(57)【要約】  本開示は、よりデバイス特性の安定化を図ることができるようにする半導体装置、固体撮像素子、製造方法、および電子機器に関する。固体撮像素子には、半導体基板に対して画素が形成される領域である画素領域と、半導体基板において画素が形成されない領域である周辺領域とが設けられる。そして、周辺領域における半導体基板の所定の深さに、半導体基板とは異なる材料によりストッパ層を形成し、ストッパ層に応じた深さまで半導体基板の画素領域および周辺領域を掘り込むことによって掘り込み部を形成する。このとき、ストッパ層の材料を含む化合物の検知を利用して、掘り込み部を掘り込む加工時間の終点判定を行う。本技術は、例えば、CMOSイメージセンサに適用できる。
2019082689.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有効に機能させることが求められる半導体素子が半導体基板に対して形成される領域である有効領域と、
前記半導体基板において前記半導体素子が形成されない領域である無効領域と、
前記無効領域における前記半導体基板の所定の深さに、前記半導体基板とは異なる材料により形成されるストッパ層と、
前記ストッパ層に応じた深さまで前記半導体基板の前記有効領域および前記無効領域を掘り込むことによって形成される掘り込み部と
を備える半導体装置。
【請求項２】
前記ストッパ層の材料を含む化合物の検知を利用して、前記掘り込み部を掘り込む加工時間の終点判定が行われる
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ストッパ層は、ダイシング幅を含むスクライブラインに形成可能である
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
規定の厚みよりも薄い前記半導体基板に対して前記ストッパ層を形成した後に、前記半導体基板を規定の厚みとなるまでエピタキシャル成長させることにより製造される
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ストッパ層は、規定の厚みよりも薄い前記半導体基板に対して材料を成膜して、前記半導体基板の全面に形成された膜を、前記有効領域において除去することにより形成される
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ストッパ層は、前記無効領域において前記半導体基板の表面近傍に不純物を注入することにより形成される
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記掘り込み部は、円形の止まり穴形状に形成される
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記掘り込み部は、溝形状に形成される
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
有効に機能させることが求められる画素が、半導体基板に対して形成される領域である画素領域と、
前記半導体基板において前記画素が形成されない領域である周辺領域と、
前記周辺領域における前記半導体基板の所定の深さに、前記半導体基板とは異なる材料により形成されるストッパ層と、
前記ストッパ層に応じた深さまで前記半導体基板の前記画素領域および前記周辺領域を掘り込むことによって形成される掘り込み部と
を備える固体撮像素子。
【請求項１０】
前記掘り込み部は、前記半導体基板の所定の深さに形成されるフォトダイオードから電荷を読み出すための縦型電極を形成するのに利用される
請求項９に記載の固体撮像素子。
【請求項１１】
有効に機能させることが求められる半導体素子が半導体基板に対して形成される領域である有効領域と、
前記半導体基板において前記半導体素子が形成されない領域である無効領域と、
前記無効領域における前記半導体基板の所定の深さに、前記半導体基板とは異なる材料により形成されるストッパ層と、
前記ストッパ層に応じた深さまで前記半導体基板の前記有効領域および前記無効領域を掘り込むことによって形成される掘り込み部と
を備える半導体装置の製造方法であって、
規定の厚みよりも薄い前記半導体基板に対して前記ストッパ層を形成することと、
前記半導体基板を規定の厚みとなるまでエピタキシャル成長させることと
を含む製造方法。
【請求項１２】
有効に機能させることが求められる半導体素子が半導体基板に対して形成される領域である有効領域と、
前記半導体基板において前記半導体素子が形成されない領域である無効領域と、
前記無効領域における前記半導体基板の所定の深さに、前記半導体基板とは異なる材料により形成されるストッパ層と、
前記ストッパ層に応じた深さまで前記半導体基板の前記有効領域および前記無効領域を掘り込むことによって形成される掘り込み部と
を有する半導体装置を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置、固体撮像素子、製造方法、および電子機器に関し、特に、デバイス特性の安定化を図ることができるようにした半導体装置、固体撮像素子、製造方法、および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、固体撮像素子などの半導体装置には、エッチングにより所定の深さの掘り込み部が形成された半導体基板が利用されている。【０００３】
一般的に、このような掘り込み部の加工を行う際に、掘り込み部の加工深さを制御するために、干渉波EPD（Etch Pit Density）が用いられる。干渉波EPDは、例えば、上部からレーザ光を照射し、フォトレジストなどマスクが配置されてエッチングされない領域の反射波と、エッチングされる領域の反射波との位相差からエッチング深さをモニタし、所望のエッチング深さで終点検出する手法である。例えば、干渉波EPDは、STI（Shallow Trench Isolation）の加工などのように、加工深さが１μｍ以下と比較的浅く、３０％程度以上の開口率がある条件において有効な手法とされている。【０００４】
これに対し、例えば、２０％未満の開口率である場合にはエッチングされる領域の反射波を十分に検出することができず、干渉波EPDによってエッチング深さをモニタすることは非常に困難であった。具体的には、半導体基板にホールのパターンを加工する場合には、開口率は１％程度であるため、干渉波EPDを用いてエッチング深さをモニタすることは現実的であるとは言えなかった。【０００５】
