(57)【要約】  半導体基板やＦＰＤ基板の銅又は銅合金配線製造工程において使用する、ベンゾトリアゾール類やチオール基を有する化合物を含有せず、銅又は銅合金配線も銅又は銅合金とモリブデン又はモリブデン合金との積層金属配線も腐食しないフォトレジスト剥離剤組成物、それを使用した積層金属配線基板のフォトレジスト剥離方法及び製造方法である。本発明は、（Ａ）２級アルカノールアミン及び／又は３級アルカノールアミンを１〜５０重量％、（Ｂ）水溶性有機溶剤を５〜８５重量％、（Ｃ）分子内にチオール基及びアミド構造をともに持たず、窒素原子を２個以上有するアミノ酸を０．００２〜０．１重量％、（Ｄ）水を１０〜９３．９９８重量％含有し、（Ｂ）と（Ｄ）の合計量が４９．９〜９８．９９８重量％であり、水で重量比２０倍に希釈した溶液のｐＨが８を超えるフォトレジスト剥離剤組成物である。【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）２級アルカノールアミン及び／又は３級アルカノールアミン並びに（Ｂ）水溶性有機溶剤を含有するとともに、さらに（Ｃ）分子内にチオール基及びアミド構造をともに持たず、窒素原子を２個以上有するアミノ酸を０．００２〜０．１重量％含有し、水で重量比２０倍に希釈した溶液のｐＨが８を超えることを特徴とするフォトレジスト剥離剤組成物。
【請求項２】
さらに（Ｄ）水を含有する請求項１記載のフォトレジスト剥離剤組成物。
【請求項３】
アルカノールアミン（Ａ）の含有量が１〜５０重量％、水溶性有機溶剤（Ｂ）の含有量が４９．９〜９８．９９８重量％、アミノ酸（Ｃ）の含有量が０．００２〜０．１重量％である、請求項１記載のフォトレジスト剥離剤組成物。
【請求項４】
アルカノールアミン（Ａ）の含有量が１〜５０重量％、水溶性有機溶剤（Ｂ）の含有量が５〜８５重量％、アミノ酸（Ｃ）の含有量が０．００２〜０．１重量％、水（Ｄ）の含有量が１０〜９３．９９８重量％であり、（Ｂ）と（Ｄ）の合計量が４９．９〜９８．９９８重量％である、請求項２記載のフォトレジスト剥離剤組成物。
【請求項５】
アミノ酸（Ｃ）が、アルギニン、グリコシアミン、ヒスチジン及びリジンからなる群から選択される少なくとも１種である請求項１〜４のいずれか記載のレジスト剥離剤組成物。
【請求項６】
アミノ酸（Ｃ）が、アルギニン、グリコシアミン及びリジンからなる群から選択される少なくとも１種である請求項１〜４のいずれか記載のレジスト剥離剤組成物。
【請求項７】
アミノ酸（Ｃ）が、アルギニンである請求項１〜４のいずれか記載のレジスト剥離剤組成物。
【請求項８】
アルカノールアミン（Ａ）が、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン及びトリエタノールアミンからなる群から選択される少なくとも１種である請求項１〜７のいずれか記載のフォトレジスト剥離剤組成物。
【請求項９】
フォトレジストを使用して１層又は複数層のモリブデン若しくはモリブデン合金層と１層又は複数層の銅若しくは銅合金層との積層金属配線を基板上に形成する際に、不要となったフォトレジストを請求項１〜８のいずれか記載のフォトレジスト剥離剤組成物を使用して剥離除去することを特徴とするモリブデン又はモリブデン合金層と銅又は銅合金層との積層金属配線基板のフォトレジスト剥離方法。
【請求項１０】
