(57)【要約】  マイクロ波発生手段で使用される平均電力の上昇を抑制し、高密度なマイクロ波表面波プラズマを生成できる製造装置を提供するために、本発明の製造装置は、反応室２内に供給されるマイクロ波を発生させるマイクロ波発生手段２０と、反応室２内にマイクロ波を入射させる部分に設けられ、表面でマイクロ波表面波プラズマを生成させる誘電体材料の窓Ｗと、反応室２内に供給するマイクロ波表面波プラズマ化する気体の供給量を制御する供給量制御手段（ＭＦＣ１、ＭＦＣ２）と、原料を気化させてマイクロ波表面波プラズマ中に原料を供給する原料供給手段５０と、生成物を付着させる表面８１をマイクロ波表面波プラズマの存在する範囲内に配置した付着手段８０と、付着手段８０の生成物を付着させる表面８１の表面温度を生成物の析出に適した所定の温度範囲内に保つ温度制御手段と、を備え、マイクロ波発生手段がパルス的なマイクロ波を発生させる。
2019230184.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室内で原料をマイクロ波表面波プラズマで処理して前記原料と異なる生成物を得る製造装置であって、
前記製造装置は、
前記マイクロ波表面波プラズマを生成させるために、前記反応室内に供給されるマイクロ波を発生させるマイクロ波発生手段と、
前記反応室内に前記マイクロ波を入射させる部分に設けられ、表面で前記マイクロ波表面波プラズマを生成させる誘電体材料の窓と、
前記反応室内に供給するマイクロ波表面波プラズマ化する気体の供給量を制御する供給量制御手段と、
前記原料を気化させて前記マイクロ波表面波プラズマ中に原料を供給する原料供給手段と、
前記生成物を付着させる表面を前記マイクロ波表面波プラズマの存在する範囲内に配置した付着手段と、
前記付着手段の前記生成物を付着させる表面の表面温度を前記生成物の析出に適した所定の温度範囲内に保つ温度制御手段と、を備え、
前記マイクロ波発生手段がパルス的なマイクロ波を発生させることを特徴とする製造装置。
【請求項２】
反応室内で原料をマイクロ波表面波プラズマで処理して前記原料と異なる生成物を得る製造装置であって、
前記製造装置は、
前記マイクロ波表面波プラズマを生成させるために、前記反応室内に供給されるマイクロ波を発生させるマイクロ波発生手段と、
前記反応室の上側の前記マイクロ波を入射させる部分に設けられ、表面で前記マイクロ波表面波プラズマを生成させる誘電体材料の窓と、
前記反応室内に供給するマイクロ波表面波プラズマ化する気体の供給量を制御する供給量制御手段と、
前記反応室内の前記窓よりも下側に設けられ、固体の状態の前記原料を配置する配置手段と、を備え、
前記マイクロ波発生手段がパルス的なマイクロ波を発生させることを特徴とする製造装置。
【請求項３】
前記配置手段は、前記原料を前記マイクロ波表面波プラズマで処理する処理領域の一方の外側から前記処理領域を通過させて前記処理領域の他方の外側に向けて、配置された前記原料を運搬する配置部を備え、
前記製造装置は、前記処理領域の一方の外側の位置に位置する前記配置部の部分に対して、前記原料を供給する原料供給手段を備えることを特徴とする請求項２に記載の製造装置。
【請求項４】
前記製造装置は、前記原料に対する前記マイクロ波表面波プラズマでの処理を停止させずに前記生成物を前記製造装置外に取り出すために、前記処理領域の他方の外側の位置で前記生成物を回収する回収部を備えることを特徴とする請求項３に記載の製造装置。
【請求項５】
前記製造装置は、少なくとも前記処理領域に対応する前記配置手段の前記原料と接触する部分を所定の温度範囲内に保つ温度制御手段を備えることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の製造装置。
【請求項６】
前記配置手段は、前記原料と接触する部分が導電性を有する材料で形成され、
前記製造装置は、前記原料と接触する部分をアースするアース手段を備えることを特徴とする請求項２から請求項５のいずれか１項に記載の製造装置。
【請求項７】
反応室内で原料をマイクロ波表面波プラズマで処理して前記原料と異なる生成物を得る製造装置であって、
前記製造装置は、
前記マイクロ波表面波プラズマを生成させるために、前記反応室内に供給されるマイクロ波を発生させるマイクロ波発生手段と、
前記反応室の側方の前記マイクロ波を入射させる部分に設けられ、表面で前記マイクロ波表面波プラズマを生成させる誘電体材料の窓と、
前記反応室内に供給するマイクロ波表面波プラズマ化する気体の供給量を制御する供給量制御手段と、
前記原料を前記マイクロ波表面波プラズマで処理する処理領域の上側から前記処理領域に固体の状態の前記原料を供給可能に設けられた原料供給手段と、を備え、
前記マイクロ波発生手段がパルス的なマイクロ波を発生させることを特徴とする製造装置。
【請求項８】
前記製造装置は、前記原料に対する前記マイクロ波表面波プラズマでの処理を停止させずに前記生成物を前記製造装置外に取り出すために、前記処理領域の下側に設けられた前記生成物を回収する回収部を備えることを特徴とする請求項７に記載の製造装置。
【請求項９】
前記製造装置は、前記処理領域に位置する前記原料と前記窓の間の位置に磁力線を形成する磁力発生手段を備えることを特徴とする請求項２から請求項８のいずれか１項に記載の製造装置。
【請求項１０】
前記製造装置は、前記反応室内を減圧する減圧手段を備えることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の製造装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の製造装置を用いて原料と異なる生成物を得る製造方法であって、
前記原料に金属原子を含む原料を用いるとともに、前記気体に還元雰囲気を形成する実質的に酸素原子を含まない反応性の気体を用いたことを特徴とする製造方法。
【請求項１２】
前記原料が無水ハロゲン化マグネシウムであり、
前記気体が水素原子を含み、
前記生成物が水素化マグネシウムを含む生成物であることを特徴とする請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
反応室内で原料をマイクロ波表面波プラズマで処理して前記原料と異なる生成物を得る製造方法であって、
前記製造方法は、
前記反応室内に供給された気体をマイクロ波で前記マイクロ波表面波プラズマ化し、生成した前記マイクロ波表面波プラズマで前記原料を処理することで前記原料と異なる生成物を生成する手順を含み、
前記マイクロ波にパルス的な前記マイクロ波が用いられることを特徴とする製造方法。
【請求項１４】
前記生成する手順は、気化した前記原料を前記マイクロ波表面波プラズマで処理する手順であり、
前記製造方法は、
前記生成物の析出に適した所定の温度範囲内の表面温度とした表面を前記マイクロ波表面波プラズマが存在する範囲内に配置した付着手段の前記表面に前記生成物を付着させる手順を含むことを特徴とする請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記生成する手順は、固体の状態の前記原料を前記マイクロ波表面波プラズマで処理する手順であることを特徴とする請求項１３に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は原料をマイクロ波表面波プラズマで処理して原料と異なる生成物を得る製造装置及び製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、大気圧以下の減圧下で、無水ハロゲン化マグネシウムを還元ガス雰囲気中でプラズマに晒すとともに、無水ハロゲン化マグネシウムを活性種によって発熱反応を起こさせることにより、無水ハロゲン化マグネシウムを還元させて、金属マグネシウムを得ること、を特徴とする金属マグネシウムの製造方法が開示されている。【０００３】
具体的には、誘電体材料の窓を通じてマイクロ波を容器内に供給し、マイクロ波表面波水素プラズマを生成し、そのマイクロ波表面波水素プラズマで無水ハロゲン化マグネシウムを還元させて、金属マグネシウムを生成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−２１６７８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、例えば、還元反応を促進するには、マイクロ波表面波プラズマの密度を高めることが好ましい。【０００６】
そして、マイクロ波表面波プラズマの密度を高めるために、窓に供給するマイクロ波電力（マイクロ波強度）を高めると、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生手段（例えば、マグネトロン）で使用される電力量（平均電力）が大きくなるという問題がある。
なお、このように電力量が大きくなると、例えば、窓のところで発生する熱量が大きくなるため、装置等に対する熱ダメージが大きくなり、その対策も必要になる。【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、原料をマイクロ波表面波プラズマで処理して原料と異なる生成物を得る製造装置及び製造方法において、マイクロ波発生手段（例えば、マグネトロン）で使用される電力量（平均電力）の上昇を抑制しつつ、高密度なマイクロ波表面波プラズマを生成できる製造装置及び製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記目的を達成するために、以下の構成によって把握される。
（１）本発明の製造装置は、反応室内で原料をマイクロ波表面波プラズマで処理して前記原料と異なる生成物を得る製造装置であって、前記製造装置は、前記マイクロ波表面波プラズマを生成させるために、前記反応室内に供給されるマイクロ波を発生させるマイクロ波発生手段と、前記反応室内に前記マイクロ波を入射させる部分に設けられ、表面で前記マイクロ波表面波プラズマを生成させる誘電体材料の窓と、前記反応室内に供給するマイクロ波表面波プラズマ化する気体の供給量を制御する供給量制御手段と、前記原料を気化させて前記マイクロ波表面波プラズマ中に原料を供給する原料供給手段と、前記生成物を付着させる表面を前記マイクロ波表面波プラズマの存在する範囲内に配置した付着手段と、前記付着手段の前記生成物を付着させる表面の表面温度を前記生成物の析出に適した所定の温度範囲内に保つ温度制御手段と、を備え、前記マイクロ波発生手段がパルス的なマイクロ波を発生させる。【０００９】
（２）本発明の製造装置は、反応室内で原料をマイクロ波表面波プラズマで処理して前記原料と異なる生成物を得る製造装置であって、前記製造装置は、前記マイクロ波表面波プラズマを生成させるために、前記反応室内に供給されるマイクロ波を発生させるマイクロ波発生手段と、前記反応室の上側の前記マイクロ波を入射させる部分に設けられ、表面で前記マイクロ波表面波プラズマを生成させる誘電体材料の窓と、前記反応室内に供給するマイクロ波表面波プラズマ化する気体の供給量を制御する供給量制御手段と、前記反応室内の前記窓よりも下側に設けられ、固体の状態の前記原料を配置する配置手段と、を備え、前記マイクロ波発生手段がパルス的なマイクロ波を発生させる。【００１０】
（３）上記（２）の構成において、前記配置手段は、前記原料を前記マイクロ波表面波プラズマで処理する処理領域の一方の外側から前記処理領域を通過させて前記処理領域の他方の外側に向けて、配置された前記原料を運搬する配置部を備え、前記製造装置は、前記処理領域の一方の外側の位置に位置する前記配置部の部分に対して、前記原料を供給する原料供給手段を備える。【００１１】
（４）上記（３）の構成において、前記製造装置は、前記原料に対する前記マイクロ波表面波プラズマでの処理を停止させずに前記生成物を前記製造装置外に取り出すために、前記処理領域の他方の外側の位置で前記生成物を回収する回収部を備える。【００１２】
（５）上記（３）又は（４）の構成において、前記製造装置は、少なくとも前記処理領域に対応する前記配置手段の前記原料と接触する部分を所定の温度範囲内に保つ温度制御手段を備える。【００１３】
（６）上記（２）から（５）のいずれか１つの構成において、前記配置手段は、前記原料と接触する部分が導電性を有する材料で形成され、前記製造装置は、前記原料と接触する部分をアースするアース手段を備える。【００１４】
（７）本発明の製造装置は、反応室内で原料をマイクロ波表面波プラズマで処理して前記原料と異なる生成物を得る製造装置であって、前記製造装置は、前記マイクロ波表面波プラズマを生成させるために、前記反応室内に供給されるマイクロ波を発生させるマイクロ波発生手段と、前記反応室の側方の前記マイクロ波を入射させる部分に設けられ、表面で前記マイクロ波表面波プラズマを生成させる誘電体材料の窓と、前記反応室内に供給するマイクロ波表面波プラズマ化する気体の供給量を制御する供給量制御手段と、前記原料を前記マイクロ波表面波プラズマで処理する処理領域の上側から前記処理領域に固体の状態の前記原料を供給可能に設けられた原料供給手段と、を備え、前記マイクロ波発生手段がパルス的なマイクロ波を発生させる。【００１５】
