(57)【要約】  樹脂フィルムを真空乾燥することにより、樹脂フィルム全体又は少なくとも樹脂フィルムの表面の水分量を０．１ｗｔ％以上、０．５ｗｔ％以下とした後、該樹脂フィルム上にスパッタリングによりタイコート層及び金属シード層を形成し、さらに該金属シード層上に金属導体層を形成することを特徴とするフレキシブル基板の製造方法。フレキシブルラミネート（特に、二層メタライジング積層体）を製作する場合に、ピール強度の低下を効果的に抑制できるフレキシブルラミネートを提供することを課題とする。【特許請求の範囲】
【請求項１】
水分量０．１ｗｔ％以上、０．５ｗｔ％以下の樹脂フィルムをプラズマ処理し、その上にスパッタリングによりタイコート層及び金属シード層を設け、さらに前記金属シード層上に金属導体層を形成したことを特徴とするフレキシブル基板。
【請求項２】
タイコート層が、ニッケル、クロム、コバルト、ニッケル基合金、クロム基合金、コバルト基合金のいずれか１種からなる金属、金属シード層が銅又は銅合金及び金属シード層上に形成した金属導体層が銅又は銅合金であることを特徴とする請求項１記載のフレキシブル基板。
【請求項３】
樹脂フィルムが真空乾燥した樹脂フィルムであることを特徴とする請求項１又は２記載のフレキシブル基板。
【請求項４】
樹脂フィルム全体又はタイコート層と樹脂フィルムとの少なくとも界面において、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析で樹脂フィルムの高分子成分の割合が分子量１〜１００の最大強度に対して、分子量３００〜８００の最大強度が０．５％以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のフレキシブル基板。
【請求項５】
樹脂フィルムを真空乾燥することにより、樹脂フィルム全体又は少なくとも樹脂フィルムの表面の水分量を０．１ｗｔ％以上、０．５ｗｔ％以下とした後、該樹脂フィルム上にスパッタリングによりタイコート層及び金属シード層を形成し、さらに該金属シード層上に金属導体層を形成することを特徴とするフレキシブル基板の製造方法。
【請求項６】
タイコート層として、ニッケル、クロム、コバルト、ニッケル基合金、クロム基合金、コバルト基合金のいずれか１種からなる金属、金属シード層として銅又は銅合金及び金属シード層上に形成する金属導体層として銅又は銅合金を用いることを特徴とする請求項５記載のフレキシブル基板の製造方法。
【請求項７】
樹脂フィルム全体又はタイコート層と樹脂フィルムとの少なくとも界面において、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析で樹脂フィルムの高分子成分の割合が分子量１〜１００の最大強度に対して、分子量３００〜８００の最大強度が０．５％以上である樹脂フィルムを用いることを特徴とする請求項５又は６記載のフレキシブル基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＴＡＢ、ＣＯＦ等の電子部品の実装素材として用いられるフレキシブル基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
樹脂フィルム（通常ポリイミドフィルムが使用されている）に、主として銅又は銅合金からなる金属導体層を積層したＦＣＣＬ（Flexible Copper Clad Laminate）は電子産業における回路基板の素材として広く用いられている。中でも、樹脂フィルム（ポリイミドフィルム）と金属層との間に接着剤層を有しない無接着剤フレキシブルラミネート基板（特に、二層メタライジングフレキシブル基板）は、回路配線幅のファインピッチ化に伴い注目されている材料である。【０００３】
フレキシブル基板、特にファインピッチに対応した無接着剤フレキシブルラミネート基板の製造に際して、樹脂フィルム上にスパッタリング、ＣＶＤ、蒸着などの乾式法により、樹脂フィルムとの接着が良好な材料から構成されるタイコート層および次工程の電気めっきにおけるカソード兼電流の導電体として働く金属シード層を予め形成し、次いで電気めっきにより回路基板の導体層となる金属層を製膜する、いわゆるメタライジング法が主に行われている（特許文献１参照）。【０００４】
このメタライジング法においては、金属層と樹脂フィルムとの密着力を高めるために、金属層を形成するに先立ち、樹脂フィルム表面をプラズマ処理により、表面の汚染物質の除去ならびに表面粗さの向上を目的として改質を行うことが行われている（特許文献２及び特許文献３参照）。【０００５】
