(57)【要約】  Ｓｉ柱３の底部とｉ層基板２上にＳｉＯ2層５がある。そして、Ｓｉ柱３の側面を囲みゲートＨｆＯ2層１１ｂがあり、ＨｆＯ2層１１ｂを囲みゲートＴｉＮ層１２ｂがある。そして、露出したＳｉ柱３の底部側面と、頂部に、同時または別々に、選択エピタキシャル結晶成長法により形成したソース、ドレインとなるアクセプタ不純物を高濃度に含んだＰ+層１８、３２がある。これにより、ｉ層基板２上にＳＧＴが形成されている。
2019229811.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、垂直方向に立つ半導体柱と、
前記半導体柱を囲んだゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を囲んだゲート導体層と、
前記半導体柱の下部側面を、平面視において等幅で囲んだ、アクセプタ、またはドナー不純物を含んだ単層または複数層よりなる第１の不純物領域と、
前記半導体柱の頂部、又は側面にある、アクセプタ、またはドナー不純物を含んだ第２の不純物領域と、を有し、
垂直方向において、前記第１の不純物領域の上表面位置が、前記ゲート絶縁層の下端位置にあり、
垂直方向において、前記第２の不純物領域の下端位置が、前記ゲート絶縁層の上端位置にあり、
前記第１の不純物領域と前記第２の不純物領域とが、ソース、またはドレインとなり、
前記第１の不純物領域と、前記第２の不純物領域とが単結晶性を有している、
ことを特徴とする柱状半導体装置。
【請求項２】
前記半導体柱の底部と、前記底部に繋がる前記基板表層に酸化絶縁層がある、
ことを特徴とする請求項１に記載の柱状半導体装置。
【請求項３】
垂直方向において、前記半導体柱内における前記酸化絶縁層の上表面位置と、前記第１の不純物領域の下端位置と、が離れている、
ことを特徴とする請求項２に記載の柱状半導体装置。
【請求項４】
平面視において、前記第１の不純物領域を等幅で囲んだ、単層または複数層よりなる第１の導体領域と、
前記第１の導体領域に繋がった第２の導体領域が、水平方向に延在している、
ことを特徴とする請求項１に記載の柱状半導体装置。
【請求項５】
前記第２の不純物領域が、
前記半導体柱の上面に繋がり、且つ、前記半導体柱の上面の平面視において、前記半導体柱の頂部形状を維持して、前記半導体柱の上面から垂直方向上方に延びた第３の不純物領域と、
前記第３の不純物領域の上面に繋がり、且つ、前記第３の不純物領域の上面の平面視において、前記第３の不純物領域の外周端より外側に外周端がある第４の不純物領域と、よりなる、
ことを特徴とする請求項１に記載の柱状半導体装置。
【請求項６】
前記半導体柱が、前記第１の不純物領域に接した第１の半導体柱と、前記第１の半導体柱より上にある第２の半導体柱と、よりなり、
平面視において、前記第１の半導体柱の外周が、前記第２の半導体柱の外周より外側にある、
ことを特徴とする請求項１に記載の柱状半導体装置。
【請求項７】
前記第１の不純物領域と、前記半導体柱内で繋がった第５の不純物領域があり、
垂直方向において、前記第５の不純物領域の上端位置が、前記第１の半導体柱の上端位置にある、
ことを特徴とする請求項６に記載の柱状半導体装置。
【請求項８】
垂直方向において、前記第２の不純物領域の上端位置に、下端位置を持つ絶縁層を、前記半導体柱の上、または内部に、有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の柱状半導体装置。
【請求項９】
垂直方向において、前記第２の不純物領域が、前記半導体柱の側面と、前記半導体柱の前記側面に繋がった頂部とを囲んでいる、
ことを特徴とする請求項１に記載の柱状半導体装置。
【請求項１０】
基板上に、垂直方向に立つ半導体柱を形成する工程と、
前記半導体柱を覆って、最も外側に絶縁層を有する単層、または複数の材料よりなる第１の材料層を形成する工程と、
垂直方向において、前記半導体柱の下方にある前記第１の絶縁層を除去して、前記半導体柱の側面の一部を露出させる工程と、
露出した前記半導体柱の前記側面に接して、等幅で囲んだ、ドナー、またはアクセプタ不純物を含んだ単層または複数層よりなる第１の不純物領域を、選択エピタキシャル結晶成長法により形成する工程と、を有し、
前記第１の不純物領域が単結晶性を有し、且つソース、またはドレインとなる、
ことを特徴とした柱状半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記基板が、半導体層を有し、
前記半導体柱を覆って、耐酸化材料層を形成する工程と、
前記半導体柱の外周部の前記半導体層の上表面を露出する工程と、
露出した前記半導体層の前記上表面と、前記上表面に繋がる前記半導体柱の底部に酸化絶縁層を形成する工程と、を有する
ことを特徴とする請求項１０に記載の柱状半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記酸化絶縁層を前記第１の不純物領域から離して形成する、
ことを特徴とする請求項１１に記載の柱状半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
平面視において、前記第１の半導体領域を等幅で囲んだ、単層又は複数層よりなる第１の導体領域を形成する工程と、
前記第１の導体領域に繋がって第２の導体領域を、水平方向に延在して形成する工程と、を有する
ことを特徴とする請求項１０に記載の柱状半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第２の不純物領域が、
前記半導体柱の上面に繋がり、且つ、前記半導体柱の上面の平面視において、前記半導体柱の頂部形状を維持して、前記半導体柱の上面から垂直方向上方に延びた第３の不純物領域と、
前記第３の不純物領域の上面に繋がり、且つ、前記第３の不純物領域の上面の平面視において、前記第３の不純物領域の外周端より外側に外周端がある第４の不純物領域と、を形成する、
ことを特徴とする請求項１０に記載の柱状半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１の不純物領域を形成した後、垂直方向において、前記第１の不純物領域の上端より上の前記半導体柱の外周を等幅で除去する、
ことを特徴とする請求項１０に記載の柱状半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１の不純物領域を形成した後、熱処理により、前記第１の不純物領域と、前記半導体柱内で繋がった第５の不純物領域と形成する工程を有し、
垂直方向において、前記第５の不純物領域の上端位置が、前記第１の半導体柱の上端位置にある、
ことを特徴とする請求項１５に記載の柱状半導体装置。
【請求項１７】
前記半導体柱の上部内部、または頂部上に、第１の絶縁層を形成する工程と、
垂直方向において、前記第１の絶縁層より下の前記半導体柱側面に接して、前記第１の不純物領域を選択エピタキシャル結晶成長法により形成する工程と、を有する、
ことを特徴とする請求項１０に記載の柱状半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
垂直方向において、前記第２の不純物領域が、前記半導体柱の側面と、前記半導体柱の前記側面に繋がった頂部とを囲んで形成される、
ことを特徴とする請求項１０に記載の柱状半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、柱状半導体装置と、その製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩ（Large Scale Integration)に３次元構造トランジスタが使われている。その中で、柱状半導体装置であるＳＧＴ（Surrounding Gate Transistor）は、高集積な半導体装置を提供する半導体素子として注目されている。また、ＳＧＴを有する半導体装置の更なる高集積化、高性能化が求められている。【０００３】
通常のプレナー型ＭＯＳトランジスタでは、チャネルが半導体基板の上表面に沿う水平方向に延在する。これに対して、ＳＧＴのチャネルは、半導体基板の上表面に対して垂直な方向に延在する（例えば、特許文献１、非特許文献１を参照）。このため、ＳＧＴはプレナー型ＭＯＳトランジスタと比べ、半導体装置の高密度化が可能である。【０００４】
