(57)【要約】  Ｓｉ−Ｎ結合とＳｉ−Ｈ結合とを有しアミノ基を含むハロゲン非含有の原料を、原料が単独で存在した場合に原料が熱分解する条件下で、基板に対して供給し第１層を形成する工程を所定回数行うことにより、基板上に膜を形成する工程を有し、第１層を形成する工程では、原料が熱分解することで生成される中間体を失活化させる失活剤を原料と一緒に基板に対して供給する。
2019087445.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ−Ｎ結合とＳｉ−Ｈ結合とを有しアミノ基を含むハロゲン非含有の原料を、前記原料が単独で存在した場合に前記原料が熱分解する条件下で、基板に対して供給し第１層を形成する工程を所定回数行うことにより、前記基板上に膜を形成する工程を有し、
前記第１層を形成する工程では、前記原料が熱分解することで生成される中間体を失活化させる失活剤を前記原料と一緒に前記基板に対して供給する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１層を形成する工程では、前記中間体のうち一部を前記失活剤により失活化させ、前記中間体のうち前記一部以外の他の一部を前記基板の表面に吸着させる請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１層を形成する工程では、前記失活剤により失活化させた前記中間体を、前記第１層を形成する反応に寄与させることなく、前記基板が存在する空間から排出する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１層を形成する工程は、前記中間体の表面反応律速よりも前記中間体の供給律速の方が優勢となる条件下で行われる請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１層を形成する工程は、前記中間体の供給律速となる条件下で行われる請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１層を形成する工程では、前記失活剤により、前記中間体の供給律速の度合いを、前記原料が単独で存在した場合における前記中間体の供給律速の度合いよりも低下させる請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１層を形成する工程では、前記中間体のうち一部に前記失活剤を衝突させ、前記中間体のうち前記一部以外の他の一部に前記失活剤を衝突させることなく前記他の一部を前記基板の表面に衝突させる請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１層を形成する工程は、前記中間体のうち一部が前記失活剤と衝突し、前記中間体のうち前記一部以外の他の一部が前記失活剤と衝突することなく前記基板の表面に衝突する条件下で行われる請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１層を形成する工程では、前記中間体のうち一部を前記基板の表面に吸着しにくい状態に変化させ、前記中間体のうち前記一部以外の他の一部を前記基板の表面に吸着させる請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１層を形成する工程は、前記中間体のうち一部が前記基板の表面に吸着しにくい状態に変化し、前記中間体のうち前記一部以外の他の一部が前記基板の表面に吸着する条件下で行われる請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１層を形成する工程は、前記中間体と前記失活剤とが衝突する平均自由行程が、前記基板の表面から最も近い位置にある前記中間体が吸着する物体と前記基板の表面との間の距離よりも小さくなる条件下で行われる請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記膜を形成する工程では、一度に複数枚の前記基板上に前記膜をそれぞれ形成し、
前記第１層を形成する工程は、前記中間体と前記失活剤とが衝突する平均自由行程が、隣接する前記基板間の距離よりも小さくなる条件下で行われる請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記失活剤は、一般式ＮＲ３（Ｒは水素原子またはアルキル基）で表されるＮ含有ガスを含む請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１層を形成する工程では、前記中間体のうち一部を構成する元素に前記ＮＲ３のＮを結合させ、前記中間体のうち前記一部以外の他の一部を前記基板の表面に吸着させる請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記基板に対して反応体を供給し、前記第１層を改質させて、第２層を形成する工程をさらに有し、
前記膜を形成する工程は、前記第１層を形成する工程と、前記第２層を形成する工程と、を非同時に行うサイクルを、前記所定回数行うことを含む請求項１〜１４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記原料はさらにＣを含み、
前記反応体は酸化剤であり、
前記第１層は、Ｓｉ、Ｃ、およびＮを含む層であり、
前記第２層は、Ｓｉ、Ｏ、Ｃ、およびＮを含む層であり、
前記膜は、Ｓｉ、Ｏ、Ｃ、およびＮを含む膜である請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
基板が処理される処理室と、
前記処理室内の基板を加熱するヒータと、
前記処理室内の基板に対して、Ｓｉ−Ｎ結合とＳｉ−Ｈ結合とを有しアミノ基を含むハロゲン非含有の原料を供給する原料供給系と、
前記処理室内の基板に対して、前記原料が熱分解することで生成される中間体を失活化させる失活剤を供給する失活剤供給系と、
前記処理室内において、前記原料を、前記原料が単独で存在した場合に前記原料が熱分解する条件下で、基板に対して供給し第１層を形成する処理を所定回数行うことにより、前記基板上に膜を形成する処理を行わせ、前記第１層を形成する処理では、前記失活剤を前記原料と一緒に前記基板に対して供給するように、前記ヒータ、前記原料供給系、前記失活剤供給系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項１８】
基板処理装置の処理室内において、
Ｓｉ−Ｎ結合とＳｉ−Ｈ結合とを有しアミノ基を含むハロゲン非含有の原料を、前記原料が単独で存在した場合に前記原料が熱分解する条件下で、基板に対して供給し第１層を形成する手順を所定回数行うことにより、前記基板上に膜を形成する手順と、