例えば、特許文献１には、プラズマエッチング処理により半導体基板にトレンチを形成する際に、プラズマインピーダンスを検出しつつプラズマエッチング処理を実行する半導体装置の製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２８７８５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したように、シリコン基板に掘り込み部を形成する際の加工深さをモニタすることが困難であることより、一定の加工深さとなるように制御することは難しく、デバイスごとに掘り込み部の深さにバラツキが発生することがあった。そのため、デバイスごとの特性が異なるものとなってしまい、デバイス特性を安定化させることが求められていた。【０００８】
本開示は、このような状況に鑑みてなされたものであり、デバイス特性の安定化を図ることができるようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示の一側面の半導体装置は、有効に機能させることが求められる半導体素子が半導体基板に対して形成される領域である有効領域と、前記半導体基板において前記半導体素子が形成されない領域である無効領域と、前記無効領域における前記半導体基板の所定の深さに、前記半導体基板とは異なる材料により形成されるストッパ層と、前記ストッパ層に応じた深さまで前記半導体基板の前記有効領域および前記無効領域を掘り込むことによって形成される掘り込み部とを備える。【００１０】
本開示の一側面の固体撮像素子は、有効に機能させることが求められる画素が、半導体基板に対して形成される領域である画素領域と、前記半導体基板において前記画素が形成されない領域である周辺領域と、前記周辺領域における前記半導体基板の所定の深さに、前記半導体基板とは異なる材料により形成されるストッパ層と、前記ストッパ層に応じた深さまで前記半導体基板の前記画素領域および前記周辺領域を掘り込むことによって形成される掘り込み部とを備える。【００１１】
本開示の一側面の製造方法は、有効に機能させることが求められる半導体素子が半導体基板に対して形成される領域である有効領域と、前記半導体基板において前記半導体素子が形成されない領域である無効領域と、前記無効領域における前記半導体基板の所定の深さに、前記半導体基板とは異なる材料により形成されるストッパ層と、前記ストッパ層に応じた深さまで前記半導体基板の前記有効領域および前記無効領域を掘り込むことによって形成される掘り込み部とを備える半導体装置の製造方法であって、規定の厚みよりも薄い前記半導体基板に対して前記ストッパ層を形成することと、前記半導体基板を規定の厚みとなるまでエピタキシャル成長させることとを含む。【００１２】
本開示の一側面の電子機器は、有効に機能させることが求められる半導体素子が半導体基板に対して形成される領域である有効領域と、前記半導体基板において前記半導体素子が形成されない領域である無効領域と、前記無効領域における前記半導体基板の所定の深さに、前記半導体基板とは異なる材料により形成されるストッパ層と、前記ストッパ層に応じた深さまで前記半導体基板の前記有効領域および前記無効領域を掘り込むことによって形成される掘り込み部とを有する半導体装置を備える。【００１３】
本開示の一側面においては、有効に機能させることが求められる半導体素子（画素）が半導体基板に対して形成される領域である有効領域（画素領域）と、半導体基板において半導体素子（画素）が形成されない領域である無効領域（周辺領域）とが設けられる。そして、無効領域（周辺領域）における半導体基板の所定の深さに、半導体基板とは異なる材料によりストッパ層が形成され、そのストッパ層に応じた深さまで半導体基板の有効領域（画素領域）および無効領域（周辺領域）を掘り込むことによって掘り込み部が形成される。
【発明の効果】
【００１４】
本開示の一側面によれば、デバイス特性の安定化を図ることができる。【００１５】
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本技術を適用した固体撮像素子の第１の実施の形態の構成例を示す斜視図である。
【図２】固体撮像素子の一部分の断面的な構成を示す図である。
【図３】ダイシングにより個片化する前のウェハに固体撮像素子が形成されている状態を示す図である。
【図４】図３に示されている破線の円形Ａに対応する領域を拡大して示す図である。
【図５】図３に示されている破線の円形Ｂに対応する領域を拡大して示す図である。
【図６】固体撮像素子の第１の製造方法を説明する図である。
【図７】固体撮像素子の第２の製造方法を説明する図である。
【図８】深い領域に不純物を注入する例について説明する図である。
【図９】本技術を適用した固体撮像素子の第２の実施の形態の構成例を示す断面図である。
【図１０】本技術を適用した固体撮像素子の第３の実施の形態の構成例を示す断面図である。
【図１１】図１０に示す固体撮像素子の製造方法を説明する図である。
【図１２】撮像装置の構成例を示すブロック図である。
【図１３】イメージセンサを使用する使用例を示す図である。
【図１４】内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。
【図１５】カメラヘッド及びＣＣＵの機能構成の一例を示すブロック図である。
【図１６】車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。
【図１７】車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本技術を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１８】
＜固体撮像素子の第１の構成例＞
図１乃至図５を参照して、本技術を適用した固体撮像素子の第１の実施の形態について説明する。
【００１９】
図１には、固体撮像素子１１の斜視図が示されている。
【００２０】
例えば、固体撮像素子１１は、CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサであり、固体撮像素子１１の中央には画素エリア１２が設けられ、画素エリア１２の周辺を囲う領域が周辺エリア１３とされる。
【００２１】
画素エリア１２は、固体撮像素子１１により画像を撮像するときに被写体の像が結像するセンサ面である。画素エリア１２には、画像を撮像する際に有効に機能させることが求められる複数の画素がアレイ状に形成される。
【００２２】
周辺エリア１３には、例えば、画素を駆動するための駆動回路や、外部との接続に利用される接続パッドなどが形成され、画像を撮像する際に有効に機能させることが求められる画素は形成されない。
【００２３】
図２には、固体撮像素子１１の一部分の断面的な構成が示されている。
【００２４】
