(57)【要約】  本開示の一実施形態に係る発光素子は、積層体を備える。積層体は、活性層と、活性層を挟み込む第１半導体層および第２半導体層とを含む。この発光素子は、さらに、開口部を有する電流狭窄層と、積層体および開口部を挟み込む、第１半導体層側の凹曲面状の第１反射鏡および第２半導体層側の第２反射鏡からなる垂直共振器とを備える。この発光素子は、さらに、第１反射鏡と積層体との間に光透過性基板を備える。光透過性基板は、積層体とは反対側の面に、記第１反射鏡に接する凸曲面状の第１凸部と、第１凸部の周囲に設けられた１または複数の第２凸部を有する。１または複数の第２凸部は、第１凸部の高さ以上の高さを有し、第１反射鏡側の端部が凸曲面状となっている。
2018221042.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層と、前記活性層を挟み込む第１半導体層および第２半導体層とを含む積層体と、
開口部を有する電流狭窄層と、
前記積層体および前記開口部を挟み込む、前記第１半導体層側の凹曲面状の第１反射鏡および前記第２半導体層側の第２反射鏡と、
前記第１反射鏡と前記積層体との間に設けられた光透過性基板と
を備え、
前記光透過性基板は、前記積層体とは反対側の面に、
前記第１反射鏡に接する凸曲面状の第１凸部と、
前記第１凸部の周囲に設けられ、前記第１凸部の高さ以上の高さを有し、前記第１凸部側の端部が凸曲面状となっている１または複数の第２凸部と
を有する
発光素子。
【請求項２】
前記第２反射鏡は、前記第１凸部および前記第２凸部の表面を含む面に倣って形成されている
請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
当該発光素子は、前記第２反射鏡の表面に倣って形成された金属層をさらに備えた
請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記光透過性基板は、複数の前記第２凸部を有し、
各前記第２凸部は、島状の形状となっている
請求項１に記載の発光素子。
【請求項５】
前記光透過性基板は、１つの前記第２凸部を有し、
前記第２凸部は、円環形状となっている
請求項１に記載の発光素子。
【請求項６】
前記光透過性基板は、複数の前記第２凸部を有し、
複数の前記第２凸部は、環状の凸部が複数に分断された形状およびレイアウトとなっている
請求項１に記載の発光素子。
【請求項７】
前記第２凸部と対向する位置に形成されたバンプメタルをさらに備えた
請求項２に記載の発光素子。
【請求項８】
前記光透過性基板は、ＧａＮ基板である
請求項１に記載の発光素子。
【請求項９】
光透過性基板の第１主面上に、活性層と、前記活性層を挟み込む第１半導体層および第２半導体層とを含む積層体と、開口部を有する電流狭窄層とを備えた発光素子基板において、前記光透過性基板のうち、前記第１主面とは反対側の第２主面に、前記開口部と対向する箇所に第１レジスト層を形成するとともに、前記開口部と対向する箇所の周囲に１または複数の第２レジスト層を形成するレジスト形成ステップと、
前記第１レジスト層および１または複数の前記第２レジスト層に対して、リフローを行うことにより、前記第１レジスト層の表面を凸曲面状にするとともに、１または複数の前記第２レジスト層の表面のうち、少なくとも前記第１レジスト層側の端部を凸曲面状にするリフローステップと、
前記リフローを行った後の前記第１レジスト層および１または複数の前記第２レジスト層をマスクとして、レジストエッチバック法を用いたドライエッチングを行うことにより、前記基板の前記第２主面に、前記第１レジスト層が形成されていた箇所に凸曲面状の第１凸部を形成し、１または複数の前記第２レジスト層が形成されていた箇所に、少なくとも前記第１レジスト層側の端部が凸曲面状の第２凸部を形成する凸部形成ステップと
を含み、
前記レジスト形成ステップにおいて、前記第１レジスト層および１または複数の前記第２レジスト層のそれぞれの幅は、前記リフローおよび前記レジストエッチバックにより、各前記第２凸部の高さが前記第１凸部の高さ以上となるように設定される
発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記レジスト形成ステップにおいて、前記第１レジスト層を１つ形成するとともに、前記第２レジスト層を２つ以上形成し、さらに、前記第１レジスト層および各前記第２レジスト層を島状に形成する
請求項９に記載の発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記レジスト形成ステップにおいて、前記第１レジスト層を１つ形成するとともに、前記第２レジスト層を１つ形成し、さらに、前記第１レジスト層を島状に形成するとともに、前記第２レジスト層を円環形状に形成する
請求項９に記載の発光素子の製造方法。
【請求項１２】
前記レジスト形成ステップにおいて、前記第１レジスト層を１つ形成するとともに、前記第２レジスト層を２つ以上形成し、さらに、前記第１レジスト層を島状に形成するとともに、各前記第２レジスト層を、環状の凸部が複数に分断された形状およびレイアウトとなるように形成する
請求項９に記載の発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、発光素子および発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
面発光レーザの反射鏡を凹曲面状とする技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平３−２６３０２３号公報
【特許文献２】特開平９−１１７９１号公報
【特許文献３】特表２０１３−５４１８５４号公報
【発明の概要】
【０００４】
ところで、面発光レーザの反射鏡を凹曲面状とした場合、面発光レーザの光軸を配線基板に対して所定の位置に配置するだけでなく、凹曲面状の反射鏡を保護することが求められる。従って、配線基板に対する位置合わせと、凹曲面状の反射鏡を保護することの可能な発光素子および発光素子の製造方法を提供することが望ましい。
【０００５】
本開示の一実施形態に係る発光素子は、積層体を備えている。積層体は、活性層と、活性層を挟み込む第１半導体層および第２半導体層とを含んでいる。この発光素子は、さらに、開口部を有する電流狭窄層と、積層体および開口部を挟み込む、第１半導体層側の凹曲面状の第１反射鏡および第２半導体層側の第２反射鏡からなる垂直共振器とを備えている。第１反射鏡は、積層体とは反対側に湾曲した凹曲面状となっている。この発光素子は、さらに、第１反射鏡と積層体との間に光透過性基板を備えている。光透過性基板は、積層体とは反対側の面に、記第１反射鏡に接する凸曲面状の第１凸部と、第１凸部の周囲に設けられた１または複数の第２凸部を有している。１または複数の第２凸部は、第１凸部の高さ以上の高さを有し、第１反射鏡側の端部が凸曲面状となっている。第２凸部の、第１凸部側の端部は、第１凸部側に突出した凸曲面状となっている。
【０００６】
本開示の一実施形態に係る発光素子では、光透過性基板の、積層体とは反対側の面に、第１反射鏡に接する凸曲面状の第１凸部が設けられている。光透過性基板には、さらに、第１凸部の周囲に、第１凸部の高さ以上の高さを有する１または複数の第２凸部が設けられている。１または複数の第２凸部において、第１反射鏡側の端部が凸曲面状となっている。これにより、発光素子の実装位置が、第２凸部の凸曲面、または、第２凸部の凸曲面に倣って形成される層の凸曲面によるセルフアライメント機能により決定される。また、発光素子の製造過程や実装過程で、第１凸部が、第２凸部によって保護される。
【０００７】
本開示の一実施形態に係る発光素子の製造方法は、レジスト形成ステップと、リフローステップと、凸部形成ステップとを含んでいる。レジスト形成ステップでは、まず、光透過性基板の第１主面上に、活性層と、活性層を挟み込む第１半導体層および第２半導体層とを含む積層体と、開口部を有する電流狭窄層とを備えた発光素子基板を用意する。次に、光透過性基板のうち、第１主面とは反対側の第２主面に、開口部と対向する箇所に第１レジスト層を形成するとともに、開口部と対向する箇所の周囲に１または複数の第２レジスト層を形成する。リフローステップでは、第１レジスト層および１または複数の第２レジスト層に対して、リフローを行うことにより、第１レジスト層の表面を凸曲面状にするとともに、１または複数の第２レジスト層の表面のうち、少なくとも第１レジスト層側の端部を凸曲面状にする。凸部形成ステップでは、リフローを行った後の第１レジスト層および１または複数の第２レジスト層をマスクとして、レジストエッチバック法を用いたドライエッチングを行うことにより、基板の第２主面に、第１レジスト層が形成されていた箇所に凸曲面状の第１凸部を形成し、１または複数の第２レジスト層が形成されていた箇所に、凸曲面状の第２凸部を形成する。レジスト形成ステップにおいて、第１レジスト層および１または複数の第２レジスト層のそれぞれの幅は、リフローおよびレジストエッチバックにより、各第２凸部の高さが第１凸部の高さ以上となるように設定される。