前記第１層を形成する手順において、前記原料が熱分解することで生成される中間体を失活化させる失活剤を前記原料と一緒に前記基板に対して供給する手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程の一工程として、基板上に膜を形成する処理が行われることがある（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１０９０９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、基板上に形成される膜の段差被覆性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、
Ｓｉ−Ｎ結合とＳｉ−Ｈ結合とを有しアミノ基を含むハロゲン非含有の原料を、前記原料が単独で存在した場合に前記原料が熱分解する条件下で、基板に対して供給し第１層を形成する工程を所定回数行うことにより、前記基板上に膜を形成する工程を有し、
前記第１層を形成する工程では、前記原料が熱分解することで生成される中間体を失活化させる失活剤を前記原料と一緒に前記基板に対して供給する技術が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、基板上に形成される膜の段差被覆性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を縦断面図で示す図である。
【図２】本発明の一実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を図１のＡ−Ａ線断面図で示す図である。
【図３】本発明の一実施形態で好適に用いられる基板処理装置のコントローラの概略構成図であり、コントローラの制御系をブロック図で示す図である。
【図４】本発明の一実施形態の成膜シーケンスを示す図である。
【図５】原料として用いられるＢＤＥＡＳの化学構造式を示す図である。
【図６】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、ＢＤＥＡＳが熱分解することで生成される活性な中間体の一例の化学構造を示す図である。
【図７】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、失活化された中間体の一例の化学構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
＜本発明の一実施形態＞
以下、本発明の一実施形態について、主に、図１〜図４を用いて説明する。
【０００９】
（１）基板処理装置の構成
図１に示すように、処理炉２０２は加熱機構（温度調整部）としてのヒータ２０７を有する。ヒータ２０７は円筒形状であり、保持板に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ２０７は、ガスを熱で活性化（励起）させる活性化機構（励起部）としても機能する。
【００１０】
ヒータ２０７の内側には、ヒータ２０７と同心円状に反応管２０３が配設されている。反応管２０３は、例えば石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料により構成され、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管２０３の筒中空部には、処理室２０１が形成される。処理室２０１は、基板としてのウエハ２００を収容可能に構成されている。この処理室２０１内でウエハ２００に対する処理が行われる。
【００１１】
処理室２０１内には、ノズル２４９ａ，２４９ｂが、反応管２０３の下部側壁を貫通するように設けられている。ノズル２４９ａ，２４９ｂには、ガス供給管２３２ａ，２３２ｂがそれぞれ接続されている。
【００１２】
ガス供給管２３２ａ，２３２ｂには、ガス流の上流側から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ａ，２４１ｂおよび開閉弁であるバルブ２４３ａ，２４３ｂがそれぞれ設けられている。ガス供給管２３２ａ，２３２ｂのバルブ２４３ａ，２４３ｂよりも下流側には、ガス供給管２３２ｃ，２３２ｄがそれぞれ接続されている。ガス供給管２３２ｃ，２３２ｄには、ガス流の上流側から順に、ＭＦＣ２４１ｃ，２４１ｄおよびバルブ２４３ｃ，２４３ｄがそれぞれ設けられている。
【００１３】
図２に示すように、ノズル２４９ａ，２４９ｂは、反応管２０３の内壁とウエハ２００との間における平面視において円環状の空間に、反応管２０３の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ２００の配列方向上方に向かって立ち上がるようにそれぞれ設けられている。すなわち、ノズル２４９ａ，２４９ｂは、ウエハ２００が配列されるウエハ配列領域の側方の、ウエハ配列領域を水平に取り囲む領域に、ウエハ配列領域に沿うようにそれぞれ設けられている。ノズル２４９ａ，２４９ｂの側面には、ガスを供給するガス供給孔２５０ａ，２５０ｂがそれぞれ設けられている。ガス供給孔２５０ａ，２５０ｂは、反応管２０３の中心を向くようにそれぞれ開口しており、ウエハ２００に向けてガスを供給することが可能となっている。ガス供給孔２５０ａ，２５０ｂは、反応管２０３の下部から上部にわたって複数設けられている。
【００１４】
ガス供給管２３２ａからは、原料（原料ガス）として、例えば、ウエハ２００上に形成される膜を構成する主元素であるシリコン（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）との化学結合（Ｓｉ−Ｎ結合）と、Ｓｉと水素（Ｈ）との化学結合（Ｓｉ−Ｈ結合）と、を有し、アミノ基を含むハロゲン非含有のアミノシラン系ガスが、ＭＦＣ２４１ａ、バルブ２４３ａ、ノズル２４９ａを介して処理室２０１内へ供給される。原料ガスとは、気体状態の原料、例えば、常温常圧下で液体状態である原料を気化することで得られるガスや、常温常圧下で気体状態である原料等のことである。アミノ基とは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基等のアルキル基（Ｒ）がＮ原子と結合してなり、−ＮＲ２の構造式で表される１価の官能基のことである。アミノシラン系ガスは、Ｓｉソースとしてだけでなく、ＮソースおよびＣソースとしても作用する。アミノシラン系ガスとしては、例えば、ビス（ジエチルアミノ）シラン（ＳｉＨ２［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］２、略称：ＢＤＥＡＳ）ガスを用いることができる。図５に化学構造式を示すように、ＢＤＥＡＳは、１分子中に２つのＳｉ−Ｎ結合と２つのＳｉ−Ｈ結合とを有している。
