(57)【要約】  アクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬディスプレイにおける有機ＥＬ素子の経時的な輝度低下を抑制し、信頼性の高い有機ＥＬディスプレイを提供する。  有機ＥＬ素子の輝度低下を検出する輝度低下検出器（１７）と、上記輝度低下の大きさに応じた逆バイアス電圧パルスを生成する逆バイアス電圧生成器（１８）と、有機ＥＬ素子の非発光期間内において、駆動トランジスタに上記逆バイアス電圧パルスを印加する制御をなすコントローラ（１５）と、を有する表示装置である。
2010146707.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が有機ＥＬ（Electroluminescent）素子及び前記有機ＥＬ素子をデータ信号に基づいて駆動する駆動トランジスタを有する複数の表示セルからなるアクティブマトリクス型の表示パネルを有し、前記表示パネルの各走査線を順次走査するとともに、前記走査に応じて前記データ信号を前記表示セルに供給して表示をなす表示装置であって、
前記有機ＥＬ素子の輝度低下を検出する輝度低下検出器と、
前記輝度低下の大きさに応じた逆バイアス電圧パルスを生成する逆バイアス電圧生成器と、
前記有機ＥＬ素子の非発光期間内において、前記駆動トランジスタに前記逆バイアス電圧パルスを印加する制御をなすコントローラと、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記輝度低下検出器は、前記有機ＥＬ素子の順方向電圧の大きさに基づいて前記有機ＥＬ素子の輝度低下を検出することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記複数の表示セルの有機ＥＬ素子とは異なるモニタ用有機ＥＬ素子をさらに有し、
前記輝度低下検出器は、前記モニタ用有機ＥＬ素子の順方向電圧の大きさに基づいて前記有機ＥＬ素子の輝度低下を検出することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記逆バイアス電圧パルスは、前記輝度低下の大きさに応じた電圧値を有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記逆バイアス電圧パルスは、前記輝度低下の大きさに応じたパルス幅を有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記駆動トランジスタは有機ＴＦＴ（Thin Film Transistor）であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記表示セルは３色の有機ＥＬ素子を含み、前記輝度低下検出器は前記３色の有機ＥＬ素子の各々の輝度低下を検出し、前記逆バイアス電圧生成器は前記３色の有機ＥＬ素子の各々の輝度低下の大きさに応じた逆バイアス電圧パルスを生成し、前記コントローラは、前記３色の有機ＥＬ素子の各々についての前記逆バイアス電圧パルスを前記表示セルの３色の有機ＥＬ素子の各々に対応させて印加する制御をなすことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１に記載の表示装置。
【請求項８】
各々が有機ＥＬ（Electroluminescent）素子及び前記有機ＥＬ素子をデータ信号に基づいて駆動する駆動トランジスタを有する複数の表示セルからなるアクティブマトリクス型の表示パネルを有し、前記表示パネルの各走査線を順次走査するとともに、前記走査に応じて前記データ信号を前記表示セルに供給して表示をなす表示装置の駆動方法であって、
前記有機ＥＬ素子の輝度低下を検出するステップと、
前記輝度低下の大きさに応じた逆バイアス電圧パルスを生成するステップと、
前記有機ＥＬ素子の非発光期間内において、前記駆動トランジスタに前記逆バイアス電圧パルスを印加する制御をなすステップと、を有することを特徴とする駆動方法。
【請求項９】
前記輝度低下を検出するステップは、前記有機ＥＬ素子の順方向電圧の大きさに基づいて前記輝度低下を検出することを特徴とする請求項８に記載の駆動方法。
【請求項１０】
前記表示パネルは前記複数の表示セルの有機ＥＬ素子とは異なるモニタ用有機ＥＬ素子を含み、
