(57)【要約】  フッ化芳香族第一級アミン化合物と、塩素化、臭素化もしくはヨウ素化芳香族炭化水素または擬ハロゲン化芳香族炭化水素とを、ジベンジリデンアセトンのパラジウム０価錯体を含む触媒、下記式（Ｌ）で表される配位子および塩基の存在下で反応させるフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法により、特殊な触媒を用いることなくフッ化芳香族アミン化合物と、塩素化、臭素化もしくはヨウ素化芳香族炭化水素または擬ハロゲン化芳香族炭化水素とをカップリング反応させ、分子内にフルオロアリール部位を有する第二級アミン化合物を簡便かつ効率的に製造できる。2020027258.tif 000107（Ｒ1は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル基等を表し、Ｒ2〜Ｒ5は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜２０のアルキル基等を表し、Ｒ6〜Ｒ8は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜２０のアルキル基等を表す。）
2020027258.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ化芳香族第一級アミン化合物と、塩素化、臭素化もしくはヨウ素化芳香族炭化水素または擬ハロゲン化芳香族炭化水素とを、触媒、配位子および塩基の存在下で反応させる工程を備えるフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法であって、
前記触媒が、ジベンジリデンアセトンのパラジウム０価錯体を含み、
前記配位子が、下記式（Ｌ）で表されるビフェニルホスフィン化合物を含むことを特徴とするフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【化１】
2020027258.tif 000085
（式中、Ｒ1は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を表し、Ｒ2〜Ｒ5は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数１〜２０のアルコキシ基を表し、Ｒ6〜Ｒ8は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、またはＮＲ92基を表し、Ｒ9は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル基を表す。）
【請求項２】
前記触媒が、ジベンジリデンアセトンのパラジウム０価錯体であり、
前記配位子が、前記式（Ｌ）で表されるビフェニルホスフィン化合物である請求項１記載のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【請求項３】
前記Ｒ1が、それぞれ独立して、リン原子と結合する炭素原子が第２級または第３級炭素原子である炭素数３〜２０の分岐鎖状アルキル基または環状アルキル基である請求項１または２記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【請求項４】
前記Ｒ1が、ともにシクロヘキシル基またはｔ−ブチル基である請求項３記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【請求項５】
前記Ｒ2およびＲ5が、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜５のアルコキシ基を表し、前記Ｒ3およびＲ4が、ともに水素原子であり、前記Ｒ6〜Ｒ8が、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、または炭素数１〜５のアルコキシ基を表す請求項１〜４のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【請求項６】
前記式（Ｌ）で表されるビフェニルホスフィン化合物が、下記式（Ｌ１）〜（Ｌ４）のいずれかで表されるビフェニルホスフィン化合物である請求項１〜５のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【化２】
2020027258.tif 000086
（式中、Ｍｅはメチル基を、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基を、Ｃｙはシクロヘキシル基を、ｔ−Ｂｕはｔ−ブチル基を意味する。）
【請求項７】
前記ジベンジリデンアセトンのパラジウム０価錯体が、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）である請求項１〜６のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【請求項８】
前記フッ化芳香族第一級アミン化合物が、分子内にフッ素原子を２個以上有するフッ化芳香族第一級モノアミン化合物またはジアミン化合物である請求項１〜７のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【請求項９】
前記塩素化、臭素化もしくはヨウ素化芳香族炭化水素が、モノもしくはジクロロ芳香族炭化水素、モノもしくはジブロモ芳香族炭化水素、またはモノもしくはジヨード芳香族炭化水素である請求項１〜８のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【請求項１０】
式（Ｔ１）または（Ｔ２）で表される含フッ素アニリン誘導体（但し、下記式［１］〜［１３］で表される化合物を除く。）。
【化３】
2020027258.tif 000087
〔式中、Ｘ211は、式（Ａ０１−１）〜（Ａ０９）のいずれかで表される２価の基を表し、
【化４】
2020027258.tif 000088
（式中、Ｌ01は、−Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ2−、−（ＣＨ2）2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−ＣＦ2−、−（ＣＦ2）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、フルオレン−９，９−ジイル基、−ＮＨ−または−ＮＺ10−を表し、
Ｌ02およびＬ03は、それぞれ独立して、水素原子、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ12で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｌ04は、水素原子、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ12で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ′は、芳香環の置換基を表し、それぞれ独立して、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ12で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ01〜Ｚ09は、芳香環の置換基を表し、それぞれ独立して、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ12で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ10は、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ12で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ11は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基またはＺ13で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ12は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ13で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基またはＺ13で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基を表し、
Ｚ13は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基またはシアノ基を表し、
a11、a13、a21、a23、a31、a33、a41、a51、a61、a71、a73、a81、a83、a91およびa93は、芳香環に置換するフッ素原子の数を表し、
a12、a14、a22、a24、a32、a34、a42、a52、a62、a72、a74、a82、a84、a92およびa94は、芳香環に置換するＺ01〜Ｚ09の数を表し、
a75およびa76は、芳香環に置換するＺ′の数を表し、
a11は、２〜４の整数であり、a12は、０〜２の整数であり、かつ、a11＋a12≦４を満たし、
a13は、２〜４の整数であり、a14は、０〜２の整数であり、かつ、a13＋a14≦４を満たし、
a21およびa23は、それぞれ独立して１〜４の整数であり、a22およびa24は、それぞれ独立して０〜３の整数であり、かつ、a21＋a22≦４およびa23＋a24≦４を満たし、
a31およびa33は、それぞれ独立して１〜４の整数であり、a32およびa34は、それぞれ独立して０〜３の整数であり、かつ、a31＋a32≦４およびa33＋a34≦４を満たし、
a41は、１〜６の整数であり、a42は、０〜５の整数であり、かつ、a41＋a42≦６を満たし、
a51は、１〜８の整数であり、a52は、０〜７の整数であり、かつ、a51＋a52≦８を満たし、
a61は、１〜８の整数であり、a62は、０〜７の整数であり、かつ、a61＋a62≦８を満たし、
a71およびa73は、それぞれ独立して１〜３の整数であり、a72およびa74は、それぞれ独立して０〜２の整数であり、かつ、a71＋a72≦３およびa73＋a74≦３を満たし、a75およびa76は、それぞれ独立して０〜４の整数であり、
a81およびa83は、それぞれ独立して１〜３の整数であり、a82およびa84は、それぞれ独立して０〜２の整数であり、かつ、a81＋a82≦３およびa83＋a84≦３を満たし、
a91およびa93は、それぞれ独立して１〜３の整数であり、a92およびa94は、それぞれ独立して０〜２の整数であり、かつ、a91＋a92≦３およびa93＋a94≦３を満たす。）
Ｙ211およびＹ212は、それぞれ独立して、式（Ｂ０１）〜（Ｂ２１）のいずれかで表される１価の基を表し、
【化５】
2020027258.tif 000089
【化６】
2020027258.tif 000090
【化７】
2020027258.tif 000091
（式中、Ｌ11は、−Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ2−、−（ＣＨ2）2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−ＣＦ2−、−（ＣＦ2）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、フルオレン−９，９−ジイル基、−ＮＨ−または−ＮＺ100−を表し、
Ｌ12は、水素原子、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ131で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｌ13およびＬ14は、それぞれ独立して、水素原子、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ131で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ100は、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ131で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ101〜Ｚ107およびＺ109〜Ｚ121は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ131で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ108は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基もしくはＺ131で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表すが、異なるベンゼン環上に存在するＺ108同士が結合して環を形成していてもよく、
Ｚ130は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはＺ132で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ131は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、Ｚ132で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基またはＺ132で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基を表し、
Ｚ132は、フッ素原子、塩素原子または臭素原子を表し、
Ａｒ1は、それぞれ独立して、炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ａｒ2は、単結合または炭素数６〜２０のアリーレン基を表す。）
Ｘ221およびＸ222は、それぞれ独立して、式（Ｃ０１）〜（Ｃ０９）のいずれかで表される１価の基を表し、
【化８】
2020027258.tif 000092
（式中、b11、b21、b23、b31、b33、b41、b51、b61、b71、b73、b81、b83、b91およびb93は、芳香環に置換するフッ素原子の数を表し、
b12、b22、b24、b32、b34、b42、b52、b62、b72、b74、b82、b84、b92およびb94は、芳香環に置換するＺ01〜Ｚ09の数を表し、
b75およびb76は、芳香環に置換するＺ′の数を表し、
b11は、２〜５の整数であり、b12は、０〜３の整数であり、かつ、b11＋b12≦５を満たし、
b21は、１〜４の整数であり、b23は、１〜５の整数であり、b22は、０〜３の整数であり、b24は、０〜４の整数であり、かつ、b21＋b22≦４およびb23＋b24≦５を満たし、
b31は、１〜４の整数であり、b33は、１〜５の整数であり、ｂ32は、０〜３の整数であり、ｂ34は、０〜４の整数であり、かつ、ｂ31＋ｂ32≦４およびｂ33＋ｂ34≦５を満たし、
b41は、１〜７の整数であり、b42は、０〜６の整数であり、かつ、b41＋b42≦７を満たし、
b51は、１〜９の整数であり、b52は、０〜８の整数であり、かつ、b51＋b52≦９を満たし、
b61は、１〜９の整数であり、b62は、０〜８の整数であり、かつ、b61＋b62≦９を満たし、
b71は、１〜３の整数であり、b73は、１〜４の整数であり、b72は、０〜２の整数であり、b74は、０〜３の整数であり、かつ、b71＋b72≦３およびb73＋b74≦４を満たし、b75およびb76は、それぞれ独立して、０〜４の整数であり、
b81は、１〜３の整数であり、b83は、１〜４の整数であり、b82は、０〜２の整数であり、b84は、０〜３の整数であり、かつ、b81＋b82≦３およびb83＋b84≦４を満たし、
b91は、１〜３の整数であり、b93は、１〜４の整数であり、b92は、０〜２の整数であり、b94は、０〜３の整数であり、かつ、b91＋b92≦３およびb93＋b94≦４を満たし、
Ｌ01〜Ｌ04、Ｚ′およびＺ01〜Ｚ07は、前記と同じ意味を表す。）
Ｙ221は、式（Ｄ０１−１）〜（Ｄ２１）のいずれかで表される２価の基を表す。
【化９】
2020027258.tif 000093
【化１０】
2020027258.tif 000094
【化１１】
2020027258.tif 000095
【化１２】
2020027258.tif 000096
（式中、Ａｒ3は、それぞれ独立して、炭素数６〜２０のアリーレン基を表し、Ｌ11〜Ｌ14、Ｚ101〜Ｚ121、およびＡｒ1は、前記と同じ意味を表す。）〕
【化１３】
2020027258.tif 000097
【請求項１１】
前記Ｘ211が、前記式（Ａ０２）で表される２価の基である請求項１０記載の含フッ素アニリン誘導体。
【請求項１２】
前記Ｘ211が、下記式（Ａ０２−１）で表される２価の基である請求項１１記載の含フッ素アニリン誘導体。
【化１４】
2020027258.tif 000098
（式中、a21〜a24およびＺ02は前記と同じ意味を表す。）
【請求項１３】
前記Ｙ211およびＹ212が、同一の１価の基である請求項１０〜１２のいずれか１項記載の含フッ素アニリン誘導体。
【請求項１４】
前記Ｙ211およびＹ212が、ともに前記式（Ｂ０１）、（Ｂ０２）、（Ｂ０４）、（Ｂ０８）および（Ｂ１８）のいずれかで表される１価の基である請求項１３記載の含フッ素アニリン誘導体。
【請求項１５】
前記Ｙ221が、前記式（Ｄ０２）で表される２価の基である請求項１０記載の含フッ素アニリン誘導体。
【請求項１６】
前記Ｙ221が、下記式（Ｄ０２−１）で表される２価の基である請求項１５記載の含フッ素アニリン誘導体。
【化１５】
2020027258.tif 000099
【請求項１７】
Ｘ221およびＸ222が、同一の１価の基である請求項１０、１５または１６記載の含フッ素アニリン誘導体。
【請求項１８】
Ｘ221およびＸ222が、ともに前記式（Ｃ０１）で表される１価の基である請求項１７記載の含フッ素アニリン誘導体。
【請求項１９】
下記式（Ｐ１−２）で表される繰り返し単位を含む重合体。
【化１６】
2020027258.tif 000100
〔式中、Ｘ211は、式（Ａ０１−１）〜（Ａ０９）のいずれかで表される２価の基を表し、
【化１７】
2020027258.tif 000101
（式中、Ｌ01は、−Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ2−、−（ＣＨ2）2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−ＣＦ2−、−（ＣＦ2）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、フルオレン−９，９−ジイル基、−ＮＨ−または−ＮＺ10−を表し、
Ｌ02およびＬ03は、それぞれ独立して、水素原子、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ12で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｌ04は、水素原子、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ12で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ′は、芳香環の置換基を表し、それぞれ独立して、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ12で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ01〜Ｚ09は、芳香環の置換基を表し、それぞれ独立して、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ12で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ10は、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ12で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ11は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基またはＺ13で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ12は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ13で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基またはＺ13で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基を表し、
Ｚ13は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基またはシアノ基を表し、
a11、a13、a21、a23、a31、a33、a41、a51、a61、a71、a73、a81、a83、a91およびa93は、芳香環に置換するフッ素原子の数を表し、
a12、a14、a22、a24、a32、a34、a42、a52、a62、a72、a74、a82、a84、a92およびa94は、芳香環に置換するＺ01〜Ｚ09の数を表し、
a75およびa76は、芳香環に置換するＺ′の数を表し、
a11は、２〜４の整数であり、a12は、０〜２の整数であり、かつ、a11＋a12≦４を満たし、
a13は、２〜４の整数であり、a14は、０〜２の整数であり、かつ、a13＋a14≦４を満たし、
a21およびa23は、それぞれ独立して１〜４の整数であり、a22およびa24は、それぞれ独立して０〜３の整数であり、かつ、a21＋a22≦４およびa23＋a24≦４を満たし、
a31およびa33は、それぞれ独立して１〜４の整数であり、a32およびa34は、それぞれ独立して０〜３の整数であり、かつ、a31＋a32≦４およびa33＋a34≦４を満たし、
a41は、１〜６の整数であり、a42は、０〜５の整数であり、かつ、a41＋a42≦６を満たし、
a51は、１〜８の整数であり、a52は、０〜７の整数であり、かつ、a51＋a52≦８を満たし、
a61は、１〜８の整数であり、a62は、０〜７の整数であり、かつ、a61＋a62≦８を満たし、
a71およびa73は、それぞれ独立して１〜３の整数であり、a72およびa74は、それぞれ独立して０〜２の整数であり、かつ、a71＋a72≦３およびa73＋a74≦３を満たし、a75およびa76は、それぞれ独立して０〜４の整数であり、
a81およびa83は、それぞれ独立して１〜３の整数であり、a82およびa84は、それぞれ独立して０〜２の整数であり、かつ、a81＋a82≦３およびa83＋a84≦３を満たし、
a91およびa93は、それぞれ独立して１〜３の整数であり、a92およびa94は、それぞれ独立して０〜２の整数であり、かつ、a91＋a92≦３およびa93＋a94≦３を満たす。）
Ｙ221は、式（Ｄ０１−１）〜（Ｄ２１）のいずれかで表される２価の基を表す。
【化１８】
2020027258.tif 000102
【化１９】
2020027258.tif 000103
【化２０】
2020027258.tif 000104
【化２１】
2020027258.tif 000105
（式中、Ｌ11は、−Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ2−、−（ＣＨ2）2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−ＣＦ2−、−（ＣＦ2）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、フルオレン−９，９−ジイル基、−ＮＨ―または−ＮＺ02−を表し、
Ｌ12は、水素原子、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ131で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｌ13およびＬ14は、それぞれ独立して、水素原子、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ131で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ101〜Ｚ107およびＺ109〜Ｚ121は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ131で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ108は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基もしくはＺ131で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表すが、異なるベンゼン環上に存在するＺ108同士が結合して環を形成していてもよく、
Ｚ130は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはＺ132で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ131は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、Ｚ132で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基またはＺ132で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基を表し、
Ｚ132は、フッ素原子、塩素原子または臭素原子を表し、
Ａｒ1は、それぞれ独立して、炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ａｒ3は、それぞれ独立して、炭素数６〜２０のアリーレン基を表す。）〕
【請求項２０】
前記Ｘ211が、前記式（Ａ０２）で表される２価の基である請求項１９記載の重合体。
【請求項２１】
前記Ｘ211が、下記式（Ａ０２−１）で表される２価の基である請求項２０記載の重合体。
【化２２】
2020027258.tif 000106
（式中、a21〜a24およびＺ02は前記と同じ意味を表す。）
【請求項２２】
前記Ｙ221が、前記式（Ｄ０２）、（Ｄ１７）および（Ｄ１９）のいずれかで表される２価の基である請求項１９〜２１のいずれか１項記載の重合体。
【請求項２３】
請求項１０〜１８のいずれか１項記載のアニリン誘導体からなる電荷輸送性物質。
【請求項２４】
請求項１９〜２２のいずれか１項記載の重合体からなる電荷輸送性物質。
【請求項２５】
請求項２３または２４記載の電荷輸送性物質と、有機溶媒とを含む電荷輸送性組成物。
【請求項２６】
ドーパント物質を含む請求項２５記載の電荷輸送性組成物。
【請求項２７】
請求項２５または２６記載の電荷輸送性組成物から得られる電荷輸送性薄膜。
【請求項２８】
請求項２７記載の電荷輸送性薄膜を備える電子素子。
【請求項２９】
請求項２７記載の電荷輸送性薄膜を備える有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３０】
前記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層または正孔輸送層である請求項２９記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パラジウム触媒を用いたアミンとハロゲン化物や擬ハロゲン化物とをクロスカップリングさせてＣ−Ｎ結合を形成させる反応は、芳香族アミンの合成やヘテロ環の形成に有用である。このクロスカップリングは、医薬分野、材料分野等といった多くの分野で重要な技術となっており（非特許文献１）、この反応に用いられる触媒や、反応プロセスについての研究が幅広く展開されている。【０００３】
一方、フッ素は、電気陰性度が全元素中最大であるため、それを分子内に導入することで分子全体の電子状態を大きく変えることができるという特徴だけでなく、その原子半径が水素原子と同程度であるため、水素原子に代えてフッ素原子を分子内に導入したとしても、その他の原子や置換基を導入した場合と比べて、分子サイズの変化を抑えられるという特徴を有している。
このため、フッ化物に関する研究が盛んに行われ、医薬や電子材料用のフッ化物の報告が多数なされている。例えば、電子材料の分野では、分子内にフッ素原子を有するアミン化合物が電荷輸送性物質として好適なことが報告されている（特許文献１）。【０００４】
このような状況の下、アミノ基を有するフルオロアリール化合物の合成法として、酢酸銅を触媒とした芳香族アミンとパーフルオロアリールボロン酸との反応（非特許文献２）、水酸化リチウム存在下でのホルムアニリドとパーフルオロベンゼンとの反応（非特許文献３）、ｔ−ＢｕＯＮａ存在下でのアニリンとパーフルオロベンゼンとの反応（非特許文献４）などが報告されているが、これらの反応では、いずれも反応部位であるアミノ基は、カップリング反応に供される２つの原料のうち、フッ素原子を有しない芳香族化合物側に存在している。【０００５】