【００１５】
ガス供給管２３２ｂからは、失活剤として、例えば、一般式ＮＲ３（ここでいうＲは、水素原子、または、上述の各種アルキル基）で表されるＮ含有ガスが、ＭＦＣ２４１ｂ、バルブ２４３ｂ、ノズル２４９ｂを介して処理室２０１内へ供給される。Ｎ含有ガスは、後述するステップ１において、上述の原料が熱分解することで生成される複数の活性な中間体のうち一部の中間体を失活化させ、ウエハ２００に対する中間体の吸着確率を低下させることで、中間体の吸着効率を低減させるように作用する。Ｎ含有ガスとしては、例えば、アンモニア（ＮＨ３）ガスを用いることができる。
【００１６】
ガス供給管２３２ｂからは、反応体（反応ガス）として、例えば、酸素（Ｏ）含有ガスが、ＭＦＣ２４１ｂ、バルブ２４３ｂ、ノズル２４９ｂを介して処理室２０１内へ供給される。Ｏ含有ガスは、酸化剤（酸化ガス）、すなわち、Ｏソースとして作用する。Ｏ含有ガスとしては、例えば、酸素（Ｏ２）ガスを用いることができる。
【００１７】
ガス供給管２３２ｃ，２３２ｄからは、不活性ガスとしての窒素（Ｎ２）ガスが、それぞれＭＦＣ２４１ｃ，２４１ｄ、バルブ２４３ｃ，２４３ｄ、ガス供給管２３２ａ，２３２ｂ、ノズル２４９ａ，２４９ｂを介して処理室２０１内へ供給される。Ｎ２ガスは、パージガス、キャリアガス、希釈ガス等として作用する。
【００１８】
主に、ガス供給管２３２ａ、ＭＦＣ２４１ａ、バルブ２４３ａにより、原料供給系が構成される。主に、ガス供給管２３２ｂ、ＭＦＣ２４１ｂ、バルブ２４３ｂにより、失活剤供給系、反応体供給系がそれぞれ構成される。主に、ガス供給管２３２ｃ，２３２ｄ、ＭＦＣ２４１ｃ，２４１ｄ、バルブ２４３ｃ，２４３ｄにより、不活性ガス供給系が構成される。
【００１９】
上述の各種供給系のうち、いずれか、或いは、全ての供給系は、バルブ２４３ａ〜２４３ｄやＭＦＣ２４１ａ〜２４１ｄ等が集積されてなる集積型供給システム２４８として構成されていてもよい。集積型供給システム２４８は、ガス供給管２３２ａ〜２３２ｄのそれぞれに対して接続され、ガス供給管２３２ａ〜２３２ｄ内への各種ガスの供給動作、すなわち、バルブ２４３ａ〜２４３ｄの開閉動作やＭＦＣ２４１ａ〜２４１ｄによる流量調整動作等が、後述するコントローラ１２１によって制御されるように構成されている。集積型供給システム２４８は、一体型、或いは、分割型の集積ユニットとして構成されており、ガス供給管２３２ａ〜２３２ｄ等に対して集積ユニット単位で着脱を行うことができ、集積型供給システム２４８のメンテナンス、交換、増設等を、集積ユニット単位で行うことが可能なように構成されている。
【００２０】
反応管２０３の側壁下方には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が接続されている。排気管２３１には、処理室２０１内の圧力を検出する圧力検出器（圧力検出部）としての圧力センサ２４５および圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４４を介して、真空排気装置としての真空ポンプ２４６が接続されている。ＡＰＣバルブ２４４は、真空ポンプ２４６を作動させた状態で弁を開閉することで、処理室２０１内の真空排気および真空排気停止を行うことができ、更に、真空ポンプ２４６を作動させた状態で、圧力センサ２４５により検出された圧力情報に基づいて弁開度を調節することで、処理室２０１内の圧力を調整することができるように構成されている。主に、排気管２３１、圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２４４により、排気系が構成される。真空ポンプ２４６を排気系に含めて考えてもよい。
【００２１】
反応管２０３の下方には、反応管２０３の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、例えばＳＵＳ等の金属材料により構成され、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、反応管２０３の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０が設けられている。シールキャップ２１９の下方には、後述するボート２１７を回転させる回転機構２６７が設置されている。回転機構２６７の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通してボート２１７に接続されている。回転機構２６７は、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９は、反応管２０３の外部に設置された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降されるように構成されている。ボートエレベータ１１５は、シールキャップ２１９を昇降させることで、ウエハ２００を処理室２０１内外に搬入および搬出（搬送）する搬送装置（搬送機構）として構成されている。
【００２２】
基板支持具としてのボート２１７は、複数枚、例えば２５〜２００枚のウエハ２００を、水平姿勢で、かつ、互いに中心を揃えた状態で垂直方向に整列させて多段に支持するように、すなわち、間隔を空けて配列させるように構成されている。ボート２１７は、例えば石英やＳｉＣ等の耐熱性材料により構成される。ボート２１７の下部には、例えば石英やＳｉＣ等の耐熱性材料により構成される断熱板２１８が水平姿勢で多段に支持されている。
【００２３】
反応管２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０７への通電具合を調整することで、処理室２０１内の温度が所望の温度分布となる。温度センサ２６３は、反応管２０３の内壁に沿って設けられている。
【００２４】
図３に示すように、制御部（制御手段）であるコントローラ１２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）１２１ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、内部バス１２１ｅを介して、ＣＰＵ１２１ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ１２１には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置１２２が接続されている。
【００２５】
