(57)【要約】  押圧を検出する静電容量式のセンシング部と、前記センシング部に対応する領域に設けられる、静電容量式の温度検出用センシング部とを有するセンサ電極部を備えるセンサである。図８
2018186022.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
押圧を検出する静電容量式のセンシング部と、前記センシング部に対応する領域に設けられる、静電容量式の温度検出用センシング部とを有するセンサ電極部を備えるセンサ。
【請求項２】
前記温度検出用センシング部の容量変化に応じて補正情報を取得し、前記補正情報に基づいて、前記センシング部から出力された信号を補正する制御部を備える請求項１に記載のセンサ。
【請求項３】
前記温度検出用センシング部は、前記押圧に対する感度を有しないように配置されている請求項１に記載のセンサ。
【請求項４】
前記温度検出用センシング部は、第１の電極と、
前記第１の電極より大きく当該第１の電極を覆い隠すように設けられる第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に介在する接着層とを含む請求項１に記載のセンサ。
【請求項５】
前記温度検出用センシング部は、前記第１の電極の水平方向に設けられる第２の電極を含む請求項４に記載のセンサ。
【請求項６】
前記温度検出用センシング部は、前記第１の電極の水平方向の両側に設けられる第２の電極を含む請求項５に記載のセンサ。
【請求項７】
前記センシング部と前記温度検出用センシング部とが、導電層により隔絶された層のそれぞれに設けられている請求項１に記載のセンサ。
【請求項８】
第１の電極と第２の電極とを備え、前記センシング部を構成する前記第１の電極及び前記第２の電極に対する操作方向側に設けられる変形層と、
前記温度検出用センシング部を構成する前記第１の電極及び前記第２の電極に対する操作方向側に設けられるスペーサとを有する請求項１に記載のセンサ。
【請求項９】
前記温度検出用センシング部は、個々の前記センシング部に対応して設けられている請求項１に記載のセンサ。
【請求項１０】
前記センシング部と前記温度検出用センシング部とが交互に配置されている請求項１に記載のセンサ。
【請求項１１】
前記センシング部と前記温度検出用センシング部とが、前記センサ電極部の厚さ方向に重なるように設けられている請求項１に記載のセンサ。
【請求項１２】
請求項１に記載のセンサを有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、センサ、入力装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、入力操作を静電的に検出することが可能なセンサは、モバイルＰＣ（Personal Computer）やタブレットＰＣなどの様々な電子機器に広く用いられている。下記特許文献１には、キーボード用のセンサとして、容量素子を備え、入力操作面に対する操作子の操作位置と押圧力とを検出することが可能な構成を有するものが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１９４９４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この分野では、センサによる操作の検出精度を向上させることが望まれている。【０００５】
本技術の目的は、操作の検出精度を向上させることができるセンサ、入力装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本技術は、例えば
押圧を検出する静電容量式のセンシング部と、前記センシング部に対応する領域に設けられる、静電容量式の温度検出用センシング部とを有するセンサ電極部を備えるセンサである。
本技術は、このセンサを有する電子機器であってもよい。
【発明の効果】
【０００７】
本技術によれば、操作の検出精度を向上させることができる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果またはそれらと異質な効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１Ａは、本技術の一実施形態に係る電子機器の外観を示す平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＩＢ−ＩＢ線に沿った断面図である。
【図２】図２は、本技術の一実施形態に係る電子機器の構成を示す分解斜視図である。
【図３】図３Ａは、センサの形状例を示す斜視図である。図３Ｂは、センサの配置形態例を示す斜視図である。
【図４】図４は、センサの構成例を示す断面図である。
【図５】図５は、センサにおいて考慮すべき問題を説明するための図である。
【図６】図６は、センサにおいて考慮すべき問題を説明するための図である。
【図７】図７は、フレキシブルプリント基板の構成例を示す平面図である。
【図８】図８は、センサ電極部の構成例を説明するための図である。
【図９】図９は、センシング部の構成例を説明するための図である。
【図１０】図１０は、温度検出用センシング部の構成例を説明するための図である。
【図１１】図１１Ａ、図１１Ｂは、温度検出用センシング部の製造方法例を説明するための図である。
【図１２】図１２は、本技術の一実施形態に係る電子機器の回路構成例を示すブロック図である。
【図１３】図１３は、本技術の一実施形態に係る電子機器の各領域を説明するための概略図である。
【図１４】図１４は、本技術の一実施形態に係るセンサで行われる処理の一例を示すフローチャートである。
【図１５】図１５は、本技術の一実施形態に係るセンサで行われる処理の一例を説明するための図である。
【図１６】図１６は、本技術の一実施形態に係るセンサで行われる処理の一例を説明するための図である。
【図１７】図１７は、本技術の一実施形態に係るセンサで行われる処理の一例を説明するための図である。
【図１８】図１８は、本技術の一実施形態に係るセンサで行われる処理の一例を説明するための図である。
【図１９】図１９は、本技術の一実施形態の効果を対比的に説明する際の他のセンサの構成例を示す断面図である。
【図２０】図２０は、本技術の一実施形態の効果を説明するための図である。
【図２１】図２１は、ウェイクアップ操作時における電子機器の動作について説明するためのフローチャートである。
【図２２】図２２は、スライド操作時における電子機器の動作について説明するためのフローチャートである。
【図２３】図２３は、カメラアプリケーションの自動立ち上げ操作時における電子機器の動作について説明するためのフローチャートである。
【図２４】図２４は、右手／左手の検出機能における電子機器の動作について説明するためのフローチャートである。
【図２５】図２５は、ユーザが電子機器を左手で保持してときの出力値（デルタ値）のプロファイルの一例を示す概略図である。
【図２６】図２６Ａ、図２６Ｂは、変形例を説明するための図である。
【図２７】図２７は、変形例を説明するための図である。
【図２８】図２８Ａ、図２８Ｂは、変形例を説明するための図である。
【図２９】図２９Ａ、図２９Ｂは、変形例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本技術の一実施形態について以下の順序で説明する。
電子機器の回路
電子機器の回路構成
電子機器の各領域
センサの動作
効果例
変形例
【００１０】
［電子機器の構成］
図１Ａ、図１Ｂ、図２を参照して、本技術の一実施形態に係る電子機器１０について説明する。本技術の一実施形態に係る電子機器１０は、いわゆるスマートフォンであり、筐体である外装体１１と、センシング面（第１の面）２０Ｓとそれとは反対側の裏面（第２の面）とを有する２つのセンサ２０、２０と、外装体１１の内側面１１ＳＲ、１１ＳＬとセンシング面２０Ｓとが対向するようにセンサ２０、２０を支持する支持体としてのフレーム１２と、センシング面２０Ｓと内側面１１ＳＲ、１１ＳＬとの間に設けられた第１の変形層２８、２８と、フレーム１２内に配置された基板１３と、フレーム１２上に設けられたフロントパネル１４とを備える。
【００１１】
電子機器１０では、その側面１０ＳＲ、１０ＳＬを手や指などで押圧することで、（１）ウェイクアップ操作、（２）スライド操作、（３）カメラアプリケーションの自動立ち上げ操作、（４）右手／左手の検出機能などを実行可能である。
【００１２】
外装体１１と、センサ２０と、第１の変形層２８と、支持体としてのフレーム１２とにより入力装置が構成される。入力装置は、必要に応じて、基板１３をさらに備えていてもよい。
【００１３】
（外装体）