基板上に１層又は複数層のモリブデン若しくはモリブデン合金層と１層又は複数層の銅若しくは銅合金層とを積層し、つぎに、パターニングされたフォトレジストを介して前記積層された金属層をエッチングした後、不要となったフォトレジストを請求項１〜８のいずれか記載のフォトレジスト剥離剤組成物を使用して剥離除去することを特徴とする積層金属配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフォトレジスト剥離剤組成物に関し、詳細には、液晶ディスプレイに代表されるフラットパネルディプレイ（以下、ＦＰＤともいう。）基板や半導体基板の銅又は銅合金配線基板に好適に使用される、防食性及び剥離性に優れるフォトレジスト剥離剤組成物、並びにそれを用いた積層金属配線基板のフォトレジスト剥離方法及び積層金属配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＦＰＤ基板や半導体基板は微細な配線を施した電極構造を有しており、その製造工程でフォトレジストが使用されている。例えば、基板上に形成されたアルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金等の導電性金属層やＳｉＯ２膜等の絶縁膜上にフォトレジストを塗布し、これに露光、現像の処理を施してレジストパターンを形成し、このパターニングされたレジストをマスクとして上記導電性金属層や絶縁膜等をエッチングし、微細配線を形成した後、不要となったフォトレジスト層を剥離剤で除去して基板が製造される。【０００３】
従来、フォトレジスト剥離剤組成物としては、有機アルカリ、無機アルカリ、有機酸、無機酸、極性溶剤等の単一溶剤、またはこれらの混合溶液が用いられてきた。また、フォトレジスト剥離性を向上させるために、アミンと水との混合液を用いることもよく知られている。フォトレジスト剥離剤組成物には、微細配線を腐食しないことが求められる。配線材料としては、従来アルミニウムが多用されてきたため、アルミニウムに対する腐食抑止についてはさまざまな検討がなされてきた。【０００４】
しかし近年、基板の大型化や配線パターンの微細化に伴い、アルミニウムよりも抵抗率の低い銅又は銅合金を配線材料として用いることが試みられている。銅はアルカリ含有の溶液に腐食しやすい金属である上、アルミニウムと腐食溶解機構が異なり、アルミニウムで有効であった腐食抑止策はほとんど効果がない。そのため、銅又は銅合金に有効な防食剤が検討されている。例えば特許文献１には、−Ｃ（ＯＨ）＝Ｎ−又は−ＣＯＮＨ−なる原子団を含む五員ないし六員の複素環を有する複素環式化合物とアルカノールアミンとを含有する防食剤が半導体ウエハ上に形成された銅等の金属層を防食すると記載されている。【０００５】
特許文献２には、分子内にチオール基を有するアミノ酸又はその誘導体が銅配線等の金属腐食を防止すると記載されている。すなわち、分子内にチオール基を有するアミノ酸又はその誘導体が、良好な金属腐食防止作用を有し、銅配線の腐食や酸化を起こさないことが開示されている。この開示は、明らかに、分子内にチオール基を有していないアミノ酸を銅等の腐食防止剤において排除している。さらに、特許文献３には、銅とのキレート安定化定数が１５以上であり、かつチオール基を有しないアミノ酸を含む銅配線用残渣洗浄液が開示されている。すなわち、チオール基を有していないグリシン、プロリン、ヒスチジン等がＣｕＯ溶解性に優れていることが開示されている。しかしながら、これらのアミノ酸の銅腐食量はリジンやアラニン等と同程度であることもまた開示されている。【０００６】
また、銅に対する強力な腐食抑止剤として、ベンゾトリアゾール類が知られている。【０００７】
しかし、従来の銅又は銅合金用の防食剤では防食性が必ずしも充分ではなかった。また、分子内にチオール基を有する化合物及びベンゾトリアゾール類は、銅又は銅合金の防食性は優れているものの、これらを含有するフォトレジスト剥離剤組成物で銅又は銅合金を含む基板を処理すると、銅又は銅合金表面に析出物が発生する。しかしながら、この析出物は通常の洗浄では除去できないため、別途、析出物除去処理が必要になるという問題があった。【０００８】
一方、銅又は銅合金はガラス等の下地基板との密着性が不充分である。そのため、密着性を向上させるために銅又は銅合金の配線の下地に別の金属層を積層することが必要である。このような下地金属層は補助膜とも称される。この下地金属層として一般的に検討されているのがモリブデン又はモリブデン合金である。【０００９】
