(57)【要約】  静電チャックとガラス基板との間にパーティクルなどの異物の挟み込みによるガラス基板表面もしくはチャック面への傷の発生が抑制されたＥＵＶマスクブランクスの製造方法の提供。  ガラス基板を吸着保持する静電チャックは、本体上に、有機高分子膜よりなる下部誘電層、導電性材料よりなる電極部、および、有機高分子膜よりなる上部誘電層をこの順に有し、前記電極部が、正電極と、負電極と、を含むことを特徴とするＥＵＶマスクブランクスの製造方法。
2010087345.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電チャックを用いてガラス基板を吸着保持し、スパッタリング法により、前記ガラス基板上にＥＵＶ光を反射する反射層、および、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を少なくともこの順に形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクスの製造方法であって、
前記静電チャックは、本体上に、有機高分子膜よりなる下部誘電層、導電性材料よりなる電極部、および、有機高分子膜よりなる上部誘電層をこの順に有し、前記電極部が、正電極と、負電極と、を含むことを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
【請求項２】
静電チャックを用いてガラス基板を吸着保持し、スパッタリング法により、前記ガラス基板上にＥＵＶ光を反射する反射層、および、当該反射層の上層にＥＵＶ光を吸収する吸収層を形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクスの製造方法であって、
少なくとも前記反射層および前記吸収層を形成する際、前記静電チャックは、本体の吸着面側に、有機高分子膜よりなる下部誘電層、導電性材料よりなる電極部、および、有機高分子膜よりなる上部誘電層をこの順に有し、前記電極部が、正電極と、負電極と、を含むことを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
【請求項３】
前記静電チャックの前記下部誘電層が、２層以上の有機高分子膜を含む、請求項１または２に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
【請求項４】
前記静電チャックの前記上部誘電層が、２層以上の有機高分子膜を含む、請求項１、２または３に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
【請求項５】
前記静電チャックの前記下部誘電層、および、前記上部誘電層は、絶縁破壊耐圧が３．０ｋＶ以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
【請求項６】
前記静電チャックの前記下部誘電層、および、前記上部誘電層は、引張強度が５０ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
【請求項７】
前記静電チャックの前記下部誘電層、および、前記上部誘電層は、引張伸び率が２０％以上であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
【請求項８】
前記静電チャックの前記下部誘電層、および、前記上部誘電層は、引張弾性率が１．０ＧＰａ以上であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
【請求項９】
前記静電チャックの前記下部誘電層、および、前記上部誘電層が、ポリイミド膜、ポリオレフィン系材料膜、シリコーン膜、ポリ塩化ビニル膜、およびポリエチレンテレフタラート膜からなる群から選択される少なくとも１つの有機高分子膜を含む請求項１〜８のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
【請求項１０】
前記静電チャックの前記下部誘電層の厚さが、前記上部誘電層の厚さの２倍以上であることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
【請求項１１】
前記静電チャックの前記上部誘電層の厚さが、１０〜５００μｍであることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
【請求項１２】
前記静電チャックが、前記上部誘電層の吸着面側に、吸着保持されるガラス基板との接触面積を低減させるための突起部を有する請求項１〜１１のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
【請求項１３】
前記静電チャックの前記突起部の高さが、５〜５０μｍである請求項１２に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
【請求項１４】
前記静電チャックの前記突起部は、吸着保持されるガラス基板との接触面積の合計が、前記上部誘電体の表面積の０．１〜２５．０％である請求項１２または１３に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
【請求項１５】
前記静電チャックの前記正電極および前記負電極が、それぞれくし歯型の形状を有し、互いのくし歯が空隙をはさんで隣接するように配置されていることを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
【請求項１６】
前記静電チャックの前記電極部の厚さが、１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜１５のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
【請求項１７】
前記ガラス基板の前記静電チャックに吸着保持される側の面には導電膜が設けられている１〜１６のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造等に使用されるＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）リソグラフィ用反射型マスクブランクス（以下、本明細書において、「ＥＵＶマスクブランク」という。）の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体産業において、Ｓｉ基板等に微細なパターンからなる集積回路を形成する上で必要な微細パターンの転写技術として、可視光や紫外光を用いたフォトリソグラフィ法が用いられてきた。しかし、半導体デバイスの微細化が加速している一方で、従来の光露光の露光限界に近づいてきた。光露光の場合、パターンの解像限界は露光波長の１／２程度であり、液浸法を用いても露光波長の１／４程度と言われており、ＡｒＦレーザ（１９３ｎｍ）の液浸法を用いても４５ｎｍ程度が限界と予想される。そこで４５ｎｍ以降の露光技術として、ＡｒＦレーザよりさらに短波長のＥＵＶ光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域または真空紫外線領域の波長の光線をさし、具体的には波長１０〜２０ｎｍ程度、特に１３．５ｎｍ±０．３ｎｍ程度の光線を指す。【０００３】
ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすく、かつ屈折率が１に近いため、従来の可視光または紫外光を用いたフォトリソグラフィのような屈折光学系を使用することができない。このため、ＥＵＶ光リソグラフィでは、反射光学系、すなわち反射型フォトマスクとミラーとが用いられる。【０００４】
マスクブランクスは、フォトマスク製造用のパターニング前の積層体である。反射型フォトマスク用のマスクブランクスの場合、ガラス基板上にＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とがこの順で形成された構造を有している。反射層としては、高屈折層と低屈折層とを交互に積層することで、光線を層表面に照射した際の光線反射率、より具体的にはＥＵＶ光を層表面に照射した際の光線反射率が高められた多層反射膜が通常使用される。吸収層には、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、具体的にはたとえば、ＣｒやＴａを主成分とする材料が用いられる。（例えば、特許文献２および３参照。）【０００５】
多層反射膜および吸収層は、イオンビームスパッタリング法やマグネトロンスパッタリング法を用いてガラス基板の光学面上に成膜される。多層反射膜および吸収層を成膜する際、ガラス基板は保持手段によって保持される。ガラス基板の保持手段として、機械的チャックおよび静電チャックがあるが、発塵性の問題から、静電チャックによる吸着保持が好ましく用いられる。【０００６】
静電チャックの吸着方式は単極方式と双極方式に大別される。単極型は、単極電圧を印加する機構を保持し、プラズマ等をアースとして基板を吸着する。一方、双極型は静電チャック内に正極・負極を同時に電圧印加する機構を保持し、又は、単極、および、アース機構を保持し、プラズマ等のアースが無くても基板を保持することが可能である。
ガラス基板を吸着して保持する手段として静電チャックを使用する場合、吸着保持する対象であるガラス基板が、ごく一部の例外を除き絶縁体であることから、双極型静電チャックとなることが多い。【０００７】
静電チャックは、誘電体材料の違いから基板と静電チャック間に発生した電荷を利用し吸着するクーロン力型と、前記電荷に加え、誘電体膜から漏れる電流と電極表面の微小な凹凸距離の違いから発生する吸着力を利用したジョンソン・ラーベック力型に大別される。クーロン力型は漏れ電流が小さいため、伝導電流による基板へのダメージ、損傷が軽減できるメリットがあるが、印加電圧がジョンソン・ラーベック力型と比べ大きくなるデメリットがある。
