(57)【要約】  導電層上にポジ型感光性組成物層を形成する工程、上記ポジ型感光性組成物層をパターン露光する工程、上記パターン露光されたポジ型感光性組成物層を現像する工程、上記現像されたポジ型感光性組成物層をマスクとして用い、導電層をエッチングする工程、上記現像されたポジ型感光性組成物層を全面露光する工程、及び、上記全面露光されたポジ型感光性組成物層を除去する工程、をこの順に含む回路基板の製造方法及びタッチパネルの製造方法。
2019077924.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電層上にポジ型感光性組成物層を形成する工程、
前記ポジ型感光性組成物層をパターン露光する工程、
前記パターン露光されたポジ型感光性組成物層を現像する工程、
前記現像されたポジ型感光性組成物層をマスクとして用い、導電層をエッチングする工程、
前記現像されたポジ型感光性組成物層を全面露光する工程、及び、
前記全面露光されたポジ型感光性組成物層を除去する工程、をこの順に含む
回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記ポジ型感光性組成物層を全面露光する工程と、前記全面露光されたポジ型感光性組成物層を除去する工程の間に、前記全面露光されたポジ型感光性組成物層を加熱する工程を含む請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記ポジ型感光性組成物層を除去する工程において、水を３０質量％以上含有する除去液を用いる請求項１又は請求項２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記ポジ型感光性組成物層が、酸分解性基で保護された酸基を有する構成単位を有する重合体と、光酸発生剤とを含有する請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記酸分解性基で保護された酸基を有する構成単位が、下記式Ａ１〜式Ａ３のいずれかにより表される構成単位である請求項４に記載の回路基板の製造方法。
【化１】
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式Ａ１中、Ｒ１１及びＲ１２はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、少なくともＲ１１及びＲ１２のいずれか一方がアルキル基又はアリール基であり、Ｒ１３はアルキル基又はアリール基を表し、Ｒ１１又はＲ１２と、Ｒ１３とが連結して環状エーテルを形成してもよく、Ｒ１４は水素原子又はメチル基を表し、Ｘ１は単結合又は二価の連結基を表し、Ｒ１５は置換基を表し、ｎは０〜４の整数を表す。
式Ａ２中、Ｒ２１及びＲ２２はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、少なくともＲ２１及びＲ２２のいずれか一方がアルキル基又はアリール基であり、Ｒ２３はアルキル基又はアリール基を表し、Ｒ２１又はＲ２２と、Ｒ２３とが連結して環状エーテルを形成してもよく、Ｒ２４はそれぞれ独立に、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシアルキル基、アリールカルボニル基、アリールオキシカルボニル基又はシクロアルキル基を表し、ｍは０〜３の整数を表す。
式Ａ３中、Ｒ３１及びＲ３２はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、少なくともＲ３１及びＲ３２のいずれか一方がアルキル基又はアリール基であり、Ｒ３３はアルキル基又はアリール基を表し、Ｒ３１又はＲ３２と、Ｒ３３とが連結して環状エーテルを形成してもよく、Ｒ３４は水素原子又はメチル基を表し、Ｘ０は単結合又は二価の連結基を表す。
【請求項６】
前記酸分解性基で保護された酸基を有する構成単位が、前記式Ａ３により表される構成単位である請求項５に記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記導電層が、金属層、及び、導電性金属酸化物層よりなる群から選ばれた少なくとも１種の層である請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記導電層が、銅層である請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記ポジ型感光性組成物層を形成する工程において、仮支持体と、ポジ型感光性組成物層とを有する感光性転写材料を用いる請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記仮支持体が、樹脂フィルムである請求項９に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記仮支持体が、シクロオレフィンポリマーを含む請求項９又は請求項１０に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法を含む、タッチパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、回路基板の製造方法及びタッチパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、静電容量型入力装置などのタッチパネルを備えた表示装置等（有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置や液晶表示装置など）においては、視認部のセンサーに相当する電極パターンや周辺配線部分や取り出し配線部分の配線などの回路配線がタッチパネル内部に設けられている。
このような、パターン化した回路配線の形成には、必要とするパターン形状を得るための工程数が少ないといった理由から、ドライフィルムレジストを感光性転写材料として用いることが検討されている。
具体的には、ドライフィルムレジストを用いて、基板上に感光性組成物層（感光性組成物の層）を形成し、上記感光性組成物層を、パターンを有するマスクを介する等によりパターン露光し、露光後の感光性組成物層を現像してレジストパターンを得、その後基板に対してエッチング処理を行うことにより、回路配線を形成する方法が広く使用されている。【０００３】
例えば、特開２０１７−１１６６１１号公報には、仮支持体と、下記式Ａで表される構成単位を有し、かつ重量平均分子量が１０００００以下である重合体、上記式Ａで表される構成単位を有する重合体よりも重量平均分子量が小さい可塑剤、及び光酸発生剤を含み、上記仮支持体上に配置されたポジ型感光性樹脂層と、を有するポジ型感光性転写材料が記載されている。【０００４】
【化１】
2019077924.tif 000003
【０００５】
式Ａ中、Ｒ３１及びＲ３２はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、少なくともＲ３１及びＲ３２のいずれか一方がアルキル基又はアリール基であり、Ｒ３３はアルキル基又はアリール基を表し、Ｒ３１又はＲ３２と、Ｒ３３とが連結して環状エーテルを形成してもよく、Ｒ３４は水素原子又はメチル基を表し、Ｘ０は単結合又はアリーレン基を表す。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者らは、従来の回路基板の製造方法において、エッチングマスクの除去液を長期間使用した場合、徐々に除去性が低下する場合があることを見出した。【０００７】
本発明の実施形態が解決しようとする課題は、除去液を長時間使用した場合においてもエッチングマスクの除去性に優れる回路基板の製造方法及びタッチパネルの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するための手段には、以下の態様が含まれる。
＜１＞  導電層上にポジ型感光性組成物層を形成する工程、上記ポジ型感光性組成物層をパターン露光する工程、上記パターン露光されたポジ型感光性組成物層を現像する工程、上記現像されたポジ型感光性組成物層をマスクとして用い、導電層をエッチングする工程、上記現像されたポジ型感光性組成物層を全面露光する工程、及び、上記全面露光されたポジ型感光性組成物層を除去する工程、をこの順に含む回路基板の製造方法。
＜２＞  上記ポジ型感光性組成物層を全面露光する工程と、上記全面露光されたポジ型感光性組成物層を除去する工程の間に、上記全面露光されたポジ型感光性組成物層を加熱する工程を含む＜１＞に記載の回路基板の製造方法。
＜３＞  上記ポジ型感光性組成物層を除去する工程において、水を３０質量％以上含有する除去液を用いる＜１＞又は＜２＞に記載の回路基板の製造方法。
＜４＞  上記ポジ型感光性組成物層が、酸分解性基で保護された酸基を有する構成単位を有する重合体と、光酸発生剤とを含有する＜１＞〜＜３＞のいずれか１つに記載の回路基板の製造方法。
＜５＞  上記酸分解性基で保護された酸基を有する構成単位が、下記式Ａ１〜式Ａ３のいずれかにより表される構成単位である＜４＞に記載の回路基板の製造方法。【０００９】
【化２】
2019077924.tif 000004
【００１０】
式Ａ１中、Ｒ１１及びＲ１２はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、少なくともＲ１１及びＲ１２のいずれか一方がアルキル基又はアリール基であり、Ｒ１３はアルキル基又はアリール基を表し、Ｒ１１又はＲ１２と、Ｒ１３とが連結して環状エーテルを形成してもよく、Ｒ１４は水素原子又はメチル基を表し、Ｘ１は単結合又は二価の連結基を表し、Ｒ１５は置換基を表し、ｎは０〜４の整数を表す。
式Ａ２中、Ｒ２１及びＲ２２はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、少なくともＲ２１及びＲ２２のいずれか一方がアルキル基又はアリール基であり、Ｒ２３はアルキル基又はアリール基を表し、Ｒ２１又はＲ２２と、Ｒ２３とが連結して環状エーテルを形成してもよく、Ｒ２４はそれぞれ独立に、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシアルキル基、アリールカルボニル基、アリールオキシカルボニル基又はシクロアルキル基を表し、ｍは０〜３の整数を表す。
式Ａ３中、Ｒ３１及びＲ３２はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、少なくともＲ３１及びＲ３２のいずれか一方がアルキル基又はアリール基であり、Ｒ３３はアルキル基又はアリール基を表し、Ｒ３１又はＲ３２と、Ｒ３３とが連結して環状エーテルを形成してもよく、Ｒ３４は水素原子又はメチル基を表し、Ｘ０は単結合又は二価の連結基を表す。【００１１】
＜６＞  上記酸分解性基で保護された酸基を有する構成単位が、上記式Ａ３により表される構成単位である＜５＞に記載の回路基板の製造方法。
＜７＞  上記導電層が、金属層、及び、導電性金属酸化物層よりなる群から選ばれた少なくとも１種の層である＜１＞〜＜６＞のいずれか１つに記載の回路基板の製造方法。
＜８＞  上記導電層が、銅層である＜１＞〜＜７＞のいずれか１つに記載の回路基板の製造方法。
＜９＞  上記ポジ型感光性組成物層を形成する工程において、仮支持体と、ポジ型感光性組成物層とを有する感光性転写材料を用いる＜１＞〜＜８＞のいずれか１つに記載の回路基板の製造方法。
＜１０＞  上記仮支持体が、樹脂フィルムである＜９＞に記載の回路基板の製造方法。
＜１１＞  上記仮支持体が、シクロオレフィンポリマーを含む＜９＞又は＜１０＞に記載の回路基板の製造方法。
＜１２＞  ＜１＞〜＜１１＞のいずれか１つに記載の回路基板の製造方法を含む、タッチパネルの製造方法。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の実施形態によれば、除去液を長時間使用した場合においてもエッチングマスクの除去性に優れる回路基板の製造方法及びタッチパネルの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】ポジ型感光性転写材料を用いた本開示に係る回路基板の製造方法の一例を示す概略図である。
【図２】本開示に好適に用いられるポジ型感光性転写材料の層構成の一例を示す概略図である。
【図３】パターンＡを示す概略図である。
【図４】パターンＢを示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本開示の内容について説明する。なお、添付の図面を参照しながら説明するが、符号は省略する場合がある。
また、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
また、本明細書において、「（メタ）アクリル」はアクリル及びメタクリルの双方、又は、いずれかを表し、「（メタ）アクリレート」はアクリレート及びメタクリレートの双方、又は、いずれかを表す。
更に、本明細書において組成物中の各成分の量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する該当する複数の物質の合計量を意味する。
本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけでなく、他の工程と明確に区別できない場合であっても工程の所期の目的が達成されれば、本用語に含まれる。
本明細書において「全固形分」とは、組成物の全組成から溶剤を除いた成分の総質量をいう。また、「固形分」とは、上述のように、溶剤を除いた成分であり、例えば、２５℃において固体であっても、液体であってもよい。
本明細書における基（原子団）の表記において、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。
また、本明細書における化学構造式は、水素原子を省略した簡略構造式で記載する場合もある。
本開示において、「質量％」と「重量％」とは同義であり、「質量部」と「重量部」とは同義である。
また、本開示において、２以上の好ましい態様の組み合わせは、より好ましい態様である。
また、本開示における重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、特に断りのない限り、ＴＳＫｇｅｌ  ＧＭＨｘＬ、ＴＳＫｇｅｌ  Ｇ４０００ＨｘＬ、ＴＳＫｇｅｌ  Ｇ２０００ＨｘＬ（何れも東ソー（株）製の商品名）のカラムを使用したゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）分析装置により、溶媒ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、示差屈折計により検出し、標準物質としてポリスチレンを用いて換算した分子量である。
【００１５】
（回路基板の製造方法）
本開示に係る回路基板の製造方法は、導電層上にポジ型感光性組成物層を形成する工程、上記ポジ型感光性組成物層をパターン露光する工程、上記パターン露光されたポジ型感光性組成物層を現像する工程、上記現像されたポジ型感光性組成物層をマスクとして用い、導電層をエッチングする工程、上記現像されたポジ型感光性組成物層を全面露光する工程、及び、上記全面露光されたポジ型感光性組成物層を除去する工程、をこの順に含む。
【００１６】
本発明者らは、鋭意検討した結果、本開示に係る回路基板の製造方法によれば、除去液（剥離液）を長時間使用した場合においてもエッチングマスクの除去性に優れることを見出した。上記効果が得られる機序の詳細は不明であるが、下記のように推測している。
【００１７】
上述したように、従来の回路基板の製造方法において、エッチングマスクの除去液を長時間使用した場合、徐々にエッチングマスクの除去性が低下する場合があることを本発明者らは見出した。
除去液を長時間使用した場合、詳細は不明であるが、空気中の二酸化炭素の溶解による炭酸塩の増加、ポジ型感光性組成物層中の成分の混入等の要因により、徐々に除去性が劣化すると推定している。
本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、本開示に係る回路基板の製造方法において、エッチングする工程の後に、エッチングマスクとして使用したポジ型感光性組成物層を全面露光することにより、除去液への溶解性及び除去液の浸透性が向上し、除去液を長時間使用した場合においても除去性に優れると推定している。
更に、上記ポジ型感光性組成物層を全面露光する工程と、上記全面露光されたポジ型感光性組成物層を除去する工程の間に、上記全面露光されたポジ型感光性組成物層を加熱する工程（加熱工程）を含むことにより、除去液を長時間使用した場合においてのエッチングマスクの除去性が更に優れることを見出した。加熱工程を含むことにより、ポジ型感光性組成物層における露光による反応を促進することができ、露光量が不足して反応阻害が生じ得る導電層基板近傍においても反応が促進され、除去液への溶解性及び除去液の浸透性が向上し、エッチングマスクの除去性が更に優れるものと推定している。
【００１８】
また、除去液を長時間使用することにより、除去液中の塩基（無機塩基又は有機塩基）と空気中より溶解した二酸化炭素とが反応して、炭酸塩を形成し、経時によって除去液中の塩濃度が上昇すると推定している。
除去液によりポジ型感光性組成物層（エッチングマスク）に含まれるポリマーを溶解させるためには、除去液中において、ポリマー間の電荷反発（斥力）を利用して、水溶液中に拡散させる必要があるが、除去液中の塩濃度が上昇すると、ポリマー表面における電気二重層の厚さが小さくなり、ポリマー同士の斥力が小さくなることにより、ポリマーが十分拡散できなくなり、除去性が低下すると推定している。
除去前の全面露光によってポジ型樹脂組成物層の溶解性を向上させ、特に酸分解性基の分解により酸基を発生させ、ポリマーの酸価を上昇させることより、ポリマー間に働く斥力を増大させることができ、除去液を長時間使用した場合においても除去性により優れると推定している。
【００１９】
また、本開示に係る回路基板の製造方法として、好ましい２つの態様を以下に示す。
回路基板の製造方法の第１の実施態様は、
基板における導電層上にポジ型感光性組成物層を形成する工程（形成工程）、
上記ポジ型感光性組成物層をパターン露光する工程（露光工程）、
上記パターン露光されたポジ型感光性組成物層を現像する工程（現像工程）、
上記現像されたポジ型感光性組成物層をマスクとして用い、導電層をエッチングする工程（エッチング工程）、
