(57)【要約】  絵素電極（３０）と共通電極（３６）とが設けられ、サブ絵素（２２）の間で、絵素電極（３０）と共通電極（３６）との間隔（第１間隔ｄ１・第２間隔ｄ２）が異なり、低階調領域では、間隔の小さいサブ絵素（２２）である第１サブ絵素（２２ａ）で表示が行われ、中階調領域では、間隔の大きいサブ絵素（２２）である第２サブ絵素（２２ｂ）で表示が行われ、高階調領域では、第１サブ絵素（２２ａ）及び第２サブ絵素（２２ｂ）で表示が行われる。
2010137209.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する２枚の基板と、上記基板に挟持された液晶層とを備え、絵素がマトリクス状に配置されている液晶表示素子であって、
上記２枚の基板のうちの一方の基板に、絵素電極と共通電極とが設けられており、
上記絵素は、複数のサブ絵素に分割されており、
上記サブ絵素の間で、絵素電極と共通電極との間隔が異なっており、
上記サブ絵素の中の少なくとも２個のサブ絵素には、スイッチング素子が設けられており、
表示における全階調領域を、低階調領域と中階調領域と高階調領域とに分けた場合、
低階調領域では、主に、スイッチング素子が設けられた上記サブ絵素の中で上記間隔の小さいサブ絵素で表示が行われ、
中階調領域では、主に、スイッチング素子が設けられた上記サブ絵素の中で上記間隔の大きいサブ絵素で表示が行われ、
高階調領域では、スイッチング素子が設けられた、上記間隔の小さいサブ絵素及び上記間隔の大きいサブ絵素で表示が行われることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項２】
上記低階調領域は、最小階調値から、上記間隔の小さいサブ絵素と上記間隔の大きいサブ絵素とに同電位を印加した場合に、上記間隔の大きいサブ絵素の輝度が、上記間隔の小さいサブ絵素の輝度よりも高くなる印加電圧に対応する階調値までの階調領域であり、
上記中階調領域は、上記低階調領域に続く階調領域で、かつ、上記間隔の大きいサブ絵素のみで、階調値に応じた輝度を得ることができる階調値までの階調領域であり、
上記高階調領域は、上記中階調領域に続く階調領域で、かつ、最高階調値までの階調領域であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項３】
上記中階調領域は、最大階調値の３０％以上４５％以下の階調値から、最大階調値の５５％以上７０％以下の階調値までの階調領域であり、
上記低階調領域は、最小階調値から、上記中階調領域の下限の階調値までの階調領域であり、
上記高階調領域は、上記中階調領域の上限の階調値から、最高階調値までの階調領域であることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示素子。
【請求項４】
低階調領域では、上記間隔の小さいサブ絵素のみで表示を行い、
中階調領域では、上記間隔の大きいサブ絵素のみで表示を行うことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項５】
上記絵素は、少なくとも３個のサブ絵素に分割されており、
上記サブ絵素の中の少なくとも３個のサブ絵素には、スイッチング素子が設けられており、
スイッチング素子が設けられた上記サブ絵素の中で、上記間隔が、上記間隔が小さいサブ絵素と上記間隔が大きいサブ絵素との間に位置するサブ絵素を、間隔の中のサブ絵素とした場合、
中階調領域では、主に、上記間隔の大きいサブ絵素に加えて、上記間隔の小さいサブ絵素で表示が行われ、
高階調領域では、主に、上記間隔の小さいサブ絵素及び上記間隔の大きいサブ絵素に加えて、上記間隔の中のサブ絵素で表示が行われることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項６】
上記絵素には、上記各サブ絵素に異なる電圧を供給することが可能なように、複数本の信号電極線が設けられていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項７】
上記絵素には、上記各サブ絵素について共通の、上記共通電極に接続された共通信号線が設けられていることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示素子。
【請求項８】
上記絵素電極及び上記共通電極が、櫛歯状に形成されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項９】
上記櫛歯状の、絵素電極及び共通電極の櫛歯の延伸方向が、上記各サブ絵素の間で異なることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示素子。
【請求項１０】
上記低階調領域の上限の階調値、及び、上記中階調領域の上限の階調値は、表示が上記低階調領域から上記中階調領域に切り替わった後、及び、表示が上記中階調領域から上記高階調領域に切り替わった後に、応答速度が所望の値以下となるように定められていることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項１１】
上記共通電極に印加される対向電圧が、フレーム駆動におけるフレーム毎に反転するとともに、
上記対向電圧が、上記絵素電極に印加される電圧と逆位相であることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか１項に記載の液晶表示素子が表示部として用いられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１３】
対向する２枚の基板と、上記基板に挟持された液晶層とを備え、絵素がマトリクス状に配置されている液晶表示素子の表示方法であって、
上記２枚の基板のうちの一方の基板に、絵素電極と共通電極とが設けられており、
上記絵素は、複数のサブ絵素に分割されており、
上記サブ絵素の間で、絵素電極と共通電極との間隔が異なっており、
低階調領域では、主に上記間隔の小さいサブ絵素で表示を行い、
中階調領域では、主に上記間隔の大きいサブ絵素で表示を行い、
高階調領域では、上記間隔の小さいサブ絵素及び上記間隔の大きいサブ絵素で表示を行うことを特徴とする液晶表示素子の表示方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、応答速度が改善された液晶表示素子、液晶表示装置、及び、液晶表示素子の表示方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、液晶表示装置では、応答速度の改善と視野角特性の改善について種々の試みが行われてきた。そして、上記試みに関連して、液晶分子の配向方向を制御するための電界の発生のさせ方や、それに関連する画素電極の形状についても種々の提案が行われてきた。以下、その代表例を示す。【０００３】
