(57)【要約】処理ガスを導入してシリコン基板５の表面の酸化膜を除去し、シリコン基板の表面にＦラジカルを作用させてシリコン層をエッチングし、続けて、ＮＨ３ガス及びＮ２ガス、ＮＦ３ガスを導入し、シリコン基板５の酸化表面にＮＨｘＦｙを作用させることで（ＮＨ４）２ＳｉＦ６を生成し、（ＮＨ４）２ＳｉＦ６を昇華させてシリコン基板５の表面の副生成物（ＳｉＯＦ、ＳｉＯＨ）を除去する。
2010110309.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理ガスを導入し、所定の真空状態の雰囲気に配置されたシリコン基板の酸化表面と反応させ、反応生成物を生成し、シリコン基板を所定温度に制御することにより前記反応生成物を昇華させてシリコン基板の表面の酸化膜を除去し、
酸化膜が除去された前記シリコン基板の配置を維持した状態で、補助処理ガスを導入して前記シリコン基板の表面にＦラジカルを作用させ所定厚のシリコン層を除去し、
シリコン層を除去した後、前記シリコン層の除去の際に生成されたシリコン基板の表面の副生成物を除去する
ことを特徴とする真空処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載の真空処理方法において、
前記処理ガスを導入し、前記シリコン層が除去された前記シリコン基板の表面の副生成物と反応させて反応副生成物を生成し、シリコン基板を所定温度に制御することにより前記反応副生成物を昇華させてシリコン基板の表面の副生成物を除去する
ことを特徴とする真空処理方法。
【請求項３】
請求項２に記載の真空処理方法において、
シリコン層が除去された前記シリコン基板の配置を維持した状態で、前記シリコン基板の表面の副生成物を除去する
ことを特徴とする真空処理方法。
【請求項４】
請求項２もしくは請求項３に記載の真空処理方法において、
前記処理ガスはＮＨ３またはＨ２の少なくともいずれか一方とＮ２及びＮＦ３であり、
前記反応生成物及び前記反応副生成物を１００℃〜４００℃の雰囲気で昇華させ、
前記補助処理ガスとして前記処理ガス、もしくは、Ｎ２とＮＦ３を導入して前記シリコン基板の表面にＦラジカルを作用させる
ことを特徴とする真空処理方法。
【請求項５】
請求項４に記載の真空処理方法において、
前記補助処理ガスを同一のガス導入手段から導入する
ことを特徴とする真空処理方法。
【請求項６】
請求項１に記載の真空処理方法において、
無水フッ化水素酸ガス（ＡＨＦ）とＮ２ガスとエタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）又はメタノール（ＣＨ３ＯＨ）で飽和されたＮ２ガスを用いて、前記シリコン基板表面の前記副生成物を除去する
ことを特徴とする真空処理方法。
【請求項７】
請求項１に記載の真空処理方法において、
前記シリコン層を除去した後、ウエットエッチング法を用いて、前記シリコン基板表面の前記副生成物を除去する
こと特徴とする真空処理方法。
【請求項８】
請求項７に記載の真空処理方法において、
ウエットエッチング法の溶液として、フッ化水素（ＨＦ）を用いる
ことを特徴とする真空処理方法。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の真空処理方法において、
前記副生成物がＳｉＯＦである
ことを特徴とする真空処理方法。
【請求項１０】
処理ガスとして、ＮＨ３またはＨ２の少なくともいずれか一方とＮ２及びＮＦ３を導入し、所定の真空状態の雰囲気に配置されたシリコン基板の酸化表面と反応させ反応生成物を生成し、
シリコン基板を所定温度に制御することにより前記反応生成物を昇華させてシリコン基板の表面の酸化膜を除去し、酸化膜が除去された前記シリコン基板の配置を維持した状態で、補助処理ガスとして、前記処理ガス、もしくは、Ｎ２とＮＦ３を、前記処理ガスと同一のガス導入手段から導入して前記シリコン基板の表面にＦラジカルを作用させ所定厚のシリコン層を除去した後、
前記シリコン基板の配置を維持した状態で、前記シリコン層の除去の際に生成されたシリコン基板の表面の副生成物を、シリコン基板を１００℃〜４００℃に制御することにより除去する
ことを特徴とする真空処理方法。
【請求項１１】
基板が配置されると共に内部が所定の真空状態にされる処理設備と、
第１処理ガスまたは補助処理ガスを前記処理設備内に導入する第１処理ガス導入手段と、
前記第１処理ガスまたは補助処理ガスと反応する第２処理ガスを前記処理設備内に導入する第２処理ガス導入手段と、
前記処理設備内を所定の温度に制御することで、前記第１処理ガスと前記第２処理ガスと前記基板表面の自然酸化膜とを反応させる一方、前記第１処理ガスと前記第２処理ガスと前記基板表面の副生成物とを反応させる温度制御手段と、
前記第１処理ガス導入手段及び前記第２処理ガス導入手段及び前記温度制御手段を制御して前記基板の表面に所定の処理を施す制御手段とを備え、
前記制御手段は、
前記第１処理ガスと前記第２処理ガスの導入を制御すると共に前記温度制御手段を制御することで、前記第１処理ガスと前記第２処理ガスと前記基板表面の自然酸化膜とを反応
させ生成した反応生成物を除去し、
前記第１処理ガス、前記補助処理ガス、前記第２処理ガスの導入を制御することで、前記自然酸化膜が除去された前記基板の表層を、前記補助処理ガスと前記第２処理ガス、もしくは、前記補助処理ガスにより所定の厚さ除去し、
前記第１処理ガスと前記第２処理ガスの導入を制御すると共に前記温度制御手段を制御することで、前記第１処理ガスと前記第２処理ガスと表層が除去された前記基板の表面の副生成物とを反応させ生成した反応副生成物を除去する
ことを特徴とする真空処理装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の真空処理装置において、
前記処理設備の内部には複数枚の前記基板が収容され、
前記複数枚の前記基板は、所定間隔で互いに平行に配されている
ことを特徴とする真空処理装置。
【請求項１３】
請求項１１に記載の真空処理装置において、
前記処理設備の内部には一枚の基板が収容されている
ことを特徴とする真空処理装置。
【請求項１４】
請求項１１から請求項１３のいずれか一項に記載の真空処理装置において、
前記第１処理ガスがＨラジカルを生成させるガスであり、
前記第２処理ガスがＮＨｘＦｙ及びＦラジカルを生成させるガスであり、
前記基板がシリコン基板である
ことを特徴とする真空処理装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の真空処理装置において、
前記第１処理ガスがＮＨ３またはＨ２の少なくともいずれか一方とＮ２であり、
