(57)【要約】  本開示の一つの局面における光波長変換部材は、入射した光によって蛍光を発する蛍光性を有する結晶粒子を主体とする蛍光相と、透光性を有する結晶粒子を主体とする透光相と、を有するセラミックス焼結体を備えている。この光波長変換部材は、前記セラミックス焼結体の前記光が入射する側とは反対側に、光を反射する反射性を有する金属層を有するとともに、前記セラミックス焼結体と前記金属層との間に、光の屈折率が異なる誘電体の層を有する誘電体多層膜を備えている。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射した光によって蛍光を発する蛍光性を有する結晶粒子を主体とする蛍光相と、
透光性を有する結晶粒子を主体とする透光相と、
を有するセラミックス焼結体を備えた光波長変換部材において、
前記セラミックス焼結体の前記光が入射する側とは反対側に、光を反射する反射性を有する金属層を有するとともに、
前記セラミックス焼結体と前記金属層との間に、光の屈折率が異なる誘電体の層を有する誘電体多層膜を備えた、
光波長変換部材。
【請求項２】
前記蛍光相の結晶粒子は、化学式Ａ３Ｂ５Ｏ１２：Ｃｅで表される組成を有するとともに、前記Ａ元素及び前記Ｂ元素は、それぞれ下記元素群から選択される少なくとも１種の元素から構成されている、
Ａ：Ｓｃ、Ｙ、Ｃｅを除くランタノイド
Ｂ：Ａｌ、Ｇａ
請求項１に記載の光波長変換部材。
【請求項３】
前記透光相の結晶粒子は、Ａｌ２Ｏ３の組成を有する、
請求項１又は２に記載の光波長変換部材。
【請求項４】
前記金属層の成分として、Ａｇ及び／又はＡｌを含む、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の光波長変換部材。
【請求項５】
さらに、前記金属層の前記光の入射側とは反対側に、Ｎｉ層及び／又はＡｕ層を備えた、
請求項４に記載の光波長変換部材。
【請求項６】
前記誘電体多層膜は、波長５５０ｎｍの前記光が入射したときの屈折率ａの高屈折率膜と、前記高屈折率膜よりも波長５５０ｎｍの前記光が入射したときの屈折率が低い屈折率ｂの低屈折率膜と、を交互に積層した膜であり、前記屈折率ａと前記屈折率ｂとの関係が、１．３＜ａ／ｂであり、
且つ、前記セラミックス焼結体に波長５５０ｎｍの前記光が入射したときの屈折率ｃと前記屈折率ａとの関係が、１＜ａ／ｃである、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の光波長変換部材。
【請求項７】
前記高屈折率膜は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂから選択される少なくとも１種の元素を含み、前記低屈折率膜は、ＳｉＯ２又はＭｇＦ２からなる、
請求項６に記載の光波長変換部材。
【請求項８】
前記誘電体多層膜の総厚みが、３００ｎｍ以下である、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の光波長変換部材。
【請求項９】
前記請求項１〜８のいずれか１項に記載の光波長変換部材を備え、
前記光波長変換部材の前記金属層の前記光の入射側とは反対側に、放熱部材が接合された、
光波長変換装置。
【請求項１０】
前記請求項９に記載の光波長変換装置と、前記光を発光する発光素子と、を備えた、
発光装置。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の相互参照】
【０００１】
本国際出願は、２０１８年６月１８日に日本国特許庁に出願された日本国特許出願第２０１８−１１５５７８号に基づく優先権を主張するものであり、日本国特許出願第２０１８−１１５５７８号の全内容を参照により本国際出願に援用する。
【技術分野】
【０００２】
本開示は、例えば波長変換機器、蛍光材、各種照明、映像機器などに用いられるような、光の波長の変換が可能な光波長変換部材及び光波長変換装置並びに発光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
例えばヘッドランプやプロジェクターや各種照明機器などでは、発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）や半導体レーザー（ＬＤ：Laser Diode）の青色光を、蛍光 体によって波長変換することにより白色を得ている装置が主流となっている。【０００４】
この蛍光体としては、樹脂系やガラス系などが知られているが、近年、光源の高出力化が進められており、蛍光体には、より高い耐久性が求められるようになったことから、セラミックス蛍光体（即ちセラミックス焼結体）に注目が集まっている。【０００５】
なお、このセラミックス蛍光体としては、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ：Ｃｅ）に代表されるように、ガーネット構造（Ａ３Ｂ５Ｏ１２）の成分にＣｅが賦活された蛍光体が知られている。【０００６】
また、上述した照明機器に用いられる発光部材（即ち発光体を備えた光波長変換部材）としては、反射層を設けて、その反射層で反射させた反射光を利用した構造が知られている。このような構造においては、光源の青色光と蛍光体から発せられる光とを効率よく反射させることが必要となるので、そのための各種の技術が提案されている（特許文献１、２参照）。【０００７】
例えば特許文献１には、レーザー励起のセラミックス蛍光体と、レーザー照射面とは異なる面に光反射性を有する反射層とを備えた発光装置が開示されている。【０００８】
また、特許文献２には、セラミックコンバーターと、金属を含む反射性の被覆と、金属の冷却体とで構成された複合体が開示されている。この複合体では、セラミックコンバーターは、金属を含む反射性の被覆で直接被覆されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１６−５８６１９号公報
【特許文献２】特許第６３２０５３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、上述した従来技術では、下記のような問題が生じる可能性があり、その改善が求められていた。【００１１】
例えば、特許文献１に記載の技術では、光反射性を有する反射層にて光を反射するが、光の反射は反射層の金属成分に由来するだけであるので、光を効率良く取り出すことができない可能性がある。【００１２】
また、特許文献２に記載の技術では、セラミックコンバーターに被覆された反射性の被覆層によって光を反射するが、前記特許文献１と同様に、光の反射は被覆層の金属成分に由来するだけであるので、光を効率良く取り出すことができない可能性がある。【００１３】
本開示の一側面においては、光を効率良く取り出すことができる光波長変換部材及び光変換装置並びに発光装置を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
（１）本開示の一つの局面における光波長変換部材は、入射した光によって蛍光を発する蛍光性を有する結晶粒子を主体とする蛍光相と、透光性を有する結晶粒子を主体とする透光相と、を有するセラミックス焼結体を備えた光波長変換部材に関するものである。【００１５】
