(57)【要約】  ダイヤモンド被覆工具は、基材と、前記基材を被覆するダイヤモンド層とを備えるダイヤモンド被覆工具であって、前記ダイヤモンド層は、前記基材に接する第１領域を含み、前記第１領域は、前記基材と前記ダイヤモンド層との界面Ｐと、前記界面Ｐからの距離が２μｍである仮想面Ｖ１と、に囲まれる領域Ｓ１を含み、前記領域Ｓ１は、ランダムな方向に結晶成長した結晶粒を有する。
2020008722.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、前記基材を被覆するダイヤモンド層とを備えるダイヤモンド被覆工具であって、
前記ダイヤモンド層は、前記基材に接する第１領域を含み、
前記第１領域は、前記基材と前記ダイヤモンド層との界面Ｐと、前記界面Ｐからの距離が２μｍである仮想面Ｖ１と、に囲まれる領域Ｓ１を含み、
前記領域Ｓ１は、ランダムな方向に結晶成長した結晶粒を有する、ダイヤモンド被覆工具。
【請求項２】
前記第１領域は、体積平均粒子径ｒ１が０．１μｍ以上２μｍ以下のダイヤモンド粒子を含む、請求項１に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項３】
前記ダイヤモンド層は、前記第１領域上に積層される第２領域を含み、
前記第２領域は１層以上の単位層を含み、
前記単位層のうち、前記第１領域に接する層は第１単位層であり、
前記ｒ１と、前記第１単位層に含まれるダイヤモンド粒子の体積平均粒子径ｒ２との比（ｒ１／ｒ２）は０．０５以上２０以下である、請求項１又は請求項２に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項４】
前記ダイヤモンド層は、前記第１領域上に積層される第２領域を含み、
前記第２領域は１層以上の単位層を含み、
前記第１領域の平均残留応力σ１と、前記第１領域に接する第１単位層の平均残留応力σ２とは異なる、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項５】
前記ダイヤモンド層は、前記第１領域上に積層される第２領域を含み、
前記第２領域は１層以上の単位層を含み、
前記第１領域のｓｐ３強度比Ｉ１と、前記第１領域に接する第１単位層のｓｐ３強度比Ｉ２との比（Ｉ１／Ｉ２）は０．１以上１０以下である、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項６】
前記第２領域は、２層以上の前記単位層を含み、
前記２層以上の単位層は、それぞれ異なる体積平均粒子径を有するダイヤモンド粒子を含む、請求項３〜請求項５のいずれか１項に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項７】
前記第２領域は、２層以上の前記単位層を含み、
前記２層以上の単位層は、それぞれ異なる平均残留応力を有する、請求項３〜請求項６のいずれか１項に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項８】
前記第２領域は、２層以上の前記単位層を含み、
前記２層以上の単位層は、それぞれ異なるｓｐ３強度比を有する、請求項３〜請求項７のいずれか１項に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項９】
前記単位層は、柱状結晶を含む、請求項３〜請求項８のいずれか１項に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項１０】
前記基材は、体積平均粒子径が０．１μ以上１０μｍ以下の硬質粒子を含む、請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項１１】
前記基材は、表面の算術平均粗さＳａが０．１μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項１２】
前記基材は、前記界面Ｐと、前記界面Ｐからの距離が１μｍである仮想面Ｖ２とに囲まれる領域Ｓ３において、Ｃｏの含有率が０．０１質量％以上４質量％以下である、請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載のダイヤモンド被覆工具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ダイヤモンド被覆工具に関する。本出願は、２０１８年７月２日に出願した日本特許出願である特願２０１８−１２６１６２号に基づく優先権を主張する。当該日本特許出願に記載された全ての記載内容は、参照によって本明細書に援用される。
【背景技術】
【０００２】
ダイヤモンドは、極めて高い硬度を有しており、切削工具、耐磨工具、研削工具、摩擦撹拌接合用ツールといった種々の工具に使用されている。特に、１９８０年代に化学気相成長（ＣＶＤ：chemical  vapor  deposition）法による、ダイヤモンド薄膜製造技術が確立されてからは、ドリル、エンドミル等、複雑な曲面を持つ切削工具や、絞りダイス等の耐摩耗工具の表面をダイヤモンドで被覆したダイヤモンド被覆工具が開発されている。【０００３】
特開２０１３−１１１７１１号公報（特許文献１）には、タングステン基超硬合金を基体とし、該基体上にダイヤモンド膜が設けられたダイヤモンド被覆超硬合金切削工具が開示されている。【０００４】
特開平５−１７９４５０号公報（特許文献２）には、超硬質炭化タングステン支持体をダイヤモンドフィルムで被覆した超硬質炭化タングステン製品が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−１１１７１１号公報
【特許文献２】特開平５−１７９４５０号公報
【発明の概要】
【０００６】
本開示の一態様に係るダイヤモンド被覆工具は、
基材と、前記基材を被覆するダイヤモンド層とを備えるダイヤモンド被覆工具であって、
前記ダイヤモンド層は、前記基材に接する第１領域を含み、
前記第１領域は、前記基材と前記ダイヤモンド層との界面Ｐと、前記界面Ｐからの距離が２μｍである仮想面Ｖ１と、に囲まれる領域Ｓ１を含み、
前記領域Ｓ１は、ランダムな方向に結晶成長した結晶粒を有する、ダイヤモンド被覆工具である。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本開示の一実施の形態に係るダイヤモンド被覆工具の模式的断面図である。
【図２】図２は、本開示の一実施の形態（試料２（実施例））に係るダイヤモンド被覆工具の断面の走査透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ：Scanning  Transmission  Electron  Microscope）写真である。
【図３】図３は、本開示の他の一実施の形態に係るダイヤモンド被覆工具の断面の走査透過電子顕微鏡写真である。
【図４】図４は、図３に示されるダイヤモンド被覆工具の断面の測定視野の走査透過電子顕微鏡写真である。
【図５】図５は、図３に示されるダイヤモンド被覆工具の断面の測定視野の走査透過電子顕微鏡写真である。
【図６】図６は、試料１（比較例）のダイヤモンド被覆工具の断面の走査透過電子顕微鏡写真である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[本開示が解決しようとする課題]
ダイヤモンド被覆工具は、航空機産業で需要が増加している繊維強化プラスチック（ＦＲＰ：Fiber  Reinforced  Plastics）、非金属、ガラス、金型用高脆材である超硬合金、セラミックス等の難削材の加工用工具として、その需要が拡大している。ダイヤモンド被覆工具を難削材の加工に適用する場合、加工時に摩耗が生じやすく、工具寿命が短くなる傾向がある。
【０００９】
近年、高能率加工の要求が厳しくなっており、上記の難削材の加工においても、高能率加工が求められている。ダイヤモンド被覆工具を難削材の高能率加工に適用する場合、基材とダイヤモンド層との間で膜剥離が生じやすく、工具寿命が更に短くなる傾向がある。
【００１０】
そこで、本目的は、難削材の高能率加工においても、長い工具寿命を有することができるダイヤモンド被覆工具を提供することを目的とする。
