(57)【要約】  本発明に基づく液晶パネルの製造方法は、ＴＦＴ（４０）のゲート電極（４１）とマーキングパッド（５０）の下部層（５１）とを同時に形成する工程と、ＴＦＴ（４０）のゲート絶縁膜（４２）と下部層（５１）を覆う保護絶縁膜（５２）とを同時に形成する工程と、下部層（５１）を保護絶縁膜（５２）によって覆った状態のまま各種の成膜処理およびパターニング処理を行なう工程と、保護絶縁膜（５２）の少なくとも一部を除去することで下部層（５１）の周縁を除く主表面を露出させる工程と、保護絶縁膜（５２）によって覆われていない部分の下部層（５１）の主表面を覆うマーキングパッド（５０）の上部層（５６）と画素電極（４６）とを同時に形成する工程と、マーキングパッド（５０）にレーザ光（１００）を照射して貫通孔（５８）を設けることでマーキングする工程とを備える。これにより、液晶パネル用ガラス基板に設けられた金属膜を含むマーキングパッドが生産過程において腐食することを防止できる。
2010125847.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶表示部になる部分（Ａ）および液晶表示部にならない周辺部分（Ｂ）を含む液晶パネル用ガラス基板（１１）を準備する工程と、
前記液晶パネル用ガラス基板（１１）の主表面上に金属膜を成膜してパターニングすることにより、前記液晶表示部になる部分（Ａ）においてＴＦＴ（４０）のゲート電極（４１）を形成するとともに、前記周辺部分（Ｂ）においてマーキングパッド（５０）の下部層（５１）を形成する工程と、
前記液晶パネル用ガラス基板（１１）の主表面上に絶縁膜を成膜してパターニングすることにより、前記液晶表示部になる部分（Ａ）においてＴＦＴ（４０）のゲート絶縁膜（４２）を形成するとともに、前記周辺部分（Ｂ）において前記マーキングパッド（５０）の前記下部層（５１）を覆うように前記下部層（５１）に接触して保護絶縁膜（５２）を形成する工程と、
前記マーキングパッド（５０）の前記下部層（５１）を前記保護絶縁膜（５２）によって覆った状態を維持しつつ、前記液晶表示部になる部分（Ａ）および前記周辺部分（Ｂ）において各種の成膜処理およびパターニング処理を行なう工程と、
前記保護絶縁膜（５２）の一部およびその上方に成膜された各種の膜の少なくとも一部を除去することにより、前記マーキングパッド（５０）の前記下部層（５１）の周縁を除く主表面を露出させる工程と、
前記液晶パネル用ガラス基板（１１）の主表面上にＩＴＯ膜を成膜してパターニングすることにより、前記液晶表示部になる部分（Ａ）において画素電極（４６）を形成するとともに、前記周辺部分（Ｂ）において前記保護絶縁膜（５２）によって覆われていない部分の前記マーキングパッド（５０）の前記下部層（５１）の主表面を覆うように前記下部層（５１）に接触して前記マーキングパッド（５０）の上部層（５６）を形成する工程と、
前記マーキングパッド（５０）にレーザ光（１００）を照射することにより、前記マーキングパッド（５０）の前記上部層（５６）および前記下部層（５１）を貫通する貫通孔（５８）を設けてマーキングを行なう工程とを備えた、液晶パネルの製造方法。
【請求項２】
前記ゲート電極（４１）および前記マーキングパッド（５０）の前記下部層（５１）を形成する工程は、複数の異なる材質の金属膜を順次積層形成する工程を含む、請求の範囲第１項に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項３】
前記ゲート電極（４１）および前記マーキングパッド（５０）の前記下部層（５１）の主表面を陽極酸化処理する工程をさらに備えた、請求の範囲第１項に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項４】
液晶表示部になる部分（Ａ）と液晶表示部にならない周辺部分（Ｂ）とを含む液晶パネル用ガラス基板であって、
前記液晶表示部になる部分（Ａ）の主表面上には、ＴＦＴ（４０）が設けられ、
前記ＴＦＴ（４０）は、ゲート電極（４１）としての金属膜と、ゲート絶縁膜（４２）としての絶縁膜と、画素電極（４６）としてのＩＴＯ膜とを含み、
前記周辺部分（Ｂ）の主表面上には、レーザ光を照射することでマーキングを施すためのマーキングパッド（５０）が設けられ、
前記マーキングパッド（５０）は、下部層（５１）としての金属膜および上部層（５６）としてのＩＴＯ膜のみから構成された積層体からなるマーキング領域（Ｃ）と、前記下部層（５１）としての金属膜の周縁を覆う絶縁膜（５２）を含む周囲領域（Ｄ）とを有し、
前記ゲート電極（４１）としての金属膜と、前記下部層（５１）としての金属膜とが、一の工程で同時に形成されたものであり、
前記ゲート絶縁膜（４２）としての絶縁膜と、前記周囲領域（Ｄ）を構成する絶縁膜（５２）とが、一の工程で同時に形成されたものであり、
前記画素電極（４６）としてのＩＴＯ膜と、前記上部層（５６）としてのＩＴＯ膜とが、一の工程で同時に形成されたものである、液晶パネル用ガラス基板。
【請求項５】
前記ゲート電極（４１）および前記マーキングパッド（５０）の前記下部層（５１）が、複数の異なる材質の金属膜の積層膜からなる、請求の範囲第４項に記載の液晶パネル用ガラス基板。
【請求項６】
前記ゲート電極（４１）および前記マーキングパッド（５０）の前記下部層（５１）の主表面が、陽極酸化処理されている、請求の範囲第４項に記載の液晶パネル用ガラス基板。
【請求項７】
請求の範囲第４項に記載の液晶パネル用ガラス基板を備えた、液晶パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶パネル用ガラス基板に設けられたマーキングパッドに各種情報をレーザマーキングによってマーキングする工程を含む液晶パネルの製造方法に関し、またレーザマーキングに適したマーキング領域を含むマーキングパッドを備えた液晶パネル用ガラス基板およびこれを備えた液晶パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶パネルは、表示装置としての液晶テレビジョンやパーソナルコンピュータのディスプレイ等に好適に用いられ、近年においてはその普及に目覚しいものがある。液晶パネルには、生産時における管理上の必要性や出荷後のメンテナンス上の必要性から、シリアル情報や用途情報等の各種情報がマーキングされている。通常、このマーキングには、レーザマーキングが好適に利用され、その生産過程において液晶パネルの構成部品である液晶パネル用ガラス基板にレーザ光を照射することで上述した各種情報がマーキングされる。【０００３】