このメタライジング法においては、一般に、樹脂フィルム上にスパッタリングなどの乾式めっき法により金属層を予め形成する際に、中間層の材料の選択により、密着性やエッチング性を改良する工夫がなされている（特許文献４参照）。
また、樹脂フィルム上にニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、バナジウム、チタン及びマンガンから選んだ材料をスパッタリングし、次に５０ｎｍ程度の銅層をスパッタリングし、さらに１μｍ以上の銅層を電気めっきする技術が提案されている（特許文献５参照）。【０００６】
ところが、これらの前記金属と樹脂フィルム等のフィルムを接合したＦＣＣＬ(Flexible Cupper Clad Laminate)において、金属と樹脂フィルムが直接接触した場合、ピール強度が低下するという問題がある。
このようなことから、その改善の一つとしてメタライジング２層ＦＣＣＬを製造する際に、ポリイミドフィルムを予め加熱乾燥させる提案がある。以下に、これらを説明するが、実際にフィルムに含まれている水分量とピール強度の関係が明確にされてきたとは言いえず、いずれも問題がある。【０００７】
例えば、特許文献６があるが、この特許文献６には、ポリイミドは最大３〜４ｗｔ％の水を吸収するので、これを約１〜２ｗｔ％に減少させることによって、高いピール強度が発現するとしている。
しかしながら、現在市販され工業的にＣＯＦ等に用いられているＰＩ（ポリイミド）フィルムの最大吸湿量は、次の通り、いずれも２ｗｔ％以下であり、既に特許文献６の水分減少能力に至っているので、有用な情報とは言えない。
東レデュポン：Kapton-150EN-C １．４ｗｔ％
東レデュポン：Kapton-150EN-A １．７ｗｔ％
宇部興産：Upilex-35SGA       １．９ｗｔ％
カネカ：Apical-35FP          １．９ｗｔ％【０００８】
次に、下記に示す特許文献７であるが、この特許文献７では、真空中で脱水処理し高いピール強度を得ることを提案している。具体的には、真空中でＰＩフィルムを加熱しガス化した水分を分圧が１×１０−４Ｐａ以下になるよう排気することにより、ガス化した水分が拡散して真空槽の内部やガイドロールに再付着することを防止できるとしている。そして、この時の真空槽の全圧は１０−３Ｐａ以下との記述である。
１０−３Ｐａ以下の真空度では気体の振る舞いは粘性流ではなく所謂分子流領域であり、したがってガス化した水分子は排気ポンプの方に流れるわけではなく、無秩序なブラウン運動をすることは広く知られている。したがって、単にフィルムを加熱し真空排気することによって、水分の再付着を防止できるという主張には根拠が無い。
また、実施例および比較例は、放電時の添加酸素濃度を因子としたものであり、得られた結果とＰＩフィルムの残留水分量との因果関係が明らかにされていないという問題がある。【０００９】
次に、下記に示す特許文献８であるが、この特許文献８では、一般に樹脂フィルムには０．０１〜２ｗｔ％の水分が含まれており、これを真空中で加熱脱水し、０．０１ｗｔ％以下にすることが望ましいとの提案である。水分量とピール強度との明確な因果関係は、特に記載されていない。
また、ＰＩフィルムの水分量を０．０１ｗｔ％以下にするために、同特許文献では東レデュポン：Kapton-150ENを３００°Ｃ又は２５０°Ｃで加熱乾燥するとともに煩雑な保管方法を提案している。上記３００°Ｃはガラス化転移温度よりはわずかに低い温度ではあるが、そもそもＰＩフィルムのガラス化転移温度自体、一義的に定まる温度ではなく、３００°Ｃ又は２５０°Ｃのような高温化ではＰＩフィルムの変質は避けられない。これにも問題がある。【００１０】
次に、下記に示す特許文献９であるが、この特許文献９では、ＰＩフィルムの水分量を０．０１ｗｔ％にする乾燥方法を提案しているが、水分量とピール強度およびその他製品特性との因果関係は一切記載されていない。また、提案しているコアのコストおよびそれに巻き替えるための装置、作業を考慮すると工業的に有益かどうか疑問である。
以上の公知技術に提案されているポリイミドフィルムの水分量を０．０１ｗｔ％程度の減少させるために、フィルムの過度の加熱を伴うために、フィルム自体が変質し特性を損なう可能性があり、またフィルムの残留水分量とピール強度との因果関係が明らかにされていないという問題があって、十分な検討がなされていないのが現状である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特許第３２５８２９６号公報
