(57)【要約】  樹脂層（１２）と、前記樹脂層よりも上層のＴＦＴ層（４）とを備え、周縁に折り曲げ部（ＣＬ）が設けられている表示デバイスであって、前記ＴＦＴ層の端子に接続し、前記折り曲げ部を通る端子配線（ＴＷ）を有し、前記端子配線は、前記折り曲げ部の両側に位置する第１配線（ＷＳ１）および第２配線（ＷＳ２）と、前記折り曲げ部を通り、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第３配線（ＷＳ３）と、前記第３配線と異なる層に配され、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第４配線（ＷＳ４）とを含む。
2019021466.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂層と、前記樹脂層よりも上層のＴＦＴ層と、前記ＴＦＴ層よりも上層の発光素子層とを備え、周縁に折り曲げ部が設けられている表示デバイスであって、
前記ＴＦＴ層の端子に接続し、前記折り曲げ部を通る端子配線を有し、
前記端子配線は、前記折り曲げ部の両側に位置する第１配線および第２配線と、前記折り曲げ部を通り、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第３配線と、前記第３配線とは異なる層に形成され、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第４配線とを含む表示デバイス。
【請求項２】
前記第４配線は、可撓性絶縁膜を介して前記第３配線と重畳する請求項１記載の表示デバイス。
【請求項３】
前記ＴＦＴ層には複数の無機絶縁膜が含まれ、
前記折り曲げ部では、前記複数の無機絶縁膜が貫かれている請求項２記載の表示デバイス。
【請求項４】
前記樹脂層と前記ＴＦＴ層との間にバリア層を備え、
前記折り曲げ部には、前記バリア層が貫かれて形成される第１スリットが設けられている請求項３に記載の表示デバイス。
【請求項５】
前記折り曲げ部には、前記複数の無機絶縁膜が貫かれて形成される第２スリットが、前記第１スリットに重なるように設けられ、
前記第１スリットおよび前記第２スリットを埋めるように補強膜が形成されている請求項４に記載の表示デバイス。
【請求項６】
前記折り曲げ部においては、前記第３配線が前記補強膜と前記発光素子層の下地となる平坦化膜とで挟まれている請求項５に記載の表示デバイス。
【請求項７】
前記補強膜および前記平坦化膜が同一の有機材料で構成されている請求項６に記載の表示デバイス。
【請求項８】
前記第３配線は、前記端子と同層に形成されている請求項６に記載の表示デバイス。
【請求項９】
前記第１配線および前記第２配線が、前記ＴＦＴ層に含まれるゲート電極と同層に形成されている請求項８に記載の表示デバイス。
【請求項１０】
前記第４配線は、前記ＴＦＴ層のゲート電極よりも上層かつ前記端子よりも下層に形成されている請求項９に記載の表示デバイス。
【請求項１１】
前記第４配線は、前記第１スリットおよび前記第２スリットを通る請求項１０に記載の表示デバイス。
【請求項１２】
前記第１スリットにおいて、前記第４配線と前記樹脂層とが接する請求項１１に記載の表示デバイス。
【請求項１３】
前記折り曲げ部においては、前記第４配線が前記樹脂層と前記補強膜とで挟まれている請求項１２に記載の表示デバイス。
【請求項１４】
平面視においては前記第２スリットの開口の内側に前記第１スリットの開口が配され、
前記第２スリットにおいて前記第４配線が前記バリア層に接する請求項１１に記載の表示デバイス。
【請求項１５】
前記複数の無機絶縁膜は、第１絶縁膜、第２絶縁膜、および第３絶縁膜であり、
前記第３配線は、前記ＴＦＴ層のソース電極と同層に形成され、
前記第１絶縁膜は、前記バリア層よりも上層かつ前記第１配線および第２配線よりも下層に形成され、
前記第２絶縁膜は、前記第１配線および第２配線よりも上層かつ前記第４配線よりも下層に形成され、
前記第３絶縁膜は、前記第４配線よりも上層かつ前記第３配線よりも下層に形成され、
前記折り曲げ部の両側において前記第２絶縁膜に形成された２つのコンタクトホールの一方によって前記第１配線および前記第４配線が接触し、他方によって前記第２配線および前記第４配線が接触し、
前記折り曲げ部の両側において前記第３絶縁膜に形成された２つのコンタクトホールそれぞれによって前記第３配線および前記第４配線が接触する請求項１１に記載の表示デバイス。
【請求項１６】
前記第４配線は、前記発光素子層に含まれる下側電極と同層に形成されている請求項９に記載の表示デバイス。
【請求項１７】
前記折り曲げ部においては、前記第４配線が、前記平坦化膜と、前記発光素子層のアノードエッジカバーと同層の絶縁膜とで挟まれている請求項１６に記載の表示デバイス。
【請求項１８】
前記第４配線は、前記第１配線および前記第２配線と同層に形成されている請求項９に記載の表示デバイス。
【請求項１９】
前記発光素子層がトップエミッション型であり、