レーザマーキングを利用して液晶パネル用ガラス基板に各種情報をマーキングする方法としては、たとえばガラス基板の表面に成膜されたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｈｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜にレーザ光を照射してマーキングする方法（特開平６−５１３２８号公報（特許文献１）参照）や、ガラス基板の表面に成膜された配向膜にレーザ光を照射してマーキングする方法（特開平１０−２７８４２２号公報（特許文献２）参照）、ガラス基板の表面に成膜された金属膜にレーザ光を照射してマーキングする方法等が知られている。【０００４】
このうち、ガラス基板の表面に成膜された金属膜にレーザ光を照射してマーキングする方法においては、具体的には、ガラス基板の液晶表示部にならない周辺部分に金属膜が成膜されることでマーキングパッドが設けられ、このマーキングパッドにレーザ光が照射されてマーキングパッドに貫通孔が形成されることでガラス基板にマーキングが施される。なお、このようにしてマーキングされる各種情報は、当該情報をデータマトリクス化した２次元データコードとしてガラス基板にマーキングされ、反射型または透過型のいずれかのカメラを用いてその情報の読み出しが行なわれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平６−５１３２８号公報
【特許文献２】特開平１０−２７８４２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
液晶パネル用ガラス基板に成膜された金属膜にレーザ光を照射してマーキングする場合のプロセスフローとしては、以下の２種類が想定される。第１のプロセスフローは、単板処理と呼ばれるものであり、マーキングが施されるガラス基板であるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板とカラーフィルタが貼り付けられたＣＦ（Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ）基板とが貼り合わされるに先立ち、ＴＦＴ基板に設けられたマーキングパッドに直接レーザ光を照射することで各種情報をマーキングし、その後にＴＦＴ基板とＣＦ基板とが張り合わされるプロセスフローである。第２のプロセスフローは、複板処理と呼ばれるものであり、ＴＦＴ基板とＣＦ基板とが張り合わされた後に、ＴＦＴ基板に設けられたマーキングパッドにＣＦ基板を通してレーザ光が照射されることで各種情報をマーキングするプロセスフローである。【０００７】
上述した単板処理を採用した場合には、マーキングパッドに直接レーザ光が照射されるため、形成されるマーキングの品位（すなわち貫通孔の形状や大きさ、貫通孔周縁の黒ずみ具合等）を透過型または反射型のカメラを用いた読み出しに適したものとすることができる。【０００８】
一方、上述した複板処理を採用した場合には、ＴＦＴ基板とＣＦ基板の貼り合わせ後にレーザマーキング処理が行なわれるため、同時並行的に製作されるＴＦＴ基板およびＣＦ基板の生産枚数をバランスよく管理することが可能となり、効率的な液晶パネルの製造が可能になる効果が得られる。【０００９】
ところで、上述したように、マーキングパッドを金属膜にて構成した場合には、当該金属膜の成膜後にＴＦＴの形成のための成膜処理やエッチング処理といった各種の処理が実施されることがある。このような場合には、当該成膜処理やエッチング処理時にマーキングパッドを構成する金属膜が腐食して劣化してしまうおそれがある。このような腐食が生じた場合には、マーキングパッドの劣化に伴い、形成されるマーキングの品位も低品位のものとなってしまう問題が生じ、上述した透過型または反射型のカメラを用いた読み出しの際に認識エラーを生じさせる結果となる。【００１０】
したがって、本発明は、液晶パネル用ガラス基板に設けられた金属膜を含むマーキングパッドが液晶パネルの生産過程において腐食することを効果的に防止できる液晶パネルの製造方法を提供することを目的とする。【００１１】
また、本発明は、レーザマーキング処理に適したマーキングパッドを備えた液晶パネル用ガラス基板および液晶パネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に基づく液晶パネルの製造方法は、以下の工程（Ａ）ないし（Ｇ）を備えている。
（Ａ）液晶表示部になる部分および液晶表示部にならない周辺部分を含む液晶パネル用ガラス基板を準備する工程。
（Ｂ）上記液晶パネル用ガラス基板の主表面上に金属膜を成膜してパターニングすることにより、上記液晶表示部になる部分においてＴＦＴのゲート電極を形成するとともに、上記周辺部分においてマーキングパッドの下部層を形成する工程。
（Ｃ）上記液晶パネル用ガラス基板の主表面上に絶縁膜を成膜してパターニングすることにより、上記液晶表示部になる部分においてＴＦＴのゲート絶縁膜を形成するとともに、上記周辺部分において上記マーキングパッドの上記下部層を覆うように上記下部層に接触して保護絶縁膜を形成する工程。
（Ｄ）上記マーキングパッドの上記下部層を上記保護絶縁膜によって覆った状態を維持しつつ、上記液晶表示部になる部分および上記周辺部分において各種の成膜処理およびパターニング処理を行なう工程。
（Ｅ）上記保護絶縁膜の一部およびその上方に成膜された各種の膜の少なくとも一部を除去することにより、上記マーキングパッドの上記下部層の周縁を除く主表面を露出させる工程。
