(57)【要約】本発明の電子部品の製造方法は、基板上に、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金からなる第１の金属膜を有する基層を形成した後、上記第１の金属膜を構成する上記金属とは異なる金属からなる第２の金属膜を最表層に形成することにより、２層以上の金属膜を有する電極を形成する工程と、上記第２の金属膜を構成する上記金属とは反応せず、上記第１の金属膜を構成する上記金属と選択的に反応して樹脂が析出する薬液を上記電極に付与する工程と、を備え、上記第１の金属膜の露出部に上記樹脂が析出する結果、上記電極の少なくとも側面に、上記樹脂からなるオーバーコート層が形成されることを特徴とする。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金からなる第１の金属膜を有する基層を形成した後、前記第１の金属膜を構成する前記金属とは異なる金属からなる第２の金属膜を最表層に形成することにより、２層以上の金属膜を有する電極を形成する工程と、
前記第２の金属膜を構成する前記金属とは反応せず、前記第１の金属膜を構成する前記金属と選択的に反応して樹脂が析出する薬液を前記電極に付与する工程と、を備え、
前記第１の金属膜の露出部に前記樹脂が析出する結果、前記電極の少なくとも側面に、前記樹脂からなるオーバーコート層が形成されることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記オーバーコート層は、前記電極の上面を覆わないように形成される請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記電極の側面に形成される前記オーバーコート層の厚みは、前記第１の金属膜の露出部から離れるほど小さくなる請求項１又は２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記第１の金属膜は、前記基層の最下層に形成される請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記第２の金属膜は、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｓｎ又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金からなる請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記第１の金属膜がＣｕめっき膜であり、前記第２の金属膜がＡｕめっき膜である請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
基板と、
前記基板上に形成された、２層以上の金属膜を有する電極と、
前記電極の側面に形成された、樹脂からなるオーバーコート層と、を備え、
前記電極は、前記基板上に形成され、第１の金属膜を有する基層と、最表層に形成された第２の金属膜とを有し、
前記電極の側面に形成される前記オーバーコート層の厚みは、前記第１の金属膜の側面から離れるほど小さくなることを特徴とする電子部品。
【請求項８】
前記オーバーコート層は、前記電極を構成する各金属膜の上面を覆わないように形成されている請求項７に記載の電子部品。
【請求項９】
前記第２の金属膜は、前記基層の上面の全てを覆うように形成されている請求項７又は８に記載の電子部品。
【請求項１０】
前記第１の金属膜は、前記基層の最下層に形成される請求項７〜９のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１１】
前記第１の金属膜は、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金からなり、
前記第２の金属膜は、前記第１の金属膜を構成する前記金属とは異なる金属からなる請求項７〜１０のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１２】
前記第２の金属膜は、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｓｎ又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金からなる請求項１１に記載の電子部品。
【請求項１３】
前記第１の金属膜がＣｕめっき膜であり、前記第２の金属膜がＡｕめっき膜である請求項７〜１０のいずれか１項に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の製造方法、及び、電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に電極が形成された電子部品の構造として、例えば、特許文献１（特開平７−１０６３８４号公報）には、基板上に絶縁層を形成し、その絶縁層上にボンディングパッドを形成した構造が開示されている。ボンディングパッドの周辺部は、保護層によって覆われている。【０００３】
