(57)【要約】  他の帯域通過型フィルタにおける、高次モードによるリップルが生じ難い、マルチプレクサを提供することにある。  一端が共通接続されている通過帯域が異なるＮ個の（但し、Ｎは２以上の整数）弾性波フィルタが備えられている。少なくとも１つの弾性波フィルタ３が、オイラー角（φＬＴ＝０°±５°の範囲内，θＬＴ，ψＬＴ＝０°±１５°の範囲内）のタンタル酸リチウムからなる圧電体１４と、支持基板１２と、ＩＤＴ電極１５とを有する。複数の弾性波共振子のうち少なくとも１つの弾性波共振子において、第１の高次モードの周波数ｆｈ１＿ｔ（ｎ）が、少なくとも１つの弾性波フィルタ（ｎ）よりも通過帯域が高いすべての弾性波フィルタ（ｍ）（ｎ＜ｍ≦Ｎ）において、下記の式（３）及び下記の式（４）を満たしている、マルチプレクサ。ｆｈ１＿ｔ（ｎ）＞ｆｕ（ｍ） 式（３）ｆｈ１＿ｔ（ｎ）＜ｆｌ（ｍ） 式（４）
2018164211.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端が共通接続されており、通過帯域が異なるＮ個の（但し、Ｎは２以上の整数）弾性波フィルタを備え、  前記Ｎ個の弾性波フィルタのうち最も通過帯域が高域にある弾性波フィルタを除く、少なくとも１つの弾性波フィルタが、  オイラー角（φＬＴ＝０°±５°の範囲内，θＬＴ，ψＬＴ＝０°±１５°の範囲内）のタンタル酸リチウムからなる圧電体と、  オイラー角(φＳｉ、θＳｉ、ψＳｉ)のシリコンからなる支持基板と、  前記圧電体と前記支持基板との間に積層されている酸化ケイ素膜と、  前記圧電体の一面に設けられたＩＤＴ電極とを有する複数の弾性波共振子と、  を有し、  下記の式（１）及び式（２）で決定される第１、第２及び第３の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）（但し、ｓは１，２または３であり、ｓが１，２または３のとき、それぞれ、第１，第２または第３の高次モードである。）の内の少なくとも１つが、ｍ＞ｎである全てのｍについて、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長λにより規格化した厚みを波長規格化膜厚としたとき、前記複数の弾性波共振子のうち少なくとも１つの弾性波共振子において、前記圧電体の波長規格化厚みＴＬＴ、前記圧電体のオイラー角のθＬＴ、前記酸化ケイ素膜の波長規格化厚みＴＳ、アルミニウムの厚みに換算した前記ＩＤＴ電極の波長規格化厚みＴＥ、前記支持基板内における伝搬方位ψＳｉ、及び前記支持基板の波長規格化厚みＴＳｉの値が、下記の式（３）及び下記の式（４）を満たす値とされている、マルチプレクサ。【数１】
2018164211.tif 000022
【数２】
2018164211.tif 000023
ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）＞ｆｕ（ｍ）      式（３）    ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）＜ｆｌ（ｍ）      式（４）  前記式（１）〜式（４）におけるｈは高次モードであることを示し、ｔはフィルタのｎにおけるｔ番目の素子（共振子）を表し、ｍはｍ（ｍ＞ｎ）番目のフィルタを表し、ｎはｎ番目のフィルタを表し、ｆｕは通過帯域の高域側端部の周波数であり、ｆｌは通過帯域の低域側端部の周波数である。  なお、前記式（１）における各係数は、ｓ＝１、２、または３のとき、前記支持基板の結晶方位毎に下記の表１、表２または表３に示すそれぞれの値である。
【表１】
2018164211.tif 000024
【表２】
2018164211.tif 000025
【表３】
2018164211.tif 000026
【請求項２】
一端が共通接続されており、通過帯域が異なるＮ個の（但し、Ｎは２以上の整数）弾性波フィルタを備え、  前記Ｎ個の弾性波フィルタを、通過帯域が低い方から順番に弾性波フィルタ（１）、弾性波フィルタ（２）、、、弾性波フィルタ（Ｎ）としたときに、  前記Ｎ個の弾性波フィルタのうち最も通過帯域が高域にある弾性波フィルタを除く、少なくとも１つの弾性波フィルタ（ｎ）（１≦ｎ＜Ｎ）が、少なくとも１つの弾性波共振子を有し、  前記弾性波共振子は、  オイラー角（φＬＴ＝０°±５°の範囲内，θＬＴ，ψＬＴ＝０°±１５°の範囲内）のタンタル酸リチウムからなる圧電体と、  オイラー角(φＳｉ，θＳｉ，ψＳｉ)のシリコンからなる支持基板と、  前記圧電体の一面に設けられたＩＤＴ電極と、を有し、  前記弾性波共振子において、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長λにより規格化した厚みを波長規格化膜厚とし、前記圧電体の波長規格化厚みをＴＬＴ、前記圧電体のオイラー角をθＬＴ、前記酸化ケイ素膜の波長規格化厚みをＴＳ、アルミニウムの厚みに換算した前記ＩＤＴ電極の波長規格化厚みをＴＥ、前記支持基板内における伝搬方位をψＳｉ、前記支持基板の波長規格化厚みをＴＳｉとした場合に、前記ＴＬＴ、前記θＬＴ、前記ＴＳ、前記ＴＥ、前記ψＳｉ、前記ＴＳｉで定まる下記の式（５）及び式（２）で決定される第１、第２及び第３の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）（但し、ｓは１、２または３であり、ｓが１、２または３のとき、それぞれ、第１、第２または第３の高次モードである。）の内の少なくとも１つが、前記少なくとも１つの弾性波フィルタ（ｎ）よりも通過帯域が高いすべての弾性波フィルタ（ｍ）（ｎ＜ｍ≦Ｎ）において、下記の式（３）及び下記の式（４）を満たす値とされている、マルチプレクサ。【数３】
2018164211.tif 000027
【数４】
2018164211.tif 000028
ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）＞ｆｕ（ｍ）      式（３）    ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）＜ｆｌ（ｍ）      式（４）  前記式（２）〜式（４）及び式（５）におけるｈは高次モードであることを示し、ｆｕは通過帯域の高域側端部の周波数であり、ｆｌは通過帯域の低域側端部の周波数である。  なお、前記式（２）における各係数は、ｓ＝１、２、または３のとき、前記支持基板の結晶方位毎に下記の表４、表５または表６に示すそれぞれの値である。
【表４】
2018164211.tif 000029
【表５】
2018164211.tif 000030
【表６】
2018164211.tif 000031
【請求項３】
前記第１及び第２の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）が、前記式（３）及び前記式（４）を満たすように、前記ＴＬＴ、前記θＬＴ、前記ＴＳ、前記ＴＥ、前記ψＳｉ及び前記ＴＳｉの値が選択されている、請求項１または２に記載のマルチプレクサ。
【請求項４】
前記第１及び第３の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）が、前記式（３）及び前記式（４）を満たすように、前記ＴＬＴ、前記θＬＴ、前記ＴＳ、前記ＴＥ、前記ψＳｉ及び前記ＴＳｉの値が選択されている、請求項１または２に記載のマルチプレクサ。
【請求項５】
前記第２及び第３の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）が、前記式（３）及び前記式（４）を満たすように、前記ＴＬＴ、前記θＬＴ、前記ＴＳ、前記ＴＥ、前記ψＳｉ及び前記ＴＳｉの値が選択されている、請求項１または２に記載のマルチプレクサ。
【請求項６】
前記第１、第２及び第３の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）の全てが、前記式（３）及び前記式（４）を満たすように、前記ＴＬＴ、前記θＬＴ、前記ＴＳ、前記ＴＥ、前記ψＳｉ及び前記ＴＳｉの値が選択されている、請求項１または２に記載のマルチプレクサ。
【請求項７】
前記支持基板の波長規格化厚みＴＳｉが、ＴＳｉ＞４ある、請求項１〜６のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
【請求項８】
ＴＳｉ＞１０である、請求項７に記載のマルチプレクサ。
【請求項９】
ＴＳｉ＞２０である、請求項８に記載のマルチプレクサ。
【請求項１０】
前記圧電体の波長規格化厚みが、３．５λ以下である、請求項１〜９のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
【請求項１１】
前記圧電体の波長規格化厚みが、２．５λ以下である、請求項１０に記載のマルチプレクサ。
【請求項１２】
前記圧電体の波長規格化厚みが、１．５λ以下である、請求項１０に記載のマルチプレクサ。
【請求項１３】
前記圧電体の波長規格化厚みが、０．５λ以下である、請求項１０に記載のマルチプレクサ。
【請求項１４】
複数の弾性波フィルタの一端が共通接続されているアンテナ端子がさらに備えられており、  前記式（３）及び前記式（４）を満たす前記弾性波共振子が、前記アンテナ端子に最も近い、弾性波共振子である、請求項１〜１３のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
【請求項１５】
前記式（３）及び前記式（４）を満たす前記弾性波共振子が、複数の弾性波共振子の全てである、請求項１〜１３のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
【請求項１６】
デュプレクサである、請求項１〜１５のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
【請求項１７】
３個以上の弾性波フィルタが前記アンテナ端子側で共通接続されている複合フィルタである、請求項１〜１５のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
【請求項１８】
キャリアアグリゲーション用複合フィルタ装置である、請求項１７に記載のマルチプレクサ。
【請求項１９】
前記複数の弾性波共振子を有する前記弾性波フィルタが、複数の直列腕共振子と複数の並列腕共振子とを有するラダー型フィルタである、請求項１〜１７のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
【請求項２０】
請求項１〜１９のいずれか１項に記載のマルチプレクサと、  パワーアンプと、  を備える、高周波フロントエンド回路。
【請求項２１】