【０００８】
本開示の一実施形態に係る発光素子の製造方法では、基板の第２主面に設けられた第１レジスト層および１または複数の第２レジスト層に対して、リフローが行われる。これにり、第１レジスト層の表面が凸曲面状となり、１または複数の第２レジスト層の表面のうち、少なくとも第１レジスト層側の端部が凸曲面状となる。さらに、リフローを行った後の第１レジスト層および１または複数の第２レジスト層をマスクとして、レジストエッチバック法を用いたドライエッチングが行われる。これにより、基板の第２主面に、第１レジスト層が形成されていた箇所に凸曲面状の第１凸部が形成され、１または複数の第２レジスト層が形成されていた箇所に、少なくとも第１レジスト層側の端部が凸曲面状の１または複数の第２凸部が形成される。レジストを形成する際に、第１レジスト層および１または複数の第２レジスト層のそれぞれの幅は、リフローおよびレジストエッチバックにより、各第２凸部の高さが第１凸部の高さ以上となるように設定される。これにより、発光素子の実装位置が、第２凸部の凸曲面、または、第２凸部の凸曲面に倣って形成される層の凸曲面によるセルフアライメント機能により決定される。また、発光素子の製造過程や実装過程で、第１凸部が、第２凸部によって保護される。
【０００９】
本開示の一実施形態に係る発光素子および発光素子の製造方法によれば、第２凸部の凸曲面、または、第２凸部の凸曲面に倣って形成される層の凸曲面によるセルフアライメント機能により、発光素子の実装位置を決めることができ、かつ、発光素子の製造過程や実装過程で、第１凸部を第２凸部によって保護することができるようにしたので、発光素子の配線基板に対する位置合わせを精度良く行うことができ、かつ、凹曲面状の反射鏡を保護することもできる。なお、本開示の効果は、ここに記載された効果に必ずしも限定されず、本明細書中に記載されたいずれの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本開示の一実施の形態に係る発光素子の断面構成例を表す図である。
【図２】図１の発光素子の上面構成例を表す図である。
【図３】レンズ直径と、レンズ高さおよび曲率半径関係の一例を表す図である。
【図４】図１の発光素子の製造手順の一例を表す図である。
【図５】図１の発光素子の製造過程の一例を表す図である。
【図６】図５に続く製造過程の一例を表す図である。
【図７】図６に続く製造過程の一例を表す図である。
【図８】図７に続く製造過程の一例を表す図である。
【図９】図８に続く製造過程の一例を表す図である。
【図１０】図９に続く製造過程の一例を表す図である。
【図１１】図１０に続く製造過程の一例を表す図である。
【図１２】図１１に続く製造過程の一例を表す図である。
【図１３】図１の発光素子の、配線基板への実装例を表す図である。
【図１４】図２の発光素子の一変形例を表す図である。
【図１５】図１４の発光素子の製造過程の一例を表す図である。
【図１６】図２の発光素子の一変形例を表す図である。
【図１７】図１６の発光素子の製造過程の一例を表す図である。
【図１８】図１の発光素子の一変形例を表す図である。
【図１９】図１８の発光素子の上面構成例を表す図である。
【図２０】図２の発光素子の一変形例を表す図である。
【図２１】図２の発光素子の一変形例を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本開示を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下の説明は本開示の一具体例であって、本開示は以下の態様に限定されるものではない。また、本開示は、各図に示す各構成要素の配置や寸法、寸法比などについても、それらに限定されるものではない。なお、説明は、以下の順序で行う。
１．実施の形態
島状の凸部が垂直共振器の周囲に形成されている例
２．変形例
変形例Ａ：環状の凸部の中心位置に垂直共振器が形成されている例
変形例Ｂ：環状の凸部を複数に分断したものが垂直共振器の周囲に形成されている例
変形例Ｃ：バンプが垂直共振器の周囲に形成されている例
【００１２】
＜１．実施の形態＞
[構成]
本開示の一実施の形態に係る発光素子１について説明する。図１は、発光素子１の断面構成例を表したものである。図２は、発光素子１の上面構成例を表したものである。
【００１３】
発光素子１は、薄型で低消費電力が要求される用途や、薄型で大面積が要求される用途などに好適に適用可能な上面出射型の半導体レーザである。発光素子１は、垂直共振器を備えている。垂直共振器は、基板１１の法線方向において互いに対向する２つのＤＢＲ（distributed Bragg reflector）によって所定の発振波長λ0で発振するように構成されている。垂直共振器は、基板１１と、積層体１２と、電流狭窄層１３の開口部１３Ａとを挟み込む２つのＤＢＲ層によって構成されている。つまり、基板１１は、垂直共振器の内側に設けられた基板であり、一方のＤＢＲ層と積層体１２との間に設けられた基板である。上記２つのＤＢＲ層は、後述の半導体層１２ａ側のＤＢＲ層１８（第１反射鏡）と、後述の半導体層１２ｃ側のＤＢＲ層１６（第２反射鏡）とにより構成されている。ＤＢＲ層１８は、基板１１の裏面に接して形成されている。積層体１２は、例えば、活性層１２ｂと、活性層１２ｂを挟み込む２つの半導体層とを含んで構成されている。上記２つの半導体層は、基板１１寄りの半導体層１２ａと、基板１１から離れた半導体層１２ｃとにより構成されている。
【００１４】
発光素子１は、例えば、基板１１上に、半導体層１２ａ、活性層１２ｂ、半導体層１２ｃ、電流狭窄層１３、電極層１４、電極パッド１５，１７およびＤＢＲ層１６を、基板１１側からこの順に備えている。発光素子１は、例えば、さらに、基板１１の裏面側に、ＤＢＲ層１８および金属層１９を基板１１側からこの順に備えている。積層体１２は、例えば、半導体層１２ｃ側の最表面に、半導体層１２ｃと電極層１４とを互いにオーミック接触させるためのコンタクト層を有していてもよい。コンタクト層は、半導体層１２ｃの最表面に対して高濃度の不純物をドープすることにより形成された層であってもよいし、半導体層１２ｃとは別に形成された、半導体層１２ｃの最表面に接する層であってもよい。
【００１５】
基板１１は、積層体１２をエピタキシャル結晶成長させる際に用いられた結晶成長基板である。基板１１および積層体１２は、窒化ガリウム系の半導体によって構成されている。基板１１は、光透過性基板であり、例えば、ＧａＮ基板である。積層体１２は、例えば、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＧａＩｎＮ、ＡｌＧａＩｎＮなどによって構成されている。半導体層１２ａは、例えばＧａＮによって構成されている。半導体層１２ａには、ｎ型不純物として、例えば、シリコン（Ｓｉ）などが含まれている。つまり、半導体層１２ａは、ｎ型半導体層である。半導体層１２ｃは、例えばＧａＮによって構成されている。半導体層１２ｃには、ｐ型不純物として、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）や亜鉛（Ｚｎ）などが含まれている。つまり、半導体層１２ｃは、ｐ型半導体層である。活性層１２ｂは、例えば、量子井戸構造を有している。量子井戸構造の種類としては、例えば、単一量子井戸構造（ＱＷ構造）、または、多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）が挙げられる。量子井戸構造は、井戸層および障壁層を交互に積層させた構造となっている。井戸層および障壁層の組合せとしては、例えば、（ＩｎyＧａ(1-y)Ｎ，ＧａＮ）、（ＩｎyＧａ(1-y)Ｎ，ＩｎzＧａ(1-z)Ｎ）［但し、ｙ＞ｚ］、（ＩｎyＧａ(1-y)Ｎ，ＡｌＧａＮ）などが挙げられる。
【００１６】
