(57)【要約】  非加工面に保護材が設けられた基板の加工面を加工する基板処理システムは、前記基板の加工面を複数の工程で研削する研削部と、前記研削部で前記基板の加工面を研削する前に、前記保護材の厚みを測定する保護材厚み測定部と、前記保護材厚み測定部で測定された保護材厚みに基づいて、前記研削部で前記基板の加工面を研削する第１の研削処理工程以降の第２の研削処理工程における第２の研削量が基板毎に一定になるように、前記第１の研削処理工程における第１の研削量を算出する制御部と、を有する。
2019124032.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非加工面に保護材が設けられた基板の加工面を加工する基板処理システムであって、
前記基板の加工面を複数の工程で研削する研削部と、
前記研削部で前記基板の加工面を研削する前に、前記保護材の厚みを測定する保護材厚み測定部と、
前記保護材厚み測定部で測定された保護材厚みに基づいて、前記研削部で前記基板の加工面を研削する第１の研削処理工程以降の第２の研削処理工程における第２の研削量が基板毎に一定になるように、前記第１の研削処理工程における第１の研削量を算出する制御部と、を有する。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
前記基板と前記保護材の全体厚みを測定する全体厚み測定部を有し、
前記制御部は、前記第１の研削処理工程で前記基板が研削される前に前記全体厚み測定部で測定された全体厚みと、前記保護材厚み測定部で測定された保護材厚みと、前記第１の研削処理工程で研削された後の前記基板の目標厚みと、に基づいて、前記第１の研削処理工程における第１の研削量を算出する。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理システムにおいて、
前記第１の研削処理工程では、複数ステップに分けて前記基板の加工面を研削し、
前記制御部は、
前記複数ステップの研削のうち、前記基板の加工面を研削する第１のステップ以降の第２のステップにおける研削量を設定し、
前記全体厚み測定部で測定された全体厚みと、前記保護材厚み測定部で測定された保護材厚みと、前記第２のステップで設定された研削量と、に基づいて、前記第１のステップにおける研削量を算出する。
【請求項４】
請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
前記基板と前記保護材の全体厚みを測定する全体厚み測定部を有し、
前記制御部は、前記第２の研削処理工程で前記基板が研削される前に前記全体厚み測定部で測定された全体厚みと、前記保護材厚み測定部で測定された保護材厚みと、前記第２の研削処理工程で研削された後の前記基板の目標厚みと、に基づいて、前記第２の研削処理工程における第２の研削量を算出する。
【請求項５】
請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
前記基板処理システムは、
前記基板と前記保護材の全体厚みが所定厚みに到達するまで、全体厚みを測定する全体厚み測定部と、
全体厚みが前記所定厚みに到達した後、前記基板の厚みを測定する基板厚み測定部と、を有し、
前記制御部は、
前記第２の研削処理工程で前記基板が研削される前に前記全体厚み測定部で測定された全体厚みと、前記保護材厚み測定部で測定された保護材厚みと、前記所定厚みとに基づいて、前記第２の研削処理工程における第２の前半研削量を算出し、
その後、全体厚みが前記所定厚みに到達した後、前記基板厚み測定部で測定された基板厚みに基づいて、前記第２の研削処理工程で研削された後の前記基板の目標厚みまで研削するように前記研削部を制御する。
【請求項６】
請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
前記基板は、基板本体と、前記基板本体の非加工面側に形成され、前記保護材に保護されたデバイスとを備え、
前記基板処理システムは、前記基板本体の厚みを測定する基板本体厚み測定部を有し、
前記制御部は、前記第２の研削処理工程で前記基板が研削される前に前記基板本体厚み測定部で測定された基板本体厚みと、前記基板本体厚みから算出される前記デバイスの厚みと、前記第２の研削処理工程で研削された後の前記基板の目標厚みと、に基づいて、前記第２の研削処理工程における第２の研削量を算出する。
【請求項７】
請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
前記研削部は、前記第１の研削処理工程を行う第１の研削部と、前記第２の研削処理工程を行う第２の研削部とを有する。
【請求項８】
非加工面に保護材が設けられた基板の加工面を加工する基板処理方法であって、
前記保護材の厚みを測定する保護材厚み測定工程と、
その後、前記基板の加工面を研削する複数の研削処理工程と、を有し、
前記保護材厚み測定工程で測定された保護材厚みに基づいて、前記複数の研削処理工程のうち、前記基板の加工面を研削する第１の研削処理工程以降の第２の研削処理工程における第２の研削量が基板毎に一定になるように、前記第１の研削処理工程における第１の研削量を算出する。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理方法において、
前記第１の研削処理工程において前記基板と前記保護材の全体厚みを測定する第１の全体厚み測定工程を有し、
前記第１の研削処理工程で前記基板が研削される前に前記第１の全体厚み測定工程で測定された全体厚みと、前記保護材厚み測定工程で測定された保護材厚みと、前記第１の研削処理工程で研削された後の前記基板の目標厚みと、に基づいて、前記第１の研削処理工程における第１の研削量を算出する。
【請求項１０】
請求項９に記載の基板処理方法において、
前記第１の研削処理工程では、複数ステップに分けて前記基板の加工面を研削し、
前記複数ステップの研削のうち、前記基板の加工面を研削する第１のステップ以降の第２のステップにおける研削量を設定し、
前記第１の全体厚み測定工程で測定された全体厚みと、前記保護材厚み測定工程で測定された保護材厚みと、前記第２のステップで設定された研削量と、に基づいて、前記第１のステップにおける研削量を算出する。
【請求項１１】
請求項８に記載の基板処理方法において、
前記第２の研削処理工程において前記基板と前記保護材の全体厚みを測定する第２の全体厚み測定工程を有し、
前記第２の研削処理工程で前記基板が研削される前に前記第２の全体厚み測定工程で測定された全体厚みと、前記保護材厚み測定工程で測定された保護材厚みと、前記第２の研削処理工程で研削された後の前記基板の目標厚みと、に基づいて、前記第２の研削処理工程における第２の研削量を算出する。
【請求項１２】