請求項１〜１９のいずれか１項に記載のマルチプレクサ及びパワーアンプを有する高周波フロントエンド回路と、  ＲＦ信号処理回路と、  を備える、通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、２以上の弾性波フィルタを有するマルチプレクサ、並びに該マルチプレクサを有する高周波フロントエンド回路及び通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】  従来、携帯電話やスマートフォンの高周波フロントエンド回路に、マルチプレクサが広く用いられている。例えば、下記の特許文献１に記載の分波器としてのマルチプレクサは、周波数が異なる２以上の帯域通過型フィルタを有している。そして、各帯域通過型フィルタは、それぞれ、弾性表面波フィルタチップで構成されている。各弾性表面波フィルタチップは、複数の弾性表面波共振子を有している。【０００３】  下記の特許文献２では、シリコン製の支持基板上に、二酸化珪素からなる絶縁膜と、タンタル酸リチウムからなる圧電基板とを積層してなる弾性波装置が開示されている。そして、該弾性波装置は、圧電基板に支持基板をシリコンの（１１１）面で接合させることにより耐熱性を高めている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−６８１２３号公報
【特許文献２】特開２０１０−１８７３７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】  特許文献１に記載のようなマルチプレクサでは、アンテナ端側において、周波数が異なる複数の弾性波フィルタが共通接続されている。【０００６】  ところで、本願の発明者らは、シリコンからなる支持基板上に、直接または間接に、タンタル酸リチウムからなる圧電体が積層されている構造を有する場合、利用するメインモードよりも高周波数側に、複数の高次モードが現れることを見出した。このような弾性波共振子を、マルチプレクサにおける低い方の周波数をもつ弾性波フィルタに用いた場合、該弾性波フィルタの高次モードによるリップルが、マルチプレクサにおける高い方の周波数をもつ他の弾性波フィルタの通過帯域に現れるおそれがある。すなわち、マルチプレクサにおける低い方の周波数をもつ弾性波フィルタの高次モードが、マルチプレクサにおける高い方の周波数をもつ他の弾性波フィルタの通過帯域内に位置すると、通過帯域にリップルが生じる。よって、他の弾性波フィルタのフィルタ特性が劣化するおそれがある。【０００７】  本発明の目的は、他の帯域通過型フィルタにおいて、上記高次モードによるリップルが生じ難い、マルチプレクサ、該マルチプレクサを有する高周波フロントエンド回路及び通信装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】  本願発明者らは、後述するように、シリコンからなる支持基板上に直接または間接に、タンタル酸リチウムからなる圧電体が積層されている弾性波共振子では、後述の第１〜第３の高次モードがメインモードよりも高周波数側に現れることを見出した。【０００９】  本願の第１〜第３の発明に係るマルチプレクサは、それぞれ、第１、第２及び第３の高次モードの内の少なくとも１つの高次モードが他のフィルタの通過帯域で発生することを回避するものである。【００１０】  本発明のある広い局面により提供されるマルチプレクサは、一端が共通接続されており、通過帯域が異なるＮ個の（但し、Ｎは２以上の整数）弾性波フィルタを備え、前記Ｎ個の弾性波フィルタのうち最も通過帯域が高域にある弾性波フィルタを除く、少なくとも１つの弾性波フィルタが、オイラー角（φＬＴ＝０°±５°の範囲内，θＬＴ，ψＬＴ＝０°±１５°の範囲内）のタンタル酸リチウムからなる圧電体と、オイラー角(φＳｉ、θＳｉ、ψＳｉ)のシリコンからなる支持基板と、前記圧電体と前記支持基板との間に積層されている酸化ケイ素膜と、前記圧電体の一面に設けられたＩＤＴ電極とを有する複数の弾性波共振子と、を有し、下記の式（１）及び式（２）で決定される第１、第２及び第３の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）（但し、ｓは１，２または３であり、ｓが１，２または３のとき、それぞれ、第１，第２または第３の高次モードである。）の内の少なくとも１つが、ｍ＞ｎである全てのｍについて、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長λにより規格化した厚みを波長規格化膜厚としたとき、前記複数の弾性波共振子のうち少なくとも１つの弾性波共振子において、前記圧電体の波長規格化厚みＴＬＴ、前記圧電体のオイラー角のθＬＴ、前記酸化ケイ素膜の波長規格化厚みＴＳ、アルミニウムの厚みに換算した前記ＩＤＴ電極の波長規格化厚みＴＥ、前記支持基板内における伝搬方位ψＳｉ、及び前記支持基板の波長規格化厚みＴＳｉの値が、下記の式（３）及び下記の式（４）を満たす値とされている。【００１１】
【数１】
2018164211.tif 000003
【００１２】
【数２】
2018164211.tif 000004
【００１３】    ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）＞ｆｕ（ｍ）      式（３）    ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）＜ｆｌ（ｍ）      式（４）   前記式（１）〜式（４）におけるｈは高次モードであることを示し、ｔはフィルタのｎにおけるｔ番目の素子（共振子）を表し、ｍはｍ（ｍ＞ｎ）番目のフィルタを表し、ｎはｎ番目のフィルタを表し、ｆｕは通過帯域の高域側端部の周波数であり、ｆｌは通過帯域の低域側端部の周波数である。【００１４】  なお、前記式（１）における各係数は、ｓ＝１、２、または３のとき、前記支持基板の結晶方位毎に下記の表１、表２または表３に示すそれぞれの値である。【００１５】
【表１】
2018164211.tif 000005
【００１６】
【表２】
2018164211.tif 000006
【００１７】
【表３】
2018164211.tif 000007
【００１８】  本発明の他の広い局面により提供されるマルチプレクサは、一端が共通接続されており、通過帯域が異なるＮ個の（但し、Ｎは２以上の整数）弾性波フィルタを備え、前記Ｎ個の弾性波フィルタを、通過帯域が低い方から順番に弾性波フィルタ（１）、弾性波フィルタ（２）、、、弾性波フィルタ（Ｎ）としたときに、前記Ｎ個の弾性波フィルタのうち最も通過帯域が高域にある弾性波フィルタを除く、少なくとも１つの弾性波フィルタ（ｎ）（１≦ｎ＜Ｎ）が、少なくとも１つの弾性波共振子を有し、前記弾性波共振子は、オイラー角（φＬＴ＝０°±５°の範囲内，θＬＴ，ψＬＴ＝０°±１５°の範囲内）のタンタル酸リチウムからなる圧電体と、オイラー角(φＳｉ，θＳｉ，ψＳｉ)のシリコンからなる支持基板と、前記圧電体の一面に設けられたＩＤＴ電極と、を有し、前記弾性波共振子において、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長λにより規格化した厚みを波長規格化膜厚とし、前記圧電体の波長規格化厚みをＴＬＴ、前記圧電体のオイラー角をθＬＴ、前記酸化ケイ素膜の波長規格化厚みをＴＳ、アルミニウムの厚みに換算した前記ＩＤＴ電極の波長規格化厚みをＴＥ、前記支持基板内における伝搬方位をψＳｉ、前記支持基板の波長規格化厚みをＴＳｉとした場合に、前記ＴＬＴ、前記θＬＴ、前記ＴＳ、前記ＴＥ、前記ψＳｉ、前記ＴＳｉで定まる下記の式（５）及び式（２）で決定される第１、第２及び第３の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）（但し、ｓは１、２または３であり、ｓが１，２または３のとき、それぞれ、第１、第２または第３の高次モードである。）の内の少なくとも１つが、前記少なくとも１つの弾性波フィルタ（ｎ）よりも通過帯域が高いすべての弾性波フィルタ（ｍ）（ｎ＜ｍ≦Ｎ）において、下記の式（３）及び下記の式（４）を満たす値とされている。【００１９】
【数３】
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【００２０】
【数４】
2018164211.tif 000009
【００２１】    ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）＞ｆｕ（ｍ）      式（３）    ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）＜ｆｌ（ｍ）      式（４）  前記式（２）〜式（４）及び式（５）におけるｈは高次モードであることを示し、ｆｕは通過帯域の高域側端部の周波数であり、ｆｌは通過帯域の低域側端部の周波数である。【００２２】  なお、前記式（５）における各係数は、ｓ＝１、２、または３のとき、前記支持基板の結晶方位毎に下記の表４、表５または表６に示すそれぞれの値である。【００２３】
【表４】
2018164211.tif 000010
【００２４】
【表５】
2018164211.tif 000011
【００２５】
【表６】
2018164211.tif 000012
【００２６】  式（５）を用い、本発明のマルチプレクサでは、式（１）で考慮されていないθＬＴをも考慮しているため、複数の高次モードのうち少なくとも１つの高次モードが、通過帯域が高い他の弾性波フィルタの通過帯域内により一層生じ難い。【００２７】  本発明に係るマルチプレクサのある特定の局面では、前記第１及び第２の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）が、前記式（３）及び前記式（４）を満たすように、前記ＴＬＴ、前記θＬＴ、前記ＴＳ、前記ＴＥ、前記ψＳｉ及び前記ＴＳｉの値が選択されている。【００２８】  本発明に係るマルチプレクサのさらに他の特定の局面では、前記第１及び第３の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）が、前記式（３）及び前記式（４）を満たすように、前記ＴＬＴ、前記θＬＴ、前記ＴＳ、前記ＴＥ、前記ψＳｉ及び前記ＴＳｉの値が選択されている。【００２９】  本発明に係るマルチプレクサのさらに他の特定の局面では、前記第２及び第３の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）が、前記式（３）及び前記式（４）を満たすように、前記ＴＬＴ、前記θＬＴ、前記ＴＳ、前記ＴＥ、前記ψＳｉ及び前記ＴＳｉの値が選択されている。【００３０】  本発明に係るマルチプレクサのさらに他の特定の局面では、前記第１、第２及び第３の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）の全てが、前記式（３）及び前記式（４）を満たすように、前記ＴＬＴ、前記θＬＴ、前記ＴＳ、前記ＴＥ、前記ψＳｉ及び前記ＴＳｉの値が選択されている。