(57)【要約】  高精細化されたパネルにおいても、書込み期間における異常放電の発生を抑えて書込み動作を安定にし、画像表示品質を向上させる。そのために、プラズマディスプレイパネルを、サブフィールドを１フィールド内に複数設けて駆動し、維持期間にサブフィールド毎に設定された輝度重みに応じた回数の維持放電を発生して階調表示するプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、隣接する２つの放電セルの１フィールドで表現される各階調値が、一方の放電セルは所定のしきい値以上の階調値となり、かつ他方の放電セルは所定のサブフィールドだけが点灯する階調値となるとき、他方の放電セルの階調値を、全サブフィールドが非点灯となる階調値、または、所定のサブフィールドおよび所定のサブフィールドの次に大きい輝度重みを有するサブフィールドだけが点灯する階調値に変更する。
2010146827.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査電極と維持電極とからなる表示電極対およびデータ電極を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルを、前記放電セルに書込み放電を発生する書込み期間と、前記放電セルに維持放電を発生する維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けて駆動し、
前記書込み期間に書込み放電を発生したサブフィールドでは、前記維持期間にサブフィールド毎に設定された輝度重みに応じた回数の維持放電を発生して前記サブフィールドを点灯させることで階調表示するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、
隣接する２つの放電セルの１フィールドで表現される各階調値が、一方の放電セルは所定のしきい値以上の階調値となり、かつ他方の放電セルは所定のサブフィールドだけが点灯する階調値となるとき、
前記他方の放電セルの階調値を、全サブフィールドが非点灯となる階調値、または、前記所定のサブフィールドおよび前記所定のサブフィールドの次に大きい輝度重みを有するサブフィールドだけが点灯する階調値に変更することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項２】
各サブフィールドの輝度重みを、時間的に後のサブフィールドほど輝度重みが大きくなるように設定し、
前記所定のサブフィールドを先頭サブフィールドとすることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項３】
１フィールドを、全ての放電セルに初期化放電を発生する全セル初期化サブフィールドと、直前のサブフィールドの維持期間に維持放電を発生した放電セルだけに初期化放電を発生する複数の選択初期化サブフィールドとを有する構成とし、
前記所定のサブフィールドは前記全セル初期化サブフィールドであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項４】
入力画像信号の平均輝度レベルをあらかじめ定められたＡＰＬしきい値と比較し、
前記平均輝度レベルが前記ＡＰＬしきい値未満のときには、前記他方の放電セルの階調値を全サブフィールドが非点灯となる階調値に変更し、
前記平均輝度レベルが前記ＡＰＬしきい値以上のときには、前記他方の放電セルの階調値を、前記所定のサブフィールドおよび前記所定のサブフィールドの次に大きい輝度重みを有するサブフィールドだけが点灯する階調値に変更することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項５】
走査電極と維持電極とからなる表示電極対およびデータ電極を有する放電セルを複数備え、書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設け、前記書込み期間に書込み放電を発生したサブフィールドでは、前記維持期間にサブフィールド毎に設定された輝度重みに応じた回数の維持放電を発生して階調表示するプラズマディスプレイパネルと、
入力画像信号を、１フィールドで表現される階調値の大きさに応じて、前記放電セルにおける前記サブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する画像信号処理回路とを備え、
前記画像信号処理回路は、
隣接する２つの放電セルの各階調値が、一方の放電セルは所定のしきい値以上の階調値となり、かつ他方の放電セルは所定のサブフィールドだけが点灯する階調値となるとき、
前記他方の放電セルの階調値を、全サブフィールドが非点灯となる階調値、または、前記所定のサブフィールドおよび前記所定のサブフィールドの次に大きい輝度重みを有するサブフィールドだけが点灯する階調値に変更することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
入力画像信号の平均輝度レベルを検出するＡＰＬ検出回路を備え、
前記画像信号処理回路は、前記平均輝度レベルとあらかじめ定められたＡＰＬしきい値とを比較し、前記平均輝度レベルが前記ＡＰＬしきい値未満のときには、前記他方の放電セルの階調値を全サブフィールドが非点灯となる階調値に変更し、
前記平均輝度レベルが前記ＡＰＬしきい値以上のときには、前記他方の放電セルの階調値を、前記所定のサブフィールドおよび前記所定のサブフィールドの次に大きい輝度重みを有するサブフィールドだけが点灯する階調値に変更することを特徴とする請求項５に記載のプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、壁掛けテレビや大型モニターに用いられるプラズマディスプレイパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、「パネル」と略記する）として代表的な交流面放電型パネルは、対向配置された前面板と背面板との間に多数の放電セルが形成されている。前面板は、１対の走査電極と維持電極とからなる表示電極対が前面ガラス基板上に互いに平行に複数対形成されている。そして、それら表示電極対を覆うように誘電体層および保護層が形成されている。背面板は、背面ガラス基板上に複数の平行なデータ電極が形成され、それらデータ電極を覆うように誘電体層が形成され、さらにその上にデータ電極と平行に複数の隔壁が形成されている。そして、誘電体層の表面と隔壁の側面とに蛍光体層が形成されている。そして、表示電極対とデータ電極とが立体交差するように前面板と背面板とを対向配置して密封する。密封された内部の放電空間には、例えば分圧比で５％のキセノンを含む放電ガスを封入し、表示電極対とデータ電極とが対向する部分に放電セルを形成する。このような構成のパネルにおいて、各放電セル内でガス放電により紫外線を発生し、この紫外線で赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色の蛍光体を励起発光してカラー表示を行う。【０００３】
パネルを駆動する方法としては一般にサブフィールド法が用いられている。サブフィールド法では、１フィールドを複数のサブフィールドに分割し、それぞれのサブフィールドで各放電セルを発光または非発光にすることにより階調表示を行う。各サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。【０００４】
初期化期間では、各走査電極に初期化波形を印加し、各放電セルで初期化放電を発生する。それにより、各放電セルにおいて、続く書込み動作のために必要な壁電荷を形成するとともに、書込み放電を安定して発生するためのプライミング粒子（書込み放電を発生させるための励起粒子）を発生する。【０００５】
書込み期間では、走査電極に走査パルスを印加するとともに、データ電極には表示すべき画像信号にもとづき書込みパルスを印加する。そうして、発光を行うべき放電セルに書込み放電を発生し、壁電荷を形成する（以下、この動作を「書込み」とも記す）。【０００６】
維持期間では、サブフィールド毎に定められた数の維持パルスを走査電極と維持電極とからなる表示電極対に交互に印加する。それにより、書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生し、その放電セルの蛍光体層を発光させる。これにより、各放電セルを、サブフィールド毎に定められた輝度重みに応じた輝度で発光させる。このようにしてパネルの各放電セルを画像信号の階調値に応じた輝度で発光させて画像表示を行う。【０００７】
また、サブフィールド法の１つとして、緩やかに変化する電圧波形を用いて初期化放電を行い、さらに、維持放電を行った放電セルに対して選択的に初期化放電を発生することで、階調表示に関係しない発光を極力減らして、表示画像のコントラスト比を高める駆動方法が開示されている。【０００８】
具体的には、複数のサブフィールドのうち、１つのサブフィールドの初期化期間においては全ての放電セルに初期化放電を発生する全セル初期化動作を行い、他のサブフィールドの初期化期間においては直前の維持期間で維持放電を発生した放電セルにのみ初期化放電を発生する選択初期化動作を行う。このように駆動することにより、維持放電を発生しない黒を表示する領域の輝度（以下、「黒輝度」と略記する）は全セル初期化動作における微弱発光だけとなり、コントラストの高い画像表示が可能となる（例えば、特許文献１参照）。【０００９】
また、初期化期間に、緩やかな傾斜で電圧が上昇する部分と緩やかな傾斜で電圧が下降する部分とを有する初期化波形を放電セルに印加する技術が開示されている（例えば、特許文献２参照）。【００１０】
