(57)【要約】本発明の多層配線基板は、第１の絶縁層と、上記第１の絶縁層に積層された第２の絶縁層と、上記第１の絶縁層及び上記第２の絶縁層のそれぞれの内部に設けられたビア導体と、上記ビア導体同士を接合する導電性の接合層と、を備え、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とが直接接合され、上記接合層の最大径をａ１とし、上記接合層との界面における上記ビア導体の最大径をｂ１としたとき、ａ１＞ｂ１の関係が成り立つことを特徴とする。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層に積層された第２の絶縁層と、
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層のそれぞれの内部に設けられたビア導体と、
前記ビア導体同士を接合する導電性の接合層と、を備え、
前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とが直接接合され、
前記接合層の最大径をａ１とし、前記接合層との界面における前記ビア導体の最大径をｂ１としたとき、ａ１＞ｂ１の関係が成り立つことを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記接合層の最大厚さをｔ１とし、前記ビア導体の最大厚さをＴ１としたとき、ｔ１＜Ｔ１の関係が成り立つ請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層に積層された第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層側の前記第１の絶縁層の表面に設けられた導体配線層と、
前記第３の絶縁層の内部に設けられたビア導体と、
前記導体配線層と前記ビア導体とを接合する導電性の接合層と、を備え、
前記第１の絶縁層と前記第３の絶縁層とが直接接合され、
前記接合層の最大径をａ２とし、前記接合層との界面における前記ビア導体の最大径をｂ２としたとき、ａ２＞ｂ２の関係が成り立つことを特徴とする多層配線基板。
【請求項４】
前記接合層の最大厚さをｔ２とし、前記ビア導体の最大厚さをＴ２としたとき、ｔ２＜Ｔ２の関係が成り立つ請求項３に記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記接合層は、少なくとも前記ビア導体又は前記導体配線層との界面に、Ｃｕ成分とＳｎ成分とを含む金属間化合物層Ｍを備える請求項１〜４のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項６】
前記接合層は、Ｃｕ成分とＳｎ成分とを含む金属間化合物層Ｍと、Ｃｕ成分とＮｉ成分及びＭｎ成分の一方とを含む金属間化合物層Ｎと、前記金属間化合物層Ｍと、をこの順に備える請求項１〜５のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項７】
前記接合層は、Ｃｕ及びＡｇの少なくとも一方を含む金属焼結体層を備える請求項１〜４のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項８】
前記ビア導体又は前記導体配線層と前記金属焼結体層との界面が金属接合されている請求項７に記載の多層配線基板。
【請求項９】
前記金属焼結体層は、第１の金属と第２の金属との焼結体からなり、前記第１の金属及び前記第２の金属はそれぞれ独立してＣｕ又はＡｇであり、前記第１の金属が前記第２の金属中に海島状に分散されている請求項７又は８に記載の多層配線基板。
【請求項１０】
前記金属焼結体層は、平均結晶子径が６０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲にあるＣｕ粒子の焼結体からなる請求項７又は８に記載の多層配線基板。
【請求項１１】
前記ビア導体が設けられた絶縁層は、熱可塑性樹脂からなる請求項１〜１０のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項１２】
前記ビア導体中の金属含有量は、９９重量％以上である請求項１〜１１のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項１３】
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層がいずれも１層から構成される請求項１、２及び５〜１２のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項１４】
前記第１の絶縁層内部に設けられたビア導体、及び、前記第２の絶縁層の内部に設けられたビア導体は、いずれもめっき金属からなる請求項１３に記載の多層配線基板。
【請求項１５】
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層のうち、一方の絶縁層が１層から構成され、他方の絶縁層が２層以上から構成される請求項１、２及び５〜１２のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項１６】
前記１層から構成される絶縁層の内部に設けられたビア導体は、めっき金属からなり、前記２層以上から構成される絶縁層の内部に設けられたビア導体は、金属ピンからなる請求項１５に記載の多層配線基板。
【請求項１７】
前記第３の絶縁層が１層から構成される請求項３〜１２のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項１８】
前記第３の絶縁層の内部に設けられたビア導体は、めっき金属からなる請求項１７に記載の多層配線基板。
【請求項１９】
前記第３の絶縁層が２層以上から構成される請求項３〜１２のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項２０】
前記第３の絶縁層の内部に設けられたビア導体は、金属ピンからなる請求項１９に記載の多層配線基板。
【請求項２１】
基板全体の厚さは、基板全体の幅よりも大きい請求項１〜２０のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項２２】
第１の回路基板及び第２の回路基板と、
前記第１の回路基板と前記第２の回路基板との間に配置され、複数の端子部を有するインターポーザ基板と、を備える電子機器であって、
前記インターポーザ基板は、請求項１〜２１のいずれか１項に記載の多層配線基板であり、
前記第１の回路基板及び前記第２の回路基板は、前記多層配線基板のビア導体と電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。
【請求項２３】
前記インターポーザ基板には、高周波信号が通過する請求項２２に記載の電子機器。
【請求項２４】
前記第１の回路基板は、アンテナであり、
前記第２の回路基板は、高周波集積回路が実装された制御基板である請求項２２又は２３に記載の電子機器。
【請求項２５】
請求項１又は３に記載の多層配線基板を製造する方法であって、
一方の表面に導体箔が貼り付けられ、他方の表面に保護フィルムが貼り付けられた絶縁シートを準備する工程と、
前記保護フィルム側から、前記保護フィルムを貫通する開口を形成するとともに、前記絶縁シートを貫通して前記導体箔に達するビアホールを形成する工程と、
前記絶縁シートの前記ビアホール内にビア導体を形成する工程と、
前記ビア導体上に導電性ペーストを塗布することにより、表面に露出している前記ビア導体の最大径よりも大きい最大径を有する導電性ペースト層を形成する工程と、
前記ビア導体及び前記導電性ペースト層が形成された前記絶縁シートを複数枚積層し、熱処理によって一括圧着する工程と、を備えることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項２６】
前記導電性ペースト層を形成する工程では、前記保護フィルムの開口に前記導電性ペーストを充填することにより前記導電性ペースト層を形成し、その後、前記保護フィルムを剥がす請求項２５に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項２７】
前記保護フィルムの開口、及び、前記絶縁シートのビアホールは、いずれも、前記導体箔に向かって径が小さくなるテーパー形状を有する請求項２５又は２６に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項２８】
前記開口のテーパー角は、前記ビアホールのテーパー角よりも大きい請求項２７に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項２９】
前記導電性ペーストは、Ｓｎ又はＳｎ合金からなる金属粉末と、Ｃｕ−Ｎｉ合金又はＣｕ−Ｍｎ合金からなる金属粉末とを含有する請求項２５〜２８のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項３０】
前記導電性ペーストは、第１の金属からなる粒子と、第２の金属からなるナノ粒子とを含有し、前記第１の金属及び前記第２の金属はそれぞれ独立してＣｕ又はＡｇである請求項２５〜２８のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項３１】
前記導電性ペーストは、粒度分布の粒径ピークが０．１μｍ以上５．０μｍ以下の範囲にあるとともに、平均結晶子径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲にあるＣｕ粒子を含有する請求項２５〜２８のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板、電子機器、及び、多層配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
様々な電子機器に使用される多層配線基板として、例えば、特許文献１には、積層された複数の絶縁体フィルムと、上記絶縁体フィルムに設けられた導体パターンと、上記積層された絶縁体フィルム間を接着する接着層とを有する電気回路基板が開示されている。特許文献１に記載された電気回路基板において、上記導体パターンは、上記絶縁体フィルムを貫通する部分を含み、上記複数の絶縁体フィルムのうち少なくとも一つの絶縁体フィルムの導体パターンは、その導体パターンよりも上層および下層の絶縁体フィルムの導体パターンの少なくとも一方と接続され、該接続部には、合金層が形成されていることを特徴としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−２０４９４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般に、多層配線基板においては、積層されたそれぞれの絶縁層の内部にビア導体が設けられ、ビア導体同士が互いに接続されている。また、絶縁層の表面には導体配線層が設けられ、他の絶縁層の内部に設けられたビア導体と接続されている。【０００５】
上記のとおり、特許文献１に記載された電気回路基板のような多層配線基板においては、積層された絶縁層同士が接着層によって接着される。しかし、多層配線基板には低背化が要求されており、接着層の存在はその妨げとなる。一方、接着層を除いた状態で多層配線基板を作製すると、ビア導体同士の間、又は、導体配線層とビア導体との間に絶縁層の材料が流れ込む場合がある。この場合、ビア導体の抵抗が高くなったり、両者の界面から割れたりするという問題が生じる。【０００６】