前記輝度低下を検出するステップは、前記モニタ用有機ＥＬ素子の順方向電圧の大きさに基づいて前記有機ＥＬ素子の輝度低下を検出することを特徴とする請求項８に記載の駆動方法。
【請求項１１】
前記逆バイアス電圧パルスは、前記輝度低下の大きさに応じた電圧値を有することを特徴とする請求項８ないし１０のいずれか１に記載の駆動方法。
【請求項１２】
前記逆バイアス電圧パルスは、前記輝度低下の大きさに応じたパルス幅を有することを特徴とする請求項８ないし１０のいずれか１に記載の駆動方法。
【請求項１３】
前記駆動トランジスタは有機ＴＦＴ（Thin Film Transistor）であることを特徴とする請求項８ないし１２のいずれか１に記載の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の属する技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子を発光素子とするアクティブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイ表示装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイは薄型で、高画質なディスプレイが実現可能であるとして活発に研究開発が進められている。図１は、有機ＥＬ（Organic Electroluminescent）素子（ＯＥＬ）１００の駆動回路の等価回路の一例を、当該ディスプレイの一つの画素について示している。図１を参照すると、この等価回路は、能動素子である２つのｐチャンネルＴＦＴ（Thin Film Transistor）１０１，１０２と、キャパシタ（Ｃs）１０４とを含む。走査線ＷSは選択ＴＦＴ１０１のゲートに接続され、データ線ＷDは選択ＴＦＴ１０１のソースに接続され、一定の電源電圧ＶDDを供給する電源線ＷZは駆動ＴＦＴ１０２のソースに接続されている。選択ＴＦＴ１０１のドレインは駆動ＴＦＴ１０２のゲートに接続されており、駆動ＴＦＴ１０２のゲートとソース間にキャパシタ１０４が形成されている。ＯＥＬ１００のアノードは駆動ＴＦＴ１０２のドレインに、そのカソードは共通電位にそれぞれ接続されている。【０００３】
走査線ＷSに選択パルスが印加されると、スイッチとしての選択ＴＦＴ１０１がターンオンし、ソース及びドレイン間が導通する。このとき、データ線ＷDから、選択ＴＦＴ１０１のソースとドレイン間を介してデータ電圧が供給され、キャパシタＣs１０４に蓄積される。このキャパシタ１０４に蓄積されたデータ電圧が駆動ＴＦＴ１０２のゲートとソース間に印加されるので、駆動ＴＦＴ１０２のゲート・ソース間電圧（以下、ゲート電圧と称する。）Ｖgsに応じたドレイン電流Ｉｄが流れ、ＯＥＬ１００に供給される。【０００４】
しかしながら、有機ＥＬ素子（ＯＥＬ）の発光輝度は駆動時間とともに低下する。図２は、有機ＥＬ素子（ＯＥＬ）の駆動時間に対する輝度（Ｌ）の変動を例示するグラフである。なお、駆動電流（Ｉ）を一定にしたときの変動を模式的に示している。また、有機ＥＬ素子の輝度（Ｌ）は、初期状態（駆動時間が０の時点）における輝度（Ｌ0）を１（100％）として規格化（ノーマライズ）して示している。図２に示すように、有機ＥＬ素子は一定電流で駆動しても駆動時間とともに輝度−電流（Ｌ−Ｉ）特性は変化し、経時的に発光輝度は低下する。【０００５】
一方、有機ＴＦＴ（駆動トランジスタ）について、閾値電圧が駆動時間とともにシフトすることが知られている（例えば、非特許文献１参照）。このような駆動トランジスタの閾値電圧シフトは、ＯＥＬの発光輝度の低下を引き起こす。有機ＴＦＴの閾値電圧シフトを補償するための駆動回路および駆動方法については、たとえば、特許文献１−３に開示されている。しかしながら、上記したような有機ＥＬ素子の経時的な輝度低下を抑制し、信頼性の高い有機ＥＬディスプレイを実現することが極めて重要である。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】S. J. Zilker, C. Detcheverry, E. Cantatore, and D. M. de Leeuw, "Bias stress in organic thin-film transistors and logic gates," Applied Physics Letters Vol 79(8) pp. 1124-1126, August 20, 2001.