（Ｆ）上記液晶パネル用ガラス基板の主表面上にＩＴＯ膜を成膜してパターニングすることにより、上記液晶表示部になる部分において画素電極を形成するとともに、上記周辺部分において上記保護絶縁膜によって覆われていない部分の上記マーキングパッドの上記下部層の主表面を覆うように上記下部層に接触して上記マーキングパッドの上部層を形成する工程。
（Ｇ）上記マーキングパッドにレーザ光を照射することにより、上記マーキングパッドの上記上部層および上記下部層を貫通する貫通孔を設けてマーキングを行なう工程。【００１３】
上記本発明に基づく液晶パネルの製造方法にあっては、上述したゲート電極およびマーキングパッドの下部層を形成する工程（Ｂ）が、複数の異なる材質の金属膜を順次積層形成する工程を含んでいてもよい。【００１４】
上記本発明に基づく液晶パネルの製造方法にあっては、さらに以下の工程（Ｈ）を備えていてもよい。
（Ｈ）上記ゲート電極および上記マーキングパッドの上記下部層の主表面を陽極酸化処理する工程。【００１５】
本発明に基づく液晶パネル用ガラス基板は、液晶表示部になる部分と液晶表示部にならない周辺部分とを含むものである。上記液晶表示部になる部分の主表面上には、ＴＦＴが設けられており、上記ＴＦＴは、ゲート電極としての金属膜と、ゲート絶縁膜としての絶縁膜と、画素電極としてのＩＴＯ膜とを含んでいる。上記周辺部分の主表面上には、レーザ光を照射することでマーキングを施すためのマーキングパッドが設けられており、上記マーキングパッドは、下部層としての金属膜および上部層としてのＩＴＯ膜のみから構成された積層体からなるマーキング領域と、上記下部層としての金属膜の周縁を覆う絶縁膜を含む周囲領域とを有している。上記ゲート電極としての金属膜と上記下部層としての金属膜とは、一の工程で同時に形成されたものであり、上記ゲート絶縁膜としての絶縁膜と上記周囲領域を構成する絶縁膜とは、一の工程で同時に形成されたものであり、上記画素電極としてのＩＴＯ膜と上記上部層としてのＩＴＯ膜とは、一の工程で同時に形成されたものである。【００１６】
上記本発明に基づく液晶パネル用ガラス基板にあっては、上記ゲート電極および上記マーキングパッドの上記下部層が、複数の異なる材質の金属膜の積層膜からなっていてもよい。【００１７】
上記本発明に基づく液晶パネル用ガラス基板にあっては、上記ゲート電極および上記マーキングパッドの上記下部層の主表面が、陽極酸化処理されていてもよい。【００１８】
本発明に基づく液晶パネルは、上述したいずれかの液晶パネル用ガラス基板を備えている。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、液晶パネル用ガラス基板に設けられた金属膜を含むマーキングパッドが液晶パネルの生産過程において腐食することが効果的に防止された液晶パネルの製造方法とすることができる。【００２０】
また、本発明によれば、レーザマーキング処理に適したマーキングパッドを備えた液晶パネル用ガラス基板および液晶パネルとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施の形態における液晶パネルの模式平面図である。
【図２】図１に示す情報記録部の模式拡大図である。
【図３】本発明の一実施の形態における液晶パネルの模式断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態における液晶パネルの製造方法を説明するためのフロー図である。
【図５Ａ】本発明の一実施の形態における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネルを製造した場合の生産過程における模式断面図である。
【図５Ｂ】本発明の一実施の形態における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネルを製造した場合の生産過程における模式断面図である。
【図６Ａ】本発明の一実施の形態における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネルを製造した場合の生産過程における模式断面図である。
【図６Ｂ】本発明の一実施の形態における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネルを製造した場合の生産過程における模式断面図である。
【図７Ａ】本発明の一実施の形態における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネルを製造した場合の生産過程における模式断面図である。
【図７Ｂ】本発明の一実施の形態における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネルを製造した場合の生産過程における模式断面図である。
【図８】本発明の一実施の形態における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネルを製造した場合の生産過程における模式断面図である。
【図９Ａ】本発明を適用して複板処理でレーザマーキング処理が行なわれたマーキングパッドの一例を示す拡大写真である。
【図９Ｂ】本発明を適用せずに複板処理でレーザマーキング処理が行なわれたマーキングパッドの一例を示す拡大写真である。
【図１０】本発明の一実施の形態における液晶パネルの製造方法の他の例を説明するためのフロー図である。
【図１１】本発明の一実施の形態における液晶パネルの製造方法の他の例に従って液晶パネルを製造した場合の生産過程における模式断面図である。
【図１２】第１変形例に係るマーキングパッドの模式断面図である。
【図１３】第２変形例に係るマーキングパッドの模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の一実施の形態について、図を参照して詳細に説明する。なお、以下においては、同一の部分について図中同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。
【００２３】