請求項８に記載の基板処理方法において、
前記基板処理方法は、
前記第２の研削処理工程において前記基板と前記保護材の全体厚みが所定厚みに到達するまで、全体厚みを測定する第２の全体厚み測定工程と、
前記第２の研削処理工程において全体厚みが前記所定厚みに到達した後、前記基板の厚みを測定する基板厚み測定工程と、を有し、
前記第２の研削処理工程で前記基板が研削される前に前記第２の全体厚み測定工程で測定された全体厚みと、前記保護材厚み測定工程で測定された保護材厚みと、前記所定厚みとに基づいて、前記第２の研削処理工程における第２の前半研削量を算出し、
その後、全体厚みが前記所定厚みに到達した後、前記基板厚み測定工程で測定された基板厚みに基づいて、前記第２の研削処理工程で研削された後の前記基板の目標厚みまで研削する。
【請求項１３】
請求項８に記載の基板処理方法において、
前記基板は、基板本体と、前記基板本体の非加工面側に形成され、前記保護材に保護されたデバイスとを備え、
前記基板処理方法は、前記第２の研削処理工程において前記基板本体の厚みを測定する基板本体厚み測定工程を有し、
前記第２の研削処理工程で前記基板が研削される前に前記基板本体厚み測定工程で測定された基板本体厚みと、前記基板本体厚みから算出される前記デバイスの厚みと、前記第２の研削処理工程で研削された後の前記基板の目標厚みと、に基づいて、前記第２の研削処理工程における第２の研削量を算出する。
【請求項１４】
非加工面に保護材が設けられた基板の加工面を加工する基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、
前記基板処理方法は、
前記保護材の厚みを測定する保護材厚み測定工程と、
その後、前記基板の加工面を研削する複数の研削処理工程と、を有し、
前記保護材厚み測定工程で測定された保護材厚みに基づいて、前記複数の研削処理工程のうち、前記基板の加工面を研削する第１の研削処理工程以降の第２の研削処理工程における第２の研削量が基板毎に一定になるように、前記第１の研削処理工程における第１の研削量を算出する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本願は、２０１７年１２月２２日に日本国に出願された特願２０１７−２４６７３２号に基づき、優先権を主張し、その内容をここに援用する。【０００２】
本発明は、非加工面に保護材が設けられた基板の加工面を加工する基板処理システム、当該基板処理システムを用いた基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００３】
近年、半導体デバイスの製造工程においては、表面に複数の電子回路等のデバイスが形成された半導体ウェハ（以下、ウェハという）に対し、当該ウェハの裏面を研削して、ウェハを薄化することが行われている。また、例えば特許文献１や特許文献２に記載されているとおり、研削前のウェハの表面には、デバイスを保護する保護材として、例えば保護テープが設けられている。【０００４】
ウェハの裏面の研削は、例えば特許文献１や特許文献２に記載された研削装置を用いて行われる。研削装置は、例えばウェハの表面を保持し回転自在のチャックと、チャックに保持されたウェハの裏面を研削する研削砥石を備え環状で回転自在に構成された研削ホイールと、を備えている。そして、この研削装置では、ウェハの裏面に対して粗研削と仕上研削を順次行っている。具体的には、各研削工程において、チャック（ウェハ）と研削ホイール（研削砥石）を回転させながら、研削砥石をウェハの裏面に接触させることによって、当該ウェハの裏面が研削される。また、この研削中、厚み測定ゲージによってウェハの厚みを測定することで、ウェハを目標厚みに仕上げている。【０００５】
また、例えば特許文献２には、上述した厚み測定ゲージが接触式のものであって、基準側ハイトゲージとウェハ側ハイトゲージを備え、ウェハ側ハイトゲージの測定値から基準側ハイトゲージの測定値を引いた値に基づいてウェハの厚さが測定されることが記載されている。この場合、ウェハの表面に保護テープが貼り付けられているので、保護テープの厚みも加味してウェハの厚みが算出される。【０００６】
さらに、例えば特許文献２には、仕上研削において、非接触式の仕上厚み測定装置を用いることが記載されている。仕上厚み測定装置は複数の厚みセンサを有し、ウェハの厚みを複数ポイント測定するものである。この場合、保護テープを除くウェハのみの厚みが測定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】日本国特開２０１２−１８７６５４号公報
【特許文献２】日本国特開２００８−２６４９１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、保護テープは、ウェハ毎にその厚みがばらつく場合がある。かかる場合、従来のように、粗研削で接触式の厚み測定計を用いてウェハと保護テープの全体厚みを測定し、仕上研削で非接触式の厚み測定計を用いてウェハの厚みを測定すると、粗研削と仕上研削での研削量がウェハ毎にばらつく。【０００９】
接触式の厚み測定計を用いて、ウェハの厚みと保護テープの厚みを含めた全体厚みを測定しながら研削する場合、ウェハ毎に保護テープの厚みが異なると、研削後の各ウェハの厚みが異なることになる。そうするとその後、ウェハの厚みが異なるものを同じ厚みに研削するためには、その後の研削時の研削量がウェハ毎にばらつくことなる。【００１０】
このように研削量がばらつくのは好ましくない。特に仕上研削では、ウェハは最終の仕上厚みまで研削されるため、その研削量は厳密に制御される必要があり、保護テープの厚みのばらつきに関わらず、研削量が一定であることが必要となる。【００１１】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、非加工面に保護材が設けられた基板の加工面を研削して加工するにあたり、基板毎の研削量を一定にして、基板を適切に研削することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決する本発明の一態様は、非加工面に保護材が設けられた基板の加工面を加工する基板処理システムであって、前記基板の加工面を複数の工程で研削する研削部と、前記研削部で前記基板の加工面を研削する前に、前記保護材の厚みを測定する保護材厚み測定部と、前記保護材厚み測定部で測定された保護材厚みに基づいて、前記研削部で前記基板の加工面を研削する第１の研削処理工程以降の第２の研削処理工程における第２の研削量が基板毎に一定になるように、前記第１の研削処理工程における第１の研削量を算出する制御部と、を有する。【００１３】
