(57)【要約】  陰極、陽極、及び該陰極と該陽極の間に存在する有機層とを含有し、該有機層が蛍光発光層を含み、該蛍光発光層が第１化合物、該第１化合物よりも大きい正孔移動度を有する第２化合物、及び蛍光スペクトルの半値幅が３０ｎｍ以下のドーパント材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、陰極、陽極、及び該陰極と該陽極の間に存在する有機層とを含有し、該有機層が蛍光発光層を含み、該蛍光発光層が第１化合物、該第１化合物よりも大きいアフィニティを有する第３化合物、及び蛍光スペクトルの半値幅が３０ｎｍ以下のドーパント材料を含有し、かつ、該第３化合物の蛍光発光層中の含有量が、該第１化合物の蛍光発光層中の含有量より少ない有機エレクトロルミネッセンス素子は優れた性能を示す。【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極、陽極、及び該陰極と該陽極の間に存在する有機層とを含有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該有機層は蛍光発光層を含み、該蛍光発光層が、
第１化合物、
該第１化合物よりも大きい正孔移動度を有する第２化合物、及び
蛍光スペクトルの半値幅が３０ｎｍ以下のドーパント材料
を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
前記第２化合物の蛍光発光層中の含有量が、前記第１化合物の蛍光発光層中の含有量以下である請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記第２化合物の蛍光発光層中の含有量が第１化合物、第２化合物及びドーパント材料の合計量に対して３０質量％以下である請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記ドーパント材料の蛍光発光層中の含有量が第１化合物、第２化合物及びドーパント材料の合計量に対して１０質量％以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
前記第２化合物が下記式（２ａ）、（２ｂ）、及び（２ｃ）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種である請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１】
2018186396.tif 000177
（式中、
Ａｒ１１、Ａｒ２２、及びＡｒ３３は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基である。
Ｌ１１、Ｌ２２、及びＬ３３は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリーレン基である。
ｐ、ｑ、及びｒは、それぞれ独立に、０、１、又は２であり、ｐが０のときＬ１１は単結合であり、ｑが０のときＬ２２は単結合であり、ｒが０のときＬ３３は単結合である。）
【化２】
2018186396.tif 000178
（式中、
Ｒ７１〜Ｒ７８から選ばれる１つは＊ａに結合する単結合であり、Ｒ８１〜Ｒ８８から選ばれる１つは＊ｂに結合する単結合であり、
前記単結合ではないＲ７１〜Ｒ７８及びＲ８１〜Ｒ８８は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基である。
前記単結合ではないＲ７１〜Ｒ７４から選ばれる隣接する２つ、前記単結合ではないＲ７５〜Ｒ７８から選ばれる隣接する２つ、前記単結合ではないＲ８１〜Ｒ８４から選ばれる隣接する２つ、及び前記単結合ではないＲ８５〜Ｒ８８から選ばれる隣接する２つは互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成してもよい。
Ａｒ４４及びＡｒ５５は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基である。
Ｌ４４、Ｌ５５及びＬ６６は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリーレン基である。
ｍ４、ｍ５、及びｍ６は、それぞれ独立に、０、１、又は２であり、ｍ４が０のときＬ４４は単結合であり、ｍ５が０のときＬ５５は単結合であり、ｍ６が０のときＬ６６は単結合である。）
（Ａｒ８０）（Ａｒ８１）Ｎ−（Ｌ８０）−Ｎ（Ａｒ８２）（Ａｒ８３）            （２ｃ）
（式中、
Ａｒ８０〜Ａｒ８３は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基である。
Ｌ８０は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリーレン基である。）
【請求項６】
陰極、陽極、及び該陰極と該陽極の間に存在する有機層とを含有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該有機層は蛍光発光層を含み、該蛍光発光層が、
第１化合物、
該第１化合物よりも大きいアフィニティを有する第３化合物、及び
蛍光スペクトルの半値幅が３０ｎｍ以下のドーパント材料
を含有し、
該第３化合物の蛍光発光層中の含有量が、該第１化合物の蛍光発光層中の含有量より少ない有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
前記第３化合物の蛍光発光層中の含有量が第１化合物、第３化合物及びドーパント材料の合計量に対して３０質量％以下である請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
前記ドーパント材料の蛍光発光層中の含有量が第１化合物、第３化合物及びドーパント材料の合計量に対して１０質量％以下である請求項６又は７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
前記第３化合物が下記式（３ａ）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種である請求項６〜８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化３】
2018186396.tif 000179
（式中、
Ｌ７７は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリーレン基である。
Ａｒ６６は環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環又は環形成原子数５〜５０の芳香族複素環の２〜４価の残基であり、置換基を有していてもよい。
ｍ１１は０、１、又は２であり、ｍ１１が０のときＬ７７は単結合であり、ｍ１１が２のとき２個のＬ７７は同一でも異なっていてもよい。
ｍ２２は０又は１であり、ｍ２２が０のときＡ１−（Ｌ７７）ｍ１１−は存在せず、水素原子がＡ２に結合する。
ｍ３３は０、１、２、又は３であり、ｍ３３が０のときＡｒ６６は単結合であり、ｍ３３が２又は３のとき２又は３個のＡｒ６６は同一でも異なっていてもよい。
ｍ４４は０、１、２、又は３であり、ｍ４４が０のときＣＮは存在せず、水素原子がＡ６６に結合する。
ｍ５５は１、２、又は３であり、ｍ５５が２又は３のとき、２又は３個の−（Ａｒ６６）ｍ３３−（ＣＮ）ｍ５５は同一でも異なっていてもよい。
Ａ１は下記式（Ａ−１）〜（Ａ−１２）から選ばれる１価の基である。
Ａ２は下記式（Ａ−１）〜（Ａ−１２）から選ばれる２〜４価の基である。
【化４】
2018186396.tif 000180
（式中、
Ｒ１〜Ｒ１２から選ばれる１つ、Ｒ２１〜Ｒ３０から選ばれる１つ、Ｒ３１〜Ｒ４０から選ばれる１つ、Ｒ４１〜Ｒ５０から選ばれる１つ、Ｒ５１〜Ｒ６０から選ばれる１つ、Ｒ６１〜Ｒ７２から選ばれる１つ、Ｒ７３〜Ｒ８６から選ばれる１つ、Ｒ８７〜Ｒ９４から選ばれる１つ、Ｒ９５〜Ｒ１０４から選ばれる１つ、Ｒ１０５〜Ｒｌ１４から選ばれる１つ、Ｒ１１５〜Ｒ１２４から選ばれる１つ、及びＲ１２５〜Ｒ１３４から選ばれる１つはＬ７７に結合する単結合である。
又は、Ｒ１〜Ｒ１２から選ばれる２〜４個、Ｒ２１〜Ｒ３０から選ばれる２〜４個、Ｒ３１〜Ｒ４０から選ばれる２〜４個、Ｒ４１〜Ｒ５０から選ばれる２〜４個、Ｒ５１〜Ｒ６０から選ばれる２〜４個、Ｒ６１〜Ｒ７２から選ばれる２〜４個、Ｒ７３〜Ｒ８６から選ばれる２〜４個、Ｒ８７〜Ｒ９４から選ばれる２〜４個、Ｒ９５〜Ｒ１０４から選ばれる２〜４個、Ｒ１０５〜Ｒｌ１４から選ばれる２〜４個、Ｒ１１５〜Ｒ１２４から選ばれる２〜４個、及びＲ１２５〜Ｒ１３４から選ばれる２〜４個のうちの１つはＬ７７に結合する単結合であり、他はＡｒ６６に結合する単結合である。
前記単結合ではないＲ１〜Ｒ１２、Ｒ２１〜Ｒ３０、Ｒ３１〜Ｒ４０、Ｒ４１〜Ｒ５０、Ｒ５１〜Ｒ６０、Ｒ６１〜Ｒ７２、Ｒ７３〜Ｒ８６、Ｒ８７〜Ｒ９４、Ｒ９５〜Ｒ１０４、Ｒ１０５〜Ｒｌ１４、Ｒ１１５〜Ｒ１２４、及びＲ１２５〜Ｒ１３４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシク口アルキル基、−Ｓｉ（Ｒ１０１）（Ｒ１０２）（Ｒ１０３）で表される基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基である。
前記単結合ではないＲ１〜Ｒ１２、Ｒ２１〜Ｒ３０、Ｒ３１〜Ｒ４０、Ｒ４１〜Ｒ５０、Ｒ５１〜Ｒ６０、Ｒ６１〜Ｒ７２、Ｒ７３〜Ｒ８６、Ｒ８７〜Ｒ９４、Ｒ９５〜Ｒ１０４、Ｒ１０５〜Ｒｌ１４、Ｒ１１５〜Ｒ１２４、及びＲ１２５〜Ｒ１３４から選ばれる隣接する２つは互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成してもよい。
Ｒ１０１、Ｒ１０２、及びＲ１０３は前記と同様である。））
【請求項１０】
前記ドーパント材料が下記式（Ｄ１）で表される化合物及び下記式（Ｄ２）で表される化合物から選ばれる１種以上である請求項１〜９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化５】
2018186396.tif 000181
（式中、
Ｚは、ＣＲＡ又はＮである。
環π１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の芳香族複素環である。
環π２は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の芳香族複素環である。
ＲＡ、ＲＢ及びＲＣは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、該置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキニル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、アミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールチオ基、−Ｓｉ（Ｒ１０１）（Ｒ１０２）（Ｒ１０３）で表される基、−Ｎ（Ｒ１０４）（Ｒ１０５）で表される基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基である。
Ｒ１０１〜Ｒ１０５は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基である。
ｎ及びｍは、それぞれ独立に、１〜４の整数である。
隣接する２つのＲＡは互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成してもよいし、互いに結合することなく、環構造を形成しなくてもよい。
隣接する２つのＲＢは互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成してもよいし、互いに結合することなく、環を形成しなくてもよい。
隣接する２つのＲＣは互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成してもよいし、互いに結合することなく、環構造を形成しなくてもよい。）
【化６】
2018186396.tif 000182
（式中、
環α、環β、及び環γは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の芳香族複素環である。
Ｒａ及びＲｂは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基である。
Ｒａは環α及び環βの一方又は双方に、直接又は連結基を介して結合してもよい。
Ｒｂは環α及び環γの一方又は双方に、直接又は連結基を介して結合してもよい。）
【請求項１１】
前記式（Ｄ１）で表されるドーパント材料が、下記式（Ｄ１ａ）で表される化合物を含む請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化７】
2018186396.tif 000183
（式中、
Ｚ１はＣＲ１又はＮ、Ｚ２はＣＲ２又はＮ、Ｚ３はＣＲ３又はＮ、Ｚ４はＣＲ４又はＮ、Ｚ５はＣＲ５又はＮ、Ｚ６はＣＲ６又はＮ、Ｚ７はＣＲ７又はＮ、Ｚ８はＣＲ８又はＮ、Ｚ９はＣＲ９又はＮ、Ｚ１０はＣＲ１０又はＮ、Ｚ１１はＣＲ１１又はＮである。
Ｒ１〜Ｒ１１は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、該置換基はＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記置換基と同じである。
Ｒ１〜Ｒ３から選ばれる隣接する２つは互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成してもよいし、互いに結合することなく環構造を形成しなくてもよい。
Ｒ４〜Ｒ７から選ばれる隣接する２つは互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成してもよいし、互いに結合することなく環構造を形成しなくてもよい。
Ｒ８〜Ｒ１１から選ばれる隣接する２つは互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成してもよいし、互いに結合することなく環構造を形成しなくてもよい。）
【請求項１２】
前記式（Ｄ１）で表されるドーパント材料が、下記式（１）で表される化合物を含む請求項１０又は１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化８】
2018186396.tif 000184
（式中、
ＲｎとＲｎ＋１（ｎは１、２、４〜６、及び８〜１０から選ばれる整数を表す）は互いに結合して、ＲｎとＲｎ＋１が結合する２つの環形成炭素原子と共に置換もしくは無置換の環形成原子数３以上の環構造を形成してもよく、又はＲｎとＲｎ＋１は互いに結合することなく環構造を形成しなくてもよい。
前記環形成原子は炭素原子、酸素原子、硫黄原子、及び窒素原子から選ばれる。
該環形成原子数３以上の環構造の任意の置換基はＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記置換基と同じであり、隣接する２つの任意の置換基は互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成してもよい。
前記置換もしくは無置換の環形成原子数３以上の環構造を形成しないＲ１〜Ｒ１１は前記と同じである。）
【請求項１３】
前記置換もしくは無置換の環形成原子数３以上の環構造が下記式（２）〜（８）から選ばれる請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化９】
2018186396.tif 000185
（式中、
＊１と＊２、＊３と＊４、＊５と＊６、＊７と＊８、＊９と＊１０、＊１１と＊１２、及び＊１３と＊１４のそれぞれは、ＲｎとＲｎ＋１が結合する前記２つの環形成炭素原子を表し、Ｒｎは前記２つの環形成炭素原子のどちらに結合してもよい。
ＸはＣ（Ｒ２３）（Ｒ２４）、ＮＲ２５、Ｏ、及びＳから選ばれる。
Ｒ１２〜Ｒ２５は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基はＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記置換基と同じである。
Ｒ１２〜Ｒ１５から選ばれる隣接する２つ、Ｒ１６とＲ１７、及びＲ２３とＲ２４は互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成してもよい。）
【請求項１４】
前記置換もしくは無置換の環形成原子数３以上の環構造が、下記式（９）〜（１１）から選ばれる請求項１２又は１３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１０】
2018186396.tif 000186
（式中、
＊１と＊２及び＊３と＊４は前記と同じである。
Ｒ１２、Ｒ１４、Ｒ１５、及びＸは前記と同じであり、Ｒ３１〜Ｒ３８及びＲ４１〜Ｒ４４は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基はＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記置換基と同じである。
Ｒ１２、Ｒ１５、及びＲ３１〜Ｒ３４から選ばれる隣接する２つ、Ｒ１４、Ｒ１５、及びＲ３５〜Ｒ３８から選ばれる隣接する２つ、及びＲ４１〜Ｒ４４から選ばれる隣接する２つは互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成してもよい。）
【請求項１５】
式（１）において、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ１０及びＲ１１の少なくとも１つが前記置換もしくは無置換の環形成原子数３以上の環構造を形成しない請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１６】
式（１）において、前記環形成原子数３以上の環構造の任意の置換基が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、−Ｎ（Ｒ１０４）（Ｒ１０５）で表される基（Ｒ１０４及びＲ１０５は前記と同じ）、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基、又は下記の群から選択される基のいずれかである請求項１２〜１５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１１】
2018186396.tif 000187
（式中、
各Ｒｃは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基はＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記置換基と同じである。
Ｘは前記と同じである。
ｐ１は０〜５の整数、ｐ２は０〜４の整数、ｐ３は０〜３の整数、ｐ４は０〜７の整数である。）
【請求項１７】
式（１）において、前記置換もしくは無置換の環形成原子数３以上の環構造を形成しないＲ１〜Ｒ１１が、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、−Ｎ（Ｒ１０４）（Ｒ１０５）で表される基（Ｒ１０４及びＲ１０５は前記と同じ）、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基、又は下記の群から選択される基のいずれかである請求項１２〜１６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１２】
2018186396.tif 000188
（式中、
各Ｒｃは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基はＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記置換基と同じである。
Ｘは前記と同じである。
ｐ１は０〜５の整数、ｐ２は０〜４の整数、ｐ３は０〜３の整数、ｐ４は０〜７の整数である。）
【請求項１８】
式（２）〜（１１）において、Ｒ１２〜Ｒ２２、Ｒ３１〜Ｒ３８及びＲ４１〜Ｒ４４が、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、−Ｎ（Ｒ１０４）（Ｒ１０５）で表される基（Ｒ１０４及びＲ１０５は前記と同じ）、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基、又は下記の群から選択される基のいずれかである、請求項１３〜１７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１３】
2018186396.tif 000189
（式中、
各Ｒｃは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基はＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記置換基と同じである。
Ｘは前記と同じである。
ｐ１は０〜５の整数、ｐ２は０〜４の整数、ｐ３は０〜３の整数、ｐ４は０〜７の整数である。）
【請求項１９】
前記式（１）で表されるドーパント材料が、下記式（１−１）〜（１−３）及び（１−５）のいずれかで表される化合物を含む請求項１２〜１８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１４】
2018186396.tif 000190
（式中、
Ｒ１〜Ｒ１１は前記と同じである。
環ａ〜ｆは、それぞれ独立に、前記置換もしくは無置換の環形成原子数３以上の環構造である。）
【請求項２０】
前記式（１）で表されるドーパント材料が、下記式（２−２）及び（２−５）のいずれかで表される化合物を含む請求項１２〜１８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１５】
2018186396.tif 000191
（式中、
Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４及びＲ７〜Ｒ１１は前記と同じである。
環ｂ及びｇ〜ｈは、それぞれ独立に、前記置換もしくは無置換の環形成原子数３以上の環構造である。）
【請求項２１】
前記式（１）で表されるドーパント材料が、下記式（３−１）で表される化合物を含む請求項１２〜１８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１６】
2018186396.tif 000192
（式中、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７、Ｒ８及びＲ１１は前記と同じである。
環ｂ、ｅ及びｈは、それぞれ独立に、前記置換もしくは無置換の環形成原子数３以上の環構造である。）
【請求項２２】
前記環ａ〜ｆの任意の置換基が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、−Ｎ（Ｒ１０４）（Ｒ１０５）で表される基（Ｒ１０４及びＲ１０５は前記と同じ）、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基、又は下記の群から選択される基のいずれかである請求項１９〜２１のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１７】
2018186396.tif 000193
（式中、
各Ｒｃは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基はＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記置換基と同じである。
Ｘは前記と同じである。
ｐ１は０〜５の整数、ｐ２は０〜４の整数、ｐ３は０〜３の整数、ｐ４は０〜７の整数である。）
【請求項２３】
前記式（１）で表されるドーパント材料が、下記式（４−１）〜（４−４）のいずれかで表される化合物を含む請求項１２〜１９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１８】
2018186396.tif 000194
（式中、
Ｘ及びＲ１〜Ｒ１１は前記と同じである。
Ｒ５１〜Ｒ５８は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基はＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して前記した置換基と同じである。）
【請求項２４】
前記式（１）で表されるドーパント材料が、下記式（５−１）で表される化合物を含む請求項１２〜１８及び２１のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１９】
2018186396.tif 000195
（式中、
Ｘ、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７、Ｒ８、及びＲ１１は前記と同じである。
Ｒ５１〜Ｒ６２は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基はＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記置換基と同じである。）
【請求項２５】
式（１）において、ＲｎとＲｎ＋１が互いに結合して、少なくとも２つの前記置換もしくは無置換の環形成原子数３以上の環構造を形成する請求項１２〜２４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２６】
Ｒ１とＲ２からなる対とＲ２とＲ３からなる対；
Ｒ４とＲ５からなる対とＲ５とＲ６からなる対；
Ｒ５とＲ６からなる対とＲ６とＲ７からなる対；
Ｒ８とＲ９からなる対とＲ９とＲ１０からなる対；及び
Ｒ９とＲ１０からなる対とＲ１０とＲ１１からなる対
が前記置換もしくは無置換の環形成原子数３以上の環構造を同時に形成しない請求項１２〜２４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２７】
前記式（Ｄ２）で表されるドーパント材料が、下記式（Ｄ２ａ）で表される化合物を含む請求項１〜９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化２０】
2018186396.tif 000196
（式中、
Ｒａ及びＲｂは前記と同じである。