フッ素原子およびアミノ基を有するフルオロアリールアミン化合物と、ハロアリール化合物とのカップリング反応の報告例は少なく、例えば、非特許文献５には、特殊なパラジウムカルベン錯体を触媒として用い、フルオロアリールアミン化合物とハロアリール化合物とをカップリングさせる手法が報告されているものの、触媒が高価であるうえ、目的物の収率が低いという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２００８／０３２６１７号
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Chem. Rev. 2016, 116, 12564-12649
【非特許文献２】Angew. Chem. Int. Ed. 2014, 53, 3223
【非特許文献３】Journal of Fluorine Chemistry, 74(2), 177-9; 1995
【非特許文献４】RSC Advances, 5(10), 7035-7048; 2015
【非特許文献５】Angew. Chem. Int. Ed. 2014, 53, 3223
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、特殊な触媒を用いることなくフッ化芳香族アミン化合物と、塩素化、臭素化もしくはヨウ素化芳香族炭化水素または擬ハロゲン化芳香族炭化水素とをカップリング反応させ、分子内にフルオロアリール部位を有する第二級アミン化合物を簡便かつ効率的に製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、所定のパラジウム触媒、所定の配位子および塩基の存在下で、フッ化芳香族アミン化合物のアミノ基と、塩素化、臭素化もしくはヨウ素化芳香族炭化水素または擬ハロゲン化芳香族炭化水素の塩素原子、臭素原子もしくはヨウ素原子または擬ハロゲン基とのカップリング反応が効率的に進行し、分子内にフルオロアリール部位を有する第二級アミン化合物が選択的に収率よく得られることを見出し、本発明を完成させた。【００１０】
すなわち、本発明は、
１．  フッ化芳香族第一級アミン化合物と、塩素化、臭素化もしくはヨウ素化芳香族炭化水素または擬ハロゲン化芳香族炭化水素とを、触媒、配位子および塩基の存在下で反応させる工程を備えるフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法であって、前記触媒が、ジベンジリデンアセトンのパラジウム０価錯体を含み、前記配位子が、下記式（Ｌ）で表されるビフェニルホスフィン化合物を含むことを特徴とするフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法、
【化１】
2020027258.tif 000003
（式中、Ｒ1は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を表し、Ｒ2〜Ｒ5は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数１〜２０のアルコキシ基を表し、Ｒ6〜Ｒ8は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、またはＮＲ92基を表し、Ｒ9は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル基を表す。）
２．  前記触媒が、ジベンジリデンアセトンのパラジウム０価錯体であり、前記配位子が、前記式（Ｌ）で表されるビフェニルホスフィン化合物である１のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法、
３．  前記Ｒ1が、それぞれ独立して、リン原子と結合する炭素原子が第２級または第３級炭素原子である炭素数３〜２０の分岐鎖状アルキル基または環状アルキル基である１または２のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法、
４．  前記Ｒ1が、ともにシクロヘキシル基またはｔ−ブチル基である３のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法、
５．  前記Ｒ2およびＲ5が、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜５のアルコキシ基を表し、前記Ｒ3およびＲ4が、ともに水素原子であり、前記Ｒ6〜Ｒ8が、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、または炭素数１〜５のアルコキシ基を表す１〜４のいずれかのフッ化芳香族第二級アミンの製造方法、
６．  前記式（Ｌ）で表されるビフェニルホスフィン化合物が、下記式（Ｌ１）〜（Ｌ４）のいずれかで表されるビフェニルホスフィン化合物である１〜５のいずれかのフッ化芳香族第二級アミンの製造方法、
【化２】
2020027258.tif 000004
（式中、Ｍｅはメチル基を、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基を、Ｃｙはシクロヘキシル基を、ｔ−Ｂｕはｔ−ブチル基を意味する。）
７．  前記ジベンジリデンアセトンのパラジウム０価錯体が、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）である１〜６のいずれかのフッ化芳香族第二級アミンの製造方法、
８．  前記フッ化芳香族第一級アミン化合物が、分子内にフッ素原子を２個以上有するフッ化芳香族第一級モノアミン化合物またはジアミン化合物である１〜７のいずれかのフッ化芳香族第二級アミンの製造方法、
９．  前記塩素化、臭素化もしくはヨウ素化芳香族炭化水素が、モノもしくはジクロロ芳香族炭化水素、モノもしくはジブロモ芳香族炭化水素、またはモノもしくはジヨード芳香族炭化水素である１〜８のいずれかのフッ化芳香族第二級アミンの製造方法、
１０．  式（Ｔ１）または（Ｔ２）で表される含フッ素アニリン誘導体（但し、下記式［１］〜［１３］で表される化合物を除く。）、
【化３】
2020027258.tif 000005
〔式中、Ｘ211は、式（Ａ０１−１）〜（Ａ０９）のいずれかで表される２価の基を表し、
【化４】
2020027258.tif 000006
（式中、Ｌ01は、−Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ2−、−（ＣＨ2）2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−ＣＦ2−、−（ＣＦ2）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、フルオレン−９，９−ジイル基、−ＮＨ−または−ＮＺ10−を表し、
Ｌ02およびＬ03は、それぞれ独立して、水素原子、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ12で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｌ04は、水素原子、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ12で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ′は、芳香環の置換基を表し、それぞれ独立して、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ12で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ01〜Ｚ09は、芳香環の置換基を表し、それぞれ独立して、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ12で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ10は、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ12で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ11は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基またはＺ13で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ12は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ13で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基またはＺ13で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基を表し、
Ｚ13は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基またはシアノ基を表し、
a11、a13、a21、a23、a31、a33、a41、a51、a61、a71、a73、a81、a83、a91およびa93は、芳香環に置換するフッ素原子の数を表し、
a12、a14、a22、a24、a32、a34、a42、a52、a62、a72、a74、a82、a84、a92およびa94は、芳香環に置換するＺ01〜Ｚ09の数を表し、
a75およびa76は、芳香環に置換するＺ′の数を表し、
a11は、２〜４の整数であり、a12は、０〜２の整数であり、かつ、a11＋a12≦４を満たし、
a13は、２〜４の整数であり、a14は、０〜２の整数であり、かつ、a13＋a14≦４を満たし、
a21およびa23は、それぞれ独立して１〜４の整数であり、a22およびa24は、それぞれ独立して０〜３の整数であり、かつ、a21＋a22≦４およびa23＋a24≦４を満たし、
a31およびa33は、それぞれ独立して１〜４の整数であり、a32およびa34は、それぞれ独立して０〜３の整数であり、かつ、a31＋a32≦４およびa33＋a34≦４を満たし、
a41は、１〜６の整数であり、a42は、０〜５の整数であり、かつ、a41＋a42≦６を満たし、
a51は、１〜８の整数であり、a52は、０〜７の整数であり、かつ、a51＋a52≦８を満たし、
a61は、１〜８の整数であり、a62は、０〜７の整数であり、かつ、a61＋a62≦８を満たし、
a71およびa73は、それぞれ独立して１〜３の整数であり、a72およびa74は、それぞれ独立して０〜２の整数であり、かつ、a71＋a72≦３およびa73＋a74≦３を満たし、a75およびa76は、それぞれ独立して０〜４の整数であり、
a81およびa83は、それぞれ独立して１〜３の整数であり、a82およびa84は、それぞれ独立して０〜２の整数であり、かつ、a81＋a82≦３およびa83＋a84≦３を満たし、
a91およびa93は、それぞれ独立して１〜３の整数であり、a92およびa94は、それぞれ独立して０〜２の整数であり、かつ、a91＋a92≦３およびa93＋a94≦３を満たす。）
Ｙ211およびＹ212は、それぞれ独立して、式（Ｂ０１）〜（Ｂ２１）のいずれかで表される１価の基を表し、
【化５】
2020027258.tif 000007
【化６】
2020027258.tif 000008
【化７】
2020027258.tif 000009
（式中、Ｌ11は、−Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ2−、−（ＣＨ2）2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−ＣＦ2−、−（ＣＦ2）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、フルオレン−９，９−ジイル基、−ＮＨ−または−ＮＺ100−を表し、
Ｌ12は、水素原子、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ131で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｌ13およびＬ14は、それぞれ独立して、水素原子、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ131で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ100は、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ131で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ101〜Ｚ107およびＺ109〜Ｚ121は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ131で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ108は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基もしくはＺ131で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表すが、異なるベンゼン環上に存在するＺ108同士が結合して環を形成していてもよく、
Ｚ130は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはＺ132で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ131は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、Ｚ132で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基またはＺ132で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基を表し、
Ｚ132は、フッ素原子、塩素原子または臭素原子を表し、
Ａｒ1は、それぞれ独立して、炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ａｒ2は、単結合または炭素数６〜２０のアリーレン基を表す。）
Ｘ221およびＸ222は、それぞれ独立して、式（Ｃ０１）〜（Ｃ０９）のいずれかで表される１価の基を表し、
【化８】
2020027258.tif 000010
（式中、b11、b21、b23、b31、b33、b41、b51、b61、b71、b73、b81、b83、b91およびb93は、芳香環に置換するフッ素原子の数を表し、
b12、b22、b24、b32、b34、b42、b52、b62、b72、b74、b82、b84、b92およびb94は、芳香環に置換するＺ01〜Ｚ09の数を表し、
b75およびb76は、芳香環に置換するＺ′の数を表し、
b11は、２〜５の整数であり、b12は、０〜３の整数であり、かつ、b11＋b12≦５を満たし、
b21は、１〜４の整数であり、b23は、１〜５の整数であり、b22は、０〜３の整数であり、b24は、０〜４の整数であり、かつ、b21＋b22≦４およびb23＋b24≦５を満たし、
b31は、１〜４の整数であり、b33は、１〜５の整数であり、ｂ32は、０〜３の整数であり、ｂ34は、０〜４の整数であり、かつ、ｂ31＋ｂ32≦４およびｂ33＋ｂ34≦５を満たし、
b41は、１〜７の整数であり、b42は、０〜６の整数であり、かつ、b41＋b42≦７を満たし、
b51は、１〜９の整数であり、b52は、０〜８の整数であり、かつ、b51＋b52≦９を満たし、
b61は、１〜９の整数であり、b62は、０〜８の整数であり、かつ、b61＋b62≦９を満たし、
b71は、１〜３の整数であり、b73は、１〜４の整数であり、b72は、０〜２の整数であり、b74は、０〜３の整数であり、かつ、b71＋b72≦３およびb73＋b74≦４を満たし、b75およびb76は、それぞれ独立して、０〜４の整数であり、
b81は、１〜３の整数であり、b83は、１〜４の整数であり、b82は、０〜２の整数であり、b84は、０〜３の整数であり、かつ、b81＋b82≦３およびb83＋b84≦４を満たし、
b91は、１〜３の整数であり、b93は、１〜４の整数であり、b92は、０〜２の整数であり、b94は、０〜３の整数であり、かつ、b91＋b92≦３およびb93＋b94≦４を満たし、
Ｌ01〜Ｌ04、Ｚ′およびＺ01〜Ｚ07は、前記と同じ意味を表す。）
Ｙ221は、式（Ｄ０１−１）〜（Ｄ２１）のいずれかで表される２価の基を表す。
【化９】
2020027258.tif 000011
【化１０】
2020027258.tif 000012
【化１１】
2020027258.tif 000013
【化１２】
2020027258.tif 000014
（式中、Ａｒ3は、それぞれ独立して、炭素数６〜２０のアリーレン基を表し、Ｌ11〜Ｌ14、Ｚ101〜Ｚ121、およびＡｒ1は、前記と同じ意味を表す。）〕
【化１３】
2020027258.tif 000015
１１．  前記Ｘ211が、前記式（Ａ０２）で表される２価の基である１０の含フッ素アニリン誘導体、
１２．  前記Ｘ211が、下記式（Ａ０２−１）で表される２価の基である１１の含フッ素アニリン誘導体、
【化１４】
2020027258.tif 000016
（式中、a21〜a24およびＺ02は前記と同じ意味を表す。）
１３．  前記Ｙ211およびＹ212が、同一の１価の基である１０〜１２のいずれかの含フッ素アニリン誘導体、
１４．  前記Ｙ211およびＹ212が、ともに前記式（Ｂ０１）、（Ｂ０２）、（Ｂ０４）、（Ｂ０８）および（Ｂ１８）のいずれかで表される１価の基である１３の含フッ素アニリン誘導体、
１５．  前記Ｙ221が、前記式（Ｄ０２）で表される２価の基である１０の含フッ素アニリン誘導体、
１６．  前記Ｙ221が、下記式（Ｄ０２−１）で表される２価の基である１５の含フッ素アニリン誘導体、
【化１５】
2020027258.tif 000017
１７．  Ｘ221およびＸ222が、同一の１価の基である１０、１５または１６の含フッ素アニリン誘導体、
１８．  Ｘ221およびＸ222が、ともに前記式（Ｃ０１）で表される１価の基である１７の含フッ素アニリン誘導体、
１９．  下記式（Ｐ１−２）で表される繰り返し単位を含む重合体、
【化１６】
2020027258.tif 000018
〔式中、Ｘ211は、式（Ａ０１−１）〜（Ａ０９）のいずれかで表される２価の基を表し、
【化１７】
2020027258.tif 000019
（式中、Ｌ01は、−Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ2−、−（ＣＨ2）2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−ＣＦ2−、−（ＣＦ2）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、フルオレン−９，９−ジイル基、−ＮＨ−または−ＮＺ10−を表し、
Ｌ02およびＬ03は、それぞれ独立して、水素原子、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ12で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｌ04は、水素原子、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ12で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ′は、芳香環の置換基を表し、それぞれ独立して、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ12で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ01〜Ｚ09は、芳香環の置換基を表し、それぞれ独立して、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ12で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ10は、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ12で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ11は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基またはＺ13で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ12は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ13で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基またはＺ13で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基を表し、
Ｚ13は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基またはシアノ基を表し、
a11、a13、a21、a23、a31、a33、a41、a51、a61、a71、a73、a81、a83、a91およびa93は、芳香環に置換するフッ素原子の数を表し、
a12、a14、a22、a24、a32、a34、a42、a52、a62、a72、a74、a82、a84、a92およびa94は、芳香環に置換するＺ01〜Ｚ09の数を表し、
a75およびa76は、芳香環に置換するＺ′の数を表し、
a11は、２〜４の整数であり、a12は、０〜２の整数であり、かつ、a11＋a12≦４を満たし、
a13は、２〜４の整数であり、a14は、０〜２の整数であり、かつ、a13＋a14≦４を満たし、
a21およびa23は、それぞれ独立して１〜４の整数であり、a22およびa24は、それぞれ独立して０〜３の整数であり、かつ、a21＋a22≦４およびa23＋a24≦４を満たし、
a31およびa33は、それぞれ独立して１〜４の整数であり、a32およびa34は、それぞれ独立して０〜３の整数であり、かつ、a31＋a32≦４およびa33＋a34≦４を満たし、
a41は、１〜６の整数であり、a42は、０〜５の整数であり、かつ、a41＋a42≦６を満たし、
a51は、１〜８の整数であり、a52は、０〜７の整数であり、かつ、a51＋a52≦８を満たし、
a61は、１〜８の整数であり、a62は、０〜７の整数であり、かつ、a61＋a62≦８を満たし、
a71およびa73は、それぞれ独立して１〜３の整数であり、a72およびa74は、それぞれ独立して０〜２の整数であり、かつ、a71＋a72≦３およびa73＋a74≦３を満たし、a75およびa76は、それぞれ独立して０〜４の整数であり、
a81およびa83は、それぞれ独立して１〜３の整数であり、a82およびa84は、それぞれ独立して０〜２の整数であり、かつ、a81＋a82≦３およびa83＋a84≦３を満たし、
a91およびa93は、それぞれ独立して１〜３の整数であり、a92およびa94は、それぞれ独立して０〜２の整数であり、かつ、a91＋a92≦３およびa93＋a94≦３を満たす。）
Ｙ221は、式（Ｄ０１−１）〜（Ｄ２１）のいずれかで表される２価の基を表す。
【化１８】
2020027258.tif 000020
【化１９】
2020027258.tif 000021
【化２０】
2020027258.tif 000022
【化２１】
2020027258.tif 000023
（式中、Ｌ11は、−Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ2−、−（ＣＨ2）2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−ＣＦ2−、−（ＣＦ2）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、フルオレン−９，９−ジイル基、−ＮＨ―または−ＮＺ02−を表し、
Ｌ12は、水素原子、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ131で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｌ13およびＬ14は、それぞれ独立して、水素原子、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ131で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ101〜Ｚ107およびＺ109〜Ｚ121は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ131で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ108は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基もしくはＺ131で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表すが、異なるベンゼン環上に存在するＺ108同士が結合して環を形成していてもよく、
Ｚ130は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはＺ132で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ131は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、Ｚ132で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基またはＺ132で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基を表し、
Ｚ132は、フッ素原子、塩素原子または臭素原子を表し、
Ａｒ1は、それぞれ独立して、炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ａｒ3は、それぞれ独立して、炭素数６〜２０のアリーレン基を表す。）〕
２０．  前記Ｘ211が、前記式（Ａ０２）で表される２価の基である１９の重合体、
２１．  前記Ｘ211が、下記式（Ａ０２−１）で表される２価の基である２０の重合体、
【化２２】
2020027258.tif 000024
（式中、a21〜a24およびＺ02は前記と同じ意味を表す。）
２２．  前記Ｙ221が、前記式（Ｄ０２）、（Ｄ１７）および（Ｄ１９）のいずれかで表される２価の基である１９〜２１のいずれかの重合体、
２３．  １０〜１８のいずれかのアニリン誘導体からなる電荷輸送性物質、
２４．  １９〜２２のいずれかの重合体からなる電荷輸送性物質、
２５．  ２３または２４の電荷輸送性物質と、有機溶媒とを含む電荷輸送性組成物、
２６．  ドーパント物質を含む２５の電荷輸送性組成物、
２７．  ２５または２６の電荷輸送性組成物から得られる電荷輸送性薄膜、
２８．  ２７の電荷輸送性薄膜を備える電子素子、
２９．  ２７の電荷輸送性薄膜を備える有機エレクトロルミネッセンス素子、
３０．  前記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層または正孔輸送層である２９の有機エレクトロルミネッセンス素子
を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法によれば、市販のパラジウム触媒およびビフェニル骨格を有する配位子を用い、フッ化芳香族アミン化合物と、塩素化、臭素化もしくはヨウ素化芳香族炭化水素または擬ハロゲン化芳香族炭化水素とから、効率的かつ高収率に、かつ安価に分子内にフルオロアリール部位を有する第二級アミン化合物（含フッ素アニリン誘導体）を製造することができる。
また、この反応において、フッ化芳香族アミン化合物および塩素化、臭素化もしくはヨウ素化芳香族炭化水素または擬ハロゲン化芳香族炭化水素のいずれも２官能の化合物を用いることで重合反応が進行し、分子内にフルオロアリール部位を有するオリゴアニリン誘導体またはポリアニリン誘導体といった重合体を効率的に製造することができる。
このような本発明の製造方法で得られた含フッ素アニリン誘導体、重合体等の含フッ素アミン化合物は、分子内にフッ素原子を有することから透明性に優れ、また電荷輸送性を示すため、それ単独で、またはその他の電荷輸送性材料やドーパント物質と組み合わせることで、有機ＥＬ素子をはじめとした電子素子用の電荷輸送性薄膜形成用材料として好適に用いることができる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
［１］フッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法
本発明に係るフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法は、フッ化芳香族第一級アミン化合物と、塩素化、臭素化もしくはヨウ素化芳香族炭化水素または擬ハロゲン化芳香族炭化水素とを、触媒、配位子および塩基の存在下で反応させる工程を備えるものである。
【００１３】
（１）触媒
