(57)【要約】  レーザ脱離イオン化法は、複数の貫通孔が形成された基板（２）と、基板の第１表面（２ａ）に設けられた導電層と、を備える試料支持体（１）が用意される第１工程と、氷点下雰囲気中において、凍結した試料（Ｓ）が載置部（６）の載置面（６ａ）に載置され、凍結した試料に第２表面（２ｂ）が接触した状態で、載置部に対して試料支持体が固定される第２工程と、試料が解凍され、解凍された試料の成分が毛細管現象によって複数の貫通孔を介して第１表面側に移動する第３工程と、導電層に電圧が印加されつつ第１表面に対してレーザ光（Ｌ）が照射されることにより、第１表面側に移動した成分がイオン化される第４工程と、を備える。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１表面及び第２表面に開口する複数の貫通孔が形成された基板と、少なくとも前記第１表面に設けられた導電層と、を備える試料支持体が用意される第１工程と、  氷点下雰囲気中において、凍結した試料が載置部の載置面に載置され、凍結した前記試料に前記第２表面が接触した状態で、前記載置部に対して前記試料支持体が固定される第２工程と、  前記載置部と前記試料支持体との間に前記試料が配置された状態で、前記試料が解凍され、解凍された前記試料の成分が毛細管現象によって前記複数の貫通孔を介して前記第１表面側に移動する第３工程と、  前記載置部と前記試料支持体との間に前記試料が配置された状態で、前記導電層に電圧が印加されつつ前記第１表面に対してレーザ光が照射されることにより、前記第１表面側に移動した前記成分がイオン化される第４工程と、を備える、レーザ脱離イオン化法。
【請求項２】
前記試料は、含水試料である、請求項１に記載のレーザ脱離イオン化法。
【請求項３】
前記試料は、生体試料である、請求項１又は２に記載のレーザ脱離イオン化法。
【請求項４】
前記第３工程においては、前記載置部と前記試料支持体との間に前記試料が配置された状態で、前記載置部、前記試料支持体及び前記試料が常温雰囲気中に放置されることにより、前記試料が解凍される、請求項１〜３のいずれか一項に記載のレーザ脱離イオン化法。
【請求項５】
前記第３工程においては、前記載置部と前記試料支持体との間に前記試料が配置され且つ前記載置部に対して前記試料支持体が下側に配置された状態で、前記試料が解凍される、請求項１〜４のいずれか一項に記載のレーザ脱離イオン化法。
【請求項６】
導電性を有し、互いに対向する第１表面及び第２表面に開口する複数の貫通孔が形成された基板を備える試料支持体が用意される第１工程と、  氷点下雰囲気中において、凍結した試料が載置部の載置面に載置され、凍結した前記試料に前記第２表面が接触した状態で、前記載置部に対して前記試料支持体が固定される第２工程と、  前記載置部と前記試料支持体との間に前記試料が配置された状態で、前記試料が解凍され、解凍された前記試料の成分が毛細管現象によって前記複数の貫通孔を介して前記第１表面側に移動する第３工程と、  前記載置部と前記試料支持体との間に前記試料が配置された状態で、前記基板に電圧が印加されつつ前記第１表面に対してレーザ光が照射されることにより、前記第１表面側に移動した前記成分がイオン化される第４工程と、を備える、レーザ脱離イオン化法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のレーザ脱離イオン化法の各工程と、  前記第４工程においてイオン化された前記成分が検出される第５工程と、を備える、質量分析方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本開示は、レーザ脱離イオン化法及び質量分析方法に関する。
【背景技術】