【特許文献２】特許第３１７３５１１号公報
【特許文献３】特表２００３−５１９９０１号公報
【特許文献４】特開平６−１２０６３０号公報
【特許文献５】特開平７−１９７２３９号公報
【特許文献６】特開平５−１０６０２１号公報
【特許文献７】特開２００５−５４２５９号公報
【特許文献８】特開２００７−１２０７７７号公報
【特許文献９】特開２００７−１３１３７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本願発明は、フレキシブルラミネート（特に、二層メタライジング積層体）を製作する場合に、フレキシブル基板のフィルム自体が変質し特性を損なうことを避け、フィルムの残留水分量とピール強度との関係を明らかにすると共に、ピール強度の低下を効果的に抑制できるフレキシブル基板（フレキシブルラミネート）を提供することを課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の課題に鑑み、本発明は以下の発明を提供するものである。
１）水分量０．１ｗｔ％以上、０．５ｗｔ％以下の樹脂フィルムをプラズマ処理し、その上にスパッタリングによりタイコート層及び金属シード層を設け、さらに前記金属シード層上に金属導体層を形成したことを特徴とするフレキシブル基板
２）タイコート層が、ニッケル、クロム、コバルト、ニッケル基合金、クロム基合金、コバルト基合金のいずれか１種からなる金属、金属シード層が銅又は銅合金及び金属シード層上に形成した金属導体層が銅又は銅合金であることを特徴とする上記１）記載のフレキシブル基板
３）樹脂フィルムが真空乾燥した樹脂フィルムであることを特徴とする上記１）又は２）記載のフレキシブル基板
４）樹脂フィルム全体又はタイコート層と樹脂フィルムとの少なくとも界面において、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析で樹脂フィルムの高分子成分の割合が分子量１〜１００の最大強度に対して、分子量３００〜８００の最大強度が０．５％以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のフレキシブル基板【００１４】
また、本発明は、さらに以下の発明を提供するものである。
５）樹脂フィルムを真空乾燥することにより、樹脂フィルム全体又は少なくとも樹脂フィルムの表面の水分量を０．１ｗｔ％以上、０．５ｗｔ％以下とした後、該樹脂フィルム上にスパッタリングによりタイコート層及び金属シード層を形成し、さらに該金属シード層上に金属導体層を形成することを特徴とするフレキシブル基板の製造方法
６）タイコート層として、ニッケル、クロム、コバルト、ニッケル基合金、クロム基合金、コバルト基合金のいずれか１種からなる金属、金属シード層として銅又は銅合金及び金属シード層上に形成する金属導体層として銅又は銅合金を用いることを特徴とする上記５）記載のフレキシブル基板の製造方法
７）樹脂フィルム全体又はタイコート層と樹脂フィルムとの少なくとも界面において、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析で樹脂フィルムの高分子成分の割合が分子量１〜１００の最大強度に対して、分子量３００〜８００の最大強度が０．５％以上である樹脂フィルムを用いることを特徴とする上記５）又は６）記載のフレキシブル基板の製造方法
【発明の効果】
【００１５】
フレキシブルラミネート（特に、二層メタライジング積層体）を製作する場合に、フィルムの残留水分量を一定量低減することにより、フレキシブル基板のフィルム自体を変質させ、特性を損なうことがなく、かつピール強度の低下を効果的に抑制できるフレキシブル基板（フレキシブルラミネート）を提供することができるという優れた効果を有する。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
次に、本願発明の具体例について説明する。
本発明のフレキシブル基板は、予め樹脂フィルムを乾燥（特に、真空乾燥することが望ましい。）することにより、樹脂フィルム全体又は少なくとも樹脂フィルムの表面の水分量を０．１ｗｔ％以上、０．５ｗｔ％以下とした後、該樹脂フィルム上にスパッタリングによりタイコート層及び金属シード層を形成し、さらに該金属シード層上に金属導体層を形成する。これにより、フレキシブルラミネート基板を作製することができる。