図２に示すように、固体撮像素子１１は、シリコンなどからなる半導体基板２１により構成され、周辺エリア１３にストッパ層２２が形成されている。ストッパ層２２は、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮ）を材料として、半導体基板２１の所定の深さとなる位置に形成される。
【００２５】
また、画素エリア１２および周辺エリア１３には、固体撮像素子１１の表面をエッチングにより掘り込むことで、例えば、円形の止まり穴形状（非貫通）に形成される複数の掘り込み部２３が設けられている。例えば、周辺エリア１３に形成されるストッパ層２２は、複数の掘り込み部２３を形成する加工を行う際に、加工深さを検出するための機能を備えている。
【００２６】
即ち、複数の掘り込み部２３を半導体基板２１に対して加工するとき、ストッパ層２２が加工されることで発生する化合物を、プラズマ発光を利用した発光分光計測（OES：Optical Emission Spectrometry）により検出することができる。または、その化合物を、質量分析計の一種である四重極型質量分析計（Q-Mass：Quadrupole Mass analyzer）により検出することができる。
【００２７】
ここで、ストッパ層２２としては、加工の対象となる半導体基板２１（例えば、シリコン）とは異なる種類の化合物を用いることができる。具体的には、ストッパ層２２は、ＳｉＮ，Ｎ，ＳｉＯ，ＳｉＯＮ，ＳｉＣのようなシリコンを含む化合物や、Ａｌ，Ｗ，ＴｉＮのような金属を含む化合物などを材料として形成される。
【００２８】
例えば、複数の掘り込み部２３を加工する際に、ストッパ層２２として、シリコン窒化物（ＳｉＮ）を用いた場合には窒素を含む化合物が発生し、一酸化ケイ素（ＳｉＯ）を用いた場合には酸素を含む化合物が発生する。従って、それらのシリコン以外の化合物の発生を、プラズマの発光をモニタすることにより検知することができる。
【００２９】
このように、ストッパ層２２が加工されることで発生する化合物の検出を利用して、複数の掘り込み部２３をエッチングする際のエッチング時間の終点判定を行うことができる。これにより、画素エリア１２に形成される複数の掘り込み部２３の加工深さについて、固体撮像素子１１ごとにバラツキが発生することを抑制し、個々の固体撮像素子１１で一定の加工深さとなるように複数の掘り込み部２３を加工することができる。
【００３０】
また、固体撮像素子１１は、周辺エリア１３にのみ、選択的にストッパ層２２を形成する構成であることより、ストッパ層２２が、画素エリア１２に形成される画素に影響を与えてしまうことを回避することができる。即ち、画素エリア１２にストッパ層２２を形成した構成では、ストッパ層２２が画素に与える影響によって性能が低下することが想定されるのに対し、固体撮像素子１１は、そのような性能の低下が発生することはない。
【００３１】
このように構成される固体撮像素子１１は、デバイスごとにバラツキが発生せずに、一定の加工深さとなるように複数の掘り込み部２３を加工することができるので、デバイス特性の安定化を図ることができる。
【００３２】
図３乃至図５を参照して、ストッパ層２２が形成される領域について説明する。
【００３３】
図３には、ダイシングにより個片化する前のウェハに形成されている状態の４つの固体撮像素子１１−１乃至１１−４を上側から見たイメージが示されている。図示するように、固体撮像素子１１−１乃至１１−４を分割するように、ダイシングにより除去される領域であるダイシング領域３１が設けられる。このようなウェハの状態において複数の掘り込み部２３の加工を行う場合には、周辺エリア１３に加えて、ダイシング領域３１を含むスクライブライン（固体撮像素子１１どうしの間のライン）にストッパ層２２を形成してもよい。
【００３４】
図４には、図３において破線の円形Ａに対応する領域が拡大して示されている。例えば、ダイシング領域３１のダイシング幅は４０μｍ程度とされ、固体撮像素子１１どうしの間隔となるスクライブ幅は１００〜２００μｍ程度とされる。また、画素エリア１２とスクライブラインとの間隔、即ち、周辺エリア１３の幅は、２００〜３００μｍ程度とされる。
【００３５】
例えば、仮に、ストッパ層２２をダイシング領域３１だけに設ける構成では、４０μｍ程度のダイシング幅にホールパターンを設置することになる。従って、この構成では、固体撮像素子１１のチップ幅が５ｍｍである場合、ダイシング幅は全体の１％以下となるため、開口率は０．１％以下となる。このため、上述したような干渉波EPDにより、複数の掘り込み部２３のエッチング深さをモニタすることは非常に難しいものとなる。
【００３６】
そこで、図５においてドットのハッチングで示すようにストッパ層２２を設けることが可能な領域を設け、その領域の幅としては、５００μｍ程度とすることが好適である。図５には、図３において破線の円形Ｂに対応する領域が拡大して示されている。
【００３７】
図５に示すように、ストッパ層２２を設けることが可能な領域幅は、ダイシング領域３１を含むスクライブ幅より広く設けられており、画素エリア１２から一定間隔（図５においてハッチングが施されていない領域）だけ離れた外側の領域が、ストッパ層２２を設けることが可能な領域とされる。また、ストッパ層２２は、この領域に設けられる位置合わせのためのマークや、周辺回路などを避けた位置に形成される。
【００３８】
また、ストッパ層２２に開口するように形成される掘り込み部２３の開口率が大きいほど、ストッパ層２２が加工されることで発生する化合物による発光変化が大きくなる。そのため、ストッパ層２２に開口するように形成される掘り込み部２３の開口率を大きくすることが望ましいが、例えば、その開口率が１％程度（例えば、固体撮像素子１１の面積に対して）であれば発光変化を検知することができる。
【００３９】
＜固体撮像素子の製造方法＞
図６を参照して、固体撮像素子１１の第１の製造方法について説明する。
【００４０】
第１の工程において、図６の１段目に示すように、規定の厚みよりも薄い半導体基板２１に対してストッパ層２２として用いられるシリコン窒化物を成膜することで、半導体基板２１の全面にＳｉＮ膜４１を形成する。そして、周辺エリア１３となる領域に応じてレジスト４２を配置する。
【００４１】
第２の工程において、図６の２段目に示すように、レジスト４２を利用して画素エリア１２のＳｉＮ膜４１を除去するRIE（Reactive Ion Etching）加工を行うとともに、半導体基板２１の表面のダメージ層を除去する。これによりストッパ層２２が形成された後、レジスト４２を除去する。
【００４２】
第３の工程において、図６の３段目に示すように、シリコンをエピタキシャル成長させることにより規定の厚みの半導体基板２１を形成する。
