(57)【要約】  絶縁体層にアルミナを使用しても、動作電圧が低く、スイッチング耐性の大きい高性能なＣＢ−ＲＡＭを提供する。導電性ブリッジ型のメモリ装置において、絶縁体層３の細孔３ａ内に浸み込ませた電解質層４を、溶媒和イオン液体、及びその溶媒和イオン液体の粘性係数よりも小さい粘性係数のイオン液体である低粘度のイオン液体を混合した混合イオン液体にする。
2019240139.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気化学的に活性でイオン化しやすい金属からなる第１金属層と、
電気化学的に安定な金属からなる第２金属層と、
前記第１金属層及び前記第２金属層の間に挟持されており、前記第１金属層と接する第１面から前記第２金属層と接する第２面との間を連通する細孔を有する絶縁体層と、
前記絶縁体層の前記細孔内に浸み込ませた電解質層と、
を備え、
前記電解質層が溶媒和イオン液体、及び前記溶媒和イオン液体の粘性係数よりも小さい粘性係数のイオン液体である低粘度のイオン液体が混合された混合イオン液体を含む、導電性ブリッジ型のメモリ装置。
【請求項２】
前記絶縁体層が多孔質体からなり、前記細孔が前記多孔質体の気孔である、請求項１に記載の導電性ブリッジ型のメモリ装置。
【請求項３】
前記溶媒和イオン液体を構成する溶媒が、
【化１】
2019240139.tif 000009
及び
【化２】
2019240139.tif 000010
（ただし、ｎはエチレンオキシ基の数であって１又は２であり、ｍはメチレン基の数であって１〜３のいずれかの整数であり、Ｒ1、Ｒ2は、それぞれ同じでも違っていてもよく、Ｒ1は炭素数が１〜６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキルニル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、又はｔ−ブチルジメチルシリル基を表し、Ｒ2は，炭素数１〜１６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、又はｔ−ブチルジメチルシリル基を表し、アルキル基の中にはエーテル官能基、チオエーテル官能基が含まれていても構わない）
からなる群から選ばれる少なくとも１種の溶媒である、請求項１又は２に記載の導電性ブリッジ型のメモリ装置。
【請求項４】
前記低粘度のイオン液体が、
【化３】
2019240139.tif 000011
（ただし、Ｒ1は上記各化学式において、同じでも違っていてもよく、炭素数１〜６のアルキル基、又は炭素数２〜６のアルケニル基を表し、Ｒ2は上記各化学式において、同じでも違っていてもよく、水素原子、炭素数１〜１６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、又はアルコキシ基を表す。アルキル基の中にはエーテル官能基、チオエーテル官能基が含まれていても構わない。Ｒ3は上記各化学式において、同じでも違っていてもよく、水素原子、フェニル基、メチル基、又はイソプロピル基を示す。化学式（５）のｎはメチレン数を示し、ｎ＝１又は２である。化学式（８）においてＲ1とＲ2は炭素鎖が連結していてもよく、この場合はトリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、又はヘプタメチレン基である。イオン液体のアニオン（Ｘ）は、上記各化学式において、同じでも違っていてもよく、ＡｌＣｌ4-、ＢＦ4-、ＰＦ6-、ＳｂＦ6-、Ｎ（ＳＯ2ＣＦ3）2-、Ｎ（ＳＯ2Ｆ）2-、Ｎ（ＣＮ）2-、ＭｅＳＯ3-、ＭｅＳＯ4-、ＣＦ3ＳＯ3-、ＮＯ3-、ＣＦ3ＣＯＯ-、ＲＣＯＯ-、ＲＳＯ4-、ＲＣＨ（ＮＨ2）ＣＯＯ-、ＳＯ42-、ＣｌＯ4-、Ｍｅ2ＰＯ4-、（ＨＦ）2.3Ｆ-（ここでＲはＨ、アルキル基、アルキルオキシ基を示す）である。）
からなる群から選ばれる少なくとも１種である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性ブリッジ型のメモリ装置。
【請求項５】
前記溶媒和イオン液体ａモルと、前記低粘度のイオン液体ｂモルとの混合割合であるａ／ｂが、１以上で、３以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電性ブリッジ型のメモリ装置。
【請求項６】
前記混合イオン液体に、前記第１金属層の金属よりも酸化されにくい金属の金属塩又は金属イオンが混入されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性ブリッジ型のメモリ装置。
【請求項７】
前記金属塩の金属又は前記金属イオンが、銀イオンや金イオン、パラジウムイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、及び白金イオンからなる群から選ばれる少なくとも１種を含む、請求項６に記載の導電性ブリッジ型のメモリ装置。
【請求項８】
前記絶縁体層が、アルミナ、ハフニア、酸化シリコンを含む金属酸化物或いは半導体酸化物の多結晶又はアモルファス、及び金属有機構造体を含む自己集積化現象により形成される多孔質体からなる群から選ばれる少なくとも１種である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電性ブリッジ型のメモリ装置。
【請求項９】
前記細孔を有する前記絶縁体層がアモルファス絶縁体層である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の導電性ブリッジ型のメモリ装置。
【請求項１０】
前記多孔質体の気孔率が１０％以上で、８０％以下である、請求項２に記載の導電性ブリッジ型のメモリ装置。
【請求項１１】
前記絶縁体層の前記細孔の大きさが、０.１ｎｍ以上で、３０ｎｍ以下である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の導電性ブリッジ型のメモリ装置。
【請求項１２】
電気化学的に活性でイオン化しやすい金属からなる第１金属層と、
電気化学的に安定な金属からなる第２金属層と、
前記第１金属層及び前記第２金属層の間に挟持されており、前記第１金属層と接する第１面から前記第２金属層と接する第２面との間を連通する細孔を有する絶縁体層と、
前記絶縁体層の前記細孔内に浸み込ませた電解質層であって、溶媒和イオン液体、及び前記溶媒和イオン液体の粘性係数よりも小さい粘性係数のイオン液体である低粘度のイオン液体が混合された混合イオン液体を含む電解質層と、
を備え、
前記第１金属層及び前記第２金属層の間に印加される電圧の極性によって前記第１金属層及び前記第２金属層の間の導通・非導通が制御され得る、スイッチ素子。
【請求項１３】
電気化学的に活性でイオン化しやすい金属からなる第１金属層の表面に、前記表面に第１面が接し、かつ、前記第１面と前記第１面とは反対面の第２面との間が連通する細孔を有する絶縁体層を形成し、
前記絶縁体層の前記細孔内に、溶媒和イオン液体と、前記溶媒和イオン液体の粘性係数よりも小さい粘性係数のイオン液体である低粘度のイオン液体とが混合された混合イオン液体を含む電解質材料を浸み込ませ、
前記混合イオン液体を浸み込ませた前記絶縁体層の前記第２面に電気化学的に安定な金属からなる第２金属層を形成する、
導電性ブリッジ型のメモリ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性ブリッジ型のメモリ装置及びその製造方法並びにスイッチ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＢ−ＲＡＭ（Conducting Bridge Random Access Memory）或いは原子スイッチは、ＨｆＯ2、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＧｅＳｅ、Ａｇ2Ｓなどのナノサイズ細孔を有する固体金属酸化物材料を電気化学的に活性な金属（例えばＡｇ、Ｃｕなど）で構成される電極Ａと不活性な金属（例えばＰｔ）で構成される電極Ｂで挟んだ、電極Ａ／固体電解質（メモリ層）／電極Ｂなる単純構造をとる。電極Ａに（電極Ｂに対して）正電圧を印加することで、電極Ａを構成する原子がイオン化して固体電解質内のナノ細孔中に侵入し、電極Ｂに向かって移動する。電極Ｂに到達した金属イオンは電子を受け取って金属として析出する。この結果、固体電解質内部に電極Ａの構成金属より成るフィラメント状の導電パスが形成され、電極Ａと電極Ｂが接続されることによって、低抵抗状態が実現される。一方、電極Ａに（電極Ｂに対して）負電圧を印加することで、フィラメントを構成する電極Ａの構成原子がイオン化される。電界の向きは前記フィラメント形成時と逆向きのため、フィラメント構成原子は電極Ａに回収され、高抵抗状態が復活する。すなわち、抵抗値変化を「１」、「０」というシグナルに置き換えることが可能となり、メモリとして機能するＣＢ−ＲＡＭは高速、高集積、低消費電力などの優れた特徴を有することから、この素子が近い将来微細化限界に直面するフラッシュメモリの代替として、さらには、高速性と不揮発性を兼ね備えたユニバーサルメモリとして期待されている。ＣＢ−ＲＡＭの高抵抗状態は電流が流れにくいことから「オフ」状態、低抵抗状態は電流が流れやすいことから「オン」状態とみなすことができる。このため、メモリ素子のみならずスイッチとして用いることも可能であり、導電パスが金属で構成されることから電流輸送特性に優れ、原子トランジスタへの可能性が期待され、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）用の回路切り替えスイッチへの応用にも期待されている。【０００３】
