(57)【要約】  フィルタ装置（１）は、圧電性を有する基板（５０）と、基板（５０）上に設けられたＩＤＴ電極（５２）を含む第１フィルタ（１０）と、基板（５０）上に設けられた端子用電極（３０ａ）と、基板（５０）上に設けられ、第１フィルタ（１０）と端子用電極（３０ａ）とをつなぐ第１の配線電極（４１）と、ＩＤＴ電極（５２）を覆うように基板（５０）上に設けられた誘電体膜（６１）とを備える。第１の配線電極（４１）の少なくとも一部は、誘電体膜（６１）に覆われていない。
2019049830.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電性を有する基板と、
前記基板上に設けられたＩＤＴ電極を含む第１フィルタと、
前記基板上に設けられた端子用電極と、
前記基板上に設けられ、前記第１フィルタと前記端子用電極とをつなぐ第１の配線電極と、
前記ＩＤＴ電極を覆うように基板上に設けられた誘電体膜と
を備え、
前記第１の配線電極の少なくとも一部は、前記誘電体膜に覆われていない
フィルタ装置。
【請求項２】
前記端子用電極は、前記誘電体膜に覆われておらず、アンテナ端子に接続される
請求項１に記載のフィルタ装置。
【請求項３】
さらに、
前記基板上に設けられ、前記ＩＤＴ電極と異なるＩＤＴ電極を含む第２フィルタと、
前記基板上に設けられ、前記第２フィルタと前記端子用電極とをつなぐ第２の配線電極と
を備え、
前記第２フィルタの前記ＩＤＴ電極は、前記誘電体膜に覆われ、
前記第２の配線電極の少なくとも一部は、前記誘電体膜に覆われていない
請求項１または２に記載のフィルタ装置。
【請求項４】
前記第１の配線電極および前記第２の配線電極のそれぞれは、全てが誘電体膜に覆われていない
請求項３に記載のフィルタ装置。
【請求項５】
前記第１の配線電極および前記第２の配線電極の前記誘電体膜に覆われていない部分は、空気層に接している
請求項３または４に記載のフィルタ装置。
【請求項６】
前記第１の配線電極上および前記第２の配線電極上には、カバー層が設けられ、
前記空気層は、前記第１の配線電極および前記第２の配線電極と、前記カバー層との間に設けられている
請求項５に記載のフィルタ装置。
【請求項７】
前記第１フィルタの前記ＩＤＴ電極および前記第２フィルタの前記ＩＤＴ電極のそれぞれは、櫛歯状であり、複数の電極指と前記複数の電極指に接続されたバスバー電極とを含む
請求項３〜６のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
【請求項８】
前記誘電体膜は、酸化ケイ素を含む
請求項１〜７のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
【請求項９】
圧電性を有する基板上に、ＩＤＴ電極を含む第１フィルタ、アンテナ端子に接続される端子用電極、および、前記第１フィルタと前記端子用電極とをつなぐ配線電極を形成する工程と、
前記ＩＤＴ電極、前記端子用電極、および、前記配線電極を覆うように前記基板上に誘電体膜を形成する工程と、
前記端子用電極上、および、前記配線電極上に形成された前記誘電体膜を除去する工程と
を含むフィルタ装置の製造方法。
【請求項１０】
圧電性を有する基板と、前記基板上に設けられた第１フィルタおよび端子用電極と、前記基板上に設けられ、前記第１フィルタと前記端子用電極とをつなぐ配線電極とを備えるフィルタ装置の製造方法であって、
前記基板上に、ＩＤＴ電極を含む前記第１フィルタ、および、前記配線電極のうちの一部の厚み部分を構成する下側配線層を形成する工程と、
前記ＩＤＴ電極および前記下側配線層を覆うように前記基板上に誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜のうち、前記配線電極の残りの厚み部分を構成する上側配線層が形成される領域および前記端子用電極が形成される領域を除去する工程と、
前記誘電体膜を除去した領域に、前記上側配線層および前記端子用電極を形成する工程と
を含むフィルタ装置の製造方法。
【請求項１１】
圧電性を有する基板と、
前記基板上に設けられた弾性波素子を含む第１フィルタと、
前記基板上に設けられた端子用電極と、
前記基板上に設けられ、前記第１フィルタと前記端子用電極とをつなぐ第１の配線電極と、
前記弾性波素子を覆うように基板上に設けられた誘電体膜と
を備え、
前記第１の配線電極の少なくとも一部は、前記誘電体膜に覆われていない
フィルタ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波素子を含むフィルタ装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の通信端末には、一端末で複数の周波数帯域および複数の無線方式、いわゆるマルチバンド化およびマルチモード化に対応することが要求されている。これに対応すべく、１つのアンテナに、複数の無線搬送周波数を有する高周波信号を分波するマルチプレクサが配置される。この種のマルチプレクサの一例として、特許文献１には、複数の弾性波素子およびＬＣ素子を使い、ローパスフィルタ、バンドパスフィルタを組み合わせたフィルタ装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１６／１１７６７６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら上記通信端末にて、例えば、ＷｉＦｉ（登録商標）帯およびＢａｎｄ７（Ｔｘ：２５００〜２５７０Ｍｚ、Ｒｘ：２６２０〜２６９０ＭＨｚ）の両方の周波数帯域を扱う場合に、フィルタ装置に相互変調歪（ＩＭＤ（Intermodulation  Distortion））や高調波歪が発生し、Ｂａｎｄ７の受信感度が低下するという問題がある。【０００５】
そこで、本発明は、弾性波素子を含むフィルタ装置においてＩＭＤや高調波歪の発生を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るフィルタ装置は、圧電性を有する基板と、前記基板上に設けられたＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極を含む第１フィルタと、前記基板上に設けられた端子用電極と、前記基板上に設けられ、前記第１フィルタと前記端子用電極とをつなぐ第１の配線電極と、前記ＩＤＴ電極を覆うように基板上に設けられた誘電体膜とを備え、前記第１の配線電極の少なくとも一部は、前記誘電体膜に覆われていない。【０００７】
