(57)【要約】本発明によれば、テラヘルツ波を被測定物に与えて測定する際に、テラヘルツ波が被測定物により屈折することに起因する悪影響を抑制する。収容具１０は、テラヘルツ波測定装置により測定される被測定物１の少なくとも一部を収容する。収容具１０は、被測定物１の少なくとも一部がその内部に配置される空隙部１１と、第一曲面部分Ｓ１と第二曲面部分Ｓ２とを有し、第一曲面部分Ｓ１と第二曲面部分Ｓ２との間に空隙部１１が配置され、空隙部１１を包囲する包囲部１２とを備える。さらに、包囲部の屈折率をｎ２、被測定物の屈折率をｎ１としたときに、ｎ１＜ｎ２である。しかも、第一曲面部分Ｓ１と第二曲面部分Ｓ２とが共に凸面である。
2010123147.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波測定装置により測定される被測定物の少なくとも一部を収容する収容具であって、
前記被測定物の少なくとも一部がその内部に配置される空隙部と、
第一曲面部分と第二曲面部分とを有し、前記第一曲面部分と前記第二曲面部分との間に前記空隙部が配置され、前記空隙部を包囲する包囲部と、
を備え、
前記包囲部の屈折率をｎ２、前記被測定物の屈折率をｎ１としたときに、
ｎ２がｎ１よりも大きく、
前記第一曲面部分および前記第二曲面部分は、共に凸面であり、
前記電磁波測定装置は、前記被測定物に向けて０．０１［ＴＨｚ］以上１００［ＴＨｚ］以下の周波数の電磁波を出力する、
収容具。
【請求項２】
電磁波測定装置により測定される被測定物の少なくとも一部を収容する収容具であって、
前記被測定物の少なくとも一部がその内部に配置される空隙部と、
第一曲面部分と第二曲面部分とを有し、前記第一曲面部分と前記第二曲面部分との間に前記空隙部が配置され、前記空隙部を包囲する包囲部と、
を備え、
前記包囲部の屈折率をｎ２、前記被測定物の屈折率をｎ１としたときに、
ｎ２がｎ１よりも小さく、
前記第一曲面部分および前記第二曲面部分は、共に凹面であり、
前記電磁波測定装置は、前記被測定物に向けて０．０１［ＴＨｚ］以上１００［ＴＨｚ］以下の周波数の電磁波を出力する、
収容具。
【請求項３】
請求項１または２に記載の収容具であって、
前記空隙部の平面形状の輪郭が、円弧を含む、
収容具。
【請求項４】
請求項３に記載の収容具であって、
前記空隙部の平面断面の輪郭の半径が、前記空隙部の高さに応じて変化する、
収容具。
【請求項５】
請求項１または２に記載の収容具であって、
前記包囲部が分割面に沿って分割可能であり、
前記分割面が前記空隙部と交差する、
収容具。
【請求項６】
請求項１または２に記載の収容具であって、
前記被測定物と前記空隙部との間の空間に挿入される挿入部材を備え、
前記被測定物と前記挿入部材とが一体となったものの平面形状の輪郭が、前記空隙部の平面形状の輪郭と同心円状になり、
前記挿入部材の屈折率をｎ３、前記被測定物の屈折率をｎ１としたときに、
ｎ１−０．１≦ｎ３≦ｎ１＋０．１
である収容具。
【請求項７】
請求項６に記載の収容具であって、
前記被測定物と前記挿入部材とが一体となったものの平面形状の輪郭と、前記空隙部の平面形状の輪郭との距離が、
前記電磁波測定装置から前記被測定物に向けて出力された前記電磁波の波長の四分の一以下である、
収容具。
【請求項８】
請求項１または２に記載の収容具であって、
前記被測定物と前記空隙部との間の空間に充填される充填材を備え、
前記充填材の屈折率をｎ４、前記被測定物の屈折率をｎ１としたときに、
ｎ１−０．１≦ｎ４≦ｎ１＋０．１
である収容具。
【請求項９】
請求項１または２に記載の収容具であって、
前記被測定物の平面形状の輪郭と、前記空隙部の平面形状の輪郭との距離が、
前記電磁波測定装置から前記被測定物に向けて出力された前記電磁波の波長の四分の一以下である、
収容具。
【請求項１０】
電磁波測定装置により測定される被測定物の少なくとも一部を収容する収容具であって、
前記電磁波測定装置から前記被測定物に向けて出力された電磁波を受ける第一曲面部分と、該第一曲面部分よりも前記被測定物に近く前記電磁波が透過する第一凹面部分とを有し、屈折率がｎ２ａである第一被覆部と、
前記被測定物を透過した前記電磁波を受ける第二凹面部分と、該第二凹面部分よりも前記被測定物から遠く前記電磁波が透過する第二曲面部分とを有し、屈折率がｎ２ｂである第二被覆部と、
を備え、
前記被測定物の屈折率をｎ１としたときに、
ｎ２ａがｎ１よりも大きい場合は、前記第一曲面部分が凸面であり、
ｎ２ａがｎ１よりも小さい場合は、前記第一曲面部分が凹面であり、
ｎ２ｂがｎ１よりも大きい場合は、前記第二曲面部分が凸面であり、
ｎ２ｂがｎ１よりも小さい場合は、前記第二曲面部分が凹面であり、
前記電磁波測定装置は、前記被測定物に向けて０．０１［ＴＨｚ］以上１００［ＴＨｚ］以下の周波数の前記電磁波を出力する、
収容具。
【請求項１１】
請求項１０に記載の収容具であって、
ｎ２ａとｎ２ｂとは異なる収容具。
【請求項１２】
請求項１０に記載の収容具であって、
前記第一曲面部分の平面形状の曲率半径と、前記第二曲面部分の平面形状の曲率半径とは異なる収容具。
【請求項１３】
請求項１０ないし１２のいずれか一項に記載の収容具であって、
前記第一凹面部分および前記第二凹面部分の平面形状の輪郭が、円弧を含む、
収容具。
【請求項１４】
請求項１３に記載の収容具であって、
前記第一凹面部分および前記第二凹面部分の平面断面の輪郭の半径が、前記第一凹面部分および前記第二凹面部分の高さに応じて変化する、
収容具。
【請求項１５】
請求項１０ないし１２のいずれか一項に記載の収容具であって、
前記被測定物と、前記第一凹面部分および前記第二凹面部分との間の空間に挿入される挿入部材を備え、
前記被測定物と前記挿入部材とが一体となったものの輪郭が、前記第一凹面部分および前記第二凹面部分の平面形状の輪郭と同心円状になり、
前記挿入部材の屈折率をｎ３、前記被測定物の屈折率をｎ１としたときに、
ｎ１−０．１≦ｎ３≦ｎ１＋０．１
である収容具。
【請求項１６】
請求項１５に記載の収容具であって、
前記被測定物と前記挿入部材とが一体となったものの平面形状の輪郭と、前記第一凹面部分および前記第二凹面部分の平面形状の輪郭との距離が、
前記電磁波測定装置から前記被測定物に向けて出力された前記電磁波の波長の四分の一以下である、
収容具。
【請求項１７】
請求項１０ないし１２のいずれか一項に記載の収容具であって、
前記被測定物と、前記第一凹面部分および前記第二凹面部分との間の空間に充填される充填材を備え、
前記充填材の屈折率をｎ４、前記被測定物の屈折率をｎ１としたときに、
ｎ１−０．１≦ｎ４≦ｎ１＋０．１
である収容具。
【請求項１８】
請求項１０ないし１２のいずれか一項に記載の収容具であって、
前記被測定物の平面形状の輪郭と、前記第一凹面部分および前記第二凹面部分の平面形状の輪郭との距離が、
前記電磁波測定装置から前記被測定物に向けて出力された前記電磁波の波長の四分の一以下である、
収容具。
【請求項１９】
請求項１ないし１８のいずれか一項に記載の収容具であって、
前記第一曲面部分および前記第二曲面部分が円筒面である、
収容具。
【請求項２０】
請求項１ないし１８のいずれか一項に記載の収容具であって、
前記第一曲面部分および前記第二曲面部分の一方または双方が非円筒面である、
収容具。
【請求項２１】
前記被測定物を収容した請求項１ないし２０のいずれか一項に記載の収容具を、前記電磁波測定装置による前記被測定物の測定のために配置する収容具配置方法であって、
前記第一曲面部分の光軸が、前記電磁波測定装置から前記被測定物に向けて出力された前記電磁波の進行方向と平行になるように、前記収容具を配置する工程を備えた収容具配置方法。
【請求項２２】
前記被測定物を収容した請求項１ないし２０のいずれか一項に記載の収容具を、前記電磁波測定装置による前記被測定物の測定のために配置する収容具配置方法であって、
前記第一曲面部分の光軸が、前記電磁波測定装置から前記被測定物に向けて出力された前記電磁波の進行方向と、０度を超え９０度未満の角度で交差するように、前記収容具を配置する工程を備えた収容具配置方法。
【請求項２３】
請求項１ないし２０のいずれか一項に記載の収容具に収容された前記被測定物を、前記電磁波測定装置により測定する方法であって、
前記電磁波測定装置により、前記電磁波を出力する出力工程と、
前記電磁波測定装置により、前記被測定物を透過した前記電磁波を検出する検出工程と、
を備え、
前記出力工程および前記検出工程が行われている間に、前記収容具および前記被測定物が、前記電磁波の光路に対して水平方向に動く、
測定方法。
【請求項２４】
請求項１ないし２０のいずれか一項に記載の収容具に収容された前記被測定物を、前記電磁波測定装置により測定する方法であって、
前記電磁波測定装置により、前記電磁波を出力する出力工程と、
前記電磁波測定装置により、前記被測定物を透過した前記電磁波を検出する検出工程と、
を備え、
前記出力工程および前記検出工程が行われている間に、前記電磁波の光路が、前記収容具に対して水平方向に動く、
