(57)【要約】  導通対象部材の傷付きを効果的に防止することができ、導通検査の信頼性を効果的に高めることができる樹脂組成物を提供する。  本発明に係る樹脂組成物は、導電性粒子と、熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含み、樹脂組成物１００重量％中、前記導電性粒子の含有量が、５０重量％以上であり、樹脂組成物中の前記導電性粒子を除く成分を１３０℃で３０分間加熱して硬化させて硬化物を得たときに、ＪＩＳ  Ｋ６２５１に準拠して測定される前記硬化物の切断時伸びが、１０％以上、１００％以下である。
2018221640.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性粒子と、熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含み、
樹脂組成物１００重量％中、前記導電性粒子の含有量が、５０重量％以上であり、
樹脂組成物中の前記導電性粒子を除く成分を１３０℃で３０分間加熱して硬化させて硬化物を得たときに、ＪＩＳ  Ｋ６２５１に準拠して測定される前記硬化物の切断時伸びが、１０％以上１００％以下である、樹脂組成物。
【請求項２】
前記導電性粒子が、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電層とを備える、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
前記樹脂組成物を１３０℃で３０分間加熱して硬化させて、高さ１ｍｍ及び直径０．５ｍｍの円柱状の硬化物を得たときに、荷重１０ｇｆで、前記硬化物の円柱上面に垂直方向から１０００回繰り返し加圧した後における硬化物の高さの減少率が、０．１％以上１５％未満である、請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
【請求項４】
貫通孔を有する基体と、導電部とを備え、前記貫通孔が、前記基体に複数配置されており、前記導電部が、前記貫通孔内に配置されている導通検査用部材において、前記導電部の材料として用いられる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項５】
貫通孔を有する基体と、導電部とを備え、
前記貫通孔が、前記基体に複数配置されており、
前記導電部が、前記貫通孔内に配置されており、
前記導電部の材料が、請求項１〜４のいずれか１項に記載の樹脂組成物である、導通検査用部材。
【請求項６】
貫通していない孔を有する基体と、金属部と、導電部とを備え、
前記貫通していない孔が、前記基体と前記金属部とにより形成されており、
前記貫通していない孔が、前記基体に複数配置されており、
前記導電部が、前記貫通していない孔の内部に配置されており、
前記導電部の材料が、請求項１〜４のいずれか１項に記載の樹脂組成物である、導通検査用部材。
【請求項７】
前記導電部が、前記導電性粒子と、前記樹脂組成物中の前記導電性粒子を除く成分が硬化された硬化物とを含み、
前記導電性粒子のデュロメータ硬さの、前記硬化物のデュロメータ硬さに対する比が、１を超え、
前記基体のデュロメータ硬さの、前記硬化物のデュロメータ硬さに対する比が、１以上であり、
前記導電性粒子のデュロメータ硬さの、前記基体のデュロメータ硬さに対する比が、１以上である、請求項５又は６に記載の導通検査用部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性粒子を含む樹脂組成物及び導通検査用部材に関する。また、本発明は、上記樹脂組成物を用いた導通検査用部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路等の電子回路デバイスの微細化及び集積化の技術が進展している。これに伴って、電子回路デバイスの電気的特性を検査するための検査装置においても、微細化及び集積化に対応する技術が要求されている。近年、電子回路デバイス等の導通検査装置として、プローブカードが用いられている。プローブカードとは、導通検査用プローブを多数集積して束ねた部材であって、電子回路デバイスの電極パッドにコンタクトプローブ（接触探針）を接触させて、電極パッドの電気信号を取り出すための導通検査用部材である。【０００３】
上記導通検査用部材の一例として、下記の特許文献１には、複数の電極が形成された検査対象基板における電極形成面と、上記複数の電極に対応して検査ヘッドに配設された複数のプローブとを備える導電性シートが開示されている。上記導電性シートでは、上記電極と上記電極に対応するプローブとの間に、エラストマーで形成された絶縁層が配置されている。上記絶縁層には、２種の導電性粒子が分散している。上記絶縁層が圧縮された状態において、上記導電性シートは、厚み方向に導電性を発現する。上記絶縁層の表面部に分散している上記導電性粒子は、金属粒子である。上記絶縁層の内部に分散している上記導電性粒子は、エラストマー粒子の表面に導電性めっきが施されている粒子である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１６１５５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
導通検査用部材を用いた導通検査では、導通検査用部材の導電部とＢＧＡ基板等の電子回路デバイスのはんだボール等とを接触させる。導通検査用部材の導電部には、導電性粒子と絶縁性樹脂とが用いられる場合がある。絶縁性樹脂は、導通検査用部材の導電部内の空隙を埋めて、導電性粒子を固定するために用いられている。導通検査用部材の導電部に導電性粒子と絶縁性樹脂とが用いられている場合には、導通検査の信頼性を高めるために、導電部とはんだボールとの間にある絶縁性樹脂を確実に排除する必要がある。導通検査の際に、導電部とはんだボールとの間に絶縁性樹脂が残存していると、抵抗値が高くなったり、はんだボールを押し込む力（圧力）によって抵抗値がばらついたりすることがある。結果として、導通検査の信頼性が低下する。【０００６】
従来の導通検査用部材では、絶縁性樹脂として、シリコーン樹脂が用いられる場合がある。シリコーン樹脂は非常に柔軟な樹脂であり、上記導電部の導電性粒子とはんだボールとの間にあるシリコーン樹脂は排除され難い。このため、導通検査用部材の導電部にシリコーン樹脂が用いられていると、導通検査の信頼性を高めるために、導電性粒子として硬い金属粒子を用いて、はんだボールを強く押し込む（導通検査の圧力を高くする）必要がある。【０００７】
一方、ＢＧＡ基板等の電子回路デバイスのはんだボールの傷付きを防止したり、ＢＧＡ基板等の電子回路デバイスの狭ピッチ化及び導通検査の小ストローク化に対応したりするために、導通検査の圧力を低くしつつ、導通検査の信頼性を高めることが要求されている。従来の導通検査用部材では、これらの要求を満足することは困難である。【０００８】
本発明の目的は、導通対象部材の傷付きを効果的に防止することができ、導通検査の信頼性を効果的に高めることができる樹脂組成物及び導通検査用部材を提供することである。また、本発明の目的は、上記樹脂組成物を用いた導通検査用部材を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の広い局面によれば、導電性粒子と、熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含み、樹脂組成物１００重量％中、前記導電性粒子の含有量が、５０重量％以上であり、樹脂組成物中の前記導電性粒子を除く成分を１３０℃で３０分間加熱して硬化させて硬化物を得たときに、ＪＩＳ  Ｋ６２５１に準拠して測定される前記硬化物の切断時伸びが、１０％以上１００％以下である、樹脂組成物が提供される。【００１０】
本発明に係る樹脂組成物のある特定の局面では、前記導電性粒子が、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電層とを備える。【００１１】
本発明に係る樹脂組成物のある特定の局面では、前記樹脂組成物を１３０℃で３０分間加熱して硬化させて、高さ１ｍｍ及び直径０．５ｍｍの円柱状の硬化物を得たときに、荷重１０ｇｆで、前記硬化物の円柱上面に垂直方向から１０００回繰り返し加圧した後における硬化物の高さの減少率が、０．１％以上１５％未満である。【００１２】
本発明に係る樹脂組成物のある特定の局面では、前記樹脂組成物が、貫通孔を有する基体と、導電部とを備え、前記貫通孔が、前記基体に複数配置されており、前記導電部が、前記貫通孔内に配置されている導通検査用部材において、前記導電部の材料として用いられる。【００１３】
本発明の広い局面によれば、貫通孔を有する基体と、導電部とを備え、前記貫通孔が、前記基体に複数配置されており、前記導電部が、前記貫通孔内に配置されており、前記導電部の材料が、上述した樹脂組成物である、導通検査用部材が提供される。【００１４】
本発明の広い局面によれば、貫通していない孔を有する基体と、金属部と、導電部とを備え、前記貫通していない孔が、前記基体と前記金属部とにより形成されており、前記貫通していない孔が、前記基体に複数配置されており、前記導電部が、前記貫通していない孔の内部に配置されており、前記導電部の材料が、上述した樹脂組成物である、導通検査用部材が提供される。【００１５】
本発明に係る導通検査用部材のある特定の局面では、前記導電部が、前記導電性粒子と、前記樹脂組成物中の前記導電性粒子を除く成分が硬化された硬化物とを含み、前記導電性粒子のデュロメータ硬さの、前記硬化物のデュロメータ硬さに対する比が、１を超え、前記基体のデュロメータ硬さの、前記硬化物のデュロメータ硬さに対する比が、１以上であり、前記導電性粒子のデュロメータ硬さの、前記基体のデュロメータ硬さに対する比が、１以上である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る樹脂組成物は、導電性粒子と、熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含む。本発明に係る樹脂組成物では、樹脂組成物１００重量％中、上記導電性粒子の含有量が、５０重量％以上である。本発明に係る樹脂組成物中の上記導電性粒子を除く成分を１３０℃で３０分間加熱して硬化させて硬化物を得たときに、ＪＩＳ  Ｋ６２５１に準拠して測定される上記硬化物の切断時伸びが、１０％以上１００％以下である。本発明に係る樹脂組成物では、上記の構成が備えられているので、導通対象部材の傷付きを効果的に防止することができ、導通検査の信頼性を効果的に高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明に係る樹脂組成物に使用可能な導電性粒子の一例を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明に係る樹脂組成物に使用可能な導電性粒子の第１の変形例を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明に係る樹脂組成物に使用可能な導電性粒子の第２の変形例を示す断面図である。
【図４】図４（ａ），（ｂ）は、導通検査用部材の一例を示す平面図及び断面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図５】図５（ａ），（ｂ）は、導通検査用部材の第１の変形例を示す平面図及び断面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｃ）は、電子回路デバイスの電気特性を導通検査用部材を用いて検査している様子を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１９】
（樹脂組成物）
本発明に係る樹脂組成物は、導電性粒子と熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含む。本発明に係る樹脂組成物では、樹脂組成物１００重量％中、上記導電性粒子の含有量が、５０重量％以上である。本発明に係る樹脂組成物中の上記導電性粒子を除く成分を１３０℃で３０分間加熱して硬化させて硬化物を得たときに、ＪＩＳ  Ｋ６２５１に準拠して測定される上記硬化物の切断時伸びは、１０％以上１００％以下である。