このように、端子用電極に接続される第１の配線電極が誘電体膜に覆われていないことで、第１の配線電極において電流の流れが阻害されることを抑制することができる。これにより、フィルタ装置においてＩＭＤや高調波歪が発生することを抑制できる。【０００８】
また、前記端子用電極は、前記誘電体膜に覆われておらず、アンテナ端子に接続されてもよい。【０００９】
これによれば、伝送電力が大きいアンテナ端子の近辺で発生するＩＭＤや高調波歪を抑制することができる。【００１０】
フィルタ装置は、さらに、前記基板上に設けられ、前記ＩＤＴ電極と異なるＩＤＴ電極を含む第２フィルタと、前記基板上に設けられ、前記第２フィルタと前記端子用電極とをつなぐ第２の配線電極とを備え、前記第２フィルタの前記ＩＤＴ電極は、前記誘電体膜に覆われ、前記第２の配線電極の少なくとも一部は、前記誘電体膜に覆われていない。【００１１】
このように、端子用電極に接続される第２の配線電極が誘電体膜に覆われていないことで、第１の配線電極において電流の流れが阻害されることを抑制することができる。これにより、フィルタ装置においてＩＭＤや高調波歪が発生することを抑制できる。【００１２】
また、前記第１の配線電極および前記第２の配線電極のそれぞれは、全てが誘電体膜に覆われていなくてもよい。【００１３】
これによれば、フィルタ装置においてＩＭＤや高調波歪が発生することをさらに抑制することができる。【００１４】
また、前記第１の配線電極および前記第２の配線電極の前記誘電体膜に覆われていない部分は、空気層に接していてもよい。【００１５】
このように、配線電極の上記誘電体膜に覆われていない部分に、誘電体膜よりも比誘電率が小さい空気層を接するようにすることで、上記誘電体膜に覆われていない部分の配線電極において電流の流れが阻害されること抑制することができる。これにより、フィルタ装置においてＩＭＤや高調波歪が発生することをさらに抑制することができる。【００１６】
前記第１の配線電極上および前記第２の配線電極上には、カバー層が設けられ、前記空気層は、前記第１の配線電極および前記第２の配線電極と、前記カバー層との間に設けられていてもよい。【００１７】
このように、空気層を配線電極とカバー層との間に設けることで、配線電極に空気層を確実に接触させることができる。また、配線電極に空気層以外の異物が接触することを可能な限り抑制し、配線電極において電流の流れが阻害されることを抑制することができる。これにより、フィルタ装置においてＩＭＤや高調波歪が発生することを抑制できる。【００１８】
また、前記第１フィルタの前記ＩＤＴ電極および前記第２フィルタの前記ＩＤＴ電極のそれぞれは、櫛歯状であり、複数の電極指と前記複数の電極指に接続されたバスバー電極とを含んでいてもよい。【００１９】
これによれば、電極指およびバスバー電極を含むＩＤＴ電極に対して誘電体膜が形成されるので、ＩＤＴ電極の耐湿性を確実に維持しつつ、フィルタ装置においてＩＭＤや高調波歪が発生することが抑制できる。【００２０】
また、前記誘電体膜は、酸化ケイ素を含んでいてもよい。【００２１】
このように、誘電体膜が酸化ケイ素を含んでいる場合であっても、端子用電極に接続される配線電極を誘電体膜で覆わないことで、配線電極において電流の流れが阻害されることを抑制することができる。これにより、フィルタ装置においてＩＭＤや高調波歪が発生することが抑制できる。【００２２】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るフィルタ装置の製造方法は、圧電性を有する基板上に、ＩＤＴ電極を含む第１フィルタ、アンテナ端子に接続される端子用電極、および、前記第１フィルタと前記端子用電極とをつなぐ配線電極を形成する工程と、前記ＩＤＴ電極、前記端子用電極、および、前記配線電極を覆うように前記基板上に誘電体膜を形成する工程と、前記端子用電極上、および、前記配線電極上に形成された前記誘電体膜を除去する工程とを含む。【００２３】
これによれば、端子用電極に接続される配線電極に、誘電体膜で覆われていない部分を精度よく形成することができる。上記誘電体膜で覆われていない部分を精度よく形成することで、フィルタ装置においてＩＭＤや高調波歪の発生を抑制することができる。【００２４】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るフィルタ装置の製造方法は、圧電性を有する基板と、前記基板上に設けられた第１フィルタおよび端子用電極と、前記基板上に設けられ、前記第１フィルタと前記端子用電極とをつなぐ配線電極とを備えるフィルタ装置の製造方法であって、前記基板上に、ＩＤＴ電極を含む前記第１フィルタ、および、前記配線電極のうちの一部の厚み部分を構成する下側配線層を形成する工程と、前記ＩＤＴ電極および前記下側配線層を覆うように前記基板上に誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜のうち、前記配線電極の残りの厚み部分を構成する上側配線層が形成される領域および前記端子用電極が形成される領域を除去する工程と、前記誘電体膜を除去した領域に、前記上側配線層および前記端子用電極を形成する工程とを含む。【００２５】
これによれば、配線電極に、誘電体膜で覆われていない部分を精度よく形成することができる。上記誘電体膜で覆われていない部分を精度よく形成することで、フィルタ装置においてＩＭＤや高調波歪の発生を抑制することができる。【００２６】
また、上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るフィルタ装置は、圧電性を有する基板と、前記基板上に設けられた弾性波素子を含む第１フィルタと、前記基板上に設けられた端子用電極と、前記基板上に設けられ、前記第１フィルタと前記端子用電極とをつなぐ第１の配線電極と、前記弾性波素子を覆うように基板上に設けられた誘電体膜とを備え、前記第１の配線電極の少なくとも一部は、前記誘電体膜に覆われていない。【００２７】
