(57)【要約】半導体モジュールは、基板と、補助端子部品と、主端子部品と、を備える。第１部品は、基板側に位置する第１端部と、基板から離れた側に位置する第２端部と、を含む。第２部品は、基板側に位置する第３端部と、基板から離れた側に位置する第４端部と、を含む。主面に垂直な方向において、第１端部と第３端部との高さが異なる状態、および平面視において、基板の外縁のうち第１端部および第３端部に対向する領域での外縁の延在方向における第１端部と第３端部との間の距離が、第２端部と第４端部との間の距離よりも大きい状態のうち少なくともいずれか一方が実現されている。
2019053942.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面上に素子を含む回路が形成された基板と、
前記回路と電気的に接続され、第１の電流を流すことが可能な補助端子部品と、
前記回路と電気的に接続され、前記第１の電流よりも大きい第２の電流を流すことが可能な主端子部品と、を備え、
前記補助端子部品は、第１部品と、第２部品と、を含み、
前記第１部品は、前記基板側に位置する第１端部と、前記基板から離れた側に位置する第２端部と、を含み、
前記第２部品は、前記基板側に位置する第３端部と、前記基板から離れた側に位置する第４端部と、を含み、
前記主面に垂直な方向において、前記第１端部と前記第３端部との高さが異なる状態、および平面視において、前記基板の外縁のうち前記第１端部および前記第３端部に対向する領域での前記外縁の延在方向における前記第１端部と前記第３端部との間の距離が、前記第２端部と前記第４端部との間の距離よりも大きい状態のうち少なくともいずれか一方が実現されている、半導体モジュール。
【請求項２】
前記主面に垂直な方向において、前記第１端部と前記第３端部との高さが異なる状態、および平面視において、前記基板の外縁のうち前記第１端部および前記第３端部に対向する領域での前記外縁の延在方向における前記第１端部と前記第３端部との間の距離が、前記第２端部と前記第４端部との間の距離よりも大きい状態の両方が実現されている、請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
平面視において、前記基板の外縁のうち前記第１端部および前記第３端部に対向する領域での前記外縁の延在方向に垂直な方向における前記第１端部の位置と前記第３端部の位置とは異なる、請求項１または請求項２に記載の半導体モジュール。
【請求項４】
前記素子は、温度センサを含み、
前記補助端子部品は、前記温度センサに電気的に接続される、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項５】
前記素子は、電流センサを含み、
前記補助端子部品は、前記電流センサに電気的に接続される、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項６】
前記素子は、電位センサを含み、
前記補助端子部品は、前記電位センサに電気的に接続される、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項７】
前記回路は、前記補助端子部品と電気的に接続される複数の導電領域をさらに含み、
前記複数の導電領域は、前記第１端部と電気的に接続される第１導電領域と、前記第３端部と電気的に接続される第２導電領域と、を含み、
平面視において、前記基板の外縁のうち前記第１端部および前記第３端部に対向する領域での前記外縁の延在方向に垂直な方向における前記第１導電領域の位置と、前記第２導電領域の位置とは異なる、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体モジュールに関する。【０００２】
本出願は、2017年9月15日出願の日本出願第2017-177869号に基づく優先権を主張し、前記日本出願に記載された全ての記載内容を援用するものである。
【背景技術】
【０００３】
パワー半導体モジュールにおいて、半導体デバイスと電気的に接続される電力系端子と、半導体デバイスと電気的に接続されると共に、絶縁基板の主表面に対して垂直方向に延伸して配置される信号系端子と、を備える半導体モジュールが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１７−００５０４３号公報
【発明の概要】
【０００５】
