(57)【要約】  下面フィルム（１０）と、ＴＦＴ層（４）と、発光素子層（５）とを備える表示デバイス（２）であって、前記下面フィルムよりも上層で前記ＴＦＴ層よりも下層に樹脂層（１２）が設けられ、前記樹脂層の下面に第１領域および第２領域が含まれ、前記第２領域が、前記第１領域よりも単位面積当たりの炭化物の量が大きい炭化物パターン（ＣＰ）とされている。
2018179332.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下面フィルムと、ＴＦＴ層と、発光素子層とを備える表示デバイスであって、
前記下面フィルムよりも上層で前記ＴＦＴ層よりも下層に樹脂層が設けられ、
前記樹脂層の下面に第１領域および第２領域が含まれ、前記第２領域が、前記第１領域よりも単位面積当たりの炭化物の量が大きい炭化物パターンとされている表示デバイス。
【請求項２】
前記樹脂層の下面には、平面視において前記発光素子層と重なる第１重畳部が含まれ、
前記炭化物パターンが前記重畳部に形成されている請求項１に記載の表示デバイス。
【請求項３】
前記炭化物パターンがストライプ状あるいはマトリクス状である請求項２に記載の表示デバイス。
【請求項４】
前記樹脂層の下面には、平面視において前記発光素子層と重なる第１重畳部が含まれ、
前記炭化物パターンが、前記重畳部を取り囲むように形成されている請求項１に記載の表示デバイス。
【請求項５】
前記ＴＦＴ層の端部に端子部を備え、
前記樹脂層の下面には、平面視において前記端子部と重なる第２重畳部が含まれ、
前記炭化物パターンが、前記第２重畳部を取り囲むように形成されている請求項１に記載の表示デバイス。
【請求項６】
前記樹脂層の下面には、平面視において前記端子部と重なる第２重畳部が含まれ、
前記炭化物パターンが、前記第２重畳部に形成されている請求項１に記載の表示デバイス。
【請求項７】
前記発光素子層よりも上層に無機封止膜を備え、
前記ＴＦＴ層は、前記無機封止膜と重ならないように設けられた端子部と、前記端子部からアクティブ領域側へ伸びる端子配線とを備え、
平面視においては、前記端子部と前記無機封止膜のエッジとの間隙に形成された前記炭化物パターンが、前記端子配線と交わる請求項１〜６のいずれか１項に記載の表示デバイス。
【請求項８】
前記下面フィルムは、前記間隙および前記炭化物パターンと重なる部分が除去されている請求項７記載の表示デバイス。
【請求項９】
前記端子部が下側を向くように折り曲げられている請求項８記載の表示デバイス。
【請求項１０】
前記炭化物パターンは、有機物のレーザアブレーション痕である請求項１〜９のいずれか１項に記載の表示デバイス。
【請求項１１】
前記樹脂層がポリイミドを含む請求項１〜１０のいずれか１項に記載の表示デバイス。
【請求項１２】
基板上に樹脂層、ＴＦＴ層、および発光素子層を含む積層体を形成した後、基板裏面から樹脂層の下面にレーザを照射して積層体から基板を剥離する表示デバイスの製造方法であって、
前記樹脂層の下面の第１領域および第２領域に、互いに照射条件が異なるようにレーザを照射することで、前記第２領域を、前記第１領域よりも単位面積当たりの炭化物の量が大きい炭化物パターンとする表示デバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記照射条件は、照射回数である請求項１２に記載の表示デバイスの製造方法。
【請求項１４】
前記照射条件は、照射強度である請求項１２に記載の表示デバイスの製造方法。
【請求項１５】
前記炭化物パターンに合わせて照射のオーバーラップ率を設定する請求項１２または１３に記載の表示デバイスの製造方法。
【請求項１６】
前記樹脂層の下面を第１方向にレーザ走査した後に前記積層体を回転させ、前記第１方向と直交する第２方向にレーザ走査する請求項１２〜１５のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
【請求項１７】
前記基板を剥離して前記樹脂層の下面に下面フィルムを貼り付けた後、各個片に対応する切り出し線で分断を行い、複数の個片を切り出す請求項１２〜１６のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
【請求項１８】
前記第２領域は、隣り合う２つの個片の一方に対応する切りだし線と、他方に対応する切りだし線との間隙に含まれる請求項１７記載の表示デバイスの製造方法。
