(57)【要約】  回路モジュール（１００）は、複数の内部導体（２）を備えた基板（１０）と、基板（１０）の一方主面（Ｓ１）に配置された第１の電子部品と、一方主面（Ｓ１）上に設けられ、前記第１の電子部品を封止する第１の樹脂層（４０）と、基板（１０）の他方主面（Ｓ２）に設けられ、接地電極を含む複数の外部電極（Ｂ１）と、少なくとも第１の樹脂層（４０）の外表面上と基板（１０）の側面（Ｓ３）とに設けられ、複数の内部導体（２）のうちの少なくとも１つを介して前記接地電極と接続された導体膜（５０）と、樹脂膜（６０）とを備え、樹脂膜（６０）は、他方主面（Ｓ２）上に設けられた第１の樹脂膜（６０ａ）と、基板（１０）の平面方向において第１の樹脂膜（６０ａ）よりも外側で他方主面（Ｓ２）上に設けられた環状の第２の樹脂膜（６０ｂ）とを含み、複数の外部電極（Ｂ１）は、第１の樹脂膜（６０ａ）から露出するように配置され、第２の樹脂膜（６０ｂ）は、第１の樹脂膜（６０ａ）から間隔を空けて配置されている。
2019088174.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の内部導体を備えた基板と、
前記基板の一方主面に配置された第１の電子部品と、
前記一方主面上に設けられ、前記第１の電子部品を封止する第１の樹脂層と、
前記基板の他方主面に設けられ、接地電極を含む複数の外部電極と、
少なくとも前記第１の樹脂層の外表面上と前記基板の側面とに設けられ、前記複数の内部導体のうちの少なくとも１つを介して前記接地電極と接続された導体膜と、
樹脂膜とを備え、
前記樹脂膜は、前記他方主面上に設けられた第１の樹脂膜と、前記基板の平面方向において前記第１の樹脂膜よりも外側で前記他方主面上に設けられた環状の第２の樹脂膜とを含み、
前記複数の外部電極は、前記第１の樹脂膜から露出するように配置され、
前記第２の樹脂膜は、前記第１の樹脂膜から間隔を空けて配置されている、回路モジュール。
【請求項２】
前記第２の樹脂膜は、内周が逆テーパ状態となっている、請求項１に記載の回路モジュール。
【請求項３】
前記樹脂膜は、第３の樹脂膜をさらに含み、
前記第１の樹脂膜と前記第２の樹脂膜とは、前記第３の樹脂膜により接続されている、請求項１または２に記載の回路モジュール。
【請求項４】
複数の内部導体を備えた基板と、
前記基板の一方主面に配置された第１の電子部品と、
前記基板の他方主面に配置された第２の電子部品と、
前記基板の前記他方主面に接続された複数のビア導体と、
前記一方主面上に設けられ、前記第１の電子部品を封止する第１の樹脂層と、
前記他方主面上に設けられ、前記第２の電子部品と前記複数のビア導体とを封止する第２の樹脂層と、
前記第２の樹脂層に設けられ、接地電極を含む複数の外部電極と、
少なくとも前記第１の樹脂層の外表面上と前記基板の側面と前記第２の樹脂層の側面とに設けられ、前記複数の内部導体のうちの少なくとも１つと前記複数のビア導体のうちの少なくとも１つとを介して前記接地電極と接続された導体膜と、
樹脂膜とを備え、
前記樹脂膜は、前記第２の樹脂層に設けられた第１の樹脂膜と、前記基板の平面方向において前記第１の樹脂膜よりも外側で前記第２の樹脂層に設けられた環状の第２の樹脂膜とを含み、
前記複数の外部電極は、前記第１の樹脂膜から露出するように配置され、
前記第２の樹脂膜は、前記第１の樹脂膜から間隔を空けて配置されている、回路モジュール。
【請求項５】
複数の内部導体を備えた基板と、
前記基板の一方主面に配置された第１の電子部品と、
前記基板の他方主面に配置された第２の電子部品と、
前記基板の前記他方主面に接続された複数のビア導体と、
前記一方主面上に設けられ、前記第１の電子部品を封止する第１の樹脂層と、
前記他方主面上に設けられ、前記第２の電子部品と前記複数のビア導体とを封止する第２の樹脂層と、
前記第２の樹脂層に設けられ、接地電極を含む複数の外部電極と、
少なくとも前記第１の樹脂層の外表面上と前記基板の側面と前記第２の樹脂層の側面とに設けられ、前記複数の内部導体のうちの少なくとも１つと前記複数のビア導体のうちの少なくとも１つとを介して前記接地電極と接続された導体膜とを備え、
前記複数の外部電極は、前記第２の樹脂層から露出するように配置され、
前記第２の樹脂層の表面には、第１の凸部と、前記基板の平面方向の外側で前記第１の凸部から間隔を空けて設けられた第２の凸部とが形成されている、回路モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板の一方主面上に設けられ、電子部品を封止している樹脂層と、樹脂層の外表面上に設けられた導体膜とを備えた回路モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
基板の一方主面上に設けられ、電子部品を封止している樹脂層と、樹脂層の外表面上に設けられた導体膜とを備えた回路モジュールの一例として、特許第５９５１８６３号公報（特許文献１）に記載された回路モジュールが挙げられる。図２１および図２２は、特許文献１に記載の回路モジュール２００の製造工程を説明するための断面図である。【０００３】
集合状態の基材２０５に基板２１０が貼られたものが用意される（図２１（ａ））。この段階では、基板２１０の一方主面が基材２０５に接している。後述の溝Ｔ１より幅広で、集合状態の基板２１０を切断しない深さの溝Ｔ２が基板２１０の他方主面側に形成される（図２１（ｂ））。基板２１０を基材２０５から剥がして取り外す（図２１（ｃ））。基板２１０は粘着層が付与されている基台ＢＬに貼り付けられる（図２１（ｄ））。このとき、基板２１０は、一方主面が基台ＢＬと反対側を向いており、溝Ｔ２が形成された他方主面が基台ＢＬの側を向くように貼り付けられる。基板２１０の一方主面に電子部品２２０が実装される（図２１（ｅ））。基板２１０の一方主面の電子部品２２０を封止するように樹脂層２４０が形成される（図２１（ｆ））。樹脂層２４０側から、集合状態の基板２１０および樹脂層２４０を切断し、かつ基台ＢＬを切断しない深さの溝Ｔ１が形成される（図２２（ａ））。【０００４】
