(57)【要約】  本発明は、蒸着適性に優れる光電変換膜を有し、光電変換膜が薄膜である場合においても優れた光電変換効率を示す光電変換素子、光センサ、撮像素子、および、化合物を提供する。本発明の光電変換素子は、導電性膜、光電変換膜、および、透明導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、光電変換膜が、式（１）で表される化合物を含む。2019009249.tif 000026
2019009249.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性膜、光電変換膜、および、透明導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、
前記光電変換膜が、式（１）で表される化合物を含む、光電変換素子。
【化１】
2019009249.tif 000022
式（１）中、ｍは、０以上の整数を表す。
Ｒａ１〜Ｒａ７は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒａ１〜Ｒａ７は、互いに連結して環を形成していてもよい。
Ｒａ２が複数存在する場合、複数存在するＲａ２同士が、互いに連結して環を形成していてもよい。
Ｒａ４が複数存在する場合、複数存在するＲａ４同士が、互いに連結して環を形成していてもよい。
Ａは、少なくとも２つの炭素原子を含む環を表す。
ただし、式（１）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【請求項２】
前記式（１）で表される化合物が、式（２）で表される化合物である、請求項１に記載の光電変換素子。
【化２】
2019009249.tif 000023
式（２）中、Ｒｂ１〜Ｒｂ５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｘ１は、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、−ＮＲｂ６−、−ＣＲｂ７Ｒｂ８−、−ＳｉＲｂ９Ｒｂ１０−、−ＣＲｂ１１＝ＣＲｂ１２−、−Ｎ＝ＣＲｂ１３−、または、−Ｎ＝Ｎ−を表す。
Ｒｂ６〜Ｒｂ１３は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒｂ２とＲｂ３とは、互いに連結して環を形成していてもよい。
Ｘ１が、−ＮＲｂ６−、−ＣＲｂ７Ｒｂ８−、−ＳｉＲｂ９Ｒｂ１０−、−ＣＲｂ１１＝ＣＲｂ１２−、または、−Ｎ＝ＣＲｂ１３−を表す場合、Ｘ１が表す基が有するＲｂ６〜Ｒｂ１３のいずれか１つと、Ｒｂ３とは、互いに連結して環を形成していてもよい。
Ａは、少なくとも２つの炭素原子を含む環を表す。
ただし、式（２）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【請求項３】
Ｒｂ１が、置換基を有していてもよい、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、−ＣＯ−アルキル基、−ＣＯ−アリール基、または、−ＣＯ−ヘテロアリール基を表す、請求項２に記載の光電変換素子。
【請求項４】
Ｘ１が、酸素原子、硫黄原子、−ＮＲｂ６−、または、−ＣＲｂ１１＝ＣＲｂ１２−を表す、請求項２または３に記載の光電変換素子。
【請求項５】
Ｘ１が、酸素原子または硫黄原子を表す、請求項２〜４のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項６】
前記式（１）で表される化合物が、式（３）で表される化合物である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【化３】
2019009249.tif 000024
式（３）中、Ｒｃ１は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、−ＣＯ−アルキル基、−ＣＯ−アリール基、または、−ＣＯ−ヘテロアリール基を表す。
Ｒｃ２〜Ｒｃ７は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｘ２は、酸素原子または硫黄原子を表す。
Ｒｃ２とＲｃ３とは、互いに連結して環を形成していてもよい。
Ｒｃ５とＲｃ６とは、互いに連結して環を形成していてもよい。
ただし、式（３）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【請求項７】
Ｒｃ３が、置換基を有していてもよい、アリール基またはヘテロアリール基を表す、請求項６に記載の光電変換素子。
【請求項８】
前記光電変換膜が、さらにｎ型有機半導体を含み、前記式（１）で表される化合物と前記ｎ型有機半導体とが混合された状態で形成するバルクへテロ構造を有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項９】
前記導電性膜と前記透明導電性膜の間に、前記光電変換膜の他に１種以上の中間層を有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の光電変換素子を有する、光センサ。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の光電変換素子を有する、撮像素子。
【請求項１２】
式（２）で表される、化合物。
【化４】
2019009249.tif 000025
式（２）中、Ｒｂ１〜Ｒｂ５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｘ１は、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、−ＮＲｂ６−、−ＣＲｂ７Ｒｂ８−、−ＳｉＲｂ９Ｒｂ１０−、−ＣＲｂ１１＝ＣＲｂ１２−、−Ｎ＝ＣＲｂ１３−、または、−Ｎ＝Ｎ−を表す。
Ｒｂ６〜Ｒｂ１３は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒｂ２とＲｂ３とは、互いに連結して環を形成していてもよい。
Ｘ１が、−ＮＲｂ６−、−ＣＲｂ７Ｒｂ８−、−ＳｉＲｂ９Ｒｂ１０−、−ＣＲｂ１１＝ＣＲｂ１２−、または、−Ｎ＝ＣＲｂ１３−を表す場合、Ｘ１が表す基が有するＲｂ６〜Ｒｂ１３のいずれか１つと、Ｒｂ３とは、互いに連結して環を形成していてもよい。
Ａは、少なくとも２つの炭素原子を含む環を表す。
ただし、式（２）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換素子、光センサ、撮像素子、および、化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、固体撮像素子としては、フォトダイオード（ＰＤ：ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ）を２次元的に配列し、各ＰＤで発生した信号電荷を回路で読み出す平面型固体撮像素子が広く用いられている。
カラー固体撮像素子を実現するには、平面型固体撮像素子の光入射面側に、特定の波長の光を透過するカラーフィルタを配した構造が一般的である。現在、２次元的に配列した各ＰＤ上に、青色（Ｂ：ｂｌｕｅ）光、緑色（Ｇ：ｇｒｅｅｎ）光、および、赤色（Ｒ：ｒｅｄ）光を透過するカラーフィルタを規則的に配した単板式固体撮像素子がよく知られている。しかし、この単板式固体撮像素子においては、カラーフィルタを透過しなかった光が利用されず光利用効率が悪い。
これらの欠点を解決するため、近年、有機光電変換膜を信号読み出し用基板上に配置した構造を有する光電変換素子の開発が進んでいる。【０００３】
例えば、特許文献１では、以下のような化合物を含む光電変換膜を有する光電変換素子が開示されている。【０００４】
【化１】
2019009249.tif 000003
【０００５】
特許文献２には、以下のような色素を含むことを特徴とする光電変換材料用半導体が開示されている。【０００６】
【化２】
2019009249.tif 000004
【０００７】
特許文献３には、以下のような複素環化合物を含むことを特徴とする光電変換材料用半導体が開示されている。【０００８】
【化３】
2019009249.tif 000005
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１４／００９７４１６号明細書
【特許文献２】特開２００５−２０９３５９号公報
【特許文献３】特開２００５−１２９４３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
近年、撮像素子および光センサ等の性能向上の要求に伴い、これらに使用される光電変換素子に求められる諸特性に関してもさらなる向上が求められている。
例えば、光電変換素子においては、光電変換膜の薄膜化を進めた場合（例えば、光電変換膜を１００ｎｍとした場合）でも良好な光電変換効率を維持できることが求められている。
本発明者は、特許文献１で開示されている化合物（例えば、上述した化合物）を用いて光電変換素子を作製し、光電変換膜が薄膜である場合の光電変換効率（以下「薄膜時の光電変換効率」ともいう）について検討したところ、その特性は必ずしも昨今求められるレベルに達しておらず、さらなる向上が必要であることを見出した。
また、本発明者は、特許文献２および３について検討したところ、両文献に開示されている化合物の構造によっては、蒸着法を用いて光電変換膜を製造することが困難であることを知見した。
なお、以下、蒸着法を用いた場合における光電変換膜の製造適性を「蒸着適性」ともいう。【００１１】
本発明は、上記実情を鑑みて、蒸着適性に優れる光電変換膜を有し、光電変換膜が薄膜である場合においても優れた光電変換効率を示す光電変換素子を提供することを課題とする。
また、本発明は、上記光電変換素子を含む光センサおよび撮像素子を提供することも課題とする。さらに、本発明は、上記光電変換素子に適用される化合物を提供することも課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、所定の構造を有する化合物を光電変換膜に用いることにより上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。【００１３】
（１）  導電性膜、光電変換膜、および、透明導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、上記光電変換膜が、後述する式（１）で表される化合物を含む、光電変換素子。
（２）  後述する式（１）で表される化合物が、後述する式（２）で表される化合物である、（１）に記載の光電変換素子。
（３）  後述する式（２）中の、Ｒｂ１が、置換基を有していてもよい、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、−ＣＯ−アルキル基、−ＣＯ−アリール基、または、−ＣＯ−ヘテロアリール基を表す、（２）に記載の光電変換素子。
（４）  後述する式（２）中の、Ｘ１が、酸素原子、硫黄原子、−ＮＲｂ６−、または、−ＣＲｂ１１＝ＣＲｂ１２−を表す、（２）または（３）に記載の光電変換素子。
（５）  後述する式（２）中の、Ｘ１が、酸素原子または硫黄原子を表す、（２）〜（４）のいずれかに記載の光電変換素子。
（６）  後述する式（１）で表される化合物が、後述する式（３）で表される化合物である、（１）〜（５）のいずれかに記載の光電変換素子。
（７）  後述する式（３）中のＲｃ３が、置換基を有していてもよい、アリール基またはヘテロアリール基を表す、（６）に記載の光電変換素子。
（８）  上記光電変換膜が、さらにｎ型有機半導体を含み、後述する式（１）で表される化合物と上記ｎ型有機半導体とが混合された状態で形成するバルクへテロ構造を有する、（１）〜（７）のいずれかに記載の光電変換素子。
（９）  上記導電性膜と上記透明導電性膜の間に、上記光電変換膜の他に１種以上の中間層を有する、（１）〜（８）のいずれかに記載の光電変換素子。