近年、パネルの高精細化にともない放電セルのさらなる微細化が進んでいる。この微細化された放電セルでは、初期化放電によって放電セル内に形成された壁電荷が、隣接する放電セルに発生する書込み放電や維持放電の影響を受けて変化しやすいことが確認されている。また、維持期間に発生する維持パルスの数が多いサブフィールドでは、維持放電を発生しない放電セルの壁電荷が、その放電セルに隣接する放電セルのうちの維持放電を発生する放電セルから影響を受け、変化しやすいことも確認されている。そして、放電セルに不要な壁電荷が過剰に蓄積すると、例えば書込み放電を発生するべきでない放電セルで誤った書込み放電が発生し、画像表示品質が劣化してしまうおそれがある。以下、このような誤った書込み放電を「誤書込み」とも記す。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２０００−２４２２２４号公報
【特許文献２】特開２００４−３７８８３号公報
【発明の概要】
【００１２】
本発明のパネルの駆動方法は、走査電極と維持電極とからなる表示電極対およびデータ電極を有する放電セルを複数備えたパネルを、放電セルに書込み放電を発生する書込み期間と、放電セルに維持放電を発生する維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けて駆動し、書込み期間に書込み放電を発生したサブフィールドでは、維持期間にサブフィールド毎に設定された輝度重みに応じた回数の維持放電を発生してサブフィールドを点灯することで階調表示するパネルの駆動方法である。そして、隣接する２つの放電セルの１フィールドで表現される各階調値が、一方の放電セルは所定のしきい値以上の階調値となり、かつ他方の放電セルは所定のサブフィールドだけが点灯する階調値となるとき、他方の放電セルの階調値を、全サブフィールドが非点灯となる階調値、または、所定のサブフィールドおよび所定のサブフィールドの次に大きい輝度重みを有するサブフィールドだけが点灯する階調値に変更することを特徴とする。
【００１３】
これにより、高精細化されたパネルを用いたプラズマディスプレイ装置においても、書込み期間における異常放電の発生を抑えて書込み動作を安定にし、画像表示品質を向上することが可能となる。
【００１４】
また、本発明のプラズマディスプレイ装置は、走査電極と維持電極とからなる表示電極対およびデータ電極を有する放電セルを複数備え、書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設け、書込み期間に書込み放電を発生したサブフィールドでは、維持期間にサブフィールド毎に設定された輝度重みに応じた回数の維持放電を発生して階調表示するパネルと、入力画像信号を、１フィールドで表現される階調値の大きさに応じて、放電セルにおけるサブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する画像信号処理回路とを備える。そして、画像信号処理回路は、隣接する２つの放電セルの各階調値が、一方の放電セルは所定のしきい値以上の階調値となり、かつ他方の放電セルは所定のサブフィールドだけが点灯する階調値となるとき、他方の放電セルの階調値を、全サブフィールドが非点灯となる階調値、または、所定のサブフィールドおよび所定のサブフィールドの次に大きい輝度重みを有するサブフィールドだけが点灯する階調値に変更することを特徴とする。
【００１５】
これにより、高精細化されたパネルを用いたプラズマディスプレイ装置においても、書込み期間における異常放電の発生を抑えて書込み動作を安定にし、画像表示品質を向上することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１におけるパネルの構造を示す分解斜視図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態１におけるパネルの電極配列図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態１におけるパネルの各電極に印加する駆動電圧波形図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態１におけるパネルに形成された放電セルを概略的に示す図である。
【図６Ａ】図６Ａは、本発明の実施の形態１における図５に示した放電セル（ｉ，ｊ−１）および放電セル（ｉ，ｊ）において、誤書込みが発生しやすい点灯パターンの一例を模式的に示した図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、本発明の実施の形態１における図５に示した放電セル（ｉ，ｊ）および放電セル（ｉ，ｊ＋１）において、誤書込みが発生しやすい点灯パターンの一例を模式的に示した図である。
【図６Ｃ】図６Ｃは、本発明の実施の形態１における図５に示した放電セル（ｉ−１，ｊ）および放電セル（ｉ，ｊ）において、誤書込みが発生しやすい点灯パターンの一例を模式的に示した図である。
【図６Ｄ】図６Ｄは、本発明の実施の形態１における図５に示した放電セル（ｉ，ｊ）および放電セル（ｉ＋１，ｊ）において、誤書込みが発生しやすい点灯パターンの一例を模式的に示した図である。
【図７Ａ】図７Ａは、本発明の実施の形態１における図６Ａに示した誤書込み発生パターンのときに、放電セル（ｉ，ｊ−１）の階調値を全サブフィールドが非点灯となる階調値に変更するときの点灯パターンを模式的に示す図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、本発明の実施の形態１における図６Ｂに示した誤書込み発生パターンのときに、放電セル（ｉ，ｊ＋１）の階調値を全サブフィールドが非点灯となる階調値に変更するときの点灯パターンを模式的に示す図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、本発明の実施の形態１における図６Ａに示した誤書込み発生パターンのときに、放電セル（ｉ，ｊ−１）の階調値を所定のサブフィールドおよび所定のサブフィールドに続くサブフィールドだけが点灯する階調値に変更するときの点灯パターンを模式的に示す図である。
【図７Ｄ】図７Ｄは、本発明の実施の形態１における図６Ｂに示した誤書込み発生パターンのときに、放電セル（ｉ，ｊ＋１）の階調値を所定のサブフィールドおよび所定のサブフィールドに続くサブフィールドだけが点灯する階調値に変更するときの点灯パターンを模式的に示す図である。
【図８Ａ】図８Ａは、本発明の実施の形態１における図６Ｃに示した誤書込み発生パターンのときに、放電セル（ｉ−１，ｊ）の階調値を全サブフィールドが非点灯となる階調値に変更するときの点灯パターンを模式的に示す図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、本発明の実施の形態１における図６Ｄに示した誤書込み発生パターンのときに、放電セル（ｉ＋１，ｊ）の階調値を全サブフィールドが非点灯となる階調値に変更するときの点灯パターンを模式的に示す図である。
【図８Ｃ】図８Ｃは、本発明の実施の形態１における図６Ｃに示した誤書込み発生パターンのときに、放電セル（ｉ−１，ｊ）の階調値を所定のサブフィールドおよび所定のサブフィールドに続くサブフィールドだけが点灯する階調値に変更するときの点灯パターンを模式的に示す図である。
【図８Ｄ】図８Ｄは、本発明の実施の形態１における図６Ｄに示した誤書込み発生パターンのときに、放電セル（ｉ＋１，ｊ）の階調値を所定のサブフィールドおよび所定のサブフィールドに続くサブフィールドだけが点灯する階調値に変更したときの点灯パターンを模式的に示す図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態２におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置について、図面を用いて説明する。
【００１８】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の構造を示す分解斜視図である。ガラス製の前面板２１上には、走査電極２２と維持電極２３とからなる表示電極対２４が複数形成されている。そして走査電極２２と維持電極２３とを覆うように誘電体層２５が形成され、その誘電体層２５上に保護層２６が形成されている。また、保護層２６は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を主成分とする材料から形成されている。
【００１９】
背面板３１上にはデータ電極３２が複数形成され、データ電極３２を覆うように誘電体層３３が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁３４が形成されている。そして、隔壁３４の側面および誘電体層３３上には赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色に発光する蛍光体層３５が設けられている。
【００２０】
これら前面板２１と背面板３１とを、微小な放電空間を挟んで表示電極対２４とデータ電極３２とが交差するように対向配置する。そして、その外周部をガラスフリット等の封着材によって封着する。そして、内部の放電空間には、ネオンとキセノンの混合ガスを放電ガスとして封入する。なお、本実施の形態では、発光効率を向上させるためにキセノン分圧を約１０％にした放電ガスを用いている。放電空間は隔壁３４によって複数の区画に仕切られており、表示電極対２４とデータ電極３２とが交差する部分に放電セルが形成されている。そしてこれらの放電セルを放電、発光することによりパネル１０に画像を表示する。