次に、樹脂層２４０の上面と溝Ｔ１の内面とに、例えばスパッタリングで金属微粒子を付着させることによるメタライジングが行なわれる。これにより、樹脂層２４０の外表面上と基板２１０の側面上とに、導体膜２５０が設けられる。導体膜２５０は、基板２１０の側面において、不図示の接地電極と接続された不図示のパターン導体と接続されている（図２２（ｂ））。【０００５】
そして、集合状態の回路モジュール２００は、基台ＢＬから剥がされることにより個片化され、完成品の回路モジュール２００となる。その際、溝Ｔ２は、個片化された回路モジュール２００において、基板２１０の他方主面の周囲に形成された凹部Ｃ３となる（図２２（ｃ））。なお、回路モジュール２００は、上記の接地電極に加え、不図示の信号電極を備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第５９５１８６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記のメタライジングの工程において、スパッタリングで発生した金属微粒子は、溝Ｔ２の内部にも入り込む。また、集合状態の基板２１０に反りがあったり、集合状態の基板２１０が基台ＢＬに対して傾いて貼り付けられたりすると、それにより発生する隙間にも金属微粒子が入り込む。その結果、回路モジュール２００の信号電極と、接地電極に接続された導体膜２５０とが短絡し、回路モジュール２００の電気的特性が不良となる虞がある。【０００８】
すなわち、この発明の目的は、電子部品を封止している樹脂層の外表面上および基板の側面上に設けられた導体膜と信号電極との短絡の発生が抑制された回路モジュールを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明に係る回路モジュールでは、接地電極に接続されている導体膜と信号電極との短絡の発生の抑制のために、回路モジュールの下面（外部電極の設けられている面）の構造についての改良が図られる。【００１０】
この発明に係る回路モジュールの第１の態様は、複数の内部導体を備えた基板と、上記基板の一方主面に配置された第１の電子部品と、上記一方主面上に設けられ、上記第１の電子部品を封止する第１の樹脂層と、上記基板の他方主面に設けられ、接地電極を含む複数の外部電極と、少なくとも上記第１の樹脂層の外表面上と上記基板の側面とに設けられ、上記複数の内部導体のうちの少なくとも１つを介して上記接地電極と接続された導体膜と、樹脂膜とを備える。上記樹脂膜は、上記他方主面上に設けられた第１の樹脂膜と、上記基板の平面方向において上記第１の樹脂膜よりも外側で上記他方主面上に設けられた環状の第２の樹脂膜とを含む。上記複数の外部電極は、上記第１の樹脂膜から露出するように配置されている。上記第２の樹脂膜は、上記第１の樹脂膜から間隔を空けて配置されている。【００１１】
この発明に係る回路モジュールの第２の態様は、複数の内部導体を備えた基板と、上記基板の一方主面に配置された第１の電子部品と、上記基板の他方主面に配置された第２の電子部品と、上記基板の他方主面に接続された複数のビア導体と、上記一方主面上に設けられ、上記第１の電子部品を封止する第１の樹脂層と、上記他方主面上に設けられ、上記第２の電子部品と上記複数のビア導体とを封止する第２の樹脂層と、上記第２の樹脂層に設けられ、接地電極を含む複数の外部電極と、少なくとも上記第１の樹脂層の外表面上と上記基板の側面と上記第２の樹脂層の側面とに設けられ、上記複数の内部導体のうちの少なくとも１つと上記複数のビア導体のうちの少なくとも１つとを介して上記接地電極と接続された導体膜と、樹脂膜とを備える。上記樹脂膜は、上記第２の樹脂層に設けられた第１の樹脂膜と、上記基板の平面方向において上記第１の樹脂膜よりも外側で上記第２の樹脂層に設けられた環状の第２の樹脂膜とを含む。上記複数の外部電極は、上記第１の樹脂膜から露出するように配置されている。上記第２の樹脂膜は、上記第１の樹脂膜から間隔を空けて配置されている。【００１２】
この発明に係る回路モジュールの第３の態様は、複数の内部導体を備えた基板と、上記基板の一方主面に配置された第１の電子部品と、上記基板の他方主面に配置された第２の電子部品と、上記基板の他方主面に接続された複数のビア導体と、上記一方主面上に設けられ、上記第１の電子部品を封止する第１の樹脂層と、上記他方主面上に設けられ、上記第２の電子部品と上記複数のビア導体とを封止する第２の樹脂層と、上記第２の樹脂層に設けられ、接地電極を含む複数の外部電極と、少なくとも上記第１の樹脂層の外表面上と上記基板の側面と上記第２の樹脂層の側面とに設けられ、上記複数の内部導体のうちの少なくとも１つと上記複数のビア導体のうちの少なくとも１つとを介して上記接地電極と接続された導体膜とを備える。上記複数の外部電極は、上記第２の樹脂層から露出するように配置されている。上記第２の樹脂層の表面には、第１の凸部と、上記基板の平面方向の外側で上記第１の凸部から間隔を空けて設けられた第２の凸部とが形成されている。
【発明の効果】
【００１３】
この発明に係る回路モジュールは、電子部品を封止している樹脂層の外表面上および基板の側面上に設けられた導体膜と信号電極との短絡の発生が抑制されている。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】この発明に係る回路モジュールの第１の実施形態である回路モジュール１００の平面図（下面図）である。