Ｒｅ〜Ｒｏは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基；置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基；置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基及び置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基から選ばれる置換基を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基、又はアリールヘテロアリールアミノ基；置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基；置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基；又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基である。
Ｒｅ〜Ｒｇから選ばれる隣接する２つ、Ｒｈ〜Ｒｋから選ばれる隣接する２つ、及びＲｌ〜Ｒｏから選ばれる隣接する２つは互いに結合して置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の芳香族複素環を形成してもよい。）
【請求項２８】
前記第１化合物が多環芳香族骨格含有化合物である請求項１〜２７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２９】
前記第１化合物が縮合多環芳香族骨格含有化合物である請求項１〜２８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３０】
前記第１化合物が３環以上の縮合多環芳香族骨格を含有する請求項１〜２９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３１】
前記第１化合物がアントラセン骨格含有化合物、クリセン骨格含有化合物、ピレン骨格含有化合物、又はフルオレン骨格含有化合物である請求項１〜３０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３２】
前記アントラセン骨格含有化合物が下記式（１９）で表される請求項３１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化２１】
2018186396.tif 000197
（式中、
Ｒ１０１〜Ｒ１１０は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基はＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記置換基と同じである。
但し、Ｒ１０１〜Ｒ１１０のうち少なくとも１つは−Ｌ−Ａｒであり、
各Ｌは、それぞれ独立に、単結合又は連結基であり、該連結基は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基であり、
各Ａｒは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の単環基、置換もしくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合環基、又は前記単環及び前記縮合環から選ばれる２以上の環が単結合を介して結合した１価の基である。）
【請求項３３】
前記アントラセン骨格含有化合物が、下記式（２０）で表される、請求項３２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化２２】
2018186396.tif 000198
（式中、
Ｒ１０１〜Ｒ１０８は前記と同じである。
Ａｒ１１及びＡｒ１２は、それぞれ独立に、前記Ａｒと同じである。
Ｌ１１及びＬ１２は、それぞれ独立に、前記Ｌと同じである。）
【請求項３４】
前記第１化合物が下記式（２１）〜（２３）いずれかで表される化合物である請求項３１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化２３】
2018186396.tif 000199
（式中、
Ｒ２０１〜Ｒ２１２は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基はＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記置換基と同じである。
但し、Ｒ２０１〜Ｒ２１２のうち少なくとも１つは−Ｌ２−Ａｒ２１であり、
各Ｌ２は、それぞれ独立に、単結合又は連結基であり、該連結基は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基であり、
各Ａｒ２１は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の単環基、置換もしくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合環基、又は前記単環及び前記縮合環から選ばれる２以上の環が単結合を介して結合した１価の基である。）
【化２４】
2018186396.tif 000200
（式中、
Ｒ３０１〜Ｒ３１０は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基はＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記置換基と同じである。
但し、Ｒ３０１〜Ｒ３１０のうち少なくとも１つは−Ｌ３−Ａｒ３１であり、
各Ｌ３は、それぞれ独立に、単結合又は連結基であり、該連結基は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基であり、
各Ａｒ３１は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の単環基、置換もしくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合環基、又は前記単環及び前記縮合環から選ばれる２以上の環が単結合を介して結合した１価の基である。）
【化２５】
2018186396.tif 000201
（式中、
Ｒ４０１〜Ｒ４１０は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基はＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記置換基と同じである。
但し、Ｒ４０１〜Ｒ４１０のうち少なくとも１つは−Ｌ４−Ａｒ４１であり、
各Ｌ４は、それぞれ独立に、単結合又は連結基であり、該連結基は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基であり、
各Ａｒ４１は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の単環基、置換もしくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合環基、又は前記単環及び前記縮合環から選ばれる２以上の環が単結合を介して結合した１価の基である。
Ｒ４０１とＲ４０２、Ｒ４０２とＲ４０３、Ｒ４０３とＲ４０４、Ｒ４０５とＲ４０６、Ｒ４０６とＲ４０７、及びＲ４０７とＲ４０８から選ばれる隣接する２つが互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成してもよい。）
【請求項３５】
前記第１化合物が請求項３２〜３４のいずれか１項に記載の前記式（１９）〜（２３）いずれかで表される化合物であり、
前記第２化合物が請求項３２〜３４のいずれか１項に記載の前記式（１９）〜（２３）いずれかで表される化合物であり、
前記ドーパント材料が請求項１２〜２７に記載のドーパント材料から選ばれる１種以上、
である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３６】
前記蛍光発光層が重金属錯体を含まない請求項１〜３５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３７】
青色発光する請求項１〜３６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３８】
請求項１〜３７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記することがある。）は、陽極、陰極、及び陽極と陰極に挟まれた１層以上の有機薄膜層から構成されている。両電極間に電圧が印加されると、陰極側から電子、陽極側から正孔が発光領域に注入され、注入された電子と正孔は発光領域において再結合して励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際に光を放出する。
また、有機ＥＬ素子は、発光層に種々の発光材料を用いることにより、多様な発光色を得ることが可能であることから、ディスプレイなどへの実用化研究が盛んである。例えば、有機ＥＬ素子の性能を向上させるために、赤色、緑色、青色の三原色の発光材料及びその他の有機ＥＬ素子用材料の研究が活発である。
そのような有機ＥＬ素子用の材料として、例えば特許文献１〜７に記載の化合物などが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−７３９６５号公報
【特許文献２】国際公開第２０１６／００６９２５号
【特許文献３】中国特許第１０４１１９３４７号公報
【特許文献４】国際公開第２０１１／１２８０１７号
【特許文献５】韓国特許第１０−２０１５−０１３５１２５号公報
【特許文献６】国際公開第２０１３／０７７３４４号
【特許文献７】国際公開第２０１６／１９５４４１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
発明者等は、蛍光青色発光層に用いることができ、特に発光層のドーパントとして用いたときに、半値幅が狭く高い色純度の蛍光スペクトルを示す化合物を検討する過程で、本発明を見出した。
蛍光スペクトルの半値幅が狭いドーパントは、基底状態と励起状態で構造変化が小さい。そのため、蛍光スペクトルの半値幅が狭いドーパントの吸収スペクトルと蛍光スペクトルは重なりが大きい。その結果、発光した光がドーパントに自己吸収され、発光効率が低下するおそれがある。
自己吸収による発光効率の低下は、発光層中のドーパント濃度を低くすることによりある程度防ぐことができる。しかしながら、発光層中のドーパント濃度が低いと、ドーパントによる正孔輸送経路が十分に形成されず、正孔を捕捉する性質が強くなり、発光層全体の正孔移動度が低下する。
一般に、蛍光青色発光層では、ホストの電子移動度が正孔移動度よりも大きいので、励起密度の高い領域（再結合領域）が正孔輸送層近傍に存在する。その結果、正孔輸送層が劣化し、有機ＥＬ素子の寿命が短くなるという問題があった。
本発明者等は上記知見に基づいて研究した結果、自己吸収による発光効率の低下を防ぐ目的で、蛍光スペクトルの半値幅が狭いドーパントの発光層中の濃度を低くすると、励起密度の高い領域がより正孔輸送層に近づき、さらに寿命が短くなることを見出した。
本発明の目的は、蛍光スペクトルの半値幅が狭いドーパント材料を含有し、かつ、優れた寿命を示す有機ＥＬ素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは前記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、蛍光スペクトルの半値幅が狭いドーパント材料、特定の材料（第１化合物）、及び構造が異なる他の特定の材料（第２化合物）を含む発光層が前記課題を解決することを見出した。【０００６】
（１）本発明の一態様によれば、陰極、陽極、及び該陰極と該陽極の間に存在する有機層とを含有する有機ＥＬ素子であって、該有機層は蛍光発光層を含み、該蛍光発光層が、第１化合物、該第１化合物よりも大きい正孔移動度を有する第２化合物、及び蛍光スペクトルの半値幅が３０ｎｍ以下のドーパント材料を含む有機ＥＬ素子が提供される。
（２）本発明の他の態様によれば、陰極、陽極、及び該陰極と該陽極の間に存在する有機層とを含有する有機ＥＬ素子であって、該有機層は蛍光発光層を含み、該蛍光発光層が、第１化合物、該第１化合物よりも大きいアフィニティを有する第３化合物、蛍光スペクトルの半値幅が３０ｎｍ以下のドーパント材料を含有し、該第３化合物の蛍光発光層中の含有量が、該第１化合物の蛍光発光層中の含有量より少ない有機ＥＬ素子が提供される。
（３）本発明のさらに他の態様によれば、上記（１）又は（２）に記載の有機ＥＬ素子を備えた電子機器が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の蛍光スペクトルの半値幅が狭いドーパント材料を含有する有機ＥＬ素子は優れた寿命を示す。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の一例の構成を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」という表現における「炭素数ＸＸ〜ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。
また、本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」という表現における「原子数ＸＸ〜ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の原子数を表すものであり、置換されている場合の置換基の原子数は含めない。
【００１０】
本明細書において、環形成炭素数とは、原子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子のうちの炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素数には含まない。以下で記される「環形成炭素数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ベンゼン環は環形成炭素数が６であり、ナフタレン環は環形成炭素数が１０であり、ピリジニル基は環形成炭素数５であり、フラニル基は環形成炭素数４である。また、ベンゼン環やナフタレン環に置換基として例えばアルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、環形成炭素数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の炭素数は環形成炭素数の数に含めない。
【００１１】
また、本明細書において、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造（例えば単環、縮合環、環集合）の化合物（例えば単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される「環形成原子数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ピリジン環の環形成原子数は６であり、キナゾリン環の環形成原子数は１０であり、フラン環の環形成原子数は５である。ピリジン環やキナゾリン環の炭素原子にそれぞれ結合している水素原子や置換基を構成する原子については、環形成原子数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の原子数は環形成原子数の数に含めない。
【００１２】
また、本明細書において、「水素原子」とは、中性子数が異なる同位体、すなわち、軽水素（ｐｒｏｔｉｕｍ）、重水素（ｄｅｕｔｅｒｉｕｍ）及び三重水素（ｔｒｉｔｉｕｍ）を包含する。
【００１３】
第１の有機ＥＬ素子
第１の有機ＥＬ素子は陰極、陽極、及び該陰極と該陽極の間に有機層を含有し、該有機層は蛍光発光層を含有する。
第１の有機ＥＬ素子の蛍光発光層は、第１化合物、第１化合物よりも大きい正孔移動度を有する第２化合物、及び蛍光スペクトルの半値幅が３０ｎｍ以下のドーパント材料を含む。正孔移動度が大きいほど正孔は移動し易いので、第２化合物を併用することにより、蛍光発光層への正孔注入性と、蛍光発光層内部の正孔輸送性とが向上する。そのため、励起密度の高い領域（正孔と電子の再結合領域）が蛍光発光層の中央部に近づく。励起密度の高い領域が蛍光発光層の中央部に近づくと、励起によって蛍光発光層に隣接する層が劣化することを抑制することができる。これにより、前記した問題、すなわち、蛍光スペクトルの半値幅が狭いドーパントを使用した有機ＥＬ素子が有する寿命低下の問題が解決され、寿命が向上する。
【００１４】
第１の有機ＥＬ素子に使用するドーパント材料の蛍光スペクトルの半値幅は３０ｎｍ以下、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以下である。半値幅が上記の範囲にあると、高い色純度が得られる。
また、第１の有機ＥＬ素子に使用するドーパント材料の蛍光スペクトルの半値幅は例えば２ｎｍ以上である。
本発明で使用する蛍光スペクトルの半値幅の測定方法は後述する。
ドーパント材料の蛍光発光層中の含有量は第１化合物、第２化合物及びドーパント材料の合計量に対して１０質量％以下、好ましくは１〜１０質量％、より好ましくは１〜８質量％である。
【００１５】
第２化合物は第１化合物よりも大きな正孔移動度を有する。例えば、第１化合物と第２化合物の正孔移動度の関係は、第２化合物の正孔移動度／第１化合物の正孔移動度で５以上である。正孔移動度の測定方法は後述する。
【００１６】
第２化合物の蛍光発光層中の含有量は第１化合物の含有量以下であることが好ましい。第２化合物の蛍光発光層中の含有量は、第１化合物、第２化合物及びドーパント材料の合計量に対して好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２〜３０質量％、さらに好ましくは２〜２０質量％である。上記範囲であると、励起密度の高い領域が蛍光発光層の中央部に近づき、寿命が向上する。
【００１７】
ドーパント材料
第１の有機ＥＬ素子のドーパント材料は式（Ｄ１）で表される化合物（ドーパント材料１）及び式（Ｄ２）で表される化合物（ドーパント材料２）から選ばれる少なくとも１種の化合物であることが好ましく、式（Ｄ１）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物であることがより好ましい。
ドーパント材料１は下記式（Ｄ１）で表される。
【化１】
2018186396.tif 000002
（式中、
Ｚは、それぞれ独立に、ＣＲＡ又はＮである。
環π１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の芳香族複素環である。
環π２は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の芳香族複素環である。
ＲＡ、ＲＢ及びＲＣは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、該置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキニル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基、−Ｓｉ（Ｒ１０１）（Ｒ１０２）（Ｒ１０３）で表される基、又は−Ｎ（Ｒ１０４）（Ｒ１０５）で表される基である。
Ｒ１０１〜Ｒ１０５は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基である。
ｎ及びｍは、それぞれ独立に、１〜４の整数である。
隣接する２つのＲＡは互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成してもよいし、互いに結合することなく、環構造を形成しなくてもよい。
隣接する２つのＲＢは互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成してもよいし、互いに結合することなく、環を形成しなくてもよい。
隣接する２つのＲＣは互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成してもよいし、互いに結合することなく、環構造を形成しなくてもよい。）
【００１８】
環π１及び環π２は、それぞれ独立に、環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１８の芳香族炭化水素環又は環形成原子数５〜５０、好ましくは５〜２４、より好ましくは５〜１３の芳香族複素環である。
【００１９】
上記環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環の具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、ベンゾアントラセン環、フェナントレン環、ベンゾフェナントレン環、フルオレン環、ベンゾフルオレン環、ジベンゾフルオレン環、ピセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、クリセン環、ベンゾクリセン環、ｓ−インダセン環、ａｓ−インダセン環、フルオランテン環、ベンゾフルオランテン環、トリフェニレン環、ベンゾトリフェニレン環、ペリレン環、コロネン環、ジベンゾアントラセン環等が挙げられる。
【００２０】
上記環形成原子数５〜５０の芳香族複素環の具体例としては、ピロール環、ピラゾール環、イソインドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、イソキノリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、イミダゾピリジン環、インドール環、インダゾール環、ベンズイミダゾール環、キノリン環、アクリジン環、ピロリジン環、ジオキサン環、ピペリジン環、モルフォリン環、ピペラジン環、カルバゾール環、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、ベンゾオキサゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、ベンゾチアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピラン環、ジベンゾフラン環、ベンゾ［ｃ］ジベンゾフラン環、プリン環、アクリジン環等が挙げられる。
【００２１】
ＲＢはそれぞれ、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環（環π１）の環形成原子のいずれかに結合する。ＲＣはそれぞれ、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環（環π２）の環形成原子のいずれかに結合する。
ＲＡ、ＲＢ及びＲＣが表す置換基を以下に説明する。
【００２２】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
【００２３】
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６のアルキル基において、該アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基（異性体基を含む）、ヘキシル基（異性体基を含む）、ヘプチル基（異性体基を含む）、オクチル基（異性体基を含む）、ノニル基（異性体基を含む）、デシル基（異性体基を含む）、ウンデシル基（異性体基を含む）、及びドデシル基（異性体基を含む）などが挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基及びペンチル基（異性体基を含む）が好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基及びｔ−ブチル基がより好ましく、メチル基、エチル基、イソプロピル基及びｔ−ブチル基がさらに好ましい。
置換アルキル基としては炭素数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６のフルオロアルキル基が好ましい。該フルオロアルキル基は前記炭素数１〜２０のアルキル基の少なくとも１個の水素原子、好ましくは１〜７個の水素原子、又は全ての水素原子をフッ素原子で置換した基である。該フルオロアルキル基としては、ヘプタフルオロプロピル基（異性体を含む）、ペンタフルオロエチル基、２,２,２−トリフルオロエチル基、及びトリフルオロメチル基が好ましく、ペンタフルオロエチル基、２,２,２−トリフルオロエチル基、及びトリフルオロメチル基がより好ましく、トリフルオロメチル基がさらに好ましい。
【００２４】
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６のアルケニル基において、該アルケニル基としては、ビニル基、２−プロペニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、４−ペンテニル基、２−メチル−２−プロペニル基、２−メチル−２−ブテニル基、３−メチル−２−ブテニル基等が挙げられる。
【００２５】
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６のアルキニル基において、該アルキニル基としては、２−プロピニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、４−ペンチニル基、５−ヘキシニル基、１−メチル−２−プロピニル基、１−メチル−２−ブチニル基、１，１−ジメチル−２−プロピニル基等が挙げられる。
【００２６】
置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０、好ましくは３〜６、より好ましくは５又は６のシクロアルキル基において、該シクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、アダマンチル基などが挙げられる。これらの中でも、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が好ましい。
【００２７】
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６のアルコキシ基において、アルキル部位の詳細は前記炭素数１〜２０のアルキル基と同じである。
置換アルコキシ基としては炭素数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６のフルオロアルコキシ基が好ましい。該フルオロアルコキシ基のフルオロアルキル部位の詳細は前記素数１〜２０のフルオロアルキル基と同じである。
【００２８】
