(57)【要約】  水やアルコール等を反応系に加えることなく、反応系から良好にジボラン等のボラン類を除去できる、水素化ホウ素金属によって求電子性化合物の水素化反応を行う、水素化生成物の製造方法と、水素化ホウ素金属を用いて求電子性化合物を水素化して水素化生成物を製造する際に、良好にボラン類を除去できる、ボラン類の除去方法と、を提供すること。  水素化ホウ素金属を用いて求電子性化合物を水素化して水素化生成物を製造する際に、水素化を、エーテル結合を有する非プロトン性有機溶剤を５０質量％以上含む溶剤中で、反応系内から反応系外への気流が生じている状態で行う。【特許請求の範囲】
【請求項１】
求電子性化合物（Ｂ）の水素化による、水素化生成物（Ａ）の製造方法であって、
前記水素化が、エーテル結合を有する非プロトン性有機溶剤を５０質量％以上含む溶剤（Ｓ）中で、水素化ホウ素金属（Ｃ）を用いて、反応系内から反応系外への気流が生じている状態で行われる、水素化生成物（Ａ）の製造方法。
【請求項２】
前記気流を、反応液の沸点をＴ１℃とする場合に、（Ｔ１−２０）℃以上の温度で反応液を加熱することにより生じさせる、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記気流を、反応液を還流させることにより生じさせる、請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記気流を、反応系内への不活性ガスの導入により生じさせる、請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
前記水素化生成物（Ａ）が、０〜４０℃で加水分解される化合物である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記水素化生成物（Ａ）が、下記式（１）：
Ｒ１ａＳｉＨｂＸ（４−ａ−ｂ）・・・（１）
（式（１）中、Ｒ１はそれぞれ独立に置換基を有してもよい炭素原子数１〜２０の炭化水素基であり、Ｘはそれぞれ独立に加水分解性基であり、ａは０〜３の整数であり、ｂは１又は２であり、ａ＋ｂは１〜４の整数である。）
で表されるヒドロシラン化合物であり、
前記水素化ホウ素金属（Ｃ）が、水素化ホウ素ナトリウムである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
前記求電子性化合物（Ｂ）が、下記式（２）：
Ｒ１ａＳｉＹｂＸ（４−ａ−ｂ）・・・（２）
（式（２）中、Ｒ１、Ｘ、ａ、及びｂは、前記式（１）と同様であり、Ｙはハロゲン原子である。）
で表されるハロシラン化合物である、請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記ａが１であり、前記ｂが１であり、前記ＸがＯＲ２で表される基であり、前記Ｒ１がアルコキシ基で置換されたアルキル基であり、前記Ｒ１において、アルキル基上に置換するアルコキシ基の炭素原子数が１〜３であり、前記Ｒ２がメチル基又はエチル基であり、前記水素化ホウ素ナトリウムの使用量が、前記ハロシラン化合物が有するハロゲン原子の量に対して、１．０モル当量以上２．０モル当量以下である、請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
反応終了後の反応液に溶解しているホウ素量が、１質量ｐｐｍ以上７００質量ｐｐｍ以下である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１０】
求電子性化合物（Ｂ）を水素化ホウ素金属（Ｃ）により水素化することによる、水素化生成物（Ａ）の製造方法おける、ボラン類の除去方法であって
前記水素化を、エーテル結合を有する非プロトン性有機溶剤を５０質量％以上含む溶剤（Ｓ）中で、反応系内から反応系外への気流が生じている状態で行い、
前記ボラン類を、前記気流とともに反応系外に除去する、方法。
【請求項１１】
前記気流を反応液の沸点をＴ１℃とする場合に、（Ｔ１−２０℃）以上の温度で反応液を加熱することにより生じさせる、請求項１０に記載の除去方法。
【請求項１２】
前記気流を、反応液を還流させることにより生じさせる、請求項１１に記載の除去方法。
【請求項１３】
前記気流を、反応系内への不活性ガスの導入により生じさせる、請求項１０に記載の除去方法。
【請求項１４】
前記水素化生成物（Ａ）が、０〜４０℃で加水分解される化合物である、請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の除去方法。
【請求項１５】
前記水素化生成物（Ａ）が、下記式（１）：
Ｒ１ａＳｉＨｂＸ（４−ａ−ｂ）・・・（１）
（式（１）中、Ｒ１はそれぞれ独立に置換基を有してもよい炭素原子数１〜２０の炭化水素基であり、Ｘはそれぞれ独立に加水分解性基であり、ａは０〜３の整数であり、ｂは１又は２であり、ａ＋ｂは１〜４の整数である。）
で表されるヒドロシラン化合物であり、
前記水素化ホウ素金属（Ｃ）が、水素化ホウ素ナトリウムである、請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の除去方法。
【請求項１６】
前記求電子性化合物（Ｂ）が、下記式（２）：
Ｒ１ａＳｉＹｂＸ（４−ａ−ｂ）・・・（２）
（式（２）中、Ｒ１、Ｘ、ａ、及びｂは、前記式（１）と同様であり、Ｙはハロゲン原子である。）
で表されるハロシラン化合物である、請求項１５に記載の除去方法。
【請求項１７】
前記ａが１であり、前記ｂが１であり、前記ＸがＯＲ２で表される基であり、前記Ｒ１がアルコキシ基で置換されたアルキル基であり、前記Ｒ１において、アルキル基上に置換するアルコキシ基の炭素原子数が１〜３であり、前記Ｒ２がメチル基又はエチル基であり、前記水素化ホウ素ナトリウムの使用量が、前記ハロシラン化合物が有するハロゲン原子の量に対して、１．０モル当量以上２．０モル当量以下である、請求項１６に記載の除去方法。
【請求項１８】
反応終了後の反応液に溶解しているホウ素量が、１質量ｐｐｍ以上７００質量ｐｐｍ以下である、請求項１０〜１７のいずれか１項に記載の除去方法。