本発明の一態様によれば、基板の加工面を研削する前に保護材の厚みを測定し、この測定結果を用いて、第１の研削処理工程における第１の研削量を算出する。このように第１の研削量が、保護材の厚みを考慮して算出されるため、保護材の厚みが基板毎にばらついていたとしても、第１の研削処理工程で研削された後の基板の厚みを、基板毎に一定にすることができる。そうすると、その後、第２の研削処理工程で基板の加工面を研削する際の第２の研削量を一定にすることができ、基板を適切に研削することができる。【００１４】
別な観点による本発明の一態様は、非加工面に保護材が設けられた基板の加工面を加工する基板処理方法であって、前記保護材の厚みを測定する保護材厚み測定工程と、その後、前記基板の加工面を研削する複数の研削処理工程と、を有し、前記保護材厚み測定工程で測定された保護材厚みに基づいて、前記複数の研削処理工程のうち、前記基板の加工面を研削する第１の研削処理工程以降の第２の研削処理工程における第２の研削量が基板毎に一定になるように、前記第１の研削処理工程における第１の研削量を算出する。【００１５】
また別な観点による本発明の一態様によれば、前記基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の一態様によれば、非加工面に保護材が設けられた基板の加工面を研削して加工するにあたり、基板毎の研削量を一定にして、基板を適切に研削することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本実施形態にかかる基板処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。
【図２】保護ウェハの構成の概略を示す側面図である。
【図３】加工装置の構成の概略を示す平面図である。
【図４】保護テープ厚み測定ユニットの構成の概略を示す側面図である。
【図５】全体厚み測定ユニットの構成の概略を示す側面図である。
【図６】ウェハ本体厚み測定ユニットの構成の概略を示す側面図である。
【図７】ウェハ処理の主な工程を示すフローチャートである。
【図８】ウェハの加工面が研削される様子を示す説明図である。
【図９】保護テープの厚みと研削処理前のウェハの厚みが異なる保護ウェハについて、各研削処理の研削量を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１９】
＜基板処理システム＞
先ず、本実施形態にかかる基板処理システムの構成について説明する。図１は、基板処理システム１の構成の概略を模式的に示す平面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００２０】
本実施形態の基板処理システム１では、基板としてのウェハＷを薄化する。以下、図２に示すようにウェハＷにおいて、加工（研削）される面を「加工面Ｗ１」といい、加工面Ｗ１と反対側の面を「非加工面Ｗ２」という。ウェハＷは、例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体ウェハである。ウェハＷは、基板本体としてのウェハ本体Ｍと、ウェハ本体Ｍの非加工面側に形成されたデバイスＤとを備えている。そして、ウェハ本体Ｍの表面が加工面Ｗ１を構成し、デバイスＤの表面がウェハＷの非加工面Ｗ２を構成している。ウェハＷの非加工面Ｗ２には、デバイスＤを保護するための保護材、例えば保護テープＰが貼り付けられている。なお、以下の説明においては、保護テープＰが貼り付けられたウェハＷの全体を保護ウェハＷｐという。
【００２１】
図１に示すように基板処理システム１は、処理前の保護ウェハＷｐをカセットＣ内に収納し、複数の保護ウェハＷｐをカセット単位で外部から基板処理システム１に搬入する搬入ステーション２と、処理後のウェハＷ（保護ウェハＷｐから保護テープＰが剥離されたウェハＷ）をカセットＣ内に収納し、複数のウェハＷをカセット単位で基板処理システム１から外部に搬出する搬出ステーション３と、保護ウェハＷｐに加工処理を行って薄化する加工装置４と、加工処理後の保護ウェハＷｐの後処理を行う後処理装置５と、搬入ステーション２、加工装置４及び後処理装置５の間で保護ウェハＷｐを搬送する搬送ステーション６と、を接続した構成を有している。搬入ステーション２、搬送ステーション６、及び加工装置４は、Ｘ軸負方向側においてＹ軸方向にこの順で並べて配置されている。搬出ステーション３と後処理装置５は、Ｘ軸正方向側においてＹ軸方向にこの順で並べて配置されている。
【００２２】
搬入ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。図示の例では、カセット載置台１０には、複数、例えば２つのカセットＣをＸ軸方向に一列に載置自在になっている。
【００２３】
搬出ステーション３も、搬入ステーション２と同様の構成を有している。搬出ステーション３にはカセット載置台２０が設けられ、カセット載置台２０には、例えば２つのカセットＣをＸ軸方向に一列に載置自在になっている。なお、搬入ステーション２と搬出ステーション３は１つの搬入出ステーションに統合されてもよく、かかる場合、搬入出ステーションには共通のカセット載置台が設けられる。
【００２４】
加工装置４では、保護ウェハＷｐに対して研削や洗浄などの加工処理が行われる。この加工装置４の構成は後述する。
【００２５】
後処理装置５では、加工装置４で加工処理された保護ウェハＷｐに対して後処理が行われる。後処理としては、例えば保護ウェハＷｐをダイシングテープを介してダイシングフレームに保持するマウント処理、保護ウェハＷｐにおいてウェハＷに貼り付けられた保護テープＰを剥離する剥離処理などが行われる。そして、後処理装置５は、後処理が行われダイシングフレームに保持されたウェハＷを搬出ステーション３のカセットＣに搬送する。後処理装置５で行われるマウント処理や剥離処理はそれぞれ、公知の装置が用いられる。
【００２６】
搬送ステーション６には、ウェハ搬送領域３０が設けられている。ウェハ搬送領域３０には、Ｘ軸方向に延伸する搬送路３１上を移動自在なウェハ搬送装置３２が設けられている。ウェハ搬送装置３２は、保護ウェハＷｐを保持するウェハ保持部として、搬送フォーク３３と搬送パッド３４を有している。搬送フォーク３３は、その先端が２本に分岐し、保護ウェハＷｐを吸着保持する。搬送フォーク３３は、研削処理前の保護ウェハＷｐを搬送する。搬送パッド３４は、平面視において保護ウェハＷｐの径より長い径を備えた円形状を有し、保護ウェハＷｐを吸着保持する。搬送パッド３４は、研削処理後の保護ウェハＷｐを搬送する。そして、これら搬送フォーク３３と搬送パッド３４はそれぞれ、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。
【００２７】