前記第２処理ガスがＮＦ３であり、
前記制御手段は、
前記シリコン基板の温度が所定温度になるように前記温度制御手段を制御し、前記第１処理ガスと前記第２処理ガスと自然酸化膜とを反応させることで生成した反応生成物が形成された前記反応生成物を昇華させて前記シリコン基板の表面から自然酸化膜を除去し、
自然酸化膜が除去された前記シリコン基板の表面に前記補助処理ガスと第２処理ガス、もしくは、前記補助処理ガスによりＦラジカルを作用させることで前記シリコン基板のシリコン層を所定の厚さ除去し、
前記シリコン基板の温度が所定温度になるように前記温度制御手段を制御し、前記第１処理ガスと前記第２処理ガスと副生成物とを反応させることで生成した反応副生成物が形成された前記反応副生成物を昇華させて前記シリコン基板の表面から副生成物を除去する
ことを特徴とする真空処理装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の真空処理装置において、
前記補助処理ガスがＮＨ３またはＨ２の少なくともいずれか一方とＮ２である
ことを特徴とする真空処理装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の真空処理装置において、
前記制御手段には、前記Ｆラジカルを作用させる際に、前記補助処理ガスのＮＨ３またはＨ２の一方もしくは双方を停止し、Ｎ２のみを導入させる、もしくは、Ｎ２とＮＦ３を導入させる停止手段が備えられている
ことを特徴とする真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空状態の処理設備で処理を行う、例えば、エッチングを行う真空処理方法及び真空処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を製造する工程において、例えば、半導体基板（半導体ウエハ）のコンタクトホールの底部のウエハ上に形成された自然酸化膜（例えば、ＳｉＯ２）を除去する必要がある。自然酸化膜を除去する技術として、ラジカル状態の水素（Ｈ＊）とＮＦ３ガスを使用するものが種々提案されている（例えば、特許文献１参照）。【０００３】
特許文献１に開示された技術は、所定の真空状態にされた処理室内に処理ガスを導入し、所定の真空状態の雰囲気に配置されたシリコンウエハの酸化表面（ＳｉＯ２）と反応させて反応生成物（ＮＨ４）２ＳｉＦ６を生成する。その後、処理室を加熱してシリコン基板を所定温度に制御することにより、（ＮＨ４）２ＳｉＦ６を昇華させてシリコン基板の表面の自然酸化膜を除去（エッチング）する技術である。【０００４】
近年、自然酸化膜を除去したシリコンウエハの表面（単結晶シリコン、ポリシリコン）に対する清浄度合いに対する要求が高まっているのが現状であり、自然酸化膜を除去した後のシリコン面の更なる浄化性が要求されている。自然酸化膜との界面のシリコン面には、シリコンの格子間に酸素が存在していることも考えられ、自然酸化膜を除去した後であっても酸素が残存する虞がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２０３４０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、自然酸化膜を除去する処理装置を用い、自然酸化膜が除去された後に基板の面の酸素を確実に除去することができ、しかも、酸素除去で生じる虞のある副生成物を含めて除去することができる真空処理方法及び真空処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するための請求項１に係る本発明の真空処理方法は、処理ガスを導入し、所定の真空状態の雰囲気に配置されたシリコン基板の酸化表面と反応させ、反応生成物を生成し、シリコン基板を所定温度に制御することにより前記反応生成物を昇華させてシリコン基板の表面の酸化膜を除去し、酸化膜が除去された前記シリコン基板の配置を維持した状態で、補助処理ガスを導入して前記シリコン基板の表面にＦラジカルを作用させ所定厚のシリコン層を除去し、シリコン層を除去した後、前記シリコン層の除去の際に生成された前記シリコン基板の表面の副生成物を除去することを特徴とする。【０００８】
請求項１に係る本発明では、自然酸化膜が除去された後のシリコン基板の表層を補助処理ガスにより所定の厚さ除去し、自然酸化膜が除去された後に基板の面の酸素を確実に除去し、しかも、酸素除去で生じる虞のある副生成物を含めて除去することができる。【０００９】
そして、請求項２に係る本発明の真空処理方法は、請求項１に記載の真空処理方法において、前記処理ガスを導入し、シリコン層が除去された前記シリコン基板の表面の副生成物と反応させて反応副生成物を生成し、シリコン基板を所定温度に制御することにより前記反応副生成物を昇華させてシリコン基板の表面の副生成物を除去することを特徴とする。【００１０】
請求項２に係る本発明では、自然酸化膜が除去された後のシリコン基板の表層を補助処理ガスにより所定の厚さ除去し、自然酸化膜を除去する処理装置を用い、自然酸化膜が除去された後に基板の面の酸素を確実に除去し、しかも、酸素除去で生じる虞のある副生成物を含めて除去することができる。【００１１】
また、請求項３に係る本発明の真空処理方法は、請求項２に記載の真空処理方法において、シリコン層が除去された前記シリコン基板の配置を維持した状態で、前記シリコン基板の表面の副生成物を除去することを特徴とする。【００１２】
請求項３に係る本発明では、酸素除去で生じる虞のある副生成物の除去まで自然酸化膜を除去する処理装置を用いて実施することができる。【００１３】
また、請求項４に係る本発明の真空処理方法は、請求項２もしくは請求項３に記載の真空処理方法において、前記処理ガスはＮＨ３またはＨ２の少なくともいずれか一方とＮ２及びＮＦ３であり、前記反応生成物及び前記反応副生成物を１００℃〜４００℃の雰囲気で昇華させ、前記補助処理ガスとして前記処理ガス、もしくは、Ｎ２とＮＦ３を導入して前記シリコン基板の表面にＦラジカルを作用させることを特徴とする。【００１４】
請求項４に係る本発明では、補助処理ガスとして処理ガス、もしくは、Ｎ２とＮＦ３を導入してシリコン基板の表面にＦラジカルを作用させることができる。【００１５】
また、請求項５に係る本発明の真空処理方法は、請求項４に記載の真空処理方法において、前記補助処理ガスを同一のガス導入手段から導入することを特徴とする。【００１６】
請求項５に係る本発明では、同一のガス導入手段を用いて、補助処理ガスを導入してシリコン基板の表面にＦラジカルを作用させることができる。 【００１７】