【図２】回路モジュール１００を図１に示されたＸ１−Ｘ１線を含む面で切断した場合の矢視断面図である。
【図３】図２に示された回路モジュール１００の拡大断面図である。
【図４】回路モジュール１００の製造工程において、半製品に導体膜５０が付与される工程を説明するための拡大断面図である。
【図５】第１の間隙Ｃ１が設けられていない回路モジュールの製造工程において、基板１０が基台ＢＬに対して傾いている状態で、半製品に導体膜５０が付与される工程を説明するための拡大断面図である。
【図６】第１の間隙Ｃ１が設けられている回路モジュール１００の製造工程において、基板１０が基台ＢＬに対して傾いている状態で、半製品に導体膜５０が付与される工程を説明するための拡大断面図である。
【図７】回路モジュール１００の第１ないし第３の変形例を説明するための拡大断面図である。
【図８】回路モジュール１００の第４の変形例を説明するための拡大断面図である。
【図９】回路モジュール１００の第５および第６の変形例を説明するための平面図（下面図）である。
【図１０】回路モジュール１００の第７ないし第９の変形例を説明するための拡大断面図である。
【図１１】回路モジュール１００の第１０の変形例を説明するための平面図（下面図）である。
【図１２】回路モジュール１００の第１０の変形例を説明するための拡大断面図である。
【図１３】この発明に係る回路モジュールの第２の実施形態である回路モジュール１００Ａの平面図（下面図）である。
【図１４】この発明に係る回路モジュールの第２の実施形態である回路モジュール１００Ａの、図２に相当する断面図である。
【図１５】図１３に示された回路モジュール１００Ａの矢視断面図の拡大断面図である。
【図１６】回路モジュール１００Ａの第１および第２の変形例を説明するための拡大断面図である。
【図１７】この発明に係る回路モジュールの第３の実施形態である回路モジュール１００Ｂの平面図（下面図）である。
【図１８】この発明に係る回路モジュールの第３の実施形態である回路モジュール１００Ｂの、図２に相当する断面図である。
【図１９】図１７に示された回路モジュール１００Ｂの矢視断面図の拡大断面図である。
【図２０】回路モジュール１００Ｂの変形例を説明するための拡大断面図である。
【図２１】背景技術の回路モジュール２００の製造工程の一部を説明するための断面図である。
【図２２】図２１に引き続き、背景技術の回路モジュール２００の製造工程を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下にこの発明の実施形態を示して、この発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。この発明は、例えば車載用などの高い信頼性が要求される電子機器に用いられる回路モジュールなどに適用されるが、これに限られるものではない。
【００１６】
（回路モジュールの第１の実施形態）
この発明に係る回路モジュールの第１の実施形態である回路モジュール１００の構造およびその特徴について、図１ないし図６を用いて説明する。
【００１７】
なお、各図面は模式図である。また、製造工程上で発生する各構成要素の形状のばらつきなどは、各図面に必ずしも反映されていない。すなわち、以後、この明細書中で説明のために用いられる図面は、たとえ実際の製品と異なる部分があったとしても、本質的な面で実際の製品を表すものと言うことができる。
【００１８】
図１は、回路モジュール１００の平面図（下面図）である。図２は、回路モジュール１００を図１に示されたＸ１−Ｘ１線を含む面で切断した場合の矢視断面図である。図３は、図２に示された回路モジュール１００の矢視断面図の要部を拡大した断面図である。なお、図１は断面図ではないが、構成部材を理解しやすいようにするため、一部の構成部材が塗りつぶされて図示されている。
【００１９】
回路モジュール１００は、基板１０と、第１の電子部品２０、３０と、第１の樹脂層４０と、複数の外部電極Ｂ１と、導体膜５０と、樹脂膜６０とを備えている。基板１０は、一方主面Ｓ１と、他方主面Ｓ２と、一方主面Ｓ１と他方主面Ｓ２とを接続する側面Ｓ３とを有している（図３参照）。
【００２０】
基板１０は、絶縁体層１と、その内部に形成された複数の内部導体２とを備えている。内部導体２は、パターン導体２ａとビア導体２ｂとを含んでいる。絶縁体層１には、例えば低温焼成セラミック材料およびガラス繊維とエポキシ樹脂との複合材料などから選ばれた材料が用いられる。内部導体２には、例えばＣｕなどの金属材料が用いられる。また、基板１０の一方主面Ｓ１上には、ランド３、４が設けられている。また、他方主面Ｓ２上には、ランド５が設けられている。
【００２１】
第１の電子部品２０、３０は、例えば集積回路、積層コンデンサおよび積層インダクタなどの、種々の電子部品である。第１の電子部品２０は、例えばＰｂフリーはんだなどの接続部材Ｂ２により、ランド３と接続されている。第１の電子部品３０は、同様の接続部材Ｂ３により、ランド４と接続されている。すなわち、第１の電子部品２０、３０は、基板１０の一方主面Ｓ１側に接続されている。
【００２２】
第１の樹脂層４０は、一方主面Ｓ１上に設けられ、第１の電子部品２０、３０を封止している。第１の樹脂層４０には、フィラーとしてガラス材料やシリカなどを分散させた樹脂材料が用いられる。ただし、フィラーが含まれないようにしてもよい。
【００２３】
複数の外部電極Ｂ１は、信号電極と接地電極とを含んでいる。複数の外部電極Ｂ１には、例えばＰｂフリーはんだを含むはんだバンプなどが用いられる。回路モジュール１００では、複数の外部電極Ｂ１は、ランド５上に設けられている。ただし、他方主面Ｓ２に露出しているビア導体２ｂ上に、直に設けられてもよい。すなわち、複数の外部電極Ｂ１は、他方主面Ｓ２側に設けられている。
