(57)【要約】  極端紫外光生成装置は、ターゲット物質のドロップレットをプラズマ化させるプラズマ生成領域（２２）を内部に有するチャンバ（２）と、前記プラズマ生成領域でのドロップレットのプラズマ化により生じるＥＵＶ光を反射する反射面（２３Ａ）を有するＥＵＶ光集光ミラー（２３）と、前記プラズマ生成領域でのドロップレットのプラズマ化により生じる荷電粒子が前記チャンバの壁側に収束するための磁場ＭＬを発生するよう構成された磁場発生部と、前記ＥＵＶ光集光ミラーの外周部から前記反射面に沿ってエッチングガスを供給するエッチングガス供給部（３２）と、を備え、前記エッチングガス供給部は、前記磁場の磁場軸ＡＸ及び前記ＥＵＶ光集光ミラーの中心軸を通る面Ｓを基準とした一方側から供給されるエッチングガスの流速が、面Ｓを基準とした他方側から供給されるエッチングガスの流速よりも高くなるよう構成される。
2018211569.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット物質のドロップレットをプラズマ化させるプラズマ生成領域を内部に有するチャンバと、  前記プラズマ生成領域での前記ドロップレットのプラズマ化により生じるＥＵＶ光を反射する反射面を有するＥＵＶ光集光ミラーと、  前記プラズマ生成領域での前記ドロップレットのプラズマ化により生じる荷電粒子が前記チャンバの壁側に収束するための磁場を発生するよう構成された磁場発生部と、  前記ＥＵＶ光集光ミラーの外周部から前記反射面に沿ってエッチングガスを供給するエッチングガス供給部と、  を備え、  前記エッチングガス供給部は、前記磁場の磁場軸及び前記ＥＵＶ光集光ミラーの中心軸を通る面を基準とした一方側から供給されるエッチングガスの流速が、前記面を基準とした他方側から供給されるエッチングガスの流速よりも高くなるよう構成される極端紫外光生成装置。
【請求項２】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、  前記エッチングガス供給部は、前記面を基準とした他方側から供給されるエッチングガスの流速を１としたとき、当該１の流速に対する、前記面を基準とした一方側から供給されるエッチングガスの流速は２以上４以下となるよう構成される。
【請求項３】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、  前記エッチングガス供給部は、前記面を基準とした一方側からのみエッチングガスを供給するよう構成される。
【請求項４】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、  前記チャンバ内に前記ドロップレットを供給するドロップレット供給部を更に備え、  前記ドロップレット供給部は、前記面を基準とした一方側に配置される。
【請求項５】
請求項４に記載の極端紫外光生成装置であって、  前記チャンバの壁に設けられ、前記磁場の磁場軸上に位置する排出口を更に備える。
【請求項６】
請求項５に記載の極端紫外光生成装置であって、  前記排出口とは異なる前記チャンバの壁に設けられ、前記磁場の磁場軸を基準として前記ＥＵＶ光集光ミラー側とは反対側に位置する補助排出口を更に備える。
【請求項７】
請求項５に記載の極端紫外光生成装置であって、  前記排出口とは異なる前記チャンバの壁に設けられ、前記ドロップレットの軌道を基準として前記ＥＵＶ光集光ミラー側とは反対側に位置する補助排出口を更に備える。
【請求項８】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、  前記ＥＵＶ光集光ミラーは、前記中心軸に沿って貫通孔を有し、  前記エッチングガス供給部は、前記ＥＵＶ光集光ミラーの外周部から前記反射面に沿ってエッチングガスを供給すると共に、前記面を基準とした他方側に向けて前記反射面における前記貫通孔の外周部から前記反射面に沿ってエッチングガスを供給するよう構成される。
【請求項９】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、  前記ターゲット物質はスズであり、前記エッチングガスは水素を含有するガスである。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本開示は、極端紫外光生成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】  近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、２０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ：ｅｘｔｒｅｍｅ  ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系（ｒｅｄｕｃｅｄ  ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  ｏｐｔｉｃｓ）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。【０００３】  極端紫外光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ  Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）式の装置との３種類の装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表平６−５００３９４号公報
【特許文献２】特表２０１３−５０６２８０号公報
【概要】
【０００５】  本開示の一態様による極端紫外光生成装置は、ターゲット物質のドロップレットをプラズマ化させるプラズマ生成領域を内部に有するチャンバと、プラズマ生成領域でのドロップレットのプラズマ化により生じるＥＵＶ光を反射する反射面を有するＥＵＶ光集光ミラーと、プラズマ生成領域でのドロップレットのプラズマ化により生じる荷電粒子がチャンバの壁側に収束するための磁場を発生するよう構成された磁場発生部と、ＥＵＶ光集光ミラーの外周部から反射面に沿ってエッチングガスを供給するエッチングガス供給部と、を備え、エッチングガス供給部は、磁場の磁場軸及びＥＵＶ光集光ミラーの中心軸を通る面を基準とした一方側から供給されるエッチングガスの流速が、面を基準とした他方側から供給されるエッチングガスの流速よりも高くなるよう構成されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００６】  本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。【図１】図１は、極端紫外光生成装置の全体の概略構成例を示す模式図である。
