(57)【要約】利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供する。画素回路は、第１のスイッチ、ノード、容量素子および第２のスイッチを備える。第１のスイッチは、第１の信号を供給される第１の端子を備え、ノードと電気的に接続される第２の端子を備える。容量素子は、ノードと電気的に接続される第１の端子を備え、第２のスイッチと電気的に接続される第２の端子を備える。第２のスイッチは、第２の信号を供給される第１の端子を備え、容量素子の第２の端子と電気的に接続される第２の端子を備える。また、第２のスイッチは、第１のスイッチが非導通状態において、非導通状態から導通状態に変化する機能を備え、第１のスイッチが非導通状態において、導通状態から非導通状態に変化する機能を備え、表示素子は、ノードの電位に基づいて表示をする。
2019123101.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素を有し、
前記画素は、画素回路および表示素子を備え、
前記画素回路は、第１のスイッチ、ノード、容量素子および第２のスイッチを備え、
前記第１のスイッチは、第１の信号を供給される第１の端子を備え、
前記第１のスイッチは、前記ノードと電気的に接続される第２の端子を備え、
前記容量素子は、前記ノードと電気的に接続される第１の端子を備え、
前記第２のスイッチは、第２の信号を供給される第１の端子を備え、
前記第２のスイッチは、前記容量素子の第２の端子と電気的に接続される第２の端子を備え、
前記第２のスイッチは、前記第１のスイッチが非導通状態において、非導通状態から導通状態に変化する機能を備え、
前記第２のスイッチは、前記第１のスイッチが非導通状態において、導通状態から非導通状態に変化する機能を備え、
前記表示素子は、前記ノードの電位に基づいて表示をする、表示パネル。
【請求項２】
第１の駆動部を有し、
第１の駆動部は、第１の選択信号および第２の選択信号を供給し、
前記第１の選択信号は、前記第２の選択信号が第４のレベルである期間に、第２のレベルから第１のレベルに変化し、
前記第２の選択信号は、前記第１の選択信号が第１のレベルである期間に、第４のレベルから第３のレベルに２回以上変化し、
前記第１のスイッチは、前記第１の選択信号に基づいて制御され、
前記第１のスイッチは、前記第１の選択信号が第２のレベルにおいて、導通状態となり、
前記第１のスイッチは、前記第１の選択信号が第１のレベルにおいて、非導通状態となり、
前記第２のスイッチは、前記第２の選択信号に基づいて制御され、
前記第２のスイッチは、前記第２の選択信号が第４のレベルにおいて、導通状態となり、
前記第２のスイッチは、前記第２の選択信号が第３のレベルにおいて、非導通状態となる、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記画素回路は、第１のトランジスタを含み、
前記第１のトランジスタは、第１の半導体膜を備え、
前記第１の駆動部は、第２のトランジスタを含み、
前記第２のトランジスタは、第２の半導体膜を備え、
前記第２の半導体膜は、前記第１の半導体膜を形成する工程と同じ工程で形成される、請求項１または請求項２に記載の表示パネル。
【請求項４】
第２の駆動部を有し、
第２の駆動部は、前記第１の信号および前記第２の信号を供給し、
前記第２の信号は、第１の電位および第２の電位を含み、
前記第２の信号は、前記第１の選択信号が前記第１のレベルであり、前記第２の選択信号が第４のレベルであるときに、第１の電位から第２の電位または第２の電位から第１の電位に変化し、
前記ノードの電位は、第１の電位および第２の電位の間の電位差並びに前記第１の信号に基づいて変化する、請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記第２の駆動部は、第１の駆動回路および第２の駆動回路を備え、
前記第１の駆動回路は、前記第１の信号を生成し、
前記第２の駆動回路は、前記第２の信号を生成する、請求項４に記載の表示パネル。
【請求項６】
前記第２の駆動回路は、第３のトランジスタを含み、
前記第３のトランジスタは、第３の半導体膜を備え、
前記第３の半導体膜は、前記第１の半導体膜を形成する工程と同じ工程で形成される、請求項５に記載の表示パネル。
【請求項７】
表示領域を有し、
表示領域は、一群の画素、他の一群の画素、第１の走査線、第２の走査線、第１の信号線および第２の信号線を備え、
前記一群の画素は、前記画素を含み、
前記一群の画素は、行方向に配設され、
前記他の一群の画素は、前記画素を含み、
前記他の一群の画素は、行方向と交差する列方向に配設され、
前記第１の走査線は、前記一群の画素と電気的に接続され、
前記第２の走査線は、前記一群の画素と電気的に接続され、
前記第１の信号線は、前記他の一群の画素と電気的に接続され、
前記第２の信号線は、前記他の一群の画素と電気的に接続される、請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の表示パネル。
【請求項８】
前記表示領域は、前記第１の駆動回路および前記第２の駆動回路の間に配設され、
前記第１の信号線は、前記第１の駆動回路と電気的に接続され、
前記第２の信号線は、前記第２の駆動回路と電気的に接続される、請求項７に記載の表示パネル。
【請求項９】
前記第２の駆動部は、第３の駆動回路を備え、
前記第３の駆動回路は、前記第２の信号を生成し、
前記表示領域は、前記第２の駆動回路および前記第３の駆動回路の間に配設され、
前記第２の信号線は、前記第３の駆動回路と電気的に接続される、請求項８に記載の表示パネル。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の表示パネルと、
制御部と、を有し、
前記制御部は、画像情報および制御情報を供給され、
前記制御部は、前記画像情報に基づいて情報を生成し、
前記制御部は、前記制御情報にもとづいて制御信号を生成し、
前記制御部は、前記情報および制御信号を供給し、
前記表示パネルは、前記情報および前記制御信号を供給され、
前記第１の駆動部は、前記制御信号に基づいて動作し、
前記第２の駆動部は、前記制御信号に基づいて動作し、
前記画素は、前記情報に基づいて表示する、表示装置。
【請求項１１】
入力部と、表示部と、を有し、
前記表示部は、請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の表示パネルを備え、
前記入力部は、検知領域を備え、
前記入力部は、前記検知領域に近接するものを検知し、
前記検知領域は、前記画素と重なる領域を備える入出力装置。
【請求項１２】
キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の表示パネルと、を含む、情報処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】本発明の一態様は、表示パネル、表示装置、入出力装置または情報処理装置に関する。【０００２】なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００３】半導体膜を介して互いに重畳する第１のゲート及び第２のゲートを有するトランジスタと、上記トランジスタのソース及びドレインの一方と、上記第１のゲートとの間の電位差を保持する第１の容量素子と、上記トランジスタのソース及びドレインの一方と、上記第２のゲートとの間の電位差を保持する第２の容量素子と、上記トランジスタの第２のゲートと、配線との間の導通状態を制御するスイッチと、上記トランジスタのドレイン電流が供給される発光素子と、を備える発光装置が知られている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−１３２８１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することを課題の一とする。または、新規な表示パネル、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。【０００６】なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】（１）本発明の一態様は、画素７０２（ｉ，ｊ）を有する表示パネルである。【０００８】画素７０２（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および表示素子７５０（ｉ，ｊ）を備える。【０００９】画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、第１のスイッチＳＷ１１、ノードＮ１（ｉ，ｊ）、容量素子Ｃ１２および第２のスイッチＳＷ１２を備える。【００１０】第１のスイッチＳＷ１１は、第１の信号を供給される第１の端子を備え、第１のスイッチＳＷ１１は、ノードＮ１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される第２の端子を備える。【００１１】容量素子Ｃ１２は、ノードＮ１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される第１の端子を備える。【００１２】第２のスイッチＳＷ１２は第２の信号を供給される第１の端子を備え、第２のスイッチＳＷ１２は容量素子Ｃ１２の第２の端子と電気的に接続される第２の端子を備える。また、第２のスイッチＳＷ１２は第１のスイッチＳＷ１１が非導通状態において非導通状態から導通状態に変化する機能を備え、第２のスイッチＳＷ１２は第１のスイッチＳＷ１１が非導通状態において導通状態から非導通状態に変化する機能を備える。【００１３】表示素子７５０（ｉ，ｊ）はノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位ＶＮに基づいて表示をする。【００１４】これにより、ノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位を第１のスイッチＳＷ１１および第２のスイッチＳＷ１２を用いて制御することができる。または、ノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位を第１のスイッチＳＷ１１を用いて制御し、第２のスイッチＳＷ１２を用いて変化することができる。または、変化する電位を表示素子７５０（ｉ，ｊ）に供給することができる。または、変化する電位に基づいて表示をすることができる。または、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の表示を変化することができる。または、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の動作を強調することができる。または、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の応答を速めることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。【００１５】（２）また、本発明の一態様は第１の駆動部ＧＤを有する上記の表示パネルである。【００１６】第１の駆動部ＧＤは、第１の選択信号および第２の選択信号を供給する。【００１７】第１の選択信号は、第２の選択信号が第４のレベルＬＶ４である期間に、第２のレベルＬＶ２から第１のレベルＬＶ１に変化し、第２の選択信号は、第１の選択信号が第１のレベルＬＶ１である期間に、第４のレベルＬＶ４から第３のレベルＬＶ３に２回以上変化する。【００１８】第１のスイッチＳＷ１１は第１の選択信号に基づいて制御され、第１のスイッチＳＷ１１は第１の選択信号が第２のレベルＬＶ２において導通状態となり、第１のスイッチＳＷ１１は第１の選択信号が第１のレベルＬＶ１において、非導通状態となる。【００１９】第２のスイッチＳＷ１２は第２の選択信号に基づいて制御され、第２のスイッチＳＷ１２は第２の選択信号が第４のレベルＬＶ４において導通状態となり、第２のスイッチＳＷ１２は第２の選択信号が第３のレベルＬＶ３において、非導通状態となる。【００２０】これにより、第１のスイッチＳＷ１１を用いてノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位を制御することができる。または、第２のスイッチＳＷ１２を用いて、一時的にノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位の変化を促進または強調することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。【００２１】（３）また、本発明の一態様は、上記の画素回路５３０（ｉ，ｊ）が、第１のトランジスタを含む表示パネルである。【００２２】第１のトランジスタは、第１の半導体膜５０８（１）を備える。【００２３】第１の駆動部ＧＤは、第２のトランジスタＭＧを含む。第２のトランジスタＭＧは、第２の半導体膜５０８（２）を備え、第２の半導体膜５０８（２）は、第１の半導体膜５０８（１）を形成する工程と同じ工程で形成することができる。【００２４】これにより、駆動部ＧＤを画素回路５３０（ｉ，ｊ）が形成される基材上に形成することができる。または、表示パネルの部品点数を削減することができる。または、表示パネルの作製工程を簡略化することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。【００２５】（４）また、本発明の一態様は、第２の駆動部ＳＤを有する上記の表示パネルである。【００２６】第２の駆動部ＳＤは第１の信号および第２の信号を供給する。【００２７】第２の信号は、第１のレベルＬＶ５および第２のレベルＬＶ６を含み、第２の信号は、第１の選択信号が第１のレベルＬＶ１であり、第２の選択信号が第４のレベルＬＶ４であるときに、第１のレベルＬＶ５から第２のレベルＬＶ６または第２のレベルＬＶ６から第１のレベルＬＶ５に変化する。【００２８】ノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位ＶＮは、第１のレベルＬＶ５および第２のレベルＬＶ６の間の電位差並びに第１の信号に基づいて変化する。【００２９】これにより、ノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位を第１の信号および第２の信号を用いて制御することができる。または、ノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位を第１の信号を用いて決定し、第２の信号を用いて変化させることができる。または、ノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位を第１の信号を用いて決定し、第２の信号を用いて一時的に変化させることができる。または、ノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位の変化を第２の信号を用いて強調することができる。または、第１の信号および第１の信号に第１のレベルＬＶ５および第２のレベルＬＶ６の間の電位差を加えて、表示素子に供給することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。【００３０】（５）また、本発明の一態様は、上記の第２の駆動部ＳＤが、第１の駆動回路ＤＣ２１および第２の駆動回路ＤＣ２２を備える表示パネルである。【００３１】第１の駆動回路ＤＣ２１は第１の信号を生成し、第２の駆動回路ＤＣ２２は第２の信号を生成する。【００３２】これにより、従来の駆動回路を第１の駆動回路ＤＣ２１に用いることができる。または、既存の資産を生かしつつ、第２の駆動回路ＤＣ２２を用いて表示パネルの性能を向上することができる。または、第２の駆動回路ＤＣ２２の開発に集中することができる。