記憶装置１２１ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置１２１ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する成膜処理の手順や条件等が記載されたプロセスレシピ等が、読み出し可能に格納されている。プロセスレシピは、後述する成膜処理における各手順をコントローラ１２１に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、プロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単に、プログラムともいう。また、プロセスレシピを、単に、レシピともいう。本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、レシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。ＲＡＭ１２１ｂは、ＣＰＵ１２１ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。
【００２６】
Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、上述のＭＦＣ２４１ａ〜２４１ｄ、バルブ２４３ａ〜２４３ｄ、圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２４４、真空ポンプ２４６、温度センサ２６３、ヒータ２０７、回転機構２６７、ボートエレベータ１１５等に接続されている。
【００２７】
ＣＰＵ１２１ａは、記憶装置１２１ｃから制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置１２２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置１２１ｃからレシピを読み出すように構成されている。ＣＰＵ１２１ａは、読み出したレシピの内容に沿うように、ＭＦＣ２４１ａ〜２４１ｄによる各種ガスの流量調整動作、バルブ２４３ａ〜２４３ｄの開閉動作、ＡＰＣバルブ２４４の開閉動作および圧力センサ２４５に基づくＡＰＣバルブ２４４による圧力調整動作、真空ポンプ２４６の起動および停止、温度センサ２６３に基づくヒータ２０７の温度調整動作、回転機構２６７によるボート２１７の回転および回転速度調節動作、ボートエレベータ１１５によるボート２１７の昇降動作等を制御するように構成されている。
【００２８】
コントローラ１２１は、外部記憶装置１２３に格納された上述のプログラムを、コンピュータにインストールすることにより構成することができる。外部記憶装置１２３は、例えば、ＨＤＤ等の磁気ディスク、ＣＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリ等の半導体メモリ等を含む。記憶装置１２１ｃや外部記憶装置１２３は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されている。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置１２１ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置１２３単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。なお、コンピュータへのプログラムの提供は、外部記憶装置１２３を用いず、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。
【００２９】
（２）基板処理工程
上述の基板処理装置を用い、半導体装置の製造工程の一工程として、基板としてのウエハ２００上に膜を形成する基板処理シーケンス例、すなわち、成膜シーケンス例について、図４を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ１２１により制御される。
【００３０】
図４に示す成膜シーケンスでは、Ｓｉ−Ｎ結合とＳｉ−Ｈ結合とを有しアミノ基を含むハロゲン非含有の原料としてのＢＤＥＡＳガスを、ＢＤＥＡＳガスが単独で存在した場合にＢＤＥＡＳガスが熱分解する条件下でウエハ２００に対して供給し第１層を形成するステップ１を所定回数行う。ステップ１では、ＢＤＥＡＳガスが熱分解することで生成される中間体を失活化させる失活剤としてのＮＨ３ガスを、ＢＤＥＡＳガスと一緒にウエハ２００に対して供給する。
【００３１】
図４に示す成膜シーケンスでは、ウエハ２００に対して反応体としてＯ２ガスを供給し、第１層を改質させて、第２層を形成するステップ２をさらに行う。具体的には、ステップ１とステップ２とを非同時に行うサイクルを所定回数行う。これにより、ウエハ２００上に、膜として、Ｓｉ、Ｏ、Ｃ、およびＮを含む膜であるシリコン酸炭窒化膜（ＳｉＯＣＮ膜）を形成する。
【００３２】
本明細書では、図４に示す成膜シーケンスを、便宜上、以下のように示すこともある。
【００３３】
（ＢＤＥＡＳ＋ＮＨ３→Ｏ２）×ｎ  ⇒  ＳｉＯＣＮ
【００３４】
本明細書において「ウエハ」という言葉を用いた場合は、ウエハそのものを意味する場合や、ウエハとその表面に形成された所定の層や膜との積層体を意味する場合がある。本明細書において「ウエハの表面」という言葉を用いた場合は、ウエハそのものの表面を意味する場合や、ウエハ上に形成された所定の層等の表面を意味する場合がある。本明細書において「ウエハ上に所定の層を形成する」と記載した場合は、ウエハそのものの表面上に所定の層を直接形成することを意味する場合や、ウエハ上に形成されている層等の上に所定の層を形成することを意味する場合がある。本明細書において「基板」という言葉を用いた場合も、「ウエハ」という言葉を用いた場合と同義である。
【００３５】
（ウエハチャージおよびボートロード）
複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）される。その後、図１に示すように、複数枚のウエハ２００を支持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１内へ搬入（ボートロード）される。この状態で、シールキャップ２１９は、Ｏリング２２０を介して反応管２０３の下端をシールした状態となる。
【００３６】
（圧力調整および温度調整）
処理室２０１内、すなわち、ウエハ２００が存在する空間が所望の圧力（真空度）となるように、真空ポンプ２４６によって真空排気（減圧排気）される。この際、処理室２０１内の圧力は圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力情報に基づきＡＰＣバルブ２４４がフィードバック制御される。また、処理室２０１内のウエハ２００が所望の処理温度となるように、ヒータ２０７によって加熱される。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように、温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０７への通電具合がフィードバック制御される。また、回転機構２６７によるウエハ２００の回転を開始する。真空ポンプ２４６の稼働、ウエハ２００の加熱および回転は、いずれも、少なくともウエハ２００に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