本発明で用いる触媒は、ジベンジリデンアセトンのパラジウム０価錯体を含む。
ジベンジリデンアセトンのパラジウム０価錯体の具体例としては、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）（クロロホルム）ジパラジウム（０）等が挙げられるが、これらの中でも、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）が好ましい。
ジベンジリデンアセトンのパラジウム０価錯体の使用量は、目的とするカップリング反応が進行する量であれば特に制限はないが、フッ化芳香族第一級アミン化合物のアミン部位のＮＨ１ｍｏｌに対し、パラジウム金属として０．０００１〜０．２ｍｏｌが好ましく、０．００５〜０．１５ｍｏｌがより好ましく、０．０１〜０．１２ｍｏｌがより一層好ましく、０．０２〜０．１ｍｏｌがさらに好ましい。
【００１４】
また、本発明においては、本発明の効果を損なわない範囲で、ジベンジリデンアセトンのパラジウム０価錯体とともに、その他の金属触媒を用いてもよい。
その他の金属触媒としては、例えば、塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅等の銅触媒；Ｐｄ（ＰＰｈ3）4（テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム）、Ｐｄ（ＰＰｈ3）2Ｃｌ2（ビス（トリフェニルホスフィン）ジクロロパラジウム）、Ｐｄ（Ｐ−ｔ−Ｂｕ3）2（ビス（トリ（ｔ−ブチルホスフィン））パラジウム）、Ｐｄ（ＯＡｃ）2（酢酸パラジウム）等のパラジウム触媒などが挙げられる。
これらその他の金属触媒を使用する場合、その使用量は、一概に規定できないが、ジベンジリデンアセトンのパラジウム０価錯体に対し、通常１００モル％未満である。
【００１５】
（２）配位子
本発明で用いる配位子は、下記式（Ｌ）で表されるビフェニルホスフィン化合物を含む。
【００１６】
【化２３】
2020027258.tif 000025
【００１７】
式（Ｌ）において、Ｒ1は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を表し、Ｒ2〜Ｒ5は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数１〜２０のアルコキシ基を表し、Ｒ6〜Ｒ8は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、またはＮＲ92基を表し、Ｒ9は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル基を表す。
【００１８】
炭素数１〜２０のアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、イコシル基等の炭素数１〜２０の直鎖または分岐鎖状アルキル基；シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、ビシクロブチル、ビシクロペンチル、ビシクロヘキシル、ビシクロヘプチル、ビシクロオクチル、ビシクロノニル、ビシクロデシル、アダマンチル基等の炭素数３〜２０の環状アルキル基などが挙げられる。
【００１９】
炭素数６〜２０のアリール基の具体例としては、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、１−アントリル、２−アントリル、９−アントリル、１−フェナントリル、２−フェナントリル、３−フェナントリル、４−フェナントリル、９−フェナントリル基等が挙げられる。
炭素数１〜２０のアルコキシ基の具体例としては、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｉ−プロポキシ、ｃ−プロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−ペントキシ、ｎ−ヘキソキシ、ｎ−ヘプチルオキシ、ｎ−オクチルオキシ、ｎ−ノニルオキシ、ｎ−デシルオキシ基等が挙げられる。
【００２０】
これらの中でも、再現性よく目的物を得る観点から、Ｒ1は、それぞれ独立して、比較的かさ高い基が好適であり、結合手が存在する炭素原子が第２級炭素原子か第３級炭素原子である３〜２０の分岐鎖状アルキル基、炭素数３〜２０の環状アルキル基、炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、さらに溶媒への溶解性や安定性の観点から、炭素数３〜５の分岐鎖状アルキル基、炭素数５〜７の環状アルキル基がより好ましく、ｔ−ブチル基、シクロヘキシル基がより一層好ましい。
なお、２つのＲ1は、合成の容易性の観点から、同一であることが好ましい。
【００２１】
また、化合物の安定性の観点や再現性よく目的物を得る観点から、Ｒ2〜Ｒ5は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜５のアルコキシ基が好ましく、Ｒ2およびＲ5が、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜５のアルコキシ基、Ｒ3およびＲ4が、ともに水素原子の組み合わせがより好ましく、Ｒ2〜Ｒ5が、全て水素原子がより一層好ましい。
【００２２】
さらに、化合物の安定性の観点や再現性よく目的物を得る観点から、Ｒ6〜Ｒ8は、水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状アルキル基、結合手が存在する炭素原子が第１級炭素原子か第２級炭素原子である３〜２０の分岐鎖状アルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基が好ましく、さらに溶媒への溶解性や安定性の観点から、水素原子、炭素数１〜５の直鎖状アルキル基、炭素数３〜５の分岐鎖状アルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基がより好ましく、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、メトキシ基、イソプロポキシ基がより一層好ましい。
【００２３】
特に、Ｒ6およびＲ8としては、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、または炭素数１〜５のアルコキシ基が好ましく、水素原子、メチル基、イソプロピル基、メトキシ基、イソプロポキシ基がより好ましい。
Ｒ7としては、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基が好ましく、水素原子、イソプロピル基がより好ましい。
【００２４】
本発明で好適に用いられる配位子としては、下記式（Ｌ１）〜（Ｌ７）で表されるものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２５】
【化２４】
2020027258.tif 000026
（式中、Ｍｅはメチル基を、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基を、ｔ−Ｂｕはｔ−ブチル基を、Ｃｙはシクロヘキシル基を意味する。）
【００２６】
上記式（Ｌ）で表される配位子は、市販品として入手でき、例えば、Ｂｕｃｈｗａｌｄリガンド等としてＡｌｄｒｉｃｈ社で市販されている、JohnPhos, CyjohnPhos, DavePhos, XPhos, SPhos, tBuXPhos, RuPhos, Me4tBuXPhos, sSPhos, tBuMePhos, MePhos, tBuDavePhos, PhDavePhos, 2’-Dicyclohexylphosphino-2,4,6-trimethoxybiphenyl, BrettPhos, tBuBrettPhos, AdBrettPhos, Me3(OMe)tBuXPhos, (2-Biphenyl)di-1-adamantylphosphine, RockPhos, CPhos等が挙げられる。
また、上記式（Ｌ）で表される配位子は、公知の手法により合成することもできる。
【００２７】
式（Ｌ）で表される配位子の使用量は、使用する触媒に対し、１〜２当量が好ましい。特に、１当量未満の場合、パラジウムブラックが生じる可能性がある。
【００２８】
本発明においては、本発明の効果を損なわない範囲で、式（Ｌ）で表される配位子とともに、その他の配位子を用いてもよい。
その他の配子位の具体例としては、トリフェニルホスフィン、トリ−ｏ−トリルホスフィン、ジフェニルメチルホスフィン、フェニルジメチルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ−ｔ−ブチルホスフィン、ジ−ｔ−ブチル（フェニル）ホスフィン、ジ−ｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン等の３級ホスフィン、トリメチルホスファイト、トリエチルホスファイト、トリフェニルホスファイト等の３級フォスファイトなどが挙げられる。
その他の配位子を用いる場合、その使用量は一概に規定できないが、通常、式（Ｌ）で表される配位子に対して、１００モル％未満である。
【００２９】
（３）フッ化芳香族第一級アミン化合物
本発明の製造方法では、上述した触媒および配位子に特徴があるため、カップリング反応に供される原料であるフッ化芳香族第一級アミン化合物については特に制限はない。
フッ化芳香族第一級アミン化合物は、モノアミン化合物でもジアミン化合物でもよく、例えば、下記式（Ｘ１）および（Ｘ２）で表されるものが挙げられる。
【００３０】
【化２５】
2020027258.tif 000027
（式中、ＡｒF1は、フッ化アリール基を表し、ＡｒF2は、フッ化アリーレン基を表す。）
【００３１】
フッ化アリール基は、アリール基の少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたものであればよいが、２個以上の水素原子がフッ素原子で置換されていることが好ましい。
フッ化アリーレン基は、アリーレン基の少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたものであればよいが、２個以上の水素原子がフッ素原子で置換されていることが好ましい。
すなわち、本発明で用いるフッ化芳香族第一級アミン化合物は、分子内にフッ素原子を２個以上有するフッ化芳香族第一級モノアミン化合物またはジアミン化合物が好ましい。
【００３２】
アリール基としては、炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、その具体例としては、フェニル基；１−ナフチル、２−ナフチル、１−アントリル、２−アントリル、９−アントリル、１−フェナントリル、２−フェナントリル、３−フェナントリル、４−フェナントリル、９−フェナントリル、１−ナフタセニル、２−ナフタセニル、５−ナフタセニル、２−クリセニル、１−ピレニル、２−ピレニル、ペンタセニル、ベンゾピレニル、トリフェニレニル基等の縮合環芳香族炭化水素化合物の芳香環上の水素原子を一つ取り除いて誘導される基；ビフェニル−２−イル、ビフェニル−３−イル、ビフェニル−４−イル、パラテルフェニル−４−イル、メタテルフェニル−４−イル、オルトテルフェニル−４−イル、１，１’−ビナフチル−２−イル、２，２’−ビナフチル−１−イル基等の環連結炭化水素化合物の芳香環上の水素原子を一つ取り除いて誘導される基などが挙げられる。
アリーレン基としては、炭素数６〜２０のアリーレン基が好ましく、その具体例としては、１，２−フェニレン、１，３−フェニレン、１，４−フェニレン基；１，５−ナフタレンジイル、１，８−ナフタレンジイル、２，６−ナフタレンジイル、２，７−ナフタレンジイル、１，２−アントラセンジイル、１，３−アントラセンジイル、１，４−アントラセンジイル、１，５−アントラセンジイル、１，６−アントラセンジイル、１，７−アントラセンジイル、１，８−アントラセンジイル、２，３−アントラセンジイル、２，６−アントラセンジイル、２，７−アントラセンジイル、２，９−アントラセンジイル、２，１０−アントラセンジイル、９，１０−アントラセンジイル基等の縮合環芳香族炭化水素化合物の芳香環上の水素原子を二つ取り除いて誘導される基；ビフェニル−４，４’−ジイル基、パラテルフェニル−４，４”−ジイル基基等の環連結炭化水素化合物の芳香環上の水素原子を二つ取り除いて誘導される基などが挙げられる。
【００３３】
（４）塩素化、臭素化もしくはヨウ素化芳香族炭化水素または擬ハロゲン化芳香族炭化水素
塩素化、臭素化もしくはヨウ素化芳香族炭化水素または擬ハロゲン化芳香族炭化水素としては、モノクロロ、モノブロモもしくはモノヨードまたはモノ擬ハロゲン化合物のような、フッ化芳香族第一級アミンのアミノ基と反応する反応部位を１つ有する化合物であっても、ジクロロ、ジブロモもしくはジヨードまたはジ擬ハロゲン化合物のような、フッ化芳香族第一級アミンのアミノ基と反応する反応部位を２つ以上有する化合物であってもよく、例えば、下記式（Ｙ１）および（Ｙ２）で表されるものが挙げられる。
【００３４】
【化２６】
2020027258.tif 000028
（式中、Ａｒ4は、アリール基を表し、Ａｒ5は、アリーレン基を表し、Ｘは、それぞれ独立して、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子または擬ハロゲン基を表す。）
【００３５】
アリール基およびアリーレン基としては、上記と同様のものが挙げられる。
擬ハロゲン基としては、メタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、ノナフルオロブタンスルホニルオキシ基等の（フルオロ）アルキルスルホニルオキシ基；ベンゼンスルホニルオキシ基、トルエンスルホニルオキシ基等の芳香族スルホニルオキシ基などが挙げられる。
Ｘとしては、反応性という点から、臭素原子、ヨウ素原子が好ましい。
【００３６】
特に、本発明で用いる塩素化、臭素化もしくはヨウ素化芳香族炭化水素または擬ハロゲン化芳香族炭化水素は、モノもしくはジクロロ芳香族炭化水素、モノもしくはジブロモ芳香族炭化水素、またはモノもしくはジヨード芳香族炭化水素が好ましく、モノもしくはジブロモ芳香族炭化水素、またはモノもしくはジヨード芳香族炭化水素がより好ましい。
【００３７】
（５）塩基
塩基としても特に限定されるものではなく、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、水素化リチウム、水素化ナトリウム、水酸化リチウム、水酸化カリウム、ｔ−ブトキシリチウム、ｔ−ブトキシナトリウム、ｔ−ブトキシカリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属単体、水素化アルカリ金属、水酸化アルカリ金属、アルコキシアルカリ金属、炭酸アルカリ金属、炭酸水素アルカリ金属；炭酸カルシウム等の炭酸アルカリ土類金属；ｎ−ブチルリチウム、ｓ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ），リチウム２，２，６，６−テトラメチルピペリジン（ＬｉＴＭＰ），ヘキサメチルジシラザンリチウム（ＬＨＭＤＳ）等の有機リチウム；トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、トリエチレンジアミン、ピリジン等のアミン類などが挙げられるが、ＬＤＡ、ＬｉＴＭＰ、ＬＨＭＤＳ等の二級アミンをリチオ化したリチウムアミド試薬やｔ−ブトキシリチウム等のアルコキシアルカリ金属が好適である。
【００３８】
（６）カップリング反応
本発明の製造方法において、フッ化芳香族第一級アミン化合物と、塩素化、臭素化もしくはヨウ素化芳香族炭化水素または擬ハロゲン化芳香族炭化水素との仕込み比は、フッ化芳香族第一級アミン化合物のＮＨ2基１ｍｏｌ対して、芳香族炭化水素の塩素、臭素もしくはヨウまたは擬ハロゲンである反応部位１．０〜１．２ｍｏｌ程度が好適である。
例えば、物質量（ｍｏｌ）比で、式（Ｘ１）と式（Ｙ１）との反応では、（Ｘ１）１に対して（Ｙ１）１〜１．２程度が好適であり、式（Ｘ１）と（Ｙ２）との反応では、（Ｘ１）１に対して、（Ｙ１）０．５〜０．６程度が好適であり、式（Ｘ２）と式（Ｙ１）との反応では、（Ｘ２）１に対して（Ｙ１）２〜２．４程度が好適であり、式（Ｘ２）と（Ｙ２）との反応では、（Ｘ２）１に対して、（Ｙ２）１〜１．２程度が好適である。
【００３９】
本発明のカップリング反応は、原料化合物が全て固体である場合あるいは目的とするフッ化芳香族第二級アミン化合物を効率よく得る観点から、溶媒中で行う。
溶媒を使用する場合、その種類は、反応に悪影響を及ぼさないものであれば特に制限はない。具体例としては、脂肪族炭化水素類（ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン、ｎ−デカン、デカリン等）、ハロゲン化脂肪族炭化水素類（クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素等）、芳香族炭化水素類（ベンゼン、ニトロベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、メシチレン等）、ハロゲン化芳香族炭化水素類（クロロベンゼン、ブロモベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、ｍ−ジクロロベンゼン、ｐ−ジクロロベンゼン等）、エーテル類（ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、１，２−ジメトキシエタン、１，２−ジエトキシエタン等）、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジ−ｎ−ブチルケトン、シクロヘキサノン等）、アミド類（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等）、ラクタムおよびラクトン類（Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン等）、尿素類（Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノン、テトラメチルウレア等）、スルホキシド類（ジメチルスルホキシド、スルホラン等）、ニトリル類（アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル等）などが挙げられ、これらの溶媒は単独で用いても、２種以上混合して用いてもよい。
特に、本発明では、溶媒としてエーテル類を用いることが好ましく、ジオキサンを用いることがより好ましい。
【００４０】
反応温度の下限は、反応基質の反応性等に応じて異なるため一概に規定できないが、４５℃以上であれば、通常、カップリング反応は良好に進行する。特に、反応性をより向上させることを考慮すると、反応温度は６０℃以上が好ましく、７５℃以上がより好ましく、９０℃以上がより一層好ましく、特に、溶媒の加熱還流下で反応を行うことが好適である。一方、反応温度の上限は、用いる溶媒の沸点に応じて異なるため一概に規定できないが、通常２００℃程度以下である。
反応終了後は、常法にしたがって後処理をし、目的とするフッ化芳香族第二級アミン化合物を得ることができる。
【００４１】
［２］含フッ素アニリン誘導体
本発明に係る含フッ素アニリン誘導体の１つは、下記式（Ｔ１）で表される。
【００４２】
【化２７】
2020027258.tif 000029
【００４３】
上記式（Ｔ１）において、Ｘ211は、式（Ａ０１−１）〜（Ａ０９）のいずれかで表される２価の基を表す。
【００４４】
【化２８】
2020027258.tif 000030
【００４５】
ここで、Ｌ01は、−Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ2−、−（ＣＨ2）2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−ＣＦ2−、−（ＣＦ2）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、フルオレン−９，９−ジイル基、−ＮＨ−または−ＮＺ10−を表す。
Ｌ02およびＬ03は、それぞれ独立して、水素原子、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ12で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表すが、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、ともに水素原子、メチル基、フェニル基がより好ましい。
上記アルキル基およびアリール基の具体例としては、上記と同様のものが挙げられる。
炭素数２〜２０のアルケニル基の具体例としては、エテニル、ｎ−１−プロペニル、ｎ−２−プロペニル、１−メチルエテニル、ｎ−１−ブテニル、ｎ−２−ブテニル、ｎ−３−ブテニル、２−メチル−１−プロペニル、２−メチル−２−プロペニル、１−エチルエテニル、１−メチル−１−プロペニル、１−メチル−２−プロペニル、ｎ−１−ペンテニル、ｎ−１−デセニル、ｎ−１−エイコセニル基等が挙げられる。
【００４６】
Ｌ04は、水素原子、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ12で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、これらアルキル基、アルケニル基およびアリール基の具体例としては、上記と同様のものが挙げられる。これらの中でも、Ｌ04は、水素原子、フェニル基が好ましい。
Ｚ′は、芳香環の置換基を表し、それぞれ独立して、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ12で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、これらアルキル基、アルケニル基およびアリール基の具体例としては、上記と同様のものが挙げられる。
【００４７】
Ｚ01〜Ｚ09は、芳香環の置換基を表し、それぞれ独立して、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ12で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、Ｚ10は、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ11で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ12で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、Ｚ11は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基またはＺ13で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、Ｚ12は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ13で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基またはＺ13で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基を表し、Ｚ13は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基またはシアノ基を表し、これらアルキル基、アルケニル基およびアリール基の具体例としては、上記と同様のものが挙げられる。
中でも、Ｚ01〜Ｚ09が存在する場合は、ニトロ基、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜５のアルキル基が好ましい。また、Ｚ10は、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基が好ましい。
なお、芳香環の置換基Ｚp（ｐ＝′，０１〜０９）が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
【００４８】
a11、a13、a21、a23、a31、a33、a41、a51、a61、a71、a73、a81、a83、a91およびa93は、芳香環に置換するフッ素原子の数を表し、a12、a14、a22、a24、a32、a34、a42、a52、a62、a72、a74、a82、a84、a92およびa94は、芳香環に置換するＺ01〜Ｚ09の数を表し、a75およびa76は、芳香環に置換するＺ′の数を表す。
a11は、２〜４の整数であり、a12は、０〜２の整数であり、かつ、a11＋a12≦４を満たす。
a13は、２〜４の整数であり、a14は、０〜２の整数であり、かつ、a13＋a14≦４を満たす。
a21およびa23は、それぞれ独立して１〜４の整数であり、a22およびa24は、それぞれ独立して０〜３の整数であり、かつ、a21＋a22≦４およびa23＋a24≦４を満たす。
a31およびa33は、それぞれ独立して１〜４の整数であり、a32およびa34は、それぞれ独立して０〜３の整数であり、かつ、a31＋a32≦４およびa33＋a34≦４を満たす。
a41は、１〜６の整数であり、a42は、０〜５の整数であり、かつ、a41＋a42≦６を満たす。
a51は、１〜８の整数であり、a52は、０〜７の整数であり、かつ、a51＋a52≦８を満たす。
a61は、１〜８の整数であり、a62は、０〜７の整数であり、かつ、a61＋a62≦８を満たす。
a71およびa73は、それぞれ独立して１〜３の整数であり、a72およびa74は、それぞれ独立して０〜２の整数であり、かつ、a71＋a72≦３およびa73＋a74≦３を満たし、a75およびa76は、それぞれ独立して０〜４の整数である。
a81およびa83は、それぞれ独立して１〜３の整数であり、a82およびa84は、それぞれ独立して０〜２の整数であり、かつ、a81＋a82≦３およびa83＋a84≦３を満たす。
a91およびa93は、それぞれ独立して１〜３の整数であり、a92およびa94は、それぞれ独立して０〜２の整数であり、かつ、a91＋a92≦３およびa93＋a94≦３を満たす。
特に、a41、a51、a61は、２以上の整数が好ましい。
また、a12、a14、a22、a24、a32、a34、a42、a52、a62、a72、a74、a82、a84、a92およびa94は、０が好ましく、a75およびa76は、０が好ましい。
【００４９】
これらの中でも、Ｘ211は、式（Ａ０２）で表される２価の基が好ましく、下記式（Ａ０２−１）で表される２価の基がより好ましく、電荷輸送性物質として用いることを考慮すると、式（Ａ０２−１−１）で表されるパーフルオロビフェニレン基がより一層好ましい。
【００５０】
【化２９】
2020027258.tif 000031
（式中、a21〜a24およびＺ02は、上記と同じ意味を表す。）
【００５１】
【化３０】
2020027258.tif 000032
【００５２】
一方、Ｙ211およびＹ212は、それぞれ独立して、式（Ｂ０１）〜（Ｂ２１）のいずれかで表される１価の基を表す。
【００５３】
【化３１】
2020027258.tif 000033
【００５４】
【化３２】
2020027258.tif 000034
【００５５】
【化３３】
2020027258.tif 000035
【００５６】
ここで、Ｌ11は、−Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ2−、−（ＣＨ2）2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−ＣＦ2−、−（ＣＦ2）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、フルオレン−９，９−ジイル基、−ＮＨ−または−ＮＺ100−を表す。
Ｌ12は、水素原子、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ131で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、これらアルキル基、アルケニル基およびアリール基の具体例としては、上記と同様のものが挙げられる。これらの中でも、Ｌ12は、水素原子、フェニル基が好ましい。
Ｌ13およびＬ14は、それぞれ独立して、水素原子、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ131で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、これらアルキル基、アルケニル基およびアリール基の具体例としては、上記と同様のものが挙げられる。これらの中でも、Ｌ13およびＬ14としては、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基が好ましく、ともに水素原子、メチル基、フェニル基がより好ましい。
【００５７】
Ｚ100は、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ131で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表すが、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基が好ましい。