または、開発期間を短縮することができる。または、開発費用を圧縮することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。【００３３】（６）また、本発明の一態様は、上記の第２の駆動回路ＤＣ２２は、第３のトランジスタＭＳを含む表示パネルである。【００３４】第３のトランジスタＭＳは第３の半導体膜５０８（３）を備え、第３の半導体膜５０８（３）は第１の半導体膜５０８（１）を形成する工程と同じ工程で形成することができる。【００３５】これにより、画素回路５３０（ｉ，ｊ）が形成される基材上に駆動回路ＤＣ２２を形成することができる。または、表示パネルの部品点数を削減することができる。または、表示パネルの作製工程を簡略化することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。【００３６】（７）また、本発明の一態様は、表示領域２３１を有する上記の表示パネルである。【００３７】表示領域２３１は、一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）、第１の走査線Ｇ１（ｉ）、第２の走査線Ｇ２（ｉ）、第１の信号線Ｓ１（ｊ）および第２の信号線Ｓ２（ｊ）を備える。【００３８】一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は行方向に配設される。【００３９】他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は行方向と交差する列方向に配設される。【００４０】第１の走査線Ｇ１（ｉ）は一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続され、第２の走査線Ｇ２（ｉ）は一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。【００４１】第１の信号線Ｓ１（ｊ）は他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と電気的に接続され、第２の信号線Ｓ２（ｊ）は他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と電気的に接続される。【００４２】これにより、複数の画素に画像情報を供給することができる。または、第２の選択信号を行ごとに、第１の選択信号から独立して供給することができる。または、第２の信号を列ごとに、第１の信号から独立して供給することができる。または、その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。【００４３】（８）また、本発明の一態様は、上記の表示領域２３１が第１の駆動回路ＤＣ２１および第２の駆動回路ＤＣ２２の間に配設される表示パネルである。【００４４】第１の信号線Ｓ１（ｊ）は第１の駆動回路ＤＣ２１と電気的に接続され、第２の信号線Ｓ２（ｊ）は第２の駆動回路ＤＣ２２と電気的に接続される。【００４５】これにより、表示領域２３１を第１の駆動回路ＤＣ２１に近づけることができる。または、表示領域２３１を第１の駆動回路ＤＣ２２に近づけることができる。または、第１の信号の劣化を防ぐことができる。または、第２の信号の劣化を防ぐことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。【００４６】（９）また、本発明の一態様は、上記の第２の駆動部ＳＤが第３の駆動回路ＤＣ２３を備える上記の表示パネルである。【００４７】第３の駆動回路ＤＣ２３は第２の信号を生成する。【００４８】表示領域２３１は第２の駆動回路ＤＣ２２および第３の駆動回路ＤＣ２３の間に配設される。【００４９】第２の信号線Ｓ２（ｊ）は第３の駆動回路ＤＣ２３と電気的に接続される。【００５０】これにより、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）および第２の信号線Ｓ２（ｊ）に由来する負荷を第２の駆動回路ＤＣ２２および第３の駆動回路ＤＣ２３に分配することができる。または、第２の駆動回路ＤＣ２２および第３の駆動回路ＤＣ２３を用いて他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）および第２の信号線Ｓ２（ｊ）を駆動できる。または、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）および第２の信号線Ｓ２（ｊ）の電位を所定の値にするまでの時間を短くすることができる。または、動作を高速にすることができる。または、その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。【００５１】（１０）また、本発明の一態様は、上記の表示パネルと、制御部２３８と、を有する表示装置である。【００５２】制御部２３８は画像情報Ｖ１および制御情報ＣＩを供給され、制御部２３８は画像情報Ｖ１に基づいて情報Ｖ１１を生成し、制御部２３８は制御情報ＣＩにもとづいて制御信号ＳＰを生成し、制御部２３８は情報Ｖ１１および制御信号ＳＰを供給する。【００５３】表示パネルは情報Ｖ１１および制御信号ＳＰを供給される。【００５４】第１の駆動部ＧＤは制御信号ＳＰに基づいて動作し、第２の駆動部ＳＤは制御信号ＳＰに基づいて動作し、画素は情報Ｖ１１に基づいて表示する。【００５５】これにより、表示素子を用いて画像情報を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。【００５６】（１１）また、本発明の一態様は、入力部２４０と、表示部２３０と、を有する入出力装置である。【００５７】表示部２３０は上記の表示パネルを備え、入力部２４０は検知領域２４１を備える。【００５８】入力部２４０は検知領域２４１に近接するものを検知し、検知領域２４１は画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。【００５９】これにより、表示部を用いて画像情報を表示しながら、表示部と重なる領域に近接するものを検知することができる。または、表示部に近接させる指などをポインタに用いて、位置情報を入力することができる。または、位置情報を表示部に表示する画像情報に関連付けることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。【００６０】（１２）また、本発明の一態様は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、上記の表示パネルと、を含む、情報処理装置である。【００６１】本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。【００６２】本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。【００６３】本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。【００６４】本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。【００６５】本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。【００６６】本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。【００６７】また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。
【発明の効果】
【００６８】本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、新規な表示パネル、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または、新規な半導体装置を提供することができる。【００６９】なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明するブロック図およびタイミングチャート。
【図２】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明するタイミングチャート。
【図３】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明するブロック図。
【図４】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図および回路図。
【図５】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。
【図６】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。
【図７】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。
【図８】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する回路図。
【図９】実施の形態に係る表示装置を説明する図。
【図１０】実施の形態に係る入出力装置を説明する図。
【図１１】実施の形態に係る情報処理装置を説明する図。
【図１２】実施の形態に係る情報処理装置を説明する図。
【図１３】実施の形態に係る情報処理装置を説明する図。
【図１４】実施の形態に係る情報処理装置を説明する図。
【図１５】実施の形態に係る情報処理装置を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００７１】本発明の一態様の表示パネルは、画素７０２（ｉ，ｊ）を有し、画素７０２（ｉ，ｊ）は画素回路５３０（ｉ，ｊ）および表示素子７５０（ｉ，ｊ）を備える。画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、第１のスイッチＳＷ１１、ノードＮ１（ｉ，ｊ）、容量素子Ｃ１２、第２のスイッチおよびＳＷ１２を備える。第１のスイッチＳＷ１１は、第１の信号を供給される第１の端子を備え、ノードＮ１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される第２の端子を備える。容量素子Ｃ１２は、ノードＮ１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される第１の端子を備え、第２のスイッチＳＷ１２と電気的に接続される第２の端子を備える。第２のスイッチＳＷ１２は、第２の信号を供給される第１の端子を備える。また、第２のスイッチＳＷ１２は、第１のスイッチＳＷ１１が導通状態から非導通状態に変化するときに、導通状態であり、第１のスイッチＳＷ１１が非導通状態において、非導通状態から導通状態に変化する機能を備え、第１のスイッチＳＷ１１が非導通状態において、導通状態から非導通状態に変化する機能を備え、表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、ノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位ＶＮに基づいて表示をする。
【００７２】これにより、ノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位を第１のスイッチＳＷ１１および第２のスイッチＳＷ１２を用いて制御することができる。または、ノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位を第１のスイッチＳＷ１１を用いて制御し、第２のスイッチＳＷ１２を用いて変化することができる。または、変化する電位を表示素子７５０（ｉ，ｊ）に供給することができる。または、変化する電位に基づいて表示をすることができる。または、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の表示を変化することができる。表示素子７５０（ｉ，ｊ）の動作を強調することができる。または、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の応答を速めることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【００７３】実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００７４】（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの構成について、図１乃至図７を参照しながら説明する。
【００７５】図１および図２は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図１（Ａ）は本発明の一態様の表示パネルの上面図であり、図１（Ｂ）は信号を説明するタイミングチャートである。図２は図１（Ｂ）とは異なる信号を説明するタイミングチャートである。
【００７６】図３は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図３（Ａ）は本発明の一態様の表示パネルの上面図であり、図３（Ｂ）および図３（Ｃ）は、画素の上面図である。
【００７７】図４（Ａ）は図３（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、切断線Ｘ９−Ｘ１０における断面図である。また、図４（Ｂ）は表示パネルが備える画素回路の構成を説明する回路図である。
【００７８】図５（Ａ）は、本発明の一態様の表示パネルの画素の構成を説明する図である。図５（Ｂ）は、図５（Ａ）に示す画素の一部を説明する断面図である。
【００７９】図６は図３（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２および切断線Ｘ３−Ｘ４における断面図である。また、図６（Ｂ）は図６（Ａ）に示す表示パネルの一部を説明する断面図である。
【００８０】図７は図３（Ａ）の切断線Ｘ３−Ｘ４および切断線Ｘ９−Ｘ１０における断面図である。また、図７（Ｂ）は図７（Ａ）に示す表示パネルの一部を説明する断面図である。
【００８１】図８は、本発明の一態様の表示パネルの駆動回路の構成の一部を説明する回路図である。また、図８（Ｂ）は図８（Ａ）に示す駆動回路とは異なる構成を備える駆動回路を説明する回路図であり、図８（Ｃ）は図８（Ａ）に示す駆動回路とは異なる構成を備える駆動回路を説明する回路図である。
【００８２】なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍおよび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。
【００８３】＜表示パネルの構成例１＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００は、画素７０２（ｉ，ｊ）を有する（図１（Ａ）参照）。
【００８４】《画素７０２（ｉ，ｊ）の構成例１》
画素７０２（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および表示素子７５０（ｉ，ｊ）を備える（図４（Ａ）参照）。
【００８５】《画素回路５３０（ｉ，ｊ）の構成例１》
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ１１、ノードＮ１（ｉ，ｊ）、容量素子Ｃ１１、容量素子Ｃ１２およびスイッチＳＷ１２を備える（図４（Ｂ）参照）。
【００８６】《スイッチＳＷ１１の構成例１》
スイッチＳＷ１１は、第１の信号を供給される第１の端子を備える。また、ノードＮ１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される第２の端子を備える。例えば、トランジスタをスイッチＳＷ１１に用いることができる。トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方を第１の端子に用い、他方を第２の端子に用いることができる。