この光波長変換部材は、セラミックス焼結体の光が入射する側とは反対側に、光を反射する反射性を有する金属層を有するとともに、セラミックス焼結体と金属層との間に、光の屈折率が異なる誘電体の層を有する誘電体多層膜を備えている。【００１６】
この光波長変換部材では、入射した光に応じて蛍光を発するセラミックス焼結体と、光を反射する性能を有する金属層（即ち反射層）との間に、光の屈折率が異なる誘電体の層が積層された構成を有する誘電体多層膜（即ち光の反射や透過が可能な誘電体多層膜）を備えているので、従来の金属層のみの反射性能（即ち反射率）よりも高い反射性能を有する。【００１７】
従って、この光波長変換部材は、従来よりも入射光や蛍光を効率よく反射することができる。つまり、光波長変換部材では、効率よく光を取り出すことができるので、高い発光強度（即ち蛍光強度）を有している。【００１８】
ここで、誘電体多層膜とは、光の透過が可能であって、光の屈折率が異なる誘電体の膜の積層体、即ち、高屈折率膜と（それより屈折率が低い）低屈折率膜とが隣り合うように、順次積層された構成を有する積層体である。【００１９】
前記高屈折率膜の材料として、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ランタン（Ｌａ２Ｏ３）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸化ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ３）、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）などがあげられる。また、低屈折率膜の材料として酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などがあげられる。従って、誘電体多層膜としては、例えば酸化チタン層と酸化ケイ素層との積層体が挙げられる。【００２０】
誘電体多層膜の全層数としては、２層〜４層を採用でき、各膜の膜厚としては、２５ｎｍ〜１００ｎｍを採用できる。なお、誘電体多層膜の総厚みとしては、３００ｎｍ程度までが好ましい。【００２１】
前記セラミックス焼結体の厚みとしては、１００μｍ〜４００μｍの範囲が好適である。【００２２】
前記金属層の厚みとしては、例えば１００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲が好適である。【００２３】
＜誘電体多層膜の原理＞
以下、誘電体多層膜によって、反射光の強度が向上する理由を説明するが、公知の原理であるので、簡単に説明する。【００２４】
図１に示すように、光の入射側から高屈折率膜と低屈折率膜とが順次積層されている場合、詳しくは、高屈折率膜と低屈折率膜とが、光の波長λにおいて適切な膜厚で順次積層されている場合には、各膜の界面からの反射光は、干渉によって強め合う。【００２５】
従って、入射する光の波長に応じて、高屈折率膜と低屈折率膜との各膜厚を規定することにより、反射光の強度を高めることができる。従って、本開示の誘電体多層膜（即ち高屈折率膜及び低屈折率膜）は、入射する光の波長に応じて、反射光の強度を高めることができる膜厚に設定される。【００２６】
なお、反射光を強める場合には、光の入射側より、高屈折率膜、低屈折率膜の順に積層される（複数の高屈折率膜及び低屈折率膜を用いる場合も同様である）。【００２７】
（２）上述の光波長変換部材では、蛍光相の結晶粒子は、化学式Ａ３Ｂ５Ｏ１２：Ｃｅで表される組成を有するとともに、Ａ元素及びＢ元素は、それぞれ下記元素群から選択される少なくとも１種の元素から構成されていてもよい。【００２８】
Ａ：Ｓｃ、Ｙ、Ｃｅを除くランタノイド
Ｂ：Ａｌ、Ｇａ
なお、Ｃｅを除くランタノイドとは、ランタノイドからＣｅを除外したものである。【００２９】
この光波長変換部材では、セラミックス焼結体が、前記元素群から選択される少なくとも１種の元素から構成されているＡ３Ｂ５Ｏ１２：Ｃｅで表されるガーネット構造を有している。この組成により、効率よく青色光を可視光に変換することができる。【００３０】
また、前記セラミックス焼結体を使用することで、蛍光相と透光相の界面での光の散乱が起き、光の色の角度依存性を減らすことができるので、色均質性を向上できる（即ち色ムラを低減できる）。【００３１】
さらに、前記セラミックス焼結体を使用することで、熱伝導率が良いため、例えばレーザー光の照射によってセラミックス焼結体において発生した熱を、効率良く外部（例えば金属層や放熱部材等）に排出することができる。よって、セラミックス焼結体が蛍光を発しなくなる温度消光を抑制できる。そのため、レーザーの高出力域でも、好適に蛍光を維持することができる。【００３２】
なお、化学式Ａ３Ｂ５Ｏ１２：Ｃｅで表される組成を有する化合物は、前記セラミックス焼結体全体の３ｖｏｌ％〜７０ｖｏｌ％の範囲であることが望ましい。また、前記化学式の化合物のＣｅ濃度は、前記化合物のＡ元素に対して０．１ｍｏｌ％〜１．０ｍｏｌ％の範囲であることが望ましい。さらに、Ａ元素にＧｄを含む場合には、Ｇｄ濃度はＡ元素に対して３０ｍｏｌ％以下の範囲であることが望ましい。また、Ｂ元素にＧａを含む場合には、Ｇａ濃度はＢ元素に対して３０ｍｏｌ％以下の範囲であることが望ましい。【００３３】
（３）上述の光波長変換部材では、透光相の結晶粒子は、Ａｌ２Ｏ３の組成を有していてもよい。【００３４】
ここでは、透光相の結晶粒子の組成の好適な例を示している。【００３５】
（４）上述の光波長変換部材では、金属層の成分として、Ａｇ及び／又はＡｌを含んでいてもよい。【００３６】
金属層の成分が、Ａｇ及び／又はＡｌである場合には、例えば外部から入射した光やセラミックス焼結体にて発光した蛍光等の光を、好適に反射することができる。【００３７】
なお、金属層としては、例えばＡｇからなるＡｇ層やＡｌからなるＡｌ層が好ましい。【００３８】
また、金属層において、光の入射側とは反対側に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる被覆層を設けてもよい。【００３９】
例えば、金属層にＡｇを用いる場合、Ａｇが露出していると酸化して反射性能が劣化してしまう。そこで、Ａｇの表面にアルミナをコート（即ち被覆）することで、Ａｇの酸化を抑えることができる。【００４０】
なお、アルミナの膜厚は３０ｎｍ〜２００ｎｍ程度が好ましい。これより厚くなると金属層からの放熱性が悪くなり、効率よく熱を放出することができなくなる。【００４１】
（５）上述の光波長変換部材では、さらに、金属層の光の入射側とは反対側に、Ｎｉ層及び／又はＡｕ層を備えていてもよい。【００４２】
前記金属層において、光の入射側と記反対側に、例えばＡｕ層がある場合には、例えばハンダを用いて、金属層側のＡｕ層と放熱部材とを強固に接合することができる（即ち接合強度が高い）。【００４３】
また、前記金属層がＡｇ層を備えており、そのＡｇ層の光の入射側と反対側に、例えばＮｉ層がある場合には、Ｎｉ層によってＡｇの酸化を好適に抑制できる。【００４４】
なお、前記アルミナからなる被覆層を設ける場合には、この被覆層の光の入射側とは反対側に、Ｎｉ層及び／又はＡｕ層を設けることができる。【００４５】