測定方法。
【請求項２５】
請求項１ないし２０のいずれか一項に記載の収容具に収容された前記被測定物を、前記電磁波測定装置により測定する方法であって、
前記電磁波測定装置により、前記電磁波を出力する出力工程と、
前記電磁波測定装置により、前記被測定物を透過した前記電磁波を検出する検出工程と、
を備え、
前記出力工程および前記検出工程が行われている間に、前記被測定物が、上下方向に伸びる直線を回転軸として、回転する、
測定方法。
【請求項２６】
請求項１ないし２０のいずれか一項に記載の収容具に収容された前記被測定物を、前記電磁波測定装置により測定する方法であって、
前記電磁波測定装置により、前記電磁波を出力する出力工程と、
前記電磁波測定装置により、前記被測定物を透過した前記電磁波を検出する検出工程と、
を備え、
前記出力工程および前記検出工程が行われている間に、前記収容具および前記電磁波の光路が、上下方向に伸びる直線を回転軸として、回転する、
測定方法。
【請求項２７】
請求項１ないし２０のいずれか一項に記載の収容具に収容された前記被測定物を、前記電磁波測定装置により測定する方法であって、
前記電磁波測定装置により、前記電磁波を出力する出力工程と、
前記電磁波測定装置により、前記被測定物を透過した前記電磁波を検出する検出工程と、
を備え、
前記出力工程および前記検出工程が行われている間に、前記収容具および前記電磁波の光路が、前記被測定物に対して、上下方向に動く、
測定方法。
【請求項２８】
請求項１ないし２０のいずれか一項に記載の収容具に収容された前記被測定物を、前記電磁波測定装置により測定する方法であって、
前記電磁波測定装置により、前記電磁波を出力する出力工程と、
前記電磁波測定装置により、前記被測定物を透過した前記電磁波を検出する検出工程と、
を備え、
前記出力工程および前記検出工程が行われている間に、前記収容具および前記被測定物が、前記電磁波の光路に対して、上下方向に動く、
測定方法。
【請求項２９】
請求項１ないし２０のいずれか一項に記載の収容具に収容された前記被測定物を、前記電磁波測定装置により測定する方法であって、
前記電磁波測定装置により、前記電磁波を出力する出力工程と、
前記電磁波測定装置により、前記被測定物を透過した前記電磁波を検出する検出工程と、
を備え、
前記出力工程および前記検出工程が行われている間に、前記収容具および前記電磁波の光路に対して、前記被測定物が、上下方向に動く、
測定方法。
【請求項３０】
請求項１ないし２０のいずれか一項に記載の収容具に収容された前記被測定物を、前記電磁波測定装置により測定する方法であって、
前記電磁波測定装置により、前記電磁波を出力する出力工程と、
前記電磁波測定装置により、前記被測定物を透過した前記電磁波を検出する検出工程と、
を備え、
前記出力工程および前記検出工程が行われている間に、前記収容具および前記被測定物に対して、前記電磁波の光路が、上下方向に動く、
測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁波（周波数が０．０１［ＴＨｚ］以上１００［ＴＨｚ］以下）（例えば、テラヘルツ波（例えば、周波数が０．０３［ＴＨｚ］以上１０［ＴＨｚ］以下））を使用した断層撮影に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、被測定物の断層情報を得る方法としてコンピュータ断層撮影（Ｃｏｍｐｕｔｅｄ  Ｔｏｍｏｇｒａｐｈｙ：ＣＴ）法がある。Ｘ線の発生器と検出器を用いて、この方法を実行することをＸ線ＣＴという。Ｘ線ＣＴによれば、人体の断層情報を非破壊かつ非接触で得ることができる。
しかし、半導体、プラスチック、セラミック、木材および紙など（以下、「原材料」という）から構成される工業製品の内部状態（例えば、欠陥や歪み）を検出することは、Ｘ線ＣＴによれば困難である。Ｘ線が、あらゆる物質に対して透過性が高いためである。
一方、テラヘルツ波は、先に述べた工業製品の原材料をほどよく透過する。このため、テラヘルツ波の発生器と検出器を用いて、ＣＴ法を実行すれば（以下、「テラヘルツ波ＣＴ法」という）工業製品の内部状態を検出できる。テラヘルツ波ＣＴ法については、特許文献１（米国特許第７１１９３３９号明細書）、非特許文献１（Ｓ．Ｗａｎｇ  ｅｔ  ａｌ．，“Ｐｕｌｓｅｄ  ｔｅｒａｈｅｒｔｚ  ｔｏｍｏｇｒａｐｈｙ，”Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｄ，Ｖｏｌ  ３７（２００４）Ｒ１−Ｒ３６）に記載がある。
【発明の概要】
【０００３】
しかしながら、テラヘルツ波ＣＴ法においては、テラヘルツ波が被測定物に対して斜めに入射または出射する場合、テラヘルツ波が屈折してしまい直進しない。ただし、被測定物の周囲の空気の屈折率が１であり、かつテラヘルツ波ＣＴ法の被測定物の屈折率が１より大きいものとする。
第２１図は、従来技術にかかる被測定物の屈折率が１．４、被測定物の周囲の空気の屈折率が１の場合に想定されるテラヘルツ波の光路を示す図である。第２１図を参照して、被測定物（ＤＵＴ：Ｄｅｖｉｃｅ  Ｕｎｄｅｒ  Ｔｅｓｔ）に左から入射したテラヘルツ波が、被測定物により屈折することがわかる。
テラヘルツ波が直進しないことにより、検出器にテラヘルツ波が到達できず、充分な感度で被測定物の画像を取得できなくなることがある。
また、テラヘルツ波が直進しないことにより、検出されたテラヘルツ波が、被測定物を直進して到達したものではない場合も起こりうる。このため、検出されたテラヘルツ波から被測定物の画像を取得すると、障害陰影および擬似画像などのアーチファクトが画像に現れる可能性がある。
そこで、本発明は、テラヘルツ波を含む電磁波（周波数が０．０１［ＴＨｚ］以上１００［ＴＨｚ］以下）を被測定物に与えて測定する際に、テラヘルツ波を含む電磁波が被測定物により屈折することに起因する悪影響を抑制することを課題とする。
本発明にかかる収容具は、電磁波測定装置により測定される被測定物の少なくとも一部を収容する収容具であって、前記被測定物の少なくとも一部がその内部に配置される空隙部と、第一曲面部分と第二曲面部分とを有し、前記第一曲面部分と前記第二曲面部分との間に前記空隙部が配置され、前記空隙部を包囲する包囲部と、を備え、前記包囲部の屈折率をｎ２、前記被測定物の屈折率をｎ１としたときに、ｎ２がｎ１よりも大きく、前記第一曲面部分および前記第二曲面部分は、共に凸面であり、前記電磁波測定装置は、前記被測定物に向けて０．０１［ＴＨｚ］以上１００［ＴＨｚ］以下の周波数の電磁波を出力するように構成される。
上記のように構成された、電磁波測定装置により測定される被測定物の少なくとも一部を収容する収容具によれば、空隙部が、前記被測定物の少なくとも一部がその内部に配置される。包囲部が、第一曲面部分と第二曲面部分とを有し、前記第一曲面部分と前記第二曲面部分との間に前記空隙部が配置され、前記空隙部を包囲する。さらに、前記包囲部の屈折率をｎ２、前記被測定物の屈折率をｎ１としたときに、ｎ２がｎ１よりも大きく、前記第一曲面部分および前記第二曲面部分は、共に凸面である。しかも、前記電磁波測定装置は、前記被測定物に向けて０．０１［ＴＨｚ］以上１００［ＴＨｚ］以下の周波数の電磁波を出力する。
本発明にかかる収容具は、電磁波測定装置により測定される被測定物の少なくとも一部を収容する収容具であって、前記被測定物の少なくとも一部がその内部に配置される空隙部と、第一曲面部分と第二曲面部分とを有し、前記第一曲面部分と前記第二曲面部分との間に前記空隙部が配置され、前記空隙部を包囲する包囲部と、を備え、前記包囲部の屈折率をｎ２、前記被測定物の屈折率をｎ１としたときに、ｎ２がｎ１よりも小さく、前記第一曲面部分および前記第二曲面部分は、共に凹面であり、前記電磁波測定装置は、前記被測定物に向けて０．０１［ＴＨｚ］以上１００［ＴＨｚ］以下の周波数の電磁波を出力するように構成される。
上記のように構成された、電磁波測定装置により測定される被測定物の少なくとも一部を収容する収容具によれば、空隙部が、前記被測定物の少なくとも一部がその内部に配置される。包囲部が、第一曲面部分と第二曲面部分とを有し、前記第一曲面部分と前記第二曲面部分との間に前記空隙部が配置され、前記空隙部を包囲する。さらに、前記包囲部の屈折率をｎ２、前記被測定物の屈折率をｎ１としたときに、ｎ２がｎ１よりも小さく、前記第一曲面部分および前記第二曲面部分は、共に凹面である。さらに、前記電磁波測定装置は、前記被測定物に向けて０．０１［ＴＨｚ］以上１００［ＴＨｚ］以下の周波数の電磁波を出力する。
なお、本発明にかかる収容具は、前記空隙部の平面形状の輪郭が、円弧を含むようにしてもよい。
なお、本発明にかかる収容具は、前記空隙部の平面断面の輪郭の半径が、前記空隙部の高さに応じて変化するようにしてもよい。
なお、本発明にかかる収容具は、前記包囲部が分割面に沿って分割可能であり、前記分割面が前記空隙部と交差するようにしてもよい。