【図２】図２は、比較例の極端紫外光生成装置の概略構成を図１のＸ−Ｘ断面で示す模式図である。
【図３】図３は、比較例におけるチャンバ内でのエッチングガスの流れを示す模式図である。
【図４】図４は、実施形態１の極端紫外光生成装置の概略構成を図１のＸ−Ｘ断面で示す模式図である。
【図５】図５は、実施形態１におけるチャンバ内でのエッチングガスの流れを示す模式図である。
【図６】図６は、実施形態２の極端紫外光生成装置の概略構成を図１のＸ−Ｘ断面で示す模式図である。
【図７】図７は、実施形態２におけるチャンバ内でのエッチングガスの流れを示す模式図である。
【図８】図８は、実施形態３の極端紫外光生成装置の概略構成を図５と同じ断面で示す模式図である。
【図９】図９は、実施形態４の極端紫外光生成装置の概略構成を図５と同じ断面で示す模式図である。
【図１０】図１０は、実施形態５の極端紫外光生成装置の概略構成を図５と同じ断面で示す模式図である
【実施形態】
【０００７】１．概要２．極端紫外光生成装置の説明  ２．１  全体構成  ２．２  動作３．比較例  ３．１  比較例のエッチングガス供給部の説明  ３．２  動作  ３．３  課題４．実施形態１  ４．１  実施形態１のエッチングガス供給部の説明  ４．２  動作  ４．３  作用・効果５．実施形態２  ５．１  実施形態２のエッチングガス供給部の説明  ５．２  動作  ５．３  作用・効果６．実施形態３  ６．１  実施形態３のエッチングガス供給部の説明  ６．２  動作  ６．３  作用・効果７．実施形態４  ７．１  実施形態４のエッチングガス供給部の説明  ７．２  動作  ７．３  作用・効果８．実施形態５  ８．１  実施形態５のエッチングガス供給部の説明  ８．２  動作  ８．３  作用・効果
【０００８】  以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。  以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。  なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【０００９】１．概要  本開示の実施形態は、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ  ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）と呼ばれる波長の光を生成する極端紫外光生成装置に関するものである。なお、以下本明細書では、極端紫外光をＥＵＶ光という場合がある。
【００１０】２．極端紫外光生成装置の説明  ２．１  全体構成  図１は、極端紫外光生成装置の全体の概略構成例を示す模式図である。図１に示すように、本実施形態の極端紫外光生成装置１は、チャンバ２及び図１では不図示のドロップレット供給部を含む。チャンバ２は、密閉可能かつ減圧可能な容器である。ドロップレット供給部は、チャンバ２内にターゲット物質のドロップレットを供給するよう構成される。ドロップレット供給部は、例えば、コンティニュアスジェット方式により間隔をあけてターゲット物質のドロップレットをチャンバ２内に供給するよう構成し得る。ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノンのいずれか、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１１】  チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられ、当該貫通孔がウインドウ２１によって塞がれている。このウインドウ２１を透過してチャンバ２の内部にパルス状のレーザ光ＰＬが入射し、入射したレーザ光ＰＬはチャンバ２の内部のプラズマ生成領域２２に照射される。プラズマ生成領域２２は、チャンバ２内に供給されるターゲット物質のドロップレットがプラズマ化される領域である。
【００１２】  チャンバ２の内部には、ＥＵＶ光集光ミラー２３が設けられる。ＥＵＶ光集光ミラー２３は、プラズマ生成領域２２においてドロップレットがプラズマ化されることで生じるＥＵＶ光を集光するよう構成される。ＥＵＶ光集光ミラー２３は、例えば、プラズマ生成領域２２で生じるＥＵＶ光を反射する回転楕円面形状の反射面２３Ａを有し、第１の焦点がプラズマ生成領域２２に位置し、第２の焦点が中間集光点に位置するように配置される。なお、ＥＵＶ光集光ミラー２３は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡ周りに貫通孔２３Ｂを有していてもよく、チャンバ２の内部に入射したレーザ光ＰＬが貫通孔２３Ｂを通過するようにしてもよい。また、ＥＵＶ光集光ミラー２３には、ＥＵＶ光集光ミラー２３の温度を略一定に保つ温度調整器が設けられていてもよい。なお、ＥＵＶ集光ミラー２３の中心軸ＣＡは、反射面２３Ａの第１の焦点及び第２の焦点を通る直線であってもよく、回転楕円面の回転軸であってもよい。
【００１３】  また本実施形態の極端紫外光生成装置１は、エッチングガス供給部３を含む。エッチングガス供給部３は、ドロップレットのプラズマ化により生じた微粒子及び荷電粒子に反応するエッチングガスをＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに供給するよう構成される。ターゲット物質の材料がスズである場合、エッチングガス供給部３から供給されるガスは、水素ガス等のように水素を含有するガスとされる。この場合、ターゲット物質のドロップレットがプラズマ生成領域２２でプラズマ化するとスズ微粒子及びスズイオンが生じ、当該スズ微粒子及びスズイオンが水素と反応すると常温で気体のスタンナン（ＳｎＨ４）になる。
【００１４】  エッチングガス供給部３は、例えば、エッチングガスを供給する不図示のガス供給部と、ガス供給部に連結されるガス導入管３１と、ガス導入管３１に連結されＥＵＶ光集光ミラー２３の外周部に配置されるノズル３２とにより構成し得る。
【００１５】  また本実施形態の極端紫外光生成装置１は、磁場発生部４を含む。磁場発生部４は、プラズマ生成領域２２で生じる荷電粒子がチャンバ２の壁側に収束するための磁場ＭＬを発生するよう構成される。
【００１６】  磁場発生部４は、例えば、互いに対向するチャンバ２の壁を挟むように配置した一対の電磁石４１，４２により構成し得る。電磁石４１は、超電導コイル４１Ａと、超電導コイル４１Ａを囲うケース４１Ｂと、超電導コイル４１Ａに接続される不図示の電流供給部とを含む。電磁石４２は、超電導コイル４２Ａと、超電導コイル４２Ａを囲うケース４２Ｂと、超電導コイル４２Ａに接続される不図示の電流供給部とを含む。