図１はＣｕ／金属酸化物／Ｐｔ構造の断面とスイッチングプロセスを示した模式図である。ここでは、金属酸化物はＨｆＯ2（ハフニア）とした。ここで、図１に示したように、Ｐｔ電極を接地し、Ｃｕ電極に電圧を印加している。Ｃｕ電極に正バイアスを印加することでセット（ｓｅｔ）（高抵抗から低抵抗への抵抗スイッチング）、負バイアスを印加することでリセット（ｒｅｓｅｔ）（低抵抗から高抵抗への抵抗スイッチング）が生じるバイポーラ動作が確認された。なお、ＣＢ−ＲＡＭがセット−リセットの抵抗スイッチングを繰り返す機能は、フォーミング（forming）と呼ばれるフィラメント形成過程を経て発現する。フォーミングの電流−電圧特性はセットの電流−電圧特性と類似しているが、フォーミングが生じる電圧であるフォーミング電圧（Ｖform）はセットが生じる電圧（Ｖset）に比べて一般的に高い。【０００４】
近年、常温で液体の溶融塩である様々なイオン液体が知られるようになった。イオン液体は溶融塩であるために導電性を示し、成分イオンがクーロン力でお互いに強固に結びついているため、不揮発性、難燃性を示す。また、その構成イオンのデザインで様々な無機及び有機の化合物を溶解する機能を持つ液体として利用できる（非特許文献１参照）。【０００５】
本発明者らは金属酸化物層にイオン液体を浸み込ませることにより、安定で高性能なＣＢ−ＲＡＭの設計が可能となることを明らかにした（特許文献１、非特許文献１、２、３、４、５参照）。イオン液体をＣｕ／ＨｆＯ2／Ｐｔ型セルのＨｆＯ2（ハフニア）層に浸み込ませた場合、スイッチング動作におけるハフニア層の安定化が格段に向上し、水分を５０００ｐｐｍ含むイオン液体を加えた場合、１０Ｖ以上の電圧を印加してもハフニア素子の破壊が全く起こらないという顕著な安定化がもたらされた（非特許文献１、２参照）。ついで、加えるイオン液体のデザインを検討し、イオン導電性が大きく、プロトン受容能が低いアニオンを持つイオン液体がセット電圧（Ｖset）、リセット電圧（Ｖreset）を低下させうることを明らかにした（非特許文献３参照）。ただし、イオン液体のみをＣｕ／ＨｆＯ2／Ｐｔセルのハフニア層に加えた場合、Ｖset、Ｖform、Ｖresetは低下したがスイッチング耐性は向上が認められなかった。【０００６】
ＣＢ−ＲＡＭの抵抗値変化は金属酸化物層内に形成される金属フィラメントによってもたらされる。従ってＣｕ箔とＰｔ基板で金属酸化物層をサンドイッチしたＣＢ−ＲＡＭにおいては、金属酸化物層内の電析で生じた銅フィラメントが抵抗値変化をもたらす主因となる。そこで、イオン液体に予めＣｕ2+イオンを含有させた１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム  ビス（トリフルオロメチル）スルホニルアミド（［Ｂｍｉｍ］［ＴＦＳＡ］）の銅（II）ビス（トリフルオロメチル）スルホニル（Ｃｕ（ＴＦＳＡ）2）溶液をハフニア層に加えたところ、スイッチング耐性が飛躍的に向上することを発見した（非特許文献２、３、４参照）。ただし、Ｖset、Ｖresetが僅かに上昇することがわかった。この問題を解決するため、２，５，８，１１−ｔｅｔｒａｏｘａｄｏｄｅｃａｎｅ（Ｇ３）からなる溶媒和イオン液体（［Ｃｕ−Ｇ３−（ＴＦＳＡ）2］）（非特許文献５参照）をハフニア層に浸み込ませたところ、［Ｃｕ−Ｇ３−（ＴＦＳＡ）2］は極めて高粘性にもかかわらずＶset、Ｖresetが低下し、しかもスイッチング耐性が大きく向上することを発見した（非特許文献５参照）。【０００７】
なお、「ＴＦＳＡ」は［Ｔｆ2Ｎ］とも略され、試薬カタログや文献でしばしば“ｂｉｓ（ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌｓｕｌｆｏｎｙｌ）ｉｍｉｄｅ“（［ＴＦＳＩ］）とも表記される。しかし、“ｉｍｉｄｅ”はＩＵＰＡＣ法では“an amido compound which connected with two carbonyl group”と規定されており、［Ｔｆ2Ｎ］はＩＵＰＡＣ法に従って命名すると“ｂｉｓ（ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌｓｕｌｆｏｎｙｌ）ａｍｉｄｅ”とするのが正しい。ただし、“（ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌｓｕｌｆｏｎｙｌ）ｉｍｉｄｅ”であればＩＵＰＡＣルールに従った命名と言える。本明細書ではＩＵＰＡＣ法に従い［ＴＦＳＡ］とする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第６１９５１５５号公報
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】Harada, A.; Yamaoka, H.; Ogata, R.; Watanabe, K.; Kinoshita, K.; Kishida, S.; Nokami, T.; Itoh, T. J. Mater. Chem. C, 2015, 3, 6966-6969.
【非特許文献２】Harada, A.; Yamaoka, H.; Watanabe, K.; Kinoshita, K.; Kishida, S.; Fukaya, Y.; Nokami, T.; Itoh, T.Chem. Lett., 2015, 44, 1578-1580．
【非特許文献３】Harada, A.; Yamaoka, H.; Tojo, S.; Watanabe, K.; Sakaguchi, A.; Kinoshita, K.; Kishida, S.; Fukaya,Y.; Matsumoto, K.; Hagiwara, R.; Sakaguchi, H.; Nokami, T.; Itoh, T. J. Mater. Chem. C, 2016, 4, 7215-7222.
【非特許文献４】Kinoshita, K.; Sakaguchi, A.; Harada, A.; Yamaoka, H.; Kishida, S.; Fukaya, Y.; Nokami, T.; Itoh, T. Jpn. J. Appl. Phy. 2017, 56, 04CE13.
【非特許文献５】Yamaoka, H.; Yamashita, T.; Harada, A.; Sakaguchi, A.; Kinoshita, K.; Kishida, S.; Hayase, S.; Nokami, T.; Itoh, T. Chem. Lett. 2017, 46, 1832-1835.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前述したように、金属酸化物層としてのハフニア層に溶媒和イオン液体を浸み込ませることにより、安定で高性能なＣＢ−ＲＡＭ構造が一応可能になったが、金属酸化物をＡｌ2Ｏ3（アルミナ）に代えたＣｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔセルの場合は、イオン液体や銅塩含有イオン液体、銅イオンを中心金属イオンとする溶媒和イオン液体［Ｃｕ−Ｇ３−（Ｔｆ2Ｎ）2］のいずれを浸み込ませてもＶsetとＶresetの低減、及びスイッチング耐性の向上の両方を満足させることができないことを見出した。従って、本発明は、このようなＣＢ−ＲＡＭにおける課題を解決し、高性能ＣＢ−ＲＡＭを実現させるための基幹技術を提供するものである。【００１１】
すなわち、本発明は、低電圧で駆動でき、スイッチング耐性の大きい高性能金属酸化物ＣＢ−ＲＡＭの開発のために、金属酸化物層に加える最適なイオン液体デザインを実現するための指針を与え、所望のスイッチング特性を実現するための素子構成を提供することにある。特に、アルミナのように従来はＣＢ−ＲＡＭの金属酸化物層として注目されてこなかった安価な金属酸化物を活用可能とするイオン液体デザインの指針を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一実施形態である導電性ブリッジ型のメモリ装置は、電気化学的に活性でイオン化しやすい金属からなる第１金属層と、電気化学的に安定な金属からなる第２金属層と、前記第１金属層及び前記第２金属層の間に挟持されており、前記第１金属層と接する第１面から前記第２金属層と接する第２面との間を連通する細孔を有する絶縁体層と、前記絶縁体層の前記細孔内に浸み込ませた電解質層とを備え、前記電解質層が溶媒和イオン液体及び前記溶媒和イオン液体の粘性係数よりも小さい粘性係数のイオン液体である低粘度のイオン液体が混合された混合イオン液体を含んでいる。【００１３】
本発明の他の実施形態であるスイッチ素子は、電気化学的に活性でイオン化しやすい金属からなる第１金属層と、電気化学的に安定な金属からなる第２金属層と、前記第１金属層及び前記第２金属層の間に挟持されており、前記第１金属層と接する第１面から前記第２金属層と接する第２面との間を連通する細孔を有する絶縁体層と、前記絶縁体層の前記細孔内に浸み込ませた電解質層であって、溶媒和イオン液体、及び前記溶媒和イオン液体の粘性係数よりも小さい粘性係数のイオン液体である低粘度のイオン液体が混合された混合イオン液体を含む電解質層と、を備え、前記第１金属層及び前記第２金属層の間に印加される電圧の極性によって前記第１金属層及び前記第２金属層の間の導通・非導通が制御され得る構造になっている。【００１４】
本発明のさらに他の実施形態である導電性ブリッジ型のメモリ装置の製造方法は、電気化学的に活性でイオン化しやすい金属からなる第１金属層の表面に、前記表面に第１面が接し、かつ、前記第１面と前記第１面とは反対面の第２面との間が連通する細孔を有する絶縁体層を形成し、前記絶縁体層の前記細孔内に、溶媒和イオン液体と、前記溶媒和イオン液体の粘性係数よりも小さい粘性係数のイオン液体である低粘度のイオン液体とが混合された混合イオン液体を含む電解質材料を浸み込ませ、前記混合イオン液体を浸み込ませた前記絶縁体層の前記第２面に電気化学的に安定な金属からなる第２金属層を形成することにある。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、電極Ａを構成する第１金属層の原子の拡散を媒介する溶媒の調整により、抵抗スイッチング特性、特に、抵抗スイッチングが生じる電圧や電流の制御が可能となり、抵抗スイッチングを発生させるために必要な電力とスイッチング電圧のバラツキを低減することができる。このことにより、スイッチング耐性を向上させることができる。また、酸化物多結晶膜粒界或いは多孔質体などの細孔を有する絶縁体中に存在する蒸発及び電気分解しやすい水を不揮発性で電気化学的に安定な混合イオン液体と置換することにより、金属酸化物などの絶縁体層の劣化を抑え、安定したＣＢ−ＲＡＭ或いは原子スイッチの作製が可能となる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】Ｃｕ／金属酸化物／Ｐｔ型ＣＢ−ＲＡＭの模式構造とスイッチングプロセスの原理を説明する図である。