【００１１】
[本開示の効果]
上記態様によれば、ダイヤモンド被覆工具は、難削材の高能率加工においても、長い工具寿命を有することができる。
【００１２】
［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。
【００１３】
（１）本開示の一態様に係るダイヤモンド被覆工具は、
基材と、前記基材を被覆するダイヤモンド層とを備えるダイヤモンド被覆工具であって、
前記ダイヤモンド層は、前記基材に接する第１領域を含み、
前記第１領域は、前記基材と前記ダイヤモンド層との界面Ｐと、前記界面Ｐからの距離が２μｍである仮想面Ｖ１と、に囲まれる領域Ｓ１を含み、
前記領域Ｓ１は、ランダムな方向に結晶成長した結晶粒を有する、ダイヤモンド被覆工具である。
【００１４】
上記態様によれば、ダイヤモンド被覆工具は、難削材の高能率加工においても、長い工具寿命を有することができる。
【００１５】
（２）前記第１領域は、体積平均粒子径ｒ１が０．１μｍ以上２μｍ以下のダイヤモンド粒子を含むことが好ましい。これによると、基材とダイヤモンド層との界面付近でのダイヤモンド結晶の核生成密度が高くなり、基材とダイヤモンド層との密着力が向上する。
【００１６】
（３）前記ダイヤモンド層は、前記第１領域上に積層される第２領域を含み、前記第２領域は１層以上の単位層を含み、前記単位層のうち、前記第１領域に接する層は第１単位層であり、前記ｒ１と、前記第１単位層に含まれるダイヤモンド粒子の体積平均粒子径ｒ２との比（ｒ１／ｒ２）は０．０５以上２０以下であることが好ましい。
【００１７】
これによると、超硬合金等の高脆材及びＣＦＲＰ（炭素繊維強化プラスチック、carbon  fiber  reinforced  plastic）等の複合材等の幅広い材料に対して、長寿命の工具を得ることができる。
【００１８】
（４）前記ダイヤモンド層は、前記第１領域上に積層される第２領域を含み、前記第２領域は１層以上の単位層を含み、前記第１領域の平均残留応力σ１と、前記第１領域に接する第１単位層の平均残留応力σ２とは異なることが好ましい。これによると、各層間の応力の差により亀裂の進展が抑制されるとともに、各層間での密着力が優れる。
【００１９】
（５）前記ダイヤモンド層は、前記第１領域上に積層される第２領域を含み、
前記第２領域は１層以上の単位層を含み、
前記第１領域のｓｐ３強度比Ｉ１と、前記第１領域に接する第１単位層のｓｐ３強度比Ｉ２との比（Ｉ１／Ｉ２）は０．００２以上０．０２以下であることが好ましい。
【００２０】
これによると、超硬合金等の高脆材及びＣＦＲＰ（炭素繊維強化プラスチック、carbon  fiber  reinforced  plastic）等の複合材等の幅広い材料に対して、長寿命の工具を得ることができる。
【００２１】
（６）前記第２領域は、２層以上の前記単位層を含み、前記２層以上の単位層は、それぞれ異なる平均結晶粒径を有することが好ましい。これによると、亀裂の進展が抑制される。
【００２２】
（７）前記第２領域は、２層以上の単位層を含み、前記２層以上の単位層は、それぞれ異なる平均残留応力を有することが好ましい。これによると、各層間の応力の差により亀裂の進展が抑制されるとともに、各層間での密着力が優れる。
【００２３】
（８）前記第２領域は、２層以上の単位層を含み、前記２層以上の単位層は、それぞれ異なるｓｐ３強度比を有することが好ましい。これによると、亀裂の進展が抑制されるとともに、最外層が硬質ダイヤモンド膜となり耐摩耗性が向上する。
【００２４】
（９）前記単位層は、柱状結晶を含むことが好ましい。これによると、ダイヤモンド膜の結晶成長軸に垂直方向に進展する亀裂の発生が抑制される。
【００２５】
（１０）前記基材は、体積平均粒子径が０．１μ以上１０μｍ以下の硬質粒子を含むことが好ましい。これによると、基材とダイヤモンド層との密着力が向上する。
【００２６】
（１１）前記基材は、表面の算術平均粗さＳａが０．１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。これによると、基材とダイヤモンド層との密着力が向上する。
【００２７】
（１２）前記基材は、前記界面Ｐと、前記界面Ｐからの距離が１μｍである仮想面Ｖ２とに囲まれる領域Ｓ３において、Ｃｏの含有率が０．０１質量％以上４質量％以下であることが好ましい。これによると、基材とダイヤモンド層との密着力が向上する。
【００２８】
［本開示の実施形態の詳細］
本開示の一実施形態に係るダイヤモンド被覆工具の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。
【００２９】
図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものである。長さ、幅、厚さ、深さなどの寸法関係は図面の明瞭化と簡略化のために適宜変更されており、実際の寸法関係を表わすものではない。
【００３０】
＜表面被覆切工具＞
本開示の一実施の形態に係る表面被覆工具を、図１〜図５を用いて説明する。図１は、本開示の一実施の形態に係るダイヤモンド被覆工具の模式的断面図である。図２は、本開示の一実施の形態に係るダイヤモンド被覆工具の断面の走査透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ：Scanning  Transmission  Electron  Microscope）写真である。図３は、本開示の他の一実施の形態に係るダイヤモンド被覆工具の断面の走査透過電子顕微鏡写真である。図４及び図５は、図３に示されるダイヤモンド被覆工具の断面の測定視野の走査透過電子顕微鏡写真である。
【００３１】
図１に示されるように、ダイヤモンド被覆工具１は、基材２と、該基材２を被覆するダイヤモンド層３とを備える。ダイヤモンド被覆工具は、基材及びダイヤモンド層に加えて、他の任意の構成を含むことができる。ダイヤモンド層は、基材の全面を被覆することが好ましいが、基材の一部がダイヤモンド層で被覆されていなかったとしても本実施形態の範囲を逸脱するものではない。
【００３２】
＜ダイヤモンド層＞
本実施形態において、ダイヤモンド層３は、基材２に接する第１領域３Ａを含み、第１領域３Ａは、基材２とダイヤモンド層３との界面Ｐと、界面Ｐからの距離が２μｍである仮想面Ｖ１（仮想面Ｖ１は、ダイヤモンド層３内に位置する。）と、に囲まれる領域Ｓ１を含む。ここで本実施形態のダイヤモンド層３中の領域Ｓ１は、ランダムな方向に結晶成長した結晶粒を有する。これによると、ダイヤモンド被覆工具は、難削材の高能率加工においても、長い工具寿命を有することができる。この理由は明らかではないが、本発明者らは下記（ｉ）及び（ｉｉ）の通りと推察する。
【００３３】
（ｉ）結晶粒の結晶成長の方向がランダムな領域では、結晶成長の方向に異方性があるため、特定方向への劈開が生じにくく、強度が向上している。よって、工具の使用時に、基材とダイヤモンド層との界面近傍において、ダイヤモンド層の破壊に起因する剥離が生じにくく、基材とダイヤモンド層とが強固に密着しているため、ダイヤモンド被覆工具は、長い工具寿命を有することができる。
【００３４】
（ｉｉ）結晶粒の結晶成長の方向がランダムな領域では、結晶成長の方向に異方性があるため、工具の使用時にクラックが発生しても、クラックの進展を抑制することができる。従って、このような領域を含むダイヤモンド被覆工具は、長い工具寿命を有することができる。
【００３５】
本明細書において、「領域Ｓ１は、ランダムな方向に結晶成長した結晶粒を有する」ことは、下記の（ａ−１）〜（ａ−５）の手順に従い確認することができる。
【００３６】
（ａ−１）測定視野の決定
ダイヤモンド被覆工具からダイヤモンドソーブレードを用いて測定試料を切り出し樹脂に埋め込み、断面にCross  section  polish加工（以下、「ＣＰ加工」とも記す。）を行う。該断面は、基材とダイヤモンド層との界面Ｐの法線と平行となるように、上記の切り出し及びＣＰ加工を行う。
【００３７】
該断面において、幅（界面Ｐに平行な方向）６μｍ×高さ（界面Ｐに垂直な方向）５μｍの矩形の測定視野を５箇所設定する。各測定視野は、その高さが、領域Ｓ１の界面Ｐに垂直な方向の高さ（２μｍ）を全て含む位置に設定する。