また、請求項６に係る本発明の真空処理方法は、請求項１に記載の真空処理方法において、無水フッ化水素酸ガス（ＡＨＦ）とＮ２ガスとエタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）又はメタノール（ＣＨ３ＯＨ）で飽和されたＮ２ガスを用いて、前記シリコン基板表面の前記副生成物を除去することを特徴とする。【００１８】
請求項６に係る本発明では、無水フッ化水素酸ガス（ＡＨＦ）とＮ２ガスとエタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）又はメタノール（ＣＨ３ＯＨ）をバブリングすることによりエタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）又はメタノール（ＣＨ３ＯＨ）で飽和されたＮ２ガス導入してシリコン基板の表面の前記副生成物を除去することができる。【００１９】
また、請求項７に係る本発明の真空処理方法は、請求項１に記載の真空処理方法において、前記シリコン層を除去した後、ウエットエッチング法を用いて、前記シリコン基板表面の前記副生成物を除去すること特徴とする。【００２０】
また、請求項８に係る本発明の真空処理方法は、請求項７に記載の真空処理方法において、ウエットエッチング法の溶液として、フッ化水素（ＨＦ）を用いることを特徴とする。【００２１】
請求項７と請求項８に係る本発明では、自然酸化膜が除去された後のシリコン基板の表層を所定の厚さ除去し、自然酸化膜が除去された後に基板の面の酸素を確実に除去し、しかも、酸素除去で生じる虞のある副生成物を含めて除去することができる。【００２２】
また、請求項９に係る本発明の真空処理方法は、請求項１から８のいずれか一項に記載の真空処理方法において、前記副生成物がＳｉＯＦであることを特徴とする。【００２３】
請求項９に係る本発明では、シリコン基板表面に生成された副生成物であるＳｉＯＦを確実に除去することができる。【００２４】
また、請求項１０に係る本発明の真空処理方法は、処理ガスとして、ＮＨ３またはＨ２の少なくともいずれか一方とＮ２及びＮＦ３を導入し、所定の真空状態の雰囲気に配置されたシリコン基板の酸化表面と反応させ反応生成物を生成し、シリコン基板を所定温度に制御することにより前記反応生成物を昇華させてシリコン基板の表面の酸化膜を除去し、酸化膜が除去された前記シリコン基板の配置を維持した状態で、補助処理ガスとして、前記処理ガス、もしくは、Ｎ２とＮＦ３を、前記処理ガスと同一のガス導入手段から導入して前記シリコン基板の表面にＦラジカルを作用させ所定厚のシリコン層を除去した後、前記シリコン基板の配置を維持した状態で、前記シリコン層の除去の際に生成されたシリコン基板の表面の副生成物を、シリコン基板を１００℃〜４００℃に制御することにより除去することを特徴とする。【００２５】
請求項１０に係る本発明では、自然酸化膜が除去された後のシリコン基板の表層を補助処理ガスにより所定の厚さ除去し、自然酸化膜が除去された後に基板の面の酸素を確実に除去し、しかも、酸素除去で生じる虞のある副生成物を含めて除去することができ、酸素除去で生じる虞のある副生成物の除去まで自然酸化膜を除去する処理装置を用いて実施することができる。また、補助処理ガスとして処理ガス、もしくは、Ｎ２とＮＦ３を導入してシリコン基板の表面にＦラジカルを作用させることができ、同一のガス導入手段を用いて、補助処理ガスを導入してシリコン基板の表面にＦラジカルを作用させることができる。 【００２６】
上記目的を達成するための請求項１１に係る本発明の真空処理装置は、基板が配置されると共に内部が所定の真空状態にされる処理設備と、第１処理ガスまたは補助処理ガスを前記処理設備内に導入する第１処理ガス導入手段と、前記第１処理ガスまたは補助処理ガスと反応する第２処理ガスを前記処理設備内に導入する第２処理ガス導入手段と、前記処理設備内を所定の温度に制御することで、前記第１処理ガスと前記第２処理ガスと前記基板表面の自然酸化膜とを反応させる一方、前記第１処理ガスと前記第２処理ガスと前記基板表面の副生成物とを反応させる温度制御手段と、前記第１処理ガス導入手段及び前記第２処理ガス導入手段及び前記温度制御手段を制御して前記基板の表面に所定の処理を施す制御手段とを備え、前記制御手段は、前記第１処理ガスと前記第２処理ガスの導入を制御すると共に前記温度制御手段を制御することで、前記第１処理ガスと前記第２処理ガスと前記基板表面の自然酸化膜とを反応させ生成した反応生成物を除去し、前記第１処理ガス、前記補助処理ガス、前記第２処理ガスの導入を制御することで、前記自然酸化膜が除去された前記基板の表層を、前記補助処理ガスと前記第２処理ガス、もしくは、前記補助処理ガスにより所定の厚さ除去し、前記第１処理ガスと前記第２処理ガスの導入を制御すると共に前記温度制御手段を制御することで、前記第１処理ガスと前記第２処理ガスと表層が除去された前記基板の表面の副生成物とを反応させ生成した反応副生成物を除去することを特徴とする。【００２７】
請求項１１に係る本発明では、基板の自然酸化膜を除去した後に、制御手段により、第１処理ガス導入手段と第２処理ガス導入手段の双方から補助処理ガスを導入し、制御手段により、自然酸化膜が除去された後の基板の表層を補助処理ガスより所定の厚さ除去し、更に、第１処理ガスと第２処理ガスの導入を制御すると共に温度制御手段を制御して第１処理ガスと第２処理ガスと表層が除去された基板の表面の副生成物とを反応させ生成した反応副生成物を除去する。このため、自然酸化膜を除去する処理装置を用い、自然酸化膜が除去された後に基板の面の酸素を確実に除去することができ、しかも、酸素除去で生じる虞のある副生成物を含めて除去することができる。【００２８】
そして、請求項１２に係る本発明の真空処理装置は、請求項１１に記載の真空処理装置において、前記処理設備の内部には複数枚の前記基板が収容され、前記複数枚の前記基板は、所定間隔で互いに平行に配されていることを特徴とする。【００２９】
請求項１２に係る本発明では、バッチ処理により自然酸化膜の除去及び自然酸化膜が除去された基板の表層の除去、副生成物の除去を行うことができる。【００３０】
また、請求項１３に係る本発明の真空処理装置は、請求項１１に記載の真空処理装置において、前記処理設備の内部には一枚の基板が収容されていることを特徴とする。【００３１】
請求項１３に係る本発明では、枚葉式処理により自然酸化膜の除去及び自然酸化膜が除去された基板の表層の除去、副生成物の除去を行うことができる。【００３２】