双極型においては、上記の吸着機構に加えて、その電極配置により、電界強度の弱いところから強いところに引き込まれるグラディエント力が発生する。これを誘電体吸引力という。【０００８】
ＥＵＶマスクブランクスの製造プロセスに用いられるガラス基板は、半導体装置の製造プロセスに用いられるシリコンウェハに比べてはるかに寸法が大きく、その質量も大きいため、シリコンウェハ用の静電チャックよりもはるかに強い吸着力を発揮することが求められる。
したがって、ガラス基板を吸着して保持する目的で使用される静電チャックの場合、グラディエント力により、強い吸着力を発揮することが必要となる。【０００９】
特許文献１には、グラディエント力を効果的に発生させることにより、強い吸着力によりガラス基板を保持することができる静電チャックが提案されている。
特許文献１には、ガラス基板を静電チャックで保持する場合の別の問題点として、基板が傷ついて発生する微少なパーティクルやその他の異物が、基板と静電チャックの間に挟まった状態で吸着されると、その力により異物がチャック面をなす誘電体層表面を痛めてしまうことがあり、その結果、誘電体層の平坦度あるいは電気絶縁性の不良などの諸問題を引き起こすことが記載されている。
特許文献１に記載の静電チャックでは、電極のすぐ上に被吸着基板を設置できるようにすることで、静電チャックの吸着力を高め、更に、電極に耐摩耗性のすぐれたチタン、チタンを含む化合物、酸化チタン、または窒化チタン若しくは炭化チタンなどの導電性のセラミックを用いることで被吸着基板との接触による耐久性と、パーティクルなどの異物に対しての強固さを維持できるようにすると記載されている。【００１０】
しかしながら、特許文献１に記載の静電チャックのように、セラミック材料からなる電極をチャック面とし、該チャック面にガラス基板を吸着させた場合、ガラス基板とチャック面の間にパーティクルなどの異物が挟まると、ガラス基板表面もしくはチャック面、またはその両方に傷を生ぜしめ、更なるパーティクルを生成する。この際チャック面に生じた傷は、以後接触するガラス基板に対し継続的に傷を転写する起源となり、低発塵化を大きく妨げる。
なお、特許文献１では、パーティクルなどの異物に対しての強固さを維持できると記載されているが、現実にはガラス基板とチャック面の間にパーティクルなどの異物が挟まることによって、ガラス基板表面もしくはチャック面、またはその両方に傷を生じていた。
このような傷は微小であったため、従来問題とならなかったが、ＥＵＶマスクブランクスの製造プロセスに用いられるガラス基板の場合、その表面の状態についての要求がきわめて厳しいため、このような微小な傷であっても問題となる可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００６−６６８５７号公報
【特許文献２】米国公開公報２００７−１６０８７４号公報
【特許文献３】米国公開公報２００９−０１１３４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上記した従来技術の問題点を解決するため、静電チャックとガラス基板との間にパーティクルなどの異物の挟み込みによるガラス基板表面およびチャック面への傷の発生が抑制されたＥＵＶマスクブランクスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明は、静電チャックを用いてガラス基板を吸着保持し、スパッタリング法により、前記ガラス基板上にＥＵＶ光を反射する反射層、および、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を少なくともこの順に形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクスの製造方法であって、
前記静電チャックは、本体上に、有機高分子膜よりなる下部誘電層、導電性材料よりなる電極部、および、有機高分子膜よりなる上部誘電層をこの順に有し、前記電極部が、正電極と、負電極と、を含むことを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法を提供する。
また本発明は、静電チャックを用いてガラス基板を吸着保持し、スパッタリング法により、前記ガラス基板上にＥＵＶ光を反射する反射層、および、当該反射層の上層にＥＵＶ光を吸収する吸収層を形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクスの製造方法であって、
少なくとも前記反射層および前記吸収層を形成する際、前記静電チャックは、本体のガラス基板の吸着面側に、有機高分子膜よりなる下部誘電層、導電性材料よりなる電極部、および、有機高分子膜よりなる上部誘電層をこの順に有し、前記電極部が、正電極と、負電極と、を含むことを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法を提供する。【００１４】
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記静電チャックの前記下部誘電層が２層以上の有機高分子膜を含んでもよい。【００１５】
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記静電チャックの前記上部誘電層が２層以上の有機高分子膜を含んでもよい。【００１６】
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記静電チャックの前記下部誘電層、および、前記上部誘電層は、絶縁破壊耐圧が３．０ｋＶ以上であることが好ましい。【００１７】
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記静電チャックの前記下部誘電層、および、前記上部誘電層は、引張強度が５０ＭＰａ以上であることが好ましい。【００１８】
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記静電チャックの前記下部誘電層、および、前記上部誘電層は、引張伸び率が４０％以上であることが好ましい。【００１９】
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記静電チャックの前記下部誘電層、および、前記上部誘電層は、引張弾性率が１．０ＧＰａ以上であることが好ましい。【００２０】
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記静電チャックの前記下部誘電層、および、前記上部誘電層が、ポリイミド膜、ポリオレフィン系材料膜、シリコーン膜、ポリ塩化ビニル膜、およびポリエチレンテレフタラート膜からなる群から選択される少なくとも１つの有機高分子膜を含むことが好ましい。【００２１】
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記静電チャックの前記下部誘電層の厚さが、前記上部誘電層の厚さの２倍以上であることが好ましい。【００２２】
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記静電チャックの前記上部誘電層の厚さが、１０〜５００μｍであることが好ましい。【００２３】
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記静電チャックが、前記上部誘電層の吸着面側に、吸着保持されるガラス基板との接触面積を低減させるための突起部を有していることが好ましい。
前記突起部は、エッチングなどの上部誘電体層表面の凹凸加工により形成されることが好ましく、前記凹凸加工後の上部誘電層の厚さが、１０〜５００μｍであることが好ましい。【００２４】
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記静電チャックの前記突起部の高さが、５〜２５μｍであることが好ましい。【００２５】
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記静電チャックの前記突起部は、吸着保持されるガラス基板との接触面積の合計が、前記上部誘電体の表面積の０．１〜２５．０％であることが好ましい。【００２６】
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記静電チャックの前記正電極および前記負電極が、それぞれくし歯型の形状を有し、互いのくし歯が空隙をはさんで隣接するように配置されていることが好ましい。【００２７】
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記静電チャックの前記電極部の厚さが、１０μｍ以下であることが好ましい。【００２８】
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法において、前記ガラス基板の前記静電チャックに吸着保持される側の面には導電膜が設けられていることが好ましい。
【発明の効果】
【００２９】
本発明のＥＵＶマスクブランクスの製造方法によれば、静電チャックとガラス基板との間にパーティクルなどの異物を挟み込むことによるガラス基板表面およびチャック面への傷の発生を抑えることができる。一方で、ガラス基板の吸着保持に用いる静電チャックが上部誘電層から下部誘電層に至るまで十分な可塑性と強度を有するため、吸着力を発揮するこれらの構造が破損するおそれがない。また、上部誘電層を十分に薄くすることができることから、装置の安定稼動を損ねることのない電圧で静電チャックを動作させることができる。また、上部誘電層の吸着面側に突起部を有することにより、静電チャックとガラス基板との間にパーティクルなどの異物の挟み込む箇所を、凸部のみに限定した上で、挟み込みによる傷の発生を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】図１は、本発明のＥＵＶマスクブランクスの製造方法で使用する静電チャックの一構成例を示した側面図である。
