(57)【要約】  安定した書込み放電を発生させ、高い画像表示品質を実現する。そのために、プラズマディスプレイパネルと、書込み期間に走査電極に走査パルスを印加して書込み動作を行う走査電極駆動回路と、プラズマディスプレイパネルの表示領域を複数の領域に分け、領域毎に、全ての放電セル数に対する点灯させるべき放電セル数の割合を部分点灯率としてそれぞれのサブフィールド毎に検出する部分点灯率検出回路とを備え、走査電極駆動回路は、維持パルスの発生数が直前のサブフィールドの維持パルスの発生数よりも少ない所定のサブフィールドでは、その直前のサブフィールドの部分点灯率に応じて走査電極に走査パルスを印加する順番を変更する。
2010029666.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設け、サブフィールド毎に輝度重みを設定するとともに前記維持期間に輝度重みに応じた数の維持パルスを発生して階調表示するサブフィールド法で駆動し、走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルと、
前記書込み期間に、前記走査電極に走査パルスを印加して書込み動作を行う走査電極駆動回路と、
前記プラズマディスプレイパネルの表示領域を複数の領域に分け、前記領域毎に、全ての放電セル数に対する点灯させるべき放電セル数の割合を部分点灯率としてそれぞれのサブフィールド毎に検出する部分点灯率検出回路とを備え、
前記走査電極駆動回路は、
前記維持パルスの発生数が直前のサブフィールドの前記維持パルスの発生数よりも少ない所定のサブフィールドでは、前記直前のサブフィールドの前記部分点灯率に応じて前記走査電極に前記走査パルスを印加する順番を変更することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記走査電極駆動回路は、前記所定のサブフィールドを除くサブフィールドにおいて、１フィールドの前記輝度重みの総和に対して所定の割合以上の前記輝度重みを有するサブフィールドでは前記部分点灯率に応じて前記走査電極に前記走査パルスを印加する順番を変更し、前記総和に対して前記所定の割合未満の前記輝度重みを有するサブフィールドではあらかじめ定めた順番で前記走査電極に前記走査パルスを印加することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記走査電極駆動回路は、前記所定のサブフィールドを除くサブフィールドにおいて、前記維持パルスの発生数が所定の数以上のサブフィールドでは前記部分点灯率に応じて前記走査電極に前記走査パルスを印加する順番を変更し、前記維持パルスの発生数が前記所定の数未満のサブフィールドではあらかじめ定めた順番で前記走査電極に前記走査パルスを印加することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記所定のサブフィールドと、前記直前のサブフィールドとの間に前記プラズマディスプレイパネルの駆動を休止する休止期間を設け、
前記走査電極駆動回路は、前記休止期間が所定時間未満のときには、前記所定のサブフィールドで前記走査電極に前記走査パルスを印加する順番を、前記直前のサブフィールドの前記部分点灯率に応じて変更し、前記休止期間が前記所定時間以上のときには、前記所定のサブフィールドで前記走査電極に前記走査パルスを印加する順番を、あらかじめ定めた順番で行うことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記所定のサブフィールドが１フィールドの先頭サブフィールドであることを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルを、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設け、サブフィールド毎に輝度重みを設けるとともに、前記書込み期間においては前記走査電極に走査パルスを印加して書込み動作を行い、前記維持期間においては輝度重みに応じた数の維持パルスを発生して階調表示するサブフィールド法で駆動するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、
前記プラズマディスプレイパネルの表示領域を複数の領域に分け、前記領域毎に、全ての放電セル数に対する点灯させるべき放電セル数の割合を部分点灯率としてそれぞれのサブフィールド毎に検出し、
前記維持パルスの発生数が、直前のサブフィールドの前記維持パルスの発生数よりも少ない所定のサブフィールドでは、前記直前のサブフィールドの前記部分点灯率に応じて前記走査電極に前記走査パルスを印加する順番を変更することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、壁掛けテレビや大型モニターに用いられるプラズマディスプレイ装置およびプラズマディスプレイパネルの駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、「パネル」と略記する）として代表的な交流面放電型パネルは、対向配置された前面板と背面板との間に多数の放電セルが形成されている。前面板は、１対の走査電極と維持電極とからなる表示電極対が前面ガラス基板上に互いに平行に複数対形成され、それら表示電極対を覆うように誘電体層および保護層が形成されている。背面板は、背面ガラス基板上に複数の平行なデータ電極と、それらを覆うように誘電体層と、さらにその上にデータ電極と平行に複数の隔壁とがそれぞれ形成され、誘電体層の表面と隔壁の側面とに蛍光体層が形成されている。そして、表示電極対とデータ電極とが立体交差するように前面板と背面板とが対向配置されて密封され、内部の放電空間には、例えば分圧比で５％のキセノンを含む放電ガスが封入されている。ここで表示電極対とデータ電極とが対向する部分に放電セルが形成される。このような構成のパネルにおいて、各放電セル内でガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線で赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色の蛍光体を励起発光させてカラー表示を行っている。【０００３】
パネルを駆動する方法としては一般にサブフィールド法が用いられている。サブフィールド法では、１回の発光で得られる明るさを制御するのではなく、単位時間（例えば、１フィールド）に発生する発光の回数を制御することで明るさを調整する。すなわち、サブフィールド法では、１フィールドを複数のサブフィールドに分割し、それぞれのサブフィールドで各放電セルを発光または非発光させることにより階調表示を行う。各サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。【０００４】
初期化期間では、各走査電極に初期化波形を印加し、各放電セルで初期化放電を発生させる。これにより、続く書込み動作のために必要な壁電荷を各放電セルに形成するとともに、書込み放電を安定して発生させるためのプライミング粒子（書込み放電を発生させるための励起粒子）を発生させる。【０００５】
書込み期間では、走査電極に順次走査パルスを印加（以下、この動作を「走査」とも記す）するとともに、データ電極には表示すべき画像信号に対応した書込みパルスを選択的に印加する（以下、これらの動作を総称して「書込み」とも記す）。これにより、発光すべき放電セルにおいて、走査電極とデータ電極との間で選択的に書込み放電を発生させ、選択的に壁電荷を形成する。【０００６】
維持期間では、表示させるべき輝度に応じた所定の回数の維持パルスを走査電極と維持電極とからなる表示電極対に交互に印加する。これにより、書込み放電による壁電荷形成が行われた放電セルで維持放電を発生させ、その放電セルの蛍光体層を発光させる。このようにして、パネルの画像表示領域に画像を表示する。【０００７】
このサブフィールド法では、例えば、複数のサブフィールドのうち、１つのサブフィールドの初期化期間においては全ての放電セルに初期化放電を発生させる全セル初期化動作を行い、他のサブフィールドの初期化期間においては維持放電を行った放電セルに対して選択的に初期化放電を行う選択初期化動作を行うことで、階調表示に関係しない発光を極力減らしコントラスト比を向上させることが可能である。【０００８】
一方、近年では、パネルの大画面化、高輝度化にともない、パネルにおける消費電力が増大する傾向にある。また、大画面化、高精細化されたパネルではパネル駆動時の負荷が増大するため放電が不安定になりやすい。放電を安定に発生させるためには、電極に印加する駆動電圧を上げればよいが、これは、消費電力をさらに増大させる一因となる。また、駆動電圧を高くしたり、消費電力が増大したりして駆動回路を構成する部品の定格値を超えると、回路が誤動作するおそれも生じる。【０００９】
例えば、データ電極駆動回路は、書込みパルス電圧をデータ電極に印加して放電セルで書込み放電を発生させる書込み動作を行うが、書込み時の消費電力がデータ電極駆動回路を構成するＩＣの定格値を超えるとそのＩＣが誤動作し、書込み放電を発生させるべき放電セルで書込み放電が発生しない、あるいは書込み放電を発生させるべきでない放電セルで書込み放電が発生するといった書込み不良が発生するおそれがある。そこで、書込み時の消費電力を抑えるために、表示すべき画像信号にもとづきデータ電極駆動回路の消費電力を予測して、その予測値が設定値以上になると階調を制限する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。【００１０】
書込み期間では、上述したように、走査電極への走査パルス電圧の印加およびデータ電極への書込みパルス電圧の印加によって書込み放電を発生させる。そのため、特許文献１に開示されたデータ電極駆動回路の動作を安定化させる技術だけでは、安定した書込み動作を行うことは難しく、走査電極を駆動する回路（走査電極駆動回路）における動作の安定化を図る技術も重要となる。【００１１】
また、書込み期間における走査電極への走査パルス電圧の印加は各走査電極に対して順次行われるため、特に高精細化されたパネルにおいては、走査電極数の増加によって書込み期間に費やす時間が長くなってしまう。そのため、書込み期間の最後の方に書込み動作がなされる放電セルでは書込み期間の最初の方に書込み動作がなされる放電セルに比べて、壁電荷の消失が増え、書込み放電が不安定になりやすいといった問題もあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２０００−６６６３８号公報
【発明の概要】
【００１３】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設け、サブフィールド毎に輝度重みを設定するとともに維持期間に輝度重みに応じた数の維持パルスを発生して階調表示するサブフィールド法で駆動し、走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたパネルと、書込み期間に、走査電極に走査パルスを印加して書込み動作を行う走査電極駆動回路と、パネルの表示領域を複数の領域に分け、領域毎に、全ての放電セル数に対する点灯させるべき放電セル数の割合を部分点灯率としてそれぞれのサブフィールド毎に検出する部分点灯率検出回路とを備え、走査電極駆動回路は、維持パルスの発生数が直前のサブフィールドの維持パルスの発生数よりも少ない所定のサブフィールドでは、その直前のサブフィールドの部分点灯率に応じて走査電極に走査パルスを印加する順番を変更することを特徴とする。
【００１４】
これにより、維持パルスの発生数が直前のサブフィールドの維持パルスの発生数よりも少ない所定のサブフィールドでは、その直前のサブフィールドにおいて検出された部分点灯率にもとづく順番で書込み動作を行うので、その直前のサブフィールドの維持期間で発生したプライミング粒子の影響を考慮した書込みを行うことができ、安定した書込み放電を発生させて、高い画像表示品質を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１におけるパネルの構造を示す分解斜視図である。
【図２】図２は、同パネルの電極配列図である。
【図３】図３は、同パネルの各電極に印加する駆動電圧波形図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図である。
【図５】図５は、同プラズマディスプレイ装置の走査電極駆動回路の構成を示す回路図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態１における部分点灯率を検出する領域と走査ＩＣとの接続の一例を示す概略図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態１における走査ＩＣの書込み動作の順序の一例を示す概略図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態１における走査ＩＣの書込み動作の順序と安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）との関係を示す特性図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態１における部分点灯率と安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）との関係を示す特性図である。
【図１０】図１０は、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）と直前のサブフィールドにおける維持放電の発生回数との関係を概略的に示す特性図である。
【図１１Ａ】図１１Ａは、高サブフィールドにおいて点灯セルが局所的に集中して発生したときのパネルの発光状態を概略的に示す図である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドにおけるパネルの発光状態を概略的に示す図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施の形態１における走査ＩＣ切換え回路の一構成例を示す回路ブロック図である。
【図１３】図１３は、本発明の実施の形態１におけるＳＩＤ発生回路の一構成例を示す回路図である。
【図１４】図１４は、本発明の実施の形態１における走査ＩＣ切換え回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図１５】図１５は、本発明の実施の形態１における走査ＩＣ切換え回路の他の構成例を示す回路図である。
【図１６】図１６は、本発明の実施の形態１における走査ＩＣ切換え動作の他の一例を説明するためのタイミングチャートである。
【図１７】図１７は、本発明の実施の形態２におけるパネルの各電極に印加する駆動電圧波形図である。
【図１８】図１８は、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）と休止期間の長さとの関係を概略的に示す特性図である。
【図１９】図１９は、所定の画像を部分点灯率に応じた順番で書込み動作して表示したときの低サブフィールドの発光状態を概略的に示した図である。
【図２０】図２０は、図１９に示した表示画像と同様の画像をパネル上端の走査電極からパネル下端の走査電極に向かって順に書込み動作を行って表示したときの低サブフィールドにおける発光状態を概略的に示した図である。
【図２１】図２１は、本発明の実施の形態３におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図である。
【図２２】図２２は、本発明の実施の形態４におけるパネルの各電極に印加する駆動電圧波形図である。
【図２３】図２３は、本発明の実施の形態４における所定の画像を２相駆動で表示するときの部分点灯率に応じた走査順序の一例（走査ＩＣの書込み動作の順序の一例）を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置について、図面を用いて説明する。
【００１７】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の構造を示す分解斜視図である。ガラス製の前面板２１上には、走査電極２２と維持電極２３とからなる表示電極対２４が複数形成されている。そして走査電極２２と維持電極２３とを覆うように誘電体層２５が形成され、その誘電体層２５上に保護層２６が形成されている。
【００１８】
また、保護層２６は、放電セルにおける放電開始電圧を下げるために、パネルの材料として使用実績があり、ネオン（Ｎｅ）およびキセノン（Ｘｅ）ガスを封入した場合に２次電子放出係数が大きく耐久性に優れたＭｇＯを主成分とする材料から形成されている。
【００１９】
背面板３１上にはデータ電極３２が複数形成され、データ電極３２を覆うように誘電体層３３が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁３４が形成されている。そして、隔壁３４の側面および誘電体層３３上には赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色に発光する蛍光体層３５が設けられている。
【００２０】
これら前面板２１と背面板３１とは、微小な放電空間をはさんで表示電極対２４とデータ電極３２とが交差するように対向配置され、その外周部をガラスフリット等の封着材によって封着されている。そして、内部の放電空間には、ネオンとキセノンの混合ガスが放電ガスとして封入されている。なお、本実施の形態では、発光効率を向上させるためにキセノン分圧を約１０％とした放電ガスを用いている。放電空間は隔壁３４によって複数の区画に仕切られており、表示電極対２４とデータ電極３２とが交差する部分に放電セルが形成されている。そしてこれらの放電セルが放電、発光することにより画像が表示される。
【００２１】
なお、パネル１０の構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。また、放電ガスの混合比率も上述した数値に限られるわけではなく、その他の混合比率であってもよい。
【００２２】
図２は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の電極配列図である。パネル１０には、行方向に長いｎ本の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ（図１の走査電極２２）およびｎ本の維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ（図１の維持電極２３）が配列され、列方向に長いｍ本のデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ（図１のデータ電極３２）が配列されている。そして、１対の走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１〜ｎ）および維持電極ＳＵｉと１つのデータ電極Ｄｊ（ｊ＝１〜ｍ）とが交差した部分に放電セルが形成され、放電セルは放電空間内にｍ×ｎ個形成されている。そして、ｍ×ｎ個の放電セルが形成された領域がパネル１０の表示領域となる。
【００２３】
次に、パネル１０を駆動するための駆動電圧波形とその動作の概要について説明する。なお、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置は、サブフィールド法、すなわち１フィールドを時間軸上で複数のサブフィールドに分割し、各サブフィールドに輝度重みをそれぞれ設定し、サブフィールド毎に各放電セルの発光・非発光を制御することによって階調表示を行うものとする。
【００２４】
このサブフィールド法では、例えば、１フィールドを８つのサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第８ＳＦ）で構成し、各サブフィールドはそれぞれ１、２、４、８、１６、３２、６４、１２８の輝度重みを有する構成とすることができる。また、複数のサブフィールドのうち、１つのサブフィールドの初期化期間においては全ての放電セルに初期化放電を発生させる全セル初期化動作を行い（以下、全セル初期化動作を行うサブフィールドを「全セル初期化サブフィールド」と呼称する）、他のサブフィールドの初期化期間においては維持放電を行った放電セルに対して選択的に初期化放電を発生させる選択初期化動作を行う（以下、選択初期化動作を行うサブフィールドを「選択初期化サブフィールド」と呼称する）ことで、階調表示に関係しない発光を極力減らしコントラスト比を向上させることが可能である。
【００２５】
そして、本実施の形態では、第１ＳＦの初期化期間では全セル初期化動作を行い、第２ＳＦ〜第８ＳＦの初期化期間では選択初期化動作を行うものとする。これにより、画像の表示に関係のない発光は第１ＳＦにおける全セル初期化動作の放電にともなう発光のみとなり、維持放電を発生させない黒表示領域の輝度である黒輝度は全セル初期化動作における微弱発光だけとなって、コントラストの高い画像表示が可能となる。また、各サブフィールドの維持期間においては、それぞれのサブフィールドの輝度重みに所定の比例定数を乗じた数の維持パルスを表示電極対２４のそれぞれに印加する。このときの比例定数が輝度倍率である。
【００２６】
しかし、本実施の形態は、サブフィールド数や各サブフィールドの輝度重みが上記の値に限定されるものではなく、また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切換える構成であってもよい。
【００２７】
図３は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形図である。図３には、書込み期間において最初に書込み動作を行う走査電極ＳＣ１、書込み期間において最後に書込み動作を行う走査電極ＳＣｎ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ、およびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍの駆動波形を示す。
【００２８】
また、図３には、２つのサブフィールドの駆動電圧波形、すなわち全セル初期化サブフィールドである第１サブフィールド（第１ＳＦ）と、選択初期化サブフィールドである第２サブフィールド（第２ＳＦ）とを示す。なお、他のサブフィールドにおける駆動電圧波形は、維持期間における維持パルスの発生数が異なる以外は第２ＳＦの駆動電圧波形とほぼ同様である。また、以下における走査電極ＳＣｉ、維持電極ＳＵｉ、データ電極Ｄｋは、各電極の中から画像データ（サブフィールド毎の発光・非発光を示すデータ）にもとづき選択された電極を表す。
【００２９】
まず、全セル初期化サブフィールドである第１ＳＦについて説明する。
【００３０】
第１ＳＦの初期化期間前半部では、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎにそれぞれ０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに対して放電開始電圧以下の電圧Ｖｉ１から、放電開始電圧を超える電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに（例えば、約１．３Ｖ／μｓｅｃの勾配で）上昇する傾斜電圧（以下、「上りランプ電圧」と呼称する）Ｌ１を印加する。
【００３１】
この上りランプ電圧Ｌ１が上昇する間に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとの間、および走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎとデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が持続して起こる。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ上部に負の壁電圧が蓄積されるとともに、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上部および維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ上部には正の壁電圧が蓄積される。この電極上部の壁電圧とは、電極を覆う誘電体層上、保護層上、蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。
【００３２】
初期化期間後半部では、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには正の電圧Ｖｅ１を印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに対して放電開始電圧以下となる電圧Ｖｉ３から放電開始電圧を超える電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する傾斜電圧（以下、「下りランプ電圧」と呼称する）Ｌ２を印加する。
【００３３】
この間に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとの間、および走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎとデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が起こる。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ上部の負の壁電圧および維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ上部の正の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上部の正の壁電圧は書込み動作に適した値に調整される。以上により、全ての放電セルに対して初期化放電を行う全セル初期化動作が終了する。
【００３４】
なお、図３の第２ＳＦの初期化期間に示したように、初期化期間の前半部を省略した駆動電圧波形を各電極に印加してもよい。すなわち、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅ１を、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに０（Ｖ）をそれぞれ印加し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに放電開始電圧以下となる電圧（例えば、接地電位）から電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する下りランプ電圧Ｌ４を印加する。これにより直前のサブフィールド（図３では、第１ＳＦ）の維持期間で維持放電を起こした放電セルでは微弱な初期化放電が発生し、走査電極ＳＣｉ上部および維持電極ＳＵｉ上部の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）上部の壁電圧も、過剰な部分が放電され、書込み動作に適した値に調整される。一方、直前のサブフィールドで維持放電を起こさなかった放電セルについては放電することはなく、直前のサブフィールドの初期化期間終了時における壁電荷がそのまま保たれる。このように前半部を省略した初期化動作は、直前のサブフィールドの維持期間で維持動作を行った放電セルに対して初期化放電を行う選択初期化動作となる。
【００３５】
続く書込み期間では、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに対しては順次走査パルス電圧Ｖａを印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対しては発光させるべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加して、各放電セルに選択的に書込み放電を発生させる。このとき、本実施の形態では、後述する部分点灯率検出回路における検出結果にもとづき走査パルス電圧Ｖａを印加する走査電極２２の順番、または走査電極２２を駆動するＩＣの書込み動作の順序を変更している。ただし、維持期間における維持パルスの発生数が直前のサブフィールドの維持期間における維持パルスの発生数よりも少ない所定のサブフィールドでは、直前のサブフィールドの部分点灯率に応じて走査電極２２に走査パルスを印加する順番を変更するものとする。すなわち、維持期間における維持パルスの発生数が第１の設定値以上となるサブフィールド（以下、「高サブフィールド」と呼称する）の直後に発生するサブフィールドであって、かつ維持期間における維持パルスの発生数が第１の設定値よりも小さい第２の設定値以下となる所定のサブフィールド（以下、「低サブフィールド」と呼称する）においては、その直前の高サブフィールドにおける部分点灯率検出回路の検出結果にもとづく順番で書込み動作を行う。この詳細については後述するが、ここでは、走査電極ＳＣ１から順に走査パルス電圧Ｖａを印加するものとして説明を行う。
【００３６】
書込み期間では、まず維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅ２を、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに電圧Ｖｃを印加する。
【００３７】
そして、１行目の走査電極ＳＣ１に負の走査パルス電圧Ｖａを印加するとともに、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍのうち１行目に発光させるべき放電セルのデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加する。このときデータ電極Ｄｋ上と走査電極ＳＣ１上との交差部の電圧差は、外部印加電圧の差（電圧Ｖｄ−電圧Ｖａ）にデータ電極Ｄｋ上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧との差が加算されたものとなり放電開始電圧を超える。これにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に放電が発生する。また、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅ２を印加しているため、維持電極ＳＵ１上と走査電極ＳＣ１上との電圧差は、外部印加電圧の差である（電圧Ｖｅ２−電圧Ｖａ）に維持電極ＳＵ１上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧との差が加算されたものとなる。このとき、電圧Ｖｅ２を、放電開始電圧をやや下回る程度の電圧値に設定することで、維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間を、放電には至らないが放電が発生しやすい状態とすることができる。これにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に発生する放電を引き金にして、データ電極Ｄｋと交差する領域にある維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間に放電を発生させることができる。こうして、発光させるべき放電セルに書込み放電が起こり、走査電極ＳＣ１上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電圧が蓄積される。
【００３８】
このようにして、１行目に発光させるべき放電セルで書込み放電を起こして各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作が行われる。一方、書込みパルス電圧Ｖｄを印加しなかったデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。以上の書込み動作をｎ行目の放電セルに至るまで行い、書込み期間が終了する。
【００３９】
続く維持期間では、輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維持パルスを表示電極対２４に交互に印加して、書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生させて発光させる。
【００４０】
この維持期間では、まず走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに正の維持パルス電圧Ｖｓを印加するとともに維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎにベース電位となる接地電位、すなわち０（Ｖ）を印加する。すると書込み放電を起こした放電セルでは、走査電極ＳＣｉ上と維持電極ＳＵｉ上との電圧差が維持パルス電圧Ｖｓに走査電極ＳＣｉ上の壁電圧と維持電極ＳＵｉ上の壁電圧との差が加算されたものとなり放電開始電圧を超える。
【００４１】
そして、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間に維持放電が起こり、このとき発生した紫外線により蛍光体層３５が発光する。そして走査電極ＳＣｉ上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正の壁電圧が蓄積される。さらにデータ電極Ｄｋ上にも正の壁電圧が蓄積される。書込み期間において書込み放電が起きなかった放電セルでは維持放電は発生せず、初期化期間の終了時における壁電圧が保たれる。
【００４２】