【請求項１９】
基板上に樹脂層、ＴＦＴ層、および発光素子層を含む積層体を形成した後、基板裏面から樹脂層の下面にレーザを照射して積層体から基板を剥離する表示デバイスの製造装置であって、
前記樹脂層の下面の第１領域および第２領域に、互いに照射条件が異なるようにレーザを照射することで、前記第２領域を、前記第１領域よりも単位面積当たりの炭化物の量が大きい炭化物パターンとする表示デバイスの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＥＬ素子を含む表示デバイスを製造する場合、例えば、ガラス基板上に、樹脂層、ＴＦＴ層、発光素子層等を含む積層体を形成し、ガラス基板の裏面から樹脂層の下面にレーザを照射してガラス基板を剥離し、樹脂層の下面にフィルムを貼り付ける。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３４９５４３号公報（２００４年１２月９日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
樹脂層の下面にレーザを照射してガラス基板を剥離し、樹脂層の下面にフィルムを貼り付ける工程で積層体が帯電し、発光素子層に悪影響を及ぼすおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様に係る表示デバイスは、下面フィルムと、ＴＦＴ層と、発光素子層とを備える表示デバイスであって、前記下面フィルムよりも上層で前記ＴＦＴ層よりも下層に樹脂層が設けられ、前記樹脂層の下面に第１領域および第２領域が含まれ、前記第２領域が、前記第１領域よりも単位面積当たりの炭化物の量が大きい炭化物パターンとされている。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の一態様によれば、樹脂層の下面に形成された炭化物パターンによって表示デバイスの帯電を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図２】（ａ）は表示デバイスの形成途中の構成（基板に積層体を形成した状態）を示す断面図であり、（ｂ）は表示デバイスの構例を示す断面図である。
【図３】本実施形態の表示デバイスの形成途中の構成（基板に積層体を形成した状態）を示す平面図である。
【図４】実施形態１の表示デバイスの形成途中の構成（樹脂層に炭化物パターンを形成した状態）を示す平面図（基板裏面から視た透視平面図）である。
【図５】（ａ）は、実施形態１における樹脂層へのレーザ照射方法を示す模式図であり、（ｂ）は、炭化物パターンを示す平面図である。
【図６】実施形態１におけるレーザ照射方法の別例を示す模式図である。
【図７】（ａ）（ｂ）は、実施形態１におけるレーザ照射方法のさらなる別例を示す模式図であり、（ｃ）は、（ｂ）に示す各ショットの強度分布であり、（ｄ）は、（ａ）（ｂ）に示すレーザ照射によって形成される炭化物パターンＣＰを示す模式図である。
【図８】（ａ）（ｂ）は、実施形態１におけるレーザ照射方法のさらなる別例を示す模式図であり、（ｃ）は、（ｂ）に示す各ショットの強度分布であり、（ｄ）は、（ａ）（ｂ）に示すレーザ照射によって形成される炭化物パターンＣＰを示す模式図である。
【図９】実施形態１における炭化物パターンの別例を示す模式図である。
【図１０】本実施形態の表示デバイス製造装置の構成を示すブロック図である。
【図１１】実施形態２の表示デバイスの形成途中の構成（樹脂層に炭化物パターンを形成した構成）を示す平面図（基板裏面から視た透視平面図）である。
【図１２】実施形態３の表示デバイスの形成途中の構成（樹脂層に炭化物パターンを形成した構成）を示す平面図（基板裏面から視た透視平面図）である。
【図１３】実施形態４の表示デバイスの形成途中の構成（樹脂層に炭化物パターンを形成した構成）を示す平面図（基板裏面から視た透視平面図）である。
【図１４】実施形態５の表示デバイスの形成途中の構成（樹脂層に炭化物パターンを形成した構成）を示す平面図（基板裏面から視た透視平面図）である。
【図１５】実施形態６の表示デバイスの形成途中の構成（樹脂層に炭化物パターンを形成した構成）を示す平面図（基板裏面から視た透視平面図）である。
【図１６】図１５の一部の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
