(57)【要約】  本発明は、光位相変調素子における回折効率の向上を図ることが可能となる位相変調装置、照明装置、およびプロジェクタを提供することを目的とする。  本発明の位相変調装置は、例えば、画素ピッチｐが互いに異なるように配列されることにより、高次回折光の発生を抑制する画素構造とされた複数の画素（１０）を有し、画素ごとに光の位相を変調する光位相変調素子を備える。  また、本発明の位相変調装置は、各画素で発生した複数の高次回折光を取り込む取り込み光学系（９１，９２，９３，３１０）を備える。
2019031187.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高次回折光の発生を抑制する画素構造とされた複数の画素を有し、前記画素ごとに光の位相を変調する光位相変調素子  を備える  位相変調装置。
【請求項２】
前記複数の画素は、第１の方向および第２の方向にマトリクス状に配列され、前記第１の方向および前記第２の方向の少なくとも一方の方向において、隣り合う２つの画素間の画素溝のピッチが変化するように配列されている  請求項１に記載の位相変調装置。
【請求項３】
前記複数の画素は、第１の方向および第２の方向にマトリクス状に配列され、前記第１の方向および前記第２の方向の少なくとも一方の方向において、前記画素の重心位置、または隣り合う２つの画素間の画素溝の重心位置が変化するように配列されている  請求項１に記載の位相変調装置。
【請求項４】
前記複数の画素は、第１の方向および第２の方向にマトリクス状に配列され、  前記各画素は、画素電極と、前記画素電極に接続されたコンタクトホールとを含み、  前記第１の方向および前記第２の方向の少なくとも一方の方向において、前記画素電極の配列の周期と、前記コンタクトホールの配列の周期とが略同一とされている  請求項１に記載の位相変調装置。
【請求項５】
前記複数の画素は、第１の方向および第２の方向にマトリクス状に配列され、  前記各画素は、画素電極と、前記画素電極に接続されたコンタクトホールとを含み、  前記第１の方向および前記第２の方向の少なくとも一方の方向において、前記コンタクトホールが非周期的に配列されている  請求項１記載の位相変調装置。
【請求項６】
前記複数の画素は、第１の方向および第２の方向にマトリクス状に配列され、  前記各画素は、画素電極と、前記画素電極の下層に配置された下地電極層とを含み、  前記第１の方向および前記第２の方向の少なくとも一方の方向において、前記画素電極の配列の周期と、前記下地電極層の配列の周期とが略同一とされている  請求項１に記載の位相変調装置。
【請求項７】
複数の画素を有し、前記画素ごとに光の位相を変調する光位相変調素子と、  前記各画素で発生した複数の高次回折光を取り込む取り込み光学系と  を備える  位相変調装置。
【請求項８】
前記取り込み光学系は、  前記光位相変調素子から出射された前記複数の高次回折光を反射するミラーと、  前記ミラーによって、反射された前記複数の高次回折光を取り込むレンズアレイと  を含む  請求項７に記載の位相変調装置。
【請求項９】
前記取り込み光学系は、  前記光位相変調素子から出射された前記複数の高次回折光のそれぞれの光路長を補正する複数の光路長補正部材と、  レンズアレイと  を含む  請求項７に記載の位相変調装置。
【請求項１０】
前記取り込み光学系は、  前記光位相変調素子から出射された前記複数の高次回折光を取り込むレンズアレイと、  テレセントリック光学系の一部を構成する集光レンズと  を含む  請求項７に記載の位相変調装置。
【請求項１１】
光源と、  高次回折光の発生を抑制する画素構造とされた複数の画素を有し、前記画素ごとに前記光源からの光の位相を変調する光位相変調素子と  を備える  照明装置。
【請求項１２】
光源と、  複数の画素を有し、前記画素ごとに前記光源からの光の位相を変調する光位相変調素子と、  前記各画素で発生した複数の高次回折光を取り込む取り込み光学系と  を備える  照明装置。
【請求項１３】
照明装置と、  前記照明装置からの照明光を強度変調して投影画像を生成する光強度変調素子と  を含み、  前記照明装置は、  光源と、  高次回折光の発生を抑制する画素構造とされた複数の画素を有し、前記画素ごとに前記光源からの光の位相を変調する光位相変調素子と  を備える  プロジェクタ。
【請求項１４】
照明装置と、  前記照明装置からの照明光を強度変調して投影画像を生成する光強度変調素子と  を含み、  前記照明装置は、  光源と、  複数の画素を有し、前記画素ごとに前記光源からの光の位相を変調する光位相変調素子と、  前記各画素で発生した複数の高次回折光を取り込む取り込み光学系と  を備える  プロジェクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本開示は、光の位相を変調する位相変調装置に関する。また、光位相変調素子を用いて照明光を生成する照明装置、およびその照明光に基づいて映像を投影するプロジェクタに関する。
【背景技術】
【０００２】  光の位相を変調して所望の再生像を得る光位相変調素子が知られている。光位相変調素子は、例えば液晶パネル等のＳＬＭ（Spatial Light Modulator）で構成される。このような光位相変調素子の応用例として、プロジェクタにおいて、照明装置に光位相変調素子を用いることで画像に応じて位相変調された再生像を生成し、その再生像を映像表示用の光強度変調素子への照明光として利用する技術がある。また、光位相変調素子は、ホログラフィ技術等にも用いられる。また、光位相変調素子は、光スイッチや光コンピュータ等の技術にも用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２００９−５２４８４５号公報
