(57)【要約】  易酸化性の金属層が形成された基板表面をドライ処理後、ウェット洗浄する際、金属層がダメージを受けるのを抑制又は防止する。ドライ処理部１０において還元性成分を含有する還元性ガス状流体を被処理基板９０の表面の易酸化性の金属層９３に接触させ、かつ前記接触と前後して還元性ガス状流体を活性化させる。その後、被処理基板９０をウェット洗浄部２０へ送って洗浄液２９にて洗浄する。
2019124321.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
易酸化性の金属層を含む被処理基板の表面を処理する方法であって、
還元性成分を含有する還元性ガス状流体を前記被処理基板に接触させ、かつ前記接触と前後して前記還元性ガス状流体を活性化させ、
その後、被処理基板を洗浄液にて洗浄することを特徴とする表面処理方法。
【請求項２】
前記還元性成分が、水素（Ｈ２）、硫化水素（Ｈ２Ｓ）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、一酸化炭素（ＣＯ）、及び水素酸素含有化合物からなる群より選ばれる少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載の表面処理方法。
【請求項３】
プラズマ処理、コロナ放電処理、紫外線照射処理またはマイクロ波照射処理によって前記活性化を行なうことを特徴とする請求項１又は２に記載の表面処理方法。
【請求項４】
一対の電極間に放電を生成することによって前記活性化を行なうことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の表面処理方法。
【請求項５】
前記還元性ガス状流体が前記接触によって前記被処理基板に定着可能であり、
酸化性ガス状流体を活性化させて、前記定着後の被処理基板に接触させることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の表面処理方法。
【請求項６】
前記易酸化性の金属層が、銅、アルミニウム、鉄、及び亜鉛からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含むことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の表面処理方法。
【請求項７】
易酸化性の金属層を含む被処理基板の表面を処理する装置であって、
還元性成分を含有する還元性ガス状流体を前記被処理基板に接触させ、かつ前記接触と前後して前記還元性ガス状流体を活性化させるドライ処理部と、
前記接触及び付与後の被処理基板を洗浄液にて洗浄するウェット洗浄部と
を備えたことを特徴とする表面処理装置。
【請求項８】
前記ドライ処理部が、一対の電極を有し、これら電極間に放電を生成することによって前記活性化を行なうことを特徴とする請求項７に載の表面処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、易酸化性の金属層を含む被処理基板の表面を処理する方法及び装置に関し、特にドライ処理及びウェット洗浄を含む表面処理方法及び表面処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＦＴ（thin film transistor）等の半導体製造工程においては、例えば基板の表面にＣｕ等の金属層を形成後、洗浄したうえで、レジストを設けて、前記金属層をフォトエッチングすることによって電極パターンを形成する（特許文献１等参照）。
前記洗浄方法としては、ドライ洗浄とウェット洗浄がある。洗浄によって接触角を小さくして親水性を高め、レジストを被膜しやすくする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−８７７１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
発明者等の知見によれば、基板の親水性を高めるために、例えばＮ２及びＯ２を含有する酸化性プロセスガスをプラズマやエキシマＵＶなどの活性化手段によって活性化させて基板に接触させることによってドライ洗浄した後、水でウェット洗浄すると、金属層の表面に散点状ないしは斑点状の溶解ダメージが形成されることがある。特に、Ｃｕ等の易酸化性の金属層の場合、ダメージを受け易い。ダメージを受けた金属層から電極パターンを形成すると配線不良が起きる。