図１は、表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。図２（ａ）は表示デバイスの形成途中の構成（基板に積層体を形成した状態）を示す断面図であり、図２（ｂ）は表示デバイスの構例を示す断面図である。図３は、表示デバイスの形成途中の構成（基板に積層体を形成した状態）を示す平面図である。
【０００９】
フレキシブルな表示デバイスを製造する場合、図１、図２（ａ）および図３に示すように、まず、透光性の基板５０（例えば、マザーガラス）上に樹脂層１２を形成する（ステップＳ１）。次いで、無機バリア膜３を形成する（ステップＳ２）。次いで、ＴＦＴ層４を形成する（ステップＳ３）。次いで、発光素子層（例えば、ＯＬＥＤ素子層）５を形成する（ステップＳ４）。次いで、封止層６を形成する（ステップＳ５）。次いで、封止層６上に接着層８を介して上面フィルム９（例えば、ＰＥＴフィルム）を貼り付ける（ステップＳ６）。
【００１０】
次いで、基板５０越しに樹脂層１２の下面にレーザ光を照射する（ステップＳ７）。ここでは、基板５０の下面に照射され、基板５０を透過したレーザ光を樹脂層１２が吸収することで、樹脂層１２の下面（基板５０との界面）がアブレーションによって変質し、樹脂層１２およびマザー基板５０間の結合力が低下する。次いで、基板５０を樹脂層１２から剥離する（ステップＳ８）。次いで、図２（ｂ）に示すように、樹脂層１２の下面に、接着層１１を介して下面フィルム１０（例えばＰＥＴフィルム）を貼り付ける（ステップＳ９）。次いで、下面フィルム１０、樹脂層１２、バリア層３、ＴＦＴ層４、発光素子層５、封止層６および上面フィルム９を含む積層体を切り出し線ＤＬで分断し、複数の個片を切り出す（ステップＳ１０）。次いで、個片から上面シート９の一部（端子部４４上の部分）を剥離する端子出しを行う（ステップＳ１１）。次いで、個片の封止層６の上側に接着層３８を介して機能フィルム３９を貼り付ける（ステップＳ１２）。次いで、個片の端子部４４に異方性導電材５１を介して電子回路基板６０を実装する（ステップＳ１３）。これにより、図２（ｂ）に示す表示デバイス２を得る。なお、前記各ステップは表示デバイスの製造装置が行う。
【００１１】
樹脂層１２の材料としては、例えば、ポリイミド、エポキシ、ポリアミド等が挙げられる。下面フィルム１０の材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が挙げられる。
【００１２】
バリア層３は、表示デバイスの使用時に、水分や不純物が、ＴＦＴ層４や発光素子層５に到達することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
【００１３】
ＴＦＴ層４は、半導体膜１５と、半導体膜１５よりも上側に形成される無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）と、ゲート絶縁膜１６よりも上側に形成されるゲート電極Ｇと、ゲート電極Ｇよりも上側に形成される無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜１８よりも上側に形成される容量配線Ｃと、容量配線Ｃよりも上側に形成される無機絶縁膜２０と、無機絶縁膜２０よりも上側に形成される、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄと、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄよりも上側に形成される平坦化膜２１とを含む。
【００１４】
半導体膜１５、無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）、ゲート電極Ｇを含むように薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が構成される。ソース電極Ｓは半導体膜１５のソース領域に接続され、ドレイン電極Ｄは半導体膜１５のドレイン領域に接続される。
【００１５】