上記現像されたポジ型感光性組成物層を全面露光する工程（全面露光工程）、及び、
上記全面露光されたポジ型感光性組成物層を除去する工程（除去工程）、
をこの順に含む。
回路基板の製造方法の第１の実施態様における基板は、ガラス、シリコン、フィルムなどの基材自体が基板であってもよく、ガラス、シリコン、フィルムなどの基材上に、必要により導電層などの任意の層が設けられた基板であってもよい。
回路基板の製造方法の第１の実施態様によれば、基板表面に微細パターンを形成することができる。
【００２０】
回路基板の製造方法の第２の実施形態は、
基材、及び、互いに構成材料が異なる第１導電層及び第２導電層を含む複数の導電層とを有し、上記基材の表面上に、上記基材の表面から遠い順に、最表面層である上記第１導電層及び上記第２導電層が積層されている基板上にポジ型感光性組成物層を形成する工程と、
上記ポジ型感光性組成物層をパターン露光する第１露光工程と、
上記パターン露光されたポジ型感光性組成物層を現像して第１パターンを形成する第１現像工程と、
上記第１パターンが配置されていない領域における上記複数の導電層のうち少なくとも上記第１導電層及び上記第２導電層をエッチング処理する第１エッチング工程と、
上記第１エッチング工程後の上記第１パターンを上記第１パターンとは異なるパターンでパターン露光する第２露光工程と、
上記第２露光工程後の上記第１パターンを現像して第２パターンを形成する第２現像工程と、
上記第２パターンが配置されていない領域における上記複数の導電層のうち少なくとも上記第１導電層をエッチング処理する第２エッチング工程と、
上記第２パターンを全面露光する工程、及び、
上記第２パターンを除去する工程、
をこの順に含む。上記第２の実施形態としては、国際公開第２００６／１９０４０５号を参考にすることができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
【００２１】
また、基材、並びに、互いに構成材料が異なる第１導電層及び第２導電層を含む複数の導電層を有する基板に対し、上記の第１の実施態様の回路基板の製造方法を繰り返し適用し、回路基板を製造することもできる。
【００２２】
以下、本開示に係る回路基板の製造方法について、詳細に説明する。
【００２３】
＜形成工程＞
本開示に係る回路基板の製造方法は、導電層上にポジ型感光性組成物層（単に、「感光性組成物層」ともいう。）を形成する工程（形成工程）を含む。
導電層上にポジ型感光性組成物層を形成する方法としては、特に制限はなく、公知の方法を用いることができ、例えば、塗布により導電層上にポジ型感光性組成物層を形成する方法、及び、感光性転写材料を用い、ポジ型感光性組成物層を転写することにより、導電層上にポジ型感光性組成物層を形成する方法等が挙げられる。
塗布方法は特に限定されず、スリット塗布、スピン塗布、カーテン塗布、インクジェット塗布などの公知の方法で塗布することができる。
中でも、簡便性及び工程数の抑制の観点から、感光性転写材料を用い、ポジ型感光性組成物層を転写することにより、導電層上にポジ型感光性組成物層を形成する方法が好ましく挙げられる。
また、上記感光性転写材料は、仮支持体上に感光性組成物層を有するものであることが好ましい。
仮支持体を基準として感光性組成物層側の最外層は、感光性組成物層であってもよいし、感光性組成物層上に形成されたその他の層であってもよい。
本開示におけるポジ型感光性組成物層、及び、本開示において用いられる感光性転写材料の詳細については後述する。
【００２４】
導電層上にポジ型感光性組成物層を形成する場合におけるポジ型感光性組成物層を形成する工程の一例を、図１（ａ）に概略的に示した。
まず、貼り合わせ工程では、基材２２と、互いに構成材料が異なる第１導電層２４及び第２導電層２６を含む複数の導電層とを有し、基材２２の表面上に、基材２２の表面から遠い順に、最表面層である第１導電層２４と第２導電層２６とが積層されている基板（回路配線形成用基板）２０に対し、本開示に係る感光性転写材料１００の感光性組成物層１２を第１導電層２４に接触させて貼り合わせる。なお、このような回路配線形成用基板と感光性転写材料との貼り合わせを「転写」又は「ラミネート」と称する場合がある。
また、転写材料を用いた感光性組成物層を形成は、導電層のパターンが形成された基材上から転写することもできる。
【００２５】
図２に示したように感光性転写材料１００の感光性組成物層１２上にカバーフィルム１６を有する場合は、感光性転写材料１００（感光性組成物層１２）からカバーフィルム１６を除去した後、感光性転写材料１００の感光性組成物層１２を第１導電層２４に接触させて貼り合わせる。
感光性転写材料の第１導電層上への貼り合わせ（転写）は、感光性転写材料の感光性組成物層側を第１導電層の上に重ね、ロール等による加圧及び加熱することに行われることが好ましい。貼り合わせには、ラミネータ、真空ラミネータ、及び、より生産性を高めることができるオートカットラミネーター等の公知のラミネータを使用することができる。
回路配線形成用基板の基材が樹脂フィルムである場合は、ロールツーロールでの貼り合わせも行うこともできる。
【００２６】
〔基材〕
上記導電層は、基材上に有することが好ましい。
基材上に複数の導電層が積層された基板は、基材がガラス基材又はフィルム基材であることが好ましく、フィルム基材であることがより好ましく、樹脂フィルムであることが更に好ましい。本開示に係る回路基板の製造方法は、タッチパネル用の回路基板である場合、基材がシート状樹脂組成物であることが特に好ましい。
また、基材は透明であることが好ましい。
基材の屈折率は、１．５０〜１．５２であることが好ましい。
基材は、ガラス基材等の透光性基材で構成されていてもよく、コーニング社のゴリラガラスに代表される強化ガラスなどを用いることができる。また、上述の透明基材としては、特開２０１０−８６６８４号公報、特開２０１０−１５２８０９号公報及び特開２０１０−２５７４９２号公報に用いられている材料を好ましく用いることができる。
基材としてフィルム基材を用いる場合は、光学的に歪みが小さい基材、及び、透明度が高い基材を用いることがより好ましく、樹脂フィルムが更に好ましい。具体的な素材には、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ；ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、トリアセチルセルロース、シクロオレフィンポリマーを挙げることができる。
【００２７】
〔導電層〕
基材上に形成されている複数の導電層としては、一般的な回路配線又はタッチパネル配線に用いられる任意の導電層を挙げることができる。
導電層としては、導電性及び細線形成性の観点から、金属層、及び、導電性金属酸化物層よりなる群から選ばれた少なくとも１種の層であることが好ましく挙げられ、金属層であることがより好ましく挙げられ、銅層であることが特に好ましく挙げられる。
また、基材上に導電層を１層有していても、２層以上有していてもよい。２層以上の場合は、異なる材質の導電層を有することが好ましい。
導電層の材料としては、金属及び導電性金属酸化物などを挙げることができる。
金属としては、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ等を挙げることができる。
導電性金属酸化物としては、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＳｉＯ２等を挙げることができる。なお、本開示における「導電性」とは、体積抵抗率が１×１０６Ωｃｍ未満であることをいい、体積抵抗率が１×１０４Ωｃｍ未満であることが好ましい。
また、中でも、
【００２８】
本開示に係る回路基板の製造方法は、複数の導電層のうち少なくとも一つの導電層が導電性金属酸化物を含むことが好ましい。
導電層としては、静電容量型タッチパネルに用いられる視認部のセンサーに相当する電極パターン又は周辺取り出し部の配線であることが好ましい。
【００２９】
〔回路配線形成用基板〕
基材の表面に導電層を有する基板である。導電層をパターンニングすることで回路配線を形成する。本開示では、ＰＥＴなどの樹脂フィルムに導電性金属酸化物や金属などの複数の導電層が設けられたものであることが好ましい。
【００３０】
＜露光工程（第１露光工程）＞
本開示に係る回路基板の製造方法は、上記ポジ型感光性組成物層をパターン露光する工程（露光工程）を含む。
上記第１の実施態様においては露光工程が、上記第２の実施態様においては第１露光工程が行われる。露光工程（第１露光工程）の一例を、図１（ｂ）に概略的に示した。
露光工程（第１露光工程）では、貼り合わせ工程後の感光性転写材料の仮支持体１０を介して感光性組成物層１２をパターン露光する。
【００３１】
本開示における露光工程、現像工程、及びその他の工程の例としては、特開２００６−２３６９６号公報の段落００３５〜段落００５１に記載の方法を本開示においても好適に用いることができる。
【００３２】
例えば、第１導電層２４の上に配置された感光性転写材料１００の上方（第１導電層２４と接する側とは反対側）に所定のパターンを有するマスク３０を配置し、その後、マスク３０を介してマスク上方から紫外線で露光する方法などが挙げられる。
本開示においてパターンの詳細な配置及び具体的サイズは特に限定されない。本開示に係る回路基板の製造方法により製造される回路配線を有する入力装置を備えた表示装置（例えばタッチパネル）の表示品質を高め、また、取り出し配線の占める面積をできるだけ小さくしたいことから、パターンの少なくとも一部（特にタッチパネルの電極パターン及び取り出し配線の部分）は１００μｍ以下の細線であることが好ましく、７０μｍ以下の細線であることが更に好ましい。
ここで、露光に使用する光源としては、感光性組成物層の露光された箇所が現像液に溶解しうる波長域の光（例えば、３６５ｎｍ、４０５ｎｍなど）を照射できれば適宜選定して用いることができる。具体的には、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ等が挙げられる。
露光量としては、５ｍＪ／ｃｍ２〜２００ｍＪ／ｃｍ２であることが好ましく、１０ｍＪ／ｃｍ２〜１００ｍＪ／ｃｍ２であることがより好ましい。
【００３３】
なお、感光性転写材料を使用した場合のパターン露光は、仮支持体を感光性組成物層から剥離してから行っても、仮支持体を剥離する前に、仮支持体を介して露光し、その後、仮支持体を剥離してもよい。感光性組成物層とマスクの接触によるマスク汚染の防止や、マスクに付着した異物による露光への影響を避けるためには、仮支持体を剥離せずに露光することが好ましい。なお、パターン露光は、マスクを介した露光でもよいし、レーザー等を用いたデジタル露光でもよい。
【００３４】
＜現像工程（第１現像工程）＞
本開示に係る回路基板の製造方法は、上記パターン露光されたポジ型感光性組成物層を現像する工程（現像工程）を含む。
上記第１の実施態様においては現像工程が、上記第２の実施態様においては第１現像工程が行われる。現像工程（第１現像工程）の一例を、図１（ｃ）に概略的に示した。
現像工程（第１現像工程）では、露光工程（第１露光工程）後の感光性組成物層１２から仮支持体１０を剥離した後、露光工程（第１露光工程）後の感光性組成物層１２を現像して第１パターン１４Ａを形成する。
【００３５】
現像工程（第１現像工程）は、パターン露光された感光性組成物層を現像することによりパターン（第１パターン）を形成する工程である。
パターン露光された感光性組成物層の現像は、現像液を用いて行うことができる。
現像液としては、感光性組成物層の露光部分を除去することができれば特に制限はなく、例えば、特開平５−７２７２４号公報に記載の現像液など、公知の現像液を使用することができる。なお、現像液は感光性組成物層の露光部が溶解型の現像挙動をする現像液が好ましい。例えば、ｐＫａ＝７〜１３の化合物を０．０５ｍｏｌ／Ｌ（リットル）〜５ｍｏｌ／Ｌの濃度で含むアルカリ水溶液系の現像液が好ましい。現像液は、更に、水と混和性を有する有機溶剤、界面活性剤等を含有してもよい。本開示において好適に用いられる現像液としては、例えば、国際公開第２０１５／０９３２７１号の段落０１９４に記載の現像液が挙げられる。
【００３６】
現像方式としては、特に制限はなくパドル現像、シャワー現像、シャワー及びスピン現像、ディップ現像等のいずれでもよい。ここで、シャワー現像について説明すると、露光後の感光性組成物層に現像液をシャワーにより吹き付けることにより、露光部分を除去することができる。また、現像の後に、洗浄剤などをシャワーにより吹き付け、ブラシなどで擦りながら、現像残渣を除去することが好ましい。現像液の液温度は２０℃〜４０℃が好ましい。
【００３７】
更に、現像して得られた感光性組成物層を含むパターンを加熱処理するポストベーク工程を有していてもよい。
ポストベークの加熱は８．１ｋＰａ〜１２１．６ｋＰａの環境下で行うことが好ましく、５０６．６ｋＰａ以上の環境下で行うことがより好ましい。一方、１１１４．６ｋＰａ以下の環境下で行うことがより好ましく、１０１．３ｋＰａ以下の環境下で行うことが特に好ましい。
ポストベークの温度は、８０℃〜２５０℃であることが好ましく、１１０℃〜１７０℃であることがより好ましく、１３０℃〜１５０℃であることが特に好ましい。
ポストベークの時間は、１分〜３０分であることが好ましく、２分〜１０分であることがより好ましく、２分〜４分であることが特に好ましい。
ポストベークは、空気環境下で行っても、窒素置換環境下で行ってもよい。
【００３８】
エッチング工程の前に、ポスト露光工程等、その他の工程を有していてもよい。
【００３９】
＜エッチング工程（第１エッチング工程）＞
本開示に係る回路基板の製造方法は、上記現像されたポジ型感光性組成物層をマスクとして用い、導電層をエッチングする工程（エッチング工程）を含む。
上記第１の実施態様においてはエッチング工程が、上記第２の実施態様においては第１エッチング工程が行われる。エッチング工程（第１エッチング工程）の一例を、図１（ｄ）に概略的に示した。
エッチング工程（第１エッチング工程）では、第１パターン１４Ａが配置されていない領域における複数の導電層のうち少なくとも第１導電層２４及び第２導電層２６をエッチング処理する。エッチングにより、同じパターンを有する第１導電層２４Ａ及び第２導電層２６Ａが形成される。
【００４０】
導電層のエッチングは、特開２０１０−１５２１５５号公報の段落００４８〜段落００５４等に記載の方法、公知のプラズマエッチング等のドライエッチングによる方法など、公知の方法でエッチングを適用することができる。
【００４１】
例えば、エッチングの方法としては、一般的に行われている、エッチング液に浸漬するウェットエッチング法が挙げられる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液は、エッチングの対象に合わせて酸性タイプ又はアルカリ性タイプのエッチング液を適宜選択すればよい。
酸性タイプのエッチング液としては、塩酸、硫酸、フッ酸、リン酸等の酸性成分単独の水溶液、酸性成分と塩化第二鉄、フッ化アンモニウム、過マンガン酸カリウム等の塩の混合水溶液等が例示される。酸性成分は、複数の酸性成分を組み合わせた成分を使用してもよい。
アルカリ性タイプのエッチング液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、有機アミン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドのような有機アミンの塩等のアルカリ成分単独の水溶液、アルカリ成分と過マンガン酸カリウム等の塩の混合水溶液等が例示される。アルカリ成分は、複数のアルカリ成分を組み合わせた成分を使用してもよい。
【００４２】
エッチング液の温度は特に限定されないが、４５℃以下であることが好ましい。本開示においてエッチングマスク（エッチングパターン）として使用される第１パターンは、４５℃以下の温度域における酸性及びアルカリ性のエッチング液に対して特に優れた耐性を発揮することが好ましい。したがって、エッチング工程中に感光性組成物層が剥離することが防止され、感光性組成物層の存在しない部分が選択的にエッチングされることになる。
【００４３】
エッチング工程後、工程ラインの汚染を防ぐために、必要に応じて洗浄工程及び乾燥工程を行ってもよい。
洗浄工程で用いる洗浄液としては、純水、又は、純水に溶解可能な有機溶剤、又は、界面活性剤を混合させた水溶液を用いることができる。基板表面に残存する液滴による剥離ムラの抑制や除去性向上の観点から、洗浄液として、純水に溶解可能な有機溶剤、又は、界面活性剤を混合させた水溶液を用いることが好ましく、純水に溶解可能な有機溶剤、及び、界面活性剤の両方を混合させた水溶液を用いることがより好ましい。
【００４４】
上記水と混合させる水溶性の有機溶剤としては、特に制限はないが、溶剤の揮発性の観点から、沸点が５０℃〜２５０℃であるものが好ましく、５５℃〜２００℃であるものがより好ましく、６０℃〜１５０℃であるものが更に好ましい。
上記水溶性の有機溶剤の例としては、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、エチレングリコール等のアルコール類、２−アセトキシ−２−フェニルエタノール、３−メトキシ−３−メチルエタノール、３−メトキシ−３−メチルブタノール、２−ブトキシエトキシエタノール等のアルコキシアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル等のグリコールエーテル類、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、１，３−ジオキソラン、などが挙げられる。
このうち、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、３−メトキシ−３−メチルブタノール、２−アセトキシ−２−フェニルエタノール、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシドが好ましい。
【００４５】
水と混合させる水溶性の有機溶剤の含有量は、水溶液の全質量に対して、０．０１質量％〜９５質量％であることが好ましく、０．０１質量％〜２０質量％であることがより好ましく、０．０１質量％〜１０質量％であることが更に好ましく、０．０１質量％〜５質量％が特に好ましい。
【００４６】
