(57)【要約】  Ｙ軸方向に延在する複数の導波路（２０１）を有する半導体層積層体（２００Ａ）が形成された半導体層積層基板（２）を分割してバー状基板（３）を作製し、縦方向分割線（ＹＬ）に沿ってバー状基板（３）を分割することで個片素子（４）を作製して窒化物半導体発光素子（１）を製造する方法において、個片素子（４）の導波路（２０１）は、一方の端部の幅が他端の端部の幅と異なり、かつ、Ｘ軸方向にオフセットされた位置に配置されており、Ｘ軸方向に隣り合う第１素子形成領域（３０１）及び第２素子形成領域（３０２）を有する半導体層積層基板（２）において、第１素子形成領域（３０１）を挟む２つの縦方向分割線（ＹＬ）と第２素子形成領域（３０２）を挟む２つの縦方向分割線（ＹＬ）とはＸ軸方向にずれている。
2018180952.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に、第１方向に略直交する第２方向に延在する複数の導波路を有する半導体層積層体が形成された半導体層積層基板を作製する工程と、
前記第１方向に平行な複数の第１方向分割線に沿って前記半導体層積層基板を分割することで、前記複数の導波路を切断して複数のバー状基板を作製する工程と、
前記第２方向に平行な複数の第２方向分割線に沿って前記複数のバー状基板の各々を分割することで、複数の個片素子を作製する工程とを含み、
前記複数の個片素子の各々の導波路は、一方の端部の幅が他端の端部の幅と異なり、かつ、前記第１方向にオフセットされた位置に配置され、
前記半導体層積層基板は、前記複数の個片素子に対応する複数の素子形成領域を有し、
前記複数の素子形成領域は、前記第２方向に隣り合う第１素子形成領域及び第２素子形成領域を有し、
前記第１素子形成領域を挟む２つの前記第２方向分割線と前記第２素子形成領域を挟む２つの前記第２方向分割線とは前記第１方向にずれている、
窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記複数の第１方向分割線は、第１の第１方向分割線と、第２の第１方向分割線と、第３の第１方向分割線とを含み、
前記複数の第２方向分割線は、前記第１素子形成領域を挟む第１の第２方向分割線及び第２の第２方向分割線と、前記第２素子形成領域を挟む第３の第２方向分割線及び第４の第２方向分割線とを含み、
前記第１素子形成領域は、前記第１の第１方向分割線、前記第２の第１方向分割線、前記第１の第２方向分割線及び前記第２の第２方向分割線で囲まれる領域であり、
前記第２素子形成領域は、前記第２の第１方向分割線、前記第３の第１方向分割線、前記第３の第２方向分割線及び前記第４の第２方向分割線で囲まれる領域であり、
前記半導体層積層基板における前記複数の導波路において、前記第１の第１方向分割線での前記導波路の前記第１方向の第１の幅をＷ１とし、前記第２の第１方向分割線での前記導波路の前記第１方向の第２の幅をＷ２とし、前記第３の第１方向分割線での前記導波路の前記第１方向の第３の幅をＷ３とすると、Ｗ１＝Ｗ３、かつ、Ｗ１≠Ｗ２であり、
前記第１の第２方向分割線と前記第２の第２方向分割線との間隔をＤ１とし、前記第３の第２方向分割線と前記第４の第２方向分割線との間隔をＤ２とすると、Ｄ１＝Ｄ２であり、
前記半導体層積層基板において、前記第１素子形成領域の前記導波路は、前記第１の第２方向分割線及び前記第２の第２方向分割線のうち前記第１の第２方向分割線側に偏って配置され、前記第２素子形成領域の前記導波路は、前記第３の第２方向分割線及び前記第４の第２方向分割線のうち前記第４の第２方向分割線側に偏って配置され、
前記第１素子形成領域における前記導波路と前記第１の第２方向分割線までの幅と、前記第２素子形成領域における前記導波路と前記第４の第２方向分割線までの幅は等しい、
請求項１に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記バー状基板を作製する工程の前に、前記半導体層積層体の上に、前記複数の素子形成領域の各々に対応する電極を形成する工程をさらに含み、
前記第１素子形成領域において、前記電極の前記第１の第２方向分割線側に最も近い端部から前記導波路までの幅より、前記電極の前記第２の第２方向分割線側に最も近い端部から前記導波路までの幅の方が広く、
前記第２素子形成領域において、前記電極の前記第４の第２方向分割線側に最も近い部分から前記導波路までの幅より、前記電極の前記第３の第２方向分割線側に最も近い端部から前記導波路までの幅の方が広い、
請求項２に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記第２の第１方向分割線及び前記第１の第２方向分割線の交点である第１交点と前記第２の第１方向分割線及び前記第３の第２方向分割線の交点である第２交点との間における前記第２の第１方向分割線に沿って、第１の溝を形成する工程をさらに含む、
請求項２又は３に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記第１の溝は、前記半導体層積層体を貫通して前記基板に達する、
請求項４に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記バー状基板を作製する工程の後、かつ、前記複数の個片素子を作製する工程の前に、前記複数の第２方向分割線に沿って、第２の溝を形成する工程をさらに含む、
請求項２に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記第２の溝は、前記半導体層積層体を貫通して前記基板に達する、
請求項６に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記複数の第２方向分割線に沿って、ガイド溝を形成する工程をさらに含み、
前記ガイド溝は、前記第１の第２方向分割線を間にして、各々が前記第２方向に延在する第３の溝及び第４の溝を含み、
前記第３の溝は、前記第１素子形成領域に形成され、
前記第４の溝は、前記第１素子形成領域の前記第１方向に隣接する第３素子形成領域に形成され、
前記第２の溝は、前記第３の溝と前記第４の溝の間に形成され、
前記第２の溝の底は、前記第３の溝及び前記第４の溝の底よりも深い位置に存在している、
請求項７に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記ガイド溝は、前記第３の第２方向分割線を間にして、各々が前記第２方向に延在する第５の溝及び第６の溝を含み、
前記第５の溝は、前記第２素子形成領域に形成され、
前記第６の溝は、前記第２素子形成領域の前記第１方向に隣接する第４素子形成領域に形成され、
前記第２の溝は、前記第５の溝と前記第６の溝の間に形成され、
前記第２の溝の底は、前記第５の溝及び前記第６の溝の底よりも深い位置に存在し、
前記第２の第１方向分割線上において、前記第３の溝と前記第６の溝との間に第７の溝を有する、
請求項８に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体層積層体は、前記基板の上に、第１導電型の第１窒化物半導体層と、活性層と、前記第１導電型とは異なる第２導電型の第２窒化物半導体層とを順に有し、
前記第３の溝、前記第４の溝、前記第５の溝、前記第６の溝及び前記第７の溝は、少なくとも、前記第１窒化物半導体層に達する、
請求項９に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記第３の溝、前記第４の溝、前記第５の溝、前記第６の溝及び前記第７の溝は、繋がっている、
請求項１０に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１２】
前記第２の第１方向分割線及び前記第１の第２方向分割線の交点である第１交点と前記第２の第１方向分割線及び前記第３の第２方向分割線の交点である第２交点との間における前記第２の第１方向分割線に沿って、第１の溝を形成する工程をさらに含み、
前記第１の溝の底は、前記第７の溝の底よりも深い位置に存在する、
請求項９〜１１のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１３】
前記第７の溝は、前記第３の溝の前記導波路側の側面から、前記第２の第１方向分割線に対して４５°以上の角度で前記第５の溝に達するように延びる側面を有する、
請求項１１に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記第７の溝は、前記第１素子形成領域の前記第３の溝と前記第３素子形成領域の前記第４の溝との間において、前記第２の第１方向分割線から前記第２方向の幅が最小となる部分を有する、
請求項１１に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１５】
前記第７の溝は、前記第２素子形成領域の前記第５の溝と前記第４素子形成領域の前記第６の溝との間において、前記第２の第１方向分割線から前記第２方向の幅が最小となる部分を有する、
請求項１１に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１６】
前記第１の第２方向分割線に沿って、前記第２方向に延びる第８の溝と、前記第３の第２方向分割線に沿って、前記第２方向に延びる第９の溝とを形成する工程をさらに含む、
請求項７に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１７】
前記第１素子形成領域及び前記第２素子形成領域の各々において、前記導波路は、幅がＷ１からＷ２へ連続的に変化する幅変化部を有する、
請求項２〜１６のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１８】
基板面内の第１方向の方向に略直交する第２方向に延びる複数の導波路が形成される半導体層積層体が基板に形成された半導体層積層基板において、前記複数の導波路が形成される部分を間にして、前記第２方向に沿って第１の溝と第２の溝とを形成する第１の工程と、
所定の分割位置において、前記基板面内において前記第１方向に沿って前記半導体層積層基板をへき開することで前記半導体層積層基板を複数に分割する第２の工程と、
前記半導体層積層基板の前記第１の溝と前記第２の溝との間に前記第２方向に延びる第３の溝を形成する第３の工程と、
前記第３の溝に沿って前記半導体層積層基板を複数に分割する第４工程とを含み、
前記第１の工程では、前記所定の分割位置において、前記第１の溝と前記第２の溝との間に凹部が形成されている、
窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１９】
前記第３の工程は、前記第２の工程の後に行い、
前記第２の工程では、前記半導体層積層基板をへき開することで前記半導体層積層基板を複数のバー状基板に分割し、
前記第３の工程では、前記第２の工程で得られた前記バー状基板に前記第３の溝を形成し、
前記第４の工程では、前記バー状基板を複数に分割する、
請求項１８に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項２０】
前記第１の工程において、前記第１の溝と前記第２の溝とは前記凹部により繋がっている、
請求項１８又は１９に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項２１】
前記第１の工程において形成される前記凹部は、前記第２方向の長さが最小となる最小部分を有する、
請求項２０に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項２２】
前記凹部の前記第２方向の最小の幅は、８μｍ以上である、
請求項２１に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項２３】
前記第３の工程では、前記第１の溝と前記第２の溝と２つの前記凹部とで囲まれる分割溝形成領域に、前記第３の溝を形成する、
請求項１８〜２２のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項２４】
前記第１の溝は、前記第２の溝から遠い側に第１の外壁を有し、
前記第２の溝は、前記第１の溝から遠い側に第２の外壁を有し、
前記所定の分割位置の近傍において前記第１の外壁と前記第２の外壁との間の前記第２方向に平行な方向の距離は最大値を有する、
請求項１８〜２３のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項２５】
前記所定の分割位置において、前記第１の外壁の前記基板面内に延びる方向と前記第１方向とのなす角、及び、前記第２の外壁の前記基板面内に延びる方向と前記第１方向とのなす角は、いずれも、７５度以上９０度以下である、
請求項２４に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項２６】
前記第１の外壁は、前記所定の分割位置を間にして各々が前記第２の外壁とは反対側の方向に延びる一対の第１外壁部を有し、
前記第２の外壁は、前記所定の分割位置を間にして、各々が前記第１の外壁とは反対側の方向に延びる一対の第２外壁部を有する、
請求項２４又は２５に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項２７】
前記一対の第１外壁部の各々の前記基板面内に延びる方向と前記第１方向とのなす角、及び、前記一対の第２外壁部の各々の前記基板面内に延びる方向と前記第１方向とのなす角は、いずれも、３０度以上９０度以下である、
請求項２４〜２６のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項２８】
前記一対の第１外壁部の各々の前記基板面内に延びる方向と前記第１方向とのなす角、及び、前記一対の第２外壁部の各々の前記基板面内に延びる方向と前記第１方向とのなす角は、４５度以上である、
請求項２４〜２６のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項２９】
前記基板は、六方晶の窒化物半導体基板であり、
前記一対の第１外壁部の各々の前記基板面内に延びる方向と前記第１方向とのなす角、及び、前記一対の第２外壁部の各々の前記基板面内に延びる方向と前記第１方向とのなす角は、６０度ではない、
請求項２７又は２８に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項３０】
前記半導体層積層基板は、前記基板の上に、前記半導体層積層体として、第１導電型の第１窒化物半導体層と活性層と第２導電型の第２窒化物半導体層とを順次有し、
前記第１の工程では、前記第１の溝、前記第２の溝及び前記凹部の各々の底面が前記第１窒化物半導体層に到達するまで、前記活性層及び第２窒化物半導体層を除去する、
請求項１８〜２９のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項３１】
前記第３の溝は、前記基板に到達している、
請求項１８〜３０のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項３２】
前記第３の溝の深さは、前記第１の溝の深さと前記第２の溝の深さより深い、
請求項１８〜３１のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項３３】
前記所定の分割位置において前記凹部に前記第１方向に延びる第４の溝を形成する工程を含む、
請求項１８〜３２のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項３４】
前記第１の工程において形成される前記凹部は、前記第２方向の長さが最小となる最小部分を有し、
前記第４の溝は、前記最小部分をまたいで形成されている、
請求項３３に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項３５】
窒化物半導体発光素子であって、
基板と、
前記基板の一方の面の上に位置し、第１方向に略直交する第２方向に延在する導波路を有する半導体素子構造体とを備え、
前記窒化物半導体発光素子は、前記第２方向に略平行な第１の側面と、前記第１の側面と対向する第２の側面と、前記第１の側面及び前記第２の側面に略垂直な第３の側面と、前記第３の側面と対向する第４の側面とを有し、
前記第３の側面及び前記第４の側面は、へき開面であり、
前記窒化物半導体発光素子は、さらに、
前記第２の側面と前記導波路との間に形成され且つ前記第２方向に延びる第１の溝と、
前記第１の側面と前記導波路との間に形成され且つ前記第２方向に延びる第２の溝と、
前記第１の側面と前記第３の側面との交点近傍に形成された第１の凹部と、
前記第１の側面と前記第４の側面との交点近傍に形成された第２の凹部と、
前記第１の側面から後退するように窪んだ第１の窪み部と、
前記第２の側面から後退するように窪んだ第２の窪み部とを有する、
窒化物半導体発光素子。
【請求項３６】
前記第１の凹部は、前記第３の側面に対して４５°以上の角度で傾斜する側面を有し、
前記第４の側面における前記導波路の第１の幅をＷ１とし、前記第３の側面における前記導波路の第２の幅をＷ２とすると、Ｗ１≠Ｗ２であり、
前記導波路は、前記第１方向にオフセットされた位置に配置されている、
請求項３５に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３７】
前記第２の凹部は、前記第４の側面に対して４５°以上の角度で傾斜する側面を有する、
請求項３６に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３８】
前記半導体素子構造体の上に電極を有し、
前記電極の前記第１の側面に最も近い第１端部から前記導波路までの第１の幅は、前記電極の前記第２の側面に最も近い第２端部から前記導波路までの第２の幅よりも長い、
請求項３７に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３９】
前記電極は、前記第１方向に関して前記第２端部と前記導波路の間に、前記第２方向に延在する第３端部を有する、
請求項３８に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４０】
前記導波路は、幅がＷ１からＷ２へ連続的に変化する幅変化部を有する、
請求項３７に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４１】
前記第１の側面と前記第３の側面との交点近傍において、前記第１方向に沿って延在する前記第３の側面から後退するように窪んだ第３の窪み部を有する、
請求項３７に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４２】
請求項３７〜４１のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子と、
前記窒化物半導体発光素子に接続されたワイヤとを備え、
前記ワイヤにおける前記窒化物半導体発光素子との接続部は、前記第１の側面及び前記第２の側面のうち前記第１の側面の方の近くに配置される、
窒化物半導体発光装置。
【請求項４３】
前記接続部の第１方向の幅は、前記第１の幅より狭い、
請求項４２に記載の窒化物半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、窒化物半導体発光素子、窒化物半導体発光素子の製造方法及び窒化物半導体発光装置に関し、特に、プロジェクタ光源及び自動車用ヘッドライトに用いられるワット級の高出力半導体発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、大画面の画像を効率的に得るための一形態として、映像信号に応じた画像を形成する小型の液晶パネル等の空間光変調素子を、ランプなどの光源からの光で照明し、投射レンズによってその光学像をスクリーン上に拡大投射する投射型画像表示装置としてプロジェクタが広く用いられている。このようなプロジェクタ等の投射型画像表示装置においては、可視光の波長帯域で高い発光効率が得られる超高圧水銀ランプで光源を構成することが一般的である。【０００３】
これに対して、昨今、プロジェクタの光源に高圧水銀ランプではなく、高輝度・高精彩・低消費電力や長寿命などの特長を持つ半導体発光素子であるＬＥＤやレーザが用いられ始めている。特に、デジタルサイネージや映画館用プロジェクタなど大画面高画質用途では、光源にワット級の高出力半導体レーザを採用したレーザプロジェクタの普及が始まっている。更に、ワット級の高出力半導体レーザは車載ヘッドライト用光源への展開も始まっている。このように、レーザ等の半導体発光素子を用いた光源は様々な分野への広がりを見せている。【０００４】
従来、この種の半導体発光素子として、共振器長方向の一方の端部と他方の端部とで導波路の幅が異なるものが知られている。例えば、テーパストライプ構造の導波路を有する半導体レーザ素子が知られている（例えば特許文献１）。【０００５】
また、プロジェクタの光源に好適な半導体発光素子としては、窒化物系材料を用いた窒化物系半導体レーザが挙げられる。例えば、窒化物系半導体レーザによって波長４０５ｎｍ帯の青紫色の光源を構成し、窒化物系半導体レーザから出射するレーザ光によって、青色蛍光体、緑色蛍光体及び赤色蛍光体を励起して、これらの蛍光体から、青色光、緑色光及び赤色光を発光させることで、小型低消費電力のレーザプロジェクタを実現することができる。【０００６】
しかしながら、窒化物系半導体レーザは、光ピックアップまたは光通信で使われていた砒化ガリウム系レーザとは異なり、素子分割の際にへき開面ではない結晶面での分割を伴う。このため、ウエハから個々のレーザ素子を切り出す工程（チップ化工程）において、素子分割線から逸れて分割されたりレーザ素子が欠けたりする等の不具合が発生しやすいという課題があった。【０００７】
このような課題に対して、例えば特許文献２には、ガイド溝を用いて素子分割を行う技術が開示されている。図４９は、特許文献２に開示された従来例１の半導体発光素子１０００の平面図である。図４９に示すように、従来例１の半導体発光素子１０００では、基板に形成された半導体層積層体１２００に、素子分割の方向に延びた素子分割用のガイド溝１２０１を形成している。【０００８】
また、特許文献３には、２段ガイド溝構造のガイド溝を用いて素子分割を行う技術が開示されている。図５０は、特許文献３に開示された従来例２の半導体発光素子２０００の平面図である。図５０に示すように、従来例２の半導体発光素子２０００では、基板に形成された半導体層積層体２２００に、先端に突出形状を有する素子分割用の第１のガイド溝２２０１を形成するとともに、この第１のガイド溝２２０１の底部にさらに第２のガイド溝２２０２を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００９−２９５６８０号公報
【特許文献２】特開２０１１−２９２２４号公報
【特許文献３】特開２００７−３２９４５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、従来の半導体発光素子の製造方法では、窒化物半導体発光素子を量産することが難しいという課題がある。【００１１】
例えば、近年、導波路の位置が素子幅方向にオフセットされた窒化物半導体発光素子が検討されているが、一方の端部と他方の端部とで導波路の幅が異なる構造を保持しつつ導波路の位置が素子幅方向にオフセットされた窒化物半導体発光素子を量産することは容易ではない。【００１２】
本開示は、一方の端部と他方の端部とで導波路の幅が異なるとともに導波路の位置が素子幅方向にオフセットされた半導体レーザ素子を容易に量産することができる窒化物半導体発光素子の製造方法等を提供することを第１の目的とする。【００１３】
また、特許文献２、３に開示された従来の技術では、素子分割によるパーティクルの発生を十分に抑制することができないという課題もある。【００１４】