実施例による半導体モジュールは、基板と、補助端子部品と、主端子部品と、を備える。基板は、主面上に素子を含む回路が形成されている。補助端子部品は、回路と電気的に接続され、第１の電流を流すことが可能である。主端子部品は、回路と電気的に接続され、第１の電流よりも大きい第２の電流を流すことが可能である。補助端子部品は、第１部品と、第２部品と、を含む。第１部品は、基板側に位置する第１端部と、基板から離れた側に位置する第２端部と、を含む。第２部品は、基板側に位置する第３端部と、基板から離れた側に位置する第４端部と、を含む。主面に垂直な方向において、第１端部と第３端部との高さが異なる状態、および平面視において、基板の外縁のうち第１端部および第３端部に対向する領域での外縁の延在方向における第１端部と第３端部との間の距離が、第２端部と第４端部との間の距離よりも大きい状態のうち少なくともいずれか一方が実現されている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、半導体モジュールの構造を示す概略斜視図である。
【図２】図２は、半導体モジュールの概略平面図である。
【図３】図３は、第１部品および第２部品の構造および配置を示す概略斜視図である。
【図４】図４は、第１部品、第２部品、第３部品および第４部品の構造および配置を示す概略斜視図である。
【図５】図５は、第１の実施の形態における半導体モジュールの変形例を示す概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
半導体モジュールに設けられる端子としては、主端子部品および補助端子部品がある。補助端子部品は、第１の電流を流すことが可能な端子である。主端子部品は、第１の電流よりも大きな第２の電流を流すことが可能な端子である。補助端子部品としては、例えば、半導体モジュールに含まれる半導体素子に流れる電流を検知する電流センサに接続される補助端子部品、半導体素子の電位を検知する電位センサに接続される補助端子部品、半導体素子の温度を検知する温度センサに接続される補助端子部品がある。このように、半導体モジュールにおいては、複数の補助端子部品が設けられる。そのため、半導体モジュールのコンパクト化のためには、補助端子部品の搭載面積（半導体素子が搭載される基板の主表面に対して垂直な方向から見たときの平面視における補助端子部品を搭載するための領域の面積）を減らすことが好ましい。
【０００８】
そこで、補助端子部品の搭載面積を減らすことで、コンパクト化が可能な半導体モジュールを提供することを本開示の目的の１つとする。
［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の技術の実施態様を列記して説明する。本開示の半導体モジュールは、基板と、補助端子部品と、主端子部品と、を備える。基板は、主面上に素子を含む回路が形成されている。補助端子部品は、回路と電気的に接続され、第１の電流を流すことが可能である。主端子部品は、回路と電気的に接続され、第１の電流よりも大きい第２の電流を流すことが可能である。補助端子部品は、第１部品と、第２部品と、を含む。第１部品は、基板側に位置する第１端部と、基板から離れた側に位置する第２端部と、を含む。第２部品は、基板側に位置する第３端部と、基板から離れた側に位置する第４端部と、を含む。主面に垂直な方向において、第１端部と第３端部との高さが異なる状態、および平面視において、基板の外縁のうち第１端部および第３端部に対向する領域での外縁の延在方向における第１端部と第３端部との間の距離が、第２端部と第４端部との間の距離よりも大きい状態のうち少なくともいずれか一方が実現されている。
【０００９】
基板の主面に垂直な方向（第１の方向）において、第１端部および第３端部の高さが異なる状態（状態１）が実現されることにより、平面視において、第１端部と第３端部とを近付けて配置することができる。また、平面視において、基板の外縁のうち第１端部および第３端部に対向する領域での外縁の延在方向（第２の方向）における第１端部と第３端部との間の距離が、第２端部と第４端部との間の距離よりも大きい状態（状態２）が実現されることにより、上記第２の方向における第２端部と第４端部との間隔を狭くすることができる。
【００１０】
本開示の半導体モジュールにおいては上記状態１および状態２の少なくとも一方が実現されている。そのため、本開示の半導体モジュールによれば、補助端子部品の搭載面積を減らし、半導体モジュールをコンパクト化することができる。
【００１１】
