(57)【要約】  半導体デバイス検査装置１は、電気信号が入力されている半導体デバイス１０からの光を検出する光センサ１２と、半導体デバイス１０からの光を光センサ１２に導光する光学系と、光センサ１２と電気的に接続された制御装置１８とを備え、制御装置１８は、不良品の半導体デバイス１０上の複数の位置毎の光計測による波形データと、良品の半導体デバイス１０上の複数の位置毎の光計測による波形データとを取得する計測部２５と、不良品の半導体デバイス１０の波形データと、良品の半導体デバイス１０の波形データとの間で一致度を計算する計算部２６と、計算部２６によって計算された複数の位置毎の一致度を基に不良品の半導体デバイス１０の不良箇所を解析する解析部２８とを有する。
2019102682.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスを対象に光計測による解析処理を行う解析方法であって、
第１の半導体デバイス上の複数の位置毎の光計測による時間波形である第１波形データを取得する第１計測ステップと、
第２の半導体デバイス上の複数の位置毎の光計測による時間波形である第２波形データを取得する第２計測ステップと、
前記第１の半導体デバイスの複数の位置毎の前記第１波形データと、当該複数の位置に対応する前記第２の半導体デバイスの複数の位置毎の前記第２波形データとの間で一致度を計算する計算ステップと、
前記計算ステップによって計算された複数の位置毎の一致度を基に前記第１又は第２の半導体デバイスのいずれかの不良箇所を解析する解析ステップと、
を備える解析方法。
【請求項２】
前記計算ステップによって計算された複数の位置毎の一致度を座標上にマッピングして一致度画像データを生成する画像生成ステップを更に備え、
前記解析ステップでは、前記一致度画像データを基に前記第１又は第２の半導体デバイスのいずれかの不良箇所を解析する、
請求項１に記載の解析方法。
【請求項３】
前記解析ステップでは、前記一致度画像データを用いて、前記一致度の比較的低い前記座標上の位置から、前記一致度の比較的高い前記座標上の位置まで位置を追跡することにより、前記不良箇所を解析する、
請求項２に記載の解析方法。
【請求項４】
前記解析ステップでは、前記第１の半導体デバイス及び前記第２の半導体デバイスのいずれかに関するマスクデータを基に回路図を作成し、前記回路図を基に位置追跡のルートを決定する、
請求項３に記載の解析方法。
【請求項５】
前記計算ステップでは、前記第１波形データ及び前記第２波形データにおける時間波形の振幅の変化の一致度を計算する、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の解析方法。
【請求項６】
前記計算ステップでは、前記第１波形データ及び前記第２波形データにおける立上り及び立下りのタイミングを基に前記一致度を計算する、
請求項５に記載の解析方法。
【請求項７】
前記計算ステップでは、前記第１波形データ及び前記第２波形データにおいて閾値との比較結果を複数のタイミングで計算し、前記複数のタイミングでの前記比較結果を基に前記一致度を計算する、
請求項５に記載の解析方法。
【請求項８】
前記第１計測ステップ及び前記第２計測ステップでは、テスト信号が入力されている前記第１の半導体デバイス又は前記第２の半導体デバイスにおける複数の位置に光を照射し、前記複数の位置からの反射光を計測して前記第１波形データ又は前記第２波形データを取得する、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の解析方法。
【請求項９】
前記第１計測ステップ及び前記第２計測ステップでは、テスト信号が入力されている前記第１の半導体デバイス又は前記第２の半導体デバイスにおける複数の位置からの発光を計測して前記第１波形データ又は前記第２波形データを取得する、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の解析方法。
【請求項１０】
半導体デバイスを対象に光計測による解析処理を行う解析装置であって、
テスト信号が入力されている半導体デバイスからの光を検出する光検出器と、
前記半導体デバイスからの光を前記光検出器に導光する光学系と、
前記光検出器と電気的に接続された制御装置とを備え、
前記制御装置は、
第１の半導体デバイス上の複数の位置毎の前記光計測による時間波形である第１波形データと、第２の半導体デバイス上の複数の位置毎の前記光計測による時間波形である第２波形データとを取得する取得手段と、
前記第１の半導体デバイスの複数の位置毎の前記第１波形データと、当該複数の位置に対応する前記第２の半導体デバイスの複数の位置毎の前記第２波形データとの間で一致度を計算する計算手段と、
前記計算手段によって計算された複数の位置毎の一致度を基に前記第１又は第２の半導体デバイスのいずれかの不良箇所を解析する解析手段と、を有する
解析装置。
【請求項１１】
前記制御装置は、前記計算手段によって計算された複数の位置毎の一致度を座標上にマッピングして一致度画像データを生成する画像生成手段を更に有し、
前記解析手段は、前記一致度画像データを基に前記第１又は第２の半導体デバイスのいずれかの不良箇所を解析する、
請求項１０に記載の解析装置。
【請求項１２】
前記解析手段は、前記一致度画像データを用いて、前記一致度の比較的低い前記座標上の位置から、前記一致度の比較的高い前記座標上の位置まで位置を追跡することにより、前記不良箇所を解析する、
請求項１１に記載の解析装置。
【請求項１３】
前記解析手段は、前記第１の半導体デバイス及び前記第２の半導体デバイスのいずれかに関するマスクデータを基に回路図を作成し、前記回路図を基に位置追跡のルートを決定する、
請求項１２に記載の解析装置。
【請求項１４】
前記計算手段は、前記第１波形データ及び前記第２波形データにおける時間波形の振幅の変化の一致度を計算する、
請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の解析装置。
【請求項１５】
前記計算手段は、前記第１波形データ及び前記第２波形データにおける立上り及び立下りのタイミングを基に前記一致度を計算する、
請求項１４に記載の解析装置。
【請求項１６】
前記計算手段は、前記第１波形データ及び前記第２波形データにおいて閾値との比較結果を複数のタイミングで計算し、前記複数のタイミングでの前記比較結果を基に前記一致度を計算する、
請求項１４に記載の解析装置。
【請求項１７】
光を出射する光源と、
前記光源から出射された光を前記半導体デバイス上に走査する光走査部と、
をさらに備え、
前記制御装置の前記取得手段は、前記第１の半導体デバイス及び前記第２の半導体デバイスにおける複数の位置に光を照射するように前記光走査部を制御し、記第１の半導体デバイス及び前記第２の半導体デバイスにおける前記複数の位置からの反射光を計測することにより前記第１波形データ及び前記第２波形データを取得する、
請求項１０〜１６のいずれか１項に記載の解析装置。
【請求項１８】
前記取得手段は、記第１の半導体デバイス及び前記第２の半導体デバイスにおける前記複数の位置からの発光を計測することにより前記第１波形データ及び前記第２波形データを取得する、
請求項１０〜１６のいずれか１項に記載の解析装置。
【請求項１９】
コンピュータを、
第１の半導体デバイス上の複数の位置毎の光計測による時間波形である第１波形データと、第２の半導体デバイス上の複数の位置毎の光計測による時間波形である第２波形データとを取得する取得手段、
前記第１の半導体デバイスの複数の位置毎の前記第１波形データと、当該複数の位置に対応する前記第２の半導体デバイスの複数の位置毎の前記第２波形データとの間で一致度を計算する計算手段、及び
前記計算手段によって計算された複数の位置毎の一致度を基に前記第１又は第２の半導体デバイスのいずれかの不良箇所を解析する解析手段として機能させる、
解析プログラム。
【請求項２０】
請求項１９に記載の解析プログラムを記録するコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体デバイスを対象に光計測による解析処理を行う解析方法、解析装置、解析プログラム、及び解析プログラムを記録する記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体集積回路を検査する技術として、ＥＯＰ（Electro  Optical  Probing）と称される光プロービング技術（下記特許文献１参照）、あるいは、ＴＲＩＥＭ（Time-resolved  Imaging  Emission  Microscopy）と称される時間分解発光計測の技術（下記特許文献２参照）が知られている。例えば、ＥＯＰでは、半導体デバイスの駆動に伴う空乏層の時間的変化をプローブ光の反射率の時間的変化を測定することによって取得する。また、ＴＲＩＥＭでは、半導体デバイスの駆動に伴うソース−ドレイン間を流れるホットキャリアの発生タイミングを、発光の強度の時間的変化から測定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−０６４９７５号公報
【特許文献２】特開平１０−１５００８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述したような検査技術では、多くの回路素子が含まれる半導体デバイスの不良の箇所を特定するためには、ＥＯＰ、ＴＲＩＥＭ等による測定結果から解析が容易なデータを作成することが求められる。しかしながら、上記の従来の検査技術においては、不良箇所を効率的に特定するための解析手法が確立されているとは言い難い。【０００５】