外装体１１は、電子機器１０の裏面を構成する矩形状の主面部１１Ｍと、この主面部１１Ｍの両長辺側に設けられた側壁部１１Ｒ、１１Ｌとを備える。フレーム１２は、側壁部１１Ｒ、１１Ｌの間に収容されている。側壁部１１Ｒ、１１Ｌは、側壁部１１Ｒ、１１Ｌをセンシング面２０Ｓに向けて押圧することで、第１の変形層２８を介してセンシング面２０Ｓを押圧可能に構成されている。内側面１１ＳＲの先端部の近傍には凸部１１ａが設けられている。凸部１１ａは、フレーム１２の支持面１２ＳＲに設けられた凹部１２ａと噛み合うように構成されている。内側面１１ＳＬ、支持面１２ＳＬもそれぞれ、上記内側面１１ＳＲ、支持面１２ＳＲと同様の構成を有している。
【００１４】
外装体１１は、例えば、金属、高分子樹脂または木材などを含んでいる。金属としては、例えば、アルミニウム、チタン、亜鉛、ニッケル、マグネシウム、銅、鉄などの単体、またはこれらを２種以上含む合金が挙げられる。合金の具体例としては、ステンレス鋼（Stainless Used Steel：ＳＵＳ）、アルミニウム合金、マグネシウム合金、チタン合金などが挙げられる。高分子樹脂としては、例えば、アクリロニトリル、ブタジエンおよびスチレンの共重合合成樹脂（ＡＢＳ樹脂）、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ＰＣ−ＡＢＳアロイ樹脂などが挙げられる。
【００１５】
（フレーム）
主面部１１Ｍに垂直な方向からフレーム１２を平面視すると、フレーム１２は、主面部１１Ｍよりやや小さい矩形状を有している。フレーム１２は、側壁部１１Ｒ、１１Ｌの内側面１１ＳＲ、１１ＳＬそれぞれに対向する支持面１２ＳＲ、１２ＳＬを有している。支持面１２ＳＲには、側壁部１１Ｒの内側面１１ＳＲとセンシング面２０Ｓとが対向するようにして、センサ２０が支持されている。センシング面２０Ｓと内側面１１ＳＲとの間には第１の変形層２８が設けられている。支持面１２ＳＬには、側壁部１１Ｌの内側面１１ＳＬとセンシング面２０Ｓとが対向するようにして、センサ２０が支持されている。センシング面２０Ｓと内側面１１ＳＬとの間には第１の変形層２８が設けられている。
【００１６】
（基板）
基板１３は、電子機器１０のメイン基板であり、コントローラＩＣ（Integrated Circuit）（以下単に「ＩＣ」という。）１３ａと、メインＣＰＵ（Central Processing Unit）（以下単に「ＣＰＵ」という。）１３ｂとを備える。ＩＣ１３ａは、２つのセンサ２０を制御し、それぞれのセンシング面２０Ｓに加わる圧力を検出する制御部である。ＣＰＵ１３ｂは、電子機器１０の全体を制御する制御部である。例えば、ＣＰＵ１３ｂは、ＩＣ１３ａから供給される信号に基づき、各種処理を実行する。
【００１７】
（フロントパネル）
フロントパネル１４は表示装置１４ａを備え、この表示装置１４ａの表面には静電容量式のタッチパネルが設けられている。表示装置１４ａは、ＣＰＵ１３ｂから供給される映像信号などに基づき、映像（画面）を表示する。表示装置１４ａとしては、例えば、液晶ディスプレイ、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイなどが挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００１８】
（センサ）
センサ２０は、いわゆる感圧センサであり、図３Ａに示すように、長尺の矩形状を有している。センサ２０の長辺の中央から接続部４１が延設されている。より具体的には、図７に示すように、センサ２０は、長尺の矩形状を有するセンサ電極部３０を含み、接続部４１は、このセンサ電極部３０の長辺の中央から延設されている。センサ電極部３０と接続部４１とは１つのフレキシブルプリント基板（Flexible Printed Circuits、以下「ＦＰＣ」という。）４０により一体的に構成されている。
【００１９】
側壁部１１Ｒ側のセンサ２０は、図３Ｂに示すように、接着層２７を介してフレーム１２の支持面１２ＳＲに貼り合わされている。側壁部１１Ｌ側のセンサ２０も、上記の側壁部１１Ｒのセンサ２０と同様に支持面１２ＳＬに貼り合わされている。また、ＦＰＣ４０に力が加わるとノイズが発生するため、接続部４１は、フレーム１２に対して接着層２９を介して貼り合わされていることが好ましい。
【００２０】
センサ２０は、いわゆる感圧センサであり、図４に示すように、複数のセンシング部３０ＳＥ等を含む静電容量式のセンサ電極部３０と、電極基材２１、２２と、第２の変形層２３、２４と、接着層２５〜２７とを備える。センサ２０の裏面は支持面１２ＳＲ、１２ＳＬに貼り合わされている。なお、本明細書において、センサ２０の長手方向を±Ｘ軸方向といい、幅方向（短手方向）を±Ｙ軸方向といい、長手方向および幅方向に垂直な方向（すなわちセンシング面２０Ｓに垂直な方向）を±Ｚ軸方向という。
【００２１】
電極基材２１とセンサ電極部３０とは、電極基材２１とセンサ電極部３０との主面同士が対向するように配置されている。第２の変形層２３は、電極基材２１とセンサ電極部３０との主面間に設けられ、センシング面２０Ｓに加わる圧力により弾性変形する。第２の変形層２３と電極基材２１とは接着層２５により貼り合わされ、第２の変形層２３とセンサ電極部３０とは接着層２６により貼り合わされている。
【００２２】
電極基材２２とセンサ電極部３０とは、電極基材２２とセンサ電極部３０との主面同士が対向するように配置されている。第２の変形層２４は、電極基材２２とセンサ電極部３０との間に設けられ、センシング面２０Ｓに加わる圧力により弾性変形する。第２の変形層２４は、接着材を含み、接着層としての機能も有しており、電極基材２２とセンサ電極部３０とは第２の変形層２４により貼り合わされている。
【００２３】
（センサ電極部について考慮すべき問題）
ここで、センサ電極部３０について考慮すべき問題について説明する。一般的に、センサ電極部は、概略的には、パルス電極及びセンス電極を備えており、パルス電極及びセンス電極間の容量変化を検出することにより操作を検出する。本実施形態のように電子機器としてスマートフォンを手で持って操作する際に、手の温度（体温）がセンサに伝わって温度が変化し、Ｓｉｇｎａｌ値（シグナル値）が大きく変動してしまう。ここで、Ｓｉｇｎａｌ値とは、操作入力がない状態（無負荷）での容量素子の静電容量をいう。例えば、図５に示すように、温度に応じて、基準温度（例えば、２５℃）のＳｉｇｎａｌ値に対する変動が見られる。なお、図５等では、各軸の値を、所定の基準値を用いて正規化した任意単位（ａ．ｕ．：ａｒｂｉｔｒａｒｙ  ｕｎｉｔ）として示す場合がある。この結果、無負荷時の意図しない操作誤検出や、操作入力時（負荷時）における容量素子における容量変化量（以下、適宜、Ｄｅｌｔａ（デルタ）値という）が大きく変動する等の問題が生じる。本発明者らはこの原因について考察した結果、パルス電極及びセンス電極間の誘電率が温度に応じて変化することが主な原因と考えた。この問題を誘電率温度依存性による問題と称する。
【００２４】
一方で、図６に示すように、同一荷重（例えば、１５０（ｇｆ））時に出力されるＤｅｌｔａ値がセンサの温度に応じて大きく変動しまう。この結果、スマートフォンの押圧時に動作荷重が変わってしまう問題や、検出座標がずれる等の問題が生じる。本発明者らの解析の結果、この問題は、センサ構成材（例えば、接着層）は温度が低くなるほど硬度が高くなることが主な原因と考えられる。この問題をヤング率温度依存性による問題と称する。これらの問題を踏まえ、一実施形態に係るセンサ２０の構造について詳細に説明する。
【００２５】
（センサ電極部）
センサ電極部３０について、図７〜図１０を参照して詳細に説明する。図７は、センサ電極部３０をＺ方向から見た図であり、図８は、センサ電極部３０の断面を示す図であり、図９及び図１０は、センサ電極部３０のより詳細な構成を説明するための図である。
【００２６】
センサ電極部３０は、上述したように、長尺の矩形状を有し、ＦＰＣ４０の一部である。このようにセンサ電極部３０をＦＰＣ４０の一部とすることで、部品点数を減らすことができる。また、センサ２０と基板１３との接続の衝撃耐久性を向上できる。ＦＰＣ４０は、図７に示すように、センサ電極部３０と、このセンサ電極部３０の長辺の中央から延設された接続部４１とを備える。センサ電極部３０は、複数のセンシング部３０ＳＥと、温度検出用センシング部３０ＳＥＡとを備えている。温度検出用センシング部３０ＳＥＡは、押圧時に感度を持たずに一種の温度センサとして機能するものである。各温度検出用センシング部３０ＳＥＡは、各センシング部３０ＳＥに対応する領域に設けられ、本例では、図７に示すように、各温度検出用センシング部３０ＳＥＡは、各センシング部３０ＳＥに対をなすように対応して設けられている。
【００２７】
図８に示すように、基材３１の表側（上側）には、異なる接着剤からなる第１接着層３００Ａ及び第２接着層３００Ｂがそれぞれ形成されており、第２接着層３００Ｂの表側には基材３１Ａが形成されている。一方で、基材３１の裏側（下側）には、異なる接着剤からなる第３接着層３０１Ａ及び第４接着層３０１Ｂがそれぞれ形成されており、第４接着層３０１Ｂの裏側には基材３１Ｂが形成されている。基材３１Ａ、３１Ｂとしては、基材３１と同様のものを適用することができる。各接着層に、エポキシ系接着剤等の熱硬化型の接着剤を適用することができる。
【００２８】