図１は、本発明の一実施の形態における液晶パネルの模式平面図であり、図２は、図１に示す液晶パネルの情報記録部の模式拡大図である。また、図３は、図１に示す液晶パネルの模式断面図である。まず、これら図１ないし図３を参照して、本実施の形態における液晶パネルおよび液晶パネル用ガラス基板の構造について説明する。
【００２４】
図１および図３に示すように、本実施の形態における液晶パネル１は、ＴＦＴ基板１０と、ＣＦ基板２０と、シール部材３０と、液晶３２とを主として備えている。本実施の形態における液晶パネル１は、マトリクス状に配置された複数の表示画素を当該表示画素に設けられたＴＦＴによって個別に制御する、いわゆるアクティブマトリクス型の液晶パネルである。
【００２５】
ＴＦＴ基板１０は、アクティブマトリクス基板とも呼ばれ、基材としてのガラス基板１１と、その主表面１１ａ上に形成された複数のＴＦＴ４０と、ＴＦＴ４０に電気的に接続された複数の画素電極４６とを主として有している。ＴＦＴ基板１０は、画像を表示するための液晶表示部になる部分Ａと、当該液晶表示部にならない周辺部分Ｂとを含んでおり、上述した複数のＴＦＴ４０および画素電極４６は、このうちの液晶表示部になる部分Ａにマトリクス状に配置されている。なお、このＴＦＴ基板１０（場合よっては、ＴＦＴ基板１０の基材としてのガラス基板１１）が、第１液晶パネル用ガラス基板に相当する。
【００２６】
ＣＦ基板２０は、対向基板とも呼ばれ、基材としてのガラス基板２１と、その主表面上に貼り付けられたカラーフィルタ（不図示）と、当該カラーフィルタ上に形成された対向電極（不図示）とを主として有している。ＣＦ基板２０は、液晶表示部になる部分のみを有している。カラーフィルタは、ガラス基板２１の液晶表示部になる部分に貼り付けられており、上述した複数の対向電極は、当該カラーフィルタの主表面上にマトリクス状に配置されている。なお、このＣＦ基板２０（場合よっては、ＣＦ基板２０の基材としてのガラス基板２１）が、第２液晶パネル用ガラス基板に相当する。
【００２７】
ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０とは、シール部材３０によって所定の距離（たとえば５μｍ程度）をもって対向するように貼り合わされている。シール部材３０は、液晶表示部を囲うように設けられており、このシール部材３０によって囲まれた空間でかつＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０とによって挟まれた空間に液晶３２が封入されている。液晶３２は、印加電圧に応じて光の透過率が変化する性質を有するものであり、上述したＴＦＴ基板１０に設けられた画素電極４６と、上述したＣＦ基板２０に設けられた対向電極との間に位置している。なお、ＴＦＴ基板１０およびＣＦ基板２０の液晶３２に面する部分には、図示しない配向膜が設けられている。
【００２８】
ＴＦＴ基板１０の液晶表示部にならない周辺部分Ｂの所定位置には、各種情報が記録された情報記録部２が設けられている。図２に示すように、情報記録部２は、各種情報が２次元データコード化されて記録されたマーキングパッド５０と、各種情報が文字データとして記録された文字データ部６０とを含んでいる。このうち、各種情報が２次元データコード化されて記録されたマーキングパッド５０は、後述するレーザマーキング処理を施すことによってマーキングパッド５０に貫通孔５８が設けられることで情報が記録されたものである。
【００２９】
図３に示すように、ＴＦＴ基板１０の液晶表示部になる部分Ａにおいては、ガラス基板１１の主表面１１ａ上にＴＦＴ４０が設けられている。ＴＦＴ４０は、ゲート配線に電気的に接続されたゲート電極４１と、ゲート電極４１を覆うように形成されたゲート絶縁膜４２と、ゲート絶縁膜４２を介してゲート電極４１の上方に形成された第１半導体層４３と、第１半導体層４３上の所定位置に形成された第２半導体層４４と、第２半導体層４４上に形成されたソース電極４５ａおよびドレイン電極４５ｂとを有している。
【００３０】
ゲート電極４１は、たとえばアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）等の単層の金属膜にて構成されている。また、ゲート絶縁膜４２は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等の単層または複層の絶縁膜にて構成されている。
【００３１】
第１半導体層４３は、たとえばアモルファスシリコン等の真性半導体膜にて構成されている。また、第２半導体層４４は、たとえばｎ+型のアモルファスシリコン等の不純物添加半導体膜にて構成されている。なお、第２半導体層４４は、第１半導体層４３−ソース電極４５ａ間および第１半導体層４３−ドレイン電極４５ｂ間のコンタクト層として機能するものである。
【００３２】
ソース電極４５ａおよびドレイン電極４５ｂは、たとえばアルミニウム、銅、タンタル、チタン等の単層または複層の金属膜にて構成されている。また、画素電極４６は、たとえばＩＴＯ膜（すなわち、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）および酸化スズ（ＳｎＯ2）の混合膜）にて構成されている。
【００３３】
一方、ＴＦＴ基板１０の液晶表示部にならない周辺部分Ｂにおいては、ガラス基板１１の主表面１１ａ上にマーキングパッド５０が設けられている。マーキングパッド５０は、マーキングが行なわれるマーキング領域Ｃと、当該マーキング領域Ｃを取り囲む周囲領域Ｄとを有しており、マーキング領域Ｃは、下部層５１としての金属膜および上部層５６としてのＩＴＯ膜のみからなる積層体にて構成されており、下部層５１としての金属膜の周縁は、周囲領域Ｄにおいて保護絶縁膜５２によって覆われており、さらに当該保護絶縁膜５２上には、第１半導体層からなる第１被覆膜５３、第２半導体層からなる第２被覆膜５４および金属膜からなる第３被覆膜５５が位置している。
【００３４】