【００４３】
第４の工程において、図６の４段目に示すように、半導体基板２１に対して、例えば、レジストを利用して複数の掘り込み部２３を形成する加工を行う。このとき、上述したように、ストッパ層２２が加工されることで発生する化合物の検知を利用してのエッチング時間の終点判定を行う。
【００４４】
また、画素エリア１２における複数の掘り込み部２３の加工深さは、実際には、ストッパ層２２を利用してエッチング時間の終点判定を行った後、オーバーエッチングを行うことによって所望の加工深さとなるように調整することができる。
【００４５】
以上のような製造方法により、画素エリア１２に形成される複数の掘り込み部２３の加工深さを正確に制御することができる。これにより、個々の固体撮像素子１１で、複数の掘り込み部２３の加工深さにバラツキが発生することを抑制して、デバイス特性が安定化するように固体撮像素子１１を製造することができる。
【００４６】
図７を参照して、固体撮像素子１１の第２の製造方法について説明する。
【００４７】
第１１の工程において、図７の１段目に示すように、規定の厚みよりも薄い半導体基板２１の画素エリア１２となる領域に応じてレジスト４２を配置する。
【００４８】
第１２の工程において、図７の２段目に示すように、レジスト４２をマスクとして利用し、ストッパ層２２を構成するための不純物（Ｐ，Ｂ，Ａｓ，Ｎなど）を、半導体基板２１の表面近傍に高濃度で注入する。
【００４９】
第１３の工程において、図７の３段目に示すように、シリコンをエピタキシャル成長させることにより規定の厚みの半導体基板２１を形成する。
【００５０】
第１４の工程において、図７の４段目に示すように、半導体基板２１に対して、レジストを利用して複数の掘り込み部２３を形成する加工を行う。このとき、上述したように、ストッパ層２２が加工されることで発生する化合物の検知を利用してのエッチング時間の終点判定を行う。
【００５１】
以上のような製造方法により、画素エリア１２に形成される複数の掘り込み部２３の加工深さを正確に制御することができる。これにより、個々の固体撮像素子１１で、複数の掘り込み部２３の加工深さにバラツキが発生することを抑制して、デバイス特性が安定化するように固体撮像素子１１を製造することができる。
【００５２】
また、半導体基板２１中の特定の場所にストッパ層２２を設ける手法は、シリコンを用いた基板に限定されることなく、例えば、ヒ化ガリウム（GaAs）や窒化ガリウム（GaN）などの化合物を用いた基板に対しても適用することができる。
【００５３】
ここで、例えば、シリコンをエピタキシャル成長させる工程（例えば、図６の第３の工程または図７の第１３の工程）を行わずに、１層の半導体基板２１にストッパ層２２を設ける手法について検討する。
【００５４】
即ち、図８に示すように、規定の厚みの半導体基板２１の深い領域に、ストッパ層２２を構成するための不純物を注入することで、シリコンをエピタキシャル成長させる工程を行う必要がなくなると考えられる。しかしながら、この手法では、不純物が縦方向に広範囲に拡がるように分布することになり、一定の加工深さとするためのエッチング時間の終点判定として利用することは困難であると想定される。従って、上述したような第１または第２の製造方法を採用することが好適である。
【００５５】
＜固体撮像素子の第２の構成例＞
図９を参照して、本技術を適用した固体撮像素子の第２の実施の形態について説明する。
【００５６】
図９に示す固体撮像素子１１Ａでは、複数の掘り込み部２３が溝形状に形成されている。固体撮像素子１１Ａは、これらの掘り込み部２３を、隣接する画素間での混色を抑止するために各画素の境界に絶縁体を充填するためのトレンチ（RDTI：Reverse side Deep Trench Isolation）として利用することができる。
【００５７】
従って、固体撮像素子１１Ａは、溝形状の掘り込み部２３を利用することにより、画素間の絶縁性能をデバイスごとに均一化することができるので、デバイス特性の安定化を図ることができる。
【００５８】
＜固体撮像素子の第３の構成例＞
図１０を参照して、本技術を適用した固体撮像素子の第３の実施の形態について説明する。
【００５９】
図１０に示す固体撮像素子１１Ｂは、赤色の光を光電変換する赤ＰＤ（photodiode）領域と、青色の光を光電変換する青ＰＤ領域とが、半導体基板２１の縦方向に並んで配置される縦分光デバイスである。なお、図１０では、赤ＰＤ領域の図示は省略され、青ＰＤ領域５１が図示されている。
【００６０】
例えば、青色の光は、半導体基板２１の裏面（図１０の下側を向く面）から光が照射される構成では、その裏面の近傍となる浅い位置で光電変換される。このため、固体撮像素子１１Ｂでは、青ＰＤ領域５１から半導体基板２１の表面まで電荷を読み出すための縦型電極を形成するために複数の掘り込み部２３が利用される。
【００６１】
従って、固体撮像素子１１Ｂは、掘り込み部２３を利用することにより、縦型電極の深さをデバイスごとに均一化することができるので、青ＰＤ領域５１からの電荷の読み出しに関し、デバイス特性の安定化を図ることができる。
【００６２】
図１１を参照して、固体撮像素子１１Ｂの製造方法について説明する。
【００６３】
第２１の工程において、図１１の１段目に示すように、規定の厚みよりも薄い半導体基板２１に対して一酸化ケイ素を成膜することで、半導体基板２１の全面にＳｉＯ膜５２を形成する。そして、青ＰＤ領域５１を形成する領域が開口するようにレジスト４２を配置し、レジスト４２をマスクとして利用して半導体基板２１の表面近傍に不純物を注入することで、青ＰＤ領域５１を形成する。
【００６４】
第２２の工程において、図１１の２段目に示すように、ＳｉＯ膜５２およびレジスト４２を除去する。
【００６５】
第２３の工程において、図１１の３段目に示すように、半導体基板２１に対してストッパ層２２として用いられるシリコン窒化物を成膜することで、半導体基板２１の全面にＳｉＮ膜４１を形成する。そして、周辺エリア１３となる領域に応じてレジスト４２を配置する。
【００６６】
第２４の工程において、図１１の４段目に示すように、レジスト４２を利用して画素エリア１２のＳｉＮ膜４１を除去するRIE加工を行うとともに、半導体基板２１の表面のダメージ層を除去する。これによりストッパ層２２が形成された後、レジスト４２を除去する。このとき、半導体基板２１の表面近傍に青ＰＤ領域５１が形成され、半導体基板２１の表面にストッパ層２２が積層されるため、半導体基板２１の縦方向に近傍位置となるように青ＰＤ領域５１およびストッパ層２２が形成されることになる。
【００６７】