（１０）  （１）〜（９）のいずれかに記載の光電変換素子を有する、光センサ。
（１１）  （１）〜（９）のいずれかに記載の光電変換素子を有する、撮像素子。
（１２）  後述する式（２）で表される、化合物。【００１４】
本発明によれば、蒸着適性に優れる光電変換膜を有し、光電変換膜が薄膜である場合においても優れた光電変換効率を示す光電変換素子を提供できる。
また、本発明によれば、上記光電変換素子を含む光センサおよび撮像素子を提供することもできる。さらに、本発明によれば、上記光電変換素子に適用される化合物を提供することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１Ａ】光電変換素子の一構成例を示す断面模式図である。
【図１Ｂ】光電変換素子の一構成例を示す断面模式図である。
【図２】ハイブリッド型光電変換素子の１画素分の断面模式図である。
【図３】撮像素子の１画素分の断面模式図である。
【図４】化合物（Ｄ−１）の１Ｈ  ＮＭＲ（Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）チャートである。
【図５】化合物（Ｄ−３）の１Ｈ  ＮＭＲ（Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）チャートである。
【図６】化合物（Ｄ−４）の１Ｈ  ＮＭＲ（Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）チャートである。
【図７】化合物（Ｄ−６）の１Ｈ  ＮＭＲ（Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）チャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に、本発明の光電変換素子の好適実施形態について説明する。
なお、本明細書において、置換または無置換を明記していない置換基等については、目的とする効果を損なわない範囲で、その基にさらに置換基（例えば、後述する置換基Ｗ）が置換していてもよい。例えば、「アルキル基」という表記は、置換基（例えば、後述する置換基Ｗ）が置換していてもよいアルキル基を意味する。
また、本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
本明細書において表記される二価の基の結合方向は特に制限されず、例えば、後述する式（２）中のＸ１が−Ｎ＝ＣＲｂ１３−である場合、Ｒｂ３側に結合している位置を＊１、ピロール環基の側に結合している位置を＊２とすると、Ｘ１は＊１−Ｎ＝ＣＲｂ１３−＊２であってもよく、＊１−ＣＲｂ１３＝Ｎ−＊２であってもよい。
【００１７】
〔光電変換素子〕
従来技術と比較した本発明の特徴点としては、光電変換膜に、後述する式（１）で表される化合物（以後、「特定化合物」ともいう）を使用している点が挙げられる。
【００１８】
本発明者らは、特定化合物について、後述する式（１）のＡで表される環を有するアクセプタとして作用する部位と、ピロール環基を有するドナーとして作用する部位とが連結していることが、優れた薄膜時の光電変換効率に寄与していると考えている。
また、本発明者らは、所定の酸性の基およびその塩の存在が化合物の蒸着適性に悪影響を与える傾向があることを知見した。より具体的には、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない特定化合物であれば、優れた薄膜時の光電変換効率と共に、優れた蒸着適性も維持できることを見出した。
なお、本明細書において「塩」は、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩、および、置換アンモニウム塩のいずれかを意図する。
【００１９】
以下に、本発明の光電変換素子の好適実施形態について図面を参照して説明する。図１に、本発明の光電変換素子の一実施形態の断面模式図を示す。
図１Ａに示す光電変換素子１０ａは、下部電極として機能する導電性膜（以下、下部電極とも記す）１１と、電子ブロッキング膜１６Ａと、後述する特定化合物を含む光電変換膜１２と、上部電極として機能する透明導電性膜（以下、上部電極とも記す）１５とがこの順に積層された構成を有する。
図１Ｂに別の光電変換素子の構成例を示す。図１Ｂに示す光電変換素子１０ｂは、下部電極１１上に、電子ブロッキング膜１６Ａと、光電変換膜１２と、正孔ブロッキング膜１６Ｂと、上部電極１５とがこの順に積層された構成を有する。なお、図１Ａおよび図１Ｂ中の電子ブロッキング膜１６Ａ、光電変換膜１２、および、正孔ブロッキング膜１６Ｂの積層順は、用途および特性に応じて、適宜変更してもよい。
【００２０】
光電変換素子１０ａ（または１０ｂ）では、上部電極１５を介して光電変換膜１２に光が入射されることが好ましい。
また、光電変換素子１０ａ（または１０ｂ）を使用する場合には、電圧を印加できる。この場合、下部電極１１と上部電極１５とが一対の電極をなし、この一対の電極間に、１×１０−５〜１×１０７Ｖ／ｃｍの電圧を印加することが好ましい。性能および消費電力の点から、印加される電圧としては、１×１０−４〜１×１０７Ｖ／ｃｍがより好ましく、１×１０−３〜５×１０６Ｖ／ｃｍがさらに好ましい。
なお、電圧印加方法については、図１Ａおよび図１Ｂにおいて、電子ブロッキング膜１６Ａ側が陰極となり、光電変換膜１２側が陽極となるように印加することが好ましい。光電変換素子１０ａ（または１０ｂ）を光センサとして使用した場合、また、撮像素子に組み込んだ場合も、同様の方法により電圧を印加できる。
後段で、詳述するように、光電変換素子１０ａ（または１０ｂ）は光センサ用途および撮像素子用途に好適に適用できる。
【００２１】
また、図２に、本発明の光電変換素子の別の実施形態の断面模式図を示す。
図２に示される光電変換素子２００は、有機光電変換膜２０９と無機光電変換膜２０１とを備えるハイブリッド型の光電変換素子である。なお、有機光電変換膜２０９は、後述する特定化合物を含む。
無機光電変換膜２０１は、ｐ型シリコン基板２０５上に、ｎ型ウェル２０２、ｐ型ウェル２０３、および、ｎ型ウェル２０４を有する。
ｐ型ウェル２０３とｎ型ウェル２０４との間に形成されるｐｎ接合にて青色光が光電変換され（Ｂ画素）、ｐ型ウェル２０３とｎ型ウェル２０２との間に形成されるｐｎ接合にて赤色光が光電変換される（Ｒ画素）。なお、ｎ型ウェル２０２、ｐ型ウェル２０３、および、ｎ型ウェル２０４の導電型は、これらに限るものではない。
【００２２】
さらに、無機光電変換膜２０１の上には透明な絶縁層２０７が配置されている。
絶縁層２０７の上には、画素毎に区分けした透明な画素電極２０８が配置され、その上に、緑色光を吸収して光電変換する有機光電変換膜２０９が各画素共通に一枚構成で配置され、その上に、電子ブロッキング膜２１２が各画素共通に一枚構成で配置され、その上に、一枚構成の透明な共通電極２１０が配置され、最上層に、透明な保護膜２１１が配置されている。電子ブロッキング膜２１２と有機光電変換膜２０９との積層順は図２とは逆であってもよく、共通電極２１０は、画素毎に区分けして配置されてもよい。
有機光電変換膜２０９は、緑色光を検出するＧ画素を構成する。
【００２３】
画素電極２０８は、図１Ａに示した光電変換素子１０ａの下部電極１１と同じである。共通電極２１０は、図１Ａに示した光電変換素子１０ａの上部電極１５と同じである。
【００２４】
この光電変換素子２００に被写体からの光が入射すると、入射光の内の緑色光が有機光電変換膜２０９に吸収されて光電荷が発生し、この光電荷は、画素電極２０８から図示しない緑色信号電荷蓄積領域に流れ蓄積される。
【００２５】
有機光電変換膜２０９を透過した青色光と赤色光との混合光が無機光電変換膜２０１内に侵入する。波長の短い青色光は主として半導体基板（無機光電変換膜）２０１の浅部（ｐ型ウェル２０３とｎ型ウェル２０４との間に形成されるｐｎ接合付近）にて光電変換されて光電荷が発生し、信号が外部に出力される。波長の長い赤色光は主として半導体基板（無機光電変換膜）２０１の深部（ｐ型ウェル２０３とｎ型ウェル２０２との間に形成されるｐｎ接合付近）で光電変換されて光電荷が発生し、信号が外部に出力される。
【００２６】
なお、光電変換素子２００を撮像素子に使用する場合、ｐ型シリコン基板２０５の表面部には、信号読出回路（ＣＣＤ：Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）型であれば電荷転送路、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型であればＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）トランジスタ回路、または、緑色信号電荷蓄積領域が形成される。また、画素電極２０８は、縦配線により対応の緑色信号電荷蓄積領域に接続される。
【００２７】
以下に、本発明の光電変換素子を構成する各層の形態について詳述する。
【００２８】
［光電変換膜］
＜特定化合物＞
光電変換膜１２（または有機光電変換膜２０９）は、光電変換材料として特定化合物を含む膜である。この化合物を使用することにより、蒸着適性に優れる光電変換膜を有し、優れた薄膜時の光電変換効率を示す、光電変換素子が得られる。
以下、特定化合物について詳述する。
なお、以下で言及される特定化合物の好適な条件は、特筆無き限り、薄膜時の光電変換効率がより優れる点から言及される。
また、特筆無き限り、特定化合物が有し得る置換基は、それぞれ独立に、後述する置換基Ｗのいずれかであるのが好ましい。
なお、本明細書において、式（１）中、Ｒａ７が結合する炭素原子とそれに隣接する炭素原子とで構成されるＣ＝Ｃ二重結合に基づいて区別され得る幾何異性体について、式（１）はそのいずれをも含む。つまり、上記Ｃ＝Ｃ二重結合に基づいて区別されるシス体とトランス体とは、いずれも式（１）で表される化合物に含まれる。
後述する式（２）におけるＲｂ５が結合する炭素原子とそれに隣接する炭素原子とで構成されるＣ＝Ｃ二重結合に基づいて区別され得る幾何異性体についても同様である。
【００２９】
（式（１））
【００３０】
【化４】
2019009249.tif 000006
【００３１】
式（１）中、ｍは、０以上の整数を表す。中でもｍは０〜４が好ましく、１〜３がより好ましく、１がさらに好ましい。
【００３２】
Ｒａ１〜Ｒａ７は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基の種類は特に制限されず、後述する置換基Ｗで例示する基が挙げられる。
【００３３】
また、Ｒａ１〜Ｒａ７は、互いに連結して環を形成していてもよい。
例としては、Ｒａ１とＲａ２とは互いに連結して環を形成していてもよく、Ｒａ１とＲａ７とは互いに連結して環を形成していてもよく、Ｒａ２とＲａ３とは互いに連結して環を形成していてもよく、Ｒａ３とＲａ４とは互いに連結して環を形成していてもよく、Ｒａ４とＲａ５とは互いに連結して環を形成していてもよく、Ｒａ５とＲａ６とは互いに連結して環を形成していてもよく、Ｒａ３とＲａ５とは互いに連結して環を形成していてもよい。Ｒａ３とＲａ５とは互いに連結して環を形成する場合、ｍ＝０が好ましい。
なお、Ｒａ２が複数存在する場合、複数存在するＲａ２同士が、互いに連結して環を形成していてもよい。
Ｒａ４が複数存在する場合、複数存在するＲａ４同士が、互いに連結して環を形成していてもよい。
【００３４】
中でも、複数存在し得るＲａ４のうち最もＲａ５と近接して存在するＲａ４と、Ｒａ５とが、互いに連結して形成するのが好ましい。つまり、上記Ｒａ４とＲａ５とが互いに結合して形成する環は、式（１）中に明示されるピロール環基と縮環して、縮環構造（縮合環構造）を形成するのが好ましい。
また、上記Ｒａ４とＲａ５とが互いに結合して形成する基は、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、−ＮＲａ８−、−ＣＲａ９Ｒａ１０−、−ＳｉＲａ１１Ｒａ１２−、−ＣＲａ１３＝ＣＲａ１４−、−Ｎ＝ＣＲａ１５−、または、−Ｎ＝Ｎ−が好ましく、酸素原子または硫黄原子がより好ましい。なお、Ｒａ８〜Ｒａ１５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