上記半導体モジュールにおいて、主面に垂直な方向において、第１端部と第３端部との高さが異なる状態、および平面視において、基板の外縁のうち第１端部および第３端部に対向する領域での外縁の延在方向における第１端部と第３端部との間の距離が、第２端部と第４端部との間の距離よりも大きい状態の両方が実現されていてもよい。このように上記状態１および状態２の両方が満たされることにより、半導体モジュールを一層コンパクト化することができる。
【００１２】
上記半導体モジュールにおいて、平面視において、基板の外縁のうち第１端部および第３端部に対向する領域での外縁の延在方向に垂直な方向における第１端部の位置と第３端部の位置とは異なるようにしてもよい。このようにすることで、第１端部および第３端部のそれぞれに対して容易にワイヤーボンディングすることができる。
【００１３】
上記半導体モジュールにおいて、素子は、温度センサを含むようにしてもよい。補助端子部品は、温度センサに電気的に接続されるようにしてもよい。このようにすることで、温度センサを含む半導体モジュールのコンパクト化が可能となる。
【００１４】
上記半導体モジュールにおいて、素子は、電流センサを含むようにしてもよい。補助端子部品は、電流センサに電気的に接続されるようにしてもよい。このようにすることで、電流センサを含む半導体モジュールのコンパクト化が可能となる。
【００１５】
上記半導体モジュールにおいて、素子は、電位センサを含むようにしてもよい。補助端子部品は、電位センサに電気的に接続されるようにしてもよい。このようにすることで、電位センサを含む半導体モジュールのコンパクト化が可能となる。
【００１６】
上記半導体モジュールにおいて、回路は、補助端子部品と電気的に接続される複数の導電領域をさらに含むようにしてもよい。複数の導電領域は、第１端部と電気的に接続される第１導電領域と、第３端部と電気的に接続される第２導電領域と、を含むようにしてもよい。平面視において、基板の外縁のうち第１端部および第３端部に対向する領域での外縁の延在方向に垂直な方向における第１導電領域の位置と、第２導電領域の位置とは異なるようにしてもよい。このようにすることで、複数の導電領域を基板上の狭い領域に配置し、半導体モジュールをコンパクト化することができる。
【００１７】
［本開示の実施形態の詳細］
次に、本開示の半導体モジュールの一実施の形態を、図面を参照しつつ説明する。以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
【００１８】
図１および図２を参照して、半導体モジュール１は、基板１０と、回路１５と、主端子部品３０と、補助端子部品４０と、容器６０と、を備える。本実施の形態においては、半導体モジュール１は、パワー半導体モジュールである。すなわち、半導体モジュール１は、大きな電力を制御するために用いられるものであり、電源装置等に利用される。半導体モジュール１は、図２におけるＺ軸方向に見た平面視で長方形状の形状を有する。
【００１９】
容器６０は、基板１０を収容する。基板１０は、第１の主面１１を有する。基板１０の外縁１２は、長方形状の形状を有する。本実施の形態においては、基板１０は、絶縁基板からなる。基板１０には、放熱板が設置されていてもよい。なお、以下の説明において、基板１０の第１の主面１１に対して垂直な方向をＺ軸方向、基板１０の長辺方向をＹ軸方向、基板１０の短辺方向をＸ軸方向とする。
【００２０】
回路１５は、第１の主面１１上に形成されている。回路１５は、複数の導電領域２０と、素子５０と、金属製のワイヤ７０とを含む。回路１５は、導電領域２０および素子５０がワイヤ７０により電気的に接続されて構成される。複数の導電領域２０は、第１の主面１１上に形成される。導電領域２０は、導電性を有する金属などの材料からなる。本実施の形態においては、導電領域２０は銅からなる。導電領域２０は、第１の導電領域２０１と、第２の導電領域２０２と、第３の導電領域２０３と、第４の導電領域２０４と、第５の導電領域２０５と、第６の導電領域２０６と、第７の導電領域２０７と、を含む。
【００２１】
素子５０は、基板１０上に配置される。素子５０は、導電領域２０上に配置される。素子５０は、第１の素子５１、５２と、第２の素子５３と、を含む。本実施の形態においては、第１の素子５１、５２は、縦型の半導体素子である。より具体的には、第１の素子５１、５２は、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）である。第２の素子５３は、温度センサである。本実施の形態においては、第２の素子５３はサーミスタである。第２の素子５３は、半導体モジュール１の温度を検知する。
【００２２】