図７に、ＮチャネルＳＧＴの模式構造図を示す。Ｐ型又はｉ型（真性型）の導電型を有するＳｉ柱１００（以下、シリコン半導体柱を「Ｓｉ柱」と称する。）内の上下の位置に、一方がソースとなる場合に、他方がドレインとなるＮ+層１０１ａ、１０１ｂ（以下、ドナー不純物を高濃度で含む半導体領域を「Ｎ+層」と称する。）が形成されている。このソース、ドレインとなるＮ+層１０１ａ、１０１ｂ間のＳｉ柱１００の部分がチャネル領域１０２となる。このチャネル領域１０２を囲むようにゲート絶縁層１０３が形成されている。このゲート絶縁層１０３を囲むようにゲート導体層１０４が形成されている。ＳＧＴでは、ソース、ドレインとなるＮ+層１０１ａ、１０１ｂ、チャネル領域１０２、ゲート絶縁層１０３、ゲート導体層１０４が、全体として柱状に形成される。このため、平面視において、ＳＧＴの占有面積は、プレナー型ＭＯＳトランジスタの単一のソース又はドレインＮ+層の占有面積に相当する。そのため、ＳＧＴを有する回路チップは、プレナー型ＭＯＳトランジスタを有する回路チップと比較して、更なるチップサイズの縮小化が実現できる。【０００５】
図７に示したＳＧＴにおいて、ソース、ドレインとなるＮ+層１００ａ、１００ｂの低抵抗化が求められている。Ｎ+層１００ａ、１００ｂの低抵抗化により、ＳＧＴを用いた回路の低消費電力化、高速化が図れる。そして、ＳＧＴを用いた回路の高集積化が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平２−１８８９６６号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Hiroshi Takato, Kazumasa Sunouchi, Naoko Okabe, Akihiro Nitayama, Katsuhiko Hieda, Fumio Horiguchi, and Fujio Masuoka: IEEE Transaction on Electron Devices, Vol.38, No.3, pp.573-578 (1991)
【非特許文献２】C.Y.Ting，V.J.Vivalda，and H.G.Schaefer:“Study of planarized sputter-deposited SiO2“，J.Vac.Sci. Technol. 15(3)，p.p.1105-1112，May/June (1978)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
柱状半導体装置の高密度化、低消費電力化、高速化の実現が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の観点に係る、柱状半導体装置は、
基板上に、垂直方向に立つ半導体柱と、
前記半導体柱を囲んだゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を囲んだゲート導体層と、
前記半導体柱の底部側面を、平面視において等幅で囲んだ、アクセプタ、またはドナー不純物を含んだ第１の不純物領域と、
前記半導体柱の頂部、又は側面にある、アクセプタ、またはドナー不純物を含んだ第２の不純物領域と、を有し、
垂直方向において、前記第１の不純物領域の上表面位置が、前記ゲート絶縁層の下端位置にあり、
垂直方向において、前記第２の不純物領域の下端位置が、前記ゲート絶縁層の上端位置にあり、
前記第１の不純物領域と前記第２の不純物領域とが、ソース、またはドレインとなり、
前記第１の不純物領域と、前記第２の不純物領域とが単結晶性を有している、
ことを特徴とする【００１０】
前記半導体柱の底部と、前記底部に繋がる前記基板表層に酸化絶縁層がある、
ことがさらに好ましい。【００１１】
垂直方向において、前記半導体柱内における前記酸化絶縁層の上表面位置と、前記第１の不純物領域の下端位置と、が離れている、
ことがさらに好ましい。【００１２】
平面視において、前記第１の不純物領域を等幅で囲んだ、単層または複数層よりなる第１の導体領域と、
前記第１の導体領域に繋がった第２の導体領域が、水平方向に延在している
ことがさらに好ましい。【００１３】
前記第２の不純物領域が、
前記半導体柱の上面に繋がり、且つ、前記半導体柱の上面の平面視において、前記半導体柱の頂部形状を維持して、前記半導体柱の上面から垂直方向上方に延びた第３の不純物領域と、
前記第３の不純物領域の上面に繋がり、且つ、前記第３の不純物領域の上面の平面視において、前記第３の不純物領域の外周端より外側に外周端がある第４の不純物領域と、よりなる
ことがさらに好ましい。【００１４】
前記半導体柱が、前記第１の不純物領域に接した第１の半導体柱と、前記第１の半導体柱より上にある第２の半導体柱と、よりなり、
平面視において、前記第１の半導体柱の外周が、前記第２の半導体柱の外周より外側にある、ことがさらに好ましい。【００１５】
前記第１の不純物領域と、前記半導体柱内で繋がった第５の不純物領域があり、
垂直方向において、前記第５の不純物領域の上端位置が、前記第１の半導体柱の上端位置にある、
ことがさらに好ましい。【００１６】
垂直方向において、前記第２の不純物領域の上端位置に、下端位置を持つ絶縁層を、前記半導体柱の上、または内部に、有する、
ことがさらに好ましい。【００１７】
垂直方向において、前記第２の不純物領域が、前記半導体柱の側面と、前記半導体柱の前記側面に繋がった頂部とを囲んでいる、
ことがさらに好ましい。【００１８】
本発明の別の観点に係る、柱状半導体装置の製造方法は
基板上に、垂直方向に立つ半導体柱を形成する工程と、
前記半導体柱を覆って、最も外側に絶縁層を有する単層、または複数の材料よりなる第１の材料層を形成する工程と、
垂直方向において、前記半導体柱の下方にある前記第１の絶縁層を除去して、前記半導体柱の側面の一部を露出させる工程と、
露出した前記半導体柱の前記側面に接して、等幅で囲んだ、ドナー、またはアクセプタ不純物を含んだ第１の不純物領域を、選択エピタキシャル結晶成長法により形成する工程と、を有し、
前記第１の不純物領域が単結晶性を有し、且つソース、またはドレインとなる、
ことを特徴とする。【００１９】
前記基板が、半導体層を有し、
前記半導体柱を覆って、耐酸化材料層を形成する工程と、
前記半導体柱の外周部の前記半導体層の上表面を露出する工程と、
露出した前記半導体層の前記上表面と、前記上表面に繋がる前記半導体柱の底部に酸化絶縁層を形成する工程と、を有する、
ことが望ましい。【００２０】
前記酸化絶縁層を前記第１の不純物領域から離して形成する、
ことが望ましい。【００２１】
平面視において、前記第１の半導体領域を等幅で囲んだ、単層又は複数層よりなる第１の導体領域を形成する工程と、
前記第１の導体領域に繋がって第２の導体領域を、水平方向に延在して形成する工程と、を有する、
ことが望ましい。【００２２】
前記第２の不純物領域が、前記半導体柱の上面に繋がり、且つ、前記半導体柱の上面の平面視において、前記半導体柱の頂部形状を維持して、前記半導体柱の上面から垂直方向上方に延びた第３の不純物領域と、
前記第３の不純物領域の上面に繋がり、且つ、前記第３の不純物領域の上面の平面視において、前記第３の不純物領域の外周端より外側に外周端がある第４の不純物領域と、より形成されている、
ことが望ましい。【００２３】
前記第１の不純物領域を形成した後、垂直方向において、前記第１の不純物領域の上端より上の前記半導体柱の外周を等幅で除去する、
ことを特徴とする請求項１０に記載の柱状半導体装置の製造方法。【００２４】
前記第１の不純物領域を形成した後、熱処理により、前記第１の不純物領域と、前記半導体柱内で繋がった第５の不純物領域と形成する工程を有し、
垂直方向において、前記第５の不純物領域の上端位置が、前記第１の半導体柱の上端位置にある、
ことが望ましい。【００２５】
前記半導体柱の上部内部、または頂部上に、第１の絶縁層を形成する工程と、
垂直方向において、前記第１の絶縁層より下の前記半導体柱側面に接して、前記第１の不純物領域を選択エピタキシャル結晶成長法により形成する工程と、を有する、
ことが望ましい。【００２６】
垂直方向において、前記第２の不純物領域が、前記半導体柱の側面と、前記半導体柱の前記側面に繋がった頂部とを囲んで形成される、
