(57)【要約】【課題】タンタル酸リチウム等からなる圧電性材料基板と、酸化珪素層が設けられた支持基板とを接合するのに際して、接合強度を向上させる。【解決手段】接合体は、支持基板４、支持基板４上に設けられた酸化珪素層５、および酸化珪素層５上に設けられた、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムおよびニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウムからなる群より選ばれた材質からなる圧電性材料基板１を備える。酸化珪素層５側の圧電性材料基板１の表面抵抗率は、１．７×１０１５Ω／□以上である。【選択図】          図３
2019142483.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板、
前記支持基板上に設けられた酸化珪素層、および
前記酸化珪素層上に設けられた、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムおよびニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウムからなる群より選ばれた材質からなる圧電性材料基板を備えた接合体であって、
前記酸化珪素層側の前記圧電性材料基板の表面抵抗率は、１．７×１０１５Ω／□以上であることを特徴とする、接合体。
【請求項２】
前記支持基板が、シリコン、水晶、サイアロン、ムライト、サファイアおよび透光性アルミナからなる群より選ばれた材質からなることを特徴とする、請求項１に記載の接合体。
【請求項３】
ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムおよびニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウムからなる群より選ばれた材質からなる圧電性材料基板と、酸化珪素層が設けられた支持基板とを接合する方法であって、
前記圧電性材料基板の接合面に対して１５０℃以下で酸素プラズマを照射して、前記接合面の表面抵抗率を１．７×１０１５Ω／□以上とした後で、前記圧電性材料基板の前記接合面を前記酸化珪素層の前記接合面に対して接合することを特徴とする、圧電性材料基板と支持基板との接合体の製造方法。
【請求項４】
前記酸化珪素層の前記接合面に対して１５０℃以下で酸素プラズマを照射して活性化した後で、前記圧電性材料基板の前記接合面を前記酸化珪素層の前記接合面に対して接合することを特徴とする、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記圧電性材料基板の前記接合面を前記酸化珪素層の前記接合面に対して接合した後、前記圧電性材料基板の厚さを研磨によって小さくすることを特徴とする、請求項３または４記載の方法。
【請求項６】
前記圧電性材料基板の厚さを研磨によって２μｍ以下まで小さくすることを特徴とする、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記支持基板が、シリコン、水晶、サイアロン、ムライト、サファイアおよび透光性アルミナからなる群より選ばれた材質からなることを特徴とする、請求項３〜６のいずれか一つの請求項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電性材料基板と支持基板との接合体およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高性能な半導体素子を実現する目的で、高抵抗Si/SiO2薄膜/Si薄膜からなるＳＯＩ基板が広く用いられている。ＳＯＩ基板を実現するにあたりプラズマ活性化が用いられる。これは比較的低温(４００℃)で接合できるためである。圧電デバイスの特性向上を狙い、類似のSi/SiO2薄膜/圧電薄膜からなる複合基板が提案されている(特許文献１)。【０００３】
特許文献１では、ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムからなる圧電性材料基板と、酸化珪素層を設けたシリコン基板とをイオン注入法によって活性化した後に接合する。【０００４】
特許文献２には、タンタル酸リチウムとサファイアや酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、又は窒化シリコンの何れかを主成分としたセラミックスとを、酸化珪素層を介してプラズマ活性化法により接合することが記載されている。【０００５】