本発明は、かかる事情に鑑み、易酸化性の金属層が形成された基板表面をドライ処理後、ウェット洗浄する際、金属層がダメージを受けるのを抑制又は防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記課題を解決するため、発明者は鋭意研究考察を行なった。
前記酸化性プロセスガスの活性化によって例えば硝酸その他の酸化性の腐食性成分が生成され、これが被処理基板に付着ないしは吸着するものと推察される。一方、被処理基板をウェット洗浄工程へ移行させる際、ウェット洗浄部近くの雰囲気中を浮遊する霧状の水が被処理基板に付着する。このため、被処理基板の表面の金属層上に硝酸水溶液などの腐食性水溶液が出来、該水溶液に金属層の銅が溶け出すことで前記ダメージが形成されるものと考えられる。【０００６】
本発明は、かかる考察に基づいてなされたものであり、本発明方法は、易酸化性の金属層を含む被処理基板の表面を処理する方法であって、
還元性成分を含有する還元性ガス状流体を前記被処理基板に接触させ、かつ前記接触と前後して前記還元性ガス状流体を活性化させ、
その後、被処理基板を洗浄液にて洗浄することを特徴とする。【０００７】
前記表面処理によって、被処理基板の接触角が小さくなって親水性が高まり、レジスト等との密着性を向上できる。加えて、前記還元性ガス状流体に還元性成分を含有させることによって、活性化時に酸化性の腐食性成分が生成されるのが回避される。或いは生成されたとしても還元性成分の還元作用によって酸化性ないしは腐食性を緩和される。そうすることで、ウェット洗浄移行時に被処理基板の表面に腐食性溶液が形成されるのが防止又は抑制される。この結果、易酸化性の金属層がダメージを受けるのを防止又は抑制できる。
前記還元性ガス状流体を活性化させた後、前記被処理基板に接触させてもよい。
前記還元性ガス状流体を前記被処理基板に接触させた後、活性化させてもよい。
前記還元性ガス状流体の前記被処理基板への接触と活性化を同時に行なってもよい。【０００８】
プラズマ処理、コロナ放電処理、紫外線照射処理またはマイクロ波照射処理によって前記活性化を行なうことが好ましい。
プラズマ処理では、プラズマによって還元性ガス状流体を活性化させる。一対の電極間に放電を生成することによって前記活性化を行なうことが好ましい。前記希釈成分が放電生成ガスを兼ねることが好ましい。
コロナ放電処理では、コロナ放電によって還元性ガス状流体を活性化させる。紫外線照射処理では、紫外線照射によって還元性ガス状流体を活性化させる。マイクロ波照射処理では、マイクロ波照射によって還元性ガス状流体を活性化させる。【０００９】
前記還元性成分は、還元作用を奏する単体又は化合物であり、前記活性化によって還元作用が発現する単体又は化合物であってもよい。かかる還元性成分としては、水素（Ｈ２）、硫化水素（Ｈ２Ｓ）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、一酸化炭素（ＣＯ）、水素酸素含有化合物などが挙げられる。前記還元性ガス状流体が、複数種の還元性成分を含有していてもよい。水素酸素含有化合物は、水素原子（Ｈ）及び酸素原子（Ｏ）を含有する化合物であり、エタノール、メタノール、イソプロパノールその他の低級アルコールや水が挙げられる。【００１０】
還元性ガス状流体は、還元性成分と希釈ガスとの混合流体であってもよい。希釈ガスとしては、窒素（Ｎ２）、希ガスその他の不活性ガスが挙げられ、経済性等の観点からは窒素がより好ましい。例えば還元性ガス状流体中の還元性成分ＣＯの含有率は、１００ｐｐｍ〜５％程度（体積含有率）が好ましい。
還元性ガス状流体は、ガスの他、ミスト状であってもよい。
ガス状態（気相）の還元性ガス状流体が被処理基板に接触後、被処理基板上で凝縮して液相になってもよい。還元性ガス状流体の凝縮点が、被処理基板の温度より低温であってもよい。
還元性ガス状流体が、複数種の還元性成分を含んでいてもよい。例えば還元性ガス状流体がエタノール等の低級アルコールと水の混合物であってもよい。【００１１】
