(57)【要約】  実施形態に係る基板搬送装置は、保持部（８０）と、供給部（８１）とを備える。保持部（８０）は、おもて面（Ｗａ）にパターンが形成されている基板を保持する。供給部（８１）は、保持部（８０）に保持される基板のおもて面（Ｗａ）を局所的に低酸素状態にする不活性ガス（Ｇ）を基板のおもて面（Ｗａ）に供給する。
2019012978.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
おもて面にパターンが形成されている基板を保持する保持部と、
前記保持部に保持される前記基板の前記おもて面を局所的に低酸素状態にする不活性ガスを前記基板の前記おもて面に供給する供給部と
を備えることを特徴とする基板搬送装置。
【請求項２】
前記保持部と、前記供給部と、前記保持部に保持される前記基板とを収容し、前記基板を内部に搬送するための搬送口が形成される収容部をさらに備えること
を特徴とする請求項１に記載の基板搬送装置。
【請求項３】
前記収容部は、
前記搬送口を開閉するシャッターをさらに有すること
を特徴とする請求項２に記載の基板搬送装置。
【請求項４】
前記供給部は、
前記搬送口に向けて前記不活性ガスを吐出すること
を特徴とする請求項２または３に記載の基板搬送装置。
【請求項５】
前記収容部内の酸素量を計測する測定計をさらに備え、
前記供給部は、
前記測定計から得られた前記収容部内の酸素量に基づいて、前記不活性ガスの供給量を制御すること
を特徴とする請求項２〜４のいずれか一つに記載の基板搬送装置。
【請求項６】
前記供給部は、
前記収容部に前記基板を収容して搬送する場合の前記不活性ガスの供給量を、前記収容部に前記基板を収容していない場合の前記不活性ガスの供給量より多くすること
を特徴とする請求項２〜５のいずれか一つに記載の基板搬送装置。
【請求項７】
前記保持部と前記供給部とを所定の方向に移動させる移動機構をさらに備え、
前記移動機構は、
前記搬送口を前記基板の進行方向とは異なる方向に向けて前記基板を搬送すること
を特徴とする請求項２〜６のいずれか一つに記載の基板搬送装置。
【請求項８】
前記供給部は、
前記基板の前記おもて面全体に向けてシャワー状に前記不活性ガスを供給すること
を特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の基板搬送装置。
【請求項９】
前記供給部は、
前記基板の前記おもて面に沿って前記不活性ガスが流れるように前記不活性ガスを供給すること
を特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の基板搬送装置。
【請求項１０】
おもて面にパターンが形成されている基板を保持する保持工程と、
保持される前記基板の前記おもて面を局所的に低酸素状態にする不活性ガスを前記基板の前記おもて面に供給する供給工程と、
前記不活性ガスを前記おもて面に供給しながら前記基板を搬送する搬送工程と
を含むことを特徴とする基板搬送方法。
【請求項１１】
前記搬送工程は、
前記基板を収容する収容部に形成される搬送口を前記基板の進行方向とは異なる方向に向けて行うこと
を特徴とする請求項１０に記載の基板搬送方法。
【請求項１２】
前記供給工程は、
別々に搬送される複数の前記基板のそれぞれの搬送時間に基づいて、搬送時における複数の前記基板の酸化度合を揃えるように、前記不活性ガスの供給量を制御して行うこと
を特徴とする請求項１０または１１に記載の基板搬送方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の実施形態は、基板搬送装置および基板搬送方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハやガラス基板といった基板に対し、所定の基板処理を行う複数の処理ユニットが並んで設けられる基板処理装置が知られている。かかる基板処理装置には、各処理ユニットに基板を搬送するため、並んで設けられる処理ユニットに沿って基板を搬送する基板搬送装置が設けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−２２５７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、大量の不活性ガスを消費することなく、基板のおもて面が搬送中に酸化されることを抑制することができる基板搬送装置および基板搬送方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態の一態様に係る基板搬送装置は、保持部と、供給部とを備える。前記保持部は、おもて面にパターンが形成されている基板を保持する。前記供給部は、前記保持部に保持される前記基板の前記おもて面を局所的に低酸素状態にする不活性ガスを前記基板の前記おもて面に供給する。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、大量の不活性ガスを消費することなく、基板のおもて面が搬送中に酸化されることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す模式図である。
