部である第２箇所に接続され、前記ＲＦＩＣの第１端が前記第１平面導体の外縁の一部である第３箇所に接続され、前記ＲＦＩＣの第２端が第２平面導体の外縁の一部である第４箇所に接続された、ＲＦＩＣモジュールと、を備え、前記ＲＦＩＣモジュールが前記導体部の長手方向の端部付近に配置される。【００１１】
上記構成の物品では、上述のとおり、第１平面導体と第２平面導体との間にほぼ一様な電界が分布し、第１平面導体と第２平面導体の電圧位相が反転する関係となる。したがって、導体部に適正な電圧強度分布が形成され、放射効率の高い導体部を備える物品が得られる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、放射板として作用する放射部又は導体部の端部に配置されることにより、放射部又は導体部を効率の良い放射素子として作用させるＲＦＩＣモジュールが得られる。また、放射部に適正な電圧強度分布が形成され、放射効率の高い放射部を備えるＲＦＩＤタグが得られる。また、放射効率の高い導体部を備える物品が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は第１の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０１の斜視図である。
【図２】図２（Ａ）は第１の実施形態のＲＦＩＣモジュール１０１の立体的な回路図である。図２（Ｂ）は本実施形態のＲＦＩＣモジュール１０１の平面図である。
【図３】図３は第１の実施形態のＲＦＩＣモジュール１０１の等価回路図である。
【図４】図４は、図３からインダクタ４１及びキャパシタ４２を除いた回路図である。
【図５】図５は、図４においてＲＦＩＣ４０からみた、第１平面導体１０、第２平面導体２０、第１ビア導体３１及び第２ビア導体３２のインダクタンス成分の周波数特性を示す図である。
【図６】図６はＲＦＩＣモジュール１０１の第１平面導体１０及び第２平面導体２０に生じる電圧の強度分布を示す図である。
【図７】図７はＲＦＩＣモジュール１０１の第１平面導体１０と第２平面導体２０との間に生じる電界の様子を示す斜視図である。
【図８】図８（Ａ）は、共振周波数の１／４波長の幅又は長さを有する放射板の電流密度分布及び電圧強度分布を示す概念図である。図８（Ｂ）は、共振周波数の１／８波長以下の幅又は長さを有する放射板の一端がインダクタを介して接地された放射素子の電流密度分布及び電圧強度分布を示す概念図である。
【図９】図９（Ａ）は、図８（Ｂ）に示した放射板を両端開放型に変更した放射板の電流密度分布及び電圧強度分布を示す図である。図９（Ｂ）は、図９（Ａ）に示した二つの放射板を第１平面導体１０及び第２平面導体２０で構成し、且つ両者が対向するように配置した図である。図９（Ｃ）は、第１平面導体１０と第２平面導体２０との間に生じる電界を電気力線で示す図である。
【図１０】図１０はＲＦＩＣモジュール１０１の斜視図である。
【図１１】図１１は、第１平面導体１０と第２平面導体２０との間にインダクタを接続するための構造と、電界放射との関係を説明するための図である。
【図１２】図１２は第２の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０２の斜視図である。
【図１３】図１３は、図１２に示したＲＦＩＣモジュール１０２の等価回路図である。
【図１４】図１４は第３の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０３の斜視図である。
【図１５】図１５は、図１４に示したＲＦＩＣモジュール１０３の等価回路図である。
【図１６】図１６（Ａ）は第４の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０４の斜視図である。図１６（Ｂ）は、ＲＦＩＣモジュール１０４が備える各回路素子を回路記号で表した斜視図である。
【図１７】図１７（Ａ）、図１７（Ｂ）は図１６（Ａ）におけるＹ軸方向を視た正面図である。
【図１８】図１８はＲＦＩＣモジュール１０４の放射利得のコンター図である。
【図１９】図１９はＲＦＩＣモジュール１０４の製造工程における各段階での、−Ｘ軸方向に視た正面図である。
【図２０】図２０は第５の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０５Ａの斜視図である。
【図２１】図２１（Ａ）、図２１（Ｂ）は図２０におけるＹ軸方向を視た正面図である。
【図２２】図２２はＲＦＩＣモジュール１０５Ｂの斜視図である。
【図２３】図２３はＲＦＩＣモジュール１０５Ａ，１０５Ｂの放射利得のコンター図である。
【図２４】図２４（Ａ）、図２４（Ｂ）、図２４（Ｃ）はいずれも絶縁性基材１の平面図である。
【図２５】図２５は第６の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０６Ａの斜視図である。
【図２６】図２６は第６の実施形態に係る別のＲＦＩＣモジュール１０６Ｂの斜視図である。
【図２７】図２７は第７の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０７Ａの斜視図である。
【図２８】図２８は第７の実施形態に係る別のＲＦＩＣモジュール１０７Ｂの斜視図である。
【図２９】図２９は第８の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０８Ａの斜視図である。
【図３０】図３０は第８の実施形態に係る別のＲＦＩＣモジュール１０８Ｂの斜視図である。
【図３１】図３１は第９の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０９Ａの斜視図である。
【図３２】図３２は第９の実施形態に係る別のＲＦＩＣモジュール１０９Ｂの斜視図である。
【図３３】図３３は第１０の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１１０Ａの斜視図である。
【図３４】図３４は第１０の実施形態に係る別のＲＦＩＣモジュール１１０Ｂの斜視図である。
【図３５】図３５（Ａ）は第１１の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１１１Ａの斜視図であり、図３５（Ｂ）は−Ｘ軸方向に視た正面図である。
【図３６】図３６（Ａ）は第１１の実施形態に係る別のＲＦＩＣモジュール１１１Ｂの斜視図であり、図３６（Ｂ）は−Ｘ軸方向に視た正面図である。
【図３７】図３７は第１２の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１１２の斜視図である。
【図３８】図３８は第１２の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１１２の主要部の分解斜視図である。
【図３９】図３９は第１３の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１１２Ｄの斜視図である。
【図４０】図４０は第１３の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１１２Ｄの主要部の分解斜視図である。
【図４１】図４１は第１４の実施形態に係るＲＦＩＤタグ２０１の斜視図である。
【図４２】図４２（Ａ）は−Ｘ方向に視たＲＦＩＤタグ２０１各部の電界の向きを示す図であり、図４２（Ｂ）はＹ方向に視たＲＦＩＤタグ２０１各部の電界の向きを示す図である。
【図４３】図４３（Ａ）、図４３（Ｂ）は、放射板５０に誘導される電流の例を示す図である。
【図４４】図４４は第１５の実施形態に係るＲＦＩＤタグ２０２の平面図及び右側面図である。
【図４５】図４５はＲＦＩＤタグ２０２の部分拡大平面図及び部分拡大右側面図である。
【図４６】図４６は第１５の実施形態に係る別のＲＦＩＤタグ２０３の平面図及び右側面図である。
【図４７】図４７はＲＦＩＤタグ２０３の部分拡大平面図及び部分拡大右側面図である。
【図４８】図４８（Ａ）は第１６の実施形態に係るＲＦＩＤタグ２０４Ａの斜視図である。図４８（Ｂ）はＲＦＩＤタグ２０４Ａの部分拡大斜視図である。
【図４９】図４９は第１６の実施形態に係る別のＲＦＩＤタグ２０４Ｂの斜視図である。
【図５０】図５０は第１６の実施形態に係る更に別のＲＦＩＤタグ２０４Ｃの斜視図である。
【図５１】図５１（Ａ）は、第１７の実施形態に係る物品３０１の斜視図である。図５１（Ｂ）は、第１７の実施形態に係る別の物品３０２の斜視図である。
【図５２】図５２は共振周波数の１／２波長の幅又は長さを有する放射板の電流密度分布及び電圧強度分布を示す概念図である。
【図５３】図５３（Ａ）、図５３（Ｂ）は、放射板の一方端付近から出て他方端付近へ入る電気力線を示す概念図である。
【図５４】図５４は、図１に示したＲＦＩＣモジュール１０１に対する比較例としてのＲＦＩＣモジュールの斜視図である。
【図５５】図５５は、図５４に示したＲＦＩＣモジュールの等価回路図である。
【図５６】図５６は、図１４に示したＲＦＩＣモジュール１０３に対する比較例としてのＲＦＩＣモジュールの斜視図である。
【図５７】図５７は、図５６に示したＲＦＩＣモジュールの等価回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
まず、本発明に係るＲＦＩＣモジュールにおける各種態様の構成について記載する。
【００１５】
本発明に係る第１の態様のＲＦＩＣモジュールは、第１平面導体と、前記第１平面導体に対面する第２平面導体と、第１端及び第２端を有するインダクタと、第１端及び第２端を有するＲＦＩＣと、を備え、前記インダクタの第１端は前記第１平面導体の外縁の一部である第１箇所に接続され、前記インダクタの第２端は第２平面導体の外縁の一部である第２箇所に接続され、前記ＲＦＩＣの第１端は前記第１平面導体の外縁の一部である第３箇所に接続され、前記ＲＦＩＣの第２端は第２平面導体の外縁の一部である第４箇所に接続される。
【００１６】