電流狭窄層１３は、活性層１２ｂに注入する電流を狭窄するための層である。電流狭窄層１３は、例えば、開口部１３Ａを有する絶縁層によって構成されている。絶縁層は、例えば、積層体１２の最表面に接して形成されており、例えば、ＳｉＯ2などの無機材料によって構成されている。なお、絶縁層は、積層体１２の半導体層１２ｃ側から積層体１２内に不純物を注入することによって形成された高抵抗領域によって構成されていてもよい。発光素子１は、電流狭窄層１３と同等の機能を有するものを、電流狭窄層１３の代わりに備えていてもよい。発光素子１は、例えば、半導体層１２ｃと、電極層１４との間に、開口部１３Ａと同等の大きさを有するコンタクト層を備えていてもよい。このようなコンタクト層は、例えば、半導体層１２ｃの表面全体にコンタクト層を形成したのち、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法等により選択的にエッチングすることにより形成される。このようなコンタクト層が設けられることによっても、電流狭窄を行うことができる。また、発光素子１は、例えば、積層体１２のうち、発光部１０となる部分にマスクをしてドライエッチングをすることにより積層体１２を円柱形状に形成した後、円柱形状の積層体１２を横方向から部分的に酸化することにより形成された環状の酸化領域を有していてもよい。このような酸化領域が設けられることによっても、電流狭窄を行うことができる。開口部１３Ａは、例えば、円形状となっている。開口部１３Ａの直径は、例えば、１０μｍ程度となっている。
【００１７】
電極層１４は、積層体１２のうち、電流狭窄層１３の開口部１３Ａの底面に露出している面に接している。電極層１４は、例えば、透明導電性材料によって構成されている。電極層１４に用いられる透明導電性材料としては、例えば、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)などが挙げられる。電極パッド１５は、外部の電極あるいは回路と電気的に接続されるものであり、電極層１４と電気的に接続されている。電極パッド１５は、例えば、電極層１４のうち開口部１３Ａと非対向の部分に接している。電極パッド１５は、例えば、Ｐｄ／Ｔｉ／Ｐｔ／ＡｕやＴｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕなどによって構成されている。
【００１８】
電極パッド１７は、外部の電極あるいは回路と電気的に接続されるものであり、半導体層１２ａと電気的に接続されている。電流狭窄層１３は、垂直共振器の周囲の領域に開口１３Ｂを有している。積層体１２は、開口１３Ｂと対向する位置に溝を有しており、その溝の底面に半導体層１２ａが露出している。電極パッド１７は、電流狭窄層１３の開口１３Ｂおよび積層体１２の溝を介して半導体層１２ａに接している。電極パッド１７は、例えば、半導体層１２ｃのうち開口部１３Ａと非対向の部分に接している。電極パッド１７は、例えば、Ｐｄ／Ｔｉ／Ｐｔ／ＡｕやＴｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕなどによって構成されている。電極パッド１７は、他の部材を介して半導体層１２ａと電気的に接続されていてもよい。例えば、基板１１がＧａＮ基板などの導電性を有する材料で構成されている場合には、電極パッド１７は基板１１を介して半導体層１２ａと電気的に接続されていてもよい。その場合、電極パッド１７は、基板１１の裏面（後述の平坦面１１Ｓ）に設置されていてもよい。
【００１９】
ＤＢＲ層１６，１８は、それぞれ、例えば、誘電体多層膜によって構成されている。誘電体多層膜は、低屈折率層と高屈折率層とを交互に積層させた構造となっている。低屈折率層の厚さは、λ0／４ｎ1（ｎ1は低屈折率層の屈折率）の奇数倍となっていることが好ましい。高屈折率層の厚さは、λ0／４ｎ2（ｎ2は高屈折率層の屈折率）の奇数倍となっていることが好ましい。ＤＢＲ層１６，１８を構成する誘電体多層膜の材料としては、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、ＡｌＮ、ＭｇＯ、ＺｒＯ2が挙げられる。ＤＢＲ層１６，１８を構成する誘電体多層膜において、低屈折率層および高屈折率層の組み合わせとしては、例えば、ＳｉＯ2／ＳｉＮ、ＳｉＯ2／Ｎｂ2Ｏ5、ＳｉＯ2／ＺｒＯ2、ＳｉＯ2／ＡｌＮ、ＳｉＯ2／Ｔａ2Ｏ5などが挙げられる。ＤＢＲ層１６，１８を構成する誘電体多層膜は、例えば、スパッタ、ＣＶＤまたは蒸着などの成膜法によって形成されている。
【００２０】
金属層１９は、ＤＢＲ層１８の表面に接して形成されており、例えば、ＤＢＲ層１８の表面全体に接して形成されている。金属層１９は、ＤＢＲ層１８の表面に倣って形成されている。金属層１９は、例えば、Ｐｄ／Ｔｉ／Ｐｔ／ＡｕやＴｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕなどによって構成されている。なお、ＤＢＲ層１８に部分的に開口が設けられている場合には、金属層１９は、ＤＢＲ層１８の開口内に露出する基板１１を介して半導体層１２ａと電気的に接続されていてもよい。その場合、金属層１９に対して、電極パッド１７と同様の機能を持たせることができる。
【００２１】
基板１１は、積層体１２とは反対側に突出した凸部１１Ａ（第１凸部）を裏面に有している。凸部１１Ａは、開口１３Ａと対向する位置に設けられている。凸部１１Ａの表面全体が、積層体１２とは反対側に突出した凸曲面状となっている。凸部１１Ａの表面の曲率半径は、垂直共振器における共振器長よりも大きくなっていることが好ましい。凸部１１Ａの表面の曲率半径が垂直共振器における共振器長以下となっている場合には、光場閉じ込めが過剰になり光損失が生じやすくなるからである。
【００２２】
基板１１は、さらに、積層体１２とは反対側に突出した複数の凸部１１Ｂ（第２凸部）を裏面に有している。複数の凸部１１Ｂは、開口１３Ａと対向する位置を避けて設けられており、具体的には、凸部１１Ａの周囲に設けられている。複数の凸部１１Ｂは、例えば、凸部１１Ａを中心として点対称の位置に配置されている。各凸部１１Ｂは、島状の形状となっており、例えば、基板１１の法線方向から見たときに円形状、楕円形状、多角形状となっている。凸部１１Ｂは、凸部１１Ａの高さ以上の高さを有し、少なくとも凸部１１Ａ側の端部の表面が凸曲面状となっている。凸部１１Ｂの表面全体が、積層体１２とは反対側に突出した凸曲面状となっていてもよい。ここで、凸部１１Ｂの、凸部１１Ａ側の端部は、凸部１１Ａ側に突出した凸曲面状となっている。また、凸部１１Ａ，１１Ｂの高さとは、基板１１の裏面において、凸部１１Ａおよび凸部１１Ｂのすそ野に相当する平坦面１１Ｓからの高さを指している。
【００２３】
上述したように、金属層１９は、ＤＢＲ層１８の表面に倣って形成されている。そのため、金属層１９のうち、凸部１１Ａと対向する箇所が、ＤＢＲ層１８の表面に倣って湾曲しており、積層体１２とは反対側に突出した凸部１０Ａを構成している。また、金属層１９のうち、凸部１１Ｂと対向する箇所も、ＤＢＲ層１８の表面に倣って湾曲しており、積層体１２とは反対側に突出した凸部１０Ｂを構成している。凸部１０Ｂは、凸部１０Ａの高さ以上の高さを有し、凸部１０Ａ側の端部の表面が凸曲面状となっている。凸部１０Ｂの表面全体は、例えば、積層体１２とは反対側に突出した凸曲面状となっている。ここで、凸部１０Ａ，１０Ｂの高さとは、基板１１の裏面において、凸部１１Ａおよび凸部１１Ｂのすそ野に相当する平坦面１１Ｓからの高さを指している。
【００２４】
図３は、レンズ直径と、レンズ高さおよび曲率半径との関係の一例を表したものである。レンズ直径とは、凸部１１Ａおよび凸部１１Ｂの直径を指している。レンズ高さとは、凸部１１Ａおよび凸部１１Ｂの高さを指している。曲率半径とは、凸部１１Ａおよび凸部１１Ｂの表面の曲率半径を指している。
【００２５】
上述したように、凸部１１Ｂは、凸部１１Ａの高さ以上の高さを有している。凸部１１Ａおよび凸部１１Ｂの高さは、後述するように、リフローした島状のレジスト層をマスクとした基板１１のエッチングによって形成される。リフローした島状のレジスト層の直径が、図３のレンズ直径に対応する。つまり、リフローした島状のレジスト層の直径を変えることにより、凸部１１Ａおよび凸部１１Ｂの高さや曲率半径が調整され得る。
【００２６】
凸部１１Ｂの形成に用いる島状のレジスト層の直径を、凸部１１Ａの形成に用いる島状のレジスト層の直径よりも小さくする設計を想定する。例えば、凸部１１Ａの形成に用いる島状のレジスト層の直径を８０μｍとし、凸部１１Ｂの形成に用いる島状のレジスト層の直径を３０μｍ以上７０μｍ以下としたとする。このとき、図３によると、凸部１１Ｂを凸部１１Ａよりも高く形成することができる。また、このとき、凸部１１Ａの直径が８０μｍとなり、凸部１１Ｂの直径が３０μｍ以上７０μｍ以下となり、凸部１１Ｂの表面の曲率半径が凸部１１Ａの曲率半径よりも小さくなる。
【００２７】
次に、凸部１１Ｂの形成に用いる島状のレジスト層の直径を、凸部１１Ａの形成に用いる島状のレジスト層の直径よりも大きくする設計を想定する。例えば、凸部１１Ａの形成に用いる島状のレジスト層の直径を３０μｍとし、凸部１１Ｂの形成に用いる島状のレジスト層の直径を４０μｍ以上６０μｍ以下としたとする。このとき、図３によると、凸部１１Ｂを凸部１１Ａよりも高く形成することができる。また、このとき、凸部１１Ａの直径が３０μｍとなり、凸部１１Ｂの直径が４０μｍ以上６０μｍ以下となり、凸部１１Ｂの表面の曲率半径が凸部１１Ａの曲率半径よりも大きくなる。