【特許文献２】特表２０１１−５０７０２２号公報
【特許文献３】特開２０１４−２０６７１０号公報
【発明の概要】
【０００４】  光位相変調素子では、画素の構造に起因して、高次回折光が発生し、回折効率が低下し得る。
【０００５】  光位相変調素子における回折効率の向上を図ることが可能となる位相変調装置、照明装置、およびプロジェクタを提供することが望ましい。
【０００６】  本開示の一実施の形態に係る第１の位相変調装置は、高次回折光の発生を抑制する画素構造とされた複数の画素を有し、画素ごとに光の位相を変調する光位相変調素子を備えるものである。
【０００７】  本開示の一実施の形態に係る第１の照明装置は、光源と、高次回折光の発生を抑制する画素構造とされた複数の画素を有し、画素ごとに光源からの光の位相を変調する光位相変調素子とを備えるものである。
【０００８】  本開示の一実施の形態に係る第１のプロジェクタは、照明装置と、照明装置からの照明光を強度変調して投影画像を生成する光強度変調素子とを含み、照明装置は、光源と、高次回折光の発生を抑制する画素構造とされた複数の画素を有し、画素ごとに光源からの光の位相を変調する光位相変調素子とを備えるものである。
【０００９】  本開示の一実施の形態に係る第１の位相変調装置、第１の照明装置または第１のプロジェクタでは、画素の構造に起因する高次回折光の発生が抑制される。
【００１０】  本開示の一実施の形態に係る第２の位相変調装置は、複数の画素を有し、画素ごとに光の位相を変調する光位相変調素子と、各画素で発生した複数の高次回折光を取り込む取り込み光学系とを備えるものである。
【００１１】  本開示の一実施の形態に係る第２の照明装置は、光源と、複数の画素を有し、画素ごとに光源からの光の位相を変調する光位相変調素子と、各画素で発生した複数の高次回折光を取り込む取り込み光学系とを備えるものである。
【００１２】  本開示の一実施の形態に係る第２のプロジェクタは、照明装置と、照明装置からの照明光を強度変調して投影画像を生成する光強度変調素子とを含み、照明装置は、光源と、高次回折光の発生を抑制する画素構造とされた複数の画素を有し、画素ごとに光源からの光の位相を変調する光位相変調素子とを備えるものである。
【００１３】  本開示の一実施の形態に係る第２の位相変調装置、第２の照明装置または第２のプロジェクタでは、光位相変調素子の各画素で発生した複数の高次回折光が、取り込み光学系によって取り込まれる。
【００１４】  本開示の一実施の形態に係る第１の位相変調装置、第１の照明装置または第１のプロジェクタによれば、光位相変調素子の画素構造を高次回折光の発生を抑制する構造にしたので、光位相変調素子における回折効率の向上を図ることが可能となる。
【００１５】  本開示の一実施の形態に係る第２の位相変調装置、第２の照明装置または第２のプロジェクタによれば、光位相変調素子の各画素で発生した複数の高次回折光を、取り込み光学系によって取り込むようにしたので、光位相変調素子における回折効率の向上を図ることが可能となる。
【００１６】  なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】比較例に係る光位相変調素子の一例を概略的に示す平面図である。
【図２】比較例に係る光位相変調素子の画素位置と位相変調量との関係の一例を示す説明図である。
【図３】比較例に係る光位相変調素子の一構成例を示す断面図である。
【図４】比較例に係る位相変調装置の回路構成例を示すブロック図である。
【図５】比較例に係る光位相変調素子において発生する高次回折光の発生についての説明図である。
【図６】比較例に係る光位相変調素子の画素構造についての説明図である。
【図７】比較例に係る光位相変調素子における画素構造を考慮しなかった場合の回折現象についての説明図である。
【図８】比較例に係る光位相変調素子における画素構造を考慮した場合の回折現象についての説明図である。
【図９】本開示の第１の実施の形態に係る位相変調装置における光位相変調素子の一構成例を示す説明図である。
【図１０】第１の実施の形態に係る位相変調装置における光位相変調素子の画素構造についての説明図である。
【図１１】第２の実施の形態に係る位相変調装置における光位相変調素子の画素構造の一例を示す断面図である。
【図１２】比較例に係る光位相変調素子の画素構造の一例を示す平面図である。
【図１３】第２の実施の形態に係る位相変調装置における光位相変調素子の画素構造の第１の例を示す平面図である。
【図１４】第２の実施の形態に係る位相変調装置における光位相変調素子の画素構造の第２の例を示す平面図である。
【図１５】第２の実施の形態に係る位相変調装置における光位相変調素子の画素構造の第３の例を示す平面図である。
【図１６】第２の実施の形態に係る位相変調装置における光位相変調素子の画素構造と画素構造に起因する回折パターンとの一例を示す説明図である。
【図１７】第２の実施の形態に係る位相変調装置における光位相変調素子の画素構造の第４の例を示す平面図である。
【図１８】第３の実施の形態に係る位相変調装置の第１の構成例を示す断面図である。
【図１９】第３の実施の形態に係る位相変調装置の第２の構成例を示す断面図である。
【図２０】第３の実施の形態に係る位相変調装置の第３の構成例を示す断面図である。
