(57)【要約】  キャパシタは、下部電極（２１）と、下部電極（２２）と、下部電極（２１）の第１領域に対向配置された上部電極（４１）と、下部電極（２１）の第２領域に対向配置された上部電極（４２）と、下部電極（２２）の第３領域に対向配置された上部電極（４３）と、下部電極（２１）が設けられた層とは別の層に設けられ、下部電極（２１）の第１領域と下部電極（２１）の第２領域とに接続される補助電極（６１）と、上部電極（４２，４３）が設けられた層とは別の層に設けられ、上部電極（４２）と上部電極（４３）とに接続される引出電極（７１，７２）と、を備え、引出電極（７１）と引出電極（７２）とは互いに並列に接続され、引出電極（７１）と引出電極（７２）は、平面視で、補助電極（６１）を挟む位置に設けられる。
2019225043.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１下部電極と、
第２下部電極と、
第３下部電極と、
前記第１下部電極に対向配置された第１上部電極と、
前記第１下部電極と前記第１上部電極との間に配置された第１誘電体層と、
前記第２下部電極に対向配置された第２上部電極と、
前記第２下部電極と前記第２上部電極との間に配置された第２誘電体層と、
前記第３下部電極に対向配置された第３上部電極と、
前記第３下部電極と前記第３上部電極との間に配置された第３誘電体層と、
前記第１下部電極および前記第２下部電極が設けられた層とは別の層に設けられ、前記第１下部電極と前記第２下部電極とに接続される補助電極と、
前記第２上部電極および前記第３上部電極が設けられた層とは別の層に設けられ、前記第２上部電極と前記第３上部電極とに接続される第１引出電極および第２引出電極と、を備え、
前記第１引出電極と前記第２引出電極とは互いに並列に接続され、
前記第１引出電極と前記第２引出電極は、平面視で、前記補助電極を挟む位置に設けられる、キャパシタ。
【請求項２】
平面視で前記第２上部電極と重なる位置に、前記第１引出電極と前記第２上部電極とを接続する、第１層間接続導体および第２層間接続導体をさらに備え、
前記第２上部電極は長手方向と短手方向とを有し、
前記第１層間接続導体と前記第２層間接続導体とは、前記第２上部電極の長手方向において互いに異なる位置に配置されている、請求項１に記載のキャパシタ。
【請求項３】
平面視で前記第３上部電極と重なる位置に、前記第１引出電極と前記第３上部電極とを接続する第３層間接続導体をさらに備える、請求項１又は２に記載のキャパシタ。
【請求項４】
平面視で、前記第１引出電極が前記第２上部電極に重なる面積は、前記第２引出電極が前記第２上部電極に重なる面積より大きい、請求項１から３の何れかに記載のキャパシタ。
【請求項５】
前記第１引出電極および前記第２引出電極のシート抵抗は、前記第２上部電極又は前記第３上部電極のシート抵抗より低い、請求項１から４の何れかに記載のキャパシタ。
【請求項６】
前記第１引出電極と前記第２引出電極とは同じ層に設けられる、請求項１から５の何れかに記載のキャパシタ。
【請求項７】
前記補助電極は前記第１引出電極又は前記第２引出電極と同じ層に設けられる、請求項１から６の何れかに記載のキャパシタ。
【請求項８】
平面視で前記第２上部電極と重なる位置に、前記第２引出電極と前記第２上部電極とを接続する、第４層間接続導体および第５層間接続導体をさらに備える、請求項２に記載のキャパシタ。
【請求項９】
平面視で、前記第２上部電極の短手方向のうち前記第３上部電極から前記第２上部電極に向かう方向と、前記第４層間接続導体から前記第５層間接続導体に向かう方向との成す角は、前記第２上部電極の短手方向のうち前記第３上部電極から前記第２上部電極に向かう方向と、前記第１層間接続導体から前記第２層間接続導体に向かう方向との成す角より小さい、請求項８に記載のキャパシタ。
【請求項１０】
前記第１下部電極と前記第２下部電極とは同一層で連続している、請求項１から９の何れかに記載のキャパシタ。
【請求項１１】
前記第１下部電極と前記第２下部電極とは分離されている、請求項１から９の何れかに記載のキャパシタ。
【請求項１２】
前記第１下部電極と前記第１上部電極との間に配置された第１中間電極と、
前記第２下部電極と前記第２上部電極との間に配置された第２中間電極と、をさらに備え、
前記第１誘電体層は、複数設けられ、前記第１下部電極と前記第１中間電極との間および前記第１中間電極と前記第１上部電極との間に配置され、
前記第２誘電体層は、複数設けられ、前記第２下部電極と前記第２中間電極との間および前記第２中間電極と前記第２上部電極との間に配置され、
前記第１誘電体層および前記第２誘電体層は強誘電体層であり、
前記第１下部電極と前記第１中間電極との間に印加される電圧、および前記第１中間電極と前記第１上部電極との間に印加される電圧によって、前記第１下部電極と前記第１上部電極との間の容量が変化し、
前記第２下部電極と前記第２中間電極との間に印加される電圧、および前記第２中間電極と前記第２上部電極との間に印加される電圧によって、前記第２下部電極と前記第２上部電極との間の容量が変化する、請求項１から１１の何れかに記載のキャパシタ。
【請求項１３】
前記第２上部電極は、前記第２上部電極の長手方向において前記第１層間接続導体と前記第２層間接続導体との間に形成される切欠部を有する、請求項２、８又は９の何れかに記載のキャパシタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器に組み込まれるキャパシタに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のキャパシタとして、例えば、特許文献１に記載のものがある。当該キャパシタは、第１上部電極、第２上部電極、第１誘電体層、第２誘電体層、下部電極および補助電極を備える。第１上部電極は第１誘電体層を介して下部電極の第１領域に対向配置されている。第２上部電極は第２誘電体層を介して下部電極の第２領域に対向配置されている。補助電極は、下部電極が設けられた層とは別の層に設けられ、下部電極の第１領域と下部電極の第２領域とに接続されている。当該キャパシタによれば、下部電極に対して補助電極が並列接続されるので、下部電極と補助電極とによる実効的なシート抵抗が低下する。これよりＥＳＲ（等価直列抵抗）が効果的に低減される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１６／１３６５６４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