第２５の工程において、図１１の５段目に示すように、シリコンをエピタキシャル成長させることにより規定の厚みの半導体基板２１を形成する。
【００６８】
第２６の工程において、図１１の６段目に示すように、半導体基板２１に対して、例えば、レジストを利用して複数の掘り込み部２３を形成する加工を行う。このとき、上述したように、ストッパ層２２が加工されることで発生する化合物の検知を利用してのエッチング時間の終点判定を行うことで、画素エリア１２では、青ＰＤ領域５１の近傍の深さとなるように、青ＰＤ領域５１ごとに掘り込み部２３が形成される。
【００６９】
以上のような製造方法により、画素エリア１２に形成される複数の掘り込み部２３の加工深さを正確に制御することができる。これにより、個々の固体撮像素子１１Ｂで、複数の掘り込み部２３の加工深さにバラツキが発生することを抑制して、青ＰＤ領域５１からの電荷の読み出しに関し、デバイス特性の安定化を図ることができる。
【００７０】
なお、ストッパ層２２を利用して複数の掘り込み部２３をエッチングする際のエッチング時間の終点判定する技術は、固体撮像素子１１のみに限定されることなく様々な半導体装置に適用することができる。例えば、本技術をメモリに適用し、複数の掘り込み部２３を溝形状（図９参照）に形成することで、メモリのキャパシタを構成するのに利用することができる。
【００７１】
即ち、本技術は、半導体基板２１を深掘りして掘り込み部２３を形成するデバイスであって、シリコンをエピタキシャル成長させることによって半導体基板２１を積み増しするようなプロセスで製造されるデバイスに好適に適用することができる。また、エピタキシャル成長によるシリコンの厚みを調整することとで、ストッパ層２２を配置する深さを制御することができる。
【００７２】
＜電子機器の構成例＞
上述したような固体撮像素子１１は、例えば、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどの撮像システム、撮像機能を備えた携帯電話機、または、撮像機能を備えた他の機器といった各種の電子機器に適用することができる。
【００７３】
図１２は、電子機器に搭載される撮像装置の構成例を示すブロック図である。
【００７４】
図１２に示すように、撮像装置１０１は、光学系１０２、撮像素子１０３、信号処理回路１０４、モニタ１０５、およびメモリ１０６を備えて構成され、静止画像および動画像を撮像可能である。
【００７５】
光学系１０２は、１枚または複数枚のレンズを有して構成され、被写体からの像光（入射光）を撮像素子１０３に導き、撮像素子１０３の受光面（センサ部）に結像させる。
【００７６】
撮像素子１０３としては、上述した固体撮像素子１１が適用される。撮像素子１０３には、光学系１０２を介して受光面に結像される像に応じて、一定期間、電子が蓄積される。そして、撮像素子１０３に蓄積された電子に応じた信号が信号処理回路１０４に供給される。
【００７７】
信号処理回路１０４は、撮像素子１０３から出力された画素信号に対して各種の信号処理を施す。信号処理回路１０４が信号処理を施すことにより得られた画像（画像データ）は、モニタ１０５に供給されて表示されたり、メモリ１０６に供給されて記憶（記録）されたりする。
【００７８】
このように構成されている撮像装置１０１では、上述した固体撮像素子１１を適用することで、例えば、画素ごとの特性のバラツキが抑制された、より高画質な画像を撮像することができる。
【００７９】
＜イメージセンサの使用例＞
図１３は、上述のイメージセンサ（撮像素子）を使用する使用例を示す図である。
【００８０】
上述したイメージセンサは、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、X線等の光をセンシングする様々なケースに使用することができる。
【００８１】
・ディジタルカメラや、カメラ機能付きの携帯機器等の、鑑賞の用に供される画像を撮影する装置
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
【００８２】
＜内視鏡手術システムへの応用例＞
本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
【００８３】
図１４は、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。
【００８４】
図１４では、術者（医師）１１１３１が、内視鏡手術システム１１０００を用いて、患者ベッド１１１３３上の患者１１１３２に手術を行っている様子が図示されている。図示するように、内視鏡手術システム１１０００は、内視鏡１１１００と、気腹チューブ１１１１１やエネルギー処置具１１１１２等の、その他の術具１１１１０と、内視鏡１１１００を支持する支持アーム装置１１１２０と、内視鏡下手術のための各種の装置が搭載されたカート１１２００と、から構成される。
【００８５】
内視鏡１１１００は、先端から所定の長さの領域が患者１１１３２の体腔内に挿入される鏡筒１１１０１と、鏡筒１１１０１の基端に接続されるカメラヘッド１１１０２と、から構成される。図示する例では、硬性の鏡筒１１１０１を有するいわゆる硬性鏡として構成される内視鏡１１１００を図示しているが、内視鏡１１１００は、軟性の鏡筒を有するいわゆる軟性鏡として構成されてもよい。
【００８６】
鏡筒１１１０１の先端には、対物レンズが嵌め込まれた開口部が設けられている。内視鏡１１１００には光源装置１１２０３が接続されており、当該光源装置１１２０３によって生成された光が、鏡筒１１１０１の内部に延設されるライトガイドによって当該鏡筒の先端まで導光され、対物レンズを介して患者１１１３２の体腔内の観察対象に向かって照射される。なお、内視鏡１１１００は、直視鏡であってもよいし、斜視鏡又は側視鏡であってもよい。
【００８７】
カメラヘッド１１１０２の内部には光学系及び撮像素子が設けられており、観察対象からの反射光（観察光）は当該光学系によって当該撮像素子に集光される。当該撮像素子によって観察光が光電変換され、観察光に対応する電気信号、すなわち観察像に対応する画像信号が生成される。当該画像信号は、ＲＡＷデータとしてカメラコントロールユニット（ＣＣＵ: Camera Control Unit）１１２０１に送信される。
【００８８】
ＣＣＵ１１２０１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＧＰＵ（Graphics Processing Unit）等によって構成され、内視鏡１１１００及び表示装置１１２０２の動作を統括的に制御する。さらに、ＣＣＵ１１２０１は、カメラヘッド１１１０２から画像信号を受け取り、その画像信号に対して、例えば現像処理（デモザイク処理）等の、当該画像信号に基づく画像を表示するための各種の画像処理を施す。