半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体で構成される。ゲート絶縁膜１６は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。ゲート電極Ｇ、ソース配線Ｓ、ドレイン配線Ｄ、および端子は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。なお、図２では、半導体膜１５をチャネルとするＴＦＴがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい（例えば、ＴＦＴのチャネルが酸化物半導体の場合）。
【００１６】
無機絶縁膜１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。平坦化膜（層間絶縁膜）２１は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
【００１７】
ＴＦＴ層４の端部（発光素子層５と重ならない非アクティブ領域ＮＡ）には端子部４４が設けられる。端子部４４は、ＩＣチップ、ＦＰＣ等の電子回路基板６０との接続に用いられる端子ＴＭと、これに接続される端子配線ＴＷとを含む。端子配線ＴＷは、中継配線ＬＷおよび引き出し配線ＤＷを介してＴＦＴ層４の各種配線と電気的に接続される。
【００１８】
端子ＴＭ、端子配線ＴＷおよび引き出し配線ＤＷは、例えばソース電極Ｓと同一工程で形成されるため、ソース電極Ｓと同層（無機絶縁膜２０上）にかつ同材料（例えば、２枚のチタン膜およびこれらにサンドされたアルミニウム膜）で形成される。中継配線ＬＷは例えば容量電極Ｃと同一工程で形成される。端子ＴＭ、端子配線ＴＷおよび引き出し配線ＤＷの端面（エッジ）は平坦化膜２１で覆われている。
【００１９】
発光素子層５（例えば、有機発光ダイオード層）は、平坦化膜２１よりも上側に形成されるアノード電極２２と、アクティブ領域ＤＡ（（発光素子層５と重なる領域）のサブピクセルを規定するバンク２３と、アノード電極２２よりも上側に形成されるＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層２４と、ＥＬ層２４よりも上側に形成されるカソード電極２５とを含み、アノード電極２２、ＥＬ層２４、およびカソード電極２５によって発光素子（例えば、有機発光ダイオード：ＯＬＥＤ）が構成される。
【００２０】
ＥＬ層２４は、蒸着法あるいはインクジェット法によって、バンク（隔壁）２３によって囲まれた領域（サブピクセル領域）に形成される。発光素子層５が有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）層である場合、ＥＬ層２４は、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。
【００２１】
アノード電極（陽極）２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する（後に詳述）。カソード電極２５は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zincum Oxide）等の透光性の導電材で構成することができる。
【００２２】
発光素子層５がＯＬＥＤ層である場合、アノード電極２２およびカソード電極２５間の駆動電流によって正孔と電子がＥＬ層２４内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に落ちることによって、光が放出される。カソード電極２５が透光性であり、アノード電極２２が光反射性であるため、ＥＬ層２４から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。
【００２３】
発光素子層５は、ＯＬＥＤ素子を構成する場合に限られず、無機発光ダイオードあるいは量子ドット発光ダイオードを構成してもよい。
【００２４】
非アクティブ領域ＮＡには、有機封止膜２７のエッジを規定する凸体Ｔａと凸体Ｔｂとが形成される。凸体Ｔａは、有機封止膜２７をインクジェット塗付する際の液止めとして機能し、凸体Ｔｂは予備の液止めとして機能する。なお、凸体Ｔｂの下部は平坦化膜２１で構成され、引き出し配線ＤＷの端面の保護膜として機能する。バンク２３、凸体Ｔａおよび凸体Ｔｂの上部は、ポリイミド、エポキシ、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料を用いて、例えば同一工程で形成することができる。
【００２５】