処理設備として複数の処理室を備え、例えば、自然酸化膜が除去された後の基板の表層を補助処理ガスより所定の厚さ除去する工程を独立した処理室で実施することも可能である。この場合、複数の処理室に対して第１処理ガス導入手段及び第２処理ガス導入手段がそれぞれ備えられる。また、処理設備として温度制御を行うための加熱処理室・冷却処理室を独立して設けたり、基板の搬入・搬出を行う処理室を独立して設けることが可能である。複数枚の基板を同時に移動させる機構を設けることで、バッチ処理における処理設備に対しても、複数の処理室を備えることが可能である。【００３３】
また、請求項１４に係る本発明の真空処理装置は、請求項１１から請求項１３のいずれか一項に記載の真空処理装置において、前記第１処理ガスがＨラジカルを生成させるガスであり、前記第２処理ガスがＮＨｘＦｙ及びＦラジカルを生成させるガスであり、前記基板がシリコン基板であることを特徴とする。【００３４】
また、請求項１５に係る本発明の真空処理装置は、請求項１４に記載の真空処理装置において、前記第１処理ガスがＮＨ３またはＨ２の少なくともいずれか一方とＮ２であり、前記第２処理ガスがＮＦ３であり、前記制御手段は、前記シリコン基板の温度が所定温度になるように前記温度制御手段を制御し、前記第１処理ガスと前記第２処理ガスと自然酸化膜とを反応させることで生成した反応生成物が形成された前記反応生成物を昇華させて前記シリコン基板の表面から自然酸化膜を除去し、自然酸化膜が除去された前記シリコン基板の表面に前記補助処理ガスと第２処理ガス、もしくは前記補助処理ガスによりＦラジカルを作用させることで前記シリコン基板のシリコン層を所定の厚さ除去し、前記シリコン基板の温度が所定温度になるように前記温度制御手段を制御し、前記第１処理ガスと前記第２処理ガスと副生成物とを反応させることで生成した反応副生成物が形成された前記反応副生成物を昇華させて前記シリコン基板の表面から副生成物を除去することを特徴とする。【００３５】
請求項１４及び請求項１５に係る本発明では、第１処理ガスと第２処理ガスとシリコン基板（シリコンウエハ）表面の酸化膜とを反応させ反応生成物を生成し、シリコンウエハを所定温度に制御することにより、反応生成物を昇華させてシリコンウエハの表面の自然酸化膜を除去（エッチング）し、シリコンウエハの表面にＦラジカルを作用させてシリコン層を所定の厚さ除去し、第１処理ガスと第２処理ガスと副生成物とを反応させて反応副生成物を生成し、シリコンウエハを所定温度に制御することにより、反応副生成物を昇華させてシリコンウエハの表面の副生成物を除去（エッチング）することができる。【００３６】
また、請求項１６に係る本発明の真空処理装置は、請求項１５に記載の真空処理装置において、前記補助処理ガスがＮＨ３またはＨ２の少なくともいずれか一方とＮ２であることを特徴とする。【００３７】
請求項１６に係る本発明では、補助処理ガスとして処理ガスを導入してシリコン基板の表面にＦラジカルを作用させることができる。【００３８】
また、請求項１７に係る本発明の真空処理装置は、請求項１６に記載の真空処理装置において、前記制御手段には、前記Ｆラジカルを作用させる際に、前記補助処理ガスのＮＨ３またはＨ２の一方もしくは双方を停止し、Ｎ２のみを導入させる、もしくは、Ｎ２とＮＦ３を導入させる停止手段が備えられていることを特徴とする。【００３９】
請求項１７に係る本発明では、第１処理ガスのＮＨ３またはＨ２の一方もしくは双方を停止させて補助処理ガスとすることができる。
【発明の効果】
【００４０】
本発明の真空処理方法及び真空処理装置は、自然酸化膜を除去する処理装置を用い、自然酸化膜が除去された後に基板の面の酸素を確実に除去することができ、しかも、酸素除去で生じる虞のある副生成物を含めて除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１実施形態例に係る真空処理装置の全体構成図である。
【図２】真空処理槽の概略構成図である。
【図３】自然酸化膜及び副生成物を除去する際の処理ガスの状況を表す概念図である。
【図４】自然酸化膜除去の工程説明図である。
【図５】自然酸化膜の除去状況を表すグラフである。
【図６】シリコン層を除去する際の処理ガスの状況を表す概念図である。
【図７】シリコン層除去の工程説明図である。
【図８】シリコン層の除去状況を表すグラフである。
【図９】副生成物除去の工程説明図である。
【図１０】自然酸化膜除去及びシリコン層除去の処理ガスの経時変化を表すタイムチャートである。
【図１１】シリコン基板の処理説明図である。
【図１２】具体的な用途を表す概略図である。
【図１３】シリコン層を除去する際の処理ガスの状況を表す概念図である。
【図１４】シリコン層除去の工程説明図である。
【図１５】本発明の他の実施形態例に係る真空処理装置の全体構成図である。
【図１６】本発明の他の実施形態例に係る真空処理装置の全体構成図である。
【図１７】図１６中のＡ−Ａ線矢視図である。
【図１８】図１６中のＢ−Ｂ線矢視図である。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
図１から図１２に基づいて本発明の第１実施形態例を説明する。
【００４３】
図１には本発明の第１実施形態例に係る真空処理装置の全体を表す構成、図２には真空処理槽の概略を表す構成、図３には自然酸化膜及び副生成物を除去する際の処理ガスの状況を表す概念、図４には自然酸化膜を除去する工程の説明、図５には自然酸化膜の除去状況、図６にはシリコン層を除去する際の処理ガスの状況を表す概念、図７にはシリコン層を除去する工程の説明、図８にはシリコン層の除去状況、図９には副生成物を除去する工程の説明、図１０には自然酸化膜除去及びシリコン層除去及び副生成物除去の処理ガスの経時変化、図１１には自然酸化膜除去及びシリコン層除去及び副生成物除去の一連の工程の説明、図１２には具体的な用途を表す概略を示してある。
【００４４】
本発明の真空処理装置は、シリコン基板の自然酸化膜を除去し、酸化膜が除去されたシリコン基板の表面にＦラジカルを作用させて所定厚のシリコン層を除去して酸素を完全に除去し、更に、所定厚のシリコン層を除去した際に生成された副生成物を除去するための装置となっている。このため、自然酸化膜を除去する処理装置を用い、自然酸化膜が除去された後に基板の面の酸素を確実に除去することができ、しかも、酸素除去で生じる虞のある副生成物を含めて除去することができる。
【００４５】
図１、図２に基づいて真空処理装置の構成を説明する。
【００４６】