上記構成により、このＲＦＩＣモジュールが、放射板として作用する放射部又は導体部の端部に配置されると、放射部又は導体部に適正な電圧強度分布が形成され、放射部又は導体部が効率の良い放射素子として作用する。
【００１７】
本発明に係る第２の態様のＲＦＩＣモジュールでは、前記第２箇所及び前記第４箇所を結ぶ線と、前記第１箇所及び前記第３箇所を結ぶ線とは、平行であり、且つ前記第１平面導体及び前記第２平面導体の平面視で重なる。この構造によれば、第１平面導体及び第２平面導体に平行な面方向を向く（傾斜しない）指向性をもたせることができる。
【００１８】
本発明に係る第３の態様のＲＦＩＣモジュールでは、前記第２箇所及び前記第４箇所を結ぶ線と、前記第１箇所及び前記第３箇所を結ぶ線とは、平行であり、且つ前記第１平面導体及び前記第２平面導体の平面視で重ならない。この構造によれば、第１平面導体及び第２平面導体に平行な面から傾斜する、利得に指向性をもたせることができる。
【００１９】
本発明に係る第４の態様のＲＦＩＣモジュールでは、前記第２箇所及び前記第４箇所を結ぶ線と、前記第１箇所及び前記第３箇所を結ぶ線とは、非平行であり、かつそれらの中央同士で交差しない。この構造によれば、第１平面導体及び第２平面導体に平行な面方向を向く（傾斜しない）指向性をもたせることができる。
【００２０】
本発明に係る第５の態様のＲＦＩＣモジュールでは、前記インダクタのインダクタンスが、前記ＲＦＩＣからみた電流経路に含まれる前記インダクタ以外の、前記第１平面導体及び前記第２平面導体全体が有するインダクタンスよりも大きい。この構成によれば、インダクタによる電流の閉じ込め割合が充分に大きく、第１平面導体と第２平面導体との間の電界強度分布の勾配が充分に緩くなる。そのため、第１平面導体と第２平面導体との間に、より一様な電界が分布する。
【００２１】
本発明に係る第６の態様のＲＦＩＣモジュールでは、前記第１平面導体及び前記第２平面導体の長さはいずれの方向においても、前記ＲＦＩＣの処理する通信信号の１／８波長以下である。この構成によれば、インダクタによる電流の閉じ込め割合が充分に大きく、第１平面導体と第２平面導体との間の電界強度分布の勾配が充分に緩くなる。そのため、第１平面導体と第２平面導体との間に、より一様な電界が分布する。
【００２２】
本発明に係る第７の態様のＲＦＩＣモジュールでは、前記ＲＦＩＣに対して直列接続されるキャパシタを備える。この構成によれば、上記インダクタ及びキャパシタを含む共振回路が構成され、この共振回路とＲＦＩＣとを容易にインピーダンス整合させることができる。
【００２３】
本発明に係る第８の態様のＲＦＩＣモジュールでは、前記キャパシタが内部に形成された絶縁性基材を備える。この構成によれば、部品としてのキャパシタが不要となって、実装コストが削減され、また、小型化に適する。
【００２４】
本発明に係る第９の態様のＲＦＩＣモジュールでは、前記インダクタが内部に形成された絶縁性基材を備える。この構成によれば、部品としてのインダクタが不要となって、実装コストが削減され、また、小型化に適する。
【００２５】
本発明に係る第１０の態様のＲＦＩＣモジュールでは、互いに対面する第１主面及び第２主面を有する絶縁性基材を備え、前記第１平面導体は前記絶縁性基材の第１主面に形成され、前記第２平面導体は前記絶縁性基材の第２主面に形成され、前記インダクタ及び前記ＲＦＩＣは前記絶縁性基材の第１主面に配置され、前記絶縁性基材に、前記インダクタの第２端と前記第２平面導体との間を接続する第１ビア導体と、前記ＲＦＩＣの第２端と前記第２平面導体との間を接続する第２ビア導体と、が形成される。この構成によれば、絶縁性基材に対するインダクタ及びＲＦＩＣの実装が容易となる。
【００２６】
本発明に係る第１１の態様のＲＦＩＣモジュールでは、前記第１ビア導体及び前記第２ビア導体はそれぞれ単一である。この構成によれば、電圧位相が反転関係にある箇所の近接部分が小さくなり、且つ第１平面導体の面積を充分に確保できるので、第１平面導体及び第２平面導体による充分な放射効率が確保される。
【００２７】
本発明に係る第１２の態様のＲＦＩＣモジュールでは、互いに対面する第１主面及び第２主面を有する絶縁性基材と、当該絶縁性基材の第１主面に被覆された絶縁体層と、を備え、前記第１平面導体は前記絶縁体層の表面又は表面付近に形成され、前記第２平面導体は前記絶縁性基材の第２主面に形成され、前記インダクタ及び前記ＲＦＩＣは前記絶縁性基材の第１主面に配置され、前記絶縁性基材に、前記インダクタの第２端と前記第２平面導体との間を接続する第１ビア導体と、前記ＲＦＩＣの第２端と前記第２平面導体との間を接続する第２ビア導体と、が形成され、前記絶縁体層に、前記インダクタの第１端と前記第１平面導体との間を接続する第４ビア導体と、前記ＲＦＩＣの第１端と前記第１平面導体との間を接続する第３ビア導体と、が形成される。この構成によれば、インダクタ及びＲＦＩＣが絶縁体層内に埋設された構造となるので、耐環境性を容易に高められる。
【００２８】
本発明に係る第１３の態様のＲＦＩＣモジュールでは、前記第１ビア導体、前記第２ビア導体、前記第３ビア導体及び前記第４ビア導体はそれぞれ単一である。この構成によれば、第１平面導体及び第２平面導体に流れる電流の経路を大きくでき、放射効率が高まる。
【００２９】
本発明に係る第１４の態様のＲＦＩＤタグでは、長手方向を有する導体で構成される放射体と、第１平面導体と、前記第１平面導体に対面する第２平面導体と、第１端及び第２端を有するインダクタと、第１端及び第２端を有するＲＦＩＣと、を有し、前記インダクタの第１端が前記第１平面導体の外縁の一部である第１箇所に接続され、前記インダクタの第２端が第２平面導体の外縁の一部である第２箇所に接続され、前記ＲＦＩＣの第１端が前記第１平面導体の外縁の一部である第３箇所に接続され、前記ＲＦＩＣの第２端が第２平面導体の外縁の一部である第４箇所に接続された、ＲＦＩＣモジュールと、を備える。そして、前記ＲＦＩＣモジュールは前記放射部の長手方向の端部付近に配置される。
【００３０】
上記構成により、第１平面導体と第２平面導体との間にほぼ一様な電界が分布し、第１平面導体と第２平面導体の電圧位相が反転する関係となる。したがって、放射部に適正な電圧強度分布が形成され、放射効率の高い放射部を備えるＲＦＩＤタグが得られる。
【００３１】
本発明に係る第１５の態様のＲＦＩＤタグでは、前記放射体は面状又は板状であり、前記第１平面導体及び前記第２平面導体は複数の辺を有し、前記複数の辺のうち、前記インダクタ及び前記ＲＦＩＣの接続部を結ぶ線に近い辺は、前記放射体の長手方向に沿っている。この構成によれば、前記インダクタの接続部と前記ＲＦＩＣの接続部との間で第２平面導体に流れる電流の向きが前記放射部の長手方向に揃うので、導体部の放射効率が高まる。
【００３２】
本発明に係る第１６の態様のＲＦＩＤタグでは、前記第１平面導体と前記第２平面導体との対面方向は前記放射部の長手方向と同じである。この構成によれば、ＲＦＩＣモジュールからの放射電界を効率よく使用できる。
【００３３】
本発明に係る第１７の態様のＲＦＩＤタグでは、前記放射体は螺旋状コイルである。この構成によれば、外力に対する耐性の高いＲＦＩＤタグが得られる。
【００３４】
本発明に係る第１８の態様の物品は、長手方向を有する導体部を有する物品であり、第１平面導体と、前記第１平面導体に対面する第２平面導体と、第１端及び第２端を有するインダクタと、第１端及び第２端を有するＲＦＩＣと、を有し、前記インダクタの第１端が前記第１平面導体の外縁の一部である第１箇所に接続され、前記インダクタの第２端が第２平面導体の外縁の一部である第２箇所に接続され、前記ＲＦＩＣの第１端が前記第１平面導体の外縁の一部である第３箇所に接続され、前記ＲＦＩＣの第２端が第２平面導体の外縁の一部である第４箇所に接続された、ＲＦＩＣモジュールと、を備える。そして、前記ＲＦＩＣモジュールは前記導体部の長手方向の端部付近に配置される。
【００３５】
上記構成により、第１平面導体と第２平面導体との間にほぼ一様な電界が分布し、第１平面導体と第２平面導体の電圧位相が反転する関係となって、導体部に適正な電圧強度分布が形成され、放射効率の高い導体部を備える物品が得られる。
【００３６】
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明又は理解の容易性を考慮して、実施形態を説明の便宜上分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせは可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
【００３７】
《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態に係るＲＦＩＣモジュールの斜視図である。このＲＦＩＣモジュール１０１は、第１平面導体１０、第２平面導体２０、ＲＦＩＣ４０、インダクタ４１及びキャパシタ４２を備える。図１においては、ＲＦＩＣモジュール１０１は、直方体状の絶縁性基材１を備え、第１平面導体１０は絶縁性基材１の第１主面ＭＳ１に形成されている。第２平面導体２０は絶縁性基材１の第２主面ＭＳ２に形成されている。つまり、第１平面導体１０と第２平面導体２０とは互いに平行に対面している。
【００３８】
絶縁性基材１の第１主面ＭＳ１には電極１１，１２，１３が形成されている。電極１１は第１ビア導体３１を介して第２平面導体２０に接続されている。電極１２は第２ビア導体３２を介して第２平面導体２０に接続されている。
【００３９】
絶縁性基材１は例えばガラス・エポキシ基板等の樹脂基材である。第１平面導体１０、第２平面導体２０、電極１１，１２，１３はいずれもパターンニングされた銅箔である。ビア導体３１，３２は絶縁性基材１に形成されたスルーホール・ビアである。
【００４０】
ＲＦＩＣ４０、インダクタ４１及びキャパシタ４２はいずれもチップ部品であり、絶縁性基材１の第１主面ＭＳ１に表面実装されている。インダクタ４１は、第１平面導体１０のうち電極１１に近接する箇所と電極１１との間に接続されている。また、キャパシタ４２は、第１平面導体１０のうち電極１３に近接する箇所と電極１３との間に接続されている。さらに、ＲＦＩＣ４０は電極１２と電極１３との間に接続されている。