本開示は、素子分割時にパーティクルの発生を十分に抑制することができる窒化物半導体発光素子の製造方法等を提供することを第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記第１の目的を達成するために、本開示に係る第１の窒化物半導体発光素子の製造方法の一態様は、基板の上に、第１方向に略直交する第２方向に延在する複数の導波路を有する半導体層積層体が形成された半導体層積層基板を作製する工程と、前記第１方向に平行な複数の第１方向分割線に沿って前記半導体層積層基板を分割することで、前記複数の導波路を切断して複数のバー状基板を作製する工程と、前記第２方向に平行な複数の第２方向分割線に沿って前記複数のバー状基板の各々を分割することで、複数の個片素子を作製する工程とを含み、前記複数の個片素子の各々の導波路は、一方の端部の幅が他端の端部の幅と異なり、かつ、前記第１方向にオフセットされた位置に配置され、前記半導体層積層基板は、前記複数の個片素子に対応する複数の素子形成領域を有し、前記複数の素子形成領域は、前記第２方向に隣り合う第１素子形成領域及び第２素子形成領域を有し、前記第１素子形成領域を挟む２つの前記第２方向分割線と前記第２素子形成領域を挟む２つの前記第２方向分割線とは前記第１方向にずれている。【００１６】
また、本開示に係る第１の窒化物半導体発光素子の一態様は、基板と、前記基板の一方の面の上に位置し、第１方向に略直交する第２方向に延在する導波路を有する半導体素子構造体とを備え、前記窒化物半導体発光素子は、前記第２方向に略平行な第１の側面と、前記第１の側面と対向する第２の側面と、前記第１の側面及び前記第２の側面に略垂直な第３の側面と、前記第３の側面と対向する第４の側面とを有し、前記第３の側面及び前記第４の側面は、へき開面であり、平面視における前記第１の側面と前記第３の側面との交点近傍において、前記窒化物半導体発光素子は、第１の凹部を有し、前記第１の凹部は、前記第３の側面に対して４５°以上の角度で傾斜する側面を有し、前記第４の側面における前記導波路の第１の幅をＷ１とし、前記第３の側面における前記導波路の第２の幅をＷ２とすると、Ｗ１≠Ｗ２であり、前記導波路は、前記第１方向にオフセットされた位置に配置されている。【００１７】
また、上記第２の目的を達成するために、本開示に係る第２の窒化物半導体発光素子の製造方法の一態様は、基板面内の第１方向に略直交する第２方向に延びる複数の導波路が形成される半導体層積層体が基板に形成された半導体層積層基板において、前記複数の導波路が形成される部分を間にして、前記第２方向に沿って第１の溝と第２の溝とを形成する第１の工程と、所定の分割位置において、前記基板面内において前記第１方向に沿って前記半導体層積層基板をへき開することで前記半導体層積層基板を複数に分割する第２の工程と、前記半導体層積層基板の前記第１の溝と前記第２の溝との間に前記第２方向に延びる第３の溝を形成する第３の工程と、前記第３の溝に沿って前記半導体層積層基板を複数に分割する第４工程とを含み、前記第１の工程では、前記所定の分割位置において、前記第１の溝と前記第２の溝との間に凹部が形成されている。【００１８】
また、本開示に係る第２の窒化物半導体発光素子の一態様は、基板と、前記基板の一方の面の上に位置し、第１方向に略直交する第２方向に延在する導波路を有する半導体素子構造体とを備え、前記窒化物半導体発光素子は、前記第２方向に略平行な第１の側面と、前記第１の側面と対向する第２の側面と、前記第１の側面及び前記第２の側面に略垂直な第３の側面と、前記第３の側面と対向する第４の側面とを有し、前記第３の側面及び前記第４の側面は、へき開面であり、前記窒化物半導体発光素子は、さらに、前記第１の側面と前記導波路との間に形成され且つ前記第２方向に延びる第１の溝と、前記第２の側面と前記導波路との間に形成され且つ前記第２方向に延びる第２の溝と、前記第１の側面と前記第３の側面との交点近傍に形成された第１の凹部と、前記第１の側面と前記第４の側面との交点近傍に形成された第２の凹部と、前記第１の側面から後退するように窪んだ第１の窪み部と、前記第２の側面から後退するように窪んだ第２の窪み部とを有する。
【発明の効果】
【００１９】
本開示によれば、窒化物半導体発光素子を容易に量産することができる。例えば、第１の窒化物半導体発光素子の製造方法の一態様によれば、一方の端部と他方の端部とで導波路の幅が異なるとともに導波路の位置が素子幅方向にオフセットされた窒化物半導体発光素子を容易に量産することができる。また、第２の窒化物半導体発光素子の製造方法の一態様によれば、素子分割時にパーティクルの発生を十分に抑制することができるので、ワット級の動作状態において数千時間にも及ぶ長期動作保証が可能な窒化物半導体発光素子を量産することができる。また、第１の窒化物半導体発光素子及び第２の窒化物半導体発光素子の一態様によれば、量産性に優れた窒化物半導体発光素子を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１Ａ】図１Ａは、実施の形態１に係る半導体層積層基板の部分断面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、実施の形態１に係る窒化物半導体発光素子の断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、実施の形態１に係る窒化物半導体発光素子の製造方法において、基板上に半導体層積層体を成膜する工程を示す図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、実施の形態１に係る窒化物半導体発光素子の製造方法において、第１の溝及び第２の溝を形成する工程を示す図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、実施の形態１に係る窒化物半導体発光素子の製造方法において、導波路を形成する工程を示す図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、実施の形態１に係る窒化物半導体発光素子の製造方法において、電流ブロック膜を形成する工程を示す図である。
【図２Ｅ】図２Ｅは、実施の形態１に係る窒化物半導体発光素子の製造方法において、ｐ側オーミック電極及びｐ側電極を形成する工程を示す図である。
【図２Ｆ】図２Ｆは、実施の形態１に係る窒化物半導体発光素子の製造方法において、ｎ側電極を形成する工程を示す図である。
【図２Ｇ】図２Ｇは、実施の形態１に係る窒化物半導体発光素子の製造方法において、第４の溝を形成する工程を示す図である。
【図２Ｈ】図２Ｈは、実施の形態１に係る窒化物半導体発光素子の製造方法において、半導体層積層基板をへき開する工程を示す図である。
【図２Ｉ】図２Ｉは、実施の形態１に係る窒化物半導体発光素子の製造方法において、バー状基板に端面コート膜を形成する工程を示す図である。
【図２Ｊ】図２Ｊは、実施の形態１に係る窒化物半導体発光素子の製造方法において、第３の溝を形成する工程を示す図である。
【図２Ｋ】図２Ｋは、実施の形態１に係る窒化物半導体発光素子の製造方法において、バー状基板を分割する工程を示す図である。
【図３】図３は、実施の形態１に係る窒化物半導体発光素子の製造方法によって製造された窒化物半導体発光素子を模式的に示す図である。
【図４】図４は、実施の形態１に係るバー状基板の部分拡大図である。
【図５】図５は、実施の形態１に係るバー状基板の部分拡大図である。
【図６】図６は、実施の形態１に係る窒化物半導体発光素子の平面図である。
【図７】図７は、実施の形態１に係る窒化物半導体発光素子の断面図である。
【図８】図８は、比較例の窒化物半導体発光素子の平面図である。
【図９】図９は、比較例のバー状基板の要部拡大図である。
【図１０】図１０は、実施の形態１に係るバー状基板の要部拡大図である。
【図１１】図１１は、基板上の半導体層積層体の残し厚と窒化物半導体発光素子の反り量との関係を示す図である。
【図１２】図１２は、バー状基板の反りが大きい場合と反り小さい場合とにおいて、基板上の半導体層積層体の応力と素子分割時の荷重との関係を模式的に示す図である。
【図１３】図１３は、第３の溝を形成する際のレーザビームのフォーカスと第３の溝の形状との関係を示す図である。
【図１４】図１４は、第３の溝を形成する際のレーザビームのデフォーカス量とデブリ飛散距離との関係を示す図である。
【図１５】図１５は、実施の形態１に係るバー状基板における分割溝形成領域の端部近傍の拡大平面図である。
【図１６】図１６は、実施の形態１に係るバー状基板における分割溝形成領域のバリエーションを示す平面図である。
【図１７】図１７は、分割溝形成領域の長手方向の頂点から分割位置（へき開面）までの距離Ｌ１と分割逸れ発生率との関係を示す図である。
【図１８】図１８は、実施の形態１に係る半導体層積層基板の部分拡大図である。
【図１９】図１９は、実施の形態１に係る半導体層積層基板における凹部周辺の拡大平面図である。
【図２０】図２０は、実施の形態１に係る半導体層積層基板における第１溝及び第２溝に関するθ１、θ２と、端面段差発生率との関係を示す図である。
【図２１】図２１は、半導体層積層基板をへき開した後のへき開面の様子を示す図である。
【図２２】図２２は、端面に段差が発生している窒化物半導体発光素子と端面に段差が発生していない窒化物半導体発光素子との垂直光軸ずれの値を示す図である。
【図２３】図２３は、実施の形態１に係る半導体層積層基板における第１の溝（第１の外壁）と第２の溝（第２の外壁）のバリエーションを示す平面図である。
【図２４】図２４は、ＡｌＮ膜に微量のＯ２ガスを添加してＳｉ基板上に成膜した際における膜表面に付着するパーティクル密度のＯ２添加量依存性を示す図である。
【図２５】図２５は、実施の形態１における端面コート膜の膜剥れの抑制効果を更に改善させる端面コート膜構造を示す図である。
【図２６】図２６は、実施の形態１における窒化物半導体発光素子を作製したときの効果を説明するための図である。
【図２７】図２７は、実施の形態１の変形例２に係るバー状基板における分割溝形成領域の端部近傍の拡大平面図である。
【図２８】図２８は、テーパストライプ構造のリッジ部を有する窒化物半導体発光素子にワイヤを接続したときの様子を示す図である。
【図２９】図２９は、テーパストライプ構造のリッジ部を有する窒化物半導体発光素子にワイヤを接続したときの様子を示す図である。
【図３０】図３０は、比較例の半導体層積層基板の部分平面図である。
【図３１】図３１は、比較例の半導体層積層基板を分割することで得られる２種類の窒化物半導体発光素子を示す平面図である。
【図３２】図３２は、実施の形態２に係る窒化物半導体発光素子の斜視図である。
【図３３】図３３は、実施の形態２に係る窒化物半導体発光素子の正面図である。
【図３４】図３４は、実施の形態２に係る窒化物半導体発光素子の上面図である。
【図３５Ａ】図３５Ａは、図３４のＡ−Ａ線における実施の形態２に係る窒化物半導体発光素子の断面図である
【図３５Ｂ】図３５Ｂは、図３４のＢ−Ｂ線における実施の形態２に係る窒化物半導体発光素子の断面図である。
【図３６】図３６は、実施の形態２に係る窒化物半導体発光素子における導波路の形状を示す平面図である。
【図３７Ａ】図３７Ａは、実施の形態２に係る窒化物半導体発光素子の製造方法において、基板上に半導体層積層体を成膜する工程を示す図である。
【図３７Ｂ】図３７Ｂは、実施の形態２に係る窒化物半導体発光素子の製造方法において、ガイド溝（第３の溝及び第４の溝）を形成する工程を示す図である。
【図３７Ｃ】図３７Ｃは、実施の形態２に係る窒化物半導体発光素子の製造方法において、導波路を形成する工程を示す図である。
【図３７Ｄ】図３７Ｄは、実施の形態２に係る窒化物半導体発光素子の製造方法において、電流ブロック層を形成する工程を示す図である。
【図３７Ｅ】図３７Ｅは、実施の形態２に係る窒化物半導体発光素子の製造方法において、ｐ側オーミック電極及びｐ側電極を形成する工程を示す図である。
【図３７Ｆ】図３７Ｆは、実施の形態２に係る窒化物半導体発光素子の製造方法において、ｎ側電極を形成する工程を示す図である。
【図３７Ｇ】図３７Ｇは、実施の形態２に係る窒化物半導体発光素子の製造方法において、第１の溝を形成する工程を示す図である。
【図３７Ｈ】図３７Ｈは、実施の形態２に係る窒化物半導体発光素子の製造方法において、半導体層積層基板をへき開する工程を示す図である。
【図３７Ｉ】図３７Ｉは、実施の形態２に係る窒化物半導体発光素子の製造方法において、バー状基板に端面コート膜を形成する工程を示す図である。
【図３７Ｊ】図３７Ｊは、実施の形態２に係る窒化物半導体発光素子の製造方法において、第２の溝を形成する工程を示す図である。
【図３７Ｋ】図３７Ｋは、実施の形態２に係る窒化物半導体発光素子の製造方法において、バー状基板を分割する工程を示す図である。
【図３８】図３８は、図３７Ｃ（ｂ）の破線で囲まれる領域Ｘの拡大図である。
【図３９】図３９は、図３７Ｇ（ｂ）の破線で囲まれる領域Ｙの拡大図である。
【図４０】図４０は、図３７Ｇ（ｂ）の第２の横方向分割線ＸＬ２における断面図である。
【図４１】図４１は、半導体層積層基板のへき開時に生じるへき開逸れを説明するための図である。
【図４２】図４２は、へき開方向に対する第７の溝の側面の角度αと第７の溝周辺の端面段差発生率との関係を示す図である。
【図４３Ａ】図４３Ａは、第１の溝の第１の変形例を示す図である。
【図４３Ｂ】図４３Ｂは、第１の溝の第２の変形例を示す図である。
【図４４】図４４は、実施の形態２に係る窒化物半導体発光装置の構成を示す図である。
【図４５】図４５は、第２の溝を形成する際に発生するデブリが窒化物半導体発光素子に付着する様子を示す図である。
【図４６】図４６は、実施の形態２の変形例１に係る窒化物半導体発光素子の平面図である。
【図４７】図４７は、実施の形態２の変形例２に係る半導体層積層基板の部分平面図である。
【図４８】図４８は、実施の形態２の変形例３に係る窒化物半導体発光素子の断面図である。
【図４９】図４９は、従来例１の半導体発光素子の平面図である。
【図５０】図５０は、従来例２の半導体発光素子の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、並びに、ステップ（工程）及びステップの順序などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
【００２２】
また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、各図において縮尺などは必ずしも一致していない。各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。
【００２３】
また、本明細書及び図面において、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、三次元直交座標系の三軸を表している。本実施の形態では、Ｚ軸方向を鉛直方向とし、Ｚ軸に垂直な方向（ＸＹ平面に平行な方向）を水平方向としている。Ｘ軸及びＹ軸は、互いに直交し、かつ、いずれもＺ軸に直交する軸である。Ｘ軸方向及びＹ軸方向は、基板１００の基板面内の方向である。つまり、ＸＹ平面は、基板１００の主面に平行な面である。また、窒化物半導体発光素子のレーザ共振器長方向をＹ軸方向としている。本明細書において、Ｘ軸方向を第１方向とし、Ｙ軸方向を第２方向としている。なお、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の各矢印が向いている方向をプラス方向としている。
【００２４】
（実施の形態１）
まず、本開示の実施の形態１の説明に先立ち、本開示の実施の形態１の一態様を得るに至った経緯を説明する。
【００２５】
上述の特許文献２、３に開示された技術のように、素子分割用のガイド溝を用いることによって、レーザ素子の形状については安定化する。しかしながら、本願発明者らが検討したところ、以下のような課題があることが判明した。
【００２６】
まず、特許文献２の技術を用いた場合、素子分割そのものはガイド溝内に収まるが、ガイド溝は一定の幅を持つため、そのガイド溝の溝幅の範囲内では素子分割線の揺らぎがあり、素子分割の直進性が崩れるという課題がある。更に、実際に特許文献２の方法でレーザ素子を作製してみたところ、ガイド溝からはみ出して形成されるレーザ素子も一定の割合で発生することが分かった。
【００２７】
また、特許文献３の技術を用いた場合、第１のガイド溝の先端の突出形状により第２のガイド溝に沿った素子分割の逸れを低減させる効果は期待できる。しかしながら、一定の深さを有する第１のガイド溝の底部にレーザスクライブ法を用いて第２のガイド溝を形成する際に、第１のガイド溝の深さが影響して第１のガイド溝の底部で溝加工用のレーザのフォーカスが安定しない。その結果、レーザにより形成される第２のガイド溝の形状が不安定になり、第２のガイド溝が精度よく形成されずに、素子分割線が安定しないということが分かった。更に、実際に特許文献３の方法でレーザ素子を作製してみたところ、第１のガイド溝の分割ガイド機能が充分なものではなく、素子分割の逸れを伴うレーザ素子が一定の割合で発生することが分かった。
【００２８】
特許文献２、３で得られる素子の形状は、従来のレーザ素子では大きな問題とはならなかったが、出力が数Ｗクラスの高出力のレーザ素子では、素子の形状の僅かなバラツキ（例えば素子分割線の曲がり等による素子分割線のズレ）がレーザ素子の特性に大きな影響をもたらすことが、本願発明者らの実験により明らかとなった。
【００２９】
まず、数Ｗクラスのレーザ素子では、レーザ素子から発生する熱を如何に効率よく排熱するかが大きな技術的課題となっている。このような課題に対して、発光層側がサブマウントに接触するようにレーザ素子を実装する方法、所謂ジャンクションダウン実装を採用するケースがある。これにより、排熱効率を改善し、レーザ素子から発生する熱を効率よく排熱することができる。
【００３０】
しかしながら、ジャンクションダウン実装を行う場合、絶縁膜が形成されていない素子分割面（側面）とサブマウントの半田との距離が極めて近くなるため、製造ばらつきによりリーク電流が発生するリスクが極めて高くなる。
【００３１】
数Ｗクラスのレーザ素子において、素子分割線のズレに伴って突出部が発生したり、レーザ素子の欠けに伴って絶縁膜が剥れたりして不良部位が発生すると、その部分で半田とレーザ素子間のリーク電流が発生し、製造時の歩留りが低下するという課題がある。
【００３２】
しかも、車載ヘッドライト用のレーザ素子の開発に際し、車載環境である高温振動環境下での信頼性試験を実施したところ、長期間使用したときにリーク電流が増加するレーザ素子が存在することが分かった。この不良素子を解析したところ、明確なリークパスは確認出来なかったが、レーザ素子の欠けに伴う絶縁膜の剥れが生じていることが確認された。このことは、高温振動環境下では素子分割線の突出部や素子の欠けに伴う絶縁膜の剥れが信頼性の劣化に繋がる可能性があることを示唆しており、素子分割線がズレたりレーザ素子が欠けたりしない高精度な分割方法が必要とされている。
【００３３】
また、本願発明者らのさらなる検討により、素子分割線のズレが発生してレーザ素子が分割された場合には、その影響がレーザ素子の端面（レーザ出射面及び反射面）にまで及ぶことも明らかとなった。
【００３４】
具体的には、レーザ素子の端面（レーザ出射面及び反射面）には反射率を調整するコート膜（端面コート膜）が形成されているが、素子分割線が曲がったり等して素子分割線にズレが発生してレーザ素子が分割された場合、レーザ素子の端面に大きな力が加わり、その結果、端面コート膜の膜剥れが発生するという不具合が発生することが分かった。
【００３５】
しかも、素子分割線にズレが発生してレーザ素子が分割された場合、それに伴い端面コート膜の剥れや基板の破片などのパーティクルが発生する確率が高くなることも分かった。発生したパーティクルの一部は、レーザ素子の端面の発光領域に付着するおそれがある。レーザ素子の端面の発光領域にパーティクルが付着すると、レーザ素子の特性劣化やＣＯＤ（Ｃａｔａｓｔｒｏｐｈｉｃ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｄａｍａｇｅ）レベルの低下などの不具合をもたらす。
【００３６】
この場合、更に、車載ヘッドライト用のレーザ素子の開発に際しては、以下のような不具合があることも新たに判明した。すなわち、素子分割線がズレて形成されたレーザ素子では、端面コート膜の剥れ等の明確な不具合が見られなくても、振動試験後に特性が劣化するものが散見した。特性が劣化したレーザ素子を解析してみると、振動試験前には無かった端面のパーティクルが、試験後に付着していることが確認された。これは、素子分割時に発生したマイクロクラックが起点となり振動試験によってパーティクルが発生したことが原因であると考えられる。更に、素子分割線がズレて形成されたレーザ素子では、端面コート膜の剥れやパーティクル等の明確な不具合が見られなくても、信頼性が劣化するものも見られた。このことは、素子分割時の何らかのダメージがレーザ素子の信頼性に影響を与えた可能性を示唆している。
【００３７】
以上説明したように、数Ｗクラスの高出力の窒化物系半導体レーザでは、従来用いられていた素子分割構造を用いるだけでは不十分であり、幾つかの課題が発生することが明らかとなった。そこで、素子分割をより高精度に行う新たな技術の開発が求められていた。
【００３８】
このような課題に対して、本願発明者らが鋭意検討した結果、基板に形成された半導体層積層体に対して、導波路の延在方向（第２方向）に沿って延びる第１の溝と第２の溝とを形成するとともに第１の溝と第２の溝との間に凹部を形成し、さらに、第１の溝と第２の溝との間に導波路の延在方向に沿って延びる第３の溝を形成することで、素子分割線のズレを抑制するとともに素子分割時にパーティクルの発生を十分に抑制できる技術を見出した。
【００３９】
本開示の実施の形態１は、このような課題を解決するためになされたものであり、素子分割線のズレを抑制するとともに素子分割時にパーティクルの発生を十分に抑制することができる窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法等を提供することを目的とする。
【００４０】
以下、本開示の実施の形態１について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００４１】
まず、実施の形態１に係る半導体層積層基板１０２及び窒化物半導体発光素子１０１の構成について、図１Ａ及び図１Ｂを用いて説明する。図１Ａは、実施の形態１に係る半導体層積層基板１０２の部分断面図である。図１Ｂは、実施の形態１に係る窒化物半導体発光素子１０１の断面図である。
【００４２】
図１Ａに示される半導体層積層基板１０２は、窒化物半導体発光素子積層基板であり、半導体層積層基板１０２を分割することで、図１Ｂに示される窒化物半導体発光素子１０１を得ることができる。本実施の形態において、窒化物半導体発光素子１０１は、窒化物系材料によって構成された半導体素子構造体２００を有する窒化物半導体レーザである。
【００４３】
図１Ａに示すように、半導体層積層基板１０２は、基板１００と、基板１００の上に積層された半導体層積層体２００Ａとを有する。
【００４４】
また、図１Ｂに示すように、窒化物半導体発光素子１０１は、基板１００と、基板１００の上に積層された半導体素子構造体２００とを有する。
【００４５】
基板１００は、窒化物半導体基板等の半導体基板であり、例えば、ＧａＮからなるＧａＮ基板である。本実施の形態では、基板１００として、六方晶のｎ型ＧａＮ基板を用いている。
【００４６】
図１Ａに示す半導体積層基板１０２の半導体層積層体２００Ａと、図１Ｂに示す窒化物半導体発光素子１０１の半導体層積層体２００とは、同じ層構成である。具体的には、半導体層積層基板１０２及び窒化物半導体発光素子１０１は、基板１００の上に、半導体層積層体２００Ａ及び半導体素子構造体２００として、第１導電型の第１窒化物半導体層２１０と活性層２２０と第２導電型の第２窒化物半導体層２３０とを順次有する。