続いて、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎにはベース電位となる０（Ｖ）を、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには維持パルス電圧Ｖｓをそれぞれ印加する。すると、維持放電を起こした放電セルでは、維持電極ＳＵｉ上と走査電極ＳＣｉ上との電圧差が放電開始電圧を超えるので再び維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間に維持放電が起こり、維持電極ＳＵｉ上に負の壁電圧が蓄積され走査電極ＳＣｉ上に正の壁電圧が蓄積される。以降同様に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとに交互に輝度重みに輝度倍率を乗じた数の維持パルスを印加し、表示電極対２４の電極間に電位差を与えることにより、書込み期間において書込み放電を起こした放電セルで維持放電が継続して行われる。
【００４３】
そして、維持期間における維持パルスの発生後に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに、０（Ｖ）から電圧Ｖｅｒｓに向かって緩やかに上昇する傾斜電圧（以下、「消去ランプ電圧」と呼称する）Ｌ３を印加する。これにより、維持放電を発生させた放電セルにおいて、微弱な放電を持続して発生させ、データ電極Ｄｋ上の正の壁電圧を残したまま、走査電極ＳＣｉおよび維持電極ＳＵｉ上の壁電圧の一部または全部を消去する。
【００４４】
具体的には、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎを０（Ｖ）に戻した後、ベース電位となる０（Ｖ）から放電開始電圧を超える電圧Ｖｅｒｓに向かって上昇する消去ランプ電圧Ｌ３を、上りランプ電圧Ｌ１よりも急峻な勾配（例えば、約１０Ｖ／μｓｅｃ）で発生させ、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。すると、維持放電を起こした放電セルの維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間で微弱な放電が発生する。そして、この微弱な放電は、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎへの印加電圧が上昇する期間、持続して発生する。そして、上昇する電圧があらかじめ定めた電圧Ｖｅｒｓに到達したら、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する電圧をベース電位となる０（Ｖ）まで下降させる。
【００４５】
このとき、この微弱な放電で発生した荷電粒子は、維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間の電圧差を緩和するように、維持電極ＳＵｉ上および走査電極ＳＣｉ上に壁電荷となって蓄積されていく。これにより、データ電極Ｄｋ上の正の壁電荷を残したまま、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ上と維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ上との間の壁電圧は、走査電極ＳＣｉに印加した電圧と放電開始電圧の差、すなわち（電圧Ｖｅｒｓ−放電開始電圧）の程度まで弱められる。以下、この消去ランプ電圧Ｌ３によって発生させる維持期間の最後の放電を「消去放電」と呼称する。
【００４６】
続く第２ＳＦ以降のサブフィールドの各動作は、維持期間の維持パルスの数を除いて上述の動作とほぼ同様であるため説明を省略する。以上が、本実施の形態におけるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形の概要である。
【００４７】
次に、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置１の構成について説明する。図４は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置１の回路ブロック図である。プラズマディスプレイ装置１は、パネル１０、画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３、維持電極駆動回路４４、タイミング発生回路４５、部分点灯率検出回路４７、点灯率比較回路４８、および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）を備えている。
【００４８】
画像信号処理回路４１は、入力された画像信号ｓｉｇをサブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する。
【００４９】
部分点灯率検出回路４７は、パネル１０の表示領域を複数の領域に分け、サブフィールド毎の画像データにもとづき、領域毎に、その領域の全ての放電セル数に対する点灯させるべき放電セル数の割合を、それぞれのサブフィールド毎に検出する（以下、この割合を「部分点灯率」と呼称する）。例えば、1つの領域の放電セルの数が５１８４００個で、その領域の点灯させるべき放電セルの数が２５９２００個であれば、その領域の部分点灯率は５０％となる。なお、部分点灯率検出回路４７は、例えば、１対の表示電極対２４における点灯率を部分点灯率として検出することもできるが、ここでは、走査電極２２を駆動するＩＣ（以下、「走査ＩＣ」と呼称する）の１つに接続された複数の走査電極２２で構成される領域を１つの領域として部分点灯率を検出するものとする。
【００５０】
点灯率比較回路４８は、部分点灯率検出回路４７で検出した各領域の部分点灯率の値を互いに比較し、値の大きい方から順に、どの領域が何番目の大きさになるのかを判別する。そして、その結果を表す信号をサブフィールド毎にタイミング発生回路４５に出力する。なお、点灯率比較回路４８は、内部にメモリー４９を備えており、最終サブフィールドにおける比較結果をメモリー４９に記憶する。そして、先頭サブフィールド（第１ＳＦ）の書込み期間では、メモリー４９に記憶した比較結果（直前のフィールドの最終サブフィールドにおける比較結果）を出力する。しかし、本発明は、点灯率比較回路４８内部にメモリー４９が備えられている構成に何ら限定されるものではなく、点灯率比較回路４８以外の回路に備えられている構成であってもよい。例えば、プラズマディスプレイ装置１が有するマイクロコンピュータが使用する演算用のメモリー、あるいは画像処理用として備えられたメモリー等をメモリー４９として併用する構成であってもよい。
【００５１】
なお、本実施の形態では、第１ＳＦが低サブフィールドとなり、最終サブフィールド（本実施の形態では、第８ＳＦ）が高サブフィールドとなるようにサブフィールド構成されているものとして、以下の説明を行う。すなわち、第１ＳＦにおける書込み動作を、その直前の第８ＳＦにおいて検出された部分点灯率にもとづき行う構成を説明する。そのため、メモリー４９には、最終サブフィールドである第８ＳＦにおける比較結果が記憶される。
【００５２】
しかし、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。例えば、同一フィールドにおいて、維持パルスの発生数が第１の設定値以上となる高サブフィールドが発生し、その直後に維持パルスの発生数が第２の設定値以下となる低サブフィールドが発生するようにサブフィールド構成されたプラズマディスプレイ装置であれば、その低サブフィールドにおける書込み動作を、その直前の高サブフィールドにおいて検出された部分点灯率にもとづき行うものとする。
【００５３】
タイミング発生回路４５は、水平同期信号Ｈ、垂直同期信号Ｖおよび点灯率比較回路４８からの出力にもとづき各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生し、それぞれの回路ブロックへ供給する。
【００５４】
走査電極駆動回路４３は、初期化期間において走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する初期化波形電圧を発生するための初期化波形発生回路（図示せず）、維持期間において走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する維持パルスを発生するための維持パルス発生回路（図示せず）、複数の走査ＩＣを備え書込み期間において走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する走査パルス電圧Ｖａを発生するための走査パルス発生回路５０を有する。そして、タイミング信号にもとづいて各走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎをそれぞれ駆動する。
【００５５】
このとき、本実施の形態では、部分点灯率が高い領域から先に書込み動作が行われるように走査ＩＣを順次切換えて書込み動作させている。ただし、維持期間における維持パルスの発生数が第１の設定値（例えば、８０）以上となる高サブフィールドの直後に発生するサブフィールドであって、かつ維持期間における維持パルスの発生数が第２の設定値（例えば、６）以下となる低サブフィールドにおいては、その直前の高サブフィールドにおいて検出された部分点灯率にもとづく順番で書込み動作を行う。
【００５６】
例えば、１フィールドを８つのサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第８ＳＦ）で構成するとともに各サブフィールドの輝度重みをそれぞれ（１、２、４、８、１６、３２、６４、１２８）に設定し、輝度倍率を「１」とすると、各サブフィールドの維持期間における維持パルスの発生数（以下、単に「維持パルス数」とも記す）はそれぞれ（１、２、４、８、１６、３２、６４、１２８）となる。そして、第１の設定値を８０とし、第２の設定値を６とすると、高サブフィールドに該当するサブフィールドは第８ＳＦとなり、低サブフィールドに該当するサブフィールドは第１ＳＦ、第２ＳＦ、第３ＳＦとなる。しかし、高サブフィールドの直後に発生するサブフィールドであって、かつ低サブフィールド、という条件に該当するサブフィールドは第１ＳＦになるので、第１ＳＦを除くサブフィールド、すなわち第２ＳＦから第８ＳＦでは部分点灯率が高い領域から先に書込みが行われるように走査ＩＣを順次切換えて書込み動作させる。そして、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドという条件に該当する第１ＳＦでは、その直前の第８ＳＦにおいて検出された部分点灯率にもとづく順番で書込み動作を行う。具体的には、その第８ＳＦで行った書込み動作と同じ順番で、書込み動作を行う。すなわち、その第８ＳＦにおける部分点灯率が高い領域から先に書込み動作が行われるように、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに走査パルス電圧Ｖａを印加して書込み動作を行う。これにより、安定した書込み放電と画像表示品質の向上とを実現している。なお、これらの詳細については後述する。
【００５７】
データ電極駆動回路４２は、サブフィールド毎の画像データを各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対応する信号に変換し、タイミング信号にもとづいて各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍを駆動する。なお、本実施の形態では、上述したように、書込み動作を行う順番がサブフィールド毎に変わる可能性があるため、タイミング発生回路４５は、データ電極駆動回路４２において走査ＩＣの書込み動作の順序にあわせて書込みパルス電圧Ｖｄが発生するようにタイミング信号を発生している。これにより、表示画像に応じた正しい書込み動作を行うことができる。
【００５８】
維持電極駆動回路４４は、維持パルス発生回路および電圧Ｖｅ１、電圧Ｖｅ２を発生するための回路（図示せず）を備え、タイミング信号にもとづいて維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎを駆動する。
【００５９】
次に、走査電極駆動回路４３の詳細とその動作について説明する。
【００６０】
図５は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置１の走査電極駆動回路４３の構成を示す回路図である。走査電極駆動回路４３は、走査パルス発生回路５０と、初期化波形発生回路５１と、走査電極２２側の維持パルス発生回路５２とを備え、走査パルス発生回路５０のそれぞれの出力はパネル１０の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎのそれぞれに接続されている。
【００６１】
初期化波形発生回路５１は、初期化期間において走査パルス発生回路５０の基準電位Ａをランプ状に上昇または降下させ、図３に示した初期化波形電圧を発生させる。
【００６２】
維持パルス発生回路５２は、走査パルス発生回路５０の基準電位Ａを電圧Ｖｓまたは接地電位にすることで、図３に示した維持パルスを発生させる。
【００６３】
走査パルス発生回路５０は、書込み期間において基準電位Ａを負の電圧Ｖａに接続するためのスイッチ７２と、電圧Ｖｃを与えるための電源ＶＣと、ｎ本の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎのそれぞれに走査パルス電圧Ｖａを印加するためのスイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎおよびスイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎを備えている。スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎは複数の出力毎にまとめられＩＣ化されている。このＩＣが走査ＩＣである。そして、スイッチング素子ＱＨｉをオフ、スイッチング素子ＱＬｉをオンにすることにより、スイッチング素子ＱＬｉを経由して走査電極ＳＣｉに負の走査パルス電圧Ｖａを印加する。なお、以下の説明においては、スイッチング素子を導通させる動作を「オン」、遮断させる動作を「オフ」と表記し、スイッチング素子をオンさせる信号を「Ｈｉ」、オフさせる信号を「Ｌｏ」と表記する。
【００６４】
なお、初期化波形発生回路５１または維持パルス発生回路５２を動作させているときは、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎをオフ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎをオンにすることにより、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎを経由して各走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに初期化波形電圧または維持パルス電圧Ｖｓを印加する。
【００６５】
なお、ここでは、９０本の出力分のスイッチング素子を１つのモノシリックＩＣとして集積し、パネル１０は１０８０本の走査電極２２を備えているものとして、以下の説明を行う。そして、１２個の走査ＩＣを用いて走査パルス発生回路５０を構成し、ｎ＝１０８０本の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを駆動するものとする。このように多数のスイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎをＩＣ化することにより部品点数を削減し、実装面積を低減することができる。ただし、ここに挙げた数値は単なる一例であり、本発明は何らこれらの数値に限定されるものではない。
【００６６】
また、本実施の形態では、書込み期間において、タイミング発生回路４５から出力されるＳＩＤ（１）〜ＳＩＤ（１２）を走査ＩＣ（１）〜走査ＩＣ（１２）のそれぞれに入力している。このＳＩＤ（１）〜ＳＩＤ（１２）は、走査ＩＣに書込み動作を開始させるための動作開始信号であり、走査ＩＣ（１）〜走査ＩＣ（１２）は、ＳＩＤ（１）〜ＳＩＤ（１２）にもとづき書込み動作の順序が切換えられる。
【００６７】
例えば、走査電極ＳＣ９９１〜走査電極ＳＣ１０８０に接続された走査ＩＣ（１２）に書込み動作させた後に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣ９０に接続された走査ＩＣ（１）に書込み動作させる場合は、次のような動作となる。
【００６８】
タイミング発生回路４５は、ＳＩＤ（１２）をＬｏ（例えば、０（Ｖ））からＨｉ（例えば、５（Ｖ））に変化させ、走査ＩＣ（１２）に書込み動作の開始を指示する。走査ＩＣ（１２）は、ＳＩＤ（１２）の電圧変化を検知し、これにより書込み動作を開始する。まず、スイッチング素子ＱＨ９９１をオフ、スイッチング素子ＱＬ９９１をオンにし、スイッチング素子ＱＬ９９１を経由して走査電極ＳＣ９９１に走査パルス電圧Ｖａを印加する。走査電極ＳＣ９９１での書込み動作が終了した後は、スイッチング素子ＱＨ９９１をオン、スイッチング素子ＱＬ９９１をオフにし、引き続き、スイッチング素子ＱＨ９９２をオフ、スイッチング素子ＱＬ９９２をオンにし、スイッチング素子ＱＬ９９２を経由して走査電極ＳＣ９９２に走査パルス電圧Ｖａを印加する。この一連の書込み動作を順次行い、走査電極ＳＣ９９１〜走査電極ＳＣ１０８０に走査パルス電圧Ｖａを順次印加して、走査ＩＣ（１２）は書込み動作を終了する。
【００６９】
走査ＩＣ（１２）の書込み動作が終了した後、タイミング発生回路４５は、ＳＩＤ（１）をＬｏ（例えば、０（Ｖ））からＨｉ（例えば、５（Ｖ））に変化させ、走査ＩＣ（１）に書込み動作の開始を指示する。走査ＩＣ（１）は、ＳＩＤ（１）の電圧変化を検知し、これにより上述と同様の書込み動作を開始し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣ９０に走査パルス電圧Ｖａを順次印加する。
【００７０】
本実施の形態では、このように、動作開始信号であるＳＩＤを用いて走査ＩＣの書込み動作の順序を制御することができる。
【００７１】
そして、本実施の形態では、上述したように、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドを除くサブフィールド（例えば、第２ＳＦから第８ＳＦ）では、部分点灯率検出回路４７において検出される部分点灯率に応じて走査ＩＣの書込み動作の順序を決定し、部分点灯率が高い領域を駆動する走査ＩＣから先に書込み動作させる。また、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールド（例えば、第１ＳＦ）では、その直前の高サブフィールドにおいて行った書込み動作と同じ順番で走査ＩＣに書込み動作させる。
【００７２】
続いて、部分点灯率が高い領域から先に書込み動作する書込み動作の一例を、図面を用いて説明する。
【００７３】
図６は、本発明の実施の形態１における部分点灯率を検出する領域と走査ＩＣとの接続の一例を示す概略図である。図６は、パネル１０と走査ＩＣとの接続の様子を簡略的に表しており、パネル１０内に示す破線で囲まれた各領域は、それぞれ部分点灯率を検出する領域を表す。また、表示電極対２４は、図２と同様に、図面における左右方向に延長して配列されているものとする。
【００７４】
上述したように、部分点灯率検出回路４７は、１つの走査ＩＣに接続された複数の走査電極２２で構成される領域を１つの領域として部分点灯率を検出する。例えば、１つの走査ＩＣに接続される走査電極２２の数が９０本であり、走査電極駆動回路４３が備える走査ＩＣが１２個（走査ＩＣ（１）〜走査ＩＣ（１２））であれば、図６に示すように、部分点灯率検出回路４７は、走査ＩＣ（１）〜走査ＩＣ（１２）のそれぞれに接続された９０本の走査電極２２を１つの領域とし、パネル１０の表示領域を１２分割して各領域の部分点灯率を検出する。そして、点灯率比較回路４８は、部分点灯率検出回路４７で検出した部分点灯率の値を互いに比較し、値の大きい方から順に、各領域に対して順位付けを行う。そして、タイミング発生回路４５はその順位付けにもとづきタイミング信号を発生し、走査電極駆動回路４３は、そのタイミング信号により、部分点灯率が高い領域に接続された走査ＩＣから先に書込み動作させる。
【００７５】
図７は、本発明の実施の形態１における走査ＩＣ（１）〜走査ＩＣ（１２）の書込み動作の順序の一例を示す概略図である。なお、図７において、部分点灯率を検出する領域は図６に示した領域と同様であり、斜線で示した部分は維持放電を発生させない非点灯セルの分布を表し、斜線のない白抜きの部分は放電を発生させる点灯セルの分布を表すものとする。
【００７６】
例えば、あるサブフィールドにおいて、点灯セルが、図７に示したように分布している場合、最も部分点灯率が高い領域は走査ＩＣ（１２）が接続された領域（以下、走査ＩＣ（ｎ）に接続された領域を「領域（ｎ）」と表す）となり、次に部分点灯率が高い領域は走査ＩＣ（１０）が接続された領域（１０）となり、その次に部分点灯率が高い領域は走査ＩＣ（７）が接続された領域（７）となる。このとき、従来の書込み動作であれば、走査ＩＣ（１）から走査ＩＣ（２）、走査ＩＣ（３）へと順次書込み動作が切換えられ、最も部分点灯率が高い領域に接続された走査ＩＣ（１２）は最後に書込み動作が開始される。しかし、本実施の形態では、部分点灯率の高い領域の走査ＩＣから先に書込み動作させるので、図７に示すように、まず最初に走査ＩＣ（１２）に書込み動作させ、次に走査ＩＣ（１０）に書込み動作させ、その次に走査ＩＣ（７）に書込み動作させる。なお、本実施の形態では、部分点灯率が同じであれば、配置的に見て、より上部の走査電極２２に接続された走査ＩＣから先に書込み動作させるものとする。そのため、走査ＩＣ（７）以降の書込み動作の順序は、走査ＩＣ（１）、走査ＩＣ（２）、走査ＩＣ（３）、走査ＩＣ（４）、走査ＩＣ（５）、走査ＩＣ（６）、走査ＩＣ（８）、走査ＩＣ（９）、走査ＩＣ（１１）となり、書込み動作は、領域（１２）、領域（１０）、領域（７）、領域（１）、領域（２）、領域（３）、領域（４）、領域（５）、領域（６）、領域（８）、領域（９）、領域（１１）の順番で行われる。
【００７７】
このように、本実施の形態では、部分点灯率が高い領域に接続された走査ＩＣから先に書込み動作させることで、部分点灯率が高い領域から先に書込み動作を行い、安定した書込み放電を実現している。これは、次のような理由による。
【００７８】
図８は、本発明の実施の形態１における走査ＩＣの書込み動作の順序と安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）との関係を示す特性図である。図８において、縦軸は安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）を表し、横軸は走査ＩＣの書込み動作の順序を表す。なお、この実験は、１画面を１６の領域に分け、走査パルス発生回路５０に１６個の走査ＩＣを備えて走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを駆動する構成にして行った。そして、走査ＩＣの書込み動作の順序によって、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）がどのように変化するかを測定した。
【００７９】
図８に示すように、走査ＩＣの書込み動作の順序に応じて安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）も変化する。そして、書込み動作の順序が遅い走査ＩＣほど安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）は大きくなる。例えば、最初に書込み動作させる走査ＩＣでは、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）は約８０（Ｖ）であるが、最後（ここでは、１６番目）に書込み動作させる走査ＩＣでは、必要な走査パルス電圧（振幅）は約１５０（Ｖ）となり、約７０（Ｖ）も大きくなった。
【００８０】
これは、初期化期間に形成された壁電荷が、時間の経過とともに徐々に減少するためと考えられる。また、書込みパルス電圧Ｖｄは、書込み期間中（表示画像に応じて）各データ電極３２に印加されるため、書込み動作が行われていない放電セルにも書込みパルス電圧Ｖｄは印加される。このような電圧変化によっても壁電荷は減少するため、書込み期間の終盤に書込み動作が行われる放電セルでは、さらに壁電荷が減少すると考えられる。
【００８１】
図９は、本発明の実施の形態１における部分点灯率と安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）との関係を示す特性図である。図９において、縦軸は安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）を表し、横軸は部分点灯率を表す。なお、この実験では、図８における測定と同様に１画面を１６の領域に分け、そのうちの１つの領域において、点灯セルの割合を変えながら、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）がどのように変化するかを測定した。
【００８２】
図９に示すように、点灯セルの割合に応じて安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）も変化する。そして、点灯率が高くなるほど安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）は大きくなる。例えば、点灯率１０％では、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）は約１１８（Ｖ）であるが、点灯率１００％では、必要な走査パルス電圧（振幅）は約１４９（Ｖ）となり、約３１（Ｖ）も大きくなる。
【００８３】
これは、点灯セルが増えて点灯率が上がると放電電流が増加し、走査パルス電圧（振幅）の電圧降下が大きくなるためと考えられる。また、パネル１０の大画面化により、走査電極２２の長さが長くなる等して駆動負荷が増大すると、電圧降下はさらに大きくなる。
【００８４】
このように、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）は、走査ＩＣの書込み動作の順序が遅くなるほど、すなわち初期化動作から書込み動作までの経過時間が長くなるほど大きくなり、また、点灯率が高くなるほど大きくなる。したがって、走査ＩＣの書込み動作の順序が遅く、かつその走査ＩＣが接続された領域の部分点灯率が高い場合には、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）はさらに大きくなる。
【００８５】
しかしながら、同じように部分点灯率が高い領域であっても、その領域に接続された走査ＩＣの書込み動作の順序を早くすれば、その領域に接続された走査ＩＣの書込み動作の順序が遅いときよりも、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）を低減することができる。
【００８６】
そこで、本実施の形態では、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドを除くサブフィールド（例えば、第２ＳＦから第８ＳＦ）では、領域毎に部分点灯率を検出し、部分点灯率が高い領域に接続された走査ＩＣから先に書込み動作させる構成とする。これにより、部分点灯率が高い領域から先に書込み動作を行うことができるので、部分点灯率が高い領域における書込み動作を、部分点灯率が低い領域における書込み動作よりも、初期化動作から書込み動作までの経過時間を短くして行うことが可能となる。これにより、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）が増大することを防止して安定した書込み放電を発生させることができる。本発明者が行った実験では、本実施の形態における構成とすることで、表示画像にもよるが、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）を約２０（Ｖ）低減できることが確認された。
【００８７】
一方、現サブフィールドにおいて安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）の大きさは、直前のサブフィールドにおける維持放電の発生回数によって変化することが発明者により確認された。図１０は、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）と直前のサブフィールドにおける維持放電の発生回数との関係を概略的に示す特性図である。図１０において、縦軸は安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）の大きさを表し、横軸は直前のサブフィールドにおける維持放電の発生回数を表す。
【００８８】
図１０に示すように、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）の大きさは、直前のサブフィールドにおける維持放電の発生回数によって変化し、維持放電の発生回数が多ければ大きくなり、少なければ小さくなる。これは、次のような理由によると考えられる。維持放電はプライミング粒子を発生させ、発生したプライミング粒子は、続く初期化動作に影響を与える。具体的には、プライミング粒子により初期化時の放電開始のタイミングが早まり初期化放電の継続時間が延びる、あるいはプライミング粒子により初期化放電の放電強度が上がる、といった現象が生じる。これにより、初期化放電による壁電荷の調整動作が過剰になり、初期化後の壁電荷、すなわち書込みに必要な壁電荷が減少する。プライミング粒子の発生数は維持放電の発生回数に比例して増加するため、維持期間における維持放電の発生回数が多いと、より多くのプライミング粒子が発生し、続く書込みに必要な壁電荷がより減少する。そして、その分、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）が大きくなるものと考えられる。
【００８９】
なお、走査電極２２に印加する走査パルス電圧（振幅）が一定のまま、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）が大きくなると、書込み放電の放電強度が相対的に下がってしまい、書込み放電による発光輝度も同様に低下する。また、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）が大きくなり走査電極２２に実際に印加する走査パルス電圧（振幅）を超えてしまうと、書込み動作が不安定になり、書込み放電を発生させるべき放電セルで書込み放電が発生しないといった不具合（以下、このような現象を「不灯」と呼称する）が発生する。
【００９０】
ここで、各サブフィールドにおける輝度は、次式で表すことができる（なお、１回の放電で生じる明るさと、放電を繰り返すことで得られる明るさとを区別するために、以下、前者を「発光輝度」と呼称し、後者を「輝度」と呼称する）。
【００９１】
（サブフィールドの輝度）＝（そのサブフィールドの維持期間に発生する維持放電による輝度）＋（そのサブフィールドの書込み期間に発生する書込み放電による輝度）
しかし、維持パルス数が十分に多いサブフィールドでは、維持期間に発生する輝度が書込み期間に発生する輝度よりも十分に大きくなる。そのため、書込み期間に発生する輝度がそのサブフィールドの輝度に与える影響は実質的に無視できる程度となる。このようなサブフィールドにおける輝度は、次式で表すことができる。
【００９２】
（サブフィールドの輝度）＝（そのサブフィールドの維持期間に発生する維持放電による輝度）
逆に、維持パルス数が少ないサブフィールドでは、維持期間に発生する輝度が小さくなるので、書込み期間に発生する輝度が相対的に大きくなる。そのため、書込み放電の放電強度が変化して書込み放電による発光輝度が変化すると、その影響を受けて、サブフィールドの輝度が変化してしまう。
【００９３】
したがって、高サブフィールドの直後に低サブフィールドが発生するようなサブフィールド構成、例えば、本実施の形態に示すサブフィールド構成では、低サブフィールドである第１ＳＦにおいて、直前の高サブフィールド（第８ＳＦ）の維持期間で発生するプライミング粒子の影響を受けて、書込み放電の放電強度が変化し、輝度が変化するおそれがある。
【００９４】
なお、維持放電が発生しなかった領域ではプライミング粒子は発生しない。したがって、高サブフィールド（第８ＳＦ）において点灯セルが局所的に集中して発生すると、プライミング粒子もその領域に集中して発生する。そのため、続く低サブフィールド（第１ＳＦ）では、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）が、その領域で局所的に上昇する。
【００９５】
また、図８に示したように、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）は、書込み動作の順序が遅くなるほど大きくなる。そのため、例えば、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）が局所的に上昇し、その領域が書込み動作の順番が遅い領域であれば、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）はさらに上昇し、維持放電の放電強度が下がって輝度が低下するだけでなく、不灯等の不具合も発生しやすくなる。