前記還元性ガス状流体が前記接触によって前記被処理基板に定着可能であってもよい。酸化性ガス状流体を活性化させて、前記還元性ガス状流体の定着後の被処理基板に接触させることにしてもよい。前記定着の態様としては、凝縮、付着、吸着など挙げられる。前記酸化性ガス状流体としては、窒素と酸素の混合ガス、ＣＤＡなど挙げられる。活性化された酸化性ガス状流体が被処理基板に接触されることによって、被処理基板上の還元性ガス状流体が間接的に活性化エネルギーを付与される。これによって、金属層の腐食を確実に防止でき、かつ洗浄効果を高めることができる。【００１２】
還元性ガス状流体を活性化させて被処理基板に接触させた後で  酸化性ガス状流体を活性化させて被処理基板に接触させてよい。逆に酸化性ガス状流体を活性化させて被処理基板に接触させた後、還元性ガス状流体を活性化させて被処理基板に接触させてもよい。
更に還元性ガス状流体自体が酸化性成分を含有していてもよい。酸化性成分は、酸化作用を奏するものであればよく、或いは酸素原子を含有するものであればよく、ＣＤＡ（クリーンドライエア）、酸素（Ｏ２）、オゾン（Ｏ３）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）等が挙げられ、好ましくはＣＤＡないしは酸素（Ｏ２）である。【００１３】
前記ウェット洗浄工程における洗浄液は、水であることが好ましい。前記洗浄液は、アルコールであってもよい。【００１４】
本発明装置は、易酸化性の金属層を含む被処理基板の表面を処理する装置であって、
還元性成分を含有する還元性ガス状流体を前記被処理基板に接触させ、かつ前記接触と前後して前記還元性ガス状流体を活性化させるドライ処理部と、
前記接触及び付与後の被処理基板を洗浄液にて洗浄するウェット洗浄部と
を備えたことを特徴とする。【００１５】
前記ドライ処理部が、一対の電極を有し、これら電極間に放電を生成することによって前記活性化を行なうことが好ましい。これによって、歩留まりを向上させることができる。放電形式は、大気圧近傍下における誘電体バリア放電であることが好ましい。
大気圧近傍とは、１．０１３×１０４〜５０．６６３×１０４Ｐａの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、１．３３３×１０４〜１０．６６４×１０４Ｐａが好ましく、９．３３１×１０４〜１０．３９７×１０４Ｐａがより好ましい。
前記活性化手段としては、プラズマ生成手段のほか、コロナ放電によってガスを活性化させるコロナ放電手段、紫外線を照射してガスを活性化させる紫外線照射手段、マイクロ波を照射してガスを活性化させるマイクロ波照射手段などが挙げられる。【００１６】
前記易酸化性の金属層が、銅、アルミニウム、鉄、及び亜鉛からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含むことが好ましい。前記易酸化性の金属は、イオン化傾向が銅（Ｃｕ）と同等ないしは銅よりもイオン化傾向が高い金属を含む。
前記易酸化性の金属は、易酸化性に加えて高導電性であることが好ましい。
前記易酸化性の金属層は、銅（Ｃｕ）によって構成されていることがより好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、易酸化性の金属層が形成された基板表面をドライ処理後、ウェット洗浄する際、金属層がダメージを受けるのを抑制又は防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る表面処理装置の概略構成を示す解説図である。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｅ）は、被処理基板に対する表面処理工程を順次示す解説断面図である。
【図３】図３は、比較例の結果を示す写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の一実施形態を図面にしたがって説明する。
＜被処理基板９０＞
図２（ａ）に示すように、本実施形態における被処理基板９０は、例えばフラットパネルディスプレイ等の半導体装置になるべきガラス基板である。
なお、被処理基板は、ガラス基板９０に限られず、シリコンウェハや樹脂フィルムなどでもよい。
【００２０】