実施形態は、半導体デバイスの不良箇所を効率的に解析することを可能にする解析方法、解析装置、解析プログラム、及び解析プログラムを記録する記録媒体を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面は、半導体デバイスを対象に光計測による解析処理を行う解析方法であって、第１の半導体デバイス上の複数の位置毎の光計測による時間波形である第１波形データを取得する第１計測ステップと、第２の半導体デバイス上の複数の位置毎の光計測による時間波形である第２波形データを取得する第２計測ステップと、前記第１の半導体デバイスの複数の位置毎の前記第１波形データと、当該複数の位置に対応する前記第２の半導体デバイスの複数の位置毎の前記第２波形データとの間で一致度を計算する計算ステップと、前記計算ステップによって計算された複数の位置毎の一致度を基に前記第１又は第２の半導体デバイスのいずれかの不良箇所を解析する解析ステップと、を備える。【０００７】
あるいは、本発明の他の側面は、半導体デバイスを対象に光計測による解析処理を行う解析装置であって、テスト信号が入力されている半導体デバイスからの光を検出する光検出器と、前記半導体デバイスからの光を前記光検出器に導光する光学系と、前記光検出器と電気的に接続された制御装置とを備え、前記制御装置は、第１の半導体デバイス上の複数の位置毎の前記光計測による時間波形である第１波形データと、第２の半導体デバイス上の複数の位置毎の前記光計測による時間波形である第２波形データとを取得する取得手段と、前記第１の半導体デバイスの複数の位置毎の前記第１波形データと、当該複数の位置に対応する前記第２の半導体デバイスの複数の位置毎の前記第２波形データとの間で一致度を計算する計算手段と、前記計算手段によって計算された複数の位置毎の一致度を基に前記第１又は第２の半導体デバイスのいずれかの不良箇所を解析する解析手段と、を有する。【０００８】
あるいは、本発明の他の側面は、コンピュータを、第１の半導体デバイス上の複数の位置毎の光計測による時間波形である第１波形データと、第２の半導体デバイス上の複数の位置毎の光計測による時間波形である第２波形データとを取得する取得手段、前記第１の半導体デバイスの複数の位置毎の前記第１波形データと、当該複数の位置に対応する前記第２の半導体デバイスの複数の位置毎の前記第２波形データとの間で一致度を計算する計算手段、及び前記計算手段によって計算された複数の位置毎の一致度を基に前記第１又は第２の半導体デバイスのいずれかの不良箇所を解析する解析手段として機能させる、解析プログラムである。【０００９】
あるいは、本発明の他の側面は、上記の解析プログラムを記録するコンピュータ読み取り可能な記録媒体である。【００１０】
上記いずれかの側面によれば、第１の半導体デバイスと第２の半導体デバイスとの間での対応する複数の位置における光計測結果である波形データの一致度が計算され、その一致度を基に第１又は第２の半導体デバイスの不良箇所が解析される。これにより、時間波形の一致度の半導体デバイス上の分布を基に不良箇所が解析可能とされるので、不良箇所を効率的に解析することができる。
【発明の効果】
【００１１】
実施形態によれば、半導体デバイスの不良箇所を効率的に解析することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態の解析装置である半導体デバイス検査装置１の概略構成を示すブロック図である。
【図２】図１の制御装置１８の機能構成を示すブロック図である。
【図３】図１の制御装置１８のハードウェア構成を示す図である。
【図４】図２の設定部２４によって処理されるマスクデータに含まれるポリゴンデータのイメージを示す図である。
【図５】図２の設定部２４によって測定座標系で設定された光計測の位置のイメージを示す図である。
【図６】図２の計測部２５によって検出される反射光のイメージを示す図である。
【図７】図２の画像生成部２７によって生成される一致度画像データのイメージを示す図である。
【図８】図２の計算部２６の処理対象である波形データによって表される時間波形を示す図である。
【図９】図２の計算部２６の処理対象である波形データによって表される時間波形を示す図である。
【図１０】図２の解析部２８による解析対象の一致度画像データの一例を示す図である。
【図１１】マスタデータから回路図を作成する機能の一例を説明するための図である。
【図１２】マスタデータから回路図を作成する機能の一例を説明するための図である。
【図１３】マスタデータから回路図を作成する機能の一例を説明するための図である。
【図１４】マスタデータから回路図を作成する機能の一例を説明するための図である。
【図１５】図２の解析部２８による位置追跡のイメージを説明するための図である。
【図１６】実施形態の半導体デバイス検査装置１における解析処理の動作手順を示すフローチャートである。
【図１７】実施形態の解析プログラムの構成を示すブロック図である。
【図１８】変形例における処理対象である波形データによって表される時間波形を示す図である。
【図１９】一致度の計算対象の両方の波形データによって表される時間波形を示す図である。
【図２０】一致度の計算対象の両方の波形データによって表される時間波形を示す図である。
【図２１】一致度の計算対象の両方の波形データによって表される時間波形を示す図である。
【図２２】一致度Ｓとその補正値Ｓｃとの関係を示すグラフである。
【図２３】制御装置１８によって並べて表示された一致度画像データＧＣＯＭと補正関数のグラフＧＰとのイメージを示す図である。
【図２４】制御装置１８によって並べて表示された一致度画像データＧＣＯＭと補正関数のグラフＧＰとのイメージを示す図である。
【図２５】制御装置１８によって並べて表示された一致度画像データＧＣＯＭと補正関数のグラフＧＰとのイメージを示す図である。
【図２６】一致度の計算対象の波形データによって表される時間波形を示す図である。
【図２７】一致度の計算対象の波形データによって表される時間波形を示す図である。
【図２８】一致度の計算対象の波形データによって表される時間波形を示す図である。
【図２９】一致度の計算対象の波形データによって表される時間波形を示す図である。
【図３０】移動一致度の計算対象の波形データによって表される時間波形、及び計算された移動一致度の時間変化を示す図である。
【図３１】移動一致度の計算対象の波形データによって表される時間波形、及び計算された移動一致度の時間変化を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１４】
図１は、実施形態の解析装置である半導体デバイス検査装置１の概略構成を示すブロック図である。図１に示されるように、半導体デバイス検査装置１は、測定対象の被検査デバイス（ＤＵＴ：Device  Under  Test）である半導体デバイス１０を対象に光計測を行うことによって、半導体デバイス１０の故障発生箇所（不良箇所）の特定等の解析を行うための装置である。
【００１５】
半導体デバイス１０としては、ダイオードやパワートランジスタ等を含む個別半導体素子（ディスクリート）、オプトエレクトロニクス素子、センサ／アクチュエータ、あるいは、ＭＯＳ（Metal-Oxide-Semiconductor）構造やバイポーラ構造のトランジスタで構成されるロジックＬＳＩ（Large Scale Integration）、メモリ素子、リニアＩＣ（Integrated  Circuit）等と、それらの混成デバイス等がある。また、半導体デバイス１０は、半導体デバイスを含むパッケージ、複合基板等であってもよい。
【００１６】
半導体デバイス検査装置１は、光源２を備えている。光源２は、ＬＥＤ（Light  Emitting  Diode）、ＳＬＤ（Super  Luminescent  Diode）光源等のインコヒーレント光源や、レーザ等のコヒーレント光源である。光源２は、第１電源３によって動作させられ、半導体デバイス１０に照射される光を出射する。光源２から出射された光は、プローブ光用の光ファイバ５を介して、スキャン光学系７に導光される。スキャン光学系（光走査部）７は、スキャンヘッド８及びレンズ系９を有しており、光ファイバ５を経由して導光された光を半導体デバイス１０上の所望の位置に２次元的に走査するように動作可能とされている。なお、スキャン光学系７及び半導体デバイス１０は、暗箱６内に配置されている。
【００１７】
光源２から出射された光が半導体デバイス１０に照射されたときに半導体デバイス１０で反射された反射光は、レンズ系９とスキャンヘッド８と戻り光用の光ファイバ１１とを含む光学系を介して、光センサ（光検出器）１２に導光される。光センサ１２は、第１電源３と別体で設けられた第２電源１３によって動作させられ、反射光を検出してその反射光の強度レベルを示す検出信号を出力する。例えば、光センサ１２は、光電子増倍管、ＰＤ（Photodiode）、ＡＰＤ（Avalanche  Photodiode）等の光検出素子を含む。光センサ１２は、アンプ１４を介して制御装置１８と電気的に接続され、光センサ１２から出力されて増幅された検出信号は、制御装置１８に入力される。制御装置１８は、さらに、ビームスキャンコントローラ２１及びテスタユニット２２と電気的に接続されている。制御装置１８は、時間的に連続して取得した検出信号に基づいて反射光の光強度の時間波形を示す波形データを取得し、その波形データを基に故障解析を行い、その結果得た故障解析の結果を、ディスプレイ等の出力デバイスあるいは外部の記憶媒体等に向けて出力する。