【００２８】
ＤＢＲ層１８は、少なくとも凸部１１Ａの表面に倣って形成されており、垂直共振器にとっては、凹曲面状の反射鏡として機能する。ＤＢＲ層１８は、積層体１２とは反対側に湾曲した凹曲面状となっている。ＤＢＲ層１８は、凸部１１Ａ，１１Ｂの表面を含む表面全体に倣って形成されていてもよい。図１には、ＤＢＲ層１８が、凸部１１Ａ，１１Ｂの表面を含む表面全体に倣って形成されている場合が例示されている。一方、ＤＢＲ層１６は、電極層１４の表面に倣って形成されており、電極層１４の表面に接して形成されている。ＤＢＲ層１６は、ＤＢＲ層１６のうち、開口部１３Ａと対向する部分は、ほぼ平坦となっている。活性層１２ｂは、ＤＢＲ層１８と比べて、ＤＢＲ層１６および電流狭窄層１３に近接して配置されていることが好ましい。これにより、活性層１２ｂにおける光場閉じ込めが強くなり、レーザ発振が容易となるからである。また、電流狭窄層１３の面積重心点から、開口部１３Ａの内縁までの最短距離ＤCIが以下の式を満たしていることが好ましい。これにより、ＤＢＲ層１８によって反射された光が集光される領域が、電流注入によって活性層１２ｂが利得を持つ領域に含まれるようになり、キャリアからの光の誘導放出が促進され、レーザ発振が容易となるからである。なお、以下の式の導出は、例えば，H. Kogelnik and T. Li, "Laser Beams and Resonators", Applied Optics/Vol. 5, No. 10/ October 1966 に開示されている。また、ω0はビームウェスト半径とも呼ばれる。
【００２９】
ＤCI≧ω0／２
但し、
ω02≡（λ0／π）｛ＬOR（ＲDBR−ＬOR）｝1/2
ここで、
λ0：発振波長
ＬOR：共振器長
ＲDBR：ＤＢＲ層１８の曲率半径（＝凸部１１Ａの表面の曲率半径）
【００３０】
[製造方法]
次に、本実施の形態に係る発光素子１の製造方法について説明する。図４は、発光素子１の製造手順の一例を表したものである。図５〜図１３は、発光素子１の製造過程の一例を表したものである。まず、基板１１の表面（第１主面）上に、例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ：有機金属気相成長）法などのエピタキシャル結晶成長法により積層体１２を形成する（図５）。次に、積層体１２の表面に、例えば、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）法、スパッタ法、蒸着法またはイオンインプランテーションなどにより、開口１３Ａを有する電流狭窄層１３を形成する（図６）。さらに、例えば、スパッタ法または蒸着法などにより、開口１３Ａを覆うように電極層１４を形成したのち、例えば、ＣＶＤ法、スパッタ法または蒸着法などにより、電極層１４上にＤＢＲ層１６を形成する（図６）。電極層１４やＤＢＲ層１６の成形には、例えば、ウエットエッチング法またはドライエッチング法などのエッチング法や、リフトオフ法などのパターン形成法を用いる。
【００３１】
次に、例えば、蒸着法などにより、電極層１４の端部に接するように電極パッド１５を形成する（図７）。次に、例えば、ウエットエッチング法またはドライエッチング法などにより、電流狭窄層１３に開口１３Ｂを形成するとともに、半導体層１２ａが露出するまで積層体１２に溝を形成する（図７）。その後、例えば、蒸着法などにより、電極パッド１７を形成する（図７）。このとき、電流狭窄層１３に形成した開口１３Ｂと、積層体１２に形成した溝を介して半導体層１２ａに接するように電極パッド１７を形成する。
【００３２】
次に、電極パッド１５，１７を含む表面に、接着層２１を介して支持基板２２を貼り合わせる。その後、基板１１のうち、表面（第１主面）とは反対側の裏面（第２主面）を、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）などのエッチングやグラインダで研磨することにより鏡面化する（図８、ステップＳ１０１）。基板１１の厚さは、１００μｍ以下となっていることが好ましい。また、基板１１の裏面の凹凸レベルは、Ｒｍｓ＝１０ｎｍ以下となっていることが好ましく、１ｎｍ以下となっていることが更に好ましい。次に、研磨された基板１１の裏面に、レジストパターンを形成する。その結果、開口部１３Ａと対向する箇所に、レジスト層２３Ａ（第１レジスト層）を島状に形成するとともに、開口部１３Ａと対向する箇所の周囲に、２つ以上のレジスト層２３Ｂ（第２レジスト層）を島状に形成する（図９、ステップＳ１０２）。
【００３３】
このとき、レジスト層２３Ａ，２３Ｂは、支持基板２２の法線方向から見たときに、例えば、円形状、楕円形状、多角形状となっている。レジスト層２３Ａ，２３Ｂの幅Ｒ１，Ｒ２は、互いに異なっている。レジスト層２３Ａ，２３Ｂの幅Ｒ１，Ｒ２は、後述のリフローおよびレジストエッチバックにより、各凸部１１Ｂの高さが凸部１１Ａの高さ以上となるように設定される。具体的には、レジスト層２３Ａ，２３Ｂの幅Ｒ１，Ｒ２は、凸部１１Ｂの高さが凸部１１Ａの高さ以上となるように、図３に記載の関係に基づいて設定される。
【００３４】
凸部１１Ｂの形成に用いる島状のレジスト層２３Ｂの直径を、凸部１１Ａの形成に用いる島状のレジスト層２３Ａの直径よりも小さくする設計を想定する。例えば、レジスト層２３Ａの幅Ｒ１を８０μｍとし、レジスト層２３Ｂの幅Ｒ２を３０μｍ以上７０μｍ以下としたとする。このとき、図３によると、島状のレジスト層２３Ｂによって形成される凸部１１Ｂを、島状のレジスト層２３Ａによって形成される凸部１１Ａよりも高く形成することができる。また、このとき、凸部１１Ａの直径が８０μｍとなり、凸部１１Ｂの直径が３０μｍ以上７０μｍ以下となり、凸部１１Ｂの表面の曲率半径が凸部１１Ａの曲率半径よりも小さくなる。
【００３５】
次に、凸部１１Ｂの形成に用いる島状のレジスト層２３Ｂの直径を、凸部１１Ａの形成に用いる島状のレジスト層２３Ａの直径よりも大きくする設計を想定する。例えば、レジスト層２３Ａの幅Ｒ１を３０μｍとし、レジスト層２３Ｂの幅Ｒ２を４０μｍ以上６０μｍ以下としたとする。このとき、図３によると、島状のレジスト層２３Ｂによって形成される凸部１１Ｂを、島状のレジスト層２３Ａによって形成される凸部１１Ａよりも高く形成することができる。また、このとき、凸部１１Ａの直径が３０μｍとなり、凸部１１Ｂの直径が４０μｍ以上６０μｍ以下となり、凸部１１Ｂの表面の曲率半径が凸部１１Ａの曲率半径よりも大きくなる。
【００３６】
次に、レジスト層２３Ａおよび複数のレジスト層２３Ｂに対して、リフローを行う（図１０、ステップＳ１０３）。これにより、レジスト層２３Ａの表面を凸曲面状にするとともに、複数のレジスト層２３Ｂの表面のうち、少なくともレジスト層２３Ａ側の端部を凸曲面状にする。例えば、レジスト層２３Ａ，２３Ｂの表面全体を凸曲面状にする。このとき、レジスト層２３Ｂの高さがレジスト層２３Ａの高さ以上となる。リフローの条件は、レジスト層２３Ａ，２３Ｂの材料や厚さなどによって異なるが、例えば、１５０℃〜２００℃程度の温度、５分〜１５分程度の時間に設定される。
【００３７】
次に、表面が凸曲面状となっているレジスト層２３Ａ，２３Ｂをマスクとして、基板１１に対してドライエッチングを行う（図１１、ステップＳ１０４）。つまり、リフロー後のレジスト層２３Ａ，２３Ｂをマスクとして、基板１１に対して、レジストエッチバック法を用いたドライエッチングを行う。このとき、基板１１のエッチング速度と、レジスト層２３Ａ，２３Ｂのエッチング速度とをできるだけ等しくすることが好ましい。このようなレジストエッチバック法を用いることにより、基板１１の裏面に、レジスト層２３Ａ，２３Ｂの表面形状によく似た凸曲面状の凸部１１Ａ，１１Ｂを形成することができる。具体的には、レジスト層２３Ａが形成されていた箇所に、凸曲面状の凸部１１Ａを形成することができ、各レジスト層２３Ｂが形成されていた箇所に、少なくとも凸部１１Ａ側の端部の表面が凸曲面状となっている凸部１１Ｂを形成することができる。その結果、各凸部１１Ｂの高さが凸部１１Ａの高さ以上となる。
【００３８】
次に、例えば、ＣＶＤ法、スパッタ法または蒸着法などにより、凸部１１Ａ，１１Ｂの表面を含む表面全体に、ＤＢＲ層１８を形成する（図１２、ステップＳ１０５）。続いて、例えば、スパッタ法または蒸着法などにより、ＤＢＲ層１８の表面全体に、金属層１９を形成する（図１２、ステップＳ１０５）。このとき、金属層１９において、凸部１１Ｂと対向する箇所（凸部１０Ｂ）の高さは、凸部１１Ａと対向する箇所（凸部１０Ａ）の高さ以上となっている。また、金属層１９において、凸部１０Ｂの、凸部１０Ａ側の端部の表面は、凸曲面状となっている。また、金属層１９において、凸部１０Ｂの表面全体が、凸曲面状となっている。このようにして、基板１１（具体的には凸部１１Ａ）と、積層体１２と、電流狭窄層１３の開口部１３Ａとを挟み込む２つのＤＢＲ層１６，１８（垂直共振器）が形成されるとともに、垂直共振器を備えた発光部１０が形成される。その後、接着層２１および支持基板２２を、電極パッド１５，１７を含む表面から剥離し、基板１１を所定の大きさにカットする。このようにして、発光素子１が製造される。
