(57)【要約】  本開示は、回折光の高次光が画質に及ぼす悪影響を抑制することができるようにする固体撮像素子、製造方法、および電子機器に関する。複数の画素が配置された画素領域が形成された半導体基板に対して、画素領域との間に空隙が設けられないようにガラス板材が接合され、画素ごとに配置されるオンチップレンズの表面に成膜される低反射膜とガラス板材との間の樹脂層に、ガラス基板よりも低屈折率な低屈折率層が配置される。低屈折率層は、画素のピッチよりも小さな直径の複数の微細空孔からなる空孔層と、複数の微細空孔を中空として閉塞するように成膜される膜とにより形成される。本技術は、例えば、キャビティレス構造の撮像素子チップに適用できる。
2019069733.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が配置された画素領域が形成された半導体基板と、
前記画素領域との間に空隙が設けられないように前記半導体基板に対して接合されるガラス板材と、
前記画素ごとに配置されるオンチップレンズの表面に成膜される低反射膜と前記ガラス板材との間の樹脂層に配置され、前記ガラス板材よりも低屈折率な低屈折率層と
を備える固体撮像素子。
【請求項２】
前記低屈折率層は、
前記低反射膜に積層するように、前記半導体基板を有するセンサ基板と前記ガラス板材を有するガラス基板との接合面から前記ガラス板材までの間隔未満の厚みの樹脂層を形成し、その樹脂層の表面に形成される、前記画素のピッチよりも小さな直径の複数の微細空孔からなる空孔層と、
複数の前記微細空孔を中空として閉塞するように成膜される膜と
により形成される
請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記低屈折率層は、前記ガラス板材よりも低屈折率な樹脂層により構成される
請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記低屈折率層は、１０μｍから１５μｍの厚みで形成される
請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記低屈折率層は、前記半導体基板を平面的に見たとき前記画素領域内にのみ形成される
請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項６】
前記低屈折率層は、前記ガラス板材に接するように配置される
請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項７】
前記低屈折率層は、前記半導体基板を有するセンサ基板と前記ガラス板材を有するガラス基板との接合面に接するように配置される
請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項８】
複数の画素が配置された画素領域が形成された半導体基板と、前記画素領域との間に空隙が設けられないように前記半導体基板に対して接合されるガラス板材と、前記画素ごとに配置されるオンチップレンズの表面に成膜される低反射膜と前記ガラス板材との間の樹脂層に配置され、前記ガラス板材よりも低屈折率な低屈折率層とを備える固体撮像素子の製造方法であって、
前記低屈折率層を、
前記低反射膜に積層するように、前記半導体基板を有するセンサ基板と前記ガラス板材を有するガラス基板との接合面から前記ガラス板材までの間隔未満の厚みの樹脂層を形成し、その樹脂層の表面に、前記画素のピッチよりも小さな直径の複数の微細空孔からなる空孔層を形成することと
複数の前記微細空孔を中空として閉塞するように膜を成膜することと
を含んで形成する製造方法。
【請求項９】
複数の画素が配置された画素領域が形成された半導体基板と、
前記画素領域との間に空隙が設けられないように前記半導体基板に対して接合されるガラス板材と、
前記画素ごとに配置されるオンチップレンズの表面に成膜される低反射膜と前記ガラス板材との間の樹脂層に配置され、前記ガラス板材よりも低屈折率な低屈折率層と
を有する固体撮像素子を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、固体撮像素子、製造方法、および電子機器に関し、特に、回折光の高次光が画質に及ぼす悪影響を抑制することができるようにした固体撮像素子、製造方法、および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、固体撮像素子において、複数の画素が配置された画素領域を封止するために半導体基板に対してガラス基板を接合する構造として、半導体基板とガラス基板との間に空隙が設けられるキャビティ構造、または、その空隙が設けられないキャビティレス構造が採用されている。【０００３】