【００８７】《容量素子Ｃ１２の構成例１》
容量素子Ｃ１２は、ノードＮ１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される第１の端子を備える。また、容量素子Ｃ１２は、スイッチＳＷ１２の第２の端子と電気的に接続される第２の端子を備える。
【００８８】《スイッチＳＷ１２の構成例１》
スイッチＳＷ１２は、第２の信号を供給される第１の端子を備える。また、スイッチＳＷ１２は、容量素子Ｃ１２の第２の端子と電気的に接続される第２の端子を備える。例えば、トランジスタをスイッチＳＷ１２に用いることができる。トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方を第１の端子に用い、他方を第２の端子に用いることができる。
【００８９】スイッチＳＷ１２は、スイッチＳＷ１１が非導通状態において、非導通状態から導通状態に変化する機能を備える。また、スイッチＳＷ１２は、スイッチＳＷ１１が非導通状態において、導通状態から非導通状態に変化する機能を備える。
【００９０】例えば、トランジスタを用いるスイッチＳＷ１１またはスイッチＳＷ１２の導通状態は、トランジスタのゲート電極の電位を用いて制御することができる。
【００９１】《容量素子Ｃ１１の構成例１》
容量素子Ｃ１１は、スイッチＳＷ１１と電気的に接続される第１の電極と、配線ＣＳＣＯＭと電気的に接続される第２の電極と、を有する。
【００９２】《表示素子７５０（ｉ，ｊ）の構成例１》
表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、ノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位ＶＮに基づいて表示をする。
【００９３】これにより、ノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位をスイッチＳＷ１１およびスイッチＳＷ１２を用いて制御することができる。または、ノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位を、スイッチＳＷ１１を用いて制御し、スイッチＳＷ１２を用いて変化することができる。または、変化する電位を表示素子７５０（ｉ，ｊ）に供給することができる。または、変化する電位に基づいて表示をすることができる。または、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の表示を変化することができる。または、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の動作を強調することができる。または、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の応答を速めることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【００９４】例えば、透過型の液晶表示素子を表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。また、表示パネル７００は、バックライトＢＬが射出する光の透過を制御して、画像を表示する機能を備える。または、例えば、反射型の液晶表示素子を、表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。または、例えば、ノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位ＶＮを用いて輝度を制御することができる発光素子を表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、ゲート電極がノードＮ１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される他のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方に接続される発光素子を表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、発光ダイオード、有機ＥＬ素子などを表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。発光素子を表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることにより、発光開始直後の輝度を高めることができる。または、メリハリを強調して表示をすることができる。または、きらきらした印象を強めることができる。
【００９５】《液晶素子の構成例》
例えば、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。
【００９６】また、例えば垂直配向（ＶＡ）モード、具体的には、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  Ｐｉｎｗｈｅｅｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ−Ｖｉｅｗ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。
【００９７】《表示素子７５０（ｉ，ｊ）の構成例２》
表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、電極７５１（ｉ，ｊ）、電極７５２および液晶材料を含む層７５３を備える（図５（Ａ）参照）。
【００９８】電極７５１（ｉ，ｊ）は、接続部５９１Ａにおいて画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。
【００９９】電極７５２は、液晶材料の配向を制御する電界を、電極７５１（ｉ，ｊ）との間に形成するように配設される。
【０１００】表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、配向膜ＡＦ１および配向膜ＡＦ２を備える。
【０１０１】《液晶材料を含む層７５３》
液晶材料を含む層７５３は、配向膜ＡＦ１および配向膜ＡＦ２に挟まれる領域を備える。
【０１０２】例えば、１．０×１０１３Ω・ｃｍ以上、好ましくは１．０×１０１４Ω・ｃｍ以上、さらに好ましくは１．０×１０１５Ω・ｃｍ以上の固有抵抗率を備える液晶材料を、液晶材料を含む層７５３に用いることができる。これにより、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の透過率の変動を抑制することができる。または、表示素子７５０（ｉ，ｊ）のチラツキを抑制することができる。または、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を書き換える頻度を低減することができる。
【０１０３】《構造体ＫＢ１》
構造体ＫＢ１は、機能層５２０および基板７７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。
【０１０４】《機能層７２０》
機能層７２０は、着色膜ＣＦ１、絶縁膜７７１および遮光膜ＢＭを備える。
【０１０５】着色膜ＣＦ１は、基板７７０および表示素子７５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
【０１０６】遮光膜ＢＭは、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。
【０１０７】絶縁膜７７１は、着色膜ＣＦ１と液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域または遮光膜ＢＭと液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域を備える。これにより、着色膜ＣＦ１の厚さに基づく凹凸を平坦にすることができる。または、遮光膜ＢＭまたは着色膜ＣＦ１等から液晶材料を含む層７５３への不純物の拡散を、抑制することができる。
【０１０８】《機能膜７７０Ｐ、機能膜７７０Ｄ等》
機能膜７７０Ｐは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。また、機能膜７７０Ｄは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
【０１０９】例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。
【０１１０】具体的には、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。また、光拡散フィルムを機能膜７７０Ｄに用いることができる。
【０１１１】また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、反射防止膜（アンチ・リフレクション膜）、非光沢処理膜（アンチ・グレア膜）、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。
【０１１２】＜表示パネルの構成例２＞
また、本実施の形態で説明する表示パネル７００は、駆動部ＧＤを有する（図１（Ａ）参照）。
【０１１３】《駆動部ＧＤの構成例１》
駆動部ＧＤは、第１の選択信号および第２の選択信号を供給する。
【０１１４】例えば、駆動部ＧＤは、第１の選択信号を走査線Ｇ１（ｉ）に供給し、第２の選択信号を走査線Ｇ２（ｉ）に供給することができる。本実施の形態では、第１の選択信号の構成を走査線Ｇ１（ｉ）の電位の変化を用いて説明し、第２の選択信号の構成を走査線Ｇ２（ｉ）の電位の変化を用いて説明する。
【０１１５】《第１の選択信号の構成例１》
第１の選択信号は、第２の選択信号がレベルＬＶ４である期間に、レベルＬＶ２からレベルＬＶ１に変化する（図１（Ｂ）参照）。
【０１１６】例えば、第２の選択信号は、時間Ｔ１１乃至時間Ｔ１５の期間および時間Ｔ２１乃至時間Ｔ２５の期間において、レベルＬＶ４である。第１の選択信号は、時間Ｔ１３および時間Ｔ２３において、レベルＬＶ２からレベルＬＶ１に変化する。
【０１１７】《第２の選択信号の構成例１》
第２の選択信号は、第１の選択信号がレベルＬＶ１である期間に、レベルＬＶ４からレベルＬＶ３に２回以上変化する。
【０１１８】例えば、第１の選択信号は、時間Ｔ１３乃至時間Ｔ２１の期間において、レベルＬＶ１である。第２の選択信号は、時間Ｔ１５および時間Ｔ１８において、レベルＬＶ４からレベルＬＶ３に変化する。また、第１の選択信号は、時間Ｔ２３乃至時間Ｔ２９の期間において、レベルＬＶ１である。第２の選択信号は、時間Ｔ２５および時間Ｔ２８において、レベルＬＶ４からレベルＬＶ３に変化する。
【０１１９】なお、本実施の形態では、レベルＬＶ１の電位より高い電位をレベルＬＶ２に用い、レベルＬＶ３の電位より高い電位をレベルＬＶ４に用いる場合を説明するが、レベルＬＶ１乃至レベルＬＶ４の組み合わせはこれに限らない。
【０１２０】《スイッチＳＷ１１の構成例２》
スイッチＳＷ１１は第１の選択信号に基づいて制御され、スイッチＳＷ１１は第１の選択信号がレベルＬＶ２において、導通状態を選択する。
【０１２１】スイッチＳＷ１１は、第１の選択信号がレベルＬＶ１において、非導通状態となる。
【０１２２】例えば、トランジスタをスイッチＳＷ１１に用いることができる。トランジスタのゲート電極の電位を、第１の選択信号を用いて制御して、トランジスタの導通状態を制御することができる。
【０１２３】具体的には、ｎチャネル型の動作特性を備えるトランジスタをスイッチＳＷ１１に用い、トランジスタのソース電極とゲート電極の間の電位差Ｖｇｓが、閾値電圧より十分小さくなるように、レベルＬＶ１を低い電位にする。また、電位差Ｖｇｓが、閾値電圧より十分大きくなるように、レベルＬＶ２を高い電位にする。
【０１２４】《スイッチＳＷ１２の構成例２》
スイッチＳＷ１２は、第２の選択信号に基づいて制御され、スイッチＳＷ１２は第２の選択信号がレベルＬＶ４において、導通状態を選択する。
【０１２５】スイッチＳＷ１２は、第２の選択信号がレベルＬＶ３において、非導通状態となる。
【０１２６】例えば、トランジスタをスイッチＳＷ１２に用いることができる。トランジスタのゲート電極の電位を、第２の選択信号を用いて制御して、トランジスタの導通状態を制御することができる。具体的には、ｎチャネル型の動作特性を備えるトランジスタをスイッチＳＷ１２に用い、レベルＬＶ３をトランジスタの閾値電圧より小さくし、レベルＬＶ４をトランジスタの閾値電圧より大きくする。
【０１２７】これにより、スイッチＳＷ１１を用いてノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位を制御することができる。または、スイッチＳＷ１２を用いて、一時的にノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位の変化を促進または強調することができる。または、例えば、表示素子７５０（ｉ，ｊ）に液晶表示素子を用いる場合、所謂オーバードライブをすることができる。または、液晶表示素子の動作を速めることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【０１２８】＜画素回路５３０（ｉ，ｊ）の構成例２＞
また、本実施の形態で説明する表示パネル７００の画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、トランジスタを含む。また、トランジスタは半導体膜５０８（１）を備える。例えば、トランジスタをスイッチＳＷ１１またはスイッチＳＷ１２に用いることができる（図４（Ｂ）、図５（Ａ）および図５（Ｂ）参照）。
【０１２９】《駆動部ＧＤの構成例２》
駆動部ＧＤは、トランジスタＭＧを含む。また、トランジスタＭＧは、半導体膜５０８（２）を備える（図６（Ａ）および図６（Ｂ）参照）。半導体膜５０８（２）は、半導体膜５０８（１）を形成する工程と同じ工程で形成することができる。
【０１３０】これにより、駆動部ＧＤを画素回路５３０（ｉ，ｊ）が形成される基材上に形成することができる。または、表示パネル７００の部品点数を削減することができる。または、表示パネル７００の作製工程を簡略化することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【０１３１】《半導体膜５０８（１）の構成例１》
例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜５０８（１）に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜５０８（１）に用いることができる。
【０１３２】［水素化アモルファスシリコン］
例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８（１）に用いることができる。または、微結晶シリコンなどを半導体膜５０８（１）に用いることができる。これにより、例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８（１）に用いる表示パネルより、表示ムラが少ない表示パネルを提供することができる。または、表示パネルの大型化が容易である。
【０１３３】［ポリシリコン］