（特許文献１）
例えば下記特許文献１には、応答速度の改善等を目的として、現在フレームのデータ電圧と以前フレームのデータ電圧とを比較考慮して補正データ電圧を求め、その補正データ電圧をデータラインに印加する技術について記載されている。【０００４】
（特許文献２）
また、下記特許文献２には、視野角特性の改善等を目的として、液晶分子の配向方向を制御するための電界を、横方向に発生させる技術について記載されている。【０００５】
具体的には、一方の基板に一対の信号配線が設けられ、その電位差に従い生じた電界により、液晶分子が上記基板に平行に移動可能な液晶表示装置について記載されている。【０００６】
（特許文献３）
また、特許文献３には、視野角特性の改善等を目的として、一画素内に印加電圧の異なる領域を設ける技術について記載されている。具体的には、画素内に電圧分断手段を設けて、液晶素子に印加される電圧を異ならせる技術について記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】日本国公開特許公報「特開２００１−２６５２９８号公報（公開日：２００１年９月２８日）」
【特許文献２】日本国公開特許公報「特開平６−１４８５９６号公報（公開日：１９９４年５月２７日）」
【特許文献３】日本国公開特許公報「特開２００８−２８７１１５号公報（公開日：２００８年１１月２７日）」
【特許文献４】日本国公開特許公報「特開平１０−３１９３６９号公報（公開日：１９９８年１２月４日）」
【特許文献５】日本国公開特許公報「特開２００６−１３３７２４号公報（公開日：２００６年５月２５日）」
【特許文献６】日本国公開特許公報「特開２００６−２０１５９４号公報（公開日：２００６年８月３日）」
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記のような従来技術には下記の問題点がある。【０００９】
（特許文献１）
まず、上記特許文献１に記載の技術には、以前フレームの表示データを記憶するためのメモリが必要となるという問題点がある。【００１０】
また、応答速度の改善に加えて視野角特性を改善するために、例えばサブ画素を設けて画素を分割した場合、サブ画素毎にデータラインに印加する電圧を制御することが容易ではないという問題点がある。【００１１】
（特許文献２）
また、上記特許文献２に記載の技術には、視野角特性をより改善するためにサブ画素を設けて画素を分割すると、それに伴い信号配線の数が増加して開口率が低下しやすいという問題点がある。【００１２】
また、視野角特性の改善に加えて応答速度を改善するために、例えば上記信号配線の間隔を狭くすると、上記開口率がより低下しやすいという問題点がある。【００１３】
（特許文献３）
また、上記特許文献３に記載の技術には、印加される電圧の最大値が異なるのみで、応答速度の改善効果が低いとの問題点がある。【００１４】
以上のように、従来技術では、簡易な構成で応答速度が改善された液晶表示装置を得ることは困難である。【００１５】
また、上記各技術には上述のような問題点があるため、例えば上記各技術を組み合わせても、視野角特性を改善しながら、併せて応答特性が改善された液晶表示装置を得ることは困難である。【００１６】
そこで本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、簡易な構成で応答速度が改善された液晶表示素子、液晶表示素子の表示方法、及び液晶表示装置を提供することにある。より詳しくは、広い輝度領域で応答速度が速い液晶表示素子、液晶表示素子の表示方法、及び液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の液晶表示素子は、上記課題を解決するために、
対向する２枚の基板と、上記基板に挟持された液晶層とを備え、絵素がマトリクス状に配置されている液晶表示素子であって、
上記２枚の基板のうちの一方の基板に、絵素電極と共通電極とが設けられており、
上記絵素は、複数のサブ絵素に分割されており、
上記サブ絵素の間で、絵素電極と共通電極との間隔が異なっており、
上記サブ絵素の中の少なくとも２個のサブ絵素には、スイッチング素子が設けられており、
表示における全階調領域を、低階調領域と中階調領域と高階調領域とに分けた場合、
低階調領域では、主に、スイッチング素子が設けられた上記サブ絵素の中で上記間隔の小さいサブ絵素で表示が行われ、
中階調領域では、主に、スイッチング素子が設けられた上記サブ絵素の中で上記間隔の大きいサブ絵素で表示が行われ、
高階調領域では、スイッチング素子が設けられた、上記間隔の小さいサブ絵素及び上記間隔の大きいサブ絵素で表示が行われることを特徴とする。【００１８】
上記構成によれば、低階調領域では、電極間隔の小さいサブ絵素で表示が行われ、中階調領域では、電極間隔の大きいサブ絵素で表示が行われ、高階調領域では、上記両サブ絵素で表示が行われる。【００１９】
同一基板に設けられた電極対である絵素電極と共通電極との間の電界を用いて液晶層に含まれる液晶分子の配向を制御する液晶表示素子では、上記電極対における電極間隔が小さい絵素では応答速度が速くなり、上記電極間隔が大きい絵素では応答速度が遅くなる。また、上記電極間隔が大きい絵素では、特に印加電圧が小さい場合にその応答速度がより遅くなる。【００２０】
ここで、上記構成では、印加電圧が低くなる領域である低階調領域では、主として、上記電極間隔が小さいサブ絵素で表示が行われる。すなわち、応答速度が遅いサブ絵素である、上記電極間隔の大きいサブ絵素をほとんど用いることなく、表示が行われる。そのため、上記低階調領域において、応答速度の速い表示を行うことができる。【００２１】
また、上記構成では、低階調領域に続く中階調領域では、上記電極間隔の大きいサブ絵素で表示が行われる。この中階調領域では、上記低階調領域よりも印加電圧が高くなるので、上記電極間隔の大きいサブ絵素でも、その応答速度が比較的速くなる。そして、主に上記電極間隔の大きいサブ絵素のみを用いることで（上記電極間隔の小さいサブ絵素をほとんど用いないことで）、上記電極間隔の大きいサブ絵素に対する印加電圧をより高くすることができる。そのため、上記サブ絵素の応答速度をより早くすることができる。以上より、上記中階調領域において、応答速度の速い表示を行うことができる。【００２２】
また、上記構成では、高い輝度が要求される領域である上記高階調領域では、上記両サブ絵素を用いて表示が行われるので、所望の輝度を得ることができる。【００２３】