ガラス基板には、例えばＴＦＴの電極（図２（ｅ）参照）となるべき金属層９１が形成されている。金属層９１は、金属基層９２と、易酸化性金属層９３を含む複層構造になっている。金属基層９２は、例えばチタン（Ｔｉ）によって構成されている。易酸化性金属層９３は、易酸化性を有し、更に好ましくは高導電性を有する金属によって構成されている。好ましくは、易酸化性金属層９３は、銅（Ｃｕ）によって構成されている。
なお、易酸化性金属層９３は、銅（Ｃｕ）に限られず、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、鉄（Ｆｅ）などによって構成されていてもよい。金属層９１が、銅（Ｃｕ）等の易酸化性金属層９３だけからなる単層構造であってもよい。
【００２１】
＜表面処理装置１＞ 
図１に示すように、本実施形態の表面処理装置１は、ドライ処理部１０と、ウェット洗浄部２０を備えている。
＜ドライ処理部１０＞
ドライ処理部１０は、プラズマヘッド１１（プラズマ生成手段、活性化手段）と、搬送手段１８を含む。プラズマヘッド１１には一対の電極１２が設けられている。一対の電極１２は、互いに平行に対向することによって平行平板電極を構成している。これら電極１２どうし間に大気圧近傍の放電空間となる電極間空間１５が形成されている。一方の電極には高周波電源１３が接続され、他方の電極は電気的に接地されている。少なくとも１つの電極には固体誘電体層（図示省略）が設けられている。
【００２２】
電極間空間１５の上流端には、プロセスガス源１４（還元性ガス状流体源）が連なっている。
プラズマヘッド１１の底部には吹出部１６が設けられている。電極間空間１５の下流端が吹出部１６に連なっている。
搬送手段１８は、ローラコンベアでもよく、移動ステージでもよい。
【００２３】
＜プロセスガス（還元性ガス状流体）＞
プロセスガス源１４のプロセスガス（還元性ガス状流体）は、希釈ガスと還元性ガス（還元性成分）を含む混合ガスである。希釈ガスとしては窒素（Ｎ２）が用いられている。希釈ガスは、放電生成ガスを兼ねる。還元性ガスとしては例えば一酸化炭素（ＣＯ）が用いられている。
なお、プロセスガスには、更にＣＤＡ（クリーンドライエア）などの酸化性ガスが含まれていてもよい。
【００２４】
＜ウェット洗浄部２０＞
図１に示すように、ウェット洗浄部２０は洗浄ノズル２１を含む。洗浄ノズル２１には多数の噴射孔２２が形成されている。洗浄ノズル２１に洗浄液供給路２３が連なっている。洗浄液２９としては水が用いられている。
【００２５】
被処理基板９０は、次のようにして表面処理される。
＜活性化工程＞
図１に示すように、プロセスガス源１４からプロセスガスがプラズマヘッド１１の電極間空間１５に導入される。かつ、電源１３から電極１２に例えばパルス波状の高周波電力が供給される。これによって、電極間空間１５内に大気圧近傍のグロー放電が形成され、電極間空間１５が放電空間となる。該放電空間１５においてプロセスガスがプラズマ化（活性化）される。
以下、プラズマ化されたプロセスガスをプラズマガス１９と称す。
プラズマガス１９には、窒素プラズマ、窒素ラジカルその他の窒素系活性種や、一酸化炭素プラズマ、一酸化炭素ラジカルその他の還元性活性種が含まれている。
更にプラズマガス１９にはＣＤＡの分解反応等による硝酸系の酸化性の腐食性物質が含まれていてもよい。
【００２６】
＜ドライ処理工程＞
前記プラズマガス１９が吹出部１６から吹き出され、被処理基板９０と接触される。これによって、被処理基板９０の表面すなわち易酸化性金属層９３の表面がドライ処理される。更には、一酸化炭素プラズマなどによって易酸化性金属層９３の対水接触角を向上できると考えられる。
【００２７】
前記ドライ処理時において、プラズマガス１９に酸化性腐食性物質が含まれていた場合には、該酸化性腐食性物質が易酸化性金属層９３に付着ないしは吸着され得る。一方、易酸化性金属層９３には、一酸化炭素プラズマ、一酸化炭素ラジカル等の還元性活性種も接触される。該還元性活性種が前記酸化性腐食性物質と接触されると、酸化性腐食性物質の還元反応が起きる。したがって、酸化性腐食性物質が易酸化性金属層９３に付着ないしは吸着されたとしても、還元させて除去できる。
【００２８】
併行して、搬送手段１８によって被処理基板９０を搬送することで、被処理基板９０の全面をドライ処理する。
なお、被処理基板９０が位置固定される一方、プラズマヘッド１１が移動されるようになっていてもよい。
【００２９】