特許文献２（特開平１１−３３０６９３号公報）には、セラミック基体と、上記セラミック基体上に形成される少なくとも１層の絶縁ガラス層と、上記絶縁ガラス層の表面に形成される導体膜とを備える多層セラミック基板が開示されている。上記導体膜は、上記絶縁ガラス層上に形成される第１の導体層と、上記第１の導体層の周縁部を露出させた状態で上記第１の導体層上に形成される第２の導体層とを備え、上記第１の導体層の周縁部を覆うが上記第２の導体層を覆わないように、上記絶縁ガラス層上に形成される、電気絶縁性の被覆層をさらに備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−１０６３８４号公報
【特許文献２】特開平１１−３３０６９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載されている保護層、及び、特許文献２に記載されている被覆層のようなソルダーレジスト（以下、オーバーコート層ともいう）は、従来、スクリーン印刷又はフォトリソグラフィーによって形成されている。この場合、オーバーコート層を形成するための位置合わせが必要となる。また、位置ずれした場合に備えて、電極の上面の周縁部をオーバーコート層によって覆う必要があり、例えば、スクリーン印刷であれば、電極端部より５０μｍ程度は電極の上面を覆う必要がある。そのため、電極の有効エリアが狭くなり、電極設計に制約が生じる。さらに、スクリーン印刷又はフォトリソグラフィーによってオーバーコート層を形成する方法では、形成可能な最小の線幅等の制約が生じ、電極の狭ピッチ化が制限されるため、配線の高密度化が困難である。また、スクリーン印刷又はフォトリソグラフィーでは、曲面状の基板上に形成された電極や基板の凹面に形成された電極にオーバーコート層を形成することが困難であるため、基板の形状にも制約が生じる。【０００６】
本発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、位置合わせを行うことなく、基板上の電極の所望の領域にオーバーコート層を形成することができる電子部品の製造方法を提供することを目的とする。本発明はまた、上記の製造方法により製造することができる、電極設計の自由度が高い電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様に係る電子部品の製造方法は、基板上に、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金からなる第１の金属膜を有する基層を形成した後、上記第１の金属膜を構成する上記金属とは異なる金属からなる第２の金属膜を最表層に形成することにより、２層以上の金属膜を有する電極を形成する工程と、上記第２の金属膜を構成する上記金属とは反応せず、上記第１の金属膜を構成する上記金属と選択的に反応して樹脂が析出する薬液を上記電極に付与する工程と、を備え、上記第１の金属膜の露出部に上記樹脂が析出する結果、上記電極の少なくとも側面に、上記樹脂からなるオーバーコート層が形成されることを特徴とする。【０００８】
本発明の一態様に係る電子部品の製造方法においては、第１の金属膜を構成する金属、すなわち、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金と選択的に反応して樹脂が析出する薬液を電極に付与することにより、第１の金属膜の露出部に樹脂が析出し、その結果、電極の少なくとも側面に樹脂からなるオーバーコート層が形成される。この方法では、従来の方法のように位置合わせを行うことなくオーバーコート層を形成することができる。また、樹脂は等方成長するため、薬液の濃度、析出時間、温度を変更することにより、オーバーコート層が形成される領域、及び、オーバーコート層の厚み等を調整することができる。そのため、電極の上面を覆うオーバーコート層の領域を従来の方法に比べて小さくすることができ、さらには、電極の上面を覆わないようにオーバーコート層を形成することもできる。したがって、電極設計の自由度が高い電子部品が得られる。【０００９】
本発明の一態様に係る電子部品の製造方法において、上記オーバーコート層は、上記電極の上面を覆わないように形成されることが好ましい。
樹脂の析出量を調整することによって、電極の上面を覆わないようにオーバーコート層を形成することができる。したがって、電極設計の自由度が高い電子部品が得られる。【００１０】
本発明の一態様に係る電子部品の製造方法において、上記電極の側面に形成される上記オーバーコート層の厚みは、上記第１の金属膜の露出部から離れるほど小さくなることが好ましい。
第１の金属膜を構成する金属と選択的に反応して樹脂が析出する薬液を用いると、樹脂は等方成長するため、第１の金属膜の露出部付近のオーバーコート層の厚みを大きく、第１の金属膜の露出部から離れるほどオーバーコート層の厚みを小さくすることができる。【００１１】
本発明の一態様に係る電子部品の製造方法において、上記第１の金属膜は、上記基層の最下層に形成されることが好ましい。