前記折り曲げ部で折り曲げられることによって下面側に配された前記端子と電子回路基板とが接続される請求項１〜１８のいずれか１項に記載の表示デバイス。
【請求項２０】
樹脂層と、前記樹脂層よりも上層のＴＦＴ層と、前記ＴＦＴ層よりも上層の発光素子層とを備え、周縁に折り曲げ部が設けられている表示デバイスの製造方法であって、
前記折り曲げ部の両側に位置する第１配線および第２配線を形成する工程と、前記折り曲げ部を通り、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第３配線を形成する工程と、前記第３配線とは異なる層に配され、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第４配線を形成する工程とを含む表示デバイスの製造方法。
【請求項２１】
樹脂層と、前記樹脂層よりも上層のＴＦＴ層と、前記ＴＦＴ層よりも上層の発光素子層とを備え、周縁に折り曲げ部が設けられている表示デバイスの製造装置であって、
前記折り曲げ部の両側に位置する第１配線および第２配線を形成する工程と、前記折り曲げ部を通り、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第３配線を形成する工程と、前記第３配線とは異なる層に配され、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第４配線を形成する工程とを行う表示デバイスの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、表示装置の周辺領域を折り曲げる構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１７０２６６号公報（２０１６年９月２３日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
表示デバイスの周縁に折り曲げ部を形成する場合に、折り曲げ部を通る端子配線が断線するおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様に係る表示デバイスは、樹脂層と、前記樹脂層よりも上層のＴＦＴ層とを備え、周縁に折り曲げ部が設けられている表示デバイスであって、前記ＴＦＴ層の端子に接続し、前記折り曲げ部を通る端子配線を有し、前記端子配線は、前記折り曲げ部の両側に位置する第１配線および第２配線と、前記折り曲げ部を通り、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第３配線と、前記第３配線とは異なる層に形成され、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第４配線とを含む。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の一態様によれば、折り曲げ部を通る端子配線が断線するおそれが低減する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図２】表示デバイスの表示部の構成例を示す断面図である。
【図３】表示デバイスの構成例を示す平面図である。
【図４】実施形態１の非アクティブ領域の構成を示すものであり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ’ラインでの断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ’ラインでの断面図である。
【図５】表示デバイスの非表示領域の折り曲げ構成を示す断面図である。
【図６】実施形態１におけるＴＦＴ層の形成例を示すフローチャートである。
【図７】表示デバイス製造装置の構成を示すブロック図である。
【図８】実施形態２における非表示領域の構成を示すものであり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ’ラインでの断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ’ラインでの断面図である。
【図９】表示デバイスの非表示領域の折り曲げ構成を示す断面図である。
【図１０】実施形態２におけるＴＦＴ層の形成例を示すフローチャートである。
【図１１】実施形態３における非表示領域の構成を示す断面図である。
【図１２】実施形態３におけるＴＦＴ層の形成例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
図１は表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。図２は表示デバイスの表示部の構成例を示す断面図である。図３は、表示デバイスの構成例を示す平面図である。以下においては、「同層」とは同一プロセスにて同材料で形成されていることを意味し、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。