（６）上述の光波長変換部材では、誘電体多層膜は、波長５５０ｎｍの光が入射したときの屈折率ａの高屈折率膜と、高屈折率膜よりも波長５５０ｎｍの光が入射したときの屈折率が低い屈折率ｂの低屈折率膜と、を交互に積層した膜であって、屈折率ａと屈折率ｂとの関係が、１．３＜ａ／ｂ、且つ、セラミックス焼結体に波長５５０ｎｍの光が入射したときのセラミックス焼結体の屈折率ｃと屈折率ａとの関係が、１＜ａ／ｃであってもよい。【００４６】
前記各屈折率ａ、ｂ、ｃの関係が、１．３＜ａ／ｂ、且つ、１＜ａ／ｃを満たす場合には、金属層における光反射性能が向上する。よって、光波長変換部材から効率良く光を取り出すことができる。【００４７】
なお、ここで、「高屈折率膜と低屈折率膜とを交互に積層」とは、積層される隣り合う層が高屈折率膜と低屈折率膜とであることを示している。従って、高屈折率膜と低屈折率膜とがそれぞれ１層の場合もあれば、１層の高屈折率膜と１層の低屈折率膜とが積層された複合層が複数積層されている場合もある。【００４８】
（７）上述の光波長変換部材では、高屈折率膜は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂから選択される少なくとも１種の元素を含んでいてもよく、低屈折率膜は、ＳｉＯ２又はＭｇＦ２からなっていてもよい。【００４９】
高屈折率膜の材料が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂから選択される少なくとも１種の元素を含む場合（例えば当該元素からなる場合）で、低屈折率膜の材料が、ＳｉＯ２又はＭｇＦ２からなる場合には、光波長変換部材から効率良く光を取り出すことができる。【００５０】
（８）上述の光波長変換部材では、誘電体多層膜の総厚みが、３００ｎｍ以下であってもよい。【００５１】
誘電体多層膜の総厚みが３００ｎｍ以下の場合には、誘電体多層膜にかかる残留応力が少なく、誘電体多層膜と金属層との間の密着性が低下しにくい。よって、誘電体多層膜の総厚みは、３００ｎｍ以下が好適である。【００５２】
（９）本開示の一つの局面における光波長変換装置は、前記光波長変換部材を備えた光波長変換装置に関するものである。【００５３】
この光波長変換装置では、光波長変換部材の金属層の光の入射側とは反対側に、放熱部材が接合されている。【００５４】
従って、光波長変換装置は、放熱部材によって放熱性が向上するので、セラミックス焼結体の温度の上昇によって、セラミックス焼結体が蛍光を発しなくなる温度消光を抑制できる。【００５５】
なお、光波長変換部材に放熱部材を接合する接合材料としては、例えば、金属製のハンダや、熱伝導性に優れた周知の熱伝導性接着剤を採用できる。【００５６】
ここで、放熱部材とは、セラミックス焼結体よりも放熱性（即ち熱伝導性：熱伝導率）に優れた部材であり、例えばアルミや銅等の各種の金属部材を採用することができる。【００５７】
（１０）本開示の一つの局面における発光装置は、前記光波長変換装置と、光を発光する発光素子と、を備えた発光装置である。【００５８】
この発光装置（詳しくは光波長変換部材）にて波長が変換された光（即ち蛍光）は、高い蛍光強度を有する。また、高い色均質性を有する。【００５９】
なお、発光装置の発光素子としては、例えばＬＥＤやＬＤなどの公知の素子を用いることができる。【００６０】
＜以下に、本開示の各構成について説明する＞
・「蛍光相」は、蛍光性を有する結晶粒子を主体とする相であり、「透光相」は、透光性を有する結晶粒子、詳しくは蛍光相の結晶粒子とは異なる組成の結晶粒子を主体とする相である。【００６１】
・「主体」とは、前記光波長変換部材中において、最も多い量（即ち体積）存在することを示している。例えば、蛍光相には、蛍光性を有する結晶粒子を５０体積％以上（好ましくは９０体積％以上）含まれていてもよい。また、例えば、透光相には、透光性を有する結晶粒子を５０体積％以上（好ましくは９０体積％以上）含まれていてもよい。【００６２】
・セラミックス焼結体では、各結晶粒子やその粒界には、不可避不純物が含まれていてもよい。このセラミックス焼結体には、蛍光相及び透光相（従って蛍光性を有する結晶粒子及び透光性を有する結晶粒子）が、セラミックス焼結体の５０体積％以上（好ましくは９０体積％以上）含まれていてもよい。【００６３】
なお、セラミックス焼結体中における蛍光相の割合（従って蛍光性を有する結晶粒子の割合）としては、３〜７０体積％を採用できる。一方、セラミックス焼結体における透光相の割合（従って透光性を有する結晶粒子の割合）としては、３０〜９７体積％を採用できる。【００６４】
・「Ａ３Ｂ５Ｏ１２：Ｃｅ」とは、Ａ３Ｂ５Ｏ１２中の元素Ａの一部にＣｅが固溶置換していることを示しており、このような構造を有することにより、同化合物は蛍光特性を示すようになる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】誘電体多層膜を用いて反射光の強度を上げる原理を説明する説明図である。
【図２】第１実施形態の光波長変換部材を厚み方向に破断した断面図である。
【図３】第１実施形態の光波長変換部材の製造工程を示す説明図である。
【図４】第２実施形態の光波長変換部材を厚み方向に破断した断面図である。
【図５】第３実施形態の光波長変換部材を厚み方向に破断した断面図である。
【図６】第４実施形態の光波長変換部材を厚み方向に破断した断面図である。
【図７】第５実施形態の光波長変換部材を厚み方向に破断した断面図である。
【図８】第６実施形態の光波長変換装置を厚み方向に破断した断面図である。
【図９】第８実施形態の発光装置を示す説明図である。
【符号の説明】
【００６６】
１…光波長変換部材
３…セラミックス焼結体
７…金属層
５…誘電体多層膜
５ａ…高屈折率膜
５ｂ…低屈折率膜
２３…Ｎｉ層
４３…Ａｕ層
５１…光波長変換装置
６１…発光装置
６３…発光素子
【発明を実施するための形態】
【００６７】
次に、本開示の光波長変換部材及び光波長変換装置並びに発光装置の実施形態について説明する。
［１．第１実施形態］
［１−１．光波長変換部材の構成］
まず、本第１実施形態の光波長変換部材の構成について説明する。
【００６８】
図２に示すように、本実施形態の光波長変換部材１は、図２の上方（即ち外部からの光（Light）が入射する側）から、板状のセラミックス焼結体３と誘電体多層膜５と金属層 ７とが積層された板材である。なお、以下では、光の入射する側（図２の上方）を入射側と称し、入射した光が反射する側（即ち入射側と反対側：図２の下方）を反射側と称する。
【００６９】
以下、詳細に説明する。
【００７０】
＜セラミックス焼結体＞
セラミックス焼結体３は、外部から入射した光によって蛍光性を有する結晶粒子（即ち蛍光相粒子）を主体とする蛍光相と、透光性を有する結晶粒子（即ち透光相粒子）を主体とする透光相と、から構成されている蛍光体である。
【００７１】
つまり、セラミックス焼結体３は、１又は複数の蛍光相粒子から構成された塊部分である蛍光相と、１又は複数の透光相粒子から構成された塊部分である透光相と、から構成されている。
【００７２】
すなわち、セラミックス焼結体３は、実質的に、蛍光相粒子と蛍光相粒子とから構成されている。なお、蛍光相粒子及び蛍光相粒子は、セラミックス焼結体３において、例えば９０体積％以上（例えばほぼ１００体積％）である。
【００７３】