【００３７】
（成膜ステップ）
その後、以下のステップ１，２を順次実施する。
【００３８】
［ステップ１］
このステップでは、処理室２０１内のウエハ２００に対してＢＤＥＡＳガスとＮＨ３ガスとを同時に供給する。具体的には、バルブ２４３ａ，２４３ｂを開き、ガス供給管２３２ａ，２３２ｂ内へＢＤＥＡＳガス、ＮＨ３ガスをそれぞれ流す。ＢＤＥＡＳガスおよびＮＨ３ガスは、それぞれ、ＭＦＣ２４１ａ，２４１ｂにより流量調整され、ノズル２４９ａ，２４９ｂを介して処理室２０１内へ供給されて、処理室２０１内で混合され、排気管２３１から排気される。このとき、ウエハ２００に対してＢＤＥＡＳガス、ＮＨ３ガスが同時（一緒）に供給される。このときバルブ２４３ｃ，２４３ｄを開き、ガス供給管２３２ｃ，２３２ｄ内へＮ２ガスを流すようにしてもよい。
【００３９】
本ステップにおける処理条件としては、
処理温度：５００〜６５０℃、好ましくは５５０〜６５０℃
処理圧力：２６．６〜２６６６Ｐａ、好ましくは６６．５〜２６６Ｐａ
ＢＤＥＡＳガス供給流量：１〜１０００ｓｃｃｍ、好ましくは５０〜１００ｓｃｃｍ
ＮＨ３ガス供給流量：４〜３００００ｓｃｃｍ、好ましくは２００〜３０００ｓｃｃｍ
Ｎ２ガス供給流量（各ガス供給管）：０〜１００００ｓｃｃｍ
各ガス供給時間：１〜１２０秒、好ましくは５〜６０秒
が例示される。
【００４０】
なお、本明細書における「５００〜６５０℃」のような数値範囲の表記は、下限値および上限値がその範囲に含まれることを意味する。よって、例えば、「５００〜６５０℃」とは「５００℃以上６５０℃以下」を意味する。他の数値範囲についても同様である。
【００４１】
上述の条件下でウエハ２００に対してＢＤＥＡＳガスを供給することにより、ウエハ２００の最表面上に、第１層（初期層）として、Ｓｉ、Ｃ、およびＮを含む層であるシリコン炭窒化層（ＳｉＣＮ層）が形成される。
【００４２】
上述の処理条件（特に、処理温度）は、ＢＤＥＡＳガスが処理室２０１内に単独で存在した場合に、ＢＤＥＡＳガスを熱分解させ、図６（ａ）や図６（ｂ）に例示するような中間体を生成することが可能となる条件である。ＢＤＥＡＳガスが有する種々の化学結合のうち、特にＳｉ−Ｈ結合は、上述の処理条件下において、他の化学結合（Ｓｉ−Ｎ結合等）よりも切断されやすい特性を有している。上述の処理条件下で生成される中間体は、Ｓｉ−Ｈ結合が切断されることで生じた未結合手（ダングリングボンド）を含むことから、ウエハ２００の表面に吸着しやすい活性な特性を有することとなる。ＢＤＥＡＳガスの供給を上述の処理条件下で行い、図６（ａ）や図６（ｂ）に例示するような活性な中間体を生成することにより、ウエハ２００上への第１層の形成を、効率的に進行させることが可能となる。このとき、中間体の表面反応律速よりも中間体の供給律速の方が優勢となる状況下で、更には、中間体の表面反応律速ではなく中間体の供給律速となる状況下で、第１層の形成が進行する場合がある。
【００４３】
本ステップにおいて、処理温度が５００℃未満となると、ＢＤＥＡＳガスが熱分解し難くなり、上述した活性な中間体が生成されなくなる場合がある。結果として、ウエハ２００上への第１層の形成が困難となる場合がある。処理温度を５００℃以上の温度とすることで、ＢＤＥＡＳガスを熱分解させることができ、活性な中間体を生成することが可能となる。これにより、ウエハ２００上へのＳｉＯＣＮ膜の形成を実用的な成膜レートで進行させることが可能となる。処理温度を５５０℃以上の温度とすることにより、ここで述べた効果がより確実に得られるようになる。
【００４４】
本ステップにおいて、処理温度が６５０℃を超えると、過剰な気相反応が生じることで、ウエハ２００上に形成されるＳｉＯＣＮ膜のウエハ面内膜厚均一性や段差被覆性（ステップカバレッジ）が悪化しやすくなり、その制御が困難となる場合がある。処理温度を６５０℃以下の温度とすることで、これらの課題を解消することが可能となる。
【００４５】
したがって、ステップ１における処理条件（特に、処理温度）は、上述の範囲内の所定の条件とすることが好ましい。上述の処理条件は、第１層を形成する際に、過剰な気相反応が生じる等の上述の課題を解消することができるような条件である。また、上述の処理条件は、中間体の表面反応律速よりも中間体の供給律速の方が優勢となるような条件を含んでいる。
【００４６】
なお、中間体の表面反応律速よりも中間体の供給律速の方が優勢となるような条件下で第１層の形成を行う場合、ウエハ２００上に形成されるＳｉＯＣＮ膜の段差被覆性を向上させたり、ウエハ面内膜厚均一性を向上させたり、膜厚制御性を向上させたりすることが困難となる場合がある。すなわち、中間体の供給律速の度合いが強すぎると、ウエハ２００上に形成されるＳｉＯＣＮ膜の段差被覆性が低下したり、ウエハ面内膜厚均一性が低下したり、膜厚制御性が低下したりする場合がある。そこで本実施形態では、中間体の供給律速の度合いを適正に低下させるため、ウエハ２００に対して、ＢＤＥＡＳガスと一緒に失活剤としてＮＨ３ガスを供給するようにしている。
【００４７】
上述の処理条件下でウエハ２００に対してＢＤＥＡＳガスと一緒にＮＨ３ガスを供給することにより、ＢＤＥＡＳガスの熱分解により生じた複数の中間体のうち一部の中間体にＮＨ３ガスを衝突させ、その一部の中間体を失活化させることが可能となる。すなわち、その一部の中間体を構成する元素、例えば、未結合手を有するＳｉに、ＮＨ３ガスのＮを結合させることが可能となる。図７（ａ）や図７（ｂ）に例示するように、ＮＨ３ガスに衝突して反応した中間体は、未結合手を有さず、ウエハ２００の表面に吸着しにくい物質に変化する。本明細書では、ＮＨ３ガスと反応することで未結合手を失い活性度が低下した状態となった中間体を、失活体とも称する。失活体は、活性度が低下する前の中間体よりも、ウエハ２００の表面に吸着しにくい状態、すなわち、第１層の形成に対する寄与が低下した状態となり、排気管２３１から排出（除去）される。また、このとき、複数の中間体のうち一部の中間体以外の他の一部の中間体、すなわち、ＮＨ３ガスが衝突することなく失活化しなかった中間体をウエハ２００の表面に吸着させることが可能となる。
【００４８】