本発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、ビア導体同士の間、又は、導体配線層とビア導体との間に絶縁層の材料が流れ込むことを防止できる多層配線基板を提供することを目的とする。本発明はまた、上記多層配線基板をインターポーザ基板として備える電子機器、及び、上記多層配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の多層配線基板は、第１の態様において、第１の絶縁層と、上記第１の絶縁層に積層された第２の絶縁層と、上記第１の絶縁層及び上記第２の絶縁層のそれぞれの内部に設けられたビア導体と、上記ビア導体同士を接合する導電性の接合層と、を備え、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とが直接接合され、上記接合層の最大径をａ１とし、上記接合層との界面における上記ビア導体の最大径をｂ１としたとき、ａ１＞ｂ１の関係が成り立つことを特徴とする。【０００８】
本発明の第１の態様において、上記接合層の最大厚さをｔ１とし、上記ビア導体の最大厚さをＴ１としたとき、ｔ１＜Ｔ１の関係が成り立つことが好ましい。【０００９】
本発明の多層配線基板は、第２の態様において、第１の絶縁層と、上記第１の絶縁層に積層された第３の絶縁層と、上記第３の絶縁層側の上記第１の絶縁層の表面に設けられた導体配線層と、上記第３の絶縁層の内部に設けられたビア導体と、上記導体配線層と上記ビア導体とを接合する導電性の接合層と、を備え、上記第１の絶縁層と上記第３の絶縁層とが直接接合され、上記接合層の最大径をａ２とし、上記接合層との界面における上記ビア導体の最大径をｂ２としたとき、ａ２＞ｂ２の関係が成り立つことを特徴とする。【００１０】
本発明の第２の態様において、上記接合層の最大厚さをｔ２とし、上記ビア導体の最大厚さをＴ２としたとき、ｔ２＜Ｔ２の関係が成り立つことが好ましい。【００１１】
以下、本発明の第１の態様及び第２の態様を特に区別しない場合、単に「本発明の多層配線基板」という。【００１２】
本発明の多層配線基板において、上記接合層は、少なくとも上記ビア導体又は上記導体配線層との界面に、Ｃｕ成分とＳｎ成分とを含む金属間化合物層Ｍを備えることが好ましい。【００１３】
本発明の多層配線基板において、上記接合層は、Ｃｕ成分とＳｎ成分とを含む金属間化合物層Ｍと、Ｃｕ成分とＮｉ成分及びＭｎ成分の一方とを含む金属間化合物層Ｎと、上記金属間化合物層Ｍと、をこの順に備えることが好ましい。【００１４】
本発明の多層配線基板において、上記接合層は、Ｃｕ及びＡｇの少なくとも一方を含む金属焼結体層を備えることが好ましい。【００１５】
本発明の多層配線基板においては、上記ビア導体又は上記導体配線層と上記金属焼結体層との界面が金属接合されていることが好ましい。【００１６】
本発明の多層配線基板において、上記金属焼結体層は、第１の金属と第２の金属との焼結体からなり、上記第１の金属及び上記第２の金属はそれぞれ独立してＣｕ又はＡｇであり、上記第１の金属が上記第２の金属中に海島状に分散されていることが好ましい。【００１７】
本発明の多層配線基板において、上記金属焼結体層は、平均結晶子径が６０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲にあるＣｕ粒子の焼結体からなることが好ましい。【００１８】
本発明の多層配線基板において、上記ビア導体が設けられた絶縁層は、熱可塑性樹脂からなることが好ましい。【００１９】
本発明の多層配線基板において、上記ビア導体中の金属含有量は、９９重量％以上であることが好ましい。【００２０】
本発明の多層配線基板においては、上記第１の絶縁層及び上記第２の絶縁層がいずれも１層から構成されてもよい。この場合、上記第１の絶縁層内部に設けられたビア導体、及び、上記第２の絶縁層の内部に設けられたビア導体は、いずれもめっき金属からなることが好ましい。【００２１】
本発明の多層配線基板においては、上記第１の絶縁層及び上記第２の絶縁層のうち、一方の絶縁層が１層から構成され、他方の絶縁層が２層以上から構成されてもよい。この場合、上記１層から構成される絶縁層の内部に設けられたビア導体は、めっき金属からなり、上記２層以上から構成される絶縁層の内部に設けられたビア導体は、金属ピンからなることが好ましい。【００２２】
本発明の多層配線基板においては、上記第３の絶縁層が１層から構成されてもよい。この場合、上記第３の絶縁層の内部に設けられたビア導体は、めっき金属からなることが好ましい。【００２３】
本発明の多層配線基板においては、上記第３の絶縁層が２層以上から構成されてもよい。この場合、上記第３の絶縁層の内部に設けられたビア導体は、金属ピンからなることが好ましい。【００２４】
本発明の多層配線基板において、基板全体の厚さは、基板全体の幅よりも大きくてもよい。【００２５】
本発明の電子機器は、第１の回路基板及び第２の回路基板と、上記第１の回路基板と上記第２の回路基板との間に配置され、複数の端子部を有するインターポーザ基板と、を備える電子機器であって、上記インターポーザ基板は、本発明の多層配線基板であり、上記第１の回路基板及び上記第２の回路基板は、上記多層配線基板のビア導体と電気的に接続されていることを特徴とする。【００２６】
本発明の電子機器において、上記インターポーザ基板には、高周波信号が通過することが好ましい。【００２７】
本発明の電子機器において、例えば、上記第１の回路基板は、アンテナであり、上記第２の回路基板は、高周波集積回路が実装された制御基板である。【００２８】
本発明の多層配線基板の製造方法は、上述した多層配線基板を製造する方法であって、一方の表面に導体箔が貼り付けられ、他方の表面に保護フィルムが貼り付けられた絶縁シートを準備する工程と、上記保護フィルム側から、上記保護フィルムを貫通する開口を形成するとともに、上記絶縁シートを貫通して上記導体箔に達するビアホールを形成する工程と、上記絶縁シートの上記ビアホール内にビア導体を形成する工程と、上記ビア導体上に導電性ペーストを塗布することにより、表面に露出している上記ビア導体の最大径よりも大きい最大径を有する導電性ペースト層を形成する工程と、上記ビア導体及び上記導電性ペースト層が形成された上記絶縁シートを複数枚積層し、熱処理によって一括圧着する工程と、を備えることを特徴とする。【００２９】
本発明の多層配線基板の製造方法において、上記導電性ペースト層を形成する工程では、上記保護フィルムの開口に上記導電性ペーストを充填することにより上記導電性ペースト層を形成し、その後、上記保護フィルムを剥がすことが好ましい。【００３０】
本発明の多層配線基板の製造方法において、上記保護フィルムの開口、及び、上記絶縁シートのビアホールは、いずれも、上記導体箔に向かって径が小さくなるテーパー形状を有することが好ましい。【００３１】
本発明の多層配線基板の製造方法において、上記開口のテーパー角は、上記ビアホールのテーパー角よりも大きいことが好ましい。【００３２】
本発明の多層配線基板の製造方法において、上記導電性ペーストは、Ｓｎ又はＳｎ合金からなる金属粉末と、Ｃｕ−Ｎｉ合金又はＣｕ−Ｍｎ合金からなる金属粉末とを含有することが好ましい。【００３３】
本発明の多層配線基板の製造方法において、上記導電性ペーストは、第１の金属からなる粒子と、第２の金属からなるナノ粒子とを含有し、上記第１の金属及び上記第２の金属はそれぞれ独立してＣｕ又はＡｇであることが好ましい。【００３４】
本発明の多層配線基板の製造方法において、上記導電性ペーストは、粒度分布の粒径ピークが０．１μｍ以上５．０μｍ以下の範囲にあるとともに、平均結晶子径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲にあるＣｕ粒子を含有することが好ましい。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によれば、ビア導体同士の間、又は、導体配線層とビア導体との間に絶縁層の材料が流れ込むことを防止できる多層配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】図１は、本発明の多層配線基板の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の多層配線基板の別の一例を模式的に示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の多層配線基板のさらに別の一例を模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の多層配線基板の具体例を模式的に示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の電子機器の一例を模式的に示す断面図である。
【図６】図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃ、図６Ｄ、図６Ｅ、図６Ｆ及び図６Ｇは、図１に示す多層配線基板の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図７】図７Ａ及び図７Ｂは、図２に示す多層配線基板の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図８】図８は、金属ピンと接合層との接合部の一例を模式的に示す拡大図である。
【図９】図９Ａ及び図９Ｂは、図３に示す多層配線基板の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図１０】図１０は、図４に示す多層配線基板の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図１１】図１１Ａ、図１１Ｂ及び図１１Ｃは、本発明の第１実施形態に係る導電性ペーストを用いて接合層を形成する場合の挙動を模式的に示す図である。
【図１２】図１２Ａは、実施例１で作製した多層配線基板の接合層付近におけるＣｕＳｎ、Ｓｎ及びＣｕのマッピング像であり、図１２Ｂは、図１２Ａと同じ位置におけるＣｕＮｉ、Ｎｉ及びＣｕのマッピング像である。
【図１３】図１３Ａ及び図１３Ｂは、本発明の第２実施形態に係る導電性ペーストを用いて接合層を形成する場合の挙動を模式的に示す図である。
【図１４】図１４Ａは、実施例２で作製した多層配線基板の接合層付近におけるＡｇのマッピング像であり、図１４Ｂは、図１４Ａと同じ位置におけるＣｕのマッピング像である。
【図１５】図１５Ａ及び図１５Ｂは、Ｃｕ粒子の焼結プロセスを模式的に示す図である。
【図１６】図１６は、実施例３で作製した多層配線基板の接合層付近を示すＳＥＭ写真である。
【図１７】図１７は、実施例３で作製した多層配線基板の接合層を示すＳＥＭ写真である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下、本発明の多層配線基板、電子機器、及び、多層配線基板の製造方法について説明する。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する本発明の個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
【００３８】
＜多層配線基板＞
図１は、本発明の多層配線基板の一例を模式的に示す断面図である。
