(57)【要約】  Ｃｒが５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである合金と非磁性材粒子との混合体からなるスパッタリングターゲットにおいて、このターゲットの組織が、合金の中に前記非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下の球形の合金相（Ｂ）とを有していることを特徴とする非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。漏洩磁束を向上させて、マグネトロンスパッタ装置で安定した放電が得られ、かつ高密度で、スパッタ時に発生するパーティクルの少ない非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットを得る。
2010110033.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｒが５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである合金と非磁性材粒子との混合体からなるスパッタリングターゲットにおいて、このターゲットの組織が、合金の中に前記非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下の球形の合金相（Ｂ）とを有していることを特徴とする非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
【請求項２】
Ｃｒが５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである合金と非磁性材粒子との混合体からなるスパッタリングターゲットにおいて、このターゲットの組織が、合金の中に前記非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下の球形の合金相（Ｂ）とを有していることを特徴とする非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
【請求項３】
Ｃｒが５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、Ｂが０．５ｍｏｌ％以上８ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである合金と非磁性材粒子との混合体からなるスパッタリングターゲットにおいて、このターゲットの組織が、合金の中に前記非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下の球形の合金相（Ｂ）とを有していることを特徴とする非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
【請求項４】
球形の合金相（Ｂ）は、中心部がＣｒ２５ｍｏｌ％以上であって、中心部から外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成の合金相を形成していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
【請求項５】
球形の合金相（Ｂ）の直径が、５０〜２００μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
【請求項６】
非磁性材料が、Ｃｒ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｂからなる酸化物、窒化物若しくは炭化物又は炭素から選択した１成分以上含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
【請求項７】
ターゲット中で、非磁性材料の体積比率が３０％以下であることを特徴とする請求項６に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
【請求項８】
相対密度が９８％以上であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特に垂直磁気記録方式を採用したハードディスクのグラニュラー磁気記録膜の成膜に使用される非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットに関し、漏洩磁束が大きくマグネトロンスパッタ装置でスパッタする際に安定した放電が得られ、かつ高密度で、スパッタ時に発生するパーティクルの少ないスパッタリングターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録の分野では、磁性体薄膜中に非磁性材料を微細分散させることにより磁気特性を向上させる技術が開発されている。その一例として、垂直磁気記録方式を採用するハードディスクの記録媒体では、磁気記録膜中の磁性粒子間の磁気的相互作用を非磁性材料により遮断、または弱めたグラニュラー膜を採用し、磁気記録媒体としての各種特性を向上させている。
このグラニュラー膜に最適な材料の一つとしてＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＳｉＯ２が知られており、このＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＳｉＯ２のグラニュラー膜は、一般に、Ｃｏを主成分とした強磁性のＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金の素地中に非磁性材料であるＳｉＯ２が均一に微細分散した非磁性材粒子分散型強磁性材ターゲットをスパッタリングして作製される。【０００３】
このような非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットは、溶解法では非磁性材粒子を強磁性合金素地中に均一に微細分散させることが不可能であるため、粉末冶金法で製造されることが広く知られている。
例えば、急冷凝固法で作製した合金相を持つ合金粉末とセラミックス相を構成する粉末とをメカニカルアロイングし、セラミックス相を構成する粉末を合金粉末中に均一に分散させ、ホットプレスにより成形し磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを得る方法が提案されている（特許文献１）。【０００４】
また、急冷凝固法で作製した合金粉末を用いなくても、ターゲットを構成する各成分について市販の原料粉末を用意し、それらの原料粉を所望の組成になるように秤量し、ボールミル等の公知の手法で混合し、混合粉末をホットプレスにより成型・焼結することによって、非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットは作製できる。
また焼結後に密度の高い素材が得られれば、スパッタ時に問題となるパーティクルの発生量が少ないことが一般的に知られている。【０００５】
スパッタリング装置には様々な方式のものがあるが、上記の磁気記録膜の成膜では、生産性の高さからマグネトロンスパッタリング装置が広く用いられている。
スパッタリング法とは、正の電極となる基板と負の電極となるターゲットを対向させ、不活性ガス雰囲気下で、該基板とターゲット間に高電圧を印加して電場を発生させるものである。
この時、不活性ガスが電離し、電子と陽イオンからなるプラズマが形成されるが、このプラズマ中の陽イオンがターゲット（負の電極）の表面に衝突するとターゲットを構成する原子が叩き出されるが、この飛び出した原子が対向する基板表面に付着して膜が形成される。このような一連の動作により、ターゲットを構成する材料が基板上に成膜されるという原理を用いたものである。【０００６】
マグネトロンスパッタ装置の特徴は、ターゲットの裏面側に磁石を備えており、この磁石からターゲット表面に漏れ出てくる磁束（漏洩磁束）が、ターゲット表面近傍において電子をサイクロイド運動させて、効率良くプラズマを発生させることを可能としていることである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−８８３３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