直列接続された３つ以上の容量素子を利用したい場合、第１上部電極および第２上部電極を下部電極に対向配置する上記構造体に加えて、さらに少なくとも１対の上部電極と下部電極を有するキャパシタを用意し、上記構造体とキャパシタを接続する必要がある。しかし、接続の仕方によっては、ＥＳＲが増大して特性が低下する場合がある。【０００５】
本発明の目的は、ＥＳＲを効果的に低減した、３つ以上の容量素子を有するキャパシタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のキャパシタは、第１下部電極と、第２下部電極と、第３下部電極と、前記第１下部電極に対向配置された第１上部電極と、前記第１下部電極と前記第１上部電極との間に配置された第１誘電体層と、前記第２下部電極に対向配置された第２上部電極と、前記第２下部電極と前記第２上部電極との間に配置された第２誘電体層と、前記第３下部電極に対向配置された第３上部電極と、前記第３下部電極と前記第３上部電極との間に配置された第３誘電体層と、前記第１下部電極および前記第２下部電極が設けられた層とは別の層に設けられ、前記第１下部電極と前記第２下部電極とに接続される補助電極と、前記第２上部電極および前記第３上部電極が設けられた層とは別の層に設けられ、前記第２上部電極と前記第３上部電極とに接続される第１引出電極および第２引出電極と、を備え、前記第１引出電極と前記第２引出電極とは互いに並列に接続され、前記第１引出電極と前記第２引出電極は、平面視で、前記補助電極を挟む位置に設けられる。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、ＥＳＲを効果的に低減した、３つ以上の容量素子を有するキャパシタが得られる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は本実施形態に係るキャパシタ１０の斜視図である。
【図２】図２はキャパシタ１０の概略分解斜視図である。
【図３】図３は容量形成層１３の概略分解斜視図である。
【図４】図４は容量形成層１３の平面図である。
【図５】図５は第１電極層１４の平面図である。
【図６】図６は抵抗配線層１５の平面図である。
【図７】図７は第２電極層１６の平面図である。
【図８】図８はキャパシタ１０のＡ−Ａ断面図である。
【図９】図９はキャパシタ１０の内部の回路図である。
【図１０】図１０は、容量形成層１３に電圧を印加する経路を示す概念図である。
【図１１】図１１はキャパシタ１０の主要部の簡略分解斜視図である。
【図１２】図１２は容量形成層１３および第１電極層１４の平面図である。
【図１３】図１３は、入出力用の端子Ｐ１，Ｐ２間に流れる電流により生じる磁束を例示する平面図である。
【図１４】図１４（Ａ）は、容量素子の充電時に流れる電流を例示する概念図である。図１４（Ｂ）は、容量素子の放電時に流れる電流を例示する概念図である。
【図１５】図１５（Ａ）は、本実施形態に係る上部電極に流れる電流を例示する平面図である。図１５（Ｂ）は、比較例に係る上部電極に流れる電流を例示する平面図である。
【図１６】図１６は、本実施形態の第１変形例に係る容量形成層の平面図である。
【図１７】図１７は、本実施形態の第２変形例に係る容量形成層１３、補助電極６１，６２および引出電極７１，２５２の平面図である。
【図１８】図１８は、本実施形態の第３変形例に係る容量形成層１３、補助電極６１，６２および引出電極２６１，２６２の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各々の実施形態では、既に説明した実施形態と異なる点について説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
【００１０】
また、以下、本明細書で、「平面視」という場合には、キャパシタ１０の平面視、あるいは基板１１の平面視、あるいは絶縁層１２の平面視、あるいは容量形成層１３の平面視、あるいは第１電極層１４の平面視、あるいは抵抗配線層１５の平面視、あるいは第２電極層１６の平面視を意味するものとする。
【００１１】
図１は本実施形態に係るキャパシタ１０の斜視図である。図２はキャパシタ１０の概略分解斜視図であり、図３は容量形成層１３の概略分解斜視図である。図４は容量形成層１３の平面図であり、図５は第１電極層１４の平面図である。図６は抵抗配線層１５の平面図であり、図７は第２電極層１６の平面図である。そして、図８はキャパシタ１０のＡ−Ａ断面図である。
【００１２】
本明細書では、キャパシタの各層が積層された方向をＺ軸方向とし、上部電極の長手方向をＸ軸方向とし、上部電極の短手方向をＹ軸方向とする。
【００１３】
図１に示すように、キャパシタ１０は、基板１１、絶縁層１２および接続電極１３１，１３２，１３３，１３４を備える。絶縁層１２は基板１１の上面に設けられる。絶縁層１２は後述のように複数層で構成されている。接続電極１３１〜１３４は絶縁層１２の上面に露出している。
【００１４】
図２に示すように、キャパシタ１０は、容量形成層１３、第１電極層１４、抵抗配線層１５および第２電極層１６を備える。容量形成層１３、第１電極層１４、抵抗配線層１５および第２電極層１６は絶縁層１２（図１参照）で封止されている。
【００１５】