【００２０】
本発明では、上記の構成が備えられているので、導通対象部材の傷付きを効果的に防止することができ、導通検査の信頼性を効果的に高めることができる。本発明では、上記硬化物の切断時伸びが、１０％以上１００％以下であるので、導電性粒子として硬い金属粒子を用いる必要がなく、導通検査の圧力を高くする必要がない。結果として、本発明では、導通検査の圧力を低くしつつ、導通検査の信頼性を高めることができ、導通対象部材の傷付きも防止することができる。例えば、導通検査時に、導通対象部材であるはんだボールを導電部に接触させても、はんだボールが傷付きにくい。
【００２１】
なお、本発明に係る樹脂組成物において、切断時伸びを測定するための硬化物は、本発明に係る樹脂組成物中の上記導電性粒子を除く成分を１３０℃で３０分間加熱して硬化させることにより得られる。本発明に係る樹脂組成物の使用時には、樹脂組成物を１３０℃で３０分間加熱する条件以外の条件で加熱してもよい。
【００２２】
上記樹脂組成物は、貫通孔を有する基体と、導電部とを備え、上記貫通孔が、上記基体に複数配置されており、上記導電部が、上記貫通孔内に配置されている導通検査用部材において、上記導電部の材料として用いられることが好ましい。上記樹脂組成物は、上記導通検査用部材の上記導電部の材料であることが好ましい。
【００２３】
導通対象部材の傷付きをより一層効果的に防止する観点、及び導通検査の信頼性をより一層効果的に高める観点からは、樹脂組成物１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は、好ましくは５５重量％以上、より好ましくは６０重量％以上、さらに好ましくは７０重量％以上である。樹脂組成物１００重量％中、上記導電性粒子の含有量の上限は特に限定されない。樹脂組成物１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は、９０重量％以下であってもよい。樹脂組成物１００重量％中、上記導電性粒子の含有量が、上記下限以上であると、導通検査の信頼性を効果的に高めることができる。
【００２４】
本発明に係る樹脂組成物は、導電性粒子と熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含む。以下、樹脂組成物に含まれる各成分を説明する。
【００２５】
（導電性粒子）
導通検査の信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記導電性粒子の粒子径は、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上であり、好ましくは１０００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは３０μｍ以下、特に好ましくは１０μｍ以下である。上記導電性粒子の粒子径が、３μｍ以上３０μｍ以下であると、上記導電性粒子を導通検査用部材用途に好適に用いることができる。
【００２６】
上記導電性粒子の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることがより好ましい。上記導電性粒子の粒子径は、例えば、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することや、複数回のレーザー回折式粒度分布測定装置による測定結果の平均値を算出することにより求められる。
【００２７】
上記導電性粒子の粒子径の変動係数は、低いほど好ましいが、通常は０．１％以上であり、好ましくは１０％以下、より好ましくは８％以下、さらに好ましくは５％以下である。上記導電性粒子の粒子径の変動係数が、上記下限以上及び上記上限以下であると、導通信頼性をより一層高めることができる。但し、上記導電性粒子の粒子径の変動係数は、５％未満であってもよい。
【００２８】
上記変動係数（ＣＶ値）は、以下のようにして測定できる。
【００２９】
ＣＶ値（％）＝（ρ／Ｄｎ）×１００
ρ：導電性粒子の粒子径の標準偏差
Ｄｎ：導電性粒子の粒子径の平均値
【００３０】
上記導電性粒子の形状は特に限定されない。上記導電性粒子の形状は、球状であってもよく、扁平状等の球状以外の形状であってもよい。
【００３１】
導通対象部材の傷付きをより一層効果的に防止する観点、及び導通検査の信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電層とを備えることが好ましい。上記導電性粒子が、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電層とを備えることによって、導電性粒子の硬さを容易に柔軟化させることができる。柔軟な導電性粒子を用いることで、導通対象部材の傷付きをより一層効果的に防止することができ、導通検査の信頼性をより一層効果的に高めることができる。柔軟な導電性粒子は、基材粒子の重合条件及び導電部の硬度を適宜調整することにより得ることができる。
【００３２】
基材粒子に関しては、例えば、上記基材粒子が後述する金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合には、縮合反応条件、焼成時の酸素分圧、焼成温度、焼成時間の調整を行うことで、縮合反応時はラジカル重合反応を抑えつつ、焼成工程でラジカル重合反応が行われるようにすることができる。結果として、柔軟な導電性粒子を得ることが可能な基材粒子を容易に得ることができる。
【００３３】
導電部に関しては、上記導電部の材料である金属種、導電部の厚みを適宜調整することにより、上記導電性粒子の物性が上記基材粒子の物性と相まって、所望の物性を得ることができる。上記金属種としては、ニッケルを含む材料が好ましい例として挙げられる。
【００３４】
次に、図面を参照しつつ、本発明を具体的な実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態のみに限定されず、本発明の特徴を損なわない程度に、以下の実施形態は適宜変更、改良等されてもよい。
【００３５】
図１は、本発明に係る樹脂組成物に使用可能な導電性粒子の一例を示す断面図である。
【００３６】
図１に示す導電性粒子１は、基材粒子２と、導電層３とを有する。導電層３は、基材粒子２の表面上に配置されている。導電性粒子１では、導電層３は、基材粒子２の表面に接している。導電層３は、基材粒子２の表面を覆っている。導電性粒子１は、基材粒子２の表面が導電層３により被覆された被覆粒子である。導電性粒子１では、導電層３は、単層の導電層である。
【００３７】
導電性粒子１は、後述する導電性粒子１１，２１とは異なり、芯物質を有しない。導電性粒子１は導電性の表面に突起を有さず、導電層３の外表面に突起を有しない。導電性粒子１は球状である。
【００３８】
このように、本発明に係る導電性粒子は、導電性の表面に突起を有していなくてもよく、導電層の外表面に突起を有していなくてもよく、球状であってもよい。
【００３９】
図２は、本発明に係る樹脂組成物に使用可能な導電性粒子の第１の変形例を示す断面図である。
【００４０】
図２に示す導電性粒子１１は、基材粒子２と、導電層１２と、複数の芯物質１３とを有する。導電層１２は、基材粒子２の表面上に配置されている。複数の芯物質１３は、基材粒子２の表面上に配置されている。導電層１２は、基材粒子２と、複数の芯物質１３とを覆うように、基材粒子２の表面上に配置されている。導電性粒子１１では、導電層１２は、単層の導電層である。
【００４１】
導電性粒子１１は、外表面に複数の突起１１ａを有する。導電性粒子１１では、導電層１２は外表面に、複数の突起１２ａを有する。複数の芯物質１３は、導電層１２の外表面を隆起させている。導電層１２の外表面が複数の芯物質１３によって隆起されていることで、突起１１ａ及び１２ａが形成されている。複数の芯物質１３は導電層１２内に埋め込まれている。突起１１ａ及び１２ａの内側に、芯物質１３が配置されている。導電性粒子１１では、突起１１ａ及び１２ａを形成するために、複数の芯物質１３を用いている。上記導電性粒子では、上記突起を形成するために、複数の上記芯物質を用いなくてもよい。上記導電性粒子では、複数の上記芯物質を備えていなくてもよい。
【００４２】
図３は、本発明に係る樹脂組成物に使用可能な導電性粒子の第２の変形例を示す断面図である。
【００４３】
図３に示す導電性粒子２１は、基材粒子２と、導電層２２と、複数の芯物質１３とを有する。導電層２２は全体で、基材粒子２側に第１の導電層２２Ａと、基材粒子２側とは反対側に第２の導電層２２Ｂとを有する。
【００４４】
導電性粒子１１と導電性粒子２１とでは、導電層のみが異なっている。すなわち、導電性粒子１１では、１層構造の導電層１２が形成されているのに対し、導電性粒子２１では、２層構造の第１の導電層２２Ａ及び第２の導電層２２Ｂが形成されている。第１の導電層２２Ａと第２の導電層２２Ｂとは、異なる導電層として形成されていてもよく、同一の導電層として形成されていてもよい。
【００４５】
第１の導電層２２Ａは、基材粒子２の表面上に配置されている。基材粒子２と第２の導電層２２Ｂとの間に、第１の導電層２２Ａが配置されている。第１の導電層２２Ａは、基材粒子２に接している。第２の導電層２２Ｂは、第１の導電層２２Ａに接している。基材粒子２の表面上に第１の導電層２２Ａが配置されており、第１の導電層２２Ａの表面上に第２の導電層２２Ｂが配置されている。
【００４６】
導電性粒子２１は、外表面に複数の突起２１ａを有する。導電性粒子２１では、導電層２２は外表面に、複数の突起２２ａを有する。第１の導電層２２Ａは外表面に、突起２２Ａａを有する。第２の導電層２２Ｂは外表面に、複数の突起２２Ｂａを有する。導電性粒子２１では、導電層２２は、２層の導電層である。導電層２２は、２層以上の導電層であってもよい。
【００４７】
以下、導電性粒子の他の詳細を説明する。なお、以下の説明において、「（メタ）アクリル」は「アクリル」と「メタクリル」との一方又は双方を意味し、「（メタ）アクリレート」は「アクリレート」と「メタクリレート」との一方又は双方を意味する。
【００４８】
基材粒子：
上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがより好ましい。上記基材粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを備えるコアシェル粒子であってもよい。
【００４９】
上記基材粒子は、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがさらに好ましく、樹脂粒子であってもよく、有機無機ハイブリッド粒子であってもよい。これらの好ましい基材粒子の使用により、本発明の効果がより一層効果的に発揮され、導通検査用部材の材料により一層適した導電性粒子が得られる。
【００５０】
上記樹脂粒子の材料として、種々の樹脂が好適に用いられる。上記樹脂粒子の材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂；ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂；ポリアルキレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及び、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を１種もしくは２種以上重合させて得られる重合体等が挙げられる。
【００５１】
基材粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子の材料は、エチレン性不飽和基を複数有する重合性単量体を１種又は２種以上重合させた重合体であることが好ましい。
【００５２】