【００２１】
なお、パネル１０の構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。また、放電ガスの混合比率も上述した数値に限られるわけではなく、その他の混合比率であってもよい。
【００２２】
図２は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の電極配列図である。パネル１０には、行方向に長いｎ本の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ（図１の走査電極２２）およびｎ本の維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ（図１の維持電極２３）が配列され、列方向に長いｍ本のデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ（図１のデータ電極３２）が配列されている。そして、１対の走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１〜ｎ）および維持電極ＳＵｉと１つのデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）とが交差した部分に放電セルが形成され、放電セルは放電空間内にｍ×ｎ個形成されている。そして、ｍ×ｎ個の放電セルが形成された領域がパネル１０の画像表示領域となる。
【００２３】
次に、パネル１０を駆動するための駆動電圧波形とその動作の概要について説明する。なお、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置は、サブフィールド法によって階調表示を行う。サブフィールド法では、１フィールドを時間軸上で複数のサブフィールドに分割し、各サブフィールドに輝度重みをそれぞれ設定する。そして、サブフィールド毎に各放電セルの発光・非発光を制御する。
【００２４】
本実施の形態では、１フィールドを８つのサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第８ＳＦ）で構成し、時間的に後のサブフィールドほど輝度重みが大きくなるように、各サブフィールドはそれぞれ（１、２、４、８、１６、３２、６４、１２８）の輝度重みを有する構成とする例を説明する。なお、複数のサブフィールドのうち、１つのサブフィールドの初期化期間においては全ての放電セルに初期化放電を発生する全セル初期化動作を行い、他のサブフィールドの初期化期間においては直前の維持期間で維持放電を発生した放電セルに対して選択的に初期化放電を発生する選択初期化動作を行うことで、維持放電を発生しない黒の領域の発光を極力減らし、パネル１０に表示する画像のコントラスト比を向上することが可能である。以下、全セル初期化動作を行うサブフィールドを「全セル初期化サブフィールド」と呼称し、選択初期化動作を行うサブフィールドを「選択初期化サブフィールド」と呼称する。
【００２５】
そして、本実施の形態では、第１ＳＦの初期化期間では全セル初期化動作を行い、第２ＳＦ〜第８ＳＦの初期化期間では選択初期化動作を行う例を説明する。これにより、画像の表示に関係のない発光は第１ＳＦにおける全セル初期化動作の放電にともなう発光のみとなる。したがって、維持放電を発生しない黒表示領域の輝度である黒輝度は全セル初期化動作における微弱発光だけとなり、パネル１０にコントラストの高い画像を表示することが可能となる。また、各サブフィールドの維持期間においては、それぞれのサブフィールドの輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維持パルスを表示電極対２４のそれぞれに印加する。
【００２６】
しかし、本実施の形態は、サブフィールド数や各サブフィールドの輝度重みが上記の値に限定されるものではない。また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切換える構成であってもよい。
【００２７】
図３は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形図である。図３には、書込み期間において最初に書込み動作を行う走査電極ＳＣ１、書込み期間において最後に書込み動作を行う走査電極ＳＣｎ（例えば、走査電極ＳＣ１０８０）、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ、およびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍの駆動電圧波形を示す。
【００２８】
また、図３には、２つのサブフィールドの駆動電圧波形を示す。この２つのサブフィールドとは、全セル初期化サブフィールドである第１サブフィールド（第１ＳＦ）と、選択初期化サブフィールドである第２サブフィールド（第２ＳＦ）である。なお、他のサブフィールドにおける駆動電圧波形は、維持期間における維持パルスの発生数が異なる以外は第２ＳＦの駆動電圧波形とほぼ同様である。また、以下における走査電極ＳＣｉ、維持電極ＳＵｉ、データ電極Ｄｋは、各電極の中から画像データ（サブフィールド毎の発光・非発光を示すデータ）にもとづき選択された電極を表す。
【００２９】
まず、全セル初期化サブフィールドである第１ＳＦについて説明する。
【００３０】
第１ＳＦの初期化期間前半部では、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには、それぞれ０（Ｖ）を印加する。走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、電圧Ｖｉ１を印加する。電圧Ｖｉ１は、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに対して放電開始電圧未満の電圧に設定する。さらに、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに、電圧Ｖｉ１から電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに上昇する傾斜電圧を印加する。以下、この傾斜電圧を、「上りランプ電圧Ｌ１」と呼称する。電圧Ｖｉ２は、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに対して放電開始電圧を超える電圧に設定する。なお、この上りランプ電圧Ｌ１の勾配の一例として、約１．３Ｖ／μｓｅｃという数値を挙げることができる。
【００３１】
この上りランプ電圧Ｌ１が上昇する間に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとの間、および走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎとデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間に、それぞれ微弱な初期化放電が持続して発生する。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ上部に負の壁電圧が蓄積されるとともに、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上部および維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ上部には正の壁電圧が蓄積される。この電極上部の壁電圧とは、電極を覆う誘電体層上、保護層上、蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。
【００３２】
初期化期間後半部では、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには正の電圧Ｖｅ１を印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには０（Ｖ）を印加する。走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、電圧Ｖｉ３から負の電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する傾斜電圧を印加する。以下、この傾斜電圧を、「下りランプ電圧Ｌ２」と呼称する。電圧Ｖｉ３は、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに対して放電開始電圧未満となる電圧に設定し、電圧Ｖｉ４は放電開始電圧を超える電圧に設定する。なお、この下りランプ電圧Ｌ２の勾配の一例として、例えば、約−２．５Ｖ／μｓｅｃという数値を挙げることができる。
【００３３】
走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに下りランプ電圧Ｌ２を印加する間に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとの間、および走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎとデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間に、それぞれ微弱な初期化放電が発生する。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ上部の負の壁電圧および維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ上部の正の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上部の正の壁電圧は書込み動作に適した値に調整される。以上により、全ての放電セルに対して初期化放電を発生する全セル初期化動作が終了する。