図１に示すように基板処理システム１には、制御部４０が設けられている。制御部４０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、基板処理システム１における保護ウェハＷｐ（ウェハＷ）の処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、基板処理システム１における後述のウェハ処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部４０にインストールされたものであってもよい。
【００２８】
＜加工装置＞
次に、上述した加工装置４の構成について説明する。図３〜図６に示すように加工装置４は、回転テーブル１００、搬送ユニット１１０、アライメントユニット１２０、第１の洗浄ユニット１３０、第２の洗浄ユニット１４０、研削部としての粗研削ユニット１５０、研削部としての中研削ユニット１６０、研削部としての仕上研削ユニット１７０、保護材厚み測定部としての保護テープ厚み測定ユニット１８０、全体厚み測定部としての全体厚み測定ユニット１９０、及び基板本体厚み測定部としてのウェハ本体厚み測定ユニット２００を有している。なお、本実施形態では、粗研削ユニット１５０が本発明における第１の研削部に相当し、中研削ユニット１６０と仕上研削ユニット１７０がそれぞれ本発明における第２の研削部に相当する。
【００２９】
回転テーブル１００は、回転機構（図示せず）によって回転自在に構成されている。回転テーブル１００上には、保護ウェハＷｐを吸着保持するチャック１０１が４つ設けられている。チャック１０１は、回転テーブル１００と同一円周上に均等、すなわち９０度毎に配置されている。４つのチャック１０１は、回転テーブル１００が回転することにより、受渡位置Ａ０及び加工位置Ａ１〜Ａ３に移動可能になっている。
【００３０】
本実施形態では、受渡位置Ａ０は回転テーブル１００のＸ軸正方向側且つＹ軸負方向側の位置であり、受渡位置Ａ０のＹ軸負方向側には、第２の洗浄ユニット１４０、アライメントユニット１２０及び第１の洗浄ユニット１３０が並べて配置される。アライメントユニット１２０と第１の洗浄ユニット１３０は上方からこの順で積層されて配置される。第１の加工位置Ａ１は回転テーブル１００のＸ軸正方向側且つＹ軸正方向側の位置であり、粗研削ユニット１５０が配置される。第２の加工位置Ａ２は回転テーブル１００のＸ軸負方向側且つＹ軸正方向側の位置であり、中研削ユニット１６０が配置される。第３の加工位置Ａ３は回転テーブル１００のＸ軸負方向側且つＹ軸負方向側の位置であり、仕上研削ユニット１７０が配置される。
【００３１】
チャック１０１はチャックベース１０２に保持されている。チャック１０１及びチャックベース１０２は、回転機構（図示せず）によって回転可能に構成されている。
【００３２】
搬送ユニット１１０は、複数、例えば３つのアーム１１１〜１１３を備えた多関節型のロボットである。３つのアーム１１１〜１１３は関節部（図示せず）によって接続され、これら関節部によって、第１のアーム１１１と第２のアーム１１２はそれぞれ基端部を中心に旋回自在に構成されている。３つのアーム１１１〜１１３のうち、先端の第１のアーム１１１には、保護ウェハＷｐを吸着保持する搬送パッド１１４が取り付けられている。また、３つのアーム１１１〜１１３のうち、基端の第３のアーム１１３は、アーム１１１〜１１３を鉛直方向に移動させる鉛直移動機構１１５に取り付けられている。そして、かかる構成を備えた搬送ユニット１１０は、受渡位置Ａ０、アライメントユニット１２０、第１の洗浄ユニット１３０、及び第２の洗浄ユニット１４０に対して、保護ウェハＷｐを搬送できる。
【００３３】
アライメントユニット１２０では、研削処理前の保護ウェハＷｐの水平方向の向きを調節する。例えばスピンチャック（図示せず）に保持された保護ウェハＷｐを回転させながら、検出部（図示せず）でウェハＷのノッチ部の位置を検出することで、当該ノッチ部の位置を調節して保護ウェハＷｐの水平方向の向きを調節する。
【００３４】
第１の洗浄ユニット１３０では、研削処理後のウェハＷの加工面Ｗ１を洗浄し、より具体的にはスピン洗浄する。例えばスピンチャック（図示せず）に保持された保護ウェハＷｐ（ウェハＷ）を回転させながら、洗浄液ノズル（図示せず）からウェハＷの加工面Ｗ１に洗浄液を供給する。そうすると、供給された洗浄液は加工面Ｗ１上を拡散し、当該加工面Ｗ１が洗浄される。
【００３５】
第２の洗浄ユニット１４０では、研削処理後の保護ウェハＷｐが搬送パッド１１４に保持された状態のウェハＷの非加工面Ｗ２、すなわち非加工面Ｗ２に貼り付けられた保護テープＰを洗浄するとともに、搬送パッド１１４を洗浄する。
【００３６】
粗研削ユニット１５０では、ウェハＷの加工面Ｗ１を粗研削する。粗研削ユニット１５０は、環状形状で回転自在な粗研削砥石（図示せず）を備えた粗研削部１５１を有している。また、粗研削部１５１は、支柱１５２に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。そして、チャック１０１に保持されたウェハＷの加工面Ｗ１を粗研削砥石に当接させた状態で、チャック１０１と粗研削砥石をそれぞれ回転させることによって、ウェハＷの加工面Ｗ１を粗研削する。
【００３７】
中研削ユニット１６０では、ウェハＷの加工面Ｗ１を中研削する。中研削ユニット１６０は、環状形状で回転自在な中研削砥石（図示せず）を備えた中研削部１６１を有している。また、中研削部１６１は、支柱１６２に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。なお、中研削砥石の砥粒の粒度は、粗研削砥石の砥粒の粒度より小さい。そして、チャック１０１に保持されたウェハＷの加工面Ｗ１を中研削砥石に当接させた状態で、チャック１０１と中研削砥石をそれぞれ回転させることによって加工面Ｗ１を中研削する。
【００３８】
仕上研削ユニット１７０では、ウェハＷの加工面Ｗ１を仕上研削する。仕上研削ユニット１７０は、環状形状で回転自在な仕上研削砥石（図示せず）を備えた仕上研削部１７１を有している。また、仕上研削部１７１は、支柱１７２に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。なお、仕上研削砥石の砥粒の粒度は、中研削砥石の砥粒の粒度より小さい。そして、チャック１０１に保持されたウェハＷの加工面Ｗ１を仕上研削砥石に当接させた状態で、チャック１０１と仕上研削砥石をそれぞれ回転させることによって加工面Ｗ１を仕上研削する。
【００３９】
図１及び図３に示すように保護テープ厚み測定ユニット１８０は、例えばアライメントユニット１２０の上方に設けられる。図４に示すように保護テープ厚み測定ユニット１８０では、搬送ユニット１１０の搬送パッド１１４に保持された保護ウェハＷｐに対し、保護テープＰの厚みを測定する。保護テープ厚み測定ユニット１８０は、アライメントユニット１２０から受渡位置Ａ０に搬送中の保護ウェハＷｐの保護テープＰの厚みを測定する。