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特表２００２−５１４３２０号公報（第１３−１５頁、図２，３）
【特許文献２】特開２００２−３５１４０１号公報（第４頁、図１）
【特許文献３】特開２００６−３５１４０１号公報（第１１頁、図５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明が解決しようとする課題には、上記した問題が一例として挙げられる。本発明は、アクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬディスプレイにおける有機ＥＬ素子の経時的な輝度低下を抑制し、信頼性の高い有機ＥＬディスプレイを提供することを目的とする。また、信頼性及び演色性に優れたカラーディスプレイ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の表示装置は、各々が有機ＥＬ（Electroluminescent）素子及び上記有機ＥＬ素子をデータ信号に基づいて駆動する駆動トランジスタを有する複数の表示セルからなるアクティブマトリクス型の表示パネルを有し、表示パネルの各走査線を順次走査するとともに、走査に応じてデータ信号を表示セルに供給して表示をなす表示装置であって、
有機ＥＬ素子の輝度低下を検出する輝度低下検出器と、
上記輝度低下の大きさに応じた逆バイアス電圧パルスを生成する逆バイアス電圧生成器と、
有機ＥＬ素子の非発光期間内において、駆動トランジスタに上記逆バイアス電圧パルスを印加する制御をなすコントローラと、を有することを特徴としている。【００１０】
本発明の駆動方法は、各々が有機ＥＬ（Electroluminescent）素子及び上記有機ＥＬ素子をデータ信号に基づいて駆動する駆動トランジスタを有する複数の表示セルからなるアクティブマトリクス型の表示パネルを有し、表示パネルの各走査線を順次走査するとともに、上記走査に応じてデータ信号を表示セルに供給して表示をなす表示装置の駆動方法であって、
有機ＥＬ素子の輝度低下を検出するステップと、
上記輝度低下の大きさに応じた逆バイアス電圧パルスを生成するステップと、
有機ＥＬ素子の非発光期間内において、駆動トランジスタに上記逆バイアス電圧パルスを印加する制御をなすステップと、を有している。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】従来の有機ＥＬ素子（ＯＥＬ）の画素の等価回路の一例を示す図である。
【図２】有機ＥＬ素子の駆動時間に対する輝度（Ｌ）の変動を例示するグラフである。
【図３】本発明によるアクティブマトリクス表示パネルを用いた表示装置を示す図である。
【図４】図３に示す表示パネルの複数の表示セルＰＬ1,1〜ＰＬn,mのうち、データ線Ｘｉ及び走査線Ｙｊに関連する表示セルＰＬj,iについて示す図である。
【図５】有機ＥＬ素子の駆動時間に対する順方向電圧（Ｖｆ）の変動を例示するグラフである。
【図６】有機ＴＦＴの駆動時間に対する電流（ドレイン電流：Iｄ）のシフトを例示するグラフである。
【図７】逆バイアス電圧（Ｖｒ）をパラメータとした場合の、有機ＴＦＴのゲート電圧（Ｖgs）に対するドレイン電流（Iｄ）を例示するグラフである。
【図８】実施例１の回路構成を模式的に示す図である。
【図９】実施例１において、表示パネル１１の各走査線Ｙ１〜Ｙｎに印加される走査パルス及びデータ線Ｘ１〜Ｘｍに印加される電圧の印加タイミングを模式的に示すタイミングチャートである。
【図１０】実施例２の回路構成を模式的に示す図である。
【図１１】実施例２において、走査線に印加される走査パルス及びデータ線Ｘｊ（ｊ＝１〜ｍ）に印加される電圧タイミングを模式的に示すタイミングチャートである。
【図１２】実施例４のカラー表示装置の構成を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ詳細に説明する。尚、以下に説明する図において、実質的に同等な部分には同一の参照符を付している。