この場合には、第１の高次モード、第２の高次モード及び第３の高次モードのいずれの応答によるリップルも上記他の弾性波フィルタの通過帯域に現れない。【００３１】  本発明に係るマルチプレクサの他の特定の局面では、前記支持基板の波長規格化厚みＴＳｉが、ＴＳｉ＞４である。【００３２】  本発明に係るマルチプレクサのさらに他の特定の局面では、ＴＳｉ＞１０である。【００３３】  本発明に係るマルチプレクサのさらに他の特定の局面では、ＴＳｉ＞２０である。【００３４】  本発明に係るマルチプレクサのさらに他の特定の局面では、前記圧電体の波長規格化厚みが、３．５λ以下である。【００３５】  本発明に係るマルチプレクサのさらに他の特定の局面では、前記圧電体の波長規格化厚みが、２．５λ以下である。【００３６】  本発明に係るマルチプレクサのさらに他の特定の局面では、前記圧電体の波長規格化厚みが、１．５λ以下である。【００３７】  本発明に係るマルチプレクサのさらに他の特定の局面では、前記圧電体の波長規格化厚みが、０．５λ以下である。【００３８】  本発明に係るマルチプレクサのさらに他の特定の局面では、複数の弾性波フィルタの一端が共通接続されているアンテナ端子がさらに備えられており、前記式（３）及び前記式（４）を満たす前記弾性波共振子が、前記アンテナ端子に最も近い、弾性波共振子である。この場合には、第１、第２及び第３の高次モードによるリップルが、他の弾性波フィルタの通過帯域においてより一層生じ難い。【００３９】  本発明に係るマルチプレクサのさらに他の特定の局面では、前記式（３）及び前記式（４）を満たす前記弾性波共振子が、複数の弾性波共振子の全てである。この場合には、他の弾性波フィルタにおける第１、第２及び第３の高次モードの内の少なくとも１つの高次モードによるリップルをより一層効果的に抑制することができる。【００４０】  本発明に係るマルチプレクサは、デュプレクサであってもよい。【００４１】  また、本発明に係るマルチプレクサは、３個以上の弾性波フィルタが前記アンテナ端子側で共通接続されている複合フィルタであってもよい。【００４２】  本発明に係るマルチプレクサのある特定の局面では、該マルチプレクサは、キャリアアグリゲーション用複合フィルタ装置である。【００４３】  本発明に係るマルチプレクサにおける前記複数の弾性波共振子を有する弾性波フィルタは、複数の直列腕共振子と、複数の並列腕共振子とを有するラダー型フィルタであることが好ましい。その場合には、高次モードの影響を本発明に従ってより効果的に抑制することができる。【００４４】  本発明に係る高周波フロントエンド回路は、本発明に従って構成されているマルチプレクサと、パワーアンプと、を備える。【００４５】  本発明に係る通信装置は、本発明に従って構成されているマルチプレクサ及びパワーアンプを有する高周波フロントエンド回路と、ＲＦ信号処理回路と、を備える。
【発明の効果】
【００４６】  本発明に係るマルチプレクサによれば、通過帯域が低い方の弾性波フィルタを構成する少なくとも１つの弾性波共振子によって発生する、複数の高次モードのうち少なくとも１つの高次モードが、通過帯域が高い他の弾性波フィルタの通過帯域内に生じ難い。従って、上記他の弾性波フィルタのフィルタ特性の劣化が生じ難い。よって、フィルタ特性に優れたマルチプレクサを有する高周波フロントエンド回路及び通信装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係るマルチプレクサの回路図である。
【図２】図２は、第１の実施形態のマルチプレクサで用いられている第１の弾性波フィルタを示す回路図である。
【図３】図３（ａ）は第１の実施形態のマルチプレクサで用いられている弾性波共振子の模式的正面断面図であり、図３（ｂ）は該弾性波共振子の電極構造を示す模式的平面図である。
【図４】図４は、第１の実施形態における第１〜第４の弾性波フィルタの通過帯域を示す模式図である。
【図５】図５は、弾性波共振子のアドミタンス特性を示す図である。
【図６】図６は、シリコンからなる支持基板の伝搬方位ψＳｉと、メインモード及び第１の高次モードの音速との関係を示す図である。
【図７】図７は、タンタル酸リチウムからなる圧電体の波長規格化厚みＴＬＴと、メインモード及び第１の高次モードの音速との関係を示す図である。
【図８】図８は、タンタル酸リチウムからなる圧電体のカット角（９０°＋θＬＴ）と、メインモード及び第１の高次モードの音速との関係を示す図である。
【図９】図９は、酸化ケイ素膜の波長規格化厚みＴＳと、メインモード及び第１の高次モードの音速との関係を示す図である。
【図１０】図１０は、ＩＤＴ電極の波長規格化厚みＴＥと、メインモード及び第１の高次モードの音速との関係を示す図である。
【図１１】図１１（ａ）は、比較例のマルチプレクサのフィルタ特性を示す図であり、図１１（ｂ）は第１の実施形態のマルチプレクサのフィルタ特性を示す図である。
【図１２】図１２は、シリコンからなる支持基板の波長規格化厚みと、第１の高次モード、第２の高次モード及び第３の高次モードの位相最大値との関係を示す図である。
【図１３】図１３は、シリコンからなる支持基板の伝搬方位ψＳｉと、メインモード及び第２の高次モードの音速との関係を示す図である。
【図１４】図１４は、タンタル酸リチウムからなる圧電体の波長規格化厚みＴＬＴと、メインモード及び第２の高次モードの音速との関係を示す図である。
【図１５】図１５は、タンタル酸リチウムからなる圧電体のカット角（９０°＋θＬＴ）と、メインモード及び第２の高次モードの音速との関係を示す図である。
【図１６】図１６は、酸化ケイ素膜の波長規格化厚みＴＳと、メインモード及び第２の高次モードの音速との関係を示す図である。
【図１７】図１７は、ＩＤＴ電極の波長規格化厚みＴＥと、メインモード及び第２の高次モードの音速との関係を示す図である。
【図１８】図１８は、シリコンからなる支持基板の伝搬方位ψＳｉと、メインモード及び第３の高次モードの音速との関係を示す図である。
【図１９】図１９は、タンタル酸リチウムからなる圧電体の波長規格化厚みＴＬＴと、メインモード及び第３の高次モードの音速との関係を示す図である。
【図２０】図２０は、タンタル酸リチウムからなる圧電体のカット角（９０°＋θＬＴ）と、メインモード及び第３の高次モードの音速との関係を示す図である。
【図２１】図２１は、酸化ケイ素膜の波長規格化厚みＴＳと、メインモード及び第３の高次モードの音速との関係を示す図である。
【図２２】図２２は、ＩＤＴ電極の波長規格化厚みＴＥと、メインモード及び第３の高次モードの音速との関係を示す図である。
【図２３】図２３は、弾性波装置におけるタンタル酸リチウム膜の膜厚とＱ値との関係を示す図である。
【図２４】図２４は、弾性波装置におけるタンタル酸リチウム膜の膜厚と、周波数温度係数ＴＣＦとの関係を示す図である。
【図２５】図２５は、弾性波装置におけるタンタル酸リチウム膜の膜厚と、音速との関係を示す図である。
【図２６】図２６は、タンタル酸リチウムからなる圧電膜の波長規格化厚みと、比帯域との関係を示す図である。
【図２７】図２７は、酸化ケイ素膜の膜厚と、高音速膜の材質と音速との関係を示す図である。
【図２８】図２８は、酸化ケイ素膜の膜厚と、電気機械結合係数と、高音速膜の材質との関係を示す図である。
【図２９】図２９は、本発明で用いられる弾性波共振子の変形例の正面断面図である。
【図３０】図３０は、本発明で用いられる弾性波共振子の他の変形例の正面断面図である。
【図３１】図３１は、本発明の実施形態である高周波フロントエンド回路を有する通信装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００４８】  以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００４９】  なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
【００５０】  図１は、本発明の第１の実施形態に係るマルチプレクサの回路図である。マルチプレクサ１は、アンテナ端子２を有する。アンテナ端子２は、例えばスマートフォンのアンテナに接続される端子である。
【００５１】  マルチプレクサ１では、アンテナ端子２に、第１〜第４の弾性波フィルタ３〜６が共通接続されている。第１〜第４の弾性波フィルタ３〜６は、いずれも、帯域通過型フィルタである。
【００５２】  図４は、第１〜第４の弾性波フィルタ３〜６の通過帯域の関係を示す模式図である。図４に示すように、第１〜第４の弾性波フィルタの通過帯域は異なっている。第１〜第４の弾性波フィルタの通過帯域を、それぞれ、第１〜第４の通過帯域とする。
【００５３】  周波数位置は、第１の通過帯域＜第２の通過帯域＜第３の通過帯域＜第４の通過帯域である。第２〜第４の通過帯域において、低域側端部をｆｌ（ｍ）、高域側端部をｆｕ（ｍ）とする。なお、低域側端部は、通過帯域の低域側端部である。また、高域側端部は、通過帯域の高域側端部である。通過帯域の低域側端部及び高域側端部としては、例えば、３ＧＰＰなどで標準化されている各バンドの周波数帯域の端部を用いることができる。
【００５４】  ここで、（ｍ）は、第２〜第４の通過帯域に応じて、それぞれ、２、３または４である。
【００５５】  第１〜第４の弾性波フィルタ３〜６は、それぞれ、複数の弾性波共振子を有する。図２は、第１の弾性波フィルタ３の回路図である。第１の弾性波フィルタ３は、それぞれが弾性波共振子からなる直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ３及び並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２を有する。すなわち、第１の弾性波フィルタ３は、ラダー型フィルタである。もっとも、ラダー型フィルタにおける直列腕共振子の数及び並列腕共振子の数はこれに限定されるものではない。
【００５６】  また、第２〜第４の弾性波フィルタ４〜６についても、本実施形態では、同様にラダー型フィルタからなり、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を有する。
【００５７】  なお、第１〜第４の弾性波フィルタ３〜６は、複数の弾性波共振子を有する限り、ラダー型フィルタ以外の回路構成を有していてもよい。例えば、縦結合共振子型弾性波フィルタに、直列に弾性波共振子が接続されている弾性波フィルタであってもよい。また、縦結合共振子型弾性波フィルタにラダー型フィルタが接続されている弾性波フィルタでもよい。
【００５８】  図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第１の弾性波フィルタ３の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ３または、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２を構成している弾性波共振子の模式的正面断面図であり、図３（ｂ）は、その電極構造を示す模式的平面図である。
