(57)【要約】固定部と該固定部により伸縮可能に支持された測定部とを備えたひずみセンサであって、ひずみセンサは、対向する第１主面と第２主面とを有する基材と第１主面に設けられた導体部とを有してなり、導体部は、測定部に設けられ、測定部の基材の伸縮に対応して抵抗値が変化する検出導体を含み、測定部は、検出導体が設けられた検出部と、該検出部における外力に対する変形量を大きくする低弾性率部を含む。
2019031381.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定部と該固定部により支持された伸縮可能な測定部とを備えたひずみセンサであって、
該ひずみセンサは、対向する第１主面と第２主面とを有する基材と前記第１主面に設けられた導体部とを有してなり、
前記導体部は、前記測定部に設けられ、前記測定部の基材の伸縮に対応して抵抗値が変化する検出導体を含み、
前記測定部は、前記検出導体が設けられた検出部と、該検出部における外力に対する変形量を大きくする低弾性率部を含むことを特徴とするひずみセンサ。
【請求項２】
前記低弾性率部は、前記検出部とは別に設けられる請求項１に記載のひずみセンサ。
【請求項３】
前記低弾性率部は、前記検出導体の伸縮方向に交差する方向に設けられた複数のスリットを含む請求項２に記載のひずみセンサ。
【請求項４】
前記低弾性率部は、前記検出部と前記固定部の間に設けられた請求項３に記載のひずみセンサ。
【請求項５】
前記低弾性率部は、前記複数のスリットの一部を含む第１低弾性率部と前記複数のスリットの一部を含む第２低弾性率部とを含む請求項３又は４に記載のひずみセンサ。
【請求項６】
前記検出部は、前記第１低弾性率部と前記第２低弾性率部との間に設けられている請求項５に記載のひずみセンサ。
【請求項７】
前記第１低弾性率部に設けられたスリットと前記第２低弾性率部に設けられたスリットとは同じ数で線対称に設けられており、線対称に設けられた２つのスリットのスリット長を合わせた長さが、測定部の幅の４０％以上である請求項５又は６に記載のひずみセンサ。
【請求項８】
前記固定部は第１の固定部と第２の固定部とを有し、前記測定部は前記第１の固定部と前記第２の固定部との間に位置する請求項１〜７のいずれか１つに記載のひずみセンサ。
【請求項９】
前記検出部は、放射状に設けられた複数の放射状検出部を含み、
前記低弾性率部は、隣接する放射状検出部間に設けられた複数の扇型低弾性率部を含み、
前記検出導体は、前記放射状検出部に設けられている請求項２に記載のひずみセンサ。
【請求項１０】
前記複数の扇型低弾性率部はそれぞれ検出導体の伸縮方向に交差する方向に設けられた複数のスリットを含む請求項９に記載のひずみセンサ。
【請求項１１】
前記低弾性率部は、前記検出導体の伸縮方向に交差する方向に設けられた複数のスリットを含み、
前記複数のスリットは、前記扇型低弾性率部の中心から離れるにしたがって、スリット長が長くなるように設けられた請求項１０に記載のひずみセンサ。
【請求項１２】
前記導体部は、前記検出導体に接続され、前記固定部に設けられた配線導体を含む請求項１〜１１のいずれか１つに記載のひずみセンサ。
【請求項１３】
前記測定部を複数備えた請求項１〜１２のいずれか１つに記載のひずみセンサ。
【請求項１４】
請求項１２を引用した請求項１３に記載のひずみセンサであって、一測定部に形成された検出導体に接続された配線導体の一部は他の測定部に形成されており、前記一測定部に形成された検出導体の抵抗値の変化を前記他の測定部に形成された検出導体に形成された検出導体の抵抗値の変化に基づいて算出するひずみセンサ。
【請求項１５】
前記複数の測定部は、互いに伸縮方向が異なる少なくとも２つの測定部を含む請求項１３又は１４に記載のひずみセンサ。
【請求項１６】
前記複数の測定部は、伸縮方向が等しい少なくとも２つの測定部を含む請求項１３〜１５のいずれか１つに記載のひずみセンサ。
【請求項１７】
前記固定部は、基材の伸縮を抑制する拘束部を含む請求項１〜１６のいずれかに記載のひずみセンサ。
【請求項１８】
前記検出導体は、金属粉と樹脂とを含む請求項１〜１７のいずれか１つに記載のひずみセンサ。
【請求項１９】
前記基材の前記第２主面に粘着層を備えた請求項１〜１８のいずれか１つに記載のひずみセンサ。
【請求項２０】
固定部と該固定部により支持された伸縮可能な測定部とを備え、前記測定部に検出導体を含むひずみセンサの製造方法であって、
対向する第１主面と第２主面とを有する基材を準備する工程と、
前記基材の第１主面に前記検出導体を含む導体部を形成する工程と、
前記基材の検出部を除いた測定部の一部に低弾性率部を形成する工程と、
を含むひずみセンサの製造方法。
【請求項２１】
前記低弾性率部を形成する工程において、前記基材の前記検出部を除いた測定部の一部に複数のスリットを形成する、請求項２０に記載のひずみセンサの製造方法。
【請求項２２】
前記固定部に、前記基材より硬度の高い樹脂を形成する工程を含む請求項２０に記載のひずみセンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ひずみセンサとその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ひずみセンサは、身体やロボットの動作検出や制御等に用いられている。例えば、特許文献１の段落０００３には、カーボンナノチューブ(ＣＮＴ)を抵抗体の材料に用いたひずみセンサにより、人体の手に装着されるデータグローブや、身体に直接装着可能なウェアラブル機器、ロボットの関節駆動部位等の各種の電子機器に搭載されることで、身体やロボットの動作検出や制御等に用いることが可能となることが開示されている（特許文献１の段落０００３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１７０１２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来のひずみセンサは、ロボットの関節駆動部位等の堅い対象物の比較的大きい応力によって発生するひずみの検出を目的として作製されており、用途は限定的であった。例えば、低弾性である人体の皮膚表面のひずみを検出する場合には、皮膚表面が低弾性であるため、従来のひずみセンサではひずみセンサ自体がひずみを拘束し、正確なひずみを検出することは困難であった。【０００５】
そこで、本発明は、低弾性な物性に生じるひずみの検出が可能なひずみセンサとその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以上の課題を解決するために、本発明に係る一形態のひずみセンサは、固定部と該固定部により支持された伸縮可能な測定部とを備えたひずみセンサであって、
該ひずみセンサは、対向する第１主面と第２主面とを有する基材と前記第１主面に設けられた導体部とを有してなり、
前記導体部は、前記測定部に設けられ、前記測定部の基材の伸縮に対応して抵抗値が変化する検出導体を含み、
前記測定部は、前記検出導体が設けられた検出部と、該検出部における外力に対する変形量を大きくする低弾性率部を含むことを特徴とする。
以上のように構成されたひずみセンサは、前記測定部が低弾性率部を含むので、従来のひずみセンサに比較して低弾性な物性に生じるひずみを検出することができる。【０００７】
本発明のある形態のひずみセンサは、前記ひずみセンサにおいて、前記低弾性率部は、前記検出部とは別に設けられる。
以上のように構成されたひずみセンサは、前記測定部が低弾性率部を含むので、従来のひずみセンサに比較して低弾性な物性に生じるひずみを検出することができる。【０００８】
本発明のある形態のひずみセンサは、前記ひずみセンサにおいて、前記低弾性率部は、前記検出導体の伸縮方向に交差する方向に設けられた複数のスリットを含む。
以上のように構成されたひずみセンサは、前記低弾性率部が、前記検出導体の伸縮方向に交差する方向に設けられた複数のスリットを含むので、簡単な構成で従来のひずみセンサに比較して低弾性な物性に生じるひずみを検出することができる。【０００９】
本発明のある形態のひずみセンサは、前記ひずみセンサにおいて、前記低弾性率部は、前記検出部と前記固定部の間に設けられている。
以上のように構成されたひずみセンサは、前記低弾性率部が前記検出部と前記固定部の間に設けられているので、前記検出部に大きな力がかかるのを防止でき、前記検出部の破損を抑制できる。【００１０】
本発明のある形態のひずみセンサは、前記ひずみセンサにおいて、前記低弾性率部は、前記複数のスリットの一部を含む第１低弾性率部と前記複数のスリットの一部を含む第２低弾性率部とを含む。
以上のように構成されたひずみセンサは、前記低弾性率部が前記第１低弾性率部と第２低弾性率部とを含むので、前記測定部の弾性率をより小さくでき、より精度よく低弾性な物性に生じるひずみを検出することができる。【００１１】