【０００９】
フレキシブルな表示デバイスを製造する場合、図１〜図３に示すように、まず、透光性の支持基板（例えば、マザーガラス基板）上に樹脂層１２を形成する（ステップＳ１）。次いで、バリア層３を形成する（ステップＳ２）。次いで、端子ＴＭおよび端子配線ＴＷを含むＴＦＴ層４を形成する（ステップＳ３）。次いで、トップエミッション型の発光素子層（例えば、ＯＬＥＤ素子層）５を形成する（ステップＳ４）。次いで、封止層６を形成する（ステップＳ５）。次いで、封止層６上に上面フィルムを貼り付ける（ステップＳ６）。
【００１０】
次いで、支持基板越しに樹脂層１２の下面にレーザ光を照射して支持基板および樹脂層１２間の結合力を低下させ、支持基板を樹脂層１２から剥離する（ステップＳ７）。次いで、樹脂層１２の下面に下面フィルム１０を貼り付ける（ステップＳ８）。次いで、下面フィルム１０、樹脂層１２、バリア層３、ＴＦＴ層４、発光素子層５、封止層６を含む積層体を分断し、複数の個片を得る（ステップＳ９）。次いで、得られた個片に機能フィルム３９を貼り付ける（ステップＳ１０）。次いで、外部接続用の端子に電子回路基板（例えば、ＩＣチップ）をマウントする（ステップＳ１１）。次いで、縁折り加工（図３の折り曲げ部ＣＬを１８０度折り曲げる加工）を施し、表示デバイス２とする（ステップＳ１２）。次いで、断線検査を行い、断線があれば修正を行う（ステップＳ１３）。なお、前記各ステップは、後述の表示デバイス製造装置が行う。
【００１１】
樹脂層１２の材料としては、例えば、ポリイミド、エポキシ、ポリアミド等が挙げられる。下面フィルム１０の材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が挙げられる。
【００１２】
バリア層３は、表示デバイスの使用時に、水分や不純物が、ＴＦＴ層４や発光素子層５に到達することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
【００１３】
ＴＦＴ層４は、半導体膜１５と、半導体膜１５よりも上層の無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）と、無機絶縁膜１６よりも上層のゲート電極ＧＥと、ゲート電極ＧＥよりも上層の無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜１８よりも上層の容量配線ＣＥと、容量配線ＣＥよりも上層の無機絶縁膜２０と、無機絶縁膜２０よりも上層の、ソース配線ＳＨおよび端子ＴＭと、ソース配線ＳＨおよび端子ＴＭよりも上層の平坦化膜２１とを含む。
【００１４】
半導体膜１５、無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）、およびゲート電極ＧＥを含むように薄層トランジスタＴｒ（ＴＦＴ）が構成される。
【００１５】
ＴＦＴ層４の非アクティブ領域ＮＡには、ＩＣチップ、ＦＰＣ等の電子回路基板との接続に用いられる端子ＴＭと、端子ＴＭとアクティブ領域ＤＡの配線等を繋ぐ端子配線ＴＷ（後に詳述）とが形成される。
【００１６】
半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体で構成される。なお、図２では、半導体膜１５をチャネルとするＴＦＴがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい（例えば、ＴＦＴのチャネルが酸化物半導体の場合）。
【００１７】
ゲート電極ＧＥ、容量電極ＣＥ、ソース配線ＳＨ、端子配線ＴＷ、および端子ＴＭは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。
【００１８】
無機絶縁膜１６・１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。
【００１９】
平坦化膜（層間絶縁膜）２１は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
【００２０】
発光素子層５（例えば、有機発光ダイオード層）は、平坦化膜２１よりも上層のアノード２２と、アノード２２のエッジを覆うバンク２３と、アノード２２よりも上層のＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層２４と、ＥＬ層２４よりも上層のカソード２５とを含み、サブピクセルごとに、島状のアノード２２、ＥＬ層２４、およびカソード２５を含む発光素子（例えば、ＯＬＥＤ：有機発光ダイオード）と、これを駆動するサブ画素回路とが設けられる。バンク２３（アノードエッジカバー）は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
【００２１】