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２４、さらに好ましくは６〜１８のアリール基において、該アリール基は縮合アリール基であっても非縮合アリール基であってもよい。該アリール基としては、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アセナフチレニル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、アセアントリル基、フェナントリル基、ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、フェナレニル基、フルオレニル基、ピセニル基、ペンタフェニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾ［ｇ］クリセニル基、ｓ−インダセニル基、ａｓ−インダセニル基、フルオランテニル基、ベンゾ［ｋ］フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ベンゾ［ｂ］トリフェニレニル基及びペリレニル基などが挙げられる。これらの中でも、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、フルオランテニル基が好ましく、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基がより好ましく、フェニル基がさらに好ましい。
置換アリール基としては、例えば、９，９−ジメチルフルオレニル基、９，９−ジフェニルフルオレニル基、９，９’−スピロビフルオレニル基、９，９−ジ（４−メチルフェニル）フルオレニル基、９，９−ジ（４−イソプロピルフェニル）フルオレニル基、
９，９−ジ（４−ｔ−ブチルフェニル）フルオレニル基、パラ−メチルフェニル基、メタ−メチルフェニル基、オルト−メチルフェニル基、パラ−イソプロピルフェニル基、メタ−イソプロピルフェニル基、オルト−イソプロピルフェニル基、パラ−ｔ−ブチルフェニル基、メタ−ｔ−ブチルフェニル基、オルト−ｔ−ブチルフェニル基が好ましい。
【００２９】
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２４、さらに好ましくは６〜１８のアリールオキシ基において、該アリールオキシ基のアリール部位の詳細は前記環形成炭素数６〜５０のアリール基と同じである。
【００３０】
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６のアルキルチオ基において、該アルキルチオ基のアルキル部位の詳細は前記炭素数１〜２０のアルキル基と同じである。
【００３１】
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２４、さらに好ましくは６〜１８のアリールチオ基において、該アリールチオ基のアリール部位の詳細は前記環形成炭素数６〜５０のアリール基と同じである。
【００３２】
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０、好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜１８、さらに好ましくは５〜１３のヘテロアリール基は、少なくとも１個、好ましくは１〜５個、より好ましくは１〜４個、さらに好ましくは１〜３個の環形成ヘテロ原子を含む。該環形成へテロ原子としては、例えば、窒素原子、硫黄原子及び酸素原子が挙げられ、窒素原子、酸素原子が好ましい。該ヘテロアリール基の遊離原子価は環形成炭素原子上に存在するか、又は、構造的に可能である場合には、環形成窒素原子上に存在してもよい。
該ヘテロアリール基としては、例えば、ピロリル基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、イミダゾピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ピラゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基（ベンゾチエニル基）、イソベンゾチオフェニル基（イソベンゾチエニル基）、インドリジニル基、キノリジニル基、キノリル基、イソキノリル基、シンノリル基、フタラジニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズオキサゾリル基、ベンズチアゾリル基、インダゾリル基、ベンズイソキサゾリル基、ベンズイソチアゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基（ジベンゾチエニル基）、カルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基及びキサンテニル基などが挙げられる。
また該ヘテロアリール基としては、以下の基が挙げられる。
【化２】
2018186396.tif 000003
（式中、Ｘは酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｙは酸素原子、硫黄原子、ＮＲａ、又はＣＲｂ２であり、Ｒａ及びＲｂは水素原子である。）
これらの中でも、ピリジル基、イミダゾピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、ベンズイミダゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、フェナントロリニル基、キナゾリニル基が好ましい。
置換ヘテロアリール基としては、例えば、（９−フェニル）カルバゾリル基、（９−ビフェニリル）カルバゾリル基、（９−フェニル）フェニルカルバゾリル基、（９−ナフチル）カルバゾリル基、ジフェニルカルバゾール−９−イル基、フェニルジベンゾフラニル基、フェニルジベンゾチオフェニル基（フェニルジベンゾチエニル基）、及び下記の基が挙げられる。
【化３】
2018186396.tif 000004
（式中、Ｘは酸素原子又は硫黄原子を表し、ＹはＮＲａ、又はＣＲｂ２であり、Ｒａ及びＲｂは、それぞれ独立に、前記炭素数１〜２０のアルキル基及び前記環形成炭素数６〜５０のアリール基から選ばれる。）
【００３３】
前記−Ｓｉ（Ｒ１０１）（Ｒ１０２）（Ｒ１０３）で表される基及び−Ｎ（Ｒ１０４）（Ｒ１０５）で表される基において、Ｒ１０１〜Ｒ１０５は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基である。
上記の置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、及び置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基の詳細は前記したとおりである。
【００３４】
前記−Ｓｉ（Ｒ１０１）（Ｒ１０２）（Ｒ１０３）で表される基としては、例えば、モノアルキルシリル基、ジアルキルシリル基、トリアルキルシリル基、モノアリールシリル基、ジアリールシリル基、トリアリールシリル基、モノアルキルジアリールシリル基、及びジアルキルモノアリールシリル基が挙げられる。
該置換シリル基としては、トリアルキルシリル基及びトリアリールシリル基が好ましく、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、及びトリトリルシリル基がより好ましい。
【００３５】
前記−Ｎ（Ｒ１０４）（Ｒ１０５）で表される基としては、例えば、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、モノアリールアミノ基、ジアリールアミノ基、モノヘテロアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基、モノアルキルモノアリールアミノ基、モノアルキルモノヘテロアリールアミノ基、モノアリールモノヘテロアリールアミノ基が挙げられる。これらの中でも、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基、モノアリールモノヘテロアリールアミノ基が好ましく、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス（アルキル置換フェニル）アミノ基、ビス（アリール置換フェニル）アミノ基がより好ましい。
【００３６】
式（Ｄ１）中、−Ｓｉ（Ｒ１０１）（Ｒ１０２）（Ｒ１０３）で表される基が複数存在する場合、これらは互いに同一でも異なっていてもよい。また、式（Ｄ１）中、−Ｎ（Ｒ１０４）（Ｒ１０５）で表される基が複数存在する場合、これらは互いに同一でも異なっていてもよい。
【００３７】
式（Ｄ１）で表される化合物は好ましくは下記式（Ｄ１ａ）で表される化合物を含む。
【化４】
2018186396.tif 000005
（式中、
Ｚ１はＣＲ１又はＮ、Ｚ２はＣＲ２又はＮ、Ｚ３はＣＲ３又はＮ、Ｚ４はＣＲ４又はＮ、Ｚ５はＣＲ５又はＮ、Ｚ６はＣＲ６又はＮ、Ｚ７はＣＲ７又はＮ、Ｚ８はＣＲ８又はＮ、Ｚ９はＣＲ９又はＮ、Ｚ１０はＣＲ１０又はＮ、Ｚ１１はＣＲ１１又はＮである。
Ｒ１〜Ｒ１１は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、該置換基は式（Ｄ１）のＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記置換基と同じである。
Ｒ１〜Ｒ３から選ばれる隣接する２つは互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成してもよいし、互いに結合することなく環構造を形成しなくてもよい。
Ｒ４〜Ｒ７から選ばれる隣接する２つは互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成してもよいし、互いに結合することなく環構造を形成しなくてもよい。
Ｒ８〜Ｒ１１から選ばれる隣接する２つは互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成してもよいし、互いに結合することなく環構造を形成しなくてもよい。）
【００３８】
式（Ｄ１）で表される化合物は好ましくは下記式（１）で表される化合物を含む。
【化５】
2018186396.tif 000006
（式中、
ＲｎとＲｎ＋１（ｎは１、２、４〜６、及び８〜１０から選ばれる整数を表す）は互いに結合して、ＲｎとＲｎ＋１が結合する２つの環形成炭素原子と共に置換もしくは無置換の環形成原子数３以上の環構造を形成してもよく、又はＲｎとＲｎ＋１は互いに結合することなく環構造を形成しなくてもよい。
前記環形成原子は炭素原子、酸素原子、硫黄原子、及び窒素原子から選ばれる。
該環形成原子数３以上の環構造の任意の置換基は式（Ｄ１）のＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記置換基と同じであり、隣接する２つの任意の置換基は互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成してもよい。
前記置換もしくは無置換の環形成原子数３以上の環構造を形成しないＲ１〜Ｒ１１は水素原子又は置換基を表し、該置換基は式（Ｄ１）のＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記置換基と同じである。）
【００３９】
ＲｎとＲｎ＋１、すなわち、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３、Ｒ４とＲ５、Ｒ５とＲ６、Ｒ６とＲ７、Ｒ８とＲ９、Ｒ９とＲ１０、及び、Ｒ１０とＲ１１が互いに結合して、ＲｎとＲｎ＋１が結合する２つの環形成炭素原子と共に置換もしくは無置換の環形成原子数３以上の環構造を形成する場合、Ｒｎ−Ｒｎ＋１、すなわち、Ｒ１−Ｒ２、Ｒ２−Ｒ３、Ｒ４−Ｒ５、Ｒ５−Ｒ６、Ｒ６−Ｒ７、Ｒ８−Ｒ９、Ｒ９−Ｒ１０、又はＲ１０−Ｒ１１は、ＣＨ２、ＮＨ、Ｏ、及びＳから選ばれる１つを表すか、又は、ＣＨ２、ＣＨ、ＮＨ、Ｎ、Ｏ、及びＳから選ばれる２以上が単結合、二重結合、又は芳香族性結合を介して順次結合した原子群を表す。ＣＨ２、ＣＨ、及びＮＨの水素原子は前記置換基で置換されていてもよい。前記芳香族性結合とは、芳香族環の２つの原子を結合する１〜２の間の結合次数（約１．５）を有する結合である。
【００４０】
本発明の一様態において、前記式（１）の化合物は、前記置換もしくは無置換の環形成原子数３以上の環構造を２つ有することが好ましい。
本発明の他の様態において、式（１）の化合物は、該環構造を３つ有することもが好ましく、該環構造は、式（１）の３つの異なるベンゼン環、すなわち、環Ａ、環Ｂ、及び環Ｃのそれぞれに１つずつ存在することがより好ましい。
本発明のさらに他の様態において、式（１）の化合物は、該環構造を４つ以上有することが好ましい。
【００４１】
本発明の一様態において、ＲｐとＲｐ＋１及びＲｐ＋１とＲｐ＋２（ｐは１、４、５、８、又は９である）が同時に前記置換もしくは無置換の環形成原子数３以上の環構造を形成しないことが好ましい。すなわち、Ｒ１とＲ２及びＲ２とＲ３；Ｒ４とＲ５及びＲ５とＲ６；Ｒ５とＲ６及びＲ６とＲ７；Ｒ８とＲ９及びＲ９とＲ１０；及びＲ９とＲ１０及びＲ１０とＲ１１がそれぞれ同時に該環構造を形成しないことが好ましい。
【００４２】
本発明の一様態において、式（１）の化合物が前記置換もしくは無置換の環形成原子数３以上の環構造を２個以上有する場合、該２個以上の環構造は、環Ａ、環Ｂ及び環Ｃから選ばれる２又は３つの環上に存在することが好ましい。該２個以上の環構造は同一でも異なっていてもよい。
【００４３】
前記置換もしくは無置換の環形成原子数３以上の環構造の任意の置換基の詳細は式（Ｄ１）のＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記置換基と同じである。
【００４４】
前記置換もしくは無置換の環形成原子数３以上の環構造の環形成原子数は、特に限定されないが、好ましくは３〜７であり、より好ましくは５又は６である。
【００４５】
前記置換もしくは無置換の環形成原子数３以上の環構造は、下記式（２）〜（８）から選ばれるいずれかの環構造であることが好ましい。
【化６】
2018186396.tif 000007
（式中、
＊１と＊２、＊３と＊４、＊５と＊６、＊７と＊８、＊９と＊１０、＊１１と＊１２及び＊１３と＊１４のそれぞれは、ＲｎとＲｎ＋１が結合する前記２つの環形成炭素原子を表し、Ｒｎは前記２つの環形成炭素原子のどちらに結合してもよい。
ＸはＣ（Ｒ２３）（Ｒ２４）、ＮＲ２５、Ｏ、及びＳから選ばれる。
Ｒ１２〜Ｒ２５は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基はＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記置換基と同じである。
Ｒ１２〜Ｒ１５から選ばれる隣接する２つ、Ｒ１６とＲ１７、及びＲ２３とＲ２４は互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成してもよい。）
【００４６】
下記式（９）〜（１１）から選ばれる環構造も前記置換もしくは無置換の環形成原子数３以上の環構造として好ましい。
【化７】
2018186396.tif 000008
（式中、
＊１と＊２及び＊３と＊４は前記と同じである。
Ｒ１２、Ｒ１４、Ｒ１５、及びＸは前記と同じである。
Ｒ３１〜Ｒ３８及びＲ４１〜Ｒ４４は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基は式（Ｄ１）のＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記置換基と同じである。
Ｒ１２、Ｒ１５、及びＲ３１〜Ｒ３４から選ばれる隣接する２つ、Ｒ１４、Ｒ１５、及びＲ３５〜Ｒ３８から選ばれる隣接する２つ、及びＲ４１〜Ｒ４４から選ばれる隣接する２つは互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成してもよい。）
【００４７】
式（１）のＲ２、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ１０、及びＲ１１の少なくとも１つ、好ましくはＲ２、Ｒ５、及びＲ１０の少なくとも１つ、さらに好ましくはＲ２が前記置換もしくは無置換の環形成原子数３以上の環構造を形成しないことが好ましい。
【００４８】
式（１）において、前記環形成原子数３以上の環構造が有する任意の置換基が、それぞれ独立に置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、−Ｎ（Ｒ１０４）（Ｒ１０５）で表される基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基、又は下記の群から選択される基のいずれかであると好ましい。
【化８】
2018186396.tif 000009
（式中、
各Ｒｃは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基式（Ｄ１）のはＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記置換基と同じである。
Ｘは前記と同じである。
ｐ１は０〜５の整数、ｐ２は０〜４の整数、ｐ３は０〜３の整数、ｐ４は０〜７の整数である。）
【００４９】
式（１）の前記置換もしくは無置換の環形成原子数３以上の環構造を形成しないＲ１〜Ｒ１１、及び式（２）〜（１１）のＲ１２〜Ｒ２２、Ｒ３１〜Ｒ３８及びＲ４１〜Ｒ４４が、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、−Ｎ（Ｒ１０４）（Ｒ１０５）で表される基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基、又は下記の群から選択される基のいずれかであると好ましい。
【化９】
2018186396.tif 000010
（式中、Ｒｃ、Ｘ、ｐ１、ｐ２、ｐ３、及びｐ４は前記したとおりである。）
【００５０】
式（１）の化合物は、下記式（１−１）〜（１−６）のいずれかで表されると好ましく、式（１−１）〜（１−３）及び（１−５）のいずれかで表されるとより好ましく、式（１−１）又は（１−５）で表されるとさらに好ましい。
【化１０】
2018186396.tif 000011
（式中、
Ｒ１〜Ｒ１１は前記と同じであり、
環ａ〜ｆは、それぞれ独立に、前記の置換もしくは無置換の環形成原子数３以上の環構造である。）
【００５１】
式（１−１）〜（１−６）において、前記環形成原子数３以上の環構造上の隣接する２つの任意の置換基は互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成してもよい。
前記環ａ〜ｆの環形成原子数は、特に限定されないが、好ましくは３〜７、より好ましくは５又は６である。前記環ａ〜ｆは、それぞれ独立に、式（２）〜（１１）から選ばれるいずれかの環であることが好ましい。
【００５２】
式（１）の化合物は、下記式（２−１）〜（２−６）のいずれかで表されると好ましく、式（２−２）又は（２−５）で表されるとより好ましい。
【化１１】
2018186396.tif 000012
（式中、
Ｒ１及びＲ３〜Ｒ１１は前記と同じであり、
環ａ〜ｃは前記と同じであり、環ｇ及びｈは、それぞれ独立に、前記の置換もしくは無置換の環形成原子数３以上の環構造である。）
【００５３】
式（２−１）〜（２−６）において、前記環形成原子数３以上の環構造上の隣接する２つの任意の置換基は互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成してもよい。
前記環ａ〜ｃ、ｇ、及びｈの環形成原子数は、特に限定されないが、好ましくは３〜７、より好ましくは５又は６である。前記環ａ〜ｃ、ｇ、及びｈは、それぞれ独立に、式（２）〜（１１）から選ばれるいずれかの環であることが好ましい。
【００５４】
式（１）の化合物は、下記式（３−１）〜（３−９）のいずれかで表されると好ましく、式（３−１）で表されるとより好ましい。
【化１２】
2018186396.tif 000013
（式中、Ｒ１、Ｒ３〜Ｒ１１、及び環ａ〜ｈは前記と同じである。）
【００５５】
式（１−１）〜（１−６）、（２−１）〜（２−６）及び（３−１）〜（３−９）において、環ａ〜ｈが有する任意の置換基が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、−Ｎ（Ｒ１０４）（Ｒ１０５）で表される基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基、又は下記の群から選択される基のいずれかであると好ましい。
【化１３】
2018186396.tif 000014
（式中、Ｒｃ、Ｘ、ｐ１、ｐ２、ｐ３、及びｐ４は前記したとおりである。）
【００５６】
式（１−１）〜（１−６）、（２−１）〜（２−６）及び（３−１）〜（３−９）において、環ａ〜ｈを形成しないＲ１〜Ｒ１１が、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、−Ｎ（Ｒ１０４）（Ｒ１０５）で表される基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基、又は下記の群から選択される基のいずれかであると好ましい。
【化１４】
2018186396.tif 000015
（式中、Ｒｃ、Ｘ、ｐ１、ｐ２、ｐ３、及びｐ４は前記したとおりである。）
【００５７】
式（１）の化合物は、下記式（４−１）〜（４−４）のいずれかで表されると好ましい。
【化１５】
2018186396.tif 000016
（式中、Ｒ１〜Ｒ１１及びＸは前記と同じであり、Ｒ５１〜Ｒ５８は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基は式（Ｄ１）のＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記置換基と同じである。）
【００５８】
前記式（１）の化合物は、下記式（５−１）で表されると好ましい。
【化１６】
2018186396.tif 000017
（式中、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ１１及びＲ５１〜Ｒ５８は前記と同じであり、
Ｒ５９〜Ｒ６２は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基は式（Ｄ１）のＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記置換基と同じである。）
【００５９】
本発明で使用する式（Ｄ１）のドーパント材料の具体例を以下に挙げるが、特にこれらに制限されるものではない。下記具体例中、Ｐｈはフェニル基、Ｄは重水素原子を示す。
【００６０】
【化１７】
2018186396.tif 000018
【００６１】
【化１８】
2018186396.tif 000019
【００６２】
【化１９】
2018186396.tif 000020
【００６３】
【化２０】
2018186396.tif 000021
【００６４】
【化２１】
2018186396.tif 000022
【００６５】
【化２２】
2018186396.tif 000023
【００６６】
【化２３】
2018186396.tif 000024
【００６７】
【化２４】
2018186396.tif 000025
【００６８】
【化２５】
2018186396.tif 000026
【００６９】
【化２６】
2018186396.tif 000027
【００７０】
【化２７】
2018186396.tif 000028
【００７１】
【化２８】
2018186396.tif 000029
【００７２】
【化２９】
2018186396.tif 000030
【００７３】
【化３０】
2018186396.tif 000031
【００７４】
【化３１】
2018186396.tif 000032
【００７５】
【化３２】
2018186396.tif 000033
【００７６】
【化３３】
2018186396.tif 000034
【００７７】
【化３４】
2018186396.tif 000035
【００７８】
ドーパント材料２は下記式（Ｄ２）で表されるホウ素含有化合物である。
【化３５】
2018186396.tif 000036
（式中、
環α、環β、及び環γは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の芳香族複素環である。
Ｒａ及びＲｂは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基である。
Ｒａは環α及び環βの一方又は双方に、直接又は連結基を介して結合してもよい。
Ｒｂは環α及び環γの一方又は双方に、直接又は連結基を介して結合してもよい。）
【００７９】
前記環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２４、さらに好ましくは６〜１８の芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、ターフェニル環（ｍ−ターフェニル環、ｏ−ターフェニル環、p−ターフェニル環)、アントラセン環、アセナフチレン環、フルオレン環、フェナレン環、フェナン卜レン環、卜リフェニレン環、フルオランテン環、ピレン環、ナフタセン環、ペリレン環、ペンタセン環などが挙げられる。
【００８０】
前記環形成原子数５〜５０、好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜１８、さらに好ましくは５〜１３の芳香族複素環は少なくとも１個、好ましくは１〜５個の環形成ヘテロ原子を含む。該環形成ヘテロ原子は、例えば、窒素原子、硫黄原子及び酸素原子から選ばれる。該芳香族複素環としては、例えば、ピロール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、卜リアゾール環、テ卜ラゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、卜リアジン環、インドール環、イソインドール環、１Ｈ−インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、１Ｈ−ベンゾ卜リアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、シンノリン環、キナゾリン環、キノキサリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、プリン環、プテリジン環、力ルバゾール環、アクリジン環、フェノキサチイン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、フェナジン環、インドリジン環、フラン環、ベンゾフラン環、イソベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、フラザン環、オキサジアゾール環、チアン卜レン環などが挙げられる。
【００８１】
前記環α、環β、及び環γは５員環又は６員環であることが好ましい。
【００８２】