【００５９】  弾性波共振子１１は、支持基板１２と、支持基板１２上に積層された酸化ケイ素膜１３と、酸化ケイ素膜１３上に積層された、圧電体１４とを有する。
【００６０】  支持基板１２は、シリコンで構成されている。支持基板１２は、単結晶シリコンであるが、完全な単結晶でなくても結晶方位を有していればよい。酸化ケイ素膜１３は、酸化ケイ素膜である。酸化ケイ素膜１３は、酸化ケイ素であれば、例えば、酸化ケイ素にフッ素等をドープしたものも含んでいてもよい。圧電体１４は、タンタル酸リチウムで構成されている。圧電体１４は、単結晶タンタル酸リチウムであるが、完全な単結晶でなくても結晶方位を有していればよい。また、圧電体１４は、タンタル酸リチウムであれば、ＬｉＴａＯ３以外の材料であってもよい。
【００６１】  なお、酸化ケイ素膜１３の厚みは、０であってもよい。すなわち酸化ケイ素膜１３が設けられずともよい。
【００６２】  上記圧電体１４の上面に、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１５が設けられている。より具体的には、ＩＤＴ電極１５の弾性波伝搬方向両側に反射器１６，１７が設けられており、それによって１ポート型の弾性表面波共振子が構成されている。
【００６３】  本願発明者らは、上記支持基板１２上に直接または間接に、タンタル酸リチウムからなる圧電体１４が積層されている弾性波フィルタ装置において、弾性波を励振させると、利用しようとするメインモードの応答以外に、メインモードよりも高周波数側に複数の高次モードの応答が現れることを見出した。図５を参照して、この複数の高次モードを説明する。
【００６４】  図５は、支持基板上に酸化ケイ素膜及び圧電体が積層されている弾性波共振子の一例のアドミタンス特性を示す図である。図５から明らかなように、３．９ＧＨｚ付近に現れるメインモードの応答よりも高い周波数位置に、第１〜第３の高次モードの応答が現れている。第１の高次モードの応答は、矢印で示すように、４．７ＧＨｚ付近に現れている。第２の高次モードの応答は、それよりも高く、５．２ＧＨｚ付近に現れている。第３の高次モードの応答は、５．７ＧＨｚ付近に現れている。すなわち、第１の高次モードの応答の周波数をｆ１、第２の高次モードの応答の周波数をｆ２、第３の高次モードの応答の周波数をｆ３とした場合、ｆ１＜ｆ２＜ｆ３である。なお、上記高次モードの応答の周波数は、高次モードのインピーダンス位相特性のピーク位置である。ただし、図５は一例であり、電極厚みなどの条件によっては各高次モードの周波数位置関係が入れ替わることもあり得る。
【００６５】  前述したように、周波数が異なる複数の弾性波フィルタがアンテナ端子側で共通接続されているマルチプレクサでは、マルチプレクサにおける低い方の周波数をもつ弾性波フィルタによる高次モードが、マルチプレクサにおける高い方の周波数をもつ他の弾性波フィルタの通過帯域に現れると、リップルとなる。従って、第１の高次モード、第２の高次モード及び第３の高次モードのうち少なくとも１つの高次モードが、第２〜第４の弾性波フィルタ４〜６の通過帯域に現れないことが望ましい。好ましくは、第１の高次モード、第２の高次モード及び第３の高次モードのうち２つの高次モードが第２〜第４の弾性波フィルタ４〜６の通過帯域に現れないことが望ましい。例えば、第１の高次モード及び第２の高次モードの応答、第１の高次モード及び第３の高次モードの応答、または第２の高次モード及び第３の高次モードの応答が第２〜第４の弾性波フィルタ４〜６の通過帯域に現れないことが好ましい。さらに、好ましくは、第１の高次モード、第２の高次モード及び第３の高次モードの全てが、第２〜第４の弾性波フィルタ４〜６の通過帯域に現れないことが望ましい。
【００６６】  本実施形態のマルチプレクサ１の特徴は、第１の弾性波フィルタ３を構成している少なくとも１つの弾性波共振子において、上記第１の高次モードの応答が、図４に示した第２〜第４の通過帯域に現れていないことにある。そのため、第２〜第４の弾性波フィルタ４〜６におけるフィルタ特性の劣化が生じ難い。
【００６７】  本実施形態の特徴は、以下のi）及びii）にある。
【００６８】  i）タンタル酸リチウムからなる圧電体１４の波長規格化厚みＴＬＴ、タンタル酸リチウムからなる圧電体１４のオイラー角のθＬＴ、酸化ケイ素膜１３の波長規格化厚みＴＳ、アルミニウムの厚みに換算したＩＤＴ電極１５の波長規格化厚みＴＥ、シリコンからなる支持基板１２における伝搬方位ψＳｉ及び支持基板１２の波長規格化厚みＴＳｉの値により、下記の式（１）及び式（２）が決定され、かつ周波数ｆｈ１＿ｔ（ｎ）が第１の高次モード周波数のｆｈ１＿ｔ（ｎ）が、ｍ＞ｎである全てのｍについて、下記の式（３）または下記の式（４）を満たす値とされていること、並びにii）ＴＳｉ＞２０とされていることにある。
【００６９】  それによって、第１の高次モードによる応答が第２〜第４の弾性波フィルタ４〜６の通過帯域外に位置することとなる。従って、第１の高次モードによる第２〜第４の弾性波フィルタ４〜６のフィルタ特性の劣化が生じ難い。上記条件を満たすことにより、第１の高次モード周波数が第２〜第４の通過帯域外に位置することを、以下においてより詳細に説明する。
【００７０】
【数５】
2018164211.tif 000013
【００７１】
【数６】
2018164211.tif 000014
【００７２】  より好ましくは、式（１）で示される音速Ｖｈに代えて、下記の式（５）で示される音速Ｖｈを用いることが好ましい。その場合には、他の帯域通過型フィルタにおける、高次モードによるリップルがより一層生じ難い。
【００７３】
【数７】
2018164211.tif 000015
【００７４】  この場合においても、式（５）及び前述した式（２）で決定される第１、第２及び第３の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）（但し、ｓは１、２または３であり、ｓが１、２または３のとき、それぞれ、第１、第２または第３の高次モードである。）の内の少なくとも１つが、前記少なくとも１つの弾性波フィルタ（ｎ）よりも通過帯域が高いすべての弾性波フィルタ（ｍ）（ｎ＜ｍ≦Ｎ）において、上述した式（３）及び上述した式（４）を満たす値とされている。
【００７５】    ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）＞ｆｕ（ｍ）      式（３）    ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）＜ｆｌ（ｍ）      式（４）
【００７６】  なお、式（１）〜式（４）及び式（５）において、ｈは高次モードであることを示す。また、本明細書において、波長規格化厚みとは、厚みを、ＩＤＴ電極の波長で規格化した厚みである。ここで、波長とはＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長λをいうものとする。従って、波長規格化厚みとは、λを１として実際の厚みを規格化した厚みであり、実際の厚みをλで除算した値となる。なお、ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長λとは、電極指ピッチの平均値で定めてもよい。なお、本明細書においては、波長規格化厚みを単に膜厚と記載することがある。
【００７７】  本願発明者らは、第１の高次モードの周波数位置が、上述した各パラメータに影響されることを見出した。
【００７８】  図６に示すように、シリコンからなる支持基板の伝搬方位ψＳｉによって、メインモードの音速はほとんど変化しないが、第１の高次モードの音速は大きく変化する。図７に示すように、第１の高次モードの音速は、タンタル酸リチウムからなる圧電体の波長規格化厚みＴＬＴによって変化する。図８に示すように、タンタル酸リチウムからなる圧電体のカット角すなわち（９０°＋θＬＴ）によっても、第１の高次モードの音速が変化する。図９に示すように、酸化ケイ素膜の波長規格化厚みＴＳによっても、第１の高次モードの音速が、若干変化する。また、図１０に示すように、ＩＤＴ電極の波長規格化厚みＴＥによっても、第１の高次モードの音速が若干変化する。本願発明者らは、これらのパラメータを自由に変化させ、第１の高次モードの音速を求めた。その結果、第１の高次モードの音速は、式（１）で表されることを見出した。そして、式（１）における係数は、シリコンからなる支持基板の結晶方位毎に、下記の表７に示す値であればよいことを確かめた。また、式（５）における係数は、シリコンからなる支持基板の結晶方位毎に、下記の表８に示す値であればよいことを確かめた。
【００７９】
【表７】
2018164211.tif 000016
【００８０】
【表８】
2018164211.tif 000017
【００８１】  そして、第１の高次モードの音速をＶｈ１＿ｔとすると、第１の高次モードの周波数は、式（２）により、ｆｈ１＿ｔ（ｎ）＝Ｖｈ１＿ｔ／λｔ（ｎ）で表される。ここで、ｆｈ１は、第１の高次モードの周波数であることを意味し、ｔは、ｎ番目のフィルタを構成している共振子などの素子の番号である。
【００８２】  本実施形態では、式（３）及び式（４）に示すように、ｆｈ１＿ｔがｆｕ（ｍ）より高く、またはｆｌ（ｍ）よりも低い。すなわち、ｆｈ１＿ｔは、図４に示した第２の通過帯域、第３の通過帯域及び第４の通過帯域の各低域側端部よりも低く、または各高域側端部よりも高い。従って、第２〜第４の通過帯域内に、第１の高次モードの周波数ｆｈ１＿ｔ（ｎ）が位置しないことがわかる。
【００８３】  なお、上記式（１）において、  ａ）Ｓｉ（１００）（オイラー角(φＳｉ＝０±５°,θＳｉ＝０±５°,ψＳｉ)とする)を使用する場合、ψＳｉの範囲は０°≦ψＳｉ≦４５°とする。もっとも、Ｓｉ（１００）の結晶構造の対称性から、ψＳｉとψＳｉ ±（ｎ×９０°)とは同義である（但し、ｎ＝１，２，３・・・）。同様に、ψＳｉと−ψＳｉとは同義である。
【００８４】  ｂ）Ｓｉ（１１０）（オイラー角（φＳｉ＝−４５±５°,θＳｉ＝−９０±５°, ψＳｉ)とする）を使用する場合、ψｓｉの範囲は０°≦ψＳｉ≦９０°とする。もっとも、Ｓｉ（１１０）の結晶構造の対称性から、ψＳｉとψＳｉ ±（ｎ×１８０°）とは同義である（但し、ｎ＝１，２，３・・・）。同様に、ψＳｉと−ψＳｉと は同義である。
【００８５】  ｃ）Ｓｉ（１１１）（オイラー角(φＳｉ＝−４５±５°,θＳｉ＝−５４．７３５６１±５°, ψＳｉ)とする）を使用する場合、ψＳｉの範囲は０°≦ ψＳｉ ≦６０°とする。もっとも、Ｓｉ（１１１）の結晶構造の対称性から、ψＳｉとψＳｉ ±（ｎ×１２０°）とは同義である（但し、ｎ＝１，２，３・・・）。同様に、ψＳｉと−ψＳｉと は同義である。
【００８６】  また、 θＬＴの範囲は−１８０°＜θＬＴ ≦０°とするが、θＬＴ とθＬＴ ＋１８０°とは同義であるとして扱えばよい。