【００３９】
なお、発光素子１の製造方法は、上記の方法に限られるものではない。例えば、基板１１の裏面を鏡面化した後に支持基板２２を剥離し、支持基板２２の無い状態で、凸部１１Ａ，１１Ｂや、ＤＢＲ層１８、金属層１９などを形成してもよい。
【００４０】
[実装]
図１３は、発光素子１の、配線基板３０への実装例を表したものである。配線基板３０は、表面に複数の電極パッド３１を備えている。複数の電極パッド３１の面内レイアウトは、例えば、複数の凸部１１Ｂ（または凸部１０Ｂ）の面内レイアウトと共通している。発光素子１が、複数の凸部１０Ｂを配線基板３０側に向けて、配線基板３０上に実装されている。複数の凸部１０Ｂは、半田バンプ３２を介して、複数の電極パッド３１に固定されている。発光素子１は、実装時に、溶融状態の半田バンプ３２に接する各凸部１０Ｂの凸曲面によるセルフアライメント機能により、位置決めされる。そのため、発光素子１の光軸ＡＸを配線基板３０に対して所定の位置に精度よく配置することができる。また、各凸部１０Ｂの高さが凸部１０Ａの高さ以上となっているので、例えば、発光素子１を配線基板３０に実装する過程で、各凸部１１Ｂが、凸部１１Ａを保護する役割を担うことができる。
【００４１】
[動作]
このような構成の発光素子１では、半導体層１２ｃと電気的に接続された電極パッド１５と、半導体層１２ａと電気的に接続された電極パッド１７との間に所定の電圧が印加されると、開口部１３Ａを通して活性層１２ｂに電流が注入され、これにより電子と正孔の再結合による発光が生じる。この光は、一対のＤＢＲ層１６およびＤＢＲ層１８により反射され、所定の発振波長λ0でレーザ発振が生じる。そして、ＤＢＲ層１６から漏れ出た光がビーム状のレーザ光となって外部に出力される。このとき、積層体１２が窒化物系の半導体材料によって構成されている場合には、例えば、青色系のレーザ光がＤＢＲ層１６から外部に出射される。なお、ＤＢＲ層１８に部分的に開口が設けられている場合には、金属層１９を、ＤＢＲ層１８の開口内に露出する基板１１を介して半導体層１２ａと電気的に接続することにより、金属層１９に対して、電極パッド１７と同様の機能を持たせることができる。
【００４２】
[効果]
次に、本実施の形態に係る発光素子１での効果について説明する。
【００４３】
面発光レーザの反射鏡を凹曲面状とした場合、面発光レーザの光軸を配線基板に対して所定の位置に配置するだけでなく、凹曲面状の反射鏡を保護することが求められる。例えば、上記特許文献１に記載の発明では、基板のうち、発光素子直下の部分をエッチングすることにより開口部を形成し、開口部の底面に対してレンズ加工を行う。これにより、レンズを保護することはできるが、基板に開口部を形成するためには、数十〜数百μｍもの深さまで基板を掘ることが必要である。そのため、技術的な難易度が高く、量産に向かない。また、開口部の底面にはエッチングダメージが残るので、開口部の底面はレンズ形成には向かない。また、発光素子を実装する際に、基板のうち、開口部の端縁に相当する箇所を位置決めに使うことができるか否かわからない。
【００４４】
一方、本実施の形態では、基板１１の、積層体１２とは反対側の面に、ＤＢＲ層１８に接するとともに開口部１３Ａと対向する凸曲面状の凸部１１Ａが設けられている。基板１１には、さらに、凸部１１Ａの周囲に、凸部１１Ａの高さ以上の高さを有する複数の凸部１１Ｂが設けられている。各凸部１１Ｂにおいて、凸部１１Ａ側の端部の表面が凸曲面状となっている。これにより、発光素子１の実装位置が、凸部１１Ｂの凸曲面に倣って形成された金属層１９（凸部１０Ｂ）の凸曲面によるセルフアライメント機能により決定される。また、発光素子１の製造過程や実装過程で、凸部１１Ａが、凸部１１Ｂによって保護される。その結果、発光素子１の配線基板３０に対する位置合わせを精度良く行うことができ、かつ、ＤＢＲ層１８を保護することもできる。
【００４５】
また、本実施の形態では、凸部１１Ａおよび各凸部１０Ｂは、島状の形状となっている。これにより、例えば、図３に示した関係を利用したレジストエッチバックを行うことで、各凸部１１Ｂを凸部１１Ａ以上の高さとすることができるだけでなく、凸部１１Ａおよび各凸部１１Ｂを一括して形成することができる。その結果、製造手順を増やすことなく、発光素子１の配線基板３０に対する位置合わせを精度良く行うことができ、かつ、ＤＢＲ層１８を保護することもできる。また、凸部１１Ａおよび各凸部１０Ｂを同時に形成することができるので、無用なエッチングによるダメージに起因するラフネス悪化を避けることができる。これにより、ラフネス悪化による回折損失を抑制することができ、また、応力集中によるクラック等を抑制することができる。
【００４６】
また、本実施の形態では、基板１１はＧａＮ基板である。これにより、例えば、図３に示した関係を利用したレジストエッチバックをＧａＮ基板に対して行うことで、各凸部１１Ｂを凸部１１Ａ以上の高さとすることができるだけでなく、凸部１１Ａおよび各凸部１１Ｂを一括して形成することができる。その結果、製造手順を増やすことなく、発光素子１の配線基板３０に対する位置合わせを精度良く行うことができ、かつ、ＤＢＲ層１８を保護することもできる。また、凸部１１Ａおよび各凸部１０Ｂを同時に形成することができるので、無用なエッチングによるダメージに起因するラフネス悪化を避けることができる。これにより、ラフネス悪化による回折損失を抑制することができ、また、応力集中によるクラック等を抑制することができる。
【００４７】
また、本実施の形態では、製造過程において、基板１１の裏面に設けられた島状のレジスト層２３Ａおよび島状の複数のレジスト層２３Ｂに対して、リフローが行われる。これにより、レジスト層２３Ａの表面が凸曲面状となり、複数のレジスト層２３Ｂの表面のうち、少なくともレジスト層２３Ａ側の端部が凸曲面状となる。さらに、リフローを行った後のレジスト層２３Ａおよび複数のレジスト層２３Ｂをマスクとして、レジストエッチバック法を用いたドライエッチングが行われる。これにより、基板１１の裏面に、レジスト層２３Ａが形成されていた箇所に凸曲面状の凸部１１Ａが形成され、複数のレジスト層２３Ｂが形成されていた箇所に、少なくともレジスト層２３Ａ側の端部が凸曲面状の複数の凸部１１Ｂが形成される。レジスト層２３Ａおよび複数のレジスト層２３Ｂのそれぞれの幅Ｒ１，Ｒ２は、リフローおよびレジストエッチバックにより、各凸部１１Ｂの高さが凸部１１Ａの高さ以上となるように設定される。これにより、発光素子１の実装位置が、凸部１１Ｂの凸曲面に倣って形成された金属層１９の凸曲面によるセルフアライメント機能により決定される。また、発光素子１の製造過程や実装過程で、凸部１１Ａが、凸部１１Ｂによって保護される。従って、製造手順を増やすことなく、発光素子１の配線基板３０に対する位置合わせを精度良く行うことができ、かつ、ＤＢＲ層１８を保護することもできる。また、凸部１１Ａおよび各凸部１０Ｂを同時に形成することができるので、無用なエッチングによるダメージに起因するラフネス悪化を避けることができる。これにより、ラフネス悪化による回折損失を抑制することができ、また、応力集中によるクラック等を抑制することができる。
【００４８】
また、本実施の形態では、製造過程において、レジスト層２３Ａが１つ形成されとともに、レジスト層２３Ｂが２つ以上形成され、さらに、レジスト層２３Ａおよび各レジスト層２３Ｂが島状に形成される。これにより、レジスト層２３Ａおよび複数のレジスト層２３Ｂのそれぞれの幅Ｒ１，Ｒ２を所望の値に設定するだけで、各凸部１１Ｂの高さを凸部１１Ａの高さ以上にすることができる。従って、製造手順を増やすことなく、発光素子１配線基板３０に対する位置合わせを精度良く行うことができ、かつ、ＤＢＲ層１８を保護することもできる。また、凸部１１Ａおよび各凸部１０Ｂを同時に形成することができるので、無用なエッチングによるダメージに起因するラフネス悪化を避けることができる。これにより、ラフネス悪化による回折損失を抑制することができ、また、応力集中によるクラック等を抑制することができる。
【００４９】
＜２．変形例＞
次に、上記実施の形態の発光素子１の変形例について説明する。
【００５０】
[変形例Ａ]