前記環α、環β、及び環γの任意の置換基は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２４、さらに好ましくは６〜１８のアリール基；置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０、好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜１８、さらに好ましくは５〜１３のヘテロアリール基；置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２４、さらに好ましくは６〜１８のアリール基及び置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０、好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜１８、さらに好ましくは５〜１３のヘテロアリール基から選ばれる置換基を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基、又はアリールヘテロアリールアミノ基；置換もしくは無置換の炭素数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６のアルキル基；置換もしくは無置換の炭素数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６のアルコキシ基；及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２４、さらに好ましくは６〜１８のアリールオキシ基から選ばれる。
上記任意の置換基は、環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２４、さらに好ましくは６〜１８のアリール基；環形成原子数５〜５０、好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜１８、さらに好ましくは５〜１３のヘテロアリール基；又は炭素数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６のアルキル基で置換されていてもよい。
【００８３】
前記環α、環β、及び環γ上の隣接する２つの置換基は互いに結合して置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２４、さらに好ましくは６〜１８の芳香族炭化水素環又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０、好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜１８、さらに好ましくは５〜１３の芳香族複素環を形成してもよい。該芳香族炭化水素環及び芳香族複素環の詳細は環α、環β、及び環γに関して記載したとおりである。
このようにしてさらに形成される環の任意の置換基は、環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２４、さらに好ましくは６〜１８のアリール基；環形成原子数５〜５０、好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜１８、さらに好ましくは５〜１３のヘテロアリール基；及び炭素数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６のアルキル基から選ばれる。
【００８４】
Ｒａ及びＲｂは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２４、さらに好ましくは６〜１８のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０、好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜１８、さらに好ましくは５〜１３のヘテロアリール基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６のアルキル基である。
【００８５】
環α、環β、及び環γに関して記載したアリール基、ヘテロアリール基、アルキル基、アルコキシ基、及びアリールオキシ基の詳細、及びＲａ及びＲｂのアリール基、ヘテロアリール基、及びアルキル基の詳細は、式（Ｄ１）のＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した対応する基と同じである。
【００８６】
前記連結基は、−Ｏ−、−Ｓ−、又は−ＣＲｃＲｄ−であり、Ｒｃ及びＲｄは、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６のアルキル基である。
該アルキル基の詳細は、式（Ｄ１）のＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載したアルキル基と同じである。
【００８７】
式（Ｄ２）は好ましくは下記式（Ｄ２ａ）で表される。
【化３６】
2018186396.tif 000037
【００８８】
式（Ｄ２ａ）において、Ｒａ及びＲｂは前記と同じである。
Ｒｅ〜Ｒｏは、それぞれ独立に、水素又は環α、環β、及び環γに関して記載した任意の置換基である。
Ｒｅ〜Ｒｇから選ばれる隣接する２つ、Ｒｈ〜Ｒｋから選ばれる隣接する２つ、及びＲｌ〜Ｒｏから選ばれる隣接する２つは互いに結合して置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２４、さらに好ましくは６〜１８の芳香族炭化水素環又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０、好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜１８、さらに好ましくは５〜１３の芳香族複素環を形成してもよい。
このようにして形成される環の詳細は、環α、環β、及び環γ上の隣接する２つの置換基が互いに結合して形成する環と同じである。
【００８９】
ドーパント材料２は、式（Ｄ２）で表される単位構造、好ましくは式（Ｄ２ａ）で表される単位構造を含む多量体、好ましくは２〜６量体、より好ましくは２〜３量体、さらに好ましくは２量体であってもよい。多量体は、２以上の該単位構造が直接又は炭素数１〜３のアルキレン基、フェニレン基、ナフチレン基などの連結基を介して結合した構造であってもよい。又、環α、環β、環γ、又はこれらの環上の置換基が形成する環が２以上の単位構造に共有されている構造であってもよい。さらに、１つの単位構造中の環α、環β、環γ、又はこれらの環上の置換基が形成する環が他の単位構造のいずれかの環に縮合している構造であってもよい。
【００９０】
以下に、環を共有する多量体及び環が縮合した多量体の一例を示す。なお、簡略化のために環α、環β、及び環γ上の各Ｒは省略した。
【化３７】
2018186396.tif 000038
【００９１】
式（Ｄ２）、好ましくは式（Ｄ２ａ）で表される化合物の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。
【００９２】
【化３８】
2018186396.tif 000039
【００９３】
【化３９】
2018186396.tif 000040
【００９４】
【化４０】
2018186396.tif 000041
【００９５】
【化４１】
2018186396.tif 000042
【００９６】
【化４２】
2018186396.tif 000043
【００９７】
【化４３】
2018186396.tif 000044
【００９８】
【化４４】
2018186396.tif 000045
【００９９】
【化４５】
2018186396.tif 000046
【０１００】
【化４６】
2018186396.tif 000047
【０１０１】
【化４７】
2018186396.tif 000048
【０１０２】
【化４８】
2018186396.tif 000049
【０１０３】
【化４９】
2018186396.tif 000050
【０１０４】
【化５０】
2018186396.tif 000051
【０１０５】
【化５１】
2018186396.tif 000052
【０１０６】
【化５２】
2018186396.tif 000053
【０１０７】
【化５３】
2018186396.tif 000054
【０１０８】
【化５４】
2018186396.tif 000055
【０１０９】
第１化合物
第１の有機ＥＬ素子で使用する第１化合物は、前記ドーパント材料及び第２化合物と共に蛍光発光層に使用され、蛍光発光層のホスト材料（メインホスト材料）として機能する。
第１化合物としては、多環芳香族骨格含有化合物が挙げられ、縮合多環芳香族骨格含有化合物が好ましく３個以上の環が縮合した縮合環構造を含有する化合物がより好ましい。具体的には、アントラセン骨格含有化合物、クリセン骨格含有化合物、ピレン骨格含有化合物、又はフルオレン骨格含有化合物であることが好ましく、アントラセン骨格含有化合物がさらに好ましい。
【０１１０】
前記アントラセン骨格含有化合物として、例えば、下記式（１９）で表されるアントラセン誘導体を使用できる。
【化５５】
2018186396.tif 000056
【０１１１】
式（１９）において、Ｒ１０１〜Ｒ１１０は、それぞれ独立に、水素原子、置換基、又は−Ｌ−Ａｒである。但し、Ｒ１０１〜Ｒ１１０のうち少なくとも１つは−Ｌ−Ａｒである。
該置換基の詳細は、ＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して前記した置換基と同じである。
Ｌは、それぞれ独立に、単結合又は連結基であり、該連結基は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２４、さらに好ましくは６〜１８のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０、好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜１８、さらに好ましくは５〜１３のヘテロアリーレン基である。
Ａｒは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０、好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２４、特に好ましくは５〜１８の単環基、置換もしくは無置換の環形成原子数８〜５０、好ましくは８〜３０、より好ましくは８〜２４、さらに好ましくは８〜１８の縮合環基、又は前記単環及び前記縮合環から選ばれる２以上の環が単結合を介して結合した１価の基である。
【０１１２】
前記環形成原子数５〜５０単環基は縮合環を持たない単環構造のみを含む基であり、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、クォーターフェニリル基などのアリール基及びピリジル基、ピラジル基、ピリミジル基、トリアジニル基、フリル基、チエニル基などのヘテロアリール基が好ましく、フェニル基、ビフェニリル基、及びターフェニリル基がより好ましい。
【０１１３】
前記環形成原子数８〜５０の縮合環基は２以上の環が縮合した縮合環構造を含む基であり、例えば、ナフチル基、フェナントリル基、アントリル基、クリセニル基、ベンゾアントリル基、ベンゾフェナントリル基、トリフェニレニル基、ベンゾクリセニル基、インデニル基、フルオレニル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フルオランテニル基、ベンゾフルオランテニル基などの縮合アリール基及びベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、インドリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、キノリル基、フェナントロリニル基などの縮合ヘテロアリール基が好ましく、ナフチル基、フェナントリル基、アントリル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、フルオランテニル基、ベンゾアントリル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、及びカルバゾリル基がより好ましい。
【０１１４】
Ａｒの任意の置換基としては、上述の単環基又は縮合環基が好ましい。
【０１１５】
Ｌが表す置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基において、該アリーレン基は、ベンゼン、ナフチルベンゼン、ビフェニル、ターフェニル、ナフタレン、アセナフチレン、アントラセン、ベンゾアントラセン、アセアントラセン、フェナントレン、ベンゾ［ｃ］フェナントレン、フェナレン、フルオレン、ピセン、ペンタフェン、ピレン、クリセン、ベンゾ［ｇ］クリセン、ｓ−インダセン、ａｓ−インダセン、フルオランテン、ベンゾ［ｋ］フルオランテン、トリフェニレン、ベンゾ［ｂ］トリフェニレン及びペリレンから選ばれる芳香族炭化水素化合物から２個の水素原子を除いて得られる２価の基であり、フェニレン基、ビフェニルジイル基、ターフェニルジイル基、ナフタレンジイル基が好ましく、フェニレン基、ビフェニルジイル基、ターフェニルジイル基がより好ましく、フェニレン基がさらに好ましい。
【０１１６】
Ｌが表す置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜３０のヘテロアリーレン基において、該ヘテロアリーレン基は、少なくとも１個、好ましくは１〜５個の環形成ヘテロ原子、例えば、窒素原子、硫黄原子及び酸素原子を含む芳香族複素環化合物から２個の水素原子を除いて得られる２価の基である。該芳香族複素環化合物としては、ピロール、フラン、チオフェン、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、ピラゾール、イソオキサゾール、イソチアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール、テトラゾール、インドール、イソインドール、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、インドリジン、キノリジン、キノリン、イソキノリン、シンノリン、フタラジニン、キナゾリン、キノキサリン、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、インダゾール、ベンズイソキサゾール、ベンズイソチアゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、カルバゾール、フェナントリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、キサンテンなどが挙げられる。該ヘテロアリーレン基としては、フラン、チオフェン、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェンから２個の水素原子を除いて得られる２価の基が好ましく、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェンから２個の水素原子を除いて得られる２価の基がより好ましい。
【０１１７】
前記式（１９）の化合物は、下記式（２０）で表されるアントラセン誘導体であることが好ましい。
【化５６】
2018186396.tif 000057
【０１１８】
式（２０）において、Ｒ１０１〜Ｒ１０８は式（１９）で定義したとおりであり、Ｌ１は式（１９）のＬに関して定義したとおりであり、Ａｒ１１及びＡｒ１２は式（１９）のＡｒに関して定義したとおりである。
【０１１９】
式（２０）で表されるアントラセン誘導体は、下記アントラセン誘導体（Ａ）、（Ｂ）、及び（Ｃ）のいずれかであることが好ましく、有機ＥＬ素子の構成や求める特性に従って選択される。
【０１２０】
アントラセン誘導体（Ａ）
アントラセン誘導体（Ａ）は、式（２０）においてＡｒ１１及びＡｒ１２が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合環基である化合物である。Ａｒ１１及びＡｒ１２は同一でも異なっていてもよく、異なっていることが好ましい。
前記環形成原子数８〜５０の縮合環基は式（１９）に関して上述した通りであり、ナフチル基、フェナントリル基、ベンズアントリル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、及びジベンゾフラニル基が好ましい。
【０１２１】
アントラセン誘導体（Ｂ）
アントラセン誘導体（Ｂ）は、式（２０）においてＡｒ１１及びＡｒ１２の一方が置換若しくは無置換の環形成原子数５〜５０の単環基であり、他方が置換若しくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合環基である化合物である。
前記環形成原子数５〜５０の単環基及び前記環形成原子数８〜５０の縮合環基は式（１９）に関して上述した通りである。
本発明の一態様においては、Ａｒ１２がナフチル基、フェナントリル基、ベンゾアントリル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、又はジベンゾフラニル基であり、Ａｒ１１が無置換フェニル基、又は、単環基又は縮合環基（例えば、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、及びジベンゾフラニル基）で置換されたフェニル基であることが好ましい。
本発明の他の態様においては、Ａｒ１２が置換若しくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合環基であり、Ａｒ１１が無置換のフェニル基であることが好ましい。前記縮合環基として、フェナントリル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、ジベンゾフラニル基、又はベンゾアントリル基が特に好ましい。
【０１２２】
アントラセン誘導体（Ｃ）
アントラセン誘導体（Ｃ）は、式（２０）においてＡｒ１１及びＡｒ１２が、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の環形成原子数５〜５０の単環基である化合物である。
Ａｒ１１及びＡｒ１２がともに置換若しくは無置換のフェニル基であることが好ましく、Ａｒ１１が無置換のフェニル基であり、Ａｒ１２が単環基又は縮合環基で置換されたフェニル基であること、又は、Ａｒ１１及びＡｒ１２がそれぞれ独立に単環基又は縮合環基で置換されたフェニル基であることがより好ましい。
Ａｒ１１及びＡｒ１２の任意の置換基としての単環基及び縮合環基は式（１９）に関して上述したとおりであり、単環基としてはフェニル基及びビフェニル基が好ましく、縮合環基としてはナフチル基、フェナントリル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、ジベンゾフラニル基、及びベンゾアントリル基が好ましい。
【０１２３】
式（１９）及び式（２０）で表されるアントラセン誘導体の具体例としては、以下に示す化合物が挙げられる。
【０１２４】
下記化合物の構造において、６員環はすべてベンゼン環である。
【化５７】
2018186396.tif 000058
【０１２５】
下記化合物の構造において、６員環はすべてベンゼン環である。
【化５８】
2018186396.tif 000059
【０１２６】
下記化合物の構造において、６員環はすべてベンゼン環である。
【化５９】
2018186396.tif 000060
【０１２７】
【化６０】
2018186396.tif 000061
【０１２８】
【化６１】
2018186396.tif 000062
【０１２９】
【化６２】
2018186396.tif 000063
【０１３０】
【化６３】
2018186396.tif 000064
【０１３１】
【化６４】
2018186396.tif 000065
【０１３２】
【化６５】
2018186396.tif 000066
【０１３３】
【化６６】
2018186396.tif 000067
【０１３４】
【化６７】
2018186396.tif 000068
【０１３５】
【化６８】
2018186396.tif 000069
【０１３６】
【化６９】
2018186396.tif 000070
【０１３７】
【化７０】
2018186396.tif 000071
【０１３８】
【化７１】
2018186396.tif 000072
【０１３９】
下記化合物の構造において、６員環はすべてベンゼン環である。
【化７２】
2018186396.tif 000073
【０１４０】
下記化合物の構造において、６員環はすべてベンゼン環である。
【化７３】
2018186396.tif 000074
【０１４１】
下記化合物の構造において、６員環はすべてベンゼン環である。
【化７４】
2018186396.tif 000075
【０１４２】
下記化合物の構造において、６員環はすべてベンゼン環である。
【化７５】
2018186396.tif 000076
【０１４３】
下記化合物の構造において、６員環はすべてベンゼン環である。
【化７６】
2018186396.tif 000077
【０１４４】
下記化合物の構造において、６員環はすべてベンゼン環である。
【化７７】
2018186396.tif 000078
【０１４５】
下記化合物の構造において、６員環はすべてベンゼン環である。
【化７８】
2018186396.tif 000079
【０１４６】
下記化合物の構造において、６員環はすべてベンゼン環である。
【化７９】
2018186396.tif 000080
【０１４７】
【化８０】
2018186396.tif 000081
【０１４８】
【化８１】
2018186396.tif 000082
【０１４９】
前記クリセン骨格含有化合物としては、例えば、下記式（２１）で表される化合物が好ましい。
【化８２】
2018186396.tif 000083
【０１５０】
式（２１）において、Ｒ２０１〜Ｒ２１２は、それぞれ独立に、水素原子、置換基、又は−Ｌ２−Ａｒ２１である。但し、Ｒ２０１〜Ｒ２１２の少なくとも１つは−Ｌ２−Ａｒ２１である。
該置換基の詳細は式（Ｄ１）のＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記置換基と同じであり、Ｌ２及びＡｒ２１の詳細は、式（１９）のＬ及びＡｒに関して記載したとおりである。
Ｒ２０４とＲ２１０の一方又は双方が−Ｌ２−Ａｒ２１であることが好ましい。
【０１５１】
式（２１）で表されるクリセン誘導体の具体例としては、以下に示すものが挙げられるが、特にこれらに制限されるものではない。
【０１５２】
下記化合物の構造において、６員環はすべてベンゼン環である。
【化８３】
2018186396.tif 000084
【０１５３】
下記化合物の構造において、６員環はすべてベンゼン環である。
【化８４】
2018186396.tif 000085
【０１５４】
下記化合物の構造において、６員環はすべてベンゼン環である。
【化８５】
2018186396.tif 000086
【０１５５】
下記化合物の構造において、６員環はすべてベンゼン環である。
【化８６】
2018186396.tif 000087
【０１５６】
下記化合物の構造において、６員環はすべてベンゼン環である。
【化８７】
2018186396.tif 000088
【０１５７】
前記ピレン骨格含有化合物としては、例えば、下記式（２２）で表される化合物が好ましい。
【化８８】
2018186396.tif 000089
【０１５８】
式（２２）において、Ｒ３０１〜Ｒ３１０は、それぞれ独立に、水素原子、置換基、又は−Ｌ３−Ａｒ３１である。但し、Ｒ３０１〜Ｒ３１０の少なくとも１つは−Ｌ３−Ａｒ３１である。
該置換基の詳細は式（Ｄ１）のＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記置換基と同じであり、Ｌ３及びＡｒ３１の詳細は、式（１９）のＬ及びＡｒに関して記載したとおりである。
Ｒ３０１、Ｒ３０３、Ｒ３０６、及びＲ３０８のいずれか１つ以上が−Ｌ３−Ａｒ３１であることが好ましい。
【０１５９】
式（２２）で表されるピレン誘導体の具体例としては、以下に示す化合物が挙げられるが、特にこれらに制限されるものではない。
【０１６０】
下記化合物の構造において、６員環はすべてベンゼン環である。
【化８９】
2018186396.tif 000090
【０１６１】
下記化合物の構造において、６員環はすべてベンゼン環である。
【化９０】
2018186396.tif 000091
【０１６２】
下記化合物の構造において、６員環はすべてベンゼン環である。
【化９１】
2018186396.tif 000092
【０１６３】
下記化合物の構造において、６員環はすべてベンゼン環である。
【化９２】
2018186396.tif 000093
【０１６４】
【化９３】
2018186396.tif 000094
【０１６５】
【化９４】
2018186396.tif 000095
【０１６６】
【化９５】
2018186396.tif 000096
【０１６７】
【化９６】
2018186396.tif 000097
【０１６８】
【化９７】
2018186396.tif 000098
【０１６９】
【化９８】
2018186396.tif 000099
【０１７０】
【化９９】
2018186396.tif 000100
【０１７１】
【化１００】
2018186396.tif 000101
【０１７２】
【化１０１】
2018186396.tif 000102
【０１７３】
【化１０２】
2018186396.tif 000103
【０１７４】
【化１０３】
2018186396.tif 000104
【０１７５】
前記フルオレン骨格含有化合物としては、例えば、下記式（２３）で表される化合物が好ましい。
【化１０４】
2018186396.tif 000105
【０１７６】
式（２３）において、Ｒ４０１〜Ｒ４１０は、それぞれ独立に、水素原子、置換基、又は−Ｌ４−Ａｒ４１であり。但し、Ｒ４０１〜Ｒ４１０の少なくとも１つは−Ｌ４−Ａｒ４１である。
該置換基の詳細はＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記置換基と同じであり、Ｌ４及びＡｒ４１の詳細は、前記式（１９）のＬ及びＡｒに関して記載したとおりである。
Ｒ４０１とＲ４０２、Ｒ４０２とＲ４０３、Ｒ４０３とＲ４０４、Ｒ４０５とＲ４０６、Ｒ４０６とＲ４０７、及びＲ４０７とＲ４０８から選択される１以上の隣接する対が、互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成してもよい。
Ｒ４０２及びＲ４０７が−Ｌ４−Ａｒ４１であることが好ましい。Ｒ４０９及びＲ４１０が置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基又は−Ｌ４−Ａｒ４１であることが好ましい。