【００１７】  超電導コイル４１Ａ，４２Ａは、当該超電導コイル４１Ａ，４２Ａの中間にプラズマ生成領域２２が位置するように配置される。超電導コイル４１Ａに対して電流供給部から供給される電流の方向と、超電導コイル４２Ａに対して電流供給部から供給される電流の方向とは同方向にされる。このような電流が超電導コイル４１Ａ，４２Ａに供給された場合、超電導コイル４１Ａ，４２Ａの近傍で磁束密度が最も高く、プラズマ生成領域２２に向かうほど磁束密度が低くなる磁場ＭＬが発生する。この磁場ＭＬはミラー磁場と呼ばれることもある。超電導コイル４１Ａ，４２Ａは円形コイルであってよく、超電導コイル４１Ａ，４２Ａは互いに同軸状に配置されてもよい。以下の説明では、円形超電導コイルの中心軸を磁場ＭＬの磁場軸ＡＸとする。但し、これに限らず、チャンバ２の内部に発生する磁場ＭＬに中心軸が定義できる場合、その中心軸を磁場軸ＡＸとしてもよい。
【００１８】  プラズマ生成領域２２で生じる荷電粒子をチャンバ２の壁側に効率良く収束させるためには、ミラー比を小さくすることが好ましい。ミラー比は、超電導コイル４１Ａ，４２Ａの中間に位置されるプラズマ生成領域２２での磁束密度に対する、当該超電導コイル４１Ａ，４２Ａの近傍での磁束密度の比である。また、プラズマ生成領域２２で生じる荷電粒子をチャンバ２の壁側に効率良く収束させるため、磁場ＭＬの形状が制御されてもよい。例えば、超電導コイル４１Ａ，４２Ａの巻き数やそれら超電導コイル４１Ａ，４２Ａに印加される電流の強さ等によって磁場ＭＬの形状が制御され得る。
【００１９】  なお、磁場発生部４は、一方の電磁石４１側からプラズマ生成領域２２を介して他方の電磁石４２側に荷電粒子が収束するための磁場を発生するようにしてもよい。また、磁場発生部４は、一対の電磁石４１，４２により構成されたが、一対の永久磁石により構成されてもよい。また、磁場を発生するための磁石である電磁石４１，４２もしくは永久磁石がチャンバ２の内部にあってもよい。
【００２０】  また本実施形態の極端紫外光生成装置１は、排気部５を含む。排気部５は、チャンバ２内の残留ガスを排気するよう構成される。残留ガスは、ドロップレットのプラズマ化により生じた微粒子及び荷電粒子と、それらがエッチングガスと反応した生成物と、未反応のエッチングガスとを含む。なお、荷電粒子の一部はチャンバ２内で中性化するが、この中性化した荷電粒子も残留ガスに含まれる。
【００２１】  排気部５は、例えば、チャンバ２の壁に設けられる排出口５１Ａ，５１Ｂから、当該排出口５１Ａ，５１Ｂに連結される排出管５２Ａ，５２Ｂを介してチャンバ２内の残留ガスを取り込み、当該残留ガスに対して所定の排気処理を施すよう構成し得る。
【００２２】  なお、排出口５１Ａ，５１Ｂは、図１に示す例では磁場ＭＬの磁場軸ＡＸ上に位置しているが、エッチングガス供給部３から供給されるエッチングガスの流れにおけるＥＵＶ光集光ミラー２３よりも下流側に位置していてもよい。但し、プラズマ生成領域２２で生じる荷電粒子を効率良く排出するためには、排出口５１Ａ，５１Ｂが磁場ＭＬの磁場軸ＡＸ上に位置することが好ましい。
【００２３】  また、排出管５２Ａは、図１に示す例ではチャンバ２と電磁石４１との間を経由するように配置されているが、超電導コイル４１Ａの貫通孔Ｈ１に挿通されるように配置されていてもよい。同様に、排出管５２Ｂは、図１に示す例ではチャンバ２と電磁石４２との間を経由するように配置されているが、超電導コイル４２Ａの貫通孔Ｈ２に挿通されるように配置されていてもよい。また、一対の排出口５１Ａ，５１Ｂと、排気部５との少なくとも一方に、微粒子をトラップするヒータ等のトラップ機構が設けられてもよい。さらに、排気部５は、チャンバ２内の圧力を略一定に保つようにしてもよい。
【００２４】  ２．２  動作  エッチングガス供給部３は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の外周部に配置されるノズル３２からエッチングガスを噴出し、当該外周部から反射面２３Ａに沿ってエッチングガスを供給する。また、磁場発生部４は超電導コイル４１Ａ，４２Ａの近傍で磁束密度が最も高くプラズマ生成領域２２に向かうほど磁束密度が低くなる磁場ＭＬを発生し、排気部５はチャンバ２内の圧力を略一定に保つ。なお、磁場ＭＬの磁束密度は例えば０．４Ｔ〜３Ｔの範囲内とされ、好ましくは０．５Ｔ〜１．５Ｔの範囲内とされる。チャンバ２内の圧力は例えば１０Ｐａ〜１００Ｐａの範囲内とされ、好ましくは１５Ｐａ〜４０Ｐａとされる。
【００２５】  この状態において、ターゲット物質のドロップレットがチャンバ２内に供給され、当該チャンバ２内のプラズマ生成領域２２に達したドロップレットに対してレーザ光ＰＬが照射される。
【００２６】  レーザ光ＰＬが照射されたドロップレットはプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光を含む光が放射する。ＥＵＶ光は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａで選択的に反射され、チャンバ２に接続された不図示の露光装置に出力される。
【００２７】  ところで、ドロップレットがプラズマ化すると、上記のように荷電粒子が生じる。荷電粒子は、ローレンツ力を受けることで磁力線に垂直な面内で回転する軌道を描いて運動する。このように運動する荷電粒子が排出口５１Ａ，５１Ｂの方向に速度成分を有している場合、荷電粒子は磁力線に沿ってらせん軌道を描いて収束しながらチャンバ２の壁に向かう。そして、荷電粒子は、磁場ＭＬの収束部付近のチャンバ２の壁に設けられた排出口５１Ａ，５１Ｂに誘導される。従って、荷電粒子が収束しながら移動する領域には他の空間に比べて高密度で荷電粒子が存在する。荷電粒子が収束しながら移動する領域を、荷電粒子の収束領域とする。荷電粒子の収束領域はプラズマ生成領域を含む。なお、上記のように、ドロップレットのプラズマ化により生じた荷電粒子の一部は中性化する。排出口５１Ａ，５１Ｂから排出管５２Ａ，５２Ｂの管内に達した荷電粒子は排気流に乗って排気部５に流入し、その排気部５で所定の排気処理が施される。このようにプラズマ生成領域２２で生じる荷電粒子が磁場ＭＬによって排出口５１Ａ，５１Ｂに導かれ排気されることで、当該荷電粒子の衝突によるＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａの損傷が抑制される。