モリブデン又はモリブデン合金自身は防食性に優れた金属であり、単独ではフォトレジスト剥離剤組成物で処理しても腐食することはほとんどない。しかし、銅又は銅合金とモリブデン又はモリブデン合金が接触した状態では、電池効果によりモリブデン又はモリブデン合金の腐食が大幅に加速されるという現象が確認されている。これに対して従来の銅又は銅合金用防食剤では、銅又は銅合金を防食できたとしても、銅又は銅合金と接触したモリブデン又はモリブデン合金の腐食を抑制することはできなかった。すなわち、基板上にモリブデン又はモリブデン合金の下地金属層を形成し、さらにその上に銅又は銅合金層を形成し、パターニングされたフォトレジストを介して下地金属層と銅又は銅合金層を一括又は逐次エッチングした後、不要となったフォトレジストをフォトレジスト剥離剤組成物を使用して剥離除去しようとすると、配線パターン化されたモリブデン又はモリブデン合金の下地金属層上の銅又は銅合金配線において、下地金属層のほうが銅又は銅合金配線よりも多く腐食してしまうか、又は、場合によっては、銅又は銅合金配線のほうがより腐食してしまい、積層金属配線が形成されないという問題が生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００２−９７５８４号公報
【特許文献２】特開２００３−１３２６６号公報
【特許文献３】特開２００５−２１７１１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、半導体基板及びＦＰＤ基板の銅又は銅合金配線製造工程において、ベンゾトリアゾール類およびチオール基を有する化合物を含有せず、基板上に形成された銅又は銅合金配線及び銅又は銅合金とモリブデン又はモリブデン合金との積層金属配線を腐食させることなくフォトレジストを剥離することができるフォトレジスト剥離剤組成物、それを使用した積層金属配線基板のフォトレジスト剥離方法及び積層金属配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者は鋭意検討を行った結果、２級及び／又は３級アルカノールアミン並びに水溶性有機溶剤とともに分子内にチオール基を有せず、窒素原子を２個以上有するアミノ酸を含有するフォトレジスト剥離剤組成物が、銅又は銅合金配線に対しても、銅又は銅合金とモリブデン又はモリブデン合金との積層金属配線に対しても、優れた防食性を有するとともに、フォトレジスト剥離性能も良好であることを見出し、本発明を完成させた。【００１３】
すなわち、本発明は（Ａ）２級アルカノールアミン及び／又は３級アルカノールアミン並びに（Ｂ）水溶性有機溶剤を含有するとともに、さらに（Ｃ）分子内にチオール基及びアミド構造をともに持たず、窒素原子を２個以上有するアミノ酸を０．００２〜０．１重量％含有し、水で重量比２０倍に希釈した溶液のｐＨが８を超えることを特徴とするフォトレジスト剥離剤組成物である。
本発明のフォトレジスト剥離剤組成物の１態様においては、（Ａ）２級アルカノールアミン及び／又は３級アルカノールアミンを１〜５０重量％、（Ｂ）水溶性有機溶剤を４９．９〜９８．９９８重量％、（Ｃ）分子内にチオール基及びアミド構造をともに持たず、窒素原子を２個以上有するアミノ酸を０．００２〜０．１重量％含有する。
本発明のフォトレジスト剥離剤組成物の他の態様においては、さらに（Ｄ）水を含有する。この場合において、本発明のフォトレジスト剥離剤組成物の他の１態様においては、水（Ｄ）を水溶性有機溶剤（Ｂ）の一部分に代えて含有することができる。すなわち、（Ａ）２級アルカノールアミン及び／又は３級アルカノールアミンを１〜５０重量％、（Ｂ）水溶性有機溶剤を５〜８５重量％、（Ｃ）分子内にチオール基及びアミド構造をともに持たず、窒素原子を２個以上有するアミノ酸を０．００２〜０．１重量％、（Ｄ）水を１０〜９３．９９８重量％含有し、（Ｂ）と（Ｄ）の合計量が４９．９〜９８．９９８重量％である。