該炭素数１〜２０のアルキル基の詳細は、式（Ｄ１）のＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記アルキル基と同じである。
【０１７７】
式（２３）で表されるフルオレン誘導体の具体例としては、以下に示す化合物が挙げられるが、特にこれらに制限されるものではない。
【０１７８】
【化１０５】
2018186396.tif 000106
【０１７９】
第２化合物
第１の有機ＥＬ素子に使用される第２化合物は前記ドーパント材料及び第１化合物と共に蛍光発光層に使用され、蛍光発光層のコホスト材料として機能する。
第２化合物は、上述の式（１９）で表される化合物、上述の式（２１）で表される化合物、上述の式（２２）で表される化合物、上述の式（２３）で表される化合物、下記式（２ａ）で表されるアミン化合物、下記式（２ｂ）で表されるビスカルバゾール化合物、及び下記式（２ｃ）で表されるジアミン化合物から選ばれる１種以上であることが好ましい。
第２化合物は、下記式（２ａ）で表されるアミン化合物、下記式（２ｂ）で表されるビスカルバゾール化合物、及び下記式（２ｃ）で表されるジアミン化合物から選ばれる１種以上であることがより好ましい。
第２化合物は、下記式（２ａ）で表されるアミン化合物及び下記式（２ｂ）で表されるビスカルバゾール化合物から選ばれる１種以上であることがさらに好ましい。
【０１８０】
前記アミン化合物は下記式（２ａ）で表される。
【化１０６】
2018186396.tif 000107
【０１８１】
式（２ａ）において、Ａｒ１１、Ａｒ２２、及びＡｒ３３は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２４、さらに好ましくは６〜１８のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０、好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜１８、さらに好ましくは５〜１３のヘテロアリール基である。
該環形成炭素数６〜５０のアリール基及び該環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基の詳細は、式（Ｄ１）のＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記環形成炭素数６〜５０のアリール基及び前記環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基とそれぞれ同じである。
【０１８２】
式（２ａ）において、Ｌ１１、Ｌ２２、及びＬ３３は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２４、さらに好ましくは６〜１８のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０、好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜１８、さらに好ましくは５〜１３のヘテロアリーレン基である。
該環形成炭素数６〜５０のアリーレン基及び該環形成原子数５〜５０のヘテロアリーレン基の詳細は、式（１９）のＬに関して記載した前記環形成炭素数６〜５０のアリーレン基及び前記環形成原子数５〜５０のヘテロアリーレン基と同じである。
【０１８３】
式（２ａ）において、ｐ、ｑ、及びｒは、それぞれ独立に、０、１、又は２、好ましくは０又は１である。ｐが０のときＬ１１は単結合であり、ｑが０のときＬ２２は単結合であり、ｒが０のときＬ３３は単結合である。
【０１８４】
式（２ａ）で表される化合物の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。
【０１８５】
【化１０７】
2018186396.tif 000108
【０１８６】
【化１０８】
2018186396.tif 000109
【０１８７】
【化１０９】
2018186396.tif 000110
【０１８８】
【化１１０】
2018186396.tif 000111
【０１８９】
【化１１１】
2018186396.tif 000112
【０１９０】
【化１１２】
2018186396.tif 000113
【０１９１】
【化１１３】
2018186396.tif 000114
【０１９２】
【化１１４】
2018186396.tif 000115
【０１９３】
【化１１５】
2018186396.tif 000116
【０１９４】
【化１１６】
2018186396.tif 000117
【０１９５】
【化１１７】
2018186396.tif 000118
【０１９６】
前記ビスカルバゾール化合物は下記式（２ｂ）で表される。
【化１１８】
2018186396.tif 000119
【０１９７】
式（２ｂ）において、Ｒ７１〜Ｒ７８から選ばれる１つは＊ａに結合する単結合であり、Ｒ８１〜Ｒ８８から選ばれる１つは＊ｂに結合する単結合である。
前記単結合ではないＲ７１〜Ｒ７８及びＲ８１〜Ｒ８８は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２４、さらに好ましくは６〜１８のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０、好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜１８、さらに好ましくは５〜１３のヘテロアリール基である。
該炭素数１〜２０のアルキル基、該環形成炭素数６〜５０のアリール基、及び該環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基の詳細は、式（Ｄ１）のＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記炭素数１〜２０のアルキル基、前記環形成炭素数６〜５０のアリール基、及び前記環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基とそれぞれ同じである。
【０１９８】
前記単結合ではないＲ７１〜Ｒ７４から選ばれる隣接する２つ、前記単結合ではないＲ７５〜Ｒ７８から選ばれる隣接する２つ、前記単結合ではないＲ８１〜Ｒ８４から選ばれる隣接する２つ、及び前記単結合ではないＲ８５〜Ｒ８８から選ばれる隣接する２つは互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成してもよいし、環構造を形成しなくてもよい。
該環構造は、例えば、式（Ｄ１）の環π１及び環π２に関して記載した前記環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環及び前記環形成原子数５〜５０の芳香族複素環から選ばれ、好ましくは式（１）に関して記載した式（２）〜（１１）から選ばれる。
【０１９９】
式（２ｂ）において、Ａｒ４４及びＡｒ５５は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基である。
該環形成炭素数６〜５０のアリール基及び該環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基の詳細は、式（Ｄ１）のＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記環形成炭素数６〜５０のアリール基及び前記環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基とそれぞれ同じである。
【０２００】
式（２ｂ）において、Ｌ４４、Ｌ５５及びＬ６６は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリーレン基である。
該環形成炭素数６〜５０のアリーレン基及び該環形成原子数５〜５０のヘテロアリーレン基の詳細は、式（１９）のＬに関して記載した前記環形成炭素数６〜５０のアリーレン基及び前記環形成原子数５〜５０のヘテロアリーレン基と同じである。
【０２０１】
式（２ｂ）において、ｍ４、ｍ５、及びｍ６は、それぞれ独立に、０、１、又は２、好ましくは０又は１であり、ｍ４が０のときＬ４４は単結合であり、ｍ５が０のときＬ５５は単結合であり、ｍ６が０のときＬ６６は単結合である。
【０２０２】
式（２ｂ）は好ましくは下記式（２ｂ−１）〜（２ｂ−３）のいずれかで表される。
【化１１９】
2018186396.tif 000120
【０２０３】
式（２ｂ）で表される化合物の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。
【０２０４】
【化１２０】
2018186396.tif 000121
【０２０５】
【化１２１】
2018186396.tif 000122
【０２０６】
【化１２２】
2018186396.tif 000123
【０２０７】
【化１２３】
2018186396.tif 000124
【０２０８】
【化１２４】
2018186396.tif 000125
【０２０９】
【化１２５】
2018186396.tif 000126
【０２１０】
前記ジアミン化合物は下記式（２ｃ）で表される。
（Ａｒ８０）（Ａｒ８１）Ｎ−（Ｌ８０）−Ｎ（Ａｒ８２）（Ａｒ８３）          （２ｃ）
式（２ｃ）において、Ａｒ８０〜Ａｒ８３は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基である。
該環形成炭素数６〜５０のアリール基及び該環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基の詳細は、式（Ｄ１）のＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した前記環形成炭素数６〜５０のアリール基及び前記環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基とそれぞれ同じである。
式（２ｃ）において、Ｌ８０は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリーレン基である。
該環形成炭素数６〜５０のアリーレン基及び該環形成原子数５〜５０のヘテロアリーレン基の詳細は、式（１９）のＬに関して記載した前記環形成炭素数６〜５０のアリーレン基及び前記環形成原子数５〜５０のヘテロアリーレン基と同じである。
【０２１１】
式（２ｃ）で表される化合物の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。
【０２１２】
【化１２６】
2018186396.tif 000127
【０２１３】
【化１２７】
2018186396.tif 000128
【０２１４】
第２の有機ＥＬ素子
第２の有機ＥＬ素子は陰極、陽極、及び該陰極と該陽極の間に有機層を含有し、該有機層は蛍光発光層を含有する。
該蛍光発光層は、第１化合物、第１化合物よりも大きいアフィニティを有する第３化合物、及び蛍光スペクトルの半値幅が３０ｎｍ以下のドーパント材料を含む。
第３化合物は第１化合物よりも大きいアフィニティを有するので電子を捕捉し易い。従って、第３化合物を使用すると蛍光発光層への電子注入性は良好である。しかし、第３化合物は第１化合物よりも少量使用するので、蛍光発光層内で電子輸送経路が十分に形成されず、第３化合物に捕捉された電子が蛍光発光層内で移動し難くなる。
このように、第３化合物を少量使用することにより、蛍光発光層への電子注入性を良好に維持しながら、蛍光発光層内での電子輸送を抑制することができる。その結果、励起密度の高い領域（正孔と電子の再結合領域）が蛍光発光層の中央部に近づく。励起密度の高い領域が蛍光発光層の中央部に近づくと、励起によって蛍光発光層に隣接する層が劣化することを抑制することができる。これにより、前記した問題、すなわち、蛍光スペクトルの半値幅が狭いドーパントを使用した有機ＥＬ素子が有する寿命低下の問題が解決され、寿命が向上する。
【０２１５】
第２の有機ＥＬ素子で使用するドーパント材料の蛍光スペクトルの半値幅は３０ｎｍ以下、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以下である。半値幅が上記の範囲にあると、高い色純度が得られる。
第２の有機ＥＬ素子で使用するドーパント材料の蛍光スペクトルの半値幅は、例えば２ｎｍ以上である。
本発明で使用する蛍光スペクトルの半値幅の測定方法は後述する。
ドーパント材料の蛍光発光層中の含有量は第１化合物、第３化合物及びドーパント材料の合計量に対して１０質量％以下、好ましくは１〜１０質量％、より好ましくは１〜８質量％である。
【０２１６】
第３化合物は第１化合物よりも大きなアフィニティを有する。第１化合物と第３化合物のアフィニティの差は０．０５ｅＶ以上、好ましくは０．１ｅＶ以上である。
アフィニティの測定方法は後述する。
【０２１７】
第３化合物の蛍光発光層中の含有量は第１化合物の含有量よりも少なく、第1化合物、第３化合物及びドーパント材料の合計量に対して好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２〜３０質量％、さらにより好ましくは２〜２０質量％である。上記範囲であると、励起密度の高い領域が蛍光発光層の中央部に近づき、寿命が向上する。
【０２１８】
ドーパント材料
第２の有機ＥＬ素子のドーパント材料は式（Ｄ１）で表される化合物（ドーパント材料１）及び式（Ｄ２）で表される化合物（ドーパント材料２）から選ばれる少なくとも１種の化合物である。第２の有機ＥＬ素子のドーパント材料１及びドーパント材料２の詳細は、第１の有機ＥＬ素子に関して記載した前記ドーパント材料１及び前記ドーパント材料２と同じであるので、ここでは簡略化のため省略する。
【０２１９】
第１化合物
第２の有機ＥＬ素子で使用する第１化合物は、前記ドーパント材料及び第３化合物と共に蛍光発光層に使用され、蛍光発光層のホスト材料（メインホスト材料）として機能する。第２の有機ＥＬ素子の第１化合物の詳細は、第１の有機ＥＬ素子に関して記載した第１化合物と同じであるので、ここでは簡略化のため省略する。
【０２２０】
第３化合物
第３化合物は前記ドーパント材料及び第１化合物と共に第２の有機ＥＬ素子の蛍光発光層に使用され、蛍光発光層のコホスト材料として機能する。
第３化合物は下記式（３ａ）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
【化１２８】
2018186396.tif 000129
【０２２１】
式（３ａ）において、Ｌ７７は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２４、さらに好ましくは６〜１８のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０、好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜１８、さらに好ましくは５〜１３のヘテロアリーレン基である。
該環形成炭素数６〜５０のアリーレン基及び該環形成原子数５〜５０のヘテロアリーレン基の詳細は、式（１９）のＬに関して記載した対応する基とそれぞれ同じである。
【０２２２】
式（３ａ）において、Ａｒ６６は環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２４、さらに好ましくは６〜１８の芳香族炭化水素環又は環形成原子数５〜５０、好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜１８、さらに好ましくは５〜１３の芳香族複素環の２〜４価の残基であり、置換基を有していてもよい。
該環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環及び該環形成原子数５〜５０の芳香族複素環の詳細は、式（Ｄ１）の環π１及び環π２に関して記載した対応する環とそれぞれ同じである。
【０２２３】
式（３ａ）において、ｍ１１は０、１、又は２、好ましくは０又は１であり、ｍ１１が０のときＬ７７は単結合であり、ｍ１１が２のとき２個のＬ７７は同一でも異なっていてもよい。
【０２２４】
式（３ａ）において、ｍ２２は０又は１であり、ｍ２２が０のときＡ１−（Ｌ７７）ｍ１１−は存在せず、水素原子がＡ２に結合する。
【０２２５】
式（３ａ）において、ｍ３３は０、１、２、又は３、好ましくは０、１、又は２、より好ましくは０又は１であり、ｍ３３が０のときＡｒ６６は単結合であり、ｍ３３が２又は３のとき２又は３個のＡｒ６６は同一でも異なっていてもよい。
【０２２６】
式（３ａ）において、ｍ４４は０、１、２、又は３、好ましくは０、１、又は２、より好ましくは０又は１であり、ｍ４４が０のときＣＮは存在せず、水素原子がＡ６６に結合する。
【０２２７】
式（３ａ）において、ｍ５５は１、２、又は３、好ましくは１又は２であり、ｍ５５が２又は３のとき、２又は３個の−（Ａｒ６６）ｍ３３−（ＣＮ）ｍ５５は同一でも異なっていてもよい。
【０２２８】
式（３ａ）において、Ａ１は下記式（Ａ−１）〜（Ａ−１２）から選ばれる１価の残基であり、Ａ２は下記式（Ａ−１）〜（Ａ−１２）から選ばれる２〜４価の基である。
【化１２９】
2018186396.tif 000130
【０２２９】
式（Ａ−１）〜（Ａ−１２）において、Ｒ１〜Ｒ１２から選ばれる１つ、Ｒ２１〜Ｒ３０から選ばれる１つ、Ｒ３１〜Ｒ４０から選ばれる１つ、Ｒ４１〜Ｒ５０から選ばれる１つ、Ｒ５１〜Ｒ６０から選ばれる１つ、Ｒ６１〜Ｒ７２から選ばれる１つ、Ｒ７３〜Ｒ８６から選ばれる１つ、Ｒ８７〜Ｒ９４から選ばれる１つ、Ｒ９５〜Ｒ１０４から選ばれる１つ、Ｒ１０５〜Ｒｌ１４から選ばれる１つ、Ｒ１１５〜Ｒ１２４から選ばれる１つ、及びＲ１２５〜Ｒ１３４から選ばれる１つはＬ７７に結合する単結合である。
又は、Ｒ１〜Ｒ１２から選ばれる２〜４個、Ｒ２１〜Ｒ３０から選ばれる２〜４個、Ｒ３１〜Ｒ４０から選ばれる２〜４個、Ｒ４１〜Ｒ５０から選ばれる２〜４個、Ｒ５１〜Ｒ６０から選ばれる２〜４個、Ｒ６１〜Ｒ７２から選ばれる２〜４個、Ｒ７３〜Ｒ８６から選ばれる２〜４個、Ｒ８７〜Ｒ９４から選ばれる２〜４個、Ｒ９５〜Ｒ１０４から選ばれる２〜４個、Ｒ１０５〜Ｒｌ１４から選ばれる２〜４個、Ｒ１１５〜Ｒ１２４から選ばれる２〜４個、及びＲ１２５〜Ｒ１３４から選ばれる２〜４個のうちの１つはＬ７７に結合する単結合であり、他はＡｒ６６に結合する単結合である。
【０２３０】
前記単結合ではないＲ１〜Ｒ１２、Ｒ２１〜Ｒ３０、Ｒ３１〜Ｒ４０、Ｒ４１〜Ｒ５０、Ｒ５１〜Ｒ６０、Ｒ６１〜Ｒ７２、Ｒ７３〜Ｒ８６、Ｒ８７〜Ｒ９４、Ｒ９５〜Ｒ１０４、Ｒ１０５〜Ｒｌ１４、Ｒ１１５〜Ｒ１２４、及びＲ１２５〜Ｒ１３４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０、好ましくは３〜６、より好ましくは５又は６のシク口アルキル基、−Ｓｉ（Ｒ１０１）（Ｒ１０２）（Ｒ１０３）で表される基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２４、さらに好ましくは６〜１８のアリール基である。
該炭素数１〜２０のアルキル基、該環形成炭素数３〜２０のシク口アルキル基、該−Ｓｉ（Ｒ１０１）（Ｒ１０２）（Ｒ１０３）（Ｒ１０１、Ｒ１０２、及びＲ１０３は前記と同様）で表される基、及び該環形成炭素数６〜５０のアリール基の詳細は、式（Ｄ１）のＲＡ、ＲＢ及びＲＣに関して記載した対応する基とそれぞれ同じである。
【０２３１】
単結合ではないＲ１〜Ｒ１２、Ｒ２１〜Ｒ３０、Ｒ３１〜Ｒ４０、Ｒ４１〜Ｒ５０、Ｒ５１〜Ｒ６０、Ｒ６１〜Ｒ７２、Ｒ７３〜Ｒ８６、Ｒ８７〜Ｒ９４、Ｒ９５〜Ｒ１０４、Ｒ１０５〜Ｒｌ１４、Ｒ１１５〜Ｒ１２４、及びＲ１２５〜Ｒ１３４がすべて水素原子であってもよい。
【０２３２】
式（Ａ−１）〜（Ａ−１２）において、前記単結合ではないＲ１〜Ｒ１２、Ｒ２１〜Ｒ３０、Ｒ３１〜Ｒ４０、Ｒ４１〜Ｒ５０、Ｒ５１〜Ｒ６０、Ｒ６１〜Ｒ７２、Ｒ７３〜Ｒ８６、Ｒ８７〜Ｒ９４、Ｒ９５〜Ｒ１０４、Ｒ１０５〜Ｒｌ１４、Ｒ１１５〜Ｒ１２４、及びＲ１２５〜Ｒ１３４から選ばれる隣接する２つは互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成してもよい。
該環構造は、例えば、式（Ｄ１）の環π１及び環π２に関して記載した前記環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環及び前記環形成原子数５〜５０の芳香族複素環から選ばれ、好ましくは式（１）に関して記載した式（２）〜（１１）から選ばれる。
【０２３３】
式（３ａ）で表される化合物の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。
【０２３４】
【化１３０】
2018186396.tif 000131
【０２３５】
【化１３１】
2018186396.tif 000132
【０２３６】
【化１３２】
2018186396.tif 000133
【０２３７】
【化１３３】
2018186396.tif 000134
【０２３８】
【化１３４】
2018186396.tif 000135
【０２３９】
【化１３５】
2018186396.tif 000136
【０２４０】
【化１３６】
2018186396.tif 000137
【０２４１】
【化１３７】
2018186396.tif 000138
【０２４２】
前記の「置換基」又は「置換もしくは無置換」との記載における置換基としては、別段の定めのない限り、炭素数１〜５０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルキル基；環形成炭素数３〜５０、好ましくは３〜１０、より好ましくは３〜８、さらに好ましくは５又は６のシクロアルキル基；環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリール基；環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリール基を有する炭素数７〜５１、好ましくは７〜３０、より好ましくは７〜２０のアラルキル基；アミノ基；炭素数１〜５０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８）のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換又はジ置換アミノ基；炭素数１〜５０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルコキシ基；環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリールオキシ基；炭素数１〜５０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換、ジ置換又はトリ置換シリル基；環形成原子数５〜５０、好ましくは５〜２４、より好ましくは５〜１３のヘテロアリール基；炭素数１〜５０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のハロアルキル基；ハロゲン原子；シアノ基；ニトロ基；炭素数１〜５０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリール基から選ばれる置換基を有するスルホニル基；炭素数１〜５０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリール基から選ばれる置換基を有するジ置換ホスフォリル基；アルキルスルホニルオキシ基；アリールスルホニルオキシ基；アルキルカルボニルオキシ基；アリールカルボニルオキシ基；ホウ素含有基；亜鉛含有基；スズ含有基；ケイ素含有基；マグネシウム含有基；リチウム含有基；ヒドロキシ基；アルキル置換又はアリール置換カルボニル基；カルボキシル基；ビニル基；（メタ）アクリロイル基；エポキシ基；並びにオキセタニル基からなる群より選ばれる少なくとも１つが好ましいが、特にこれらに制限されるものではない。
これらの置換基は、さらに上述の任意の置換基により置換されていてもよい。また、隣接する２つの置換基は互いに結合して環構造を形成してもよい。
【０２４３】
上記置換基は、より好ましくは置換もしくは無置換の炭素数１〜５０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルキル基；置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜５０、好ましくは３〜１０、より好ましくは３〜８、さらに好ましくは５又は６のシクロアルキル基；置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリール基；置換もしくは無置換の炭素数１〜５０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換又はジ置換アミノ基；置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０、好ましくは５〜２４、より好ましくは５〜１３のヘテロアリール基、ハロゲン原子、シアノ基である。
【０２４４】
前記炭素数１〜５０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基（異性体基を含む）、ヘキシル基（異性体基を含む）、ヘプチル基（異性体基を含む）、オクチル基（異性体基を含む）、ノニル基（異性体基を含む）、デシル基（異性体基を含む）、ウンデシル基（異性体基を含む）、及びドデシル基（異性体基を含む）などが挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基及びペンチル基（異性体基を含む）が好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基及びｔ−ブチル基がより好ましく、メチル基、エチル基、イソプロピル基及びｔ−ブチル基が特に好ましい。
前記環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、アダマンチル基などが挙げられる。これらの中でも、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が好ましい。