【００４７】
第１窒化物半導体層２１０は、例えば、ｎ型のＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層２１１と、ｎ型クラッド層２１１の上に形成されたＧａＮからなるｎ側ガイド層２１２とを有する。
【００４８】
活性層２２０は、窒化物半導体層である。本実施の形態において、活性層２２０は、アンドープの量子井戸活性層であり、例えば、ＩｎＧａＮからなる量子井戸層とＩｎＧａＮからなる量子障壁層とが交互に積層された量子井戸構造の活性層である。
【００４９】
第２窒化物半導体層２３０は、例えば、ＩｎＧａＮからなるｐ側ガイド層２３１と、ｐ側ガイド層２３１の上に形成されたｐ型電子障壁層（オーバーフロー抑制層）２３２と、ｐ型電子障壁層２３２の上に形成されたｐ型のＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層２３３と、ｐ型クラッド層２３３の上に形成されたｐ型のＧａＮからなるｐ型コンタクト層２３４とを有する。
【００５０】
図１Ａに示すように、半導体層積層基板１０２の第２窒化物半導体層２３０には、レーザ共振器長方向にリッジストライプ状に延在する複数の導波路２０１が形成されている。図１Ｂに示すように、窒化物半導体発光素子１０１の第２窒化物半導体層２３０には、レーザ共振器長方向に延在する１本の導波路２０１が形成されている。導波路２０１は、窒化物半導体発光素子１０１における電流注入領域及び光導波路としての機能を有する。
【００５１】
各導波路２０１は、レーザ共振器長方向に延在する２本の開口部２０２を第２窒化物半導体層２３０に掘り込むことで形成することができる。つまり、各導波路２０１は、第２窒化物半導体層２３０に形成された２つの開口部２０２によって挟まれている。本実施の形態において、導波路２０１は、ｐ型クラッド層２３３とｐ型コンタクト層２３４を掘り込むことで形成されている。
【００５２】
また、各導波路２０１上の一部を除き、第２窒化物半導体層２３０の上（本実施の形態ではｐ型コンタクト層２３４の上）は、ＳｉＯ２からなる電流ブロック膜２４０で覆われている。つまり、電流ブロック膜２４０は、ｐ型コンタクト層２３４の上に開口部を有するように形成されている。
【００５３】
半導体素子構造体２００及び半導体層積層体２００Ａの上には、第１電極として、ｐ側オーミック電極２５０及びｐ側電極２６０が形成されている。ｐ側オーミック電極２５０は、電流ブロック層２４０の開口部に形成されている。ｐ側電極２６０は、ｐ側オーミック電極２５０の上に形成される。ｐ側オーミック電極２５０は、例えば、Ｐｄ及びＰｔによって構成され、ｐ側電極２６０は、例えば、Ｔｉ、Ｐｔ及びＡｕによって構成される。そして、ｐ側電極２６０は、半導体層積層基板１０２及び窒化物半導体発光素子１０１の最上面として形成されている。
【００５４】
また、基板１００の一方の面（ｐ側電極２６０側の面）とは反対側の面である他方の面（裏面）には、第２電極として、ｎ側電極２７０が形成されている。ｎ側電極２７０は、例えば、Ｔｉ、Ｐｔ及びＡｕによって構成される。
【００５５】
そして、図１Ａに示すように、半導体層積層基板１０２において、複数の導波路２０１における隣り合う２つの導波路２０１間には、導波路２０１の長手方向（Ｙ軸方向：第２方向）に沿って第１の溝１１１と第２の溝１１２とが形成されている。つまり、第１の溝１１１及び第２の溝１１２は、導波路２０１と略平行に延在している。第１の溝１１１及び第２の溝１１２は、隣り合うようにして一対で形成されており、導波路２０１は、隣り合う一対の第１の溝１１１及び第２の溝１１２の間に存在する。ここで、第１の溝１１１と第２の溝１１２の各々は、下面と、その下面に垂直に近い角度で形成された２つの対向する側面をからなる凹形状を有している。
【００５６】
なお、図１Ｂに示すように、窒化物半導体発光素子１０１において、導波路２０１は、１本の第１の溝１１１と１本の第２の溝１１２との間に存在する。
【００５７】
第１の溝１１１及び第２の溝１１２は、半導体層積層体２００Ａを掘り込むことで形成されている。具体的には、第１の溝１１１及び第２の溝１１２は、第１の溝１１１及び第２の溝１１２の底が第１窒化物半導体層２１０にまで到達するように掘り込まれている。すなわち、第１の溝１１１及び第２の溝１１２は、第２窒化物半導体層２３０、活性層２２０及び第１窒化物半導体層２１０の一部までを掘り込むことで形成されている。本実施の形態では、ｎ型クラッド層２１１の途中まで掘り込まれており、第１の溝１１１及び第２の溝１１２の底は、ｎ型クラッド層２１１内にまで到達している。なお、第１の溝１１１及び第２の溝１１２の深さは、同じであるが、これに限らない。
【００５８】
次に、実施の形態１に係る窒化物半導体発光素子１０１の製造方法について、図２Ａ〜図２Ｋを用いて説明する。図２Ａ〜図２Ｋは、実施の形態１に係る窒化物半導体発光素子１０１の製造方法を説明するための図である。
【００５９】
本実施の形態に係る窒化物半導体発光素子１０１の製造方法では、まず、図２Ａ〜図２Ｆに示すようにして半導体層積層基板１０２を作製し、その後、図２Ｇ〜図２Ｋに示すようにして半導体層積層基板１０２を分割する。以下、具体的な各工程について、詳細に説明する。
【００６０】
まず、図２Ａに示すように、基板１００としてｎ型ＧａＮ基板を用意し、基板１００の上の全面に、複数の窒化物半導体からなる半導体層をエピタキシャル成長することにより半導体層積層体２００Ａを形成する。
【００６１】
具体的には、基板１００の上に、Ｇｅがドープされたｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層２１１及びｎ型ＧａＮからなるｎ側ガイド層２１２を順次成長させることで第１窒化物半導体層２１０を形成する。
【００６２】
続いて、第１窒化物半導体層２１０の上（本実施の形態では、ｎ側ガイド層２１２の上）に、例えば、活性層２２０として、アンドープのＩｎＧａＮからなる井戸層とアンドープのＩｎＧａＮからなる障壁層とが交互に１回又は複数回積層された量子井戸活性層を形成する。
【００６３】
続いて、活性層２２０の上に、ＩｎＧａＮからなるｐ側ガイド層２３１と、ｐ型の電子障壁層２３２と、Ｍｇがドープされたｐ型のＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層２３３と、ｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層２３４を順次形成する。
【００６４】
次に、図２Ｂに示すように、基板面内のＹ軸方向（紙面垂直方向）に延びる複数の導波路２０１が形成される半導体層積層体２００Ａが形成された基板１００において、複数の導波路２０１が形成される部分を間にして、Ｙ軸方向に沿って第１の溝１１１と第２の溝１１２とを形成する。
【００６５】
具体的には、真空蒸着法及びエッチング技術を用いて、ＳｉＯ２膜からなるマスク４００及び第１レジスト膜（不図示）をｐ型コンタクト層２３４上に順次形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて、第１レジスト膜に開口を形成する。この第１レジスト膜の開口は、第１の溝１１１及び第２の溝１１２に対応する部分に形成する。
【００６６】
続いて、エッチング技術を用いて、第１レジスト膜が開口された部分のマスク４００をエッチングすることでマスク４００に第１開口部４０１を形成し、その後、残った第１レジスト膜を除去する。
【００６７】
続いて、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ；Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）等のドライエッチング技術を用いて、マスク４００の第１開口部４０１に対応する部分についてｐ型コンタクト層２３４以下の半導体層積層体２００Ａをエッチングすることで、第１の溝１１１及び第２の溝１１２を形成する。
【００６８】
このとき、第１の溝１１１及び第２の溝１１２は、第１の溝１１１及び第２の溝１１２の底面が第１窒化物半導体層２１０に到達するまで、活性層２２０及び第２窒化物半導体層２３０をエッチング除去するように半導体層積層体２００Ａを基板１００に向かって掘り込む。第１の溝１１１及び第２の溝１１２の底（深さ）は、少なくとも第１窒化物半導体層２１０まで到達しているとよく、さらには、基板１００まで到達していてもよい。すなわち、第１の溝１１１及び第２の溝１１２の底部には、第１窒化物半導体層２１０又は基板１００が露出している。本実施の形態において、第１の溝１１１及び第２の溝１１２の底は、ｎ型クラッド層２１１まで到達している。
【００６９】
このようにして、第１の溝１１１及び第２の溝１１２を形成することができる。また、詳細は後述するが、この工程では、第１の溝１１１と第２の溝１１２との間に凹部１２０（図２Ｇ及び図５参照）が形成されている。凹部１２０は、第１の溝１１１と第２の溝１１２とを形成すると同時に形成される。このため、凹部１２０の深さは、第１の溝１１１及び第２の溝１１２と同じ深さである。また、第１の溝１１１と第２の溝１１２とは、この凹部１２０により繋がっている。つまり、第１の溝１１１と第２の溝１１２と凹部１２０とは、底面が共通であり、互いに連続して形成されている。なお、第１の溝１１１、第２の溝１１２及び凹部１２０の上面視形状を含めた全体の形状の詳細については後述する。
【００７０】
次に、図２Ｃに示すように、半導体層積層体２００Ａにリッジストライプ状の導波路２０１を形成する。
【００７１】
具体的には、第２レジスト膜（不図示）をマスク４００の上に形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて、第２レジスト膜にストライプ状の開口を形成する。この第２レジスト膜の開口は、導波路２０１を挟む開口部２０２に対応する部分に形成する。
【００７２】
続いて、エッチング技術を用いて、第２レジスト膜が開口された部分のマスク４００をエッチングすることでマスク４００に第２開口部４０２を形成し、その後、残った第２レジスト膜を除去する。
【００７３】
続いて、ＲＩＥ等のドライエッチング技術を用いて、マスク４００の第２開口部４０２に対応する部分についてｐ型コンタクト層２３４以下の半導体層積層体２００Ａをエッチングすることで２つの開口部２０２を形成する。
【００７４】
このとき、２つの開口部２０２は、２つの開口部２０２の底がｐ型クラッド層２３３にまで到達するように半導体層積層体２００Ａを基板１００に向かって掘り込む。具体的には、ｐ型コンタクト層２３４をエッチングするとともにｐ型クラッド層２３３の上面から所定の深さの領域までをエッチングする。これにより、リッジストライプ状の導波路２０１が形成される。このとき、導波路２０１は、基板１００の基板面内（水平方向）のＹ軸方向に延在し、所定の間隔をあけて複数形成される。
【００７５】
次に、マスク４００を除去した後、図２Ｄに示すように、半導体層積層体２００Ａを覆うように電流ブロック膜２４０を形成する。
【００７６】
具体的には、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて、基板１００上の全面にわたって、約３００ｎｍの厚みを有するＳｉＯ２膜からなる電流ブロック膜２４０を、半導体層積層体２００Ａの上に形成する。これにより、ｐ型コンタクト層２３４の上面が電流ブロック膜２４０によって被覆されるとともに、第１の溝１１１、第２の溝１１２及び開口部２０２の内面も電流ブロック膜２４０によって被覆される。
【００７７】
次に、図２Ｅに示すように、半導体層積層体２００Ａの上に、所定の形状にパターニングされたｐ側オーミック電極２５０及びｐ側電極２６０を形成する。
【００７８】
具体的には、第３レジスト膜（不図示）をマスクとしたエッチング技術を用いて、リッジストライプ状の導波路２０１の上の電流ブロック膜２４０をエッチングして、電流ブロック膜２４０にストライプ状の開口を形成する。その後、真空蒸着法及びエッチング技術を用いて、リッジストライプ状の導波路２０１におけるｐ型コンタクト層２３４上にＰｔ膜及びＰｄ膜を順に積層することでｐ側オーミック電極２５０を形成する。
【００７９】
続いて、真空蒸着法及びリフトオフ法を用いて、電流ブロック膜２４０の開口を覆うように、Ｔｉ膜及びＡｕ膜を順に積層することで、ｐ側電極２６０を形成する。このとき、ｐ側電極２６０は、ｐ側オーミック電極２５０と接触するようにして電流ブロック膜２４０上の所定の領域にｐ側オーミック電極２５０よりも幅広で形成されている。
【００８０】
その後、基板１００のｐ側電極２６０側の面とは反対側の面（基板１００の裏面）側から、ｐ側電極２６０までの厚みが約８５μｍになるまで研磨する。
【００８１】
次に、図２Ｆに示すように、基板１００の裏面に、所定の形状にパターニングされたｎ側電極２７０を形成する。
【００８２】
具体的には、真空蒸着法及びリフトオフ法を用いて、基板１００の研磨された面に、基板１００から順に、Ｔｉ膜、Ｐｔ膜及びＡｕ膜を積層することにより、ｎ側電極２７０を形成する。
【００８３】
以上にようにして、図１Ａに示されるような、半導体層積層体２００Ａに複数のリッジストライプ状の導波路２０１が形成された半導体層積層基板１０２を作製することができる。
【００８４】
次に、図２Ｇ〜図２Ｋを用いて、半導体層積層基板１０２を分割して窒化物半導体発光素子１０１を素子分離する方法を説明する。
【００８５】
図２Ｆの工程の後に、図２Ｇに示すように、半導体層積層基板１０２をへき開するために、へき開の起点となるへき開用の分割溝として第４の溝１１４をレーザスクライブ法によって形成する。
【００８６】
第４の溝１１４（へき開用の分割溝）は、所定の分割位置１０２ａ（へき開を行う予定の位置）において、ある一定の間隔で複数形成される。本実施の形態において、半導体層積層基板１０２には、第４の溝１１４を形成するための領域として、所定の分割位置１０２ａに凹部１２０と、凹部１２０の一部領域を含む第１の部分１２０ａが形成されている。つまり、一つの第４の溝１１４は、第１の部分１２０ａに形成されており、また、凹部１２０を横断するように形成されている。
【００８７】
複数の第４の溝１１４は、基板面内において導波路２０１の長手方向（Ｙ軸方向）に直交する第１方向（Ｘ軸方向）に沿って形成されている。また、各第４の溝１１４は、その第１方向に長尺状となるように形成される。さらに、第１方向に沿って一列に形成された複数の第４の溝１１４は、導波路２０１の長手方向に並ぶように複数列で形成されている。
【００８８】
このため、第４の溝１１４を形成する際、レーザスクライブ法におけるレーザ光を、半導体層積層基板１０２に対して移動させながら、間欠的に照射することにより、第４の溝１１４を、導波路２０１の長手方向と直交する方向（第１方向）に延びる破線状に形成することができる。
【００８９】
なお、第４の溝１１４は、平面視において導波路２０１と直交する方向において、複数の第１の部分１２０ａのすべてに形成してもよいし、複数の第１の部分１２０ａに対して一定間隔毎に形成してもよい。言い換えると、複数の第１の部分１２０ａに対して、第４の溝１１４が形成されない第１の部分１２０ａがあってもよい。
【００９０】
また、第４の溝１１４の深さ（ｐ型コンタクト層２３４から基板１００に向かう方向の深さ）は、第１の溝１１１及び第２の溝１１２の深さよりも深い。本実施の形態において、第４の溝１１４は、基板１００に到達している。具体的には、第４の溝１１４の実際の深さは、２０μｍ以上であることが望ましく、第４の溝１１４の深さが２０μｍよりも浅い場合は、へき開逸れなどが発生するおそれがある。一方、第４の溝１１４の深さが深すぎると、第４の溝１１４の先端の形状が丸みを帯びてしまい、この場合も、へき開逸れなどが発生しやすくなる。このため、第４の溝１１４の深さは、２０μｍ以上６０μｍ以下であることが望ましい。
【００９１】
次に、図２Ｈに示すように、分割位置１０２ａ（へき開位置）において、基板面内において導波路２０１の長手方向（Ｙ軸方向：第２方向）と直交する第１方向（Ｘ軸方向）に沿って半導体層積層基板１０２をへき開することで半導体層積層基板１０２を複数に分割する。本実施の形態では、第４の溝１１４が形成された半導体層積層基板１０２をへき開（一次へき開）することで、半導体層積層基板１０２を複数のバー状基板１０３に分割する。
【００９２】
具体的には、第４の溝１１４が形成された半導体層積層基板１０２に対して、基板面内において導波路２０１と直交する方向（第１方向）に延びる刃状治具を第４の溝１１４に沿ってｎ側電極２７０側から接触させ、荷重を印加する。これにより、半導体層積層基板１０２が第４の溝１１４に沿ってへき開され、半導体層積層基板１０２から、バー状基板１０３が形成される。
【００９３】
このとき、半導体層積層基板１０２のへき開は、複数基板面内において導波路２０１と直交する方向に沿って破線状に配列された複数の第４の溝１１４の列ごとに行う。これにより、半導体層積層基板１０２から、バー状基板１０３が複数形成される。
【００９４】
次に、図２Ｉに示すように、へき開により得られたバー状基板１０３のへき開面に、端面コート膜５００を形成する。
【００９５】
具体的には、バー状基板１０３の一方のへき開面には、第１の端面コート膜として、密着層となるＡｌＯＮ膜、酸素拡散防止層となるＡｌＮ膜及び反射率調整層を形成する。一方、バー状基板１０３の他方のへき開面には、第２の端面コート膜として、密着層となるＡｌＯＮ膜、酸素拡散防止層となるＡｌＮ膜及び反射率調整層の順に形成される。
【００９６】
次に、図２Ｊに示すように、バー状基板１０３の第１の溝１１１と第２の溝１１２との間に導波路２０１の長手方向（Ｙ軸方向：第２方向）に延びる幅３μｍ以上８μｍ以下の第３の溝１１３を形成する。本実施の形態では、バー状基板１０３に第３の溝１１３を形成する。第３の溝１１３は、第４の溝１１４と同様に、レーザスクライブ法によって形成される。
【００９７】
第３の溝１１３は、バー状基板１０３を素子分割（素子分離）するために予めバー状基板１０３に形成しておく溝である。つまり、第３の溝１１３は、素子分割用の起点となる分割溝であり、バー状基板１０３の隣り合う導波路２０１の間に形成されている。
【００９８】
第３の溝１１３は、第１の溝１１１と第２の溝１１２との間の断面凸形状の分割溝形成領域１１３ａに、その上面から形成される。分割溝形成領域１１３ａは、第１の溝１１１と第２の溝１１２と２つの凹部１２０とで囲まれる領域であり、分割溝形成領域１１３ａの凸形状は、その上面と垂直に近い角度で対向する２つの側面と、上面とからなる。また、分割溝形成領域１１３ａは、第１の溝１１１と第２の溝１１２との間ごとに複数存在する。第３の溝１１３は、複数の分割溝形成領域１１３ａごとに形成される。複数の第３の溝１１３は、基板面内において導波路２０１の長手方向に沿って形成されている。
【００９９】
また、第３の溝１１３の深さ（ｐ型コンタクト層２３４から基板１００に向かう方向の深さ）は、第１の溝１１１及び第２の溝１１２の深さよりも深い。本実施の形態において、第３の溝１１３の底は、基板１００に到達している。具体的には、第３の溝１１３の実際の深さは、３０μｍ以上であることが望ましく、第３の溝１１３の深さが３０μｍよりも浅い場合は、分割逸れなどが発生するおそれがある。また、第３の溝１１３の深さが深すぎると、第３の溝１１３の先端の形状が丸みを帯びてしまい、この場合も、分割逸れなどが発生しやすくなる。また、デブリの発生量も増加し、ｐ側電極に対して不具合を引き起こす原因となる。このため、第３の溝１１３の深さは、３０μｍ以上７０μｍ以下であるとよく、より好ましくは３０μｍ以上６０μｍ以下である。
【０１００】
次に、図２Ｋに示すように、複数に分割された半導体層積層基板１０２（の各々バー状基板１０３）を、第３の溝１１３に沿ってさらに複数に分割する。本実施の形態では、第３の溝１１３を分割溝として、バー状基板１０３を複数に分割する。
【０１０１】
具体的には、第３の溝１１３が形成されたバー状基板１０３に対して、導波路２０１の長手方向に延びる刃状治具を第３の溝１１３に沿ってｎ側電極２７０側から接触させて荷重を印加する。これにより、バー状基板１０３は第３の溝１１３に沿って分割される。これにより、バー状基板１０３から窒化物半導体発光素子１０１が素子分離して個片化する。
【０１０２】
このようにして作製された窒化物半導体発光素子１０１を図３に示す。図３は、実施の形態１に係る窒化物半導体発光素子１０１の製造方法によって製造された窒化物半導体発光素子１０１を模式的に示す図である。図３は、図１Ｂに示す窒化物半導体発光素子１０１に対応する図である。
【０１０３】
図３に示すように、窒化物半導体発光素子１０１は、基板１００の上に、導波路２０１を有する半導体素子構造体２００が形成されものである。窒化物半導体発光素子１０１は、導波路２０１の長手方向（第２方向）に略平行な第１の側面１１０ａと、第１の側面１１０ａと対向する第２の側面１１０ｂと、第１の側面１１０ａと第２の側面１１０ｂとに略垂直な第３の側面１１０ｃと、第３の側面１１０ｃと対向する第４の側面１１０ｄと、上面１１０ｅとを有する。
【０１０４】
窒化物半導体発光素子１０１は、上面視において、第１の側面１１０ａと第２の側面１１０ｂと第３の側面１１０ｃと第４の側面１１０ｄとで囲まれた略四角形となっている。第３の側面１１０ｃ及び第４の側面１１０ｄは、導波路２０１と接する面であり、へき開面である。第３の側面１１０ｃ及び第４の側面１１０ｄは端面コート膜で覆われている。また、上面１１０ｅは、半導体素子構造体２００の上面である。
【０１０５】
窒化物半導体発光素子１０１は、第２の側面１１０ｂと導波路２０１との間に形成され且つ導波路２０１の長手方向に延びる第１の溝１１１と、第１の側面１１０ａと導波路２０１と間に形成され且つ導波路２０１の長手方向に延びる第２の溝１１２とを有する。
【０１０６】
また、窒化物半導体発光素子１０１は、凹部１２０として、第１の凹部１２１、第２の凹部１２２、第３の凹部１２３及び第４の凹部１２４を有する。第１の凹部１２１、第２の凹部１２２、第３の凹部１２３及び第４の凹部１２４の各々は、上面視において、第１の側面１１０ａと第２の側面１１０ｂと第３の側面１１０ｃと第４の側面１１０ｄとで囲まれた略四角形の４隅に形成されている。
【０１０７】
第１の凹部１２１は、平面視において、第１の側面１１０ａと第３の側面１１０ｃとの交点近傍に形成されている。つまり、第１の凹部１２１は、第１の側面１１０ａと第３の側面１１０ｃとにまたがって形成されている。
【０１０８】
第２の凹部１２２は、平面視において、第１の側面１１０ａと第４の側面１１０ｄとの交点近傍に形成されている。つまり、第２の凹部１２２は、第１の側面１１０ａと第４の側面１１０ｄとにまたがって形成されている。
【０１０９】
第３の凹部１２３は、平面視において、第２の側面１１０ｂと第３の側面１１０ｃとの交点近傍に形成されている。つまり、第３の凹部１２３は、第２の側面１１０ｂと第３の側面１１０ｃとにまたがって形成されている。
【０１１０】
第４の凹部１２４は、平面視において、第２の側面１１０ｂと第４の側面１１０ｄとの交点近傍に形成されている。つまり、第４の凹部１２４は、第２の側面１１０ｂと第４の側面１１０ｄとにまたがって形成されている。
【０１１１】
また、窒化物半導体発光素子１０１は、第３の溝１１３の一部として、第１の側面１１０ａから後退するように窪んだ第１の窪み部１１３ｂ１と、第２の側面１１０ｂから後退するように窪んだ第２の窪み部１１３ｂ２とを有する。
【０１１２】
この第３の溝１１３からなる第１の窪み部１１３ｂ１は、第１の側面１１０ａ側から見ると、ほぼ台形に近い形状となっている。この台形形状は、ｐ側電極２６０側の上底の長さよりも、ｎ側電極２７０側の下底の長さの方が短くなっている。
【０１１３】