このように、上述の処理条件下でＢＤＥＡＳガスと一緒にＮＨ３ガスを供給することにより、ＢＤＥＡＳガスの熱分解により生じた活性な中間体のうち一部の中間体の状態を、ウエハ２００の表面に吸着しにくい活性度が低下した状態に変化させる（失活化させる）ことが可能となる。すなわち、ウエハ２００上への中間体（原料）の吸着確率を低下させることが可能となる。これにより、第１層の形成に寄与することができる中間体（原料）の量を適正に減少させ、中間体（原料）の供給律速の度合いを適正に弱めることが可能となる。その結果、ウエハ２００に対して供給されるＢＤＥＡＳガスのうち一部のＢＤＥＡＳガスを、第１層の形成に寄与させることなく、排気管２３１から排出（除去）することが可能となる。結果として、ウエハ２００上に形成されるＳｉＯＣＮ膜の段差被覆性を向上させたり、ウエハ面内膜厚均一性を向上させたり、膜厚制御性を向上させたりすることが可能となる。
【００４９】
なお、上述の効果を効率よく得るには、ステップ１を、ＢＤＥＡＳガスの熱分解により生じた活性な中間体がウエハ２００の表面に衝突する前に、ＮＨ３ガスと衝突する条件下で行うことが好ましい。すなわち、ステップ１を、上述の中間体のうち一部がウエハ２００の表面に衝突する前に、ウエハ２００の表面に吸着しにくい状態に変化する条件下で行うことが好ましい。
【００５０】
言い換えると、上述の効果を効率よく得るには、ステップ１を、ＢＤＥＡＳガスの熱分解により生じた活性な中間体とＮＨ３ガスとが衝突する平均自由行程λが、ウエハ２００の表面から最も近い位置にある中間体が吸着する物体とウエハ２００の表面との間の距離（間隔）よりも小さくなる条件下で行うことが好ましい。すなわち、ステップ１を、上述の中間体とＮＨ３とが衝突する平均自由行程λが、隣接するウエハ２００間の距離（間隔）、すなわち、ウエハピッチよりも小さくなる条件下で行うことが好ましい。上述の平均自由行程λは、ボルツマン定数をｋ、処理温度をＴ、処理圧力をＰ、分子半径ｒより定まる衝突断面積をσ（＝４πｒ２）としたとき、λ＝ｋＴ／（２１／２・Ｐσ）の式を用いて求めることが可能である。
【００５１】
なお、ＢＤＥＡＳガスと一緒に供給するＮＨ３ガスは、中間体との反応等により消費される。そのため、ステップ１におけるＮＨ３ガスの供給流量は、中間体との反応等による消費を考慮し、ＢＤＥＡＳガス供給流量の４倍以上３０倍以下、好ましくは１０倍以上２０倍以下の流量とするのが望ましい。ＮＨ３ガスの供給流量をこのような範囲内の所定の流量とすることにより、上述の効果がより効率よく得られるようになる。
【００５２】
ウエハ２００上に第１層を形成した後、バルブ２４３ａ，２４３ｂを閉じ、処理室２０１内へのＢＤＥＡＳガス、ＮＨ３ガスの供給をそれぞれ停止する。そして、処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内に残留するガス等を処理室２０１内から排除する。このとき、バルブ２４３ｃ，２４３ｄを開き、処理室２０１内へＮ２ガスを供給する。Ｎ２ガスはパージガスとして作用する。
【００５３】
原料としては、ＢＤＥＡＳガスの他、ビス（ターシャリブチルアミノ）シラン（ＳｉＨ２［ＮＨ（Ｃ４Ｈ９）］２、略称：ＢＴＢＡＳ）ガス、ビス（ジエチルピペリジノ）シラン（ＳｉＨ２［ＮＣ５Ｈ８（Ｃ２Ｈ５）２］２、略称：ＢＤＥＰＳ）ガス等のジアミノシランガスを用いることができる。また、原料ガスとしては、（エチルメチルアミノ）シラン（ＳｉＨ３［Ｎ（ＣＨ３）（Ｃ２Ｈ５）］、略称：ＥＭＡＳ）ガス、（ジメチルアミノ）シラン（ＳｉＨ３［Ｎ（ＣＨ３）２］、略称：ＤＭＡＳ）ガス等のモノアミノシランガスや、トリスジメチルアミノシラン（ＳｉＨ［Ｎ（ＣＨ３）２］３、略称：３ＤＭＡＳ）ガス、トリス（ジエチルアミノ）シラン（ＳｉＨ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］３、略称：３ＤＥＡＳ）ガス等のトリアミノシランガスを用いることもできる。これらのガスは、Ｓｉ−Ｎ結合とＳｉ−Ｈ結合とを有しアミノ基を含むハロゲン非含有のガスである。これらの物質を原料として用いると、中間体の表面反応律速よりも、中間体の供給律速の方が優勢となる状況下で、第１層の形成が進行する場合があるが、この場合に、上述した失活剤の作用により、原料が熱分解することで生成される活性な中間体を失活化させ、中間体の供給律速の度合いを適正に低減させることが可能となる。結果として、ウエハ２００上に形成された膜の段差被覆性を向上させる等の上述の効果が得られるようになる。
【００５４】
失活剤としては、ＮＨ３ガスの他、トリエチルアミン（（Ｃ２Ｈ５）３Ｎ、略称：ＴＥＡ）ガス、ジエチルアミン（（Ｃ２Ｈ５）２ＮＨ、略称：ＤＥＡ）ガス、モノエチルアミン（Ｃ２Ｈ５ＮＨ２、略称：ＭＥＡ）ガス等のエチルアミン系ガスや、トリメチルアミン（（ＣＨ３）３Ｎ、略称：ＴＭＡ）ガス、ジメチルアミン（（ＣＨ３）２ＮＨ、略称：ＤＭＡ）ガス、モノメチルアミン（ＣＨ３ＮＨ２、略称：ＭＭＡ）ガス等のメチルアミン系ガスや、トリプロピルアミン（（Ｃ３Ｈ７）３Ｎ、略称：ＴＰＡ）ガス、ジプロピルアミン（（Ｃ３Ｈ７）２ＮＨ、略称：ＤＰＡ）ガス、モノプロピルアミン（Ｃ３Ｈ７ＮＨ２、略称：ＭＰＡ）ガス等のプロピルアミン系ガスや、トリイソプロピルアミン（［（ＣＨ３）２ＣＨ］３Ｎ、略称：ＴＩＰＡ）ガス、ジイソプロピルアミン（［（ＣＨ３）２ＣＨ］２ＮＨ、略称：ＤＩＰＡ）ガス、モノイソプロピルアミン（（ＣＨ３）２ＣＨＮＨ２、略称：ＭＩＰＡ）ガス等のイソプロピルアミン系ガスや、トリブチルアミン（（Ｃ４Ｈ９）３Ｎ、略称：ＴＢＡ）ガス、ジブチルアミン（（Ｃ４Ｈ９）２ＮＨ、略称：ＤＢＡ）ガス、モノブチルアミン（Ｃ４Ｈ９ＮＨ２、略称：ＭＢＡ）ガス等のブチルアミン系ガスや、トリイソブチルアミン（［（ＣＨ３）２ＣＨＣＨ２］３Ｎ、略称：ＴＩＢＡ）ガス、ジイソブチルアミン（［（ＣＨ３）２ＣＨＣＨ２］２ＮＨ、略称：ＤＩＢＡ）ガス、モノイソブチルアミン（（ＣＨ３）２ＣＨＣＨ２ＮＨ２、略称：ＭＩＢＡ）ガス等のイソブチルアミン系ガスを用いることができる。これらのガスは、一般式ＮＲ３（ここでいうＲは、水素原子、または、上述の各種アルキル基）で表されるＮ含有ガスであり、上述の各種原料が熱分解することで生成される活性な中間体のうち一部の中間体を失活化させ、ウエハ２００の表面に吸着しにくい失活体に変化させるように作用する。
【００５５】
不活性ガスとしては、Ｎ２ガスの他、例えば、Ａｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｘｅガス等の希ガスを用いることができる。この点は、後述するステップ２においても同様である。
【００５６】
［ステップ２］
ステップ１が終了した後、処理室２０１内のウエハ２００、すなわち、ウエハ２００上に形成された第１層に対してＯ２ガスを供給する。具体的には、バルブ２４３ｂ〜２４３ｄの開閉制御を、ステップ１におけるバルブ２４３ａ，２４３ｃ，２４３ｄの開閉制御と同様の手順で行う。Ｏ２ガスは、ＭＦＣ２４１ｂにより流量調整され、ノズル２４９ｂを介して処理室２０１内へ供給され、排気管２３１から排気される。このとき、ウエハ２００に対してＯ２ガスが供給される。