第１の金属膜が基層の最下層であると、樹脂の析出量を調整することによって、オーバーコート層の厚みを調整することができる。また、第１の金属膜を基層の最下層に形成することにより、電極の上面までの距離を大きくすることができるため、電極の上面に樹脂をできるだけ析出させず、目的の部分のみに樹脂を析出させるといった調整が容易になる。【００１２】
本発明の一態様に係る電子部品の製造方法において、上記第２の金属膜は、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｓｎ又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金からなることが好ましい。【００１３】
本発明の一態様に係る電子部品の製造方法においては、上記第１の金属膜がＣｕめっき膜であり、上記第２の金属膜がＡｕめっき膜であることが好ましい。【００１４】
本発明の一態様に係る電子部品は、基板と、上記基板上に形成された、２層以上の金属膜を有する電極と、上記電極の側面に形成された、樹脂からなるオーバーコート層と、を備え、上記電極は、上記基板上に形成され、第１の金属膜を有する基層と、最表層に形成された第２の金属膜とを有し、上記電極の側面に形成される上記オーバーコート層の厚みは、上記第１の金属膜の側面から離れるほど小さくなることを特徴とする。【００１５】
本発明の一態様に係る電子部品は、上述した製造方法により製造することができる。この場合、第１の金属膜付近に樹脂を厚く析出させることによって、樹脂を硬化させる際に発生する硬化収縮の引っ張り応力を第１の金属膜付近に集中させることができる。その結果、電極を基板側に押し付ける力を発生させることができるため、電極の密着強度が向上する。【００１６】
本発明の一態様に係る電子部品において、上記オーバーコート層は、上記電極を構成する各金属膜の上面を覆わないように形成されていることが好ましい。
電極を構成する各金属膜の上面を覆わないようにオーバーコート層が形成されていると、電極設計の自由度が高くなる。その結果、電極の狭ピッチ化も可能となる。【００１７】
本発明の一態様に係る電子部品において、上記第２の金属膜は、上記基層の上面の全てを覆うように形成されていることが好ましい。
上述した製造方法により電子部品を製造する場合、特許文献２に記載されているように第２の金属膜を第１の金属膜よりも小さくすることなく、オーバーコート層を形成することができる。そのため、電極設計の自由度がより高くなる。【００１８】
本発明の一態様に係る電子部品において、上記第１の金属膜は、上記基層の最下層に形成されることが好ましい。【００１９】
本発明の一態様に係る電子部品において、上記第１の金属膜は、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金からなり、上記第２の金属膜は、上記第１の金属膜を構成する上記金属とは異なる金属からなることが好ましい。【００２０】
本発明の一態様に係る電子部品において、上記第２の金属膜は、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｓｎ又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金からなることが好ましい。【００２１】
本発明の一態様に係る電子部品においては、上記第１の金属膜がＣｕめっき膜であり、上記第２の金属膜がＡｕめっき膜であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、位置合わせを行うことなく、基板上の電極の所望の領域にオーバーコート層を形成することができる電子部品の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１（ａ）、図１（ｂ）、図１（ｃ）及び図１（ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る電子部品の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】図２（ａ）、図２（ｂ）、図２（ｃ）及び図２（ｄ）は、本発明の第２実施形態に係る電子部品の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の第３実施形態に係る電子部品の一例を模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の第４実施形態に係る電子部品の一例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態に係る電子部品の製造方法、及び、電子部品について説明する。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する個々の実施形態の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
【００２５】
以下に示す各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもない。第２実施形態以降では、第１実施形態と共通の事項についての記述は省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については、実施形態毎には逐次言及しない。