【０００２】  従来、質量分析等を行うために生体試料等の試料をイオン化する手法として、マトリックス支援レーザ脱離イオン化法（ＭＡＬＤＩ：Matrix-Assisted  Laser  Desorption/Ionization）が知られている。ＭＡＬＤＩは、レーザ光を吸収するマトリックスと呼ばれる低分子量の有機化合物を試料に加え、これにレーザ光を照射することにより、試料をイオン化する手法である。この手法によれば、熱に不安定な物質や高分子量物質を非破壊でイオン化すること（いわゆるソフトイオン化）が可能である。【０００３】  一方、マトリックスを使用せずにイオン化する手法として、表面支援レーザ脱離イオン化法（ＳＡＬＤＩ：Surface-Assisted  Laser  Desorption/Ionization）が知られている（例えば、特許文献１及び２参照）。ＳＡＬＤＩは、表面に微細な凹凸構造を有するイオン化基板に試料を滴下し、これにレーザ光を照射することにより、試料をイオン化する手法である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第５１２９６２８号公報
【特許文献２】米国特許第６２８８３９０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】  しかしながら、上述したレーザ脱離イオン化法では、元々の試料の位置情報（試料を構成する分子の二次元分布情報）を維持しつつ試料をイオン化すること、延いては、試料を構成する分子の二次元分布を画像化することは困難である。【０００６】  本開示は、試料の位置情報を維持しつつ試料の成分をイオン化することができるレーザ脱離イオン化法及び質量分析方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】  本開示の一側面のレーザ脱離イオン化法は、互いに対向する第１表面及び第２表面に開口する複数の貫通孔が形成された基板と、少なくとも第１表面に設けられた導電層と、を備える試料支持体が用意される第１工程と、氷点下雰囲気中において、凍結した試料が載置部の載置面に載置され、凍結した試料に第２表面が接触した状態で、載置部に対して試料支持体が固定される第２工程と、載置部と試料支持体との間に試料が配置された状態で、試料が解凍され、解凍された試料の成分が毛細管現象によって複数の貫通孔を介して第１表面側に移動する第３工程と、載置部と試料支持体との間に試料が配置された状態で、導電層に電圧が印加されつつ第１表面に対してレーザ光が照射されることにより、第１表面側に移動した成分がイオン化される第４工程と、を備える。【０００８】  このレーザ脱離イオン化法では、試料支持体の基板において、解凍された試料の成分が毛細管現象によって複数の貫通孔を介して第１表面側に移動する。これにより、基板の第１表面側に移動した試料の成分においては、試料の位置情報（試料を構成する分子の二次元分布情報）が維持される。この状態で、導電層に電圧が印加されつつ基板の第１表面に対してレーザ光が照射されるため、試料の位置情報が維持されつつ試料の成分がイオン化される。しかも、準備段階として、氷点下雰囲気中において、凍結した試料が載置部の載置面に載置され、凍結した試料に基板の第２表面が接触した状態で、載置部に対して試料支持体が固定される。これにより、試料が解凍される際に試料が縮むことが抑制される。これも、試料の位置情報の維持に大きく寄与する。更に、試料が厚くなるほど解凍時に試料が大きく縮む傾向があるが、試料の縮みが抑制される分だけ試料を厚くすることも可能である。これは、イオン化された成分を検出する際における信号強度の確保に寄与する。以上により、このレーザ脱離イオン化法によれば、試料の位置情報を維持しつつ試料の成分をイオン化することができる。【０００９】  本開示の一側面のレーザ脱離イオン化法では、試料は、含水試料であってもよい。試料が含水試料である場合、試料が凍結した状態で載置部と試料支持体との間に試料を配置し、その後に試料を解凍することは、試料が縮むのを抑制して試料の位置情報を維持する上で特に有効である。【００１０】  本開示の一側面のレーザ脱離イオン化法では、試料は、生体試料であってもよい。試料が生体試料である場合、試料が凍結した状態で載置部と試料支持体との間に試料を配置し、その後に試料を解凍することは、試料が縮むのを抑制して試料の位置情報を維持する上で特に有効である。