【００８９】
表示装置１１２０２は、ＣＣＵ１１２０１からの制御により、当該ＣＣＵ１１２０１によって画像処理が施された画像信号に基づく画像を表示する。
【００９０】
光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ（light emitting diode）等の光源から構成され、術部等を撮影する際の照射光を内視鏡１１１００に供給する。
【００９１】
入力装置１１２０４は、内視鏡手術システム１１０００に対する入力インタフェースである。ユーザは、入力装置１１２０４を介して、内視鏡手術システム１１０００に対して各種の情報の入力や指示入力を行うことができる。例えば、ユーザは、内視鏡１１１００による撮像条件（照射光の種類、倍率及び焦点距離等）を変更する旨の指示等を入力する。
【００９２】
処置具制御装置１１２０５は、組織の焼灼、切開又は血管の封止等のためのエネルギー処置具１１１１２の駆動を制御する。気腹装置１１２０６は、内視鏡１１１００による視野の確保及び術者の作業空間の確保の目的で、患者１１１３２の体腔を膨らめるために、気腹チューブ１１１１１を介して当該体腔内にガスを送り込む。レコーダ１１２０７は、手術に関する各種の情報を記録可能な装置である。プリンタ１１２０８は、手術に関する各種の情報を、テキスト、画像又はグラフ等各種の形式で印刷可能な装置である。
【００９３】
なお、内視鏡１１１００に術部を撮影する際の照射光を供給する光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ、レーザ光源又はこれらの組み合わせによって構成される白色光源から構成することができる。ＲＧＢレーザ光源の組み合わせにより白色光源が構成される場合には、各色（各波長）の出力強度及び出力タイミングを高精度に制御することができるため、光源装置１１２０３において撮像画像のホワイトバランスの調整を行うことができる。また、この場合には、ＲＧＢレーザ光源それぞれからのレーザ光を時分割で観察対象に照射し、その照射タイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御することにより、ＲＧＢそれぞれに対応した画像を時分割で撮像することも可能である。当該方法によれば、当該撮像素子にカラーフィルタを設けなくても、カラー画像を得ることができる。
【００９４】
また、光源装置１１２０３は、出力する光の強度を所定の時間ごとに変更するようにその駆動が制御されてもよい。その光の強度の変更のタイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御して時分割で画像を取得し、その画像を合成することにより、いわゆる黒つぶれ及び白とびのない高ダイナミックレンジの画像を生成することができる。
【００９５】
また、光源装置１１２０３は、特殊光観察に対応した所定の波長帯域の光を供給可能に構成されてもよい。特殊光観察では、例えば、体組織における光の吸収の波長依存性を利用して、通常の観察時における照射光（すなわち、白色光）に比べて狭帯域の光を照射することにより、粘膜表層の血管等の所定の組織を高コントラストで撮影する、いわゆる狭帯域光観察（Narrow Band Imaging）が行われる。あるいは、特殊光観察では、励起光を照射することにより発生する蛍光により画像を得る蛍光観察が行われてもよい。蛍光観察では、体組織に励起光を照射し当該体組織からの蛍光を観察すること（自家蛍光観察）、又はインドシアニングリーン（ICG）等の試薬を体組織に局注するとともに当該体組織にその試薬の蛍光波長に対応した励起光を照射し蛍光像を得ること等を行うことができる。光源装置１１２０３は、このような特殊光観察に対応した狭帯域光及び／又は励起光を供給可能に構成され得る。
【００９６】
図１５は、図１４に示すカメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１の機能構成の一例を示すブロック図である。
【００９７】
カメラヘッド１１１０２は、レンズユニット１１４０１と、撮像部１１４０２と、駆動部１１４０３と、通信部１１４０４と、カメラヘッド制御部１１４０５と、を有する。ＣＣＵ１１２０１は、通信部１１４１１と、画像処理部１１４１２と、制御部１１４１３と、を有する。カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１とは、伝送ケーブル１１４００によって互いに通信可能に接続されている。
【００９８】
レンズユニット１１４０１は、鏡筒１１１０１との接続部に設けられる光学系である。鏡筒１１１０１の先端から取り込まれた観察光は、カメラヘッド１１１０２まで導光され、当該レンズユニット１１４０１に入射する。レンズユニット１１４０１は、ズームレンズ及びフォーカスレンズを含む複数のレンズが組み合わされて構成される。
【００９９】
撮像部１１４０２を構成する撮像素子は、１つ（いわゆる単板式）であってもよいし、複数（いわゆる多板式）であってもよい。撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、例えば各撮像素子によってＲＧＢそれぞれに対応する画像信号が生成され、それらが合成されることによりカラー画像が得られてもよい。あるいは、撮像部１１４０２は、３Ｄ（dimensional）表示に対応する右目用及び左目用の画像信号をそれぞれ取得するための１対の撮像素子を有するように構成されてもよい。３Ｄ表示が行われることにより、術者１１１３１は術部における生体組織の奥行きをより正確に把握することが可能になる。なお、撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、各撮像素子に対応して、レンズユニット１１４０１も複数系統設けられ得る。
【０１００】
また、撮像部１１４０２は、必ずしもカメラヘッド１１１０２に設けられなくてもよい。例えば、撮像部１１４０２は、鏡筒１１１０１の内部に、対物レンズの直後に設けられてもよい。
【０１０１】
駆動部１１４０３は、アクチュエータによって構成され、カメラヘッド制御部１１４０５からの制御により、レンズユニット１１４０１のズームレンズ及びフォーカスレンズを光軸に沿って所定の距離だけ移動させる。これにより、撮像部１１４０２による撮像画像の倍率及び焦点が適宜調整され得る。
【０１０２】
通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４０４は、撮像部１１４０２から得た画像信号をＲＡＷデータとして伝送ケーブル１１４００を介してＣＣＵ１１２０１に送信する。