例えば、キャビティ構造の固体撮像素子では、半導体基板の表面で反射してガラス基板に入射した回折光の高次光は、ガラス基板の表面および裏面で全反射することにより、画素領域に戻ることが回避されていた。【０００４】
これに対し、キャビティレス構造の固体撮像素子では、半導体基板の表面で反射して、ガラス基板に入射した回折光の高次光が、ガラス基板の表面で全反射した後に裏面で全反射することなく、画素領域に戻ってしまうことがあった。即ち、キャビティレス構造では、半導体基板とガラス基板との間に、ガラス基板と同程度の屈折率（1.51）の樹脂が埋め込まれており、半導体表面での反射光は、高屈折な媒質から空気（低屈折率媒質）へと出る形となるため、臨界角以上となると全反射を起こす。これが画素領域に戻り、回折光の高次光が、リング状のフレアとなって画質に悪影響を及ぼすことがあった。【０００５】
そこで、特許文献１および２に開示されているように、斜めに入射する光の入射角度に応じてカットオフ波長を短波長側にシフトさせる制御膜によって、フレア光の発生を抑制する撮像装置が開発されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２−１７５４６１号公報
【特許文献２】特開２０１３−４１９４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
また、従来、フレア光の発生を抑制するために、例えば、半導体基板面における反射を抑制する技術として、半導体基板面へのＡＲ（Anti-Reflection）コートによる反射防止構造が用いられることがある。しかしながら、半導体基板面よりも上方のカラーフィルタ面やオプティカルブラック面からの反射に対しては、抑制効果を発揮することができない構造であるため、その反射による回折光の高次光が画質に悪影響を及ぼすことがあった。【０００８】
本開示は、このような状況に鑑みてなされたものであり、回折光の高次光が画質に及ぼす悪影響を抑制することができるようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示の一側面の固体撮像素子は、複数の画素が配置された画素領域が形成された半導体基板と、前記画素領域との間に空隙が設けられないように前記半導体基板に対して接合されるガラス板材と、前記画素ごとに配置されるオンチップレンズの表面に成膜される低反射膜と前記ガラス板材との間の樹脂層に配置され、前記ガラス基板よりも低屈折率な低屈折率層とを備える。【００１０】
本開示の一側面の製造方法は、複数の画素が配置された画素領域が形成された半導体基板と、前記画素領域との間に空隙が設けられないように前記半導体基板に対して接合されるガラス板材と、前記画素ごとに配置されるオンチップレンズの表面に成膜される低反射膜と前記ガラス板材との間の樹脂層に配置され、前記ガラス基板よりも低屈折率な低屈折率層とを備える固体撮像素子の製造方法であって、前記低屈折率層を、前記低反射膜に積層するように、前記半導体基板を有するセンサ基板と前記ガラス板材を有するガラス基板との接合面から前記ガラス板材までの間隔未満の厚みの樹脂層を形成し、その樹脂層の表面に、前記画素のピッチよりも小さな直径の複数の微細空孔からなる空孔層を形成することと、複数の前記微細空孔を中空として閉塞するように膜を成膜することとを含んで形成する。【００１１】
本開示の一側面の電子機器は、複数の画素が配置された画素領域が形成された半導体基板と、前記画素領域との間に空隙が設けられないように前記半導体基板に対して接合されるガラス板材と、前記画素ごとに配置されるオンチップレンズの表面に成膜される低反射膜と前記ガラス板材との間の樹脂層に配置され、前記ガラス基板よりも低屈折率な低屈折率層とを有する固体撮像素子を備える。【００１２】
本開示の一側面においては、ガラス板材が、複数の画素が配置された画素領域が形成された半導体基板に対して、有効画素領域との間に空隙が設けられないように接合され、画素ごとに配置されるオンチップレンズの表面に成膜される低反射膜とガラス板材との間の樹脂層に、ガラス基板よりも低屈折率な低屈折率層が配置される。
【発明の効果】
【００１３】
本開示の一側面によれば、回折光の高次光が画質に及ぼす悪影響を抑制することができる。【００１４】
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本技術を適用した撮像素子チップの第１の実施の形態の構成例を示す断面図である。
【図２】セルサイズと、波長および回折角との関係を説明する図である。
【図３】入射角と振幅反射係数の関係を説明する図である。
【図４】撮像素子チップの製造方法を説明する図である。
【図５】疑似低屈折率層の形成領域を説明する図である。