例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８（１）に用いることができる。これにより、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８（１）に用いるトランジスタより、トランジスタの電界効果移動度を高くすることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８（１）に用いるトランジスタより、駆動能力を高めることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８（１）に用いるトランジスタより、画素の開口率を向上することができる。
【０１３４】または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８（１）に用いるトランジスタより、トランジスタの信頼性を高めることができる。
【０１３５】または、トランジスタの作製に要する温度を、例えば、単結晶シリコンを用いるトランジスタより、低くすることができる。
【０１３６】または、駆動回路のトランジスタに用いる半導体膜を、画素回路のトランジスタに用いる半導体膜と同一の工程で形成することができる。または、画素回路を形成する基板と同一の基板上に駆動回路を形成することができる。または、電子機器を構成する部品数を低減することができる。
【０１３７】［単結晶シリコン］
例えば、単結晶シリコンを半導体膜５０８（１）に用いることができる。これにより、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８（１）に用いる表示パネルより、精細度を高めることができる。または、例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８（１）に用いる表示パネルより、表示ムラが少ない表示パネルを提供することができる。または、例えば、スマートグラスまたはヘッドマウントディスプレイを提供することができる。
【０１３８】《半導体膜５０８（１）の構成例２》
例えば、金属酸化物を半導体膜５０８（１）に用いることができる。これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。
【０１３９】例えば、酸化物半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。
【０１４０】一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、半導体膜にアモルファスシリコンを用いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、酸化物半導体を半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。
【０１４１】例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜５０８（１）に用いることができる。
【０１４２】例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と、を積層した導電膜を導電膜５０４に用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁膜５０６との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。
【０１４３】例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した積層膜を、絶縁膜５０６に用いることができる。なお、シリコンおよび窒素を含む膜は、半導体膜５０８（１）との間に、シリコン、酸素および窒素を含む膜を挟む領域を備える。
【０１４４】例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を、導電膜５１２Ａまたは導電膜５１２Ｂに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、半導体膜５０８（１）と接する領域を備える。
【０１４５】ところで、例えば、アモルファスシリコンを半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。また、例えばポリシリコンを半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。いずれの改造も、既存の製造ラインを有効に活用することができる。
【０１４６】これにより、チラツキを抑制することができる。または、消費電力を低減することができる。または、動きの速い動画を滑らかに表示することができる。または、豊かな階調で写真等を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【０１４７】《半導体膜５０８（１）の構成例３》
例えば、化合物半導体をトランジスタの半導体に用いることができる。具体的には、ガリウムヒ素を含む半導体を用いることができる。
【０１４８】例えば、有機半導体をトランジスタの半導体に用いることができる。具体的には、ポリアセン類またはグラフェンを含む有機半導体を半導体膜に用いることができる。
【０１４９】＜表示パネルの構成例３＞
また、本実施の形態で説明する表示パネル７００は、駆動部ＳＤを有する（図１（Ａ）参照）。
【０１５０】《駆動部ＳＤの構成例１》
駆動部ＳＤは、第１の信号および第２の信号を供給する。
【０１５１】例えば、駆動部ＳＤは、第１の信号を信号線Ｓ１（ｊ）に供給し、第２の信号を信号線Ｓ２（ｊ）に供給することができる。本実施の形態では、第１の信号の構成を信号線Ｓ１（ｊ）の電位の変化を用いて説明し、第２の信号の構成を信号線Ｓ２（ｊ）の電位の変化を用いて説明する。
【０１５２】《第１の信号の構成例１》
例えば、画像情報に基づいて生成された信号を、第１の信号に用いることができる。具体的には、電位ＶＣＯＭに振幅の中心を備える信号を、第１の信号に用いることができる（図１（Ｂ）参照）。
【０１５３】例えば、電位ＶＣＯＭ以上の電位を用いる期間と、電位ＶＣＯＭ以下の電位を用いる期間を交互に備える信号を、第１の信号に用いることができる。具体的には、電位ＶＣＯＭに対する極性を、第１の選択信号に同期して反転する信号を第１の信号に用いることができる。
【０１５４】例えば、時間Ｔ１１から時間Ｔ１３までの期間において、画素７０２（ｉ，ｊ）に表示する情報を、電位ＶＣＯＭ以上の電位を用いて供給し、時間Ｔ１３から時間Ｔ１５までの期間において、画素７０２（ｉ＋１，ｊ）に表示する情報を、電位ＶＣＯＭ以下の電位を用いて供給する。
【０１５５】これにより、極性が行ごとに反転するように情報を供給することができる。
【０１５６】《第２の信号の構成例１》
第２の信号は、レベルＬＶ５およびレベルＬＶ６を含む（図１（Ｂ）参照）。
【０１５７】第２の信号は、第１の選択信号がレベルＬＶ１であり、第２の選択信号がレベルＬＶ４であるときに、レベルＬＶ５からレベルＬＶ６またはレベルＬＶ６からレベルＬＶ５に変化する。
【０１５８】例えば、第１の選択信号がレベルＬＶ１であり、第２の選択信号がレベルＬＶ４である時間Ｔ１４において、第２の信号はレベルＬＶ５からレベルＬＶ６に変化する。また、時間Ｔ１７において、第２の信号はレベルＬＶ６からレベルＬＶ５に変化する。
【０１５９】また、例えば、第１の選択信号がレベルＬＶ１であり、第２の選択信号がレベルＬＶ４である時間Ｔ２４において、第２の信号はレベルＬＶ６からレベルＬＶ５に変化する。また、時間Ｔ２７において、第２の信号はレベルＬＶ５からレベルＬＶ６に変化する。
【０１６０】例えば、第１の信号が電位ＶＣＯＭ以上の電位を用いる期間と、第１の信号が電位ＶＣＯＭ以下の電位を用いる期間に同期して、交互にレベルＬＶ６とレベルＬＶ５になる信号を、第２の信号に用いることができる。
【０１６１】《ノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位ＶＮ》
ノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位ＶＮは、レベルＬＶ５およびレベルＬＶ６の間の電位差ΔＶ並びに第１の信号に基づいて変化する。
【０１６２】例えば、ノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位ＶＮは、時間Ｔ１１乃至時間Ｔ１３の期間において、第１の信号に基づいて変化する。また、時間Ｔ１４乃至時間Ｔ１７の期間において、電位差ΔＶおよび第１の信号に基づいて変化する。また、時間Ｔ１７乃至時間Ｔ１９の期間において、第１の信号に基づいて変化する。
【０１６３】また、例えば、ノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位ＶＮは、時間Ｔ２１乃至時間Ｔ２３の期間において、第１の信号に基づいて変化する。また、電位ＶＮは、時間Ｔ２４乃至時間Ｔ２７の期間において、電位差ΔＶおよび第１の信号に基づいて変化する。また、電位ＶＮは、時間Ｔ２７乃至時間Ｔ２９の期間において、第１の信号に基づいて変化する。
【０１６４】これにより、ノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位を第１の信号および第２の信号を用いて制御することができる。または、ノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位を第１の信号を用いて決定し、第２の信号を用いて変化することができる。または、ノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位を第１の信号を用いて決定し、第２の信号を用いて一時的に変化することができる。または、ノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位の変化を第２の信号を用いて強調することができる。または、第１の信号および第１の信号に第１のレベルＬＶ５および第２のレベルＬＶ６の間の電位差を加えて、表示素子に供給することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【０１６５】また、電位ＶＮは電位差ΔＶおよび次式に基づいて変化する。なお、式中のＶＤＡＴＡは第１の信号の電位であり、Ｃ１１は容量素子Ｃ１１の容量であり、Ｃ１２は容量素子Ｃ１２の容量である。
【０１６６】
【数１】
2019123101.tif 000003
【０１６７】《第２の信号の構成例２》
第２の信号は、第１の選択信号がレベルＬＶ１であり、第２の選択信号がレベルＬＶ４であるときに、レベルＬＶ５からレベルＬＶ６またはレベルＬＶ６からレベルＬＶ５に変化する（図２参照）。
【０１６８】例えば、第１の選択信号がレベルＬＶ１であり、第２の選択信号がレベルＬＶ４である時間Ｔ３４において、第２の信号はレベルＬＶ５からレベルＬＶ６に変化する。
【０１６９】また、例えば、第１の選択信号がレベルＬＶ１であり、第２の選択信号がレベルＬＶ４である時間Ｔ２４において、第２の信号はレベルＬＶ６からレベルＬＶ５に変化する。
【０１７０】例えば、第１の信号が電位ＶＣＯＭ以上の電位を用いる期間と、第１の信号が電位ＶＣＯＭ以下の電位を用いる期間に同期して、交互にレベルＬＶ６とレベルＬＶ５になる信号を、第２の信号に用いることができる。
【０１７１】《ノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位ＶＮ》
ノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位ＶＮは、レベルＬＶ５およびレベルＬＶ６の間の電位差ΔＶ並びに第１の信号に基づいて変化する。
【０１７２】例えば、ノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位ＶＮは、時間Ｔ３１乃至時間Ｔ３３の期間において、第１の信号に基づいて変化する。また、時間Ｔ３４乃至時間Ｔ４１の期間において、電位差ΔＶおよび第１の信号に基づいて変化する。
【０１７３】また、例えば、ノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位ＶＮは、時間Ｔ４１乃至時間Ｔ４２の期間において、第１の信号に基づいて変化する。また、電位ＶＮは、時間Ｔ４４以降の１フレーム期間において、電位差ΔＶおよび第１の信号に基づいて変化する。
【０１７４】これにより、ノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位を第１の信号および第２の信号を用いて制御することができる。または、ノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位を第１の信号を用いて調整し、第２の信号を用いて基礎となる電位をそれに上乗せすることができる。または、液晶素子の透過率が変化し始める電位を第２の電位に用いることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【０１７５】＜駆動部ＳＤの構成例２＞
また、本実施の形態で説明する表示パネル７００の駆動部ＳＤは、駆動回路ＤＣ２１および駆動回路ＤＣ２２を備える（図１（Ａ）参照）。
【０１７６】《駆動回路ＤＣ２１の構成例１》
駆動回路ＤＣ２１は、第１の信号を生成する。
【０１７７】《駆動回路ＤＣ２２の構成例１》
駆動回路ＤＣ２２は、第２の信号を生成する。
【０１７８】例えば、制御信号ＳＰに基づいて、レベルＬＶ５またはレベルＬＶ６を供給する回路を、駆動回路ＤＣ２２に用いることができる（図８（Ａ）および図８（Ｂ）参照）。
【０１７９】これにより、従来の駆動回路を第１の駆動回路ＤＣ２１に用いることができる。または、既存の資産を生かしつつ、第２の駆動回路ＤＣ２２を用いて表示パネル７００の性能を向上することができる。または、第２の駆動回路ＤＣ２２の開発に集中することができる。または、開発期間を短縮することができる。または、開発費用を圧縮することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【０１８０】例えば、駆動回路ＤＣ２２は、レベルＬＶ５を信号線Ｓ２（ｊ）に供給するときに、レベルＬＶ６を信号線Ｓ２（ｊ＋１）に供給することができる（図８（Ａ）または図８（Ｂ）参照）。また、駆動回路ＤＣ２２は、レベルＬＶ６を信号線Ｓ２（ｊ）に供給するときに、レベルＬＶ５を信号線Ｓ２（ｊ＋１）に供給することができる。これにより、極性が交互に反転する信号を、行方向（図中に矢印Ｒ１を用いて示す方向）に配設される複数の画素に供給することができる。
【０１８１】または、例えば、駆動回路ＤＣ２２は、レベルＬＶ５を信号線Ｓ２（ｊ）に供給するときに、レベルＬＶ５を信号線Ｓ２（ｊ＋１）に供給することができる（図８（Ｃ）参照）。また、駆動回路ＤＣ２２は、レベルＬＶ５を信号線Ｓ２（ｊ）に供給するときに、レベルＬＶ５を信号線Ｓ２（ｊ＋１）に供給することができる。これにより、同じ極性の信号を、行方向に配設される複数の画素に供給することができる。
【０１８２】＜駆動回路ＤＣ２２の構成例２＞
また、本実施の形態で説明する表示パネル７００の駆動回路ＤＣ２２は、トランジスタＭＳを含む（図７（Ａ）および図７（Ｃ）参照）。また、トランジスタＭＳは半導体膜５０８（３）を備える。
【０１８３】半導体膜５０８（３）は、半導体膜５０８（１）を形成する工程と同じ工程で形成することができる。
【０１８４】これにより、画素回路５３０（ｉ，ｊ）が形成される基材上に駆動回路ＤＣ２２を形成することができる。または、表示パネル７００の部品点数を削減することができる。または、表示パネル７００の作製工程を簡略化することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【０１８５】＜表示パネルの構成例４＞
また、本実施の形態で説明する表示パネル７００は、表示領域２３１を有する（図１（Ａ）参照）。
【０１８６】《表示領域２３１の構成例１》
表示領域２３１は、一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、信号線Ｓ１（ｊ）および信号線Ｓ２（ｊ）を備える。