【図２】図２は、図１に示す静電チャック１０Ａの平面図である。
【図３】図３は、本発明の静電チャックの別の一構成例を示した側面図である。
【図４】図４は、図３に示す静電チャック１０Ｂの平面図である。
【図５】図５は、図１に示す静電チャック１０Ａを用いてガラス基板を吸着保持した状態を示した側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、図面を参照して本発明を説明する。図１は、本発明のＥＵＶマスクブランクスの製造方法で使用する静電チャックの一構成例を示した側面図である。
図１に示す静電チャック１０Ａは、本体１１上に、即ち本体の吸着面側に、有機高分子膜よりなる下部誘電層３、導電性材料よりなる電極部２、および、有機高分子膜よりなる上部誘電層１がこの順に設けられた構造を有する。静電チャックの個々の構成について以下に説明する。
【００３２】
［本体］
静電チャック１０Ａにおける本体１１は特に限定されず、静電チャックの本体（若しくは、基材、または、基盤）として、公知の構造から適宜選択することができる。このような公知の構造の具体例としては、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化イットリア（Ｙ２Ｏ３）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）等の絶縁性に優れたセラミックス材料からなる本体や、アルミニウム、モリブデン、タングステン、鋼、ステンレス鋼、真鍮、ニッケル等の金属材料製の基材上に絶縁層を設けた本体が挙げられる。金属材料製の基材上に設ける絶縁層の構成材料としては、上記のセラミックス材料が例示される。
【００３３】
［電極部］
電極部を構成する材料には、導電性に優れた材料、具体的には、体積固有抵抗値が５×１０−６Ωｍ以下の材料が用いられる。これを満たす材料の中でも、導電性に優れた金属材料、具体的には、金、銅、アルミニウムが、電極部を薄層化することができ、かつ、後述する手順により所望の形状の電極パターンを形成するのが容易であることから好ましい。
これらの中でも、金および銅が導電性に優れることからより好ましく、安価であることから銅が特に好ましい。
【００３４】
静電チャック１０Ａは、ガラス基板の吸着保持に使用することから、電極部が正電極と、負電極と、を含む双極型静電チャックである。ここで、正電極および負電極がなす電極パターンは特に限定されず、双極型静電チャックの分野で公知の各種電極パターンを選択することができる。但し、グラディエント力を効果的に発生させることにより、強い吸着力によりガラス基板を保持することができることから、例えば、特許文献１に記載の静電チャックのように、正電極および負電極がそれぞれくし歯型の形状を有し、互いのくし歯が空隙をはさんで隣接するように配置された電極パターン（図２参照）とすることが好ましい。図２は、図１に示す静電チャック１０Ａの平面図であり、好適な電極パターンが透視図として示されている。
図２において、符号２２および２３で示されているのは、下部誘電層および本体を貫通する孔であり、正電極および負電極を外部電源と接続するための外部電源端子（図示していない）が取り付けられている。
【００３５】
図２において、電極パターンの各部の寸法は特に限定されず、静電チャックの寸法に応じて適宜選択することができる。一例を挙げると、チャック面の直径が１３ｃｍである場合、チャック面の外縁付近に存在するくし歯型の幅は５ｍｍであり、高さは７ｍｍであり、くし歯型を構成する帯状の部分の幅は１ｍｍである。
【００３６】
静電チャック１０Ａにおいて、電極部の厚さは１０μｍ以下であることが好ましい。電極部上に形成する上部誘電層の厚さにもよるが、電極部の厚さが１０μｍ超であると、静電チャックのチャック面に電極部のパターンに応じた凹凸が現われてしまい、吸着力の低下が起こったり、吸着力が不均一になるおそれがある。なお、電極部の厚さは２μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは１μｍ以下である。
但し、電極部の厚さが１μｍよりも小さすぎると、絶縁破壊耐圧が低下するし、可塑性が少なくなるので変形時に破損しやすくなる。この点から、電極部の厚さは、０．１μｍ以上であることが好ましく、より好ましくは０．３μｍ以上であり、さらに好ましくは０．５μｍ以上である。
なお、平坦度および電気抵抗の均一性を確保するため、電極部における厚さのばらつきが該電極部の厚さの平均値の±１０％以内であることが好ましい。
【００３７】
静電チャック１０Ａにおいて、電極部の形成方法は特に限定されず、電極部を構成する材料、および、電極パターンに応じて好適な方法を適宜選択すればよい。例えば、銅を構成材料として図２に示す電極パターンを形成する場合、スパッタリング法により下部誘電層３上に所望の厚さの銅の薄膜を形成した後、エッチング法により該薄膜を所望の電極パターンに加工すればよい。また、下部誘電層３上に所望の形状のマスクを配置した状態でスパッタリングを行うことによっても、電極パターンを形成することができる。
【００３８】
［下部誘電層、上部誘電層］
図１に示すように、静電チャック１０Ａは、電極部２が有機高分子膜よりなる下部誘電層３と上部誘電層１とで挟まれたサンドイッチ構造をなしている。
このような構成とすることにより、静電チャックとガラス基板との間にパーティクルなどの異物の挟み込むことによるガラス基板表面およびチャック面をなす上部誘電層表面への傷の発生を抑えることができる。すなわち、チャック面をなす上部誘電層と、ガラス基板と、の間にパーティクルなどの異物を挟まった場合であっても、有機高分子膜よりなる上部誘電層および下部誘電層の柔軟性によって、ガラス基板と誘電層との界面への異物の露出が最小限に抑えられる。これにより、ガラス基板表面およびチャック面をなす上部誘電層表面への傷の発生が抑制される。
以下、ガラス基板表面およびチャック面をなす上部誘電層表面への傷の発生を抑制する作用のことを、「異物による傷を抑制する作用」という。
【００３９】
従来技術の静電チャックにおいても、電極上に形成されチャック面をなす誘電層を有機高分子膜で構成するものは存在していたが、電極上に形成される誘電層の厚さを大きくすると、吸着力が低下するため誘電層の厚さに制約があった。このため、静電チャックとガラス基板との間にパーティクルなどの異物を挟まった場合に、誘電層の柔軟性によって、ガラス基板と誘電層との界面への異物の露出を抑制することができず、異物による傷を抑制する作用を発揮することができなかった。
静電チャック１０Ａの場合、上部誘電層１については従来技術の静電チャックと同様に厚さの制約が存在するが、電極部２が有機高分子膜よりなる下部誘電層３と上部誘電層１とで挟まれたサンドイッチ構造をなしている。これにより、下部誘電層３および上部誘電層１の柔軟性によって、ガラス基板と誘電層との界面への異物の露出が最小限に抑えられるので、吸着力を低下させることなしに異物による傷を抑制する作用を発揮することができる。
しかも、下部誘電層３の厚さを大きくしても静電チャックの吸着力は低下しないので、下部誘電層３の厚さを大きくすることにより、異物による傷を抑制する作用をより効果的に発揮することができる。
【００４０】
図１において、上部誘電層１および下部誘電層３は、単一の層（有機高分子膜）として示されているがこれに限定されず、それぞれ２層以上の有機高分子膜で構成してもよい。
上部誘電層１および下部誘電層３は、２層以上の有機高分子膜で構成する場合、個々の有機高分子膜に異なる機能を持たせてもよい。例えば、上部誘電層を２層の有機高分子膜で構成して、電極部と接する側の有機高分子膜は、接着性に優れる有機高分子膜として、電極部との接着性を高めるとともに、チャック面をなす側の有機高分子膜は、柔軟性に優れる有機高分子膜として、異物による傷を抑制する作用を高めることも可能である。また、下部誘電層を３層の有機高分子膜で構成して、電極部と接する側の有機高分子膜、および、本体と接する側の有機高分子膜は、接着性に優れる有機高分子膜として、電極部および本体との接着性を高めるとともに、両者の間の有機高分子膜は、柔軟性に優れる有機高分子膜として、異物による傷を抑制する作用を高めることも可能である。
【００４１】
上部誘電層１および下部誘電層３を構成する有機高分子膜は、下記特性を満足することが好ましい。
上部誘電層１および下部誘電層３は、静電チャックの使用時、高電圧の引加によって絶縁破壊しないことが要求される。このため、上部誘電層１および下部誘電層３は、絶縁破壊耐圧が３．０ｋＶ以上であることが好ましく、５．０ｋＶ以上であることがより好ましく、６．０ｋＶ以上であることがさらに好ましい。
なお、上部誘電層１および／または下部誘電層３が、２層以上の有機高分子膜で構成される場合には、各層を構成する有機高分子膜がそれぞれ上記したような絶縁破壊耐圧を有することが好ましい。
【００４２】
チャック面をなす上部誘電層１を構成する有機高分子膜が、静電チャックに吸着保持したガラス基板との擦れによって破損するとパーティクルの発生源となることから、上部誘電層１を構成する有機高分子膜は、静電チャックに吸着保持したガラス基板との擦れに対して十分な強度を有していることが要求される。このため、上部誘電層１を構成する有機高分子膜は、引張強度が５０ＭＰａ以上であることが好ましく、２００ＭＰａ以上であることがより好ましく、４００ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。