第１の素子５１は、第１ソース電極５１１と、第１ゲート電極５１２と、第１ソースパッド５１３と、第１センスパッド５１４と、を含む。第１ソース電極５１１と、第１ゲート電極５１２と、第１ソースパッド５１３と、第１センスパッド５１４は、第１の素子５１の上面において各参照番号が示す位置に設けられており、図示の明瞭性の都合上、電極およびパッドの輪郭線は省略してある。以下において他の素子についても同様である。第１の素子５１は、第３の導電領域２０３上に配置される。第１の素子５１のドレイン電極（図示せず）は、第３の導電領域２０３と電気的に接続される。第１ソースパッド５１３により、第１ソース電極５１１の電位を測定可能である。第１センスパッド５１４により、第１の素子５１におけるドレイン電極と第１ソース電極５１１との間に流れる電流を測定可能である。
【００２３】
第１の素子５２は、第２ソース電極５２１と、第２ゲート電極５２２と、第２ソースパッド５２３と、第２センスパッド５２４と、を含む。第１の素子５２は、第２の導電領域２０２上に配置される。第１の素子５２のドレイン電極（図示せず）は、第２の導電領域２０２と電気的に接続される。第２ソースパッド５２３により、第２ソース電極５２１の電位を測定可能である。第２センスパッド５２４により、第１の素子５２におけるドレイン電極と第２ソース電極５２１との間に流れる電流を測定可能である。
【００２４】
第２の素子５３は、第１の電極５３１と、第２の電極５３２と、を含む。第２の素子５３は、第２の導電領域２０２上に配置される。
【００２５】
主端子部品３０は、第１の主端子部品３１と、第２の主端子部品３２と、第３の主端子部品３３と、を含む。主端子部品３０は、第２の電流を流すことが可能である。第２の電流は、後述する第１の電流よりも大きい電流である。主端子部品３０は、電源電圧といった高電圧を制御する際に利用される。一例として、主端子部品３０は、高電圧を発生する電源に直接又は間接に接続され、当該電源からの電流が流れる端子である。主端子部品３０は、金属製である。主端子部品３０は、屈曲した板状の形状を有する。第１の主端子部品３１は、第３の導電領域２０３と電気的に接続される。第２の主端子部品３２は、第２の導電領域２０２と電気的に接続される。第３の主端子部品３３は、第１の導電領域２０１と電気的に接続される。
【００２６】
補助端子部品４０は、第２の電流よりも小さい第１の電流を流すことが可能である。一例として、補助端子部品４０は、主端子部品３０に流れる第２の電流を制御するための制御信号、および当該制御に用いる検出信号等の電流が流れる端子である。補助端子部品４０は、温度等を検知するセンサに供給する比較的低い電圧を制御する際に利用される。また、補助端子部品４０は、例えばＭＯＳＦＥＴのゲート電圧を供給する端子としても利用される。補助端子部品４０は、第１部品４１と、第２部品４２とを含む。補助端子部品４０は、長方形状の半導体モジュール１のＸ軸方向の端部に位置する一方の辺に沿って配置される。補助端子部品４０は、基板１０の位置から見て、第２の主端子部品３２が配置される側とは反対側に配置される。
【００２７】
図１、図２および図３を参照して、第１部品４１は、基板１０側に位置する第１端部４１１と、基板１０から離れた側に位置する第２端部４１２と、を含む。第２部品４２は、基板１０側に位置する第３端部４２１と、基板１０から離れた側に位置する第４端部４２２と、を含む。
【００２８】
第１部品４１は、第１板状部４１３と、第１棒状部４１４と、を含む。第１板状部４１３は、平面形状が長方形状である平板状の形状を有する。第１板状部４１３の長手方向の一方側に位置する端部は、第１端部４１１である。第１板状部４１３の長手方向の他方側に位置する端部は、第１棒状部４１４と接続される。第１棒状部４１４の一方側に位置する端部は、第２端部４１２である。第１棒状部４１４の他方側に位置する端部は、第１板状部４１３と接続される。第１棒状部４１４は、Ｚ軸方向に沿って延在するように構成される。
【００２９】
第２部品４２は、第２板状部４２３と、第２棒状部４２４と、を含む。第２板状部４２３は、平面形状が長方形状である平板状の形状を有する。第２板状部４２３の長手方向の一方側に位置する端部は、第３端部４２１である。第２板状部４２３の長手方向の他方側に位置する端部は、第２棒状部４２４と接続される。第２棒状部４２４の一方側に位置する端部は、第４端部４２２である。第２棒状部４２４の他方側に位置する端部は、第２板状部４２３と接続される。第２棒状部４２４は、第１棒状部４１４に沿う方向（Ｚ軸方向）に沿って延在するように構成される。Ｚ軸方向に見た平面視において、基板１０の外縁１２のうち第１端部４１１および第３端部４２１に対向する領域での外縁１２が延在する方向（Ｙ軸方向）に向くように、第２棒状部４２４の下側（上記他方側）の端部は屈曲し、その先端で第２板状部４２３と接続される。