非特許文献１には、タンタル酸リチウム基板と、酸化珪素層を設けたシリコン基板とを、O2のRIE(13.56MHz)プラズマとN2のmicrowave(2.45GHz)プラズマを続けざまに照射することで接合することが記載されている。【０００６】
SiとSiO2/Siのプラズマ活性化接合においては、その接合界面でSi-O-Si結合が形成されることで十分な接合強度が得られる。また同時にSiがSiO2に酸化されることで平滑度が向上し、最表面で上記接合が促進される(非特許文献２)。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】ECS Transactions, 3 (6) 91-98 (2006)
【非特許文献２】J. Applied Physics 113, 094905 (2013)
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開2016-225537
【特許文献２】特許第3774782号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、先行文献の通り、イオン注入により、ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウム基板を薄くすることで圧電素子を作製した場合には、特性が低いという問題があった。これは、イオン注入時のダメージにより結晶性が劣化することに起因すると考えられる。【００１０】
一方、ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムなどの圧電性材料基板をシリコン基板上の酸化珪素層に接合した後に、圧電性材料基板を研磨することで薄くする場合には、加工変質層をＣＭＰにより取り除くことができるので、素子特性は劣化しない。しかし、研磨加工の際には、圧電性材料基板に大きなせん断応力が加わる。このため、研磨により圧電性材料基板を薄く加工しようとすると、研磨中に圧電性材料基板がシリコン基板から剥がれてくるという問題があった。また、研磨加工によって圧電性材料基板の厚さを小さくしていくと、得られた接合体の特性が劣化するという問題もあった。特に、接合体を弾性波素子として用いる場合、弾性波素子としての特性（例えば、電気機械結合係数ｋ２）が低下することがあった。【００１１】
本発明の課題は、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムおよびニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウムからなる群より選ばれた材質からなる圧電性材料基板と、酸化珪素層が設けられた支持基板とを接合するのに際して、接合強度を維持しつつ、接合体の特性劣化を抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、
支持基板、
前記支持基板上に設けられた酸化珪素層、および
前記酸化珪素層上に設けられた、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムおよびニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウムからなる群より選ばれた材質からなる圧電性材料基板を備えた接合体であって、
前記酸化珪素層側の前記圧電性材料基板の表面抵抗率は、１．７×１０１５Ω／□以上であることを特徴とする。【００１３】
また、本発明は、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムおよびニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウムからなる群より選ばれた材質からなる圧電性材料基板と、酸化珪素層が設けられた支持基板とを接合する方法であって、
前記圧電性材料基板の接合面に対して、１５０℃以下で酸素プラズマを照射して、前記接合面の表面抵抗率を１．７×１０１５Ω／□以上とした後に、前記圧電性材料基板の前記接合面を前記酸化珪素層の接合面に対して接合することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明者は、ニオブ酸リチウム等からなる圧電性材料基板と、酸化珪素層が設けられた支持基板とを直接接合するのに際して、ある程度以上接合強度を維持しつつ、接合体の特性劣化（例えば、電気機械結合係数ｋ２）を抑制することが困難な理由について詳細に検討し、次の知見に至った。【００１５】