（８）上記（７）の構成において、前記製造装置は、前記原料に対する前記マイクロ波表面波プラズマでの処理を停止させずに前記生成物を前記製造装置外に取り出すために、前記処理領域の下側に設けられた前記生成物を回収する回収部を備える。【００１６】
（９）上記（２）から（８）のいずれか１つの構成において、前記製造装置は、前記処理領域に位置する前記原料と前記窓の間の位置に磁力線を形成する磁力発生手段を備える。【００１７】
（１０）上記（１）から（９）のいずれか１つの構成において、前記製造装置は、前記反応室内を減圧する減圧手段を備える。【００１８】
（１１）本発明の製造方法は、上記（１）から（１０）のいずれか１つの構成を備える製造装置を用いて原料と異なる生成物を得る製造方法であって、前記原料に金属原子を含む原料を用いるとともに、前記気体に還元雰囲気を形成する実質的に酸素原子を含まない反応性の気体を用いる。【００１９】
（１２）上記（１１）の構成において、前記原料が無水ハロゲン化マグネシウムであり、前記気体が水素原子を含み、前記生成物が水素化マグネシウムを含む生成物である。【００２０】
（１３）本発明の製造方法は、反応室内で原料をマイクロ波表面波プラズマで処理して前記原料と異なる生成物を得る製造方法であって、前記製造方法は、前記反応室内に供給された気体をマイクロ波で前記マイクロ波表面波プラズマ化し、生成した前記マイクロ波表面波プラズマで前記原料を処理することで前記原料と異なる生成物を生成する手順を含み、前記マイクロ波にパルス的な前記マイクロ波が用いられる。【００２１】
（１４）上記（１３）の構成において、前記生成する手順は、気化した前記原料を前記マイクロ波表面波プラズマで処理する手順であり、前記製造方法は、前記生成物の析出に適した所定の温度範囲内の表面温度とした表面を前記マイクロ波表面波プラズマが存在する範囲内に配置した付着手段の前記表面に前記生成物を付着させる手順を含む。【００２２】
（１５）上記（１３）の構成において、前記生成する手順は、固体の状態の前記原料を前記マイクロ波表面波プラズマで処理する手順である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、原料をマイクロ波表面波プラズマで処理して原料と異なる生成物を得る製造装置及び製造方法において、マイクロ波発生手段（例えば、マグネトロン）で使用される電力量（平均電力）の上昇を抑制しつつ、高密度なマイクロ波表面波プラズマを生成できる製造装置及び製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】水素原子の分圧を変化させたときに、式２の右側に進む反応と左側に進む反応の境界を示したグラフである。
【図２】本発明に係る第１実施形態の製造装置を説明するための断面図である。
【図３】本発明に係る第２実施形態の製造装置を説明するための断面図である。
【図４】本発明に係る第２実施形態の磁力発生手段を説明するための図である。
【図５】本発明に係る第３実施形態の製造装置を説明するための断面図である。
【図６】本発明に係る第４実施形態の製造装置を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態（以下、実施形態）について詳細に説明する。
なお、実施形態の説明の全体を通して同じ要素には同じ番号を付している。
【００２６】
以下、反応室２内で原料をマイクロ波表面波プラズマで処理して原料と異なる生成物を得る一例として、無水塩化マグネシウムを原料として、その無水塩化マグネシウムをマイクロ波表面波水素プラズマで処理し、水素化マグネシウムを含むマグネシウム生成物（以下、単に、水素化マグネシウムを含む生成物ともいう。）を得る場合で説明する。
【００２７】
しかし、この反応は一般的な反応式からでは説明できないため、それが実現できる理由について簡単に説明しておく。
通常、無水塩化マグネシウムと水素との反応を式で書くと、以下の式１のように表される。
ＭｇＣｌ２  ＋  Ｈ２  ⇔  ＭｇＨ２  ＋  Ｃｌ２・・・（１）
【００２８】
ここで、問題となるのは、反応中の環境（圧力・温度）をどのようにすれば、式１において右側が安定状態となり、右側への反応が進むかということになる。
【００２９】
そして、どちらが安定であるかは、Ｇｉｂｂｓの自由エネルギーを考えることでわかるが、式１の場合、プラズマの反応を行うための反応炉内の圧力を高密度で電子温度が低いマイクロ波表面波水素プラズマを生成させるために１０Ｐａにしたとすると、右側に反応を進めるためには、炉内温度を約１１５０℃以上とする必要がある。
【００３０】
このような高温状態では、水素化マグネシウム自体が気体の状態になるため、固体として析出させるためには、炉内の温度を下げる必要があるが、約１１５０℃よりも低い温度領域では式１の左側への反応が優勢となるため、固体として析出する物質は、無水塩化マグネシウムになってしまい、水素化マグネシウムが析出しないことになる。
このため、一般的な反応式（式１参照）からでは、無水塩化マグネシウムと水素を反応させて水素化マグネシウムを得ることは困難である結論に至る。
【００３１】
しかしながら、マイクロ波表面波水素プラズマ中には、励起原子・分子、ラジカル（化学的に活性な原子・分子）、電子、イオン（正及び負）及び中性の原子や分子が存在し、そのような状態を考慮した反応式を考えることで、無水塩化マグネシウムにマイクロ波表面波水素プラズマを照射することで水素化マグネシウムを生成可能であることの説明ができる。
【００３２】
例えば、一例として、以下の式２のように、水素原子が存在する反応式を仮定し、Ｇｉｂｂｓの自由エネルギーに基づいて、右側に進む反応と左側に進む反応の境界を示したのが図１である。
ＭｇＣｌ２  ＋  ２Ｈ  ＋Ｈ２  ⇔  ＭｇＨ２  ＋  ２ＨＣｌ・・・（２）
【００３３】
図１は、反応室２（図２参照）の圧力が１０Ｐａとし、横軸に水素原子の分圧（ｍＰａ）を取り、縦軸に温度（℃）を取って、水素原子の分圧（ｍＰａ）を変えた場合に右側に進む反応と左側に進む反応の境界が何度（℃）のところになるのかを示したグラフである。
【００３４】
図１を見るとわかるように、水素原子の分圧が同じ場合、温度を下げることでＭｇＨ２が生成されるようになり、同じ温度では、水素原子の分圧が大きくなるほどＭｇＨ２が生成されるようになっている。
【００３５】
ここで、注目すべきは、１０ＰａでＭｇＨ２がＭｇとＨ２に分解し始める温度である１００℃より低い温度域であってもＭｇＨ２を生成する解が存在し、良好にＭｇＨ２を固体として析出させることが可能であることである。
【００３６】
そこで、これから説明する第１実施形態の製造装置１のように、実際に、水素原子等の存在が仮定できる高密度なマイクロ波表面波水素プラズマの存在する範囲内に、水素化マグネシウムを付着させる付着手段８０（図２参照）を設け、水素化マグネシウムを付着させる実験を行い、付着手段８０の表面８１（図２参照）に付着したマグネシウム生成物が、水滴を垂らすだけで激しく発泡して水素を発生するほどに水素化マグネシウムを含有していることを確認しており、以下、具体的に、そのような製造装置１について説明する。
【００３７】
ただし、後ほど詳細に説明するマイクロ波発生手段２０（例えば、マグネトロン）で使用される電力量（平均電力）の上昇を抑制しつつ、高密度なマイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）を生成する構成は、以下で説明する第１実施形態の製造装置１のように、水素化マグネシウムを含む生成物を析出させるための構成のような特殊な構成を有するものに適用されることに限られるものではない点に留意されたい。
【００３８】
（第１実施形態）
図２は本発明に係る第１実施形態の製造装置１を説明するための断面図である。
図２に示すように、製造装置１は、反応室２を形成する筐体１０を備えており、本実施形態では、中央に開口部１１Ａを有する仕切部１１を筐体１０内に設けることで反応室２が第１空間Ｆと第２空間Ｓを有するようになっているが、この仕切部１１は省略してもよく、反応室２は１つの空間として形成されていてもよい。
【００３９】
そして、製造装置１は、反応室２内にマイクロ波を入射させる部分に設けられた誘電体材料（例えば、石英やセラミックス等）の窓Ｗと、マイクロ波表面波プラズマを生成させるために窓Ｗを介して反応室２内の第１空間Ｆに供給されるマイクロ波を発生させるマイクロ波発生手段２０（例えば、マグネトロン）と、マイクロ波発生手段２０で発生させたマイクロ波を窓Ｗのところまで導波させる導波管２１と、を備えている。
【００４０】
なお、マイクロ波が窓Ｗを通じて反応室２内に供給されると、窓Ｗの反応室２内に露出した表面に表面波が形成され、この表面波のカットオフ角周波数で決まる密度以上の高密度プラズマ（高密度なマイクロ波表面波プラズマ）が生成される。
【００４１】
そして、マイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）は、電子密度が高いので照射されたマイクロ波はマイクロ波表面波プラズマの表面で反射されて内部には入らないがマイクロ波表面波プラズマの表面に沿う形で伝搬される。
【００４２】
本実施形態では、発生するマイクロ波の周波数を２．４５ＧＨｚとしているが、この周波数に限定される必要はなく、例えば、通信目的以外で使用できるＩＳＭバンドの５ＧＨｚ、２４．１ＧＨｚ、９１５ＭＨｚ、４０．６ＭＨｚ、２７．１ＭＨｚ及び１３．５６ＭＨｚ等であってもよい。
【００４３】
また、製造装置１は、反応室２内の気体を排出し、反応室２内を減圧する減圧手段３０を備えている。
具体的には、減圧手段３０として、製造装置１は、途中に開閉操作又は開閉制御により排気の有無を決める第１排気バルブ３１Ａが設けられた第１排気管３１を介して第１空間Ｆに接続された第１真空ポンプ３２と、途中に開閉操作又は開閉制御により排気の有無を決める第２排気バルブ３３Ａが設けられた第２排気管３３を介して第２空間Ｓに接続された第２真空ポンプ３４と、を備えている。
【００４４】
なお、高密度なマイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）を安定して生成させるためには、反応室２内の圧力が低い方が有利であり、少なくとも反応室２内は１０分の１気圧以下がよく、１００分の１気圧以下がより好ましく、１０００分の１気圧以下が更に好ましく、本実施形態では、１００００分の１気圧程度である約１０Ｐａにしている。
【００４５】
そして、気体の吸引力の弱い真空ポンプの場合、反応室２内の真空度を高めるのに時間がかかるため、そのような段取り時間を省略するために、第１真空ポンプ３２又は第２真空ポンプ３４のうちの少なくとも一方を気体の吸引力が高いメカニカルブースターポンプにしておくことが好ましい。
【００４６】
なお、製造装置１には、反応室２の第１空間Ｆ内の圧力を測定するための第１圧力計３２Ａと、反応室２の第２空間Ｓ内の圧力を測定するための第２圧力計３４Ａが設けられており、例えば、第１圧力計３２Ａが測定する圧力に基づいて、第１空間Ｆ内の圧力が所定の圧力（例えば、約１０Ｐａ）になるように、第１真空ポンプ３２及び第１排気バルブ３１Ａの動作を制御するようにしてもよい。
【００４７】
例えば、第１真空ポンプ３２を動作（ＯＮ）させておいて、第１圧力計３２Ａが測定する圧力に基づいて、第１排気バルブ３１Ａの動作を制御（開閉制御）するようにしてもよく、逆に、第１排気バルブ３１Ａが開の状態となるように動作させておいて、第１真空ポンプ３２の動作を制御（ＯＮ、ＯＦＦ制御）するようにしてもよい。
【００４８】
同様に、例えば、第２圧力計３４Ａが測定する圧力に基づいて、第２空間Ｓ内の圧力が所定の圧力（例えば、約１０Ｐａ）になるように、第２真空ポンプ３４及び第２排気バルブ３３Ａの動作を制御するようにしてもよい。
【００４９】
例えば、第２真空ポンプ３４を動作（ＯＮ）させておいて、第２圧力計３４Ａが測定する圧力に基づいて、第２排気バルブ３３Ａの動作を制御（開閉制御）するようにしてもよく、逆に、第２排気バルブ３３Ａが開の状態となるように動作させておいて、第２真空ポンプ３４の動作を制御（ＯＮ、ＯＦＦ制御）するようにしてもよい。
【００５０】
ただし、第１空間Ｆ及び第２空間Ｓ内の圧力を所定の圧力にするために、２つの真空ポンプ（第１真空ポンプ３２及び第２真空ポンプ３４）の双方を動作させる必要はない。
【００５１】
例えば、前段取りとして、反応室２内の圧力を所定の圧力にするときだけ、２つの真空ポンプ（第１真空ポンプ３２及び第２真空ポンプ３４）を動作させ、反応室２内の圧力が所定の圧力になったところで、第１排気バルブ３１Ａを閉にして第１真空ポンプ３２の動作を停止し、その後は、第１圧力計３２Ａ又は第２圧力計３４Ａの測定する圧力に基づいて、反応室２内の圧力を所定の圧力に維持するように、第２真空ポンプ３４及び第２排気バルブ３３Ａの動作を制御するようにしてもよい。