【００３４】
続く書込み期間では、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに対しては、順次走査パルス電圧Ｖａを印加する。データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対しては、発光するべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加する。こうして、各放電セルに選択的に書込み放電を発生する。
【００３５】
具体的には、まず維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅ２を印加し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに電圧Ｖｃ（電圧Ｖｃ＝電圧Ｖａ＋電圧Ｖｓｃ）を印加する。
【００３６】
そして、１行目の走査電極ＳＣ１に負の走査パルス電圧Ｖａを印加するとともに、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍのうちの１行目において発光するべき放電セルのデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加する。このときデータ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は、外部印加電圧の差（電圧Ｖｄ−電圧Ｖａ）にデータ電極Ｄｋ上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧との差が加算されたものとなる。これによりデータ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との電位差が放電開始電圧を超え、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に放電が発生する。
【００３７】
また、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅ２を印加しているため、維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との電位差は、外部印加電圧の差である（電圧Ｖｅ２−電圧Ｖａ）に維持電極ＳＵ１上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧との差が加算されたものとなる。このとき、電圧Ｖｅ２を、放電開始電圧をやや下回る程度の電圧値に設定することで、維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間を、放電には至らないが放電が発生しやすい状態にすることができる。これにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に発生する放電を引き金にして、データ電極Ｄｋと交差する領域にある維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間に放電を発生させることができる。こうして、発光するべき放電セルに書込み放電が発生し、走査電極ＳＣ１上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電圧が蓄積される。
【００３８】
このようにして、１行目において発光するべき放電セルで書込み放電を発生して各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作を行う。一方、書込みパルス電圧Ｖｄを印加しなかったデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。以上の書込み動作をｎ行目の放電セルに至るまで順次行い、書込み期間が終了する。
【００３９】
続く維持期間では、輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維持パルスを表示電極対２４に交互に印加して、書込み放電を発生した放電セルに維持放電を発生し、その放電セルを発光させる。
【００４０】
この維持期間では、まず走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに正の維持パルス電圧Ｖｓを印加するとともに維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎにベース電位となる接地電位、すなわち０（Ｖ）を印加する。書込み放電を発生した放電セルでは、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの電位差が、維持パルス電圧Ｖｓに走査電極ＳＣｉ上の壁電圧と維持電極ＳＵｉ上の壁電圧との差が加算されたものとなる。これにより、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの電位差が放電開始電圧を超え、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間に維持放電が発生する。そして、この放電により発生した紫外線により蛍光体層３５が発光する。そして走査電極ＳＣｉ上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正の壁電圧が蓄積される。さらにデータ電極Ｄｋ上にも正の壁電圧が蓄積される。書込み期間において書込み放電が発生しなかった放電セルでは維持放電は発生せず、初期化期間の終了時における壁電圧が保たれる。
【００４１】
続いて、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎにはベース電位となる０（Ｖ）を、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには維持パルス電圧Ｖｓをそれぞれ印加する。維持放電を発生した放電セルでは、維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの電位差が放電開始電圧を超える。これにより、再び維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間に維持放電が発生し、維持電極ＳＵｉ上に負の壁電圧が蓄積され、走査電極ＳＣｉ上に正の壁電圧が蓄積される。以降同様に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとに、輝度重みに輝度倍率を乗じた数の維持パルスを交互に印加することで、書込み期間において書込み放電を発生した放電セルで維持放電が継続して発生する。
【００４２】
そして、維持期間における維持パルスの発生後に、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎおよびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには０（Ｖ）を印加したまま、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに、０（Ｖ）から電圧Ｖｅｒｓに向かって緩やかに上昇する傾斜電圧を印加する。以下、この傾斜電圧を、「消去ランプ電圧Ｌ３」と呼称する。
【００４３】
消去ランプ電圧Ｌ３は、上りランプ電圧Ｌ１よりも急峻な勾配に設定する。消去ランプ電圧Ｌ３の勾配の一例として、例えば、約１０Ｖ／μｓｅｃという数値を挙げることができる。電圧Ｖｅｒｓを放電開始電圧を超える電圧に設定することにより、維持放電を発生した放電セルの維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間で、微弱な放電が発生する。この微弱な放電は、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎへの印加電圧が放電開始電圧を超えて上昇する期間、持続して発生する。そして、上昇する電圧があらかじめ定めた電圧Ｖｅｒｓに到達したら、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する電圧をベース電位となる０（Ｖ）まで下降する。
【００４４】
このとき、この微弱な放電で発生した荷電粒子は、維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの電位差を緩和するように、維持電極ＳＵｉ上および走査電極ＳＣｉ上に蓄積されていく。したがって、維持放電が発生した放電セルにおいて、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ上と維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ上との間の壁電圧は、走査電極ＳＣｉに印加した電圧と放電開始電圧の差、すなわち（電圧Ｖｅｒｓ−放電開始電圧）の程度まで弱められる。これにより、維持放電が発生した放電セルにおいて、データ電極Ｄｋ上の正の壁電荷を残したまま、走査電極ＳＣｉおよび維持電極ＳＵｉ上の、壁電圧の一部または全部が消去される。すなわち、消去ランプ電圧Ｌ３によって発生する放電は、維持放電が発生した放電セル内に蓄積された不要な壁電荷を消去する「消去放電」として働く。以下、消去ランプ電圧Ｌ３によって発生する維持期間の最後の放電を「消去放電」と呼称する。