【００３５】
環の形成に寄与しない場合のＲａ１は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、−ＣＯ−アルキル基、−ＣＯ−アリール基、または、−ＣＯ−ヘテロアリール基が好ましい。
環の形成に寄与しない場合のＲａ３は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、または、非芳香族ヘテロ環基が好ましく、アリール基、または、ヘテロアリール基がより好ましい。
また、環の形成に寄与しない場合のＲａ２およびＲａ４〜Ｒａ７は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有していてもよい、アルキル基、アリール基、もしくは、ヘテロアリール基が好ましい。
【００３６】
式（１）中、Ａは、少なくとも２つの炭素原子を含む環を表す。なお、２つの炭素原子とは、式（１）中のカルボニル基中の炭素原子と、カルボニル基の炭素原子に隣接する炭素原子とを意図し、いずれの炭素原子もＡを構成する原子である。
【００３７】
Ａの炭素数は、３〜３０が好ましく、３〜２０がより好ましく、３〜１５がさらに好ましい。なお上記炭素数は、式中に明示される２個の炭素原子を含む数である。
Ａは、ヘテロ原子を有していてもよく、ヘテロ原子は、例えば、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、リン原子、ケイ素原子、および、ホウ素原子が挙げられ、窒素原子、硫黄原子、または、酸素原子が好ましく、酸素原子がより好ましい。
Ａは置換基を有していてもよく、置換基としてはハロゲン原子が好ましい。
Ａ中のヘテロ原子の数は、０〜１０が好ましく、０〜５がより好ましく、０〜２がさらに好ましい。なお、上記ヘテロ原子の数は、式（１）中に明示されるＡを構成するカルボニル基に含まれる酸素原子の数、および、Ａが置換基として有するハロゲン原子の数を含まない数である。
Ａは、芳香族性を示してもよく、示さなくてもよい。
Ａは、単環構造でもよく、縮環構造でもよいが、５員環、６員環、または、５員環および６員環の少なくともいずれかを含む縮合環であるのが好ましい。上記縮合環を形成する環の数は、１〜４が好ましく、１〜３がより好ましい。
【００３８】
中でも、Ａで表される環は、下記式（Ａ１）で表される基を有しているのが好ましい。なお、＊１は、式（１）中に明示されるＡを構成するカルボニル基中の炭素原子との結合位置を表し、＊２は、式（１）中に明示されるＡを構成するカルボニル基中の炭素原子とは異なる他の一方の炭素原子との結合位置を表す。
【００３９】
＊１−Ｌ−Ｙ−Ｚ−＊２          （Ａ１）
【００４０】
式（Ａ１）中、Ｌは、単結合または−ＮＲＬ−を表す。
ＲＬは、水素原子または置換基を表す。中でも、ＲＬは、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基が好ましく、アルキル基またはアリール基が好ましい。
Ｌは、単結合が好ましい。
【００４１】
Ｙは、−ＣＲＹ１＝ＣＲＹ２−、−ＣＳ−ＮＲＹ３−、−ＣＳ−、−ＮＲＹ４−、または、−Ｎ＝ＣＲＹ５−を表し、中でも−ＣＲＹ１＝ＣＲＹ２−が好ましい。
ＲＹ１〜ＲＹ５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。中でも、ＲＹ１〜ＲＹ５は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基が好ましく、アルキル基またはアリール基がより好ましい。
また、Ｙが−ＣＲＹ１＝ＣＲＹ２−を表す場合、ＲＹ１とＲＹ２とは互いに連結して環を形成するのが好ましく、ＲＹ１とＲＹ２とは互いに連結してベンゼン環を形成するのがより好ましい。
【００４２】
Ｚは、単結合、−ＣＯ−、または、−Ｓ−を表し、中でも−ＣＯ−が好ましい。
【００４３】
なお、上記、Ｌ、Ｙ、および、Ｚの組み合わせは、−Ｌ−Ｙ−Ｚ−と式（１）中に明示される２個の炭素原子とが結合して形成される環が、５員環または６員環となる組み合わせが好ましい。ただし、上述の通り上記５員環または６員環は、さらに異なる環（好ましくはベンゼン環）と縮環して、縮環構造を形成していてもよい。
【００４４】
中でも、式（Ａ１）で表される基は、下記式（Ａ２）で表される基であるのがより好ましい。
【００４５】
【化５】
2019009249.tif 000007
【００４６】
式（Ａ２）中、Ａ１およびＡ２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ａ１とＡ２とは互いに連結して環を形成するのが好ましく、Ａ１とＡ２とは互いに連結してベンゼン環を形成するのがより好ましい。
Ａ１とＡ２とで形成される上記ベンゼン環は、さらに置換基を有しているのも好ましい。置換基としては、ハロゲン原子が好ましく、塩素原子またはフッ素原子がより好ましい。
また、Ａ１とＡ２とで形成される上記ベンゼン環が有する置換基が、さらに互いに連結して環を形成していてもよい。例としては、Ａ１とＡ２とで形成される上記ベンゼン環が有する置換基が、さらに互いに連結してベンゼン環を形成していてもよい。
【００４７】
中でも、式（Ａ１）で表される基は、下記式（Ａ３）で表される基であるのがさらに好ましい。
【００４８】
【化６】
2019009249.tif 000008
【００４９】
式（Ａ３）中、Ａ３〜Ａ６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。中でも、Ａ３〜Ａ６は、それぞれ独立に、水素原子またはハロゲン原子が好ましく、水素原子、塩素原子、または、フッ素原子がより好ましい。
Ａ３とＡ４とは互いに連結して環を形成していてもよく、Ａ４とＡ５とは互いに連結して環を形成していてもよく、Ａ５とＡ６とは互いに連結して環を形成していてもよい。Ａ３とＡ４、Ａ４とＡ５、および、Ａ５とＡ６とが、それぞれ互いに連結して形成する環はベンゼン環が好ましい。
中でも、Ａ４とＡ５とが互いに連結して環を形成するのが好ましく、Ａ４とＡ５とが互いに連結して形成される環はベンゼン環が好ましい。
なお、Ａ４とＡ５とが互いに連結して形成される環には、さらに置換基が置換していてもよい。
【００５０】
このような環としては、通常メロシアニン色素で酸性核として用いられるものが好ましく、その具体例としては例えば以下のものが挙げられる。
（ａ）１，３−ジカルボニル核：例えば、１，３−インダンジオン核、１，３−シクロヘキサンジオン、５，５−ジメチル−１，３−シクロヘキサンジオン、および、１，３−ジオキサン−４，６−ジオン等。
（ｂ）ピラゾリノン核：例えば、１−フェニル−２−ピラゾリン−５−オン、３−メチル−１−フェニル−２−ピラゾリン−５−オン、および、１−（２−ベンゾチアゾリル）−３−メチル−２−ピラゾリン−５−オン等。
（ｃ）イソオキサゾリノン核：例えば、３−フェニル−２−イソオキサゾリン−５−オン、および、３−メチル−２−イソオキサゾリン−５−オン等。
（ｄ）オキシインドール核：例えば、１−アルキル−２，３−ジヒドロ−２−オキシインドール等。
（ｅ）２，４，６−トリオキソヘキサヒドロピリミジン核：例えば、バルビツール酸または２−チオバルビツール酸およびその誘導体等。誘導体としては、例えば、１−メチル、１−エチル等の１−アルキル体、１，３−ジメチル、１，３−ジエチル、１，３−ジブチル等の１，３−ジアルキル体、１，３−ジフェニル、１，３−ジ（ｐ−クロロフェニル）、１，３−ジ（ｐ−エトキシカルボニルフェニル）等の１，３−ジアリール体、１−エチル−３−フェニル等の１−アルキル−１−アリール体、および、１，３−ジ（２―ピリジル）等の１，３−ジヘテロアリール体等が挙げられる。
（ｆ）２−チオ−２，４−チアゾリジンジオン核：例えば、ローダニンおよびその誘導体等。誘導体としては、例えば、３−メチルローダニン、３−エチルローダニン、３−アリルローダニン等の３−アルキルローダニン、３−フェニルローダニン等の３−アリールローダニン、および、３−（２−ピリジル）ローダニン等の３−ヘテロアリールローダニン等が挙げられる。
（ｇ）２−チオ−２，４−オキサゾリジンジオン（２−チオ−２，４−（３Ｈ，５Ｈ）−オキサゾールジオン核：例えば、３−エチル−２−チオ−２，４−オキサゾリジンジオン等。
（ｈ）チアナフテノン核：例えば、３（２Ｈ）−チアナフテノン−１，１−ジオキサイド等。
（ｉ）２−チオ−２，５−チアゾリジンジオン核：例えば、３−エチル−２−チオ−２，５−チアゾリジンジオン等。
（ｊ）２，４−チアゾリジンジオン核：例えば、２，４−チアゾリジンジオン、３−エチル−２，４−チアゾリジンジオン、および、３−フェニル−２，４−チアゾリジンジオン等。
（ｋ）チアゾリン−４−オン核：例えば、４−チアゾリノン、および、２−エチル−４−チアゾリノン等。
（ｌ）２，４−イミダゾリジンジオン（ヒダントイン）核：例えば、２，４−イミダゾリジンジオン、および、３−エチル−２，４−イミダゾリジンジオン等。
（ｍ）２−チオ−２，４−イミダゾリジンジオン（２−チオヒダントイン）核：例えば、２−チオ−２，４−イミダゾリジンジオン、および、３−エチル−２−チオ−２，４−イミダゾリジンジオン等。
（ｎ）イミダゾリン−５−オン核：例えば、２−プロピルメルカプト−２−イミダゾリン−５−オン等。
（ｏ）３，５−ピラゾリジンジオン核：例えば、１，２−ジフェニル−３，５−ピラゾリジンジオン、および、１，２−ジメチル−３，５−ピラゾリジンジオン等。
（ｐ）ベンゾチオフェン−３（２Ｈ）−オン核：例えば、ベンゾチオフェン−３（２Ｈ）−オン、オキソベンゾチオフェン−３（２Ｈ）−オン、および、ジオキソベンゾチオフェンー３（２Ｈ）−オン等。
（ｑ）インダノン核：例えば、１−インダノン、３−フェニル−１−インダノン、３−メチル−１−インダノン、３，３−ジフェニル−１−インダノン、および、３，３−ジメチル−１−インダノン等。
（ｒ）ベンゾフラン−３−（２Ｈ）−オン核：例えば、ベンゾフラン−３−（２Ｈ）−オン等。
（ｓ）２，２−ジヒドロフェナレン−１，３−ジオン核等。
【００５１】
特定化合物は、蒸着適性の悪化を回避する点から、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
また、上述の基およびその塩以外にも、蒸着適性の悪化を回避する点から、モノ硫酸エステル基、モノリン酸エステル基、ホスホン酸基、ホスフィン酸基、ホウ酸基、および、これらの基の塩のいずれも有さないことが好ましい。
【００５２】
（式（２））
特定化合物は、下記式（２）で表される化合物であるのが好ましい。
なお、下記式（２）は、式（１）中のｍが１を表し、Ｒａ４とＲａ５とが互いに連結して環を形成している場合に相当する。
【００５３】
【化７】
2019009249.tif 000009
【００５４】
式（２）中、Ｒｂ１〜Ｒｂ５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基の種類は特に制限されず、後述する置換基Ｗで例示する基が挙げられる。
【００５５】
中でも、Ｒｂ１は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、−ＣＯ−アルキル基、−ＣＯ−アリール基、または、−ＣＯ−ヘテロアリール基が好ましく、アルキル基またはアリール基がより好ましく、炭素数１〜２のアルキル基、シクロヘキシル基、または、フェニル基がさらに好ましい。
なお、上記フェニル基は、置換基としてアルキル基（好ましくは炭素数３〜５の分岐鎖状アルキル基）を有しているのも好ましい。
【００５６】
Ｒｂ３は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、または、非芳香族ヘテロ環基（ピペリジン環基等）が好ましく、置換基を有していてもよい、アリール基またはヘテロアリール基がより好ましく、置換基を有していてもよい、フェニル基、ナフチル基、チエニル基、または、カルバゾール環基がさらに好ましい。