上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を重合させて得る場合には、上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。
【００５３】
上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン等のスチレン系単量体；（メタ）アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレート化合物；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレン（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等の酸素原子含有（メタ）アクリレート化合物；（メタ）アクリロニトリル等のニトリル含有単量体；酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル化合物；エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン等の不飽和炭化水素；トリフルオロメチル（メタ）アクリレート、ペンタフルオロエチル（メタ）アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、クロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。
【００５４】
上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、グリセロールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）テトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等の多官能（メタ）アクリレート化合物；トリアリル（イソ）シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、γ−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、ビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。
【００５５】
上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子を得ることができる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、並びに非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。
【００５６】
上記基材粒子が金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合に、上記基材粒子の材料である無機物としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア及びカーボンブラック等が挙げられる。上記無機物は金属ではないことが好ましい。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されないが、例えば、加水分解性のアルコキシシリル基を２つ以上持つケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。
【００５７】
上記有機無機ハイブリッド粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有するコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。上記コアが有機コアであることが好ましい。上記シェルが無機シェルであることが好ましい。導通対象部材の傷付きをより一層効果的に防止する観点、及び導通検査の信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記基材粒子は、有機コアと上記有機コアの表面上に配置された無機シェルとを有する有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。
【００５８】
上記有機コアの材料としては、上述した樹脂粒子の材料等が挙げられる。
【００５９】
上記無機シェルの材料としては、上述した基材粒子の材料として挙げた無機物が挙げられる。上記無機シェルの材料は、シリカであることが好ましい。上記無機シェルは、上記コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を焼成させることにより形成されていることが好ましい。上記金属アルコキシドはシランアルコキシドであることが好ましい。上記無機シェルはシランアルコキシドにより形成されていることが好ましい。
【００６０】
上記基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子の材料である金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金及びチタン等が挙げられる。但し、上記基材粒子は金属粒子ではないことが好ましい。
【００６１】
上記基材粒子の粒子径は、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上であり、好ましくは１０００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは３０μｍ以下、特に好ましくは１０μｍ以下である。上記基材粒子の粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、導通検査の信頼性をより一層効果的に高めることができる。さらに基材粒子の表面に導電部を形成する際に凝集し難くなり、凝集した導電性粒子が形成され難くなる。
【００６２】
上記基材粒子の粒子径は、基材粒子が真球状である場合には、直径を示し、基材粒子が真球状ではない場合には、最大径を示す。
【００６３】
上記基材粒子の粒子径は、数平均粒子径を示す。上記基材粒子の粒子径は粒度分布測定装置等を用いて求められる。基材粒子の粒子径は、任意の基材粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求めることが好ましい。導電性粒子において、上記基材粒子の粒子径を測定する場合には、例えば、以下のようにして測定できる。
【００６４】
導電性粒子の含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製する。導電性粒子検査用埋め込み樹脂中に分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、導電性粒子の断面を切り出す。そして、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）を用いて、画像倍率を２５０００倍に設定し、５０個の導電性粒子を無作為に選択し、各導電性粒子の基材粒子を観察する。各導電性粒子における基材粒子の粒子径を計測し、それらを算術平均して基材粒子の粒子径とする。
【００６５】
導電層：
上記導電層の材料である金属は特に限定されない。上記金属としては、例えば、金、銀、パラジウム、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素及びこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属としては、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）及びはんだ等が挙げられる。導通検査の信頼性をより一層効果的に高める観点からは、錫を含む合金、ニッケル、パラジウム、銅又は金が好ましく、ニッケル又はパラジウムが好ましい。
【００６６】
また、導通検査の信頼性をより一層効果的に高めることができるので、上記導電層及び上記導電層の外表面部分はニッケルを含むことが好ましい。ニッケルを含む導電層１００重量％中のニッケルの含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上、より一層好ましくは６０重量％以上、さらに好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上である。上記ニッケルを含む導電層１００重量％中のニッケルの含有量は、９７重量％以上であってもよく、９７．５重量％以上であってもよく、９８重量％以上であってもよい。
【００６７】
導電性粒子１，１１のように、上記導電層は、１つの層により形成されていてもよい。導電性粒子２１のように、上記導電層は、複数の層により形成されていてもよい。すなわち、導電層は、２層以上の積層構造を有していてもよい。導電層が複数の層により形成されている場合には、最外層は、金層、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は錫と銀とを含む合金層であることが好ましく、金層であることがより好ましい。最外層がこれらの好ましい導電層である場合には、導通検査の信頼性をより一層効果的に高めることができる。また、最外層が金層である場合には、耐腐食性をより一層効果的に高めることができる。
【００６８】
上記基材粒子の表面に上記導電層を形成する方法は特に限定されない。上記導電層を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを基材粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。導電層の形成が簡便であるので、無電解めっきによる方法が好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。
【００６９】
上記導電層の厚みは、好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは１μｍ以下、より好ましくは０．３μｍ以下である。上記導電層の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、導通検査の信頼性をより一層効果的に高めることができ、かつ、導電性粒子が硬くなりすぎない。
【００７０】
上記導電層が複数の層により形成されている場合に、最外層の導電層の厚みは、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは０．５μｍ以下、より好ましくは０．１μｍ以下である。上記最外層の導電層の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、最外層の導電層による被覆が均一になり、耐腐食性が十分に高くなり、かつ導通検査の信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【００７１】
上記導電層の厚みは、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて、導電性粒子の断面を観察することにより測定できる。
【００７２】
芯物質：
上記導電性粒子は、上記導電層の外表面に複数の突起を有することが好ましい。上記導電性粒子が、上記導電層の外表面に複数の突起を有していることで、導通検査の信頼性をより一層効果的に高めることができる。上記突起を有する導電性粒子を用いることで、導電性粒子間をより一層確実に接触させることができ、導通検査の信頼性をより一層効果的に高めることができる。また、導電性粒子の突起によって、導電性粒子と導通対象部材との間の熱硬化性化合物が効果的に排除される。このため、導通検査の信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【００７３】
上記芯物質が上記導電層中に埋め込まれていることによって、上記導電層の外表面に複数の突起を容易に形成することができる。但し、導電性粒子の導電層の表面に突起を形成するために、芯物質を必ずしも用いなくてもよい。