図３に示すように、容量形成層１３には、下部電極２１，２２、中間電極３１，３２，３３，３４および上部電極４１，４２，４３，４４が設けられる。下部電極２１は、平面視で、中間電極３１および上部電極４１に対向する領域ＺＥ１と、中間電極３２および上部電極４２に対向する領域ＺＥ２とを有する（図４参照）。下部電極２２は、平面視で、中間電極３３および上部電極４３に対向する領域ＺＥ３と、中間電極３４および上部電極４４に対向する領域ＺＥ４とを有する（図４参照）。下部電極２１の領域ＺＥ１と下部電極２１の領域ＺＥ２とは同一層で連続している。下部電極２２の領域ＺＥ３と下部電極２２の領域ＺＥ４とは同一層で連続している。
【００１６】
下部電極２１の領域ＺＥ１は本発明の「第１下部電極」の一例である。下部電極２１の領域ＺＥ２は本発明の「第２下部電極」の一例である。下部電極２２の領域ＺＥ３は本発明の「第３下部電極」の一例である。上部電極４１は本発明の「第１上部電極」の一例である。上部電極４２は本発明の「第２上部電極」の一例である。上部電極４３は本発明の「第３上部電極」の一例である。中間電極３１は本発明の「第１中間電極」の一例である。中間電極３２は本発明の「第２中間電極」の一例である。
【００１７】
上部電極４１は下部電極２１の領域ＺＥ１に対向配置される。上部電極４２は下部電極２１の領域ＺＥ２に対向配置される。上部電極４３は下部電極２２の領域ＺＥ３に対向配置される。上部電極４４は下部電極２２の領域ＺＥ４に対向配置される。
【００１８】
中間電極３１は下部電極２１の領域ＺＥ１と上部電極４１との間に配置される。中間電極３２は下部電極２１の領域ＺＥ２と上部電極４２との間に配置される。中間電極３３は下部電極２２の領域ＺＥ３と上部電極４３との間に配置される。中間電極３４は下部電極２２の領域ＺＥ４と上部電極４４との間に配置される。
【００１９】
図８とともに後述するように、下部電極２１の領域ＺＥ１と中間電極３１との間には誘電体層１５１の領域ＺＤ１が配置される。中間電極３１と上部電極４１の間には誘電体層１６１が配置される。下部電極２１の領域ＺＥ２と中間電極３２との間には誘電体層１５１の領域ＺＤ２が配置される。中間電極３２と上部電極４２の間には誘電体層１６２が配置される。下部電極２２の領域ＺＥ３と中間電極３３との間には誘電体層１５２の領域ＺＤ３が配置される。中間電極３３と上部電極４３の間には誘電体層１６３が配置される。下部電極２２の領域ＺＥ４と中間電極３４との間には誘電体層１５２の領域ＺＤ４が配置される。中間電極３４と上部電極４４の間には誘電体層１６４が配置される。
【００２０】
誘電体層１５１の領域ＺＤ１および誘電体層１６１は本発明の「第１誘電体層」の一例である。誘電体層１５１の領域ＺＤ２および誘電体層１６２は本発明の「第２誘電体層」の一例である。誘電体層１５２の領域ＺＤ３および誘電体層１６３は本発明の「第３誘電体層」の一例である。
【００２１】
中間電極３１と上部電極４１とが誘電体層１６１を介して対向することで容量素子Ｃ１が形成される。下部電極２１と中間電極３１とが誘電体層１５１を介して対向することで容量素子Ｃ２が形成される。下部電極２１と中間電極３２とが誘電体層１５１を介して対向することで容量素子Ｃ３が形成される。中間電極３２と上部電極４２とが誘電体層１６２を介して対向することで容量素子Ｃ４が形成される。中間電極３３と上部電極４３とが誘電体層１６３を介して対向することで容量素子Ｃ５が形成される。下部電極２２と中間電極３３とが誘電体層１５２を介して対向することで容量素子Ｃ６が形成される。下部電極２２と中間電極３４とが誘電体層１５２を介して対向することで容量素子Ｃ７が形成される。中間電極３４と上部電極４４とが誘電体層１６４を介して対向することで容量素子Ｃ８が形成される。
【００２２】
図３、図４に表れているように、容量形成層１３には、下部電極２１，２２、中間電極３１，３２，３３，３４および上部電極４１，４２，４３，４４が設けられる。また、図５に表れているように、第１電極層１４には、補助電極６１，６２、引出電極７１，７２および電極８１，８２，８３，８４，８５，８６，８７，８８が設けられる。補助電極６１，６２、引出電極７１，７２および電極８１〜８８は、互いの間隔が略一定になるように敷き詰められている。容量形成層１３と第１電極層１４との間には、層間接続導体（ビア導体）５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃ，５１Ｄ，５１Ｅ，５１Ｆ，５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｃ，５２Ｄ，５２Ｅ，５２Ｆ，５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃ，５３Ｄ，５３Ｅ，５３Ｆ，５４Ａ、５４Ｂ，５４Ｃ，５４Ｄ，５４Ｅ，５４Ｆが設けられる。容量形成層１３の下部電極２１，２２、中間電極３１〜３４および上部電極４１〜４４と、第１電極層１４の補助電極６１，６２、引出電極７１，７２および電極８１〜８６とは、層間接続導体５１Ａ〜５１Ｆ，５２Ａ〜５２Ｆ，５３Ａ〜５３Ｆ，５４Ａ〜５４Ｆにより接続される。
【００２３】
引出電極７１は本発明の「第１引出電極」の一例である。引出電極７２は本発明の「第２引出電極」の一例である。層間接続導体５２Ｅは本発明の「第１層間接続導体」の一例である。層間接続導体５２Ｆは本発明の「第２層間接続導体」の一例である。層間接続導体５３Ｅは本発明の「第３層間接続導体」の一例である。層間接続導体５２Ｃは本発明の「第４層間接続導体」の一例である。層間接続導体５２Ｄは本発明の「第５層間接続導体」の一例である。
【００２４】
補助電極６１は、下部電極２１が設けられた層とは別の層に設けられ、下部電極２１の領域ＺＥ１と下部電極２１の領域ＺＥ２とに接続される。補助電極６１は下部電極２１に対して並列接続される。補助電極６１のシート抵抗（面抵抗率）は下部電極２１のシート抵抗より低い。補助電極６２は、下部電極２２が設けられた層とは別の層に設けられ、下部電極２２の領域ＺＥ３と下部電極２２の領域ＺＥ４とに接続される。補助電極６２は下部電極２２に対して並列に接続される。補助電極６２のシート抵抗は下部電極２２のシート抵抗より低い。補助電極６１，６２は引出電極７１又は７２と同じ層に設けられる。
【００２５】