なお、本発明にかかる収容具は、前記被測定物と前記空隙部との間の空間に挿入される挿入部材を備え、前記被測定物と前記挿入部材とが一体となったものの輪郭が、前記空隙部の平面形状の輪郭と同心円状になり、前記挿入部材の屈折率をｎ３、前記被測定物の屈折率をｎ１としたときに、ｎ１−０．１≦ｎ３≦ｎ１＋０．１であるようにしてもよい。
なお、本発明にかかる収容具は、前記被測定物と前記挿入部材とが一体となったものの平面形状の輪郭と、前記空隙部の平面形状の輪郭との距離が、前記電磁波測定装置から前記被測定物に向けて出力された前記電磁波の波長の四分の一以下であるようにしてもよい。
なお、本発明にかかる収容具は、前記被測定物と前記空隙部との間の空間に充填される充填材を備え、前記充填材の屈折率をｎ４、前記被測定物の屈折率をｎ１としたときに、ｎ１−０．１≦ｎ４≦ｎ１＋０．１であるようにしてもよい。
なお、本発明にかかる収容具は、前記被測定物の平面形状の輪郭と、前記空隙部の平面形状の輪郭との距離が、前記電磁波測定装置から前記被測定物に向けて出力された前記電磁波の波長の四分の一以下であるようにしてもよい。
本発明にかかる収容具は、電磁波測定装置により測定される被測定物の少なくとも一部を収容する収容具であって、前記電磁波測定装置から前記被測定物に向けて出力された電磁波を受ける第一曲面部分と、該第一曲面部分よりも前記被測定物に近く前記電磁波が透過する第一凹面部分とを有し、屈折率がｎ２ａである第一被覆部と、前記被測定物を透過した前記電磁波を受ける第二凹面部分と、該第二凹面部分よりも前記被測定物から遠く前記電磁波が透過する第二曲面部分とを有し、屈折率がｎ２ｂである第二被覆部と、を備え、前記被測定物の屈折率をｎ１としたときに、ｎ２ａがｎ１よりも大きい場合は、前記第一曲面部分が凸面であり、ｎ２ａがｎ１よりも小さい場合は、前記第一曲面部分が凹面であり、ｎ２ｂがｎ１よりも大きい場合は、前記第二曲面部分が凸面であり、ｎ２ｂがｎ１よりも小さい場合は、前記第二曲面部分が凹面であり、前記電磁波測定装置は、前記被測定物に向けて０．０１［ＴＨｚ］以上１００［ＴＨｚ］以下の周波数の前記電磁波を出力するように構成される。
上記のように構成された、電磁波測定装置により測定される被測定物の少なくとも一部を収容する収容具によれば、第一被覆部が、前記電磁波測定装置から前記被測定物に向けて出力された電磁波を受ける第一曲面部分と、該第一曲面部分よりも前記被測定物に近く前記電磁波が透過する第一凹面部分とを有し、屈折率がｎ２ａである。第二被覆部が、前記被測定物を透過した前記電磁波を受ける第二凹面部分と、該第二凹面部分よりも前記被測定物から遠く前記電磁波が透過する第二曲面部分とを有し、屈折率がｎ２ｂである。しかも、前記被測定物の屈折率をｎ１としたときに、ｎ２ａがｎ１よりも大きい場合は、前記第一曲面部分が凸面であり、ｎ２ａがｎ１よりも小さい場合は、前記第一曲面部分が凹面であり、ｎ２ｂがｎ１よりも大きい場合は、前記第二曲面部分が凸面であり、ｎ２ｂがｎ１よりも小さい場合は、前記第二曲面部分が凹面である。さらに、前記電磁波測定装置は、前記被測定物に向けて０．０１［ＴＨｚ］以上１００［ＴＨｚ］以下の周波数の前記電磁波を出力する。
なお、本発明にかかる収容具は、ｎ２ａとｎ２ｂとが異なるようにしてもよい。
なお、本発明にかかる収容具は、前記第一曲面部分の平面形状の曲率半径と、前記第二曲面部分の平面形状の曲率半径とが異なるようにしてもよい。
なお、本発明にかかる収容具は、前記第一凹面部分および前記第二凹面部分の平面形状の輪郭が、円弧を含むようにしてもよい。
なお、本発明にかかる収容具は、前記第一凹面部分および前記第二凹面部分の平面断面の輪郭の半径が、前記第一凹面部分および前記第二凹面部分の高さに応じて変化するようにしてもよい。
なお、本発明にかかる収容具は、前記被測定物と、前記第一凹面部分および前記第二凹面部分との間の空間に挿入される挿入部材を備え、前記被測定物と前記挿入部材とが一体となったものの輪郭が、前記第一凹面部分および前記第二凹面部分の平面形状の輪郭と同心円状になり、前記挿入部材の屈折率をｎ３、前記被測定物の屈折率をｎ１としたときに、ｎ１−０．１≦ｎ３≦ｎ１＋０．１であるようにしてもよい。
なお、本発明にかかる収容具は、前記被測定物と前記挿入部材とが一体となったものの平面形状の輪郭と、前記第一凹面部分および前記第二凹面部分の平面形状の輪郭との距離が、前記電磁波測定装置から前記被測定物に向けて出力された前記電磁波の波長の四分の一以下であるようにしてもよい。
なお、本発明にかかる収容具は、前記被測定物と、前記第一凹面部分および前記第二凹面部分との間の空間に充填される充填材を備え、前記充填材の屈折率をｎ４、前記被測定物の屈折率をｎ１としたときにｎ１−０．１≦ｎ４≦ｎ１＋０．１であるようにしてもよい。
なお、本発明にかかる収容具は、前記被測定物の平面形状の輪郭と、前記第一凹面部分および前記第二凹面部分の平面形状の輪郭との距離が、前記電磁波測定装置から前記被測定物に向けて出力された前記電磁波の波長の四分の一以下であるようにしてもよい。
なお、本発明にかかる収容具は、前記第一曲面部分および前記第二曲面部分が円筒面であるようにしてもよい。
なお、本発明にかかる収容具は、前記第一曲面部分および前記第二曲面部分の一方または双方が非円筒面であるようにしてもよい。
本発明にかかる収容具配置方法は、本発明にかかる収容具を、前記電磁波測定装置による前記被測定物の測定のために配置する収容具配置方法であって、前記第一曲面部分の光軸が、前記電磁波測定装置から前記被測定物に向けて出力された前記電磁波の進行方向と平行になるように、前記収容具を配置する工程を備えた収容具配置方法である。
本発明にかかる収容具配置方法は、本発明にかかる収容具を、前記電磁波測定装置による前記被測定物の測定のために配置する収容具配置方法であって、前記第一曲面部分の光軸が、前記電磁波測定装置から前記被測定物に向けて出力された前記電磁波の進行方向と、０度を超え９０度未満の角度で交差するように、前記収容具を配置する工程を備えた収容具配置方法である。
本発明にかかる測定方法は、本発明にかかる収容具に収容された前記被測定物を、前記電磁波測定装置により測定する方法であって、前記電磁波測定装置により、前記電磁波を出力する出力工程と、前記電磁波測定装置により、前記被測定物を透過した前記電磁波を検出する検出工程と、を備え、前記出力工程および前記検出工程が行われている間に、前記収容具および前記被測定物が、前記電磁波の光路に対して水平方向に動く測定方法である。
本発明にかかる測定方法は、本発明にかかる収容具に収容された前記被測定物を、前記電磁波測定装置により測定する方法であって、前記電磁波測定装置により、前記電磁波を出力する出力工程と、前記電磁波測定装置により、前記被測定物を透過した前記電磁波を検出する検出工程と、を備え、前記出力工程および前記検出工程が行われている間に、前記電磁波の光路が、前記収容具に対して水平方向に動く測定方法である。
本発明にかかる測定方法は、本発明にかかる収容具に収容された前記被測定物を、前記電磁波測定装置により測定する方法であって、前記電磁波測定装置により、前記電磁波を出力する出力工程と、前記電磁波測定装置により、前記被測定物を透過した前記電磁波を検出する検出工程と、を備え、前記出力工程および前記検出工程が行われている間に、前記被測定物が、上下方向に伸びる直線を回転軸として、回転する測定方法である。
本発明にかかる測定方法は、本発明にかかる収容具に収容された前記被測定物を、前記電磁波測定装置により測定する方法であって、前記電磁波測定装置により、前記電磁波を出力する出力工程と、前記電磁波測定装置により、前記被測定物を透過した前記電磁波を検出する検出工程と、を備え、前記出力工程および前記検出工程が行われている間に、前記収容具および前記電磁波の光路が、上下方向に伸びる直線を回転軸として、回転する測定方法である。
本発明にかかる測定方法は、本発明にかかる収容具に収容された前記被測定物を、前記電磁波測定装置により測定する方法であって、前記電磁波測定装置により、前記電磁波を出力する出力工程と、前記電磁波測定装置により、前記被測定物を透過した前記電磁波を検出する検出工程と、を備え、前記出力工程および前記検出工程が行われている間に、前記収容具および前記電磁波の光路が、前記被測定物に対して、上下方向に動く測定方法である。
本発明にかかる測定方法は、本発明にかかる収容具に収容された前記被測定物を、前記電磁波測定装置により測定する方法であって、前記電磁波測定装置により、前記電磁波を出力する出力工程と、前記電磁波測定装置により、前記被測定物を透過した前記電磁波を検出する検出工程と、を備え、前記出力工程および前記検出工程が行われている間に、前記収容具および前記被測定物が、前記電磁波の光路に対して、上下方向に動く測定方法である。
本発明にかかる測定方法は、本発明にかかる収容具に収容された前記被測定物を、前記電磁波測定装置により測定する方法であって、前記電磁波測定装置により、前記電磁波を出力する出力工程と、前記電磁波測定装置により、前記被測定物を透過した前記電磁波を検出する検出工程と、を備え、前記出力工程および前記検出工程が行われている間に、前記収容具および前記電磁波の光路に対して、前記被測定物が、上下方向に動く測定方法である。