上記フレキシブル基板の表面をプラズマ処理するのは、表面の汚染物質の除去と表面の改質を行うためである。
次に、このように改質した樹脂フィルムの表面に、タイコート層と、その上に金属シード層をスパッタリングにより形成する。次いで無電解めっき又は電気めっきにより回路基板の導体層となる金属層を製膜する。
【００１７】
前記タイコート層に使用する材料としては、ニッケル、クロム、コバルト、ニッケル基合金、クロム基合金、コバルト基合金のいずれか１種であり、銅の存在は不純物としても少ない方が望ましいことは言うまでもない。
いずれの場合も、ニッケル、クロム又はコバルトが主成分となるものであり、これらが前記タイコート層において主成分が最も存在比の大きい成分である。
この中で、特に通常使用されるニッケルとクロムとの合金からなり、主成分がＮｉであることが望ましい。
さらに、本発明においては、上記の無接着剤フレキシブルラミネートを用いて形成したフレキシブル電子回路基板を提供することができる。
【００１８】
本発明においては、特に樹脂フィルム全体又は少なくとも樹脂フィルムの表面の水分量を０．１ｗｔ％以上、０．５ｗｔ％以下とすることが重要である。
上記水分量が０．５ｗｔ％を超える場合には、ピール強度の改善が認められない。また水分量を０．１ｗｔ％未満とする場合には、樹脂フィルムを加熱して脱水するなどの強度な脱水が必要となり、これは逆にフレキシブル基板のフィルム自体を変質させ、特性を損なうことが多くなるためである。
【００１９】
ここで、フィルム中の水分によるピール劣化のメカニズムについて説明する。なお、このメカニズムは必ずしも明らかにされた訳ではないが、以下のように考えられる。
その１は、前記フレキシブル基板の製造工程のスパッタリングに先立つプラズマ処理において、プラズマの熱にさらされたフィルムからＨ２Ｏが蒸発し、そのＨ２Ｏも亦、電離しプラズマ状態になることが考えられる。
Ｈ２Ｏが電離してどのような粒子（イオン、ラジカル）になるかは必ずしも明確ではないが、これらＨ２Ｏが電離して生じるプラズマ中の粒子が、ポリイミド表層にダメージを与え、このダメージ部分が耐熱エージング（Ａｇｉｎｇ）後に劣化することである。
【００２０】
その２として、前記フレキシブル基板の製造工程のスパッタリングに先立つプラズマ処理において、プラズマによる改質の際に、例えば樹脂フィルムとして代表的なポリイミドについて説明すると、このポリイミドに含まれるＨ２Ｏとポリイミドとが化合してポリイミド表層に脆弱な分子を生成し、これが耐熱エージング後に劣化することである。
【００２１】
さらに、その３として、スパッタリングにおいてタイコート層及び金属シード層を形成する際に、スパッタのプラズマの熱にさらされたフィルムからＨ２Ｏが蒸発し、そのＨ２Ｏもまた電離しプラズマ状態になることが予想される。
この場合、Ｈ２Ｏが電離してどのような粒子（イオン、ラジカル）になるかは明確ではないが、これらＨ２Ｏが電離して生じるプラズマ中の粒子が、ポリイミド表層及び／又はポリイミドと金属の結合界面にダメージを与え、このダメージ部分が耐熱エージング後に劣化することである。
【００２２】
これらの現象については、推測ではあるが、これらが単独で又は複合して樹脂フィルムの表面を変質させ、フレキシブル基板の耐熱エージング性を劣化させている可能性がある。したがって、樹脂フィルムの劣化においては、高分子成分の割合が変化する可能性が大きくなる。すなわち、樹脂フィルム中の水分が結果として樹脂フィルムの高分子成分の割合に影響を与えていることになる。
【００２３】
この意味から、本願発明においては、樹脂フィルム全体又はタイコート層と樹脂フィルムとの少なくとも界面において、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析で樹脂フィルムの高分子成分の割合が分子量１〜１００の最大強度に対して、分子量３００〜８００の最大強度が０．５％以上である樹脂フィルムとしての特性を維持することにより、フレキシブル基板の耐熱エージング性を向上させることができる。本願発明は、これらを包含するものである。
【００２４】
最近のプリント基板（特にＣＯＦ用途）では配線幅がより狭くなっており、線幅が細い場合にエッチングの影響を受けやすいこと、さらには回路設計において熱の負荷がある場合が多くなっているので、このような条件においてもピール強度、すなわち常態ピール強度のみならず耐熱ピール強度の向上が望ましいと言える。
【実施例】
【００２５】