また、同様の理由から、上部誘電層１を構成する有機高分子膜は、引張伸び率が２０％以上であることが好ましく、３０％以上であることがより好ましく、４０％以上であることがさらに好ましい。
なお、上部誘電層１が、２層以上の有機高分子膜で構成される場合には、各層を構成する有機高分子膜がそれぞれ上記したような引張強度と引張伸び率を有することが好ましい。
【００４３】
下部誘電層３を構成する有機高分子膜についても、静電チャックの使用時に破損することがないように、十分な引張強度、および、引張伸び率を有することが要求される。このため、下部誘電層３を構成する有機高分子膜は、引張強度が５０ＭＰａ以上であることが好ましく、２００ＭＰａ以上であることがより好ましく、４００ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。また、下部誘電層３を構成する有機高分子膜は、引張伸び率が２０％以上であることが好ましく、３０％以上であることがより好ましく、４０％以上であることがさらに好ましい。
なお、下部誘電層１が、２層以上の有機高分子膜で構成される場合には、各層を構成する有機高分子膜がそれぞれ上記したような引張強度と引張伸び率を有することが好ましい。
【００４４】
上部誘電層１および下部誘電層３を構成する有機高分子膜は、異物による傷を抑制する作用を発揮するため、柔軟性を有することが要求される。チャック面をなす上部誘電層１については、吸着保持するガラス基板との密着性を高めるために弾性を有すること、および、層に噛み込んだ異物をガラス基板との界面に露出させないようにするため可塑性を有することも要求される。このため、上部誘電層１および下部誘電層３を構成する有機高分子膜は、引張弾性率が１．０ＧＰａ以上であることが好ましく、３．０ＧＰａ以上であることがより好ましく、７．５ＧＰａ以上であることがさらに好ましい。
なお、上部誘電層１および／または下部誘電層３が、２層以上の有機高分子膜で構成される場合には、各層を構成する有機高分子膜がそれぞれ上記したような引張弾性率を有することが好ましい。
【００４５】
上記の特性を満たす有機高分子膜としては、ポリイミド膜、ポリエチレン、ポリプロピレンといったポリオレフィン系材料膜、シリコーン膜、ポリ塩化ビニル膜、ポリエチレンテレフタラート膜等が挙げられる。これらの中でも、ポリイミド膜が、上記の特性のいずれにも優れることから好ましい。
【００４６】
上述したように、静電チャック１０Ａは、電極部が有機高分子膜よりなる下部誘電層と上部誘電層とで挟まれたサンドイッチ構造をなすことで異物による傷を抑制する作用を発揮するものであるが、厚さを大きくしても静電チャックの吸着力が低下することのない下部誘電層の厚さを大きくすることが、吸着力を低下させることなしに異物による傷を抑制する作用を発揮することができるので好ましい。このため、下部誘電層の厚さを上部誘電層の厚さの２倍以上とすることが好ましく、３倍以上とすることがより好ましく、３．５倍以上とすることがより好ましい。また、下部誘電層の厚さは、上部誘電層の厚さの２０倍以下、特に１８倍以下であることが好ましい。
【００４７】
上述したように、上部誘電層の厚さを大きくすると吸着力が低下するため、上部誘電層の厚さには制約がある。このため、上部誘電層の厚さは、５００μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以下であることがより好ましく、５０μｍ以下であることがさらに好ましい。
上部誘電層の厚さを小さくするほど吸着力が増加するが、上部誘電層の厚さが小さすぎると上部誘電層が絶縁破壊するおそれがある、膜破れが発生するおそれがある等の問題がある。このため、上部誘電層の厚さは１０μｍ以上であることが好ましく、１５μｍ以上であることがより好ましく、２０μｍであることがさらに好ましく、２５μｍ以上であることがさらに好ましい。
【００４８】
下部誘電層の厚さは、５０μｍ以上であることが異物による傷を抑制する作用を発揮するうえで好ましく、８０μｍ以上であることがより好ましく、１００μｍ以上であることがさらに好ましい。
上述したように、下部誘電層の厚さを大きくしても静電チャックの吸着力は低下しないが、下部誘電層の厚さが大きすぎると、下部誘電層の平面度が低下するおそれがある。上述したように、電極部は好ましくは厚さ１０μｍ以下の薄膜であるため、電極部の下層である下部誘電層の平面度が低下すると、電極部が変形して静電チャックの機能に悪影響が生じるおそれがある。また、下部誘電層の平面度が低下すると、電極部のみならず、上部誘電層の平面度、すなわち、静電チャックのチェック面の平面度も低下するおそれがある。チャック面の平面度が低下すると、吸着力が低下したり、吸着力が不均一になるおそれがある。このため、下部誘電層の厚さは、５００μｍ以下であることが好ましく、３００μｍ以下であることがより好ましく、２００μｍ以下であることがさらに好ましい。
なお、静電チャックのチャック面の平面度は、５μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以下であることがより好ましく、２μｍ以下であることがさらに好ましい。なお、チャック面の平面度は、例えば、三次元測定機を用いて測定することができる。
なお、良好なチャック面の平坦度を得るため、下部誘電層および上部誘電層のどちらも、厚さの分布（厚さの最大値と最小値との差）が５μｍ以下であることが好ましい。
【００４９】
上部誘電層および下部誘電層の厚さの合計は、６０〜１０００μｍであることが異物による傷を抑制する作用の発揮と、静電チャックに要求される他の特性（吸着力、チャック面の平面度等）を両立するうえで好ましく、６５〜１０００μｍであることがより好ましく、７５〜８００μｍであることがさらに好ましく、１００〜６００μｍであることがさらに好ましく、１５０〜５００μｍであることがさらに好ましい。また、上部誘電層と下部誘電層との厚さの差は、５０〜８００μｍ、特に１００〜３００μｍであることが好ましく、下部誘電層の厚さが、上部誘電層の厚さよりも厚いことが好ましい。
【００５０】
本体上に下部誘電層を形成する方法、および、電極部上に上部誘電層を形成する方法は特に限定されない。下部誘電層および上部誘電層は有機高分子膜よりなることから、予め所望の厚さの有機高分子膜を作成しておき、作成した膜を接着剤を用いて、または、熱融着により、本体上あるいは電極部に貼付すればよい。また、本体上あるいは電極部上に有機高分子膜を直接成膜してもよい。
【００５１】
図３は、本発明のＥＵＶマスクブランクスの製造方法で使用する静電チャックの別の一構成例を示した側面図である。図３に示す静電チャック１０Ｂは、電極部２が有機高分子膜よりなる下部誘電層３と上部誘電層１とで挟まれたサンドイッチ構造をなしている点は、図１に示す静電チャック１０Ａと同一であるが、上部誘電層１の吸着面側に凹凸加工が施され、突起部５を有している。該突起部５を有することにより、吸着保持されるガラス基板との接触面積が低減されている。このような構成とすることにより、静電チャックとガラス基板との間にパーティクルなどの異物の挟み込むことによる箇所を凸面のみに限定することが出来、凸面に異物を挟み込んでもガラス基板表面およびチャック面をなす上部誘電層表面への傷の発生を抑えることができる。
上記突起部の高さは、チャック本体の平坦度に対して有意な大きさとするため、５μｍ以上とすることが好ましく、１０μｍ以上とすることがより好ましい。突起部５の高さは５０μｍ以下とすることが好ましく、２５μｍ以下とすることがより好ましく、更には、２０μｍ以下とすることがより好ましい。
また、突起部の個数は、３個以上であることが好ましく、５個以上であることがより好ましい。突起部の個数は、１５０００個以下であることが好ましく、４０００個以下であることがより好ましい。各突起部は、上部誘電層の吸着面にほぼ均等に形成されていることが好ましい。
また、上記突起部は、吸着保持されるガラス基板との接触面積の合計が、上部誘電体の表面積の０．１〜２５％、特に０．５〜５％であることが好ましい。
上記突起部は、上部誘電体層表面の凹凸加工により形成することが好ましく、具体的にはヒドラジンを用いウエットエッチングなどが例示できる。
【００５２】
本発明のＥＵＶマスクブランクスの製造方法を実施する際、ＥＵＶマスクブランクス用のガラス基板の裏面側（反射膜や吸収層が形成される光学面に対する裏面側）を吸着保持するが、ＥＵＶマスクブランクス用のガラス基板の場合、ガラス基板の裏面側に傷が生じることも問題となる。上述した構成の静電チャックは、異物による傷を抑制する作用を発揮することから、裏面側の傷についての要求が厳しいＥＵＶマスクブランクス用のガラス基板を吸着保持するのに好ましい。
【００５３】
本発明のＥＵＶマスクブランクスの製造方法では、上述した構成の静電チャックで用いて吸着保持されたガラス基板上、より具体的には、ガラス基板の光学面に、スパッタリング法により、ＥＵＶ光を反射する反射層、および、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を少なくともこの順に形成する。
【００５４】
ＥＵＶマスクブランクス用のガラス基板は、低熱膨張係数を有することが求められる。具体的には、２２℃における熱膨張係数が０±０．１×１０−７／℃であることが好ましく、より好ましくは０±０．０５×１０−７／℃、さらに好ましくは０±０．０３×１０−７／℃）である。このため、ＥＵＶマスクブランク用のガラス基板には、低熱膨張係数を有するガラス、例えばＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラスや、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラス等が用いられる。