前記環形成炭素数６〜５０のアリール基としては、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アセナフチレニル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、アセアントリル基、フェナントリル基、ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、フェナレニル基、フルオレニル基、ピセニル基、ペンタフェニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾ［ｇ］クリセニル基、ｓ−インダセニル基、ａｓ−インダセニル基、フルオランテニル基、ベンゾ［ｋ］フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ベンゾ［ｂ］トリフェニレニル基及びペリレニル基などが挙げられる。これらの中でも、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、フルオランテニル基が好ましく、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基がより好ましく、フェニル基がさらに好ましい。
前記環形成炭素数６〜５０のアリール基を有する炭素数７〜５１のアラルキル基のアリール部位の詳細は上記環形成炭素数６〜５０のアリール基と同じであり、アルキル部位の詳細は前記炭素数１〜５０のアルキル基と同じである。
前記炭素数１〜５０のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換又はジ置換アミノ基のアリール部位の詳細は上記環形成炭素数６〜５０のアリール基と同じであり、アルキル部位の詳細は前記炭素数１〜５０のアルキル基と同じである。
前記炭素数１〜５０のアルコキシ基のアルキル部位の詳細は前記炭素数１〜５０のアルキル基と同じである。
前記環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基のアリール部位の詳細は前記環形成炭素数６〜５０のアリール基と同じである。
前記炭素数１〜５０のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換、ジ置換又はトリ置換シリル基としては、モノアルキルシリル基、ジアルキルシリル基、トリアルキルシリル基；モノアリールシリル基、ジアリールシリル基、トリアリールシリル基；モノアルキルジアリールシリル基、ジアルキルモノアリールシリル基が挙げられる。これらの基のアルキル部位の詳細及びアリール部位の詳細は前記炭素数１〜５０のアルキル基及び前記環形成炭素数６〜５０のアリール基と同じである。
前記環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基としては、例えば、ピロリル基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、イミダゾピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ピラゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、イソベンゾチオフェニル基、インドリジニル基、キノリジニル基、キノリル基、イソキノリル基、シンノリル基、フタラジニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズオキサゾリル基、ベンズチアゾリル基、インダゾリル基、ベンズイソキサゾリル基、ベンズイソチアゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、９−フェニルカルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基及びキサンテニル基などが挙げられる。これらの中でも、ピリジル基、イミダゾピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、ベンズイミダゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、９−フェニルカルバゾリル基、フェナントロリニル基、キナゾリニル基が好ましい。
前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
前記炭素数１〜５０のハロアルキル基は、前記炭素数１〜５０のアルキル基の少なくとも１つの水素原子が前記ハロゲン原子で置換された基である。
前記炭素数１〜５０のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０のアリール基から選ばれる置換基を有するスルホニル基、前記炭素数１〜５０のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０のアリール基から選ばれる置換基を有するジ置換ホスフォリル基、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ、アルキル置換又はアリール置換カルボニル基のそれぞれのアリール部位の詳細及びアルキル部位の詳細は、それぞれ、前記環形成炭素数６〜５０のアリール基及び炭素数１〜５０のアルキル基と同じである。
【０２４５】
本発明は、置換基の例示、その好ましい例、より好ましい例などを他の置換基の例示、その好ましい例、より好ましい例などと自由に組み合わせた態様を含む。化合物、炭素数の範囲、原子数の範囲についても同様である。また、本発明は、置換基、化合物、炭素数の範囲、原子数の範囲に関する記載を自由に組み合わせた態様も含む。
【０２４６】
有機ＥＬ素子
有機ＥＬ素子の発光効率向上のためには、ドーパント材料の蛍光量子収率（ＰＬＱＹ）及び蛍光スペクトルの形状（半値幅）が重要視される。
最適な色調の光を得るために、フルカラーディスプレイで用いられる赤、緑及び青の３原色やそれに黄等を加えた４色以上の光はカラーフィルタにより目的としない波長の光をカットした後、或いは、マイクロキャビティ構造により目的波長の光を増幅し、それ以外の光を減衰させた後に外部に取り出されている。すなわち、目的波長以外の光はカットされるため、エネルギーロスにつながる。従って、ドーパント材料の発光スペクトル形状がよりシャープ（半値幅がより狭い）であると、カットされる光の波長域が狭くなるため、エネルギーロスが少なく効率の面で有利となる。
【０２４７】
シャープな発光スペクトルを示すドーパント材料としては、基底状態と励起状態の構造変化が少なく、振動準位の数が少ない化学構造が適すると考えられている。
【０２４８】
本発明で使用する式（Ｄ１）及び（Ｄ２）のドーパント材料は、縮合芳香環を基本構造とする剛直な構造であるので基底状態と励起状態の構造変化が少ない。
【０２４９】
式（Ｄ１）及び（Ｄ２）の縮合構造（各Ｒを除いた構造、以下同様）が対称である場合は、振動準位が縮重するため、よりシャープな発光スペクトルが得られると考えられる。縮合構造が対称であるとは、例えば、式（Ｄ１）の窒素原子と中央のＺとを結ぶ直線に対して縮合構造が対称であることを意味する。
式（Ｄ１）及び（Ｄ２）の縮合構造が非対称である場合は、置換基を導入することなく波長を調整する際に特に有効である。非対称の縮合構造とは、例えば、式（Ｄ１）の窒素原子と中央のＺとを結ぶ直線に対して縮合構造が対称ではないことを意味する。
【０２５０】
本発明の有機ＥＬ素子についてさらに説明する。なお、以下において「発光層」は特にことわらない限り蛍光発光層と燐光発光層を含む。
本発明の有機ＥＬ素子は、前述した様に、陰極、陽極、及び該陰極と該陽極の間に存在する有機層とを含有し、該有機層は蛍光発光層を含む。該蛍光発光層は第１化合物、該第１化合物よりも大きい正孔移動度を有する第２化合物、及び蛍光スペクトルの半値幅が３０ｎｍ以下のドーパント材料を含有するか、又は、第１化合物、該第１化合物よりも大きいアフィニティを有する第３化合物、及び蛍光スペクトルの半値幅が３０ｎｍ以下のドーパント材料を含有する。
前記蛍光発光層は熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ  Ａｃｔｉｖａｔｅd  Ｄｅｌａｙｅｄ  Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ）機構を用いる発光層であってもよい。また、前記蛍光発光層は、燐光発光性を有する重金属錯体、例えば、イリジウム錯体、白金錯体、オスミウム錯体、レニウム錯体、ルテニウム錯体等、を含まない。
【０２５１】
本発明の有機ＥＬ素子は、蛍光発光型又は熱活性化遅延蛍光機構を用いる単色発光素子であっても、２以上の上記単色発光素子を含むハイブリッド型の白色発光素子であってもよいし、単独の発光ユニットを有するシンプル型であっても、複数の発光ユニットを有するタンデム型であってもよい。ここで、「発光ユニット」とは、有機層を含み、そのうちの一層が発光層であり、注入された正孔と電子が再結合することにより発光することができる最小単位をいう。
【０２５２】
シンプル型有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、以下の素子構成を挙げることができる。
（１）陽極／発光ユニット／陰極
但し、下記発光ユニットは少なくとも１つの蛍光発光層を含む。また、上記発光ユニットは、燐光発光層、蛍光発光層及び熱活性化遅延蛍光機構を用いる発光層から選ばれる２以上の発光層を含む積層型であってもよい。燐光発光層で生成された励起子が蛍光発光層に拡散することを防ぐ目的で、２つの発光層の間にスペース層を介在させてもよい。発光ユニットの代表的な層構成を以下に示す。括弧内の層は任意である。
（ａ）（正孔注入層／）正孔輸送層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｂ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第一蛍光発光層／第二蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｃ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｄ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第一燐光発光層／第二燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｅ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第一燐光発光層／スペース層／第二燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｆ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層／スペース層／第一蛍光発光層／第二蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｇ）（正孔注入層／）第一正孔輸送層／第二正孔輸送層／蛍光発光層／第一電子輸送層／第二電子輸送層（／電子注入層）
【０２５３】
上記燐光発光層又は蛍光発光層は、それぞれ互いに異なる発光色を示すものとすることができる。具体的には、上記発光ユニット（ｄ）において、正孔輸送層／第一燐光発光層（赤色発光）／第二燐光発光層（緑色発光）／スペース層／蛍光発光層（青色発光）／電子輸送層といった層構成が挙げられる。
なお、各発光層と正孔輸送層あるいはスペース層との間には、電子阻止層を設けてもよい。また、各発光層と電子輸送層との間には、正孔阻止層を設けてもよい。電子阻止層や正孔阻止層を設けることで、電子又は正孔を発光層内に閉じ込めて、発光層における電荷の再結合確率を高め、発光効率を向上させることができる。
【０２５４】
タンデム型有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、以下の素子構成を挙げることができる。
（２）陽極／第一発光ユニット／中間層／第二発光ユニット／陰極
上記第一発光ユニット及び第二発光ユニットとしては、例えば、それぞれ独立に、上述の発光ユニットから選択することができる。
上記中間層は、一般的に、中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層、中間絶縁層とも呼ばれ、第一発光ユニットに電子を、第二発光ユニットに正孔を供給することが出来る公知の材料を用いることができる。
【０２５５】
図１に、本発明の有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す。有機ＥＬ素子１は、基板２、陽極３、陰極４、及び該陽極３と陰極４との間に配置された発光ユニット（有機層）１０とを有する。発光ユニット１０は蛍光発光層５を有する。蛍光発光層５と陽極３との間に正孔注入層／正孔輸送層６など、蛍光発光層５と陰極４との間に電子注入層／電子輸送層７などを形成してもよい。また、蛍光発光層５の陽極３側に電子阻止層を、蛍光発光層５の陰極４側に正孔阻止層を、それぞれ設けてもよい。これにより、電子や正孔を蛍光発光層５に閉じ込めて、蛍光発光層５における励起子の生成確率を高めることができる。
【０２５６】
本明細書において、蛍光ドーパント材料と組み合わされたホスト材料を蛍光ホスト材料と称し、燐光ドーパント材料と組み合わされたホスト材料を燐光ホスト材料と称する。蛍光ホスト材料と燐光ホスト材料は、分子構造のみにより区分されるものではない。すなわち、蛍光ホスト材料とは、蛍光ドーパント材料を含有する蛍光発光層に用いるドーパント材料を意味し、燐光発光層に用いることができないことを意味しているわけではない。燐光ホスト材料についても同様である。
【０２５７】
基板
本発明の有機ＥＬ素子は、透光性基板上に作製する。透光性基板は有機ＥＬ素子を支持する基板であり、４００ｎｍ〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上で平滑な基板が好ましい。具体的には、ガラス板、ポリマー板などが挙げられる。ガラス板としては、ソーダ石灰ガラス、バリウム−ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英などを原料として用いてなるものを挙げられる。またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォンなどを原料として用いてなるものを挙げることができる。
【０２５８】
陽極
有機ＥＬ素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する役割を担うものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有するものを用いることが効果的である。陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、酸化インジウム亜鉛酸化物、金、銀、白金、銅などが挙げられる。陽極はこれらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法などの方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の可視領域の光の透過率を１０％より大きくすることが好ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は、材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍである。
【０２５９】
陰極
陰極は電子注入層、電子輸送層又は発光層に電子を注入する役割を担うものであり、仕事関数の小さい材料により形成するのが好ましい。陰極材料は特に限定されないが、具体的にはインジウム、アルミニウム、マグネシウム、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−スカンジウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金などが使用できる。陰極も、陽極と同様に、蒸着法やスパッタリング法などの方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。また、必要に応じて、陰極側から発光層からの発光を取り出してもよい。
【０２６０】
正孔注入層
正孔注入層は、正孔注入性の高い材料（正孔注入性材料）を含む層である。
正孔注入性材料としては、芳香族アミン化合物、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。
【０２６１】
正孔輸送層
発光層と陽極との間に形成される有機層であって、正孔を陽極から発光層へ輸送する機能を有する。正孔輸送層が複数層で構成される場合、陽極に近い有機層を正孔注入層と定義することがある。正孔注入層は、陽極から正孔を効率的に有機層ユニットに注入する機
能を有する。
【０２６２】
正孔輸送層を形成する材料としては、芳香族アミン化合物、例えば、下記式（Ｉ）で表される芳香族アミン誘導体が好ましい。
【化１３８】
2018186396.tif 000139
【０２６３】
前記式（Ｉ）において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１２の非縮合アリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１２の縮合アリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０、好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１２の非縮合ヘテロアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０、好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１２の縮合ヘテロアリール基、又は、前記非縮合アリール基又は縮合アリール基と前記非縮合ヘテロアリール基又は縮合ヘテロアリール基が結合した基を表す。
Ａｒ1とＡｒ2及びＡｒ3とＡｒ4は互いに結合して環を形成してもよい。
前記式（Ｉ）において、Ｌは置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１２の非縮合アリーレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１２の縮合アリーレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０、好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１２の非縮合ヘテロアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０、好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１２の縮合ヘテロアリーレン基を表す。
【０２６４】
式（Ｉ）の化合物の具体例を以下に記す。
【０２６５】
【化１３９】
2018186396.tif 000140
【０２６６】
【化１４０】
2018186396.tif 000141
【０２６７】
また、下記式（ＩＩ）の芳香族アミンも正孔輸送層の材料として好ましい。
【０２６８】
【化１４１】
2018186396.tif 000142
【０２６９】
前記式（ＩＩ）において、Ａｒ１〜Ａｒ３は前記式（Ｉ）のＡｒ１〜Ａｒ４の定義と同様である。以下に式（ＩＩ）の化合物の具体例を記すがこれらに限定されるものではない。
【０２７０】
【化１４２】
2018186396.tif 000143
【０２７１】
【化１４３】
2018186396.tif 000144
【０２７２】
正孔輸送層は第１正孔輸送層（陽極側）と第２正孔輸送層（陰極側）の２層構造にしてもよい。
【０２７３】
正孔輸送層の膜厚は特に限定されないが、１０〜２００ｎｍであるのが好ましい。正孔輸送層が、第１正孔輸送層（陽極側）と第２正孔輸送層（陰極側）の２層構造である場合、第１正孔輸送層の膜厚は、好ましくは５０〜１５０ｎｍ、より好ましくは５０〜１１０ｎｍであり、第２正孔輸送層の膜厚は、好ましくは５〜５０ｎｍ、より好ましくは５〜３０ｎｍである。
【０２７４】
正孔輸送層又は第１正孔輸送層の陽極側にアクセプター材料を含有する層を接合してもよい。これにより駆動電圧の低下及び製造コストの低減が期待される。
【０２７５】
前記アクセプター材料としては下記式で表される化合物が好ましい。
【化１４４】
2018186396.tif 000145
【０２７６】
アクセプター材料を含有する層の膜厚は特に限定されないが、５〜２０ｎｍであるのが好ましい。
【０２７７】
発光層
発光機能を有する有機層であって、ドーピングシステムを採用する場合、ホスト材料とドーパント材料を含んでいる。このとき、ホスト材料は、主に電子と正孔の再結合を促し、励起子を発光層内に閉じ込める機能を有し、ドーパント材料は、再結合で得られた励起子を効率的に発光させる機能を有する。
燐光素子の場合、ホスト材料は主にドーパント材料で生成された励起子を発光層内に閉じ込める機能を有する。
前記ドーパント材料及び前記ホスト材料（第１化合物と第２化合物、又は、第１化合物と第３化合物）の合計量は発光層の全質量に対して７０質量％以上、好ましくは８０質量％以上、より好ましくは９０質量％以上（いずれも１００％を含む）である。
【０２７８】
量子収率の高いドーパント材料を二種類以上用いることによって、それぞれのドーパント材料が発光するダブルドーパントシステムを採用してもよい。例えば、ホスト材料、赤色ドーパント材料及び緑色ドーパント材料を共蒸着して単一の発光層を形成することにより、黄色発光層を得ることが出来る。
【０２７９】
発光層への正孔の注入し易さと電子の注入し易さは異なっていてもよく、また、発光層中での正孔移動度で表される正孔輸送能と電子移動度で表される電子輸送能が異なっていてもよい。
【０２８０】
発光層は、例えば蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法などの公知の方法により形成することができる。また、樹脂などの結着剤と発光層材料の溶液をスピンコート法などにより薄膜化することによっても発光層を形成することができる。
【０２８１】
発光層は、分子堆積膜であることが好ましい。分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことである。通常この分子堆積膜は、ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。
発光層の膜厚は、好ましくは５〜５０ｎｍ、より好ましくは７〜５０ｎｍ、さらに好ましくは１０〜５０ｎｍである。５ｎｍ以上であると発光層の形成が容易であり、５０ｎｍ以下であると駆動電圧の上昇が避けられる。
【０２８２】
ドーパント材料
蛍光ドーパント材料（蛍光発光材料）は一重項励状態から発光する化合物である。上記した式（Ｄ１）及び（Ｄ２）で表される化合物以外の蛍光ドーパント材料を使用してもよい。そのような蛍光ドーパント材料は、一重項励状態から発光する限り特に限定されないが、フルオランテン誘導体、スチリルアリーレン誘導体、ピレン誘導体、アリールアセチレン誘導体、フルオレン誘導体、ホウ素錯体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アントラセン誘導体、スチリルアミン誘導体、アリールアミン誘導体などが挙げられ、好ましくは、アントラセン誘導体、フルオランテン誘導体、スチリルアミン誘導体、アリールアミン誘導体、スチリルアリーレン誘導体、ピレン誘導体、ホウ素錯体、より好ましくはアントラセン誘導体、フルオランテン誘導体、スチリルアミン誘導体、アリールアミン誘導体、ホウ素錯体化合物などが挙げられる。
燐光発光層に使用される燐光ドーパント材料（燐光発光材料）は三重項励状態から発光する化合物である。燐光ドーパント材料としては、イリジウム錯体、白金錯体、オスミウム錯体、レニウム錯体、ルテニウム錯体等の金属錯体が使用出来る。
【０２８３】
ホスト材料
本発明の一態様において、蛍光発光層は第１化合物をホスト材料（メインホスト材料）として、及び、該第１化合物よりも大きい正孔移動度を有する第２化合物をコホスト材料として含む。本発明の他の態様において、蛍光発光層は第１化合物をホスト材料（メインホスト材料）として、及び、該該第１化合物よりも大きいアフィニティを有する第３化合物をコホスト材料として含む。
発光層に使用してもよいその他のホスト材料としては、例えば、アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体；オキサジアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素環化合物；カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体等の縮合芳香族化合物；トリアリールアミン誘導体、縮合多環芳香族アミン誘導体等の芳香族アミン化合物が挙げられる。
【０２８４】
電子輸送層
発光層と陰極との間に形成される有機層であって、電子を陰極から発光層へ輸送する機能を有する。
【０２８５】
電子輸送層に用いる電子輸送性材料としては、分子内にヘテロ原子を１個以上含有する芳香族複素環化合物が好ましく、含窒素環誘導体が好ましい。また、含窒素環誘導体としては、含窒素６員環もしくは５員環骨格を有する芳香族複素環化合物、又は含窒素６員環もしくは５員環骨格を有する縮合芳香族複素環化合物が好ましい。
この含窒素環誘導体としては、例えば、下記式（Ａ）で表される含窒素環金属キレート錯体が好ましい。
【化１４５】
2018186396.tif 000146
【０２８６】
式（Ａ）において、Ｒ２〜Ｒ７は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アミノ基、炭素数１〜４０、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜６の炭化水素基、炭素数１〜４０、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜６のアルコキシ基、環形成炭素数６〜４０、好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜４０、好ましくは２〜２０、より好ましくは２〜１０、さらに好ましくは２〜５のアルコキシカルボニル基又は環形成原子数９〜４０、好ましくは９〜３０、より好ましくは９〜２０のヘテロアリール基であり、これらは置換されていてもよい。
Ｍは、アルミニウム、ガリウム又はインジウムであり、Ｉｎが好ましい。
Ｌは、下記式（Ａ’）又は（Ａ”）で表される基である。
【化１４６】
2018186396.tif 000147
【０２８７】
式（Ａ’）中、Ｒ８〜Ｒ１２は、それぞれ独立に、水素原子又は置換もしくは無置換の炭素数１〜４０、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜６の炭化水素基であり、互いに隣接する基が環構造を形成していてもよい。
式（Ａ”）中、Ｒ１３〜Ｒ２７は、それぞれ独立に、水素原子又は置換もしくは無置換の炭素数１〜４０、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜６の炭化水素基であり、互いに隣接する基が環構造を形成していてもよい。