【００２４】
導体膜５０は、第１の樹脂層４０の外表面上と、側面Ｓ３上と、他方主面Ｓ２の外周近傍上とに設けられ、複数の内部導体２のうちの少なくとも１つを介して接地電極と接続されている。導体膜５０には、例えばＣｕなどの金属材料が用いられる。なお、導体膜５０は、異なる種類の金属膜が、複数層積層されたものでもよい。この導体膜５０の形成のされ方については、後述する。
【００２５】
樹脂膜６０は、それぞれ基板１０の他方主面Ｓ２上に設けられた第１の樹脂膜６０ａと環状の第２の樹脂膜６０ｂとを含んでいる。第１の樹脂膜６０ａは、他方主面Ｓ２と接する面Ｓ４と、面Ｓ４に対向する面Ｓ５とを有している。環状の第２の樹脂膜６０ｂは、他方主面Ｓ２と接する面Ｓ６と、面Ｓ６に対向する面Ｓ７とを有している（図３参照）。樹脂膜６０には、例えばエポキシ樹脂のような樹脂材料が用いられる。
【００２６】
複数の外部電極Ｂ１は、基板１０の他方主面Ｓ２の法線方向での平面視（回路モジュール１００の下面側からの平面視）において、第１の樹脂膜６０ａの面Ｓ５の外周の内側で、かつ面Ｓ５から露出するように配置されている（図１参照）。また、環状の第２の樹脂膜６０ｂは、基板１０の他方主面Ｓ２の外周の内側に、側面Ｓ３と離されて配置されている。
【００２７】
そして、第１の樹脂膜６０ａと環状の第２の樹脂膜６０ｂとは、第１の樹脂膜６０ａの面Ｓ５の外周と、第２の樹脂膜６０ｂの面Ｓ７の内周との間に、第１の間隙Ｃ１が存在するように配置されている（図３参照）。
【００２８】
ここで、回路モジュール１００の製造工程のうちの導体膜５０の形成について、図４ないし図６を用いて説明する。図４は、回路モジュール１００の製造工程において、半製品に導体膜５０が付与される工程を説明するための拡大断面図である。第１の電子部品２０、３０の基板１０への接続工程および樹脂膜６０（第１の樹脂膜６０ａ、第２の樹脂膜６０ｂ）の付与工程など、その他の工程については、説明を省略する。
【００２９】
図４（Ａ）は、基板１０が基台ＢＬに対して傾いていない状態で、半製品の第１の樹脂層４０の外表面上と基板１０の側面Ｓ３上とに、導体膜５０が付与される工程を示している。導体膜５０が付与されていない回路モジュール１００の半製品は、粘着層ＡＬが付与されている基台ＢＬに貼り付けられる。外部電極Ｂ１は、粘着層ＡＬにめり込み、さらに第１の樹脂膜６０ａの面Ｓ５と第２の樹脂膜６０ｂの面Ｓ７とが、粘着層ＡＬに当接する（図３参照）。
【００３０】
その際、基板１０の他方主面Ｓ２（図３参照）と環状の第２の樹脂膜６０ｂの外周面と粘着層ＡＬの外表面とを内壁面とする、環状の空間Ｖが形成される。また、前述したように、第１の樹脂膜６０ａの面Ｓ５の外周と、第２の樹脂膜６０ｂの面Ｓ７の内周との間には、第１の間隙Ｃ１が存在している。
【００３１】
次に、第１の樹脂層４０の外表面上と側面Ｓ３上とに、例えばスパッタリングで金属微粒子を付着させることによるメタライジングが行なわれる。これにより、第１の樹脂層４０の外表面上と側面Ｓ３上とに、導体膜５０が設けられる。その際、導体膜５０は、他方主面Ｓ２の、側面Ｓ３との接続部近傍上にも回り込むようにして形成される。また、スパッタリングで発生した金属微粒子は、粘着層ＡＬの外表面上にも付着し、余剰の導体膜５０ｓとなる。
【００３２】
この余剰の導体膜５０ｓは、環状の空間Ｖにも入り込む。ただし、環状の第２の樹脂膜６０ｂの面Ｓ７が粘着層ＡＬに当接しているため、余剰の導体膜５０ｓは、環状の空間Ｖから第２の樹脂膜６０ｂを越えて、第１の間隙Ｃ１まで侵入することはない。
【００３３】
図４（Ｂ）は、導体膜５０の形成後、回路モジュール１００が粘着層ＡＬが付与された基台ＢＬから剥離される工程を示している。回路モジュール１００は、一般には基台ＢＬに貼り付けられた集合状態で製造される。そして、集合状態の回路モジュール１００は、基台ＢＬから剥がされることにより個片化され、例えば図２に示された完成品の回路モジュール１００となる。
【００３４】
一方、図５および図６は、基板１０が基台ＢＬに対して傾いている状態で、半製品の第１の樹脂層４０の外表面上と基板１０の側面Ｓ３上とに、導体膜５０が付与される工程を示している。構成要素は、図４で図示されているものと同じ場合、同じ符号が付けられている。回路モジュール１００の半製品が粘着層ＡＬに貼り付けられる際に、基板１０が基台ＢＬに対して傾いていると、樹脂膜と粘着層ＡＬの外表面との間に、隙間ができる虞がある。
【００３５】
図５（Ａ）は、基板１０の他方主面Ｓ２上に、第１の間隙Ｃ１が設けられていない１つの樹脂膜６０´が付与されている回路モジュールの製造工程において、半製品に導体膜５０が付与される工程を示している。スパッタリングで発生した金属微粒子は、前述の環状の空間Ｖおよび隙間を通り、外部電極Ｂ１にまで到達する。その結果、外部電極Ｂ１が、余剰の導体膜５０ｓの一部により、導体膜５０と接続されることになる。
【００３６】
図５（Ｂ）は、導体膜５０の形成後、回路モジュールが粘着層ＡＬが付与された基台ＢＬから剥離される工程を示している。この剥離工程において、図５（Ｂ）に示されるように、余剰の導体膜５０ｓの一部が樹脂膜６０´側に付着し、外部電極Ｂ１と導体膜５０とが接続されたままとなる虞がある。
【００３７】
余剰の導体膜５０ｓの一部により導体膜５０と接続された外部電極Ｂ１が接地電極である場合は、電気的特性に対する問題とはならない。一方、信号電極である場合、導体膜５０と信号電極とが短絡することになるため、回路モジュールの電気的特性が不良となる虞がある。
【００３８】