一般に、上記のようなマグネトロンスパッタ装置で非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットをスパッタしようとすると、磁石からの磁束の多くは強磁性材であるターゲット内部を通過してしまうため、漏洩磁束が少なくなり、スパッタ時に放電が立たない、あるいは放電しても放電が安定しないという大きな問題が生じる。
この問題を解決するには、ターゲット中の非磁性材粒子の体積比率を増やすことや、Ｃｏの含有割合を減らすことが考えられる。しかし、この場合、所望のグラニュラー膜を得ることができないため本質的な解決策ではない。
また、ターゲットの厚みを薄くすることで漏洩磁束を向上させることは可能だが、この場合ターゲットのライフが短くなり、頻繁にターゲットを交換する必要が生じるのでコストアップの要因になる。【０００９】
そこで、本発明者は、非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットの漏洩磁束を向上させるために、焼結時の温度がターゲットの磁気特性に与える影響について調査した。その結果、焼結の温度を下げると、同一の混合粉末を用いて、同一組成・同一形状のターゲットを作製する場合、漏洩磁束が大きくなるという知見を得た。
しかし、この場合、ターゲットの相対密度が９８％を下回ってしまうため、パーティクルの発生という新たな問題に直面した。
本発明は上記問題を鑑みて、漏洩磁束を向上させて、マグネトロンスパッタ装置で安定した放電が得られ、かつ、高密度でスパッタ時に発生するパーティクルの少ない非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、ターゲットの組織構造を調整することにより、漏洩磁束の大きいターゲットが得られることを見出した。また、このターゲットは、密度を十分高くすることができ、スパッタ時に発生するパーティクルを減少させることができるとの知見を得た。【００１１】
このような知見に基づき、本発明は、Ｃｒが５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである合金と非磁性材粒子との混合体からなるスパッタリングターゲットにおいて、このターゲットの組織が、合金の中に前記非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下の球形の合金相（Ｂ）とを有していることを特徴とする非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。【００１２】
また、本発明は、Ｃｒが５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである合金と非磁性材粒子との混合体からなるスパッタリングターゲットにおいて、このターゲットの組織が、合金の中に前記非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下の球形の合金相（Ｂ）とを有していることを特徴とする非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。【００１３】
また、本発明は、Ｃｒが５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、Ｂが０．５ｍｏｌ％以上８ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである合金と非磁性材粒子との混合体からなるスパッタリングターゲットにおいて、このターゲットの組織が、合金の中に前記非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下の球形の合金相（Ｂ）とを有していることを特徴とする非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。【００１４】
本発明の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットでは、マトリックスとなる非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）を含むターゲット全体の体積において、球形の合金相（Ｂ）の占める体積比率を４％以上４０％以下としているが、これは球形の合金相（Ｂ）の占める体積比率が、上記数値範囲より小さいときには、漏洩磁束の向上が少ないからである。
また、上記数値範囲より大きいときには、ターゲットの組成にもよるが、該相（Ａ）中で、相対的に非磁性材粒子の体積比率が増えるので、非磁性材粒子を均一に微細分散させることが難しくなり、スパッタ時にパーティクルが増加するといった、別の問題が発生するからである。
以上から、本願発明の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットは、体積比率で４％以上４０％以下の球形の合金相（Ｂ）を有するものである。なおターゲットの合金組成を上記組成に限定するのは、ハードディスクドライブの磁気記録膜に用いられる材料であることを考慮したためである。【００１５】
上記非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット組織に含まれる球形の合金相（Ｂ）が、中心付近にＣｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮し、外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成の合金相を形成していることが有効である。本願発明は、このようなターゲットを提供する。
すなわち、このようなターゲットでは、球形の合金相（Ｂ）は、中心部と外周部にかけて顕著な不均一性を有している。これは電子線プローブマイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）を用いてターゲットの研磨面の元素分布を測定すると明確に確認できる。
球形の合金相（Ｂ）におけるＣｒ濃度の分布状態は、焼結温度や原料粉の性状によって変化するが、上記の通り、球形の合金相（Ｂ）の存在は、本願発明ターゲットの独特の組織構造を示すものであり、本願ターゲットの漏洩磁束を高める大きな要因となっている。【００１６】
球形の合金相（Ｂ）の存在による漏洩磁束を高めるメカニズムは、必ずしも明確ではないが、以下のような理由が推測される。
第一に、球形の合金相（Ｂ）には、少なからずＣｒの濃度が低い領域と高い領域が存在し、このような濃度変動の大きな場所では格子歪みが存在すると考えられる。
格子歪みがあると、Ｃｏ原子が持つ磁気モーメントは互いに非平衡状態をとるため、これらの磁気モーメントの向きを揃えるためには、より強力な磁場が必要となる。
従って、金属元素が均一に拡散し、格子歪みのない状態と比較すると、透磁率が低くなるため、マグネトロンスパッタ装置の磁石からの磁束は、ターゲット内部を通過する量が減って、ターゲット表面に漏れ出てくる量が増す。【００１７】
第二に、球形の合金相（Ｂ）中のＣｒ濃度の高い領域は、析出物として磁壁の移動を妨げていると考えられる。その結果、ターゲットの透磁率が低くなり漏洩磁束が増す。
圧延加工可能な強磁性材ターゲットでは、冷間圧延でターゲット中に転位を付与し、漏洩磁束を向上させる方法が広く知られているが、それと同様の効果が球形の合金相（Ｂ）によってもたらされていると推測される。
さらに該相（Ｂ）中のＣｒ濃度の高い領域は、母相である強磁性相内の磁気的相互作用を遮断するので、Ｃｒ濃度の高い領域の存在が漏洩磁束に影響を与えている可能性が考えられる。【００１８】
ここで、本願発明において使用する球形とは、真球、擬似真球、扁球（回転楕円体）、擬似扁球を含む立体形状を表す。いずれも、長軸と短軸の差が０〜５０％であるものを言う。すなわち、球形は、その重心から外周までの長さの最小値に対する最大値の比が２以下であると言い換えることもできる。この範囲であれば、外周部に多少の凹凸があっても、組成不均一な相（Ｂ）を形成することができる。球形そのものを確認することが難しい場合は、相（Ｂ）の断面の重心と外周までの長さの最小値に対する最大値の比が２以下であることを目安としてもよい。