Ｒ８〜Ｒ１２及びＲ１３〜Ｒ２７の互いに隣接する基が環構造を形成した場合の２価の基としては、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ジフェニルメタン−２，２’−ジイル基、ジフェニルエタン−３，３’−ジイル基、ジフェニルプロパン−４，４’−ジイル基等が挙げられる。
【０２８８】
８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体、オキサジアゾール誘導体、含窒素複素環誘導体も電子輸送層に用いられる電子輸送性材料として好ましい。
【０２８９】
これらの電子輸送性材料は、薄膜形成性の良好なものが好ましく用いられる。電子輸送性材料の具体例としては、下記のものを挙げることができる。
【化１４７】
2018186396.tif 000148
【０２９０】
以下の式で表される含窒素複素環基を有する化合物も電子輸送層に用いられる電子輸送性材料として好ましい。
【化１４８】
2018186396.tif 000149
（上記式中、各Ｒは、環形成炭素数６〜４０の非縮合アリール基、環形成炭素数１０〜４０の縮合アリール基、環形成炭素数３〜４０の非縮合ヘテロアリール基、環形成炭素数３〜４０の縮合ヘテロアリール基、炭素数１〜２０のアルキル基、又は炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、ｎは０〜５の整数であり、ｎが２以上の整数であるとき、複数のＲは互いに同一又は異なっていてもよい。）
【０２９１】
電子輸送層は、下記式（６０）〜（６２）で表される含窒素複素環誘導体を少なくとも１種含むことが特に好ましい。
【化１４９】
2018186396.tif 000150
【０２９２】
式（６０）〜（６２）において、Ｚ１１、Ｚ１２及びＺ１３は、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子である。
ＲＡ及びＲＢは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１２のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０、好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１２のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６のハロアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６のアルコキシ基である。
ｎは、０〜５の整数であり、ｎが２以上の整数であるとき、複数のＲＡは互いに同一でも異なっていてもよい。また、隣接する２つのＲＡ同士が互いに結合して、置換もしくは無置換の炭化水素環を形成していてもよい。
Ａｒ１１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１２のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０、好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１２）のヘテロアリール基である。
Ａｒ１２は、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６のハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１２のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０、好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１２のヘテロアリール基である。
但し、Ａｒ１１、Ａｒ１２のいずれか一方は、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０、好ましくは１０〜３０、より好ましくは１０〜２０、さらに好ましくは１０〜１４の縮合アリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数９〜５０、好ましくは９〜３０、より好ましくは９〜２０、さらに好ましくは９〜１４の縮合ヘテロアリール基である。
Ａｒ１３は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１２のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０、好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１２のヘテロアリーレン基である。
Ｌ１１、Ｌ１２及びＬ１３は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１２のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数９〜５０、好ましくは９〜３０、より好ましくは９〜２０、さらに好ましくは９〜１４）の縮合ヘテロアリーレン基である。
【０２９３】
上記式（６０）〜（６２）で表される含窒素複素環誘導体の具体例としては、以下に示すものが挙げられる。
【化１５０】
2018186396.tif 000151
【０２９４】
本発明の有機ＥＬ素子の電子輸送層は第１電子輸送層（陽極側）と第２電子輸送層（陰極側）の２層構造にしてもよい。
電子輸送層の膜厚は、特に限定されないが、好ましくは１ｎｍ〜１００ｎｍである。有機ＥＬ素子の電子輸送層は第１電子輸送層（陽極側）と第２電子輸送層（陰極側）の２層構造である場合、第１電子輸送層の膜厚は、好ましくは５〜６０ｎｍ、より好ましくは１０〜４０ｎｍであり、第２電子輸送層の膜厚は、好ましくは１〜２０ｎｍ、より好ましくは１〜１０ｎｍである。
【０２９５】
電子注入層は、陰極から電子を効率的に有機層ユニットに注入する機能を有する。
電子注入層を形成する材料は前記含窒素複素環誘導体から選ぶことが出来る。また、絶縁体又は半導体などの無機化合物を使用することが好ましい。電子注入層が絶縁体又は半導体を含んでいると、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。
【０２９６】
このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物、及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲニドなどを含んでいると、電子注入性をさらに向上させることができる。好ましいアルカリ金属カルコゲニドとしては、例えば、Ｌｉ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２Ｓｅ及びＮａ２Ｏが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲニドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ及びＣａＳｅが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ及びＮａＣｌなどが挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２及びＢｅＦ２などのフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。
【０２９７】
半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物などの一種又は二種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子注入層に含まれる無機化合物を含む電子注入層は微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。このような絶縁性薄膜は均質な薄膜であるので、ダークスポットなどの画素欠陥を減少させることができる。
【０２９８】
上記絶縁体又は半導体を使用する場合、電子注入層の好ましい厚みは０．１〜１５ｎｍである。また、本電子注入層は、後述する電子供与性ドーパント材料を含有していてもよい。
【０２９９】
電子注入層の電子移動度は、電界強度０．０４〜０．５ＭＶ／ｃｍにおいて、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上であることが好ましい。これにより陰極からの電子輸送層への電子注入が促進され、ひいては隣接する阻止層、発光層への電子注入も促進され、より低電圧での駆動が可能になる。
【０３００】
電子供与性ドーパント材料
本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と発光ユニットとの界面領域に電子供与性ドーパント材料を有することが好ましい。このような構成によれば、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。電子供与性ドーパント材料とは、仕事関数３．８ｅＶ以下の金属及びこれを含有する化合物をいい、例えば、アルカリ金属、アルカリ金属錯体、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属錯体、アルカリ土類金属化合物、希土類金属、希土類金属錯体、及び希土類金属化合物などから選ばれた少なくとも一種類が挙げられる。
【０３０１】
アルカリ金属としては、Ｎａ（仕事関数：２．３６ｅＶ）、Ｋ（仕事関数：２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（仕事関数：２．１６ｅＶ）、Ｃｓ（仕事関数：１．９５ｅＶ）などが挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。アルカリ土類金属としては、Ｃａ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数：２．０ｅＶ〜２．５ｅＶ）、Ｂａ（仕事関数：２．５２ｅＶ）などが挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。希土類金属としては、Ｓｃ、Ｙ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｙｂなどが挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。
【０３０２】
アルカリ金属化合物としては、Ｌｉ２Ｏ、Ｃｓ２Ｏ、Ｋ２Ｏなどのアルカリ酸化物、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＣｓＦ、ＫＦなどのアルカリハロゲン化物などが挙げられ、ＬｉＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＮａＦが好ましい。アルカリ土類金属化合物としては、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ及びこれらを混合したＢａｘＳｒ１−ｘＯ（０＜ｘ＜１）、ＢａｘＣａ１−ｘＯ（０＜ｘ＜１）などが挙げられ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯが好ましい。希土類金属化合物としては、ＹｂＦ３、ＳｃＦ３、ＳｃＯ３、Ｙ２Ｏ３、Ｃｅ２Ｏ３、ＧｄＦ３、ＴｂＦ３などが挙げられ、ＹｂＦ３、ＳｃＦ３、ＴｂＦ３が好ましい。
【０３０３】
アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体としては、それぞれ金属イオンとしてアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、希土類金属イオンの少なくとも一つ含有するものであれば特に限定はない。また、配位子にはキノリノール、ベンゾキノリノール、アクリジノール、フェナントリジノール、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシジアリールオキサジアゾール、ヒドロキシジアリールチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、ヒドロキシフルボラン、ビピリジル、フェナントロリン、フタロシアニン、ポルフィリン、シクロペンタジエン、β−ジケトン類、アゾメチン類、及びそれらの誘導体などが挙げられる。
【０３０４】
電子供与性ドーパント材料は界面領域に層状又は島状に形成すると好ましい。形成方法としては、抵抗加熱蒸着法により電子供与性ドーパント材料を蒸着しながら、界面領域を形成する有機化合物（発光材料や電子注入材料）を同時に蒸着させ、有機化合物に電子供与性ドーパント材料を分散する方法が好ましい。分散濃度はモル比で有機化合物：電子供与性ドーパント材料＝１００：１〜１：１００である。
【０３０５】
電子供与性ドーパント材料を層状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を層状に形成した後に、還元ドーパント材料を単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは層の厚み０．１ｎｍ〜１５ｎｍで形成する。電子供与性ドーパント材料を島状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を島状に形成した後に、電子供与性ドーパント材料を単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、島の厚み０．０５ｎｍ〜１ｎｍで形成する。
本発明の有機ＥＬ素子における、主成分と電子供与性ドーパント材料の割合は、モル比で主成分：電子供与性ドーパント材料＝５：１〜１：５であると好ましい。
【０３０６】
ｎ／ｐドーピング
特許第３６９５７１４号明細書に記載されているように、ドナー性材料のドーピング（ｎ）やアクセプター性材料のドーピング（ｐ）により正孔輸送層や電子輸送層のキャリア注入能を調整することができる。
ｎドーピングの代表例としては、電子輸送材料にＬｉやＣｓなどの金属をドーピングする方法が挙げられ、ｐドーピングの代表例としては、正孔輸送材料にＦ４ＴＣＮＱなどのアクセプター材料をドーピングする方法が挙げられる。
【０３０７】
スペース層
スペース層とは、例えば、蛍光発光層と燐光発光層とを積層する場合に、燐光発光層で生成する励起子を蛍光発光層に拡散させないため、あるいは、キャリアバランスを調整するために、蛍光発光層と燐光発光層との間に設けられる層である。また、スペース層は、複数の燐光発光層の間に設けることもできる。
スペース層は発光層間に設けられるため、電子輸送性と正孔輸送性を兼ね備える材料で形成することが好ましい。また、隣接する燐光発光層内の三重項エネルギーの拡散を防ぐため、スペース層の三重項エネルギーが２．６ｅＶ以上であることが好ましい。スペース層に用いられる材料としては、上述の正孔輸送層に用いられるものと同様のものが挙げられる。
【０３０８】
阻止層
電子阻止層、正孔阻止層、トリプレット阻止層といった阻止層を発光層に隣接して設けることが好ましい。電子阻止層とは、発光層から正孔輸送層へ電子が漏れることを防ぐ層であり、発光層と正孔輸送層との間に設けられる層である。正孔阻止層とは、発光層から電子輸送層へ正孔が漏れることを防ぐ層であり、発光層と電子輸送層との間に設けられる層である。トリプレット阻止層は、発光層で生成する三重項励起子が、周辺の層へ拡散することを防止する層である。三重項励起子を発光層内に閉じ込めることによって、ドーパント材料以外の電子輸送層の分子上で三重項励起子のエネルギーが失活することを抑制する。
【０３０９】
電子機器
本発明の有機ＥＬ素子は優れた性能を有するため、有機ＥＬパネルモジュールなどの表示部品；テレビ、携帯電話、パーソナルコンピュータなどの表示装置；照明、車両用灯具の発光装置、などの電子機器に使用できる。
【実施例】
【０３１０】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらにより何ら限定されるものではない。【０３１１】
合成実施例１（化合物ＢＤ−１の合成）
（１）中間体３の合成
【化１５１】
2018186396.tif 000152
【０３１２】
アルゴン雰囲気下、２，４，６−トリクロロアニリン１．０ｇ（５．０９ｍｍｏｌ）、２−ブロモナフタレン２．２１ｇ（１０．７ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム２２ｍｇ（０．１０２ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスフィンテトラフルオロボレート５９ｍｇ（０．２０４ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔ−ブトキシド１．３８ｇ（１５．３ｍｍｏｌ）をトルエン１５ｍＬに溶かし、１００℃で６時間攪拌した。反応終了後、水を加え、ジクロロメタンで抽出した。有機層を集め、濃縮後得られた固体をカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、白色固体１．５ｇを得た。得られた固体は目的物である中間体３であり、マススペクトル分析の結果、分子量４４８．７７に対し、ｍ／ｅ＝４４８であった。（収率６６％）【０３１３】
（２）中間体４の合成
【化１５２】
2018186396.tif 000153
【０３１４】
アルゴン雰囲気下、中間体３  １００ｍｇ（０．２２３ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム２．５ｍｇ（０．０１１１ｍｍｏｌ）、トリシクロヘキシルホスフィンテトラフルオロボレート６．４ｍｇ（０．０２２２ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム９２ｍｇ（０．６６９ｍｍｏｌ）をジメチルアセトアミド３ｍＬに溶かし、１４０℃で６時間加熱した。反応終了後、水を加え、ジクロロメタンで抽出した。有機層を集め、濃縮後得られた固体をフラッシュカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、黄色固体２６ｍｇを得た。得られた固体は目的物である中間体４であり、マススペクトル分析の結果、分子量３７５．８５に対し、３７５であった。（収率３０％）【０３１５】
（３）化合物ＢＤ−１の合成
【化１５３】
2018186396.tif 000154
【０３１６】
アルゴン雰囲気下、中間体４  ２０ｍｇ（０．０５３２ｍｍｏｌ）、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルボロン酸９．３ｍｇ（０．０６３９ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム１．２ｍｇ（０．００５３２ｍｍｏｌ）、トリｔ−ブチルホスフィンテトラフルオロボレート３．１ｍｇ（０．０１０６ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１４．７ｍｇ（０．１０６ｍｍｏｌ）にジメトキシエタン２ｍＬと水０．５ｍＬを加え、８０℃で１２時間攪拌した。反応終了後、水を加え、ジクロロメタンで抽出した。有機層を集め、濃縮後得られた固体をカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、黄色固体１６ｍｇを得た。得られた固体は目的物である化合物ＢＤ−１であり、マススペクトル分析の結果、分子量４７３．６１に対し、ｍ／ｅ＝４７３であった。（収率６４％）【０３１７】
合成実施例２（化合物ＢＤ−２の合成）
【化１５４】
2018186396.tif 000155
【０３１８】
（１）中間体１３の合成
アルゴン雰囲気下、２，７−ジブロモナフタレン５．０ｇ（１７ｍｍｏｌ）を、無水テトラヒドロフラン８０ｍＬと無水トルエン４０ｍＬの混合溶媒に溶かし、ドライアイス／アセトン浴で−４８℃に冷却した。これに、ｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液１０．６ｍＬ（１．６４ｍｏｌ／Ｌ、１７ｍｍｏｌ）を加え、−４５℃で２０分間、次いで−７２℃で３０分間撹拌した。反応混合物にヨウ素４．９ｇ（１９ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液を加え、−７２℃で１時間、次いで室温で２．５時間撹拌した。反応混合物を１０質量％亜硫酸ナトリウム水溶液６０ｍＬで失活させ、トルエン１５０ｍＬで抽出した。有機層を飽和食塩水３０ｍＬで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒留去して減圧乾燥し、淡黄色固体５．６６ｇを得た。得られた固体は目的物である中間体１３であり、マススペクトル分析の結果、分子量３３９に対し、ｍ／ｅ＝３３９であった。（収率９９％）【０３１９】
（２）中間体１４の合成
アルゴン雰囲気下、９Ｈ−カルバゾール２．５５ｇ（１５ｍｍｏｌ）、２−ブロモ−７−ヨードナフタレン５．７ｇ（１７ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅３０ｍｇ（０．１６ｍｍｏｌ）、及びリン酸三カリウム７．５ｇ（３５ｍｍｏｌ）を無水１，４−ジオキサン２０ｍＬに懸濁し、ｔｒａｎｓ−１，２−ジアミノシクロヘキサン０．１９ｍＬ（１．６ｍｍｏｌ）を加え、１０時間還流した。反応終了後、トルエン２００ｍＬを加え、無機物をろ別した。ろ液を濃縮して得られた褐色固体６．５ｇをカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、白色針状晶３．８ｇを得た。得られた固体は目的物である中間体１４であり、マススペクトル分析の結果、分子量３３２に対し、ｍ／ｅ＝３３２であった。（収率６８％）【０３２０】
（３）中間体１５の合成
アルゴン雰囲気下、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン２．９ｇ（２０．６ｍｍｏｌ）を無水テトラヒドロフラン３０ｍＬに溶かし、ドライアイス／アセトン浴で−４３℃に冷却した。これに、ｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液１２．５ｍＬ（１．６４ｍｏｌ／Ｌ、２０．５ｍｍｏｌ）を加え、−３６℃で２０分撹拌後、−７０℃に冷却した。これにトリイソプロポキシボラン７ｍＬ（３０ｍｍｏｌ）を滴下し、次いで中間体１４  ３．８ｇ（１０．２ｍｍｏｌ）を溶かしたテトラヒドロフラン溶液２０ｍＬを加え、冷却浴中で１０時間撹拌した。反応終了後、５質量％塩酸１００ｍＬを加え、室温で３０分間撹拌後、酢酸エチル１５０ｍＬで抽出した。有機層を飽和食塩水３０ｍＬで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒留去し、黄色アモルファス固体４．９ｇを得た。これをカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、黄色固体２．９ｇを得た。得られた固体は目的物である中間体１５であり、マススペクトル分析の結果、分子量４１５に対し、ｍ／ｅ＝４１５であった。（収率６８％）【０３２１】
（４）中間体１６の合成
アルゴン雰囲気下、２，６−ジヨード−４−ｔｅｒｔ−ブチルアニリン１．２７ｇ（３．２ｍｍｏｌ）、中間体１５  ２．９ｇ（７．０ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．３６ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）、及び炭酸水素ナトリウム２．１ｇ（２５ｍｍｏｌ）を、１，２−ジメトキシエタン４０ｍＬに懸濁し、水２１ｍＬを加えて１１時間還流した。反応終了後、ジクロロメタン２００ｍＬで抽出し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒留去し、黄色アモルファス固体３．５ｇを得た。これをカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、白色固体２．０ｇを得た。得られた固体は目的物である中間体１６であり、マススペクトル分析の結果、分子量８８７に対し、ｍ／ｅ＝８８７であった。（収率７０％）【０３２２】
（５）化合物ＢＤ−２の合成
アルゴン雰囲気下、中間体１６  １．０ｇ（１．１ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）４１ｍｇ（４５μｍｏｌ）、ＳＰｈｏｓ５ｍｇ（０．１８ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム２．２ｇ（６．７ｍｍｏｌ）を無水キシレン１００ｍＬに懸濁し、１０時間還流した。反応終了後、ろ別し、ろ物を水及びメタノールで洗浄して減圧乾燥し、淡緑色固体０．４２７ｇを得た。これをカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、黄色固体０．３７ｇを得た。得られた固体は目的物である化合物ＢＤ−２であり、マススペクトル分析の結果、分子量７２７に対し、ｍ／ｅ＝７２７であった。（収率４７％）【０３２３】
合成実施例３（化合物ＢＤ−３の合成）
【化１５５】
2018186396.tif 000156
【０３２４】
（１）中間体１９の合成
アルゴン雰囲気下、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルボロン酸３．０ｇ（１７ｍｍｏｌ）、２−ブロモ−７−ヨードナフタレン５．６６ｇ（１７ｍｍｏｌ）、及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．３５ｇ（０．３０ｍｍｏｌ）を１，２−ジメトキシエタン４５ｍＬに溶かし、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液２３ｍＬ（４５ｍｍｏｌ）を加え、１１時間還流した。反応終了後、トルエン１５０ｍＬで抽出した。有機層を飽和食塩水３０ｍＬで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒留去し、褐色固体（９．２ｇ）を得た。これをカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、白色固体４．４５ｇを得た。得られた固体は目的物である中間体１９であり、マススペクトル分析の結果、分子量３３８に対し、ｍ／ｅ＝３３８であった。（収率７７％）【０３２５】
（２）中間体２０の合成