【請求項１９】
水素化生成物（Ａ）と、溶剤（Ｓ）とを含み、求電子性化合物（Ｂ）を含んでいてもよい反応液であって、
前記溶剤（Ｓ）が、エーテル結合を有する非プロトン性有機溶剤を５０質量％以上含み、
前記反応液に溶解しているホウ素量が、１質量ｐｐｍ以上７００質量ｐｐｍ以下である、反応液。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水素化ホウ素金属を用いる求電子性化合物の水素化による水素化生成物の製造方法と、水素化ホウ素金属化合物を用いて求電子性化合物を水素化して水素化生成物を製造する際の、ボラン類の除去方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
水素化ホウ素ナトリウムに代表される水素化ホウ素金属は、種々の求電子性化合物を良好に水素化でき、且つ水素化剤の中では比較的安価であるため、水素化剤として広く使用されている。
また、水素化ホウ素金属を用いて、水素化反応を行う場合、ボランやジボラン等のボラン類が副生することが知られている。なお、ボランが不安定である一方で、ジボランが安定であるため副生するボラン類の大半はジボランとして存在する。
かかるジボランについて、その発火性や人体に対する有毒性が知られている。また、反応性の高いジボランによる副反応によって、反応生成物が分解する可能性もある。このため、水素化ホウ素金属を用いて水素化反応を行った後には、速やかに副生するボラン類を除去し、適切に処理されることが望まれる。【０００３】
ここで、非特許文献１において「ジボラン」の項に記載されるように、ジボランについて、水と反応しホウ酸を生成させ、アルコールと反応してホウ酸エステルを生成させることが知られている。このため、水素化ホウ素金属を用いる水素化反応後には、反応系内に水やアルコール等が加えられ、もしくは反応溶剤として水やアルコールが使用され、ボラン類がクエンチされることが多い（例えば、非特許文献２を参照。）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】「化学辞典」（第１版、第８刷）、株式会社東京化学同人、ｐ．６３２−６３３
【非特許文献２】「新実験化学講座  １５  酸化と還元ＩＩ」（１９７７年２月発行）、丸善、ｐ．１７９−２０７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、水素化生成物が水やアルコール等に対する反応性を有する場合、水素化生成物の分解避けるために反応系内に水やアルコール等を加えることができない。【０００６】
本発明は、上記の課題に鑑みなされたものであり、水やアルコール等を反応系に加えることなく、反応系から良好にジボラン等のボラン類を除去できる、水素化ホウ素金属によって求電子性化合物の水素化反応を行う、水素化生成物の製造方法と、水素化ホウ素金属を用いて求電子性化合物を水素化して水素化生成物を製造する際に、良好にボラン類を除去できる、ボラン類の除去方法と、を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、水素化ホウ素金属を用いて求電子性化合物を水素化して水素化生成物を製造する際に、水素化を、エーテル結合を有する非プロトン性有機溶剤を５０質量％以上含む溶剤中で、反応系内から反応系外への気流が生じている状態で行うことにより上記の課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。【０００８】
すなわち、本発明は、
（１）求電子性化合物（Ｂ）の水素化による、水素化生成物（Ａ）の製造方法であって、
水素化が、エーテル結合を有する非プロトン性有機溶剤を５０質量％以上含む溶剤（Ｓ）中で、水素化ホウ素金属（Ｃ）を用いて、反応系内から反応系外への気流が生じている状態で行われる、水素化生成物（Ａ）の製造方法。
（２）気流を、反応液の沸点をＴ１℃とする場合に、（Ｔ１−２０）℃以上の温度で反応液を加熱することにより生じさせる、（１）に記載の製造方法。
（３）気流を、反応液を還流させることにより生じさせる、（２）に記載の製造方法。
（４）気流を、反応系内への不活性ガスの導入により生じさせる、（１）に記載の製造方法。
（５）水素化生成物（Ａ）が、０〜４０℃で加水分解される化合物である、（１）〜（４）のいずれか１つに記載の製造方法。
（６）水素化生成物（Ａ）が、下記式（１）：
Ｒ１ａＳｉＨｂＸ（４−ａ−ｂ）・・・（１）
（式（１）中、Ｒ１はそれぞれ独立に置換基を有してもよい炭素原子数１〜２０の炭化水素基であり、Ｘはそれぞれ独立に加水分解性基であり、ａは０〜３の整数であり、ｂは１又は２であり、ａ＋ｂは１〜４の整数である。）
で表されるヒドロシラン化合物であり、
水素化ホウ素金属（Ｃ）が、水素化ホウ素ナトリウムである、（１）〜（５）のいずれか１つに記載の製造方法。
（７）求電子性化合物（Ｂ）が、下記式（２）：
Ｒ１ａＳｉＹｂＸ（４−ａ−ｂ）・・・（２）
（式（２）中、Ｒ１、Ｘ、ａ、及びｂは、式（１）と同様であり、Ｙはハロゲン原子である。）
で表されるハロシラン化合物である、（６）に記載の製造方法。
（８）ａが１であり、ｂが１であり、ＸがＯＲ２で表される基であり、Ｒ１がアルコキシ基で置換されたアルキル基であり、Ｒ１において、アルキル基上に置換するアルコキシ基の炭素原子数が１〜３であり、Ｒ２がメチル基又はエチル基であり、水素化ホウ素ナトリウムの使用量が、ハロシラン化合物が有するハロゲン原子の量に対して、１．０モル当量以上２．０モル当量以下である、（７）に記載の製造方法。
（９）反応終了後の反応液に溶解しているホウ素量が、１質量ｐｐｍ以上７００質量ｐｐｍ以下である、（１）〜（８）のいずれか１つに記載の製造方法。
（１０）求電子性化合物（Ｂ）を水素化ホウ素金属（Ｃ）により水素化することによる、水素化生成物（Ａ）の製造方法おける、ボラン類の除去方法であって
水素化を、エーテル結合を有する非プロトン性有機溶剤を５０質量％以上含む溶剤（Ｓ）中で、反応系内から反応系外への気流が生じている状態で行い、