【００４１】
インダクタ４１の第１端Ｔ１は第１平面導体１０の外縁の一部である第１箇所Ｐ１に接続され、インダクタ４１の第２端Ｔ２は、電極１１及び第１ビア導体３１を介して第２平面導体２０の外縁の一部である第２箇所Ｐ２に接続されている。
【００４２】
ＲＦＩＣ４０の第１端Ｔ１は、電極１３及びキャパシタ４２を介して第１平面導体１０の外縁の一部である第３箇所Ｐ３に接続され、ＲＦＩＣ４０の第２端Ｔ２は電極１２及び第２ビア導体３２を介して第２平面導体２０の外縁の一部である第４箇所Ｐ４に接続されている。
【００４３】
絶縁性基材１の幅Ｗ、奥行きＤ、高さＨの各部の寸法は、この例では次のとおりである。
【００４４】
Ｗ：３mm
Ｄ：３mm
Ｈ：１．２mm
ＲＦＩＣ４０の処理する通信信号の周波数は900MHz帯（860MHz〜960MHz）である。つまり、第１平面導体１０及び第２平面導体２０の長さはいずれの方向においても、ＲＦＩＣ４０の処理する通信信号の１／８波長以下である。但し、絶縁性基材１の誘電率による波長短縮効果があるので、この波長短縮効果を考慮した「１／８波長以下」である。
【００４５】
また、この例では、インダクタ４１のインダクタンスは30nH、インダクタ４１の等価直列抵抗（ESR）は5.75Ω、キャパシタ４２のキャパシタンスは0.9pF、キャパシタ４２の等価直列抵抗（ESR）は0.346Ω、ＲＦＩＣ４０の出力抵抗は1.2kΩ、ＲＦＩＣ４０の容量は1.23pFである。なお、第１平面導体１０及び第２平面導体２０のインダクタンス成分はインダクタ４１のインダクタンスより充分に小さく、例えば1nH以下である。
【００４６】
図２（Ａ）は本実施形態のＲＦＩＣモジュール１０１の立体的な回路図である。図２（Ｂ）は本実施形態のＲＦＩＣモジュール１０１の平面図である。第１平面導体１０及び第２平面導体２０はそれぞれ４つの辺を有し、インダクタ４１の第１端Ｔ１は、第１平面導体１０の一つの辺１０Ｓ１の一方の端部付近である第１箇所Ｐ１に接続されていて、インダクタ４１の第２端Ｔ２は、第２平面導体２０の一つの辺２０Ｓ１の一方の端部付近である第２箇所Ｐ２に接続されている。また、ＲＦＩＣ４０の第１端Ｔ１は、キャパシタ４２を介して、第１平面導体１０の一つの辺１０Ｓ１の他方の端部付近である第３箇所Ｐ３に接続されていて、ＲＦＩＣ４０の第２端Ｔ２は、第２平面導体２０の一つの辺２０Ｓ１の他方の端部付近である第４箇所Ｐ４に接続されている。
【００４７】
図２（Ａ）に示した例では、第１箇所Ｐ１及び第２箇所Ｐ２を、第１平面導体１０の辺１０Ｓ１の一方の端部付近及び第２平面導体２０の辺２０Ｓ１の一方の端部付近に設け、第３箇所Ｐ３及び第４箇所Ｐ４を、第１平面導体１０の辺１０Ｓ１の他方の端部付近及び第２平面導体２０の辺２０Ｓ１の他方の端部付近に設けたが、第３箇所Ｐ３及び第４箇所Ｐ４は、他の箇所に設けてもよい。例えば、図２（Ｂ）において、ハッチングを施した箇所が第３箇所Ｐ３及び第４箇所Ｐ４の採り得る位置である。図２（Ｂ）に示すように、第１箇所Ｐ１は第１平面導体１０の外縁の一部であり、第３箇所Ｐ３は、第１平面導体１０の外縁のうち第１箇所Ｐ１から離れた箇所である。同様に、第２箇所Ｐ２は第２平面導体２０の外縁の一部であり、第４箇所Ｐ４は、第２平面導体２０の外縁のうち第２箇所Ｐ２から離れた箇所である。本発明において「第１平面導体１０の外縁のうち第１箇所Ｐ１から離れた箇所」とは、第１箇所Ｐ１から第１平面導体１０の重心までの距離に比べて、第１箇所Ｐ１から遠く離れた箇所である。同様に、「第２平面導体２０の外縁のうち第２箇所Ｐ２から離れた箇所」とは、第２箇所Ｐ２から第２平面導体２０の重心までの距離に比べて、第２箇所Ｐ２から遠く離れた箇所である。
【００４８】
図３は本実施形態のＲＦＩＣモジュール１０１の等価回路図である。ＲＦＩＣ４０からみて、キャパシタ４２−第１平面導体１０−インダクタ４１−第１ビア導体３１−第２平面導体２０−第２ビア導体３２、の電流経路が形成されている。インダクタ４１及びキャパシタ４２はＲＦＩＣ４０を介して閉ループ内に接続されているので、インダクタ４１及びキャパシタ４２によって直列共振回路が構成される。この共振回路の共振周波数は通信周波数帯の周波数に一致するか、通信周波数帯近傍の周波数である。なお、第１平面導体１０と第２平面導体２０との間に浮遊容量が形成されるが、この浮遊容量は上記共振周波数においては殆ど影響がない。
【００４９】
図４は、図３からインダクタ４１及びキャパシタ４２を除いた回路図である。図５は、図４においてＲＦＩＣ４０からみた、第１平面導体１０、第２平面導体２０、第１ビア導体３１及び第２ビア導体３２のインダクタンス成分の周波数特性を示す図である。この例では、第１平面導体１０、第２平面導体２０、第１ビア導体３１及び第２ビア導体３２のインダクタンス成分は約2.82nHである。したがって、インダクタ４１のインダクタンス（30nH）は、第１平面導体１０、第２平面導体２０、第１ビア導体３１及び第２ビア導体３２のインダクタンス成分の２倍以上である。そのため、ＲＦＩＣ４０に入出力される電流の半分以上がインダクタ４１で閉じ込められるので、第１平面導体１０及び第２平面導体２０上の電流密度分布の勾配は緩やかになる。つまり、第１平面導体１０及び第２平面導体２０にほぼ一様な電圧が分布する。また、インダクタ４１が半分以上の電流を閉じ込めるので、第１平面導体１０及び第２平面導体２０の長さが１／８波長以下であっても、第１平面導体１０と第２平面導体２０に印加される電圧の位相は略逆相となる。
【００５０】
ここで、比較例としてのＲＦＩＣモジュールについて示す。図５４は、図１に示したＲＦＩＣモジュール１０１に対する比較例としてのＲＦＩＣモジュールの斜視図である。但し、ＲＦＩＣ４０、インダクタ４１及びキャパシタ４２は概念的な記号で表している。図５５は、図５４に示したＲＦＩＣモジュールの等価回路図である。この例では、インダクタ４１とＲＦＩＣ４０との間の距離が、インダクタ４１と第１ビア導体３１との間の距離より近い。このような構造は、第１平面導体１０の一部と第２平面導体２０の一部とが第１ビア導体３１を介して直接的に接続された構造であるので、第１平面導体１０と第２平面導体２０の電圧位相が反転する関係とはならない。したがって、図１２や図１に示したように、インダクタ４１とＲＦＩＣ４０との間の距離が、インダクタ４１と第１ビア導体３１との間の距離より遠いことが好ましい。
【００５１】
上記キャパシタ４２は必須ではない。但し、第１平面導体１０及び第２平面導体２０の面積を小さくする程、放射抵抗が小さくなるので、第１平面導体１０及び第２平面導体２０はＲＦＩＣ４０と結合し難くなる。つまり、ＲＦＩＣ４０に電力を入れにくくなる。そのため、キャパシタ４２を介してＲＦＩＣ４０を接続することで、インダクタ４１、第１平面導体１０及び第２平面導体２０と、ＲＦＩＣ４０とをインピーダンス整合させることが有効である。また、第１平面導体１０と第２平面導体２０との電圧位相が反転する関係とするため、インダクタ４１とキャパシタ４２との間の距離は、インダクタ４１と第１ビア導体３１との間の距離より遠いことが好ましい。
【００５２】
図６はＲＦＩＣモジュール１０１の第１平面導体１０及び第２平面導体２０に生じる電圧の強度分布を示す図である。図６において濃度が高いほど電圧は高い。図６では、第１平面導体１０の四辺に沿った部分と第２平面導体２０のほぼ全体に同電圧が分布しているが、極性は逆である。
【００５３】
図７はＲＦＩＣモジュール１０１の第１平面導体１０と第２平面導体２０との間に生じる電界の様子を示す斜視図である。図７において、矢じり付きの線は概略的に示す電気力線である。このように、第１平面導体１０の周縁と第２平面導体２０の周縁との電位差が大きく、第１平面導体１０の周縁と第２平面導体２０の周縁との対向位置より外方へ電界が拡がる。
【００５４】
ここで、放射板から電磁波を効率よく放射させるための構成について示す。図５２は共振周波数の１／２波長の幅又は長さを有する放射板の電流密度分布及び電圧強度分布を示す概念図である。図５２に示すように、共振周波数の１／２波長の放射板には、開放端で電流０、中央で電流最大の電流密度分布Ｉが生じる。同様に、開放端で電圧最大、中央で電圧０の電圧強度分布Ｖが生じる。
【００５５】
図５３（Ａ）、図５３（Ｂ）は、上記放射板の一方端付近から出て他方端付近へ入る電気力線を示す概念図である。図５３（Ｂ）は図５３（Ａ）における右端付近の拡大図である。
【００５６】
このように、共振電圧が最大となる放射板の開放端又はその付近に、本実施形態で示すＲＦＩＣモジュール１０１を配置すれば、放射板の開放端に電気力線Ｅが効率よく出入りするようになる。したがって、本実施形態で示すＲＦＩＣモジュール１０１を放射板の開放端付近に配置することで、ＲＦＩＣモジュール１０１は放射板と電界結合する。より詳しくは、放射板と第２平面導体２０とが対向して配置されることで電界結合している。ここで、放射板と第２平面導体２０は粘着層等を介して対向する状態で固定されてもよい。
【００５７】
図８（Ａ）は、共振周波数の１／４波長の幅又は長さを有する放射板の電流密度分布及び電圧強度分布を示す概念図である。図８（Ｂ）は、共振周波数の１／８波長以下の幅又は長さを有する放射板の一端がインダクタを介して接地された放射素子の電流密度分布及び電圧強度分布を示す概念図である。
【００５８】
図８（Ａ）に示すように、共振周波数の１／４波長の放射板には、接地端で電流最大、開放端で電流０の電流密度分布Ｉが生じる。同様に、接地端で電圧０、開放端で電圧最大の電圧強度分布Ｖが生じる。図８（Ｂ）に示す例では、放射板の幅又は長さが１／８波長以下であり、一端がインダクタを介して接地されているので、インダクタによる電流の閉じ込め割合が充分に大きく、放射板の電圧強度分布Ｖの勾配が充分に緩い。
【００５９】