センシング部３０ＳＥを構成するパルス電極３２（第１の電極の一例）及びセンス電極３３（第２の電極の一例）は、第１接着層３００Ａ及び第２接着層３００Ｂからなる接着層に含まれている。また、温度検出用センシング部３０ＳＥＡを構成するパルス電極３２Ａ及び２個センス電極３３Ａは、第３接着層３０１Ａ及び第４接着層３０１Ｂからなる接着層に含まれている。また、温度検出用センシング部３０ＳＥＡを構成するセンス電極３３Ｂは、第１接着層３００Ａ及び第２接着層３００Ｂからなる接着層に含まれている。
【００２９】
センス電極３３Ｂは、パルス電極３２Ａよりも大きく、パルス電極３２Ａを覆い隠すように設けられている。図８に示すように、パルス電極３２Ａとセンス電極３３Ｂとの間に、接着層（例えば、第１接着層３００Ａ、第３接着層３０１Ａ）が介在している。パルス電極３２Ａの水平方向の例えば両側（一方でもよい）に、２個のセンス電極３３Ａが設けられている。
【００３０】
センサ電極部３０は、図９に示すように、可撓性を有する基材３１の一方の主面に設けられたパルス電極３２とセンス電極３３とを備える。パルス電極３２は、図９のＹ軸方向に延設される棒状の連結部からＸ軸方向に延設する直線上の複数の単位電極体３２ａを備える。センス電極３３は、図９のＹ軸方向に延設される棒状の連結部からＸ軸方向に延設する直線上の複数の単位電極体３３ａを備える。複数の単位電極体３２ａと複数の単位電極体３３ａとがＹ軸方向において交互となるように配置されている。Ｚ軸方向から複数のセンシング部３０ＳＥを平面視すると、複数のセンシング部３０ＳＥは、Ｘ軸方向に等間隔で一列をなすように１次元的に配置されている。
【００３１】
また、センサ電極部３０の温度検出用センシング部３０ＳＥＡは、図１０に示すように、可撓性を有する基材３１の他方の主面に設けられたパルス電極３２Ａとセンス電極３３Ａ及び３３Ｂとを備える。パルス電極３２Ａ、センス電極３３Ａ及び３３Ｂは、Ｘ軸方向に延設するものであり、２個のセンス電極３３Ａ、３３Ｂの間にパルス電極３２Ａが配置されている。基材３１の他方の主面には、リファレンス電極層に接続されるためのＧＮＤ線３８Ａ及びシールド３８Ｂが形成されている。
【００３２】
基材３１は、高分子樹脂を含み、可撓性を有する基板である。高分子樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリイミド（ＰＩ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエステル、ポリアミド（ＰＡ）、アラミド、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリアクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン（ＰＰ）、ジアセチルセルロース、ポリ塩化ビニル、エポキシ樹脂、尿素樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、環状オレフィンポリマー（ＣＯＰ）またはノルボルネン系熱可塑性樹脂などが挙げられる。
【００３３】
上述したように、温度検出用センシング部３０ＳＥＡは、上側（操作側）に位置するセンス電極３３Ａにより下側の電極（パルス電極３２Ａ及びセンス電極３３Ｂ）を覆い隠す構造になっている。したがって、後述するリファレンス電極層２１ｂが近づいても、パルス電極３２Ａ及びセンス電極３３Ｂの容量が変化することがない。すなわち、温度検出用センシング部３０ＳＥＡは、押圧に対する感度を有さないので、温度検出用センサとして用いることが可能となる。
【００３４】
（電極基材）
電極基材２１、２２は、可撓性を有する電極フィルムである。電極基材２１は、センサ２０のセンシング面２０Ｓを構成し、電極基材２２は、センサ２０の裏面を構成している。
【００３５】
電極基材２１は、可撓性を有する基材２１ａと、基材２１ａの一方の主面に設けられたリファレンス電極層（以下「ＲＥＦ電極層」という。）２１ｂとを備える。電極基材２１は、ＲＥＦ電極層２１ｂがセンサ電極部３０の一方の主面に対向するようにして、センサ電極部３０の一方の主面側に配置されている。電極基材２２は、可撓性を有する基材２２ａと、基材２２ａの一方の主面に設けられたＲＥＦ電極層２２ｂとを備える。電極基材２２は、ＲＥＦ電極層２２ｂがセンサ電極部３０の他方の主面に対向するようにして、センサ電極部３０の他方の主面側に配置されている。
【００３６】
基材２１ａ、２２ａは、フィルム状を有している。基材２１ａ、２２ａの材料としては、上述の基材３１と同様の高分子樹脂が例示される。ＲＥＦ電極層２１ｂ、２２ｂは、いわゆる接地電極であり、グランド電位となっている。ＲＥＦ電極層２１ｂ、２２ｂの形状としては、例えば、薄膜状、箔状、メッシュ状などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００３７】
ＲＥＦ電極層２１ｂ、２２ｂは、電気的導電性を有するものであればよく、例えば、無機系導電材料を含む無機導電層、有機系導電材料を含む有機導電層、無機系導電材料および有機系導電材料の両方を含む有機−無機導電層などを用いることができる。無機系導電材料および有機系導電材料は、粒子であってもよい。
【００３８】
無機系導電材料としては、例えば、金属、金属酸化物などが挙げられる。ここで、金属には、半金属が含まれるものと定義する。金属としては、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、白金、パラジウム、ニッケル、錫、コバルト、ロジウム、イリジウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、マンガン、モリブデン、タングステン、ニオブ、タンタル、チタン、ビスマス、アンチモン、鉛などの金属、またはこれらの合金などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。金属酸化物としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、ガリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００３９】
有機系導電材料としては、例えば、炭素材料、導電性ポリマーなどが挙げられる。炭素材料としては、例えば、カーボンブラック、炭素繊維、フラーレン、グラフェン、カーボンナノチューブ、カーボンマイクロコイル、ナノホーンなどが挙げられるが、これに限定されるものではない。導電性ポリマーとしては、例えば、置換または無置換のポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、およびこれらから選ばれる１種または２種からなる（共）重合体などを用いることができるが、これに限定されるものではない。
【００４０】
ＲＥＦ電極層２１ｂ、２２ｂは、ドライプロセスおよびウエットプロセスのいずれで作製された薄膜であってもよい。ドライプロセスとしては、例えば、スパッタリング法、蒸着法などを用いることができるが、特にこれらに限定されるものではない。
【００４１】
電極基材２１、２２がセンサ電極部３０の両主面側に設けられていることで、外部ノイズ（外部電場）がセンサ２０の両主面側からセンサ電極部３０内に入り込むことを抑制できる。したがって、外部ノイズによるセンサ２０の検出精度の低下または誤検出を抑制できる。
【００４２】
（第１、第２の変形層）
第１の変形層２８は、側壁部１１Ｒ、１１Ｌに加えられる圧力により弾性変形するフィルムである。電子機器１０では、センシング面２０Ｓと内側面１１ＳＲ、１１ＳＬとの間に弾性変形可能な柔らかい第１の変形層２８、２８を挟むことで、センサ２０の荷重感度におけるダイナミックレンジを向上している。
【００４３】
第１の変形層２８は、センシング面２０Ｓの全体を埋め尽くすように連続的に設けられていてもよい。形状パターンとしては、例えば、ストライプ状、メッシュ状、放射状、幾何学模様状、ミアンダ状、同心状、螺旋状、蜘蛛の巣状、ツリー状、魚の骨状、リング状、格子状または不定形状などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００４４】
第２の変形層２３は、センサ２０のセンシング面２０Ｓに加えられる圧力により弾性変形するフィルムである。センサ２０では、センサ電極部３０と電極基材２１との主面間に弾性変形可能な柔らかい第２の変形層２３を挟むことで、センサ２０の感度とダイナミックレンジを調整している。第２の変形層２３は、貫通孔などの孔部（図示せず）を有することが好ましい。荷重感度を向上できるからである。
【００４５】
第１、第２の変形層２８、２３は、発泡樹脂または絶縁性エラストマなどの誘電体を含んでいる。発泡樹脂は、いわゆるスポンジ構造を有するものであり、例えば、発泡ポリウレタン、発泡ポリエチレン、発泡ポリオレフィンおよびスポンジゴムなどのうちの少なくとも１種である。絶縁性エラストマは、例えば、シリコーン系エラストマ、アクリル系エラストマ、ウレタン系エラストマおよびスチレン系エラストマなどのうちの少なくとも１種である。なお、第１、第２の変形層２８、２３が図示しない基材上に設けられていてもよい。