封止層６は透光性であり、カソード電極２５を覆う第１無機封止膜２６と、第１無機封止膜２６よりも上側に形成される有機封止膜２７と、有機封止膜２７を覆う第２無機封止膜２８とを含む。
【００２６】
第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８はそれぞれ、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜２７は、第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８よりも厚い、透光性有機膜であり、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。例えば、このような有機材料を含むインクを第１無機封止膜２６上にインクジェット塗布した後、ＵＶ照射により硬化させる。封止層６は、発光素子層５を覆い、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防いでいる。
【００２７】
なお、上面フィルム９は、接着剤８を介して封止層６上に貼り付けられ、基板５０の剥離時には支持材としても機能する。上面フィルム９の材料としては、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等が挙げられる。
【００２８】
下面フィルム１０は、ＰＥＴ等で構成され、基板５０を剥離した後に樹脂層１２の下面に貼り付けられることで、支持材、保護材として機能とする。
【００２９】
機能フィルム３９は、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能等を有する。電子回路基板６０は、例えば、複数の端子ＴＭ上に実装されるＩＣチップあるいはフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）である。
【００３０】
以上、フレキシブルな表示デバイスを製造する場合について説明したが、非フレキシブルな表示デバイスを製造する場合は、基板剥離等が不要であるため、例えば、図１のステップＳ６からステップＳ１０に移行する。
【００３１】
本実施形態では、図２（ｂ）に示すように、図１のステップＳ７において、樹脂層１２の下面に、除電層、または基板５０との密着性調整層、あるいは下面フィルム１０との接着性調整層として機能する炭化物パターンＣＰが形成される。
【００３２】
〔実施形態１〕
図４は、実施形態１の表示デバイスの形成途中の構成（樹脂層に炭化物パターンを形成した状態）を示す平面図（基板裏面から視た透視平面図）である。図５（ａ）は、実施形態１における樹脂層へのレーザ照射方法を示す模式図であり、図５（ｂ）は、炭化物パターンを示す平面図である。
【００３３】
実施形態１では、図４・図５に示すように、基板５０（例えば、ガラス基板）上に、樹脂層１２、ＴＦＴ層４、および発光素子層５を含む積層体を形成した後、基板５０の裏面から、樹脂層１２の下面の第１領域Ｒａおよび第２領域Ｒｂに、照射条件が異なるようにレーザを照射する。具体的には、第２領域Ｒｂでは第１領域Ｒａよりもレーザの照射強度を高めることで、第２領域Ｒｂを、第１領域Ｒａよりも単位面積当たりの炭化物の量（例えば、質量、膜厚）が大きい炭化物パターンＣＰとする。
【００３４】
第２領域Ｒｂは、樹脂層１２の下面における発光素子層５との重畳部１２ｄに含まれ、図中ｘ方向を横方向としたときの横ストライプ形状としている。このため、図５（ｂ）に示すように、第２領域Ｒｂに形成される炭化物パターンＣＰも、ｘ方向を横方向としたときの横ストライプ形状となる。
【００３５】
図５（ａ）のレーザ装置７７は、ｘ方向に伸びる長尺状のビーム（第１照射強度）を間欠的にショットしながら第１領域Ｒａのｙ方向の一端から他端まで（ｙ方向に）走査し、次いで、長尺状のビーム（第２照射強度＞第１照射強度）を間欠的にショットしながら第２領域Ｒｂのｙ方向の一端から他端まで（ｙ方向に）走査する。なお、上記のようにレーザ装置７７を移動させてもよいし、レーザ装置７７を動かさずに、基板５０および樹脂層１２を含む積層体を移動させてもよい。なお、第１照射強度については、例えば、第１領域Ｒａと基板５０との分離が可能となる最小値とすることができる。第２照射強度については、例えば、除電層あるいは接着調整層としての機能を考慮して設定すればよい。
【００３６】