引出電極７１，７２は、上部電極４２，４３が設けられた層とは別の層に設けられ、上部電極４２と上部電極４３とに接続される。本実施形態においては、引出電極７１、７２は、上部電極４２，４３が設けられた層に対し、下部電極２１，２２が設けられた側とは反対側の層に設けられる。引出電極７１と引出電極７２とは互いに並列に接続される。引出電極７１と引出電極７２は、平面視で（Ｚ軸方向から見て）、補助電極６１を挟む位置に設けられる。引出電極７１と引出電極７２とは同じ層に設けられる。
【００２６】
層間接続導体５１Ａは補助電極６１と下部電極２１の領域ＺＥ１とを接続する。層間接続導体５２Ａは補助電極６１と下部電極２１の領域ＺＥ２とを接続する。この構成により、補助電極６１と下部電極２１は並列接続される。層間接続導体５３Ａは補助電極６２と下部電極２２の領域ＺＥ３とを接続する。層間接続導体５４Ａは補助電極６２と下部電極２２の領域ＺＥ４とを接続する。この構成により、補助電極６２と下部電極２２は並列接続される。
【００２７】
層間接続導体５２Ｅ，５２Ｆは上部電極４２と引出電極７１とを接続する。層間接続導体５３Ｅ，５３Ｆは上部電極４３と引出電極７１とを接続する。層間接続導体５２Ｃ，５２Ｄは上部電極４２と引出電極７２とを接続する。層間接続導体５３Ｃ，５３Ｄは上部電極４３と引出電極７２とを接続する。この構成により、引出電極７１と引出電極７２は並列接続される。引出電極７１，７２のシート抵抗は上部電極４２又は上部電極４３のシート抵抗より低い。
【００２８】
上部電極４２に複数の層間接続導体５２Ｃ，５２Ｄ，５２Ｅ，５２Ｆが接続される。これにより、上部電極４２に流れる電流が抑制されるので、容量素子Ｃ４のＥＳＲが低減される。同様に、容量素子Ｃ１，Ｃ５，Ｃ８のＥＳＲが低減される。
【００２９】
中間電極３１，３２，３３，３４は、それぞれ、開口部１９１，１９２，１９３，１９４を有する。上部電極４１，４２，４３，４４は、それぞれ、開口部２０１，２０２，２０３，２０４を有する。上部電極４１〜４４は、それぞれ、切欠部２１１，２１２，２１３，２１４を有する。
【００３０】
層間接続導体５１Ａは上部電極４１の開口部２０１および中間電極３１の開口部１９１を通って下部電極２１に接続される。層間接続導体５２Ａは上部電極４２の開口部２０２および中間電極３２の開口部１９２を通って下部電極２１に接続される。層間接続導体５３Ａは上部電極４３の開口部２０３および中間電極３３の開口部１９３を通って下部電極２２に接続される。層間接続導体５４Ａは上部電極４４の開口部２０４および中間電極３４の開口部１９４を通って下部電極２２に接続される。
【００３１】
層間接続導体５１Ｂは上部電極４１の切欠部２１１を通って中間電極３１に接続される。層間接続導体５２Ｂは上部電極４２の切欠部２１２を通って中間電極３２に接続される。層間接続導体５３Ｂは上部電極４３の切欠部２１３を通って中間電極３３に接続される。層間接続導体５４Ｂは上部電極４４の切欠部２１４を通って中間電極３４に接続される。
【００３２】
図６に表れているように、抵抗配線層１５には、抵抗配線部９１，９２，９３，９４，９５，９６，９７，９８，９９，１００，１０１およびパッド部１０２Ａ，１０２Ｂ，１０２Ｃ，１０２Ｄ，１０２Ｅ，１０２Ｆ，１０２Ｇ，１０２Ｈ，１０２Ｉ，１０２Ｊ，１０２Ｋが設けられる。また、図７に表れているように、第２電極層１６には、電極１１１，１１２，１１３，１１４，１１５，１１６，１１７，１１８，１１９，１２０，１２１が設けられる。第１電極層１４と第２電極層１６とは層間接続導体５５Ａ、５５Ｂ，５５Ｃ，５５Ｄ，５５Ｅ，５５Ｆ，５５Ｇ，５５Ｈ，５５Ｉ，５５Ｊ，５５Ｋにより接続される。抵抗配線層１５と第２電極層１６とは層間接続導体５６Ａ，５６Ｂ，５６Ｃ，５６Ｄ，５６Ｅ，５６Ｆ，５６Ｇ，５６Ｈ，５６Ｉ，５６Ｊ，５６Ｋにより接続される。第２電極層１６の電極１１１，１１２，１２０，１２１の上面には接続電極１３１，１３２，１３４，１３３が設けられる（図２参照）。
【００３３】
図８に表れているように、基板１１の上面にはSiO2膜１８１が設けられる。SiO2膜１８１の上面には容量形成層１３が設けられる。容量形成層１３には、下部電極２１，２２、中間電極３１，３２，３３，３４および上部電極４１，４２，４３，４４に加えて、誘電体層１４１，１４２，１５１，１５２，１６１，１６２，１６３，１６４，１７１，１７２，１７３，１７４が設けられる。
【００３４】
SiO2膜１８１の上面には誘電体層１４１，１４２が配置される。誘電体層１４１の上面には下部電極２１が配置される。下部電極２１の上面には誘電体層１５１を介して中間電極３１，３２が配置される。中間電極３１の上面には誘電体層１６１を介して上部電極４１が配置される。上部電極４１の上面には誘電体層１７１が配置される。中間電極３２の上面には誘電体層１６２を介して上部電極４２が配置される。上部電極４２の上面には誘電体層１７２が配置される。誘電体層１４２の上面には下部電極２２が配置される。下部電極２２の上面には誘電体層１５２を介して中間電極３３，３４が配置される。中間電極３３の上面には誘電体層１６３を介して上部電極４３が配置される。上部電極４３の上面には誘電体層１７３が配置される。中間電極３４の上面には誘電体層１６４を介して上部電極４４が配置される。上部電極４４の上面には誘電体層１７４が配置される。
【００３５】
誘電体層１５１は、下部電極２１の領域ＺＥ１と中間電極３１との間に配置される領域ＺＤ１と、下部電極２１の領域ＺＥ２と中間電極３２との間に配置される領域ＺＤ２とを有する。誘電体層１５２は、下部電極２２の領域ＺＥ３と中間電極３３との間に配置される領域ＺＤ３と、下部電極２２の領域ＺＥ４と中間電極３４との間に配置される領域ＺＤ４とを有する。
【００３６】