【００４６】
第２の変形層２４は、絶縁性を有する接着剤または両面接着テープにより構成される。接着剤としては、例えば、アクリル系接着剤、シリコーン系接着剤およびウレタン系接着剤などからなる群より選ばれる１種以上を用いることができる。ここでは、粘着（pressure sensitive adhesion）は接着（adhesion）の一種と定義する。この定義に従えば、粘着層は接着層の一種と見なされる。第２の変形層２４は、接着剤または両面接着テープにより構成されるが、接着層２５〜２７に比べて厚いため、良好な第２の変形層として機能する。なお、第２の変形層２４が、第２の変形層２３と同様の材料により構成されていてもよい。
【００４７】
（接着層）
接着層２５〜２７は、例えば、絶縁性を有する接着剤または両面接着テープにより構成される。接着剤としては、上述の第２の変形層２４の接着剤と同様のものを例示できる。
【００４８】
（温度検出用センシング部の製造方法の一例）
次に、図１１Ａ及び図１１Ｂを参照して、上述した温度検出用センシング部３０ＳＥＡの製造方法の一例について説明する。図１１に示すように、基材３１の両面に第１接着層３００Ａ及び第３接着層３０１Ａが形成される。第１接着層３００Ａにセンス電極３３Ｂが転写等により形成される。また、第３接着層３０１Ａに、パルス電極３２Ａ及び２個のセンス電極３３Ａが転写等に形成される。
【００４９】
基剤３１Ａの裏面に第２接着層３００Ｂが形成される。この構成がカバー層として機能する。また、基剤３１Ｂの表面に第４接着層３０１Ｂが形成される。この構成もカバー層として機能する。図１１Ａに示す各構成が、例えば熱圧着されることにより、図１１Ｂにより一体化される。なお、図１１では、温度検出用センシング部３０ＳＥＡの箇所付近のみが図示されているが、温度検出用センシング部３０ＳＥＡの製造時に他の構成が一体的に作製されてもよい。
【００５０】
［電子機器の回路構成］
電子機器１０は、図１２に示すように、２つのセンサ２０と、ＣＰＵ１３ｂと、コントローラＩＣ１３ａと、ＧＰＳ部５１と、無線通信部５２と、音声処理部５３と、マイクロフォン５４と、スピーカ５５と、ＮＦＣ通信部５６と、電源部５７と、記憶部５８と、バイブレータ５９と、表示装置１４ａと、モーションセンサ６０と、カメラ６１とを備える。
【００５１】
ＧＰＳ部５１は、ＧＰＳ（Global Positioning System）と称されるシステムの衛星からの電波を受信して、現在位置の測位を行う測位部である。無線通信部５２は、例えばBluetooth（登録商標）の規格で他の端末と近距離無線通信を行う。ＮＦＣ通信部５６は、ＮＦＣ（Near Field Communication）の規格で、近接したリーダー／ライタと無線通信を行う。これらのＧＰＳ部５１、無線通信部５２およびＮＦＣ通信部５６で得たデータは、ＣＰＵ１３ｂに供給される。
【００５２】
音声処理部５３には、マイクロフォン５４とスピーカ５５とが接続され、音声処理部５３が、無線通信部５２での無線通信で接続された相手と通話の処理を行う。また、音声処理部５３は、音声入力操作のための処理を行うこともできる。
【００５３】
電源部５７は、電子機器１０に備えられたＣＰＵ１３ｂや表示装置１４ａなどに電力を供給する。電源部５７は、リチウムイオン二次電池などの二次電池、およびこの二次電池に対する充放電を制御する充放電制御回路などを備える。なお、図８には示さないが、電子機器１０は、二次電池を充電するための端子を備える。
【００５４】
記憶部５８は、ＲＡＭ（Random Access Memory）などであり、ＯＳ（Operating System）、アプリケーション、動画、画像、音楽および文書などの各種データを記憶する。
【００５５】
バイブレータ５９は、電子機器１０を振動させる部材である。例えば、電子機器１０は、バイブレータ５９により電子機器１０を振動して、電話の着信や電子メールの受信などを通知する。
【００５６】
表示装置１４ａは、ＣＰＵ１３ｂから供給される映像信号などに基づき、各種画面を表示する。また、表示装置１４ａの表示面に対するタッチ操作に応じた信号をＣＰＵ１３ｂに供給する。
【００５７】
モーションセンサ６０は、電子機器１０を保持するユーザの動きを検出する。モーションセンサ６０としては、加速度センサ、ジャイロセンサ、電子コンパス、気圧センサなどが使用される。
【００５８】
カメラ６１は、レンズ群およびＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）などの撮像素子を備え、ＣＰＵ１３ｂの制御に基づき静止画または動画などの画像を撮影する。撮影された静止画や動画などは記憶部５８に記憶される。
【００５９】
センサ２０は、高感度かつ位置分解能の高い圧力センサであり、センシング面２０Ｓに対応する押圧操作に応じた静電容量を検出し、それに応じた出力信号をＩＣ１３ａに出力する。
【００６０】
ＩＣ１３ａは、センサ２０を制御するためのファームウェアを記憶しており、センサ２０が有する各センシング部３０ＳＥの静電容量の変化（圧力）を検出し、その結果に応じた信号をＣＰＵ１３ｂに出力する。
【００６１】
ＣＰＵ１３ｂは、ＩＣ１３ａから供給される信号に基づく、各種の処理を実行する。また、ＣＰＵ１３ｂは、ＧＰＳ部５１、無線通信部５２、ＮＦＣ通信部５６およびモーションセンサ６０などから供給されるデータを処理する。
【００６２】
［電子機器の各領域］
図１３に示すように、センサ２０は、接続部４１を介してＩＣ１３ａに接続されている。ＩＣ１３ａとＣＰＵ１３ｂとはＩ2Ｃなどのバスにより接続されている。図１３では、センサ２０が１６個のセンシング部３０ＳＥ及び温度検出用センシング部３０ＳＥＡを有している場合が示されているが、センシング部３０ＳＥ及び温度検出用センシング部３０ＳＥＡの個数はこれに限定されるものではなく、所望とするセンサ２０の特性に応じて適宜設定することが可能である。また、センサ２０の構成を理解しやすくするために、センシング面２０ＳがＸＺ面に平行となるように図示されているが、実際にはセンシング面２０ＳはＸＹ面に平行に維持されている。
【００６３】
（音量調整領域）
電子機器１０は、音量を調整するための音量調整領域１１ＶＲを側面１０ＳＲに有している。音量調整領域１１ＶＲを指で上方向（第１方向）にスライドさせることで、音量を上げることが可能であり、音量調整領域１１ＶＲを指で下方向（第２方向）にスライドさせることで、音量を下げることが可能である。ここで、上方向とは＋Ｘ軸方向を意味し、下方向とは−Ｘ軸方向を意味するものとする。なお、音量調整領域１１ＶＲは、スライド操作領域の一例である。
【００６４】
なお、図１３に示した音量調整領域１１ＶＲの位置は一例であって、音量調整領域１１ＶＲの位置はこれに限定されるものではない。また、図１３では、電子機器１０が、音量調整領域１１ＶＲを側面１０ＳＬのみに備える構成が示されているが、音量調整領域１１ＶＲを側面１０ＳＲ、１０ＳＬの両方に備えるようにしてもよい。
【００６５】
音量調整領域１１ＶＲは、２以上のセンシング部３０ＳＥを有している。ＩＣ１３ａは、音量調整領域１１ＶＲが有するセンシング部３０ＳＥから供給される信号に基づき、音量調整領域１１ＶＲに対して上方向または下方向にスライド操作がなされたか否かを判断する。上方向または下方向にスライド操作がなされたと判断された場合には、ＩＣ１３ａは、上方向または下方向にスライド操作がなされていることを通知する信号をＣＰＵ１３ｂに供給する。
【００６６】
（カメラ保持領域）
電子機器１０は、側面１０ＳＲ、１０ＳＬそれぞれの両端にカメラ保持領域１１ＣＲを有している。ユーザが４つのカメラ保持領域１１ＣＲを指で保持すると、カメラプリケーションが自動的に起動する。カメラ保持領域１１ＣＲは、少なくとも１つのセンシング部３０ＳＥを有している。
【００６７】
ＩＣ１３ａは、各カメラ保持領域１１ＣＲが有するセンシング部３０ＳＥから供給される信号に基づき、ユーザが４つのカメラ保持領域１１ＣＲを指で保持されているか否かを判断する。４つのカメラ保持領域１１ＣＲが指で保持されていると判断された場合には、ＩＣ１３ａは、カメラプリケーションの起動を要求する信号をＣＰＵ１３ｂに供給する。
【００６８】
（シャッター操作領域）
電子機器１０は、側面１０ＳＬの上方向の一端部にシャッター操作領域１１ＳＨＲを有している。なお、図１３では、シャッター操作領域１１ＳＨＲと４つのカメラ保持領域１１ＣＲのうちの１つとが同一領域である場合が示されているが、異なる領域であってもよい。
【００６９】
ＩＣ１３ａは、シャッター操作領域１１ＳＨＲが有するセンシング部３０ＳＥから供給される信号に基づき、シャッター操作領域１１ＳＨＲが指で押圧されているか否かを判断する。シャッター操作領域１１ＳＨＲが指で保持されていると判断された場合には、ＩＣ１３ａは、シャッター操作（すなわち画像の取り込み操作）を要求する信号をＣＰＵ１３ｂに供給する。