【００３０】
補助端子部品４０は、第１部品４１および第２部品４２の他、第３部品４３および第４部品４４と、第５部品４５および第６部品４６と、第７部品４７および第８部品４８とを含む。第３部品４３、第５部品４５および第７部品４７は、第１部品４１と同様の構造を有する。第４部品４４、第６部品４６および第８部品４８は、第２部品４２と同様の構造を有する。
【００３１】
第３部品４３は、基板１０側に位置する第５端部４３１と、基板１０から離れた側に位置する第６端部４３２と、を含む。第４部品４４は、基板１０側に位置する第７端部４４１と、基板１０から離れた側に位置する第８端部４４２と、を含む。第５部品４５は、基板１０側に位置する第９端部４５１と、基板１０から離れた側に位置する第１０端部４５２と、を含む。第６部品４６は、基板１０側に位置する第１１端部４６１と、基板１０から離れた側に位置する第１２端部４６２と、を含む。第７部品４７は、基板１０側に位置する第１３端部４７１と、基板１０から離れた側に位置する第１４端部４７２と、を含む。第８部品４８は、基板１０側に位置する第１５端部４８１と、基板１０から離れた側に位置する第１６端部４８２と、を含む。
【００３２】
図１および図２を参照して、Ｚ軸方向に見た平面視において、基板１０の外縁１２のうち第１端部４１１および第３端部４２１に対向する領域での外縁１２の延在方向（Ｙ軸方向）に交差する方向（垂直な方向）（Ｘ軸方向）に沿って、第２端部４１２と、第４端部４２２とは配置される。同様に、Ｘ軸方向に沿って、第６端部４３２と、第８端部４４２とは配置される。第１０端部４５２と、第１２端部４６２とはＸ軸方向に沿って配置される。第１４端部４７２と、第１６端部４８２とはＸ軸方向に沿って配置される。
【００３３】
第１の素子５１の第１ソース電極５１１と第２の導電領域２０２とは、ワイヤ７０によって電気的に接続される。第１の素子５１の第１ゲート電極５１２と、第６の導電領域２０６とは、ワイヤ７０によって電気的に接続される。第６の導電領域２０６と、第１５端部４８１とは、ワイヤ７０によって電気的に接続される。第１の素子５１の第１ソースパッド５１３と、第１３端部４７１とは、ワイヤ７０によって電気的に接続される。第１４端部４７２と、半導体モジュール１の外部に配置される電位を検知する電位センサとは、電気的に接続される。第１の素子５１の第１センスパッド５１４と、第１１端部４６１とは、ワイヤ７０によって電気的に接続される。第１２端部４６２と、半導体モジュール１の外部に配置される電流を検知する電流センサとは、電気的に接続される。
【００３４】
第１の素子５２の第２ソース電極５２１と、第１の導電領域２０１とは、ワイヤ７０によって電気的に接続される。第１の素子５２の第２ゲート電極５２２と、第３端部４２１とは、ワイヤ７０によって電気的に接続される。第１の素子５２の第２ソースパッド５２３と、第４の導電領域２０４とは、ワイヤ７０によって電気的に接続される。第４の導電領域２０４と第１端部４１１とは、ワイヤ７０によって電気的に接続される。第１の素子５２の第２センスパッド５２４と、第５の導電領域２０５とは、ワイヤ７０によって電気的に接続される。第５の導電領域２０５と第７端部４４１とは、ワイヤ７０によって電気的に接続される。第２の素子５３の第１の電極５３１と、第５端部４３１とは、ワイヤ７０によって電気的に接続される。第２の素子５３の第２の電極５３２と、第９端部４５１とは、ワイヤ７０によって電気的に接続される。
【００３５】
図４を参照して、第１部品４１および第２部品４２は、容器６０の側壁部に配置されている。第１端部４１１および第２端部４１２は、容器６０の側壁部から露出している。第３端部４２１および第４端部４２２は、容器６０の側壁部から露出している。第３部品４３および第４部品４４は、容器６０の側壁部に配置されている。第５端部４３１および第６端部４３２は、容器６０の側壁部から露出している。第７端部４４１および第８端部４４２は、容器６０の側壁部から露出している。
【００３６】
図１および図４を参照して、Ｚ軸方向において、第１端部４１１と第３端部４２１との高さが異なる状態（状態１）が実現されている。より具体的には、第１端部４１１の基板１０に最も近い領域のＹ軸方向中央部分４１１Ａと、第３端部４２１の基板１０に最も近い領域のＹ軸方向中央部分４２１Ａとの高さが異なる状態が実現されている。なお、第３部品４３および第４部品４４と、第５部品４５および第６部品４６と、第７部品４７および第８部品４８とは、それぞれ第１部品４１および第２部品４２と同様に配置される。