【００５２】
なお、反応室２内の圧力を所定の圧力に維持するときに使用される反応室２内の圧力の測定値としては、第１圧力計３２Ａ及び第２圧力計３４Ａの測定した圧力を平均したものを使用するようにしてもよい。
【００５３】
また、製造装置１は、還元雰囲気を形成する気体としての水素を反応室２内に供給するために、図示しない水素供給手段を備えている。
なお、本実施形態では、マイクロ波表面波プラズマ化する気体が水素であるため、水素供給手段と呼んでいるが、処理によっては、別の気体をマイクロ波表面波プラズマ化する場合もあるので、この水素供給手段は、マイクロ波表面波プラズマ化する気体の気体供給手段の具体的な一例に過ぎない。
【００５４】
例えば、水素供給手段は、水素の供給源となる図示しない水素貯蔵部（水素ボンベ又は水素貯蔵タンク）と、水素貯蔵部から反応室２に水素を供給する水素供給配管（本例では、第１供給管４１、及び、第２供給管４２）と、水素供給配管上に設けられ、反応室２内に供給するマイクロ波表面波プラズマ化する水素（気体）の供給量を制御するマスフローメータ等の供給量制御手段（本例では、第１供給量制御手段ＭＦＣ１及び第２供給量制御手段ＭＦＣ２）と、を備えている。
【００５５】
なお、水素貯蔵部が水素ボンベである場合には、水素ボンベ中の水素の残量が減少したときに別の水素ベンベに取り換えることになるため、製造装置１自身の備える水素供給手段が、反応室２側から水素貯蔵部に至るまでの間の水素貯蔵部に接続される、水素貯蔵部から反応室２に水素を供給する水素供給配管（本例では、第１供給管４１、及び、第２供給管４２）までの構成に留まり、水素貯蔵部を含まない場合がある。
つまり、上記説明において、水素貯蔵部を除く部分が製造装置１の水素供給手段である場合がある。
【００５６】
また、マイクロ波表面波プラズマ化する気体が水素以外のものの場合には、当然、水素貯蔵部の部分がその別の気体を貯蔵した貯蔵部となるので、水素貯蔵部は、マイクロ波表面波プラズマ化する気体を貯蔵する気体貯蔵部の具体的な一例に過ぎない。
【００５７】
さらに、マイクロ波表面波プラズマ化する気体が水素以外のものの場合には、水素供給配管は、マイクロ波表面波プラズマ化する気体を貯蔵する気体貯蔵部から反応室２に気体を供給する気体供給配管となるので、水素供給配管は、気体貯蔵部から反応室２に気体を供給する気体供給配管の具体的な一例に過ぎない。
【００５８】
話をもとに戻すと、具体的には、水素貯蔵部は、第１供給管４１を介して第１空間Ｆに水素が供給できるように接続されるとともに、第２供給管４２を介して第２空間Ｓに水素が供給できるように接続されている。
そして、第１供給管４１の水素貯蔵部側には、第１供給量制御手段ＭＦＣ１が設けられ、その下流側に開閉操作又は開閉制御により供給の有無を決める第１供給バルブ４１Ａが設けられている。
【００５９】
同様に、第２供給管４２の水素貯蔵部側には、第２供給量制御手段ＭＦＣ２が設けられ、その下流側に開閉操作又は開閉制御により供給の有無を決める第２供給バルブ４２Ａが設けられている。
【００６０】
さらに、製造装置１は、原料となる無水塩化マグネシウムを気化させてマイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）中に供給する原料供給手段５０を備えている。
【００６１】
具体的には、原料供給手段５０は、原料となる無水塩化マグネシウムを貯蔵する原料貯蔵部５１と、原料となる無水塩化マグネシウムをマイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）中に供給するために、原料貯蔵部５１内の無水塩化マグネシウムを反応室２の第１空間Ｆ内に供給する原料供給管５２と、第１電源５３Ａからの電力の供給により発熱し原料供給管５２及び原料貯蔵部５１を加熱する第１加熱部５３と、第１加熱部５３の温度を測定する第１温度計５４と、を備えている。
【００６２】
そして、第１温度計５４による温度の測定結果が、設定される所定の温度となるように、第１電源５３Ａから第１加熱部５３に供給される電力の供給量が制御され、原料供給管５２及び原料貯蔵部５１が所定の温度に加熱される。
【００６３】
例えば、本実施形態のように、原料が無水塩化マグネシウムである場合には、無水塩化マグネシウムが気体の状態となるように、第１加熱部５３によって、原料供給管５２及び原料貯蔵部５１を約７００℃程度の温度に加熱する。
【００６４】
そうすると、気化した無水塩化マグネシウムは反応室２の第１空間Ｆ内に向かって流れて行き、第１空間Ｆ内に供給され、マイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）中に供給されることになる。
【００６５】
また、製造装置１は、反応室２内を加熱する加熱手段６０として、反応室２の第１空間Ｆ内に設けられ、第２電源６１Ａからの電力の供給により発熱し反応室２の第１空間Ｆ内を加熱する第２加熱部６１を備えている。
【００６６】
なお、製造装置１は、反応室２の第１空間Ｆ内の温度を測定する第２温度計６２を備えており、第２温度計６２による温度の測定結果が、設定される所定の温度となるように、第２電源６１Ａから第２加熱部６１に供給される電力の供給量が制御され、反応室２の第１空間Ｆ内の温度が所定の温度に保たれる。
【００６７】
具体的には、この第２加熱部６１によって、第１空間Ｆ内の温度は気体として無水塩化マグネシウムが存在できる温度に保たれる。
【００６８】
一方、第２加熱部６１の外側には、第２加熱部６１からの輻射熱で筐体１０が高温になるのを防止するために、輻射熱を反射するリフレクタ７０が設けられるとともに、筐体１０の外面上に水冷するための冷却管７１が設けられている。
【００６９】
このように、製造装置１が、第２加熱部６１によって、余分な場所が加熱されないように熱伝導を防止するリフレクタ７０のような断熱手段を備える場合、筐体１０が高温にならないため、筐体１０の各所に使用されているパッキン等の劣化を抑制できるだけでなく、保温効率が高くなるため、消費電力を低減することができる。
【００７０】
また、リフレクタ７０には、上側の中央寄りの位置に、仕切部１１の開口部１１Ａを通じて、第１空間Ｆから第２空間Ｓに挿入される挿入管７２が設けられており、詳細については、後述するが、マイクロ波表面波水素プラズマ及びマグネシウムを含むガス等が挿入管７２から第２空間Ｓに放出されるようになっている。
【００７１】
そして、図２に示すように、製造装置１は、挿入管７２に対向する位置に水素化マグネシウムを含む生成物を付着させる付着手段８０を備えており、製造装置１を停止させた後、付着手段８０を取り出せるように、付着手段８０は、筐体１０に対して着脱可能に取り付けられている。
【００７２】
付着手段８０は、温調媒体（本例では、１００℃未満の温度に制御された水又は気体等）を供給する供給口ＩＮ（温調媒体供給口）と温調媒体を排出する排出口ＯＵＴ（温調媒体排出口）が設けられ、その温調媒体が反応室２の第２空間Ｓにリークしないようにした温調媒体収容部を有する容器構造になっている。
【００７３】
なお、付着手段８０は、挿入管７２に対向する側の水素化マグネシウムを含む生成物を付着させる表面８１が、挿入管７２から放出される発光状態が目視で確認できる高密度のマイクロ波表面波プラズマ（マイクロ波表面波水素プラズマ）が直接接触する位置に配置されることで、少なくとも表面８１を生成するマイクロ波表面波プラズマの存在する範囲内に配置したものになっている。
このため、表面８１のところは、高密度なマイクロ波表面波水素プラズマ（例えば、水素イオンや水素原子等）の存在が仮定できる特殊な環境下にある。
【００７４】
そして、製造装置１は、付着手段８０の水素化マグネシウムを含む生成物を付着させる表面８１の表面温度を、水素化マグネシウムを含む生成物の析出に適した所定の温度範囲内に保つ温度制御手段（図示せず）を備えている。
【００７５】
温度制御手段は、例えば、温調媒体（本例では、１００℃未満の温度に制御された水又は気体等）を供給口ＩＮから付着手段８０の温調媒体収容部内に供給し、排出口ＯＵＴから温調媒体を排出させるように温調媒体を循環させる循環装置（図示せず）と、排出口ＯＵＴから排出された温調媒体の温度を設定される温度に調節する温調装置（図示せず）と、を備えている。
具体的には、本実施形態では、循環装置（図示せず）はポンプ等であり、温調装置（図示せず）は熱交換機等である。
【００７６】
なお、温調媒体に外気をそのまま利用できる場合には、供給口ＩＮに外気を供給するためのポンプが接続され、排出口ＯＵＴが大気開放となるようにすればよく、この場合、温調装置は不要である。
【００７７】
そして、高密度なマイクロ波表面波水素プラズマ（例えば、水素イオンや水素原子等）の存在が仮定できる特殊な環境下であって、且つ、表面温度が水素化マグネシウムを含む生成物の析出に適した所定の温度範囲内に保たれた表面８１のところでは、先に説明した式（２）において、右側に進む反応が促進されるとともに、水素化マグネシウムが分解せずに存在できる状況を生み出すことができる。
【００７８】
例えば、表面８１の表面温度が２００℃を超えると生成物中の水素化マグネシウムの割合が大幅に低下するため、水素化マグネシウムを含む生成物の析出に適した所定の温度範囲は２００℃以下の範囲であることが好ましく、１５０℃以下の範囲であることがより好ましく、１００℃以下の範囲であることが更に好ましい。
【００７９】
実験では、表面温度が２００℃を超える状態で析出した水素化マグネシウムを含む生成物の場合、その水素化マグネシウムを含む生成物に水滴を垂らし、水素の分離に伴う発泡現象が非常に弱いことを確認している。
【００８０】
一方、表面温度が１００℃以下の状態で析出した水素化マグネシウムを含む生成物の場合、水滴を垂らすと水素の分離に伴う激しい発泡現象が見られることを確認しており、発泡しているガスが水素であることについては、水素検知管で確認を行っている。
【００８１】
なお、表面温度が１００℃を超える場合、水素化マグネシウムが水素と金属マグネシウムに分解する反応も起きるため、析出した水素化マグネシウムを含む生成物中の水素化マグネシウムの割合が減少することになることから、水素化マグネシウムを含む生成物の析出に適した所定の温度範囲は、水素化マグネシウムの分解反応を抑えるという観点で１００℃以下の範囲であることが最も好ましい。
【００８２】
また、実験では、表面温度が約８０℃のときよりも、約７０℃の方が水素化マグネシウムを含む生成物の単位時間当たりの析出量が多く、約５０℃の方が更に単位時間当たりの析出量が多くなる結果を得ているので、水素化マグネシウムを含む生成物の析出に適した所定の温度範囲は、単位時間当たりの析出量の観点からは、更に低い温度範囲とすることが好ましい。
【００８３】
つまり、水素化マグネシウムを含む生成物の析出に適した所定の温度範囲は、８０℃以下の範囲が好ましく、更に、７０℃以下の範囲であることが好ましく、５０℃以下の範囲であることがより好ましい。
【００８４】
なお、生成物によっては、付着手段８０を冷却するのではなく、保温することも考えられるため、この場合、温調装置はヒータ等となる。
例えば、金属マグネシウムが固体の状態となる温度が４００℃以下の範囲であり、表面８１の温度を２５０℃以上４００℃以下にすると、水素化マグネシウムの含有量が大幅に減少する一方、金属マグネシウムの析出が可能であることから金属マグネシウムの割合が高い生成物が析出すると考えられ、このような場合には、ヒータ等で温調媒体の温度調節を行うことになると考えられる。
【００８５】
また、製造装置１は、途中にリークバルブ９１が設けられた大気開放管９０を備えており、大気開放管９０の図示しない一端は製造装置１が設置される建屋の外で大気開放状態になっている。
【００８６】
この大気開放管９０は、反応室２の圧力が異常な圧力になった場合に、緊急措置として反応室２を大気開放状態にするためのものであり、通常時には、リークバルブ９１は閉の状態とされ、反応室２内に大気が混入することがないようになっている。
【００８７】
ところで、無水塩化マグネシウムを還元し、水素化マグネシウムを含む生成物を効率よく生成するためには、マイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）の密度が高い方が好ましい。
【００８８】
そのための１つの方法は、マイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）を生成させるために、反応室２内に供給されるマイクロ波のマイクロ波電力（マイクロ波強度）を高くすることである。
【００８９】
しかしながら、先にも説明したように、この方法は、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生手段２０に供給する電力量を増加させることを意味し、平均的に使用される電力量が大幅に増加することになる。