【００７０】
［センサの動作］
次に、本技術の一実施形態に係るセンサ２０の動作について説明する。ＩＣ１３ａがパルス電極３２およびセンス電極３３の間、すなわちサブ電極（図示しない）間に電圧を印加すると、サブ電極間に電気力線（容量結合）が形成される。
【００７１】
センサ２０のセンシング面２０Ｓが押圧されると、第２の変形層２３、２４が弾性変形し、電極基材２１がセンサ電極部３０に向けて撓むと共に、センサ電極部３０が電極基材２２に向けて撓む。これにより、電極基材２１とセンサ電極部３０とが接近すると共に、センサ電極部３０と電極基材２２とが接近し、サブ電極間の電気力線の一部が電極基材２１、２２に流れて、センシング部３０ＳＥの静電容量が変化する。ＩＣ１３ａは、この静電容量の変化に基づいて、センサ２０の一主面に加わる圧力を検出し、その結果をＣＰＵ１３ｂに出力する。
【００７２】
一方で、上述したように、温度検出用センシング部３０ＳＥＡは感度を有しないため、押圧には反応しない。温度検出用センシング部３０ＳＥＡのＳｉｇｎａｌ値から得られる温度情報に基づいてＣＰＵ１３ｂはセンシング部３０ＳＥから得られるセンサ情報に対して補正処理を行う。
【００７３】
（補正処理の一例）
ここで、電子機器１０で行われる補正処理の一例について図１４〜図１８を参照して説明する。なお、補正処理は、例えば、２つの関連付けられた第１補正処理及び第２補正処理を含む。第１補正処理は、リアルタイムに発生するＳｉｇｎａｌ値を補正する処理であり、第２補正処理は、温度域に応じてＤｅｌｔａ値を補正する処理である。なお、以下の説明では、個々のセンシング部３０ＳＥをノーマルノードまたは単にノードと称し、個々の温度検出用センシング部３０ＳＥＡをダミーノードと称する場合がある。
【００７４】
図１５は、補正比率を求めるためのグラフである。図１５のグラフにおける横軸は、温度を示し、縦軸は、温度に対応するスタート（例えば、２５℃）からのＳｉｇｎａｌ値の差分値である。図１６は、ダミーノードの出力から温度を求めるためのテーブルであり、横軸は、温度を示し、縦軸は、温度に対応するスタート（例えば、２５℃）からのＳｉｇｎａｌ値の差分値である。図１７は、Ｄｅｌｔａ値を補正する比率を決定するテーブルであり、横軸は、温度を示し、縦軸は、温度に対応するＤｅｌｔａ値の補正比率を示している。図１８は、Ｄｅｌｔａ値の補正例を示すグラフであり、横軸は、押圧荷重（ｇｆ）を示し、縦軸は、出力Ｄｅｌｔａ値を示している。以下、これらのグラフも参照しつつ、具体的な補正処理について説明する。
【００７５】
ステップＳＴ１１では、測定時における現在のダミーノードのＳｉｇｎａｌ値を取得する。そして、処理がステップＳＴ１２に進む。
【００７６】
ステップＳＴ１２は、常温のダミーノードのＳｉｇｎａｌ値からの差分計算がなされ、現在のノードの温度が算出される。図１６に示すように、例えば、スタート温度２５℃からのＳｉｇｎａｌ差分値が−６００である場合には、温度曲線ＬＮ５に基づいて、現在のノードの温度が−１０℃と算出される。そして、処理がステップＳＴ１３に進む。
【００７７】
ステップＳＴ１３では、試行開始時点からの現在のダミーノードのＳｉｇｎａｌ変動値を算出する処理が行われる。ダミーノードのＳｉｇｎａｌ変動値が図１５におけるラインＬＮ２によって示されている。そして、処理がステップＳＴ１４に進む。
【００７８】
ステップＳＴ１４では、Ｓｉｇｎａｌ変動値の補正比率（以下、補正比率と適宜、略称する）を求める処理が行われる。補正比率は、ダミーノードのＳｉｇｎａｌ変動値ＡＡ（図１５においてラインＬＮ２で示される値）と、ある温度に対応する補正前のノーマルノードのＳｉｇｎａｌ変動値ＢＢ（図１５においてラインＬＮ１で示される値）との割合（ＢＢ／ＡＡ）であり、現在温度を変数とした１次式ｙ＝α＊Ｔｅｍｐ＋βによって表される。スタート温度からのダミーノードのＳｉｇｎａｌ変動値に対して補正比率を乗じることにより、Ｓｉｇｎａｌ補正値を得る。図１５において、Ｓｉｇｎａｌ補正値がラインＬＮ３により示されている。そして、ノーマルノードのＳｉｇｎａｌ変動値からＳｉｇｎａｌ補正値を減算することによりノーマルノードのＳｉｇｎａｌ値が補正される。図１５において、ラインＬＮ４により補正後のＳｉｇｎａｌ変動値が示されている。ラインＬＮ４に示されるように、ノーマルノードのＳｉｇｎａｌ値の変動を抑制できている。
【００７９】
次に、第２補正処理について説明する。ステップＳＴ２１では、第１補正処理のステップＳＴ１２の処理結果を利用して、ダミーノードのＳｉｇｎａｌ差分値から、現在のＤｅｌｔａ値を補償するエリアを決定する。そして、処理がステップＳＴ２２に進む。
【００８０】
ステップＳＴ２２では、ステップＳＴ１４の処理結果を利用し、ステップＳＴ１４で補正されたノーマルノードのＳｉｇｎａｌ値を用いて、ユーザの押圧に伴うＤｅｌｔａ値を算出する。そして、処理がステップＳＴ２３に進む。
【００８１】
ステップＳＴ２３では、補償エリアに応じた補正比率を求める処理が行われる。例えば、図１７に示すテーブル（ラインＬＮ６）が参照され、現在の補償エリアの温度（本例では、例えば−１０℃）に対応する補正比率３．２５倍が求められる。そして、当該補正比率をＤｅｌｔａ値に乗じることでＤｅｌｔａ値が補正される。例えば、図１８に示すように、押圧に伴う荷重（例えば、３００ｇｆ）に対応する補正前Ｄｅｌｔａ値（図１８では参照符号ＣＣで示されている）に３．２５倍が乗じられ、Ｄｅｌｔａ値が補正される。図１８では補正後のＤｅｌｔａ値が参照符号ＤＤで示されている。なお、ラインＬＮ９で示されているのは常温（例えば、２５℃）における押圧荷重に伴うＤｅｌｔａ値の変化である。補正後のＤｅｌｔａ値は、常温におけるＤｅｌｔａ値の変化に近似したものとなる。
【００８２】
［効果例］
本実施形態に係る温度検出用センシング部３０ＳＥＡによれば、温度に対するＳｉｇｎａｌ値の変化量を大きくすることができる。したがって、温度検出用センシング部３０ＳＥＡのＳｉｇｎａｌ値に応じて、温度を正確に検出することができる。効果の一例について具体的に説明する。
【００８３】
図１９は、比較対象の温度検出用センシング部ＥＥの構成を示している。温度検出用センシング部ＥＥは、両面ＦＰＣの構成を有している。具体的には、温度検出用センシング部ＥＥは、基材３１Ｄの表面にセンス電極３３Ｄが設けられ裏面にパルス電極３２Ｄが設けられている。また、基材３１Ｄの表面側に基材３１Ｅが接着層３０３Ａを介して設けられ、基材３１Ｄの裏面側に基材３１Ｆが接着層３０３Ｂを介して設けられている。
【００８４】
図２０は、効果例を説明するためのグラフである。図２０のグラフにおける横軸は温度を示し、縦軸はＳｉｇｎａｌ値の変化量を示している。また、図２０のグラフにおけるラインＬＮ１０は温度検出用センシング部３０ＳＥＡの温度に対するＳｉｇｎａｌ値の変化量を示しており、ラインＬＮ１１は、温度検出用センシング部ＥＥの温度に対するＳｉｇｎａｌ値の変化量を示している。図示の通り、温度検出用センシング部ＥＥの温度に対するＳｉｇｎａｌ値の変化量は略０であるものの、一実施形態に係る温度検出用センシング部３０ＳＥＡの温度に対するＳｉｇｎａｌ値の変化量は大きくなる。
【００８５】
（種々の操作に対応する電子機器の動作）
次に、（１）ウェイクアップ操作、（２）スライド操作、（３）カメラアプリケーションの自動立ち上げ操作、（４）右手／左手の検出機能における電子機器１０の動作について順次説明する。なお、各動作において上述した補正処理が適宜、行われる。
【００８６】
（１）ウェイクアップ操作
ウェイクアップ操作は、ＣＰＵ１３ｂがスリーピングモードにある電子機器１０を握ることで、ＣＰＵ１３ｂがスリーピングモードから復帰し、表示装置１４ａを駆動させるものである。ウェイクアップ操作の具体例としては、ユーザが、机の上に置かれているスリーピングモードの電子機器１０を取り上げ、電子機器１０を握ることで、表示装置１４ａの画面を表示させる例が挙げられる。
【００８７】
以下、図２１を参照して、ウェイクアップ操作時における電子機器１０の動作について説明する。ここでは、ステップＳ１１の前にはＣＰＵ１３ｂはスリーピングモードにあり、図２１に示した処理は、例えば１フレーム内に実行されるものとする。なお、フレームとは、ＩＣ１３ａが接続されたセンサ２０に対してスキャン動作を行い、信号処理を経て圧力分布（静電容量分布）を得、その結果を元に（場合によっては過去複数フレーム間の時系列的な圧力分布変化も併せ）ユーザが行った入力操作を解釈し、必要に応じて上位制御部（ここではＣＰＵ１３ｂ）にユーザの入力操作内容を出力するまでの一連の処理、またはその期間を意味する。通常、ＩＣ１３ａは予め決められた一定時間毎にこのフレーム処理を繰り返す事により、ユーザの入力操作を解釈し、ＣＰＵ１３ｂに出力する。
【００８８】
まず、ステップＳ１１において、ＩＣ１３ａは、各センシング部３０ＳＥの出力値（デルタ値）を検出する。次に、ステップＳ１２において、ＩＣ１３ａは、全てのセンシング部３０ＳＥの出力値の合計が閾値以上であるか否かを判断する。