【００７４】
上記突起を形成する方法としては、基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより導電層を形成する方法、並びに基材粒子の表面に無電解めっきにより導電層を形成した後、芯物質を付着させ、さらに無電解めっきにより導電層を形成する方法等が挙げられる。上記突起を形成する他の方法としては、基材粒子の表面上に、第１の導電層を形成した後、該第１の導電層上に芯物質を配置し、次に第２の導電層を形成する方法、並びに基材粒子の表面上に導電層（第１の導電層又は第２の導電層等）を形成する途中段階で、芯物質を添加する方法等が挙げられる。また、突起を形成するために、上記芯物質を用いずに、基材粒子に無電解めっきにより導電層を形成した後、導電層の表面上に突起状にめっきを析出させ、さらに無電解めっきにより導電層を形成する方法等を用いてもよい。
【００７５】
上記基材粒子の外表面上に芯物質を配置する方法としては、基材粒子の分散液中に、芯物質を添加し、基材粒子の表面に芯物質を、例えば、ファンデルワールス力により集積させ、付着させる方法、並びに基材粒子を入れた容器に、芯物質を添加し、容器の回転等による機械的な作用により基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法等が挙げられる。付着させる芯物質の量を制御しやすいため、分散液中の基材粒子の表面に芯物質を集積させ、付着させる方法が好ましい。
【００７６】
上記芯物質の材料は特に限定されない。上記芯物質の材料としては、例えば、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム及びジルコニア等が挙げられる。なかでも、導電性を高めることができ、さらに接続抵抗を効果的に低くすることができるので、金属が好ましい。上記芯物質は金属粒子であることが好ましい。上記芯物質の材料である金属としては、上記金属粒子の材料として挙げた金属を適宜使用可能である。
【００７７】
上記芯物質の材料のモース硬度は高いことが好ましい。モース硬度が高い材料としては、チタン酸バリウム（モース硬度４．５）、ニッケル（モース硬度５）、シリカ（二酸化珪素、モース硬度６〜７）、酸化チタン（モース硬度７）、ジルコニア（モース硬度８〜９）、アルミナ（モース硬度９）、炭化タングステン（モース硬度９）及びダイヤモンド（モース硬度１０）等が挙げられる。上記芯物質は、ニッケル、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが好ましい。上記芯物質は、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることがより好ましく、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることがさらに好ましく、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが特に好ましい。上記芯物質の材料のモース硬度は、好ましくは４以上、より好ましくは５以上、より一層好ましくは６以上、さらに好ましくは７以上、特に好ましくは７．５以上である。
【００７８】
上記芯物質の形状は特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。
【００７９】
上記芯物質の粒子径は、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上であり、好ましくは０．９μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下である。上記芯物質の粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、導通検査の信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【００８０】
上記芯物質の粒子径は、数平均粒子径を示す。芯物質の粒子径は、任意の芯物質５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求めることが好ましい。
【００８１】
上記導電性粒子１個当たりの上記突起の数は、好ましくは３個以上、より好ましくは５個以上である。上記突起の数の上限は特に限定されない。上記突起の数の上限は導電性粒子の粒子径及び導電性粒子の用途等を考慮して適宜選択できる。
【００８２】
上記導電性粒子１個当たりの上記突起の数は、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求めることが好ましい。
【００８３】
複数の上記突起の高さは、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上であり、好ましくは０．９μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下である。上記突起の高さが、上記下限以上及び上記上限以下であると、導通検査の信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【００８４】
複数の上記突起の高さは、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求めることが好ましい。
【００８５】
（熱硬化性化合物）
上記樹脂組成物は、熱硬化性化合物を含む。上記熱硬化性化合物は、加熱により硬化可能な化合物である。上記熱硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、（メタ）アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。導通検査の信頼性をより一層効果的に高める観点から、上記熱硬化性化合物は、エポキシ化合物又はエピスルフィド化合物であることが好ましい。上記熱硬化性化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００８６】
上記エポキシ化合物は、少なくとも１個のエポキシ基を有する化合物である。上記エポキシ化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ビスフェノールＳ型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、ビフェニル型エポキシ化合物、ビフェニルノボラック型エポキシ化合物、ビフェノール型エポキシ化合物、ナフタレン型エポキシ化合物、フルオレン型エポキシ化合物、フェノールアラルキル型エポキシ化合物、ナフトールアラルキル型エポキシ化合物、ジシクロペンタジエン型エポキシ化合物、アントラセン型エポキシ化合物、アダマンタン骨格を有するエポキシ化合物、トリシクロデカン骨格を有するエポキシ化合物、ナフチレンエーテル型エポキシ化合物、トリアジン核を骨格に有するエポキシ化合物、脂肪族骨格を有するエポキシ化合物、及びウレタン結合を骨格に有するエポキシ化合物等が挙げられる。上記エポキシ化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００８７】
導通対象部材の傷付きをより一層効果的に防止する観点、及び導通検査の信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記エポキシ化合物は、脂肪族骨格を有するエポキシ化合物又はウレタン結合を骨格に有するエポキシ化合物であることが好ましく、脂肪族骨格を有するエポキシ化合物であることがより好ましい。
【００８８】
本発明に係る樹脂組成物では、ＪＩＳ  Ｋ６２５１に準拠して測定される上記硬化物の切断時伸びは、１０％以上１００％以下である。導通対象部材の傷付きをより一層効果的に防止する観点、及び導通検査の信頼性をより一層効果的に高める観点からは、ＪＩＳ  Ｋ６２５１に準拠して測定される上記硬化物の切断時伸びは、好ましくは１０％以上、より好ましくは２０％以上であり、好ましくは１００％以下、より好ましくは５０％以下である。上記硬化物の切断時伸びが、上記下限以上及び上記上限以下であると、上記導電性粒子が柔軟な導電性粒子であっても、導電性粒子と導通対象部材との間の熱硬化性化合物が効果的に排除される。このため、導通検査の信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【００８９】
ＪＩＳ  Ｋ６２５１に準拠して、上記硬化物の切断時伸びを測定する際には、例えば、上記樹脂組成物中の上記導電性粒子を除く成分（導電性粒子を含まない樹脂組成物）を真空脱泡した後、型枠に注入し、１３０℃に加熱したオーブンで３０分間加熱硬化させることにより硬化物を得る。物性の測定には、ＪＩＳ  Ｋ６２５１で定めるダンベル状３号形の試験片を用いることが好ましく、上記硬化物をダンベル状３号形に成型することが好ましい。
【００９０】
上記切断時伸びは、ＪＩＳ  Ｋ６２５１に準拠して測定される。より具体的には、２５℃にて、引張条件５００ｍｍ／ｍｉｎで切断するまで試験片を引張り、下記の式（１）によって算出できる。
【００９１】
切断時伸びＥｂ（％）＝［（Ｌｂ−Ｌ０）／Ｌ０］×１００    （１）
【００９２】
上記式（１）中、Ｌ０は初期の標線間距離（ｍｍ）を表し、Ｌｂは切断時の標線間距離（ｍｍ）を表す。
【００９３】
引張試験機としては、例えば、「万能試験機：島津製作所社製ＡＧＳ−Ｈ」が用いられる。
【００９４】
本発明に係る樹脂組成物では、硬化物の高さの減少率は、好ましくは０．１％以上、より好ましくは０．２％以上であり、好ましくは１５％以下、より好ましくは１０％以下、さらに好ましくは５％以下である。上記硬化物の高さの減少率が、上記下限以上及び上記上限以下であると、導通検査の信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【００９５】
上記硬化物の高さの減少率を測定する際には、例えば、上記樹脂組成物を真空脱泡した後、型枠に注入し、１３０℃に加熱したオーブンで３０分間加熱硬化させることにより、高さ１ｍｍ及び直径０．５ｍｍの円柱状の硬化物を得ることが好ましい。
【００９６】
上記硬化物の高さの減少率は、得られた上記円柱状の硬化物を用いて、荷重１０ｇｆで、上記硬化物の円柱上面に垂直方向から１０００回繰り返し加圧した後、下記式（Ｘ）により算出することが好ましい。
【００９７】
硬化物の高さの減少率（％）＝［（１−Ｈ）／１］×１００  ・・・式（Ｘ）
【００９８】
上記式（Ｘ）中、Ｈは荷重１０ｇｆで、上記硬化物の円柱上面に垂直方向から１０００回繰り返し加圧した後の上記硬化物の高さ（ｍｍ）を表す。
【００９９】
上記樹脂組成物１００重量％中、上記熱硬化性化合物の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上であり、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは４０重量％以下である。上記熱硬化性化合物の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、導通検査の信頼性をより一層効果的に高めることができる。耐衝撃性をより一層効果的に高める観点からは、上記熱硬化性化合物の含有量は多い方が好ましい。
【０１００】
（熱硬化剤）
上記樹脂組成物は熱硬化剤を含む。上記熱硬化剤は、上記熱硬化性化合物を熱硬化させる。上記熱硬化剤としては、シアネートエステル硬化剤、イミダゾール硬化剤、フェノール硬化剤、チオール硬化剤、アミン硬化剤、酸無水物硬化剤、熱カチオン硬化剤及び熱ラジカル発生剤等がある。上記熱硬化剤は、上記エポキシ化合物のエポキシ基と反応可能な官能基を有することが好ましい。上記熱硬化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１０１】
