(57)【要約】  有害物質含有気体を反応装置内に導き、加熱された酸化物半導体と接触させることによって有害物質を分解除去するシステムであって、前記反応装置内に酸化物半導体として酸化クロムまたは酸化ニッケルを担持した多孔体を配置し、前記酸化クロムまたは酸化ニッケルを熱励起状態として前記気体を接触させることを特徴とする。これにより有害物質の分解除去効率が高い実用的な技術を提供することができる。
2010061854.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有害物質含有気体を反応装置内に導き、加熱された酸化物半導体と接触させることによって有害物質を分解除去するシステムであって、前記反応装置内に酸化物半導体として酸化クロムおよび酸化ニッケルの少なくとも一方を担持した多孔体を配置し、前記酸化クロムおよび酸化ニッケルの少なくとも一方を熱励起状態として前記有害物質含有気体を接触させることを含む有害物質の分解除去システム。
【請求項２】
前記有害物質は、揮発性有機化合物、アンモニア、硫化水素から選ばれる少なくとも１種であり、前記気体は、空気である請求項１記載の有害物質の分解除去システム。
【請求項３】
前記多孔体は、ＳＵＳメッシュを複数枚積層させてなる擬似ハニカム体である請求項１又は請求項２記載の有害物質の分解除去システム。
【請求項４】
前記多孔体は、コージライトハニカムまたはコルゲートハニカムである請求項１又は請求項２記載の有害物質の分解除去システム。
【請求項５】
前記多孔体は、酸化クロム粒子および酸化ニッケル粒子の少なくとも一方とニトロセルロースとを含む懸濁液に浸漬後、１８０℃以上に加熱処理されて、前記酸化クロム粒子および酸化ニッケル粒子の少なくとも一方が担持されたものである請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の有害物質の分解除去システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化クロム（以下、本発明ではＣｒ２Ｏ３を意味する）または酸化ニッケル（以下、本発明ではＮｉＯを意味する）の熱励起を利用した有害物質の分解除去システムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
昨今、光化学スモッグやシックハウス症候群の原因となるＶＯＣ（ｖｏｌａｔｉｌｅ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ）の大量排出が環境問題となっており、効果的な除去システムが求められている。又、アンモニア等の悪臭成分や硫化水素等の有毒成分についても同様である。【０００３】
本発明者等は、これまで酸化物半導体の熱励起による正孔の大量発生と、その正孔の強力な酸化力による有害有機物の分解システムを研究してきた。そして、既に、酸化物半導体を熱励起し、これによってＶＯＣ等を分解除去するシステムを提供している（例えば、特開２００５−１３９４４０号公報参照）。【０００４】
該システムにおいては、酸化物半導体の熱励起によって生じた正孔が有機物の結合電子を奪い、カチオンラジカルを形成する。そのラジカルが有機物内を伝播しラジカル開裂を誘起してフラグメント化する。そして、フラグメント化された小さな分子は十分な酸素の存在下で完全燃焼して、Ｈ２ＯとＣＯ２となる。この分解反応は基本的には燃焼反応であり、正孔は大きな分子を裁断化するための手段である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特開２００５−１３９４４０号公報によれば、酸化物半導体のうち酸化チタンがＶＯＣ等の分解に最も効果的であることを示しており、事実、比表面積が３００ｍ２／ｇに及ぶアナターゼ型の酸化チタン（ＳＴ０１：石原産業）は、最も高い効果を示している。【０００６】