ことが望ましい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、高密度化、低消費電力化、高速化した柱状半導体装置が実現する。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１Ａ】第１実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図１Ｂ】第１実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図１Ｃ】第１実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図１Ｄ】第１実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図１Ｅ】第１実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図１Ｆ】第１実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図１Ｇ】第１実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図１Ｈ】第１実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図１Ｉ】第１実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図１Ｊ】第１実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図１Ｋ】第１実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図１Ｌ】第１実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図１Ｍ】第１実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図１Ｎ】第１実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図１Ｏ】第１実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図１Ｐ】第１実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図２Ａ】本発明の第２実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図２Ｂ】第２実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図２Ｃ】第２実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図３Ａ】本発明の第３実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図３Ｂ】本発明の第３実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図３Ｃ】本発明の第３実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図３Ｄ】本発明の第３実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図３Ｅ】本発明の第３実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図３Ｆ】本発明の第３実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図３Ｇ】本発明の第３実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図３Ｈ】本発明の第３実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図３Ｉ】本発明の第３実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図４Ａ】本発明の第４実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図４Ｂ】本発明の第４実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図４Ｃ】本発明の第４実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図４Ｄ】本発明の第４実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図４Ｅ】本発明の第４実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図５Ａ】本発明の第５実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図５Ｂ】本発明の第５実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図６】本発明の第６実施形態に係るＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法を説明するための平面図と断面構造図である。
【図７】従来例のＳＧＴを示す模式構造図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の実施形態に係る、柱状半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００３０】
（第１実施形態）
以下、図１Ａ〜図１Ｐを参照しながら、本発明の第１実施形態に係る、ＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法について説明する。（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線に沿う断面構造図、（ｃ）は（ａ）のＹ−Ｙ’線に沿う断面構造図を示す。
【００３１】
図１Ａに示すように、ｉ層（真性型Ｓｉ層）基板（図示せず）上に形成した、平面視において円形のＳｉＯ2層、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）層、ＳｉＯ2層よりなるマスク材料層１をマスクにして、ｉ層基板をエッチングして、ｉ層基板２上にＳｉ柱３を形成する。なお、ｉ層基板２と、Ｓｉ柱３は、ドナーまたはアクセプタ不純物を少量に含むＮ型、またはＰ型のＳｉで形成されてもよい。
【００３２】
次に、図１Ｂに示すように、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法により、全体に下層にＳｉＯ2層（図示せず）と、上層にＳｉＮ層（図示せず）を被覆する。そして、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法により、ｉ層基板２とマスク材料層１との上にあるＳｉＯ2層とＳｉＮ層をエッチングする。これにより、Ｓｉ柱３とマスク材料層１の側面にＳｉＯ2層／ＳｉＮ層４を残存させる。
【００３３】
次に、図１Ｃに示すように、熱酸化法により、ｉ層基板２の上面と、Ｓｉ柱３の底部とに、ＳｉＯ2層５を形成する。
【００３４】
次に、図１Ｄに示すように、Ｓｉ柱３の外周のＳｉＯ2層５上に、ＳｉＮ層７、ＳｉＯ2層８、ＳｉＮ層９を形成する。
【００３５】
次に、図１Ｅに示すように、ＡＬＤ法により全体を覆ってゲート絶縁層である酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）層１１と、ゲート導体層である窒化チタン（ＴｉＮ）層１２を形成する。そして、全体に下層にＳｉＮ層（図示せず）、上層にＳｉＯ2層（図示せず）を被覆する。そして、ＲＩＥ法により、Ｓｉ柱３の頂部と、外周部のＳｉＮ／ＳｉＯ2層をエッチングして、Ｓｉ柱３の側面を囲んでＳｉＮ／ＳｉＯ2層１３を形成する。
【００３６】
次に、図１Ｆに示すように、マスク材料層１、ＳｉＮ／ＳｉＯ2層１３をマスクにして、ＴｉＮ層１２、ＨｆＯ２層１１、ＳｉＮ層９、ＳｉＯ2層８をエッチングして、ＴｉＮ層１１ａ、ＨｆＯ2層１２ａ、ＳｉＮ層９ａ、ＳｉＯ2層８ａを形成する。
【００３７】
次に、図１Ｇに示すように、露出しているＴｉＮ層１２ａを酸化して、酸化ＴｉＮ層１５ａ、１５ｂを形成する。そして、ＳｉＯ2層８ａをエッチングして、Ｓｉ柱３の底部側面が露出した開口部１６を形成する。
【００３８】
次に、図１Ｈに示すように、開口部１６の露出したＳｉ柱３側面に接して、アクセプタ不純物を高濃度に含んだ単層または複数層よりなるＰ+層１８を、選択エピタキシャル結晶成長法により、形成させる。Ｓｉ柱３は、平面視において円形状の形状になっているので、Ｓｉ柱３側面での面方位の偏りが低減される。これにより、平面視において、Ｓｉ柱３を囲むＰ+層は、ほぼ等幅に形成される。なお、Ｐ+層１８を複数層で形成した場合は、異なる半導体材料層より形成してもよい。
【００３９】
次に、図１Ｉに示すように、Ｐ+層１８に接して、ＳｉＮ層７上に、Ｐ+層１８との接続抵抗を下げる薄いバッファ金属層（図示せず）を下地に設けたＷ層２０を形成する。そして、全体を覆ってＳｉＯ2層（図示せず）を形成し、その後に、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用いて、ＳｉＯ2層を、上表面位置がマスク材料層１の上表面位置まで研磨して、ＳｉＯ2層２１を形成する。そして、ＳｉＯ2層２１上に、平面視においてＳｉ柱３の一部と重なるレジスト層２２を形成する。
【００４０】
次に、図１Ｊに示すように、マスク材料層１、ＳｉＮ／ＳｉＯ2層１３、レジスト層２２をマスクにして、ＳｉＯ2層２１と、Ｗ層２０をエッチングする。これにより、平面視において、Ｓｉ柱３の側面を円帯状に囲んだＰ+層１８と、レジスト層２２下のＷ層２０ａとを形成する。
【００４１】