このように、合金相（Ｂ）が球形であると、焼結時に相（Ａ）と相（Ｂ）の境界面に空孔が生じにくく、密度が上がり易い。また、同一体積では、球形の方が表面積が小さくなるので、周囲の金属粉（Ｃｏ粉、Ｐｔ粉など）との拡散が進みにくく、組成不均一な相（Ｂ）、すなわち中心付近にＣｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮し、外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成の合金相が容易に形成されるようになる。【００１９】
また、球形の合金相（Ｂ）の直径は５０〜２００μｍの範囲にあるのが好ましい。ターゲット全体の中で球形の合金相（Ｂ）の占める体積比率には上限があるので、上記数値範囲より大きい場合には、漏洩磁束の向上に寄与する球形の合金相（Ｂ）の個数が減少してしまい、漏洩磁束の向上が少なくなる。
また、上記数値範囲より小さい場合には、十分な焼結温度で高密度のターゲットを得ようとすると、金属元素同士の拡散が進み、Ｃｒの濃度分布をもつ球形の合金相（Ｂ）が形成され難くなる。従って、本発明においては、上記数値範囲内の直径を有する球形の合金相（Ｂ）が生ずるようにするのが望ましいと言える。【００２０】
本発明の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットは、非磁性材料が真空中又は不活性ガス雰囲気中で金属材料と共に９００〜１３００°Ｃに強熱しても、還元又は分解しない材料であることが望ましい。
例えば、酸化物、窒化物、炭化物、炭素などの非磁性材料から選択することができる。これは、ターゲット製造時に還元または分解することにより、組成の変動という不測の影響を及ぼすことを避けるためである。【００２１】
また、これらの非磁性材粒子は、ターゲット中の体積比率で３０％以下とすることが望ましい。非磁性材粒子の体積比率を３０％以下とするのは、体積比率がこれより大きくなると前記相（Ａ）中に非磁性材粒子を均一に微細分散させることが難しくなり、スパッタ時にパーティクルが増加するという別の問題が発生するからである。【００２２】
本発明の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットは、相対密度を９８％以上とすることが望ましい。相対密度を９８％以上とすることにより、合金と非磁性材粒子の密着性が高まるので、スパッタ時の非磁性材粒子の脱粒が抑制され、パーティクルの発生量を低減させることができる。
ここでの相対密度とは、ターゲットの実測密度を計算密度（理論密度ともいう）で割り返して求めた値である。
計算密度とはターゲットの構成成分が互いに拡散あるいは反応せずに混在していると仮定したときの密度で、次式で計算される。
式：計算密度＝Σ（構成成分の分子量×構成成分のモル比）/Σ（構成成分の分子量×構成成分のモル比／構成成分の文献値密度）
ここでΣは、ターゲットの構成成分の全てについて、和をとることを意味する。
【発明の効果】
【００２３】
このように調整したターゲットは、漏洩磁束の大きいターゲットとなり、マグネトロンスパッタ装置で使用したとき、不活性ガスの電離促進が効率的に進み、安定した放電が得られる。またターゲットの厚みを厚くすることができるため、ターゲットの交換頻度が小さくなり、低コストで磁性体薄膜を製造できるというメリットがある。
さらに、高密度化により、パーティクルの発生量を低減させることができるというメリットもある。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】実施例１のターゲット面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したときの組織画像である。
【図２】実施例１のターゲット面を電子線プローブマイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）で測定したときの元素分布画像を示す図である。
【図３】比較例１のターゲット面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したときの組織画像である。
【図４】実施例２のターゲット面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したときの組織画像である。
【図５】実施例２のターゲット面を電子線プローブマイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）で測定したときの元素分布画像を示す図である。
【図６】比較例２のターゲット面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したときの組織画像である。
【図７】実施例３のターゲット面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したときの組織画像である。
【図８】実施例３のターゲット面を電子線プローブマイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）で測定したときの元素分布画像を示す図である。
【図９】比較例３のターゲット面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したときの組織画像である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットの製造に際しては、まず製造を予定するＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｂの元素の粉末又はこれらの金属の合金粉末を用意する。
これらの粉末は最大粒径が２０μｍ以下のものを用いることが望ましい。そして、これらの金属粉末と、非磁性材としてＣｒ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｂから選択した１種以上の酸化物粉末とを、ボールミル等の公知の手法を用いて粉砕を兼ねて混合する。
非磁性材粉末としては上記の酸化物粉末のほかに、窒化物粉末や炭化物粉末や炭素粉末を用いても良いが、非磁性材粉末は最大粒径が５μｍ以下のものを用いることが望ましい。
【００２６】
さらに直径が５０〜２００μｍの範囲にあるＣｏ−Ｃｒ球形粉末を用意し、上記の混合粉末とミキサーで混合する。ここで使用するＣｏ−Ｃｒ球形粉末は、ガスアトマイズ法で作製したものを篩別することで得ることが出来る。また、ミキサーとしては、遊星運動型ミキサーあるいは遊星運動型攪拌混合機であることが好ましい。
このようにして得られた粉末を、真空ホットプレス装置を用いて成型・焼結し、所望の形状へ切削加工することで、本発明の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットが作製される。
【００２７】
上記のＣｏ−Ｃｒ球形粉末は、ターゲットの組織において観察される球形の合金相（Ｂ）に対応するものである。Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末の組成はＣｒの含有量が２５ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下とすることが望ましい。
Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末の組成を上記範囲に限定する理由は、Ｃｒの含有量が上記範囲より少ないと、球形の合金相（Ｂ）中にＣｒが濃縮された領域が形成されにくくなり、漏洩磁束の向上が期待できないためである。また、Ｃｒの含有量が上記範囲より多いと、焼結の条件にもよるが、球形の合金相（Ｂ）の内部にカーケンダルボイドと推測される空洞が生じ、ターゲットの密度低下を引き起こす。
Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末は上記組成範囲内のものを用いるが、焼結後のターゲット中の体積比率が４％以上４０％以下となるように計算して秤量する。