【００８９】
ステップＳ１２にて全てのセンシング部３０ＳＥの出力値の合計が閾値以上であると判断された場合には、ステップＳ１３において、ＩＣ１３ａはウェイクアップ割り込み信号をＣＰＵ１３ｂに出力する。ウェイクアップ割り込み信号は、ＣＰＵ１３ｂにウェイクアップ機能を実行させるための信号であり、ＩＣ１３ａからＣＰＵ１３ｂにウェイクアップ割り込み信号が供給されると、ＣＰＵ１３ｂは、スリーピングモードからウェイクアップし、通常の起動状態に復帰する。一方、ステップＳ１２にて全てのセンシング部３０ＳＥの出力値の合計が閾値以上でないと判断された場合には、処理は終了となる。
【００９０】
（２）スライド操作
スライド操作は、側面１０ＳＬに設けられた音量調整領域１１ＶＲを指で上下方向にスライドすることで、電子機器１０の音量を調整する操作である。
【００９１】
以下、図２２を参照して、スライド操作時における電子機器１０の動作について説明する。ここでは、スライド操作は、例えばホーム画面が表示されている状態で行うことができる操作であり、図２２に示した処理は、例えば１フレーム内に実行されるものとする。
【００９２】
まず、ステップＳ２１において、ＩＣ１３ａは、各センシング部３０ＳＥの出力値（デルタ値）を検出する。次に、ステップＳ２２において、ＩＣ１３ａは、音量調整領域１１ＶＲに含まれるすべてのセンシング部３０ＳＥの出力値の合計が閾値以上であるか否かを判断する。
【００９３】
ステップＳ２２にて音量調整領域１１ＶＲに含まれるすべてのセンシング部３０ＳＥの出力値の合計が閾値以上であると判断された場合には、ステップＳ２３において、ＩＣ１３ａは、スライドする指の重心座標ＸG（以下「スライダ座標ＸG」という。）を計算する。具体的には、音量調整領域１１ＶＲに含まれる各センシング部３０ＳＥ（連続した複数のセンシング部３０ＳＥ）における出力値の重心値を、以下の式（１）を用いて計算する。一方、ステップＳ２２にて音量調整領域１１ＶＲに含まれるすべてのセンシング部３０ＳＥの出力値の合計が閾値以上でないと判断された場合には、処理は終了となる。
【００９４】
【数１】
2018186022.tif 000003
（但し、ｍi：音量調整領域１１ＶＲのｉ番目のセンシング部３０ＳＥの出力値（デルタ値）、ｘi：音量調整領域１１ＶＲのｉ番目のセンシング部３０ＳＥが配置された位置）
【００９５】
なお、センシング部３０ＳＥの番号は、側面１０ＳＬの長手方向の一端から他端に向けて（すなわち＋Ｘ軸方向に向けて）増加するものとする。また、座標ｘiの原点は、センシング部３０ＳＥの長手方向（すなわち＋Ｘ軸方向）における音量調整領域１１ＶＲの中央位置とする。
【００９６】
次に、ステップＳ２４において、ＩＣ１３ａは、前フレームにて計算したスライダ座標ＸGと、今回のフレームにて計算したスライダ座標ＸGとの差分ΔＸG（＝（今回のフレームにて計算したスライダ座標ＸG）−（前フレームにて計算したスライダ座標ＸG））を計算する。次に、ステップＳ２５において、ＩＣ１３ａは、スライダ座標ＸGとの差分値が閾値＋ΔＡ以上であるか否かを判断する。
【００９７】
ステップＳ２５にてスライダ座標ＸGとの差分値が閾値＋ΔＡ以上であると判断された場合には、ステップＳ２６において、ＩＣ１３ａは、スライダ操作検出割り込み信号をＣＰＵ１３ｂに出力する。
【００９８】
一方、ステップＳ２５にてスライダ座標ＸGとの差分値が閾値＋ΔＡ以上でないと判断された場合には、ステップＳ２７において、ＩＣ１３ａは、スライダ座標ＸGとの差分値が閾値−ΔＡ以下であるか否かを判断する。
【００９９】
ステップＳ２７にてスライダ座標ＸGとの差分値が閾値−ΔＡ以下であると判断された場合には、ステップＳ２８において、ＩＣ１３ａは、スライダ操作検出割り込み信号をＣＰＵ１３ｂに出力する。一方、ステップＳ２７にてスライダ座標ＸGとの差分値が閾値−ΔＡ以下でないと判断された場合には、処理は終了となる。
【０１００】
ここで、スライダ操作検出割り込み信号は、スライド操作の検出およびスライド操作の方向をＣＰＵ１３ｂに通知するための信号であり、ＩＣ１３ａからＣＰＵ１３ｂにスライダ操作検出割り込み信号が供給されると、ＣＰＵ１３ｂは、スライド操作の方向に応じて音量を調整する。具体的には、ＣＰＵ１３ｂは、スライド操作の方向が上方向である場合には（すなわちスライダ座標ＸGとの差分値が閾値＋ΔＡ以上である場合には）、音量を増加するように、音量調整を制御する。一方、スライド操作の方向が下方向である場合には（すなわちスライダ座標ＸGとの差分値が閾値−ΔＡ以下である場合には）、音量を減少するように、音量調整を制御する。
【０１０１】
（３）カメラアプリケーションの自動立ち上げ操作
カメラアプリケーションの自動立ち上げ操作は、側面１０ＳＲ、１０ＳＬに設けられた４つのカメラ保持領域１１ＣＲをユーザが指で保持することにより、カメラプリケーションを自動的に起動する操作である。
【０１０２】
以下、図２３を参照して、カメラアプリケーションの自動立ち上げ操作時における電子機器１０の動作について説明する。ここでは、カメラアプリケーションの自動立ち上げ操作は、例えばホーム画面が表示されている状態で行うことができる操作であり、図２３に示した処理は、例えば１フレーム内に実行されるものとする。
【０１０３】
まず、ステップＳ３１において、ＩＣ１３ａは、各センシング部３０ＳＥの出力値（デルタ値）を検出する。この際、センサ２０の全てのセンシング部３０ＳＥの出力値を検出してもよいが、４つのカメラ保持領域１１ＣＲに含まれるセンシング部３０ＳＥの出力値のみを検出するようにしてもよい。
【０１０４】
次に、ステップＳ３２において、ＩＣ１３ａは、カメラモード中であることを通知する信号（以下「カメラモード通知信号」という。）がＣＰＵ１３ｂからから供給されているか否かを判断する。ステップＳ３２にてカメラモード通知信号がＣＰＵ１３ｂからから供給されていないと判断された場合には、ステップＳ３３において、ＩＣ１３ａは、４つのカメラ保持領域１１ＣＲに含まれるセンシング部３０ＳＥの出力の合計値が閾値以上であるか否かを判断する。
【０１０５】
ステップＳ３３にて４つのカメラ保持領域１１ＣＲの出力の合計値が閾値以上であると判断された場合には、ステップＳ３４において、ＩＣ１３ａは、カメラ持ち操作検出割り込み信号をＣＰＵ１３ｂに出力する。カメラ持ち操作検出割り込み信号は、カメラアプリケーションの起動をＣＰＵ１３ｂに通知するための信号であり、ＩＣ１３ａからＣＰＵ１３ｂにカメラ持ち操作検出割り込み信号が供給されると、ＣＰＵ１３ｂは、カメラアプリケーションを起動する。一方、ステップＳ３３にて４つのカメラ保持領域１１ＣＲの出力の合計値が閾値以上でないと判断された場合には、処理は終了となる。
【０１０６】
ステップＳ３２にてカメラモード通知信号がＣＰＵ１３ｂからから供給されていると判断された場合には、ステップＳ３５において、ＩＣ１３ａは、シャッター操作領域１１ＳＨＲに含まれるセンシング部３０ＳＥの出力の合計値が閾値以上であるか否かを判断する。なお、シャッター操作領域１１ＳＨＲに含まれるセンシング部３０ＳＥの個数が１個のみである場合には、そのセンシング部３０ＳＥの出力が閾値以上であるか否かを判断する。
【０１０７】
ステップＳ３５にてシャッター操作領域１１ＳＨＲに含まれるセンシング部３０ＳＥの出力の合計値が閾値以上であると判断された合には、ステップＳ３６において、ＩＣ１３ａは、シャッター操作検出割り込み信号をＣＰＵ１３ｂに出力する。シャッター操作検出割り込み信号は、シャッター操作（すなわち画像の取り込み操作）をＣＰＵ１３ｂに要求する信号であり、ＩＣ１３ａからＣＰＵ１３ｂにシャッター操作検出割り込み信号が供給されると、ＣＰＵ１３ｂは、画像を取り込み、記憶部５８に記憶する。一方、ステップＳ３５にてシャッター操作領域１１ＳＨＲに含まれるセンシング部３０ＳＥの出力の合計値が閾値以上でないと判断された場合には、処理は終了となる。
【０１０８】
なお、電子機器１０が、シャッター操作領域１１ＳＨＲによりフォーカス調整も行えるように構成されていてもよい。例えば、シャッター操作領域１１ＳＨＲを半押しすると、フォーカス調整が行われるようにしてもよい。具体的には、ＩＣ１３ａは、センシング部３０ＳＥの出力の合計値が閾値１以上閾値２未満と判断した場合には、フォーカス調整検出割り込み信号をＣＰＵ１３ｂに出力する。フォーカス調整検出割り込み信号は、カメラ６１のカフォーカス調整をＣＰＵ１３ｂに要求するための信号であり、ＩＣ１３ａからＣＰＵ１３ｂにフォーカス調整検出割り込み信号が供給されると、ＣＰＵ１３ｂは、カメラ６１のフォーカスを調整する。ＩＣ１３ａが閾値２以上と判断した場合には、シャッター操作検出割り込み信号をＣＰＵ１３ｂに出力する。
【０１０９】
（４）右手／左手の検出機能
右手／左手の検出機能は、ＩＣ１３ａが、ユーザが電子機器１０を右手および左手のいずれで保持しているかを判断し、保持している手に応じて画面表示（例えばアプリケーション表示や操作メニュー表示など）を自動的に変更する機能である。具体的には、ユーザが電子機器１０を右手で保持していると判断した場合には、右手用の画面を表示し、ユーザが電子機器１０を左手で保持していると判断した場合には、左手用の画面を表示する。