＜移送工程＞
その後、図１の白抜き矢印線ａに示すように、前記ドライ処理後の被処理基板９０をウェット洗浄部２０へ送る。
ウェット洗浄部２０の近くの雰囲気中には、ウェット洗浄部２０からの細かい霧状の水が浮遊していることがある。そうすると、被処理基板９０の移送の際、易酸化性金属層９３の表面に前記霧状の水が付着する。
一方、前述したように、ドライ処理工程において、プラズマガス１９に酸化性腐食性物質が含まれていたとしても、その酸化性腐食性物質を還元させておくことで、易酸化性金属層９３上の前記付着水が腐食性水溶液になるのを回避できる。したがって、易酸化性金属層９３の銅が腐食性水溶液中に溶け出すことはない。この結果、易酸化性金属層９３に散点状ないしは斑状のダメージが形成されるのを防止又は抑制できる。
【００３０】
＜ウェット洗浄工程＞
図１に示すように、ウェット洗浄部２０においては、噴射孔２２から水２９（洗浄液）が噴射される。これによって、被処理基板９０を水洗できる。
なお、仮にウェット洗浄部２０への導入時における易酸化性金属層９３上に前記酸化性腐食性物質が残留していたとしても、該酸化性腐食性物質の量と比べると洗浄水２９が十分に多量であるため、生成される腐食性水溶液の濃度は極めて薄い。したがって、易酸化性金属層９３からの銅の溶出は殆ど起きない。
【００３１】
＜電極パターン形成＞
その後、図２（ｂ）に示すように、易酸化性金属層９３上にレジスト９４を積層する。前記ドライ処理工程及びウェット処理工程によって被処理基板９０の接触角が小さくなり、親水性が高まめられることで、レジスト９４との密着性を向上できる。
次いで、図２（ｃ）に示すように、レジスト９４を露光、現像することで、レジストパターン９４ａを形成する。
次いで、図２（ｄ）に示すように、エッチングによって、レジストパターン９４ａに応じた電極パターン９１ａを形成する。
次いで、図２（ｅ）に示すように、レジスト９４を除去する。
前記洗浄工程において易酸化性金属層９３がダメージを受けていないために、良好な電極パタ−ンを得ることができ、配線不良を抑制又は防止できる。
ドライ処理を大気圧プラズマによって行うことで、歩留まり高めることができる。
【００３２】
本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の改変をなすことができる。
例えば、プロセスガスには酸素（Ｏ２）などの酸化性ガスが必ずしも含まれていなくてもよい。
プロセスガス中の希釈ガスは、窒素に限られず、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）などの希釈ガスを用いてもよい。
還元性ガスは、一酸化炭素（ＣＯ）に限られず、水素（Ｈ２）、硫化水素（Ｈ２Ｓ）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、水素酸素含有化合物（メタノール、エタノールその他の低級アルコール、水など）を用いてもよい。
還元性溶剤（液）をバブリングしてＮ２等のキャリアガス中に気化させることで、プロセスガスを生成してもよい。
【００３３】
還元性ガス状流体として例えばエタノール等の低級アルコールと水の混合流体を用いてもよい。前記混合流体などの還元性ガス状流体をガス又はミスト状にして、被処理基板９０に接触させて被処理基板９０の表面に付着又は吸着させる。好ましくは前記還元性ガス状流体をガス状態で被処理基板９０に接触させて、被処理基板９０上で凝縮させる。これによって、前記還元性ガス状流体が被処理基板９０に定着される。続いて、例えば窒素及び酸素を含む酸化性ガスをプラズマやＵＶ照射によって活性化させて、前記還元性ガス状流体が定着された被処理基板９０に接触させることにしてもよい。これによって、被処理基板９０の表面上において、活性化された酸化性ガスによる洗浄反応が起きるとともに、還元性ガス状流体による酸化性ガスの還元反応が起きる。この結果、金属層の腐食を確実に防止でき、かつ洗浄効果を高めることができる。
【００３４】
プラズマヘッド１１の電極構造は適宜改変できる。
一対の平行平板電極が上下に対向されていてもよい。下側の電極（好ましくは接地電極）に１又は複数の吹出孔が形成され、該吹出孔からプラズマガスが下方へ吹き出されるようになっていてもよい。