しかしながら、かかる開発を更に進める中で、改良しなくてはならない点が観察されている。即ち、酸化チタンにあっては、ＶＯＣの分解能はきわめて高いものの、例えば、ＶＯＣとしてトルエンをもって述べれば、１００００ｐｐｍの高濃度のトルエンを含有する空気を処理したときに、２００ｐｐｍ程度までは比較的低温で分解できるものの、トルエンの濃度をこれ以下にする（例えば、トルエンの濃度をほぼゼロにする）ことは、更に高温条件下でトルエンと酸化チタンを接触させる必要があることが判明した。【０００７】
本発明は上記した知見に基づいてなされたものであり、酸化物半導体を熱励起し、これによって気体中の有害物質を除去する技術にあって、有害物質の分解除去効率が高い実用的な技術を提供することを課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の有害物質の分解除去システムは、有害物質含有気体を反応装置内に導き、加熱された酸化物半導体と接触させることによって有害物質を分解除去するシステムであって、前記反応装置内に酸化物半導体として酸化クロムおよび酸化ニッケルの少なくとも一方を担持した多孔体を配置し、前記酸化クロムおよび酸化ニッケルの少なくとも一方を熱励起状態として有害物質含有気体を接触させることを含むものである。【０００９】
中でも、前記多孔体は、ＳＵＳメッシュを複数枚積層させた擬似ハニカム体、コージライトハニカムまたはガラス繊維、シリカ、ゼオライトなどからなるコルゲートハニカムであることが好ましい。【００１０】
更に、前記多孔体は、酸化クロム粒子および酸化ニッケル粒子の少なくとも一方とニトロセルロースとを含む懸濁液に浸漬後、１８０℃以上に加熱処理されて、前記酸化クロム粒子および酸化ニッケル粒子の少なくとも一方が担持されたものであることがより好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、酸化物半導体を熱励起し、これによって気体中の有害物質を除去する技術にあって、有害物質の分解除去効率が高い実用的な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】担持触媒の分解活性を評価する装置の概要図である。
【図２】流動床実験における酸化チタンを用いたトルエンの分解特性を示すグラフである。
【図３】流動床実験における酸化クロムを用いたトルエンの分解特性を示すグラフである。
【図４】カートリッジ型実験における酸化チタンを用いたトルエンの分解特性を示すグラフである。
【図５】カートリッジ型実験における酸化クロムを用いたトルエンの分解特性を示すグラフである。
【図６】コージライトハニカムに酸化ニッケルを担持した触媒素子によるトルエンの分解特性を示すグラフである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の有害物質の分解除去システムは、有害物質含有気体を反応装置内に導き、加熱された酸化物半導体と接触させることによって有害物質を分解除去するシステムであって、前記反応装置内に酸化物半導体として酸化クロムおよび酸化ニッケルの少なくとも一方を担持した多孔体を配置し、前記酸化クロムおよび酸化ニッケルの少なくとも一方を熱励起状態として有害物質含有気体を接触させることを含む【００１４】
実用に供されるレベルの分解システムにあって、従来の酸化チタン粒子の熱励起で気体中のＶＯＣを分解する場合、例えば、１００００ｐｐｍの高濃度のトルエンが、２００ｐｐｍ程度までは除去できるものの、これ以下の濃度にまで除去することは困難であった。
これに対し、本発明においては酸化物半導体として酸化クロムまたは酸化ニッケルを用いることで、気体中のＶＯＣ（例えば、トルエン）をほぼゼロレベルにまで除去することができる。
更に、本発明で用いる酸化クロムまたは酸化ニッケルを担持した多孔体は、アンモニア及び硫化水素に対しても高い分解活性を発揮するものである。【００１５】
また、酸化物半導体である酸化クロムまたは酸化ニッケルが多孔体に担持されていることで、酸化物半導体の交換等が容易になり、メンテナンス性に優れる。さらに多孔体の表面積および酸化物半導体の担持量を適宜調整することで、有害物質の処理能力を調整することも可能である。【００１６】