本発明のある形態のひずみセンサは、前記ひずみセンサにおいて、前記検出部は、前記第１低弾性率部と前記第２低弾性率部との間に設けられている。
以上のように構成されたひずみセンサは、前記検出部が前記第１低弾性率部と前記第２低弾性率部との間に設けられているので、よりいっそう精度よく低弾性な物性に生じるひずみを検出することができる。【００１２】
本発明のある形態のひずみセンサは、前記ひずみセンサにおいて、前記第１低弾性率部に設けられたスリットと前記第２低弾性率部に設けられたスリットとは同じ数で線対称に設けられており、線対称に設けられた２つのスリットのスリット長を合わせた長さが、測定部の幅の４０％以上である。
以上のように構成されたひずみセンサは、線対称に設けられた２つのスリットのスリット長を合わせた長さが測定部の幅の４０％以上であるので、スリットにより効果的に低弾性率化を図ることができる。【００１３】
本発明のある形態のひずみセンサは、前記ひずみセンサにおいて、前記固定部は第１の固定部と第２の固定部とを有し、前記測定部は前記第１の固定部と前記第２の固定部との間に位置する。
以上のように構成されたひずみセンサは、前記測定部が第１の固定部と第２の固定部との間に位置するので、測定部におけるひずみを測定部以外の部位の影響を受けることなく感度良く検出できる。【００１４】
本発明のある形態のひずみセンサは、前記ひずみセンサにおいて、前記検出部は、放射状に設けられた複数の放射状検出部を含み、前記低弾性率部は、隣接する放射状検出部間に設けられた複数の扇型低弾性率部を含み、前記検出導体は、前記放射状検出部に設けられている。
以上のように構成されたひずみセンサは、複数の放射状検出部と複数の扇型低弾性率部を含み、前記検出導体が前記放射状検出部に設けられているので、基材表面に対して直交する方向のひずみを感度良く検出することができる。【００１５】
本発明のある形態のひずみセンサは、前記ひずみセンサにおいて、前記複数の扇型低弾性率部はそれぞれ、検出導体の伸縮方向に交差する方向に設けられた複数のスリットを含む。
以上のように構成されたひずみセンサは、それぞれ設けられた検出導体の伸縮方向に交差する方向に設けられた複数のスリットを含むので、基材表面に対して直交する方向のひずみをより感度良く検出することができる。【００１６】
本発明のある形態のひずみセンサは、前記ひずみセンサにおいて、前記複数のスリットは、前記扇型低弾性率部の中心から離れるにしたがって、スリット長が長くなるように設けられている。
以上のように構成されたひずみセンサは、前記複数のスリットは、前記扇型低弾性率部の中心から離れるにしたがって、スリット長が長くなるように設けられているので、前記扇型低弾性率部全体を均一に低弾性率化でき、基材表面に対して直交する方向のひずみをよりいっそう感度良く検出することができる。【００１７】
本発明のある形態のひずみセンサは、前記ひずみセンサにおいて、前記導体部は、前記検出導体に接続され、前記固定部に設けられた配線導体を含む。
以上のように構成されたひずみセンサは、前記導体部が前記固定部に設けられた配線導体を含むので、配線導体における抵抗変化を小さくでき、精度良く検出導体の抵抗変化を検出できる。【００１８】
本発明のある形態のひずみセンサは、前記ひずみセンサにおいて、前記測定部を複数備えている。
以上のように構成されたひずみセンサは、前記測定部を複数備えているので、複数箇所のひずみを検出することができる。【００１９】
本発明のある形態のひずみセンサは、前記ひずみセンサにおいて、一測定部に形成された検出導体に接続された配線導体の一部は他の測定部に形成されており、前記一測定部に形成された検出導体の抵抗値の変化を前記他の測定部に形成された検出導体に形成された検出導体の抵抗値の変化に基づいて算出する。
以上のように構成されたひずみセンサは、配線導体の一部は他の測定部に形成されているので、複数の測定部を備えた小型のひずみセンサを提供できる。【００２０】
本発明のある形態のひずみセンサは、前記ひずみセンサにおいて、前記複数の測定部は、互いに伸縮方向が異なる少なくとも２つの測定部を含む。
以上のように構成されたひずみセンサは、伸縮方向が異なる少なくとも２つの測定部を含むので、伸縮方向が異なる、異なる箇所のひずみの検出が可能になる。【００２１】
本発明のある形態のひずみセンサは、前記ひずみセンサにおいて、前記複数の測定部は、伸縮方向が等しい少なくとも２つの測定部を含む。
以上のように構成されたひずみセンサは、伸縮方向が等しい少なくとも２つの測定部を含むので、伸縮方向が等しい異なる箇所のひずみの検出が可能になる。【００２２】
本発明のある形態のひずみセンサは、前記ひずみセンサにおいて、前記固定部は、基材の伸縮を抑制する拘束部を含む。
以上のように構成されたひずみセンサは、前記固定部は、基材の伸縮を抑制する拘束部を含むので、ひずみの検出感度を高くできる。【００２３】
本発明のある形態のひずみセンサは、前記ひずみセンサにおいて、前記検出導体は、金属粉と樹脂とを含む。
以上のように構成されたひずみセンサは、前記検出電極は、金属粉と樹脂とを含むので、ひずみの検出感度を高くできる。【００２４】
本発明のある形態のひずみセンサは、前記ひずみセンサにおいて、前記基材の前記第２主面に粘着層を備えている。
以上のように構成されたひずみセンサは、前記基材の第２主面に粘着層を備えているので、検出対称物に容易に固定できる。【００２５】
本発明に係る一形態のひずみセンサの製造方法は、固定部と該固定部により支持された伸縮可能な測定部とを備え、前記測定部に検出導体を含むひずみセンサの製造方法であって、
対向する第１主面と第２主面とを有する基材を準備する工程と、
前記基材の第１主面に前記検出導体を含む導体部を形成する工程と、
前記基材の検出部を除いた測定部の一部に低弾性率部を形成する工程と、
を含む。
以上のひずみセンサの製造方法によれば、低弾性な物性に生じるひずみの検出が可能なひずみセンサを製造することができる。【００２６】
本発明のある形態のひずみセンサの製造方法は、前記ひずみセンサの製造方法において、前記低弾性率部を形成する工程において、前記基材の前記検出部を除いた測定部の一部に複数のスリットを形成する。
以上のひずみセンサの製造方法によれば、より精度よく低弾性な物性に生じるひずみの検出が可能なひずみセンサを製造することができる。【００２７】
本発明のある形態のひずみセンサの製造方法は、前記ひずみセンサの製造方法において、前記固定部に、前記基材より硬度の高い樹脂を形成する工程を含む。
以上のひずみセンサの製造方法によれば、より精度よく低弾性な物性に生じるひずみの検出が可能なひずみセンサを製造することができる。
【発明の効果】
【００２８】
以上の本発明によれば、低弾性な物性に生じるひずみの検出が可能なひずみセンサとその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明に係る実施形態１のひずみセンサの構成を示す平面図である。
【図２】本発明に係る実施形態２のひずみセンサの構成を示す平面図である。
【図３】実施形態２に係る変形例１のひずみセンサの構成を示す平面図である。
【図４】実施形態２に係る変形例２のひずみセンサの構成を示す平面図である。
【図５】本発明に係る実施形態３のひずみセンサの構成を示す平面図である。
【図６】本発明に係る実施形態４のひずみセンサの構成を示す平面図である。
【図７】本発明に係る実施形態５のひずみセンサの構成を示す平面図である。
【図８】本発明に係るひずみセンサの拘束部に形成したスリットの効果を確認するために作製した評価サンプルの平面図である。
【図９】図８に示す評価サンプルにおいて、スリット構成を変化させたときの効果を確認した結果を示すグラフである。
【図１０】本発明に係る実施例のひずみセンサと比較例のひずみセンサの、ひずみに対する抵抗変化率を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
本発明者らは、低弾性な物性に働く小さな応力によるひずみの検出が可能なひずみセンサの実現を意図し、そのひずみの検出に対する潜在的な要求（ニーズ）を調査した。その結果、例えば、医療現場において、人体の皮膚の局所的な膨れ等の変形を検出するニーズがあることがわかった。そこで、本発明者は、例えば、人体の皮膚の局所的な膨れや腫れの検出が可能なひずみセンサを実現するために鋭意検討した結果、本発明をなすに至った。ここで、人体の皮膚の局所的な膨れや腫れの検出を可能にするためには、人体の皮膚の弾性率より、ひずみを測定する部位の弾性率が十分低いことが求められる。具体的には、人体の皮膚の弾性率は、角質層で７ＭＰｓ程度であり、真皮で３．４ＭＰｓ程度であることから、以下に説明するひずみセンサの測定部における弾性率は、それより十分低い、３ＭＰｓ以下、好ましくは、２ＭＰｓ以下に設定される。
以下、図面を参照しながら本発明に係る実施形態のひずみセンサについて説明する。