Ｒｂ３で表されるアリール基またはヘテロアリール基は、置換基としてアルキル基（より好ましくは炭素数１〜５の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基）アルコキシ基（より好ましくはメトキシ基）、または、アリール基（より好ましくはフェニル基）を有しているのも好ましい。上記置換基としての、アルキル基、アルコキシ基、および、アリール基がさらに置換基を有しているのも好ましく、その置換基としてはハロゲン原子（より好ましくはフッ素原子）が好ましい。
【００５７】
Ｒｂ２、Ｒｂ４、および、Ｒｂ５は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有していてもよい、アルキル基、アリール基、もしくは、ヘテロアリール基が好ましく、水素原子がより好ましい。
【００５８】
Ｘ１は、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、−ＮＲｂ６−、−ＣＲｂ７Ｒｂ８−、−ＳｉＲｂ９Ｒｂ１０−、−ＣＲｂ１１＝ＣＲｂ１２−、−Ｎ＝ＣＲｂ１３−、または、−Ｎ＝Ｎ−を表す。Ｒｂ６〜Ｒｂ１３は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒｂ６〜Ｒｂ１３は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有していてもよい、アルキル基、アリール基（フェニル基等）、もしくは、ヘテロアリール基、非芳香族ヘテロ環基（ピペリジン環基等）が好ましい。
中でも、Ｘ１は、酸素原子、硫黄原子、−ＮＲｂ６−、または、−ＣＲｂ１１＝ＣＲｂ１２−が好ましく、酸素原子または硫黄原子がより好ましい。
【００５９】
なお、Ｒｂ２とＲｂ３とは、互いに連結して環を形成していてもよい。
また、Ｘ１が、−ＮＲｂ６−、−ＣＲｂ７Ｒｂ８−、−ＳｉＲｂ９Ｒｂ１０−、−ＣＲｂ１１＝ＣＲｂ１２−、または、−Ｎ＝ＣＲｂ１３−を表す場合、Ｘ１が表す基が有するＲｂ６〜Ｒｂ１３のいずれか１つと、Ｒｂ３とは、互いに連結して環を形成していてもよい。
【００６０】
なお、Ｒｂ４とＲｂ５とが互いに連結して環を形成することはない。
【００６１】
式（２）中のＡは少なくとも２つの炭素原子を含む環を表し、式（２）中のＡの好適な態様と、式（１）中のＡにおける好適な態様は同様である。
【００６２】
なお、上述の通り、式（２）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【００６３】
（式（３））
特定化合物は、下記式（３）で表される化合物であるのがより好ましい。
【００６４】
【化８】
2019009249.tif 000010
【００６５】
式（３）中、Ｒｃ１は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、−ＣＯ−アルキル基、−ＣＯ−アリール基、または、−ＣＯ−ヘテロアリール基を表す。中でも、アルキル基またはアリール基が好ましく、炭素数１〜２のアルキル基、シクロヘキシル基、またはフェニル基がより好ましい。
なお、上記フェニル基は、置換基としてアルキル基（好ましくは炭素数３〜５の分岐鎖状アルキル基）を有しているのも好ましい。
【００６６】
Ｒｃ２〜Ｒｃ７は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基の種類は特に制限されず、後述する置換基Ｗで例示する基が挙げられる。
【００６７】
Ｒｃ３は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、または、非芳香族ヘテロ環基（ピペリジン環基等）が好ましく、置換基を有していてもよい、アリール基またはヘテロアリール基がより好ましく、置換基を有していてもよい、フェニル基、ナフチル基、チエニル基、または、カルバゾール環基がさらに好ましい。
Ｒｃ３で表されるアリール基またはヘテロアリール基は、置換基としてアルキル基（より好ましくは炭素数１〜５の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基）アルコキシ基（より好ましくはメトキシ基）、または、アリール基（より好ましくはフェニル基）を有しているのも好ましい。上記置換基としての、アルキル基、アルコキシ基、および、アリール基がさらに置換基を有しているのも好ましく、その置換基としてはハロゲン原子（より好ましくはフッ素原子）が好ましい。
【００６８】
Ｒｃ２とＲｃ３とは互いに連結して環を形成していてもよく、Ｒｃ５とＲｃ６とは互いに連結して環を形成していてもよい。
中でも、Ｒｃ５とＲｃ６とが互いに連結してベンゼン環を形成しているのが好ましい。つまり、式（Ａ３）で表される基に相当する基を形成するのが好ましい。この場合、上記式（Ａ３）で表される基に相当する基の好適な態様は、式（Ａ３）で表される基の好適な態様と同様である。なお、この場合、式（３）中に明示されるＲｃ５が結合している炭素原子が、式（Ａ３）中の＊１と隣接する炭素原子に相当する。
【００６９】
Ｒｃ２、Ｒｃ４、および、Ｒｃ７は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基が好ましく、水素原子がより好ましい。
【００７０】
Ｘ２は、酸素原子または硫黄原子を表す。
【００７１】
なお、Ｒｃ４とＲｃ７とが互いに連結して環を形成することはない。
【００７２】
なお、上述の通り、式（３）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【００７３】
（置換基Ｗ）
本明細書における置換基Ｗについて記載する。
置換基Ｗとしては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、および、トリシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、および、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基（ヘテロ環基といってもよい）、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む）、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルまたはアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、アルキルまたはアリールスルフィニル基、アルキルまたはアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールまたはヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基（−Ｂ（ＯＨ）２）、および、その他の公知の置換基が挙げられる。
また、置換基Ｗは、さらに置換基Ｗで置換されていてもよい。例えば、アルキル基にハロゲン原子が置換していてもよい。
なお、置換基Ｗの詳細については、特開２００７−２３４６５１号公報の段落［００２３］に記載される。
ただし、上述の通り、蒸着適性の悪化を回避する点から、特定化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。そのため、本明細書において、特定化合物が有する置換基Ｗとしては、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩を含まない。
【００７４】
なお、特定化合物（式（１）〜（３）のいずれかで表される化合物）が有するアルキル基の炭素数は特に制限されないが、１〜１０が好ましく、１〜６がより好ましく、１〜４がさらに好ましい。アルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、および、環状のいずれであってもよい。また、アルキル基には、置換基（例えば、置換基Ｗ）が置換していてもよい。
アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ―ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、および、シクロへキシル基等が挙げられる。
【００７５】
特定化合物（式（１）〜（３）のいずれかで表される化合物）が有するアリール基中の炭素数は特に制限されないが、６〜３０が好ましく、６〜１８がより好ましく、６がさらに好ましい。アリール基は、単環構造であっても、２つ以上の環が縮環した縮環構造（縮合環構造）であってもよい。また、アリール基には、置換基（例えば、置換基Ｗ）が置換していてもよい。
アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、フェナントレニル基、メチルフェニル基、ジメチルフェニル基、ビフェニル基、および、フルオレニル基等が挙げられ、フェニル基、ナフチル基、または、アントリル基が好ましい。
【００７６】
特定化合物（式（１）〜（３）のいずれかで表される化合物）が有するヘテロアリール基（１価の芳香族複素環基）中の炭素数は特に制限されないが、３〜３０が好ましく、３〜１８がより好ましい。ヘテロアリール基には、置換基（例えば、置換基Ｗ）が置換していてもよい。
ヘテロアリール基は、炭素原子、および、水素原子以外にヘテロ原子を有する。ヘテロ原子としては、例えば、硫黄原子、酸素原子、窒素原子、セレン原子、テルル原子、リン原子、ケイ素原子、および、ホウ素原子が挙げられ、硫黄原子、酸素原子、または、窒素原子が好ましい。
ヘテロアリール基が有するヘテロ原子の数は特に制限されず、通常、１〜１０程度であり、１〜４が好ましく、１〜２がより好ましい。
ヘテロアリール基の環員数は特に制限されないが、３〜８が好ましく、５〜７がより好ましく、５〜６がさらに好ましい。なお、ヘテロアリール基は、単環構造であっても、２つ以上の環が縮環した縮環構造であってもよい。縮環構造の場合、ヘテロ原子を有さない芳香族炭化水素環（例えば、ベンゼン環）が含まれていてもよい。
ヘテロアリール基としては、例えば、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、プテリジニル基、ピラジニル基、キノキサリニル基、ピリミジニル基、キナゾリル基、ピリダジニル基、シンノリニル基、フタラジニル基、トリアジニル基、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、インダゾリル基、イソオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、フリル基、ベンゾフリル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基、ジベンゾチエニル基、ピロリル基、インドリル基、イミダゾピリジニル基、および、カルバゾリル基等が挙げられる。
【００７７】
以下に、式（１）で表される化合物を例示する。
なお、下記で示す構造式は、化合物を式（１）（または式（２））に当てはめた場合において、Ｒａ７（またはＲｂ５）が結合する炭素原子とそれに隣接する炭素原子とで構成されるＣ＝Ｃ二重結合に相当する基に基づいて区別され得るシス体とトランス体とのいずれをも含むことを意図する。
下記例示中、「Ｍｅ」はメチル基を表し、「ＴＭＳ」はトリメチルシリル基を表す。
【００７８】
【化９】
2019009249.tif 000011
【００７９】
【化１０】
2019009249.tif 000012
【００８０】
【化１１】
2019009249.tif 000013
【００８１】
【化１２】
2019009249.tif 000014
【００８２】
【化１３】
2019009249.tif 000015
【００８３】
【化１４】
2019009249.tif 000016
【００８４】