本発明においては有害物質含有気体から有害物質が分解除去される。前記有害物質としては、酸化分解可能で生物に有害な化合物であれば特に制限はない。中でも、有害物質の除去効率の観点から、揮発性有機化合物、アンモニア、硫化水素から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
また前記有害物質含有気体としては、有害物質のみからなるものであっても、有害物質と空気を含むものであってもよい。中でも、有害物質の除去効率の観点から、有害物質と酸素を含むものであることが好ましい。【００１７】
前記揮発性有機化合物は、常温常圧で大気中に揮発する有機化合物であれば特に制限はなく、沸点が５０℃未満であるいわゆる高揮発性有機化合物（ＶＶＯＣ）、５０℃以上２６０℃未満であるいわゆる揮発性有機化合物（ＶＯＣ）を含むものである。具体的には例えば、メタン、エタン等の脂肪族炭化水素類、ジクロロメタン、トリクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、ベンゼン、キシレン等の芳香族炭化水素類、メタノール、エタノール等のアルコール類、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド等のアルデヒド類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、酢酸エチル等のエステル類等を挙げることができる。【００１８】
本発明において酸化クロムおよび酸化ニッケルとしては、触媒等に通常用いられる酸化クロムおよび酸化ニッケルを特に制限なく用いることができる。例えば、純度が９５％以上である酸化クロムおよび酸化ニッケルを用いることができる。また酸化クロムおよび酸化ニッケルの粒子径には特に制限はないが、有害物質の除去効率の観点から、５μｍ以下であることが好ましい。
本発明における酸化クロムおよび酸化ニッケルとしては、例えば、一般顔料として市販されている酸化クロム、住友金属鉱山製の酸化ニッケル等を用いることができる。【００１９】
また本発明における多孔体としては、酸化クロムおよび酸化ニッケルの少なくとも一方を担時可能で、前記有害物質含有気体を透過可能なものであれば特に制限はない。中でも、有害物質の除去効率の観点から、ＳＵＳメッシュを複数枚積層させてなる疑似ハニカム体、または、コージライトハニカムもしくはガラス繊維、シリカ、ゼオライトなどから成るコルゲートハニカムであることが好ましい。【００２０】
前記疑似ハニカム体は、ＳＵＳメッシュを複数枚積層させたものであれば特に制限はない。また前記ＳＵＳメッシュとしては、ステンレスワイヤーをメッシュ状に構成したものであれば特に制限はなく、例えば、ワイヤー径が５０〜５００μｍ、ワイヤー間隔が５０〜５００μｍであるものを用いることができる。
ＳＵＳメッシュの形状は、目的に応じて適宜選択することができ、円形であっても方形であってもよい。
またＳＵＳメッシュの積層数は、２以上であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。【００２１】
また、コージライトハニカムおよびコルゲートハニカムとしては、コージライトまたはガラス繊維、シリカ、およびゼオライトを含んで構成されるハニカム構造を有するものであれば特に制限はない。例えば、一般に市販されているものを用いることができる。
中でも、有害物質の分解効率の観点からハニカム構造のセル数が１平方インチあたり５０〜６００であるものが好ましい。【００２２】
本発明において酸化クロムおよび酸化ニッケルを多孔体に担持する方法としては、特に制限はなく、多孔体に応じて適宜選択することができる。
例えば、多孔体としてＳＵＳメッシュを複数枚積層させた疑似ハニカム体を用いる場合、以下のようにして酸化クロムおよび酸化ニッケルをＳＵＳメッシュ上に担持することができる。
市販のＳＵＳメッシュを必要に応じて選択される形状に打ち抜き、湿潤水素酸化装置でＳＵＳ表面に酸化クロムの酸化膜（例えば、厚み：約１μｍ）を形成する。【００２３】