ボラン類を、気流とともに反応系外に除去する、方法。
（１１）気流を、反応液の沸点をＴ１℃とする場合に、（Ｔ１−２０）℃以上の温度で反応液を加熱することにより生じさせる、（１０）に記載の除去方法。
（１２）気流を、反応液を還流させることにより生じさせる、（１１）に記載の除去方法。
（１３）気流を、反応系内への不活性ガスの導入により生じさせる、（１０）に記載の除去方法。
（１４）水素化生成物（Ａ）が、０〜４０℃で加水分解される化合物である、（１０）〜（１３）のいずれか１つに記載の除去方法。
（１５）水素化生成物（Ａ）が、下記式（１）：
Ｒ１ａＳｉＨｂＸ（４−ａ−ｂ）・・・（１）
（式（１）中、Ｒ１はそれぞれ独立に置換基を有してもよい炭素原子数１〜２０の炭化水素基であり、Ｘはそれぞれ独立に加水分解性基であり、ａは０〜３の整数であり、ｂは１又は２であり、ａ＋ｂは１〜４の整数である。）
で表されるヒドロシラン化合物であり、
水素化ホウ素金属（Ｃ）が、水素化ホウ素ナトリウムである、（１０）〜（１４）のいずれか１つに記載の除去方法。
（１６）求電子性化合物（Ｂ）が、下記式（２）：
Ｒ１ａＳｉＹｂＸ（４−ａ−ｂ）・・・（２）
（式（２）中、Ｒ１、Ｘ、ａ、及びｂは、式（１）と同様であり、Ｙはハロゲン原子である。）
で表されるハロシラン化合物である、（１５）に記載の除去方法。
（１７）ａが１であり、ｂが１であり、ＸがＯＲ２で表される基であり、Ｒ１がアルコキシ基で置換されたアルキル基であり、Ｒ１において、アルキル基上に置換するアルコキシ基の炭素原子数が１〜３であり、Ｒ２がメチル基又はエチル基であり、水素化ホウ素ナトリウムの使用量が、ハロシラン化合物が有するハロゲン原子の量に対して、１．０モル当量以上２．０モル当量以下である、（１６）に記載の除去方法。
（１８）反応終了後の反応液に溶解しているホウ素量が、１質量ｐｐｍ以上７００質量ｐｐｍ以下である、（１０）〜（１７）のいずれか１つに記載の除去方法。
（１９）水素化生成物（Ａ）と、溶剤（Ｓ）とを含み、求電子性化合物（Ｂ）を含んでいてもよい反応液であって、
溶剤（Ｓ）が、エーテル結合を有する非プロトン性有機溶剤を５０質量％以上含み、
反応液に溶解しているホウ素量が、１質量ｐｐｍ以上７００質量ｐｐｍ以下である、反応液。
に関する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、水やアルコール等を反応系に加えることなく、反応系から良好にジボラン等のボラン類を除去できる、水素化ホウ素金属によって求電子性化合物の水素化反応を行う、水素化生成物の製造方法と、水素化ホウ素金属を用いて求電子性化合物を水素化して水素化生成物を製造する際に、良好にボラン類を除去できる、ボラン類の除去方法と、を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
≪水素化生成物の製造方法≫
以下、水素化生成物の製造方法について説明する。
【００１１】
＜水素化生成物（Ａ）及び求電子性化合物（Ｂ）＞
水素化生成物（Ａ）は、求電子性化合物（Ｂ）を水素化して製造される。水素化は、後述する水素化ホウ素金属（Ｃ）を用いて行われる。
かかる水素化反応は、水素化ホウ素金属（Ｃ）により生じ得る反応であれば特に限定されない。典型的な例としては、ケトン又はアルデヒドからのアルコール生成反応、ハロアルカン類の水素化反応、ハロシリル基（Ｓｉ−Ｈａｌ、Ｈａｌはハロゲン原子）のヒドロシリル基（Ｓｉ−Ｈ）への変換反応、二トリルやアミド等の窒素化合物の水素化反応、及びスルホキシド等の硫黄化合物の水素化反応が挙げられる。
【００１２】
水素化生成物（Ａ）が、０〜４０℃の室温又は室温に近い温度で水との反応により分解する化合物である場合、水を用いることなく反応系中のボラン類の量を低減できることが、特に効果的である。また、求電子性化合物（Ｂ）としても、０〜４０℃の室温又は室温に近い温度で水との反応により分解する水素化生成物（Ａ）を、水素化により生成させる化合物が好ましい。
【００１３】
水素化生成物（Ａ）の好適な典型例としては、下記式（１）：
Ｒ１ａＳｉＨｂＸ（４−ａ−ｂ）・・・（１）
（式（１）中、Ｒ１はそれぞれ独立に置換基を有してもよい炭素原子数１〜２０の炭化水素基であり、Ｘはそれぞれ独立に加水分解性基であり、ａは０〜３の整数であり、ｂは１又は２であり、ａ＋ｂは１〜４の整数である。）
で表されるヒドロシラン化合物（Ａ１）が挙げられる。
【００１４】
上記式（１）で表されるヒドロシラン化合物（Ａ１）を生成させるためには、求電子性化合物（Ｂ）として、下記式（２）：
Ｒ１ａＳｉＹｂＸ（４−ａ−ｂ）・・・（２）
（式（２）中、Ｒ１、Ｘ、ａ、及びｂは、前述の式（１）と同様であり、Ｙはハロゲン原子である。）
で表されるハロシラン化合物（Ｂ１）を好ましく用いることができる。
【００１５】
式（１）及び式（２）において、Ｒ１は、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０の炭化水素基である。ヒドロシラン化合物（Ａ１）又はハロシラン化合物（Ｂ１）が複数のＲ１を有する場合、複数のＲ１は同一であっても、互いに異なっていてもよい。
【００１６】
Ｒ１としての炭化水素基が有し得る置換基としては、ヒドロシラン化合物（Ａ１）の良好な生成を阻害しない基であれば特に限定されない。具体的には、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アルケニルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
上記の置換基のなかでは、アルコキシ基、アリールオキシ基、及びハロゲン原子が好ましく、アルコキシ基、及びハロゲン原子がより好ましい。