図１４は、発光素子１の一変形例を表したものである。本変形例では、凸部１１Ｂが１つだけ設けられている。本変形例において、凸部１１Ｂは、環形状となっている。凸部１１Ｂは、例えば、円環形状、楕円環形状、多角環形状となっている。凸部１１Ａは、凸部１１Ｂの開口内に配置されている。凸部１１Ｂは、開口１３Ａと対向する位置を避けて設けられており、凸部１１Ａの周囲に設けられている。凸部１１Ｂは、例えば、凸部１１Ａを中心として点対称の位置に配置されている。凸部１１Ｂは、凸部１１Ａの高さ以上の高さを有し、少なくとも凸部１１Ａ側の端部（内周側の端部）の表面が凸曲面状となっている。凸部１１Ｂの表面全体が、凸部１１Ｂの幅方向において、積層体１２とは反対側に突出した凸曲面状となっていてもよい。
【００５１】
凸部１１Ｂの高さは、後述するように、リフローした環形状のレジスト層をマスクとした基板１１のエッチングによって形成される。リフローした環形状のレジスト層の幅が、図３のレンズ直径に対応する。つまり、リフローした環形状のレジスト層の幅を変えることにより、凸部１１Ｂの高さや幅方向の曲率半径が調整され得る。
【００５２】
凸部１１Ｂの形成に用いる環形状のレジスト層の幅を、凸部１１Ａの形成に用いる島状のレジスト層の直径よりも小さくする設計を想定する。例えば、凸部１１Ａの形成に用いる島状のレジスト層の直径を８０μｍとし、凸部１１Ｂの形成に用いる環形状のレジスト層の幅を３０μｍ以上７０μｍ以下としたとする。このとき、図３によると、凸部１１Ｂを凸部１１Ａよりも高く形成することができる。また、このとき、凸部１１Ａの直径が８０μｍとなり、凸部１１Ｂの幅が３０μｍ以上７０μｍ以下となり、凸部１１Ｂの表面の曲率半径が凸部１１Ａの曲率半径よりも小さくなる。
【００５３】
次に、凸部１１Ｂの形成に用いる環形状のレジスト層の幅を、凸部１１Ａの形成に用いる島状のレジスト層の直径よりも大きくする設計を想定する。例えば、凸部１１Ａの形成に用いる島状のレジスト層の直径を３０μｍとし、凸部１１Ｂの形成に用いる環形状のレジスト層の幅を４０μｍ以上６０μｍ以下としたとする。このとき、図３によると、凸部１１Ｂを凸部１１Ａよりも高く形成することができる。また、このとき、凸部１１Ａの直径が３０μｍとなり、凸部１１Ｂの幅が４０μｍ以上６０μｍ以下となり、凸部１１Ｂの表面の曲率半径が凸部１１Ａの曲率半径よりも大きくなる。
【００５４】
凸部１１Ａ，１１Ｂは、例えば、以下のようにして形成される。まず、図８に示したように、基板１１の裏面を鏡面化する。次に、研磨された基板１１の裏面に、レジストパターンを形成する。その結果、開口部１３Ａと対向する箇所に、レジスト層２３Ａ（第１レジスト層）を島状に形成するとともに、開口部１３Ａと対向する箇所の周囲に、レジスト層２３Ｂ（第２レジスト層）を環形状に形成する（図１５）。
【００５５】
レジスト層２３Ａ，２３Ｂの幅Ｒ１，Ｒ２は、リフローおよびレジストエッチバックにより、各凸部１１Ｂの高さが凸部１１Ａの高さ以上となるように設定される。具体的には、レジスト層２３Ａ，２３Ｂの幅Ｒ１，Ｒ２は、凸部１１Ｂの高さが凸部１１Ａの高さ以上となるように、図３に記載の関係に基づいて設定される。
【００５６】
凸部１１Ｂの形成に用いる環形状のレジスト層２３Ｂの幅を、凸部１１Ａの形成に用いる島状のレジスト層２３Ａの直径よりも小さくする設計を想定する。例えば、レジスト層２３Ａの幅Ｒ１を８０μｍとし、レジスト層２３Ｂの幅Ｒ２を３０μｍ以上７０μｍ以下としたとする。このとき、図３によると、環形状のレジスト層２３Ｂによって形成される凸部１１Ｂを、島状のレジスト層２３Ａによって形成される凸部１１Ａよりも高く形成することができる。また、このとき、凸部１１Ａの直径が８０μｍとなり、凸部１１Ｂの幅が３０μｍ以上７０μｍ以下となり、凸部１１Ｂの表面の曲率半径が凸部１１Ａの曲率半径よりも小さくなる。
【００５７】
次に、凸部１１Ｂの形成に用いる環形状のレジスト層２３Ｂの幅を、凸部１１Ａの形成に用いる島状のレジスト層２３Ａの直径よりも大きくする設計を想定する。例えば、レジスト層２３Ａの幅Ｒ１を３０μｍとし、レジスト層２３Ｂの幅Ｒ２を４０μｍ以上６０μｍ以下としたとする。このとき、図３によると、島状のレジスト層２３Ｂによって形成される凸部１１Ｂを、島状のレジスト層２３Ａによって形成される凸部１１Ａよりも高く形成することができる。また、このとき、凸部１１Ａの直径が３０μｍとなり、凸部１１Ｂの幅が４０μｍ以上６０μｍ以下となり、凸部１１Ｂの表面の曲率半径が凸部１１Ａの曲率半径よりも大きくなる。
【００５８】
次に、レジスト層２３Ａ，２３Ｂに対して、リフローを行う。これにより、レジスト層２３Ａの表面を凸曲面状にするとともに、レジスト層２３Ｂの表面のうち、少なくともレジスト層２３Ａ側の端部を凸曲面状にする。例えば、レジスト層２３Ａの表面全体を凸曲面状にするとともに、レジスト層２３Ｂの幅方向の表面形状を凸曲面状にする。このとき、レジスト層２３Ｂの高さがレジスト層２３Ａの高さ以上となる。
【００５９】
次に、表面が凸曲面状となっているレジスト層２３Ａ，２３Ｂをマスクとして、基板１１に対してドライエッチングを行う。つまり、リフロー後のレジスト層２３Ａ，２３Ｂをマスクとして、基板１１に対して、レジストエッチバック法を用いたドライエッチングを行う。このとき、基板１１のエッチング速度と、レジスト層２３Ａ，２３Ｂのエッチング速度とをできるだけ等しくすることが好ましい。このようなレジストエッチバック法を用いることにより、基板１１の裏面に、レジスト層２３Ａ，２３Ｂの表面形状によく似た凸曲面状の凸部１１Ａ，１１Ｂを形成することができる。具体的には、レジスト層２３Ａが形成されていた箇所に、凸曲面状の凸部１１Ａを形成し、各レジスト層２３Ｂが形成されていた箇所に、少なくとも凸部１１Ａ側の端部（内周側の端部）の表面が凸曲面状となっている凸部１１Ｂを形成することができる。その結果、凸部１１Ｂの高さが凸部１１Ａの高さ以上となる。
【００６０】
次に、本変形例の発光素子１の効果について説明する。
【００６１】
本変形例では、基板１１の、積層体１２とは反対側の面に、ＤＢＲ層１８に接するとともに開口部１３Ａと対向する凸曲面状の凸部１１Ａが設けられている。基板１１には、さらに、凸部１１Ａの周囲に、凸部１１Ａの高さ以上の高さを有する環形状の凸部１１Ｂが設けられている。環形状の凸部１１Ｂにおいて、少なくとも凸部１１Ａ側の端部（内周側の端部）の表面が凸曲面状となっている。これにより、発光素子１の実装位置が、凸部１１Ｂの凸曲面に倣って形成された金属層１９（凸部１０Ｂ）の凸曲面によるセルフアライメント機能により決定される。また、発光素子１の製造過程や実装過程で、凸部１１Ａが、凸部１１Ｂによって保護される。その結果、発光素子１の配線基板３０に対する位置合わせを精度良く行うことができ、かつ、ＤＢＲ層１８を保護することもできる。
【００６２】
また、本変形例では、凸部１１Ａは島状の形状となっており、凸部１０Ｂは環形状となっている。これにより、例えば、図３に示した関係を利用したレジストエッチバックを行うことで、凸部１１Ｂを凸部１１Ａ以上の高さとすることができるだけでなく、凸部１１Ａおよび凸部１１Ｂを一括して形成することができる。その結果、製造手順を増やすことなく、発光素子１の配線基板３０に対する位置合わせを精度良く行うことができ、かつ、ＤＢＲ層１８を保護することもできる。また、凸部１１Ａおよび凸部１０Ｂを同時に形成することができるので、無用なエッチングによるダメージに起因するラフネス悪化を避けることができる。これにより、ラフネス悪化による回折損失を抑制することができ、また、応力集中によるクラック等を抑制することができる。
【００６３】
また、本変形例では、製造過程において、基板１１の裏面に設けられた島状のレジスト層２３Ａおよび環形状のレジスト層２３Ｂに対して、リフローが行われる。これにより、レジスト層２３Ａの表面が凸曲面状となり、レジスト層２３Ｂの表面のうち、少なくともレジスト層２３Ａ側の端部（内周側の端部）の表面が凸曲面状となる。さらに、リフローを行った後のレジスト層２３Ａおよびレジスト層２３Ｂをマスクとして、レジストエッチバック法を用いたドライエッチングが行われる。これにより、基板１１の裏面に、レジスト層２３Ａが形成されていた箇所に凸曲面状の凸部１１Ａが形成され、レジスト層２３Ｂが形成されていた箇所に、少なくともレジスト層２３Ａ側の端部（内周側の端部）の表面が凸曲面状の凸部１１Ｂが形成される。レジスト層２３Ａおよびレジスト層２３Ｂのそれぞれの幅Ｒ１，Ｒ２は、リフローおよびレジストエッチバックにより、各凸部１１Ｂの高さが凸部１１Ａの高さ以上となるように設定される。これにより、発光素子１の実装位置が、凸部１１Ｂの凸曲面に倣って形成された金属層１９の凸曲面によるセルフアライメント機能により決定される。また、発光素子１の製造過程や実装過程で、凸部１１Ａが、凸部１１Ｂによって保護される。従って、製造手順を増やすことなく、発光素子１の配線基板３０に対する位置合わせを精度良く行うことができ、かつ、ＤＢＲ層１８を保護することもできる。また、凸部１１Ａおよび凸部１０Ｂを同時に形成することができるので、無用なエッチングによるダメージに起因するラフネス悪化を避けることができる。これにより、ラフネス悪化による回折損失を抑制することができ、また、応力集中によるクラック等を抑制することができる。