【実施例１】
【００１３】
図３は本発明によるアクティブマトリクス表示パネルを用いた表示装置１０を示している。この表示装置１０は、表示パネル１１、走査ドライバ１２、データドライバ１３、コントローラ１５、発光素子駆動電源１６、輝度低下検出器１７及び逆バイアス電圧生成器１８を備えている。【００１４】
表示パネル１１は、ｍ×ｎ個（ｍ，ｎは２以上の整数）の表示セルからなるアクティブマトリクス型のものであり、各々が平行に配置された複数のデータ線Ｘ１〜Ｘｍ（Ｘｉ：ｉ＝１〜ｍ）と、複数の走査線Ｙ１〜Ｙｎ（Ｙｊ：ｊ＝１〜ｎ）と、複数の表示セルＰＬ1,1〜ＰＬn,mを有している。表示セルＰＬ1,1〜ＰＬn,mは、データ線Ｘ１〜Ｘｍと走査線Ｙ１〜Ｙｎとの交差部分に配置され、全て同一の構成を有する。また、表示セルＰＬ1,1〜ＰＬm,nには電源１６から電源線Ｚを介して発光素子駆動電圧（Ｖa）が供給される。なお、本実施例においては、表示装置１０がモノクロ表示装置であって、各表示セルＰＬが１画素を構成している場合を例に説明する。しかし、表示装置１０がカラー表示装置であって、カラー表示のために、例えば、それぞれ赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）の３つの表示セルが１画素を構成するように構成されていてもよい。【００１５】
図４は、表示パネル１１の複数の表示セルＰＬ1,1〜ＰＬn,mのうち、データ線Ｘｉ（ｉ＝１，２，．．，ｍ）及び走査線Ｙｊ（ｊ＝１，２，．．，ｎ）に関連する表示セルＰＬj,iについて示している。より具体的には、選択及び駆動ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）２１，２２と、データ保持用キャパシタ（Ｃｓ）２４と、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）発光素子（ＯＥＬ）２５とが備えられている。なお、以下においては、駆動ＴＦＴ２２がＰチャネルＴＦＴの場合を例に説明するが、ＮチャネルＴＦＴの場合であっても同様である。【００１６】
選択ＴＦＴ（Ｔ１）２１のゲートＧは走査線Ｙｊに接続され、そのソースＳはデータ線Ｘｉに接続されている。選択ＴＦＴ２１のドレインＤには駆動ＴＦＴ（Ｔ２）２２のゲートＧが接続されている。ＴＦＴ２２のソースＳは電源線Ｚに接続され、電源１６から電源電圧（正電圧Ｖa）が供給される。ＴＦＴ２２のドレインはＥＬ素子２５のアノードに接続されている。ＥＬ素子２５のカソードは所定の電位に接続（本実施例では接地）されている。また、キャパシタ（Ｃｓ）２４の一端（第１の端子；電極Ｅ１）は駆動ＴＦＴのゲート（及び選択ＴＦＴ２１のドレイン）に接続され、他端（第２の端子；電極Ｅ２）は駆動ＴＦＴのソースＳに接続されている。表示パネル１１の走査線Ｙ１〜Ｙｎは走査ドライバ１２に接続され、またデータ線Ｘ１〜Ｘｍはデータドライバ１３に接続されている。【００１７】
コントローラ１５には、映像信号ＤＩ、垂直同期信号Ｖsync、水平同期信号Ｈsync及びシステムクロックＣＬＫが供給される。垂直同期信号Ｖsync、水平同期信号Ｈsync及びシステムクロックＣＬＫを用い、映像信号ＤＩに応じて表示パネル１１を階調駆動制御するために走査制御信号及びデータ制御信号を生成する。走査制御信号は走査ドライバ１２に供給され、データ制御信号はデータドライバ１３に供給される。コントローラ１５は表示装置１０全体の制御、すなわち走査ドライバ１２、データドライバ１３、発光素子駆動電源１６、輝度低下検出器１７及び逆バイアス電圧生成器１８の制御を行う。【００１８】
図５は、有機ＥＬ素子（ＯＥＬ）の駆動時間に対する順方向電圧（Ｖｆ）の変動を例示するグラフである。なお、駆動電流（Ｉ）を一定にしたときの変動を模式的に示している。図５に示すように、有機ＥＬ素子の順方向電圧（Ｖｆ）は駆動時間に応じて変化（増加）する。【００１９】