図６（Ａ）は、基板１０の他方主面Ｓ２上に、第１の間隙Ｃ１が設けられている回路モジュール１００の製造工程において、半製品に導体膜５０が付与される工程を示している。スパッタリングで発生した金属微粒子は、図５（Ａ）に示された第１の間隙Ｃ１がない場合と同様に、環状の空間Ｖおよび隙間を通り、外部電極Ｂ１にまで到達する。そして、この時点では、外部電極Ｂ１が、余剰の導体膜５０ｓの一部により、導体膜５０と接続されている。
【００３９】
ただし、余剰の導体膜５０ｓは、第１の間隙Ｃ１において樹脂膜６０と接していない。すなわち、第１の間隙Ｃ１の内壁（面Ｓ４と面Ｓ５とを接続する面、他方主面Ｓ２、および面Ｓ６と面Ｓ７とを接続する面）には、余剰の導体膜５０ｓが付与されていない（図３参照）。
【００４０】
図６（Ｂ）は、導体膜５０の形成後、回路モジュール１００が粘着層ＡＬが付与された基台ＢＬから剥離される工程を示している。この剥離工程において、図６（Ｂ）に示されるように、余剰の導体膜５０ｓの一部は、粘着層ＡＬ側に付着する。また、上述したように、第１の間隙Ｃ１の内壁には余剰の導体膜５０ｓが付与されていない。したがって、回路モジュール１００が基台ＢＬから剥離された後の、外部電極Ｂ１と導体膜５０との余剰の導体膜５０ｓによる接続が回避されている。
【００４１】
すなわち、回路モジュール１００では、第１の樹脂層４０の外表面上と基板１０の側面Ｓ３上と、他方主面Ｓ２の外周近傍上とに設けられた導体膜５０と、信号電極との短絡の発生が抑制されている。
【００４２】
≪回路モジュールの第１の実施形態の変形例≫
この発明に係る回路モジュールの第１の実施形態である回路モジュール１００の種々の変形例について、図７ないし図１２を用いて説明する。なお、各変形例の構成要素において、回路モジュール１００と共通するものの説明については、省略または簡略化されることがある。
【００４３】
＜第１ないし第３の変形例＞
回路モジュール１００の第１ないし第３の変形例について、図７を用いて説明する。図７（Ａ）は、回路モジュール１００の第１の変形例を説明するための、図３に相当する拡大断面図である。図７（Ａ）に示された第１の変形例では、第２の樹脂膜６０ｂの面Ｓ７の内周が面Ｓ６の内周の内側にある。すなわち、面Ｓ７の内周と面Ｓ６の内周を接続する環状の面は、基板の他方主面Ｓ２から離れるにしたがって、内周が小さくなるテーパー形状となっている。
【００４４】
この場合、第１の間隙Ｃ１の内壁のうち、特に面Ｓ６と面Ｓ７とを接続する面に、スパッタリングで発生した金属微粒子が回り込みにくくなる。したがって、余剰の導体膜５０ｓが面Ｓ６と面Ｓ７とを接続する面に付与されにくくなる。その結果、導体膜５０と信号電極との短絡の発生がさらに抑制されている。
【００４５】
図７（Ｂ）は、回路モジュール１００の第２の変形例を説明するための、図３に相当する拡大断面図である。図７（Ｂ）に示された第２の変形例では、第２の樹脂膜６０ｂの面Ｓ７は、第１の樹脂膜６０ａの面Ｓ５より、基板１０の他方主面Ｓ２からの高さが低くなっている。
【００４６】
図７（Ｃ）は、回路モジュール１００の第３の変形例を説明するための、図３に相当する拡大断面図である。図７（Ｃ）に示された第３の変形例では、第２の樹脂膜６０ｂの面Ｓ７は、第１の樹脂膜６０ａの面Ｓ５より、基板１０の他方主面Ｓ２からの高さが高くなっている。すなわち、第２の樹脂膜６０ｂの面Ｓ７は、第１の樹脂膜６０ａの面Ｓ５と面一である必要はない。
【００４７】
特に、第３の変形例の場合、基板１０が基台ＢＬに対して傾いていたとしても、第２の樹脂膜６０ｂと粘着層ＡＬの外表面との間に、隙間ができにくくなる。また、余剰の導体膜５０ｓが第１の間隙Ｃ１の内壁に付与されにくくなる。その結果、導体膜５０と信号電極との短絡の発生がさらに抑制されている。
【００４８】
＜第４の変形例＞
回路モジュール１００の第４の変形例について、図８を用いて説明する。図８は、回路モジュール１００の第４の変形例を説明するための、図３に相当する拡大断面図である。図８に示された第４の変形例では、環状の第２の樹脂膜６０ｂは、基板１０の他方主面Ｓ２の内周と接するように配置されている。すなわち、第２の樹脂膜６０ｂは、基板１０の他方主面Ｓ２の内周の内側に、側面Ｓ３と離されて配置される必要はない。
【００４９】
なお、図８に示された第４の変形例では、第２の樹脂膜６０ｂの面Ｓ７は、第１の樹脂膜６０ａの面Ｓ５より、基板１０の他方主面Ｓ２からの高さが低くなっている。この場合、導体膜５０の形成後、回路モジュール１００が粘着層ＡＬが付与された基台ＢＬから剥離される際に、余剰の導体膜５０ｓの、回路モジュール１００への付着（いわゆるバリの発生）が抑えられる。
【００５０】
＜第５および第６の変形例＞
回路モジュール１００の第５および第６の変形例について、図９を用いて説明する。図９（Ａ）は、回路モジュール１００の第５の変形例を説明するための、図１に相当する平面図（下面図）である。図９（Ａ）に示された第５の変形例では、樹脂膜６０が、第１の樹脂膜６０ａおよび環状の第２の樹脂膜６０ｂに加えて、帯状の第３の樹脂膜６０ｃをさらに含んでいる。そして、第１の樹脂膜６０ａと環状の第２の樹脂膜６０ｂとは、帯状の第３の樹脂膜６０ｃにより部分的に接続されている。
【００５１】
第３の樹脂膜６０ｃの厚さは、第１の樹脂膜６０ａおよび第２の樹脂膜６０ｂと同じである。ただし、第３の樹脂膜６０ｃは、外部電極Ｂ１と導体膜５０との間には配置されていない。
【００５２】
この場合、基板１０の他方主面Ｓ２との接触面積の大きい第１の樹脂膜６０ａと、他方主面Ｓ２との接触面積の小さい環状の第２の樹脂膜６０ｂとが、帯状の第３の樹脂膜６０ｃにより接続されている。したがって、第２の樹脂膜６０ｂの他方主面Ｓ２からの剥がれが抑制される。その結果、スパッタリング時の金属微粒子の回り込みが、効果的に防止される。