図１に示すように、真空処理装置（エッチング装置）１には真空排気系に接続される仕込取出槽２が備えられ、仕込取出槽２の上方には真空処理槽３が備えられている（処理設備）。仕込取出槽２の内部には所定速度で回転可能なターンテーブル４が設けられ、ターンテーブル４には基板としてのシリコン基板５を保持するボート６が支持される。ボート６にはシリコン基板５が複数枚（例えば、５０枚）収容され、複数枚のシリコン基板５は所定間隔で互いに平行に配されている。
【００４７】
シリコン基板５のシリコンは、単結晶シリコン、多結晶シリコン（ポリシリコン）の何れであってもよく、以下には、単にシリコンと称してある。このため、ポリシリコンのシリコン基板を適用した場合、後述するシリコン層のエッチングは、ポリシリコン層のエッチングとなる。
【００４８】
仕込取出槽２の上部には鉛直方向に伸びる送りねじ７が設けられ、送りねじ７の駆動によりターンテーブル４が昇降動作する。仕込取出槽２と真空処理槽３は連通口８を介して内部が連通し、シャッタ手段９により雰囲気的に隔離されるようになっている。シャッタ手段９の開閉及びターンテーブル４の昇降により、仕込取出槽２と真空処理槽３の間でボート６（シリコン基板５）の受け渡しが行われる。
【００４９】
尚、図中の符号で１０は、真空処理槽３の内部の真空排気を行う排出部である。
【００５０】
真空処理槽３の側部にはラジカル状態の水素（Ｈラジカル：Ｈ＊）が導入される第１導入口１１が２箇所に設けられ、真空処理槽３の内部には第２処理ガス（処理ガス）としてのＮＦ３が導入されるシャワーノズル１２が設けられている。２箇所の第１導入口１１から導入されるＨラジカルＨ＊とシャワーノズル１２から導入されるＮＦ３が反応することにより、真空処理槽３の内部に前駆体ＮＨｘＦｙが生成される。
【００５１】
図２に示すように、第１導入口１１には第１導入路１３が接続され、第１導入路１３にはプラズマ発生部１４が設けられている。プラズマ発生部１４はマイクロ波により処理ガスをプラズマ状態にするものである。第１導入路１３には流量調整手段１５を介して第１処理ガスとしてのＮＨ３ガス（ＮＨ３ガスまたはＨ２ガスの少なくともいずれか一方）及びＮ２ガスが供給され、プラズマ発生部１４でＮＨ３ガス及びＮ２ガスがプラズマ状態にされることによりＨラジカルＨ＊が生成される。シャワーノズル１２には流量調整手段１６を介してＮＦ３ガスが供給される。
【００５２】
第１導入口１１、第１導入路１３及び流量調整手段１５により第１処理ガス導入手段が構成され、シャワーノズル１２、流量調整手段１６により第２処理ガス導入手段が構成されている。
【００５３】
真空処理槽３には温度制御手段としての図示しないランプヒータが設けられ、ランプヒータにより真空処理槽３の内部の温度、即ち、シリコン基板５の温度が所定状態に制御される。流量調整手段１５、１６による処理ガスの流通状況、及び、ランプヒータの動作状態は制御手段としての図示しない制御装置により適宜制御される。
【００５４】
上述した真空処理装置１では、シリコン基板５を保持したボート６が真空処理槽３の内部に搬入され、真空処理槽３の内部を気密状態にして所定の圧力になるように真空排気が行われる。
【００５５】
制御装置からの指令により、ラジカル状態のＮＨ３ガスとＮ２ガス、ＮＦ３ガスを真空処理槽３に導入し、所定の真空状態の雰囲気に配置されたシリコン基板５の自然酸化膜表面（ＳｉＯ２）と処理ガスとを反応（低温での吸着反応）させることで、反応生成物(Ｆｙ及びＮＨｘの化合物{（ＮＨ４）２ＳｉＦ６})を生成する。そして、ランプヒータを動作させてシリコン基板５を所定温度に制御することにより（高温にすることにより）、反応生成物{（ＮＨ４）２ＳｉＦ６}を昇華させてシリコン基板５の表面の自然酸化膜を除去（エッチング）する。
【００５６】
自然酸化膜が除去されたシリコン基板５の配置を維持した状態で、制御装置からの指令により、補助処理ガスとしてラジカル状態のＮＨ３ガス及びＮ２ガス、ＮＦ３ガスを真空処理槽３に導入する。即ち、自然酸化膜をエッチングする際の処理ガスと同一の処理ガスを導入する。真空処理槽３に生成されたラジカル状態のＦ（Ｆラジカル：Ｆ＊）をシリコン基板５の表面に作用させ、所定厚のシリコン層をエッチングする。
【００５７】
この時、ＮＨｘＦｙがＦラジカル：Ｆ＊と共に真空処理槽３に存在するが、ＮＨｘＦｙは高温雰囲気ではシリコン基板５の表面には作用しない。このため、制御装置によりランプヒータの動作が制御されることにより、自然酸化膜をエッチングした際の所定温度（例えば、１００℃〜４００℃）の状態がシリコン層をエッチングする際にも維持され、自然酸化膜がエッチングされた後は、Ｆラジカル：Ｆ＊だけをシリコン基板５の表面に作用させて所定厚のシリコン層をエッチングすることができる。
【００５８】
更に、所定厚のシリコン層がエッチングされたシリコン基板５の配置を維持した状態で、処理ガスＮＨ３ガスとＮ２ガス、ＮＦ３ガスを真空処理槽３に導入し、所定の真空状態の雰囲気に配置されたシリコン基板５の副生成物（ＳｉＯＦ、ＳｉＯＨ）と処理ガスに基づくフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）とを反応（低温での吸着反応）させ、反応副生成物Ｆｙ及びＮＨｘの化合物{（ＮＨ４）２ＳｉＦ６}を生成する。そして、ランプヒータを動作させてシリコン基板５を所定温度に制御することにより（高温にすることにより）、反応副生成物{（ＮＨ４）２ＳｉＦ６}を昇華させてシリコン基板５の表面の副生成物を除去（エッチング）する。
【００５９】
尚、副生成物（ＳｉＯＦ、ＳｉＯＨ）を除去するに際し、フッ化アンモニウムを生成するために、ＮＦ３ガス及びラジカル状態のＮＨ３ガスとＮ２ガスを導入した例を挙げているが、ＮＦ３ガス及びラジカル状態のＨ２ガスとＮ２ガスを導入することも可能である。また、ＨＦガスとＮＦ３ガスを導入することが可能である。
【００６０】
図３〜図５に基づいて自然酸化膜のエッチングを説明する。
【００６１】
図３に示すように、第１導入路１３からＮＨ３ガス（ＮＨ３ガスまたはＨ２ガスの少なくともいずれか一方）及びＮ２ガスを導入し、プラズマ発生部でＨラジカルＨ＊を生成し、第１導入口１１からＨラジカルＨ＊を真空処理槽３に導入する。同時に、シャワーノズル１２からＮＦ３ガスを真空処理槽３に導入し、ＨラジカルＨ＊とＮＦ３ガスを混合させて反応させてＮＨｘＦｙを生成させる。
即ち、
Ｈ＊＋ＮＦ３→ＮＨｘＦｙ（ＮＨ４ＦＨ、ＮＨ４ＦＨＦ等）
【００６２】
図４（ａ）に示すように、ＮＨｘＦｙとシリコン基板５の自然酸化表面（ＳｉＯ２）が反応し、図４（ｂ）に示すように、Ｆｙ及びＮＨｘの化合物である（ＮＨ４）２ＳｉＦ６が生成される。
即ち、
ＮＨｘＦｙ＋ＳｉＯ２→（ＮＨ４）２ＳｉＦ６＋Ｈ２Ｏ↑
【００６３】
その後、ランプヒータにより真空処理槽３を加熱し（例えば、１００℃〜４００℃）、図４（ｃ）に示すように、（ＮＨ４）２ＳｉＦ６を分解して昇華させ、シリコン基板５の表面から除去する。