【００５７】
本ステップにおける処理条件としては、
処理圧力：１３３〜３９９９Ｐａ
Ｏ２ガス供給流量：１０００〜１００００ｓｃｃｍ
ガス供給時間：１〜１２０秒
が例示される。処理温度等の他の処理条件は、ステップ１における処理条件と同様とする。
【００５８】
上述の条件下でウエハ２００に対してＯ２ガスを供給することにより、ステップ１でウエハ２００上に形成された第１層の少なくとも一部を改質（酸化）させることができる。それにより、第１層中からＨ等を脱離させると共に、Ｏ２ガスに含まれるＯ成分を第１層中に取り込ませることが可能となる。第１層が酸化されることで、ウエハ２００上に、第２層として、Ｓｉ、Ｏ、Ｃ、およびＮを含む層であるシリコン酸炭窒化層（ＳｉＯＣＮ層）が形成される。
【００５９】
ウエハ２００上に第２層を形成した後、バルブ２４３ｂを閉じ、処理室２０１内へのＯ２ガスの供給を停止する。そして、ステップ１と同様の処理手順により、処理室２０１内に残留するガス等を処理室２０１内から排除する。
【００６０】
酸化剤としては、Ｏ２ガスの他、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）ガス、一酸化窒素（ＮＯ）ガス、二酸化窒素（ＮＯ２）ガス、一酸化炭素（ＣＯ）ガス、二酸化炭素（ＣＯ２）ガス、オゾン（Ｏ３）ガス、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）ガス、水蒸気（Ｈ２Ｏガス）、Ｏ２ガス＋水素（Ｈ２）ガス等を用いることができる。
【００６１】
［所定回数実施］
ステップ１，２を非同時に、すなわち、同期させることなく交互に行うサイクルを所定回数（ｎ回、ｎは１以上の整数）行うことにより、ウエハ２００上に、所定組成および所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜を形成することが可能となる。上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。すなわち、１サイクルあたりに形成される第２層の厚さを所望の膜厚よりも薄くし、第２層を積層することで形成される膜の膜厚が所望の膜厚になるまで、上述のサイクルを複数回繰り返すのが好ましい。
【００６２】
（アフターパージおよび大気圧復帰）
成膜ステップが終了した後、ガス供給管２３２ｃ，２３２ｄのそれぞれからＮ２ガスを処理室２０１内へ供給し、排気管２３１から排気する。これにより、処理室２０１内がパージされ、処理室２０１内に残留するガスや反応副生成物等が処理室２０１内から除去される（アフターパージ）。その後、処理室２０１内の雰囲気が不活性ガスに置換され（不活性ガス置換）、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される（大気圧復帰）。
【００６３】
（ボートアンロードおよびウエハディスチャージ）
その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降され、反応管２０３の下端が開口される。そして、処理済のウエハ２００が、ボート２１７に支持された状態で、反応管２０３の下端から反応管２０３の外部に搬出される（ボートアンロード）。処理済のウエハ２００は、ボート２１７より取出される（ウエハディスチャージ）。
【００６４】
（３）本実施形態による効果
本実施形態によれば、以下に示す一つ又は複数の効果が得られる。
【００６５】
（ａ）ステップ１において、ＢＤＥＡＳガスを、ＢＤＥＡＳガスが処理室２０１内に単独で存在した場合にＢＤＥＡＳガスが熱分解する条件下で、ウエハ２００に対して供給することにより、活性な中間体を生成することが可能となる。これにより、ウエハ２００上への第１層の形成を、効率的に進行させることが可能となり、ウエハ２００上へのＳｉＯＣＮ膜の形成を、実用的なレートで進行させることが可能となる。
【００６６】
（ｂ）ステップ１において、ＢＤＥＡＳガスが処理室２０１内に単独で存在した場合にＢＤＥＡＳガスが熱分解する条件下で、すなわち、ＢＤＥＡＳガスの熱分解が生じるような比較的高い温度条件下で成膜処理を行うことにより、ウエハ２００上に形成されるＳｉＯＣＮ膜を、不純物が少なく、アッシング耐性やエッチング耐性に優れた良質な膜とすることが可能となる。
【００６７】
（ｃ）ステップ１において、ウエハ２００に対してＢＤＥＡＳガスと一緒にＮＨ３ガスを供給することにより、ＢＤＥＡＳガスの熱分解により生じた活性な中間体のうち一部の中間体を、失活体に変化させることが可能となる。これにより、中間体の表面反応律速よりも中間体の供給律速の方が優勢となる状況下であっても、更には、中間体の表面反応律速ではなく中間体の供給律速となる状況下であっても、中間体の供給律速の度合いを適正に弱めることが可能となる。結果として、ウエハ２００上に形成されるＳｉＯＣＮ膜の段差被覆性を向上させたり、ウエハ面内膜厚均一性を向上させたり、膜厚制御性を向上させたりすることが可能となる。このような成膜手法は、成膜処理の下地面が、ラインアンドスペース形状、ホール形状、フィン形状等の３Ｄ構造を有する場合に特に有効である。
【００６８】
なお、ステップ１を、ＢＤＥＡＳガスの熱分解により生じた活性な中間体のうち一部の中間体がウエハ２００の表面に衝突する前にＮＨ３ガスと衝突し、上述の活性な中間体のうち残りの中間体がウエハ２００の表面に衝突する条件下で行うことにより、中間体の供給律速の度合いを弱めることによる上述の効果が、より確実に得られるようになる。すなわち、ステップ１を、ＢＤＥＡＳガスの熱分解により生じた活性な中間体とＮＨ３ガスとが衝突する平均自由行程λがウエハピッチよりも小さくなる条件下で行うことにより、ウエハ２００への中間体の吸着確率を適正に低減させ、ウエハ２００上に形成されるＳｉＯＣＮ膜の段差被覆性を向上させる等の上述の効果が、より確実に得られるようになる。
【００６９】
（ｄ）ステップ１，２を非同時に所定回数行う交互供給法を採用することにより、ステップ１，２を同時に所定回数行う同時供給法を採用する場合に比べ、ウエハ２００上に形成されるＳｉＯＣＮ膜の段差被覆性、面内膜厚均一性、膜厚制御性等を、さらに向上させることが可能となる。
【００７０】
（ｅ）原料としてＣｌ非含有のＢＤＥＡＳガスを用いることにより、ウエハ２００上に形成されるＳｉＯＣＮ膜中へのＣｌの混入を回避することが可能となる。これにより、ウエハ２００上に形成されるＳｉＯＣＮ膜を、例えば、アッシング耐性やエッチング耐性に優れた良質な膜とすることが可能となる。
【００７１】