図１には全体的な構成が示されていないが、多層配線基板１は、少なくとも、第１の絶縁層１１と、第１の絶縁層１１に積層された第２の絶縁層１２とを備えている。第１の絶縁層１１及び第２の絶縁層１２の内部には、それぞれビア導体２１及び２２が設けられている。ビア導体２１とビア導体２２とは導電性の接合層３１によって接合されている。図１に示す多層配線基板１では、第１の絶縁層１１及び第２の絶縁層１２が、いずれも１層から構成されている。
【００３９】
図１に示すように、第１の絶縁層１１と第２の絶縁層１２とは、接合層３１の位置を境界として、直接接合されている。
なお、図１においては、説明の便宜のために、第１の絶縁層１１と第２の絶縁層１２との境界が示されているが、このような境界は明瞭に現れなくてもよい。
特許文献１に記載された電気回路基板と異なり、接着層を介さずに第１の絶縁層と第２の絶縁層とを直接接合させることにより、多層配線基板の低背化が可能となる。
【００４０】
図１に示す多層配線基板１において、接合層３１の最大径をａ１とし、接合層３１との界面におけるビア導体２１及び２２の最大径をｂ１としたとき、ａ１＞ｂ１の関係が成り立っている。また、接合層３１の最大厚さをｔ１とし、ビア導体２１及び２２の最大厚さをＴ１としたとき、ｔ１＜Ｔ１の関係が成り立っている。
【００４１】
図１に示す多層配線基板１は、さらに、第１の絶縁層１１に積層された第３の絶縁層１３を備えている。第３の絶縁層１３側の第１の絶縁層１１の表面には導体配線層４１が設けられており、第３の絶縁層１３の内部にはビア導体２３が設けられている。導体配線層４１とビア導体２３とは導電性の接合層３２によって接合されている。
【００４２】
図１に示すように、第１の絶縁層１１と第３の絶縁層１３とは、導体配線層４１が設けられていない領域において、直接接合されている。第１の絶縁層１１と第３の絶縁層１３との境界は明瞭に現れなくてもよい。
上記と同様、接着層を介さずに第１の絶縁層と第３の絶縁層とを直接接合させることにより、多層配線基板の低背化が可能となる。
【００４３】
図１に示す多層配線基板１において、接合層３２の最大径をａ２とし、接合層３２との界面におけるビア導体２３の最大径をｂ２としたとき、ａ２＞ｂ２の関係が成り立っている。また、接合層３２の最大厚さをｔ２とし、ビア導体２３の最大厚さをＴ２としたとき、ｔ２＜Ｔ２の関係が成り立っている。
【００４４】
本発明の第１の態様に係る多層配線基板においては、上記のように、接合層の最大径をａ１とし、接合層との界面におけるビア導体の最大径をｂ１としたとき、ａ１＞ｂ１の関係が成り立つことを特徴とする。
ａ１＞ｂ１の関係が成り立つということは、接合層がビア導体からはみ出していることを意味する。したがって、ａ１＞ｂ１の関係が成り立つように接合層を設けることにより、ビア導体同士の間に第１絶縁層及び第２絶縁層の材料が流れ込むことを防止できる。
【００４５】
後述するように、接合層は、ビア導体との接合性を持たせるため、例えば、金属間化合物を用いて形成される。一方、ビア導体は、金属含有量が９９重量％以上の材料を用いて形成することができる。このように、ビア導体との接合性を重視すると、接合層の導電率はビア導体の導電率よりも低くなりやすい。そこで、接合層の最大径をビア導体の最大径よりも大きくすることによって、接合部分における導体損を低減することができる。
【００４６】
なお、接合層の最大径ａ１とは、図１を参照すると、ビア導体２１又は２２との界面に関わらず、積層方向から見た平面視において、接合層３１を２本の平行線で挟んだ場合の最大長さを意味する。一方、ビア導体の最大径ｂ１とは、積層方向から見た平面視において、接合層３１との界面におけるビア導体２１を２本の平行線で挟んだ場合の最大長さ、及び、接合層３１との界面におけるビア導体２２を２本の平行線で挟んだ場合の最大長さのうち長い方を意味する。
【００４７】
本発明の第１の態様に係る多層配線基板においては、積層方向から見た平面視において、接合層の外縁の少なくとも一部がビア導体の外縁よりも外側に位置していればよく、接合層の外縁の全部がビア導体の外縁よりも外側に位置していなくてもよい。積層方向から見た平面視において、接合層の外縁は、少なくとも一方のビア導体の外縁よりも外側に位置することが好ましく、両方のビア導体の外縁よりも外側に位置することがより好ましい。
【００４８】
本発明の第１の態様に係る多層配線基板においては、接合層の最大厚さをｔ１とし、ビア導体の最大厚さをＴ１としたとき、ｔ１＜Ｔ１の関係が成り立つことが好ましい。
接合層の最大厚さをビア導体の最大厚さよりも小さくすることによって、層間接続方向の導体損を低減することができる。
【００４９】
なお、接合層の最大厚さｔ１とは、図１に示すように、接合層３１を２本の平行線で挟んだ場合の最大長さを意味する。一方、ビア導体の最大厚さＴ１とは、図１に示すように、ビア導体２１を２本の平行線で挟んだ場合の最大長さ、及び、ビア導体２２を２本の平行線で挟んだ場合の最大長さのうち長い方を意味する。
【００５０】
また、本発明の第２の態様に係る多層配線基板においては、上記のように、接合層の最大径をａ２とし、接合層との界面におけるビア導体の最大径をｂ２としたとき、ａ２＞ｂ２の関係が成り立つことを特徴とする。
ａ２＞ｂ２の関係が成り立つということは、接合層がビア導体からはみ出していることを意味する。したがって、ａ２＞ｂ２の関係が成り立つように接合層を設けることにより、導体配線層とビア導体との間に第１絶縁層及び第３絶縁層の材料が流れ込むことを防止できる。
【００５１】
本発明の第１の態様と同様、接合層の導電率はビア導体及び導体配線層の導電率よりも低くなりやすい。そこで、接合層の最大径をビア導体の最大径よりも大きくすることによって、接合部分における導体損を低減することができる。
【００５２】
なお、接合層の最大径ａ２とは、図１を参照すると、ビア導体２３との界面に関わらず、積層方向から見た平面視において、接合層３２を２本の平行線で挟んだ場合の最大長さを意味する。一方、ビア導体の最大径ｂ２とは、積層方向から見た平面視において、接合層３２との界面におけるビア導体２３を２本の平行線で挟んだ場合の最大長さを意味する。
【００５３】
本発明の第２の態様に係る多層配線基板においては、積層方向から見た平面視において、接合層の外縁の少なくとも一部がビア導体の外縁よりも外側に位置していればよく、接合層の外縁の全部がビア導体の外縁よりも外側に位置していなくてもよい。
【００５４】
本発明の第２の態様に係る多層配線基板においては、接合層の最大厚さをｔ２とし、ビア導体の最大厚さをＴ２としたとき、ｔ２＜Ｔ２の関係が成り立つことが好ましい。
接合層の最大厚さをビア導体の最大厚さよりも小さくすることによって、層間接続方向の導体損を低減することができる。
【００５５】
なお、接合層の最大厚さｔ２とは、図１に示すように、接合層３２を２本の平行線で挟んだ場合の最大長さを意味する。一方、ビア導体の最大厚さＴ２とは、図１に示すように、ビア導体２３を２本の平行線で挟んだ場合の最大長さを意味する。
【００５６】
図２は、本発明の多層配線基板の別の一例を模式的に示す断面図である。
図２には全体的な構成が示されていないが、多層配線基板２は、少なくとも、第１の絶縁層１１と、第１の絶縁層１１に積層された第２の絶縁層１２とを備えている。第１の絶縁層１１及び第２の絶縁層１２の内部には、それぞれビア導体２１及び２２が設けられている。ビア導体２１とビア導体２２とは導電性の接合層３１によって接合されている。図２に示す多層配線基板２では、第１の絶縁層１１が１層から構成されており、第２の絶縁層１２が２層から構成されている。
【００５７】
図３は、本発明の多層配線基板のさらに別の一例を模式的に示す断面図である。
図３には全体的な構成が示されていないが、多層配線基板３は、少なくとも、第１の絶縁層１１と、第１の絶縁層１１に積層された第３の絶縁層１３とを備えている。第３の絶縁層１３側の第１の絶縁層１１の表面には導体配線層４１が設けられており、第３の絶縁層１３の内部にはビア導体２３が設けられている。導体配線層４１とビア導体２３とは導電性の接合層３２によって接合されている。図３に示す多層配線基板３では、第３の絶縁層１３が２層から構成されている。
【００５８】
図４は、本発明の多層配線基板の具体例を模式的に示す断面図である。
図４に示す多層配線基板４は、少なくとも、第１の絶縁層１１と、第２の絶縁層１２とを備えている。図４に示す多層配線基板４では、３層から構成された第２の絶縁層１２のうち、中央の絶縁層の表面に信号線４２が形成されるとともに、上層及び下層にあたる絶縁層にそれぞれグランド導体４３が形成されることにより、信号線４２を２つのグランド導体４３で挟むような回路が形成されている。
【００５９】
図４に示す多層配線基板４では、信号線４２及び下層のグランド導体４３を基板の最表面に形成された導体配線層４１とそれぞれ導通させるために、層間接続導体を２層以上の絶縁層に貫通させる必要がある。このような場合、第２の絶縁層１２のそれぞれにビア導体を設け、各ビア導体を接合層によって接合するよりも、図４に示すように、金属ピン等を用いて１つの層間接続導体を複数の絶縁層に貫通させる方が、層間接続方向の導体損を低減することができる。
【００６０】
（絶縁層）
第１の絶縁層、第２の絶縁層及び第３の絶縁層等の絶縁層は、例えば、電気絶縁性を有する板状又はフィルム状の樹脂シートからなる。樹脂シートを構成する樹脂は、熱可塑性樹脂でも熱硬化性樹脂でもよいが、熱可塑性樹脂であることが好ましい。熱可塑性樹脂からなる樹脂シートを用いると、接着層を介さずに絶縁層同士を接合させることができる。
【００６１】
熱可塑性樹脂としては、例えば、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂（ＰＥＥＫ）、ポリフェニレンスルフィド樹脂（ＰＰＳ）等が挙げられる。これらの中では、液晶ポリマー（ＬＣＰ）が好ましい。液晶ポリマーは他の熱可塑性樹脂に比べて吸水率が低い。そのため、液晶ポリマーを絶縁層とする多層配線基板では、水分浸入に伴う電気特性の変化が生じ難い。
【００６２】
第１の絶縁層、第２の絶縁層及び第３の絶縁層等の絶縁層は、それぞれ、１層から構成されてもよいし、２層以上から構成されてもよい。言い換えると、ビア導体が、１層の絶縁層を厚さ方向に貫通するように設けられていてもよいし、２層以上の絶縁層を厚さ方向に貫通するように設けられていてもよい。
【００６３】
（導体配線層）
導体配線層は、絶縁層の主面方向に実質的に平行に設けられている。
導体配線層としては、公知の配線基板に用いられる導体配線層を使用することができる。導体配線層の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、ステンレス（ＳＵＳ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、及び、これらの合金等を用いることができる。これらの中では、銅（Ｃｕ）が特に好ましい。また、導体配線層は、導体箔からなることが好ましく、銅箔からなることが特に好ましい。
【００６４】
（ビア導体）
ビア導体は、少なくとも１層の絶縁層を厚さ方向に貫通するように設けられている。
ビア導体は、めっき金属からなるめっきビア導体であってもよいし、導電性ペーストの焼結体からなるペーストビア導体であってもよい。このようなビア導体は、例えば、絶縁層に設けられたビアホールにめっき金属又は導電性ペーストを充填することにより形成される。また、ビア導体は、金属ピンからなる導体であってもよい。金属ピンの形状としては、例えば円柱状等が挙げられる。抵抗を低くする観点からは、ビア導体は、めっき金属又は金属ピンからなることが好ましい。ビア導体が２層以上の絶縁層にわたる場合には、めっき金属からなるビア導体を形成するのに時間がかかるため、金属ピンからなるビア導体が好ましい。