上記シアネートエステル硬化剤は、特に限定されない。上記シアネートエステル硬化剤としては、ノボラック型シアネートエステル化合物、ビスフェノール型シアネートエステル化合物、並びにこれらが一部三量化されたプレポリマー等が挙げられる。上記ノボラック型シアネートエステル化合物としては、フェノールノボラック型シアネートエステル化合物及びアルキルフェノール型シアネートエステル化合物等が挙げられる。上記ビスフェノール型シアネートエステル化合物としては、ビスフェノールＡ型シアネートエステル化合物、ビスフェノールＥ型シアネートエステル化合物及びテトラメチルビスフェノールＦ型シアネートエステル化合物等が挙げられる。
【０１０２】
上記イミダゾール硬化剤は、特に限定されない。上記イミダゾール硬化剤としては、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン及び２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。
【０１０３】
上記フェノール硬化剤は、特に限定されない。上記フェノール硬化剤としては、ノボラック型フェノール、ビフェノール型フェノール、ナフタレン型フェノール、ジシクロペンタジエン型フェノール、アラルキル型フェノール及びジシクロペンタジエン型フェノール等が挙げられる。
【０１０４】
上記チオール硬化剤は、特に限定されない。上記チオール硬化剤としては、トリメチロールプロパントリス−３−メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス−３−メルカプトプロピオネート及びジペンタエリスリトールヘキサ−３−メルカプトプロピオネート等が挙げられる。
【０１０５】
上記アミン硬化剤は、特に限定されない。上記アミン硬化剤としては、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，４，８，１０−テトラスピロ［５．５］ウンデカン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、メタフェニレンジアミン及びジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。
【０１０６】
上記熱カチオン硬化剤としては、ヨードニウム系カチオン硬化剤、オキソニウム系カチオン硬化剤及びスルホニウム系カチオン硬化剤等が挙げられる。上記ヨードニウム系カチオン硬化剤としては、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。上記オキソニウム系カチオン硬化剤としては、トリメチルオキソニウムテトラフルオロボラート等が挙げられる。上記スルホニウム系カチオン硬化剤としては、トリ−ｐ−トリルスルホニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。
【０１０７】
上記熱ラジカル発生剤は、特に限定されない。上記熱ラジカル発生剤としては、アゾ化合物及び有機過酸化物等が挙げられる。上記アゾ化合物としては、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）等が挙げられる。上記有機過酸化物としては、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシド及びメチルエチルケトンペルオキシド等が挙げられる。
【０１０８】
上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記熱硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは１重量部以上であり、好ましくは２００重量部以下、より好ましくは１００重量部以下、さらに好ましくは７５重量部以下である。熱硬化剤の含有量が上記下限以上であると、熱硬化性化合物を十分に硬化させることが容易である。熱硬化剤の含有量が上記上限以下であると、硬化後に硬化に関与しなかった余剰の熱硬化剤が残存し難くなり、かつより一層良好な硬化物が得られる。
【０１０９】
（他の成分）
上記樹脂組成物は、必要に応じて、例えば、カップリング剤、遮光剤、反応性希釈剤、消泡剤、レベリング剤、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
【０１１０】
（導通検査用部材）
本発明に係る導通検査用部材は、貫通孔を有する基体と、導電部とを備える。本発明に係る導通検査用部材では、上記貫通孔が、上記基体に複数配置されている。本発明に係る導通検査用部材では、上記導電部が、上記貫通孔内に配置されている。本発明に係る導通検査用部材では、上記導電部の材料が、上述した樹脂組成物である。上記導電部が、上述した樹脂組成物により形成されている。上記導電部が、上述した樹脂組成物の硬化物を含む。
【０１１１】
また、本発明に係る導通検査用部材は、貫通孔を有する基体と、導電部とを備える。本発明に係る導通検査用部材では、上記貫通孔が、上記基体に複数配置されている。本発明に係る導通検査用部材では、上記導電部が、上記貫通孔内に配置されている。本発明に係る導通検査用部材では、上記導電部の材料が、導電性粒子と熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含む。上記導電部は、上記導電性粒子と、上記樹脂組成物中の上記導電性粒子を除く成分が硬化された硬化物とを含む。
【０１１２】
本発明に係る導通検査用部材は、貫通していない孔を有する基体と、金属部と、導電部とを備える。本発明に係る導通検査用部材では、上記貫通していない孔が、上記基体と上記金属部とにより形成されている。本発明に係る導通検査用部材では、上記貫通していない孔が、上記基体に複数配置されている。本発明に係る導通検査用部材では、上記導電部が、上記貫通していない孔の内部に配置されている。本発明に係る導通検査用部材では、上記導電部の材料が、上述した樹脂組成物である。上記導電部が、上述した樹脂組成物により形成されている。上記導電部が、上述した樹脂組成物の硬化物を含む。
【０１１３】
また、本発明に係る導通検査用部材は、貫通していない孔を有する基体と、金属部と、導電部とを備える。本発明に係る導通検査用部材では、上記貫通していない孔が、上記基体と上記金属部とにより形成されている。本発明に係る導通検査用部材では、上記貫通していない孔が、上記基体に複数配置されている。本発明に係る導通検査用部材では、上記導電部が、上記貫通していない孔の内部に配置されている。本発明に係る導通検査用部材では、上記導電部の材料が、導電性粒子と熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含む。上記導電部は、上記導電性粒子と、上記樹脂組成物中の上記導電性粒子を除く成分が硬化された硬化物とを含む。
【０１１４】
本発明に係る導通検査用部材では、上記導電性粒子のデュロメータ硬さの、上記硬化物のデュロメータ硬さに対する比は、１を超える。本発明に係る導通検査用部材では、上記基体のデュロメータ硬さの、上記硬化物のデュロメータ硬さに対する比は、１以上である。本発明に係る導通検査用部材では、上記導電性粒子のデュロメータ硬さの、上記基体のデュロメータ硬さに対する比は、１以上である。
【０１１５】
本発明に係る導通検査用部材では、上記導電部において、特定の導電性粒子と特定の熱硬化性化合物とを用いているので、導通対象部材の傷付きをより一層効果的に防止することができ、導通検査の信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【０１１６】
図４（ａ），（ｂ）は、導通検査用部材の一例を示す平面図及び断面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【０１１７】
図４（ａ），（ｂ）に示す導通検査用部材３１は、貫通孔３２ａを有する基体３２と、基体３２の貫通孔３２ａ内に配置された導電部３３とを備える。導電部３３の材料が、導電性粒子と熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含む。導電部３３の材料は、上述した樹脂組成物であってもよい。導通検査用部材３１は、導通用部材であってもよい。
【０１１８】
導通検査用部材３１には、電流計（例えば、図５（ｃ）で示される電流計６０）を電気的に接続することで、導通検査を実施することができる。導通検査においては、上記電流計は、導通検査用部材３１における任意の２個の導電部３３に接続させる。そして、上記電流計が接続された２個の導電部３３に接触するように電子回路デバイスを接続（例えば、図５（ｃ）で示されるＢＧＡ基板５２のはんだボール５１を導電部１２０に接続）することで、該電子回路デバイスの導通検査を実施することができる。
【０１１９】
上記基体は、上記導通検査用部材の基板となる部材である。上記基体は、絶縁性を有することが好ましく、上記基体は絶縁性の材料によって形成されていることが好ましい。絶縁性の材料としては、例えば、絶縁性樹脂が挙げられる。
【０１２０】
上記基体を構成する絶縁性樹脂としては、例えば、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂のいずれであってもよい。熱可塑性樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリアミド樹脂、ＡＢＳ樹脂、及びポリカーボネート樹脂等が挙げられる。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド系樹脂、シリコーン樹脂、及びフェノール樹脂等が挙げられる。シリコーン樹脂としては、シリコーンゴム等が挙げられる。
【０１２１】
上記基体が絶縁性樹脂で形成される場合は、上記基体を構成する絶縁性樹脂は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１２２】
上記基体は、例えば、板状、シート状等である。シート状には、フィルム状が含まれる。上記基体の厚みは、導通検査用部材の種類に応じて適宜設定することができ、例えば、０．００５ｍｍ以上５０ｍｍ以下の厚みであってもよい。上記基体の平面視における大きさも目的の検査用部材又は検査装置に応じて適宜設定することができる。
【０１２３】
上記基体は、例えば、上記の絶縁性樹脂等の絶縁性材料を原料として、所望の形状に成形することで得ることができる。
【０１２４】
上記基体の上記貫通孔は、上記基体に複数配置される。上記貫通孔は、上記基体の厚み方向に貫通していることが好ましい。
【０１２５】
上記基体の上記貫通孔は、円柱状に形成され得るが、円柱状に限らず、その他の形状、例えば、多角柱状に形成されていてもよい。また、上記貫通孔は、一方の方向に先細りしているテーパー状に形成されていてもよいし、その他、歪んだ形状に形成されていてもよい。
【０１２６】
上記貫通孔の大きさ、例えば、平面視における上記貫通孔の見かけ面積も適宜の大きさに形成することができ、例えば、導電部を収容でき、かつ、保持できる程度の大きさに形成されていればよい。上記貫通孔が例えば円柱状であれば、上記貫通孔の直径は好ましくは０．０１ｍｍ以上、好ましくは１０ｍｍ以下である。
【０１２７】
なお、上記基体の上記貫通孔の全てが同じ形状、同じ大きさであってもよいし、上記基体の上記貫通孔の一部の形状又は大きさが、他の貫通孔と異なっていてもよい。
【０１２８】
上記基体の上記貫通孔の個数も適宜の範囲で設定することができ、導通検査が可能な程度の個数を有していればよく、目的の検査用部材又は検査装置に応じて適宜設定することができる。また、上記基体の上記貫通孔の配置場所も目的の検査用部材又は検査装置に応じて適宜設定することができる。
【０１２９】
上記基体の上記貫通孔を形成する方法は特に限定されず、公知の方法（例えば、レーザー加工）で貫通孔を形成することが可能である。
【０１３０】
上記基体の上記貫通孔内の導電部は導電性を有する。上記導電性粒子は、上記貫通孔内で密に充填されていることが好ましく、この場合、上記導通検査用部材によって、より確実な導通検査を行うことができる。上記導電部は、導通検査用部材又は導通用部材の表裏にわたって導通可能であるように上記貫通孔内に収容されていることが好ましい。