【００２８】
また、成型・焼結は、ホットプレスに限らず、プラズマ放電焼結法、熱間静水圧焼結法を使用することもできる。焼結時の保持温度はターゲットが十分緻密化する温度域のうち最も低い温度に設定するのが好ましい。ターゲットの組成にもよるが、多くの場合、９００〜１３００°Ｃの温度範囲にある。
【実施例】
【００２９】
以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。【００３０】
（実施例１、比較例１）
実施例１では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、直径が５０〜１５０μｍの範囲にありＣｒを６０ｍｏｌ％含有するＣｏ−Ｃｒ球形粉末を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が７７.５Ｃｏ−１４．５Ｃｒ−８ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末６８．９１ｗｔ％、ＳｉＯ２粉末８．２８ｗｔ％、Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末２２．８１ｗｔ％の重量比率で秤量した。次にＣｏ粉末とＳｉＯ２粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏ−Ｃｒ球形粉末をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。【００３１】
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で切削加工して直径が１８０．００ｍｍ、厚さが７．００ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
漏洩磁束の測定はＡＳＴＭ  Ｆ２０８６−０１（Standard Test Method for  Pass Through Flux of Circular Magnetic Sputtering Targets, Method 2）に則して実施した。ターゲットの中心を固定し、０度、３０度、６０度、９０度、１２０度と回転させて測定した漏洩磁束を、ＡＳＴＭで定義されているreference fieldの値で割り返し、１００を掛けてパーセントで表した。そしてこれら５点について平均した結果を、平均漏洩磁束（％）として表１に記載した。【００３２】
比較例１では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉、平均粒径５μｍのＣｒ粉、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が７７.５Ｃｏ−１４．５Ｃｒ−８ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末７８．７３ｗｔ％、Ｃｒ粉末１２．９９ｗｔ％、ＳｉＯ２粉末８．２８ｗｔ％の重量比率で秤量した。
そしてこれらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０．００ｍｍ、厚さが７．００ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表1に示す。【００３３】
【表１】
2010110033.tif 000003
【００３４】
表１に示すとおり、実施例１のターゲットの平均漏洩磁束は６３％であり、比較例１の４８％より大きく向上していることが確認された。また、実施例１では相対密度が９９．３％となり、９８％を超える高密度なターゲットが得られた。【００３５】
実施例１のターゲット研磨面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したときの組織画像を図１に、また特に球形の合金相の部分をＥＰＭＡで測定したときの元素分布画像を図２に示す。この図１の組織画像に示すように、上記実施例１において極めて特徴的なのは、ＳｉＯ２粒子が微細分散したマトリックスの中に、ＳｉＯ２粒子を含まない大きな球形の合金相が分散していることである。
図２に示すように、ＥＰＭＡの元素分布画像で白く見えている箇所が、当該元素の濃度の高い領域である。すなわち、球形の合金相の部分においてＣｏとＣｒの濃度が高くなっており、特にＣｒは周辺部から中心部に向かって、より濃度が高く（白っぽく）なっている。ＥＰＭＡの測定結果から球形の合金相では、Ｃｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮されたＣｒリッチ相が中心付近に存在し、外周に近づくにつれてＣｒの濃度が低くなっていることが確認された。
一方、同図において、球形の合金相の領域では、ＳｉとＯについては黒くなっており、この合金相中に殆ど存在していないことが分かる。【００３６】
これに対して、図３に示す比較例１によって得られたターゲット研磨面の組織画像には、ＳｉＯ２粒子が分散したマトリックスの中に球形の合金相は一切観察されなかった。【００３７】
（実施例２、比較例２）
実施例２では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、直径が５０〜１５０μｍの範囲にありＣｒを４０ｍｏｌ％含有するＣｏ−Ｃｒ球形粉末を用意した。
これらの粉末をターゲットの組成が６０Ｃｏ−１６Ｃｒ−１６Ｐｔ−８ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末２６．６２ｗｔ％、Ｐｔ粉末３９．１６ｗｔ％、ＳｉＯ２粉末６．０３ｗｔ％、Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末２８．１９ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。【００３８】
次に、Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末、ＳｉＯ２粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏ−Ｃｒ球形粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１６５．１０ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を、表２に示す。【００３９】
比較例２では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末を用意した。
これらの粉末をターゲット組成が６０Ｃｏ−１６Ｃｒ−１６Ｐｔ−８ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末４４．３７ｗｔ％、Ｃｒ粉末１０．４４ｗｔ％、Ｐｔ粉末３９．１６ｗｔ％、ＳｉＯ２粉末６．０３ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。
そしてこれらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。【００４０】
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとでホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１６５.１０ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表２に示す。【００４１】
【表２】
2010110033.tif 000004
【００４２】
表２に示す通り、実施例２のターゲットの平均漏洩磁束は７０％であり、比較例２の６３％より大きく向上していることが確認された。また、実施例２では相対密度が９８．３％となり、９８％を超える高密度なターゲットが得られた。【００４３】
実施例２のターゲット研磨面を、ＳＥＭで観察したときの組織画像を図４に、EPMAで測定したときの元素分布画像を図５に示す。この図４の組織画像に示すように、上記実施例２において極めて特徴的なのは、ＳｉＯ２粒子が微細分散したマトリックスの中に、ＳｉＯ２粒子を含まない大きな球形の合金相が分散していることである。