或いは、一対の電極が、軸線を水平にした円柱状電極と、これを囲む凹円筒面電極から構成されていてもよい。凹円筒面電極の周方向の下端部が開口され、該開口からプラズマガスが下方へ吹き出されるようになっていてもよい。
活性化手段は、プラズマ生成手段に限られず、コロナ放電手段や紫外線照射手段やマイクロ波照射手段であってもよい。
【実施例１】
【００３５】
実施例を説明する。本発明が以下の実施例に限定されるものではない。
図１に示す装置１と実質的に同じ構成の装置を用い、ドライ処理及びウェット洗浄を行なった。
被処理基板９０として、下記のサイズのガラス基板を用いた。
幅（図１の紙面直交方向の寸法）：  ５０ｍｍ
長さ（図１の左右方向の寸法）  ：  ５０ｍｍ
厚み                          ：  ０．７ｍｍ
易酸化性金属層９３は、Ｃｕとした。
被処理基板９０ひいては易酸化性金属層９３の表面の洗浄前の対水接触角は、１１０°であった。
ドライ処理部１０におけるプラズマ照射条件は以下の通りであった。
供給電力：    ０．８ｋＷ
周波数：      ４０Ｈｚ
電極１２の幅（図１の紙面直交方向の寸法）：  １９ｍｍ
電極間ギャップ：  １ｍｍ
吹出部１６から基板９０までの距離（ワーキングディスタンス）：  ３ｍｍ
プラズマヘッド１１に対して被処理基板９０を相対移動（スキャン）させた。処理回数（片道移動の回数）は１回であった。
プロセスガスの組成は表１の（１）〜（６）の６通りであった。還元性ガスとしては一酸化炭素（ＣＯ）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、メタノール（ＣＨ３ＯＨ）を用いた（（１）〜（４））。（４）においては、バブリングによって窒素（Ｎ２）にメタノール（ＣＨ３ＯＨ）を添加した。
ウェット洗浄部２０における洗浄液２９は水であった。【００３６】
＜評価＞
ドライ処理及びウェット洗浄後の被処理基板を目視観察し、基板表面の易酸化性金属層のダメージの有無を調べた。
表１に示すように、プロセスガスに還元性ガスを含有させることによって、易酸化性金属層がダメージを受けるのを抑制又は防止できることが確認された。
また、ドライ処理及びウェット洗浄後の基板表面の対水接触角は、表１の通りであり、洗浄前よりも親水性が高まり、レジスト９４の密着性が良好になった。【００３７】
＜比較例＞
図３の写真に示す通り、プロセスガスに還元性ガスが含有されていない場合（表１の（５）比較例）には、基板表面の易酸化性金属層に散点状ないしは斑状の溶解痕（ダメージ）が形成された。【００３８】
【表１】
2019124321.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明は、例えばフラットパネルディスプレイの製造に適用できる。
【符号の説明】
【００４０】
１        表面処理装置
１０      ドライ処理部
１１      プラズマヘッド（プラズマ生成手段、活性化手段）
１２      電極
１３      電源
１４      プロセスガス源（還元性ガス状流体源）
１５      電極間空間（放電空間）
１６      吹出部
１８      搬送手段
１９      プラズマガス（活性化された還元性ガス状流体）
２０      ウェット洗浄部
２１      洗浄ノズル
２２      噴射孔
２３      洗浄液供給路
２９      水（洗浄液）
９０      ガラス基板（被処理基板）
９１      金属層
９１ａ    電極パターン
９２      金属基層
９３      易酸化性金属層 
９４      フォトレジスト
９４ａ    レジストパターン
【図１】
2019124321.tif 000004
【図２】
2019124321.tif 000005
【図３】
2019124321.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月29日(2020.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
易酸化性の金属層を含む被処理基板の表面を処理する方法であって、
還元性成分を含有する還元性ガス状流体を前記被処理基板に接触させ、かつ前記接触と前後して前記還元性ガス状流体を活性化させ、
その後、被処理基板を洗浄液にて洗浄することを特徴とする表面処理方法。