【０１３１】
上記導電部において、上記導電性粒子は、導電部の表面から裏面にわたって連続して上記導電性粒子が互いに接触しながら存在していることが好ましい。この場合に、上記導電部の導通性が向上する。
【０１３２】
上記導電部を、上記貫通孔内に収容する方法は特に限定されない。例えば、上記導電性粒子と上記熱硬化性化合物と上記熱硬化剤とを含む樹脂組成物を上記基体に塗工する方法で、上記導電性粒子を上記貫通孔内に充填し、適宜の条件で樹脂組成物を硬化させることで、上記導電部を上記貫通孔内に形成することができる。これにより、上記導電部が上記貫通孔内に収容される。上記樹脂組成物には、必要に応じて、溶剤が含まれていてもよい。
【０１３３】
上記導通検査用部材は、プローブカードとして用いることができる。なお、上記導通検査用部材は、本発明の効果が阻害されない程度であれば、その他の構成要素を備えていてもよい。
【０１３４】
図５（ａ），（ｂ）は、導通検査用部材の第１の変形例を示す平面図及び断面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【０１３５】
図５（ａ），（ｂ）に示す導通検査用部材３１Ａは、貫通していない孔３２Ａａを有する基体３２Ａと、金属部３４Ａと、導電部３３Ａとを備える。貫通していない孔３２Ａａは、基体３２Ａと金属部３４Ａとにより形成されている。導電部３３Ａは、貫通していない孔３２Ａａの内部に配置されている。導電部３３Ａの材料が、導電性粒子と熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含む。導電部３３Ａの材料は、上述した樹脂組成物であってもよい。導通検査用部材３１Ａは、導通用部材であってもよい。
【０１３６】
図４（ａ），（ｂ）に示す導通検査用部材３１と、図５（ａ），（ｂ）に示す導通検査用部材３１Ａとでは、上記基体に形成された孔が貫通しているか否かのみが異なる。上記基体に形成された孔は貫通していてもよく、貫通していなくてもよい。基体の変形をより一層効果的に抑制する観点からは、上記基体に形成された孔は貫通していないことが好ましい。基体の変形をより一層効果的に抑制する観点からは、上記基体に形成された孔の内部に上記金属部が配置されており、かつ、上記基体に形成された孔は貫通していないことがより好ましい。上記導通検査用部材が上記金属部を有することで、上記基体の変形をより一層効果的に抑制することができる。
【０１３７】
上記金属部は導電性を有することが好ましい。上記金属部は導電性の材料によって形成されていることが好ましい。導電性の材料としては、例えば、上述した導電層に用いられる金属等が挙げられる。
【０１３８】
上記金属部は、上記基体に形成された孔の内部に配置されていればよく、上記基体に形成された孔を塞ぐように配置されていればよい。上記金属部の配置場所、形状及び厚み等は特に限定されない。上記金属部は、上記基体に形成された孔の底部に配置されていてもよく、上記基体に形成された孔の中央部に配置されていてもよい。上記金属部の形状や厚み等は、導通検査用部材の種類に応じて適宜設定することができる。上記金属部の形状としては、円状や多角形状等が挙げられ、上記基体に形成された孔を塞ぐように適宜設定することができる。上記金属部の厚みは、０．０５ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であってもよい。上記金属部の平面視における大きさも上記基体に形成された孔を塞ぐように適宜設定することができる。
【０１３９】
上記金属部を上記基体に形成された孔の内部に配置する方法は特に限定されない。上記金属部を上記基体に形成された孔の内部に配置する方法としては、スクリーン印刷方法、及びシリンジで押し出し充填する方法等が挙げられる。
【０１４０】
上記金属部と上記導電部とは導通検査用部材又は導通用部材の表裏にわたって導通可能であることが好ましい。上記金属部と、上記導電部における上記導電性粒子とは互いに接触していることが好ましい。この場合に、導通検査の信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【０１４１】
図６（ａ）〜（ｃ）は、電子回路デバイスの電気特性を導通検査用部材を用いて検査している様子を模式的に示す図である。
【０１４２】
図６（ａ）〜（ｃ）では、電子回路デバイスは、ＢＧＡ基板５２（ボールグリッドアレイ基板）である。ＢＧＡ基板５２は、接続パッドが格子状に多層基板５０に配列され、各パッドにはんだボール５１（導通対象部材）が配設された構造を有する基板である。また、図６（ａ）〜（ｃ）では、導通検査用部材１００は、プローブカードである。導通検査用部材１００は、基体１１０に複数の貫通孔１１０ａが形成されており、貫通孔１１０ａ内には導電部１２０が収容されている。図６（ａ）に示すように、ＢＧＡ基板５２と、導通検査用部材１００とを準備し、図６（ｂ）に示すように、ＢＧＡ基板５２を導通検査用部材１００に接触させて圧縮させる。このとき、はんだボール５１は、貫通孔１１０ａ内の導電部１２０と接触する。この状態において図６（ｃ）に示すように、電流計６０を接続して導通検査を実施し、ＢＧＡ基板５２の合否を判定することができる。
【０１４３】
導通検査の信頼性をより一層効果的に高める観点からは、本発明に係る導通検査用部材では、上記導電性粒子のデュロメータ硬さの、上記硬化物のデュロメータ硬さに対する比（導電性粒子のデュロメータ硬さ／硬化物のデュロメータ硬さ）は、１を超えることが好ましい。導通検査の信頼性をさらに一層効果的に高める観点からは、上記比（導電性粒子のデュロメータ硬さ／硬化物のデュロメータ硬さ）は、好ましくは１．１以上、より好ましくは１．２以上である。上記比（導電性粒子のデュロメータ硬さ／硬化物のデュロメータ硬さ）の上限は特に限定されない。上記比（導電性粒子のデュロメータ硬さ／硬化物のデュロメータ硬さ）は、５以下であってもよい。
【０１４４】
導通検査の信頼性をより一層効果的に高める観点からは、本発明に係る導通検査用部材では、上記基体のデュロメータ硬さの、上記硬化物のデュロメータ硬さに対する比（基体のデュロメータ硬さ／硬化物のデュロメータ硬さ）は、１以上であることが好ましい。導通検査の信頼性をさらに一層効果的に高める観点からは、上記比（基体のデュロメータ硬さ／硬化物のデュロメータ硬さ）は、好ましくは１．１以上、より好ましくは１．２以上である。上記比（基体のデュロメータ硬さ／硬化物のデュロメータ硬さ）の上限は特に限定されない。上記比（基体のデュロメータ硬さ／硬化物のデュロメータ硬さ）は、５以下であってもよい。
【０１４５】
導通検査の信頼性をより一層効果的に高める観点からは、本発明に係る導通検査用部材では、上記導電性粒子のデュロメータ硬さの、上記基体のデュロメータ硬さに対する比（導電性粒子のデュロメータ硬さ／基体のデュロメータ硬さ）は、１以上であることが好ましい。導通検査の信頼性をさらに一層効果的に高める観点からは、上記比（導電性粒子のデュロメータ硬さ／基体のデュロメータ硬さ）は、好ましくは１．１以上、より好ましくは１．２以上である。上記比（導電性粒子のデュロメータ硬さ／基体のデュロメータ硬さ）の上限は特に限定されない。上記比（導電性粒子のデュロメータ硬さ／基体のデュロメータ硬さ）は、５以下であってもよい。
【０１４６】
デュロメータ硬さを測定するために、上記硬化物は、硬化時の加熱条件を除いて、上述した切断時伸びを測定するための硬化物と同様にして得てもよい。この場合に、本発明に係る導通検査用部材の作製時の硬化条件で、上記樹脂組成物が硬化される。
【０１４７】
上記デュロメータ硬さは、ＪＩＳ  Ｋ６２５３に準拠して測定される。上記デュロメータ硬さは、デュロメータ硬さ試験装置を用いて測定される。上記デュロメータ硬さ試験装置としては、テクロック社製「デュロメータ  タイプＡ  ＧＳ７１９Ｎ」等が挙げられる。
【０１４８】
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
【０１４９】
導電性粒子：
導電性粒子（１）の作製：
基材粒子（Ｓ１）として、粒子径が７０．０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２７０」）を用意した。
【０１５０】
パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、基材粒子（Ｓ１）１０重量部を超音波分散器により分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子（Ｓ１）を取り出した。次いで、基材粒子（Ｓ１）をジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子（Ｓ１）の表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子（Ｓ１）を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ａ１）を得た。
【０１５１】
懸濁液（Ａ１）を、硫酸銅２０ｇ／Ｌ、及びエチレンジアミン四酢酸３０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ１）を得た。
【０１５２】
また、無電解銅めっき液として、硫酸銅１００ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸７５ｇ／Ｌ、グルコン酸ナトリウム５０ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド５０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニアにてｐＨ１０．５に調整した銅めっき液（Ｃ１）を用意した。
【０１５３】
また、無電解銀めっき液として、硝酸銀１５ｇ／Ｌ、コハク酸イミド５０ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド２０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した銀めっき液（Ｄ１）を用意した。
【０１５４】
５５℃の粒子混合液（Ｂ１）に銅めっき液（Ｃ１）を徐々に滴下し、無電解銅めっきを行った。銅めっき液（Ｃ１）の滴下速度は３０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銅めっきを行った。このようにして、樹脂粒子の表面に第１の導電層（１層目）として銅を備える粒子を含む粒子混合液（Ｅ１）を得た。
【０１５５】
その後、粒子混合液（Ｅ１）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、基材粒子（Ｓ１）の表面上に銅が配置されている粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｆ１）を得た。
【０１５６】
次に、６０℃の粒子混合液（Ｆ１）に銀めっき液（Ｄ１）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｄ１）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子（Ｓ１）の表面上に銅及び銀（導電層全体の厚み：０．１μｍ）を備える導電性粒子（１）を得た。
【０１５７】
導電性粒子（２）の作製：
金属ニッケル粒子（三井金属社製「２０２０ＳＵＳ」、平均粒子径２００ｎｍ）を純水に５０重量％となるように分散させたスラリーを用意した。このスラリー１重量部を３分間かけて、導電性粒子（１）の作製時に用いた懸濁液（Ａ１）に添加し、芯物質が付着された基材粒子（Ｓ１）を含む懸濁液（Ａ２）を得た。
【０１５８】
懸濁液（Ａ２）を、硫酸銅２０ｇ／Ｌ、及びエチレンジアミン四酢酸３０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ２）を得た。
【０１５９】