すなわち、ＳｉとＳｉＯ２／Ｓｉとを例えばプラズマ活性化接合すると、接合界面に沿ってＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合が形成されることで、十分に高い接合強度が得られる。また、同時にＳｉがＳｉＯ２に酸化されることで平滑度が向上し、最表面で上記接合が促進される（非特許文献２：J. Applied Physics 113, 094905 (2013))。【００１６】
これに対して、ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムを、酸化珪素層が設けられた支持基板に直接接合する場合には、接合界面に沿って、Ｔａ（Ｎｂ）−Ｏ−Ｓｉ結合が形成されることで、接合が行われる。しかし、ＳｉＯ２／Ｓｉの最表面におけるＳｉ原子の密度は６．８個／Å２である。これに対して、圧電性材料基板の最表面におけるＴａ（Ｎｂ）原子の密度は、異方性結晶であるためにカット角に依存するが、例えば４．３個／Å２以下であり、最表面における原子密度が低い。更に、ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムは、シリコンと違って酸化により平滑化する機構もないので、十分に高い接合強度が得られなかったものと考えられる。【００１７】
この結果、ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムからなる圧電性材料基板とＳｉＯ２／Ｓｉとを直接接合した後に、圧電性材料基板を加工する場合には、圧電性材料基板が薄くなると剪断力が圧電性材料基板に加わり、圧電性材料基板の結晶性の劣化を招いたものと考えられた。【００１８】
本発明者は、こうした仮説に立脚し、圧電性材料基板の接合面および酸化珪素層の接合面に１５０℃以下で酸素プラズマを３０分以上照射して活性化し、次いで圧電性材料基板の活性化面と酸化珪素層の活性化面とを直接接合することを試みた。これにより、酸化珪素層側の圧電性材料基板の表面抵抗率は、１．７×１０１５Ω／□以上とした。この結果、実際に圧電性材料基板と支持基板との接合強度を維持しつつ、接合体の特性劣化（電気機械結合係数ｋ２）を抑制できることを見いだし、本発明に到達した。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】（ａ）は、圧電性材料基板１を示し、（ｂ）は、圧電性材料基板１の接合面１ａを活性化して活性化面１ｃを生じさせている状態を示す。
【図２】（ａ）は、支持基板４の表面に酸化珪素層５を形成した状態を示し、（ｂ）は、酸化珪素層５を表面活性化した状態を示す。
【図３】（ａ）は、圧電性材料基板１と支持基板４上の酸化珪素層５とを直接接合して得られた接合体７を示し、（ｂ）は、接合体７の圧電性材料基板１Ａを研磨して薄くした状態を示し、（ｃ）は、弾性波素子１０を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、適宜図面を参照しつつ、本発明を詳細に説明する。
まず、図１（ａ）に示すように、一対の主面１ａ、１ｂを有する圧電性材料基板１を準備する。本例では１ａを接合面とする。次いで、図１（ｂ）に示すように、圧電性材料基板１の接合面１ａに対して矢印Ａのようにプラズマを照射し、表面活性化された接合面１ｃを得る。
【００２１】
一方、図２（ａ）に示すように、支持基板４の表面４ａに酸化珪素層５を形成する。次いで、図２（ｂ）に示すように、酸化珪素層５の表面５ａに対して矢印Ａのようにプラズマを照射することによって表面活性化し、活性化された接合面６を形成する。
【００２２】
次いで、図３（ａ）に示すように、圧電性材料基板１上の活性化された接合面１ｃと、支持基板４上の酸化珪素層５の活性化された接合面６とを接触させ、直接接合し、接合体７を得る。この状態で、圧電性材料基板１上に電極を設けても良い。しかし、好ましくは、図３（ｂ）に示すように、圧電性材料基板１の主面１ｂを加工して基板１を薄くし、薄板化された圧電性材料基板１Ａを得る。１ｄは加工面である。次いで、図３（ｃ）に示すように、接合体７Ａの圧電性材料基板１Ａの加工面１ｄ上に所定の電極８を形成し、弾性波素子１０を得ることができる。
【００２３】
以下、本発明の各構成要素について順次述べる。
支持基板４の材質は特に限定されないが、好ましくは、シリコン、水晶、サイアロン、ムライト、サファイアおよび透光性アルミナからなる群より選ばれた材質からなる。これによって、弾性波素子１０の周波数特性を一層改善することができる。
【００２４】
支持基板４上には酸化珪素層５を形成する。この酸化珪素層５の成膜方法は限定されないが、スパッタリング、化学的気相成長法（CVD）、蒸着を例示できる。好ましくは支持基板４がシリコン基板であり、この場合にはシリコン基板表面への酸素のスパッタリングやイオン注入、酸化雰囲気下での加熱によって酸化珪素層５を形成できる。