【００９６】
次に、高サブフィールド（第８ＳＦ）において点灯セルが局所的に集中して発生したときの、続く低サブフィールド（第１ＳＦ）における発光状態を図面を用いて概略的に示す。
【００９７】
図１１Ａは、高サブフィールド（第８ＳＦ）において点灯セルが局所的に集中して発生したときのパネル１０の発光状態を概略的に示す図である。なお、図１１Ａにおいて、黒（ハッチングされた領域）で示した領域は非点灯セルが分布する領域を表し、白（ハッチングのない領域）で示した領域は点灯セルが分布する領域を表すものとする。
【００９８】
図１１Ｂは、その高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールド（第１ＳＦ）におけるパネル１０の発光状態を概略的に示す図である。なお、このサブフィールドでは、パネル１０の全ての放電セルが点灯しているものとする。また、図１１Ｂには、走査電極ＳＣ１から走査電極ＳＣｎまで順に書込み動作したときの発光状態を概略的に表すものとする。
【００９９】
図１１Ａに示すように、例えば、高サブフィールド（第８ＳＦ）において領域Ａで示す部分に局所的に点灯セルが集中すると、その領域Ａでは大量のプライミング粒子が発生し、続く低サブフィールド（第１ＳＦ）における領域Ａでの書込み放電を不安定にさせてしまう。また、走査電極ＳＣ１から順に（図面に示すパネル１０の上端から下端に向かって順に）書込み動作する構成では、領域Ａに書込み動作がなされる順番は比較的遅い。そのため、図１１Ｂに示すように、低サブフィールド（第１ＳＦ）において、領域Ａでは、輝度が低下したり、不灯が発生しやすくなる。
【０１００】
なお、一般に視聴されている動画像では、図１１Ａ、図１１Ｂに示すような発光パターン、すなわち、輝度重みが最も大きいサブフィールドでは点灯セルの発生数が少なく、かつ点灯セルが局所的に集中し、輝度重みが最も小さいサブフィールドでは点灯セルの発生数が多く、かつ点灯セルが全体的に満遍なく発生するパターンが比較的多いことが発明者により確認されている。すなわち、走査電極ＳＣ１から順に書込み動作する従来技術では、一般に視聴されている動画像を表示するときに、図１１Ｂに示したような不具合が発生しやすい。
【０１０１】
一方、上述したように、壁電荷は、初期化動作からの経過時間に応じて徐々に減少していくので、書込み動作の順番が早い放電セルでは、壁電荷の減少は少ない。したがって、書込み動作の順番が早い放電セルでは、図８にも示したように、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）の上昇は比較的小さく、そのため、放電セルに印加する走査パルス電圧（振幅）が一定であれば、書込み放電の放電強度は比較的強くなり、安定した書込み放電を発生させることができる。
【０１０２】
そこで、本実施の形態では、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドでは、その高サブフィールドにおいて検出された部分点灯率が高い領域に接続された走査ＩＣから先に書込み動作させるものとする。すなわち、高サブフィールドの直後の低サブフィールドでは、その高サブフィールドの維持期間で発生したプライミング粒子が多い領域から先に書込みを行うものとする。具体的には、高サブフィールドの直後の低サブフィールドでは、その高サブフィールドにおける走査ＩＣの書込み動作の順番と同じ順番で走査ＩＣに書込み動作させる。
【０１０３】
これにより、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドでは、直前の高サブフィールドの維持期間に多くのプライミング粒子が発生し、書込み放電が不安定になりやすい領域から先に書込みを行うことができるようになる。例えば、図１１Ａ、図１１Ｂに示すような発光パターンでは、低サブフィールド（第１ＳＦ）において領域Ａの書込み動作を最初に行うことができる。これにより、低サブフィールド（第１ＳＦ）における書込み放電を安定化させ、画像表示品質を向上させることが可能になる。
【０１０４】
次に、図５に示した走査ＩＣへの動作開始信号であるＳＩＤ（ここでは、ＳＩＤ（１）〜ＳＩＤ（１２））を発生させる回路の一例を図面を用いて説明する。
【０１０５】
図１２は、本発明の実施の形態１における走査ＩＣ切換え回路６０の一構成例を示す回路ブロック図である。タイミング発生回路４５は、ＳＩＤ（ここでは、ＳＩＤ（１）〜ＳＩＤ（１２））を発生させる走査ＩＣ切換え回路６０を有する。なお、ここには図示していないが、各走査ＩＣ切換え回路６０には各回路の動作タイミングの基準となるクロック信号ＣＫが入力されている。
【０１０６】
走査ＩＣ切換え回路６０は、図１２に示すように、発生させるＳＩＤの数と同数（ここでは、１２個）のＳＩＤ発生回路６１を備え、各ＳＩＤ発生回路６１には、点灯率比較回路４８における比較結果にもとづき発生させる切換え信号ＳＲ、書込み期間における走査ＩＣ選択期間に発生させる選択信号ＣＨ、走査ＩＣの書込み動作開始時に発生させるスタート信号ＳＴがそれぞれ入力される。そして、各ＳＩＤ発生回路６１は、入力された各信号にもとづきＳＩＤを出力する。なお、各信号はタイミング発生回路４５において生成されるが、選択信号ＣＨに関しては、各ＳＩＤ発生回路６１において所定時間ずつ遅延された選択信号ＣＨを次段のＳＩＤ発生回路６１に用いるものとする。例えば、最初のＳＩＤ発生回路６１に入力する選択信号ＣＨ（１）をそのＳＩＤ発生回路６１において所定時間遅延して選択信号ＣＨ（２）とし、この選択信号ＣＨ（２）を次段のＳＩＤ発生回路６１に入力するものとする。したがって、各ＳＩＤ発生回路６１においては、切換え信号ＳＲおよびスタート信号ＳＴは同タイミングで入力されるが、選択信号ＣＨは全て異なるタイミングで入力される。
【０１０７】
図１３は、本発明の実施の形態１におけるＳＩＤ発生回路６１の一構成例を示す回路図である。ＳＩＤ発生回路６１は、フリップフロップ回路（以下、「ＦＦ」と略記する）６２、遅延回路６３、アンドゲート６４を有する。
【０１０８】
ＦＦ６２は、一般に知られたフリップフロップ回路と同様の構成、動作であり、クロック入力端子ＣＫＩＮ、データ入力端子ＤＩＮ、データ出力端子ＤＯＵＴを有する。そして、クロック入力端子ＣＫＩＮに入力される信号（ここでは、切換え信号ＳＲ）の立ち上がり時（ＬｏからＨｉへの変化時）におけるデータ入力端子ＤＩＮ（ここでは、選択信号ＣＨを入力）の状態（ＬｏまたはＨｉ）を保持し、この状態を反転したものを、データ出力端子ＤＯＵＴからゲート信号Ｇとして出力する。
【０１０９】
アンドゲート６４は、ＦＦ６２から出力されるゲート信号Ｇを一方の入力端子に、スタート信号ＳＴを他方の入力端子に入力し、２つの信号の論理積演算をして出力する。すなわち、ゲート信号ＧがＨｉでかつスタート信号ＳＴがＨｉのときのみＨｉを出力し、それ以外はＬｏを出力する。そして、このアンドゲート６４の出力がＳＩＤとなる。
【０１１０】
遅延回路６３は、一般に知られた遅延回路と同様の構成、動作であり、クロック入力端子ＣＫＩＮ、データ入力端子ＤＩＮ、データ出力端子ＤＯＵＴを有する。そして、データ入力端子ＤＩＮに入力される信号（ここでは、選択信号ＣＨ）を、クロック入力端子ＣＫＩＮに入力されるクロック信号ＣＫの所定の周期分（ここでは、１周期分）だけ遅延させてデータ出力端子ＤＯＵＴから出力する。この出力が次段のＳＩＤ発生回路６１に用いる選択信号ＣＨとなる。
【０１１１】
これらの動作を、タイミングチャートを用いて説明する。図１４は、本発明の実施の形態１における走査ＩＣ切換え回路６０の動作を説明するためのタイミングチャートである。ここでは、走査ＩＣ（３）の次に走査ＩＣ（２）に書込み動作させるときの、走査ＩＣ切換え回路６０の動作を例に挙げて説明を行う。なお、ここに示す各信号は、点灯率比較回路４８からの比較結果にもとづき、タイミング発生回路４５内で、その発生タイミングを決定して発生させるものとする。
【０１１２】
なお、本実施の形態では、書込み期間内に設けた走査ＩＣ選択期間において、次に書込み動作させる走査ＩＣを決定するものとする。ただし、最初に書込み動作させる走査ＩＣを決定するための走査ＩＣ選択期間は書込み期間の直前に行うものとする。そして、書込み動作中の走査ＩＣの書込み動作が終了する直前に、次に書込み動作させる走査ＩＣを決定するための走査ＩＣ選択期間を設けるものとする。
【０１１３】
走査ＩＣ選択期間では、まず、選択信号ＣＨ（１）がＳＩＤ（１）を発生させるためのＳＩＤ発生回路６１に入力される。この選択信号ＣＨ（１）は、図１４に示すように、通常はＨｉであり、クロック信号ＣＫ１周期分だけＬｏになる負極性のパルス波形である。そして、選択信号ＣＨ（１）は、ＳＩＤ発生回路６１においてクロック信号ＣＫ１周期分遅延され、選択信号ＣＨ（２）となってＳＩＤ（２）を発生させるためのＳＩＤ発生回路６１に入力される。以降、クロック信号ＣＫ１周期分ずつ遅延された選択信号ＣＨ（３）〜選択信号ＣＨ（１２）が各ＳＩＤ発生回路６１にそれぞれ入力される。
【０１１４】
切換え信号ＳＲは、図１４に示すように、通常はＬｏであり、クロック信号ＣＫ１周期分だけＨｉになる正極性のパルス波形である。そして、クロック信号ＣＫ１周期分ずつ遅延された選択信号ＣＨ（１）〜選択信号ＣＨ（１２）のうち、次に書込み動作させる走査ＩＣを選択するための選択信号ＣＨがＬｏになったタイミングで、正極性のパルスを発生させる。これにより、ＦＦ６２では、クロック入力端子ＣＫＩＮに入力される切換え信号ＳＲの立ち上がり時における選択信号ＣＨの状態を反転させたものがゲート信号Ｇとして出力される。
【０１１５】
例えば、走査ＩＣ（２）を選択する場合には、図１４に示すように、選択信号ＣＨ（２）がＬｏになった時点で切換え信号ＳＲに正極性のパルスを発生させる。このとき、選択信号ＣＨ（２）を除く選択信号ＣＨはＨｉなので、ゲート信号Ｇ（２）のみがＨｉとなりそれ以外のゲート信号ＧはＬｏとなる。なお、ここでは、ゲート信号Ｇ（３）がこのタイミングでＨｉからＬｏに変化する。
【０１１６】
なお、切換え信号ＳＲは、クロック信号ＣＫの立ち下がりに同期して状態が変化するように発生させてもよい。こうすることで、選択信号ＣＨの状態変化に対してクロック信号ＣＫ半周期分の時間的なずれを設けることができ、ＦＦ６２における動作を確実にすることができる。
【０１１７】
そして、走査ＩＣの書込み動作を開始するタイミングで、スタート信号ＳＴにクロック信号ＣＫ１周期分だけＨｉになる正極性のパルスを発生させる。スタート信号ＳＴは各ＳＩＤ発生回路６１に共通に入力されるが、ゲート信号ＧがＨｉとなっているアンドゲート６４のみが正極性のパルスを出力できる。これにより、次に書込み動作させる走査ＩＣを任意に決定することができる。ここでは、ゲート信号Ｇ（２）がＨｉなので、ＳＩＤ（２）に正極性のパルスが発生し、走査ＩＣ（２）が書込み動作を開始する。
【０１１８】
以上示したような回路構成によりＳＩＤを発生させることができるが、ここに示した回路構成は単なる一例に過ぎず、本発明は何らここに示した回路構成に限定されるものではない。走査ＩＣに書込み動作の開始を指示するＳＩＤを発生できる構成であれば、どのような回路構成であってもかまわない。
【０１１９】
図１５は、本発明の実施の形態１における走査ＩＣ切換え回路の他の構成例を示す回路図であり、図１６は、本発明の実施の形態１における走査ＩＣ切換え動作の他の一例を説明するためのタイミングチャートである。
【０１２０】
例えば、図１５に示すように、スタート信号ＳＴをＦＦ６５でクロック信号ＣＫ１周期分だけ遅延させ、スタート信号ＳＴと、ＦＦ６５でクロック信号ＣＫ１周期分だけ遅延させたスタート信号ＳＴとをアンドゲート６６において論理積演算するように構成してもよい。このとき、ＦＦ６５のクロック入力端子ＣＫＩＮには、クロック信号ＣＫを論理反転器ＩＮＶを用いて極性を逆にしたクロック信号ＣＫを入力するように構成することが望ましい。この構成では、スタート信号ＳＴにクロック信号ＣＫ２周期分だけＨｉになる正極性のパルスが発生した場合に、アンドゲート６６からクロック信号ＣＫ１周期分だけＨｉになる正極性のパルスが出力される。しかし、スタート信号ＳＴにクロック信号ＣＫ１周期分だけＨｉになる正極性のパルスが発生しても、アンドゲート６６からはＬｏしか出力されない。
【０１２１】
したがって、図６に示すように、切換え信号ＳＲに代えて、スタート信号ＳＴにクロック信号ＣＫ２周期分だけＨｉになる正極性のパルスを発生させれば、アンドゲート６６から出力される正極性のパルスを切換え信号ＳＲの代替信号として使用することができる。すなわち、この構成では、スタート信号ＳＴに、本来のスタート信号ＳＴとしての働きと、切換え信号ＳＲとしての働きとを持たせることができるので、切換え信号ＳＲを削減しつつ上述と同様の動作を行うことができる。
【０１２２】
以上示したように、本実施の形態によれば、パネル１０の表示領域を複数の領域に分け、それぞれの領域における部分点灯率を部分点灯率検出回路４７で検出し、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドを除くサブフィールドにおいては、部分点灯率が高い領域から先に書込み動作を行う構成とする。これにより、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）が増大することを防止して、安定した書込み放電を発生させることが可能となる。
【０１２３】
また、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドにおいては、その直前の高サブフィールドにおいて検出された部分点灯率にもとづく順番で書込み動作を行う構成とする。これにより、その高サブフィールドの維持期間に発生したプライミング粒子による影響を考慮した順番で書込み動作を行うことができるので、高サブフィールドの直後の低サブフィールドにおける書込み放電を安定化させ、画像表示品質を向上させることが可能になる。
【０１２４】
なお、本実施の形態では、第１の設定値を、維持放電によるプライミング粒子が、直後の低サブフィールドにおける書込み動作に実質的に影響を与える程度に発生するかどうかを基準にして設定するものとする。また、第２の設定値を、書込み放電による発光輝度がサブフィールドの輝度に影響を与える程度に維持放電の発生回数が少ないかどうかを基準にして設定するものとする。したがって、本実施の形態に示す第１の設定値の「８０」、第２の設定値の「６」は、これらの基準にもとづき設定した一実施例に過ぎず、これらの値は、パネル１０の特性やプラズマディスプレイ装置１の仕様、あるいは目視評価等にもとづき最適に設定することが望ましい。
【０１２５】
なお、本実施の形態では、メモリー４９に第８ＳＦにおける部分点灯率の比較結果を記憶し、第１ＳＦの書込み動作時にその記憶内容を使用する構成を説明した。しかし、例えば、タイミング発生回路４５の中、または走査電極駆動回路４３の中に、第８ＳＦにおける書込み動作の順番を記憶するメモリーを設け、第１ＳＦでは、そのメモリーに記憶された順番で書込み動作を行う構成としてもよい。
【０１２６】
なお、本実施の形態では、第１ＳＦの輝度重みが最も小さく、第８ＳＦの輝度重みが最も大きい構成を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。例えば、最終サブフィールドが、輝度重みは最大ではないが維持パルス数が第１の設定値以上であり、第１ＳＦが、輝度重みは最小ではないが維持パルス数が第２の設定値以下であれば、第１ＳＦにおける書込み動作を、その直前の最終サブフィールドにおける書込み動作と同じ順番で行うものとする。
【０１２７】
また、本実施の形態では、１フィールドに、上述した「高サブフィールドの直後の低サブフィールド」の条件に該当するサブフィールドが１つある例を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。例えば、１フィールドを８つのサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第８ＳＦ）で構成するとともに各サブフィールドの輝度重みをそれぞれ（１、４、１６、６４、２、８、３２、１２８）に設定し、輝度倍率を「２」とすると、各サブフィールドの維持パルス数はそれぞれ（２、８、３２、１２８、４、１６、６４、２５６）となる。この場合、第１の設定値を「８０」とし、第２の設定値を「６」とすると、上述した「高サブフィールドの直後の低サブフィールド」の条件には、第４ＳＦの直後の第５ＳＦ、および第８ＳＦの直後の第１ＳＦが、それぞれ該当する。したがって、この場合には、第５ＳＦ、第１ＳＦのそれぞれにおいて、直前のサブフィールドの部分点灯率にもとづく順番で書込み動作を行うものとする。
【０１２８】
なお、全セル初期化動作では全ての放電セルで初期化放電を発生させ、選択初期化動作では維持放電が発生した放電セルにのみ初期化放電を発生させる。そのため、全セル初期化動作と選択初期化動作とでは、その直前のサブフィールドで発生したプライミング粒子による書込み動作への影響に差が生じる。具体的には、全セル初期化動作の方が、より大きな影響を受けやすく、選択初期化動作では、全セル初期化動作と比較して、その影響が小さい。
【０１２９】
このことを考慮し、次のような構成としてもかまわない。すなわち、高サブフィールドの直後の低サブフィールドが全セル初期化動作を行うサブフィールドであれば、その低サブフィールドにおける書込み動作を直前の高サブフィールドにおいて検出された部分点灯率にもとづく順番で行うものとする。そして、高サブフィールドの直後の低サブフィールドが選択初期化動作を行うサブフィールドであれば、その低サブフィールドにおける書込み動作を、次の２つのいずれかを選択して行うものとする。すなわち、直前の高サブフィールドにおいて検出された部分点灯率にもとづく順番で書込み動作を行うか、または、あらかじめ定められた順番で書込み動作を行うかを、選択する。この選択は、画像表示モード等に応じて適応的に切換える、といった構成であってもよく、パネル１０の特性やプラズマディスプレイ装置１の仕様等にもとづきあらかじめ設定しておく構成であってもよい。
【０１３０】
なお、本実施の形態では、１つの走査ＩＣに接続された走査電極２２にもとづき各領域を設定する構成を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではなく、その他の区分けで各領域を設定する構成であってもよい。例えば、走査電極２２の走査順序を１本ずつ任意に変更できるような構成であれば、１本の走査電極２２を１つの領域として走査電極２２毎に部分点灯率を検出し、その検出結果に応じて、走査電極２２毎に書込み動作の順序を変更する構成であってもよい。
【０１３１】
なお、本実施の形態では、それぞれの領域における部分点灯率を検出し、部分点灯率の高い領域から先に書込み動作を行う構成を説明したが、本発明は、何らこの構成に限定されるものではない。例えば、１対の表示電極対２４における点灯率をライン点灯率として各表示電極対２４毎に検出するとともに、各領域毎に最も高いライン点灯率をピーク点灯率として検出し、ピーク点灯率の高い領域から先に書込み動作を行う構成としてもよい。
【０１３２】
なお、走査ＩＣ切換え回路６０の動作を説明する際に示した各信号の極性は、単なる一例を示したものに過ぎず、説明で示した極性とは逆の極性であっても何らかまわない。
【０１３３】
（実施の形態２）
図１７は、本発明の実施の形態２におけるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形図である。図１７には、図３と同様に、書込み期間の最初に書込み動作を行う走査電極ＳＣ１、書込み期間の最後に書込み動作を行う走査電極ＳＣｎ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ、およびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍの駆動波形を示す。
【０１３４】
なお、本実施の形態において、各サブフィールドで発生する駆動電圧波形は、実施の形態１で図３に示した駆動電圧波形に等しいものとする。また、サブフィールド内の各期間における各動作も実施の形態１で説明した各動作に等しいものとする。
【０１３５】
ただし、本実施の形態における駆動電圧波形は、図１７に示すように、最終サブフィールド（第８ＳＦ）と先頭サブフィールド（第１ＳＦ）との間に、休止期間を設けた構成としている。すなわち、所定のサブフィールドである低サブフィールドと、その直前のサブフィールドである高サブフィールドとの間に休止期間を設けた構成としている。この休止期間では、各電極に印加する駆動電圧を全て０（Ｖ）にし、パネル１０の駆動を休止する。
【０１３６】
例えば、１フィールドを構成する各サブフィールドにかかる時間の総和が１フィールドの時間に満たないとき、その差分の時間を休止期間とすることができる。
【０１３７】
そして、最終サブフィールドが高サブフィールドであり、それに続く先頭サブフィールドが低サブフィールドであって、それらの間に休止期間を設ける構成では、先頭サブフィールドにおいて、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）の大きさが、休止期間の長さによって変化することが発明者により確認された。
【０１３８】
図１８は、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）と休止期間の長さとの関係を概略的に示す特性図である。図１８において、縦軸は安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）の大きさを表し、横軸は休止期間の長さを表す。
【０１３９】
この図１８に示すように、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）の大きさは、休止期間が長くなるにつれて小さくなることが発明者によって確認された。これは、最終サブフィールドの維持期間に発生したプライミング粒子が、時間の経過とともに減少し、続く先頭サブフィールドの書込み動作に与える影響が徐々に小さくなっていくためと考えられる。
【０１４０】
そして、休止期間が十分に長くなれば、先頭サブフィールドにおいて、最終サブフィールドの維持期間に発生したプライミング粒子による影響は実質的に無視できる程度に小さくなることも確認された。
【０１４１】
なお、低サブフィールド（特に、輝度重みが最も小さい第１ＳＦ）では、維持期間に発生する輝度が低いので、書込み期間に発生する輝度がサブフィールドの輝度に占める割合が高い。そのため、書込み放電の放電強度の変化により生じる発光輝度の変化が、サブフィールドの輝度の変化として表れやすい。そして、最終サブフィールドで発生したプライミング粒子が、続く先頭サブフィールドの初期化放電に与える影響が実質的に無視できる程度まで減少しているときには、その先頭サブフィールドにおける書込み放電の放電強度の変化は、書込み動作の順番、すなわち初期化動作から書込み動作までの経過時間によるところが大きくなる。
【０１４２】
したがって、最終サブフィールドで発生したプライミング粒子が、続くフィールドの先頭サブフィールドにおいて、初期化放電に与える影響が実質的に無視できる程度まで減少しているときには、その先頭サブフィールドにおいて、書込み放電の放電強度の変化により生じる発光輝度の変化がパネル１０の画像表示面において不連続にならないようにすることが望ましい。これは、パネル１０の画像表示面における輝度の変化を知覚されにくくするためである。
【０１４３】
そこで、本実施の形態では、高サブフィールドと低サブフィールドとの間に休止期間があり、その休止期間が十分に長いときには、その低サブフィールドにおいて、あらかじめ定めた順番で書込み動作を行うものとする。
【０１４４】
具体的には、休止期間とあらかじめ定めた「所定時間」とを比較し、休止期間が十分に長いかどうかを判断する。すなわち、高サブフィールドで発生したプライミング粒子が、続く低サブフィールドにおいて、初期化放電に与える影響が実質的に無視できる程度まで減少しているかどうかを判断する。そして、休止期間が「所定時間」以上のときには、その低サブフィールドでは、あらかじめ定めた順番で書込み動作を行うものとする。また、休止期間が「所定時間」未満のときには、実施の形態１に示したように、その低サブフィールドでは、高サブフィールドで検出された部分点灯率に応じた順番で書込み動作を行うものとする。これにより、低サブフィールドにおける書込み動作を、休止期間の長さに応じて、高サブフィールドで検出された部分点灯率に応じた順番で行うか、または、あらかじめ定めた順番で行うかのいずれか好ましい方を選択して行うことが可能になる。
【０１４５】
例えば、表示画像の平均輝度レベル（Ａｖｅｒａｇｅ  Ｐｉｃｔｕｒｅ  Ｌｅｖｅｌ、以下、「ＡＰＬ」と略記する）を検出し、ＡＰＬの大きさに応じて輝度倍率を変化させる構成では、輝度倍率の変化にともない各サブフィールドの維持期間の長さが変化する。すなわち、輝度倍率に応じて各サブフィールドの長さが変化するので、それに応じて休止期間の長さも変化する。このような構成であって、かつ高サブフィールドと低サブフィールドとの間に休止期間を設けた構成のときには、本実施の形態に示した構成を用いることにより、休止期間の直後の低サブフィールドにおける書込み動作を、休止期間の長さに応じて、適応的に切換えることが可能となる。
【０１４６】
なお、本実施の形態における上述した「あらかじめ定めた順番での書込み動作」は、パネル１０上端の走査電極２２（走査電極ＳＣ１）からパネル１０下端の走査電極２２（走査電極ＳＣｎ）に向かって順に行う書込み動作とする。これにより、書込み放電の放電強度の変化により生じる発光輝度の変化がパネル１０の画像表示面において不連続にならないようにし、パネル１０の画像表示面における輝度の変化を知覚されにくくすることができる。
【０１４７】
しかし、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。例えば、パネル１０の下端の走査電極２２（走査電極ＳＣｎ）からパネル１０の上端の走査電極２２（走査電極ＳＣ１）に向かって順に書込み動作する構成や、表示領域を２分割し、パネル１０の上端およびパネル１０の下端の各走査電極２２（走査電極ＳＣ１、走査電極ＳＣｎ）からパネル１０中央の走査電極２２（走査電極ＳＣｎ／２）に向かって順に書込み動作する構成等であってもよい。すなわち、本発明における「あらかじめ定めた順番での書込み動作」は、パネル１０の画像表示面における輝度の変化が、不連続にならないようにする順番での書込み動作であるものとする。
【０１４８】
したがって、「あらかじめ定めた順番での書込み動作」は、自身のサブフィールドにおいて検出された部分点灯率にもとづく順番で書込み動作する構成を含まない。この構成は、書込み放電の放電強度の変化により生じる発光輝度の変化が、パネル１０の画像表示面における不連続な輝度の変化として発生し、使用者に知覚されやすくなるためである。
【０１４９】
なお、本実施の形態では、「所定時間」を、維持放電で発生したプライミング粒子が、続く低サブフィールドの書込み動作に与える影響が実質的に無視できる程度まで減少したかどうかを基準にして設定するものとする。本実施の形態では、この「所定時間」を、例えば「２ｍｓｅｃ」とする。しかし、この値は、上述した基準にもとづき設定した一実施例に過ぎず、「所定時間」の値は、パネル１０の特性やプラズマディスプレイ装置１の仕様、あるいは目視評価等にもとづき最適に設定することが望ましい。
【０１５０】
なお、本実施の形態において、休止期間が「所定時間」以上かどうかの判断は、各駆動回路の制御を司るタイミング発生回路４５内で行うことができる。したがって、図示はしないが、休止期間が「所定時間」以上かどうかの判断をタイミング発生回路４５において行い、高サブフィールドに続く低サブフィールドにおける書込み動作を上述したいずれの方法で行うかをタイミング発生回路４５が決定し、その結果に応じたタイミング信号をタイミング発生回路４５が出力する構成とすることができる。
【０１５１】
（実施の形態３）
本実施の形態では、所定のサブフィールドを除くサブフィールドにおいて、すなわち、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドを除くサブフィールドにおいて、１フィールドの輝度重みの総和に対して所定の割合以上の輝度重みを有するサブフィールドでは、実施の形態１で説明したように、部分点灯率検出回路における検出結果にもとづき部分点灯率が高い領域から先に書込み動作が行われるように走査ＩＣを順次切換えて動作させる。そして、１フィールドの輝度重みの総和に対して所定の割合未満の輝度重みを有するサブフィールドでは、あらかじめ定めた順番で走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに走査パルス電圧Ｖａを印加して書込み動作を行う。
【０１５２】
または、本実施の形態では、所定のサブフィールドを除くサブフィールドにおいて、すなわち、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドを除くサブフィールドにおいて、維持期間における維持パルスの発生数が所定の数以上のサブフィールドでは、実施の形態１で説明したように、部分点灯率検出回路における検出結果にもとづき部分点灯率が高い領域から先に書込み動作が行われるように走査ＩＣを順次切換えて動作させる。そして、維持期間における維持パルスの発生数が所定の数未満のサブフィールドでは、あらかじめ定めた順番で走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに走査パルス電圧Ｖａを印加して書込み動作を行う。
【０１５３】
本実施の形態では、このような書込み動作により、書込み放電をさらに安定化し、画像表示品質をさらに向上させることを実現している。なお、あらかじめ定めた順番で行う書込み動作の一例としては、例えば、走査電極ＳＣ１から走査電極ＳＣｎまで順に走査パルス電圧Ｖａを印加するように走査ＩＣを動作させる例を挙げることができる。
【０１５４】
ここで、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドを除いたサブフィールドであって、１フィールドに占める輝度重みの割合が所定の割合未満のサブフィールド、または維持期間における維持パルスの発生数が所定の数未満のサブフィールドでは、あらかじめ定めた順番で走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに走査パルス電圧Ｖａを印加して書込み動作を行う理由について説明する。
【０１５５】
各サブフィールドにおける輝度は、実施の形態１に示したように次式で表される。
【０１５６】
（サブフィールドの輝度）＝（そのサブフィールドの維持期間に発生する維持放電による輝度）＋（そのサブフィールドの書込み期間に発生する書込み放電による輝度）
そして、１フィールドに占める輝度重みの割合が高いサブフィールド、または維持期間における維持パルスの発生数が多いサブフィールド（以下、「Ｈサブフィールド」とする）では、書込み期間に発生する輝度がそのサブフィールドの輝度に与える影響は実質的に無視できる。
【０１５７】
それに対し、１フィールドに占める輝度重みの割合が小さいサブフィールド、または維持期間における維持パルスの発生数が少ないサブフィールド（以下、「Ｌサブフィールド」とする）では、維持期間に発生する輝度が小さくなるので、書込み期間に発生する輝度が相対的に大きくなる。そのため、例えば書込み放電の放電強度が変化して書込み放電による発光輝度が変化すると、その影響を受けて、サブフィールドの輝度が変化するおそれがある。
【０１５８】
また、書込み放電の放電強度は書込み動作の順番に応じて変化することがある。これは、初期化動作からの経過時間に応じて壁電荷が減少するためである。そして、書込み動作の順番が早い放電セルでは書込み放電の放電強度が比較的強く、書込み放電による発光輝度も比較的高いが、書込み動作の順番が遅い放電セルでは、書込み動作の順番が早い放電セルと比較して書込み放電の放電強度は弱く、書込み放電による発光輝度も低くなる。
【０１５９】
したがって、Ｌサブフィールドでは、書込み動作の順番が遅い放電セルほど輝度が低くなると考えられる。この輝度の変化は微弱なため、知覚されにくいが、点灯セルの分布パターンによっては知覚されやすくなることもある。
【０１６０】
図１９は、所定の画像を部分点灯率に応じた順番で書込み動作して表示したときのＬサブフィールドの発光状態を概略的に示した図である。なお、図１９において、黒（ハッチングされた領域）で示した部分は非点灯セルを表し、白（ハッチングのない領域）で示した部分は点灯セルを表すものとする。
【０１６１】
なお、この表示画像は、部分点灯率が最も高い領域が領域（１）（走査ＩＣ（１）に接続された領域）であり、次に部分点灯率が高い領域は領域（３）（走査ＩＣ（３）に接続された領域）であり、以下、部分点灯率は、領域（５）、領域（７）、領域（９）、領域（１１）、領域（２）、領域（４）、領域（６）、領域（８）、領域（１０）、領域（１２）の順に小さくなるものとする。
【０１６２】
そして、この画像パターンを部分点灯率に応じて書込み動作すると、領域（１）、領域（３）、領域（５）、領域（７）、領域（９）、領域（１１）、領域（２）、領域（４）、領域（６）、領域（８）、領域（１０）、領域（１２）の順に書込み動作がなされる。そのため、書込み動作の順番が早い領域間に書込み動作の順番が遅い領域がはさまれてしまう。例えば、最初に書込み動作がなされる領域（１）と、２番目に書込み動作がなされる領域（３）との間に、７番目に書込み動作がなされる領域（２）がはさまれ、２番目に書込み動作がなされる領域（３）と、３番目に書込み動作がなされる領域（５）との間に、８番目に書込み動作がなされる領域（４）がはさまれる。
【０１６３】