アルコキシ基としては、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基が好ましく、炭素原子数１〜６のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基及びエトキシ基がさらにより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。炭素原子数が少なく、立体的に小さいアルコキシ基のほうが、水素化反応が良好に進行する傾向がある。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられ、水素化ホウ素金属（Ｃ）との副反応が生じにくいという点で、フッ素原子、及び塩素原子が好ましい。
【００１７】
Ｒ１としての置換基を有してもよい炭化水素基の炭素原子数の総数は、ポリマー分子鎖に導入した際に、炭素原子数の総数が少ないほうが、反応性官能基としての反応性が高くなる傾向にあることから、１〜１２が好ましく、１〜６がより好ましい。
【００１８】
無置換の炭素原子数１〜２０の炭化水素基の好適な例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ドデシル基、及びｎ−イコシル基等のアルキル基；シクロプロピル基、及びシクロヘキシル基等のシクロアルキル基；ビニル基、アリル基、及びイソプロペニル基等のアルケニル基；フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、及びナフタレン−１−イル基等の芳香族炭化水素基；ベンジル基、フェネチル基、及びナフタレン−１−イルメチル基等のアラルキル基が挙げられる。炭素原子数が多くなりすぎると反応性が低下することから、これらの中では炭素原子数６以下の炭化水素基が好ましく、炭素原子数３以下の炭化水素基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
【００１９】
Ｒ１としては、ヒドロシラン化合物（Ａ１）の原料の入手や製造が容易である点等から、置換基を有してもよい炭素原子数１〜３の炭化水素基が好ましい。
また、Ｒ１は、塩素原子で置換されているか、エーテル結合を含むのが反応性の観点で好ましい。
Ｒ１としての好適な基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、１−クロロプロピル基、２−クロロプロピル基、３−クロロプロピル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、１−メトキシエチル基、２−メトキシエチル基、１−メトキシプロピル基、２−メトキシプロピル基、３−メトキシプロピル基が挙げられる。
これらの中では、水素化反応が良好に進行することから、メトキシメチル基が好ましい。
【００２０】
Ｘは、加水分解性基である。Ｘは、ヒドロシラン化合物（Ａ１）の良好な生成を阻害しなければ特に限定されない。ヒドロシラン化合物（Ａ１）又はハロシラン化合物（Ｂ１）が複数のＸを有する場合、複数のＸは同一であっても、互いに異なっていてもよい。
Ｘとしての加水分解性基の好ましい例としては、ハロゲン原子、ＯＲ２で表される基、炭素原子数２〜８のアシルオキシ基、及びイソシアネート基が挙げられる。
Ｒ２としては、Ｒ１と同様の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０の炭化水素基が好ましい。ＯＲ２で表される基としては、立体的に小さく、水素化反応を妨げないことから、メトキシ基、及びエトキシ基が好ましい。
炭素原子数２〜８のアシルオキシ基としては、例えば、アセチルオキシ基、アクリロイルオキシ基、２−エチルヘキサノイルオキシ基、及びベンゾイルオキシ基等が挙げられる。
【００２１】
式（２）中、Ｙはハロゲン原子である。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が好ましい。原料の入手性の観点で塩素原子、臭素原子がより好ましい。取扱いの容易さの面で塩素原子が特に好ましい。
【００２２】
式（１）及び式（２）において、原料の入手性の点から、ａは１であるのが好ましい。Ｘは、ＯＲ２で表される基が好ましく、Ｒ２がメチル基、又はエチル基であるのがより好ましい。Ｒ１は、アルコキシ基で置換されたアルキル基であるのが好ましい。Ｒ１としての好適な基において、アルキル基上に置換するアルコキシ基の炭素原子数は１〜３である。
そして、式（１）及び式（２）において、ａが１であり、ＸがＯＲ２で表される基であり、Ｒ２がメチル基、又はエチル基であり、Ｒ１がアルコキシ基で置換されたアルキル基であるのが、得られるヒドロシラン化合物（Ａ１）の有用性の面で特に好ましい。特に好ましいヒドロシラン化合物において、Ｒ１中のアルコキシ基の炭素原子数は１〜３である。
【００２３】
本発明によって得られる式（１）で表されるヒドロシラン化合物（Ａ１）の好適な具体例としては、メチルジメトキシシラン（ＨＳｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）２）、メチルジエトキシシラン（ＨＳｉ（ＣＨ３）（ＯＣ２Ｈ５）２）、エチルジメトキシシラン（ＨＳｉ（Ｃ２Ｈ５）（ＯＣＨ３）２）、エチルジエトキシシラン（ＨＳｉ（Ｃ２Ｈ５）（ＯＣ２Ｈ５）２）、ｎ−プロピルジメトキシシラン（ＨＳｉ（ｎ−Ｃ３Ｈ７）（ＯＣＨ３）２）、ｎ−プロピルジエトキシシラン（ＨＳｉ（ｎ−Ｃ３Ｈ７）（ＯＣ２Ｈ５）２）、ｎ−ヘキシルジメトキシシラン（ＨＳｉ（ｎ−Ｃ６Ｈ１３）（ＯＣＨ３）２）、ｎ−ヘキシルジエトキシシラン（ＨＳｉ（ｎ−Ｃ６Ｈ１３）（ＯＣ２Ｈ５）２）、フェニルジメトキシシラン（ＨＳｉ（Ｐｈ）（ＯＣＨ３）２）、フェニルジエトキシシラン（ＨＳｉ（Ｐｈ）（ＯＣ２Ｈ５）２）、クロロメチルジメトキシシラン（ＨＳｉ（ＣＨ２Ｃｌ）（ＯＣＨ３）２）、クロロメチルジエトキシシラン（ＨＳｉ（ＣＨ２Ｃｌ）（ＯＣ２Ｈ５）２）、クロロメチルジイソプロペニルオキシシラン（ＨＳｉ（ＣＨ２Ｃｌ）（ＯＣ（ＣＨ３）＝ＣＨ２）２）、クロロメチルメトキシメチルシラン（ＨＳｉ（ＣＨ２Ｃｌ）（ＯＣＨ３）（ＣＨ３））、クロロメチルエトキシメチルシラン（ＨＳｉ（ＣＨ２Ｃｌ）（ＯＣ２Ｈ５）（ＣＨ３））、ビス（クロロメチル）メトキシシラン（