【００４５】
その後、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの印加電圧を０（Ｖ）に戻し、維持期間における維持動作が終了する。
【００４６】
第２ＳＦの初期化期間では、第１ＳＦにおける初期化期間の前半部を省略した駆動電圧波形を各電極に印加する。維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには電圧Ｖｅ１を、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには０（Ｖ）を、それぞれ印加する。走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには放電開始電圧未満となる電圧（例えば、０（Ｖ））から放電開始電圧を超える負の電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する下りランプ電圧Ｌ４を印加する。この下りランプ電圧Ｌ４の勾配の一例として、例えば、約−２．５Ｖ／μｓｅｃという数値を挙げることができる。
【００４７】
これにより、直前のサブフィールド（図３では、第１ＳＦ）の維持期間で維持放電を発生した放電セルでは微弱な初期化放電が発生する。そして、走査電極ＳＣｉ上部および維持電極ＳＵｉ上部の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）上部の壁電圧も書込み動作に適した値に調整される。一方、直前のサブフィールドの維持期間で維持放電を発生しなかった放電セルでは初期化放電は発生しない。このように、第２ＳＦにおける初期化動作は、直前のサブフィールドの維持期間で維持放電を発生した放電セルに対して初期化放電を発生する選択初期化動作となる。
【００４８】
第２ＳＦの書込み期間では、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎおよびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対して、第１ＳＦの書込み期間と同様の駆動電圧波形を印加する。第２ＳＦの維持期間では、第１ＳＦの維持期間と同様に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとにあらかじめ定められた数の維持パルスを交互に印加する。
【００４９】
また、第３ＳＦ以降の各サブフィールドでは、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎおよびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対して、維持期間における維持パルスの発生数が異なる以外は第２ＳＦと同様の駆動電圧波形を印加する。
【００５０】
以上が、パネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形の概要である。
【００５１】
次に、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の構成について説明する。図４は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置１の回路ブロック図である。プラズマディスプレイ装置１は、パネル１０、画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３、維持電極駆動回路４４、タイミング発生回路４５および各回路ブロックに必要な電力を供給する電源回路（図示せず）を備えている。
【００５２】
画像信号処理回路４１は、入力された画像信号ｓｉｇにもとづき、各放電セルに、１フィールドで表現される階調値を割り当てる。そして、各放電セルに割り当てた階調値を、サブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する。また、隣接する２つの放電セルの各階調値が、一方の放電セルは所定のしきい値以上の階調値となり、かつ他方の放電セルは所定のサブフィールドだけが点灯する階調値となるかどうかを判定する。そして、その判定結果にもとづき、他方の放電セルの階調値を変更する。この詳細については後述する。
【００５３】
タイミング発生回路４５は、水平同期信号Ｈおよび垂直同期信号Ｖにもとづき、各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生する。そして、発生したタイミング信号を、それぞれの回路ブロック（画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３および維持電極駆動回路４４）へ供給する。
【００５４】
データ電極駆動回路４２は、画像データを構成するサブフィールド毎のデータを、各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対応する信号に変換する。そして、タイミング発生回路４５から供給されるタイミング信号にもとづいて各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍを駆動する。
【００５５】
走査電極駆動回路４３は、初期化波形発生回路、維持パルス発生回路、走査パルス発生回路を有する。初期化波形発生回路は、初期化期間に走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する初期化波形を発生する。維持パルス発生回路は、維持期間に走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する維持パルスを発生する。走査パルス発生回路は、複数の走査電極駆動ＩＣ（以下、「走査ＩＣ」と略記する）を備え、書込み期間に走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する走査パルスを発生する。そして、走査電極駆動回路４３は、タイミング発生回路４５から供給されるタイミング信号にもとづいて走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎのそれぞれを駆動する。
【００５６】
維持電極駆動回路４４は、維持パルス発生回路および電圧Ｖｅ１、電圧Ｖｅ２を発生する回路（図示せず）を備えている。そして、タイミング発生回路４５から供給されるタイミング信号にもとづいて維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎを駆動する。
【００５７】
なお、本実施の形態では、隣接する２つの放電セルが、一方の放電セルは所定のしきい値以上の階調値で発光し、かつ他方の放電セルは所定のサブフィールドだけが点灯する階調値で発光する（以下、このような点灯パターンを「誤書込み発生パターン」と呼称する）とき、他方の放電セルの階調値を、次のような階調値に変更する。すなわち、他方の放電セルの階調値を、全サブフィールドが非点灯となる階調値、または、所定のサブフィールドおよび所定のサブフィールドの次に大きい輝度重みを有するサブフィールド（本実施の形態では、「所定のサブフィールドおよび所定のサブフィールドに続くサブフィールド」と記す）だけが点灯する階調値に変更する。これは、本発明者が、上述の誤書込み発生パターンでは誤書込みが発生しやすく、そのときに上述の対策を施すことで誤書込みの発生が低減されることを実験的に確認したためである。
【００５８】
この、誤書込み発生パターンについて図を用いて説明する。図５は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０に形成された放電セルを概略的に示す図である。また、図６Ａは、図５に示した放電セル（ｉ，ｊ−１）および放電セル（ｉ，ｊ）において、誤書込みが発生しやすい点灯パターンの一例を模式的に示した図である。また、図６Ｂは、図５に示した放電セル（ｉ，ｊ）および放電セル（ｉ，ｊ＋１）において、誤書込みが発生しやすい点灯パターンの一例を模式的に示した図である。また、図６Ｃは、図５に示した放電セル（ｉ−１，ｊ）および放電セル（ｉ，ｊ）において、誤書込みが発生しやすい点灯パターンの一例を模式的に示した図である。また、図６Ｄは、図５に示した放電セル（ｉ，ｊ）および放電セル（ｉ＋１，ｊ）において、誤書込みが発生しやすい点灯パターンの一例を模式的に示した図である。
【００５９】
なお、図５には、ｉ−１行目からｉ＋１行目までの３行、およびｊ−２列からｊ＋２列までの５列に形成される計１５個の放電セルを示す。また、以下の説明では、例えばｉ行ｊ列にある放電セルは、放電セル（ｉ，ｊ）と記す。また、図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃ、図６Ｄにおける「○」はそのサブフィールドが点灯することを表し、「×」はそのサブフィールドが非点灯であることを表す。
【００６０】