【図６】撮像素子チップの第２および第３の構成例を示す断面図である。
【図７】撮像装置の構成例を示すブロック図である。
【図８】イメージセンサを使用する使用例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本技術を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１７】
＜撮像素子チップの第１の構成例＞
図１は、本技術を適用した撮像素子チップの第１の実施の形態の構成例を示す図である。
【００１８】
図１に示すように、撮像素子チップ１１は、センサ基板１２との間に空隙が生じないようにガラス基板１３が接合されて構成されたキャビティレス型のWLCSP（Wafer Level Chip Size Package）構造となっている。このような構造の撮像素子チップ１１は、樹脂を埋め込むことによって応力を均一化することができ、光学設計によりガラスや、樹脂、集光などの構造の最適化を図ることができることより、画素サイズやチップサイズの変更にもロバストな構成となっている。
【００１９】
センサ基板１２は、複数の有効画素がアレイ状に配置された有効画素領域１４が形成された半導体基板２１に、半導体基板２１をガラス基板１３に接合するためのガラスシール樹脂２２が積層されて構成される。ガラス基板１３は、センサ基板１２の有効画素領域１４を封止するためのガラス板材３１に、ガラス板材３１を半導体基板２１に接合するためのガラスシール樹脂３２が積層されて構成される。
【００２０】
また、撮像素子チップ１１は、半導体基板２１およびガラス板材３１の間に、図１の下側に示すように、多くの層が積層された構造となっている。なお、図１の破線は、センサ基板１２およびガラス基板１３の接合面を示している。
【００２１】
即ち、センサ基板１２は、半導体基板２１側から順に、カラーフィルタ層２３、オンチップレンズ層２４、低反射膜２５、およびガラスシール樹脂２２が積層されて構成される。また、ガラス基板１３は、センサ基板１２との接合面側から順に、ガラスシール樹脂３２、疑似低屈折率層３４、ガラスシール樹脂３３が積層されて構成される。
【００２２】
カラーフィルタ層２３は、有効画素領域１４の画素ごとに、それぞれの画素が受光する色の光を透過するフィルタ（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が配置される層である。オンチップレンズ層２４は、有効画素領域１４の画素ごとに、入射する光を集光する小型のレンズが配置される層である。低反射膜２５は、オンチップレンズ層２４の表面における反射を抑制するために成膜される。
【００２３】
ガラスシール樹脂３３は、ガラスシール樹脂２２および３２と同様に、半導体基板２１とガラス基板１３とを接合するために用いられる。
【００２４】
疑似低屈折率層３４は、オンチップレンズ層２４の表面に成膜される低反射膜２５とガラス板材３１との間にあるガラスシール樹脂３２および３３に挟まれるように配置され、ガラス板材３１よりも低屈折率（屈折率：1.51未満）となるように形成される。例えば、疑似低屈折率層３４は、図示するように、空孔層４１および酸化膜４２により形成される。
【００２５】
空孔層４１は、ガラスシール樹脂３２の表面に対し、有効画素領域１４に配置されている画素のピッチよりも小さな直径の複数の微細空孔が、一定間隔のパターンで形成されてなる層である。具体的には、空孔層４１は、有効画素領域１４に配置されている画素のピッチに対して1/10程度の直径となるように形成される微細空孔の集まりである。酸化膜４２は、例えば、空孔層４１の複数の微細空孔を中空として閉塞するように、LTO（Low Temperature Oxide）などが成膜される。
【００２６】
従って、疑似低屈折率層３４は、空孔層４１および酸化膜４２によって封入された空気を利用することで、疑似的に、ガラスシール樹脂３２の表面における屈折率を低下させた構成となっている。例えば、疑似低屈折率層３４は、厚みが10μｍ〜15μｍ程度となるように構成することが好適である。
【００２７】
このような構成の撮像素子チップ１１は、センサ基板１２およびガラス基板１３がキャビティレスで接合されることによって応力の均一化を図ることができるとともに、上述したようなリング状のフレアの発生を抑制することによって画質の向上を図ることができる。即ち、撮像素子チップ１１では、例えば、半導体基板２１の表面（図１の位置Ａ）で反射して、ガラス板材３１に入射した回折光の高次光は、ガラス板材３１の表面で全反射した後に疑似低屈折率層３４（図１の位置Ｂ）で全反射することになる。
【００２８】