【００９０】
一方、反応室２内に生成されたマイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）が大幅に減衰する前に、反応室２内にマイクロ波を供給することでマイクロ波表面波プラズマを高密度な状態に保ち続けることが可能である。
【００９１】
そこで、本実施形態では、マイクロ波発生手段２０が、パルス的なマイクロ波を発生させるものとして、マイクロ波電力（マイクロ波強度）のピーク値を高めつつ、平均的なマイクロ波電力（マイクロ波強度）を下げるようにしている。
【００９２】
なお、パルス的なマイクロ波とは、周期的なマイクロ波電力（マイクロ波強度）の強弱を伴うものを意味し、必ずしも、周期的にマイクロ波電力（マイクロ波強度）がゼロになるものに限定されるものではない。
【００９３】
しかしながら、マイクロ波電力（マイクロ波強度）がゼロの状態とマイクロ波電力（マイクロ波強度）がピーク値の状態とが周期的に繰り返されるだけの場合が構成上シンプルな構成で済むため好ましい。
【００９４】
例えば、パルス的なマイクロ波の波形（マイクロ波電力（マイクロ波強度）の波形）がきれいなサイン波のようであれば、平均的なマイクロ波電力（マイクロ波強度）が１．０キロワットであっても、マイクロ波電力（マイクロ波強度）のピーク値は２．０キロワットにできることになる。
【００９５】
なお、マイクロ波電力（マイクロ波強度）のピーク値のところだけが尖塔状に突出するような波形であれば、平均的なマイクロ波電力（マイクロ波強度）が１．０キロワットでも、より高いピーク値を有するパルス的なマイクロ波にすることができる。
【００９６】
このようにすれば、マイクロ波電力（マイクロ波強度）がピーク値となるときには、マイクロ波発生手段２０に大きな電力を供給することになるが、それ以外のときには、マイクロ波発生手段２０に小さな電力を供給（又は、電力の供給を停止）することができるので、平均的に見たときのマイクロ波発生手段２０で消費される電力を抑えることが可能となる。
【００９７】
しかも、反応室２内に生成されたマイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）が大幅に減衰する前にマイクロ波電力（マイクロ波強度）がピーク値となるマイクロ波が反応室２内に供給されると、ほぼそのマイクロ波電力（マイクロ波強度）のピーク値に対応する密度のマイクロ波表面波プラズマを維持することができる。
【００９８】
このため、パルス的なマイクロ波として、平均的なマイクロ波電力（マイクロ波強度）が低く、ピーク値の高いものを用いることで、消費される電力を抑えつつ、高密度なマイクロ波表面波プラズマを発生させることが可能である。
【００９９】
したがって、平均的なマイクロ波電力（マイクロ波強度）に対してピーク値のマイクロ波電力（マイクロ波強度）が１．３倍以上、より好ましくは１．５倍以上、さらに好ましくは２．０倍以上となるパルス的なマイクロ波電力（マイクロ波強度）を有するパルス的なマイクロ波であることが好ましく、本実施形態では、マイクロ波発生手段２０に、平均的なマイクロ波電力（マイクロ波強度）に対してピーク値のマイクロ波電力（マイクロ波強度）が約４．０倍程度であるパルス的なマイクロ波を発生させるものを用いている。
【０１００】
なお、本実施形態では、マイクロ波発生手段２０は、平均的なマイクロ波電力（マイクロ波強度）が０から１．５キロワットまでの間で調整できるものになっているが、平均的なマイクロ波電力（マイクロ波強度）が０から６．０キロワットまで調整できるようになっていてもよい。
【０１０１】
ただし、ピーク値があまり高くなると導波管２１内での放電等が発生するおそれがあるため、パルス的なマイクロ波は、平均的なマイクロ波電力（マイクロ波強度）に対してピーク値のマイクロ波電力（マイクロ波強度）が１０倍以内、さらには、８倍以内であることが好ましい。
【０１０２】
具体的には、マイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）が大幅に減衰する前に、反応室２内にピーク値のマイクロ波電力を有するマイクロ波を供給するために、パルス的なマイクロ波のマイクロ波電力（マイクロ波強度）のピーク値が現れる周期が１５０マイクロ秒以下であることが好ましい。
【０１０３】
なお、マイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）の減衰速度は、装置構成（例えば、反応室２の広さ等）によって変わる。
【０１０４】
このため、パルス的なマイクロ波のマイクロ波電力（マイクロ波強度）のピーク値が現れる周期は、設備構成の違いを考慮して、１００マイクロ秒以下とするのが好ましく、５０マイクロ秒以下とするのがより好ましい。
【０１０５】
このようにすれば、マイクロ波発生手段２０が、マイクロ波電力（マイクロ波強度）をほぼ一定にしたパルス的なマイクロ波でないマイクロ波を発生させる場合に、プラズマ密度が１０１２／ｃｍ３以上１０１４／ｃｍ３以下であったとすれば、平均なマイクロ波電力を同様にしても、マイクロ波発生手段２０が、パルス的なマイクロ波を発生させる場合、マイクロ波電力（マイクロ波強度）のピーク値を高くできるため、更に、高いプラズマ密度（例えば、１０１５／ｃｍ３以上の高いプラズマ密度）を得ることができ、平均的なマイクロ波電力を同様にしても一桁以上高いプラズマ密度を得ることができる。
【０１０６】
したがって、マイクロ波発生手段２０が、パルス的なマイクロ波を発生するものとすることで、マイクロ波発生手段２０で使用される電力量（平均電力）の上昇を抑制しつつ、高密度なマイクロ波表面波プラズマを生成できる。
また、マイクロ波電力（マイクロ波強度）のピーク値が高くなると、マイクロ波表面波プラズマを点燈させやすくなるという効果もある。
【０１０７】
なお、マイクロ波表面波プラズマは、他のプラズマ（例えば、高周波プラズマや直流放電プラズマ等）と比較すれば、電子温度が低く（例えば、電子温度が１ｅＶ以下）、他のプラズマのように、高い電子温度（例えば、１０ｅＶ以上）とするためにエネルギーが消費されるプラズマと異なり、エネルギーロスが少ないという利点がある。
また、マイクロ波表面波プラズマは、プラズマ自身の摂氏での温度が熱プラズマと呼ばれるものに比べ大幅に低い（ほぼ常温）という特徴もある。
さらに、マイクロ波表面波プラズマは、上記のような高密度なプラズマを均一に、例えば、０．５ｍ２以上の大面積の範囲に生成することができる。
【０１０８】
次に、製造装置１における反応室２内で原料をマイクロ波表面波プラズマで処理して原料と異なる生成物を得る処理（製造方法）の一例として、これまで説明してきた水素化マグネシウムを含む生成物を得る場合（水素化マグネシウムを含む生成物の製造方法）について具体的に説明する。
【０１０９】
まず、前段取りとして、減圧手段３０（第１真空ポンプ３２及び第２真空ポンプ３４）を駆動させ、反応室２内の圧力が所定の圧力（例えば、約１０Ｐａ）になるように減圧を行う手順を実施する。
【０１１０】
そして、反応室２内の圧力が所定の圧力（例えば、約１０Ｐａ）になったところで、マイクロ波発生手段２０によるパルス的なマイクロ波の反応室２内への供給、及び、水素供給手段による水素の反応室２内への供給を行う手順を開始し、例えば、図示しないのぞき窓からマイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）の生成（発光）を確認する。
なお、マイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）が生成しているかは、発光スペクトル強度を測定する測定器で確認するようにしてもよい。
【０１１１】
このときには、反応室２内に供給するマイクロ波表面波プラズマ化する気体（本例では、水素）の供給量を制御する供給量制御手段（第１供給量制御手段ＭＦＣ１及び第２供給量制御手段ＭＦＣ２）によって、気体（本例では、水素）の供給量が制御された状態で反応室２内に気体（本例では、水素）が供給される。
【０１１２】
そして、マイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）の生成（発光）を確認したら、次に、反応室２内を加熱する加熱手段６０を駆動させ、反応室２の第１空間Ｆ内の温度を所定の温度（例えば、約７００℃）に上昇させる手順を実施する。
【０１１３】
このようにマイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）が生成した後に、反応室２内を加熱する加熱手段６０を駆動させるようにすると、仮に、反応室２の内壁面に以前の処理時に付着した金属マグネシウム等が存在したとしても、マイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）の生成を阻害することがない。
【０１１４】
具体的に説明すると、金属マグネシウムは、マイクロ波を反射するため、気化した金属マグネシウムが反応室２内に多く存在すると、窓Ｗから供給されるマイクロ波が金属マグネシウムで反射され、マイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）の初めの点火（生成開始）を阻害する場合がある。
【０１１５】
一方、初めの点火（生成開始）が阻害されず、マイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）が生成した後であれば、反応室２の内壁面に付着していた金属マグネシウムが気化してもマイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）に影響がでることがない。
【０１１６】
したがって、上述のように、マイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）の生成（発光）を確認してから加熱手段６０を駆動させるのが好ましい。
【０１１７】
ただし、反応室２内を約７００℃に保っていれば、反応室２の内壁面の温度は、基本的には金属マグネシウムの気化温度以上に保たれるので、反応室２の内壁面に金属マグネシウムが析出することを抑制できる。
【０１１８】
このため、処理の終了時に原料の無水塩化マグネシウムの供給を停止した後、反応室２内に金属マグネシウムが浮遊していない状態になってから加熱手段６０の駆動を停止するように心がければ、反応室２の内壁面に金属マグネシウムが付着するのを防止できるので、マイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）の生成前に加熱手段６０を駆動させても問題はなく、マイクロ波表面波プラズマの生成後に加熱手段６０を駆動させるのは、念のための措置である。
【０１１９】
そして、加熱手段６０による第１空間Ｆ内の加熱を開始するのに合わせて、図示しない温度制御手段によって付着手段８０に設定された温度に調節された温調媒体の供給を開始させ、付着手段８０の表面８１の表面温度を水素化マグネシウムの析出する表面温度（本例では、１００℃未満の温度範囲内の温度）に保つ手順を実施する。
【０１２０】
その後、原料供給手段５０によって、原料である無水塩化マグネシウムの供給を開始し、反応室２内で原料である無水塩化マグネシウムをマイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）で処理する手順を開始するとともに、水素化マグネシウムを含む生成物を析出する表面温度（本例では、１００℃未満の温度範囲内の温度）とした表面８１をマイクロ波表面波プラズマが存在する範囲内に配置した付着手段８０の表面８１に水素化マグネシウムを含む生成物を付着させる手順を開始する。
【０１２１】
つまり、付着手段８０の表面８１に向けて、マイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）とともにマグネシウムを含むガス（プラズマ中であるため、マグネシウム原子、塩化マグネシウム、水素化マグネシウム等の存在する複合ガス）が吹き付けられると、表面８１付近では、急激に温度が低下し、図１に示したように、水素化マグネシウムの析出に有利な方向に反応が進み、水素化マグネシウムを含む生成物が付着手段８０の表面８１に付着（析出）する。
【０１２２】
そして、所定の時間、製造装置１を駆動させた後、製造装置１の駆動を停止して、反応室２内の圧力を大気圧に戻すとともに、付着手段８０が取り出せる温度（例えば、水素化マグネシウムが空気中の水分と激しく反応しない程度の温度）になった後、付着手段８０を取り外して、付着手段８０の表面８１に付着している水素化マグネシウムを含む生成物を回収する手順を行う。
【０１２３】