上記水と混合させる界面活性剤としては、水溶性のものであれば、特に制限はなく、アニオン系、カチオン系、ノニオン系（非イオン系）、又は、両性のいずれでも使用することができる。洗浄液の泡立ちを抑制する観点からは、ノニオン性の界面活性剤が好ましい。
上記アニオン系界面活性剤の例としては、カルボン酸塩類、スルホン酸塩類、硫酸エステル塩類、リン酸エステル塩類等を挙げることができる。
上記カチオン系界面活性剤の例としては、アミン塩類、及び、第四級アンモニウム塩類を挙げることができる。
上記両性界面活性剤の例としては、ベタイン型類を挙げることができる。
上記ノニオン系界面活性剤の例としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル類、ポリオキシエチレングリコールの高級脂肪酸ジエステル類、アルキルベンゼンポリアルキレングリコール類、ポリオキシアルキレングリコール類、シリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤を挙げることができる。
また、以下商品名で、ＫＰ（信越化学工業（株）製）、ポリフロー（共栄社化学（株）製）、エフトップ（ＪＥＭＣＯ社製）、メガファック（ＤＩＣ（株）製）、フロラード（住友スリーエム（株）製）、アサヒガード、サーフロン（旭硝子（株）製）、ＰｏｌｙＦｏｘ（ＯＭＮＯＶＡ社製）、サーフィノール（日信化学工業（株）製）及び、ＳＨ−８４００（東レ・ダウコーニング（株）製）等の各シリーズを挙げることができる。
【００４７】
界面活性剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用して用いることが好ましい。
水と混合させる界面活性剤の含有量は、水溶液の全質量に対して、１０質量％以下であることが好ましく、０．００１質量％〜５質量％であることがより好ましく、０．０１質量％〜３質量％であることが更に好ましい。
【００４８】
上記水溶性の有機溶剤、又は、界面活性剤を混合させた水溶液の表面張力は、基板表面に残存する液滴による剥離ムラの抑制や除去性向上の観点から、５０ｍＮ／ｍ以下であることが好ましく、１０ｍＮ／ｍ〜５０ｍＮ／ｍであることがより好ましく、１５ｍＮ／ｍ〜４０ｍＮ／ｍであることが更に好ましく、２０ｍＮ／ｍ〜４０ｍＮ／ｍであることが最も好ましい。
【００４９】
洗浄工程の洗浄時間としては、特に制限はなく、例えば、１０秒〜３００秒間基板を洗浄することが好ましく、乾燥工程については、例えばエアブローを使用し、エアブロー圧（好ましくは０．１ｋｇ／ｃｍ２〜５ｋｇ／ｃｍ２程度）を適宜調整して乾燥を行えばよい。
【００５０】
＜第２露光工程＞
上記第２の実施態様においては第２露光工程が行われる。第２露光工程の一例を、図１（ｅ）に概略的に示した。
第１エッチング工程後、第１エッチング工程後の第１パターン１４Ａを第１パターンとは異なるパターンでパターン露光する。
【００５１】
第２露光工程では、第１導電層上に残存する第１パターンに対し、後述する第２現像工程において少なくとも第１導電層の除去すべき部分に相当する箇所を露光する。
第２露光工程におけるパターン露光は、第１露光工程で用いたマスク３０とはパターンが異なるマスク４０を用いること以外は第１露光工程におけるパターン露光と同じ方法を適用することができる。
【００５２】
＜第２現像工程＞
上記第２の実施態様においては第２現像工程が行われる。第２現像工程の一例を、図１（ｆ）に概略的に示した。
第２現像工程では、第２露光工程後の第１パターン１４Ａを現像して第２パターン１４Ｂを形成する。
現像により、第１パターンのうち第２露光工程において露光された部分が除去される。
なお、第２現像工程では、第１現像工程における現像と同じ方法を適用することができる。
【００５３】
＜第２エッチング工程＞
上記第２の実施態様においては第２露光工程が行われる。第２エッチング工程の一例を、図１（ｇ）に概略的に示した。
第２エッチング工程では、第２パターン１４Ｂが配置されていない領域における複数の導電層のうち少なくとも第１導電層２４Ａをエッチング処理する。
【００５４】
第２エッチング工程におけるエッチングは、エッチングにより除去すべき導電層に応じたエッチング液を選択すること以外は第１エッチング工程におけるエッチングと同じ方法を適用することができる。
第２エッチング工程では、所望のパターンに応じて、第１エッチング工程よりも少ない導電層を選択的にエッチングすることが好ましい。例えば、図１に示すように、感光性組成物層が配置されていない領域において第１導電層２４Ｂのみを選択的にエッチングするエッチング液を用いてエッチングを行うことで、第１導電層を第２導電層のパターンとは異なるパターンにすることができる。
第２エッチング工程の終了後、少なくとも２種類のパターンの導電層２４Ｂ，２６Ａを含む回路配線が形成される。
【００５５】
＜全面露光工程＞
本開示に係る回路基板の製造方法は、上記エッチング工程の後、かつ後述する除去工程の前に、上記現像されたポジ型感光性組成物層を全面露光する工程（全面露光工程）を含む。
本開示において、「現像されたポジ型感光性組成物層を全面露光する」とは、現像により残像するポジ型感光性組成物層の全てを露光すればよく、ポジ型感光性組成物層のない部分については、露光してもしなくともよいが、簡便性の観点から、例えば、基板のポジ型感光性組成物層を有する側の面の全面を露光することが好ましい。
【００５６】
上記全面露光工程における露光に使用する光源としては、特に制限はなく、公知の露光光源を用いることができる。具体的には、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、発光ダイオード（ＬＥＤ）等が挙げられる。
また、上記全面露光工程においては、除去性の観点から、上記露光工程と同じ波長の光を含む光源を用いることが好ましい。
上記全面露光工程における露光量としては、除去性の観点から、５ｍＪ／ｃｍ２〜１，０００ｍＪ／ｃｍ２であることが好ましく、１０ｍＪ／ｃｍ２〜８００ｍＪ／ｃｍ２であることがより好ましく、１００ｍＪ／ｃｍ２〜５００ｍＪ／ｃｍ２であることが特に好ましい。
更に、上記全面露光工程における露光量としては、除去性の観点から、上記露光工程における露光量以上であることが好ましく、上記露光工程における露光量よりも多いことがより好ましい。
また、上記全面露光工程における露光照度は、５ｍＷ／ｃｍ２〜２５，０００ｍＷ／ｃｍ２が好ましく、２０ｍＷ／ｃｍ２〜２０，０００ｍＷ／ｃｍ２がより好ましく、３０ｍＷ／ｃｍ２〜１５，０００ｍＷ／ｃｍ２が特に好ましい。実際においては、照度を高く設定することによって全面露光に要する時間が短縮されるため、プロセスに要する時間等の観点から、最適な露光照度を選択することができる。
【００５７】
なお、光酸発生剤の反応速度を高める観点、及び、余分な水分を除去する観点から、全面露光前、全面露光中又はその両方において基材を加熱する工程が含まれていてもよい。加熱装置としては特に制限はなく、公知の加熱装置を用いることができる。具体的には、ＩＲ（Ｉｎｆｒａｒｅｄ  Ｒａｙ）ヒーター、温風エア乾燥、ホットブロワー、コンベクションオーブン等を用いることができる。
上記全面露光前、全面露光中又はその両方において基材を加熱する工程における加熱温度としては、３０℃〜１００℃が好ましく、３０℃〜６０℃であることがより好ましい。
上記全面露光前、全面露光中又はその両方において基材を加熱する工程における加熱する時間については、全面露光プロセスに要する時間等を考慮して適宜選定できるが、１秒〜６００秒加熱されていることが好ましく、５秒〜６０秒加熱されていることが特に好ましい。
【００５８】
また、本開示に係る回路基板の製造方法は、全面露光工程の後に、上記現像されたポジ型感光性組成物層をマスクとして用い、導電層をエッチングする工程を含まないことが好ましい。
【００５９】
＜加熱工程＞
本開示に係る回路基板の製造方法は、上記全面露光工程中、露光工程後、又は、その両方、かつ後述する除去工程の前に、上記全面露光されたポジ型感光性組成物層を加熱する工程（加熱工程）を含んでいてもよい。加熱工程を含むことにより、より光酸発生剤の反応速度、及び、発生酸とポジ型感光性組成物との反応速度を向上することができ、結果、除去性能が向上する。
加熱工程に用いる加熱装置としては、特に制限はなく、公知の加熱装置を用いることができる。具体的には、ＩＲヒーター、温風エア乾燥、ホットブロワー、コンベクションオーブン等を用いることができる。
上記加熱工程における加熱温度としては、除去性の観点から、３０℃〜１００℃であることが好ましく、３０℃〜８０℃であることがより好ましく、３０℃〜６０℃であることが特に好ましい。
上記加熱工程における加熱時間としては、除去性の観点から、１秒〜６００秒であることが好ましく、１秒〜１２０秒であることがより好ましく、５秒〜６０秒であることが特に好ましい。なお、本開示における加熱時間とは設定温度に基板が到達してからの時間を指し、昇温中の時間は含まない。
【００６０】
上記加熱工程における雰囲気については、常圧空気（相対湿度１０％ＲＨ〜９０％ＲＨ）が好ましいが、脱酸素等の必要に応じて窒素、アルゴン等の不活性ガスを用いてパージされた環境下にて加熱を行ってもよい。
【００６１】
なお、基板上に多量の水が付着しているような場合、上記加熱工程の前、加熱工程中、又は、その両方において、加熱効率を高める観点から、エアナイフなどで余分な水を吹き飛ばす工程を組み合わせてもよい。
【００６２】
＜除去工程＞
本開示に係る回路基板の製造方法は、上記全面露光されたポジ型感光性組成物層を除去する工程（除去工程）を含む。上記除去工程における除去には、例えば、ポジ型感光性組成物層の除去液への溶解及び分散が含まれる。
除去工程の一例を、図１（ｈ）に概略的に示した。
第２エッチング工程の終了後、第１導電層２４Ｂ上の一部には第２パターン１４Ｂが残存している。残存する全ての感光性組成物層である第２パターン１４Ｂを除去すればよい。
【００６３】
残存する感光性組成物層を除去する方法としては特に制限はないが、薬品処理により除去する方法を挙げることができ、除去液を用いることが特に好ましく挙げることができる。
感光性組成物層の除去方法としては、好ましくは３０℃〜８０℃、より好ましくは５０℃〜８０℃にて撹拌中の除去液に感光性組成物層などを有する基材を１分〜３０分間浸漬する方法が挙げられる。
【００６４】
上記除去工程において、除去性の観点から、水を３０質量％以上含有する除去液を用いることが好ましく、水を５０質量％以上含有する除去液を用いることがより好ましく、水を７０質量％以上含有する除去液を用いることが更に好ましい。
また、除去液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機アルカリ成分、又は、第１級アミン化合物、第２級アミン化合物、第３級アミン化合物、第４級アンモニウム塩化合物等の有機アルカリ成分を含有するものであることが好ましい。
中でも、除去性の観点から、有機アルカリ成分を含有するものがより好ましく、アミン化合物を含有することが特に好ましい。
アルカリ成分の含有量は、その塩基性の強さや溶解性等の点から、適宜選択すればよいが、除去性の観点から、除去液の全質量に対し、０．０１質量％〜２０質量％であることが好ましく、０．１質量％〜１０質量％であることがより好ましい。
除去液は、除去性の観点から、界面活性剤を含有することが好ましい。
界面活性剤としては、公知の界面活性剤を用いることができる。
界面活性剤の含有量は、除去性の観点から、除去液の全質量に対し、０．１質量％〜１０質量％であることが好ましい。
更に、除去液は、水溶性有機溶剤を含有することが好ましい。
水溶性有機溶剤としては、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン等が好ましく挙げられる。
上記除去工程においては、除去液を使用し、スプレー法、シャワー法、パドル法等により除去する方法が好ましく挙げられる。
【００６５】
＜ロールツーロール方式＞
本開示に係る回路基板の製造方法は、ロールツーロール方式により行われることが好ましい。
ロールツーロール方式とは、基板として、巻取り及び巻き出しが可能な基板を用い、回路基板の製造方法に含まれるいずれかの工程の前に、基材又は形成工程により形成された上記構造体を巻き出す巻き出し工程を、いずれかの工程の後に基材又は上記構造体を巻き取る巻き取り工程を含み、少なくともいずれかの工程（好ましくは、全ての工程又は加熱工程以外の全ての工程）を、基材又は上記構造体を搬送しながら行う方式をいう。
巻き出し工程における巻き出し方法、及び、巻取り工程における巻取り方法としては、特に制限されず、ロールツーロールの製造方法において公知の方法を用いればよい。
【００６６】
具体的には、上述の形成工程、露光工程（第一の露光工程又は第二の露光工程）、加熱工程（第一の加熱工程又は第二の加熱工程）、現像工程（第一の現像工程又は第二の現像工程）、エッチング工程（第一のエッチング工程又は第二のエッチング工程）、全面露光工程、及び、除去工程の間に、形成工程により形成された上記感光性組成物層と上記基板とが貼り合わされた構造体を巻き取る工程、及び、上記構造体を巻き出す工程を含むことが好ましい。
また、上述の形成工程の前に、樹脂フィルム等のフィルム上に金属等の導電層を作製し、巻き取ることにより作製されるロール状基板を巻き出す工程を含み、巻き出された上記ロール状基板における導電層上に感光性組成物層を形成することが好ましい。
【００６７】
本開示に係る回路基板の製造方法は、他の任意の工程を含んでもよい。例えば、以下のような工程が挙げられるが、これらの工程に限定されない。
【００６８】
＜保護フィルムを貼り付ける工程＞
上記第２の実施態様において、第１エッチング工程の後、第２露光工程の前に、第１パターン上に、光透過性を有する保護フィルム（不図示）を貼り付ける工程を更に有してもよい。
この場合、第２露光工程において、保護フィルムを介して第１パターンをパターン露光し、第２露光工程後、第１パターンから保護フィルムを除去した後、第２現像工程を行うことが好ましい。
【００６９】
＜可視光線反射率を低下させる工程＞
本開示に係る回路基板の製造方法は、基材上の複数の導電層の一部又は全ての可視光線反射率を低下させる処理をする工程を含むことが可能である。
可視光線反射率を低下させる処理としては、酸化処理などを挙げることができる。例えば、銅を酸化処理して酸化銅とすることで、黒化することにより、可視光線反射率を低下させることができる。
可視光線反射率を低下させる処理の好ましい態様については、特開２０１４−１５０１１８号公報の段落００１７〜段落００２５、並びに、特開２０１３−２０６３１５号公報の段落００４１、段落００４２、段落００４８及び段落００５８に記載があり、この公報の内容は本明細書に組み込まれる。
【００７０】
＜絶縁膜上に新たな導電層を形成する工程＞
本開示に係る回路基板の製造方法は、形成した回路配線上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に新たな導電層を形成する工程を含むことも好ましい。
このような構成により、上述の第二の電極パターンを、第一の電極パターンと絶縁しつつ、形成することができる。
絶縁膜を形成する工程については、特に制限はなく、公知の永久膜を形成する方法を挙げることができる。また、絶縁性を有する感光性材料を用いて、フォトリソグラフィにより所望のパターンの絶縁膜を形成してもよい。
絶縁膜上に新たな導電層を形成する工程については、特に制限はない。導電性を有する感光性材料を用いて、フォトリソグラフィにより所望のパターンの新たな導電層を形成してもよい。
【００７１】
また、図１を参照した説明では、２層の導電層を備えた回路配線形成用基板に対して２つの異なるパターンを有する回路配線を形成する場合について説明したが、本開示に係る回路基板の製造方法を適用する基板の導電層の数は２層に限定されず、導電層が３層以上積層された回路配線形成用基板を用い、上述した露光工程、現像工程、及びエッチング工程の組み合わせを３回以上行うことで、３層以上の導電層をそれぞれ異なる回路配線パターンに形成することもできる。
【００７２】
また、図１には示していないが、本開示に係る回路基板の製造方法は、基材が両方の表面にそれぞれ複数の導電層を有し、基材の両方の表面に形成された導電層に対して逐次又は同時に回路形成することも好ましい。このような構成により、基材の一方の表面に第一の導電パターン、もう一方の表面に第二の導電パターンを形成したタッチパネル用回路基板を形成することができる。また、このような構成のタッチパネル用回路基板を、ロールツーロールで基材の両面から形成することも好ましい。
【００７３】
＜ポジ型感光性組成物層＞
本開示において用いられるポジ型感光性組成物層は、特に制限はなく、公知のポジ型感光性組成物層を用いることができる。また、上記感光性組成物層は、感度、解像度及び除去性の観点から、酸分解性基で保護された酸基を有する構成単位を有する重合体と、光酸発生剤とを含む化学増幅ポジ型感光性組成物層であることが好ましい。
後述するオニウム塩やオキシムスルホネート化合物等の光酸発生剤は、活性放射線（活性光線）に感応して生成される酸が、上記重合体中の保護された酸基の脱保護に対して触媒として作用するので、１個の光量子の作用で生成した酸が、多数の脱保護反応に寄与し、量子収率は１を超え、例えば、１０の数乗のような大きい値となり、いわゆる化学増幅の結果として、高感度が得られる。
一方、活性放射線に感応する光酸発生剤としてキノンジアジド化合物を用いた場合、逐次型光化学反応によりカルボキシ基を生成するが、その量子収率は必ず１以下であり、化学増幅型には該当しない。
【００７４】
〔酸分解性で保護された酸基を有する構成単位を有する重合体を含む重合体Ａ１〕
上記感光性組成物層は、酸分解性で保護された酸基を有する構成単位（「構成単位Ａ」ともいう。）を有する重合体（単に「重合体Ａ１」ともいう。）を含むことが好ましい。
また、上記感光性組成物層は、構成単位Ａを有する重合体Ａ１に加え、他の重合体を含んでいてもよい。本開示においては、構成単位Ａを有する重合体Ａ１及び他の重合体をあわせて、「重合体成分」ともいう。
なお、重合体成分には、後述する界面活性剤は含まれないものとする。
したがって、重合体成分及び界面活性剤以外の樹脂成分が感光性組成物層に含まれない場合には、感光性組成物層における樹脂成分とは、重合体成分のことである。
上記重合体Ａ１は、露光により生じる触媒量の酸性物質の作用により、重合体Ａ１中の酸分解性基で保護された酸基を有する構成単位Ａが脱保護反応を受け酸基となる。この酸基により、現像液への溶解が可能となる。