【図２】図２は、処理ユニットの構成を示す模式図である。
【図３Ａ】図３Ａは、第１実施形態に係る基板搬送装置の模式的な構成を示す斜視図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、第１実施形態に係る基板搬送装置の模式的な構成を示す側方断面図である。
【図４】図４は、第１実施形態の変形例に係る基板搬送装置の模式的な構成を示す側方断面図である。
【図５】図５は、第２実施形態に係る基板搬送装置の模式的な構成を示す側方断面図である。
【図６】図６は、第２実施形態の変形例１に係る基板搬送装置の模式的な構成を示す側方断面図である。
【図７】図７は、第２実施形態の変形例２に係る基板搬送装置の模式的な構成を示す側方断面図である。
【図８】図８は、第２実施形態の変形例３に係る基板搬送装置の模式的な構成を示す側方断面図である。
【図９】図９は、基板搬送装置が実行する搬送処理の手順を示すフローチャートである。
【図１０】図１０は、第２実施形態の変形例４に係る基板搬送方法を示す模式図である。
【図１１Ａ】図１１Ａは、第２実施形態の変形例５に係る基板処理システムを示す上面図である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、第２実施形態の変形例５に係る基板処理システムを示す側面図である。
【図１２】図１２は、第２実施形態の変形例５に係る基板搬送方法を示す模式図である。
【図１３】図１３は、第２実施形態の変形例６に係る基板搬送方法を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板搬送装置および基板搬送方法の各実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す各実施形態により本開示が限定されるものではない。
【０００９】
従来、半導体ウェハやガラス基板といった基板に対し、所定の基板処理を行う複数の処理ユニットが並んで設けられる基板処理装置が知られている。かかる基板処理装置には、各処理ユニットに基板を搬送するため、並んで設けられる処理ユニットに沿って基板を搬送する基板搬送装置が設けられる。
【００１０】
しかしながら、従来の基板搬送装置では、パターンが形成されている基板のおもて面が搬送中に酸化されることを抑制しようとする場合、基板搬送装置が可動する範囲全体を不活性ガスで満たさなければならない。したがって、大量の不活性ガスを消費してしまうという課題がある。
【００１１】
そこで、大量の不活性ガスを消費することなく、基板のおもて面が搬送中に酸化されることを抑制することが期待されている。
【００１２】
＜基板処理システムの概要＞
まずは、図１を参照しながら、第１実施形態に係る基板処理システム１の概略構成について説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理システム１の概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００１３】
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
【００１４】
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、第１実施形態では半導体ウェハＷ（以下、ウェハＷと呼称する。）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
【００１５】
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
【００１６】
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
【００１７】
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持する保持部８０（図３Ａ参照）を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、保持部８０を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。かかる基板搬送装置１７の詳細については後述する。