図４に示すように、ＥＰＭＡの元素分布画像で白く見えている箇所が、当該元素の濃度の高い領域である。すなわち、球形の合金相の部分においてＣｏとＣｒの濃度が高くなっており、特にＣｒは周辺部から中心部に向かって、より濃度が高く（白っぽく）なっている。ＥＰＭＡの測定結果から球形の合金相では、Ｃｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮されたＣｒリッチ相が中心付近に存在し、外周に近づくにつれてＣｒの濃度が低くなっていることが確認された。
一方、図５において、Ｐｔは球形の合金相の周縁部に存在するが中心部には殆ど見られない。また、図５において、球形の合金相の領域では、ＳｉとＯについては黒くなっており、この合金相中に殆ど存在していないことが分かる。【００４４】
これに対して、図６に示す比較例２によって得られたターゲット研磨面の組織画像には、ＳｉＯ２粒子が分散したマトリックスの中に球形の合金相は一切観察されなかった。【００４５】
（実施例３、比較例３）
実施例３では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径１０μｍのＢ粉末、平均粒径０．５μｍのＴｉＯ２粉末、直径が１００〜２００μｍの範囲にありＣｒを４０ｍｏｌ％含有するＣｏ−Ｃｒ球形粉末を用意した。
これらの粉末をターゲットの組成が５６Ｃｏ−１６．５Ｃｒ−１６．５Ｐｔ−３Ｂ−８ＴｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末２２．８９ｗｔ％、Ｐｔ粉末３９．９９ｗｔ％、Ｂ粉末０．４ｗｔ％、ＴｉＯ２粉末７．９４ｗｔ％、Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末２８．７８ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。【００４６】
次にＣｏ粉末、Ｐｔ粉末、Ｂ粉末、ＴｉＯ２粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏ−Ｃｒ球形粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１６５．１０ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表３に示す。【００４７】
比較例３では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径１０μｍのＢ粉末、平均粒径０．５μｍのＴｉＯ２粉末を用意した。これらの粉末をターゲット組成が５６Ｃｏ−１６．５Ｃｒ−１６．５Ｐｔ−３Ｂ−８ＴｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末４１ｗｔ％、Ｃｒ粉末１０．６７ｗｔ％、Ｐｔ粉末３９．９９ｗｔ％、Ｂ粉末０．４ｗｔ％、ＴｉＯ２粉末７．９４ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。【００４８】
そしてこれらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとでホットプレスして、焼結体を得た。
さらにこれを旋盤で直径が１６５．１０ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表３に示す。【００４９】
【表３】
2010110033.tif 000005
【００５０】
表３に示すとおり、実施例３のターゲットの平均漏洩磁束は７２％であり、比較例３の６４％より大きく向上していることが確認された。また、実施例３では相対密度が９９．２％となり、９８％を超える高密度なターゲットが得られた。【００５１】
実施例３のターゲット研磨面を、ＳＥＭで観察したときの組織画像を図７に、ＥＰＭＡで測定したときの元素分布画像を図８に示す。この図７の組織画像に示すように、上記実施例３において極めて特徴的なのは、ＴｉＯ２粒子が微細分散したマトリックスの中に、ＴｉＯ２粒子を含まない大きな球形の合金相が分散していることである。
図８に示すように、ＥＰＭＡの元素分布画像で白く見えている箇所が、当該元素の濃度の高い領域である。すなわち、球形の合金相の部分においてＣｏとＣｒの濃度が高くなっており、特にＣｒは周辺部から中心部に向かって、より濃度が高く（白っぽく）なっている。ＥＰＭＡの測定結果から球形の合金相では、Ｃｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮されたＣｒリッチ相が中心付近に存在し、外周に近づくにつれてＣｒの濃度が低くなっていることが確認された。
一方、図８において、Ｐｔは球形の合金相の周縁部に存在するが中心部には殆ど見られない。また、図８において、球形の合金相の領域では、Ｂは白く見えるところは極めて少なく、またＴｉとＯについては黒くなっており、これらはこの合金相中に殆ど存在していないことが分かる。【００５２】
これに対して、図９に示す比較例３によって得られたターゲット研磨面の組織画像には、ＴｉＯ２粒子が分散したマトリックスの中に球形の合金相は一切観察されなかった。【００５３】
（実施例４、比較例４）
実施例４では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径３μｍのＢ２Ｏ３粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、直径が７５〜１５０μｍの範囲にありＣｒを４０ｍｏｌ％含有するＣｏ−Ｃｒ球形粉末を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が７７．５Ｃｏ−１４．５Ｃｒ−２Ｂ２Ｏ３−６ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末５６．４５ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３粉末２．３９ｗｔ％、ＳｉＯ２粉末６．１９ｗｔ％、Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末３４．９７ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。【００５４】
次にＣｏ粉末、Ｂ２Ｏ３粉末、ＳｉＯ２粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏ−Ｃｒ球形粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０００°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０．００ｍｍ、厚さが７．００ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表４に示す。【００５５】
比較例４では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径３μｍのＢ２Ｏ３粉末、平均粒径1μｍのＳｉＯ２粉末を用意した。これらの粉末をターゲット組成が７７．５Ｃｏ−１４．５Ｃｒ−２Ｂ２Ｏ３−６ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末７８．４７ｗｔ％、Ｃｒ粉末１２．９５ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３粉末２．３９ｗｔ％、ＳｉＯ２粉末６．１９ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。【００５６】
そしてこれらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０００°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとでホットプレスして、焼結体を得た。
さらにこれを旋盤で直径が１８０．００ｍｍ、厚さが７．００ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表４に示す。【００５７】