即ち、
（ＮＨ４）２ＳｉＦ６→ＮＨ３↑＋ＨＦ↑＋ＳｉＦ４↑
【００６４】
シリコン基板５の表面をエッチングして（ＮＨ４）２ＳｉＦ６を除去することで、図４（ｄ）に示すように、シリコン基板５の表面の自然酸化膜が除去され、清浄な表面とされる。この時、図５に○印で示すように、自然酸化膜はエッチング時間に応じてエッチング量が増加し、図５に□印で示すように、シリコン層はエッチング時間が長くなってもエッチング量はほとんど変化がなく、シリコン層はエッチングされていないことが判る。
【００６５】
自然酸化膜が除去されたシリコン基板５の配置を維持した状態で、即ち、同一の真空処理槽３で、自然酸化膜が除去されたシリコン基板５の表面（シリコン層）をエッチングする。これにより、酸化膜の界面とされたシリコン面の酸素、例えば、シリコンの金属格子間等に存在する虞のある酸素が除去され、表面から酸素が確実に除去されたシリコン基板５を得ることができる。しかも、自然酸化膜をエッチングする装置でシリコン層をエッチングするため、搬送による酸化等が生じることがなく、極めて簡単な処理で高い表面清浄度を有するシリコン基板５を得ることができる。
【００６６】
図６〜図８に基づいて自然酸化膜が除去された後のシリコン層のエッチングを説明する。
【００６７】
図６に示すように、第１導入路１３からＮＨ３ガス（ＮＨ３ガスまたはＨ２ガスの少なくともいずれか一方）及びＮ２ガスを導入し、プラズマ発生部１４でＨラジカルＨ＊及びＮラジカルＮ＊を生成し、第１導入口１１からＨラジカルＨ＊及びＮラジカルＮ＊を真空処理槽３に導入する。同時に、シャワーノズル１２からＮＦ３ガスを真空処理槽３に導入し、ＨラジカルＨ＊とＮＦ３ガスを混合させて反応させて前駆体ＮＨｘＦｙを生成させると共に、ＮラジカルＮ＊とＮＦ３ガスを混合させて反応させてＦラジカルＦ＊を生成させる。
即ち、
Ｈ＊＋ＮＦ３→ＮＨｘＦｙ（ＮＨ４ＦＨ、ＮＨ４ＦＨＦ等）
Ｎ＊＋ＮＦ３→Ｎ２＋Ｆ２＋Ｆ＊（３Ｆ＊等）
【００６８】
図７（ａ）に示すように、真空処理槽３の内部は、自然酸化膜を除去、即ち、（ＮＨ４）２ＳｉＦ６を分解・昇華するために加熱雰囲気に維持されている。このため、前駆体ＮＨｘＦｙは高温に維持されたシリコン基板５の表面（シリコン面）と反応せず、図７（ｂ）に示すように、ＦラジカルＦ＊がシリコン基板５の表面に作用して表面がエッチングされる。
即ち、
Ｓｉ＋４Ｆ＊→ＳｉＦ４↑
【００６９】
これにより、図７（ｃ）に示すように、自然酸化膜の界面とされたシリコン面の酸素が除去され、表面から酸素が確実に除去されたシリコン基板５を得ることができる。この時、図８に□印で示すように、シリコン層はエッチング時間に応じてエッチング量が増加し、図８に△印で示すように、シリコン層以外の層（例えば、ＳｉＮ）はエッチング時間が長くなってもエッチング量はほとんど変化がなく、シリコン層だけがエッチングされることが判る。
【００７０】
ＦラジカルＦ＊をシリコン基板５の表面に作用させて表面をエッチングした場合、シリコン基板５の表面に副生成物（ＳｉＯＦ、ＳｉＯＨ）が生成されることが考えられる。このため、シリコン基板５の配置を維持した状態で、即ち、同一の真空処理槽３で、所定厚のシリコン層がエッチングされたシリコン基板５の表面の副生成物（ＳｉＯＦ、ＳｉＯＨ）を除去する。このため、自然酸化膜を除去する処理装置を用い、酸素除去で生じる虞のある副生成物を含めてシリコン基板５の表面の酸素を確実に除去することができる。
【００７１】
図３及び図９に基づいて、所定厚のシリコン層がエッチングされたシリコン基板５の表面の副生成物（ＳｉＯＦ、ＳｉＯＨ）を除去する状況を説明する。
【００７２】
処理ガスの導入は自然酸化膜を除去する時（図３）と同一である。図３に示すように、第１導入路１３からＮＨ３ガス（ＮＨ３ガスまたはＨ２ガスの少なくともいずれか一方）及びＮ２ガスを導入し、プラズマ発生部でＨラジカルＨ＊を生成し、第１導入口１１からＨラジカルＨ＊を真空処理槽３に導入する。同時に、シャワーノズル１２からＮＦ３ガスを真空処理槽３に導入し、ＨラジカルＨ＊とＮＦ３ガスを混合させて反応させてＮＨｘＦｙを生成させる。
即ち、
Ｈ＊＋ＮＦ３→ＮＨｘＦｙ（ＮＨ４ＦＨ、ＮＨ４ＦＨＦ等）
【００７３】
図９（ａ）に示すように、ＮＨｘＦｙとシリコン基板５の表面の副生成物（ＳｉＯＦ、ＳｉＯＨ）が反応し、図９（ｂ）に示すように、Ｆｙ及びＮＨｘの化合物である（ＮＨ４）２ＳｉＦ６が生成される。
即ち、
ＮＨｘＦｙ＋ＳｉＯＦ（ＳｉＯＨ）→（ＮＨ４）２ＳｉＦ６＋Ｈ２Ｏ↑
【００７４】
その後、ランプヒータにより真空処理槽３を加熱し（例えば、１００℃〜４００℃）、図９（ｃ）に示すように、（ＮＨ４）２ＳｉＦ６を分解して昇華させ、シリコン基板５の表面から除去する。
即ち、
（ＮＨ４）２ＳｉＦ６→ＮＨ３↑＋ＨＦ↑＋ＳｉＦ４↑
【００７５】
シリコン基板５の表面をエッチングして（ＮＨ４）２ＳｉＦ６を除去することで、図９（ｄ）に示すように、シリコン基板５の表面の自然酸化膜が除去され、副生成物（ＳｉＯＦ、ＳｉＯＨ）を含む酸素が除去された極めて清浄な表面とされる。
【００７６】
上述した自然酸化膜のエッチング及びシリコン層のエッチング、副生成物のエッチングにおける処理ガス｛ＮＨ３ガス（ＮＨ３ガスまたはＨ２ガスの少なくともいずれか一方）及びＮ２ガス、ＮＦ３ガス｝の導入状況を図１０に基づいて説明する。その時の一連の工程の状況を図１１に示してある。
【００７７】
時間ｔ１から時間ｔ２の間（例えば、５２０ｓｅｃ）は処理ガスが導入（ＯＮ）され、ランプヒータがＯＦＦにされ、前駆体ＮＨｘＦｙが自然酸化膜ＳｉＯ２と反応する処理が実施される（図４（ａ）（ｂ）、図１１（ａ）（ｂ）参照）。時間ｔ２から時間ｔ３の間は処理ガスが停止（ＯＦＦ）され、ランプヒータがＯＮにされ、化合物である（ＮＨ４）２ＳｉＦ６が分解して昇華され自然酸化膜ＳｉＯ２がエッチングされる（図４（ｃ）（ｄ）、図１１（ｃ）参照）。
【００７８】
続いて、時間ｔ３から時間ｔ４の間（例えば、５０〜２１０ｓｅｃ）は再び処理ガスが導入（ＯＮ）され、ランプヒータがＯＦＦにされ、ＦラジカルＦ＊を生成させる。加熱雰囲気に保たれ、時間ｔ４から時間ｔ５の間、ランプヒータがＯＮされ、ＦラジカルＦ＊によりシリコン層がエッチングされる（図７（ａ）（ｂ）（ｃ）、図１１（ｄ）参照）。
【００７９】
更に、時間ｔ５から時間ｔ６の間（例えば、５０〜２１０ｓｅｃ）は処理ガスが導入（ＯＮ）され、適宜ランプヒータがＯＦＦされ、前駆体ＮＨｘＦｙが副生成物（ＳｉＯＦ、ＳｉＯＨ）と反応する処理が実施される（図９（ａ）（ｂ）、図１１（ｅ）（ｆ）参照）。時間ｔ６以降は処理ガスが停止（ＯＦＦ）され、温度が維持されるようにランプヒータがＯＮ・ＯＦＦされ、化合物である（ＮＨ４）２ＳｉＦ６が分解して昇華され副生成物（ＳｉＯＦ、ＳｉＯＨ）がエッチングされる（図９（ｃ）（ｄ）、図１１（ｇ）参照）。