【００４０】
保護テープ厚み測定ユニット１８０は、センサ１８１と算出部１８２を有している。センサ１８１には、保護テープＰに接触せずに当該保護テープＰの厚みを測定するセンサが用いられ、例えば白色共焦点（コンフォーカル）式の光学系センサが用いられる。センサ１８１は、保護テープＰに対して所定の波長帯域を有する光を照射し、さらに保護テープＰの表面Ｐ１から反射した反射光と、裏面Ｐ２から反射した反射光とを受光する。算出部１８２は、センサ１８１で受光した両反射光に基づいて、保護テープＰの厚みを算出する。
【００４１】
なお、本実施形態では保護テープ厚み測定ユニット１８０のセンサ１８１には白色共焦点式の光学系センサが用いられたが、保護テープ厚み測定ユニット１８０の構成はこれに限定されず、保護テープＰの厚みを測定するものであれば任意の測定器を用いることができる。また、センサ１８１は、複数設けられていてもよい。
【００４２】
全体厚み測定ユニット１９０は、粗研削ユニット１５０と中研削ユニット１６０のそれぞれに設けられる。図５に示すように全体厚み測定ユニット１９０は、チャック側ハイトゲージ１９１、ウェハ側ハイトゲージ１９２、及び算出部１９３を有している。チャック側ハイトゲージ１９１はプローブ１９４を備え、プローブ１９４の先端がチャックベース１０２の上面１０２ａに接触することで、当該上面１０２ａの高さ位置を測定する。チャックベース１０２の上面１０２ａは、保護ウェハＷｐを保持するチャック１０１の上面と同一平面である。ウェハ側ハイトゲージ１９２はプローブ１９５を備え、プローブ１９５の先端がウェハＷの加工面Ｗ１に接触し、当該加工面Ｗ１の高さ位置を測定する。算出部１９３は、ウェハ側ハイトゲージ１９２の測定値からチャック側ハイトゲージ１９１を差し引くことで、保護ウェハＷｐの全体厚みを算出する。なお、この全体厚みは、ウェハＷの厚み（ウェハ本体Ｍの厚みとデバイスＤの厚みの合計）と保護テープＰの厚みを足したものである。
【００４３】
ウェハ本体厚み測定ユニット２００は、仕上研削ユニット１７０に設けられる。図６に示すようにウェハ本体厚み測定ユニット２００は、センサ２０１と算出部２０２を有している。センサ２０１には、ウェハ本体Ｍに接触せずに当該ウェハ本体Ｍの厚みを測定するセンサが用いられ、例えば白色共焦点（コンフォーカル）式の光学系センサが用いられる。センサ２０１は、ウェハ本体Ｍに対して所定の波長帯域を有する光を照射し、さらにウェハ本体Ｍの表面から反射した反射光と、裏面から反射した反射光とを受光する。算出部２０２は、センサ２０１で受光した両反射光に基づいて、ウェハ本体Ｍの厚みを算出する。
【００４４】
本実施形態のセンサ２０１は、ウェハ本体Ｍに接触せずに厚みを測定することができるので、当該ウェハ本体Ｍに傷が入るのを防止することができる。特に仕上研削ユニット１７０では、ウェハＷ（ウェハ本体Ｍ）は研削されて薄くなっており、傷が入りやすいため、このように非接触でウェハ本体Ｍの厚みを測定できることは有用である。
【００４５】
なお、本実施形態ではウェハ本体厚み測定ユニット２００のセンサ２０１には白色共焦点式の光学系センサが用いられたが、ウェハ本体厚み測定ユニット２００の構成はこれに限定されず、ウェハ本体Ｍの厚みを測定するものであれば任意の測定器を用いることができる。また、センサ２０１は、複数設けられていてもよい。
【００４６】
＜ウェハ処理＞
次に、以上のように構成された基板処理システム１を用いて行われるウェハ処理について、図７のフローチャートに沿って説明する。
【００４７】
図８は、基板処理システム１（加工装置４）において、ウェハＷの加工面Ｗ１が研削される様子を示す説明図である。図８（ａ）に示すように研削前において、保護ウェハＷｐの全体厚みはＴｗｐ０であり、ウェハ本体Ｍの厚みはＴｍ０であり、デバイスＤの厚みはＴｄであり、保護テープＰの厚みはＴｐである。そして、図８（ｂ）の粗研削、図８（ｃ）の中研削、図８（ｄ）の仕上研削が順次行われ、ウェハＷが薄化される。粗研削、中研削、仕上研削におけるウェハＷの加工面Ｗ１の研削量はＧ１、Ｇ２、Ｇ３であり、それぞれの研削後のウェハＷの目標厚みはＨ１、Ｈ２、Ｈ３である。
【００４８】
基板処理システム１では、先ず、複数の保護ウェハＷｐを収納したカセットＣが、搬入ステーション２のカセット載置台１０に載置される。カセットＣには、保護テープＰが変形するのを抑制するため、当該保護テープＰが貼り付けられたウェハＷの非加工面Ｗ２が上側を向くように保護ウェハＷｐが収納されている。
【００４９】
次に、ウェハ搬送装置３２の搬送フォーク３３によりカセットＣ内の保護ウェハＷｐが取り出され、加工装置４に搬送される。この際、搬送フォーク３３によりウェハＷの加工面Ｗ１が上側に向くように、表裏面が反転される。
【００５０】
加工装置４に搬送された保護ウェハＷｐは、アライメントユニット１２０に受け渡される。そして、アライメントユニット１２０において、保護ウェハＷｐの水平方向の向きが調節される（図７のステップＳ１）。
【００５１】
次に、保護ウェハＷｐが搬送ユニット１１０によって搬送中、保護テープ厚み測定ユニット１８０によって、図８（ａ）に示す保護テープＰの厚みＴｐが測定される（図７のステップＳ２）。保護テープ厚み測定ユニット１８０の測定結果は、算出部１８２から制御部４０に出力される。
【００５２】
次に、保護ウェハＷｐは搬送ユニット１１０により、アライメントユニット１２０から受渡位置Ａ０に搬送され、当該受渡位置Ａ０のチャック１０１に受け渡される。その後、回転テーブル１００を反時計回りに９０度回転させ、チャック１０１を第１の加工位置Ａ１に移動させる。
【００５３】
次に、粗研削ユニット１５０による粗研削の前に、全体厚み測定ユニット１９０によって、図８（ａ）に示す保護ウェハＷｐの全体厚みＴｗｐ０が測定される（図７のステップＳ３）。全体厚み測定ユニット１９０の測定結果は、算出部１９３から制御部４０に出力される。
【００５４】
制御部４０では、ステップＳ２で測定された保護テープＰの厚みＴｐと、ステップＳ３で測定された全体厚みＴｗｐ０とに基づいて、粗研削ユニット１５０におけるウェハＷの加工面Ｗ１の粗研削量Ｇ１を算出する（図７のステップＳ４）。具体的には先ず、図８（ｂ）に示す、粗研削後に残したいウェハＷの目標厚みＨ１を設定する。そして下記式（１）を用いて、粗研削量Ｇ１を算出する。なお、粗研削量Ｇ１は、本発明における第１の研削量に相当する。
Ｇ１＝Ｔｗｐ０−Ｔｐ−Ｈ１  ・・・・（１）
【００５５】
次に、粗研削ユニット１５０によって、ステップＳ４で算出した粗研削量Ｇ１に基づき、図８（ｂ）に示すようにウェハＷの加工面Ｗ１が粗研削される（図７のステップＳ５）。
【００５６】