【０１０３】
また、通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１から、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を受信し、カメラヘッド制御部１１４０５に供給する。当該制御信号には、例えば、撮像画像のフレームレートを指定する旨の情報、撮像時の露出値を指定する旨の情報、並びに／又は撮像画像の倍率及び焦点を指定する旨の情報等、撮像条件に関する情報が含まれる。
【０１０４】
なお、上記のフレームレートや露出値、倍率、焦点等の撮像条件は、ユーザによって適宜指定されてもよいし、取得された画像信号に基づいてＣＣＵ１１２０１の制御部１１４１３によって自動的に設定されてもよい。後者の場合には、いわゆるＡＥ（Auto Exposure）機能、ＡＦ（Auto Focus）機能及びＡＷＢ（Auto White Balance）機能が内視鏡１１１００に搭載されていることになる。
【０１０５】
カメラヘッド制御部１１４０５は、通信部１１４０４を介して受信したＣＣＵ１１２０１からの制御信号に基づいて、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御する。
【０１０６】
通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２から、伝送ケーブル１１４００を介して送信される画像信号を受信する。
【０１０７】
また、通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２に対して、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を送信する。画像信号や制御信号は、電気通信や光通信等によって送信することができる。
【０１０８】
画像処理部１１４１２は、カメラヘッド１１１０２から送信されたＲＡＷデータである画像信号に対して各種の画像処理を施す。
【０１０９】
制御部１１４１３は、内視鏡１１１００による術部等の撮像、及び、術部等の撮像により得られる撮像画像の表示に関する各種の制御を行う。例えば、制御部１１４１３は、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を生成する。
【０１１０】
また、制御部１１４１３は、画像処理部１１４１２によって画像処理が施された画像信号に基づいて、術部等が映った撮像画像を表示装置１１２０２に表示させる。この際、制御部１１４１３は、各種の画像認識技術を用いて撮像画像内における各種の物体を認識してもよい。例えば、制御部１１４１３は、撮像画像に含まれる物体のエッジの形状や色等を検出することにより、鉗子等の術具、特定の生体部位、出血、エネルギー処置具１１１１２の使用時のミスト等を認識することができる。制御部１１４１３は、表示装置１１２０２に撮像画像を表示させる際に、その認識結果を用いて、各種の手術支援情報を当該術部の画像に重畳表示させてもよい。手術支援情報が重畳表示され、術者１１１３１に提示されることにより、術者１１１３１の負担を軽減することや、術者１１１３１が確実に手術を進めることが可能になる。
【０１１１】
カメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１を接続する伝送ケーブル１１４００は、電気信号の通信に対応した電気信号ケーブル、光通信に対応した光ファイバ、又はこれらの複合ケーブルである。
【０１１２】
ここで、図示する例では、伝送ケーブル１１４００を用いて有線で通信が行われていたが、カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１との間の通信は無線で行われてもよい。
【０１１３】
以上、本開示に係る技術が適用され得る内視鏡手術システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、内視鏡１１１００や、カメラヘッド１１１０２（の撮像部１１４０２）等に適用され得る。これにより、デバイスごとに一定の加工深さとなるように複数の掘り込み部２３を加工することができ、デバイスごとの特性にバラツキが発生することを回避することができる結果、一定の品質を保障することができる。
【０１１４】
なお、ここでは、一例として内視鏡手術システムについて説明したが、本開示に係る技術は、その他、例えば、顕微鏡手術システム等に適用されてもよい。
【０１１５】
＜移動体への応用例＞
本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
【０１１６】
図１６は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
【０１１７】
車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図１６に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（Interface）１２０５３が図示されている。
【０１１８】
駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
【０１１９】
ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
【０１２０】
車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
【０１２１】
撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
【０１２２】
車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
【０１２３】
マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Advanced Driver Assistance System）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
【０１２４】
また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
【０１２５】
また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０３０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
【０１２６】