【００３８】
図３に示されるように、実際の界面が凹凸を有している場合は、界面Ｐは下記の手順で設定されるものである。測定試料の断面における実際の界面のうち、基材２側に最も突き出している先端部Ｔ１を通過し、かつ、ダイヤモンド層３の上面Ｑ（上面Ｑが凹凸を有している場合は、凹凸の平均高さの平面Ｑ１（以下、「基準表面Ｑ１」とも記す。）に平行な仮想の線Ｐ１、及び、ダイヤモンド層３側に最も突き出している先端部Ｔ２を通過し、かつ、ダイヤモンド層３の上面Ｑ（基準平面Ｑ１）に平行な仮想の線Ｐ２を設定する。仮想の線Ｐ１とＰ２との中間に位置する線を界面Ｐを示すものとする。
【００３９】
（ａ−２）測定視野の撮像
下記の機器を用いて、下記の条件で、各測定視野を撮像する。
【００４０】
走査透過電子顕微鏡：日本電子社製「ＪＥＭ−２１００Ｆ／Ｃｓ」
撮像条件：２００００倍、明視野像。
【００４１】
（ａ−３）撮像された走査透過電子顕微鏡写真の処理
上記（ａ−２）で撮像された走査透過電子顕微鏡写真に対して、下記の画像処理ソフトを用いて、下記の処理手順に従い画像処理を施す。下記の処理手順は、測定視野の走査透過電子顕微鏡写真の一例である図４及び図５を参照して説明される。
【００４２】
画像処理ソフト：三谷商事社製「Ｗｉｎｒｏｏｆ」
処理手順：上記で設定した界面Ｐと、界面Ｐから膜の表面側への距離が２μｍの位置にある仮想面Ｖ１とに囲まれる領域Ｓ１内で、結晶成長の方向が、界面Ｐに対して９０°である結晶粒を特定し、該結晶粒上に第１基準線を引く。図４及び図５において、第１基準線は、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３で示される。
【００４３】
各第１基準線に対して、結晶成長の方向が４５°である結晶粒を特定し、該結晶粒上に第２基準線を引く。各第２基準線は、第１基準線との交点から、他の第２基準線との交点までの線分とする。図４及び図５において、第１基準線Ｄ１に対して４５°の角度を有する第２基準線はＥ１及びＥ２で示され、第１基準線Ｄ２に対して４５°の角度を有する第２基準線はＥ３及びＥ４で示され、第１基準線Ｄ３に対して４５°の角度を有する第２基準線はＥ５及びＥ６で示される。
【００４４】
領域Ｓ１において、第２基準線上及び第２基準線よりも界面Ｐ側に位置する領域（以下、「ランダム成長結晶粒領域」とも記す。）を特定する。図５において、ランダム成長結晶粒領域は、斜線で示される領域Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４を含む領域である。領域Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４の特定方法について、下記に説明する。
【００４５】
図５において、領域Ａ１は、第１基準線Ｄ１、第２基準線Ｅ１、仮想面Ｖ１、測定視野の枠線Ｆ１及び界面Ｐに囲まれた領域として特定される。領域Ａ２は、第１基準線Ｄ２、第２基準線Ｅ２、Ｅ３及び界面Ｐに囲まれた領域として特定される。領域Ｓ３は、第１基準線Ｄ２、Ｄ３、第２基準線Ｅ４、Ｅ５及び界面Ｐに囲まれた領域として特定される。領域Ａ４は、第１基準線Ｄ３、第２基準線Ｅ６、測定視野の枠線Ｆ２及び界面Ｐに囲まれた領域として特定される。
【００４６】
（ａ−４）画像の解析
上記（ａ−３）で得られた画像から、測定視野中の領域Ｓ１の全面積に占める、第２基準線上及び第２基準線よりも界面Ｐ側に位置する領域（ランダム成長結晶粒領域）の面積比率（以下、「ランダム成長結晶粒の面積比率」とも記す。）を算出する。
【００４７】
（ａ−５）判定基準
５箇所の測定視野における「ランダム成長結晶粒の面積比率」の平均値を求める。該平均値が２０％以上の場合を、「領域Ｓ１は、ランダムな方向に結晶成長した結晶粒を有する」と判定する。
【００４８】
ランダム成長結晶粒の面積比率の平均値は、２０％以上が好ましく、４０％以上がより好ましい。上記の平均値が２０％未満であると、基材とダイヤモンド層との密着力の向上効果を得られにくい傾向がある。ランダム成長結晶粒の面積比率は大きい方が好ましいため、上限値は特に設定されないが、製造上の観点から、ランダム成長結晶粒の面積比率の平均値は８０％以下が好ましい。
【００４９】
図１に示されるダイヤモンド被覆工具１では、第１領域３Ａは、領域Ｓ１とともに、領域Ｓ１と連続して形成される領域Ｓ２（図１において符号１２に該当）を含む。第１領域３Ａは、領域Ｓ１のみからなり、領域Ｓ２を含まない構成とすることもできる。
【００５０】
第１領域３Ａが領域Ｓ１とともに領域Ｓ２を含む場合、領域Ｓ１と領域Ｓ２とが連続して形成されていることは、膜断面をＳＥＭ（走査電子顕微鏡）、ＴＥＭ（透過電子顕微鏡）又はＳＴＥＭ（走査透過電子顕微鏡）で観察することによって確認することができる。
【００５１】
領域Ｓ２において、上記のランダム成長結晶粒の面積比率の平均値は、１％以上６０％以下が好ましく、５％以上５０％以下がより好ましく、１０％以上５０％以下が更に好ましい。これによると、結晶成長の方向に異方性があるため、工具の使用時にクラックが発生しても、クラックの進展を抑制することができる。領域Ｓ２におけるランダム成長結晶粒の面積比率は、下記の（ａ’−１）〜（ａ’−４）の手順に従い測定することができる。
【００５２】
（ａ’−１）測定視野の決定
ダイヤモンド被覆工具からダイヤモンドソーブレードを用いて測定試料を切り出し樹脂に埋め込み、断面にCross  section  polish加工（以下、「ＣＰ加工」とも記す。）を行う。該断面は、基材とダイヤモンド層との界面Ｐの法線と平行となるように、上記の切り出し及びＣＰ加工を行う。
【００５３】
該断面において、幅（界面Ｐに平行な方向）６μｍ、かつ、領域Ｓ２の高さ（界面Ｐに垂直な方向）を全て含む高さ（界面Ｐに垂直な方向）の矩形の測定視野を無作為に５箇所選択する。各測定視野は、その高さが、領域Ｓ2の界面Ｐに垂直な方向の高さを全て含む位置に設定する。
【００５４】
（ａ’−２）測定視野の撮像
下記の機器を用いて、下記の条件で、各測定視野を撮像する。
【００５５】
走査透過電子顕微鏡：日本電子社製「ＪＥＭ−２１００Ｆ／Ｃｓ」
撮像条件：２００００倍、明視野像。
【００５６】
（ａ’−３）撮像された走査透過電子顕微鏡写真の処理
上記（ａ’−２）で撮像された走査透過電子顕微鏡写真に対して、下記の画像処理ソフトを用いて、下記の処理手順に従い画像処理を施す。
【００５７】
画像処理ソフト：三谷商事社製「Ｗｉｎｒｏｏｆ」
処理手順：領域Ｓ２内で、結晶成長の方向が、界面Ｐに対して９０°である結晶粒を特定し、該結晶粒上に第１基準線を引く。
【００５８】
各第１基準線に対して、結晶成長の方向が４５°である結晶粒を特定し、該結晶粒上に第２基準線を引く。各第２基準線は、第１基準線との交点から、他の第２基準線との交点までの線分とする。
【００５９】
領域Ｓ２において、第２基準線上及び第２基準線よりも界面Ｐ側に位置する領域（以下、「ランダム成長結晶粒領域」とも記す。）を特定する。
【００６０】
（ａ’−４）画像の解析
上記（ａ’−３）で得られた画像から、測定視野中の領域Ｓ２の全面積に占める、第２基準線上及び第２基準線よりも界面Ｐ側に位置する領域（ランダム成長結晶粒領域）の面積比率（以下、「ランダム成長結晶粒の面積比率」とも記す。）を算出する。
【００６１】
第１領域における領域Ｓ１の体積分率は、１体積％以上１００体積％以下が好ましく、６体積％以上１００体積％以下がより好ましく、８体積％以上１００体積％以下が更に好ましい。一方、第１領域における領域Ｓ２の体積分率は、０体積％以上９９体積％未満が好ましく、０体積％以上９２体積％未満がより好ましく、０体積％以上８６体積％未満が更に好ましい。これによると、基材とダイヤモンドとの密着性、及び、クラックの進展の抑制効果が非常に良好となる。
【００６２】
第１領域における領域Ｓ１及び領域Ｓ２のそれぞれの体積分率は、ダイヤモンド被覆工具の断面において、領域Ｓ１及び領域Ｓ２の面積を測定することにより算出することができる。具体的には、下記の（ｂ−１）〜（ｂ−４）の手順に従い算出することができる。
【００６３】
（ｂ−１）測定視野の決定