このように、端子用電極に接続される第１の配線電極を露出させることで、第１の配線電極において電流の流れが阻害されることを抑制することができる。これにより、フィルタ装置においてＩＭＤや高調波歪が発生することを抑制できる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明は、フィルタ装置においてＩＭＤや高調波歪の発生を抑制する。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】図１は、実施の形態に係るフィルタ装置の基本的な回路構成図である。
【図２】図２は、実施の形態に係るフィルタ装置の具体的な回路構成図である。
【図３】図３は、実施の形態に係るフィルタ装置の弾性波素子を構成するＩＤＴ電極を模式的に示す図である。
【図４Ａ】図４Ａは、実施の形態に係るフィルタ装置の電極レイアウトであって、電極上に誘電体膜が設けられる前の状態を示す平面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、実施の形態に係るフィルタ装置の電極レイアウトであって、誘電体膜が設けられ、かつ、配線電極の一部が露出している状態を示す平面図である。
【図５】図５は、実施の形態に係るフィルタ装置を、図４ＢのＶ−Ｖ線で切断した断面を模式的に示す図である。
【図６】図６は、実施の形態に係るフィルタ装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図７】図７は、実施の形態に係るフィルタ装置の製造方法の一部を模式的に示す図である。
【図８】図８は、実施の形態のフィルタ装置にて発生する２次のＩＭＤ（相互変調歪）を示す図である。
【図９】図９は、実施の形態の変形例１に係るフィルタ装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図１０】図１０は、実施の形態の変形例１に係るフィルタ装置の製造方法の一部を模式的に示す図である。
【図１１】図１１は、実施の形態の変形例２に係るフィルタ装置の弾性波素子を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
［１．本発明に至る背景］
まず、図１を参照しながら、本発明に至る背景について説明する。図１は、実施の形態に係るフィルタ装置１の基本的な回路構成図である。
【００３１】
フィルタ装置１は、第１フィルタ１０および第２フィルタ２０を備えている。第１フィルタ１０は、配線ｗ１および配線ｗ０を介してアンテナ端子Ｔａに接続されている。第２フィルタ２０は、配線ｗ２および配線ｗ０を介してアンテナ端子Ｔａに接続されている。第１フィルタ１０および第２フィルタ２０は、配線ｗ１と配線ｗ２とが結線されている接続点ｃｐ１にて互いに接続されている。
【００３２】
第１フィルタ１０および第２フィルタ２０は、例えばＳＡＷ（Surface  Acoustic  Wave）フィルタなどの弾性波素子を含み、この弾性波素子は、ＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極によって形成される。また、配線ｗ０〜ｗ２は、配線電極によって形成される。
【００３３】
フィルタ装置１は、携帯電話などの通信機器を構成する通信装置９に設けられる。フィルタ装置１は、例えば、２．４ＧＨｚ帯ＷｉＦｉ、ミドルバンド帯およびハイバンド帯を分波するマルチプレクサである。フィルタ装置１は、例えば、第１フィルタ１０に、Ｂａｎｄ７（送信周波数ｆ２ｔ：２５００〜２５７０ＭＨｚ、受信周波数ｆ２ｒ：２６２０〜２６９０ＭＨｚ）の高周波信号が入出力され、第２フィルタ２０に、２．４ＧＨｚ帯ＷｉＦｉ（周波数ｆｘ：２４０１〜２４８３ＭＨｚ）の高周波信号が入出力される。具体的には、第１フィルタ１０は、周波数ｆ２ｔおよび周波数ｆ２ｒの高周波信号を通過させ、また、第２フィルタ２０は、周波数ｆｘの高周波信号を通過させる。なお、第１フィルタ１０は、周波数ｆｘの高周波信号の通過を阻止する帯域阻止フィルタを含んでいる。
【００３４】
図１に示す基本構成を有するフィルタ装置１の場合、同じ通信機器内の他のアンテナ端子から出力されてアンテナ端子Ｔａに入力する５ＧＨｚＷｉＦｉ（周波数ｆ１：５１５０〜５８５０ＭＨｚ）の信号と、第１フィルタ１０を介して出力されるＢａｎｄ７の送信周波数ｆ２ｔの信号とによって相互変調歪（ＩＭＤ（Intermodulation  Distortion））が発生することがある。
【００３５】
特に、フィルタ装置１が、入力と出力との関係において非線形性を有する圧電基板で構成された場合、当該圧電基板上に配置された引き回し配線からＩＭＤが発生しやすくなると考えられる。また、アンテナ端子Ｔａに接続される配線ｗ０〜ｗ２には送信信号が伝搬される時に大きな電力が伝送されるため、アンテナ端子Ｔａの近辺にはＩＭＤが発生しやすくなると考えられる。また、弾性波素子を構成するＩＤＴ電極上には、温度特性の改善または耐湿性の向上を目的として、ＳｉＯ２を含む誘電体膜が形成されるが、この誘電体膜は、ＩＤＴ電極上だけでなく、上記配線ｗ０〜ｗ２を構成する配線電極上にも形成される。高周波信号が配線電極を伝搬する際、配線電極の表面付近に電流が集中するため、例えば、配線電極の表面に誘電体膜などの異物が接していると電流の流れが阻害され、ＩＭＤなどの歪が発生しやすくなると考えられる。
【００３６】
これらの場合に発生するＩＭＤの周波数は、例えば、２次のＩＭＤ（ｆ１−ｆ２ｔ）（周波数：２５８０〜３３５０ＭＨｚ）であり、ＩＭＤ（ｆ１−ｆ２ｔ）の一部が、Ｂａｎｄ７の受信周波数ｆ２ｒと一致する。そのため、発生したＩＭＤ（ｆ１−ｆ２ｔ）は第１フィルタ１０で阻止されずに通過する。これによって、Ｂａｎｄ７の受信感度が低下する。
【００３７】
本実施の形態のフィルタ装置１は、例えば、アンテナ端子Ｔａと第１フィルタ１０との間の配線電極の一部、および、アンテナ端子Ｔａと第２フィルタ２０との配線電極の一部のうち少なくとも一方を、誘電体膜で覆わないことで、ＩＭＤなどの歪が発生することを抑制する構成となっている。
【００３８】