図９（Ａ）は、図８（Ｂ）に示した放射板を両端開放型に変更した放射板の電流密度分布及び電圧強度分布を示す図である。図９（Ｂ）は、図９（Ａ）に示した二つの放射板を第１平面導体１０及び第２平面導体２０で構成し、且つ両者が対向するように配置した図である。この図９（Ｂ）においては、ＲＦＩＣ４０及びキャパシタ４２も図示している。図９（Ｃ）は、第１平面導体１０と第２平面導体２０との間に生じる電界を電気力線で示す図である。
【００６０】
図９（Ａ）に示すように、二つの放射板を併せた幅又は長さが共振周波数の１／２波長より短くても、この二つの放射板に、位相反転した電圧が生じる。そして、図９（Ｂ）に示すように、第１平面導体１０と第２平面導体２０との間にほぼ一様な電界が分布し、第１平面導体１０と第２平面導体２０に掛かる電圧位相が反転した関係となる。その結果、図９（Ｃ）に示すように、第１平面導体１０と第２平面導体２０との間に電界がほぼ一様に分布し、且つ、第１平面導体１０の周縁と第２平面導体２０の周縁との対向位置より外方へ電界が拡がる。このことは既に図７に示したとおりである。
【００６１】
図１０、図１１は、第１平面導体１０と第２平面導体２０との間にインダクタを接続するための構造と、電界放射との関係を説明するための図である。
【００６２】
図１０はＲＦＩＣモジュール１０１の斜視図である。図１１は図１０の部分斜視図である。図１０において、ＲＦＩＣ４０、インダクタ４１及びキャパシタ４２は概念的な記号で表している。また、図１１では、インダクタ４１の図示を省略している。
【００６３】
図１０において、第１ビア導体３１は第２平面導体２０と繋がっているので、第１ビア導体３１の両端Ｐａ，Ｐｂは、第２平面導体２０とほぼ同電位である。また、第２ビア導体３２は第２平面導体２０と繋がっているので、第２ビア導体３２の両端Ｐｃ，Ｐｄは、第２平面導体２０とほぼ同電位である。
【００６４】
図１１において矢印は、第１平面導体１０と電極１１との間に生じる電界を示している。このように、電圧位相が反転関係にある箇所に電界が生じ、その箇所が近接していると電界が閉じ込められて放射されにくくなる。しかし、電圧位相が反転関係にある箇所の距離を離すと、第１平面導体１０の周縁長が短くなるため、電界放射能力が減少してしまう。本実施形態では、第１平面導体１０と第２平面導体２０との間に、インダクタ４１を接続するための経路として単一のビア導体（第１ビア導体３１）を形成したので、電極１１の面積は最小限となって、第１平面導体１０の周縁長が充分に確保される。その結果、小型でありながら、第１平面導体１０及び第２平面導体２０の周縁からの電界放射の高いＲＦＩＣモジュールが得られる。また、第１平面導体１０の面積を充分に大きくできるので、第１平面導体１０及び第２平面導体２０の周縁からの電界放射を大きくできる。
【００６５】
本実施形態のＲＦＩＣモジュール１０１では、図１に示す第２箇所Ｐ２及び第４箇所Ｐ４を結ぶ線と、第１箇所Ｐ１及び第３箇所Ｐ３を結ぶ線とは、平行であり、且つ第１平面導体１０及び第２平面導体２０の平面視で、上記二つの線は重なる。なお、図１に示す構造では、上記二つの線は完全には重らず、ほぼ重なる状態である。図２（Ａ）に示した概念的な図では、第２箇所Ｐ２及び第４箇所Ｐ４を結ぶ線と、第１箇所Ｐ１及び第３箇所Ｐ３を結ぶ線とは、平行であり、且つ第１平面導体１０及び第２平面導体２０の平面視で、上記二つの線は重なる。このような構造によれば、第１平面導体１０及び第２平面導体２０に平行な面方向を向く（傾斜しない）指向性をもたせることができる。
【００６６】
上述のＲＦＩＣモジュール１０１を導電性部材に設けることで、その導電性部材を放射素子として作用させる場合には、第２平面導体２０を導電性部材に貼付すればよい。第２平面導体２０は導電性部材に直流的に導通させてもよいし、絶縁体層（誘電体層）を介在させて貼付してもよい。
【００６７】
《第２の実施形態》
第２の実施形態では、ＲＦＩＣ４０及びキャパシタ４２の接続位置関係が第１の実施形態で示したものとは異なるＲＦＩＣモジュールの例を示す。
【００６８】
図１２は第２の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０２の斜視図である。このＲＦＩＣモジュール１０２は、第１平面導体１０、第２平面導体２０、ＲＦＩＣ４０、インダクタ４１及びキャパシタ４２を備える。図１２においては、ＲＦＩＣモジュール１０２は、直方体状の絶縁性基材１を備え、第１平面導体１０は絶縁性基材１の第１主面ＭＳ１に形成されている。第２平面導体２０は絶縁性基材１の第２主面ＭＳ２に形成されている。
【００６９】
絶縁性基材１の第１主面ＭＳ１には電極１１，１２，１３が形成されている。電極１１は第１ビア導体３１を介して第２平面導体２０に接続されている。電極１２は第２ビア導体３２を介して第２平面導体２０に接続されている。
【００７０】
インダクタ４１は、第１平面導体１０のうち電極１１に近接する箇所と電極１１との間に接続されている。また、ＲＦＩＣ４０は、第１平面導体１０のうち電極１３に近接する箇所と電極１３との間に接続されている。さらに、キャパシタ４２は電極１２と電極１３との間に接続されている。なお、ＲＦＩＣ４０、インダクタ４１及びキャパシタ４２は概念的な記号で表している。
【００７１】
図１３は、図１２に示したＲＦＩＣモジュール１０２の等価回路図である。ＲＦＩＣ４０からみて、第１平面導体１０−インダクタ４１−第１ビア導体３１−第２平面導体２０−第２ビア導体３２−キャパシタ４２、の電流経路が形成されている。
【００７２】
図１に示した例とは、ＲＦＩＣ４０及びキャパシタ４２の位置関係が逆になっているだけであり、その他は同じである。ＲＦＩＣ４０とキャパシタ４２は直列接続されて、第１平面導体１０と第２平面導体２０との間に接続されればよいので、図１２に示したように、ＲＦＩＣ４０及びキャパシタ４２を実装してもよい。
【００７３】
《第３の実施形態》
第３の実施形態では、キャパシタ４２の接続位置関係が第２の実施形態で示したものとは異なるＲＦＩＣモジュールの例を示す。
【００７４】
図１４は第３の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０３の斜視図である。このＲＦＩＣモジュール１０３は、第１平面導体１０、第２平面導体２０、ＲＦＩＣ４０、インダクタ４１及びキャパシタ４２を備える。図１４においては、ＲＦＩＣモジュール１０３は、直方体状の絶縁性基材１を備え、第１平面導体１０は絶縁性基材１の第１主面ＭＳ１に形成されている。第２平面導体２０は絶縁性基材１の第２主面ＭＳ２に形成されている。
【００７５】
絶縁性基材１の第１主面ＭＳ１には電極１１，１２が形成されていて、第２主面ＭＳ２には電極２１が形成されている。電極１１は第１ビア導体３１を介して第２平面導体２０に接続されている。電極２１は第２ビア導体３２を介して電極１２に接続されている。
【００７６】
インダクタ４１は、第１平面導体１０のうち電極１１に近接する箇所と電極１１との間に接続されている。また、ＲＦＩＣ４０は、第１平面導体１０のうち電極１２に近接する箇所と電極１２との間に接続されている。キャパシタ４２は第２平面導体２０のうち電極２１に近接する箇所と電極２１との間に接続されている。なお、ＲＦＩＣ４０、インダクタ４１及びキャパシタ４２は概念的な記号で表している。
【００７７】
図１５は、図１４に示したＲＦＩＣモジュール１０３の等価回路図である。ＲＦＩＣ４０からみて、第１平面導体１０−インダクタ４１−第１ビア導体３１−第２平面導体２０−キャパシタ４２−第２ビア導体３２、の電流経路が形成されている。
【００７８】
図１４に示したように、第２平面導体２０が形成された第２主面ＭＳ２にキャパシタ４２を実装してもよい。同様に、第２平面導体２０が形成された第２主面ＭＳ２にＲＦＩＣ４０を実装してもよい。
【００７９】
ここで、比較例としてのＲＦＩＣモジュールについて示す。図５６は、図１４に示したＲＦＩＣモジュール１０３に対する比較例としてのＲＦＩＣモジュールの斜視図である。図５７は、図５６に示したＲＦＩＣモジュールの等価回路図である。この例では、インダクタ４１とＲＦＩＣ４０との間の距離が、インダクタ４１と第１ビア導体３１との間の距離より近い。このような構造は、第１平面導体１０の一部と第２平面導体２０の一部とが第１ビア導体３１を介して直接的に接続された構造であるので、第１平面導体１０と第２平面導体２０の電圧位相が反転する関係とはならない。したがって、図１４に示したように、インダクタ４１とＲＦＩＣ４０との間の距離が、インダクタ４１と第１ビア導体３１との間の距離より遠いことが好ましい。
【００８０】
《第４の実施形態》
第４の実施形態では、第１平面導体と第２平面導体との間にインダクタ等の素子が配置されたＲＦＩＣモジュールの例について示す。
【００８１】
図１６（Ａ）は第４の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０４の斜視図である。図１６（Ｂ）は、ＲＦＩＣモジュール１０４が備える各回路素子を回路記号で表した斜視図である。図１７（Ａ）、図１７（Ｂ）は図１６（Ａ）におけるＹ軸方向を視た正面図である。
【００８２】
ＲＦＩＣモジュール１０４は、第１平面導体１０、第２平面導体２０、ＲＦＩＣ４０、インダクタ４１及びキャパシタ４２を備える。
【００８３】
ＲＦＩＣモジュール１０４は、互いに対面する第１主面（図１７（Ａ）に示すＭＳ１）及び第２主面（図１７（Ａ）に示すＭＳ２）を有する絶縁性基材１と、この絶縁性基材１の第１主面ＭＳ１に被覆された絶縁体層２と、を備える。
【００８４】
第１平面導体１０は絶縁体層２の表面又は表面付近に形成されていて、第２平面導体２０は絶縁性基材１の第２主面ＭＳ２に形成されている。インダクタ４１及びＲＦＩＣ４０は絶縁性基材１の第１主面ＭＳ１に配置されている。
【００８５】
絶縁性基材１の第１主面ＭＳ１には電極１１，１２，１３，１４，１５が形成されている。インダクタ４１の第１端Ｔ１は電極１５に接続されていて、インダクタ４１の第２端Ｔ２は電極１１に接続されている。ＲＦＩＣ４０の第１端Ｔ１は電極１４に接続されていて、ＲＦＩＣ４０の第２端Ｔ２は電極１３に接続されている。キャパシタ４２は電極１２及び電極１３に接続されている。