これにより、撮像素子チップ１１では、ガラス板材３１の表面と疑似低屈折率層３４との間で反射を繰り返して、ガラス板材３１の側面の方向に向かって光を伝搬させることができる。従って、撮像素子チップ１１は、半導体基板２１の表面（図１の位置Ａ）で反射して、ガラス板材３１に入射した回折光の高次光が、有効画素領域１４に戻ってしまうことを回避する結果、リング状のフレアの発生を抑制することができる。
【００２９】
このように、撮像素子チップ１１は、疑似低屈折率層３４を設けることによって、キャビティレス構造であっても、回折光の高次光が画質に及ぼす悪影響を抑制することができる。もちろん、撮像素子チップ１１では、カラーフィルタ層２３またはオンチップレンズ層２４の表面での反射に対しても同様に、回折光の高次光が画質に及ぼす悪影響を抑制することができる。
【００３０】
なお、疑似低屈折率層３４の構造は、空孔層４１および酸化膜４２から構成されるものに限定されることなく、例えば、ガラス板材３１の屈折率（1.51）より低い樹脂層により構成してもよい。その他、疑似低屈折率層３４としては、ポーラスな二酸化ケイ素（SiO2）を採用してもよいし、高屈折率層上の低屈折率材料を採用してもよい。
【００３１】
ここで、図２および図３を参照して、回折光について説明する。
【００３２】
図２のＡには、セルサイズが大きな構成（3.6μｍピッチ）における波長と回折角との関係が示されており、図２のＢには、セルサイズが小さな構成（1.8μｍピッチ）における波長と回折角との関係が示されている。
【００３３】
一般的に、有効画素領域１４は、画素構造の繰り返しによる周期構造を有しており、シリコンなどの半導体基板２１の表面からの反射光が回折することにより、高次の回折光を発生することになる。そして、ガラスと空気との界面に臨界角を超えて入射する高次光によって、リング状のフレアが発生してしまう。
【００３４】
また、回折光が、どの角度で反射するかは、回折を発生させている画素のピッチによって決定される。即ち、図２のＢに示すように、画素のピッチが小さい構造では、高次の回折光の角度がより広がる（臨界角に近くなる）ことになり、図２のＡに示すように、画素のピッチが大きい構造では、高次の回折光の角度がより狭まることになる。
【００３５】
例えば、モバイル端末で採用されるようなセルサイズの構成（例えば、〜2.0μｍ）では、ほぼ３次光が臨界角を超える程度となり、半導体基板２１の表面からの反射光が画素に入射するのは３次光以上の回折光となる。このように、半導体基板２１の表面からの反射光が画素に入射するのは３次光以上の回折光となる。
【００３６】
ここで、図３には、フレネルの公式に従った入射角と振幅反射係数との関係とが示されている。図３の曲線は、入射角の関数としての振幅反射係数であってガラスから空気への内部反射のものであり、この曲線が示すように、反射率は入射角度の変数である。
【００３７】
図示するように、入射角が０度である位置Ａ（図１参照）での振幅反射係数よりも、入射角が臨界角以上である位置Ｂ（図１参照）での振幅反射係数の方が大きくなる。このように、入射角により振幅反射係数が変化することは、図３に示すフレネルの公式より正しいことが分かる。
【００３８】
＜撮像素子チップの製造方法＞
図４を参照して、撮像素子チップ１１の製造方法について説明する。なお、図４には、オンチップレンズ層２４まで形成したセンサ基板１２のウェハをCSP（Chip Size Package）工程に投入する際に、最初にガラス板材３１を接合するときの製造工程が示されている。
【００３９】
第１の工程において、センサ基板１２のオンチップレンズ層２４に対して樹脂材料を塗布することで、図４の上から１段目に示すように、ガラスシール樹脂２２およびガラスシール樹脂３２を形成する。このとき、ガラス基板１３側のガラスシール樹脂３２は、センサ基板１２との接合面からガラス板材３１までの間隔に対して略半分の厚み（例えば、約25μｍ）となるように形成される。
【００４０】
第２の工程において、ガラスシール樹脂３２の表面に対するベークを実施した後に、DSA（Directed Self Assembly：ブロック共重合体の自己組織化現象を利用したナノ構造）またはナノプリントを行う。これにより、図４の上から２段目に示すように、ガラスシール樹脂３２の表面に対して微細な凹形状５１のパターン（例えば、サイズが100ｎｍ以下の周期パターン）を形成する。
【００４１】
第３の工程において、微細な凹形状５１のパターンをガラスシール樹脂３２に転写することで、図４の上から３段目に示すように、ガラスシール樹脂３２に空孔層４１となる微細空孔のパターンが形成される。
【００４２】
第４の工程において、ガラスシール樹脂３２に対して酸化膜４２を成膜する。このとき、図４の上から４段目に示すように、酸化膜４２により空孔層４１を閉塞させることによって空孔層４１に空気が封入され、疑似低屈折率層３４が形成される。
【００４３】