次に、図１Ｋに示すように、全体にＳｉＮ層（図示せず）を被覆して、ＣＭＰ法により上表面位置が、マスク材料層１の上表面位置になるように研磨する。そして、ＳｉＮ層をエッチバック（Etch Back）法により、垂直方向において、ＴｉＮ層１２ａの中間の高さまでエッチングして、ＳｉＮ層２３を形成する。そして、垂直方向において、ＳｉＮ層２３より上部のＳｉＮ／ＳｉＯ2層１３をエッチングして、ＳｉＮ／ＳｉＯ2層１３ａを形成する。そして、平面視において、ＴｉＮ層１２ａに接したＷ層２４を、ＳｉＮ層２３上に形成する。そして、図１Ｅに示したＳｉＮ／ＳｉＯ2層１３を形成したのと同じ方法を用いて、ＳｉＮ／ＳｉＯ2層２５を形成する。そして、平面視において、ＳｉＮ／ＳｉＯ2層２５の外周部に、ＳｉＮ層２６を形成する。そして、ＳｉＮ層２６上に、平面視において、Ｓｉ柱３の一部と重なったレジスト層２７を形成する。レジスト層２７は、平面視において、Ｗ層２０ａとは、水平方向に逆方向に伸延させる。
【００４２】
次に、図１Ｌに示すように、マスク材料層１、ＳｉＮ／ＳｉＯ2層２５、レジスト層２７をマスクにして、ＳｉＮ層２６、Ｗ層２４をエッチングして、Ｗ層２４ａ、ＳｉＮ層２６ａを形成する。そして、レジスト層２７を除去する。
【００４３】
次に、図１Ｍに示すように、全体にＳｉＮ層（図示せず）を覆い、その後にＣＭＰ法により、ＳｉＮ層の上表面位置が、マスク材料層１の上表面位置になるように研磨する。そして、マスク材料層１をＡｌ2Ｏ3層までエッチングする。Ａｌ2Ｏ3層のエッチングは、例えば、３塩化ホウ素（ＢＣｌ3、Boron Trichloride）ガスによる、室温ＲＩＥ法で、行う。そして、バックエッチ法により、ＳｉＮ層をエッチングして、ＳｉＮ層２９を形成する。そして、垂直方向において、ＳｉＮ層２９より上部のＳｉＮ／ＳｉＯ2層２５、ＴｉＮ層１２ａ、ＨｆＯ2層１１ａをエッチングして、ＳｉＮ／ＳｉＯ2層２５ａ、ＴｉＮ層１２ｂ、ＨｆＯ2層１１ｂを形成する。そして、ＴｉＮ層１２ｂの頂部をエッチングする。そして、Ｓｉ柱３の頂部に残存しているＳｉＯ2層を除去する。これにより、垂直方向において、Ｓｉ柱３の上部を露出させる。
【００４４】
次に、図１Ｎに示すように、全体にＳｉＯ2層（図示せず）を覆って、その後にＣＭＰ法により、ＳｉＯ2層の上表面位置が、Ｓｉ柱３の上表面位置となるように研磨して、ＳｉＯ2層３０を形成する。そして、ＳｉＯ2層３０をマスクにして、Ｓｉ柱３の頂部をエッチングして、凹部３１を形成する。このエッチングは、凹部３１の底部の、垂直方向での位置が、ＴｉＮ層１２ｂの上端になるように、おこなう。
【００４５】
次に、図１Ｏに示すように、Ｓｉ柱３上の凹部３１に、アクセプタ不純物を高濃度に含んだＰ+層３２を選択エピタキシャル結晶成長法により形成する。この場合、Ｐ+層３２の頂部位置は、垂直方向において、ＳｉＯ2層３０より上になるように選択エピタキシャル結晶成長させる。
【００４６】
次に、図１Ｐに示すように、全体にＳｉＯ2層（図示せず）を覆い、そしてＣＭＰ法により表面を平坦にして、ＳｉＯ2層３３を形成する。そして、Ｗ層２０ａ上のＳｉＯ2層３３、３０、ＳｉＮ層２９、２３をエッチングして、コンタクトホールＣ１を形成する。そして、Ｐ+層３２上のＳｉＯ2層３３をエッチングしてコンタクトホールＣ２を形成する。そして、Ｗ層２４ａ上のＳｉＯ2層３３、３０、ＳｉＮ層２９をエッチングして、コンタクトホールＣ３を形成する。そして、コンタクトホールＣ１を介して、Ｗ層２０ａに繋がった金属配線層Ｍ１と、コンタクトホールＣ２を介して、Ｐ+層３２に繋がった金属配線層Ｍ２と、コンタクトホールＣ３を介して、Ｗ層２４ａに繋がった金属配線層Ｍ３と、を形成する。これにより、Ｐ+層１８と、Ｐ+層３２との一方がソースとすると、他方がドレインとし、ＴｉＮ層１２ｂがゲート導体層とし、ＨｆＯ2層１１ｂをゲート絶縁層とし、Ｐ+層１８、３２間のＳｉ柱３をチャネルとしたＳＧＴが形成される。
【００４７】
第１実施形態によれば、次のような特徴が得られる。
1．回路の高密度化に伴い、Ｓｉ柱３径が小さくなる。この場合、従来のようにＳｉ柱３内だけにＰＮ接合形成のための不純物領域を形成させようとすると、不純物領域が細いＳｉ柱３内に限定されることにより、必然的にソースまたはドレインとなるＰＮ接合抵抗の増大が生じる。これに対して、本発明では、Ｓｉ柱３の底部側面を取り囲むようにＳｉ柱３径の制限なく、低抵抗ソース・ドレインとして必要な体積を有したＰ+層１８を形成されている。且つ、Ｐ+層１８は単結晶Ｓｉ層で形成されている。これにより、ソース、ドレインの低抵抗化が図れる。
２．Ｐ+層１８、３２は、Ｓｉ層に替えて、例えば、シリコン・ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）より形成することにより、Ｓｉ柱３内にホール移動度を高める応力を発生させることが出来る。これにより、ＳＧＴ回路の高速化を図ることができる。また、ＳｉＧｅに替えて、アクセプタ、またはドナー不純物を高濃度に含んで、選択エピタキシャル結晶成長ができる他の半導体材料層を選ぶことによって、Ｐチャネル型、またはＮチャネル型のＳＧＴを形成することができる。ＳＧＴのチャネルを構成する半導体母体と、ソースまたはドレインを構成する半導体母体を変えることにより高性能ＳＧＴ回路が実現できる。
３．Ｓｉ柱３の底部に形成されたＳｉＯ2層５と、ＳｉＧｅより形成されたＰ+層１８、３２により、Ｓｉ柱３内にホール移動度を更に高める応力を発生させることが可能となる。これにより、ＳＧＴ回路の更なる高速化を図ることができる。
４．ＳｉＯ2層５はＳｉ柱３を覆ったマスク材料層１と、ＳｉＯ2層／ＳｉＮ層４とをマスクにして、熱酸化法により、Ｓｉ柱３の底部と、ｉ層基板２の上表面に形成した。そして、Ｓｉ柱３の底部側面にＳｉＯ2層／ＳｉＮ層４を残して、垂直方向において、ＳｉＯ2層５の上端より上方に離れて、Ｐ+層１８を形成した。これにより、垂直方向において、ＳｉＯ2層５と、Ｐ+層１８とが重なることを防ぐことができる。これにより、ＳｉＯ2層５と、Ｐ+層１８とが重なることで、Ｐ+層１８とＳｉ柱３層側面のＳｉ面との接触面積の減少によるソースまたはドレインの抵抗の増大を防ぐことができる。また、Ｐ+層１８を選択エピタキシャル結晶成長させるＳｉ柱３底部側面を、応力集中を生じているＳｉ柱３とＳｉＯ2層５との界面から離すことができる。これにより、結晶性のよいＰ+層１８をＳｉ柱３底部側面に形成することができる。
５．Ｐ+層３２が、Ｓｉ柱３の上面に繋がり、且つ、Ｓｉ柱３の上面の平面視において、Ｓｉ柱３の頂部形状を維持して、そこから垂直方向上方に延びたＰ+層３２の下部領域と、そして、この下部領域の上面に繋がり、且つ、この下部領域の上面の平面視において、Ｐ+層３２の下部領域の外周端より外側に外周端があるＰ+層３２の上部領域とを有するように形成した。このように、上部Ｐ+層３２を、平面視において、Ｓｉ柱３より大きい面積で形成することができる。これにより、金属配線層Ｍ２とＰ+層３２を繋ぐ、コンタクトホールＣ２を、余裕のあるマスク合せ精度で、形成することができる。
【００４８】
（第２実施形態）
以下、図２Ａ〜図２Ｃを参照しながら、本発明の第２実施形態に係る、ＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法について説明する。（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線に沿う断面構造図、（ｃ）は（ａ）のＹ−Ｙ’線に沿う断面構造図である。本第２実施形態の製造方法は、以下に説明する相違点を除き、第１実施形態で示した工程と同様である。
【００４９】
図２Ａに示す工程の前までは、図１Ａから図１Ｇまでと同じ工程を行う。そして、Ｓｉ柱３の底部で露出した側面に接して、アクセプタ不純物を高濃度で含んだＰ+層３５を選択エピタキシャル結晶成長法により形成する。この場合、平面視において、Ｐ+層３５の外周は、ＳｉＮ／ＳｉＯ2層１３の外周より内側になるように形成する。そして、全体に、ＡＬＤ法とＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、Ｗ層（図示せず）を覆う。そして、ＣＭＰ法により、その上表面位置が、マスク材料層１の上表面になるように研磨する。そして、Ｗ層をエッチバック法によりエッチングして、Ｐ+層３５に繋がったＷ層３６を形成する。なお、Ｗ層３６を形成する前に、Ｐ+層３５とＷ層３６の間に、Ｐ+層３５とＷ層３６の間の抵抗を下げるためのバリヤ金属層である、例えばＴａ層を形成してもよい。この場合、平面視においてＴａ層はＰ+層３５を等幅で囲んで形成される。
【００５０】
次に、図２Ｂに示すように、全体にＳｉＯ2層（図示せず）を覆い、ＣＭＰ法により、その上表面位置が、マスク材料層１の上表面になるように研磨する。そして、平面視において、Ｓｉ柱３と一部が重なったレジスト層２２を形成する。そして、ＳｉＮ／ＳｉＯ2層１３、マスク材料層１、レジスト層２２をマスクにして、ＳｉＯ2層と、Ｗ層３６とをエッチングして、ＳｉＯ2層３７、Ｗ層３６ａを形成する。そして、レジスト層２２を除去する。この場合、平面視において、Ｐ+層３５の全周を囲んでＷ層３６ａが形成される。