【００１８】
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。
【００１９】
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
【００２０】
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
【００２１】
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
【００２２】
処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
【００２３】
＜処理ユニットの構成＞
次に、処理ユニット１６の構成について、図２を参照しながら説明する。図２は、処理ユニット１６の概略構成を示す図である。図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、処理流体供給部４０と、回収カップ５０とを備える。
【００２４】
チャンバ２０は、基板保持機構３０と処理流体供給部４０と回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan  Filter  Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。
【００２５】
基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウェハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。
【００２６】
かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。
【００２７】
処理流体供給部４０は、ウェハＷに対して処理流体を供給する。処理流体供給部４０は、処理流体供給源７０に接続される。
【００２８】
回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。
【００２９】
＜基板搬送装置の構成（第１実施形態）＞
次に、第１実施形態に係る基板搬送装置１７の構成について、図３Ａおよび図３Ｂを参照しながら説明する。図３Ａは、第１実施形態に係る基板搬送装置１７の模式的な構成を示す斜視図であり、図３Ｂは、第１実施形態に係る基板搬送装置１７の模式的な構成を示す側方断面図である。
【００３０】
図３Ａおよび図３Ｂに示すように、第１実施形態に係る基板搬送装置１７は、保持部８０と、供給部８１と、移動機構８２とを備える。なお、理解を容易にするため、図３Ａでは供給部８１とウェハＷとを破線で示している。
【００３１】
保持部８０は、図３Ａに示すように略Ｃ字状の部位を有し、かかる略Ｃ字状の部位の上面側でウェハＷが保持可能に構成される。具体的には、保持部８０における略Ｃ字状の部位の上面にチャック機構８０ａが設けられ、かかるチャック機構８０ａを作動させることによりウェハＷが保持される。なお、保持部８０においてウェハＷを保持する部位の形状は略Ｃ字状に限られず、ウェハＷを保持可能であればどのような形状であってもよい。
【００３２】
供給部８１は、図３Ｂに示すように、ウェハＷのおもて面Ｗａを局所的に低酸素状態にする不活性ガスＧ（たとえば、窒素やアルゴンなど）をウェハＷのおもて面Ｗａに供給する。供給部８１は、たとえば、ウェハＷのおもて面Ｗａに近接して、かかるおもて面Ｗａを覆うように配置され、ウェハＷのおもて面Ｗａと向かい合う面側に複数の吐出口８１ａが形成される。
【００３３】
そして、かかる複数の吐出口８１ａから不活性ガスＧがシャワー状にウェハＷのおもて面Ｗａ全体に供給される。なお、供給部８１には、図示しない不活性ガス供給源が接続され、かかる不活性ガス供給源から供給部８１に不活性ガスＧが供給される。
【００３４】
移動機構８２は、保持部８０と供給部８１とを所定の方向に移動させることができる。たとえば、図３Ａに示すように、移動機構８２は、保持部８０を水平方向（たとえば、Ｙ軸方向）に移動させることができるとともに、鉛直軸を中心に旋回させることができる。また、移動機構８２は、保持部８０と供給部８１とを一体的に鉛直方向に移動させることができる。
【００３５】
ここで、第１実施形態に係る基板搬送装置１７では、ウェハＷを搬送する際に、供給部８１から不活性ガスＧをウェハＷのおもて面Ｗａに供給することにより、ウェハＷのおもて面Ｗａを低酸素状態にすることができる。これにより、ウェハＷのおもて面Ｗａが搬送中に酸化されることを抑制することができる。