以下、本発明の実施の形態について、実施の形態および図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。
【００３９】
［２．フィルタ装置の構成］
図２を参照しながら、実施の形態に係るフィルタ装置１の構成について説明する。図２は、フィルタ装置１の具体的な回路構成図である。
【００４０】
フィルタ装置１は、アンテナ２に接続されるアンテナ端子Ｔａと、第１フィルタ１０から見てアンテナ端子Ｔａの反対側に設けられる第１端子Ｔ１と、第２フィルタ２０から見てアンテナ端子Ｔａの反対側に設けられる第２端子Ｔ２とを備えている。例えば、第１端子Ｔ１は、Ｂａｎｄ７に関する信号処理回路に接続される端子であり、第２端子Ｔ２は、２．４ＧＨｚ帯ＷｉＦｉに関する信号処理回路に接続される端子である。
【００４１】
すなわち、第１フィルタ１０は、アンテナ端子Ｔａと第１端子Ｔ１とを結ぶ経路上に設けられ、第２フィルタ２０は、アンテナ端子Ｔａと第２端子Ｔ２とを結ぶ経路上に設けられている。第１フィルタ１０および第２フィルタ２０は、接続点ｃｐ１にて互いに接続されている。また、アンテナ端子Ｔａと接続点ｃｐ１との間には、インダクタＬ１がシャント接続されている。
【００４２】
第１フィルタ１０は、直列共振子ＮＳ１およびＮＳ２を有している。直列共振子ＮＳ１、ＮＳ２のそれぞれは、第１端子Ｔ１と接続点ｃｐ１との間の経路上に設けられている。また、第１フィルタ１０は、並列共振子ＮＰ１と、並列共振子ＮＰ１に並列接続されたインダクタＬ２とを有している。並列共振子ＮＰ１の一端は、直列共振子ＮＳ１、ＮＳ２の間の接続点ｃｐ２に接続され、他端はインダクタＬ３を介してグランドに接続されている。
【００４３】
第２フィルタ２０は、直列共振子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４およびＳ５を有している。直列共振子Ｓ１〜Ｓ５のそれぞれは、第２端子Ｔ２と接続点ｃｐ１との間の経路上に設けられている。また、第２フィルタ２０は、並列共振子Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３およびＰ４を有している。並列共振子Ｐ１の一端は、直列共振子Ｓ１、Ｓ２の間の接続点ｃｐ３に接続され、他端はグランドに接続されている。並列共振子Ｐ２の一端は、直列共振子Ｓ２、Ｓ３の間の接続点ｃｐ４に接続され、並列共振子Ｐ３の一端は、直列共振子Ｓ３、Ｓ４の間の接続点ｃｐ５に接続され、並列共振子Ｐ４の一端は、直列共振子Ｓ４、Ｓ５の間の接続点ｃｐ６に接続されている。並列共振子Ｐ２〜Ｐ４の他端は互いに結線され、グランドに接続されている。
【００４４】
直列共振子ＮＳ１、ＮＳ２、Ｓ１〜Ｓ５および並列共振子ＮＰ１、Ｐ１〜Ｐ４のそれぞれは、弾性波素子であり、ＩＤＴ電極を有している。
【００４５】
図３を参照しながら、弾性波素子を構成するＩＤＴ電極５２について説明する。図３は、弾性波素子を構成するＩＤＴ電極５２を模式的に表す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。なお、ＩＤＴ電極５２は、弾性波素子の典型的な構造を説明するためのものであって、電極を構成する電極指の本数や長さなどは、これに限定されない。
【００４６】
図３の（ａ）に示すように、ＩＤＴ電極５２は、櫛歯状であり、互いに対向する一組のＩＤＴ電極５２０ａおよび５２０ｂを有している。ＩＤＴ電極５２０ａは、互いに平行な複数の電極指５２２ａと、複数の電極指５２２ａを接続するバスバー電極５２１ａとで構成されている。ＩＤＴ電極５２０ｂは、互いに平行な複数の電極指５２２ｂと、複数の電極指５２２ｂを接続するバスバー電極５２１ｂとで構成されている。複数の電極指５２２ａ、５２２ｂは、弾性波の伝搬方向と直交する方向に沿って形成されている。すなわち、電極指５２２ａ、５２２ｂは、弾性波の伝搬方向に並んで形成されている。以下、バスバー電極５２１ａ、５２１ｂのうちの一部または全部を指してバスバー電極５２１と呼ぶ場合がある。また、電極指５２２ａ、５２２ｂのうちの一部または全部を指して電極指５２２と呼ぶ場合がある。
【００４７】
図３の（ｂ）に示すように、ＩＤＴ電極５２は、基板５０の主面５０ａ側に設けられている。ＩＤＴ電極５２は、密着層５２３と主電極層５２４との積層構造になっている。例えば、密着層５２３としてはＴｉ（厚み１２ｎｍ）が用いられる。例えば、主電極層５２４としては、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｎｉ等の金属または合金、あるいは、それら金属または合金の積層体から構成される。本実施の形態における主電極層５２４は、Ｃｕを１％含有したＡｌ（厚み１６２ｎｍ）が用いられる。誘電体膜６１は、例えば、二酸化ケイ素を主成分とする保護膜であり、ＩＤＴ電極５２を覆うように形成される。誘電体膜６１の厚みは、例えば、２５ｎｍである。なお、誘電体膜６１は、窒化ケイ素を主成分とする保護膜であってもよい。基板５０は、例えば、ＬｉＴａＯ３圧電単結晶、ＬｉＮｂＯ３圧電単結晶、または圧電セラミックスからなる。
【００４８】
図４Ａおよび図４Ｂを参照しながら、フィルタ装置１の具体的な構造について説明する。図４Ａは、フィルタ装置１の電極レイアウトであって、電極上に誘電体膜６１が設けられる前の状態を示す平面図である。
【００４９】
図４Ａにおいて、配線電極４１は図２に示す配線ｗ１に相当し、配線電極４２は図２に示す配線ｗ２に相当し、端子用電極３０ａは図２に示す接続点ｃｐ１に相当する。以下、各共振子Ｓ１〜Ｓ５、Ｐ１〜Ｐ４、ＮＳ１、ＮＳ２、ＮＰ１の配置等について説明する。なお、図４Ａにおいて、各ＩＤＴ電極５２の電極指５２２から見て、Ｙ軸負方向に位置するバスバー電極を一方のバスバー電極と呼び、Ｙ軸正方向に位置するバスバー電極を他方のバスバー電極と呼ぶ場合がある。
【００５０】