【００５３】
図９（Ｂ）は、回路モジュール１００の第６の変形例を説明するための、図１に相当する平面図（下面図）である。図９（Ｂ）に示された第６の変形例でも、第１の樹脂膜６０ａと第２の樹脂膜６０ｂとが、帯状の第３の樹脂膜６０ｃにより部分的に接続されている。また、第３の樹脂膜６０ｃの厚さは、第１の樹脂膜６０ａおよび第２の樹脂膜６０ｂと同じである。
【００５４】
ただし、第６の変形例では、矩形状の第１の樹脂膜６０ａの角部近傍に配置されている外部電極Ｂ１が接地電極である。接地電極であれば、導体膜５０と接触しても問題はない。そのため、第６の変形例では、第５の変形例の場合に比べて幅の広い第３の樹脂膜６０ｃが、外部電極Ｂ１と導体膜５０との間に配置されている。
【００５５】
この場合、第２の樹脂膜６０ｂの第２の面Ｓ２からの剥がれがさらに抑制される。その結果、スパッタリング時の金属微粒子の回り込みが、さらに効果的に防止される。
【００５６】
＜第７ないし第９の変形例＞
回路モジュール１００の第７ないし第９の変形例について、図１０を用いて説明する。図１０（Ａ）は、回路モジュール１００の第７の変形例を説明するための、図３に相当する拡大断面図である。図１０（Ａ）に示された第７の変形例では、樹脂膜６０が、第１の樹脂膜６０ａおよび環状の第２の樹脂膜６０ｂに加えて、環状の第３の樹脂膜６０ｃをさらに含んでいる。そして、第１の樹脂膜６０ａと環状の第２の樹脂膜６０ｂとは、環状の第３の樹脂膜６０ｃにより接続されている。
【００５７】
第１の樹脂膜６０ａ、環状の第２の樹脂膜６０ｂおよび環状の第３の樹脂膜６０ｃは、同一面上、すなわち基板１０の他方主面Ｓ２上に設けられている。また、第３の樹脂膜６０ｃの厚さは、第１の樹脂膜６０ａの厚さおよび第２の樹脂膜６０ｂの厚さより薄くなっている。したがって、第１の実施形態について説明されたように、面Ｓ５の外周と面Ｓ７の内周との間には、第１の間隙Ｃ１が存在している。
【００５８】
なお、第７の変形例においては、環状の第２の樹脂膜６０ｂと基板１０の他方主面Ｓ２の内周との間にも環状の樹脂膜が設けられているが、この樹脂膜は必須のものではない。
【００５９】
図１０（Ｂ）は、回路モジュール１００の第８の変形例を説明するための、図３に相当する拡大断面図である。図１０（Ｂ）に示された第８の変形例では、基板１０の第２の面Ｓ２は、環状の凹部Ｄ１を有している。そして、第７の変形例で示された環状の第３の樹脂膜６０ｃは、環状の凹部Ｄ１に入り込んでいる。この場合においても、面Ｓ５の外周と面Ｓ７の内周との間には、第１の間隙Ｃ１が存在している。
【００６０】
なお、第３の樹脂膜６０ｃの厚さは、第３の樹脂膜６０ｃが凹部Ｄ１に入り込んだ状態で第１の間隙Ｃ１ができる厚さであればよい。すなわち、第３の樹脂膜６０ｃの厚さは、第１の樹脂膜６０ａの厚さおよび第２の樹脂膜６０ｂの厚さより薄くなっている必要はない。
【００６１】
また、第８の変形例においては、環状の第２の樹脂膜６０ｂと基板１０の第２の面Ｓ２の内周との間にも環状の凹部が設けられており、この凹部に環状の樹脂膜が入り込んでいる。しかしながら、図１０（Ｃ）の拡大断面図で示された回路モジュール１００の第９の変形例のように、環状の第２の樹脂膜６０ｂは、基板１０の他方主面Ｓ２の内周と接するように配置されてもよい。すなわち、上記の構成は必須のものではない。
【００６２】
第７ないし第９の変形例では、基板１０の他方主面Ｓ２との接触面積の大きい第１の樹脂膜６０ａと、他方主面Ｓ２との接触面積の小さい環状の第２の樹脂膜６０ｂとが、環状の第３の樹脂膜６０ｃにより接続されている。したがって、第２の樹脂膜６０ｂの他方主面Ｓ２からの剥がれが、第３の樹脂膜６０ｃが帯状である場合よりもさらに抑制される。その結果、スパッタリング時の金属微粒子の回り込みが、第３の樹脂膜６０ｃが帯状である場合よりもさらに効果的に防止される。
【００６３】
＜第１０の変形例＞
回路モジュール１００の第１０の変形例について、図１１および図１２を用いて説明する。図１１は、回路モジュール１００の第１０の変形例を説明するための、図１に相当する平面図（下面図）である。また、図１２は、第１０の変形例の、図３に相当する拡大断面図である。図１１および図１２に示された第１０の変形例では、回路モジュール１００の構成に加えて、外部電極Ｂ１の周囲に、環状の間隙Ｇ１が設けられている。
【００６４】
この場合、間隙Ｇ１の内壁には、前述の余剰の導体膜５０ｓが付与されない。すなわち、第１の間隙Ｃ１と間隙Ｇ１とにより、スパッタリング時の金属微粒子の回り込みが二重に防止される。その結果、導体膜５０と信号電極との短絡の発生がさらに抑制されている。
【００６５】
（回路モジュールの第２の実施形態）
この発明に係る回路モジュールの第２の実施形態である回路モジュール１００Ａの構造およびその特徴について、図１３ないし図１５を用いて説明する。なお、回路モジュール１００Ａの構成要素において、回路モジュール１００と共通するものの説明については、省略または簡略化されることがある。
【００６６】
図１３は、回路モジュール１００Ａの平面図（下面図）である。図１４は、回路モジュール１００Ａを図１３に示されたＸ２−Ｘ２線を含む面で切断した場合の矢視断面図である。図１５は、図１４に示された回路モジュール１００Ａの矢視断面図の要部を拡大した断面図である。なお、図１３は断面図ではないが、構成部材を理解しやすいようにするため、一部の構成部材が塗りつぶされて図示されている。
【００６７】
回路モジュール１００Ａは、回路モジュール１００の構成に加えて、第２の電子部品７０と、複数のビア導体８０と、第２の樹脂層９０とを備えている。第２の電子部品７０は、第１の電子部品２０、３０と同様の、種々の電子部品である。第２の電子部品７０は、例えばＰｂフリーはんだなどの接続部材Ｂ４により、ランド５と接続されている。