更に、重合体Ａ１は、酸基を有する構成単位を更に有することが好ましい。
また、重合体Ａ１は、パターン形状、現像液への溶解性及び転写性の観点から、非粒子形状の重合体（「バインダーポリマー」ともいう。）であることが好ましい。
以下に構成単位Ａの好ましい態様について説明する。
【００７５】
上記感光性組成物層は、更に、酸分解性基で保護された酸基を有する構成単位を有する重合体Ａ１以外の重合体を含んでいてもよい。
また、上記重合体成分に含まれる全ての重合体がそれぞれ、後述する酸基を有する構成単位を少なくとも有する重合体であることが好ましい。
また、上記感光性組成物は、更に、これら以外の重合体を含んでいてもよい。本開示における上記重合体成分は、特に述べない限り、必要に応じて添加される他の重合体を含めたものを意味するものとする。なお、後述する架橋剤及び分散剤に該当する化合物は、高分子化合物であっても、上記重合体成分に含まないものとする。
【００７６】
重合体Ａ１は、付加重合型の樹脂であることが好ましく、（メタ）アクリル酸又はそのエステルに由来する構成単位を有する重合体であることがより好ましい。なお、（メタ）アクリル酸又はそのエステルに由来する構成単位以外の構成単位、例えば、スチレンに由来する構成単位や、ビニル化合物に由来する構成単位等を有していてもよい。
【００７７】
上記感光性組成物層は、パターン形状の変形抑制、現像液への溶解性及び転写性の観点から、重合体成分として、上記構成単位Ａとして上記式Ａ１〜式Ａ３のいずれかにより表される構成単位よりなる群から選ばれた少なくとも１種の構成単位を有する重合体を含むことが好ましく、重合体成分として、上記構成単位Ａとして上記式Ａ１〜式Ａ３のいずれかにより表される構成単位よりなる群から選ばれた少なくとも１種の構成単位、及び、酸基を有する重合体を含むことがより好ましい。
上記感光性組成物層に含まれる重合体Ａ１は、１種のみであっても、２種以上であってもよい。
【００７８】
−構成単位Ａ−
上記重合体成分は、酸分解性基で保護された酸基を有する構成単位Ａを少なくとも有する重合体Ａ１を含むことが好ましい。上記重合体成分が構成単位Ａを有する重合体を含むことにより、極めて高感度な化学増幅ポジ型の感光性組成物層とすることができる。
本開示における「酸分解性基で保護された酸基」は、酸基及び酸分解性基として公知のものを使用でき、特に限定されない。具体的な酸基としては、カルボキシ基、及び、フェノール性水酸基が好ましく挙げられる。また、酸分解性で保護された酸基としては、酸により比較的分解し易い基（例えば、式Ａ３により表される基で保護されたエステル基、テトラヒドロピラニルエステル基、又は、テトラヒドロフラニルエステル基等のアセタール系官能基）や酸により比較的分解し難い基（例えば、ｔｅｒｔ−ブチルエステル基等の第三級アルキル基、ｔｅｒｔ−ブチルカーボネート基等の第三級アルキルカーボネート基）を用いることができる。
これらの中でも、上記酸分解性基としては、アセタールの形で保護された構造を有する基であることが好ましい。
また、酸分解性基としては、得られる回路配線における線幅のバラツキが抑制される観点から、分子量が３００以下の酸分解性基であることが好ましい。
【００７９】
上記酸分解性基で保護された酸基を有する構成単位Ａは、感度及び解像度の観点から、下記式Ａ１〜式Ａ３のいずれかにより表される構成単位よりなる群から選ばれた少なくとも１種の構成単位であることが好ましく、後述する式Ａ３−２により表される構成単位であることがより好ましい。
【００８０】
【化３】
2019077924.tif 000005
【００８１】
式Ａ１中、Ｒ１１及びＲ１２はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、少なくともＲ１１及びＲ１２のいずれか一方がアルキル基又はアリール基であり、Ｒ１３はアルキル基又はアリール基を表し、Ｒ１１又はＲ１２と、Ｒ１３とが連結して環状エーテルを形成してもよく、Ｒ１４は水素原子又はメチル基を表し、Ｘ１は単結合又は二価の連結基を表し、Ｒ１５は置換基を表し、ｎは０〜４の整数を表す。
式Ａ２中、Ｒ２１及びＲ２２はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、少なくともＲ２１及びＲ２２のいずれか一方がアルキル基又はアリール基であり、Ｒ２３はアルキル基又はアリール基を表し、Ｒ２１又はＲ２２と、Ｒ２３とが連結して環状エーテルを形成してもよく、Ｒ２４はそれぞれ独立に、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシアルキル基、アリールカルボニル基、アリールオキシカルボニル基又はシクロアルキル基を表し、ｍは０〜３の整数を表す。
式Ａ３中、Ｒ３１及びＲ３２はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、少なくともＲ３１及びＲ３２のいずれか一方がアルキル基又はアリール基であり、Ｒ３３はアルキル基又はアリール基を表し、Ｒ３１又はＲ３２と、Ｒ３３とが連結して環状エーテルを形成してもよく、Ｒ３４は水素原子又はメチル基を表し、Ｘ０は単結合又はアリーレン基を表し、Ｙは−Ｓ−、又は−Ｏ−を表す。
【００８２】
＜＜式Ａ１により表される構成単位の好ましい態様＞＞
式Ａ１中、Ｒ１１又はＲ１２がアルキル基の場合、炭素数は１〜１０のアルキル基が好ましい。Ｒ１１又はＲ１２がアリール基の場合、フェニル基が好ましい。Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基が好ましい。
式Ａ１中、Ｒ１３は、アルキル基又はアリール基を表し、炭素数１〜１０のアルキル基が好ましく、炭素数１〜６のアルキル基がより好ましい。
また、Ｒ１１〜Ｒ１３におけるアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。
式Ａ１中、Ｒ１１又はＲ１２と、Ｒ１３とが連結して環状エーテルを形成してもよく、Ｒ１１又はＲ１２と、Ｒ１３とが連結して環状エーテルを形成することが好ましい。環状エーテルの環員数は特に制限はないが、５又は６であることが好ましく、５であることがより好ましい。
式Ａ１中、Ｘ１は単結合又は二価の連結基を表し、単結合又はアルキレン基、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲＮ−、−Ｏ−又はこれらの組み合わせが好ましく、単結合がより好ましい。アルキレン基は、直鎖状でも分岐を有していても環状構造を有していてもよく、置換基を有していてもよい。アルキレン基の炭素数は１〜１０が好ましく、１〜４がより好ましい。ＸＢが−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−を含む場合、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−に含まれる炭素原子と、ＲＢ４が結合した炭素原子とが直接結合する態様が好ましい。Ｘ１が−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲＮ−を含む場合、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲＮ−に含まれる炭素原子と、Ｒ１４が結合した炭素原子とが直接結合する態様が好ましい。ＲＮはアルキル基又は水素原子を表し、炭素数１〜４のアルキル基又は水素原子が好ましく、水素原子がより好ましい。
式Ａ１中、Ｒ１１〜Ｒ１３を含む基と、Ｘ１とは、互いにパラ位で結合することが好ましい。
式Ａ１中、Ｒ１５は置換基を表し、アルキル基又はハロゲン原子が好ましい。アルキル基の炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜４がより好ましい。
式Ａ１中、ｎは０〜４の整数を表し、０又は１が好ましく、０がより好ましい。
【００８３】
式Ａ１中、Ｒ１４は水素原子又はメチル基を表し、重合体Ａ１のＴｇをより低くし得るという観点から、水素原子であることが好ましい。
より具体的には、重合体Ａ１に含まれる構成単位Ａの全含有量に対し、式Ａ１におけるＲ１４が水素原子である構成単位は２０質量％以上であることが好ましい。
なお、構成単位Ａ中の、式Ａ１におけるＲ１４が水素原子である構成単位の含有量（含有割合：質量比）は、１３Ｃ−核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）測定から常法により算出されるピーク強度の強度比により確認することができる。
【００８４】
式Ａ１で表される構成単位の中でも、パターン形状の変形抑制の観点から、下記式Ａ１−２で表される構成単位がより好ましい。
【００８５】
【化４】
2019077924.tif 000006
【００８６】
式Ａ１−２中、ＲＢ４は水素原子又はメチル基を表し、ＲＢ５〜ＲＢ１１はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、ＲＢ１２は置換基を表し、ｎは０〜４の整数を表す。
式Ａ１−２中、ＲＢ４は水素原子が好ましい。
式Ａ１−２中、ＲＢ５〜ＲＢ１１は、水素原子が好ましい。
式Ａ１−２、ＲＢ１２は置換基を表し、アルキル基又はハロゲン原子が好ましい。アルキル基の炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜４がより好ましい。
式Ａ１−２中、ｎは０〜４の整数を表し、０又は１が好ましく、０がより好ましい。
【００８７】
式Ａ１で表される構成単位Ａ１の好ましい具体例としては、下記の構成単位が例示できる。なお、ＲＢ４は水素原子又はメチル基を表す。
【００８８】
【化５】
2019077924.tif 000007
【００８９】
＜＜式Ａ２により表される構成単位の好ましい態様＞＞
式Ａ２中、Ｒ２１及びＲ２２がアルキル基の場合、炭素数１〜１０のアルキル基が好ましい。Ｒ２１及びＲ２２がアリール基の場合、フェニル基が好ましい。Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、少なくとも一方が水素原子であることがより好ましい。
上記一般式Ａ２中、Ｒ２３はアルキル基又はアリール基を表し、炭素数１〜１０のアルキル基が好ましく、１〜６のアルキル基がより好ましい。
Ｒ１１又はＲ１２と、Ｒ１３とが連結して環状エーテルを形成してもよい。
式Ａ２中、Ｒ２４はそれぞれ独立に、炭素数１〜１０のアルキル基又は炭素数１〜１０のアルコキシ基であることが好ましい。Ｒ２４は、Ｒ２４と同様の基により更に置換されていてもよい。
式Ａ２中、ｍは１又は２であることが好ましく、１であることがより好ましい。
【００９０】
式Ａ２で表される構成単位Ａ２の好ましい具体例としては、下記の構成単位が例示できる。なお、ＲＢ４は水素原子又はメチル基を表す。
【００９１】
【化６】
2019077924.tif 000008
【００９２】
＜＜式Ａ３により表される構成単位の好ましい態様＞＞
式Ａ３中、Ｒ３１又はＲ３２がアルキル基の場合、炭素数は１〜１０のアルキル基が好ましい。Ｒ３１又はＲ３２がアリール基の場合、フェニル基が好ましい。Ｒ３１及びＲ３２は、それぞれ、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基が好ましい。
式Ａ３中、Ｒ３３は、アルキル基又はアリール基を表し、炭素数１〜１０のアルキル基が好ましく、炭素数１〜６のアルキル基がより好ましい。
また、Ｒ３１〜Ｒ３３におけるアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。
式Ａ３中、Ｒ３１又はＲ３２と、Ｒ３３とが連結して環状エーテルを形成してもよく、Ｒ３１又はＲ３２と、Ｒ３３とが連結して環状エーテルを形成することが好ましい。環状エーテルの環員数は特に制限はないが、５又は６であることが好ましく、５であることがより好ましい。
式Ａ３中、Ｘ０は単結合又はアリーレン基を表し、単結合が好ましい。アリーレン基は、置換基を有していてもよい。
式Ａ３中、Ｙは、−Ｓ−、又は−Ｏ−を表し、露光感度の観点から、−Ｏ−が好ましい。
【００９３】
上記式Ａ３で表される構成単位は、酸分解性基で保護されたカルボキシ基を有する構成単位である。重合体Ａ１が式Ａ３で表される構成単位を含むことで、パターン形成時の感度に優れ、また、解像度より優れる。
式Ａ３中、Ｒ３４は水素原子又はメチル基を表し、重合体Ａ１のＴｇをより低くし得るという観点から、水素原子であることが好ましい。
より具体的には、重合体Ａ１に含まれる式Ａ３で表される構成単位の全量に対し、式Ａ３におけるＲ３４が水素原子である構成単位は２０質量％以上であることが好ましい。
なお、式Ａ３で表される構成単位中の、式Ａ１におけるＲ３４が水素原子である構成単位の含有量（含有割合：質量比）は、１３Ｃ−核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）測定から常法により算出されるピーク強度の強度比により確認することができる。
【００９４】
式Ａ３で表される構成単位の中でも、酸分解性で保護された酸基を有する構成単位として、下記式Ａで表される構成単位が、パターン形成時の露光感度を更に高める観点からより好ましい。
【００９５】
【化７】
2019077924.tif 000009
【００９６】
式Ａ中、Ｒ３１及びＲ３２はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、少なくともＲ３１及びＲ３２のいずれか一方がアルキル基又はアリール基であり、Ｒ３３はアルキル基又はアリール基を表し、Ｒ３１又はＲ３２と、Ｒ３３とが連結して環状エーテルを形成してもよく、Ｒ３４は水素原子又はメチル基を表し、Ｘ０は単結合又は２価の連結基を表す。
【００９７】
式Ａ中、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４及びＸ０はそれぞれ、式Ａ３中のＲ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４及びＸ０と同義であり、好ましい態様も同様である。
【００９８】
式Ａ３で表される構成単位の中でも、下記式Ａ３−３で表される構成単位が、パターン形成時の感度を更に高める観点からより好ましい。
【００９９】
【化８】
2019077924.tif 000010
【０１００】
式Ａ３−３中、Ｒ３４は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ３５〜Ｒ４１はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
式Ａ３−３中、Ｒ３４は水素原子が好ましい。
式Ａ３−３中、Ｒ３５〜Ｒ４１は、水素原子が好ましい。
【０１０１】
式Ａ３で表される、酸分解性基で保護されたカルボキシ基を有する構成単位の好ましい具体例としては、下記の構成単位が例示できる。なお、Ｒ３４は水素原子又はメチル基を表す。
【０１０２】
【化９】
2019077924.tif 000011
【０１０３】
重合体Ａ１に含まれる構成単位Ａは、１種であっても、２種以上であってもよい。
重合体Ａ１における構成単位Ａの含有量は、重合体Ａ１の全質量に対して、２０質量％以上であることが好ましく、２０質量％〜９０質量％であることがより好ましく、３０質量％〜７０質量％であることが更に好ましい。
重合体Ａ１における構成単位Ａの含有量（含有割合：質量比）は、１３Ｃ−ＮＭＲ測定から常法により算出されるピーク強度の強度比により確認することができる。
また、全ての重合体成分を構成単位（モノマー単位）に分解したうえで、構成単位Ａの割合は、重合体成分の全質量に対して、５質量％〜８０質量％であることが好ましく、１０質量％〜８０質量％であることがより好ましく、３０質量％〜７０質量％であることが特に好ましい。
【０１０４】
−構成単位Ｂ−
上記重合体Ａ１は、酸基を有する構成単位Ｂを含むことが好ましい。
構成単位Ｂは、保護基、例えば、酸分解性基で保護されていない酸基、すなわち、保護基を有さない酸基を有する構成単位である。重合体Ａ１が構成単位Ｂを含むことで、パターン形成時の感度が良好となり、パターン露光後の現像工程においてアルカリ性の現像液に溶けやすくなり、現像時間の短縮化を図ることができる。
本明細書における酸基とは、ｐＫａが１２以下のプロトン解離性基を意味する。酸基は、通常、酸基を形成しうるモノマーを用いて、酸基を有する構成単位（構成単位Ｂ）として、重合体に組み込まれる。感度向上の観点から、酸基のｐＫａは、１０以下が好ましく、６以下がより好ましい。また、酸基のｐＫａは、−５以上であることが好ましい。
【０１０５】
上記酸基としては、カルボキシ基、スルホンアミド基、ホスホン酸基、スルホン酸基、フェノール性水酸基、及び、スルホニルイミド基等が例示される。中でも、カルボン酸基及びフェノール性水酸基よりなる群から選ばれる少なくとも１種の酸基が好ましい。
重合体Ａ１への酸基を有する構成単位の導入は、酸基を有するモノマーを共重合させること又は酸無水物構造を有するモノマーを共重合させ酸無水物を加水分解することで行うことができる。
構成単位Ｂである、酸基を有する構成単位は、スチレン化合物に由来する構成単位若しくはビニル化合物に由来する構成単位に対して酸基が置換した構成単位、又は、（メタ）アクリル酸に由来する構成単位であることがより好ましい。具体的には、カルボキシ基を有するモノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、４−カルボキシスチレン等が挙げられ、フェノール性水酸基を有するモノマーとしてはｐ−ヒドロキシスチレン、４−ヒドロキシフェニルメタクリレート等が挙げられ、酸無水物を有するモノマーとしては、無水マレイン酸等が挙げられる。
【０１０６】
構成単位Ｂとしては、カルボン酸基を有する構成単位、又は、フェノール性水酸基を有する構成単位が、パターン形成時の感度がより良好となるという観点から好ましい。
構成単位Ｂを形成しうる酸基を有するモノマーは既述の例に限定されない。
【０１０７】
重合体Ａ１に含まれる構成単位Ｂは、１種のみであっても、２種以上であってもよい。
重合体Ａ１は、重合体Ａ１の全質量に対し、酸基を有する構成単位（構成単位Ｂ）を０．１質量％〜２０質量％含むことが好ましく、０．５質量％〜１５質量％含むことがより好ましく、１質量％〜１０質量％含むことが更に好ましい。上記範囲であると、パターン形成性がより良好となる。