【００３１】
実施形態１．
実施形態１のひずみセンサ１００は、固定部２０と該固定部２０により支持された伸縮可能な測定部１０とを備えたひずみセンサである。図１に示すように、実施形態１のひずみセンサ１００において、固定部２０は、第１固定部２１ａと第２固定部２２ａとを含み、測定部１０は、第１固定部２１ａと第２固定部２２ａの間に配置されている。
【００３２】
また、実施形態１のひずみセンサ１００は、対向する第１主面と第２主面とを有する基材１０１と、基材１０１の第１主面に設けられた導体部１とを含む。基材１０１の構成材料は、弾性率の小さい伸縮性材料であることが好ましく、例えば、ポリウレタン、アクリル、シリコーン樹脂等の弾性率の小さい伸縮性材料を含むことが好ましい。
【００３３】
導体部１は、第１固定部２１ａの第１主面上において測定部１０から離れた位置に設けられた２つの接続端子導体１ｔと、各接続端子導体１ｔからそれぞれ同じ方向（以下、第１方向という。）に延びる２つの配線導体１ｗと、配線導体１ｗの先端部からそれぞれ第１方向に延びる配線導体１ｗより細い２つの導体からなる検出導体１ｄとを含む。ここで、実施形態１のひずみセンサ１００において、２つの接続端子導体１ｔ、２つの配線導体１ｗ、２つの検出導体１ｄは、第１方向の中心線に対して線対称に配置されている。また、２つの接続端子導体１ｔと２つの配線導体１ｗは、第１固定部２１ａの第１主面に設けられ、検出導体１ｄは測定部１０の第１主面に設けられ、検出導体１ｄの先端部分を接続する接続導体は第２固定部２２ａの第１主面に設けられる。以上のようにして、２つの接続端子導体１ｔ間に２つの検出導体１ｄが直列に接続された検出回路が構成される。この検出回路において、検出導体１ｄは、測定部１０の基材の伸縮に対応して第１方向（伸縮方向）の長さが変化し、または断面積が変化することにより検出導体１ｄの抵抗値が変化する。この検出導体１ｄの抵抗値変化を、例えば、２つの接続端子導体１ｔ間の電流値の変化により検出することにより、測定部１０の基材１０１の伸縮量、すなわち、ひずみを検出することができる。
【００３４】
導体部１において、検出導体１ｄの構成材料は、伸縮に対する抵抗値の変化が大きい材料であることが好ましく、例えば、銀（Ａｇ）や銅（Ｃｕ）などの金属粉と、シリコーンなどのエラストマー系樹脂からなる混合物により構成することが好ましい。金属粉と樹脂の混合物により検出導体１ｄを構成すると、基材の伸縮により、金属粉間の接触箇所の増減に加え金属粉間の距離が大きくなることから、変形に対する抵抗値の増加率又は減少率を大きくできる。また、検出導体１ｄを金属粉と樹脂の混合物により構成することにより、樹脂の伸縮性により基材の変形による断線を防止できる。
【００３５】
検出導体１ｄ以外の導体部１の構成材料は、検出導体１ｄと同一の構成材料であってもよいし、検出導体１ｄと異なる構成材料であってもよい。検出導体１ｄ以外の導体部１を、検出導体１ｄと同一の材料により構成すると、検出導体１ｄと検出導体１ｄ以外の導体部１とを一括して１つの工程で形成することができるので、安価にできる。また、検出導体１ｄ以外の導体部１を、検出導体１ｄと異なる構成材料により構成する場合には、検出導体１ｄを変形に対する抵抗値の増減を大きくし、伸縮による断線を防止する構成としつつ、検出導体１ｄ以外の導体部１を抵抗の低い材料により構成することができるため、より精度のよいひずみの検出が可能になる。
【００３６】
以下、測定部１０と固定部２０の具体的な構成について詳細に説明する。
＜測定部１０＞
測定部１０は、被測定物の形状変化を測定する領域であり、被測定対象領域の範囲を考慮して測定部１０の外形寸法が設定され、被測定物の柔軟性を考慮して測定部１０の追従性が設定される。追従性に関しては、例えば、測定部１０の基材１０１に切れ込み（スリット）や穴、基材の厚さを薄くするなどにより周囲よりも変形しやすい形状・構造とし、測定部１０の追従性を高くしている。
【００３７】
実施形態１のひずみセンサ１００では、測定部１０は、図１に示すように、検出導体１ｄが設けられた検出部１１と、検出部１１におけるひずみに対する変形を拘束しないようにかつ被測定物の変形を拘束しないように構成された低弾性率部１２とを含む。具体的には、実施形態１のひずみセンサ１００において、検出部１１は、被測定対象の伸縮に応じて被測定対象の伸縮を拘束することなく、被測定物のひずみに追従して弾性変形するように狭い幅で構成される。実施形態１のひずみセンサ１００では、検出部１１は、第１方向の長さが第１方向に直交する方向の幅に比べて長くなるように構成され、検出部１１において、第１方向に平行に２つの検出導体１ｄが好ましくは近接して並置される。このように検出部１１を構成することにより、検出導体１ｄの伸縮方向における伸縮率を大きくできる。ここで、本明細書において、低弾性率部における低弾性率、低弾性率化というときの「低弾性率」とは、固定部よりも弾性率が低いことを意味する。そして、低弾性率部は、被測定物の被測定対象領域より弾性率が低く変形しやすいことが好ましく、低弾性率部の弾性率は、被策定物の被測定対象領域の弾性率の２分の１以下であることが好ましく、３分の１以下であることがより好ましい。
【００３８】
そして、低弾性率部１２が検出部１１の両側にそれぞれ設けられる。低弾性率部１２はそれぞれ、検出導体１の伸縮方向に交差する方向、好ましくは直交する方向に設けられた複数のスリット３を含む。これにより、低弾性率部１２は、被測定物の伸縮に応じて被測定物の伸縮及び検出部１１の伸縮を拘束することなく伸縮する。以上のように構成された測定部１０は、測定部１０全体が、例えば、人体の皮膚の膨れ等の被測定物の形状変化を拘束することなく被測定物の形状変化に対応して変形させることができ、被測定物の形状変化に伴う伸縮を検出部１１により検出して被測定物の被測定領域におけるひずみを検出することができる。
【００３９】
また、低弾性率部１２に形成するスリット３のスリット長（スリットの伸縮方向の長さ、ここでは、第１方向に直交する方向の長さ）は、第１方向に直交する方向に形成された２つのスリット３のスリット長を合計した長さ（合計スリット長）が、測定部１０の幅の４０％以上、好ましくは、６０％以上になるように設定することが好ましい。合計スリット長が４０％以上になるようにスリットを形成すると、スリットを形成していない場合に比較して、約２／３の引張荷重で同じひずみ量が得られ、合計スリット長が６０％以上になるようにスリットを形成すると、スリットを形成していない場合に比較して約半分の引張荷重で同じひずみ量が得られる。
【００４０】
＜固定部２０＞
固定部２０は、例えば、被測定物の表面に基材１０１の第２主面を貼り付けることによりひずみセンサ全体を固定するものであり、被測定物の被測定対象領域が伸縮したときに当該伸縮に応じて測定部１０が伸縮するように測定部１０を支持する。実施形態１のひずみセンサ１００において、固定部２０は、第１の固定部２１ａと第２の固定部２２ａとを含む。第１の固定部２１ａと第２の固定部２２ａとは、検出導体１ｄの伸縮方向において測定部１０の両側に設けられる。固定部２０は、被測定物における被測定対象領域が伸縮したときに、被測定対象領域以外の領域における伸縮の影響を受けることなく、被測定対象領域における伸縮に対応したひずみが検出できるように拘束部を含むことが好ましい。
拘束部は、図１に示すように、例えば、第１の固定部２１ａに設けられた第１拘束部３１ａと第２の固定部２２ａに設けられた第２拘束部３２ａを含む。また、第１拘束部３１ａと第２拘束部３２ａは測定部１０に近接して設けられていることが好ましい。これにより、被測定物における被測定対象領域におけるひずみの測定を、被測定対象領域以外の部分の影響を小さくして、精度よく測定することが可能になる。
【００４１】
以上のように構成された実施形態１のひずみセンサ１００は、低弾性な物性に生じるひずみに対応して伸縮可能な測定部１０を備えているので、例えば、人体の皮膚の膨れ等の小さな変形部位におけるひずみの検出が可能である。
【００４２】
また、実施形態１のひずみセンサ１００の測定部１０の検出部１１を構成する検出導体は、金属粉と樹脂からなる混合物により構成しているので、変形に対する抵抗値の増加率又は減少率を大きくでき、小さなひずみを感度良く検出することができる。
【００４３】
さらに、実施形態１のひずみセンサ１００は、第１拘束部３１ａと第２拘束部３２ａとを備えているので、被測定物における被測定対象領域におけるひずみの測定を、被測定対象領域以外の部分の影響を小さくして、精度よく測定することができる。
【００４４】
実施形態２．
実施形態２のひずみセンサ２００は、図２に示すように、３つの第１測定部１０−１、第２測定部１０−２、第３測定部１０−３を備えたひずみセンサである。ここで、第１測定部１０−１及び第２測定部１０−２は、主として平面的な伸縮によるひずみを検出するように設けられており、第３測定部１０−３は、主として立体的な伸縮によるひずみを検出するように設けられている。