特定化合物の分子量は特に制限されないが、３００〜９００が好ましい。分子量が９００以下であれば、蒸着温度が高くならず、化合物の分解が起こりにくい。分子量が３００以上であれば、蒸着膜のガラス転移点が低くならず、光電変換素子の耐熱性が向上する。
【００８５】
特定化合物は、光センサ、撮像素子、または、光電池に用いる光電変換膜の材料として特に有用である。なお、通常、特定化合物は、光電変換膜内でｐ型有機半導体として機能する場合が多い。また、特定化合物は、着色材料、液晶材料、有機半導体材料、電荷輸送材料、医薬材料、および、蛍光診断薬材料としても用いることもできる。
【００８６】
特定化合物は、ｐ型有機半導体として使用する際の安定性とｎ型有機半導体とのエネルギー準位のマッチングの点で、単独膜でのイオン化ポテンシャルが−５．０〜−６．０ｅＶである化合物であることが好ましい。
【００８７】
上述した、緑色光を吸収して光電変換する有機光電変換膜２０９に適用可能とするため、特定化合物の極大吸収波長は、４５０〜６００ｎｍの範囲にあることが好ましく、４８０〜６００ｎｍの範囲にあることがより好ましい。
なお、上記極大吸収波長は、特定化合物の吸収スペクトルを吸光度が０．５〜１になる程度の濃度に調整して溶液状態（溶剤：クロロホルム）で測定した値である。
【００８８】
＜ｎ型有機半導体＞
光電変換膜は、上述した特定化合物以外の他の成分として、ｎ型有機半導体を含むのが好ましい。
ｎ型有機半導体は、アクセプタ性有機半導体材料（化合物）であり、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは、ｎ型有機半導体は、２つの有機化合物を接触させて用いた場合に電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。
ｎ型有機半導体としては、例えば、縮合芳香族炭素環化合物（例えば、フラーレン、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、および、フルオランテン誘導体）；窒素原子、酸素原子、および、硫黄原子の少なくとも１つを有する５〜７員環のヘテロ環化合物（例えば、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、キノキサリン、キナゾリン、フタラジン、シンノリン、イソキノリン、プテリジン、アクリジン、フェナジン、フェナントロリン、テトラゾール、ピラゾール、イミダゾール、および、チアゾール等）；ポリアリーレン化合物；フルオレン化合物；シクロペンタジエン化合物；シリル化合物；ならびに、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体等が挙げられる。
【００８９】
なお、ｎ型有機半導体として、有機色素を用いてもよい。例えば、シアニン色素、スチリル色素、ヘミシアニン色素、メロシアニン色素（ゼロメチンメロシアニン（シンプルメロシアニン）を含む）、ロダシアニン色素、アロポーラー色素、オキソノール色素、ヘミオキソノール色素、スクアリウム色素、クロコニウム色素、アザメチン色素、クマリン色素、アリーリデン色素、アントラキノン色素、トリフェニルメタン色素、アゾ色素、アゾメチン色素、メタロセン色素、フルオレノン色素、フルギド色素、ペリレン色素、フェナジン色素、フェノチアジン色素、キノン色素、ジフェニルメタン色素、ポリエン色素、アクリジン色素、アクリジノン色素、ジフェニルアミン色素、キノフタロン色素、フェノキサジン色素、フタロペリレン色素、ジオキサン色素、ポルフィリン色素、クロロフィル色素、フタロシアニン色素、サブフタロシアニン色素および、金属錯体色素等が挙げられる。
【００９０】
上記ｎ型有機半導体の分子量としては、２００〜１２００が好ましく、２００〜９００がより好ましい。
【００９１】
一方で、図２に示したような形態の場合には、ｎ型有機半導体は無色、または、特定化合物に近い吸収極大波長、および／または、吸収波形を持つことが望ましく、具体的な数値としては、ｎ型有機半導体の吸収極大波長が４００ｎｍ以下、または、５００〜６００ｎｍが望ましい。
【００９２】
光電変換膜は、上記特定化合物と、ｎ型有機半導体とが混合された状態で形成されるバルクヘテロ構造を有することが好ましい。バルクヘテロ構造は、光電変換膜内で、特定化合物とｎ型有機半導体とが混合、分散している層である。バルクヘテロ構造を有する光電変換膜は、湿式法および乾式法のいずれでも形成できる。なお、バルクへテロ構造については、特開２００５−３０３２６６号公報の段落［００１３］〜［００１４］等において詳細に説明されている。
【００９３】
光電変換素子の応答性の点から、特定化合物とｎ型有機半導体との合計の含有量に対する特定化合物の含有量（＝特定化合物の単層換算での膜厚／（特定化合物の単層換算での膜厚＋ｎ型有機半導体の単層換算での膜厚）×１００）は、２０〜８０体積％が好ましく、３０〜７０体積％がより好ましく、４０〜６０体積％がさらに好ましい。
なお、光電変換膜は、実質的に、特定化合物とｎ型有機半導体から構成されることが好ましい。実質的とは、光電変換膜全質量に対して、特定化合物およびｎ型有機半導体の合計含有量が９５質量％以上であることを意図する。
【００９４】
なお、光電変換膜中に含まれるｎ型有機半導体は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
また、光電変換膜は、特定化合物及びｎ型有機半導体に加えて、さらにｐ型有機半導体を含んでいてもよい。ｐ型有機半導体としては、例えば、下記に示すものが挙げられる。
なお、特定化合物をｐ型有機半導体として使用する場合は、上記ｐ型有機半導体は、特定化合物以外のｐ型有機半導体を意図する。
【００９５】
＜ｐ型有機半導体＞
ｐ型有機半導体とは、ドナー性有機半導体材料（化合物）であり、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは、ｐ型有機半導体とは、２つの有機化合物を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。
ｐ型有機半導体（特定化合物以外のｐ型有機半導体）としては、例えば、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物、ピラゾリン化合物、スチリルアミン化合物、ヒドラゾン化合物、カルバゾール化合物、ポリシラン化合物、チオフェン化合物、シアニン化合物、オキソノール化合物、ポリアミン化合物、インドール化合物、ピロール化合物、ピラゾール化合物、ポリアリーレン化合物、縮合芳香族炭素環化合物、及び、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体等が挙げられる。
ｐ型有機半導体としては、ｎ型有機半導体よりもイオン化ポテンシャルが小さいものが挙げられ、この条件を満たせば、ｎ型有機半導体として例示した有機色素を使用し得る。
【００９６】
特定化合物を含む光電変換膜は非発光性膜であり、有機電界発光素子（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）とは異なる特徴を有する。非発光性膜とは発光量子効率が１％以下の膜を意図し、発光量子効率は０．５％以下が好ましく、０．１％以下がより好ましい。
【００９７】
＜成膜方法＞
光電変換膜は、主に、乾式成膜法により成膜できる。乾式成膜法の具体例としては、蒸着法（特に、真空蒸着法）、スパッタ法、イオンプレーティング法、および、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法等の物理気相成長法、ならびに、プラズマ重合等のＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が挙げられる。中でも、真空蒸着法が好ましい。真空蒸着法により光電変換膜を成膜する場合、真空度および蒸着温度等の製造条件は常法に従って設定できる。
【００９８】
光電変換膜の厚みは、１０〜１０００ｎｍが好ましく、５０〜８００ｎｍがより好ましく、５０〜５００ｎｍがさらに好ましく、５０〜３００ｎｍが特に好ましい。
【００９９】
［電極］
電極（上部電極（透明導電性膜）１５と下部電極（導電性膜）１１）は、導電性材料から構成される。導電性材料としては、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、および、これらの混合物等が挙げられる。
上部電極１５から光が入射されるため、上部電極１５は検知したい光に対し透明であることが好ましい。上部電極１５を構成する材料としては、例えば、アンチモンまたはフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ：Ａｎｔｉｍｏｎｙ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ、ＦＴＯ：Ｆｌｕｏｒｉｎｅ  ｄｏｐｅｄ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、および、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）等の導電性金属酸化物；金、銀、クロム、および、ニッケル等の金属薄膜；これらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物；ならびに、ポリアニリン、ポリチオフェン、および、ポリピロール等の有機導電性材料、等が挙げられる。中でも、高導電性、および、透明性等の点から、導電性金属酸化物が好ましい。
【０１００】
通常、導電性膜をある範囲より薄くすると、急激な抵抗値の増加をもたらすが、本実施形態にかかる光電変換素子を組み込んだ固体撮像素子では、シート抵抗は、好ましくは１００〜１００００Ω／□でよく、薄膜化できる膜厚の範囲の自由度は大きい。また、上部電極（透明導電性膜）１５は厚みが薄いほど吸収する光の量は少なくなり、一般に光透過率が増す。光透過率の増加は、光電変換膜での光吸収を増大させ、光電変換能を増大させるため、好ましい。薄膜化に伴う、リーク電流の抑制、薄膜の抵抗値の増大、および、透過率の増加を考慮すると、上部電極１５の膜厚は、５〜１００ｎｍが好ましく、５〜２０ｎｍがより好ましい。
【０１０１】
下部電極１１は、用途に応じて、透明性を持たせる場合と、逆に透明性を持たせず光を反射させる場合とがある。下部電極１１を構成する材料としては、例えば、アンチモンまたはフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、および、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物；金、銀、クロム、ニッケル、チタン、タングステン、および、アルミ等の金属、これらの金属の酸化物または窒化物等の導電性化合物（一例として窒化チタン（ＴｉＮ）を挙げる）；これらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物；ならびに、ポリアニリン、ポリチオフェン、および、ポリピロール、等の有機導電性材料等が挙げられる。
【０１０２】
電極を形成する方法は特に制限されず、電極材料に応じて適宜選択できる。具体的には、印刷方式、および、コーティング方式等の湿式方式；真空蒸着法、スパッタ法、および、イオンプレーティング法等の物理的方式；ならびに、ＣＶＤ、および、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式、等が挙げられる。
電極の材料がＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタ法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾル−ゲル法等）、および、酸化インジウムスズの分散物の塗布等の方法が挙げられる。
【０１０３】
［電荷ブロッキング膜：電子ブロッキング膜、正孔ブロッキング膜］