【０１８７】《一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）の構成例１》
一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）を含む。また、一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は、行方向（図中に矢印Ｒ１を用いて示す方向）に配設される。
【０１８８】《他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）の構成例１》
他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）を含む。また、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ１を用いて示す方向）に配設される。
【０１８９】《走査線Ｇ１（ｉ）の構成例１》
走査線Ｇ１（ｉ）は、一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。
【０１９０】《走査線Ｇ２（ｉ）の構成例１》
走査線Ｇ２（ｉ）は、一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。
【０１９１】《信号線Ｓ１（ｊ）の構成例１》
信号線Ｓ１（ｊ）は、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と電気的に接続される。
【０１９２】《信号線Ｓ２（ｊ）の構成例１》
信号線Ｓ２（ｊ）は、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と電気的に接続される。
【０１９３】これにより、複数の画素に画像情報を供給することができる。または、第２の選択信号を行ごとに、第１の選択信号から独立して供給することができる。または、第２の信号を列ごとに、第１の信号から独立して供給することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【０１９４】《表示領域２３１の構成例２》
表示領域２３１は７６００個以上の画素を行方向に備え、表示領域２３１は４３００個以上の画素を列方向に備える。例えば、７６８０個の画素を行方向に備え、４３２０個の画素を列方向に備える。これにより、所謂８Ｋテレビを提供することができる。または、表示領域２３１は３８００個以上の画素を行方向に備え、表示領域２３１は９００個以上の画素を列方向に備える。例えば、３８４０個の画素を行方向に備え、１０００個の画素を列方向に備える。これにより、所謂４Ｋテレビを提供することができる。
【０１９５】これにより、例えば、４Ｋテレビや８Ｋテレビのように、ハイビジョンテレビより画素数が多い表示パネルの画素をオーバードライブをすることができる。または、情報を書き込む時間がハイビジョンテレビより短い表示パネルの画素をオーバードライブをすることができる。
【０１９６】＜表示パネルの構成例５＞
表示領域２３１は、画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を備える（図３（Ｃ）参照）。
【０１９７】画素７０２（ｉ，ｊ）は、ＣＩＥ１９３１色度座標における色度ｘが０．６８０より大きく０．７２０以下、色度ｙが０．２６０以上０．３２０以下の色を表示する。
【０１９８】画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は、ＣＩＥ１９３１色度座標における色度ｘが０．１３０以上０．２５０以下、色度ｙが０．７１０より大きく０．８１０以下の色を表示する。
【０１９９】画素７０２（ｉ，ｊ＋２）は、ＣＩＥ１９３１色度座標における色度ｘが０．１２０以上０．１７０以下、色度ｙが０．０２０以上０．０６０未満の色を表示する。
【０２００】また、画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を、ＣＩＥ色度図（ｘ，ｙ）におけるＢＴ．２０２０の色域に対する面積比が８０％以上、または、該色域に対するカバー率が７５％以上になるように備える。好ましくは、面積比が９０％以上、または、カバー率が８５％以上になるように備える。
【０２０１】＜表示パネルの構成例６＞
また、本実施の形態で説明する表示パネル７００の表示領域２３１は、駆動回路ＤＣ２１および駆動回路ＤＣ２２の間に配設される（図１（Ａ）参照）。
【０２０２】《信号線Ｓ１（ｊ）の構成例１》
信号線Ｓ１（ｊ）は、駆動回路ＤＣ２１と電気的に接続される。
【０２０３】《信号線Ｓ２（ｊ）の構成例１》
信号線Ｓ２（ｊ）は、駆動回路ＤＣ２２と電気的に接続される。
【０２０４】これにより、表示領域２３１を第１の駆動回路ＤＣ２１に近づけることができる。または、表示領域２３１を第１の駆動回路ＤＣ２２に近づけることができる。または、第１の信号の劣化を防ぐことができる。または、第２の信号の劣化を防ぐことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【０２０５】＜表示パネルの構成例７＞
また、本実施の形態で説明する表示パネル７００の第２の駆動部ＳＤは、第３の駆動回路ＤＣ２３を備える（図１（Ａ）参照）。
【０２０６】《駆動回路ＤＣ２３の構成例１》
駆動回路ＤＣ２３は、第２の信号を生成する。
【０２０７】《表示領域２３１の構成例３》
表示領域２３１は、駆動回路ＤＣ２２および駆動回路ＤＣ２３の間に配設される。
【０２０８】《信号線Ｓ２（ｊ）の構成例２》
信号線Ｓ２（ｊ）は、駆動回路ＤＣ２２および駆動回路ＤＣ２３と電気的に接続される。
【０２０９】これにより、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）および信号線Ｓ２（ｊ）に由来する負荷を第２の駆動回路ＤＣ２２および第３の駆動回路ＤＣ２３に分配することができる。または、第２の駆動回路ＤＣ２２および第３の駆動回路ＤＣ２３を用いて他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）および信号線Ｓ２（ｊ）を駆動できる。または、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）および信号線Ｓ２（ｊ）の電位を所定の値にするまでの時間を短くすることができる。または、動作を高速にすることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【０２１０】なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２１１】（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様で開示されるトランジスタの半導体膜に用いることができる金属酸化物について説明する。なお、トランジスタの半導体膜に金属酸化物を用いる場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と読み替えてもよい。
【０２１２】酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ−ＯＳ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化物半導体、ｎｃ−ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、擬似非晶質酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、及び非晶質酸化物半導体などがある。
【０２１３】また、非単結晶酸化物半導体の１つとして、半結晶性酸化物半導体（Ｓｅｍｉ−ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）と呼称される酸化物半導体が挙げられる。半結晶性酸化物半導体とは、単結晶酸化物半導体と非晶質酸化物半導体との中間構造を有する。半結晶性酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体と比較して構造が安定である。例えば、半結晶性酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ構造を有し、かつＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ−Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）構成である酸化物半導体がある。ＣＡＣの詳細については、以下で説明を行う。
【０２１４】また、本発明の一態様で開示されるトランジスタの半導体膜には、ＣＡＣ−ＯＳ（Ｃｌｏｕｄ−Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を用いてもよい。
【０２１５】なお、本発明の一態様で開示されるトランジスタの半導体膜は、上述した非単結晶酸化物半導体またはＣＡＣ−ＯＳを好適に用いることができる。また、非単結晶酸化物半導体としては、ｎｃ−ＯＳまたはＣＡＡＣ−ＯＳを好適に用いることができる。
【０２１６】なお、本発明の一態様では、トランジスタの半導体膜として、ＣＡＣ−ＯＳを用いると好ましい。ＣＡＣ−ＯＳを用いることで、トランジスタに高い電気特性または高い信頼性を付与することができる。
【０２１７】以下では、ＣＡＣ−ＯＳの詳細について説明する。
【０２１８】ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅを、トランジスタのチャネル形成領域に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（またはホール）を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅに付与することができる。ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。
【０２１９】また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、導電性領域、及び絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察される場合がある。
【０２２０】また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅにおいて、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズで材料中に分散している場合がある。
【０２２１】また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップを有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル形成領域に用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、及び高い電界効果移動度を得ることができる。
【０２２２】すなわち、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合材（ｍａｔｒｉｘ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ  ｍａｔｒｉｘ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。
【０２２３】ＣＡＣ−ＯＳは、例えば、金属酸化物を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、金属酸化物において、一つあるいはそれ以上の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状またはパッチ状ともいう。
【０２２４】なお、金属酸化物は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種または複数種が含まれていてもよい。
【０２２５】例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳ（ＣＡＣ−ＯＳの中でもＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ−ＩＧＺＯと呼称してもよい。）とは、インジウム酸化物（以下、ＩｎＯＸ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする。）、またはインジウム亜鉛酸化物（以下、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２（Ｘ２、Ｙ２、及びＺ２は０よりも大きい実数）とする。）と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯＸ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とする。）、またはガリウム亜鉛酸化物（以下、ＧａＸ４ＺｎＹ４ＯＺ４（Ｘ４、Ｙ４、及びＺ４は０よりも大きい実数）とする。）などと、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のＩｎＯＸ１、またはＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２が、膜中に均一に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。
【０２２６】つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合金属酸化物である。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、第２の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。
【０２２７】なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯによる１つの化合物をいう場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ（１＋ｘ０）Ｇａ（１−ｘ０）Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ０（−１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表される結晶性の化合物が挙げられる。
【０２２８】上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、またはＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ  ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有する。なお、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ−ｂ面においては配向せずに連結した結晶構造である。
【０２２９】一方、ＣＡＣ−ＯＳは、金属酸化物の材料構成に関する。ＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。従って、ＣＡＣ−ＯＳにおいて、結晶構造は副次的な要素である。
【０２３０】なお、ＣＡＣ−ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含まない。