以下、実施形態２のひずみセンサ２００について詳細に説明する。
【００４５】
実施形態２のひずみセンサ２００は、固定部として、第１固定部２１ｂと、第２固定部２２ｂと、第３固定部２３ｂと、第４固定部２４ｂと、を含む。ここで、第１固定部２１ｂは、ベース固定部２１ｂ０と、ベース固定部２１ｂ０から第１方向に延在された第１分岐固定部２１ｂ１と、ベース固定部２１ｂ０から第１方向に直交する第２方向に延在された第２分岐固定部２１ｂ２とを含む。また、第４固定部２４ｂは、円環状に設けられる。
【００４６】
そして、第１分岐固定部２１ｂ１と第２固定部２２ｂの間に第１測定部１０−１が設けられ、第２分岐固定部２１ｂ２と第３固定部２３ｂの間に第２測定部１０−２が設けられ、円環状の第４固定部２４ｂの内側に第３測定部１０−３が設けられる。ここで、第４固定部２４ｂの内側に設けられた第３測定部１０−３は、詳細後述するように構成されて、主として、第１方向及び第２方向に直交する方向、すなわち高さ方向のひずみを検出する。
【００４７】
また、実施形態２のひずみセンサ２００は、実施形態１と同様、対向する第１主面と第２主面とを有する基材２０１と、基材２０１の第１主面に設けられた導体部とを含んで構成される点では実施形態１と同様であるが、基材２０１の形状及び導体部のパターン構成が実施形態１とは異なっている。
【００４８】
基材２０１は、ベース固定部２１ｂ０に対応するベース部と、ベース部から第１方向に延在された第１分岐部と、ベース部から第１方向に直交する第２方向に延在された第２分岐部と、第１分岐部と第２分岐部に挟まれた略円形の円形部とを有する。実施形態２において、円形部は、その中心がベース部の中心軸上に位置するように設けられる。第１分岐部には、第１分岐固定部２１ｂ１と第１測定部１０−１と第２固定部２２ｂとが設けられる。第２分岐部には、第２分岐固定部２１ｂ２と第２測定部１０−２と第３固定部２３ｂとが設けられる。円形部には、第４固定部２４ｂと第３測定部１０−３とが設けられる。尚、基材２０１の構成材料は、弾性率の小さい伸縮性材料であることが好ましく、例えば、ポリウレタン、アクリル、シリコーン樹脂等の弾性率の小さい伸縮性材料を含むことが好ましい点は実施形態１と同様である。
【００４９】
導体部は、ベース固定部２１ｂ０（基材２０１のベース部）の第１主面上に、６つの第１〜第６接続端子導体１ｔ１〜１ｔ６を有している。第１〜第６接続端子導体１ｔ１〜１ｔ６は、ベース固定部２１ｂ０の第１主面上における第１分岐固定部２１ｂ１及び第２分岐固定部２１ｂ２とは反対側の位置に設けられる。
【００５０】
導体部はまた、第１〜第６接続端子導体１ｔ１〜１ｔ６からそれぞれ延びる第１〜第６配線導体１ｗ１〜１ｗ６を有している。
第１〜第２配線導体１ｗ１〜１ｗ２は、隣接して互いに平行に設けられ、ベース固定部２１ｂ０から第１分岐固定部２１ｂ１に延在して設けられる。第３〜第４配線導体１ｗ３〜１ｗ４は、隣接して互いに平行に設けられ、ベース固定部２１ｂ０から第２分岐固定部２１ｂ２に延在して設けられる。第５〜第６配線導体１ｗ５〜１ｗ６は、隣接して互いに平行に設けられ、ベース固定部２１ｂ０から第４固定部２４ｂに延在して設けられる。
【００５１】
導体部はさらに、第１〜第６配線導体１ｗ１〜１ｗ６の先端部分からそれぞれ延びる第１〜第５検出導体１ｄ１〜１ｄ５を有している。第１〜第５検出導体１ｄ１〜１ｄ５はそれぞれ第１〜第６配線導体１ｗ１〜１ｗ６より細い幅に形成されている。第１〜第２検出導体１ｄ１〜１ｄ２は、第１測定部１０−１に設けられ、その先端部分が第２固定部２２ｂにおいて接続されている。第３〜第４検出導体１ｄ３〜１ｄ４は、第２測定部１０−２に設けられ、その先端部分が第３固定部２３ｂにおいて接続されている。
第５検出導体１ｄ５は、一端が第５配線導体１ｗ５に接続され、他端が第６配線導体１１ｗ６に接続されており、以下詳述するように、第３測定部１０−３に設けられている。
尚、導体部１の構成材料は、実施形態１のひずみセンサと同様である。
【００５２】
以上のようにして、第１〜第２接続端子導体１ｔ１〜１ｔ２間に検出導体１ｄ１，１ｄ２が直列に接続された第１検出回路が構成される。この第１検出回路において、検出導体１ｄ１，１ｄ２は、第１測定部１０−１の基材の伸縮に対応して第１方向の長さが変化することにより検出導体１ｄ１，１ｄ２の抵抗値が変化する。この検出導体１ｄ１，１ｄ２の抵抗値変化を、例えば、第１〜第２接続端子導体１ｔ１〜１ｔ２間の電流値の変化により検出することにより、第１測定部１０−１の基材の伸縮量、すなわち、ひずみを検出することができる。
【００５３】
また、第２〜第３接続端子導体１ｔ３〜１ｔ４間に検出導体１ｄ３，１ｄ４が直列に接続された第２検出回路が構成される。この第２検出回路において、検出導体１ｄ３，１ｄ４は、第２測定部１０−２の基材の伸縮に対応して第２方向の長さが変化することにより検出導体１ｄ３，１ｄ４の抵抗値が変化する。この検出導体１ｄ３，１ｄ４の抵抗値変化を、例えば、第３〜第４接続端子導体１ｔ３〜１ｔ４間の電流値の変化により検出することにより、第２測定部１０−２の基材の伸縮量、すなわち、ひずみを検出することができる。
【００５４】
実施形態２のひずみセンサにおいて、第１測定部１０−１及び第２測定部１０−２の構成は、実施形態１のひずみセンサにおける測定部１０と同様である。
そこで、以下、実施形態１と異なる第３測定部１０−３の構成を中心に説明する。
【００５５】
＜第３測定部１０−３＞
第３測定部１０−３は、円環状の第４固定部２４ｂの内側に設けられ、上述したように、主として、第１方向及び第２方向に直交する方向のひずみを検出する。
第３測定部１０−３は、円環状の第４固定部２４ｂの内側に位置する被測定物の形状変化を測定する領域であり、扇形の複数（６個）の低弾性率部１２−１〜１２−６と、隣接する低弾性率部の間に位置し、第３測定部１０−３の中心から放射状に延びた複数（６個）の放射状領域からなる検出部１１−１〜１１−６と、を含む。検出部１１−１〜１１−６は、測定部１０−３の放射方向における長さが放射方向に直交する方向の幅に比べて長くなるように形成され、これにより、検出部１１−１〜１１−６は、被測定対象の伸縮に応じて被測定対象の伸縮を拘束することなく弾性変形させることができる。そして、第５検出導体１ｄ５は、一端が第５配線導体１ｗ５に接続され、検出部１１−１に引き出され、検出部１１−２〜１１−６においてそれぞれ蛇行配線された後、検出部１１−１を介して他端が第６配線導体１ｗ６に接続される。
【００５６】
複数の低弾性率部１２−１〜１２−６はそれぞれ、例えば、１０個の複数のスリット３−１〜３−１０を含む。複数のスリット３−１〜３−１０は、各低弾性率部において、扇形の中心角を二等分する中心線上にスリット３−１〜３−１０の中心が位置するようにかつその伸縮方向が前記中心線に直交するように形成されている。また、低弾性率部１２−１〜１２−６においてそれぞれ、複数のスリット３−１〜３−１０は、扇形の中心から外側に離れるにしたがってスリット長（中心線に直交する方向の長さ）が長くなるように形成される。これにより、低弾性率部１２−１〜１２−６は、被測定物の伸縮に応じて被測定物の伸縮及び検出部１１−１〜１１−６の伸縮を抑制することなく伸縮する。また、好ましくは、複数のスリット３−１〜３−１０の端部と該端部に近接する第５配線導体１ｗ５との間隔がそれぞれ等しくなるように形成されていることが好ましい。なお、本実施形態においては、第３測定部１０−３は低弾性率部を６個含む構成となっているが、少なくとも２個以上の低弾性率部を含んでいればよく、また、スリットは直線に限られるものではなく、円弧状に形成されていてもよい。
【００５７】
＜第４固定部２４ｂ＞
第４固定部２４ｂは、第３測定部１０−３の周りに円環状に設けられ、その第４固定部２４ｂにおける基材２０１の第２主面を被測定物の表面に貼り付けることにより第３測定部１０−３の周りを固定する。第４固定部２４ｂは、被測定物の被測定対象領域が伸縮したときに当該伸縮に応じて第３測定部１０−３が伸縮するように測定部１０を支持する。第４固定部２４ｂは、被測定物における被測定対象領域が伸縮したときに、被測定対象領域以外の領域における伸縮の影響を受けることなく、被測定対象領域における伸縮に対応したひずみが検出できるように拘束部３４ｂを含むことが好ましい。拘束部３４ｂは、図２に示すように、第３測定部１０−３の周りに、好ましくは第３測定部１０−３に近接して設けられることが好ましい。これにより、被測定物における被測定対象領域におけるひずみの測定を、被測定対象領域以外の部分の影響を小さくして、精度よく測定することが可能になる。
【００５８】
以上のように構成された実施形態２のひずみセンサ２００は、それぞれ低弾性な物性に生じるひずみに対応して伸縮可能な第１測定部１０−１，第２測定部１０−２及び第３測定部１０−３を備えているので、例えば、人体の皮膚の膨れ等の小さな変形部位におけるひずみの検出が可能である。