以上より、上記の構成によれば、表示するサブ絵素を切り替えるのみの簡易な構成で、応答速度が改善された液晶表示素子を得ることができる。【００２４】
また、本発明の液晶表示素子の表示方法は、上記課題を解決するために、
対向する２枚の基板と、上記基板に挟持された液晶層とを備え、絵素がマトリクス状に配置されている液晶表示素子の表示方法であって、
上記２枚の基板のうちの一方の基板に、絵素電極と共通電極とが設けられており、
上記絵素は、複数のサブ絵素に分割されており、
上記サブ絵素の間で、絵素電極と共通電極との間隔が異なっており、
低階調領域では、主に上記間隔の小さいサブ絵素で表示を行い、
中階調領域では、主に上記間隔の大きいサブ絵素で表示を行い、
高階調領域では、上記間隔の小さいサブ絵素及び上記間隔の大きいサブ絵素で表示を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の液晶表示素子は、以上のように、２枚の基板のうちの一方の基板に、絵素電極と共通電極とが設けられており、絵素は、複数のサブ絵素に分割されており、上記サブ絵素の間で、絵素電極と共通電極との間隔が異なっており、上記サブ絵素の中の少なくとも２個のサブ絵素には、スイッチング素子が設けられており、表示における全階調領域を、低階調領域と中階調領域と高階調領域とに分けた場合、低階調領域では、主に、スイッチング素子が設けられた上記サブ絵素の中で上記間隔の小さいサブ絵素で表示が行われ、中階調領域では、主に、スイッチング素子が設けられた上記サブ絵素の中で上記間隔の大きいサブ絵素で表示が行われ、高階調領域では、スイッチング素子が設けられた、上記間隔の小さいサブ絵素及び上記間隔の大きいサブ絵素で表示が行われるものである。【００２６】
また、本発明の液晶表示素子の表示方法は、以上のように、２枚の基板のうちの一方の基板に、絵素電極と共通電極とが設けられており、絵素は、複数のサブ絵素に分割されており、サブ絵素の間で、絵素電極と共通電極との間隔が異なっており、低階調領域では、主に上記間隔の小さいサブ絵素で表示を行い、中階調領域では、主に上記間隔の大きいサブ絵素で表示を行い、高階調領域では、上記間隔の小さいサブ絵素及び上記間隔の大きいサブ絵素で表示を行う方法である。【００２７】
それゆえ、簡易な構成で応答速度が改善された液晶表示素子、及び液晶表示素子の表示方法を提供することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施の形態を示すものであり、液晶表示素子の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態を示すものであり、液晶表示素子を構成する絵素の概略構成を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態を示すものであり、印加電圧と応答時間との関係を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態を示すものであり、印加電圧と明るさとの関係を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態を示すものであり、本実施の形態を示すものであり、明るさと印加電圧との関係を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態を示すものであり、明るさと応答時間との関係を示す図である。
【図７】本発明の他の実施の形態を示すものであり、液晶表示素子の概略構成を示す図である。
【図８】本発明の他の実施の形態を示すものであり、印加電圧と応答時間との関係を示す図である。
【図９】本発明の他の実施の形態を示すものであり、印加電圧と明るさとの関係を示す図である。
【図１０】本発明の他の実施の形態を示すものであり、明るさと印加電圧との関係を示す図である。
【図１１】本発明の他の実施の形態を示すものであり、明るさと応答時間との関係を示す図である。
【図１２】本発明の実施の形態を示すものであり、印加する波形を示す図である。
【図１３】本発明の実施の形態を示すものであり、液晶表示素子の全体構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
【００３０】
〔実施の形態１〕
本発明の一実施の形態について図１から図６に基づいて説明すると以下の通りである。
【００３１】
図１は、本実施の形態の液晶表示素子１０の概略構成を示す図である。詳しくは、上記図１は、マトリクス状に配置された複数個の絵素２０のうちの１個の絵素２０について、特にその電極及び配線の概略構成を示している。
【００３２】
上記図１に示すように、本実施の形態の液晶表示素子１０は、絵素２０が２個の領域（サブ絵素２２）に分かれている。そして、各領域には櫛歯状の電極が形成されており、その櫛歯の間隔が、上記領域間で相違している。以下具体的に説明する。
【００３３】
（配線構成）
本実施の形態の液晶表示素子１０には、およそ長方形の絵素２０が複数個マトリクス状に配置されている。そして、上記絵素２０は、互いに直交する方向に設けられている走査信号線４０と信号電極線４２とに囲まれた領域が１個の絵素２０となっている。
【００３４】
具体的には、上記液晶表示素子１０は、液晶分子を含む液晶層（図示せず）を挟持する２枚の基板（図示せず）を備えている。そして、上記２枚の基板のうちの一方の基板（以下、アレイ基板とする）に、上記走査信号線４０と信号電極線４２とが設けられている。図１に示す例では、横方向（図１に示す両矢印Ｘ方向）に、上記走査信号線４０が設けられており、縦方向（図１に示す両矢印Ｙ方向）に、上記信号電極線４２が設けられている。
【００３５】
詳しくは、本実施の形態の液晶表示素子１０には、１個の絵素２０について、上記信号電極線４２が２本設けられている。具体的には、絵素２０の横方向における一方の端辺に沿って第１信号電極線４２ａが設けられており、絵素２０の横方向における他方の端辺に沿って第２信号電極線４２ｂが設けられている。
【００３６】
また、上記アレイ基板には、横方向に走査信号線４０とともに、共通信号線４４が設けられている。
【００３７】
以上より、本実施の形態の絵素２０は、上記図１に示すように、走査信号線４０、共通信号線４４、第１信号電極線４２ａ及び第２信号電極線４２ｂで囲まれた領域となっている。
【００３８】
そして、本実施の形態における絵素２０は、上記のように２個の領域、具体的には、第１サブ絵素２２ａと第２サブ絵素２２ｂとの２個のサブ絵素２２に分かれている。
【００３９】