Ｚ101〜Ｚ107およびＺ109〜Ｚ121は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基またはＺ131で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、Ｚ108は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ130で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基もしくはＺ131で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表すが、異なるベンゼン環上に存在するＺ108同士が結合して環を形成していてもよく、Ｚ130は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはＺ132で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、Ｚ131は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、Ｚ132で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基またはＺ132で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基を表し、Ｚ132は、フッ素原子、塩素原子または臭素原子を表し、これらアルキル基、アルケニル基およびアリール基の具体例としては、上記と同様のものが挙げられる。これらの中でも、Ｚ101〜Ｚ107およびＺ109〜Ｚ121は、水素原子が好ましい。Ｚ108は、水素原子であるか、異なるベンゼン環上において、窒素原子のオルト位に存在する少なくとも１組のＺ108同士が結合した単結合が好ましい。なお、Ｚ108同士が単結合を形成した式（Ｂ０８）としては、例えば下記式（Ｂ０８’）で示されるものが挙げられる。
なお、Ｚq（ｑ＝１０１〜１２１）はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
【００５８】
【化３４】
2020027258.tif 000036
【００５９】
Ａｒ1は、それぞれ独立して、炭素数６〜２０のアリール基を表し、このアリール基としては、上記と同様のものが挙げられる。中でも、Ａｒ1は、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。
Ａｒ2は、単結合または炭素数６〜２０のアリーレン基を表す。炭素数６〜２０のアリーレン基の具体例としては、１，２−フェニレン、１，３−フェニレン、１，４−フェニレン、１，５−ナフタレンジイル、１，８−ナフタレンジイル、２，６−ナフタレンジイル、２，７−ナフタレンジイル基等が挙げられる。中でも、Ａｒ2は、単結合、１，４−フェニレン基が好ましい。
【００６０】
特に、合成の容易性等を考慮すると、Ｙ211およびＹ212は同一の１価の基であることが好ましく、ともに式（Ｂ０１）、（Ｂ０２）、（Ｂ０４）、（Ｂ０８）および（Ｂ１８）のいずれかで表される１価の基であることがより好ましい。
【００６１】
また、本発明に係る含フッ素アニリン誘導体の他の１つは、下記式（Ｔ２）で表される。
【００６２】
【化３５】
2020027258.tif 000037
【００６３】
式（Ｔ２）において、Ｘ221およびＸ222は、それぞれ独立して、式（Ｃ０１）〜（Ｃ０９）のいずれかで表される１価の基を表す。
【００６４】
【化３６】
2020027258.tif 000038
【００６５】
ここで、b11、b21、b23、b31、b33、b41、b51、b61、b71、b73、b81、b83、b91およびb93は、芳香環に置換するフッ素原子の数を表し、b12、b22、b24、b32、b34、b42、b52、b62、b72、b74、b82、b84、b92およびb94は、芳香環に置換するＺ01〜Ｚ09の数を表し、b75およびb76は、芳香環に置換するＺ′の数を表す。
b11は、２〜５の整数であり、b12は、０〜３の整数であり、かつ、b11＋b12≦５を満たす。
b21は、１〜４の整数であり、b23は、１〜５の整数であり、b22は、０〜３の整数であり、b24は、０〜４の整数であり、かつ、b21＋b22≦４およびb23＋b24≦５を満たす。
b31は、１〜４の整数であり、b33は、１〜５の整数であり、ｂ32は、０〜３の整数であり、ｂ34は、０〜４の整数であり、かつ、ｂ31＋ｂ32≦４およびｂ33＋ｂ34≦５を満たす。
b41は、１〜７の整数であり、b42は、０〜６の整数であり、かつ、b41＋b42≦７を満たす。
b51は、１〜９の整数であり、b52は、０〜８の整数であり、かつ、b51＋b52≦９を満たす。
b61は、１〜９の整数であり、b62は、０〜８の整数であり、かつ、b61＋b62≦９を満たす。
b71は、１〜３の整数であり、b73は、１〜４の整数であり、b72は、０〜２の整数であり、b74は、０〜３の整数であり、かつ、b71＋b72≦３およびb73＋b74≦４を満たし、b75およびb76は、それぞれ独立して、０〜４の整数である。
b81は、１〜３の整数であり、b83は、１〜４の整数であり、b82は、０〜２の整数であり、b84は、０〜３の整数であり、かつ、b81＋b82≦３およびb83＋b84≦４を満たす。
b91は、１〜３の整数であり、b93は、１〜４の整数であり、b92は、０〜２の整数であり、b94は、０〜３の整数であり、かつ、b91＋b92≦３およびb93＋b94≦４を満たす。
特に、b41、b51、b61は、２以上の整数が好ましい。
また、b12、b22、b24、b32、b34、b42、b52、b62、b72、b74、b82、b84、b92およびb94は０が好ましく、b75およびb76は、０が好ましい。
なお、Ｌ01〜Ｌ04、Ｚ′およびＺ01〜Ｚ09は、上記と同じ意味を表す。
【００６６】
特に、合成の容易性や電荷輸送性等を考慮すると、Ｘ221およびＸ222は、同一の１価の基が好ましく、ともに式（Ｃ０１）で表される１価の基がより好ましく、ともに下記式（Ｃ０１−１）で表される１価の基がより一層好ましい。
【００６７】
【化３７】
2020027258.tif 000039
【００６８】
一方、Ｙ221は、式（Ｄ０１−１）〜（Ｄ２１）のいずれかで表される２価の基を表す。
【００６９】
【化３８】
2020027258.tif 000040
【００７０】
【化３９】
2020027258.tif 000041
【００７１】
【化４０】
2020027258.tif 000042
【００７２】
【化４１】
2020027258.tif 000043
【００７３】
式中、Ａｒ3は、それぞれ独立して、炭素数６〜２０のアリーレン基を表し、このアリーレン基の具体例としては上記と同様のものが挙げられる。
また、Ｌ11〜Ｌ14、Ｚ101〜Ｚ121、およびＡｒ1は、上記と同じ意味を表す。
【００７４】
これらの中でも、Ｙ221は、式（Ｄ０２）で表される２価の基が好ましく、下記式（Ｄ０２−１）で表される２価の基がより好ましく、下記式（Ｄ０２−１−１）で表されるビフェニレン基がより一層好ましい。
【００７５】
【化４２】
2020027258.tif 000044
（式中、Ｚ102は、上記と同じ意味を表す。）
【００７６】
なお、本発明の含フッ素アニリン誘導体には、下記式［１］〜［１３］で表される化合物は含まれない。
【００７７】
【化４３】
2020027258.tif 000045
【００７８】
本発明の含フッ素アニリン誘導体の具体例としては、下記式で表されるものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００７９】
【化４４】
2020027258.tif 000046
（式中、ｔ−Ｂｕは、ｔ−ブチル基を表す。）
【００８０】
［３］重合体
本発明に係る重合体は、下記式（Ｐ１−２）で表される繰り返し単位を含む。
【００８１】
【化４５】
2020027258.tif 000047
【００８２】
式（Ｐ１−２）において、Ｘ211は、上記含フッ素アニリン誘導体で例示した基と同様のものが挙げられ、その好適範囲も上記と同様である。
また、Ｙ221は、上記含フッ素アニリン誘導体で例示した基と同様のものが挙げられるが、中でも、式（Ｄ０２）、（Ｄ１７）および（Ｄ１９）のいずれかで表される２価の基が好ましい。
【００８３】
本発明の重合体の分子量は特に限定されるものではないが、電荷輸送性物質として用いる場合の導電性および有機溶媒への溶解性等を考慮すると、重量平均分子量１０００〜１０００００が好ましく、２０００〜５００００がより好ましく、５０００〜３００００がより一層好ましい。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算値である。
【００８４】
本発明の重合体の具体例としては、下記式で表されるものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００８５】
【化４６】
2020027258.tif 000048
（式中、ｍは、それぞれ独立して、２以上の整数を表す。）
【００８６】
［４］含フッ素アニリン誘導体および重合体の製造法
以上説明した本発明の含フッ素アニリン誘導体および重合体は、既に述べた本発明のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法を用いて合成することができる。
例えば、含フッ素アニリン誘導体は、ジベンジリデンアセトンのパラジウム０価錯体、上記式（Ｌ）で表される配位子および塩基の存在下、上記式（Ｘ２）で表されるフッ化芳香族第一級ジアミンと、２当量の上記式（Ｙ１）で表される塩素化、臭素化もしくはヨウ素化芳香族炭化水素または擬ハロゲン化芳香族炭化水素とを反応させて、あるいは、上記式（Ｘ１）で表されるフッ化芳香族第一級アミンと、０．５当量の上記式（Ｙ２）で表されるジ塩素化、ジ臭素化もしくはジヨウ素化芳香族炭化水素またはジ擬ハロゲン化芳香族炭化水素と、を反応させて得ることができる。
一方、重合体は、ジベンジリデンアセトンのパラジウム０価錯体、上記式（Ｌ）で表される配位子および塩基の存在下、上記式（Ｘ２）で表されるフッ化芳香族第一級ジアミン化合物と、上記式（Ｙ２）で表されるジ塩素化、ジ臭素化もしくはジヨウ素化芳香族炭化水素またはジ擬ハロゲン化芳香族炭化水素とを反応させて得ることができる。なお、重合体の合成においては、触媒量を増やすことで分子量が増大するため、触媒量を調節することで、得られる重合体の分子量を調節することができる。
【００８７】
［５］電荷輸送性物質、電荷輸送性組成物および電荷輸送性薄膜
上述した本発明の含フッ素アニリン誘導体および重合体は、フッ素原子を分子内に有することから透明性に優れるとともに、それ単独でまたはドーパント物質と組み合わせた場合に導電性を示すことから、電荷輸送性物質として好適に用いることができ、本発明の含フッ素アニリン誘導体や重合体を溶媒に溶解させることで、容易に電荷輸送性組成物を調製することができる。
例えば、本発明の電荷輸送性組成物としては、上述した含フッ素アニリン誘導体または重合体からなる電荷輸送性物質と、有機溶媒とを含むものが挙げられるが、得られる薄膜の用途に応じ、その電荷輸送能の向上等を目的としてドーパント物質を含んでいてもよい。
ドーパント物質は、組成物に使用する少なくとも一種の溶媒に溶解するものであれば、特に限定されない。
【００８８】
ドーパント物質の具体例としては、塩化水素、硫酸、硝酸、リン酸等の無機強酸；塩化アルミニウム（ＩＩＩ）（ＡｌＣｌ3）、四塩化チタン（ＩＶ）（ＴｉＣｌ4）、三臭化ホウ素（ＢＢｒ3）、三フッ化ホウ素エーテル錯体（ＢＦ3・ＯＥｔ2）、塩化鉄（ＩＩＩ）（ＦｅＣｌ3）、塩化銅（ＩＩ）（ＣｕＣｌ2）、五塩化アンチモン（Ｖ）（ＳｂＣｌ5）、五フッ化砒素（Ｖ）（ＡｓＦ5）、五フッ化リン（ＰＦ5）、トリス（４−ブロモフェニル）アルミニウムヘキサクロロアンチモナート（ＴＢＰＡＨ）等のルイス酸；ベンゼンスルホン酸、トシル酸、カンファスルホン酸、ヒドロキシベンゼンスルホン酸、５−スルホサリチル酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、１，５−ナフタレンジスルホン酸等のナフタレンジスルホン酸、１，３，５−ナフタレントリスルホン酸，１，３，６−ナフタレントリスルホン酸等のナフタレントリスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、国際公開第２００５／０００８３２号に記載されている１，４−ベンゾジオキサンジスルホン酸化合物、国際公開第２００６／０２５３４２号に記載されているナフタレンまたはアントラセンスルホン酸化合物、特開２００５−１０８８２８号公報に記載されているジノニルナフタレンスルホン酸化合物等のアリールスルホン酸化合物などの有機強酸；７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノ−１，４−ベンゾキノン（ＤＤＱ）、ヨウ素等の有機酸化剤、国際公開第２０１０／０５８７７７号に記載されているリンモリブデン酸、リンタングステン酸、リンタングストモリブデン酸等のヘテロポリ酸等の無機酸化剤などが挙げられ、それぞれを組み合わせて使用してもよい。
【００８９】
これらの中でも、アリールスルホン酸化合物が好ましく、式（Ｈ１）または（Ｈ２）で表されるアリールスルホン酸化合物が好適である。なお、ドーパント物質として用いるアリールスルホン酸化合物の分子量は、有機溶媒への溶解性を考慮すると、好ましくは３０００以下、より好ましくは２５００以下である。
【００９０】
【化４７】
2020027258.tif 000049
【００９１】
Ａ1は、ＯまたはＳを表すが、Ｏが好ましい。
Ａ2は、ナフタレン環またはアントラセン環を表すが、ナフタレン環が好ましい。
Ａ3は、２〜４価のパーフルオロビフェニル基を表し、ｐは、Ａ1とＡ3との結合数を示し、２≦ｐ≦４を満たす整数であるが、Ａ3がパーフルオロビフェニルジイル基、好ましくはパーフルオロビフェニル−４，４’−ジイル基であり、かつ、ｐが２であることが好ましい。
ｑは、Ａ2に結合するスルホン酸基数を表し、１≦ｑ≦４を満たす整数であるが、２が最適である。
【００９２】
Ａ4〜Ａ8は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロゲン化アルキル基、または炭素数２〜２０のハロゲン化アルケニル基を表すが、Ａ4〜Ａ8のうち少なくとも３つは、ハロゲン原子である。
【００９３】
炭素数１〜２０のハロゲン化アルキル基としては、トリフルオロメチル、２，２，２−トリフルオロエチル、１，１，２，２，２−ペンタフルオロエチル、３，３，３−トリフルオロプロピル、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル、１，１，２，２，３，３，３−ヘプタフルオロプロピル、４，４，４−トリフルオロブチル、３，３，４，４，４−ペンタフルオロブチル、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチル、１，１，２，２，３，３，４，４，４−ノナフルオロブチル基等が挙げられる。
【００９４】
炭素数２〜２０のハロゲン化アルケニル基としては、パーフルオロビニル、パーフルオロプロペニル（パーフルオロアリル）、パーフルオロブテニル基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、フッ素原子が挙げられるが、フッ素原子が好ましい。
その他、炭素数１〜２０のアルキル基の例としては上記と同様のものが挙げられる。
【００９５】
これらの中でも、Ａ4〜Ａ8は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のハロゲン化アルキル基、または炭素数２〜１０のハロゲン化アルケニル基であり、かつ、Ａ4〜Ａ8のうち少なくとも３つは、フッ素原子であることが好ましく、水素原子、フッ素原子、シアノ基、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のフッ化アルキル基、または炭素数２〜５のフッ化アルケニル基であり、かつ、Ａ4〜Ａ8のうち少なくとも３つはフッ素原子であることがより好ましく、水素原子、フッ素原子、シアノ基、炭素数１〜５のパーフルオロアルキル基、または炭素数１〜５のパーフルオロアルケニル基であり、かつ、Ａ4、Ａ5およびＡ8がフッ素原子であることがより一層好ましい。
なお、パーフルオロアルキル基とは、アルキル基の水素原子全てがフッ素原子に置換された基であり、パーフルオロアルケニル基とは、アルケニル基の水素原子全てがフッ素原子に置換された基である。
【００９６】
ｒは、ナフタレン環に結合するスルホン酸基数を表し、１≦ｒ≦４を満たす整数であるが、２〜４が好ましく、２が最適である。
【００９７】
以下、好適なアリールスルホン酸化合物の具体例を挙げるが、これらに限定されるわけではない。
【００９８】
【化４８】
2020027258.tif 000050
【００９９】
有機溶媒としては、電荷輸送性物質およびドーパント物質を溶解または分散可能なものであれば特に限定されるものではなく、例えば、ベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、シクロヘキサノール、エチレングリコール、１，３−オクチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、１，３−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、プロピレングリコール、へキシレングリコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、ブチルセロソルブ、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルカルビトール、ジアセトンアルコール、γ−ブチロラクトン、エチルラクテート、ｎ−ヘキシルアセテート等が挙げられ、これらは１種単独で用いても、２種以上組み合わせて用いてもよい。
【０１００】
本発明の電荷輸送性組成物の粘度は、通常、２５℃で１〜５０ｍＰａ・ｓであり、表面張力は、通常、２５℃で２０〜５０ｍＮ／ｍである。
本発明の電荷輸送性組成物の粘度と表面張力は、用いる塗布方法、所望の膜厚等の各種要素を考慮して、用いる有機溶媒の種類やそれらの比率、固形分濃度等を変更することで調整可能である。
【０１０１】
また、本発明の電荷輸送性組成物の固形分濃度は、組成物の粘度および表面張力等や、作製する薄膜の厚み等を勘案して適宜設定されるものではあるが、通常０．１〜１５．０質量％程度であり、組成物中の電荷輸送性物質の凝集を抑制する等の観点から、好ましくは１０．０質量％以下、より好ましくは８．０質量％以下、より一層好ましくは５質量％以下である。
なお、ここでいう固形分濃度の固形分とは、本発明の電荷輸送性組成物に含まれる溶媒以外の成分を意味する。
【０１０２】
本発明の電荷輸送性組成物は、本発明の電荷輸送性物質と、有機溶媒と、必要に応じて用いられるドーパント物質とを混合することで製造できる。その混合順序は特に限定されるものではない。
組成物を調製する際、成分が分解したり変質したりしない範囲で、適宜、加熱してもよい。
本発明においては、電荷輸送性組成物は、より平坦性の高い薄膜を再現性よく得る観点から、電荷輸送性物質等を有機溶媒に溶解させた後、サブマイクロメートルオーダーのフィルター等を用いてろ過することが望ましい。
【０１０３】
以上で説明した電荷輸送性組成物を基材上に塗布して焼成することで、基材上に本発明の電荷輸送性薄膜を形成させることができる。
組成物の塗布方法としては、特に限定されるものではなく、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り、インクジェット法、スプレー法、スリットコート法等が挙げられ、塗布方法に応じて組成物の粘度および表面張力を調節することが好ましい。
【０１０４】
本発明の電荷輸送性組成物を用いる場合、焼成雰囲気も特に限定されるものではなく、大気雰囲気（空気下）だけでなく、窒素等の不活性ガスや真空中でも均一な成膜面および高い電荷輸送性を有する薄膜を得ることができるが、通常空気下である。
また、焼成条件も特に限定されるものではないが、例えばホットプレートを用いて加熱焼成する。通常、所望の電荷輸送性等も考慮して、焼成温度は１００〜２６０℃の範囲内で、焼成時間は１分間〜１時間の範囲内で適宜決定する。さらに、必要に応じて、異なる２以上の温度で多段階の焼成をしてもよい。
【０１０５】
電荷輸送性薄膜の膜厚は、特に限定されないが、有機ＥＬ素子の機能層として用いる場合、５〜３００ｎｍが好ましい。膜厚を変化させる方法としては、電荷輸送性組成物中の固形分濃度を変化させたり、塗布時の液量を変化させたりする等の方法がある。
【０１０６】
本発明の含フッ素アニリン誘導体または重合体は、フッ素原子を含むことから、塗布性の向上、得られる膜の透明性向上、膜表面の濡れ性の調整等の膜物性の調整を主目的として、その他の電荷輸送性物質を含む電荷輸送性組成物に添加する添加剤としても用い得る。
【０１０７】
［６］有機ＥＬ素子
本発明の有機ＥＬ素子は、一対の電極を有し、これら電極の間に、上述の本発明の電荷輸送性薄膜を有するものである。
有機ＥＬ素子の代表的な構成としては、以下（ａ）〜（ｆ）が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。なお、下記構成において、必要に応じて、発光層と陽極の間に電子ブロック層等を、発光層と陰極の間にホール（正孔）ブロック層等を設けることもできる。また、正孔注入層、正孔輸送層あるいは正孔注入輸送層が電子ブロック層等としての機能を兼ね備えていてもよく、電子注入層、電子輸送層あるいは電子注入輸送層がホール（正孔）ブロック層等としての機能を兼ね備えていてもよい。
（ａ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（ｂ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入輸送層／陰極
（ｃ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（ｄ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／電子注入輸送層／陰極
（ｅ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
（ｆ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰極
【０１０８】
「正孔注入層」、「正孔輸送層」および「正孔注入輸送層」とは、発光層と陽極との間に形成される層であって、正孔を陽極から発光層へ輸送する機能を有するものであり、発光層と陽極の間に、正孔輸送性材料の層が１層のみ設けられる場合、それが「正孔注入輸送層」であり、発光層と陽極の間に、正孔輸送性材料の層が２層以上設けられる場合、陽極に近い層が「正孔注入層」であり、それ以外の層が「正孔輸送層」である。特に、正孔注入（輸送）層は、陽極からの正孔受容性だけでなく、正孔輸送（発光）層への正孔注入性にも優れる薄膜が用いられる。
「電子注入層」、「電子輸送層」および「電子注入輸送層」とは、発光層と陰極との間に形成される層であって、電子を陰極から発光層へ輸送する機能を有するものであり、発光層と陰極の間に、電子輸送性材料の層が１層のみ設けられる場合、それが「電子注入輸送層」であり、発光層と陰極の間に、電子輸送性材料の層が２層以上設けられる場合、陰極に近い層が「電子注入層」であり、それ以外の層が「電子輸送層」である。
「発光層」とは、発光機能を有する有機層であって、ドーピングシステムを採用する場合、ホスト材料とドーパント材料を含んでいる。このとき、ホスト材料は、主に電子と正孔の再結合を促し、励起子を発光層内に閉じ込める機能を有し、ドーパント材料は、再結合で得られた励起子を効率的に発光させる機能を有する。燐光素子の場合、ホスト材料は主にドーパントで生成された励起子を発光層内に閉じ込める機能を有する。
【０１０９】
本発明の電荷輸送性薄膜は、有機ＥＬ素子における陽極と発光層との間に設けられる有機機能膜として好適に用いることができるが、正孔注入層、正孔輸送層、正孔注入輸送層としてより好適に用いることができ、正孔注入層としてより一層好適に用いることができる。
本発明の電荷輸送性組成物を用いて有機ＥＬ素子を作製する場合の使用材料や、作製方法としては、下記のようなものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１１０】
本発明の電荷輸送性組成物から得られる薄膜からなる正孔注入層を有するＯＬＥＤ素子の作製方法の一例は、以下のとおりである。なお、電極は、電極に悪影響を与えない範囲で、アルコール、純水等による洗浄や、ＵＶオゾン処理、酸素−プラズマ処理等による表面処理を予め行うことが好ましい。
陽極基板上に、上記の方法により、上記電荷輸送性組成物を用いて正孔注入層を形成する。これを真空蒸着装置内に導入し、正孔輸送層、発光層、電子輸送層／ホールブロック層、電子注入層、陰極金属を順次蒸着する。あるいは、当該方法において蒸着で正孔輸送層と発光層を形成する代わりに、正孔輸送性高分子を含む正孔輸送層形成用組成物と発光性高分子を含む発光層形成用組成物を用いてウェットプロセスによってこれらの層を形成する。なお、必要に応じて、発光層と正孔輸送層との間に電子ブロック層を設けてよい。
【０１１１】
陽極材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）に代表される透明電極や、アルミニウムに代表される金属やこれらの合金等から構成される金属陽極が挙げられ、平坦化処理を行ったものが好ましい。高電荷輸送性を有するポリチオフェン誘導体やポリアニリン誘導体を用いることもできる。
なお、金属陽極を構成するその他の金属としては、金、銀、銅、インジウムやこれらの合金等が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
【０１１２】
正孔輸送層を形成する材料としては、（トリフェニルアミン）ダイマー誘導体、［（トリフェニルアミン）ダイマー］スピロダイマー、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン（α−ＮＰＤ）、４，４’，４”−トリス［３−メチルフェニル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス［１−ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴＡ）等のトリアリールアミン類、５，５”−ビス−｛４−［ビス（４−メチルフェニル）アミノ］フェニル｝−２，２’：５’，２”−ターチオフェン（ＢＭＡ−３Ｔ）等のオリゴチオフェン類などが挙げられる。
【０１１３】
発光層を形成する材料としては、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体等の金属錯体、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、ビススチリルベンゼン誘導体、ビススチリルアリーレン誘導体、（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾールの金属錯体、シロール誘導体等の低分子発光材料；ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ［２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリビニルカルバゾール等の高分子化合物に発光材料と電子移動材料を混合した系等が挙げられる。
また、蒸着で発光層を形成する場合、発光性ドーパントと共蒸着してもよく、発光性ドーパントとしては、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）3）等の金属錯体や、ルブレン等のナフタセン誘導体、キナクリドン誘導体、ペリレン等の縮合多環芳香族環等が挙げられる。
【０１１４】
電子輸送層／ホールブロック層を形成する材料としては、オキシジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、フェニルキノキサリン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ピリミジン誘導体等が挙げられる。
【０１１５】
電子注入層を形成する材料としては、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の金属酸化物、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）の金属フッ化物が挙げられるが、これらに限定されない。
陰極材料としては、アルミニウム、マグネシウム−銀合金、アルミニウム−リチウム合金等が挙げられる。
電子ブロック層を形成する材料としては、トリス（フェニルピラゾール）イリジウム等が挙げられる。
【０１１６】