重合体Ａ１における構成単位Ｂの含有量（含有割合：質量比）は、１３Ｃ−ＮＭＲ測定から常法により算出されるピーク強度の強度比により確認することができる。
【０１０８】
＜＜その他の構成単位＞＞
重合体Ａ１は、既述の構成単位Ａ及び構成単位Ｂ以外の、他の構成単位（以下、構成単位Ｃと称することがある。）を、本開示に係る感光性転写材料の効果を損なわない範囲で含んでいてもよい。
構成単位Ｃを形成するモノマーとしては、特に制限はなく、例えば、スチレン類、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸環状アルキルエステル、（メタ）アクリル酸アリールエステル、不飽和ジカルボン酸ジエステル、ビシクロ不飽和化合物、マレイミド化合物、不飽和芳香族化合物、共役ジエン系化合物、不飽和モノカルボン酸、不飽和ジカルボン酸、不飽和ジカルボン酸無水物、脂肪族環式骨格を有する基、その他の不飽和化合物を挙げることができる。
構成単位Ｃを用いて、種類及び含有量の少なくともいずれかを調整することで、重合体Ａ１の諸特性を調整することができる。特に、構成単位Ｃを適切に使用することで、重合体Ａ１のＴｇを容易に調整することができる。
ガラス転移温度を１２０℃以下とすることで、重合体Ａ１を含有するポジ型感光性組成物層は、転写性、仮支持体からの除去性を良好なレベルに維持しつつ、パターン形成時の解像度及び感度がより良好となる。
重合体Ａ１は、構成単位Ｃを１種のみ含んでもよく、２種以上含んでいてもよい。
【０１０９】
構成単位Ｃは、具体的には、スチレン、ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン、メチルスチレン、α−メチルスチレン、アセトキシスチレン、メトキシスチレン、エトキシスチレン、クロロスチレン、ビニル安息香酸メチル、ビニル安息香酸エチル、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ−プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸ベンジル、（メタ）アクリル酸イソボルニル、アクリロニトリル、又は、エチレングリコールモノアセトアセテートモノ（メタ）アクリレートなどを重合して形成される構成単位を挙げることができる。その他、特開２００４−２６４６２３号公報の段落００２１〜段落００２４に記載の化合物を挙げることができる。
【０１１０】
また、構成単位Ｃとしては、芳香環を有する構成単位、又は、脂肪族環式骨格を有する構成単位が、得られる転写材料の電気特性を向上させる観点で好ましい。これら構成単位を形成するモノマーとして、具体的には、スチレン、ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン、メチルスチレン、α−メチルスチレン、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、及び、ベンジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。中でも、構成単位Ｃとしては、シクロヘキシル（メタ）アクリレート由来の構成単位が好ましく挙げられる。
【０１１１】
また、構成単位Ｃを形成するモノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステルが、密着性の観点で好ましい。中でも、炭素数４〜１２のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルが密着性の観点でより好ましい。具体的には、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、及び、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシルが挙げられる。
【０１１２】
構成単位Ｃの含有量は、重合体Ａ１の全質量に対し、７０質量％以下が好ましく、６０質量％以下がより好ましく、５０質量％以下が更に好ましい。下限値としては、０質量％でもよいが、１質量％以上であることが好ましく、５質量％以上であることがより好ましい。上記範囲であると、解像度及び密着性がより向上する。
【０１１３】
重合体Ａ１が、構成単位Ｃとして、上記構成単位Ｂにおける酸基のエステルを有する構成単位を含むことも、現像液に対する溶解性、及び、上記感光性組成物層の物理物性を最適化する観点から好ましい。
中でも、重合体Ａ１は、構成単位Ｂとして、カルボン酸基を有する構成単位を含み、更に、カルボン酸エステル基を含む構成単位Ｃを共重合成分として含むことが好ましく、例えば、（メタ）アクリル酸由来の構成単位Ｂと、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル又は（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル由来の構成単位（ｃ）とを含む重合体がより好ましい。
以下、本開示における重合体Ａ１の好ましい例を挙げるが、本開示は以下の例示に限定されない。なお、下記例示化合物における構成単位の比率、重量平均分子量は、好ましい物性を得るために適宜選択される。
【０１１４】
【化１０】
2019077924.tif 000012
【０１１５】
−重合体成分のＩ／Ｏ値の平均値−
本開示において用いられる重合体成分は、除去性の観点から、有機概念図に基づく無機性値Ｉを有機性値Ｏで除したＩ／Ｏ値の平均値が、０．５５以上０．６５以下であることが好ましく、０．５７以上０．６３以下であることがより好ましい。
また、本開示において用いられる特定重合体のＩ／Ｏ値は、上記Ｉ／Ｏ値の平均値が上記範囲に含まれるよう、適宜設定すればよいが、０．５５以上０．６５以下であることが好ましく、０．５７以上０．６３以下であることがより好ましい。
上記Ｉ／Ｏ値については、有機概念図（甲田善生  著、三共出版（１９８４））；ＫＵＭＡＭＯＴＯ  ＰＨＡＲＭＡＣＥＵＴＩＣＡＬ  ＢＵＬＬＥＴＩＮ，第１号、第１〜１６項（１９５４年）；化学の領域、第１１巻、第１０号、７１９〜７２５項（１９５７年）；フレグランスジャーナル、第３４号、第９７〜１１１項（１９７９年）；フレグランスジャーナル、第５０号、第７９〜８２項（１９８１年）；などの文献に詳細な説明がある。Ｉ／Ｏ値の概念は、化合物の性質を、共有結合性を表す有機性基と、イオン結合性を表わす無機性基とに分け、全ての有機化合物を有機軸、無機軸と名付けた直行座標上の１点ずつに位置づけて示すものである。
【０１１６】
重合体成分が２種以上の重合体を含有する場合のＩ／Ｏ値については、以下のように考えることができる。例えば、重合体成分が３種の重合体（重合体１〜重合体３）を含有する場合、重合体１のＩ／Ｏ値をＡ１、質量分率をＭ１、重合体２のＩ／Ｏ値をＡ２、質量分率をＭ２、重合体３のＩ／Ｏ値をＡ３、質量分率をＭ３、としたときに、混合成分のＩ／Ｏ値  Ａｍは下記のように推定可能である。
Ａｍ  ＝  Ａ１×Ｍ１＋  Ａ２×Ｍ２  ＋  Ａ３×Ｍ３
なお、重合体成分が１種のみの重合体を単独で含有する場合、含まれる１種のみの重合体のＩ／Ｏ値が、重合体成分におけるＩ／Ｏ値の平均値となる。
【０１１７】
−重合体Ａ１のガラス転移温度：Ｔｇ−
本開示における重合体Ａ１のガラス転移温度（Ｔｇ）は、転写性の観点、及び、上述の加熱工程における加熱温度を調節する観点から、９０℃以下であることが好ましく、２０℃以上６０℃以下であることがより好ましく、３０℃以上５０℃以下であることが更に好ましい。
【０１１８】
重合体のＴｇを、既述の好ましい範囲に調整する方法としては、例えば、目的とする重合体の各構成単位の単独重合体のＴｇと各構成単位の質量比より、ＦＯＸ式を指針にして、目的とする重合体Ａ１のＴｇを制御することが可能である。
ＦＯＸ式について
重合体に含まれる第１の構成単位の単独重合体のＴｇをＴｇ１、第１の構成単位の共重合体における質量分率をＷ１とし、第２の構成単位の単独重合体のＴｇをＴｇ２とし、第２の構成単位の共重合体における質量分率をＷ２としたときに、第１の構成単位と第２の構成単位とを含む共重合体のＴｇ０（Ｋ）は、以下の式にしたがって推定することが可能である。
ＦＯＸ式：１／Ｔｇ０＝（Ｗ１／Ｔｇ１）＋（Ｗ２／Ｔｇ２）
既述のＦＯＸ式を用いて、共重合体に含まれる各構成単位の種類と質量分率を調整して、所望のＴｇを有する共重合体を得ることができる。
また、重合体の重量平均分子量を調整することにより、重合体のＴｇを調整することも可能である。
【０１１９】
−重合体Ａ１の酸価−
重合体Ａ１の酸価は、現像性及び転写性の観点から、０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上２００ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることが好ましく、５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上１００ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることがより好ましい。
【０１２０】
本開示における重合体の酸価は、重合体１ｇあたりの酸性成分を中和するのに要する水酸化カリウムの質量を表したものである。具体的には、測定サンプルをテトラヒドロフラン／水＝９／１混合溶媒に溶解し、電位差滴定装置（商品名：ＡＴ−５１０、京都電子工業（株）製）を用いて、得られた溶液を２５℃において、０．１Ｍ水酸化ナトリウム水溶液で中和滴定する。滴定ｐＨ曲線の変曲点を滴定終点として、次式により酸価を算出する。
Ａ＝５６．１１×Ｖｓ×０．１×ｆ／ｗ
Ａ：酸価（ｍｇＫＯＨ／ｇ）
Ｖｓ：滴定に要した０．１ｍｏｌ／ｌ水酸化ナトリウム水溶液の使用量（ｍＬ）
ｆ：０．１ｍｏｌ／ｌ水酸化ナトリウム水溶液の力価
ｗ：測定サンプルの質量（ｇ）（固形分換算）
【０１２１】
−重合体Ａ１の分子量：Ｍｗ−
重合体Ａ１の分子量は、ポリスチレン換算重量平均分子量で、６０，０００以下であることが好ましい。重合体Ａ１の重量平均分子量が６０，０００以下であることで、感光性組成物層の溶融粘度を低く抑え、上記基板と貼り合わせる際において低温（例えば１３０℃以下）での貼り合わせを実現することができる。
また、重合体Ａ１の重量平均分子量は、２，０００〜６０，０００であることが好ましく、３，０００〜５０，０００であることがより好ましい。
なお、重合体の重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）によって測定することができ、測定装置としては、様々な市販の装置を用いることができ、装置の内容、及び、測定技術は同当業者に公知である。
ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）による重量平均分子量の測定は、測定装置として、ＨＬＣ（登録商標）−８２２０ＧＰＣ（東ソー（株）製）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ（登録商標）Ｓｕｐｅｒ  ＨＺＭ−Ｍ（４．６ｍｍＩＤ×１５ｃｍ、東ソー（株）製）、Ｓｕｐｅｒ  ＨＺ４０００（４．６ｍｍＩＤ×１５ｃｍ、東ソー（株）製）、Ｓｕｐｅｒ  ＨＺ３０００（４．６ｍｍＩＤ×１５ｃｍ、東ソー（株）製）、Ｓｕｐｅｒ  ＨＺ２０００（４．６ｍｍＩＤ×１５ｃｍ、東ソー（株）製）をそれぞれ１本、直列に連結したものを用い、溶離液として、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いることができる。
また、測定条件としては、試料濃度を０．２質量％、流速を０．３５ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル注入量を１０μＬ、及び測定温度を４０℃とし、示差屈折率（ＲＩ）検出器を用いて行うことができる。
検量線は、東ソー（株）製の「標準試料ＴＳＫ  ｓｔａｎｄａｒｄ，ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ」：「Ｆ−４０」、「Ｆ−２０」、「Ｆ−４」、「Ｆ−１」、「Ａ−５０００」、「Ａ−２５００」及び「Ａ−１０００」の７サンプルのいずれかを用いて作製できる。
【０１２２】
重合体Ａ１の数平均分子量と重量平均分子量との比（分散度）は、１．０〜５．０が好ましく、１．０５〜３．５がより好ましい。
【０１２３】
−重合体Ａ１の製造方法−
重合体Ａ１の製造方法（合成法）は特に限定されないが、一例を挙げると、式Ａで表される構成単位Ａを形成するための重合性単量体、酸基を有する構成単位Ｂを形成するための重合性単量体、更に必要に応じて、その他の構成単位Ｃを形成するための重合性単量体を含む有機溶剤中、重合開始剤を用いて重合することにより合成することができる。また、いわゆる高分子反応で合成することもできる。
【０１２４】
本開示における上記感光性組成物層は、上記基板に対して良好な密着性を発現させる観点から、感光性組成物層の全固形分に対し、上記重合体成分を５０質量％〜９９．９質量％の割合で含むことが好ましく、７０質量％〜９８質量％の割合で含むことがより好ましい。
また、上記感光性組成物層は、上記基板に対して良好な密着性を発現させる観点から、感光性組成物層の全固形分に対し、上記重合体Ａ１を５０質量％〜９９．９質量％の割合で含むことが好ましく、７０質量％〜９８質量％の割合で含むことがより好ましい。
【０１２５】
〔他の重合体〕
上記感光性組成物層は、重合体成分として、重合体Ａ１に加え、本開示に係る感光性転写材料の効果を損なわない範囲において、酸分解性基で保護された酸基を有する構成単位を含まない重合体（「他の重合体」と称する場合がある。）を更に含んでいてもよい。上記感光性組成物層が他の重合体を含む場合、他の重合体の配合量は、全重合体成分中、５０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以下であることがより好ましく、２０質量％以下であることが更に好ましい。
【０１２６】
上記感光性組成物層は、重合体Ａ１に加え、他の重合体を１種類のみ含んでいてもよいし、２種類以上含んでいてもよい。
他の重合体として、例えばポリヒドロキシスチレンを用いることができ、市販されている、ＳＭＡ  １０００Ｐ、ＳＭＡ  ２０００Ｐ、ＳＭＡ  ３０００Ｐ、ＳＭＡ  １４４０Ｆ、ＳＭＡ  １７３５２Ｐ、ＳＭＡ  ２６２５Ｐ、及び、ＳＭＡ  ３８４０Ｆ（以上、サートマー社製）、ＡＲＵＦＯＮ  ＵＣ−３０００、ＡＲＵＦＯＮ  ＵＣ−３５１０、ＡＲＵＦＯＮ  ＵＣ−３９００、ＡＲＵＦＯＮ  ＵＣ−３９１０、ＡＲＵＦＯＮ  ＵＣ−３９２０、及び、ＡＲＵＦＯＮ  ＵＣ−３０８０（以上、東亞合成（株）製）、並びに、Ｊｏｎｃｒｙｌ  ６９０、Ｊｏｎｃｒｙｌ  ６７８、Ｊｏｎｃｒｙｌ  ６７、及び、Ｊｏｎｃｒｙｌ  ５８６（以上、ＢＡＳＦ社製）等を用いることもできる。
【０１２７】
〔光酸発生剤〕
上記感光性組成物層は、光酸発生剤を含むことが好ましい。
本開示で使用される光酸発生剤としては、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、及び、荷電粒子線等の放射線を照射することにより酸を発生することができる化合物である。
本開示で使用される光酸発生剤としては、波長３００ｎｍ以上、好ましくは波長３００ｎｍ〜４５０ｎｍの活性光線に感応し、酸を発生する化合物が好ましいが、その化学構造は制限されない。また、波長３００ｎｍ以上の活性光線に直接感応しない光酸発生剤についても、増感剤と併用することによって波長３００ｎｍ以上の活性光線に感応し、酸を発生する化合物であれば、増感剤と組み合わせて好ましく用いることができる。
本開示で使用される光酸発生剤としては、ｐＫａが４以下の酸を発生する光酸発生剤が好ましく、ｐＫａが３以下の酸を発生する光酸発生剤がより好ましく、ｐＫａが２以下の酸を発生する光酸発生剤が特に好ましい。ｐＫａの下限値は特に定めないが、例えば、−１０．０以上であることが好ましい。
【０１２８】
光酸発生剤としては、イオン性光酸発生剤と、非イオン性光酸発生剤とを挙げることができる。
また、光酸発生剤としては、感度及び解像度の観点から、後述するオニウム塩化合物、及び、後述するオキシムスルホネート化合物よりなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物を含むことが好ましく、オキシムスルホネート化合物を含むことがより好ましい。
【０１２９】
非イオン性光酸発生剤の例として、トリクロロメチル−ｓ−トリアジン類、ジアゾメタン化合物、イミドスルホネート化合物、及び、オキシムスルホネート化合物などを挙げることができる。これらの中でも、感度、解像度、及び、密着性の観点から、光酸発生剤がオキシムスルホネート化合物であることが好ましい。これら光酸発生剤は、１種単独又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。トリクロロメチル−ｓ−トリアジン類、及び、ジアゾメタン誘導体の具体例としては、特開２０１１−２２１４９４号公報の段落００８３〜段落００８８に記載の化合物が例示できる。
【０１３０】
オキシムスルホネート化合物、すなわち、オキシムスルホネート構造を有する化合物としては、下記式（Ｂ１）で表されるオキシムスルホネート構造を有する化合物が好ましい。
【０１３１】
【化１１】
2019077924.tif 000013
【０１３２】
式（Ｂ１）中、Ｒ２１は、アルキル基又はアリール基を表し、＊は他の原子又は他の基との結合部位を表す。
【０１３３】
式（Ｂ１）で表されるオキシムスルホネート構造を有する化合物は、いずれの基も置換されてもよく、Ｒ２１におけるアルキル基は、直鎖状であっても、分岐構造を有していても、環構造を有していてもよい。許容される置換基は以下に説明する。
Ｒ２１のアルキル基としては、炭素数１〜１０の、直鎖状又は分岐状アルキル基が好ましい。Ｒ２１のアルキル基は、炭素数６〜１１のアリール基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、シクロアルキル基（７，７−ジメチル−２−オキソノルボルニル基などの有橋式脂環基を含む、好ましくはビシクロアルキル基等）、又は、ハロゲン原子で置換されてもよい。
Ｒ２１のアリール基としては、炭素数６〜１８のアリール基が好ましく、フェニル基又はナフチル基がより好ましい。Ｒ２１のアリール基は、炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基及びハロゲン原子よりなる群から選ばれた１つ以上の基で置換されてもよい。