【００１１】  本開示の一側面のレーザ脱離イオン化法では、第３工程においては、載置部と試料支持体との間に試料が配置された状態で、載置部、試料支持体及び試料が常温雰囲気中に放置されることにより、試料が解凍されてもよい。これにより、試料が縮むのをより確実に抑制しつつ試料を解凍することができるため、試料の位置情報をより精度良く維持することができる。【００１２】  本開示の一側面のレーザ脱離イオン化法では、第３工程においては、載置部と試料支持体との間に試料が配置され且つ載置部に対して試料支持体が下側に配置された状態で、試料が解凍されてもよい。これにより、凍結した試料に重力が作用するため、凍結した試料を基板の第２表面に確実に接触させることができる。更に、毛細管現象に加えて重力も作用するため、解凍された試料の成分をより効率良く基板の第１表面側に移動させることができる。【００１３】  本開示の一側面のレーザ脱離イオン化法は、導電性を有し、互いに対向する第１表面及び第２表面に開口する複数の貫通孔が形成された基板を備える試料支持体が用意される第１工程と、氷点下雰囲気中において、凍結した試料が載置部の載置面に載置され、凍結した試料に第２表面が接触した状態で、載置部に対して試料支持体が固定される第２工程と、載置部と試料支持体との間に試料が配置された状態で、試料が解凍され、解凍された試料の成分が毛細管現象によって複数の貫通孔を介して第１表面側に移動する第３工程と、載置部と試料支持体との間に試料が配置された状態で、基板に電圧が印加されつつ第１表面に対してレーザ光が照射されることにより、第１表面側に移動した成分がイオン化される第４工程と、を備える。【００１４】  このレーザ脱離イオン化法によれば、試料支持体において導電層を省略することができると共に、上述したように導電層を備える試料支持体を用いる場合と同様の効果を得ることができる。【００１５】  本開示の一側面の質量分析方法は、上述したレーザ脱離イオン化法の各工程と、第４工程においてイオン化された成分が検出される第５工程と、を備える。【００１６】  この質量分析方法によれば、試料の位置情報が維持されつつ試料の成分がイオン化されるため、試料を構成する分子の二次元分布を精度良く画像化することができる。
【発明の効果】
【００１７】  本開示によれば、試料の位置情報を維持しつつ試料の成分をイオン化することができるレーザ脱離イオン化法及び質量分析方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、一実施形態のレーザ脱離イオン化法及び質量分析方法に用いられる試料支持体の平面図である。
【図２】図２は、図１に示されるII−II線に沿っての試料支持体の断面図である。
【図３】図３は、図１に示される試料支持体の基板の拡大像を示す図である。
【図４】図４は、一実施形態の質量分析方法の工程を示す図である。
【図５】図５は、一実施形態の質量分析方法の工程を示す図である。
【図６】図６は、一実施形態の質量分析方法の工程を示す図である。
【図７】図７は、一実施形態の質量分析方法の工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】  以下、本開示の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００２０】  最初に、一実施形態のレーザ脱離イオン化法及び質量分析方法に用いられる試料支持体について説明する。図１及び図２に示されるように、試料支持体１は、基板２と、フレーム３と、導電層４と、を備えている。基板２は、互いに対向する第１表面２ａ及び第２表面２ｂを有している。基板２には、複数の貫通孔２ｃが一様に（均一な分布で）形成されている。各貫通孔２ｃは、基板２の厚さ方向（第１表面２ａ及び第２表面２ｂに垂直な方向）に沿って延在しており、第１表面２ａ及び第２表面２ｂに開口している。