誘電体層１４１，１４２，１５１，１５２，１６１〜１６４，１７１〜１７４は強誘電体層である。下部電極２１と中間電極３１との間に印加される電圧、および中間電極３１と上部電極４１との間に印加される電圧によって、下部電極２１と上部電極４１との間の容量が変化する。下部電極２１と中間電極３２との間に印加される電圧、および中間電極３２と上部電極４２との間に印加される電圧によって、下部電極２１と上部電極４２との間の容量が変化する。同様に、下部電極２２と中間電極３３との間に印加される電圧、および中間電極３３と上部電極４３との間に印加される電圧によって、下部電極２２と上部電極４３との間の容量が変化する。下部電極２２と中間電極３４との間に印加される電圧、および中間電極３４と上部電極４４との間に印加される電圧によって、下部電極２２と上部電極４４との間の容量が変化する。
【００３７】
誘電体層１４１，１４２はSiO2膜１８１および耐湿保護膜１８２に対する密着層として機能する。誘電体層１７１〜１７４は耐湿保護膜１８２に対する密着層として機能する。
【００３８】
容量形成層１３の上部には耐湿保護膜１８２が被覆される。耐湿保護膜１８２の上面には有機保護膜１８３が設けられる。耐湿保護膜１８２は、有機保護膜１８３から放出される水分が容量形成層１３に浸入するのを防止する。有機保護膜１８３は外部からの機械的応力を吸収する。
【００３９】
有機保護膜１８３の上部には配線膜１８４が設けられる。第１電極層１４および層間接続導体５１Ａ〜５１Ｄ，５２Ａ〜５２Ｄ，５３Ａ〜５３Ｄ，５４Ａ〜５４Ｄは配線膜１８４で構成される。配線膜１８４は耐湿保護膜１８２および有機保護膜１８３の周囲を覆うように形成される。
【００４０】
配線膜１８４の上部には層間絶縁膜１８５が設けられる。層間絶縁膜１８５の上面には抵抗配線層１５が設けられる。
【００４１】
抵抗配線層１５の上部には層間絶縁膜１８６が被覆される。層間絶縁膜１８６の上部には配線膜１８７が設けられる。第２電極層１６の電極１１１〜１２１および層間接続導体５５Ａ〜５５Ｋ，５６Ａ〜５６Ｋは配線膜１８７で構成される。配線膜１８７の上面には接続電極１３１〜１３４が設けられる。層間絶縁膜１８６の上面にはソルダーレジスト膜１８８が被覆される。接続電極１３１〜１３４はソルダーレジスト膜１８８の開口部に露出している。
【００４２】
基板１１は例えばSi基板である。下部電極２１，２２、中間電極３１，３２，３３，３４および上部電極４１，４２，４３，４４の材料はPt，Au等である。誘電体層１４１，１４２，１５１，１５２，１６１〜１６４，１７１〜１７４の材料は、(Ba,Sr)TiO3 (BST)、SrTiO3、BaTiO3、Pb(Zr,Ti)O3等のペロブスカイト化合物、SrBi4Ti4O15等のビスマス層状化合物等である。
【００４３】
配線膜１８４，１８７は例えばTi/Cu/Ti膜である。Ti層は例えば１００ｎｍに形成される。Cu層は例えば１０００ｎｍに形成される。接続電極１３１〜１３４は例えばAu/Niめっき膜から形成される。Ni層は例えば２０００ｎｍに形成される。Au層は例えば２００ｎｍに形成される。抵抗配線層１５の材料は例えばNi-Cr合金である。
【００４４】
耐湿保護膜１８２の材料は、SiNx、SiO2、Al2O3、TiO2等である。有機保護膜１８３の材料は、PBO（ポリベンゾオキサゾール）樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等である。
【００４５】
図９はキャパシタ１０の内部の回路図である。抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９，Ｒ１０，Ｒ１１は、それぞれ、抵抗配線部９１，９２，９３，９４，９５，９６，９７，９８，９９，１００，１０１に対応する。端子Ｐ１，Ｐ２は、それぞれ、接続電極１３１，１３２に対応する。端子Ｐ３は接続電極１３３又はパッド部１０２Ａに対応する。端子Ｐ４は接続電極１３４又はパッド部１０２Ｂに対応する。接続点ＰｃＣ，ＰｃＤ，ＰｃＥ，ＰｃＦ，ＰｃＧ，ＰｃＨ，ＰｃＩ，ＰｃＪ，ＰｃＫは、それぞれ、パッド部１０２Ｃ，１０２Ｄ，１０２Ｅ，１０２Ｆ，１０２Ｇ，１０２Ｈ，１０２Ｉ，１０２Ｊ，１０２Ｋに対応する。容量素子Ｃ１〜Ｃ８は、上記のように、容量形成層１３に形成されている。端子Ｐ１，Ｐ２は入出力用端子である。端子Ｐ３，Ｐ４は電圧印加用の端子である。
【００４６】
キャパシタ１０は制御電圧によって容量値が定まる可変容量キャパシタである。容量素子Ｃ１〜Ｃ８のそれぞれの両端には抵抗素子Ｒ１〜Ｒ１１を介して制御電圧が印加される。容量素子Ｃ１〜Ｃ８は、上記のように、対向する電極間に強誘電体層が挟み込まれた強誘電体キャパシタである。このため、端子Ｐ３と端子Ｐ４との間への印加電圧に応じて、端子Ｐ１と端子Ｐ２との間の容量値が定まる。
【００４７】
図１０は、容量形成層１３に電圧を印加する経路を示す概念図である。接続電極１３４（又は接続電極１３３）に電圧が印加されると、第２電極層１６、抵抗配線層１５、第２電極層１６、第１電極層１４を順番に通過する経路を介して容量形成層１３に電圧が印加される。
【００４８】
図１１はキャパシタ１０の主要部の簡略分解斜視図である。図１２は容量形成層１３および第１電極層１４の平面図である。図１２では、容量形成層１３を破線で図示している。
【００４９】
平面視で、中間電極３１〜３４および上部電極４１〜４４は略矩形状である。中間電極３１〜３４および上部電極４１〜４４は長手方向と短手方向とを有する。中間電極３１〜３４および上部電極４１〜４４は当該短手方向に整列している。
【００５０】
上記のように、層間接続導体５１Ａ，５２Ａ，５３Ａ，５４Ａは、下部電極２１，２２と補助電極６１，６２とを接続する。層間接続導体５２Ｃ，５２Ｄ，５２Ｅ，５２Ｆ，５３Ｃ，５３Ｄ，５３Ｅ，５３Ｆは上部電極４２，４３と引出電極７１，７２とを接続する。
【００５１】
平面視で、層間接続導体５２Ｃ，５２Ｄ，５２Ｅ，５２Ｆは上部電極４２に重なる。平面視で、層間接続導体５３Ｃ，５３Ｄ，５３Ｅ，５３Ｆは上部電極４３に重なる。層間接続導体５２Ｃと層間接続導体５２Ｄとは上部電極４２の長手方向（Ｘ軸方向）において互いに異なる位置に配置されている。層間接続導体５２Ｅと層間接続導体５２Ｆとは上部電極４２の長手方向において互いに異なる位置に配置されている。
【００５２】