【表４】
2010110033.tif 000006
【００５８】
表４に示すとおり、実施例４のターゲットの平均漏洩磁束は６８％であり、比較例４の５３％より大きく向上していることが確認された。また、実施例４では相対密度が９９．７％となり、９８％を超える高密度なターゲットが得られた。【００５９】
実施例４のターゲット研磨面を、ＳＥＭで観察したところ、Ｂ２Ｏ３粒子とＳｉＯ２粒子が微細分散したマトリックスの中に、Ｂ２Ｏ３粒子とＳｉＯ２粒子を含まない大きな球形の合金相が分散している様子が確認された。また、ＥＰＭＡを用いて元素分布画像を取得したところ、球形の合金相の部分においてＣｏとＣｒの濃度が高くなっており、特にＣｒは周辺部から中心部に向かって、より濃度が高くなっていることが確認された。【００６０】
これに対して、比較例４によって得られたターゲット研磨面の組織画像には、Ｂ２Ｏ３粒子とＳｉＯ２粒子が分散したマトリックスの中に球形の合金相は一切観察されなかった。【００６１】
（実施例５、比較例５）
実施例５では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径０．５μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＣｒ２Ｏ３粉末、直径が７５〜１５０μｍの範囲にありＣｒを４０ｍｏｌ％含有するＣｏ−Ｃｒ球形粉末を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が５８．７Ｃｏ−１５．６５Ｃｒ−１５．６５Ｐｔ−７ＴｉＯ２−３Ｃｒ２Ｏ３（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末２４．８９ｗｔ％、Ｐｔ粉末３６．６ｗｔ％、ＴｉＯ２粉末６．７ｗｔ％、Ｃｒ２Ｏ３粉末５．４７ｗｔ％、Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末２６．３４ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。【００６２】
次に、Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末、ＴｉＯ２粉末、Ｃｒ２Ｏ３粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏ−Ｃｒ球形粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１６５．１０ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表５に示す。【００６３】
比較例５では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径０．５μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。これらの粉末をターゲット組成が５８．７Ｃｏ−１５．６５Ｃｒ−１５．６５Ｐｔ−７ＴｉＯ２−３Ｃｒ２Ｏ３（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末４１．４７ｗｔ％、Ｃｒ粉末９．７６ｗｔ％、Ｐｔ粉末３６．６ｗｔ％、ＴｉＯ２粉末６．７ｗｔ％、Ｃｒ２Ｏ３粉末５．４７ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。【００６４】
そしてこれらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとでホットプレスして、焼結体を得た。
さらにこれを旋盤で直径が１６５．１０ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表５に示す。【００６５】
【表５】
2010110033.tif 000007
【００６６】
表５に示すとおり、実施例５のターゲットの平均漏洩磁束は６５％であり、比較例５の６０％より大きく向上していることが確認された。また、実施例５では相対密度が９８．５％となり、９８％を超える高密度なターゲットが得られた。【００６７】
実施例５のターゲット研磨面を、ＳＥＭで観察したところ、ＴｉＯ２粒子とＣｒ２Ｏ３粒子が微細分散したマトリックスの中に、ＴｉＯ２粒子とＣｒ２Ｏ３粒子を含まない大きな球形の合金相が分散している様子が確認された。また、ＥＰＭＡを用いて元素分布画像を取得したところ、球形の合金相の部分においてＣｏとＣｒの濃度が高くなっており、特にＣｒは周辺部から中心部に向かって、より濃度が高くなっていることが確認された。【００６８】
これに対して、比較例５によって得られたターゲット研磨面の組織画像には、ＴｉＯ２粒子とＣｒ２Ｏ３粒子が分散したマトリックスの中に球形の合金相は一切観察されなかった。【００６９】
（実施例６、比較例６）
実施例６では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径１０μｍのＢ粉末、平均粒径０．５μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、直径が７５〜１５０μｍの範囲にありＣｒを４０ｍｏｌ％含有するＣｏ−Ｃｒ球形粉末を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が５８Ｃｏ−１６Ｃｒ−１６Ｐｔ−２Ｂ−３ＴｉＯ２−５ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末２５．２６ｗｔ％、Ｐｔ粉末３９．３５ｗｔ％、Ｂ粉末０．２７ｗｔ％、ＴｉＯ２粉末３．０２ｗｔ％、ＳｉＯ２粉末３．７９ｗｔ％、Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末２８．３１ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。【００７０】
次にＣｏ粉末、Ｐｔ粉末、Ｂ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＳｉＯ２粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏ−Ｃｒ球形粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１６５．１０ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表６に示す。【００７１】
比較例６では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径１０μｍのＢ粉末、平均粒径０．５μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末を用意した。これらの粉末をターゲット組成が５８Ｃｏ−１６Ｃｒ−１６Ｐｔ−２Ｂ−３ＴｉＯ２−５ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末４３．０８ｗｔ％、Ｃｒ粉末１０．４９ｗｔ％、Ｐｔ粉末３９．３５ｗｔ％、Ｂ粉末０．２７ｗｔ％、ＴｉＯ２粉末３．０２ｗｔ％、ＳｉＯ２粉末３．７９ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。【００７２】
そしてこれらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとでホットプレスして、焼結体を得た。
さらにこれを旋盤で直径が１６５．１０ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表６に示す。【００７３】
【表６】
2010110033.tif 000008
【００７４】
表６に示すとおり、実施例６のターゲットの平均漏洩磁束は７０％であり、比較例６の６３％より大きく向上していることが確認された。また、実施例６では相対密度が９９．１％となり、９８％を超える高密度なターゲットが得られた。【００７５】