本発明のフォトレジスト剥離剤組成物の１態様においては、アミノ酸（Ｃ）が、アルギニン、グリコシアミン、ヒスチジン及びリジンからなる群から選択される少なくとも１種である。
また、本発明のフォトレジスト剥離剤組成物の他の１態様においては、アミノ酸（Ｃ）が、アルギニン、グリコシアミン及びリジンからなる群から選択される少なくとも１種である。
本発明のフォトレジスト剥離剤組成物の他の１態様においては、また、アミノ酸（Ｃ）が、アルギニンであってよい。
本発明のフォトレジスト剥離剤組成物においては、２級アルカノールアミン及び／又は３級アルカノールアミン（Ａ）が、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン及びトリエタノールアミンからなる群から選択される少なくとも１種である。
本発明はまた、フォトレジストを使用して１層又は複数層のモリブデン若しくはモリブデン合金層と１層又は複数層の銅若しくは銅合金層との積層金属配線を基板上に形成する際に、不要となったフォトレジストを本発明のフォトレジスト剥離剤組成物を使用して剥離除去することを特徴とするモリブデン又はモリブデン合金層と銅又は銅合金層との積層金属配線基板のフォトレジスト剥離方法でもある。
本発明はさらにまた、基板上に１層又は複数層のモリブデン若しくはモリブデン合金層と１層又は複数層の銅若しくは銅合金層とを積層し、つぎに、パターニングされたフォトレジストを介して前記積層された金属層をエッチングした後、不要となったフォトレジストを本発明のフォトレジスト剥離剤組成物を使用して剥離除去することを特徴とする積層金属配線基板の製造方法でもある。
以下、これらの本発明をとくに区別することなく単に「本発明」ともいう。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、上述の構成により、
（１）半導体基板およびＦＰＤ基板の金属配線製造工程において、フォトレジストに対する優れた剥離性を有する。
（２）銅又は銅合金配線、及び、銅又は銅合金とモリブデン又はモリブデン合金の積層金属配線のいずれに対しても、優れた防食性を有する。
（３）本発明のフォトレジスト剥離剤組成物を使用すると、配線パターン化されたモリブデン又はモリブデン合金の下地金属層上の銅又は銅合金配線において、下地金属層や銅又は銅合金配線の腐食を防止することにより、下地層の過度の腐食によるアンダーカット形状や銅又は銅合金層の腐食による配線幅のやせ細り等のない良好な積層金属配線を形成することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明において、（Ａ）２級アルカノールアミン及び／又は３級アルカノールアミン（本明細書中、単に「アルカノールアミン（Ａ）」ともいう。）としては、２級アルカノールアミンのみであってもよく、３級アルカノールアミンのみであってもよく、２級アルカノールアミン及び３級アルカノールアミンであってもよい。アルカノールアミン（Ａ）としては特に限定されず、２級アルカノールアミンとしては、例えば、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン等を挙げることができ、３級アルカノールアミンとしては、例えば、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等が挙げられる。これらは１種のみ用いてもよく、２種以上を同時に用いてもよい。この中でも入手の容易さ及び剥離性と銅又は銅合金に対する防食性の兼備の点から、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、これらの任意の組み合わせが好ましい。