次に、電気メッキに類似した技術である電気泳動電着法により、酸化クロムまたは酸化ニッケル（酸化物半導体粒子）をＳＵＳメッシュ上に担持する。即ち、酸化物半導体粒子を電着液中に分散させ、ＳＵＳメッシュを陽極、Ａｌ板電極を陰極として例えば、１００Ｖの直流電圧をかけてこれらの酸化物半導体粒子をＳＵＳメッシュ上に電析させる（例えば、膜厚：約３μｍ）。【００２４】
前記電着液としては、導電性の媒体に酸化クロムまたは酸化ニッケルが分散されたものであれば特に制限はなく、通常用いられる電着液を用いることができる。例えば、被担持体、有機溶媒、分散剤等を含んで構成されるものを用いることができ、より具体的には後述する懸濁液と同様の構成とすることができる。
また直流電圧をかける時間は、目的に応じて適宜選択できる。例えば０．１〜１０秒とすることができる。【００２５】
ＳＵＳ表面に酸化クロムの酸化膜を形成することにより、ＳＵＳメッシュ上に酸化クロムおよび酸化ニッケル粒子がより強固に担持され、繰り返しの熱履歴（例えば室温と５００℃）にもかかわらず強固に担持される。これは例えば、酸化クロムの酸化膜が、ＳＵＳメッシュと酸化クロムおよび酸化ニッケル粒子の膨張係数の違いを緩和する緩衝層として作用するためと考えることができる。【００２６】
また多孔体としてコージライトハニカムまたはガラス繊維、シリカ、ゼオライトなどから成るコルゲートハニカムを用いる場合、例えば以下のようにして酸化クロムおよび酸化ニッケルをコージライトハニカムまたはガラス繊維、シリカ、ゼオライトなどから成るコルゲートハニカムに担持することができる。
ニトロセルロースと、酸化クロム粒子および酸化ニッケル粒子の少なくとも一方を含む懸濁液を調製し、これにコージライトハニカム（２ＭｇＯ・Ａｌ２Ｏ３・５ＳｉＯ２：例えば、京セラ社製：２００ｃｐｉ（ｃｅｌｌ  ｐｅｒ  ｓｑｕａｒｅ  ｉｎｃｈ））を浸漬し、その後、１８０℃〜２５０℃で加熱処理して、酸化クロムおよび酸化ニッケルを担持することができる。【００２７】
前記懸濁液における媒体としては、ニトロセルロースを溶解可能な溶媒であれば特に制限はなく、例えば、エタノール、イソプロパノール等のアルコール類、アセトン等のケトン類、酢酸エチル等のエステル類等を用いることができる。中でもエステル類、ケトン類であることが好ましい。
前記懸濁液におけるニトロセルロースの含有率としては特に制限はなく、酸化物半導体の含有率に応じて適宜選択することができ、例えば、０．１〜２重量％とすることができる。
また前記懸濁液における酸化物半導体の含有率としては特に制限はなく、多孔体における酸化物半導体の担持量に応じて適宜選択することができ、例えば、１〜１０重量％とすることができる。【００２８】
また浸漬時間は、多孔体における酸化物半導体の担持量に応じて適宜選択することができ、例えば、数秒〜１分とすることができる。
さらに加熱処理は、１８０℃以上で行なわれるが、１８０℃〜２５０℃であることが好ましい。加熱処理の時間としては懸濁液に含まれるニトロセルロースが除去されればよく、例えば３０分〜２時間とすることができる。【００２９】
かかる方法によって酸化物半導体をコージライトハニカムまたはガラス繊維、シリカ、ゼオライトなどから成るコルゲートハニカムに担持することにより、酸化物半導体（酸化クロムおよび酸化ニッケル）が、コージライトハニカムまたはガラス繊維、シリカ、ゼオライトなどから成るコルゲートハニカムに強固に担持される。またコージライトハニカムまたはガラス繊維、シリカ、ゼオライトなどから成るコルゲートハニカムの外壁にも一様に酸化クロム及び酸化ニッケルが担持される。さらに、室温と５００℃の熱履歴を繰り返してもひび割れや剥離が発生しない。【００３０】
有害物質の分解除去活性を評価する手段として、例えば、図１に概略を示すようなシステムが採用される。また同様の構成を本発明の有害物質除去システムにおいても採用することができる。
即ち、キャリアーガス供給手段Ａ、ＶＯＣ充填手段Ｂ、ＶＯＣガス化手段Ｃ、反応手段Ｄ、分解ガス回収手段Ｅからなり、キャリアーガス供給手段Ａ及びＶＯＣ充填手段Ｂには、流量調整手段Ａ１及びＢ１が備えられている。又、ＶＯＣガス化手段Ｃにはガス加熱手段Ｃ１が備えられている。【００３１】