【００１８】
ビームスキャンコントローラ２１は、制御装置１８からの指示信号を基に、光源２及びスキャン光学系７を制御する。テスタユニット２２は、テスタ又はパルスジェネレータ等からなり、制御装置１８からの指示信号を基に、所定の電気信号（テスト信号）を半導体デバイス１０に印加する。これにより、電気信号が印加された状態の半導体デバイス１０を対象に、光源２からの光が複数の箇所（位置）に２次元的に走査されながらそれに応じて複数の箇所から生じた反射光が検出されることにより、半導体デバイス１０の解析処理が実行される。
【００１９】
次に、制御装置１８の構成についてより詳細に説明する。
【００２０】
まず、図２を参照して制御装置１８の機能構成について説明する。図２に示すように、制御装置１８は、機能的な構成要素として、データ読込部２３、設定部２４、計測部（取得手段）２５、計算部（計算手段）２６、画像生成部（画像生成手段）２７、及び解析部（解析手段）２８を含んで構成されている。
【００２１】
図３は、制御装置１８のハードウェア構成を示すブロック図である。図３に示すように、制御装置１８は、演算装置５０及びその外部に接続されたキーボード、マウス、ディスプレイ装置、データ読取装置、記憶媒体用ドライブ装置等の入出力デバイス１０６によって実現されている。演算装置５０は、物理的には、プロセッサであるＣＰＵ（Central Processing Unit）１０１、記録媒体であるＲＡＭ（Random  Access Memory）１０２又はＲＯＭ（Read Only Memory）１０３、通信モジュール１０４、及び入出力モジュール１０５等を含んだコンピュータ等であり、各々は電気的に接続されている。上述した制御装置１８の各機能部は、ＣＰＵ１０１及びＲＡＭ１０２等のハードウェア上に実施形態の解析プログラムを読み込ませることにより、ＣＰＵ１０１の制御のもとで、通信モジュール１０４、及び入出力モジュール１０５等を動作させるとともに、ＲＡＭ１０２におけるデータの読み出し及び書き込みを行うことで実現される。
【００２２】
以下、制御装置１８の各機能部の機能について詳細に説明する。
【００２３】
データ読込部２３は、外部からＤＵＴである半導体デバイス１０のマスクレイアウトを示すデータであるマスクデータを読み込む機能を有する。ここで、マスクデータは、一般に、半導体デバイス１０を製造するときに必要なフォトマスクの半導体基板上のレイアウト（形状および配置）を示すデータであり、半導体デバイス１０の各レイヤ毎にマスクのレイアウトを示すストリームデータ形式のデータである。このようなマスクデータは、半導体デバイスの設計時に設計者であるエンジニアにより作成され、半導体デバイスの製造時に製造者であるエンジニアにて利用される。例えば、マスクデータの標準フォーマットとしては、ＧＤＳ（Graphic  Data  System、登録商標）、ＯＡＳＩＳ（Open  Artwork  System  Interchange  Standard、登録商標）等が挙げられる。データ読込部２３は、半導体デバイス１０のすべてのレイヤのマスクレイアウトを含むマスクデータを読み込んでもよいが、少なくとも、半導体デバイス１０のゲート層レイヤのマスクレイアウトを含むマスクデータを読み込む。
【００２４】
設定部２４は、データ読込部２３によって読み込まれたマスクデータを参照し、マスクデータに含まれるゲート層レイヤのマスクレイアウトを示すポリゴンデータを基に、半導体デバイス１０における故障解析のための光計測に適したあるいは光計測が容易なトランジスタの位置を複数探索し、その複数の位置を光計測の対象の位置に設定する。
【００２５】
図４は、設定部２４によって処理されるマスクデータに含まれるポリゴンデータのイメージを示す図である。図４に示すように、ポリゴンデータは、半導体デバイス１０が構築される半導体基板の外縁６０を基準にしたゲート層レイヤ上の多角形のマスクパターン６１の形状およびその配置を表している。通常は、各マスクパターン６１は、外縁６０の一方向の辺６０Ａに沿って複数列で配列されている。
【００２６】
このようなポリゴンデータを対象に、設定部２４は、ゲート層レイヤ上の各マスクパターン６１において、一方向に沿った帯状のパターン７０から一方向に垂直な方向の辺６０Ｂに沿って２方向に伸びる帯状のパターン７１を認識し、そのパターン７１の幅Ｗ１が所定値以下であるマスクパターン６１を抽出する。そして、設定部２４は、抽出した各マスクパターン６１のうちのパターン７０，７１を基に、パターン７０から２方向のいずれかに伸びるパターン７１の本数を特定する。このとき、設定部２４は、特定したパターン７１の本数を、各マスクパターン６１毎にリスト化して、制御装置１８内のＲＡＭ１０２等のメモリ内のデータベース内に記憶する。さらに、設定部２４は、記憶したデータベース内のメモリを参照することにより、パターン７０から２方向に繋がって伸びるパターン７１の合計の本数を特定し、特定した合計の本数が所定の閾値以下であるマスクパターン６１を除外する。上記の抽出を行うことにより、設定部２４は、半導体デバイス１０の半導体基板を基準とした座標系（以下、基板座標系と言う。）において、相対的に駆動能力が高いトランジスタの位置に対応するゲート層を含むマスクパターン６１の位置を探索することができる。図４には、設定部２４によって最終的に抽出されたマスクパターン６１を斜線で示している。
【００２７】
さらに、設定部２４は、探索したマスクパターン６１の位置から、例えば、相対的に駆動能力が高いトランジスタの位置を決定する。例えば、設定部２４は、抽出したマスクパターン６１におけるパターン７０のいずれかの両端部（例えば右下と左上）又は中心の基板座標系における座標をトランジスタの位置として決定する。
【００２８】
また、設定部２４は、抽出した複数のトランジスタの位置を基に、光計測の位置を複数設定する。すなわち、設定部２４は、複数のトランジスタの基板座標系の座標を、ビームスキャンコントローラ２１及びテスタユニット２２で扱われる座標系（以下、測定座標系と言う。）の座標に変換する。この手法は、基板座標系の画像の特徴的なパターンと測定座標系の対応する特徴的なパターンを相互に対照し、座標系を互いに対応させる。この操作によって対応のための変換係数が求められ、この係数によって変換した座標を光計測の位置に設定する。なお、半導体デバイス検査装置１は、別途、半導体デバイス１０の２次元画像を取得するためのＣＭＯＳカメラ、又はＩｎＧａＡｓカメラ等の撮像装置を内蔵しておいて、撮像装置を用いて予め取得された半導体デバイス１０の２次元パターン画像を基に、トランジスタの座標を半導体デバイス１０上における測定座標系の座標に動的に変換してもよい。
【００２９】
図５には、設定部２４によって測定座標系で設定された光計測の位置のイメージを示している。設定部２４によって、測定座標系における半導体デバイス１０の半導体基板６３の位置が設定され（図５の（ａ）部）、測定座標系において、半導体基板６３上で複数の光計測の位置６４が設定される（図５の（ｂ）部）。
【００３０】
図２に戻って、計測部２５は、設定部２４によって設定された光計測の位置を基に、ビームスキャンコントローラ２１を制御すると同時に、テスタユニット２２による電気信号の印加を開始させることによって、光計測を実行させる。具体的には、計測部２５は、ビームスキャンコントローラ２１に対して光計測の位置を指示するための指示信号を出力し、半導体デバイス１０における光計測の位置に光を照射させながらその位置からの反射光の検出信号を出力させる。１箇所の光計測は、半導体デバイス１０に電気信号を印加しながら所定時間継続される。さらに、計測部２５は、このような光計測を、設定部２４によって設定された複数の光計測の位置毎に繰り返し実行する。また、計測部２５は、光計測によって得られた光計測の位置毎の検出信号を基に、光計測の位置毎に反射光強度の時間波形を示す波形データを取得する。
【００３１】
図６には、計測部２５によって検出される反射光のイメージを示している。計測部２５は、設定部２４によって設定された半導体デバイス１０の半導体基板６３上の複数の光計測の位置６４（図６の（ａ）部）を対象に光計測を実行し、不良品である半導体デバイス１０を対象として光計測を実行して複数の光計測の位置に対応する反射光強度の波形データＤ１（ｔ），Ｄ２（ｔ）を取得した後（図６の（ｂ）部）、良品である半導体デバイス１０を対象として光計測を実行して複数の光計測の位置に対応する反射光強度の波形データＤＡ１（ｔ），ＤＡ２（ｔ）を取得する（図６の（ｃ）部）。
【００３２】
再び図２に戻って、計算部２６は、計測部２５によって取得された不良品の半導体デバイス１０を対象に得られた光計測の位置毎の波形データと、計測部２５によって取得された良品の半導体デバイス１０を対象に得られた光計測の位置毎の波形データとを用いて、波形データの間の一致度を計算する。すなわち、計算部２６は、不良品の半導体デバイス１０に関する１つの位置の波形データと、良品の半導体デバイス１０に関するその位置に対応する位置の波形データとの間において、時間波形の振幅の変化の一致度を計算する。さらに、計算部２６は、２つの波形データ間での一致度の計算を、互いに対応する複数の位置に関して繰り返す。画像生成部２７は、計算部２６で計算された半導体デバイス１０上の複数の位置毎の一致度を二次元座標上にマッピングすることにより一致度画像データを生成する。
【００３３】