第５の工程において、酸化膜４２に対してガラスシール樹脂３３を塗布して、図４の上から４段目に示すように、ガラスシール樹脂３３によりガラス板材３１を接合させる。
【００４４】
以上のような工程により、図１に示したように、疑似低屈折率層３４を備えた撮像素子チップ１１を製造することができる。従って、撮像素子チップ１１は、空孔層４１の微細な微細空孔に空気を封入することによって、疑似低屈折率層３４における屈折率を最大限に低下させることができる。
【００４５】
＜疑似低屈折率層の形成領域＞
図５を参照して、疑似低屈折率層３４の形成領域について説明する。図５には、平面的に見た複数個の撮像素子チップ１１（図５の例では、６個の撮像素子チップ１１−１乃至１１−６）が示されている。
【００４６】
図４を参照して説明した製造工程は、撮像素子チップ１１を個片化する前の半導体ウェハに対して行われ、半導体ウェハには、複数個の撮像素子チップ１１が形成される。また、有効画素領域１４を囲う周辺領域１５を含む領域が、撮像素子チップ１１の製品となる領域であり、それぞれの撮像素子チップ１１の間にダイシングを行うためのスクライブが設けられている。
【００４７】
そして、疑似低屈折率層３４は、撮像素子チップ１１どうしの間のスクライブ以外の領域、即ち、周辺領域１５よりも内側であって少なくとも有効画素領域１４の全面を覆う領域に形成される。または、疑似低屈折率層３４は、有効画素領域１４内にのみ形成されることが好ましい。例えば、撮像素子チップ１１を個片化する際に、仮に、疑似低屈折率層３４に対する加工が行われると、微細なダストなどが発生することが懸念される。そのため、図４の第２の工程では、そのような微細なダストの発生を回避するために、有効画素領域１４を疑似低屈折率層３４の形成領域として、DSAまたはナノプリントを行うことが好ましい。
【００４８】
＜撮像素子チップの第２および第３の構成例＞
図６を参照して、撮像素子チップ１１の第２および第３の構成例について説明する。なお、図６に示す撮像素子チップ１１Ａおよび１１Ｂにおいて、図１の撮像素子チップ１１と共通する構成については、同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００４９】
図６のＡには、第２の構成例である撮像素子チップ１１Ａの断面的な構成が示されており、図６のＢには、第３の構成例である撮像素子チップ１１Ｂの断面的な構成が示されている。
【００５０】
図６のＡに示すように、撮像素子チップ１１Ａは、疑似低屈折率層３４Ａがガラス板材３１の下面に接するように配置された構造となっている。
【００５１】
図６のＢに示すように、撮像素子チップ１１Ｂは、疑似低屈折率層３４Ｂが、センサ基板１２との接合面に接するように配置された構造となっている。
【００５２】
このように、撮像素子チップ１１では、疑似低屈折率層３４の配置は、オンチップレンズ層２４の表面に成膜される低反射膜２５とガラス板材３１との間であれば、どこであってもよい。即ち、撮像素子チップ１１Ａの構成、または、撮像素子チップ１１Ｂの構成であっても、上述したようにリング状のフレアの発生を抑制することができる。
【００５３】
＜電子機器の構成例＞
上述したような撮像素子チップ１１は、例えば、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどの撮像システム、撮像機能を備えた携帯電話機、または、撮像機能を備えた他の機器といった各種の電子機器に適用することができる。
【００５４】
図７は、電子機器に搭載される撮像装置の構成例を示すブロック図である。
【００５５】
図７に示すように、撮像装置１０１は、光学系１０２、撮像素子１０３、信号処理回路１０４、モニタ１０５、およびメモリ１０６を備えて構成され、静止画像および動画像を撮像可能である。
【００５６】
光学系１０２は、１枚または複数枚のレンズを有して構成され、被写体からの像光（入射光）を撮像素子１０３に導き、撮像素子１０３の受光面（センサ部）に結像させる。
【００５７】
撮像素子１０３としては、上述した撮像素子チップ１１が適用される。撮像素子１０３には、光学系１０２を介して受光面に結像される像に応じて、一定期間、電子が蓄積される。そして、撮像素子１０３に蓄積された電子に応じた信号が信号処理回路１０４に供給される。
【００５８】
信号処理回路１０４は、撮像素子１０３から出力された画素信号に対して各種の信号処理を施す。信号処理回路１０４が信号処理を施すことにより得られた画像（画像データ）は、モニタ１０５に供給されて表示されたり、メモリ１０６に供給されて記憶（記録）されたりする。
【００５９】
このように構成されている撮像装置１０１では、上述した撮像素子チップ１１を適用することで、例えば、リング状のフレアのない、より高画質な画像を撮像することができる。