本発明にかかる測定方法は、本発明にかかる収容具に収容された前記被測定物を、前記電磁波測定装置により測定する方法であって、前記電磁波測定装置により、前記電磁波を出力する出力工程と、前記電磁波測定装置により、前記被測定物を透過した前記電磁波を検出する検出工程と、を備え、前記出力工程および前記検出工程が行われている間に、前記収容具および前記被測定物に対して、前記電磁波の光路が、上下方向に動く測定方法である。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
第１図は、本発明の第一の実施形態にかかる収容具１０の平面図（第１図（ａ））、左側面図（第１図（ｂ））、右側面図（第１図（ｃ））である。
第２図は、本発明の第一の実施形態にかかる収容具１０に被測定物１の少なくとも一部が収容され、収容具１０にテラヘルツ波が照射されたときの平面図である。
第３図は、収容具１０に被測定物１の少なくとも一部が収容されたときの、被測定物１および空隙部１１の拡大平面図である。
第４図は、本発明の第一の実施形態にかかる光路Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の近傍を拡大した収容具１０の平面図である。
第５図は、本発明の第二の実施形態にかかる収容具１０の平面図（第５図（ａ））、左側面図（第５図（ｂ））、右側面図（第５図（ｃ））である。
第６図は、本発明の第二の実施形態にかかる収容具１０に被測定物１の少なくとも一部が収容され、収容具１０にテラヘルツ波が照射されたときの平面図である。
第７図は、本発明の第二の実施形態にかかる光路Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の近傍を拡大した収容具１０の平面図である。
第８図は、第三の実施形態にかかる収容具１０に被測定物１の少なくとも一部が収容され、収容具１０にテラヘルツ波が照射されたときの平面図である。
第９図は、第四の実施形態にかかる収容具１０に被測定物１の少なくとも一部が収容され、収容具１０にテラヘルツ波が照射されたときの平面図である。
第１０図は、第五の実施形態にかかる収容具１０に被測定物１の少なくとも一部が収容され、収容具１０にテラヘルツ波が照射されたときの平面図である。
第１１図は、第六の実施形態にかかる収容具１０に被測定物１が収容されたときの正面断面図（第１１図（ａ））および平面断面図（第１１図（ｂ））である。
第１２図は、本発明の第七の実施形態にかかる収容具１０の平面図である。
第１３図は、第十の実施形態の動作を説明するための収容具１０およびテラヘルツ波測定装置の平面図である。
第１４図は、第十一の実施形態の動作を説明するための収容具１０およびテラヘルツ波測定装置の平面図である。
第１５図は、第十二の実施形態の動作を説明するための収容具１０およびテラヘルツ波測定装置の平面図である。
第１６図は、第十三の実施形態にかかる収容具１０およびテラヘルツ波測定装置の正面図である。
第１７図は、第十四の実施形態にかかる収容具１０およびテラヘルツ波測定装置の正面図である。
第１８図は、第七の実施形態の変形例を示す図である。
第１９図は、第八の実施形態にかかる収容具１０に被測定物１の少なくとも一部が収容され、収容具１０にテラヘルツ波が照射されたときの平面図である。
第２０図は、第九の実施形態にかかる収容具１０に被測定物１が収容されたときの正面断面図（第２０図（ａ））および平面断面図（第２０図（ｂ））である。
第２１図は、従来技術にかかる被測定物の屈折率が１．４、被測定物の周囲の空気の屈折率が１の場合に想定されるテラヘルツ波の光路を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００５】
以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。
第一の実施形態
第１図は、本発明の第一の実施形態にかかる収容具１０の平面図（第１図（ａ））、左側面図（第１図（ｂ））、右側面図（第１図（ｃ））である。第２図は、本発明の第一の実施形態にかかる収容具１０に被測定物１の少なくとも一部が収容され、収容具１０にテラヘルツ波が照射されたときの平面図である。
第２図を参照して、テラヘルツ波測定装置（電磁波測定装置）は、テラヘルツ波出力器２、テラヘルツ波検出器４を有する。テラヘルツ波出力器２は、被測定物１に向けて、テラヘルツ波を出力する。テラヘルツ波検出器４は、被測定物１および収容具１０を透過したテラヘルツ波を検出する。
なお、テラヘルツ波測定装置（電磁波測定装置）は、出力および検出する電磁波として、上記のようにテラヘルツ波（周波数が例えば、０．０３［ＴＨｚ］以上１０［ＴＨｚ］以下）を採用している。しかし、テラヘルツ波測定装置（電磁波測定装置）が出力および検出する電磁波は、テラヘルツ波に限らず、周波数が０．０１［ＴＨｚ］以上１００［ＴＨｚ］以下の電磁波であればよい。
収容具１０は、テラヘルツ波測定装置により測定される被測定物１の少なくとも一部を収容する。なお、収容具１０は、被測定物１の一部を収容している場合（第１６図参照）もあれば、被測定物１の全部を収容している場合（第１７図参照）もある。
収容具１０は、空隙部１１、包囲部１２を有する。空隙部１１は、上から見れば、半径ｒ０の円形の隙間である（第１図参照）。被測定物１の少なくとも一部が空隙部１１の内部に配置される（第２図参照）。
包囲部１２は、第一曲面部分Ｓ１と第二曲面部分Ｓ２とを有する。第一曲面部分Ｓ１は、半径ｒ１の円筒面（底面が半径ｒ１の円である円筒の側面の一部分）である。第二曲面部分Ｓ２は、半径ｒ２の円筒面（底面が半径ｒ２の円である円筒の側面の一部分）である。なお、平面図（第１図（ａ））においては、空隙部１１が半径ｒ０の円、第一曲面部分Ｓ１が半径ｒ１（＞ｒ０）の円弧、第二曲面部分Ｓ２が半径ｒ２（＝ｒ１）の円弧として図示されている。これらの円および円弧の中心は、いずれも収容具１０の光軸ＯＡの上にある。平面図（第１図（ａ））において、第一曲面部分Ｓ１を表す円弧の中心と、第二曲面部分Ｓ２を表す円弧の中心とは点対称であり、その対称の中心が空隙部１１を表す円の中心である。また、第一曲面部分Ｓ１を表す円弧および第二曲面部分Ｓ２を表す円弧が線対称である。
なお、第一曲面部分Ｓ１と第二曲面部分Ｓ２とが円筒面であると説明したが、第一曲面部分Ｓ１および第二曲面部分Ｓ２の一方または双方が非円筒面であることも考えられる。これは、他の実施形態でも同様である。
第一曲面部分Ｓ１と第二曲面部分Ｓ２との間に空隙部１１が配置されている。包囲部１２は、空隙部１１を包囲する。ここで、被測定物１の屈折率をｎ１とし、包囲部１２の屈折率をｎ２とする。すると、ｎ１＜ｎ２である。しかも、第一曲面部分Ｓ１と第二曲面部分Ｓ２とが、共に凸面である。また、ｎ１およびｎ２は、収容具１０の周囲の空気の屈折率（例えば、１）と等しくなくてもよい。
なお、包囲部１２の材料は、テフロン（登録商標）やポリエチレン等の樹脂材料でもよい。これらの樹脂材料は、可視光または赤外光領域の光線による測定では通常使用できない。しかし、これらの樹脂材料は、テラヘルツ波の光線の吸収や散乱が少ない為に、テラヘルツ波による測定では使用可能である。
第３図は、収容具１０に被測定物１の少なくとも一部が収容されたときの、被測定物１および空隙部１１の拡大平面図である。被測定物１の平面形状（上から見たときの形状および平面断面）の輪郭と、空隙部１１の平面形状（上から見たときの形状および平面断面）の輪郭との距離をｇとする。すると、被測定物１の平面形状は、半径ｒ−ｇの円である。よって、被測定物１は、底面が半径ｒ−ｇの円である円柱である。
なお、ｇ≦λ／４であることが好ましい。ただし、λは、テラヘルツ波測定装置のテラヘルツ波出力器２から被測定物１に向けて出力されたテラヘルツ波の波長である。ｇ≦λ／４であれば、被測定物１の輪郭と、空隙部１１の平面形状の輪郭との隙間の空気層によるテラヘルツ波の反射を抑制できる。テラヘルツ波の反射はテラヘルツ波の損失につながるので、ｇ≦λ／４とすることはテラヘルツ波の損失の抑制につながる。
なお、第２図を参照して、第一曲面部分Ｓ１の光軸ＯＡが、テラヘルツ波測定装置のテラヘルツ波出力器２から被測定物１に向けて出力されたテラヘルツ波の進行方向（光路Ｐ１）と平行になるようにする。テラヘルツ波測定装置による被測定物１の測定を行うために、上記のように収容具１０を配置する。
また、包囲部１２は、端部に（第１図（ａ）において上下）、端部平面Ｅ１１、Ｅ１２（第一曲面部分Ｓ１側）、端部平面Ｅ２１、Ｅ２２（第二曲面部分Ｓ２側）を有する。端部平面Ｅ１１、Ｅ１２と、端部平面Ｅ２１、Ｅ２２とは平行であり、光軸ＯＡと直交する。よって、光軸ＯＡと平行である光路Ｐ１を進行したテラヘルツ波が、端部平面Ｅ１１（またはＥ１２）に入射しても、そのまま包囲部１２内を直進して（被測定物１に入射されない）、端部平面Ｅ２１（またはＥ２２）から出射される。