本発明者は、隣接する２つの放電セルの一方の放電セルは所定のしきい値以上の階調値で発光し、他方の放電セルは所定のサブフィールドだけが点灯する階調値で発光するとき、他方の放電セルにおいて、所定のサブフィールドから時間的に離れたサブフィールドで誤書込みが発生しやすいことを実験的に確認した。この、「所定のしきい値以上の階調値」とは、例えば、全てのサブフィールドが点灯する階調値である。また、「所定のサブフィールドだけが点灯する階調値」とは、例えば、先頭サブフィールドである第１ＳＦだけが点灯する階調値である。また、「所定のサブフィールドから時間的に離れたサブフィールド」とは、例えば、最終サブフィールドである第８ＳＦである。
【００６１】
図６Ａには、放電セル（ｉ，ｊ）は第１ＳＦから第８ＳＦまでの全てのサブフィールドが点灯する階調値で発光し、放電セル（ｉ，ｊ）に行方向（図５では横方向）に隣接する放電セル（ｉ，ｊ−１）は先頭サブフィールドである第１ＳＦだけが点灯する階調値で発光する例を示す。例えば、このような点灯パターンでは、放電セル（ｉ，ｊ−１）において、最終サブフィールドである第８ＳＦで誤書込みが発生しやすい。
【００６２】
図６Ｂには、放電セル（ｉ，ｊ）は第１ＳＦから第８ＳＦまでの全てのサブフィールドが点灯する階調値で発光し、放電セル（ｉ，ｊ）に行方向（図５では横方向）に隣接する放電セル（ｉ，ｊ＋１）は第１ＳＦだけが点灯する階調値で発光する例を示す。例えば、このような点灯パターンでは、放電セル（ｉ，ｊ＋１）において、第８ＳＦで誤書込みが発生しやすい。
【００６３】
図６Ｃには、放電セル（ｉ，ｊ）は第１ＳＦから第８ＳＦまでの全てのサブフィールドが点灯する階調値で発光し、放電セル（ｉ，ｊ）に列方向（図５では縦方向）に隣接する放電セル（ｉ−１，ｊ）は第１ＳＦだけが点灯する階調値で発光する例を示す。例えば、このような点灯パターンでは、放電セル（ｉ−１，ｊ）において、第８ＳＦで誤書込みが発生しやすい。
【００６４】
図６Ｄには、放電セル（ｉ，ｊ）は第１ＳＦから第８ＳＦまでの全てのサブフィールドが点灯する階調値で発光し、放電セル（ｉ，ｊ）に列方向（図５では縦方向）に隣接する放電セル（ｉ＋１，ｊ）は第１ＳＦだけが点灯する階調値で発光する例を示す。例えば、このような点灯パターンでは、放電セル（ｉ＋１，ｊ）において、第８ＳＦで誤書込みが発生しやすい。
【００６５】
これは、次のような理由によるものと思われる。以下、図６Ａに示す点灯パターンを例に挙げて説明する。
【００６６】
放電セル（ｉ，ｊ）では、第１ＳＦから第８ＳＦまでの全てのサブフィールドが点灯するため、全ての維持期間で維持放電が発生する。一方、放電セル（ｉ，ｊ−１）では、第１ＳＦのみが点灯するため、第１ＳＦの維持期間では維持放電は発生するが、第２ＳＦから第８ＳＦの維持期間では維持放電は発生しない。
【００６７】
このとき、維持放電が発生しない維持期間であっても、表示電極対２４には維持パルスが印加され続ける。すなわち、放電セル（ｉ，ｊ−１）では、第２ＳＦから第８ＳＦの各維持期間において、維持放電は発生しないが、表示電極対２４には維持パルスが印加され続ける。そして、その間、放電セル（ｉ，ｊ）では維持放電が発生し続ける。
【００６８】
放電セル内には、維持放電が発生する度に荷電粒子（プライミング粒子）が発生する。そのため、放電セル（ｉ，ｊ）に発生したプライミング粒子は、放電セル（ｉ，ｊ−１）の表示電極対２４に維持パルスが印加される度に放電セル（ｉ，ｊ−１）の方向に引き付けられて放電セル（ｉ，ｊ−１）内に徐々に移動すると考えられる。そして、放電セル（ｉ，ｊ−１）内に移動してきたプライミング粒子は、不要な壁電荷として放電セル（ｉ，ｊ−１）内に蓄積していくと考えられる。
【００６９】
このプライミング粒子の移動および不要な壁電荷の蓄積は、パネルの高精細化にともない微細化が進んだ放電セルで発生しやすい。そして、放電セル内に蓄積される不要な壁電荷の量は、隣接する２つの放電セルの一方の放電セルでは維持放電が発生し、他方の放電セルでは維持放電が発生しない状態が長くなるほど多くなる。
【００７０】
そして、放電セル内に不要な壁電荷が過剰に蓄積し、走査パルスを印加するだけで放電開始電圧を超えるまでになると、書込み放電を発生させるべきでない放電セルで誤書込みが発生する。このとき、放電セル内に不要な壁電荷が過剰に蓄積していても、放電の核となるプライミング粒子が放電セル内に残留していなければ、誤書込みは発生しない。
【００７１】
すなわち、誤書込みは、プライミング粒子が残留した放電セルに、不要な壁電荷が過剰に蓄積され、走査パルスが印加されるタイミングで誤放電が生じることで発生すると考えられる。
【００７２】
例えば、図６Ａに示す例では、次のようにして誤書込みが発生すると考えられる。まず、第１ＳＦの維持期間に放電セル（ｉ，ｊ−１）で維持放電が発生し、放電セル（ｉ，ｊ−１）内にプライミング粒子が発生する。また、第２ＳＦから第７ＳＦの維持期間では、放電セル（ｉ，ｊ）には維持放電が発生し、放電セル（ｉ，ｊ−１）には維持放電が発生しないことで、放電セル（ｉ，ｊ）から放電セル（ｉ，ｊ−１）にプライミング粒子が移動し、放電セル（ｉ，ｊ−１）内に不要な壁電荷が徐々に蓄積する。そして、第７ＳＦの終了時点で、放電セル（ｉ，ｊ−１）内に蓄積された不要な壁電荷が過剰な状態になる。そして、第８ＳＦの書込み期間に、放電セル（ｉ，ｊ−１）に走査パルスを印加することで、第１ＳＦで発生したプライミング粒子の残留分が核となり、誤書込みが発生する。
【００７３】
そして、この誤書込みが発生すると、そのサブフィールドの維持期間では不要な維持放電が発生してしまい、その放電セルは本来の階調値とは異なる輝度で発光することとなる。
【００７４】
しかしながら、本発明者は、隣接する２つの放電セルに割り当てる階調値が誤書込み発生パターンとなるとき、上述した他方の放電セルの階調値を、次のような階調値に変更することで、誤書込みの発生が低減されることを実験的に確認した。その階調値とは、全サブフィールドが非点灯となる階調値、または、所定のサブフィールドおよび所定のサブフィールドに続くサブフィールドだけが点灯する階調値（例えば、第１ＳＦおよび第２ＳＦだけが点灯する階調値）である。
【００７５】
図７Ａ、図７Ｂ、図７Ｃ、図７Ｄ、図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃ、図８Ｄは、本発明の実施の形態１における隣接する２つの放電セルに割り当てる階調値が誤書込み発生パターンとなるときに、上述した他方の放電セルに割り当てる階調値を誤書込みの発生を低減する階調値に変更するときの点灯パターンを模式的に示す図である。
【００７６】
図７Ａは、図６Ａに示した誤書込み発生パターンのときに、放電セル（ｉ，ｊ−１）の階調値を全サブフィールドが非点灯となる階調値に変更するときの点灯パターンを模式的に示す図であり、図７Ｂは、図６Ｂに示した誤書込み発生パターンのときに、放電セル（ｉ，ｊ＋１）の階調値を全サブフィールドが非点灯となる階調値に変更するときの点灯パターンを模式的に示す図である。
【００７７】
また、図７Ｃは、図６Ａに示した誤書込み発生パターンのときに、放電セル（ｉ，ｊ−１）の階調値を所定のサブフィールドおよび所定のサブフィールドに続くサブフィールドだけが点灯する階調値に変更するときの点灯パターンを模式的に示す図であり、図７Ｄは、図６Ｂに示した誤書込み発生パターンのときに、放電セル（ｉ，ｊ＋１）の階調値を所定のサブフィールドおよび所定のサブフィールドに続くサブフィールドだけが点灯する階調値に変更するときの点灯パターンを模式的に示す図である。なお、本実施の形態では、所定のサブフィールドは第１ＳＦであり、所定のサブフィールドに続くサブフィールドは第２ＳＦであるものとする。
【００７８】
また、図８Ａは、図６Ｃに示した誤書込み発生パターンのときに、放電セル（ｉ−１，ｊ）の階調値を全サブフィールドが非点灯となる階調値に変更するときの点灯パターンを模式的に示す図であり、図８Ｂは、図６Ｄに示した誤書込み発生パターンのときに、放電セル（ｉ＋１，ｊ）の階調値を全サブフィールドが非点灯となる階調値に変更するときの点灯パターンを模式的に示す図である。
【００７９】
また、図８Ｃは、図６Ｃに示した誤書込み発生パターンのときに、放電セル（ｉ−１，ｊ）の階調値を所定のサブフィールドおよび所定のサブフィールドに続くサブフィールドだけが点灯する階調値に変更するときの点灯パターンを模式的に示す図であり、図８Ｄは、図６Ｄに示した誤書込み発生パターンのときに、放電セル（ｉ＋１，ｊ）の階調値を所定のサブフィールドおよび所定のサブフィールドに続くサブフィールドだけが点灯する階調値に変更するときの点灯パターンを模式的に示す図である。なお、上述したように、本実施の形態では、所定のサブフィールドは第１ＳＦであり、所定のサブフィールドに続くサブフィールドは第２ＳＦであるものとする。
【００８０】
例えば、図６Ａに示した誤書込み発生パターンのときに、図７Ａに示すように、放電セル（ｉ，ｊ−１）の階調値を全サブフィールドが非点灯となる階調値に変更することで、放電セル（ｉ，ｊ−１）の第８ＳＦに発生しやすい誤書込みを低減することができる。あるいは、図６Ｂに示した誤書込み発生パターンのときに、図７Ｂに示すように、放電セル（ｉ，ｊ＋１）の階調値を全サブフィールドが非点灯となる階調値に変更することで、放電セル（ｉ，ｊ＋１）の第８ＳＦに発生しやすい誤書込みを低減することができる。あるいは、図６Ｃに示した誤書込み発生パターンのときに、図８Ａに示すように、放電セル（ｉ−１，ｊ）の階調値を全サブフィールドが非点灯となる階調値に変更することで、放電セル（ｉ−１，ｊ）の第８ＳＦに発生しやすい誤書込みを低減することができる。あるいは、図６Ｄに示した誤書込み発生パターンのときに、図８Ｂに示すように、放電セル（ｉ＋１，ｊ）の階調値を全サブフィールドが非点灯となる階調値に変更することで、放電セル（ｉ＋１，ｊ）の第８ＳＦに発生しやすい誤書込みを低減することができる。