【００１６】
アルカノールアミン（Ａ）の添加量は、剥離剤組成物中の１〜５０重量％であることが好ましい。この範囲内であると剥離性が充分良好であり、低粘度で取扱いが良好である。より好ましくは３〜４５重量％である。
【００１７】
本発明において、水溶性有機溶剤（Ｂ）としては特に限定されず、例えば、アセトン、メタノール、エタノール、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコール、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、スルホラン、エチレンカーボネート等が挙げられる。これらは１種のみ用いてもよく、２種以上を同時に用いてもよい。この中でもジエチレングリコールモノブチルエーテル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールが好適である。
【００１８】
水溶性有機溶剤（Ｂ）の添加量は、剥離剤組成物中の４９．９〜９８．９９８重量％であることが好ましい。この範囲内であるとフォトレジストの剥離性と銅又は銅合金防食性とが充分良好に発揮される。より好ましくは５４．９９８〜９６．９９８重量％である。
【００１９】
本発明において、アミノ酸（Ｃ）は、分子内にチオール基及びアミド構造をともに持たず、窒素原子を２個以上有する。このようなアミノ酸は、窒素原子を１個のみ含有する一般的なアミノ酸と比較して、金属に対する配位点が多く、防食効果が高いと考えられる。また、水酸基を有するアミノ酸と比較すると、窒素原子は水酸基より銅に対する配位力が強いため、高い防食効果を示すと考えられる。一方、チオール基を有するアミノ酸と比較すると、窒素原子はチオール基より銅に対する配位力が弱いため、銅の表面に析出することもなく、適当な防食性を示すと考えられる。また、窒素原子を２個以上有していてもアミド構造を有するものは防食性に劣る。
【００２０】
アミノ酸（Ｃ）としては、分子内にチオール基及びアミド構造をともに持たず、窒素原子を２個以上、好ましくは２〜４個、有するものであり、例えば、ヒスチジン、アルギニン、リジン、グリコシアミン、クレアチン、オルニチン等を挙げることができる。これらは１種のみ使用してもよく又は２種以上使用してもよい。また、例えば、アルギニン、グリコシアミン、ヒスチジン及びリジンからなる群から選択される少なくとも１種であってもよく、アルギニン、グリコシアミン及びリジンからなる群から選択される少なくとも１種であってもよく、又は、アルギニンであってもよい。これらのうち、入手の容易さ及び防食性の観点からヒスチジン、アルギニン、リジン、グリコシアミンが好ましい。
【００２１】
アミノ酸（Ｃ）の含有量は、剥離剤組成中の０．００２〜０．１重量％である。この範囲内であると、銅又は銅合金及びモリブデン又はモリブデン合金に対する防食性が充分であり、この範囲を超えると、フォトレジストの剥離性が低下するほか、アミノ酸（Ｃ）をまったく含有しない場合よりもかえって銅又は銅合金に対する防食性を低下させる場合があるため不適である。好ましくは、０．００３〜０．１重量％であり、より好ましくは０．００５〜０．１重量％である。
【００２２】
本発明においては、上記アルカノールアミン（Ａ）、水溶性有機溶剤（Ｂ）及びアミノ酸（Ｃ）の合計が組成物中の１００重量％を占めることができる。
【００２３】