上述したように、Ｌサブフィールドにおける各領域の輝度は書込み動作の順番に応じて徐々に低下していくが、その輝度の変化は微弱であり、知覚されにくい。しかし、図１９に示すように、書込み動作の順番が早い領域間に書込み動作の順番が遅い領域がはさまれてしまうと、輝度が不連続に変化する領域が発生してしまう。輝度の変化が微弱であってもその変化が不連続に発生すれば、その輝度変化は知覚されやすく、例えば帯状のノイズとして認識されるおそれがある。
【０１６４】
そこで、本実施の形態では、維持期間に発生する輝度が小さく、書込み放電による発光輝度の変化が知覚されやすいサブフィールドでは、あらかじめ定めた順番で書込み動作を行うものとする。以下、このサブフィールドを「Ｌサブフィールド」と呼称する。ただし、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドはＬサブフィールドから除く。
【０１６５】
図２０は、図１９に示した表示画像と同様の画像をパネル１０上端の走査電極２２（走査電極ＳＣ１）からパネル１０下端の走査電極２２（走査電極ＳＣｎ）に向かって順に書込み動作を行って表示したときのＬサブフィールドにおける発光状態を概略的に示した図である。
【０１６６】
例えば、図２０に示すように、パネル１０上端の走査電極２２（走査電極ＳＣ１）からパネル１０下端の走査電極２２（走査電極ＳＣｎ）に向かって順に書込み動作を行えば、点灯セルの輝度はパネル１０上端からパネル１０下端に向かって徐々に低下していく。したがって、パネル１０の画像表示面において不連続な輝度変化は発生せず、輝度変化を滑らかにすることができる。書込み放電にもとづく輝度変化は微弱であるため、輝度変化が滑らかになるような順番で書込み動作すれば、その輝度変化を知覚されにくくすることができる。
【０１６７】
このように、本実施の形態では、維持期間に発生する輝度が小さく、書込み放電による発光輝度の変化が知覚されやすいＬサブフィールド（ただし、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドを除く）では、あらかじめ定めた順番で書込み動作を行う構成とする。これにより、パネル１０の画像表示面における書込み放電にもとづく輝度変化を滑らかにし、画像表示品質をさらに高めることができる。
【０１６８】
なお、本実施の形態では、上述した所定の割合を、例えば１％に設定することができる。この場合、例えば１フィールドを８つのサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第８ＳＦ）で構成し、各サブフィールドの輝度重みを、それぞれ１、２、４、８、１６、３２、６４、１２８とする構成では、１フィールドに占める輝度重みの割合が２％未満となるＬサブフィールドは、第１ＳＦと第２ＳＦとになる。しかし、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールド（この例では、第１ＳＦ）は、実施の形態１に示したように高サブフィールドにおける部分点灯率にもとづく順番で書込み動作を行う。したがって、第１ＳＦを除くＬサブフィールド、すなわち第２ＳＦにおいては、あらかじめ定めた順番で書込み動作を行う。そして、１フィールドに占める輝度重みの割合が２％以上となるＨサブフィールドである第３ＳＦから第８ＳＦでは、部分点灯率検出回路４７において検出された部分点灯率が高い領域から先に書込み動作を行う。
【０１６９】
また、本実施の形態では、上述した所定の数を、例えば６に設定することができる。この場合、例えば１フィールドを８つのサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第８ＳＦ）で構成し、各サブフィールドの輝度重みを、それぞれ１、２、４、８、１６、３２、６４、１２８にするとともに輝度重みを１にする構成では、各サブフィールドの維持期間に発生させる維持パルスの数は各輝度重みを１倍した数になる。したがって、維持パルスの発生数が６未満となるＬサブフィールドは、第１ＳＦと第２ＳＦと第３ＳＦとになる。この場合は、第１ＳＦを除くＬサブフィールド、すなわち第２ＳＦおよび第３ＳＦにおいて、あらかじめ定めた順番で書込み動作を行う。そして、維持パルスの発生数が６以上となるＨサブフィールドである第４ＳＦから第８ＳＦでは、部分点灯率検出回路４７において検出された部分点灯率が高い領域から先に書込み動作を行う。
【０１７０】
図２１は、本発明の実施の形態３におけるプラズマディスプレイ装置２の回路ブロック図である。
【０１７１】
プラズマディスプレイ装置２は、パネル１０、画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３、維持電極駆動回路４４、タイミング発生回路４６、部分点灯率検出回路４７、点灯率比較回路４８、および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）を備えている。なお、実施の形態１に示したプラズマディスプレイ装置１と同様の構成および同様の動作をするブロックについては同じ符号を付け、説明を省略する。
【０１７２】
タイミング発生回路４６は、水平同期信号Ｈ、垂直同期信号Ｖおよび点灯率比較回路４８からの出力にもとづき各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生し、それぞれの回路ブロックへ供給する。そして、本実施の形態におけるタイミング発生回路４６は、現サブフィールドが、１フィールドに占める輝度重みの割合が所定の割合（例えば、１％）以上のサブフィールド、または維持期間における維持パルスの発生数が所定の数（例えば、６）以上のサブフィールドかどうかを判断する。そして、１フィールドに占める輝度重みの割合が所定の割合以上のサブフィールド、または維持期間における維持パルスの発生数が所定の数以上のサブフィールドにおいては、実施の形態１で説明したように、部分点灯率検出回路における検出結果にもとづき部分点灯率が高い領域から先に書込み動作が行われるように各タイミング信号を発生させる。また、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドにおいては、実施の形態１で説明したように、その直前の高サブフィールドにおいて検出された部分点灯率にもとづく順番で書込み動作が行われるように各タイミング信号を発生させる。また、１フィールドに占める輝度重みの割合が所定の割合未満のサブフィールド、または維持期間における維持パルスの発生数が所定の数未満のサブフィールドであって、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドを除くサブフィールドにおいては、あらかじめ定めた順番で走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに走査パルス電圧Ｖａを印加するように各タイミング信号を発生させる。
【０１７３】
以上示したように、本実施の形態では、１フィールドに占める輝度重みの割合が所定の割合以上のサブフィールド、または維持期間における維持パルスの発生数が所定の数以上のサブフィールドにおいては、実施の形態１に示したように、部分点灯率が高い領域から先に書込み動作を行う。また、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドにおいては、実施の形態１に示したように、その直前の高サブフィールドにおいて検出された部分点灯率にもとづく順番で書込み動作を行う。また、維持期間に発生する輝度が小さく、書込み放電による発光輝度の変化が知覚されやすいサブフィールド、すなわち、１フィールドに占める輝度重みの割合が所定の割合未満のサブフィールド、または維持期間における維持パルスの発生数が所定の数未満のサブフィールドであって、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドを除くサブフィールドにおいては、あらかじめ定めた順番で書込み動作を行う構成とする。これにより、パネル１０の画像表示面における書込み放電にもとづく輝度変化を滑らかにし、画像表示品質をさらに高めることが可能となる。
【０１７４】
なお、本実施の形態では、Ｌサブフィールドにおいて走査電極２２をあらかじめ定めた順番で書込み動作する構成の一例として、パネル１０の上端の走査電極２２（走査電極ＳＣ１）からパネル１０の下端の走査電極２２（走査電極ＳＣｎ）に向かって順に書込み動作を行う構成を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。例えば、パネル１０の下端の走査電極２２（走査電極ＳＣｎ）からパネル１０の上端の走査電極２２（走査電極ＳＣ１）に向かって順に書込み動作を行う構成や、表示領域を２分割し、パネル１０の上端およびパネル１０の下端の各走査電極２２（走査電極ＳＣ１、走査電極ＳＣｎ）からパネル１０中央の走査電極２２（走査電極ＳＣｎ／２）に向かって書込み動作を行う構成等であってもよい。本発明における「あらかじめ定めた順番で行う書込み動作」は、パネル１０の画像表示面における書込み放電にもとづく輝度変化を滑らかにすることができる書込み動作であれば、どのような順番の書込み動作であってもかまわない。
【０１７５】
なお、本実施の形態では、「１フィールドに占める輝度重みの割合が所定の割合以上のサブフィールド、または維持期間における維持パルスの発生数が所定の数以上のサブフィールド」と、「１フィールドに占める輝度重みの割合が所定の割合未満のサブフィールド、または維持期間における維持パルスの発生数が所定の数未満のサブフィールド」とで書込み動作を変える構成を説明した。しかし、例えば、ある画像表示モードでは、「１フィールドに占める輝度重みの割合が所定の割合以上のサブフィールド」と「１フィールドに占める輝度重みの割合が所定の割合未満のサブフィールド」とで書込み動作を変え、他の画像表示モードでは、「維持期間における維持パルスの発生数が所定の数以上のサブフィールド」と「維持期間における維持パルスの発生数が所定の数未満のサブフィールド」とで書込み動作を変えるように構成してもよい。あるいは、画像表示モードに代えて、輝度倍率の大きさにもとづきこれらの切換えを行う構成であってもよい。この場合、例えば、表示画像の平均輝度レベルにもとづき輝度倍率の大きさを変えるように構成されたプラズマディスプレイ装置では、これらの切換えを表示画像の平均輝度レベルにもとづき適応的に切換えることも可能となる。
【０１７６】
（実施の形態４）
上述した実施の形態では、初期化期間にのみ初期化動作を行う駆動（以下、「１相駆動」と呼称する）にもとづき各動作を行う構成を説明したが、本発明は、何らその構成に限定されるものではない。
【０１７７】
本発明は、初期化期間における１回目の初期化動作に加え、書込み期間の途中で２回目の初期化動作を行い、書込み期間を、１回目の初期化動作後から２回目の初期化動作前までの書込み期間（以下、「第１の書込み期間」と記す）と２回目の初期化動作後の書込み期間（以下、「第２の書込み期間」と記す）との２つに分けて書込み動作を行う（以下、「２相駆動」と呼称する）構成にも適用させることができる。
【０１７８】
以下、本実施の形態における２相駆動の一実施例について説明する。なお、２相駆動は、１相駆動と同様に、それぞれの放電セルにおいて１つのサブフィールドで１回の書込み動作を行うものであり、１つの放電セルで２回の書込み動作を行うものではない。
【０１７９】
図２２は、本発明の実施の形態４におけるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形図である。
【０１８０】
なお、本実施の形態では、初期化期間における１回目の初期化動作を行った後に第１の書込み期間を設け、第１の書込み期間が終了した後に２回目の初期化動作を行い、２回目の初期化動作が終了した後に第２の書込み期間を設けるものとする。また、本実施の形態では、１フィールドを８つのサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第８ＳＦ）で構成し、各サブフィールドはそれぞれ１、２、４、８、１６、３２、６４、１２８の輝度重みを有するものとする。しかし、本実施の形態は、サブフィールド数や各サブフィールドの輝度重みが上記の値に限定されるものではなく、また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切換える構成であってもよい。
【０１８１】
なお、本発明では、部分点灯率が高い領域ほど初期化動作から書込み動作までの時間が短くなるように、各領域を書込み動作する順番を決定する。そのため、本実施の形態に示す２相駆動では、各領域を書込み動作する順番が１相駆動を行うときとは異なる。これは、書込み期間の途中で２回目の初期化動作を行うためである。この詳細については後述するが、ここでは、走査電極ＳＣ１から順に走査パルス電圧Ｖａを印加するものとして説明を行う。そして、図２２には、第１の書込み期間の最初に書込み動作を行う走査電極ＳＣ１と、第１の書込み期間の最後、すなわち２回目の初期化動作の直前に書込み動作を行う走査電極ＳＣｎ／２（例えば、走査電極ＳＣ５４０）と、第２の書込み期間の最初、すなわち２回目の初期化動作の直後に書込み動作を行うＳＣｎ／２＋１（例えば、走査電極ＳＣ５４１）と、第２の書込み期間の最後に書込み動作を行う走査電極ＳＣｎ（例えば、走査電極ＳＣ１０８０）とを示す。あわせて、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ、およびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍの駆動電圧波形を示す。
【０１８２】
まず、全セル初期化サブフィールドである第１ＳＦについて説明する。
【０１８３】
第１ＳＦの初期化期間前半部における動作は、図３に示した駆動電圧波形の第１ＳＦの初期化期間前半部における動作と同様であるので、説明を省略する。
【０１８４】
初期化期間後半部では、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには正の電圧Ｖｅ１を印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには０（Ｖ）を印加する。
【０１８５】
ここで、本実施の形態では、１回目の初期化動作だけを行う放電セルと、１回目の初期化動作に加え２回目の初期化動作も行う放電セルとに、互いに異なる波形形状の初期化波形を印加する。具体的には、１回目の初期化動作だけを行う放電セルに属する走査電極２２と、１回目および２回目の初期化動作を行う放電セルに属する走査電極２２とで最低電圧が異なる下りランプ電圧をそれぞれに印加する。
【０１８６】
１回目の初期化動作だけを行う放電セルに属する走査電極２２（図２２に示す例では、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ／２）には、図３に示した第１ＳＦの初期化期間後半部と同様の下りランプ電圧Ｌ２を印加する。これにより、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ／２と維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ／２との間、および走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ／２とデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間で初期化放電が起き、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ／２上部の負の壁電圧および維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ／２上部の正の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上部の正の壁電圧は書込み動作に適した値に調整される。
【０１８７】
一方、１回目の初期化動作に加え２回目の初期化動作を行う放電セルに属する走査電極２２（図２２に示す例では、走査電極ＳＣｎ／２＋１〜走査電極ＳＣｎ）には、電圧Ｖｉ３から負の電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ５）に向かって緩やかに下降する下りランプ電圧Ｌ５を印加する。このとき、電圧Ｖｓｅｔ５を電圧Ｖｓｅｔ２（例えば、６（Ｖ））よりも高い電圧（例えば、７０（Ｖ））に設定する。
【０１８８】
このように、本実施の形態における初期化期間では、１回目の初期化動作だけを行う放電セルに属する走査電極２２では下りランプ電圧Ｌ２が電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）まで下降するのに対して、１回目と２回目の初期化動作を行う放電セルに属する走査電極２２では下りランプ電圧Ｌ５は電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）よりも高い電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ５）までしか下降しないようにする。これにより、下りランプ電圧Ｌ５を印加する放電セルにおいては、初期化放電によって移動する電荷の量が、下りランプ電圧Ｌ２によって初期化放電を発生する放電セルに比べて少なくなる。そのため、下りランプ電圧Ｌ５を印加する放電セルには、下りランプ電圧Ｌ２を印加する放電セルより多くの壁電荷が残存する。
【０１８９】
続く書込み期間では、第１の書込み期間と第２の書込み期間とに分けて書込み動作を行う。ただし、書込み動作そのものは、図３の書込み期間に示した書込み動作と同じである。すなわち、走査電極２２に対しては走査パルス電圧Ｖａを印加し、データ電極３２に対しては発光させるべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加して、各放電セルに選択的に書込み放電を発生させる。
【０１９０】
この書込み動作を、１回目の初期化動作だけを行う放電セル（図２２に示す例では、走査電極ＳＣ１〜走査電極Ｓｎ／２を有する放電セル）に順次行い、まず、１回目の初期化動作だけを行う放電セルにおける書込み動作を終了する。
【０１９１】
そして、本実施の形態では、第１の書込み期間が終了した後、続く第２の書込み期間の書込み動作を開始する前に、下りランプ電圧Ｌ５よりも最低電圧が低い下りランプ電圧、具体的には、電圧Ｖｃから負の電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ３）に向かって下降する下りランプ電圧Ｌ６を、２回目の初期化動作を行う放電セルに属する走査電極２２（図２２に示す例では、走査電極ＳＣｎ／２＋１〜走査電極ＳＣｎ）に印加する。
【０１９２】
上述したように、１回目と２回目の初期化動作を行う放電セルに属する走査電極２２では下りランプ電圧Ｌ５は負の電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ５）までしか下降しておらず、そのため、下りランプ電圧Ｌ５を印加した放電セルには、下りランプ電圧Ｌ２を印加した放電セルより多くの壁電荷が残存する。したがって、電圧Ｖｓｅｔ３（例えば、８（Ｖ））を電圧Ｖｓｅｔ５（例えば、７０（Ｖ））よりも十分に小さい電圧に設定して、下りランプ電圧Ｌ６を下りランプ電圧Ｌ５よりも十分に低い電位まで下降させることで、下りランプ電圧Ｌ５を印加した放電セルに２回目の初期化放電を発生させることができる。
【０１９３】
初期化放電で形成される壁電荷は、時間の経過とともに減少する。しかし、２相駆動では、２回目の初期化動作を行う放電セルにおいて、書込み期間の途中で壁電荷の調整を行うことができる。したがって、初期化動作から最も遅く書込みがなされる放電セルにおける初期化動作から書込み動作までの経過時間を、実質的に１相駆動の約半分にすることができる。これにより、書込み期間における書込み動作の順番が遅い放電セルにおける書込み動作を安定に行うことが可能となる。
【０１９４】
なお、図２２には、２回目の初期化動作を行う放電セルに属する走査電極２２（図２２に示す例では、走査電極ＳＣｎ／２＋１〜走査電極ＳＣｎ）に下りランプ電圧Ｌ６を印加するのと同タイミングで、１回目の初期化動作だけを行う放電セルに属する走査電極２２（図２２に示す例では、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ／２）にも下りランプ電圧Ｌ６を印加する波形図を記載している。１回目の初期化動作だけを行う放電セルは、すでに書込み動作が終わっているため、下りランプ電圧Ｌ６を印加する必要はない。しかし、下りランプ電圧Ｌ６を選択的に印加できるように走査電極駆動回路を構成することが困難な場合には、図２２に示すように、下りランプ電圧Ｌ６を１回目の初期化動作だけを行う放電セルに印加してもかまわない。これは、下りランプ電圧Ｌ２を印加して初期化放電を発生させた放電セルには、下りランプ電圧Ｌ２の最低電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）よりも高い電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ３）までしか下降しない下りランプ電圧Ｌ６を印加しても、初期化放電が再度発生することはないためである。
【０１９５】
そして、下りランプ電圧Ｌ６による２回目の初期化動作を行った後、書込み動作がなされていない走査電極２２（図２２に示す例では、走査電極ＳＣｎ／２＋１〜走査電極ＳＣｎ）に対して、上述と同様の手順で書込み動作を行う。以上の書込み動作が全て終了して、第１ＳＦにおける書込み期間が終了する。
【０１９６】
なお、走査電極２２に下りランプ電圧Ｌ６を印加する期間は、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに書込みパルスは印加しないものとする。
【０１９７】
続く維持期間における動作は、図３に示した駆動電圧波形の維持期間における動作と同様であるので、説明を省略する。
【０１９８】
第２ＳＦの初期化期間では、１回目の初期化動作だけを行う放電セルに属する走査電極２２（図２２に示す例では、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ／２）には、図３の第２ＳＦの初期化期間に示した初期化波形と同様に、放電開始電圧以下となる電圧（例えば、０（Ｖ））から負の電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ４）に向かって下降する下りランプ電圧Ｌ４を印加する。１回目の初期化動作に加え２回目の初期化動作を行う放電セルに属する走査電極２２（図２２に示す例では、走査電極ＳＣｎ／２＋１〜走査電極ＳＣｎ）には、放電開始電圧以下となる電圧（例えば、０（Ｖ））から負の電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ５）に向かって下降する下りランプ電圧Ｌ７を印加する。
【０１９９】
第２ＳＦの書込み期間および維持期間における動作は、第１ＳＦの書込み期間および維持期間と同様の動作であるので、説明を省略する。また、第３ＳＦ以降のサブフィールドでは、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎおよびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対して、維持期間における維持パルス数が異なる以外は第２ＳＦと同様の駆動電圧波形を印加する。
【０２００】
以上が、本実施の形態における２相駆動を行うときにパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形の概要である。本実施の形態では、この２相駆動によってパネルを駆動するときに、次のように書込み動作を行う。
【０２０１】
図２３は、本発明の実施の形態４における所定の画像を２相駆動で表示するときの部分点灯率に応じた走査順序の一例（走査ＩＣの書込み動作の順序の一例）を示す概略図である。なお、図２３において、斜線で示した領域は非点灯セルが分布する領域を表し、斜線のない白抜きの領域は点灯セルが分布する領域を表す。また、図２３には、各領域を分かりやすく示すために、領域間の境界を破線で示す。
【０２０２】
図２３に示す例では、部分点灯率が最も高い領域が走査ＩＣ（１）に接続された領域（１）であり、以下、部分点灯率は、領域（２）、領域（３）、領域（４）、領域（５）、領域（６）、領域（７）、領域（８）、領域（９）、領域（１０）、領域（１１）、領域（１２）の順に小さくなるものとする。
【０２０３】
したがって、この画像を１相駆動で表示するときには、各領域の書込み動作の順番は、領域（１）、領域（２）、領域（３）、領域（４）、領域（５）、領域（６）、領域（７）、領域（８）、領域（９）、領域（１０）、領域（１１）、領域（１２）の順になる。
【０２０４】
しかし、本実施の形態における２相駆動では、例えば、図２３に示すように、１回目の初期化動作の後に、最も部分点灯率が高い領域（１）に書込み動作をし、その後、部分点灯率が高い領域から１つおきに、すなわち、３番目に部分点灯率が高い領域（３）、５番目に部分点灯率が高い領域（５）、７番目に部分点灯率が高い領域（７）、９番目に部分点灯率が高い領域（９）、１１番目に部分点灯率が高い領域（１１）の順に書込み動作を行う。そして、２回目の初期化動作の後、残りの領域を部分点灯率が高い領域から順に、すなわち、２番目に部分点灯率が高い領域（２）、４番目に部分点灯率が高い領域（４）、６番目に部分点灯率が高い領域（６）、８番目に部分点灯率が高い領域（８）、１０番目に部分点灯率が高い領域（１０）、最も部分点灯率が低い領域（１２）の順に書込み動作を行う。
【０２０５】
これにより、最も部分点灯率が高い領域（１）に加え、２番目に部分点灯率が高い領域（２）も初期化動作の直後に書込み動作することができる。また、最も部分点灯率が低い領域（１２）および２番目に部分点灯率が低い領域（１１）における初期化動作から書込み動作までの経過時間を、１相駆動を行うときと比較して実質的に半減することができる。
【０２０６】
なお、２相駆動を行うときの各領域の書込み動作の順番は、何ら図２３に示す順番に限定されるものではない。本実施の形態では、部分点灯率が最も大きい領域の書込み動作を一方の初期化動作の直後に行い、２番目に部分点灯率が大きい領域の書込み動作を他方の初期化動作の直後に行い、以降、部分点灯率が大きい領域ほど初期化動作から書込み動作までの経過時間が短くなるような順番で各領域の書込み動作を行っていくものとする。
【０２０７】
したがって、各領域の部分点灯率が図２３に示すような順番になっているときには、図２３に示す書込み動作の順番以外にも、例えば、１回目における初期化動作の後、領域（２）、領域（４）、領域（６）、領域（８）、領域（１０）、領域（１２）の順に書込み動作し、続く２回目の初期化動作の後、領域（１）、領域（３）、領域（５）、領域（７）、領域（９）、領域（１１）の順に書込み動作する構成でもよい。あるいは、１回目の初期化動作の後、領域（１）、領域（４）、領域（５）、領域（８）、領域（９）、領域（１２）の順に書込み動作し、続く２回目の初期化動作の後、領域（２）、領域（３）、領域（６）、領域（７）、領域（１０）、領域（１１）の順に書込み動作する構成でもよい。あるいは、１回目の初期化動作の後、領域（２）、領域（３）、領域（６）、領域（７）、領域（１０）、領域（１１）の順に書込み動作し、続く２回目の初期化動作の後、領域（１）、領域（４）、領域（５）、領域（８）、領域（９）、領域（１２）の順に書込み動作する構成でもよい。
【０２０８】
なお、全サブフィールドを２相駆動とする構成であってもよいが、２相駆動では、１相駆動と比較して、初期化動作の回数が増える分だけ駆動時間が増える。したがって、駆動時間に余裕がないときには、例えば輝度重みの大きいサブフィールドでのみ２相駆動を行い、輝度重みの小さいサブフィールドでは１相駆動を行う、といったように、２相駆動を行うサブフィールドを制限してもよい。そのときには、１相駆動か、２相駆動かに応じて、最適に書込み動作の順番を決定すればよい。
【０２０９】
なお、本実施の形態では、書込み期間に２回目の初期化動作を行う２相駆動を例に挙げて説明を行ったが、例えば、書込み期間に２回目と３回目の初期化動作を行う３相駆動、あるいはそれ以上の初期化動作を行う多相駆動を行う構成であってもよい。そのときには、部分点灯率が最も大きい領域の書込み動作を１つの初期化動作の直後に行い、２番目に部分点灯率が大きい領域の書込み動作を他の１つの初期化動作の直後に行い、３番目に部分点灯率が大きい領域の書込み動作をさらに他の１つの初期化動作の直後に行う、というように、上述と同様の考え方にもとづき書込み動作の順番を設定するものとする。
【０２１０】
なお、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドにおいては、実施の形態１に示したように、その直前の高サブフィールドにおいて検出された部分点灯率にもとづく順番で書込み動作を行うものとする。
【０２１１】
以上示したように、本実施の形態によれば、初期化動作を複数回行うことで初期化動作から書込み動作までの経過時間を短くすることができる領域を増やすことができ、かつ、部分点灯率が高い領域ほど初期化動作から書込み動作までの経過時間を短くして書込み動作を行えるので、大画面化、高輝度化、高精細化されたパネルにおいても、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）が増大することを防止して安定した書込み放電を発生させることが可能となる。
【０２１２】
なお、本発明における実施の形態は、走査電極２２と走査電極２２とが隣り合い、維持電極２３と維持電極２３とが隣り合う電極構造、すなわち前面板２１に設けられる電極の配列が、「・・・走査電極２２、走査電極２２、維持電極２３、維持電極２３、走査電極２２、走査電極２２、・・・」となる電極構造のパネルにおいても、有効である。
【０２１３】
なお、本発明の実施の形態では、消去ランプ電圧Ｌ３を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する構成を説明したが、消去ランプ電圧Ｌ３を維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに印加する構成とすることもできる。あるいは、消去ランプ電圧Ｌ３ではなく、いわゆる細幅消去パルスにより消去放電を発生させる構成としてもよい。
【０２１４】
なお、本発明の実施の形態において示した具体的な数値は、５０インチ、表示電極対２４の数が１０８０対のパネル１０の特性にもとづき設定したものであって、単に実施の形態における一例を示したものに過ぎない。本発明はこれらの数値に何ら限定されるものではなく、各数値はパネル１０の特性やプラズマディスプレイ装置１の仕様等にあわせて最適に設定することが望ましい。また、これらの各数値は、上述した効果を得られる範囲でのばらつきを許容するものとする。また、サブフィールド数や各サブフィールドの輝度重み等も本発明の実施の形態に示した値に限定されるものではなく、また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切換える構成であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【０２１５】
本発明は、大画面化、高精細化されたパネルにおいても、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）が増大することを防止して安定した書込み放電を発生させ、高い画像表示品質を実現することができるので、プラズマディスプレイ装置およびパネルの駆動方法として有用である。
【符号の説明】
【０２１６】
１，２    プラズマディスプレイ装置
１０    パネル
２１    前面板
２２    走査電極
２３    維持電極
２４    表示電極対
２５，３３    誘電体層
２６    保護層
３１    背面板
３２    データ電極
３４    隔壁
３５    蛍光体層
４１    画像信号処理回路
４２    データ電極駆動回路
４３    走査電極駆動回路
４４    維持電極駆動回路
４５，４６    タイミング発生回路
４７    部分点灯率検出回路
４８    点灯率比較回路
４９    メモリー
５０    走査パルス発生回路
５１    初期化波形発生回路
５２    維持パルス発生回路
６０    走査ＩＣ切換え回路
６１    ＳＩＤ発生回路
６２，６５    ＦＦ（フリップフロップ回路）
６３    遅延回路
６４，６６    アンドゲート
７２    スイッチ
ＱＨ１〜ＱＨｎ，ＱＬ１〜ＱＬｎ    スイッチング素子
【図１】
2010029666.tif 000003
【図２】
2010029666.tif 000004
【図３】
2010029666.tif 000005
【図４】
2010029666.tif 000006
【図５】
2010029666.tif 000007
【図６】
2010029666.tif 000008
【図７】
2010029666.tif 000009
【図８】
2010029666.tif 000010
【図９】
2010029666.tif 000011
【図１０】
2010029666.tif 000012
【図１１Ａ】
2010029666.tif 000013
【図１１Ｂ】
2010029666.tif 000014
【図１２】
2010029666.tif 000015
【図１３】
2010029666.tif 000016
【図１４】
2010029666.tif 000017
【図１５】