本発明の光電変換素子は、導電性膜と透明導電性膜の間に、光電変換膜の他に１種以上の中間層を有していることも好ましい。上記中間層としては、電荷ブロッキング膜が挙げられる。光電変換素子がこの膜を有することにより、得られる光電変換素子の特性（光電変換効率および応答性等）がより優れる。電荷ブロッキング膜としては、電子ブロッキング膜と正孔ブロッキング膜とが挙げられる。以下に、それぞれの膜について詳述する。
【０１０４】
＜電子ブロッキング膜＞
電子ブロッキング膜は、電子供与性化合物を含む。具体的には、低分子材料では、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、および、４，４’−ビス［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）等の芳香族ジアミン化合物；ポルフィリン、テトラフェニルポルフィリン銅、フタロシアニン、銅フタロシアニン、および、チタニウムフタロシアニンオキサイド等のポルフィリン化合物；ならびに、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、テトラヒドロイミダゾール、ポリアリールアルカン、ブタジエン、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、トリアゾール誘導体、オキサジザゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、および、シラザン誘導体等が挙げられる。高分子材料としては、フェニレンビニレン、フルオレン、カルバゾール、インドール、ピレン、ピロール、ピコリン、チオフェン、アセチレン、および、ジアセチレン等の重合体、ならびに、その誘導体が挙げられる。また、特許第５５９７４５０号の段落［００４９］〜［００６３］に記載の化合物、特開２０１１−２２５５４４号公報の段落［０１１９］〜［０１５８］に記載の化合物、および、特開２０１２−９４６６０号公報の段落［００８６］〜［００９０］に記載の化合物等が挙げられる。
【０１０５】
なお、電子ブロッキング膜は、複数膜で構成してもよい。
電子ブロッキング膜は、無機材料で構成されていてもよい。一般的に、無機材料は有機材料よりも誘電率が大きいため、無機材料を電子ブロッキング膜に用いた場合に、光電変換膜に電圧が多くかかるようになり、光電変換効率が高くなる。電子ブロッキング膜となりうる無機材料としては、例えば、酸化カルシウム、酸化クロム、酸化クロム銅、酸化マンガン、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化銅、酸化ガリウム銅、酸化ストロンチウム銅、酸化ニオブ、酸化モリブデン、酸化インジウム銅、酸化インジウム銀、および、酸化イリジウム等が挙げられる。
【０１０６】
＜正孔ブロッキング膜＞
正孔ブロッキング膜は、電子受容性化合物を含む。
電子受容性化合物としては、１，３−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジアゾリル）フェニレン（ＯＸＤ−７）等のオキサジアゾール誘導体；アントラキノジメタン誘導体；ジフェニルキノン誘導体；バソクプロイン、バソフェナントロリン、および、これらの誘導体；トリアゾール化合物；トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム錯体；ビス（４−メチル−８−キノリナート）アルミニウム錯体；ジスチリルアリーレン誘導体；ならびに、シロール化合物、等が挙げられる。また、特開２００６−１００７６７号公報の段落［００５６］〜［００５７］に記載の化合物等が挙げられる。
【０１０７】
電荷ブロッキング膜の製造方法は特に制限されず、乾式成膜法および湿式成膜法が挙げられる。乾式成膜法としては、蒸着法およびスパッタ法が挙げられる。蒸着法は、物理蒸着（ＰＶＤ：Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法および化学蒸着（ＣＶＤ）法のいずれでもよく、真空蒸着法等の物理蒸着法が好ましい。湿式成膜法としては、インクジェット法、スプレー法、ノズルプリント法、スピンコート法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法、および、グラビアコート法等が挙げられ、高精度パターニングの点からは、インクジェット法が好ましい。
【０１０８】
電荷ブロッキング膜（電子ブロッキング膜および正孔ブロッキング膜）の厚みは、それぞれ、３〜２００ｎｍが好ましく、５〜１００ｎｍがより好ましく、５〜３０ｎｍがさらに好ましい。
【０１０９】
［基板］
光電変換素子は、さらに基板を有していてもよい。使用される基板の種類は特に制限されず、半導体基板、ガラス基板、および、プラスチック基板が挙げられる。
なお、基板の位置は特に制限されないが、通常、基板上に導電性膜、光電変換膜、および、透明導電性膜をこの順で積層する。
【０１１０】
［封止層］
光電変換素子は、さらに封止層を有していてもよい。光電変換材料は水分子等の劣化因子の存在で顕著にその性能が劣化してしまうことがある。そこで、水分子を浸透させない緻密な金属酸化物、金属窒化物、もしくは、金属窒化酸化物等のセラミクス、または、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ：Ｄｉａｍｏｎｄ−ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）等の封止層で光電変換膜全体を被覆して封止することで、上記劣化を防止できる。
なお、封止層としては、特開２０１１−０８２５０８号公報の段落［０２１０］〜［０２１５］に記載に従って、材料の選択および製造を行ってもよい。
【０１１１】
〔光センサ〕
光電変換素子の用途として、例えば、光電池および光センサが挙げられるが、本発明の光電変換素子は光センサとして用いることが好ましい。光センサとしては、上記光電変換素子単独で用いてもよいし、上記光電変換素子を直線状に配したラインセンサ、または、平面上に配した２次元センサとして用いてもよい。本発明の光電変換素子は、ラインセンサでは、スキャナー等の様に光学系および駆動部を用いて光画像情報を電気信号に変換し、２次元センサでは、撮像モジュールのように光画像情報を光学系でセンサ上に結像させ電気信号に変換することで撮像素子として機能する。
【０１１２】
〔撮像素子〕
次に、光電変換素子１０ａを備えた撮像素子の構成例を説明する。
なお、以下に説明する構成例において、すでに説明した部材等と同等な構成、または、作用を有する部材等については、図中に同一符号または相当符号を付すことにより、説明を簡略化または省略する。
撮像素子とは画像の光情報を電気信号に変換する素子であり、複数の光電変換素子が同一平面状でマトリクス上に配置されており、それぞれの光電変換素子（画素）において光信号を電気信号に変換し、その電気信号を画素ごとに逐次撮像素子外に出力できるものをいう。そのために、画素ひとつあたり、一つの光電変換素子、一つ以上のトランジスタから構成される。
図３は、本発明の一実施形態を説明するための撮像素子の概略構成を示す断面模式図である。この撮像素子は、デジタルカメラおよびデジタルビデオカメラ等の撮像装置、電子内視鏡、ならびに、携帯電話機等の撮像モジュール等に搭載される。
この撮像素子は、図１Ａに示したような構成の複数の光電変換素子と、各光電変換素子の光電変換膜で発生した電荷に応じた信号を読み出す読み出し回路が形成された回路基板とを有し、回路基板上方の同一面上に、複数の光電変換素子が一次元状または二次元状に配列された構成となっている。
【０１１３】
図３に示す撮像素子１００は、基板１０１と、絶縁層１０２と、接続電極１０３と、画素電極（下部電極）１０４と、接続部１０５と、接続部１０６と、光電変換膜１０７と、対向電極（上部電極）１０８と、緩衝層１０９と、封止層１１０と、カラーフィルタ（ＣＦ：Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ）１１１と、隔壁１１２と、遮光層１１３と、保護層１１４と、対向電極電圧供給部１１５と、読み出し回路１１６とを備える。
【０１１４】
画素電極１０４は、図１Ａに示した光電変換素子１０ａの下部電極１１と同じ機能を有する。対向電極１０８は、図１Ａに示した光電変換素子１０ａの上部電極１５と同じ機能を有する。光電変換膜１０７は、図１Ａに示した光電変換素子１０ａの下部電極１１、および、上部電極１５間に設けられる層と同じ構成である。
【０１１５】
基板１０１は、ガラス基板またはＳｉ等の半導体基板である。基板１０１上には絶縁層１０２が形成されている。絶縁層１０２の表面には複数の画素電極１０４と複数の接続電極１０３が形成されている。
【０１１６】
光電変換膜１０７は、複数の画素電極１０４の上にこれらを覆って設けられた全ての光電変換素子で共通の層である。
【０１１７】
対向電極１０８は、光電変換膜１０７上に設けられた、全ての光電変換素子で共通の１つの電極である。対向電極１０８は、光電変換膜１０７よりも外側に配置された接続電極１０３の上にまで形成されており、接続電極１０３と電気的に接続されている。
【０１１８】
接続部１０６は、絶縁層１０２に埋設されており、接続電極１０３と対向電極電圧供給部１１５とを電気的に接続するためのプラグである。対向電極電圧供給部１１５は、基板１０１に形成され、接続部１０６および接続電極１０３を介して対向電極１０８に所定の電圧を印加する。対向電極１０８に印加すべき電圧が撮像素子の電源電圧よりも高い場合は、チャージポンプ等の昇圧回路によって電源電圧を昇圧して上記所定の電圧を供給する。
【０１１９】
読み出し回路１１６は、複数の画素電極１０４のそれぞれに対応して基板１０１に設けられており、対応する画素電極１０４で捕集された電荷に応じた信号を読出すものである。読み出し回路１１６は、例えば、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ回路、または、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）回路等で構成されており、絶縁層１０２内に配置された図示しない遮光層によって遮光されている。読み出し回路１１６は、それに対応する画素電極１０４と接続部１０５を介して電気的に接続されている。
【０１２０】
緩衝層１０９は、対向電極１０８上に、対向電極１０８を覆って形成されている。封止層１１０は、緩衝層１０９上に、緩衝層１０９を覆って形成されている。カラーフィルタ１１１は、封止層１１０上の各画素電極１０４と対向する位置に形成されている。隔壁１１２は、カラーフィルタ１１１同士の間に設けられており、カラーフィルタ１１１の光透過率を向上させるためのものである。
【０１２１】
遮光層１１３は、封止層１１０上のカラーフィルタ１１１、および、隔壁１１２を設けた領域以外に形成されており、有効画素領域以外に形成された光電変換膜１０７に光が入射することを防止する。保護層１１４は、カラーフィルタ１１１、隔壁１１２、および、遮光層１１３上に形成されており、撮像素子１００全体を保護する。
【０１２２】
このように構成された撮像素子１００では、光が入射すると、この光が光電変換膜１０７に入射し、ここで電荷が発生する。発生した電荷のうちの正孔は、画素電極１０４で捕集され、その量に応じた電圧信号が読み出し回路１１６によって撮像素子１００外部に出力される。
【０１２３】
撮像素子１００の製造方法は、次の通りである。
対向電極電圧供給部１１５と読み出し回路１１６が形成された回路基板上に、接続部１０５および１０６、複数の接続電極１０３、複数の画素電極１０４、ならびに、絶縁層１０２を形成する。複数の画素電極１０４は、絶縁層１０２の表面に例えば正方格子状に配置する。
【０１２４】
次に、複数の画素電極１０４上に、光電変換膜１０７を例えば真空蒸着法によって形成する。次に、光電変換膜１０７上に例えばスパッタ法により対向電極１０８を真空下で形成する。次に、対向電極１０８上に緩衝層１０９、封止層１１０を順次、例えば真空蒸着法によって形成する。次に、カラーフィルタ１１１、隔壁１１２、および、遮光層１１３を形成後、保護層１１４を形成して、撮像素子１００を完成する。