前述のように、第３の溝１１３は、分割溝形成領域１１３ａの上面からレーザスクライブ法によって形成する。例えば、導波路２０１と並行して第３の側面１１０ｃ側から第４の側面１１０ｄ側にレーザ光を移動させながら照射する場合、まず、レーザのパワーを徐々に強めながら移動させて台形形状の第３の側面１１０ｃ側の斜辺に対応する部分を形成する。次に、あるパワーまで強めた後にその状態を保ったまま移動させて台形形状の下底に対応する部分を形成する。その後パワーを徐々に弱めて移動させて台形形状の第４の側面１１０ｄ側の斜辺に対応する部分を形成する。このようにして、第３の溝１１３からなる第１の窪み部１１３ｂ１の形状を得ることができる。
【０１１４】
ここで、第１の窪み部１１３ｂ１において、窒化物半導体発光素子１０１のｐ側電極２６０が形成された表面側からｎ側電極２７０が形成された裏面側に向かう方向に延びる縞状の凹凸が形成される。この縞状の凹凸はレーザスクライブに起因する第１の縞状の凹凸である。この第１の縞状の凹凸は、第１の窪み部１１３ｂ１全体にわたって形成されている。また、第１の窪み部１１３ｂ１と裏面との間、言い換えると第１の側面１１０ａのｎ側電極２７０側やその周辺において、素子分割時に第１の窪み部１１３ｂ１に起因して、裏面に向かう方向に延びる第２の縞状の凹凸が形成される。第１の側面１１０ａにおいて、第１の窪み部１１３ｂ１に形成された第１の縞状の凹凸（ラフネス）の大きさ（凸部と凹部間の平均の高さ）、及び、ｎ側電極２７０側に形成された第２の縞状の凹凸（ラフネス）の大きさは、第１の窪み部１１３ｂ１と第３の側面１１０ｃの間のラフネス、及び、第１の窪み部１１３ｂ１と第４の側面１１０ｄの間のラフネスより大きい。
【０１１５】
第１の窪み部１１３ｂ１とは反対側の、第３の溝１１３からなる第２の窪み部１１３ｂ２も同様の方法で形成され、第１の窪み部１１３ｂ１と同様の形状となっている。したがって、第２の側面１１０ｂの形状は、第１の側面１１０ａの形状と同様の形状となっている。
【０１１６】
第１の窪み部１１３ｂ１は、第１の側面１１０ａの上端部を含む領域が窪むように段差状に凹んだ部分である。同様に、第２の窪み部１１３ｂ２は、第２の側面１１０ｂの上端部を含む領域が窪むように段差状に凹んだ部分である。
【０１１７】
また、窒化物半導体発光素子１０１は、第４の溝１１４の一部として、第１の側面１１０ａに接し且つ第３の側面１１０ｃから後退するように窪んだ第１の窪み部１１４ａ１と、第２の側面１１０ｂに接し且つ第３の側面１１０ｃから後退するように窪んだ第２の窪み部１１４ａ２と、第１の側面１１０ａに接し且つ第４の側面１１０ｄから後退するように窪んだ第３の窪み部１１４ａ３と、第２の側面１１０ｂに接し且つ第４の側面１１０ｄから後退するように窪んだ第４の窪み部１１４ａ４とを有する。
【０１１８】
この第４の溝１１４からなる第１の窪み部１１４ａ１と第２の窪み部１１４ａ２は、第３の側面１１０ｃ側から見ると、ほぼ三角形に近い形状となっており、第３の側面１１０ｃの第１の窪み部１１４ａ１と第２の窪み部１１４ａ２から、裏面側に向かって基板１００やその周辺においては凹凸形状の段差が生じており、段差部分でへき開面が面一ではないずれた階段状の形状となっている。
【０１１９】
また、第４の溝１１４からなる第３の窪み部１１４ａ３と第４の窪み部１１４ａ４も同様に、第４の側面１１０ｄ側から見ると、三角形に近い形状となっており、第４の側面１１０ｄの第３の窪み部１１４ａ３と第４の窪み部１１４ａ４から、裏面側に向かって基板１００やその周辺においては凹凸形状の段差が生じており、完全なへき開面にはなっていない。
【０１２０】
この段差がリッジストライプ状の導波路２０１に接すると、安定した窒化物半導体素子１０１の特性が得られないなどの不具合をもたらす。
【０１２１】
なお、第１の溝１１１、第２の溝１１２、第１の凹部１２１、第２の凹部１２２、第３の凹部１２３、第４の凹部１２４及び分割溝形成領域１１３ａは、連続して電流ブロック膜２４０（不図示）で覆われているが、これは積層した半導体素子構造体２００が外部からのパーティクルなどにより、電気的に接続されないよう保護するためであり、リーク電流を抑制する役目も果たしている。
【０１２２】
以上、ここまでは、窒化物半導体発光素子１０１の製造方法を中心に説明してきたが、以下は、上記のように製造される窒化物半導体発光素子１０１が安定した形状や所望の素子特性を得ることができる点について説明する。
【０１２３】
図４及び図５は、バー状基板１０３を示している。図４（ａ）は、バー状基板１０３の部分拡大平面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。また、図５（ａ）は、バー状基板１０３の部分拡大平面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図であり、図５（ｃ）は、図５（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。
【０１２４】
また、図６及び図７は、バー状基板１０３を分割して得られる窒化物半導体発光素子１０１を示している。図６は、窒化物半導体発光素子１０１の平面図である。また、図７（ａ）は、図６のＡ−Ａ線における断面図であり、図７（ｂ）は、図６のＢ−Ｂ線における断面図であり、図７（ｃ）は、図６のＣ−Ｃ線における断面図である。
【０１２５】
図４（ａ）、図６及び図７（ａ）に示すように、素子分割後の窒化物半導体発光素子１０１の角部に当たる領域では、第１の溝１１１と第２の溝１１２との間には、第１の溝１１１及び第２の溝１１２の深さと同じ深さの凹部１２０が形成されている。
【０１２６】
また、図４〜図７に示すように、第３の溝１１３は、第１の溝１１１と第２の溝１１２と２つの凹部１２０とで囲まれる分割溝形成領域１１３ａに形成されている。本実施の形態においては、第３の溝１１３は、分割溝形成領域１１３ａの長手方向に沿って長尺状に形成されている。具体的には、第３の溝１１３は、分割溝形成領域１１３ａの一方の端部から他方の端部にわたって形成されている。また、第３の溝１１３は、分割溝形成領域１１３ａにのみ形成されており、凹部１２０には形成されていない。
【０１２７】
第３の溝１１３は、図５（ａ）に示すように、上面視において分割溝形成領域１１３ａの長手方向に沿って長尺状に形成される。第３の溝１１３は、分割溝形成領域１１３ａの端部に近い位置において第１方向（Ｘ軸方向）の幅が狭くなっており、端部から第２方向（Ｙ軸方向）に離れた位置において第１方向（Ｘ軸方向）の幅が太くなっている。
【０１２８】
また、図５（ｂ）に示す断面図のように、分割溝形成領域１１３ａの上面から形成された第３の溝１１３は、その幅は基板１００に向かう深さ方向に対して徐々に細くなっており、その深さは、基板１００まで到達している。
【０１２９】
導波路２０１に平行な第２方向（Ｙ軸方向）に沿った断面はへき開面とならないため、導波路２０１に平行な第２方向は、基板面内における導波路２０１に直交する第１方向（Ｘ軸方向）よりも分割が困難である。このため、導波路２０１に平行な第２方向に沿って分割することでバー状基板１０３を複数の窒化物半導体発光素子１０１に個片化する際、分割時の逸れやチッピングが発生しやすい。
【０１３０】
例えば、図８に示される比較例の窒化物半導体発光素子１０１Ｘのように、２段ガイド溝構造を採用し、導波路２０１に平行な第２方向に沿って素子分割用の第１のガイド溝１１０Ｘを形成するとともに、この第１のガイド溝１１０Ｘの底部にさらに第２のガイド溝１２０Ｘを形成したとしても、分割時の逸れやチッピングを十分に抑制することができない。
【０１３１】
分割時の逸れやチッピングは、端面コート膜の剥れやパーティクル等を発生させる原因となる。その発生したパーティクルの一部が窒化物半導体発光素子の発光領域に付着すると、窒化物半導体発光素子の特性が劣化したりＣＯＤレベルが低下したりするなどの不具合をもたらす。
【０１３２】
これに対して、本実施の形態では、導波路２０１に平行な第２方向に沿ってバー状基板１０３を分割する際の分割の起点となる第３の溝１１３を、第１の溝１１１及び第２の溝１１２のような深さ方向に掘り込まれている領域にさらに掘り込んで形成するのではなく、断面凸形状の分割溝形成領域１１３ａのように、窒化物半導体発光素子１０１のより上面に近い位置の部分から掘り込むことで形成している。つまり、本実施の形態では、半導体層積層体２００Ａを掘り込まずに残した部分に第３の溝１１３を形成している。具体的には、第３の溝１１３は、ｐ型コンタクト層２３４上の電流ブロック膜２４０が形成された部分から掘り込むことで形成されている。
【０１３３】
このように、第３の溝１１３を、半導体層積層体２００Ａの掘り込まれている部分にさらに掘り込んで形成するのではなく、分割溝形成領域１１３ａのような、半導体層積層体２００Ａのより上面に近い領域から掘り込んで形成する理由は、以下の通りである。
【０１３４】
本願発明者らは、上記のとおり、従来技術を用いても、窒化物半導体発光素子を分割する際に依然発生する不良に対し、分割溝形成領域及びその近傍の構造について、様々な検討を行った。その結果、本実施の形態における分割溝形成領域１１３ａを用いることで、分割時の逸れやチッピングの発生を抑制できることを見出した。以下、この点について、図９及び図１０を用いて説明する。
【０１３５】
図９は、比較例のバー状基板１０３Ｘの構成を示している。図９（ａ）は、比較例のバー状基板１０３Ｘの部分断面図であり、図９（ｂ）は、比較例のバー状基板１０３Ｘのガイド溝１１０Ｘ周辺の拡大斜視図である。
【０１３６】
図１０は、実施の形態１に係るバー状基板１０３の構成を示している。図１０（ａ）は、実施の形態１に係るバー状基板１０３の部分断面図であり、図１０（ｂ）は、同バー状基板１０３の分割溝形成領域１１３ａ周辺の拡大斜視図である。
【０１３７】
図９に示される比較例のバー状基板１０３Ｘを分割することで、図８に示される窒化物半導体発光素子１０１Ｘを得ることができる。図９の（ａ）及び（ｂ）に示すように、比較例のバー状基板１０３Ｘでは、半導体層積層体２００Ａを掘り込んで第１のガイド溝１１０Ｘを形成するとともに、この第１のガイド溝１１０Ｘの底部からさらに掘り込むことで第２のガイド溝１２０Ｘを形成している。
【０１３８】
図１０の（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施の形態におけるバー状基板１０３では、半導体層積層体２００Ａを掘り込んで第１の溝１１１及び第２の溝１１２を形成し、半導体層積層体２００Ａを掘り込まずに残した部分（第１の溝１１１と第２の溝１１２で挟まれる部分）を分割溝形成領域１１３ａとし、この残してできた凸形状の分割溝形成領域１１３ａに、分割溝として第３の溝１１３を掘り込んで形成している。
【０１３９】
そして、本発明者らが鋭意検討した結果、図９に示す比較例のバー状基板１０３Ｘと図１０に示す本実施の形態におけるバー状基板１０３とでは、得られる窒化物半導体発光素子の反り量が異なるということを見出した。そして、半導体層積層体２００Ａを掘り込まずに残した部分の厚さ（残し厚）と、窒化物半導体発光素子の反り量との相関関係を調べた。その結果を図１１に示す。
【０１４０】
図１１は、基板１００上の半導体層積層体２００Ａの残し厚と、窒化物半導体発光素子の反り量との関係を示す図である。なお、残し厚が０μｍの場合は、半導体層積層体２００Ａが無く、基板１００まで掘り込んでいる場合であり、残し厚３μｍの場合は、半導体層積層体２００Ａを全く掘り込んでいない場合である。
【０１４１】
図１１に示すように、基板１００上の半導体層積層体２００Ａの残し厚を薄くして、基板１００まで凹形状を掘り込んでいくと、窒化物半導体発光素子の反り量が約半分まで低減することが判明した。
【０１４２】
ここで、本発明者らは、窒化物半導体発光素子の反り量がバー状基板を分割する際に何らかの影響を与えると考え、その影響について考察した。その考察を図１２を用いて説明する。
【０１４３】
図１２は、バー状基板の反りが大きい場合と反り小さい場合とにおいて、基板１００上の半導体層積層体２００Ａの応力と素子分割時の荷重との関係を模式的に示す図である。図１２において、（ａ）は、バー状基板での膜応力を示しており、（ｂ）は、第３の溝１３を形成した後の応力を示しており、（ｃ）は、素子分割時における荷重と応力との関係を示している。
【０１４４】
一般的にＧａＮ系の窒化物半導体発光素子ではその不純物組成に起因して、ＧａＮ基板からなる基板１００上に形成された半導体層積層体２００Ａは、図１２の（ａ）に示すように、圧縮される方向の応力が働く。この場合、図１１に示したように、半導体層積層体２００Ａの残し厚が大きいほど、窒化物半導体発光素子の反り量が大きくなるのはこの影響である。
【０１４５】
ここで、図１０に示される本実施の形態におけるバー状基板１０３のように、分割溝形成領域１１３ａが凸形状である場合（つまり、半導体層積層体２００Ａの残し厚が大きい場合）、図１２の左図に示すように、バー状基板の反りが大きく、バー状基板に大きな圧縮応力がかかっていると考えられる。
【０１４６】
一方、図９に示される比較例のバー状基板１０３Ｘのように、第１のガイド溝１１０Ｘの底部からさらに第２のガイド溝１２０Ｘを掘り込んで分割溝形成領域を凹形状とした場合（つまり、半導体層積層体２００Ａの残し厚が小さい場合）、基板１００まで掘り込まれた部分で応力が緩和するため、図１２の右図に示すように、バー状基板の反りが小さく、バー状基板にかかる圧縮応力は小さいと考えられる。
【０１４７】
次に、図１２の（ｂ）に示すように、反りの大きいバー状基板と反りの小さいバー状基板の各々に第３の溝１１３を形成すると、第３の溝１１３により分断された半導体層積層体２００Ａの両側に、第３の溝１１３が開く方向の応力が発生する。
【０１４８】
この時に発生する第３の溝１１３が開く方向の応力は、半導体層積層体２００Ａに発生する応力の大きさに比例し、本実施の形態のように反りの大きいバー状基板（図１２の左図）では大きく、比較例のように反りの小さいバー状基板（図１２の右図）では小さくなる。
【０１４９】
そして、図１２の（ｃ）に示すように、反りの大きいバー状基板と反りの小さいバー状基板の各々に、ｎ側電極３３０側から荷重を印加して素子分割を行うと、第３の溝１１３が開く方向の応力は、素子分割する荷重をアシストする方向に働くことになる。
【０１５０】
このため、比較例のように反りの小さいバー状基板（図１２の右図）と比較して、本実施の形態のように反りの大きいバー状基板（図１２の左図）の場合は、より少ない荷重で素子分割が可能になる。
【０１５１】
ここで、比較例のバー状基板１０３Ｘと本実施の形態におけるバー状基板１０３とについて、分割溝による分割溝形成領域に発生する応力について考察した結果を、上記の図９及び図１０を用いて説明する。
【０１５２】
上述のように、図９に示される比較例のバー状基板１０３Ｘでは、分割溝として、第１のガイド溝１１０Ｘ及び第２のガイド溝１２０Ｘを形成して分割溝形成領域を凹形状としている。一方、図１０に示される本実施の形態におけるバー状基板１０３では、凸形状の分割溝形成領域１１３ａに分割溝として第３の溝１１３を形成している。
【０１５３】
図９に示される比較例のバー状基板１０３Ｘでは、分割溝形成領域（第１のガイド溝１１０Ｘ）が凹形状であるため、分割溝形成領域での分割溝（第２のガイド溝１２０Ｘ）を開く方向の応力が小さい。このため、分割溝の先端から伸びるクラックの直進性が悪くなり、結果的に分割により得られた窒化物半導体発光素子の形状が悪化する割合が高くなる。
【０１５４】
これに対して、図１０に示される本実施の形態におけるバー状基板１０３では、図９に示される比較例のバー状基板１０３Ｘよりも、分割溝形成領域１１３ａでの分割溝（第３の溝１１３）を開く方向の応力が大きくなる。このため、分割溝の先端から伸びるクラックの直進性が高くなり、結果的に分割により得られた窒化物半導体発光素子の形状も良好になる。
【０１５５】
さらに、図１０に示される本実施の形態におけるバー状基板１０３における凸形状の分割溝形成領域１１３ａの効果は、基板面内に欠陥集中領域や極性反転領域（以下コア領域と呼ぶ）が存在しない基板、いわゆるコアレス基板において顕著に効果が発現するが、基板内にストライプ状に欠陥集中領域や極性反転領域が存在する基板、いわゆるストライプコア基板においては本実施の形態の効果は小さくなる。これは、基板１００上の半導体層積層体２００Ａ（つまりエピタキシャル層）が、コアレス基板では基板内で連続しているのに対し、ストライプコア基板ではコア領域でエピタキシャル層が分断されるため、コア領域での応力が小さくなることが原因であると考えられる。
【０１５６】
また、本実施の形態における半導体層積層基板１０２の構造によれば、分割溝（第３の溝１１３）形成時に飛散したデブリの付着による不具合を抑制することもできる。以下、この点について説明する。
【０１５７】
分割溝（第３の溝１１３）をレーザスクライブ法で形成する場合、周辺領域にデブリが飛散して付着する。このデブリは金属を侵食する性質を有しており、ｐ側電極２６０に付着すると、付着部分のｐ側電極２６０が侵食されて変質する。また、デブリが連続している面積が大きいほど侵食される領域も広くなる。
【０１５８】
例えば、比較例のバー状基板１０３Ｘでは、図９（ａ）に示すように、凹形状の分割溝形成領域（第１のガイド溝１１０Ｘ）に分割溝として第２のガイド溝１２０Ｘを形成しているので、分割溝形成領域の周辺領域に飛散して付着したデブリ１０４が連続して形成されることになる。この結果、ｐ側電極２６０が侵食されて変質する。
【０１５９】
このように、ｐ側電極２６０が変質すると、窒化物半導体発光素子の駆動電圧が上昇したり、ワイヤーボンディングの強度が低下したりするなどの不具合が発生する。
【０１６０】
このような不具合を解消するために、分割溝（第３の溝１１３）を形成する前にバー状基板の表面に保護膜を塗布し、保護膜上に飛散したデブリを保護膜と一緒に取り除くという方法、あるいは、デブリが付着した窒化物半導体発光素子そのものを洗浄してデブリを取り除くという方法が考えられるが、このような方法では別途工程が必要になる。
【０１６１】
これに対して、本実施の形態における窒化物半導体発光素子１０１は、図１０（ａ）に示すように、断面凸形状の分割溝形成領域１１３ａを有するので、第３の溝１１３からｐ側電極２６０までの間にデブリ１０４が付着しても、デブリ１０４が第１の溝１１１と第２の溝１１２とによって分断されることになる。これにより、ｐ側電極２６０とデブリ１０４とが接触する面積を低減させることができるので、デブリ１０４によるｐ側電極２６０の変質を抑制することができる。
【０１６２】
さらに、本実施の形態における窒化物半導体発光素子１０１では、断面凸形状の分割溝形成領域１１３ａが、上面視において、窒化物半導体発光素子１０１の長辺側に相当する両端の各々に設けられている。これにより、衝立状の分割溝形成領域１１３ａが側面外壁として機能するので、導波路２０１又は半導体層積層体２００付近に異物が侵入することも抑制できる事が考えられる。
【０１６３】
さらに、本実施の形態における半導体層積層基板１０２の構造によれば、分割溝（第３の溝１１３）形成時に発生するデブリの発生量そのものも低減することができる。以下、この点について説明する。
【０１６４】
分割溝（第３の溝１１３）は、レーザスクライブ法によって形成する。この場合、集光レンズにより収束されたレーザビームを、指定した位置に深さ方向に対しての焦点を基準に照射する。このとき、焦点部分でビームスポット径が一番小さくなるように、レーザビームの焦点を合わせている。
【０１６５】
レーザビームの焦点位置によって、レーザビームにより形成される分割溝（第３の溝１１３）の形状も変化する。具体的には、焦点位置が深さ方向にばらつくと、図１３に示すように、デフォーカス量が大きくなり、分割溝の溝幅Ｗが太くなる。また、デフォーカス量が大きくなるにつれて、分割溝の先端の形状が丸みを帯びていく。このため、分割の起点としての機能が低下してしまう。
【０１６６】
また、焦点位置に対してデフォーカスが発生すると、デブリの飛散距離も大きくなる。図１４は、分割溝をレーザビームで形成するときのデフォーカス量と分割溝を形成するときに発生するデブリの飛散距離との関係を示す図である。図１４に示すように、デフォーカス量が大きくなると、デブリが発生する領域が広くなり、リーク電流の発生のリスクが増加する。なお、デブリの飛散量は、レーザスクライブのパワーやその他の条件によって異なる。
【０１６７】
図９に示される比較例のバー状基板１０３Ｘのように、第１のガイド溝１１０Ｘの底から分割溝として第２のガイド溝１２０Ｘをさらに掘り込む場合、第１のガイド溝１１０Ｘの底面にレーザビームの焦点を合わせる必要がある。レーザビームの焦点を合わせるための領域としては、２００×２００μｍ程度の領域を使用して焦点を合わせている。このため、図９に示される比較例のバー状基板１０３Ｘでは、第１のガイド溝１１０Ｘの底ではなく、バー状基板１０３Ｘの上面にレーザビームの焦点が合いやすくなり、分割溝である第２のガイド溝１２０Ｘの溝幅が太くなったり先端が丸みを帯びたりして、分割の起点としての機能がする。つまり、分割溝から逸れて分割されてしまうおそれがある。
【０１６８】
一方、図１０に示される本実施の形態におけるバー状基板１０３では、第１の溝１１１及び第２の溝１１２を形成することで第１の溝１１１及び第２の溝１１２で挟まれた半導体層積層体２００Ａを分割溝形成領域１１３ａとして、分割溝である第３の溝１１３を形成している。つまり、半導体層積層体２００Ａを掘り込まずに残した部分を分割溝形成領域１１３ａとし、この凸形状の分割溝形成領域１１３ａに第３の溝１１３を形成している。
【０１６９】
これにより、図１０に示される本実施の形態におけるバー状基板１０３では、分割溝形成領域１１３ａの上面にレーザビームの焦点が合いやすく、分割溝である第３の溝１１３の溝幅が太くなったり先端が丸みを帯びたりすることを抑制できる。したがって、第３の溝１１３は、分割の起点としての機能を十分発揮するので、第３の溝１１３から逸れて分割されてしまうことを抑制できる。
【０１７０】
ただし、本実施の形態におけるバー状基板１０３では、分割溝形成領域１１３ａに形成される第３の溝１１３がへき開面（分割位置１０２ａ）まで形成されていないため、第３の溝１１３からへき開面までの間で、窒化物半導体発光素子１０１に分割する時の逸れやチッピングが発生するおそれがある。
【０１７１】
そこで、本実施の形態におけるバー状基板１０３では、図１５に示すように、分割溝形成領域１１３ａと分割位置１０２ａ（へき開面）までの間に、分割のガイド機能を有する構造として凹部１２０が形成されている。これにより、分割時に逸れ又はチッピングが発生することを顕著に抑制できる。以下、この点について、図１５を用いて説明する。図１５は、実施の形態１に係るバー状基板１０３における分割溝形成領域１１３ａの端部近傍の拡大平面図である。
【０１７２】
図１５に示すように、第３の溝１１３の延長線上に、凹部１２０が形成されている。具体的には、凹部１２０は、分割溝形成領域１１３ａの長手方向の両端部に形成されている。
【０１７３】
凹部１２０は、分割溝形成領域１１３ａの長手方向（第２方向）の長さが最小となる最小部分を有する。つまり、分割溝形成領域１１３ａの長手方向（第２方向）の幅が局所的に狭くなる領域を有している。
【０１７４】
凹部１２０の最小部分における分割溝形成領域１１３ａの頂点と凹部１２０とが接する側壁で形成される形状は、分割のガイド機能を有する形状となっている。言い換えると、分割溝形成領域１１３ａの先端部は頂点を有している。そして、分割溝形成領域１１３ａの頂点の内角となる角度をθ３とすると、θ３を小さくすることで、凹部１２０をガイド機能として強く働かせることができる。一方、θ３を小さくすると、第３の溝１１３を形成できる領域が狭くなってしまい、第３の溝１１３の先端から分割位置１０２ａ（へき開面）までの距離Ｌ２が長くなり、第３の溝１１３の分割の起点となる機能が低下しまう。したがって、距離Ｌ２が短いほど、分割に必要な応力は小さくなり、チッピングの発生を抑えることができる。また、基板１００が六方晶の窒化物半導体基板である場合、θ３の角度を６０度にすると、凹部１２０と接する側壁がへき開面と重なってしまうため、分割溝形成領域１１３ａの頂点の形状としては、θ３の角度は６０度を除いた形状にすることが望ましい。なお、第３の溝１１３を形成するための分割溝形成領域１１３ａは、分割溝形成領域１１３ａの長手方向の先端の頂点同士を結ぶ直線に対して対称な形状であるとよく、例えば、図１６の（ａ）〜（ｇ）に示されるような多角形等の形状が採用されうる。