【図２１】光位相変調素子のプロジェクタへの第１の適用例を示す構成図である。
【図２２】光位相変調素子のプロジェクタへの第２の適用例を示す構成図である。
【図２３】光位相変調素子の各種光学素子への適用例を示す説明図である。
【図２４】ブレーズド回折格子の一例を示す断面図である。
【図２５】光位相変調素子のブレーズド回折格子への適用例を示す説明図である。
【図２６】光位相変調素子の光スイッチへの適用例を示す説明図である。
【図２７】光位相変調素子の光コンピュータへの適用例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】  以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。  １．第１の実施の形態（図１〜図１０）    １．１  比較例に係る位相変調装置の概要    １．２  比較例に係る位相変調装置の課題と課題を解決する構成    １．３  効果  ２．第２の実施の形態（図１１〜図１７）    ２．１  構成    ２．２  効果  ３．第３の実施の形態（図１８〜図２０）    ３．１  構成    ３．２  効果  ４．第４の実施の形態（光位相変調素子の適用例）（図２１〜図２７）    ４．１  プロジェクタへの適用例    ４．２  各種光学素子への適用例    ４．３  光スイッチへの適用例    ４．４  光コンピュータへの適用例  ５．その他の実施の形態
【００１９】＜１．第１の実施の形態＞［１．１  比較例に係る位相変調装置の概要］  図１は、比較例に係る位相変調装置に適用される光位相変調素子１０１の一例を概略的に示している。図２は、光位相変調素子１０１の画素位置と位相変調量との関係の一例を示している。図３は、光位相変調素子１０１の一断面の構成例を示している。
【００２０】  光位相変調素子１０１は、第１の方向（例えば水平（横）方向）および第２の方向（例えば垂直（縦）方向）にマトリクス状に配置された複数の画素１０を有している。光位相変調素子１０１において、各画素１０ごとに光源からの光の位相を変調することで、回折格子として用いることができる。例えば図２に示したように、ブレーズド回折格子を構成できる。図２において、横軸は画素位置、縦軸は位相変調量を示す。位相の変調量は例えば０〜２πの範囲となる。
【００２１】  光位相変調素子１０１は、例えば、位相変調液晶パネルで構成されている。光位相変調素子１０１は、デジタルミラーデバイス（ＤＭＤ）で構成されていてもよい。
【００２２】  図３は、光位相変調素子１０１を位相変調液晶パネルで構成した例を示している。光位相変調素子１０１は、例えば、互いに対向配置された第１のガラス基板２と第２のガラス基板３とを備えている。第１のガラス基板２と第２のガラス基板３との間には、液晶分子１４を含む液晶層１３が図示しない封止部材によって封止されている。
【００２３】  第１のガラス基板２には、対向電極（共通電極）４が設けられている。第２のガラス基板３には、複数の画素電極１１が設けられている。図３には、複数の画素電極１１の一例として、隣り合う２つの画素電極のみを示している。
【００２４】  対向電極４には、複数の画素電極１１に共通の共通電圧（例えば０［Ｖ］）が印加される。複数の画素電極１１には、入力信号に応じた印加電圧（例えばＶ１［Ｖ］）が印加される。光位相変調素子１０１における各画素１０の位相変調量は、印加電圧に応じて変化する。
【００２５】  光位相変調素子１０１は、反射型の位相変調液晶パネルであってもよいし、透過型の位相変調液晶パネルであってもよい。反射型の位相変調液晶パネルの場合、対向電極４は光を透過する透明電極、画素電極１１は光を反射する反射電極で構成される。透過型の位相変調液晶パネルの場合、対向電極４と画素電極１１とが共に、光を透過する透明電極で構成される。
【００２６】  このような光位相変調素子１０１は、例えばプロジェクタにおける光強度変調素子への照明光を生成する照明装置の一部として利用される。また、光位相変調素子１０１は、ホログラフィ技術等にも用いられる。また、光位相変調素子１０１は、光スイッチや光コンピュータ等の技術にも用いられる。
【００２７】  図４は、比較例に係る位相変調装置の回路構成例を示している。
【００２８】  位相変調装置は、光源５０からの光の位相を変調する光位相変調素子１０１と、位相分布演算回路５１と、位相変調素子駆動回路５２とを備えている。
【００２９】  位相分布演算回路５１は、入力信号に基づいて、目的位相分布データ（位相変調信号）を生成する位相分布演算部である。目的位相分布データは、目的とする再生像６０（目的再生像）を光位相変調素子１０１によって再生することが可能となるような位相分布を持つデータである。
【００３０】  ここで、例えば、光位相変調素子１０１をプロジェクタにおける照明装置の一部として利用する場合、入力信号は例えば画像信号である。この場合、再生像６０は照明対象物５を照明する照明像となる。照明対象物５は、例えばプロジェクタにおける強度変調液晶パネル等の光強度変調素子である。この場合、目的位相分布データは、プロジェクタで表示する画像に応じた輝度分布を持つ照明像を形成することが可能な位相分布パターンを持つデータである。
【００３１】  回折素子駆動回路５２は、位相分布演算回路５１で生成された目的位相分布データに基づく印加電圧（駆動電圧）を生成し、各画素１０が目的とする位相分布となるように光位相変調素子１０１を駆動する。
【００３２】  光位相変調素子１０１は、回折素子駆動回路５２によって与えられた印加電圧に基づいて光源５０からの光の位相を変調する。