ＨＳｉ（ＣＨ２Ｃｌ）２（ＯＣＨ３））、ビス（クロロメチル）エトキシシラン（ＨＳｉ（ＣＨ２Ｃｌ）２（ＯＣ２Ｈ５））、１−クロロエチルジメトキシシラン（ＨＳｉ（ＣＨＣｌＣＨ３）（ＯＣＨ３）２）、２−クロロエチルジメトキシシラン（ＨＳｉ（ＣＨ２ＣＨ２Ｃｌ）（ＯＣＨ３）２）、１−クロロプロピルジメトキシシラン（ＨＳｉ（ＣＨＣｌＣＨ２ＣＨ３）（ＯＣＨ３）２）、２−クロロプロピルジメトキシシラン（ＨＳｉ（ＣＨ２ＣＨＣｌＣＨ３）（ＯＣＨ３）２）、３−クロロプロピルジメトキシシラン（ＨＳｉ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃｌ）（ＯＣＨ３）２）、フルオロメチルジメトキシシラン（ＨＳｉ（ＣＨ２Ｆ）（ＯＣＨ３）２）、メトキシメチルジメトキシシラン（ＨＳｉ（ＣＨ２ＯＣＨ３）（ＯＣＨ３）２）、メトキシメチルジエトキシシラン（ＨＳｉ（ＣＨ２ＯＣＨ３）（ＯＣ２Ｈ５）２）、メトキシメチルジイソプロペニルオキシシラン（ＨＳｉ（ＣＨ２ＯＣＨ３）（ＯＣ（ＣＨ３）＝ＣＨ２）２）、（ジメトキシメチル）ジメトキシシラン（ＨＳｉ（ＣＨ（ＯＣＨ３）２）（ＯＣＨ３）２）、エトキシメチルジメトキシシラン（ＨＳｉ（ＣＨ２ＯＣ２Ｈ５）（ＯＣＨ３）２）、エトキシメチルジエトキシシラン（ＨＳｉ（ＣＨ２ＯＣ２Ｈ５）（ＯＣ２Ｈ５）２）、１−メトキシエチルジメトキシシラン（ＨＳｉ（ＣＨ（ＯＣＨ３）ＣＨ３）（ＯＣＨ３）２）、トリメトキシメチルジメトキシシラン（ＨＳｉ（Ｃ（ＯＣＨ３）３）（ＯＣＨ３）２）、（メトキシメチル）メチルメトキシシラン（ＨＳｉ（ＣＨ２ＯＣＨ３）（ＣＨ３）（ＯＣＨ３））、ビス（メトキシメチル）メトキシシラン（ＨＳｉ（ＣＨ２ＯＣＨ３）２（ＯＣＨ３））、及びメチルチオメチルジメトキシシラン（ＨＳｉ（ＣＨ２ＳＣＨ３）（ＯＣＨ３）２）等が挙げられる。ただし、ヒドロシラン化合物（Ａ１）は、これらに限定されない。
【００２４】
得られるシランの有用性から、上記の中では、メチルジメトキシシラン、エチルジメトキシシラン、ｎ−プロピルジメトキシシラン、ｎ−ヘキシルジメトキシシラン、フェニルジメトキシシラン、クロロメチルジメトキシシラン、クロロメチルジエトキシシラン、クロロメチルメトキシメチルシラン、ビス（クロロメチル）メトキシシラン、メトキシメチルジメトキシシラン、メトキシメチルジエトキシシラン、（メトキシメチル）メチルメトキシシラン、ビス（メトキシメチル）メトキシシランが好ましく、メトキシメチルジメトキシシランがより好ましい。
【００２５】
式（２）で表されるハロシラン化合物（Ｂ１）の好適な具体例としては、上記式（１）で表されるヒドロシラン化合物（Ａ１）におけるケイ素原子に結合する水素原子をハロゲン原子に置換した化合物が挙げられる。
【００２６】
＜水素化ホウ素金属（Ｃ）＞
水素化ホウ素金属（Ｃ）としては、水素化反応を良好に進行させ得る化合物であれば特に限定されない。
好適な水素化ホウ素金属（Ｃ）としては、種々の水素化反応を良好に進行させやすいことから、下記式（Ｃ１）：
ＭＢＨ４・・・（Ｃ１）
（式（Ｃ１）中、Ｍは、リチウム、ナトリウム、又はカリウムである。）
で表される化合物が挙げられる。式（Ｃ１）で表される化合物の中では、安価且つ入手が容易であることから、Ｍがナトリウムである水素化ホウ素ナトリウムが好ましい。
【００２７】
水素化ホウ素金属（Ｃ）は、固体状で反応系に加えられてもよく、溶剤に分散された状態や、溶剤に溶解した状態で反応系に加えられてもよい。水素化ホウ素金属（Ｃ）を、分散又は溶解させる溶剤としては、後述する溶剤（Ｓ）が好ましく使用される。
水素化ホウ素金属（Ｃ）は、１度又は数度に分割して反応系に加えられてもよく、滴下等の方法により連続的に反応系に加えられてもよい。水素化ホウ素金属（Ｃ）を反応系内に加える時間は特に限定されず、反応の進行状況に応じて適宜選択される。
また、水素化ホウ素金属（Ｃ）の分散液、又は溶液に対して、求電子性化合物（Ｂ）が加えられてもよい。この場合、求電子性化合物（Ｂ）は、溶剤に分散された状態や、溶剤に溶解した状態で反応系に加えられてもよい。求電子性化合物（Ｂ）を、分散又は溶解させる溶剤としては、後述する溶剤（Ｓ）が好ましく使用される。また、求電子性化合物（Ｂ）は、１度又は数度に分割して反応系に加えられてもよく、滴下等の方法により連続的に反応系に加えられてもよい。求電子性化合物（Ｂ）を反応系内に加える時間は特に限定されず、反応系の進行状況に応じて適宜選択される。
【００２８】
水素化ホウ素金属（Ｃ）の使用量は、求電子性化合物（Ｂ）から所望する収率で水素化生成物（Ａ）を生成させることができれば特に限定されない。
水素化ホウ素金属（Ｃ）の使用量は、求電子性化合物（Ｂ）１．０モルから所望する構造の水素化生成物（Ａ）１．０モルを生成させるための、化学量論的な水素化ホウ素金属（Ｃ）の必要量を１．０モル当量とする場合に、０．５モル当量以上１０．０モル当量以下が好ましく１．０モル当量以上５．０モル当量以下がより好ましく、１．２モル当量以上３．０モル当量以下が特に好ましい。
【００２９】
特に、ａが１であり、ＸがＯＲ２で表される基であり、Ｒ２がメチル基、又はエチル基であり、Ｒ１がアルコキシ基で置換されたアルキル基である、式（２）で表されるハロシラン化合物（Ｂ１）を求電子性化合物（Ｂ）として用いて、水素化ホウ素ナトリウムによって水素化を行い式（１）で表されるヒドロシラン化合物（Ａ１）を水素化生成物（Ａ）として製造する場合、水素化ホウ素ナトリウムの使用量は、ハロシラン化合物（Ｂ１）が有するハロゲン原子の量に対して、１．２モル当量以上３．０モル当量以下であるのが好ましい。なお、Ｒ１中のアルコキシ基の炭素原子数は１〜３である。
【００３０】
＜溶剤（Ｓ）＞
求電子性化合物（Ｂ）と、水素化ホウ素金属（Ｃ）とを反応させる際には、エーテル結合を有する非プロトン性有機溶剤を５０質量％以上含む溶剤（Ｓ）を用いる。
これにより、求電子性化合物（Ｂ）の水素化ホウ素金属（Ｃ）による水素化が良好に進行する。
【００３１】