【実施例】
【０１２５】
以下に実施例を示すが、本発明はこれらに制限されない。【０１２６】
（化合物（Ｄ−１）の合成）
化合物（Ｄ−１）は、以下のスキームに従って、合成した。
なお下記において、「Ｅｔ」はエチル基を表し、「Ａｃ」はアセチル基を表す。【０１２７】
【化１５】
2019009249.tif 000017
【０１２８】
化合物（Ａ−１）は２−ブロモ−５−フルアルデヒドからＣｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．２００９，１５，１０９６−１１０６に記載の方法に従って合成した。【０１２９】
化合物（Ａ−１）（３．１０ｇ、１０．９ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（６０ｍＬ）に溶解させ、そこにヨードエタン（５．０８ｇ、３２．６ｍｍｏｌ）および炭酸カリウム（６．２３ｇ、４５．１ｍｍｏｌ）を添加して、得られた混合溶液を９０℃で２時間加熱撹拌した。混合溶液を放冷した後に、混合溶液に水（３００ｍＬ）を添加して、固体を析出させた。析出した固体をろ取し、水で洗浄した。得られた固体を真空乾燥させることで化合物（Ａ−２）（２．９７ｇ、収率９６％）を得た。【０１３０】
化合物（Ａ−２）（１．８５ｇ、５．９０ｍｍｏｌ）をエタノール（５４ｍＬ）に溶解させ、そこに１Ｍ水酸化ナトリウム水溶液（１８ｍＬ）を添加し、得られた混合溶液を、加熱還流下で５時間反応させた。混合溶液を室温まで冷却した後に、混合溶液のｐＨが１になるまで１Ｍ塩酸水溶液を添加し、固体を析出させた。析出した固体をろ取し、水で洗浄した。得られた固体を真空乾燥させることで化合物（Ａ−３）（１．６０ｇ、収率９５％）を得た。【０１３１】
化合物（Ａ−３）（４．４０ｇ、１７．２ｍｍｏｌ）にトリフルオロ酢酸（ＴＦＡ）（１５ｍＬ）を添加して得た混合溶液を、室温で１５分間反応させた。その後、混合溶液にオルトギ酸エチル（５．０ｍＬ）を添加して室温でさらに１５分間反応させた。混合溶液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（３００ｍＬ）に添加して３０分撹拌し、固体を析出させた。析出した固体をろ取し、水で洗浄した。得られた固体を真空乾燥させることで化合物（Ａ−４）（２．７２ｇ、収率６６％）を得た。【０１３２】
化合物（Ａ−４）（１．３０ｇ、５．４３ｍｍｏｌ）および化合物（Ａ−５）（１．１２ｇ、５．７０ｍｍｏｌ）を酢酸（４０ｍＬ）に添加して得た混合溶液を、７０℃で４時間反応させた。混合溶液を室温まで冷却した後に、混合溶液にメタノール（８０ｍＬ）を添加して３０分間撹拌し、固体を析出させた。析出した固体をろ取し、メタノールで洗浄して粗体を得た。得られた粗体をクロロベンゼン（１００ｍＬ）から再結晶化し、再結晶化して得られた固体をメタノールで洗浄することで化合物（Ｄ−１）（１．４８ｇ、収率６５％）を得た。
得られた化合物（Ｄ−１）は１Ｈ  ＮＭＲ（Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）およびＭＳ（Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により同定した。
１Ｈ  ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）を図４に示す。
ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：４１８．１（［Ｍ＋Ｈ］＋）【０１３３】
上記化合物（Ｄ−１）の合成方法を参照して、化合物（Ｄ−２）〜（Ｄ−２４）を合成した。  以下に、得られた化合物（Ｄ−１）〜（Ｄ−２４）、および、比較化合物（Ｒ−１）〜（Ｒ−３）の構造を具体的に示す。
また化合物（Ｄ−３）、（Ｄ−４）、および、（Ｄ−６）の１Ｈ  ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）を図５〜７に示す。
なお、得られた化合物（Ｄ−１）〜（Ｄ−２４）について下記で示す構造式は、化合物を式（１）または（２）に当てはめた場合において、Ｒａ７またはＲｂ５が結合する炭素原子とそれに隣接する炭素原子とで構成されるＣ＝Ｃ二重結合に相当する基に基づいて区別され得るシス体とトランス体とのいずれをも含むことを意図する。【０１３４】
【化１６】
2019009249.tif 000018
【０１３５】
【化１７】
2019009249.tif 000019
【０１３６】
＜基準用光電変換素子の作製＞
得られた化合物を用いて図１Ａの形態の光電変換素子を作製した。つまり、本実施例で評価する光電変換素子は、下部電極１１、電子ブロッキング膜１６Ａ、光電変換膜１２、および、上部電極１５からなる。
具体的には、ガラス基板上に、アモルファス性ＩＴＯをスパッタ法により成膜して、下部電極１１（厚み：３０ｎｍ）を形成し、さらに、下部電極１１上に下記化合物（ＥＢ−１）を真空蒸着法により成膜して、電子ブロッキング膜１６Ａ（厚み：３０ｎｍ）を形成した。
さらに、基板の温度を２５℃に制御した状態で、電子ブロッキング膜１６Ａ上にｐ型有機半導体として化合物（Ｒ−１）とｎ型有機半導体としてフラーレン（Ｃ６０）とをそれぞれ単層換算で１００ｎｍ、１００ｎｍとなるように真空蒸着法により共蒸着して成膜し、２００ｎｍのバルクヘテロ構造を有する光電変換膜１２を形成した。
さらに、光電変換膜１２上に、アモルファス性ＩＴＯをスパッタ法により成膜して、上部電極１５（透明導電性膜）（厚み：１０ｎｍ）を形成した。上部電極１５上に、真空蒸着法により封止層としてＳｉＯ膜を形成した後、その上にＡＬＣＶＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）層を形成し、光電変換素子を作製した。
得られた光電変換素子を、素子（Ａ）とする。【０１３７】
【化１８】
2019009249.tif 000020
【０１３８】
＜評価用光電変換素子の作製＞
（化合物（Ｒ−１）を用いた例）
光電変換膜の膜厚以外は、素子（Ａ）と同様の方法で光電変換素子を作製した。
具体的には、基板の温度を２５℃に制御した状態で、電子ブロッキング膜１６Ａ上に化合物（Ｒ−１）とフラーレン（Ｃ６０）とをそれぞれ単層換算で５０ｎｍ、５０ｎｍとなるように真空蒸着法により共蒸着して成膜し、１００ｎｍのバルクヘテロ構造を有する光電変換膜１２を形成した。
得られた光電変換素子を、素子（ＢＲ−１）とする。【０１３９】
（化合物（Ｄ−１）〜（Ｄ−２４）または（Ｒ−２）〜（Ｒ−３）を用いた例）
化合物（Ｒ−１）を、それぞれ、化合物（Ｄ−１）〜（Ｄ−２４）または（Ｒ−２）〜（Ｒ−３）に変更した以外は、素子（ＢＲ−１）と同様の方法で光電変換素子の作製を試みた。
化合物（Ｄ−１）〜（Ｄ−２４）を用いて得られた光電変換素子を、それぞれ、素子（ＢＤ−１）〜（ＢＤ−２４）とする。
一方で、化合物（Ｒ−２）〜（Ｒ−３）を用いた場合は、化合物（Ｒ−２）〜（Ｒ−３）を蒸着できなかった。【０１４０】
＜光電変換効率の評価＞
作製した素子（Ａ）、（ＢＤ−１）〜（ＢＤ−２４）、および、（ＢＲ−１）について、それぞれ、２．０×１０５Ｖ／ｃｍの電界強度になるように電圧を印加し、光電変換効率の最大値を測定した。
素子（Ａ）の光電変換効率の最大値を１として、それに対する他の各素子の光電変換効率の最大値を、相対値で評価した。素子の光電変換効率の相対値が１．１以上の場合を「Ａ」、１．０以上１．１未満の場合を「Ｂ」、１．０未満の場合を「Ｃ」とした。
結果を表１に示す。実用上、「Ａ」または「Ｂ」が好ましく、「Ａ」がより好ましい。【０１４１】
以下の表１に、各化合物を使用して作製した素子の評価結果を示す。
表１中、「Ｘ１」の欄は、化合物（Ｄ−１）〜（Ｄ−２４）を式（２）に当てはめた場合において、Ｘ１で表される基が酸素原子または硫黄原子であるかを示す。Ｘ１で表される基が酸素原子または硫黄原子である場合を「有」、そうでない場合を「無」とする。
表１中、「Ｒｂ１」の欄は、化合物（Ｄ−１）〜（Ｄ−２４）を式（２）に当てはめた場合において、Ｒｂ１で表される基がアルキル基またはアリール基であるかを示す。Ｒｂ１で表される基がアルキル基またはアリール基である場合を「有」、そうでない場合を「無」とする。
表１中、「式（Ａ２）」の欄は、化合物（Ｄ−１）〜（Ｄ−２４）を式（２）に当てはめた場合における、式（Ａ２）で表される基の有無を示す。
表１中、「Ｒｃ３」の欄は、化合物（Ｄ−１）〜（Ｄ−２４）を式（３）に当てはめた場合において、Ｒｃ３で表される基がアリール基またはヘテロアリール基であるかを示す。Ｒｃ３で表される基がアリール基またはヘテロアリール基である場合を「有」、そうでない場合を「無」とする。なお、式（３）に当てはまらない化合物については「−」とした。【０１４２】
【表１】
2019009249.tif 000021
【０１４３】
上記表１に示すように、本発明の光電変換素子は、蒸着適性に優れる光電変換膜を有し、光電変換膜が薄膜である場合においても優れた光電変換効率を示す光電変換素子であることが確認された。
式（２）においてＸ１が、酸素原子または硫黄原子である場合、光電変換素子は、より優れた薄膜時の光電変換効率を示す傾向が確認された（実施例２０と、他の実施例との比較）。
式（２）におけるＲｂ１が、アルキル基またはアリール基である場合、光電変換素子は、より優れた薄膜時の光電変換効率を示す傾向が確認された（実施例２１と、実施例１との比較）。
式（２）で表される化合物が、式（Ａ２）で表される基を有する場合、光電変換素子は、より優れた薄膜時の光電変換効率を示す傾向が確認された（実施例６〜８と、他の実施例との比較）。
式（３）におけるＲｃ３が、アリール基またはヘテロアリール基である場合、光電変換素子は、より優れた薄膜時の光電変換効率を示す傾向が確認された（実施例１４、１５、および、２３と、他の実施例との比較）。【０１４４】
＜撮像素子の作製＞
化合物（Ｄ−１）〜（Ｄ−２４）および（Ｒ−１）を用いて、図３に示す形態と同様の撮像素子をそれぞれ作製した。
つまり、ＣＭＯＳ基板上に、アモルファス性ＴｉＮ  ３０ｎｍをスパッタ法により成膜後、フォトリソグラフィーによりＣＭＯＳ基板上のフォトダイオード（ＰＤ）の上にそれぞれ１つずつ画素が存在するようにパターニングして下部電極とし、電子ブロッキング材料の成膜以降は素子（Ａ）または（ＢＤ−１）〜（ＢＤ−２４）もしくは（ＢＲ−１）と同様にして撮像素子を作製した。得られた撮像素子で、光電変換膜が薄膜である場合の光電変換効率の評価も同様に行い、表１と同様な結果を得た。このことから、本発明の光電変換素子は、撮像素子においても優れた性能を示すことが分かった。
【符号の説明】
【０１４５】
１０ａ、１０ｂ    光電変換素子
１１    導電性膜（下部電極）
１２    光電変換膜
１５    透明導電性膜（上部電極）
１６Ａ    電子ブロッキング膜
１６Ｂ    正孔ブロッキング膜
１００    画素分離型撮像素子
１０１    基板
１０２    絶縁層
１０３    接続電極
１０４    画素電極（下部電極）
１０５    接続部
１０６    接続部
１０７    光電変換膜
１０８    対向電極（上部電極）
１０９    緩衝層
１１０    封止層
１１１    カラーフィルタ（ＣＦ）
１１２    隔壁
１１３    遮光層
１１４    保護層
１１５    対向電極電圧供給部
１１６    読み出し回路
２００    光電変換素子（ハイブリッド型の光電変換素子）
２０１    無機光電変換膜
２０２    ｎ型ウェル
２０３    ｐ型ウェル
２０４    ｎ型ウェル
２０５    ｐ型シリコン基板
２０７    絶縁層
２０８    画素電極
２０９    有機光電変換膜
２１０    共通電極
２１１    保護膜
２１２    電子ブロッキング膜
【図１Ａ】
2019009249.tif 000027
【図１Ｂ】
2019009249.tif 000028
【図２】
2019009249.tif 000029
【図３】