【図２】本発明の一実施形態のＣｕ／ＨｆＯ2／Ｐｔセルの模式構造図である。
【図３】混合イオン液体の種類による各温度における粘度測定結果を示す図である。
【図４】混合イオン液体の種類によるＴＧ測定（熱重量測定）の結果を示す図である。
【図５】混合イオン液体のＣｕ濃度を変えたときの使用時のＣｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔセルのスイッチング耐性試験結果を示す図である。
【図６】混合イオン液体の混合割合を変えたときの、混合イオン液体の添加時のＣｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔセルのフォーミング電圧（Ｖform）の累積確率を示す図である。
【図７】混合イオン液体の混合割合を変えたときの、混合イオン液体の添加時のＣｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔセルのセット電圧（Ｖset）の累積確率分布を示す図である。
【図８】Ｃｕ含有ＤＭＥなどと、Ｇ２型溶媒和イオン液体の各温度における粘度を示す図である。
【図９】Ｃｕ含有ＤＭＥとＧ２型溶媒和イオン液体との混合割合を変えたときの温度に対するＴＧ測定の結果を示す図である。
【図１０】Ｃｕ含有ＤＭＥとＧ２型溶媒和イオン液体との混合割合を変えたときの添加時のＣｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔセルのフォーミング電圧（Ｖform）分布を示す図である。
【図１１】Ｃｕ含有ＤＭＥ、Ｇ２型溶媒和イオン液体の種類又は割合を変えたときのＣｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔセルのセット電圧（Ｖset）の累積確率分布を示す図である。
【図１２】Ｃｕ含有ＤＭＥとＧ２溶媒和イオン液体の種類又は混合割合を変えたときのＣｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔ素子のスイッチング耐性を示す図である。
【図１３】Ａｇ［ＴＦＳＡ］を含有した［Ｂｍｉｍ］［ＴＦＳＡ］のＡｇ量を変えたときのＣｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔセルのセット電圧（Ｖset）の分布を示す図である。
【図１４】Ａｇ［ＴＦＳＡ］を含有した［Ｂｍｉｍ］［ＴＦＳＡ］をＣｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔ素子のスイッチング耐性を示す図である。
【図１５】本発明の一実施形態のメモリ装置の構成例を示す回路図である。
【図１６】本発明の一実施形態のメモリ装置の製造工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態による導電性ブリッジ型のメモリ装置について図２を参照しながら説明する。本実施形態の導電性ブリッジ型のメモリ装置のメモリセル１０は、図２にその一例の構造が示されるように、電気化学的に活性でイオン化しやすい金属からなる第１金属層１（電極Ａ）と、電気化学的に安定な金属からなる第２金属層２（電極Ｂ）と、第１金属層１及び第２金属層２の間に挟持されており、第１金属層１と接する第１面３ｂから第２金属層２と接する第２面３ｃとの間を連通する細孔を有する絶縁体層３と、絶縁体層３の細孔３ａ内に浸み込ませた電解質層４とを備えている。そして、電解質層４が溶媒和イオン液体、及びその溶媒和イオン液体の粘性係数よりも小さい粘性係数のイオン液体である低粘度のイオン液体が混合された混合イオン液体を含んでいる。なお、図２では、説明を分かりやすくするため、絶縁体層３として、細孔３ａが柱状になりやすいハフニア（ＨｆＯ2）の多孔質体で細孔３ａ部分と絶縁体層３とを区分した例で示されている。しかし、後述されるように、複雑な形状で細孔３ａが連結するアルミナなどの多孔質体からなる絶縁体層３でも同様の動作をする。絶縁体層３の細孔３ａは、第１金属層１と接する第１面３ｂから第２金属層２と接する第２面３ｃとの間を連通していればよい。なお、本明細書において「連通」とは、細孔の形状に関わらず、少なくとも液体が流通し得る程度に連結していることを意味する。すなわち、第１面３ｂと第２面３ｃとの間で液体が流通し得るように細孔が連続していることである。
【００１８】
ここに「溶媒和」とは、溶液の中で、溶質の分子又はイオンの周りを溶媒の分子が取り囲んで１つの分子群を作る状態をいう。溶媒和イオン液体とは、このような溶媒和を有するイオン液体を意味する。また、「低粘度のイオン液体」とは、本明細書で便宜的に呼称する名称であり、溶媒和イオン液体よりも粘度（粘性係数）の小さいイオン液体を意味し、いわゆる通常のイオン液体を意味する。さらに、「混合イオン液体」という用語も、本明細書で便宜的に呼称する名称であり、溶媒和イオン液体と上述の低粘度のイオン液体とが混合されたイオン液体を意味する。
【００１９】
前述のように、本発明者らは、導電性ブリッジ型のメモリ装置（ＣＢＲＡＭ）の性能向上を求めて、鋭意検討を重ねて調べた。その結果、多孔質体からなる絶縁体層３の細孔３ａに浸み込ませる電解質層４として、イオン液体を浸み込ませることによって、高速でオン・オフの切り替えをすることができるようになった。しかし、セット電圧（Ｖset）などの動作電圧が高くなるという問題があり、本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、その原因が第２金属層２の表面をＣｕ2+イオンが覆ってしまい、次のＣｕ2+イオンが第２金属層２に達し難く、印加電圧を高くする必要があることを見出した。そして、その対策として、電解質をＣｕ2+イオンを溶媒で取り囲む溶媒和イオン液体にすることで、セット電圧（Ｖset）などの動作電圧を大幅に下げ得ることを見出した。しかし、そのような溶媒和イオン液体を用いても、絶縁体層３としてアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）のような安価な酸化物層を用いると、スイッチング速度が遅くなると共に、スイッチング耐性が低下するという問題が発生した。そこで、本発明者らは、さらに鋭意検討を重ねてこの問題を解決した。
【００２０】
すなわち、溶媒和イオン液体を電解質層４として用いると、溶媒和イオン液体の粘度が大きく、アルミナのように複雑な形状に形成された細孔３ａ内では、クーロン力の引き付けによるＣｕ2+イオンの速度が遅くなることに原因があることを見出した。そして、溶媒和イオン液体に、その溶媒和イオン液体よりも粘度の小さい、いわゆる通常のイオン液体である、低粘度のイオン液体を混ぜ合せた混合イオン液体として絶縁体層３の細孔３ａに浸み込ませることによって、低い動作電圧で、かつ、スイッチング耐性の優れた導電性ブリッジ型のメモリ装置を得ることができた。
【００２１】
本実施形態で電解質層４として用いられる溶媒和イオン液体の溶媒としては、
【化１】
2019240139.tif 000003
及び
【化２】
2019240139.tif 000004
（ただし、ｎはエチレンオキシ基の数であって１又は２であり、ｍはメチレン基の数であって１〜３のいずれかの整数であり、Ｒ1、Ｒ2は、それぞれ同じでも違っていてもよく、Ｒ1は炭素数が１〜６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキルニル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、又はｔ−ブチルジメチルシリル基を表し、Ｒ2は，炭素数１〜１６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、又はｔ−ブチルジメチルシリル基を表し、アルキル基の中にはエーテル官能基、チオエーテル官能基が含まれていても構わない）
からなる群から選ばれる少なくとも１種の溶媒が用いられる。
【００２２】
なお、溶媒和イオン液体を構成する溶質である金属イオンはフィラメント成分となりうる銅イオンが望ましいが、フィラメント構成成分金属（第１金属層１の金属）にこだわる必要は無い。例えば、銀イオンや金イオン、パラジウムイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、白金イオンなどの貴金属イオン種、コバルト、ニッケルなどの金属イオン、ユーロピウム（Ｅｕ）などのランタノイド金属イオンなどが利用できる。また、これら金属イオンを複数混合してもよい。すなわち、第１金属層１の材料として銅を用い、フィラメントが銅で形成される場合でも、溶媒和イオン液体の溶質として、上記種々の金属イオンが用いられてもよく、銅イオンとこれらの金属イオンが混合されてもよい。なお、溶媒和イオン液体の金属イオンの、フィラメントを構成する金属全体に対する割合は非常に小さい。
【００２３】
溶媒和イオン液体を構成する対アニオンは、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミド（Ｎ（ＳＯ2ＣＦ3）2-：ＴＦＳＡ）、ビス（フルオロスルホニル）アミド（Ｎ（ＳＯ2Ｆ）2-：ＦＳＡ）が望ましいが、溶媒和した場合に液体になるアニオン種であればよく、この他にも、ＡｌＣｌ4-、ＢＦ4-、ＰＦ6-、ＳｂＦ6-、ＭｅＳＯ3-、ＣＦ3ＳＯ3-、ＮＯ3-、ＣＦ3ＣＯＯ-、ＲＣＯＯ-、ＲＳＯ4-、ＲＣＨ（ＮＨ2）ＣＯＯ-、ＳＯ42-、ＣｌＯ4-、（ＨＦ）2.3Ｆ（ここでＲはＨ、アルキル基、アルキルオキシ基を示す）が挙げられる。