【００６５】
例えば、第１の絶縁層及び第２の絶縁層がいずれも１層から構成される場合、第１の絶縁層内部に設けられたビア導体、及び、第２の絶縁層の内部に設けられたビア導体は、いずれもめっき金属からなることが好ましい。一方、第１の絶縁層及び第２の絶縁層のうち、一方の絶縁層が１層から構成され、他方の絶縁層が２層以上から構成される場合、１層から構成される絶縁層の内部に設けられたビア導体は、めっき金属からなり、２層以上から構成される絶縁層の内部に設けられたビア導体は、金属ピンからなることが好ましい。
【００６６】
また、第３の絶縁層が１層から構成される場合、第３の絶縁層の内部に設けられたビア導体は、めっき金属からなることが好ましい。一方、第３の絶縁層が２層以上から構成される場合、第３の絶縁層の内部に設けられたビア導体は、金属ピンからなることが好ましい。
【００６７】
ビア導体中の金属含有量は特に限定されないが、抵抗を低くする観点からは、９９重量％以上であることが好ましく、９９．５重量％以上であることがより好ましく、１００重量％であることが特に好ましい。すなわち、ビア導体は、単一の金属からなることが特に好ましい。
【００６８】
ビア導体の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、半田等を用いることができる。ビア導体がめっき金属からなる場合、銅／スズ、銅／銀等の複数のめっき層から構成されてもよい。
【００６９】
（接合層）
接合層は、後述する各実施形態で説明する導電性ペーストを用いて形成することが好ましい。
【００７０】
本発明の多層配線基板において、基板全体のサイズは特に限定されないが、基板全体の厚さは、基板全体の幅よりも大きくてもよい。
【００７１】
＜電子機器＞
本発明の多層配線基板は、好ましくは、インターポーザ基板として用いられる。
特に、第１の回路基板及び第２の回路基板と、上記第１の回路基板と上記第２の回路基板との間に配置され、複数の端子部を有するインターポーザ基板と、を備える電子機器であって、上記インターポーザ基板は、本発明の多層配線基板であり、上記第１の回路基板及び上記第２の回路基板は、上記多層配線基板のビア導体と電気的に接続されていることを特徴とする電子機器は、本発明の１つである。
【００７２】
図５は、本発明の電子機器の一例を模式的に示す断面図である。
図５に示す電子機器２００は、第１の回路基板２１０及び第２の回路基板２２０と、第１の回路基板２１０と第２の回路基板２２０との間に配置され、複数の端子部２３１を有するインターポーザ基板２３０と、を備えている。第２の回路基板２２０の表面には電子部品２４０が実装されており、電子部品２４０を回避するようにインターポーザ基板２３０が配置されている。
【００７３】
図５に示す電子機器２００では、インターポーザ基板２３０として、図２に示す多層配線基板２と同様の構成を有する多層配線基板が用いられており、ビア導体２１、ビア導体２２、接合層３１及び導体配線層４１等により端子部２３１が構成されている。
【００７４】
図５に示す電子機器２００においては、インターポーザ基板２３０全体の厚さをＴ２３０とし、インターポーザ基板２３０全体の幅をＷ２３０としたとき、Ｔ２３０＞Ｗ２３０の関係が成り立っている。
【００７５】
第１の回路基板２１０及び第２の回路基板２２０は、多層配線基板のビア導体２１及び２２と電気的に接続されている。
【００７６】
本発明の電子機器においては、インターポーザ基板として本発明の多層配線基板が用いられているため、層間接続方向の抵抗を低減させることができる。特に、図５に示すように、基板全体の厚さが基板全体の幅よりも大きい場合であっても、本発明の多層配線基板は層間接続方向の抵抗を低減させる効果が大きいため有利である。このような高密度配置は、スマートフォン等で用いられる。
【００７７】
本発明の電子機器において、インターポーザ基板には、高周波信号が通過することが好ましい。
インターポーザ基板に高周波信号が通過する場合には、導体損を低減することができる本発明の多層配線基板を用いることにより、特に伝送ロスを低減させることができる。
【００７８】
本発明の電子機器において、第１の回路基板及び第２の回路基板は特に限定されないが、例えば、第１の回路基板は、アンテナであり、第２の回路基板は、高周波集積回路（ＲＦＩＣ）が実装された制御基板である。
【００７９】
＜多層配線基板の製造方法＞
以下、本発明の多層配線基板の製造方法の一例について説明する。
本発明の多層配線基板の製造方法は、例えば、一方の表面から他方の表面まで貫通するビアホールを有する絶縁シートを準備する工程と、上記絶縁シートの上記ビアホール内にビア導体を形成する工程と、上記ビア導体が形成された上記絶縁シートを含む複数枚の絶縁シートを積層し、熱処理によって一括圧着する工程と、を備え、上記ビア導体は、導電性ペーストを用いて形成される導電性ペースト層を介して、他の絶縁シートに形成されたビア導体又は導体配線層と接合され、上記導電性ペースト層の最大径は、上記絶縁シートの表面に露出している上記ビア導体の最大径よりも大きい。
【００８０】
図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃ、図６Ｄ、図６Ｅ、図６Ｆ及び図６Ｇは、図１に示す多層配線基板の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【００８１】
（絶縁シートを準備する工程）
図６Ａに示すように、一方の表面に導体箔１４１が貼り付けられ、他方の表面に保護フィルム１５１が貼り付けられた絶縁シート１１１を準備する。絶縁シートは、第１の絶縁層等の絶縁層となるものである。
【００８２】
例えば、厚さ５０μｍの絶縁シートの一方の表面に厚さ１２μｍの銅箔が貼り付けられた周知の片面銅張積層板を準備し、この片面銅張積層板の絶縁シート側に厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを貼り付ける。
【００８３】
絶縁シートとしては、例えば、上述した熱可塑性樹脂等の樹脂を含む絶縁性の樹脂シートが用いられる。絶縁シートの厚さは、例えば、１３μｍ、１８μｍ、２５μｍ、５０μｍ、１００μｍ、２５０μｍ、５００μｍ、１０００μｍ、２０００μｍである。
【００８４】
導体箔の材料としては、例えば、銅、銀、アルミニウム、ステンレス、ニッケル、金、及び、これらの合金等を用いることができる。導体箔の中では、銅箔が好ましい。導体箔の厚さは、例えば、６μｍ、１２μｍ、１８μｍ、２５μｍ、３５μｍである。
【００８５】
保護フィルムの材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等を用いることができる。保護フィルムの厚さは、例えば、１２μｍ、１６μｍ、２５μｍである。
【００８６】
（開口及びビアホールを形成する工程）
図６Ｂに示すように、保護フィルム１５１側から、保護フィルム１５１を貫通する開口１５１ａを形成するとともに、絶縁シート１１１を貫通して導体箔１４１に達するビアホール１１１ａを形成する。
【００８７】
例えば、所定の位置にＰＥＴフィルム側からレーザー照射を行うことにより、ＰＥＴフィルムを貫通する開口を形成するとともに、絶縁シートを貫通して銅箔の裏側（図６Ｂでは上側）に達するビアホールを形成する。レーザー加工は、例えば、パルス発振型炭酸ガスレーザー加工装置によって行われ、ビアホールの直径は１００μｍとする。この後、内部に残留する樹脂を取り除くため、例えば酸素プラズマ放電処理、コロナ放電処理等によるデスミア処理を行うことが好ましい。樹脂の除去は、過マンガン酸カリウム処理等によってもよい。
【００８８】
図６Ｂに示すように、保護フィルム１５１の開口１５１ａ、及び、絶縁シート１１１のビアホール１１１ａは、いずれも、導体箔１４１に向かって径が小さくなるテーパー形状を有することが好ましい。
保護フィルムの開口、及び、絶縁シートのビアホールが上記のテーパー形状を有していると、保護フィルムの開口を利用して接合層を形成する場合、接合層の最大径をビア導体の最大径よりも大きくすることができる。
【００８９】
また、ＰＥＴフィルム等の保護フィルムの融点は絶縁シートの融点に比べて大幅に低いため、レーザー照射によって保護フィルムが溶融し、図６Ｂに示すように、保護フィルム１５１の開口１５１ａのテーパー角が絶縁シート１１１のビアホール１１１ａのテーパー角よりも大きくなる。
このように、保護フィルムの開口のテーパー角は、絶縁シートのビアホールのテーパー角よりも大きいことが好ましい。保護フィルムの開口のテーパー角が絶縁シートのビアホールのテーパー角よりも大きいと、保護フィルムの開口を利用して接合層を形成する場合、接合層の最大径をビア導体の最大径よりもさらに大きくすることができる。
【００９０】
（ビア導体を形成する工程）
図６Ｃに示すように、絶縁シート１１１のビアホール１１１ａ内にビア導体２１を形成する。
【００９１】
例えば、銅箔を一方の電極とした電気めっきにより、ビアホール内にめっきビア導体を形成する。ビア導体を構成する金属は、めっき可能な金属であれば特に限定されないが、銅（Ｃｕ）が最も好ましい。
【００９２】
ビア導体の充填量は特に限定されないが、例えば、ビア導体の上面が絶縁シートの表面から僅かに低くなる程度でよい。
【００９３】
ビア導体を形成した後、銅箔を周知のエッチング手法によりエッチングすることにより、導体配線層を形成する。なお、導体配線層を形成するタイミングは特に限定されず、図６Ｄ以降では導体配線層４１としている。
【００９４】
（導電性ペースト層を形成する工程）
図６Ｄ及び図６Ｅに示すように、ビア導体２１上に導電性ペーストを塗布することにより、表面に露出しているビア導体２１の最大径よりも大きい最大径を有する導電性ペースト層１３１を形成する。
【００９５】
例えば、ビアホール内のめっきビア導体に重ねるように、ＰＥＴフィルムの開口に導電性ペーストを充填する。この場合、ＰＥＴフィルムをマスクとした印刷のような形態になるから、導電性ペーストはＰＥＴフィルムと面一になる状態まで充填され、めっきビア導体と一体になった貫通導体が形成される。導電性ペーストを乾燥させた後、ＰＥＴフィルムを剥がすと、貫通導体は、絶縁シートの銅箔とは反対側の面から僅かに（例えば２５μｍ程度）突出している。
【００９６】
このように、導電性ペースト層を形成する工程では、保護フィルムの開口に導電性ペーストを充填することにより導電性ペースト層を形成し、その後、保護フィルムを剥がすことが好ましい。
特に、保護フィルムの開口、及び、絶縁シートのビアホールが上記のテーパー形状を有している場合、表面に露出しているビア導体の最大径よりも導電性ペースト層の最大径を大きくすることができる。
【００９７】
なお、導電性ペーストを塗布する方法としては、保護フィルムを剥がした後、インクジェット、エアロゾルジェット等のディスペンス装置を用いて印刷する方法でもよい。
【００９８】
（絶縁シートを積層し、一括圧着する工程）
このようにしてビア導体及び導電性ペースト層が形成された絶縁シートを複数枚積層し、熱処理によって一括圧着する。図６Ｆでは、ビア導体２１及び導電性ペースト層１３１が形成された絶縁シート１１１を含む４枚の絶縁シートを積層している。積層後、熱処理によって圧着することにより、絶縁シートが絶縁層となるとともに、導電性ペースト層が接合層となる。その結果、図６Ｇに示すように、図１に示す多層配線基板１が得られる。