なお、製造装置１の駆動を停止して、付着手段８０を取り外すまでの間、反応室２内は、露点の低い気体（例えば、露点を低くした空気、窒素、及び、希ガス（ヘリウムやアルゴン等）といった気体）でパージするようにしておく。
【０１２４】
以上のように、本実施形態によれば、マイクロ波発生手段２０がパルス的なマイクロ波を発生させることで、平均的に使用する電力を抑制しつつ、高密度なマイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）を生成できる。
【０１２５】
そして、高密度なマイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）で原料の処理（本例では還元処理）を行うため、処理効率を高めることができる。
【０１２６】
また、原料と異なる生成物（本例では水素化マグネシウムを含む生成物）を付着させる付着手段８０が、表面８１をマイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）の存在する範囲内に配置するように設けられ、その付着手段８０の原料と異なる生成物を付着させる表面８１の温度を、原料と異なる生成物の析出に適した所定の温度範囲内（本例では、１００℃未満の温度範囲）に保つ温度制御手段で適切な温度にしているので、通常では得られない生成物（本例では、水素化マグネシウムを含む生成物）を得ることができる。
【０１２７】
ただし、付着手段８０の表面８１に、必ずしも、水素化マグネシウムのみが析出するものではなく、当然に、水素化マグネシウムの割合が１００％に近いことが好ましいものの、析出する物の中には、原料である無水塩化マグネシウム等も含まれる場合がある。
このため、原料と異なる生成物とは、原料と異なる物質を含む生成物と解されるべきものである。
【０１２８】
なお、付着手段８０の表面８１に無水塩化マグネシウムが析出した後でも、その表面８１が高密度なマイクロ波表面波水素プラズマ（例えば、水素イオンや水素原子等）の存在が仮定できる特殊な環境下にあるため、還元反応が進み、水素化マグネシウムに変化していくと推察される実験結果もある。
【０１２９】
具体的には、水素の供給量に対して原料の気化量を圧倒的に多くした場合、付着手段８０の表面８１に白色で、水滴を垂らしてもほとんど発泡しない状態のものが、先に、付着し、この付着物は水滴を垂らしてもほとんど発泡しないことから無水塩化マグネシウムの割合が非常に高いと推察されるところ、同様の条件で、この白色の物質を付着させるようにした後、更に、マイクロ波表面波プラズマ（マイクロ波表面波水素プラズマ）の照射を持続させると、この物質に変色が見られ、変色部分は水滴を垂らすことで激しい発泡現象が起こり、発泡しているガスが水素である結果が見られている。
したがって、生成物中の水素化マグネシウムの割合を高めることは可能であると考えられる。
【０１３０】
一方、上記では、原料として無水塩化マグネシウムを用いる場合について説明したが、水素化マグネシウムを含む生成物を得るための原料としては、無水ハロゲン化マグネシウムや金属マグネシウム等であってもよい。
【０１３１】
また、上記では、マイクロ波表面波プラズマ化する気体に水素を用いた場合について説明したがメタン等であってもよい。
したがって、水素化マグネシウムを含む生成物を得るために用いられるマイクロ波表面波プラズマ化する気体は、水素に限定される必要はなく、水素原子を含み、還元雰囲気を形成する実質的に酸素原子を含まない反応性の気体を用いるようにすればよい。
【０１３２】
なお、酸素原子が含まれる場合、酸化反応も起こるため、還元反応が阻害されることになるので、還元処理を行う場合、マイクロ波表面波プラズマ化する気体には酸素原子が含まれないことが好ましい。
【０１３３】
しかしながら、高純度ガスとして提供されるものの中にも微量に水分等が含まれるため、完全に酸素原子を含まないものとすることは困難であるが、そのような微量の酸素原子の含有は還元反応に影響を及ぼさない。
したがって、実質的に酸素原子を含まない反応性の気体とは、還元反応に影響を及ぼさない程度の酸素原子しか含有しない気体という意味で用いているものである。
【０１３４】
また、原料に無水ハロゲン化マグネシウムを用いるものとしているのも、還元反応を阻害する酸素原子を含む水分等を排除するためであるが、無水塩化マグネシウム等は潮解性があるため微量には水分を含むものとなっていると考えられる。
したがって、この無水との表現も還元反応に影響を及ぼさない程度の水分しか含まないという意味で用いるものである。
【０１３５】
一方、原料として無水塩化マグネシウムを用い、マイクロ波表面波プラズマ化する気体に水素と窒素の混合気体を用いると、窒化マグネシウムを含むマグネシウム生成物（以下、窒化マグネシウムを含む生成物という場合がある。）を得ることも可能であり、必ずしも、原料をマイクロ波表面波プラズマで処理して得る原料と異なる生成物が水素化マグネシウムを含む生成物に限定されるものではない。
【０１３６】
例えば、その他の例としては、マイクロ波表面波プラズマ化する気体に還元雰囲気を形成する実質的に酸素原子を含まない反応性の気体を用いて、塩化チタンを還元させれば、生成物としてチタンを生成することができ、この場合には、チタンが高温でも安定な物質であることから、温度制御手段等は不要と考えられる。
【０１３７】
このように、上記で説明した製造装置１を用いた生成物の製造方法は、原料に金属原子を含む原料を用いるとともに、気体に還元雰囲気を形成する実質的に酸素原子を含まない反応性の気体を用いて、原料と異なる生成物（原料と異なる金属を含む生成物）を得る製造方法に適したものとなっており、水素化マグネシウムを含む生成物を得る製造方法に限定されるものではない。
【０１３８】
また、上記では、窓Ｗが反応室２の下側に位置し、付着手段８０が窓Ｗに対して上側に位置する場合について示したが、この関係は逆になっていてもよい。
つまり、窓Ｗが反応室２の上側に位置し、付着手段８０が窓Ｗに対して下側に位置してもよい。
【０１３９】
さらには、窓Ｗが反応室２の一方の側方（左右の一方の側方、又は、前後の一方の側方）に位置し、付着手段８０が窓Ｗに対して対向する他方の側方（左右の他方の側方、又は、前後の他方の側方）に位置してもよい。
【０１４０】
このように、窓Ｗと付着手段８０の位置関係を変更したとしても、原料が気化した状態で供給されているため、排気の取り方等によって、良好に付着手段８０の表面８１に気化した原料が向かうようにすることが可能であるため問題ない。
【０１４１】
加えて、上記実施形態では、マイクロ波発生手段２０が発生させたマイクロ波を導波管２１で窓Ｗに導波させる場合について示したが、直接、窓Ｗに向けてマイクロ波を放射できるように、マイクロ波発生手段２０を配置し、導波管２１を省略することも可能である。
【０１４２】
（第２実施形態）
これまでは、原料（例えば、無水塩化マグネシウム）を気化させてマイクロ波表面波プラズマ（マイクロ波表面波水素プラズマ）中に供給する場合について説明した。
原料を気化させた状態は、原料が究極に微粒化された状態と考えられるため、原料の表面積が最も広くなる状態といえ、原料の気化量に見合う適切な気体の供給量（マイクロ波表面波プラズマ化させる気体の供給量）とすれば、還元反応の効率という点では好ましいと考えられる。
【０１４３】
また、原料を気化させた状態は、原料自体の温度が高くなっていることで活性も高くなっていると考えられることから、この点からしても、還元反応の効率という点では好ましいと考えられる。
【０１４４】
しかしながら、付着手段８０に付着せず、排気とともに排出される原料及び生成物があるため、この点からすれば、還元効率（還元速度）は低下するものの、原料を気化させず、固体の状態の原料を気化させないようにしつつ、還元させる方が、原料の利用効率を高くすることができる。
【０１４５】
そこで、第２実施形態として、反応室２内で原料をマイクロ波表面波プラズマで処理して原料と異なる生成物を得る処理を、原料を気化させないようにして行うのに適した製造装置１について説明する。
【０１４６】
図３は本発明に係る第２実施形態の製造装置１を説明するための断面図である。
また、図４は本発明に係る第２実施形態の磁力発生手段ＭＧを説明するための図である。
なお、以下の説明において、第１実施形態と同様の点については説明を省略する場合がある。
【０１４７】
図３に示すように、製造装置１は、反応室２を形成する筐体１０と、筐体１０の反応室２の上側のマイクロ波を入射させる部分に設けられ、反応室２側の表面でマイクロ波表面波プラズマを生成させる誘電体材料（例えば、石英やセラミックス等）の窓Ｗと、マイクロ波表面波プラズマを生成させるために窓Ｗを通じて反応室２内に供給されるマイクロ波を発生させるマイクロ波発生手段２０と、マイクロ波発生手段２０が発生させたマイクロ波を窓Ｗのところまで導波させる導波管２１と、を備えている。
【０１４８】
例えば、導波管２１は、マイクロ波の反射率が高い金属（例えば、ステンレス等）で形成され、一端にマイクロ波発生手段２０が発生させたマイクロ波を受け入れる受入口２１Ａを有するとともに、窓Ｗに対応する位置に窓Ｗに向けてマイクロ波を出力する放射口２１Ｂを有している。
そして、本実施形態でも、マイクロ波発生手段２０は、パルス的なマイクロ波を発生させるものになっており、これまでの実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１４９】
なお、図示を省略しているが、筐体１０の一部には開口部が設けられ、製造装置１は、その筐体１０の開口部を閉塞可能に設けられた開閉可能な扉を備えており、扉を開けることで外部から反応室２内にアクセスできるとともに、扉を閉めることで反応室２内を真空状態まで減圧可能に開口部を密閉することができるようになっている。
【０１５０】
また、製造装置１は、反応室２内の気体を排出し、反応室２内を減圧する減圧手段３０を備えている。
具体的には、第１実施形態と同様に、減圧手段３０は、途中に開閉操作又は開閉制御により排気の有無を決める第１排気バルブ３１Ａが設けられた第１排気管３１を介して反応室２に接続された第１真空ポンプ３２を備えている。
【０１５１】
なお、製造装置１は、第１実施形態と同様に、反応室２内の圧力を測定するための第１圧力計３２Ａを備えており、例えば、第１圧力計３２Ａが測定する圧力に基づいて、反応室２内の圧力が所定の圧力（例えば、約１０Ｐａ）になるように、第１真空ポンプ３２及び第１排気バルブ３１Ａの動作を制御するようにすればよい。
【０１５２】
さらに、製造装置１は、還元雰囲気を形成する気体としての水素を反応室２内に供給するために、図示しない水素供給手段を備えている。
この水素供給手段も第１実施形態と同様であり、水素供給手段は、水素の供給源となる図示しない水素貯蔵部（水素ボンベ又は水素貯蔵タンク）と、水素貯蔵部から反応室２に水素を供給する水素供給配管である第１供給管４１と、水素供給配管（第１供給管４１）上に設けられ、反応室２内に供給するマイクロ波表面波プラズマ化する水素（気体）の供給量を制御するマスフローメータ等の供給量制御手段である第１供給量制御手段ＭＦＣ１と、を備えている。
【０１５３】
また、水素供給手段は、第１供給量制御手段ＭＦＣ１より水素供給配管（第１供給管４１）の下流側となる反応室２側の水素供給配管（第１供給管４１）上に設けられ、開閉操作又は開閉制御により反応室２への水素（気体）の供給の有無を決める第１供給バルブ４１Ａを備えている。
【０１５４】
さらに、製造装置１は、反応室２内の窓Ｗよりも下側の窓Ｗと対向する位置に設けられ、原料Ｏである無水塩化マグネシウムを固体の状態で配置する配置手段Ａ１を備えている。
【０１５５】
そして、還元反応は、原料Ｏである無水塩化マグネシウムの表面積が大きいほど効率的に進むため、原料Ｏを、図３に示すように、微粒化した状態（例えば、マイクロ粒子又はナノ粒子の状態）にして配置手段Ａ１の窓Ｗ側を向く表面ＳＦに配置するようにしており、この原料Ｏの配置されている表面ＳＦに対応する領域が、配置手段Ａ１の原料Ｏをマイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）で処理する処理領域になっている。
【０１５６】
また、製造装置１は、処理領域（表面ＳＦに対応する領域）に位置する原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）と窓Ｗの間の位置に磁力線ＭＬを形成する磁力発生手段ＭＧを備えている。
【０１５７】
具体的には、磁力発生手段ＭＧは、処理領域（表面ＳＦに対応する領域）に位置する原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）と窓Ｗの間の位置に磁力線ＭＬを形成するように設けられ、離間して対向するように配置された一対の電磁石を備えている。
【０１５８】