2010029666.tif 000018
【図１６】
2010029666.tif 000019
【図１７】
2010029666.tif 000020
【図１８】
2010029666.tif 000021
【図１９】
2010029666.tif 000022
【図２０】
2010029666.tif 000023
【図２１】
2010029666.tif 000024
【図２２】
2010029666.tif 000025
【図２３】
2010029666.tif 000026
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月15日(2009.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、壁掛けテレビや大型モニターに用いられるプラズマディスプレイ装置およびプラズマディスプレイパネルの駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、「パネル」と略記する）として代表的な交流面放電型パネルは、対向配置された前面板と背面板との間に多数の放電セルが形成されている。前面板は、１対の走査電極と維持電極とからなる表示電極対が前面ガラス基板上に互いに平行に複数対形成され、それら表示電極対を覆うように誘電体層および保護層が形成されている。背面板は、背面ガラス基板上に複数の平行なデータ電極と、それらを覆うように誘電体層と、さらにその上にデータ電極と平行に複数の隔壁とがそれぞれ形成され、誘電体層の表面と隔壁の側面とに蛍光体層が形成されている。そして、表示電極対とデータ電極とが立体交差するように前面板と背面板とが対向配置されて密封され、内部の放電空間には、例えば分圧比で５％のキセノンを含む放電ガスが封入されている。ここで表示電極対とデータ電極とが対向する部分に放電セルが形成される。このような構成のパネルにおいて、各放電セル内でガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線で赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色の蛍光体を励起発光させてカラー表示を行っている。
【０００３】
パネルを駆動する方法としては一般にサブフィールド法が用いられている。サブフィールド法では、１回の発光で得られる明るさを制御するのではなく、単位時間（例えば、１フィールド）に発生する発光の回数を制御することで明るさを調整する。すなわち、サブフィールド法では、１フィールドを複数のサブフィールドに分割し、それぞれのサブフィールドで各放電セルを発光または非発光させることにより階調表示を行う。各サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。
【０００４】
初期化期間では、各走査電極に初期化波形を印加し、各放電セルで初期化放電を発生させる。これにより、続く書込み動作のために必要な壁電荷を各放電セルに形成するとともに、書込み放電を安定して発生させるためのプライミング粒子（書込み放電を発生させるための励起粒子）を発生させる。
【０００５】
書込み期間では、走査電極に順次走査パルスを印加（以下、この動作を「走査」とも記す）するとともに、データ電極には表示すべき画像信号に対応した書込みパルスを選択的に印加する（以下、これらの動作を総称して「書込み」とも記す）。これにより、発光すべき放電セルにおいて、走査電極とデータ電極との間で選択的に書込み放電を発生させ、選択的に壁電荷を形成する。
【０００６】
維持期間では、表示させるべき輝度に応じた所定の回数の維持パルスを走査電極と維持電極とからなる表示電極対に交互に印加する。これにより、書込み放電による壁電荷形成が行われた放電セルで維持放電を発生させ、その放電セルの蛍光体層を発光させる。このようにして、パネルの画像表示領域に画像を表示する。
【０００７】
このサブフィールド法では、例えば、複数のサブフィールドのうち、１つのサブフィールドの初期化期間においては全ての放電セルに初期化放電を発生させる全セル初期化動作を行い、他のサブフィールドの初期化期間においては維持放電を行った放電セルに対して選択的に初期化放電を行う選択初期化動作を行うことで、階調表示に関係しない発光を極力減らしコントラスト比を向上させることが可能である。
【０００８】
一方、近年では、パネルの大画面化、高輝度化にともない、パネルにおける消費電力が増大する傾向にある。また、大画面化、高精細化されたパネルではパネル駆動時の負荷が増大するため放電が不安定になりやすい。放電を安定に発生させるためには、電極に印加する駆動電圧を上げればよいが、これは、消費電力をさらに増大させる一因となる。また、駆動電圧を高くしたり、消費電力が増大したりして駆動回路を構成する部品の定格値を超えると、回路が誤動作するおそれも生じる。
【０００９】
例えば、データ電極駆動回路は、書込みパルス電圧をデータ電極に印加して放電セルで書込み放電を発生させる書込み動作を行うが、書込み時の消費電力がデータ電極駆動回路を構成するＩＣの定格値を超えるとそのＩＣが誤動作し、書込み放電を発生させるべき放電セルで書込み放電が発生しない、あるいは書込み放電を発生させるべきでない放電セルで書込み放電が発生するといった書込み不良が発生するおそれがある。そこで、書込み時の消費電力を抑えるために、表示すべき画像信号にもとづきデータ電極駆動回路の消費電力を予測して、その予測値が設定値以上になると階調を制限する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【００１０】
書込み期間では、上述したように、走査電極への走査パルス電圧の印加およびデータ電極への書込みパルス電圧の印加によって書込み放電を発生させる。そのため、特許文献１に開示されたデータ電極駆動回路の動作を安定化させる技術だけでは、安定した書込み動作を行うことは難しく、走査電極を駆動する回路（走査電極駆動回路）における動作の安定化を図る技術も重要となる。
【００１１】
また、書込み期間における走査電極への走査パルス電圧の印加は各走査電極に対して順次行われるため、特に高精細化されたパネルにおいては、走査電極数の増加によって書込み期間に費やす時間が長くなってしまう。そのため、書込み期間の最後の方に書込み動作がなされる放電セルでは書込み期間の最初の方に書込み動作がなされる放電セルに比べて、壁電荷の消失が増え、書込み放電が不安定になりやすいといった問題もあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２０００−６６６３８号公報
【発明の概要】
【００１３】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設け、サブフィールド毎に輝度重みを設定するとともに維持期間に輝度重みに応じた数の維持パルスを発生して階調表示するサブフィールド法で駆動し、走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたパネルと、書込み期間に、走査電極に走査パルスを印加して書込み動作を行う走査電極駆動回路と、パネルの表示領域を複数の領域に分け、領域毎に、全ての放電セル数に対する点灯させるべき放電セル数の割合を部分点灯率としてそれぞれのサブフィールド毎に検出する部分点灯率検出回路とを備え、走査電極駆動回路は、維持パルスの発生数が直前のサブフィールドの維持パルスの発生数よりも少ない所定のサブフィールドでは、その直前のサブフィールドの部分点灯率に応じて走査電極に走査パルスを印加する順番を変更することを特徴とする。
【００１４】
これにより、維持パルスの発生数が直前のサブフィールドの維持パルスの発生数よりも少ない所定のサブフィールドでは、その直前のサブフィールドにおいて検出された部分点灯率にもとづく順番で書込み動作を行うので、その直前のサブフィールドの維持期間で発生したプライミング粒子の影響を考慮した書込みを行うことができ、安定した書込み放電を発生させて、高い画像表示品質を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態１におけるパネルの構造を示す分解斜視図
【図２】同パネルの電極配列図
【図３】同パネルの各電極に印加する駆動電圧波形図
【図４】本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図
【図５】同プラズマディスプレイ装置の走査電極駆動回路の構成を示す回路図
【図６】本発明の実施の形態１における部分点灯率を検出する領域と走査ＩＣとの接続の一例を示す概略図
【図７】本発明の実施の形態１における走査ＩＣの書込み動作の順序の一例を示す概略図
【図８】本発明の実施の形態１における走査ＩＣの書込み動作の順序と安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）との関係を示す特性図
【図９】本発明の実施の形態１における部分点灯率と安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）との関係を示す特性図
【図１０】安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）と直前のサブフィールドにおける維持放電の発生回数との関係を概略的に示す特性図
【図１１Ａ】高サブフィールドにおいて点灯セルが局所的に集中して発生したときのパネルの発光状態を概略的に示す図
【図１１Ｂ】高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドにおけるパネルの発光状態を概略的に示す図
【図１２】本発明の実施の形態１における走査ＩＣ切換え回路の一構成例を示す回路ブロック図
【図１３】本発明の実施の形態１におけるＳＩＤ発生回路の一構成例を示す回路図
【図１４】本発明の実施の形態１における走査ＩＣ切換え回路の動作を説明するためのタイミングチャート
【図１５】本発明の実施の形態１における走査ＩＣ切換え回路の他の構成例を示す回路図
【図１６】本発明の実施の形態１における走査ＩＣ切換え動作の他の一例を説明するためのタイミングチャート
【図１７】本発明の実施の形態２におけるパネルの各電極に印加する駆動電圧波形図
【図１８】安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）と休止期間の長さとの関係を概略的に示す特性図
【図１９】所定の画像を部分点灯率に応じた順番で書込み動作して表示したときの低サブフィールドの発光状態を概略的に示した図
【図２０】図１９に示した表示画像と同様の画像をパネル上端の走査電極からパネル下端の走査電極に向かって順に書込み動作を行って表示したときの低サブフィールドにおける発光状態を概略的に示した図
【図２１】本発明の実施の形態３におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図
【図２２】本発明の実施の形態４におけるパネルの各電極に印加する駆動電圧波形図
【図２３】本発明の実施の形態４における所定の画像を２相駆動で表示するときの部分点灯率に応じた走査順序の一例（走査ＩＣの書込み動作の順序の一例）を示す概略図
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置について、図面を用いて説明する。
【００１７】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の構造を示す分解斜視図である。ガラス製の前面板２１上には、走査電極２２と維持電極２３とからなる表示電極対２４が複数形成されている。そして走査電極２２と維持電極２３とを覆うように誘電体層２５が形成され、その誘電体層２５上に保護層２６が形成されている。
【００１８】
また、保護層２６は、放電セルにおける放電開始電圧を下げるために、パネルの材料として使用実績があり、ネオン（Ｎｅ）およびキセノン（Ｘｅ）ガスを封入した場合に２次電子放出係数が大きく耐久性に優れたＭｇＯを主成分とする材料から形成されている。
【００１９】
背面板３１上にはデータ電極３２が複数形成され、データ電極３２を覆うように誘電体層３３が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁３４が形成されている。そして、隔壁３４の側面および誘電体層３３上には赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色に発光する蛍光体層３５が設けられている。
【００２０】
これら前面板２１と背面板３１とは、微小な放電空間をはさんで表示電極対２４とデータ電極３２とが交差するように対向配置され、その外周部をガラスフリット等の封着材によって封着されている。そして、内部の放電空間には、ネオンとキセノンの混合ガスが放電ガスとして封入されている。なお、本実施の形態では、発光効率を向上させるためにキセノン分圧を約１０％とした放電ガスを用いている。放電空間は隔壁３４によって複数の区画に仕切られており、表示電極対２４とデータ電極３２とが交差する部分に放電セルが形成されている。そしてこれらの放電セルが放電、発光することにより画像が表示される。
【００２１】
なお、パネル１０の構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。また、放電ガスの混合比率も上述した数値に限られるわけではなく、その他の混合比率であってもよい。
【００２２】
図２は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の電極配列図である。パネル１０には、行方向に長いｎ本の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ（図１の走査電極２２）およびｎ本の維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ（図１の維持電極２３）が配列され、列方向に長いｍ本のデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ（図１のデータ電極３２）が配列されている。そして、１対の走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１〜ｎ）および維持電極ＳＵｉと１つのデータ電極Ｄｊ（ｊ＝１〜ｍ）とが交差した部分に放電セルが形成され、放電セルは放電空間内にｍ×ｎ個形成されている。そして、ｍ×ｎ個の放電セルが形成された領域がパネル１０の表示領域となる。
【００２３】
次に、パネル１０を駆動するための駆動電圧波形とその動作の概要について説明する。なお、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置は、サブフィールド法、すなわち１フィールドを時間軸上で複数のサブフィールドに分割し、各サブフィールドに輝度重みをそれぞれ設定し、サブフィールド毎に各放電セルの発光・非発光を制御することによって階調表示を行うものとする。
【００２４】
このサブフィールド法では、例えば、１フィールドを８つのサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第８ＳＦ）で構成し、各サブフィールドはそれぞれ１、２、４、８、１６、３２、６４、１２８の輝度重みを有する構成とすることができる。また、複数のサブフィールドのうち、１つのサブフィールドの初期化期間においては全ての放電セルに初期化放電を発生させる全セル初期化動作を行い（以下、全セル初期化動作を行うサブフィールドを「全セル初期化サブフィールド」と呼称する）、他のサブフィールドの初期化期間においては維持放電を行った放電セルに対して選択的に初期化放電を発生させる選択初期化動作を行う（以下、選択初期化動作を行うサブフィールドを「選択初期化サブフィールド」と呼称する）ことで、階調表示に関係しない発光を極力減らしコントラスト比を向上させることが可能である。
【００２５】
そして、本実施の形態では、第１ＳＦの初期化期間では全セル初期化動作を行い、第２ＳＦ〜第８ＳＦの初期化期間では選択初期化動作を行うものとする。これにより、画像の表示に関係のない発光は第１ＳＦにおける全セル初期化動作の放電にともなう発光のみとなり、維持放電を発生させない黒表示領域の輝度である黒輝度は全セル初期化動作における微弱発光だけとなって、コントラストの高い画像表示が可能となる。また、各サブフィールドの維持期間においては、それぞれのサブフィールドの輝度重みに所定の比例定数を乗じた数の維持パルスを表示電極対２４のそれぞれに印加する。このときの比例定数が輝度倍率である。
【００２６】
しかし、本実施の形態は、サブフィールド数や各サブフィールドの輝度重みが上記の値に限定されるものではなく、また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切換える構成であってもよい。
【００２７】
図３は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形図である。図３には、書込み期間において最初に書込み動作を行う走査電極ＳＣ１、書込み期間において最後に書込み動作を行う走査電極ＳＣｎ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ、およびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍの駆動波形を示す。
【００２８】
また、図３には、２つのサブフィールドの駆動電圧波形、すなわち全セル初期化サブフィールドである第１サブフィールド（第１ＳＦ）と、選択初期化サブフィールドである第２サブフィールド（第２ＳＦ）とを示す。なお、他のサブフィールドにおける駆動電圧波形は、維持期間における維持パルスの発生数が異なる以外は第２ＳＦの駆動電圧波形とほぼ同様である。また、以下における走査電極ＳＣｉ、維持電極ＳＵｉ、データ電極Ｄｋは、各電極の中から画像データ（サブフィールド毎の発光・非発光を示すデータ）にもとづき選択された電極を表す。
【００２９】
まず、全セル初期化サブフィールドである第１ＳＦについて説明する。
【００３０】
第１ＳＦの初期化期間前半部では、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎにそれぞれ０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに対して放電開始電圧以下の電圧Ｖｉ１から、放電開始電圧を超える電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに（例えば、約１．３Ｖ／μｓｅｃの勾配で）上昇する傾斜電圧（以下、「上りランプ電圧」と呼称する）Ｌ１を印加する。
【００３１】
この上りランプ電圧Ｌ１が上昇する間に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとの間、および走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎとデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が持続して起こる。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ上部に負の壁電圧が蓄積されるとともに、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上部および維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ上部には正の壁電圧が蓄積される。この電極上部の壁電圧とは、電極を覆う誘電体層上、保護層上、蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。
【００３２】
初期化期間後半部では、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには正の電圧Ｖｅ１を印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに対して放電開始電圧以下となる電圧Ｖｉ３から放電開始電圧を超える電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する傾斜電圧（以下、「下りランプ電圧」と呼称する）Ｌ２を印加する。
【００３３】
この間に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとの間、および走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎとデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が起こる。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ上部の負の壁電圧および維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ上部の正の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上部の正の壁電圧は書込み動作に適した値に調整される。以上により、全ての放電セルに対して初期化放電を行う全セル初期化動作が終了する。
【００３４】
なお、図３の第２ＳＦの初期化期間に示したように、初期化期間の前半部を省略した駆動電圧波形を各電極に印加してもよい。すなわち、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅ１を、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに０（Ｖ）をそれぞれ印加し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに放電開始電圧以下となる電圧（例えば、接地電位）から電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する下りランプ電圧Ｌ４を印加する。これにより直前のサブフィールド（図３では、第１ＳＦ）の維持期間で維持放電を起こした放電セルでは微弱な初期化放電が発生し、走査電極ＳＣｉ上部および維持電極ＳＵｉ上部の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）上部の壁電圧も、過剰な部分が放電され、書込み動作に適した値に調整される。一方、直前のサブフィールドで維持放電を起こさなかった放電セルについては放電することはなく、直前のサブフィールドの初期化期間終了時における壁電荷がそのまま保たれる。このように前半部を省略した初期化動作は、直前のサブフィールドの維持期間で維持動作を行った放電セルに対して初期化放電を行う選択初期化動作となる。
【００３５】
続く書込み期間では、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに対しては順次走査パルス電圧Ｖａを印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対しては発光させるべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加して、各放電セルに選択的に書込み放電を発生させる。このとき、本実施の形態では、後述する部分点灯率検出回路における検出結果にもとづき走査パルス電圧Ｖａを印加する走査電極２２の順番、または走査電極２２を駆動するＩＣの書込み動作の順序を変更している。ただし、維持期間における維持パルスの発生数が直前のサブフィールドの維持期間における維持パルスの発生数よりも少ない所定のサブフィールドでは、直前のサブフィールドの部分点灯率に応じて走査電極２２に走査パルスを印加する順番を変更するものとする。すなわち、維持期間における維持パルスの発生数が第１の設定値以上となるサブフィールド（以下、「高サブフィールド」と呼称する）の直後に発生するサブフィールドであって、かつ維持期間における維持パルスの発生数が第１の設定値よりも小さい第２の設定値以下となる所定のサブフィールド（以下、「低サブフィールド」と呼称する）においては、その直前の高サブフィールドにおける部分点灯率検出回路の検出結果にもとづく順番で書込み動作を行う。この詳細については後述するが、ここでは、走査電極ＳＣ１から順に走査パルス電圧Ｖａを印加するものとして説明を行う。
【００３６】
書込み期間では、まず維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅ２を、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに電圧Ｖｃを印加する。
【００３７】
そして、１行目の走査電極ＳＣ１に負の走査パルス電圧Ｖａを印加するとともに、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍのうち１行目に発光させるべき放電セルのデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加する。このときデータ電極Ｄｋ上と走査電極ＳＣ１上との交差部の電圧差は、外部印加電圧の差（電圧Ｖｄ−電圧Ｖａ）にデータ電極Ｄｋ上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧との差が加算されたものとなり放電開始電圧を超える。これにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に放電が発生する。また、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅ２を印加しているため、維持電極ＳＵ１上と走査電極ＳＣ１上との電圧差は、外部印加電圧の差である（電圧Ｖｅ２−電圧Ｖａ）に維持電極ＳＵ１上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧との差が加算されたものとなる。このとき、電圧Ｖｅ２を、放電開始電圧をやや下回る程度の電圧値に設定することで、維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間を、放電には至らないが放電が発生しやすい状態とすることができる。これにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に発生する放電を引き金にして、データ電極Ｄｋと交差する領域にある維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間に放電を発生させることができる。こうして、発光させるべき放電セルに書込み放電が起こり、走査電極ＳＣ１上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電圧が蓄積される。
【００３８】
このようにして、１行目に発光させるべき放電セルで書込み放電を起こして各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作が行われる。一方、書込みパルス電圧Ｖｄを印加しなかったデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。以上の書込み動作をｎ行目の放電セルに至るまで行い、書込み期間が終了する。
【００３９】
続く維持期間では、輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維持パルスを表示電極対２４に交互に印加して、書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生させて発光させる。
【００４０】
この維持期間では、まず走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに正の維持パルス電圧Ｖｓを印加するとともに維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎにベース電位となる接地電位、すなわち０（Ｖ）を印加する。すると書込み放電を起こした放電セルでは、走査電極ＳＣｉ上と維持電極ＳＵｉ上との電圧差が維持パルス電圧Ｖｓに走査電極ＳＣｉ上の壁電圧と維持電極ＳＵｉ上の壁電圧との差が加算されたものとなり放電開始電圧を超える。
【００４１】
そして、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間に維持放電が起こり、このとき発生した紫外線により蛍光体層３５が発光する。そして走査電極ＳＣｉ上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正の壁電圧が蓄積される。さらにデータ電極Ｄｋ上にも正の壁電圧が蓄積される。書込み期間において書込み放電が起きなかった放電セルでは維持放電は発生せず、初期化期間の終了時における壁電圧が保たれる。
【００４２】
続いて、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎにはベース電位となる０（Ｖ）を、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには維持パルス電圧Ｖｓをそれぞれ印加する。すると、維持放電を起こした放電セルでは、維持電極ＳＵｉ上と走査電極ＳＣｉ上との電圧差が放電開始電圧を超えるので再び維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間に維持放電が起こり、維持電極ＳＵｉ上に負の壁電圧が蓄積され走査電極ＳＣｉ上に正の壁電圧が蓄積される。以降同様に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとに交互に輝度重みに輝度倍率を乗じた数の維持パルスを印加し、表示電極対２４の電極間に電位差を与えることにより、書込み期間において書込み放電を起こした放電セルで維持放電が継続して行われる。
【００４３】
そして、維持期間における維持パルスの発生後に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに、０（Ｖ）から電圧Ｖｅｒｓに向かって緩やかに上昇する傾斜電圧（以下、「消去ランプ電圧」と呼称する）Ｌ３を印加する。これにより、維持放電を発生させた放電セルにおいて、微弱な放電を持続して発生させ、データ電極Ｄｋ上の正の壁電圧を残したまま、走査電極ＳＣｉおよび維持電極ＳＵｉ上の壁電圧の一部または全部を消去する。
【００４４】
具体的には、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎを０（Ｖ）に戻した後、ベース電位となる０（Ｖ）から放電開始電圧を超える電圧Ｖｅｒｓに向かって上昇する消去ランプ電圧Ｌ３を、上りランプ電圧Ｌ１よりも急峻な勾配（例えば、約１０Ｖ／μｓｅｃ）で発生させ、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。すると、維持放電を起こした放電セルの維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間で微弱な放電が発生する。そして、この微弱な放電は、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎへの印加電圧が上昇する期間、持続して発生する。そして、上昇する電圧があらかじめ定めた電圧Ｖｅｒｓに到達したら、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する電圧をベース電位となる０（Ｖ）まで下降させる。
【００４５】
このとき、この微弱な放電で発生した荷電粒子は、維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間の電圧差を緩和するように、維持電極ＳＵｉ上および走査電極ＳＣｉ上に壁電荷となって蓄積されていく。これにより、データ電極Ｄｋ上の正の壁電荷を残したまま、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ上と維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ上との間の壁電圧は、走査電極ＳＣｉに印加した電圧と放電開始電圧の差、すなわち（電圧Ｖｅｒｓ−放電開始電圧）の程度まで弱められる。以下、この消去ランプ電圧Ｌ３によって発生させる維持期間の最後の放電を「消去放電」と呼称する。
【００４６】
続く第２ＳＦ以降のサブフィールドの各動作は、維持期間の維持パルスの数を除いて上述の動作とほぼ同様であるため説明を省略する。以上が、本実施の形態におけるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形の概要である。
【００４７】
次に、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置１の構成について説明する。図４は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置１の回路ブロック図である。プラズマディスプレイ装置１は、パネル１０、画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３、維持電極駆動回路４４、タイミング発生回路４５、部分点灯率検出回路４７、点灯率比較回路４８、および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）を備えている。
【００４８】
画像信号処理回路４１は、入力された画像信号ｓｉｇをサブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する。