ＥＬ層２４は、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。発光層は、蒸着法あるいはインクジェット法によって、サブピクセルごとに島状に形成されるが、その他の層はベタ状の共通層とすることもできる。また、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のうち１以上の層を形成しない構成も可能である。
【００２２】
アノード（陽極）２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する（後に詳述）。カソード２５は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zincum Oxide）等の透光性の導電材で構成することができる。
【００２３】
発光素子層５がＯＬＥＤ層である場合、アノード２２およびカソード２５間の駆動電流によって正孔と電子がＥＬ層２４内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に落ちることによって、光が放出される。カソード２５が透光性であり、アノード２２が光反射性であるため、ＥＬ層２４から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。
【００２４】
発光素子層５は、ＯＬＥＤ素子を構成する場合に限られず、無機発光ダイオードあるいは量子ドット発光ダイオードを構成してもよい。
【００２５】
封止層６は透光性であり、カソード２５を覆う第１無機封止膜２６と、第１無機封止膜２６よりも上側に形成される有機封止膜２７と、有機封止膜２７を覆う第２無機封止膜２８とを含む。発光素子層５を覆う封止層６は、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防いでいる。
【００２６】
第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８はそれぞれ、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜２７は、第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８よりも厚い、透光性有機膜であり、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
【００２７】
下面フィルム１０は、支持基板を剥離した後に樹脂層１２の下面に貼り付けることで、柔軟性に優れた表示デバイスを実現するためのものであり、その材料としては、ＰＥＴ等が挙げられる。機能フィルム３９は、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能等を有する。
【００２８】
以上、フレキシブルな表示デバイスを製造する場合について説明したが、非フレキシブルな表示デバイスを製造する場合は、基板の付け替え等が不要であるため、例えば、図１のステップＳ５からステップＳ９に移行する。
【００２９】
〔実施形態１〕
図４は、実施形態１の表示デバイスの周縁を示すものであり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ’ラインでの断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ’ラインでの断面図である。図５は、表示デバイスの非アクティブ領域の折り曲げ例を示す断面図である。
【００３０】
図４・図５に示すように、表示デバイス２の周縁（非表示領域）ＮＡは、下面フィルム１０、樹脂層１２、バリア層３、無機絶縁膜１６・１８・２０、補強膜ＥＺ、発光素子層５の下地となる平坦化膜２１、端子配線ＴＷ、および端子ＴＭを含み、この周縁ＮＡには折り曲げ部ＣＬが設けられる。端子ＴＭは、折り曲げ部ＣＬを通る端子配線ＴＷによって表示領域ＤＡに接続される。補強膜ＥＺは、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材で構成され、無機絶縁膜２０よりも上層かつ平坦化膜２１よりも下層に形成される。図５に示すように、表示デバイス２は、折り曲げ部ＣＬで１８０度折り曲げられ、これによって下面側に配された端子ＴＭと電子回路基板５０（ＩＣチップやフレキシブルプリント基板）とが接続される。
【００３１】
図４に示すように、折り曲げ部ＣＬでは、下面フィルム１０、バリア層３、無機絶縁膜１６・１８・２０が貫かれている。具体的には、下面フィルム１０に貫き部Ｎｘが形成され、バリア層３に貫き部Ｎａが形成され、無機絶縁膜１６（第１絶縁膜）に貫き部Ｎｂが形成され、無機絶縁膜１８（第２絶縁膜）に貫き部Ｎｃが形成され、無機絶縁膜２０（第３絶縁膜）に貫き部Ｎｄが形成され、平面視においては、貫き部Ｎｘ・Ｎｂ・Ｎｃ・Ｎｄが整合し、折り曲げ部ＣＬに整合する貫き部Ｎａが、貫き部Ｎｘ・Ｎｂ・Ｎｃ・Ｎｄの内側に位置する。第４配線ＷＳ４は、貫き部Ｎａ（第１スリット）および貫き部Ｎｂ・Ｎｃ・Ｎｄ（第２スリットＳＳ）を通り、補強膜ＥＺは、貫き部Ｎａ（第１スリット）および貫き部Ｎｂ・Ｎｃ・Ｎｄ（第２スリットＳＳ）によって生じる空間に設けられる。