【００８０】
尚、時間ｔ３、時間ｔ５の時点で処理槽内を冷却するクーリング工程を実施することも可能である。
【００８１】
上述したように、第１実施形態例では、同一の真空処理槽３の内部で、自然酸化膜の除去と自然酸化膜が除去されたシリコン層の除去、及びシリコン層の除去で生成される副生成物の除去が行える。このため、自然酸化膜を除去する真空処理装置１を用い、簡単な制御で短時間に、自然酸化膜が除去された後にシリコン基板５の界面の酸素を確実に除去することができ、しかも、酸素除去で生じる虞のある副生成物を含めて除去することができる。従って、簡単な真空処理装置１及び処理方法により、極めて性能が高い表面を有するシリコン基板５を得ることが可能になる。
【００８２】
上述した自然酸化膜の除去と自然酸化膜が除去されたシリコン層の除去は、図１２に示すように、半導体基板のコンタクトホールＣの底面の清浄処理に用いられる。即ち、コンタクトホールＣの自然酸化膜が（ＮＨ４）２ＳｉＦ６の昇華により除去され、その後、連続してシリコン層が除去される。更に、シリコン層の除去の際に生成される副生成物（ＳｉＯＦ、ＳｉＯＨ）が（ＮＨ４）２ＳｉＦ６の昇華により除去される。これにより、副生成物を含めて酸素が確実に除去された底面を有するコンタクトホールＣを形成することができ、その後、配線用の金属を積層した際に抵抗が極めて少ない配線を実現することができる。
【００８３】
図１３、図１４に基づいて自然酸化膜が除去された後のシリコン層のエッチング方法（真空処理方法）の第２実施形態例を説明する。図１３には本発明の第２実施形態例におけるシリコン層を除去する際の処理ガスの状況を表す概念、図１４には本発明の第２実施形態例におけるシリコン層除去の工程説明を示してある。尚、真空処理装置１の構成は第１実施形態例と同一であるので構成の説明は省略してある。
【００８４】
第２実施形態例に係るエッチング方法は、自然酸化膜を除去する場合、第１処理ガス、第２処理ガス（処理ガス）としてＮＨ３ガス（ＮＨ３ガスまたはＨ２ガスの少なくともいずれか一方）、Ｎ２ガス及びＮＦ３ガスを用い、シリコン層を除去する場合、補助処理ガスとしてＮＨ３ガスを停止し、Ｎ２とＮＦ３を用いる。つまり、シリコン層を除去する場合、真空処理装置１の内部に前駆体ＮＨｘＦｙを生成させずにＦラジカルＦ＊をシリコン基板５に作用させる。このため、以下にはシリコン層の除去について説明してある。
【００８５】
図１３に示すように、第１導入路１３からＮ２ガスを導入し{ＮＨ３ガス（ＮＨ３ガスまたはＨ２ガスの少なくともいずれか一方）を停止し}、プラズマ発生部１４でＮラジカルＮ＊を生成し、第１導入口１１からＮラジカルＮ＊を真空処理槽３に導入する。同時に、シャワーノズル１２からＮＦ３ガスを真空処理槽３に導入し、ＮラジカルＮ＊とＮＦ３ガスを混合させて反応させてＦラジカルＦ＊を生成させる。
即ち、
Ｎ＊＋ＮＦ３→Ｎ２＋Ｆ２＋Ｆ＊（３Ｆ＊等）
【００８６】
図１４（ａ）に示すように、真空処理槽３の内部にＦラジカルＦ＊が導入され、図１４（ｂ）に示すように、ＦラジカルＦ＊がシリコン基板５の表面に作用して表面がエッチングされる。
即ち、
Ｓｉ＋４Ｆ＊→ＳｉＦ４↑
【００８７】
これにより、図１４（ｃ）に示すように、自然酸化膜の界面とされたシリコン面の酸素が除去され、表面から酸素が確実に除去されたシリコン基板５を得ることができる。また、ＮＨ３ガス（ＮＨ３ガスまたはＨ２ガスの少なくともいずれか一方）を停止しているので、前駆体ＮＨｘＦｙが生成されず、比較的低温の場合でもＦラジカルＦ＊をシリコン基板５の表面に作用させることができ、短時間でシリコン層のエッチングを行うことができる。
【００８８】
上述したように、第２実施形態例では、第１実施形態例と同様に、同一の真空処理槽３の内部で、自然酸化膜の除去と自然酸化膜が除去されたシリコン層の除去が行え、簡単な制御で短時間に、自然酸化膜が除去された後にシリコン基板５の界面の酸素を確実に除去することができる。従って、簡単な真空処理装置１及び処理方法により、極めて性能が高い表面を有するシリコン基板５を得ることが可能になる。
【００８９】
尚、上述した各実施形態例では、シリコン層のエッチングの際、ＮＨ３ガス（ＮＨ３ガスまたはＨ２ガスの少なくともいずれか一方）及びＮ２ガスとＮＦ３ガスを別々のガス導入手段から導入しているが、これに限らず、プラズマ発生部を有する同一のガス導入手段からすべてのガスを導入してもよい。この場合には、ＮＦ３ガスに直接プラズマを印加してＦラジカルを作成することができる。
【００９０】
図１５に基づいてバッチ処理を行う装置の他の例を説明する。図１５には本発明の他の実施形態例に係る真空処理装置の概略を表す全体構成を示してある。
【００９１】
処理設備である真空処理室２１（エッチング室）にはプラズマ状態の処理ガス及びＮＦ３が導入され、真空処理室２１の上部にはバルブ２２を介して処理設備である冷却室２３が備えられている。冷却室２３には不活性ガス（Ｎ２ガス）が導入されて室内が冷却される。真空処理室２１及び冷却室２３は真空系２４、２５により所定の真空状態にされる。真空処理室２１にはヒータ２６が設けられ、ヒータ２６により真空処理室２１の内部が所望の温度に制御される。
【００９２】
真空処理室２１には昇降機構２７が備えられ、ボート６に保持された複数のシリコン基板５が昇降される。バルブ２２の開閉及び昇降機構２７を連動することで、真空処理室２１と冷却室２３の間で複数のシリコン基板５を移動させることができる。冷却室２３はバルブ２２を介して図示しないロードロック室と接続され、バルブ２２の開閉によりボート６に保持された複数のシリコン基板５が移送（搬入・搬出）される。
【００９３】
上述した真空処理装置１では、シリコン基板５に対する自然酸化膜の除去及びシリコン層の除去、副生成物の除去が真空処理室２１で実施される。また、温度制御を行う場合の冷却は冷却室２３で実施される。例えば、前述した一連の工程の中で、図１０に示した時間ｔ３、時間ｔ５の時点で処理槽内を冷却する場合のクーリング工程を行う場合、バルブ２２の開閉及び昇降機構２７を連動させ、ボート６に保持された複数のシリコン基板５を昇降させて冷却室２３で冷却が実施される。
【００９４】
冷却室２３を備えたことにより、一連の工程の中で、自然酸化膜の除去及びシリコン層の除去、副生成物の除去を行う場合の温度制御を短時間に行うことができ、生産性を向上させることができる。
【００９５】