エーテル結合を有する非プロトン性有機溶剤の好適な具体例としては、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，４−ジオキサン等の環状エーテル類；ジエチルエーテル、ジｎ−ブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル等のジアルキルエーテル類；アニソール等のアルコキシベンゼン類；メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル等のアルコキシアルカン酸エステル類；１，２−ジメトキシエタン、１，２−ジエトキシエタン、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル（トリグライム）、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル（テトラグライム）、テトラプロピレングリコールジメチルエーテル等のグリコールジアルキルエーテル；エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールアルキルエーテルアセテートが挙げられる。これらのエーテル結合を有する非プロトン性有機溶剤は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３２】
これらの中では、水素化生成物（Ａ）を良好な収率で製造しやすいことから、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、及びトリエチレングリコールジメチルエーテルが好ましい。取扱いや反応後の回収、精製が容易であることから１，２−ジメトキシエタンがより好ましい。
【００３３】
溶剤（Ｓ）におけるエーテル結合を有する非プロトン性有機溶剤の含有量は５０質量％以上であれば特に限定されないが、７０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましく、１００質量％が特に好ましい。溶剤（Ｓ）におけるエーテル結合を有する非プロトン性有機溶剤の含有量が多いほど、水素化の反応性が向上する傾向にある。
【００３４】
溶剤（Ｓ）において、エーテル結合を有する非プロトン性有機溶剤とともに他の溶剤を用いる場合、他の溶剤の種類は、求電子性化合物（Ｂ）の水素化ホウ素金属（Ｃ）による水素化を阻害しない限り特に限定されない。
他の溶剤としては、典型的には、炭化水素系有機溶剤が好ましい。その中でも、エーテル結合を有する非プロトン性有機溶剤と混和する溶剤がより好ましい。
【００３５】
他の溶剤として使用できる炭化水素系有機溶剤の好適な具体例としては、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン等のアルカン；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン等の芳香族溶剤等が挙げられる。
【００３６】
溶剤（Ｓ）の使用量は、所望する収率で水素化生成物（Ａ）を生成させることができる限り特に限定されない。溶剤（Ｓ）の使用量は、典型的には、求電子性化合物（Ｂ）１００質量部に対して、５０〜１０００質量部が好ましく、７０〜８００質量部がより好ましく、１００〜５００質量部が特に好ましい。
【００３７】
＜反応方法＞
前述した水素化生成物（Ａ）は、それぞれ前述した求電子性化合物（Ｂ）と水素化ホウ素化合物（Ｃ）と溶剤（Ｓ）とを用いて製造される。
具体的には、求電子性化合物（Ｂ）と水素化ホウ素金属（Ｃ）とを、溶剤（Ｓ）中で、反応系内から反応系外への気流が生じている状態で反応させることにより、水素化生成物（Ａ）が製造される。
水素化反応を、エーテル結合を有する非プロトン性有機溶剤を５０質量％以上含む溶剤（Ｓ）中で、反応系内から反応系外への気流が生じている状態で反応させることによって、水素化反応を良好に進行させつつ、反応終了時の反応系内の副生したボラン類の量を低減することができる。
なお、反応系外への気流を生じさせるため、反応容器としては、系外への排気が可能な開口、好ましくは管を備える容器を用いる。溶剤（Ｓ）を反応系に戻すため、反応容器が冷却設備を備えることも好ましい。
気流とともに反応系外へ排出されたボラン類は、水やアルコール中でクエンチされてもよく、燃焼等の方法によって処理されてもよく、吸着剤に吸着されてもよい。より安全に処理できることから、ボラン類が水でクエンチされるのが好ましい。クエンチに使用される水は、酸性であってもよく、塩基性であってもよく、中性であってもよい。
【００３８】
反応系内から、反応系外への気流を生じさせる方法は、特に限定されない。好ましい方法としては、下記、１）及び２）の方法が挙げられる。
１）反応液の沸点をＴ１とする場合に、（Ｔ１−２０）℃以上の温度で反応液を加熱する方法。
２）反応系内へ不活性ガスを導入する方法。
【００３９】
上記１）及び２）の方法は、いずれも、大気圧下、減圧下、加圧下のいずれの条件でも行うことができ、大気圧下で行われるのが好ましい。
【００４０】
１）の方法において、反応液の沸点は、反応液の沸騰状態の観察と、反応液を昇温する際に温度上昇が停止することから決定することができる。
反応液の沸点をＴ１とする場合に、反応液を、（Ｔ１−２０）℃以上に加熱することにより、反応液に由来する蒸気圧が高くなり、当該蒸気を反応系外に排出させることができる。系外に排出される蒸気は、水素化反応において副生したボラン類を含む。このため、加熱により生じる蒸気の反応系外への排出によって、反応液中の副生したボラン類の含有量が低減される。
なお、エーテル結合を有する非プロトン性有機溶剤の中には、テトラヒドロフランのようにジボラン等と錯体を形成するものがある。しかし、かかる錯体も、錯体が形成されたまま、もしくは溶剤と分離の上で、蒸気とともに反応系外に排出される。このためジボラン等と錯体を形成し得る有機溶剤を用いる場合でも、副生したボラン類のほとんど（例えば、副生量の７０％以上、好ましくは８０％以上）が反応液中から除去される。
【００４１】