【００２１】  基板２は、例えば、絶縁性材料によって長方形板状に形成されている。基板２の厚さ方向から見た場合における基板２の一辺の長さは、例えば数ｃｍ程度であり、基板２の厚さは、例えば１μｍ〜５０μｍ程度である。基板２の厚さ方向から見た場合における貫通孔２ｃの形状は、例えば略円形である。貫通孔２ｃの幅は、例えば１ｎｍ〜７００ｎｍ程度である。貫通孔２ｃの幅とは、基板２の厚さ方向から見た場合における貫通孔２ｃの形状が略円形である場合には、貫通孔２ｃの直径を意味し、当該形状が略円形以外である場合には、貫通孔２ｃに収まる仮想的な最大円柱の直径（有効径）を意味する。
【００２２】  フレーム３は、基板２の第１表面２ａに設けられている。具体的には、フレーム３は、接着層５によって基板２の第１表面２ａに固定されている。接着層５の材料としては、放出ガスの少ない接着材料（例えば、低融点ガラス、真空用接着剤等）が用いられることが好ましい。フレーム３は、基板２の厚さ方向から見た場合に基板２と略同一の外形を有している。フレーム３には、開口３ａが形成されている。基板２のうち開口３ａに対応する部分は、後述する毛細管現象によって試料の成分を第１表面２ａ側に移動させるための実効領域Ｒとして機能する。
【００２３】  フレーム３は、例えば、絶縁性材料によって長方形板状に形成されている。基板２の厚さ方向から見た場合におけるフレーム３の一辺の長さは、例えば数ｃｍ程度であり、フレーム３の厚さは、例えば１ｍｍ以下である。基板２の厚さ方向から見た場合における開口３ａの形状は、例えば円形であり、その場合における開口３ａの直径は、例えば数ｍｍ〜数十ｍｍ程度である。このようなフレーム３によって、試料支持体１のハンドリングが容易化すると共に、温度変化等に起因する基板２の変形が抑制される。
【００２４】  導電層４は、基板２の第１表面２ａに設けられている。具体的には、導電層４は、基板２の第１表面２ａのうちフレーム３の開口３ａに対応する領域（すなわち、実効領域Ｒに対応する領域）、開口３ａの内面、及びフレーム３における基板２とは反対側の表面３ｂに一続きに（一体的に）形成されている。導電層４は、実効領域Ｒにおいて、基板２の第１表面２ａのうち貫通孔２ｃが形成されていない部分を覆っている。つまり、実効領域Ｒにおいては、各貫通孔２ｃが開口３ａに露出している。
【００２５】  導電層４は、導電性材料によって形成されている。ただし、導電層４の材料としては、以下に述べる理由により、試料との親和性（反応性）が低く且つ導電性が高い金属が用いられることが好ましい。
【００２６】  例えば、タンパク質等の試料と親和性が高いＣｕ（銅）等の金属によって導電層４が形成されていると、後述する試料のイオン化の過程において、試料分子にＣｕ原子が付着した状態で試料がイオン化され、Ｃｕ原子が付着した分だけ、後述する質量分析法において検出結果がずれるおそれがある。したがって、導電層４の材料としては、試料との親和性が低い金属が用いられることが好ましい。
【００２７】  一方、導電性の高い金属ほど一定の電圧を容易に且つ安定して印加し易くなる。そのため、導電性が高い金属によって導電層４が形成されていると、実効領域Ｒにおいて基板２の第１表面２ａに均一に電圧を印加することが可能となる。また、導電性の高い金属ほど熱伝導性も高い傾向にある。そのため、導電性が高い金属によって導電層４が形成されていると、基板２に照射されたレーザ光のエネルギーを、導電層４を介して試料に効率的に伝えることが可能となる。したがって、導電層４の材料としては、導電性の高い金属が用いられることが好ましい。
【００２８】  以上の観点から、導電層４の材料としては、例えば、Ａｕ（金）、Ｐｔ（白金）等が用いられることが好ましい。導電層４は、例えば、メッキ法、原子層堆積法（ＡＬＤ：Atomic  Layer  Deposition）、蒸着法、スパッタ法等によって、厚さ１ｎｍ〜３５０ｎｍ程度に形成される。なお、導電層４の材料としては、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｔｉ（チタン）等が用いられてもよい。