そして、上記各サブ絵素２２は、各々異なるスイッチング素子としてのＴＦＴ５０で制御されている。具体的には、上記第１信号電極線４２ａと上記走査信号線４０との交差点近傍に第１ＴＦＴ５０ａが設けられており、他方、上記第２信号電極線４２ｂと上記走査信号線４０との交差点近傍に第２ＴＦＴ５０ｂが設けられている。
そして、上記第１サブ絵素２２ａは上記第１ＴＦＴ５０ａでスイッチングされ、上記第２サブ絵素２２ｂは上記第２ＴＦＴ５０ｂでスイッチングされている。
【００４０】
（電極構成）
つぎに、上記絵素２０における絵素電極などの構成について説明する。本実施の形態の液晶表示素子１０では、対向する２枚の基板のうちの一方の基板であるアレイ基板上に絵素電極３０と、共通電極３６とが設けられている。そして、上記絵素電極３０と共通電極３６とは、櫛歯状に形成されている。
【００４１】
まず上記絵素電極３０について説明する。上記絵素電極３０は、上記第１サブ絵素２２ａに対応する第１絵素電極３０ａと、上記第２サブ絵素２２ｂに対応する第２絵素電極３０ｂとから構成されている。
【００４２】
そして、上記第１絵素電極３０ａは、上記第１ＴＦＴ５０ａのドレイン電極（図示せず）に接続されており、他方、上記第２絵素電極３０ｂは、上記第２ＴＦＴ５０ｂのドレイン電極（図示せず）に接続されている。
【００４３】
つぎに、上記共通電極３６について説明する。上記共通電極３６は、上記共通信号線４４から延設されている。具体的には、上記絵素２０の上記横方向の中央位置から、上記縦方向に延設されている。
【００４４】
そして、上記絵素電極３０と上記共通電極３６とは、いずれも櫛歯状に形成されている。
【００４５】
具体的には、上記第１絵素電極３０ａ及び上記第２絵素電極３０ｂは、各々、上記第１ＴＦＴ５０ａ及び上記第２ＴＦＴ５０ｂから上記縦方向に延伸された絵素電極幹線部３４と、この絵素電極幹線部３４から上記横方向に延伸された櫛歯部分である、第１絵素電極櫛歯部３２ａ及び第２絵素電極櫛歯部３２ｂとを有している。
【００４６】
他方、上記共通電極３６は、上記共通信号線４４から上記縦方向に延設されている共通電極幹線部３９と、この共通電極幹線部３９から上記横方向に延伸された櫛歯部分である、第１共通電極櫛歯部３８ａ及び第２共通電極櫛歯部３８ｂとを有している。
【００４７】
そして、各々のサブ絵素２２において、上記絵素電極３０及び共通電極３６の櫛歯が、組み合わされた配置となっている。具体的には、上記第１サブ絵素２２ａでは、上記第１絵素電極櫛歯部３２ａと上記第１共通電極櫛歯部３８ａとが組み合わされ、他方、上記第２サブ絵素２２ｂでは、上記第２絵素電極櫛歯部３２ｂと上記第２共通電極櫛歯部３８ｂとが組み合わされて構成となっている。
【００４８】
（駆動の概要）
以上のように、本実施の形態の液晶表示素子１０では、一方の基板上に形成される１組以上の電極対（絵素電極３０と共通電極３６）により横電界を発生させ、対向側の基板との間に狭持される液晶層を駆動するものである。具体的には、上記液晶表示素子１０では、上記電極対は同一基板上の同一層に形成された透明な導電体からなり、各電極間に印加される電圧の強さ、引いてはそれにより発生する電界の強さに応じて、上記液晶層に含まれる液晶分子の向きを変えて表示を制御する。
【００４９】
また、上記液晶表示素子１０は、ゲートとしての走査信号線４０と、ソースとしての第１信号電極線４２ａ及び第２信号電極線４２ｂとで構成される絵素２０を単位として構成されている。すなわち、上記液晶表示素子１０は、いわゆるダブルソースの構成となっている。そして、上記各信号電極線からの信号電圧を、上記櫛歯状の上記絵素電極３０に印加し、これらと共通電極３６との間（上記電極対間）でそれぞれ形成される電界により液晶層を駆動している。
【００５０】
（電極間隔）
つぎに、上記櫛歯状の電極における、電極の間隔について説明する。
【００５１】
本実施の形態の液晶表示素子１０では、上記第１サブ絵素２２ａと上記第２サブ絵素２２ｂとで、上記電極の間隔が異なっている。具体的には、上記第１サブ絵素２２ａにおける上記第１絵素電極櫛歯部３２ａと上記第１共通電極櫛歯部３８ａとの間隔である第１間隔ｄ１と、上記第２サブ絵素２２ｂにおける上記第２絵素電極櫛歯部３２ｂと上記第２共通電極櫛歯部３８ｂとの間隔である第２間隔ｄ２とが相違している。
【００５２】
上記図１に示すように、本実施の形態の液晶表示素子１０では、上記第１間隔ｄ１の方が、上記第２間隔ｄ２よりも広い構成を例示している。
【００５３】
そして、本実施の形態の液晶表示素子１０では、サブ絵素２２の間で電極の上記間隔が異なるため、応答速度を向上させることができる。
【００５４】
（電極間隔と応答速度）
まず、電極間隔と応答速度との関係について説明する。図２は、電極間隔と応答速度との関係を説明するための液晶表示素子１０の概略構成を示す図である。詳しくは、絵素２０における、絵素電極３０と共通電極３６との配置の概略を示している。
【００５５】
図２に示す構成では、１個の絵素内に、上記電極間隔の大きい領域である領域ａ（図２に示す領域Ｒａ）と、上記電極間隔の小さい領域である領域ｂ（図２に示す領域Ｒｂ）とが設けられている。
【００５６】
具体的には、上記領域ａにおける第１絵素電極櫛歯部３２ａと第１共通電極櫛歯部３８ａとの間隔である間隔ａと、上記領域ｂにおける第２絵素電極櫛歯部３２ｂと第２共通電極櫛歯部３８ｂとの間隔である間隔ｂとを比較すると、上記間隔ａの方が大きくなっている。
【００５７】
上記図１及び図２に示すような、いわゆる櫛歯状の電極を用いた横電界駆動による液晶表示素子１０の駆動においては、１個の絵素２０内に２個以上のサブ絵素を設けて視野角特性の向上を図る構成が考えられる。そして、サブ絵素の間で、櫛歯状の電極の電極幅（Ｌｉｎｅ、Ｌ）・間隔（Ｓｐａｃｅ、Ｓ）を変える構成が考えられる。すなわち、例えば上記図２に示すように、１個の絵素２０内に、電極間隔の大きい領域ａと、電極間隔の小さい領域ｂとを設ける構成である。
【００５８】
ここで、１個の絵素２０の中に複数個のサブ絵素２２を設け、そのサブ絵素２２間で上記電極間隔を異ならせた場合、全体として応答速度が遅くなる場合がある。これは、特に印加電圧が小さい低階調領域での応答速度が遅くなるためである。以下、説明する。
【００５９】
図３は、印加電圧（（Ｖ）、以下同様）と応答速度との関係を示す図である。上記図３において、白ひし形印は上記電極間隔が大きい領域（Ｒａ）を示し、黒四角印は上記電極間隔が小さい領域（Ｒｂ）を示している。
【００６０】
上記図３に示すように、印加電圧が小さい領域では、電極間隔が大きい領域（Ｒａ）での応答時間と、電極間隔が小さい領域（Ｒｂ）での応答時間との間の差が大きく、上記電極間隔が大きい領域（Ｒａ）での応答時間が、上記電極間隔が小さい領域（Ｒｂ）での応答時間よりも長くなっている。
【００６１】