【００６８】
複数のビア導体８０は、面Ｓ６側の端面がランド６と接続されている。ビア導体８０は、ランド６上に直接形成されてもよく、また予め形成されたものが接続部材によりランド６と接続されてもよい。すなわち、第２の電子部品７０と複数のビア導体８０とは、基板１０の他方主面Ｓ２側に接続されている。
【００６９】
第２の樹脂層９０は、他方主面Ｓ２上に設けられ、第２の電子部品７０と複数のビア導体８０とを封止している。また、第２の樹脂層９０は、他方主面Ｓ２と接する面Ｓ８と、面Ｓ８に対向する面Ｓ９と、面Ｓ８と面Ｓ９とを接続する面Ｓ１０とを有している。第２の樹脂層９０にも、フィラーとしてガラス材料やシリカなどを分散させた樹脂材料が用いられる。ただし、フィラーが含まれないようにしてもよい。また、第１の樹脂層４０と第２の樹脂層９０とは、異なる種類の樹脂材料が用いられてもよい。
【００７０】
複数の外部電極Ｂ１は、信号電極と接地電極とを含んでいる。複数の外部電極Ｂ１には、回路モジュール１００と同様に、例えばＰｂフリーはんだを含むはんだバンプなどが用いられる。ただし、回路モジュール１００Ａでは、外部電極Ｂ１は、複数のビア導体８０の、面Ｓ９側の端面にそれぞれ設けられている。なお、外部電極Ｂ１は、めっきなどにより形成された中間膜を介して、ビア導体８０の面Ｓ９側の端面に設けられていてもよい。
【００７１】
導体膜５０は、第１の樹脂層４０の外表面上と、側面Ｓ３上と、面Ｓ１０上と、面Ｓ９の外周近傍上とに設けられている。そして、導体膜５０は、基板１０内の複数の内部導体のうちの少なくとも１つと複数のビア導体８０のうちの少なくとも１つとを介して接地電極と接続されている。導体膜５０には、例えばＣｕなどの金属材料が用いられる。
【００７２】
樹脂膜６０は、それぞれ第２の樹脂層９０の面Ｓ９上に設けられた第１の樹脂膜６０ａと環状の第２の樹脂膜６０ｂとを含んでいる。第１の樹脂膜６０ａは、面Ｓ９と接する面Ｓ４と、面Ｓ４に対向する面Ｓ５とを有している。環状の第２の樹脂膜６０ｂは、面Ｓ９と接する面Ｓ６と、面Ｓ６に対向する面Ｓ７とを有している。樹脂膜６０には、例えばエポキシ樹脂のような樹脂材料が用いられる（図１５参照）。
【００７３】
複数の外部電極Ｂ１は、第２の樹脂層９０の面Ｓ９の法線方向での平面視（回路モジュール１００Ａの下面側からの平面視）において、第１の樹脂膜６０ａの面Ｓ５の外周の内側で、かつ面Ｓ５から露出するように配置されている（図１３参照）。また、環状の第２の樹脂膜６０ｂは、第２の樹脂層９０の面Ｓ９の外周の内側に、面Ｓ１０と離されて配置されている。
【００７４】
そして、第１の樹脂膜６０ａと第２の樹脂膜６０ｂとは、第１の樹脂膜６０ａの面Ｓ５の外周と、第２の樹脂膜６０ｂの面Ｓ７の内周との間に、第１の間隙Ｃ１が存在するように配置されている（図１５参照）。
【００７５】
回路モジュール１００Ａにおいても、製造工程で第２の樹脂層９０が基台ＢＬに対して傾く場合が考えられる。その場合であっても、第１の間隙Ｃ１の内壁（面Ｓ４と面Ｓ５とを接続する面、面Ｓ９、および面Ｓ６と面Ｓ７とを接続する面）には、前述の余剰の導体膜５０ｓが付与されない。したがって、回路モジュール１００Ａが基台ＢＬから剥離された後の、外部電極Ｂ１と導体膜５０との余剰の導体膜５０ｓによる接続が回避される。
【００７６】
すなわち、回路モジュール１００Ａでも、第１の樹脂層４０の外表面上と、側面Ｓ３上と、面Ｓ１０上と、面Ｓ９の外周近傍上とに設けられた導体膜５０と、信号電極との短絡の発生が抑制されている。
【００７７】
≪回路モジュールの第２の実施形態の変形例≫
この発明に係る回路モジュールの第２の実施形態である回路モジュール１００Ａの種々の変形例について、図１６を用いて説明する。なお、各変形例の構成要素において、回路モジュール１００Ａと共通するものの説明については、省略または簡略化されることがある。
【００７８】
＜第１および第２の変形例＞
回路モジュール１００Ａの第１および第２の変形例について、図１６を用いて説明する。図１６（Ａ）は、回路モジュール１００Ａの第１の変形例を説明するための、図３に相当する拡大断面図である。この第１の変形例は、回路モジュール１００の第８の変形例に相当する。図１６（Ａ）に示された第１の変形例では、樹脂膜６０が、第１の樹脂膜６０ａおよび環状の第２の樹脂膜６０ｂに加えて、環状の第３の樹脂膜６０ｃをさらに含んでいる。
【００７９】
第１の樹脂膜６０ａと環状の第２の樹脂膜６０ｂとは、環状の第３の樹脂膜６０ｃにより接続されている。また、環状の第３の樹脂膜６０ｃは、環状の凹部Ｄ１に入り込んでいる。この場合においても、面Ｓ５の外周と面Ｓ７の内周との間には、第１の間隙Ｃ１が存在している。
【００８０】
なお、第３の樹脂膜６０ｃの厚さは、第３の樹脂膜６０ｃが凹部Ｄ１に入り込んだ状態で第１の間隙Ｃ１ができる厚さであればよい。すなわち、第３の樹脂膜６０ｃの厚さは、第１の樹脂膜６０ａの厚さおよび第２の樹脂膜６０ｂの厚さより薄くなっている必要はない。
【００８１】
また、第１の変形例においては、環状の第２の樹脂膜６０ｂと第２の樹脂層９０の面Ｓ１０の内周との間にも環状の凹部が設けられており、この凹部に環状の樹脂膜が入り込んでいる。しかしながら、図１６（Ｂ）の拡大断面図で示された回路モジュール１００Ａの第２の変形例のように、環状の第２の樹脂膜６０ｂは、第２の樹脂層９０の面Ｓ１０の内周と接するように配置されてもよい。すなわち、上記の構成は必須のものではない。この第２の変形例は、回路モジュール１００の第９の変形例に相当する。
【００８２】