次に、第一の実施形態の動作を説明する。
第２図を参照して、テラヘルツ波測定装置のテラヘルツ波出力器２によりテラヘルツ波が出力される。テラヘルツ波出力器２から出力されたテラヘルツ波（光路Ｐ１）は、第一曲面部分Ｓ１に照射される。ここで、テラヘルツ波は屈折して、包囲部１２内の光路Ｐ２を進行する。ここで、被測定物１の輪郭と、空隙部１１の平面形状の輪郭との隙間の空気層の厚さは薄いので無視する。光路Ｐ２を進行したテラヘルツ波は、被測定物１に入射されて屈折し、被測定物１内の光路Ｐ３を進行する。なお、光路Ｐ３は、光路Ｐ１および光軸ＯＡとほぼ平行である。
第４図は、本発明の第一の実施形態にかかる光路Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の近傍を拡大した収容具１０の平面図である。ただし、被測定物１の輪郭と、空隙部１１の平面形状の輪郭との間の隙間は無視し、空隙部１１を図示省略している。
第４図を参照して、光路Ｐ１を進行したテラヘルツ波は、第一曲面部分Ｓ１に入射されると、包囲部１２が凸レンズの機能を果たして、テラヘルツ波は光軸ＯＡに向かうように屈折する。第４図においては、テラヘルツ波が下側に進行する（光路Ｐ２）。光路Ｐ２を進行したテラヘルツ波は、被測定物１に入射されて屈折し、光路Ｐ３を進行する。
ここで、テラヘルツ波の被測定物１への入射角をθＡ、出射角をθＢとする。スネルの法則により、（ｓｉｎθＡ）／（ｓｉｎθＢ）＝ｎ１／ｎ２である。しかも、ｎ１＜ｎ２であるため、ｎ１／ｎ２＜１である。よって、（ｓｉｎθＡ）／（ｓｉｎθＢ）＜１である。したがって、θＡ＜θＢである。よって、光路Ｐ３は、光路Ｐ２を直進させたものよりも、光軸ＯＡから遠ざかるようになる。ここで、ｎ２などを適宜設定すると、光路Ｐ３は光軸ＯＡとほぼ平行になる。
第２図に戻り、被測定物１内の光路Ｐ３を進行したテラヘルツ波は、包囲部１２に入射して屈折し、包囲部１２内の光路Ｐ４を進行する。光路Ｐ４を進行したテラヘルツ波は、第二曲面部分Ｓ２に入射して屈折し、光路Ｐ５を進行して、テラヘルツ波検出器４に入射される。
第１図（ａ）において、第一曲面部分Ｓ１を表す円弧および第二曲面部分Ｓ２を表す円弧が線対称であることから、光路Ｐ２は光路Ｐ４とほぼ線対称、光路Ｐ１は光路Ｐ５とほぼ線対称となる。よって、光路Ｐ５は光路Ｐ１のほぼ延長線上にある。
テラヘルツ波検出器４は、入射されたテラヘルツ波を検出する。これにより、被測定物１が測定される。例えば、被測定物１は内容物１ａ、１ｂを有する。第２図によれば、テラヘルツ波は内容物１ａを透過するので、テラヘルツ波の検出結果から内容物１ａの位置などが判明する。
第一の実施形態によれば、テラヘルツ波を被測定物１に与えて測定する際に、テラヘルツ波が被測定物１により屈折はするものの、収容具１０によって、光路Ｐ５は光路Ｐ１のほぼ延長線上にある。このため、テラヘルツ波検出器４に入射されるテラヘルツ波は、収容具１０が無く、かつ、被測定物１による屈折がほぼ無い場合と同様なものとなる。よって、テラヘルツ波が被測定物１により屈折することに起因する悪影響を抑制できる。
第二の実施形態
第二の実施形態にかかる収容具１０は、第一曲面部分Ｓ１および第二曲面部分Ｓ２の形状（凹面）が第一の実施形態にかかる収容具１０の形状（凸面）と異なる。
第５図は、本発明の第二の実施形態にかかる収容具１０の平面図（第５図（ａ））、左側面図（第５図（ｂ））、右側面図（第５図（ｃ））である。第６図は、本発明の第二の実施形態にかかる収容具１０に被測定物１の少なくとも一部が収容され、収容具１０にテラヘルツ波が照射されたときの平面図である。以下、第一の実施形態と同様な部分は同一の番号を付して説明を省略する。
テラヘルツ波測定装置は、第一の実施形態と同様であり説明を省略する。
収容具１０は、テラヘルツ波測定装置により測定される被測定物１の少なくとも一部を収容する。なお、収容具１０は、被測定物１の一部を収容している場合（第１６図参照）もあれば、被測定物１の全部を収容している場合（第１７図参照）もある。
収容具１０は、空隙部１１、包囲部１２を有する。空隙部１１は、第一の実施形態と同様であり説明を省略する。
包囲部１２は、第一曲面部分Ｓ１と第二曲面部分Ｓ２とを有する。包囲部１２は、第一の実施形態と同様である。ただし、第二の実施形態にかかる第一曲面部分Ｓ１と第二曲面部分Ｓ２とは、共に凹面である。ただし、被測定物１の屈折率をｎ１とし、包囲部１２の屈折率をｎ２とすると、ｎ１＞ｎ２であるものとする。
次に、第二の実施形態の動作を説明する。
第６図を参照して、テラヘルツ波測定装置のテラヘルツ波出力器２によりテラヘルツ波が出力される。テラヘルツ波出力器２から出力されたテラヘルツ波（光路Ｐ１）は、第一曲面部分Ｓ１に照射される。ここで、テラヘルツ波は屈折して、包囲部１２内の光路Ｐ２を進行する。ここで、被測定物１の輪郭と、空隙部１１の平面形状の輪郭との隙間の空気層の厚さは薄いので無視する。光路Ｐ２を進行したテラヘルツ波は、被測定物１に入射されて屈折し、被測定物１内の光路Ｐ３を進行する。なお、光路Ｐ３は、光路Ｐ１および光軸ＯＡとほぼ平行である。
第７図は、本発明の第二の実施形態にかかる光路Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の近傍を拡大した収容具１０の平面図である。ただし、被測定物１の輪郭と、空隙部１１の平面形状の輪郭との間の隙間は無視し、空隙部１１を図示省略している。
第７図を参照して、光路Ｐ１を進行したテラヘルツ波は、第一曲面部分Ｓ１に入射されると、包囲部１２が凹レンズの機能を果たして、テラヘルツ波は光軸ＯＡから遠ざかるように屈折する。第７図においては、テラヘルツ波が上側に進行する（光路Ｐ２）。光路Ｐ２を進行したテラヘルツ波は、被測定物１に入射されて屈折し、光路Ｐ３を進行する。
ここで、テラヘルツ波の被測定物１への入射角をθＡ、出射角をθＢとする。スネルの法則により、（ｓｉｎθＡ）／（ｓｉｎθＢ）＝ｎ１／ｎ２である。しかも、ｎ１＞ｎ２であるため、ｎ１／ｎ２＞１である。よって、（ｓｉｎθＡ）／（ｓｉｎθＢ）＞１である。したがって、θＡ＞θＢである。よって、光路Ｐ３は、光路Ｐ２を直進させたものよりも、光軸ＯＡに近づくようになる。ここで、ｎ２などを適宜設定すると、光路Ｐ３は光軸ＯＡとほぼ平行になる。
第６図に戻り、被測定物１内の光路Ｐ３を進行したテラヘルツ波は、包囲部１２に入射して屈折し、包囲部１２内の光路Ｐ４を進行する。光路Ｐ４を進行したテラヘルツ波は、第二曲面部分Ｓ２に入射して屈折し、光路Ｐ５を進行して、テラヘルツ波検出器４に入射される。
第１図（ａ）において、第一曲面部分Ｓ１を表す円弧および第二曲面部分Ｓ２を表す円弧が線対称であることから、光路Ｐ２は光路Ｐ４とほぼ線対称、光路Ｐ１は光路Ｐ５とほぼ線対称となる。よって、光路Ｐ５は光路Ｐ１のほぼ延長線上にある。
テラヘルツ波検出器４は、入射されたテラヘルツ波を検出する。これにより、被測定物１が測定される。例えば、被測定物１は内容物１ａ、１ｂを有する。第２図によれば、テラヘルツ波は内容物１ａを透過するので、テラヘルツ波の検出結果から内容物１ａの位置などが判明する。
第二の実施形態によれば、第一の実施形態と同様な効果を奏する。
第三の実施形態
第三の実施形態にかかる収容具１０は、挿入部材２０を備える点が、第一の実施形態にかかる収容具１０と異なる。なお、挿入部材２０を備えるようにする点は、第二の実施形態にも適用できる。
第８図は、第三の実施形態にかかる収容具１０に被測定物１の少なくとも一部が収容され、収容具１０にテラヘルツ波が照射されたときの平面図である。なお、これ以降、平面図における光路Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４は図示省略する。
テラヘルツ波測定装置は、第一の実施形態と同様であり、説明を省略する。なお、第８図から第２０図までは、端部平面Ｅ１１、Ｅ１２、Ｅ２１、Ｅ２２を図示省略する。
被測定物１の平面形状は、半径ｒ−ｇ（第３図参照）の円が部分的に欠落したものである。第８図においては、被測定物１の平面形状は、ｒ−ｇが長半径の楕円である。よって、被測定物１は、底面が長半径ｒ−ｇの楕円である楕円柱である。
挿入部材２０は、被測定物１と空隙部１１との間の空間に挿入される。被測定物１と挿入部材２０とが一体となったものの平面形状（上から見たときの形状および平面断面）の輪郭は、半径ｒ−ｇの円である。よって、被測定物１および挿入部材２０が、底面が半径ｒ−ｇの円である円柱を構成する。被測定物１と挿入部材２０とが一体となったものの平面形状の輪郭（半径ｒ−ｇの円）が、空隙部１１の平面形状の輪郭（半径ｒの円）と同心円となる。なお、ｇ≦λ／４であることが好ましいことは第一の実施形態と同様である。
ただし、ｇは、被測定物１と挿入部材２０とが一体となったものの平面形状の輪郭（半径ｒ−ｇの円）と、空隙部１１の平面形状の輪郭（半径ｒの円）との距離である。λは、テラヘルツ波測定装置のテラヘルツ波出力器２から被測定物１に向けて出力されたテラヘルツ波の波長である。