図７には、画像生成部２７によって生成される一致度画像データのイメージを示している。計算部２６は、計測部２５によって取得された不良品の半導体デバイス１０の波形データＤ１（ｔ），Ｄ２（ｔ）（図７の（ａ）部および（ｂ）部）と、良品の半導体デバイス１０の波形データＤＡ１（ｔ），ＤＡ２（ｔ）（図７の（ｃ）部および（ｄ）部）とを、同一の光計測の位置に対応するデータ間で比較することにより一致度を計算する。このとき、不良品の半導体デバイス１０を対象とした光計測時の測定座標系の光計測の位置と、良品の半導体デバイス１０を対象とした光計測時の測定座標系の光計測の位置との対応をとる際には、両者のイメージ画像を基に導出されたマッチング情報等の座標変換情報を用いる手法（国際公開WO2015/098343号公報参照）が適用される。また、このとき、半導体デバイス１０の基板座標系の座標を測定座標系の座標に変換する際に用いた手順を、不良品の半導体デバイス１０を対象とした光計測時の測定座標系の光計測の位置と、良品の半導体デバイス１０を対象とした光計測時の測定座標系の光計測の位置との対応をとる際に適用してもよい。さらに、画像生成部２７は、半導体デバイス１０上の２次元座標上で、各光計測の位置における波形データの一致度の高低を濃淡で示す一致度画像データＧＣＯＭ（図７の（ｅ）部）を生成する。
【００３４】
ここで、計算部２６による一致度の計算手順の詳細について説明する。図８及び図９には、計算部２６の処理対象の波形データの例を示している。
【００３５】
一致度の計算手順の一例としては、計算対象の２つの波形データの時間波形における立上り及び立下りのタイミングが一致しているかを評価する評価値を一致度として計算することが挙げられる。例えば、図８の（ａ）部に示す時間波形を示す波形データＤ３（ｔ）と、図８の（ｂ）部に示す時間波形を示す波形データＤＡ３（ｔ）とを対象にした場合には、計算部２６は、それぞれのデータを対象に、所定のクロックサイクルで時間波形における振幅が所定の閾値Ｔｈ１を越えているか否かを判定し、その判定結果が変化する変化タイミングを記録する。この記録した変化タイミングは、時間波形の立上り及び立下りのタイミングとなる。例えば、図８の（ａ）部に示す時間波形における立上り及び立下りのタイミングは変化タイミングｔ１〜ｔ８と記録され、図８の（ｂ）部に示す時間波形における立上り及び立下りのタイミングは変化タイミングｔＡ１〜ｔＡ８と記録される。
【００３６】
そして、計算部２６は、２つの波形データ間で記録された変化タイミングのずれが一定の時間範囲（例えば、１クロックサイクル）以内であるか否かを点数で評価し、評価した点数をすべての変化タイミングについて加算する。さらに、計算部２６は、全ての変化タイミングにおける加算点数の割合を一致度として計算する。例えば、図８の（ａ）部及び（ｂ）部に示す時間波形の例においては、１回の変化タイミングが一致している場合に点数２とカウントされ、８つの変化タイミングに対して５つの変化タイミングが一致していると評価され、一致度は、２×５／（２×８）＝６２．５％と計算される。
【００３７】
この計算手順においては、ＥＯＰによる波形取得の場合には、逆位相の時間波形を示す波形データを対象に計算される一致度は同じ値として計算される。例えば、図８の（ａ）部に示す時間波形を示す波形データＤ３（ｔ）と、図８の（ｃ）部に示す波形データＤＡ３（ｔ）の時間波形と逆位相の時間波形を示す波形データＤＢ３（ｔ）を対象とした場合を考える。この波形データＤＢ３（ｔ）を対象にして記録される変化タイミングｔＢ１〜ｔＢ８は、波形データＤＡ３（ｔ）における変化タイミングｔＡ１〜ｔＡ８と一致している。そのため、波形データＤ３（ｔ）と波形データＤＢ３（ｔ）を対象にして計算される一致度は、同じ値の６２．５％と計算される。
【００３８】
なお、上記の計算手順で用いられる閾値はオペレータが任意の値を入力してもよく、処理対象の波形データを基に自動で設定されてもよい。例えば、波形データの最大値及び最小値の中央値を最初の閾値の初期値とし、その閾値で上下に分けた波形データの閾値以上の値の平均値と、閾値以下の値の平均値との平均を第１段階の閾値として計算する。ここで閾値が決まる場合もあるが、オペレータがその閾値を適当でないと判断した場合には、さらに、同じ操作を再度又は複数回繰り返すことで最終的な閾値を計算してもよい。
【００３９】
また、一致度の計算手順の他の例としては、計算対象の２つの波形データの時間波形において閾値との比較結果を複数タイミングで計算し、その複数のタイミングでの比較結果を基に一致度を計算することが挙げられる。例えば、図９の（ａ）部に示す時間波形を示す波形データＤ３（ｔ）と、図９の（ｂ）部に示す時間波形を示す波形データＤＡ３（ｔ）とを対象にした場合には、計算部２６は、それぞれのデータを対象に、所定のクロックサイクルで時間波形における振幅が所定の閾値Ｔｈ１を越えているか否かを判定し、その判定結果をクロックサイクル毎に記録する。例えば、閾値Ｔｈ１を越えている場合は判定結果“１”と、閾値Ｔｈ１を越えていない場合は判定結果“−１”と記録する。この記録した判定結果は、時間波形における振幅の高低（変化）を示すものとなる。例えば、図９の（ａ）部に示す時間波形におけるクロックサイクル毎の判定結果は、時間順に“１”、“１”、“１”、“−１”と記録され、図９の（ｂ）部に示す時間波形におけるクロックサイクル毎の判定結果は、時間順に“１”、“１”、“１”、“−１”と記録される。
【００４０】
そして、計算部２６は、２つの波形データ間で記録された判定結果の値を乗算したうえで全てのクロックサイクルで加算し、加算した値の絶対値を計算する。さらに、計算部２６は、全てのクロックサイクルにわたる加算値の絶対値をクロックサイクル数で除算した結果を一致度として計算する。例えば、図９の（ａ）部及び（ｂ）部に示す時間波形の例においては、全てのクロックサイクルの加算値＝１４と計算され、クロックサイクル数＝２０から、一致度は、１４／２０＝７０％と計算される。
【００４１】
この計算手順においては、逆位相の時間波形を示す波形データを対象に計算される一致度は同じ値として計算される。例えば、図９の（ａ）部に示す時間波形を示す波形データＤ３（ｔ）と、図９の（ｃ）部に示す波形データＤＡ３（ｔ）の時間波形と逆位相の時間波形を示す波形データＤＢ３（ｔ）を対象とした場合を考える。この波形データＤＢ３（ｔ）を対象にして記録される判定結果“−１”、“−１”、“−１”、“１”は、波形データＤＡ３（ｔ）における判定結果に対して符号が反転したものとなっている。そのため、波形データＤ３（ｔ）と波形データＤＢ３（ｔ）を対象にして計算される一致度は、同じ値の７０％と計算される。
【００４２】
なお、一致度の計算手順は上述したような信号の変化タイミングを比較する時系列解析のような手法に限らず、波形の状況に応じて適当な他の手法を選択してもよい。例えば、正常状態と異常状態がデバイスの動作周波数によって変化するサンプルを解析する場合は、同じテストベクトルの区間でもクロック周波数が異なり、比較すべき波形が時間的に伸縮することがある。この場合、波形の遷移タイミング比較ではなく、時間幅を合わせる処理を実行した上で比較することが必要になる。このように波形の比較では、単純な遷移のタイミング比較以外に、必要に応じて動的に時間を伸縮する手法を採用してもよい。
【００４３】
再び図２に戻って、解析部２８は、画像生成部２７によって生成された一致度画像データを基に、不良品の半導体デバイス１０の不良箇所を解析し、その結果取得した解析データを出力する。すなわち、解析部２８は、一致度画像データを用いて、基板座標系における複数の光計測の位置を追跡し、不良の可能性が高い位置を追跡によって特定する。そして、解析部２８は、追跡によって不良の可能性が高いと特定された位置と、その前後の位置に関して、不良品の半導体デバイス１０を対象に計測部２５を介して詳細な波形データを取得して、その波形データを基板座標系における光計測の位置を示すデータとともにディスプレイ装置、記憶媒体、外部装置等に出力する。このような波形データを論理シミュレーションによって得られた波形データと比較することによって、不良箇所の絞り込みが可能とされる。なお、追跡によって一致度画像データの視野外に位置が出てしまった場合は、設定した回数だけ追跡を継続し、それでも視野内に戻ってこない場合は、視野内から最初に外れた位置を次の視野の中心に設定してから、光計測の位置の設定、光計測の実行、一致度画像データの生成、位置の追跡を繰り返す。
【００４４】
図１０には、解析部２８による解析対象の一致度画像データの一例を示している。図１０に示すような一致度画像データＧＣＯＭを対象にして、解析部２８は、追跡を開始する位置Ｐ０を設定する。例えば、位置Ｐ０としては、全体の画像上の一致度が比較的低い左下隅の光計測の位置が設定される。そして、解析部２８は、その位置Ｐ０から繋がる電気的な接続経路を推定し、その接続経路の信号伝達方向に対して遡上するように位置を追跡する。例えば、解析部２８は、位置Ｐ０、位置Ｐ２、位置Ｐ３、位置Ｐ４、位置Ｐ５の順で信号伝達方向に対して遡上するように位置を検索する。このとき、位置Ｐ０に繋がる接続経路上には位置Ｐ１と位置Ｐ２とが存在しているが、位置Ｐ０から位置Ｐ１に向かう方向が信号伝達方向であり、位置Ｐ０から位置Ｐ２に向かう方向が信号伝達方向に対する遡上方向であるため、位置Ｐ０から位置Ｐ２に位置が追跡される。また、位置Ｐ０に対して遡上方向に繋がる位置が複数存在する場合には、より一致度の低い位置が追跡される。さらに、解析部２８は、一致度が所定の閾値よりも高くなる位置Ｐ６に到達したところで追跡を停止する。このようにすれば、半導体デバイス１０における不良な信号伝達経路を推定することが可能となる。追跡を停止した際には、解析部２８は、停止時の位置の直前の位置を不良の可能性が高い箇所として特定する。