図４Ａに示すように、基板５０上には、第１フィルタ１０を構成する直列共振子ＮＳ１、ＮＳ２および並列共振子ＮＰ１と、第２フィルタ２０を構成する直列共振子Ｓ１〜Ｓ５および並列共振子Ｐ１〜Ｐ４とが形成されている。また、基板５０上には、アンテナ端子Ｔａに接続される端子用電極３０ａと、第１端子Ｔ１に接続される入出力用電極３１と、第２端子Ｔ２に接続される入出力用電極３２と、４つのグランド端子に対応して接続される４つのグランド用電極３５ｇ、３６ｇ、３７ｇ、３８ｇとが形成されている。端子用電極３０ａ、入出力用電極３１、３２およびグランド用電極３５ｇ〜３８ｇのそれぞれは、基板５０の外周付近に設けられている。
【００５１】
図４Ａにおいて、基板５０の左側（Ｘ軸負方向）領域には、直列共振子ＮＳ１、ＮＳ２、並列共振子ＮＰ１を構成する各ＩＤＴ電極５２が形成されている。直列共振子ＮＳ１のＩＤＴ電極５２のうち一方のバスバー電極５２１ａは、第１の配線電極４１を介して端子用電極３０ａに接続され、他方のバスバー電極５２１ｂは、配線電極４５を介してグランド用電極３５ｇに接続されている。直列共振子ＮＳ２のＩＤＴ電極５２のうち、一方のバスバー電極は配線電極４９を介して直列共振子ＮＳ１の他方のバスバー電極５２１ｂに接続され、他方のバスバー電極は配線電極４３を介して入出力用電極３１に接続されている。
【００５２】
並列共振子ＮＰ１のＩＤＴ電極５２のうち、一方のバスバー電極は直列共振子ＮＳ１の他方のバスバー電極５２１ｂに接続され、他方のバスバー電極は配線電極４６を介してグランド用電極３６ｇに接続されている。
【００５３】
なお、図２に示したインダクタＬ１〜Ｌ３は、後述するカバー層６６上に形成されていてもよいし（図示省略）、基板５０と異なる他の基板に設けられていてもよい。
【００５４】
図４Ａにおいて、基板５０の中央および右側（Ｘ軸正方向）領域には、直列共振子Ｓ１〜Ｓ５、並列共振子Ｐ１〜Ｐ４を構成する各ＩＤＴ電極５２が形成されている。直列共振子Ｓ１のＩＤＴ電極５２のうち、一方のバスバー電極は直列共振子Ｓ２の他方のバスバー電極に接続され、他方のバスバー電極は配線電極４４を介して入出力用電極３２に接続されている。直列共振子Ｓ２のＩＤＴ電極５２のうち、一方のバスバー電極は直列共振子Ｓ３の他方のバスバー電極に接続され、他方のバスバー電極は直列共振子Ｓ１の一方のバスバー電極に接続されている。直列共振子Ｓ３のＩＤＴ電極５２のうち、一方のバスバー電極は直列共振子Ｓ４の他方のバスバー電極に接続され、他方のバスバー電極は直列共振子Ｓ２の一方のバスバー電極に接続されている。直列共振子Ｓ４のＩＤＴ電極５２のうち、一方のバスバー電極は直列共振子Ｓ５の他方のバスバー電極５２１ｂに接続され、他方のバスバー電極は直列共振子Ｓ３の一方のバスバー電極に接続されている。直列共振子Ｓ５のＩＤＴ電極５２のうち一方のバスバー電極５２１ａは、第２の配線電極４２を介して端子用電極３０ａに接続され、他方のバスバー電極５２１ｂは直列共振子Ｓ４の一方のバスバー電極に接続されている。
【００５５】
また、並列共振子Ｐ１のＩＤＴ電極５２のうち、一方のバスバー電極は配線電極４９を介して直列共振子Ｓ１の一方のバスバー電極に接続され、他方のバスバー電極は、配線電極４７を介してグランド用電極３７ｇに接続されている。並列共振子Ｐ２のＩＤＴ電極５２のうち、一方のバスバー電極は配線電極４９を介して直列共振子Ｓ２の一方のバスバー電極に接続され、他方のバスバー電極は、配線電極４８を介してグランド用電極３８ｇに接続されている。並列共振子Ｐ３のＩＤＴ電極５２のうち、一方のバスバー電極は配線電極４９を介して直列共振子Ｓ３の一方のバスバー電極に接続され、他方のバスバー電極は、配線電極４８を介してグランド用電極３８ｇに接続されている。並列共振子Ｐ４のＩＤＴ電極５２のうち、一方のバスバー電極は配線電極４９を介して直列共振子Ｓ４の一方のバスバー電極に接続され、他方のバスバー電極は、配線電極４８を介してグランド用電極３８ｇに接続されている。
【００５６】
図４Ｂは、フィルタ装置１の電極レイアウトであって、誘電体膜６１が設けられ、かつ、配線電極４１、４２の一部が露出している状態を示す平面図である。
【００５７】
図４Ｂに示すように、基板５０の主面５０ａには、各フィルタを構成している共振子における各ＩＤＴ電極５２を覆うように、誘電体膜６１が形成されている。具体的には、誘電体膜６１は、ＩＤＴ電極５２の電極指５２２、バスバー電極５２１、基板５０の主面５０ａおよび配線電極４３〜４９を覆うように設けられている。本実施の形態では、第１の配線電極４１の一部と、第２の配線電極４２の一部とが、誘電体膜６１に覆われておらず露出している。言い換えれば、第１の配線電極４１および第２の配線電極４２のそれぞれは、誘電体膜６１に覆われていない露出部Ｅ１を有している。なお、配線電極４３〜４８のそれぞれは、入出力用電極３１、３２およびグランド用電極３５ｇ〜３８ｇの近辺において誘電体膜６１に覆われていない部分を有するが、これら誘電体膜６１に覆われていない部分は、後述する支持層６５によって覆われ、露出していない構造となっている。
【００５８】
次に、図５の断面図を参照しながら、誘電体膜６１および露出部Ｅ１の形成箇所について説明する。図５は、フィルタ装置１を、図４ＢのＶ−Ｖ線で切断した断面を模式的に示す図である。
【００５９】
図５に示すように、フィルタ装置１は、ＩＤＴ電極５２と、配線電極４１および４３と、端子用電極３０ａと、入出力用電極３１とを有している。また、フィルタ装置１は、基板５０と、支持層６５と、カバー層６６と、ビア電極６７とを有している。
【００６０】
基板５０は、前述したように、ＬｉＴａＯ３圧電単結晶、ＬｉＮｂＯ３圧電単結晶、または圧電セラミックスからなる。本実施の形態において、基板５０は、例えば上から順に、５０°のカット角を有するＬｉＴａＯ３圧電層（厚み６００ｎｍ）、低音速膜であるＳｉＯ２層（厚み６７０ｎｍ）、および、Ｓｉ材料を含む支持基板（厚み２００μｍ）によって形成されている。支持基板は、高音速膜としての機能を兼ね備えている。
【００６１】
支持層６５は、ＩＤＴ電極５２および配線電極４１〜４９の高さよりも高い層であり、基板５０の主面５０ａのうちＩＤＴ電極５２が設けられた領域の周囲に立設されている。支持層６５は、例えば、ポリイミド、エポキシ、ベンゾシクロブテン（Ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ：ＢＣＢ）、ポリベンゾオキサゾール（Ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ：ＰＢＯ）、樹脂および酸化珪素の少なくとも一つを含む材料から構成される。