【００８６】
絶縁性基材１には、インダクタ４１の第２端（図１６（Ｂ）に示すＴ２）と第２平面導体２０との間を接続する第１ビア導体３１と、ＲＦＩＣ４０の第２端（図１６（Ｂ）に示すＴ２）と第２平面導体２０との間を接続する第２ビア導体３２と、が形成されている。絶縁体層２には、インダクタ４１の第１端Ｔ１と第１平面導体１０との間を接続する第４ビア導体３４と、ＲＦＩＣ４０の第１端Ｔ１と第１平面導体１０との間を接続する第３ビア導体３３と、が形成されている。
【００８７】
インダクタ４１の第１端Ｔ１は第１平面導体１０の外縁の一部である第１箇所Ｐ１に接続されていて、インダクタ４１の第２端Ｔ２は第２平面導体２０の外縁の一部である第２箇所Ｐ２に接続されている。また、ＲＦＩＣ４０の第１端Ｔ１は第１平面導体１０の外縁の一部である第３箇所Ｐ３に接続されていて、ＲＦＩＣ４０の第２端Ｔ２は第２平面導体２０の外縁の一部である第４箇所Ｐ４に接続されている。
【００８８】
なお、ここで「接続」とは直接的な接続だけでなく、間接的な接続の意味をも含む。上述の例では、ＲＦＩＣ４０の第２端Ｔ２はキャパシタ４２及び第２ビア導体３２を介して第２平面導体２０に接続されている。
【００８９】
本実施形態のＲＦＩＣモジュール１０４では、インダクタ４１、ＲＦＩＣ４０及びキャパシタ４２が絶縁体層２内に埋設された構造であるので、耐環境性が高い。
【００９０】
本実施形態のＲＦＩＣモジュール１０４では、第２箇所Ｐ２及び第４箇所Ｐ４を結ぶ線と、第１箇所Ｐ１及び第３箇所Ｐ３を結ぶ線とは、平行であり、且つ第１平面導体１０及び第２平面導体２０の平面視で重ならない。この構造によれば、以降に述べるとおり、第１平面導体１０及び第２平面導体２０による放射の利得に指向性をもたせることができる。
【００９１】
図１６（Ｂ）においては、第１平面導体１０及び第２平面導体２０沿って示す矢じり付きの線で、第１平面導体１０及び第２平面導体２０に流れる電流の経路を概念的に示している。
【００９２】
図１６（Ｂ）において、第１箇所Ｐ１と第３箇所Ｐ３との間の電位差が大きいので、第１平面導体１０には、第１箇所Ｐ１と第３箇所Ｐ３との最短経路に流れる電流は大きく、破線で示すように第１平面導体１０の縁に沿って迂回して流れる電流は相対的に小さい。同様に、第２箇所Ｐ２と第４箇所Ｐ４との間の電位差が大きいので、第２平面導体２０には、第２箇所Ｐ２と第４箇所Ｐ４との最短経路に流れる電流は大きく、破線で示すように第２平面導体２０の縁に沿って迂回して流れる電流は相対的に小さい。
【００９３】
図１７（Ｂ）は第１平面導体１０と第２平面導体２０との間に印加される電位差の分布（電荷の分布）を概念的に示す図である。図１７（Ｂ）中の丸囲みのプラス記号及び丸囲みのマイナス記号は、第１平面導体１０及び第２平面導体２０上の電荷（電流）の極性と大きさを概念的に表している。図１７（Ｂ）に示すように、ＲＦＩＣモジュール１０４の正面視で、極性の異なる大きな電荷が斜め方向に対向するので、この電位差が掛かる方向（二点鎖線）が傾く。このことにより、破線で示すように、放射利得の指向方向がＸ―Ｙ面から傾く。
【００９４】
図１８はＲＦＩＣモジュール１０４の放射利得のコンター図である。この図１８の中心にＲＦＩＣモジュール１０４が位置し、トーラス状で表される。そして、一点鎖線で示すトーラスの中心線はＺ軸から傾く。
【００９５】
図１９はＲＦＩＣモジュール１０４の製造工程における各段階での、−Ｘ軸方向に視た正面図である。工程ＳＴ１では、絶縁性基材１に第２平面導体２０、第１ビア導体３１、第２ビア導体３２及び電極１１，１２を形成する。工程ＳＴ２では、絶縁性基材１の第１主面にインダクタ４１、ＲＦＩＣ４０、キャパシタ４２、第３ビア導体３３及び第４ビア導体３４を実装する。工程ＳＴ３では、絶縁性基材１の第１主面に絶縁体層２を被覆する。これにより、インダクタ４１，ＲＦＩＣ４０及びキャパシタ４２は絶縁体層２内に埋設される。工程ＳＴ４では、絶縁体層２の表面を研磨することによって第３ビア導体３３及び第４ビア導体３４の頂部を露出させる。工程ＳＴ５では、絶縁体層２の表面に第１平面導体１０を形成する。
【００９６】
以上の手順によって、ＲＦＩＣモジュール１０４が製造される。
【００９７】
《第５の実施形態》
第５の実施形態では、第１平面導体及び第２平面導体に対するインダクタ及びＲＦＩＣの接続位置が、第４の実施形態とは異なる例を示す。
【００９８】
図２０は第５の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０５Ａの斜視図である。図２１（Ａ）、図２１（Ｂ）は図２０におけるＹ軸方向を視た正面図である。第４の実施形態で示したＲＦＩＣモジュール１０４と同一構成の箇所には同一符号を付している。
【００９９】
図１６（Ａ）、図１６（Ｂ）に示したＲＦＩＣモジュール１０４とは、インダクタ４１の第１端Ｔ１が接続される第１平面導体１０の第１箇所Ｐ１、及びインダクタ４１の第２端Ｔ２が接続される第２平面導体２０の第２箇所Ｐ２の位置が異なる。
【０１００】
図２０においては、図１６（Ｂ）と同様の表現方法で、ＲＦＩＣモジュール１０５Ａが備える各回路素子を回路記号で表している。また、図２０においては、第１平面導体１０及び第２平面導体２０沿って示す矢じり付きの線で、第１平面導体１０及び第２平面導体２０に流れる電流の経路を概念的に示している。
【０１０１】
第１平面導体１０及び第２平面導体２０の平面視で、第１箇所Ｐ１と第３箇所Ｐ３とを結ぶ線と、第２箇所Ｐ２と第４箇所Ｐ４とを結ぶ線とは、それらの中央部で交差する。
【０１０２】
図２０において、第１箇所Ｐ１と第３箇所Ｐ３との間の電位差が大きいが、第１平面導体１０には、縁に沿って第１箇所Ｐ１と第３箇所Ｐ３との間に電流が流れる。同様に、第２箇所Ｐ２と第４箇所Ｐ４との間の電位差が大きいが、第２平面導体２０には、縁に沿って第２箇所Ｐ２と第４箇所Ｐ４との間に電流が流れる。
【０１０３】
図２１（Ｂ）は第１平面導体１０と第２平面導体２０との間に印加される電位差の分布（電荷の分布）を概念的に示す図である。図２１（Ｂ）中の丸囲みのプラス記号及び丸囲みのマイナス記号は、第１平面導体１０及び第２平面導体２０上の電荷（電流）の極性と大きさを概念的に表している。図２１（Ｂ）に示すように、ＲＦＩＣモジュール１０５の正面視で、第１平面導体１０と第２平面導体２０との間に電荷がほぼ均等に対向する。そのため、破線で示すように、放射利得の指向方向がＸ―Ｙ面に平行となる。
【０１０４】
図２２は本実施形態のもう一つのＲＦＩＣモジュール１０５Ｂの斜視図である。第４の実施形態で示したＲＦＩＣモジュール１０４と同一構成の箇所には同一符号を付している。図２０に示したＲＦＩＣモジュール１０５Ａとは、第１平面導体１０及び第２平面導体２０に対するインダクタ４１及びＲＦＩＣ４０の接続位置が異なる。但し、第１平面導体１０及び第２平面導体２０の平面視で、第１箇所Ｐ１と第３箇所Ｐ３とを結ぶ線と、第２箇所Ｐ２と第４箇所Ｐ４とを結ぶ線とは、それらの中央部で交差する、という構造は同じである。つまり、第１平面導体１０の縁に沿って第１箇所Ｐ１と第３箇所Ｐ３との間に電流が流れ、第２平面導体２０の縁に沿って第２箇所Ｐ２と第４箇所Ｐ４との間に電流が流れる。
【０１０５】
図２３は上記ＲＦＩＣモジュール１０５Ａ，１０５Ｂの放射利得のコンター図である。この図２３の中心にＲＦＩＣモジュール１０５Ａ又は１０５Ｂが位置し、トーラス状で表される。そして、一点鎖線で示すトーラスの中心線はＺ軸に平行である。
【０１０６】
図２４（Ａ）、図２４（Ｂ）、図２４（Ｃ）はいずれも絶縁性基材１の平面図である。図２４（Ａ）に示す絶縁性基材１は、図２０に示したＲＦＩＣモジュール１０５Ａに用いられる絶縁性基材であり、図２４（Ｂ）に示す絶縁性基材１は、図２２に示したＲＦＩＣモジュール１０５Ｂに用いられる絶縁性基材である。図２４（Ａ）と図２４（Ｂ）とは、絶縁性基材１の第１主面に形成される各電極のパターンが鏡像関係である。因みに図２４（Ｃ）は図１６（Ａ）に示したＲＦＩＣモジュール１０４に用いられる絶縁性基材１の平面図である。
【０１０７】
このように、絶縁性基材１の第１主面に形成する電極パターンを変更することで、第１平面導体１０及び第２平面導体２０に対するインダクタ４１及びＲＦＩＣ４０の接続位置を変えることができ、そのことで放射利得の指向性を設定できる。
【０１０８】
《第６の実施形態》
第６の実施形態では、第１平面導体及び第２平面導体に対するインダクタ及びＲＦＩＣの接続位置が、第４の実施形態や第５の実施形態とは更に異なる例を示す。
【０１０９】
図２５は第６の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０６Ａの斜視図である。図２６は第６の実施形態に係るもう一つのＲＦＩＣモジュール１０６Ｂの斜視図である。第４の実施形態で示したＲＦＩＣモジュール１０４と同一構成の箇所には同一符号を付している。
【０１１０】
ＲＦＩＣモジュール１０６Ａ，１０６Ｂのいずれも、第１平面導体１０及び第２平面導体２０の平面視で、第１箇所Ｐ１と第３箇所Ｐ３とを結ぶ線と、第２箇所Ｐ２と第４箇所Ｐ４とを結ぶ線とは、非平行であり、かつそれらの中央部で交差しない。
【０１１１】
図２５において、第１箇所Ｐ１と第３箇所Ｐ３との間の電位差が大きいので、第１平面導体１０には、第１箇所Ｐ１と第３箇所Ｐ３との最短経路に流れる電流は大きく、破線で示すように第１平面導体１０の縁に沿って迂回して流れる電流は相対的に小さい。一方、第２箇所Ｐ２と第４箇所Ｐ４との間の電位差が大きいが、第２平面導体２０には、縁に沿って第２箇所Ｐ２と第４箇所Ｐ４との間に電流が流れる。
【０１１２】
図２６において、第１箇所Ｐ１と第３箇所Ｐ３との間の電位差が大きいが、第１平面導体１０には、縁に沿って第１箇所Ｐ１と第３箇所Ｐ３との間に電流が流れる。一方、第２箇所Ｐ２と第４箇所Ｐ４との間の電位差が大きいので、第２平面導体２０には、第２箇所Ｐ２と第４箇所Ｐ４との最短経路に流れる電流は大きく、破線で示すように第２平面導体２０の縁に沿って迂回して流れる電流は相対的に小さい。
【０１１３】