2019009249.tif 000030
【図４】
2019009249.tif 000031
【図５】
2019009249.tif 000032
【図６】
2019009249.tif 000033
【図７】
2019009249.tif 000034
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月21日(2018.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性膜、光電変換膜、および、透明導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、
前記光電変換膜が、式（１）で表される化合物を含む、光電変換素子。
【化１】
2019009249.tif 000035
式（１）中、ｍは、０以上の整数を表す。
Ｒａ１〜Ｒａ７は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒａ１〜Ｒａ７は、互いに連結して環を形成していてもよい。
Ｒａ２が複数存在する場合、複数存在するＲａ２同士が、互いに連結して環を形成していてもよい。
Ｒａ４が複数存在する場合、複数存在するＲａ４同士が、互いに連結して環を形成していてもよい。
Ａは、少なくとも２つの炭素原子を含む環を表す。
ただし、式（１）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【請求項２】
前記式（１）で表される化合物が、式（２）で表される化合物である、請求項１に記載の光電変換素子。
【化２】
2019009249.tif 000036
式（２）中、Ｒｂ１〜Ｒｂ５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｘ１は、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、−ＮＲｂ５−、−ＣＲｂ７Ｒｂ８−、−ＳｉＲｂ９Ｒｂ１０−、−ＣＲｂ１１＝ＣＲｂ１２−、−Ｎ＝ＣＲｂ１３−、または、−Ｎ＝Ｎ−を表す。
Ｒｂ６〜Ｒｂ１３は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒｂ２とＲｂ３とは、互いに連結して環を形成していてもよい。
Ｘ１が、−ＮＲｂ６−、−ＣＲｂ７Ｒｂ８−、−ＳｉＲｂ９Ｒｂ１０−、−ＣＲｂ１１＝ＣＲｂ１２−、または−Ｎ＝ＣＲｂ１３−を表す場合、Ｘ１が表す基が有するＲｂ６〜Ｒｂ１３のいずれか１つと、Ｒｂ３とは、互いに連結して環を形成していてもよい。
Ａは、少なくとも２つの炭素原子を含む環を表す。
ただし、式（２）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【請求項３】
Ｒｂ１が、置換基を有していてもよい、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、−ＣＯ−アルキル基、−ＣＯ−アリール基、または、−ＣＯ−ヘテロアリール基を表す、請求項２に記載の光電変換素子。
【請求項４】
Ｘ１が、酸素原子、硫黄原子、−ＮＲｂ６−、または、−ＣＲｂ１１＝ＣＲｂ１２−を表す、請求項２または３に記載の光電変換素子。
【請求項５】
Ｘ１が、酸素原子または硫黄原子を表す、請求項２〜４のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項６】
前記式（１）で表される化合物が、式（３）で表される化合物である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【化３】
2019009249.tif 000037
式（３）中、Ｒｃ１は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、−ＣＯ−アルキル基、−ＣＯ−アリール基、または、−ＣＯ−ヘテロアリール基を表す。
Ｒｃ２〜Ｒｃ７は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｘ２は、酸素原子または硫黄原子を表す。
Ｒｃ２とＲｃ３とは、互いに連結して環を形成していてもよい。
Ｒｃ５とＲｃ６とは、互いに連結して環を形成していてもよい。
ただし、式（３）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【請求項７】
Ｒｃ３が、置換基を有していてもよい、アリール基またはヘテロアリール基を表す、請求項６に記載の光電変換素子。
【請求項８】
前記光電変換膜が、さらにｎ型有機半導体を含み、前記式（１）で表される化合物と前記ｎ型有機半導体とが混合された状態で形成するバルクヘテロ構造を有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項９】
前記導電性膜と前記透明導電性膜の間に、前記光電変換膜の他に１種以上の中間層を有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の光電変換素子を有する、光センサ。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の光電変換素子を有する、撮像素子。
【請求項１２】
式（３）で表される、化合物。
【化４】
2019009249.tif 000038
式（３）中、Ｒｃ１は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、−ＣＯ−アルキル基、−ＣＯ−アリール基、または、−ＣＯ−ヘテロアリール基を表す。
Ｒｃ２〜Ｒｃ７は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｘ２は、酸素原子または硫黄原子を表す。
Ｒｃ２とＲｃ３とは、互いに連結して環を形成していてもよい。
Ｒｃ５とＲｃ６とは、互いに連結して環を形成していてもよい。
ただし、式（３）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月6日(2020.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性膜、光電変換膜、および、透明導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、
前記光電変換膜が、式（１）で表される化合物を含む、光電変換素子。
【化１】
2019009249.tif 000039
式（１）中、ｍは、０以上の整数を表す。
Ｒａ１〜Ｒａ７は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒａ１〜Ｒａ７は、互いに連結して環を形成していてもよい。
Ｒａ２が複数存在する場合、複数存在するＲａ２同士が、互いに連結して環を形成していてもよい。
Ｒａ４が複数存在する場合、複数存在するＲａ４同士が、互いに連結して環を形成していてもよい。
Ａは、少なくとも２つの炭素原子を含む環を表す。
ただし、式（１）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【請求項２】
前記式（１）で表される化合物が、式（２）で表される化合物である、請求項１に記載の光電変換素子。
【化２】
2019009249.tif 000040
式（２）中、Ｒｂ１〜Ｒｂ５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｘ１は、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、−ＮＲｂ６−、−ＣＲｂ７Ｒｂ８−、−ＳｉＲｂ９Ｒｂ１０−、−ＣＲｂ１１＝ＣＲｂ１２−、−Ｎ＝ＣＲｂ１３−、または、−Ｎ＝Ｎ−を表す。
Ｒｂ６〜Ｒｂ１３は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒｂ２とＲｂ３とは、互いに連結して環を形成していてもよい。
Ｘ１が、−ＮＲｂ６−、−ＣＲｂ７Ｒｂ８−、−ＳｉＲｂ９Ｒｂ１０−、−ＣＲｂ１１＝ＣＲｂ１２−、または、−Ｎ＝ＣＲｂ１３−を表す場合、Ｘ１が表す基が有するＲｂ６〜Ｒｂ１３のいずれか１つと、Ｒｂ３とは、互いに連結して環を形成していてもよい。
Ａは、少なくとも２つの炭素原子を含む環を表す。
ただし、式（２）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【請求項３】
Ｒｂ１が、置換基を有していてもよい、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、−ＣＯ−アルキル基、−ＣＯ−アリール基、または、−ＣＯ−ヘテロアリール基を表す、請求項２に記載の光電変換素子。
【請求項４】
Ｘ１が、酸素原子、硫黄原子、−ＮＲｂ６−、または、−ＣＲｂ１１＝ＣＲｂ１２−を表す、請求項２または３に記載の光電変換素子。
【請求項５】
Ｘ１が、酸素原子または硫黄原子を表す、請求項２〜４のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項６】
前記式（１）で表される化合物が、式（３）で表される化合物である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【化３】
2019009249.tif 000041
式（３）中、Ｒｃ１は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、−ＣＯ−アルキル基、−ＣＯ−アリール基、または、−ＣＯ−ヘテロアリール基を表す。
Ｒｃ２〜Ｒｃ７は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｘ２は、酸素原子または硫黄原子を表す。
Ｒｃ２とＲｃ３とは、互いに連結して環を形成していてもよい。
Ｒｃ５とＲｃ６とは、互いに連結して環を形成していてもよい。
ただし、式（３）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【請求項７】
Ｒｃ３が、置換基を有していてもよい、アリール基またはヘテロアリール基を表す、請求項６に記載の光電変換素子。
【請求項８】
前記光電変換膜が、さらにｎ型有機半導体を含み、前記式（１）で表される化合物と前記ｎ型有機半導体とが混合された状態で形成するバルクへテロ構造を有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項９】
前記導電性膜と前記透明導電性膜の間に、前記光電変換膜の他に１種以上の中間層を有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の光電変換素子を有する、光センサ。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の光電変換素子を有する、撮像素子。
【請求項１２】
式（３）で表される、化合物。
【化４】
2019009249.tif 000042
式（３）中、Ｒｃ１は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、−ＣＯ−アルキル基、−ＣＯ−アリール基、または、−ＣＯ−ヘテロアリール基を表す。
Ｒｃ２〜Ｒｃ７は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｘ２は、酸素原子または硫黄原子を表す。
Ｒｃ２とＲｃ３とは、互いに連結して環を形成していてもよい。
Ｒｃ５とＲｃ６とは、互いに連結して環を形成していてもよい。
ただし、式（３）で表される化合物は、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基、リン酸基の塩、スルホン酸基、および、スルホン酸基の塩のいずれも有さない。
【国際調査報告】
2019009249.tif 000043
2019009249.tif 000044
2019009249.tif 000045
2019009249.tif 000046