【００２８】  また、ドロップレットがプラズマ化すると、上記のように微粒子が生じる。微粒子は、磁場発生部４により発生される磁場ＭＬの影響を受けないためチャンバ２内に拡散する。チャンバ２内に拡散した微粒子の一部はＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに付着する。反射面２３Ａに付着した微粒子は、エッチングガス供給部３から反射面２３Ａに沿って供給されるエッチングガスと反応し、この反応により所定の生成物となる。上記のように微粒子がスズ微粒子であり、エッチングガスが水素を含むガスである場合、生成物は常温で気体のスタンナンである。このスタンナンは高温で水素と乖離し、スズ微粒子が生じ易くなる。従って、生成物がスタンナンである場合には、水素との乖離を抑制するためにＥＵＶ光集光ミラー２３の温度が６０℃以下に保たれるとよい。なお、ＥＵＶ光集光ミラー２３の温度を２０℃以下とすることがより好ましい。
【００２９】  エッチングガスとの反応により得られた生成物は、未反応のエッチングガスの流れにのって、排出口５１Ａ，５１Ｂに向かう。また、磁場ＭＬによって排出口５１Ａ，５１Ｂに収束しなかった荷電粒子、及び、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに付着しなかった微粒子の少なくとも一部は、チャンバ２内を流れる未反応のエッチングガスの一部と反応する。この反応により得られる生成物は、未反応のエッチングガスの流れにのって、排出口５１Ａ，５１Ｂに向かう。そして、未反応のエッチングガスの少なくとも一部は、排出口５１Ａ，５１Ｂに流入する。
【００３０】  排出口５１Ａ，５１Ｂに流入した未反応のエッチングガスと、当該エッチングガスに含まれる微粒子、荷電粒子、中性化した荷電粒子及び上記の生成物等の成分は、排気流に乗って排気部５に流入し、その排気部５で無害化等の所定の排気処理が施される。このようにチャンバ２内の各種の物質が排気されることで、チャンバ２内で中性化した荷電粒子や微粒子がＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに堆積することが抑制される。
【００３１】３．比較例の極端紫外光生成装置の説明  次に、比較例の極端紫外光生成装置を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
【００３２】  ３．１  構成  図２は、比較例の極端紫外光生成装置の構成を図１のＸ−Ｘ断面で示す模式図である。但し、図２では磁場発生部４が省略されている。図２に示すように、比較例の極端紫外光生成装置では、ＥＵＶ光集光ミラー２３の外周部の略全体にわたって複数のノズル３２が間隔をあけて配置されている。なお、複数のノズル３２が等間隔で配置されていてもよい。それぞれのノズル３２の噴出口は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡに向けて配置されている。
【００３３】  なお、図２では、図１において不図示であったドロップレット供給部６が示されている。但し、ドロップレット供給部６は、図１のＸ−Ｘ断面上に配置されていないため、破線で示している。本例では、図１の磁場軸ＡＸを通り、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡに垂直な面上におけるチャンバ２の壁にドロップレット供給部６が設けられ、当該ドロップレット供給部６の一部がチャンバ２内に配置される。
【００３４】  ３．２  動作  エッチングガス供給部３は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の外周部に配置される複数のノズル３２からそれぞれ反射面２３Ａに沿ってエッチングガスを供給する。なお、それぞれのノズル３２から供給されるエッチングガスの流速は同程度とされる。
【００３５】  図３は、比較例におけるチャンバ内でのエッチングガスの流れを示す模式図である。なお、図３は、図２のＹ−Ｙ断面を示している。図３に示すように、エッチングガスは、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに沿って中心軸ＣＡに向かって流れ、中心軸ＣＡ付近でぶつかりあう。これによりエッチングガスは、中心軸ＣＡに沿って反射面２３Ａから離れる方向に上昇し、プラズマ生成領域２２を含む磁場ＭＬを通ってチャンバ２の壁に向かう。
【００３６】  その後、エッチングガスは、チャンバの壁に沿って流れ、当該エッチングガスの一部はチャンバ２の壁に設けられる排出口５１Ａ，５１Ｂに流入する。排出口５１Ａ，５１Ｂに流入したエッチングガスは、上記のように、当該エッチングガスに含まれる微粒子、荷電粒子、中性化した荷電粒子及び上記の生成物等の成分と共に排気部５で排気される。
【００３７】  ３．３  課題  比較例の極端紫外光生成装置は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の外周部の略全体にわたって配置される複数のノズル３２から反射面２３Ａに沿ってエッチングガスを供給している。このため、エッチングガスはＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡ付近で合流してプラズマ生成領域２２を通って上昇する。従って、上昇するエッチングガスの流れは、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに沿って流れるエッチングガスに比べて強くなる。
【００３８】  これによりプラズマ生成領域２２において生じた微粒子は、プラズマ生成領域２２を含む荷電粒子の収束領域を通って流れるエッチングガスによってチャンバ２内部に拡散されるためＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに微粒子が堆積する傾向が強くなる。また、プラズマ生成領域２２において生じた荷電粒子は、磁場ＭＬの磁力線に沿って排出口５１Ａ，５１Ｂに移動する際に、エッチングガスによって拡散され、チャンバ２内に滞留し易くなる。
【００３９】  チャンバ２内に荷電粒子が滞留すると、当該荷電粒子は中性化し易くなる。また、チャンバ２内に滞留する荷電粒子がチャンバ２内の微粒子と衝突して新たな微粒子を生じさせる場合がある。このため、チャンバ２内に荷電粒子が停滞すると、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに微粒子が堆積する傾向が強くなる。その結果、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射率や他の光学素子の反射率や透過率が低下するという不具合が生じ得る。このように光学素子の汚染が生じると、ＥＵＶ光の出力が低下する、あるいは、ＥＵＶ光が生成されないといったことが懸念される。