【００５１】
次に、図１Ｋから図１Ｐまでと同じ工程を行うことにより、図２Ｃに示すように、ＳＧＴが形成される。
【００５２】
本実施形態のＳＧＴを有する柱状半導体装置によれば、次のような特徴が得られる。
１．第１実施形態では、平面視において、Ｗ層２０ａはＰ+層１８の外周の一部と接している。Ｗ層２０ａはＰ+層１８の全周を囲んでいない。これに対し、本実施形態では、平面視において、Ｐ+層３５の全周を等幅で囲んでＷ層３６ａが形成されている。このようにＷ層３６ａが、Ｐ+層３５の全周を等幅で囲むことにより、Ｐ+層３５とＷ層３６ａとの接続抵抗の低減化が図れる。これにより、ＳＧＴ回路の更なる高速化を図ることができる。
２．本実施形態では、平面視において、Ｓｉ柱３を囲んだ部分のＷ層３６は、ＳｉＮ／ＳｉＯ2層１３をマスクにして、エッチングされている。ＳｉＮ／ＳｉＯ2層１３は、Ｓｉ柱３に対して、リソグラフィ法におけるマスク合せズレが生じない自己整合により形成されている。このため、平面視において、Ｐ+層３５の全周を囲んだＷ層３６ａを高精度に、且つ小さい面積で形成されている。これにより、高密度のＳＧＴ回路が実現できる。
【００５３】
（第３実施形態）
以下、図３Ａ〜図３Ｉを参照しながら、本発明の第３実施形態に係る、ＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法について説明する。（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線に沿う断面構造図、（ｃ）は（ａ）のＹ−Ｙ’線に沿う断面構造図である。
【００５４】
図３Ａに示す工程の前までは、図１Ａ〜図１ＥのＳｉＮ／ＳｉＯ2層１３形成前までの工程を行う。そして、全体にＳｉＯ2層（図示せず）を覆い、ＣＭＰ法によりＳｉＯ2層の上表面位置がマスク材料層１の上表面位置になるように研磨する。そして、エッチバック法によりＳｉＯ2層をエッチングして、ＳｉＯ2層３８を形成する。このＳｉＯ2層３８の上表面位置は、垂直方向において、マスク材料層１の下端になるのが望ましい。そして、Ｓｉ柱３の頂部側面を囲み、且つＳｉＯ2層３８上に、ＳｉＮ／ＳｉＯ2層１３を形成したのと同じ方法を用いて、ＳｉＮ／ＳｉＯ2層３９を形成する。
【００５５】
次に、図３Ｂに示すように、ＳｉＮ／ＳｉＯ2層３９をマスクにして、ＳｉＯ2層３８、ＴｉＮ層１２、ＨｆＯ2層１１をエッチングして、Ｓｉ柱３を囲んだＳｉＯ2層３８ａ、ＴｉＮ層１２ｃ、ＨｆＯ2層１１ｃを形成する。
【００５６】
次に、図３Ｃに示すように、ＳｉＮ／ＳｉＯ2層３９をマスクにして、更にＳｉＮ層９、ＳｉＯ2層８をエッチングして、Ｓｉ柱３を囲んだＳｉＮ層９ｂ、ＳｉＯ2層８ｂを形成する。
【００５７】
次に、図３Ｄに示すように、ＴｉＮ層１２Ｃの上部及び下部で露出している部分を酸化してＴｉＮＯ層４５ａ、４５ｂを形成する。そして、マスク材料層１を除去する。そして、Ｓｉ柱３の頂部をエッチングして、凹部４２を形成する。そして、Ｓｉ柱３の底部の側面にあるＳｉＯ2層８ａ、ＳｉＯ2層／ＳｉＮ層４ａをエッチングして、Ｓｉ柱３の底部側面を露出させて、開口部４１を形成する。
【００５８】
次に、図３Ｅに示すように、選択エピタキシャル結晶成長法により、Ｓｉ柱３の底部開口部４１と、頂部奥部４２に、Ｓｉ柱３に接して、アクセプタ不純物を高濃度に含んだＰ+層４３、４４を形成する。
【００５９】
次に、図３Ｆに示すように、タンタル（Ｔａ）のスパッタ蒸着法により、Ｐ+層４４上のＴａ層４７と、Ｐ+層４３に接し、且つＳｉ柱外周部のＳｉＮ層７上にＴａ層４６を形成する。このＴａのスパッタ蒸着は、蒸着加速電圧を調整して、側面が垂直であるＳｉＯ2層３８ａ側面に蒸着されないように行う（非特許文献２を参照）。そして、全体に軽いＴａエッチングを行い、ＳｉＮ／ＳｉＯ2層３９側面に付いたＴａを除去する。
【００６０】
次に、図３Ｇに示すように、全体にＳｉＯ2層（図示せず）を覆い、ＣＭＰ法により、ＳｉＯ2層と、Ｔａ層４７の上表面位置が、ＴｉＮＯ層４５ｂの上表面位置になるように研磨して、ＳｉＯ2層４８と、上表面が平坦なＴａ層４７ａとを形成する。そして、平面視において、Ｓｉ柱を覆ったレジスト層４９を形成する。
【００６１】
次に、図３Ｈに示すように、レジスト層４９と、ＳｉＮ／ＳｉＯ2層３９をマスクにして、ＳｉＯ2層４８をエッチングして、ＳｉＯ2層４８ａを形成する。
【００６２】
次に、図３Ｉに示すように、レジスト層４９と、ＳｉＮ／ＳｉＯ2層３９をマスクにして、更にＴａ層４６をエッチングして、配線導体層であるＴａ層４６ａを形成する。そして、レジスト層４９を除去する。そして、図１Ｋ〜図１Ｐと同じ工程を行うことにより、ｉ層基板２上にＳＧＴが形成される。ここで、Ｔａ層４７ａは、上部配線導体層との接続導体層となる。
【００６３】
本実施形態のＳＧＴを有する柱状半導体装置によれば、次のような特徴が得られる。
１．本実施形態では、平面視において、Ｓｉ柱３頂部上にあるＰ+層４４と接続導体層であるＴａ層４７ａの外周が、Ｓｉ柱３の外周と同じで、上方に伸びて形成されている。Ｔａ層４７ａは低抵抗であるので、このＴａ層４７と、上部配線導体層との接続領域は、平面視において、Ｔａ層４７の一部と繋がるだけでも良い。これにより、高密度のＳＧＴ回路が実現する。
２．本実施形態では、図３Ｅに示すように、Ｐ+層４３、４４を同時に選択エピタキシャル結晶成長法により形成している。これにより、ＳＧＴ製作の工程が簡略化される方法によっても、第１実施形態と同じ特徴を有するＳＧＴが実現される。
【００６４】
（第４実施形態）
以下、図４Ａ〜図４Ｅを参照しながら、本発明の第４実施形態に係る、ＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法について説明する。（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線に沿う断面構造図、（ｃ）は（ａ）のＹ−Ｙ’線に沿う断面構造図である。
【００６５】
図４Ａに示すように、図３Ａ、３Ｂに示した工程における、ゲートＨｆＯ2層１１、ゲートＴｉＮ層１２を形成しないで、ＳｉＯ2層／ＳｉＮ層４の外周部に、図３Ａと同じくＳｉＯ2層３８を形成し、同じくマスク材料層１の側面にＳｉＯ2層／ＳｉＮ層３９ａを形成する。そして、ＳｉＯ2層／ＳｉＮ層３９ａ、マスク材料層１をマスクにして、ＳｉＯ2層３８をエッチングして、ＳｉＯ2層３８ｂをＳｉＯ2層／ＳｉＮ層４の側面を囲み、且つＳｉＮ層９上に形成する。
【００６６】
次に、図４Ｂに示すように、ＳｉＯ2層／ＳｉＮ層３９ａ、マスク材料層１をマスクにして、ＳｉＮ層９と、ＳｉＯ2層８をエッチングして、ＳｉＮ層９ｃと、ＳｉＯ2層８ｃを形成する。
【００６７】
次に、図４Ｃに示すように、ＳｉＯ2層８ｃをエッチングして、Ｓｉ柱３の底部側面を露出させる。そして、選択エピタキシャル結晶成長法により、アクセプタ不純物を高濃度に含んだＰ+層５０を形成する。そして、Ｐ+層に接して、その外周部にＷ層５１を形成する。そして、Ｗ層５１上にあって、且つＳｉＯ2層３８ｂの外周部にＳｉＮ層５２を形成する。
【００６８】
次に、図４Ｄに示すように、ＳｉＯ2層／ＳｉＮ層３９ａ、ＳｉＯ2層３８ｂ、ＳｉＮ層４ｄをエッチングする。このエッチングでは、ＳｉＮ層４ｄの底部に位置して、ＳｉＮ層４ｅを残存させる。そして、Ｓｉ柱３の側面を酸化してＳｉＯ2層５４を形成する。この場合、平面視において、ＳｉＯ2層５４が等幅でＳｉ柱３ａを囲んで形成される。そして、ＳｉＯ2層５４を除去する。これにより、垂直方向において、ＳｉＮ層５２より上部に、Ｓｉ柱３径より小さい径を持つＳｉ柱３ａが形成される。
【００６９】
次に、図４Ｅに示すように、全体にゲートＨｆＯ2層１１ｄと、ゲートＴｉＮ層１２ｄをＡＬＤ法により形成する。そして、ゲートＨｆＯ2層１１ｄと、ゲートＴｉＮ層１２ｄのパターンニングは、図１Ｅ、図１Ｆで説明したのと同じ方法を用いて行う。そして、Ｗ層５１のパターニングは、図１Ｉ、図１Ｊで説明したのと同じ方法を用いておこなう。そして、その後、図１Ｋから図１Ｐの工程を行うことにより、ｉ層基板２上にＳＧＴが形成される。
【００７０】
実施形態のＳＧＴを有する柱状半導体装置によれば、次のような特徴が得られる。
１．本実施形態によれば、Ｐ+層５０は、平面視において、Ｓｉ柱３ａより長い外周を持つＳｉ柱３の側面に接して形成される。これにより、Ｐ+層５０を介して流れる電流のＳｉ柱３側面面積を大きくすることができる。この場合、最終工程までの熱工程により、Ｐ+層５０からのアクセプタ不純物が、上部Ｓｉ柱３ａと底部Ｓｉ柱３との境界近くまで、拡散されていることが、より望ましい。