【０１７５】
さらに、分割溝形成領域１１３ａの長手方向の先端の頂点の位置を分割位置１０２ａ（へき開面）に近づけることで、第３の溝１１３の先端も分割位置１０２ａ（へき開面）に近づく位置にまで形成することが可能となる。
【０１７６】
図１７は、分割溝形成領域１１３ａの長手方向の頂点から分割位置１０２ａ（へき開面）までの距離Ｌ１と分割逸れ発生率との関係を示す図である。
【０１７７】
図１７に示すように、距離Ｌ１が９μｍ以下になると、分割時の逸れを抑制できることが分かる。ただし、半導体層積層基板１０２をへき開してバー状基板１０３にするための第４の溝１１４を形成する領域が必要になる。第４の溝１１４の幅は２μｍ〜６μｍ程度で、距離Ｌ１は、第４の溝１１４の幅がばらついたり第４の溝１１４の形成位置がＹ軸方向（第２方向）にばらつくことを考慮して、距離Ｌ１は、４μｍ以上であるとよい。つまり、距離Ｌ１は、４μｍ以上９μｍ以下であるとよい。
【０１７８】
この場合、分割溝形成領域１１３ａの長手方向に隣接する２つの分割溝形成領域１１３ａ間の距離は８μｍ以上１８μｍ以下となる。つまり、凹部１２０の分割溝形成領域１１３ａの長手方向（Ｙ軸方向）の最小の幅は、８μｍ以上１８μｍ以下にするとよい。
【０１７９】
以上説明したように、これらの効果を利用することで、窒化物半導体発光素子１０１の安定した形状が得られ、良好な特性を得ることができる。
【０１８０】
また、分割溝形成領域１１３ａと第１の溝１１１の第１の外壁と第２の溝１１２の第２の外壁とは、ある一定以上の距離を保つ必要がある。第１の溝１１１、第２の溝１１２及び凹部１２０は、前述したようにエッチングにより同時に形成するが、第１の溝１１１及び第２の溝１１２が完全にｎ型クラッド層２１１以下まで掘り込まれていない残渣領域が発生した場合、その領域が電流リークパスとなってしまう。残渣のサイズや発生領域にもよるが、本実施の形態における製造方法では、分割溝形成領域１１３ａと第１の溝１１１の第１の外壁と第２の溝１１２の第２の外壁との距離は、５μｍ以上とすることが望ましい。
【０１８１】
また、窒化物半導体発光素子１０１の幅を維持したまま、分割溝形成領域１１３ａと第１の溝１１１の第１の外壁との距離、及び、分割溝形成領域１１３ａと第２の溝１１２の第２の外壁との距離を、５μｍよりも大きくすると、分割溝形成領域１１３ａ自体の幅を狭くする必要がある。このため、第３の溝１１３を形成するためのレーザスクライブ条件にもよるが、本実施の形態においては、分割溝形成領域１１３ａの幅は１０μｍ以上とすることが望ましい。これは、第３の溝１１３が分割溝形成領域１１３ａ内で収まる領域として形成するためであり、また、分割後の分割溝形成領域１１３ａの欠け等を発生させないためである。このときの第３の溝１１３の幅は３μｍ以上８μｍ以下で、より好ましくは４μｍ以上６μｍ以下である。
【０１８２】
さらに、本実施の形態では、端面コート膜の剥れやパーティクル等の発生を抑制させる方法として、以下の方法が挙げられる。以下、この方法について、図１８及び図１９を用いて説明する。図１８及び図１９は、半導体層積層基板１０２の部分拡大図である。図１８（ａ）は、半導体層積層基板１０２の拡大平面図であり、図１８（ｂ）は、図１８（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。図１９は、半導体層積層基板１０２における凹部１２０周辺の拡大平面図である。
【０１８３】
図１８及び図１９に示すように、第１の溝１１１は、第２の溝１１２から遠い側に第１の外壁１１１ａを有し、第２の溝１１２は、第１の溝１１１から遠い側に第２の外壁１１２ａを有する。分割位置１０２ａの近傍において第１の外壁１１１ａと第２の外壁１１２ａとの間には、凹部１２０の一部領域を含む第１の部分１２０ａが配置されている。すなわち、第１の外壁１１１ａと第２の外壁１１２ａと間の第１方向（Ｘ軸方向）と平行な方向の距離は分割位置１０２ａの近傍において最大値を有する。
【０１８４】
また、図１９に示すように、第１の外壁１１１ａは、分割位置１０２ａを間にして各々が第２の外壁１１２ａとは反対側の方向に延びる一対の第１外壁部１１１ａ１及び１１１ａ２を有する。また、第２の外壁１１２ａは、分割位置１０２ａを間にして、各々が第１の外壁１１１ａとは反対側の方向に延びる一対の第２外壁部１１２ａ１及び１１２ａ２を有する。
【０１８５】
第４の溝１１４は、分割位置１０２ａにおける第１の溝１１１の第１の外壁１１１ａと第２の溝１１２の第２の外壁１１２ａとの間（第１の部分１２０ａ）において、凹部１２０をまたいで形成される。第４の溝１１４の長手方向の長さは、第１の外壁１１１ａ及び第２の外壁１１２ａにかからない長さで、できるだけ長く形成することが望ましい。第１の外壁１１１ａと第２の外壁１１２ａとをまたいで、第１の部分１２０ａよりも長く第４の溝１１４を形成してしまうと、リーク電流が増加する原因となる。
【０１８６】
第４の溝１１４の長さは、第１の部分１２０ａの第１方向（Ｘ軸方向）の長さに対して、５μｍから２５μｍ程度短い長さで形成するのが良く、本実施の形態における第４の溝１１４の長さは２５μｍ以上４５μｍ以下であることが好ましい。第４の溝１１４の長さが４５μｍ（第１の部分１２０ａの第１方向の長さに対して５μｍ短い）より長くなると、第１の溝１１４の第１方向に対する形成位置ばらつきなどにより、第１の外壁１１１ａと第２の外壁１１２ａをまたいで形成してしまう恐れがある。一方で、第４の溝１１４の長さが２５μｍ（第１の部分１２０ａの第２方向の長さに対して２５μｍ短い）未満になると、へき開の起点となるための効果が小さくなり、へき開ずれなどの不具合をもたらす可能性が高くなってくる。より好ましくは、第４の溝１１４の長さは３０μｍ以上４０μｍ以下である。
【０１８７】
言い換えると、第４の溝１１４を形成する第１の部分１２０ａの第１方向（Ｘ軸方向）の長さは、３０μｍ以上であることが望ましく、より好ましくは３５μｍ以上である。
【０１８８】
また、第４の溝１１４の幅については、２μｍ以上６μｍ以下で形成すると良い。第４の溝１１４の幅が２μｍ未満になると、第４の溝１１４の深さも浅くなり、へき開の起点となるための効果が小さくなる。一方、第４の溝１１４の幅が６μｍより太くなると、第４の溝１１４の第２方向（Ｙ軸方向）に対する形成位置ばらつきになどにより、バー状基板１０３を窒化物半導体発光素子１０１に分割する時のガイド機能として配置されている分割溝形成領域１１３ａにかかる恐れがあり、分割逸れの抑制効果が弱まる。合わせて、デブリの発生量も多くなるため、より好ましい第４の溝１１４の幅としては、３μｍ以上５μｍ以下である。
【０１８９】
第４の溝１１４の幅は、長手方向（Ｘ軸方向：第１方向）の両端部に近づくにつれて徐々に細くなるが、中心付近が最大値を有しており、この最大値が前述の範囲に収まるように形成することが望ましい。
【０１９０】
次に、図１９に示すように、分割位置１０２ａにおいて、第１の外壁１１１ａの基板面内に延びる方向と、導波路２０１又は分割溝形成領域１１３ａの長手方向に直交する方向（第１方向：Ｘ軸方向）とのなす角をθ１とし、第２の外壁１１２ａの基板面内に延びる方向と、導波路２０１又は分割溝形成領域１１３ａの長手方向に直交する方向（第１方向）とのなす角をθ２とすると、θ１及びθ２は、いずれも、７５度以上９０度以下であるとよい（７５°≦θ１≦９０°、７５°≦θ２≦９０°）。
【０１９１】
ここで、本実施の形態では、図１８に示すように、分割位置１０２ａにおける第１の外壁１１１ａと第２の外壁１１２ａは、導波路２０１に対して平行に形成されており、θ１とθ２は９０度である。つまり、図１９に示すように、一対の第１外壁部１１１ａ１及び１１１ａ２は、導波路２０１又は分割溝形成領域１１３ａの長手方向（Ｙ軸方向）に対する傾きが分割位置１０２ａに対して対称であり、且つ長さが同じであるため、θ１は９０度となる。同様に、一対の第２外壁部１１２ａ１及び１１２ａ２は、導波路２０１又は分割溝形成領域１１３ａの長手方向（Ｙ軸方向）に対する傾きが分割位置１０２ａに対して対称であり、且つ長さが同じであるため、θ２は９０度となる。
【０１９２】
なお、一対の第１外壁部１１１ａ１及び１１１ａ２のＹ軸方向に対する傾きが分割位置１０２ａに対して対称でない場合、又は、一対の第１外壁部１１１ａ１及び１１１ａ２の長さが異なる場合は、分割位置１０２ａにおける第１の外壁１１１ａはＹ軸方向と平行ではなくなる。この場合、第１の外壁１１１ａとＸ軸方向とのなす角の小さいほうの値をθ１とし、第２の外壁１１２ａとＸ軸方向とのなす角の小さいほうの値をθ２とする。
【０１９３】
ここで、θ１、θ２と、半導体層積層基板１０２をへき開する際に発生する端面（へき開面）の段差との関係について、図２０を用いて説明する。図２０は、θ１、θ２と端面段差発生率との関係を示す図である。
【０１９４】
分割位置１０２ａにおいて半導体層積層基板１０２をへき開してバー状基板１０３を作製する場合、へき開面は、第１の外壁１１１ａ及び第２の外壁１１２ａを通過して導波路２０１の長手方向に直交する方向（第１方向：Ｘ軸方向）に沿って形成される。
【０１９５】
このとき、図２０に示すように、θ１、θ２が７５度未満になると、第１の部分１２０ａの近傍で、へき開が逸れて進行する割合が高くなり、端面に段差が発生する割合が高くなる。さらに、θ１、θ２が小さいほど、第１の部分１２０ａ近傍でへき開が逸れる割合が高くなる。これは、第１の溝１１１及び第２の溝１１２がエッチングによって深さ方向に段差を有しており、第１の外壁１１１ａ及び第２の外壁１１２ａのガイド機能が働くためである。また、半導体素子構造体２００の結晶構造が六方晶である窒化物半導体発光素子１０１では、導波路２０１の長手方向に直交する方向（第１方向）と、その第１方向に対して６０度の方向にへき開面を有しているため、θ１、θ２を６０度にすると、よりへき開が逸れる割合が高くなる。
【０１９６】
次に、へき開が逸れた場合に、窒化物半導体発光素子１０１の特性に与える影響について図２１及び図２２を用いて説明する。
【０１９７】
図２１（ａ）は、半導体層積層基板１０２をへき開した後の端部付近の平面図であり、図２１（ｂ）はそのへき開面を示す図であり、図２１（ｃ）はそのへき開面に発生した段差を示す図である。
【０１９８】
図２１の（ａ）〜（ｃ）に示すように、へき開が逸れて進行すると、バー状基板１０３のへき開面（端面）には段差が生じる。へき開面は、窒化物半導体発光素子１０１の発光面となるため、へき開面に段差が発生すると、窒化物半導体発光素子１０１の発光特性に影響を与える。
【０１９９】
図２２は、端面（へき開面）に段差が発生している窒化物半導体発光素子１０１と端面（へき開面）に段差が発生していない窒化物半導体発光素子１０１との垂直光軸ずれの値を示す図である。
【０２００】
図２２に示すように、窒化物半導体発光素子１０１の端面における垂直光軸にずれが発生すると、レーザ発振に対する垂直方向の角度が安定しない。このため、発光特性だけではなく、電気特性及び信頼性にも影響を与える。
【０２０１】
へき開の逸れによって発生する段差は、半導体層積層基板１０２の結晶面と異なる方向で分割されているためである。段差が発生すると、半導体層積層基板１０２からのパーティクル発生の原因にもなり、端面コート膜の密着性が低下する原因ともなる。
【０２０２】
このため、第１の外壁１１１ａ及び第２の外壁１１２ａよるガイド機能が弱くなるように、θ１、θ２は、７５度以上９０度以下にすることが望ましく、９０度に近づくほどより好ましい。なお、第１の外壁１１１ａ及び第２の外壁１１２ａは、例えば、図２３の（ａ）〜（ｅ）に示されるような形状であっても、安定したへき開を行うことができる。
【０２０３】
また、一対の第１外壁部１１１ａ１及び１１１ａ２の各々の基板面内に延びる方向と、導波路２０１の長手方向に直交する方向（第１方向）とのなす角、及び、一対の第２外壁部１１２ａ１及び１１１ａ２の各々の基板面内に延びる方向と、導波路２０１の長手方向に直交する方向（第１方向）とのなす角は、いずれも、３０度以上９０度以下であるとよく、より好ましくは、４５度以上であるが、６０度ではない方がよい。一対の第１外壁部１１１ａ１及び１１１ａ２と一対の第２外壁部１１２ａ１及び１１１ａ２との位置は、分割位置１ａ（へき開する位置）ではないが、分割位置１０２ａ近傍においても、第４の溝１１４の形成位置が、導波路２０１の長手方向（第２方向）に対して平行にずれて形成された場合の影響を少しでも除くために、一対の第１外壁部１１１ａ１及び１１１ａ２と一対の第２外壁部１１２ａ１及び１１１ａ２とに関しては、上記の角度の範囲にすることが望ましい。なお、第１の部分１２０ａ近傍における、第１の外壁１１１ａと第２の外壁１１２ａとの第１方向における距離は、他の領域と同じ距離であってもよい。
【０２０４】
また、端面コート膜の剥がれを抑制するためには、へき開面に形成する端面コート膜の密着性を高める必要がある。これまで、半導体基板に密着させる密着層として結晶性のＡｌＮ膜が一般的に用いられていたが、ＡｌＮ膜は、窒化物半導体発光素子積層基板である半導体層積層基板１０２との熱膨張係数差が大きく、膜剥れが発生しやすい。
【０２０５】
そこで、本実施の形態においては、ＡｌＮ膜と比較して窒化物半導体発光素子積層基板との熱膨張係数差が小さいＡｌＯＮ膜を密着層として用いて端面コート膜を形成した。
【０２０６】
図２４は、ＡｌＮ膜に微量のＯ２ガスを添加してＳｉ基板上に成膜した際における膜表面に付着するパーティクル密度のＯ２添加量依存性を示す図である。パーティクル密度が小さい（つまり、パーティクルの発生数が少ない）ということは、膜の密着性が高いということを示している。
【０２０７】
図２４に示すように、ＡｌＮ膜に微量のＯ２を添加することで、劇的にパーティクル密度が減少させることができる。これは、ＡｌＮ膜に微量のＯ２を添加して成膜することにより、膜の密着性が大幅に向上したことを示している。
【０２０８】
図２５は、実施の形態１における端面コート膜の膜剥れの抑制効果を更に改善させる端面コート膜構造を示す図である。
【０２０９】
図２５に示される窒化物半導体発光素子では、両端面に、密着層５０１、ＡｌＮ層５０２及び反射率調整層５０３を形成している。なお、基板１００としては、ＧａＮ基板を用いている。このように、ＡｌＮ層５０２と基板１００との間に密着層５０１を挿入することで、ＡｌＮ層５０２及び反射率調整層５０３の膜剥れの低減効果が期待でき、窒化物半導体発光素子への分割工程においても、端面コート膜の剥れを抑制できる効果が得られる。
【０２１０】
以上、本実施の形態における窒化物半導体発光素子１０１とその製造方法等を説明してきたが、実際に本実施の形態における窒化物半導体発光素子１０１を作製したときの効果を図２６に示す。
【０２１１】
図２６には、本実施の形態と、比較例１と、比較例２とについての分割逸れ発生率を示している。本実施の形態と比較例１、２とで異なる点は、分割溝形成領域１１３ａの形状である。比較例１は、分割溝形成領域１１３ａを平坦にした構造で、比較例２は、分割溝形成領域１１３ａを凹形状にした構造（図９と同等の構造）で、本実施の形態は、分割溝形成領域１１３ａを凸形状にした構造である。また、距離Ｌ１はいずれも４μｍとし、距離Ｌ２はいずれも１０μｍとし、第３の溝１１３の深さはいずれも基板１００に到達する深さとした。また、θ１、θ２は、いずれも９０度とし、θ３については、比較例２と本実施の形態は９０度とした。
【０２１２】
その結果、図２６に示すように、比較例２は比較例１に対して、凹形状の分割溝形成領域１１３ａを有しているため、ガイド機能の役割が働き、良好な窒化物半導体発光素子の形状を得ることができた。さらに、本実施の形態では、凸形状の分割溝形成領域１１３ａの場合は、より良好な窒化物半導体発光素子の形状を得ることが確認された。
【０２１３】
以上説明したように、本実施の形態によれば、より平坦なへき開面を形成することができ、より安定した形状の窒化物半導体発光素子１０１を歩留よく量産することができる。これにより、良好なレーザ素子特性を有する窒化物半導体発光素子１０１を実現することができる。しかも、素子分割時にパーティクルの発生を十分に抑制することができるので、ワット級の動作状態においても数千時間に及ぶ長期動作保証が可能となる。
【０２１４】
（実施の形態１の変形例１）
次に、上記実施の形態１の変形例１について説明する。
【０２１５】
本変形例では、上記実施の形態１における第３の溝１１３の長さに関して、図１５で示したＬ２を、１５μｍ、２０μｍ、２５μｍの３条件とし、それ以外の条件は、上記実施の形態１と同様の製造方法で窒化物半導体発光素子を作製した。
【０２１６】
その結果、分割逸れ発生率は、Ｌ２＝１５μｍ、２０μｍの場合では、図２６に示される比較例２の場合よりも低くなったが、Ｌ２＝２５μｍではチッピングが増加した。この結果は、第３の溝１１３の長さが短いため、バー状基板１０３の分割において、より強い応力での分割が必要になり、チッピングの増加に繋がったと考えられる。したがって、チッピングを抑制するには、上記のように距離Ｌ２は短い方がよく、Ｌ２の上限が２０μｍである事が明らかとなり、これにより、安定した形状の窒化物半導体発光素子を製造することができる。
【０２１７】
（実施の形態１の変形例２）
次に、上記実施の形態１の変形例２について説明する。
【０２１８】
本変形例では、分割溝形成領域１１３ａの先端の角度θ３をどこまで鋭角化できるかの検討を行った。図２７は、分割溝形成領域１１３ａの先端の角度θ３を９０度よりもさらに鋭角にした場合の分割溝形成領域１１３ａ周辺の拡大平面図である。
【０２１９】
この場合、例えばθ３を３０度にすると、分割溝形成領域１１３ａの面積が小さくなる。第３の溝１１３の幅Ｗのばらつき又は第３の溝１１３の形成位置のＸ軸方向（第１方向）へのばらつきを考慮すると、必然的にＬ２の長さは長くなる。この場合、θ３の角度が小さいと、分割溝形成領域１１３ａは、ガイド機能として強く働くが、第３の溝１１３の長さが短いため、上記変形例１で説明したように、バー状基板１０３の分割において、より強い応力での分割が必要になり、チッピングの増加に繋がる。
【０２２０】
また、θ３を６０度にすると、分割溝形成領域１１３ａの先端部の壁面がへき開面と重なってしまうため、分割溝形成領域１１３ａの側壁に沿って分割された場合に、そのままへき開面に沿って分割されてしまい、窒化物半導体発光素子の形状が悪化してしまうことが考えられる。
【０２２１】
そこで、θ３を５０度にすることで、第３の溝１１３の長さで変化するＬ２を２０μｍ以下で形成することができ、チッピングを抑制するとともに、上記実施の形態１と同等の分割逸れ発生率に抑えることができる。
【０２２２】
したがって、θ３を５０度以上にすることで、分割の逸れの抑制とチッピングの抑制との両立を図ることができる。なお、θ３が大きくなりすぎると、分割溝形成領域１１３ａのガイド機能が弱くなるため、θ３の上限は、９０度であるとよい。よって、θ３は、５０度以上９０度以下であることが望ましい。
【０２２３】
（実施の形態２）
次に、本開示の実施の形態２について説明するが、本開示の実施の形態２の説明に先立ち、本開示の一態様を得るに至った経緯を説明する。
【０２２４】
従来、一方の端部と他方の端部とで導波路の幅が異なる構造を有する窒化物半導体発光素子が知られている。例えば、図２８に示すように、テーパストライプ構造の導波路２０１を有する窒化物半導体発光素子１Ｘが知られている。図２８に示される導波路２０１は、レーザ光が出射する出射面側の端部の幅の方が反射面側の端部の幅よりも大きくなっている。
【０２２５】
また、窒化物半導体発光素子に電流を供給する手段として、金ワイヤ等のワイヤがある。この場合、図２８に示すように、サブマウント等に実装された窒化物半導体発光素子１Ｘには、ワイヤボンディングによってワイヤ６２０が接続される。
【０２２６】
一般的に、窒化物半導体発光素子を量産する場合、個々の窒化物半導体発光素子に対応する複数の素子形成領域を通るようにストライプ状の導波路が形成された半導体層積層基板をへき開することで複数のバー状基板にして、このバー状基板をさらに複数に分割して個片化することで、１枚の基板（ウエハ）から複数の窒化物半導体発光素子（チップ）を得る。
【０２２７】
このとき、一方の端部と他方の端部とで導波路の幅が異なる窒化物半導体発光素子を量産する際、半導体層積層基板のへき開の位置で導波路の幅を一つ置きに異ならせる方法が考えられる。これにより、１枚の基板から１種類の窒化物半導体発光素子を容易に量産することができる。
【０２２８】
近年、窒化物半導体発光素子の小型化及びコストダウン等を目的として、窒化物半導体発光素子の幅を狭くすることが検討されている。
【０２２９】
しかしながら、窒化物半導体発光素子の幅を狭くすると、図２９に示すように、窒化物半導体発光素子１Ｘにワイヤ６２０を接続したときに、ワイヤ６２０の接続部６２１が窒化物半導体発光素子１Ｘの導波路２０１（リッジ部）上に位置することになる。この場合、ワイヤボンディング時の衝撃によって導波路２０１がダメージを受けて窒化物半導体発光素子１Ｘの信頼性が低下するおそれがある。
【０２３０】
そこで、ワイヤの接続部が導波路上に位置しないように、導波路の位置を素子幅方向にオフセットすることが考えられる。
【０２３１】
しかしながら、一方の端部と他方の端部とで導波路の幅が異なるとともに導波路の位置が素子幅方向にオフセットされた窒化物半導体発光素子を１つの基板（ウエハ）から量産する場合に、図３０に示すように、半導体層積層基板２Ｙを分割するための２つの分割線ＸＬ及びＹＬのうち分割線ＸＬの位置（へき開の位置）において導波路２０１の幅を一つ置きに異ならせる方法を用いると、図３１の（ａ）に示すように、出射面から見て導波路２０１が左側にオフセットされた窒化物半導体発光素子１Ｙａと、図３１の（ｂ）に示すように、出射面から見て導波路２０１が右側にオフセットされた窒化物半導体発光素子１Ｙｂとが作製される。つまり、導波路２０１のオフセットの方向が異なる２種類の窒化物半導体発光素子ができてしまう。
【０２３２】
このような課題に対して、本願発明者らが鋭意検討した結果、本願発明者らは、一方の端部と他方の端部とで導波路の幅が異なるとともに導波路の位置が素子幅方向にオフセットされた窒化物半導体発光素子を量産する際に、複数の素子形成領域を通るように導波路が形成された半導体層積層基板を分割して個片化する方法を用いたとしても、導波路のオフセットの方向が揃った１種類の窒化物半導体発光素子を容易に製造することができる方法を見出した。
【０２３３】
本開示は、このような課題を解決するためになされたものであり、一方の端部と他方の端部とで導波路の幅が異なるとともに導波路の位置が素子幅方向にオフセットされた窒化物半導体発光素子を製造する際に、導波路のオフセットの方向が揃った１種類の窒化物半導体発光素子を容易に製造することができる窒化物半導体発光素子の製造方法等を提供することを目的とする。
【０２３４】
以下、本開示の実施の形態２について、図面を参照しながら説明する。
【０２３５】
まず、実施の形態２に係る窒化物半導体発光素子１の製造方法によって製造される窒化物半導体発光素子１の構成について、図３２〜図３６を用いて説明する。図３２〜図３４は、それぞれ実施の形態２に係る窒化物半導体発光素子１の斜視図、正面図及び上面図である。図３５Ａ及び図３５Ｂは、それぞれ、図３４のＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線における同窒化物半導体発光素子１の断面図である。図３６は、同窒化物半導体発光素子１における導波路２０１の形状を示す平面図である。
【０２３６】
図３２及び図３４に示すように、窒化物半導体発光素子１は、第１の側面１ａと、第２の側面１ｂと、第３の側面１ｃと、第４の側面１ｄとを有する。
【０２３７】
第１の側面１ａ及び第２の側面１ｂは、Ｙ軸方向に略平行な面である。具体的には、第１の側面１ａ及び第２の側面１ｂは、ＹＺ平面に略平行な面である。第２の側面１ｂは、第１の側面１ａと対向している。