【００２９】  図３は、基板２の厚さ方向から見た場合における基板２の拡大像を示す図である。図３において、黒色の部分は貫通孔２ｃであり、白色の部分は貫通孔２ｃ間の隔壁部である。図３に示されるように、基板２は、略一定の幅を有する複数の貫通孔２ｃが一様に形成されている。実効領域Ｒにおける貫通孔２ｃの開口率（基板２の厚さ方向から見た場合に実効領域Ｒに対して全ての貫通孔２ｃが占める割合）は、実用上は１０〜８０％であり、特に６０〜８０％であることが好ましい。複数の貫通孔２ｃの大きさは互いに不揃いであってもよいし、部分的に複数の貫通孔２ｃ同士が互いに連結していてもよい。
【００３０】  図３に示される基板２は、Ａｌ（アルミニウム）を陽極酸化することにより形成されたアルミナポーラス皮膜である。具体的には、Ａｌ基板に対して陽極酸化処理を施し、酸化された表面部分をＡｌ基板から剥離することにより、基板２を得ることができる。なお、基板２は、Ｔａ（タンタル）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｔｉ（チタン）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｗ（タングステン）、Ｂｉ（ビスマス）、Ｓｂ（アンチモン）等のＡｌ以外のバルブ金属を陽極酸化することにより形成されてもよいし、Ｓｉ（シリコン）を陽極酸化することにより形成されてもよい。
【００３１】  次に、試料支持体１を用いたレーザ脱離イオン化法及び質量分析方法について説明する。図４〜図７においては、試料支持体１における貫通孔２ｃ、導電層４及び接着層５の図示が省略されている。また、図１及び図２に示される試料支持体１と図４〜図７に示される試料支持体１とでは、図示の便宜上、寸法の比率等が異なっている。
【００３２】  まず、上述した試料支持体１が用意される（第１工程）。試料支持体１は、レーザ脱離イオン化法及び質量分析方法を実施する者によって製造されることで用意されてもよいし、試料支持体１の製造者又は販売者等から取得されることで用意されてもよい。
【００３３】  続いて、図４の（ａ）に示されるように、氷点下雰囲気中において、凍結した試料Ｓがスライドガラス（載置部）６の載置面６ａに載置される（第２工程）。スライドガラス６は、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide)膜等の透明導電膜が形成されたガラス基板であり、透明導電膜の表面が載置面６ａとなっている。なお、スライドガラス６に限定されず、導電性を確保し得る部材（例えば、ステンレス等の金属材料等からなる基板等）を載置部として用いることができる。続いて、図４の（ｂ）に示されるように、凍結した試料Ｓに基板２の第２表面２ｂが接触させられ、この状態で、図５の（ａ）に示されるように、スライドガラス６に対して試料支持体１が固定される（第２工程）。このとき、凍結した試料Ｓは、基板２の厚さ方向から見た場合に実効領域Ｒ内に配置される。また、試料支持体１は、導電性を有するテープ７（例えば、カーボンテープ等）によって、スライドガラス６に対して固定される。具体的には、テープ７は、基板２の第１表面２ａ上の導電層４に接触し、且つ、スライドガラス６の載置面６ａに接触することにより、試料支持体１をスライドガラス６に対して固定する。テープ７は、試料支持体１の一部であってもよいし、試料支持体１とは別に用意されてもよい。テープ７が試料支持体１の一部である場合（すなわち、試料支持体１がテープ７を備える場合）には、例えば、テープ７は、予め、基板２の周縁部において第１表面２ａ側に固定されていてもよい。より具体的には、テープ７は、基板２の周縁部において導電層４上に固定されていてもよい。ここで、試料Ｓは、例えば組織切片等の薄膜状の生体試料（含水試料）であり、凍結した状態にある。この第２工程は、例えばクライオスタット装置内の氷点下雰囲気中において実施される。なお、氷点下雰囲気とは、試料Ｓの凍結状態を維持することが可能な温度の空間を意味し、例えば−５℃〜−８０℃の空間である。