次に、回転テーブル１００を反時計回りに９０度回転させ、チャック１０１を第２の加工位置Ａ２に移動させる。そして、中研削ユニット１６０による中研削の前に、全体厚み測定ユニット１９０によって、図８（ｂ）に示す保護ウェハＷｐの全体厚みＴｗｐ１が測定される（図７のステップＳ６）。全体厚み測定ユニット１９０の測定結果は、算出部１９３から制御部４０に出力される。
【００５７】
制御部４０では、ステップＳ２で測定された保護テープＰの厚みＴｐと、ステップＳ６で測定された全体厚みＴｗｐ１とに基づいて、中研削ユニット１６０におけるウェハＷの加工面Ｗ１の中研削量Ｇ２を算出する（図７のステップＳ７）。具体的には先ず、図８（ｃ）に示す、中研削後に残したいウェハＷの目標厚みＨ２を設定する。そして下記式（２）を用いて、中研削量Ｇ２を算出する。なお、中研削量Ｇ２は、本発明における第２の研削量に相当する。
Ｇ２＝Ｔｗｐ１−Ｔｐ−Ｈ２  ・・・・（２）
【００５８】
次に、中研削ユニット１６０によって、ステップＳ７で算出した中研削量Ｇ２に基づき、図８（ｃ）に示すようにウェハＷの加工面Ｗ１が中研削される（図７のステップＳ８）。
【００５９】
次に、回転テーブル１００を反時計回りに９０度回転させ、チャック１０１を第３の加工位置Ａ３に移動させる。そして、仕上研削ユニット１７０による仕上研削の前に、ウェハ本体厚み測定ユニット２００によって、図８（ｃ）に示すウェハ本体Ｍの厚みＴｍ２が測定される（図７のステップＳ９）。ウェハ本体厚み測定ユニット２００の測定結果は、算出部２０２から制御部４０に出力される。
【００６０】
制御部４０では、ステップＳ９で測定されたウェハ本体Ｍの厚みＴｍ２と、デバイスＤの厚みＴｄとに基づいて、仕上研削ユニット１７０におけるウェハＷの加工面Ｗ１の仕上研削量Ｇ３を算出する（図７のステップＳ１０）。具体的には先ず、図８（ｄ）に示す、仕上研削後に残したいウェハＷの目標厚みＨ３を設定する。そして下記式（３）を用いて、仕上研削量Ｇ３を算出する。なお、仕上研削量Ｇ３は、本発明における第２の研削量に相当する。
Ｇ３＝Ｔｍ２＋Ｔｄ−Ｈ３  ・・・・（３）
【００６１】
なお、ステップＳ１０で用いられるデバイスＤの厚みＴｄは、ウェハ処理前に予め分かっている場合と分かっていない場合がある。デバイスＤの厚みＴｄがウェハ処理前に予め分かっている場合は、上記式（３）にそのまま入れればよい。
【００６２】
一方、デバイスＤの厚みＴｄがウェハ処理前に分かっていない場合、ステップＳ９で測定されたウェハ本体Ｍの厚みＴｍ２から算出できる。かかる場合、デバイスＤの厚みＴｄの算出方法は、例えば２つある。１つ目の算出方法として、中研削後のウェハＷの目標厚みＨ２からウェハ本体Ｍの厚みＴｍ２を差し引けば、デバイスＤの厚みＴｄを算出できる。
【００６３】
２つ目の算出方法として、例えば仕上研削ユニット１７０にも全体厚み測定ユニット１９０を設け、仕上研削ユニット１７０による仕上研削の前に、図８（ｃ）に示す保護ウェハＷｐの全体厚みＴｗｐ２を測定する。そして下記式（４）を用いて、デバイスＤの厚みＴｄを算出できる。
Ｔｄ＝Ｔｗｐ２−Ｔｍ２−Ｔｐ  ・・・・（４）
【００６４】
次に、仕上研削ユニット１７０によって、ステップＳ１０で算出した仕上研削量Ｇ３に基づき、図８（ｄ）に示すようにウェハＷの加工面Ｗ１が仕上研削される（図７のステップＳ１１）。
【００６５】
ここで、デバイスＤの厚みＴｄを考慮する必要がない場合、ウェハＷの目標厚みＨ３は、ウェハ本体Ｍの目標厚みと同じになる。かかる場合、ウェハＷの加工面Ｗ１は、ウェハ本体Ｍの厚みがＴｍ３からＨ３になるまで仕上研削される。
【００６６】
次に、回転テーブル１００を反時計回りに９０度回転させ、又は回転テーブル１００を時計回りに２７０度回転させて、チャック１０１を受渡位置Ａ０に移動させる。ここでは、洗浄液ノズル（図示せず）を用いて、ウェハＷの加工面Ｗ１が洗浄液によって粗洗浄される（図７のステップＳ１２）。このステップＳ１２では、加工面Ｗ１の汚れをある程度まで落とす洗浄が行われる。
【００６７】
次に、保護ウェハＷｐは搬送ユニット１１０により、受渡位置Ａ０から第２の洗浄ユニット１４０に搬送される。そして、第２の洗浄ユニット１４０では、保護ウェハＷｐが搬送パッド１１４に保持された状態で、ウェハＷの非加工面Ｗ２（保護テープＰ）が洗浄し、乾燥される（図７のステップＳ１３）。
【００６８】
次に、保護ウェハＷｐは搬送ユニット１１０によって、第２の洗浄ユニット１４０から第１の洗浄ユニット１３０に搬送される。そして、第１の洗浄ユニット１３０では、洗浄液ノズル（図示せず）を用いて、ウェハＷの加工面Ｗ１が洗浄液によって仕上洗浄される（図７のステップＳ１４）。このステップＳ１４では、加工面Ｗ１が所望の清浄度まで洗浄し乾燥される。
【００６９】
その後、保護ウェハＷｐはウェハ搬送装置３２によって、第１の洗浄ユニット１３０から後処理装置５に搬送される。そして、後処理装置５では、保護ウェハＷｐをダイシングフレームに保持するマウント処理や、保護ウェハＷｐに貼り付けられた保護テープＰを剥離する剥離処理などの後処理が行われる（図７のステップＳ１５）。
【００７０】
その後、すべての処理が施されたウェハＷは、搬出ステーション３のカセット載置台２０のカセットＣに搬送される。こうして、基板処理システム１における一連のウェハ処理が終了する。
【００７１】
以上の実施形態によれば、一の基板処理システム１において、一連の処理を複数の保護ウェハＷｐに対して連続して行うことができ、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。
【００７２】
また、本実施形態によれば、保護テープ厚み測定ユニット１８０で保護テープＰの厚みＴｐを測定することにより、当該保護テープＰの厚みＴｐが保護ウェハＷｐ毎にばらついたとしても、少なくとも中研削ユニット１６０における中研削量Ｇ２と仕上研削ユニット１７０における仕上研削量Ｇ３をそれぞれ、一定にすることができる。そして、ウェハＷの加工面Ｗ１の研削を適切に行うことができる。
【００７３】
以下、この本実施形態の効果について、図９に基づいて説明する。図９（ａ）は基準となる保護ウェハＷｐａを示している。図９（ｂ）は、保護ウェハＷｐａとは保護テープＰの厚みが異なる、保護ウェハＷｐｂを示している。図９（ｃ）は、保護ウェハＷｐａとは研削処理前のウェハＷの厚みが異なる、保護ウェハＷｐｃを示している。
【００７４】
なお上述したように、粗研削、中研削、仕上研削における研削量Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３はそれぞれ下記式（１）、（２）、（３）で算出される。
Ｇ１＝Ｔｗｐ０−Ｔｐ−Ｈ１  ・・・・（１）
Ｇ２＝Ｔｗｐ１−Ｔｐ−Ｈ２  ・・・・（２）
Ｇ３＝Ｔｍ２＋Ｔｄ−Ｈ３  ・・・・（３）
【００７５】