【００３３】［１．２  比較例に係る位相変調装置の課題と課題を解決する構成］  次に、比較例に係る位相変調装置の課題と、その課題を解決するための第１の実施の形態に係る位相変調装置の構成を説明する。なお、以下では、比較例に係る位相変調装置の構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
【００３４】  図５は、比較例に係る光位相変調素子１０１において発生する高次回折光の発生についての説明図である。
【００３５】  比較例に係る光位相変調素子１０１では、複数の画素１０が、横方向および縦方向に同一の画素ピッチ（ピクセルピッチ）ｐで等間隔に（一定の周期で）配列されている。このため、比較例に係る光位相変調素子１０１では、図５に示したように、画素ピッチをｐ、回折角をθ、入射する光の波長をλとすると、再生面（フーリエ変換面）では０次光のほか、以下の式の周期で高次回折光が発生する。この高次回折光は、光位相変調素子１０１において回折効率の低下の原因となる  Ｓｉｎθ  ＝  λ／ｐ
【００３６】  図６は、比較例に係る光位相変調素子１０１の画素構造についての説明図である。
【００３７】  比較例に係る光位相変調素子１０１の画素構造は、図６に示したように、くし型関数ｃｏｍｂ（ｘ）で表される。くし型関数ｃｏｍｂ（ｘ）のフーリエ変換した関数も、くし型関数ｃｏｍｂ（ｕ）で表される。
【００３８】  図７は、比較例に係る光位相変調素子１０１における画素構造を考慮しなかった場合の回折現象についての説明図である。
【００３９】  図７に示したように、画素構造を考慮しなかった場合、光位相変調素子１０１における位相分布ｇ（ｘ，ｙ）による再生像（回折像）Ｇ（μ，ν）は、位相分布ｇ（ｘ，ｙ）をフーリエ変換した関数ＦＴ［ｇ（ｘ，ｙ）］で表される。また、光位相変調素子１０１から再生面までの伝搬距離をＬとすると、光位相変調素子１０１による回折により結像可能な範囲Ｄは、Ｌ（λ／２ｐ）となる。
【００４０】  図８は、比較例に係る光位相変調素子１０１における画素構造を考慮した場合の回折現象についての説明図である。
【００４１】  図８に示したように、画素構造を考慮した場合、光位相変調素子１０１における分布関数は、図８の式（１）で示したように、位相分布ｇ（ｘ，ｙ）と画素構造を示すくし型関数ｃｏｍｂ（ｘ／ｐ）・ｃｏｍｂ（ｙ／ｐ）との積で表される。この場合の再生像（回折像）Ｇａ（μ，ν）は、図８の式（２）で示したように、位相分布ｇ（ｘ，ｙ）をフーリエ変換した関数ＦＴ［ｇ（ｘ，ｙ）］と画素構造を示すくし型関数ｃｏｍｂをフーリエ変換した関数ＦＴ［ｃｏｍｂ（ｘ／ｐ）・ｃｏｍｂ（ｙ／ｐ）］との畳み込み関数で表される。また、画素構造の回折により生じる高次回折光の周期Ｔは、Ｌ（λ／ｐ）となる。
【００４２】  図９は、本開示の第１の実施の形態に係る位相変調装置における光位相変調素子１の一構成例を示す説明図である。
【００４３】  上記したような高次回折光の発生を抑制するため、本実施の形態に係る光位相変調素子１は、画素構造が高次回折光の発生を抑制する構造とされている。
【００４４】  本実施の形態に係る光位相変調素子１では、図９に示したように、複数の画素１０が、横方向および縦方向に非等間隔に（非周期で）配列されている。本実施の形態に係る光位相変調素子１では、隣り合う２つの画素１０の画素ピッチｐが互いに異なるように配列されている。なお、図９では、一例として、３つの異なる画素ピッチｐ１，ｐ２，ｐ３のみを図示している。このような構造は、例えば隣り合う画素間の幅（画素溝幅）を画素位置によって異ならせるようにすることで実現できる。この場合、画素１０は、隣り合う２つの画素間の画素溝１２の画素溝ピッチが変化するように配列される。これにより、画素位置によって、画素１０の重心位置、または画素溝１２の重心位置が変化するように画素１０を配列してもよい。図９では、一例として、２つの異なる画素溝ピッチｐｇ１，ｐｇ２のみを図示している。この場合、画素位置によって画素溝幅の重心位置が変化することで、画素ピッチｐの周期性が低下し、高次回折成分が減少する。
【００４５】  なお、複数の画素１０は、横方向および縦方向のいずれか一方のみ、非等間隔に（非周期で）配列されていてもよい。
【００４６】  図１０は、第１の実施の形態に係る位相変調装置における光位相変調素子１の画素構造についての説明図である。
【００４７】  比較例に係る光位相変調素子１０１の画素構造は、図１０の上段に示したように、くし型関数ｃｏｍｂ（ｘ）で表される。これに対して、本実施の形態に係る光位相変調素子１では、図１０の下段に示したように、画素構造がくし型関数ｃｏｍｂ（ｘ）とは異なる関数によって表される。
【００４８】［１．３  効果］  以上のように、本実施の形態によれば、光位相変調素子１の画素構造を高次回折光の発生を抑制する構造にしたので、光位相変調素子１における回折効率の向上を図ることが可能となる。また、高次回折光による迷光の影響を低減できる。
【００４９】  なお、本明細書に記載された効果はあくまでも例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。以降の他の実施の形態の効果についても同様である。
【００５０】＜２．第２の実施の形態＞  次に、本開示の第２の実施の形態に係る位相変調装置について説明する。なお、以下では、上記第１の実施の形態に係る位相変調装置の構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