本発明は、処理室内に基板を一枚づつ配する、いわゆる、枚葉式の装置で処理を行うことも可能である。図１６から図１８に基づいて枚葉式の装置の例を説明する。図１６には本発明の他の実施形態例に係る真空処理装置の概略を表す全体構成、図１７、図１８には図１６中のＡ−Ａ線矢視、Ｂ−Ｂ線矢視を示してある。
【００９６】
図に示すように、搬送ロボット３１を備えた搬送室４２が備えられ、搬送室４２の周囲にはバルブ４１を介してロードロック室３２、真空処理室（エッチング室）３３、加熱室３５、冷却室３４が配されている。真空処理室３３にはプラズマ状態の処理ガス及びＮＦ３が導入され、加熱室３５にはヒータ３６が備えられている。また、冷却室３４には不活性ガス（Ｎ２ガス）が導入されて室内が冷却される。
【００９７】
処理前のシリコン基板はロードロック室３２に搬入され、処理が終了したシリコン基板はロードロック室３２から搬出される。搬送ロボット３１の動作及びバルブ４１の開閉が連動して制御され、シリコン基板は、真空処理室３３、加熱室３５、冷却室３４に適宜搬送され、真空処理室３３、加熱室３５、冷却室３４から適宜搬出される。複数の処理室内にシリコン基板を一枚づつ配した状態で所定の処理が施される。
【００９８】
上述した真空処理装置では、シリコン基板に対する自然酸化膜の除去及びシリコン層の除去、副生成物の除去が真空処理室３３で実施される。また、温度制御を行う場合の加熱は加熱室３５で実施され、温度制御を行う場合の冷却は冷却室３４で実施される。シリコン層を除去する場合、ＦラジカルＦ＊が生成されるため、シリコン層の除去を実施するための真空処理室３３を追加することも可能である。
【００９９】
複数の処理室を備え、各処理室でシリコン基板を１枚づつ処理するので、一連の工程の中で、自然酸化膜の除去及びシリコン層の除去、副生成物の除去を行う場合、均一に処理を行うことができ、高い性能の製品を得ることができる。
【０１００】
上述した実施形態では、自然酸化膜と副生成物を除去する場合に同一のガスを用いた場合を記載したが、異なるガスを用いてもよく、例えば、副生成物を除去するガスとして、無水フッ化水素酸ガス（ＡＨＦ）とＮ２ガスとエタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）又はメタノール（ＣＨ３ＯＨ）で飽和されたＮ２ガスを用いてもよい。
【０１０１】
この場合には、マスフローコントローラーを通じて無水フッ化水素酸ガス（ＡＨＦ）とＮ２ガスを同一の配管から真空処理室に導入し、別の配管から容器内のエタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）又はメタノール（ＣＨ３ＯＨ）をバブリングすることによりエタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）又はメタノール（ＣＨ３ＯＨ）で飽和されたＮ２ガスを導入する。
【０１０２】
真空処理室内では、無水フッ化水素酸ガス（ＡＨＦ）とエタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）又はメタノール（ＣＨ３ＯＨ）で飽和されたＮ２ガスとの反応により、シリコン基板表面の副生成物（例えば、ＳｉＯＦ）を除去することができる。
【０１０３】
具体的には、無水フッ化水素酸ガス（ＡＨＦ）とエタノールエタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）又はメタノール（ＣＨ３ＯＨ）との反応により、ＨＦ２−が生成される。
即ち、
Ｃ２Ｈ５ＯＨ＋２ＨＦ→Ｃ２Ｈ５ＯＨ２＋＋ＨＦ２−
ＣＨ３ＯＨ＋２ＨＦ→ＣＨ３ＯＨ２＋＋ＨＦ２−
【０１０４】
生成されたＨＦ２−は副生成物（例えば、ＳｉＯＦ）のエッチングに寄与する。副生成物のエッチングで生じたＳｉＦ４とＨ２Ｏはエタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）やメタノール（ＣＨ３ＯＨ）との親和性がよく、過剰の（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）やメタノール（ＣＨ３ＯＨ）蒸気と共に排気される。
【０１０５】
また、上述した実施形態では、副生成物の除去をガスを用いたいわゆるドライエッチングを用いた場合を記載したが、これに限られず、ウエットエッチング法を用いて副生成物の除去を行ってもよい。この場合には、例えば、シリコン層を除去した後、シリコン基板を別の処理室に搬送し、フッ化水素（ＨＦ）で満たされた容器内に基板を浸すことにより行う。この処理により、シリコン基板表面の副生成物（例えば、ＳｉＯＦ）を除去することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１０６】
本発明は、真空状態の処理設備でエッチングを行う真空処理方法及び真空処理装置の産業分野で利用することができる。
【符号の説明】
【０１０７】
１  真空処理装置
２  仕込取出槽
３  真空処理槽
４  ターンテーブル
５  シリコン基板
６  ボート
７  送りねじ
８  連通口
９  シャッタ手段
１０  排出部
１１  第１導入口
１２  シャワーノズル
１３  第１導入路
１４  プラズマ発生部
１５、１６  流量調整手段
【図１】
2010110309.tif 000003
【図２】
2010110309.tif 000004
【図３】
2010110309.tif 000005
【図４】
2010110309.tif 000006
【図５】
2010110309.tif 000007
【図６】
2010110309.tif 000008
【図７】
2010110309.tif 000009
【図８】
2010110309.tif 000010
【図９】
2010110309.tif 000011
【図１０】
2010110309.tif 000012
【図１１】
2010110309.tif 000013
【図１２】
2010110309.tif 000014
【図１３】
2010110309.tif 000015
【図１４】
2010110309.tif 000016
【図１５】
2010110309.tif 000017
【図１６】
2010110309.tif 000018
【図１７】
2010110309.tif 000019
【図１８】
2010110309.tif 000020
【国際調査報告】
2010110309.tif 000021
2010110309.tif 000022
2010110309.tif 000023
2010110309.tif 000024