【００８７】  なお、本明細書において、オイラー角（０°±５°の範囲内，θ，０°±１５°の範囲内）における０°±５°の範囲内とは、−５°以上、+５°以下の範囲内を意味し、０°±１５°の範囲内とは、−１５°以上、＋１５°以下の範囲内を意味する。
【００８８】  ＩＤＴ電極１５の波長規格化厚みＴＥは、アルミニウムからなるＩＤＴ電極の膜厚に換算した厚みである。もっとも、電極材料はＡｌに限らない。Ｔｉ、ＮｉＣｒ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗなどの様々な金属を用いることができる。また、これらの金属を主体とする合金を用いてもよい。また、これらの金属や合金からなる金属膜を複数積層してなる積層金属膜を用いてもよい。
【００８９】  図１１（ａ）は、上記弾性波共振子が、式（３）及び式（４）を満たしていない比較例のマルチプレクサのフィルタ特性を示す図であり、図１１（ｂ）は、第１の実施形態のマルチプレクサのフィルタ特性を示す図である。
【００９０】  図１１（ａ）及び図１１（ｂ）では、いずれにおいても、第１の弾性波フィルタ及び第２の弾性波フィルタのフィルタ特性が示されている。実線が第１の弾性波フィルタのフィルタ特性である。図１１（ａ）において破線で示すように、第２の弾性波フィルタのフィルタ特性において、通過帯域にリップルが現れている。このリップルは、第１の弾性波フィルタ中の弾性波共振子の高次モードの応答による。これに対して、図１１（ｂ）に示すように、第１の実施形態のマルチプレクサでは、第２の弾性波フィルタの通過帯域にこのようなリップルが現れていない。すなわち、式（３）及び式（４）を満たすように、弾性波共振子が構成されているため、上記リップルが、第２の弾性波フィルタの第２の通過帯域に現れていない。
【００９１】  図１２は、シリコンからなる支持基板の波長規格化厚みと、第１の高次モード、第２の高次モード及び第３の高次モードの位相最大値との関係を示す図である。図１２から明らかなように、シリコンからなる支持基板の波長規格化厚みが４λより大きければ、第１の高次モードの応答の大きさは、ほぼ一定となり、十分小さくなることがわかる。なお、支持基板の波長規格化厚みが、１０λより大きければ、第２及び第３の高次モードの応答も小さくなり、２０λより大きければ、第１〜第３の高次モードのいずれもが、十分小さくなる。よって、支持基板の波長規格化厚みＴＳｉは、ＴＳｉ＞４であることが好ましい。より好ましくは、支持基板の波長規格化厚みＴＳｉが、ＴＳｉ＞１０である。さらに好ましくは、支持基板の波長規格化厚みＴＳｉは、ＴＳｉ＞２０である。
【００９２】  本実施形態では、第１の弾性波フィルタ３を構成している複数の弾性波共振子の内少なくとも１つの弾性波共振子において、第１の高次モードの周波数は、式（３）または式（４）を満たしていた。より好ましくは、アンテナ端子に最も近い弾性波共振子において、高次モードの応答の周波数が、式（３）または式（４）を満たしていることが望ましい。アンテナ端子に最も近い弾性波共振子における高次モードの影響が、他の弾性波共振子に比べて、他の第２〜第４の弾性波フィルタ４〜６の通過帯域に大きく現れがちであることによる。
【００９３】  さらに好ましくは、全ての弾性波共振子において、第１の高次モードの周波数位置が、式（３）または式（４）を満たしていることが望ましい。それによって、第１の高次モードの応答によるリップルが、第２〜第４の弾性波フィルタ４〜６の通過帯域により一層生じ難い。
【００９４】  本願発明の構造を適用する場合には、上述したように、酸化ケイ素膜１３と、圧電体１４とが積層されている部分に高次モードが閉じこもる傾向があるが、上記圧電体１４の厚みを３．５λ以下とすることによって、酸化ケイ素膜１３と圧電体１４との積層部分が薄くなるため、高次モードが閉じこもりにくくなる。
【００９５】  より好ましくは、タンタル酸リチウムからなる圧電体１４の膜厚は、２．５λ以下であり、その場合には周波数温度係数ＴＣＦの絶対値を小さくし得る。さらに、好ましくは、タンタル酸リチウムからなる圧電体１４の膜厚は、１．５λ以下である。この場合には、電気機械結合係数を容易に調整することができる。さらに、より好ましくは、タンタル酸リチウムからなる圧電体１４の膜厚は、０．５λ以下である。この場合には、広い範囲で電気機械結合係数を容易に調整できる。
【００９６】  （第２の実施形態）  第２の実施形態では、第１の高次モードではなく、第２の高次モードのリップルが、第２〜第４のフィルタ４〜６の通過帯域に位置していない。これを図１３〜図１７を参照しつつ説明する。
【００９７】  図１３に示すように、第２の高次モードの音速は、伝搬方位ψＳｉにより変化する。同様に、図１４に示すように、タンタル酸リチウムからなる圧電体の波長規格化厚みＴＬＴによっても、第２の高次モードの音速は変化する。図１５に示すように、タンタル酸リチウムからなる圧電体のカット角（９０°＋θＬＴ）によっても、第２の高次モードの音速は変化する。図１６に示すように、酸化ケイ素膜の波長規格化厚みＴＳによっても、第２の高次モードの音速は変化する。図１７に示すように、ＩＤＴ電極の波長規格化厚みＴＥによっても、第２の高次モードの音速は変化する。そして、図１３〜図１７に示す結果から、第１の実施形態の場合と同様にして、第２の高次モードの音速も式（１）または式（５）で表されることを見出した。もっとも、式（１）の係数については、第２の高次モードの場合には、シリコンからなる支持基板の結晶方位毎に、下記の表９に示す値とする必要がある。また、式（５）の係数については、第２の高次モードの場合には、シリコンからなる支持基板の結晶方位毎に、下記の表１０に示す値とする必要がある。
【００９８】
【表９】
2018164211.tif 000018
【００９９】
【表１０】
2018164211.tif 000019
【０１００】  そして、上記のようにして、求められた第２の高次モードの音速Ｖｈ２＿ｔから、式（２）により、第２の高次モードの応答の周波数位置ｆｈ２＿ｔ（ｎ）＝Ｖｈ２＿ｔ／λｔ（ｎ）が求められる。そして、第２の実施形態では、下記の式（３Ａ）または式（４Ａ）を満たすように、第２の高次モードの周波数位置ｆｈ２＿ｔ（ｎ）が設定されている。従って、第２の実施形態においては、第２の高次モードの応答が、第２〜第４の弾性波フィルタ４〜６の第２〜第４の通過帯域外に位置することとなる。よって、第２の高次モードの応答による第２〜第４の弾性波フィルタ４〜６のフィルタ特性のリップルが生じ難い。
【０１０１】    ｆｈ２＿ｔ（ｎ）＞ｆｕ（ｍ）          式（３Ａ）    ｆｈ２＿ｔ（ｎ）＜ｆｌ（ｍ）          式（４Ａ）
【０１０２】  より好ましくは、全ての弾性波共振子において、第２の高次モードの応答の周波数位置が、式（３Ａ）または式（４Ａ）を満たしていることが望ましい。それによって、第２の高次モードの応答によるリップルが、第２〜第４の弾性波フィルタ４〜６の通過帯域においてより一層生じ難い。
【０１０３】  （第３の実施形態）  第３の実施形態では、第１の高次モードではなく、第３の高次モードのリップルが、第２〜第４のフィルタ４〜６の通過帯域に位置していない。これを図１８〜図２２を参照しつつ説明する。
【０１０４】  図１８に示すように、第３の高次モードの音速は、伝搬方位ψＳｉにより変化する。同様に、図１９に示すように、タンタル酸リチウムからなる圧電体の波長規格化厚みＴＬＴによっても、第３の高次モードの音速は変化する。図２０に示すように、タンタル酸リチウムからなる圧電体のカット角（９０°＋θＬＴ）によっても、第３の高次モードの音速は変化する。図２１に示すように、酸化ケイ素膜の波長規格化厚みＴＳによっても、第３の高次モードの音速は変化する。図２２に示すように、ＩＤＴ電極の波長規格化厚みＴＥによっても、第３の高次モードの音速は変化する。そして、図１８〜図２２に示す結果から、第１の実施形態の場合と同様にして、第３の高次モードの音速も式（１）または式（５）で表されることを見出した。もっとも、式（１）の係数については、第３の高次モードの場合には、シリコンからなる支持基板の結晶方位毎に、下記の表１１に示す値とする必要がある。また、式（５）の係数については、第３の高次モードの場合には、シリコンからなる支持基板の結晶方位毎に、下記の表１２に示す値とする必要がある。
【０１０５】
【表１１】
2018164211.tif 000020
【０１０６】
【表１２】
2018164211.tif 000021
【０１０７】  そして、上記のようにして、求められた第３の高次モードの音速Ｖｈ３＿ｔから、式（２）により、第３の高次モードの周波数位置ｆｈ３＿ｔ（ｎ）＝Ｖｈ３＿ｔ／λｔ（ｎ）により第３の高次モードの応答の周波数位置が求められる。そして、第３の実施形態では、下記の式（３Ｂ）または式（４Ｂ）を満たすように、第３の高次モードの周波数位置が設定されている。従って、第２の実施形態においては、第３の高次モードの応答が、第２〜第４の弾性波フィルタ４〜６の第２〜第４の通過帯域外に位置することとなる。よって、第３の高次モードの応答による第２〜第４の弾性波フィルタ４〜６のフィルタ特性のリップルが生じ難い。
【０１０８】    ｆｈ３＿ｔ（ｎ）＞ｆｕ（ｍ）          式（３Ｂ）    ｆｈ３＿ｔ（ｎ）＜ｆｌ（ｍ）          式（４Ｂ）
【０１０９】  より好ましくは、全ての弾性波共振子において、第３の高次モードの応答の周波数位置が、式（３Ｂ）または式（４Ｂ）を満たしていることが望ましい。それによって、第３の高次モードの応答によるリップルが、第２〜第４の弾性波フィルタ４〜６の通過帯域においてより一層生じ難い。
【０１１０】  （第４の実施形態）  第４の実施形態は、第１の実施形態、第２の実施形態及び第３の実施形態の全てを満たすものである。第４の実施形態のマルチプレクサの具体的な構造は、第１〜第３の実施形態と同様である。
【０１１１】  第４の実施形態では、各第１、第２及び第３の高次モードの音速を、Ｖｈ１＿ｔ、Ｖｈ２＿ｔ、Ｖｈ３＿ｔとした場合、式（２）で示される第１〜第３の高次モードの応答の周波数位置は、ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）＝Ｖｈｓ＿ｔ／λｔ（ｎ）で表される。ここで、ｓは、１、２、または３である。そして、第４の実施形態では、第１の高次モードの応答の周波数ｆｈ１＿ｔ（ｎ）、第２の高次モードの応答の周波数ｆｈ２＿ｔ（ｎ）及び第３の高次モードの応答の周波数ｆｈ３＿ｔ（ｎ）のいずれもが、ｆｕ（ｍ）よりも高く、またはｆｌ（ｍ）よりも低い。従って、第２〜第４の弾性波フィルタ４〜６の第２〜第４の通過帯域外に、第１〜第３の高次モードの応答が位置することとなる。従って、第２〜第４の弾性波フィルタのフィルタ特性の劣化がより一層生じ難い。