【０２３１】なお、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。
【０２３２】なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれている場合、ＣＡＣ−ＯＳは、一部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。
【０２３３】ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を意図的に加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。
【０２３４】ＣＡＣ−ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ  ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定法のひとつであるＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法によるθ／２θスキャンを用いて測定したときに、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、Ｘ線回折測定から、測定領域のａ−ｂ面方向、及びｃ軸方向の配向は見られないことが分かる。
【０２３５】またＣＡＣ−ＯＳは、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう。）を照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該リング領域に複数の輝点が観測される。従って、電子線回折パターンから、ＣＡＣ−ＯＳの結晶構造が、平面方向、及び断面方向において、配向性を有さないｎｃ（ｎａｎｏ−ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有することがわかる。
【０２３６】また例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。
【０２３７】ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、ＩＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯＸ３などが主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域と、に互いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。
【０２３８】ここで、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域は、ＧａＯＸ３などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸化物半導体としての導電性が発現する。従って、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。
【０２３９】一方、ＧａＯＸ３などが主成分である領域は、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯＸ３などが主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なスイッチング動作を実現できる。
【０２４０】従って、ＣＡＣ−ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯＸ３などに起因する絶縁性と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１に起因する導電性とが、相補的に作用することにより、高いオン電流（Ｉｏｎ）、及び高い電界効果移動度（μ）を実現することができる。
【０２４１】また、ＣＡＣ−ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ−ＯＳは、表示パネルをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。
【０２４２】本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２４３】（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成について、図９を参照しながら説明する。
【０２４４】図９は本発明の一態様の表示装置の構成を説明する図である。図９（Ａ）は本発明の一態様の表示装置のブロック図であり、図９（Ｂ−１）乃至図９（Ｂ−３）は本発明の一態様の表示装置の外観を説明する投影図である。
【０２４５】＜表示装置の構成例＞
本実施の形態で説明する表示装置は、制御部２３８と、表示パネル７００とを有する（図９（Ａ）参照）。
【０２４６】《制御部２３８の構成例》
制御部２３８は、画像情報Ｖ１および制御情報ＣＩを供給される。例えば、クロック信号またはタイミング信号などを制御情報ＣＩに用いることができる。
【０２４７】制御部２３８は画像情報Ｖ１に基づいて情報Ｖ１１を生成し、制御情報ＣＩにもとづいて制御信号ＳＰを生成する。また、制御部２３８は情報Ｖ１１および制御信号ＳＰを供給する。例えば、情報Ｖ１１は、８ｂｉｔ以上好ましくは１２ｂｉｔ以上の階調を含む。また、例えば、駆動回路に用いるシフトレジスタのクロック信号またはスタートパルスなどを、制御信号ＳＰに用いることができる。
【０２４８】具体的には、制御部２３８は、制御回路２３３、伸張回路２３４および画像処理回路２３５を備える。
【０２４９】《制御回路２３３》
制御回路２３３は制御信号ＳＰを生成し、供給する機能を備える。
【０２５０】制御回路２３３は制御信号ＳＰを供給する機能を備える。例えば、クロック信号またはタイミング信号などを制御信号ＳＰに用いることができる。
【０２５１】例えば、タイミングコントローラを制御回路２３３に用いることができる。
【０２５２】《伸張回路２３４》
伸張回路２３４は、圧縮された状態で供給される画像情報Ｖ１を伸張する機能を備える。伸張回路２３４は、記憶部を備える。記憶部は、例えば伸張された画像情報を記憶する機能を備える。
【０２５３】《画像処理回路２３５》
画像処理回路２３５は、例えば、記憶領域を備える。記憶領域は、例えば、画像情報Ｖ１に含まれる情報を記憶する機能を備える。
【０２５４】画像処理回路２３５は、例えば、所定の特性曲線に基づいて画像情報Ｖ１を補正して情報Ｖ１１を生成する機能と、情報Ｖ１１を供給する機能を備える。
【０２５５】《表示パネルの構成例》
表示パネル７００は情報Ｖ１１および制御信号ＳＰを供給される。駆動回路は制御信号ＳＰに基づいて動作し、画素７０２（ｉ，ｊ）は、情報Ｖ１１に基づいて表示する。
【０２５６】例えば、実施の形態１において説明する表示パネルを用いることができる。
【０２５７】例えば、駆動部ＳＤは、制御信号ＳＰおよび情報Ｖ１１を供給され、第１の信号および第２の信号を供給する。また、駆動部ＧＤは、制御信号ＳＰを供給され第１の選択信号および第２の選択信号を供給する。
【０２５８】制御信号ＳＰを用いることにより、駆動部ＳＤおよび駆動部ＧＤの動作を同期することができる。
【０２５９】なお、制御回路２３３を表示パネルに含めることもできる。例えば、リジッド基板に実装された制御回路２３３を表示パネルに用いることができる。具体的には、リジッド基板に実装された制御回路２３３を、フレキシブルプリント基板を用いて駆動回路に電気的に接続することができる。
【０２６０】これにより、表示素子を用いて画像情報を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、例えば、テレビジョン受像システム（図９（Ｂ−１）参照）、映像モニター（図９（Ｂ−２）参照）またはノートブックコンピュータ（図９（Ｂ−３）参照）などを提供することができる。
【０２６１】なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２６２】（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図１０を参照しながら説明する。
【０２６３】図１０は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明するブロック図である。
【０２６４】＜入出力装置の構成例＞
本実施の形態で説明する入出力装置は、入力部２４０と、表示部２３０と、を有する（図１０参照）。
【０２６５】《表示部２３０》
例えば、実施の形態１に記載の表示パネル７００を表示部２３０に用いることができる。なお、入力部２４０および表示部２３０を有する構成を入出力パネル７００ＴＰということができる。
【０２６６】《入力部２４０の構成例１》
入力部２４０は検知領域２４１を備える。入力部２４０は検知領域２４１に近接するものを検知する機能を備える。
【０２６７】検知領域２４１は、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
【０２６８】これにより、表示部を用いて画像情報を表示しながら、表示部と重なる領域に近接するものを検知することができる。または、表示部に近接させる指などをポインタに用いて、位置情報を入力することができる。または、位置情報を表示部に表示する画像情報に関連付けることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
【０２６９】《入力部２４０の構成例２》
入力部２４０は発振回路ＯＳＣおよび検知回路ＤＣを備えることができる（図１０参照）。
【０２７０】《検知領域２４１》
検知領域２４１は、例えば、単数または複数の検知素子を備える。
【０２７１】検知領域２４１は、一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）と、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）と、を有する。なお、ｇは１以上ｐ以下の整数であり、ｈは１以上ｑ以下の整数であり、ｐおよびｑは１以上の整数である。
【０２７２】一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒ２で示す方向）に配設される。なお、矢印Ｒ２で示す方向は、矢印Ｒ１で示す方向と同じであっても良いし、異なっていてもよい。
【０２７３】また、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ２で示す方向）に配設される。
【０２７４】《検知素子》
検知素子は近接するポインタを検知する機能を備える。例えば、指やスタイラスペン等をポインタに用いることができる。例えば、金属片またはコイル等を、スタイラスペンに用いることができる。
【０２７５】具体的には、静電容量方式の近接センサ、電磁誘導方式の近接センサ、光学方式の近接センサ、抵抗膜方式の近接センサなどを、検知素子に用いることができる。
【０２７６】また、複数の方式の検知素子を併用することもできる。例えば、指を検知する検知素子と、スタイラスペンを検知する検知素子とを、併用することができる。
【０２７７】これにより、ポインタの種類を判別することができる。または、判別したポインタの種類に基づいて、異なる命令を検知情報に関連付けることができる。具体的には、ポインタに指を用いたと判別した場合は、検知情報をジェスチャーと関連付けることができる。または、ポインターにスタイラスペンを用いたと判別した場合は、検知情報を描画処理と関連付けることができる。
【０２７８】具体的には、静電容量方式または光学方式の近接センサを用いて、指を検知することができる。または、電磁誘導方式または光学方式の近接センサを用いて、スタイラスペンを検知することができる。
【０２７９】なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２８０】（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図１１乃至図１３を参照しながら説明する。
【０２８１】図１１（Ａ）は本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明するブロック図である。図１１（Ｂ）および図１１（Ｃ）は、情報処理装置の外観の一例を説明する投影図である。
【０２８２】図１２は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図１２（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムの主の処理を説明するフローチャートであり、図１２（Ｂ）は、割り込み処理を説明するフローチャートである。
【０２８３】図１３は、本発明の一態様のプログラムを説明する図である。図１３（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムの割り込み処理を説明するフローチャートである。また、図１３（Ｂ）は、情報処理装置の操作を説明する模式図であり、図１３（Ｃ）は、本発明の一態様の情報処理装置の動作を説明するタイミングチャートである。
【０２８４】＜情報処理装置の構成例１＞
本実施の形態で説明する情報処理装置は、演算装置２１０と、入出力装置２２０と、を有する（図１１（Ａ）参照）。なお、入出力装置は、演算装置２１０と電気的に接続される。また、情報処理装置２００は筐体を備えることができる（図１１（Ｂ）または図１１（Ｃ）参照）。
【０２８５】《演算装置２１０の構成例１》
演算装置２１０は入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳを供給される。演算装置２１０は制御情報ＣＩおよび画像情報Ｖ１を供給する。
【０２８６】演算装置２１０は、演算部２１１および記憶部２１２を備える。また、演算装置２１０は、伝送路２１４および入出力インターフェース２１５を備える。
【０２８７】伝送路２１４は、演算部２１１、記憶部２１２、および入出力インターフェース２１５と電気的に接続される。
【０２８８】《演算部２１１》
演算部２１１は、例えばプログラムを実行する機能を備える。
【０２８９】《記憶部２１２》
記憶部２１２は、例えば演算部２１１が実行するプログラム、初期情報、設定情報または画像等を記憶する機能を有する。
【０２９０】具体的には、ハードディスク、フラッシュメモリまたは酸化物半導体を含むトランジスタを用いたメモリ等を用いることができる。
【０２９１】《入出力インターフェース２１５、伝送路２１４》
入出力インターフェース２１５は端子または配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、伝送路２１４と電気的に接続することができる。また、入出力装置２２０と電気的に接続することができる。
【０２９２】伝送路２１４は配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。また、演算部２１１、記憶部２１２または入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。
【０２９３】《入出力装置２２０の構成例》
入出力装置２２０は、入力情報ＩＩおよび検知情報ＤＳを供給する。入出力装置２２０は、制御情報ＣＩおよび画像情報Ｖ１を供給される（図１１（Ａ）参照）。
【０２９４】例えば、キーボードのスキャンコード、位置情報、ボタンの操作情報、音声情報または画像情報等を入力情報ＩＩに用いることができる。または、例えば、情報処理装置２００が使用される環境等の照度情報、姿勢情報、加速度情報、方位情報、圧力情報、温度情報または湿度情報等を検知情報ＤＳに用いることができる。