【００４５】
ここでは、位置追跡のルートの候補である接続経路及びその経路上における信号伝達方向は、半導体デバイスに関するマスクデータから、半導体デバイス１０上に構築されている電気回路の回路図を作成することによって推定される。また、追跡停止を決定するための閾値は一致度の分布等から自動的に計算して設定してもよい。
【００４６】
ここで、解析部２８による半導体デバイス１０上の電気回路の回路図の作成機能について説明する。
【００４７】
図１１は、マスタデータから回路図を作成する機能の一例を説明するための図である。解析部２８は、マスタデータによって、半導体デバイス１０におけるゲート層レイヤ、拡散層レイヤ、メタル層レイヤ、コンタクト、及びスルーホール等のレイアウトを認識する。例えば、図１１に示すように、ｎ型ウェル８０ｎ及びｐ型ウェル８０ｐ上におけるｐ型拡散層８１ｐ、ｎ型拡散層８１ｎ、ゲート層７１、メタル層８２、及びコンタクト８３のレイアウトを認識する。解析部２８は、その認識結果を基に、拡散層８１ｐ，８１ｎをゲート層７１が横切り、それぞれの拡散層にコンタクト８３が存在する領域を、トランジスタ８４ｐ，８４ｎと特定する。拡散層８１ｐ，８１ｎがｐ型であるかｎ型であるかの記述がマスタデータに含まれていれば、トランジスタ８４ｐがＰＭＯＳ（p-Channel  Metal-Oxide  Semiconductor）であり、トランジスタ８４ｎがＮＭＯＳ（n-Channel  Metal-Oxide  Semiconductor）であることが判別できる。そのような記述がマスタデータに含まれていない場合には、ゲート層７１の中央部を横切るパターン７０（図４）が上下のどちらによっているかに応じてＰＭＯＳであるかＮＭＯＳであるかを判別する。詳細には、パターン７０からゲート層７１の先端までの長さが長いほうをＰＭＯＳ、短いほうをＮＭＯＳとする。このとき、ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳの判別は、コンタクト８３が存在する位置によっても可能とされる。また、解析部２８は、ＰＭＯＳ側のメタル層８２が電源電圧Ｖｄｄに接続されており、ＮＭＯＳ側のメタル層８２がグランド電圧Ｖｓｓに接続されていると判断する。
【００４８】
解析部２８は、さらに、特定したトランジスタ８４ｐ，８４ｎの各端子（コンタクト８３）がどこに接続されているかを追跡する。解析部２８は、追跡した先が他のトランジスタの端子であればそれに繋がっていることを認識する。各端子の接続先についてはゲート層７１か拡散層８１ｐ，８１ｎに繋がっているところまで追跡する。追跡の結果、解析部２８は、図１１に示すような回路図８５を作成する。さらに、解析部２８は、トランジスタの向きを変更し成形することでインバータの回路図８６を作成する。これらの回路図において、ゲート層に繋がっているほうの端子を入力端子Ｉとして、拡散層に繋がっているほうの端子を出力端子Ｏとして作成される。ただし、トランスファーゲートの回路図においては、拡散層に繋がっている端子が入力端子Ｉとして作成される場合もある。
【００４９】
図１２、図１３、及び図１４は、マスタデータから解析部２８が作成する他の回路図を示している。これらの図に示すように、解析部２８は、同様の手順により、マスタデータから、ＮＡＮＤ回路の回路図８７、ＮＯＲ回路の回路図８８、トランスファーゲートの回路図８９等を、それぞれの回路ブロック間の入力及び出力における接続関係も含めて作成する。ただし、解析部２８は、図１１〜１４に示すような詳細な回路図までを作成せずに、回路ブロック間の入力および出力間の接続関係の情報のみを作成してもよい。例えば、図１５に示すように、回路ブロック９０Ａ、９０Ｂ、９０Ｃ、９０Ｄの順で信号が伝達することを認識できれば、一致度画像データにおける一致度を基に、回路ブロック９０Ｄ内の光計測の位置ＰＤ、回路ブロック９０Ｃ内の光計測の位置ＰＣ、回路ブロック９０Ｂ内の光計測の位置ＰＢ、回路ブロック９０Ａ内の光計測の位置ＰＡの順で位置の追跡が為される。
【００５０】
次に、上述した半導体デバイス検査装置１の光計測の動作を説明するとともに、実施形態に係る解析方法の流れについて詳述する。図１６は、半導体デバイス検査装置１における光計測の動作手順を示すフローチャートである。
【００５１】
最初に、半導体デバイス検査装置１のオペレータからの指示入力により光計測が開始されると、制御装置１８のデータ読込部２３によって半導体デバイス１０に関するマスクデータが読み込まれる（ステップＳ０１）。次に、制御装置１８の設定部２４によって、半導体デバイス１０における相対的に駆動能力が高いトランジスタの位置が探索される（ステップＳ０２）。その後、半導体デバイス検査装置１に良品の半導体デバイス１０がセットされ、制御装置１８の設定部２４により、測定座標系における半導体デバイス１０上の光計測の位置が設定される（ステップＳ０３）。そして、制御装置１８の計測部２５により、設定された光計測の位置を対象にした光計測の実行が制御され、光計測の位置毎に反射光強度の波形データが取得される（ステップＳ０４；第１計測ステップ）。
【００５２】
次に、不良品の半導体デバイス１０が半導体デバイス検査装置１にセットされ、制御装置１８により、良品の半導体デバイス１０を対象とした光計測時の測定座標系の光計測の位置と不良品の半導体デバイス１０を対象とした光計測時の測定座標系の光計測の位置との対応をとるための座標変換情報が取得される（ステップＳ０５）。その後、制御装置１８の設定部２４により、測定座標系における半導体デバイス１０上の光計測の位置が設定される（ステップＳ０６）。そして、制御装置１８の計測部２５により、設定された光計測の位置を対象にした光計測の実行が制御され、光計測の位置毎に反射光強度の波形データが取得される（ステップＳ０７；第２計測ステップ）。
【００５３】
さらに、制御装置１８の計算部２６により、良品の波形データと不良品の波形データを基に、複数の光計測の位置毎の一致度が計算される（ステップＳ０８；計算ステップ）。その後、制御装置１８の画像生成部２７により、計算された一致度が画像座標上にマッピングされた一致度画像データが生成される（ステップＳ０９；画像生成ステップ）。
【００５４】
次に、制御装置１８の解析部２８により、一致度画像データを対象に、位置計測の始点が設定され、その始点を含む領域の回路図がマスタデータを基に作成される（ステップＳ１０；解析ステップ）。その後、解析部２８により、一致度画像データ上で回路図を用いて接続経路及び信号伝達方向が推定されながら光計測の位置が追跡される（ステップＳ１１；解析ステップ）。そして、解析部２８により、追跡結果を基に複数の光計測の位置が設定され、それらの位置における詳細な反射光強度の波形データが取得される（ステップＳ１２；解析ステップ）。最後に、解析部２８により、取得された詳細な波形データと、それに対応する基板座標系における光計測の位置を示すデータとが対応付けて出力される（ステップＳ１３）。
【００５５】
次に、図１７を参照して、コンピュータを上記半導体デバイス検査装置１の制御装置１８として機能させるための解析プログラムを説明する。
【００５６】
解析プログラムＰ１は、メインモジュールＰ１０、データ読込モジュールＰ１５、設定モジュールＰ１６、計測モジュールＰ１７、計算モジュールＰ１８、画像生成モジュールＰ１９、及び解析モジュールＰ２０を備えている。
【００５７】
メインモジュールＰ１０は、解析動作を統括的に制御する部分である。データ読込モジュールＰ１５、設定モジュールＰ１６、計測モジュールＰ１７、計算モジュールＰ１８、画像生成モジュールＰ１９、及び解析モジュールＰ２０を実行することにより実現される機能は、それぞれ、制御装置１８のデータ読込部２３、設定部２４、計測部２５、計算部２６、画像生成部２７、及び解析部２８の機能と同様である。
【００５８】
解析プログラムＰ１は、例えば、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤもしくはＲＯＭ等のコンピュータ読み取り可能な記録媒体または半導体メモリによって提供される。また、解析プログラムＰ１は、搬送波に重畳されたコンピュータデータ信号としてネットワークを介して提供されてもよい。
【００５９】
上述した半導体デバイス検査装置１によれば、不良品の半導体デバイス１０と良品の半導体デバイス１０との間での対応する複数の位置における光計測結果である波形データの一致度が計算され、その一致度が座標上にマッピングされた一致度画像データが生成される。さらに、その一致度画像データを基に不良品の半導体デバイス１０の不良箇所が解析される。これにより、時間波形の一致度の半導体デバイス１０上の分布を基に不良箇所が解析可能とされるので、不良箇所を効率的に解析することができる。
【００６０】
また、半導体デバイス検査装置１においては、一致度画像データを用いて一致度の比較的低い座標上の位置から一致度の比較的高い座標上の位置まで位置が追跡されることにより、不良箇所が特定される。このようにすることによって、故障の原因となっている箇所を位置追跡によって解析することができ、より効率的に不良箇所を特定することができる。
【００６１】
また、半導体デバイス１０に関するマスクデータを基に回路図が作成され、回路図を基に位置追跡のルートが決定される。この場合、回路図を基に回路ブロック間の信号伝達方向を加味しながら位置追跡を行うことができ、確実に不良箇所を特定することができる。