５５℃の粒子混合液（Ｂ２）に、導電性粒子（１）の作製時に用いた銅めっき液（Ｃ１）を徐々に滴下し、無電解銅めっきを行った。銅めっき液（Ｃ１）の滴下速度は３０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銅めっきを行った。このようにして、樹脂粒子の表面に第１の導電層（１層目）として銅が配置されており、表面に突起を有する導電層を備える粒子を含む粒子混合液（Ｄ２）を得た。
【０１６０】
その後、粒子混合液（Ｄ２）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、基材粒子（Ｓ１）の表面上に銅が配置されており、表面に突起を有する導電層を備える粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｅ２）を得た。
【０１６１】
次に、６０℃の粒子混合液（Ｅ２）に、導電性粒子（１）の作製時に用いた銀めっき液（Ｄ１）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｄ１）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子（Ｓ１）の表面上に銅及び銀（突起が無い部分における導電層全体の厚み：０．１μｍ）が配置されており、表面に複数の突起を有する導電層を備える導電性粒子（２）を得た。
【０１６２】
導電性粒子（３）の作製：
基材粒子（Ｓ２）として、粒子径が３５．０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２３５」）を用意した。
【０１６３】
パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、基材粒子（Ｓ２）１０重量部を超音波分散器により分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子（Ｓ２）を取り出した。次いで、基材粒子（Ｓ２）をジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子（Ｓ２）の表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子（Ｓ２）を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ａ３）を得た。
【０１６４】
次に、金属ニッケル粒子（三井金属社製「２０２０ＳＵＳ」、平均粒子径２００ｎｍ）を純水に５０重量％となるように分散させたスラリーを用意した。このスラリー１重量部を３分間かけて懸濁液（Ａ３）に添加し、芯物質が付着された基材粒子（Ｓ２）を含む懸濁液（Ｂ３）を得た。
【０１６５】
懸濁液（Ｂ３）を、硫酸銅２０ｇ／Ｌ、及びエチレンジアミン四酢酸３０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｃ３）を得た。
【０１６６】
また、無電解銅めっき液として、硫酸銅２００ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸１５０ｇ／Ｌ、グルコン酸ナトリウム１００ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド５０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニアにてｐＨ１０．５に調整した銅めっき液（Ｄ３）を用意した。
【０１６７】
また、無電解銀めっき液として、硝酸銀３０ｇ／Ｌ、コハク酸イミド７５ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド２０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した銀めっき液（Ｅ３）を用意した。
【０１６８】
５５℃の粒子混合液（Ｃ３）に銅めっき液（Ｄ３）を徐々に滴下し、無電解銅めっきを行った。銅めっき液（Ｄ３）の滴下速度は２０ｍＬ／分、滴下時間は４５分間で、無電解銅めっきを行った。このようにして、樹脂粒子の表面に第１の導電層（１層目）として銅が配置されており、表面に突起を有する導電層を備える粒子を含む粒子混合液（Ｆ３）を得た。
【０１６９】
その後、粒子混合液（Ｆ３）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、基材粒子（Ｓ２）の表面上に銅が配置されている粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｇ３）を得た。
【０１７０】
次に、６０℃の粒子混合液（Ｇ３）に銀めっき液（Ｅ３）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｅ３）の滴下速度は５ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子（Ｓ２）の表面上に銅及び銀（導電層全体の厚み：０．１μｍ）が配置されており、表面に複数の突起を有する導電層を備える導電性粒子（３）を得た。
【０１７１】
導電性粒子（４）の作製：
パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、導電性粒子（１）の作製時に用いた基材粒子（Ｓ１）１０重量部を超音波分散器により分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子（Ｓ１）を取り出した。次いで、基材粒子（Ｓ１）をジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子（Ｓ１）の表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子（Ｓ１）を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ａ４）を得た。
【０１７２】
懸濁液（Ａ４）を、硫酸ニッケル１０ｇ／Ｌ、及びクエン酸ナトリウム１０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ４）を得た。
【０１７３】
また、無電解ニッケルめっき液として、硫酸ニッケル９０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１００ｇ／Ｌ、硝酸タリウム１００ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス３０ｐｐｍ及び次亜リン酸ナトリウム５０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニアにてｐＨ６．０に調整したニッケルめっき液（Ｃ４）を用意した。
【０１７４】
また、無電解銀めっき液として、硝酸銀１５ｇ／Ｌ、コハク酸イミド５０ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド２０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した銀めっき液（Ｄ４）を用意した。
【０１７５】
５５℃の粒子混合液（Ｂ４）にニッケルめっき液（Ｃ４）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｃ４）の滴下速度は３０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解ニッケルめっきを行った。このようにして、樹脂粒子の表面に第１の導電層（１層目）としてニッケルを備える粒子を含む粒子混合液（Ｅ４）を得た。
【０１７６】
その後、粒子混合液（Ｅ４）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、基材粒子（Ｓ１）の表面上にニッケルが配置されている粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｆ４）を得た。
【０１７７】
次に、６０℃の粒子混合液（Ｆ４）に銀めっき液（Ｄ４）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｄ４）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子（Ｓ１）の表面上にニッケル及び銀（導電層全体の厚み：０．１μｍ）を備える導電性粒子（４）を得た。
【０１７８】
導電性粒子（５）の作製：
パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、基材粒子（Ｓ１）１０重量部を超音波分散器により分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子（Ｓ１）を取り出した。次いで、基材粒子（Ｓ１）をジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子（Ｓ１）の表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子（Ｓ１）を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ａ５）を得た。
【０１７９】
懸濁液（Ａ５）を、硫酸ニッケル１０ｇ／Ｌ、及びクエン酸ナトリウム１０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ５）を得た。
【０１８０】
また、無電解ニッケルめっき液として、硫酸ニッケル９０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１００ｇ／Ｌ、硝酸タリウム１００ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス３０ｐｐｍ及び次亜リン酸ナトリウム５０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニアにてｐＨ６．０に調整したニッケルめっき液（Ｃ５）を用意した。
【０１８１】
また、無電解金めっき液として、シアン化金カリウム１０ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸２０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１０ｇ／Ｌ、及びジメチルアミンボラン２ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した金めっき液（Ｄ５）を用意した。
【０１８２】
５５℃の粒子混合液（Ｂ５）にニッケルめっき液（Ｃ５）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｃ５）の滴下速度は３０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解ニッケルめっきを行った。このようにして、樹脂粒子の表面に第１の導電層（１層目）としてニッケルを備える粒子を含む粒子混合液（Ｅ５）を得た。
【０１８３】
その後、粒子混合液（Ｅ５）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、基材粒子（Ｓ１）の表面上にニッケルが配置されている粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｆ５）を得た。
【０１８４】
次に、４５℃の粒子混合液（Ｆ５）に金めっき液（Ｄ５）を徐々に滴下し、無電解金めっきを行った。金めっき液（Ｄ５）の滴下速度は５ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解金めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子（Ｓ１）の表面上にニッケル及び金（導電層全体の厚み：０．１μｍ）を備える導電性粒子（５）を得た。
【０１８５】
導電性粒子（６）の作製：
パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、導電性粒子（１）の作製時に用いた基材粒子（Ｓ１）を超音波分散器により分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子（Ｓ１）を取り出した。次いで、基材粒子（Ｓ１）をジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子（Ｓ１）の表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子（Ｓ１）を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ａ６）を得た。
【０１８６】
懸濁液（Ａ６）を、硫酸ニッケル１０ｇ／Ｌ、及びクエン酸ナトリウム１０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ６）を得た。
【０１８７】
また、無電解ニッケル−コバルト合金めっき液として、以下の液を用意した。硫酸ニッケル９０ｇ／Ｌ、硫酸コバルト１０ｇ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸５ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１００ｇ／Ｌ、硝酸タリウム１００ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス３０ｐｐｍ及びジメチルアミンボラン２５ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニアにてｐＨ５．０に調整したニッケル−コバルト合金めっき液（Ｃ６）を用意した。
【０１８８】
また、無電解銀めっき液として、硝酸銀１５ｇ／Ｌ、コハク酸イミド５０ｇ／Ｌ、及びホルムアルデヒド２０ｇ／Ｌを含む混合液を、アンモニア水にてｐＨ８．０に調整した銀めっき液（Ｄ６）を用意した。
【０１８９】
６５℃の粒子混合液（Ｂ６）にニッケル−コバルト合金めっき液（Ｃ６）を徐々に滴下し、無電解ニッケル−コバルト合金めっきを行った。ニッケル−コバルト合金めっき液（Ｃ６）の滴下速度は３０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解ニッケル−コバルト合金めっきを行った。このようにして、樹脂粒子の表面に第１の導電層（１層目）としてニッケル−コバルト合金を備える粒子を含む粒子混合液（Ｅ６）を得た。
【０１９０】
その後、粒子混合液（Ｅ６）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、基材粒子（Ｓ１）の表面上にニッケル−コバルト合金が配置されている粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｆ６）を得た。
【０１９１】
次に、６０℃の粒子混合液（Ｆ６）に銀めっき液（Ｄ６）を徐々に滴下し、無電解銀めっきを行った。銀めっき液（Ｄ６）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、無電解銀めっきを行った。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子（Ｓ１）の表面上にニッケル−コバルト合金及び銀（導電層全体の厚み：０．１μｍ）を備える導電性粒子（６）を得た。
【０１９２】
導電性粒子（７）：銀コート銅粒子（福田金属箔工業社製「ＦＣＣ−２０００」）
【０１９３】
熱硬化性化合物：
熱硬化性化合物（１）：高弾性エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＸ−７４００」）
熱硬化性化合物（２）：高弾性エポキシ樹脂（四日市合成社製「エポゴーセーＰＴ」）
熱硬化性化合物（３）：エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＥＸＡ−８５０ＣＲＰ」）
【０１９４】
シリコーン化合物：
シリコーン化合物（１）：多官能エポキシシランカップリング剤（信越化学工業社製「Ｘ−１２−９８１Ｓ」）
【０１９５】
熱硬化剤：
熱硬化剤（１）：熱カチオン硬化剤（三新化学社製「サンエイドＳＩ−６０」）
熱硬化剤（２）：熱カチオン硬化剤（ＡＤＥＫＡ社製「アデカオプトマーＣＰ−６６」）
【０１９６】
カップリング剤：
カップリング剤（１）：エポキシシランカップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ−４０３」）
【０１９７】
（実施例１〜１３及び比較例１〜３）
（１）樹脂組成物の作製
下記の表１〜３に示す成分を下記の表１〜３に示す配合量で配合して、ホモディスパーを用いて１０００ｒｐｍで２０分撹拌させた後、シンキー社製「練太郎ＡＲＥ２５０」を用いて脱泡することで、樹脂組成物を得た。
【０１９８】
（２）導通検査用部材の作製
導通検査用部材の基体（絶縁材料により形成されたシート状の基体）として、シリコーンゴムを準備した。シリコーンゴムのサイズは、横幅２５ｍｍ、縦幅２５ｍｍ及び厚み１ｍｍである。シリコーンゴムには、レーザー加工で形成した直径０．５ｍｍの円柱状の貫通孔が縦２０個及び横２０個で総数４００個形成されている。
【０１９９】
上記樹脂組成物を、貫通孔を有するシリコーンゴム上にナイフコーターを用いて塗工し、貫通孔に樹脂組成物を充填した。次に、樹脂組成物が貫通孔に充填されたシリコーンゴムをオーブンにて１３０℃で３０分間加熱して、樹脂組成物を硬化させて、厚さ１ｍｍの導通検査用部材を得た。
【０２００】
（評価）
（１）切断時伸び（％）
下記の表１〜３に示す成分の内、導電性粒子を除く成分を配合して、硬化性組成物を得た。得られた硬化性組成物を、１３０℃で３０分間加熱することで硬化物を得た。
【０２０１】
得られた硬化物を用いて、上述した方法で切断時伸びを測定した。
【０２０２】
（２）デュロメータ硬さ
下記の表１〜３に示す成分の内、導電性粒子を除く成分を配合して、硬化性組成物を得た。得られた硬化性組成物を、１３０℃で３０分間加熱することで硬化物１を得た。硬化物１のデュロメータ硬さを、硬化物のデュロメータ硬さとした。
【０２０３】
また、下記の表１〜３で用いた導電性粒子の基材粒子（Ｓ１又はＳ２）と同じ組成のジビニルベンゼン共重合体樹脂により、１ｃｍ×１ｃｍ×０．５ｃｍの樹脂板を作製した。得られた樹脂板の表面に下記の表１〜３で用いた導電性粒子と同様のめっきを、同様の厚みとなるように施し、めっきが表面に施された硬化物２を得た。硬化物２のデュロメータ硬さを、導電性粒子のデュロメータ硬さとした。導電性粒子（７）（銀コート銅粒子）のデュロメータ硬さは、測定機器の測定上限以上になるため、１００とした。
【０２０４】
得られた硬化物１、硬化物２、及び、上記基体を用いて、上述した方法でデュロメータ硬さを測定した。測定結果から、導電性粒子のデュロメータ硬さの、硬化物のデュロメータ硬さに対する比（導電性粒子のデュロメータ硬さ／硬化物のデュロメータ硬さ）を算出した。同様に、基体のデュロメータ硬さの、硬化物のデュロメータ硬さに対する比（基体のデュロメータ硬さ／硬化物のデュロメータ硬さ）、及び導電性粒子のデュロメータ硬さの、基体のデュロメータ硬さに対する比（導電性粒子のデュロメータ硬さ／基体のデュロメータ硬さ）を算出した。
【０２０５】
（３）接触抵抗値
得られた導通検査用部材を用いて、接触抵抗値を測定した。導通検査用部材の接触抵抗値は、接触抵抗測定システム（ファクトケイ社製「ＭＳ７５００」）を用いて測定した。接触抵抗値の測定は、先端が直径０．４ｍｍの白金プローブにて荷重１０ｇｆ、５０ｇｆ、及び１００ｇｆで、得られた導通検査用部材の導電部に垂直方向から加圧した。その際に、低抵抗計（鶴賀電機社製「ＭＯＤＥＬ３５６６」）で５Ｖを印加し、接触抵抗値を測定した。５か所の導電部を測定した接触抵抗値の平均値を算出した。接触抵抗値を下記の基準で判定した。
【０２０６】
［接触抵抗値の判定基準］
○○：接触抵抗値の平均値が５０．０ｍΩ以下
○：接触抵抗値の平均値が５０．０ｍΩを超え１００．０ｍΩ以下
△：接触抵抗値の平均値が１００．０ｍΩを超え５００．０ｍΩ以下
×：接触抵抗値の平均値が５００．０ｍΩを超える
【０２０７】
（４）繰り返し加圧後の接触抵抗値
得られた導通検査用部材を用いて、繰り返し加圧後の接触抵抗値を測定した。導通検査用部材の繰り返し加圧後の接触抵抗値は、接触抵抗測定システム（ファクトケイ社製「ＭＳ７５００」）を用いて測定した。繰り返し加圧後の接触抵抗値は、先端が直径０．４ｍｍの白金プローブにて荷重１０ｇｆ、５０ｇｆ、及び１００ｇｆで、得られた導通検査用部材の導電部に垂直方向から１０００回繰り返し加圧した。１０００回繰り返し加圧した後に、低抵抗計（鶴賀電機社製「ＭＯＤＥＬ３５６６」）で５Ｖを印加し、接触抵抗値を測定した。５か所の導電部を同様に測定した接触抵抗値の平均値を算出した。繰り返し加圧後の接触抵抗値を下記の基準で判定した。
【０２０８】
［繰り返し加圧後の接触抵抗値の判定基準］
○○：接触抵抗値の平均値が１００．０ｍΩ以下
○：接触抵抗値の平均値が１００．０ｍΩを超え５００．０ｍΩ以下
△：接触抵抗値の平均値が５００．０ｍΩを超え１０００．０ｍΩ以下
×：接触抵抗値の平均値が１０００．０ｍΩを超える
【０２０９】
（５）ＢＧＡ基板のはんだボール表面外観
直径３００μｍのはんだボール（はんだ組成：Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ、千住金属社製）が実装されたＢＧＡ基板を準備した。得られた導通検査用部材の導電部上に、ＢＧＡ基板のはんだボールが位置するようにＢＧＡ基板を配置し、次いで、ＢＧＡ基板の上面に加圧ヘッドを乗せ、１０ｇｆ、５０ｇｆ、及び１００ｇｆの荷重で圧力をかけて接触させた。その後、導通検査用部材の導電部と接触したはんだボール表面を、光学顕微鏡を用いて観察し、はんだボール表面の傷付きの有無を確認した。２０個のはんだボールを無作為に観察し、下記の基準で評価した。
【０２１０】
［ＢＧＡ基板のはんだボール表面外観の判定基準］
○○：表面に２０μｍ以上の傷付きが確認されたはんだボールが０個
○：表面に２０μｍ以上の傷付きが確認されたはんだボールが１個以上５個未満
△：表面に２０μｍ以上の傷付きが確認されたはんだボールが５個以上１０個未満
×：表面に２０μｍ以上の傷付きが確認されたはんだボールが１０個以上
【０２１１】
（６）繰り返し加圧した後における硬化物の高さの減少率
（４）の評価に用いた繰り返し加圧前後の導通検査用部材を用意した。具体的には、荷重１０ｇｆで、導通検査用部材の導電部に垂直方向から１０００回繰り返し加圧した後の導通検査用部材、及び加圧する前の導通検査用部材を用意した。用意した加圧前後の導通検査用部材の高さを測定し、繰り返し加圧した後における硬化物の高さの減少率を算出した。
【０２１２】
結果を表１〜３に示す。
【０２１３】
【表１】
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【０２１４】
【表２】
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【０２１５】
【表３】
2018221640.tif 000005
【符号の説明】
【０２１６】
１…導電性粒子
２…基材粒子
３…導電層
１１…導電性粒子
１１ａ…突起
１２…導電層
１２ａ…突起
１３…芯物質
２１…導電性粒子
２１ａ…突起
２２…導電層
２２ａ…突起
２２Ａ…第１の導電層
２２Ａａ…突起
２２Ｂ…第２の導電層
２２Ｂａ…突起
３１，３１Ａ…導通検査用部材
３２，３２Ａ…基体
３２ａ…貫通孔
３２Ａａ…貫通していない孔
３３，３３Ａ…導電部
３４Ａ…金属部
５０…多層基板
５１…はんだボール（導通対象部材）
５２…ＢＧＡ基板
６０…電流計
１００…導通検査用部材
１１０…基体
１１０ａ…貫通孔
１２０…導電部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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