【００６２】
カバー層６６は、ポリイミド、エポキシ、ＢＣＢ、ＰＢＯ、樹脂および酸化珪素の少なくとも一つを含む材料から構成される。カバー層６６は、支持層６５の上に配置され、かつ、空気層６８を介してＩＤＴ電極５２を覆っている。このように、フィルタ装置１には、基板５０と、基板５０の周囲に立設された支持層６５と、支持層６５の上に配置されたカバー層６６とによって包囲された空気層６８が形成されている。空気層６８の比誘電率は、誘電体膜６１の比誘電率よりも小さいので、例えば、配線電極４１、４２上に空気層６８が存在する場合、配線電極４１、４２中を伝搬する高周波信号の流れが阻害されにくくなり、ＩＭＤなどが発生しにくくなる。
【００６３】
ビア電極６７は、支持層６５およびカバー層６６を貫通するように形成された柱状電極であり、配線電極４１〜４８と外部端子（アンテナ端子Ｔａ、第１端子Ｔ１、第２端子Ｔ３、グランド端子）とを接続する配線経路である。
【００６４】
ＩＤＴ電極５２は、弾性波を励振する電極であり、基板５０の主面５０ａに設けられている。なお、基板５０とＩＤＴ電極５２との間に、シリコン酸化膜などが形成されていてもよい。
【００６５】
ＩＤＴ電極５２の電極指５２２およびバスバー電極５２１上には、前述した誘電体膜６１が形成されている。バスバー電極５２１は、電気抵抗を小さくするため、電極指５２２よりも厚く形成される。同様に、配線電極４１、４３および端子用電極３０ａおよび入出力用電極３１は、電気抵抗を小さくするため、電極指５２２よりも厚く形成される。
【００６６】
図５の破断線の左側（Ｙ軸正方向）に示すように、直列共振子ＮＳ２のＩＤＴ電極５２のバスバー電極５２１ｂは、配線電極４３を介して入出力用電極３１に接続される。入出力用電極３１は、ビア電極６７を介して第１端子Ｔ１に接続されている。配線電極４３には誘電体膜６１が形成されている。
【００６７】
図５の破断線の右側（Ｙ軸負方向）に示すように、直列共振子ＮＳ１のＩＤＴ電極５２のバスバー電極５２１ａは、配線電極４１を介して端子用電極３０ａに接続される。端子用電極３０ａは、ビア電極６７を介してアンテナ端子Ｔａに接続される。本実施の形態では、前述したように、配線電極４１上には誘電体膜６１が形成されておらず、配線電極４１は露出している。すなわち、フィルタ装置１は、アンテナ端子Ｔａの反対側に配置されている配線電極４３は露出部Ｅ１を有していないが、アンテナ端子Ｔａ側に配置されている配線電極４１は露出部Ｅ１を有する構造となっている。
【００６８】
［３．フィルタ装置の製造方法］
図６および図７を参照しながら、実施の形態に係るフィルタ装置１の製造方法について説明する。図６は、フィルタ装置１の製造方法を示すフローチャートである。図７は、フィルタ装置１の製造方法の一部を模式的に示す図である。この例では、基板５０として、ＬｉＴａＯ３圧電基板を用いた場合について説明する。また、この例では、第１フィルタ１０および第２フィルタ２０のうち、第１フィルタ１０を例に挙げてフィルタ装置１の製造方法を説明する。
【００６９】
まず、図７の（ａ）に示すように、基板５０上にＩＤＴ電極５２を含む第１フィルタ１０、端子用電極３０ａおよび配線電極４１を形成する（Ｓ１１）。これら端子用電極３０ａおよび配線電極４１は、電気抵抗を小さくするため、電極指５２２を成膜した後に、さらに追加で成膜を行う。
【００７０】
次に、図７の（ｂ）に示すように、ＩＤＴ電極５２、端子用電極３０ａおよび配線電極４１を覆うように、基板５０の主面５０ａの全面に誘電体膜６１を形成する（Ｓ１２）。誘電体膜６１は、例えばスパッタまたは蒸着によって形成される。
【００７１】
次に、図７の（ｃ）に示すように、基板５０上に形成した誘電体膜６１の一部を除去する（Ｓ１３）。具体的には、端子用電極３０ａ上および配線電極４１上に形成された誘電体膜６１をエッチングによって除去する。これによって、配線電極４１上に露出部Ｅ１を形成する。
【００７２】
次に、基板５０上に支持層６５を形成する（Ｓ１４）。支持層６５は、例えば、基板５０上に樹脂を塗布することによって形成される。具体的には、支持層６５は、フォトリソグラフィー法により基板５０の主面５０ａに設けられる。
【００７３】
次に、支持層６５上にカバー層６６を形成する（Ｓ１５）。カバー層６６は、例えばシート状のポリイミド樹脂であり、接着によって支持層６５に貼り付けられる（図示省略）。これにより、ＩＤＴ電極５２とのカバー層６６との間に空気層６８が形成される。
【００７４】
次に、支持層６５およびカバー層６６に複数のビア電極６７を形成する（Ｓ１６）。具体的には、支持層６５およびカバー層６６にビア穴を形成した後、ビア穴に導電材料を充填することで、ビア電極６７を形成する。ビア穴は、フォトリソグラフィー法により形成してもよいし、レーザ加工により形成してもよい。導電材料は、例えばめっき、蒸着、スパッタなどの方法によって、ビア穴に埋め込まれてもよい。
【００７５】
次に、形成した複数のビア電極６７に外部端子を形成する（Ｓ１７）。具体的には、複数のビア電極６７のそれぞれに対応させて、アンテナ端子Ｔａ、第１端子Ｔ１、第２端子Ｔ２およびグランド端子を形成する。これらステップＳ１１〜Ｓ１７示す工程によって、フィルタ装置１が形成される。
【００７６】
［４．効果等］
図８を参照しながら、実施の形態のフィルタ装置１の効果について説明する。図８は、フィルタ装置１にて発生する２次のＩＭＤを示す図である。図８における「実施の形態」は前述した構成を有するフィルタ装置１である。図８における「比較例」は、配線電極４１、４２の全てを誘電体膜６１で覆った例である。なお、比較例では、配線電極４１、４２を基板５０に直接作成している。
【００７７】
実施の形態および比較例にて測定した周波数の範囲は、Ｂａｎｄ７の受信周波数ｆ２ｒと同じである。そして、Ｂａｎｄ７として第１端子Ｔ１に２３ｄＢｍの信号を入力し、また、５ＧＨｚ帯ＷｉＦｉとしてアンテナ端子Ｔａに５ｄＢｍの信号を入力した。そして、これらの信号によって、第１端子Ｔ１に出力される２次のＩＭＤを測定した。
【００７８】
図８に示すように実施の形態は、比較例に比べて、２次のＩＭＤが全体的に小さくなり、平均して約２ｄＢｍ小さくなっている。