【００２６】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態では、電極の上面を覆わないようにオーバーコート層が形成される。
【００２７】
図１（ａ）、図１（ｂ）、図１（ｃ）及び図１（ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る電子部品の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。図１（ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る電子部品の一例を模式的に示す断面図でもある。
【００２８】
まず、基板上に、第１の金属膜を有する基層を形成した後、第２の金属膜を最表層に形成することにより、２層以上の金属膜を有する電極を形成する。
【００２９】
図１（ａ）では、基板１０上に、Ｃｕめっき膜２１ａ及びＮｉめっき膜２１ｂを有する基層２１を形成した後、Ａｕめっき膜２２を最表層に形成することにより、３層の金属膜を有する電極２０を形成している。図１（ａ）では、Ｃｕめっき膜２１ａが第１の金属膜であり、Ａｕめっき膜２２が第２の金属膜である。
【００３０】
図１（ａ）には示していないが、Ｃｕめっき膜等のめっき膜は、Ａｇ電極等の下地電極を基板上に形成した後、電解めっき又は無電解めっきを施すことによって形成される。Ａｇ電極等の下地電極は、導電性ペーストを焼き付けることによって形成される。
本明細書において、導電性ペーストを焼き付けることによって形成される下地電極は、電極の基層に含まないものとする。また、電極の基層及び最表層を構成する金属膜は、めっき膜からなることが好ましい。
【００３１】
電極の基層は、第１の金属膜のみを有してもよいし、第１の金属膜に加えて、第１の金属膜以外の金属膜を１層以上有してもよい。基層が２層以上の金属膜を有する場合、第１の金属膜が形成される位置は特に限定されないが、基層の最下層に形成されることが好ましい。また、基層は、第１の金属膜を２層以上有していてもよい。
【００３２】
電極の基層のうち、第１の金属膜を構成する金属は、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金である。
本明細書において、「主成分」とは、元素の存在割合（重量％）が最も大きい元素成分をいう。なお、第１の金属膜には、本発明の効果を損なわない範囲において、他の元素成分が含まれていてもよい。
【００３３】
電極の基層のうち、第１の金属膜以外の金属膜を構成する金属は特に限定されないが、例えば、Ｎｉ等が挙げられる。
【００３４】
電極の最表層に形成される第２の金属膜を構成する金属は、第１の金属膜を構成する金属、すなわち、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金とは異なる金属である。第２の金属膜を構成する金属は、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金以外の金属である必要ではなく、第１の金属膜を構成する金属と異なる金属であればよい。例えば、第１の金属膜を構成する金属がＣｕである場合、第２の金属膜を構成する金属はＦｅであってもよい。なお、第２の金属膜には、本発明の効果を損なわない範囲において、他の元素成分が含まれていてもよい。
【００３５】
第２の金属膜を構成する金属は特に限定されないが、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｓｎ又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金であることが好ましい。
【００３６】
特に、第１の金属膜がＣｕめっき膜であり、第２の金属膜がＡｕめっき膜であることが好ましい。この場合、第１の金属膜であるＣｕめっき膜は、基層の最下層に形成されることがより好ましい。
【００３７】
図１（ａ）では、第２の金属膜であるＡｕめっき膜２２は、基層２１の上面の全てを覆うように形成されており、基層２１を構成するＮｉめっき膜２１ｂは、Ｃｕめっき膜２１ａの上面の全てを覆うように形成されている。このように、第２の金属膜は、基層の上面の全てを覆うように形成されることが好ましいが、特許文献２に記載されているように、基層の周縁部を露出させた状態で基層上に形成されてもよい。また、基層が２層以上の金属膜を有する場合、上層の金属膜は、下層の金属膜の上面の全てを覆うように形成されることが好ましいが、下層の金属膜の周縁部を露出させた状態で下層の金属膜上に形成されてもよい。
【００３８】
なお、電極の表面形状は平坦でなくてもよく、例えば、電極表面の周縁に突起部が形成されていてもよい。
【００３９】
基板は、樹脂又はセラミック等からなる配線基板であり、通常、樹脂層又はセラミック層等の層間に内層電極パターンが形成されている多層基板である。セラミック基板としては、例えば、低温焼結セラミック（ＬＴＣＣ）基板等が挙げられる。ＬＴＣＣ基板は、内層電極パターンが形成された複数枚のセラミックグリーンシートを積み重ねて積層体とした後、一体的に焼成されることによって形成される。