【０１３４】
式（Ｂ１）で表されるオキシムスルホネート構造を有する化合物は、特開２０１４−８５６４３号公報の段落００７８〜０１１１に記載のオキシムスルホネート化合物であることも好ましい。
【０１３５】
イオン性光酸発生剤の例として、ジアリールヨードニウム塩類及びトリアリールスルホニウム塩類等のオニウム塩化合物、第四級アンモニウム塩類等を挙げることができる。これらのうち、オニウム塩化合物が好ましく、トリアリールスルホニウム塩類及びジアリールヨードニウム塩類が特に好ましい。
【０１３６】
イオン性光酸発生剤としては特開２０１４−８５６４３号公報の段落０１１４〜０１３３に記載のイオン性光酸発生剤も好ましく用いることができる。
【０１３７】
光酸発生剤は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
上記感光性組成物層における光酸発生剤の含有量は、感度、解像度の観点から、上記感光性組成物層の全質量に対して、０．１質量％〜１０質量％であることが好ましく、０．５質量％〜５質量％であることがより好ましい。
【０１３８】
〔溶剤〕
上記感光性組成物層は、溶剤を含んでいてもよい。
また、上記感光性組成物層を形成する感光性組成物は、上記感光性組成物層を容易に形成するため、一旦溶剤を含有させて感光性組成物の粘度を調節し、溶剤を含む感光性組成物を塗布及び乾燥して、上記感光性組成物層を好適に形成することができる。
本開示に使用される溶剤としては、公知の溶剤を用いることができる。溶剤としては、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレングリコールジアルキルエーテル類、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、ジエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテル類、ジプロピレングリコールジアルキルエーテル類、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、エステル類、ケトン類、アミド類、及び、ラクトン類等が例示できる。また、溶剤の具体例としては特開２０１１−２２１４９４号公報の段落０１７４〜段落０１７８に記載の溶剤も挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
【０１３９】
また、既述の溶剤に、更に必要に応じて、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、１−ノナール、ベンジルアルコール、アニソール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、炭酸エチレン、又は、炭酸プロピレン等の溶剤を添加することもできる。
溶剤は、１種のみ用いてもよく、２種以上を使用してもよい。
本開示に用いることができる溶剤は、１種単独で用いてもよく、２種を併用することがより好ましい。溶剤を２種以上使用する場合には、例えば、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類とジアルキルエーテル類との併用、ジアセテート類とジエチレングリコールジアルキルエーテル類との併用、又は、エステル類とブチレングリコールアルキルエーテルアセテート類との併用が好ましい。
【０１４０】
また、溶剤としては、沸点１３０℃以上１６０℃未満の溶剤、沸点１６０℃以上の溶剤、又は、これらの混合物であることが好ましい。
沸点１３０℃以上１６０℃未満の溶剤としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（沸点１４６℃）、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート（沸点１５８℃）、プロピレングリコールメチル−ｎ−ブチルエーテル（沸点１５５℃）、及び、プロピレングリコールメチル−ｎ−プロピルエーテル（沸点１３１℃）が例示できる。
沸点１６０℃以上の溶剤としては、３−エトキシプロピオン酸エチル（沸点１７０℃）、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル（沸点１７６℃）、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート（沸点１６０℃）、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（沸点２１３℃）、３−メトキシブチルエーテルアセテート（沸点１７１℃）、ジエチレングリコールジエチエルエーテル（沸点１８９℃）、ジエチレングリコールジメチルエーテル（沸点１６２℃）、プロピレングリコールジアセテート（沸点１９０℃）、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（沸点２２０℃）、ジプロピレングリコールジメチルエーテル（沸点１７５℃）、及び、１，３−ブチレングリコールジアセテート（沸点２３２℃）が例示できる。
【０１４１】
また、溶剤としては、以下に記載のエステル類、エーテル類、ケトン類等も好ましく挙げられる。
エステル類としては、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｔ−ブチル、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ−ブチル等が挙げられる。
エーテル類としては、ジイソプロピルエーテル、１，４−ジオキサン、１，２−ジメトキシエタン、１，３−ジオキソラン、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル等が挙げられる。
ケトン類としては、メチルｎ−ブチルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、メチルｎ−プロピルケトン、メチルイソプロピルケトン等が挙げられる。
また、その他の溶剤としては、トルエン、アセトニトリル、イソプロパノール、２−ブタノール、イソブチルアルコール等が挙げられる。
【０１４２】
感光性組成物を塗布する際における溶剤の含有量は、感光性組成物中の全固形分１００質量部あたり、５０質量部〜１，９００質量部であることが好ましく、１００質量部〜９００質量部であることがより好ましい。
また、上記感光性組成物層における溶剤の含有量は、上記感光性組成物層の全質量に対し、２質量％以下であることが好ましく、１質量％以下であることがより好ましく、０．５質量％以下であることが更に好ましい。
【０１４３】
〔その他の添加剤〕
本開示における上記感光性組成物層は、重合体Ａ１及び光酸発生剤に加え、必要に応じて公知の添加剤を含むことができる。
【０１４４】
−可塑剤−
上記感光性組成物層は、可塑性を改良する目的で、可塑剤を含有してもよい。
上記可塑剤は、重合体Ａ１よりも重量平均分子量が小さいことが好ましい。
可塑剤の重量平均分子量は、可塑性付与の観点から５００以上１０，０００未満が好ましく、７００以上５，０００未満がより好ましく、８００以上４，０００未満が更に好ましい。
可塑剤は、重合体Ａ１と相溶して可塑性を発現する化合物であれば特に限定されないが、可塑性付与の観点から、可塑剤は、分子中にアルキレンオキシ基を有することが好ましい。可塑剤に含まれるアルキレンオキシ基は下記構造を有することが好ましい。
【０１４５】
【化１２】
2019077924.tif 000014
【０１４６】
上記式中、Ｒは炭素数２〜８のアルキル基であり、ｎは１〜５０の整数を表し、＊は他の原子との結合部位を表す。
【０１４７】
なお、例えば、上記構造のアルキレンオキシ基を有する化合物（「化合物Ｘ」とする。）であっても、化合物Ｘ、重合体Ａ１及び光酸発生剤を混合して得た化学増幅ポジ型感光性組成物が、化合物Ｘを含まずに形成した化学増幅ポジ型感光性組成物に比べて可塑性が向上しない場合は、本開示における可塑剤には該当しない。例えば、任意に添加される界面活性剤は、一般に感光性組成物に可塑性をもたらす量で使用されることはないため、本明細書における可塑剤には該当しない。
【０１４８】
上記可塑剤としては、例えば、下記構造を有する化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１４９】
【化１３】
2019077924.tif 000015
【０１５０】
可塑剤の含有量は、密着性の観点から、上記感光性組成物層の全質量に対して、１質量％〜５０質量％であることが好ましく、２質量％〜２０質量％であることがより好ましい。
上記感光性組成物層は、可塑剤を１種のみを含んでいてもよく、２種以上を含んでいてもよい。
【０１５１】
−増感剤−
上記感光性組成物層は、増感剤を更に含むことができる。
増感剤は、活性光線を吸収して電子励起状態となる。電子励起状態となった増感剤は、光酸発生剤と接触して、電子移動、エネルギー移動、及び、発熱などの作用が生じる。これにより光酸発生剤は化学変化を起こして分解し、酸を生成する。
増感剤を含有させることで、露光感度を向上させることができる。
【０１５２】
増感剤としては、アントラセン誘導体、アクリドン誘導体、チオキサントン誘導体、クマリン誘導体、ベーススチリル誘導体、及び、ジスチリルベンゼン誘導体よりなる群からえらばれた化合物が好ましく、アントラセン誘導体がより好ましい。
アントラセン誘導体としては、アントラセン、９，１０−ジブトキシアントラセン、９，１０−ジクロロアントラセン、２−エチル−９，１０−ジメトキシアントラセン、９−ヒドロキシメチルアントラセン、９−ブロモアントラセン、９−クロロアントラセン、９，１０−ジブロモアントラセン、２−エチルアントラセン、又は、９，１０−ジメトキシアントラセンが好ましい。
【０１５３】
上記増感剤としては、国際公開第２０１５／０９３２７１号の段落０１３９〜段落０１４１に記載の化合物を挙げることができる。
【０１５４】
増感剤の含有量は、上記感光性組成物層の全質量に対して、０質量％〜１０質量％であることが好ましく、０．１質量％〜１０質量％であることがより好ましい。
【０１５５】
−塩基性化合物−
上記感光性組成物層は、塩基性化合物を更に含むことが好ましい。
塩基性化合物としては、化学増幅レジストで用いられる塩基性化合物の中から任意に選択して使用することができる。例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、第四級アンモニウムヒドロキシド、及び、カルボン酸の第四級アンモニウム塩等が挙げられる。これらの具体例としては、特開２０１１−２２１４９４号公報の段落０２０４〜段落０２０７に記載の化合物が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
【０１５６】
具体的には、脂肪族アミンとしては、例えば、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、ジ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジシクロヘキシルアミン、及び、ジシクロヘキシルメチルアミンなどが挙げられる。
芳香族アミンとしては、例えば、アニリン、ベンジルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、及び、ジフェニルアミンなどが挙げられる。
複素環式アミンとしては、例えば、ピリジン、２−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２−エチルピリジン、４−エチルピリジン、２−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、Ｎ−メチル−４−フェニルピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、４−メチルイミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾール、２，４，５−トリフェニルイミダゾール、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、８−オキシキノリン、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、４−メチルモルホリン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン、及び、１，８−ジアザビシクロ［５．３．０］−７−ウンデセンなどが挙げられる。
第四級アンモニウムヒドロキシドとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムヒドロキシド、及び、テトラ−ｎ−ヘキシルアンモニウムヒドロキシドなどが挙げられる。
カルボン酸の第四級アンモニウム塩としては、例えば、テトラメチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムベンゾエート、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムアセテート、及び、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムベンゾエートなどが挙げられる。
【０１５７】
上記塩基性化合物は、１種単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
塩基性化合物の含有量は、上記感光性組成物層の全質量に対して、０．００１質量％〜５質量％であることが好ましく、０．００５質量％〜３質量％であることがより好ましい。
【０１５８】
−ヘテロ環状化合物−
本開示における感光性組成物層は、ヘテロ環状化合物を含むことができる。
本開示におけるヘテロ環状化合物には、特に制限はない。例えば、以下に述べる分子内にエポキシ基又はオキセタニル基を有する化合物、アルコキシメチル基含有ヘテロ環状化合物、その他、各種環状エーテル、環状エステル（ラクトン）などの含酸素モノマー、環状アミン、オキサゾリンといった含窒素モノマー、更には珪素、硫黄、リンなどのｄ電子をもつヘテロ環モノマー等を添加することができる。
【０１５９】
感光性組成物層中におけるヘテロ環状化合物の添加量は、ヘテロ環状化合物を添加する場合には、上記感光性組成物層の全質量に対し、０．０１質量％〜５０質量％であることが好ましく、０．１質量％〜１０質量％であることがより好ましく、１質量％〜５質量％であることが更に好ましい。上記範囲であると、密着性及びエッチング耐性の観点で好ましい。ヘテロ環状化合物は１種のみを用いてもよく、２種以上を併用することもできる。
【０１６０】
分子内にエポキシ基を有する化合物の具体例としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂等を挙げることができる。
【０１６１】
分子内にエポキシ基を有する化合物は市販品として入手できる。例えば、ＪＥＲ８２８、ＪＥＲ１００７、ＪＥＲ１５７Ｓ７０（三菱化学（株）製）、ＪＥＲ１５７Ｓ６５（（株）三菱ケミカルホールディングス製）など、特開２０１１−２２１４９４号公報の段落０１８９に記載の市販品などが挙げられる。
その他の市販品として、ＡＤＥＫＡ  ＲＥＳＩＮ  ＥＰ−４０００Ｓ、同ＥＰ−４００３Ｓ、同ＥＰ−４０１０Ｓ、同ＥＰ−４０１１Ｓ（以上、（株）ＡＤＥＫＡ製）、ＮＣ−２０００、ＮＣ−３０００、ＮＣ−７３００、ＸＤ−１０００、ＥＰＰＮ−５０１、ＥＰＰＮ−５０２（以上、（株）ＡＤＥＫＡ製）、デナコールＥＸ−６１１、ＥＸ−６１２、ＥＸ−６１４、ＥＸ−６１４Ｂ、ＥＸ−６２２、ＥＸ−５１２、ＥＸ−５２１、ＥＸ−４１１、ＥＸ−４２１、ＥＸ−３１３、ＥＸ−３１４、ＥＸ−３２１、ＥＸ−２１１、ＥＸ−２１２、ＥＸ−８１０、ＥＸ−８１１、ＥＸ−８５０、ＥＸ−８５１、ＥＸ−８２１、ＥＸ−８３０、ＥＸ−８３２、ＥＸ−８４１、ＥＸ−９１１、ＥＸ−９４１、ＥＸ−９２０、ＥＸ−９３１、ＥＸ−２１２Ｌ、ＥＸ−２１４Ｌ、ＥＸ−２１６Ｌ、ＥＸ−３２１Ｌ、ＥＸ−８５０Ｌ、ＤＬＣ−２０１、ＤＬＣ−２０３、ＤＬＣ−２０４、ＤＬＣ−２０５、ＤＬＣ−２０６、ＤＬＣ−３０１、ＤＬＣ−４０２、ＥＸ−１１１，ＥＸ−１２１、ＥＸ−１４１、ＥＸ−１４５、ＥＸ−１４６、ＥＸ−１４７、ＥＸ−１７１、ＥＸ−１９２（以上ナガセケムテック製）、ＹＨ−３００、ＹＨ−３０１、ＹＨ−３０２、ＹＨ−３１５、ＹＨ−３２４、ＹＨ−３２５（以上、新日鐵住金化学（株）製）セロキサイド２０２１Ｐ、２０８１、２０００、３０００、ＥＨＰＥ３１５０、エポリードＧＴ４００、セルビナースＢ０１３４、Ｂ０１７７（（株）ダイセル製）などが挙げられる。
分子内にエポキシ基を有する化合物は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【０１６２】
分子内にエポキシ基を有する化合物の中でも、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂及び脂肪族エポキシ樹脂がより好ましく挙げられ、脂肪族エポキシ樹脂が特に好ましく挙げられる。
【０１６３】
分子内にオキセタニル基を有する化合物の具体例としては、アロンオキセタンＯＸＴ−２０１、ＯＸＴ−２１１、ＯＸＴ−２１２、ＯＸＴ−２１３、ＯＸＴ−１２１、ＯＸＴ−２２１、ＯＸ−ＳＱ、ＰＮＯＸ（以上、東亞合成（株）製）を用いることができる。
【０１６４】
また、オキセタニル基を含む化合物は、単独で又はエポキシ基を含む化合物と混合して使用することが好ましい。
【０１６５】
本開示における感光性組成物層においては、ヘテロ環状化合物がエポキシ基を有する化合物であることが、エッチング耐性及び線幅安定性の観点から好ましい。
【０１６６】
−アルコキシシラン化合物−
上記感光性組成物層は、アルコキシシラン化合物を含有してもよい。アルコキシシラン化合物としては、トリアルコキシシラン化合物が好ましく挙げられる。