１）の方法では、水素化反応を良好に進行させやすかったり、蒸気の発生量が多く副生したボラン類を除去しやすかったりすることから、反応液を（反応液の沸点−１０）℃以上に加熱するのが好ましく、反応液を還流させながら水素化反応を行うのがより好ましい。
【００４２】
２）の方法では、反応系内に不活性ガスを吹き込む。反応系内に吹き込まれた不活性ガスを反応系外に排出することによって、反応系内で副生したボラン類が反応系外に排出される。
不活性ガスの好適な例としては、窒素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス等が挙げられる。入手が容易で安価である点等から窒素ガスが好ましい。
求電子性化合物（Ｂ）及び水素化生成物（Ａ）が、空気中の酸素により容易に酸化されない物質である場合、空気、好ましくは乾燥空気を不活性ガスとして用いることもできる。
【００４３】
２）の方法における反応温度は特に限定されない。求電子性化合物（Ｂ）の種類や、水素化ホウ素金属（Ｃ）の種類に応じて、反応温度は、目的とする反応が良好に進行する温度に適宜設定される。
【００４４】
なお、上記の水素化反応は、バッチ式で行われてもよいし、連続式で行われてもよい。
【００４５】
以上の方法により、水素化生成物（Ａ）の収率が所望する値に達するまで、水素化反応が行われる。この場合、除去すべきボラン類の量と、ボラン類の除去操作の容易性とを勘案して、反応液に溶解しているホウ素量が、好ましくは１質量ｐｐｍ以上７００質量ｐｐｍ以下、より好ましくは１質量ｐｐｍ以上５００質量ｐｐｍ以下、特に好ましくは１質量ｐｐｍ以上４００質量ｐｐｍ以下となるまで反応が継続される。
なお、ボラン類の除去を念入りに行う必要が無い点で、水素化反応後に反応液中に溶解しているホウ素量の下限値は、例えば、１０質量ｐｐｍであってもよく、５０質量ｐｐｍであってもよく、７０質量ｐｐｍであってもよく、１００質量ｐｐｍであってもよい。
求電子性化合物（Ｂ）と、水素化ホウ素金属（Ｃ）とを反応させる時間は特に限定されない。
例えば、求電子性化合物（Ｂ）が、前述の式（２）で表されるアルコキシハロシラン化合物（Ｂ１）である場合、アルコキシハロシラン化合物（Ｂ１）と、水素化ホウ素金属（Ｃ）とを反応させる時間は、アルコキシハロシラン化合物（Ｂ１）又は水素化ホウ素金属（Ｃ）を反応系内に添加する時間も含めて、典型的には、１時間〜２４時間であり、１時間３０分〜１０時間が好ましく、２時間〜５時間がより好ましい。反応時間が短いと、反応による発熱で反応系の温度が急上昇する懸念がある。反応時間が長いと、水素化生成物（Ａ）が分解する懸念がある。
ただし、式（２）で表されるアルコキシハロシラン化合物（Ｂ１）におけるＲ１の炭素原子数が大きい場合、水素化反応に長時間を要する場合がある。反応時間は、この点を考慮のうえ、必要に応じて反応の進行状況を分析しながら、適宜決定されるのが好ましい。
【００４６】
以上説明した方法によれば、水素化ホウ素金属（Ｃ）により求電子性化合物（Ｂ）を水素化して水素化生成物（Ａ）を製造する際に、良好に水素化反応を進行させることができ、且つ、水やアルコール等を反応系に加えることなく、反応系から良好にジボラン等のボラン類を除去できる。
【００４７】
＜反応液＞
上記方法によれば、水素化生成物（Ａ）と、溶剤（Ｓ）とを含み、求電子性化合物（Ｂ）を含んでいてもよい反応液が得られる。
溶剤（Ｓ）は、エーテル結合を有する非プロトン性有機溶剤を５０質量％以上含む。反応液に溶解しているホウ素量は、７００質量ｐｐｍ以下である。
溶剤（Ｓ）におけるエーテル結合を有する非プロトン性有機溶剤の含有量は５０質量％以上であれば特に限定されないが、７０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましく、１００質量％が特に好ましい。
反応液中に溶解しているホウ素量は、１質量ｐｐｍ以上７００質量ｐｐｍ以下であり、好ましくは１質量ｐｐｍ以上５００質量ｐｐｍ以下であり、より好ましくは１質量ｐｐｍ以上４００質量ｐｐｍ以下である。
なお、ボラン類の除去を念入りに行う必要が無い点で、反応液中に溶解しているホウ素量の下限値は、例えば、１０質量ｐｐｍであってもよく、５０質量ｐｐｍであってもよく、７０質量ｐｐｍであってもよく、１００質量ｐｐｍであってもよい。
反応液に溶解しているホウ素量についての１０質量ｐｐｍ以上との水準は、到達が容易な水準であって、且つ、発火性や人体に対する有毒性、水素化生成物（Ａ）の精製や更なる反応への適用についての問題がほぼない水準である。
特に水素化生成物が、前述のヒドロシラン化合物（Ａ１）である場合、かかるヒドロシラン化合物（Ａ１）は、ヒドロシリル化反応等を利用したポリマーへの反応性基の導入に用いられることが多い。ここで、ヒドロシラン化合物（Ａ１）を含む反応液に溶解しているホウ素量が１０質量ｐｐｍ以上７００質量ｐｐｍ以下、好ましくは１０質量ｐｐｍ以上５００質量ｐｐｍ以下、より好ましくは１０質量ｐｐｍ以上４００質量ｐｐｍ以下である場合、反応液中に含まれるヒドロシラン化合物（Ａ１）の回収及び精製や、反応液から回収されたヒドロシラン化合物（Ａ１）を用いて反応性基を導入されたポリマーの特性への悪影響が少ない。
もちろん、反応液に溶解するホウ素量が１質量ｐｐｍ以上１０質量ｐｐｍ未満である場合も、反応液中に含まれるヒドロシラン化合物（Ａ１）等の水素化生成物（Ａ）を種々の用途に好適に利用できる。
【００４８】
上記の反応液において、前述の通り、水素化生成物（Ａ）は、求電子性化合物（Ｂ）を、水素化ホウ素金属（Ｃ）により水素化して製造され得る。上記の反応液を用いると、不純物であるホウ素を含む化合物の含有量が少ないため、高純度の水素化生成物（Ａ）の取得が容易である。
また、上記の反応液は、不純物であるホウ素を含む化合物を少量しか含まない。このため、上記の反応液を水素化生成物（Ａ）を含む組成物の調製にそのまま使用出来たり、上記の反応液を水素化生成物（Ａ）を原料として用いる合成反応にそのまま使用出来たりする場合がある。
【実施例】
【００４９】
以下に、具体的な実施例を挙げて本発明をより詳細に説明する。本発明は、下記実施例に限定されるものではない。【００５０】