【０２９５】例えば、画像情報Ｖ１を表示する輝度を制御する信号、彩度を制御する信号、色相を制御する信号を、制御情報ＣＩに用いることができる。または、画像情報Ｖ１の一部の表示を変化する信号を、制御情報ＣＩに用いることができる。
【０２９６】入出力装置２２０は、表示部２３０、入力部２４０および検知部２５０を備える。例えば、実施の形態４において説明する入出力装置を用いることができる。
【０２９７】表示部２３０は制御情報ＣＩに基づいて、画像情報Ｖ１を表示する。
【０２９８】入力部２４０は入力情報ＩＩを生成する。
【０２９９】検知部２５０は検知情報ＤＳを生成する。
【０３００】《表示部２３０》
表示部２３０は画像情報Ｖ１に基づいて画像を表示する機能を備える。表示部２３０は制御情報ＣＩに基づいて画像を表示する機能を備える。
【０３０１】表示部２３０は、制御部２３８と、駆動回路ＧＤと、駆動回路ＳＤと、表示パネル７００と、を有する（図９参照）。例えば、実施の形態３において説明する表示装置を表示部２３０に用いることができる。
【０３０２】《入力部２４０》
入力部２４０は、位置情報Ｐ１を供給する機能を備える。さまざまなヒューマンインターフェイス等を入力部２４０に用いることができる（図１１（Ａ）参照）。
【０３０３】例えば、キーボード、マウス、タッチセンサ、マイクまたはカメラ等を入力部２４０に用いることができる。なお、表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを用いることができる。表示部２３０と表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを備える入出力装置を、タッチパネルまたはタッチスクリーンということができる。
【０３０４】例えば、使用者は、タッチパネルに触れた指をポインタに用いて様々なジェスチャー（タップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等）をすることができる。
【０３０５】例えば、演算装置２１０は、タッチパネルに接触する指の位置または軌跡等の情報を解析し、解析結果が所定の条件を満たすとき、所定のジェスチャーが供給されたとすることができる。これにより、使用者は、所定のジェスチャーにあらかじめ関連付けられた所定の操作命令を、当該ジェスチャーを用いて供給できる。
【０３０６】一例を挙げれば、使用者は、画像情報の表示位置を変更する「スクロール命令」を、タッチパネルに沿ってタッチパネルに接触する指を移動するジェスチャーを用いて供給できる。
【０３０７】《検知部２５０》
検知部２５０は検知情報ＤＳを供給する機能を備える。検知部２５０は、例えば、情報処理装置２００が使用される環境の照度を検出する機能を備え、照度情報を供給する機能を備える。
【０３０８】検知部２５０は、周囲の状態を検知して検知情報を供給する機能を備える。具体的には、照度情報、姿勢情報、加速度情報、方位情報、圧力情報、温度情報または湿度情報等を供給できる。
【０３０９】例えば、光検出器、姿勢検出器、加速度センサ、方位センサ、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ  ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）信号受信回路、圧力センサ、温度センサ、湿度センサまたはカメラ等を、検知部２５０に用いることができる。
【０３１０】《通信部２９０》
通信部２９０は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報を取得する機能を備える。
【０３１１】《筐体》
なお、筐体は入出力装置２２０または演算装置２１０を収納する機能を備える。または、筐体は表示部２３０または演算装置２１０を支持する機能を備える。
【０３１２】これにより、情報処理装置は、情報処理装置が使用される環境において、情報処理装置の筐体が受ける光の強さを把握して動作することができる。または、情報処理装置の使用者は、表示方法を選択することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
【０３１３】なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。例えばタッチセンサが表示パネルに重ねられたタッチパネルは、表示部であるとともに入力部でもある。
【０３１４】《演算装置２１０の構成例２》
演算装置２１０は人工知能部２１３を備える（図１１（Ａ）参照）。人工知能部２１３は、入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳに基づいて、制御情報ＣＩを生成する。
【０３１５】［入力情報ＩＩに対する自然言語処理］
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを自然言語処理して、入力情報ＩＩ全体から１つの特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は、入力情報ＩＩに込められた感情等を推論し特徴とすることができる。また、当該特徴に好適であると経験的に感じられる色彩、模様または書体等を推論することができる。また、人工知能部２１３は、文字の色、模様または書体を指定する情報、背景の色または模様を指定する情報を生成し、制御情報ＣＩに用いることができる。
【０３１６】具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを自然言語処理して、入力情報ＩＩに含まれる一部の言葉を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は文法的な誤り、事実誤認または感情を含む表現等を抽出することができる。また、人工知能部２１３は、抽出した一部を他の一部とは異なる色彩、模様または書体等で表示する制御情報ＣＩを生成し、制御情報ＣＩに用いることができる。
【０３１７】［入力情報ＩＩに対する画像処理］
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを画像処理して、入力情報ＩＩから１つの特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は、入力情報ＩＩが撮影された年代、屋内または屋外、昼または夜等を推論し特徴とすることができる。また、当該特徴に好適であると経験的に感じられる色調を推論し、当該色調を表示に用いるための制御情報ＣＩを生成することができる。具体的には、濃淡の表現に用いる色（例えば、フルカラー、白黒または茶褐色等）を指定する情報を制御情報ＣＩに用いることができる。
【０３１８】具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを画像処理して、入力情報ＩＩに含まれる一部の画像を抽出することができる。例えば、抽出した画像の一部と他の一部の間に境界を表示する制御情報ＣＩを生成することができる。具体的には、抽出した画像の一部を囲む矩形を表示する制御情報ＣＩを生成することができる。
【０３１９】［検知情報ＤＳを用いる推論］
具体的には、人工知能部２１３は検知情報ＤＳを情報ＩＮに用いて、推論ＲＩを生成することができる。または、推論ＲＩに基づいて、情報処理装置２００の使用者が快適であると感じられるように制御情報ＣＩを生成することができる。
【０３２０】具体的には、環境の照度等に基づいて、人工知能部２１３は、表示の明るさが快適であると感じられるように、表示の明るさを調整する制御情報ＣＩを生成することができる。または、人工知能部２１３は環境の騒音等に基づいて大きさが快適であると感じられるように、音量を調整する制御情報ＣＩを生成することができる。
【０３２１】なお、表示部２３０が備える制御部２３８に供給するクロック信号またはタイミング信号などを制御情報ＣＩに用いることができる。または、入力部２４０が備える制御部２４８に供給するクロック信号またはタイミング信号などを制御情報ＣＩに用いることができる。
【０３２２】＜情報処理装置の構成例３＞
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図１２（Ａ）および図１２（Ｂ）を参照しながら説明する。
【０３２３】《プログラム》
本発明の一態様のプログラムは、下記のステップを有する（図１２（Ａ）参照）。
【０３２４】［第１のステップ］
第１のステップにおいて、設定を初期化する（図１２（Ａ）（Ｓ１）参照）。
【０３２５】例えば、起動時に表示する所定の画像情報と、当該画像情報を表示する所定のモードと、当該画像情報を表示する所定の表示方法を特定する情報と、を記憶部２１２から取得する。具体的には、一の静止画像情報または他の動画像情報を所定の画像情報に用いることができる。また、第１のモードまたは第２のモードを所定のモードに用いることができる。
【０３２６】［第２のステップ］
第２のステップにおいて、割り込み処理を許可する（図１２（Ａ）（Ｓ２）参照）。なお、割り込み処理が許可された演算装置は、主の処理と並行して割り込み処理を行うことができる。割り込み処理から主の処理に復帰した演算装置は、割り込み処理をして得た結果を主の処理に反映することができる。
【０３２７】なお、カウンタの値が初期値であるとき、演算装置に割り込み処理をさせ、割り込み処理から復帰する際に、カウンタを初期値以外の値としてもよい。これにより、プログラムを起動した後に常に割り込み処理をさせることができる。
【０３２８】［第３のステップ］
第３のステップにおいて、第１のステップまたは割り込み処理において選択された、所定のモードまたは所定の表示方法を用いて画像情報を表示する（図１２（Ａ）（Ｓ３）参照）。なお、所定のモードは情報を表示するモードを特定し、所定の表示方法は画像情報を表示する方法を特定する。また、例えば、画像情報Ｖ１を表示する情報に用いることができる。
【０３２９】例えば、画像情報Ｖ１を表示する一の方法を、第１のモードに関連付けることができる。または、画像情報Ｖ１を表示する他の方法を第２のモードに関連付けることができる。これにより、選択されたモードに基づいて表示方法を選択することができる。
【０３３０】《第１のモード》
具体的には、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第１のモードに関連付けることができる。
【０３３１】例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で選択信号を供給すると、動画像の動きを滑らかに表示することができる。
【０３３２】例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で画像を更新すると、使用者の操作に滑らかに追従するように変化する画像を、使用者が操作中の情報処理装置２００に表示することができる。
【０３３３】《第２のモード》
具体的には、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第２のモードに関連付けることができる。
【０３３４】３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で選択信号を供給すると、フリッカーまたはちらつきが抑制された表示をすることができる。また、消費電力を低減することができる。
【０３３５】例えば、情報処理装置２００を時計に用いる場合、１秒に一回の頻度または１分に一回の頻度等で表示を更新することができる。
【０３３６】ところで、例えば、発光素子を表示素子に用いる場合、発光素子をパルス状に発光させて、画像情報を表示することができる。具体的には、パルス状に有機ＥＬ素子を発光させて、その残光を表示に用いることができる。有機ＥＬ素子は優れた周波数特性を備えるため、発光素子を駆動する時間を短縮し、消費電力を低減することができる場合がある。または、発熱が抑制されるため、発光素子の劣化を軽減することができる場合がある。
【０３３７】［第４のステップ］
第４のステップにおいて、終了命令が供給された場合（Ｙｅｓ）は第５のステップに進み、終了命令が供給されなかった場合（Ｎｏ）は第３のステップに進むように選択する（図１２（Ａ）（Ｓ４）参照）。
【０３３８】例えば、割り込み処理において供給された終了命令を判断に用いてもよい。
【０３３９】［第５のステップ］
第５のステップにおいて、終了する（図１２（Ａ）（Ｓ５）参照）。
【０３４０】《割り込み処理》
割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図１２（Ｂ）参照）。
【０３４１】［第６のステップ］
第６のステップにおいて、例えば、検知部２５０を用いて、情報処理装置２００が使用される環境の照度を検出する（図１２（Ｂ）（Ｓ６）参照）。なお、環境の照度に代えて環境光の色温度や色度を検出してもよい。
【０３４２】［第７のステップ］
第７のステップにおいて、検出した照度情報に基づいて表示方法を決定する（図１２（Ｂ）（Ｓ７）参照）。例えば、表示の明るさを暗すぎないように、または明るすぎないように決定する。
【０３４３】なお、第６のステップにおいて環境光の色温度や環境光の色度を検出した場合は、表示の色味を調節してもよい。
【０３４４】［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図１２（Ｂ）（Ｓ８）参照）。
【０３４５】＜情報処理装置の構成例３＞
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図１３を参照しながら説明する。
【０３４６】図１３（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図１３（Ａ）は、図１２（Ｂ）に示す割り込み処理とは異なる割り込み処理を説明するフローチャートである。
【０３４７】なお、情報処理装置の構成例３は、供給された所定のイベントに基づいて、モードを変更するステップを割り込み処理に有する点が、図１２（Ｂ）を参照しながら説明する割り込み処理とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。
【０３４８】《割り込み処理》
割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図１３（Ａ）参照）。
【０３４９】［第６のステップ］
第６のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合（Ｙｅｓ）は、第７のステップに進み、所定のイベントが供給されなかった場合（Ｎｏ）は、第８のステップに進む（図１３（Ａ）（Ｕ６）参照）。例えば、所定の期間に所定のイベントが供給されたか否かを条件に用いることができる。具体的には、５秒以下、１秒以下または０．５秒以下好ましくは０．１秒以下であって０秒より長い期間を所定の期間とすることができる。
【０３５０】［第７のステップ］
第７のステップにおいて、モードを変更する（図１３（Ａ）（Ｕ７）参照）。具体的には、第１のモードを選択していた場合は、第２のモードを選択し、第２のモードを選択していた場合は、第１のモードを選択する。
【０３５１】例えば、表示部２３０の一部の領域について、表示モードを変更することができる。具体的には、駆動回路ＧＤＡ、駆動回路ＧＤＢおよび駆動回路ＧＤＣを備える表示部２３０の一の駆動回路が選択信号を供給する領域について、表示モードを変更することができる（図１３（Ｂ）参照）。
【０３５２】例えば、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域と重なる領域にある入力部２４０に、所定のイベントが供給された場合に、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域の表示モードを変更することができる（図１３（Ｂ）および図１３（Ｃ）参照）。具体的には、指等を用いてタッチパネルに供給する「タップ」イベントに応じて、駆動回路ＧＤＢが供給する選択信号の頻度を変更することができる。