ダイヤモンド被覆工具からダイヤモンドソーブレードを用いて測定試料を切り出し樹脂に埋め込み、断面にCross  section  polish加工（以下、「ＣＰ加工」とも記す。）を行う。該断面は、基材とダイヤモンド層との界面Ｐの法線と平行となるように、上記の切り出し及びＣＰ加工を行う。
【００６４】
該断面において、幅（界面Ｐに平行な方向）６μｍ、かつ、第１領域の高さ（界面Ｐに垂直な方向）を全て含む高さ（界面Ｐに垂直な方向）の矩形の測定視野を無作為に５箇所選択する。
【００６５】
（ｂ−２）測定視野の撮像
下記の機器を用いて、下記の条件で、各測定視野を撮像する。
【００６６】
走査透過電子顕微鏡：日本電子社製「ＪＥＭ−２１００Ｆ／Ｃｓ」
撮像条件：２００００倍、明視野像。
【００６７】
（ｂ−３）撮像された画像の処理
上記（ｂ−２）で撮像された画像に対して、下記の画像処理ソフトを用いて、下記の手順に従い画像処理を施す。
【００６８】
画像処理ソフト：三谷商事社製「Ｗｉｎｒｏｏｆ」
処理手順：領域Ｓ１、領域Ｓ２を線で囲み、それぞれを異なるパターンで塗りつぶす。
【００６９】
（ｂ−４）画像の解析
上記（ｂ−３）で得られた画像から、「第１領域の面積に占める領域Ｓ１の面積比率」、及び、「第１領域全体の面積に占める領域Ｓ２の面積比率」を算出する。
【００７０】
５箇所の測定視野における「第１領域全体の面積に占める領域Ｓ１の面積比率」の平均値は、「第１領域における領域Ｓ１の体積分率」に該当する。５箇所の測定視野における「第１領域全体の面積に占める領域Ｓ２の面積比率」の平均値は、「第１領域における領域Ｓ２の体積分率」に該当する。
【００７１】
第１領域は、体積平均粒子径ｒ１が０．１μｍ以上２μｍ以下のダイヤモンド粒子を含むことが好ましい。これによると、基材とダイヤモンド層との界面付近でのダイヤモンド結晶の核生成密度が高くなり、基材とダイヤモンド層との密着力が向上する。ダイヤモンド粒子の体積平均粒子径ｒ１は、０．１μｍ以上１．５μｍ以下がより好ましく、０．１μｍ以上１μｍ以下が更に好ましい。
【００７２】
本明細書において、「体積平均粒子径」とは、体積基準の粒度分布（体積分布）におけるメジアン径（ｄ５０）を意味する。「第１領域に含まれるダイヤモンド粒子の体積平均粒子径」とは、第１領域に含まれる全てのダイヤモンド粒子を対象にした体積平均粒子径であることを意味する。
【００７３】
ダイヤモンド粒子の体積平均粒子径を算出するための各粒子の粒子径、及び、ダイヤモンド粒子の体積平均粒子径は、下記の（ｃ−１）〜（ｃ−４）の手順に従い測定することができる。
【００７４】
（ｃ−１）測定視野の決定
ダイヤモンド被覆工具からダイヤモンドソーブレードを用いて測定試料を切り出し樹脂に埋め込み、断面にCross  section  polish加工（以下、「ＣＰ加工」とも記す。）を行う。該断面は、基材とダイヤモンド層との界面Ｐの法線と平行となるように、上記の切り出し及びＣＰ加工を行う。
【００７５】
該断面において、幅（界面Ｐに平行な方向）６μｍ×高さ５μｍの矩形の測定視野を無作為に１箇所選択する。測定視野は、その高さが、第１領域３Ａの界面Ｐに垂直な方向の高さを全て含む位置に設定する。
【００７６】
（ｃ−２）測定視野の観察
下記の機器を用いて、下記の条件で、測定視野を撮像する。
【００７７】
走査透過電子顕微鏡：日本電子社製「ＪＥＭ−２１００Ｆ／Ｃｓ」
撮像条件：５０００倍、明視野像。
【００７８】
（ｃ−３）外接円相当径の測定
上記（ｃ−２）で得られた反射電子像において、各ダイヤモンド粒子に外接する円の直径（すなわち外接円相当径）を測定する。本明細書中、該外接円相当径をダイヤモンド粒子の粒子径とする。
【００７９】
（ｃ−４）体積平均粒子径の算出
上記の測定視野中の全てのダイヤモンド粒子の粒子径を測定し、これらの値に基づき体積平均粒子径を算出する。測定視野中の全てのダイヤモンド粒子に基づき算出された体積平均粒子径が「第１領域に含まれるダイヤモンド粒子の体積平均粒子径」に該当する。
【００８０】
図１に示されるように、ダイヤモンド層３は、第１領域３Ａ上に積層される第２領域３Ｂを含むことができる。第１領域３Ａと第２領域３Ｂとの界面は、膜断面をＳＥＭ（走査電子顕微鏡）、ＴＥＭ（透過電子顕微鏡）又はＳＴＥＭ（走査透過電子顕微鏡）で観察することにより確認することができる。
【００８１】
第２領域３Ｂは１層以上の単位層を含むことができる。図１では、第２領域３Ｂは、第１単位層３ｃ及び第２単位層３ｄの２つの単位層を含むが、単位層の数は２層に限定されない。第２領域に含まれる単位層の数は、１層とすることもできるし、３層以上とすることもできる。
【００８２】
第１領域３Ａに含まれるダイヤモンド粒子の体積平均粒子径ｒ１と、第１領域３Ａに接する第１単位層３ｃに含まれるダイヤモンド粒子の体積平均粒子径ｒ２との比（ｒ１／ｒ２）は０．０５以上２０以下であることが好ましい。これによると、超硬合金等の高脆材及びＣＦＲＰ等の複合材等の幅広い材料に対して、長寿命の工具を得ることができる。前記比（ｒ１／ｒ２）は０．１以上２０以下がより好ましく、０．１以上１０以下が更に好ましい。前記比（ｒ１／ｒ２）は０．１以上１以下でもよく、０．１以上０．６以下でもよい。
【００８３】
第１単位層３ｃに含まれるダイヤモンド粒子の体積平均粒子径ｒ２の算出方法は、上記の第１領域３Ａに含まれるダイヤモンド粒子の体積平均粒子径ｒ１の算出方法と基本的に同一である。異なる点は、測定視野を、幅（界面Ｐに平行な方向）６μｍ、かつ、その高さが第１単位層３ｃの界面Ｐに垂直な方向の高さを全て含む、矩形の測定視野を１箇所設定する点である。該測定視野は、その高さが、第１単位層の高さ（界面Ｐに垂直な方向）を全て含む位置に設定される。
【００８４】
第１単位層３ｃに含まれるダイヤモンド粒子が柱状結晶の場合は、各粒子の粒子径は、次の方法によって測定することができる。上記（ｃ−２）で得られた反射電子像において、ダイヤモンド粒子の長手方向の粒子長さをｌ、また、長手方向に垂直な方向の粒子幅をｗとし、前記ｌ及びｗに基づき算出される結晶粒の面積（ｌ×ｗ）と同じ面積の真円を想定したときの真円の径をダイヤモンド粒子の粒子径とする。本明細書において、柱状結晶とはアスペクト比（ｌ／ｗ）の値が２以上のものと定義する。
【００８５】
上記ｒ２は、０．１μｍ以上２０μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以上１０μｍ以下がより好ましく、０．５μｍ以上５μｍ以下が更に好ましい。上記ｒ２は、０．５μｍ以上２μｍ以下、又は、０．５μｍ以上１μｍ以下とすることができる。
【００８６】
第２領域３Ｂは、２層以上の単位層を含むことができる。この場合、２層以上の単位層は、それぞれ異なる体積平均粒子径を有するダイヤモンド粒子を含むことが好ましい。例えば、図１に示されるダイヤモンド被覆工具１では、第１単位層３ｃに含まれるダイヤモンド粒子の体積平均粒子径ｒ２と、第２単位層３ｄに含まれるダイヤモンド粒子の体積平均粒子径ｒ３とは、異なることが好ましい。これによると、各層の境界で亀裂の進展が抑制される。
【００８７】
第２領域において、隣り合う単位層を第ｘ単位層、及び、第（ｘ＋１）単位層とした場合、第ｘ単位層に含まれるダイヤモンド粒子の体積平均粒子径ｒｘと、第（ｘ＋１）単位層に含まれるダイヤモンド粒子の体積平均粒子径ｒ（ｘ＋１）との比（ｒｘ／ｒ（ｘ＋１））は０．１以上２０以下が好ましく、０．５以上１０以下がより好ましく、０．５以上５以下が更に好ましい。これによると、各層の膜質の調整により、幅広い材料の幅広い条件の加工に対応できる膜を構成できる。
【００８８】
第ｘ単位層に含まれるダイヤモンド粒子の体積平均粒子径ｒｘの算出方法は、上記の第１領域３Ａに含まれるダイヤモンド粒子の体積平均粒子径ｒ１の算出方法と基本的に同一である。異なる点は、測定視野を、幅（界面Ｐに平行な方向）６μｍ、かつ、その高さが、第ｘ単位層の界面Ｐに垂直な方向の高さを全て含む矩形の測定視野を１箇所設定する点である。
【００８９】
ダイヤモンド層３は、第１領域３Ａ上に積層される第２領域３Ｂを含み、第２領域３Ｂは１層以上の単位層を含み、第１領域３Ａの平均残留応力と、第１領域３Ａに接する第１単位層３ｃの平均残留応力とは異なることが好ましい。これによると、ダイヤモンド層全体として圧縮残留応力を有することになるため、工具の使用時に亀裂の進展が抑制され、ダイヤモンド被覆工具の耐摩耗性が向上する。