下部層５１としての金属膜は、たとえばアルミニウム、銅、タンタル、チタン等の単層の金属膜にて構成されている。下部層５１としての金属膜は、その主表面（すなわち上部層５６と接触する面）が陽極酸化処理されていてもよい。なお、マーキングパッド５０のマーキング領域Ｃの下部層５１は、上述したＴＦＴ４０のゲート電極４１と同時に形成されたものであり、その材質および膜厚は、ＴＦＴ４０のゲート電極４１を構成する金属膜と同一である。
【００３５】
マーキングパッド５０のマーキング領域Ｃの上部層５６は、上述したＴＦＴ４０に接続される画素電極と同時に形成されたものであり、その材質および膜厚は、ＴＦＴ４０に接続される画素電極４６を構成するＩＴＯ膜と同一である。
【００３６】
マーキングパッド５０の周囲領域Ｄに位置する保護絶縁膜５２は、上述したＴＦＴ４０のゲート絶縁膜４２と同時に形成されたものであり、その材質および膜厚は、ＴＦＴ４０のゲート絶縁膜４２と同一である。
【００３７】
マーキングパッド５０の周囲領域Ｄに位置する第１被覆膜５３および第２被覆膜５４は、それぞれ上述したＴＦＴ４０の第１半導体層４３および第２半導体層４４と同時に形成されたものであり、その材質および膜厚は、それぞれＴＦＴ４０の第１半導体層４３および第２半導体層４４と同一である。
【００３８】
マーキングパッド５０の周囲領域Ｄに位置する第３被覆膜５５は、上述したＴＦＴ４０のソース電極４５ａおよびドレイン電極４５ｂと同時に形成されたものであり、その材質および膜厚は、ＴＦＴ４０のソース電極４５ａおよびドレイン電極４５ｂと同一である。
【００３９】
ここで、マーキングパッド５０のマーキング領域Ｃには、上部層５６としてのＩＴＯ膜および下部層５１としての金属膜を貫通する貫通孔５８が複数設けられている。この貫通孔５８は、シリアル情報や用途情報等の各種情報を２次元データコード化したものであり、透過型または反射型のカメラを用いて当該情報の読み出しが行なわれる。
【００４０】
具体的には、透過型のカメラを用いる場合には、マーキングパッド５０のマーキング領域Ｃに設けられた貫通孔５８を通過してＴＦＴ基板１０を透過する光を検出することにより、各種情報の読み出しが行なわれる。一方、反射型のカメラを用いる場合には、マーキングパッド５０のマーキング領域Ｃに設けられた貫通孔５８およびその周辺にできる黒ずみをコントラストの差を利用して周囲の下地と区別して検出することにより、各種情報の読み出しが行なわれる。
【００４１】
図４は、本実施の形態における液晶パネルの製造方法を説明するためのフロー図であり、図５Ａないし図８は、本実施の形態における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネルを製造した場合の生産過程における模式断面図である。次に、これら図４ないし図８を参照して、本実施の形態における液晶パネルの製造方法について説明する。
【００４２】
図４に示すように、本実施の形態における液晶パネルの製造方法にあっては、まず、ＴＦＴ基板１０の製作（ステップＳ１０１）と、ＴＦＴ基板１０と対と成るＣＦ基板２０の製作（ステップＳ１０２）とが同時並行的に行なわれる。ＣＦ基板２０の製作にあたっては、ガラス基板２１が準備され、これにカラーフィルムが貼り付けられるとともに対向電極が形成され、さらに配向膜の成膜が行なわれることでＣＦ基板２０が製作される。ＴＦＴ基板１０の製作にあたっては、具体的に以下の処理が行なわれる。
【００４３】
まず、図５Ａに示すように、液晶表示部になる部分Ａおよび液晶表示部にならない周辺部分Ｂを含むガラス基板１１が準備され、これに金属膜が成膜されてパターニングされることにより、液晶表示部になる部分ＡにおいてＴＦＴ４０のゲート電極４１が形成され、周辺部分Ｂにおいてマーキングパッド５０の下部層５１が形成される。より詳細には、たとえばスパッタリング法を用いてアルミニウム膜がガラス基板１１の主表面１１ａ上に成膜され、これがフォトリソグラフィ法を用いてパターニングされてゲート電極４１と下部層５１とが形成される。なお、フォトリソグラフィ法におけるエッチング処理としては、たとえばＢＣｌ3＋Ｃｌ2、ＣＦ4（＋Ｏ2）等を用いたドライエッチングが利用可能である。ここで、成膜されたアルミニウム膜の主面には、必要に応じて陽極酸化処理が施されてもよい。
【００４４】
次に、図５Ｂに示すように、ガラス基板１１の主表面１１ａ上に絶縁膜が成膜されてパターニングされることにより、液晶表示部になる部分ＡにおいてＴＦＴ４０のゲート絶縁膜４２が形成され、周辺部分Ｂにおいてマーキングパッド５０の保護絶縁膜５２が形成される。より詳細には、たとえばＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて窒化シリコン膜がガラス基板１１の主表面１１ａ上に成膜され、これがフォトリソグラフィ法を用いてパターニングされてゲート絶縁膜４２および保護絶縁膜５２が形成される。
【００４５】
次に、図６Ａに示すように、ガラス基板１１の主表面１１ａ上にアモルファスシリコン層が形成されてパターニングされること等により、液晶表示部になる部分Ａにおいて第１半導体層４３および第２半導体層４４が形成され、周辺部分Ｂにおいて第１被覆膜５３としての第１半導体層および第２被覆膜５４としての第２半導体層が形成される。ここで、第２半導体層４４と第２被覆膜５４は、第１半導体層４３の主表面の全面と第１被覆膜５３の主表面の全面をそれぞれ覆う形状のものであり、アモルファスシリコン層の上層部に適宜イオン注入法を利用してイオン注入を行なうことで形成されたものである。なお、パターニング時のエッチング処理としては、たとえばＣＦ4＋Ｏ2、ＣＣｌ4＋Ｏ2、ＳＦ6等を用いたドライエッチングが利用可能である。
【００４６】
次に、図６Ａに示すように、ガラス基板１１の主表面１１ａ上に金属膜が成膜されてパターニングされることにより、液晶表示部になる部分ＡにおいてＴＦＴ４０のソース電極４５ａおよびドレイン電極４５ｂが形成され、周辺部分Ｂにおいて第３被覆膜５５が形成される。より詳細には、たとえばスパッタリング法を用いてアルミニウム膜がガラス基板１１の主表面１１ａ上に成膜され、これがフォトリソグラフィ法を用いてパターニングされてソース電極４５ａ、ドレイン電極４５ｂおよび第３被覆膜５５が形成される。なお、フォトリソグラフィ法におけるエッチング処理としては、たとえばＢＣｌ3＋Ｃｌ2、ＣＦ4（＋Ｏ2）等を用いたドライエッチングが利用可能である。