ここで、被測定物１の屈折率をｎ１とし、挿入部材２０の屈折率をｎ３とする。すると、ｎ１−０．１≦ｎ３≦ｎ１＋０．１である。なお、ｎ１＝ｎ３であることが好ましい。また、ｎ１およびｎ３は、収容具１０の周囲の空気の屈折率（例えば、１）と等しくなくてもよい。
第三の実施形態の動作は、第一の実施形態の動作とほぼ同様である。ただし、第三の実施形態においては、テラヘルツ波が挿入部材２０をも透過する点が第一の実施形態と異なる。なお、空気層の厚さｇを無視し、ｎ１＝ｎ３であるとすれば、テラヘルツ波の光路は第一の実施形態と同様である。
第三の実施形態によれば、第一の実施形態と同様な効果を奏する。
しかも、第三の実施形態によれば、被測定物１が円柱でなくても、挿入部材２０により、被測定物１と挿入部材２０とが一体となって円柱を構成することで、被測定物１を円柱として取り扱うことができる。
なお、第三の実施形態においては、被測定物１が楕円柱であるとして説明を行っている。しかし、被測定物１は、楕円柱のような回転体でなくてもよい。被測定物１と挿入部材２０とが一体となったものが円柱となればよい。
また、収容具１０は、挿入部材２０にかえて、被測定物１と空隙部１１との間の空間に充填される充填材（例えば、オイルなどの液体）を備えてもよい。ただし、充填材の屈折率をｎ４、被測定物１の屈折率をｎ１としたときに、ｎ１−０．１≦ｎ４≦ｎ１＋０．１である。なお、ｎ１＝ｎ４であることが好ましい。また、ｎ１およびｎ４は、収容具１０の周囲の空気の屈折率（例えば、１）と等しくなくてもよい。
第四の実施形態
第四の実施形態は、第一の実施形態にかかる収容具１０のテラヘルツ波測定装置に対する配置法が第一の実施形態と異なる。なお、第四の実施形態にかかる配置法は、第二の実施形態にも適用できる。
第９図は、第四の実施形態にかかる収容具１０に被測定物１の少なくとも一部が収容され、収容具１０にテラヘルツ波が照射されたときの平面図である。
収容具１０およびテラヘルツ波測定装置の構成は第一の実施形態と同様であり、説明を省略する。
ただし、第９図を参照して、第一曲面部分Ｓ１の光軸ＯＡが、テラヘルツ波測定装置のテラヘルツ波出力器２から被測定物１に向けて出力されたテラヘルツ波の進行方向（光路Ｐ１）と、０度を超え９０度未満の角度αで交差する。テラヘルツ波測定装置による被測定物１の測定を行うために、上記のように収容具１０を配置する。
次に、第四の実施形態の動作を説明する。
第９図を参照して、第一曲面部分Ｓ１の光軸ＯＡが、光路Ｐ１と角度α（０度を超え９０度未満）で交差するため、テラヘルツ波出力器２から出力されたテラヘルツ波は、所定の距離（オフセット）だけ光路が移動して、光路Ｐ５を進行し、テラヘルツ波検出器４に入射される。
テラヘルツ波検出器４は、入射されたテラヘルツ波を検出する。これにより、被測定物１が測定される。
第四の実施形態によれば、第一の実施形態と同様な効果を奏する。
しかも、第四の実施形態によれば、テラヘルツ波出力器２から出力されたテラヘルツ波は、所定の距離（オフセット）だけ光路が移動して、テラヘルツ波検出器４に入射される。このため、第四の実施形態は、テラヘルツ波出力器２から出力されたテラヘルツ波の進行方向上に、テラヘルツ波検出器４が無い場合に適している。
第五の実施形態
第五の実施形態は、包囲部１２ａ、１２ｂが分割面Ｄ１、Ｄ２に沿って分割可能である点が第一の実施形態と異なる。なお、第二の実施形態にかかる収容具１０も、第五の実施形態に示すように、包囲部１２ａ、１２ｂを分割面Ｄ１、Ｄ２に沿って分割可能とすることができる。
第１０図は、第五の実施形態にかかる収容具１０に被測定物１の少なくとも一部が収容され、収容具１０にテラヘルツ波が照射されたときの平面図である。
収容具１０およびテラヘルツ波測定装置の構成は第一の実施形態とほぼ同様である。ただし、収容具１０は、包囲部１２にかえて、包囲部１２ａ、１２ｂを備える。包囲部１２ａ、１２ｂは分割面Ｄ１、Ｄ２に沿って分割可能である。また、分割面Ｄ１、Ｄ２は、空隙部１１と交差する。なお、第１０図に示すように分割面Ｄ１、Ｄ２とは離れていてもよい。また、包囲部１２ａ、１２ｂは、互いに、図示省略した連結手段により連結される。第１０図の場合、空隙部１１の平面形状の輪郭は、左に凸の円弧と、右に凸の円弧を含む。
第五の実施形態の動作は、第一の実施形態の動作と同様であり説明を省略する。
第五の実施形態にかかる収容具１０によれば、包囲部１２ａ、１２ｂは分割面Ｄ１、Ｄ２に沿って分割可能であるため、空隙部１１の内部に被測定物１を収容しやすい。例えば、包囲部１２ａ、１２ｂは分割面Ｄ１、Ｄ２に沿って分割してから、空隙部１１の内部に被測定物１を収容する。その後、包囲部１２ａ、１２ｂを、互いに、図示省略した連結手段により連結すればよい。
第六の実施形態
第六の実施形態にかかる収容具１０は、第一の実施形態にかかる収容具１０を改変して、被測定物１がその高さによって直径が変わる場合に対応したものである。
第１１図は、第六の実施形態にかかる収容具１０に被測定物１が収容されたときの正面断面図（第１１図（ａ））および平面断面図（第１１図（ｂ））である。なお、第１１図（ａ）においては、図示の便宜上、収容具１０と空隙部１１との間の隙間を省略している。また、第１１図（ｂ）は、収容具１０および被測定物１を光路Ｐ１を通る平面で断面をとった図である。
第１１図を参照して、被測定物１は回転体であり、その回転体の中心軸は上下方向（Ｚ方向）に伸びる直線Ａ（第１６図および第１７図を参照）である。被測定物１の平面断面の直径は、平面断面の高さに応じて変化している。これにより、例えば第１１図（ａ）に示すように、被測定物１の正面断面の輪郭が、上から凸面、凹面および凸面の組み合わせとなっている。
第１１図（ａ）を参照して、被測定物１の正面断面の輪郭にあわせて、空隙部１１および包囲部１２ａ、１２ｂの平面断面の輪郭の半径が、空隙部１１および包囲部１２ａ、１２ｂの高さに応じて変化している。よって、空隙部１１および包囲部１２ａ、１２ｂの正面断面の輪郭もまた、上から凸面、凹面および凸面の組み合わせとなっている。
第１１図（ｂ）を参照して、包囲部１２ａ、１２ｂは分割面Ｄ１、Ｄ２に沿って分割可能である。また、分割面Ｄ１、Ｄ２は、空隙部１１と交差する（第五の実施形態と同様）。これにより、空隙部１１の内部に被測定物１を収容しやすい。例えば、包囲部１２ａ、１２ｂは分割面Ｄ１、Ｄ２に沿って分割してから、空隙部１１の内部に被測定物１を収容する。その後、包囲部１２ａ、１２ｂを、互いに、図示省略した連結手段により連結すればよい。
なお、第１１図（ｂ）において、テラヘルツ波測定装置のテラヘルツ波出力器２およびテラヘルツ波検出器４の位置および光路Ｐ１、Ｐ２の位置は、第１０図と同様であり、説明を省略する。
ただし、第１１図（ａ）における光路Ｐ１〜Ｐ５について説明する。光路Ｐ１は、空隙部１１の正面断面が凸面になっている部分に入射する。しかも、空隙部１１の正面断面は、直線Ａを対称軸として、線対称である。よって、凸面である第一曲面部分Ｓ１にテラヘルツ波が入射する第一の実施形態と同様（第２図、第３図参照）にテラヘルツ波は屈折し、光路Ｐ５が光路Ｐ１の延長線上にあるようになる。
第六の実施形態にかかる収容具１０によれば、被測定物１の高さ方向の形状の変化に応じて、空隙部１１および包囲部１２ａ、１２ｂの正面断面の輪郭が曲面をとるので、光路Ｐ５が光路Ｐ１の延長線上にあるようにできる。
第七の実施形態
本発明の第七の実施形態にかかる収容具１０は、おおむね、第五の実施形態にかかる収容具１０における包囲部１２ａ、１２ｂの形状を互いに異ならせたものに相当する。
第１２図は、本発明の第七の実施形態にかかる収容具１０の平面図である。ただし、第１２図（ａ）は、ｎ２ａ＞ｎ１かつｎ２ｂ＞ｎ１の場合の収容具１０の平面図である。第１２図（ｂ）は、ｎ２ａ＜ｎ１かつｎ２ｂ＜ｎ１の場合の収容具１０の平面図である。
テラヘルツ波測定装置は、第一の実施形態と同様であり説明を省略する。なお、テラヘルツ波測定装置（電磁波測定装置）が出力および検出する電磁波が、テラヘルツ波に限らず、周波数が０．０１［ＴＨｚ］以上１００［ＴＨｚ］以下の電磁波であればよいことも、第一の実施形態と同様である。
収容具１０は、テラヘルツ波測定装置により測定される被測定物１の少なくとも一部を収容する。なお、収容具１０は、被測定物１の一部を収容している場合（第１６図参照）もあれば、被測定物１の全部を収容している場合（第１７図参照）もある。
収容具１０は、第一被覆部１３ａ、第二被覆部１３ｂを備える。第一被覆部１３ａおよび第二被覆部１３ｂの材料は、包囲部１２の材料と同じものでよい。
第一被覆部１３ａの屈折率はｎ２ａである。第一被覆部１３ａは、第一曲面部分Ｓ１（第一および第二の実施形態と同様）と、第一凹面部分１１ａを有する。第一曲面部分Ｓ１は、テラヘルツ波測定装置のテラヘルツ波出力器２から被測定物１に向けて出力されたテラヘルツ波を受ける。第一凹面部分１１ａは、第一曲面部分Ｓ１よりも被測定物１に近く、テラヘルツ波が透過する。