【００２４】
また、低粘度のイオン液体としては、例えば
【化３】
2019240139.tif 000005
（ただし、Ｒ1は上記各化学式において、同じでも違っていてもよく、炭素数１〜６のアルキル基、又は炭素数２〜６のアルケニル基を表し、Ｒ2は上記各化学式において、同じでも違っていてもよく、水素原子、炭素数１〜１６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、又はアルコキシ基を表す。アルキル基の中にはエーテル官能基、チオエーテル官能基が含まれていても構わない。Ｒ3は上記各化学式において、同じでも違っていてもよく、水素原子、フェニル基、メチル基、又はイソプロピル基を示す。化学式（５）のｎはメチレン数を示し、ｎ＝１又は２である。化学式（８）においてＲ1とＲ2は炭素鎖が連結していてもよく、この場合はトリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、又はヘプタメチレン基である。イオン液体のアニオン（Ｘ）は、上記各化学式において、同じでも違っていてもよく、ＡｌＣｌ4-、ＢＦ4-、ＰＦ6-、ＳｂＦ6-、Ｎ（ＳＯ2ＣＦ3）2-、Ｎ（ＳＯ2Ｆ）2-、Ｎ（ＣＮ）2-、ＭｅＳＯ3-、ＭｅＳＯ4-、ＣＦ3ＳＯ3-、ＮＯ3-、ＣＦ3ＣＯＯ-、ＲＣＯＯ-、ＲＳＯ4-、ＲＣＨ（ＮＨ2）ＣＯＯ-、ＳＯ42-、ＣｌＯ4-、Ｍｅ2ＰＯ4-、（ＨＦ）2.3Ｆ-（ここでＲはＨ、アルキル基、アルキルオキシ基を示す）である。）
からなる群から選ばれる少なくとも１種を用いることができる。
【００２５】
この低粘度のイオン液体を構成するカチオン及びアニオンのさらなる具体例としては、
【化４】
2019240139.tif 000006
を用いることができる。
【００２６】
これらの溶媒和イオン液体又は低粘度のイオン液体は、上述の例の１種に限らず、複数種の混合でもよい。また、溶媒和イオン液体と低粘度のイオン液体の混合比（モル比）は、使用する絶縁体層（金属酸化物層）３の細孔３ａの種類などに応じて、適宜調整されるが、好ましい範囲としては、例えば（溶媒和イオン液体）：（低粘度のイオン液体）の割合は、１：（１〜３）である。
【００２７】
また、本発明者らが、さらに鋭意検討を重ねた結果、この溶媒和イオン液体、もしくは低粘度のイオン液体、又はこれらを混合した混合イオン液体に溶解する金属塩を含有させることによって、さらにＣＢ−ＲＡＭ機能を向上させ得ることを見出した。
【００２８】
このＣＢ−ＲＡＭ機能を向上させる、混合イオン液体に溶解する金属塩のカチオンとしてはフィラメント構成金属、すなわち第１金属層１の金属にこだわる必要は無く、低粘度のイオン液体又は溶媒和イオン液体に溶解できる金属塩であればよい。この場合、第１金属層１の金属よりもイオン化傾向の小さい金属が望ましい。すなわち、第１金属層１として銅が用いられる場合には、例えば、銀塩、金塩、パラジウム塩、ロジウム塩、ルテニウム塩、白金塩などが考えられる。特に銀塩が添加されることによって、ＣＢ−ＲＡＭ機能を大幅に向上させることができた。また、この金属塩は、単塩のみならず、複塩でもよい。
【００２９】
ＣＢ−ＲＡＭ機能を向上させる、混合イオン液体に溶解する金属塩のアニオンとしては、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミド（Ｎ（ＳＯ2ＣＦ3）2-：ＴＦＳＡ）、ビス（フルオロスルホニル）アミド（Ｎ（ＳＯ2Ｆ）2-：ＦＳＡ）が望ましいが、金属イオンと溶媒和した場合に液体になるアニオン種であればよく、この他にも、ＡｌＣｌ4-、ＢＦ4-、ＰＦ6-、ＳｂＦ6-、ＭｅＳＯ3-、ＣＦ3ＳＯ3-、ＮＯ3-、ＣＦ3ＣＯＯ-、ＲＣＯＯ-、ＲＳＯ4-、ＲＣＨ（ＮＨ2）ＣＯＯ-、ＳＯ42-、ＣｌＯ4-、（ＨＦ）2.3Ｆ（ここでＲはＨ、アルキル基、アルキルオキシ基を示す）が挙げられる。また、これらのアニオンを複数混合してもよい。
【００３０】
ＣＢ−ＲＡＭ機能を向上させる金属塩、又は金属イオンを含む低粘度のイオン液体又は溶媒和イオン液体は、それぞれ単一もしくは複数の混合イオン液体、あるいは異種の金属イオンからなる溶媒和イオン液体であっても良く、使用する金属酸化物層に応じて混合比を調整して最適化する必要がある。
【００３１】
この溶媒和イオン液体と低粘度のイオン液体との混合の種類及びその混合の割合の例に関しては、具体例で後述される。
【００３２】
本実施形態のＣＢ−ＲＡＭの構造は、前述したように、第１金属層１と第２金属層２との間に第１面３ｂと第２面３ｃとの間を連通する細孔３ａを有する絶縁体層３が挟持された構造になっている。第１金属層１としては、電気化学的に活性でイオン化しやすい金属が用いられる。具体的には、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｖなどの金属又はこれらの金属の合金が挙げられる。また、第２金属層２の金属としては、電気化学的に安定な金属が用いられる。具体的には、Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒｈなどの金属又はこれらの金属の合金が挙げられる。
【００３３】
細孔３ａを有する絶縁体層３は、アルミナ、ハフニア、酸化シリコン、ＧｅＳｅ、Ａｇ2Ｓなどのナノサイズの細孔を有する固体金属酸化物或いは半導体酸化物の多結晶又はアモルファス、及び金属有機構造体などの自己集積化現象により形成される多孔質体が挙げられる。図２に示される例は、前述したように、ハフニア（ＨｆＯ2）の例で、細孔３ａが柱状に形成された例である。この多孔質体がアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）の場合は、細孔３ａが柱状にはならないが、第１面３ｂと第２面３ｃとの間で細孔３ａが連結し、第１及び第２の金属層１、２間にフィラメントが連続する細孔３ａが形成されればよい。すなわち、細孔３ａが第１面３ｂと第２面３ｃとの間で連通していればよく、多孔質体でなくてもよい。従って、アルミナの方が安価で容易に入手しやすいので好ましく、連結する細孔３ａを有していればよい。例えば、アモルファス絶縁体でも構わない。図２に示される例で、細孔３ａの径ｄは２〜５ｎｍ程度であり、多孔質体の厚さｔは、２ｎｍ〜５０ｎｍ程度である。アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）の場合でも、細孔３ａは柱状にはならないが、その大きさはハフニアの場合と同程度の大きさになる。
【００３４】
多孔質体の細孔３ａの大きさは、０．１ｎｍ以上、３０ｎｍ以下で、その気孔率は、は、１０％以上、８０％以下であることが好ましい。この絶縁体層３の細孔３ａ内に前述の液体の電解質材料が浸み込んでいる。この電解質材料を絶縁体層３の細孔３ａ内に浸み込ませる方法としては、例えば細孔３ａを有する絶縁体層３の表面に電解質材料を塗布して毛細管現象を利用して浸み込ませたり、絶縁体層３の表面に電解質材料を滴下して、裏面側から真空吸引したり、電解質材料の液体内に細孔３ａを有する絶縁体層３を浸漬しておくことで浸み込ませたりすることができる。
【００３５】
前述したように、絶縁体層３（金属酸化物層）内に電解質材料を加えることでフォーミング電圧（Ｖform）、セット電圧（Ｖset）、リセット電圧（Ｖreset）、スイッチング耐性などのＣＢ−ＲＡＭ機能を向上させることができ、その電解質材料として、金属塩含有イオン液体を選択し得る。従来の特許文献１、及び研究（非特許文献１〜５）においては単一のイオン液体（低粘度のイオン液体又は溶媒和イオン液体のいずれか）に金属塩を溶解してＣＢ−ＲＡＭ機能の向上を実現したが、溶媒和イオン液体と低粘度のイオン液体の複数のイオン液体を混合し、その混合比を最適化する手法で、ＣＢ−ＲＡＭ機能を向上させる金属塩含有イオン液体を作製する事で、本発明を完成した。次に具体的な実施例でさらに詳細に説明される。
【００３６】
［素子作製］
溶媒和イオン液体としてＣｕ（ＴＦＳＡ）2、及びＴｒｉｇｌｙｍｅ（Ｇ３）と、低粘度のイオン液体としての［Ｂｍｉｍ］［ＴＦＳＡ］とを混合した混合イオン液体（以下、Ｃｕ（ＴＦＳＡ）2−Ｔｒｉｇｌｙｍｅ（Ｇ３）−［Ｂｍｉｍ］［ＴＦＳＡ］と記す）を２０ｎｍ厚のＡｌ2Ｏ3膜（多孔質体）の細孔３ａに浸み込ませることで、ＣＢ−ＲＡＭ素子を作製した。具体的には、Ｐｔ薄膜（第２の金属層２）の上にＡｌ2Ｏ3膜をスパッタリングで成膜し、溶媒和イオン液体と低粘度のイオン液体をそれぞれ１μｌ（マイクロリットル）ずつ滴下し、図２の第１金属層１の代りに、このイオン液体層を通してＣｕ−プローブをＡｌ2Ｏ3薄膜に接触させてＣｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔセルを形成した。この素子を用いて、フォーミング電圧（Ｖform）、セット電圧（Ｖset）、リセット電圧（Ｖreset）、スイッチング耐性を測定した。この実験においては、大気中の水の影響を取り除くために、測定容器内に測定の１５分前から乾燥Ｎ2ガスを供給し、乾燥Ｎ2ガス雰囲気で電圧印加時の抵抗変化を調べた。一つのセルについて２０点以上を測定した。
【００３７】
［混合イオン液体の粘度、導電率］
Ｃｕ（ＴＦＳＡ）2：Ｇ３：［Ｂｍｉｍ］［ＴＦＳＡ］＝１：１：０．５、１：１：１、１：１：２、１：１：３（モル比）のサンプルで測定を行ったところ、図３に示されるように、混合イオン液体中の［Ｂｍｉｍ］［ＴＦＳＡ］の量が増えるにつれ粘度が低下し、粘度低下に伴って導電率が向上した。溶媒和イオン液体と低粘度のイオン液体［Ｂｍｉｍ］［ＴＦＳＡ］の混合で粘性が低下し、導電率が上がることがわかり（表１参照）、溶媒和イオン液体とイミダゾリウム塩イオン液体の混合で粘性と導電率を制御できることがわかった。