詳しくは、蛍光相粒子は、化学式Ａ３Ｂ５Ｏ１２：Ｃｅで表される組成を有するとともに、そのＡ元素及びＢ元素は、それぞれ下記元素群から選択される少なくとも１種の元素から構成されている。
【００７４】
Ａ：Ｓｃ、Ｙ、Ｃｅを除くランタノイド
Ｂ：Ａｌ、Ｇａ
なお、前記化学式Ａ３Ｂ５Ｏ１２：ＣｅのＡ及びＢは、化学式Ａ３Ｂ５Ｏ１２：Ｃｅで示される物質を構成する各元素（但し異なる元素）を示しており、Ｏは酸素、Ｃｅはセリウムである。
【００７５】
さらに、セラミックス焼結体３では、化学式Ａ３Ｂ５Ｏ１２：Ｃｅで表される化合物（即ち蛍光相粒子）は、例えば、セラミックス焼結体３全体の３ｖｏｌ％〜７０ｖｏｌ％の範囲である。
【００７６】
また、前記蛍光相粒子におけるＣｅ濃度は、例えば、化合物のＡ元素に対して０．１ｍｏｌ％〜１．０ｍｏｌ％の範囲である。
【００７７】
なお、Ａ元素にＧｄを含む場合には、例えば、Ｇｄ濃度はＡ元素に対して３０ｍｏｌ％以下の範囲である。また、Ｂ元素にＧａを含む場合には、例えば、Ｇａ濃度はＢ元素に対して３０ｍｏｌ％以下の範囲である。
【００７８】
一方、透光相粒子は、例えばＡｌ２Ｏ３の組成を有している。
【００７９】
なお、セラミックス焼結体３の寸法は、例えば縦１０ｍｍ×横１０ｍｍであり、その厚みは、例えば１００μｍ〜４００μｍの範囲（例えば１００μｍ）である。
【００８０】
＜誘電体多層膜＞
誘電体多層膜５は、光の屈折率が異なる誘電体の層（即ち複数の層）からなり、光の透過が可能な多層膜である。
【００８１】
つまり、誘電体多層膜５とは、光の屈折率が異なる誘電体の膜（即ち各誘電体膜）の積層体、即ち、高屈折率膜と（それより屈折率が低い）低屈折率膜との積層体である。
【００８２】
詳しくは、この誘電体多層膜５は、図２に示すように、例えば、光の入射側に配置されたＴｉＯ２からなるＴｉＯ２膜（即ち高屈折率膜）５ａと、反射側に配置されたＳｉＯ２からなるＳｉＯ２膜（即ち低屈折率膜）５ｂとが積層された積層体である。
【００８３】
ここでは、誘電体多層膜５の全層数（膜数）として、２層を例示しているが、例えば２〜４層等の構成を採用できる。また、ＴｉＯ２膜５ａやＳｉＯ２膜５ｂの膜厚は、それぞれ、例えば２５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲を採用できる。なお、総膜厚としては、３００ｎｍ程度までが好ましい。
【００８４】
なお、上述したように、入射する光の波長に応じて、高屈折率膜と低屈折率膜との膜厚を規定することにより、反射光の強度を高めることができる。従って、ここでは、入射する光の波長λに応じて、ＴｉＯ２膜５ａ及びＳｉＯ２膜５ｂの各膜厚は、反射光の強度を高めることができる膜厚に設定されている。
【００８５】
例えば入射する光の波長が４６５ｎｍの場合には、ＴｉＯ２膜５ａ及びＳｉＯ２膜５ｂの各膜厚は、それぞれ５０ｎｍが好ましい。
【００８６】
＜金属層＞
金属層７は、光を反射する反射性を有する金属からなる層である。
【００８７】
ここでは、金属層７として、例えばＡｇからなる１層（Ａｇ層）の構造を例示しているが、他の金属（例えばＡｌ）からなる層（例えばＡｌ層）を採用してもよい。
【００８８】
或いは、この金属層７として、異なる金属からなる層（例えばＡｇ層とＡｌ層）を積層した多層構造としてもよい。
【００８９】
なお、金属層７の厚みとしては、例えば１００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲を採用できる。
［１−２．光波長変換部材の製造方法］
次に、光波長変換部材１を製造する際の概略の手順について、図３に基づいて、簡単に説明する。
【００９０】
まず、前記第１実施形態の構成を満たすように、セラミックス焼結体３の粉末材料の秤量等を行った（即ち調製した）。
【００９１】
次に、調製した粉末材料に、有機溶剤と分散剤とを加え、ボールミルにて粉砕混合を行い、スラリーを作製した。
【００９２】
次に、得られたスラリーを、乾燥、造粒した。
【００９３】
次に、得られた造粒粉を、プレス成形した。
【００９４】
次に、プレス成形体を、所定温度で所定時間焼成し、セラミックス焼結体３を得た。
【００９５】
なお、上述したプレス成形によるセラミックス焼結体３の製造方法以外に、スラリーをシート成形して得られたシート成形体を焼成することにより、セラミックス焼結体３を得てもよい。
【００９６】
次に、セラミックス焼結体３の厚み方向の一方（反射側）に、誘電体多層膜５を形成した。
【００９７】
具体的には、まず、真空蒸着によって、ＴｉＯ２膜５ａを形成した。その後、ＴｉＯ２膜５ａの表面（即ち露出した反射側の表面）に、真空蒸着によって、ＳｉＯ２膜５ｂを形成した。
【００９８】
次に、誘電体多層膜５のＳｉＯ２膜５ｂの表面（即ち露出した反射側の表面）に、例えば真空蒸着によって、金属層（例えばＡｇ層）７を形成した。
【００９９】
なお、金属層７を形成する場合には、真空蒸着以外に、スパッタやめっきなどの各種の薄膜形成方法を採用できる。
【０１００】
これによって、光波長変換部材１を得た。
［１−３．効果］
次に、本第１実施形態の効果を説明する。
【０１０１】
（１）本第１実施形態の光波長変換部材１は、セラミックス焼結体３の光が入射する側とは反対側に、光を反射する反射性を有する金属層（Ａｇ層）７を有するとともに、セラミックス焼結体３と金属層７との間に、光の屈折率が異なる誘電体の層からなる誘電体多層膜５を備えている。
【０１０２】
この誘電体多層膜５は、光の入射側より、高屈折率膜５ａと低屈折率膜５ｂとが積層された構成を有しており、各膜５ａ、５ｂの界面からの反射光が、干渉によって強め合う特性を有している。
【０１０３】
この構成によって、光波長変換部材１は、従来の金属層のみの反射性能（即ち反射率）よりも高い反射性能を有する。つまり、光波長変換部材１は、従来よりも入射光や蛍光を効率よく反射できる。よって、光波長変換部材１は、効率よく光を取り出すことができるので、高い発光強度（即ち蛍光強度）を有している。
【０１０４】
（２）本第１実施形態では、蛍光相の結晶粒子は、化学式Ａ３Ｂ５Ｏ１２：Ｃｅで表される組成を有するとともに、Ａ元素及びＢ元素は、それぞれ下記元素群から選択される少なくとも１種の元素から構成されている。
【０１０５】
Ａ：Ｓｃ、Ｙ、Ｃｅを除くランタノイド
Ｂ：Ａｌ、Ｇａ
この組成により、効率よく青色光を可視光に変換することができる。また、前記セラミックス焼結体３を使用することで、蛍光相と透光相の界面での光の散乱が起き、光の色の角度依存性を減らすことができるので、色均質性を向上できる（即ち色ムラを低減できる）。
【０１０６】
さらに、前記セラミックス焼結体３を使用することで、熱伝導率が良いため、例えばレーザー光の照射によって光波長変換部材１において発生した熱を、効率良く外部（例えば金属層７や放熱部材）に排出することができる。よって、セラミックス焼結体３が蛍光を発しなくなる温度消光を抑制できる。そのため、レーザーの高出力域でも、好適に蛍光を維持することができる。
【０１０７】
（３）本第１実施形態では、金属層７はＡｇからなるので、例えば外部から入射した光やセラミックス焼結体３にて発光した蛍光等の光を、好適に反射することができる。なお、金属層７としては、Ａｇ層に限らず、Ａｌ層等を採用できる。
［２．第２実施形態］
次に、第２実施形態の光波長変換部材について説明するが、第１実施形態と同様な内容については、説明を省略又は簡易化する。なお、第１実施形態と同様な構成については、同様な番号を付す。