次に、これらの結果に基づいて本願発明の実施例を説明する。なお、これらの説明は、あくまで理解を容易にするものであり、この例のみに制限されるものではない。すなわち、本発明に含まれる他の態様または変形を包含するものである。【００２６】
（フィルム吸湿量測定方法）
まず、フィルム吸湿量測定方法について説明する。また、樹脂フィルムとして使用される代表的なポリイミド（ＰＩ）フィルムを用いて説明する。他の樹脂フィルムにおいても、同様に適用できることは言うまでもない。
まず、ＰＩフィルムを約５０ｍｍ角の寸法に複数枚裁断した。総質量が約２０ｇ程度になるように前述の約５０ｍｍ角裁断フィルムを複数枚積み重ね、これを１試料ロットとした。ロットの質量を正確に測定し、これを初期質量とした。その後、同ロットを大気中で１５０°Ｃ、７２時間加熱し、完全乾燥した後、再度質量を測定し、両者の差をＰＩフィルムの含水質量とした。ＰＩフィルム含水率はＰＩフィルムの含水質量と初期質量の比として算出した。【００２７】
なお、この場合ポリイミドの空気中での吸湿速度が速いために試料裁断及び測定時の吸湿量が誤差となる可能性があるので、この点について説明する。
Ｋａｐｔｏｎ−ＥＮでは空気中約３０分で飽和吸湿量に達するといわれている。Ａｐｉｃａｌ−ＦＰはそれよりもさらに速く、２０分程度で飽和と言われている。
一方、試料の作成に際しては、次のことを考慮した。
ＰＩの比重：１．５ｇ／ｃｍ３
ＰＩの体積：５ｃｍ×５ｃｍ×３７．５μｍ＝０．０９４ｃｍ３
１試片重量：１．５ｇ／ｃｍ３×０．０９４ｃｍ３＝０．１４ｇ
したがって、２０ｇ程度の総質量のロット作製には：５ｃｍ×５ｃｍで約１４０枚必要となる。【００２８】
寸法の正確さは、特に必要ないので、あらかじめ重ねておいたフィルムからまとめて裁断することにより、裁断は数分で完了することができる。
また、測定時には約１４０枚重なっているので、重ねたフィルムの一番上のフィルムの吸湿はある程度避けられないが、それ以外のフィルムの吸湿は相当遅くなると考えられるので、裁断および測定中の吸湿影響は無視できるレベルと考えられる。【００２９】
（フィルム乾燥方法）
次に、樹脂フィルムの乾燥について説明する。以下の方法で乾燥を実施した。
樹脂フィルムはＫａｐｔｏｎ−１５０ＥＮ−Ｃを例に説明する。巻出ロール及び巻取ロールが共に真空チャンバーの中にあるロール・トゥ・ロール方式の真空処理装置を使用した。この装置を用いて真空乾燥を実施する。
乾燥しようとする樹脂フィルムをセットした後、ドライポンプ及びターボ分子ポンプで真空チャンバー内を５×１０−３Ｐａまで真空排気した。その後、真空排気を継続したまま、巻出ロールから巻取ロールへと樹脂フィルムの搬送を行った。【００３０】
まず、５００ｍのフィルムを１ｍ／分で搬送した。この速度では、５００分で全部巻取終了するので、巻取終了後すぐに搬送方向を反転し、１ｍ／分で搬送するということを繰り返した。これを４８時間継続した。ロールに巻かれた状態では真空中での乾燥効果はほとんどなく、巻きだされてロール間に存在している樹脂フィルムの部分だけが真空乾燥される。この真空乾燥方法は、本方法に限定される必要はないことは容易に理解されるであろう。乾燥が十分に行われるものであれば、他の真空乾燥方法を使用することも可能である。【００３１】
この後、上記の方法で、樹脂フィルムの外周と巻芯の吸湿量を測定した。この樹脂フィルムの外周と巻芯の吸湿量の測定結果を表１に示す。
この表１に示すように、真空乾燥前の樹脂フィルムの外周では０．９６％であり、樹脂フィルムの巻芯では０．９０％であった。これに対し、真空乾燥後の樹脂フィルムの外周では０．４３％となり、樹脂フィルムの巻芯では０．３３％となり、樹脂フィルムの外周では半分以下に、樹脂フィルムの巻芯では１／３程度にまで減少した。この乾燥後の水分量は、本願発明の樹脂フィルムの表面の水分量を０．１ｗｔ％以上、０．５ｗｔ％以下の条件に適合するものである。【００３２】
【表１】
2010110062.tif 000002
【００３３】
（ＦＣＣＬ（Flexible Copper Clad Laminate）の作製）
（１）フィルム：東レデュポン製Ｋａｐｔｏｎ−１５０ＥＮ−Ｃ
上記の方法で乾燥した東レデュポン製Ｋａｐｔｏｎ−１５０ＥＮ−Ｃ及び特に乾燥を行っていない同フィルムの２種を用意し、両フィルムについて以下の方法で二層メタライジング積層体を作製した。
なお、乾燥したフィルムにおいては、乾燥後、処理用真空装置内にセットするまでの時間は約３０分であった。
乾燥後のフィルムはロール状に巻き取られた形状であり、３０分程度の空気中暴露時間であれば、ロールの最外周を除くフィルムの乾燥は保たれていた。【００３４】