また、ＥＵＶマスクブランクス用のガラス基板は、平滑性および平坦度に優れることが要求される。具体的には、表面粗さ（ｒｍｓ）が０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有していることがパターン形成後のフォトマスクにおいて高反射率および転写精度が得られるために好ましい。
また、ＥＵＶマスクブランクス用のガラス基板は、マスクブランクスまたはパターン形成後のフォトマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れることが要求される。
ＥＵＶマスクブランクス用のガラス基板の大きさや厚みなどはマスクの設計値等により適宜決定されるものである。
【００５５】
ＥＵＶマスクブランクス用のガラス基板の裏面側には導電膜が形成されていることが好ましい。上述した構成の静電チャックを用いた場合、裏面側に導電膜が形成されていないガラス基板を直接吸着保持することも可能である。しかしながら、絶縁物で誘電体であるガラス基板を静電チャックで直接吸着保持した場合、高電圧を印加する必要があることから、ガラス基板が絶縁破壊するおそれがある。このため、静電チャックで吸着保持されるガラス基板の裏面側には導電膜が形成されていることが好ましい。
【００５６】
ガラス基板の裏面側に導電膜を形成する場合、シート抵抗が１００Ω／□以下となるように、構成材料の電気伝導率と厚さを選択する。導電膜の構成材料としては、公知の文献に記載されているものから広く選択することができる。例えば、特表２００３−５０１８２３号公報に記載の高誘電率のコーティング、具体的には、シリコン、ＴｉＮ、モリブデン、クロム、ＴａＳｉからなるコーティングを適用することができる。但し、導電膜表面の表面粗さが小さいことからチャック面との密着性に優れること、および、導電膜のシート抵抗が低いことからチャック力に優れることから、導電膜としてＣｒＮ膜を形成することが好ましい。
導電膜の厚さは、例えば１０〜１０００ｎｍとすることができる。
導電膜は、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、電解メッキ法を用いて形成することができる。
【００５７】
ＥＵＶマスクブランクスの反射層に特に要求される特性は、高ＥＵＶ光線反射率であることである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を反射層表面に入射角度６度で照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値が６０％以上であることが好ましく、６５％以上であることがより好ましい。なお、反射層の上に保護層を設けた場合であっても、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値が６０％以上であることが好ましく、６５％以上であることがより好ましい。
【００５８】
反射層としては、高ＥＵＶ光線反射率を達成できることから、通常は高屈折層と低屈折率層を交互に複数回積層させた多層反射膜が用いられる。反射層をなす多層反射膜において、高屈折率層には、Ｍｏが広く使用され、低屈折率層にはＳｉが広く使用される。すなわち、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が最も一般的である。但し、多層反射膜はこれに限定されず、Ｒｕ／Ｓｉ多層反射膜、Ｍｏ／Ｂｅ多層反射膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ多層反射膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜も用いることができる。
【００５９】
多層反射膜を構成する各層の膜厚および層の繰り返し単位の数は、使用する膜材料および多層反射膜に要求されるＥＵＶ波長域のピーク反射率に応じて適宜選択することができる。Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を例にとると、ＥＵＶ波長域のピーク反射率が６０％以上の多層反射膜とするには、膜厚２．３±０．１ｎｍのＭｏ層と、膜厚４．５±０．１ｎｍのＳｉ層と、を繰り返し単位数が３０〜６０になるようにこの順に積層させればよい。
【００６０】
なお、多層反射膜を構成する各層は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など、周知の成膜方法を用いて所望の膜厚になるように形成すればよい。例えば、イオンビームスパッタリング法を用いてＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成する場合、ターゲットとしてＭｏターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０−２Ｐａ〜２．７×１０−２Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃで膜厚２．３ｎｍとなるようにＭｏ膜を形成し、次にターゲットとしてＳｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０−２Ｐａ〜２．７×１０−２Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃで膜厚４．５ｎｍとなるようにＳｉ膜を形成することが好ましい。これを１周期として、Ｍｏ膜およびＳｉ膜を４０〜５０周期積層させることによりＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が形成される。
【００６１】
反射層が多層反射膜の場合、該多層反射膜の表面が酸化されるのを防止するため、その多層反射膜の最上層を酸化されにくい材料の層とすることが好ましい。酸化されにくい材料の層は反射層のキャップ層として機能する。キャップ層として機能する酸化されにくい材料の層の具体例としては、Ｓｉ層を例示することができる。反射層１２をなす多層反射膜がＭｏ／Ｓｉ多層反射膜である場合、最上層をＳｉ層とすることによって、該最上層をキャップ層として機能させることができる。その場合キャップ層の膜厚は、１１±２ｎｍであることが好ましい。
【００６２】
吸収層に特に要求される特性は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低いことである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を吸収層表面に照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の最大光線反射率が０．５％以下であることが好ましく、０．１％以下であることがより好ましい。
上記の特性を達成するため、ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料で構成されることが好ましく、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料で形成されていることが好ましい。
このような吸収層としては、Ｔａ、Ｂ、Ｓｉおよび窒素（Ｎ）を以下に述べる比率で含有するもの（ＴａＢＳｉＮ膜）が挙げられる。
Ｂの含有率  １ａｔ％以上５ａｔ％未満、好ましくは１〜４．５ａｔ％、より好ましくは１．５〜４ａｔ％。
Ｓｉの含有率  １〜２５ａｔ％、好ましくは１〜２０ａｔ％、より好ましくは２〜１２ａｔ％。
ＴａとＮとの組成比（Ｔａ：Ｎ）  ８：１〜１：１。
Ｔａの含有率  好ましくは５０〜９０ａｔ％、より好ましくは６０〜８０ａｔ％。
Ｎの含有率  好ましくは５〜３０ａｔ％、より好ましくは１０〜２５ａｔ％。
【００６３】
上記組成の吸収層は、その結晶状態はアモルファスであり、表面の平滑性に優れている。
上記組成の吸収層は、表面粗さが０．５ｎｍ  ｒｍｓ以下である。吸収層表面の表面粗さが大きいと、吸収層に形成されるパターンのエッジラフネスが大きくなり、パターンの寸法精度が悪くなる。パターンが微細になるに従いエッジラフネスの影響が顕著になるため、吸収層表面は平滑であることが要求される。
吸収層表面の表面粗さが０．５ｎｍ  ｒｍｓ以下であれば、吸収層表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。吸収層表面の表面粗さは０．４ｎｍ  ｒｍｓ以下であることがより好ましく、０．３ｎｍ  ｒｍｓ以下であることがさらに好ましい。
【００６４】
吸収層は、上記の構成であることにより、エッチングガスとして塩素系ガスを用いてドライエッチングを実施した際のエッチング速度が速く、反射層（反射層上にバッファ層が生成されている場合はバッファ層）とのエッチング選択比は１０以上を示す。本明細書において、エッチング選択比は、下記式を用いて計算できる。
エッチング選択比
＝（吸収層のエッチング速度）／（反射層（反射層上にバッファ層が生成されている場合はバッファ層）のエッチング速度）
エッチング選択比は、１０以上が好ましく、１１以上であることがさらに好ましく、１２以上であることがさらに好ましい。
【００６５】
吸収層の厚さは、５０〜１００ｎｍであることが好ましい。上記した構成の吸収層は、マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法のようなスパッタリング法など、周知の成膜方法を用いて形成することができる。マグネトロンスパッタリング法を用いる場合、下記（１）〜（３）の方法で吸収層を形成することができる。
（１）Ｔａターゲット、ＢターゲットおよびＳｉターゲットを使用し、Ａｒで希釈した窒素（Ｎ2）雰囲気中でこれらの個々のターゲットを同時に放電させることによって吸収層１５を形成する。