このように、樹脂層１２の下面における発光素子層５との重畳部１２ｄに、横ストライプ形状の炭化物パターンＣＰを形成することで、図１のステップＳ８〜Ｓ９における積層体への帯電を抑えることができる。炭化物パターンＣＰは、ｙ方向に伸びる縦ストライプでもよい。レーザ装置７７の光源には、例えば、固定レーザやエキシマレーザを用いることができる。
【００３７】
図６は、実施形態１におけるレーザ照射方法の別例を示す模式図である。図６（ａ）のレーザ装置７７は、ｘ方向に伸びる長尺状のビーム（第１照射強度）を間欠的にショットしながら、樹脂層１２の下面における発光素子層５との重畳部１２ｄの一端から他端まで（ｙ方向に）走査し、その後、第１領域ＲａをマスクＭｐで覆った状態で、ｘ方向に伸びる長尺状のビーム（第１照射強度）を間欠的にショットしながら、樹脂層１２の下面における発光素子層５との重畳部１２ｄの一端から他端まで（ｙ方向に）走査する。このように、第２領域Ｒｂの照射回数を第１領域Ｒａの照射回数よりも多くすることで、第２領域Ｒｂを、図５（ｂ）に示す炭化物パターンＣＰとすることができる。
【００３８】
図７（ａ）（ｂ）は、実施形態１におけるレーザ照射方法のさらなる別例を示す模式図であり、図７（ｃ）は、図７（ｂ）に示す各ショットの強度分布であり、図７（ｄ）は、図７（ａ）（ｂ）のレーザ照射によって形成される炭化物パターンＣＰを示す模式図である。図７（ａ）のレーザ装置７７は、ｘ方向に伸びる長尺状のビームを、間欠的にショット（各ショットの照射強度は同一）しながら、樹脂層１２の下面における発光素子層５との重畳部１２ｄの一端から他端まで（ｙ方向に）走査する。走査は１回で足りる。ここでは、図７（ｂ）のように、各ショット領域ｓｈａのオーバーラップ率を５０％未満としている。このように、第２領域Ｒｂの照射回数（２回）が第１領域Ｒａの照射回数（１回）よりも多くなるようにオーバーラップ率を設定することで、第２領域Ｒｂを、図７（ｄ）に示す炭化物パターンＣＰとすることができる。なお、図７（ｃ）のようなトップハット型の強度分布は、例えばエキシマレーザにより得ることができる。各ショット領域ｓｈａのｙ方向の幅は、例えば２０〜４０μｍである。
【００３９】
オーバーラップ率を調整するには、例えば、レーザ装置７７の繰り返し周波数（単位時間当たりのショット数）あるいは走査速度を変えればよい。例えば、繰り返し周波数を変えずに走査速度を落とすことでオーバーラップ率を高めことができる。図８（ａ）〜（ｃ）に示すように、各ショット領域ｓｈａのオーバーラップ率を５０％以上として走査を１回行うことで、図７（ｄ）に示す炭化物パターンＣＰを得ることができる。
【００４０】
例えば、図５〜図８の構成によって樹脂層１２の下面における発光素子層５との重畳部１２ｄの一端から他端まで（ｙ方向に）走査し、次いで、樹脂層１２を含む積層体を９０度回転させて、樹脂層１２の下面における発光素子層５との重畳部１２ｄの一端から他端まで（ｘ方向に）走査することで、第２領域Ｒｂを、図９に示すマトリクス状の炭化物パターンＣＰとすることができる。
【００４１】
なお、図１０に示すように、表示デバイス製造装置７０は、成膜装置７６と、レーザ装置７７を含む剥離装置８０と、これらの装置を制御するコントローラ７２とを含んでおり、コントローラ７２の制御を受けた剥離装置８０が図１のステップＳ７〜ステップＳ８を行う。
【００４２】
〔実施形態２〕
図１１は、実施形態２の表示デバイスの形成途中の構成（樹脂層に炭化物パターンを形成した構成）を示す平面図（基板裏面から視た透視平面図）である。図１１に示すように、第２領域Ｒｂを、樹脂層１２の下面における発光素子層５との重畳部１２ｄを取り囲む形状とし、第２領域Ｒｂを炭化物パターンＣＰとしてもよい。こうすれば、除電効果に加えて、基板５０との密着性低減効果を奏し、基板５０の剥離の際にアクティブ領域ＤＡに皺等が生じ難くなる。
【００４３】
〔実施形態３〕
図１２は、実施形態３の表示デバイスの形成途中の構成（樹脂層に炭化物パターンを形成した構成）を示す平面図（基板裏面から視た透視平面図）である。図１２に示すように、第２領域Ｒｂを、樹脂層１２の下面における端子部４４との重畳部１２ｔを取り囲む形状とし、第２領域Ｒｂを炭化物パターンＣＰとしてもよい。こうすれば、除電効果に加えて、基板５０との密着性低減効果を奏し、基板５０の剥離の際に端子部４４に皺等が生じ難くなる。
【００４４】
〔実施形態４〕