【請求項２】
前記還元性成分が、水素（Ｈ２）、硫化水素（Ｈ２Ｓ）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、一酸化炭素（ＣＯ）、及び水素酸素含有化合物からなる群より選ばれる少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載の表面処理方法。
【請求項３】
プラズマ処理、コロナ放電処理、紫外線照射処理またはマイクロ波照射処理によって前記活性化を行なうことを特徴とする請求項１又は２に記載の表面処理方法。
【請求項４】
一対の電極間に放電を生成することによって前記活性化を行なうことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の表面処理方法。
【請求項５】
前記還元性ガス状流体が前記接触によって前記被処理基板に定着可能であり、
酸化性ガス状流体を活性化させて、前記定着後の被処理基板に接触させることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の表面処理方法。
【請求項６】
前記易酸化性の金属層が、銅、アルミニウム、鉄、及び亜鉛からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含むことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の表面処理方法。
【請求項７】
易酸化性の金属層を含む被処理基板の表面を処理する装置であって、
還元性成分を含有する還元性ガス状流体を前記被処理基板に接触させ、かつ前記接触と前後して前記還元性ガス状流体を活性化させるドライ処理部と、
前記接触後の被処理基板を洗浄液にて洗浄するウェット洗浄部と
を備えたことを特徴とする表面処理装置。
【請求項８】
前記ドライ処理部が、一対の電極を有し、これら電極間に放電を生成することによって前記活性化を行なうことを特徴とする請求項７に記載の表面処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明装置は、易酸化性の金属層を含む被処理基板の表面を処理する装置であって、
還元性成分を含有する還元性ガス状流体を前記被処理基板に接触させ、かつ前記接触と前後して前記還元性ガス状流体を活性化させるドライ処理部と、
前記接触後の被処理基板を洗浄液にて洗浄するウェット洗浄部と
を備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
実施例を説明する。本発明が以下の実施例に限定されるものではない。
図１に示す装置１と実質的に同じ構成の装置を用い、ドライ処理及びウェット洗浄を行なった。
被処理基板９０として、下記のサイズのガラス基板を用いた。
幅（図１の紙面直交方向の寸法）：  ５０ｍｍ
長さ（図１の左右方向の寸法）  ：  ５０ｍｍ
厚み                          ：  ０．７ｍｍ
易酸化性金属層９３は、Ｃｕとした。
被処理基板９０ひいては易酸化性金属層９３の表面の洗浄前の対水接触角は、１１０°であった。
ドライ処理部１０におけるプラズマ照射条件は以下の通りであった。
供給電力：    ０．８ｋＷ
周波数：      ４０Ｈｚ
電極１２の幅（図１の紙面直交方向の寸法）：  １９ｍｍ
電極間ギャップ：  １ｍｍ
吹出部１６から基板９０までの距離（ワーキングディスタンス）：  ３ｍｍ
プラズマヘッド１１に対して被処理基板９０を相対移動（スキャン）させた。処理回数（片道移動の回数）は１回であった。
プロセスガスの組成は表１の（１）〜（４）の４通りであった。還元性ガスとしては一酸化炭素（ＣＯ）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、メタノール（ＣＨ３ＯＨ）を用いた（（１）〜（４））。（４）においては、バブリングによって窒素（Ｎ２）にメタノール（ＣＨ３ＯＨ）を添加した。
ウェット洗浄部２０における洗浄液２９は水であった。
【国際調査報告】
2019124321.tif 000007
2019124321.tif 000008
2019124321.tif 000009
2019124321.tif 000010