【０１０８】
図４に示すように、本第２実施形態の光波長変換部材１１は、第１実施形態と同様に、図４の上方の入射側から、セラミックス焼結体３と、ＴｉＯ２膜５ａ及びＳｉＯ２膜５ｂからなる誘電体多層膜５と、金属層（即ちＡｇ層）７と、が積層された構成を有している。
【０１０９】
特に本第２実施形態では、Ａｇ層７の反射側（図４の下方）には、Ａｇ層７の全表面を覆うように、Ａｌ２Ｏ３からなるＡｌ２Ｏ３層１３が積層されている。なお、Ａｌ２Ｏ３層１３の厚みは、例えば３０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０１１０】
このＡｌ２Ｏ３層１３は、例えば真空蒸着によって形成することができる。
【０１１１】
本第２実施形態は、第１実施形態と同様な効果を奏する。また、本第２実施形態では、Ａｇ層７の表面はＡｌ２Ｏ３層１３で覆われているので、Ａｇの酸化を抑制することができる。そのため、Ａｇ層７の反射特性の劣化を抑制することができる。
【０１１２】
なお、Ａｇ層７に代えて、Ａｌ層を採用することもできる。また、Ａｇ層７とＡｌ層とを積層してもよい（以下同様）。
［３．第３実施形態］
次に、第３実施形態の光波長変換部材について説明するが、第１実施形態と同様な内容については、説明を省略又は簡易化する。なお、第１実施形態と同様な構成については、同様な番号を付す。
【０１１３】
図５に示すように、本第３実施形態の光波長変換部材２１は、第１実施形態と同様に、図５の上方の入射側から、セラミックス焼結体３と、ＴｉＯ２膜５ａ及びＳｉＯ２膜５ｂからなる誘電体多層膜５と、金属層（即ちＡｇ層）７と、が積層された構成を有している。
【０１１４】
特に本第３実施形態では、Ａｇ層７の反射側（図５の下方）には、Ａｇ層７の全表面を覆うように、ＮｉからなるＮｉ層２３が積層されている。なお、Ｎｉ層２３の厚みは、例えば１００ｎｍである。
【０１１５】
なお、Ａｇ層７の表面に、Ｎｉ層２３等の他の金属層が形成されている場合には、Ａｇ層（即ち金属層）７及びＮｉ層２３等からなる構成を、金属被覆２５と称する。
【０１１６】
このＮｉ層２３の形成方法としては、前記Ａｇ層７と同様に、真空蒸着、スパッタ、めっき等の各種の薄膜形成方法を採用できる。
【０１１７】
本第３実施形態は、第１実施形態と同様な効果を奏する。また、本第３実施形態では、Ａｇ層７の表面をＮｉ層２３で覆っているので、Ａｇの酸化を抑制することができる。
［４．第４実施形態］
次に、第４実施形態の光波長変換部材について説明するが、第２実施形態と同様な内容については、説明を省略又は簡易化する。なお、第２実施形態と同様な構成については、同様な番号を付す。
【０１１８】
図６に示すように、本第４実施形態の光波長変換部材３１は、第２実施形態と同様に、図６の上方の入射側から、セラミックス焼結体３と、ＴｉＯ２膜５ａ及びＳｉＯ２膜５ｂからなる誘電体多層膜５と、金属層（即ちＡｇ層）７と、Ａｌ２Ｏ３層１３と、が積層された構成を有している。
【０１１９】
特に本第４実施形態では、Ａｌ２Ｏ３層１３の反射側（図６の下方）には、Ａｌ２Ｏ３層１３の全表面を覆うように、前記第３実施形態と同様なＮｉ層２３が積層されている。
【０１２０】
本第４実施形態は、第１実施形態と同様な効果を奏する。また、本第４実施形態では、Ａｇ層７の表面はＡｌ２Ｏ３層１３とＮｉ層２３とで覆われているので、Ａｇの酸化を好適に抑制することができる。
［５．第５実施形態］
次に、第５実施形態の光波長変換部材について説明するが、第３実施形態と同様な内容については、説明を省略又は簡易化する。なお、第３実施形態と同様な構成については、同様な番号を付す。
【０１２１】
図７に示すように、本第５実施形態の光波長変換部材４１は、第３実施形態と同様に、図７の上方の入射側から、セラミックス焼結体３と、ＴｉＯ２膜５ａ及びＳｉＯ２膜５ｂからなる誘電体多層膜５と、金属層（即ちＡｇ層）７と、Ｎｉ層２３と、が積層された構成を有している。
【０１２２】
特に本第５実施形態では、Ｎｉ層２３の反射側（図７の下方）には、Ｎｉ層２３の全表面を覆うように、ＡｕからなるＡｕ層４３が積層されている。なお、Ａｕ層４３の厚みは、例えば２００ｎｍである。
【０１２３】
このＡｕ層４３の形成方法としては、前記Ｎｉ層２３と同様に、真空蒸着、スパッタ、めっき等の各種の薄膜形成方法を採用できる。
【０１２４】
本第５実施形態は、第３実施形態と同様な効果を奏する。また、本第５実施形態では、Ａｇ層７の表面をＮｉ層２３及びＡｕ層４３で覆っているので、Ａｇの酸化を好適に抑制することができる。
【０１２５】
なお、Ａｇ層７に代えてＡｌ層を設けてよく、また、Ａｕ層４３に代えて、Ａｇ層を設けてもよい。さらに、Ａｇ層７とＮｉ層２３との間に、前記第４実施形態と同様なＡｌ２Ｏ３層１３を設けてもよい。
［６．第６実施形態］
次に、第６実施形態の光波長変換装置について説明するが、第５実施形態と同様な内容については、説明を省略又は簡易化する。なお、第５実施形態と同様な構成については、同様な番号を付す。
【０１２６】
図８に示すように、本第６実施形態の光波長変換装置５１は、第５実施形態と同様な光波長変換部材４１の反射側（図８の下方）に、接合材からなる接合部５３によって、板状の放熱部材５５が接合されたものである。
【０１２７】
詳しくは、光波長変換部材４１は、第５実施形態と同様に、図８の上方の入射側から、セラミックス焼結体３と、ＴｉＯ２膜５ａ及びＳｉＯ２膜５ｂからなる誘電体多層膜５と、金属層（即ちＡｇ層）７と、Ｎｉ層２３と、Ａｕ層４３と、が積層された構成を有している。
【０１２８】
前記接合部５３は、熱伝導性が高い接合材、例えばＰｂ等からなるハンダなどの金属接合材から構成されている。なお、金属接合材以外に、例えば熱伝導性に優れた周知の熱伝導性接着剤を採用できる。
【０１２９】
前記放熱部材５５は、平面視（図８の上下方向から見た場合）で、光波長変換部材４１よりも外形が大きな部材である。なお、放熱部材の寸法としては、光波長変換部材４１の寸法を、例えば縦３．５ｍｍ×横３．５ｍｍ×厚み１００μｍとした場合には、例えば縦１２ｍｍ×横１２ｍｍ×厚み１．５ｍｍを採用できる。
【０１３０】
この放熱部材５５は、セラミックス焼結体３よりも放熱性（即ち熱伝導性：熱伝導率）に優れた部材であり、例えばアルミや銅等の金属部材を採用することができる。
【０１３１】
なお、図示しないが、光波長変換部材４１と接合部５３との間には、接合性を向上させるために、保護層を形成してもよい。この保護層としては、Ｎｉシートを採用できる。
【０１３２】
本第６実施形態は、第５実施形態と同様な効果を奏する。また、本第６実施形態では、光波長変換部材４１に放熱部材５５が接合されているので、放熱性が高い。よって、セラミックス焼結体３の温度上昇を抑制できるので、温度消光を抑制できる。よって、発光特性（即ち蛍光特性）に優れている。
［７．第７実施形態］
次に、第７実施形態の発光装置について説明するが、第６実施形態と同様な内容については、説明を省略又は簡易化する。なお、第６実施形態と同様な構成については、同様な番号を付す。
【０１３３】
図９に示すように、本第７実施形態の発光装置６１は、第６実施形態と同様な光波長変換装置５１の入射側（図９の上方）に、発光素子６３が配置されたものである。