平面視で、層間接続導体５２Ｄと層間接続導体５２Ｅとは層間接続導体５２Ａを挟むように配置される。層間接続導体５３Ｄと層間接続導体５３Ｅとは層間接続導体５３Ａを挟むように配置される。平面視で、層間接続導体５２Ａと層間接続導体５２Ｄとの間の距離、層間接続導体５２Ａと層間接続導体５２Ｅとの間の距離、層間接続導体５３Ａと層間接続導体５３Ｄとの間の距離、および、層間接続導体５３Ａと層間接続導体５３Ｅとの間の距離は略等しい（図１２に示す矢印参照）。
【００５３】
平面視で、層間接続導体５２Ｄと層間接続導体５２Ｅとは互いに層間接続導体５２Ａに対してＹ軸方向に沿った略反対方向に離間して配置されている。平面視で、層間接続導体５３Ｄと層間接続導体５３Ｅとは互いに層間接続導体５３Ａに対してＹ軸方向に沿った略反対方向に離間して配置されている。層間接続導体５２Ｄは層間接続導体５２Ａに対して＋Ｙ軸方向に離間して配置されている。層間接続導体５２Ｅは層間接続導体５２Ａに対して−Ｙ軸方向に離間して配置されている。層間接続導体５３Ｄは層間接続導体５３Ａに対して＋Ｙ軸方向に離間して配置されている。層間接続導体５３Ｅは層間接続導体５３Ａに対して−Ｙ軸方向に離間して配置されている。
【００５４】
平面視で、層間接続導体５１Ａ，５２Ａ，５３Ａ，５４Ａの間の最小距離（つまり、層間接続導体５１Ａと層間接続導体５２Ａの間の距離、層間接続導体５３Ａと層間接続導体５４Ａの間の距離）は、層間接続導体５１Ａ，５２Ａ，５３Ａ，５４Ａと層間接続導体５２Ｃ，５２Ｄ，５２Ｅ，５２Ｆ，５３Ｃ，５３Ｄ，５３Ｅ，５３Ｆとの間の最小距離（つまり、層間接続導体５２Ａと層間接続導体５２Ｄの間の距離、層間接続導体５２Ａと層間接続導体５２Ｅの間の距離、層間接続導体５３Ａと層間接続導体５３Ｄの間の距離、層間接続導体５３Ａと層間接続導体５３Ｅの間の距離）より大きい。
【００５５】
平面視で、上部電極４２の短手方向のうち上部電極４３から上部電極４２に向かう方向（＋Ｙ軸方向）と、層間接続導体５２Ｅから層間接続導体５２Ｆに向かう方向の成す角をθ１とする。平面視で、上部電極４２の短手方向のうち上部電極４３から上部電極４２に向かう方向（＋Ｙ軸方向）と、層間接続導体５２Ｃから層間接続導体５２Ｄに向かう方向との成す角をθ２とする。角θ２は角θ１より小さい。
【００５６】
上部電極４２の長手方向において、層間接続導体５２Ｅ，５２Ｆは層間接続導体５２Ｃ，５２Ｄより拡がって配置されている。すなわち、上部電極４２の長手方向における層間接続導体５２Ｅと層間接続導体５２Ｆとの間の距離は、上部電極４２の長手方向における層間接続導体５２Ｃと層間接続導体５２Ｄとの間の距離より長い。
【００５７】
引出電極７１，７２は略長尺状である。引出電極７２の長さは引出電極７１の長さより短い。すなわち、引出電極７２の延びる方向に沿った長さは引出電極７１の延びる方向に沿った長さより短い。ここで、例えば、引出電極７１は、図１２からも分かるとおり、平面視で、おおむね層間接続導体５２Ｆから層間接続導体５２Ｅの方向に沿って延び、次に、層間接続導体５２Ｅから層間接続導体５３Ｅの方向に沿って延び、最後に、おおむね層間接続導体５３Ｅから層間接続導体５３Ｆの方向に沿って延びている。引出電極７１の長さとは、おおむね層間接続導体５２Ｆから層間接続導体５２Ｅの方向に沿って延びる長さと、層間接続導体５２Ｅから層間接続導体５３Ｅの方向に沿って延びる長さと、おおむね層間接続導体５３Ｅから層間接続導体５３Ｆの方向に沿って延びる長さの総和である。引出電極７２の長さも同様に解釈する。
【００５８】
また、平面視で、引出電極７１が上部電極４２に重なる面積は、引出電極７２が上部電極４２に重なる面積より大きい。
【００５９】
引出電極７１，７２は曲がりながら延伸している。引出電極７１が曲がる角度は、引出電極７２が曲がる角度より大きい。
【００６０】
上部電極４２の切欠部２１２は、上部電極４２における長手方向に沿った縁に形成される。切欠部２１２は、上部電極４２の長手方向において層間接続導体５１Ｅと層間接続導体５１Ｆとの間に形成される。言い換えれば、上部電極４２の長手方向において、切欠部２１２は層間接続導体５１Ｅ，５１Ｆと異なる位置に形成される。
【００６１】
上部電極４３、層間接続導体５３Ａ〜５３Ｆ、補助電極６２、引出電極７１，７２および切欠部２１３の位置関係は、上部電極４２、層間接続導体５２Ａ〜５２Ｆ、補助電極６１、引出電極７１，７２および切欠部２１２の位置関係と同様である。
【００６２】
図１３は、入出力用の端子Ｐ１，Ｐ２間に流れる電流により生じる磁束を例示する平面図である。図１３では、層間接続導体５２Ａに＋Ｚ軸方向に電流が流れる際に生じる磁束と、当該磁束のＸ，Ｙ軸方向成分とを示す。磁束Ｂ１は層間接続導体５２Ａと層間接続導体５２Ｄとの間に生じる磁束である。磁束Ｂ２は層間接続導体５２Ａと層間接続導体５２Ｅとの間に生じる磁束である。磁束Ｂ３は層間接続導体５３Ａと層間接続導体５３Ｄとの間に生じる磁束である。磁束Ｂ４は層間接続導体５３Ａと層間接続導体５３Ｅとの間に生じる磁束である。
【００６３】
さらに、図１３では、層間接続導体５２Ａに＋Ｚ軸方向に電流が流れる場合に、層間接続導体５２Ｄ，５２Ｅ，５３Ａ，５３Ｄ，５３Ｅに流れる電流の向きを示す。なお、層間接続導体５２Ａに−Ｚ軸方向の電流が流れる場合には、層間接続導体５２Ｄ，５２Ｅ，５３Ａ，５３Ｄ，５３Ｅに流れる電流の向きは、図１３に示すものと逆になる。
【００６４】
層間接続導体５２Ａ，５２Ｄ，５２Ｅ，５３Ａ，５３Ｄ，５３Ｅに流れる電流の向きの関係性は次の通りである。すなわち、層間接続導体５２Ａに流れる電流の向きと層間接続導体５２Ｄ，５２Ｅに流れる電流の向きとは逆向きになる。層間接続導体５３Ａに流れる電流の向きと層間接続導体５３Ｄ，５２Ｅに流れる電流の向きとは逆向きになる。層間接続導体５２Ａに流れる電流の向きと層間接続導体５３Ａに流れる電流の向きとは逆向きになる。
【００６５】
このため、上部電極４２と上部電極４３との間の領域において、層間接続導体５２Ａ，５２Ｄに流れる電流により生じる磁束のＹ軸方向成分と、層間接続導体５３Ａ，５３Ｄに流れる電流により生じる磁束のＹ軸方向成分とは、互いに打ち消し合う。同様に、上部電極４２と上部電極４３との間の領域において、層間接続導体５２Ａ，５２Ｅに流れる電流により生じる磁束のＹ軸方向成分と、層間接続導体５３Ａ，５３Ｅに流れる電流により生じる磁束のＹ軸方向成分とは、互いに打ち消し合う。