なお、本実施形態では、電磁石が磁力線ＭＬを原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）と窓Ｗの間に形成できる位置に配置するように、筐体１０の対向する内側面から反応室２内に突出し、一対の電磁石のそれぞれ受ける受部１２を設けるようにしている。
しかし、このような構成に限らず、同様の位置に一対の電磁石が配置できるようになっていればよい。
【０１５９】
また、本実施形態では、銅等の導電材料で形成された線材を、図４に示すように、長方形状に巻回したコイルに電流を流すことで１つの電磁石を形成し、そのような電磁石を離間して対向するように一対配置するものとしているが、それぞれの電磁石に対応する部分を複数の電磁石で構成するようにしてもよく、電磁石に代えて永久磁石を用いるようにしてもよい。
【０１６０】
ただし、電磁石であれば、コイルに流す電流を止めることで磁力線ＭＬを形成しない状態にすることもできるため、使用用途面で汎用性が高くなるため、磁力発生手段ＭＧは、電磁石を備えるものとするのが好ましい。
【０１６１】
なお、コイルの一端（図４の左側）に電源の＋極を接続し、コイルの他端（図４の右側）に電源の−極を接続すると、コイルに対して図４の手前側が電磁石のＮ極となり、図４の奥側が電磁石のＳ極となる。
【０１６２】
ただし、電磁石の場合には、コイルの一端（図４の左側）に電源の−極を接続し、コイルの他端（図４の右側）に電源の＋極を接続すれば、Ｎ極とＳ極を逆転することができるので巻き方向によらず、電源の繋ぎ込みの態様でＮ極とＳ極を決めることができる。
【０１６３】
このため、コイルの巻き方向は特に限定されるものではなく、図３に示すように、一方の電磁石（図３左側の電磁石）のＮ極と、他方の電磁石（図３右側の電磁石）のＳ極と、が向かい合うように電源の繋ぎ込みが選択されていればよい。
【０１６４】
そして、一対の電磁石（一対のコイル）に電流を流せば、一対の電磁石の間に磁力線ＭＬが形成されるため、図３に示すように、原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）と窓Ｗの間の位置に磁力線ＭＬの形成された領域が作られる。
【０１６５】
このような磁力線ＭＬの形成された領域では、マイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）中の電子やイオンがトラップされることになり、磁力線ＭＬの形成された領域でトラップされないマイクロ波表面波プラズマ中の電気的に中性のもの（例えば、電気的に中性な水素ラジカルや励起水素等）だけが主に磁力線ＭＬの形成された領域を通過して原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）に照射されることになる。
【０１６６】
したがって、微粒化状態の原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）が電子によって電荷がチャージされ静電反発して散乱することを抑制できる。
【０１６７】
また、原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）にマイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）中の電子やイオンを照射するようにすると、原料Ｏが電子によって帯電することで、質量の大きいイオンが加速度的に原料Ｏに引き寄せられて衝突し、原料Ｏの温度が上昇することになる。
【０１６８】
一方、上記のように、原料Ｏに電気的に中性のもの（例えば、電気的に中性な水素ラジカルや励起水素等）だけを主に照射するようにすれば、質量の大きいものが加速度的に衝突することを回避することが可能であり、原料Ｏの温度上昇を抑制することができるので、原料Ｏを低温に保ったまま還元処理を行うことができる。
【０１６９】
ただし、窓Ｗのところで発生する発熱の影響で原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）が加熱されるおそれがあることから、本実施形態では、製造装置１が、少なくとも処理領域に対応する配置手段Ａ１の原料Ｏと接触する部分（表面ＳＦ）を所定の温度範囲内に保つ温度制御手段Ａ２を備えるものとしている。
なお、所定の温度範囲は、第１実施形態で説明したのと同様の温度範囲でよい。
【０１７０】
温度制御手段Ａ２は、温調媒体（本例では、１００℃未満の温度に制御された水又は気体等）が配置手段Ａ１の原料Ｏと接触する部分（表面ＳＦ）の近くを通るように配置手段Ａ１内を通過する温調媒体流路と、その温調媒体流路に温度が制御された温調媒体を循環させる循環装置（図示せず）と、配置手段Ａ１から戻ってきた温調媒体の温度を設定される温度に調節する温調装置（図示せず）と、を備えている。
【０１７１】
なお、第１実施形態と同様に、循環装置（図示せず）はポンプ等であり、温調装置（図示せず）は熱交換機等である。
ただし、本実施形態でも、温調媒体に外気をそのまま利用できる場合には、温調媒体流路の上流に外気を供給するためのポンプを接続し、温調媒体流路の下流を大気開放として、外気が矢印で示すように温調媒体流路内を流れるようにすればよく、この場合、温調装置は不要である。
【０１７２】
そして、本実施形態の製造装置１によれば、反応室２内に供給された気体（本例では水素）をマイクロ波でマイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）化し、生成したマイクロ波表面波水素プラズマで原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）を処理することで原料Ｏと異なる生成物（本例では、水素化マグネシウムを含む生成物）を生成する手順を、固体の状態の原料Ｏをマイクロ波表面波プラズマで処理する手順とすることができ、原料Ｏがマイクロ波表面波プラズマで処理される間、低温（例えば、１００℃未満の温度）に保たれるので、原料Ｏ及び生成物が気化することなく還元処理を行うことができる。
【０１７３】
したがって、排気とともに排出される原料Ｏ及び生成物の発生を抑制することができ、原料Ｏの利用効率を高くすることができる。
【０１７４】
なお、配置手段Ａ１の原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）と接触する部分（表面ＳＦ）が導電性を有する材料で形成されたものとして、製造装置１が配置手段Ａ１の原料Ｏの配置される部分をアースするアース手段を備えるものとすれば、原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）が電子によって電荷がチャージされるのをより確実に抑制することができる。
【０１７５】
また、アース手段によって、原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）に電荷がチャージされるのを十分に抑制できている場合には、磁力発生手段ＭＧを省略してもよい。
【０１７６】
さらに、窓Ｗのところからの輻射熱の影響が少なく、原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）及び生成物（本例では、水素化マグネシウムを含む生成物）の温度が十分に低温（本例では、１００℃未満の温度）である場合、温度制御手段Ａ２を省略してもよい。
【０１７７】
また、コイルの形状維持を目的として、コイルの中央に心材を設けるようにしてもよく、この場合には、心材に電磁石の影響を受けて磁化しない（磁化し難い）材料、例えば、セラミックやガラス等で形成することが好ましい。
【０１７８】
（第３実施形態）
次に、本発明に係る第３実施形態の製造装置１について説明する。
図５は、本発明に係る第３実施形態の製造装置１を説明するための断面図である。
なお、以下では、主に第２実施形態と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略することがある。
【０１７９】
第３実施形態の製造装置１は、例えば、第２実施形態で説明した原料Ｏを無水塩化マグネシウム等の無水ハロゲン化マグネシウムとして、その原料Ｏにマイクロ波表面波プラズマ化するための気体に水素を用いてマイクロ波表面波水素プラズマを照射し、水素化マグネシウムを含むマグネシウム生成物を得る処理を効率化するための構成が加わったものになっている。
【０１８０】
そのために、図５に示すように、配置手段Ａ１が、駆動ローラＲ１と、従動ローラＲ２と、駆動ローラＲ１と従動ローラＲ２の間に橋渡しされ、原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）をマイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）で処理する処理領域（範囲Ｒ参照）の一方の外側（図５の左外側）から処理領域を通過させて処理領域の他方の外側（図５の右外側）に向けて、配置された原料Ｏを運搬するベルトで形成された配置部Ｂと、を備えている。
【０１８１】
そして、原料Ｏである無水塩化マグネシウムを供給する原料供給手段５０から配置部Ｂ上に供給された固体の状態の原料Ｏが、順次、マイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）の照射される位置（範囲Ｒで示す処理領域）に運搬されていくようになっている。
【０１８２】
具体的には、製造装置１は、処理領域（範囲Ｒ参照）の一方の外側（図５の左外側）の位置に位置する配置部Ｂの部分に対して、上側から原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）を落下させるように供給する原料供給手段５０を備えており、本実施形態でも、原料Ｏは、微粒化した状態（例えば、マイクロ粒子又はナノ粒子の状態）とされている。
【０１８３】
なお、原料供給手段５０は、微粒化した状態（例えば、マイクロ粒子又はナノ粒子の状態）の原料Ｏが充填され、配置部Ｂの部分に向けて、原料Ｏを設定された単位時間当たりの分量で落下させて供給するものでもよい。
【０１８４】
ただし、原料供給手段５０に充填される原料Ｏの大きさは、特に限定される必要はなく、多少大きなサイズの原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）を充填したい場合には、配置部Ｂに向けて原料Ｏを落下させるように排出する排出口に、原料Ｏを微粒化した状態に粉砕する粉砕機構を設けるようにすればよい。
【０１８５】
また、原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）に対するマイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）での処理を停止させずに生成物（本例では、水素化マグネシウムを含む生成物）を製造装置１外に取り出すために、本実施形態では、製造装置１が、処理領域（範囲Ｒ参照）の他方の外側（図５の右外側）の位置で生成物を回収する回収部３を備えるものとしている。
【０１８６】
具体的には、回収部３は、回収室３Ａと、回収室３Ａと反応室２の間を連通可能とする開閉扉３Ｂと、外部から回収室３Ａ内にアクセスし、生成物（本例では、水素化マグネシウムを含む生成物）を外部に取り出すための取出扉３Ｃと、を備えている。
【０１８７】
そして、生成物（本例では、水素化マグネシウムを含む生成物）が回収室３Ａ内に一定量蓄積されるまでは、開閉扉３Ｂが開いた状態に制御され、ベルトで形成された配置部Ｂの終端側（図５の右側の端）から落下する生成物を受け入れるようになっている。
【０１８８】
なお、本実施形態の製造装置１は、ベルトで形成された配置部Ｂの開閉扉３Ｂの直上の位置の表面に接触するように設けられ、自重で落下しなかった生成物（本例では、水素化マグネシウムを含む生成物）を回収室３Ａに落下させる刷毛Ｈも備えている。
【０１８９】
そして、回収室３Ａに一定量の生成物（本例では、水素化マグネシウムを含む生成物）が蓄積されると、開閉扉３Ｂが閉じて、回収室３Ａ内を大気圧の状態まで昇圧するための気体が供給されるように気体供給路の電磁弁Ｖ３が開の状態になる。
なお、この気体供給路から供給される気体は、露点の低い気体が供給される。
【０１９０】
このように、回収室３Ａ内の圧力が大気圧の状態にされた後、回収室３Ａに設けられた取出扉３Ｃを開けて、蓄積した生成物（本例では、水素化マグネシウムを含む生成物）が回収される。
【０１９１】
一方、回収室３Ａから生成物（本例では、水素化マグネシウムを含む生成物）を回収した後には、再び、取出扉３Ｃを閉めて、回収室３Ａ内の圧力を反応室２と同じ圧力にした後、先ほどと、同様に、開閉扉３Ｂが開いた状態となる。
【０１９２】
このために、回収室３Ａには、途中に排気制御弁３５Ａが設けられ、第１排気管３１に合流する排気管３５が繋がっている。
なお、図示を省略しているが、製造装置１は、回収室３Ａ内の圧力を測定する圧力計を備えており、その圧力計の測定結果が反応室２内の圧力とほぼ同じ圧力になるように排気制御弁３５Ａが制御される。