（ｆ）上述の効果は、ＢＤＥＡＳガス以外の上述の原料を用いる場合や、ＮＨ３ガス以外の上述の失活剤を用いる場合や、Ｏ２ガス以外の上述の酸化剤を用いる場合や、Ｎ２ガス以外の上述の不活性ガスを用いる場合にも、同様に得ることができる。
【００７２】
＜他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００７３】
例えば、上述の実施形態では、ステップ１，２をこの順に行う例、すなわち、原料を供給した後に反応体を供給する例について説明した。しかしながら、本発明はこのような態様に限定されず、原料、反応体の供給順序は逆でもよい。すなわち、反応体を供給した後に原料を供給するようにしてもよい。供給順序を変えることにより、形成される膜の膜質や組成比を変化させることが可能となる。
【００７４】
また例えば、上述の実施形態では、ステップ１，２を非同時に行うサイクルを所定回数行うことにより、ウエハ２００上にＳｉＯＣＮ膜を形成する例について説明したが、ステップ２を省略してもよい。すなわち、ステップ１を所定回数（１回または複数回）行うことにより、ウエハ２００上に、Ｓｉ、Ｃ、およびＮを含む膜として、シリコン炭窒化膜（ＳｉＣＮ膜）を形成するようにしてもよい。ステップ１を行う際、ＢＤＥＡＳガス等の上述の原料を、原料が処理室２０１内に単独で存在した場合に原料が熱分解する条件下で、ウエハ２００に対して供給する。これにより、ウエハ２００上への第１層の形成を効率的に進行させ、ウエハ２００上への膜の形成を、実用的なレートで進行させることが可能となる。また、ステップ１を行う際、ＮＨ３ガス等の上述の失活剤を原料と一緒にウエハ２００に対して供給する。これにより、中間体の表面反応律速よりも中間体の供給律速の方が優勢となる状況下であっても、中間体の供給律速の度合いを適正に弱めることができ、ウエハ２００上に形成される膜の段差被覆性を向上させる等の上述の効果が得られるようになる。
【００７５】
基板処理に用いられるレシピは、処理内容に応じて個別に用意し、電気通信回線や外部記憶装置１２３を介して記憶装置１２１ｃ内に格納しておくことが好ましい。そして、基板処理を開始する際、ＣＰＵ１２１ａが、記憶装置１２１ｃ内に格納された複数のレシピの中から、処理内容に応じて適正なレシピを適宜選択することが好ましい。これにより、１台の基板処理装置で様々な膜種、組成比、膜質、膜厚の膜を、再現性よく形成することができるようになる。また、オペレータの負担を低減でき、操作ミスを回避しつつ、基板処理を迅速に開始できるようになる。
【００７６】
上述のレシピは、新たに作成する場合に限らず、例えば、基板処理装置に既にインストールされていた既存のレシピを変更することで用意してもよい。レシピを変更する場合は、変更後のレシピを、電気通信回線や当該レシピを記録した記録媒体を介して、基板処理装置にインストールしてもよい。また、既存の基板処理装置が備える入出力装置１２２を操作し、基板処理装置に既にインストールされていた既存のレシピを直接変更してもよい。
【００７７】
上述の実施形態では、一度に複数枚の基板を処理するバッチ式の基板処理装置を用いて膜を形成する例について説明した。本発明は上述の実施形態に限定されず、例えば、一度に１枚または数枚の基板を処理する枚葉式の基板処理装置を用いて膜を形成する場合にも、好適に適用できる。また、上述の実施形態では、ホットウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて膜を形成する例について説明した。本発明は上述の実施形態に限定されず、コールドウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて膜を形成する場合にも、好適に適用できる。
【００７８】
これらの基板処理装置を用いる場合においても、上述の実施形態と同様な処理手順、処理条件にて成膜処理を行うことができ、上述の実施形態と同様の効果が得られる。
【００７９】
また、上述の実施形態や他の実施形態等は、適宜組み合わせて用いることができる。このときの処理手順、処理条件は、例えば、上述の実施形態の処理手順、処理条件と同様とすることができる。
【実施例】
【００８０】
実施例として、図１に示す基板処理装置を用い、図４に示す成膜シーケンスにより、ウエハ上にＳｉＯＣＮ膜を形成した。ステップ１を実施する際、ウエハに対してＢＤＥＡＳガスと一緒に失活剤としてＮＨ３ガスを供給した。ステップ１，２における処理条件は、それぞれ、上述の実施形態に記載の処理条件範囲内の所定の条件とした。【００８１】
比較例として、図１に示す基板処理装置を用い、ウエハに対してＢＤＥＡＳガスを供給するステップと、ウエハに対してＯ２ガスを供給するステップと、を交互に行うサイクルを所定回数行うことにより、ウエハ上にＳｉＯＣＮ膜を形成した。ＢＤＥＡＳガスを供給するステップでは、ウエハに対するＮＨ３ガスの供給を不実施とし、ＢＤＥＡＳガスを単体で供給した。この点を除き、比較例における処理手順および処理条件は、実施例におけるそれらと同様とした。【００８２】
参考例として、図１に示す基板処理装置を用い、ウエハに対してＢＤＥＡＳガスを供給するステップと、ウエハに対してＯ２ガスを供給するステップと、を交互に行うサイクルを所定回数行うことにより、ウエハ上にＳｉＯＣＮ膜を形成した。ＢＤＥＡＳガスを供給するステップを実施する際、ウエハに対してＢＤＥＡＳガスと一緒にＨ２ガスを供給した。Ｈ２ガスの供給流量は、実施例におけるＮＨ３ガスの供給流量と同様とした。この点を除き、参考例における処理手順および処理条件は、実施例におけるそれらと同様とした。【００８３】
そして、実施例、比較例、参考例のＳｉＯＣＮ膜の段差被覆性（ステップカバレッジ特性、以下、Ｓ／Ｃとも称する）をそれぞれ測定した。Ｓ／Ｃは、その値が大きいほど段差被覆性が良好であることを意味する。測定の結果、これらの膜のＳ／Ｃは、実施例、比較例、参考例の順に、８６％、７５％、６８％であることが分かった。すなわち、ウエハに対してＢＤＥＡＳガスを供給する際、失活剤として作用するＮＨ３ガスをＢＤＥＡＳガスと一緒に供給した実施例では、ＮＨ３ガスの供給を不実施とした比較例および参考例よりも、ウエハ上に形成される膜のＳ／Ｃを向上させることが可能となることが分かった。また、ウエハに対してＢＤＥＡＳガスを供給する際、Ｈ２ガスをＢＤＥＡＳガスと一緒に供給した参考例では、ウエハに対してＢＤＥＡＳガスを単独で供給した比較例よりも、ウエハ上に形成される膜のＳ／Ｃが低下することが分かった。
【符号の説明】
【００８４】
２００    ウエハ（基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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