【００９９】
図７Ａ及び図７Ｂは、図２に示す多層配線基板の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【０１００】
図７Ａでは、２枚の絶縁シート１１２のビアホール１１２ａ内に金属ピンを挿入することにより、ビア導体２２が形成される。そして、導体配線層４１、ビア導体２１及び導電性ペースト層１３１が形成された絶縁シート１１１と、ビア導体２２が形成された絶縁シート１１２とを含む複数枚の絶縁シートを積層する。
【０１０１】
積層後、熱処理によって一括圧着する。これにより、絶縁シートは絶縁層となるとともに、導電性ペースト層が接合層となる。この際、絶縁シートの材料として熱可塑性樹脂を用いることで、加熱及び加圧時にビアホール１１２ａと金属ピン（ビア導体２２）の隙間が流動した樹脂で充填されるため、金属ピンを固定することができる。さらに、金属ピン（ビア導体２２）とビア導体２１は、導電性ペーストから形成された接合材で導通接続される。その結果、図７Ｂに示すように、図２に示す多層配線基板２が得られる。
【０１０２】
図８は、金属ピンと接合層との接合部の一例を模式的に示す拡大図である。
図８中の破線で囲まれた部分で示すように、接合層３１となる接合材をビアホール１１２ａの一部に回り込ませてもよい。このようにすることで、金属ピン（ビア導体２２）の側面も接合面にすることができるため、金属ピン（ビア導体２２）と接合層３１との接合強度をさらに高くすることができる。
【０１０３】
図９Ａ及び図９Ｂは、図３に示す多層配線基板の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【０１０４】
図９Ａでは、２枚の絶縁シート１１３のビアホール１１３ａ内に金属ピンを挿入することにより、ビア導体２３が形成される。そして、導体配線層４１及び導電性ペースト層１３２が形成された絶縁シート１１１と、ビア導体２３が形成された絶縁シート１１３とを含む複数枚の絶縁シートを積層する。
【０１０５】
積層後、熱処理によって一括圧着する。これにより、絶縁シートは絶縁層となるとともに、導電性ペースト層が接合層となる。その結果、図９Ｂに示すように、図３に示す多層配線基板３が得られる。
【０１０６】
図１０は、図４に示す多層配線基板の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
図１０では、複数枚の絶縁シート１１２を貫通する金属ピンによってビア導体２２が形成される。そして、導体配線層４１、ビア導体２１及び導電性ペースト層１３１が形成された絶縁シート１１１と、信号線４２が形成された絶縁シート１１２と、グランド導体４３が形成された絶縁シート１１２とを含む複数枚の絶縁シートを積層する。
積層後、熱処理によって一括圧着することにより、図４に示す多層配線基板４が得られる。
【０１０７】
本発明の多層配線基板の製造方法において、複数の絶縁層を貫通する金属ピンをビア導体として形成する必要がある場合には、上述したように一括プレスする方法に限らず、金属ピンを固定する工程と、金属ピンを他のビア導体と接合する工程とを分けて実施してもよい。例えば、ビア導体２２となる金属ピンを絶縁シート１１２に固定した後、ビア導体２１及び導電性ペースト層１３１が形成された絶縁シート１１１に積層し、これらを圧着することにより、ビア導体２１と金属ピン（ビア導体２２）を接合材で接続してもよい。
【０１０８】
また、絶縁シートが熱可塑性樹脂からなり、ビア導体が金属ピンからなる場合、積層体を熱処理によって一括圧着する際に、金属ピンの周りに熱可塑性樹脂が流入し、金属ピンが固定される。ここで、接合層となる導電性ペースト層の最大径をビア導体の最大径よりも大きくすることにより、樹脂の流入に伴う金属ピンの位置ずれを防止することができる。その結果、金属ピンの位置ずれによる接合不良を抑制することができる。
【０１０９】
以下、接合層を形成するために用いる導電性ペーストの実施形態について説明する。
以下に示す各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもない。第２実施形態以降では、第１実施形態と共通の事項についての記述は省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については、実施形態毎には逐次言及しない。
【０１１０】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態では、接合層を形成するために用いる導電性ペーストは、Ｓｎ又はＳｎ合金からなる金属粉末と、Ｃｕ−Ｎｉ合金又はＣｕ−Ｍｎ合金からなる金属粉末とを含有する。
【０１１１】
図１１Ａ、図１１Ｂ及び図１１Ｃは、本発明の第１実施形態に係る導電性ペーストを用いて接合層を形成する場合の挙動を模式的に示す図である。
図１１Ａは加熱前の状態を示しており、Ｓｎ又はＳｎ合金６１からなる金属粉末と、Ｃｕ−Ｎｉ合金又はＣｕ−Ｍｎ合金６２からなる金属粉末とを含有する導電性ペーストが、ビア導体２１とビア導体２２との間に配置されている。この状態で加熱し、導電性ペーストの温度がＳｎ又はＳｎ合金６１の融点以上に達すると、図１１Ｂに示すように、Ｓｎ又はＳｎ合金６１が溶融する。さらに加熱が続くと、図１１Ｃに示すように、Ｓｎ又はＳｎ合金６１とＣｕ−Ｎｉ合金又はＣｕ−Ｍｎ合金６２とが反応して金属間化合物６３（例えば（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５、（Ｃｕ，Ｍｎ）６Ｓｎ５、（Ｃｕ，Ｎｉ）３Ｓｎ、（Ｃｕ，Ｍｎ）３Ｓｎ等）が生成する。また、金属間化合物６３は、Ｓｎ又はＳｎ合金６１とビア導体２１又は２２を構成するＣｕ等と反応することによっても生成する（例えばＣｕ６Ｓｎ５、Ｃｕ３Ｓｎ等）。
【０１１２】
Ｓｎ又はＳｎ合金からなる金属粉末と、Ｃｕ−Ｎｉ合金又はＣｕ−Ｍｎ合金からなる金属粉末とを含有する導電性ペーストが導体配線層とビア導体との間に配置された場合においても、上記と同様の反応が起こり、金属間化合物が生成する。
【０１１３】
以上より、本発明の第１実施形態においては、金属間化合物を含む接合層を介してビア導体同士、又は、導体配線層とビア導体とが接合される。
【０１１４】
本発明の第１実施形態に係る導電性ペーストとしては、例えば、特許第５１４６６２７号公報に記載された導電性ペースト等を用いることができる。
【０１１５】
導電性ペーストに含有されるＳｎ又はＳｎ合金としては、例えば、Ｓｎ単体、又は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｐｄ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｅ及びＰからなる群より選ばれる少なくとも１種とＳｎとを含む合金等が挙げられる。Ｓｎ合金は、Ｓｎを７０重量％以上含有することが好ましく、８５重量％以上含有することがより好ましい。
【０１１６】
導電性ペーストに含有されるＣｕ−Ｎｉ合金中のＮｉの比率は、１０重量％以上１５重量％以下であることが好ましい。また、Ｃｕ−Ｍｎ合金中のＭｎの比率は、１０重量％以上１５重量％以下であることが好ましい。これにより、所望の金属間化合物を生成するのに必要十分なＮｉ又はＭｎを供給することができる。Ｃｕ−Ｎｉ合金中のＮｉの比率及びＣｕ−Ｍｎ合金中のＭｎの比率が１０重量％未満である場合、Ｓｎの一部が金属間化合物とならずに残留しやすくなる。また、Ｃｕ−Ｎｉ合金中のＮｉの比率及びＣｕ−Ｍｎ合金中のＭｎの比率が１５重量％を超える場合も、Ｓｎの一部が金属間化合物とならずに残留しやすくなる。
【０１１７】
なお、Ｃｕ−Ｎｉ合金又はＣｕ−Ｍｎ合金は、Ｍｎ及びＮｉを同時に含んでいてもよく、また、Ｐ等の第３成分を含んでいてもよい。
【０１１８】
Ｓｎ又はＳｎ合金からなる金属粉末、及び、Ｃｕ−Ｎｉ合金又はＣｕ−Ｍｎ合金からなる金属粉末の算術平均粒径は、それぞれ３μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。これらの金属粉末の平均粒径が小さすぎると、製造コストが高くなる。また、金属粉末の酸化が進み、反応を阻害しやすくなる。一方、これらの金属粉末の平均粒径が大きすぎると、導電性ペーストをビアホールに充填しにくくなる。
【０１１９】
導電性ペースト中の金属成分に占めるＣｕ−Ｎｉ合金又はＣｕ−Ｍｎ合金の割合は、３０重量％以上であることが好ましい。すなわち、導電性ペースト中の金属成分に占めるＳｎ又はＳｎ合金の割合は、７０重量％以下であることが好ましい。この場合、Ｓｎの残留割合がより低減され、金属間化合物の割合を増加させることができる。
【０１２０】
導電性ペースト中に占める金属成分の比率は、８５重量％以上９５重量％以下であることが好ましい。金属成分が９５重量％を超えると、充填性に優れた低粘度の導電性ペーストを得ることが困難になる。一方、金属成分が８５重量％未満であると、フラックス成分が残存しやすくなる。
【０１２１】
導電性ペーストは、フラックス成分を含むことが好ましい。フラックス成分としては、導電性ペーストの材料に用いられる種々公知のフラックス成分を用いることができ、樹脂を含む。樹脂以外の成分としては、例えば、ビヒクル、溶剤、チキソ剤、活性剤等が挙げられる。
【０１２２】
上記樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂又はその変性樹脂、及び、アクリル樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の熱硬化性樹脂、又は、ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリメタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂及びセルロース系樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種の熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。
【０１２３】
上記ビヒクルとしては、例えば、ロジン及びそれを変性した変性ロジン等の誘導体からなるロジン系樹脂、合成樹脂、又は、これらの混合体等が挙げられる。上記ロジン及びそれを変性した変性ロジン等の誘導体からなるロジン系樹脂としては、例えば、ガムロジン、トールロジン、ウッドロジン、重合ロジン、水素添加ロジン、ホルミル化ロジン、ロジンエステル、ロジン変性マレイン酸樹脂、ロジン変性フェノール樹脂、ロジン変性アルキド樹脂、その他各種ロジン誘導体等が挙げられる。上記ロジン及びそれを変性した変性ロジン等の誘導体からなる合成樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、テルペン樹脂等が挙げられる。
【０１２４】
上記溶剤としては、アルコール、ケトン、エステル、エーテル、芳香族系、炭化水素類等が知られており、具体的な例としては、ベンジルアルコール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、ジエチレングリコール、エチレングリコール、グリセリン、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、酢酸エチル、酢酸ブチル、安息香酸ブチル、アジピン酸ジエチル、ドデカン、テトラデセン、α−ターピネオール、テルピネオール、２−メチル−２，４−ペンタンジオール、２−エチルヘキサンジオール、トルエン、キシレン、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジイソブチルアジペート、へキシレングリコール、シクロヘキサンジメタノール、２−ターピニルオキシエタノール、２−ジヒドロターピニルオキシエタノール、それらを混合したもの等が挙げられる。好ましくは、テルピネオール、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルである。