【００７９】
本実施の形態に係るフィルタ装置１は、圧電性を有する基板５０と、基板５０上に設けられたＩＤＴ電極５２を含む第１フィルタ１０と、基板５０上に設けられた端子用電極３０ａと、基板５０上に設けられ、第１フィルタ１０と端子用電極３０ａとをつなぐ第１の配線電極４１と、ＩＤＴ電極５２を覆うように基板５０上に設けられた誘電体膜６１とを備える。第１の配線電極４１の少なくとも一部は、誘電体膜６１に覆われておらず露出している。このように、端子用電極３０ａに接続される第１の配線電極４１を露出させることで、第１の配線電極４１において電流の流れが阻害されることを抑制することができる。これにより、フィルタ装置１においてＩＭＤや高調波歪が発生することを抑制できる。
【００８０】
［５．変形例１］
図９および図１０を参照しながら、実施の形態の変形例１に係るフィルタ装置１の製造方法について説明する。図９は、変形例１のフィルタ装置１の製造方法を示すフローチャートである。図１０は、変形例１のフィルタ装置１の製造方法一部を模式的に示す図である。この変形例１では、基板５０として、ＬｉＮｂＯ３圧電基板を用いた場合について説明する。また、この変形例１では、第１フィルタ１０および第２フィルタ２０のうち、第１フィルタ１０を例に挙げてフィルタ装置１の製造方法を説明する。
【００８１】
図９の（ａ）に示すように、基板５０にＩＤＴ電極５２および下側配線層４１ａ、４３ａを形成する（Ｓ１１Ａ）。下側配線層４１ａは、配線電極４１のうちの一部の厚みを構成する部分である。下側配線層４３ａは、配線電極４３のうちの一部の厚みを構成する部分である。
【００８２】
次に、図９の（ｂ）に示すように、ＩＤＴ電極５２および下側配線層４１ａ、４３ａを覆うように、基板５０の主面５０ａの全面に誘電体膜６１を形成する（Ｓ１２Ａ）。誘電体膜６１は、例えばスパッタまたは蒸着によって形成される。
【００８３】
次に、図９の（ｃ）に示すように、基板５０上に形成した誘電体膜６１の一部を除去する（Ｓ１３Ａ）。具体的には、上側配線層４１ｂ、４３ｂが形成される領域および端子用電極３０ａ、入出力用電極３１が形成される領域の誘電体膜６１をエッチングによって除去する。なお、上側配線層４１ｂとは、配線電極４１のうちの残りの厚み部分を構成する部分である。上側配線層４３ｂとは、配線電極４３のうちの残りの厚み部分を構成する部分である。上側配線層４１ｂ、４３ｂの厚みは、下側配線層４１ａ、４３ａの厚みよりも大きい。
【００８４】
次に、誘電体膜６１を除去した領域に、上側配線層４１ｂ、４３ｂおよび端子用電極３０ａ、入出力用電極３１を形成する（Ｓ１３Ｂ）。これにより配線電極４１における露出部Ｅ１を形成する。また、配線電極４３にも露出部が形成される。
【００８５】
次に、実施の形態と同様に、基板５０上に支持層６５を形成し（Ｓ１４）、支持層６５上にカバー層６６を形成する（Ｓ１５）。また、支持層６５およびカバー層６６に複数のビア電極６７を形成し（Ｓ１６）、複数のビア電極６７に外部端子を形成する（Ｓ１７）。これらステップＳ１１Ａ〜Ｓ１７示す工程によって、変形例１のフィルタ装置１が形成される。なお、上記では第１フィルタ１０を例に挙げて説明したが、第２フィルタ２０についても同様に形成される。
【００８６】
［６．変形例２］
図１１を参照しながら、実施の形態の変形例２に係るフィルタ装置１について説明する。変形例２の弾性波素子は、バルク波の厚み縦振動を利用する圧電薄膜共振子である点で、表面波を利用する実施の形態１の弾性波素子と異なる。
【００８７】
図１１は、変形例２に係るフィルタ装置１の弾性波素子２０１を模式的に示す図である。
【００８８】
図１１に示すように、弾性波素子２０１が構成されている部分では、基板２０２上に音響反射層２０８、薄膜積層部２０９及び誘電体膜６１がこの順序で積層されている。
【００８９】
誘電体膜６１は、例えば、二酸化ケイ素を主成分とする保護膜であり、後述する他方電極層２０５および圧電体層２０３を覆うように形成される。なお、誘電体膜６１は、窒化ケイ素を主成分とする保護膜であってもよいし、窒化アルミニウムを主成分とする保護膜であってもよい。
【００９０】
音響反射層２０８は、相対的に音響インピーダンスが低い材料からなる第１の音響インピーダンス層２０８ａ〜２０８ｃと、相対的に音響インピーダンスが高い材料からなる第２の音響インピーダンス層２０８ｄ、２０８ｅとを交互に積層した構造を有する。すなわち、後述する圧電振動部から基板２０２側に向かって、第１の音響インピーダンス層２０８ａ、第２の音響インピーダンス層２０８ｄ、第１の音響インピーダンス層２０８ｂ、第２の音響インピーダンス層２０８ｅ、第１の音響インピーダンス層２０８ｃの順序で、音響インピーダンス層２０８ａ〜２０８ｅが積層されている。
【００９１】
上記第１の音響インピーダンス層２０８ａ〜２０８ｃ及び第２の音響インピーダンス層２０８ｄ、２０８ｅは、適宜の無機材料または有機材料により形成することができる。
【００９２】
例えば、第１の音響インピーダンス層２０８ａ〜２０８ｃは、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯＣなどの無機材料、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリイミドなどのような高分子材料のような有機材料により形成することができる。また、第２の音響インピーダンス層２０８ｄ、２０８ｅは、例えば、Ｗ、Ｉｒ、ＰｔもしくはＭｏなどの金属またはＡｌＮ、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３もしくはＴａ２Ｏ５などの無機化合物、あるいは適宜の有機材料を挙げることができる。
【００９３】
音響反射層２０８上には、前述した薄膜積層部２０９が積層されている。薄膜積層部２０９は、分極軸が厚み方向に揃っている圧電体層２０３と、圧電体層２０３の下面２０３ａ側（音響反射層２０８が存在する側）に設けられた一方電極層２０４と、圧電体層２０３の上面２０３ｂ側に設けられた他方電極層２０５とを備える。弾性波素子２０１では、一方電極層２０４または他方電極層２０５の厚みを変えることで、共振周波数を変えることができる。