【００３２】
端子配線ＴＷは、折り曲げ部ＣＬの両側に位置する第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２と、折り曲げ部ＣＬを通り、第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２それぞれと電気的に接続する第３配線ＷＳ３と、補強膜ＥＺ（可撓性絶縁膜）を介して第３配線ＷＳ３と重畳し、第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２それぞれと電気的に接続する第４配線ＷＳ４とを含む。
【００３３】
具体的には、第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２は、ＴＦＴ層４に含まれるゲート電極ＧＥ（図２参照）と同層に形成され、第３配線ＷＳ３は、ＴＦＴ層４に含まれるソース配線ＳＨ（図２参照）および端子ＴＭと同層に形成され、第４配線ＷＳ４は、ＴＦＴ層４に含まれる容量電極ＣＥ（図２参照）と同層（端子ＴＭよりも下層でゲート電極ＧＥよりも上層）に形成されている。第３配線ＷＳ３は第４配線ＷＳ４よりも幅広であり、平面視においては、第３配線ＷＳ３のエッジ内に第４配線ＷＳ４が位置する。
【００３４】
第３配線ＷＳ３は、折り曲げ部ＣＬの一方の側から、補強膜ＥＺ上を通って折り曲げ部ＣＬの他方の側へ到り、折り曲げ部ＣＬにおいては、補強膜ＥＺおよび平坦化膜２１で挟まれている。第４配線ＷＳ４は、折り曲げ部ＣＬの一方の側から、貫き部Ｎａ・Ｎｂ・Ｎｃを通って折り曲げ部ＣＬの他方の側へ到り、折り曲げ部ＣＬにおいては、樹脂層１２および補強膜ＥＺで挟まれている。補強膜ＥＺおよび平坦化膜２１は同一の有機材料（例えば、ポリイミド）で構成してもよい。
【００３５】
第４配線ＷＳ４は、その一端が、無機絶縁膜１８に形成されたコンタクトホールＨｃ１によって第１配線ＷＳ１に接続されるとともに、無機絶縁膜２０に形成されたコンタクトホールＨｄ１によって第３配線ＷＳ３の一端に接続される。第４配線ＷＳ４の他端は、無機絶縁膜１８に形成されたコンタクトホールＨｃ２によって第２配線ＷＳ２に接続されるとともに、無機絶縁膜２０に形成されたコンタクトホールＨｄ２によって第３配線ＷＳ３の他端に接続される。
【００３６】
平面視においては、貫き部Ｎｂ・Ｎｃ・Ｎｄからなる第２スリットＳＳの開口の内側に貫き部Ｎａ（第１スリット）の開口が配され、第２スリットＳＳにおいて第４配線ＷＳ４がバリア層３に接する。
【００３７】
図６は、実施形態１におけるＴＦＴ層の形成例を示すフローチャートである。図１のステップＳ１に次いでステップＳ２ではバリア層３を形成する。次のステップＳ３ａでは、半導体膜１５（図２参照）を形成する。次のステップＳ３ｂでは、無機絶縁膜１６を形成する。次のステップＳ３ｃでは、ゲート電極、第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２を形成する。次のステップＳ３ｄでは、無機絶縁膜１８を形成する。次のステップＳ３ｅでは、容量電極ＣＥ（図２参照）および第４配線ＷＳ４を形成する。次のステップＳ３ｆでは、無機絶縁膜２０を形成する。次のステップＳ３ｇでは、補強膜ＥＺを形成する。次のステップＳ３ｈでは、ソース配線ＳＨ（図２参照）、第３配線ＷＳ３および端子ＴＭを形成する。次のステップＳ３ｉでは、平坦化膜２１を形成する（この後の工程は図１を参照）。なお、貫き部Ｎｂ・Ｎｃの形成（パターニング）は連続プロセスで行ってもよい。
【００３８】
図７は、表示デバイス製造装置の構成を示すブロック図である。図７に示すように、表示デバイス製造装置７０は、成膜装置７６と、折り曲げ装置７７と、実装装置８０と、これらの装置を制御するコントローラ７２とを含んでおり、成膜装置７６が図６のステップＳ３ａ〜Ｓ３ｉを行い、折り曲げ装置７７が図１のステップＳ１０を行い、実装装置８０が図１のステップＳ１２を行う。
【００３９】
実施形態１では、端子配線ＴＷが、折り曲げ部ＣＬを通る第３配線ＷＳ３および第４配線ＷＳ４を含んでいるため、仮に第３配線ＷＳ３が破断しても、第４配線ＷＳ４によって第１配線ＷＳ１から第２配線ＷＳ２への電気的な経路を維持することができ、端子配線ＴＷが折り曲げ部ＣＬで断線するおそれが低減する。
【００４０】
また、ＣＶＤ法で形成される（緻密で硬い）バリア層３および無機絶縁膜１６・１８・２０が折り曲げ部ＣＬにおいて貫かれているため、折り曲げ時の応力が低減し、第３配線ＷＳ３および第４配線ＷＳ４の破断が生じにくい。
【００４１】
また、折り曲げ部ＣＬの第３配線ＷＳ３および第４配線ＷＳ４それぞれが、ＣＶＤ形成の無機材料よりも可撓性の高い塗付形成の有機材料で挟まれているため、第３配線ＷＳ３および第４配線ＷＳ４の破断が生じにくい。
【００４２】
〔実施形態２〕