【００５９】
以上のように構成された実施形態２のひずみセンサ２００において、第１測定部１０−１は第１方向の伸縮に対し、また、第２測定部１０−２は第２方向に伸縮に対して高い感度を有し、第３測定部１０−３は第１方向と第２方向に直交する方向、すなわち基材２０１の第１主面に直交する方向の伸縮に対して高い感度を有している。第１測定部１０−１と第２測定部１０−２の配置は互いに直交する位置に限定されるものではなく、被測定物の被測定対象領域の主たる伸縮方向に応じて第１測定部１０−１，第２測定部１０−２及び第３測定部１０−３が適切に配置されるようにひずみセンサ２００を取り付けて各測定部において感度よくひずみを測定することができる。この構成を備えることにより、被測定物のＸＹＺの３方向のひずみを検出することができ、これらを総合してひずみを引き起こす変形の形状を推定することができる。
【００６０】
実施形態２に係る変形例１のひずみセンサ２００Ｍ１
図３は、実施形態２に係る変形例１のひずみセンサ２００Ｍ１の構成を示す平面図である。この変形例１のひずみセンサ２００Ｍ１は、図３に示すように、実施形態２のひずみセンサ２００において、第３測定部１０−３を除いて構成した以外は、実施形態２のひずみセンサ２００と同様である。実施形態２に係る変形例１のひずみセンサ２００Ｍ１によれば、第１方向及び第２方向の伸縮に対して感度の高いひずみセンサを実施形態２のひずみセンサに比較して安価に提供できる。
【００６１】
実施形態２に係る変形例２のひずみセンサ２００Ｍ２
図４は、実施形態２に係る変形例２のひずみセンサ２００Ｍ２の構成を示す平面図である。この変形例２のひずみセンサ２００Ｍ２は、図４に示すように、実施形態２のひずみセンサ２００において、第１測定部１０−１及び第２測定部１０−２を除いて構成した以外は、実施形態２のひずみセンサ２００と同様である。実施形態２に係る変形例２のひずみセンサ２００Ｍ２によれば、第１方向及び第２方向に直交する方向に感度の高いひずみセンサを実施形態２のひずみセンサに比較して安価に提供できる。
【００６２】
実施形態３．
実施形態３のひずみセンサ３００は、測定部１０ａの構成が実施形態１のひずみセンサ１００と異なっている他は実施形態１のひずみセンサ１００と同様に構成される。
以下、実施形態１と異なる測定部１０ａの具体的な構成について、図５を参照しながら説明する。
＜測定部１０ａ＞
実施形態３のひずみセンサ３００において、測定部１０ａは、実施形態１のひずみセンサに比較してひずみを生じる力が大きく大きな変形を伴うひずみを検出する場合に適している。具体的には、実施形態３のひずみセンサ３００において、測定部１０ａは、図５に示すように、検出導体１ｄａが設けられた検出部１１ａと低弾性率部１２ａとを含むが、低弾性率部１２ａが、検出部１１ａと第２固定部２２ａの間に配置されている。
【００６３】
実施形態３のひずみセンサ３００において、低弾性率部１２ａは、検出導体１ｄａの延伸方向である第１方向の中心線に対して対称に配置された第１低弾性率部１２ａ１と第２低弾性率部１２ａ２とを含む。第１低弾性率部１２ａ１と第２低弾性率部１２ａ２とはそれぞれ、それぞれ第１方向に直交する方向の長さが第１方向の幅より長い複数のスリットを含む。このように構成された低弾性率部１２ａ（第１低弾性率部１２ａ１及び第２低弾性率部１２ａ２）は、検出部１１ａに比べて第１方向における伸縮率が大きくなっている。
【００６４】
以上のように構成された実施形態３のひずみセンサ３００の測定部１０ａは、測定部１０ａ全体が大きな変形を受けたときに検出部１１ａに比べて伸縮率の大きい低弾性率部１２ａが大きく変形することにより検出部１１ａに形成された検出導体１ｄａの断線を防止することができる。また、検出部１１ａは、実施形態１のひずみセンサ１００の検出部１１に比較して広い幅に形成することが可能であり、より効果的に検出導体１ｄａの断線を防止できる。このように、実施形態３のひずみセンサ３００は、大きく弾性変形することが可能な低弾性率部１２ａを検出部１１ａと第２固定部２２ａの間に配置することにより、測定部１０ａに大きな変形が生じたときに検出導体１ｄａを断線させることなくひずみを検出することができる。
【００６５】
例えば、検出導体１ｄａを構成する金属と樹脂の混合物が、初期の長さ（ひずみがかかっていない場合の長さ）を１００％とした場合、１２０〜１３０％程度まで変形が可能である場合には、検出部１１ａの変形を１２０〜１３０％に抑えつつ例えば測定部１０ａ全体の変形を１６０％〜１９０％程度にすることができ、１６０％〜１９０％の大変形を検出することが可能となる。実施形態３のひずみセンサ３００では、被測定物の被測定領域において想定される最大変形量（ひずみ量）を考慮して検出部１１ａに対する低弾性率部１２ａの面積率、低弾性率部１２ａにおけるスリット長及び幅、スリット数を適宜設定することにより、対象とする被測定物の被測定領域に適したひずみセンサを提供することができる。
【００６６】
また、実施形態３のひずみセンサ３００は、金属粉と樹脂からなる混合物により構成することにより、変形に対する抵抗値の増加率又は減少率を大きくでき、小さなひずみを感度良く検出することができる。
【００６７】
さらに、実施形態３のひずみセンサ３００は、第１拘束部３１ａと第２拘束部３２ａとを備えることにより、被測定物における被測定対象領域におけるひずみの測定を、被測定対象領域以外の部分の影響を小さくして、精度よく測定することができる。
【００６８】
尚、本発明では、実施形態２のひずみセンサ（実施形態２の変形例１のひずみセンサを含む）において、第１測定部１０−１及び／又は第２測定部１０−２を実施形態３の測定部１０ａと同様に構成してもよい。
【００６９】
実施形態４．
実施形態４のひずみセンサ４００は、図６に示すように、第１方向に固定部と測定部が交互に設けられたひずみセンサであり、４つの第１固定部２１ｃ、第２固定部２２ｃ、第３固定部２３ｃ及び第４固定部２４ｃと、３つの第１測定部１０−１ａと、第２測定部１０−２ａ及び第３測定部１０−３ａを備えている。実施形態４のひずみセンサ４００において、第１測定部１０−１ａは、第１固定部２１ｃと第２固定部２２ｃとの間に設けられ、第２測定部１０−２ａは、第２固定部２２ｃと第３固定部２３ｃとの間に設けられ、第３測定部１０−３ａは、第３固定部２３ｃと第４固定部２４ｃとの間に設けられている。また、実施形態４のひずみセンサ４００は、他の実施形態と同様、対向する第１主面と第２主面とを有する基材４０１と、基材４０１の第１主面に設けられた導体部とを含んで構成される点では他の実施形態と同様である。
以下、実施形態４のひずみセンサ４００について、図６を参照しながら詳細に説明する。
【００７０】
実施形態４のひずみセンサ４００において、第１固定部２１ｃは、第１〜第６接続端子導体１ｔ１〜１ｔ６を含む。ここで、第１と第２接続端子導体１ｔ１，１ｔ２は、第１方向の中心線に最も近い内側に設けられ、その外側に第３と第４接続端子導体１ｔ３，１ｔ４が設けられ、最も外側に第５と第６接続端子導体１ｔ５，１ｔ６が設けられる。第１固定部２１ｃにおいて、第１〜第６接続端子導体１ｔ１〜１ｔ６からそれぞれ第１〜第６配線導体１ｗ１〜１ｗ６がそれぞれ第１方向に延伸された後、各先端が第１固定部２１ｃと第１測定部１０−１ａとの境界で分離された状態で近接するように中心線寄りに集められて配線される。
【００７１】
そして、第１と第２接続端子導体１ｔ１，１ｔ２間に、第１測定部１０−１ａのひずみを検出する第１と第２検出導体１ｄ１，１ｄ２が、第３と第４接続端子導体１ｔ３，１ｔ４間に、第２測定部１０−２ａのひずみを検出する第３と第４検出導体１ｄ３，１ｄ４が、第５と第６接続端子導体１ｔ５，１ｔ６間に、第３測定部１０−３ａのひずみを検出する第５と第６検出導体１ｄ５，１ｄ６が、以下のように設けられる。
【００７２】
第１〜第２検出導体１ｄ１〜１ｄ２はそれぞれ、第１及び第２配線導体１ｗ１，１ｗ２の先端から延伸して第１測定部１０−１ａに設けられ、その先端部分が第２固定部２２ｃにおいて接続されている。第３検出導体１ｄ３は、第３配線導体１ｗ３の先端から延伸して第１測定部１０−１ａに設けられた第３導体１ｃｄ３と、第３導体１ｃｄ３の先端から延伸して第２固定部２２ｃに設けられた接続導体と、を介して、第２測定部１０−２ａに設けられている。また、第４検出導体１ｄ４は、第４配線導体１ｗ４の先端から延伸して第１測定部１０−１ａに設けられた第４導体１ｃｄ４と、第４導体１ｃｄ４の先端から延伸して第２固定部２２ｃに設けられた接続導体と、を介して、第２測定部１０−２ａに設けられている。そして、第３検出導体１ｄ３の先端部分と第４検出導体１ｄ４の先端部分とが第３固定部２３ｃにおいて接続されている。
【００７３】