【００９０】
圧縮残留応力とは、ダイヤモンド層に存する内部応力（固有ひずみ）の一種であって、負の数値（単位：ＧＰａ）で表されるものである。一方、引張残留応力とは、ダイヤモンド層に存する内部応力の一種であって、正の数値（単位：ＧＰａ）で表されるものである。本明細書において、残留応力（０ＧＰａの場合も含む）は、圧縮残留応力及び引張残留応力を含む概念を意味する。
【００９１】
第１領域の平均残留応力σ１は、−３ＧＰａ以上３ＧＰａ以下が好ましく、−２ＧＰａ以上２ＧＰａ以下がより好ましく、−１ＧＰａ以上１ＧＰａ以下が更に好ましい。
【００９２】
第１単位層の平均残留応力σ２は、−３ＧＰａ以上２ＧＰａ以下が好ましく、−２．５ＧＰａ以上１ＧＰａ以下がより好ましく、−２ＧＰａ以上１ＧＰａ以下が更に好ましい。
【００９３】
第１領域の平均残留応力σ１と、第１単位層の平均残留応力σ２との差（σ１−σ２）の絶対値は０．０１以上３以下が好ましく、０．０５以上２以下がより好ましく、０．１以上１．５以下が更に好ましい。これによると、各層間の応力の差により亀裂の進展が抑制されるとともに、各層間での密着力が優れる。
【００９４】
第２領域３Ｂは、２層以上の単位層を含むことができる。この場合、２層以上の単位層は、それぞれ異なる平均残留応力を有することが好ましい。例えば、図１に示されるダイヤモンド被覆工具１では、第１単位層３ｃの平均残留応力σ２と、第２単位層３ｄの平均残留応力σ３とは、異なることが好ましい。これによると、各層間の応力の差により亀裂の進展が抑制されるとともに、各層間での密着力が優れる。
【００９５】
第２領域において、隣り合う単位層を第ｘ単位層、及び、第（ｘ＋１）単位層とした場合、第ｘ単位層の平均残留応力σｘと、第（ｘ＋１）単位層の平均残留応力σ（ｘ＋１）との差（σｘ-σ（ｘ＋１））の絶対値は０．０１以上３以下が好ましく、０．０５以上２以下がより好ましく、０．１以上１．５以下が更に好ましい。これによると、各層間の応力の差により亀裂の進展が抑制されるとともに、各層間での密着力が優れる。
【００９６】
ダイヤモンド層３全体の平均残留応力は、−５ＧＰａ以上５ＧＰａ以下であることが好ましく、−３ＧＰａ以上３ＧＰａ以下がより好ましく、−２ＧＰａ以上２ＧＰａ以下が更に好ましい。残留応力が５ＧＰａを超えるとダイヤモンド層の剛性が不十分となる場合があり、−５ＧＰａ未満ではダイヤモンド層の自己破壊が生じる場合がある。
【００９７】
本明細書において、「平均残留応力」とは、ラマン分光法により測定することができる。以下に測定手法の詳細を示す。
【００９８】
ラマン分光法によりダイヤモンド結晶を分析すると、得られるラマンスペクトル上では１３３２ｃｍ−１付近にシャープなスペクトルが観察される。これはダイヤモンド構造の光学フォノンに由来するピークである。ダイヤモンド結晶に応力等の要因により歪みが生じると、結晶中の結合にも歪みが生じる。するとラマンスペクトルで得られる物質の振動、フォノン散乱も歪みの影響を受け、そのエネルギーを変化させる。ラマンスペクトル上ではこれらの歪みが、ピークのシフトという形で観測することができる。したがって、応力の掛かっていない試料とのピークの差分を測定することで、測定試料の応力を算出することができる。
【００９９】
具体的には、特定の単波長のレーザー光を試料に入射し、試料から散乱されたストークス散乱光を分光器、光電子増倍管にて受けてラマンスペクトルを得ることができる。測定装置としては、例えば、ＨＯＲＩＢＡ  ＪＯＢＩＮ  ＹＶＯＮ社製「ＬａｂＲＡＭ  ＨＲ−８００」を用いることができる。
【０１００】
該測定方法において、断面加工した試料のダイヤモンド膜の表層から基材界面まで、直線的に定点分析をおこない、各点におけるラマンスペクトルを得た後、ダイヤモンドのピークをローレンツ関数にてフィッティングし、そのピーク位置νを得る。次に応力ゼロの標準試料である、ダイヤモンド粉末のラマンスペクトルのピーク位置ν０との差分Δを算出する。さらに得られた差分Δに応力換算係数０．６１７（ＧＰａ／ｃｍ−１）(参考文献：Diamond  and  Related  Materials,  vol.5,  1996,  p.1159-1165)を掛け合わせることで、膜全体の応力を算出することができる。
【０１０１】
上記で用いる光源は、例えば半導体レーザー光源（波長５３２ｎｍ）を用いることができる。またレーザー光源の強度は０．１ｍＷ〜１．０ｍＷ程度が望ましい。
【０１０２】
試料の断面加工はCross  section  polish加工により平滑化されたものが望ましい。これにより、強度が高く、精度の良いラマンスペクトルを得ることができる。
【０１０３】
ダイヤモンド層３は、第１領域３Ａ上に積層される第２領域３Ｂを含み、第２領域３Ｂは１層以上の単位層を含み、第１領域３Ａのｓｐ３強度比Ｉ１と、第１領域３Ａに接する第１単位層３ｃのｓｐ３強度比Ｉ２との比（Ｉ１／Ｉ２）は０．１以上１０以下であることが好ましい。これによると、超硬合金等の高脆材及びＣＦＲＰ（炭素繊維強化プラスチック、carbon  fiber  reinforced  plastic）等の複合材等の幅広い材料に対して、長寿命の工具を得ることができる。前記比（Ｉ１／Ｉ２）は０．１５以上６．５以下がより好ましく、０．２５以上４以下が更に好ましい。
【０１０４】
本明細書において、「ｓｐ３強度比」とは、第１領域、又は、各単位層に含まれる全結合のうち、ｓｐ３結合の占める割合を意味する概念である。第１領域、又は、各単位層に含まれる結合の種類としては、例えば、ダイヤモンド結晶内のｓｐ３結合、及び、粒界に存在するアモルファス炭素のｓｐ２結合が挙げられる。
【０１０５】
「ｓｐ３強度比」は、下記の（ｄ−１）〜（ｄ−３）の手順に従い算出することができる。
【０１０６】
（ｄ−１）ラマン分光分析
第１領域、又は、各単位層について、ＪＩＳ−Ｋ０１３７（２０１０）に準拠したレーザーラマン測定法によってスペクトルを測定する。ラマン分光装置は、ナノフォトン社製「Ｒａｍａｎｔｏｕｃｈ」を用いる。
【０１０７】
（ｄ−２）スペクトルの処理
上記（ｄ−１）で得られたスペクトルに対して、下記のソフトを用いて、多重散乱除去処理を行ない、ピーク分割処理を行う。
【０１０８】
画像処理ソフト：ナノフォトン社製「Ｒａｍａｎｉｍａｇｅｒ」
（ｄ−３）スペクトルの解析
上記（ｄ−２）で得られたピーク分割処理後のスペクトルから、全スペクトルの面積強度に対する、ダイヤモンド構造の光学フォノンにより生じる波数１３３２ｃｍ−１付近のピークの面積強度を算出する。この値が「ｓｐ３強度比」である。ここでｓｐ３強度比は用いるレーザー波長によって大きく変化するため、本明細書では波長５３２ｎｍのレーザー光源を用いて測定した場合の値をｓｐ３強度比と定義する。
【０１０９】
第１領域のｓｐ３強度比Ｉ１は０．００２以上０．０２以下が好ましく、０．００５以上０．０２以下がより好ましく、０．０１以上０．０２以下が更に好ましい。第１単位層のｓｐ３強度比Ｉ２は０．００２以上０．０２以下が好ましく、０．００４以上０．０１５以下がより好ましく、０．００５以上０．０１以下が更に好ましい。これによると、第１領域、及び、第１単位層は、高い硬度を有するとともに、膜質が良好となる。
【０１１０】
第２領域３Ｂは、２層以上の単位層を含むことができる。この場合、２層以上の単位層は、それぞれ異なるｓｐ３強度比を有することが好ましい。例えば、図１に示されるダイヤモンド被覆工具１では、第１単位層３ｃのｓｐ３強度比Ｉ２と、第２単位層３ｄのｓｐ３強度比Ｉ３とは、異なることが好ましい。これによると、亀裂の進展が抑制され、耐摩耗性が向上する。
【０１１１】
第２領域において、隣り合う単位層を第ｘ単位層、及び、第（ｘ＋１）単位層とした場合、第ｘ単位層のｓｐ３強度比Ｉｘと、第（ｘ＋１）単位層のｓｐ３強度比Ｉ（ｘ＋１）との比（Ｉｘ／Ｉ（ｘ＋１））は０．１以上１０以下が好ましく、０．１５以上６．５以下がより好ましく、０．２５以上４以下が更に好ましい。これによると、亀裂の進展が抑制され、耐摩耗性が向上する。
【０１１２】