本発明のフォトレジスト剥離剤組成物の他の態様においては、さらに（Ｄ）水を含有する。この場合において、本発明のフォトレジスト剥離剤組成物の他の１態様においては、水溶性有機溶剤（Ｂ）の一部分に代えて（Ｄ）水を含有することができる。この場合、水溶性有機溶剤（Ｂ）を好ましくは５〜８５重量％、より好ましくは１０〜７５重量％、水（Ｄ）を好ましくは１０〜９３．９９８重量％、より好ましくは１０〜８５重量％、さらに好ましくは１５〜８０重量％含有し、（Ｂ）と（Ｄ）の合計量が好ましくは４９．９〜９８．９９８重量％、より好ましくは５４．９９８〜９６．９９８重量％である。水（Ｄ）を配合することにより、フォトレジストの剥離性を一層向上させるとともに、アルカノールアミン（Ａ）と水溶性有機溶剤（Ｂ）が引火点を有する場合でも、剥離剤組成物としての引火点をなくす効果がある。水（Ｄ）を配合する場合、上記範囲内であると、フォトレジストの剥離性向上効果が得られ、また引火点をなくす効果を得られる。上記範囲を超えると、他成分の濃度が低下することにより、フォトレジストの剥離性が低下する場合がある。
【００２４】
本発明におけるフォトレジスト剥離剤組成物は、アルカノールアミン（Ａ）を含有しており、水溶液はアルカリ性を有している。フォトレジスト剥離剤組成物が酸性および中性を有している場合、フォトレジストの剥離性が不充分となる場合がある。充分なフォトレジストの剥離性を得るのに必要なアルカリ性の指標としては、フォトレジスト剥離剤組成物を水で重量比２０倍に希釈した場合に、希釈溶液のｐＨが８を超えることである。好ましくはｐＨが９以上である。温度によりｐＨの値が変動する場合は２５℃における値である。
【００２５】
本発明のフォトレジスト剥離剤組成物は、上記成分の他に、本発明の目的を阻害しない範囲で界面活性剤（例えば、アルキルベンゼンスルホン酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル）、消泡剤（例えば、シリコーンオイル）等の添加剤を含有することができる。上記添加剤の含有量は、その種類によるので一概に定めないが、例えば、０．００１〜５重量％が好ましく、より好ましくは０．０１〜１重量％である。
【００２６】
本発明のフォトレジスト剥離剤組成物は、上記各成分の所要量を常法により混合することで調製することができる。
【００２７】
本発明のフォトレジスト剥離剤組成物は、半導体基板およびＦＰＤ基板の製造工程において、金属配線等のエッチング処理後に不要となったフォトレジストを剥離するために用いられる。上記金属配線としては特に限定されず、当該技術分野で使用される金属配線に適用することができるが、なかでも、モリブデン又はモリブデン合金層と銅又は銅合金層との積層金属配線に好適に使用することができる。本発明のフォトレジスト剥離剤組成物は常温（２５℃）のほか、例えば３０℃〜８０℃に加熱して使用することができる。剥離に要する時間は、フォトレジストの変質度合い等によるが、一般には、例えば３０秒〜１０分間程度である。処理後、必要に応じて水洗、空気ブロー乾燥等を行うことができる。上記フォトレジストとしては特に限定されず、当該技術分野で使用される感光性樹脂（例えば、ポジ型フォトレジスト（ノボラック樹脂、ナフトキノンジアジド系感光剤及び溶剤を主成分とするポジ型フォトレジスト）等）を使用することができる。
【００２８】
具体的には、本発明のフォトレジスト剥離剤組成物を用いる積層金属配線基板のフォトレジスト剥離方法は、フォトレジストを使用して１層又は複数層のモリブデン若しくはモリブデン合金層と１層又は複数層の銅若しくは銅合金層との積層金属配線を基板上に形成する際に、不要となったフォトレジストを本発明のフォトレジスト剥離剤組成物を使用して剥離除去する。こうすることにより、モリブデン又はモリブデン合金層と銅又は銅合金層との積層金属配線において、下地金属層が過度に腐食してアンダーカット形状をなすことや、逆に、銅又は銅合金層が過度に腐食して銅又は銅合金配線の線幅がやせる等のことが抑制され、エッチングで形成された配線断面形状を損なうことなく、良好なモリブデン又はモリブデン合金層と銅又は銅合金層との積層金属配線が形成される。なお、積層金属配線の態様としては、例えば、基板上から順に、モリブデン又はモリブデン合金／銅又は銅合金／モリブデン又はモリブデン合金の３層積層金属配線、モリブデン又はモリブデン合金／銅又は銅合金の２層積層金属配線等があり得る。