【００４０】  そこで、以下の実施形態では、光学素子の汚染を低減し得る極端紫外光生成装置が例示される。
【００４１】４．実施形態１  ４．１  極端紫外光生成装置の一部の構成  次に、実施形態１として極端紫外光生成装置の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
【００４２】  図４は、実施形態１の極端紫外光生成装置の概略構成を図１のＸ−Ｘ断面で示す模式図である。但し、図４では磁場発生部４が省略されている。図４に示すように、実施形態１の極端紫外光生成装置では、エッチングガス供給部３における複数のノズル３２の一部が配置されない点で、比較例１の極端紫外光生成装置と相違する。
【００４３】  すなわち、本実施形態のノズル３２は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の外周部のうち所定の面Ｓを基準とした一方側の外周部に間隔をあけて配置されており、当該面Ｓを基準とした他方側の外周部にはノズルが配置されない。所定の面Ｓは、磁場ＭＬの磁場軸ＡＸ及びＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡを通る面であり、図４では紙面に直交するため磁場軸ＡＸと一致する破線として表わされている。なお、ＥＵＶ集光ミラー２３の中心軸ＣＡは、上記のように、反射面２３Ａの第１の焦点及び第２の焦点を通る直線であってもよく、回転楕円面の回転軸であってもよい。
【００４４】  それぞれのノズル３２の噴出口は、本実施形態ではＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡに向けて配置されているが、例えば磁場軸ＡＸに直交する方向に向けて配置されてもよく、所定の面Ｓを基準として一方側から他方側に向かって配置されていればよい。なお、所定の面Ｓを基準とした一方側の外周部に間隔をあけて配置される複数のノズル３２に代えて、当該外周部に沿って連続した噴出口を有する１つのノズルが配置されていてもよい。
【００４５】  ドロップレット供給部６は、所定の面Ｓを基準とした一方側に配置されている。なお、図２と同様に、ドロップレット供給部６は、図１のＸ−Ｘ断面上に配置されていないため、図４では破線で示している。
【００４６】  ４．２  動作  エッチングガス供給部３は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の外周部のうち所定の面Ｓを基準とした一方側の外周部から反射面２３Ａに沿ってエッチングガスを供給する。なお、それぞれのノズル３２から供給されるエッチングガスの流速は異なっていても良いが、同程度とされることが好ましい。また、ノズル３２から噴出するエッチングガスの流量は例えば１０Ｌ／ｍｉｎ〜１００Ｌ／ｍｉｎの範囲内とされ、好ましくは２０Ｌ／ｍｉｎ〜４０Ｌ／ｍｉｎの範囲内とされる。また、ノズル３２から噴出するエッチングガスの流速は例えば、２０ｍ／ｓ〜２００ｍ／ｓとすることができる。
【００４７】  図５は、実施形態１におけるチャンバ内でのエッチングガスの流れを示す模式図である。なお、図５は、図４のＹ−Ｙ断面を示している。なお、上記の所定の面Ｓは、図５では紙面に直交するためＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＡＸと一致する破線として表わされている。図５に示すように、エッチングガスは、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに沿って中心軸ＣＡに向かって流れ、中心軸ＣＡを経由する。そして、エッチングガスは、所定の面Ｓを基準とした他方側の反射面２３Ａに沿って、チャンバ２の壁に向かう。
【００４８】  その後、エッチングガスは、チャンバの壁に沿って流れ、当該エッチングガスの一部はチャンバ２の壁に設けられる排出口５１Ａ，５１Ｂに流入する。排出口５１Ａ，５１Ｂに流入したエッチングガスは、上記のように、当該エッチングガスに含まれる微粒子、荷電粒子、中性化した荷電粒子及び上記の生成物等の成分と共に排気部５で排気される。
【００４９】  ４．３  作用・効果  本実施形態の極端紫外光生成装置では、エッチングガス供給部３は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の外周部のうち所定の面Ｓを基準とした一方側の外周部からのみ反射面２３Ａに沿ってエッチングガスを供給するよう構成される。従って、ＥＵＶ光集光ミラー２３の外周部のうち所定の面Ｓを基準とした他方側の外周部からエッチングガスが供給されない。
【００５０】  このため、所定の面Ｓを基準とした一方側の外周部から反射面２３Ａに沿って流れるエッチングガスは、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡを経由し、当該面Ｓを基準とした他方側の反射面２３Ａに沿って流れる。その後、エッチングガスは、チャンバ２の壁に沿ってチャンバ２の露光装置接続部側に向かって流れる。これによりエッチングガスは、プラズマ生成領域２２を含む荷電粒子の収束領域を避けるように流れる。上述のように、収束領域には他の空間に比べて高密度で荷電粒子が存在する。また、プラズマ生成領域２２は荷電粒子及び微粒子の発生源であるため、プラズマ生成直後は当該プラズマ生成領域２２には最も多くの荷電粒子及び微粒子が存在する。このように、プラズマ生成領域２２を含む荷電粒子の収束領域を避けてエッチングガスが流れることで、当該エッチングガスによって拡散される荷電粒子及び微粒子の量が低減される。
【００５１】  従って、チャンバ２内に滞留する荷電粒子が中性化し、あるいは、当該荷電粒子がチャンバ２内の微粒子と衝突して新たな微粒子を生じさせることが低減される。その結果、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａや他の光学素子に微粒子が堆積することに起因する当該光学素子における反射率や透過率の低下が抑制され得る。こうして、本実施形態の極端紫外光生成装置によれば、光学素子の汚染を低減することができる。
【００５２】  また、本実施形態の極端紫外光生成装置では、所定の面Ｓを基準とした一方側にドロップレット供給部６が配置されている。エッチングガスは、ＥＵＶ光集光ミラー２３を経てＥＵＶ光集光ミラー２３の下流側に位置するチャンバ２の壁に沿って流れ、露光装置接続部を経由した後、所定の面Ｓを通過して所定の面Ｓの他方側から一方側に流れる。ここで、所定の面Ｓの他方側の壁に沿って流れるエッチングガスの流速と一方側の壁に沿って流れるエッチングガスの流速とを比較する。すると、所定の面Ｓを基準とした他方側での流速よりも、流路の長い一方側での流速が低くなる。従って、流速の低い一方側にドロップレット供給部６を配置することで、エッチングガスの流れによってドロップレットの軌道が逸らされ難くなる。その結果、プラズマ生成領域２２に照射されるレーザ光によって適切にドロップレットがプラズマ化され得る。