【００５１】［２．１  構成］  図１１は、第２の実施の形態に係る位相変調装置における光位相変調素子１の画素構造の一例を示している。
【００５２】  光位相変調素子１は、複数の画素電極１１と、画素電極１１の下層に配置された、遮光層８２と、信号線層８３と、トランジスタ・キャパシタ領域８４とを備えていてもよい。各層間は、コンタクトホール８１によって互いに接続されている。
【００５３】  図１２は、比較例に係る光位相変調素子１０１の画素構造の一例を示している。
【００５４】  比較例に係る光位相変調素子１０１では、複数の画素電極１１が、横方向および縦方向に同一の画素ピッチ（ピクセルピッチ）ｐで等間隔に（一定の周期で）配列されている。画素電極１１上のコンタクトホール８１のピッチｐｃは、画素ピッチｐとは異なるピッチとなるように配列されている。
【００５５】  図１３は、第２の実施の形態に係る位相変調装置における光位相変調素子１の画素構造の第１の例を示している。図１４は、第２の実施の形態に係る位相変調装置における光位相変調素子１の画素構造の第２の例を示している。
【００５６】  本実施の形態に係る光位相変調素子１においても、比較例に係る光位相変調素子１０１と同様に、複数の画素電極１１が、横方向および縦方向に同一の画素ピッチ（ピクセルピッチ）ｐで等間隔に（一定の周期で）配列されている。また、画素電極１１上のコンタクトホール８１のピッチｐｃが、画素ピッチｐと略同一のピッチとなるように配列されている。これにより、横方向および縦方向において、画素電極１１の配列の周期と、コンタクトホール８１の配列の周期とが略同一とされている。
【００５７】  図１５は、第２の実施の形態に係る位相変調装置における光位相変調素子１の画素構造の第３の例を示している。
【００５８】  また、本実施の形態に係る光位相変調素子１は、図１５に示したように、横方向および縦方向において、コンタクトホール８１の配列の周期がランダムとされていてもよい。すなわち、コンタクトホール８１が非周期的に配列されていてもよい。これにより、画素位置によってコンタクトホール８１のピッチｐｃが異なっていてもよい。なお、図１５では、一例として、２つの異なるピッチｐｃ１，ｐｃ２のみを図示している。
【００５９】  図１６は、第２の実施の形態に係る位相変調装置における光位相変調素子１の画素構造と画素構造に起因する回折パターンとの一例を示している。
【００６０】  図１６の表の上段には、画素電極１１の配列の周期と、コンタクトホール８１の配列の周期とが略同一とされている場合の空間周波数成分と回折パターンとの一例を示す。図１６の表の下段には、比較例として、画素電極１１の配列の周期と、コンタクトホール８１の配列の周期とが異なる場合の空間周波数成分と回折パターンとの一例を示す。比較例の場合、コンタクトホール８１の配列の周期に起因して、短周期回折光が生じており、回折効率の低下を招く。
【００６１】  図１７は、第２の実施の形態に係る位相変調装置における光位相変調素子１の画素構造の第４の例を示している。
【００６２】  図１７には、画素電極１１の下層に配置された下地電極層８５を考慮した画素構造を示す。ここで、下地電極層８５は、例えば図１１に示した遮光層８２であってもよい。
【００６３】  図１７に示したように、下地電極層８５のピッチｐｄを、画素ピッチｐと略同一のピッチとなるように配列することが好ましい。これにより、横方向および縦方向において、画素電極１１の配列の周期と、下地電極層８５の配列の周期とを略同一にすることが好ましい。これにより、下地電極層８５に起因する不要な回折光を低減することができる。
【００６４】［２．２  効果］  本実施の形態によれば、コンタクトホール８１の構造を考慮した画素構造にしたので、光位相変調素子１における回折効率の向上を図ることが可能となる。また、高次回折光による迷光の影響を低減できる。
【００６５】  その他の構成は、上記第１の実施の形態に係る位相変調装置と略同様であってもよい。
【００６６】＜３．第３の実施の形態＞  次に、本開示の第３の実施の形態に係る位相変調装置について説明する。なお、以下では、上記第１または第２の実施の形態に係る位相変調装置の構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
【００６７】［３．１  構成］  本実施の形態に係る位相変調装置は、光位相変調素子１の各画素１０で発生した複数の高次回折光を取り込む取り込み光学系を備えた構成とされている。なお、本実施の形態に係る位相変調装置における光位相変調素子１を、上記した比較例に係る光位相変調素子１０１で構成してもよい。比較例に係る光位相変調素子１０１で構成した場合、上記したように、各画素１０で複数の高次回折光が発生しやすくなる。本実施の形態では、この高次回折光を、取り込み光学系によって有効な回折光として取り込むことで、回折効率の向上を図る。
【００６８】  図１８は、本実施の形態に係る位相変調装置の第１の構成例を示している。
【００６９】  図１８では、取り込み光学系が、光位相変調素子１から出射された複数の高次回折光を反射する複数のミラー９１と、複数のミラーによって反射された複数の高次回折光を取り込むフライアイレンズアレイ９２とを含む構成されている。フライアイレンズアレイ９２は、複数のフライアイレンズ９２Ａを有している。
【００７０】  なお、取り込み光学系は、図１８における紙面に直交する方向も略同様の構造であってもよい。
【００７１】  図１９は、本実施の形態に係る位相変調装置の第２の構成例を示している。