【００４０】
なお、基板は、チップコンデンサ又はチップコイル等の素子を表裏面に実装する基板に限定されず、コンデンサ又はコイル等の素子が内層電極パターンにて形成され内蔵されている多層基板であってもよい。
【００４１】
次に、第２の金属膜を構成する金属とは反応せず、第１の金属膜を構成する金属と選択的に反応して樹脂が析出する薬液を電極に付与する。薬液を電極に付与する方法は特に限定されないが、電極が形成された基板を薬液に浸漬する方法が好ましい。
【００４２】
上記薬液が第１の金属膜を構成する金属と反応することにより、第１の金属膜の露出部に樹脂が析出する。第１の金属膜を構成する金属に応じて、例えば、Ｃｕと選択的に反応して樹脂が析出する薬液、Ｆｅと選択的に反応して樹脂が析出する薬液、Ａｇと選択的に反応して樹脂が析出する薬液等が用いられる。このような薬液としては、例えば、日本パーカライジング株式会社製「パルミック」等が挙げられる。
【００４３】
基層が第１の金属膜以外の金属膜を有する場合、上記薬液は、第２の金属膜を構成する金属と反応しないだけでなく、第１の金属膜以外の金属膜を構成する金属とも反応しないことが好ましい。
【００４４】
図１（ｂ）では、Ａｕ及びＮｉとは反応せず、Ｃｕと選択的に反応する薬液を用いることにより、第１の金属膜であるＣｕめっき膜２１ａの露出部に樹脂３１が析出する。
【００４５】
第１実施形態では、樹脂の析出量を調整することにより、図１（ｃ）に示すように、電極２０の上面２０αを覆わない状態まで樹脂３１を析出させる。図１（ｃ）では、電極２０の側面２０βのうち、Ｃｕめっき膜２１ａ及びＮｉめっき膜２１ｂの側面に樹脂３１が析出しているが、Ａｕめっき膜２２の側面の一部に樹脂３１が析出してもよい。このような樹脂としては、例えば、アクリル樹脂が挙げられるが、樹脂の種類はこれに限定されず、アクリル樹脂以外の樹脂であってもよい。
【００４６】
その後、例えば、１５０℃、２０分間の条件で加熱して樹脂を硬化させる。これにより、図１（ｄ）に示すように、電極２０の側面２０βに、樹脂からなるオーバーコート層３０が形成される。図１（ｄ）において、オーバーコート層３０は、電極２０の上面２０αを覆わないように形成される。
【００４７】
以上により、電子部品１が得られる。
【００４８】
図１（ｄ）に示す電子部品１では、Ａｕめっき膜２２は、基層２１の上面の全てを覆うように形成されており、基層２１を構成するＮｉめっき膜２１ｂは、Ｃｕめっき膜２１ａの上面の全てを覆うように形成されているため、オーバーコート層３０は、Ｃｕめっき膜２１ａ、Ｎｉめっき膜２１ｂ及びＡｕめっき膜２２の上面を覆わないように形成されている。このように、オーバーコート層は、電極を構成する各金属膜の上面を覆わないように形成されていることが好ましい。
【００４９】
図１（ｄ）に示す電子部品１では、電極２０の側面２０βに形成されるオーバーコート層３０の厚みは、第１の金属膜であるＣｕめっき膜２１ａの側面から離れるほど小さくなっている。このように、電極の側面に形成されるオーバーコート層の厚みは、第１の金属膜の側面から離れるほど小さくなることが好ましい。
【００５０】
上記の製造方法により製造される電子部品は、基板と、上記基板上に形成された、２層以上の金属膜を有する電極と、上記電極の側面に形成された、樹脂からなるオーバーコート層と、を備え、上記電極は、上記基板上に形成され、第１の金属膜を有する基層と、最表層に形成された第２の金属膜とを有し、上記電極の側面に形成される上記オーバーコート層の厚みは、上記第１の金属膜の側面から離れるほど小さくなっている。
【００５１】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態では、電極の上面の一部を覆うようにオーバーコート層が形成される。
【００５２】
図２（ａ）、図２（ｂ）、図２（ｃ）及び図２（ｄ）は、本発明の第２実施形態に係る電子部品の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。図２（ｄ）は、本発明の第２実施形態に係る電子部品の一例を模式的に示す断面図でもある。
【００５３】
まず、基板上に、第１の金属膜を有する基層を形成した後、第２の金属膜を最表層に形成することにより、２層以上の金属膜を有する電極を形成する。
【００５４】
図２（ａ）では、基板１０上に、Ｃｕめっき膜２１ａ及びＮｉめっき膜２１ｂを有する基層２１を形成した後、Ａｕめっき膜２２を最表層に形成することにより、３層の金属膜を有する電極２０を形成している。図２（ａ）では、Ｃｕめっき膜２１ａが第１の金属膜であり、Ａｕめっき膜２２が第２の金属膜である。
【００５５】
電極を形成する方法、電極の構成、基板の構成等は、第１実施形態と同じである。
【００５６】
次に、第２の金属膜を構成する金属とは反応せず、第１の金属膜を構成する金属と選択的に反応して樹脂が析出する薬液を電極に付与する。
【００５７】