【００５３】５．実施形態２  ５．１  極端紫外光生成装置の一部の構成  次に、実施形態２として極端紫外光生成装置の一部の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
【００５４】  図６は、実施形態２の極端紫外光生成装置の概略構成を図１のＸ−Ｘ断面で示す模式図である。但し、図６では磁場発生部４が省略されている。図６に示すように、実施形態２の極端紫外光生成装置では、エッチングガス供給部３における複数のノズル３２から供給される流速が異なる点で、比較例１の極端紫外光生成装置と相違する。
【００５５】  すなわち、本実施形態のノズル３２は、所定の面Ｓを基準とした一方側の外周部と、当該面Ｓを基準とした他方側の外周部との双方に間隔をあけて配置される。ただし、所定の面Ｓを基準とした一方側の外周部に配置されるそれぞれのノズル３２から供給されるエッチングガスの流速は、当該面Ｓを基準とした他方側の外周部に配置されるそれぞれのノズル３２から供給されるエッチングガスの流速よりも高く設定される。
【００５６】  例えば、所定の面Ｓを基準とした他方側から供給されるエッチングガスの流速を１としたとき、当該１の流速に対する、当該面Ｓを基準とした一方側から供給されるエッチングガスの流速は２以上４以下とされる。なお、所定の面Ｓを基準とした一方側から供給されるエッチングガスの流速は、例えば、ドロップレットの径やレーザ光ＰＬのエネルギー等に応じて切り替えられてもよい。
【００５７】  ドロップレット供給部６は、上記実施形態１と同様に、所定の面Ｓを基準とした一方側に配置されている。
【００５８】  ５．２  動作  エッチングガス供給部３は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の外周部から反射面２３Ａに沿ってエッチングガスを供給する。なお、上記のように、所定の面Ｓを基準とした一方側の外周部から供給されるエッチングガスの流速は、当該面Ｓを基準とした他方側の外周部から供給されるエッチングガスの流速よりも高く設定される。
【００５９】  図７は、実施形態２におけるチャンバ内でのエッチングガスの流れを示す模式図である。なお、図７は、図６のＹ−Ｙ断面を示している。図７に示すように、エッチングガスは、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに沿って中心軸ＣＡに向かって流れる。
【００６０】  上記のように、所定の面Ｓを基準とした一方側のエッチングガスの流速は、当該面Ｓを基準とした他方側のエッチングガスの流速よりも高い。このため、所定の面Ｓを基準とした一方側を流れるエッチングガスと、当該面Ｓを基準とした他方側を流れるエッチングガスとの合流位置は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡからずれる。具体的には、所定の面Ｓを基準とした他方側に合流位置がずれる。エッチングガスは、この合流位置で反射面２３Ａから離れる方向に上昇し、チャンバ２の露光装置接続部付近に向かう。
【００６１】  その後、エッチングガスは、チャンバの壁に沿って流れ、当該エッチングガスの一部はチャンバ２の壁に設けられる排出口５１Ａ，５１Ｂに流入する。排出口５１Ａ，５１Ｂに流入したエッチングガスは、上記のように、当該エッチングガスに含まれる微粒子、荷電粒子、中性化した荷電粒子及び上記の生成物等の成分と共に排気部５で排気される。
【００６２】  ５．３  作用・効果  本実施形態の極端紫外光生成装置では、エッチングガス供給部３は、所定の面Ｓを基準とした一方側の外周部から供給されるエッチングガスの流速が、当該面Ｓを基準とした他方側の外周部から供給されるエッチングガスの流速よりも高くなるよう構成される。
【００６３】  このため、上記のように、所定の面Ｓを基準とした一方側を流れるエッチングガスと、当該面Ｓを基準とした他方側を流れるエッチングガスとの合流位置はＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡからずれる。従って、エッチングガスは、最も多くの荷電粒子及び微粒子が存在するプラズマ生成領域２２を含む荷電粒子の収束領域を避けるように流れ、当該エッチングガスによって拡散される荷電粒子の量が低減される。
【００６４】  その結果、実施形態１と同様に、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａや他の光学素子に微粒子が堆積することに起因する当該光学素子における反射率や透過率の低下が抑制され得る。こうして、本実施形態の極端紫外光生成装置によれば、光学素子の汚染を低減することができる。
【００６５】６．実施形態３  ６．１  極端紫外光生成装置の一部の構成  次に、実施形態３として極端紫外光生成装置の一部の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
【００６６】  図８は、実施形態３の極端紫外光生成装置の概略構成を図５と同じ断面で示す模式図である。図８に示すように、実施形態３の極端紫外光生成装置では、チャンバ２の壁に補助排出口５５が新たに設けられる点で、実施形態１の極端紫外光生成装置と相違する。
【００６７】  補助排出口５５は、図１に示す排出口５１Ａ，５１Ｂとは別にチャンバ２の壁に設けられる。本実施形態の補助排出口５５は、図４に示すドロップレット供給部６と同様に、所定の面Ｓを基準とした一方側のチャンバの壁に設けられている。
【００６８】  また、補助排出口５５は、磁場ＭＬの磁場軸ＡＸとの関係では、当該磁場軸ＡＸを基準としてＥＵＶ光集光ミラー２３側とは反対側に位置する。この位置は、所定の面Ｓを基準とした一方側から供給されるエッチングガスの流れにおいてＥＵＶ光集光ミラー２３よりも下流側である。なお、ＥＵＶ光集光ミラー２３よりもより下流側では、排出口５１Ｂ、補助排出口５５、排出口５１Ｂの順に、当該排出口が設置される。
【００６９】  さらに、補助排出口５５は、ドロップレットＤＬの軌道ＯＴとの関係では、当該軌道ＯＴを基準としてＥＵＶ光集光ミラー２３側とは反対側に位置する。この位置も、所定の面Ｓを基準とした一方側から供給されるエッチングガスの流れにおいてＥＵＶ光集光ミラー２３よりも下流側である。