第５検出導体１ｄ５は、第５配線導体１ｗ５の先端から延伸して第１測定部１０−１ａに設けられた第５導体１ｃｄ５と、第５導体１ｃｄ５の先端から延伸して第２固定部２２ｃに設けられた接続導体と、当該接続導体の先端から延伸され第２測定部１０−２ａに設けられた第５導体１ｃｄ５ａと、第５導体１ｃｄ５ａの先端から延伸して第３固定部２３ｃに設けられた接続導体と、を介して第３測定部１０−３ａに設けられている。
第６検出導体１ｄ６は、第６配線導体１ｗ６の先端から延伸して第１測定部１０−１ａに設けられた第６導体１ｃｄ６と、第６導体１ｃｄ６の先端から延伸して第２固定部２２ｃに設けられた接続導体と、当該接続導体の先端から延伸され第２測定部１０−２ａに設けられた第６導体１ｃｄ６ａと、第６導体１ｃｄ６ａの先端から延伸して第３固定部２３ｃに設けられた接続導体と、を介して第３測定部１０−３ａに設けられている。
そして、第５検出導体１ｄ５の先端部分と第６検出導体１ｄ６の先端部分とが第４固定部２４ｃにおいて接続されている。ここで、固定部に形成された接続導体の抵抗値は、ひずみにより実質的に変化しない。
【００７４】
以上のようにして、第１と第２接続端子導体１ｔ１，１ｔ２間に、第１検出導体１ｄ１と第２検出導体１ｄ２とが直列に接続された第１測定部１０−１ａのひずみを検出するための第１検出回路が構成される。
第３と第４接続端子導体１ｔ３，１ｔ４間に、第３導体１ｃｄ３と、第３検出導体１ｄ３と、第４検出導体１ｄ４と、第４導体１ｃｄ４とが直列に接続された第２測定部１０−２ａのひずみを検出するための第２検出回路が構成される。
第５と第６接続端子導体１ｔ５，１ｔ６間に、第５導体１ｃｄ５と、第５導体１ｃｄ５ａと、第５検出導体１ｄ５と、第６検出導体１ｄ６と、第６導体１ｃｄ６ａと、第６導体１ｃｄ６と、が直列に接続された第３測定部１０−３ａのひずみを検出するための第３検出回路が構成される。
【００７５】
ここで、第１検出回路では、第１と第２接続端子導体１ｔ１，１ｔ２間の抵抗値の変化は第１検出導体１ｄ１及び第２検出導体１ｄ２の抵抗値変化であるから、第１と第２接続端子導体１ｔ１，１ｔ２間の抵抗値変化により第１測定部１０−１ａにおけるひずみを検出することができる。
しかしながら、第２検出回路及び第３検出回路では、各測定部のひずみを検出するための、第３検出導体１ｄ３、第４検出導体１ｄ４、第５検出導体１ｄ５及び第６検出導体１ｄ６の他に、他の測定部に形成され該測定部のひずみにより抵抗値が変化する、第３導体１ｃｄ３、第４導体１ｃｄ４、第５導体１ｃｄ５、第５導体１ｃｄ５ａ、第６導体１ｃｄ６ａと、第６導体１ｃｄ６を含む。
したがって、第２検出回路及び第３検出回路では、検出対象の測定部以外の測定部に形成された導体における抵抗値変化を除いて検出対象の測定部における、第３検出導体１ｄ３及び第４検出導体１ｄ４における抵抗値変化、又は第５検出導体１ｄ５及び第６検出導体１ｄ６における抵抗値変化を算出する必要がある。
【００７６】
第２検出回路及び第３検出回路において、検出対象の測定部以外の測定部に形成された導体における抵抗値変化を除く方法は種々考えられるが、例えば、以下のようにすればよい。
【００７７】
例えば、第２検出回路については、第１測定部１０−１ａに設けられた第３導体１ｃｄ３と第４導体１ｃｄ４とを、第１検出回路の第１及び第２検出導体１ｄ１，１ｄ２と同じ構成とする。同じ構成とは、第１及び第２検出導体１ｄ１，１ｄ２と同じ材料を用いて同一形状に構成することをいう。このようにすると、第３導体１ｃｄ３及び第４導体１ｃｄ４の抵抗値変化は、第１及び第２検出導体１ｄ１，１ｄ２の抵抗値変化と実質的に同一となる。
したがって、第３と第４接続端子導体１ｔ３，１ｔ４間の第２検出回路の抵抗値変化から、第１検出回路で検出された第１及び第２検出導体１ｄ１，１ｄ２の抵抗値変化を除くことにより、第２検出回路における第３検出導体１ｄ３、第４検出導体１ｄ４の抵抗値変化を算出することができる。
【００７８】
同様に、第３検出回路については、第１測定部１０−１ａに設けられた第５導体１ｃｄ５と第６導体１ｃｄ６とを、第１検出回路の第１及び第２検出導体１ｄ１，１ｄ２と同じ構成とし、第２測定部１０−２ａに設けられた第５導体１ｃｄ５ａと第６導体１ｃｄ６ａとを、第２検出回路における第３検出導体１ｄ３、第４検出導体１ｄ４と同じ構成とすればよい。このようにすることで、第５と第６接続端子導体１ｔ５，１ｔ６間の第３検出回路の抵抗値変化から、第１検出回路で検出された第１及び第２検出導体１ｄ１，１ｄ２の抵抗値変化と第２検出回路における第３検出導体１ｄ３、第４検出導体１ｄ４の抵抗値変化とを除くことにより、第３検出回路における第５検出導体１ｄ５及び第６検出導体１ｄ６の抵抗値変化を算出することができる。
【００７９】
以上のように構成された実施形態４のひずみセンサは、比較的狭い被検出対象に対して複数の被検出対象領域のひずみを差測定することが可能であり、例えば、人体の指に対して複数の箇所における膨れや腫れを検出することができる。
【００８０】
実施形態４のひずみセンサにおいて、第１固定部２１ｃ、第２固定部２２ｃ、第３固定部２３ｃ及び第４固定部２４ｃはそれぞれ、被測定物における被測定対象領域が伸縮したときに、被測定対象領域以外の領域における伸縮の影響を受けることなく、被測定対象領域における伸縮に対応したひずみが検出できるように第１拘束部３１ｃ、第２拘束部３２ｃ、第３拘束部３３ｃ、第４拘束部３４ｃを含むことが好ましい。
【００８１】
実施形態５．
実施形態５のひずみセンサ５００は、図７に示すように、第１方向に固定部と測定部が交互に設けられたひずみセンサであり、４つの第１固定部２１ｄ、第２固定部２２ｄ、第３固定部２３ｄ及び第４固定部２４ｄと、３つの第１測定部１０−１ｂと、第２測定部１０−２ｂ及び第３測定部１０−３ｂを備えている。実施形態５のひずみセンサ５００において、第１測定部１０−１ｂは、第１固定部２１ｄと第２固定部２２ｄの間に設けられ、第２測定部１０−２ｂは、第２固定部２２ｄと第３固定部２３ｄの間に設けられ、第３測定部１０−３ｂは、第３固定部２３ｄと第４固定部２４ｄの間に設けられている。また、実施形態５のひずみセンサ５００は、他の実施形態と同様、対向する第１主面と第２主面とを有する基材５０１と、基材５０１の第１主面に設けられた導体部とを含んで構成される点では他の実施形態と同様である。
【００８２】
以上説明したように、実施形態５のひずみセンサ５００において、第１方向に固定部と測定部が交互に設けられている点については実施形態４のひずみセンサ４００と同様であるが、第４固定部２４ｄを除いた３つの第１固定部２１ｄ、第２固定部２２ｄ及び第３固定部２３ｄの形状が実施形態４の第１〜第３固定部２１ｃ、２２ｃ、２３ｃの形状と異なっている。具体的には、実施形態５のひずみセンサ５００において、第１固定部２１ｄ、第２固定部２２ｄ及び第３固定部２３ｄはそれぞれ、それぞれ第１方向に直交する方向に延びた第１配線固定部２１ｄｃ、第２配線固定部２２ｄｃ及び第３配線固定部２３ｄｃと、を有している。尚、以下の説明において、第１固定部２１ｄ、第２固定部２２ｄ及び第３固定部２３ｄにおいてそれぞれ、第１配線固定部２１ｄｃ、第２配線固定部２２ｄｃ及び第３配線固定部２３ｄｃを除いた部分を第１測定固定部２１ｄｍ、第２第１測定固定部２２ｄｍ及び第３第１測定固定部２３ｄｍという。
【００８３】
以下、実施形態５のひずみセンサ５００について、図７を参照しながら詳細に説明する。
【００８４】
実施形態５の第１固定部２１ｄにおいて、第１配線固定部２１ｄｃは、第１測定固定部２１ｄｍの反対側の端部に第１接続端子導体１ｔ１と第２接続端子導体１ｔ２を含む。第１固定部２１ｃにおいて、第１及び第２配線導体１ｗ１ｄ，１ｗ２ｄはそれぞれ第１及び第２接続端子導体１ｔ１，１ｔ２から第１方向に直交する方向に延伸された後、第１測定固定部２１ｄｍにおいて第１方向に曲げられて配線される。
【００８５】
第２配線固定部２２ｄｃは、第２測定固定部２２ｄｍの反対側の端部に第３接続端子導体１ｔ３と第４接続端子導体１ｔ４を含む。第２固定部２２ｃにおいて、第３及び第４配線導体１ｗ３ｄ，１ｗ４ｄはそれぞれ第３及び第４接続端子導体１ｔ３，１ｔ４から第１方向に直交する方向に延伸された後、第２測定固定部２２ｄｍにおいて第１方向に曲げられて配線される。
【００８６】
第３配線固定部２３ｄｃの第３測定固定部２３ｄｍの反対側の端部に第５接続端子導体１ｔ５と第６接続端子導体１ｔ６を含む。第３固定部２３ｃにおいて、第５及び第６配線導体１ｗ５ｄ，１ｗ６ｄはそれぞれ第５及び第６接続端子導体１ｔ５，１ｔ５から第１方向に直交する方向に延伸された後、第３測定固定部２３ｄｍにおいて第１方向に曲げられて配線される。
【００８７】
第１〜第２検出導体１ｄ１〜１ｄ２はそれぞれ、第１及び第２配線導体１ｗ１ｄ，１ｗ２ｄの先端から延伸して第１測定部１０−１ｂに設けられ、その先端部分が第２固定部２２ｄにおいて接続される。
【００８８】