【００４７】
次に、図６Ａに示すように、ソース電極４５ａおよびドレイン電極４５ｂがマスクとされて、第２半導体層４４がエッチングされてパターニングされることにより、第１半導体層４３にチャネル部が形成される。なお、パターニング時のエッチング処理としては、たとえばＣＦ4＋Ｏ2、ＣＣｌ4＋Ｏ2、ＳＦ6等を用いたドライエッチングが利用可能である。
【００４８】
次に、図６Ｂに示すように、周辺部分Ｂに形成された保護絶縁膜５２および第１ないし第３被覆膜５３〜５５のうちのマーキング領域Ｃに相当する部分がエッチングされて除去されることにより、下部層５１としての金属膜の主表面を底面とする凹部５７が形成される。これにより、マーキング領域Ｃに相当する部分の下部層５１の主表面は、露出した状態となる。
【００４９】
次に、図７Ａに示すように、ガラス基板１１の主表面１１ａ上にＩＴＯ膜が成膜されてパターニングされることにより、液晶表示部になる部分ＡにおいてＴＦＴ４０に電気的に接続する画素電極４６が形成され、周辺部分Ｂにおいてマーキングパッド５０の上部層５６が形成される。より詳細には、たとえばスパッタリング法を用いてＩＴＯ膜がガラス基板１１上に成膜され、これがフォトリソグラフィ法を用いてパターニングされて画素電極４６と上部層５６とが形成される。なお、フォトリソグラフィ法におけるエッチング処理としては、たとえばＨＣｌ＋ＨＮＯ3等を用いたウェットエッチングが利用可能である。
【００５０】
その後、ガラス基板１１の液晶表示部になる部分Ａの主表面１１ａ上に配向膜が形成される。以上により、ＴＦＴ基板１０の製作が完了する。
【００５１】
つづいて、図４に示すように、ステップＳ１０１において製作したＴＦＴ基板１０とステップＳ１０２において製作したＣＦ基板２０とが貼り合わされる（ステップＳ１０３）。具体的には、図７Ｂに示すように、ＴＦＴ基板１０の液晶表示部になる部分Ａを取り囲むようにシール部材３０が配置され、このシール部材３０に接触するようにＣＦ基板２０が位置決めされてＴＦＴ基板１０に対向配置され、シール部材３０が硬化されることでＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０とが貼り合わされる。ここで、使用するシール部材３０としては、熱硬化型のシール材や光硬化型のシール材またはそれらの組み合わせ等が利用可能である。
【００５２】
本実施の形態における液晶パネルの製造方法においては、ＴＦＴ基板１０の基材であるガラス基板１１およびＣＦ基板２０の基材であるガラス基板２１がいずれもマザーガラス基板にて製作されている。したがって、ＴＦＴ基板１０にＣＦ基板２０が貼り合わされた後においては、ＴＦＴ基板１０の液晶表示部にならない周辺部分Ｂに対向してＣＦ基板２０の液晶表示部にならない部分が位置することになる。すなわち、ＣＦ基板２０が、ＴＦＴ基板１０の液晶表示部にならない周辺部分Ｂに形成されたマーキングパッド５０のマーキング領域Ｃの主表面と距離をもって対向するように配置されている。
【００５３】
つづいて、図４に示すように、レーザ光が照射されることでレーザマーキング処理が行なわれる（ステップＳ１０４）。具体的には、図８に示すように、マーキングパッド５０のマーキング領域ＣにＣＦ基板２０側からＣＦ基板２０を通してレーザ光１００が照射される。照射されるレーザ光１００としては、たとえば一般的なＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザ光やネオジム添加ＹＡＧレーザ光であるＹＶＯ4レーザの基本波（波長１０６４ｎｍ）等が好適に利用される。これにより、レーザ光１００が照射された部分のマーキングパッド５０のマーキング領域Ｃを構成する上部層５６と下部層５１とが局所加熱されて昇華し、上部層５６および下部層５１を貫通する貫通孔５８が形成される。
【００５４】
その後、図４に示すように、液晶３２を封入する工程等の各種工程が行なわれる（ステップＳ１０５）。つづいて、ＴＦＴ基板１０およびＣＦ基板２０が図８中に示す分断線Ｅ１に沿って分断される（ステップＳ１０６）とともに、ＣＦ基板２０が図８中に示す分断線Ｅ２に沿って分断されて不要部分が除去される（ステップＳ１０７）。以上により、図１および図３に示した液晶パネル１の製造が完了する。
【００５５】
以上において説明した本実施の形態における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネル１を製造することにより、ＴＦＴ４０を製作するためにＴＦＴ基板１０に施されるエッチング処理や成膜処理の際に、既に成膜されたマーキングパッド５０の下部層５１としての金属膜を保護絶縁膜５２によって常時保護することが可能なる。したがって、当該エッチング処理や成膜処理の際にマーキングパッド５０の下部層５１がエッチングガスやエッチング液等によって腐食されて劣化することが確実に防止できる。
【００５６】
また、本実施の形態における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネル１を製造することにより、ＴＦＴ基板１０に設けられたマーキングパッド５０にＣＦ基板２０を通してレーザ光１００を照射した場合（すなわち、複板処理を行なった場合）であっても、高品位にマーキングを施すことが可能になる。ここで、高品位とは、反射型または透過型のカメラを用いて情報の読み出しを行なう場合に適した品位を意味し、具体的には、レーザ光１００の照射によって形成される貫通孔５８の形状や大きさ、貫通孔５８周縁の黒ずみ具合等が検出に適したものになることを意味する。すなわち、形成されるマーキングが低品位である場合には、反射型または透過型のカメラを用いて情報の読み出しを行なった場合に２次元データコードの読み出しエラーが生じて本来の情報とは異なる情報が読み出されてしまう不具合が生ずるが、形成されるマーキングが本実施の形態の如く高品位である場合には、読み出しエラーが生じずに正しく情報が読み出されることになる。
【００５７】