ここで、ｎ２ａがｎ１（被測定物１の屈折率）よりも大きい場合は、第１２図（ａ）を参照して、第一曲面部分Ｓ１が凸面である。第一曲面部分Ｓ１の具体的な形状は、第一の実施形態と同様である。
ｎ２ａがｎ１よりも小さい場合は、第１２図（ｂ）を参照して、第一曲面部分Ｓ１が凹面である。第一曲面部分Ｓ１の具体的な形状は、第二の実施形態と同様である。
第二被覆部１３ｂの屈折率はｎ２ｂである。第二被覆部１３ｂは、第二曲面部分Ｓ２（第一および第二の実施形態と同様）と、第二凹面部分１１ｂを有する。第二凹面部分１１ｂは、被測定物１を透過したテラヘルツ波を受ける。第二曲面部分Ｓ２は、第二凹面部分１１ｂよりも被測定物１から遠く、テラヘルツ波が透過する。
ここで、ｎ２ｂがｎ１よりも大きい場合は、第１２図（ａ）を参照して、第二曲面部分Ｓ２が凸面である。第二曲面部分Ｓ２の具体的な形状は、第一の実施形態と同様である。
ｎ２ｂがｎ１よりも小さい場合は、第１２図（ｂ）を参照して、第二曲面部分Ｓ２が凹面である。第二曲面部分Ｓ２の具体的な形状は、第二の実施形態と同様である。
なお、ｎ２ａとｎ２ｂとは異なる。しかも、第一曲面部分Ｓ１の平面形状の曲率半径と、第二曲面部分Ｓ２の平面形状の曲率半径とは異なる。第１２図においては、第一曲面部分Ｓ１の平面形状の曲率半径よりも、第二曲面部分Ｓ２の平面形状の曲率半径の方が大きい。
しかも、第一凹面部分１１ａおよび第二凹面部分１１ｂの平面形状の輪郭は円弧である。第一凹面部分１１ａおよび第二凹面部分１１ｂの平面形状の輪郭と、被測定物１の平面形状の輪郭との距離ｇ１とする。ｇ１≦λ／４であることが好ましいことは、第一の実施形態（第３図参照）と同様である。
なお、第一曲面部分Ｓ１の光軸ＯＡ（第２図と同様なので、図示省略）が、テラヘルツ波測定装置のテラヘルツ波出力器２から被測定物１に向けて出力されたテラヘルツ波の進行方向（光路Ｐ１）と平行になるようにすることも、第一の実施形態（第２図参照）と同様である。
ただし、第一曲面部分Ｓ１の光軸ＯＡを、光路Ｐ１と、０度を超え９０度未満の角度αで交差させるようにしてもよい（第四の実施形態および第９図と同様）。
なお、被測定物１を収容具１０に収容してから、第一被覆部１３ａおよび第二被覆部１３ｂが図示省略した連結手段により連結される。
次に、第七の実施形態の動作を説明する。
第１２図（ａ）に示す収容具１０によれば、テラヘルツ波は、第一の実施形態と同様な光路を進行する。ただし、第一曲面部分Ｓ１および第二曲面部分Ｓ２の平面形状の曲率半径と、ｎ２ａとｎ２ｂとを適宜設定して、光路Ｐ５が光路Ｐ１のほぼ延長線上にあるようにする。
第１２図（ｂ）に示す収容具１０によれば、テラヘルツ波は、第二の実施形態と同様な光路を進行する。ただし、第一曲面部分Ｓ１および第二曲面部分Ｓ２の平面形状の曲率半径と、ｎ２ａとｎ２ｂとを適宜設定して、光路Ｐ５が光路Ｐ１のほぼ延長線上にあるようにする。
第七の実施形態によれば、第一の実施形態と同様な効果を奏する。
なお、第七の実施形態として、ｎ１＜ｎ２ａかつｎ１＜ｎ２ｂの場合（第１２図（ａ）参照）と、ｎ１＞ｎ２ａかつｎ１＞ｎ２ｂの場合（第１２図（ｂ）参照）を説明した。しかし、ｎ１＜ｎ２ａかつｎ１＞ｎ２ｂの場合と、ｎ１＞ｎ２ａかつｎ＜ｎ２ｂの場合とが考えられる。
第１８図は、第七の実施形態の変形例を示す図である。ただし、第１８図（ａ）は、ｎ１＜ｎ２ａかつｎ１＞ｎ２ｂの場合の収容具１０の平面図である。第１８図（ｂ）は、ｎ１＞ｎ２ａかつｎ１＜ｎ２ｂの場合の収容具１０の平面図である。
第１８図（ａ）においては、第一曲面部分Ｓ１が凸面であり、かつ、第二曲面部分Ｓ２が凹面である。光路Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３は第一の実施形態と同様となり（第２図参照）、光路Ｐ４、Ｐ５は第二の実施形態と同様となる（第６図参照）。光路Ｐ５は、光路Ｐ１の延長線上ではなくなるが、光路Ｐ５と光路Ｐ１とをほぼ平行にできる。
第１８図（ｂ）においては、第一曲面部分Ｓ１が凹面であり、かつ、第二曲面部分Ｓ２が凸面である。光路Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３は第二の実施形態と同様となり（第６図参照）、光路Ｐ４、Ｐ５は第一の実施形態と同様となる（第２図参照）。光路Ｐ５は、光路Ｐ１の延長線上ではなくなるが、光路Ｐ５と光路Ｐ１とをほぼ平行にできる。
第八の実施形態
第八の実施形態にかかる収容具１０は、挿入部材２０を備える点が、第七の実施形態にかかる収容具１０と異なる。
第１９図は、第八の実施形態にかかる収容具１０に被測定物１の少なくとも一部が収容され、収容具１０にテラヘルツ波が照射されたときの平面図である。なお、ｎ１＜ｎ２ａかつｎ１＜ｎ２ｂの場合を図示しているが、他の場合（第１２図（ｂ）、第１８図参照）にも第八の実施形態を適用できる。
テラヘルツ波測定装置は、第一の実施形態と同様であり、説明を省略する。被測定物１の平面形状は第三の実施形態と同様である。
挿入部材２０は、被測定物１と、第一凹面部分１１ａおよび第二凹面部分１１ｂとの間の空間に挿入される。被測定物１と挿入部材２０とが一体となったものの平面形状は、第三の実施形態と同様に、半径ｒ−ｇの円である。被測定物１と挿入部材２０とが一体となったものの平面形状の輪郭（半径ｒ−ｇの円）が、第一凹面部分１１ａおよび第二凹面部分１１ｂの平面形状の輪郭（半径ｒの円の一部分）と同心円となる。なお、ｇ≦λ／４であることが好ましいことは第一の実施形態と同様である。
ただし、ｇは、被測定物１と挿入部材２０とが一体となったものの平面形状の輪郭（半径ｒ−ｇの円）と、第一凹面部分１１ａおよび第二凹面部分１１ｂの平面形状の輪郭（半径ｒの円）との距離である。λは、テラヘルツ波測定装置のテラヘルツ波出力器２から被測定物１に向けて出力されたテラヘルツ波の波長である。
ここで、被測定物１の屈折率をｎ１とし、挿入部材２０の屈折率をｎ３とする。すると、ｎ１−０．１≦ｎ３≦ｎ１＋０．１である。なお、ｎ１＝ｎ３であることが好ましい。また、ｎ１およびｎ３は、収容具１０の周囲の空気の屈折率（例えば、１）と等しくなくてもよい。
第八の実施形態の動作は、第七の実施形態の動作とほぼ同様である。ただし、第八の実施形態においては、テラヘルツ波が挿入部材２０をも透過する点が第七の実施形態と異なる。なお、空気層の厚さｇを無視し、ｎ１＝ｎ３であるとすれば、テラヘルツ波の光路は第七の実施形態と同様である。
第八の実施形態によれば、第七の実施形態と同様な効果を奏する。
しかも、第八の実施形態によれば、被測定物１が円柱でなくても、挿入部材２０により、被測定物１と挿入部材２０とが一体となって円柱を構成することで、被測定物１を円柱として取り扱うことができる。
なお、第八の実施形態においては、被測定物１が楕円柱であるとして説明を行っている。しかし、被測定物１は、楕円柱のような回転体でなくてもよい。被測定物１と挿入部材２０とが一体となったものが円柱となればよい。
また、収容具１０は、挿入部材２０にかえて、被測定物１と、第一凹面部分１１ａおよび第二凹面部分１１ｂとの間の空間に充填される充填材（例えば、オイルなどの液体）を備えてもよい。ただし、充填材の屈折率をｎ４、被測定物１の屈折率をｎ１としたときに、ｎ１−０．１≦ｎ４≦ｎ１＋０．１である。なお、ｎ１＝ｎ４であることが好ましい。また、ｎ１およびｎ４は、収容具１０の周囲の空気の屈折率（例えば、１）と等しくなくてもよい。
第九の実施形態
第九の実施形態にかかる収容具１０は、第七の実施形態にかかる収容具１０を改変して、被測定物１がその高さによって直径が変わる場合に対応したものである。
第２０図は、第九の実施形態にかかる収容具１０に被測定物１が収容されたときの正面断面図（第２０図（ａ））および平面断面図（第２０図（ｂ））である。なお、第２０図（ａ）においては、図示の便宜上、収容具１０と空隙部１１との間の隙間を省略している。また、第２０図（ｂ）は、収容具１０および被測定物１を光路Ｐ１を通る平面で断面をとった図である。なお、ｎ１＜ｎ２ａかつｎ１＜ｎ２ｂの場合を図示しているが、他の場合（第１２図（ｂ）、第１８図参照）にも第九の実施形態を適用できる。
第九の実施形態にかかる被測定物１は、第六の実施形態と同様であり、説明を省略する。
第２０図（ａ）を参照して、被測定物１の正面断面の輪郭にあわせて、第一被覆部１３ａと第二被覆部１３ｂと第一凹面部分１１ａと第二凹面部分１１ｂとの平面断面の輪郭の半径が、それらの高さに応じて変化している。よって、第一被覆部１３ａと第二被覆部１３ｂと第一凹面部分１１ａと第二凹面部分１１ｂとの正面断面の輪郭もまた、上から凸面、凹面および凸面の組み合わせとなっている。
なお、光路Ｐ１〜Ｐ５については、第六の実施形態と同様である。また、第一被覆部１３ａと第二被覆部１３ｂとの形状は互いに異なる。
第九の実施形態にかかる収容具１０によれば、被測定物１の高さ方向の形状の変化に応じて、第一被覆部１３ａと第二被覆部１３ｂの正面断面の輪郭が曲面をとるので、光路Ｐ５が光路Ｐ１の延長線上にあるようにできる。
第十の実施形態