【０１１２】  よって、上記第４の実施形態の条件をまとめると、ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）（但し、ｓは１、２または３）がｓが１、２及び３のいずれの場合においても、ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）＞ｆｕ（ｍ）または、ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）＜ｆｌ（ｍ）を満たすこととなる。第４の実施形態においても、好ましくは、ＴＳｉ＞２０であることが望ましく、それによって、第１〜第３の高次モードの応答の大きさ自体を小さくすることができる。
【０１１３】  第４の実施形態では、第１の高次モード、第２の高次モード及び第３の高次モードの応答が、他の弾性波フィルタである第２〜第４の弾性波フィルタの通過帯域に存在していなかったが、第１の高次モード及び第２の高次モード、第１の高次モード及び第３の高次モードまたは第２の高次モード及び第３の高次モードのように、第１〜第３の高次モードの内の２種の高次モードが第２〜第４の弾性波フィルタの通過帯域外に位置していてもよい。すなわち、前記第１及び第２の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）が、前記式（３）及び前記式（４）を満たすように、前記ＴＬＴ、前記θＬＴ、前記ＴＳ、前記ＴＥ、前記ψＳｉ及び前記ＴＳｉの値が選択されていてもよく、前記第１及び第３の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）が、前記式（３）及び前記式（４）を満たすように、前記ＴＬＴ、前記θＬＴ、前記ＴＳ、前記ＴＥ、前記ψＳｉ及び前記ＴＳｉの値が選択されていてもよく、あるいは、前記第２及び第３の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）が、前記式（３）及び前記式（４）を満たすように、前記ＴＬＴ、前記θＬＴ、前記ＴＳ、前記ＴＥ、前記ψＳｉ及び前記ＴＳｉの値が選択されていてもよい。その場合においても、第１〜第３の実施形態よりも高次モードの影響をより一層小さくすることができる。
【０１１４】  図２３は、シリコンからなる高音速支持基板上に、膜厚０．３５λの酸化ケイ素膜からなる低音速膜及びオイラー角（０°，−４０°，０°）のタンタル酸リチウムからなる圧電膜を積層した弾性波装置におけるタンタル酸リチウムの膜厚と、Ｑ値との関係を示す図である。この図２３における縦軸は、共振子のＱ特性と比帯域（Δｆ）との積である。なお、高音速支持基板とは、伝搬するバルク波の音速が圧電体を伝搬する弾性波の音速よりも高い支持基板である。低音速膜とは、伝搬するバルク波の音速が圧電体を伝搬する弾性波の音速よりも低い膜である。また、図２４は、タンタル酸リチウム膜の膜厚と、周波数温度係数ＴＣＦとの関係を示す図である。図２５は、タンタル酸リチウム膜の膜厚と音速との関係を示す図である。図２３より、タンタル酸リチウム膜の膜厚が、３．５λ以下が好ましい。その場合には、３．５λ超えた場合に比べて、Ｑ値が高くなる。より好ましくは、Ｑ値をより高めるには、タンタル酸リチウム膜の膜厚は、２．５λ以下であることが望ましい。
【０１１５】  また、図２４より、タンタル酸リチウム膜の膜厚が、２．５λ以下の場合、周波数温度係数ＴＣＦの絶対値を、上記膜厚が２．５λを超えた場合に比べて小さくすることができる。より好ましくは、タンタル酸リチウム膜の膜厚を２λ以下とすることが望ましく、その場合には、周波数温度係数ＴＣＦの絶対値が、１０ｐｐｍ／℃以下とされ得る。周波数温度係数ＴＣＦの絶対値を小さくするには、タンタル酸リチウム膜の膜厚を１．５λ以下とすることがさらに好ましい。
【０１１６】  図２５より、タンタル酸リチウム膜の膜厚が１．５λを超えると、音速の変化が極めて小さい。
【０１１７】  もっとも、図２６に示すように、タンタル酸リチウム膜の膜厚が、０．０５λ以上、０．５λ以下の範囲では、比帯域が大きく変化する。従って、電気機械結合係数をより広い範囲で調整することができる。よって、電気機械結合係数及び比帯域の調整範囲を広げるためには、タンタル酸リチウム膜の膜厚が、０．０５λ以上、０．５λ以下の範囲であることが望ましい。
【０１１８】  図２７及び図２８は、酸化ケイ素膜の膜厚（λ）と、音速及び電気機械結合係数との関係をそれぞれ示す図である。ここでは、酸化ケイ素からなる低音速膜の下方に、高音速膜として、窒化ケイ素膜、酸化アルミニウム膜及びダイヤモンドをそれぞれ用いた。なお、高音速膜とは、伝搬するバルク波の音速が圧電体を伝搬する弾性波の音速よりも高い膜である。高音速膜の膜厚は、１．５λとした。窒化ケイ素のバルク波の音速は６０００ｍ／秒であり、酸化アルミニウムにおけるバルク波の音速は６０００ｍ／秒であり、ダイヤモンドにおけるバルク波の音速は１２８００ｍ／秒である。図２７及び図２８に示すように、高音速膜の材質及び酸化ケイ素膜の膜厚を変更したとしても、電気機械結合係数及び音速はほとんど変化しない。特に、図２８より酸化ケイ素膜の膜厚が、０．１λ以上、０．５λ以下では、高音速膜の材質の如何に関わらず、電気機械結合係数はほとんど変わらない。また、図２７より酸化ケイ素膜の膜厚が、０．３λ以上、２λ以下であれば、高音速膜の材質の如何に関わらず、音速が変わらないことがわかる。従って、好ましくは、酸化ケイ素からなる低音速膜の膜厚は、２λ以下、より望ましくは０．５λ以下であることが好ましい。
【０１１９】  図２９は、本発明で用いられる弾性波共振子の変形例の正面断面図である。弾性波共振子６１では、支持基板１２上にタンタル酸リチウムからなる圧電体１４が積層されている。弾性波共振子６１のその他の構造は、弾性波共振子１１と同様である。
【０１２０】  図３０は、本発明で用いられる弾性波共振子の他の変形例の正面断面図である。弾性波共振子６３では、酸化ケイ素膜１３と、支持基板１２との間に高音速膜６４が積層されている。高音速膜６４は、伝搬するバルク波の音速が、圧電体３を伝搬する弾性波の音速よりも高い高音速材料からなる。高音速膜６４は、好ましくは窒化ケイ素、酸化アルミニウムまたはＤＬＣなどからなる。弾性波共振子６３のその他の構造は、弾性波共振子１１と同様である。
【０１２１】  上記各実施形態における上記弾性波装置は、高周波フロントエンド回路のデュプレクサなどの部品として用いることができる。このような高周波フロントエンド回路の例を下記において説明する。
【０１２２】  図３１は、高周波フロントエンド回路を有する通信装置の概略構成図である。通信装置２４０は、アンテナ２０２と、高周波フロントエンド回路２３０と、ＲＦ信号処理回路２０３とを有する。高周波フロントエンド回路２３０は、アンテナ２０２に接続される回路部分である。高周波フロントエンド回路２３０は、マルチプレクサ２１０と、本発明におけるパワーアンプとしての増幅器２２１〜２２４とを有する。マルチプレクサ２１０は、第１〜第４のフィルタ２１１〜２１４を有する。このマルチプレクサ２１０として、上述した本発明のマルチプレクサを用いることができる。マルチプレクサ２１０は、アンテナ２０２に接続されるアンテナ共通端子２２５を有する。アンテナ共通端子２２５に受信フィルタとしての第１〜第３のフィルタ２１１〜２１３の一端と、送信フィルタとしての第４のフィルタの２１４の一端とが共通接続されている。第１〜第３のフィルタ２１１〜２１３の出力端が、増幅器２２１〜２２３にそれぞれ接続されている。また、第４のフィルタ２１４の入力端に、増幅器２２４が接続されている。
【０１２３】  増幅器２２１〜２２３の出力端がＲＦ信号処理回路２０３に接続されている。増幅器２２４の入力端がＲＦ信号処理回路２０３に接続されている。
【０１２４】  本発明に係るマルチプレクサは、このような通信装置２４０におけるマルチプレクサ２１０として好適に用いることができる。
【０１２５】  なお、本発明におけるマルチプレクサは、複数の送信フィルタのみを有するものであってもよく、複数の受信フィルタを有するものであってもよい。なお、マルチプレクサは、ｎ個の帯域通過型フィルタを備えるものであり、ｎは２以上である。従って、デュプレクサも本発明におけるマルチプレクサである。
【０１２６】  本発明は、フィルタ、マルチバンドシステムに適用できるマルチプレクサ、フロントエンド回路及び通信装置として、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
【符号の説明】
【０１２７】１…マルチプレクサ２…アンテナ端子３〜６…第１〜第４の弾性波フィルタ１１…弾性波共振子１２…支持基板１３…酸化ケイ素膜１４…圧電体１５…ＩＤＴ電極１６，１７…反射器２０２…アンテナ２０３…ＲＦ信号処理回路２１０…マルチプレクサ２１１〜２１４…第１〜第４のフィルタ２２１〜２２４…増幅器２２５…アンテナ共通端子２３０…高周波フロントエンド回路２４０…通信装置Ｐ１，Ｐ２…並列腕共振子Ｓ１〜Ｓ３…直列腕共振子
【図１】
2018164211.tif 000032
【図２】
2018164211.tif 000033
【図３】
2018164211.tif 000034
【図４】
2018164211.tif 000035
【図５】
2018164211.tif 000036
【図６】
2018164211.tif 000037
【図７】
2018164211.tif 000038
【図８】
2018164211.tif 000039
【図９】
2018164211.tif 000040
【図１０】
2018164211.tif 000041
【図１１】
2018164211.tif 000042
【図１２】
2018164211.tif 000043
【図１３】
2018164211.tif 000044
【図１４】
2018164211.tif 000045
【図１５】
2018164211.tif 000046
【図１６】
2018164211.tif 000047
【図１７】
2018164211.tif 000048
【図１８】
2018164211.tif 000049
【図１９】
2018164211.tif 000050
【図２０】
2018164211.tif 000051
【図２１】
2018164211.tif 000052
【図２２】
2018164211.tif 000053
【図２３】
2018164211.tif 000054
【図２４】
2018164211.tif 000055
【図２５】
2018164211.tif 000056
【図２６】
2018164211.tif 000057
【図２７】
2018164211.tif 000058
【図２８】
2018164211.tif 000059
【図２９】
2018164211.tif 000060
【図３０】
2018164211.tif 000061
【図３１】
2018164211.tif 000062