そして、反応手段Ｄの心臓部には、内部に酸化クロムまたは酸化ニッケルを担持させた多孔体をガスの流れに対向して、カートリッジ式のユニットＤ１が配置されており、このユニットＤ１は着脱自在に配置されることが好ましい。そして、このユニットＤ１は、所望の温度にまで加熱するための加熱手段Ｄ２にて囲まれ、この加熱手段Ｄ２にて酸化クロムまたは酸化ニッケルを加熱して熱励起状態とし、有害物質と接触させるものである。【００３２】
カートリッジ式のユニットＤ１は、酸化クロムまたは酸化ニッケルを担持した多孔体であり、好ましくは、ＳＵＳメッシュの積層体、または、コージライトハニカムもしくはガラス繊維、シリカ、ゼオライトなどから成るコルゲートハニカムである。前記ＳＵＳメッシュの積層体は、酸化クロムまたは酸化ニッケルを担持したＳＵＳメッシュを積層したもので、これをカートリッジ内に、例えば垂直に並べたものである。ＳＵＳメッシュの網目の間隔やＳＵＳメッシュの枚数を自由に選択できる自由度の高い疑似ハニカム型の触媒素子といえる。【００３３】
さて、上記したように酸化チタン粒子の熱励起でトルエンを分解すると、通常では１００００ｐｐｍの高濃度から２００ｐｐｍ程度までは除去できるものの、これ以下の濃度にまで除去することは困難であった。これに対し酸化クロム粒子および酸化ニッケルの少なくとも一方を用いることでトルエンの分解はほぼゼロレベルまで除去できる。更に、酸化クロムまたは酸化ニッケルは酸化チタンに比べて、多孔体の代表例であるコージライトハニカム等により強固に担持できる。
【実施例】
【００３４】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。尚、特に断りのない限り、「％」は質量基準である。【００３５】
＜ＳＵＳメッシュへの酸化物半導体の担持＞
以下のようにてＳＵＳメッシュへ酸化物半導体を担持した。
市販のＳＵＳメッシュ（ワイヤー径：１００μｍ、ワイヤー間隔：２５０μｍ）を２６ｍｍの円板に打ち抜き、湿潤水素酸化装置でＳＵＳ表面に酸化クロムの酸化膜（厚み：約１μｍ）を形成した。【００３６】
次に、電気メッキに類似した技術である電気泳動電着法により、酸化クロムまたは酸化ニッケル（触媒粒子、酸化物半導体粒子）をＳＵＳメッシュ上に担持した。即ち、触媒粒子を電着液（組成：アセトン１００ｍｌ、ニトロセルロース０．５ｇ）中に５％の含有率となるように分散させ、ＳＵＳメッシュを陽極、Ａｌ板電極を陰極として１００Ｖの直流電圧を、０．５0.5秒間かけて、これらの酸化物半導体粒子をＳＵＳメッシュ上に電析させた（膜厚：約３μｍ）。【００３７】
＜コージライトハニカムへの酸化物半導体の担持＞
以下のようにしてコージライトハニカムへ酸化物半導体を担持した。
溶媒として酢酸エチルと、０．５％のニトロセルロースと、５％の酸化クロム粒子（LANXESS社製）または酸化ニッケル粒子（住友金属鉱山）とを含む懸濁液を調製した。これにコージライトハニカム（２ＭｇＯ・Ａｌ２Ｏ３・５ＳｉＯ２：京セラ社製：Ｃ６００、２００ｃｐｉ（ｃｅｌｌ  ｐｅｒ  ｓｑｕａｒｅ  ｉｎｃｈ））を１０秒間浸漬した。
次いで１８０℃で１時間加熱処理して、酸化物半導体をコージライトハニカムに担持した。【００３８】
（参考例：流動床実験）
２５０ｍｌの圧力反応器に容積にして２０ｍｌの酸化チタン（ＳＴ０１：石原産業）を入れ、流動床を作った。同様に、酸化チタンの代わりに同量の酸化クロム（和光純薬）を入れた。圧力反応器の下部から、空気をキャリアーガスとして１４０００ｐｐｍのトルエンを導き、流速３００ｍｌ／分で分解実験をおこなった。【００３９】
図２、図３は、それぞれ酸化チタンと酸化クロムによるトルエンの分解特性（分解温度と分解の関係）を示すグラフである。図２の酸化チタンによる分解ではトルエンの分解と同時に酸素が消費され、炭酸ガスが増加している。この系ではトルエンの分解が１５０℃あたりから急激に進行しているが、３００℃ではやや低迷してしまい、速やかに完全分解するのではなく、その後、３５０℃で完全に分解している。【００４０】
これに対し、酸化クロムの系（図３）では、トルエンの分解開始温度はやや高めであるが、一挙に分解が進み３５０℃でゼロレベルまで分解されている。これより、酸化クロムによる完全分解の優位性が分かる。【００４１】