第３〜第４検出導体１ｄ３〜１ｄ４はそれぞれ、第３及び第４配線導体１ｗ３ｄ，１ｗ４ｄの先端から延伸して第２測定部１０−２ｂに設けられ、その先端部分が第３固定部２３ｄにおいて接続される。
【００８９】
第５〜第６検出導体１ｄ５〜１ｄ６はそれぞれ、第５及び第６配線導体１ｗ５ｄ，１ｗ６ｄの先端から延伸して第３測定部１０−３ｂに設けられ、その先端部分が第４固定部２４ｄにおいて接続される。
【００９０】
以上のようにして、第１と第２接続端子導体１ｔ１，１ｔ２間に、第１測定部１０−１ｄのひずみを検出するための、第１と第２検出導体１ｄ１，１ｄ２が直列に接続された第１検出回路が構成される。
また、第３と第４接続端子導体１ｔ３，１ｔ４間に、第２測定部１０−２ｄのひずみを検出するための、第３と第４検出導体１ｄ３，１ｄ４が直列に接続された第２検出回路が構成される。
第５と第６接続端子導体１ｔ５，１ｔ６間に、第３測定部１０−３ｄのひずみを検出するための、第５と第６検出導体１ｄ５，１ｄ６が直列に接続された第３検出回路が構成される。
【００９１】
以上のように構成された実施形態４のひずみセンサは、複数の被検出対象領域のひずみを差測定することが可能である。
【００９２】
実施形態５のひずみセンサにおいて、第１固定部２１ｄ、第２固定部２２ｄ、第３固定部２３ｄ及び第４固定部２４ｄはそれぞれ、被測定物における被測定対象領域が伸縮したときに、被測定対象領域以外の領域における伸縮の影響を受けることなく、被測定対象領域における伸縮に対応したひずみが検出できるように第１拘束部３１ｄ、第２拘束部３２ｄ、第３拘束部３３ｄ、第４拘束部３４ｄを含むことが好ましい。
【００９３】
以上の実施形態１〜５のひずみセンサでは、スリットを含む検出部とは別に設けた低弾性率部により測定部全体の弾性率を低くして、例えば、皮膚の膨れに伴うひずみ等の低弾性な物性に生じるひずみの検出を可能にした。
しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、低弾性率部を形成することに代えて、例えば、測定部における基材の厚さを固定部に比較して薄くしたり、測定部の幅を固定部に比較して狭くすることにより測定部の弾性率を低くするようにしてもよい。また、本発明のひずみセンサでは、低弾性率部において、スリットに代えて、複数の貫通孔を設けたり、溝状又はドット状に凹部を形成することにより、測定部の弾性率を低くするようにしてもよい。本明細書において、低弾性率部とは、測定部における基材の厚さを固定部に比較して薄くしたり、測定部の幅を固定部に比較して狭くすることにより測定部全体としての弾性率を低くすることも含む。
【００９４】
以下、実施形態１〜５のひずみセンサの製造方法について説明する。
＜基材の準備及び加工＞
まず、例えば、弾性率が低く伸縮性に富むポリウレタン等の樹脂からなる基材を準備する。
準備した基材を、実施形態１〜５のひずみセンサの形状にそれぞれ対応した形状に加工する。この形状加工は、例えば、ダイカッター加工、プレス加工、レーザー加工等により行う。
形状加工した基材の各測定部にスリットを形成する。このスリットの形成は、例えば、レーザー加工、ダイカッターによる加工、パンチング等により行う。
【００９５】
＜導体部の形成＞
形状加工した第１主面（上面）に、接続端子導体、配線導体及び検出導体を含む導体部を形成する。導体部のパターン形成は、スクリーン印刷、ディスペンサー等により行うことができ、例えば、金属粉体を樹脂に分散させた導体ペーストを用いて導体部を形成する場合は、パターンを形成した後、例えば、加熱して樹脂を硬化させる。樹脂によっては、硬化を湿気処理により行ってもよい。
また、導体部の形成は、上述したように、接続端子導体、配線導体及び検出導体をそれぞれの機能に応じて異なる導体材料により形成してもよい。
【００９６】
＜拘束部の形成＞
固定部上の所定の箇所に、硬化により弾性率が高くなる樹脂、例えば、ウレタン変性アクリル樹脂等を所定のパターンに形成して硬化させる。この樹脂の硬化は、例えば、加熱、種類によっては湿気硬化、ＵＶ硬化により行う。
以上の工程後又は前に、必要に応じて、固定部における基材の第２主面に粘着層を形成する。
【００９７】
以上のようにして、実施形態１〜５のひずみセンサを製造することができる。
【実施例】
【００９８】
＜スリットの弾性率に与える評価＞
実施例のひずみセンサを作製するにあたり、スリットの形状によって基材の弾性率がどのように変化するか評価した。
この評価では、幅：２０ｍｍ、長さ：５０ｍｍ、厚さ：４０μｍの熱可塑性ポリウレタンからなる矩形の基材を準備した。そして、その基材に図８に示すように、基材の伸縮方向の中心線に対して対称にそれぞれ２４個のスリットを含む第１スリット群と第２スリット群を形成した１０種類の評価サンプルＳ１〜Ｓ１０を作製した。
各評価サンプルＳ１〜Ｓ１０のスリット長ａ及びスリットピッチｐは、表１に示すようにした。
また、第１スリット群のスリットと第２スリット群のスリット間の間隔ｂは、Ｓ１〜Ｓ３は４ｍｍ、Ｓ４〜Ｓ６は６ｍｍ、Ｓ７〜Ｓ９は８ｍｍとした。【００９９】
（表１）
2019031381.tif 000003
【０１００】
以上のように作製した評価サンプルＳ１〜Ｓ１０を基材の伸縮方向に引っ張り、引張荷重に対するひずみ（伸び率）を評価した。尚、ひずみは基材に引張荷重をかけていないときを基準にして伸びた割合で示した。具体的には、ひずみ１００％とは基材を２倍の長さに引き延ばしたことを意味する。【０１０１】
評価サンプルＳ１〜Ｓ１０の引張荷重に対するひずみ（伸び率）の評価結果を図９のグラフに示す。
この評価結果から、幅２０ｍｍの基材に対して、第１スリット群と第２スリット群とにそれぞれスリット長４ｍｍのスリットを設けることにより、すなわち、基材の幅に対して第１スリット群と第２スリット群との合計のスリット長が４０％のスリットを形成することにより、スリットを形成していない評価サンプルＳ１０に比較して、約２／３の引張荷重で同じひずみ量が得られることが理解できる。また、基材の幅に対して第１スリット群と第２スリット群との合計のスリット長が６０％のスリットを形成することにより、スリットを形成していない評価サンプルＳ１０に比較して、約半分の引張荷重で同じひずみ量が得られることが理解できる。【０１０２】
実施例１，２として、実施形態１に係るひずみセンサを作製した。
実施例１．
まず、幅：１０ｍｍ、長さ：５０ｍｍ、厚さ：４０μｍの熱可塑性ポリウレタンからなる矩形の基材１０１を準備し、その一方の主面（第１主面）に以下のように、接続端子導体１ｔ、配線導体１ｗ及び検出導体１ｄを形成した。ここで、実施例１のひずみセンサでは、基材１０１の一端から３６ｍｍの部分を第１固定部とし、他端から７ｍｍの部分を第２固定部とし、第１固定部と第２固定部の間の７ｍｍの部分を測定部とした。また、測定部において中央部の幅２ｍｍの部分を検出部とし、その検出部の両側の幅４ｍｍの部分をそれぞれ低弾性率部とした。また、配線導体１ｗの幅は１．５ｍｍとし、検出導体１ｄの幅は０．３ｍｍとした。尚、検出導体１ｄの長さは７ｍｍであり、２つの検出導体１ｄ間の間隔は、０．６ｍｍとした。配線導体１ｗ及び検出導体１ｄは、銀粉末と熱硬化性樹脂を含む銀ペーストを印刷し、加熱により樹脂を硬化させて形成した。【０１０３】
スリットは、長さが３ｍｍ、幅が０．２ｍｍになるように、各低弾性率部においてそれぞれ０．５ｍｍピッチで１１列ＣＯ２レーザ加工により形成した。尚、スリットはそれぞれ検出部側の一端が検出部と低弾性率部の境界に達するように形成した。すなわち、検出導体の伸縮方向に直交する方向に位置する、一方の低弾性率部のスリットと他方の低弾性率部のスリット間のピッチは５ｍｍである。さらに、実施例１のひずみセンサでは、第１固定部の配線導体を覆うように第１拘束部を形成し、第２固定部には第２拘束部を形成した。第１拘束部と第２拘束部とはそれぞれＵＶ硬化型のウレタン変性アクリル樹脂により形成した。【０１０４】
実施例２．
実施例２のひずみセンサは、実施例１のひずみセンサにおいて、第１固定部の第１拘束部と第２固定部の第２拘束部を形成していない他は実施例１のひずみセンサと同様に作製した。【０１０５】
比較例１．
比較例１のひずみセンサは、実施例１のひずみセンサにおいて、スリット、すなわち低弾性率部を形成していない他は実施例１のひずみセンサと同様に作製した。【０１０６】
比較例２．
比較例２のひずみセンサは、第１固定部の第１拘束部と第２固定部の第２拘束部を形成することなく、かつスリット、すなわち低弾性率部を形成することなく作製した他は実施例１のひずみセンサと同様に作製した。【０１０７】
以上のように構成した実施例１及び２、比較例１及び２のひずみセンサについてそれぞれひずみに対する抵抗変化率を測定した。この実施例及び比較例のひずみに対する抵抗変化率変化は、ひずみセンサを、ゴム弾性を有する板状のエラストマーに貼り付けて引き延ばすことにより測定した。その結果を図１０に示す。