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月30日(2019.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端が共通接続されており、通過帯域が異なるＮ個の（但し、Ｎは２以上の整数）弾性波フィルタを備え、
前記Ｎ個の弾性波フィルタのうち最も通過帯域が高域にある弾性波フィルタを除く、少なくとも１つの弾性波フィルタが、
オイラー角（φＬＴ＝０°±５°の範囲内，θＬＴ，ψＬＴ＝０°±１５°の範囲内）のタンタル酸リチウムからなる圧電体と、
オイラー角(φＳｉ、θＳｉ、ψＳｉ)のシリコンからなる支持基板と、
前記圧電体と前記支持基板との間に積層されている酸化ケイ素膜と、
前記圧電体の一面に設けられたＩＤＴ電極とを有する複数の弾性波共振子と、
を有し、
下記の式（１）及び式（２）で決定される第１、第２及び第３の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）（但し、ｓは１，２または３であり、ｓが１，２または３のとき、それぞれ、第１，第２または第３の高次モードである。）の内の少なくとも１つが、ｍ＞ｎである全てのｍについて、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長λにより規格化した厚みを波長規格化膜厚としたとき、前記複数の弾性波共振子のうち少なくとも１つの弾性波共振子において、前記圧電体の波長規格化厚みＴＬＴ、前記圧電体のオイラー角のθＬＴ、前記酸化ケイ素膜の波長規格化厚みＴＳ、アルミニウムの厚みに換算した前記ＩＤＴ電極の波長規格化厚みＴＥ、前記支持基板内における伝搬方位ψＳｉ、及び前記支持基板の波長規格化厚みＴＳｉの値が、下記の式（３）または下記の式（４）を満たす値とされている、マルチプレクサ。
【数１】
2018164211.tif 000063
【数２】
2018164211.tif 000064
ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）＞ｆｕ（ｍ）      式（３）
ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）＜ｆｌ（ｍ）      式（４）
前記式（１）〜式（４）におけるｈは高次モードであることを示し、ｔはフィルタのｎにおけるｔ番目の素子（共振子）を表し、ｍはｍ（ｍ＞ｎ）番目のフィルタを表し、ｎはｎ番目のフィルタを表し、ｆｕ（ｍ）はｍ番目のフィルタにおける通過帯域の高域側端部の周波数であり、ｆｌ（ｍ）はｍ番目のフィルタにおける通過帯域の低域側端部の周波数である。
なお、前記式（１）における各係数は、ｓ＝１、２、または３のとき、前記支持基板の結晶方位毎に下記の表１、表２または表３に示すそれぞれの値である。
【表１】
2018164211.tif 000065
【表２】
2018164211.tif 000066
【表３】
2018164211.tif 000067
【請求項２】
一端が共通接続されており、通過帯域が異なるＮ個の（但し、Ｎは２以上の整数）弾性波フィルタを備え、
前記Ｎ個の弾性波フィルタを、通過帯域が低い方から順番に弾性波フィルタ（１）、弾性波フィルタ（２）、、、弾性波フィルタ（Ｎ）としたときに、
前記Ｎ個の弾性波フィルタのうち最も通過帯域が高域にある弾性波フィルタを除く、少なくとも１つの弾性波フィルタ（ｎ）（１≦ｎ＜Ｎ）が、少なくとも１つの弾性波共振子を有し、
前記弾性波共振子は、
オイラー角（φＬＴ＝０°±５°の範囲内，θＬＴ，ψＬＴ＝０°±１５°の範囲内）のタンタル酸リチウムからなる圧電体と、
オイラー角(φＳｉ，θＳｉ，ψＳｉ)のシリコンからなる支持基板と、
前記圧電体と、前記支持基板との間に積層された酸化ケイ素膜と、
前記圧電体の一面に設けられたＩＤＴ電極と、を有し、
前記弾性波共振子において、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長λにより規格化した厚みを波長規格化膜厚とし、前記圧電体の波長規格化厚みをＴＬＴ、前記圧電体のオイラー角をθＬＴ、前記酸化ケイ素膜の波長規格化厚みをＴＳ、アルミニウムの厚みに換算した前記ＩＤＴ電極の波長規格化厚みをＴＥ、前記支持基板内における伝搬方位をψＳｉ、前記支持基板の波長規格化厚みをＴＳｉとした場合に、前記ＴＬＴ、前記θＬＴ、前記ＴＳ、前記ＴＥ、前記ψＳｉ、前記ＴＳｉで定まる下記の式（５）及び式（２）で決定される第１、第２及び第３の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）（但し、ｓは１、２または３であり、ｓが１、２または３のとき、それぞれ、第１、第２または第３の高次モードである。）の内の少なくとも１つが、前記少なくとも１つの弾性波フィルタ（ｎ）よりも通過帯域が高いすべての弾性波フィルタ（ｍ）（ｎ＜ｍ≦Ｎ）において、下記の式（３）または下記の式（４）を満たす値とされている、マルチプレクサ。
【数３】
2018164211.tif 000068
【数４】
2018164211.tif 000069
ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）＞ｆｕ（ｍ）      式（３）
ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）＜ｆｌ（ｍ）      式（４）
前記式（２）〜式（４）及び式（５）におけるｈは高次モードであることを示し、ｆｕ（ｍ）は弾性波フィルタ（ｍ）における通過帯域の高域側端部の周波数であり、ｆｌ（ｍ）は弾性波フィルタ（ｍ）における通過帯域の低域側端部の周波数である。
なお、前記式（２）における各係数は、ｓ＝１、２、または３のとき、前記支持基板の結晶方位毎に下記の表４、表５または表６に示すそれぞれの値である。
【表４】
2018164211.tif 000070
【表５】
2018164211.tif 000071
【表６】
2018164211.tif 000072
【請求項３】
前記第１及び第２の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）が、前記式（３）または前記式（４）を満たすように、前記ＴＬＴ、前記θＬＴ、前記ＴＳ、前記ＴＥ、前記ψＳｉ及び前記ＴＳｉの値が選択されている、請求項１または２に記載のマルチプレクサ。
【請求項４】
前記第１及び第３の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）が、前記式（３）または前記式（４）を満たすように、前記ＴＬＴ、前記θＬＴ、前記ＴＳ、前記ＴＥ、前記ψＳｉ及び前記ＴＳｉの値が選択されている、請求項１または２に記載のマルチプレクサ。
【請求項５】
前記第２及び第３の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）が、前記式（３）または前記式（４）を満たすように、前記ＴＬＴ、前記θＬＴ、前記ＴＳ、前記ＴＥ、前記ψＳｉ及び前記ＴＳｉの値が選択されている、請求項１または２に記載のマルチプレクサ。
【請求項６】
前記第１、第２及び第３の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）の全てが、前記式（３）または前記式（４）を満たすように、前記ＴＬＴ、前記θＬＴ、前記ＴＳ、前記ＴＥ、前記ψＳｉ及び前記ＴＳｉの値が選択されている、請求項１または２に記載のマルチプレクサ。
【請求項７】
前記支持基板の波長規格化厚みＴＳｉが、ＴＳｉ＞４である、請求項１〜６のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
【請求項８】
ＴＳｉ＞１０である、請求項７に記載のマルチプレクサ。
【請求項９】
ＴＳｉ＞２０である、請求項８に記載のマルチプレクサ。
【請求項１０】
前記圧電体の波長規格化厚みが、３．５λ以下である、請求項１〜９のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
【請求項１１】
前記圧電体の波長規格化厚みが、２．５λ以下である、請求項１０に記載のマルチプレクサ。
【請求項１２】
前記圧電体の波長規格化厚みが、１．５λ以下である、請求項１０に記載のマルチプレクサ。
【請求項１３】
前記圧電体の波長規格化厚みが、０．５λ以下である、請求項１０に記載のマルチプレクサ。
【請求項１４】
複数の弾性波フィルタの一端が共通接続されているアンテナ端子がさらに備えられており、
前記式（３）または前記式（４）を満たす前記弾性波共振子が、前記アンテナ端子に最も近い、弾性波共振子である、請求項１〜１３のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
【請求項１５】
前記式（３）または前記式（４）を満たす前記弾性波共振子が、複数の弾性波共振子の全てである、請求項１〜１３のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
【請求項１６】
デュプレクサである、請求項１〜１５のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
【請求項１７】
３個以上の弾性波フィルタが前記アンテナ端子側で共通接続されている複合フィルタである、請求項１〜１５のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
【請求項１８】
キャリアアグリゲーション用複合フィルタ装置である、請求項１７に記載のマルチプレクサ。
【請求項１９】
前記複数の弾性波共振子を有する前記弾性波フィルタが、複数の直列腕共振子と複数の並列腕共振子とを有するラダー型フィルタである、請求項１〜１７のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
【請求項２０】
請求項１〜１９のいずれか１項に記載のマルチプレクサと、
パワーアンプと、
を備える、高周波フロントエンド回路。
【請求項２１】
請求項１〜１９のいずれか１項に記載のマルチプレクサ及びパワーアンプを有する高周波フロントエンド回路と、
ＲＦ信号処理回路と、