【００３６】
さらに、第１実施形態では、ウェハＷのおもて面Ｗａに近接する供給部８１から不活性ガスＧをおもて面Ｗａに供給することにより、ウェハＷのおもて面Ｗａを局所的に低酸素状態にすることができる。したがって、基板搬送装置１７が可動する搬送部１５全体を不活性ガスＧで満たす場合に比べて、不活性ガスＧの消費を抑えることができる。
【００３７】
すなわち、第１実施形態によれば、大量の不活性ガスＧを消費することなく、ウェハＷのおもて面Ｗａが搬送中に酸化されることを抑制することができる。
【００３８】
また、第１実施形態では、複数の吐出口８１ａから不活性ガスＧをシャワー状にウェハＷのおもて面Ｗａ全体に供給することにより、ウェハＷのおもて面Ｗａ全体を略均等に低酸素状態にすることができる。したがって、第１実施形態によれば、ウェハＷのおもて面Ｗａ全体における酸化を略均等に抑制することができる。
【００３９】
なお、供給部８１は、複数の吐出口８１ａから不活性ガスＧをシャワー状にウェハＷのおもて面Ｗａに吐出する構成に限られない。たとえば、図４に示すように、供給部８１から吐出される不活性ガスＧが、ウェハＷのおもて面Ｗａに沿って流れるように供給部８１を配置してもよい。図４は、第１実施形態の変形例に係る基板搬送装置１７の模式的な構成を示す側方断面図である。
【００４０】
かかる変形例では、たとえば、図４に示すように、保持部８０に保持されるウェハＷの周縁部に隣接するように供給部８１を配置して、かかる供給部８１の吐出口８１ａからウェハＷのおもて面Ｗａに対して浅い角度で不活性ガスＧを吐出する。これにより、ウェハＷのおもて面Ｗａに沿って流れるように不活性ガスＧを供給することができることから、ウェハＷのおもて面Ｗａが搬送中に酸化されることを抑制することができる。
【００４１】
＜基板搬送装置の構成（第２実施形態）＞
次に、第２実施形態に係る基板搬送装置１７の構成について、図５を参照しながら説明する。図５は、第２実施形態に係る基板搬送装置１７の模式的な構成を示す側方断面図であり、第１実施形態における図３Ｂに対応する図である。なお、以降の説明においては、上述の第１実施形態における各構成要素と同じ構成要素には同じ符号を付し、第１実施形態と同様の点については説明を省略する場合がある。
【００４２】
第２実施形態に係る基板搬送装置１７は、保持部８０と、供給部８１と、移動機構８２とに加えて、さらに収容部８３を備える。収容部８３は、たとえば箱状であり、内部に形成される内部空間８３ａに、保持部８０と、かかる保持部８０に保持されるウェハＷと、供給部８１とを収容する。
【００４３】
また、収容部８３には、搬送口８３ｂが形成されるとともに、かかる搬送口８３ｂを開閉するシャッター８３ｃが設けられる。そして、保持部８０が、シャッター８３ｃを開状態にした搬送口８３ｂから移動機構８２によって収容部８３の外部に移動して、受渡部１４や処理ユニット１６からウェハＷを取り出すことができる。そして、保持部８０は、取り出されたウェハＷを収容部８３に収容する。
【００４４】
同様に、保持部８０は、収容されたウェハＷを、シャッター８３ｃが開いた搬送口８３ｂから収容部８３の外部に移動させて、受渡部１４や処理ユニット１６に受け渡すことができる。
【００４５】
なお、移動機構８２は、収容部８３と保持部８０とを一体的に鉛直軸を中心に旋回させることができるとともに、収容部８３と保持部８０と供給部８１とを一体的に鉛直方向に移動させることができる。したがって、第２実施形態に係る基板搬送装置１７は、保持部８０を搬送口８３ｂから突出させる方向や高さを任意に選択することができる。
【００４６】
ここで、第２実施形態では、供給部８１から不活性ガスＧを供給することにより、収容部８３の内部空間８３ａを不活性ガスＧで満たすことができる。これにより、ウェハＷの搬送時において、ウェハＷのおもて面Ｗａ全体を略均等に低酸素状態にすることができる。したがって、第２実施形態によれば、ウェハＷのおもて面Ｗａ全体における酸化を略均等に抑制することができる。
【００４７】
また、第２実施形態では、シャッター８３ｃを閉状態にして、収容部８３とシャッター８３ｃとでウェハＷの周囲に閉空間を形成することにより、少量の不活性ガスＧでウェハＷの周囲を低酸素状態にすることができる。したがって、第２実施形態によれば、シャッター８３ｃを設けることにより、不活性ガスＧの消費量をさらに抑制しながら、ウェハＷのおもて面Ｗａが搬送中に酸化されることを抑制することができる。なお、シャッター８３ｃを設ける場合には、内部空間８３ａのいずれの箇所に供給部８１を配置しても、内部空間８３ａを不活性ガスＧで満たすことができる。