したがって、本実施の形態における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネル１を製造することにより、上述した複板処理が可能になるため、複板処理を採用することで得られる液晶パネルの効率的な生産および低コスト化という２つの効果が得られることになる。
【００５８】
加えて、本実施の形態における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネル１を製造することにより、高品位のマーキングを実現しつつ複板処理を採用することが可能になるため、レーザマーキング処理時に液晶３２が封入されることとなる空間が既にシール部材３０によって周辺部分Ｂを含む外部から隔離された状態にあることになり、レーザマーキング処理に伴って昇華するマーキングパッド５０のマーキング領域Ｃを構成する各種の膜が異物となって当該空間に侵入することが防止でき、歩留まりを向上させることもできる。
【００５９】
また、本実施の形態におけるＴＦＴ基板１０およびこれを備えた液晶パネル１の構成とすることにより、レーザマーキングに適したマーキングパッド５０を備えた液晶パネル用ガラス基板およびこれを備えた液晶パネルとすることができる。したがって、当該ＴＦＴ基板１０を用いて液晶パネル１を製造することにより、シリアル情報や用途情報等の各種情報を正確に読み出すことのできる液晶パネルとすることができる。
【００６０】
なお、本実施の形態における液晶パネルの製造方法に従うことで高品位のマーキングが行なえるメカニズムは定かではないが、その一つの理由としては以下の点が考えられる。すなわち、従来の方法に従って複板処理を行なうこととした場合には、ＴＦＴ基板とＣＦ基板とが５μｍ程度の微小なギャップで近接配置された状態にあるため、マーキングパッドの周辺が略密閉空間となってマーキングパッドを構成する膜が昇華し難い状況になるとともに、レーザ光が照射されることによって生じた熱が当該空間にこもって貫通孔の周辺の変色が誘発され、これにより高品位のマーキングを行なうことが困難になっているものと考えられる。しかしながら、本実施の形態における液晶パネルの製造方法に従ってレーザマーキング処理を行なうことにより、マーキングパッドが金属膜およびＩＴＯ膜のみからなる積層体によって構成されているため、マーキングパッドの近傍部分に加えられる熱的影響が最適化されてマーキングパッドを構成する金属膜およびＩＴＯ膜の昇華が促進されるとともに、略密閉空間に熱がこもることも抑制され、その結果、高品位のマーキングが実現されるものと考えられる。
【００６１】
図９Ａは、本発明を適用して複板処理でレーザマーキング処理が行なわれたマーキングパッドの一例を示す拡大写真であり、図９Ｂは、本発明を適用せずに複板処理でレーザマーキング処理が行なわれたマーキングパッドの一例を示す拡大写真である。これら拡大写真を参照して、複板処理を採用した場合であっても、本発明を適用することで貫通孔の大きさおよび形状、貫通孔周辺の黒ずみ具合等のマーキング品位が高品位に保たれるのに対し、本発明を適用しなかった場合には、マーキング品位が低品位になってしまうことが理解される。
【００６２】
また、本発明者らは、複板処理を採用した上でマーキングパッドの膜構成を種々変更した場合に、マーキングの品位にどのような変化が生じるかを検証することで、本願発明の膜構成（すなわち金属膜／ＩＴＯ膜の２層膜構成）が最適であることを見出した。他の膜構成（たとえば金属膜／絶縁膜の２層膜構成、金属膜／絶縁膜／金属膜の３層膜構成、金属膜／絶縁膜／ＩＴＯ膜の３層膜構成等）を試作して検証を行なった場合には、いずれの場合も良好な結果は得られなかった。
【００６３】
図１０は、本実施の形態における液晶パネルの製造方法の他の例を説明するためのフロー図であり、図１１は、本実施の形態における液晶パネルの製造方法の他の例に従って液晶パネルを製造した場合の生産過程における模式断面図である。
【００６４】
上述した本実施の形態における液晶パネルの製造方法にあっては、いわゆる複板処理を採用してレーザマーキング処理を行なった場合について説明した。しかしながら、本発明は、当然にいわゆる単板処理を行なう場合であってもその適用が可能である。以下においては、図１０および図１１を参照して、単板処理に本発明を適用した場合について本実施の形態における液晶パネルの製造方法の他の例として説明する。
【００６５】
図１０に示すように、本実施の形態における液晶パネルの製造方法の他の例にあっては、まず、ＴＦＴ基板１０の製作（ステップＳ２０１）と、ＴＦＴ基板１０と対と成るＣＦ基板２０の製作（ステップＳ２０２）とが同時並行的に行なわれる。このＴＦＴ基板１０の製作に係る具体的な処理およびＣＦ基板２０の製作に係る具体的な処理は、いずれも上述した本実施の形態における液晶パネルの製造方法の場合と同様である。
【００６６】
次に、図１０に示すように、製作が完了したＴＦＴ基板１０にレーザ光が照射されることでレーザマーキング処理が行なわれる（ステップＳ２０３）。具体的には、図１１に示すように、マーキングパッド５０のマーキング領域Ｃにマーキングパッド５０が形成されたＴＦＴ基板１０の主表面側からレーザ光１００が照射される。照射されるレーザ光１００としては、たとえば一般的なＹＡＧレーザ光やネオジム添加ＹＡＧレーザ光であるＹＶＯ4レーザの基本波（波長１０６４ｎｍ）等が好適に利用される。これにより、レーザ光１００が照射された部分のマーキングパッド５０のマーキング領域Ｃを構成する上部層５６と下部層５１とが局所加熱されて昇華し、上部層５６および下部層５１を貫通する貫通孔５８が形成される。
【００６７】
つづいて、図１０に示すように、ステップＳ２０３においてレーザマーキング処理が施されたＴＦＴ基板１０とステップＳ２０２において製作したＣＦ基板２０とが貼り合わされる（ステップＳ２０４）。なお、その詳細は、上述した本実施の形態におけるそれと同様である。
【００６８】
その後、図１０に示すように、液晶３２を封入する工程等の各種工程が行なわれる（ステップＳ２０５）。つづいて、ＴＦＴ基板１０およびＣＦ基板２０が分断される（ステップＳ２０６）とともに、さらにＣＦ基板２０が分断されて不要部分が除去される（ステップＳ２０７）。以上により、図１および図３に示した液晶パネル１の製造が完了する。