図６は、有機ＴＦＴの駆動時間に対する電流（ドレイン電流：Iｄ）のシフトを例示するグラフである。グラフの縦軸は、有機ＴＦＴのドレイン電流（Iｄ）を駆動時間が０の時点におけるドレイン電流（Iｄ0）を１（100％）として規格化して示している。横軸は駆動時間ｔ（単位：分）を示している。すなわち、図６に示すように、駆動トランジスタなどに用いられる有機ＴＦＴは、ゲートに順バイアスを印加し続ければドレイン電流は低下する一方であるが（Ｖｒ＝０、鎖線で示している）、逆バイアス電圧を印加することによってドレイン電流の低下を補償することができる。そして、印加する逆バイアス電圧の大きさにより、有機ＴＦＴの閾値電圧（Ｖth）が変化するため（後述する）、表示信号電圧が一定でも、有機ＴＦＴの駆動時間に対するドレイン電流の変動の大きさが変化する。つまり、逆バイアス電圧が大きいほどドレイン電流の低下は少なく、逆バイアス電圧の大きさによっては、ドレイン電流は初期の時点（駆動時間が０）よりも増加する。【００２０】
図７は、逆バイアス電圧（Ｖｒ）をパラメータとした場合の、有機ＴＦＴのゲート電圧（Ｖgs）に対するドレイン電流（Iｄ）を例示するグラフである。具体的には、ゲート電圧（Ｖgs）を−５Ｖとし、逆バイアス電圧（Ｖｒ）をそれぞれ＋２．５Ｖ，＋５Ｖ，＋１０Ｖとして６０分駆動した後のIｄ−Ｖgs曲線を示している。すなわち、図に示されるように、逆バイアス電圧を大きくすると有機ＴＦＴの閾値電圧（Ｖth）が小さくなる方向にシフトし、その結果ドレイン電流（すなわち、有機ＥＬ素子の駆動電流）が増加する。また、これとは反対に、逆バイアス電圧を小さくすると閾値電圧（Ｖth）が大きくなる方向にシフトし、その結果、ドレイン電流が減少する。【００２１】
上記した特性を利用することによって、表示信号電圧を変えることなく、有機ＴＦＴのドレイン電流（有機ＥＬ素子を駆動する電流）を調整することができるので、有機ＥＬ素子の駆動時間に対する輝度変化（低下）を補償することができる。以下に、かかる有機ＴＦＴの特性及び有機ＥＬ素子の特性を利用した駆動方法について具体的に説明する。【００２２】
図８は、実施例１の回路構成を模式的に示す図である。本実施例１においては、上記した輝度低下検出器１７は、有機ＥＬ素子（ＯＥＬ）２５の順方向電圧（Ｖｆ）の変動を検出する順方向電圧検出器として構成されている。すなわち、輝度低下検出器（本実施例において、順方向電圧検出器という。）１７は、表示パネル１１の所定の表示セルＰＬk1,k2（走査線Ｙk1，データ線Ｘk2に関連する表示セル）の有機ＥＬ素子（ＯＥＬ）２５の順方向電圧（Ｖｆ）を検出し、検出電圧を逆バイアス電圧生成器１８に供給する。逆バイアス電圧生成器１８は、検出されたＯＥＬ２５の順方向電圧に応じた大きさの逆バイアス電圧を生成し、コントローラ１５に供給する。より詳細には、本実施例では、ＯＥＬ２５の順方向電圧の増加（初期値からの差分）に比例した大きさの逆バイアス電圧を生成し、有機ＴＦＴ（駆動ＴＦＴ）２２に印加する場合を例に説明する。【００２３】
コントローラ１５は、当該逆バイアス電圧及び逆バイアス電圧を駆動ＴＦＴ２２に印加するための制御信号をデータドライバ１３に供給する。データドライバ１３は、コントローラ１５の制御に基づいて、逆バイアス電圧又はデータ電圧（Ｖdata）をデータ線Ｘｉ（ｉ＝１，２，．．，ｍ）を介して各表示セルに供給する。【００２４】
次に、順方向電圧検出器１７、逆バイアス電圧生成器１８の動作及びコントローラ１５の逆バイアス電圧印加制御について詳細に説明する。図９は、表示パネル１１の各走査線Ｙ１〜Ｙｎに印加される走査パルス及びデータ線Ｘ１〜Ｘｍに印加される電圧タイミングを模式的に示すタイミングチャートである。【００２５】