薬液を電極に付与する方法、薬液の種類等は、第１実施形態と同じである。
【００５８】
図２（ｂ）では、Ａｕ及びＮｉとは反応せず、Ｃｕと選択的に反応する薬液を用いることにより、第１の金属膜であるＣｕめっき膜２１ａの露出部に樹脂３１が析出する。
【００５９】
第２実施形態では、樹脂の析出量を調整することにより、図２（ｃ）に示すように、電極２０の上面２０αの一部を覆う状態まで樹脂３１を析出させる。電極の上面を覆う樹脂の量は特に限定されないが、電極端部より数μｍ程度であることが好ましい。
【００６０】
その後、例えば、１５０℃、２０分間の条件で加熱して樹脂を硬化させる。これにより、図２（ｄ）に示すように、電極２０の側面２０βに、樹脂からなるオーバーコート層３０が形成される。図２（ｄ）において、オーバーコート層３０は、電極２０の上面２０αの一部を覆うように形成される。
【００６１】
以上により、電子部品２が得られる。
【００６２】
図２（ｄ）に示す電子部品２では、電極２０の側面２０βに形成されるオーバーコート層３０の厚みは、第１の金属膜であるＣｕめっき膜２１ａの側面から離れるほど小さくなっている。このように、電極の側面に形成されるオーバーコート層の厚みは、第１の金属膜の側面から離れるほど小さくなることが好ましい。
【００６３】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態では、曲面状の基板上に形成された電極に対してオーバーコート層が形成される。オーバーコート層を形成する方法は、第１実施形態又は第２実施形態で説明した方法と同じである。
【００６４】
図３は、本発明の第３実施形態に係る電子部品の一例を模式的に示す断面図である。
図３に示す電子部品３は、曲面状の基板１１と、基板１１上に形成された、２層以上の金属膜を有する電極２０と、電極２０の側面２０βに形成された、樹脂からなるオーバーコート層３０と、を備えている。オーバーコート層３０は、電極２０の上面２０αを覆わないように形成されている。
【００６５】
第３実施形態において、オーバーコート層は、第１実施形態のように、電極の上面を覆わないように形成されていることが好ましいが、第２実施形態のように、電極の上面の一部を覆うように形成されていてもよい。
【００６６】
基板の形状が異なることを除いて、電子部品の他の構成は、第１実施形態又は第２実施形態と同じである。
【００６７】
曲面状の基板上に電極が形成されている場合、スクリーン印刷又はフォトリソグラフィーによってオーバーコート層を形成することは困難であるが、第１実施形態又は第２実施形態で説明した薬液を用いる方法では、オーバーコート層を容易に形成することができる。
【００６８】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態では、基板の凹面に形成された電極に対してオーバーコート層が形成される。オーバーコート層を形成する方法は、第１実施形態又は第２実施形態で説明した方法と同じである。
【００６９】
図４は、本発明の第４実施形態に係る電子部品の一例を模式的に示す断面図である。
図４に示す電子部品４は、凹面を有する基板１２と、基板１２の凹面に形成された、２層以上の金属膜を有する電極２０と、電極２０の側面２０βに形成された、樹脂からなるオーバーコート層３０と、を備えている。オーバーコート層３０は、電極２０の上面２０αを覆わないように形成されている。
【００７０】
第４実施形態において、オーバーコート層は、第１実施形態のように、電極の上面を覆わないように形成されていることが好ましいが、第２実施形態のように、電極の上面の一部を覆うように形成されていてもよい。
【００７１】
基板の形状が異なることを除いて、電子部品の他の構成は、第１実施形態又は第２実施形態と同じである。
【００７２】
基板の凹面に電極が形成されている場合、スクリーン印刷又はフォトリソグラフィーによってオーバーコート層を形成することは困難であるが、第１実施形態又は第２実施形態で説明した薬液を用いる方法では、オーバーコート層を容易に形成することができる。
【００７３】
（その他の実施形態）
第３実施形態及び第４実施形態で説明した基板の形状に限らず、第１実施形態又は第２実施形態で説明した薬液を用いる方法では、任意の形状を有する基板上に形成されている電極に対してオーバーコート層を形成することができる。
【符号の説明】
【００７４】
１，２，３，４    電子部品
１０，１１，１２  基板
２０              電極
２０α            電極の上面
２０β            電極の側面
２１              基層
２１ａ            Ｃｕめっき膜（第１の金属膜）
２１ｂ            Ｎｉめっき膜
２２              Ａｕめっき膜（第２の金属膜、最表層）
３０              オーバーコート層
３１              樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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