【００２９】
また、本発明のフォトレジスト剥離剤組成物を用いる積層金属配線基板の製造方法は、基板上に１層又は複数層のモリブデン若しくはモリブデン合金層と１層又は複数層の銅若しくは銅合金層とを積層し、つぎに、パターニングされたフォトレジストを介して積層された金属層をエッチングした後、不要となったフォトレジストを本発明のフォトレジスト剥離剤組成物を使用して剥離除去する。この際、エッチング処理としては、積層金属層を一括エッチングしてもよく、又は、各積層を逐次にエッチングしてもよい。上記エッチング処理方法としては特に限定されず、当該技術分野で使用される方法（例えば、エッチング液を用いる方法、ドライエッチング方法等。）を適用することができる。剥離除去の後、必要に応じて水洗、空気ブロー乾燥等を行い、基板を得ることができる。
【実施例】
【００３０】
以下に実施例によって本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。【００３１】
実施例１〜１７、比較例１〜２１
表１及び表２の配合によりそれぞれ各成分を混合し、フォトレジスト剥離剤組成物を得た。なお、表中の略号は次のとおりである。
ＭＤＥＡ：Ｎ−メチルジエタノールアミン
ＤＥＡ：Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミン
ＭＥＡ：モノエタノールアミン
ＴＥＡ：トリエタノールアミン
ＭＭＥＡ：Ｎ−メチルエタノールアミン
ＤＭＡＣ：Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
ＢＤＧ：ジエチレングリコールモノブチルエーテル
４，６−ＤＨＰ：４，６−ジヒドロキシピリミジン【００３２】
【表１】
2010073887.tif 000002
【００３３】
【表２】
2010073887.tif 000003
【００３４】
評価１：銅単膜防食性
ガラス上に５０ｎｍ厚の銅膜をスパッタリングにより成膜した基板を評価対象物とした。５０℃に調整したフォトレジスト剥離剤組成物に基板を浸漬し、通常の処理時間は１０分以下程度であるところ、その３倍の３０分間処理をした。浸漬処理後、基板を水洗および空気ブロー乾燥した。基板の銅膜の残り具合を目視にて観察した。
判定基準
(合格)
○：変化なし
(以下、不合格)
△：一部、銅膜の消失あり
×：銅膜がほぼ消失【００３５】
評価２：銅／モリブデン積層配線防食性（Ｃｕ／Ｍｏ配線防食性）
ガラス上にモリブデン、銅の順にスパッタリングで成膜した上に、フォトレジスト（ノボラック樹脂、ナフトキノンジアジド系感光剤及び溶剤を主成分とするポジ型フォトレジスト）を成膜し、ＵＶ露光及び現像によりフォトレジストのパターニングを行った後、過酸化水素含有の銅エッチャントにて４０℃／５０秒間の条件で銅およびモリブデンを一括エッチングした基板を評価対象とした。４０℃に調整したフォトレジスト剥離剤組成物に基板を浸漬し、１０分間処理をした。浸漬処理後、基板を水洗および空気ブロー乾燥した。電子顕微鏡を用いて基板を観察し、銅およびモリブデンの腐食具合を確認した。判定は銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）別々に行った。
判定基準
(合格)
○：腐食なし
(以下、不合格)
△：僅かに腐食あり
×：大幅に腐食あり【００３６】
評価３：フォトレジスト剥離性