【００６６】
また、層間接続導体５２Ｄと層間接続導体５２Ｅとの間の領域において、層間接続導体５２Ｄに流れる電流により生じる磁束のＹ軸方向成分と、層間接続導体５２Ｅに流れる電流により生じる磁束のＹ軸方向成分とは、互いに打ち消し合う。層間接続導体５２Ｄと層間接続導体５２Ｅとの間の領域において、層間接続導体５２Ｄに流れる電流により生じる磁束のＸ軸方向成分と、層間接続導体５２Ｅに流れる電流により生じる磁束のＸ軸方向成分とは、互いに打ち消し合う。層間接続導体５３Ｄと層間接続導体５３Ｅとの間の領域においても、同様に磁束が打ち消し合う。
【００６７】
その結果、入出力用の端子Ｐ１，Ｐ２間に流れる電流により生じる磁束が抑制されるので、キャパシタ１０のＥＳＬ（等価直列インダクタンス）が低減する。
【００６８】
図１４（Ａ）は、容量素子の充電時に流れる電流を例示する概念図である。図１４（Ｂ）は、容量素子の放電時に流れる電流を例示する概念図である。例えば、電流は、充電時、引出電極７１および層間接続導体５２Ｅを通って上部電極４２内に流入し、そして層間接続導体５２Ｅと上部電極４２との接続箇所２７１から上部電極４２の面方向（Ｚ軸方向に垂直な方向）に流れる。例えば、電流は、放電時、上部電極４２内において接続箇所２７１の周囲から接続箇所２７１に向かって上部電極４２の面方向に流れ、そして引出電極７１および層間接続導体５２Ｅを通って上部電極４２から流出する。
【００６９】
図１５（Ａ）は、本実施形態に係る上部電極に流れる電流を例示する平面図である。図１５（Ｂ）は、比較例に係る上部電極に流れる電流を例示する平面図である。図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）は、上部電極の各点を流れる電流の方向と大きさを、線の向きと長さに置き換えて示したものである。図１５（Ｂ）に示す比較例では、上部電極の角部に切欠部が形成される。領域ＺＣ１は、層間接続導体５２Ｅから上部電極内に流入した電流が到達する範囲に略相当する。領域ＺＣ２は、層間接続導体５２Ｆから上部電極内に流入した電流が到達する範囲に略相当する。なお、上部電極に流入、流出するのは、交流電流であるため、その範囲は、刻一刻と変化する。図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）に示すのは、上部電極の最も広い範囲に電流が流入した時点における、電流の到達範囲である。電流の到達範囲（領域ＺＣ１，ＺＣ２）は、発明の作用、効果の説明を分かりやすくするために、おおまかに示されたものである。
【００７０】
例えば、本実施形態に係る上部電極４２は、その長手方向において層間接続導体５２Ｅと層間接続導体５２Ｆとの間に形成される切欠部２１２を有する。比較例に係る上部電極２２２には、その長手方向において層間接続導体５２Ｆと略同じ位置に形成される切欠部２３２を有する。
【００７１】
図１５（Ａ）に示す本実施形態では、上部電極４２の長手方向において層間接続導体５２Ｅと層間接続導体５２Ｆとの間に形成された切欠部２１２により、充放電時（上部電極４２に電流が流入、流出するとき）における電流の流れが妨げられ、層間接続導体５２Ｅ，５２Ｆからの電流の到達範囲である領域ＺＣ１，ＺＣ２が、それぞれ、図１５（Ｂ）に示す比較例の電流の到達範囲である領域ＺＣ１，ＺＣ２より小さくなる。即ち、図１５（Ａ）に示す本実施形態では、図１５（Ｂ）に示す比較例に比べて、層間接続導体５２Ｅ，５２Ｆから遠い所まで電流が流れにくくなる。さらに言い換えると、図１５（Ａ）に示す本実施形態では、図１５（Ｂ）に示す比較例に比べて、上部電極における電流経路が短くなる。その結果、容量素子Ｃ４の端子間のＥＳＲが小さくなるとともに、容量素子Ｃ１，Ｃ５，Ｃ８の端子間のＥＳＲが小さくなる。従って、本実施形態では、比較例に比べて、キャパシタのＥＳＲが小さくなる。
【００７２】
本実施形態では、並列接続された引出電極７１と引出電極７２とを介して、上部電極４２と上部電極４３とが接続される。このため、上部電極４２と上部電極４３との間の電流経路が増えるので、キャパシタ１０のＥＳＲが低減する。
【００７３】
また、上記のように、引出電極７１と引出電極７２とは平面視で補助電極６１を挟む位置に設けられるので、キャパシタ１０のＥＳＬが低減する。特に、平面視で、層間接続導体５２Ａと層間接続導体５２Ｄとの間の距離、層間接続導体５２Ａと層間接続導体５２Ｅとの間の距離、層間接続導体５３Ａと層間接続導体５３Ｄとの間の距離、および、層間接続導体５３Ａと層間接続導体５３Ｅとの間の距離は略等しい。平面視で、層間接続導体５２Ｄと層間接続導体５２Ｅとは互いに層間接続導体５２Ａに対してＹ軸方向に沿った略反対方向に離間して配置されている。平面視で、層間接続導体５３Ｄと層間接続導体５３Ｅとは互いに層間接続導体５３Ａに対してＹ軸方向に沿った略反対方向に離間して配置されている。これにより、上記のように、キャパシタ１０のＥＳＬが効果的に低減する。
【００７４】
また、上部電極４２の長手方向において、層間接続導体５２Ｅ，５２Ｆは層間接続導体５２Ｃ，５２Ｄより拡がって配置されている。このため、上部電極４２に分散する分散電流を拾いやすい。同様に、上部電極４３に分散する分散電流を拾いやすい。一方、引出電極７２は引出電極７１より曲がっていないので、引出電極７２の長さは引出電極７１より短い。このため、引出電極７２の抵抗は引出電極７１の抵抗より小さいので、引出電極７２における電力損失は引出電極７１における電力損失より小さい。従って、引出電極７１と引出電極７２とを並列接続することで、電力損失を抑制できるとともに、分散電流を拾いやすい。
【００７５】
また、上部電極４２には、その長手方向において層間接続導体５２Ｅと層間接続導体５２Ｆとの間に切欠部２１２が形成される。同様に、上部電極４１，４３，４４には切欠部２１１，２１３，２１４が形成される。これにより、上記のように、キャパシタ１０のＥＳＲが低減される。