正孔輸送性高分子としては、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレニル−２，７−ジイル）−ｃｏ−（Ｎ，Ｎ’−ビス｛ｐ−ブチルフェニル｝−１，４−ジアミノフェニレン）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−ｃｏ−（Ｎ，Ｎ’−ビス｛ｐ−ブチルフェニル｝−１，１’−ビフェニレン−４，４−ジアミン）］、ポリ［（９，９−ビス｛１’−ペンテン−５’−イル｝フルオレニル−２，７−ジイル）−ｃｏ−（Ｎ，Ｎ’−ビス｛ｐ−ブチルフェニル｝−１，４−ジアミノフェニレン）］、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン］−エンドキャップド  ウィズ  ポリシルシスキノキサン、ポリ［（９，９−ジジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−ｃｏ−（４，４’−（Ｎ−（ｐ−ブチルフェニル））ジフェニルアミン）］等が挙げられる。
【０１１７】
発光性高分子としては、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）等のポリフルオレン誘導体、ポリ（２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキソキシ）−１，４−フェニレンビニレン）（ＭＥＨ−ＰＰＶ）等のポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ（３−アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）等のポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等が挙げられる。
【０１１８】
本発明の有機ＥＬ素子は、特性悪化を防ぐため、定法に従い、必要に応じて捕水剤などとともに封止してもよい。
【実施例】
【０１１９】
以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。【０１２０】
〔装置〕
試料の物性測定は、下記の条件のもとで下記の装置を使用して行った。
（１）液体クロマトグラフィー（反応の追跡）
装置：（株）島津製作所製
UV-VIS検出器：SPD-20A
カラムオーブン：CTO-20A
脱気ユニット：DGU-20A
送液ユニット：LC-20AB
オートサンプラ：SIL-20A
カラム：Ｐｏｒｏｓｈｅｌｌ  １２０  ＥＣ−Ｃ１８（２．７μｍ、３．０×５０ｍｍ、Ａｇｉｌｅｎｔ）
カラム温度：４０℃
溶媒：アセトニトリル／水  アセトニトリル濃度：４０％（０−０．０１ｍｉｎ）→４０％−１００％（０．０１−５ｍｉｎ）→１００％（５−１５ｍｉｎ）（体積比）
検出器：ＵＶ
（２）ゲル浸透クロマトグラフィー（重合体の分子量測定）
装置：（株）島津製作所製
UV-VIS検出器：SPD-20A
示差屈折計検出器：RID-20A
カラムオーブン：CTO-20A
脱気ユニット：DGU-20A
送液ユニット：LC-20AD
オートサンプラ：SIL-20A
カラム：Ｓｈｏｄｅｘ ＫＦ−G＋ＫＦ−８０４Ｌ
カラム温度：４０℃
溶媒：テトラヒドロフラン
検出器：ＵＶ
（３）組成物の塗布：ミカサ（株）製、スピンコーターＭＳ−Ａ１００
（４）素子の作製：長州産業（株）製  多機能蒸着装置システムＣ−Ｅ２Ｌ１Ｇ１−Ｎ
（５）素子の電流密度の測定：（有）テック・ワールド製  Ｉ−Ｖ−Ｌ測定システム
（６）ガラス転移温度（Ｔｇ）測定装置：Ｐｅｒｋｉｎ ｅｌｍｅｒ社製 Ｄｉａｍｏｎｄ ＤＳＣ
測定条件：窒素雰囲気下
昇温速度：５℃／分（４０〜３００℃）
（７）５％重量減少温度（Ｔｄ５％）測定
装置：（株）リガク製 ＴＧ８１２０
測定条件：空気雰囲気下
昇温速度：１０℃／分（４０〜５００℃）
（８）自動カラムクロマトグラフィー装置（目的物の分取）：昭光サイエンティフィック株式会社製  ２ＣＨパラレル精製装置  Ｐｕｒｉｆ−ｅｓｐｏｉｒ２
（９）ＮＭＲ：Ｂｒｕｋｅｒ社製Ａｖａｎｃｅ  III ５００ＭＨｚ
内部標準
19F-NMR化学シフト補正
Trifluoro toluene=-64ppm
13C-NMR化学シフト補正
Acetone-d6=206.68ppm
Chloroform-d1=77.23ppm
N,N-Dimethylformamide-d7=163.15ppm
Tetrahydrofuran-d8=67.57ppm【０１２１】
〔試薬〕
下記の実施例および比較例で使用した試薬は以下のとおりである。
Ｐｄ（ＰＰｈ3）4［東京化成工業（株）製］
Ｐｄ（ＤＢＡ）2［東京化成工業（株）製］
Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ2［東京化成工業（株）製］
ｔ−ＢｕＯＮａ［キシダ化学（株）製］
ＢＩＮＡＰ［東京化成工業（株）製］
炭酸セシウム［純正化学（株）製］
硫酸マグネシウム［キシダ化学（株）製］
酢酸カリウム［純正化学（株）製］
リチウムヘキサメチルジシラジド（ＬＨＭＤＳ）１．３ｍｏｌ／Ｌテトラヒドロフラン溶液［東京化成工業（株）製］
リチウムヘキサメチルジシラジド（ＬＨＭＤＳ）１ｍｏｌ／Ｌトルエン溶液［Ａｌｄｒｉｃｈ社製］
ＲｕＰｈｏｓ［Ａｌｄｒｉｃｈ社製］
ｔ−ＢｕＸＰｈｏｓ［Ａｌｄｒｉｃｈ社製］
ＳＰｈｏｓ［Ａｌｄｒｉｃｈ社製］
ｔ−ＢｕＭｅＰｈｏｓ［Ａｌｄｒｉｃｈ社製］
ＪｈｏｎＰｈｏｓ［Ａｌｄｒｉｃｈ社製］
ＣｙＪｈｏｎＰｈｏｓ［Ａｌｄｒｉｃｈ社製］
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド［純正化学（株）製］
酢酸エチル［東京化成工業（株）製または純正化学（株）製］
トルエン［純正化学（株）製または関東化学（株）製］
ジオキサン［関東化学（株）製］
ヘキサン［純正化学（株）製］
テトラヒドロフラン［純正化学（株）製］
テトラヒドロフルフリルアルコール［関東化学（株）製］
ペンタフルオロアニリン［東京化成工業（株）製］
フルオロベンゼン［東京化成工業（株）製］
クロロベンゼン［東京化成工業（株）製］
ブロモベンゼン［東京化成工業（株）製］
ヨードベンゼン［東京化成工業（株）製］
ブロモペンタフルオロベンゼン［東京化成工業（株）製］
２−フルオロアニリン［東京化成工業（株）製］
４−ブロモアニソール［東京化成工業（株）製］
４，４′−ジアミノオクタフルオロビフェニル［東京化成工業（株）製］
１−ブロモ−４−ｔ−ブチルベンゼン［東京化成工業（株）製］
１−ブロモナフタレン［純正化学（株）製］
２−ブロモナフタレン［東京化成工業（株）製］
４−ブロモトリフェニルアミン［東京化成工業（株）製］
４−ヨードトリフェニルアミン［東京化成工業（株）製］
４−ブロモ−４′−（ジフェニルアミノ）ビフェニル［富士フイルム和光純薬（株）製］
２−ブロモ−９，９′−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］［東京化成工業（株）製］
４，４′−ジブロモビフェニル［東京化成工業（株）製］
１，４−ジブロモベンゼン［東京化成工業（株）製］
３，６−ジブロモ−９−フェニルカルバゾール［富士フイルム和光純薬（株）製］
２，７−ジブロモ−９，９−ジメチルフルオレン［東京化成工業（株）製］
４−フルオロブロモベンゼン［東京化成工業（株）製］【０１２２】
［１］フッ化芳香族第二級アミン化合物の合成
（１）ペンタフルオロアニリンと４−ブロモアニソールとの反応
【化４９】
2020027258.tif 000051
【０１２３】
［比較例１−１］
還流塔を取り付けた３０ｍＬの反応フラスコに、Ｐｄ（ＰＰｈ3）4０．０５ｍｍｏｌ（５７．８ｍｇ）、ｔ−ＢｕＯＮａ１．２ｍｍｏｌ（１１５．３ｍｇ）、ペンタフルオロアニリン１．２ｍｍｏｌ（２１９．７ｍｇ）を量り入れ、系中を窒素置換した。そこへジオキサン４ｍＬ、４−ブロモアニソール１ｍｍｏｌ（１８７．０ｍｇ）を加え、室温で５分間撹拌した後、１１０℃の浴中で５時間加熱撹拌した（内温９２℃）が、フラスコ内から採取した微量の溶液を用いた液体クロマトグラフィーにおいて、原料に帰属できるピークは確認できたが、目的物に帰属できるピークは確認できなかった。【０１２４】
［比較例１−２］
還流塔を取り付けた３０ｍＬの反応フラスコに、Ｐｄ（ＰＰｈ3）4０．０５ｍｍｏｌ（５７．８ｍｇ）、（±）ＢＩＮＡＰ０．０７５ｍｍｏｌ（４６．７ｍｇ）、炭酸セシウム１．２ｍｍｏｌ（３９１．０ｍｇ）、ペンタフルオロアニリン１．２ｍｍｏｌ（２１９．７ｍｇ）を量り入れ、系中を窒素置換した。そこへジオキサン４ｍＬ、４−ブロモアニソール１ｍｍｏｌ（１８７．０ｍｇ）を加え、室温で５分間撹拌した後、１１０℃の浴中で５時間加熱撹拌した（内温９２℃）が、フラスコ内から採取した微量の溶液を用いた液体クロマトグラフィーにおいて、原料に帰属できるピークは確認できたが、目的物に帰属できるピークは確認できなかった。【０１２５】
［比較例１−３］
還流塔を取り付けた３０ｍＬの反応フラスコに、Ｐｄ（ＰＰｈ3）4０．０５ｍｍｏｌ（５７．８ｍｇ）、（±）ＢＩＮＡＰ０．０７５ｍｍｏｌ（４６．７ｍｇ）、ペンタフルオロアニリン１．２ｍｍｏｌ（２１９．７ｍｇ）を量り入れ、系中を窒素置換した。そこへジオキサン４ｍＬ、４−ブロモアニソール１ｍｍｏｌ（１８７．０ｍｇ）を加え、さらにＬＨＭＤＳ１．３ｍｏｌ／Ｌテトラヒドロフラン溶液０．９２３ｍＬ（ＬＨＭＤＳ１．２ｍｍｏｌ相当）を加え、室温で５分間撹拌した後、１１０℃の浴中で５時間加熱撹拌した（内温９２℃）が、フラスコ内から採取した微量の溶液を用いた液体クロマトグラフィーにおいて、原料に帰属できるピークは確認できたが、目的物に帰属できるピークは確認できなかった。【０１２６】
［比較例１−４］
（±）ＢＩＮＡＰの代わりに、下記式（Ｌ２）で表されるＲｕＰｈｏｓ０．０７５ｍｍｏｌ（３５．０ｍｇ）を用いた以外は、比較例１−３と同様にして作業を行ったが、フラスコ内から採取した微量の溶液を用いた液体クロマトグラフィーにおいて、原料に帰属できるピークは確認できたが、目的物に帰属できるピークは確認できなかった。【０１２７】
【化５０】
2020027258.tif 000052
（式中、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基を、Ｃｙはシクロヘキシル基を表す。）【０１２８】
［比較例１−５］
還流塔を取り付けた３０ｍＬの反応フラスコに、Ｐｄ（ＤＢＡ）2０．０５ｍｍｏｌ（２８．８ｍｇ）、ペンタフルオロアニリン１．２ｍｍｏｌ（２１９．７ｍｇ）を量り入れ、系中を窒素置換した。そこへジオキサン４ｍＬ、４−ブロモアニソール１ｍｍｏｌ（１８７．０ｍｇ）を加え、さらにＬＨＭＤＳ１．３ｍｏｌ／Ｌテトラヒドロフラン溶液０．９２３ｍＬ（ＬＨＭＤＳ１．２ｍｍｏｌ相当）を加え、室温で５分間撹拌した後、１１０℃の浴中で５時間加熱撹拌した（内温９２℃）が、フラスコ内から採取した微量の溶液を用いた液体クロマトグラフィーにおいて、原料に帰属できるピークは確認できたが、目的物に帰属できるピークは確認できなかった。【０１２９】
［比較例１−６］
還流塔を取り付けた３０ｍＬの反応フラスコに、Ｐｄ（ＤＢＡ）2０．０５ｍｍｏｌ（２８．８ｍｇ）、（±）ＢＩＮＡＰ０．０７５ｍｍｏｌ（４６．７ｍｇ）、ペンタフルオロアニリン１．２ｍｍｏｌ（２１９．７ｍｇ）、炭酸セシウム１．２ｍｍｏｌ（３９１．０ｍｇ）を量り入れ、系中を窒素置換した。そこへジオキサン４ｍＬ、４−ブロモアニソール１ｍｍｏｌ（１８７．０ｍｇ）を加え、室温で５分間撹拌した後、１１０℃の浴中で５時間加熱撹拌した（内温９２℃）が、フラスコ内から採取した微量の溶液を用いた液体クロマトグラフィーにおいて、原料に帰属できるピークは確認できたが、目的物に帰属できるピークは確認できなかった。【０１３０】
［比較例１−７］
還流塔を取り付けた３０ｍＬの反応フラスコに、Ｐｄ（ＤＢＡ）2０．０５ｍｍｏｌ（２８．８ｍｇ）、（±）ＢＩＮＡＰ０．０７５ｍｍｏｌ（４６．７ｍｇ）、ペンタフルオロアニリン１．２ｍｍｏｌ（２１９．７ｍｇ）を量り入れ、系中を窒素置換した。そこへジオキサン４ｍＬ、４−ブロモアニソール１ｍｍｏｌ（１８７．０ｍｇ）を加え、さらにＬＨＭＤＳ１．３ｍｏｌ／Ｌテトラヒドロフラン溶液０．９２３ｍＬ（ＬＨＭＤＳ１．２ｍｍｏｌ相当）を加え、室温で５分間撹拌した後、１１０℃の浴中で５時間加熱撹拌した（内温９２℃）が、フラスコ内から採取した微量の溶液を用いた液体クロマトグラフィーにおいて、原料に帰属できるピークは確認できたが、目的物に帰属できるピークは確認できなかった。【０１３１】
［実施例１−１］
還流塔を取り付けた３０ｍＬの反応フラスコに、Ｐｄ（ＤＢＡ）2０．０５ｍｍｏｌ（２８．８ｍｇ）、ＲｕＰｈｏｓ０．０７５ｍｍｏｌ（３５．０ｍｇ）、炭酸セシウム１．２ｍｍｏｌ（３９１．０ｍｇ）、ペンタフルオロアニリン１．２ｍｍｏｌ（２１９．７ｍｇ）を量り入れ、系中を窒素置換した。そこへジオキサン４ｍＬ、４−ブロモアニソール１ｍｍｏｌ（１８７．０ｍｇ）を加え、室温で５分間撹拌し、次いでＬＨＭＤＳ１．３ｍｏｌ／Ｌテトラヒドロフラン溶液０．９２３ｍＬ（ＬＨＭＤＳ１．２ｍｍｏｌ）を加え、室温で５分間撹拌した後、１１０℃の浴中で５時間加熱撹拌した（内温９２℃）。なお、途中、フラスコ内の溶液を微量採取し、液体クロマトグラフィーを用いて反応を追跡した。原料に帰属できるピークの面積の減少に伴い目的物に帰属できるピークの面積が増加した。その際、副生成物に対応するような目立ったピークは確認されなかった。
反応混合物を室温まで冷却した後、冷却した反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液５０ｍＬ、酢酸エチル３０ｍＬとともに分液漏斗に入れて抽出を行い、分液漏斗に有機層を残し、水層を回収した。飽和食塩水５０ｍＬを分液漏斗に入れて残った有機層を洗浄し、水層、有機層をそれぞれ回収した。そして、回収した全ての水層を併せて分液漏斗に入れ、そこへ酢酸エチル２０ｍＬを入れて抽出を行い、有機層を回収し、回収した全ての有機層を併せ、これを硫酸マグネシウムで乾燥した。
硫酸マグネシウムを濾過により除去し、得られたろ液からロータリーエバポレーターにより溶媒を留去した。得られた残渣をトルエン３ｍＬに溶解させて得られた溶液を用いてカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０→９７／３）を行い、目的物を含むフラクションを分取した。
最後に、８０℃、減圧下で分取したフラクションから溶媒を取り除き、目的物６７．２ｍｇを得た（収率２６％）。
1H NMR (500.13 MHz, CDCl3): δ = 3.76 (s, 3H), 5.14 (brs, 1H), 6.72-6.75 (m, 6H), 6.8 (d, J = 9.0 Hz, 2 H)
13C NMR (125.77 MHz, CDCl3): δ = 55.8, 114.7, 119.5, 120.1, 135.4, 136.3, 138.5, 140.6, 155.9
19F NMR (470.53 MHz, CDCl3): δ = -167.6 (t, J = 21.7 Hz, 1F), -164.5 (td, J = 21.7, 5.2 Hz, 2F), -153.3 (brd, 2F); IR (neat)
ν~ = 3314 (w), 3063 (w), 2968 (w), 1694 (s), 1670 (m), 1653 (m), 1609 (m), 1590 (m), 1503 (s), 1460 (m), 1440 (s), 1414 (m), 1295 (m), 1196 (m), 1176 (m), 1138 (w), 1119 (m), 1106 (m), 1073 (w), 1022 (m), 1008 (m), 982 (s), 905 (m), 845 (m), 765 (s), 753 (m), 735 (m), 697 (m)
HRMS (ESI): Calcd for C13H8F5NO (M+H)+ 289.0526, found 290.0589.【０１３２】
［実施例１−２］
炭酸セシウムの代わりに、ｔ−ＢｕＯＮａ１．２ｍｍｏｌ（１１５．３ｍｇ）を用いた以外は、実施例１−１と同様に反応および後処理を行い、目的物２８６．１ｍｇを得た（収率＞９９％）。【０１３３】
［実施例１−３］
還流塔を取り付けた３０ｍＬの反応フラスコに、Ｐｄ（ＤＢＡ）2０．０５ｍｍｏｌ（２８．８ｍｇ）、ＲｕＰｈｏｓ０．０７５ｍｍｏｌ（３５．０ｍｇ）、ペンタフルオロアニリン１．２ｍｍｏｌ（２１９．７ｍｇ）を量り入れ、系中を窒素置換した。そこへジオキサン４ｍＬ、４−ブロモアニソール１ｍｍｏｌ（１８７．０ｍｇ）を加え、室温で５分間撹拌し、次いでＬＨＭＤＳ１．３ｍｏｌ／Ｌテトラヒドロフラン溶液０．９２３ｍＬ（ＬＨＭＤＳ１．２ｍｍｏｌ相当）を加え、室温で５分間撹拌した後、１１０℃の浴中で３時間加熱撹拌した（内温９２℃）。なお、途中、フラスコ内の溶液を微量採取し、液体クロマトグラフィーを用いて反応を追跡した。原料に帰属できるピークの面積の減少に伴い目的物に帰属できるピークの面積が増加した。その際、副生成物に対応するような目立ったピークは確認されなかった。
反応混合物を室温まで冷却した後、冷却した反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液５０ｍＬ、酢酸エチル３０ｍＬとともに分液漏斗に入れて抽出を行い、分液漏斗に有機層を残し、水層を回収した。飽和食塩水５０ｍＬを分液漏斗に入れて残った有機層を洗浄し、水層、有機層をそれぞれ回収した。そして、回収した全ての水層を併せて分液漏斗に入れ、そこへ酢酸エチル２０ｍＬを入れて抽出を行い、有機層を回収し、回収した全ての有機層を併せ、これを硫酸マグネシウムで乾燥した。
硫酸マグネシウムを濾過により除去し、得られたろ液からロータリーエバポレーターにより溶媒を留去した。得られた残渣をトルエン３ｍＬに溶解させて得られた溶液を用いてカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０→９７／３）を行い、目的物を含むフラクションを分取した。
最後に、８０℃、減圧下で分取したフラクションから溶媒を取り除き、目的物２８７．３ｍｇを得た（収率＞９９％）。【０１３４】
［実施例１−４］
ＲｕＰｈｏｓ０．２ｍｍｏｌ（９３．３ｍｇ）を用い、反応時間を５時間とした以外は、実施例１−３と同様に反応および後処理を行い、目的物２８６．０ｍｇを得た（収率＞９９％）。【０１３５】
［実施例１−５］
ＲｕＰｈｏｓの代わりに、下記式（Ｌ４）で表されるｔ−ＢｕＸＰｈｏｓ０．０７５ｍｍｏｌ（３１．８ｍｇ）を用い、反応時間を５時間とした以外は、実施例１−３と同様に反応および後処理を行い、目的物２４３．９ｍｇを得た（収率８４％）。【０１３６】
【化５１】
2020027258.tif 000053
（式中、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基を、ｔ−Ｂｕはｔ−ブチル基を表す。）【０１３７】
［実施例１−６］
ＲｕＰｈｏｓの代わりに、下記式（Ｌ１）で表されるＳＰｈｏｓ０．０７５ｍｍｏｌ（３０．８ｍｇ）を用い、反応時間を５時間とした以外は、実施例１−３と同様に反応および後処理を行い、目的物２４６．０ｍｇを得た（収率８５％）。【０１３８】
【化５２】
2020027258.tif 000054
（式中、Ｍｅはメチル基を、Ｃｙはシクロヘキシル基を表す。）【０１３９】
［実施例１−７］
ＲｕＰｈｏｓの代わりに、下記式（Ｌ５）で表されるｔ−ＢｕＭｅＰｈｏｓ０．０７５ｍｍｏｌ（２３．４ｍｇ）を用い、反応時間を５時間とした以外は、実施例１−３と同様に反応および後処理を行い、目的物２４６．３ｍｇを得た（収率８５％）。【０１４０】
【化５３】
2020027258.tif 000055
（式中、Ｍｅはメチル基を、ｔ−Ｂｕはｔ−ブチル基を表す。）【０１４１】
［実施例１−８］
ＲｕＰｈｏｓの代わりに、下記式（Ｌ６）で表されるＪｈｏｎＰｈｏｓ０．０７５ｍｍｏｌ（２２．４ｍｇ）を用い、反応時間を５時間とした以外は、実施例１−３と同様に反応および後処理を行い、目的物２６８．２ｍｇを得た（収率９５％）。【０１４２】
【化５４】
2020027258.tif 000056
（式中、ｔ−Ｂｕはｔ−ブチル基を表す。）【０１４３】
［実施例１−９］
ＲｕＰｈｏｓの代わりに、下記式（Ｌ７）で表されるＣｙＪｈｏｎＰｈｏｓ０．０７５ｍｍｏｌ（２６．３ｍｇ）を用い、反応時間を５時間とした以外は、実施例１−３と同様に反応および後処理を行い、目的物２０８．９ｍｇを得た（収率７３％）。【０１４４】
【化５５】
2020027258.tif 000057
（式中、Ｃｙはシクロヘキシル基を表す。）【０１４５】
上記実施例１−１〜１〜９および比較例１―１〜１−７のまとめを表１に示す。【０１４６】
【表１】
2020027258.tif 000058
（実施例１−４：ＲｕＰｈｏｓ使用量０．２ｍｍｏｌ）【０１４７】
（２）ペンタフルオロアニリンとハロゲン化アリールとの反応
【化５６】
2020027258.tif 000059
【０１４８】
［比較例１−８］
還流塔を取り付けた３０ｍＬの反応フラスコに、Ｐｄ（ＤＢＡ）2０．０５ｍｍｏｌ（２８．８ｍｇ）、ＲｕＰｈｏｓ０．０７５ｍｍｏｌ（３５．０ｍｇ）、ペンタフルオロアニリン１．２ｍｍｏｌ（２１９．７ｍｇ）を量り入れ、系中を窒素置換した。そこへジオキサン４ｍＬ、フルオロベンゼン１ｍｍｏｌ（９６．１ｍｇ）を加え、室温で５分間撹拌し、次いでＬＨＭＤＳ１．３ｍｏｌ／Ｌテトラヒドロフラン溶液０．９２３ｍＬ（ＬＨＭＤＳ１．２ｍｍｏｌ相当）を加え、室温で５分間撹拌した後、１１０℃の浴中で５時間加熱撹拌した（内温９２℃）。なお、途中、フラスコ内から採取した微量の溶液を用いて液体クロマトグラフィーで反応を追跡したが、原料に帰属できるピークの他に、目的物に帰属できない多数の目立ったピークが確認できた。
反応混合物を室温まで冷却した後、冷却した反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液５０ｍＬ、酢酸エチル３０ｍＬとともに分液漏斗に入れて抽出を行い、分液漏斗に有機層を残し、水層を回収した。飽和食塩水５０ｍＬを分液漏斗に入れて残った有機層を洗浄し、水層、有機層をそれぞれ回収した。そして、回収した全ての水層を併せて分液漏斗に入れ、そこへ酢酸エチル２０ｍＬを入れて抽出を行い、有機層を回収し、回収した全ての有機層を併せ、これを硫酸マグネシウムで乾燥した。
硫酸マグネシウムを濾過により除去し、得られたろ液からロータリーエバポレーターにより溶媒を留去した。得られた残渣をトルエン３ｍＬに溶解させて得られた溶液を用いてカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０→９７／３）を行い、原料を主に含むフラクション以外のフラクションを分取した。
最後に、８０℃、減圧下で分取したフラクションから溶媒を取り除き、固体を得た。しかし、得られた固体の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルにおいて、原料、目的物のいずれにも帰属できない多数のピークが認められた。この混合物は、複数の副生成物が含まれる混合物であり、これから目的物を単離することは困難と判断し、それ以上の精製を試みなかった。【０１４９】
［実施例１−１０］
還流塔を取り付けた３０ｍＬの反応フラスコに、Ｐｄ（ＤＢＡ）2０．０５ｍｍｏｌ（２８．８ｍｇ）、ＲｕＰｈｏｓ０．０７５ｍｍｏｌ（３５．０ｍｇ）、ペンタフルオロアニリン１．２ｍｍｏｌ（２１９．７ｍｇ）を量り入れ、系中を窒素置換した。そこへジオキサン４ｍＬ、クロロベンゼン１ｍｍｏｌ（１１２．６ｍｇ）を加え、室温で５分間撹拌し、次いでＬＨＭＤＳ１．３ｍｏｌ／Ｌテトラヒドロフラン溶液０．９２３ｍＬ（ＬＨＭＤＳ１．２ｍｍｏｌ相当）を加え、室温で５分間撹拌した後、１１０℃の浴中で３時間加熱撹拌した（内温９２℃）。なお、途中、フラスコ内の溶液を微量採取し、液体クロマトグラフィーを用いて反応を追跡した。原料に帰属できるピークの面積の減少に伴い目的物に帰属できるピークの面積が増加した。その際、副生成物に対応するような目立ったピークは確認されなかった。
反応混合物を室温まで冷却した後、冷却した反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液５０ｍＬ、酢酸エチル３０ｍＬとともに分液漏斗に入れて抽出を行い、分液漏斗に有機層を残し、水層を回収した。飽和食塩水５０ｍＬを分液漏斗に入れて残った有機層を洗浄し、水層、有機層をそれぞれ回収した。そして、回収した全ての水層を併せて分液漏斗に入れ、そこへ酢酸エチル２０ｍＬを入れて抽出を行い、有機層を回収し、回収した全ての有機層を併せ、これを硫酸マグネシウムで乾燥した。
硫酸マグネシウムを濾過により除去し、得られたろ液からロータリーエバポレーターにより溶媒を留去した。得られた残渣をトルエン３ｍＬに溶解させて得られた溶液を用いてカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０→９７／３）を行い、目的物を含むフラクションを分取した。
最後に、８０℃、減圧下で分取したフラクションから溶媒を取り除き、目的物１９５．７ｍｇを得た（収率８１％）。【０１５０】
［実施例１−１１］
クロロベンゼンの代わりに、ブロモベンゼン１ｍｍｏｌ（１５７．０ｍｇ）を用い、反応時間を５時間とした以外は、実施例１−１０と同様に反応および後処理を行い、目的物２５６．６ｍｇを得た（収率＞９９％）。【０１５１】
［実施例１−１２］
ジオキサンの代わりに、トルエンを用い、ＬＨＭＤＳ１．３ｍｏｌ／Ｌテトラヒドロフラン溶液の代わりに、ＬＨＭＤＳ１ｍｏｌ／Ｌトルエン溶液１．２ｍＬ（ＬＨＭＤＳ１．２ｍｍｏｌ相当）を用い、反応時間を５時間とした以外は、実施例１−１０と同様に反応および後処理を行い、目的物２４３．５ｍｇを得た（収率９４％）。【０１５２】
［実施例１−１３］
クロロベンゼンの代わりに、ヨードベンゼン１ｍｍｏｌ（２０４．０ｍｇ）を用いた以外は、実施例１−１０と同様に反応および後処理を行い、目的物２５７．４ｍｇを得た（収率＞９９％）。【０１５３】
［実施例１−１４］
【化５７】
2020027258.tif 000060
【０１５４】
還流塔を取り付けた３０ｍＬの反応フラスコに、Ｐｄ（ＤＢＡ）2０．０５ｍｍｏｌ（２８．８ｍｇ）、ＲｕＰｈｏｓ０．０７５ｍｍｏｌ（３５．０ｍｇ）、ペンタフルオロアニリン１．２ｍｍｏｌ（２１９．７ｍｇ）、４−フルオロブロモベンゼン１ｍｍｏｌ（１７５．０ｍｇ）を量り入れ、系中を窒素置換した。そこへジオキサン４ｍＬを加え、５分間撹拌し、次いでＬＨＭＤＳ１．３ｍｏｌ／Ｌテトラヒドロフラン溶液０．９２３ｍＬ（ＬＨＭＤＳ１．２ｍｍｏｌ相当）を加え、室温で５分間撹拌した後、１１０℃の浴中で５時間加熱撹拌した（内温９２℃）。なお、途中、フラスコ内の溶液を微量採取し、液体クロマトグラフィーを用いて反応を追跡した。原料に帰属できるピークの面積の減少に伴い目的物に帰属できるピークの面積が増加した。その際、副生成物に対応するような目立ったピークは確認されなかった。
反応混合物を室温まで冷却した後、冷却した反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液５０ｍＬ、酢酸エチル３０ｍＬとともに分液漏斗に入れて抽出を行い、分液漏斗に有機層を残し、水層を回収した。飽和食塩水５０ｍＬを分液漏斗に入れて残った有機層を洗浄し、水層、有機層をそれぞれ回収した。そして、回収した全ての水層を併せて分液漏斗に入れ、そこへ酢酸エチル２０ｍＬを入れて抽出を行い、有機層を回収し、回収した全ての有機層を併せ、これを硫酸マグネシウムで乾燥した。
硫酸マグネシウムを濾過により除去し、得られたろ液からロータリーエバポレーターにより溶媒を留去した。得られた残渣をトルエン３ｍＬに溶解させて得られた溶液を用いてカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０→９７／３）を行い、目的物を含むフラクションを分取した。
最後に、５０℃、減圧下で分取したフラクションから溶媒を取り除き、目的物２４２．９ｍｇを得た（収率８８％）。
1H NMR (500.13 MHz, CDCl3): δ = 5.39 (ｂｒｓ, 1H), 6.84 (m, 2h), 7.00 (brt, 2H)
13C NMR (125.77 MHz, CDCl3): δ = 116.0, 116.2, 118.9, 119.0,138.3, 157.8, 159.7
19F NMR (470.53 MHz, CDCl3): δ -165.6 (brt, 1F), -164.0 (brdt, F), 151.8 (brd, 2F), 122.6 (brs, 1 F);
IR (neat)ν~ = 3425.6 (m), 1656.9 (w), 1504.5 (s), 1205.5 (s), 1153.4 (m), 1101.4 (m), 1008.8 (s), 997.9 (s), 827.5 (s), 748.4 (m), 717.5 (m), 702.1 (m), 669.3 (m), 636.5 (m)【０１５５】
上記実施例１−１０〜１−１４および比較例１−８のまとめを表２に示す。【０１５６】
【表２】
2020027258.tif 000061
【０１５７】
（３）モノ〜テトラフルオロアニリンと４−ブロモアニソールとの反応
【化５８】
2020027258.tif 000062
【０１５８】
［実施例１−１５］
還流塔を取り付けた３０ｍＬの反応フラスコに、Ｐｄ（ＤＢＡ）2０．０５ｍｍｏｌ（２８．８ｍｇ）、ＲｕＰｈｏｓ０．０７５ｍｍｏｌ（３５．０ｍｇ）を量り入れ、系中を窒素置換した。そこへジオキサン４ｍＬを加え、さらに２−フルオロアニリン１．２ｍｍｏｌ（１３３．３ｍｇ）、４−ブロモアニソール１ｍｍｏｌ（１８７．０ｍｇ）を加え、室温で５分間撹拌し、次いでＬＨＭＤＳ１．３ｍｏｌ／Ｌテトラヒドロフラン溶液０．９２３ｍＬ（ＬＨＭＤＳ１．２ｍｍｏｌ相当）を加え、室温で５分間撹拌した後、１１０℃の浴中で５時間加熱撹拌した（内温９２℃）。なお、途中、フラスコ内の溶液を微量採取し、液体クロマトグラフィーを用いて反応を追跡した。原料に帰属できるピークの面積の減少に伴い目的物に帰属できるピークの面積が増加した。その際、副生成物に対応するような目立ったピークは確認されなかった。