実施形態１では第４配線ＷＳ４を容量電極と同層に設けているがこれに限定されない。図８は、実施形態２の表示デバイスの周縁を示すものであり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ’ラインでの断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ’ラインでの断面図である。図９は、表示デバイスの非アクティブ領域の折り曲げ例を示す断面図である。
【００４３】
図８・図９に示すように、実施形態２の端子配線ＴＷは、折り曲げ部ＣＬの両側に位置する第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２と、折り曲げ部ＣＬを通り、第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２それぞれと電気的に接続する第３配線ＷＳ３と、平坦化膜２１（可撓性絶縁膜）を介して第３配線ＷＳ３と重畳し、第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２それぞれと電気的に接続する第４配線ＷＳ４とを含む。
【００４４】
具体的には、第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２は、ＴＦＴ層４に含まれるゲート電極ＧＥ（図２参照）と同層に形成され、第３配線ＷＳ３は、ＴＦＴ層４に含まれるソース配線ＳＨ（図２参照）および端子ＴＭと同層に形成され、第４配線ＷＳ４は、発光素子層５のアノード２２と同層に、同一材料にて形成されている。第３配線ＷＳ３は第４配線ＷＳ４よりも幅広であり、平面視においては、第３配線ＷＳ３のエッジ内に第４配線ＷＳ４が位置する。
【００４５】
第３配線ＷＳ３は、折り曲げ部ＣＬの一方の側から、補強膜ＥＺ上を通って折り曲げ部ＣＬの他方の側へ到り、折り曲げ部ＣＬにおいては、補強膜ＥＺと平坦化膜２１とで挟まれている。第４配線ＷＳ４は、折り曲げ部ＣＬの一方の側から、平坦化膜２１上を通って折り曲げ部ＣＬの他方の側へ到り、折り曲げ部ＣＬにおいては、平坦化膜２１と、バンク（アノードエッジカバー）２３（図２参照）と同層の有機絶縁膜２３ｚとで挟まれている。補強膜ＥＺ、平坦化膜２１および有機絶縁膜２３ｚは同一の有機材料（例えば、ポリイミド）で構成してもよい。
【００４６】
第３配線ＷＳ３は、その一端が、無機絶縁膜１８に形成されたコンタクトホールＨｃ１と、無機絶縁膜２０に形成され、コンタクトホールＨｃ１に連通するコンタクトホールＨｄ１とによって第１配線ＷＳ１に接続されるとともに、平坦化膜２１に形成されたコンタクトホールＨｅ１によって第４配線ＷＳ４の一端に接続され、第３配線ＷＳ３の他端は、無機絶縁膜１８に形成されたコンタクトホールＨｃ２と、無機絶縁膜２０に形成され、コンタクトホールＨｃ２に連通するコンタクトホールＨｄ２とによって第２配線ＷＳ２に接続されるとともに、平坦化膜２１に形成されたコンタクトホールＨｅ２によって第４配線ＷＳ４の他端に接続される。
【００４７】
図１０は、実施形態２におけるＴＦＴ層の形成例を示すフローチャートである。図１のステップＳ１に次いでステップＳ２ではバリア層３を形成する。次のステップＳ３ａでは、半導体膜１５（図２参照）を形成する。次のステップＳ３ｂでは、無機絶縁膜１６を形成する。次のステップＳ３ｃでは、ゲート電極、第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２を形成する。次のステップＳ３ｄでは、無機絶縁膜１８を形成する。次のステップＳ３ｅでは、容量電極ＣＥ（図２参照）を形成する。次のステップＳ３ｆでは、無機絶縁膜２０を形成する。次のステップＳ３ｇでは、補強膜ＥＺを形成する。次のステップＳ３ｈでは、ソース配線ＳＨ（図２参照）、第３配線ＷＳ３および端子ＴＭを形成する。次のステップＳ３ｉでは、平坦化膜２１を形成する。次のステップＳ３ｊでは、アノード２２（図２参照）および第４配線ＷＳ４を形成する。次のステップＳ３ｋでは、バンク２３と同層の有機絶縁膜２３ｚを形成する（この後の工程は図１を参照）。なお、貫き部Ｎｂ・Ｎｃ・Ｎｄの形成（パターニング）は連続プロセスで行ってもよい。
【００４８】
〔実施形態３〕
第４配線ＷＳ４を、第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２と同層に設けることもできる。図１１は、実施形態３の表示デバイスの周縁を示す断面図である。
【００４９】
図１１に示すように、実施形態３の端子配線ＴＷは、折り曲げ部ＣＬの両側に位置する第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２と、折り曲げ部ＣＬを通り、第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２それぞれと電気的に接続する第３配線ＷＳ３と、補強膜ＥＺ（可撓性絶縁膜）を介して第３配線ＷＳ３と重畳し、第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２それぞれと電気的に接続する第４配線ＷＳ４とを含む。