【００４９】
部分点灯率検出回路４７は、パネル１０の表示領域を複数の領域に分け、サブフィールド毎の画像データにもとづき、領域毎に、その領域の全ての放電セル数に対する点灯させるべき放電セル数の割合を、それぞれのサブフィールド毎に検出する（以下、この割合を「部分点灯率」と呼称する）。例えば、1つの領域の放電セルの数が５１８４００個で、その領域の点灯させるべき放電セルの数が２５９２００個であれば、その領域の部分点灯率は５０％となる。なお、部分点灯率検出回路４７は、例えば、１対の表示電極対２４における点灯率を部分点灯率として検出することもできるが、ここでは、走査電極２２を駆動するＩＣ（以下、「走査ＩＣ」と呼称する）の１つに接続された複数の走査電極２２で構成される領域を１つの領域として部分点灯率を検出するものとする。
【００５０】
点灯率比較回路４８は、部分点灯率検出回路４７で検出した各領域の部分点灯率の値を互いに比較し、値の大きい方から順に、どの領域が何番目の大きさになるのかを判別する。そして、その結果を表す信号をサブフィールド毎にタイミング発生回路４５に出力する。なお、点灯率比較回路４８は、内部にメモリー４９を備えており、最終サブフィールドにおける比較結果をメモリー４９に記憶する。そして、先頭サブフィールド（第１ＳＦ）の書込み期間では、メモリー４９に記憶した比較結果（直前のフィールドの最終サブフィールドにおける比較結果）を出力する。しかし、本発明は、点灯率比較回路４８内部にメモリー４９が備えられている構成に何ら限定されるものではなく、点灯率比較回路４８以外の回路に備えられている構成であってもよい。例えば、プラズマディスプレイ装置１が有するマイクロコンピュータが使用する演算用のメモリー、あるいは画像処理用として備えられたメモリー等をメモリー４９として併用する構成であってもよい。
【００５１】
なお、本実施の形態では、第１ＳＦが低サブフィールドとなり、最終サブフィールド（本実施の形態では、第８ＳＦ）が高サブフィールドとなるようにサブフィールド構成されているものとして、以下の説明を行う。すなわち、第１ＳＦにおける書込み動作を、その直前の第８ＳＦにおいて検出された部分点灯率にもとづき行う構成を説明する。そのため、メモリー４９には、最終サブフィールドである第８ＳＦにおける比較結果が記憶される。
【００５２】
しかし、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。例えば、同一フィールドにおいて、維持パルスの発生数が第１の設定値以上となる高サブフィールドが発生し、その直後に維持パルスの発生数が第２の設定値以下となる低サブフィールドが発生するようにサブフィールド構成されたプラズマディスプレイ装置であれば、その低サブフィールドにおける書込み動作を、その直前の高サブフィールドにおいて検出された部分点灯率にもとづき行うものとする。
【００５３】
タイミング発生回路４５は、水平同期信号Ｈ、垂直同期信号Ｖおよび点灯率比較回路４８からの出力にもとづき各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生し、それぞれの回路ブロックへ供給する。
【００５４】
走査電極駆動回路４３は、初期化期間において走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する初期化波形電圧を発生するための初期化波形発生回路（図示せず）、維持期間において走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する維持パルスを発生するための維持パルス発生回路（図示せず）、複数の走査ＩＣを備え書込み期間において走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する走査パルス電圧Ｖａを発生するための走査パルス発生回路５０を有する。そして、タイミング信号にもとづいて各走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎをそれぞれ駆動する。
【００５５】
このとき、本実施の形態では、部分点灯率が高い領域から先に書込み動作が行われるように走査ＩＣを順次切換えて書込み動作させている。ただし、維持期間における維持パルスの発生数が第１の設定値（例えば、８０）以上となる高サブフィールドの直後に発生するサブフィールドであって、かつ維持期間における維持パルスの発生数が第２の設定値（例えば、６）以下となる低サブフィールドにおいては、その直前の高サブフィールドにおいて検出された部分点灯率にもとづく順番で書込み動作を行う。
【００５６】
例えば、１フィールドを８つのサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第８ＳＦ）で構成するとともに各サブフィールドの輝度重みをそれぞれ（１、２、４、８、１６、３２、６４、１２８）に設定し、輝度倍率を「１」とすると、各サブフィールドの維持期間における維持パルスの発生数（以下、単に「維持パルス数」とも記す）はそれぞれ（１、２、４、８、１６、３２、６４、１２８）となる。そして、第１の設定値を８０とし、第２の設定値を６とすると、高サブフィールドに該当するサブフィールドは第８ＳＦとなり、低サブフィールドに該当するサブフィールドは第１ＳＦ、第２ＳＦ、第３ＳＦとなる。しかし、高サブフィールドの直後に発生するサブフィールドであって、かつ低サブフィールド、という条件に該当するサブフィールドは第１ＳＦになるので、第１ＳＦを除くサブフィールド、すなわち第２ＳＦから第８ＳＦでは部分点灯率が高い領域から先に書込みが行われるように走査ＩＣを順次切換えて書込み動作させる。そして、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドという条件に該当する第１ＳＦでは、その直前の第８ＳＦにおいて検出された部分点灯率にもとづく順番で書込み動作を行う。具体的には、その第８ＳＦで行った書込み動作と同じ順番で、書込み動作を行う。すなわち、その第８ＳＦにおける部分点灯率が高い領域から先に書込み動作が行われるように、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに走査パルス電圧Ｖａを印加して書込み動作を行う。これにより、安定した書込み放電と画像表示品質の向上とを実現している。なお、これらの詳細については後述する。
【００５７】
データ電極駆動回路４２は、サブフィールド毎の画像データを各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対応する信号に変換し、タイミング信号にもとづいて各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍを駆動する。なお、本実施の形態では、上述したように、書込み動作を行う順番がサブフィールド毎に変わる可能性があるため、タイミング発生回路４５は、データ電極駆動回路４２において走査ＩＣの書込み動作の順序にあわせて書込みパルス電圧Ｖｄが発生するようにタイミング信号を発生している。これにより、表示画像に応じた正しい書込み動作を行うことができる。
【００５８】
維持電極駆動回路４４は、維持パルス発生回路および電圧Ｖｅ１、電圧Ｖｅ２を発生するための回路（図示せず）を備え、タイミング信号にもとづいて維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎを駆動する。
【００５９】
次に、走査電極駆動回路４３の詳細とその動作について説明する。
【００６０】
図５は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置１の走査電極駆動回路４３の構成を示す回路図である。走査電極駆動回路４３は、走査パルス発生回路５０と、初期化波形発生回路５１と、走査電極２２側の維持パルス発生回路５２とを備え、走査パルス発生回路５０のそれぞれの出力はパネル１０の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎのそれぞれに接続されている。
【００６１】
初期化波形発生回路５１は、初期化期間において走査パルス発生回路５０の基準電位Ａをランプ状に上昇または降下させ、図３に示した初期化波形電圧を発生させる。
【００６２】
維持パルス発生回路５２は、走査パルス発生回路５０の基準電位Ａを電圧Ｖｓまたは接地電位にすることで、図３に示した維持パルスを発生させる。
【００６３】
走査パルス発生回路５０は、書込み期間において基準電位Ａを負の電圧Ｖａに接続するためのスイッチ７２と、電圧Ｖｃを与えるための電源ＶＣと、ｎ本の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎのそれぞれに走査パルス電圧Ｖａを印加するためのスイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎおよびスイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎを備えている。スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎは複数の出力毎にまとめられＩＣ化されている。このＩＣが走査ＩＣである。そして、スイッチング素子ＱＨｉをオフ、スイッチング素子ＱＬｉをオンにすることにより、スイッチング素子ＱＬｉを経由して走査電極ＳＣｉに負の走査パルス電圧Ｖａを印加する。なお、以下の説明においては、スイッチング素子を導通させる動作を「オン」、遮断させる動作を「オフ」と表記し、スイッチング素子をオンさせる信号を「Ｈｉ」、オフさせる信号を「Ｌｏ」と表記する。
【００６４】
なお、初期化波形発生回路５１または維持パルス発生回路５２を動作させているときは、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎをオフ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎをオンにすることにより、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎを経由して各走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに初期化波形電圧または維持パルス電圧Ｖｓを印加する。
【００６５】
なお、ここでは、９０本の出力分のスイッチング素子を１つのモノシリックＩＣとして集積し、パネル１０は１０８０本の走査電極２２を備えているものとして、以下の説明を行う。そして、１２個の走査ＩＣを用いて走査パルス発生回路５０を構成し、ｎ＝１０８０本の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを駆動するものとする。このように多数のスイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎをＩＣ化することにより部品点数を削減し、実装面積を低減することができる。ただし、ここに挙げた数値は単なる一例であり、本発明は何らこれらの数値に限定されるものではない。
【００６６】
また、本実施の形態では、書込み期間において、タイミング発生回路４５から出力されるＳＩＤ（１）〜ＳＩＤ（１２）を走査ＩＣ（１）〜走査ＩＣ（１２）のそれぞれに入力している。このＳＩＤ（１）〜ＳＩＤ（１２）は、走査ＩＣに書込み動作を開始させるための動作開始信号であり、走査ＩＣ（１）〜走査ＩＣ（１２）は、ＳＩＤ（１）〜ＳＩＤ（１２）にもとづき書込み動作の順序が切換えられる。
【００６７】
例えば、走査電極ＳＣ９９１〜走査電極ＳＣ１０８０に接続された走査ＩＣ（１２）に書込み動作させた後に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣ９０に接続された走査ＩＣ（１）に書込み動作させる場合は、次のような動作となる。
【００６８】
タイミング発生回路４５は、ＳＩＤ（１２）をＬｏ（例えば、０（Ｖ））からＨｉ（例えば、５（Ｖ））に変化させ、走査ＩＣ（１２）に書込み動作の開始を指示する。走査ＩＣ（１２）は、ＳＩＤ（１２）の電圧変化を検知し、これにより書込み動作を開始する。まず、スイッチング素子ＱＨ９９１をオフ、スイッチング素子ＱＬ９９１をオンにし、スイッチング素子ＱＬ９９１を経由して走査電極ＳＣ９９１に走査パルス電圧Ｖａを印加する。走査電極ＳＣ９９１での書込み動作が終了した後は、スイッチング素子ＱＨ９９１をオン、スイッチング素子ＱＬ９９１をオフにし、引き続き、スイッチング素子ＱＨ９９２をオフ、スイッチング素子ＱＬ９９２をオンにし、スイッチング素子ＱＬ９９２を経由して走査電極ＳＣ９９２に走査パルス電圧Ｖａを印加する。この一連の書込み動作を順次行い、走査電極ＳＣ９９１〜走査電極ＳＣ１０８０に走査パルス電圧Ｖａを順次印加して、走査ＩＣ（１２）は書込み動作を終了する。
【００６９】
走査ＩＣ（１２）の書込み動作が終了した後、タイミング発生回路４５は、ＳＩＤ（１）をＬｏ（例えば、０（Ｖ））からＨｉ（例えば、５（Ｖ））に変化させ、走査ＩＣ（１）に書込み動作の開始を指示する。走査ＩＣ（１）は、ＳＩＤ（１）の電圧変化を検知し、これにより上述と同様の書込み動作を開始し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣ９０に走査パルス電圧Ｖａを順次印加する。
【００７０】
本実施の形態では、このように、動作開始信号であるＳＩＤを用いて走査ＩＣの書込み動作の順序を制御することができる。
【００７１】
そして、本実施の形態では、上述したように、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドを除くサブフィールド（例えば、第２ＳＦから第８ＳＦ）では、部分点灯率検出回路４７において検出される部分点灯率に応じて走査ＩＣの書込み動作の順序を決定し、部分点灯率が高い領域を駆動する走査ＩＣから先に書込み動作させる。また、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールド（例えば、第１ＳＦ）では、その直前の高サブフィールドにおいて行った書込み動作と同じ順番で走査ＩＣに書込み動作させる。
【００７２】
続いて、部分点灯率が高い領域から先に書込み動作する書込み動作の一例を、図面を用いて説明する。
【００７３】
図６は、本発明の実施の形態１における部分点灯率を検出する領域と走査ＩＣとの接続の一例を示す概略図である。図６は、パネル１０と走査ＩＣとの接続の様子を簡略的に表しており、パネル１０内に示す破線で囲まれた各領域は、それぞれ部分点灯率を検出する領域を表す。また、表示電極対２４は、図２と同様に、図面における左右方向に延長して配列されているものとする。
【００７４】
上述したように、部分点灯率検出回路４７は、１つの走査ＩＣに接続された複数の走査電極２２で構成される領域を１つの領域として部分点灯率を検出する。例えば、１つの走査ＩＣに接続される走査電極２２の数が９０本であり、走査電極駆動回路４３が備える走査ＩＣが１２個（走査ＩＣ（１）〜走査ＩＣ（１２））であれば、図６に示すように、部分点灯率検出回路４７は、走査ＩＣ（１）〜走査ＩＣ（１２）のそれぞれに接続された９０本の走査電極２２を１つの領域とし、パネル１０の表示領域を１２分割して各領域の部分点灯率を検出する。そして、点灯率比較回路４８は、部分点灯率検出回路４７で検出した部分点灯率の値を互いに比較し、値の大きい方から順に、各領域に対して順位付けを行う。そして、タイミング発生回路４５はその順位付けにもとづきタイミング信号を発生し、走査電極駆動回路４３は、そのタイミング信号により、部分点灯率が高い領域に接続された走査ＩＣから先に書込み動作させる。
【００７５】
図７は、本発明の実施の形態１における走査ＩＣ（１）〜走査ＩＣ（１２）の書込み動作の順序の一例を示す概略図である。なお、図７において、部分点灯率を検出する領域は図６に示した領域と同様であり、斜線で示した部分は維持放電を発生させない非点灯セルの分布を表し、斜線のない白抜きの部分は放電を発生させる点灯セルの分布を表すものとする。
【００７６】
例えば、あるサブフィールドにおいて、点灯セルが、図７に示したように分布している場合、最も部分点灯率が高い領域は走査ＩＣ（１２）が接続された領域（以下、走査ＩＣ（ｎ）に接続された領域を「領域（ｎ）」と表す）となり、次に部分点灯率が高い領域は走査ＩＣ（１０）が接続された領域（１０）となり、その次に部分点灯率が高い領域は走査ＩＣ（７）が接続された領域（７）となる。このとき、従来の書込み動作であれば、走査ＩＣ（１）から走査ＩＣ（２）、走査ＩＣ（３）へと順次書込み動作が切換えられ、最も部分点灯率が高い領域に接続された走査ＩＣ（１２）は最後に書込み動作が開始される。しかし、本実施の形態では、部分点灯率の高い領域の走査ＩＣから先に書込み動作させるので、図７に示すように、まず最初に走査ＩＣ（１２）に書込み動作させ、次に走査ＩＣ（１０）に書込み動作させ、その次に走査ＩＣ（７）に書込み動作させる。なお、本実施の形態では、部分点灯率が同じであれば、配置的に見て、より上部の走査電極２２に接続された走査ＩＣから先に書込み動作させるものとする。そのため、走査ＩＣ（７）以降の書込み動作の順序は、走査ＩＣ（１）、走査ＩＣ（２）、走査ＩＣ（３）、走査ＩＣ（４）、走査ＩＣ（５）、走査ＩＣ（６）、走査ＩＣ（８）、走査ＩＣ（９）、走査ＩＣ（１１）となり、書込み動作は、領域（１２）、領域（１０）、領域（７）、領域（１）、領域（２）、領域（３）、領域（４）、領域（５）、領域（６）、領域（８）、領域（９）、領域（１１）の順番で行われる。
【００７７】
このように、本実施の形態では、部分点灯率が高い領域に接続された走査ＩＣから先に書込み動作させることで、部分点灯率が高い領域から先に書込み動作を行い、安定した書込み放電を実現している。これは、次のような理由による。
【００７８】
図８は、本発明の実施の形態１における走査ＩＣの書込み動作の順序と安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）との関係を示す特性図である。図８において、縦軸は安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）を表し、横軸は走査ＩＣの書込み動作の順序を表す。なお、この実験は、１画面を１６の領域に分け、走査パルス発生回路５０に１６個の走査ＩＣを備えて走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを駆動する構成にして行った。そして、走査ＩＣの書込み動作の順序によって、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）がどのように変化するかを測定した。
【００７９】
図８に示すように、走査ＩＣの書込み動作の順序に応じて安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）も変化する。そして、書込み動作の順序が遅い走査ＩＣほど安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）は大きくなる。例えば、最初に書込み動作させる走査ＩＣでは、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）は約８０（Ｖ）であるが、最後（ここでは、１６番目）に書込み動作させる走査ＩＣでは、必要な走査パルス電圧（振幅）は約１５０（Ｖ）となり、約７０（Ｖ）も大きくなった。
【００８０】
これは、初期化期間に形成された壁電荷が、時間の経過とともに徐々に減少するためと考えられる。また、書込みパルス電圧Ｖｄは、書込み期間中（表示画像に応じて）各データ電極３２に印加されるため、書込み動作が行われていない放電セルにも書込みパルス電圧Ｖｄは印加される。このような電圧変化によっても壁電荷は減少するため、書込み期間の終盤に書込み動作が行われる放電セルでは、さらに壁電荷が減少すると考えられる。
【００８１】
図９は、本発明の実施の形態１における部分点灯率と安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）との関係を示す特性図である。図９において、縦軸は安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）を表し、横軸は部分点灯率を表す。なお、この実験では、図８における測定と同様に１画面を１６の領域に分け、そのうちの１つの領域において、点灯セルの割合を変えながら、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）がどのように変化するかを測定した。
【００８２】
図９に示すように、点灯セルの割合に応じて安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）も変化する。そして、点灯率が高くなるほど安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）は大きくなる。例えば、点灯率１０％では、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）は約１１８（Ｖ）であるが、点灯率１００％では、必要な走査パルス電圧（振幅）は約１４９（Ｖ）となり、約３１（Ｖ）も大きくなる。
【００８３】
これは、点灯セルが増えて点灯率が上がると放電電流が増加し、走査パルス電圧（振幅）の電圧降下が大きくなるためと考えられる。また、パネル１０の大画面化により、走査電極２２の長さが長くなる等して駆動負荷が増大すると、電圧降下はさらに大きくなる。
【００８４】
このように、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）は、走査ＩＣの書込み動作の順序が遅くなるほど、すなわち初期化動作から書込み動作までの経過時間が長くなるほど大きくなり、また、点灯率が高くなるほど大きくなる。したがって、走査ＩＣの書込み動作の順序が遅く、かつその走査ＩＣが接続された領域の部分点灯率が高い場合には、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）はさらに大きくなる。
【００８５】
しかしながら、同じように部分点灯率が高い領域であっても、その領域に接続された走査ＩＣの書込み動作の順序を早くすれば、その領域に接続された走査ＩＣの書込み動作の順序が遅いときよりも、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）を低減することができる。
【００８６】
そこで、本実施の形態では、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドを除くサブフィールド（例えば、第２ＳＦから第８ＳＦ）では、領域毎に部分点灯率を検出し、部分点灯率が高い領域に接続された走査ＩＣから先に書込み動作させる構成とする。これにより、部分点灯率が高い領域から先に書込み動作を行うことができるので、部分点灯率が高い領域における書込み動作を、部分点灯率が低い領域における書込み動作よりも、初期化動作から書込み動作までの経過時間を短くして行うことが可能となる。これにより、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）が増大することを防止して安定した書込み放電を発生させることができる。本発明者が行った実験では、本実施の形態における構成とすることで、表示画像にもよるが、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）を約２０（Ｖ）低減できることが確認された。
【００８７】
一方、現サブフィールドにおいて安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）の大きさは、直前のサブフィールドにおける維持放電の発生回数によって変化することが発明者により確認された。図１０は、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）と直前のサブフィールドにおける維持放電の発生回数との関係を概略的に示す特性図である。図１０において、縦軸は安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）の大きさを表し、横軸は直前のサブフィールドにおける維持放電の発生回数を表す。
【００８８】
図１０に示すように、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）の大きさは、直前のサブフィールドにおける維持放電の発生回数によって変化し、維持放電の発生回数が多ければ大きくなり、少なければ小さくなる。これは、次のような理由によると考えられる。維持放電はプライミング粒子を発生させ、発生したプライミング粒子は、続く初期化動作に影響を与える。具体的には、プライミング粒子により初期化時の放電開始のタイミングが早まり初期化放電の継続時間が延びる、あるいはプライミング粒子により初期化放電の放電強度が上がる、といった現象が生じる。これにより、初期化放電による壁電荷の調整動作が過剰になり、初期化後の壁電荷、すなわち書込みに必要な壁電荷が減少する。プライミング粒子の発生数は維持放電の発生回数に比例して増加するため、維持期間における維持放電の発生回数が多いと、より多くのプライミング粒子が発生し、続く書込みに必要な壁電荷がより減少する。そして、その分、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）が大きくなるものと考えられる。
【００８９】
なお、走査電極２２に印加する走査パルス電圧（振幅）が一定のまま、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）が大きくなると、書込み放電の放電強度が相対的に下がってしまい、書込み放電による発光輝度も同様に低下する。また、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）が大きくなり走査電極２２に実際に印加する走査パルス電圧（振幅）を超えてしまうと、書込み動作が不安定になり、書込み放電を発生させるべき放電セルで書込み放電が発生しないといった不具合（以下、このような現象を「不灯」と呼称する）が発生する。
【００９０】
ここで、各サブフィールドにおける輝度は、次式で表すことができる（なお、１回の放電で生じる明るさと、放電を繰り返すことで得られる明るさとを区別するために、以下、前者を「発光輝度」と呼称し、後者を「輝度」と呼称する）。
【００９１】
（サブフィールドの輝度）＝（そのサブフィールドの維持期間に発生する維持放電による輝度）＋（そのサブフィールドの書込み期間に発生する書込み放電による輝度）
しかし、維持パルス数が十分に多いサブフィールドでは、維持期間に発生する輝度が書込み期間に発生する輝度よりも十分に大きくなる。そのため、書込み期間に発生する輝度がそのサブフィールドの輝度に与える影響は実質的に無視できる程度となる。このようなサブフィールドにおける輝度は、次式で表すことができる。
【００９２】
（サブフィールドの輝度）＝（そのサブフィールドの維持期間に発生する維持放電による輝度）
逆に、維持パルス数が少ないサブフィールドでは、維持期間に発生する輝度が小さくなるので、書込み期間に発生する輝度が相対的に大きくなる。そのため、書込み放電の放電強度が変化して書込み放電による発光輝度が変化すると、その影響を受けて、サブフィールドの輝度が変化してしまう。
【００９３】
したがって、高サブフィールドの直後に低サブフィールドが発生するようなサブフィールド構成、例えば、本実施の形態に示すサブフィールド構成では、低サブフィールドである第１ＳＦにおいて、直前の高サブフィールド（第８ＳＦ）の維持期間で発生するプライミング粒子の影響を受けて、書込み放電の放電強度が変化し、輝度が変化するおそれがある。
【００９４】
なお、維持放電が発生しなかった領域ではプライミング粒子は発生しない。したがって、高サブフィールド（第８ＳＦ）において点灯セルが局所的に集中して発生すると、プライミング粒子もその領域に集中して発生する。そのため、続く低サブフィールド（第１ＳＦ）では、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）が、その領域で局所的に上昇する。
【００９５】
また、図８に示したように、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）は、書込み動作の順序が遅くなるほど大きくなる。そのため、例えば、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）が局所的に上昇し、その領域が書込み動作の順番が遅い領域であれば、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）はさらに上昇し、維持放電の放電強度が下がって輝度が低下するだけでなく、不灯等の不具合も発生しやすくなる。
【００９６】
次に、高サブフィールド（第８ＳＦ）において点灯セルが局所的に集中して発生したときの、続く低サブフィールド（第１ＳＦ）における発光状態を図面を用いて概略的に示す。
【００９７】
図１１Ａは、高サブフィールド（第８ＳＦ）において点灯セルが局所的に集中して発生したときのパネル１０の発光状態を概略的に示す図である。なお、図１１Ａにおいて、黒（ハッチングされた領域）で示した領域は非点灯セルが分布する領域を表し、白（ハッチングのない領域）で示した領域は点灯セルが分布する領域を表すものとする。
【００９８】
図１１Ｂは、その高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールド（第１ＳＦ）におけるパネル１０の発光状態を概略的に示す図である。なお、このサブフィールドでは、パネル１０の全ての放電セルが点灯しているものとする。また、図１１Ｂには、走査電極ＳＣ１から走査電極ＳＣｎまで順に書込み動作したときの発光状態を概略的に表すものとする。
【００９９】
図１１Ａに示すように、例えば、高サブフィールド（第８ＳＦ）において領域Ａで示す部分に局所的に点灯セルが集中すると、その領域Ａでは大量のプライミング粒子が発生し、続く低サブフィールド（第１ＳＦ）における領域Ａでの書込み放電を不安定にさせてしまう。また、走査電極ＳＣ１から順に（図面に示すパネル１０の上端から下端に向かって順に）書込み動作する構成では、領域Ａに書込み動作がなされる順番は比較的遅い。そのため、図１１Ｂに示すように、低サブフィールド（第１ＳＦ）において、領域Ａでは、輝度が低下したり、不灯が発生しやすくなる。
【０１００】
なお、一般に視聴されている動画像では、図１１Ａ、図１１Ｂに示すような発光パターン、すなわち、輝度重みが最も大きいサブフィールドでは点灯セルの発生数が少なく、かつ点灯セルが局所的に集中し、輝度重みが最も小さいサブフィールドでは点灯セルの発生数が多く、かつ点灯セルが全体的に満遍なく発生するパターンが比較的多いことが発明者により確認されている。すなわち、走査電極ＳＣ１から順に書込み動作する従来技術では、一般に視聴されている動画像を表示するときに、図１１Ｂに示したような不具合が発生しやすい。
【０１０１】
一方、上述したように、壁電荷は、初期化動作からの経過時間に応じて徐々に減少していくので、書込み動作の順番が早い放電セルでは、壁電荷の減少は少ない。したがって、書込み動作の順番が早い放電セルでは、図８にも示したように、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）の上昇は比較的小さく、そのため、放電セルに印加する走査パルス電圧（振幅）が一定であれば、書込み放電の放電強度は比較的強くなり、安定した書込み放電を発生させることができる。
【０１０２】
そこで、本実施の形態では、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドでは、その高サブフィールドにおいて検出された部分点灯率が高い領域に接続された走査ＩＣから先に書込み動作させるものとする。すなわち、高サブフィールドの直後の低サブフィールドでは、その高サブフィールドの維持期間で発生したプライミング粒子が多い領域から先に書込みを行うものとする。具体的には、高サブフィールドの直後の低サブフィールドでは、その高サブフィールドにおける走査ＩＣの書込み動作の順番と同じ順番で走査ＩＣに書込み動作させる。
【０１０３】
これにより、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドでは、直前の高サブフィールドの維持期間に多くのプライミング粒子が発生し、書込み放電が不安定になりやすい領域から先に書込みを行うことができるようになる。例えば、図１１Ａ、図１１Ｂに示すような発光パターンでは、低サブフィールド（第１ＳＦ）において領域Ａの書込み動作を最初に行うことができる。これにより、低サブフィールド（第１ＳＦ）における書込み放電を安定化させ、画像表示品質を向上させることが可能になる。
【０１０４】
次に、図５に示した走査ＩＣへの動作開始信号であるＳＩＤ（ここでは、ＳＩＤ（１）〜ＳＩＤ（１２））を発生させる回路の一例を図面を用いて説明する。
【０１０５】
図１２は、本発明の実施の形態１における走査ＩＣ切換え回路６０の一構成例を示す回路ブロック図である。タイミング発生回路４５は、ＳＩＤ（ここでは、ＳＩＤ（１）〜ＳＩＤ（１２））を発生させる走査ＩＣ切換え回路６０を有する。なお、ここには図示していないが、各走査ＩＣ切換え回路６０には各回路の動作タイミングの基準となるクロック信号ＣＫが入力されている。
【０１０６】