反応混合物を室温まで冷却した後、冷却した反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液５０ｍＬ、酢酸エチル３０ｍＬとともに分液漏斗に入れて抽出を行い、分液漏斗に有機層を残し、水層を回収した。飽和食塩水５０ｍＬを分液漏斗に入れて残った有機層を洗浄し、水層、有機層をそれぞれ回収した。そして、回収した全ての水層を併せて分液漏斗に入れ、そこへ酢酸エチル２０ｍＬを入れて抽出を行い、有機層を回収し、回収した全ての有機層を併せ、これを硫酸マグネシウムで乾燥した。
硫酸マグネシウムを濾過により除去し、得られたろ液からロータリーエバポレーターにより溶媒を留去した。得られた残渣をトルエン３ｍＬに溶解させて得られた溶液を用いてカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０→９７／３）を行い、目的物を含むフラクションを分取した。
最後に、８０℃、減圧下で分取したフラクションから溶媒を取り除き、目的物２１７．６ｍｇを得た（収率９８％）。
1H NMR (500.13 MHz, CDCl3): δ = 3.84 (s, 3H), 5.68 (brs, 1H), 6.77-6.79 (m, 1H), 6.93 (d, J = 9.0 Hz, 2H), 7.00 (brt, 1H), 7.07-7.12 (m, 2H); 7.15 (d, J = 9.0 Hz, 2H)
13C NMR (125.77 MHz, CDCl3): δ = 55.7, 114.9, 115.2, 115.3, 119.1, 123.3, 124.5, 134.1, 134.7, 152.4, 156.1
19F NMR (470.53 MHz, CDCl3): δ -136.1 (brs); IR (neat)
ν~ = 3382 (m), 3010 (w), 2938 (w), 2906 (w), 2838 (w), 1617 (m), 1585 (w), 1504 (s), 1477 (m), 1464 (m), 1455 (m), 1442 (m), 1332 (m), 1296 (m), 1288 (m), 1255 (m), 1233 (s), 1222 (s), 1180 (s), 1171 (m), 1109 (m), 1095 (s), 1029 (s), 1008 (m), 925 (w), 917 (w), 886 (w), 838 (m), 821 (s), 757 (m), 742 (s), 707 (m), 696 (w)
HRMS (ESI): Calcd for C13H12FNO (M+H)+ 217.0903, found 218.0963.【０１５９】
［実施例１−１６］
２−フルオロアニリンの代わりに、３−フルオロアニリン１．２ｍｍｏｌ（１３３．３ｍｇ）を用いた以外は、実施例１−１５と同様に反応および後処理を行い、目的物２１０．６ｍｇを得た（収率９７％）。
1H NMR (500.13 MHz, CDCl3): δ = 3.79 (s, 3H), 5.57 (brs, 1H), 6.47 (ddd, J = 8.3, 2.3, 0.9 Hz, 1H), 6.56 (dt, J = 11.4, 2.3 Hz, 1H), 6.59 (ddd, J = 8.3, 2.2, 0.9 Hz, 1H), 6.87 (d, J = 8.9, 6.7 Hz, 2H), 7.07 (dd, J = 8.9, 6.7  Hz, 2H), 7.11 (td, J = 8.3, 6.7 Hz,  2H)
13C NMR (125.77 MHz, CDCl3): δ = 55.7, 101.9, 105.9, 111.0, 1145.0, 123.6, 130.6, 134.8, 147.7, 156.2, 164.2
19F NMR (470.53 MHz, CDCl3): δ = -113.7 (ms)
IR (neat): ν~ = 3361 (m), 3043 (w), 2966(w), 2915 (w), 2839 (w), 1600 (s), 1584 (m), 1526 (m), 1506 (s), 1490 (s), 1465 (m), 1334 (m), 1290 (m), 1251 (m), 1181 (w), 1174 (w), 1168 (w), 1138 (s), 1109 (s), 1072 (w), 827 (m), 755 (m), 742 (s)
HRMS (ESI): Calcd for C13H12FNO (M+H)+ 217.0903, found 218.0969.【０１６０】
［実施例１−１７］
２−フルオロアニリンの代わりに、４−フルオロアニリン１．２ｍｍｏｌ（１３３．３ｍｇ）を用いた以外は、実施例１−１５と同様に反応および後処理を行い、目的物１６１．７ｍｇを得た（収率７４％）。
1H NMR (500.13 MHz, CDCl3): δ = 3.79 (s, 3H), 5.36 (brs, 1H), 6.84-7.25 (m, 8H)
13C NMR (125.77 MHz, CDCl3): δ = 55.8, 115.0, 116.0, 118.0, 121.4, 136.8, 141.4, 155.3, 157.4
19F NMR (470.45 MHz, CDCl3): δ =  -125.6(s)
IR (neat): ν~ = 3392 (w), 3037 (w), 2955 (w), 2934 (w), 2834 (w), 1603 (w), 1590 (w), 1497 (s), 1464 (m), 1442 (m), 1316 (m), 1295 (m), 1245 (m), 1213 (s), 1179 (m), 1154 (w), 1109 (w), 1098 (w), 1034 (m), 818 (s), 773 (m), 696 (w)
HRMS (ESI): Calcd for C13H12FNO (M+H)+ 217.0903, found 218.0965.【０１６１】
［実施例１−１８］
２−フルオロアニリンの代わりに、２，６−ジフルオロアニリン１．２ｍｍｏｌ（１５４．９ｍｇ）を用いた以外は、実施例１−１５と同様に反応および後処理を行い、目的物２１６．２ｍｇを得た（収率９２％）。
1H NMR (500.13 MHz, CDCl3): δ = 3.77 (s, 3H), 5.37 (brs, 1H), 6.81 (brs, 4H), 6．91-6.93 (m, 3H)
13C NMR (125.77 MHz, CDCl3): δ = 55.8, 112.0, 114.6, 118.8, 121.0, 121.9, 137.1, 154.9, 156.1
19F NMR (470.45 MHz, CDCl3): δ = -123.4 (m)
IR (neat): ν~ = 3411 (w), 2935 (w), 2835 (w), 1623 (w), 1598 (w), 1504 (s), 1456 (m), 1406 (w), 1294 (m), 1233 (s), 1179 (m), 1111 (w), 1060 (w), 1033 (m), 999 (s), 818 (m), 778 (w), 758 (m), 728 (w), 707 (w), 695 (w)
HRMS (ESI): Calcd for C13H11F2NO (M+H)+ 235.0809, found 236.0867.【０１６２】
［実施例１−１９］
還流塔を取り付けた３０ｍＬの反応フラスコに、Ｐｄ（ＤＢＡ）2０．０５ｍｍｏｌ（２８．８ｍｇ）、ＲｕＰｈｏｓ０．０７５ｍｍｏｌ（３５．０ｍｇ）、２，４，６−トリフルオロアニリン１．２ｍｍｏｌ（１７６．５ｍｇ）を量り入れ、系中を窒素置換した。そこへジオキサン４ｍＬを加え、さらに４−ブロモアニソール１ｍｍｏｌ（１８７．０ｍｇ）を加え、５分間撹拌した後、ＬＨＭＤＳ１．３ｍｏｌ／Ｌテトラヒドロフラン溶液０．９２３ｍＬ（ＬＨＭＤＳ１．２ｍｍｏｌ相当）を加え、１１０℃の浴中で４時間加熱撹拌した（内温９２℃）。なお、途中、フラスコ内の溶液を微量採取し、液体クロマトグラフィーを用いて反応を追跡した。原料に帰属できるピークの面積の減少に伴い目的物に帰属できるピークの面積が増加した。その際、副生成物に対応するような目立ったピークは確認されなかった。
反応混合物を室温まで冷却した後、冷却した反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液５０ｍＬ、酢酸エチル３０ｍＬとともに分液漏斗に入れて抽出を行い、分液漏斗に有機層を残し、水層を回収した。飽和食塩水５０ｍＬを分液漏斗に入れて残った有機層を洗浄し、水層、有機層をそれぞれ回収した。そして、回収した全ての水層を併せて分液漏斗に入れ、そこへ酢酸エチル２０ｍＬを入れて抽出を行い、有機層を回収し、回収した全ての有機層を併せ、これを硫酸マグネシウムで乾燥した。
硫酸マグネシウムを濾過により除去し、得られたろ液からロータリーエバポレーターにより溶媒を留去した。得られた残渣をトルエン３ｍＬに溶解させて得られた溶液を用いてカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０→９７／３）を行い、目的物を含むフラクションを分取した。
最後に、８０℃、減圧下で分取したフラクションから溶媒を取り除き、目的物２３７．４ｍｇを得た（収率９１％）。
1H NMR (500.13 MHz, CDCl3): δ = 3.76 (s, 3H), 5.14 (brs, 1H), 6.72-6.75 (m, 3H), 6.80 (d, J = 9.0 Hz, 2H)
13C NMR (125.77 MHz, CDCl3): δ = 55.8, 100.9, 114.7, 117.4, 117.9, 137.6, 154.8, 156.7, 157.8
19F NMR (470.45 MHz, CDCl3): δ = -119.8 (brs), -116.9 (brs)
IR (neat): ν~ = 3396 (w), 3083 (w), 2913 (w), 2837 (w), 1636 (w), 1608 (w), 1504 (s), 1442 (m), 1288 (w), 1235 (s), 1173 (m), 1116 (s), 1030 (s), 996 (s),  837 (s), 817 (s)
HRMS (ESI): Calcd for C13H10F3NO (M+H)+ 253.0714, found 254.0772.【０１６３】
［実施例１−２０］
２，４，６−トリフルオロアニリンの代わりに、２，３，５，６−テトラフルオロアニリン１．２ｍｍｏｌ（１５４．９ｍｇ）を用いた以外は、実施例１−１９と同様に反応および後処理を行い、目的物２４３．９ｍｇを得た（収率９０％）。
1H NMR (500.13 MHz, CDCl3): δ = 3.79 (s, 3H), 5.56 (brs, 1H), 6.63 (tt, J = 10.0, 7.1Hz, 1H), 6.84 (d, J = 8.9 Hz, 2H), 6.92 (brd, J = 8.9 Hz, 2H)
13C NMR (125.77 MHz, CDCl3): δ = 55.8, 96.8, 114.6, 121.1, 124.6, 134.9, 139.4, 146.8, 156.2
19F NMR (470.45 MHz, CDCl3): δ = -154.00, -154.08 (m, 2F), -141.49, -141.57 (m, 2F); IR (neat): ν~ = 3398 (m), 3083 (w), 2927 (w), 2845 (w), 1646 (m), 1613 (w), 1526 (s), 1507 (s), 1497 (s), 1456 (s), 1409 (m), 1294 (m), 1261 (m), 1241 (s), 1172 (s), 1120 (m), 1112 (m), 1077 (m), 1031 (m), 949 (s), 820 (s), 804 (m), 769 (m), 726 (m), 709 (m), 691 (m)
HRMS (ESI): Calcd for C13H9F4NO (M+H)+ 271.0620, found 272.0694.【０１６４】
上記実施例１−１５〜１−２０のまとめを表３に示す。なお、実施例１−３の結果も併せて示す。【０１６５】
【表３】
2020027258.tif 000063
【０１６６】
［実施例１−２１］
還流塔を取り付けた３０ｍＬの反応フラスコに、Ｐｄ（ＤＢＡ）2０．２ｍｍｏｌ（１１５．０ｍｇ）、ＲｕＰｈｏｓ０．３ｍｍｏｌ（１４０．０ｍｇ）、４，４′−ジアミノオクタフルオロビフェニル２．５ｍｍｏｌ（６５６．３ｍｇ）を量り入れ、系中を窒素置換した。そこへジオキサン８ｍＬを加え、さらにブロモベンゼン４．８ｍｍｏｌ（７５３．６ｍｇ）を加え、５分間撹拌した後、ＬＨＭＤＳ１．３ｍｏｌ／Ｌテトラヒドロフラン溶液３．７ｍＬ（ＬＨＭＤＳ４．８ｍｍｏｌ相当）を加え、１１０℃の浴中で５時間加熱撹拌した（内温９２℃）。なお、途中、フラスコ内の溶液を微量採取し、液体クロマトグラフィーを用いて反応を追跡した。原料に帰属できるピークの面積の減少に伴い目的物に帰属できるピークの面積が増加した。その際、副生成物に対応するような目立ったピークは確認されなかった。
反応混合物を室温まで冷却した後、冷却した反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液５０ｍＬ、酢酸エチル３０ｍＬとともに分液漏斗に入れて抽出を行い、分液漏斗に有機層を残し、水層を回収した。飽和食塩水５０ｍＬを分液漏斗に入れて残った有機層を洗浄し、水層、有機層をそれぞれ回収した。そして、回収した全ての水層を併せて分液漏斗に入れ、そこへ酢酸エチル２０ｍＬを入れて抽出を行い、有機層を回収し、回収した全ての有機層を併せ、これを硫酸マグネシウムで乾燥した。
硫酸マグネシウムを濾過により除去し、得られたろ液からロータリーエバポレーターにより溶媒を留去した。得られた残渣をトルエン３ｍＬに溶解させて得られた溶液を用いてカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０→９０／１０）を行い、目的物を含むフラクションを分取した。
最後に、８０℃、減圧下で分取したフラクションから溶媒を取り除き、目的物０．８８ｇを得た（収率９２％）。
1H NMR (500.13 MHz, CDCl3): δ = 5.45 (brs, 1H), 6.85 (brd, 2H), 7.02 (brt, 1H), 7.30 (brt, 2H)
13C NMR (125.77 MHz, CDCl3): δ = 116.7, 122.2, 129.5, 142.3
19F NMR (470.53 MHz, CDCl3): δ = -164.9 (brt, 1F), -164.1 (dt, J = 22.1, 5.8 Hz, 2F), -150.7 (brd, 2F), IR (neat): ν~ = 3408.2 (m), 1602.9 (m), 1521.8 (s), 1500.6 (s), 1483.3 (s), 1462.0 (S), 1421.54 (S), 1315.5 (m), 1292.31 (m)【０１６７】
［実施例１−２２］
ブロモベンゼンの代わりに、１−ブロモ−４−ｔ−ブチルベンゼン４．８ｍｍｏｌ（１０２３．０ｍｇ）を用いた以外は、実施例１−２１と同様に反応および後処理を行い、目的物１．０７ｇを得た（収率９１％）。
1H NMR (500.13 MHz, Acetone): δ = 1.31 (s, 18H), 7.03 (d, J = 8.7 Hz, 4H), 7.36 (d, J = 8.7 Hz, 4H), 7.78 (brs, 2H)
13C NMR (125.77 MHz, Acetone): δ =31.9, 34.8, 98.5, 118.9, 125.9, 126.6, 140.4, 141.2, 146.0
19F NMR (470.45 MHz, Acetone): δ =-152.67 (brd, F), -143.45-(-143.1) (m, 4F)
IR (neat): ν~ = 3406 (w), 3394 (w), 2966 (w), 2909 (w), 2869 (w), 1651 (m), 1610 (m), 1487 (s), 1449 (m), 1403 (w), 1394 (w), 1364 (w), 1291 (w), 1263 (m), 1243 (m), 1191 (w), 1125 (w), 1115 (w), 1082 (m), 996 (m), 976 (s), 829 (m), 821 (s), 728 (m), 723 (s)
HRMS (ESI): Calcd for C32H28F8N2 (M+H)+ 592.2125, found 593.2170.【０１６８】
［実施例１−２３］
還流塔を取り付けた３０ｍＬの反応フラスコに、Ｐｄ（ＤＢＡ）2０．２ｍｍｏｌ（１１５．０ｍｇ）、ＲｕＰｈｏｓ０．３ｍｍｏｌ（１４０．０ｍｇ）、４，４′−ジアミノオクタフルオロビフェニル２．５ｍｍｏｌ（６５６．３ｍｇ）、４−ブロモ−４′−ｔ−ブチルビフェニル４．８ｍｍｏｌ（１３８８．２ｍｇ）を量り入れ、系中を窒素置換した。そこへジオキサン８ｍＬを加え、５分間撹拌した後、ＬＨＭＤＳ１．３ｍｏｌ／Ｌテトラヒドロフラン溶液３．７ｍＬ（ＬＨＭＤＳ４．８ｍｍｏｌ相当）を加え、１１０℃の浴中で５時間加熱撹拌した（内温９２℃）。なお、途中、フラスコ内の溶液を微量採取し、液体クロマトグラフィーを用いて反応を追跡した。原料に帰属できるピークの面積の減少に伴い目的物に帰属できるピークの面積が増加した。その際、副生成物に対応するような目立ったピークは確認されなかった。
反応混合物を室温まで冷却した後、冷却した反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液５０ｍＬ、酢酸エチル３０ｍＬとともに分液漏斗に入れて抽出を行い、分液漏斗に有機層を残し、水層を回収した。飽和食塩水５０ｍＬを分液漏斗に入れて残った有機層を洗浄し、水層、有機層をそれぞれ回収した。そして、回収した全ての水層を併せて分液漏斗に入れ、そこへ酢酸エチル２０ｍＬを入れて抽出を行い、有機層を回収し、回収した全ての有機層を併せ、これを硫酸マグネシウムで乾燥した。
硫酸マグネシウムを濾過により除去し、得られたろ液からロータリーエバポレーターにより溶媒を留去した。得られた残渣をトルエン３ｍＬに溶解させて得られた溶液を用いてカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０→９０／１０）を行い、目的物を含むフラクションを分取した。
最後に、８０℃、減圧下で分取したフラクションから溶媒を取り除き、目的物８９２．６ｍｇを得た（収率６０％）。
1H NMR (500.13 MHz, THF): δ = 1.38 (s, 18H), 7.09 (brd, 4H), 7.47 (brd, 4H), 7.56 (brt, 8H), 8.07 (brs, 2H)
13C NMR (125.77 MHz, THF): δ =31.9, 34.8, 98.5, 118.9, 125.9, 126.6, 140.4, 141.2, 146.0
19F NMR (470.45 MHz, THF): δ = -152.14 (brd, F), -143.24, -143.29 (m, 4F)
IR (neat): ν~ = 3421 (w), 3030 (w), 2960 (w), 2902 (w), 2866 (w), 1651 (m), 1608 (m), 1510 (s), 1484 (s), 1457 (s), 1452 (s), 1394 (w), 1366 (w), 1359 (w), 1314 (w), 1293 (w), 1262 (m), 1238 (w), 1198 (w), 1184 (w), 1121 (w), 1114 (w), 1085 (m), 997 (m), 972 (m), 816 (s), 778(w), 746 (w), 739 (w), 721 (s), 667 (w)
HRMS (ESI): Calcd for C44H36F8N2 (M+H)+ 744.2751, found 745.2794.【０１６９】
［実施例１−２４］
４−ブロモ−４′−ｔ−ブチルビフェニルの代わりに、１−ブロモナフタレン４．８ｍｍｏｌ（９９３．９ｍｇ）を用いた以外は、実施例１−２３と同様に反応および後処理を行い、目的物６１７．０ｍｇを得た（収率６８％）。
1H NMR (500.13 MHz, DMF): δ = 7.27 (brd, 2H), 7.51 (t, J = 7.8 Hz, 2H), 7.59-7.64 (m, 4H), 7.74 (brd, 2H), 8.00-8.03 (m, 2H), 8.47-8.50 (m, 2H), 8.82 (brs, 2H)
13C NMR (125.77 MHz, DMF): δ = 98.3, 116.5, 124.0, 124.6, 126.8, 126.9, 127.4, 127.7, 128.6, 129126.9, 127.4, 127.7, 128.6, 129, 135.6, 141.4, 146.1
19F NMR (470.45 MHz, DMF): δ =-153.18 (brd, J = 13.9 Hz, 4F), -143.45-(-143.35) (m, 4F)
IR (neat): ν~ = 3396 (w), 3373 (w), 3063 (w), 1653 (m), 1595 (m), 1577 (w), 1522 (m), 1496 (s), 1489 (s), 1466 (s), 1430 (m), 1401 (m), 1391 (m), 1274 (m), 1267 (m), 1251 (w), 1241 (w), 1168 (w), 1154 (w), 1131 (w), 1106 (m), 1088 (w), 1075 (w), 1040 (w), 1017 (w), 986 (s), 955 (s), 794 (s), 772 (s), 727 (s)
HRMS (ESI): Calcd for C32H16F8N2 (M+H)+ 580.1186, found 581.1249.【０１７０】
［実施例１−２５］
４−ブロモ−４′−ｔ−ブチルビフェニルの代わりに、２−ブロモナフタレン４．８ｍｍｏｌ（９９３．９ｍｇ）を用いた以外は、実施例１−２３と同様に反応および後処理を行い、目的物７７０．２ｍｇを得た（収率５３％）。
1H NMR (500.13 MHz, DMSO): δ = 7.23-7.35 (m, 6H), 7.43 (brt, 2H), 7.77 (brd, 2H), 7.83 (brt, 4H), 9.00 (brs, 2H)
13C NMR (125.77 MHz, DMSO): δ = 98.2, 111.9, 119.9, 124.2, 124.4, 126.9, 127.0, 128.0, 129.0, 129.4, 134.3, 140.3, 140.9, 144.9
19F NMR (470.45 MHz, DMSO): δ =-148.08 (brd, 4F), -140.33 (brd, 4F)
IR (neat): ν~ = 3412 (m), 3054 (w), 1651 (m), 1627 (s), 1602 (m), 1591 (w), 1506 (s), 1484 (s), 1456 (s), 1425 (m), 1290, 1276, 1264, 1225 (s), 1183 (m), 1132 (m), 1091 (s), 999 (s), 967 (s), 846 (s), 823 (s), 746 (s), 732 (s), 708 (m), 641 (m)
HRMS (ESI): Calcd for C32H16F8N2 (M+H)+ 580.1186, found 581.1249.【０１７１】
［実施例１−２６］
４−ブロモ−４′−ｔ−ブチルビフェニルの代わりに、４−ブロモトリフェニルアミン４．８ｍｍｏｌ（１５５６．２ｍｇ）を用いた以外は、実施例１−２３と同様に反応および後処理を行い、目的物１４１７．３ｍｇを得た（収率８７％）。
1H NMR (500.13 MHz, Acetone): δ = 6.98 (t, J = 7.3, 4H), 7.05 (m, 16H), 7.26 (dd, J = 8.6, 7.3 Hz, 8H), 8.86 (brs, 2H)
13C NMR (125.77 MHz, Acetone): δ = 99.1, 120.9, 123.7, 124.7, 126.2, 127.3, 130.7, 139.4, 141.7, 143.8, 146.5, 149.6
19F NMR (470.45 MHz, Acetone): δ = -152.72 (brd, J = 13.9 Hz, 4F), -143.27 (m, 4F)
IR (neat): ν~ = 3394 (w), 3023 (w), 1649 (m), 1586 (m), 1485 (s), 1410 (m), 1333 (w), 1319 (w), 1293 (w), 1273 (m), 1260 (m), 1235 (m), 1175 (w), 1156 (w), 1152 (w), 1132 (w), 1118 (w), 1112 (w), 1085 (m), 995 (m), 974 (m), 968 (m), 899 (w), 891 (w), 826 (m), 817 (m), 749 (s), 739 (m), 722 (m), 714 (m), 693 (s)
HRMS (ESI): Calcd for C48H30F8N4 (M+H)+ 814.2343, found 814.2312.【０１７２】
［実施例１−２７］
４−ブロモ−４′−ｔ−ブチルビフェニルの代わりに、４−ヨードトリフェニルアミン４．８ｍｍｏｌ（１７８１．９ｍｇ）を用いた以外は、実施例１−２３と同様に反応および後処理を行い、目的物１１０１．３ｍｇを得た（収率６８％）。【０１７３】
［実施例１−２８］
４−ブロモ−４′−ｔ−ブチルビフェニルの代わりに、４−ブロモ−４′−（ジフェニルアミノ）ビフェニル４．８ｍｍｏｌ（１９２１．５ｍｇ）を用いた以外、実施例１−２３と同様に反応および後処理行い、目的物１９０３．１ｍｇを得た（収率９９％）。【０１７４】
［実施例１−２９］
４−ブロモ−４′−ｔ−ブチルビフェニルの代わりに、２−ブロモ−９，９′−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］４．８ｍｍｏｌ（１８９７．４ｍｇ）を用いた以外は、実施例２４と同様に反応および後処理を行い、目的物１．８８ｇを得た（収率９８％）
1H NMR (500.13 MHz, Acetone): δ = 6.39 (brs, 2H), 6.62 (dd, J = 7.5, 1.0 Hz, 2H), 6.73 (dd, J = 7.5, 1.0 Hz, 4H), 7.05-7.09 (m, 4H), 7.16 (td, J = 7.5, 1.0 Hz, 4 H), 7.36 (td, J = 7.5, 1.0 Hz, 2H), 7.40 (td, J = 7.5, 1.0 Hz, 4 H), 7.82 (s, 2H), 7.89 (brdd, 4 H) 7.97 (brd, J = 7.5, 4 H)
13C NMR (125.77 MHz, Acetone): δ = 66.9, 99.0, 114.6, 118.0, 120.5, 121.1, 121.5, 124.5, 124.8, 125.1, 127.9, 128.6, 128.88, 136.9, 141.2, 142.7, 142.8, 142.9, 145.8, 149.4, 149.9, 151.0
19F NMR (470.45 MHz, Acetone): δ = -152.3 (brd, 4F), -143.2 (m, 4F)
IR (neat): ν~ = 3391 (w), 3063 (w), 3042 (w), 3015 (w), 1653 (m), 1614 (m), 1488 (s), 1446 (s), 1346 (w), 1299 (m), 1290 (m), 1284 (m), 1267 (m), 1215 (m), 1167 (w), 1153 (w), 1120 (m), 1089 (m), 1078 (m), 979 (m), 967 (m), 851 (w), 821 (m), 750 (s), 735 (s), 725 (s), 717 (s), 636 (m)
HRMS (ESI): Calcd for C62H32F8N2 (M+H)+ 956.2438, found 812.4212.【０１７５】
［実施例１−３０］
【化５９】
2020027258.tif 000064
【０１７６】