【００４８】
さらに、第２実施形態では、ウェハＷが収容部８３に収容されていない状態においても、不活性ガスＧを供給部８１から少量吐出するとよい。すなわち、供給部８１は、収容部８３にウェハＷを収容して搬送する場合の不活性ガスＧの供給量を、収容部８３にウェハＷを収容していない場合の不活性ガスＧの供給量より多くするとよい。これにより、内部空間８３ａの低酸素状態を常に維持することができることから、ウェハＷのおもて面Ｗａが搬送中に酸化されることをさらに抑制することができる。
【００４９】
＜第２実施形態の各種変形例＞
つづいて、第２実施形態の各種変形例について、図６〜図８を参照しながら説明する。図６は、第２実施形態の変形例１に係る基板搬送装置１７の模式的な構成を示す側方断面図である。変形例１に係る基板搬送装置１７には、シャッター８３ｃが設けられておらず、搬送口８３ｂは常に開状態である。
【００５０】
これにより、シャッター８３ｃのコストが不要となることから、低コストでウェハＷのおもて面Ｗａが搬送中に酸化されることを抑制することができる。
【００５１】
なお、変形例１では、図６に示すように、搬送口８３ｂに向けて不活性ガスＧを吐出するように、供給部８１を配置するとよい。これにより、酸素を含む外部雰囲気が、搬送口８３ｂから内部空間８３ａに流入することを抑制することができる。したがって、変形例１によれば、搬送口８３ｂが常に開状態である場合でも、内部空間８３ａを不活性ガスＧで効果的に満たすことができることから、ウェハＷのおもて面Ｗａが搬送中に酸化されることを効果的に抑制することができる。
【００５２】
図７は、第２実施形態の変形例２に係る基板搬送装置１７の模式的な構成を示す側方断面図である。図７に示すように、供給部８１から吐出される不活性ガスＧが、搬送口８３ｂを覆うエアカーテンとなるように供給部８１を配置してもよい。たとえば、内部空間８３ａにおける搬送口８３ｂの近傍上方に、吐出口８１ａを下方に向けて供給部８１を配置し、吐出口８１ａから下方に向けて不活性ガスＧを吐出するとよい。
【００５３】
これにより、変形例１と同様に、酸素を含む外部雰囲気が、搬送口８３ｂから内部空間８３ａに流入することを抑制することができる。したがって、変形例２によれば、搬送口８３ｂが常に開状態である場合でも、内部空間８３ａを不活性ガスＧで効果的に満たすことができることから、ウェハＷのおもて面Ｗａが搬送中に酸化されることを効果的に抑制することができる。
【００５４】
図８は、第２実施形態の変形例３に係る基板搬送装置１７の模式的な構成を示す側方断面図である。変形例３に係る基板搬送装置１７は、ここまで示した基板搬送装置１７と異なり、複数のウェハＷを一度に搬送するバッチ式の基板搬送装置である。変形例３では、図示しない保持部８０によって、複数のウェハＷは所定の間隔で積層されて保持され、収容部８３に収容される。
【００５５】
かかる変形例３において、供給部８１は、積層されるウェハＷを基準にして搬送口８３ｂとは反対側に配置される。そして、吐出口８１ａを搬送口８３ｂに向けて配置し、かかる吐出口８１ａから各ウェハＷのおもて面Ｗａに沿うように不活性ガスＧを吐出するとよい。
【００５６】
これにより、各ウェハＷのおもて面Ｗａを不活性ガスＧで低酸素状態にすることができるとともに、搬送口８３ｂに向けて吐出される不活性ガスＧにより、酸素を含む外部雰囲気が、搬送口８３ｂから内部空間８３ａに流入することを抑制することができる。したがって、変形例３によれば、バッチ式の基板搬送装置１７において、各ウェハＷのおもて面Ｗａが搬送中に酸化されることを効果的に抑制することができる。
【００５７】
＜搬送処理の手順＞
つづいて、基板搬送装置１７が実行する搬送処理の手順について、図９を参照しながら説明する。図９は、基板搬送装置１７が実行する搬送処理の手順を示すフローチャートである。
【００５８】
図９に示すように、処理ユニット１６では、まず、保持処理が行われる（ステップＳ１０１）。保持処理では、制御部１８が、搬送するウェハＷの近傍に基板搬送装置１７を移動させ、保持部８０を収容部８３の外部に移動させて、保持部８０でウェハＷを保持する。なお、収容部８３にシャッター８３ｃが設けられる場合には、保持部８０を収容部８３の外部に移動させる前に、シャッター８３ｃが開けられる。
【００５９】
次に、基板搬送装置１７では、収容処理が行われる（ステップＳ１０２）。収容処理では、制御部１８が、保持部８０を収容部８３の内部に移動させて、保持部８０に保持されるウェハＷを収容部８３に収容する。なお、収容部８３にシャッター８３ｃが設けられる場合には、ウェハＷを収容部８３に収容した後に、シャッター８３ｃが閉められる。