【０１９３】
一方、製造装置１には、原料供給手段５０側にも予備室４が設けられており、予備室４内には、原料供給手段５０に原料Ｏである無水塩化マグネシウムを供給する予備原料供給手段５０Ａが設けられている。
【０１９４】
そして、予備原料供給手段５０Ａと原料供給手段５０の間の位置には、予備室４と反応室２とを仕切る仕切扉４Ａが設けられており、この仕切扉４Ａが開くことで、予備室４と反応室２とが連通した状態となり、予備原料供給手段５０Ａから原料供給手段５０に原料Ｏである無水塩化マグネシウムを供給することができるようになっている。
【０１９５】
また、予備室４には、予備室４内を大気圧の状態まで昇圧するための気体が供給されるように気体供給路が接続されており、仕切扉４Ａを閉じた状態で、その気体供給路の電磁弁Ｖ４を開の状態とすることで予備室４内を大気圧の状態にすることができる。
なお、この気体供給路から供給される気体は、露点の低い気体が供給される。
【０１９６】
このように予備室４を大気圧の状態とした後、予備原料供給手段５０Ａに原料Ｏである無水塩化マグネシウムを供給する作業のために予備室４に設けられた供給作業扉４Ｂを開けて、予備原料供給手段５０Ａに原料Ｏを新たに供給することができるようになっている。
【０１９７】
なお、予備室４には、途中に排気制御弁３６Ａが設けられ、第１排気管３１に合流する排気管３６が繋がっているので、予備原料供給手段５０Ａに原料Ｏである無水塩化マグネシウムを供給する作業を終えて、供給作業扉４Ｂを閉めた後、再び、排気制御弁３６Ａの制御によって、予備室４内の圧力が反応室２と同じ圧力にされる。
【０１９８】
そのために、製造装置１は、予備室４内の圧力を測定する圧力計（図示せず）も備えており、予備室４内の圧力が反応室２内の圧力とほぼ同じ圧力になるように、排気制御弁３６Ａが制御される。
【０１９９】
そして、本実施形態でも、第２実施形態と同様に、製造装置１は、原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）を配置する配置手段Ａ１のベルトで形成された配置部Ｂの少なくとも処理領域（範囲Ｒ参照）に対応する原料Ｏと接触する部分の温度を所定の温度範囲内に保つ温度制御手段Ａ２を備えている。
【０２００】
具体的には、温度制御手段Ａ２は、ベルトで形成された配置部Ｂの裏面（原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）が配置される面の反対側の面）に接触するように設けられ、熱伝導率の高い材料で形成された温調媒体（本例では、１００℃未満の温度に制御された水又は気体等）を内包する温調媒体収容部Ａ２１と、その温調媒体収容部Ａ２１に設けられた供給口ＩＮから温調媒体を供給し、排出口ＯＵＴから温調媒体を排出させるように温調媒体を循環させる循環装置（図示せず）と、排出口ＯＵＴから排出された温調媒体の温度を設定される温度に調節する温調装置（図示せず）と、を備えている。
【０２０１】
なお、本実施形態でも、第２実施形態と同様に、循環装置（図示せず）はポンプ等であり、温調装置（図示せず）は熱交換機等である。
ただし、第２実施形態と同様に、温調媒体に外気をそのまま利用できる場合には、供給口ＩＮに外気を供給するためのポンプが接続され、排出口ＯＵＴが大気開放となるようにすればよく、この場合、温調装置は不要である。
【０２０２】
したがって、第２実施形態と同様に、本実施形態でも、原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）及び生成物（本例では、水素化マグネシウムを含む生成物）が１００℃を超える温度にならないように、配置部Ｂの少なくとも処理領域（範囲Ｒ参照）に対応する原料Ｏと接触する部分の温度が保たれているので、確実に、原料Ｏ及び生成物が所定の温度範囲（１００℃未満の温度範囲）に保たれた状態でマイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）の照射が行われることになる。
【０２０３】
そして、本実施形態によれば、反応室２を大気開放の状態にせず、原料Ｏである無水塩化マグネシウムの供給と、還元処理後の生成物である水素化マグネシウムを含む生成物の回収が行えるため、連続稼働が可能であり、水素化マグネシウムを含む生成物を得る処理の効率化ができる。
【０２０４】
なお、本実施形態でも、第２実施形態で説明したように、配置部Ｂが導電性を有する材料で形成されたものとして、製造装置１が配置手段Ａ１の原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）の配置される部分（配置部Ｂの少なくとも処理領域（範囲Ｒ参照）に対応する原料Ｏと接触する部分）をアースするアース手段を備えるようにしてもよい。
【０２０５】
（第４実施形態）
次に、本発明に係る第４実施形態の製造装置１について説明する。
図６は、本発明に係る第４実施形態の製造装置１を説明するための断面図である。
第４実施形態の製造装置１は、第３実施形態と同様に、反応室２を大気開放の状態にせず、固体の状態の原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）の供給と、還元処理後の生成物（本例では、水素化マグネシウムを含む生成物）の回収が行え、連続稼働が可能なものとなっている。
【０２０６】
そして、本実施形態の製造装置１と第３実施形態の製造装置１は、基本的な構成要素が類似しているので、以下では、主に第３実施形態と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略することがある。
なお、本実施形態でも、原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）は、微粒化した状態（例えば、マイクロ粒子又はナノ粒子の状態）のものを用いるのが好ましい。
【０２０７】
図６に示すように、製造装置１は、反応室２の側方のマイクロ波を入射させる部分に設けられ、表面でマイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）を生成させる誘電体材料の窓Ｗと、原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）をマイクロ波表面波プラズマで処理する処理領域（範囲Ｒ参照）の上側から処理領域に固体の状態の原料Ｏを供給可能に設けられた原料供給手段５０と、を備えるものになっている。
【０２０８】
そして、本実施形態でも、原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）に対するマイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）での処理を停止させずに生成物（本例では、水素化マグネシウムを含む生成物）を製造装置１外に取り出すために、製造装置１が処理領域（範囲Ｒ参照）の下側に設けられた生成物を回収する回収部３を備えるものとしている。
【０２０９】
より詳細には、回収部３は、第３実施形態と同様に、回収室３Ａと、回収室３Ａと反応室２の間を連通可能とする開閉扉３Ｂと、外部から回収室３Ａ内にアクセスし、生成物（本例では、水素化マグネシウムを含む生成物）を外部に取り出すための取出扉３Ｃと、を備えている。
【０２１０】
そして、第３実施形態と同様に、生成物（本例では、水素化マグネシウムを含む生成物）が回収室３Ａ内に一定量蓄積されるまでは、開閉扉３Ｂが開いた状態に制御され、回収室３Ａに一定量の生成物が蓄積されると、開閉扉３Ｂが閉じて、回収室３Ａ内を大気圧の状態まで昇圧するための気体が供給されるように気体供給路の電磁弁Ｖ３が開の状態になる。
なお、この気体供給路から供給される気体は、露点の低い気体が供給される。
【０２１１】
また、製造装置１は、第３実施形態と同様に、取出扉３Ｃを開けて、回収室３Ａから生成物（本例では、水素化マグネシウムを含む生成物）を回収し、再び、取出扉３Ｃを閉めた後に、回収室３Ａ内の圧力を反応室２と同じ圧力とするために、回収室３Ａには、途中に排気制御弁３５Ａが設けられ、第１排気管３１に合流する排気管３５が繋がっている。
【０２１２】
なお、図示を省略しているが、製造装置１は、回収室３Ａ内の圧力を測定する圧力計を備えており、その圧力計の測定結果が反応室２内の圧力とほぼ同じ圧力になるように排気制御弁３５Ａが制御される。
【０２１３】
そして、図６に示すように、回収部３は、開閉扉３Ｂが、原料供給手段５０の原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）を落下させるように排出する排出口よりも窓Ｗの設けられる反応室２の側方寄りに位置するようになっている。
【０２１４】
また、製造装置１は、反応室２内に設けられ、原料供給手段５０の排出口から落下した原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）を開閉扉３Ｂのところへ誘導する傾斜板ＳＬを備えている。
【０２１５】
そして、傾斜板ＳＬは、筐体１０内の空間を、窓Ｗの設けられる側の領域と、傾斜板ＳＬを挟んで窓Ｗの設けられる側の領域の反対側となる領域と、に分離するように設けられており、窓Ｗの設けられる側の領域が反応室２になっている。
なお、窓Ｗの設けられる側の領域と窓Ｗの設けられる側の領域の反対側となる領域は、それぞれ個別に高い密閉度が得られるように、傾斜板ＳＬで分離されている。
【０２１６】
この傾斜板ＳＬは、原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）が窓Ｗ側を向く傾斜板ＳＬの表面上に落下したときに、自重だけで回収部３に向かって滑り落ちるようにしてもよい。
【０２１７】
しかしながら、そうすると、原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）に対する還元処理の還元時間となる処理領域（範囲Ｒ参照）を通過する時間を制御し難い。
このように自重だけで回収部３に向かって滑り落ちる場合、その状態で必要な還元時間が得られるように、上下方向に複数の窓Ｗを設け、それぞれの窓Ｗでマイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）を生成させ、マイクロ波表面波プラズマが照射できる領域（範囲Ｒ参照）を広げることで対応することもできる。
しかし、この場合、大幅に設備コストが上昇するおそれがある。
【０２１８】
そこで、傾斜板ＳＬの窓Ｗ側を向く表面に、例えば、シボ加工を施す等、摩擦抵抗を大きくし、傾斜板ＳＬの傾斜角度を緩やかにして、傾斜板ＳＬの窓Ｗ側を向く傾斜板ＳＬの表面上に落下した原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）が自重だけでは、回収部３に向かって滑り落ち難くした上で、例えば、超音波等で傾斜板ＳＬを微細に振動させ、その振動によって原料Ｏが傾斜板ＳＬの表面上を回収部３に向かって移動するようにするのが好ましい。
【０２１９】
このようにすれば、傾斜板ＳＬの振動状態を制御することで、原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）が処理領域（範囲Ｒ参照）を通過する時間を制御できるため、還元反応に必要な適切な時間を簡単に得ることができる。
【０２２０】
そして、本実施形態でも、第３実施形態と同様に、製造装置１は、原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）の接触する傾斜板ＳＬの少なくとも処理領域（範囲Ｒ参照）に対応する部分の温度を所定の温度範囲内に保つ温度制御手段（図示せず）を備えるものとしている。
【０２２１】
具体的には、温度制御手段は、熱伝導率の高い材料で形成された傾斜板ＳＬと傾斜板ＳＬを挟んで窓Ｗの反対側に位置する筐体１０とで形成され、温調媒体（本例では、１００℃未満の温度に制御された水又は気体等）を内包する温調媒体収容部と、その温調媒体収容部の下側の位置に設けられた供給口ＩＮから温調媒体を供給し、温調媒体収容部の上側の位置に設けられた排出口ＯＵＴから温調媒体を排出させるように温調媒体を循環させる循環装置（図示せず）と、排出口ＯＵＴから排出された温調媒体の温度を設定される温度に調節する温調装置（図示せず）と、を備えている。
【０２２２】
なお、本実施形態でも、第３実施形態と同様に、循環装置（図示せず）はポンプ等であり、温調装置（図示せず）は熱交換機等である。
ただし、第３実施形態と同様に、温調媒体に外気をそのまま利用できる場合には、供給口ＩＮに外気を供給するためのポンプが接続され、排出口ＯＵＴが大気開放となるようにすればよく、この場合、温調装置は不要である。
【０２２３】