【００３８】
【表１】
2019240139.tif 000007
【００３９】
［混合イオン液体の熱安定性測定］
溶媒和イオン液体に低粘度のイオン液体（イミダゾリウム塩イオン液体）を混合した混合イオン液体のＴＧ測定結果とＣｕ（ＴＦＳＡ）2−Ｇ３溶媒和イオン液体との比較を図４に示す。混合イオン液体では２３０〜２４０℃付近で大きな重量減少が起こっているが、いずれもＧ３単体とＣｕ（ＴＦＳＡ）2単体よりも熱的安定性が向上したことがわかった。
【００４０】
［Ｃｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔ素子への混合イオン液体の添加時のスイッチング耐性試験結果］
スイッチング耐性を図５に示す。いずれもｂｌａｎｋやＣｕ（ＴＦＳＡ）2：Ｇ３＝１：１より向上した。混合イオン液体の種類で比較するとＣｕ（ＴＦＳＡ）2：Ｇ３：［Ｂｍｉｍ］［ＴＦＳＡ］＝１：１：２が最も動作した。このスイッチング耐性の差はサンプル中のＣｕ濃度、サンプルの粘度が影響していると考えられる。まずＣｕ濃度については、ハフニア素子でのＣｕイオン溶解イオン液体やＣｕ（ＴＦＳＡ）2−Ｇ３溶媒和イオン液体の場合でも見られたように、フィラメントの偏析を抑制するために十分なＣｕ濃度を確保することがフィラメントの断裂−形成を安定させる要素になっていると考えられる。ただし、ハフニア素子ではＣｕ濃度の増加に伴ってスイッチング耐性が向上したが（非特許文献３、４、５参照）、アルミナ素子ではわずかな向上に留まった。アルミナとハフニアを比較した際、アルミナの方が成膜時にアモルファスになりやすく、結晶粒界ができ難いことがよく知られている。最も動作した１：１：２よりもＣｕ濃度が高い１：１：０．５、１：１：１では、粘度が高くアルミナ中に形成されたナノ細孔に入りにくいためにフィラメントの形成−断裂が不安定になったと考えられる。一方、１：１：３では粘度が低下したためにアルミナ中の細孔に侵入しやすいが、肝腎のＣｕ濃度が低いためフィラメントの形成−断裂プロセス安定化に及ぼす効果が限定されたと考えられる。
【００４１】
［Ｃｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔ素子への混合イオン液体の添加時のＶform測定実験］
混合イオン液体添加時のフォーミング電圧を図６に、セット電圧を図７に示す。フォーミング電圧、セット電圧共に大幅に改善した。フォーミング電圧では１：１：１と１：１：３が特に良好な結果を示した。この結果には溶液抵抗（Ｒｓｏｌ）と電荷移動抵抗（Ｒｃｔ）が影響していると考えられる。混合イオン液体中の［Ｂｍｉｍ］［ＴＦＳＡ］の量が増えるに連れＲｓｏｌが低下し、Ｒｃｔが増加する傾向がある。混合比１：１：３ではＲｓｏｌが非常に低いためＲｃｔの増加を補ってフォーミング電圧が低減し、混合比１：１：１ではＲｓｏｌとＲｃｔの値がフォーミング電圧低下に適合したと考えられる。また、イオン液体未添加（Ｂｌａｎｋ）で見られた過剰Ｓｅｔ電圧が混合イオン液体添加で激減した。このように、混合イオン液体を用いることでＡｌ2Ｏ3素子の動作電圧を大幅に改善できることが分かった。
【００４２】
［溶媒和イオン液体の種類］
溶媒和イオン液体の作製のためのエーテル化合物としては、従来Ｇ３（化１におけるｎ＝２）が使用されてきたが（非特許文献５、６、７参照）、Ｇ３以外にもＣｕイオンと錯形成できる様々なエーテルが利用できると考えられる。例えば、化１におけるｎ＝１で示される（Ｄｉｇｌｙｍｅ：Ｇ２）、化２におけるｎ＝１で示されるジメトキシエタン（ＤＭＥ）も利用できると期待される。そこで、その実証実験を行った。
【００４３】
［ＤＭＥ、Ｇ２を使用した溶媒和イオン液体の粘度測定］
ＤＭＥ、Ｇ２を使用した溶媒和イオン液体の粘度測定結果を図８に、粘度・導電率の比較を表２に示す。Ｇ３よりも側鎖の短いＤＭＥやＧ２を用いることで粘度が低下し、それに伴って導電率が向上した。
【００４４】
【表２】
2019240139.tif 000008
【００４５】
［Ｃｕ含有ＤＭＥ、Ｇ２型溶媒和イオン液体の熱安定性測定実験］
図９にＣｕ含有ＤＭＥ、Ｇ２型溶媒和イオン液体のＴＧ測定結果を示す。Ｃｕ（ＴＦＳＡ）2−ＤＭＥ、Ｃｕ（ＴＦＳＡ）2−Ｇ２のいずれも熱的安定性がＣｕ（ＴＦＳＡ）2単体やＧ３単体より向上した。
【００４６】
［Ｃｕ含有ＤＭＥ、Ｇ２型溶媒和イオン液体添加時のＣｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔ型ＣＢ−ＲＡＭのＦｏｒｍｉｎｇ・Ｓｅｔ電圧］
Ｃｕ含有ＤＭＥ、Ｇ２型溶媒和イオン液体添加時のＣｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔ型セルのフォーミング電圧の分布を図１０、セット電圧の分布を図１１に示す。いずれも溶媒和イオン液体をアルミナ層に加えると低減した。フォーミング電圧に関しては、Ｃｕ（ＴＦＳＡ）2：ＤＭＥ＝１：２が特に良好であった。これは用いた溶媒和イオン液体の中で最も導電率が高いことに起因していると考えられる。セット電圧については図１１に示すように、溶媒和イオン液体を用いることで全体的に低電圧側へシフトした。これらの結果から、Ｇ２、ＤＭＥ溶媒和イオン液体を用いることで動作電圧が低減できることがわかった。
【００４７】
［Ｃｕ含有ＤＭＥ、Ｇ２溶媒和イオン液体を添加したＣｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔ素子のスイッチング耐性］
スイッチング耐性を図１２に示した。Ｃｕ（ＴＦＳＡ）2−ＤＭＥ溶媒和イオン液体が特に向上した。Ｃｕ（ＴＦＳＡ）2−Ｇ３溶媒和イオン液体中で比較すると、より低粘性・高導電性のＣｕ（ＴＦＳＡ）2：Ｇ３＝１：２が最も動作し、Ｃｕ（ＴＦＳＡ）2−ＤＭＥ溶媒和イオン液体中で比較しても同様にＣｕ（ＴＦＳＡ）2：ＤＭＥ＝１：２の方が動作した。綺麗な結晶粒界ができにくいＡｌ2Ｏ3素子では銅イオンの移動の容易さがＣＢ−ＲＡＭスイッチング耐性により大きく効くことを示している。Ｃｕ（ＴＦＳＡ）2−ＤＭＥ溶媒和イオン液体はＣｕ（ＴＦＳＡ）2−Ｇ３溶媒和イオン液体よりイオン対のサイズが小さい。従って、Ｃｕ（ＴＦＳＡ）2−ＤＭＥ溶媒和イオン液体がスイッチング耐性において良好な結果を示した理由としては、粘度の他に溶媒和イオン液体の大きさが関係している可能性もある。Ａｌ2Ｏ3素子のような入り組んだ結晶粒界ではイオン対サイズの小さな溶媒和イオン液体の移動が有利になり、フィラメントの断裂−形成が安定化をもたらしたと考えられる。
【００４８】
［Ａｇ［ＴＦＳＡ］を含有した［Ｂｍｉｍ］［ＴＦＳＡ］をＣｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔセルに加えた場合のセット電圧（Ｖset）］
ＣＢ−ＲＡＭ機能を向上させる金属塩含有イオン液体に溶解する金属塩としてはフィラメント構成金属にこだわる必要は無く、イオン液体や溶媒和イオン液体に溶解できる金属塩であれば良く、銅よりも貴な金属塩、例えば、銀塩、金塩、パラジウム塩、ロジウム塩、ルテニウム塩、白金塩などが考えられる。これを実証するために銀塩（Ａｇ（ＴＦＳＡ））を含有する低粘度のイオン液体［Ｂｍｉｍ］［ＴＦＳＡ］をＣｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔ素子に加えたところ（図１３）、セット電圧（Ｖset）が低くなり、異常電圧も観測されなかった。これはモデル実験であり、混合イオン液体系は未測定であるが、混合イオン液体にＡｇ（ＴＦＳＡ）を加えることで同様の結果が得られると考えられる。
【００４９】
［Ａｇ［ＴＦＳＡ］を含有した［Ｂｍｉｍ］［ＴＦＳＡ］をＣｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔ素子のスイッチング耐性］
銀塩（Ａｇ（ＴＦＳＡ））を含有する低粘度のイオン液体［Ｂｍｉｍ］［ＴＦＳＡ］をＣｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔ素子に加えてスイッチング耐性を調べた結果が図１４である。この図で示されるように、Ｃｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔ素子のスイッチング耐性が大きく向上した。これはモデル実験であり、混合イオン液体系は未測定であるが、混合イオン液体にＡｇ（ＴＦＳＡ）を加えることで同様の結果が得られると考えられる。
【００５０】
［メモリ装置の構成］
以上のように形成された図２に示されるメモリセル（ＣＢ−ＲＡＭ素子）１０がマトリクス状に配列されて、図１５になど価回路図で示されるように、それぞれのセルに選択トランジスタ１１が接続され、その選択トランジスタ１１のゲートＧにワード線ＷＬ、ドレインＤにビット線ＢＬ、ソースＳにメモリセル１０を介してソース線ＳＬ（信号線）がそれぞれ接続されることによって、通常のメモリ装置が構成されている。そして、マトリクス状の各メモリセル１０が所望のデータに従って選択されることで、所望の画像の表示、又は所定の場所の記憶などが可能になる。なお、図１５において、１２は、ビット線選択用のトランジスタである。
【００５１】
ここで、本実施形態のＣＢ−ＲＡＭ素子１０は電気的ストレス、例えば、直流又はパルス電圧の印加により、可逆的な電気抵抗の変化を示し、電源を切ってもその抵抗が保持されることより、その抵抗に対応させて情報の記憶が可能な不揮発性の記憶素子で、例えば、ＣＢ−ＲＡＭ素子としては、活性電極（電極Ａ）と不活性電極（電極Ｂ）の間にゾルゲル、スパッタ、ＭＯＣＶＤ法などで成膜されたＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＮｉＯy（ｙ〜１）、ＴｉＯz、ＨｆＯz（ｚ〜２）などを挟み込んだ構造を作製する。
【００５２】