【００６０】
次に、基板搬送装置１７では、供給処理が行われる（ステップＳ１０３）。供給処理では、制御部１８が、供給部８１の吐出口８１ａから不活性ガスＧを吐出させ、ウェハＷのおもて面Ｗａに不活性ガスＧを供給する。これにより、ウェハＷのおもて面Ｗａを低酸素状態にすることができる。
【００６１】
次に、基板搬送装置１７では、搬送処理が行われる（ステップＳ１０４）。搬送処理では、制御部１８が、ウェハＷのおもて面Ｗａに不活性ガスＧを供給しながら、ウェハＷの搬送先の近傍に基板搬送装置１７を移動させるようにウェハＷを搬送する。
【００６２】
次に、基板搬送装置１７では、搬出処理が行われる（ステップＳ１０５）。搬出処理では、制御部１８が、ウェハＷを保持する保持部８０を収容部８３の外部に移動させて、ウェハＷを搬送先に搬出する。なお、収容部８３にシャッター８３ｃが設けられる場合には、保持部８０を収容部８３の外部に移動させる前に、シャッター８３ｃが開けられる。かかる搬出処理が完了すると、１枚のウェハＷについての一連の搬送処理が完了する。
【００６３】
なお、上述の搬送処理（ステップＳ１０４）は、収容部８３に形成される搬送口８３ｂを、ウェハＷの進行方向とは異なる方向に向けて行うとよい。図１０は、第２実施形態の変形例４に係る基板搬送方法を示す模式図である。
【００６４】
図１０では、ウェハＷを受渡部１４から、複数の処理ユニット１６のうち、受渡部１４から見て左側の一番奥にある処理ユニット１６Ａに搬送する例について示している。図１０の例では、ウェハＷは、まずＸ軸正方向である方向Ｄ１に移動し、次にＹ軸正方向である方向Ｄ２に移動する。
【００６５】
ここで、変形例４では、収容部８３に形成される搬送口８３ｂを、ウェハＷが方向Ｄ１に移動する際には方向Ｄ１とは異なる方向に向けるとともに、ウェハＷが方向Ｄ２に移動する際には方向Ｄ２とは異なる方向に向けるとよい。
【００６６】
これにより、ウェハＷが移動する際に、酸素を含む外部雰囲気が、搬送口８３ｂから内部空間８３ａに流入することを抑制することができる。したがって、変形例４によれば、搬送口８３ｂが常に開状態である場合でも、内部空間８３ａを不活性ガスＧで満たすことができることから、ウェハＷのおもて面Ｗａが搬送中に酸化されることを抑制することができる。
【００６７】
たとえば、図１０に示すように、ウェハＷを方向Ｄ１に移動させる際には、収容部８３に形成される搬送口８３ｂをＹ軸負方向に向けるとよい。すなわち、ウェハＷが移動する方向と、搬送口８３ｂが向く方向とを略垂直にするとよい。これにより、ウェハＷが移動する際に、酸素を含む外部雰囲気が搬送口８３ｂから内部空間８３ａに流入することを効果的に抑制することができる。
【００６８】
一方で、ウェハＷが移動する方向と搬送口８３ｂが向く方向とは略垂直に限られず、搬送口８３ｂからの外部雰囲気の流入を抑制する角度であればどのような角度であってもよい。
【００６９】
なお、図１０の例では、ウェハＷを水平方向に搬送する場合について示したが、ウェハＷを鉛直方向に搬送する場合についても同様に、収容部８３に形成される搬送口８３ｂを、ウェハＷの進行方向とは異なる方向に向けるとよい。
【００７０】
図１１Ａは、第２実施形態の変形例５に係る基板処理システム１を示す上面図であり、図１１Ｂは、第２実施形態の変形例５に係る基板処理システム１を示す側面図である。図１１Ａに示すように、変形例５では、基板搬送装置１７を中心に、両側に処理ユニット１６が設けられるとともに、処理ユニット１６とは異なる側に受渡部１４が設けられる。
【００７１】
また、図１１Ｂに示すように、処理ユニット１６は複数個（図１１Ｂでは３個）ずつ積層して設けられる。したがって、図１１Ｂに示すように、受渡部１４から上側に配置される処理ユニット１６にウェハＷを搬送する場合、ウェハＷは鉛直方向に搬送される。
【００７２】
図１２は、第２実施形態の変形例５に係る基板搬送方法を示す模式図である。図１２では、ウェハＷを、複数の処理ユニット１６のうち、上側のＹ軸負方向側にある処理ユニット１６Ｂに搬送する例について示している。図１２の例では、ウェハＷは、まずＺ軸正方向である方向Ｄ３に移動し、次にＹ軸負方向である方向Ｄ４に移動する。
【００７３】
ここで、変形例５では、収容部８３に形成される搬送口８３ｂを、ウェハＷが方向Ｄ３に移動する際には方向Ｄ３とは異なる方向に向けるとともに、ウェハＷが方向Ｄ４に移動する際には方向Ｄ４とは異なる方向に向けるとよい。
【００７４】
これにより、ウェハＷが移動する際に、酸素を含む外部雰囲気が、搬送口８３ｂから内部空間８３ａに流入することを抑制することができる。したがって、変形例５によれば、搬送口８３ｂが常に開状態である場合でも、内部空間８３ａを不活性ガスＧで満たすことができることから、ウェハＷのおもて面Ｗａが搬送中に酸化されることを抑制することができる。