【０１３４】
この発光素子６３として、例えばＬＥＤやＬＤなどの公知の素子を用いることができる。
【０１３５】
前記発光装置６１では、発光素子６３から、セラミックス焼結体３の表面に対して、青色光を照射する。そして、照射された光は、セラミックス焼結体３にて波長変換されたり、Ａｇ層７等にて反射し、光波長変換部材４１の図９の上方の表面（即ちセラミックス焼結体の上面３ａ）から、各色が混合した白色となって、図９の上方に照射される。
【０１３６】
本第７実施形態は、第６実施形態と同様な効果を奏する。また、本第７実施形態の発光装置６１は、発光強度の高い光を外部に照射することができる。
［８．実施例］
次に、前記実施形態の具体的な実施例等について説明する。
【０１３７】
ここでは、下記表１に記載のNo.１〜１８の光波長変換部材の各試料を作製した。
【０１３８】
各試料のうち、No.１〜６、１０〜１８が本開示の範囲内の試料であり、No.７〜９が本開示の範囲外の比較例の試料である。
【０１３９】
なお、本開示の光波長変換部材としては、第３実施形態と同様な構成を採用した。即ち、セラミックス焼結体、誘電体多層膜、Ａｇ層、Ｎｉ層が積層された構成を採用した。また、表１の誘電体多層膜の各試料における欄、即ち、誘電体多層膜を構成する各誘電体膜を示す欄では、各欄の左側にセラミックス焼結体に近い方を記載した。
［８−１．試料の評価方法］
まず、各試料に対して実施した各評価の方法について説明する。
【０１４０】
＜相対密度＞
各試料の光波長変換部材のセラミックス焼結体の開気孔率を、ＪＩＳ  Ｒ１６３４に規定される方法によって測定し、その測定値からセラミックス焼結体の相対密度を求めた。
【０１４１】
＜耐レーザー出力＞
各試料の光波長変換部材に対し、４６５ｎｍの波長を有する青色ＬＤ光を、レンズで０．１ｍｍ幅まで集光させて照射し、反射した光をレンズにて集光し、分光放射照度計（コニカミノルタ製ＣＬ−５００Ａ）によって色度値（Ｘ）を測定した。この時照射される出力密度は０〜１００Ｗ／ｍｍ２とした。
【０１４２】
ここでは、レーザー出力５Ｗ／ｍｍ２時の色度値に対して６０％以下になった場合に、温度消光が生じたと判断し、その時のレーザー出力密度を表１に記載した。そして、１００Ｗ／ｍｍ２で消光しないものについては、「＞１００」と記載した。なお、耐レーザー出力に関しては、１００Ｗ  ／ｍｍ２以上まで消光しないものが好ましい。
【０１４３】
＜蛍光強度＞
各試料の光波長変換部材に対して、４６５ｎｍの波長を有する青色ＬＤ光を、レンズで０．１ｍｍ幅まで集光させて照射し、反射した光をレンズにて集光し、パワーセンサーによって、その時の発光強度（即ち蛍光強度）を測定した。この時照射される出力密度は４０Ｗ／ｍｍ２とした。そして、セラミックス焼結体（蛍光体）として単結晶（即ちＹＡＧ：Ｃｅ単結晶体）を用いた時の蛍光強度を１００％として、各試料の蛍光強度の比較を行った。なお、蛍光強度については、１００％以上であることが好ましい。
【０１４４】
＜色ムラ＞
色ムラ（即ち色バラつき）は、照度計による色度バラツキ測定によって評価した。
【０１４５】
ここでは、各試料の光波長変換部材に対して、４６５ｎｍの波長を有する青色ＬＤ光を、レンズで集光させて０．５ｍｍ幅とし、これを照射して反射してくる光について、分光放射照度計（コニカミノルタ製ＣＬ−５００Ａ）によって色度を測定した。
【０１４６】
照射は、各試料の表面（即ちサンプル面）に対して、９ｍｍ角の中央部分を３ｍｍ間隔で９個所の領域に区分し、各領域の色度（Ｘ方向）のバラツキ（Δｘ）を評価した。バラツキ（Δｘ）とは色度方向の偏差の最大値を示し、Δｘ＜０．０３となることが好ましい。
【０１４７】
なお、色度とは、国際照明委員会（ＣＩＥ）が１９３１年に策定した国際表示法で、ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系で示される色度である。つまり、表色上の３原色を数値化し、ｘｙ座標空間で色を表したｘｙ色度図（いわゆるＣＩＥ色度図）で示される色度である。
【０１４８】
＜サンプル温度＞
各試料の光波長変換部材に対し、４６５ｎｍの波長を有する青色ＬＤ光を、レンズで０．１ｍｍ幅まで集光させて照射し、照射部（即ち青色ＬＤ光を照射した部分）の温度（即ち照射部温度）を放射温度計により測定した。この時、照射される青色ＬＤ光の出力密度を４０Ｗ／ｍｍ２とした。
【０１４９】
＜屈折率比＞
各試料の屈折率比ａ／ｂ、ａ／ｃは、各試料の誘電体多層膜を構成する各誘電体膜の波長５５０ｎｍの光に対する屈折率ａ、ｂ（即ち、高屈折率膜の屈折率ａと、屈折率が高屈折率膜より低い低屈折率膜の屈折率ｂ）と、各試料のセラミックス焼結体の波長５５０ｎｍの光に対する屈折率ｃとから算出した。
【０１５０】
なお、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５の屈折率ａは、ＳｉＯ２の屈折率ｂより大であり、ＴｉＯ２の屈折率ａはＭｇＦ２の屈折率ｂより大である。
【０１５１】
＜誘電体多層膜の総厚み＞
各試料の誘電体多層膜の総厚みは、各試料の誘電体多層膜を構成する各誘電体膜の膜厚の合計である。
【０１５２】
＜膜の密着性＞
各試料に対して、膜の密着性を確認するために、テープ試験を実施した。試験方法は、ＪＩＳ  Ｒ３２５５に準拠して、測定を行った。そして、セラミックス焼結体と誘電体多層膜との界面や、誘電体多層膜を構成する各誘電体膜の間の界面において、剥離が発生するかを確認した。判定基準は、剥離なし、一部剥離、全て剥離、とした。
［８−２．試料の製造方法及び評価結果］
次に、各試料の製造方法と、各試料の評価結果について説明する。
【０１５３】
＜実験例１＞
下記表１に示す条件により、No.１〜４の光波長変換部材の試料を作製した。
【０１５４】
（１）まず、下記の手順で、セラミックス焼結体（蛍光体）を作製した。なお、セラミックス焼結体の寸法は、縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ×厚み２００μｍとした。
【０１５５】
具体的には、No.１〜４の各試料のセラミックス焼結体に応じて（即ち、各試料の組成のセラミックス焼結体を製造するために）、下記表１に示すよう に、Ａｌ２Ｏ３（平均粒径０．２μｍ）とＹ２Ｏ３（平均粒径１．２μｍ）、ＣｅＯ２（平均粒径１．５μｍ）の各粉末材料を秤量した。
【０１５６】
これらの粉末を、エタノールと共にボールミル中に投入し、１６ｈｒ粉砕混合を行った。得られたスラリーを乾燥・造粒することで造粒粉を得た。この造粒粉に対して、所定の割合（全体の２重量％）となるように、十分に溶融させたバインダーを加え、良く攪拌し、乾燥させることで所定の粉末を得た。
【０１５７】
得られた粉末をプレス成形し、さらにＣＩＰ成形することで成形体を得た。得られた成形体を脱脂後、大気雰囲気中で焼成を行って、セラミックス焼結体を得た。この際、焼成温度を１６００℃、保持時間を１０時間として焼成を行った。
【０１５８】
なお、表１、表２には記載しないが、各試料の相対密度は９９％以上であった。なお、下記の他の試料についても同様であった。
【０１５９】
（２）次に、下記の手順で、セラミックス焼結体に誘電体多層膜や金属層を形成した。
【０１６０】
まず、セラミックス焼結体の片面に、誘電体多層膜を形成した。つまり、セラミックス焼結体の表面にＴｉＯ２膜を形成し、そのＴｉＯ２膜の表面にＳｉＯ２膜を形成した。