【００３７】
Ｚ軸方向に見た平面視において、Ｙ軸方向における第１端部４１１と第３端部４２１との間の距離が、第２端部４１２と第４端部４２２との間の距離よりも大きい状態（状態２）が実現されている。これは、上述のように第２棒状部４２４の下側の端部がＹ軸方向に向くように屈曲していることによる。なお、Ｙ軸方向における第１端部４１１と、第３端部４２１との間の距離とは、Ｙ軸方向中央部分４１１Ａから、Ｙ軸方向中央部分４２１ＡまでのＹ軸方向における距離Ｓ１をいう。また、Ｙ軸方向における第２端部４１２と、第４端部４２２との間の距離とは、第２端部４１２の基板１０に最も遠い領域のＹ軸方向中央部分４１２Ａから、第４端部４２２の基板１０に最も遠い領域のＹ軸方向中央部分４２２ＡまでのＹ軸方向における距離Ｓ２をいう。本実施の形態ではＳ２は０である。第３部品４３および第４部品４４と、第５部品４５および第６部品４６と、第７部品４７および第８部品４８とは、それぞれ第１部品４１および第２部品４２と同様に配置される。
【００３８】
Ｚ軸方向に見た平面視において、Ｘ軸方向における第１端部４１１の位置と第３端部４２１の位置とは異なる。このようにすることで、第１端部４１１および第３端部４２１のそれぞれに対して容易にワイヤーボンディングすることができる。なお、第３部品４３および第４部品４４と、第５部品４５および第６部品４６と、第７部品４７および第８部品４８とは、それぞれ第１部品４１および第２部品４２と同様に配置される。
【００３９】
図５には本実施形態の変形例を示す。図５を参照して、本変形例においては、基板１０の第１の主面１１上に第１導電領域２２１と、第２導電領域２２２とが配置される。第１導電領域２２１および第２導電領域２２２は矩形状の形状を有する。第１導電領域２２１と、第１端部４１１とは、ワイヤ７０によって電気的に接続される。第２導電領域２２２と、第３端部４２１とは、ワイヤ７０によって電気的に接続される。
【００４０】
第１の主面１１上には、第１導電領域２２１および第２導電領域２２２の他、第３導電領域２２３と、第４導電領域２２４とが配置されている。第３導電領域２２３および第４導電領域２２４は、矩形状の形状を有する。第３導電領域２２３と、第５端部４３１とは、ワイヤ７０によって電気的に接続される。第４導電領域２２４と、第７端部４４１とは、ワイヤ７０によって電気的に接続される。第１導電領域２２１、第２導電領域２２２、第３導電領域２２３および第４導電領域２２４は、図５に示す領域Ｔに含まれるように配置される。
【００４１】
Ｚ軸方向に見た平面視において、Ｘ軸方向における第１導電領域２２１の位置と、第２導電領域２２２の位置とは異なる。同様に、Ｚ軸方向に見た平面視において、Ｘ軸方向における第３導電領域２２３の位置と、第４導電領域２２４の位置とは異なる。このようにすることで、複数の導電領域を基板上の狭い領域に配置し、半導体モジュール１をコンパクト化することができる。
【００４２】
ここで、本実施の形態における半導体モジュール１においては、Ｚ軸方向において、第１端部４１１と、第３端部４２１との高さが異なる状態（状態１）が実現されることにより、平面視において、第１端部４１１と、第３端部４２１とを近付けて配置することができる。同様に、第５端部４３１と、第７端部４４１とを近付けて配置することができる。第９端部４５１と、第１１端部４６１とを近付けて配置することができる。第１３端部４７１と、第１５端部４８１とを近付けて配置することができる。
【００４３】
また、Ｚ軸方向に見た平面視において、Ｙ軸方向における第１端部４１１と第３端部４２１との間の距離が、第２端部４１２と第４端部４２２との間の距離よりも大きい状態（状態２）が実現されることにより、Ｙ軸方向における第２端部４１２と第４端部４２２との間隔を狭くすることができる。同様に、第６端部４３２と、第８端部４４２との間隔を狭くすることができる。第１０端部４５２と、第１２端部４６２との間隔を狭くすることができる。第１４端部４７２と、第１６端部４８２との間隔を狭くすることができる。
【００４４】
このように本実施の形態における半導体モジュール１は、上記状態１および状態２が両方実現されている。そのため、本実施の形態における半導体モジュール１によれば、補助端子部品４０の搭載面積を減らし、半導体モジュール１をコンパクト化することができる。
【００４５】