【００７０】  補助排出口５５には排出管５２Ｃを介して不図示の排気部が接続される。この排気部は、排出口５１Ａ，５１Ｂに対して排出管５２Ａ，５２Ｂを介して接続される排気部５であってもよく、当該排気部５とは別の排気部であってもよい。
【００７１】  ６．２  動作  エッチングガス供給部３は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の外周部のうち所定の面Ｓを基準とした一方側の外周部から反射面２３Ａに沿ってエッチングガスを供給する。図８に示すように、エッチングガスは、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡを経由し、所定の面Ｓを基準とした他方側の反射面２３Ａに沿って、チャンバ２の壁に向かう。
【００７２】  その後、エッチングガスはチャンバの壁に沿って流れ、当該エッチングガスの一部は排出口５１Ａ，５１Ｂに流入し、他の一部はチャンバの壁に沿って排出口５１Ａ，５１Ｂよりも下流に位置する補助排出口５５に向かって流れる。補助排出口５５に向かって流れるエッチングガスの一部は、当該補助排出口５５に流入する。排出口５１Ａ，５１Ｂ及び補助排出口５５に流入したエッチングガスは、実施形態１と同様に、当該エッチングガスに含まれる微粒子、荷電粒子、中性化した荷電粒子及び上記の生成物等の成分と共に排気される。
【００７３】  ６．３  作用・効果  本実施形態の極端紫外光生成装置は、排出口５１Ａ，５１Ｂとは異なるチャンバ２の壁に設けられる補助排出口５５を備える。この補助排出口５５は、磁場ＭＬの磁場軸ＡＸとの関係では、当該磁場軸ＡＸを基準としてＥＵＶ光集光ミラー２３側とは反対側に位置する。
【００７４】  このため、補助排出口５５は、上記のように、所定の面Ｓを基準とした一方側から供給されるエッチングガスの流れにおいてＥＵＶ光集光ミラー２３よりも下流側に少なくとも位置することになる。従って、ＥＵＶ光集光ミラー２３よりも下流側でより多くのエッチングガスと、当該エッチングガスに含まれる微粒子、荷電粒子、中性化した荷電粒子及び上記の生成物等の成分とが排気され得る。その結果、チャンバ２の壁に沿って流れるエッチングガスが再びＥＵＶ光集光ミラー２３に戻ることが低減され、当該ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに堆積する微粒子の量がより一段と低減される。こうして、本実施形態の極端紫外光生成装置によれば、光学素子の汚染を低減することができる。
【００７５】  また、本実施形態の補助排出口５５は、ドロップレットＤＬの軌道ＯＴとの関係では、当該軌道ＯＴを基準としてＥＵＶ光集光ミラー２３側とは反対側に位置する。この位置も、上記と同様にＥＵＶ光集光ミラー２３よりも下流側に位置することから、当該下流側でより多くのエッチングガスと、当該エッチングガスに含まれる成分とを排気することが可能である。その結果、上記のように、チャンバ２の壁に沿って流れるエッチングガスが再びＥＵＶ光集光ミラー２３に戻ることが低減され、当該ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに堆積する微粒子の量がより一段と低減される。
【００７６】７．実施形態４  ７．１  極端紫外光生成装置の一部の構成  次に、実施形態４として極端紫外光生成装置の一部の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
【００７７】  図９は、実施形態４の極端紫外光生成装置の概略構成を図５と同じ断面で示す模式図である。図９に示すように、実施形態４の極端紫外光生成装置では、チャンバ２の壁に一対の補助排出口５６Ａ，５６Ｂが新たに設けられる点で、実施形態１の極端紫外光生成装置と相違する。
【００７８】  補助排出口５６Ａ，５６Ｂは、ドロップレット供給部６と同様に、磁場ＭＬの磁場軸ＡＸを基準としてＥＵＶ光集光ミラー２３側とは反対側に位置する点で実施形態３の補助排出口５５と共通する。また、補助排出口５６Ａ，５６Ｂは、ドロップレットＤＬの軌道ＯＴを基準としてＥＵＶ光集光ミラー２３側とは反対側に位置する点で実施形態３の補助排出口５５と共通する。
【００７９】  これに対し、補助排出口５６Ａ，５６Ｂの各開口面は、チャンバ２の壁に沿って流れるエッチングガスの方向に対して略平行に配置される点で、当該方向にぶつかるように配置される実施形態３の補助排出口５５と異なる。
【００８０】  補助排出口５６Ａ，５６Ｂには排出管５２Ｄ，５２Ｅを介して不図示の排気部が接続される。この排気部は、排出口５１Ａ，５１Ｂに対して排出管５２Ａ，５２Ｂを介して接続される排気部５であってもよく、当該排気部５とは別の排気部であってもよい。
【００８１】  ７．２  動作  エッチングガス供給部３は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の外周部のうち所定の面Ｓを基準とした一方側の外周部から反射面２３Ａに沿ってエッチングガスを供給する。図９に示すように、エッチングガスは、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡを経由し、所定の面Ｓを基準とした他方側の反射面２３Ａに沿って、チャンバ２の壁に向かう。
【００８２】  その後、エッチングガスはチャンバの壁に沿って流れ、当該エッチングガスの一部は排出口５１Ａ，５１Ｂに流入し、他の一部はチャンバの壁に沿って排出口５１Ａ，５１Ｂよりも下流に位置する補助排出口５６Ａ，５６Ｂに向かって流れる。補助排出口５６Ａ，５６Ｂに向かって流れるエッチングガスの一部は、当該補助排出口５６Ａ，５６Ｂに流入する。排出口５１Ａ，５１Ｂ及び補助排出口５６Ａ，５６Ｂに流入したエッチングガスは、当該エッチングガスに含まれる微粒子、荷電粒子、中性化した荷電粒子及び上記の生成物等の成分と共に排気される。
【００８３】  ７．３  作用・効果  本実施形態の極端紫外光生成装置の補助排出口５６Ａ，５６Ｂは、実施形態３の補助排出口５５と同様に、排出口５１Ａ，５１Ｂとは異なるチャンバ２の壁に設けられ、磁場ＭＬの磁場軸ＡＸを基準としてＥＵＶ光集光ミラー２３側とは反対側に位置する。
【００８４】  従って、実施形態３と同様に、ＥＵＶ光集光ミラー２３よりも下流側でより多くのエッチングガスと、当該エッチングガスに含まれる微粒子、荷電粒子、中性化した荷電粒子及び上記の生成物等の成分とが排気され得る。その結果、チャンバ２の壁に沿って流れるエッチングガスが再びＥＵＶ光集光ミラー２３に戻ることが低減され、当該ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに堆積する微粒子の量がより一段と低減される。こうして、本実施形態の極端紫外光生成装置によれば、光学素子の汚染を低減することができる。