を備える、通信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のある広い局面により提供されるマルチプレクサは、一端が共通接続されており、通過帯域が異なるＮ個の（但し、Ｎは２以上の整数）弾性波フィルタを備え、前記Ｎ個の弾性波フィルタのうち最も通過帯域が高域にある弾性波フィルタを除く、少なくとも１つの弾性波フィルタが、オイラー角（φＬＴ＝０°±５°の範囲内，θＬＴ，ψＬＴ＝０°±１５°の範囲内）のタンタル酸リチウムからなる圧電体と、オイラー角(φＳｉ、θＳｉ、ψＳｉ)のシリコンからなる支持基板と、前記圧電体と前記支持基板との間に積層されている酸化ケイ素膜と、前記圧電体の一面に設けられたＩＤＴ電極とを有する複数の弾性波共振子と、を有し、下記の式（１）及び式（２）で決定される第１、第２及び第３の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）（但し、ｓは１，２または３であり、ｓが１，２または３のとき、それぞれ、第１，第２または第３の高次モードである。）の内の少なくとも１つが、ｍ＞ｎである全てのｍについて、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長λにより規格化した厚みを波長規格化膜厚としたとき、前記複数の弾性波共振子のうち少なくとも１つの弾性波共振子において、前記圧電体の波長規格化厚みＴＬＴ、前記圧電体のオイラー角のθＬＴ、前記酸化ケイ素膜の波長規格化厚みＴＳ、アルミニウムの厚みに換算した前記ＩＤＴ電極の波長規格化厚みＴＥ、前記支持基板内における伝搬方位ψＳｉ、及び前記支持基板の波長規格化厚みＴＳｉの値が、下記の式（３）または下記の式（４）を満たす値とされている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）＞ｆｕ（ｍ）      式（３）
ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）＜ｆｌ（ｍ）      式（４） 
前記式（１）〜式（４）におけるｈは高次モードであることを示し、ｔはフィルタのｎにおけるｔ番目の素子（共振子）を表し、ｍはｍ（ｍ＞ｎ）番目のフィルタを表し、ｎはｎ番目のフィルタを表し、ｆｕ（ｍ）はｍ番目のフィルタにおける通過帯域の高域側端部の周波数であり、ｆｌ（ｍ）はｍ番目のフィルタにおける通過帯域の低域側端部の周波数である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の他の広い局面により提供されるマルチプレクサは、一端が共通接続されており、通過帯域が異なるＮ個の（但し、Ｎは２以上の整数）弾性波フィルタを備え、前記Ｎ個の弾性波フィルタを、通過帯域が低い方から順番に弾性波フィルタ（１）、弾性波フィルタ（２）、、、弾性波フィルタ（Ｎ）としたときに、前記Ｎ個の弾性波フィルタのうち最も通過帯域が高域にある弾性波フィルタを除く、少なくとも１つの弾性波フィルタ（ｎ）（１≦ｎ＜Ｎ）が、少なくとも１つの弾性波共振子を有し、前記弾性波共振子は、オイラー角（φＬＴ＝０°±５°の範囲内，θＬＴ，ψＬＴ＝０°±１５°の範囲内）のタンタル酸リチウムからなる圧電体と、オイラー角(φＳｉ，θＳｉ，ψＳｉ)のシリコンからなる支持基板と、前記圧電体の一面に設けられたＩＤＴ電極と、を有し、前記弾性波共振子において、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長λにより規格化した厚みを波長規格化膜厚とし、前記圧電体の波長規格化厚みをＴＬＴ、前記圧電体のオイラー角をθＬＴ、前記酸化ケイ素膜の波長規格化厚みをＴＳ、アルミニウムの厚みに換算した前記ＩＤＴ電極の波長規格化厚みをＴＥ、前記支持基板内における伝搬方位をψＳｉ、前記支持基板の波長規格化厚みをＴＳｉとした場合に、前記ＴＬＴ、前記θＬＴ、前記ＴＳ、前記ＴＥ、前記ψＳｉ、前記ＴＳｉで定まる下記の式（５）及び式（２）で決定される第１、第２及び第３の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）（但し、ｓは１、２または３であり、ｓが１，２または３のとき、それぞれ、第１、第２または第３の高次モードである。）の内の少なくとも１つが、前記少なくとも１つの弾性波フィルタ（ｎ）よりも通過帯域が高いすべての弾性波フィルタ（ｍ）（ｎ＜ｍ≦Ｎ）において、下記の式（３）または下記の式（４）を満たす値とされている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）＞ｆｕ（ｍ）      式（３）
ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）＜ｆｌ（ｍ）      式（４）
前記式（２）〜式（４）及び式（５）におけるｈは高次モードであることを示し、ｆｕ（ｍ）は弾性波フィルタ（ｍ）における通過帯域の高域側端部の周波数であり、ｆｌ（ｍ）は弾性波フィルタ（ｍ）における通過帯域の低域側端部の周波数である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明に係るマルチプレクサのある特定の局面では、前記第１及び第２の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）が、前記式（３）または前記式（４）を満たすように、前記ＴＬＴ、前記θＬＴ、前記ＴＳ、前記ＴＥ、前記ψＳｉ及び前記ＴＳｉの値が選択されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明に係るマルチプレクサのさらに他の特定の局面では、前記第１及び第３の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）が、前記式（３）または前記式（４）を満たすように、前記ＴＬＴ、前記θＬＴ、前記ＴＳ、前記ＴＥ、前記ψＳｉ及び前記ＴＳｉの値が選択されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明に係るマルチプレクサのさらに他の特定の局面では、前記第２及び第３の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）が、前記式（３）または前記式（４）を満たすように、前記ＴＬＴ、前記θＬＴ、前記ＴＳ、前記ＴＥ、前記ψＳｉ及び前記ＴＳｉの値が選択されている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本発明に係るマルチプレクサのさらに他の特定の局面では、前記第１、第２及び第３の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）の全てが、前記式（３）または前記式（４）を満たすように、前記ＴＬＴ、前記θＬＴ、前記ＴＳ、前記ＴＥ、前記ψＳｉ及び前記ＴＳｉの値が選択されている。この場合には、第１の高次モード、第２の高次モード及び第３の高次モードのいずれの応答によるリップルも上記他の弾性波フィルタの通過帯域に現れない。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
この場合においても、式（５）及び前述した式（２）で決定される第１、第２及び第３の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）（但し、ｓは１、２または３であり、ｓが１、２または３のとき、それぞれ、第１、第２または第３の高次モードである。）の内の少なくとも１つが、前記少なくとも１つの弾性波フィルタ（ｎ）よりも通過帯域が高いすべての弾性波フィルタ（ｍ）（ｎ＜ｍ≦Ｎ）において、上述した式（３）または上述した式（４）を満たす値とされている。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
図１１（ａ）及び図１１（ｂ）では、いずれにおいても、第１の弾性波フィルタ及び第２の弾性波フィルタのフィルタ特性が示されている。実線が第１の弾性波フィルタのフィルタ特性である。図１１（ａ）において破線で示すように、第２の弾性波フィルタのフィルタ特性において、通過帯域にリップルが現れている。このリップルは、第１の弾性波フィルタ中の弾性波共振子の高次モードの応答による。これに対して、図１１（ｂ）に示すように、第１の実施形態のマルチプレクサでは、第２の弾性波フィルタの通過帯域にこのようなリップルが現れていない。すなわち、式（３）または式（４）を満たすように、弾性波共振子が構成されているため、上記リップルが、第２の弾性波フィルタの第２の通過帯域に現れていない。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
そして、上記のようにして、求められた第３の高次モードの音速Ｖｈ３＿ｔから、式（２）により、第３の高次モードの周波数位置ｆｈ３＿ｔ（ｎ）＝Ｖｈ３＿ｔ／λｔ（ｎ）により第３の高次モードの応答の周波数位置が求められる。そして、第３の実施形態では、下記の式（３Ｂ）または式（４Ｂ）を満たすように、第３の高次モードの周波数位置が設定されている。従って、第３の実施形態においては、第３の高次モードの応答が、第２〜第４の弾性波フィルタ４〜６の第２〜第４の通過帯域外に位置することとなる。よって、第３の高次モードの応答による第２〜第４の弾性波フィルタ４〜６のフィルタ特性のリップルが生じ難い。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
第４の実施形態では、第１の高次モード、第２の高次モード及び第３の高次モードの応答が、他の弾性波フィルタである第２〜第４の弾性波フィルタの通過帯域に存在していなかったが、第１の高次モード及び第２の高次モード、第１の高次モード及び第３の高次モードまたは第２の高次モード及び第３の高次モードのように、第１〜第３の高次モードの内の２種の高次モードが第２〜第４の弾性波フィルタの通過帯域外に位置していてもよい。すなわち、前記第１及び第２の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）が、前記式（３）または前記式（４）を満たすように、前記ＴＬＴ、前記θＬＴ、前記ＴＳ、前記ＴＥ、前記ψＳｉ及び前記ＴＳｉの値が選択されていてもよく、前記第１及び第３の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）が、前記式（３）または前記式（４）を満たすように、前記ＴＬＴ、前記θＬＴ、前記ＴＳ、前記ＴＥ、前記ψＳｉ及び前記ＴＳｉの値が選択されていてもよく、あるいは、前記第２及び第３の高次モード周波数ｆｈｓ＿ｔ（ｎ）が、前記式（３）または前記式（４）を満たすように、前記ＴＬＴ、前記θＬＴ、前記ＴＳ、前記ＴＥ、前記ψＳｉ及び前記ＴＳｉの値が選択されていてもよい。その場合においても、第１〜第３の実施形態よりも高次モードの影響をより一層小さくすることができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
図３０は、本発明で用いられる弾性波共振子の他の変形例の正面断面図である。弾性波共振子６３では、酸化ケイ素膜１３と、支持基板１２との間に高音速膜６４が積層されている。高音速膜６４は、伝搬するバルク波の音速が、圧電体１４を伝搬する弾性波の音速よりも高い高音速材料からなる。高音速膜６４は、好ましくは窒化ケイ素、酸化アルミニウムまたはＤＬＣなどからなる。弾性波共振子６３のその他の構造は、弾性波共振子１１と同様である。
【国際調査報告】
2018164211.tif 000073
2018164211.tif 000074
2018164211.tif 000075