（実施例１：カートリッジ型実験）
図１に概略を示したカートリッジ型触媒素子を用いた分解システムにて分解実験を行った。カートリッジ型触媒素子としては、上記で得られた酸化物半導体を担持したＳＵＳメッシュを１５枚積層して構成した多孔体を内部に備えたカートリッジ型触媒素子を用いた。
空気をキャリアーガスとして１００００ｐｐｍのトルエンを導き、流速１００ｍｌ／分で分解実験を行った。【００４２】
図４は酸化チタンによる分解、また図５は酸化クロムの分解特性を示すグラフである。何れの場合にも、分解開始温度は流動床の実験に比べ１００℃程高めである。
酸化チタンの場合には、流動床の場合（図２）と同様に４５０℃あたりでもトルエンの完全分解に至らず、低迷している。これに対し、酸化クロムの場合（図５）には一挙に分解が進み、４５０℃でトルエンは完全に分解している。これより、酸化クロムによる完全分解の優位性が分かる。【００４３】
（実施例２：コージライトハニカムによる実験）
図１に概略を示した分解システムにて分解実験を行った。実施例１におけるカートリッジ型触媒素子の代わりに、上記のようにして得られた酸化ニッケルを担持したコージライトハニカムを触媒素子として用いた。
空気をキャリアーガスとして１００００ｐｐｍのトルエンを導き、流速１００ｍｌ／分で分解実験を行った。【００４４】
図６は酸化ニッケルによるトルエンの分解特性を示すグラフである。２００℃あたりからトルエンの分解が始まり、４００℃で完全にゼロレベルまで分解が進んでいることが分かる。【００４５】
（実施例３：アンモニア及び硫化水素の分解実験）
上記のようにしてコージライトハニカム（２ＭｇＯ・Ａｌ２Ｏ３・５ＳｉＯ２：京セラ：Ｃ６００、２００ｃｐｉ）に酸化ニッケル、酸化クロム、及び比較のため酸化チタンを夫々担持した。
各々の担持触媒に空気をキャリアーガスとして２００ｐｐｍのアンモニアを導き、３６０℃、ＳＶ（ｓｐａｃｅ  ｖｅｌｏｃｉｔｙ：１時間に処理する気体の体積を触媒の体積で割った値で次元はｈ−１）３００００の条件で分解実験を行った。
また２００ｐｐｍのアンモニアの代わりに１３０ｐｐｍの硫化水素を用いて同様にして分解実験を行なった。【００４６】
その結果、酸化ニッケルの場合にはアンモニア及び硫化水素に対して、夫々８９％、４８％、また、酸化クロムの場合には同じく夫々７９％、４６％とともに高い分解率を達成した。
一方、酸化チタンの場合にはアンモニアに対しては８４％と高い分解活性を示したが、硫化水素の分解率は１４％に過ぎなかった。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明は以上の通りであり、酸化クロムまたは酸化ニッケル触媒では、ＶＯＣをほぼ完全にゼロレベルまで分解できること、アンモニアまたは硫化水素に対しても高い分解活性を示すこと、更には、酸化クロム及び酸化ニッケルは酸化チタンに比べ、コージライトハニカム等に強固に担持できること、酸化クロム及び酸化ニッケルの比表面積は僅か１〜３ｍ２／ｇ程度であるが、比表面積が３００ｍ２／ｇ程度である酸化チタンに匹敵する酸化力を持つことが分かった。このため、気体中の有害物質の除去に大きく貢献できるものである。
【符号の説明】
【００４８】
Ａ  キャリアーガス供給手段
Ａ１  流量調整手段
Ｂ  ＶＯＣ充填手段
Ｂ１  流量調整手段
Ｃ  ＶＯＣガス化手段
Ｃ１  ガス加熱手段
Ｄ  反応手段
Ｄ１  カートリッジ式のユニット（またはハニカム型ユニット）
Ｄ２  加熱手段
Ｅ  分解ガス回収手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
2010061854.tif 000009
2010061854.tif 000010
2010061854.tif 000011
2010061854.tif 000012
2010061854.tif 000013
2010061854.tif 000014
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