アルコキシシラン化合物としては、例えば、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリアコキシシラン、γ−グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリアルコキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、γ−クロロプロピルトリアルコキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリアルコキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリアルコキシシラン、ビニルトリアルコキシシランが挙げられる。これらのうち、γ−グリシドキシプロピルトリアルコキシシランやγ−メタクリロキシプロピルトリアルコキシシランがより好ましく、γ−グリシドキシプロピルトリアルコキシシランが更に好ましく、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランが特に好ましい。これらは１種単独又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【０１６７】
−界面活性剤−
上記感光性組成物層は、膜厚均一性の観点から界面活性剤を含有することが好ましい。界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系（非イオン系）、又は、両性のいずれでも使用することができるが、好ましい界面活性剤はノニオン界面活性剤である。
ノニオン系界面活性剤の例としては、ポリオキシエチレン高級アルキルエーテル類、ポリオキシエチレン高級アルキルフェニルエーテル類、ポリオキシエチレングリコールの高級脂肪酸ジエステル類、シリコーン系、フッ素系界面活性剤を挙げることができる。また、以下商品名で、ＫＰ（信越化学工業（株）製）、ポリフロー（共栄社化学（株）製）、エフトップ（ＪＥＭＣＯ社製）、メガファック（ＤＩＣ（株）製）、フロラード（住友スリーエム（株）製）、アサヒガード、サーフロン（旭硝子（株）製）、ＰｏｌｙＦｏｘ（ＯＭＮＯＶＡ社製）、及び、ＳＨ−８４００（東レ・ダウコーニング（株）製）等の各シリーズを挙げることができる。
また、界面活性剤として、下記式Ｉ−１で表される構成単位ＳＡ及び構成単位ＳＢを含み、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を溶剤とした場合のゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）が１，０００以上１０，０００以下である共重合体を好ましい例として挙げることができる。
【０１６８】
【化１４】
2019077924.tif 000016
【０１６９】
式（Ｉ−１）中、Ｒ４０１及びＲ４０３はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表し、Ｒ４０２は炭素数１以上４以下の直鎖アルキレン基を表し、Ｒ４０４は水素原子又は炭素数１以上４以下のアルキル基を表し、Ｌは炭素数３以上６以下のアルキレン基を表し、ｐ及びｑは重合比を表す質量百分率であり、ｐは１０質量％以上８０質量％以下の数値を表し、ｑは２０質量％以上９０質量％以下の数値を表し、ｒは１以上１８以下の整数を表し、ｓは１以上１０以下の整数を表し、＊は他の構造との結合部位を表す。
【０１７０】
Ｌは、下記式（Ｉ−２）で表される分岐アルキレン基であることが好ましい。式（Ｉ−２）におけるＲ４０５は、炭素数１以上４以下のアルキル基を表し、相溶性と被塗布面に対する濡れ性の点で、炭素数１以上３以下のアルキル基が好ましく、炭素数２又は３のアルキル基がより好ましい。ｐとｑとの和（ｐ＋ｑ）は、ｐ＋ｑ＝１００、すなわち、１００質量％であることが好ましい。
【０１７１】
【化１５】
2019077924.tif 000017
【０１７２】
共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１，５００以上５，０００以下がより好ましい。
【０１７３】
その他、特許第４５０２７８４号公報の段落００１７、特開２００９−２３７３６２号公報の段落００６０〜段落００７１に記載の界面活性剤も用いることができる。
【０１７４】
界面活性剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
界面活性剤の添加量は、上記感光性組成物層の全質量に対して、１０質量％以下であることが好ましく、０．００１質量％〜１０質量％であることがより好ましく、０．０１質量％〜３質量％であることが更に好ましい。
【０１７５】
−その他の成分−
本開示における感光性組成物層には、金属酸化物粒子、酸化防止剤、分散剤、酸増殖剤、現像促進剤、導電性繊維、着色剤、熱ラジカル重合開始剤、熱酸発生剤、紫外線吸収剤、増粘剤、架橋剤、及び、有機又は無機の沈殿防止剤などの公知の添加剤を更に加えることができる。
その他の成分の好ましい態様については特開２０１４−８５６４３号公報の段落０１６５〜段落０１８４にそれぞれ記載があり、この公報の内容は本明細書に組み込まれる。
【０１７６】
〔感光性組成物層の形成方法〕
各成分、及び、溶剤を任意の割合でかつ任意の方法で混合し、撹拌溶解して感光性組成物層を形成するための感光性組成物を調製することができる。例えば、各成分を、それぞれ予め溶剤に溶解させた溶液とした後、得られた溶液を所定の割合で混合して組成物を調製することもできる。以上の如くして調製した組成物は、孔径０．２μｍのフィルター等を用いてろ過した後に、使用に供することもできる。
本開示に用いられる感光性組成物における固形成分（例えば、重合体成分、光酸発生剤、塩基性化合物、及び、界面活性剤）は、感光性組成物層の膜厚均一性、面状ムラ等を向上させるために、上述した溶剤に溶解して調整することが好ましい。
【０１７７】
感光性組成物を仮支持体上に塗布し、乾燥させることで、感光性組成物層を形成することができる。
塗布方法は特に限定されず、スリット塗布、スピン塗布、カーテン塗布、インクジェット塗布などの公知の方法で塗布することができる。
なお、仮支持体上に後述のその他の層を形成した上に、感光性組成物層を塗布することもできる。
【０１７８】
＜ポジ型感光性転写材料＞
以下、本開示に用いられるポジ型感光性転写材料（以下、単に「感光性転写材料」ともいう。）について、詳細に説明する。
【０１７９】
図２は、本開示に用いられる感光性転写材料の層構成の一例を概略的に示している。図２に示す感光性転写材料１００は、仮支持体１２と、ポジ型感光性組成物層１４と、カバーフィルム１６とがこの順に積層されている。
ポジ型感光性組成物層１４は、酸分解性基で保護された酸基を有する構成単位を有する重合体と、光酸発生剤とを含有する。
以下、本開示に用いられる感光性転写材料の構成材料等について説明する。なお、本開示における上記構成について本明細書では以下のように称する場合がある。
【０１８０】
−仮支持体−
仮支持体は、ポジ型感光性組成物層を支持し、ポジ型感光性組成物層から剥離可能な支持体である。
本開示に用いられる仮支持体は、感光性組成物層をパターン露光する際に仮支持体を介して感光性組成物層を露光し得る観点から、光透過性を有することが好ましい。
光透過性を有するとは、パターン露光に使用する光の主波長の透過率が５０％以上であることを意味し、パターン露光に使用する光の主波長の透過率は、露光感度向上の観点から、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。透過率の測定方法としては、大塚電子（株）製ＭＣＰＤ  Ｓｅｒｉｅｓを用いて測定する方法が挙げられる。
仮支持体としては、ガラス基板、樹脂フィルム、紙等が挙げられ、強度及び可撓性等の観点から、樹脂フィルムが特に好ましい。樹脂フィルムとしては、シクロオレフィンポリマーフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、トリ酢酸セルロースフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム等が挙げられる。中でも、光学特性及び低透湿性の観点から、シクロオレフィンポリマーを含むフィルムが好ましく、シクロオレフィンポリマーフィルムが特に好ましい。
【０１８１】
仮支持体の厚みは、特に限定されず、５μｍ〜２００μｍの範囲が好ましく、取扱い易さ、汎用性などの点で、１０μｍ〜１５０μｍの範囲がより好ましい。
仮支持体の厚みは、支持体としての強度、回路配線形成用基板との貼り合わせに求められる可撓性、最初の露光工程で要求される光透過性などの観点から、材質に応じて選択すればよい。
【０１８２】
仮支持体の好ましい態様については、例えば、特開２０１４−８５６４３号公報の段落００１７〜段落００１８に記載があり、この公報の内容は本明細書に組み込まれる。
【０１８３】
−その他の層−
本開示に用いられる感光性転写材料は、上記感光性組成物層以外の層（以下、「その他の層」と称することがある）を有していてもよい。その他の層としては、コントラストエンハンスメント層、中間層、カバーフィルム、熱可塑性樹脂層等を挙げることができる。
【０１８４】
〔コントラストエンハンスメント層〕
本開示に用いられる感光性転写材料は、上記感光性組成物層に加え、コントラストエンハンスメント層を有することができる。
コントラストエンハンスメント層（Ｃｏｎｔｒａｓｔ  Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ  Ｌａｙｅｒ；ＣＥＬ）は、露光前には露光波長に対する吸収が大きいが、露光されるに伴って次第に吸収が小さくなる、すなわち、光の透過率が高くなる材料（光消色性色素成分と称する）を含有する層である。光消色性色素成分としては、ジアゾニウム塩、スチルバゾリウム塩、アリールニトロソ塩類等が知られている。被膜形成成分としては、フェノール系樹脂等が用いられる。
その他、コントラストエンハンスメント層としては、特開平６−９７０６５号公報の段落０００４〜段落００５１、特開平６−３３２１６７号公報の段落００１２〜段落００５５、フォトポリマーハンドブック，フォトポリマー懇話会編，工業調査会（１９８９）、フォトポリマー・テクノロジー，山岡、永松編，（株）日刊工業新聞社（１９８８）に記載の材料を用いることができる。
【０１８５】
〔中間層〕
上記感光性組成物層の上に、複数層を塗布する目的、及び塗布後の保存の際における成分の混合を防止する目的で、中間層を設けることができる。
中間層としては、特開２００５−２５９１３８号公報の段落００８４〜００８７に記載の中間層を用いることができる。中間層としては、水又はアルカリ水溶液に分散又は溶解するものが好ましい。
中間層に用いられる材料としては、例えばポリビニルアルコール系樹脂、ポリビニルピロリドン系樹脂、セルロース系樹脂、アクリルアミド系樹脂、ポリエチレンオキサイド系樹脂、ゼラチン、ビニルエーテル系樹脂、ポリアミド樹脂、及びこれらの共重合体などの樹脂が挙げられる。中でも特に好ましいのはポリビニルアルコールとポリビニルピロリドンとの組み合わせである。
【０１８６】
〔熱可塑性樹脂層、カバーフィルム等〕
本開示に用いられる感光性転写材料は、転写性の観点から、上記仮支持体と上記感光性組成物層との間に、熱可塑性樹脂層を有していてもよい。
また、本開示に係る感光性転写材料は、上記感光性組成物層を保護する目的でカバーフィルムを有していてもよい。
熱可塑性樹脂層の好ましい態様については特開２０１４−８５６４３号公報の段落０１８９〜段落０１９３、他の層の好ましい態様については特開２０１４−８５６４３号公報の段落０１９４〜段落０１９６にそれぞれ記載があり、この公報の内容は本明細書に組み込まれる。
中でも、転写性の観点から、熱可塑性樹脂層が、アクリル樹脂及びスチレン／アクリル共重合体よりなる群から選ばれた少なくとも１種の熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。
【０１８７】
本開示に用いられる感光性転写材料が、熱可塑性樹脂層等のその他の層を有する場合、特開２００６−２５９１３８号公報の段落００９４〜段落００９８に記載の感光性転写材料の作製方法に準じて作製することができる。
例えば、熱可塑性樹脂層及び中間層を有する本開示に係る感光性転写材料を作製する場合には、仮支持体上に、熱可塑性の有機高分子と添加剤とを溶解した溶解液（熱可塑性樹脂層用塗布液）を塗布し、乾燥させて熱可塑性樹脂層を設けた後、得られた熱可塑性樹脂層上に熱可塑性樹脂層を溶解しない溶剤に樹脂及び添加剤を加えて調製した調製液（中間層用塗布液）を塗布し、乾燥させて中間層を積層する。形成した中間層上に、更に、中間層を溶解しない溶剤を用いて調製した感光性組成物を塗布し、乾燥させて感光性組成物層を積層することによって、本開示に係る感光性転写材料を好適に作製することができる。
【０１８８】
（入力装置及び表示装置）
本開示に係る回路基板の製造方法により製造される回路基板を備えた装置として、入力装置が挙げられる。
本開示における入力装置は、静電容量型タッチパネルであることが好ましい。
本開示における表示装置は、本開示における入力装置を備えることが好ましい。
また、本開示における表示装置は、有機ＥＬ表示装置、及び、液晶表示装置等の画像表示装置であることが好ましい。
【０１８９】
（タッチパネル、及び、タッチパネル表示装置並びにこれらの製造方法）
本開示に係るタッチパネルは、本開示に係る回路基板の製造方法により製造された回路基板を少なくとも有するタッチパネルである。また、本開示に係るタッチパネルは、透明基板と、電極と、絶縁層又は保護層とを少なくとも有することが好ましい。
本開示に係るタッチパネル表示装置は、本開示に係る回路基板の製造方法により製造された回路基板を少なくとも有するタッチパネル表示装置であり、本開示に係るタッチパネルを有するタッチパネル表示装置であることが好ましい。
本開示に係るタッチパネル又はタッチパネル表示装置の製造方法は、本開示に係る回路基板の製造方法を含むことが好ましい。
本開示に係るタッチパネル又はタッチパネル表示装置の製造方法は、感光性転写材料の製造方法により得られた感光性転写材料の上記感光性組成物層を上記基板に接触させて貼り合わせる工程と、上記貼り合わせる工程後の上記感光性転写材料の上記感光性組成物層をパターン露光する工程と、上記露光する工程後の感光性組成物層を現像してパターンを形成する工程と、上記パターンが配置されていない領域における基板をエッチング処理する工程と、を含むことが好ましい。各工程の詳細は、上述の回路基板の製造方法における各工程の詳細と同義であり、好ましい態様も同様である。
本開示に係るタッチパネル及び本開示に係るタッチパネル表示装置のおける検出方法としては、抵抗膜方式、静電容量方式、超音波方式、電磁誘導方式、及び、光学方式など公知の方式いずれでもよい。中でも、静電容量方式が好ましい。
タッチパネル型としては、いわゆる、インセル型（例えば、特表２０１２−５１７０５１号公報の図５、図６、図７、図８に記載のもの）、いわゆる、オンセル型（例えば、特開２０１３−１６８１２５号公報の図１９に記載のもの、特開２０１２−８９１０２号公報の図１や図５に記載のもの）、ＯＧＳ（Ｏｎｅ  Ｇｌａｓｓ  Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）型、ＴＯＬ（Ｔｏｕｃｈ−ｏｎ−Ｌｅｎｓ）型（例えば、特開２０１３−５４７２７号公報の図２に記載のもの）、その他の構成（例えば、特開２０１３−１６４８７１号公報の図６に記載のもの）、各種アウトセル型（いわゆる、ＧＧ、Ｇ１・Ｇ２、ＧＦＦ、ＧＦ２、ＧＦ１、Ｇ１Ｆなど）を挙げることができる。
本開示に係るタッチパネル及び本開示に係るタッチパネル表示装置としては、『最新タッチパネル技術』（２００９年７月６日、（株）テクノタイムズ社発行）、三谷雄二監修、“タッチパネルの技術と開発”、シーエムシー出版（２００４，１２）、ＦＰＤ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  ２００９  Ｆｏｒｕｍ  Ｔ−１１講演テキストブック、Ｃｙｐｒｅｓｓ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ  アプリケーションノートＡＮ２２９２等に開示されている構成を適用することができる。
【実施例】
【０１９０】
以下に実施例を挙げて本発明の実施形態を更に具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、及び、処理手順等は、本発明の実施形態の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。したがって、本発明の実施形態の範囲は以下に示す具体例に限定されない。なお、特に断りのない限り、「部」、「％」は質量基準である。【０１９１】
［（Ａ）重合体成分］
以下の合成例において、以下の略語はそれぞれ以下の化合物を表す。
ＡＴＨＦ：２−テトラヒドロフラニルアクリレート（合成品）
ＡＡ：アクリル酸（東京化成工業（株）製）
ＭＡＡ：メタクリル酸（東京化成工業（株）製）
ＥＡ：アクリル酸エチル（東京化成工業（株）製）
ＭＭＡ：メタクリル酸メチル（東京化成工業（株）製）
ＣＨＡ：アクリル酸シクロヘキシル（東京化成工業（株）製）
ＭＡＴＨＦ：２−テトラヒドロフラニルメタクリレート（合成品）
ＡＴＨＰ：２−テトラヒドロピラニルアクリレート（新中村化学工業（株）製）
ＭＡＥＶＥ：１−エトキシエチルメタクリレート（合成品）
ＰＭＰＭＡ：メタクリル酸１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル（富士フイルム和光純薬（株）製）
ＰＧＭＥＡ：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（昭和電工（株）製）
Ｖ−６０１：ジメチル  ２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）（和光純薬工業（株）製）【０１９２】
＜ＡＴＨＦの合成＞
３つ口フラスコにアクリル酸（７２．１ｇ、１．０ｍｏｌ）、ヘキサン（７２．１ｇ）を加え２０℃に冷却した。カンファースルホン酸（７．０ｍｇ、０．０３ｍｍｏｌ）、２−ジヒドロフラン（７７．９ｇ、１．０ｍｏｌ）を滴下した後に、２０℃±２℃で１．５時間撹拌した後、３５℃まで昇温して２時間撹拌した。ヌッチェにキョーワード２００（ろ過材、水酸化アルミニウム粉末、協和化学工業（株）製）、キョーワード１０００（ろ過材、ハイドロタルサイト系粉末、協和化学工業（株）製）の順に敷き詰めた後、反応液をろ過することでろ過液を得た。得られたろ過液にヒドロキノンモノメチルエーテル（ＭＥＨＱ、１．２ｍｇ）を加えた後、４０℃で減圧濃縮することで、アクリル酸テトラヒドロフラン−２−イル（ＡＴＨＦ）１４０．８ｇを無色油状物として得た（収率９９．０％）。【０１９３】