かかる場合において、先ず、図９（ａ）、（ｂ）に示す保護ウェハＷｐａ、Ｗｐｂについて説明する。これら保護ウェハＷｐａ、Ｗｐｂにおいて、保護テープＰａ、Ｐｂの厚みはそれぞれＴｐａ、Ｔｐｂであり、厚みＴｐｂは厚みＴｐａよりも大きい。また、研削処理前のウェハ本体Ｍａ、Ｍｂの厚みはそれぞれＴｍａ０、Ｔｍｂ０で同じであり、デバイスＤａ、Ｄｂの厚みもそれぞれＴｄａ、Ｔｄｂで同じである。
【００７６】
そして、粗研削における粗研削量Ｇ１は上記式（１）で算出されるが、保護ウェハＷｐａにおける（Ｔｗｐａ０−Ｔｐａ）と保護ウェハＷｐｂにおける（Ｔｗｐｂ０−Ｔｐｂ）とは同じになる。そうすると、保護ウェハＷｐａに対する粗研削量Ｇａ１と、保護ウェハＷｐｂに対する粗研削量Ｇｂ１とが同じになる。
【００７７】
同様に、中研削における中研削量Ｇ２についても、上記式（２）より、保護ウェハＷｐａに対する中研削量Ｇａ２と、保護ウェハＷｐｂに対する中研削量Ｇｂ２とが同じになる。また、仕上研削における仕上研削量Ｇ３についても、上記式（３）より、保護ウェハＷｐａに対する仕上研削量Ｇａ３と、保護ウェハＷｐｂに対する仕上研削量Ｇｂ３とが同じになる。
【００７８】
このように本実施形態によれば、保護テープＰａ、Ｐｂの厚みＴｐａ、Ｔｐｂが異なっていても、保護ウェハＷｐａ、Ｗｐｂ毎に、粗研削量Ｇａ１、Ｇｂ１、中研削量Ｇａ２、Ｇｂ２、仕上研削量Ｇａ３、Ｇｂ３を同じにすることができる。
【００７９】
次に、図９（ａ）、（ｃ）に示す保護ウェハＷｐａ、Ｗｐｃについて説明する。これら保護ウェハＷｐａ、Ｗｐｃにおいて、研削処理前のウェハ本体Ｍａ、Ｍｃの厚みはそれぞれＴｍａ０、Ｔｍｃ０であり、厚みＴｍｃ０は厚みＴｍａ０よりも大きい。保護テープＰａ、Ｐｂの厚みはそれぞれＴｐａ、Ｔｐｂで同じであり、デバイスＤａ、Ｄｂの厚みもそれぞれＴｄａ、Ｔｄｂで同じである。
【００８０】
かかる場合、保護ウェハＷｐａの全体厚みＴｗｐａ０と保護ウェハＷｐｃの全体厚みＴｗｐｃ０が異なるため、上記式（１）より算出される、粗研削における粗研削量Ｇａ１、Ｇｃ１は異なる。
【００８１】
しかしながら、粗研削後の全体厚みＴｗｐａ１、Ｔｗｐｃ１を同じにすることができる。そうすると、中研削における中研削量Ｇ２については、上記式（２）より、保護ウェハＷｐａに対する中研削量Ｇａ２と、保護ウェハＷｐｃに対する中研削量Ｇｃ２とが同じになる。また、仕上研削における仕上研削量Ｇ３についても、上記式（３）より、保護ウェハＷｐａに対する仕上研削量Ｇａ３と、保護ウェハＷｐｃに対する仕上研削量Ｇｃ３とが同じになる。
【００８２】
このように本実施形態によれば、研削処理前のウェハ本体Ｍａ、Ｍｃの厚みＴｍａ０、Ｔｍｃ０が異なる場合、保護ウェハＷｐａ、Ｗｐｂ毎に、中研削量Ｇａ２、Ｇｂ２、仕上研削量Ｇａ３、Ｇｂ３を同じにすることができる。ここで、粗研削ではダメージ層が形成される。そしてダメージ層の厚みが変わると、その後の処理が不均一になる。この点、本実施形態のように粗研削後の全体厚みＴｗｐａ１、Ｔｗｐｃ１が同じになり、中研削量Ｇａ２、Ｇｂ２、仕上研削量Ｇａ３、Ｇｂ３も同じになり、すなわちダメージ層の残りが同じになるので、その後の処理（中研削、仕上研削）が同じ条件になる。その結果、保護ウェハＷｐａ、Ｗｐｂ毎に均一な処理を行うことができる。
【００８３】
＜他の実施形態＞
以上の実施形態において、ステップＳ５の粗研削は、複数ステップに分けて行われてもよい。ステップＳ５の粗研削は、例えば低速で粗研削部１５１（粗研削砥石）を下降させるエアカットから、高速で粗研削を行うステップＳ５１、低速で粗研削を行うステップＳ５２などのステップに分かれて行われる。
【００８４】
上述したように、複数の保護ウェハＷｐにおいて、研削処理前のウェハ本体Ｍの厚みが異なる場合、保護ウェハＷｐ毎に、粗研削量Ｇ１が異なる。一方で、低速のステップＳ５２では、その研削量Ｇ１２は、ウェハＷに対してストレスがかからない研削量としたく、複数のウェハＷに対して共通の固定値にするのが好ましい。
【００８５】
そこで、高速のステップＳ５１の研削量Ｇ１１を、保護ウェハＷｐ毎に変動する変動値とする。具体的には、各保護ウェハＷｐに対して粗研削量Ｇ１を算出した後、当該粗研削量Ｇ１から、各ステップＳ５２の研削量Ｇ１２（固定値）を差し引いて、ステップＳ５１の研削量Ｇ１１を算出する。
【００８６】
かかる場合、高速のステップＳ５１の研削量Ｇ１１は、保護ウェハＷｐ毎に異なるものの、低速のステップＳ５２の研削量Ｇ１２を固定することができる。そうすると、粗研削の後半処理では、前半処理に比べて、ウェハＷにかかるストレスを小さくすることができ、粗研削を適切に行うことができる。
【００８７】
なお、ステップＳ５２は、さらに複数のステップに分けてもよい。また、ウェハＷの厚みによっては、ステップＳ５１が省略され、ステップＳ５２の研削量Ｇ１２（固定値）だけで研削される。例えば複数のステップで研削量の固定値が複数ある場合も、複数のステップの前半を省略し、固定値の研削量だけで研削してもよい。
【００８８】
また、以上の実施形態では、ステップＳ８の中研削において、接触式の全体厚み測定ユニット１９０で保護ウェハＷｐの全体厚みを測定していたが、中研削の前半処理で保護ウェハＷｐの全体厚みを測定し、後半処理でウェハ本体Ｍの厚みを測定する場合がある。例えば中研削の開始時において、ウェハＷの厚みがある程度大きい場合、接触式の全体厚み測定ユニット１９０で保護ウェハＷｐの全体厚みを測定することができる（前半処理）。そして、ウェハＷの厚みが所定厚みに到達すると、非接触式のウェハ本体厚み測定ユニット２００でウェハ本体Ｍの厚みを測定する（後半処理）。
【００８９】
かかる場合、中研削量Ｇ２を算出するに際しては、前半処理における前半研削量Ｇ２１と、後半処理における後半研削量Ｇ２２とに分けて算出する。具体的には、前半処理では、全体厚み測定ユニット１９０で測定された保護ウェハＷｐの全体厚みＴｗｐ１と、ステップＳ２で測定された保護テープＰの厚みＴｐと、上記所定厚み（Ｈ２）とに基づき、上記式（２）を用いて、前半研削量Ｇ２１が算出される。
【００９０】
また、後半処理では、ウェハ本体厚み測定ユニット２００で測定されたウェハ本体Ｍの厚みＴｍ２と、例えば当該厚みＴｍ２から算出されるデバイスＤの厚みＴｄと、仕上研削後の目標厚みＨ３に基づき、上記式（３）を用いて、後半研削量Ｇ２２が算出される。そして、これら前半研削量Ｇ２１と後半研削量Ｇ２２に基づいて、ウェハＷの加工面Ｗ１の中研削を適切に行うことができる。なお、デバイスＤの厚みＴｄには、予め入力された値を用いてもよい。
【００９１】
なお、ステップＳ１１の仕上研削についても、前半処理で保護ウェハＷｐの全体厚みを測定し、後半処理でウェハ本体Ｍの厚みを測定する場合がある。かかる場合でも、上記中研削量Ｇ２と同様に、仕上研削量Ｇ３を前半研削量Ｇ３１と後半研削量Ｇ３２に分けて算出する。
【００９２】