前述のメモリセルアレイの構成は特許第４６８４２９７号公報、特許第４６６２９９０号公報、特許第６１０８５５９号公報に示された構成と同様の回路構成にできるが、本実施形態のメモリ装置（メモリセルアレイ）ではＣＢ−ＲＡＭ素子のメモリ層に、メゾ細孔或いはナノ細孔を有する酸化物層或いは酸化物以外の多孔質体からなる絶縁体層をメモリ層に用い、その細孔内に混合イオン液体などを浸み込ませ、金属イオンの電気化学的作用や移動に影響し得る溶媒を吸収、保持させる点が従来構造と異なっている。実施形態では混合イオン液体を吸収、保持させる点が従来のものと異なる。この混合イオン液体には、他の金属塩又は金属イオンを含有することが好ましい。
【００５３】
［メモリ装置の製造方法］
図１６に、本実施形態の不揮発性メモリ装置の製造工程図を示す。本実施形態のメモリ装置の製造方法は、まず、図１６（ａ）に示されるように、通常の半導体のプロセスを用いて、半導体基板２１の表面にソースＳ、ドレインＤ及びゲートＧを有するトランジスタ１１が形成される。そして、その上に層間絶縁膜２４を形成し、コンタクトプラグ２５を形成すると共に、ソースＳと接続されたコンタクトプラグ２５の上にソース線ＳＬ、ドレインＤと接続されたコンタクトプラグ２５の上に第２金属層（電極Ｂ）２がそれぞれ形成される。この第２金属層２は、例えば室温で、全圧が０.７Ｐａ、雰囲気ガスがＡｒ：Ｏ2が１：０の条件で、Ｐｔを１００ｎｍの厚さに形成した。なお、図１５（ａ）において、２２はゲート絶縁膜を示す。
【００５４】
次に、図１６（ｂ）に示されるように、ソース線ＳＬ及び第２金属層２の間に、例えばＳｉＯ2（Ｓｉ熱酸化膜）などからなる層間絶縁膜２６が形成される。その後、図１６（ｃ）に示されるように、例えばメゾ細孔又はナノ細孔を有するハフニア又はアルミナなどの多孔質体からなる絶縁体層３が形成される。具体的には、基板温度を３００℃程度にして、全圧５.３Ｐａで、Ａｒ：Ｏ2を３.８：１.５の割合にして、反応性ＲＦマグネトロンスパッタリング法により電極Ｂ（例えばＰｔ）上にＨｆＯ2を例えば、２０ｎｍ形成する。このとき、ＨｆＯ2薄膜が多結晶成長し、薄膜中に結晶粒界が導入されることが重要である。
【００５５】
その後、図１６（ｄ）に示されるように、前述した混合イオン液体４が滴下されることによって、多孔質体からなる絶縁体層３上に塗布される。具体的には、例えば、低粘度のイオン液体である［Ｂｍｉｍ］、［ＴＦＳＡ］及び溶媒和イオン液体であるＣｕ（ＴＦＳＡ）2とＴｒｉｇｌｙｍｅ（Ｇ３）を、前述の多孔質体からなる絶縁体層３の上にスピンコーティング法によって均一に塗布し、大気中或いは低圧力下にて、メゾ細孔又はナノ細孔として機能する多孔質体のＨｆＯ2薄膜粒界晶粒に吸収させる。特に、低圧力下では、結晶粒界に毛細管凝縮している水分と混合イオン液体との置換が効率的に行われる。
【００５６】
そして、図１６（ｅ）に示されるように、銅などによって第１金属層（電極Ａ）１が形成され、パターニングされることによって各メモリセル１０が形成される。この第１金属層の形成は、具体的には、室温で、全圧が０.７Ｐａ、Ａｒ：Ｏ2が１：０の条件で、１００ｎｍの厚さにＣｕ膜が形成される。次いで、図１６（ｆ）に示されるように、各セル１０の周囲が被覆されるようにＳｉＯ2などからなる層間絶縁膜２７が形成される。そして、第１金属層１と接続したコンタクトプラグ２８が層間絶縁膜２７内に形成され、その表面に各コンタクトプラグ２８を接続するようにビット線ＢＬが形成されることで、本実施形態のメモリ装置が完成する。
【００５７】
以上のように、ＳｉＯ2からなる層間絶縁膜２６上にＰｔ（電極Ｂ）、続いてＨｆＯ2薄膜（多孔質体）、Ｃｕ（電極Ａ）を成膜することで作製されたＣｕ／ＨｆＯ2／Ｐｔ構造の断面図は図２に示されている。ＨｆＯ2が柱状成長し、柱状結晶間にナノサイズの間隙（粒界）が存在することが分かる。
【００５８】
なお、図１６には図示されていないが、各セルのゲートＧを接続するゲート線ＧＬ（図１５参照）及び各セルのソースＳを接続するソース線ＳＬ（図１５参照）がこの紙面と垂直方向に延びて形成され、図１５に示されるように接続されている。
【００５９】
［記憶装置の動作］
次に、図１５を使用して、本実施形態のメモリセルアレイ（記憶装置）のセット時の動作について説明する。前述のように、セットは高抵抗から低抵抗への書き換え行程である。まず、図１５に破線で囲んで示した選択メモリセル１０ａに接続されたビット線ＢＬ１に接続された選択トランジスタ１２をオンにする。続いて（或いはこれと同時に）、ＣＢ−ＲＡＭ素子１０ａに接続されたセル選択トランジスタ１１ａのゲートＧに接続されているワード線ＷＬ１に電圧を印加し、セル選択トランジスタ１１ａをオンにする。選択ビット線ＢＬ１に印加するバイアス電圧はソース線ＳＬ１に対して正の値となるよう設定し（上部電極が電極Ｂの場合には負となるよう設定）、その絶対値はセットに要する電圧の絶対値と同じかやや大きい程度とする。
【００６０】
選択メモリセル１０ａに接続されたソース線ＳＬ１を基準電位、例えば接地電位０Ｖにすることで、ビット線ＢＬ１のバイアス電圧からビット線選択トランジスタ１２、セル選択トランジスタ１１、及びＣＢ−ＲＡＭ素子１０ａを経由する接地電位への電流経路ができ、バイアス電圧はＣＢ−ＲＡＭ素子１０ａの高抵抗状態における抵抗Ｒとセル選択トランジスタ１１のチャネル抵抗ｒ、ビット線選択トランジスタ１２のチャネル抵抗の比に応じて、ＣＢ−ＲＡＭ素子１０とビット線選択トランジスタ１２のチャネル抵抗ｒ’に配分される。ｒとｒ’の和は、Ｒに比べて小さく、ＣＢ−ＲＡＭ素子１０ａの低抵抗状態における抵抗Ｒ’に比べて大きくなるようｒとｒ’を設定する。即ち、Ｒ’＜ｒ＋ｒ’＜Ｒが満たされるようにする。セットの瞬間にＣＢ−ＲＡＭ素子１０ａの抵抗はＲからＲ’に減少することから、セットの直後にＣＢ−ＲＡＭ素子１０ａを流れる電流はｒ＋ｒ’によって制御される。その後、バイアス電圧を０Ｖに戻せば、セットが完了する。
【００６１】
一方、低抵抗から高抵抗への切り換え過程であるリセットも、前記セット過程と同様の手順で行なうが、注意すべき点は、選択ビット線ＢＬ１に印加する（ソース線ＢＬ１に対する）バイアス電圧はセットの場合と正負が逆になる。即ち、上部電極が電極Ａの場合、選択ビット線ＢＬ１に印加するバイアス電圧はソース線ＳＬ１に対して負の値となるよう設定する。例えば、選択ビット線ＢＬ１を接地電位０Ｖ、ソース線ＳＬ１を正の値となるよう設定する。その後、バイアス電圧を０Ｖに戻せばリセットが完了する。
【００６２】
読み出しには、セル選択トランジスタ１１ａ、及びビット線選択トランジスタ１２のチャネル抵抗が、両方ともＣＢ−ＲＡＭ素子１０ａの低抵抗の値ｒより十分小さくなるよう、ゲート電圧を調整し、既定の電圧を印加した際に流れる電流を検出することでＣＢ−ＲＡＭ素子１０ａの抵抗を判別する。
【００６３】
［変形実施形態］
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【００６４】
例えば、上記実施形態に記載した酸化物膜の材料、成膜条件、用いられる溶媒などは、一例を示したものにすぎず、当業者の技術常識などに応じて適宜修正や変更が可能である。
【００６５】
また、上記第１実施形態では、ＣＢ−ＲＡＭ、即ちメモリデバイスとして応用した例を示したが、本発明は電極Ａ構成原子の絶縁体層内における拡散を制御する一般的手法を提供するものであり、その応用はメモリに限定されるものではなく、種々のデバイスに適用することが可能である。
【００６６】
［スイッチ素子の構成］
例えば上述のメモリセル１０の構成で、スイッチ素子として使用し得る。すなわち、スイッチ素子は、電気化学的に活性でイオン化しやすい金属からなる第１金属層と、電気化学的に安定な金属からなる第２金属層と、第１金属層及び第２金属層の間に挟持され、第１金属層と接する第１面から第２金属層と接する第２面と連通させる細孔を有する絶縁体層と、絶縁体層の細孔内に浸み込ませた電解質層であって、溶媒和イオン液体、及び前記溶媒和イオン液体の粘性係数よりも小さい粘性係数のイオン液体である低粘度のイオン液体が混合された混合イオン液体を含む電解質層と、を備えている。すなわち、構成的には、前述した図２に示されるメモリセル１０と同じ構成である。この第１金属層１及び第２金属層２の間に印加される電圧の極性によって第１金属層１及び第２金属層２の間の導通・非導通が制御され、スイッチ素子として機能する。
【符号の説明】
【００６７】
１    第１金属層
２    第２金属層
３    絶縁体層
３ａ  細孔
３ｂ  第１面
３ｃ  第２面
４    電解質層
１１  セル選択用トランジスタ
１２  ビット線選択用トランジスタ
ＷＬ、ＷＬ１、ＷＬ２：ワード線
ＢＬ、ＢＬ１〜ＢＬ２：ビット線
ＳＬ、ＳＬ１、ＳＬ２：ソース線
【図１】
2019240139.tif 000012
【図２】
2019240139.tif 000013
【図３】
2019240139.tif 000014
【図４】
2019240139.tif 000015
【図５】
2019240139.tif 000016
【図６】
2019240139.tif 000017
【図７】
2019240139.tif 000018
【図８】
2019240139.tif 000019
【図９】
2019240139.tif 000020
【図１０】
2019240139.tif 000021
【図１１】
2019240139.tif 000022
【図１２】
2019240139.tif 000023
【図１３】
2019240139.tif 000024
【図１４】
2019240139.tif 000025
【図１５】
2019240139.tif 000026
【図１６】
2019240139.tif 000027
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月9日(2019.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１金属層及び第２金属層であって、前記第１金属層が、前記第２金属層よりも電気化学的に活性でイオン化しやすく、前記第２金属層が、前記第１金属層よりも電気化学的に安定である、前記第１金属層及び前記第２金属層と、