〔実施例１〕
（（メトキシメチル）ジメトキシクロロシラン（ＭＭＤＭＣＳ）の合成）
窒素雰囲気に置換された反応容器に、（メトキシメチル）トリメトキシシラン５０ｇと、０．４１ｇ（０．０１モル当量）の塩化亜鉛とを加えて、撹拌した。反応容器の内温を１０℃未満まで下げた後、２１．３ｇ（０．９０モル当量）の塩化アセチルを、反応容器の内温が１５℃を超えないように、ゆっくりと滴下した。滴下終了から３０分後に、蒸留精製により、低沸点成分や縮合体を除去して、（メトキシメチル）ジメトキシクロロシラン（ＭＭＤＭＣＳ）を得た。（メトキシメチル）トリメトキシシラン基準のＭＭＤＭＣＳの収率は７０％であり、ＭＭＤＭＣＳの純度は約８０％であった。
ＭＭＤＭＣＳの１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）の測定結果は以下の通りである。
３．６６（ｓ，６Ｈ）；３．４０（ｓ，３Ｈ）；３．３１（ｓ，２Ｈ）【００５１】
（（メトキシメチル）ジメトキシシランの合成）
ＭＭＤＭＣＳに対して１．５当量の水素化ホウ素ナトリウムと、ＭＭＤＭＣＳの質量に対して３倍の質量の１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）とを、水素化反応用の反応容器内に加えた。
反応容器の内容物を撹拌しながら、反応液が反応温度（還流温度、８４℃）となるまで加熱した。反応温度に到達した後、還流状態を保持したまま、適切な時間をかけてＭＭＤＭＣＳを反応容器に滴下した。
ＭＭＤＭＣＳの滴下後、還流条件下で、１．５時間反応を行った。
反応終了後、１Ｈ−ＮＭＲにより、水素化生成物である（メトキシメチル）ジメトキシシランの収率を確認した。また、反応液に溶解するホウ素量を、１１Ｂ−ＮＭＲにより測定した。その具体的な測定方法を以下に記す。（メトキシメチル）ジメトキシシランの収率と、ホウ素量の測定結果とを、表１に記す。【００５２】
＜ホウ素量測定方法＞
反応液に溶解するホウ素量を以下の手順で定量した。
まず、濃度既知のトリエトキシボランのメタノール溶液を複数作成し、それらのホウ素量を、ＩＣＰ発光分析装置にて測定し、検量線を作成した。
次に、実施例１に記載の方法で合成された（メトキシメチル）ジメトキシシランの蒸留精製品をＩＣＰ発光分析装置にて測定し、作成した検量線から、蒸留精製品中のホウ素量を定量した。
また、（メトキシメチル）ジメトキシシランの１１Ｂ−ＮＭＲを測定し、使用したガラスチューブ由来のシグナル（６５ｐｐｍ〜−６０ｐｐｍ）の積分に対する、ガラスチューブ由来のシグナル以外のシグナルの積分の合計の比を求め、その比とホウ素量の関係式を作成した。
反応液を、前述の関係式の作製に用いたガラスチューブと同ロットのＮＭＲガラスチューブに移した後に、１１Ｂ−ＮＭＲを測定し、ガラスチューブ由来のシグナルの積分に対する、ガラスチューブ由来のシグナル以外のシグナルの積分の合計の比を求め、上記関係式を用いて、反応液に溶解するホウ素量を定量した。【００５３】
〔実施例２、実施例３、及び比較例１〜３〕
１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）を、表１に記載の溶剤に変更することと、反応条件を８４℃（還流）から表１に記載の条件に変更することと、ＭＭＤＭＣＳ滴下後の反応時間を１．５時間から表１に記載の時間に変更したこととの他は、実施例１と同様にしてＭＭＤＭＣＳから、（メトキシメチル）ジメトキシシランを製造した。
水素化反応後の、水素化生成物である（メトキシメチル）ジメトキシシランの収率と、反応液に溶解するホウ素量とを、実施例１と同様に測定した。これらの測定結果を表１に記す。【００５４】
表１に記載される溶剤の略称は以下の通りである。
ＤＭＥ：１，２−ジメトキシエタン
ＴＨＦ：テトラヒドロフラン
ＤＭＥ／Ｈｘ：１，２−ジメトキシエタン（５７質量％）とヘキサン（４３質量％）との混合溶剤【００５５】
なお、上記の各実施例及び比較例において、水素化反応終了後の反応液における、原料である、ＭＭＤＭＣＳの残存量を１Ｈ−ＮＭＲにより、確認した。
その結果、実施例１〜３と比較例３とでは、ＭＭＤＭＣＳの消失が認められ、比較例１では、ごくわずかなＭＭＤＭＣＳの残存が認められ、比較例２では、仕込み量に対して３０％程度のＭＭＤＭＣＳの残存が認められた。【００５６】
【表１】
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【００５７】
実施例１〜３によれば、求電子性化合物（Ｂ）であるＭＭＤＭＣＳを、水素化ホウ素金属（Ｃ）である水素化ホウ素ナトリウムにより水素化する、水素化生成物（Ａ）である（メトキシメチル）ジメトキシシランの製造方法において、還流により、反応系内から反応系外への気流を生じさせた状態で水素化反応を行うことにより、反応後の反応液中の副生したボラン類の量（ホウ素量）を顕著に低減できることが分かる。
他方、比較例１〜３によれば、ＭＭＤＭＣＳと水素化ホウ素ナトリウムとの反応を、反応系内から反応系外への気流を生じさせることなく行う場合、反応後の反応液に、副生したボランが多量に残存することが分かる。【００５８】
なお、原料の転化率が低い場合には、そもそもジボランの副生量が少ないうえ、ジボランは揮発性の化合物であるため、例えば比較例３のように長時間反応を行った場合、複製したジボランが相当程度、反応液から揮発すると考えるのが自然である。
しかし、実施例のように還流条件下で水素化反応を行った場合、原料の転化率が低い比較例２や、かなり長時間の反応を行った比較例３よりも、反応液に溶解するホウ素量が顕著に低減されていた。
以上より、水素化ホウ素ナトリウムのような水素化ホウ素金属（Ｃ）を用いて、水素化反応を行う場合に、還流のような方法で反応系内から反応系外への気流を生じさせると、ジボラン等の副生ボランの除去効果が顕著であることが分かる。
【国際調査報告】
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