第１領域の厚みは、０．１μｍ以上２０μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以上１５μｍ以下がより好ましく、０．５μｍ以上１０μｍ以下が更に好ましい。これによると、基材とダイヤモンドとの密着性、及び、クラックの進展の抑制効果が非常に良好となる。
【０１１３】
第２領域の厚みは、０．１μｍ以上２０μｍ以下が好ましく、０．２μｍ以上１５μｍ以下がより好ましく、０．２μｍ以上１０μｍ以下が更に好ましい。これによると、基材とダイヤモンドとの密着性、及び、クラックの進展の抑制効果が非常に良好となる。
【０１１４】
本明細書において、「厚み」とは、ダイヤモンド被覆工具の基材とダイヤモンド層との界面Ｐの法線と平行な断面において、該法線と平行な方向の長さを意味する。厚みは、膜断面ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）観察像によって測定することができる。
【０１１５】
第２領域に含まれる各単位層の厚みは、０．１μｍ以上２０μｍ以下が好ましく、０．１μｍ以上１０μｍ以下がより好ましく、０．２μｍ以上５μｍ以下が更に好ましい。
【０１１６】
第２領域に含まれる単位層は、それぞれ柱状結晶を含むことが好ましい。これによると、ダイヤモンド膜の結晶成長軸に垂直方向に進展する亀裂が抑制される。
【０１１７】
各単位層は、その全体が柱状結晶領域のみから構成されてもよく、柱状結晶領域の他、他の結晶領域を有していてもよい。各単位層中の柱状結晶領域の割合は、５０体積％以上が好ましく、７０体積％以上がより好ましく、９０体積％以上が更に好ましい。
【０１１８】
本明細書において、柱状結晶とは、界面Ｐの面方向（図１中の左右方向）よりも、界面Ｐの法線方向（図１中の上下方向）に近似した方向、換言すれば、ダイヤモンド層の厚み方向への成長が大きい結晶を意味する。このような柱状結晶は、たとえば幅（径）ｗが５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、成長方向に関する長さｌが１０００ｎｍ以上１００００ｎｍ以下の形状を有する。柱状結晶領域とは、前記の柱状結晶で構成される領域を意味する。
【０１１９】
本明細書において、各単位層の「柱状結晶領域の割合」は、下記の（ｅ−１）〜（ｅ−５）の手順に従い算出することができる。
【０１２０】
（ｅ−１）測定視野の決定
ダイヤモンド被覆工具からダイヤモンドソーブレードを用いて測定試料を切り出し樹脂に埋め込み、断面をＣｒｏｓｓ  ｓｅｃｔｉｏｎ  ｐｏｌｉｓｈ加工（以下、「ＣＰ加工」とも記す。）を行う。該断面は、基材とダイヤモンド層との界面Ｐの法線と平行となるように、上記の切り出し及びＣＰ加工を行う。
【０１２１】
該断面において、各単位層内で、幅（界面Ｐに平行な方向）６μｍ、かつ、各単位層の高さ（界面Ｐに垂直な方向）を全て含む高さ（界面Ｐに垂直な方向）の矩形の測定視野を無作為に５箇所選択する。
【０１２２】
（ｅ−２）測定視野の撮像
下記の機器を用いて、下記の条件で、各測定視野を撮像する。
【０１２３】
走査透過電子顕微鏡：日本電子社製「ＪＥＭ−２１００Ｆ／Ｃｓ」
撮像条件：２００００倍、明視野像。
【０１２４】
（ｅ−３）撮像された画像の処理
上記（ｅ−２）で撮像された画像に対して、下記の画像処理ソフトを用いて、下記の手順に従い画像処理を施す。
【０１２５】
画像処理ソフト：三谷商事社製「Ｗｉｎｒｏｏｆ」
各単位層の結晶粒の粒界が明確になるようコントラストを調整し、幅（径）ｗが５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、成長方向に関する長さｌが１０００ｎｍ以上１００００ｎｍ以下の結晶粒の領域（柱状結晶領域）を線で区切る。
【０１２６】
（ｅ−４）画像の解析
上記（ｅ−３）で得られた画像から、区切られた領域（柱状結晶領域）の面積を算出する。
【０１２７】
（ｅ−５）各単位層の柱状結晶領域の割合の算出
５箇所の測定視野のそれぞれにおいて、測定視野中の各単位層の全体面積に占める、(ｅ−４)で区切られた領域の面積比率（以下、「柱状結晶の面積比率」とも記す。）を測定する。５箇所の測定視野における、「柱状結晶の面積比率」の平均値を算出する。該平均値を「柱状結晶領域の割合」とする。
【０１２８】
＜基材＞
本開示のダイヤモンド被覆工具の基材としては、公知の硬質粒子を含む基材を使用することができる。例えば、超硬合金（たとえばＷＣ基超硬合金、ＷＣの他、Ｃｏを含み、あるいはさらにＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ等の炭窒化物等を添加したものも含む）、サーメット（ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＴｉＣＮ等を主成分とするもの）、高速度鋼、工具鋼、セラミックス（炭化チタン、炭化硅素、窒化硅素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、及びこれらの混合体等）、立方晶型窒化硼素焼結体、ダイヤモンド焼結体等をこのような基材の例として挙げることができる。
【０１２９】
本実施形態の基材２としては、超硬合金を用いることが好ましい。これによると、ダイヤモンド層の残留応力を上記の範囲に制御することが容易となる。
【０１３０】
基材２は、体積平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下の硬質粒子を含むことが好ましい。これによると、基材２とダイヤモンド層３との密着力が向上する。硬質粒子の体積平均粒子径は０．１μｍ以上５μｍ以下がより好ましく、０．２μｍ以上３μｍ以下が更に好ましい。
【０１３１】
硬質粒子の体積平均粒子径の測定方法は、上記の第１領域３Ａに含まれるダイヤモンド粒子の体積平均粒子径ｒ１の算出方法と基本的に同一である。異なる点は、測定視野を、幅（界面Ｐに平行な方向）６μｍ、かつ、その高さが基材の界面Ｐに垂直な方向の高さを全て含む、矩形の測定視野を１箇所設定し、ダイヤモンド粒子の代わりに硬質粒子の外接円相当径（粒子径）を測定する点である。該測定視野は、その高さが、基材の高さを全て含む位置に設定される。測定視野中の全ての硬質粒子の外接円相当径（粒子径）を測定し、これらの値に基づき体積平均粒子径を算出する。
【０１３２】
基材２における硬質粒子の体積分率は、８５体積％以上９９体積％以下が好ましく、９０体積％以上９７体積％以下がより好ましく、９２体積％以上９６体積％以下が更に好ましい。
【０１３３】
基材２は、その表面の算術平均粗さＳａが０．１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。上記「表面」とは、ダイヤモンド層で被覆される表面をいい、ダイヤモンド層との界面となる部分をいう。これによると、基材とダイヤモンド層との密着力が向上し、工具寿命が長くなる。算術平均粗さＳａは０．１μｍ以上８μｍ以下がより好ましく、０．１μｍ以上７μｍ以下が更に好ましい。
【０１３４】
算術平均粗さＳａは、ＩＳＯ２５１７８に基づき測定される値である。測定装置は、光学式のレーザー顕微鏡（オリンパス社製、「ＬＥＸＴ  ＯＬＳ３５００」（製品名）、レーザー波長４０８ｎｍ、水平方向の空間分解能１２０ｎｍ、高さ分解能１０ｎｍ）を用いる。
【０１３５】
基材２は、ダイヤモンド層３を被覆した状態において、基材２とダイヤモンド層３との界面Ｐと、前記界面Ｐからの距離が１μｍである仮想面Ｖ２（仮想面Ｖ２は、基材２内に位置する。）とに囲まれる領域Ｓ３（図１において符号１３に該当）において、Ｃｏ（コバルト）元素の含有率（以下、「基材表面のＣｏ含有率」とも示す。）が０．０１質量％以上４質量％以下であることが好ましい。これによると、基材とダイヤモンド層との密着力が向上する。基材の領域Ｓ３におけるＣｏの含有率は０．０１質量％以上３．５質量％以下がより好ましく、０．０１質量％以上３質量％以下が更に好ましい。
【０１３６】
基材の領域Ｓ３におけるＣｏの含有率は、エネルギー分散型Ｘ線分析（Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ；ＥＤＸ）により測定する。具体的にはダイヤモンド被覆工具からダイヤモンドソーブレード等を用いて測定試料を切り出し樹脂に埋め込み、断面をＣｒｏｓｓ  ｓｅｃｔｉｏｎ  ｐｏｌｉｓｈ加工（以下、「ＣＰ加工」とも記す。）を行う。該断面は、基材とダイヤモンド層との界面Ｐの法線と平行となるように、上記の切り出し及びＣＰ加工を行う。