入力映像データ信号の各映像フレームにおいて、第１〜第ｎ走査線（Ｙ１〜Ｙｎ）には走査パルスＳＰが順次印加され、線順次走査が行われる（アドレス期間：Ｔadr）。まず、走査線Ｙ１に走査パルスＳＰが印加されて走査線Ｙ１が選択される（走査線Ｙ１がＯＮ、選択期間Ｔｓ）と、選択ＴＦＴ２１が導通し、データドライバ１３からデータ線Ｘｉ（ｉ＝１，２，．．，ｍ）に逆バイアス電圧（Ｖｒ）が供給される。従って、当該逆バイアス電圧の供給期間において走査線Ｙ１に接続された表示セルＰＬ1,i（ｉ＝１，２，．．，ｍ）の駆動ＴＦＴ２２のゲートには逆バイアス電圧が印加される（印加期間は一定、かつＴｒ＜Ｔｓ）。逆バイアス電圧の印加期間Ｔｒが経過した後、データドライバ１３からデータ線Ｘｉ（ｉ＝１，２，．．，ｍ）に映像データ信号（データ電圧Ｖdata）がキャパシタ２４の電極Ｅ１に供給される。キャパシタ２４にはデータ電圧Ｖdataに対応する電荷が蓄積され、当該電圧が保持される。そして、駆動ＴＦＴ２２にはゲート電圧Ｖgs（＝Ｖdata−Ｖａ）に応じたドレイン電流が流れる。従って、映像データ信号に応じた輝度で有機発光素子（ＯＥＬ）２５は駆動され、発光する。【００２６】
走査線Ｙ１のデータ書込が終了後（選択期間Ｔｓの経過後）、走査線Ｙ２に走査パルスＳＰが印加されて走査線Ｙ２が選択される（選択期間Ｔｓ）。上記した走査線Ｙ１の場合と同様に、逆バイアス電圧の印加期間Ｔｒにおいて、走査線Ｙ２に接続された表示セルＰＬ2,i（ｉ＝１，２，．．，ｍ）の駆動ＴＦＴ２２のゲートには逆バイアス電圧パルスが印加される。逆バイアス印加期間Ｔｒが経過した後、データドライバ１３からデータ線Ｘｉ（ｉ＝１，２，．．，ｍ）に映像データ信号（データ電圧Ｖdata）が供給され、映像データ信号に応じた輝度で表示セルＰＬ2,i（ｉ＝１，２，．．，ｍ）のＯＥＬ２５は駆動され、発光する。【００２７】
同様に、走査線Ｙｎまで線順次走査が行われ（アドレス期間：Ｔadr）、表示パネル１１の表示セルの全てについて逆バイアス電圧の印加及び映像データ信号に応じた表示制御が行われる。そして、次の画像フレームについても同様な逆バイアス電圧印加及び表示制御が行われる。しかしながら、全てのフレームについて逆バイアス電圧印加を行わず、数フレーム毎に行うようにしてもよい。【００２８】
従って、有機ＥＬ素子（ＯＥＬ）の順方向電圧の増加に比例して駆動ＴＦＴ２２に印加する逆バイアス電圧（すなわち、矩形パルスの電圧値）を大きくすることにより、表示信号電圧を変えずにＯＥＬの駆動電流を増加させることができる。従って、ＯＥＬの経時的な輝度の低下を補償・軽減することができる。【００２９】
なお、上記においては、アドレス期間（書き込み期間）において逆バイアス電圧を印加する場合について説明した。しかしながら、逆バイアス電圧の印加期間は当該書き込み期間に限らない。すなわち、逆バイアス電圧の印加によって有機ＥＬ素子は非発光となるので、有機ＥＬ素子が非発光であってもよい期間であれば逆バイアス電圧を印加することができる。例えば、ブランキング期間や、フレーム間の期間など、を利用することができる。【００３０】
また、上記においては、順方向電圧検出器１７は、表示パネル１１の所定の表示セルＰＬk1,k2の有機ＥＬ素子（ＯＥＬ）２５の順方向電圧を検出する場合を例に説明したが、順方向電圧検出器１７が表示パネル１１の複数のＯＥＬ２５の順方向電圧を検出するように構成するようにしてもよい。また、この場合、これらのＯＥＬ２５の順方向電圧の平均値など所定の統計的な手法により、表示パネル１１全体の輝度低下を補償するように構成することができる。
【実施例２】
【００３１】
上記した実施例１においては、表示パネル１１の所定の表示セルＰＬk1,k2の有機ＥＬ素子（ＯＥＬ）２５の順方向電圧を検出する場合を例に説明した。しかし、本実施例においては、表示パネル１１のＯＥＬ２５とは別にモニタ用のＯＥＬ３２を設け、モニタ用ＯＥＬ３２の順方向電圧を検出するようにしている。図１０は、実施例２の回路構成を模式的に示す図である。【００３２】
より詳細には、図１０に示すように、モニタ用ＯＥＬ３２は、定電流回路３１からの所定の駆動電流で駆動される。輝度低下検出器である順方向電圧検出器１７は、ＯＥＬ３２の順方向電圧（Ｖｆ）を検出し、検出電圧を逆バイアス電圧生成器１８に供給する。逆バイアス電圧生成器１８は、検出されたＯＥＬ３２の順方向電圧に応じた逆バイアス電圧を生成し、コントローラ１５に供給する。コントローラ１５は、当該逆バイアス電圧及び逆バイアス電圧を表示パネル１１のＯＥＬ２５に印加するための制御信号をデータドライバ１３に供給する。データドライバ１３は、コントローラ１５の制御に基づいて、逆バイアス電圧又はデータ電圧（Ｖdata）をデータ線Ｘｉ（ｉ＝１，２，．．，ｍ）を介して各表示セルの駆動ＴＦＴ２２に供給する。なお、表示パネル１１のＯＥＬ２５への逆バイアス電圧印加及びデータ電圧信号の印加動作は上記した実施例１の場合と同様にすることができる。【００３３】