２．本実施形態によれば、Ｐ+層５０の形成は、ゲートＨｆＯ2層１１ｄと、ゲートＴｉＮ層１２ｄとの形成の前に行われる。これにより、Ｐ+層５０の選択エピタキシャル結晶成長は、第１実施形態において課題となるゲートＨｆＯ2層１１ｄと、ゲートＴｉＮ層１２とゲートＨｆＯ2層１１ｄへの熱ダメージを考慮する必要がない。これにより、Ｐ+層５０の選択エピタキシャル結晶成長プロセスにおける、例えば結晶性を上げるためのエピタキシャル成長温度の高温化などのプロセスマージンを広げることができる。
【００７１】
（第５実施形態）
以下、図５Ａ、図５Ｂを参照しながら、本発明の第５実施形態に係る、ＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法について説明する。（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線に沿う断面構造図、（ｃ）は（ａ）のＹ−Ｙ’線に沿う断面構造図である。
【００７２】
図１Ａ〜図１Ｍまでの工程を行う。この工程において、図５Ａに示すように、Ｓｉ柱３頂部上にあるＳｉＯ2層１ａを残存させる。  そして、Ｓｉ柱３を囲んだ、ＳｉＯ2層２９、ＨｆＯ2層１１ｂ、ＴｉＮ層１２ｂ、ＳｉＮ層２５ａ上にＳｉＯ2層５４を形成する。これにより、Ｓｉ柱３頂部の側面が露出する。
【００７３】
次に、図５Ｂに示すように、アクセプタ不純物を含んだＰ+層５６を選択エピタキシャル結晶成長法により形成する。そして、図１Ｐを用いて説明した工程を行うことによりｉ層基板２上にＳＧＴを形成することができる。
【００７４】
実施形態のＳＧＴを有する柱状半導体装置によれば、次のような特徴が得られる。
１．本実施形態によれば、上下のＰ+層１８、５６共にアクセプタ不純物を高濃度に含んで、選択エピタキシャル結晶成長法で形成される。これにより、低抵抗ソース、ドレインを有するＳＧＴが形成される。
２．本実施形態を、１つのＳｉ柱に複数のＳＧＴを形成する半導体装置形成に適用できる。これにより１つのＳｉ柱に、低抵抗ソース、ドレインを有する複数のＳＧＴを形成することができる。
３．第１実施形態本実施形態によれば、図１Ｎ、図１Ｏに示すように、Ｐ+層３２はＳｉ柱３の上面から上方への選択エピタキシャル結晶成長により形成される。この場合、ＳＧＴ回路の高密度化に伴い、Ｓｉ柱３径が小さくなると、良好な結晶性を持つＰ+層３２を形成するのが難しくなる。これに対して、本実施形態では、露出したＳｉ柱３頂部の高さを長くすることにより、ＳＧＴ回路の集積度を落とさないで、Ｓｉ柱３とＰ+層５６の接触面積を広くできる。これにより、低抵抗ソース、ドレインを持つ高密度ＳＧＴ回路が形成できる。
【００７５】
以下、図６を参照しながら、本発明の第６実施形態に係る、ＳＧＴを有する柱状半導体装置の製造方法について説明する。（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線に沿う断面構造図、（ｃ）は（ａ）のＹ−Ｙ’線に沿う断面構造図である。
【００７６】
図１Ａ〜図１Ｍまでの工程を行う。この工程において、図６に示すように、図５Ａにおいて、Ｓｉ柱３頂部上のＳｉＯ2層１ａを残存させない。そして、図６に示すように、高濃度のアクセプタ不純物を含んだＰ+層５７を選択エピタキシャル結晶成長法により形成する。この場合、選択エピタキシャル結晶成長前では、Ｓｉ柱３の頂部を側面および上面が露出している。このため、Ｐ+層５７は、Ｓｉ柱３の頂部全体を覆って形成される。そして、図１Ｐを用いて説明した工程を行うことによりｉ層基板２上にＳＧＴを形成することができる。Ｐ+層５７とＳｉ柱３との境界を、拡大して見ると、Ｐ+層５７のアクセプタ不純物が、Ｐ+層５７形成後の熱履歴により、Ｓｉ柱３内に拡散されている。Ｓｉ柱３径が、平面視において、小さくなってくると、平面視においてＰ+層５７よりのアクセプタ不純物が、Ｓｉ柱３内部全体に拡散される。この場合でも、Ｓｉ柱３内の垂直方向における急峻な不純物分布は、保持されている。この場合、垂直方向における、Ｓｉ柱内部のアクセプタ不純物領域端は、ゲートＴｉＮ層１２ｂの上端部近辺に位置させることが望ましい。
【００７７】
実施形態のＳＧＴを有する柱状半導体装置によれば、次のような特徴が得られる。
１．本実施形態によれば、上下のＰ+層１８、５７共にアクセプタ不純物を高濃度に含んで、選択エピタキシャル結晶成長法で形成される。これにより、第５実施形態と同様に、低抵抗ソース、ドレインを有するＳＧＴが形成される。
２．本実施形態を、１つのＳｉ柱に複数のＳＧＴを形成する半導体装置形成において、最上部のＳＧＴ形成に適用できる。これにより１つのＳｉ柱に、低抵抗ソース、ドレインを有する複数のＳＧＴを形成することができる。
３．本実施形態では、第５実施形態と同様に、露出したＳｉ柱３頂部の高さを長くすることにより、ＳＧＴ回路の集積度を落とさないで、Ｓｉ柱３とＰ+層５７の接触面積を広くできる。これにより、低抵抗ソース、ドレインを持つ高密度ＳＧＴ回路が形成できる。
【００７８】
なお、本発明に係る実施形態では、ＳＧＴ単体トランジスタを例として説明したが、複数のＳＧＴを用いた回路形成においても本発明を適用することができる。
【００７９】
また、本発明に係る実施形態では、１つの半導体柱３に１個のＳＧＴを形成したが、２個以上を形成する回路形成においても、本発明を適用できる。
【００８０】
また、第１実施形態では、図１Ａに示したように、ＳｉＯ2層／Ａｌ2Ｏ3層／ＳｉＯ2層よりなるマスク材料層１をエッチングマスクとして用いた。その目的が得られるものであれば、単層または複数層よりなる他の組み合わせの材料層であってもよい。このことは、本発明に係るその他の実施形態においても同様である。
【００８１】
また、第１実施形態では、図１Ａに示したように、ＳｉＯ2層／Ａｌ2Ｏ3層／ＳｉＯ2層よりなるマスク材料層１は、その一部、または全体を、図１Ｌで示した工程まで、Ｓｉ柱３の頂部を、それまでのエッチングに対するマスクとして残存させた。その目的が得られるものであれば、単層または複数層の他の組み合わせの材料層であってもよい。このことは、本発明に係るその他の実施形態においても同様である。
【００８２】
また、第１実施形態では、図１Ｆに示すように、マスク材料層１、ＳｉＮ／ＳｉＯ2層１３をマスクにして、ＴｉＮ層１２、ＨｆＯ２層１１、ＳｉＮ層９、ＳｉＯ2層８をエッチングして、ＴｉＮ層１２ａ、ＨｆＯ2層１１ａ、ＳｉＮ層９ａ、ＳｉＯ2層８ａを形成した。ＳｉＮ／ＳｉＯ2層１３は、ＴｉＮ層１２、ＨｆＯ2層１２、ＳｉＮ層９、ＳｉＯ2層８をエッチングするためのマスクとしての役割を果たすものであれば、単層または複数層よりなる他の組み合わせの材料層であってもよい。これは、図１Ｋに示したＳｉＮ／ＳｉＯ2層２５、そして、第３実施形態での、図３Ａに示したＳｉＮ／ＳｉＯ2層３９においても同じである。このことは、本発明に係るその他の実施形態においても同様である。
【００８３】
また、第１実施形態では、ｉ層基板２上にＳｉ柱３を形成して、ＳＧＴを形成したが、ｉ層基板２の代わりにＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板を用いてもよい。また、ｉ層基板２にウエル構造を儲けてもよい。このことは、本発明に係るその他の実施形態においても同様である。
【００８４】
また、第１実施形態では、図１Ｃに示すように、Ｓｉ柱３頂部をマスク材料層１で覆い、側面をＳｉＯ2／ＳｉＮ層４で覆った状態で、熱酸化法によりＳｉ柱３の底部と、ｉ層基板２上面にＳｉＯ2層５を形成した。このＳｉＯ2層５は、例えばＦＣＶＤ法とＣＭＰ法により全体にＦＣＶＤ−ＳｉＯ2層を、その上表面位置が、マスク材料層の上表面位置になるようにした後に、熱酸化してもよい。この場合、酸素（Ｏ）はＦＣＶＤ−ＳｉＯ2層を通過して、Ｓｉ柱３の底部と、ｉ層基板２上面が酸化されることにより、ＳｉＯ2層５を形成される。また、他の方法により、ＳｉＯ2層５を形成してもよい。このことは、本発明に係るその他の実施形態においても同様である。
【００８５】
また、第１実施形態では、図１Ｇに示すように、ＴｉＮ層１２ａの頂部、及び底部で、露出しているＴｉＮ層１２ａを酸化して絶縁層であるＴｉＮＯ層１５ａ、１５ｂを形成した。これに対して、例えば、図１Ｆにおいて、ＳｉＯ2層８ａを残存させた状態で、露出したＴｉＮ層１２ａをエッチングして凹部を形成し、その後にＡＬＤ法により、凹部を埋め、且つ全体にＳｉＮ層を覆う。そして、凹部にＳｉＮ層を残して、他の全体を覆ったＳｉＮ層をエッチングして除去する。これにより、ＴｉＮ層１２ａの頂部、及び底部にＳｉＮ層による絶縁層を形成することができる。このようにして、酸化以外の方法を用いて、ＴｉＮ層１２ａの頂部、及び底部に絶縁層を形成してもよい。このことは、本発明に係るその他の実施形態においても同様である。
【００８６】