【００３４】  続いて、図５の（ｂ）に示されるように、スライドガラス６と試料支持体１との間に試料Ｓが配置された状態で、試料Ｓが解凍され、解凍された試料Ｓの成分Ｓ１が毛細管現象によって複数の貫通孔２ｃ（図２参照）を介して基板２の第１表面２ａ側に移動する（第３工程）。基板２の第１表面２ａ側に移動した成分Ｓ１は、表面張力によって第１表面２ａ側に留まる。ここでは、スライドガラス６と試料支持体１との間に試料Ｓが配置された状態で、スライドガラス６、試料支持体１及び試料Ｓが常温雰囲気中に放置されることにより、試料Ｓが解凍される（第３工程）。なお、常温雰囲気とは、特に熱したり冷やしたりしない自然な温度の空間を意味し、例えば３℃〜３５℃の空間である。
【００３５】  続いて、図６に示されるように、スライドガラス６と試料支持体１との間に試料Ｓが配置された状態で、スライドガラス６、試料支持体１及び試料Ｓが、質量分析装置１０の支持部１２（例えば、ステージ）上に載置される。続いて、質量分析装置１０の電圧印加部１４によって、スライドガラス６の載置面６ａ及びテープ７を介して試料支持体１の導電層４（図２参照）に電圧が印加される（第４工程）。続いて、質量分析装置１０のレーザ光照射部１３によって、フレーム３の開口３ａを介して、基板２の第１表面２ａに対してレーザ光Ｌが照射される（第４工程）。つまり、レーザ光Ｌは、基板２の第１表面２ａのうちフレーム３の開口３ａに対応する領域（すなわち、実効領域Ｒに対応する領域）に対して照射される。ここでは、レーザ光照射部１３は、実効領域Ｒに対応する領域に対してレーザ光Ｌを走査する。なお、実効領域Ｒに対応する領域に対するレーザ光Ｌの走査は、支持部１２及びレーザ光照射部１３の少なくとも１つが動作させられることにより、実施可能である。
【００３６】  このように、導電層４に電圧が印加されつつ基板２の第１表面２ａに対してレーザ光Ｌが照射されることにより、基板２の第１表面２ａ側に移動した成分Ｓ１がイオン化され、試料イオンＳ２（イオン化された成分Ｓ１）が放出される（第４工程）。具体的には、レーザ光Ｌのエネルギーを吸収した導電層４（図２参照）から、基板２の第１表面２ａ側に移動した成分Ｓ１にエネルギーが伝達され、エネルギーを獲得した成分Ｓ１が気化すると共に電荷を獲得して、試料イオンＳ２となる。以上の第１工程〜第４工程が、試料支持体１を用いたレーザ脱離イオン化法に相当する。
【００３７】  放出された試料イオンＳ２は、試料支持体１とイオン検出部１５との間に設けられたグランド電極（図示省略）に向かって加速しながら移動する。つまり、試料イオンＳ２は、電圧が印加された導電層４とグランド電極との間に生じた電位差によって、グランド電極に向かって加速しながら移動する。そして、質量分析装置１０のイオン検出部１５によって試料イオンＳ２が検出される（第５工程）。ここでは、イオン検出部１５は、レーザ光Ｌの走査位置に対応するように、試料イオンＳ２を検出する。これにより、試料Ｓを構成する分子の二次元分布を画像化することができる。なお、ここでの質量分析装置１０は、飛行時間型質量分析法（ＴＯＦ−ＭＳ：Time-of-Flight  Mass  Spectrometry）を利用する走査型質量分析装置である。以上の第１工程〜第５工程が、試料支持体１を用いた質量分析方法に相当する。
【００３８】  以上説明したように、試料支持体１を用いたレーザ脱離イオン化法では、試料支持体１の基板２において、解凍された試料Ｓの成分が毛細管現象によって複数の貫通孔２ｃを介して第１表面２ａ側に移動する。これにより、基板２の第１表面２ａ側に移動した試料Ｓの成分Ｓ１においては、試料Ｓの位置情報（試料Ｓを構成する分子の二次元分布情報）が維持される。この状態で、導電層４に電圧が印加されつつ基板２の第１表面２ａに対してレーザ光Ｌが照射されるため、試料Ｓの位置情報が維持されつつ試料Ｓの成分がイオン化される。しかも、準備段階として、氷点下雰囲気中において、凍結した試料Ｓがスライドガラス６の載置面６ａに載置され、凍結した試料Ｓに基板２の第２表面２ｂが接触した状態で、スライドガラス６に対して試料支持体１が固定される。これにより、試料Ｓが解凍される際に試料Ｓが縮むことが抑制される。これも、試料Ｓの位置情報の維持に大きく寄与する。更に、試料Ｓが厚くなるほど解凍時に試料Ｓが大きく縮む傾向があるが、試料Ｓの縮みが抑制される分だけ試料Ｓを厚くすることも可能である。これは、試料イオンＳ２を検出する際における信号強度の確保に寄与する。以上により、試料支持体１を用いたレーザ脱離イオン化法によれば、試料Ｓの位置情報を維持しつつ試料Ｓの成分をイオン化することができる。