走査ＩＣ切換え回路６０は、図１２に示すように、発生させるＳＩＤの数と同数（ここでは、１２個）のＳＩＤ発生回路６１を備え、各ＳＩＤ発生回路６１には、点灯率比較回路４８における比較結果にもとづき発生させる切換え信号ＳＲ、書込み期間における走査ＩＣ選択期間に発生させる選択信号ＣＨ、走査ＩＣの書込み動作開始時に発生させるスタート信号ＳＴがそれぞれ入力される。そして、各ＳＩＤ発生回路６１は、入力された各信号にもとづきＳＩＤを出力する。なお、各信号はタイミング発生回路４５において生成されるが、選択信号ＣＨに関しては、各ＳＩＤ発生回路６１において所定時間ずつ遅延された選択信号ＣＨを次段のＳＩＤ発生回路６１に用いるものとする。例えば、最初のＳＩＤ発生回路６１に入力する選択信号ＣＨ（１）をそのＳＩＤ発生回路６１において所定時間遅延して選択信号ＣＨ（２）とし、この選択信号ＣＨ（２）を次段のＳＩＤ発生回路６１に入力するものとする。したがって、各ＳＩＤ発生回路６１においては、切換え信号ＳＲおよびスタート信号ＳＴは同タイミングで入力されるが、選択信号ＣＨは全て異なるタイミングで入力される。
【０１０７】
図１３は、本発明の実施の形態１におけるＳＩＤ発生回路６１の一構成例を示す回路図である。ＳＩＤ発生回路６１は、フリップフロップ回路（以下、「ＦＦ」と略記する）６２、遅延回路６３、アンドゲート６４を有する。
【０１０８】
ＦＦ６２は、一般に知られたフリップフロップ回路と同様の構成、動作であり、クロック入力端子ＣＫＩＮ、データ入力端子ＤＩＮ、データ出力端子ＤＯＵＴを有する。そして、クロック入力端子ＣＫＩＮに入力される信号（ここでは、切換え信号ＳＲ）の立ち上がり時（ＬｏからＨｉへの変化時）におけるデータ入力端子ＤＩＮ（ここでは、選択信号ＣＨを入力）の状態（ＬｏまたはＨｉ）を保持し、この状態を反転したものを、データ出力端子ＤＯＵＴからゲート信号Ｇとして出力する。
【０１０９】
アンドゲート６４は、ＦＦ６２から出力されるゲート信号Ｇを一方の入力端子に、スタート信号ＳＴを他方の入力端子に入力し、２つの信号の論理積演算をして出力する。すなわち、ゲート信号ＧがＨｉでかつスタート信号ＳＴがＨｉのときのみＨｉを出力し、それ以外はＬｏを出力する。そして、このアンドゲート６４の出力がＳＩＤとなる。
【０１１０】
遅延回路６３は、一般に知られた遅延回路と同様の構成、動作であり、クロック入力端子ＣＫＩＮ、データ入力端子ＤＩＮ、データ出力端子ＤＯＵＴを有する。そして、データ入力端子ＤＩＮに入力される信号（ここでは、選択信号ＣＨ）を、クロック入力端子ＣＫＩＮに入力されるクロック信号ＣＫの所定の周期分（ここでは、１周期分）だけ遅延させてデータ出力端子ＤＯＵＴから出力する。この出力が次段のＳＩＤ発生回路６１に用いる選択信号ＣＨとなる。
【０１１１】
これらの動作を、タイミングチャートを用いて説明する。図１４は、本発明の実施の形態１における走査ＩＣ切換え回路６０の動作を説明するためのタイミングチャートである。ここでは、走査ＩＣ（３）の次に走査ＩＣ（２）に書込み動作させるときの、走査ＩＣ切換え回路６０の動作を例に挙げて説明を行う。なお、ここに示す各信号は、点灯率比較回路４８からの比較結果にもとづき、タイミング発生回路４５内で、その発生タイミングを決定して発生させるものとする。
【０１１２】
なお、本実施の形態では、書込み期間内に設けた走査ＩＣ選択期間において、次に書込み動作させる走査ＩＣを決定するものとする。ただし、最初に書込み動作させる走査ＩＣを決定するための走査ＩＣ選択期間は書込み期間の直前に行うものとする。そして、書込み動作中の走査ＩＣの書込み動作が終了する直前に、次に書込み動作させる走査ＩＣを決定するための走査ＩＣ選択期間を設けるものとする。
【０１１３】
走査ＩＣ選択期間では、まず、選択信号ＣＨ（１）がＳＩＤ（１）を発生させるためのＳＩＤ発生回路６１に入力される。この選択信号ＣＨ（１）は、図１４に示すように、通常はＨｉであり、クロック信号ＣＫ１周期分だけＬｏになる負極性のパルス波形である。そして、選択信号ＣＨ（１）は、ＳＩＤ発生回路６１においてクロック信号ＣＫ１周期分遅延され、選択信号ＣＨ（２）となってＳＩＤ（２）を発生させるためのＳＩＤ発生回路６１に入力される。以降、クロック信号ＣＫ１周期分ずつ遅延された選択信号ＣＨ（３）〜選択信号ＣＨ（１２）が各ＳＩＤ発生回路６１にそれぞれ入力される。
【０１１４】
切換え信号ＳＲは、図１４に示すように、通常はＬｏであり、クロック信号ＣＫ１周期分だけＨｉになる正極性のパルス波形である。そして、クロック信号ＣＫ１周期分ずつ遅延された選択信号ＣＨ（１）〜選択信号ＣＨ（１２）のうち、次に書込み動作させる走査ＩＣを選択するための選択信号ＣＨがＬｏになったタイミングで、正極性のパルスを発生させる。これにより、ＦＦ６２では、クロック入力端子ＣＫＩＮに入力される切換え信号ＳＲの立ち上がり時における選択信号ＣＨの状態を反転させたものがゲート信号Ｇとして出力される。
【０１１５】
例えば、走査ＩＣ（２）を選択する場合には、図１４に示すように、選択信号ＣＨ（２）がＬｏになった時点で切換え信号ＳＲに正極性のパルスを発生させる。このとき、選択信号ＣＨ（２）を除く選択信号ＣＨはＨｉなので、ゲート信号Ｇ（２）のみがＨｉとなりそれ以外のゲート信号ＧはＬｏとなる。なお、ここでは、ゲート信号Ｇ（３）がこのタイミングでＨｉからＬｏに変化する。
【０１１６】
なお、切換え信号ＳＲは、クロック信号ＣＫの立ち下がりに同期して状態が変化するように発生させてもよい。こうすることで、選択信号ＣＨの状態変化に対してクロック信号ＣＫ半周期分の時間的なずれを設けることができ、ＦＦ６２における動作を確実にすることができる。
【０１１７】
そして、走査ＩＣの書込み動作を開始するタイミングで、スタート信号ＳＴにクロック信号ＣＫ１周期分だけＨｉになる正極性のパルスを発生させる。スタート信号ＳＴは各ＳＩＤ発生回路６１に共通に入力されるが、ゲート信号ＧがＨｉとなっているアンドゲート６４のみが正極性のパルスを出力できる。これにより、次に書込み動作させる走査ＩＣを任意に決定することができる。ここでは、ゲート信号Ｇ（２）がＨｉなので、ＳＩＤ（２）に正極性のパルスが発生し、走査ＩＣ（２）が書込み動作を開始する。
【０１１８】
以上示したような回路構成によりＳＩＤを発生させることができるが、ここに示した回路構成は単なる一例に過ぎず、本発明は何らここに示した回路構成に限定されるものではない。走査ＩＣに書込み動作の開始を指示するＳＩＤを発生できる構成であれば、どのような回路構成であってもかまわない。
【０１１９】
図１５は、本発明の実施の形態１における走査ＩＣ切換え回路の他の構成例を示す回路図であり、図１６は、本発明の実施の形態１における走査ＩＣ切換え動作の他の一例を説明するためのタイミングチャートである。
【０１２０】
例えば、図１５に示すように、スタート信号ＳＴをＦＦ６５でクロック信号ＣＫ１周期分だけ遅延させ、スタート信号ＳＴと、ＦＦ６５でクロック信号ＣＫ１周期分だけ遅延させたスタート信号ＳＴとをアンドゲート６６において論理積演算するように構成してもよい。このとき、ＦＦ６５のクロック入力端子ＣＫＩＮには、クロック信号ＣＫを論理反転器ＩＮＶを用いて極性を逆にしたクロック信号ＣＫを入力するように構成することが望ましい。この構成では、スタート信号ＳＴにクロック信号ＣＫ２周期分だけＨｉになる正極性のパルスが発生した場合に、アンドゲート６６からクロック信号ＣＫ１周期分だけＨｉになる正極性のパルスが出力される。しかし、スタート信号ＳＴにクロック信号ＣＫ１周期分だけＨｉになる正極性のパルスが発生しても、アンドゲート６６からはＬｏしか出力されない。
【０１２１】
したがって、図６に示すように、切換え信号ＳＲに代えて、スタート信号ＳＴにクロック信号ＣＫ２周期分だけＨｉになる正極性のパルスを発生させれば、アンドゲート６６から出力される正極性のパルスを切換え信号ＳＲの代替信号として使用することができる。すなわち、この構成では、スタート信号ＳＴに、本来のスタート信号ＳＴとしての働きと、切換え信号ＳＲとしての働きとを持たせることができるので、切換え信号ＳＲを削減しつつ上述と同様の動作を行うことができる。
【０１２２】
以上示したように、本実施の形態によれば、パネル１０の表示領域を複数の領域に分け、それぞれの領域における部分点灯率を部分点灯率検出回路４７で検出し、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドを除くサブフィールドにおいては、部分点灯率が高い領域から先に書込み動作を行う構成とする。これにより、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）が増大することを防止して、安定した書込み放電を発生させることが可能となる。
【０１２３】
また、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドにおいては、その直前の高サブフィールドにおいて検出された部分点灯率にもとづく順番で書込み動作を行う構成とする。これにより、その高サブフィールドの維持期間に発生したプライミング粒子による影響を考慮した順番で書込み動作を行うことができるので、高サブフィールドの直後の低サブフィールドにおける書込み放電を安定化させ、画像表示品質を向上させることが可能になる。
【０１２４】
なお、本実施の形態では、第１の設定値を、維持放電によるプライミング粒子が、直後の低サブフィールドにおける書込み動作に実質的に影響を与える程度に発生するかどうかを基準にして設定するものとする。また、第２の設定値を、書込み放電による発光輝度がサブフィールドの輝度に影響を与える程度に維持放電の発生回数が少ないかどうかを基準にして設定するものとする。したがって、本実施の形態に示す第１の設定値の「８０」、第２の設定値の「６」は、これらの基準にもとづき設定した一実施例に過ぎず、これらの値は、パネル１０の特性やプラズマディスプレイ装置１の仕様、あるいは目視評価等にもとづき最適に設定することが望ましい。
【０１２５】
なお、本実施の形態では、メモリー４９に第８ＳＦにおける部分点灯率の比較結果を記憶し、第１ＳＦの書込み動作時にその記憶内容を使用する構成を説明した。しかし、例えば、タイミング発生回路４５の中、または走査電極駆動回路４３の中に、第８ＳＦにおける書込み動作の順番を記憶するメモリーを設け、第１ＳＦでは、そのメモリーに記憶された順番で書込み動作を行う構成としてもよい。
【０１２６】
なお、本実施の形態では、第１ＳＦの輝度重みが最も小さく、第８ＳＦの輝度重みが最も大きい構成を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。例えば、最終サブフィールドが、輝度重みは最大ではないが維持パルス数が第１の設定値以上であり、第１ＳＦが、輝度重みは最小ではないが維持パルス数が第２の設定値以下であれば、第１ＳＦにおける書込み動作を、その直前の最終サブフィールドにおける書込み動作と同じ順番で行うものとする。
【０１２７】
また、本実施の形態では、１フィールドに、上述した「高サブフィールドの直後の低サブフィールド」の条件に該当するサブフィールドが１つある例を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。例えば、１フィールドを８つのサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第８ＳＦ）で構成するとともに各サブフィールドの輝度重みをそれぞれ（１、４、１６、６４、２、８、３２、１２８）に設定し、輝度倍率を「２」とすると、各サブフィールドの維持パルス数はそれぞれ（２、８、３２、１２８、４、１６、６４、２５６）となる。この場合、第１の設定値を「８０」とし、第２の設定値を「６」とすると、上述した「高サブフィールドの直後の低サブフィールド」の条件には、第４ＳＦの直後の第５ＳＦ、および第８ＳＦの直後の第１ＳＦが、それぞれ該当する。したがって、この場合には、第５ＳＦ、第１ＳＦのそれぞれにおいて、直前のサブフィールドの部分点灯率にもとづく順番で書込み動作を行うものとする。
【０１２８】
なお、全セル初期化動作では全ての放電セルで初期化放電を発生させ、選択初期化動作では維持放電が発生した放電セルにのみ初期化放電を発生させる。そのため、全セル初期化動作と選択初期化動作とでは、その直前のサブフィールドで発生したプライミング粒子による書込み動作への影響に差が生じる。具体的には、全セル初期化動作の方が、より大きな影響を受けやすく、選択初期化動作では、全セル初期化動作と比較して、その影響が小さい。
【０１２９】
このことを考慮し、次のような構成としてもかまわない。すなわち、高サブフィールドの直後の低サブフィールドが全セル初期化動作を行うサブフィールドであれば、その低サブフィールドにおける書込み動作を直前の高サブフィールドにおいて検出された部分点灯率にもとづく順番で行うものとする。そして、高サブフィールドの直後の低サブフィールドが選択初期化動作を行うサブフィールドであれば、その低サブフィールドにおける書込み動作を、次の２つのいずれかを選択して行うものとする。すなわち、直前の高サブフィールドにおいて検出された部分点灯率にもとづく順番で書込み動作を行うか、または、あらかじめ定められた順番で書込み動作を行うかを、選択する。この選択は、画像表示モード等に応じて適応的に切換える、といった構成であってもよく、パネル１０の特性やプラズマディスプレイ装置１の仕様等にもとづきあらかじめ設定しておく構成であってもよい。
【０１３０】
なお、本実施の形態では、１つの走査ＩＣに接続された走査電極２２にもとづき各領域を設定する構成を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではなく、その他の区分けで各領域を設定する構成であってもよい。例えば、走査電極２２の走査順序を１本ずつ任意に変更できるような構成であれば、１本の走査電極２２を１つの領域として走査電極２２毎に部分点灯率を検出し、その検出結果に応じて、走査電極２２毎に書込み動作の順序を変更する構成であってもよい。
【０１３１】
なお、本実施の形態では、それぞれの領域における部分点灯率を検出し、部分点灯率の高い領域から先に書込み動作を行う構成を説明したが、本発明は、何らこの構成に限定されるものではない。例えば、１対の表示電極対２４における点灯率をライン点灯率として各表示電極対２４毎に検出するとともに、各領域毎に最も高いライン点灯率をピーク点灯率として検出し、ピーク点灯率の高い領域から先に書込み動作を行う構成としてもよい。
【０１３２】
なお、走査ＩＣ切換え回路６０の動作を説明する際に示した各信号の極性は、単なる一例を示したものに過ぎず、説明で示した極性とは逆の極性であっても何らかまわない。
【０１３３】
（実施の形態２）
図１７は、本発明の実施の形態２におけるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形図である。図１７には、図３と同様に、書込み期間の最初に書込み動作を行う走査電極ＳＣ１、書込み期間の最後に書込み動作を行う走査電極ＳＣｎ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ、およびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍの駆動波形を示す。
【０１３４】
なお、本実施の形態において、各サブフィールドで発生する駆動電圧波形は、実施の形態１で図３に示した駆動電圧波形に等しいものとする。また、サブフィールド内の各期間における各動作も実施の形態１で説明した各動作に等しいものとする。
【０１３５】
ただし、本実施の形態における駆動電圧波形は、図１７に示すように、最終サブフィールド（第８ＳＦ）と先頭サブフィールド（第１ＳＦ）との間に、休止期間を設けた構成としている。すなわち、所定のサブフィールドである低サブフィールドと、その直前のサブフィールドである高サブフィールドとの間に休止期間を設けた構成としている。この休止期間では、各電極に印加する駆動電圧を全て０（Ｖ）にし、パネル１０の駆動を休止する。
【０１３６】
例えば、１フィールドを構成する各サブフィールドにかかる時間の総和が１フィールドの時間に満たないとき、その差分の時間を休止期間とすることができる。
【０１３７】
そして、最終サブフィールドが高サブフィールドであり、それに続く先頭サブフィールドが低サブフィールドであって、それらの間に休止期間を設ける構成では、先頭サブフィールドにおいて、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）の大きさが、休止期間の長さによって変化することが発明者により確認された。
【０１３８】
図１８は、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）と休止期間の長さとの関係を概略的に示す特性図である。図１８において、縦軸は安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）の大きさを表し、横軸は休止期間の長さを表す。
【０１３９】
この図１８に示すように、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）の大きさは、休止期間が長くなるにつれて小さくなることが発明者によって確認された。これは、最終サブフィールドの維持期間に発生したプライミング粒子が、時間の経過とともに減少し、続く先頭サブフィールドの書込み動作に与える影響が徐々に小さくなっていくためと考えられる。
【０１４０】
そして、休止期間が十分に長くなれば、先頭サブフィールドにおいて、最終サブフィールドの維持期間に発生したプライミング粒子による影響は実質的に無視できる程度に小さくなることも確認された。
【０１４１】
なお、低サブフィールド（特に、輝度重みが最も小さい第１ＳＦ）では、維持期間に発生する輝度が低いので、書込み期間に発生する輝度がサブフィールドの輝度に占める割合が高い。そのため、書込み放電の放電強度の変化により生じる発光輝度の変化が、サブフィールドの輝度の変化として表れやすい。そして、最終サブフィールドで発生したプライミング粒子が、続く先頭サブフィールドの初期化放電に与える影響が実質的に無視できる程度まで減少しているときには、その先頭サブフィールドにおける書込み放電の放電強度の変化は、書込み動作の順番、すなわち初期化動作から書込み動作までの経過時間によるところが大きくなる。
【０１４２】
したがって、最終サブフィールドで発生したプライミング粒子が、続くフィールドの先頭サブフィールドにおいて、初期化放電に与える影響が実質的に無視できる程度まで減少しているときには、その先頭サブフィールドにおいて、書込み放電の放電強度の変化により生じる発光輝度の変化がパネル１０の画像表示面において不連続にならないようにすることが望ましい。これは、パネル１０の画像表示面における輝度の変化を知覚されにくくするためである。
【０１４３】
そこで、本実施の形態では、高サブフィールドと低サブフィールドとの間に休止期間があり、その休止期間が十分に長いときには、その低サブフィールドにおいて、あらかじめ定めた順番で書込み動作を行うものとする。
【０１４４】
具体的には、休止期間とあらかじめ定めた「所定時間」とを比較し、休止期間が十分に長いかどうかを判断する。すなわち、高サブフィールドで発生したプライミング粒子が、続く低サブフィールドにおいて、初期化放電に与える影響が実質的に無視できる程度まで減少しているかどうかを判断する。そして、休止期間が「所定時間」以上のときには、その低サブフィールドでは、あらかじめ定めた順番で書込み動作を行うものとする。また、休止期間が「所定時間」未満のときには、実施の形態１に示したように、その低サブフィールドでは、高サブフィールドで検出された部分点灯率に応じた順番で書込み動作を行うものとする。これにより、低サブフィールドにおける書込み動作を、休止期間の長さに応じて、高サブフィールドで検出された部分点灯率に応じた順番で行うか、または、あらかじめ定めた順番で行うかのいずれか好ましい方を選択して行うことが可能になる。
【０１４５】
例えば、表示画像の平均輝度レベル（Ａｖｅｒａｇｅ  Ｐｉｃｔｕｒｅ  Ｌｅｖｅｌ、以下、「ＡＰＬ」と略記する）を検出し、ＡＰＬの大きさに応じて輝度倍率を変化させる構成では、輝度倍率の変化にともない各サブフィールドの維持期間の長さが変化する。すなわち、輝度倍率に応じて各サブフィールドの長さが変化するので、それに応じて休止期間の長さも変化する。このような構成であって、かつ高サブフィールドと低サブフィールドとの間に休止期間を設けた構成のときには、本実施の形態に示した構成を用いることにより、休止期間の直後の低サブフィールドにおける書込み動作を、休止期間の長さに応じて、適応的に切換えることが可能となる。
【０１４６】
なお、本実施の形態における上述した「あらかじめ定めた順番での書込み動作」は、パネル１０上端の走査電極２２（走査電極ＳＣ１）からパネル１０下端の走査電極２２（走査電極ＳＣｎ）に向かって順に行う書込み動作とする。これにより、書込み放電の放電強度の変化により生じる発光輝度の変化がパネル１０の画像表示面において不連続にならないようにし、パネル１０の画像表示面における輝度の変化を知覚されにくくすることができる。
【０１４７】
しかし、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。例えば、パネル１０の下端の走査電極２２（走査電極ＳＣｎ）からパネル１０の上端の走査電極２２（走査電極ＳＣ１）に向かって順に書込み動作する構成や、表示領域を２分割し、パネル１０の上端およびパネル１０の下端の各走査電極２２（走査電極ＳＣ１、走査電極ＳＣｎ）からパネル１０中央の走査電極２２（走査電極ＳＣｎ／２）に向かって順に書込み動作する構成等であってもよい。すなわち、本発明における「あらかじめ定めた順番での書込み動作」は、パネル１０の画像表示面における輝度の変化が、不連続にならないようにする順番での書込み動作であるものとする。
【０１４８】
したがって、「あらかじめ定めた順番での書込み動作」は、自身のサブフィールドにおいて検出された部分点灯率にもとづく順番で書込み動作する構成を含まない。この構成は、書込み放電の放電強度の変化により生じる発光輝度の変化が、パネル１０の画像表示面における不連続な輝度の変化として発生し、使用者に知覚されやすくなるためである。
【０１４９】
なお、本実施の形態では、「所定時間」を、維持放電で発生したプライミング粒子が、続く低サブフィールドの書込み動作に与える影響が実質的に無視できる程度まで減少したかどうかを基準にして設定するものとする。本実施の形態では、この「所定時間」を、例えば「２ｍｓｅｃ」とする。しかし、この値は、上述した基準にもとづき設定した一実施例に過ぎず、「所定時間」の値は、パネル１０の特性やプラズマディスプレイ装置１の仕様、あるいは目視評価等にもとづき最適に設定することが望ましい。
【０１５０】
なお、本実施の形態において、休止期間が「所定時間」以上かどうかの判断は、各駆動回路の制御を司るタイミング発生回路４５内で行うことができる。したがって、図示はしないが、休止期間が「所定時間」以上かどうかの判断をタイミング発生回路４５において行い、高サブフィールドに続く低サブフィールドにおける書込み動作を上述したいずれの方法で行うかをタイミング発生回路４５が決定し、その結果に応じたタイミング信号をタイミング発生回路４５が出力する構成とすることができる。
【０１５１】
（実施の形態３）
本実施の形態では、所定のサブフィールドを除くサブフィールドにおいて、すなわち、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドを除くサブフィールドにおいて、１フィールドの輝度重みの総和に対して所定の割合以上の輝度重みを有するサブフィールドでは、実施の形態１で説明したように、部分点灯率検出回路における検出結果にもとづき部分点灯率が高い領域から先に書込み動作が行われるように走査ＩＣを順次切換えて動作させる。そして、１フィールドの輝度重みの総和に対して所定の割合未満の輝度重みを有するサブフィールドでは、あらかじめ定めた順番で走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに走査パルス電圧Ｖａを印加して書込み動作を行う。
【０１５２】
または、本実施の形態では、所定のサブフィールドを除くサブフィールドにおいて、すなわち、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドを除くサブフィールドにおいて、維持期間における維持パルスの発生数が所定の数以上のサブフィールドでは、実施の形態１で説明したように、部分点灯率検出回路における検出結果にもとづき部分点灯率が高い領域から先に書込み動作が行われるように走査ＩＣを順次切換えて動作させる。そして、維持期間における維持パルスの発生数が所定の数未満のサブフィールドでは、あらかじめ定めた順番で走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに走査パルス電圧Ｖａを印加して書込み動作を行う。
【０１５３】
本実施の形態では、このような書込み動作により、書込み放電をさらに安定化し、画像表示品質をさらに向上させることを実現している。なお、あらかじめ定めた順番で行う書込み動作の一例としては、例えば、走査電極ＳＣ１から走査電極ＳＣｎまで順に走査パルス電圧Ｖａを印加するように走査ＩＣを動作させる例を挙げることができる。
【０１５４】
ここで、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドを除いたサブフィールドであって、１フィールドに占める輝度重みの割合が所定の割合未満のサブフィールド、または維持期間における維持パルスの発生数が所定の数未満のサブフィールドでは、あらかじめ定めた順番で走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに走査パルス電圧Ｖａを印加して書込み動作を行う理由について説明する。
【０１５５】
各サブフィールドにおける輝度は、実施の形態１に示したように次式で表される。
【０１５６】
（サブフィールドの輝度）＝（そのサブフィールドの維持期間に発生する維持放電による輝度）＋（そのサブフィールドの書込み期間に発生する書込み放電による輝度）
そして、１フィールドに占める輝度重みの割合が高いサブフィールド、または維持期間における維持パルスの発生数が多いサブフィールド（以下、「Ｈサブフィールド」とする）では、書込み期間に発生する輝度がそのサブフィールドの輝度に与える影響は実質的に無視できる。
【０１５７】
それに対し、１フィールドに占める輝度重みの割合が小さいサブフィールド、または維持期間における維持パルスの発生数が少ないサブフィールド（以下、「Ｌサブフィールド」とする）では、維持期間に発生する輝度が小さくなるので、書込み期間に発生する輝度が相対的に大きくなる。そのため、例えば書込み放電の放電強度が変化して書込み放電による発光輝度が変化すると、その影響を受けて、サブフィールドの輝度が変化するおそれがある。
【０１５８】
また、書込み放電の放電強度は書込み動作の順番に応じて変化することがある。これは、初期化動作からの経過時間に応じて壁電荷が減少するためである。そして、書込み動作の順番が早い放電セルでは書込み放電の放電強度が比較的強く、書込み放電による発光輝度も比較的高いが、書込み動作の順番が遅い放電セルでは、書込み動作の順番が早い放電セルと比較して書込み放電の放電強度は弱く、書込み放電による発光輝度も低くなる。
【０１５９】
したがって、Ｌサブフィールドでは、書込み動作の順番が遅い放電セルほど輝度が低くなると考えられる。この輝度の変化は微弱なため、知覚されにくいが、点灯セルの分布パターンによっては知覚されやすくなることもある。
【０１６０】
図１９は、所定の画像を部分点灯率に応じた順番で書込み動作して表示したときのＬサブフィールドの発光状態を概略的に示した図である。なお、図１９において、黒（ハッチングされた領域）で示した部分は非点灯セルを表し、白（ハッチングのない領域）で示した部分は点灯セルを表すものとする。
【０１６１】
なお、この表示画像は、部分点灯率が最も高い領域が領域（１）（走査ＩＣ（１）に接続された領域）であり、次に部分点灯率が高い領域は領域（３）（走査ＩＣ（３）に接続された領域）であり、以下、部分点灯率は、領域（５）、領域（７）、領域（９）、領域（１１）、領域（２）、領域（４）、領域（６）、領域（８）、領域（１０）、領域（１２）の順に小さくなるものとする。
【０１６２】
そして、この画像パターンを部分点灯率に応じて書込み動作すると、領域（１）、領域（３）、領域（５）、領域（７）、領域（９）、領域（１１）、領域（２）、領域（４）、領域（６）、領域（８）、領域（１０）、領域（１２）の順に書込み動作がなされる。そのため、書込み動作の順番が早い領域間に書込み動作の順番が遅い領域がはさまれてしまう。例えば、最初に書込み動作がなされる領域（１）と、２番目に書込み動作がなされる領域（３）との間に、７番目に書込み動作がなされる領域（２）がはさまれ、２番目に書込み動作がなされる領域（３）と、３番目に書込み動作がなされる領域（５）との間に、８番目に書込み動作がなされる領域（４）がはさまれる。
【０１６３】
上述したように、Ｌサブフィールドにおける各領域の輝度は書込み動作の順番に応じて徐々に低下していくが、その輝度の変化は微弱であり、知覚されにくい。しかし、図１９に示すように、書込み動作の順番が早い領域間に書込み動作の順番が遅い領域がはさまれてしまうと、輝度が不連続に変化する領域が発生してしまう。輝度の変化が微弱であってもその変化が不連続に発生すれば、その輝度変化は知覚されやすく、例えば帯状のノイズとして認識されるおそれがある。
【０１６４】
そこで、本実施の形態では、維持期間に発生する輝度が小さく、書込み放電による発光輝度の変化が知覚されやすいサブフィールドでは、あらかじめ定めた順番で書込み動作を行うものとする。以下、このサブフィールドを「Ｌサブフィールド」と呼称する。ただし、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドはＬサブフィールドから除く。
【０１６５】
図２０は、図１９に示した表示画像と同様の画像をパネル１０上端の走査電極２２（走査電極ＳＣ１）からパネル１０下端の走査電極２２（走査電極ＳＣｎ）に向かって順に書込み動作を行って表示したときのＬサブフィールドにおける発光状態を概略的に示した図である。
【０１６６】
例えば、図２０に示すように、パネル１０上端の走査電極２２（走査電極ＳＣ１）からパネル１０下端の走査電極２２（走査電極ＳＣｎ）に向かって順に書込み動作を行えば、点灯セルの輝度はパネル１０上端からパネル１０下端に向かって徐々に低下していく。したがって、パネル１０の画像表示面において不連続な輝度変化は発生せず、輝度変化を滑らかにすることができる。書込み放電にもとづく輝度変化は微弱であるため、輝度変化が滑らかになるような順番で書込み動作すれば、その輝度変化を知覚されにくくすることができる。
【０１６７】
このように、本実施の形態では、維持期間に発生する輝度が小さく、書込み放電による発光輝度の変化が知覚されやすいＬサブフィールド（ただし、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドを除く）では、あらかじめ定めた順番で書込み動作を行う構成とする。これにより、パネル１０の画像表示面における書込み放電にもとづく輝度変化を滑らかにし、画像表示品質をさらに高めることができる。
【０１６８】
なお、本実施の形態では、上述した所定の割合を、例えば１％に設定することができる。この場合、例えば１フィールドを８つのサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第８ＳＦ）で構成し、各サブフィールドの輝度重みを、それぞれ１、２、４、８、１６、３２、６４、１２８とする構成では、１フィールドに占める輝度重みの割合が２％未満となるＬサブフィールドは、第１ＳＦと第２ＳＦとになる。しかし、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールド（この例では、第１ＳＦ）は、実施の形態１に示したように高サブフィールドにおける部分点灯率にもとづく順番で書込み動作を行う。したがって、第１ＳＦを除くＬサブフィールド、すなわち第２ＳＦにおいては、あらかじめ定めた順番で書込み動作を行う。そして、１フィールドに占める輝度重みの割合が２％以上となるＨサブフィールドである第３ＳＦから第８ＳＦでは、部分点灯率検出回路４７において検出された部分点灯率が高い領域から先に書込み動作を行う。
【０１６９】
また、本実施の形態では、上述した所定の数を、例えば６に設定することができる。この場合、例えば１フィールドを８つのサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第８ＳＦ）で構成し、各サブフィールドの輝度重みを、それぞれ１、２、４、８、１６、３２、６４、１２８にするとともに輝度重みを１にする構成では、各サブフィールドの維持期間に発生させる維持パルスの数は各輝度重みを１倍した数になる。したがって、維持パルスの発生数が６未満となるＬサブフィールドは、第１ＳＦと第２ＳＦと第３ＳＦとになる。この場合は、第１ＳＦを除くＬサブフィールド、すなわち第２ＳＦおよび第３ＳＦにおいて、あらかじめ定めた順番で書込み動作を行う。そして、維持パルスの発生数が６以上となるＨサブフィールドである第４ＳＦから第８ＳＦでは、部分点灯率検出回路４７において検出された部分点灯率が高い領域から先に書込み動作を行う。
【０１７０】
図２１は、本発明の実施の形態３におけるプラズマディスプレイ装置２の回路ブロック図である。
【０１７１】