＜ＭＡＴＨＦの合成＞
アクリル酸をメタクリル酸に変更した以外は、ＡＴＨＦの合成と同様にして合成した。【０１９４】
＜ＭＡＥＶＥの合成＞
特開２００７−１６３７７２号公報の段落０１３９に記載の方法に従って合成した。【０１９５】
＜重合体Ａ−１の合成例＞
３つ口フラスコにＰＧＭＥＡ（７５．０ｇ）を入れ、窒素雰囲気下において９０℃に昇温した。ＡＴＨＦ（４０．０ｇ）、ＡＡ（２．０ｇ）、アクリル酸エチル（ＥＡ、２０．０ｇ）、メタクリル酸メチル（ＭＭＡ、２２．０ｇ）、アクリル酸シクロヘキシル（ＣＨＡ、１６．０ｇ）、Ｖ−６０１（４．０ｇ）、ＰＧＭＥＡ（７５．０ｇ）を加えた溶液を、９０℃±２℃に維持した３つ口フラスコ溶液中に２時間かけて滴下した。滴下終了後，９０℃±２℃にて２時間撹拌することで、重合体Ａ−１（固形分濃度４０．０％）を得た。【０１９６】
【表１】
2019077924.tif 000018
【０１９７】
＜重合体Ａ２〜Ａ１０の合成＞
モノマーの種類等を下記表２に示す通りに変更し、その他の条件については、重合体Ａ１と同様の方法で合成した。重合体Ａの固形分濃度は４０質量％とした。表２における各モノマーの使用量の単位は、質量％である。【０１９８】
【表２】
2019077924.tif 000019
【０１９９】
＜重合体Ａ−１１（ＰＨＳ−ＥＶＥ）の合成＞
特開２０１４−８５６４３号公報の段落０２３２に記載の方法に従って重合体Ａ−１１を得た。【０２００】
【化１６】
2019077924.tif 000020
【０２０１】
＜重合体Ａ−１２（ノボラック−ＥＶＥ）の合成＞
特開２０１４−８５６４３号公報の段落０２３４に記載の方法に従って重合体Ａ−１２を得た。【０２０２】
【化１７】
2019077924.tif 000021
【０２０３】
［（Ｂ）光酸発生剤］
Ｂ−１：下記に示す構造（特開２０１３−４７７６５号公報の段落０２２７に記載の化合物、段落０２２７に記載の方法に従って合成した。）【０２０４】
【化１８】
2019077924.tif 000022
【０２０５】
Ｂ−２：ＰＡＧ−１０３（商品名、ＢＡＳＦ社製、下記化合物）【０２０６】
【化１９】
2019077924.tif 000023
【０２０７】
Ｂ−３：下記に示す構造の化合物（特開２０１４−１９７１５５号公報の段落０２１０に記載の方法に従って合成した。）【０２０８】
【化２０】
2019077924.tif 000024
【０２０９】
上記化合物中、Ｔｓは、トシル基を表す。【０２１０】
Ｂ−４：ＧＳＩＤ−２６−１、トリアリールスルホニウム塩（ＢＡＳＦ社製、下記化合物）【０２１１】
【化２１】
2019077924.tif 000025
【０２１２】
［（Ｃ）界面活性剤］
Ｃ−１：下記に示す構造の化合物【０２１３】
【化２２】
2019077924.tif 000026
【０２１４】
［（Ｄ）塩基性化合物］
Ｄ−１：下記に示す構造の化合物【０２１５】
【化２３】
2019077924.tif 000027
【０２１６】
＜ナフトキノンジアジド＞
ＴＳ−２００ＴＦ（東洋合成工業（株）製、下記構造の化合物）【０２１７】
【化２４】
2019077924.tif 000028
【０２１８】
＜感光性転写材料の調製＞
実施例１及び比較例１では、下記表３に示す固形分比となるように、重合体成分、光酸発生剤、塩基性化合物、及び、界面活性剤をＰＧＭＥＡに固形分濃度１０質量％になるように溶解混合し、孔径０．２μｍのポリテトラフルオロエチレン製フィルターで濾過して、感光性組成物を得た。
この感光性組成物を、仮支持体となる厚さ３０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（以下、ＰＥＴ（Ａ）とする。）の上に、スリット状ノズルを用いて乾燥膜厚が３．０μｍ、塗布幅が１．０ｍとなるように塗布した。その後、８０℃の乾燥ゾーンを４０秒間かけて通過させ、最後にカバーフィルムとしてポリエチレンフィルム（トレデガー社製、ＯＳＭ−Ｎ）を圧着して感光性転写材料１を作製した。
なお、ＰＥＴ（Ａ）の全光ヘイズは０．１９％であった。フィルムヘイズはスガ試験機（株）製ヘイズメーターＨＺ−２を用い、ＪＩＳ−Ｋ−７１３６に準拠してベース小片の全光ヘイズ値（％）を測定した。【０２１９】
＜性能評価＞
１００μｍ厚ＰＥＴ基材上に、ＩＴＯをスパッタリングで１５０ｎｍ厚にて成膜し、その上に銅を真空蒸着法で２００ｎｍ厚にて成膜したＰＥＴ基板を使用した。【０２２０】
＜感度評価＞
作製した感光性転写材料を、ロール温度１２０℃、線圧０．８ＭＰａ、線速度１．０ｍ／ｍｉｎ．のラミネート条件でＩＴＯ次いで銅の順で成膜されたＰＥＴ基板にラミネートし、試料を作製した。
仮支持体を剥離せずに線幅３μｍ〜２０μｍのラインアンドスペースパターンマスク（Ｄｕｔｙ比  １：１）を介して超高圧水銀灯で露光後、１時間引き置いた後に仮支持体を剥離して現像した。現像は２５℃の１．０％炭酸ナトリウム水溶液を用い、シャワー現像で３０秒行った。上記方法にて２０μｍのラインアンドスペースパターンを形成したとき、スペース部の残渣を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察し評価し、完全に残渣がなくなる露光量を求めた。露光量が２００ｍＪ／ｃｍ２未満が実用可能レベルである。
５：８０ｍＪ／ｃｍ２未満
４：８０ｍＪ／ｃｍ２以上１５０ｍＪ／ｃｍ２未満
３：１５０ｍＪ／ｃｍ２以上２００ｍＪ／ｃｍ２未満
２：２００ｍＪ／ｃｍ２以上３００ｍＪ／ｃｍ２未満
１：３００ｍＪ／ｃｍ２以上【０２２１】
＜解像度評価＞
作製した感光性転写材料を、ロール温度１２０℃、線圧０．８ＭＰａ、線速度１．０ｍ／ｍｉｎ．のラミネート条件でＩＴＯ次いで銅の順で成膜されたＰＥＴ基板にラミネートし、試料を作製した。
仮支持体を剥離せずに線幅３μｍ〜２０μｍのラインアンドスペースパターン（Ｄｕｔｙ比  １：１）マスクを介して超高圧水銀灯で露光後、１時間引き置いた後に仮支持体を剥離して現像した。現像は２５℃の１．０％炭酸ナトリウム水溶液を用い、シャワー現像で３０秒行った。このように得られたラインアンドスペースパターンで、最も高解像度であったパターンを到達解像度とした。また到達解像度を判断する際、パターンの側壁部に大きな荒れが生じている場合には、解像できていないとした。
５：６μｍ未満
４．５：８μｍ未満、６μｍ以上
４：１０μｍ未満、８μｍ以上
３：１５μｍ未満、１０μｍ以上
２：２０μｍ未満、１５μｍ以上
１：２０μｍ以上【０２２２】
＜除去性評価＞
作製した感光性転写材料を、ロール温度１２０℃、線圧０．８ＭＰａ、線速度１．０ｍ／ｍｉｎ．のラミネート条件でＩＴＯ次いで銅の順で成膜されたＰＥＴ基板にラミネートし、試料を作製した。
仮支持体を剥離せずに線幅３μｍ〜２０μｍのラインアンドスペースパターン（Ｄｕｔｙ比  １：１）マスクを介して超高圧水銀灯で露光後、１時間放置した後に仮支持体を剥離して現像した。現像は２５℃の１．０％炭酸ナトリウム水溶液を用い、シャワー現像で３０秒行った。次いで２５℃の銅エッチング液（関東化学（株）製Ｃｕ−０２）を用いて銅層をディップ法にて６０秒間エッチングした後、２５℃のＩＴＯエッチング液（関東化学（株）製ＩＴＯ−０２）を用いてＩＴＯ層をディップ法にて６０秒間エッチングした。上記解像性評価で解像しなかった（評価が１であった）材料についても、銅及びＩＴＯエッチング液で同様の操作を行った。
残った感光性組成物層を、除去液を用いて除去した。除去は５０℃の水系除去液（Ｈｅｎｋｅｌ（株）製ＢＯＮＤＥＲＩＴＥ  Ｃ−ＡＫ  Ｐ１２３の水希釈液：有機塩基１０％、水９０％）、及び、ミカサ（株）製  ＥＤ−１２００を用いて、シャワー除去を行った。このとき、１日の装置稼働時間を６時間として、除去液の使用開始日（０日）、又は、使用開始日から３日、７日、１４日後、２１日後若しくは２８日後にそれぞれ同様の実験を行った。
除去前に全面露光を行う場合は、パターンマスクを介さず超高圧水銀灯を用い表３に記載の剥離前露光量で露光し、露光後に１０秒間引き置いた後、上記の除去試験を行った。
感光性組成物層を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、銅層上の感光性組成物層が完全に除去可能な時間を求めた。除去性を判断する際、除去時間が７０秒未満であることが実用レベルであり、除去時間は短いほうが好ましい。【０２２３】
〔評価基準〕
４：除去時間が２０秒以下
３：除去時間が２０秒以上７０秒未満
２：除去時間が７０秒以上３００秒未満
１：除去不可【０２２４】
以下、表３に評価結果をまとめて示す。【０２２５】
【表３】
2019077924.tif 000029
【０２２６】
表３に示すように、実施例の回路基板の製造方法は、除去液の長時間使用した場合においても除去性に優れる。【０２２７】
（実施例１０１）
１００ミクロン厚ＰＥＴ基材上に、第２層の導電層としてＩＴＯをスパッタリングで１５０ｎｍ厚にて成膜し、その上に第１層の導電層として銅を真空蒸着法で２００ｎｍ厚にて成膜して、回路形成基板とした。
銅層上に実施例１で得た感光性転写材料１をラミネートした（ロール温度１２０℃、線圧０．８ＭＰａ、線速度１．０ｍ／ｍｉｎ．）。仮支持体を剥離せずに一方向に導電層パッドが連結された構成を持つ図３に示すパターンＡを設けたフォトマスクを用いてコンタクトパターン露光した。その後仮支持体を剥離し、現像、水洗を行ってパターンＡを得た。次いで銅エッチング液（関東化学（株）製Ｃｕ−０２）を用いて銅層をエッチングした後、ＩＴＯエッチング液（関東化学（株）製ＩＴＯ−０２）を用いてＩＴＯ層をエッチングすることで、銅とＩＴＯとが共にパターンＡで描画された基板を得た。
次いで、アライメントを合わせた状態で図４に示すパターンＢの開口部を設けたフォトマスクを用いてパターン露光し、現像、水洗を行った。
その後、Ｃｕ−０２を用いて銅層をエッチングし、残った感光性組成物層を、超高圧水銀灯により全面露光（３００ｍＪ／ｃｍ２）し、露光後に１０秒間引き置いた後、除去液（Ｈｅｎｋｅｌ（株）製ＢＯＮＤＥＲＩＴＥ  Ｃ−ＡＫ  Ｐ１２３）を用いて除去し、回路基板を得た。
得られた回路基板を、顕微鏡で観察したところ、剥がれや欠けなどは無く、きれいなパターンであった。【０２２８】
（実施例１０２）
１００ミクロン厚ＰＥＴ基材上に、第２層の導電層としてＩＴＯをスパッタリングで１５０ｎｍ厚にて成膜し、その上に第１層の導電層として銅を真空蒸着法で２００ｎｍ厚にて成膜して、回路形成基板とした。
銅層上に実施例１で得た感光性転写材料１をラミネートした（ロール温度１２０℃、線圧０．８ＭＰａ、線速度１．０ｍ／ｍｉｎ．）。
仮支持体を剥離せずに一方向に導電層パッドが連結された構成を持つ図３に示すパターンＡを設けたフォトマスクを用いてパターン露光した。その後仮支持体を剥離し、現像、水洗を行ってパターンＡを得た。次いで銅エッチング液（関東化学（株）製Ｃｕ−０２）を用いて銅層をエッチングした後、ＩＴＯエッチング液（関東化学（株）製ＩＴＯ−０２）を用いてＩＴＯ層をエッチングすることで、銅とＩＴＯが共にパターンＡで描画された基板を得た。
次いで、残存しているレジスト上に保護層としてＰＥＴ（Ａ）をラミネートした。この状態で、アライメントを合わせた状態で図４に示すパターンＢの開口部を設けたフォトマスクを用いてパターン露光し、ＰＥＴ（Ａ）を剥離した後に現像、水洗を行った。
その後、Ｃｕ−０２を用いて銅配線をエッチングし、残った感光性組成物層を、超高圧水銀灯により全面露光（３００ｍＪ／ｃｍ２）し、露光後に１０秒間引き置いた後、除去液（Ｈｅｎｋｅｌ（株）製ＢＯＮＤＥＲＩＴＥ  Ｃ−ＡＫ  Ｐ１２３）を用いて除去し、回路基板を得た。
得られた回路基板を、顕微鏡で観察したところ、剥がれや欠けなどは無く、きれいなパターンであった。【０２２９】
（実施例２）
実施例１で得た感光性転写材料１について、段落０１９９に記載の方法で基板のパターニングを行った。感光性組成物の除去に当たり、剥離前の全面露光後にＩＲヒーターを用いて基板温度６０℃で５秒間、加熱しての引き置きを行った以外は、実施例１と同様の方法により除去性評価を行った。評価結果を表４に示す。【０２３０】
（実施例３）
加熱工程における基板温度２５℃に変更して、引き置きを行った以外は、実施例２と同様の方法により除去性評価を行った。評価結果を表４に示す。【０２３１】
【表４】
2019077924.tif 000030
【０２３２】
結果、加熱工程を行うことで、露光後の引き置き時間が短時間であっても、実施例１と同等以上の除去性能が得られた。
また、表４に示すように、実施例２の回路基板の製造方法は、除去液を長時間、例えば、２１日間又は２８日間使用した場合においても除去性に優れる。【０２３３】
（実施例４）
１００ミクロン厚ＰＥＴ基材上に、第２層の導電層としてＩＴＯをスパッタリングで１５０ｎｍ厚にて成膜し、その上に第１層の導電層として銅を真空蒸着法で２００ｎｍ厚にて成膜して、回路形成基板とした。
銅層上に実施例１で得た感光性転写材料１をラミネートした（ロール温度１２０℃、線圧０．８ＭＰａ、線速度１．０ｍ／ｍｉｎ．）。
仮支持体を剥離せずに一方向に導電層パッドが連結された構成を持つ図３に示すパターンＡを設けたフォトマスクを用いてパターン露光した。その後仮支持体を剥離し、現像、水洗を行ってパターンＡを得た。次いで銅エッチング液（関東化学（株）製Ｃｕ−０２）を用いて銅層をエッチング、水洗を行ってパターンＡで描画された銅配線を得た。さらに銅エッチング後の基板を、ＩＴＯエッチング液（関東化学（株）製ＩＴＯ−０２）を用いてＩＴＯ層をエッチングし、最後にリンス液（界面活性剤の０．１重量パーセント水溶液、界面活性剤：メガファックＦ−４４４（ＤＩＣ（株）製））で洗浄することで、銅とＩＴＯが共にパターンＡで描画された基板を得た。
この基板を超高圧水銀灯により全面露光（３００ｍＪ／ｃｍ２）し、露光後にＩＲヒーターを用いて基板温度６０℃で５秒間、加熱しての引き置き後、実施例１と同様の方法により感光性樹脂層の除去性能評価を行った。除去液には（Ｈｅｎｋｅｌ（株）製ＢＯＮＤＥＲＩＴＥ  Ｃ−ＡＫ  Ｐ１２３）を用いた。本実施例のプロセスにおいても、下記表５に示されるとおり、良好な除去性能を得ることができた。【０２３４】
【表５】
2019077924.tif 000031
【０２３５】
（実施例５）
１００ミクロン厚ＰＥＴ基材上に、第２層の導電層としてＩＴＯをスパッタリングで１５０ｎｍ厚にて成膜し、その上に第１層の導電層として銅を真空蒸着法で２００ｎｍ厚にて成膜して、回路形成基板とした。
銅層上に実施例１で得た感光性転写材料１をラミネートした（ロール温度１２０℃、線圧０．８ＭＰａ、線速度１．０ｍ／ｍｉｎ．）。
仮支持体を剥離せずに一方向に導電層パッドが連結された構成を持つ図３に示すパターンＡを設けたフォトマスクを用いてパターン露光した。その後仮支持体を剥離し、現像、水洗を行ってパターンＡを得た。次いで銅エッチング液（関東化学（株）製Ｃｕ−０２）を用いて銅層をエッチング、水洗を行ってパターンＡで描画された銅配線を得た。更に銅エッチング後の基板を、ＩＴＯエッチング液（関東化学（株）製ＩＴＯ−０２）を用いてＩＴＯ層をエッチングし、下記組成のリンス液１を用いて洗浄したのち、エアブローにて水分を完全に飛ばすことで、銅とＩＴＯが共にパターンＡで描画された基板を得た。
この基板を超高圧水銀灯により全面露光（３００ｍＪ／ｃｍ２）し、露光後にＩＲヒーターを用いて基板温度６０℃で５秒間、加熱しての引き置き後、感光性樹脂層の除去性能評価を行った。除去液には（Ｈｅｎｋｅｌ（株）製ＢＯＮＤＥＲＩＴＥ  Ｃ−ＡＫ  Ｐ１２３）を用いた。評価結果を表６及び表７に示す。【０２３６】
＜リンス液１＞
・イオン交換水：９，９９０部
・ポリオキシエチレン（１０）オクチルフェニルエーテル（富士フイルム和光純薬（株）製）：５部
・ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール（１６０エチレンオキサイド（Ｅ．Ｏ．））（３０プロピレンオキサイド（Ｐ．Ｏ．））（富士フイルム和光純薬（株）製）：５部【０２３７】
（実施例６）
ＩＴＯエッチング後のリンス液を、下記のリンス液２に代えた以外は、実施例５と同様にして感光性樹脂層の除去性能評価を行った。評価結果を表６及び表７に示す。【０２３８】
＜リンス液２＞
・イオン交換水：９，９８５部
・ポリオキシエチレン（１０）オクチルフェニルエーテル：５部
・ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール（１６０Ｅ．Ｏ．）（３０Ｐ．Ｏ．）：５部
・３−メトキシ−３−メチルブタノール：５部【０２３９】
【表６】
2019077924.tif 000032
【０２４０】
【表７】
2019077924.tif 000033
【０２４１】
結果、ＩＴＯエッチング後のリンス液としてリンス液１又はリンス液２を用いて、加熱工程を行うことでも、良好な除去性能を得ることができた。【０２４２】
（実施例７〜実施例１９）
下記表８に示す感光性組成物の組成とした以外は、実施例１と同様の方法で、感光性転写材料を調製した。感度評価及び解像度評価は、実施例１と同様の方法で行い、除去性の評価については、剥離前露光量及び加熱工程における加熱時間、並びに、加熱温度を変更した以外は、実施例２と同様の方法で行った。評価結果を表８に示す。【０２４３】
【表８】
2019077924.tif 000034
【０２４４】
表８に示すように、実施例の回路基板の製造方法は、除去液の長時間使用した場合においても除去性に優れる。
【符号の説明】
【０２４５】
１２：仮支持体、１４：ポジ型感光性組成物層、１４Ａ：第１パターン、１４Ｂ：第２パターン、１６：カバーフィルム、２０：回路配線形成用基板、２２：基材、２４：第１導電層、２４Ａ：第１導電層（第１エッチング工程後）、２４Ｂ：第１導電層（第２エッチング工程後）、２６：第２導電層、２６Ａ：第２導電層（第１エッチング工程及び第２エッチング工程後）、３０：マスク、４０：マスク、１００：感光性転写材料、Ｓ、ＳＬ：実線部、Ｇ：グレー部、ＤＬ：点線部
【図１】
2019077924.tif 000036
【図２】
2019077924.tif 000037
【図３】
2019077924.tif 000038
【図４】
2019077924.tif 000039
【国際調査報告】
2019077924.tif 000040
2019077924.tif 000041
2019077924.tif 000042
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