【００２５】
酸化珪素層５の厚さは、本発明の観点からは、０．０５μｍ以上であることが好ましく、０．１μｍ以上であることが更に好ましく、０．２μｍ以上であることが特に好ましい。また、酸化珪素層５の厚さは、３μｍ以下であることが好ましく、２．５μｍ以下が好ましく、２．０μｍ以下が更に好ましい。
【００２６】
本発明で用いる圧電性材料基板１は、タンタル酸リチウム（ＬＴ）単結晶、ニオブ酸リチウム（ＬＮ）単結晶、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体とする。これらは弾性波の伝搬速度が速く、電気機械結合係数が大きいため、高周波数且つ広帯域周波数用の弾性表面波デバイスとして適している。
【００２７】
また、圧電性材料基板１の主面１ａ、１ｂの法線方向は、特に限定されないが、例えば、圧電性材料基板１がＬＴからなるときには、弾性表面波の伝搬方向であるＸ軸を中心に、Ｙ軸からＺ軸に３２〜５５°回転した方向のもの、オイラー角表示で(１８０°，５８〜３５°，１８０°）、を用いるのが伝搬損失が小さいため好ましい。圧電性材料基板１がＬＮからなるときには、（ア）弾性表面波の伝搬方向であるＸ軸を中心に、Z軸から-Y軸に37.8°回転した方向のもの、オイラー角表示で(０°，３７．８°，０°)を用いるのが電気機械結合係数が大きいため好ましい、または、（イ）弾性表面波の伝搬方向であるＸ軸を中心に、Ｙ軸からＺ軸に４０〜６５°回転した方向のもの、オイラー角表示で(１８０°，５０〜２５°，１８０°）を用いるのが高音速がえられるため好ましい。更に、圧電性材料基板の大きさは、特に限定されないが、例えば、直径１００〜２００ｍｍ，厚さが０．１５〜１μｍである。
【００２８】
次いで、圧電性材料基板１の接合面１ａに１５０℃以下で酸素プラズマを照射し、接合面１ａを活性化させる。
表面活性化時の圧力は、１００Ｐａ以下が好ましく、８０Ｐａ以下が更に好ましい。また、雰囲気は酸素のみであって良いが、酸素の他に、窒素ガスを含有していてもよい。
【００２９】
酸素プラズマ照射時の温度は１５０℃以下とする。これによって、接合強度が高く、かつ圧電性材料の劣化のない接合体７が得られる。この観点から、酸素プラズマ照射時の温度を１５０℃以下とするが、
１００℃以下とすることが更に好ましい。
【００３０】
また、酸素プラズマ照射時のエネルギーは、１００〜１５０Ｗが好ましい。また、酸素プラズマ照射時のエネルギーと照射時間との積は、２０〜５０Ｗｈが好ましい。また、酸素プラズマの照射時間は、３０分以上であることが好ましい。
【００３１】
好適な実施形態においては、プラズマ処理前に、圧電性材料基板１の接合面１ａおよび酸化珪素層５の接合面５ａを平坦化加工する。各接合面１ａ、５ａを平坦化する方法は、ラップ(lap)研磨、化学機械研磨加工(CMP)などがある。また、平坦面は、Ra≦1nmが好ましく、0.3nm以下にすると更に好ましい。
【００３２】
好適な実施形態においては、酸素プラズマ処理後の圧電性材料基板１の表面抵抗率が１．７×１０１５Ω／□以上となるようにするが、２．８×１０１５Ω／□以上となるようにすることが更に好ましい。圧電性材料基板１中に酸素が取り込まれることで、接合面１ａで測定した表面抵抗率が大きくなるので、表面抵抗率は酸素取り込みの指標となる。なお、酸素プラズマ処理後の圧電性材料基板１の表面抵抗率は、２．０×１０１６Ω／□以下となるようにすることによって、接合体の接合強度を維持させることができる。この観点からは、圧電性材料基板１の表面抵抗率は、１．６×１０１６Ω／□以下とすることが更に好ましい。こうすることで、圧電性材料基板１を研磨することが容易となる。
【００３３】
酸化珪素層５の接合面５ａもプラズマ処理する。この際には、酸素、窒素などのプラズマを利用できる。また、プラズマ処理時の温度は、１５０℃以下が好ましく、１００℃以下が更に好ましい。
【００３４】
また、酸化珪素層５の接合面５ａ上へのプラズマ照射時の圧力は、１００Ｐａ以下が好ましく、８０Ｐａ以下が更に好ましい。この際のエネルギーは、３０〜１２０Ｗが好ましい。また、プラズマ照射時のエネルギーと照射時間との積は、１Ｗｈ以下が好ましい。
【００３５】
次いで、圧電性材料基板１の接合面１ｃと酸化珪素層５の接合面６とを接触させ、接合する。この後、アニール処理を行うことによって、接合強度を向上させることが好ましい。アニール処理時の温度は、１００℃以上、３００℃以下が好ましい。
【００３６】
本発明の接合体７、７Ａは、弾性波素子１０に対して好適に利用できる。