【００５０】
具体的には、第１配線ＷＳ１、第２配線ＷＳ２および第４配線ＷＳ４は、ＴＦＴ層４に含まれるゲート電極ＧＥ（図２参照）と同層に形成され、第３配線ＷＳ３は、ＴＦＴ層４に含まれるソース配線ＳＨ（図２参照）および端子ＴＭと同層に形成されている。
【００５１】
第３配線ＷＳ３は、折り曲げ部ＣＬの一方の側から、補強膜ＥＺ上を通って折り曲げ部ＣＬの他方の側へ到り、折り曲げ部ＣＬにおいては、補強膜ＥＺおよび平坦化膜２１で挟まれている。第４配線ＷＳ４は、折り曲げ部ＣＬの一方の側から、貫き部Ｎａ・Ｎｂを通って折り曲げ部ＣＬの他方の側へ到り、折り曲げ部ＣＬにおいては、樹脂層１２および補強膜ＥＺで挟まれている。補強膜ＥＺおよび平坦化膜２１は同一の有機材料（例えば、ポリイミド）で構成してもよい。
【００５２】
第３配線ＷＳ３は、その一端が、無機絶縁膜１８に形成されたコンタクトホールＨｃ１と、無機絶縁膜２０に形成され、コンタクトホールＨｃ１に連通するコンタクトホールＨｄ１とによって第１配線ＷＳ１および第４配線ＷＳ４の一端に接続され、第３配線ＷＳ３の他端は、無機絶縁膜１８に形成されたコンタクトホールＨｃ２と、無機絶縁膜２０に形成され、コンタクトホールＨｃ２に連通するコンタクトホールＨｄ２とによって第２配線ＷＳ２および第４配線ＷＳ４の他端に接続される。
【００５３】
図１２は、実施形態３におけるＴＦＴ層の形成例を示すフローチャートである。図１のステップＳ１に次いでステップＳ２ではバリア層３を形成する。次のステップＳ３ａでは、半導体膜１５（図２参照）を形成する。次のステップＳ３ｂでは、無機絶縁膜１６を形成する。次のステップＳ３ｃでは、ゲート電極、第１配線ＷＳ１、第２配線ＷＳ２および第４配線ＷＳ４を形成する。次のステップＳ３ｄでは、無機絶縁膜１８を形成する。次のステップＳ３ｅでは、容量電極ＣＥ（図２参照）を形成する。次のステップＳ３ｆでは、無機絶縁膜２０を形成する。次のステップＳ３ｇでは、補強膜ＥＺを形成する。次のステップＳ３ｈでは、ソース配線ＳＨ（図２参照）、第３配線ＷＳ３および端子ＴＭを形成する。次のステップＳ３ｉでは、平坦化膜２１を形成する（この後の工程は図１を参照）。なお、貫き部Ｎｃ・Ｎｄの形成（パターニング）は連続プロセスで行ってもよい。
【００５４】
〔まとめ〕
本実施形態にかかる表示デバイスが備える電気光学素子（電流によって輝度や透過率が制御される電気光学素子）は特に限定されるものではない。本実施形態にかかる表示装置としては、例えば、電気光学素子としてＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えた有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、電気光学素子として無機発光ダイオードを備えた無機ＥＬディスプレイ、電気光学素子としてＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えたＱＬＥＤディスプレイ等が挙げられる。
【００５５】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
【００５６】
〔態様１〕
樹脂層と、前記樹脂層よりも上層のＴＦＴ層と、前記ＴＦＴ層よりも上層の発光素子層とを備え、周縁に折り曲げ部が設けられている表示デバイスであって、
前記ＴＦＴ層の端子に接続し、前記折り曲げ部を通る端子配線を有し、
前記端子配線は、前記折り曲げ部の両側に位置する第１配線および第２配線と、前記折り曲げ部を通り、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第３配線と、前記第３配線とは異なる層に形成され、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第４配線とを含む表示デバイス。
【００５７】
〔態様２〕
前記第４配線は、可撓性絶縁膜を介して前記第３配線と重畳する例えば態様１記載の表示デバイス。
【００５８】
〔態様３〕
前記ＴＦＴ層には複数の無機絶縁膜が含まれ、
前記折り曲げ部では、前記複数の無機絶縁膜が貫かれている例えば態様２記載の表示デバイス。
【００５９】
〔態様４〕
前記樹脂層と前記ＴＦＴ層との間にバリア層を備え、
前記折り曲げ部には、前記バリア層が貫かれて形成される第１スリットが設けられている例えば態様３に記載の表示デバイス。
【００６０】
〔態様５〕
前記折り曲げ部には、前記複数の無機絶縁膜が貫かれて形成される第２スリットが、前記第１スリットに重なるように設けられ、
前記第１スリットおよび前記第２スリットを埋めるように補強膜が形成されている例えば態様４に記載の表示デバイス。
【００６１】
〔態様６〕
前記折り曲げ部においては、前記第３配線が前記補強膜と前記発光素子層の下地となる平坦化膜とで挟まれている例えば態様５に記載の表示デバイス。
【００６２】
〔態様７〕