還流塔を取り付けた１００ｍＬの反応フラスコに、Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ2０．４５ｍｍｏｌ（３６７．５ｍｇ）、酢酸カリウム４５ｍｍｏｌ（４４１６．３ｍｇ）、３−ブロモ−Ｎ−フェニルカルバゾール１５ｍｍｏｌ（４８３３．２ｍｇ）、ビス（ピナコラト）ジボロン１１ｍｍｏｌ（４１９０．０ｍｇ）を量り入れ、系中を窒素置換した。そこへＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１５０ｍＬを加え、５分間撹拌した後、９０℃の浴中で３時間加熱撹拌した。なお、系中から採取した微量の反応混合物を用いたクロマトグラフィー（ＴＬＣ）法によって、反応を追跡した。
反応混合物を室温まで冷却した後、冷却した反応混合物から減圧下で溶媒を取り除き濃縮し、濃縮物をイオン交換水５０ｍＬとともに分液漏斗に入れて洗浄し、次いでクロロホルム５０ｍＬを入れて抽出を行い、分液漏斗から有機層を回収した。そして、回収した有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。
硫酸マグネシウムを濾過により除去し、得られたろ液を濃縮し、得られた濃縮物を用いてカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０→９６／４）を行い、目的物を含むフラクションを分取した。
最後に、減圧下で分取したフラクションから溶媒を取り除き、Ｎ−フェニルカルバゾール−３−イル−ボロン酸ピナコラト４．２１ｇを得た（収率７６％）。
1H NMR (500.13 MHz, CDCl3): δ = 1.41(s、12H), 7.29 (ddd, J = 7.9, 6.0, 2.0 Hz, 1H), 7.37 (brd, J = 8.2 Hz, 1H), 7.40 (m, 2H), 7.48 (t, J = 7.5 Hz, 1H), 7.55 (m, 2H), 7.61 (m, 2H), 8.76 (dd, J = 8.2, 1.2 Hz, 2H), 8.18 (d, J = 7.6 Hz, 1H), 8.64 (s, 1H)【０１７７】
【化６０】
2020027258.tif 000065
【０１７８】
還流塔を取り付けた５０ｍＬの反応フラスコに、Ｐｄ（ＰＰｈ3）4０．０９ｍｍｏｌ（１０４．１ｍｇ）、水酸化ナトリウム９ｍｍｏｌ（３５９．９ｍｇ）、Ｎ−フェニルカルバゾール−３−イル−ボロン酸ピナコラト３ｍｍｏｌ（１１０７．８ｍｇ）、４−ブロモ−４′−ヨードビフェニル３．３ｍｍｏｌ（１１８４．７ｍｇ）を量り入れ、系中を窒素置換した。そこへテトラヒドロフランと水の混合溶媒（２／１（ｖ／ｖ））１３．５ｍＬを加え、５分間撹拌した後、５０℃の浴中で５時間加熱撹拌した。なお、系中から採取した微量の反応混合物を用いたクロマトグラフィー（ＴＬＣ）法によって、反応を追跡した。
反応混合物を室温まで冷却した後、冷却した反応混合物から減圧下で溶媒を取り除き濃縮し、濃縮物をイオン交換水５０ｍＬとともに分液漏斗に入れて洗浄し、次いでテトラヒドロフラン５０ｍＬを入れて抽出を行い、分液漏斗から有機層を回収した。そして、回収した有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。
硫酸マグネシウムを濾過により除去し、得られたろ液を濃縮し、得られた濃縮物を用いてカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０→９６／４）を行い、目的物を含むフラクションを分取した。
最後に、減圧下で分取したフラクションから溶媒を取り除き、４−ブロモ−４′−（Ｎ−フェニルカルバゾール−３−イル）−ビフェニル８１０ｍｇを得た（収率５７％）。
1H NMR (500.13 MHz, CDCl3): δ = 7.30-7.33 (m, 1H), 7.43 (m, 2H), 7.50 (m, 4H), 7.57-7.70 (m, 9H), 7.79 (d, J = 8.5 Hz, 2H), 8.20 (d, J = 7.9 Hz, 1H), 8.39 (brs, 1H)【０１７９】
還流塔を取り付けた３０ｍＬの反応フラスコに、Ｐｄ（ＤＢＡ）2０．５ｍｍｏｌ（２８．８ｍｇ）、ＲｕＰｈｏｓ０．７５ｍｍｏｌ（３５．０ｍｇ）、４，４′−ジアミノオクタフルオロビフェニル０．５ｍｍｏｌ（１６４．１ｍｇ）を量り入れ、系中を窒素置換した。そこへジオキサン８ｍＬを加え、さらに４−ブロモ−４′−（Ｎ−フェニルカルバゾール−３−イル）−ビフェニル１．０５ｍｍｏｌ（４９８．１ｍｇ）を加え、５分間撹拌した後、ＬＨＭＤＳ１．３ｍｏｌ／Ｌテトラヒドロフラン溶液０．９２３ｍＬ（１．２ｍｍｏｌ）を加え、１１０℃の浴中で５時間加熱撹拌した（内温９２℃）。なお、途中、フラスコ内の溶液を微量採取し、液体クロマトグラフィーを用いて反応を追跡した。原料に帰属できるピークの面積の減少に伴い目的物に帰属できるピークの面積が増加した。その際、副生成物に対応するような目立ったピークは確認されなかった。
反応混合物を室温まで冷却した後、冷却した反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液５０ｍＬ、酢酸エチル３０ｍＬとともに分液漏斗に入れて抽出を行い、分液漏斗に有機層を残し、水層を回収した。飽和食塩水５０ｍＬを分液漏斗に入れて残った有機層を洗浄し、水層、有機層をそれぞれ回収した。そして、回収した全ての水層を併せて分液漏斗に入れ、そこへ酢酸エチル２０ｍＬを入れて抽出を行い、有機層を回収し、回収した全ての有機層を併せ、これを硫酸マグネシウムで乾燥した。
硫酸マグネシウムを濾過により除去し、得られたろ液からロータリーエバポレーターにより溶媒を留去した。得られた残渣をトルエン３ｍＬに溶解させて得られた溶液を用いてカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０→９０／１０）を行い、目的物を含むフラクションを分取した。
最後に、８０℃、減圧下で分取したフラクションから溶媒を取り除き、目的物４５７ｍｇを得た（収率８２％）。
1H NMR (500.13 MHz, CDCl3): δ = 5.94 (brs、２H), 7.11 (brd, 2H), 7.32(brquin, 1H), 7.43 (brd, 2H), 7.48-7.51 (m, 2H), 7.60-7.66 (m, 6H), 7.70-7.72 (brm, 3H), 7.80-7.82 (m, 3H), 8.21 (brd, 2H), 8.41 (brs, 1H)【０１８０】
［実施例１−３１］
【化６１】
2020027258.tif 000066
【０１８１】
還流塔を取り付けた１００ｍＬの反応フラスコに、Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ2０．４５ｍｍｏｌ（３６７．５ｍｇ）、酢酸カリウム４５ｍｍｏｌ（４４１６．３ｍｇ）、２−ブロモ−９，９′−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］１５ｍｍｏｌ（５９２９．５ｍｇ）、ビス（ピナコラト）ジボロン１６．５ｍｍｏｌ（４１９０．０ｍｇ）を量り入れ、系中を窒素置換した。そこへＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１５０ｍＬを加え、５分間撹拌した後、９０℃の浴中で３時間加熱撹拌した。なお、系中から採取した微量の反応混合物を用いたクロマトグラフィー（ＴＬＣ）法によって、反応を追跡した。
反応混合物を室温まで冷却した後、冷却した反応混合物から減圧下で溶媒を取り除き濃縮し、濃縮物をイオン水５０ｍＬとともに分液漏斗に入れて洗浄し、次いでクロロホルム５０ｍＬを入れて抽出を行い、分液漏斗から有機層を回収した。そして、回収した有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。
硫酸マグネシウムを濾過により除去し、得られたろ液を濃縮し、得られた濃縮物を用いてカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０→９６／４）を行い、目的物を含むフラクションを分取した。
最後に、減圧下で分取したフラクションから溶媒を取り除き、９，９′−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−イル−ボロン酸ピナコラト１．８５ｇを得た（収率２８％）。
1H NMR (500.13 MHz, CDCl3): δ = 1.25 (s、12H), 6.68 (brd, J = 7.5 Hz 1H), 6.71 (brd, J = 7.5 Hz, 2H), 7.09 (dt, J = 7.5, 1.1 Hz 2H), 7.11 (dt, J = 7.5, 1.1 Hz 1H), 7.18 (brs、1H), 7.35 (dt, J = 7.5, 1.1 Hz 1H), 7.36 (dt, J = 7.5, 1.1 Hz 2H), 7.33-7.37 (m, 5H)【０１８２】
【化６２】
2020027258.tif 000067
【０１８３】
還流塔を取り付けた５０ｍＬの反応フラスコに、Ｐｄ（ＰＰｈ3）4０．０９ｍｍｏｌ（１０４．１ｍｇ）、水酸化ナトリウム９ｍｍｏｌ（３５９．９ｍｇ）、９，９′−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−イル−ボロン酸ピナコラト３ｍｍｏｌ（１３２７．１ｍｇ）、４−ブロモ−４′−ヨードビフェニル３．３ｍｍｏｌ（１１８４．７ｍｇ）を量り入れ、系中を窒素置換した。そこへテトラヒドロフランと水の混合溶媒（２／１（ｖ／ｖ）１３．５ｍＬを加え、５分間撹拌した後、５０℃の浴中で５時間加熱撹拌した。なお、系中から採取した微量の反応混合物を用いたクロマトグラフィー（ＴＬＣ）法によって、反応を追跡した。
反応混合物を室温まで冷却した後、冷却した反応混合物から減圧下で溶媒を取り除き濃縮し、濃縮物をイオン交換水５０ｍＬとともに分液漏斗に入れて洗浄し、次いでテトラヒドロフラン５０ｍＬを入れて抽出を行い、分液漏斗から有機層を回収した。そして、回収した有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。
硫酸マグネシウムを濾過により除去し、得られたろ液を濃縮し、得られた濃縮物を用いてカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０→９６／４）を行い、目的物を含むフラクションを分取した。
最後に、減圧下で分取したフラクションから溶媒を取り除き、２−（４′−ブロモビフェニル−４−イル）−９，９′−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］８３６．４ｍｇを得た（収率５１％）。
1H NMR (500.13 MHz, CDCl3): δ = 6.73 (d, J = 7.6 Hz, 1H), 6.78 (d, J = 7.6 Hz, 2H), 6.97 (s, 1H), 7.12 (brt, 3H), 7.36-7.42 (m, 5 H), 7.49 (s, 4H), 7.53 (d,2H), 7.66 (dd, J = 7.9, 1.8 Hz, 1H), 7.86 (d, J = 7.6 Hz, 2 H), 7.87 (d, J = 7.6 Hz, 1 H), 7.92 (d, J = 7.9 Hz, 1H)【０１８４】
還流塔を取り付けた３０ｍＬの反応フラスコに、Ｐｄ（ＤＢＡ）2０．５ｍｍｏｌ（２８．８ｍｇ）、ＲｕＰｈｏｓ０．７５ｍｍｏｌ（３５．０ｍｇ）、４，４′−ジアミノオクタフルオロビフェニル０．５ｍｍｏｌ（１６４．１ｍｇ）を量り入れ、系中を窒素置換した。そこへジオキサン８ｍＬを加え、さらに２−（４′−ブロモビフェニル−４−イル）−９，９′−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］１．０５ｍｍｏｌ（５７４．９ｍｇ）を加え、５分間撹拌した後、ＬＨＭＤＳ１．３ｍｏｌ／Ｌテトラヒドロフラン溶液０．９２３ｍＬ（ＬＨＭＤＳ１．２ｍｍｏｌ相当）を加え、１１０℃の浴中で５時間加熱撹拌した（内温９２℃）。なお、途中、フラスコ内の溶液を微量採取し、液体クロマトグラフィーを用いて反応を追跡した。原料に帰属できるピークの面積の減少に伴い目的物に帰属できるピークの面積が増加した。その際、副生成物に対応するような目立ったピークは確認されなかった。
反応混合物を室温まで冷却した後、冷却した反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液５０ｍＬ、酢酸エチル３０ｍＬとともに分液漏斗に入れて抽出を行い、分液漏斗に有機層を残し、水層を回収した。飽和食塩水５０ｍＬを分液漏斗に入れて残った有機層を洗浄し、水層、有機層をそれぞれ回収した。そして、回収した全ての水層を併せて分液漏斗に入れ、そこへ酢酸エチル２０ｍＬを入れて抽出を行い、有機層を回収し、回収した全ての有機層を併せ、これを硫酸マグネシウムで乾燥した。
硫酸マグネシウムを濾過により除去し、得られたろ液からロータリーエバポレーターにより溶媒を留去した。得られた残渣をトルエン３ｍＬに溶解させて得られた溶液を用いてカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０→９０／１０）を行い、目的物を含むフラクションを分取した。
最後に、８０℃、減圧下で分取したフラクションから溶媒を取り除き、目的物５３２ｍｇを得た（収率８６％）。
1H NMR (500.13 MHz, CDCl3): δ = 6.78 (brd, 2H), 6.83 (brd, 4H), 7.05 (brm, 6H), 7.15 (brt, 6H), 7.41 (brt, 6H), 7.54 (brm, 12H), 7.70 (brd, 2H), 7.90 (brd, 6H), 7.95 (brd, 2H),
13C NMR (125.77 MHz, CDCl3): δ = 118.7, 120.2, 120.3, 120.5, 122.8, 124.3, 124.4, 126.9, 127.1, 127.6, 127.8, 128.0, 128.1, 135.5, 139.4, 139.7, 140.4, 140.6, 141.3, 141.6, 142.0, 18.9, 149.4, 149.8
19F NMR (470.45 MHz, CDCl3): δ =-151.41 (brd, 4F), -140.63 (m, 4F)
IR (neat): ν~ = 3387.0 (w), 3059.1 (w), 3030.2 (w), 2953.0 (w), 2926.0 (w), 2856.6 (w), 1653.0 (m), 1606.7 (m), 1485.2 (s), 1446.6 (s), 1236.4 (m), 1085.9 (m), 975.98 (m), 813.96 (s), 750.31 (s), 727.16 (s)【０１８５】
上記実施例１−２１〜１−３１のまとめを表４に示す。【０１８６】
【表４】
2020027258.tif 000068
【０１８７】
（４）ペンタフルオロアニリンと４，４′−ジブロモビフェニルとの反応
【化６３】
2020027258.tif 000069
【０１８８】
［実施例１−３２］
還流塔を取り付けた３０ｍＬの反応フラスコに、Ｐｄ（ＤＢＡ）2０．１ｍｍｏｌ（５７．５ｍｇ）、ＲｕＰｈｏｓ０．１５ｍｍｏｌ（６９．８ｍｇ）、４，４′−ジブロモビフェニル１ｍｍｏｌ（３１２．７ｍｇ）を量り入れ、系中を窒素置換した。そこへジオキサン８ｍＬとペンタフルオロアニリン２．４ｍｍｏｌ（４３９．３ｍｇ）を加え、５分間撹拌した後、ＬＨＭＤＳ１．３ｍｏｌ／Ｌテトラヒドロフラン溶液１．８４ｍＬ（ＬＨＭＤＳ２．４ｍｍｏｌ相当）を加え、１１０℃の浴中で５時間加熱撹拌した（内温９２℃）。なお、途中、フラスコ内の溶液を微量採取し、液体クロマトグラフィーを用いて反応を追跡した。原料に帰属できるピークの面積の減少に伴い目的物に帰属できるピークの面積が増加した。その際、副生成物に対応するような目立ったピークは確認されなかった。
反応混合物を室温まで冷却した後、冷却した反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液５０ｍＬ、酢酸エチル３０ｍＬとともに分液漏斗に入れて抽出を行い、分液漏斗に有機層を残し、水層を回収した。飽和食塩水５０ｍＬを分液漏斗に入れて残った有機層を洗浄し、水層、有機層をそれぞれ回収した。そして、回収した全ての水層を併せて分液漏斗に入れ、そこへ酢酸エチル２０ｍＬを入れて抽出を行い、有機層を回収し、回収した全ての有機層を併せ、これを硫酸マグネシウムで乾燥した。
硫酸マグネシウムを濾過により除去し、得られたろ液からロータリーエバポレーターにより溶媒を留去した。得られた残渣をトルエン３ｍＬに溶解させて得られた溶液を用いてカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０→９０／１０）を行い、目的物を含むフラクションを分取した。
最後に、８０℃、減圧下で分取したフラクションから溶媒を取り除き、目的物４５１．７ｍｇを得た（収率５８％）。
1H NMR (500.13 MHz, DMSO): δ = 6.86 (brd, J = 8.1 Hz, 4H), 7.45 (brd, J =8.1 Hz, 4H), 8.32 (brs, 2H)
13C NMR (125.77 MHz, DMSO): δ =116.1, 118.1, 126.9, 132.4, 137.0, 138.3, 142.3, 142.7
19F NMR (470.45 MHz, DMSO): δ =-165.04 (brt, 2F), -163.81 (brt, 4F), -148.47 (brd, 4H)
IR (neat): ν~ = 3410 (m), 3029 (w), 1611 (m), 1577 (w), 1517 (s), 1502 (s), 1482 (s) 1446 (s), 1327 (m), 1277 (m), 1238 (m), 1183 (m), 1159 (m), 1136 (m), 977 (s), 817 (s), 779 (m), 727 (m), 710 (m); HRMS (ESI)【０１８９】
（５）ペンタフルオロアニリンとブロモベンゼンとの反応：塩基の影響
【化６４】
2020027258.tif 000070
【０１９０】
［実施例１−３３］
ペンタフルオロアニリン（１ｍｍｏｌ）、ブロモベンゼン（２．４ｍｍｏｌ）、ＬＨＭＤＳ１．３ｍｏｌ／Ｌテトラヒドロフラン溶液１．８５ｍＬ（ＬＨＭＤＳ２．４ｍｍｏｌ相当）を用いた以外は、実施例１−１１と同様に反応および後処理を行い、目的物１７９．８ｍｇを得た（収率６９％）。【０１９１】
［実施例１−３４］
ペンタフルオロアニリン（２．４ｍｍｏｌ）、ブロモベンゼン（１ｍｍｏｌ）、ＬＨＭＤＳ１．３ｍｏｌ／Ｌテトラヒドロフラン溶液１．８５ｍＬ（ＬＨＭＤＳ２．４ｍｍｏｌ相当）を用いた以外は、実施例１−１１と同様に反応および後処理を行い、目的物１９３．６ｍｇを得た（収率７５％）。【０１９２】
実施例１−３３および実施例１−３４のまとめを表５に示す。これらの結果から、系中に過剰の塩基が存在すると収率が低下する傾向があることがわかる。【０１９３】
【表５】
2020027258.tif 000071
【０１９４】
（６）重合体の合成
【化６５】
2020027258.tif 000072
【０１９５】
［実施例２−１］
還流塔を取り付けた３０ｍＬの反応フラスコに、Ｐｄ（ＤＢＡ）2０．０８ｍｍｏｌ（４６．０ｍｇ）、ＲｕＰｈｏｓ０．１２ｍｍｏｌ（５６．０ｍｇ）、４，４′−ジアミノオクタフルオロビフェニル４．２ｍｍｏｌ（１３７８．３ｍｇ）を量り入れ、系中を窒素置換した。そこへジオキサン８ｍＬ、１，４−ジブロモベンゼン１０ｍｍｏｌ（９４３．６ｍｇ）を加え、５分間撹拌した後、ＬＨＭＤＳ１．３ｍｏｌ／Ｌテトラヒドロフラン溶液７．１ｍＬ（ＬＨＭＤＳ９．２ｍｍｏｌ相当））を加え、１１０℃の浴中で５時間加熱撹拌した（内温９２℃）。なお、途中、フラスコ内の溶液を微量採取し、液体クロマトグラフィーを用いて反応を追跡した。原料に帰属できるピークの面積の減少に伴い目的物に帰属できるピークの面積が増加した。その際、副生成物に対応するような目立ったピークは確認されなかった。
反応混合物を室温まで冷却した後、冷却した反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液１００ｍＬ、酢酸エチル５０ｍＬとともに分液漏斗に入れて抽出を行い、分液漏斗に有機層を残し、水層を回収した。飽和食塩水５０ｍＬを分液漏斗に入れて残った有機層を洗浄し、水層、有機層をそれぞれ回収した。そして、回収した全ての水層を併せて分液漏斗に入れ、そこへ酢酸エチル３０ｍＬを入れて抽出を行い、有機層を回収し、回収した全ての有機層を併せ、これを硫酸マグネシウムで乾燥した。
硫酸マグネシウムを濾過により除去し、得られたろ液からロータリーエバポレーターにより溶媒を留去した。得られた残渣をテトラヒドロフラン１０ｍＬに溶解して得られた溶液を、ヘキサンとトルエンの混合溶媒（２／１（ｖ／ｖ））５００ｍＬに滴下し、生じた固体をろ過により回収し、得られたろ物を８０℃、減圧下で乾燥し、目的物０．４７ｇを得た。
1H NMR (500.13 MHz, DMSO): δ = 7.08 (brd, J = 7.7 Hz, 4H), 7.56 (brd, J = 7.7 Hz, 4H), 8.68 (brs, 2H)
13C NMR (125.77 MHz, DMSO): δ = 97.2, 117.6, 123.9, 126.1, 127.8, 128.5, 132.9, 140.0, 140.7, 144.2
19F NMR (470.45 MHz, DMSO): δ =-148.76 (d, J = 17.3 Hz, 4F), -140.67 (s, 4F)
IR (neat): ν~ = 3421 (w), 3398 (w), 3030 (w), 1652 (m), 1610 (m), 1575 (w), 1482 (s), 1410 (m), 1394 (m), 1291 (m), 1261 (s), 1234 (s), 1183 (m), 1118 (m), 1085 (s), 995 (s), 973 (s), 938 (m), 812 (s), 721 (s)【０１９６】
［実施例２−２］
Ｐｄ（ＤＢＡ）2０．４ｍｍｏｌ（２３０．０ｍｇ）、ＲｕＰｈｏｓ０．６ｍｍｏｌ（２８０．０ｍｇ）を用いた以外は、実施例２−１と同様に反応および後処理を行い、目的物１．６０ｇを得た。【０１９７】
実施例２−１および実施例２−２のまとめを表６に示す。表６に示されるように、触媒量を変えることで得られる重合体の分子量を制御できることがわかる。【０１９８】
【表６】
2020027258.tif 000073
【０１９９】
【化６６】
2020027258.tif 000074
【０２００】
［実施例２−３］
【化６７】
2020027258.tif 000075
【０２０１】
還流塔を取り付けた３０ｍＬの反応フラスコに、Ｐｄ（ＤＢＡ）2０．５ｍｍｏｌ（２８７．５ｍｇ）、０．７５ｍｍｏｌ（３５０．０ｍｇ）、４，４′−ジアミノオクタフルオロビフェニル２．５ｍｍｏｌ（８２０．４ｍｇ）、４，４′−ジブロモビフェニル２．３８ｍｍｏｌ（７４２．９ｍｇ）を量り入れ、系中を窒素置換した。そこへジオキサン８ｍＬを加え、５分間撹拌した後、ＬＨＭＤＳ１．３ｍｏｌ／Ｌテトラヒドロフラン溶液７．１ｍＬ（ＬＨＭＤＳ９．２ｍｍｏｌ相当）を加え、１１０℃の浴中で５時間加熱撹拌した（内温９２℃）。なお、途中、フラスコ内の溶液を微量採取し、液体クロマトグラフィーを用いて反応を追跡した。原料に帰属できるピークの面積の減少に伴い目的物に帰属できるピークの面積が増加した。その際、副生成物に対応するような目立ったピークは確認されなかった。
反応混合物を室温まで冷却した後、冷却した反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液１００ｍＬ、酢酸エチル５０ｍＬとともに分液漏斗に入れて抽出を行い、分液漏斗に有機層を残し、水層を回収した。飽和食塩水５０ｍＬを分液漏斗に入れて残った有機層を洗浄し、水層、有機層をそれぞれ回収した。そして、回収した全ての水層を併せて分液漏斗に入れ、そこへ酢酸エチル３０ｍＬを入れて抽出を行い、有機層を回収し、回収した全ての有機層を併せ、これを硫酸マグネシウムで乾燥した。
硫酸マグネシウムを濾過により除去し、得られたろ液からロータリーエバポレーターにより溶媒を留去した。得られた残渣をテトラヒドロフラン１０ｍＬに溶解して得られた溶液を、ヘキサンとトルエンの混合溶媒（２／１（ｖ／ｖ））５００ｍＬに滴下し、生じた固体をろ過により回収し、得られたろ物を８０℃、減圧下で乾燥し、目的物１．０１ｇを得た。得られた重合体は、Ｍｗ＝３２，０００、Ｍｎ＝１５，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．１３であり、また、ΔＴ５が３２１．６℃でＴｇは観察されなかった。【０２０２】
［実施例２−４］
【化６８】
2020027258.tif 000076
【０２０３】
還流塔を取り付けた３０ｍＬの反応フラスコに、Ｐｄ（ＤＢＡ）2０．３ｍｍｏｌ（１７２．５ｍｇ）、ＲｕＰｈｏｓ０．４５ｍｍｏｌ（２１０．０ｍｇ）、４，４′−ジアミノオクタフルオロビフェニル１．５ｍｍｏｌ（４９２．３ｍｇ）、３，６−ジブロモ−９−フェニルカルバゾール１．４３ｍｍｏｌ（５７２．３ｍｇ）を量り入れ、系中を窒素置換した。そこへジオキサン８ｍＬを加え、５分間撹拌した後、ＬＨＭＤＳ１．３ｍｏｌ／Ｌテトラヒドロフラン溶液２．５４ｍＬ（ＬＨＭＤＳ３．３ｍｍｏｌ相当）を加え、１１０℃の浴中で５時間加熱撹拌した（内温９２℃）。なお、途中、フラスコ内の溶液を微量採取し、液体クロマトグラフィーを用いて反応を追跡した。原料に帰属できるピークの面積の減少に伴い目的物に帰属できるピークの面積が増加した。その際、副生成物に対応するような目立ったピークは確認されなかった。
反応混合物を室温まで冷却した後、冷却した反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液１００ｍＬ、酢酸エチル５０ｍＬとともに分液漏斗に入れて抽出を行い、分液漏斗に有機層を残し、水層を回収した。飽和食塩水５０ｍＬを分液漏斗に入れて残った有機層を洗浄し、水層、有機層をそれぞれ回収した。そして、回収した全ての水層を併せて分液漏斗に入れ、そこへ酢酸エチル３０ｍＬを入れて抽出を行い、有機層を回収し、回収した全ての有機層を併せ、これを硫酸マグネシウムで乾燥した。
硫酸マグネシウムを濾過により除去し、得られたろ液からロータリーエバポレーターにより溶媒を留去した。得られた残渣をテトラヒドロフラン１０ｍＬに溶解して得られる溶液を、ヘキサンとトルエンの混合溶媒（２／１（ｖ／ｖ））５００ｍＬに滴下し、生じた固体をろ過により回収し、得られたろ物を８０℃、減圧下で乾燥し、目的物９２８ｍｇを得た。得られた重合体は、Ｍｗ＝１２，０００、Ｍｎ＝７，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．７１であり、また、ΔＴ５が３４０．１℃でＴｇは観察されなかった。
1H NMR (500.13 MHz, THF): δ = 5.39 (d, J = 8.5 Hz, 2H), 5.52 (d, J = 8.5 Hz, 2H), 5.62 (brs, H), 5.80 (brs, 4H), 6.07 (d, 2H), 7.62 (brd, J = 8.0 Hz, 2H), 8.06 (brs, 2H)
13C NMR (125.77 MHz, THF): δ = 96.7, 110.8, 113.5, 121.4, 124.6, 126.2, 127.7, 127.8, 128.2, 129.1, 129.8, 130.9, 136.0, 139.1, 139.4, 140.2, 146.3
19F NMR (470.45 MHz, THF): δ =-151.34 (brd, 4F), -145.89 (brd, 4F)
IR (neat): ν~ = 3403 (w), 3029 (w), 2927 (w), 1651 (m), 1597 (w), 1483 (s), 1460 (s), 1364 (w), 1328 (w), 1291 (w), 1282 (w), 1211 (m), 1166 (w), 1121 (w), 1080 (m), 1027 (w), 994 (m), 976 (s), 951 (m), 939 (m), 925 (w), 863 (w), 757 (m), 723 (s) 【０２０４】
［実施例２−５］
【化６９】
2020027258.tif 000077
【０２０５】
還流塔を取り付けた３０ｍＬの反応フラスコに、Ｐｄ（ＤＢＡ）2０．４ｍｍｏｌ（２３０．０ｍｇ）、ＲｕＰｈｏｓ０．６ｍｍｏｌ（２８０．０ｍｇ）、４，４′−ジアミノオクタフルオロビフェニル２ｍｍｏｌ（６５６．３ｍｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジメチルフルオレン１．９０ｍｍｏｌ（６７０．６ｍｇ）を量り入れ、系中を窒素置換した。そこへジオキサン８ｍＬを加え、５分間撹拌した後、ＬＨＭＤＳ１．３ｍｏｌ／Ｌテトラヒドロフラン溶液３．２ｍＬ（ＬＨＭＤＳ４．２ｍｍｏｌ相当）を加え、１１０℃の浴中で５時間加熱撹拌した（内温９２℃）。なお、途中、フラスコ内の溶液を微量採取し、液体クロマトグラフィーを用いて反応を追跡した。原料に帰属できるピークの面積の減少に伴い目的物に帰属できるピークの面積が増加した。その際、副生成物に対応するような目立ったピークは確認されなかった。