【０１３７】
該断面において、領域Ｓ３内で、幅（界面Ｐに平行な方向）６μｍ×高さ（界面Ｐに垂直な方向）５μｍの矩形の測定視野を無作為に１箇所選択し、Ｃｏの含有率（質量％）を測定する。該測定視野は、その高さが、領域Ｓ３の高さ（界面Ｐに垂直な方向、１μｍ）を全て含む位置に設定される。ＥＤＸ装置は、日本電子株式会社製の「ＳＤ１００ＧＶ」を用いる。
【０１３８】
＜ダイヤモンド被覆工具の製造方法＞
本実施形態に係るダイヤモンド被覆工具の製造方法は、特に限定されるものではない。ダイヤモンド被覆工具の製造方法は、例えば、基材を準備する工程（以下、「基材準備工程」とも記す。）と、該基材上にダイヤモンド層を化学気相成長法により形成してダイヤモンド被覆工具を得る工程（以下、「ダイヤモンド層形成工程」とも記す。）とを備えることができる。
【０１３９】
（基材準備工程）
基材としては、上述の実施形態の基材を準備する。基材には、サンドブラスト処理やエッチング処理等の表面処理を施すことが好ましい。これにより、基材表面の酸化膜や汚染物質が除去される。更に、基材の表面粗さが増大することにより、基材とダイヤモンド層との密着力が向上する。
【０１４０】
サンドブラスト処理は、例えば、粒径３０μｍのＳｉＣを噴射圧力０．１５〜０．３５ＭＰａにて基材へ投射することにより行うことができる。
【０１４１】
エッチング処理は、例えば、３０％硝酸による酸溶液処理及び村上試薬によるアルカリ処理を行う。
【０１４２】
（ダイヤモンド層形成工程）
基材準備工程で得られた基材の表面に、ダイヤモンド粉末（ダイヤモンド種結晶）を塗布して種付け処理を行う。この際、ダイヤモンド種結晶同士の間隔は、０．１μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、０．１μｍ以上５μｍ以下がより好ましい。
【０１４３】
次に、基材のダイヤモンド種結晶が種付けされた側の表面上に、ダイヤモンド層をＣＶＤ法により形成してダイヤモンド被覆工具を得ることができる。ＣＶＤ法は、従来公知のＣＶＤ法を用いることができる。例えば、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、プラズマジェットＣＶＤ法、熱フィラメントＣＶＤ法等を用いることができる。
【０１４４】
第１領域は、例えば、熱フィラメントＣＶＤ装置内に基板を配置し、装置内にメタンガスと水素ガスとを体積基準で０．５：９９．５〜１０：９０の混合割合で導入し、基板温度を７００℃以上９００℃以下に維持して形成することができる。
【０１４５】
第２領域は、例えば、熱フィラメントＣＶＤ装置内に基板を配置し、装置内にメタンガスと水素ガスとを体積基準で０．０１：９９．９９〜１０：９０の混合割合で導入し、基板温度を７００℃以上９００℃以下に維持して形成することができる。
【０１４６】
第２領域が２層以上の単位層を含む場合は、各単位層ごとに、上記のメタンガスと水素ガスとの混合割合、及び、基板温度を調整する。
【０１４７】
＜用途＞
本実施形態に係るダイヤモンド被覆工具は、例えば、刃先交換型切削チップ、バイト、カッタ、ドリル、エンドミル等の切削工具、及び、ダイス、曲げダイ、絞りダイス、ボンディングツール等の耐磨工具として有用に用いることができる。
【実施例】
【０１４８】
本実施の形態を実施例によりさらに具体的に説明する。ただし、これらの実施例により本実施の形態が限定されるものではない。【０１４９】
［試料１〜試料８］
（基材準備工程）
ダイヤモンド被覆工具の基材として、材質がＷＣ−６％Ｃｏ（超硬合金）であって、形状がドリル形状（ドリル径６.３８ｍｍ、芯厚２ｍｍ、刃長１５ｍｍ、２枚刃）のドリルを用いた。基材を構成するＷＣ粒子の体積平均粒子径は表１の「基材」の「粒子径」の項に示される通りである。【０１５０】
基材の表面に対しサンドブラスト処理を行なった。噴射圧力は０．１５〜０．３５ＭＰａ、投射時間は１０〜３０秒とした。その後、基材を３０質量％の硝酸への浸漬と村上試薬への浸漬により基材エッチングを行った。【０１５１】
（基材の測定）
上記の表面処理された基材の表面の算術平均粗さＳａをＩＳＯ２５１７８に基づき測定した。具体的な測定方法は、上記の実施の形態に示される通りであるため、その説明は繰り返さない。結果を表１の「基材」の「Ｓａ」の項に示す。【０１５２】
【表１】
2020008722.tif 000003
【０１５３】
（ダイヤモンド層形成工程）
上記の表面処理された基材の表面にダイヤモンド粉末を塗布して、種付け処理を行なった。種付け処理は平均粒径５μｍのダイヤモンド粉末を基材表面に擦りつけた後、基材をエタノール中で洗浄し乾燥させることにより行なった。【０１５４】
上記種付け処理が行なわれた基材を、公知の熱フィラメントＣＶＤ装置内にセットし、ダイヤモンド層を形成してダイヤモンド被覆工具を得た。【０１５５】
成膜時の圧力はガス流量及び圧力調整機構により５×１０３Ｐａに維持した。フィラメント温度は１９００〜２０００℃に設定した。成膜時間は、第１領域は７．５〜２４時間、第１単位層は４．５〜２５時間、第２単位層は４〜１３時間とした。【０１５６】
各試料における第１領域、第１単位層、及び、第２単位層の形成工程における、導入ガス（メタンガス、水素ガス）の組成、基板温度、及び、成膜時間を、それぞれ、表２の「導入ガス」、「基板温度」、「成膜時間」の項に示す。【０１５７】
【表２】
2020008722.tif 000004
【０１５８】
（基材のＣｏ含有率）
ダイヤモンド被覆工具において、基材の領域Ｓ３におけるＣｏ含有率をエネルギー分散型Ｘ線分析により測定した。具体的な測定方法は、上記の実施の形態に示される通りであるため、その説明は繰り返さない。結果を表１の「基材」の「Ｃｏ含有率」の項に示す。【０１５９】
（ダイヤモンド層の測定）
得られたダイヤモンド被覆工具の第１領域中の領域Ｓ１において、「ランダム成長結晶粒の面積比率」の平均値を算出した。具体的な算出方法は、上記の実施の形態に示される通りであるため、その説明は繰り返さない。５箇所の測定視野における「ランダム成長結晶粒の面積比率」の平均値を、表１の「ランダム成長結晶粒の面積比率」の項に示す。【０１６０】
得られたダイヤモンド被覆工具の第１領域、第１単位層、及び、第２単位層のそれぞれに含まれるダイヤモンド粒子の体積平均粒子径を算出した。具体的な算出方法は、上記の実施の形態に示される通りであるため、その説明は繰り返さない。結果を表１の「ｒ１」、「ｒ２」、「ｒ３」の項に示す。【０１６１】
得られたダイヤモンド被覆工具の第１領域、第１単位層、及び、第２単位層のそれぞれの平均残留応力をラマン分光法により測定した。具体的な測定方法は、上記の実施の形態に示される通りであるため、その説明は繰り返さない。結果を表１の「σ１」、「σ２」、「σ３」の項に示す。【０１６２】
得られたダイヤモンド被覆工具の第１領域、第１単位層、及び、第２単位層のそれぞれのｓｐ３強度比を測定した。具体的な測定方法は、上記の実施の形態のに示される通りであるため、その説明は繰り返さない。結果を表１の「Ｉ１」、「Ｉ２」、「Ｉ３」の項に示す。【０１６３】
得られたダイヤモンド被覆工具の第１領域、第１単位層、及び、第２単位層のそれぞれの厚みを膜断面ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）観察像により測定した。結果を表１の「厚み」の項に示す。【０１６４】
得られたダイヤモンド被覆工具の第１単位層、及び、第２単位層のそれぞれにおいて、柱状結晶領域の割合を測定した。具体的な測定方法は、上記の実施の形態に示される通りであるため、その説明は繰り返さない。結果を表１の「柱状結晶領域の割合」の項に示す。【０１６５】
（切削試験）
得られたダイヤモンド被覆工具を用いてＣＦＲＰ板（板厚１２．７ｍｍ）を下記の条件で加工した。加工時に発生したデラミネーション（層間剥離）の大きさが０．６ｍｍに到達するまでに加工できる穴数を工具寿命とした。穴数が多いほど、工具寿命が長いことを示す。結果を表１の「工具寿命」の項に示す。【０１６６】
（切削条件）
加工速度Ｓ：１２０ｍ／ｍｉｎ.