【０１６１】
詳しくは、表１に示すように、誘電体多層膜として、ＴｉＯ２膜とＳｉＯ２膜とを１層ずつもしくは２層ずつ積層した。各膜の厚みは、２５ｎｍもしくは５０ｎｍとした。なお、No.３の試料は、ＴｉＯ２膜、ＳｉＯ２膜、ＴｉＯ２膜、ＳｉＯ２膜の順番で、ＴｉＯ２膜とＳｉＯ２膜とをそれぞれ２層ずつ形成した。
【０１６２】
次に、誘電体多層膜の表面（即ちＳｉＯ２膜の表面）に、下記表１に示すように、反射性を有する金属として、Ａｇ又はＡｌを被覆して、金属層であるＡｇ層又はＡｌ層を形成した。このＡｇ層又はＡｌ層の厚みは３００ｎｍとした。
【０１６３】
次に、Ａｇ層又はＡｌ層の表面に、下記表１に示すように、Ｎｉ層を形成した。このＮｉ層の厚みは１００ｎｍとした。
【０１６４】
なお、Ａｇ又はＡｌ、Ｎｉの被覆方法として、真空蒸着を採用した。
【０１６５】
これによって、各試料の光波長変換部材を得た。
【０１６６】
（３）そして、得られた各試料の光波長変換部材に対して、上述した評価方法による評価を行った。その結果を、下記表２に記す。
【０１６７】
表２から明らかなように、No.１〜４の試料は、耐レーザー出力が１００Ｗ／ｍｍ２を上回り、温度消光が起こりにくいので好適である。また、表１に示す誘電体多層膜及び金属層の構成を備えるとともに、屈折率比ａ／ｂが２．０２、屈折率比ａ／ｃが１.６５であるので、蛍光強度も１０８％以上と高いので好適である。さらに、色ムラも０．０２９以下と小さく、照射部温度も１２８℃以下と低いので（即ち放熱性に優れているので）好適である。しかも、誘電体多層膜の総厚みが１００ｎｍ以下と小さいので、膜の密着性が優れている。
【０１６８】
＜実験例２＞
下記表１に示す条件により、No.５、６の光波長変換部材の試料を作製した。
【０１６９】
この実験例２のセラミックス焼結体の試料の作製方法は、基本的には、実験例１と同様である。
【０１７０】
但し、No.５の試料に関しては、Ｇｄ２Ｏ３（平均粒径１．１μｍ）を添加し、Ｇｄ量をＹ量に対してｍｏｌ比で３０％となるように調整した。また、No.７の試料に関しては、Ｌｕ２Ｏ３（平均粒径４．１μｍ）、Ｇａ２Ｏ３（平均粒径０．９μｍ）を添加し、Ｌｕ量をＹ量に対してｍｏｌ比で５０％となるよう、Ｇａ量をＡｌ量に対してｍｏｌ比で５０％となるよう調整した。
【０１７１】
本実験例２のセラミックス焼結体に対しても、前記実験例１と同様にして、下記表１に示すように、誘電体多層膜や金属被覆を形成して、光波長変換部材を作製した。なお、表１の金属被膜の欄において、同欄の左端の金属（即ちＡｌ又はＡｇ）が金属層を構成している。
【０１７２】
そして、得られた各試料の光波長変換部材に対して、上述した評価方法による評価を行った。その結果を、下記表２に記す。
【０１７３】
表２から明らかなように、No.５、７の試料は、耐レーザー出力が１００Ｗ／ｍｍ２を上回り、温度消光が起こりにくいので好適である。また、表１に示す誘電体多層膜及び金属層の構成を備えるとともに、屈折率比ａ／ｂが２．０２、屈折率比ａ／ｃが１.６５であるので、蛍光強度も１０６％以上と高いので好適である。さらに、色ムラも０．０２９と小さく、照射部温度も１３２℃以下と低いので好適である。しかも、誘電体多層膜の総厚みが１００ｎｍと小さいので、膜の密着性が優れている。
【０１７４】
＜実験例３＞
下記表１に示す条件により、No.７の光波長変換部材の試料を作製した。このNo.７の試料とは、誘電体多層膜を設けない比較例である。
【０１７５】
この実験例３のセラミックス焼結体の試料の作製方法は、実験例１と同様である。
【０１７６】
そして、本実験例３のセラミックス焼結体に対しては、下記表１に示すように、誘電体多層膜を形成することなく、セラミックス焼結体に対して直接に金属被覆を形成して、光波長変換部材を作製した。
【０１７７】
得られた各試料の光波長変換部材に対して、上述した評価方法による評価を行った。その結果を、下記表２に記す。
【０１７８】
表２から明らかなように、No.７の試料は、蛍光強度が９４％と低く好ましくない。また、膜の密着性が低く好ましくない。
【０１７９】
＜実験例４＞
下記表１に示す条件により、No.８、９の光波長変換部材の試料を作製した。このNo.８、９の試料は、No.１〜７の試料とは、セラミックス焼結体の種類が異なる。
【０１８０】
この実験例４のセラミックス焼結体の試料の作製方法は、基本的には、実験例１と同様である。
【０１８１】
但し、No.８では、セラミックス焼結体として、ＹＡＧ粒子をガラスに分散させた蛍光 体を用い、No.９では、セラミックス焼結体として、ＹＡＧ単結晶の蛍光体を用いた。
【０１８２】
本実験例４のセラミックス焼結体に対しても、前記実験例１と同様にして、下記表１に示すように、誘電体多層膜や金属被覆を形成して、光波長変換部材を作製した。
【０１８３】
そして、得られた各試料の光波長変換部材に対して、上述した評価方法による評価を行った。その結果を、下記表２に記す。
【０１８４】
表２から明らかなように、No.８の試料は、耐レーザー出力が４０Ｗ／ｍｍ２と低く、また、蛍光強度も９０％と低いので好ましくない。なお、他のNo.１〜６の試料に比べて、色ムラが大きく、照射部温度も高いので好ましくない。
【０１８５】
また、No.９の試料は、耐レーザー出力が７５Ｗ／ｍｍ２と低く好ましくない。他のNo.１〜６の試料に比べて、色ムラが大きく、照射部温度も高いので好ましくない。また、蛍光強度は１００％であり、他のNo.１〜６の試料に比べて低い。
【０１８６】
＜実験例５＞
下記表１に示す条件により、No.１０、１１の光波長変換部材の試料を作製した。
【０１８７】
この実験例５のセラミックス焼結体の試料の作製方法は、基本的には、実験例１と同様であるが、金属被覆の構成を変更した。
【０１８８】
具体的には、No.１０、１１の試料のセラミックス焼結体に関しては、Ａｇ層又はＡｌ 層を２００ｎｍ、Ｎｉ層を１００ｎｍ形成し、更に、Ｎｉ層の表面にＡｕ層又はＡｇ層を２００ｎｍ形成した。
【０１８９】
本実験例５のセラミックス焼結体に対しても、前記実験例１と同様にして、下記表１に示すように、誘電体多層膜や金属被覆を形成して、光波長変換部材を作製した。
【０１９０】
そして、得られた各試料の光波長変換部材に対して、上述した評価方法による評価を行った。その結果を、下記表２に記す。
【０１９１】
表２から明らかなように、No.１０、１１の試料は、耐レーザー出力が１００Ｗ／ｍｍ２を上回り、温度消光が起こりにくいので好適である。また、表１に示す誘電体多層膜及び金属層の構成を備えるとともに、屈折率比ａ／ｂが２．０２、屈折率比ａ／ｃが１.６５であるので、蛍光強度も１０５％以上と高いので好適である。さらに、色ムラも０．０２９以下と小さく、照射部温度も１２６℃以下と低いので好適である。しかも、誘電体多層膜の総厚みが１００ｎｍと小さいので、膜の密着性が優れている。
【０１９２】
＜実験例６＞
下記表１に示す条件により、No.１２〜１８の光波長変換部材の試料を作製した。
【０１９３】
この実験例６のセラミックス焼結体の試料の作製方法は、実験例１と同様である。
【０１９４】
本実験例６のセラミックス焼結体に対しても、前記実験例１と同様にして、下記表１に示すように、誘電体多層膜や金属被覆を形成して、光波長変換部材を作製した。