【００６２】
さらに、一致度画像データにおける一致度は、波形データ間の時間波形の振幅の変化の一致の度合いとして計算されている。この場合、半導体デバイス１０における不良箇所が振幅変化の一致度を用いて適切に特定できる。一方で、一致度画像データにおける一致度は、波形データ間の立上り及び立下りのタイミングの一致の度合いとしても計算可能とされている。この場合も、容易に半導体デバイス１０の不良箇所を特定することができる。
【００６３】
また、電気信号が入力されている不良品／良品の半導体デバイス１０における複数の位置に光を照射し、複数の位置からの反射光を計測して波形データが取得されている。これにより、半導体デバイス１０内の複数の位置を対象に光照射に応じた反射光を計測することにより、容易に半導体デバイス１０の不良箇所の解析を行うことができる。
【００６４】
以上、本発明の種々の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、各請求項に記載した要旨を変更しない範囲で変形し、又は他のものに適用したものであってもよい。
【００６５】
例えば、上記実施形態では、不良品の半導体デバイス１０と良品の半導体デバイス１０との間での対応する複数の位置における光計測結果である波形データの一致度が計算され、その一致度が座標上にマッピングして生成された一致度画像データを基に不良品の半導体デバイス１０の不良箇所が解析していたが、必ずしも一致度画像データを生成する必要はない。例えば、複数の位置における一致度のリストを生成し、一致度の低い順にソートして表示させたリストを基に半導体デバイスの不良解析を行ってもよい。
【００６６】
また、上記実施形態では、必ずしも光源２を備える必要はなく、半導体デバイス１０を対象にした光計測は、光計測の位置における発光を計測することにより行われてもよい。例えば、半導体デバイス検査装置１においては、電気信号が入力されている状態の不良品の半導体デバイス１０及び良品の半導体デバイス１０を対象にして、ＴＲＩＥＭによる光計測が実行されてもよい。ＴＲＩＥＭによれば、不良品の半導体デバイス１０及び良品の半導体デバイス１０内のトランジスタにおいて、ゲート電圧がハイ電圧とロー電圧との間で遷移するタイミングでソース−ドレイン間を走行するホットキャリアに応じた発光が検出される。
【００６７】
ただし、ＴＲＩＥＭによる光計測を行う機能が実装された半導体デバイス検査装置１においては、計測部２５によって取得された発光強度の波形データには、トランジスタの発光タイミングでのスパイクが含まれるため、次のようにして一致度を計算する機能を有する。
【００６８】
図１８には、変形例にかかる制御装置１８において、対応する光計測の位置を対象にしたＴＲＩＥＭによる光計測によって取得される発光強度の波形データの一例を示している。図１８の（ａ）部に示すように、不良品の半導体デバイス１０に関しては、複数の時刻ｔＣ１，ｔＣ２，…ｔＣＮ（Ｎは整数）の発光タイミングでスパイクが観測され、図１８の（ｂ）部に示すように、良品の半導体デバイス１０に関しては、複数の時刻ｔＤ１，ｔＤ２，…ｔＤＭ（Ｍは整数）の発光タイミングでスパイクが観測される。このような波形データを対象にして、制御装置１８の計算部２６は、図１８の（ｃ）部に示すように、波形データの振幅を所定の閾値Ｔｈ２と比較することで、それぞれの波形データにおけるスパイクの発生タイミングｔＣ１，ｔＣ２，…ｔＣＮ，ｔＤ１，ｔＤ２，…ｔＤＭを複数検出する。このとき、計算部２６は、閾値Ｔｈ２を超える時刻が連続した場合、中心時刻をスパイクの発生タイミングとして検出し、閾値をＴｈ２超える時刻が所定時間継続しない場合にはノイズとして無視する。
【００６９】
そして、本変形例にかかる計算部２６は、一方の波形データにおいて検出した発生タイミングｔＣ１，ｔＣ２，…ｔＣＮと、他方の波形データにおいて検出した発生タイミングｔＤ１，ｔＤ２，…ｔＤＭとの間でそれぞれの時刻の一致／不一致を評価し、その評価結果の値を基に一致度を求める。例えば、計算部２６は、一致／不一致に対して評価点“１”／“０”を与え、全体の発生タイミングの評価回数に対する合計の評価点の割合を求めて一致度としてもよい。この際の発生タイミングの一致／不一致の評価は、測定系のジッタの影響を除去するために、発生タイミングのずれが測定系のクロック周期の半分等の所定期間以下であれば一致と評価するように行われてもよい。
【００７０】
上述した実施形態の計算部２６における波形データの間の一致度の計算方法については、上記の手法以外にも、相関計算を利用した下記の手法を採用することが可能である。ここで、一方の波形データを複数の時間タイミングの時系列データｘ（ｋ）（ｋは１からＮまでの自然数）とし、他方の波形データを複数の時間タイミングの時系列データｙ（ｋ）（ｋは１からＮまでの自然数）とする。ここでｘ（ｋ）とｙ（ｋ）はそれぞれの平均値を中心値としたデータとなっている。
【００７１】
まず、下記式（１）に示すように、それぞれの時間タイミングｋにおいて両方の波形データが乗算され、乗算値が時間タイミングｋ＝１〜Ｎまで加算されて相関値Ｒが求められる。
【数１】
2019102682.tif 000003
そして、下記式（２）〜（３）に示すように、相関値Ｒが各波形データの平方和の平方根で除算され、その絶対値が一致度Ｓとして求められる。これらの計算式により波形の大きさが異なっている場合でも値が正規化され、一致度Ｓの最大値は１となる。ここで、絶対値が求められているのは、ＥＯＰ波形は条件によって反転する場合があるため、波形が反転した場合の一致度も高い値として求めるためである。なお、一般的な相関係数の計算式は、式（２）から絶対値の記号を除いた式で表される。
【数２】
2019102682.tif 000004
【数３】
2019102682.tif 000005
【００７２】
また、上記ではＥＯＰの波形データの平均値を中心値としたデータを使用したが、一般的なデータの場合には、下記式（４）のように、波形データｘ（ｋ），ｙ（ｋ）の平均値；
【数４】
2019102682.tif 000006
を用いて一致度Ｓが計算されてもよい。
【数５】
2019102682.tif 000007
【００７３】
図１９〜２１には、それぞれ、一致度Ｓの計算対象の両方の波形データによって表される時間波形を示している。図１９の（ａ）部及び（ｂ）部に示す２つの波形データは、互いに完全に一致した波形に対してノイズ要素０．２でノイズが加わった時間波形を有する。この「ノイズ要素が加わった波形」とは、波形の高さ±１に対して、その数値の幅の乱数を加えた波形のことをいう。これらの波形データを対象に上記式（４）を用いて一致度が計算された場合は、一致度Ｓ＝０．９９７と計算される。図２０の（ａ）部及び（ｂ）部に示す２つの波形データは、互いに完全に一致した波形に対してノイズ要素２．０でノイズが加わった時間波形を有し、これらを対象とした場合は一致度Ｓ＝０．７３４と計算される。図２１の（ａ）部及び（ｂ）部に示す２つの波形データは、互いに完全に一致した波形に対してノイズ要素４．０でノイズが加わった時間波形を有し、これらを対象とした場合は一致度Ｓ＝０．４０２と計算される。つまり、相関係数による計算では、波形に重畳されるノイズが一致度に影響を与えることになる。ノイズは波形取得時の装置やサンプル、あるいは、周辺機器の状況によって異なっており、一概に閾値を設けて一致度の高低を区分けすると判断を誤る。このため、何らかの補正計算が必要となる。
【００７４】
今回、この補正計算の方法としてSigmoid補正を採用することとした。Sigmoid補正は下記式（５）に示すSigmoid関数を使用した補正方法である。
【数６】
2019102682.tif 000008
上記式（５）による補正以外にも一致度が相対的に高い状況ではγ補正も採用でき、一致度Ｓは各種の補正方法によって補正されてよい。しかし、γ補正では補正のフレキシビリティが足らない場合もあり、より有効な補正にはSigmoid関数の適用が望ましい。上記式（５）中、値Ｓは補正前の一致度であり、値Ｓｃは補正された一致度を示している。また、上記式（５）中のSigmoid関数にはパラメータとしてはゲインａと閾値ｈが含まれている。ゲインａはどれぐらい急激に補正値を変化させるかを示す値であり、閾値ｈはどこから補正値が変化するかを示す値となっており、この補正式を適用する際には、適当なゲインａと閾値ｈが予め設定される。
【００７５】
式（５）に含まれるパラメータの設定方法としては以下の方法を適用することができる。まず、取得される波形が一致していることが分かっている箇所の波形データを良品と不良品の両方を対象に取得しておく。この箇所としては、例えば、クロックバッファーのようにＥＯＰ波形の取得が容易で、確実に動作している箇所が選択されればよい。このようにして取得された波形データを対象に計算される一致度Ｓであってもノイズの影響で低下している。計算される一致度Ｓが例えば０．５であった場合、実際の波形の一致度は高いことが想定されるため、補正後の一致度Ｓｃが高い値（例えば、０．９５）になるようにパラメータが設定される。また、上記式（５）は、下記式（６）のように変形できる。
【数７】
2019102682.tif 000009
ここで、ゲインａを３０とし、一致度Ｓが０．５と計算されるときに補正値Ｓｃが０．９５となるような条件を設定すると、その条件では閾値ｈが０．４０と決定できる。図２２には、このような条件でパラメータが決定された一致度Ｓと補正値Ｓｃとの関係を示している。この関係においては、補正前の一致度Ｓ＝０．５に対する補正値Ｓｃ＝０．９５の値から、補正値Ｓｃが一致度Ｓの低下方向において急激に変化する。これにより、波形の変化に敏感な補正値Ｓｃが計算されることになる。この時、ゲインａ＝３０と設定されているが、この値も次の方法によって適切な値に設定される。