また、第１実施形態では、図１Ｄに示すように、Ｓｉ柱３の外周のＳｉＯ2層５上に、ＳｉＮ層７、ＳｉＯ2層８、ＳｉＮ層９を形成した。そして、図１Ｆ，図１Ｇに示すように、マスク材料層１、ＳｉＮ／ＳｉＯ2層１３をマスクにして、ＴｉＮ層１２、ＨｆＯ2層１２、ＳｉＮ層９、ＳｉＯ2層８をエッチングして、ＴｉＮ層１２ａ、ＨｆＯ2層１２ａ、ＳｉＮ層９ａ、ＳｉＯ2層８ａを形成した。そして、露出しているＴｉＮ層１２ａを酸化して、ＴｉＮＯ層１５ａ、１５ｂを形成する。そして、ＳｉＯ2層８ａをエッチングして、Ｓｉ柱３の底部側面が露出した空間１６を形成した。この場合、マスク材料層１、ＳｉＮ／ＳｉＯ2層１３、ＴｉＮ層１２ａ、ＨｆＯ2層１２ａ、ＳｉＮ層９、ＳｉＯ2層８の材料の選択、及びこれらのエッチング方法は、Ｓｉ柱３の底部側面を露出する目的が得られるものであれば任意である。このことは、本発明に係るその他の実施形態においても同様である。
【００８７】
また、第１実施形態では、図１Ｈに示すように、Ｐ+層１８の形成を選択エピタキシャル結晶成長法を用いて行った。このＰ+層１８形成は、ＣＶＤ法に限らず、例えば分子線堆積（Molecular beam deposition ）、ＡＬＤ法、液相エピタキシャル法など、選択エピタキシャル結晶成長できるほかの方法を用いても良い。これはＰ+層３２の形成に対しても同様である。このことは、本発明に係るその他の実施形態においても同様である。
【００８８】
また、第１実施形態における図１Ｈに示したように、開口部１６の露出したＳｉ柱３側面に接して、アクセプタ不純物を高濃度に含んだ単層または複数層よりなるＰ+層１８を、選択エピタキシャル結晶成長法により、形成させた。Ｓｉ柱３は、平面視において円形状の形状になっているので、Ｓｉ柱３側面での面方位の偏りが低減される。これにより、平面視において、Ｓｉ柱３を囲むＰ+層１８は、ほぼ等幅に形成される。また別の視点で、細部を拡大して見ると、Ｓｉ柱３側面での多くの面方位を有しているので、面方位によりＰ+層１８の外周は、平面視において、凹凸を有している。だが巨視的に見ると等幅である。このことは、本発明に係るその他の実施形態においても同様である。
【００８９】
また、第１実施形態では、図１Ｊに示すように、マスク材料層１、ＳｉＮ／ＳｉＯ2層１３、レジスト層２２をマスクにして、ＳｉＯ2層２１と、Ｗ層２０をエッチングした。これにより、平面視において、Ｓｉ柱３の側面を円帯状に囲んだＰ+層１８に接して、レジスト層２２下にＷ層２０ａを形成した。このレジスト層２２は、本エッチングの目的が得られるものであれば、レジスト材料層、有機層または無機層よりなる単層、または複数層より構成されたものであってもよい。また、レジスト層２２は、ＳｉＯ2層２１と、Ｗ層２０のエッチングの途中において、上層部分がエッチングされても、エッチングの最終において、マスク層としての機能があるものであればよい。また、ＳｉＯ2層２１ａがＷ層２０ａの形成におけるマスクとして機能できれば、レジスト層２２はエッチングの最終段階で除去されていてもよい。また、上記のことは、レジスト層２７についても同様である。そして、このことは、本発明に係るその他の実施形態においても同様である。
【００９０】
また、第１実施形態における、図１Ｐに示すように、Ｐ+層３２の下端の垂直方向における位置は、ゲート導体層であるＴｉＮ層１２ｂの上端になるように形成した。このＰ+層３２の底部の位置は、ゲートＴｉＮ層１２ｂの上端位置にあるのが望ましい。このＰ+層３２の底部の位置は、ゲートＴｉＮ層１２ｂの上端位置とは、ＳＧＴの動作に不都合を生じさえなければ、ゲートＴｉＮ層１２ｂの上端より少し上にある場合や、少し下にある場合を含むものである。また、Ｐ+層３２の下端の垂直方向における位置は、ゲート絶縁層１１ｂの上端位置より上にあっても、下にあってもよい。このことは、本発明に係るその他の実施形態においても同様である。
【００９１】
また、第１実施形態では、Ｐ+層１８に繋がった配線導体層部分を、Ｗ層２０ａで形成したが、他の金属または合金層などの単層または複数層から構成される材料層で形成してもよい。また、第３実施形態におけるＰ+層４３に接続したＴａ層４６についても同様である。このことは、本発明に係るその他の実施形態においても同様である。
【００９２】
また、本発明の実施形態では、Ｓｉ柱３の平面視における形状は、円形状であった。これに対して、本発明は、平面視におけるＳｉ柱３の形状は、矩形状、楕円状であっても、同様に適用できる。
【００９３】
また、第１実施形態では、図１Ｐに示された、Ｐ+層１８、３２はＳｉ柱３の底部側面と、頂部上とに形成された。Ｐ+層１８、３２と、Ｓｉ柱３との境界において、拡大して見ると、Ｐ+層１８、３２のアクセプタ不純物が、形成後の熱工程により、Ｓｉ柱３内に拡散されている。この場合、イオン注入、または固相拡散法と比べて、Ｐ+層１８、３２と、Ｓｉ柱３との境界における、急峻なアクセプタ不純物分布が保持されるので、接合抵抗の低減化が図れる。また、Ｓｉ柱３径が、平面視において、更に小さくなってくると、平面視において、選択エピタキシャル結晶成長法により形成されたＰ+層１８よりのアクセプタ不純物が、Ｓｉ柱３内部全体に拡散される。この場合でも、Ｓｉ柱３内の垂直方向における不純物分布は、イオン注入、または固相拡散法と比べて、急峻になっている。これは、必要なＰ+層１８が、初めにＳｉ柱３の外周部に形成されるのに対して、イオン注入では高温での不純物イオンの活性化処理、固相拡散ではＰ+領域をＳｉ柱３内部形成するための不純物熱拡散のための熱処理を必要とすることによる。なお、この不純物分布の急峻性のためには、Ｐ+層１８、３２形成後の熱工程の低温化と、短時間化がなされることが望ましい。このことは、第５実施形態、第６実施形態においても同様である。そして、本発明に係るその他の実施形態においても同様である。
【００９４】
また、同様に、第１実施形態において、Ｓｉ柱３径が、平面視において、更に小さくなってくると、平面視において、選択エピタキシャル結晶成長法により形成されたＰ+層１８よりのアクセプタ不純物が、Ｓｉ柱３内部全体に拡散される。この場合、Ｐ+層１８のＳｉ柱３内での、垂直方向における上端位置は、ＳｉＮ層９ａの下端位置より上方になる。このＰ+層１８に繋がるＳｉ柱３内での不純物領域の上端位置は、ゲートＴｉＮ層１２ｂの下端位置にあるのが望ましい。この点、当該下端位置とは、ＳＧＴの動作に不都合を生じさえなければ、ゲートＴｉＮ層１２ｂの下端より少し上にある場合や、少し下にある場合を含むものである。このことは、本発明に係るその他の実施形態においても同様である。
【００９５】
また、第４実施形態では、最終工程までの熱工程により、Ｐ+層５０からのアクセプタ不純物が、上部Ｓｉ柱３ａと底部Ｓｉ柱３との境界近くまで、拡散されていることが、より望ましいと述べた。この場合においても、ＳＧＴの動作に不都合を生じさえなければ、Ｐ+層５０から繋がるアクセプタ不純物拡散領域は、その上端位置が底部Ｓｉ柱３の上端位置にあってもよい。ここで、底部Ｓｉ柱３の上端位置とは、上部Ｓｉ柱３ａと底部Ｓｉ柱３との境界より少し上にある場合や、少し下にある場合も含むものである。
【００９６】
また、第１実施形態では、Ｓｉ柱３の底部側面、及び頂部上に、高濃度のアプセプタ不純物を含んだＰ+層１８、３２を形成した。Ｐ+層１８、３２に替えて、Ｎ+層を形成しても良い。また、基板上に複数の半導体柱を形成し、それぞれを異なる半導体母体からなるＰ+層１８、３２、またはＮ+層を形成してもよい。また、Ｓｉ柱３は他の半導体材料より形成されてもよい。このことは、本発明に係るその他の実施形態においても同様である。
【００９７】
また、第１実施形態では、Ｐ+層１８、３２を、選択エピタキシャル結晶成長法により、共にアクセプタ不純物を高濃度に含んで形成した。これにより、アクセプタ不純物濃度がＰ+層１８、３２とＳｉ柱３の接合面で急峻に変化したＰＮ接合を形成することができる。これは、ＳＧＴのソース、ドレインの低抵抗化に繋がる。このソース、ドレインの低抵抗化は、Ｐ+層１８、またはＰ+層３２の、一方を、アクセプタ不純物を高濃度に含んで、選択エピタキシャル結晶成長により形成しても、ソースまたはドレインの低抵抗化に繋がる。
【００９８】
また、第１実施形態では、ゲート電極としてＴｉＮ層１２ｂを用いて説明したが、ゲート電極材料層は、単層または複数層の他の導体層より形成してもよい。このことは、本発明に係るその他の実施形態においても同様である。
【００９９】
また、第１実施形態では、Ｓｉ柱３の上下に、同じ極性の導電性を有するＰ+層１８、３２で、ソース、ドレインを構成するＳＧＴについて説明したが、極性が異なるソース、ドレインを有するトンネル型ＳＧＴに対しても、本発明が適用できる。このことは、第３実施形態を除いて、本発明に係るその他の実施形態においても同様である。
【０１００】
また、第１実施形態では、垂直方向において、ＳｉＯ2層５の上端より上方に離れて、Ｐ+層１８を形成した。これにより、垂直方向において、ＳｉＯ2層５と、Ｐ+層１８とが重なることを防ぐことができる。そして、これにより、ＳｉＯ2層５と、Ｐ+層１８とが重なることで、Ｐ+層１８とＳｉ柱３層側面のＳｉ面との接触面積の減少によるソースまたはドレインの抵抗の増大を防ぐことができる。また、Ｐ+層１８を選択エピタキシャル結晶成長させるＳｉ柱３底部側面を、応力集中を生じているＳｉ柱３とＳｉＯ2層５との界面から離すことができる。これにより、結晶性のよいＰ+層１８を選択エピタキシャル結晶成長させるＳｉ柱３底部側面に形成することができる。このことは、本発明に係るその他の実施形態においても同様である。