このように、本実施形態では第１平面導体１０又は第２平面導体２０に集中する電荷（電流）に偏りが生じるので、第４の実施形態で示した場合と同様に放射利得の指向方向が傾く。但し、電荷（電流）の集中は第１平面導体１０又は第２平面導体２０一方だけであるので、上記傾きは少ない。
【０１１４】
《第７の実施形態》
第７の実施形態では、第１平面導体及び第２平面導体に対するインダクタ及びＲＦＩＣの接続位置が、これまでに示した実施形態とは更に異なる例を示す。
【０１１５】
図２７は第７の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０７Ａの斜視図である。図２８は第７の実施形態に係るもう一つのＲＦＩＣモジュール１０７Ｂの斜視図である。第４の実施形態で示したＲＦＩＣモジュール１０４と同一構成の箇所には同一符号を付している。
【０１１６】
ＲＦＩＣモジュール１０７Ａ，１０７Ｂのいずれも、第１平面導体１０及び第２平面導体２０の平面視で、第１箇所Ｐ１と第３箇所Ｐ３とを結ぶ線と、第２箇所Ｐ２と第４箇所Ｐ４とを結ぶ線とは、非平行であり、かつそれらの中央部で交差しない。
【０１１７】
図２７において、第１箇所Ｐ１と第３箇所Ｐ３との間の電位差が大きいので、第１平面導体１０には、第１箇所Ｐ１と第３箇所Ｐ３との最短経路に流れる電流は大きく、破線で示すように第１平面導体１０の縁に沿って迂回して流れる電流は相対的に小さい。一方、第２箇所Ｐ２と第４箇所Ｐ４との間の電位差が大きいが、第２平面導体２０には、縁に沿って第２箇所Ｐ２と第４箇所Ｐ４との間に電流が流れる。
【０１１８】
図２８において、第１箇所Ｐ１と第３箇所Ｐ３との間の電位差が大きいが、第１平面導体１０には、縁に沿って第１箇所Ｐ１と第３箇所Ｐ３との間に電流が流れる。一方、第２箇所Ｐ２と第４箇所Ｐ４との間の電位差が大きいので、第２平面導体２０には、第２箇所Ｐ２と第４箇所Ｐ４との最短経路に流れる電流は大きく、破線で示すように第２平面導体２０の縁に沿って迂回して流れる電流は相対的に小さい。
【０１１９】
このように、本実施形態では第１平面導体１０又は第２平面導体２０に集中する電荷（電流）に偏りが生じるので、第４の実施形態で示した場合と同様に放射利得の指向性が傾く。但し、電荷（電流）の集中は第１平面導体１０又は第２平面導体２０一方だけであるので、上記傾きは少ない。
【０１２０】
《第８の実施形態》
第８の実施形態では、第１平面導体及び第２平面導体に対するインダクタ及びＲＦＩＣの接続位置が、これまでに示した実施形態とは更に異なる例を示す。
【０１２１】
図２９は第８の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０８Ａの斜視図である。図３０は第８の実施形態に係るもう一つのＲＦＩＣモジュール１０８Ｂの斜視図である。第４の実施形態で示したＲＦＩＣモジュール１０４と同一構成の箇所には同一符号を付している。
【０１２２】
ＲＦＩＣモジュール１０８Ａ，１０８Ｂのいずれも、第１平面導体１０及び第２平面導体２０の平面視で、第１箇所Ｐ１と第３箇所Ｐ３とを結ぶ線と、第２箇所Ｐ２と第４箇所Ｐ４とを結ぶ線とは、非平行であり、かつそれらの中央部で交差しない。
【０１２３】
図２９、図３０いずれにおいても、第１箇所Ｐ１と第３箇所Ｐ３との間の電位差が大きいので、第１平面導体１０には、第１箇所Ｐ１と第３箇所Ｐ３との最短経路に流れる電流は大きく、破線で示すように第１平面導体１０の縁に沿って迂回して流れる電流は相対的に小さい。同様に、第２平面導体２０には、第２箇所Ｐ２と第４箇所Ｐ４との最短経路に流れる電流は大きく、破線で示すように第２平面導体２０の縁に沿って迂回して流れる電流は相対的に小さい。
【０１２４】
ＲＦＩＣモジュール１０８Ａでは、第１平面導体１０の電荷（電流）が−Ｙ方向へ偏り、第２平面導体２０の電荷（電流）が−Ｘ方向へ偏る。また、ＲＦＩＣモジュール１０８Ｂでは、第１平面導体１０の電荷（電流）が−Ｘ方向へ偏り、第２平面導体２０の電荷（電流）が−Ｙ方向へ偏る。そのため、この構造によれば、第１平面導体１０及び第２平面導体２０に集中する電荷（電流）に偏りが生じるので、放射利得の指向方向が傾く。
【０１２５】
《第９の実施形態》
第９の実施形態では、第１平面導体及び第２平面導体に対するインダクタ及びＲＦＩＣの接続位置が、これまでに示した実施形態とは更に異なる例を示す。
【０１２６】
図３１は第９の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０９Ａの斜視図である。図３２は第９の実施形態に係るもう一つのＲＦＩＣモジュール１０９Ｂの斜視図である。第４の実施形態で示したＲＦＩＣモジュール１０４と同一構成の箇所には同一符号を付している。
【０１２７】
ＲＦＩＣモジュール１０９Ａ，１０９Ｂのいずれも、第１平面導体１０及び第２平面導体２０の平面視で、第１箇所Ｐ１と第３箇所Ｐ３とを結ぶ線と、第２箇所Ｐ２と第４箇所Ｐ４とを結ぶ線とは、非平行であり、かつそれらの中央部で交差しない。
【０１２８】
図３１、図３２いずれにおいても、第１箇所Ｐ１と第３箇所Ｐ３との間の電位差が大きいので、第１平面導体１０には、第１箇所Ｐ１と第３箇所Ｐ３との最短経路に流れる電流は大きく、破線で示すように第１平面導体１０の縁に沿って迂回して流れる電流は相対的に小さい。同様に、第２平面導体２０には、第２箇所Ｐ２と第４箇所Ｐ４との最短経路に流れる電流は大きく、破線で示すように第２平面導体２０の縁に沿って迂回して流れる電流は相対的に小さい。
【０１２９】
ＲＦＩＣモジュール１０９Ａでは、第１平面導体１０の電荷（電流）が−Ｘ方向へ偏り、第２平面導体２０の電荷（電流）がＹ方向へ偏る。また、ＲＦＩＣモジュール１０９Ｂでは、第１平面導体１０の電荷（電流）がＹ方向へ偏り、第２平面導体２０の電荷（電流）が−Ｘ方向へ偏る。そのため、この構造によれば、第１平面導体１０及び第２平面導体２０に集中する電荷（電流）に偏りが生じるので、放射利得の指向性が傾く。
【０１３０】
《第１０の実施形態》
第１０の実施形態では、第１平面導体又は第２平面導体の構成が、これまでに示した実施形態とは更に異なる例を示す。
【０１３１】
図３３は第１０の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１１０Ａの斜視図である。図３４は第１０の実施形態に係るもう一つのＲＦＩＣモジュール１１０Ｂの斜視図である。ＲＦＩＣモジュール１１０Ａ，１１０Ｂの基本的な構成は図１６（Ａ）に示したＲＦＩＣモジュール１０４と同じである。
【０１３２】
図３３に示すＲＦＩＣモジュール１１０Ａは、第１平面導体１０に導体開口ＣＯが形成されている。この導体開口ＣＯはインダクタ４１に沿う位置に形成されている。また、インダクタ４１の巻回軸はＸ軸方向であり、導体開口ＣＯは巻回軸方向に延びている。このような構造であるため、インダクタ４１は第１平面導体１０に近接による影響を受け難くい。つまり、第１平面導体１０はインダクタ４１が発生する磁束を妨げ難いので、インダクタ４１と第１平面導体１０との間隔を小さくしても特性に悪影響がなく、ＲＦＩＣモジュールの小型化に有効である。
【０１３３】
図３４に示すＲＦＩＣモジュール１１０Ｂは、第２平面導体２０に導体開口ＣＯが形成されている。この導体開口ＣＯは、ＲＦＩＣ４０及びＲＦＩＣ４０と第３ビア導体３３との間の配線用電極１４に沿う位置に形成されている。このような構造であるため、ＲＦＩＣ４０及び電極１４と第２平面導体２０との間に発生する寄生容量が抑制される。そのため、ＲＦＩＣ４０と第２平面導体２０との間隔を小さくでき、ＲＦＩＣモジュールの小型化に有効である。
【０１３４】
《第１１の実施形態》
第１１の実施形態ではインダクタ及びキャパシタを絶縁性基材内に備えるＲＦＩＣモジュールの例を示す。
【０１３５】
図３５（Ａ）は第１１の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１１１Ａの斜視図であり、図３５（Ｂ）は−Ｘ軸方向に視た正面図である。但し、図３５（Ａ）、図３５（Ｂ）は、いずれについても内部を透視して示している。
【０１３６】
ＲＦＩＣモジュール１１１Ａは、絶縁性基材３と絶縁性基材３の上面を被覆する絶縁体層２とを備える。絶縁性基材１は例えばガラス・エポキシ製の積層基板である。絶縁性基材１の上面には第１平面導体１０、下面には第２平面導体２０がそれぞれ形成されている。また、この絶縁性基材３内には、インダクタ４１、キャパシタ電極４２Ｅ、ビア導体３１，３４，３５，３６等が形成されている。キャパシタ電極４２Ｅと第２平面導体２０との対向部分にキャパシタ４２が構成されている。
【０１３７】
インダクタ４１は、Ｘ−Ｙ面に沿った複数の導体パターンと、Ｚ軸方向に延びる複数のビア導体とによる矩形ヘリカル状の導体で構成される。
【０１３８】
インダクタ４１の第１端Ｔ１は第４ビア導体３４を介して第１平面導体１０の外縁の一部である第１箇所Ｐ１に接続されていて、インダクタ４１の第２端Ｔ２はビア導体３１を介して第２平面導体２０の外縁の一部である第２箇所Ｐ２に接続されている。また、ＲＦＩＣ４０の第１端は第１平面導体１０の外縁の一部である第３箇所Ｐ３に接続されていて、ＲＦＩＣ４０の第２端はビア導体３６，３５及びキャパシタ４２を介して第２平面導体２０の外縁の一部である第４箇所Ｐ４に接続されている。
【０１３９】
図３６（Ａ）は第１１の実施形態に係るもう一つのＲＦＩＣモジュール１１１Ｂの斜視図であり、図３６（Ｂ）は−Ｘ軸方向に視た正面図である。但し、図３６（Ａ）、図３６（Ｂ）いずれについても内部を透視して示している。
【０１４０】
ＲＦＩＣモジュール１１１Ｂは、絶縁性基材３と絶縁性基材３の上面を被覆する絶縁体層２とを備える。絶縁性基材１は例えばガラス・エポキシ製の積層基板である。絶縁性基材１の上面には第１平面導体１０、下面には第２平面導体２０がそれぞれ形成されている。また、この絶縁性基材３内には、インダクタ４１、キャパシタ電極４２Ｅ、ビア導体３１，３４，３７等が形成されている。キャパシタ電極４２Ｅと第１平面導体１０との対向部分にキャパシタ４２が構成されている。
【０１４１】