【０３５３】なお、信号ＧＣＬＫは駆動回路ＧＤＢの動作を制御するクロック信号であり、信号ＰＷＣ１および信号ＰＷＣ２は駆動回路ＧＤＢの動作を制御するパルス幅制御信号である。駆動回路ＧＤＢは、信号ＧＣＬＫ、信号ＰＷＣ１および信号ＰＷＣ２等に基づいて、選択信号を走査線Ｇ２（ｍ＋１）乃至走査線Ｇ２（２ｍ）に供給する。
【０３５４】これにより、例えば、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＣが選択信号を供給することなく、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給することができる。または、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＣが選択信号を供給する領域の表示を変えることなく、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域の表示を更新することができる。または、駆動回路が消費する電力を抑制することができる。
【０３５５】［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図１３（Ａ）（Ｕ８）参照）。なお、主の処理を実行している期間に割り込み処理を繰り返し実行してもよい。
【０３５６】《所定のイベント》
例えば、マウス等のポインティング装置を用いて供給する、「クリック」や「ドラッグ」等のイベント、指等をポインタに用いてタッチパネルに供給する、「タップ」、「ドラッグ」または「スワイプ」等のイベントを用いることができる。
【０３５７】また、例えば、ポインタが指し示すスライドバーの位置、スワイプの速度、ドラッグの速度等を用いて、所定のイベントに関連付けられた命令の引数を与えることができる。
【０３５８】例えば、検知部２５０が検知した情報をあらかじめ設定された閾値と比較して、比較結果をイベントに用いることができる。
【０３５９】具体的には、筐体に押し込むことができるように配設されたボタン等に接する感圧検知器等を検知部２５０に用いることができる。
【０３６０】《所定のイベントに関連付ける命令》
例えば、終了命令を、所定のイベントに関連付けることができる。
【０３６１】例えば、表示されている一の画像情報から他の画像情報に表示を切り替える「ページめくり命令」を、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「ページめくり命令」を実行する際に用いるページをめくる速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。
【０３６２】例えば、一の画像情報の表示されている一部分の表示位置を移動して、一部分に連続する他の部分を表示する「スクロール命令」などを、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「スクロール命令」を実行する際に用いる表示を移動する速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。
【０３６３】例えば、表示方法を設定する命令または画像情報を生成する命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。なお、生成する画像の明るさを決定する引数を所定のイベントに関連付けることができる。また、生成する画像の明るさを決定する引数を、検知部２５０が検知する環境の明るさに基づいて決定してもよい。
【０３６４】例えば、プッシュ型のサービスを用いて配信される情報を、通信部２９０を用いて取得する命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。
【０３６５】なお、情報を取得する資格の有無を、検知部２５０が検知する位置情報を用いて判断してもよい。具体的には、所定の教室、学校、会議室、企業、建物等の内部または領域にいる場合に、情報を取得する資格を有すると判断してもよい。これにより、例えば、学校または大学等の教室で配信される教材を受信して、情報処理装置２００を教科書等に用いることができる（図１１（Ｃ）参照）。または、企業等の会議室で配信される資料を受信して、会議資料に用いることができる。
【０３６６】なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０３６７】（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図１４および図１５を参照しながら説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図１４および図１５を参照しながら説明する。
【０３６８】図１４および図１５は、本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明する図である。図１４（Ａ）は情報処理装置のブロック図であり、図１４（Ｂ）乃至図１４（Ｅ）は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。また、図１５（Ａ）乃至図１５（Ｅ）は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。
【０３６９】＜情報処理装置＞
本実施の形態で説明する情報処理装置５２００Ｂは、演算装置５２１０と、入出力装置５２２０とを、有する（図１４（Ａ）参照）。
【０３７０】演算装置５２１０は、操作情報を供給される機能を備え、操作情報に基づいて画像情報を供給する機能を備える。
【０３７１】入出力装置５２２０は、表示部５２３０、入力部５２４０、検知部５２５０、通信部５２９０、操作情報を供給する機能および画像情報を供給される機能を備える。また、入出力装置５２２０は、検知情報を供給する機能、通信情報を供給する機能および通信情報を供給される機能を備える。
【０３７２】入力部５２４０は操作情報を供給する機能を備える。例えば、入力部５２４０は、情報処理装置５２００Ｂの使用者の操作に基づいて操作情報を供給する。
【０３７３】具体的には、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置などを、入力部５２４０に用いることができる。
【０３７４】表示部５２３０は表示パネルおよび画像情報を表示する機能を備える。例えば、実施の形態１において説明する表示パネルを表示部５２３０に用いることができる。
【０３７５】検知部５２５０は検知情報を供給する機能を備える。例えば、情報処理装置が使用されている周辺の環境を検知して、検知情報として供給する機能を備える。
【０３７６】具体的には、照度センサ、撮像装置、姿勢検出装置、圧力センサ、人感センサなどを検知部５２５０に用いることができる。
【０３７７】通信部５２９０は通信情報を供給される機能および供給する機能を備える。例えば、無線通信または有線通信により、他の電子機器または通信網と接続する機能を備える。具体的には、無線構内通信、電話通信、近距離無線通信などの機能を備える。
【０３７８】《情報処理装置の構成例１》
例えば、円筒状の柱などに沿った外形を表示部５２３０に適用することができる（図１４（Ｂ）参照）。また、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。また、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を備える。これにより、例えば、建物の柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。または、デジタル・サイネージ等に用いることができる。
【０３７９】《情報処理装置の構成例２》
例えば、情報処理装置は、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を備える（図１４（Ｃ）参照）。具体的には、対角線の長さが２０インチ以上、好ましくは４０インチ以上、より好ましくは５５インチ以上の表示パネルを用いることができる。または、複数の表示パネルを並べて１つの表示領域に用いることができる。または、複数の表示パネルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。これにより、例えば、情報処理装置は、電子黒板、電子掲示板、電子看板等に用いることができる。
【０３８０】《情報処理装置の構成例３》
例えば、情報処理装置は、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１４（Ｄ）参照）。これにより、例えば、スマートウオッチの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートウオッチに表示することができる。
【０３８１】《情報処理装置の構成例４》
表示部５２３０は、例えば、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える（図１４（Ｅ）参照）。または、表示部５２３０は表示パネルを備え、表示パネルは、例えば、前面、側面および上面に表示する機能を備える。これにより、例えば、携帯電話の前面だけでなく、側面および上面に画像情報を表示することができる。
【０３８２】《情報処理装置の構成例５》
例えば、情報処理装置は、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１５（Ａ）参照）。これにより、スマートフォンの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートフォンに表示することができる。
【０３８３】《情報処理装置の構成例６》
例えば、情報処理装置は、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１５（Ｂ）参照）。これにより、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できるように、映像をテレビジョンシステムに表示することができる。
【０３８４】《情報処理装置の構成例７》
例えば、情報処理装置は、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１５（Ｃ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をタブレットコンピュータに表示することができる。
【０３８５】《情報処理装置の構成例８》
例えば、情報処理装置は、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１５（Ｄ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧できるように、被写体をデジタルカメラに表示することができる。
【０３８６】《情報処理装置の構成例９》
例えば、情報処理装置は、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１５（Ｅ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をパーソナルコンピュータに表示することができる。
【０３８７】なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０３８８】例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に開示されているものとする。
【０３８９】ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【０３９０】ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに、ＸとＹとが、接続されている場合である。
【０３９１】ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
【０３９２】ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
【０３９３】なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
【０３９４】なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。
【０３９５】例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
【０３９６】または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
【０３９７】なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【０３９８】なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【符号の説明】
【０３９９】Ｃ１１：容量素子、Ｃ１２：容量素子、ＣＩ：制御情報、ＤＣ２１：駆動回路、ＤＣ２２：駆動回路、ＤＣ２３：駆動回路、ＤＳ：検知情報、Ｇ１（ｉ）：走査線、Ｇ２（ｉ）：走査線、ＧＣＬＫ：信号、ＧＤＡ：駆動回路、ＧＤＢ：駆動回路、ＧＤＣ：駆動回路、ＧＤ：駆動回路、ＩＩ：入力情報、ＩＮ：情報、ＫＢ１：構造体、ＬＶ１：レベル、ＬＶ２：レベル、ＬＶ３：レベル、ＬＶ４：レベル、ＬＶ５：レベル、ＬＶ６：レベル、Ｎ１（ｉ，ｊ）：ノード、Ｓ１（ｊ）：信号線、Ｓ２（ｊ）：信号線、ＳＤ：駆動回路、ＳＰ：制御信号、ＳＷ１１：スイッチ、ＳＷ１２：スイッチ、Ｐ１：位置情報、ＰＷＣ１：信号、ＰＷＣ２：信号、Ｖ１：画像情報、Ｖ１１：情報、ＶＣＯＭ：電位、ＶＮ：電位、２００：情報処理装置、２１０：演算装置、２１１：演算部、２１２：記憶部、２１３：人工知能部、２１４：伝送路、２１５：入出力インターフェース、２２０：入出力装置、２３０：表示部、２３１：表示領域、２３３：制御回路、２３４：伸張回路、２３５：画像処理回路、２３８：制御部、２４０：入力部、２４１：検知領域、２４８：制御部、２５０：検知部、２９０：通信部、５０４：導電膜、５０６：絶縁膜、５０８：半導体膜、５１２Ａ：導電膜、５１２Ｂ：導電膜、５２０：機能層、５３０：画素回路、５９１Ａ：接続部、７００：表示パネル、７００ＴＰ：入出力パネル、７０２：画素、７２０：機能層、７５０：表示素子、７５１：電極、７５２：電極、７５３：層、７７０：基板、７７０Ｄ：機能膜、７７０Ｐ：機能膜、７７１：絶縁膜、７７５：検知素子、５２００Ｂ：情報処理装置、５２１０：演算装置、５２２０：入出力装置、５２３０：表示部、５２４０：入力部、５２５０：検知部、５２９０：通信部
【図１】
2019123101.tif 000004
【図２】
2019123101.tif 000005
【図３】
2019123101.tif 000006
【図４】
2019123101.tif 000007
【図５】
2019123101.tif 000008
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2019123101.tif 000014
【図１２】
2019123101.tif 000015
【図１３】
2019123101.tif 000016
【図１４】
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【図１５】
2019123101.tif 000018
【国際調査報告】
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2019123101.tif 000020
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