【００７２】  図１９では、取り込み光学系が、光位相変調素子１から出射された複数の高次回折光のそれぞれの光路長を補正する光路長補正部材としての複数のプリズム９３と、複数のプリズム９３によって光路長補正された複数の高次回折光を取り込むフライアイレンズアレイ９２とを含む構成されている。フライアイレンズアレイ９２は、複数のフライアイレンズ９２Ａを有している。
【００７３】  図２０は、本実施の形態に係る位相変調装置の第３の構成例を示している。
【００７４】  図２０では、本実施の形態に係る位相変調装置を、例えばプロジェクタを構成する照明光学系３２０と組み合わせた構成例を示している。照明光学系３２０は、ダイクロイックプリズム等の偏光分離素子３０２を介して光強度変調素子３０１を照明する光学系である。
【００７５】  照明光学系３２０は、集光レンズ３２１を有している。照明光学系３２０は、ミラー等の光学素子３２２を有していてもよい。
【００７６】  図２０では、取り込み光学系として、高次光取り込み光学系３１０を備えている。高次光取り込み光学系３１０は、光位相変調素子１から出射された複数の高次回折光を取り込む一対のレンズアレイ３１１およびレンズアレイ３１２と、集光レンズ３１３とを有している。高次光取り込み光学系３１０の集光レンズ３１３は、照明光学系３２０の集光レンズ３２１と共に、テレセントリック光学系３３０の一部を構成している。
【００７７】［３．２  効果］  本実施の形態によれば、光位相変調素子１の各画素１０で発生した複数の高次回折光を、取り込み光学系によって取り込むようにしたので、光位相変調素子１における回折効率の向上を図ることが可能となる。また、高次回折光による迷光の影響を低減できる。
【００７８】  その他の構成は、上記第１または第２の実施の形態に係る位相変調装置と略同様であってもよい。
【００７９】＜４．第４の実施の形態＞  次に、本開示の第４の実施の形態について説明する。なお、以下では、上記第１ないし第３の実施の形態に係る位相変調装置の構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
【００８０】  本実施の形態では、光位相変調素子１の適用例を説明する。
【００８１】［４．１  プロジェクタへの適用例］  本実施の形態に係るプロジェクタは、照明装置と、照明装置からの照明光を強度変調して投影画像を生成する光強度変調素子とを含んでいる。照明装置は、光源と、光源からの光の位相を変調する位相変調装置とを含んでいる。位相変調装置は、上記第１ないし第３の実施の形態に係る位相変調装置で構成され、光位相変調素子１を含んでいる。光位相変調素子１による再生像は、プロジェクタで表示する画像に応じた輝度分布を持つ照明像として利用される。この照明像を光強度変調素子に対する照明光として利用する。
【００８２】  図２１は、光位相変調素子１のプロジェクタ１００への第１の適用例を示している。
【００８３】  この第１の適用例は、光位相変調素子１が反射型光位相変調素子１１１である場合の構成例である。
【００８４】  プロジェクタ１００は、光源装置１１０と、照明光学系１２０と、画像形成部１３０と、投影光学系１４０とを備えている。反射型光位相変調素子１１１は、光源装置１１０と、照明光学系１２０との間に配置されている。
【００８５】  画像形成部１３０は、反射型偏光板３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃと、反射型液晶パネル３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃと、ダイクロイックプリズム３３とを有している。反射型液晶パネル３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃは、光強度変調素子である。
【００８６】  光源装置１１０は、赤色光、緑色光、および青色光を含む光を発する。光源装置１１０は、例えば赤色光、緑色光、および青色光を含む白色光を発する単一または複数のレーザ光源で構成されている。また、光源装置１１０は、それぞれ、赤色（Ｒ）光、緑色（Ｇ）光、および青色（Ｂ）光の各色光を発する各色のレーザ光源を、色ごとに１または複数、用いた構成であってもよい。
【００８７】  反射型光位相変調素子１１１は、光源装置１１０からの光の位相を変調して所望の照明像（照明光）を生成する。反射型光位相変調素子１１１によって生成された照明光は、照明光学系１２０を介して、反射型液晶パネル３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃを照明する。
【００８８】  照明光学系１２０は、ダイクロイックミラー２４Ａ，２４Ｂと、反射ミラー２５Ａ，２５Ｂと、レンズ２６Ａ，２６Ｂと、ダイクロイックミラー２７と、偏光板２８Ａ，２８Ｂ，２８Ｃとを有している。
【００８９】  ダイクロイックミラー２４Ａ，２４Ｂは、所定の波長域の光を選択的に反射し、それ以外の波長域の光を選択的に透過させる。例えばダイクロイックミラー２４Ａは、主に赤色光と緑色光とを反射ミラー２５Ａの方向へ反射させる。また、ダイクロイックミラー２４Ｂは、主に青色光を反射ミラー２５Ｂの方向へ反射させる。反射ミラー２５Ａは、ダイクロイックミラー２４Ａからの光（主に赤色光と緑色光）をレンズ２６Ａに向けて反射する。反射ミラー２５Ｂは、ダイクロイックミラー２４Ｂからの光（主に青色光）をレンズ２６Ｂに向けて反射する。レンズ２６Ａは、反射ミラー２５Ａからの光（主に赤色光と緑色光）を透過し、ダイクロイックミラー２７へ集光させる。レンズ２６Ｂは、反射ミラー２５Ｂからの光（主に青色光）を透過し、ダイクロイックミラー２７へ集光させる。ダイクロイックミラー２７は、緑色光を選択的に反射すると共にそれ以外の波長域の光を選択的に透過する。ダイクロイックミラー２７は、例えば赤色光成分を透過し、緑色光成分を偏光板２８Ｃへ向けて反射する。偏光板２８Ａ，２８Ｂ，２８Ｃは、所定方向の偏光軸を有する偏光子を含んでいる。偏光板２８Ａ，２８Ｂ，２８Ｃは、例えばＰ偏光の光を透過し、Ｓ偏光の光を反射する。