【０２３８】
なお、詳細は後述するが、第１の側面１ａ及び第２の側面１ｂは、半導体層積層基板を分割して窒化物半導体発光素子１を作製する際に、Ｙ軸方向に延在する縦方向分割線に沿った分割面である。
【０２３９】
第３の側面１ｃ及び第４の側面１ｄは、Ｘ軸方向に略平行な面である。具体的には、第３の側面１ｃ及び第４の側面１ｄは、ＸＺ平面に略平行な面であって、第１の側面１ａ及び第２の側面１ｂに略垂直な面である。第４の側面１ｄは、第３の側面１ｃと対向している。第３の側面１ｃは、窒化物半導体発光素子１の出射面であり、第４の側面１ｄは、窒化物半導体発光素子１の反射面である。
【０２４０】
なお、詳細は後述するが、第３の側面１ｃ及び第４の側面１ｄは、半導体層積層基板を分割して窒化物半導体発光素子１を作製する際に、Ｘ軸方向に延在する横方向分割線に沿った分割面である。具体的には、第３の側面１ｃ及び第４の側面１ｄは、導波路２０１と接する面であり、へき開面である。また、図３２〜図３４には図示されていないが、第３の側面１ｃ及び第４の側面１ｄには端面コート膜（反射膜）が被覆されている。
【０２４１】
図３２〜図３５Ｂに示すように、窒化物半導体発光素子１は、実施の形態１における窒化物半導体発光素子１０１と同様に、基板１００と、基板１００の一方の面の上に位置する半導体素子構造体２００とを有する。本実施の形態における窒化物半導体発光素子１も、窒化物系半導体材料によって構成された窒化物半導体レーザである。
【０２４２】
基板１００は、実施の形態１と同様に、例えば、ＧａＮからなるＧａＮ基板である。本実施の形態でも、基板１００として、六方晶のｎ型ＧａＮ基板を用いている。
【０２４３】
図３５Ａ及び図３５Ｂに示すように、半導体素子構造体２００は、実施の形態１と同様に、基板１００の上に、第１導電型の第１窒化物半導体層２１０と、活性層２２０と、第１導電型とは異なる第２導電型の第２窒化物半導体層２３０とを順に有する。第１窒化物半導体層２１０、活性層２２０及び第２窒化物半導体層２３０の具体的な材料は、実施の形態１と同様である。
【０２４４】
図３４に示すように、窒化物半導体発光素子１は、実施の形態１における窒化物半導体素子１０１と同様に、レーザ共振器長方向に延在する導波路２０１を有する。図３５Ａ及び図３５Ｂに示すように、導波路２０１は、第２窒化物半導体層２３０に形成されている。本実施の形態において、導波路２０１は、リッジ状に形成されたリッジストライプ構造である。
【０２４５】
また、図３５Ａ及び図３５Ｂに示すように、本実施の形態でも、各導波路２０１上の一部を除き、第２窒化物半導体層２３０の上（本実施の形態ではｐ型コンタクト層２３４の上）は、ＳｉＯ２からなる電流ブロック層２４０で覆われている。
【０２４６】
また、半導体素子構造体２００の上には、第１電極として、ｐ側オーミック電極２５０及びｐ側電極２６０が形成されて、基板１００の他方の面には、第２電極として、ｎ側電極２７０が形成されている。
【０２４７】
本実施の形態における窒化物半導体発光素子１では、図３３に示すように、導波路２０１の位置が窒化物半導体発光素子１の素子幅方向にオフセットされている。つまり、導波路２０１は、Ｘ軸方向（第１方向）にオフセットされた位置に配置されており、導波路２０１の中心線は、窒化物半導体発光素子１の幅方向の中心からずれた位置に存在している。
【０２４８】
本実施の形態において、導波路２０１の位置は、窒化物半導体発光素子１を正面から見たときに、Ｘ軸方向のプラス方向（右方向）にオフセットされている。このため、図３２及び図３４に示すように、ｐ側電極２６０の第１の側面１ａに最も近い第１端部２６１から導波路２０１までの第１の幅は、ｐ側電極２６０の第２の側面１ｂに最も近い第２端部２６２から導波路２０１までの第２の幅よりも長くなっている。
【０２４９】
また、図３６に示すように、導波路２０１は、共振器長方向の一方の端部（窒化物半導体発光素子１の出射面側のリッジ端部）と他方の端部（窒化物半導体発光素子１の反射面側のリッジ端部）とで幅が異なっている。つまり、第４の側面１ｄである反射面側の端部における導波路２０１の第１の幅（第１のリッジストライプ幅）をＷ１とし、第３の側面１ｃである出射面側の端部における導波路２０１の第２の幅（第２のリッジストライプ幅）をＷ２とすると、Ｗ１≠Ｗ２である。具体的には、出射面側の第２の幅Ｗ２が反射面側の第１の幅Ｗ１よりも大きくなっている（Ｗ２＞Ｗ１）。
【０２５０】
本実施の形態において、導波路２０１は、幅がＷ１で一定の第１直線部２０１ａと、幅がＷ１からＷ２へ連続的に変化する幅変化部２０１ｂと、幅がＷ２で一定の第２直線部２０１ｃとを有する。幅変化部２０１ｂは、第１直線部２０１ａと第２直線部２０１ｃとの間に位置する。本実施の形態において、幅変化部２０１ｂの幅は、反射面側から出射面側に向かって単調に増加している。具体的には、幅変化部２０１ｂは、テーパ状に幅が漸次変化するテーパ部であり、導波路２０１は、テーパストライプ構造となっている。
【０２５１】
この場合、幅変化部２０１ｂの共振器長方向に対するテーパ角θ（傾斜角）は、導波路２０１の共振器長方向の全長をＬとし、第１直線部２０１ａの長さをＸ１とし、第２直線部２０１ｃの長さをＸ２とすると、以下の式１で表すことができる。
【０２５２】
ｔａｎ（θ）＝（Ｗ２−Ｗ１）／（２×（Ｌ−Ｘ１−Ｘ２））・・・式１
【０２５３】
また、窒化物半導体発光素子１では、導波路２０１の幅が広い方を出射面としてレーザ光が取り出される。この場合、出射面及び反射面には、端面でのレーザ光の反射率がそれぞれＲｆ（％）、Ｒｒ（％）となるように端面コート膜（反射膜）が形成されている。ここで、出射面からの光の取り出し効率を向上させるために、Ｒｆ＜Ｒｒとしている。
【０２５４】
このように、導波路２０１が幅変化部２０１ｂ（テーパ部）を有することで、リッジストライプ領域の共振器長方向に対する活性層２２０での電子正孔対密度分布の均一性を高めることができるとともに、活性層２２０への電流注入面積が小さくなるためレーザ発振に必要な発振しきい電流値を小さくすることができる。これにより、高温動作時の熱飽和レベルが向上するので、窒化物半導体発光素子１の高温動作特性が改善する。
【０２５５】
さらに、導波路２０１を伝搬するレーザ光の光分布形状を幅が狭い第１の幅Ｗ１で制御することができる。つまり、横モード制御を行うことができる。この場合、共振器端面近傍に導波路２０１の幅が一定となる領域を設けることにより、へき開の位置のずれによる導波路２０１の端部の幅が変化してしまうことを抑制できる。
【０２５６】
特に、本実施の形態における窒化物半導体発光素子１では、導波路２０１の位置がオフセットされているが、導波路２０１の位置がオフセットされていると、窒化物半導体発光素子１の動作中に発生する熱の放熱は、導波路２０１と左右の側面との距離の違いによる影響を受けやすくなるため、高温動作特性が低下する。しかし、本実施の形態における窒化物半導体発光素子１では、導波路２０１が幅変化部２０１ｂ（テーパ部）を有するので、上記のように高温動作特性を向上させることができる。これにより、高温動作特性の低下を招くことなく、素子面積の低減による低コストの窒化物半導体発光素子１を実現できる。
【０２５７】
このように構成される窒化物半導体発光素子１には、複数の溝が形成されている。具体的には、図３２〜図３５Ｂに示すように、窒化物半導体発光素子１には、第１の溝１１、第２の溝１２、第３の溝１３及び第４の溝１４が形成されている。
【０２５８】
後述するように、第１の溝１１は、へき開用の分割溝であり、第２の溝１２は、個片化する際の素子分離用の分割溝である。第１の溝１１及び第２の溝１２は、レーザによって形成される。また、第３の溝１３及び第４の溝１４は、第２の溝１２を形成するための分割溝形成領域１２ａを形成するためのガイド溝である。第３の溝１３及び第４の溝１４は、エッチングによって形成される。
【０２５９】
図３２及び図３４に示すように、第１の溝１１は、平面視における第１の側面１ａと第３の側面１ｃとの交点近傍において、Ｘ軸方向（第１方向）に沿って延在する。本実施の形態において、第１の溝１１は、第３の側面１ｃに形成されている。具体的には、第１の溝１１は、上面視において、第３の側面１ｃ（出射面）から僅かに後退して窪むように形成されている。
【０２６０】
また、第１の溝１１は、図３２及び図３３に示すように、第１の凹部２１の底面からＺ軸方向に向かって掘り込むように形成されている。第１の溝１１は、半導体素子構造体２００を貫通して基板１００に達している。後述するが、第１の溝１１の最大深さは、２０μｍ〜６０μｍであり、平面視したときの第１の溝１１の第１方向の長さは、３０μｍ〜４０μｍである。第１の溝１１は、正面視形状が三角形状となるように形成されているが、これに限らない。なお、第１の溝１１は、第４の側面１ｄにも形成されている。
【０２６１】
第２の溝１２は、図３２及び図３４に示すように、第１の側面１ａ及び第２の側面１ｂの各々に形成されている。本実施の形態において、第２の溝１２は、上面視において、第１の側面１ａ及び第２の側面１ｂから僅かに後退して窪むように形成されている。
【０２６２】
また、第２の溝１２は、図３２及び図３５Ａに示すように、半導体素子構造体２００の上面からＺ軸方向に向かって掘り込むように形成されている。第２の溝１２は、半導体素子構造体２００を貫通して基板１００に達している。後述するが、第２の溝１２の最大深さは、３０μｍ〜６０μｍであり、平面視したときの第２の溝１２の第２方向の長さは、分割溝形成領域１２ａに収まる長さである。第２の溝１２は、第３の溝１３及び第４の溝よりも深い。つまり、第２の溝１２の底は、第３の溝１３及び第４の溝１４の底よりも深い位置に存在している。第２の溝１２は、側面視形状が略台形状となるように形成されているが、これに限らない。
【０２６３】
また、窒化物半導体発光素子１は、上記実施の形態１における窒化物半導体発光素子１０１と同様に、第２の溝１２の一部として、第１の側面１ａから後退するように窪んだ第１の窪み部と、第２の側面１ｂから後退するように窪んだ第２の窪み部とを有する。
【０２６４】
第１の窪み部は、第１の側面１ａの上端部を含む領域が窪むように段差状に凹んだ部分である。同様に、第２の窪み部は、第２の側面１ｂの上端部を含む領域が窪むように段差状に凹んだ部分である。
【０２６５】
また、窒化物半導体発光素子１は、上記実施の形態１における窒化物半導体発光素子１０１と同様に、第１の溝１１の一部として、第３の側面１ｃから後退するように窪んだ第３の窪み部と、第４の側面１ｄから後退するように窪んだ第４の窪み部とを有する。
【０２６６】
本実施の形態において、第２の溝１２は、分割溝形成領域１２ａに形成されている。分割溝形成領域１２ａは、第３の溝１３及び第４の溝１４を形成することにより得られる島状の領域であり、Ｙ軸方向に延在している。第２の溝１２は、分割溝形成領域１２ａの上面からＺ軸方向に向かって掘り込むように形成される。
【０２６７】
図３２〜図３４に示すように、第３の溝１３及び第４の溝１４は、Ｙ軸方向と略平行に延在している。第３の溝１３及び第４の溝１４は、導波路２０１を挟んで一対で形成されている。つまり、導波路２０１は、隣り合う一対の第３の溝１３及び第４の溝１４の間に存在する。図３５Ａに示すように、第３の溝１３及び第４の溝１４の各々は、底面と、その底面に略垂直に形成された２つの対向する側面とからなる凹形状を有している。
【０２６８】
第３の溝１３及び第４の溝１４は、半導体素子構造体２００を掘り込むことで形成されている。具体的には、第３の溝１３及び第４の溝１４は、第１窒化物半導体層２１０に達しており、底が第１窒化物半導体層２１０にまで到達するように掘り込まれている。すなわち、第３の溝１３及び第４の溝１４は、第２窒化物半導体層２３０、活性層２２０及び第１窒化物半導体層２１０の一部までを掘り込むことで形成されている。本実施の形態において、第３の溝１３及び第４の溝１４は、ｎ型クラッド層２１１の途中までを掘り込むことで形成されている。つまり、第３の溝１３及び第４の溝１４の底は、ｎ型クラッド層２１１にまで達している。なお、第３の溝１３及び第４の溝１４の深さは、同じであるが、これに限らない。
【０２６９】
また、図３２に示すように、窒化物半導体発光素子１は、第１の側面１ａと第３の側面１ｃとの交点近傍において、第１の凹部２１を有する。本実施の形態において、第１の凹部２１は、第１の側面１ａと第３の側面１ｃとにまたがって形成されている。詳細は後述するが、第１の凹部２１の側面（壁面）は、第３の側面１ｃに対して４５°以上の角度で傾斜しているとよい。
【０２７０】
さらに、窒化物半導体発光素子１は、第１の側面１ａと第４の側面１ｄとの交点近傍において、第２の凹部２２を有する。本実施の形態において、第２の凹部２２は、第１の側面１ａと第４の側面１ｄとにまたがって形成されている。詳細は後述するが、第２の凹部２２の側面（壁面）は、第４の側面１ｄに対して４５°以上の角度で傾斜しているとよい。
【０２７１】
第１の凹部２１及び第２の凹部２２は、いずれも第４の溝１４と繋がっている。具体的には、第４の溝１４の長手方向の一方の端部に第１の凹部２１が連結され、第４の溝１４の長手方向の他方の端部に第２の凹部２２が連結されている。第１の凹部２１及び第２の凹部２２は、第４の溝１４と同時に形成される。したがって、第１の凹部２１及び第２の凹部２２と第４の溝１４とは深さが同じであり、第１の凹部２１及び第２の凹部２２の底面と第４の溝１４の底面とは同じ深さ位置にある。
【０２７２】
次に、実施の形態２に係る窒化物半導体発光素子１の製造方法について、図３７Ａ〜図３７Ｋを用いて説明する。図３７Ａ〜図３７Ｋは、実施の形態２に係る窒化物半導体発光素子１の製造方法を説明するための図である。図３７Ｂ〜図３７Ｆにおいて、上図の（ａ）は、下図の（ｂ）のＡ−Ａ線における断面図であり、下図の（ｂ）は部分平面図である。図３７Ｇにおいて、上図の（ａ）は部分斜視図であり、下図の（ｂ）は部分平面図である。図３７Ｈ及び図３７Ｉは部分斜視図である。図３７Ｊ及び図３７Ｋにおいて、上図の（ａ）は、部分斜視図であり、中図の（ｂ）は部分平面図であり、下図の（ｃ）は部分断面図である。図３７Ｊの（ｃ）は、（ｂ）のＣ−Ｃ線における断面図である。なお、図３７Ｇ〜図３７Ｋの斜視図では、立体構造が正確に図示されていない。
【０２７３】
本実施の形態に係る窒化物半導体発光素子１の製造方法では、まず、図３７Ａ〜図３７Ｆに示すようにして、複数の導波路２０１を有する半導体層積層体２００Ａが形成された半導体層積層基板２を作製する。その後、図３７Ｇ〜図３７Ｋに示すようにして、横方向分割線ＸＬ及び縦方向分割線ＹＬの略直交する２つの分割線に沿って半導体層積層基板２を分割して複数に個片化することで、窒化物半導体発光素子１を得る。以下、具体的な各工程について、詳細に説明する。
【０２７４】
まず、図３７Ａの（ａ）に示すように、基板１００の上に半導体層積層体２００Ａを形成することにより半導体層積層基板２を作製する。例えば、基板１００の一方の面の全面に、複数の窒化物半導体からなる半導体層をエピタキシャル成長することにより半導体層積層体２００Ａを形成する。
【０２７５】
具体的には、基板１００としてｎ型六方晶ＧａＮ基板を用意し、この基板１００の上に、Ｇｅがドープされたｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層２１１及びｎ型ＧａＮからなるｎ側ガイド層２１２を順次成長させることで第１窒化物半導体層２１０を形成する。
【０２７６】
続いて、第１窒化物半導体層２１０の上（本実施の形態では、ｎ側ガイド層２１２の上）に、例えば、活性層２２０として、アンドープのＩｎＧａＮからなる井戸層とアンドープのＩｎＧａＮからなる障壁層とが交互に１回又は複数回積層された量子井戸活性層を形成する。
【０２７７】
続いて、活性層２２０の上に、ＩｎＧａＮからなるｐ側ガイド層２３１と、ｐ型電子障壁層２３２と、Ｍｇがドープされたｐ型のＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層２３３と、ｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層２３４を順次形成する。
【０２７８】
このとき、図３７Ａの（ｂ）に示すように、半導体層積層基板２は、各々が最終的に窒化物半導体発光素子１として得られる個々の個片素子に対応する複数の素子形成領域３００を有する。
【０２７９】
複数の素子形成領域３００は、複数の横方向分割線ＸＬと複数の縦方向分割線ＹＬとによって区画されている。具体的には、複数の素子形成領域３００の各々は、Ｙ軸方向に隣り合う２本の横方向分割線ＸＬと、Ｘ軸方向に隣り合う２本の縦方向分割線ＹＬとで囲まれる領域である。
【０２８０】
複数の横方向分割線ＸＬの各々は、基板１００の面内において、Ｘ軸方向（第１方向）に平行な第１方向分割線である。一方、複数の縦方向分割線ＹＬの各々は、基板１００の面内において、Ｙ軸方向（第２方向）に平行な第２方向分割線である。複数の横方向分割線ＸＬ及び複数の縦方向分割線ＹＬは、半導体層積層基板２を分割するための分割線である。つまり、半導体層積層基板２は、複数の横方向分割線ＸＬ及び複数の縦方向分割線ＹＬに沿って切断される。これにより、複数の素子形成領域３００の各々が個片化されて個片素子となる。
【０２８１】
そして、本実施の形態では、複数の素子形成領域３００が行毎にＸ軸方向にずれている。具体的には、複数の素子形成領域３００が、偶数行と奇数行とで一行置きにＸ軸方向にずれている。つまり、複数の縦方向分割線ＹＬが複数の素子形成領域３００の行毎にＸ軸方向にずれている。
【０２８２】
具体的には、第１の行の複数の素子形成領域３００の複数の縦方向分割線ＹＬと、第２の行の複数の素子形成領域３００の複数の縦方向分割線ＹＬとは、Ｘ軸方向にずれている。また、第１の行の複数の素子形成領域３００の複数の縦方向分割線ＹＬと、第３の行の複数の素子形成領域３００の複数の縦方向分割線ＹＬとは一致している。つまり、縦方向分割線ＹＬは、偶数行と奇数行とで一行置きにＸ軸方向にずれている。また、偶数行同士の縦方向分割線ＹＬ及び奇数行同士の縦方向分割線ＹＬは、Ｘ軸方向にずれておらず、一致している。
【０２８３】
一例として、図３７Ａの（ｂ）に示すように、複数の横方向分割線ＸＬは、第１の横方向分割線ＸＬ１と、第２の横方向分割線ＸＬ２と、第３の横方向分割線ＸＬ３とを含み、複数の縦方向分割線ＹＬは、第１の縦方向分割線ＹＬ１と、第２の縦方向分割線ＹＬ２と、第３の縦方向分割線ＹＬ３と、第４の縦方向分割線ＹＬ４とを含む。
【０２８４】
また、複数の素子形成領域３００は、Ｙ軸方向に隣り合う第１素子形成領域３０１及び第２素子形成領域３０２を有する。第１素子形成領域３０１は、第１の横方向分割線ＸＬ１、第２の横方向分割線ＸＬ２、第１の縦方向分割線ＹＬ１及び第２の縦方向分割線ＹＬ２の４本の分割線で四方が囲まれる矩形領域である。また、第２素子形成領域３０２は、第２の横方向分割線ＸＬ２、第３の横方向分割線ＸＬ３、第３の縦方向分割線ＹＬ３及び第４の縦方向分割線ＹＬ４の４本の分割線で四方が囲まれる矩形領域である。
【０２８５】
そして、第１素子形成領域３０１を挟む２つの縦方向分割線ＹＬ（第１の縦方向分割線ＹＬ１、第２の縦方向分割線ＹＬ２）と、第２素子形成領域３０２を挟む２つの縦方向分割線（第３の縦方向分割線ＹＬ３、第４の縦方向分割線ＹＬ４）とは、Ｘ軸方向にずれている。
【０２８６】
次に、半導体層積層体２００Ａを形成した後、図３７Ｂの（ａ）及び（ｂ）に示すように、半導体層積層体２００Ａが形成された半導体層積層基板２において、縦方向分割線ＹＬに沿って、ガイド溝１０を形成する。ガイド溝１０は、第２の溝１２を形成するための分割溝形成領域１２ａを形成するための溝である。本実施の形態では、縦方向分割線ＹＬが一行置きにＸ軸方向にずれているので、ガイド溝１０も一行置きにＸ軸方向にずれている。
【０２８７】
ガイド溝１０は、以下の方法で形成することができる。具体的には、図３７Ｂの（ａ）に示すように、真空蒸着法及びエッチング技術を用いて、ＳｉＯ２膜からなるマスク４００及び第１レジスト膜（不図示）をｐ型コンタクト層２３４上に順次形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて、第１レジスト膜に開口を形成する。この第１レジスト膜の開口は、第３の溝１３及び第４の溝１４に対応する部分に形成する。
【０２８８】
続いて、エッチング技術を用いて、第１レジスト膜が開口された部分のマスク４００をエッチングすることでマスク４００に第１開口部４０１を形成し、その後、残った第１レジスト膜を除去する。
【０２８９】
続いて、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ；Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）等のドライエッチング技術を用いて、マスク４００の第１開口部４０１に対応する部分についてｐ型コンタクト層２３４以下の半導体層積層体２００Ａをエッチングすることで、ガイド溝１０を形成する。
【０２９０】
このとき、ガイド溝１０は、底面が第１窒化物半導体層２１０に到達するまで、活性層２２０及び第２窒化物半導体層２３０をエッチング除去するように半導体層積層体２００Ａを基板１００に向かって掘り込む。ガイド溝１０の底（深さ）は、少なくとも第１窒化物半導体層２１０まで到達しているとよく、さらには、基板１００まで到達していてもよい。すなわち、ガイド溝１０の底部には、第１窒化物半導体層２１０又は基板１００が露出している。本実施の形態において、ガイド溝１０の底は、ｎ型クラッド層２１１まで到達している。
【０２９１】
このように、本実施の形態におけるガイド溝１０は、エッチングにより形成されるエッチング溝である。図３７Ｂの（ｂ）に示すように、ガイド溝１０は、縦方向分割線ＹＬを間にして、Ｘ軸方向に隣り合う２つの素子形成領域３００に形成される。
【０２９２】
具体的には、ガイド溝１０は、第１の縦方向分割線ＹＬ１を間にして、各々がＹ軸方向に延在する第３の溝１３及び第４の溝１４を含む。第３の溝１３は、第１素子形成領域３０１に形成され、第４の溝１４は、第１素子形成領域３０１のＸ軸方向に隣接する第３素子形成領域３０３に形成される。
【０２９３】
また、ガイド溝１０は、第３の縦方向分割線ＹＬ３を間にして、各々がＹ軸方向に延在する第５の溝１５及び第６の溝１６を含む。第５の溝１５は、第２素子形成領域３０２に形成され、第６の溝１６は、第２素子形成領域３０２のＸ軸方向に隣接する第４素子形成領域３０４に形成される。
【０２９４】
また、ガイド溝１０は、第７の溝１７を含む。第７の溝１７は、横方向分割線ＸＬと縦方向分割線ＹＬとの交点付近に形成される。具体的には、第７の溝１７は、第２の横方向分割線ＸＬ２上において、第３の溝１３及び第４の溝１４と第５の溝１５及び第６の溝１６との間に形成される。つまり、第７の溝１７は、第３の溝１３及び第４の溝１４と第５の溝１５及び第６の溝１６とを連結する連結溝であり、第３の溝１３、第４の溝１４、第５の溝１５、第６の溝１６及び第７の溝１７は、互いに繋がっている。なお、第７の溝１７は、図３２における第１の凹部２１及び第２の凹部２２に対応する。
【０２９５】
第７の溝１７は、第１素子形成領域３０１の第３の溝１３と第４の溝１４との間において、第２の横方向分割線ＸＬ２からＹ軸方向の幅が最小となる部分を有する。また、第７の溝１７は、第２素子形成領域３０２の第５の溝１５と第６の溝１６との間において、第２の横方向分割線ＸＬ２からＹ軸方向の幅が最小となる部分を有する。
【０２９６】
第３の溝１３、第４の溝１４、第５の溝１５、第６の溝１６及び第７の溝１７は、少なくとも、第１窒化物半導体層２１０に達している。本実施の形態において、第３の溝１３、第４の溝１４、第５の溝１５、第６の溝１６及び第７の溝１７は、ガイド溝１０として同時に形成されるので、底面は面一である。
【０２９７】
そして、ガイド溝１０を形成することで、分割溝形成領域１２ａが形成される。例えば、第１素子形成領域３０１と第３素子形成領域３０３との間に形成される分割溝形成領域１２ａは、第３の溝１３と第４の溝１４と上下の第７の溝１７で囲まれる島状の領域である。また、第２素子形成領域３０２と第４素子形成領域３０４との間に形成される分割溝形成領域１２ａは、第５の溝１５と第６の溝１６と上下の第７の溝１７で囲まれる島状の領域である。