【０１９５】
そして、得られた各試料の光波長変換部材に対して、上述した評価方法による評価を行った。その結果を、下記表２に記す。
【０１９６】
表２から明らかなように、No.１２〜１７の試料は、耐レーザー出力が１００Ｗ／ｍｍ２を上回り、温度消光が起こりにくいので好適である。また、表１に示す誘電体多層膜及び金属被覆の構成を備えるとともに、屈折率比ａ／ｂが１．３２以上、屈折率比ａ／ｃが１.０８以上であるので、蛍光強度が１０７％以上と高く好適である。さらに、色ムラも０．０３４以下と小さく、照射部温度も１３５℃以下と低いので好適である。しかも、誘電体多層膜の総厚みが３００ｎｍと小さいので、膜の密着性が優れている。
【０１９７】
また、No.１８の試料は、耐レーザー出力が１００Ｗ／ｍｍ２を上回り、温度消光が起こりにくいので好適である。また、表１に示す誘電体多層膜及び金属被覆の構成を備えるとともに、屈折率比ａ／ｂが２．０２、屈折率比ａ／ｃが１.６５であるので、蛍光強度が１１８％と高く好適である。なお、誘電体多層膜の総厚みは４００ｎｍであるので、総厚みが３００ｎｍの試料に比べて、膜の密着性が低かった。
【０１９８】
【表１】
2019244506.tif 000003
【０１９９】
【表２】
2019244506.tif 000004
【０２００】
［９．他の実施形態］
本開示は前記実施形態になんら限定されるものではなく、本開示を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
【０２０１】
（１）例えば、前記実施例では大気焼成にて試料を作製したが、その他にホットプレス焼成、真空焼成、還元雰囲気焼成、ＨＩＰ、またはこれらを組み合わせた焼成方法によって、同等の性能を有した試料を作製することができる。
【０２０２】
（２）前記光波長変換部材や発光装置の用途としては、蛍光体、光波長変換機器、ヘッドランプ、照明、プロジェクター等の光学機器など、各種の用途が挙げられる。
【０２０３】
（３）発光装置に用いる発光素子としては特に限定はなく、周知のＬＥＤやＬＤなど、各種のものを採用できる。
【０２０４】
（４）なお、上記各実施形態における１つの構成要素が有する機能を複数の構成要素に分担させたり、複数の構成要素が有する機能を１つの構成要素に発揮させたりしてもよい。また、上記各実施形態の構成の一部を、省略してもよい。また、上記実施形態の構成の少なくとも一部を、他の実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。 
【図１】
2019244506.tif 000005
【図２】
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【図３】
2019244506.tif 000007
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2019244506.tif 000011
【図８】
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【図９】
2019244506.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月9日(2019.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
入射した光によって蛍光を発する蛍光性を有する結晶粒子を主体とする蛍光相と、
透光性を有する結晶粒子を主体とする透光相と、
を有するセラミックス焼結体を備えた光波長変換部材において、
前記セラミックス焼結体の前記光が入射する側とは反対側に、光を反射する反射性を有する金属層を有するとともに、
前記セラミックス焼結体と前記金属層との間に、光の屈折率が異なる誘電体の層を有する誘電体多層膜を備え、
前記誘電体多層膜は、波長５５０ｎｍの前記光が入射したときの屈折率ａの高屈折率膜と、前記高屈折率膜よりも波長５５０ｎｍの前記光が入射したときの屈折率が低い屈折率ｂの低屈折率膜と、を有し、前記高屈折率膜は、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｔａから選択される少なくとも１種の元素を含む、
光波長変換部材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記誘電体多層膜は、前記高屈折率膜と前記低屈折率膜と、を交互に積層した膜であり、前記屈折率ａと前記屈折率ｂとの関係が、１．３＜ａ／ｂであり、
且つ、前記セラミックス焼結体に波長５５０ｎｍの前記光が入射したときの前記セラミック焼結体の屈折率ｃと前記屈折率ａとの関係が、１＜ａ／ｃである、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の光波長変換部材。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記低屈折率膜は、ＳｉＯ２又はＭｇＦ２からなる、
請求項１〜６のいずれか１項に記載の光波長変換部材。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記請求項９に記載の光波長変換装置と、光を発光する発光素子と、を備えた、
発光装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月23日(2020.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
入射した光によって蛍光を発する蛍光性を有する結晶粒子を主体とする蛍光相と、
透光性を有する結晶粒子を主体とする透光相と、
を有するセラミックス焼結体を備えた光波長変換部材において、
前記セラミックス焼結体の前記光が入射する側とは反対側に、光を反射する反射性を有する金属層を有するとともに、
前記セラミックス焼結体と前記金属層との間に、光の屈折率が異なる誘電体の層を有する誘電体多層膜を備え、
前記誘電体多層膜は、波長５５０ｎｍの前記光が入射したときの屈折率ａの高屈折率膜と、前記高屈折率膜よりも波長５５０ｎｍの前記光が入射したときの屈折率が低い屈折率ｂの低屈折率膜と、を有し、前記高屈折率膜は、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｔａから選択される少なくとも１種の元素を含み、
前記誘電体多層膜は、前記光の入射側より、前記高屈折率膜、前記低屈折率膜の順に積層された構成を備えた、
光波長変換部材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記誘電体多層膜は、前記高屈折率膜と前記低屈折率膜と、を交互に積層した膜であり、前記屈折率ａと前記屈折率ｂとの関係が、１．３＜ａ／ｂであり、
且つ、前記セラミックス焼結体に波長５５０ｎｍの前記光が入射したときの前記セラミックス焼結体の屈折率ｃと前記屈折率ａとの関係が、１＜ａ／ｃである、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の光波長変換部材。
【国際調査報告】
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