これに対して印加電圧が大きい領域では、電極間隔が大きい領域（Ｒａ）での応答時間と、電極間隔が小さい領域（Ｒｂ）での応答時間との間の差は小さくなっている。
【００６２】
そのため、１個の絵素２０内に複数個のサブ絵素２２を設け、サブ絵素２２に電極間隔が大きい領域（Ｒａ）と電極間隔が小さい領域（Ｒｂ）とを割り当てた場合、例えば全階調領域において上記両領域で表示を行うと、特に低階調領域で電極間隔が大きい領域（Ｒａ）での応答時間が長いため、全体として応答時間が遅くなる場合がある。
【００６３】
（本実施の形態での駆動）
つぎに、本実施の形態における液晶表示素子１０の駆動について説明する。
【００６４】
本実施の形態の液晶表示素子１０においては、各サブ絵素２２に独立した信号電圧を印加し、応答速度の低下がないような駆動を行なう。
【００６５】
具体的には、低い明るさを得たい場合（低階調領域）には電極間隔が小さいサブ絵素２２のみを駆動する。
【００６６】
そして、電極間隔が小さいサブ絵素２２の最大明るさを上回る明るさを得たい場合（中階調領域）には、電極間隔が小さいサブ絵素２２を駆動せずに、電極間隔の大きいサブ絵素２２を駆動する。
【００６７】
さらに、電極間隔の大きいサブ絵素２２の最大明るさを上回る明るさを得たい場合（高階調領域）には、両方のサブ絵素２２を駆動する。
【００６８】
これにより、電極間隔の大きいサブ絵素２２における、遅い応答時間の領域を使用しないため、すべての階調領域（輝度領域）で応答速度を向上させることができる。
【００６９】
なお、上記低階調領域、上記中階調領域、及び、上記高階調領域は、種々の定め方があるが、例えば、上記中階調領域を、最大階調値の３０％以上４５％以下の階調値から、最大階調値の５５％以上７０％以下の階調値までの階調領域とし、上記低階調領域を、最小階調値から、上記中階調領域の下限の階調値までの階調領域とし、上記高階調領域を、上記中階調領域の上限の階調値から、最高階調値までの階調領域とすることもできる。
【００７０】
（印加電圧と明るさ）
図４は、印加電圧と明るさとの関係を示す図である。詳しくは、図４は、電極間隔が大きい領域（白ひし形印）と電極間隔が小さい領域（黒四角印）とにおける上記関係を示しており、また図４における白丸印は、電極間隔の大きい領域と電極間隔の小さい領域との値を加えた値を示している。上記電極間隔が大きい領域では、Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ＝４／１２ｕｍであり、上記電極間隔が小さい領域では、Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ＝４／４ｕｍである。
【００７１】
上記図４に示すように、上記構成の液晶表示素子１０では、６Ｖを印加した場合に、上記電極間隔が大きい領域と電極間隔が小さい領域とで同じ０．６の明るさを得ることができる。
【００７２】
この結果と、先に図３に基づいて説明した印加電圧と応答時間との関係とを用いて、本実施の形態の液晶表示素子１０では、図５に示すような電圧を印加する。
【００７３】
図５は、明るさ（階調）と印加電圧との関係、及び、本実施の形態における駆動の概略を示す図であり、最小階調値から最大階調値までの全階調領域を示している。また、図５では、上記各図と同様に、白ひし形印が電極間隔の大きい領域を示し、黒四角印が電極間隔の小さい領域を示している。言い換えると、上記白ひし形印は、絵素２０内に設けられたサブ絵素２２において、上記電極間隔の大きい領域に対応したサブ絵素２２（以下第１サブ絵素２２ａ）における駆動を示し、同様に上記黒四角印は、絵素２０内に設けられたサブ絵素２２において、上記電極間隔の小さい領域に対応したサブ絵素２２（以下第２サブ絵素２２ｂ）における駆動を示している。
【００７４】
上記図５に示すように、本実施の形態の液晶表示素子１０では、明るさが０．６未満の表示を行いたい場合（低階調領域）には、電極間隔の大きい領域対応する第１サブ絵素２２ａはその応答が遅いことから用いず、応答の速い領域である、電極間隔の小さい領域対応する第２サブ絵素２２ｂのみに電圧を印加し、このサブ絵素のみを駆動することで表示を行う。
【００７５】
そして、明るさが０．６以上１．０未満の表示を行いたい場合（中階調領域）には、上記第２サブ絵素２２ｂのみではその表示を行うことができないため、上記第１サブ絵素２２ａを用いる。ここで、上記第２サブ絵素２２ｂを点灯させた状態では、上記第１サブ絵素２２ａの遅い応答速度の領域（印加電圧範囲）を用いることになるため、上記第２サブ絵素２２ｂは点灯させずに、上記第１サブ絵素２２ａのみを用いて表示を行う。
【００７６】
そして、明るさが１．０以上の表示を行いたい場合（高階調領域）には、上記第１サブ絵素２２ａを最大の明るさにしたまま、上記第２サブ絵素２２ｂへの印加電圧を変えることで表示を行う。
【００７７】
以上のような波形を印加して駆動を行うことで、最小の応答速度を得ることができる。
【００７８】
図６は、明るさと応答速度との関係を示す図である。詳しくは、図６における黒四角印は本実施の形態の液晶表示素子１０を示し、白ひし形印は従来の液晶表示素子を示している。
【００７９】
上記図６に示すように、上記図５に基づいて説明した駆動を用いることで、本実施の形態の液晶表示素子１０では、すべての明るさ領域（全輝度領域）において従来の液晶表示素子よりも速い応答特性を得ることができた。
【００８０】
これは、先に説明した駆動を用いることで、各サブ絵素２２の最も応答速度の速い領域を用いることができるためである。
【００８１】
以上のように、本実施の形態の液晶表示素子１０では、全輝度領域、言い換えると全階調領域において、応答速度を改善することができる。そして、本実施の形態の液晶表示素子１０の駆動は以下の考え方に基づくものである。
【００８２】
すなわち、例えば各絵素に、視角特性を異ならせるためにサブ絵素２２を設け、サブ絵素２２間で、異なった電圧−透過率の関係を形成する構成がある。そして、この異なる電圧−透過率の関係を実現する方法として、櫛歯状の電極における電極間隔を変える方法がある。
【００８３】
ここで、上記電極間隔の大きい部分では透過率は大きくなるが、応答時間が長くなりやすい。この電極間隔の大きい部分では、高い電圧を印加する場合には、その応答時間が早いため、電極間隔の小さい部分と同じ信号電圧で駆動しても問題は生じにくい。これに対してこの電極間隔の大きい部分で、低い電圧を印加すると応答時間が非常に遅くなる。そこでこの応答時間が遅い領域で、上記電極間隔の大きい部分を用いなければ、早い応答時間のままで、上記電極間隔の大きい部分を駆動することができる。
【００８４】