【００６４】
また、本変形例では、製造過程において、レジスト層２３Ａが１つ形成されとともに、レジスト層２３Ｂが１つ形成され、さらに、レジスト層２３Ａが島状に形成されるとともに、レジスト層２３Ｂが環形状に形成される。これにより、レジスト層２３Ａおよびレジスト層２３Ｂのそれぞれの幅Ｒ１，Ｒ２を所望の値に設定するだけで、凸部１１Ｂの高さを凸部１１Ａの高さ以上にすることができる。従って、製造手順を増やすことなく、発光素子１の配線基板３０に対する位置合わせを精度良く行うことができ、かつ、ＤＢＲ層１８を保護することもできる。また、凸部１１Ａおよび凸部１０Ｂを同時に形成することができるので、無用なエッチングによるダメージに起因するラフネス悪化を避けることができる。これにより、ラフネス悪化による回折損失を抑制することができ、また、応力集中によるクラック等を抑制することができる。
【００６５】
[変形例Ｂ]
図１６は、発光素子１の一変形例を表したものである。本変形例では、凸部１１Ｂが２つ以上設けられている。本変形例において、複数の凸部１１Ｂは、環状の凸部が複数に分断された形状およびレイアウトとなっている。各凸部１１Ｂは、真っ直ぐな棒形状、または、湾曲した棒形状となっている。複数の凸部１１Ｂは、開口１３Ａと対向する位置を避けて設けられており、凸部１１Ａの周囲に設けられている。複数の凸部１１Ｂは、例えば、凸部１１Ａを中心として点対称の位置に配置されている。各凸部１１Ｂは、凸部１１Ａの高さ以上の高さを有し、少なくとも凸部１１Ａ側の端部の表面が凸曲面状となっている。各凸部１１Ｂの表面全体が、凸部１１Ｂの幅方向において、積層体１２とは反対側に突出した凸曲面状となっていてもよい。
【００６６】
凸部１１Ｂの高さは、後述するように、リフローした棒形状のレジスト層をマスクとした基板１１のエッチングによって形成される。リフローした棒形状のレジスト層の幅が、図３のレンズ直径に対応する。つまり、リフローした棒形状のレジスト層の幅を変えることにより、凸部１１Ｂの高さや幅方向の曲率半径が調整され得る。
【００６７】
凸部１１Ｂの形成に用いる棒形状のレジスト層の幅を、凸部１１Ａの形成に用いる島状のレジスト層の直径よりも小さくする設計を想定する。例えば、凸部１１Ａの形成に用いる島状のレジスト層の直径を８０μｍとし、凸部１１Ｂの形成に用いる棒形状のレジスト層の幅を３０μｍ以上７０μｍ以下としたとする。このとき、図３によると、凸部１１Ｂを凸部１１Ａよりも高く形成することができる。また、このとき、凸部１１Ａの直径が８０μｍとなり、凸部１１Ｂの幅が３０μｍ以上７０μｍ以下となり、凸部１１Ｂの表面の曲率半径が凸部１１Ａの曲率半径よりも小さくなる。
【００６８】
次に、凸部１１Ｂの形成に用いる棒形状のレジスト層の幅を、凸部１１Ａの形成に用いる島状のレジスト層の直径よりも大きくする設計を想定する。例えば、凸部１１Ａの形成に用いる島状のレジスト層の直径を３０μｍとし、凸部１１Ｂの形成に用いる棒形状のレジスト層の幅を４０μｍ以上６０μｍ以下としたとする。このとき、図３によると、凸部１１Ｂを凸部１１Ａよりも高く形成することができる。また、このとき、凸部１１Ａの直径が３０μｍとなり、凸部１１Ｂの幅が４０μｍ以上６０μｍ以下となり、凸部１１Ｂの表面の曲率半径が凸部１１Ａの曲率半径よりも大きくなる。
【００６９】
凸部１１Ａ，１１Ｂは、例えば、以下のようにして形成される。まず、図８に示したように、基板１１の裏面を鏡面化する。次に、研磨された基板１１の裏面に、レジストパターンを形成する。その結果、開口部１３Ａと対向する箇所に、レジスト層２３Ａ（第１レジスト層）を島状に形成するとともに、開口部１３Ａと対向する箇所の周囲に、各レジスト層２３Ｂ（第２レジスト層）を、環状の凸部が複数に分断された形状およびレイアウトとなるように形成する（図１７）。
【００７０】
レジスト層２３Ａ，２３Ｂの幅Ｒ１，Ｒ２は、リフローおよびレジストエッチバックにより、各凸部１１Ｂの高さが凸部１１Ａの高さ以上となるように設定される。具体的には、レジスト層２３Ａ，２３Ｂの幅Ｒ１，Ｒ２は、凸部１１Ｂの高さが凸部１１Ａの高さ以上となるように、図３に記載の関係に基づいて設定される。
【００７１】
凸部１１Ｂの形成に用いる棒形状のレジスト層２３Ｂの幅を、凸部１１Ａの形成に用いる島状のレジスト層２３Ａの直径よりも小さくする設計を想定する。例えば、レジスト層２３Ａの幅Ｒ１を８０μｍとし、レジスト層２３Ｂの幅Ｒ２を３０μｍ以上７０μｍ以下としたとする。このとき、図３によると、棒形状のレジスト層２３Ｂによって形成される凸部１１Ｂを、島状のレジスト層２３Ａによって形成される凸部１１Ａよりも高く形成することができる。また、このとき、凸部１１Ａの直径が８０μｍとなり、凸部１１Ｂの幅が３０μｍ以上７０μｍ以下となり、凸部１１Ｂの表面の曲率半径が凸部１１Ａの曲率半径よりも小さくなる。
【００７２】
次に、凸部１１Ｂの形成に用いる棒形状のレジスト層２３Ｂの幅を、凸部１１Ａの形成に用いる島状のレジスト層２３Ａの直径よりも大きくする設計を想定する。例えば、レジスト層２３Ａの幅Ｒ１を３０μｍとし、レジスト層２３Ｂの幅Ｒ２を４０μｍ以上６０μｍ以下としたとする。このとき、図３によると、棒形状のレジスト層２３Ｂによって形成される凸部１１Ｂを、島状のレジスト層２３Ａによって形成される凸部１１Ａよりも高く形成することができる。また、このとき、凸部１１Ａの直径が３０μｍとなり、凸部１１Ｂの幅が４０μｍ以上６０μｍ以下となり、凸部１１Ｂの表面の曲率半径が凸部１１Ａの曲率半径よりも大きくなる。
【００７３】
次に、レジスト層２３Ａ，２３Ｂに対して、リフローを行う。これにより、レジスト層２３Ａの表面を凸曲面状にするとともに、レジスト層２３Ｂの表面のうち、少なくともレジスト層２３Ａ側の端部を凸曲面状にする。例えば、レジスト層２３Ａの表面全体を凸曲面状にするとともに、レジスト層２３Ｂの幅方向の表面形状を凸曲面状にする。このとき、レジスト層２３Ｂの高さがレジスト層２３Ａの高さ以上となる。
【００７４】
次に、表面が凸曲面状となっているレジスト層２３Ａ，２３Ｂをマスクとして、基板１１に対してドライエッチングを行う。つまり、リフロー後のレジスト層２３Ａ，２３Ｂをマスクとして、基板１１に対して、レジストエッチバック法を用いたドライエッチングを行う。このとき、基板１１のエッチング速度と、レジスト層２３Ａ，２３Ｂのエッチング速度とをできるだけ等しくすることが好ましい。このようなレジストエッチバック法を用いることにより、基板１１の裏面に、レジスト層２３Ａ，２３Ｂの表面形状によく似た凸曲面状の凸部１１Ａ，１１Ｂを形成することができる。具体的には、レジスト層２３Ａが形成されていた箇所に、凸曲面状の凸部１１Ａを形成し、各レジスト層２３Ｂが形成されていた箇所に、少なくとも凸部１１Ａ側の端部（内周側の端部）の表面が凸曲面状となっている凸部１１Ｂを形成することができる。その結果、凸部１１Ｂの高さが凸部１１Ａの高さ以上となる。
【００７５】
次に、本変形例の発光素子１の効果について説明する。
【００７６】
本変形例では、基板１１の、積層体１２とは反対側の面に、ＤＢＲ層１８に接するとともに開口部１３Ａと対向する凸曲面状の凸部１１Ａが設けられている。基板１１には、さらに、凸部１１Ａの周囲に、凸部１１Ａの高さ以上の高さを有する棒形状の複数の凸部１１Ｂが設けられている。棒形状の各凸部１１Ｂにおいて、少なくとも凸部１１Ａ側の端部の表面が凸曲面状となっている。これにより、発光素子１の実装位置が、凸部１１Ｂの凸曲面に倣って形成された金属層１９（凸部１０Ｂ）の凸曲面によるセルフアライメント機能により決定される。また、発光素子１の製造過程や実装過程で、凸部１１Ａが、凸部１１Ｂによって保護される。その結果、発光素子１の配線基板３０に対する位置合わせを精度良く行うことができ、かつ、ＤＢＲ層１８を保護することもできる。
【００７７】
また、本変形例では、凸部１１Ａは島状の形状となっており、凸部１０Ｂは棒形状となっている。これにより、例えば、図３に示した関係を利用したレジストエッチバックを行うことで、凸部１１Ｂを凸部１１Ａ以上の高さとすることができるだけでなく、凸部１１Ａおよび凸部１１Ｂを一括して形成することができる。また、互いに隣接する２つの凸部１０Ｂの間に隙間が存在するので、例えば、凸部１１ＡをＣＭＰなどにより研磨する際に、その隙間を利用して研磨液を流し込む位置を制御することができる。従って、製造手順を増やすことなく、凸部１１Ａの形状を歪ませたり、あるいは、凸部１１Ａの形状歪みに対して軸対称に近づけるなどの調整をしたりすることが可能である。また、凸部１１Ａおよび凸部１１Ｂにより、ＤＢＲ層１８を保護することもできる。また、凸部１１Ａおよび凸部１０Ｂを同時に形成することができるので、無用なエッチングによるダメージに起因するラフネス悪化を避けることができる。これにより、ラフネス悪化による回折損失を抑制することができ、また、応力集中によるクラック等を抑制することができる。