【００７５】
たとえば、図１２に示すように、ウェハＷを方向Ｄ３に移動させる際には、収容部８３に形成される搬送口８３ｂをＹ軸負方向に向けるとよい。さらに、ウェハＷを方向Ｄ３に移動させる際には、収容部８３の上面に形成される蓋部８３ｄを方向Ｄ３に向けるとよい。これにより、ウェハＷが移動する際に、酸素を含む外部雰囲気が搬送口８３ｂから内部空間８３ａに流入することを効果的に抑制することができる。
【００７６】
また、上述の供給処理（ステップＳ１０３）は、別々に搬送される複数のウェハＷのそれぞれの搬送時間に基づいて、搬送時における複数のウェハＷの酸化度合を揃えるように、不活性ガスＧの供給量を制御して行うとよい。図１１は、第２実施形態の変形例６に係る基板搬送方法を示す模式図である。
【００７７】
図１１の例では、ウェハＷを、受渡部１４から上述の処理ユニット１６Ａに搬送するほうが、受渡部１４から見て左側の一番手前にある処理ユニット１６Ｃに搬送するよりも搬送距離が長いことから、搬送時間が長くなる。したがって、搬送時にウェハＷのおもて面Ｗａが同程度の低酸素状態であるとすると、処理ユニット１６Ａに搬送されるウェハＷのほうが処理ユニット１６Ｃに搬送されるウェハＷよりも酸化が進行しやすくなる。
【００７８】
したがって、変形例６では、搬送時間が長いウェハＷを搬送する場合に、搬送時間が短いウェハＷを搬送する場合に比べて不活性ガスＧの供給量を多くするとよい。これにより、ウェハＷの搬送時間にかかわらず、各処理ユニット１６で処理されるウェハＷの酸化度合を揃えることができる。したがって、変形例６によれば、複数の処理ユニット１６が設けられる基板処理システム１において、ウェハＷの処理を安定して実施することができる。
【００７９】
また、変形例６では、収容部８３の内部空間８３ａにおける酸素量を測定する測定計を別途設けて、かかる測定計から得られた内部空間８３ａの酸素量に基づいて、不活性ガスＧの供給量を制御してもよい。これにより、各処理ユニット１６で処理されるウェハＷの酸化度合をより正確に揃えることができる。
【００８０】
以上、本開示の各実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。たとえば、図８に示したバッチ式の基板搬送装置１７において、搬送口８３ｂにシャッター８３ｃを設けてもよい。また、本開示が適用されるのは基板処理システム１内の基板搬送装置１７に限られず、たとえば、基板搬送装置１３に適用されてもよい。
【００８１】
実施形態に係る基板搬送装置は、保持部８０と、供給部８１とを備える。保持部８０は、おもて面Ｗａにパターンが形成されている基板（ウェハＷ）を保持する。供給部８１は、保持部８０に保持される基板（ウェハＷ）のおもて面Ｗａを局所的に低酸素状態にする不活性ガスＧを基板（ウェハＷ）のおもて面Ｗａに供給する。これにより、大量の不活性ガスＧを消費することなく、ウェハＷのおもて面Ｗａが搬送中に酸化されることを抑制することができる。
【００８２】
また、実施形態に係る基板搬送装置は、保持部８０と、供給部８１と、保持部８０に保持される基板（ウェハＷ）とを収容し、基板（ウェハＷ）を内部に搬送するための搬送口８３ｂが形成される収容部８３をさらに備える。これにより、ウェハＷのおもて面Ｗａ全体における酸化を略均等に抑制することができる。
【００８３】
また、実施形態に係る基板搬送装置において、収容部８３は、搬送口８３ｂを開閉するシャッター８３ｃをさらに有する。これにより、不活性ガスＧの消費量をさらに抑制しながら、ウェハＷのおもて面Ｗａが搬送中に酸化されることを抑制することができる。
【００８４】
また、実施形態に係る基板搬送装置において、供給部８１は、搬送口８３ｂに向けて不活性ガスＧを吐出する。これにより、搬送口８３ｂが常に開状態である場合でも、内部空間８３ａを不活性ガスＧで効果的に満たすことができることから、ウェハＷのおもて面Ｗａが搬送中に酸化されることを効果的に抑制することができる。
【００８５】
また、実施形態に係る基板搬送装置は、収容部８３内の酸素量を計測する測定計をさらに備える。そして、供給部８１は、かかる測定計から得られた収容部８３内の酸素量に基づいて、不活性ガスＧの供給量を制御する。これにより、各処理ユニット１６で処理されるウェハＷの酸化度合をより正確に揃えることができる。
【００８６】