【０２９８】
次に、ガイド溝１０を形成した後は、図３７Ｃの（ａ）及び（ｂ）に示すように、半導体層積層基板２の半導体層積層体２００Ａに、各々がＹ軸方向に延在するリッジストライプ状の複数の導波路２０１を形成する。複数の導波路２０１は、Ｘ軸方向に一定の間隔をあけて等間隔に形成される。
【０２９９】
また、本実施の形態では、複数の素子形成領域３００及び複数の縦方向分割線ＹＬが各々の行毎にＸ軸方向にずれているが、導波路２０１は、複数の素子形成領域３００及び複数の縦方向分割線ＹＬの行毎にずれていない。つまり、導波路２０１は、個片素子（窒化物半導体発光素子１）に対応する各素子形成領域３００単位ではＸ軸方向にオフセットされた位置に配置されているが、半導体層積層基板２全体ではＹ軸方向に並ぶ複数の素子形成領域３００を通るように直線状に形成される。言い換えると、第１素子形成領域３０１における導波路と第１の縦方向分割線ＹＬ１との間の幅は、第２素子形成領域３０２における導波路と第４の縦方向分割線ＹＬ４との間の幅と等しい。
【０３００】
また、各素子形成領域３００において、導波路２０１は、一方の端部の幅が他端の端部の幅と異なっている。具体的には、各素子形成領域３００における導波路２０１は、テーパ構造として、テーパ状に幅が漸次変化する幅変化部（テーパ部）を有する。
【０３０１】
このようなテーパ構造の導波路２０１を有する窒化物半導体発光素子１を量産するために、横方向分割線ＸＬの位置で導波路２０１の幅を一つ置きに異ならせている。つまり、横方向分割線ＸＬの位置において、Ｙ軸方向に隣り合う２つの素子形成領域３００の各々の導波路２０１の幅は一致している。
【０３０２】
このような形状の導波路２０１は、以下の方法で形成することができる。具体的には、図３７Ｃの（ａ）に示すように、第２レジスト膜（不図示）をマスク４００の上に形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて、第２レジスト膜にストライプ状の開口を形成する。この第２レジスト膜の開口は、導波路２０１を挟む開口部２０２に対応する部分に形成する。
【０３０３】
続いて、エッチング技術を用いて、第２レジスト膜が開口された部分のマスク４００をエッチングすることでマスク４００に第２開口部４０２を形成し、その後、残った第２レジスト膜を除去する。
【０３０４】
続いて、ＲＩＥ等のドライエッチング技術を用いて、マスク４００の第２開口部４０２に対応する部分についてｐ型コンタクト層２３４以下の半導体層積層体２００Ａをエッチングすることで２つの開口部２０２を形成する。
【０３０５】
このとき、２つの開口部２０２は、２つの開口部２０２の底がｐ型クラッド層２３３にまで到達するように半導体層積層体２００Ａを基板１００に向かって掘り込む。具体的には、ｐ型コンタクト層２３４をエッチングするとともにｐ型クラッド層２３３の上面から所定の深さの領域までをエッチングする。
【０３０６】
これにより、図３７Ｃの（ｂ）に示すように、素子形成領域３００毎にテーパ構造を有し、且つ、Ｙ軸方向に並ぶ複数の素子形成領域３００を通るリッジストライプ状の複数の導波路２０１を形成することができる。
【０３０７】
具体的には、図３８に示すように、半導体層積層基板２における導波路２０１において、第１の横方向分割線ＸＬ１での導波路２０１のＸ軸方向の第１の幅をＷ１とし、第２の横方向分割線ＸＬ２での導波路２０１のＸ軸方向の第２の幅をＷ２とし、第３の横方向分割線ＸＬ３での導波路２０１のＸ軸方向の第３の幅をＷ３とすると、Ｗ１＝Ｗ３、かつ、Ｗ１≠Ｗ２、具体的にはＷ２＞Ｗ１である。図３８は、図３７Ｃ（ｂ）の破線で囲まれる領域Ｘの拡大図である。
【０３０８】
本実施の形態において、第１素子形成領域３０１及び第２素子形成領域３０２の各々において、導波路２０１は、幅がＷ１からＷ２へ連続的に変化する幅変化部を有する。
【０３０９】
また、第１の縦方向分割線ＹＬ１と第２の縦方向分割線ＹＬ２との間隔をＤ１とし、第３の縦方向分割線ＹＬ３と第４の縦方向分割線ＹＬ４との間隔をＤ２とすると、Ｄ１＝Ｄ２である。つまり、第１素子形成領域３０１の幅と第２素子形成領域３０２の幅とは同じである。本実施の形態において、複数の素子形成領域３００の幅は、全て同じである。
【０３１０】
また、半導体層積層基板２において、第１素子形成領域３０１の導波路２０１は、第１の縦方向分割線ＹＬ１及び第２の縦方向分割線ＹＬ２のうち第１の縦方向分割線ＹＬ１側に偏って配置されている。一方、第２素子形成領域３０２の導波路２０１は、第３の縦方向分割線ＹＬ３及び第４の縦方向分割線ＹＬ４のうち第４の縦方向分割線ＹＬ４側に偏って配置されている。
【０３１１】
次に、導波路２０１を形成した後はマスク４００を除去し、図３７Ｄの（ａ）及び（ｂ）に示すように、半導体層積層体２００Ａを覆うように電流ブロック層２４０を形成する。
【０３１２】
具体的には、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて、基板１００上の全面にわたって、約３００ｎｍの厚みを有するＳｉＯ２膜からなる電流ブロック層２４０を半導体層積層体２００Ａの上に形成する。これにより、ｐ型コンタクト層２３４の上面が電流ブロック層２４０によって被覆されるとともに、ガイド溝１０（第３の溝１３、第４の溝１４）及び開口部２０２の内面も電流ブロック層２４０によって被覆される。
【０３１３】
次に、図３７Ｅの（ａ）及び（ｂ）に示すように、半導体層積層体２００Ａの上に、複数の素子形成領域３００の各々に対応するｐ側オーミック電極２５０及びｐ側電極２６０を形成する。
【０３１４】
具体的には、第３レジスト膜（不図示）をマスクとしたエッチング技術を用いて、リッジストライプ状の導波路２０１の上の電流ブロック層２４０をエッチングして、電流ブロック層２４０にストライプ状の開口を形成する。その後、真空蒸着法及びエッチング技術を用いて、リッジストライプ状の導波路２０１におけるｐ型コンタクト層２３４上にＰｔ膜及びＰｄ膜を順に積層することでｐ側オーミック電極２５０を形成する。
【０３１５】
続いて、真空蒸着法及びリフトオフ法を用いて、電流ブロック層２４０の開口を覆うように、Ｔｉ膜及びＡｕ膜を順に積層することで、ｐ側電極２６０を形成する。このとき、ｐ側電極２６０は、ｐ側オーミック電極２５０と接触するようにして電流ブロック層２４０上の所定の領域にｐ側オーミック電極２５０よりも幅広で形成される。
【０３１６】
本実施の形態において、導波路２０１は、各素子形成領域３００において、Ｘ軸方向にオフセットされている。このため、各素子形成領域３００において、導波路２０１は、ｐ側電極２６０に対してもＸ軸方向にオフセットされている。
【０３１７】
具体的には、第１素子形成領域３０１において、ｐ側電極２６０の第１の縦方向分割線ＹＬ１側に最も近い端部から導波路２０１までの幅より、ｐ側電極２６０の第２の縦方向分割線ＹＬ２側に最も近い端部から導波路２０１までの幅の方が広くなっている。また、第２素子形成領域３０２において、ｐ側電極２６０の第４の縦方向分割線ＹＬ４側に最も近い部分から導波路２０１までの幅より、ｐ側電極２６０の第３の縦方向分割線ＹＬ３側に最も近い端部から導波路２０１までの幅の方が広くなっている。平面視した場合の、ｐ側電極２６０の形状は、図３２や図３７Ｅでは第１方向に対して非対称の形状となっているがこれに限らず、対称の形状でも良い。また、第２方向に対しても対称な形状となっているがこれに限らず、非対称の形状でも良い。
【０３１８】
さらに、分割線ＸＬを軸として隣り合うｐ側電極２６０の間隔は１０μｍから１４０μｍとすることが望ましい。例えば、第１素子形成領域３０１のｐ側電極２６０と第２素子形成領域３０２のｐ側電極２６０との第２方向の間隔が、１０μｍであれば、第１素子形成領域３０１のｐ側電極２６０と第２素子形成領域３０２のｐ側電極２６０とから第２の横方向分割線ＸＬ２までの距離は共に５μｍになる。第１素子形成領域３０１のｐ側電極２６０と第２素子形成領域３０２のｐ側電極２６０との間隔が１０μｍよりも狭い場合は、第１の溝１１の形成位置ばらつきや、へき開位置ばらつきによって、へき開面がｐ側電極２６０に重なってしまう恐れがある。一方、第１素子形成領域３０１のｐ側電極２６０と第２素子形成領域３０２のｐ側電極２６０との間隔が１４０μｍよりも広い場合は、電流注入面積が減ってしまい、窒化物半導体発光素子１の特性の悪化につながる。
【０３１９】
ｐ側オーミック電極２５０及びｐ側電極２６０を形成した後は、基板１００のｐ側電極２６０側の面とは反対側の面（基板１００の裏面）を研磨する。
【０３２０】
次に、図３７Ｆの（ａ）及び（ｂ）に示すように、基板１００の裏面に、所定の形状にパターニングされたｎ側電極２７０を形成する。
【０３２１】
具体的には、真空蒸着法及びリフトオフ法を用いて、基板１００の研磨された面に、基板１００の裏面から順に、Ｔｉ膜、Ｐｔ膜及びＡｕ膜を積層することにより、所定形状のｎ側電極２７０を形成する。
【０３２２】
以上にようにして、基板１００の上にＹ軸方向に延在する複数の導波路２０１を有する半導体層積層体２００Ａが形成された半導体層積層基板２を作製することができる。
【０３２３】
次に、図３７Ｇ〜図３７Ｋを用いて、半導体層積層基板２を分割して個片化することによって窒化物半導体発光素子１を得る方法を説明する。
【０３２４】
図３７Ｆの工程の後、図３７Ｇの（ａ）及び（ｂ）に示すように、複数の横方向分割線ＸＬに沿って第１の溝１１を形成する。第１の溝１１は、半導体層積層基板２をへき開して分割する際にへき開の起点となるへき開用の分割溝である。本実施の形態において、第１の溝１１は、レーザスクライブ法によって形成されたレーザスクライブ溝である。
【０３２５】
本実施の形態において、第１の溝１１は、基板１００の面内において、横方向分割線ＸＬと縦方向分割線ＹＬとの交点近傍ごとに形成される。各第１の溝１１は、Ｘ軸方向に長尺状をなすように形成される。つまり、第１の溝１１は、複数の横方向分割線ＸＬの各々に沿って破線状に形成される。破線状の第１の溝１１は、例えば、半導体層積層基板２に対してレーザ光を相対的に移動させながら間欠的に照射するによって形成することができる。
【０３２６】
具体的には、第１の溝１１は、ガイド溝１０内において、Ｙ軸方向に隣り合う２つの縦方向分割線ＹＬと１つの横方向分割線ＸＬとの２つの交点の間に形成される。図３９は、図３７Ｇ（ｂ）の破線で囲まれる領域Ｙの拡大図である。図３９に示すように、例えば、第１の溝１１は、第２の横方向分割線ＸＬ２及び第１の縦方向分割線ＹＬ１の交点である第１交点Ｐ１と第２の横方向分割線ＸＬ２及び第３の縦方向分割線ＹＬ３の交点である第２交点Ｐ２との間における第２の横方向分割線ＸＬ２に沿って形成されている。
【０３２７】
また、図４０は、図３７Ｇ（ｂ）の第２の横方向分割線ＸＬ２における断面図である。図４０に示すように、第１の溝１１は、ガイド溝１０のうち第７の溝１７に形成されている。つまり、第１の溝１１は、第７の溝１７の底面から下方に掘り込まれている。したがって、第１の溝１１の底は、第７の溝１７の底よりも深い位置に存在する。
【０３２８】
次に、図３７Ｈに示すように、複数の横方向分割線ＸＬに沿って半導体層積層基板２を順次分割することで、複数の導波路２０１を切断して複数のバー状基板３を作製する。本実施の形態では、第１の溝１１を利用して半導体層積層基板２をへき開（一次へき開）することで、１つの半導体層積層基板２を複数のバー状基板３に分割する。
【０３２９】
具体的には、第１の溝１１が形成された半導体層積層基板２に対して、Ｘ軸方向に延びる刃状治具を第１の溝１１に沿ってｎ側電極２７０側から接触させて半導体層積層基板２に荷重を印加する。これにより、半導体層積層基板２が第１の溝１１の長手方向に沿って分割される。つまり、半導体層積層基板２が横方向分割線ＸＬに沿って分割される。
【０３３０】
このとき、半導体層積層基板２の分割は、Ｘ軸方向に沿って破線状に形成された複数の第１の溝１１の列ごとに行う。これにより、１つの半導体層積層基板２から複数のバー状基板３が得られる。
【０３３１】
なお、本実施の形態において、複数の縦方向分割線ＹＬは、偶数行と奇数行とで一行置きにＸ軸方向にずれている。したがって、半導体層積層基板２から分割された複数のバー状基板３のうちＹ軸方向に隣り合う２つのバー状基板３の縦方向分割線ＹＬの位置は、一方が他方に対してＸ軸方向にずれている。
【０３３２】
次に、図３７Ｉに示すように、へき開により得られたバー状基板３のへき開面に、端面コート膜５００を形成する。具体的には、バー状基板３の両方のへき開面の各々に、端面コート膜５００を形成する。
【０３３３】
端面コート膜５００は、例えば、へき開面と密着する密着層であるＡｌＯＮ膜、酸素拡散防止層であるＡｌＮ膜及び反射率調整層によって構成される。一例として、窒化物半導体発光素子１の出射面（第３の側面１ｃ）となるへき開面には、反射率が２％の端面コート膜５００が形成され、窒化物半導体発光素子１の反射面（第４の側面１ｄ）となるへき開面には、反射率が９５％の端面コート膜５００が形成される。
【０３３４】
次に、図３７Ｊの（ａ）〜（ｃ）に示すように、複数の縦方向分割線ＹＬに沿ってバー状基板３に第２の溝１２を形成する。第２の溝１２は、バー状基板３を複数に分割して個片素子を作製する際に用いられる素子分離用の分割溝である。本実施の形態において、第２の溝１２は、レーザスクライブ法によって形成されたレーザスクライブ溝である。
【０３３５】
図３７Ｊの（ａ）及び（ｂ）に示すように、第２の溝１２は、Ｘ軸方向に隣り合う２つの素子形成領域３００の間において、Ｙ軸方向に沿って形成される。本実施の形態では、Ｘ軸方向に隣り合う２つの素子形成領域３００の間には分割溝形成領域１２ａが形成されており、第２の溝１２は、その分割溝形成領域１２ａに形成される。つまり、第２の溝１２は、分割溝形成領域１２ａを挟むように形成された第３の溝１３（又は第５の溝１５）と第４の溝１４（第６の溝１６）との間に形成されることになる。
【０３３６】
また、図３７Ｊの（ｃ）に示すように、第２の溝１２の深さは、ガイド溝１０（第３の溝１３、第４の溝１４）の深さよりも深い。つまり、第２の溝１２の底は、第３の溝１３（又は第５の溝１５）及び第４の溝１４（又は第６の溝１６）の底よりも深い位置に存在する。本実施の形態において、第２の溝１２の底は、基板１００にまで到達している。
【０３３７】
次に、複数の縦方向分割線ＹＬに沿って複数のバー状基板３の各々を順次分割することで、図３７Ｋの（ａ）〜（ｃ）に示すように、窒化物半導体発光素子１に対応する個片素子４を作製する。本実施の形態では、第２の溝１２を利用してバー状基板３を分割することで、１つのバー状基板３を複数の個片素子４に分割する。
【０３３８】
具体的には、第２の溝１２が形成されたバー状基板３に対して、Ｙ軸方向に延びる刃状治具を第２の溝１２に沿ってｎ側電極２７０側から接触させてバー状基板３に荷重を印加する。これにより、バー状基板３が第２の溝１２の長手方向に沿って分割される。つまり、バー状基板３が縦方向分割線ＹＬに沿って分割される。
【０３３９】
このとき、バー状基板３の分割は、Ｙ軸方向に沿って形成された複数の第２の溝１２ごとに行う。これにより、１つのバー状基板３から複数の個片素子４（窒化物半導体発光素子１）が得られる。このようにして、図３２に示される構造の窒化物半導体発光素子１を製造することができる。
【０３４０】
以上のようにして得られた窒化物半導体発光素子１は、半導体層積層基板２における奇数行及び偶数行のいずれのバー状基板３を分割した場合であっても、導波路２０１のオフセットの方向が揃った１種類の窒化物半導体発光素子１が得られる。本実施の形態では、導波路２０１がＸ軸方向のプラス側にオフセットされた窒化物半導体発光素子１のみが得られる。
【０３４１】
以上説明したように、本実施の形態に係る窒化物半導体発光素子１の製造方法は、Ｙ軸方向に延在する複数の導波路２０１を有する半導体層積層体２００Ａが形成された半導体層積層基板２を複数の横方向分割線ＸＬ及び複数の縦方向分割線ＹＬに沿って分割して個片化して窒化物半導体発光素子１を製造する方法であって、Ｙ軸方向に隣り合う第１素子形成領域３０１及び第２素子形成領域３０２を有する半導体層積層基板２において、少なくとも第１素子形成領域３０１を挟む２つの縦方向分割線ＹＬと第２素子形成領域３０２を挟む２つの縦方向分割線ＹＬとがＸ軸方向にずれている。具体的には、縦方向分割線ＹＬ及び縦方向分割線ＹＬに沿って形成されるガイド溝１０が、偶数行と奇数行とで一行置きにＸ軸方向にずれている。
【０３４２】
これにより、一方の端部と他方の端部とで導波路２０１の幅が異なるとともに導波路２０１の位置が素子幅方向にオフセットされた窒化物半導体発光素子１を量産する際に、複数の素子形成領域３００を通るように導波路２０１が形成された半導体層積層基板２を分割して個片化する方法を用いたとしても、導波路２０１のオフセットの方向が揃った１種類の窒化物半導体発光素子１を得ることができる。
【０３４３】
また、本実施の形態では、第１素子形成領域３０１及び第２素子形成領域３０２の各々において、導波路２０１は、幅がＷ１からＷ２へ連続的に変化する幅変化部２０１ｂを有している。
【０３４４】
これにより、横モード制御及び温度特性に有効なテーパストライプ構造を有し且つオフセットされた導波路２０１を有する１種類の窒化物半導体発光素子１を容易に量産することができる。
【０３４５】
また、本実施の形態に係る窒化物半導体発光素子１の製造方法は、半導体層積層体２００Ａの上に、複数の素子形成領域３００の各々に対応するｐ側電極２６０を形成する工程を含む。そして、第１素子形成領域３０１において、ｐ側電極２６０の第１の縦方向分割線ＹＬ１側に最も近い端部から導波路２０１までの幅よりも、ｐ側電極２６０の第２の縦方向分割線ＹＬ２側に最も近い端部から導波路２０１までの幅の方が広くなっている。また、第２素子形成領域３０２においても、ｐ側電極２６０の第４の縦方向分割線ＹＬ４側に最も近い端部から導波路２０１までの幅よりも、ｐ側電極２６０の第３の縦方向分割線ＹＬ３側に最も近い端部から導波路２０１までの幅の方が広くなっている。
【０３４６】
これにより、窒化物半導体発光素子１にワイヤをボンディングする場合に、ｐ側電極２６０にワイヤ接続領域を広く確保することができる。したがって、導波路２０１の上にワイヤの接続部（ボンド部）が位置することを回避することができる。この場合、接合強度の観点でワイヤの接続部のボール径が最大で６０μｍであることを考慮すると、ｐ側電極２６０におけるワイヤ接続領域の幅は、６０μｍ以上であるとよく、より好ましくは、６９μｍである。
【０３４７】
また、本実施の形態に係る窒化物半導体発光素子１の製造方法は、横方向分割線ＸＬに沿って第１の溝１１を形成する工程を含む。
【０３４８】
これにより、第１の溝１１を利用して半導体層積層基板２を一次へき開することができるので、所定の一次へき開予定ライン（横方向分割線ＸＬ）に沿って半導体層積層基板２を容易に分割することができる。
【０３４９】
この場合、図３９に示すように、第１の溝１１は、第２の横方向分割線ＸＬ２及び第１の縦方向分割線ＹＬ１の交点である第１交点Ｐ１と第２の横方向分割線ＸＬ２及び第３の縦方向分割線ＹＬ３の交点である第２交点Ｐ２との間における第２の横方向分割線ＸＬ２に沿って形成されている。
【０３５０】
ここで、第１の溝１１を利用して半導体層積層基板２をへき開する際、図４１の矢印で示すように、へき開の位置が実線で正確に割れる場合と破線のように所定のへき開ラインから逸れる場合がある。また、へき開が逸れた位置は、へき開が基板１００の結晶面から逸れているため、へき開面（端面）には段差が発生する。へき開逸れ及びへき開面の段差が発生すると、窒化物半導体発光素子１の歩留りが低下したり、基板１００を含む半導体層積層体２００Ａのパーティクルが発生したり、端面コート膜の密着性が悪化したりする等の不具合が発生する。したがって、これらの不具合を発生させないために、へき開はできるだけへき開面に沿って進行させることが望ましい。
【０３５１】
そこで、本実施の形態では、第１の溝１１を、半導体層積層体２００Ａを貫通して基板１００に達する深さで形成している。この場合、図４０に示すように、第１の溝１１の深さｄは、２０μｍ以上であるとよく、２０μｍ以上６０μｍ以下であることがより好ましい。また、図３９に示すように、第１の溝１１の長さｓは、３０μｍ以上４０μｍ以下であるとよい。
【０３５２】
これにより、第１の溝１１を用いて半導体層積層基板２をへき開する際に、へき開の起点による効果を大きくすることができるので、へき開逸れの発生を抑制し、へき開面での段差の発生を抑制できる。
【０３５３】
また、本実施の形態に係る窒化物半導体発光素子１の製造方法は、縦方向分割線ＹＬに沿って第２の溝１２を形成する工程を含む。
【０３５４】
これにより、図３７Ｋに示すように、第２の溝１２を利用してバー状基板３を分割することができるので、所定の分割予定ライン（縦方向分割線ＹＬ）に沿ってバー状基板３を容易に分割できるとともに、チッピングの発生及び分割逸れを抑制することができる。
【０３５５】
この場合、第２の溝１２は、半導体層積層体２００Ａを貫通して基板１００に達するとよい。また、第２の溝１２の深さは、２０μｍ以上７０μｍ以下であるとよく、３０μｍ以上６０μｍ以下であることがより好ましい。
【０３５６】
これにより、第２の溝１２を用いてバー状基板３を分割する際に、分割の起点による効果を大きくすることができるので、分割逸れの発生を抑制できる。
【０３５７】
また、本実施の形態に係る窒化物半導体発光素子１の製造方法は、縦方向分割線ＹＬに沿ってガイド溝１０を形成する工程を含む。図３７Ｂの（ｂ）に示すように、ガイド溝１０は、第１の縦方向分割線ＹＬ１を間にして各々がＹ軸方向に延在する第３の溝１３及び第４の溝１４と、第３の縦方向分割線ＹＬ３を間にして各々がＹ軸方向に延在する第５の溝１５及び第６の溝１６とを含む。第３の溝１３は、第１素子形成領域３０１に形成され、第４の溝１４は、第１素子形成領域３０１のＸ軸方向に隣接する第３素子形成領域３０３に形成され、第５の溝１５は、第２素子形成領域３０２に形成され、第６の溝１６は、第２素子形成領域３０２のＸ軸方向に隣接する第４素子形成領域３０４に形成されている。そして、第２の溝１２は、第３の溝１３（又は第５の溝１５）と第４の溝１４（又は第６の溝１６）の間に形成され、第２の溝１２の底は、第３の溝１３、第４の溝１４、第５の溝１５及び第６の溝１６の底よりも深い位置に存在する。
【０３５８】
これにより、第２の溝１２を利用してバー状基板３を分割する際、分割時の応力を緩和することができるので、チッピングの発生を抑制できる。
【０３５９】
また、本実施の形態に係る窒化物半導体発光素子１の製造方法では、ガイド溝１０として、第７の溝１７が形成されている。図３７Ｂの（ｂ）に示すように、第７の溝１７は、例えば、第２の横方向分割線ＸＬ２上において、第３の溝１３と第６の溝１６との間に形成されている。
【０３６０】
具体的には、第３の溝１３、第４の溝１４、第５の溝１５、第６の溝１６及び第７の溝１７は、繋がっている。
【０３６１】
これにより、第３の溝１３、第４の溝１４、第５の溝１５、第６の溝１６及び第７の溝１７を、同一のプロセスで且つ安定した出来栄えで形成することができる。
【０３６２】
また、ガイド溝１０（第３の溝１３、第４の溝１４、第５の溝１５、第６の溝１６、第７の溝１７）を形成することによって、ガイド溝１０で囲まれる分割溝形成領域１２ａを形成することができ、第２の溝１２を分割溝形成領域１２ａに形成することができる。
【０３６３】
これにより、第２の溝１２を利用してバー状基板３を分割する際に、分割時の逸れやチッピングの発生を一層抑制できることができる。
【０３６４】
なお、図３９に示すように、分割溝形成領域１２ａの幅Ｗ１１は、第２の溝１２及び分割溝形成領域１２ａの形成不良を抑制するとの観点と第２の溝１２の幅や位置の寸法ばらつきを考慮して、１０μｍ以上であるとよい。また、ガイド溝１０（第３の溝１３、第４の溝１４、第５の溝１５、第６の溝１６）の幅Ｗ１２は、エッチング残りによるガイド溝１０の形成不良に伴うリークの発生を抑制するとの観点では、５μｍ以上であるとよい。