【０１１０】
例えば、アプリケーション表示であれば、ＩＣ１３ａは以下のように画面表示を自動的に変更する。すなわち、ＩＣ１３ａは、右手で電子機器１０を保持していると判断した場合には、右手の親指が届き易い範囲にメニューを整列するか、もしくは右手の親指が届き易いように、メニューを画面の中心位置から右手の親指が位置する側面１０ＳＲ側にずらして表示する。一方、ＩＣ１３ａは、左手で電子機器１０を保持していると判断した場合には、左手の親指が届き易い範囲にメニューを整列するか、もしくは左手の親指が届き易いように、メニューを画面の中心位置から左手の親指が位置する側面１０ＳＬ側にずらして表示する。
【０１１１】
以下、図２４を参照して、右手／左手の検出機能における電子機器１０の動作について説明する。ここでは、右手／左手の検出機能は、ホーム画面またはメニュー画面などが表示されている状態で行うことができる操作であり、図２４に示した処理は、例えば１フレーム内に実行されるものとする。
【０１１２】
まず、ステップＳ４１において、ＩＣ１３ａは、各センシング部３０ＳＥの出力値（デルタ値）を検出する。次に、ステップＳ４２において、ＩＣ１３ａは、ステップＳ４１にて検出した各センシング部３０ＳＥの出力値に基づき、ユーザが電子機器１０を右手および左手のいずれで保持しているかを判断する。具体的には、ＩＣ１３ａは、全てのセンシング部３０ＳＥから出力される出力値（デルタ値）のプロファイルと、ＩＣ１３ａのメモリ内に予め記憶されている右手用および左手用のプロファイルとの相関性から、ユーザの持ち手を判断する。図２５は、ユーザが電子機器１０を左手で保持してときの出力値（デルタ値）のプロファイルの一例を示している。
【０１１３】
ステップＳ４２にてユーザが電子機器１０を右手で保持していると判断された場合には、ステップＳ４３において、ＩＣ１３ａは、右手持ち検出割り込み信号をＣＰＵ１３ｂに出力する。右手持ち検出割り込み信号は、右手持ち用の画面表示をＣＰＵ１３ｂに要求する信号であり、ＩＣ１３ａからＣＰＵ１３ｂに右手持ち検出割り込み信号が供給されると、ＣＰＵ１３ｂは、右手持ち用の画面（例えばアプリケーション表示や操作メニュー表示など）を表示する。
【０１１４】
一方、Ｓ４２にてユーザが電子機器１０を左手で保持していると判断された場合には、ステップＳ４４において、ＩＣ１３ａは、左手持ち検出割り込み信号をＣＰＵ１３ｂに出力する。左手持ち検出割り込み信号は、左手持ち用の画面表示をＣＰＵ１３ｂに要求する信号であり、ＩＣ１３ａからＣＰＵ１３ｂに左手持ち検出割り込み信号が供給されると、ＣＰＵ１３ｂは、左手持ち用の画面（例えばアプリケーション表示や操作メニュー表示など）を表示する。
【０１１５】
［変形例］
（温度検出用センシング部の変形例）
図２６Ａに示すように、センシング部３０ＳＥの電極配置を温度検出用センシング部３０ＳＥＡの電極配置を同一にしてもよい。この場合、センシング部３０ＳＥ及び温度検出用センシング部３０ＳＥＡは、導電層、例えばリファレンス電極層（ＧＮＤ層）６３により電気的に隔絶された異なる層にそれぞれ設けられる。リファレンス電極層６３は、接着層６３Ａを介して基材３１の裏面に設けられる。この変形例によれば、センシング部３０ＳＥ及び温度検出用センシング部３０ＳＥＡの面積を確保することができ、感度が向上する利点が得られる。
【０１１６】
図２６Ｂに示すように、図２６Ａに示した変形例において、温度検出用センシング部３０ＳＥＡは静電容量式でなく、リファレンス電極層６３の裏面に接着層６４を介して設けられた、抵抗式等の他の方式の温度検出用センシング部３０ＳＥＢでもよい。この変形例によれば、センシング部３０ＳＥの面積が確保できるので、感度が向上する利点が得られる。
【０１１７】
本開示は、片面ＦＰＣにより構成することも可能である。例えば、図２７に示すように、基材３１Ｅにセンス電極３３及びパルス電極３２を設ける。基材３１Ｅの一方の主面側に基材３１Ｆが接着層３１０を介して設けられる。センシング部３０ＳＥを構成するセンス電極３３及びパルス電極３２の操作方向側には、操作に応じて変形する変形層２８Ａが設けられ、温度検出用センシング部３０ＳＥＡを構成するセンス電極３３及びパルス電極３２の操作方向側には、操作がなされても略変形しないスペーサ６８が設けられる。スペーサ６８は、操作に伴う圧力を受けても殆ど変形しない剛性のある材料（例えば、接着剤）により構成される。温度検出用センシング部３０ＳＥＡの上側にはスペーサ６８が設けられているため、操作がなされても温度検出用センシング部３０ＳＥＡは反応せず感度を有しない構成とすることができる。
【０１１８】
上述した実施形態では、センシング部３０ＳＥと温度検出用センシング部３０ＳＥＡとを操作方向に対して直線上（横並び）に配置した例を示したが、基材３１の面内位置における位置のパターンはこれに限定されるものではない。例えば、図２８Ａに示すように、基材３１のＸ軸方向に、センシング部３０ＳＥ及び温度検出用センシング部３０ＳＥＡが交互に並んでいてもよい。また、図２８Ｂに示すように、センシング部３０ＳＥ及び温度検出用センシング部３０ＳＥＡを別の層に設け、且つ、各センシング部がセンサ電極部３０の厚さ方向に重なるように設けられていてもよい。例えば、各センシング部のセンサ重心が同一位置に存在するような配置であってもよい。この構成によれば、各センシング部のセンシング位置が同一であるので、補正値のずれを小さくすることができる。また、複数のセンシング部３０ＳＥに対して１個の温度検出用センシング部３０ＳＥＡが設けられる構成でもよい。
【０１１９】
本技術は、自己容量型のセンサに対しても適用することができる。図２９Ａは、本技術を自己容量型のセンサに対して適用したセンサの構成例を示す。基材４０３及び基材４０７が接着層４０５及び接着層４０６を介して取り付けられており、接着層４０５及び接着層４０６を含む接着層に自己容量方式の電極４０４が配置されている。基材４０３の一方の主面（操作方向側の主面）には図示しない接着層を介して変形層４０２が設けられており、変形層４０２の一方の主面には、リファレンス電極層４０１が設けられている。基材４０７の裏面側には、接着層４０８を介してリファレンス電極層４０９が設けられている。リファレンス電極層４０９及び基材４１３が接着層４１０及び接着層４１２を介して取り付けられており、接着層４１０及び接着層４１２からなる接着層に自己容量方式の電極４１１が配置されている。基材４１３の裏面側には、基材４１４ａ及びリファレンス電極層４１４ｂを有する電極基材４１４が図示しない接着層を介して取り付けられている。電極４０４及び電極４１１は、リファレンス電極層４０９により電気的に隔絶された異なる層に配置されており、電極４０４がセンシング部として機能し、電極４１１が温度検出用センシング部として機能する。このように、本技術は、自己容量型のセンサに対しても適用することができる。
【０１２０】
また、本技術を自己容量型のセンサに対して適用した場合、センサの構成は、図２９Ｂに示すものでもよい。すなわち、リファレンス電極層４０９の裏面に接着層４１５を介して設けられた抵抗式等の他の温度センサが設けられる構成であってもよい。この場合、センシング部の面積が増加するので感度が向上するという利点を得ることができる。
【０１２１】
（センサの変形例）
上述の一実施形態では、センサ２０が電極基材２２を備える構成について説明したが、センサ２０が電極基材２２を備えていなくてもよい。但し、外部ノイズ（外部電場）がセンサ２０の裏面から内部に入り込むことを抑制する、すなわち外部ノイズによるセンサ２０の検出精度の低下または誤検出を抑制するためには、センサ２０が電極基材２２を備えることが好ましい。
【０１２２】
（センサ層の変形例）
上述の一実施形態では、センサ２０が相互容量方式のセンサ電極部３０を備える場合について説明したが、センサ２０が自己容量方式のセンサ層を備えるようにしてもよい。具体的には、センサ２０が、薄板状の電極を有するセンサ層を備え、この電極が、センサ層の面内方向に、当該センサ層のほぼ全体に広がっていてもよい。
【０１２３】
（電極基材の変形例）
基材２１ａは無くてもよい。すなわち、センサ２０が、電極基材２１に代えてＲＥＦ電極層２１ｂを備えるようにしてもよい。同様に、基材２２ａも無くてもよい。すなわち、センサ２０が、電極基材２２に代えてＲＥＦ電極層２２ｂを備えるようにしてもよい。
【０１２４】
（スマートフォン以外の電子機器の例）
上述の一実施形態では、電子機器がスマートフォンである場合を例として説明したが、本技術はこれに限定されるものではなく、筐体などの外装体を有する種々の電子機器に適用可能である。例えば、パーソナルコンピュータ、スマートフォン以外の携帯電話、テレビ、リモートコントローラ、カメラ、ゲーム機器、ナビゲーションシステム、電子書籍、電子辞書、携帯音楽プレイヤー、スマートウオッチやヘッドマウンドディスプレイなどのウェアラブル端末、ラジオ、ステレオ、医療機器、ロボットに適用可能である。