【０１２５】
上記チキソ剤の具体的な例としては、硬化ヒマシ油、カルナバワックス、アミド類、ヒドロキシ脂肪酸類、ジベンジリデンソルビトール、ビス（ｐ−メチルベンジリデン）ソルビトール類、蜜蝋、ステアリン酸アミド、ヒドロキシステアリン酸エチレンビスアミド等が挙げられる。また、これらに必要に応じてカプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘニン酸のような脂肪酸、１，２−ヒドロキシステアリン酸のようなヒドロキシ脂肪酸、酸化防止剤、界面活性剤、アミン類等を添加したものもチキソ剤として用いることができる。
【０１２６】
上記活性剤としては、例えば、アミンのハロゲン化水素酸塩、有機ハロゲン化合物、有機酸、有機アミン、多価アルコール等が挙げられる。
【０１２７】
上記アミンのハロゲン化水素酸塩としては、例えば、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩、ジフェニルグアニジン塩酸塩、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、エチルアミン塩酸塩、エチルアミン臭化水素酸塩、ジエチルアニリン臭化水素酸塩、ジエチルアニリン塩酸塩、トリエタノールアミン臭化水素酸塩、モノエタノールアミン臭化水素酸塩等が挙げられる。
【０１２８】
上記有機ハロゲン化合物としては、例えば、塩化パラフィン、テトラブロモエタン、ジブロモプロパノール、２，３−ジブロモ−１，４−ブタンジオール、２，３−ジブロモ−２−ブテン−１，４−ジオール、トリス（２，３−ジブロモプロピル）イソシアヌレート等が挙げられる。
【０１２９】
上記有機酸としては、例えば、マロン酸、フマル酸、グリコール酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、フェニルコハク酸、マレイン酸、サルチル酸、アントラニル酸、グルタル酸、スベリン酸、アジピン酸、セバシン酸、ステアリン酸、アビエチン酸、安息香酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、ドデカン酸等が挙げられる。
【０１３０】
上記有機アミンとしては、例えば、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリブチルアミン、アニリン、ジエチルアニリン等が挙げられる。
【０１３１】
上記多価アルコールとしては、例えば、エリスリトール、ピロガロール、リビトール等が挙げられる。
【０１３２】
本発明の第１実施形態に係る多層配線基板において、ビア導体は、銅からなることが好ましく、めっき銅からなることが特に好ましい。また、導体配線層は、銅からなることが好ましく、銅箔からなることが特に好ましい。
【０１３３】
本発明の第１実施形態に係る多層配線基板の製造方法において、複数枚の絶縁シートを圧着する工程では、熱処理の温度は、少なくとも一定時間、２３０℃以上に達することが好ましい。熱処理の温度が２３０℃に達しない場合には、Ｓｎ（融点：２３２℃）が溶融状態とならず、金属間化合物を生成することができない。また、熱処理の最高温度は、３５０℃以下であることが好ましい。熱処理の最高温度が３５０℃を超えると、絶縁シートを構成する液晶ポリマー（ＬＣＰ）等の樹脂が流れ出してしまう虞がある。
【０１３４】
（実施例１）
平均粒径５μｍのＳｎ粉末と、平均粒径５μｍのＣｕ−１０Ｎｉ合金粉末（Ｃｕ／Ｎｉの重量比は９０／１０）とを、６０：４０の重量比率で配合した金属成分に対し、ロジン（ビヒクル）及びテルピネオール（溶剤）からなるフラックス成分を、金属成分：フラックス成分の重量比率が９０：１０となるように配合し、それらを混練することにより導電性ペーストを調製した。
【０１３５】
絶縁シートとして厚さ５０μｍのＬＣＰシートの一方の表面に厚さ６μｍの銅箔が貼り付けられ、他方の表面に厚さ２５μｍのＰＥＴシートが貼り付けられた銅張シートを準備し、炭酸ガスレーザーを照射して直径１００μｍの開口及びビアホールを形成した。ビアホール内にめっき銅からなるビア導体を形成した。調製した上記導電性ペーストをＰＥＴフィルムの開口に充填することにより、導電性ペースト層をビア導体上に形成した。ＰＥＴシートを剥がしたＬＣＰシートを、５層目と６層目の間で反転するように合計１０層積層し、温度３００℃で高圧プレスを実施した。別途、ＰＥＴシートを剥がしたＬＣＰシートを、３層目と４層目の間で反転するように合計６層積層し、温度３００℃で高圧プレスを実施した。以上により、２種類の多層配線基板を作製した。
【０１３６】
（参考例１）
実施例１と異なり、参考例１では、接合層となる導電性ペースト層を形成しなかった。また、参考例１では、めっき銅からなるビア導体に代えて、上記導電性ペーストをビアホール内に充填することにより、導電性ペーストの焼結体からなるビア導体を形成した。以上の点を除いて、実施例１と同様の方法により、２種類の多層配線基板を作製した。
【０１３７】
実施例１及び参考例１におけるビア導体の直流抵抗（ＤＣＲ）の値を表１に示す。表１には、初期抵抗値、及び、２４５℃で３０分間熱処理を行った後の抵抗値を示している。
【０１３８】
【表１】
2018216597.tif 000003
【０１３９】
表１より、実施例１では、各層のビア導体同士、及び、導体配線層とビア導体とが接合層を介して接合されるため、電気的に接続されることが分かる。また、実施例１では、ビア導体がめっき金属からなるため、導電性ペーストの焼結体からなる参考例１と比べて抵抗が低いことも分かる。
【０１４０】
実施例１で作製した多層配線基板の断面について、波長分散型Ｘ線分析（ＷＤＸ）による元素分析を行った。
【０１４１】
図１２Ａは、実施例１で作製した多層配線基板の接合層付近におけるＣｕＳｎ、Ｓｎ及びＣｕのマッピング像であり、図１２Ｂは、図１２Ａと同じ位置におけるＣｕＮｉ、Ｎｉ及びＣｕのマッピング像である。
図１２Ａより、接合層３１は、ビア導体２１及び２２との界面に、それぞれ、Ｃｕ成分とＳｎ成分とを含む金属間化合物層Ｍを備えている。さらに、図１２Ｂより、接合層３１は、金属間化合物層Ｍと金属間化合物層Ｍとの間に、Ｃｕ成分とＮｉ成分とを含む金属間化合物層Ｎを備えている。すなわち、接合層３１は、Ｃｕ成分とＳｎ成分とを含む金属間化合物層Ｍと、Ｃｕ成分とＮｉ成分とを含む金属間化合物層Ｎと、Ｃｕ成分とＳｎ成分とを含む金属間化合物層Ｍと、をこの順に備える３層構造を有している。
【０１４２】
このように、本発明の第１実施形態に係る多層配線基板において、接合層は、少なくともビア導体又は導体配線層との界面に、Ｃｕ成分とＳｎ成分とを含む金属間化合物層Ｍを備えることが好ましい。
【０１４３】
また、上記接合層は、Ｃｕ成分とＳｎ成分とを含む金属間化合物層Ｍと、Ｃｕ成分とＮｉ成分及びＭｎ成分の一方とを含む金属間化合物層Ｎと、上記金属間化合物層Ｍと、をこの順に備えることが好ましい。Ｃｕ成分とＮｉ成分とを含む金属間化合物又はＣｕ成分とＭｎ成分とを含む金属間化合物の融点は、Ｃｕ成分とＳｎ成分とを含む金属間化合物の融点よりも高いため、金属間化合物層Ｎを金属間化合物層Ｍの間に挟むことによって、信頼性が向上する。
【０１４４】
金属間化合物層Ｍと金属間化合物層Ｎとの界面は、図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、明確な境界がなく、徐々に組成が変化していることが好ましい。
この場合、応力が分散され、外部応力に対する破壊強度が高くなる。
【０１４５】
なお、金属間化合物層Ｍは、Ｃｕ成分及びＳｎ成分以外の第３成分を含んでいてもよいし、金属間化合物層Ｎは、Ｃｕ成分及びＮｉ成分あるいはＣｕ成分及びＭｎ成分以外の第３成分を含んでいてもよい。
【０１４６】
本発明の第１実施形態においては、各層のビア導体同士、及び、導体配線層とビア導体とが接合層を介して電気的に接続されているため、低抵抗となる。
【０１４７】
さらに、各層のビア導体同士の間、及び、導体配線層とビア導体との間に金属間化合物層が形成され、化学的物理的に接続されている。接合層の融点は４００℃以上（例えば４３０℃程度）となっているため、高温高湿試験、ヒートサイクル等の環境試験による劣化を抑制することができる。
【０１４８】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態では、接合層を形成するために用いる導電性ペーストは、第１の金属からなる粒子と、第２の金属からなるナノ粒子とを含有し、上記第１の金属及び上記第２の金属はそれぞれ独立してＣｕ又はＡｇである。
【０１４９】
図１３Ａ及び図１３Ｂは、本発明の第２実施形態に係る導電性ペーストを用いて接合層を形成する場合の挙動を模式的に示す図である。
図１３Ａは加熱前の状態を示しており、第１の金属７１からなる粒子と、第２の金属７２からなるナノ粒子とを含有する導電性ペーストが、ビア導体２１とビア導体２２との間に配置されている。この状態で加熱すると、図１３Ｂに示すように、第２の金属７２からなるナノ粒子が４００℃未満で溶融することにより、金属焼結体層が形成される。
【０１５０】
第１の金属からなる粒子と、第２の金属からなるナノ粒子とを含有する導電性ペーストが導体配線層とビア導体との間に配置された場合においても、上記と同様の反応が起こり、金属焼結体層が形成される。
【０１５１】
以上より、本発明の第２実施形態においては、金属焼結体層を介してビア導体同士、又は、導体配線層とビア導体とが接合される。
【０１５２】
導電性ペーストに含有される第１の金属は、Ｃｕ又はＡｇである。導電性ペーストは、第１の金属からなる粒子として、平均粒径の異なる２種類以上の粒子を含有していてもよい。
【０１５３】
第１の金属からなる粒子の平均粒径は特に限定されないが、３００ｎｍ以上であることが好ましく、また、２０００ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１５４】
第１の金属からなる粒子の平均粒径は、体積累積粒度分布曲線における累積度５０％粒子径であり、例えば、レーザー回折・散乱式粒子径分布測定装置（マイクロトラック・ベル社製ＭＴ３３００−ＥＸ）を使用して測定することができる。後述する第２の金属からなるナノ粒子の平均粒径についても同様である。
【０１５５】
導電性ペーストに含有される第２の金属は、Ｃｕ又はＡｇである。第２の金属は、第１の金属と同じであってもよいし、異なっていてもよい。したがって、第１の金属と第２の金属の組み合わせとしては、ＣｕとＡｇ、ＡｇとＡｇ、ＡｇとＣｕ、ＣｕとＣｕの組み合わせが挙げられる。導電性ペーストは、第２の金属からなるナノ粒子として、平均粒径の異なる２種類以上のナノ粒子を含有していてもよい。
【０１５６】
第２の金属からなるナノ粒子の平均粒径は特に限定されないが、１５０ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましい。また、第２の金属からなるナノ粒子の平均粒径は、例えば、３ｎｍ以上である。