前記第１金属層及び前記第２金属層の間に挟持されており、前記第１金属層と接する第１面から前記第２金属層と接する第２面との間を連通する細孔を有する絶縁体層と、
前記絶縁体層の前記細孔内に浸み込ませた電解質層と、
を備え、
前記電解質層が溶媒和イオン液体、及び前記溶媒和イオン液体の粘性係数よりも小さい粘性係数のイオン液体である低粘度のイオン液体が混合された混合イオン液体を含む、導電性ブリッジ型のメモリ装置。
【請求項２】
前記絶縁体層が多孔質体からなり、前記細孔が前記多孔質体の気孔である、請求項１に記載の導電性ブリッジ型のメモリ装置。
【請求項３】
前記溶媒和イオン液体を構成する溶媒が、
【化１】
2019240139.tif 000028
及び
【化２】
2019240139.tif 000029
（ただし、ｎはエチレンオキシ基の数であって１又は２であり、ｍはメチレン基の数であって１〜３のいずれかの整数であり、Ｒ1、Ｒ2は、それぞれ同じでも違っていてもよく、Ｒ1は炭素数が１〜６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、又はｔ−ブチルジメチルシリル基を表し、Ｒ2は，炭素数１〜１６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、又はｔ−ブチルジメチルシリル基を表し、アルキル基の中にはエーテル官能基、チオエーテル官能基が含まれていても構わない）
からなる群から選ばれる少なくとも１種の溶媒である、請求項１又は２に記載の導電性ブリッジ型のメモリ装置。
【請求項４】
前記低粘度のイオン液体が、
【化３】
2019240139.tif 000030
（ただし、Ｒ1は上記各化学式において、同じでも違っていてもよく、炭素数１〜６のアルキル基、又は炭素数２〜６のアルケニル基を表し、Ｒ2は上記各化学式において、同じでも違っていてもよく、水素原子、炭素数１〜１６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、又はアルコキシ基を表す。アルキル基の中にはエーテル官能基、チオエーテル官能基が含まれていても構わない。Ｒ3は上記各化学式において、同じでも違っていてもよく、水素原子、フェニル基、メチル基、又はイソプロピル基を示す。化学式（５）のｎはメチレン数を示し、ｎ＝１又は２である。化学式（８）においてＲ1とＲ2は炭素鎖が連結していてもよく、この場合はトリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、又はヘプタメチレン基である。イオン液体のアニオン（Ｘ）は、上記各化学式において、同じでも違っていてもよく、ＡｌＣｌ4-、ＢＦ4-、ＰＦ6-、ＳｂＦ6-、Ｎ（ＳＯ2ＣＦ3）2-、Ｎ（ＳＯ2Ｆ）2-、Ｎ（ＣＮ）2-、ＭｅＳＯ3-、ＭｅＳＯ4-、ＣＦ3ＳＯ3-、ＮＯ3-、ＣＦ3ＣＯＯ-、ＲＣＯＯ-、ＲＳＯ4-、ＲＣＨ（ＮＨ2）ＣＯＯ-、ＳＯ42-、ＣｌＯ4-、Ｍｅ2ＰＯ4-、（ＨＦ）2.3Ｆ-（ここでＲはＨ、アルキル基、アルキルオキシ基を示す）である。）
からなる群から選ばれる少なくとも１種である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性ブリッジ型のメモリ装置。
【請求項５】
前記溶媒和イオン液体ａモルと、前記低粘度のイオン液体ｂモルとの混合割合であるａ：ｂが、１：（１〜３）である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電性ブリッジ型のメモリ装置。
【請求項６】
前記混合イオン液体に、前記第１金属層の金属よりも酸化されにくい金属の金属塩又は金属イオンが混入されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性ブリッジ型のメモリ装置。
【請求項７】
前記金属塩の金属又は前記金属イオンが、銀イオンや金イオン、パラジウムイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、及び白金イオンからなる群から選ばれる少なくとも１種を含む、請求項６に記載の導電性ブリッジ型のメモリ装置。
【請求項８】
前記絶縁体層が、アルミナ、ハフニア、酸化シリコンを含む金属酸化物或いは半導体酸化物の多結晶又はアモルファス、及び金属有機構造体を含む自己集積化現象により形成される多孔質体からなる群から選ばれる少なくとも１種である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電性ブリッジ型のメモリ装置。
【請求項９】
前記細孔を有する前記絶縁体層がアモルファス絶縁体層である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の導電性ブリッジ型のメモリ装置。
【請求項１０】
前記多孔質体の気孔率が１０％以上で、８０％以下である、請求項２に記載の導電性ブリッジ型のメモリ装置。
【請求項１１】
前記絶縁体層の前記細孔の大きさが、０.１ｎｍ以上で、３０ｎｍ以下である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の導電性ブリッジ型のメモリ装置。
【請求項１２】
第１金属層及び第２金属層であって、前記第１金属層が、前記第２金属層よりも電気化学的に活性でイオン化しやすく、前記第２金属層が、前記第１金属層よりも電気化学的に安定である、前記第１金属層及び前記第２金属層と、
前記第１金属層及び前記第２金属層の間に挟持されており、前記第１金属層と接する第１面から前記第２金属層と接する第２面との間を連通する細孔を有する絶縁体層と、
前記絶縁体層の前記細孔内に浸み込ませた電解質層であって、溶媒和イオン液体、及び前記溶媒和イオン液体の粘性係数よりも小さい粘性係数のイオン液体である低粘度のイオン液体が混合された混合イオン液体を含む電解質層と、
を備え、
前記第１金属層及び前記第２金属層の間に印加される電圧の極性によって前記第１金属層及び前記第２金属層の間の導通・非導通が制御され得る、スイッチ素子。
【請求項１３】
第１金属層の表面に、前記表面に第１面が接し、かつ、前記第１面と前記第１面とは反対面の第２面との間が連通する細孔を有する絶縁体層を形成する工程と、
前記絶縁体層の前記細孔内に、溶媒和イオン液体と、前記溶媒和イオン液体の粘性係数よりも小さい粘性係数のイオン液体である低粘度のイオン液体とが混合された混合イオン液体を含む電解質材料を浸み込ませる工程と、
前記混合イオン液体を浸み込ませた前記絶縁体層の前記第２面に第２金属層を形成する工程と
を備え、
前記第１金属層が、前記第２金属層よりも電気化学的に活性でイオン化しやすく、前記第２金属層が、前記第１金属層よりも電気化学的に安定である、
導電性ブリッジ型のメモリ装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の一実施形態である導電性ブリッジ型のメモリ装置は、第１金属層及び第２金属層であって、前記第１金属層が、前記第２金属層よりも電気化学的に活性でイオン化しやすく、前記第２金属層が、前記第１金属層よりも電気化学的に安定である、前記第１金属層及び前記第２金属層と、前記第１金属層及び前記第２金属層の間に挟持されており、前記第１金属層と接する第１面から前記第２金属層と接する第２面との間を連通する細孔を有する絶縁体層と、前記絶縁体層の前記細孔内に浸み込ませた電解質層とを備え、前記電解質層が溶媒和イオン液体及び前記溶媒和イオン液体の粘性係数よりも小さい粘性係数のイオン液体である低粘度のイオン液体が混合された混合イオン液体を含んでいる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の他の実施形態であるスイッチ素子は、第１金属層及び第２金属層であって、前記第１金属層が、前記第２金属層よりも電気化学的に活性でイオン化しやすく、前記第２金属層が、前記第１金属層よりも電気化学的に安定である、前記第１金属層及び前記第２金属層と、前記第１金属層及び前記第２金属層の間に挟持されており、前記第１金属層と接する第１面から前記第２金属層と接する第２面との間を連通する細孔を有する絶縁体層と、前記絶縁体層の前記細孔内に浸み込ませた電解質層であって、溶媒和イオン液体、及び前記溶媒和イオン液体の粘性係数よりも小さい粘性係数のイオン液体である低粘度のイオン液体が混合された混合イオン液体を含む電解質層と、を備え、前記第１金属層及び前記第２金属層の間に印加される電圧の極性によって前記第１金属層及び前記第２金属層の間の導通・非導通が制御され得る構造になっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明のさらに他の実施形態である導電性ブリッジ型のメモリ装置の製造方法は、第１金属層の表面に、前記表面に第１面が接し、かつ、前記第１面と前記第１面とは反対面の第２面との間が連通する細孔を有する絶縁体層を形成する工程と、前記絶縁体層の前記細孔内に、溶媒和イオン液体と、前記溶媒和イオン液体の粘性係数よりも小さい粘性係数のイオン液体である低粘度のイオン液体とが混合された混合イオン液体を含む電解質材料を浸み込ませる工程と、前記混合イオン液体を浸み込ませた前記絶縁体層の前記第２面に第２金属層を形成する工程とを備え、前記第１金属層が、前記第２金属層よりも電気化学的に活性でイオン化しやすく、前記第２金属層が、前記第１金属層よりも電気化学的に安定である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【図１】Ｃｕ／金属酸化物／Ｐｔ型ＣＢ−ＲＡＭの模式構造とスイッチングプロセスの原理を説明する図である。
【図２】本発明の一実施形態のＣｕ／ＨｆＯ2／Ｐｔセルの模式構造図である。
【図３】混合イオン液体の種類による各温度における粘度測定結果を示す図である。
【図４】混合イオン液体の種類によるＴＧ測定（熱重量測定）の結果を示す図である。