【０１２５】
（電子機器以外の変形例）
本技術は電子機器に限定されるものではなく、電子機器以外の様々なものにも適用可能である。例えば、電動工具、冷蔵庫、エアコン、温水器、電子レンジ、食器洗浄器、洗濯機、乾燥機、照明機器、玩具などの電気機器に適用可能である。更に、住宅をはじめとする建築物、建築部材、乗り物、テーブルや机などの家具、製造装置、分析機器などにも適用可能である。建築部材としては、例えば、敷石、壁材、フロアータイル、床板などが挙げられる。乗り物としては、例えば、車両（例えば自動車、オートバイなど）、船舶、潜水艦、鉄道車両、航空機、宇宙船、エレベータ、遊具などが挙げられる。
【０１２６】
一実施形態では、電子機器１０の側面１０ＳＲ、１０ＳＬに本技術を適用する例について説明したが、電子機器の背面または前面に本技術を適用してもよい。
一実施形態では、内側面１１ＳＲ、１１ＳＬと第１の変形層２８との間に空間が設けられていてもよいし、内側面１１ＳＲ、１１ＳＬと第１の変形層２８とが接するまたはほぼ接するように設けられていてもよいし、内側面１１ＳＲ、１１ＳＬと第１の変形層２８とが内側面１１ＳＲ、１１ＳＬにより第１の変形層２８が予め押圧されるように設けられていてもよい。
【０１２７】
一実施形態では、電子機器１０が、電極基材２１とセンサ電極部３０との間に第２の変形層２３を備えると共に、電極基材２２とセンサ電極部３０との間に第２の変形層２４を備える例について説明したが、第２の変形層２３、２４のうち一方のみを備えるようにしてもよい。
【０１２８】
一実施形態では、複数のセンシング部３０ＳＥがＸ軸方向に一列をなすように配置された例について説明したが、二列以上の列をなすように配置されていてもよい。
電子機器１０が、スライド操作領域として、スライド操作によりカメラのズームインおよびズームアウト操作が可能なズームイン／ズームアウト操作領域を側面１０ＳＲ、１０ＳＬに備えるようにしてもよい。この場合、ＩＣ１３ａが、ズームイン／ズームアウト操作領域に対するスライド操作に応じて、カメラのズームインおよびズームアウトを制御するようにすればよい。
【０１２９】
電子機器１０が、スライド操作領域として、スライド操作により画面スクロールまたはポインタ移動などの画面表示の操作を行うための画面操作領域を側面１０ＳＲ、１０ＳＬに備えるようにしてもよい。この場合、ＩＣ１３ａが、画面操作領域に対するスライド操作に応じて、画面スクロールまたはポインタ移動などの画面表示を制御するようにすればよい。なお、音量調整領域ＶＲ、ズームイン／ズームアウト操作領域および画面操作領域は同一の領域であってもよいし、異なる領域であってもよい。
【０１３０】
第２の変形層２３、２４のうちの少なくとも一方は無くてもよい。第２の変形層２３がない場合には、電極基材２１とセンサ電極部３０とは薄い接着層により貼り合わされる。一方、第２の変形層２４がない場合には、電極基材２２とセンサ電極部３０とは薄い接着層により貼り合わされる。
【０１３１】
第２の変形層２３、２４が、所定の形状パターンを有していてもよいし、複数の柱状体により構成されていてもよい。所定の形状パターンとしては、第１の変形層２８の形状パターンと同様のものを例示することができる。
【０１３２】
第１の変形層２８は、センサ２０のセンシング面２０Ｓおよび裏面の少なくとも一方に貼り合わされ、センサ２０のセンシング面２０Ｓおよび裏面に予め設けられていてもよいし、側壁部１１Ｒ、１１Ｌの内側面１１ＳＲ、１１ＳＬに貼り合わされ、側壁部１１Ｒ、１１Ｌの内側面１１ＳＲ、１１ＳＬに予め設けられていてもよいし、フレーム１２の支持面１２ＳＲ、１２ＳＬに貼り合わされて、フレーム１２の支持面１２ＳＲ、１２ＳＬに予め設けられていてもよい。
【０１３３】
上述の一実施形態では、センサ２０が複数のセンシング部３０ＳＥを有する構成について説明したが、１つのセンシング部３０ＳＥを有する構成を採用してもよい。
【０１３４】
上述の一実施形態では、側壁部１１Ｒ、１１Ｌの内側面１１ＳＲ、１１ＳＬにセンサ２０、２０を設ける構成について説明したが、側壁部１１Ｒ、１１Ｌの外側面にセンサ２０、２０を設ける構成を採用してもよい。
【０１３５】
また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
押圧を検出する静電容量式のセンシング部と、前記センシング部に対応する領域に設けられる、静電容量式の温度検出用センシング部とを有するセンサ電極部を備えるセンサ。
（２）
前記温度検出用センシング部の容量変化に応じて補正情報を取得し、前記補正情報に基づいて、前記センシング部から出力された信号を補正する制御部を備える（１）に記載のセンサ。
（３）
前記温度検出用センシング部は、前記押圧に対する感度を有しないように配置されている（１）または（２）に記載のセンサ。
（４）
前記温度検出用センシング部は、第１の電極と、
前記第１の電極より大きく当該第１の電極を覆い隠すように設けられる第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に介在する接着層とを含む（１）〜（３）の何れかに記載のセンサ。
（５）
前記温度検出用センシング部は、前記第１の電極の水平方向に設けられる第２の電極を含む（４）に記載のセンサ。
（６）
前記温度検出用センシング部は、前記第１の電極の水平方向の両側に設けられる第２の電極を含む（５）に記載のセンサ。
（７）
前記センシング部と前記温度検出用センシング部とが、導電層により隔絶された層のそれぞれに設けられている（１）〜（３）の何れかに記載のセンサ。
（８）
第１の電極と第２の電極とを備え、前記センシング部を構成する前記第１の電極及び前記第２の電極に対する操作方向側に設けられる変形層と、
前記温度検出用センシング部を構成する前記第１の電極及び前記第２の電極に対する操作方向側に設けられるスペーサとを有する（１）〜（３）の何れかに記載のセンサ。
（９）
前記温度検出用センシング部は、個々の前記センシング部に対応して設けられている（１）〜（８）の何れかに記載のセンサ。
（１０）
前記センシング部と前記温度検出用センシング部とが交互に配置されている（１）〜（８）の何れかに記載のセンサ。
（１１）
前記センシング部と前記温度検出用センシング部とが、前記センサ電極部の厚さ方向に重なるように設けられている（１）〜（８）の何れかに記載のセンサ。
（１２）
（１）〜（１１）の何れかに記載のセンサを有する電子機器。
【符号の説明】
【０１３６】
１０    電子機器
２８Ａ    変形層
３０    センサ電極
３０ＳＥ    センシング
３０ＳＥＡ    温度検出用センシング部
３２，３２Ａ    パルス電極
３３，３３Ａ，３３Ｂ    センス電極
６８    スペーサ
【図１】
2018186022.tif 000004
【図２】
2018186022.tif 000005
【図３】
2018186022.tif 000006
【図４】
2018186022.tif 000007
【図５】
2018186022.tif 000008
【図６】
2018186022.tif 000009
【図７】
2018186022.tif 000010
【図８】
2018186022.tif 000011
【図９】
2018186022.tif 000012
【図１０】
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【図１１】
2018186022.tif 000014
【図１２】
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【図１３】
2018186022.tif 000016
【図１４】
2018186022.tif 000017
【図１５】
2018186022.tif 000018
【図１６】
2018186022.tif 000019
【図１７】
2018186022.tif 000020
【図１８】
2018186022.tif 000021
【図１９】
2018186022.tif 000022
【図２０】
2018186022.tif 000023
【図２１】
2018186022.tif 000024
【図２２】
2018186022.tif 000025
【図２３】
2018186022.tif 000026
【図２４】
2018186022.tif 000027
【図２５】
2018186022.tif 000028
【図２６】
2018186022.tif 000029
【図２７】
2018186022.tif 000030
【図２８】
2018186022.tif 000031
【図２９】
2018186022.tif 000032
【国際調査報告】
2018186022.tif 000033
2018186022.tif 000034
2018186022.tif 000035
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