【００９０】  反射型偏光板３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃは、それぞれ、偏光板２８Ａ，２８Ｂ，２８Ｃからの偏光光の偏光軸と同じ偏光軸の光（例えばＰ偏光）を透過し、それ以外の偏光軸の光（Ｓ偏光）を反射する。具体的には、反射型偏光板３１Ａは、偏光板２８ＡからのＰ偏光の赤色光を反射型液晶パネル３２Ａの方向へ透過させる。反射型偏光板３１Ｂは、偏光板２８ＢからのＰ偏光の青色光を反射型液晶パネル３２Ｂの方向へ透過させる。反射型偏光板３１Ｃは、偏光板２８ＣからのＰ偏光の緑色光を反射型液晶パネル３２Ｃの方向へ透過させる。さらに、反射型偏光板３１Ａは、反射型液晶パネル３２ＡからのＳ偏光の赤色光を反射してダイクロイックプリズム３３に入射させる。反射型偏光板３１Ｂは、反射型液晶パネル３２ＢからのＳ偏光の青色光を反射してダイクロイックプリズム３３に入射させる。反射型偏光板３１Ｃは、反射型液晶パネル３２ＣからのＳ偏光の緑色光を反射してダイクロイックプリズム３３に入射させる。
【００９１】  反射型液晶パネル３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃは、それぞれ、赤色光、青色光または緑色光の強度変調を行う。
【００９２】  ダイクロイックプリズム３３は、反射型液晶パネル３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃによって強度変調された赤色光、青色光および緑色光を合成し、投影画像として投影光学系１４０へ向けて出射する。
【００９３】  投影光学系１４０は、レンズＬ４１，Ｌ４２，Ｌ４３，Ｌ４４を有する。投射光学系１４０は、画像形成部１３０によって生成された投影画像を拡大して図示しないスクリーン等の投影面に投影する。なお、投影光学系１４０のレンズ枚数やレンズ構成は、図示した構成に限らず、他のレンズ枚数やレンズ構成を取り得る。また、光路中に反射ミラーや光学フィルタ等、他の光学素子を含んでもよい。
【００９４】  図２２は、光位相変調素子１のプロジェクタ１００への第２の適用例を示している。
【００９５】  この第２の適用例は、光位相変調素子１が透過型光位相変調素子１１２である場合の構成例である。
【００９６】  透過型光位相変調素子１１２は、光源装置１１０と、照明光学系１２０との間に配置されている。
【００９７】  その他の構成は、図２１の第１の適用例と同様である。
【００９８】［４．２  各種光学素子への適用例］  図２３は、光位相変調素子１の各種光学素子への適用例を示している。
【００９９】  図２３に示したように、各種光学素子として、凸レンズ、凹レンズ、レンズアレイ、フレネルレンズ、および自由曲面レンズ等の各種レンズが知られている。これらのレンズでは、レンズ材料の厚みを変えることで、光路長を変化させている。光位相変調素子１では、素子内の屈折率分布を変えることで、光路長を変化させることができる。これにより、各種レンズと同等の光学特性を得ることができる。
【０１００】  図２４は、ブレーズド回折格子２０１の一例を示している。
【０１０１】  ブレーズド回折格子２０１は、断面形状が鋸歯状の回折格子となっている。ブレーズド回折格子２０１は、回折ピッチをｐａ、回折角をθ、入射する光の波長をλとすると以下の式が成り立つ。  ｓｉｎθ≦λ／２ｐａ
【０１０２】  図２５は、光位相変調素子１のブレーズド回折格子２０１への適用例を示している。
【０１０３】  図１〜図３にも示したように、光位相変調素子１は、各画素１０ごとに光源からの光の位相を変調して素子内の屈折率分布を変えることで、回折格子として用いることができる。図２５に示したように、光位相変調素子１の画素ピッチはｐであるが、複数の画素１０の屈折率分布を鋸歯状にすることで、回折ピッチｐａのブレーズド回折格子２０１と同等の光学特性を得ることができる。
【０１０４】［４．３  光スイッチへの適用例］  図２６は、光位相変調素子１の光スイッチへの適用例を示している。
【０１０５】  光スイッチは、光ファイバ２１０と、回折格子２２１と、複数の光ファイバ２１１，２１２，２１３とを備えている。回折格子２２１と、複数の光ファイバ２１１，２１２，２１３との間に光位相変調素子１を配置する。また、さらに回折格子２２１に代えて光位相変調素子１を配置した構成であってもよい。
【０１０６】  この光スイッチでは、異なるキャリア波長（λ１、λ２、λ３）の信号を光ファイバ２１０に入力して伝送する。回折格子２２１は、光ファイバ２１０によって伝送された各キャリア波長の信号が、波長ごとに光位相変調素子１の異なる位置に入力されるように信号を分離する。光位相変調素子１に入力された各キャリア波長の信号は、複数の光ファイバ２１１，２１２，２１３のうち、所望の光ファイバに振り分けられる。
【０１０７】［４．４  光コンピュータへの適用例］  図２７は、光位相変調素子１の光コンピュータへの適用例を示している。