インダクタ４１は、Ｘ−Ｙ面に沿った複数の導体パターンと、Ｚ軸方向に延びる複数のビア導体とによって矩形ヘリカル状の導体で構成される。
【０１４２】
インダクタ４１の第１端Ｔ１は第４ビア導体３４を介して第１平面導体１０の外縁の一部である第１箇所Ｐ１に接続されていて、インダクタ４１の第２端Ｔ２は第１ビア導体３１を介して第２平面導体２０の外縁の一部である第２箇所Ｐ２に接続されている。また、ＲＦＩＣ４０の第１端はキャパシタ４２を介して第１平面導体１０の外縁の一部である第３箇所Ｐ３に接続されていて、ＲＦＩＣ４０の第２端はビア導体３７を介して第２平面導体２０の外縁の一部である第４箇所Ｐ４に接続されている。
【０１４３】
本実施形態によれば、部品としてのインダクタ及び部品としてのキャパシタが不要となって、実装コストが削減され、また、小型化に適する。
【０１４４】
《第１２の実施形態》
第１２の実施形態では、平面導体及びビア導体の代わりに、金属板の成形体による導体部材を用いたＲＦＩＣモジュールの例を示す。
【０１４５】
図３７は第１２の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１１２の斜視図である。図３８はＲＦＩＣモジュール１１２の主要部の分解斜視図である。
【０１４６】
ＲＦＩＣモジュール１１２は、導体部材６１、第２平面導体２０、ＲＦＩＣ４０、インダクタ４１及びキャパシタ４２を備える。
【０１４７】
図３８に表れているように、絶縁性基材１の上面の各電極１１，１２，１３，１４，１５に、ＲＦＩＣ４０、インダクタ４１及びキャパシタ４２が実装される。その後、導体部材６１の脚部６１Ｖ１が電極１４に接続され、脚部６１Ｖ２が電極１５に接続される。これらは、例えばはんだ付けによって接続される。
【０１４８】
導体部材６１は、図１６や図２０に示した、第１平面導体１０、第３ビア導体３３及び第４ビア導体３４に相当する部材が、単一の金属板の成型体で構成されたものである。つまり、導体部材６１のうち、第２平面導体２０と平行に対向する面が第１平面導体１０に相当し、脚部６１Ｖ１が第３ビア導体３３に相当し、脚部６１Ｖ２が第４ビア導体３４に相当する。導体部材６１は例えば銅板の打ち抜き及び曲げ加工等の板金加工によって製造される。
【０１４９】
図３７においては、絶縁体層２の被覆範囲を二点鎖線で表している。絶縁体層２は例えばエポキシ樹脂である。その他の構成は、図１６や図２０に示した、ＲＦＩＣモジュールの構成と同様である。
【０１５０】
例えば、このＲＦＩＣモジュール１１２の高さは２ｍｍ、ＲＦＩＣモジュール１１２の底面の一辺は２．５ｍｍ、絶縁性基材１の厚みは０．４ｍｍ、絶縁性基材１の上面から導体部材６１の内天面までの高さは１．２５ｍｍである。
【０１５１】
本実施形態によれば、絶縁体層２への第１平面導体１０の形成や第３ビア導体３３及び第４ビア導体３４の形成工程が不要となるので、製造工程が簡素化され低コスト化される。また脚部６１Ｖ１，６１Ｖ２の抵抗成分及びインダクタンス成分を容易に低減できる。
【０１５２】
《第１３の実施形態》
第１３の実施形態では、第１２の実施形態で示したＲＦＩＣモジュールの製造性を高めたＲＦＩＣモジュール及びその製造方法について例示する。
【０１５３】
図３９は第１３の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１１２Ｄの斜視図である。図４０はＲＦＩＣモジュール１１２Ｄの主要部の分解斜視図である。
【０１５４】
ＲＦＩＣモジュール１１２Ｄは、二つのＲＦＩＣモジュール１１２の分断前の状態である。このＲＦＩＣモジュール１１２Ｄを、Ｙ−Ｚ面に平行で且つ中央を通る面で分断することによって二つのＲＦＩＣモジュール１１２が得られる。
【０１５５】
図４０に表れているように、導体部材６１は脚部６１Ｖ１，６１Ｖ２を２組備え、計４本の脚部を備える。
【０１５６】
絶縁性基材１の上面には二つ分のＲＦＩＣモジュール用の電極が形成されていて、ＲＦＩＣ４０、インダクタ４１及びキャパシタ４２が実装される。その後、導体部材６１が搭載され、絶縁性基材１の上部に絶縁体層２が被覆される。その後、ダイサーによって全体を分断する。このことによって、図３７に示したＲＦＩＣモジュール１１２が得られる。
【０１５７】
本実施形態によれば、４本の脚部で導体部材を絶縁性基材１に搭載することになるので、組立が容易となる。
【０１５８】
《第１４の実施形態》
第１４の実施形態では、ＲＦＩＣモジュールを備えるＲＦＩＤタグの例を示す。図４１は第３の実施形態に係るＲＦＩＤタグ２０１の斜視図である。このＲＦＩＤタグ２０１は所定の物品の外面に貼付又は物品に内蔵される。ＲＦＩＤタグ２０１は、金属製の放射板５０とＲＦＩＣモジュール１０１とで構成されている。放射板５０は、短手方向と長手方向とを有する面状又は板状の放射部である。図４１に示す向きでは、Ｘ方向が短手方向、Ｙ方向が長手方向である。ＲＦＩＣモジュール１０１は放射板５０に搭載されている。ＲＦＩＣモジュール１０１は、放射板５０に対して、第１平面導体１０と第２平面導体２０との対向方向（Ｚ方向）に積層されている。第２平面導体２０と放射板５０とは導通している。
【０１５９】
放射板５０の長手方向の長さＬは共振周波数における１／２波長又はその近傍に相当する。そのため、放射板５０は両端開放の１／２波長共振し、放射素子として作用する。放射板５０の下面には、ＲＦＩＤタグ２０１を何らかの部材に貼付するための粘着層と、その表面を覆う離型紙が設けられていてもよい。
【０１６０】
図４２（Ａ）は−Ｘ方向に視たＲＦＩＤタグ２０１各部の電界の向きを示す図であり、図４２（Ｂ）はＹ方向に視たＲＦＩＤタグ２０１各部の電界の向きを示す図である。
【０１６１】
図４２（Ａ）、図４２（Ｂ）において、矢じり記号は電界の向きを表している。図４２（Ａ）、図４２（Ｂ）に表れているように、第１平面導体１０と第２平面導体２０との間にほぼ一様な電界が生じると共に、第１平面導体１０の周縁及び外面と放射板５０との間に、外方へ拡がる電界が生じる。このようにして、ＲＦＩＣモジュール１０１と放射板５０とで、大面積の放射部を有するＲＦＩＤタグが構成される。
【０１６２】
図４３（Ａ）、図４３（Ｂ）は、放射板５０に誘導される電流の例を示す図である。図４３（Ａ）と図４３（Ｂ）とでは、放射板５０に対するＲＦＩＣモジュール１０１の搭載位置が異なる。図４３（Ａ）と図４１とでは、放射板５０に対するＲＦＩＣモジュール１０１の搭載位置が同じである。ＲＦＩＣモジュール１０１の第２平面導体２０には、第１ビア導体３１の接続端と第２ビア導体３２の接続端との間に電流ｉｏが流れ、第２ビア導体３２から放射板５０に出入りする電流ｉ１は放射板５０の長手方向に流れる。
【０１６３】
このように、第１平面導体１０及び第２平面導体２０が有する複数の辺のうち、インダクタ４１及びＲＦＩＣ４０の接続部を結ぶ線に近い辺Ｓ１は、放射板５０の長手方向（Ｙ方向）に沿っている。この構成によれば、インダクタ４１の接続部と、ＲＦＩＣ４０の接続部との間で第２平面導体２０に流れる電流の向きが放射板５０の長手方向に揃うので、放射板５０の放射効率が高まる。
【０１６４】
図４３（Ｂ）に示すように、インダクタ４１が接続される側を、ＲＦＩＣ４０が接続される側より放射板５０の端部側に配置すると、例えば第２ビア導体３２の接続端から第１ビア導体３１の接続端の方向へ流れる電流ｉｏと、第２ビア導体３２から放射板５０の長手方向に流れる電流ｉ１とが逆向きとなる。つまり、電流の向きが部分的に逆になることによる相殺が生じる。
【０１６５】
図４３（Ａ）に示すように、ＲＦＩＣ４０が接続される側を、インダクタ４１が接続される側より放射板５０の端部側に配置すると、例えば第２ビア導体３２の接続端から第１ビア導体３１の接続端の方向へ流れる電流ｉｏと、第２ビア導体３２から放射板５０の長手方向に流れる電流ｉ１とが同じ向きとなる。そのため、電流の向きが部分的に逆になることによる上記相殺が無く、その分、高い放射効率が得られる。
【０１６６】
なお、図４１、図４３（Ａ）、図４３（Ｂ）に示した例では、短手方向と長手方向とを有する、すなわち短冊状の、面状又は板状の放射部を備えるＲＦＩＤタグの例を示した。しかし、ＲＦＩＤタグを構成するための放射部の形状はこのような短冊状に限るものではない。
【０１６７】
《第１５の実施形態》
第１５の実施形態では、第１４の実施形態とは異なるＲＦＩＤタグの例を示す。
【０１６８】
図４４は第１５の実施形態に係るＲＦＩＤタグ２０２の平面図及び右側面図である。図４５はＲＦＩＤタグ２０２の部分拡大平面図及び部分拡大右側面図である。放射板５０はＲＦＩＤタグ２０２が本来的に備える導体部分である。放射板５０は直方体形状の金属であり、長手方向（図４４におけるＹ方向）の一端面にＲＦＩＣモジュール１０１が配置されている。ＲＦＩＣモジュール１０１の構造はこれまでの各実施形態で示したものと同じである。
【０１６９】
図４４、図４５に示す例では、第１平面導体１０と第２平面導体２０との対面方向は放射板５０の長手方向（Ｙ方向）と同じである。図４４、図４５において、第１平面導体１０から出る曲線の矢印は、ＲＦＩＣモジュール１０１及び放射板５０に生じる電界の様子を示す電気力線である。
【０１７０】
図４４、図４５において、第１平面導体１０から出る曲線の矢印は、ＲＦＩＣモジュール１０１及び放射板５０に生じる電界の様子を示す電気力線Ｅｅである。このように第１平面導体１０を出入りする電気力線Ｅｅの全体が電界放射に寄与する。
【０１７１】
図４６は第１５の実施形態に係る別のＲＦＩＤタグ２０３の平面図及び右側面図である。図４７はＲＦＩＤタグ２０３の部分拡大平面図及び部分拡大右側面図である。放射板５０はＲＦＩＤタグ２０３が本来的に備える導体部分である。放射板５０は直方体形状の金属であり、長手方向（図４６におけるＹ方向）の一端部にＲＦＩＣモジュール１０１が配置されている。ＲＦＩＣモジュール１０１の構造はこれまでの各実施形態で示したものと同じである。
【０１７２】