【００８５】  また、本実施形態の補助排出口５６Ａ，５６Ｂの各開口面は、チャンバ２の壁に沿って流れるエッチングガスの方向に対して略平行に配置される。
【００８６】  このため、チャンバ２の壁面に対する補助排出口５６Ａ，５６Ｂの配置自由度を高くできる。チャンバ２の壁面には、不図示の各種センサー等が多数配置される場合が多い。そのような場合でも、補助排出口５６Ａ，５６Ｂの各開口面は、チャンバ２の壁に沿って流れるエッチングガスの方向に対して略平行に配置すればよいので配置が容易である。
【００８７】８．実施形態５  ８．１  極端紫外光生成装置の一部の構成  次に、実施形態５として極端紫外光生成装置の一部の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
【００８８】  図１０は、実施形態５の極端紫外光生成装置の概略構成を図５と同じ断面で示す模式図である。図１０に示すように、実施形態５の極端紫外光生成装置では、ＥＵＶ光集光ミラー２３の外周部に設けられるノズル３２とは別のサブノズル３５が新たに設けられる点で、実施形態１の極端紫外光生成装置と相違する。
【００８９】  サブノズル３５は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａにおける貫通孔２３Ｂの外周部に設けられる。サブノズル３５の噴出口は、所定の面Ｓを基準とした他方側に向けて配置される。このサブノズル３５には、ガス導入管３１を介して不図示のガス供給部が接続される。なお、サブノズル３５は、１つであっても複数であってもよい。
【００９０】  サブノズル３５から供給されるエッチングガスの流速は、ノズル３２から供給されるエッチングガスの流速よりも低くされる。例えば、サブノズル３５から供給されるエッチングガスの流速を１としたとき、当該１の流速に対する、ノズル３２から供給されるエッチングガスの流速は２以上４以下とされる。なお、サブノズル３５から供給されるエッチングガスの流速は、例えば、ドロップレットの径やレーザ光ＰＬのエネルギー等に応じて切り替えられてもよい。
【００９１】  ８．２  動作  エッチングガス供給部３は、所定の面Ｓを基準とした一方側の外周部からエッチングガスを供給すると共に、当該面Ｓを基準とした他方側に向けて反射面２３Ａにおける貫通孔２３Ｂの外周部からエッチングガスを供給する。図１０に示すように、ノズル３２から供給されるエッチングガスは、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに沿って、所定の面Ｓを基準として一方側から他方側に流れる。この他方側に流れたエッチングガスは、サブノズル３５から供給されるエッチングガスと合流し、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに沿ってチャンバ２の壁に向かう。
【００９２】  その後、エッチングガスは、チャンバの壁に沿って流れ、当該エッチングガスの一部はチャンバ２の壁に設けられる排出口５１Ａ，５１Ｂに流入する。排出口５１Ａ，５１Ｂに流入したエッチングガスは、上記のように、当該エッチングガスに含まれる微粒子、荷電粒子、中性化した荷電粒子及び上記の生成物等の成分と共に排気される。
【００９３】  ８．３  作用・効果  本実施形態の極端紫外光生成装置では、エッチングガス供給部３は、実施形態１と同様に、所定の面Ｓを基準とした一方側のノズル３２からＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに沿ってエッチングガスを供給するよう構成される。ノズル３２から供給されるエッチングガスの一部は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに沿って流れる過程で、当該反射面２３Ａに付着する微粒子と反応する。このため、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに沿って流れるエッチングガスの流速はノズル３２から離れるほど低くなる傾向にあり、当該流速が過度に低くなった場合には反射面２３Ａの汚染を抑制する能力が低減することが懸念される。
【００９４】  本実施形態のエッチングガス供給部３は、ノズル３２からエッチングガスを供給するのみならず、所定の面Ｓを基準とした他方側に向けて、ＥＵＶ光集光ミラー２３の貫通孔２３Ｂの外周部から反射面２３Ａに沿ってエッチングガスを供給するよう構成される。
【００９５】  このため、エッチングガスが所定の面Ｓを基準として一方側から他方側に流れる際に、当該エッチングガスの流速が補助される。従って、本実施形態の極端紫外光生成装置によれば、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに沿ってエッチングガスを適切な流速で供給し得、その結果、反射面２３Ａの汚染を抑制する能力をある一定以上に維持し得る。
【００９６】  上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態や変形例に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【００９７】  本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００９８】１・・・極端紫外光生成装置、２・・・チャンバ、３・・・エッチングガス供給部、４・・・磁場発生部、５・・・排気部、６・・・ドロップレット供給部、２２・・・プラズマ生成領域、２３・・・ＥＵＶ光集光ミラー、３１・・・ガス導入管、３２・・・ノズル、３５・・・サブノズル、４１，４２・・・電磁石、５１Ａ，５１Ｂ・・・排出口、５２Ａ，５２Ｂ・・・排出管、５５，５６Ａ，５６Ｂ・・・補助排出口。 
【図１】
2018211569.tif 000003
【図２】
2018211569.tif 000004
【図３】
2018211569.tif 000005
【図４】
2018211569.tif 000006
【図５】
2018211569.tif 000007
【図６】
2018211569.tif 000008
【図７】
2018211569.tif 000009
【図８】
2018211569.tif 000010
【図９】
2018211569.tif 000011
【図１０】
2018211569.tif 000012
【国際調査報告】
2018211569.tif 000013
2018211569.tif 000014
2018211569.tif 000015
2018211569.tif 000016