ポリイミドフィルムを真空装置内にセットし真空排気後、ポリイミドのプラズマ処理を実施した。続いてタイコート層及び金属シード層をスパッタリングにより形成した。
タイコート層は、Ｎｉ−２０ｗｔ％Ｃｒ：理論密度で２５ｎｍ相当、金属シード層はＣｕ：３００ｎｍとした。スパッタリングはＤＣマグネトロン方式によりＡｒガス雰囲気、０．５Ｐａにて行った。【００３５】
次に、上記の金属シード層の上に電気メッキにより銅からなる金属導体層（厚さ８μｍ）を形成することにより、二層メタライジング積層体を作製した。
ピール強度の測定は、ＪＩＳＣ６４７１（フレキシブルプリント配線板用銅張積層板試験方法）により、下記の条件で実施した。
ピール測定時のサンプル線幅：３ｍｍ、１００μｍ
耐熱エージング条件：空気中１５０°Ｃ×１６８時間
この結果を、表２に示す。この表２に示すように、ピールサンプル線幅３ｍｍ、１００μｍともに、フィルム乾燥によって、明らかに耐熱ピール強度が向上していた。【００３６】
【表２】
2010110062.tif 000003
【００３７】
（２）フィルム：東レデュポン製Ｋａｐｔｏｎ−１５０ＥＮ−Ａ
フィルム種の差異以外は、全て上述（１）と同じ条件で実施した。この結果を表３に示す。この表３に示すように、ピールサンプル線幅３ｍｍ、１００μｍともに、フィルム乾燥によって、明らかに耐熱ピール強度が向上していた。【００３８】
【表３】
2010110062.tif 000004
【００３９】
（３）フィルム：カネカ製ＡＰＩＣＡＬ−３５ＦＰ
フィルム種の差異以外は、全て上述（１）と同じ条件で実施した。
この結果を表４に示す。この表４に示すように、ピールサンプル線幅３ｍｍ、１００μｍともに、フィルム乾燥によって、明らかに耐熱ピール強度が向上していた。【００４０】
【表４】
2010110062.tif 000005
【００４１】
上記の通り、水分量０．１ｗｔ％以上、０．５ｗｔ％以下の樹脂フィルムをプラズマ処理し、その上にスパッタリングによりタイコート層及び金属シード層を設け、さらに前記金属シード層上に金属導体層を形成したフレキシブル基板は、耐熱ピール強度向上に有効であることが確認できた。
また、上記実施例においては、特にＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析で樹脂フィルムの高分子成分の割合を示していないが、樹脂フィルム全体又はタイコート層と樹脂フィルムとの少なくとも界面において、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析で樹脂フィルムの高分子成分の割合が分子量１〜１００の最大強度に対して、分子量３００〜８００の最大強度が０．５％以上であるという条件の範囲に入るものであった。
このようにピール強度は線幅が狭いほど種々の条件に敏感であるため、この傾向は、線幅が縮小するほど効果があることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本願発明は、フレキシブルラミネート（特に、二層メタライジング積層体）を製作する場合に、フィルムの残留水分量を一定量低減することにより、フレキシブル基板のフィルム自体を変質させ、特性を損なうことがなく、かつピール強度の低下を効果的に抑制できるフレキシブル基板（フレキシブルラミネート）を提供することができるという優れた効果を有するので、電子産業における回路基板の素材としてとして極めて有用である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月4日(2010.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水分量０．１ｗｔ％以上、０．５ｗｔ％以下のポリイミドフィルムをプラズマ処理し、その上にスパッタリングによりタイコート層及び金属シード層を設け、さらに前記金属シード層上に金属導体層を形成したことを特徴とするフレキシブル基板。
【請求項２】
タイコート層が、ニッケル、クロム、コバルト、ニッケル基合金、クロム基合金、コバルト基合金のいずれか１種からなる金属、金属シード層が銅又は銅合金及び金属シード層上に形成した金属導体層が銅又は銅合金であることを特徴とする請求項１記載のフレキシブル基板。
【請求項３】
ポリイミドフィルムが真空乾燥したポリイミドフィルムであることを特徴とする請求項１又は２記載のフレキシブル基板。
【請求項４】