図４６、図４７に示す例では、第１平面導体１０と第２平面導体２０との対面方向は放射板５０の厚み方向（Ｚ方向）と同じである。図４６、図４７において、第１平面導体１０から出る曲線の矢印は、ＲＦＩＣモジュール１０１及び放射板５０に生じる電界の様子を示す電気力線である。
【０１７３】
図４７において、電気力線Ｅｎの方向は放射板５０の長手方向（Ｙ方向）に直交する方向であるので、電界放射に寄与しない。つまり、ＲＦＩＣモジュール１０１から放射される電磁界の偏波面が有効に利用されない。その他の電気力線Ｅｅは電界放射に寄与する。
【０１７４】
図４４、図４５に示したように、第１平面導体１０と第２平面導体２０との対面方向が放射板５０の長手方向と同じであると、ＲＦＩＣモジュール１０１及び放射板５０による放射効率がより高まる。
【０１７５】
《第１６の実施形態》
第１６の実施形態では、螺旋状コイルによる放射体を備えるＲＦＩＤタグの例を示す。
【０１７６】
図４８（Ａ）は第１６の実施形態のＲＦＩＤタグ２０４Ａの斜視図である。図４８（Ｂ）はＲＦＩＤタグ２０４Ａの部分拡大斜視図である。
【０１７７】
ＲＦＩＤタグ２０４ＡはＲＦＩＣモジュール１１１及び放射体５１を備える。放射体５１は弾性を有する金属製の螺旋状コイルである。ＲＦＩＣモジュール１１１は図１に示したＲＦＩＣモジュール１０１相当の部分と、その下部に設けられた絶縁体層４とで構成される。絶縁体層４は例えばエポキシ樹脂の層である。絶縁体層４には穴Ｈが形成されていて、この穴Ｈに放射体５１の一方端が嵌入されている。この例では、放射体５１の軸は第１平面導体１０及び第２平面導体２０の面に対し垂直の関係にある。
【０１７８】
放射体５１はＲＦＩＣモジュール１１１の第１平面導体１０及び第２平面導体２０と電界結合して、両端開放の１／２波長共振のダイポールアンテナとして作用する。
【０１７９】
図４９は本実施形態の別のＲＦＩＤタグ２０４Ｂの斜視図である。ＲＦＩＤタグ２０４ＢはＲＦＩＣモジュール１０１及び放射体５１を備える。放射体５１は弾性を有する金属製の螺旋状コイルである。ＲＦＩＣモジュール１０１は図１に示したＲＦＩＣモジュール１０１と同様構成のＲＦＩＣモジュールである。ＲＦＩＣモジュール１０１は放射体５１の一方の端部に接合材を介して取り付けられている。この例では、放射体５１の軸は第１平面導体１０及び第２平面導体２０の面に対し平行の関係にある。
【０１８０】
図５０は本実施形態の更に別のＲＦＩＤタグ２０４Ｃの斜視図である。ＲＦＩＤタグ２０４ＣはＲＦＩＣモジュール１０１及び放射体５１を備える。放射体５１は螺旋状コイルである。ＲＦＩＣモジュール１０１は図１に示したＲＦＩＣモジュール１０１と同様構成のＲＦＩＣモジュールである。放射体５１の一方端には、放射体５１が部分的に扁平化された板状部５１Ｐが形成されている。ＲＦＩＣモジュール１０１は放射体５１の板状部５１Ｐの面に接合材を介して取り付けられている。この例でも、放射体５１の軸は第１平面導体１０及び第２平面導体２０の面に対し平行の関係にある。
【０１８１】
図４９、図５０に示したＲＦＩＤタグ２０４Ｂ，２０４Ｃいずれも、放射体５１はＲＦＩＣモジュール１０１の第１平面導体１０及び第２平面導体２０と電界結合して、両端開放の１／２波長共振のダイポールアンテナとして作用する。
【０１８２】
本実施形態によれば、放射体５１が弾性を有するので、長細い形状でありながら、外力に対して耐性の高いＲＦＩＤが得られる。例えば、ＲＦＩＤタグ２０４Ａ，２０４Ｂ，２０４Ｃのいずれかを、物品を構成するゴム成形品や樹脂成形品の一部に埋設して用いるような場合も、耐振動性・耐衝撃性の高いＲＦＩＤタグとして用いることができる。
【０１８３】
《第１７の実施形態》
第１７の実施形態では、ＲＦＩＣモジュールを備える物品の例を示す。
【０１８４】
図５１（Ａ）は、第１７の実施形態に係る物品３０１の斜視図である。この物品３０１は、少なくとも表面が絶縁性の絶縁性部材３１０と、この絶縁性部材３１０に貼付されたＲＦＩＤタグ２０１とで構成される。ＲＦＩＤタグ２０１の構成は第３の実施形態で示したとおりである。
【０１８５】
図５１（Ｂ）は、第１７の実施形態に係る物品３０２の斜視図である。この物品３０２は、導電性部材３２０と、この導電性部材３２０に設けられたＲＦＩＣモジュール１０１とで構成される。ＲＦＩＣモジュール１０１の構成は第１の実施形態で示したとおりである。
【０１８６】
上記絶縁性部材３１０又は導電性部材３２０は、例えば何らかの品物を載せるパレット、ラック、トレイや、計測具、治具、工具等の道具などである。
【０１８７】
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形及び変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。
【０１８８】
例えば、通信周波数は900MHz帯に限られるものではなく、その他の周波数帯、例えば2.45GHz帯等にも同様に適用できる。
【０１８９】
また、以上に示した各実施形態では、キャパシタ４２を備えるＲＦＩＣモジュールを示したが、既に述べたとおり、キャパシタ４２は必須ではない。
【符号の説明】
【０１９０】
ＣＯ…導体開口
Ｄ…奥行き
Ｅｅ，Ｅｎ…電気力線
Ｈ…穴
Ｉ…電流密度分布
ｉｏ，ｉ１…電流
ＭＳ１…第１主面
ＭＳ２…第２主面
Ｐ１…第１端部付近（第１箇所）
Ｐ２…第２端部付近（第２箇所）
Ｐａ，Ｐｂ，Ｐｃ，Ｐｄ…ビア導体の端部
Ｓ１…辺
Ｔ１…第１端
Ｔ２…第２端
Ｖ…電圧強度分布
Ｗ…幅
１，３…絶縁性基材
２，４…絶縁体層
１０…第１平面導体
１０Ｓ１…辺
１１，１２，１３，１４，１５…電極
２０…第２平面導体
２０Ｓ１…辺
２１…電極
３１…第１ビア導体
３２…第２ビア導体
３３…第３ビア導体
３４…第４ビア導体
３５，３６，３７…ビア導体
４０…ＲＦＩＣ
４１…インダクタ
４２…キャパシタ
４２Ｅ…キャパシタ電極
５０…放射板
５１…放射体
５１Ｐ…板状部
６１…導体部材
６１Ｖ１，６１Ｖ２…導体部材の脚部
１０１，１０２，１０３，１０４，１０５Ａ，１０５Ｂ，１０６Ａ，１０６Ｂ，１０７Ａ，１０７Ｂ，１０８Ａ，１０８Ｂ，１０９Ａ，１０９Ｂ，１１０Ａ，１１０Ｂ，１１１Ａ，１１１Ｂ，１１２，１１２Ｄ…ＲＦＩＣモジュール
２０１，２０２，２０３，２０４Ａ，２０４Ｂ，２０４Ｃ…ＲＦＩＤタグ
３０１，３０２…物品
３１０…絶縁性部材
３２０…導電性部材
【図１】
2020049804.tif 000003
【図２】
2020049804.tif 000004
【図３】
2020049804.tif 000005
【図４】
2020049804.tif 000006
【図５】
2020049804.tif 000007
【図６】
2020049804.tif 000008
【図７】
2020049804.tif 000009
【図８】
2020049804.tif 000010
【図９】
2020049804.tif 000011
【図１０】
2020049804.tif 000012
【図１１】
2020049804.tif 000013
【図１２】
2020049804.tif 000014
【図１３】
2020049804.tif 000015
【図１４】
2020049804.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
2020049804.tif 000018
【図１７】
2020049804.tif 000019
【図１８】
2020049804.tif 000020
【図１９】
2020049804.tif 000021
【図２０】
2020049804.tif 000022
【図２１】
2020049804.tif 000023
【図２２】
2020049804.tif 000024
【図２３】
2020049804.tif 000025
【図２４】
2020049804.tif 000026
【図２５】
2020049804.tif 000027
【図２６】
2020049804.tif 000028
【図２７】
2020049804.tif 000029
【図２８】
2020049804.tif 000030
【図２９】
2020049804.tif 000031
【図３０】
2020049804.tif 000032
【図３１】
2020049804.tif 000033
【図３２】
2020049804.tif 000034
【図３３】
2020049804.tif 000035
【図３４】
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【図３５】
2020049804.tif 000037
【図３６】
2020049804.tif 000038
【図３７】
2020049804.tif 000039
【図３８】
2020049804.tif 000040
【図３９】
2020049804.tif 000041
【図４０】
2020049804.tif 000042
【図４１】
2020049804.tif 000043
【図４２】
2020049804.tif 000044
【図４３】
2020049804.tif 000045
【図４４】
2020049804.tif 000046
【図４５】
2020049804.tif 000047
【図４６】
2020049804.tif 000048
【図４７】
2020049804.tif 000049
【図４８】
2020049804.tif 000050
【図４９】
2020049804.tif 000051
【図５０】
2020049804.tif 000052
【図５１】
2020049804.tif 000053
【図５２】
2020049804.tif 000054
【図５３】
2020049804.tif 000055
【図５４】
2020049804.tif 000056
【図５５】
2020049804.tif 000057
【図５６】
2020049804.tif 000058
【図５７】
2020049804.tif 000059
【国際調査報告】
2020049804.tif 000060
2020049804.tif 000061