したがって、第３実施形態と同様に、本実施形態でも、原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）及び生成物（本例では、水素化マグネシウムを含む生成物）が１００℃を超える温度にならないように、原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）の接触する傾斜板ＳＬの少なくとも処理領域（範囲Ｒ参照）に対応する部分の温度が保たれているので、原料Ｏ及び生成物が所定の温度範囲（１００℃未満の温度範囲）に保たれた状態でマイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）の照射が行われることになる。
【０２２４】
また、本実施形態の製造装置１も、第３実施形態と同様に、予備室４内に設けられ、原料供給手段５０に原料Ｏである無水塩化マグネシウムを供給する予備原料供給手段５０Ａを備えているので、原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）に対するマイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）での処理を停止させずに、原料供給手段５０に原料Ｏの供給が可能になっている。
【０２２５】
なお、本実施形態でも、導電性を有する材料で傾斜板ＳＬを形成して、製造装置１が原料Ｏ（本例では、無水塩化マグネシウム）の接触する傾斜板ＳＬの少なくとも処理領域（範囲Ｒ参照）に対応する部分をアースするアース手段を備えるようにしてもよい。
【０２２６】
以上ように、いずれの実施形態においても、マイクロ波発生手段２０がパルス的なマイクロ波を発生させるものとしているので、マイクロ波発生手段２０で使用される平均電力の上昇を抑制しつつ、高密度なマイクロ波表面波プラズマを生成できるという主たる目的が達成できる。
【０２２７】
しかしながら、発明の詳細な説明には、原料をマイクロ波表面波プラズマで処理して原料と異なる生成物を得るために望ましい構成が併せて開示されている。
【０２２８】
そして、発明の詳細な説明に開示された製造装置１及び製造方法の構成は、マイクロ波発生手段２０がパルス的なマイクロ波を発生させる場合に限らず、このような生成物を得るという目的のために有用なものになっている。
【０２２９】
このため、マイクロ波発生手段２０がパルス的なマイクロ波を発生させるものでない構成としても、原料をマイクロ波表面波プラズマで処理して原料と異なる生成物を得るために好適な製造装置１及び製造方法を提供するという他の目的が達成できる。
【０２３０】
したがって、発明の詳細な説明には、そのような他の目的において、マイクロ波発生手段２０がパルス的なマイクロ波を発生させるものでない構成の製造装置１及び製造方法の発明も開示されているものである。
【０２３１】
以上、具体的な実施形態に基づいて、本発明について説明してきたが、本発明は、上記の具体的な実施形態に限定されるものではない。
【０２３２】
例えば、第３実施形態では、配置された原料Ｏを運搬するベルトで形成された配置部Ｂを有し、そのベルト上に原料Ｏが配置されていたが、運搬用のトレイ上に原料Ｏが配置され、そのトレイが、マイクロ波表面波プラズマ（本例では、マイクロ波表面波水素プラズマ）で処理する処理領域の一方の外側から処理領域を通過させて処理領域の他方の外側に向けて、配置された原料Ｏを運搬する配置部Ｂとして機能するように、トレイを移動させるものであってもよい。
【０２３３】
このように、本発明は、具体的な実施形態に限定されるものではなく、適宜、変形や改良を施したものも本発明の技術的範囲に含まれるものであり、そのことは、当業者にとって特許請求の範囲の記載から明らかである。
【符号の説明】
【０２３４】
１  製造装置
２  反応室
３  回収部
３Ａ  回収室
３Ｂ  開閉扉
３Ｃ  取出扉
４  予備室
４Ａ  仕切扉
４Ｂ  供給作業扉
１０  筐体
１１  仕切部
１１Ａ  開口部
１２  受部
２０  マイクロ波発生手段
２１  導波管
２１Ａ  受入口
２１Ｂ  放射口
３０  減圧手段
３１  第１排気管
３１Ａ  第１排気バルブ
３２  第１真空ポンプ
３２Ａ  第１圧力計
３３  第２排気管
３３Ａ  第２排気バルブ
３４  第２真空ポンプ
３４Ａ  第２圧力計
３５  排気管
３５Ａ排気制御弁
３６  排気管
３６Ａ  排気制御弁
４１  第１供給管
４１Ａ  第１供給バルブ
４２  第２供給管
４２Ａ  第２供給バルブ
５０  原料供給手段
５０Ａ  予備原料供給手段
５１  原料貯蔵部
５２  原料供給管
５３  第１加熱部
５３Ａ  第１電源
５４  第１温度計
６０  加熱手段
６１  第２加熱部
６１Ａ  第２電源
６２  第２温度計
７０  リフレクタ
７１  冷却管
７２  挿入管
８０  付着手段
８１  表面
９０  大気開放管
９１  リークバルブ
Ａ１  配置手段
Ａ２  温度制御手段
Ａ２１  温調媒体収容部
Ｂ  配置部
Ｆ  第１空間
Ｈ  刷毛
ＩＮ  供給口
ＭＦＣ１  第１供給量制御手段
ＭＦＣ２  第２供給量制御手段
ＭＧ  磁力発生手段
ＭＬ  磁力線
ＯＵＴ  排出口
Ｒ１  駆動ローラ
Ｒ２  従動ローラ
Ｓ  第２空間
ＳＦ  表面
ＳＬ  傾斜板
Ｖ３、Ｖ４  電磁弁
Ｗ  窓
【図１】
2019230184.tif 000003
【図２】
2019230184.tif 000004
【図３】
2019230184.tif 000005
【図４】
2019230184.tif 000006
【図５】
2019230184.tif 000007
【図６】
2019230184.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月19日(2020.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室内で原料をマイクロ波表面波プラズマで処理して前記原料と異なる生成物を得る製造装置であって、
前記製造装置は、
前記マイクロ波表面波プラズマを生成させるために、前記反応室内に供給されるマイクロ波を発生させるマイクロ波発生手段と、
前記反応室内に前記マイクロ波を入射させる部分に設けられ、表面で前記マイクロ波表面波プラズマを生成させる誘電体材料の窓と、
前記反応室内に供給するマイクロ波表面波プラズマ化する気体の供給量を制御する供給量制御手段と、
前記原料を気化させて前記マイクロ波表面波プラズマ中に原料を供給する原料供給手段と、
前記生成物を付着させる表面を前記マイクロ波表面波プラズマの存在する範囲内に配置した付着手段と、
前記付着手段の前記生成物を付着させる表面の表面温度を前記生成物の析出に適した所定の温度範囲内に保つ温度制御手段と、を備え、
前記マイクロ波発生手段が、マイクロ波電力の強弱を伴うパルス的な前記マイクロ波であって、平均的な前記マイクロ波電力に対してピーク値の前記マイクロ波電力が１．３倍以上、１０倍以内のパルス的な前記マイクロ波を発生させることを特徴とする製造装置。
【請求項２】
反応室内で原料をマイクロ波表面波プラズマで処理して前記原料と異なる生成物を得る製造装置であって、
前記製造装置は、
前記マイクロ波表面波プラズマを生成させるために、前記反応室内に供給されるマイクロ波を発生させるマイクロ波発生手段と、
前記反応室の上側の前記マイクロ波を入射させる部分に設けられ、表面で前記マイクロ波表面波プラズマを生成させる誘電体材料の窓と、
前記反応室内に供給するマイクロ波表面波プラズマ化する気体の供給量を制御する供給量制御手段と、
前記反応室内の前記窓よりも下側に設けられ、固体の状態の前記原料を配置する配置手段と、を備え、
前記マイクロ波発生手段が、マイクロ波電力の強弱を伴うパルス的な前記マイクロ波であって、平均的な前記マイクロ波電力に対してピーク値の前記マイクロ波電力が１．３倍以上、１０倍以内のパルス的な前記マイクロ波を発生させることを特徴とする製造装置。
【請求項３】
前記配置手段は、前記原料を前記マイクロ波表面波プラズマで処理する処理領域の一方の外側から前記処理領域を通過させて前記処理領域の他方の外側に向けて、配置された前記原料を運搬する配置部を備え、
前記製造装置は、前記処理領域の一方の外側の位置に位置する前記配置部の部分に対して、前記原料を供給する原料供給手段を備えることを特徴とする請求項２に記載の製造装置。
【請求項４】
前記製造装置は、前記原料に対する前記マイクロ波表面波プラズマでの処理を停止させずに前記生成物を前記製造装置外に取り出すために、前記処理領域の他方の外側の位置で前記生成物を回収する回収部を備えることを特徴とする請求項３に記載の製造装置。
【請求項５】
前記製造装置は、少なくとも前記処理領域に対応する前記配置手段の前記原料と接触する部分を所定の温度範囲内に保つ温度制御手段を備えることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の製造装置。
【請求項６】
前記配置手段は、前記原料と接触する部分が導電性を有する材料で形成され、
前記製造装置は、前記原料と接触する部分をアースするアース手段を備えることを特徴とする請求項２から請求項５のいずれか１項に記載の製造装置。
【請求項７】
反応室内で原料をマイクロ波表面波プラズマで処理して前記原料と異なる生成物を得る製造装置であって、
前記製造装置は、
前記マイクロ波表面波プラズマを生成させるために、前記反応室内に供給されるマイクロ波を発生させるマイクロ波発生手段と、
前記反応室の側方の前記マイクロ波を入射させる部分に設けられ、表面で前記マイクロ波表面波プラズマを生成させる誘電体材料の窓と、
前記反応室内に供給するマイクロ波表面波プラズマ化する気体の供給量を制御する供給量制御手段と、
前記原料を前記マイクロ波表面波プラズマで処理する処理領域の上側から前記処理領域に固体の状態の前記原料を供給可能に設けられた原料供給手段と、を備え、
前記マイクロ波発生手段が、マイクロ波電力の強弱を伴うパルス的な前記マイクロ波であって、平均的な前記マイクロ波電力に対してピーク値の前記マイクロ波電力が１．３倍以上、１０倍以内のパルス的な前記マイクロ波を発生させることを特徴とする製造装置。
【請求項８】
前記製造装置は、前記原料に対する前記マイクロ波表面波プラズマでの処理を停止させずに前記生成物を前記製造装置外に取り出すために、前記処理領域の下側に設けられた前記生成物を回収する回収部を備えることを特徴とする請求項７に記載の製造装置。
【請求項９】
前記製造装置は、前記処理領域に位置する前記原料と前記窓の間の位置に磁力線を形成する磁力発生手段を備えることを特徴とする請求項２から請求項８のいずれか１項に記載の製造装置。
【請求項１０】
前記製造装置は、前記反応室内を減圧する減圧手段を備えることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の製造装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の製造装置を用いて原料と異なる生成物を得る製造方法であって、
前記原料に金属原子を含む原料を用いるとともに、前記気体に還元雰囲気を形成する実質的に酸素原子を含まない反応性の気体を用いたことを特徴とする製造方法。
【請求項１２】
前記原料が無水ハロゲン化マグネシウムであり、
前記気体が水素原子を含み、
前記生成物が水素化マグネシウムを含む生成物であることを特徴とする請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
反応室内で原料をマイクロ波表面波プラズマで処理して前記原料と異なる生成物を得る製造方法であって、
前記製造方法は、
前記反応室内に供給された気体をマイクロ波で前記マイクロ波表面波プラズマ化し、生成した前記マイクロ波表面波プラズマで前記原料を処理することで前記原料と異なる生成物を生成する手順を含み、
前記マイクロ波に、マイクロ波電力の強弱を伴うパルス的な前記マイクロ波であって、平均的な前記マイクロ波電力に対してピーク値の前記マイクロ波電力が１．３倍以上、１０倍以内のパルス的な前記マイクロ波が用いられることを特徴とする製造方法。
【請求項１４】
前記生成する手順は、気化した前記原料を前記マイクロ波表面波プラズマで処理する手順であり、
前記製造方法は、
前記生成物の析出に適した所定の温度範囲内の表面温度とした表面を前記マイクロ波表面波プラズマが存在する範囲内に配置した付着手段の前記表面に前記生成物を付着させる手順を含むことを特徴とする請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記生成する手順は、固体の状態の前記原料を前記マイクロ波表面波プラズマで処理する手順であることを特徴とする請求項１３に記載の製造方法。
【国際調査報告】
2019230184.tif 000009
2019230184.tif 000010
2019230184.tif 000011
2019230184.tif 000012