ポリイミドフィルム全体又はタイコート層とポリイミドフィルムとの少なくとも界面において、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析でポリイミドフィルムの高分子成分の割合が分子量１〜１００の最大強度に対して、分子量３００〜８００の最大強度が０．５％以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のフレキシブル基板。
【請求項５】
ポリイミドフィルムを真空乾燥することにより、ポリイミドフィルム全体又は少なくともポリイミドフィルムの表面の水分量を０．１ｗｔ％以上、０．５ｗｔ％以下とした後、該ポリイミドフィルム上にスパッタリングによりタイコート層及び金属シード層を形成し、さらに該金属シード層上に金属導体層を形成することを特徴とするフレキシブル基板の製造方法。
【請求項６】
タイコート層として、ニッケル、クロム、コバルト、ニッケル基合金、クロム基合金、コバルト基合金のいずれか１種からなる金属、金属シード層として銅又は銅合金及び金属シード層上に形成する金属導体層として銅又は銅合金を用いることを特徴とする請求項５記載のフレキシブル基板の製造方法。
【請求項７】
ポリイミドフィルム全体又はタイコート層とポリイミドフィルムとの少なくとも界面において、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析でポリイミドフィルムの高分子成分の割合が分子量１〜１００の最大強度に対して、分子量３００〜８００の最大強度が０．５％以上であるポリイミドフィルムを用いることを特徴とする請求項５又は６記載のフレキシブル基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月24日(2011.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水分量０．１ｗｔ％以上、０．５ｗｔ％以下のポリイミドフィルムをプラズマ処理し、その上にスパッタリングによりタイコート層及び金属シード層を設け、さらに前記金属シード層上に金属導体層を形成したことを特徴とするフレキシブル基板。
【請求項２】
タイコート層が、ニッケル、クロム、コバルト、ニッケル基合金、クロム基合金、コバルト基合金のいずれか１種からなる金属、金属シード層が銅又は銅合金及び金属シード層上に形成した金属導体層が銅又は銅合金であることを特徴とする請求項１記載のフレキシブル基板。
【請求項３】
ポリイミドフィルムが真空乾燥したポリイミドフィルムであることを特徴とする請求項１又は２記載のフレキシブル基板。
【請求項４】
ポリイミドフィルム全体又はタイコート層とポリイミドフィルムとの少なくとも界面において、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析でポリイミドフィルムの高分子成分の割合が分子量１〜１００の最大強度に対して、分子量３００〜８００の最大強度が０．５％以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のフレキシブル基板。
【請求項５】
ポリイミドフィルムを真空乾燥することにより、ポリイミドフィルム全体又は少なくともポリイミドフィルムの表面の水分量を０．１ｗｔ％以上、０．５ｗｔ％以下とした後、該ポリイミドフィルム上にスパッタリングによりタイコート層及び金属シード層を形成し、さらに該金属シード層上に金属導体層を形成することを特徴とするフレキシブル基板の製造方法。
【請求項６】
タイコート層として、ニッケル、クロム、コバルト、ニッケル基合金、クロム基合金、コバルト基合金のいずれか１種からなる金属、金属シード層として銅又は銅合金及び金属シード層上に形成する金属導体層として銅又は銅合金を用いることを特徴とする請求項５記載のフレキシブル基板の製造方法。
【請求項７】
ポリイミドフィルム全体又はタイコート層とポリイミドフィルムとの少なくとも界面において、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析でポリイミドフィルムの高分子成分の割合が分子量１〜１００の最大強度に対して、分子量３００〜８００の最大強度が０．５％以上であるポリイミドフィルムを用いることを特徴とする請求項５又は６記載のフレキシブル基板の製造方法。
【国際調査報告】
2010110062.tif 000006
2010110062.tif 000007
2010110062.tif 000008
2010110062.tif 000009