図１３は、実施形態４の表示デバイスの形成途中の構成（樹脂層に炭化物パターンを形成した構成）を示す平面図（基板裏面から視た透視平面図）である。図１３に示すように、第２領域Ｒｂを、樹脂層１２の下面における端子部４４との重畳部１２ｔとし、第２領域Ｒｂを炭化物パターンＣＰとしてもよい。こうすれば、除電効果に加えて、下面フィルム１０との接着性低減効果を奏し、例えば、端子部４４を裏面側に折り曲げる場合に、下面フィルム１０の端子部４４と重なる部分を除去し易くなる。また、下面フィルム１０を付けたまま端子部４４を折り曲げる場合でも、下面フィルム１０と樹脂層１２の接着性が小さいため、曲げ応力が小さくなるというメリットがある。
【００４５】
なお、炭化物パターンＣＰのエッジを切り出し線ＤＬに合わせなくてもよく、例えば図１３（ｂ）のように、炭化物パターンＣＰを、横方向（端子が並ぶ方向）に並ぶ複数の個片領域を横切るように形成してもよい。
【００４６】
〔実施形態５〕
図１４は、実施形態５の表示デバイスの形成途中の構成（樹脂層に炭化物パターンを形成した構成）を示す平面図（基板裏面から視た透視平面図）である。図１４に示すように、第２領域Ｒｂを、隣り合う２つの個片の一方に対応する切りだし線ＤＬと、他方に対応する切りだし線ＤＬとの間隙領域とし、第２領域Ｒｂを炭化物パターンＣＰとしてもよい。こうすれば、除電効果に加えて、基板５０との密着性低減効果を奏し、樹脂層から基板５０を剥離し易くなるというメリットがある。
【００４７】
〔実施形態６〕
図１５は、実施形態６の表示デバイスの形成途中の構成（樹脂層に炭化物パターンを形成した構成）を示す平面図（基板裏面から視た透視平面図）である。図１６は、図１５の一部の断面図である。
【００４８】
図１５・図１６に示すように、発光素子層５を覆うように第２無機封止膜２８を形成し、ＴＦＴ層４には、第２無機封止膜２８と重ならない端子部４４と、端子部４４からアクティブ領域（表示部）ＤＡ側へ伸びる端子配線ＴＷとを形成し、平面視における端子部４４と第２無機封止膜１８のエッジとの間隙に炭化物パターンＣＰを形成してもよい。この場合、炭化物パターンＣＰは端子配線ＴＷと交差する。こうすれば、下面フィルム１０において、前記間隙および炭化物パターンＣＰと重なる部分の接着性が低下し、この部分が除去し易くなるため、下面フィルム１０のこの部分を（局所的に）除去し、端子部４４が下側を向くように折り曲げる構成（狭額縁化構成）に好適となる。
【００４９】
なお、炭化物パターンＣＰのエッジを切り出し線ＤＬに合わせなくてもよく、例えば図１５（ｂ）のように、炭化物パターンＣＰを、横方向（端子が並ぶ方向）に並ぶ複数の個片領域（切り出し線ＤＬで囲まれた領域）を横切るように形成してもよい。
【００５０】
本実施形態にかかる表示デバイスが備える電気光学素子（電流によって輝度や透過率が制御される電気光学素子）は特に限定されるものではない。本実施形態にかかる表示装置としては、例えば、電気光学素子としてＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えた有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、電気光学素子として無機発光ダイオードを備えた無機ＥＬディスプレイ、電気光学素子としてＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えたＱＬＥＤディスプレイ等が挙げられる。
【００５１】
〔まとめ〕
態様１：下面フィルムと、ＴＦＴ層と、発光素子層とを備える表示デバイスであって、前記下面フィルムよりも上層で前記ＴＦＴ層よりも下層に樹脂層が設けられ、前記樹脂層の下面に第１領域および第２領域が含まれ、前記第２領域が、前記第１領域よりも単位面積当たりの炭化物の量が大きい炭化物パターンとされている表示デバイス。
【００５２】
態様２：前記樹脂層の下面には、平面視において前記発光素子層と重なる第１重畳部が含まれ、前記炭化物パターンが前記重畳部に形成されている例えば態様１に記載の表示デバイス。
【００５３】
態様３：前記炭化物パターンがストライプ状あるいはマトリクス状である例えば態様２に記載の表示デバイス。
【００５４】
態様４：前記樹脂層の下面には、平面視において前記発光素子層と重なる第１重畳部が含まれ、前記炭化物パターンが、前記重畳部を取り囲むように形成されている例えば態様１に記載の表示デバイス。
【００５５】