【００６９】
以上において説明した本実施の形態における液晶パネルの製造方法の他の例に従って液晶パネル１を製造した場合であっても、上述した本実施の形態における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネル１を製造した場合とほぼ同様の効果を得ることができる。すなわち、ＴＦＴ４０を製作するためのエッチング処理や成膜処理の際にマーキングパッド５０の下部層５１が腐食されて劣化することが確実に防止できるとともに、マーキングパッド５０に高品位にマーキングを施すことができる。
【００７０】
図１２および図１３は、第１および第２変形例に係るマーキングパッドの模式断面図である。これら第１および第２変形例に係るマーキングパッド５０Ａ，５０Ｂは、いずれも上述した本実施の形態のマーキングパッド５０のマーキング領域Ｃの下部層５１を構成する金属膜を積層膜にて構成したものである。
【００７１】
図１２に示すように、第１変形例においては、マーキングパッド５０Ａのマーキング領域Ｃの下部層５１が、たとえば第１金属膜５１ａと、当該第１金属膜５１ａの主表面を覆うように形成された第２金属膜５１ｂとの２層積層膜で構成されている。当該第１金属膜５１ａおよび第２金属膜５１ｂは、マーキングパッド５０Ａの下部層５１を形成する際に、スパッタリング法等を用いて順次異なる材質の金属膜を成膜することで形成される。なお、この場合には、第２金属膜５１ｂの主表面が陽極酸化処理されていてもよい。
【００７２】
第１金属膜５１ａとしては、たとえばタンタル膜が好適に利用され、第２金属膜５１ｂとしては、たとえばアルミニウム膜または銅膜が好適に利用される。なお、この場合であっても、２層積層膜からなるマーキングパッド５０Ａのマーキング領域Ｃの下部層５１は、上述したＴＦＴ４０のゲート電極４１と同時に形成されたものであり、ＴＦＴ４０のゲート電極４１を構成する金属膜も、上述した構成の２層積層膜として形成されることになる。
【００７３】
図１３に示すように、第２変形例においては、マーキングパッド５０Ｂのマーキング領域Ｃの下部層５１が、たとえば第１金属膜５１ａと、当該第１金属膜５１ａの主表面を覆うように形成された第２金属膜５１ｂと、当該第２金属膜５１ｂの主表面を覆うように形成された第３金属膜５１ｃとの３層積層膜で構成されている。当該第１金属膜５１ａ、第２金属膜５１ｂおよび第３金属膜５１ｃは、マーキングパッド５０Ｂの下部層５１を形成する際に、スパッタリング法等を用いて順次異なる材質の金属膜を成膜することで形成される。なお、この場合には、第３金属膜５１ｃの主表面が陽極酸化処理されていてもよい。
【００７４】
第１金属膜５１ａとしては、たとえばタンタル膜が好適に利用され、第２金属膜５１ｂとしては、たとえばアルミニウム膜または銅膜が好適に利用され、第３金属膜５１ｃとしては、たとえばタンタル膜が好適に利用される。なお、この場合であっても、３層積層膜からなるマーキングパッド５０Ｂのマーキング領域Ｃの下部層５１は、上述したＴＦＴ４０のゲート電極４１と同時に形成されたものであり、ＴＦＴ４０のゲート電極４１を構成する金属膜も、上述した構成の３層積層膜として形成されることになる。
【００７５】
以上において説明した第１および第２変形例とした場合であっても、上述の本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００７６】
今回開示した上記一実施の形態およびその変形例はすべての点で例示であって、制限的なものではない。本発明の技術的範囲は請求の範囲によって画定され、また請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【符号の説明】
【００７７】
１  液晶パネル、２  情報記録部、１０  ＴＦＴ基板、１１  ガラス基板、１１ａ  主表面、２０  ＣＦ基板、２１  ガラス基板、３０  シール部材、３２  液晶、４０  ＴＦＴ、４１  ゲート電極、４２  ゲート絶縁膜、４３  第１半導体層、４４  第２半導体層、４５ａ  ソース電極、４５ｂ  ドレイン電極、４６  画素電極、５０，５０Ａ，５０Ｂ  マーキングパッド、５１  下部層、５１ａ  第１金属膜、５１ｂ  第２金属膜、５１ｃ  第３金属膜、５２  保護絶縁膜、５３  第１被覆膜、５４  第２被覆膜、５５  第３被覆膜、５６  上部層、５７  凹部、５８  貫通孔、６０  文字データ部、１００  レーザ光、Ａ  液晶表示部になる部分、Ｂ  周辺部分、Ｃ  マーキング領域、Ｄ  周囲領域、Ｅ１，Ｅ２  分断線。
【図１】
2010125847.tif 000003
【図２】
2010125847.tif 000004
【図３】
2010125847.tif 000005
【図４】
2010125847.tif 000006
【図５Ａ】
2010125847.tif 000007
【図５Ｂ】
2010125847.tif 000008
【図６Ａ】
2010125847.tif 000009
【図６Ｂ】
2010125847.tif 000010
【図７Ａ】
2010125847.tif 000011
【図７Ｂ】
2010125847.tif 000012
【図８】
2010125847.tif 000013
【図１０】
2010125847.tif 000014
【図１１】
2010125847.tif 000015
【図１２】
2010125847.tif 000016
【図１３】
2010125847.tif 000017
【図９Ａ】
2010125847.tif 000018
【図９Ｂ】
2010125847.tif 000019
【国際調査報告】
2010125847.tif 000020
2010125847.tif 000021
2010125847.tif 000022
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