プラズマディスプレイ装置２は、パネル１０、画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３、維持電極駆動回路４４、タイミング発生回路４６、部分点灯率検出回路４７、点灯率比較回路４８、および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）を備えている。なお、実施の形態１に示したプラズマディスプレイ装置１と同様の構成および同様の動作をするブロックについては同じ符号を付け、説明を省略する。
【０１７２】
タイミング発生回路４６は、水平同期信号Ｈ、垂直同期信号Ｖおよび点灯率比較回路４８からの出力にもとづき各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生し、それぞれの回路ブロックへ供給する。そして、本実施の形態におけるタイミング発生回路４６は、現サブフィールドが、１フィールドに占める輝度重みの割合が所定の割合（例えば、１％）以上のサブフィールド、または維持期間における維持パルスの発生数が所定の数（例えば、６）以上のサブフィールドかどうかを判断する。そして、１フィールドに占める輝度重みの割合が所定の割合以上のサブフィールド、または維持期間における維持パルスの発生数が所定の数以上のサブフィールドにおいては、実施の形態１で説明したように、部分点灯率検出回路における検出結果にもとづき部分点灯率が高い領域から先に書込み動作が行われるように各タイミング信号を発生させる。また、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドにおいては、実施の形態１で説明したように、その直前の高サブフィールドにおいて検出された部分点灯率にもとづく順番で書込み動作が行われるように各タイミング信号を発生させる。また、１フィールドに占める輝度重みの割合が所定の割合未満のサブフィールド、または維持期間における維持パルスの発生数が所定の数未満のサブフィールドであって、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドを除くサブフィールドにおいては、あらかじめ定めた順番で走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに走査パルス電圧Ｖａを印加するように各タイミング信号を発生させる。
【０１７３】
以上示したように、本実施の形態では、１フィールドに占める輝度重みの割合が所定の割合以上のサブフィールド、または維持期間における維持パルスの発生数が所定の数以上のサブフィールドにおいては、実施の形態１に示したように、部分点灯率が高い領域から先に書込み動作を行う。また、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドにおいては、実施の形態１に示したように、その直前の高サブフィールドにおいて検出された部分点灯率にもとづく順番で書込み動作を行う。また、維持期間に発生する輝度が小さく、書込み放電による発光輝度の変化が知覚されやすいサブフィールド、すなわち、１フィールドに占める輝度重みの割合が所定の割合未満のサブフィールド、または維持期間における維持パルスの発生数が所定の数未満のサブフィールドであって、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドを除くサブフィールドにおいては、あらかじめ定めた順番で書込み動作を行う構成とする。これにより、パネル１０の画像表示面における書込み放電にもとづく輝度変化を滑らかにし、画像表示品質をさらに高めることが可能となる。
【０１７４】
なお、本実施の形態では、Ｌサブフィールドにおいて走査電極２２をあらかじめ定めた順番で書込み動作する構成の一例として、パネル１０の上端の走査電極２２（走査電極ＳＣ１）からパネル１０の下端の走査電極２２（走査電極ＳＣｎ）に向かって順に書込み動作を行う構成を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。例えば、パネル１０の下端の走査電極２２（走査電極ＳＣｎ）からパネル１０の上端の走査電極２２（走査電極ＳＣ１）に向かって順に書込み動作を行う構成や、表示領域を２分割し、パネル１０の上端およびパネル１０の下端の各走査電極２２（走査電極ＳＣ１、走査電極ＳＣｎ）からパネル１０中央の走査電極２２（走査電極ＳＣｎ／２）に向かって書込み動作を行う構成等であってもよい。本発明における「あらかじめ定めた順番で行う書込み動作」は、パネル１０の画像表示面における書込み放電にもとづく輝度変化を滑らかにすることができる書込み動作であれば、どのような順番の書込み動作であってもかまわない。
【０１７５】
なお、本実施の形態では、「１フィールドに占める輝度重みの割合が所定の割合以上のサブフィールド、または維持期間における維持パルスの発生数が所定の数以上のサブフィールド」と、「１フィールドに占める輝度重みの割合が所定の割合未満のサブフィールド、または維持期間における維持パルスの発生数が所定の数未満のサブフィールド」とで書込み動作を変える構成を説明した。しかし、例えば、ある画像表示モードでは、「１フィールドに占める輝度重みの割合が所定の割合以上のサブフィールド」と「１フィールドに占める輝度重みの割合が所定の割合未満のサブフィールド」とで書込み動作を変え、他の画像表示モードでは、「維持期間における維持パルスの発生数が所定の数以上のサブフィールド」と「維持期間における維持パルスの発生数が所定の数未満のサブフィールド」とで書込み動作を変えるように構成してもよい。あるいは、画像表示モードに代えて、輝度倍率の大きさにもとづきこれらの切換えを行う構成であってもよい。この場合、例えば、表示画像の平均輝度レベルにもとづき輝度倍率の大きさを変えるように構成されたプラズマディスプレイ装置では、これらの切換えを表示画像の平均輝度レベルにもとづき適応的に切換えることも可能となる。
【０１７６】
（実施の形態４）
上述した実施の形態では、初期化期間にのみ初期化動作を行う駆動（以下、「１相駆動」と呼称する）にもとづき各動作を行う構成を説明したが、本発明は、何らその構成に限定されるものではない。
【０１７７】
本発明は、初期化期間における１回目の初期化動作に加え、書込み期間の途中で２回目の初期化動作を行い、書込み期間を、１回目の初期化動作後から２回目の初期化動作前までの書込み期間（以下、「第１の書込み期間」と記す）と２回目の初期化動作後の書込み期間（以下、「第２の書込み期間」と記す）との２つに分けて書込み動作を行う（以下、「２相駆動」と呼称する）構成にも適用させることができる。
【０１７８】
以下、本実施の形態における２相駆動の一実施例について説明する。なお、２相駆動は、１相駆動と同様に、それぞれの放電セルにおいて１つのサブフィールドで１回の書込み動作を行うものであり、１つの放電セルで２回の書込み動作を行うものではない。
【０１７９】
図２２は、本発明の実施の形態４におけるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形図である。
【０１８０】
なお、本実施の形態では、初期化期間における１回目の初期化動作を行った後に第１の書込み期間を設け、第１の書込み期間が終了した後に２回目の初期化動作を行い、２回目の初期化動作が終了した後に第２の書込み期間を設けるものとする。また、本実施の形態では、１フィールドを８つのサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第８ＳＦ）で構成し、各サブフィールドはそれぞれ１、２、４、８、１６、３２、６４、１２８の輝度重みを有するものとする。しかし、本実施の形態は、サブフィールド数や各サブフィールドの輝度重みが上記の値に限定されるものではなく、また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切換える構成であってもよい。
【０１８１】
なお、本発明では、部分点灯率が高い領域ほど初期化動作から書込み動作までの時間が短くなるように、各領域を書込み動作する順番を決定する。そのため、本実施の形態に示す２相駆動では、各領域を書込み動作する順番が１相駆動を行うときとは異なる。これは、書込み期間の途中で２回目の初期化動作を行うためである。この詳細については後述するが、ここでは、走査電極ＳＣ１から順に走査パルス電圧Ｖａを印加するものとして説明を行う。そして、図２２には、第１の書込み期間の最初に書込み動作を行う走査電極ＳＣ１と、第１の書込み期間の最後、すなわち２回目の初期化動作の直前に書込み動作を行う走査電極ＳＣｎ／２（例えば、走査電極ＳＣ５４０）と、第２の書込み期間の最初、すなわち２回目の初期化動作の直後に書込み動作を行うＳＣｎ／２＋１（例えば、走査電極ＳＣ５４１）と、第２の書込み期間の最後に書込み動作を行う走査電極ＳＣｎ（例えば、走査電極ＳＣ１０８０）とを示す。あわせて、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ、およびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍの駆動電圧波形を示す。
【０１８２】
まず、全セル初期化サブフィールドである第１ＳＦについて説明する。
【０１８３】
第１ＳＦの初期化期間前半部における動作は、図３に示した駆動電圧波形の第１ＳＦの初期化期間前半部における動作と同様であるので、説明を省略する。
【０１８４】
初期化期間後半部では、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには正の電圧Ｖｅ１を印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには０（Ｖ）を印加する。
【０１８５】
ここで、本実施の形態では、１回目の初期化動作だけを行う放電セルと、１回目の初期化動作に加え２回目の初期化動作も行う放電セルとに、互いに異なる波形形状の初期化波形を印加する。具体的には、１回目の初期化動作だけを行う放電セルに属する走査電極２２と、１回目および２回目の初期化動作を行う放電セルに属する走査電極２２とで最低電圧が異なる下りランプ電圧をそれぞれに印加する。
【０１８６】
１回目の初期化動作だけを行う放電セルに属する走査電極２２（図２２に示す例では、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ／２）には、図３に示した第１ＳＦの初期化期間後半部と同様の下りランプ電圧Ｌ２を印加する。これにより、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ／２と維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ／２との間、および走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ／２とデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間で初期化放電が起き、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ／２上部の負の壁電圧および維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ／２上部の正の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上部の正の壁電圧は書込み動作に適した値に調整される。
【０１８７】
一方、１回目の初期化動作に加え２回目の初期化動作を行う放電セルに属する走査電極２２（図２２に示す例では、走査電極ＳＣｎ／２＋１〜走査電極ＳＣｎ）には、電圧Ｖｉ３から負の電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ５）に向かって緩やかに下降する下りランプ電圧Ｌ５を印加する。このとき、電圧Ｖｓｅｔ５を電圧Ｖｓｅｔ２（例えば、６（Ｖ））よりも高い電圧（例えば、７０（Ｖ））に設定する。
【０１８８】
このように、本実施の形態における初期化期間では、１回目の初期化動作だけを行う放電セルに属する走査電極２２では下りランプ電圧Ｌ２が電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）まで下降するのに対して、１回目と２回目の初期化動作を行う放電セルに属する走査電極２２では下りランプ電圧Ｌ５は電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）よりも高い電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ５）までしか下降しないようにする。これにより、下りランプ電圧Ｌ５を印加する放電セルにおいては、初期化放電によって移動する電荷の量が、下りランプ電圧Ｌ２によって初期化放電を発生する放電セルに比べて少なくなる。そのため、下りランプ電圧Ｌ５を印加する放電セルには、下りランプ電圧Ｌ２を印加する放電セルより多くの壁電荷が残存する。
【０１８９】
続く書込み期間では、第１の書込み期間と第２の書込み期間とに分けて書込み動作を行う。ただし、書込み動作そのものは、図３の書込み期間に示した書込み動作と同じである。すなわち、走査電極２２に対しては走査パルス電圧Ｖａを印加し、データ電極３２に対しては発光させるべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加して、各放電セルに選択的に書込み放電を発生させる。
【０１９０】
この書込み動作を、１回目の初期化動作だけを行う放電セル（図２２に示す例では、走査電極ＳＣ１〜走査電極Ｓｎ／２を有する放電セル）に順次行い、まず、１回目の初期化動作だけを行う放電セルにおける書込み動作を終了する。
【０１９１】
そして、本実施の形態では、第１の書込み期間が終了した後、続く第２の書込み期間の書込み動作を開始する前に、下りランプ電圧Ｌ５よりも最低電圧が低い下りランプ電圧、具体的には、電圧Ｖｃから負の電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ３）に向かって下降する下りランプ電圧Ｌ６を、２回目の初期化動作を行う放電セルに属する走査電極２２（図２２に示す例では、走査電極ＳＣｎ／２＋１〜走査電極ＳＣｎ）に印加する。
【０１９２】
上述したように、１回目と２回目の初期化動作を行う放電セルに属する走査電極２２では下りランプ電圧Ｌ５は負の電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ５）までしか下降しておらず、そのため、下りランプ電圧Ｌ５を印加した放電セルには、下りランプ電圧Ｌ２を印加した放電セルより多くの壁電荷が残存する。したがって、電圧Ｖｓｅｔ３（例えば、８（Ｖ））を電圧Ｖｓｅｔ５（例えば、７０（Ｖ））よりも十分に小さい電圧に設定して、下りランプ電圧Ｌ６を下りランプ電圧Ｌ５よりも十分に低い電位まで下降させることで、下りランプ電圧Ｌ５を印加した放電セルに２回目の初期化放電を発生させることができる。
【０１９３】
初期化放電で形成される壁電荷は、時間の経過とともに減少する。しかし、２相駆動では、２回目の初期化動作を行う放電セルにおいて、書込み期間の途中で壁電荷の調整を行うことができる。したがって、初期化動作から最も遅く書込みがなされる放電セルにおける初期化動作から書込み動作までの経過時間を、実質的に１相駆動の約半分にすることができる。これにより、書込み期間における書込み動作の順番が遅い放電セルにおける書込み動作を安定に行うことが可能となる。
【０１９４】
なお、図２２には、２回目の初期化動作を行う放電セルに属する走査電極２２（図２２に示す例では、走査電極ＳＣｎ／２＋１〜走査電極ＳＣｎ）に下りランプ電圧Ｌ６を印加するのと同タイミングで、１回目の初期化動作だけを行う放電セルに属する走査電極２２（図２２に示す例では、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ／２）にも下りランプ電圧Ｌ６を印加する波形図を記載している。１回目の初期化動作だけを行う放電セルは、すでに書込み動作が終わっているため、下りランプ電圧Ｌ６を印加する必要はない。しかし、下りランプ電圧Ｌ６を選択的に印加できるように走査電極駆動回路を構成することが困難な場合には、図２２に示すように、下りランプ電圧Ｌ６を１回目の初期化動作だけを行う放電セルに印加してもかまわない。これは、下りランプ電圧Ｌ２を印加して初期化放電を発生させた放電セルには、下りランプ電圧Ｌ２の最低電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）よりも高い電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ３）までしか下降しない下りランプ電圧Ｌ６を印加しても、初期化放電が再度発生することはないためである。
【０１９５】
そして、下りランプ電圧Ｌ６による２回目の初期化動作を行った後、書込み動作がなされていない走査電極２２（図２２に示す例では、走査電極ＳＣｎ／２＋１〜走査電極ＳＣｎ）に対して、上述と同様の手順で書込み動作を行う。以上の書込み動作が全て終了して、第１ＳＦにおける書込み期間が終了する。
【０１９６】
なお、走査電極２２に下りランプ電圧Ｌ６を印加する期間は、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに書込みパルスは印加しないものとする。
【０１９７】
続く維持期間における動作は、図３に示した駆動電圧波形の維持期間における動作と同様であるので、説明を省略する。
【０１９８】
第２ＳＦの初期化期間では、１回目の初期化動作だけを行う放電セルに属する走査電極２２（図２２に示す例では、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ／２）には、図３の第２ＳＦの初期化期間に示した初期化波形と同様に、放電開始電圧以下となる電圧（例えば、０（Ｖ））から負の電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ４）に向かって下降する下りランプ電圧Ｌ４を印加する。１回目の初期化動作に加え２回目の初期化動作を行う放電セルに属する走査電極２２（図２２に示す例では、走査電極ＳＣｎ／２＋１〜走査電極ＳＣｎ）には、放電開始電圧以下となる電圧（例えば、０（Ｖ））から負の電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ５）に向かって下降する下りランプ電圧Ｌ７を印加する。
【０１９９】
第２ＳＦの書込み期間および維持期間における動作は、第１ＳＦの書込み期間および維持期間と同様の動作であるので、説明を省略する。また、第３ＳＦ以降のサブフィールドでは、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎおよびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対して、維持期間における維持パルス数が異なる以外は第２ＳＦと同様の駆動電圧波形を印加する。
【０２００】
以上が、本実施の形態における２相駆動を行うときにパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形の概要である。本実施の形態では、この２相駆動によってパネルを駆動するときに、次のように書込み動作を行う。
【０２０１】
図２３は、本発明の実施の形態４における所定の画像を２相駆動で表示するときの部分点灯率に応じた走査順序の一例（走査ＩＣの書込み動作の順序の一例）を示す概略図である。なお、図２３において、斜線で示した領域は非点灯セルが分布する領域を表し、斜線のない白抜きの領域は点灯セルが分布する領域を表す。また、図２３には、各領域を分かりやすく示すために、領域間の境界を破線で示す。
【０２０２】
図２３に示す例では、部分点灯率が最も高い領域が走査ＩＣ（１）に接続された領域（１）であり、以下、部分点灯率は、領域（２）、領域（３）、領域（４）、領域（５）、領域（６）、領域（７）、領域（８）、領域（９）、領域（１０）、領域（１１）、領域（１２）の順に小さくなるものとする。
【０２０３】
したがって、この画像を１相駆動で表示するときには、各領域の書込み動作の順番は、領域（１）、領域（２）、領域（３）、領域（４）、領域（５）、領域（６）、領域（７）、領域（８）、領域（９）、領域（１０）、領域（１１）、領域（１２）の順になる。
【０２０４】
しかし、本実施の形態における２相駆動では、例えば、図２３に示すように、１回目の初期化動作の後に、最も部分点灯率が高い領域（１）に書込み動作をし、その後、部分点灯率が高い領域から１つおきに、すなわち、３番目に部分点灯率が高い領域（３）、５番目に部分点灯率が高い領域（５）、７番目に部分点灯率が高い領域（７）、９番目に部分点灯率が高い領域（９）、１１番目に部分点灯率が高い領域（１１）の順に書込み動作を行う。そして、２回目の初期化動作の後、残りの領域を部分点灯率が高い領域から順に、すなわち、２番目に部分点灯率が高い領域（２）、４番目に部分点灯率が高い領域（４）、６番目に部分点灯率が高い領域（６）、８番目に部分点灯率が高い領域（８）、１０番目に部分点灯率が高い領域（１０）、最も部分点灯率が低い領域（１２）の順に書込み動作を行う。
【０２０５】
これにより、最も部分点灯率が高い領域（１）に加え、２番目に部分点灯率が高い領域（２）も初期化動作の直後に書込み動作することができる。また、最も部分点灯率が低い領域（１２）および２番目に部分点灯率が低い領域（１１）における初期化動作から書込み動作までの経過時間を、１相駆動を行うときと比較して実質的に半減することができる。
【０２０６】
なお、２相駆動を行うときの各領域の書込み動作の順番は、何ら図２３に示す順番に限定されるものではない。本実施の形態では、部分点灯率が最も大きい領域の書込み動作を一方の初期化動作の直後に行い、２番目に部分点灯率が大きい領域の書込み動作を他方の初期化動作の直後に行い、以降、部分点灯率が大きい領域ほど初期化動作から書込み動作までの経過時間が短くなるような順番で各領域の書込み動作を行っていくものとする。
【０２０７】
したがって、各領域の部分点灯率が図２３に示すような順番になっているときには、図２３に示す書込み動作の順番以外にも、例えば、１回目における初期化動作の後、領域（２）、領域（４）、領域（６）、領域（８）、領域（１０）、領域（１２）の順に書込み動作し、続く２回目の初期化動作の後、領域（１）、領域（３）、領域（５）、領域（７）、領域（９）、領域（１１）の順に書込み動作する構成でもよい。あるいは、１回目の初期化動作の後、領域（１）、領域（４）、領域（５）、領域（８）、領域（９）、領域（１２）の順に書込み動作し、続く２回目の初期化動作の後、領域（２）、領域（３）、領域（６）、領域（７）、領域（１０）、領域（１１）の順に書込み動作する構成でもよい。あるいは、１回目の初期化動作の後、領域（２）、領域（３）、領域（６）、領域（７）、領域（１０）、領域（１１）の順に書込み動作し、続く２回目の初期化動作の後、領域（１）、領域（４）、領域（５）、領域（８）、領域（９）、領域（１２）の順に書込み動作する構成でもよい。
【０２０８】
なお、全サブフィールドを２相駆動とする構成であってもよいが、２相駆動では、１相駆動と比較して、初期化動作の回数が増える分だけ駆動時間が増える。したがって、駆動時間に余裕がないときには、例えば輝度重みの大きいサブフィールドでのみ２相駆動を行い、輝度重みの小さいサブフィールドでは１相駆動を行う、といったように、２相駆動を行うサブフィールドを制限してもよい。そのときには、１相駆動か、２相駆動かに応じて、最適に書込み動作の順番を決定すればよい。
【０２０９】
なお、本実施の形態では、書込み期間に２回目の初期化動作を行う２相駆動を例に挙げて説明を行ったが、例えば、書込み期間に２回目と３回目の初期化動作を行う３相駆動、あるいはそれ以上の初期化動作を行う多相駆動を行う構成であってもよい。そのときには、部分点灯率が最も大きい領域の書込み動作を１つの初期化動作の直後に行い、２番目に部分点灯率が大きい領域の書込み動作を他の１つの初期化動作の直後に行い、３番目に部分点灯率が大きい領域の書込み動作をさらに他の１つの初期化動作の直後に行う、というように、上述と同様の考え方にもとづき書込み動作の順番を設定するものとする。
【０２１０】
なお、高サブフィールドの直後に発生する低サブフィールドにおいては、実施の形態１に示したように、その直前の高サブフィールドにおいて検出された部分点灯率にもとづく順番で書込み動作を行うものとする。
【０２１１】
以上示したように、本実施の形態によれば、初期化動作を複数回行うことで初期化動作から書込み動作までの経過時間を短くすることができる領域を増やすことができ、かつ、部分点灯率が高い領域ほど初期化動作から書込み動作までの経過時間を短くして書込み動作を行えるので、大画面化、高輝度化、高精細化されたパネルにおいても、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）が増大することを防止して安定した書込み放電を発生させることが可能となる。
【０２１２】
なお、本発明における実施の形態は、走査電極２２と走査電極２２とが隣り合い、維持電極２３と維持電極２３とが隣り合う電極構造、すなわち前面板２１に設けられる電極の配列が、「・・・走査電極２２、走査電極２２、維持電極２３、維持電極２３、走査電極２２、走査電極２２、・・・」となる電極構造のパネルにおいても、有効である。
【０２１３】
なお、本発明の実施の形態では、消去ランプ電圧Ｌ３を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する構成を説明したが、消去ランプ電圧Ｌ３を維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに印加する構成とすることもできる。あるいは、消去ランプ電圧Ｌ３ではなく、いわゆる細幅消去パルスにより消去放電を発生させる構成としてもよい。
【０２１４】
なお、本発明の実施の形態において示した具体的な数値は、５０インチ、表示電極対２４の数が１０８０対のパネル１０の特性にもとづき設定したものであって、単に実施の形態における一例を示したものに過ぎない。本発明はこれらの数値に何ら限定されるものではなく、各数値はパネル１０の特性やプラズマディスプレイ装置１の仕様等にあわせて最適に設定することが望ましい。また、これらの各数値は、上述した効果を得られる範囲でのばらつきを許容するものとする。また、サブフィールド数や各サブフィールドの輝度重み等も本発明の実施の形態に示した値に限定されるものではなく、また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切換える構成であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【０２１５】
本発明は、大画面化、高精細化されたパネルにおいても、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）が増大することを防止して安定した書込み放電を発生させ、高い画像表示品質を実現することができるので、プラズマディスプレイ装置およびパネルの駆動方法として有用である。
【符号の説明】
【０２１６】
１，２    プラズマディスプレイ装置
１０    パネル
２１    前面板
２２    走査電極
２３    維持電極
２４    表示電極対
２５，３３    誘電体層
２６    保護層
３１    背面板
３２    データ電極
３４    隔壁
３５    蛍光体層
４１    画像信号処理回路
４２    データ電極駆動回路
４３    走査電極駆動回路
４４    維持電極駆動回路
４５，４６    タイミング発生回路
４７    部分点灯率検出回路
４８    点灯率比較回路
４９    メモリー
５０    走査パルス発生回路
５１    初期化波形発生回路
５２    維持パルス発生回路
６０    走査ＩＣ切換え回路
６１    ＳＩＤ発生回路
６２，６５    ＦＦ（フリップフロップ回路）
６３    遅延回路
６４，６６    アンドゲート
７２    スイッチ
ＱＨ１〜ＱＨｎ，ＱＬ１〜ＱＬｎ    スイッチング素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設け、サブフィールド毎に輝度重みを設定するとともに前記維持期間に輝度重みに応じた数の維持パルスを発生して階調表示するサブフィールド法で駆動し、走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルと、
前記書込み期間に、前記走査電極に走査パルスを印加して書込み動作を行う走査電極駆動回路と、
前記プラズマディスプレイパネルの表示領域を複数の領域に分け、前記領域毎に、全ての放電セル数に対する点灯させるべき放電セル数の割合を部分点灯率としてそれぞれのサブフィールド毎に検出する部分点灯率検出回路とを備え、
前記走査電極駆動回路は、
前記維持パルスの発生数が直前のサブフィールドの前記維持パルスの発生数よりも少ない所定のサブフィールドでは、前記直前のサブフィールドの前記部分点灯率に応じて前記走査電極に前記走査パルスを印加する順番を変更することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記走査電極駆動回路は、前記所定のサブフィールドを除くサブフィールドにおいて、１フィールドの前記輝度重みの総和に対して所定の割合以上の前記輝度重みを有するサブフィールドでは前記部分点灯率に応じて前記走査電極に前記走査パルスを印加する順番を変更し、前記総和に対して前記所定の割合未満の前記輝度重みを有するサブフィールドではあらかじめ定めた順番で前記走査電極に前記走査パルスを印加することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記走査電極駆動回路は、前記所定のサブフィールドを除くサブフィールドにおいて、前記維持パルスの発生数が所定の数以上のサブフィールドでは前記部分点灯率に応じて前記走査電極に前記走査パルスを印加する順番を変更し、前記維持パルスの発生数が前記所定の数未満のサブフィールドではあらかじめ定めた順番で前記走査電極に前記走査パルスを印加することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記所定のサブフィールドと、前記直前のサブフィールドとの間に前記プラズマディスプレイパネルの駆動を休止する休止期間を設け、
前記走査電極駆動回路は、前記休止期間が所定時間未満のときには、前記所定のサブフィールドで前記走査電極に前記走査パルスを印加する順番を、前記直前のサブフィールドの前記部分点灯率に応じて変更し、前記休止期間が前記所定時間以上のときには、前記所定のサブフィールドで前記走査電極に前記走査パルスを印加する順番を、あらかじめ定めた順番で行うことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記所定のサブフィールドが１フィールドの先頭サブフィールドであることを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルを、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設け、サブフィールド毎に輝度重みを設けるとともに、前記書込み期間においては前記走査電極に走査パルスを印加して書込み動作を行い、前記維持期間においては輝度重みに応じた数の維持パルスを発生して階調表示するサブフィールド法で駆動するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、
前記プラズマディスプレイパネルの表示領域を複数の領域に分け、前記領域毎に、全ての放電セル数に対する点灯させるべき放電セル数の割合を部分点灯率としてそれぞれのサブフィールド毎に検出し、
前記維持パルスの発生数が、直前のサブフィールドの前記維持パルスの発生数よりも少ない所定のサブフィールドでは、前記直前のサブフィールドの前記部分点灯率に応じて前記走査電極に前記走査パルスを印加する順番を変更することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2010029666.tif 000027
【図２】
2010029666.tif 000028
【図３】
2010029666.tif 000029
【図４】
2010029666.tif 000030
【図５】
2010029666.tif 000031
【図６】
2010029666.tif 000032
【図７】
2010029666.tif 000033
【図８】
2010029666.tif 000034
【図９】
2010029666.tif 000035
【図１０】
2010029666.tif 000036
【図１１Ａ】
2010029666.tif 000037
【図１１Ｂ】
2010029666.tif 000038
【図１２】
2010029666.tif 000039
【図１３】
2010029666.tif 000040
【図１４】
2010029666.tif 000041
【図１５】
2010029666.tif 000042
【図１６】
2010029666.tif 000043
【図１７】
2010029666.tif 000044
【図１８】
2010029666.tif 000045
【図１９】
2010029666.tif 000046
【図２０】
2010029666.tif 000047
【図２１】
2010029666.tif 000048
【図２２】
2010029666.tif 000049
【図２３】
2010029666.tif 000050
【国際調査報告】
2010029666.tif 000051
2010029666.tif 000052
2010029666.tif 000053
2010029666.tif 000054