（２）ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを用いて、これらのターゲットをＡｒで希釈したＮ2雰囲気中で同時放電させることによって吸収層を形成する。
（３）ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを用いて、この３元素が一体化されたターゲットをＡｒで希釈したＮ2雰囲気中で放電させることによって吸収層を形成する。
なお、上述した方法のうち、２以上のターゲットを同時に放電させる方法（（１）、（２））では、各ターゲットの投入電力を調節することによって、形成される吸収層の組成を制御することができる。
上記の中でも（２）および（３）の方法が、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で好ましく、（３）の方法が特に好ましい。ＴａＢＳｉ化合物ターゲットは、その組成がＴａ＝５０〜９４ａｔ％、Ｓｉ＝５〜３０ａｔ％、Ｂ＝１〜２０ａｔ％であることが、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で特に好ましい。
【００６６】
上記例示した方法で吸収層を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを使用する方法（２）
スパッタガス：ＡｒとＮ２の混合ガス（Ｎ２ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０−１Ｐａ〜１０×１０−１Ｐａ、好ましくは１．０×１０−１Ｐａ〜５×１０−１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０−１Ｐａ〜３×１０−１Ｐａ。）
投入電力（各ターゲットについて）：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｓｅｃ
ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを使用する方法（３）
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜１０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３×１０-１Ｐａ）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｓｅｃ
【００６７】
ＥＵＶマスクブランクスを製造する場合、反射層および吸収層以外の各種機能層を形成してもよい。このような機能層の具体例としては、パターニングの際に反射層がダメージを受けるのを防止する目的で反射層と吸収層との間に必要に応じて形成されるバッファ層、マスクパターンの検査時のコントラストを向上させる目的で吸収層上に必要に応じて形成される低反射層（マスクパターンの検査光の波長域における低反射層）等が挙げられる。
【００６８】
バッファ層は、エッチングプロセス、通常はドライエッチングプロセスにより吸収層にパターン形成する際に、反射層がエッチングプロセスによるダメージを受けないよう、反射層を保護することを目的として設けられる。したがってバッファ層の材質としては、吸収層のエッチングプロセスによる影響を受けにくい、つまりこのエッチング速度が吸収層よりも遅く、しかもこのエッチングプロセスによるダメージを受けにくい物質が選択される。この条件を満たす物質としては、たとえばＡｌ及びその窒化物、Ｒｕ及びＲｕ化合物（ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等）、ならびにＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３やこれらの混合物が例示される。これらの中でも、Ｒｕ及びＲｕ化合物（ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等）およびＳｉＯ２が好ましい。
また、バッファ層中には、ＴａおよびＣｒを含まないことが、膜応力が大きくなるのを防ぐという理由で好ましい。バッファ層中のＴａ、Ｃｒの含有率は、それぞれ５ａｔ％以下、特に３ａｔ％以下が好ましく、さらにはＴａおよびＣｒを含まないことが好ましい。
バッファ層の厚さは１〜６０ｎｍ、特に１〜１０ｎｍであることが好ましい。
【００６９】
バッファ層は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など周知の成膜方法を用いて成膜する。マグネトロンスパッタリング法によりＲｕ膜を成膜する場合、ターゲットとしてＲｕターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．０×１０−２Ｐａ〜１０×１０−１Ｐａ）を使用して投入電圧３０Ｖ〜１５００Ｖ、成膜速度０．０２〜１．０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ２〜５ｎｍとなるように成膜することが好ましい。
【００７０】
ＥＵＶマスクを作製する際、吸収層にパターンを形成した後、このパターンが設計通りに形成されているかどうか検査する。このマスクパターンの検査では、検査光として通常２５７ｎｍ程度の光を使用した検査機が使用される。つまり、この２５７ｎｍ程度の光の反射率の差、具体的には、吸収層がパターン形成により除去されて露出した面と、パターン形成により除去されずに残った吸収層表面と、の反射率の差によって検査される。ここで、前者は反射層表面（または反射層上に形成されたバッファ層表面）である。したがって、検査光の波長に対する反射層表面（または反射層上に形成されたバッファ層表面）と吸収層表面との反射率の差が小さいと検査時のコントラストが悪くなり、正確な検査が出来ないことになる。
【００７１】
吸収層の好適例として上述したＴａＢＳｉＮ膜は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低く、ＥＵＶマスクブランクスの吸収層として優れた特性を有しているが、検査光の波長域について見た場合、光線反射率が必ずしも十分低いとは言えない。この結果、検査光の波長域での吸収層表面の反射率と反射層表面（または反射層上に形成されたバッファ層表面）の反射率との差が小さくなり、検査時のコントラストが十分得られない可能性がある。検査時のコントラストが十分得られないと、マスク検査においてパターンの欠陥を十分判別できず、正確な欠陥検査を行えないことになる。
吸収層上に検査光の波長域における低反射層を形成することにより、検査時のコントラストが良好となる、別の言い方をすると、検査光の波長域における光線反射率が極めて低くなる。このような目的で形成する低反射層は、該低反射層表面に検査光の波長域の光線を照射した際に、該検査光の波長域における最大光線反射率が１５％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましく、５％以下であることがさらに好ましい。
検査光の波長域における最大光線反射率が１５％以下であれば、該検査時のコントラストが良好である。具体的には、反射層表面（または反射層上に形成されたバッファ層表面）での反射光（検査光の波長域における反射光）と、低反射層表面での反射光（検査光の波長域における反射光）と、のコントラストが、４０％以上となる。
【００７２】
本明細書において、コントラストは下記式を用いて求めることができる。
コントラスト（％）＝（（Ｒ２−Ｒ１）／（Ｒ２＋Ｒ１））×１００
ここで、Ｒ２は反射層表面（または反射層上に形成されたバッファ層表面）での反射率（検査光の波長における反射率）であり、Ｒ１は低反射層表面での反射率（検査光の波長における反射率）である。
本発明において、上記式で表されるコントラストが４５％以上であることがより好ましく、６０％以上であることがさらに好ましく、８０％以上であることが特に好ましい。
【００７３】
低反射層は、上記の特性を達成するため、検査光の波長の屈折率が吸収層よりも低い材料で構成され、その結晶状態がアモルファスであることが好ましい。
このような低反射層の具体例としては、Ｔａ、Ｂ、Ｓｉおよび酸素（Ｏ）を以下に述べる比率で含有するもの（低反射層（ＴａＢＳｉＯ））が挙げられる。
Ｂの含有率  １ａｔ％以上５ａｔ％未満、好ましくは１〜４．５ａｔ％、より好ましくは１．５〜４ａｔ％
Ｓｉの含有率  １〜２５ａｔ％、好ましくは１〜２０ａｔ％、より好ましくは２〜１０ａｔ％
ＴａとＯとの組成比（Ｔａ：Ｏ）  ７：２〜１：２、好ましくは７：２〜１：１、より好ましくは２：１〜１：１
【００７４】
また、低反射層の具体例としては、Ｔａ、Ｂ、Ｓｉ、ＯおよびＮを以下に述べる比率で含有するもの（低反射層（ＴａＢＳｉＯＮ））が挙げられる。
Ｂの含有率  １ａｔ％以上５ａｔ％未満、好ましくは１〜４．５ａｔ％、より好ましくは２〜４．０ａｔ％
Ｓｉの含有率  １〜２５ａｔ％、好ましくは１〜２０ａｔ％、より好ましくは２〜１０ａｔ％
ＴａとＯ及びＮの組成比（Ｔａ：（Ｏ＋Ｎ））  ７：２〜１：２、好ましくは７：２〜１：１、より好ましくは２：１〜１：１
【００７５】
低反射層（ＴａＢＳｉＯ），（ＴａＢＳｉＯＮ）は、上記の構成であることにより、その結晶状態はアモルファスであり、その表面が平滑性に優れている。具体的には、低反射層（ＴａＢＳｉＯ），（ＴａＢＳｉＯＮ）表面の表面粗さが０．５ｎｍ  ｒｍｓ以下である。
上記したように、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度の悪化が防止するため、吸収層表面は平滑であることが要求される。低反射層は、吸収層上に形成されるため、同様の理由から、その表面は平滑であることが要求される。