本実施例の場合、順方向電圧の検出基準とするモニタ用のＯＥＬ３２を設け、一定の駆動電流で駆動したときの順方向電圧を検出する構成としている。すなわち、定電流回路３１からの一定電流によってモニタ用ＯＥＬ３２を駆動し、その順方向電圧を検出している。従って、より高精度な順方向電圧を基準とでき、表示パネル１１全体の表示セルの輝度低下をより反映した高精度な輝度低下補償を行うことができる。なお、ＯＥＬ３２の駆動電流は設定された固定電流でもよく、あるいは、表示信号に応じた電流であってもよい。
【実施例３】
【００３４】
上記した実施例１、２においては、逆バイアス印加期間（Ｔr）を一定とし、有機ＥＬ素子（ＯＥＬ）の順方向電圧（Ｖｆ）に応じた大きさの逆バイアス電圧を印加する場合について説明した。しかしながら、逆バイアス電圧の大きさを一定とし、有機ＥＬ素子の順方向電圧（Ｖｆ）に応じて、逆バイアス電圧の印加期間（あるいは、逆バイアス電圧パルス幅）を調整するようにしてもよい。【００３５】
図１１は図９と同様な、走査線に印加される走査パルス及びデータ線Ｘｊ（ｊ＝１〜ｍ）に印加される電圧タイミングを模式的に示すタイミングチャートであるが、説明及び理解の容易さのため、第ｋ走査線Ｙｋ（ｋ＝１〜ｎ）についてのみ示している。【００３６】
本実施例においては、逆バイアス電圧生成器１８は、検出された有機ＥＬ素子（ＯＥＬ）の順方向電圧に応じた印加期間（Ｔr1、逆バイアス電圧のパルス幅）で逆バイアス電圧（Ｖr1）を駆動ＴＦＴ２２に印加するよう構成されている。具体的には、例えば、実施例１の場合と同じ逆バイアス印加効果を得る場合には、本実施例においては逆バイアス電圧（Ｖr1）を一定とし、逆バイアス電圧（Ｖr1）の大きさを実施例１の場合（Ｖr）よりも小さくする一方、逆バイアス印加期間（Ｔr1）を実施例１の場合（Ｔr）よりも長くするように調整すればよい。また、これとは逆に、本実施例の逆バイアス電圧（Ｖr1）の大きさを実施例１の場合（Ｖr）よりも大きくし、代わりに、逆バイアス印加期間（Ｔr1）を実施例１の場合（Ｔr）よりも短くするように調整すればよい。
【実施例４】
【００３７】
本発明はカラーディスプレイ装置にも適用することができる。図１２は、本実施例のカラー表示装置１０の構成を模式的に示している。すなわち、１の走査線Ｙｋ上に赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）の３つの表示セルからなる画素が順次配置されている。具体的には、画素（ＰＬk,1R，ＰＬk,1G，ＰＬk,1B），（ＰＬk,2R，ＰＬk,2G，ＰＬk,2B），・・・，（ＰＬk,mB，ＰＬk,mB，ＰＬk,mB）が順次配置されている。【００３８】
本実施例において、順方向電圧検出器１７は、表示パネル１１の所定画素の表示セル（ＰＬk1,k2R，ＰＬk1,k2G，ＰＬk1,k2B）の有機ＥＬ素子（ＯＥＬ）２５の順方向電圧（ＶfR，ＶfG，ＶBf）を検出し、検出電圧を逆バイアス電圧生成器１８に供給する。逆バイアス電圧生成器１８は、検出されたＯＥＬ２５の順方向電圧（ＶfR，ＶfG，ＶBf）に応じた大きさの逆バイアス電圧（ＶrR，ＶrG，Ｖrf）を生成し、コントローラ１５に供給する。そして、データドライバ１３はコントローラ１５の制御に基づき、各走査線Ｙ１〜Ｙｎの走査に応じて、当該逆バイアス電圧（ＶrR，ＶrG，Ｖrf）を、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応するデータ線（Ｘ1R，Ｘ1G，Ｘ1B）〜（ＸmR，ＸmG，ＸmB）を介して各表示セルに供給する。【００３９】