【０１５７】
本発明の第２実施形態に係る導電性ペーストとしては、例えば、表２に示す市販の導電性ペースト等を用いることができる。
【０１５８】
【表２】
2018216597.tif 000004
【０１５９】
（実施例２）
絶縁シートとして厚さ５０μｍのＬＣＰシートの一方の表面に厚さ６μｍの銅箔が貼り付けられ、他方の表面に厚さ２５μｍのＰＥＴシートが貼り付けられた銅張シートを準備し、炭酸ガスレーザーを照射して直径１００μｍの開口及びビアホールを形成した。ビアホール内にめっき銅からなるビア導体を形成した。導電性ペーストとして日本スペリア社製ＡＮＰ−４（表２参照）をＰＥＴフィルムの開口に充填することにより、導電性ペースト層をビア導体上に形成した。ＰＥＴシートを剥がしたＬＣＰシートを、５層目と６層目の間で反転するように合計１０層積層し、温度３００℃で高圧プレスを実施した。以上により、多層配線基板を作製した。
【０１６０】
実施例２で作製した多層配線基板の断面について、波長分散型Ｘ線分析（ＷＤＸ）による元素分析を行った。
【０１６１】
図１４Ａは、実施例２で作製した多層配線基板の接合層付近におけるＡｇのマッピング像であり、図１４Ｂは、図１４Ａと同じ位置におけるＣｕのマッピング像である。
図１４Ａ及び図１４Ｂより、接合層３１は、ＣｕとＡｇとの焼結体からなる金属焼結体層であり、溶融したＡｇ中にＣｕが海島状に分散されている。ビア導体２１及び２２と接合層（金属焼結体層）３１との界面は金属接合されている。
【０１６２】
このように、本発明の第２実施形態に係る多層配線基板において、接合層は、ＣｕおよびＡｇの少なくとも一方を含む金属焼結体層を備える。ビア導体又は導体配線層と金属焼結体層との界面は金属接合されていることが好ましい。
【０１６３】
本発明の第２実施形態においては、各層のビア導体同士、及び、導体配線層とビア導体とが接合層を介して電気的に接続されているため、低抵抗となる。
【０１６４】
さらに、各層のビア導体同士の間、及び、導体配線層とビア導体との間が、ナノ粒子が溶融したバルク金属として化学的物理的に接続されている。接合層の融点はバルク金属の融点（Ａｇ：９６１℃、Ｃｕ：１０８３℃）と同等となっているため、高温高湿試験、ヒートサイクル等の環境試験による劣化を抑制することができる。
【０１６５】
［第３実施形態］
本発明の第３実施形態では、接合層を形成するために用いる導電性ペーストは、粒度分布の粒径ピークが０．１μｍ以上５．０μｍ以下の範囲にあるとともに、平均結晶子径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲にあるＣｕ粒子を含有する。
【０１６６】
図１５Ａ及び図１５Ｂは、Ｃｕ粒子の焼結プロセスを模式的に示す図である。
図１５Ａに示すように、Ｃｕ粒子８０は、結晶子８１の平均サイズ（平均結晶子径）が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下と小さく、大きな粒界エネルギーを有している。この状態で加熱すると、平均結晶子径が小さく、大きな粒界エネルギーを有しているＣｕ粒子８０は、３５０℃以下の低い温度でもネック成長するため、図１５Ｂに示すように合一して、結晶子径が大きくなる。その結果、Ｃｕ粒子自体が大きくなるとともに、平均結晶子径も６０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下と大きくなり、安定したＣｕ粒子の焼結体８２が形成される。
【０１６７】
以上より、本発明の第３実施形態においては、Ｃｕ粒子の焼結体を介してビア導体同士、又は、導体配線層とビア導体とが接合される。
【０１６８】
本発明の第３実施形態に係る導電性ペーストとしては、例えば、国際公開第２０１５／１１８９８２号に記載された銅粒子ペースト等を用いることができる。
【０１６９】
導電性ペーストに含有されるＣｕ粒子の粒度分布の粒径ピークは、０．１μｍ以上５．０μｍ以下の範囲にある。
Ｃｕ粒子の粒度分布の粒径ピークは、以下の方法により求められる。まず、走査型電子顕微鏡を用いてＣｕ粒子を観察し、視野中の粒子２００個の水平方向フェレ径を測定する。得られた測定値を球に換算し、体積平均粒径を算出した結果から粒径ピークを求める。
【０１７０】
導電性ペーストに含有されるＣｕ粒子の平均結晶子径は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲にあり、好ましくは３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲にある。
焼結前の平均結晶子径は、以下の方法により求められる。まず、Ｃｕ粒子についてＸ線回折測定を行い、３つのピーク＜１１１＞、＜２００＞及び＜３１１＞を得る。得られた３つのピークを用いて、リートベルト法により結晶子径を算出し、その平均値を平均結晶子径とする。
【０１７１】
なお、焼結後のＣｕ粒子の平均結晶子径は、６０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲にある。
焼結後の平均結晶子径は、焼結前の平均結晶子径と同様の方法により求められる。
【０１７２】
導電性ペーストに含有されるＣｕ粒子は、凝集を抑制する分散剤を粒子の表面に有していないことが好ましい。このような分散剤としては、例えば、特開２０１３−９１８３５号公報に記載された分散安定剤等が挙げられる。
Ｃｕ粒子が凝集を抑制する分散剤をその表面に有していないと、密度が高く、空隙が占める割合が小さい焼結体を得ることができる。
【０１７３】
導電性ペーストは、Ｃｕ粒子を焼結させる際の温度で還元作用を奏する有機化合物をさらに含有することが好ましい。
上記有機化合物の還元作用により、焼結の阻害要因となるＣｕ粒子表面の銅酸化物が還元されるため、特に還元性雰囲気中で焼成することを必要とせず、不活性雰囲気下での焼結が可能になる。
【０１７４】
上記有機化合物は、ヒドロキシ基又はアルデヒド基などの還元性を有する有機化合物であることが好ましい。
ヒドロキシ基又はアルデヒド基などの還元性を有する有機化合物を用いることにより、Ｃｕ粒子の表面に形成されている酸化物膜を除去することができるとともに、Ｃｕが酸化されることなく確実に焼結されるようにすることが可能になる。
【０１７５】
上記有機化合物は、トリエタノールアミン、グリセリン、エチレングリコール、トリエチレングリコール、ジエチレングリコール及びジプロピレングリコールからなる群より選ばれる少なくとも１種を含むことが好ましい。
【０１７６】
なお、還元作用を奏する有機化合物としては、さらに他の有機化合物を用いることも可能である。上述の還元作用を奏する有機化合物として、常温で液体である有機化合物を用いることが望ましいが、場合によっては、常温で固体の物質を用いることも可能であり、その際には、必要に応じて、他の溶剤に溶解させて用いることができる。
【０１７７】
Ｃｕ粒子の焼結体からなる接合層においては、焼結体同士、ビア導体、絶縁層との密着性を向上させるために、また、耐酸化性等の耐環境性を向上させるために、焼結体の空孔部分や外周部に樹脂をはじめとする有機化合物を充填することが好ましい。
【０１７８】
本発明の第３実施形態に係る多層配線基板の製造方法において、複数枚の絶縁シートを圧着する工程では、熱処理の温度は、少なくとも一定時間、２００℃以上に達することが好ましい。熱処理の温度を２００℃以上にすることにより、導電性ペーストが還元性の有機化合物を含有する場合、Ｃｕ粒子の表面に形成されている酸化膜を除去することができるとともに、焼成工程で銅が酸化されることなく、確実に焼結される。また、熱処理の最高温度は、３５０℃以下であることが好ましい。熱処理の最高温度が３５０℃を超えると、絶縁シートを構成する液晶ポリマー（ＬＣＰ）等の樹脂が流れ出してしまう虞がある。
【０１７９】
（実施例３）
まず、粒度分布の粒径ピークが０．１μｍ以上５．０μｍ以下の範囲にあるとともに、平均結晶子径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲にあるＣｕ粒子を準備した。また、還元作用を奏する有機化合物として、常温で液体のトリエタノールアミンを準備した。Ｃｕ粒子とトリエタノールアミンを、重量比で８７：１３となる割合で配合し、混錬することにより導電性ペーストを調製した。
【０１８０】
絶縁シートとして厚さ５０μｍのＬＣＰシートの一方の表面に厚さ６μｍの銅箔が貼り付けられ、他方の表面に厚さ２５μｍのＰＥＴシートが貼り付けられた銅張シートを準備し、炭酸ガスレーザーを照射して直径１００μｍの開口及びビアホールを形成した。ビアホール内にめっき銅からなるビア導体を形成した。調製した上記導電性ペーストをＰＥＴフィルムの開口に充填することにより、導電性ペースト層をビア導体上に形成した。ＰＥＴシートを剥がしたＬＣＰシートを、５層目と６層目の間で反転するように合計１０層積層し、温度３００℃で高圧プレスを実施した。以上により、多層配線基板を作製した。
【０１８１】
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、実施例３で作製した多層配線基板の断面を観察した。
【０１８２】
図１６は、実施例３で作製した多層配線基板の接合層付近を示すＳＥＭ写真である。図１７は、実施例３で作製した多層配線基板の接合層を示すＳＥＭ写真である。
図１６に示すように、第１の絶縁層１１の内部に設けられたビア導体２１と第２の絶縁層１２の内部に設けられたビア導体２２とが、Ｃｕ粒子の焼結体からなる接合層３１を介して接合されている。さらに、図１７に示すように、接合層３１内ではＣｕ粒子が焼結し、金属接合されている。また、ビア導体２２と接合層３１との界面も金属接合されており、信頼性の高い接合層が形成されていることが分かる。
【０１８３】
このように、本発明の第３実施形態に係る多層配線基板において、接合層は、Ｃｕ粒子の焼結体からなる金属焼結体層を備える。具体的には、焼結後のＣｕ粒子の平均結晶子径は、６０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲にある。ビア導体又は導体配線層と金属焼結体層との界面は金属接合されていることが好ましい。
【０１８４】
本発明の第３実施形態においては、粒度分布の粒径ピークが０．１μｍ以上５．０μｍ以下の範囲にあるとともに、平均結晶子径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲にあるＣｕ粒子を含有する導電性ペーストを用いているため、３５０℃以下の温度でＣｕ粒子同士を焼結することが可能である。そのため、液晶ポリマー（ＬＣＰ）等の樹脂材料と一括積層プレスにより、多層配線基板を作製することができる。
【０１８５】
本発明の第３実施形態においては、各層のビア導体同士、及び、導体配線層とビア導体とが接合層を介して電気的に接続されているため、低抵抗となる。
【０１８６】
さらに、接合層が融点の高いＣｕ粒子の焼結体からなるため、積層後は４００℃以上の高耐熱性を有する。したがって、信頼性が高く、高温高湿試験、ヒートサイクル等の環境試験による劣化を抑制することができる。
【０１８７】
［その他の実施形態］
本発明の多層配線基板、電子機器、及び、多層配線基板の製造方法は、上記実施形態に限定されるものではなく、多層配線基板及び電子機器の構成、製造条件等に関し、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【０１８８】