態様５：前記ＴＦＴ層の端部に端子部を備え、前記樹脂層の下面には、平面視において前記端子部と重なる第２重畳部が含まれ、前記炭化物パターンが、前記第２重畳部を取り囲むように形成されている例えば態様１に記載の表示デバイス。
【００５６】
態様６：前記樹脂層の下面には、平面視において前記端子部と重なる第２重畳部が含まれ、前記炭化物パターンが、前記第２重畳部に形成されている例えば態様１に記載の表示デバイス。
【００５７】
態様７：前記発光素子層よりも上層に無機封止膜を備え、前記ＴＦＴ層は、前記無機封止膜と重ならないように設けられた端子部と、前記端子部からアクティブ領域側へ伸びる端子配線とを備え、平面視においては、前記端子部と前記無機封止膜のエッジとの間隙に形成された前記炭化物パターンが、前記端子配線と交わる例えば態様１〜６のいずれか１項に記載の表示デバイス。
【００５８】
態様８：前記下面フィルムは、前記間隙および前記炭化物パターンと重なる部分が除去されている例えば態様７記載の表示デバイス。
【００５９】
態様９：前記端子部が下側を向くように折り曲げられている例えば態様８記載の表示デバイス。
【００６０】
態様１０：前記炭化物パターンは、有機物のレーザアブレーション痕である例えば態様１〜９のいずれか１項に記載の表示デバイス。
【００６１】
態様１１：前記樹脂層がポリイミドを含む例えば態様１〜１０のいずれか１項に記載の表示デバイス。
【００６２】
態様１２：基板上に樹脂層、ＴＦＴ層、および発光素子層を含む積層体を形成した後、基板裏面から樹脂層の下面にレーザを照射して積層体から基板を剥離する表示デバイスの製造方法であって、前記樹脂層の下面の第１領域および第２領域に、互いに照射条件が異なるようにレーザを照射することで、前記第２領域を、前記第１領域よりも単位面積当たりの炭化物の量が大きい炭化物パターンとする表示デバイスの製造方法。
【００６３】
態様１３：前記照射条件は、照射回数である例えば態様１２に記載の表示デバイスの製造方法。
【００６４】
態様１４：前記照射条件は、照射強度である例えば態様１２に記載の表示デバイスの製造方法。
【００６５】
態様１５：前記炭化物パターンに合わせて照射のオーバーラップ率を設定する例えば態様１２または１３に記載の表示デバイスの製造方法。
【００６６】
態様１６：前記樹脂層の下面を第１方向にレーザ走査した後に前記積層体を回転させ、前記第１方向と直交する第２方向にレーザ走査する例えば態様１２〜１５のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
【００６７】
態様１７：前記基板を剥離して前記樹脂層の下面に下面フィルムを貼り付けた後、各個片に対応する切り出し線で分断を行い、複数の個片を切り出す例えば態様１２〜１６のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
【００６８】
態様１８：前記第２領域は、隣り合う２つの個片の一方に対応する切りだし線と、他方に対応する切りだし線との間隙に含まれる例えば態様１６記載の表示デバイスの製造方法。
【００６９】
態様１９：基板上に樹脂層、ＴＦＴ層、および発光素子層を含む積層体を形成した後、基板裏面から樹脂層の下面にレーザを照射して積層体から基板を剥離する表示デバイスの製造装置であって、前記樹脂層の下面の第１領域および第２領域に、互いに照射条件が異なるようにレーザを照射することで、前記第２領域を、前記第１領域よりも単位面積当たりの炭化物の量が大きい炭化物パターンとする表示デバイスの製造装置。
【００７０】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
【符号の説明】
【００７１】
２    表示デバイス
４    ＴＦＴ層
５    発光素子層
６    封止層
１０  下面フィルム
１２  樹脂層
２１  平坦化膜
２４  ＥＬ層
４４  端子部
５０  基板
７０  表示デバイス製造装置
７６  成膜装置
８０  剥離装置
ＴＭ  端子
ＮＡ  非アクティブ領域
ＤＡ  アクティブ領域
ＣＰ  炭化物パターン
ＤＬ  切り出し線
Ｒａ  第１領域
Ｒｂ  第２領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【国際調査報告】
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