【００７６】
つまり、ゲインａの設定方法としては、次に示す方法が採用できる。ここでは、一致度画像データＧＣＯＭを用いて一致度画像をディスプレイ装置の画面に表示させた状態で、例えば、一致度画像上にスクロールバーを設けて、スクロールバーをユーザに操作させることでゲインａの値を変化させる機能を、制御装置１８に持たせる。さらに、変動するゲインａに対応して計算された一致度を基にリアルタイムで取得される一致度画像と、一致度Ｓと補正値Ｓｃとの関係を示す補正関数のグラフＧＰとを並べて表示させるような機能も、制御装置１８に具備させる。例えば、一致度が高ければ明度が高く、一致度が低ければ明度が低くなるように一致度画像を表示させる。この補正関数のグラフの表示機能は、一致度Ｓの変化の範囲を例えば網掛け等で表示させる機能も含んでいる。このような機能により、例えば、ゲインａが適正な値より小さい値に設定された場合には一致度画像の各点が同等の高い一致度を示し、全ての点が明るく表示される（図２３）。逆にゲインａが適正な値より大きな値に設定された場合には、全ての点が暗く表示される（図２４）。このように、ゲインａが大きすぎても小さすぎても、一致度の変化を明確に確認することが困難である。一方、ゲインａが適正な値に調整された場合には、一致度の違いを明確に確認できる（図２５）。このときの補正関数のグラフＧＰは一致度Ｓが変化している範囲が補正関数の変化の大きな範囲に入っている。このような制御装置１８の機能を利用して、ユーザにゲインａの値を変化させながら一致度画像及び補正関数のグラフを確認させることにより、ゲインａを適正な値に設定させることができる。なお、閾値ｈは、ゲインａの変化に従って、波形が一致している箇所に関して計算された一致度（例えば、０．８）が予め設定された高い補正値（例えば、０．９５）に補正されるように、上記式（６）に従って計算及び設定される。
【００７７】
上記一致度の計算方法およびパラメータ設定方法を用いた処理の例について説明する。
【００７８】
図２６の（ａ）部及び（ｂ）部には、取得される波形が一致しているとわかっている２つの箇所を対象に取得された２つの波形データの時間波形を示している。これらの波形データを対象に処理したところ、一致度Ｓ＝０．９６４と計算された。補正後の一致度Ｓｃ＝０．９５となり、かつ、一致度Ｓが変化している範囲が補正関数の変化の大きな範囲に入るようにパラメータを決定した結果、ゲインａ＝１５、閾値ｈ＝０．７６８と計算された。
【００７９】
上記のように調整されたパラメータを用いて一致度を計算した。図２７の（ａ）部には、一致度の計算対象の一方の波形データの時間波形を示し、図２７の（ｂ）部〜（ｆ）部には、それぞれ、一致度の計算対象の他方の波形データの時間波形であって、一方の波形データに対して同じ波形、反転した波形、１つの山が消失した波形、途中から遅延が発生した波形、途中から信号が停止した波形を示す。図２７（ｂ）部〜（ｆ）部を対象に計算した補正前の一致度Ｓは、それぞれ、０．８７７、０．９７１、０．７８７、０．３００、０．４１０と計算され、波形の変形度合いが高まるに従って、一致度が低下している。なお、ここで反転波形は通常では一致度が低いと見積もられる波形だが、ＥＯＰ解析においては焦点設定によっては比較的容易に波形が反転することがある。そのため、反転波形に対しても高い一致度となるように、一致度計算では絶対値を計算するようにしている。このことは、前述した通りである。一致度Ｓの変化が波形の変化に比べて緩やかなため、一致度Ｓに上述したSigmoid関数を用いた補正が行われている。その結果、それぞれの一致度Ｓは、０．８３６、０．９５４、０．５７０、０．００１、０．００５と、明らかに波形が変化している、１つの山が消失した波形、途中から遅延が発生した波形、途中から信号が停止した波形に対しては、低い一致度Ｓｃに補正されている。これを一致度画像に変換した際の認識が容易になり、一致度の補正に効果があることが確認できた。
【００８０】
上記の実施例では、図２３、図２４、及び図２５に示したように、一致度マップを視認しつつ、ゲインaを定めたが、計算だけでゲインと閾値hを定める方法も適用可能である。例えば、元々の一致度の最大値をS(max)、最小値をS(min)とする。これに対して、Sigmoid補正後に最大の一致度に設定する値をS(high)、最小の一致度に設定する値をS(low)とする。例えば、S(high)＝0.95、S(low)＝0.05というような値となる。閾値ｈは式（６）で表されるが、これはS(max)、 S(high)とS(min)、S(low)の組み合わせでも同じとなる。つまり、下記式（７）が成立する。
【数８】
2019102682.tif 000010
上記式（７）から計算するとゲインａは下記式（８）で表される。
【数９】
2019102682.tif 000011
ここで、S(high) = 1−S(low)、つまり、０と１から設定する最小の一致度と最大の一致度が同じだけ外れているとすると。上記式（８）は下記式（９）に変換される。
【数１０】
2019102682.tif 000012
【００８１】
このように最大の一致度と最小の一致度を設定することで、ゲインａと閾値ｈが定めることになる。このような方法であれば、最初にどれだけの範囲を一致度の設定範囲であるかを決めておけば、Sigmoid補正は自動的に計算でき、有効な方法と言える。
【００８２】
次に、上述した一致度の計算方式の別の効果について述べる。近年は、デバイスルールが進展することでトランジスタ寸法が縮小されている。一方、ＥＯＰ解析に使用するレーザの集束スポット径は、固浸レンズと呼ばれる特殊形状のレンズの適用が進み、縮小されているが、それには物理的な限界があり、デバイスの寸法縮小に完全に追随することは不可能になりつつある。その場合、レーザスポットに複数のトランジスタが含まれる状況となり、ＥＯＰの波形信号が混信する。その場合、信号の閾値を設定して、その閾値を横切る信号のタイミングを使って一致度を計算するような方法では、混信が発生した信号を対象とした一致度計算の信頼性が低下することになる。一方、上述してきた相関計算を利用した一致度の計算方式においては、混信が発生した波形であっても、良品と不良品とで同じ位置から波形データを取得している限りは、混信によって一致度計算が影響を受けることはない。一例として、図２８の（ａ）部に示す波形データと、図２８の（ｂ）部〜（ｅ）部に示す波形データであって、（ａ）部に示す波形データの波形に対して、同一の波形、１つの谷が消失した波形、２つの谷が消失した波形、及び３つの谷が消失した波形との間で一致度Ｓを計算すると、０．９６９、０．８９８、０．８２７、０．７５５と計算される。さらに、これらをSigmoid関数で補正すると、それぞれ、Ｓｃ＝０．９５０、０．５２６、０．０６１、０．００４となり、一致度の変化を明確に識別することができる。このように混信した波形に対しても本計算方法は有効と言える。
【００８３】
上述した一致度の計算方法は有効な方法であり、時間領域の全域に渉って波形の変化が比較的大きい場合に適用できる。一方で、実際の波形データでは、ほとんどの時間帯では同じ波形が続き、限定した範囲の時系列データのデータポイントに波形の相違が良品と不良品とで生じるような場合もある。これは、一般的にファンクション不良と呼ばれる不良において発生し、長いテストパターンの最後にだけ、良品と不良品間での波形の変化が観察される。例えば、図２９の（ａ）部及び（ｂ）部にそれぞれ示したような良品及び不良品を対象にした波形データ間では、波形の最後のほうの時間タイミングＴ１１において不良品の波形に立下りの鈍りが発生し、波形の最後のほうの時間タイミングＴ１２において波形の遅延が発生しうる。このような状況にも対応できる一致度の計算方法が行われることが好適である。そこで、上記の一致度の計算手法は、次のような方法に変更されることも好適である。
【００８４】
すなわち、この一致度計算方法では、使用する計算式は上述した計算式と同じものとし、二つの波形データの値の全てを使用して一致度を計算するのではなく、その中の一部を抜き出して一致度計算を実施する。詳細には、一致度ＳＳ（ｍ）を下記式（１０）；
【数１１】
2019102682.tif 000013
を用いて計算する（この値ＳＳを移動一致度と呼ぶ。）。移動一致度ＳＳ（ｍ）は、k=iからk=jまで（i,jは自然数）の波形データのデータポイントから一致度を計算した値である。この一致度の計算式は、全体の波形の中に埋もれる可能性のある、限定した時間範囲のデータポイントの波形の不一致を抽出する手法として有効である。上記式（１０）中、変数；
【数１２】
2019102682.tif 000014
は、時系列データｘ（ｋ），ｙ（ｋ）のデータポイントｉからｊまでの平均値を示す。
【００８５】
上記の移動一致度の計算を用いた処理の例について説明する。
【００８６】