【０１０８】  この光コンピュータは、それぞれが光位相変調素子１で構成された複数の光位相変調素子１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄを備えている。
【０１０９】  入射した光を光位相変調素子１Ａによって位相変調することにより、信号Ａに基づく信号Ａ（ｘ，ｙ）を生成する。次に、光位相変調素子１Ｂによって、信号Ａ（ｘ，ｙ）をフーリエ変換した信号ＦＴ（Ａ）を得る。次に、光位相変調素子１Ｃによって、信号Ｂとのコンボリューション信号ＦＴ（Ａ）＊ＦＴ（Ｂ）を得る。次に、光位相変調素子１Ｄによって、信号ＦＴ（Ａ）＊ＦＴ（Ｂ）を逆フーリエ変換することにより、信号Ａ（ｘ，ｙ）と信号Ｂ（ｘ，ｙ）との積Ａ（ｘ，ｙ）×Ｂ（ｘ，ｙ）を得る。
【０１１０】＜５．その他の実施の形態＞  本開示による技術は、上記各実施の形態の説明に限定されず種々の変形実施が可能である。
【０１１１】  例えば、本技術は以下のような構成を取ることもできる。（１）  高次回折光の発生を抑制する画素構造とされた複数の画素を有し、前記画素ごとに光の位相を変調する光位相変調素子  を備える  位相変調装置。（２）  前記複数の画素は、第１の方向および第２の方向にマトリクス状に配列され、前記第１の方向および前記第２の方向の少なくとも一方の方向において、隣り合う２つの画素間の画素溝のピッチが変化するように配列されている  上記（１）に記載の位相変調装置。（３）  前記複数の画素は、第１の方向および第２の方向にマトリクス状に配列され、前記第１の方向および前記第２の方向の少なくとも一方の方向において、画素の重心位置、または隣り合う２つの画素間の画素溝の重心位置が変化するように配列されている  上記（１）に記載の位相変調装置。（４）  前記複数の画素は、第１の方向および第２の方向にマトリクス状に配列され、  前記各画素は、画素電極と、前記画素電極に接続されたコンタクトホールとを含み、  前記第１の方向および前記第２の方向の少なくとも一方の方向において、前記画素電極の配列の周期と、前記コンタクトホールの配列の周期とが略同一とされている  上記（１）に記載の位相変調装置。（５）  前記複数の画素は、第１の方向および第２の方向にマトリクス状に配列され、  前記各画素は、画素電極と、前記画素電極に接続されたコンタクトホールとを含み、  前記第１の方向および前記第２の方向の少なくとも一方の方向において、前記コンタクトホールが非周期的に配列されている  上記（１）に記載の位相変調装置。（６）  前記複数の画素は、第１の方向および第２の方向にマトリクス状に配列され、  前記各画素は、画素電極と、前記画素電極の下層に配置された下地電極層とを含み、  前記第１の方向および前記第２の方向の少なくとも一方の方向において、前記画素電極の配列の周期と、前記下地電極層の配列の周期とが略同一とされている  上記（１）または（４）に記載の位相変調装置。（７）  複数の画素を有し、前記画素ごとに光の位相を変調する光位相変調素子と、  前記各画素で発生した複数の高次回折光を取り込む取り込み光学系と  を備える  位相変調装置。（８）  前記取り込み光学系は、  前記光位相変調素子から出射された前記複数の高次回折光を反射するミラーと、  前記ミラーによって、反射された前記複数の高次回折光を取り込むレンズアレイと  を含む  上記（７）に記載の位相変調装置。（９）  前記取り込み光学系は、  前記光位相変調素子から出射された前記複数の高次回折光のそれぞれの光路長を補正する複数の光路長補正部材と、  レンズアレイと  を含む  上記（７）に記載の位相変調装置。（１０）  前記取り込み光学系は、  前記光位相変調素子から出射された前記複数の高次回折光を取り込むレンズアレイと、  テレセントリック光学系の一部を構成する集光レンズと  を含む  上記（７）に記載の位相変調装置。（１１）  光源と、  高次回折光の発生を抑制する画素構造とされた複数の画素を有し、前記画素ごとに前記光源からの光の位相を変調する光位相変調素子と  を備える  照明装置。（１２）  光源と、  複数の画素を有し、前記画素ごとに前記光源からの光の位相を変調する光位相変調素子と、  前記各画素で発生した複数の高次回折光を取り込む取り込み光学系と  を備える  照明装置。（１３）  照明装置と、  前記照明装置からの照明光を強度変調して投影画像を生成する光強度変調素子と  を含み、  前記照明装置は、  光源と、  高次回折光の発生を抑制する画素構造とされた複数の画素を有し、前記画素ごとに前記光源からの光の位相を変調する光位相変調素子と  を備える  プロジェクタ。（１４）  照明装置と、  前記照明装置からの照明光を強度変調して投影画像を生成する光強度変調素子と  を含み、  前記照明装置は、  光源と、  複数の画素を有し、前記画素ごとに前記光源からの光の位相を変調する光位相変調素子と、  前記各画素で発生した複数の高次回折光を取り込む取り込み光学系と  を備える  プロジェクタ。
【０１１２】  本出願は、日本国特許庁において２０１７年８月７日に出願された日本特許出願番号第２０１７−１５２６２３号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願のすべての内容を参照によって本出願に援用する。
【０１１３】  当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【国際調査報告】
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