また、実施形態に係る基板搬送装置において、供給部８１は、収容部８３に基板（ウェハＷ）を収容して搬送する場合の不活性ガスＧの供給量を、収容部８３に基板（ウェハＷ）を収容していない場合の不活性ガスＧの供給量より多くする。これにより、内部空間８３ａの低酸素状態を常に維持することができることから、ウェハＷのおもて面Ｗａが搬送中に酸化されることをさらに抑制することができる。
【００８７】
また、実施形態に係る基板搬送装置は、保持部８０と供給部８１とを所定の方向に移動させる移動機構８２をさらに備える。そして、移動機構８２は、搬送口８３ｂを基板（ウェハＷ）の進行方向とは異なる方向に向けて基板（ウェハＷ）を搬送する。これにより、ウェハＷを搬送する際に、酸素を含む外部雰囲気が、搬送口８３ｂから内部空間８３ａに流入することを抑制することができる。
【００８８】
また、実施形態に係る基板搬送装置において、供給部８１は、基板（ウェハＷ）のおもて面Ｗａ全体に向けてシャワー状に不活性ガスＧを供給する。これにより、ウェハＷのおもて面Ｗａ全体における酸化を略均等に抑制することができる。
【００８９】
また、実施形態に係る基板搬送装置において、供給部８１は、基板（ウェハＷ）のおもて面Ｗａに沿って不活性ガスＧが流れるように不活性ガスＧを供給する。これにより、ウェハＷのおもて面Ｗａが搬送中に酸化されることを抑制することができる。
【００９０】
また、実施形態に係る基板搬送方法は、保持工程（ステップＳ１０１）と、供給工程（ステップＳ１０３）と、搬送工程（ステップＳ１０４）とを含む。保持工程（ステップＳ１０１）は、おもて面Ｗａにパターンが形成されている基板（ウェハＷ）を保持する。供給工程（ステップＳ１０３）は、保持される基板（ウェハＷ）のおもて面Ｗａを局所的に低酸素状態にする不活性ガスＧを基板（ウェハＷ）のおもて面Ｗａに供給する。搬送工程（ステップＳ１０４）は、不活性ガスＧをおもて面Ｗａに供給しながら基板（ウェハＷ）を搬送する。これにより、大量の不活性ガスＧを消費することなく、ウェハＷのおもて面Ｗａが搬送中に酸化されることを抑制することができる。
【００９１】
また、実施形態に係る基板搬送方法において、搬送工程（ステップＳ１０４）は、基板（ウェハＷ）を収容する収容部８３に形成される搬送口８３ｂを基板（ウェハＷ）の進行方向とは異なる方向に向けて行う。これにより、ウェハＷを搬送する際に、酸素を含む外部雰囲気が、搬送口８３ｂから内部空間８３ａに流入することを抑制することができる。
【００９２】
また、実施形態に係る基板搬送方法において、供給工程（ステップＳ１０３）は、別々に搬送される複数の基板（ウェハＷ）のそれぞれの搬送時間に基づいて、搬送時における複数の基板（ウェハＷ）の酸化度合を揃えるように、不活性ガスＧの供給量を制御して行う。これにより、複数の処理ユニット１６が設けられる基板処理システム１において、ウェハＷの処理を安定して実施することができる。
【００９３】
今回開示された各実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した各実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の各実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【符号の説明】
【００９４】
Ｗ      ウェハ
Ｗａ    おもて面
Ｇ      不活性ガス
１      基板処理システム
１６    処理ユニット
１７    基板搬送装置
１８    制御部
８０    保持部
８１    供給部
８２    移動機構
８３    収容部
８３ｂ  搬送口
８３ｃ  シャッター
【図１】
2019012978.tif 000003
【図２】
2019012978.tif 000004
【図３Ａ】
2019012978.tif 000005
【図３Ｂ】
2019012978.tif 000006
【図４】
2019012978.tif 000007
【図５】
2019012978.tif 000008
【図６】
2019012978.tif 000009
【図７】
2019012978.tif 000010
【図８】
2019012978.tif 000011
【図９】
2019012978.tif 000012
【図１０】
2019012978.tif 000013
【図１１Ａ】
2019012978.tif 000014
【図１１Ｂ】
2019012978.tif 000015
【図１２】
2019012978.tif 000016
【図１３】
2019012978.tif 000017
【国際調査報告】
2019012978.tif 000018
2019012978.tif 000019
2019012978.tif 000020
2019012978.tif 000021