弾性波素子１０としては、弾性表面波デバイスやラム波素子、薄膜共振子（ＦＢＡＲ）などが知られている。例えば、弾性表面波デバイスは、圧電性材料基板の表面に、弾性表面波を励振する入力側のＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極（櫛形電極、すだれ状電極ともいう）と弾性表面波を受信する出力側のＩＤＴ電極とを設けたものである。入力側のＩＤＴ電極に高周波信号を印加すると、電極間に電界が発生し、弾性表面波が励振されて圧電性材料基板上を伝搬していく。そして、伝搬方向に設けられた出力側のＩＤＴ電極から、伝搬された弾性表面波を電気信号として取り出すことができる。
【００３７】
圧電性材料基板１Ａ上の電極（電極パターン）８を構成する材質は、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、金が好ましく、アルミニウムまたはアルミニウム合金がさらに好ましい。アルミニウム合金は、Ａｌに0.3から5重量％のＣｕを混ぜたものを使用するのが好ましい。この場合、ＣｕのかわりにＴｉ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔａを使用しても良い。
【実施例】
【００３８】
（実験Ａ）
図１〜図３を参照しつつ説明した方法に従い、図３（ｂ）に示す接合体７Ａを作製した。【００３９】
具体的には、厚さが０．２ｍｍで両面が鏡面に研磨されている42YカットLiTaO3基板（圧電性材料基板）１と、厚みが０．５ｍｍの高抵抗Ｓｉ基板（支持基板）４を用意した。支持基板４上には、スパッタリング法により、酸化珪素層５を０．５μｍの厚さで成膜した。【００４０】
次いで、圧電性材料基板１の接合面１ａおよび支持基板４上の酸化珪素層５の接合面５ａをそれぞれ洗浄および表面活性化した。具体的には、純水を用いた超音波洗浄を実施し、スピンドライにより基板表面を乾燥させた。次いで、洗浄後の支持基板４をプラズマ活性化チャンバーに導入し、酸素ガスプラズマで３０℃で接合面５ａを活性化した。また、圧電性材料基板１を同様にプラズマ活性化チャンバーに導入し、酸素ガスプラズマで３０℃で接合面１ａを表面活性化した。表面活性化中に付着したパーティクルを除去する目的で、上述と同じ超音波洗浄、スピンドライを再度実施した。【００４１】
ただし、活性化処理時間は、表１に示すように変更した。活性化処理時のプラズマ照射エネルギーは、１５０Ｗである。また、活性化後の圧電性材料基板１の表面抵抗率を測定し、測定結果を表１に示した。なお、酸化珪素層５側の圧電性材料基板１の表面抵抗率は、三菱ケミカルアナリテック社製のハイレスターUX MCP-HT800を使用し、２重リング電極を備えたプローブを用い印可電圧を1000Vとして測定した。【００４２】
次いで、各基板１、４の位置合わせを行い、室温で圧電性材料基板１の活性化した接合面１ｃと酸化珪素層５の活性化した接合面６とを接触させた。圧電性材料基板１側を上にして接触させた。この結果、基板１、４同士の密着が広がる様子（いわゆるボンディングウェーブ）が観測され、良好に予備接合が行われたことが確認できた。次いで、接合強度を増すことを目的に、接合体を窒素雰囲気のオーブンに投入し、１２０℃で１０時間保持した。更に高温のオーブンに投入する前に、熱応力による基板の破損を防ぐため基板を中心からの放射線に沿う形で８等分した。オーブンでのアニール温度は２５０℃である。加熱オーブンから取り出した８個の接合体に対して、ブレードテスト(Semiconductor Wafer Bonding, Q.-Y. Tong & U. Gosele, p25)による接合強度を評価した。【００４３】
その後、加熱後の接合体７の圧電性材料基板１の表面１ｂを研削加工、ラップ加工、およびＣＭＰ加工に供し、圧電性材料基板１Ａの厚さを薄くした。研磨された圧電性材料基板１Ａの表面１ｄに、フォトリソグラフィープロセスでアルミニウム金属からなる電極８を設けた。発振周波数が８５０ＭＨｚ程度になるよう、電極の周期λは５μmとした。電極８の厚みは２００nmとし、２００対の電極８の両側に８０対からなる反射器を設け、１ポートの弾性波素子１０（ＳＡＷ共振子）を作成した。作成された弾性波素子１０（ＳＡＷ共振子）のインピーダンス特性をAgilent社製ネットワークアナライザーE5071Cで測定した。その結果、８２０MHｚ付近(ｆｓ）に共振ピーク、８５０〜８６０MHzあたり（ｆｒ）に反共振のピークが観測された。共振周波数ｆｓと反共振周波数ｆｒの差Δｆを測定した。一般的に差Δｆが圧電素子の電気機械結合係数ｋ２に比例することが知られている。この結果を表１に示す。【００４４】
【表１】
2019142483.tif 000003
【００４５】