図１０からわかるように、本発明に係る実施例１及び２はいずれも、比較例１及び２に比較して倍以上のひずみに対する抵抗変化率が得られた。【０１０８】
また、測定部に低弾性率部（スリット）を形成することなく第１固定部に第１拘束部を形成しと第２固定部に第２拘束部を形成した比較例１のひずみセンサと、測定部に低弾性率部（スリット）を形成することなくかつ第１固定部及び第２固定部のいずれにも拘束部を形成していない比較例２のひずみセンサとを比較すると、両者のひずみに対する抵抗変化率は大差はない。このことから、測定部に低弾性率部（スリット）を形成することなく第１固定部と第２固定部に拘束部を設けても拘束部によるひずみに対する抵抗変化率の改善効果は限定的であることが理解される。【０１０９】
これに対して、実施例１のひずみセンサのひずみに対する抵抗変化率は、実施例２のひずみセンサのひずみに対する抵抗変化率の倍以上である。このことは、測定部に低弾性率部（スリット）を形成した上でさらに、第１固定部に第１拘束部を形成し第２固定部に第２拘束部を形成すると、それらの相乗効果により極めて高いひずみに対する抵抗変化率が得られることを意味している。
【産業上の利用可能性】
【０１１０】
以上の本発明に係るひずみセンサは、例えば、人体の皮膚の局所的な膨れ等の変形を検出等、小さなひずみの検出が求められる用途に適用できる。
【符号の説明】
【０１１１】
１  導体部
１ｃｄ３  第３導体
１ｃｄ４  第４導体
１ｃｄ５  第５導体
１ｃｄ６  第６導体
１ｔ  接続端子導体
１ｗ  配線導体
１ｄ，１ｄａ  検出導体
１ｔ１〜１ｔ６  第１〜第６接続端子導体
１ｗ１〜１ｗ６，１ｗ１ｄ〜１ｗ６ｄ  第１〜第６配線導体
１ｄ１〜１ｄ６  第１〜第６検出導体
３，３−１〜３−１０  スリット
２０  固定部
１０，１０ａ，  測定部
１０−１，１０−１ａ，１０−１ｂ  第１測定部
１０−２，１０−２ａ，１０−２ｂ  第２測定部
１０−３，１０−３ａ，１０−３ｂ  第３測定部
１１，１１−１〜１１−６，１１ａ  検出部
１２，１２−１〜１２−６，１２ａ  低弾性率部
１２ａ１  第１低弾性率部
１２ａ２  第２低弾性率部
２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ  第１固定部
２１ｂ０  ベース固定部
２１ｂ１  第１分岐固定部
２１ｂ２  第２分岐固定部
２１ｄｃ  第１配線固定部
２１ｄｍ  第１測定固定部
２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ  第２固定部
２２ｄｃ  第２配線固定部
２２ｄｍ  第２第１測定固定部
２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ  第３固定部
２３ｄｃ  第３配線固定部
２３ｄｍ  第３第１測定固定部
２４ｂ，２４ｃ，２４ｄ  第４固定部
３１ａ，３１ｃ，３１ｄ  第１拘束部
３２ａ，３２ｃ，３２ｄ  第２拘束部
３３ｃ，３３ｄ  第３拘束部
３４ｂ  拘束部
３４ｃ，３４ｄ  第４拘束部
１００，２００，３００，４００，５００  ひずみセンサ
１０１，２０１，３０１，４０１，５０１  基材
【図１】
2019031381.tif 000004
【図２】
2019031381.tif 000005
【図３】
2019031381.tif 000006
【図４】
2019031381.tif 000007
【図５】
2019031381.tif 000008
【図６】
2019031381.tif 000009
【図７】
2019031381.tif 000010
【図８】
2019031381.tif 000011
【図９】
2019031381.tif 000012
【図１０】
2019031381.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月9日(2019.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定部と該固定部により支持された伸縮可能な測定部とを備えたひずみセンサであって、
前記ひずみセンサは、対向する第１主面と第２主面とを有する基材と該第１主面に設けられた導体部とを有してなり、
前記導体部は、前記測定部に設けられ、前記測定部の基材の伸縮に対応して抵抗値が変化する検出導体を含み、
前記測定部は、前記検出導体が設けられた検出部と、該検出部における外力に対する変形量を大きくする低弾性率部を含み、
前記低弾性率部は、前記検出部とは別に設けられ、該低弾性率部は、前記検出導体の伸縮方向に交差する方向に設けられた複数のスリットを含み、
前記低弾性率部は、前記複数のスリットの一部を含む第１低弾性率部と前記複数のスリットの一部を含む第２低弾性率部とを含み、
前記検出部は、前記第１低弾性率部と前記第２低弾性率部との間に設けられており、
前記固定部は第１の固定部と第２の固定部とを有し、前記測定部は該第１の固定部と該第２の固定部との間に位置し、
前記第１の固定部と前記第２の固定部に拘束部が設けられているひずみセンサ。
【請求項２】
前記低弾性率部は、前記検出部と前記固定部の間に設けられた請求項１に記載のひずみセンサ。
【請求項３】
前記第１低弾性率部に設けられたスリットと前記第２低弾性率部に設けられたスリットとは同じ数で線対称に設けられており、線対称に設けられた２つのスリットのスリット長を合わせた長さが、前記測定部の幅の４０％以上である請求項１又は２に記載のひずみセンサ。
【請求項４】
前記検出部は、放射状に設けられた複数の放射状検出部を含み、
前記低弾性率部は、隣接する放射状検出部間に設けられた複数の扇型低弾性率部を含み、
前記検出導体は、前記放射状検出部に設けられている請求項１〜３のいずれかに記載のひずみセンサ。
【請求項５】
前記複数の扇型低弾性率部はそれぞれ検出導体の伸縮方向に交差する方向に設けられた複数のスリットを含む請求項４に記載のひずみセンサ。
【請求項６】
前記低弾性率部は、前記検出導体の伸縮方向に交差する方向に設けられた複数のスリットを含み、
前記複数のスリットは、前記扇型低弾性率部の中心から離れるにしたがって、スリット長が長くなるように設けられた請求項５に記載のひずみセンサ。
【請求項７】
前記導体部は、前記検出導体に接続され、前記固定部に設けられた配線導体を含む請求項１〜６のいずれか１つに記載のひずみセンサ。
【請求項８】
前記測定部を複数備えた請求項１〜７のいずれか１つに記載のひずみセンサ。
【請求項９】
請求項７を引用した請求項８に記載のひずみセンサであって、一測定部に形成された検出導体に接続された配線導体の一部は他の測定部に形成されており、前記一測定部に形成された検出導体の抵抗値の変化を前記他の測定部に形成された検出導体に形成された検出導体の抵抗値の変化に基づいて算出するひずみセンサ。
【請求項１０】
前記複数の測定部は、互いに伸縮方向が異なる少なくとも２つの測定部を含む請求項８又は９に記載のひずみセンサ。
【請求項１１】
前記複数の測定部は、伸縮方向が等しい少なくとも２つの測定部を含む請求項８〜１０のいずれか１つに記載のひずみセンサ。
【請求項１２】
前記拘束部は、基材の伸縮を抑制する請求項１〜１１のいずれかに記載のひずみセンサ。
【請求項１３】
前記検出導体は、金属粉と樹脂とを含む請求項１〜１２のいずれか１つに記載のひずみセンサ。
【請求項１４】
前記基材の前記第２主面に粘着層を備えた請求項１〜１３のいずれか１つに記載のひずみセンサ。
【請求項１５】
固定部と該固定部により支持された伸縮可能な測定部とを備え、該測定部に検出導体を含むひずみセンサの製造方法であって、
対向する第１主面と第２主面とを有する基材を準備する工程と、
前記基材の前記第１主面に前記検出導体を含む導体部を形成する工程と、
前記基材において前記検出導体が設けられた検出部とは別に低弾性率部を形成する工程と、
前記固定部に、拘束部を形成する工程と、
を含み、
前記低弾性率部を形成する工程において、
前記基材の前記検出部を除いた前記測定部の一部に前記検出導体の伸縮方向に交差する複数のスリットを形成し、
前記低弾性率部が前記複数のスリットの一部を含む第１低弾性率部と前記複数のスリットの一部を含む第２低弾性率部とを含み、かつ前記検出部が前記第１低弾性率部と前記第２低弾性率部との間に設けられるように、前記複数のスリットを形成し、
前記拘束部を形成する工程において、前記固定部の第１の固定部と第２の固定部との間に前記測定部が配置されるように、該第１の固定部と該第２の固定部とに前記拘束部を形成するひずみセンサの製造方法。
【請求項１６】
前記拘束部として、前記基材より硬度の高い樹脂を形成する請求項１５に記載のひずみセンサの製造方法。
【国際調査報告】
2019031381.tif 000014
2019031381.tif 000015
2019031381.tif 000016
2019031381.tif 000017