アルゴン雰囲気下、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン２．８ｇ（２０ｍｍｏｌ）を無水テトラヒドロフラン３０ｍＬに溶かし、ドライアイス／アセトン浴で−４０℃に冷却した。これにｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液１２ｍＬ（１．６４ｍｏｌ／Ｌ、２０ｍｍｏｌ）を加え、−５４℃で２０分撹拌した。反応終了後、−６５℃に冷却し、トリイソプロポキシボラン６ｍＬ（２６ｍｍｏｌ）を滴下し、次いで中間体１９  ４．４５ｇ（１３ｍｍｏｌ）を溶かしたテトラヒドロフラン溶液２０ｍＬを加え、冷却浴中で１０時間撹拌した。反応終了後、５質量％塩酸７０ｍＬを加え、室温で３０分間撹拌後、酢酸エチル２００ｍＬで抽出した。有機層を飽和食塩水３０ｍＬで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒留去し、黄色アモルファス固体５．５ｇを得た。これをカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、白色固体３．１９ｇを得た。得られた固体は目的物である中間体２０であり、マススペクトル分析の結果、分子量３８２に対し、ｍ／ｅ＝３８２であった。（収率６４％）【０３２６】
（３）中間体２１の合成
アルゴン雰囲気下、中間体２０  ３．１９ｇ（８．３ｍｍｏｌ）、２，６−ジヨード−４−ｔｅｒｔ−ブチルアニリン１．５ｇ（３．７ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．４３ｇ（０．３７ｍｍｏｌ）、炭酸水素ナトリウム２．５ｇ（３０ｍｍｏｌ）を１，２−ジメトキシエタン５０ｍＬに懸濁し、水２５ｍＬを加えて１１時間還流した。反応混合物をジクロロメタン２００ｍＬで抽出した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒留去し、黄色アモルファス固体４．１４ｇを得た。これをカラムクロマトグフラフィーを用いて精製し、白色固体２．４７ｇを得た。得られた固体は目的物である中間体２１であり、マススペクトル分析の結果、分子量８２１に対し、ｍ／ｅ＝８２１であった。（収率８１％）【０３２７】
（４）化合物ＢＤ−３の合成
アルゴン雰囲気下、中間体２１  ２．４７ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）０．１１ｇ（０．１２ｍｍｏｌ）、ＳＰｈｏｓ０．２０ｇ（０．４９ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム５．９ｇ（１８ｍｍｏｌ）を無水キシレン２５０ｍＬに懸濁し、１１時間還流した。反応終了後、ろ別し、ろ物を水及びメタノールで順に洗浄して減圧乾燥し、淡黄色針状晶１．８８ｇを得た。これをカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、黄色固体１．０３ｇを得た。得られた固体は目的物である化合物ＢＤ−３であり、マススペクトル分析の結果、分子量６６１に対し、ｍ／ｅ＝６６１であった。（収率５２％）【０３２８】
合成実施例４（化合物ＢＤ−４の合成）
【化１５６】
2018186396.tif 000157
【０３２９】
（１）中間体２２の合成
アルゴン雰囲気下、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン（８．８０ｇ、６２．４ｍｍｏｌ、２ｅｑ）を無水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（９０ｍＬ）に溶かし、ドライアイス／アセトン浴で−５０℃に冷却した。これにｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液（１．５５ｍｏｌ／Ｌ、４０．３ｍＬ、６２．５ｍｍｏｌ、１ｅｑ）を加えて−５０℃で３０分撹拌後、−７０℃に冷却した。反応混合物にトリイソプロポキシボラン（２０．０ｍＬ、８６．７ｍｍｏｌ、２．８ｅｑ）を滴下し、５分後、３−ブロモ−９−フェニルカルバゾール／ＴＨＦ溶液（１０．１ｇ、３１．４ｍｍｏｌ／４５ｍＬ）を加えて冷却浴中で１０時間撹拌した。反応混合物に１０％ＨＣｌ（１３０ｍＬ）を加え、室温で３０分撹拌した後、酢酸エチル（２００ｍＬ）で抽出した。有機層を飽和食塩水（３０ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去し、次いで、減圧乾燥して黄色アモルファス固体（１０．６ｇ）を得た。これをカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、淡黄色固体（４．２０ｇ、収率３７％）を得た。得られた固体は目的物である中間体２２であり、マススペクトル分析の結果、分子量３６６．０２に対し、ｍ／ｅ＝３６６であった。【０３３０】
（２）中間体２３の合成
アルゴン雰囲気下、中間体２２（４．２０ｇ、１１．５ｍｍｏｌ、２．３ｅｑ）、４−（ｔｅｒｔ−ブチル）−２，６−ジヨードアニリン（２．００ｇ、４．９９ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（０．５８ｇ、０．５０ｍｍｏｌ、５％Ｐｄ）、及び炭酸水素ナトリウム（３．５ｇ、３．６ｅｑ）を１，２−ジメトキシエタン（７０ｍＬ）に懸濁し、更に水（３５ｍＬ）を加えて１１時間還流した。反応混合物をジクロロメタン（２５０ｍＬ）で抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去し、次いで、減圧乾燥して黄色アモルファス固体（５．６ｇ）を得た。これをカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、白色固体 （３．２５ｇ、収率８２％）を得た。得られた固体は目的物である中間体２３であり、マススペクトル分析の結果、分子量７８９．６に対し、ｍ／ｅ＝７８９であった。【０３３１】
（３）化合物ＢＤ−４の合成
アルゴン雰囲気下、中間体２３（３．２５ｇ、４．１２ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．１５ｇ、０．１６ｍｏｌ、４％Ｐｄ）、ＳＰｈｏｓ（０．２７ｇ、０．６６ｍｍｏｌ）、及び炭酸セシウム（８．１ｇ、２４．８ｍｍｏｌ）を無水キシレン（３２０ｍＬ）に懸濁し、１１時間還流した。反応混合物をろ過し、ろ液の溶媒を留去し、次いで、減圧乾燥して褐色固体（３．２７ｇ）を得た。これをカラムクロマトグラフィーを用いて精製して黄色固体（１．４０ｇ）を得た。得られた固体をトルエン（４０ｍＬ）から再結晶して黄色板状晶（１．１４ｇ、収率５４％）を得た。得られた固体は目的物である化合物ＢＤ−４であり、マススペクトル分析の結果、分子量６２７．７７に対し、ｍ／ｅ＝６２７であった。【０３３２】
合成実施例５（化合物ＢＤ−５の合成）
【化１５７】
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【０３３３】
（１）中間体２４の合成
アルゴン雰囲気下、２−ブロモ−７−ヨードナフタレン（２．８３ｇ、１６．７ｍｍｏｌ）、ジフェニルアミン（５．５７ｇ、１６．７ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（３０ｍｇ、０．１６ｍｍｏｌ）、及びナトリウムｔ−ブトキシド（２．２ｇ、２３ｍｍｏｌ）を無水１，４−ジオキサン（２０ｍＬ）に懸濁した。ｔｒａｎｓ−１，２−ジアミノシクロヘキサン（０．１９ｍＬ、１．６ｍｍｏｌ）を加え、１１０℃で１０時間撹拌した。反応混合物をシリカパッドを通してろ過し、残渣をトルエン１００ｍＬで洗浄した。ろ液から溶媒を留去し、減圧乾燥して濃褐色オイル（６．７ｇ）を得た。これをカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、白色固体（４．５６ｇ）を得た。得られた固体は目的物である中間体２４であり、マススペクトル分析の結果、分子量３７３に対し、ｍ／ｅ＝３７３であった。（収率６８％）【０３３４】
（２）中間体２５の合成
アルゴン雰囲気下、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン（３．４ｇ、２４ｍｍｏｌ）を無水テトラヒドロフラン３５ｍＬに溶かし、ドライアイス／アセトン浴で−３０℃に冷却した。これに、ｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液（１４．７ｍＬ、１．６４ｍｏｌ／Ｌ、２４ｍｍｏｌ）を加え、−２０℃で２０分撹拌後、−７５℃に冷却した。これにトリイソプロポキシボラン（８．３ｍＬ、３６ｍｍｏｌ）を滴下し、５分後、中間体２４（４．５ｇ、１２ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液（２０ｍＬ）を加え、冷却浴中で１０時間撹拌した。反応終了後、５質量％塩酸（１００ｍＬ）を加え、室温で３０分間撹拌後、酢酸エチル（１５０ｍＬ）で抽出した。有機層を飽和食塩水（３０ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、次いで、溶媒を留去して赤褐色アモルファス固体（５．８ｇ）を得た。これをカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、淡黄色固体（２．９４ｇ）を得た。得られた固体は目的物である中間体２５であり、マススペクトル分析の結果、分子量４１７に対し、ｍ／ｅ＝４１７であった。（収率５９％）【０３３５】
（３）中間体２６の合成
アルゴン雰囲気下、中間体２５（２．９４ｇ、７．０ｍｍｏｌ、２．２ｅｑ）、４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−２，６−ジヨードアニリン（３．０５ｇ、６．４０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（０．７４ｇ、０．６４ｍｍｏｌ、５％Ｐｄ）、ＮａＨＣＯ３（４．３ｇ、５１ｍｍｏｌ、３．６ｅｑ）を１，２−ジメトキシエタン（８０ｍＬ）に懸濁し、水（４０ｍＬ）を加えて１１時間還流した。反応混合物をジクロロメタン（２００ｍＬ）で抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去し、次いで、減圧乾燥して褐色アモルファス固体（７．７８ｇ）を得た。これをカラムクロマトグラフィを用いて精製し、黄色固体（４．８０ｇ、収率７７％）を得た。得られた固体は目的物である中間体２６であり、マススペクトル分析の結果、分子量９６９．８に対し、ｍ／ｅ＝９６９であった。【０３３６】
（４）化合物ＢＤ−５の合成
アルゴン雰囲気下、中間体２６（４．００ｇ、４．１２ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．１５ｇ、０．１６４ｍｍｏｌ、４％Ｐｄ）、ＳＰｈｏｓ（０．２７ｇ、０．６５８ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム（８．１ｇ、２４．８ｍｍｏｌ） を無水キシレン（４００ｍＬ）に懸濁し、１１時間還流した。反応混合物をろ過し、ろ液から溶媒を留去し、次いで、減圧乾燥して暗黄色固体を得た。これをカラムクロマトグラフィを用いて精製し、黄色固体（２．４３ｇ、収率７３％）を得た。得られた固体は目的物である化合物ＢＤ−５であり、マススペクトル分析の結果、分子量８０８．０４に対し、ｍ／ｅ＝８０８であった。【０３３７】
半値幅の測定
実施例及び比較例で使用した化合物ＢＤ−１〜ＢＤ−６（ドーパント材料）の半値幅を以下のようにして測定した。【０３３８】
ドーパント材料を１０−６  ｍｏｌ／Ｌ以上１０−５  ｍｏｌ／Ｌ以下の濃度でトルエンに溶解し、測定用試料を調製した。石英セルへ入れた測定用試料に室温（３００Ｋ）で励起光を照射し、蛍光スペクトル（縦軸：蛍光強度、横軸：波長）を測定した。蛍光スペクトル測定には、日立ハイテクサイエンス社の分光蛍光光度計Ｆ−７０００形を用いた。
この蛍光スペクトルからドーパント材料の半値幅（ｎｍ）を求めた。結果を表１〜表５に示す。【０３３９】
正孔移動度の測定
下記の手順で作製した移動度評価用素子を用いて第１化合物と第２化合物の正孔移動度を測定した。
（１）移動度評価用素子の作製
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテッィク社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯの膜厚は１３０ｎｍであった。
洗浄後の前記ガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極が形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物ＨＩ−１を蒸着し、膜厚５ｎｍの正孔注入層を形成した。
この正孔注入層上に、化合物ＨＴ−１を蒸着し、膜厚１０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
続けて下記の第１化合物及び第２化合物（ターゲット）から選ばれた化合物を蒸着し、膜厚２００ｎｍのターゲット膜を形成した。
最後に、ターゲット膜上に、金属アルミニウムを蒸着し、膜厚８０ｎｍの金属陰極を形成した。
以上のようにして作製した移動度評価用素子の層構成を以下に示す。
ＩＴＯ（１３０）／ＨＩ−１（５）／ＨＴ−１（１０）／ターゲット（２００）／Ａｌ（８０）
括弧内の数字は、膜厚（ｎｍ）を示す。
（２）正孔移動度の測定
移動度評価用素子をインピーダンス測定装置に設置し、インピーダンスを測定した。
インピーダンス測定は、測定周波数を１Ｈｚから１ＭＨｚまで掃引して行った。その際、素子には交流振幅０．１Ｖと同時に、直流電圧Ｖを印加した。
測定されたインピーダンスＺから、下記の関係を用いて、モジュラスＭを計算した。
Ｍ＝ｊωＺ
ｊは虚数単位、ωは角周波数（ｒａｄ／ｓ）である。
モジュラスＭの虚部を縦軸、周波数（Ｈｚ）を横軸にしたボーデプロットにおいて、ピークを示す周波数ｆｍａｘから移動度評価用素子の電気的な時定数τを下式から求めた。
τ＝１／（２πｆｍａｘ）
πは円周率である。
上記τを用い、下式の関係式から正孔移動度μ（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）を算出した。
μ＝ｄ２／（Ｖτ）
ｄは素子を構成する有機薄膜の総膜厚であり、上記の素子構成では、ｄ＝５＋１０＋２００＝２１５（ｎｍ）である。
本願における正孔移動度は、電界強度の平方根Ｅ１／２が５００Ｖ１／２／ｃｍ１／２の際の値である。電界強度の平方根Ｅ１／２は下記の関係式から算出することができる。
Ｅ１／２＝Ｖ１／２／ｄ１／２
本実施例では、インピーダンス測定にはソーラトロン社の１２６０型を用い、高精度の結果を得るため、ソーラトロン社の１２９６型誘電率測定インターフェイスを併せて用いた。
第１化合物及び第２化合物の正孔移動度測定結果を表１及び表３に示す。【０３４０】
アフィニティの測定
アフィニティ（Ａｆ、electron affinity／電子親和力）とは、材料の分子に電子を一つ与えた時に放出または吸収されるエネルギーをいい、放出の場合は正、吸収の場合は負と定義する。
第１化合物及び第３化合物のアフィニティ（Ａｆ）は、イオン化ポテンシャル（Ｉｐ）と一重項エネルギー（Ｅｇ（Ｓ））の測定値から下記式を用いて算出した。
Ａｆ（ｅＶ）＝Ｉｐ−Ｅｇ（Ｓ）
イオン化ポテンシャル（Ｉｐ）
イオン化ポテンシャルＩｐは、測定化合物に光を照射し、その際に電荷分離によって生じる電子量を大気下光電子分光装置（理研計器（株）社製：ＡＣ−３）を用いて測定した。
一重項エネルギーＥｇ（Ｓ）
一重項エネルギーＥｇ（Ｓ）は、次のようにして測定した。測定化合物を１０−５  ｍｏｌ／Ｌの濃度でトルエンに溶解し、測定用試料を調製した。石英セルへ入れた測定用試料の吸収スペクトル（縦軸：吸光度、横軸：波長）を室温（３００Ｋ）で測定した。この吸収スペクトルの長波長側の立ち下がり部分に接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λｅｄｇｅ（ｎｍ）を求めた。この波長値を下記換算式に代入して一重項エネルギーを算出した。
Ｅｇ（Ｓ）（ｅＶ）＝１２３９．８５／λｅｄｇｅ
吸収スペクトルの測定には、日立ハイテクサイエンス社の分光光度計Ｕ−３３１０形を用いた。
第１化合物及び第３化合物のアフィニティ測定結果を表２、表４及び表５に示す。【０３４１】
実施例１
有機ＥＬ素子の作製
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯの膜厚は、１３０ｎｍとした。
洗浄後の前記ガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極が形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物ＨＩ−１を蒸着し、膜厚５ｎｍの正孔注入層を形成した。
この正孔注入層上に、化合物ＨＴ−１を蒸着し、膜厚８０ｎｍの第一正孔輸送層を形成した。
続けて、この第一正孔輸送層の上に、化合物ＨＴ−２を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第二正孔輸送層を形成した。
続けて、この第二正孔輸送層の上に、化合物ＢＨ１−１（第１化合物）、化合物ＢＨ２−１（第２化合物）、及び化合物ＢＤ−１（ドーパント材料）を共蒸着し、膜厚２５ｎｍの発光層を形成した。発光層における化合物ＢＨ１−１の濃度は８６質量％、化合物ＢＨ２−１の濃度は１２質量％、化合物ＢＤ−１の濃度は２質量％であった。
この発光層の上に、ＥＴ−１を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第一電子輸送層を形成した。
続けて、この第一電子輸送層の上に、ＥＴ−２を蒸着し、膜厚１５ｎｍの第二電子輸送層を形成した。
さらに、この第二電子輸送層の上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を蒸着し、膜厚１ｎｍの電子注入性電極を形成した。
そして、この電子注入性電極の上に、金属アルミニウム（Ａｌ）を蒸着し、膜厚８０ｎｍの金属陰極を形成した。
有機ＥＬ素子の層構成を以下に示す。
ＩＴＯ（１３０）／ＨＩ−１（５）／ＨＴ−１（８０）／ＨＴ−２（１０）／ＢＨ１−１：ＢＨ２−１：ＢＤ−１（２５，８６：１２：２質量％）／ＥＴ−１（１０）／ＥＴ−２（１５）／ＬｉＦ（１）／Ａｌ（８０）
なお、括弧内の数字は膜厚（ｎｍ）を示す。
有機ＥＬ素子の評価
作製した有機ＥＬ素子の主ピーク波長λｐと寿命ＬＴ９０を以下のようにして測定した。
電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２となるように有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの分光放射輝度スペクトルを測定し、この分光放射輝度スペクトルから主ピーク波長λｐ（単位：ｎｍ）を求めた。分光放射輝度スペクトル測定には、コニカミノルタ社の分光放射輝度計ＣＳ−１０００を用いた。
初期電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ２となるように直流の連続通電試験を行い、輝度が初期輝度の９０％まで減少する時間を測定し、これを寿命ＬＴ９０とした。
結果を表１に示す。【０３４２】
実施例２〜１４及び比較例１〜１０
表１に示す第１化合物、第２化合物、及びドーパント材料を表１に示す質量比で含む各有機ＥＬ素子を実施例１と同様にして作製し、評価した。結果を表１に示す。【０３４３】
実施例１〜１４及び比較例１〜１０で使用した材料を以下に示す。
正孔注入層、正孔輸送層材料
【化１５８】
2018186396.tif 000159
電子輸送層材料
【化１５９】
2018186396.tif 000160
ドーパント材料
【化１６０】
2018186396.tif 000161
第１化合物
【化１６１】
2018186396.tif 000162
【化１６２】
2018186396.tif 000163
第２化合物
【化１６３】
2018186396.tif 000164
【表１】
2018186396.tif 000165
【０３４４】
比較例１〜１０の第１化合物とドーパント材料からなるシングルホスト有機ＥＬ素子と比較して、実施例１〜１４の第１化合物とドーパント材料に加えて第１化合物よりも大きい正孔移動度を有する第２化合物をさらに含むコホスト有機ＥＬ素子は長寿命であった。すなわち、第２化合物の有無以外は同一条件である有機ＥＬ素子同士で比較すると、本発明のＥＬ素子は長寿命であった。
また、コホスト有機ＥＬ素子は、シングルホスト有機ＥＬ素子と同様に、青色領域の発光波長を示した。【０３４５】
実施例１５
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯの膜厚は、１３０ｎｍとした。
洗浄後の前記ガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極が形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物ＨＩ−１を蒸着し、膜厚５ｎｍの正孔注入層を形成した。
この正孔注入層の上に、化合物ＨＴ−１を蒸着し、膜厚８０ｎｍの第一正孔輸送層を形成した。
続けて、この第一正孔輸送層の上に、化合物ＨＴ−２を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第二正孔輸送層を形成した。
続けて、この第二正孔輸送層の上に、化合物ＢＨ１−２（第１化合物）、化合物ＢＨ３−１（第３化合物）、及び化合物ＢＤ−１（ドーパント材料）を共蒸着し、膜厚２５ｎｍの発光層を形成した。発光層における化合物ＢＨ１−２の濃度は８０質量％、化合物ＢＨ３−１の濃度は１８質量％、化合物ＢＤ−１の濃度は２質量％であった。
続けて、この発光層の上に、ＥＴ−１を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第一電子輸送層を形成した。
続けて、この第一電子輸送層の上に、ＥＴ−２を蒸着し、膜厚１５ｎｍの第二電子輸送層を形成した。
さらに、この第二電子輸送層の上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を蒸着し、膜厚１ｎｍの電子注入性電極を形成した。
最後に、この電子注入性電極の上に、金属アルミニウム（Ａｌ）を蒸着し、膜厚８０ｎｍの金属陰極を形成した。
有機ＥＬ素子の層構成を以下に示す。
ＩＴＯ（１３０）／ＨＩ−１（５）／ＨＴ−１（８０）／ＨＴ−２（１０）／ＢＨ１−２：ＢＨ３−１：ＢＤ−１（２５，８０：１８：２質量％）／ＥＴ−１（１０）／ＥＴ−２（１５）／ＬｉＦ（１）／Ａｌ（８０）
なお、括弧内の数字は膜厚（ｎｍ）を示す。
有機ＥＬ素子の評価
作製した有機ＥＬ素子の主ピーク波長λｐと寿命ＬＴ９０を実施例１と同様にして測定した。結果を表２に示す。【０３４６】
実施例１６〜３３及び比較例１１〜２０
表２に示す第１化合物、第３化合物、及びドーパント材料を表２に示す質量比で含む各有機ＥＬ素子を実施例１５と同様にして作製し、評価した。結果を表２に示す。【０３４７】
実施例１５〜３３及び比較例１１〜２０で使用した材料を以下に示す。
正孔注入層、正孔輸送層材料
【化１６４】
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電子輸送層材料
【化１６５】
2018186396.tif 000167
ドーパント材料
【化１６６】
2018186396.tif 000168
第１化合物
【化１６７】
2018186396.tif 000169
第３化合物
【化１６８】
2018186396.tif 000170
【表２】
2018186396.tif 000171
【０３４８】
比較例１１〜２０の第１化合物とドーパント材料からなるシングルホスト有機ＥＬ素子と比較して、実施例１５〜３３の第１化合物とドーパント材料に加えて第１化合物よりも大きいアフィニティを有する第３化合物を含むコホスト有機ＥＬ素子は、長寿命であった。すなわち、第３化合物の有無以外は同一条件である有機ＥＬ素子同士で比較すると、本発明のＥＬ素子は長寿命であった。
また、コホスト有機ＥＬ素子は、シングルホスト有機ＥＬ素子と同様に、青色領域の発光波長を示した。【０３４９】
実施例３４〜４０及び比較例２１〜２３
表３に示す第１化合物、第２化合物、及びドーパント材料を表３に示す質量比で含む各有機ＥＬ素子を実施例１と同様にして作製し、評価した。結果を表３に示す。【０３５０】
実施例３４〜４０及び比較例２１〜２３で使用した材料を以下に示す。前記した化合物は省略した。
ドーパント材料
【化１６９】
2018186396.tif 000172
【化１７０】
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第２化合物
【化１７１】
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【表３】
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【０３５１】
比較例２１〜２３の第１化合物とドーパント材料からなるシングルホスト有機ＥＬ素子と比較して、実施例３４〜４０の第１化合物とドーパント材料に加えて第１化合物よりも大きい正孔移動度を有する第２化合物をさらに含むコホスト有機ＥＬ素子は長寿命であった。すなわち、第２化合物の有無以外は同一条件である有機ＥＬ素子同士で比較すると、本発明のＥＬ素子は長寿命であった。
また、コホスト有機ＥＬ素子は、シングルホスト有機ＥＬ素子と同様に、青色領域の発光波長を示した。【０３５２】
実施例４１〜４３及び比較例２４〜２６
表４又は表５に示す第１化合物、第３化合物、及びドーパント材料を表４又は表５に示す質量比で含む各有機ＥＬ素子を実施例１５と同様にして作製し、評価した。結果を表４及び表５に示す。表５において、実施例４３の素子のＬＴ９０は、比較例２６の素子のＬＴ９０を１．００とした相対値で表した。【０３５３】
実施例４１〜４３及び比較例２４〜２６で使用した材料の構造式は上記したので、ここでは省略する。
【表４】
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【０３５４】
比較例２４〜２６の第１化合物とドーパント材料からなるシングルホスト有機ＥＬ素子と比較して、実施例４１〜４３の第１化合物とドーパント材料に加えて第１化合物よりも大きいアフィニティを有する第３化合物を含むコホスト有機ＥＬ素子は、長寿命であった。すなわち、第３化合物の有無以外は同一条件である有機ＥＬ素子同士で比較すると、本発明のＥＬ素子は長寿命であった。
また、コホスト有機ＥＬ素子は、シングルホスト有機ＥＬ素子と同様に、青色領域の発光波長を示した。
【符号の説明】
【０３５５】
１  有機エレクトロルミネッセンス素子
２  基板
３  陽極
４  陰極
５  蛍光発光層
６  正孔注入層／正孔輸送層
７  電子注入層／電子輸送層
１０  発光ユニット
【図１】
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【国際調査報告】
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