上記実施の形態では、素子５０は、第２の素子５３である温度センサを含む。補助端子部品４０である第３部品４３および第５部品４５は、温度センサに電気的に接続される。このようにすることで、温度センサを含む半導体モジュール１のコンパクト化が可能となる。
【００４６】
なお、上記実施の形態では、半導体モジュール１のＺ軸方向に見た平面視での形状が長方形状である場合について説明したが、半導体モジュール１の形状はこれに限られるものではなく、用途等を考慮して種々の形状を採用することができる。
【００４７】
上記実施の形態では、基板１０の外縁１２の形状が長方形状である場合について説明したが、基板１０の外縁１２の形状はこれに限られず、基板１０上に配置される部品の配置の容易性や、周囲の部品の配置等を考慮して、種々の形状を採用することができる。
【００４８】
上記実施の形態では、素子５０がＭＯＳＦＥＴである第１の素子５１、５２を含む場合について説明したが、素子５０はこれに限られず、ＳＢＤ（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ Ｂａｒｒｉｅｒ Ｄｉｏｄｅ）を含んでもよい。なお、素子５０は、ＭＯＳＦＥＴと、ＳＢＤとを含んでもよい。上記実施の形態では、素子５０は温度センサである第２の素子５３を含む場合について説明したが、素子５０はこれに限られず、電流を検知する電流センサ、または電位を検知する電位センサを含んでもよい。なお、素子５０は、温度センサと、電流センサと、電位センサとを含んでもよい。
【００４９】
上記実施の形態では、補助端子部品４０は、基板１０の位置から見て、第２の主端子部品３２が配置される側とは反対側に配置される構成としたが、本願の半導体モジュール１はこれに限らず、種々の構成を採用することができる。
【００５０】
上記実施の形態では、補助端子部品４０は、第１部品４１および第２部品４２と、第３部品４３および第４部品４４と、第５部品４５および第６部品４６と、第７部品４７および第８部品４８とを含む場合について説明したが、補助端子部品４０はこれに限られるものではなく、用途等を考慮して種々の構成を採用することができる。
【００５１】
本実施の形態においては、状態１および状態２が両方実現されている状態を示したが、これに限られず、状態１または状態２の少なくともいずれか一方が実現されるようにしてもよい。
【００５２】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、どのような面からも制限的なものではないと理解されるべきである。本発明の範囲は上記した意味ではなく、請求の範囲によって示され、請求の範囲およびそれと均等の範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００５３】
１ 半導体モジュール
１０ 基板
１１ 第１の主面
１２ 外縁
１５ 回路
２０ 導電領域
２０１ 第１の導電領域
２０２ 第２の導電領域
２０３ 第３の導電領域
２０４ 第４の導電領域
２０５ 第５の導電領域
２０６ 第６の導電領域
２０７ 第７の導電領域
２２１ 第１導電領域
２２２ 第２導電領域
２２３ 第３導電領域
２２４ 第４導電領域
３０ 主端子部品
３１ 第１の主端子部品
３２ 第２の主端子部品
３３ 第３の主端子部品
４０ 補助端子部品
４１ 第１部品
４１１ 第１端部
４１１Ａ Ｙ軸方向中央部分
４１２ 第２端部
４１２Ａ Ｙ軸方向中央部分
４１３ 第１板状部
４１４ 第１棒状部
４２ 第２部品
４２１ 第３端部
４２１Ａ Ｙ軸方向中央部分
４２２ 第４端部
４２２Ａ Ｙ軸方向中央部分
４２３ 第２板状部
４２４ 第２棒状部
４３ 第３部品
４３１ 第５端部
４３２ 第６端部
４４ 第４部品
４４１ 第７端部
４４２ 第８端部
４５ 第５部品
４５１ 第９端部
４５２ 第１０端部
４６ 第６部品
４６１ 第１１端部
４６２ 第１２端部
４７ 第７部品
４７１ 第１３端部
４７２ 第１４端部
４８ 第８部品
４８１ 第１５端部
４８２ 第１６端部
５０ 素子
５１，５２ 第１の素子
５１１ 第１ソース電極
５１２ 第１ゲート電極
５１３ 第１ソースパッド
５１４ 第１センスパッド
５２１ 第２ソース電極
５２２ 第２ゲート電極
５２３ 第２ソースパッド
５２４ 第２センスパッド
５３ 第２の素子
５３１ 第１の電極
５３２ 第２の電極
６０ 容器
７０ ワイヤ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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