低反射層表面の表面粗さが０．５ｎｍ  ｒｍｓ以下であれば、低反射層表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。低反射層表面の表面粗さは０．４ｎｍ  ｒｍｓ以下であることがより好ましく、０．３ｎｍ  ｒｍｓ以下であることがさらに好ましい。
【００７６】
吸収層上に低反射層を形成する場合、吸収層と低反射層との合計厚さが５５〜１３０ｎｍであることが好ましい。また、低反射層の厚さが吸収層の厚さよりも大きいと、吸収層でのＥＵＶ光吸収特性が低下するおそれがあるので、低反射層の厚さは吸収層の厚さよりも小さいことが好ましい。このため、低反射層の厚さは５〜３０ｎｍであることが好ましく、１０〜２０ｎｍであることがより好ましい。
【００７７】
低反射層（ＴａＢＳｉＯ），（ＴａＢＳｉＯＮ）は、マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法のようなスパッタリング法など、周知の成膜方法を用いて形成することができ、マグネトロンスパッタリング法を用いる場合、下記（１）〜（３）の方法で低反射層（ＴａＢＳｉＯ）を形成することができる。
（１）Ｔａターゲット、ＢターゲットおよびＳｉターゲットを使用し、アルゴン（Ａｒ）で希釈した酸素（Ｏ２）雰囲気中でこれらの個々のターゲットを同時に放電させることによって低反射層（ＴａＢＳｉＯ）を形成する。
（２）ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを用いて、これらのターゲットをアルゴンで希釈した酸素雰囲気中で同時放電させることによって低反射層（ＴａＢＳｉＯ）を形成する。
（３）ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを用いて、この３元素が一体化されたターゲットをアルゴンで希釈した酸素雰囲気中で放電させることによって低反射層（ＴａＢＳｉＯ）を形成する。
なお、上述した方法のうち、２以上のターゲットを同時に放電させる方法（（１）、（２））では、各ターゲットの投入電力を調節することによって、形成される低反射層（ＴａＢＳｉＯ）の組成を制御することができる。
上記の中でも（２）および（３）の方法が、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で好ましく、（３）の方法が特に好ましい。ＴａＢＳｉ化合物ターゲットは、その組成がＴａ＝５０〜９４ａｔ％、Ｓｉ＝５〜３０ａｔ％、Ｂ＝１〜２０ａｔ％であることが、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で特に好ましい。
低反射層（ＴａＢＳｉＯＮ）を形成する場合、アルゴンで希釈した酸素雰囲気の代わりにアルゴンで希釈した酸素・窒素混合ガス雰囲気で、上記と同様の手順を実施すればよい。
【００７８】
上記の方法で低反射層（ＴａＢＳｉＯ）を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを使用する方法（２）
スパッタガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０−１Ｐａ〜１０×１０−１Ｐａ、好ましくは１．０×１０−１Ｐａ〜５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０−１Ｐａ〜３×１０−１Ｐａ。）
投入電力（各ターゲットについて）：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｓｅｃ
ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを使用する方法（３）
スパッタガス：ＡｒとＯ２の混合ガス（Ｏ２ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０−１Ｐａ〜１０×１０−１Ｐａ、好ましくは１．０×１０−１Ｐａ〜５×１０−１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０−１Ｐａ〜３×１０−１Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜５０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは２．５〜３５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５〜２５ｎｍ／ｓｅｃ
【００７９】
上記の方法で低反射層（ＴａＢＳｉＯＮ）を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを使用する方法（２）
スパッタガス：ＡｒとＯ２とＮ２の混合ガス（Ｏ２ガス濃度５〜３０体積％、Ｎ２ガス濃度５〜３０体積％、好ましくはＯ２ガス濃度６〜２５体積％、Ｎ２ガス濃度６〜２５体積％、より好ましくはＯ２ガス濃度１０〜２０体積％、Ｎ２ガス濃度１５〜２５体積％。ガス圧１．０×１０−２Ｐａ〜１０×１０−２Ｐａ、好ましくは１．０×１０−２Ｐａ〜５×１０−２Ｐａ、より好ましくは１．０×１０−２Ｐａ〜３×１０−２Ｐａ。）
投入電力（各ターゲットについて）：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜５０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは２．５〜３５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５〜２５ｎｍ／ｓｅｃ
ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを使用する方法（３）
スパッタガス：ＡｒとＯ２とＮ２の混合ガス（Ｏ２ガス濃度５〜３０体積％、Ｎ２ガス濃度５〜３０体積％、好ましくはＯ２ガス濃度６〜２５体積％、Ｎ２ガス濃度６〜２５体積％、より好ましくはＯ２ガス濃度１０〜２０体積％、Ｎ２ガス濃度１５〜２５体積％。ガス圧１．０×１０−２Ｐａ〜１０×１０−２Ｐａ、好ましくは１．０×１０−２Ｐａ〜５×１０−２Ｐａ、より好ましくは１．０×１０−２Ｐａ〜３×１０−２Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜５０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは２．５〜３５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５〜２５ｎｍ／ｓｅｃ
【００８０】
なお、吸収層上に低反射層を形成することが好ましいのは、パターンの検査光の波長とＥＵＶ光の波長とが異なるからである。したがって、パターンの検査光としてＥＵＶ光（１３．５ｎｍ付近）を使用する場合、吸収層上に低反射層を形成する必要はないと考えられる。検査光の波長は、パターン寸法が小さくなるに伴い短波長側にシフトする傾向があり、将来的には１９３ｎｍ、さらには１３．５ｎｍにシフトすることも考えられる。検査光の波長が１３．５ｎｍである場合、吸収層上に低反射層を形成する必要はないと考えられる。
【実施例】
【００８１】
以下、実施例を用いて本発明をさらに説明する。
（実施例１）
実施例１では、図１，２に示す静電チャック１０Ａを使用した。静電チャック１０Ａは、以下の手順で作成した。
アルミナ製の本体１１上に、厚さ１２５μｍのポリイミドフィルムを加熱融着させて下部誘電層３を形成した。
下部誘電層３および本体１１は、電極部２と外部電源を接続するために、図２に示す電極孔２２および２３が貫通しており、該電極孔２２および２３を介して外部電極端子と接続されている。
下部誘電層３上に、スパッタリング法により厚さ１μｍの銅の薄膜を形成した後、所望の形状のマスクを介してエッチングすることにより、図２に示す電極パターンを有する電極部２を形成した。
次に、電極部２上に、厚さ５０μｍのポリイミドフィルムを加熱融着させて上部誘電層１を形成した。加熱融着後でもこのポリイミドフィルムの厚さに変化はなかった。
なお、上部誘電層１および下部誘電層３に用いたポリイミドフィルムの物性等は以下の通りである。
絶縁破壊電圧：６．８ｋＶ。
引張強度：５２０ＭＰａ。
引張伸び率：４２％。
引張弾性率：９．１ＧＰａ。
上部誘電層の厚さに対する下部誘電層の厚さの倍率：１２５μｍ／５０μm＝２．５
また、静電チャックのチャック面は、直径１３ｃｍの円形であった。【００８２】
図５に示すように、上記方法により作成した静電チャック１０Ａを用いて、ＥＵＶマスクブランクス用のガラス基板を吸着保持し、このガラス基板上にＥＵＶ光を反射する反射層と、バッファ層、ＥＵＶ光を吸収する吸収層をスパッタ法によりこの順に形成した。ガラス基板３０は、主成分をＳｉＯ２としたゼロ膨張ガラスであり、２２℃における熱膨張係数が０／℃である。
ガラス基板３０の吸着保持面側には導電膜４０が成膜されている。導電膜４０はシート抵抗率９０Ω／□、厚さ７０ｎｍの窒化クロム（ＣｒＮ）膜である。
静電チャックの電極間電圧は１０００Ｖとし、圧力２．０×１０−４ｔｏｒｒの真空中で静電チャックを３０ｒｐｍで回転させながら２時間保持した。
ガラス基板の吸着保持面の欠陥数を吸着保持前後に測定した。具体的には、市販の欠陥検査装置（レーザーテック社製Ｍ１３５０）にて２００ｎｍ以上の欠陥数を、検査領域１４２ｍｍ角として測定した。その結果、吸着保持後に増加した欠陥数は１．０×１０３個であった。
上記と同様の手順でガラス基板の吸着保持を１０回繰り返したが、静電チャックの吸着力の低下は起こらなかった。【００８３】
（実施例２）