前記補強膜および前記平坦化膜が同一の有機材料で構成されている例えば態様６に記載の表示デバイス。
【００６３】
〔態様８〕
前記第３配線は、前記端子と同層に形成されている例えば態様６に記載の表示デバイス。
【００６４】
〔態様９〕
前記第１配線および前記第２配線が、前記ＴＦＴ層に含まれるゲート電極と同層に形成されている例えば態様８に記載の表示デバイス。
【００６５】
〔態様１０〕
前記第４配線は、前記ＴＦＴ層のゲート電極よりも上層かつ前記端子よりも下層に形成されている例えば態様９に記載の表示デバイス。
【００６６】
〔態様１１〕
前記第４配線は、前記第１スリットおよび前記第２スリットを通る例えば態様１０に記載の表示デバイス。
【００６７】
〔態様１２〕
前記第１スリットにおいて、前記第４配線と前記樹脂層とが接する例えば態様１１に記載の表示デバイス。
【００６８】
〔態様１３〕
前記折り曲げ部においては、前記第４配線が前記樹脂層と前記補強膜とで挟まれている例えば態様１２に記載の表示デバイス。
【００６９】
〔態様１４〕
平面視においては前記第２スリットの開口の内側に前記第１スリットの開口が配され、
前記第２スリットにおいて前記第４配線が前記バリア層に接する例えば態様１１に記載の表示デバイス。
【００７０】
〔態様１５〕
前記複数の無機絶縁膜は、第１絶縁膜、第２絶縁膜、および第３絶縁膜であり、
前記第３配線は、前記ＴＦＴ層のソース電極と同層に形成され、
前記第１絶縁膜は、前記バリア層よりも上層かつ前記第１配線および第２配線よりも下層に形成され、
前記第２絶縁膜は、前記第１配線および第２配線よりも上層かつ前記第４配線よりも下層に形成され、
前記第３絶縁膜は、前記第４配線よりも上層かつ前記第３配線よりも下層に形成され、
前記折り曲げ部の両側において前記第２絶縁膜に形成された２つのコンタクトホールの一方によって前記第１配線および前記第４配線が接触し、他方によって前記第２配線および前記第４配線が接触し、
前記折り曲げ部の両側において前記第３絶縁膜に形成された２つのコンタクトホールそれぞれによって前記第３配線および前記第４配線が接触する例えば態様１１に記載の表示デバイス。
【００７１】
〔態様１６〕
前記第４配線は、前記発光素子層に含まれる下側電極と同層に形成されている例えば態様９に記載の表示デバイス。
【００７２】
〔態様１７〕
前記折り曲げ部においては、前記第４配線が、前記平坦化膜と、前記発光素子層のアノードエッジカバーと同層の絶縁膜とで挟まれている例えば態様１６に記載の表示デバイス。
【００７３】
〔態様１８〕
前記第４配線は、前記第１配線および前記第２配線と同層に形成されている例えば態様９に記載の表示デバイス。
【００７４】
〔態様１９〕
前記発光素子層がトップエミッション型であり、
前記折り曲げ部で折り曲げられることによって下面側に配された前記端子と電子回路基板とが接続される例えば態様１〜１８のいずれか１項に記載の表示デバイス。
【００７５】
〔態様２０〕
樹脂層と、前記樹脂層よりも上層のＴＦＴ層と、前記ＴＦＴ層よりも上層の発光素子層とを備え、周縁に折り曲げ部が設けられている表示デバイスの製造方法であって、
前記折り曲げ部の両側に位置する第１配線および第２配線を形成する工程と、前記折り曲げ部を通り、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第３配線を形成する工程と、前記第３配線とは異なる層に配され、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第４配線を形成する工程とを含む表示デバイスの製造方法。
【００７６】
〔態様２１〕
樹脂層と、前記樹脂層よりも上層のＴＦＴ層と、前記ＴＦＴ層よりも上層の発光素子層とを備え、周縁に折り曲げ部が設けられている表示デバイスの製造装置であって、
前記折り曲げ部の両側に位置する第１配線および第２配線を形成する工程と、前記折り曲げ部を通り、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第３配線を形成する工程と、前記第３配線とは異なる層に配され、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第４配線を形成する工程とを行う表示デバイスの製造装置。
【符号の説明】
【００７７】
２    表示デバイス
３    バリア層
４    ＴＦＴ層
５    発光素子層
６    封止層
１２  樹脂層
１６・１８・２０  無機絶縁膜
２１  平坦化膜
２３  バンク（アノードエッジカバー）
２３ｚ  有機絶縁膜
２４  ＥＬ層
７０  表示デバイス製造装置
ＥＺ  補強膜
ＴＭ  端子
ＴＷ  端子配線
ＷＳ１〜ＷＳ４  第１配線〜第４配線
【図１】
2019021466.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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