【００９４】
圧電体層２０３は、圧電性を示す適宜の圧電単結晶または圧電セラミックスからなる。このような圧電材料としては、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３、ＫＮｂＯ３またはチタン酸ジルコン酸鉛系圧電性セラミックスなどを挙げることができる。
【００９５】
一方電極層２０４及び他方電極層２０５は、適宜の導電性材料からなる。このような導電性材料としては、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａなどの適宜の金属もしくはこれらの金属の合金を挙げることができる。また、一方電極層２０４及び他方電極層２０５、これらの金属もしくは合金からなる金属膜を複数積層した積層金属膜からなるものであってもよい。
【００９６】
本変形例では、一方電極層２０４と他方電極層２０５とが圧電体層２０６を介して重なり合っている部分によって、圧電振動部が構成されている。一方電極層２０４及び他方電極層２０５に交流電界が印加されると、圧電振動部に電界が印加されて、圧電振動部が励振される。これにより、エネルギー閉じ込め型の厚み縦振動を利用した共振特性を得ることができる。
【００９７】
変形例２に係るフィルタ装置１は、圧電性を有する基板５０と、基板５０上に設けられた弾性波素子２０１を含む第１フィルタ１０と、基板５０上に設けられた端子用電極３０ａと、基板５０上に設けられ、第１フィルタ１０と端子用電極３０ａとをつなぐ第１の配線電極４１と、弾性波素子２０１を覆うように基板５０上に設けられた誘電体膜６１とを備える。第１の配線電極４１の少なくとも一部は、誘電体膜６１に覆われておらず露出している。このように、端子用電極３０ａに接続される第１の配線電極４１を露出させることで、第１の配線電極４１において電流の流れが阻害されることを抑制することができる。これにより、変形例２のフィルタ装置１においてＩＭＤや高調波歪が発生することを抑制できる。
【００９８】
（その他の形態など）
以上、本発明の実施の形態に係るフィルタ装置１について説明したが、本発明は、上記実施の形態には限定されない。例えば、上記実施の形態に次のような変形を施した態様も、本発明に含まれ得る。
【００９９】
例えば、実施の形態１の図４Ｂでは、各配線電極４１、４２の少なくとも一部が露出している状態であるが、それに限られず、平面視した場合に、配線電極４１、４２の全てが露出していてもよい。
【０１００】
例えば、弾性波素子は、弾性表面波共振子に限られず、弾性境界波共振子であってもよい。
【０１０１】
例えば、本実施の形態ではフィルタ装置として、複数の送受信フィルタを束ねたマルチプレクサを例に挙げて説明したが、フィルタ装置１は、送信フィルタおよび受信フィルタを束ねたデュプレクサであってもよいし、複数の受信フィルタを束ねたマルチプレクサであってもよい。
【０１０２】
例えば、本実施の形態は、ＷｉＦｉ用の通信機器に限られず、ＧＰＳ信号とセルラー帯との信号を分波するＧＰＳ分波器、Ｂａｎｄ２５とＢａｎｄ６６、また、Ｂａｎｄ１と３ＤＰＸ（３デュプレクサ）を組み合わせたクワッドプレクサ、さらに束ねるフィルタ数を増やしたマルチプレクサにおいても、適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
本発明は、マルチバンド化およびマルチモード化された周波数規格に適用できるフィルタ装置として、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
【符号の説明】
【０１０４】
１        フィルタ装置
２        アンテナ
９        通信装置
１０      第１フィルタ
２０      第２フィルタ
３０ａ    端子用電極
３５ｇ、３６ｇ、３７ｇ、３８ｇ  グランド用電極
３１、３２  入出力用電極
４１      第１の配線電極
４１ａ    下側配線層
４１ｂ    上側配線層
４２      第２の配線電極
４３、４４、４５、４６、４７、４８、４９  配線電極
５０      基板
５０ａ    主面
５２      ＩＤＴ電極
６１      誘電体膜
６５      支持層
６６      カバー層
６７      ビア電極
６８      空気層
５２０ａ、５２０ｂ  ＩＤＴ電極
５２１、５２１ａ、５２１ｂ  バスバー電極
５２２、５２２ａ、５２２ｂ  電極指
５２３    密着層
５２４    主電極層
ｃｐ１、ｃｐ２、ｃｐ３、ｃｐ４、ｃｐ５、ｃｐ６  接続点
Ｅ１      露出部
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３  インダクタ
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、ＮＰ１  並列共振子
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、ＮＳ１、ＮＳ２  直列共振子
Ｔａ      アンテナ端子
Ｔ１      第１端子
Ｔ２      第２端子
ｗ０、ｗ１、ｗ２  配線
【図１】
2019049830.tif 000003
【図２】
2019049830.tif 000004
【図３】
2019049830.tif 000005
【図４Ａ】
2019049830.tif 000006
【図４Ｂ】
2019049830.tif 000007
【図５】
2019049830.tif 000008
【図６】
2019049830.tif 000009
【図７】
2019049830.tif 000010
【図８】
2019049830.tif 000011
【図９】
2019049830.tif 000012
【図１０】
2019049830.tif 000013
【図１１】
2019049830.tif 000014
【国際調査報告】
2019049830.tif 000015
2019049830.tif 000016
2019049830.tif 000017
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