【００８１】
これは、次のような理由によるものと思われる。以下、図７Ａに示す点灯パターンを例に挙げて説明する。
【００８２】
放電は、放電セルに印加する電圧が放電開始電圧を超えたときに、放電セル内にあるプライミング粒子を核として発生する。したがって、上述したように、放電セル内に不要な壁電荷が過剰に蓄積していても、放電の核となるプライミング粒子が放電セル内に実質的に存在しない状態であれば、誤書込みは発生しない。
【００８３】
例えば、図７Ａに示すように、放電セル（ｉ，ｊ−１）の階調値を全サブフィールドが非点灯となる階調値に変更すれば、放電セル（ｉ，ｊ−１）では維持放電が発生しないので、放電セル（ｉ，ｊ−１）内に、維持放電によるプライミング粒子は発生しない。したがって、放電セル（ｉ，ｊ−１）内を、誤書込みの核となるプライミング粒子が実質的に存在しない状態にできる。これにより、放電セル（ｉ，ｊ−１）の第８ＳＦにおける誤書込みの発生を低減することができる。
【００８４】
なお、上述した階調値の変更を行うことで、他方の放電セルの階調値が、所定のサブフィールド（例えば、第１ＳＦ）だけが点灯する階調値から全サブフィールドが非点灯となる階調値に変化する。しかし、その階調値の変化は非常に小さく、表示画像に与える影響は実質的に無視できる程度のものに過ぎない。
【００８５】
一方、隣接する２つの放電セルに割り当てる階調値が誤書込み発生パターンとなるとき、上述した他方の放電セルの階調値を、所定のサブフィールドおよび所定のサブフィールドに続くサブフィールドだけが点灯する階調値に変更することでも、誤書込みの発生を低減することができる。
【００８６】
例えば、図６Ａに示した誤書込み発生パターンのときに、図７Ｃに示すように、放電セル（ｉ，ｊ−１）の階調値を、第１ＳＦおよび第２ＳＦだけが点灯する階調値に変更することで、放電セル（ｉ，ｊ−１）の第８ＳＦに発生しやすい誤書込みを低減することができる。あるいは、図６Ｂに示した誤書込み発生パターンのときに、図７Ｄに示すように、放電セル（ｉ，ｊ＋１）の階調値を、第１ＳＦおよび第２ＳＦだけが点灯する階調値に変更することで、放電セル（ｉ，ｊ＋１）の第８ＳＦに発生しやすい誤書込みを低減することができる。あるいは、図６Ｃに示した誤書込み発生パターンのときに、図８Ｃに示すように、放電セル（ｉ−１，ｊ）の階調値を、第１ＳＦおよび第２ＳＦだけが点灯する階調値に変更することで、放電セル（ｉ−１，ｊ）の第８ＳＦに発生しやすい誤書込みを低減することができる。あるいは、図６Ｄに示した誤書込み発生パターンのときに、図８Ｄに示すように、放電セル（ｉ＋１，ｊ）の階調値を、第１ＳＦおよび第２ＳＦだけが点灯する階調値に変更することで、放電セル（ｉ＋１，ｊ）の第８ＳＦに発生しやすい誤書込みを低減することができる。
【００８７】
これは、次のような理由によるものと思われる。以下、図７Ｃに示す点灯パターンを例に挙げて説明する。
【００８８】
十分な数の維持パルスが発生する維持期間（例えば、第２ＳＦから第８ＳＦの維持期間）では、維持放電が十分に発生するので、上述したように、データ電極３２上には維持期間後に正の壁電荷が蓄積される。この場合、続くサブフィールドの初期化期間における初期化動作は正常に行われる。一方、維持パルスの発生数が少ない維持期間（例えば、第１ＳＦの維持期間）では、維持放電の発生数が少ないので、そのサブフィールドの書込み期間に、書込み放電によってデータ電極３２上に蓄積された負の壁電荷が、維持期間後も残留したままになる可能性が高いと考えられる。その場合、そのサブフィールドにおいては、消去ランプ電圧Ｌ３による消去放電後もデータ電極３２上に負の壁電荷が残留した状態となる。したがって、続く第２ＳＦの初期化期間において下りランプ電圧Ｌ４による初期化放電が走査電極２２とデータ電極３２との間で発生しにくくなると考えられる。そのため、下りランプ電圧Ｌ４による選択初期化動作が不十分なままとなり、放電セル内に不要な壁電荷が蓄積したままとなる。これが、誤書込みの一因になると考えられる。
【００８９】
しかし、第２ＳＦの維持期間で維持放電が発生すれば、データ電極３２上に正の壁電荷を蓄積し、続く第３ＳＦの初期化期間において選択初期化動作を安定に発生させることができる。したがって、放電セル（ｉ，ｊ−１）内の不要な壁電荷を十分に初期化することができるので、第８ＳＦにおける誤書込みを低減することができる。
【００９０】
さらに、第２ＳＦで維持放電を発生させることで、隣接する２つの放電セルの一方の放電セルで維持放電が発生し他方の放電セルで維持放電が発生しない期間が、第２ＳＦの分だけ短縮される。これによる誤書込みの低減効果も得られる。
【００９１】
なお、ここに示す誤書込みの低減効果は、第２ＳＦ以外のサブフィールド（例えば、第３ＳＦ等）の維持期間で維持放電を発生させることでも得ることができる。しかし、階調値の変更にともなう発光輝度の変化を考慮すると、最も輝度変化が少なくなるサブフィールドを点灯サブフィールドとして選択することが望ましい。例えば、第１ＳＦだけが点灯する階調値が、第１ＳＦおよび第２ＳＦが点灯する階調値に変化しても、その階調値の変化は小さく、表示画像に与える影響は、実質的に無視できる程度のものに過ぎない。本実施の形態では、これらのことを考慮し、隣接する２つの放電セルに割り当てる階調値が誤書込み発生パターンとなるとき、上述した他方の放電セルの階調値を、所定のサブフィールド（例えば、第１ＳＦ）および所定のサブフィールドに続くサブフィールド（例えば、第２ＳＦ）だけが点灯する階調値に変更するものとしている。なお、本実施の形態では、所定のサブフィールドを第１ＳＦとし、所定のサブフィールドに続くサブフィールドを第２ＳＦとする例を説明したが、これは一実施例を示したものに過ぎず、所定のサブフィールドは何ら第１ＳＦに限定されるものではない。
【００９２】
本実施の形態では、これらの動作を画像信号処理回路４１で行っている。具体的には、画像信号処理回路４１において、各放電セルに割り当てる階調値と所定のしきい値とを比較し、所定のしきい値以上となる階調値を検出する。なお、本実施の形態では、所定のしきい値を、例えば、全サブフィールドが点灯する階調値である階調値「２５５」とする。しかし、本発明においては、所定のしきい値が何らここに挙げた数値に限定されるものではない。
【００９３】
そして、所定のしきい値以上の階調値があれば、その階調値が割り当てられた放電セルに隣接する放電セルにおける階調値が所定のサブフィールドだけが点灯する階調値かどうかを判定する。例えば、所定のサブフィールドを第１ＳＦとすると、この階調値は、第１ＳＦだけが点灯する階調値「１」である。すなわち、ここに示した例では、画像信号処理回路４１は、階調値「２５５」を割り当てる放電セルに、階調値「１」を割り当てる放電セルが隣接するかどうかを検出する。
【００９４】
このようにして、画像信号処理回路４１は、隣接する２つの放電セルが、一方の放電セルは所定のしきい値以上の階調値で発光し、かつ他方の放電セルは所定のサブフィールドだけが点灯する誤書込み発生パターンとなっているかどうかを検出して、誤書込み発生パターンの発生を検出する。そして、画像信号処理回路４１は、誤書込み発生パターンを検出したときには、すなわち、隣接する２つの放電セルにおいて、一方の放電セルの階調値は所定のしきい値以上の階調値であり、他方の放電セルの階調値は所定のサブフィールドだけが点灯する階調値であることを検出したときには、他方の放電セルの階調値を、全サブフィールドが非点灯となる階調値、または、所定のサブフィールドおよび所定のサブフィールドに続くサブフィールドだけが点灯する階調値に変更する。例えば、本実施の形態に示した例では、隣接する２つの放電セルにおいて、一方の放電セルは階調値「２５５」であり、他方の放電セルは階調値「１」であれば、他方の放電セルの階調値を、全サブフィールドが非点灯となる階調値「０」または、第１ＳＦおよび第２ＳＦだけが点灯する階調値「３」に変更する。このようにして、本実施の形態では、誤書込み発生パターンが発生したときに、誤書込みが発生しやすいサブフィールド（例えば、第８ＳＦ）における誤書込みの発生を低減している。
【００９５】
以上説明したように、本実施の形態では、隣接する２つの放電セルに「誤書込み発生パターン」が発生するとき、すなわち、隣接する２つの放電セルの一方の放電セルは所定のしきい値以上の階調値で点灯し、かつ他方の放電セルは所定のサブフィールドだけが点灯するとき、他方の放電セルの階調値を、全サブフィールドが非点灯となる階調値、または、所定のサブフィールドおよび所定のサブフィールドに続くサブフィールドだけが点灯する階調値に変更するものとする。これにより、上述の他方の放電セルにおける誤書込みの発生を低減し、画像表示品質を向上することが可能となる。
【００９６】
なお、本実施の形態では、誤書込み発生パターンが発生したとき、上述の他方の放電セルの階調値を、全サブフィールドが非点灯となる階調値と、所定のサブフィールドおよび所定のサブフィールドに続くサブフィールドだけが点灯する階調値との、いずれか一方を選択し、選択した方の階調値に変更する。このとき、どちらの階調値を選択するかは、あらかじめ設定しておいてもよく、あるいは、表示画像の図柄に応じて適応的に選択するようにしてもよい。
【００９７】
（実施の形態２）
本実施の形態では、誤書込み発生パターンが発生したとき、上述の他方の放電セルの階調値を上述の２つの階調値のいずれに変更するかを、表示画像に応じて適応的に選択するときの動作例について説明する。
【００９８】