実施例６のターゲット研磨面を、ＳＥＭで観察したところ、ＴｉＯ２粒子とＳｉＯ２粒子が微細分散したマトリックスの中に、ＴｉＯ２粒子とＳｉＯ２粒子を含まない大きな球形の合金相が分散している様子が確認された。また、ＥＰＭＡを用いて元素分布画像を取得したところ、球形の合金相の部分においてＣｏとＣｒの濃度が高くなっており、特にＣｒは周辺部から中心部に向かって、より濃度が高くなっていることが確認された。【００７６】
これに対して、比較例６によって得られたターゲット研磨面の組織画像には、ＴｉＯ２粒子とＳｉＯ２粒子が分散したマトリックスの中に球形の合金相は一切観察されなかった。【００７７】
（実施例７、比較例７）
実施例7では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＣ粉末、直径が７５〜１５０μｍの範囲にありＣｒを４０ｍｏｌ％含有するＣｏ−Ｃｒ球形粉末を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が４５．６６Ｃｏ−１２．１７Ｃｒ−１２．１７Ｐｔ−３０Ｃ（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末２６．６６ｗｔ％、Ｐｔ粉末３９．１９ｗｔ％、Ｃ粉末５．９５ｗｔ％、Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末２８．２ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。【００７８】
次にＣｏ粉末、Ｐｔ粉末、Ｃ粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏ−Ｃｒ球形粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１３００°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１６５．１０ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表７に示す。【００７９】
比較例７では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＣ粉末を用意した。これらの粉末をターゲット組成が４５．６６Ｃｏ−１２．１７Ｃｒ−１２．１７Ｐｔ−３０Ｃ（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末４４．４１ｗｔ％、Ｃｒ粉末１０．４５ｗｔ％、Ｐｔ粉末３９．１９ｗｔ％、Ｃ粉末５．９５ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。【００８０】
そしてこれらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１３００°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとでホットプレスして、焼結体を得た。
さらにこれを旋盤で直径が１６５．１０ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表７に示す。【００８１】
【表７】
2010110033.tif 000009
【００８２】
表７に示すとおり、実施例７のターゲットの平均漏洩磁束は６７％であり、比較例７の６１％より大きく向上していることが確認された。また、実施例７では相対密度が９８．０％となり、高密度なターゲットが得られた。【００８３】
実施例７のターゲット研磨面を、ＳＥＭで観察したところ、Ｃ粒子が微細分散したマトリックスの中に、Ｃ粒子を含まない大きな球形の合金相が分散している様子が確認された。また、ＥＰＭＡを用いて元素分布画像を取得したところ、球形の合金相の部分においてＣｏとＣｒの濃度が高くなっており、特にＣｒは周辺部から中心部に向かって、より濃度が高くなっていることが確認された。【００８４】
これに対して、比較例７によって得られたターゲット研磨面の組織画像には、Ｃ粒子が分散したマトリックスの中に球形の合金相は一切観察されなかった。【００８５】
（実施例８、比較例８）
実施例８では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径２μｍのＳｉＣ粉末、直径が７５〜１５０μｍの範囲にありＣｒを４０ｍｏｌ％含有するＣｏ−Ｃｒ球形粉末を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が５４．７８Ｃｏ−１４．６１Ｃｒ−１４．６１Ｐｔ−１６ＳｉＣ（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末２５．９ｗｔ％、Ｐｔ粉末３８．１ｗｔ％、ＳｉＣ粉末８．５８ｗｔ％、Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末２７．４２ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。【００８６】
次にＣｏ粉末、Ｐｔ粉末、ＳｉＣ粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏ−Ｃｒ球形粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０００°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１６５．１０ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表８に示す。【００８７】
比較例８では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径２μｍのＳｉＣ粉末を用意した。これらの粉末をターゲット組成が５４．７８Ｃｏ−１４．６１Ｃｒ−１４．６１Ｐｔ−１６ＳｉＣ（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末４３．１６ｗｔ％、Ｃｒ粉末１０．１６ｗｔ％、Ｐｔ粉末３８．１０ｗｔ％、ＳｉＣ粉末８．５８ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。【００８８】
そしてこれらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０００°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとでホットプレスして、焼結体を得た。さらに、これを旋盤で直径が１６５．１０ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表８に示す。【００８９】
【表８】
2010110033.tif 000010
【００９０】
表８に示すとおり、実施例８のターゲットの平均漏洩磁束は６６％であり、比較例８の５８％より大きく向上していることが確認された。また、実施例８では相対密度が９８．５％となり、９８％を超える高密度なターゲットが得られた。【００９１】
実施例８のターゲット研磨面を、ＳＥＭで観察したところ、ＳｉＣ粒子が微細分散したマトリックスの中に、ＳｉＣ粒子を含まない大きな球形の合金相が分散している様子が確認された。また、ＥＰＭＡを用いて元素分布画像を取得したところ、球形の合金相の部分においてＣｏとＣｒの濃度が高くなっており、特にＣｒは周辺部から中心部に向かって、より濃度が高くなっていることが確認された。【００９２】
これに対して、比較例８によって得られたターゲット研磨面の組織画像には、ＳｉＣ粒子が分散したマトリックスの中に球形の合金相は一切観察されなかった。【００９３】
（実施例９、比較例９）
実施例９では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径５μｍのＴｉＮ粉末、直径が７５〜１５０μｍの範囲にありＣｒを４０ｍｏｌ％含有するＣｏ−Ｃｒ球形粉末を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が５５．４４Ｃｏ−１４．７８Ｃｒ−１４．７８Ｐｔ−１５ＴｉＮ（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末２４．９９ｗｔ％、Ｐｔ粉末３６．７４ｗｔ％、ＴｉＮ粉末１１．８３ｗｔ％、Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末２６．４４ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。【００９４】