音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図１６の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
【０１２７】
図１７は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。
【０１２８】
図１７では、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５を有する。
【０１２９】
撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２、１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
【０１３０】
なお、図１７には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
【０１３１】
撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
【０１３２】
例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０km/h以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
【０１３３】
例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
【０１３４】
撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。
【０１３５】
以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、撮像部１２０３１等に適用され得る。これにより、デバイスごとに一定の加工深さとなるように複数の掘り込み部２３を加工することができ、デバイスごとの特性にバラツキが発生することを回避することができる結果、一定の品質を保障することができる。
【０１３６】
＜構成の組み合わせ例＞
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
有効に機能させることが求められる半導体素子が半導体基板に対して形成される領域である有効領域と、
前記半導体基板において前記半導体素子が形成されない領域である無効領域と、
前記無効領域における前記半導体基板の所定の深さに、前記半導体基板とは異なる材料により形成されるストッパ層と、
前記ストッパ層に応じた深さまで前記半導体基板の前記有効領域および前記無効領域を掘り込むことによって形成される掘り込み部と
を備える半導体装置。
（２）
前記ストッパ層の材料を含む化合物の検知を利用して、前記掘り込み部を掘り込む加工時間の終点判定が行われる
上記（１）に記載の半導体装置。
（３）
前記ストッパ層は、ダイシング幅を含むスクライブラインに形成可能である
上記（１）または（２）に記載の半導体装置。
（４）
規定の厚みよりも薄い前記半導体基板に対して前記ストッパ層を形成した後に、前記半導体基板を規定の厚みとなるまでエピタキシャル成長させることにより製造される
上記（１）から（３）までのいずれかに記載の半導体装置。
（５）
前記ストッパ層は、規定の厚みよりも薄い前記半導体基板に対して材料を成膜して、前記半導体基板の全面に形成された膜を、前記有効領域において除去することにより形成される
上記（４）に記載の半導体装置。
（６）
前記ストッパ層は、前記無効領域において前記半導体基板の表面近傍に不純物を注入することにより形成される
上記（４）に記載の半導体装置。
（７）
前記掘り込み部は、円形の止まり穴形状に形成される
上記（１）から（６）までのいずれかに記載の半導体装置。
（８）
前記掘り込み部は、溝形状に形成される
上記（１）から（６）までのいずれかに記載の半導体装置。
（９）
有効に機能させることが求められる画素が、半導体基板に対して形成される領域である画素領域と、
前記半導体基板において前記画素が形成されない領域である周辺領域と、
前記周辺領域における前記半導体基板の所定の深さに、前記半導体基板とは異なる材料により形成されるストッパ層と、
前記ストッパ層に応じた深さまで前記半導体基板の前記画素領域および前記周辺領域を掘り込むことによって形成される掘り込み部と
を備える固体撮像素子。
（１０）
前記掘り込み部は、前記半導体基板の所定の深さに形成されるフォトダイオードから電荷を読み出すための縦型電極を形成するのに利用される
上記（９）に記載の固体撮像素子。
（１１）
有効に機能させることが求められる半導体素子が半導体基板に対して形成される領域である有効領域と、
前記半導体基板において前記半導体素子が形成されない領域である無効領域と、
前記無効領域における前記半導体基板の所定の深さに、前記半導体基板とは異なる材料により形成されるストッパ層と、
前記ストッパ層に応じた深さまで前記半導体基板の前記有効領域および前記無効領域を掘り込むことによって形成される掘り込み部と
を備える半導体装置の製造方法であって、
規定の厚みよりも薄い前記半導体基板に対して前記ストッパ層を形成することと、
前記半導体基板を規定の厚みとなるまでエピタキシャル成長させることと
を含む製造方法。
（１２）
有効に機能させることが求められる半導体素子が半導体基板に対して形成される領域である有効領域と、
前記半導体基板において前記半導体素子が形成されない領域である無効領域と、
前記無効領域における前記半導体基板の所定の深さに、前記半導体基板とは異なる材料により形成されるストッパ層と、
前記ストッパ層に応じた深さまで前記半導体基板の前記有効領域および前記無効領域を掘り込むことによって形成される掘り込み部と
を有する半導体装置を備える電子機器。
【０１３７】
なお、本実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。また、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、他の効果があってもよい。
【符号の説明】
【０１３８】
１１  固体撮像素子，  １２  画素エリア，  １３  周辺エリア，  ２１  半導体基板，  ２２  ストッパ層，  ２３  掘り込み部，  ３１  ダイシング領域，  ４１  ＳｉＮ膜，  ４２  レジスト，  ５１  青ＰＤ領域，  ５２  ＳｉＯ膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【国際調査報告】
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