【００３９】  また、試料Ｓが、含水試料でもあり、生体試料でもあるため、試料Ｓが凍結した状態でスライドガラス６と試料支持体１との間に試料Ｓを配置し、その後に試料Ｓを解凍することは、試料Ｓが縮むのを抑制して試料Ｓの位置情報を維持する上で特に有効である。
【００４０】  また、第３工程においては、スライドガラス６と試料支持体１との間に試料Ｓが配置された状態で、スライドガラス６、試料支持体１及び試料Ｓが常温雰囲気中に放置されることにより、試料Ｓが解凍される。これにより、試料Ｓが縮むのをより確実に抑制しつつ試料Ｓを解凍することができるため、試料Ｓの位置情報をより精度良く維持することができる。
【００４１】  試料支持体１を用いた質量分析方法によれば、試料Ｓの位置情報が維持されつつ試料Ｓの成分がイオン化されるため、試料Ｓを構成する分子の二次元分布を精度良く画像化することができる。
【００４２】  なお、凍結した試料Ｓに基板２の第２表面２ｂが接触した状態で、図７の（ａ）に示されるように、スライドガラス６に対して試料支持体１が固定された後に、図７の（ｂ）に示されるように、スライドガラス６と試料支持体１との間に試料Ｓが配置され且つスライドガラス６に対して試料支持体１が下側に配置された状態で、試料Ｓが解凍されてもよい。これにより、凍結した試料Ｓに重力が作用するため、凍結した試料Ｓを基板２の第２表面２ｂに確実に接触させることができる。更に、毛細管現象に加えて重力も作用するため、解凍された試料Ｓの成分をより効率良く基板２の第１表面２ａ側に移動させることができる。
【００４３】  本開示は、上述した実施形態に限定されない。例えば、導電層４は、少なくとも基板２の第１表面２ａに設けられていれば、基板２の第２表面２ｂ及び貫通孔２ｃの内面に設けられていなくてもよいし、基板２の第２表面２ｂ及び貫通孔２ｃの内面に設けられていてもよい。また、第２工程においては、テープ７以外の手段（例えば、接着剤、固定具等を用いる手段）で、スライドガラス６に対して試料支持体１が固定されてもよい。
【００４４】  また、第４工程においては、スライドガラス６の載置面６ａ及びテープ７を介さずに導電層４に電圧が印加されてもよい。その場合、スライドガラス６及びテープ７は、導電性を有していなくてもよい。また、基板２が導電性を有していてもよく、第４工程において基板２に電圧が印加されてもよい。その場合、試料支持体１において導電層４を省略することができると共に、上述したように導電層４を備える試料支持体１を用いる場合と同様の効果を得ることができる。
【００４５】  また、質量分析装置１０においては、レーザ光照射部１３が、実効領域Ｒに対応する領域に対してレーザ光Ｌを一括で照射し、イオン検出部１５が、当該領域の二次元情報を維持しながら、試料イオンＳ２を検出してもよい。つまり、質量分析装置１０は、投影型質量分析装置であってもよい。
【００４６】  また、上述したレーザ脱離イオン化法は、試料Ｓを構成する分子の二次元分布を画像化するイメージング質量分析だけでなく、イオンモビリティ測定等の他の測定・実験にも利用することができる。
【００４７】  また、試料支持体１の用途は、レーザ光Ｌの照射による試料Ｓのイオン化に限定されない。試料支持体１は、レーザ光Ｌ以外のエネルギー線（例えば、イオンビーム、電子線等）の照射による試料Ｓのイオン化に用いられてもよい。
【符号の説明】
【００４８】  １…試料支持体、２…基板、２ａ…第１表面、２ｂ…第２表面、２ｃ…貫通孔、４…導電層、６…スライドガラス（載置部）、６ａ…載置面、Ｌ…レーザ光、Ｓ…試料。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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