まず、ノイズ成分を含んだ波形について移動一致度ＳＳを計算した例を示す。図３０の（ａ）部に良品の波形データに対応する波形を示し、図３０の（ｂ）部に不良品の波形データに対応する波形を示し、図３０の（ｃ）部にはこれらの波形データを対象に計算した一致度ＳＳの変化を示し、図３０の（ｄ）部には（ｃ）部の波形の一部を時間的に拡大した波形を示している。これらの波形データは制御装置１８の計測部２５が取得することができる最大のデータポイント数である219=524,288ポイントの時系列データから構成されている。この例では、波形データの波形のパターンサイクルの長さＴＣＹは215=32,768としており、１６サイクルのハイ波形およびロー波形が繰り返されるとした。不良品の波形は、良品の波形に対して最後のパターンサイクルの立ち下がりをパターンサイクルの１／１６に相当する遅延時間ＴＤＥだけ遅らせたものとした。このような波形データを対象に一致度Ｓを計算すると、０．７４４となった。一致度Ｓにはノイズ成分による低下が見られているが、ノイズ成分を除いた補正値Ｓｃを計算すると一致度が０．９９２となり、一致度の低下は小さく見積もられた。これに対して、移動一致度ＳＳを計算すると、データポイントの最後付近に一致度の低下が確認された。一致度の低下は、良品の波形と不良品の波形との間で不一致が生じている２つのタイミングで生じていることが見積もられる。ここで、２つのタイミングとは、良品の波形は立ち下がりつつあるが遅延している不良品の波形はハイ状態を保持しているタイミングと、良品の波形はロー状態に落ち着いているが遅延している不良品の波形は立ち下がりつつあるタイミングである。このように移動一致度ＳＳの計算を適用することで、波形の中の限定した範囲のデータポイントで変化している不良品の波形を解析することが可能となる。
【００８７】
図３１の（ａ）部に良品の波形データに対応する波形を示し、図３１の（ｂ）部に不良品の波形データに対応する波形を示し、図３１の（ｃ）部にはこれらの波形データを対象に計算した一致度ＳＳの変化を示している。この例では、不良品の波形は、良品の波形に対して、中央付近のタイミングでパターンサイクルの１／１６に相当する遅延時間ＴＤＥだけタイミングが遅れ、それ以後はタイミングの遅れが持続されている。このような波形データを対象として計算された移動一致度ＳＳは、最初にタイミングがずれた時点で低下し、それ以後はタイミングがずれている各時点で低下していることがわかる。この例では、最初に一致度が低下したタイミングが不良の発生タイミングであると認識できる。なお、同じ波形データを対象に全体の波形データを用いて一致度Ｓを計算した場合、その値は０．６５７と計算され、ノイズ成分を除いた補正後の一致度Ｓｃは０．８７５と計算される。このように、不一致のタイミングが一カ所しか存在しない図３０の例に比較すれば一致度の低下は大きいが、一致度の低下は十分ではなく、不一致であることの認識は困難と言える。一方、移動一致度の計算を適用した場合、データポイントの中の一部の不一致を比較的容易に認識することが可能であると共に、不一致が発生したタイミングも確認できるメリットがある。この手法で取得した情報を一致度マップに表示する方法は幾つかあり、例えば、一致度の低下を検出したタイミング周辺の時間帯について一致度マップを作成して、その中で各点の一致度変化の有無を確認する方式が考えられる。
【００８８】
上述した計算方法では、取得される波形データを処理すること無く、一致度計算を実施しているが、波形データに一定の処理を加えた上で一致度計算を実施することも可能である。一定の処理とは例えば、移動平均フィルター、メディアンフィルター、ウェーブレットフィルターを掛けるような処理のことを言う。その場合、ノイズの影響を低減できる。その一方で、処理の選択によっては細かな信号動作を鈍らせる可能性もあり、適切な処理とそのパラメータを選択する必要がある。これらの処理は、上述した時間波形の値に一定の閾値を設けて時間波形が閾値を横切るタイミングを検出する手法においては、適切なタイミングを抽出するために有効である。
【００８９】
上記実施形態においては、前記計算ステップによって計算された複数の位置毎の一致度を座標上にマッピングして一致度画像データを生成する画像生成ステップを更に備え、前記解析ステップでは、前記一致度画像データを基に前記第１又は第２の半導体デバイスのいずれかの不良箇所を解析する、ことが好適である。上記他の側面においては、前記制御装置は、前記計算手段によって計算された複数の位置毎の一致度を座標上にマッピングして一致度画像データを生成する画像生成手段を更に有し、前記解析手段は、前記一致度画像データを基に前記第１又は第２の半導体デバイスのいずれかの不良箇所を解析する、ことが好適である。この場合、時間波形の一致度が座標上にマッピングされた画像データを基に不良箇所が解析されるので、不良箇所をより効率的に解析することができる。
【００９０】
また、解析ステップでは、一致度画像データを用いて、一致度の比較的低い座標上の位置から、一致度の比較的高い座標上の位置まで位置を追跡することにより、不良箇所を解析する、ことが好適である。解析手段は、一致度画像データを用いて、一致度の比較的低い座標上の位置から、一致度の比較的高い座標上の位置まで位置を追跡することにより、不良箇所を解析する、ことが好適である。この場合、故障の原因となっている箇所を位置追跡によって解析することができ、より効率的に不良箇所を特定することができる。
【００９１】
また、解析ステップでは、第１の半導体デバイス及び第２の半導体デバイスのいずれかに関するマスクデータを基に回路図を作成し、回路図を基に位置追跡のルートを決定する、ことも好適である。解析手段は、第１の半導体デバイス及び第２の半導体デバイスのいずれかに関するマスクデータを基に回路図を作成し、回路図を基に位置追跡のルートを決定する、ことも好適である。この場合、回路図を基に回路ブロック間の信号伝達方向を加味しながら位置追跡を行うことができ、確実に不良箇所を特定することができる。
【００９２】
さらに、計算ステップでは、第１波形データ及び第２波形データにおける時間波形の振幅の変化の一致度を計算する、ことも好適である。計算手段は、第１波形データ及び第２波形データにおける時間波形の振幅の変化の一致度を計算する、ことも好適である。この場合、半導体デバイスにおける不良箇所が振幅変化の一致度を用いて適切に特定できる。
【００９３】
またさらに、計算ステップでは、第１波形データ及び第２波形データにおける立上り及び立下りのタイミングを基に一致度を計算する、ことも好適である。計算手段は、第１波形データ及び第２波形データにおける立上り及び立下りのタイミングを基に一致度を計算する、ことも好適である。かかる構成によれば、容易に半導体デバイスの不良箇所を特定することができる。
【００９４】
さらにまた、計算ステップでは、第１波形データ及び第２波形データにおいて閾値との比較結果を複数のタイミングで計算し、複数のタイミングでの比較結果を基に一致度を計算する、ことも好適である。計算手段は、第１波形データ及び第２波形データにおいて閾値との比較結果を複数のタイミングで計算し、複数のタイミングでの比較結果を基に一致度を計算する、ことも好適である。かかる構成によれば、容易に半導体デバイスの不良箇所を特定することができる。
【００９５】
また、第１計測ステップ及び第２計測ステップでは、テスト信号が入力されている第１の半導体デバイス又は第２の半導体デバイスにおける複数の位置に光を照射し、複数の位置からの反射光を計測して第１波形データ又は第２波形データを取得する、ことも好適である。上記他の側面では、光を出射する光源と、光源から出射された光を半導体デバイス上に走査する光走査部と、をさらに備え、制御装置の取得手段は、第１の半導体デバイス及び第２の半導体デバイスにおける複数の位置に光を照射するように光走査部を制御し、記第１の半導体デバイス及び第２の半導体デバイスにおける複数の位置からの反射光を計測することにより第１波形データ及び第２波形データを取得する、ことも好適である。かかる構成によれば、半導体デバイス内の複数の位置を対象に光照射に応じた反射光を計測することにより、容易に半導体デバイスの不良箇所の解析を行うことができる。
【００９６】
さらに、第１計測ステップ及び第２計測ステップでは、テスト信号が入力されている第１の半導体デバイス又は第２の半導体デバイスにおける複数の位置からの発光を計測して第１波形データ又は第２波形データを取得する、ことも好適である。取得手段は、記第１の半導体デバイス及び第２の半導体デバイスにおける複数の位置からの発光を計測することにより第１波形データ及び第２波形データを取得する、ことも好適である。かかる構成を採れば、半導体デバイス内の複数の位置を対象に発光を計測することにより、容易に半導体デバイスの不良箇所の解析を行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【００９７】
実施形態は、半導体デバイスを対象に光計測による解析処理を行う解析方法、解析装置、解析プログラム、及び解析プログラムを記録する記録媒体を使用用途とし、半導体デバイスの不良箇所を効率的に解析することができるものである。
【符号の説明】
【００９８】
１…半導体デバイス検査装置、２…光源、７…スキャン光学系（光走査部）、８…スキャンヘッド、９…レンズ系、１０…半導体デバイス、１１…光ファイバ（光学系）、１２…光センサ（光検出器）、１８…制御装置、２３…データ読込部、２４…設定部、２５…計測部（取得手段）、２６…計算部（計算手段）、２７…画像生成部（画像生成手段）、２８…解析部（解析手段）、ＧＣＯＭ…一致度画像データ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2019102682.tif 000031
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【国際調査報告】
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