そこで、表示したい明るさに応じて、電極間隔の小さいサブ絵素と、電極間隔の大きいサブ絵素に供給する電圧を独立に変化させることで、応答速度を制御する。その際、各サブ絵素２２に印加する電圧は、各サブ絵素２２で表示すべき明るさに応じた電圧を駆動回路に設けた信号発生源で生成し、各絵素に配している複数の信号電極線４２（第１信号電極線４２ａ、第２信号電極線４２ｂ）を通じて各サブ絵素２２に印加することで、表示すべき明るさに応じた各々異なった電圧を印加する。
【００８５】
より具体的には、各絵素２０に２本の信号電極線４２を設け、櫛歯の間隔（電極間隔）の狭いサブ絵素２２と、広いサブ絵素２２に異なる信号電圧を印加する。これにより、間隔の狭いサブ絵素２２と広いサブ絵素２２とに印加する電圧を独立に設定して応答速度が最小になるような電圧を各サブ絵素２２に印加することができる。そして、各サブ絵素２２に上記のように電圧を印加することで、特に中間調の明るさ近傍での応答速度の向上を図ることができる。
【００８６】
〔実施の形態２〕
つぎに、本発明の液晶表示素子１０に関する他の実施の形態について、図７から図１１に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【００８７】
なお、説明の便宜上、上記実施の形態１で説明した図面と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【００８８】
図７は、本実施の形態の液晶表示素子１０の概略構成を示す図である。本実施の形態の液晶表示素子１０は、上記実施の形態１の液晶表示素子１０と比べ、絵素２０が３個のサブ絵素２２に分かれていることを特徴とする。
【００８９】
（電極間隔が大・小の構成）
すなわち、上記図１に示したように、実施の形態１の液晶表示素子１０は、１個の絵素２０が、電極間隔の大きい第１サブ絵素２２ａと、電極間隔の小さい第２サブ絵素２２ｂとに分かれていた。
【００９０】
これに対して本実施の形態の液晶表示素子１０は、上記図７に示すように、１個の絵素２０が、電極間隔の大きい第１サブ絵素２２ａ及び第３サブ絵素２２ｃ、並びに、電極間隔の小さい第２サブ絵素２２ｂに分けられている。そして、上記第１サブ絵素２２ａと第３サブ絵素２２ｃとでは、電極間隔の大きさが同じである。
【００９１】
詳しくは、上記第３サブ絵素２２ｃは、実施の形態１の液晶表示素子１０において、第１サブ絵素２２ａが設けられていた領域に設けられている。すなわち、上記第１サブ絵素２２ａの大きさが小さくなり、それにより生じた領域に上記第３サブ絵素２２ｃが設けられている。
【００９２】
以下、上記第３サブ絵素２２ｃにおける電極の構成について説明する。上記第３サブ絵素２２ｃにおける絵素電極３０である第３絵素電極３０ｃは、上記第１絵素電極３０ａと同様に、上記第１ＴＦＴ５０ａのドレイン電極から延伸された絵素電極幹線部３４から延伸されている。そして、上記第３絵素電極３０ｃは、上記第１絵素電極３０ａなどと同様に櫛歯状に形成されており、縦方向に延伸する第３絵素電極櫛歯部３２ｃを有している。
【００９３】
また、第３サブ絵素２２ｃにおける共通電極３６は、上記第３絵素電極３０ｃと同様に櫛歯状に形成されている。具体的には、上記第３サブ絵素２２ｃには、上記共通信号線４４から縦方向に櫛歯状に延伸された櫛歯部である第３共通電極櫛歯部３８ｃが、上記共通電極３６として設けられている。
【００９４】
そして、上記第３サブ絵素２２ｃにおける電極間隔は、上記第３絵素電極櫛歯部３２ｃと、上記第３共通電極櫛歯部３８ｃとの間隔（図７に示す第３間隔ｄ３）となる。本実施の形態の液晶表示素子１０では、この第３間隔ｄ３の大きさが、先に説明した第１間隔ｄ１と同じである。
【００９５】
上記の構成とすることで、液晶表示素子１０の視野角特性を向上させることができる。これは、１個の絵素２０内に、電極の方向が９０度異なる領域（第１サブ絵素２２ａ及び第２サブ絵素２２ｂと、第３サブ絵素２２ｃ）が設けられているためである。
【００９６】
（電極間隔が大・中・小の構成）
つぎに、本実施の形態における他の構成例について説明する。
【００９７】
すなわち、上記図７に示した液晶表示素子１０では、上記第１サブ絵素２２ａにおける電極間隔である第１間隔ｄ１と、上記第３サブ絵素２２ｃにおける電極間隔である第３間隔ｄ３とが同じであった。
【００９８】
ここで、上記第３間隔ｄ３は、上記第１間隔ｄ１と同じである必要はなく、異なる間隔とすることもできる。例えば、第３サブ絵素２２ｃにおける電極間隔を、上記第１サブ絵素２２ａでの電極間隔と上記第２サブ絵素２２ｂでの電極間隔との間に位置する（以下電極間隔が中とする場合あり）ように構成することもできる。すなわち、第３間隔ｄ３の大きさを、先に説明した第１間隔ｄ１と第２間隔ｄ２との間の大きさにすることができる。
【００９９】
具体的には、例えば上記第１間隔ｄ１を１２ｕｍ（第１サブ絵素２２ａにおけるＬｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ＝４／１２ｕｍ）、上記第２間隔ｄ２を４ｕｍ（第２サブ絵素２２ｂにおけるＬｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ＝４／４ｕｍ）とした場合、例えば上記第３間隔ｄ３を８ｕｍ（第３サブ絵素２２ｃにおけるＬｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ＝４／８ｕｍ）等とすることができる。
【０１００】
そして、上記のように１個の絵素２０の中に、第１サブ絵素２２ａ及び第２サブ絵素２２ｂに加えて第３サブ絵素２２ｃを設け、その電極間隔を互いに異ならせる場合には、上記第３サブ絵素２２ｃを、上記第１サブ絵素２２ａ及び第２サブ絵素２２ｂと独立して駆動させるために、新たなＴＦＴ５０、例えば上記第３サブ絵素２２ｃを駆動するための第３ＴＦＴ等を設けることが好ましい。それにより、上記第３サブ絵素２２ｃに印加すべき電圧を、別個に制御することができるためである。
【０１０１】
以下、図８から図１１に基づいて、上記構成の液晶表示素子１０の特性について説明する。以下の説明では、第１サブ絵素２２ａ、第２サブ絵素２２ｂ及び第３サブ絵素２２ｃが独立に制御可能である場合の特性について説明する。
【０１０２】
上記図８から図１１は、各々上記図３から図６に対応するものであり、図８は印加電圧と応答時間との関係を示し、図９は印加電圧と明るさとの関係を示し、図１０は明るさと印加電圧との関係を示し、図１１は明るさと応答時間との関係を示す図である。
【０１０３】
上記図８から図１１の凡例の中で、先に説明したものと異なるものについて説明すると以下の通りである。図８から図１０における白三角は、電極間隔が中である場合を示し、図９における白丸印は、電極間隔の大きい領域と、電極間隔の中の領域と、電極間隔の小さい領域との値を加えた値を示している。