送りｆ：０．１ｍｍ／ｒｅｖ。【０１６７】
（考察）
試料２〜試料８は、実施例に該当する。試料１は比較例に該当する。試料２〜試料８（実施例）は、工具寿命が試料１（比較例）に対して約２倍以上の寿命となった。すなわち、試料２〜試料８は、難削材の高能率加工においても、長い工具寿命を有することが確認された。【０１６８】
この理由は、試料２〜試料８は、（１）基材界面におけるダイヤモンド膜の密着力が高いため、基材からの剥離が抑制されていること、及び、（２）ダイヤモンド膜の耐摩耗性が高く、亀裂の進展が抑制されているため、ダイヤモンド膜の摩耗が遅いこと、の上記２点によって刃先が丸まらず切れ味が維持されたためと考えられる。【０１６９】
試料２（実施例）のダイヤモンド被覆工具の断面の透過電子顕微鏡写真を図２に示す。図２から、試料２（実施例）のダイヤモンド層は、領域Ｓ１において、結晶粒の結晶成長方向がランダムであることが分かる。【０１７０】
試料１は、比較例に該当し、工具寿命が６００穴と実施例に対して約０．５倍以下の寿命であった。これは（１）基材界面における密着力が低いため、切削試験の開始後、すぐにダイヤモンド膜が剥離してしまうこと、及び、（２）ダイヤモンド膜の耐摩耗性が低く、すぐに膜が摩耗してしまうこと、の上記２点によって刃先の基材が、切削試験の開始後、すぐに露出し、基材が摩耗することによって刃先が丸まり切れ味を維持できなくなったためと考えられる。【０１７１】
試料１（比較例）のダイヤモンド被覆工具の断面の透過電子顕微鏡写真を図６に示す。図６から、試料１（比較例）のダイヤモンド層は、領域Ｓ１において、結晶粒の結晶成長方向がランダムではなく厚み方向に揃っており、領域Ｓ１が柱状結晶から構成されていることが分かる。【０１７２】
以上のように本発明の実施の形態及び実施例について説明を行なったが、上述の各実施の形態及び実施例の構成を適宜組み合わせたり、様々に変形することも当初から予定している。【０１７３】
今回開示された実施の形態及び実施例はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態及び実施例ではなく請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味、及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１７４】
１  ダイヤモンド被覆工具、２  基材、３  ダイヤモンド層、３Ａ  第１領域、３Ｂ  第２領域、３ｃ  第１単位層、３ｄ  第２単位層、１１  領域Ｓ１、１２  領域Ｓ２、１３  領域Ｓ３、Ｐ  界面、Ｑ  上面、Ｖ１  仮想面、Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３  第１基準線、Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４，Ｅ５，Ｅ６  第２基準線、Ｆ１，Ｆ２  測定視野の枠線。
【図１】
2020008722.tif 000005
【図２】
2020008722.tif 000006
【図３】
2020008722.tif 000007
【図４】
2020008722.tif 000008
【図５】
2020008722.tif 000009
【図６】
2020008722.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月6日(2019.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、前記基材を被覆するダイヤモンド層とを備えるダイヤモンド被覆工具であって、
前記ダイヤモンド層は、前記基材に接する第１領域を含み、
前記第１領域は、前記基材と前記ダイヤモンド層との界面Ｐと、前記界面Ｐからの距離が２μｍである仮想面Ｖ１と、に囲まれる領域Ｓ１を含み、
前記領域Ｓ１は、ランダムな方向に結晶成長した結晶粒を有する、ダイヤモンド被覆工具。
【請求項２】
前記第１領域は、体積平均粒子径ｒ１が０．１μｍ以上２μｍ以下のダイヤモンド粒子を含む、請求項１に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項３】
前記ダイヤモンド層は、前記第１領域上に積層される第２領域を含み、
前記第２領域は１層以上の単位層を含み、
前記単位層のうち、前記第１領域に接する層は第１単位層であり、
前記ｒ１と、前記第１単位層に含まれるダイヤモンド粒子の体積平均粒子径ｒ２との比（ｒ１／ｒ２）は０．０５以上２０以下である、請求項２に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項４】
前記ダイヤモンド層は、前記第１領域上に積層される第２領域を含み、
前記第２領域は１層以上の単位層を含み、
前記第１領域の平均残留応力σ１と、前記第１領域に接する第１単位層の平均残留応力σ２とは異なる、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項５】
前記ダイヤモンド層は、前記第１領域上に積層される第２領域を含み、
前記第２領域は１層以上の単位層を含み、
前記第１領域のｓｐ３強度比Ｉ１と、前記第１領域に接する第１単位層のｓｐ３強度比Ｉ２との比（Ｉ１／Ｉ２）は０．１以上１０以下である、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項６】
前記第２領域は、２層以上の前記単位層を含み、
前記２層以上の単位層は、それぞれ異なる体積平均粒子径を有するダイヤモンド粒子を含む、請求項３〜請求項５のいずれか１項に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項７】
前記第２領域は、２層以上の前記単位層を含み、
前記２層以上の単位層は、それぞれ異なる平均残留応力を有する、請求項３〜請求項６のいずれか１項に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項８】
前記第２領域は、２層以上の前記単位層を含み、
前記２層以上の単位層は、それぞれ異なるｓｐ３強度比を有する、請求項３〜請求項７のいずれか１項に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項９】
前記単位層は、柱状結晶を含む、請求項３〜請求項８のいずれか１項に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項１０】
前記基材は、体積平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下の硬質粒子を含む、請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項１１】
前記基材は、表面の算術平均粗さＳａが０．１μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項１２】
前記基材は、前記界面Ｐと、前記界面Ｐからの距離が１μｍである仮想面Ｖ２とに囲まれる領域Ｓ３において、Ｃｏの含有率が０．０１質量％以上４質量％以下である、請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載のダイヤモンド被覆工具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（５）前記ダイヤモンド層は、前記第１領域上に積層される第２領域を含み、
前記第２領域は１層以上の単位層を含み、
前記第１領域のｓｐ３強度比Ｉ１と、前記第１領域に接する第１単位層のｓｐ３強度比Ｉ２との比（Ｉ１／Ｉ２）は０．１以上１０以下であることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（６）前記第２領域は、２層以上の前記単位層を含み、前記２層以上の単位層は、それぞれ異なる体積平均結晶粒径を有するダイヤモンド粒子を含むことが好ましい。これによると、亀裂の進展が抑制される。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月18日(2020.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、前記基材を被覆するダイヤモンド層とを備えるダイヤモンド被覆工具であって
、
前記ダイヤモンド層は、前記基材に接する第１領域を含み、
前記第１領域は、前記基材と前記ダイヤモンド層との界面Ｐと、前記界面Ｐからの距離が２μｍである仮想面Ｖ１と、に囲まれる領域Ｓ１を含み、
前記界面Ｐの法線と平行な断面において、前記界面Ｐに平行な方向の長さが６μｍかつ前記界面Ｐに垂直な方向の長さが５μｍの矩形であって、前記領域Ｓ１の前記界面Ｐに垂直な方向の長さを全てを含む測定視野を５箇所設定し、各測定視野において、前記領域Ｓ１の全面積に占める、ランダム成長結晶粒の面積比率を算出し、前記５箇所の測定視野における前記ランダム成長結晶粒の面積比率の平均値を求めた場合、前記平均値は２０％以上であり、
前記ランダム成長結晶粒は、前記測定視野の走査型電子顕微鏡写真において、前記領域Ｓ１内で、前記界面Ｐに対して結晶成長の方向が９０°である結晶粒上に第１基準線を引き、前記第１基準線に対して結晶成長の方向が４５°である結晶粒上に第２基準線を引いた場合、前記領域Ｓ１において、前記第２基準線上及び前記第２基準線よりも前記界面Ｐ側に位置する領域として特定される、ダイヤモンド被覆工具。
【請求項２】
前記第１領域は、体積平均粒子径ｒ１が０．１μｍ以上２μｍ以下のダイヤモンド粒子を含む、請求項１に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項３】
前記ダイヤモンド層は、前記第１領域上に積層される第２領域を含み、
前記第２領域は１層以上の単位層を含み、
前記単位層のうち、前記第１領域に接する層は第１単位層であり、
前記ｒ１と、前記第１単位層に含まれるダイヤモンド粒子の体積平均粒子径ｒ２との比（ｒ１／ｒ２）は０．０５以上２０以下である、請求項２に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項４】
前記ダイヤモンド層は、前記第１領域上に積層される第２領域を含み、
前記第２領域は１層以上の単位層を含み、
前記第１領域の平均残留応力σ１と、前記第１領域に接する第１単位層の平均残留応力σ２とは異なる、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項５】
前記ダイヤモンド層は、前記第１領域上に積層される第２領域を含み、
前記第２領域は１層以上の単位層を含み、
前記第１領域のｓｐ３強度比Ｉ１と、前記第１領域に接する第１単位層のｓｐ３強度比Ｉ２との比（Ｉ１／Ｉ２）は０．１以上１０以下である、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項６】
前記第２領域は、２層以上の前記単位層を含み、
前記２層以上の単位層は、それぞれ異なる体積平均粒子径を有するダイヤモンド粒子を含む、請求項３〜請求項５のいずれか１項に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項７】
前記第２領域は、２層以上の前記単位層を含み、
前記２層以上の単位層は、それぞれ異なる平均残留応力を有する、請求項３〜請求項６のいずれか１項に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項８】
前記第２領域は、２層以上の前記単位層を含み、
前記２層以上の単位層は、それぞれ異なるｓｐ３強度比を有する、請求項３〜請求項７のいずれか１項に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項９】
前記単位層は、柱状結晶を含む、請求項３〜請求項８のいずれか１項に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項１０】
前記基材は、体積平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下の硬質粒子を含む、請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項１１】
前記基材は、表面の算術平均粗さＳａが０．１μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載のダイヤモンド被覆工具。
【請求項１２】
前記基材は、前記界面Ｐと、前記界面Ｐからの距離が１μｍである仮想面Ｖ２とに囲まれる領域Ｓ３において、Ｃｏの含有率が０．０１質量％以上４質量％以下である、請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載のダイヤモンド被覆工具。
【国際調査報告】
2020008722.tif 000011
2020008722.tif 000012
2020008722.tif 000013