反応混合物を室温まで冷却した後、冷却した反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液１００ｍＬ、酢酸エチル５０ｍＬとともに分液漏斗に入れて抽出を行い、分液漏斗に有機層を残し、水層を回収した。飽和食塩水５０ｍＬを分液漏斗に入れて残った有機層を洗浄し、水層、有機層をそれぞれ回収した。そして、回収した全ての水層を併せて分液漏斗に入れ、そこへ酢酸エチル３０ｍＬを入れて抽出を行い、有機層を回収し、回収した全ての有機層を併せ、これを硫酸マグネシウムで乾燥した。
硫酸マグネシウムを濾過により除去し、得られたろ液からロータリーエバポレーターにより溶媒を留去した。得られた残渣をテトラヒドロフラン１０ｍＬに溶解して得られた溶液を、ヘキサンとトルエンの混合溶媒（２／１（ｖ／ｖ））５００ｍＬに滴下し、生じた固体をろ過により回収し、８０℃、減圧下で乾燥し、目的物９２６ｍｇを得た。得られた重合体は、Ｍｗ＝２０，０００、Ｍｎ＝１１，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．８２であり、また、ΔＴ５が３４０．１℃でＴｇは観察されなかった。
1H NMR (500.13 MHz, THF): δ = 1.52 (s, 6H), 7.02 (brd, J = 8.0 Hz, 2H), 7.18 (s, 2H), 7.62 (brd, J = 8.0 Hz, 2H), 8.06 (brs, 2H)
13C NMR (125.77 MHz, THF): δ = 26.6, 46.5, 97.1, 113.1, 117.4, 119.3, 125.0, 127.9, 128.7, 133.8, 139.9, 140.7, 145.1, 154.3
19F NMR (470.45 MHz, THF): δ =-151.76 (brd, 4F), -142.20 (brd, 4F)
IR (neat): ν~ = 3423 (w), 2958 (w), 2925 (w), 2859 (w), 1651 (m), 1613 (w), 1587 (w), 1518 (m), 1485 (s), 1464 (s), 1417 (m), 1295 (m), 1259 (w), 1239 (m), 1220 (w), 1195 (w), 1089 (m), 995 (m), 979 (s), 971 (s), 809 (m), 724 (m), 718 (m)【０２０６】
［実施例２−６］
【化７０】
2020027258.tif 000078
【０２０７】
還流塔を取り付けた３０ｍＬの反応フラスコに、Ｐｄ（ＤＢＡ）2０．３ｍｍｏｌ（１７２．５ｍｇ）、ＲｕＰｈｏｓ０．４５ｍｍｏｌ（２１０．０ｍｇ）、４，４′−ジアミノオクタフルオロビフェニル１．５ｍｍｏｌ（４９２．３ｍｇ）、９，１０−ジブロモアントラセン１．４３ｍｍｏｌ（４８０ｍｇ）を量り入れ、系中を窒素置換した。そこへジオキサン８ｍＬを加え、５分間撹拌した後、ＬＨＭＤＳ１．３ｍｏｌ／Ｌテトラヒドロフラン溶液２．５４ｍＬ（ＬＨＭＤＳ３．３ｍｍｏｌ相当）を加え、１１０℃の浴中で５時間加熱撹拌した（内温９２℃）。なお、途中、フラスコ内の溶液を微量採取し、液体クロマトグラフィーを用いて反応を追跡した。原料に帰属できるピークの面積の減少に伴い目的物に帰属できるピークの面積が増加した。その際、副生成物に対応するような目立ったピークは確認されなかった。
反応混合物を室温まで冷却した後、冷却した反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液１００ｍＬ、酢酸エチル５０ｍＬとともに分液漏斗に入れて抽出を行い、分液漏斗に有機層を残し、水層を回収した。飽和食塩水５０ｍＬを分液漏斗に入れて残った有機層を洗浄し、水層、有機層をそれぞれ回収した。そして、回収した全ての水層を併せて分液漏斗に入れ、そこへ酢酸エチル３０ｍＬを入れて抽出を行い、有機層を回収し、回収した全ての有機層を併せ、これを硫酸マグネシウムで乾燥した。
硫酸マグネシウムを濾過により除去し、得られたろ液からロータリーエバポレーターにより溶媒を留去した。得られた残渣をテトラヒドロフラン１０ｍＬに溶解して得られた溶液を、ヘキサンとトルエンの混合溶媒（２／１（ｖ／ｖ））５００ｍＬに滴下し、生じた固体をろ過により回収し、ろ物を８０℃、減圧下で乾燥し、目的物９２８ｍｇを得た。得られた重合体は、Ｍｗ=１８，０００、Ｍｎ=８，１００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．２２であった。
1H NMR (500.13 MHz, DMSO): δ = 7.60 (brs, 2H), 8.31 (brs, 2H), 9.30 (brs, 1H)
13C NMR (125.77 MHz, CDCl3): δ = 123.9, 126.4, 128.7, 129.3, 131.3, 135.8, 137.7, 143.5, 145.5
19F NMR (470.53 MHz, CDCl3): δ = -160.0 (brs, 4F), -143.2 (brs, 4F)
IR (neat): ν~ = 3361.9 (w), 1651.1 (m), 1485.1 (s), 1435.0 (m), 1377.2 (m), 12771.1 (w), 1178.5 (w), 1134.1 (w), 1111.0 (w), 1045.4 (w), 970.2 (s), 950.9 (m), 763.8 (s), 723.3 (s)【０２０８】
［２］電荷輸送性組成物および電荷輸送性薄膜の作製
［実施例３−１］
サンプル瓶（１０ｍＬ）に実施例１−２４で合成した下記式（Ｈ１）で表されるナフチル基を有するフッ化アリールアミン化合物３５．９ｍｇと下記式（Ｄ２）で表されるアリールスルホン酸化合物５６．２ｍｇを量りとり、テトラヒドロフルフリルアルコール３ｇを加えて均一になるまで室温で撹拌し、固形分３質量％の溶液を得た。この溶液を、ＩＴＯ基板上にスピンコーターを用いて塗布した後、大気下で、８０℃で１分間乾燥し、次いで２３０℃で１５分間焼成し、厚さ５０ｎｍの薄膜を作製した。ＩＴＯ基板としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が表面上に膜厚５０ｎｍで形成されたガラス基板を用いた。この薄膜の上に、蒸着装置（真空度４．０×１０-5Ｐａ）を用いてアルミニウム薄膜を形成して単層素子を得た。蒸着は、蒸着レート０．２ｎｍ／秒の条件で行った。アルミニウム薄膜の膜厚は８０ｎｍとした。なお、下記式（Ｄ２）で表されるアリールスルホン酸化合物は、国際公開第２００６／０２５３４２号に記載の方法に従い合成した。【０２０９】
【化７１】
2020027258.tif 000079
【０２１０】
［実施例３−２］
サンプル瓶（１０ｍＬ）に実施例１−２６で合成した下記式（Ｈ２）で表されるトリフェニルアミン基を有するフッ化アリールアミン化合物４４ｍｇと上記式（Ｄ２）で表されるアリールスルホン酸化合物４９ｍｇを量りとり、テトラヒドロフルフリルアルコール３ｇを加えて均一になるまで室温で撹拌し、固形分３質量％の溶液を得た。この溶液を用いた以外は、実施例３−１と同様にして単層素子を作製した。【０２１１】
【化７２】
2020027258.tif 000080
【０２１２】
［実施例３−３］
サンプル瓶（１０ｍＬ）に実施例２−３で合成した下記式（Ｈ３）で表されるビフェニル骨格を有するフッ化アリールアミン共重合体２１．６ｍｇと上記式（Ｄ２）で表されるアリールスルホン酸化合物４０ｍｇを量りとり、テトラヒドロフルフリルアルコール３ｇを加えて均一になるまで室温で撹拌し、固形分２質量％の溶液を得た。この溶液を用いた以外は、実施例３−１と同様にして単層素子を作製した。【０２１３】
【化７３】
2020027258.tif 000081
【０２１４】
［実施例３−４］
サンプル瓶（１０ｍＬ）に実施例２−４で合成した下記式（Ｈ４）で表されるフェニルカルバゾール基を有するフッ化アリールアミン共重合体３６ｍｇと、上記式（Ｄ２）で表されるアリールスルホン酸化合物５７ｍｇを量りとり、テトラヒドロフルフリルアルコール３ｇを加えて均一になるまで室温で撹拌し、固形分３質量％の溶液を得た。この溶液を用いた以外は、実施例３−１と同様にして単層素子を作製した。【０２１５】
【化７４】
2020027258.tif 000082
【０２１６】
［実施例３−５］
サンプル瓶（１０ｍＬ）に実施例２−５で合成した下記式（Ｈ５）で表される９，９−ジメチルフルオレン基を有するフッ化アリールアミン共重合体３４ｍｇと、上記式（Ｄ２）で表されるアリールスルホン酸化合物５９ｍｇを量りとり、テトラヒドロフルフリルアルコール３ｇを加えて均一になるまで室温で撹拌し、固形分３質量％の溶液を得た。この溶液を用いた以外は、実施例３−１と同様にして単層素子を作製した。【０２１７】
【化７５】
2020027258.tif 000083
【０２１８】
得られた各単層素子について駆動電圧５Ｖにおける電流密度を測定した。結果を表７に示す。【０２１９】
【表７】
2020027258.tif 000084
【０２２０】
表７に示されるように、本発明のフッ化アリールアミン化合物または重合体を電荷輸送性物質として含む薄膜は、良好な導電性を示すことがわかる。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月26日(2019.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ化芳香族第一級アミン化合物と、塩素化、臭素化もしくはヨウ素化芳香族炭化水素または擬ハロゲン化芳香族炭化水素とを、触媒、配位子および塩基の存在下で反応させる工程を備えるフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法であって、
前記触媒が、ジベンジリデンアセトンのパラジウム０価錯体を含み、
前記配位子が、下記式（Ｌ）で表されるビフェニルホスフィン化合物を含むことを特徴とするフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【化１】
2020027258.tif 000108
（式中、Ｒ1は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を表し、Ｒ2〜Ｒ5は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数１〜２０のアルコキシ基を表し、Ｒ6〜Ｒ8は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、またはＮＲ92基を表し、Ｒ9は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル基を表す。）
【請求項２】
前記触媒が、ジベンジリデンアセトンのパラジウム０価錯体であり、
前記配位子が、前記式（Ｌ）で表されるビフェニルホスフィン化合物である請求項１記載のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【請求項３】
前記Ｒ1が、それぞれ独立して、リン原子と結合する炭素原子が第２級または第３級炭素原子である炭素数３〜２０の分岐鎖状アルキル基または環状アルキル基である請求項１または２記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【請求項４】
前記Ｒ1が、同一の基である請求項１〜３のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【請求項５】
前記Ｒ1が、ともにシクロヘキシル基またはｔ−ブチル基である請求項４記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【請求項６】
前記Ｒ2〜Ｒ5が、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜５のアルコキシ基である請求項１〜５のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【請求項７】
前記Ｒ2およびＲ5が、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜５のアルコキシ基であり、前記Ｒ3およびＲ4が、ともに水素原子である請求項６記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【請求項８】
前記Ｒ2〜Ｒ5が、全て水素原子である請求項７記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【請求項９】
前記Ｒ6〜Ｒ8が、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状アルキル基、結合手が存在する炭素原子が第１級炭素原子か第２級炭素原子のいずれかである３〜２０の分岐鎖状アルキル基または炭素数１〜２０のアルコキシ基である請求項１〜８のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【請求項１０】
前記Ｒ6〜Ｒ8が、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜５の直鎖状アルキル基、炭素数３〜５の分岐鎖状アルキル基または炭素数１〜５のアルコキシ基である請求項９記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【請求項１１】
前記Ｒ6〜Ｒ8が、それぞれ独立して、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、メトキシ基またはイソプロポキシ基である請求項１０記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【請求項１２】
前記Ｒ6およびＲ8が、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のアルコキシ基であり、
前記Ｒ7が、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基である請求項１〜８のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【請求項１３】
前記Ｒ6およびＲ8が水素原子、それぞれ独立して、メチル基、イソプロピル基、メトキシ基またはイソプロポキシ基であり、
前記Ｒ7が、それぞれ独立して、水素原子またはイソプロピル基である請求項１２記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【請求項１４】
前記Ｒ2およびＲ5が、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜５のアルコキシ基を表し、前記Ｒ3およびＲ4が、ともに水素原子であり、前記Ｒ6〜Ｒ8が、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、または炭素数１〜５のアルコキシ基を表す請求項１〜５のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【請求項１５】
前記式（Ｌ）で表されるビフェニルホスフィン化合物が、下記式（Ｌ１）〜（Ｌ７）のいずれかで表されるビフェニルホスフィン化合物を含む請求項１〜５のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【化２】
2020027258.tif 000109
（式中、Ｍｅはメチル基を、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基を、Ｃｙはシクロヘキシル基を、ｔ−Ｂｕはｔ−ブチル基を意味する。）
【請求項１６】
前記式（Ｌ）で表されるビフェニルホスフィン化合物が、前記式（Ｌ１）〜（Ｌ４）のいずれかで表されるビフェニルホスフィン化合物を含む請求項１５記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【請求項１７】
前記塩基が、有機リチウムおよびアルコキシアルカリ金属から選ばれる少なくとも１種を含む請求項１〜１６のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【請求項１８】
前記有機リチウムが、リチウムジイソプロピルアミド、リチウム２，２，６，６−テトラメチルピペリジンおよびヘキサメチルジシラザンリチウムから選ばれる少なくとも１種を含む請求項１７記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【請求項１９】
前記アルコキシアルカリ金属が、ｎ−ブチルリチウム、ｓ−ブチルリチウムおよびｔ−ブチルリチウムから選ばれる少なくとも１種を含む請求項１７記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【請求項２０】
前記式（Ｌ）で表されるビフェニルホスフィン化合物の使用量が、前記触媒に対し、１〜２当量である請求項１〜１９のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【請求項２１】
前記ジベンジリデンアセトンのパラジウム０価錯体の使用量が、前記フッ化芳香族第一級アミン化合物のアミン部位のＮＨ１ｍｏｌに対し、パラジウム金属として０．０００１〜０．２ｍｏｌである請求項１〜２０のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【請求項２２】
前記フッ化芳香族第一級アミン化合物と、前記塩素化、臭素化もしくはヨウ素化芳香族炭化水素または擬ハロゲン化芳香族炭化水素との仕込み比が、前記フッ化芳香族第一級アミン化合物のＮＨ2基１ｍｏｌ対して、前記芳香族炭化水素の塩素、臭素もしくはヨウまたは擬ハロゲンである反応部位が１．０〜１．２ｍｏｌである請求項１〜２１のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【請求項２３】
溶媒中で行われる請求項１〜２２のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【請求項２４】
反応温度が４５℃以上である請求項１〜２３のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【請求項２５】
前記ジベンジリデンアセトンのパラジウム０価錯体が、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）である請求項１〜２４のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【請求項２６】
前記フッ化芳香族第一級アミン化合物が、分子内にフッ素原子を２個以上有するフッ化芳香族第一級モノアミン化合物またはジアミン化合物である請求項１〜２５のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【請求項２７】
前記塩素化、臭素化もしくはヨウ素化芳香族炭化水素が、モノもしくはジクロロ芳香族炭化水素、モノもしくはジブロモ芳香族炭化水素、またはモノもしくはジヨード芳香族炭化水素である請求項１〜２６のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミンの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月27日(2020.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ化芳香族第一級アミン化合物と、塩素化、臭素化またはヨウ素化芳香族炭化水素とを、触媒、配位子および塩基の存在下で反応させる工程を備えるフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法であって、
前記触媒が、ジベンジリデンアセトンのパラジウム０価錯体を含み、
前記配位子が、下記式（Ｌ）で表されるビフェニルホスフィン化合物を含むことを特徴とするフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【化１】
2020027258.tif 000110
（式中、Ｒ1は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を表し、Ｒ2〜Ｒ5は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数１〜２０のアルコキシ基を表し、Ｒ6〜Ｒ8は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、または炭素数１〜２０のアルコキシ基を表す。）
【請求項２】
前記触媒が、ジベンジリデンアセトンのパラジウム０価錯体であり、
前記配位子が、前記式（Ｌ）で表されるビフェニルホスフィン化合物である請求項１記載のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【請求項３】
前記Ｒ1が、それぞれ独立して、リン原子と結合する炭素原子が第２級または第３級炭素原子である炭素数３〜２０の分岐鎖状アルキル基または環状アルキル基である請求項１または２記載のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【請求項４】
前記Ｒ1が、同一の基である請求項１〜３のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【請求項５】
前記Ｒ1が、ともにシクロヘキシル基またはｔ−ブチル基である請求項４記載のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【請求項６】
前記Ｒ2〜Ｒ5が、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜５のアルコキシ基である請求項１〜５のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【請求項７】
前記Ｒ2およびＲ5が、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜５のアルコキシ基であり、前記Ｒ3およびＲ4が、ともに水素原子である請求項６記載のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【請求項８】
前記Ｒ2〜Ｒ5が、全て水素原子である請求項７記載のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【請求項９】
前記Ｒ6〜Ｒ8が、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状アルキル基、結合手が存在する炭素原子が第１級炭素原子か第２級炭素原子のいずれかである３〜２０の分岐鎖状アルキル基または炭素数１〜２０のアルコキシ基である請求項１〜８のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【請求項１０】
前記Ｒ6〜Ｒ8が、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜５の直鎖状アルキル基、炭素数３〜５の分岐鎖状アルキル基または炭素数１〜５のアルコキシ基である請求項９記載のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【請求項１１】
前記Ｒ6〜Ｒ8が、それぞれ独立して、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、メトキシ基またはイソプロポキシ基である請求項１０記載のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【請求項１２】
前記Ｒ6およびＲ8が、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のアルコキシ基であり、
前記Ｒ7が、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基である請求項１〜８のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【請求項１３】
前記Ｒ6およびＲ8が、それぞれ独立して、水素原子、メチル基、イソプロピル基、メトキシ基またはイソプロポキシ基であり、
前記Ｒ7が、水素原子またはイソプロピル基である請求項１２記載のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【請求項１４】
前記Ｒ2およびＲ5が、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜５のアルコキシ基を表し、前記Ｒ3およびＲ4が、ともに水素原子であり、前記Ｒ6〜Ｒ8が、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、または炭素数１〜５のアルコキシ基を表す請求項１〜５のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【請求項１５】
前記式（Ｌ）で表されるビフェニルホスフィン化合物が、下記式（Ｌ１）〜（Ｌ７）のいずれかで表されるビフェニルホスフィン化合物を含む請求項１〜５のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【化２】
2020027258.tif 000111
（式中、Ｍｅはメチル基を、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基を、Ｃｙはシクロヘキシル基を、ｔ−Ｂｕはｔ−ブチル基を意味する。）
【請求項１６】
前記式（Ｌ）で表されるビフェニルホスフィン化合物が、前記式（Ｌ１）〜（Ｌ４）のいずれかで表されるビフェニルホスフィン化合物を含む請求項１５記載のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【請求項１７】
前記塩基が、有機リチウムおよびアルコキシアルカリ金属から選ばれる少なくとも１種を含む請求項１〜１６のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【請求項１８】
前記有機リチウムが、リチウムジイソプロピルアミド、リチウム２，２，６，６−テトラメチルピペリジンおよびヘキサメチルジシラザンリチウムから選ばれる少なくとも１種を含む請求項１７記載のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【請求項１９】
前記アルコキシアルカリ金属が、ｎ−ブチルリチウム、ｓ−ブチルリチウムおよびｔ−ブチルリチウムから選ばれる少なくとも１種を含む請求項１７記載のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【請求項２０】
前記式（Ｌ）で表されるビフェニルホスフィン化合物の使用量が、前記触媒に対し、１〜２当量である請求項１〜１９のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【請求項２１】
前記ジベンジリデンアセトンのパラジウム０価錯体の使用量が、前記フッ化芳香族第一級アミン化合物のアミン部位のＮＨ１ｍｏｌに対し、パラジウム金属として０．０００１〜０．２ｍｏｌである請求項１〜２０のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【請求項２２】
前記フッ化芳香族第一級アミン化合物と、前記塩素化、臭素化またはヨウ素化芳香族炭化水素との仕込み比が、前記フッ化芳香族第一級アミン化合物のＮＨ2基１ｍｏｌに対して、前記芳香族炭化水素の塩素、臭素またはヨウ素である反応部位が１．０〜１．２ｍｏｌである請求項１〜２１のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【請求項２３】
溶媒中で行われる請求項１〜２２のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【請求項２４】
反応温度が４５℃以上である請求項１〜２３のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【請求項２５】
前記ジベンジリデンアセトンのパラジウム０価錯体が、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）である請求項１〜２４のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【請求項２６】
前記フッ化芳香族第一級アミン化合物が、分子内にフッ素原子を２個以上有するフッ化芳香族第一級モノアミン化合物またはジアミン化合物である請求項１〜２５のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【請求項２７】
前記塩素化、臭素化またはヨウ素化芳香族炭化水素が、モノもしくはジクロロ芳香族炭化水素、モノもしくはジブロモ芳香族炭化水素、またはモノもしくはジヨード芳香族炭化水素である請求項１〜２６のいずれか１項記載のフッ化芳香族第二級アミン化合物の製造方法。
【国際調査報告】
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