【０３６５】
ここで、本実施の形態では、一次へき開用の第１の溝１１は、ガイド溝１０である第７の溝１７内に形成されている。
【０３６６】
これにより、半導体層積層体２００Ａの側面に発生するリークを抑制することができるので、信頼性の高い窒化物半導体発光素子１を実現できる。
【０３６７】
ただし、第１の溝１１が第７の溝１７内に形成されていると、ガイド溝１０である第７の溝１７の側面（側壁）によるガイド機能によって一次へき開時にへき開逸れが発生し、へき開面に段差が発生する場合がある。そこで、図３９及び図４１に示すように、へき開方向（横方向分割線ＸＬ）と第７の溝１７（ガイド溝１０）の側面１１ａとのなす角αと、へき開面（端面）の段差発生率との関係を調べた。その結果を図４２に示す。図４２は、へき開方向に対する第７の溝１７の側面１１ａの角度αと第７の溝１７周辺の端面段差発生率との関係を示す図である。
【０３６８】
図４２に示すように、角度αが小さければ小さい程、へき開進行に対する第７の溝１７のガイド機能が強くなり、へき開逸れが発生してへき開面に段差が生じやすくなること分かる。一方、角度αが大きければ大きい程、へき開進行に対する第７の溝１７のガイド機能が弱くなり、へき開逸れの発生が抑えられてへき開面の段差の発生を抑制できることが分かる。
【０３６９】
そして、図４２に示す結果から、へき開方向（横方向分割線ＸＬ）に対する第７の溝１７の側面１１ａの角度αは、４５°以上であるとよい。例えば、第７の溝１７は、第３の溝１３の導波路２０１側の側面から、第２の横方向分割線ＸＬ２に対して４５°以上の角度で第５の溝１５に達するように延びる側面１１ａを有するとよい。ただし、角度αが６０°のときは、ＧａＮ基板である基板１００の結晶面とへき開ラインとが重なって第７の溝１７のガイド機能が強まるため、へき開の進行が第７の溝１７の側面１１ａ付近でずれやすくなる。つまり、へき開逸れが発生しやすくなり、へき開面に段差が発生しやすくなる。
【０３７０】
このように、へき開方向に対する第７の溝１７の側面１１ａの角度αを４５°以上にすることで、第７の溝１７内に形成された第１の溝１１を用いて半導体層積層基板２をへき開する場合であっても、へき開逸れの発生を効果的に抑制することができる。これにより、へき開面での段差の発生を抑制できる。
【０３７１】
具体的には、一次へき開予定ライン（横方向分割線ＸＬ）上の第７の溝１７の側面１１ａの角度αは、７０°以上９０以下であるとよく、９０°であることがより好ましい。
【０３７２】
また、一次へき開予定ライン（横方向分割線ＸＬ）以外においては、第７の溝１７の側面１１ａの角度αは、３０°以上９０以下（６０°を除く）であるとよく、４５°以上９０°以下９０°（６０°を除く）であることがより好ましい。
【０３７３】
いずれにしても、一次へき開が進行する部分のガイド溝１０（本実施の形態では、第７の溝１７）の側面１１ａは、へき開方向に対してガイド機能が弱くなる９０°に近づけることが望ましい。
【０３７４】
また、本実施の形態に係る窒化物半導体発光素子１の製造方法では、第７の溝１７は、第１素子形成領域３０１の第３の溝１３と第３素子形成領域３０３の第４の溝１４との間において、第２の横方向分割線ＸＬ２からＹ軸方向の幅が最小となる部分を有する。また、第７の溝１７は、第２素子形成領域３０２の第５の溝１５と第４素子形成領域３０４の第６の溝１６との間において、第２の横方向分割線ＸＬ２からＹ軸方向の幅が最小となる部分を有する。
【０３７５】
これにより、分割溝形成領域１２ａに形成された第２の溝１２を利用して分割する際にガイド機能によって分割逸れが発生することを抑制できる。
【０３７６】
また、本実施の形態に係る窒化物半導体発光素子１の製造方法において、半導体層積層体２００Ａは、基板１００の上に、第１導電型の第１窒化物半導体層２１０と、活性層２２０と、第２導電型の第２窒化物半導体層２３０とを順に有しており、ガイド溝１０（第３の溝１３、第４の溝１４、第５の溝１５、第６の溝１６、第７の溝１７）は、少なくとも、第１窒化物半導体層２１０に達している。
【０３７７】
これにより、半導体層積層体２００Ａの側面に発生するリークを抑制することができる。
【０３７８】
また、本実施の形態に係る窒化物半導体発光素子１の製造方法では、図４０に示すように、第１の溝１１の底は、第７の溝１７の底よりも深い位置に存在している。
【０３７９】
これにより、第１の溝１１を用いて半導体層積層基板２をへき開する際に、へき開逸れの発生を一層抑制できる。
【０３８０】
なお、本実施の形態において、第１の溝１１は、図３９に示すように、第１交点Ｐ１と第２交点Ｐ２との間であって、かつ、第１交点Ｐ１及び第２交点Ｐ２のいずれにも重ならないように形成されていたが、これに限らない。例えば、図４３Ａに示すように、第１の溝１１は、第１交点Ｐ１及び第２交点Ｐ２のいずれにも重なっていてもよいし、図４３Ｂに示すように、第１の溝１１は、第１交点Ｐ１及び第２交点Ｐ２のいずれか一方（図４３Ｂでは第２交点Ｐ２）のみに重なっていてもよい。
【０３８１】
ただし、第１の溝１１は、図３９に示す本実施の形態のように、第１交点Ｐ１及び第２交点Ｐ２のいずれにも重ならない方がよい。言い換えると第１の溝１１は、第２の溝１２の延長線上に重ならないほうがよい。このように構成することで、第２の溝１２を利用してバー状基板３を分割する際に発生するパーティクルを低減することができる。
【０３８２】
また、本実施の形態における製造方法によって作製される窒化物半導体発光素子１は、基板１００と、基板１００の一方の面の上に位置し、Ｙ軸方向に延在する導波路２０１を有する半導体素子構造体２００とを備える。そして、窒化物半導体発光素子１は、平面視における第１の側面１ａと第３の側面１ｃとの交点近傍において、第１の凹部２１を有し、第１の凹部２１は、へき開面である第３の側面１ｃに対して４５°以上の角度で傾斜する側面１１ａを有する。さらに、第３の側面１ｃにおける導波路２０１の第２の幅をＷ２とし、第４の側面１ｄにおける導波路２０１の第１の幅をＷ１とすると、Ｗ１≠Ｗ２であり、導波路２０１は、Ｘ軸方向にオフセットされた位置に配置されている。
【０３８３】
このように、第１の凹部２１を有することで、半導体素子構造体２００の側面でのリークを抑制することができる。さらに、ガイド溝１０（第７の溝１７）の一部である第１の凹部２１の側面１１ａの角度αが４５°以上であるので、窒化物半導体発光素子１を製造する際にへき開逸れが発生することを抑制できる。さらに、第３の側面１ｃと第４の側面１ｄとで導波路２０１の幅が異なることによって、横モード制御をしたり低閾値電流化（電流注入の小面積化）したり反射面での端面コート膜の反射率を低くしたりする場合に、共振器長方向の動作キャリア密度を平坦化することができる。さらに、導波路２０１がＸ軸方向（素子幅方向）にオフセットされていることで、ワイヤ接続領域を広く確保できる。これにより、ワイヤボンディング時にワイヤの接続部が導波路２０１の上に位置することを回避できる。
【０３８４】
また、本実施の形態に係る窒化物半導体発光素子１は、さらに、平面視における第１の側面１ａと第４の側面１ｄとの交点近傍において、第２の凹部２２を有し、第２の凹部２２は、第４の側面１ｄに対して４５°以上の角度で傾斜する側面１１ａを有する。
【０３８５】
このように、第２の凹部２２を有することで、半導体素子構造体２００の側面でのリークを一層抑制することができる。さらに、ガイド溝１０（第７の溝１７）の他の一部である第２の凹部２２の側面１１ａの角度αが４５°以上であるので、窒化物半導体発光素子１を製造する際にへき開逸れが発生することを抑制できる。
【０３８６】
また、本実施の形態に係る窒化物半導体発光素子１は、半導体素子構造体２００の上にｐ側電極２６０を有しており、ｐ側電極２６０の第１の側面１ａに最も近い第１端部２６１から導波路２０１までの第１の幅は、ｐ側電極２６０の第２の側面１ｂに最も近い第２端部２６２から導波路２０１までの第２の幅よりも長い。
【０３８７】
この構成により、ｐ側電極２６０における広い第１の幅の領域を広いワイヤ接続領域として用いることができるので、ワイヤの接続部が導波路２０１の上に位置することを容易に回避できる。
【０３８８】
また、本実施の形態に係る窒化物半導体発光素子１において、導波路２０１は、幅がＷ１からＷ２へ連続的に変化する幅変化部２０１ｂを有する。
【０３８９】
この構成により、テーパストライプ構造の導波路２０１を有する窒化物半導体発光素子１を実現できるので、横モード制御をしたり低閾値電流化（電流注入の小面積化）したり反射面での端面コート膜の反射率を低くしたりする場合に、共振器長方向の動作キャリア密度を平坦化することができる。容易に量産することができる。
【０３９０】
また、本実施の形態に係る窒化物半導体発光素子１は、第１の側面１ａと第３の側面１ｃとの交点近傍において、Ｘ軸方向に沿って延在する第１の溝１１を有する。
【０３９１】
この構成により、第２の溝１２を利用してバー状基板３を分割して窒化物半導体発光素子１を製造することができるとともに、バー状基板３を分割する際に、パーティクルの発生を抑制することができる。
【０３９２】
また、図４４に示すように、本実施の形態に係る窒化物半導体発光素子１は、窒化物半導体発光装置５に用いることができる。図４４は、実施の形態２に係る窒化物半導体発光装置５の構成を示す図である。図４４では、端面コート膜を図示していない。
【０３９３】
図４４に示すように、本実施の形態に係る窒化物半導体発光装置５は、窒化物半導体発光素子１と、窒化物半導体発光素子１が実装されるサブマウント６１０と、窒化物半導体発光素子１に接続されたワイヤ６２０とを備える。
【０３９４】
サブマウント６１０は、高熱伝導体６１１と、高熱伝導体６１１の上面に積層された第１金属層６１２及び第１接合層６１３と、高熱伝導体６１１の下面に積層された第２金属層６１４及び第２接合層６１５とを有する。高熱伝導体６１１は、例えば、ＳｉＣ、ＡｌＮ又はダイヤモンド等の高熱伝導材料によって構成される。また、第１金属層６１２及び第２金属層６１４は、配線層であり、例えば、高熱伝導体６１１側から順にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕによって構成される。また、第１接合層６１３は、例えば、第１金属層６１２側から順にＰｔ／ＡｕＳｎによって構成され、第２接合層６１５は、例えば、ＡｕＳｎによって構成される。
【０３９５】
サブマウント６１０に実装される窒化物半導体発光素子１は、サブマウント６１０の第１接合層６１３に接合される。窒化物半導体発光素子１をサブマウント６１０に実装する際、窒化物半導体発光素子１のｐ側電極２６０の第１端部２６１（又は第２端部２６２）とサブマウント６１０の第１金属層６１２の端部とを認識部として用いるとよい。これにより、窒化物半導体発光素子１とサブマウント６１０との位置合わせを行う際に、サブマウント６１０と窒化物半導体発光素子１の平行だしを容易に行うことができる。
【０３９６】
また、本実施の形態に係る窒化物半導体発光素子１は、上記のように、ｐ側電極２６０の第１の側面１ａに最も近い第１端部２６１から導波路２０１までの第１の幅が、ｐ側電極２６０の第２の側面１ｂに最も近い第２端部２６２から導波路２０１までの第２の幅よりも長くなっている。したがって、ワイヤ６２０における窒化物半導体発光素子１との接続部６２１（ボンド部）は、窒化物半導体発光素子１の第１の側面１ａ及び第２の側面１ｂのうち第１の側面１ａの方の近くに配置される。つまり、ワイヤ６２０の接続部６２１は、ｐ側電極２６０における幅の広い第１の幅に対応する領域に接続される。
【０３９７】
この構成により、窒化物半導体発光素子１の導波路２０１の上にワイヤ６２０の接続部６２１が位置しないようにワイヤ６２０をボンディングすることができる。これにより、ワイヤボンディング時の衝撃によって導波路２０１がダメージを受けることを抑制することができる。つまり、導波路２０１へのストレスを軽減することができる。
【０３９８】
また、本実施の形態において、ワイヤ６２０の接続部６２１のＸ軸方向の幅は、ｐ側電極２６０の第１の側面１ａに最も近い第１端部２６１から導波路２０１までの第１の幅よりも狭い。
【０３９９】
この構成により、窒化物半導体発光装置５において、リークが発生することを抑制することができる。
【０４００】
また、上記のように、本実施の形態における窒化物半導体発光素子１は、レーザスクライブ法によって形成された第２の溝１２を利用してバー状基板３を分割することで作製される。このとき、図４５に示すように、この第２の溝１２を形成する際に発生するデブリ（飛散物）が第２の溝１２周辺に付着し、ｐ側電極２６０の第１端部２６１及び第２端部２６２がデブリによって覆われてしまう場合がある。この場合、窒化物半導体発光素子１をサブマウント６１０に実装する際に、ｐ側電極２６０の第１端部２６１及び第２端部２６２を認識部として利用することができなくなる。
【０４０１】
そこで、図４６に示される窒化物半導体発光素子１’では、ｐ側電極２６０Ａが、Ｘ軸方向に関して第２端部２６２と導波路２０１の間に、Ｙ軸方向に延在する第３端部２６３を有する。具体的には、平面視において、ｐ側電極２６０Ａの第２端部２６２の一部を内側に窪ませた部分を第３端部２６３としている。
【０４０２】
この構成により、第２の溝１２を形成して窒化物半導体発光素子１’にデブリが付着したとしても、ｐ側電極２６０Ａの第３端部２６３にデブリが付着することを抑制できる。これにより、ｐ側電極２６０Ａにデブリが付着しても第３端部２６３を認識部として用いることができるので、サブマウント６１０と窒化物半導体発光素子１’との位置合わせ時に、サブマウント６１０と窒化物半導体発光素子１’との平行だしを精度よく行うことができる。したがって、窒化物半導体発光素子１’を高精度にサブマウント６１０に実装することができる。
【０４０３】
なお、図４６では、実装時の認識部として用いる第３端部２６３は、第２端部２６２側に設けたが、第１端部２６１側に設けてもよい。ただし、ワイヤ６２０との接続領域を広く確保するとの観点では、第３端部２６３は、第２端部２６２側に設けるとよい。尚、図４５、図４６では、端面コート膜を図示していない。
【０４０４】
（実施の形態２の変形例）
次に、実施の形態２の変形例について説明する。
【０４０５】
上記実施の形態２では、縦方向分割線ＹＬに沿って形成されたガイド溝１０として、第１の縦方向分割線ＹＬ１を挟むように第３の溝１３と第４の溝１４とを設けるとともに、第３の縦方向分割線ＹＬ３を挟むように第５の溝１５と第６の溝１６とを設けたが、これに限らない。例えば、図４７に示される半導体層積層基板２’のように、ガイド溝１０として、第１の縦方向分割線ＹＬ１に沿ってＹ軸方向に延びる１本の第８の溝１８と、第３の縦方向分割線ＹＬ３に沿ってＹ軸方向に延びる１本の第９の溝１９とを形成してもよい。つまり、分割溝形成領域１２ａを形成しなくてもよい。この構成により、半導体層積層体２００Ａの側面に発生するリークを一層抑制できる。
【０４０６】
また、上記実施の形態２では、半導体層積層体２００Ａに開口部２０２を形成することで、リッジストライプ構造の導波路２０１を形成したが、これに限らない。例えば、図４８に示される窒化物半導体発光素子１”のように、ｐ型クラッド層２３３Ａに凸形状のリッジ部を形成することで、リッジストライプ構造の導波路２０１を形成してもよい。
【０４０７】
（その他の変形例）
以上、本開示に係る窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法等について、実施の形態に基づいて説明したが、本開示は、上記の実施の形態に限定されるものではない。
【０４０８】
例えば、実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素および機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０４０９】
本開示に係る窒化物半導体発光素子は、半導体レーザ素子として有用であり、特に、プロジェクタ光源及び自動車用ヘッドライトに用いられるワット級の高出力半導体レーザ素子として有用である。
【符号の説明】
【０４１０】
１、１’、１”  窒化物半導体発光素子
１ａ  第１の側面
１ｂ  第２の側面
１ｃ  第３の側面
１ｄ  第４の側面
２、２’、２Ｙ  半導体層積層基板
３  バー状基板
４  個片素子
５  窒化物半導体発光装置
１０  ガイド溝
１１  第１の溝
１１ａ  側面
１２  第２の溝
１２ａ  分割溝形成領域
１３  第３の溝
１４  第４の溝
１５  第５の溝
１６  第６の溝
１７  第７の溝
１８  第８の溝
１９  第９の溝
２１  第１の凹部
２２  第２の凹部
１００  基板
１０１  窒化物半導体発光素子
１０２  半導体層積層基板
１０２ａ  分割位置
１０３  バー状基板
１０４  デブリ
１１０ａ  第１の側面
１１０ｂ  第２の側面
１１０ｃ  第３の側面
１１０ｄ  第４の側面
１１０ｅ  上面
１１１  第１の溝
１１１ａ  第１の外壁
１１１ａ１、１１１ａ２  第１外壁部
１１２  第２の溝
１１２ａ  第２の外壁
１１２ａ１、１１２ａ２  第２外壁部
１１３  第３の溝
１１３ａ  分割溝形成領域
１１３ｂ１、１１４ａ１  第１の窪み部
１１３ｂ２、１１４ａ２  第２の窪み部
１１４  第４の溝
１１４ａ３  第３の窪み部
１１４ａ４  第４の窪み部
１２０  凹部
１２０ａ  第１の部分
１２１  第１の凹部
１２２  第２の凹部
１２３  第３の凹部
１２４  第４の凹部
２００  半導体素子構造体
２００Ａ  半導体層積層体
２０１  導波路
２０２  開口部
２１０  第１窒化物半導体層
２１１  ｎ型クラッド層
２１２  ｎ側ガイド層
２２０  活性層
２３０  第２窒化物半導体層
２３１  ｐ側ガイド層
２３２  ｐ型電子障壁層
２３３  ｐ型クラッド層
２３４  ｐ型コンタクト層
２４０  電流ブロック膜
２５０  ｐ側オーミック電極
２６０  ｐ側電極
２６１  第１端部
２６２  第２端部
２６３  第３端部
２７０  ｎ側電極
３００  素子形成領域
３０１  第１素子形成領域
３０２  第２素子形成領域
３０３  第３素子形成領域
３０４  第４素子形成領域
４００  マスク
４０１  第１開口部
４０２  第２開口部
５００  端面コート膜
５０１  密着層
５０２  ＡｌＮ層
５０３  反射率調整層
６１０  サブマウント
６１１  高熱伝導体
６１２  第１金属層
６１３  第１接合層
６１４  第２金属層
６１５  第２接合層
６２０  ワイヤ
６２１  接続部
ＸＬ  横方向分割線
ＹＬ  縦方向分割線
ＸＬ１  第１の横方向分割線
ＸＬ２  第２の横方向分割線
ＸＬ３  第３の横方向分割線
ＹＬ１  第１の縦方向分割線
ＹＬ２  第２の縦方向分割線
ＹＬ３  第３の縦方向分割線
ＹＬ４  第４の縦方向分割線
【図１Ａ】
2018180952.tif 000003
【図１Ｂ】
2018180952.tif 000004
【図２Ａ】
2018180952.tif 000005
【図２Ｂ】
2018180952.tif 000006
【図２Ｃ】
2018180952.tif 000007
【図２Ｄ】
2018180952.tif 000008
【図２Ｅ】
2018180952.tif 000009
【図２Ｆ】
2018180952.tif 000010
【図２Ｇ】
2018180952.tif 000011
【図２Ｈ】
2018180952.tif 000012
【図２Ｉ】
2018180952.tif 000013
【図２Ｊ】
2018180952.tif 000014
【図２Ｋ】
2018180952.tif 000015
【図３】
2018180952.tif 000016
【図４】
2018180952.tif 000017
【図５】
2018180952.tif 000018
【図６】
2018180952.tif 000019
【図７】
2018180952.tif 000020
【図８】
2018180952.tif 000021
【図９】
2018180952.tif 000022
【図１０】
2018180952.tif 000023
【図１１】
2018180952.tif 000024
【図１２】
2018180952.tif 000025
【図１３】
2018180952.tif 000026
【図１４】
2018180952.tif 000027
【図１５】
2018180952.tif 000028
【図１６】
2018180952.tif 000029
【図１７】
2018180952.tif 000030
【図１８】
2018180952.tif 000031
【図１９】
2018180952.tif 000032
【図２０】
2018180952.tif 000033
【図２１】
2018180952.tif 000034
【図２２】
2018180952.tif 000035
【図２３】
2018180952.tif 000036
【図２４】
2018180952.tif 000037
【図２５】
2018180952.tif 000038
【図２６】
2018180952.tif 000039
【図２７】
2018180952.tif 000040
【図２８】
2018180952.tif 000041
【図２９】
2018180952.tif 000042
【図３０】
2018180952.tif 000043
【図３１】
2018180952.tif 000044
【図３２】
2018180952.tif 000045
【図３３】
2018180952.tif 000046
【図３４】
2018180952.tif 000047
【図３５Ａ】
2018180952.tif 000048
【図３５Ｂ】
2018180952.tif 000049
【図３６】
2018180952.tif 000050
【図３７Ａ】
2018180952.tif 000051
【図３７Ｂ】
2018180952.tif 000052
【図３７Ｃ】
2018180952.tif 000053
【図３７Ｄ】
2018180952.tif 000054
【図３７Ｅ】
2018180952.tif 000055
【図３７Ｆ】
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【図３７Ｇ】
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【図３７Ｈ】
2018180952.tif 000058
【図３７Ｉ】
2018180952.tif 000059
【図３７Ｊ】
2018180952.tif 000060
【図３７Ｋ】
2018180952.tif 000061
【図３８】
2018180952.tif 000062
【図３９】
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【図４０】
2018180952.tif 000064
【図４１】
2018180952.tif 000065
【図４２】
2018180952.tif 000066
【図４３Ａ】
2018180952.tif 000067
【図４３Ｂ】
2018180952.tif 000068
【図４４】
2018180952.tif 000069
【図４５】
2018180952.tif 000070
【図４６】
2018180952.tif 000071
【図４７】
2018180952.tif 000072
【図４８】
2018180952.tif 000073
【図４９】
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【図５０】
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【国際調査報告】
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