表１に示すように、活性化処理時間が短い（０．１分〜１５分）場合には、酸化珪素層５側の圧電性材料基板１Ａの表面抵抗率は、１．２×１０１３Ω／□〜８．８×１０１４Ω／□程度となり、Δｆ（ＭＨｚ）は、３１．８〜３４．３しかなかった。その結果、Δｆ（％）＝Δｆ（ＭＨｚ）／８５０（ＭＨｚ）は、３．７％〜４．０％となった。【００４６】
一方、活性化処理時間が長い（３０分〜１５０分）場合には、酸化珪素層５側の圧電性材料基板１Ａの表面抵抗率は、１．７３×１０１５Ω／□〜１．５１×１０１６Ω／□程度となり、Δｆ（ＭＨｚ）は、３８．８〜３９．６となった。その結果、Δｆ（％）＝Δｆ（ＭＨｚ）／８５０（ＭＨｚ）は、４．６％〜４．７％程度となった。
なお、酸化珪素層５側の圧電性材料基板１Ａの表面抵抗率が２×１０１６Ω／□を越えると、接合強度が著しく低下した。そのため、圧電性材料基板１Ａの厚さを薄くした際に、剥離が生じた。【００４７】
この結果、本発明により圧電性材料基板１の接合面１ａを酸素プラズマで表面活性化して、表面抵抗率を１．７×１０１５Ω／□以上、１．６×１０１６Ω／□以下とした場合には、接合強度を維持しているため、圧電性材料基板１の厚さを薄くすることができ、かつ、接合体の特性劣化（例えば、電気機械結合係数ｋ２）を抑制することができた。【００４８】
（実験Ｂ）
実験Ａにおいて、圧電性材料基板１の材質をニオブ酸リチウムに変更した。この結果、実験Ａと同様の結果が得られた。
【図１】
2019142483.tif 000004
【図２】
2019142483.tif 000005
【図３】
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【手続補正書】
【提出日】令和1年8月28日(2019.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムおよびニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウムからなる群より選ばれた材質からなる圧電性材料基板と、酸化珪素層が設けられた支持基板との接合体を製造する方法であって、
前記圧電性材料基板の接合面に対して１５０℃以下で酸素プラズマを照射して、前記接合面の表面抵抗率を１．７×１０１５Ω／□以上とした後で、前記圧電性材料基板の前記接合面を前記酸化珪素層の接合面に対して接合することを特徴とする、圧電性材料基板と支持基板との接合体の製造方法。
【請求項２】
前記酸化珪素層の前記接合面に対して１５０℃以下で酸素プラズマを照射して活性化した後で、前記圧電性材料基板の前記接合面を前記酸化珪素層の前記接合面に対して接合することを特徴とする、請求項１記載の接合体の製造方法。
【請求項３】
前記圧電性材料基板の前記接合面を前記酸化珪素層の前記接合面に対して接合した後、前記圧電性材料基板の厚さを研磨によって小さくすることを特徴とする、請求項１または２記載の接合体の製造方法。
【請求項４】
前記圧電性材料基板の厚さを研磨によって２μｍ以下まで小さくすることを特徴とする、請求項３記載の接合体の製造方法。
【請求項５】
前記支持基板が、シリコン、水晶、サイアロン、ムライト、サファイアおよび透光性アルミナからなる群より選ばれた材質からなることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一つの請求項に記載の接合体の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、圧電性材料基板と支持基板との接合体の製造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、
支持基板、
前記支持基板上に設けられた酸化珪素層、および
前記酸化珪素層上に設けられた、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムおよびニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウムからなる群より選ばれた材質からなる圧電性材料基板を備えた接合体を製造する方法を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本方法は、圧電性材料基板の接合面に対して１５０℃以下で酸素プラズマを照射して、前記接合面の表面抵抗率を１．７×１０１５Ω／□以上とした後で、圧電性材料基板の接合面を酸化珪素層の接合面に対して接合することを特徴とする。
【国際調査報告】
2019142483.tif 000007
2019142483.tif 000008
2019142483.tif 000009
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