例えば、本発明の多層配線基板において、接合層は、Ａｕ−Ｓｎ合金、Ｐｔ−Ｓｎ合金、Ｐｂ−Ｓｎ合金、Ｉｎ−Ｓｎ合金等の合金によって構成されていてもよい。
【０１８９】
本発明の多層配線基板の製造方法において、図６Ｆでは、導電性ペースト層がそれぞれ形成されたビア導体を対向させているが、導電性ペースト層が形成されたビア導体と導電性ペースト層が形成されていないビア導体とを対向させてもよい。
【０１９０】
また、上述した実施例は、各実施形態をより具体的に開示したものであるが、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。
【符号の説明】
【０１９１】
１，２，３，４  多層配線基板
１１  第１の絶縁層
１２  第２の絶縁層
１３  第３の絶縁層
２１，２２，２３  ビア導体
３１，３２  接合層
４１  導体配線層
４２  信号線
４３  グランド導体
６１  Ｓｎ又はＳｎ合金
６２  Ｃｕ−Ｎｉ合金又はＣｕ−Ｍｎ合金
６３  金属間化合物
７１  第１の金属
７２  第２の金属
８０  Ｃｕ粒子
８１  結晶子
８２  Ｃｕ粒子の焼結体
１１１，１１２，１１３  絶縁シート
１１１ａ，１１２ａ，１１３ａ  ビアホール
１３１，１３２  導電性ペースト層
１４１  導体箔
１５１  保護フィルム
１５１ａ  開口
２００  電子機器
２１０  第１の回路基板
２２０  第２の回路基板
２３０  インターポーザ基板
２３１  端子部
２４０  電子部品
ａ１，ａ２  接合層の最大径
ｂ１，ｂ２  接合層との界面におけるビア導体の最大径
ｔ１，ｔ２  接合層の最大厚さ
Ｔ１，Ｔ２  ビア導体の最大厚さ
Ｔ２３０  インターポーザ基板全体の厚さ
Ｗ２３０  インターポーザ基板全体の幅
【図１】
2018216597.tif 000005
【図２】
2018216597.tif 000006
【図３】
2018216597.tif 000007
【図４】
2018216597.tif 000008
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【手続補正書】
【提出日】令和1年9月25日(2019.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層に積層された第２の絶縁層と、
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層のそれぞれの内部に設けられたビア導体と、
前記ビア導体同士を接合する導電性の接合層と、を備え、
前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とが直接接合され、
前記接合層の最大径をａ１とし、前記接合層との界面における前記ビア導体の最大径をｂ１としたとき、ａ１＞ｂ１の関係が成り立ち、
前記ビア導体中の金属含有量は、９９重量％以上であることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記接合層の最大厚さをｔ１とし、前記ビア導体の最大厚さをＴ１としたとき、ｔ１＜Ｔ１の関係が成り立つ請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層に積層された第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層側の前記第１の絶縁層の表面に設けられた導体配線層と、
前記第３の絶縁層の内部に設けられたビア導体と、
前記導体配線層と前記ビア導体とを接合する導電性の接合層と、を備え、
前記第１の絶縁層と前記第３の絶縁層とが直接接合され、
前記接合層の最大径をａ２とし、前記接合層との界面における前記ビア導体の最大径をｂ２としたとき、ａ２＞ｂ２の関係が成り立ち、
前記ビア導体中の金属含有量は、９９重量％以上であることを特徴とする多層配線基板。
【請求項４】
前記接合層の最大厚さをｔ２とし、前記ビア導体の最大厚さをＴ２としたとき、ｔ２＜Ｔ２の関係が成り立つ請求項３に記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記接合層は、少なくとも前記ビア導体又は前記導体配線層との界面に、Ｃｕ成分とＳｎ成分とを含む金属間化合物層Ｍを備える請求項１〜４のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項６】
前記接合層は、Ｃｕ成分とＳｎ成分とを含む金属間化合物層Ｍと、Ｃｕ成分とＮｉ成分及びＭｎ成分の一方とを含む金属間化合物層Ｎと、前記金属間化合物層Ｍと、をこの順に備える請求項１〜５のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項７】
前記接合層は、Ｃｕ及びＡｇの少なくとも一方を含む金属焼結体層を備える請求項１〜４のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項８】
前記ビア導体又は前記導体配線層と前記金属焼結体層との界面が金属接合されている請求項７に記載の多層配線基板。
【請求項９】
前記金属焼結体層は、第１の金属と第２の金属との焼結体からなり、前記第１の金属及び前記第２の金属はそれぞれ独立してＣｕ又はＡｇであり、前記第１の金属が前記第２の金属中に海島状に分散されている請求項７又は８に記載の多層配線基板。
【請求項１０】
前記金属焼結体層は、平均結晶子径が６０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲にあるＣｕ粒子の焼結体からなる請求項７又は８に記載の多層配線基板。
【請求項１１】
前記ビア導体が設けられた絶縁層は、熱可塑性樹脂からなる請求項１〜１０のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項１２】
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層がいずれも１層から構成される請求項１、２及び５〜１１のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項１３】
前記第１の絶縁層内部に設けられたビア導体、及び、前記第２の絶縁層の内部に設けられたビア導体は、いずれもめっき金属からなる請求項１２に記載の多層配線基板。
【請求項１４】
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層のうち、一方の絶縁層が１層から構成され、他方の絶縁層が２層以上から構成される請求項１、２及び５〜１１のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項１５】
前記１層から構成される絶縁層の内部に設けられたビア導体は、めっき金属からなり、前記２層以上から構成される絶縁層の内部に設けられたビア導体は、金属ピンからなる請求項１４に記載の多層配線基板。
【請求項１６】
前記第３の絶縁層が１層から構成される請求項３〜１１のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項１７】
前記第３の絶縁層の内部に設けられたビア導体は、めっき金属からなる請求項１６に記載の多層配線基板。
【請求項１８】
前記第３の絶縁層が２層以上から構成される請求項３〜１１のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項１９】
前記第３の絶縁層の内部に設けられたビア導体は、金属ピンからなる請求項１８に記載の多層配線基板。
【請求項２０】
基板全体の厚さは、基板全体の幅よりも大きい請求項１〜１９のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項２１】
第１の回路基板及び第２の回路基板と、
前記第１の回路基板と前記第２の回路基板との間に配置され、複数の端子部を有するインターポーザ基板と、を備える電子機器であって、
前記インターポーザ基板は、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の多層配線基板であり、
前記第１の回路基板及び前記第２の回路基板は、前記多層配線基板のビア導体と電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。
【請求項２２】
前記インターポーザ基板には、高周波信号が通過する請求項２１に記載の電子機器。
【請求項２３】
前記第１の回路基板は、アンテナであり、
前記第２の回路基板は、高周波集積回路が実装された制御基板である請求項２１又は２２に記載の電子機器。
【請求項２４】
請求項１又は３に記載の多層配線基板を製造する方法であって、
一方の表面に導体箔が貼り付けられ、他方の表面に保護フィルムが貼り付けられた絶縁シートを準備する工程と、
前記保護フィルム側から、前記保護フィルムを貫通する開口を形成するとともに、前記絶縁シートを貫通して前記導体箔に達するビアホールを形成する工程と、
前記絶縁シートの前記ビアホール内にビア導体を形成する工程と、
前記ビア導体上に導電性ペーストを塗布することにより、表面に露出している前記ビア導体の最大径よりも大きい最大径を有する導電性ペースト層を形成する工程と、
前記ビア導体及び前記導電性ペースト層が形成された前記絶縁シートを複数枚積層し、熱処理によって一括圧着する工程と、を備えることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項２５】
前記導電性ペースト層を形成する工程では、前記保護フィルムの開口に前記導電性ペーストを充填することにより前記導電性ペースト層を形成し、その後、前記保護フィルムを剥がす請求項２４に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項２６】
前記保護フィルムの開口、及び、前記絶縁シートのビアホールは、いずれも、前記導体箔に向かって径が小さくなるテーパー形状を有する請求項２４又は２５に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項２７】
前記開口のテーパー角は、前記ビアホールのテーパー角よりも大きい請求項２６に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項２８】
前記導電性ペーストは、Ｓｎ又はＳｎ合金からなる金属粉末と、Ｃｕ−Ｎｉ合金又はＣｕ−Ｍｎ合金からなる金属粉末とを含有する請求項２４〜２７のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項２９】
前記導電性ペーストは、第１の金属からなる粒子と、第２の金属からなるナノ粒子とを含有し、前記第１の金属及び前記第２の金属はそれぞれ独立してＣｕ又はＡｇである請求項２４〜２７のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項３０】
前記導電性ペーストは、粒度分布の粒径ピークが０．１μｍ以上５．０μｍ以下の範囲にあるとともに、平均結晶子径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲にあるＣｕ粒子を含有する請求項２４〜２７のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
【国際調査報告】
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