図９は、本発明の実施の形態２におけるプラズマディスプレイ装置２の回路ブロック図である。プラズマディスプレイ装置２は、パネル１０、画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３、維持電極駆動回路４４、タイミング発生回路５７、ＡＰＬ検出回路４９、および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）を備えている。なお、ＡＰＬ検出回路４９およびタイミング発生回路５７を除く各回路ブロックは実施の形態１において図４に示した同名の回路ブロックと同様の構成および同様の動作であるものとする。
【００９９】
ＡＰＬ検出回路４９は、入力された画像信号の輝度値を１フィールド期間にわたって累積する等の一般に知られた手法を用いることによって平均輝度レベル（Ａｖｅｒａｇｅ  Ｐｉｃｔｕｒｅ  Ｌｅｖｅｌ：ＡＰＬ）を検出する。そして、検出した結果をタイミング発生回路５７に送信する。
【０１００】
そして、タイミング発生回路５７は、水平同期信号Ｈ、垂直同期信号ＶおよびＡＰＬ検出回路４９からの出力にもとづき各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生し、それぞれの回路ブロックへ供給する。
【０１０１】
具体的には、タイミング発生回路５７は、ＡＰＬ検出回路４９において検出されたＡＰＬをあらかじめ定められたＡＰＬしきい値（例えば、１０％）と比較する。そして、検出したＡＰＬがＡＰＬしきい値未満のとき、すなわち、表示画像が暗い画像であれば、誤書込み発生パターンが発生したときに、上述の他方の放電セルの階調値を、階調値が小さくなるように、すなわち全サブフィールドが非点灯となる階調値に変更する。また、検出したＡＰＬがＡＰＬしきい値以上のとき、すなわち、表示画像が明るい画像であれば、上述の他方の放電セルの階調値を、階調値が大きくなるように、すなわち所定のサブフィールドおよび所定のサブフィールドの次に大きい輝度重みを有するサブフィールドだけが点灯する階調値に変更する。このように、本実施の形態では、誤書込み発生パターンが発生したときの他方の放電セルにおける階調値の変更を、ＡＰＬに応じて適応的に選択する構成とする。こうすることで、画像表示品質をさらに向上することが可能となる。
【０１０２】
なお、本発明の実施の形態では、所定のしきい値を、全てのサブフィールドが点灯する階調値として設定する構成を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。例えば、本発明の実施の形態では、誤書込み発生パターンが発生したとき、第８ＳＦで誤書込みが発生しやすいものとして説明を行ったが、誤書込みが発生しやすいサブフィールドは、パネルの特性やサブフィールド構成、駆動電圧波形等に応じて変化する。したがって、所定のしきい値は、誤書込みが発生しやすい点灯パターンを確認する実験やパネルの特性、プラズマディスプレイ装置の仕様等に応じて最適な値に設定することが望ましい。
【０１０３】
なお、本発明の実施の形態では、誤書込み発生パターンにおける所定のサブフィールドを第１ＳＦとする構成を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。例えば１フィールドを９つのサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第９ＳＦ）で構成し、各サブフィールドの輝度重みをそれぞれ（０．２５、１、２、４、８、１６、３２、６４、１２８）と設定し、輝度重み０．２５のサブフィールドの維持期間では維持パルスを発生させず、消去ランプ電圧Ｌ３のみを発生させることで輝度重み「１」よりも発光輝度を下げ、輝度重み「１」の第２ＳＦを全セル初期化サブフィールドとする構成では、所定のサブフィールドを全セル初期化サブフィールドである第２ＳＦとすることが望ましい。全セル初期化動作では、上りランプ電圧Ｌ１によって全ての放電セルに強制的に初期化放電を発生させる。したがって、所定のサブフィールドが選択初期化サブフィールドであるよりも、所定のサブフィールドが全セル初期化サブフィールドであるほうが、放電セル内に不要な壁電荷が蓄積する可能性が高く、誤書込みがより発生しやすいためである。
【０１０４】
なお、本発明の実施の形態では、時間的に後のサブフィールドほど輝度重みが大きくなるように各サブフィールドの輝度重みを設定し、所定のサブフィールドを先頭サブフィールドである第１ＳＦとし、所定のサブフィールドの次に大きい輝度重みを有するサブフィールドを第２ＳＦとする構成を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。例えば、１フィールドを８つのサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第８ＳＦ）で構成し、各サブフィールドにそれぞれ（１、４、１６、６４、２、８、３２、１２８）の輝度重みを設定する構成では、所定のサブフィールドを輝度重み「１」の第１ＳＦとすると、輝度重み「１」の次に大きい輝度重みを有するサブフィールドは輝度重み「２」の第５ＳＦとなる。この場合には、所定のサブフィールドおよび所定のサブフィールドの次に大きい輝度重みを有するサブフィールドだけが点灯する階調値は、第１ＳＦおよび第５ＳＦだけが点灯する階調値となる。このように、所定のサブフィールドと所定のサブフィールドの次に大きい輝度重みを有するサブフィールドとが、時間的に連続していない構成であってもよい。
【０１０５】
なお、図３に示した駆動電圧波形は実施の形態における一例を示したものに過ぎず、本発明は、何らこれらの駆動電圧波形に限定されるものではない。
【０１０６】
また、本発明における実施の形態は、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを第１の走査電極群と第２の走査電極群とに分割し、書込み期間を、第１の走査電極群に属する走査電極のそれぞれに走査パルスを印加する第１の書込み期間と、第２の走査電極群に属する走査電極のそれぞれに走査パルスを印加する第２の書込み期間とで構成する、いわゆる２相駆動によるパネルの駆動方法にも適用させることができ、上述と同様の効果を得ることができる。
【０１０７】
なお、本発明における実施の形態は、走査電極と走査電極とが隣り合い、維持電極と維持電極とが隣り合う電極構造、すなわち前面板２１に設けられる電極の配列が、「・・・、走査電極、走査電極、維持電極、維持電極、走査電極、走査電極、・・・」となる電極構造のパネルにおいても有効である。
【０１０８】
なお、本発明の実施の形態において示した具体的な各数値、例えば、上りランプ電圧Ｌ１、下りランプ電圧Ｌ２、消去ランプ電圧Ｌ３の各傾斜電圧の勾配等は、表示電極対数１０８０の５０インチのパネルの特性にもとづき設定したものであって、単に実施の形態の一例を示したものに過ぎない。本発明はこれらの数値に何ら限定されるものではなく、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等に合わせて最適に設定することが望ましい。また、これらの各数値は、上述した効果を得られる範囲でのばらつきを許容するものとする。
【産業上の利用可能性】
【０１０９】
本発明は、高精細化されたパネルにおいても、書込み期間における異常放電の発生を抑えて書込み動作を安定にし、画像表示品質を向上させることができるので、プラズマディスプレイ装置およびパネルの駆動方法として有用である。
【符号の説明】
【０１１０】
１，２    プラズマディスプレイ装置
１０    パネル
２１    前面板
２２    走査電極
２３    維持電極
２４    表示電極対
２５，３３    誘電体層
２６    保護層
３１    背面板
３２    データ電極
３４    隔壁
３５    蛍光体層
４１    画像信号処理回路
４２    データ電極駆動回路
４３    走査電極駆動回路
４４    維持電極駆動回路
４５，５７    タイミング発生回路
４９    ＡＰＬ検出回路
【図１】
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【図２】
2010146827.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2010146827.tif 000007
【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
2010146827.tif 000011
【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
2010146827.tif 000013
【図７Ｃ】
2010146827.tif 000014
【図７Ｄ】
2010146827.tif 000015
【図８Ａ】
2010146827.tif 000016
【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
2010146827.tif 000018
【図８Ｄ】
2010146827.tif 000019
【図９】
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【国際調査報告】
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2010146827.tif 000022
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