以上の実施形態の基板処理システム１では、保護テープ厚み測定ユニット１８０は、搬送ユニット１１０で搬送中の保護ウェハＷｐに対して、保護テープＰの厚みを測定していたが、粗研削ユニット１５０においてウェハＷの加工面Ｗ１を粗研削する前であれば、任意の位置に配置できる。すなわち、保護テープ厚み測定ユニット１８０は、搬入ステーション２から粗研削ユニット１５０までの間に配置できる。具体的に保護テープ厚み測定ユニット１８０は、アライメントユニット１２０の内部に設けられていてもよく、あるいは搬入ステーション２の内部に設けられていてもよい。
【００９３】
以上の実施形態の基板処理システム１において、加工装置４は、粗研削ユニット１５０、中研削ユニット１６０、仕上研削ユニット１７０を有していたが、ユニットの構成はこれに限定されない。第１の加工位置Ａ１に粗研削ユニット１５０が配置され、第２の加工位置Ａ２に仕上研削ユニット１７０が配置され、第３の加工位置Ａ３に研磨ユニット（図示せず）が配置されてもよい。かかる場合でも、上記実施形態と同様に、粗研削ユニット１５０における粗研削量Ｇ１、仕上研削ユニット１７０における仕上研削量Ｇ３をそれぞれ算出することで、ウェハＷの加工面Ｗ１を適切に研削することができる。
【００９４】
以上の実施形態では、ウェハＷの非加工面Ｗ２にはデバイスＤを保護するために保護テープＰが貼り付けられていたが、デバイスＤの保護材はこれに限定されない。例えばウェハＷの非加工面Ｗ２には、支持ウェハやガラス基板などの支持基板が貼り合せられていてもよく、かかる場合でも本発明を適用することができる。
【００９５】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００９６】
１      基板処理システム
２      搬入ステーション
３      搬出ステーション
４      加工装置
５      後処理装置
６      搬送ステーション
４０    制御部
１５０  粗研削ユニット
１６０  中研削ユニット
１７０  仕上研削ユニット
１８０  保護テープ厚み測定ユニット
１９０  全体厚み測定ユニット
２００  ウェハ本体厚み測定ユニット
Ｄ      デバイス
Ｍ      ウェハ本体
Ｐ      保護テープ
Ｗ      ウェハ
Ｗ１    加工面
Ｗ２    非加工面
Ｗｐ    保護ウェハ
【図１】
2019124032.tif 000003
【図２】
2019124032.tif 000004
【図３】
2019124032.tif 000005
【図４】
2019124032.tif 000006
【図５】
2019124032.tif 000007
【図６】
2019124032.tif 000008
【図７】
2019124032.tif 000009
【図８】
2019124032.tif 000010
【図９】
2019124032.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月9日(2020.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
全体厚み測定ユニット１９０は、粗研削ユニット１５０と中研削ユニット１６０のそれぞれに設けられる。図５に示すように全体厚み測定ユニット１９０は、チャック側ハイトゲージ１９１、ウェハ側ハイトゲージ１９２、及び算出部１９３を有している。チャック側ハイトゲージ１９１はプローブ１９４を備え、プローブ１９４の先端がチャックベース１０２の上面１０２ａに接触することで、当該上面１０２ａの高さ位置を測定する。チャックベース１０２の上面１０２ａは、保護ウェハＷｐを保持するチャック１０１の上面と同一平面である。ウェハ側ハイトゲージ１９２はプローブ１９５を備え、プローブ１９５の先端がウェハＷの加工面Ｗ１に接触し、当該加工面Ｗ１の高さ位置を測定する。算出部１９３は、ウェハ側ハイトゲージ１９２の測定値からチャック側ハイトゲージ１９１の測定値を差し引くことで、保護ウェハＷｐの全体厚みを算出する。なお、この全体厚みは、ウェハＷの厚み（ウェハ本体Ｍの厚みとデバイスＤの厚みの合計）と保護テープＰの厚みを足したものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
ここで、デバイスＤの厚みＴｄを考慮する必要がない場合、ウェハＷの目標厚みＨ３は、ウェハ本体Ｍの目標厚みと同じになる。かかる場合、ウェハＷの加工面Ｗ１は、ウェハ本体Ｍの厚みがＴｍ２からＨ３になるまで仕上研削される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
かかる場合において、先ず、図９（ａ）、（ｂ）に示す保護ウェハＷｐａ、Ｗｐｂについて説明する。これら保護ウェハＷｐａ、Ｗｐｂにおいて、保護テープＰａ、Ｐｂの厚みはそれぞれＴｐａ、Ｔｐｂであり、厚みＴｐｂは厚みＴｐａよりも大きい。また、研削処理前のウェハＷａ、Ｗｂのウェハ本体Ｍａ、Ｍｂの厚みはそれぞれＴｍａ０、Ｔｍｂ０で同じであり、デバイスＤａ、Ｄｂの厚みもそれぞれＴｄａ、Ｔｄｂで同じである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
次に、図９（ａ）、（ｃ）に示す保護ウェハＷｐａ、Ｗｐｃについて説明する。これら保護ウェハＷｐａ、Ｗｐｃにおいて、研削処理前のウェハＷａ、Ｗｃのウェハ本体Ｍａ、Ｍｃの厚みはそれぞれＴｍａ０、Ｔｍｃ０であり、厚みＴｍｃ０は厚みＴｍａ０よりも大きい。保護テープＰａ、Ｐｃの厚みはそれぞれＴｐａ、Ｔｐｃで同じであり、デバイスＤａ、Ｄｃの厚みもそれぞれＴｄａ、Ｔｄｃで同じである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
このように本実施形態によれば、研削処理前のウェハ本体Ｍａ、Ｍｃの厚みＴｍａ０、Ｔｍｃ０が異なる場合、保護ウェハＷｐａ、Ｗｐｃ毎に、中研削量Ｇａ２、Ｇｃ２、仕上研削量Ｇａ３、Ｇｃ３を同じにすることができる。ここで、粗研削ではダメージ層が形成される。そしてダメージ層の厚みが変わると、その後の処理が不均一になる。この点、本実施形態のように粗研削後の全体厚みＴｗｐａ１、Ｔｗｐｃ１が同じになり、中研削量Ｇａ２、Ｇｃ２、仕上研削量Ｇａ３、Ｇｃ３も同じになり、すなわちダメージ層の残りが同じになるので、その後の処理（中研削、仕上研削）が同じ条件になる。その結果、保護ウェハＷｐａ、Ｗｐｃ毎に均一な処理を行うことができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
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【国際調査報告】
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