実施例２では、図３に示す静電チャック１０Ｂを使用した。静電チャック１０Ｂは、上述した静電チャック１０Ａの作成手順を実施した後、上部誘電層１に所望の凹凸パターンを有したマスクを付け、ヒドラジンを用いウエットエッチングを行い突起部５を作成した。突起部のパターンは図４に示す通りであり、ウエットエッチングを行う前の上部誘電層１の表面積に対する突起部の表面積の合計が１％となるよう調整した。また突起部の高さは１０μｍとした。このため、突起部がない場所における上部誘電層１の厚さは４０μｍとなった。
作成した静電チャック１０Ｂを用いて、実施例１と同様にガラス基板の吸着保持を実施した。吸着保持後に増加した欠陥数は１．０×１０２個であった。
実施例１と同様に、ガラス基板の吸着保持を１０回繰り返したが、静電チャックの吸着力の低下は起こらなかった。【００８４】
（実施例３）
実施例３では、下部誘電層および上部誘電層を２枚のポリイミドフィルムで作成した、図１，２で示す静電チャック１０Ａを使用した。静電チャック１０Ａは以下の手順で作成した。
アルミナ製の本体１１上に、厚さ１２５μｍのポリイミドフィルムを２枚重ね合わせ、加熱融着させて下部誘電層３を形成した。２枚重ねて厚さを２倍とした理由は、厚さを増やして機械的耐久性を増すためである。
下部誘電層３および本体１１は、電極部２と外部電源を接続するために、図２に示す電極孔２２および２３が貫通しており、該電極孔２２および２３を介して外部電極端子と接続されている。
下部誘電層３上に、スパッタリング法により厚さ１μｍの銅の薄膜を形成した後、所望の形状のマスクを介してエッチングすることにより、図２に示す電極パターンを有する電極部２を形成した。
次に、電極部２上に、厚さ７．５μｍのポリイミドフィルムを２枚重ね合わせ、加熱融着させて上部誘電層１を形成した。２枚重ね合わせた理由は、所望の上部誘電層の厚さを得るためである。
なお、上部誘電層１および下部誘電層３に用いたポリイミドフィルムの物性は以下の通りである。
絶縁破壊電圧：６．８ｋＶ。
引張強度：５２０ＭＰａ。
引張伸び率：４２％。
引張弾性率：９．１ＧＰａ。
上部誘電層の厚さに対する下部誘電層の厚さの倍率：２５０μｍ／１５μm＝１６．７
また、静電チャックのチャック面は、直径１３ｃｍの円形であった。【００８５】
（比較例１）
Ａｌ2Ｏ3を吸着保持面とする従来の静電チャック、すなわち図１にて静電チャック１０Ａにおいて、誘電層１，３と本体１１が一体のＡｌ２Ｏ３として作成されたものを用いて、実施例と同様にガラス基板の吸着保持を実施した。吸着保持後に増加した欠陥数は１．０×１０４個であり、実施例１と比較して１桁、実施例２に対しては２桁悪い結果であった。【００８６】
（比較例２）
実施例１の構成から下部誘電層３を除いた静電チャックを作成して、実施例１と同様にガラス基板の吸着保持を実施した。ガラス基板の吸着保持を１０回繰り返したところ吸着力が消失した。静電チャックとガラス基板との間にパーティクルなどの異物を挟み込むことにより、上部誘電層１であるポリイミド膜に穴が開き、電極部２と導電膜４０とが完全もしくは不完全な短絡を起こすことにより、電位差が消失するあるいは異常放電を発生することにより吸着力を消失したものと考えられる。１０回の吸着保持操作により吸着力が消失する静電チャックを実用化することは、事実上不可能なことである。【００８７】
（比較例３）
実施例２の構成から下部誘電層３を除いた静電チャックを作成して、実施例２と同様にガラス基板の吸着保持を実施した。ガラス基板の吸着保持を１０回繰り返したところ吸着力が消失した。静電チャックとガラス基板との間にパーティクルなどの異物を挟み込むことにより、上部誘電層１であるポリイミド膜に穴が開き、電極部２と導電膜４０とが完全もしくは不完全な短絡を起こすことにより、電位差が消失するあるいは異常放電を発生することにより吸着力を消失したものと考えられる。１０回の吸着保持操作により吸着力が消失する静電チャックを実用化することは、事実上不可能なことである。【００８８】
実施例１〜２と比較例１〜３との比較から、本発明の静電チャックが実用可能かつ低発塵であることは明らかである。【００８９】
（実施例４）
本実施例では、以下の手順でＥＵＶマスクブランクスを作成する。
実施例１で使用した静電チャック１０Ａを用いて、ガラス基板を吸着保持する。ガラス基板は、主成分をＳｉＯ２としたゼロ膨張ガラスであり、２２℃における熱膨張係数が０／℃である。ガラス基板の吸着保持面側には導電膜が成膜されている。導電膜はシート抵抗率９０Ω／□、厚さ７０ｎｍの窒化クロム（ＣｒＮ）膜である。
ガラス基板の光学面上にイオンビームスパッタリング法を用いてＭｏ膜およびＳｉ膜を交互に成膜することを５０周期繰り返すことにより、合計膜厚３４０ｎｍ（（２．３ｎｍ＋４．５ｎｍ）×５０）のＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成する。
Ｍｏ膜およびＳｉ膜の成膜条件は以下の通りである。
Ｍｏ膜の成膜条件
ターゲット：Ｍｏターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：０．０６４ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：２．３ｎｍ
Ｓｉ膜の成膜条件
ターゲット：Ｓｉターゲット（ホウ素ドープ）
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：０．０７７ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：４．５ｎｍ。【００９０】
次に、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜上に、バッファ層としてＲｕ層をイオンビームスパッタリング法を用いて形成する。
バッファ層の形成条件は以下の通りである。
ターゲット：Ｒｕターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：０．０５２ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：２．５ｎｍ【００９１】
次に、保護層上に、吸収層としてＴａＢＳｉＮ層を、マグネトロンスパッタリング法を用いて形成する。
ＴａＢＳｉＮ層を成膜条件は以下の通りである。
ＴａＢＳｉＮ層の成膜条件
ターゲット：ＴａＢＳｉ化合物ターゲット（組成比：Ｔａ  ８０ａｔ％、Ｂ  １０ａｔ％、Ｓｉ  １０ａｔ％）
スパッタガス：ＡｒとＮ２の混合ガス（Ａｒ：８６体積％、Ｎ２：１４体積％、ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：１５０Ｗ
成膜速度：０．１２ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：６０ｎｍ。【００９２】
次に、吸収層上に、低反射層としてＴａＢＳｉＯＮ層を、マグネトロンスパッタリング法を用いて形成することにより、基板上にＭｏ／Ｓｉ多層反射膜、Ｒｕ層、ＴａＢＳｉＮ層、および、ＴａＢＳｉＯＮ層がこの順に設けられたＥＵＶマスクブランクスを得る。
ＴａＢＳｉＯＮ膜の成膜条件は以下の通りである。
ＴａＢＳｉＯＮ層の成膜条件
ターゲット：ＴａＢＳｉターゲット（組成比：Ｔａ  ８０ａｔ％、Ｂ  １０ａｔ％、Ｓｉ１０ａｔ％）
スパッタガス：ＡｒとＮ２とＯ２の混合ガス（Ａｒ：６０体積％、Ｎ２：２０体積％、Ｏ２：２０体積％、ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：１５０Ｗ
成膜速度：０．１８ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：１０ｎｍ【００９３】
上記の手順で作成されるＥＵＶマスクブランクスは欠点も少なく、ＥＵＶマスクとして適したマスクブランクスであることが確認される。【００９４】
（実施例５）
本実施例では、ガラス基板の吸着保持用の静電チャックとして、実施例２で使用した静電チャック１０Ｂを使用する点以外は、実施例４と同様の手順を実施して、基板上にＭｏ／Ｓｉ多層反射膜、Ｒｕ層、ＴａＢＳｉＮ層、および、ＴａＢＳｉＯＮ層がこの順に設けられたＥＵＶマスクブランクスを得る。得られるＥＵＶマスクブランクスは欠点も少なく、ＥＵＶマスクとして適したマスクブランクスであることが確認される。
【産業上の利用の可能性】
【００９５】
本発明は、ガラス基板に被膜を形成する際、静電チャックによってガラス基板を充分な吸着保持力をもって保持することができ、かつ静電チャックとガラス基板との間にパーティクルなどの異物を挟み込むことによるガラス基板表面およびチャック面への傷の発生を抑えることができるので、微小な僅かの傷の発生も著しく問題とされるＥＵＶマスクブランクスの製造方法に最適に利用できる。
なお、２００９年１月２８日に出願された日本特許出願２００９−０１６２８３号、２００９年１１月３０日に出願された日本特許出願２００９−２７１５９７号および２００９年１２月１４日に出願された日本特許出願２００９−２８２８７２号の明細書、特許請求の範囲、図面および要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として取り入れるものである。
【符号の説明】
【００９６】
１：上部誘電層
２：電極部
３：下部誘電層
５：突起部
１０Ａ，１０Ｂ：静電チャック
１１：本体
３０：ガラス基板
４０：導電膜
【図１】
2010087345.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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2010087345.tif 000009
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