すなわち、本実施例では、Ｒ，Ｇ，Ｂ各色のＯＥＬ２５の順方向電圧の増加に比例した大きさの逆バイアス電圧を生成し、Ｒ，Ｇ，Ｂ各色のＯＥＬ２５に対応する有機ＴＦＴ（駆動ＴＦＴ）２２に印加するように構成されている。【００４０】
本実施例によれば、Ｒ，Ｇ，Ｂ各色のＯＥＬ２５の駆動電流を表示信号電圧を変えずに増加させることができる。従って、各色のＯＥＬの輝度劣化が異なる場合であっても、各色ごとに輝度の低下を補償・軽減することができる。すなわち、各色ごとに輝度低下の補償を行うことができるので、輝度劣化の無い、かつ演色性に優れたカラーディスプレイ装置を提供することができる。【００４１】
上記した実施例においては、有機ＥＬ素子（ＯＥＬ）の輝度低下を検出するために、有機ＥＬ素子の順方向電圧を検出する場合を例に説明したが、これに限らない。例えば、以下のような改変例が挙げられる。
（Ａ１）上記したように、有機ＥＬ素子は駆動時間と共に輝度が低下するので、表示パネル１１、すなわち有機ＥＬ素子の累積駆動時間に基づいて、逆バイアス電圧の大きさ、印加期間等を変えるように構成してもよい。この場合、輝度低下検出器１７が表示パネル１１の有機ＥＬ素子の累積駆動時間を算出する回路として構成することができる。
（Ａ２）有機ＥＬ素子の輝度低下の直接的な方法として、有機ＥＬ素子の発光輝度を検出する受光素子を設け、当該検出された輝度低下に基づいて、逆バイアス電圧の大きさ、印加期間等を変えるように構成してもよい。
（Ａ３）上記した実施例においては、有機ＥＬ素子の順方向電圧の増加に比例して、印加する逆バイアス電圧の大きさ、印加期間等を定める場合について説明したが、これに限らない。例えば、有機ＥＬ素子の順方向電圧の大きさに対する逆バイアス電圧の大きさが非線形（スーパリニア、又はサブリニア）であるように定めてもよい。要は、有機ＥＬ素子の輝度低下（順方向電圧の変化）分が、逆バイアス電圧印加による駆動ＴＦＴのドレイン電流の増加によって補償されるように定めればよい。【００４２】
さらに、上記した実施例及び改変例は適宜組み合わせて、及び改変して適用することができるのはもちろんである。例えば、実施例２をカラーディスプレイ装置（実施例４）の場合に適用し、Ｒ，Ｇ，Ｂ各色のモニタ用ＯＥＬを個別に設けるように構成することができる。この場合、専用のモニタ用ＯＥＬを用いているため、高精度に輝度低下（順方向電圧変化）を検出でき、かつ演色性に優れたカラーディスプレイ装置を実現することができる。【００４３】
また、有機ＥＬ素子の輝度低下に応じて、逆バイアス電圧の大きさ及び印加期間（あるいは、逆バイアス電圧パルスの電圧値及びパルス幅）の両者を調整するようにしてもよい。この場合、高精度かつ大きなダイナミックレンジで輝度低下の補償が可能となる。【００４４】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、有機ＥＬ素子の経時的な輝度低下を検出して、当該輝度低下の大きさに応じて有機ＥＬ素子を駆動する駆動ＴＦＴに印加する逆バイアス電圧を調整している。すなわち、逆バイアス電圧の調整を行い、輝度低下の大きさに応じて有機ＥＬ素子を駆動する駆動電流を増加させて、有機ＥＬ素子の経時的な輝度低下を補償・軽減している。【００４５】
従って、有機ＥＬディスプレイにおける有機ＥＬ素子の経時的な輝度低下を高精度に補償し、信頼性の高い有機ＥＬディスプレイを提供することができる。また、信頼性かつ演色性に優れたカラーディスプレイ装置を提供することができる。
【主要部分の符号の説明】
【００４６】
１０  表示装置
１１  表示パネル
１２  走査ドライバ
１３  データドライバ
１５  コントローラ
１６  発光素子駆動電源
１７  輝度低下検出器
１８  逆バイアス電圧生成器
２１  選択ＴＦＴ
２２  駆動ＴＦＴ
２４  保持キャパシタ
２５  有機ＥＬ素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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