【００７６】
図１６は、本実施形態の第１変形例に係る容量形成層の平面図である。第１変形例では、下部電極２１，２２に代えて、下部電極２４１，２４２，２４３，２４４が設けられる。下部電極２４１，２４２，２４３，２４４は、それぞれ、上部電極４１，４２，４３，４４に対向配置される。下部電極２４１，２４２，２４３，２４４は互いに分離されている。
【００７７】
図１７は、本実施形態の第２変形例に係る容量形成層１３、補助電極６１，６２および引出電極７１，２５２の平面図である。第２変形例では、引出電極７２に代えて、引出電極２５２が設けられる。引出電極２５２は、引出電極７１を、Ｙ軸に対して対称（回転対称、あるいは線対称）にした、対称形である。引出電極７１の端部は略＋Ｘ軸方向に延伸し、引出電極２５２の端部は略−Ｘ軸方向に延伸している。第１電極層の電極の形状および層間接続導体の配置は、引出電極２５２の形状に応じて適宜変更される。図１７からも分かるとおり、この第２変形例においては、引出電極７１と引出電極２５２は、逆方向に、略同じ角度だけ曲がっている。これにより、引出電極７１と、引出電極７１より曲がっていない引出電極７２とを用いる場合より、分散電流を拾いやすくなる。
【００７８】
図１８は、本実施形態の第３変形例に係る容量形成層１３、補助電極６１，６２および引出電極２６１，２６２の平面図である。第３変形例では、引出電極７１に代えて引出電極２６１が設けられ、引出電極７２に代えて引出電極２６２が設けられる。引出電極２６１，２６２は平面視で略矩形状又は長尺状である。引出電極２６２の長さは引出電極２６１の長さより短い。引出電極２６２は層間接続導体５２Ｄ，５３Ｄだけを介して上部電極４２，４３に接続される。第１電極層の電極の形状および層間接続導体の配置は、引出電極２６１，２６２の形状に応じて適宜変更される。引出電極２６１，２６２は曲がっていないため、引出電極２６１の長さは引出電極７１の長さより短くなり、引出電極２６２の長さは引出電極７２の長さより短くなる。従って、引出電極７１，７２を用いる場合より、電力損失を抑制できる。さらに、引出電極２６２の長さが、引出電極２６１の長さより短くされているので、引出電極２６１で分散電流を拾いつつ、引出電極２６２で電力損失を抑制することができる。
【００７９】
なお、上記の実施形態では、上部電極と下部電極との間に中間電極が設けられる例を示したが、中間電極は必須ではない。
【００８０】
また、上記の実施形態では、可変容量キャパシタを例示したが、キャパシタの容量値は可変でなくてもよい。
【００８１】
また、引出電極の形状は、上記の実施形態で示した形状、長さに限られず、種々の形状、長さを取ることができる。さらに、引出電極の本数は、必ずしも２本である必要はなく、２本以上配置されていてもよい。
【００８２】
最後に、上記の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもない。本発明の範囲は、上記の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００８３】
Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４…磁束
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ５，Ｃ６，Ｃ７，Ｃ８…容量素子
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４…端子
ＰｃＣ，ＰｃＤ，ＰｃＥ，ＰｃＦ，ＰｃＧ，ＰｃＨ，ＰｃＩ，ＰｃＪ，ＰｃＫ…接続点
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９，Ｒ１０，Ｒ１１…抵抗素子
ＺＣ１，ＺＣ２…領域
ＺＤ１，ＺＤ２，ＺＤ３，ＺＤ４…領域
ＺＥ１，ＺＥ２，ＺＥ３，ＺＥ４…領域
１０…キャパシタ
１１…基板
１２…絶縁層
１３…容量形成層
１４…第１電極層
１５…抵抗配線層
１６…第２電極層
２１，２２，２４１，２４２，２４３，２４４…下部電極
３１，３２，３３，３４…中間電極
４１，４２，４３，４４，２２２…上部電極
５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃ，５１Ｄ，５１Ｅ，５１Ｆ，５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｃ，５２Ｄ，５２Ｅ，５２Ｆ，５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃ，５３Ｄ，５３Ｅ，５３Ｆ，５４Ａ、５４Ｂ，５４Ｃ，５４Ｄ，５４Ｅ，５４Ｆ…層間接続導体
５６Ａ，５６Ｂ，５６Ｃ，５６Ｄ，５６Ｅ，５６Ｆ，５６Ｇ，５６Ｈ，５６Ｉ，５６Ｊ，５６Ｋ…層間接続導体
６１，６２…補助電極
７１，７２，２５２，２６１，２６２…引出電極
８１，８２，８３，８４，８５，８６，８７，８８…電極
９１，９２，９３，９４，９５，９６，９７，９８，９９，１００，１０１…抵抗配線部
１０２Ａ，１０２Ｂ，１０２Ｃ，１０２Ｄ，１０２Ｅ，１０２Ｆ，１０２Ｇ，１０２Ｈ，１０２Ｉ，１０２Ｊ，１０２Ｋ…パッド部
１１１，１１２，１１３，１１４，１１５，１１６，１１７，１１８，１１９，１２０，１２１…電極
１３１，１３２，１３３，１３４…接続電極
１４１，１４２，１５１，１５２，１６１，１６２，１６３，１６４，１７１，１７２，１７３，１７４…誘電体層
１８１…SiO2膜
１８２…耐湿保護膜
１８３…有機保護膜
１８４，１８７…配線膜
１８５…層間絶縁膜
１８６…層間絶縁膜
１８８…ソルダーレジスト膜
１９１，１９２，１９３，１９４…開口部
２０１，２０２，２０３，２０４…開口部
２１１，２１２，２１３，２１４，２３２…切欠部
２７１…接続箇所
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【国際調査報告】
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