【図５】混合イオン液体のＣｕ濃度を変えたときの使用時のＣｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔセルのスイッチング耐性試験結果を示す図である。
【図６】混合イオン液体の混合割合を変えたときの、混合イオン液体の添加時のＣｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔセルのフォーミング電圧（Ｖform）の累積確率を示す図である。
【図７】混合イオン液体の混合割合を変えたときの、混合イオン液体の添加時のＣｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔセルのセット電圧（Ｖset）の累積確率分布を示す図である。
【図８】Ｃｕ含有ＤＭＥなどと、Ｇ２型溶媒和イオン液体の各温度における粘度を示す図である。
【図９】Ｃｕ含有ＤＭＥとＧ２型溶媒和イオン液体との混合割合を変えたときの温度に対するＴＧ測定の結果を示す図である。
【図１０】Ｃｕ含有ＤＭＥとＧ２型溶媒和イオン液体との混合割合を変えたときの添加時のＣｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔセルのフォーミング電圧（Ｖform）分布を示す図である。
【図１１】Ｃｕ含有ＤＭＥ、Ｇ２型溶媒和イオン液体の種類又は混合割合を変えたときのＣｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔセルのセット電圧（Ｖset）の累積確率分布を示す図である。
【図１２】Ｃｕ含有ＤＭＥとＧ２溶媒和イオン液体の種類又は混合割合を変えたときのＣｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔ素子のスイッチング耐性を示す図である。
【図１３】Ａｇ［ＴＦＳＡ］を含有した［Ｂｍｉｍ］［ＴＦＳＡ］のＡｇ量を変えたときのＣｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔセルのセット電圧（Ｖset）の分布を示す図である。
【図１４】Ａｇ［ＴＦＳＡ］を含有した［Ｂｍｉｍ］［ＴＦＳＡ］のＡｇ量を変えたときのＣｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔ素子のスイッチング耐性を示す図である。
【図１５】本発明の一実施形態のメモリ装置の構成例を示す回路図である。
【図１６】本発明の一実施形態のメモリ装置の製造工程を示す断面図である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本実施形態で電解質層４として用いられる溶媒和イオン液体の溶媒としては、
【化１】
2019240139.tif 000031
及び
【化２】
2019240139.tif 000032
（ただし、ｎはエチレンオキシ基の数であって１又は２であり、ｍはメチレン基の数であって１〜３のいずれかの整数であり、Ｒ1、Ｒ2は、それぞれ同じでも違っていてもよく、Ｒ1は炭素数が１〜６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、又はｔ−ブチルジメチルシリル基を表し、Ｒ2は，炭素数１〜１６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、又はｔ−ブチルジメチルシリル基を表し、アルキル基の中にはエーテル官能基、チオエーテル官能基が含まれていても構わない）
からなる群から選ばれる少なくとも１種の溶媒が用いられる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
溶媒和イオン液体を構成する対アニオンは、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミド（Ｎ（ＳＯ2ＣＦ3）2-：ＴＦＳＡ）、ビス（フルオロスルホニル）アミド（Ｎ（ＳＯ2Ｆ）2-：ＦＳＡ）が望ましいが、溶媒和した場合に液体になるアニオン種であればよく、この他にも、ＡｌＣｌ4-、ＢＦ4-、ＰＦ6-、ＳｂＦ6-、ＭｅＳＯ3-、ＣＦ3ＳＯ3-、ＮＯ3-、ＣＦ3ＣＯＯ-、ＲＣＯＯ-、ＲＳＯ4-、ＲＣＨ（ＮＨ2）ＣＯＯ-、ＳＯ42-、ＣｌＯ4-、（ＨＦ）2.3Ｆ-（ここでＲはＨ、アルキル基、アルキルオキシ基を示す）が挙げられる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、低粘度のイオン液体としては、例えば
【化３】
2019240139.tif 000033
（ただし、Ｒ1は上記各化学式において、同じでも違っていてもよく、炭素数１〜６のアルキル基、又は炭素数２〜６のアルケニル基を表し、Ｒ2は上記各化学式において、同じでも違っていてもよく、水素原子、炭素数１〜１６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、又はアルコキシ基を表す。アルキル基の中にはエーテル官能基、チオエーテル官能基が含まれていても構わない。Ｒ3は上記各化学式において、同じでも違っていてもよく、水素原子、フェニル基、メチル基、又はイソプロピル基を示す。化学式（５）のｎはメチレン数を示し、ｎ＝１又は２である。化学式（８）においてＲ1とＲ2は炭素鎖が連結していてもよく、この場合はトリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、又はヘプタメチレン基である。イオン液体のアニオン（Ｘ）は、上記各化学式において、同じでも違っていてもよく、ＡｌＣｌ4-、ＢＦ4-、ＰＦ6-、ＳｂＦ6-、Ｎ（ＳＯ2ＣＦ3）2-、Ｎ（ＳＯ2Ｆ）2-、Ｎ（ＣＮ）2-、ＭｅＳＯ3-、ＭｅＳＯ4-、ＣＦ3ＳＯ3-、ＮＯ3-、ＣＦ3ＣＯＯ-、ＲＣＯＯ-、ＲＳＯ4-、ＲＣＨ（ＮＨ2）ＣＯＯ-、ＳＯ42-、ＣｌＯ4-、Ｍｅ2ＰＯ4-、（ＨＦ）2.3Ｆ-（ここでＲはＨ、アルキル基、アルキルオキシ基を示す）である。）
からなる群から選ばれる少なくとも１種を用いることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
ＣＢ−ＲＡＭ機能を向上させる、混合イオン液体に溶解する金属塩のアニオンとしては、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミド（Ｎ（ＳＯ2ＣＦ3）2-：ＴＦＳＡ）、ビス（フルオロスルホニル）アミド（Ｎ（ＳＯ2Ｆ）2-：ＦＳＡ）が望ましいが、金属イオンと溶媒和した場合に液体になるアニオン種であればよく、この他にも、ＡｌＣｌ4-、ＢＦ4-、ＰＦ6-、ＳｂＦ6-、ＭｅＳＯ3-、ＣＦ3ＳＯ3-、ＮＯ3-、ＣＦ3ＣＯＯ-、ＲＣＯＯ-、ＲＳＯ4-、ＲＣＨ（ＮＨ2）ＣＯＯ-、ＳＯ42-、ＣｌＯ4-、（ＨＦ）2.3Ｆ-（ここでＲはＨ、アルキル基、アルキルオキシ基を示す）が挙げられる。また、これらのアニオンを複数混合してもよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
［Ａｇ［ＴＦＳＡ］を含有した［Ｂｍｉｍ］［ＴＦＳＡ］をＣｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔ素子に加えた場合のスイッチング耐性］
銀塩（Ａｇ（ＴＦＳＡ））を含有する低粘度のイオン液体［Ｂｍｉｍ］［ＴＦＳＡ］をＣｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔ素子に加えてスイッチング耐性を調べた結果が図１４である。この図で示されるように、Ｃｕ／Ａｌ2Ｏ3／Ｐｔ素子のスイッチング耐性が大きく向上した。これはモデル実験であり、混合イオン液体系は未測定であるが、混合イオン液体にＡｇ（ＴＦＳＡ）を加えることで同様の結果が得られると考えられる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
［メモリ装置の製造方法］
図１６に、本実施形態の不揮発性メモリ装置の製造工程図を示す。本実施形態のメモリ装置の製造方法は、まず、図１６（ａ）に示されるように、通常の半導体のプロセスを用いて、半導体基板２１の表面にソースＳ、ドレインＤ及びゲートＧを有するトランジスタ１１が形成される。そして、その上に層間絶縁膜２４を形成し、コンタクトプラグ２５を形成すると共に、ソースＳと接続されたコンタクトプラグ２５の上にソース線ＳＬ、ドレインＤと接続されたコンタクトプラグ２５の上に第２金属層（電極Ｂ）２がそれぞれ形成される。この第２金属層２は、例えば室温で、全圧が０.７Ｐａ、雰囲気ガスがＡｒ：Ｏ2が１：０の条件で、Ｐｔを１００ｎｍの厚さに形成した。なお、図１６（ａ）において、２２はゲート絶縁膜を示す。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
一方、低抵抗から高抵抗への切り換え過程であるリセットも、前記セット過程と同様の手順で行なうが、注意すべき点は、選択ビット線ＢＬ１に印加する（ソース線ＳＬ１に対する）バイアス電圧はセットの場合と正負が逆になる。即ち、上部電極が電極Ａの場合、選択ビット線ＢＬ１に印加するバイアス電圧はソース線ＳＬ１に対して負の値となるよう設定する。例えば、選択ビット線ＢＬ１を接地電位０Ｖ、ソース線ＳＬ１を正の値となるよう設定する。その後、バイアス電圧を０Ｖに戻せばリセットが完了する。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
読み出しには、セル選択トランジスタ１１ａ、及びビット線選択トランジスタ１２のチャネル抵抗が、両方ともＣＢ−ＲＡＭ素子１０ａの低抵抗の値Ｒ’より十分小さくなるよう、ゲート電圧を調整し、既定の電圧を印加した際に流れる電流を検出することでＣＢ−ＲＡＭ素子１０ａの抵抗を判別する。
【国際調査報告】
2019240139.tif 000034
2019240139.tif 000035
2019240139.tif 000036
2019240139.tif 000037