【００７８】
また、本変形例では、製造過程において、基板１１の裏面に設けられた島状のレジスト層２３Ａおよび棒形状のレジスト層２３Ｂに対して、リフローが行われる。これにより、レジスト層２３Ａの表面が凸曲面状となり、レジスト層２３Ｂの表面のうち、少なくともレジスト層２３Ａ側の端部の表面が凸曲面状となる。さらに、リフローを行った後のレジスト層２３Ａおよびレジスト層２３Ｂをマスクとして、レジストエッチバック法を用いたドライエッチングが行われる。これにより、基板１１の裏面に、レジスト層２３Ａが形成されていた箇所に凸曲面状の凸部１１Ａが形成され、レジスト層２３Ｂが形成されていた箇所に、少なくともレジスト層２３Ａ側の端部の表面が凸曲面状の凸部１１Ｂが形成される。レジスト層２３Ａおよびレジスト層２３Ｂのそれぞれの幅Ｒ１，Ｒ２は、リフローおよびレジストエッチバックにより、各凸部１１Ｂの高さが凸部１１Ａの高さ以上となるように設定される。これにより、発光素子１の実装位置が、凸部１１Ｂの凸曲面に倣って形成された金属層１９の凸曲面によるセルフアライメント機能により決定される。また、発光素子１の製造過程や実装過程で、凸部１１Ａが、凸部１１Ｂによって保護される。従って、製造手順を増やすことなく、発光素子１の配線基板３０に対する位置合わせを精度良く行うことができ、かつ、ＤＢＲ層１８を保護することもできる。また、凸部１１Ａおよび凸部１０Ｂを同時に形成することができるので、無用なエッチングによるダメージに起因するラフネス悪化を避けることができる。これにより、ラフネス悪化による回折損失を抑制することができ、また、応力集中によるクラック等を抑制することができる。
【００７９】
また、本変形例では、製造過程において、レジスト層２３Ａが１つ形成されとともに、レジスト層２３Ｂが２つ以上形成され、さらに、レジスト層２３Ａが島状に形成されるとともに、レジスト層２３Ｂが棒形状に形成される。これにより、レジスト層２３Ａおよびレジスト層２３Ｂのそれぞれの幅Ｒ１，Ｒ２を所望の値に設定するだけで、凸部１１Ｂの高さを凸部１１Ａの高さ以上にすることができる。従って、製造手順を増やすことなく、発光素子１の配線基板３０に対する位置合わせを精度良く行うことができ、かつ、ＤＢＲ層１８を保護することもできる。また、凸部１１Ａおよび凸部１０Ｂを同時に形成することができるので、無用なエッチングによるダメージに起因するラフネス悪化を避けることができる。これにより、ラフネス悪化による回折損失を抑制することができ、また、応力集中によるクラック等を抑制することができる。
【００８０】
[変形例Ｃ]
図１８は、図１の発光素子１の一変形例を表したものである。図１９は、図１８の発光素子１の上面構成例を表したものである。図２０は、図２の発光素子１の一変形例を表したものである。図２１は、図２の発光素子１の一変形例を表したものである。
【００８１】
本変形例の発光素子１は、上記実施の形態の発光素子１において、凸部１１Ｂ，１１Ｃと対向する位置にバンプ２０（バンプメタル）をさらに設けたものに相当する。バンプ２０は、例えば、ＤＢＲ層１８および金属層１９を貫通する貫通孔に設けられている。バンプ２０の高さは、凸部１０Ａの高さ以上の高さとなっている。ここで、バンプ２０の高さとは、基板１１の裏面において、凸部１１Ａのすそ野に相当する平坦面１１Ｓからの高さを指している。このような構成とした場合であっても、バンプ２０が、上記実施の形態の凸部１０Ｂ，１０Ｃと同様の機能を発揮する。その結果、発光素子１の配線基板３０に対する位置合わせを精度良く行うことができ、かつ、ＤＢＲ層１８を保護することもできる。
【００８２】
以上、実施の形態およびその変形例を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。なお、本明細書中に記載された効果は、あくまで例示である。本開示の効果は、本明細書中に記載された効果に限定されるものではない。本開示が、本明細書中に記載された効果以外の効果を持っていてもよい。
【００８３】
また、例えば、本開示は以下のような構成を取ることができる。
（１）
活性層と、前記活性層を挟み込む第１半導体層および第２半導体層とを含む積層体と、
開口部を有する電流狭窄層と、
前記積層体および前記開口部を挟み込む、前記第１半導体層側の凹曲面状の第１反射鏡および前記第２半導体層側の第２反射鏡と、
前記第１反射鏡と前記積層体との間に設けられた光透過性基板と
を備え、
前記光透過性基板は、前記積層体とは反対側の面に、
前記第１反射鏡に接する凸曲面状の第１凸部と、
前記第１凸部の周囲に設けられ、前記第１凸部の高さ以上の高さを有し、前記第１凸部側の端部が凸曲面状となっている１または複数の第２凸部と
を有する
発光素子。
（２）
前記第２反射鏡は、前記第１凸部および前記第２凸部の表面を含む面に倣って形成されている
（１）に記載の発光素子。
（３）
当該発光素子は、前記第２反射鏡の表面に倣って形成された金属層をさらに備えた
（２）に記載の発光素子。
（４）
前記光透過性基板は、複数の前記第２凸部を有し、
各前記第２凸部は、島状の形状となっている
（１）ないし（３）のいずれか一つに記載の発光素子。
（５）
前記光透過性基板は、１つの前記第２凸部を有し、
前記第２凸部は、円環形状となっている
（１）ないし（３）のいずれか一つに記載の発光素子。
（６）
前記光透過性基板は、複数の前記第２凸部を有し、
複数の前記第２凸部は、環状の凸部が複数に分断された形状およびレイアウトとなっている
（１）ないし（３）のいずれか一つに記載の発光素子。
（７）
前記第２凸部と対向する位置に形成されたバンプメタルをさらに備えた
（１）ないし（６）のいずれか一つに記載の発光素子。
（８）
前記光透過性基板は、ＧａＮ基板である
（１）ないし（７）のいずれか１つに記載の発光素子。
（９）
光透過性基板の第１主面上に、活性層と、前記活性層を挟み込む第１半導体層および第２半導体層とを含む積層体と、開口部を有する電流狭窄層とを備えた発光素子基板において、前記光透過性基板のうち、前記第１主面とは反対側の第２主面に、前記開口部と対向する箇所に第１レジスト層を形成するとともに、前記開口部と対向する箇所の周囲に１または複数の第２レジスト層を形成するレジスト形成ステップと、
前記第１レジスト層および１または複数の前記第２レジスト層に対して、リフローを行うことにより、前記第１レジスト層の表面を凸曲面状にするとともに、１または複数の前記第２レジスト層の表面のうち、少なくとも前記第１レジスト層側の端部を凸曲面状にするリフローステップと、
前記リフローを行った後の前記第１レジスト層および１または複数の前記第２レジスト層をマスクとして、レジストエッチバック法を用いたドライエッチングを行うことにより、前記基板の前記第２主面に、前記第１レジスト層が形成されていた箇所に凸曲面状の第１凸部を形成し、１または複数の前記第２レジスト層が形成されていた箇所に、少なくとも前記第１レジスト層側の端部が凸曲面状の第２凸部を形成する凸部形成ステップと
を含み、
前記レジスト形成ステップにおいて、前記第１レジスト層および１または複数の前記第２レジスト層のそれぞれの幅は、前記リフローおよび前記レジストエッチバックにより、各前記第２凸部の高さが前記第１凸部の高さ以上となるように設定される
発光素子の製造方法。
（１０）
前記レジスト形成ステップにおいて、前記第１レジスト層を１つ形成するとともに、前記第２レジスト層を２つ以上形成し、さらに、前記第１レジスト層および各前記第２レジスト層を島状に形成する
（９）に記載の発光素子の製造方法。
（１１）
前記レジスト形成ステップにおいて、前記第１レジスト層を１つ形成するとともに、前記第２レジスト層を１つ形成し、さらに、前記第１レジスト層を島状に形成するとともに、前記第２レジスト層を円環形状に形成する
（９）に記載の発光素子の製造方法。
（１２）
前記レジスト形成ステップにおいて、前記第１レジスト層を１つ形成するとともに、前記第２レジスト層を２つ以上形成し、さらに、前記第１レジスト層を島状に形成するとともに、各前記第２レジスト層を、環状の凸部が複数に分断された形状およびレイアウトとなるように形成する
（９）に記載の発光素子の製造方法。
【００８４】
本出願は、日本国特許庁において２０１７年５月３１日に出願された日本特許出願番号第２０１７−１０７８３０号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願のすべての内容を参照によって本出願に援用する。
【００８５】
当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【国際調査報告】
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