ガラス基板上にＳｉＮ膜をＣＶＤで成膜した上に、フォトレジストを成膜し、ＵＶ露光および現像によりフォトレジストのパターニングを行った後、フッ素系のガスにてＳｉＮをドライエッチングした基板を評価対象とした。４０℃に調整したフォトレジスト剥離剤組成物に基板を浸漬し、３０秒間処理をした。浸漬処理後、基板を水洗および空気ブロー乾燥した。電子顕微鏡を用いて基板を観察し、フォトレジストの剥離具合を確認した。
判定基準
（合格）
○：剥離残りなし
(以下、不合格)
△：僅かに剥離残りあり
×：ほとんど剥離できず【００３７】
各フォトレジスト剥離剤組成物について、まず評価１を行い、判定が「○」又は「△」のものについて、評価２を行った。評価２において判定がすべて「○」であったものについて、評価３を行った。ただし、比較例１４、１５については評価１、２の結果に関わらず評価３を行った。評価結果は表１、表２に記載した。また、各フォトレジスト剥離剤組成物について水で重量比２０倍希釈した水溶液を作成し、ｐＨメーターを用いて２５℃におけるｐＨを測定した。【００３８】
評価の結果、１級アルカノールアミンを含有するフォトレジスト剥離剤組成物（比較例１、３）、分子内にチオール基及びアミド構造を有せず、窒素原子を２個以上有するアミノ酸を含有するが、１級アルカノールアミンを含有するフォトレジスト剥離剤組成物（比較例１０）、分子内にチオール基及びアミド構造を有せず、窒素原子を２個以上有するアミノ酸を０．１重量％を大幅に超えて含有するフォトレジスト剥離剤組成物（比較例４、６、１８〜２０）、２級アルカノールアミンと水溶性有機溶剤を含有するが、分子内にチオール基及びアミド構造を有せず、窒素原子を２個以上有するアミノ酸を含有しないフォトレジスト剥離剤組成物（比較例１７）、３級アルカノールアミンと、分子内にチオール基及びアミド構造を有せず、窒素原子を２個以上有するアルカノールアミンを含有するが、水溶性有機溶剤を含有しないフォトレジスト剥離剤組成物（比較例１１）、３級アルカノールアミンと、水溶性有機溶剤と、窒素原子を１個のみ有するアミノ酸を含有するフォトレジスト剥離剤組成物（比較例７、８）、分子内にチオール基及びアミド構造を有せず、窒素原子を２個以上有するアミノ酸と水からなるフォトレジスト剥離剤組成物（比較例１４、１５）、分子内にチオール基及びアミド構造を持たず、窒素原子を２個以上有するがアミド構造を有するアミノ酸（アスパラギン）を使用した組成物（比較例２１）は、評価１において銅単膜の防食性が不良（評価「×」）であった。【００３９】
また、２級アルカノールアミン及び／または３級アルカノールアミンと水溶性有機溶剤を含有するが、分子内にチオール基及びアミド構造を有せず、窒素原子を２個以上有するアミノ酸を含有しないフォトレジスト剥離剤組成物（比較例５、９、１６）と、アルミニウム防食性の防食剤（特開２００１−３５０２７６号公報記載のもの）を含有するフォトレジスト剥離剤組成物（比較例１２）、特許文献１記載の防食剤を含有するフォトレジスト剥離剤組成物（比較例１３）は、評価２のＣｕ／Ｍｏ配線防食性において銅（Ｃｕ）又はモリブデン（Ｍｏ）防食性が不十分（評価「△」）であった。【００４０】
水溶性有機溶剤のみからなるフォトレジスト剥離剤組成物（比較例２）は、評価１の銅単膜防食性、評価２のＣｕ／Ｍｏ配線防食性ともに良好であったが、５％水溶液のｐＨが８以下であり、評価３のフォトレジスト剥離性が不十分（評価「△」）であった。分子内にチオール基及びアミド構造を有せず、窒素原子を２個以上有するアミノ酸と水からなるフォトレジスト剥離剤組成物（比較例１４、１５）も、５％水溶液のｐＨが８以下であり、評価３のフォトレジスト剥離性が不良（評価「×」）であった。【００４１】
一方、本発明のフォトレジスト剥離剤組成物（実施例１〜１７）は、評価１の銅単膜防食性、評価２のＣｕ／Ｍｏ配線防食性、評価３のフォトレジスト剥離性のすべてにおいて良好（評価「○」）な結果が得られた。
【国際調査報告】
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