【０１０４】
上記構成の液晶表示素子１０では、図１０に示すように、上記第１サブ絵素２２ａ、第２サブ絵素２２ｂ及び第３サブ絵素２２ｃについて、明るさが低い順から、第２サブ絵素２２ｂ（電極間隔小）、第３サブ絵素２２ｃ（電極間隔中）、第１サブ絵素２２ａ（電極間隔大）、第１サブ絵素２２ａ（電極間隔大）と第２サブ絵素２２ｂ（電極間隔小）との併用、第１サブ絵素２２ａ（電極間隔大）と第３サブ絵素２２ｃ（電極間隔中）との併用、最後に第１サブ絵素２２ａ（電極間隔大）と第２サブ絵素２２ｂ（電極間隔小）と第３サブ絵素２２ｃ（電極間隔中）との併用の順に表示に用いるサブ絵素２２を切り替える。
【０１０５】
上記構成の液晶表示素子１０では、上記図１１に示すように、先に図６に基づいて説明した実施の形態１の液晶表示素子１０と同様に中間の明るさ近傍での応答時間の短縮効果を得ることができる。
【０１０６】
（波形例）
つぎに、本発明の液晶表示素子１０に関する波形例について図１２に基づいて説明する。図１２は、上記液晶表示素子１０に印加される波形例を示す図であり、対向電圧を交流駆動する場合の波形例を示している。
【０１０７】
上記液晶表示素子１０では、共通信号線４４に印加する信号である、対向電圧信号を、各サブ絵素２２に印加する電圧と逆位相になるように交流駆動することで、各サブ絵素２２に印加される信号電圧を増加させることができる。そして、このような駆動をすることで、液晶表示素子１０の応答速度をより向上させることができる。以下、上記図１２に基づいて説明する。
【０１０８】
上記図１２は、より詳しくは、上記信号電極線４２に印加される信号信号電圧（Ｖｓ）、共通信号線４４（共通電極３６）に印加される対向電圧（Ｖｃｏｍ）、及び、走査信号線４０に印加される走査信号（Ｖｇ、Ｖｇｈ：ハイ、Ｖｇｌ：ロウ）を示している。なお、上記図１２には、フレーム駆動において、３ラインで画面（フレーム）が形成される例を示した。
【０１０９】
液晶表示素子１０では、液晶に印加される直流成分をなくすため、２回目の書き込みでは１回目の反対極性で同じ振幅の電圧を印加する。ここで、上記図１２に示す波形例では、対向電圧を交流駆動して、対向電圧信号を、各サブ絵素２２に印加される電圧と逆位相としている。
【０１１０】
そのため、液晶に印加される電圧は、ＶｓとＶｃｏｍとの差（Ａ＋Ｂ）となる。これにより、液晶に印加される電圧を大きくすることができるので、液晶表示素子１０の応答速度をより向上させることができる。
【０１１１】
なお、上記各電圧の値は特には限定されず、例えば、上記Ｖｇ＝１５Ｖ、Ｖｓ±５Ｖ、Ｖｃｏｍ±５Ｖ等とすることができる。
【０１１２】
（全体構成）
つぎに、上記液晶表示素子１０の全体構成の概略について、図１３に基づいて説明する。図１３は、液晶表示素子１０の全体構成を示す概略図である。
【０１１３】
上記図１３に示すように、本実施の形態の液晶表示素子１０は、絵素２０がマトリクス状に配置された液晶表示パネル１２と、表示制御部６０と、ゲートドライバとしての走査信号制御部６２と、ソースドライバとしての信号電極制御部６４と、共通電極制御部６６とを有している。上記表示制御部６０は、上記走査信号制御部６２と上記信号電極制御部６４とを制御している。そして、例えば上記図５などに基づいて説明した各サブ絵素２２の点灯制御は、上記表示制御部６０及び共通電極制御部６６、特には、上記信号電極制御部６４を介して行われる。
【０１１４】
また、例えば上記図１２などに基づいて説明した駆動方法は、上記表示制御部６０及び共通電極制御部６６、特には、上記共通電極制御部６６を介して行われる。
【０１１５】
本発明は上記した各実施の形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施の形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施の形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【０１１６】
例えば、上記実施の形態１の液晶表示素子１０において、明るさの低い領域、例えば、１．０までの領域において、上記電極間隔の大きい領域に対応する第１サブ絵素２２ａと、上記電極間隔の小さい領域に対応する第２サブ絵素２２ｂとを併用することもできる。例えば、各サブ絵素２２の出力比を、特には限定されないが、１：９や９：１などとすることで、応答速度を向上させながらも、良好な視野角特性を得ることができる。
【０１１７】
すなわち、応答速度が使用に支障とならない範囲で、電極間隔の大きいサブ絵素２２にも電圧を印加することで、電極間隔の大きいサブ絵素２２からの明るさの寄与を得て、視野角特性を向上させる構成とすることができる。
【０１１８】
また、上記液晶表示素子１０における各サブ絵素２２の面積比率や、各サブ絵素２２における上記Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅは特には限定されず、種々変更が可能である。
【０１１９】
また、上記液晶表示素子１０に用いられる液晶モードは特には限定されず、例えば、ＩＰＳ等に対しても、用いることができる。
【０１２０】
また、上記各液晶表示素子を表示部として用いて、液晶テレビやモバイル端末等、種々の液晶表示装置を構成することもできる。
【０１２１】
また、本発明の液晶表示素子は、
上記低階調領域は、最小階調値から、上記間隔の小さいサブ絵素と上記間隔の大きいサブ絵素とに同電位を印加した場合に、上記間隔の大きいサブ絵素の輝度が、上記間隔の小さいサブ絵素の輝度よりも高くなる印加電圧に対応する階調値までの階調領域であり、
上記中階調領域は、上記低階調領域に続く階調領域で、かつ、上記間隔の大きいサブ絵素のみで、階調値に応じた輝度を得ることができる階調値までの階調領域であり、
上記高階調領域は、上記中階調領域に続く階調領域で、かつ、最高階調値までの階調領域であることを特徴とする。
【０１２２】
単位面積あたりの光度である輝度について、上記電極間隔が大きい絵素と上記電極間隔が小さい絵素とを比較すると、印加電圧が小さい領域では、上記電極間隔の小さい絵素の方が輝度が高く、印加電圧が大きい領域では、上記電極間隔の大きい絵素の方が輝度が高くなる。
【０１２３】
ここで、上記構成によれば、同電位を印加した場合に、上記電極間隔の小さいサブ絵素の輝度の方が、上記電極間隔の大きいサブ絵素の輝度よりも高くなる印加電圧に対応する階調領域を低階調領域としている。そのため、応答速度の速い上記電極間隔の小さいサブ絵素で表示が可能な低電圧領域を、確実に低階調領域とすることができる。
【０１２４】