【０１０１】
また、第１実施形態では、図１Ｎ、図１Ｏを用いて説明したように、Ｓｉ柱３の頂部をエッチングして凹部３１を形成し、その後に、凹部３１にＰ+層３２を選択エピタキシャル結晶成長法により、形成した。これに対して、例えば、図１Ｍにおいて説明したように、全体にＳｉＮ層（図示せず）を覆い、その後にＣＭＰ法により、ＳｉＮ層の上表面位置が、マスク材料層１の上表面位置になるように研磨する。そして、マスク材料層１をＡｌ2Ｏ3層までエッチングした。これに対して、マスク材料層１の全体をエッチングすることにより、Ｓｉ柱３上に凹部３１と同様の凹部を形成することができる。このことは、本発明に係るその他の実施形態においても同様である。
【０１０２】
また、第２実施形態では、Ｗ層３６ａを形成する前に、Ｐ+層３５とＷ層３６ａの間に、Ｐ+層３５とＷ層３６ａの間の抵抗を下げるためのバリヤ金属層となる、例えばＴａ層を形成してもよいと述べた。この場合、平面視においてＴａ層はＰ+層３５を等幅に形成される。このＴａ層は、平面視において、等幅の単層、または複数層の導体層で形成されていてもよい。このことは、本発明に係るその他の実施形態においても同様である。
【０１０３】
また、第３実施形態では、マスク材料層１を除去した後に、Ｓｉ柱３の頂部をエッチングして、凹部４２を形成した。この凹部４２は、前述した第１実施形態と同様に、マスク材料層１を除去しただけでも形成することができる。この場合、Ｓｉ柱３の頂部を薄く酸化して、その後にこの形成された酸化膜を除去する洗浄を行うのが望ましい。このことは、本発明に係るその他の実施形態においても同様である。
【０１０４】
また、第３実施形態での、図３Ｅに示すＳｉＯ2層３８ａは、外側表層が、Ｐ+層４３、４４を形成する選択エピタキシャル結晶成長において、Ｓｉ層が堆積しない材料層で形成されておれば、ＳｉＯ2層に限らなくてよい。また、この材料層は単層、または複数層より構成されていてもよい。このことは、本発明に係るその他の実施形態においても同様である。
【０１０５】
また、第４実施形態によれば、Ｐ+層５０の形成は、ゲートＨｆＯ2層１１ｄと、ゲートＴｉＮ層１２ｄの形成の前に行われた。このことは、本発明に係るその他の実施形態においても同様に適用できる。
【０１０６】
また、第４実施形態によれば、図４Ｄに示すように露出したＳｉ柱３の側面を酸化してＳｉＯ2層５４を形成した。このＳｉＯ2層５４を除去して、平面視においてＳｉ柱３より細いＳｉ柱３ａを形成した。これに対し、例えば露出したＳｉ柱３表面のＳｉ層をエッチングするなどの他の方法を用いて、Ｓｉ柱３ａを形成してもよい。このことは、本発明に係るその他の実施形態においても同様である。
【０１０７】
また、第４実施形態によれば、図４Ｄに示すように露出したＳｉ柱３の側面を酸化してＳｉＯ2層５４を形成した。このＳｉＯ2層５４を除去して、平面視においてＳｉ柱３より細いＳｉ柱３ａを形成した。このＳｉＯ2層５４はＳｉ柱３ａを、平面視において等幅で囲んでいる。酸化速度は面方位により異なっているので、ＳｉＯ2層５４を拡大するとＳｉ柱３の側面の面方位に従って凹凸がある。だが、巨視的に見るとＳｉＯ2層５４の厚さは等幅で形成される。
【０１０８】
また、上記各実施形態では、半導体柱におけるチャネル、ソース、ドレインなどの半導体領域としてＳｉ（シリコン）を用いた例について説明した。しかしこれに限られず、本発明の技術思想は、ＳｉＧｅのようにＳｉを含んだ半導体材料、またはＳｉ以外の半導体材料を用いた、ＳＧＴを有する半導体装置にも適用可能である。
【０１０９】
また、縦型ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ回路では、半導体柱をチャネルにして、この半導体柱を囲んだトンネル酸化層、電荷蓄積層、層間絶縁層、制御導体層から構成されるメモリセルが複数段、垂直方向に形成される。これらメモリセルの両端の半導体柱には、ソースに対応するソース線不純物層と、ドレインに対応するビット線不純物層がある。また、１つのメモリセルに対して、その両側のメモリセルの一方がソースならば、他方がドレインの役割を行う。このように、縦型ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ回路はＳＧＴ回路の１つである。従って、本発明はＮＡＮＤ型フラッシュメモリ回路に対しても適用することができる。
【０１１０】
本発明は、本発明の広義の精神と範囲を逸脱することなく、様々な実施形態及び変形が可能とされるものである。また、上述した実施形態は、本発明の一実施例を説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。上記実施例及び変形例は任意に組み合わせることができる。さらに、必要に応じて上記実施形態の構成要件の一部を除いても本発明の技術思想の範囲内となる。
【産業上の利用可能性】
【０１１１】
本発明に係る、柱状半導体装置によれば、高性能な柱状半導体装置が得られる。
【符号の説明】
【０１１２】
１  マスク材料層
２  ｉ層基板
３、３ａ  Ｓｉ柱
４、４ａ、４ｅ、１３、１３ａ、２５、３９、３９ａ  ＳｉＯ2層／ＳｉＮ層
５、８、８ａ、８ｂ、８ｃ、２１、２１ａ、２６、２６ａ、２９、３０、３３、３７、３８、３８ａ、３８ｂ、４８、４８ａ、５４    ＳｉＯ2層
７、９、９ａ、９ｂ、９ｃ、２３、５２    ＳｉＮ層
１１、１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ    ＨｆＯ2層
１２、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ      ＴｉＮ層
１６、４１      開口部
１５ａ、１５ｂ、４５ａ、４５ｂ    ＴｉＮＯ層
１８、３２、３５、４３、４４、５０、５６、５７    Ｐ+層
２０、２０ａ、２４、２４ａ、３６、３６ａ、５１    Ｗ層
２２、２７、４９    レジスト層
３１、４２    凹部
Ｃ１，Ｃ２、Ｃ３    コンタクトホール
Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３    金属配線層    
４６、４６ａ、４７、４７ａ  Ｔａ層
【図１Ａ】
2019229811.tif 000003
【図１Ｂ】
2019229811.tif 000004
【図１Ｃ】
2019229811.tif 000005
【図１Ｄ】
2019229811.tif 000006
【図１Ｅ】
2019229811.tif 000007
【図１Ｆ】
2019229811.tif 000008
【図１Ｇ】
2019229811.tif 000009
【図１Ｈ】
2019229811.tif 000010
【図１Ｉ】
2019229811.tif 000011
【図１Ｊ】
2019229811.tif 000012
【図１Ｋ】
2019229811.tif 000013
【図１Ｌ】
2019229811.tif 000014
【図１Ｍ】
2019229811.tif 000015
【図１Ｎ】
2019229811.tif 000016
【図１Ｏ】
2019229811.tif 000017
【図１Ｐ】
2019229811.tif 000018
【図２Ａ】
2019229811.tif 000019
【図２Ｂ】
2019229811.tif 000020
【図２Ｃ】
2019229811.tif 000021
【図３Ａ】
2019229811.tif 000022
【図３Ｂ】
2019229811.tif 000023
【図３Ｃ】
2019229811.tif 000024
【図３Ｄ】
2019229811.tif 000025
【図３Ｅ】
2019229811.tif 000026
【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
2019229811.tif 000028
【図３Ｈ】
2019229811.tif 000029
【図３Ｉ】
2019229811.tif 000030
【図４Ａ】
2019229811.tif 000031
【図４Ｂ】
2019229811.tif 000032
【図４Ｃ】
2019229811.tif 000033
【図４Ｄ】
2019229811.tif 000034
【図４Ｅ】
2019229811.tif 000035
【図５Ａ】
2019229811.tif 000036
【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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