第十の実施形態は、第一から第九の実施形態にかかる収容具１０を使用して水平方向（Ｘ方向）に被測定物１を走査する方法である。
第十の実施形態にかかる収容具１０およびテラヘルツ波測定装置の構成は第一から第九の実施形態と同様であり、説明を省略する。
次に、第十の実施形態の動作を説明する。第１３図は、第十の実施形態の動作を説明するための収容具１０およびテラヘルツ波測定装置の平面図である。ただし、第１３図においては、第一の実施形態にかかる収容具１０を図示している。しかし、第二から第九の実施形態にかかる収容具１０を使用して、第十の実施形態にかかる走査方法を行うことも可能である。第十一から第十四の実施形態にかかる走査方法についても同様に、第一の実施形態にかかる収容具１０および第二から第九の実施形態にかかる収容具１０を使用して、行うことが可能である。
第１３図（ａ）を参照して、テラヘルツ波測定装置のテラヘルツ波出力器２により、テラヘルツ波が出力される（以下、「出力工程」という）。出力されたテラヘルツ波は、第一の実施形態で説明したように、光路Ｐ１からＰ５を進行しながら、包囲部１２および被測定物１を透過して、テラヘルツ波測定装置のテラヘルツ波検出器４により検出される（以下、「検出工程」という）。これにより、被測定物１がテラヘルツ波測定装置によって測定される。
出力工程および検出工程が行われている間に、収容具１０および被測定物１が、テラヘルツ波の光路Ｐ１、Ｐ５に対して水平方向（第１３図における下側）に動く。すると、第１３図（ｂ）に示すように、光路Ｐ１、Ｐ５が、被測定物１のある部分（第１３図（ａ）とは異なる）と交差する。
第十の実施形態によれば、水平方向（Ｘ方向）に被測定物１を走査することができる。これにより、被測定物１を断層測定することができる。
なお、出力工程および検出工程が行われている間に、テラヘルツ波の光路Ｐ１、Ｐ５が、収容具１０および被測定物１に対して水平方向（第１３図における上側）に動くようにしても、同様な効果が得られる。テラヘルツ波の光路Ｐ１、Ｐ５を動かすためには、テラヘルツ波出力器２およびテラヘルツ波検出器４を動かせばよい。
第十一の実施形態
第十一の実施形態は、第一から第九の実施形態にかかる収容具１０を使用して、被測定物１を回転させながら被測定物１を走査する方法である。
第十一の実施形態にかかる収容具１０およびテラヘルツ波測定装置の構成は第一から第九の実施形態と同様であり、説明を省略する。
次に、第十一の実施形態の動作を説明する。第１４図は、第十一の実施形態の動作を説明するための収容具１０およびテラヘルツ波測定装置の平面図である。なお、出力工程、検出工程、光路Ｐ１、Ｐ５の定義は、第十の実施形態と同様である。
第１４図（ａ）を参照して、出力工程が行われる。出力されたテラヘルツ波は、第一の実施形態で説明したように、光路Ｐ１からＰ５を進行しながら、包囲部１２および被測定物１を透過する。そして、検出工程が行われる。これにより、被測定物１のある部分が、テラヘルツ波測定装置によって測定される。
出力工程および検出工程が行われている間に、被測定物１が、上下方向（Ｚ方向）に伸びる直線Ａ（第１６図および第１７図を参照）を回転軸として、回転する（直線Ａが実在する部材でなくてもよい）。例えば、被測定物１が反時計回りに回転する。すると、被測定物１は、第１４図（ｂ）に示すような配置となる。被測定物１における光路Ｐ２と交差する部分が、第１４図（ｂ）の場合と第１４図（ａ）の場合とでは異なる。よって、第１４図（ｂ）の場合と第１４図（ａ）の場合とでは、被測定物１の異なる部分を測定できる。
第十一の実施形態によれば、被測定物１を回転させながら被測定物１を走査することができる。これにより、被測定物１を断層測定することができる。
第十二の実施形態
第十二の実施形態は、第一から第九の実施形態にかかる収容具１０を使用して、収容具１０およびテラヘルツ波の光路Ｐ１、Ｐ５を回転させながら被測定物１を走査する方法である。
第十二の実施形態にかかる収容具１０およびテラヘルツ波測定装置の構成は第一から第九の実施形態と同様であり、説明を省略する。
次に、第十二の実施形態の動作を説明する。第１５図は、第十二の実施形態の動作を説明するための収容具１０およびテラヘルツ波測定装置の平面図である。なお、出力工程、検出工程、光路Ｐ１、Ｐ５の定義は、第十の実施形態と同様である。
第１５図（ａ）を参照して、出力工程が行われる。出力されたテラヘルツ波は、第一の実施形態で説明したように、光路Ｐ１からＰ５を進行しながら、包囲部１２および被測定物１を透過する。そして、検出工程が行われる。これにより、被測定物１のある部分が、テラヘルツ波測定装置によって測定される。
出力工程および検出工程が行われている間に、収容具１０およびテラヘルツ波の光路Ｐ１、Ｐ５が、上下方向（Ｚ方向）に伸びる直線Ａ（第１６図および第１７図を参照）を回転軸として、回転する。例えば、反時計回りに回転する。すると、被測定物１は、第１５図（ｂ）に示すような配置となる。被測定物１における光路Ｐ５と交差する部分が、第１５図（ｂ）の場合と第１５図（ａ）の場合とでは異なる。よって、第１５図（ｂ）の場合と第１５図（ａ）の場合とでは、被測定物１の異なる部分を測定できる。
第十二の実施形態によれば、収容具１０およびテラヘルツ波の光路Ｐ１、Ｐ５を回転させながら被測定物１を走査することができる。これにより、被測定物１を断層測定することができる。
第十三の実施形態
第十三の実施形態は、第一から第九の実施形態にかかる収容具１０を使用して、被測定物１を上下方向（Ｚ方向）に走査する方法である。
第１６図は、第十三の実施形態にかかる収容具１０およびテラヘルツ波測定装置の正面図である。第十三の実施形態にかかる収容具１０およびテラヘルツ波測定装置の構成は第一から第九の実施形態とほぼ同様である。ただし、被測定物１は円筒形であり、被測定物１の一部が、収容具１０の空隙部１１に収容されている。
次に、第十三の実施形態の動作を説明する。なお、出力工程、検出工程、光路Ｐ１、Ｐ５の定義は、第十の実施形態と同様である。
第１６図（ａ）を参照して、出力工程が行われる。出力されたテラヘルツ波は、第一の実施形態で説明したように、光路Ｐ１からＰ５を進行しながら、包囲部１２および被測定物１を透過する。そして、検出工程が行われる。これにより、被測定物１の下方の部分が、テラヘルツ波測定装置によって測定される。
出力工程および検出工程が行われている間に、収容具１０およびテラヘルツ波の光路Ｐ１、Ｐ５が、被測定物１に対して上下方向（第１６図における上側）に動く。すると、第１６図（ｂ）に示すように、光路Ｐ５が、被測定物１の上方の部分と交差する。これにより、被測定物１の上方の部分が、テラヘルツ波測定装置によって測定される。なお、テラヘルツ波の光路Ｐ１、Ｐ５を動かすためには、テラヘルツ波出力器２およびテラヘルツ波検出器４を動かせばよい。
第十三の実施形態によれば、上下方向（Ｚ方向）に被測定物１を走査することができる。これにより、被測定物１を断層測定することができる。
なお、出力工程および検出工程が行われている間に、収容具１０およびテラヘルツ波の光路Ｐ１、Ｐ５に対して、被測定物１が上下方向に動くようにしてもよい。
第十四の実施形態
第十四の実施形態は、第一から第九の実施形態にかかるにかかる収容具１０を使用して、被測定物１を上下方向（Ｚ方向）に走査する方法である。
第１７図は、第十四の実施形態にかかる収容具１０およびテラヘルツ波測定装置の正面図である。ただし、被測定物１のみ断面をとってある。第十四の実施形態にかかる収容具１０およびテラヘルツ波測定装置の構成は第一から第九の実施形態とほぼ同様である。ただし、被測定物１は円筒形であり、被測定物１の全部が、収容具１０の空隙部１１に収容されている。
次に、第十四の実施形態の動作を説明する。なお、出力工程、検出工程、光路Ｐ１、Ｐ５の定義は、第十の実施形態と同様である。
第１７図（ａ）を参照して、出力工程が行われる。出力されたテラヘルツ波は、第一の実施形態で説明したように、光路Ｐ１からＰ５を進行しながら、包囲部１２および被測定物１を透過する。そして、検出工程が行われる。これにより、被測定物１の下方の部分が、テラヘルツ波測定装置によって測定される。
出力工程および検出工程が行われている間に、収容具１０および被測定物１が、テラヘルツ波の光路Ｐ１、Ｐ５に対して上下方向（第１７図における下側）に動く。すると、第１７図（ｂ）に示すように、光路Ｐ５が、被測定物１の上方の部分と交差する。これにより、被測定物１の上方の部分が、テラヘルツ波測定装置によって測定される。
第十四の実施形態によれば、上下方向（Ｚ方向）に被測定物１を走査することができる。これにより、被測定物１を断層測定することができる。
なお、出力工程および検出工程が行われている間に、収容具１０および被測定物１に対して、テラヘルツ波の光路Ｐ１、Ｐ５が上下方向に動くようにしてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【国際調査報告】
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