また、上記低階調領域に続く階調領域で、上記電極間隔の大きいサブ絵素のみで、十分な輝度を得ることができる階調領域を中階調領域としている。
【０１２５】
以上より、中間の明るさ近傍の領域において、より確実に応答速度が改善された液晶表示素子を得ることができる。
【０１２６】
また、本発明の液晶表示素子は、
上記中階調領域は、最大階調値の３０％以上４５％以下の階調値から、最大階調値の５５％以上７０％以下の階調値までの階調領域であり、
上記低階調領域は、最小階調値から、上記中階調領域の下限の階調値までの階調領域であり、
上記高階調領域は、上記中階調領域の上限の階調値から、最高階調値までの階調領域であることを特徴とする。
【０１２７】
上記構成によれば、階調値に基づいて、各階調領域を容易に設定することができる。具体的には、階調値に基づいて、印加電圧が低いために上記電極間隔の大きいサブ絵素の応答速度が遅い領域を低階調領域とすることができる。また、階調値に基づいて、印加電圧が比較的高いために上記電極間隔の大きいサブ絵素の応答速度が速くなるとともに、上記電極間隔の大きいサブ絵素のみで所望の輝度を得ることができる領域を中階調領域とすることができる。
【０１２８】
また、本発明の液晶表示素子は、
低階調領域では、上記間隔の小さいサブ絵素のみで表示を行い、
中階調領域では、上記間隔の大きいサブ絵素のみで表示を行うことを特徴とする。
【０１２９】
上記構成によれば、各階調領域で、応答速度を速くするために適したサブ絵素のみで表示が行われる。そのため、応答速度をより速くすることができる。
【０１３０】
また、本発明の液晶表示素子は、
上記絵素は、少なくとも３個のサブ絵素に分割されており、
上記サブ絵素の中の少なくとも３個のサブ絵素には、スイッチング素子が設けられており、
スイッチング素子が設けられた上記サブ絵素の中で、上記間隔が、上記間隔が小さいサブ絵素と上記間隔が大きいサブ絵素との間に位置するサブ絵素を、間隔の中のサブ絵素とした場合、
中階調領域では、主に、上記間隔の大きいサブ絵素に加えて、上記間隔の小さいサブ絵素で表示が行われ、
高階調領域では、主に、上記間隔の小さいサブ絵素及び上記間隔の大きいサブ絵素に加えて、上記間隔の中のサブ絵素で表示が行われることを特徴とする。
【０１３１】
また、本発明の液晶表示素子は、
上記絵素には、上記各サブ絵素に異なる電圧を供給することが可能なように、複数本の信号電極線が設けられていることを特徴とする。
【０１３２】
上記構成によれば、各サブ絵素を異なる印加電圧で独立に駆動することが容易になる。
【０１３３】
また、本発明の液晶表示素子は、
上記絵素には、上記各サブ絵素について共通の、上記共通電極に接続された共通信号線が設けられていることを特徴とする。
【０１３４】
上記構成によれば、各サブ絵素で、絵素電極と共通電極との間で駆動する構成が容易に実現でき、各サブ絵素において、絵素電極と共通電極との電位差を異ならせることが容易になる。
【０１３５】
また、本発明の液晶表示素子は、
上記絵素電極及び上記共通電極が、櫛歯状に形成されていることを特徴とする。
【０１３６】
上記構成によれば、上記電極間隔の設定が容易になるとともに、電極間隔を小さくすることが容易になるため、応答速度を速くすることが容易になる。
【０１３７】
また、本発明の液晶表示素子は、
上記櫛歯状の、絵素電極及び共通電極の櫛歯の延伸方向が、上記各サブ絵素の間で異なることを特徴とする。
【０１３８】
上記構成によれば、サブ絵素の間で、櫛歯の延伸方向が相違する。そのため、画素内に液晶分子の配向方向が異なる領域が形成される。
【０１３９】
したがって、液晶表示素子の視野角特性を改善することができる。
【０１４０】
また、本発明の液晶表示素子は、
上記低階調領域の上限の階調値、及び、上記中階調領域の上限の階調値は、表示が上記低階調領域から上記中階調領域に切り替わった後、及び、表示が上記中階調領域から上記高階調領域に切り替わった後に、応答速度が所望の値以下となるように定められていることを特徴とする。
【０１４１】
上記構成によれば、例えば製品スペックなどから定められる所望の応答速度に関して、全階調領域において、所望の応答速度を満足することができる。
【０１４２】
そして、複数のサブ絵素を同時に駆動する明るさ範囲が増加し、視野角特性を向上させることができる。
【０１４３】
また、本発明の液晶表示素子は、
上記共通電極に印加される対向電圧が、フレーム駆動におけるフレーム毎に反転するとともに、
上記対向電圧が、上記絵素電極に印加される電圧と逆位相であることを特徴とする。
【０１４４】
上記構成によれば、液晶分子に印加される電圧を増加させることができるので、応答速度をより向上させることができる。
【０１４５】
また、本発明の液晶表示装置は、上記液晶表示素子を表示部として備えている。
【産業上の利用可能性】
【０１４６】
本発明は、速い応答速度が要求される表示装置、例えば液晶テレビなどに好適に利用することができる。
【符号の説明】
【０１４７】
１０    液晶表示素子
１２    液晶表示パネル
２０    絵素
２２    サブ絵素
２２ａ  第１サブ絵素  （サブ絵素）
２２ｂ  第２サブ絵素  （サブ絵素）
２２ｃ  第３サブ絵素  （サブ絵素）
３０    絵素電極
３０ａ  第１絵素電極  （絵素電極）
３０ｂ  第２絵素電極  （絵素電極）
３０ｃ  第３絵素電極  （絵素電極）
３２ａ  第１絵素電極櫛歯部  （絵素電極の櫛歯）
３２ｂ  第２絵素電極櫛歯部  （絵素電極の櫛歯）
３２ｃ  第３絵素電極櫛歯部  （絵素電極の櫛歯）
３４    絵素電極幹線部  （絵素電極）
３６    共通電極
３８ａ  第１共通電極櫛歯部  （共通電極の櫛歯）
３８ｂ  第２共通電極櫛歯部  （共通電極の櫛歯）
３８ｃ  第３共通電極櫛歯部  （共通電極の櫛歯）
３９    共通電極幹線部  （共通電極）
４０    走査信号線
４２    信号電極線
４２ａ  第１信号電極線
４２ｂ  第２信号電極線
４４    共通信号線
５０    ＴＦＴ      （スイッチング素子）
５０ａ  第１ＴＦＴ  （スイッチング素子）
５０ｂ  第２ＴＦＴ  （スイッチング素子）
６０    表示制御部
６２    走査信号制御部
６４    信号電極制御部
６６    共通電極制御部
ｄ１    第１間隔  （絵素電極と共通電極との間隔）
ｄ２    第２間隔  （絵素電極と共通電極との間隔）
ｄ３    第３間隔  （絵素電極と共通電極との間隔）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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