次にＣｏ粉末、Ｐｔ粉末、ＴｉＮ粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏ−Ｃｒ球形粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０００°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１６５．１０ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表９に示す。【００９５】
比較例９では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径５μｍのＴｉＮ粉末を用意した。これらの粉末をターゲット組成が５５．４４Ｃｏ−１４．７８Ｃｒ−１４．７８Ｐｔ−１５ＴｉＮ（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末４１．６４ｗｔ％、Ｃｒ粉末９．７９ｗｔ％、Ｐｔ粉末３６．７４ｗｔ％、ＴｉＮ粉末１１．８３ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。【００９６】
そしてこれらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０００°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとでホットプレスして、焼結体を得た。
さらにこれを旋盤で直径が１６５．１０ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表９に示す。【００９７】
【表９】
2010110033.tif 000011
【００９８】
表９に示すとおり、実施例９のターゲットの平均漏洩磁束は６３％であり、比較例９の５７％より大きく向上していることが確認された。また、実施例９では相対密度が９８．５％となり、９８％を超える高密度なターゲットが得られた。【００９９】
実施例９のターゲット研磨面を、ＳＥＭで観察したところＴｉＮ粒子が微細分散したマトリックスの中に、ＴｉＮ粒子を含まない大きな球形の合金相が分散している様子が確認された。またＥＰＭＡを用いて元素分布画像を取得したところ、球形の合金相の部分においてＣｏとＣｒの濃度が高くなっており、特にＣｒは周辺部から中心部に向かって、より濃度が高くなっていることが確認された。【０１００】
これに対して、比較例９によって得られたターゲット研磨面の組織画像には、ＴｉＮ粒子が分散したマトリックスの中に球形の合金相は一切観察されなかった。【０１０１】
実施例１〜９において、いずれも球形の合金相（Ｂ）の存在が明瞭に確認でき、非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と該相（Ａ）に包囲された、直径が５０〜２００μｍの範囲にある球形の合金相（Ｂ）の存在は、漏洩磁束を向上させるために非常に重要な役割を有することが分かる。
【産業上の利用可能性】
【０１０２】
本発明は、非磁性材粒子分散型強磁性スパッタリングターゲットの組織構造を、非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下の球形の合金相（Ｂ）とが存在するように調整して漏洩磁束を高め、さらにターゲットを高密度化することによって、マグネトロンスパッタリング装置による、非磁性材粒子分散型強磁性スパッタリングターゲットの安定した、かつ生産性の高いスパッタリングを実現することができる。
磁気記録媒体の磁性体薄膜、特に垂直磁気記録方式を採用したハードディスクのグラニュラー磁気記録膜の成膜に使用される非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットとして有用である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【手続補正書】
【提出日】平成22年7月12日(2010.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｒが５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである合金と非磁性材粒子との混合体からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、このターゲットの組織が、合金の中に前記非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下であり、長軸と短軸の差が０〜５０％である球形の合金相（Ｂ）とを有していることを特徴とする非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
【請求項２】
Ｃｒが５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである合金と非磁性材粒子との混合体からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、このターゲットの組織が、合金の中に前記非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下であり、長軸と短軸の差が０〜５０％である球形の合金相（Ｂ）とを有していることを特徴とする非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
【請求項３】
Ｃｒが５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、Ｂが０．５ｍｏｌ％以上８ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである合金と非磁性材粒子との混合体からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、このターゲットの組織が、合金の中に前記非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下であり、長軸と短軸の差が０〜５０％である球形の合金相（Ｂ）とを有していることを特徴とする非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
【請求項４】
球形の合金相（Ｂ）は、中心部がＣｒ２５ｍｏｌ％以上であって、中心部から外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成の合金相を形成していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
【請求項５】
球形の合金相（Ｂ）の直径が、５０〜２００μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
【請求項６】
非磁性材料が、Ｃｒ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｂからなる酸化物、窒化物若しくは炭化物又は炭素から選択した１成分以上含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
【請求項７】
ターゲット中で、非磁性材料の体積比率が３０％以下であることを特徴とする請求項６に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
【請求項８】
相対密度が９８％以上であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
【国際調査報告】
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