【００６０】
＜イメージセンサの使用例＞
図８は、上述のイメージセンサ（撮像素子）を使用する使用例を示す図である。
【００６１】
上述したイメージセンサは、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、X線等の光をセンシングする様々なケースに使用することができる。
【００６２】
・ディジタルカメラや、カメラ機能付きの携帯機器等の、鑑賞の用に供される画像を撮影する装置
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
【００６３】
＜構成の組み合わせ例＞
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
複数の画素が配置された画素領域が形成された半導体基板と、
前記画素領域との間に空隙が設けられないように前記半導体基板に対して接合されるガラス板材と、
前記画素ごとに配置されるオンチップレンズの表面に成膜される低反射膜と前記ガラス板材との間の樹脂層に配置され、前記ガラス板材よりも低屈折率な低屈折率層と
を備える固体撮像素子。
（２）
前記低屈折率層は、
前記低反射膜に積層するように、前記半導体基板を有するセンサ基板と前記ガラス板材を有するガラス基板との接合面から前記ガラス板材までの間隔未満の厚みの樹脂層を形成し、その樹脂層の表面に形成される、前記画素のピッチよりも小さな直径の複数の微細空孔からなる空孔層と、
複数の前記微細空孔を中空として閉塞するように成膜される膜と
により形成される
上記（１）に記載の固体撮像素子。
（３）
前記低屈折率層は、前記ガラス板材よりも低屈折率な樹脂層により構成される
上記（１）または（２）に記載の固体撮像素子。
（４）
前記低屈折率層は、１０μｍから１５μｍの厚みで形成される
上記（１）から（３）までのいずれかに記載の固体撮像素子。
（５）
前記低屈折率層は、前記半導体基板を平面的に見たとき前記画素領域内にのみ形成される
上記（１）から（４）までのいずれかに記載の固体撮像素子。
（６）
前記低屈折率層は、前記ガラス板材に接するように配置される
上記（１）から（５）までのいずれかに記載の固体撮像素子。
（７）
前記低屈折率層は、前記半導体基板を有するセンサ基板と前記ガラス板材を有するガラス基板との接合面に接するように配置される
上記（１）から（６）までのいずれかに記載の固体撮像素子。
（８）
複数の画素が配置された画素領域が形成された半導体基板と、前記画素領域との間に空隙が設けられないように前記半導体基板に対して接合されるガラス板材と、前記画素ごとに配置されるオンチップレンズの表面に成膜される低反射膜と前記ガラス板材との間の樹脂層に配置され、前記ガラス板材よりも低屈折率な低屈折率層とを備える固体撮像素子の製造方法であって、
前記低屈折率層を、
前記低反射膜に積層するように、前記半導体基板を有するセンサ基板と前記ガラス板材を有するガラス基板との接合面から前記ガラス板材までの間隔未満の厚みの樹脂層を形成し、その樹脂層の表面に、前記画素のピッチよりも小さな直径の複数の微細空孔からなる空孔層を形成することと
複数の前記微細空孔を中空として閉塞するように膜を成膜することと
を含んで形成する製造方法。
（９）
複数の画素が配置された画素領域が形成された半導体基板と、
前記画素領域との間に空隙が設けられないように前記半導体基板に対して接合されるガラス板材と、
前記画素ごとに配置されるオンチップレンズの表面に成膜される低反射膜と前記ガラス板材との間の樹脂層に配置され、前記ガラス板材よりも低屈折率な低屈折率層と
を有する固体撮像素子を備える電子機器。
【００６４】
なお、本実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。また、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、他の効果があってもよい。
【符号の説明】
【００６５】
１１  撮像素子チップ，  １２  センサ基板，  １３  ガラス基板，  １４  有効画素領域，  １５  周辺領域，  ２１  半導体基板，  ２２  ガラスシール樹脂，  ２３  カラーフィルタ層，  ２４  オンチップレンズ層，  ２５  低反射膜，  ３１  ガラス板材，  ３２  ガラスシール樹脂，  ３３  ガラスシール樹脂，  ３４  疑似低屈折率層，  ４１  空孔層，  ４２  酸化膜，  ５１  微細な凹形状
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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