図１６（Ｂ）に示された第２の変形例では、第２の樹脂膜６０ｂの面Ｓ７は、第１の樹脂膜６０ａの面Ｓ５より、第２の樹脂層９０の面Ｓ９からの高さが低くなっている。この場合、導体膜５０の形成後、回路モジュール１００Ａが粘着層ＡＬが付与された基台ＢＬから剥離される際に、余剰の導体膜５０ｓの、回路モジュール１００Ａへの付着が抑えられる。
【００８３】
なお、回路モジュール１００Ａには、上記以外にも、回路モジュール１００の第１ないし第７の変形例、および第１０の変形例に相当する変形例が適用される。
【００８４】
（回路モジュールの第３の実施形態）
この発明に係る回路モジュールの第３の実施形態である回路モジュール１００Ｂの構造およびその特徴について、図１７ないし図１９を用いて説明する。なお、回路モジュール１００Ｂの構成要素において、回路モジュール１００Ａと共通するものの説明については、省略または簡略化されることがある。
【００８５】
図１７は、回路モジュール１００Ｂの平面図（下面図）である。図１８は、回路モジュール１００Ｂを図１７に示されたＸ３−Ｘ３線を含む面で切断した場合の矢視断面図である。図１９は、図１８に示された回路モジュール１００Ｂの矢視断面図の要部を拡大した断面図である。なお、図１７は断面図ではないが、構成部材を理解しやすいようにするため、一部の構成部材が塗りつぶされて図示されている。
【００８６】
回路モジュール１００Ｂは、回路モジュール１００Ａのように、第２の電子部品７０と、複数のビア導体８０と、第２の樹脂層９０とを備えている。第２の電子部品７０と、複数のビア導体８０と、第２の樹脂層９０とは、回路モジュール１００Ａと接続関係および封止関係も含めて同様であるため、それぞれについての説明は省略される。導体膜５０は、回路モジュール１００Ａと同様に、第１の樹脂層４０の外表面上と、側面Ｓ３上と、面Ｓ１０上と、面Ｓ９の外周近傍上とに設けられている。
【００８７】
一方、回路モジュール１００Ｂは、樹脂膜６０（第１の樹脂膜６０ａおよび第２の樹脂膜６０ｂ）を備えていない。代わりに、第２の樹脂層９０は、仮想的な面である面Ｓ９上に凸部９１を備えている。言い換えると、凸部９１は、第２の樹脂層９０の一部分である。凸部９１は、第１の凸部９１ａと、環状の第２の凸部９１ｂとを含んでいる。第１の凸部９１ａは、面Ｓ９に対向する面Ｓ１１を有している。第２の凸部９１ｂは、面Ｓ９に対向する面Ｓ１２を有している。
【００８８】
すなわち、回路モジュール１００Ｂの第２の樹脂層９０は、回路モジュール１００Ａにおける樹脂膜６０と第２の樹脂層９０とが、同一の材料で、一体に成形されたものと見なすことができる。
【００８９】
複数の外部電極Ｂ１は、第２の樹脂層９０の面Ｓ９の法線方向での平面視（回路モジュール１００Ｂの下面側からの平面視）において、第１の凸部９１ａの面Ｓ１１の外周の内側で、かつ面Ｓ１１から露出するように配置されている（図１７参照）。また、環状の第２の凸部９１ｂは、第２の樹脂層９０の面Ｓ９の外周の内側に、面Ｓ１０と離されて配置されている。
【００９０】
そして、第１の凸部９１ａと第２の凸部９１ｂとは、第１の凸部９１ａの面Ｓ１１の外周と、第２の凸部９１ｂの面Ｓ１２の内周との間に、第２の間隙Ｃ２が存在するように配置されている（図１９参照）。
【００９１】
回路モジュール１００Ｂにおいても、製造工程で第２の樹脂層９０が基台ＢＬに対して傾く場合が考えられる。その場合であっても、第２の間隙Ｃ２の内壁（面Ｓ９と面Ｓ１１とを接続する面、面Ｓ９、および面Ｓ９と面Ｓ１２とを接続する面）には、前述の余剰の導体膜５０ｓが付与されない。したがって、回路モジュール１００Ｂが基台ＢＬから剥離された後の、外部電極Ｂ１と導体膜５０との余剰の導体膜５０ｓによる接続が回避される。
【００９２】
すなわち、回路モジュール１００Ｂでも、第１の樹脂層４０の外表面上と、側面Ｓ３上と、面Ｓ１０上と、面Ｓ９の外周近傍上とに設けられた導体膜５０と、信号電極との短絡の発生が抑制されている。
【００９３】
≪回路モジュールの第３の実施形態の変形例≫
この発明に係る回路モジュールの第３の実施形態である回路モジュール１００Ｂの変形例について、図２０を用いて説明する。なお、各変形例の構成要素において、回路モジュール１００Ｂと共通するものの説明については、省略または簡略化されることがある。
【００９４】
図２０は、回路モジュール１００Ｂの変形例を説明するための、図３に相当する拡大断面図である。この変形例は、回路モジュール１００の第４の変形例の変形例に相当する。この変形例のように、環状の第２の凸部９１ｂは、第２の樹脂層９０の面Ｓ１０の内周と接するように配置されてもよい。
【００９５】
図２０に示された変形例では、第２の凸部９１ｂの面Ｓ１２は、第１の凸部９１ａの面Ｓ１１より、第２の樹脂層９０の面Ｓ９からの高さが低くなっている。この場合、導体膜５０の形成後、回路モジュール１００Ａが粘着層ＡＬが付与された基台ＢＬから剥離される際に、余剰の導体膜５０ｓの、回路モジュール１００Ｂへの付着が抑えられる。
【００９６】
なお、回路モジュール１００Ｂには、上記以外にも、回路モジュール１００の第１ないし第３の変形例、第５および第６の変形例ならびに第１０の変形例に相当する変形例が適用される。
【００９７】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【符号の説明】
【００９８】
１  絶縁体層、２  内部導体、２ａ  パターン導体、２ｂ  ビア導体、３，４，５  ランド、１０  基板、２０，３０  第１の電子部品、４０  第１の樹脂層、５０  導体膜、６０  樹脂膜、６０ａ  第１の樹脂膜、６０ｂ  第２の樹脂膜、１００  回路モジュール、２００  回路モジュール、２０５  基材、２１０  基板、２２０  電子部品、２４０  樹脂層、Ｂ１  外部電極、Ｂ２，Ｂ３  接続部材、Ｃ１  第１の間隙、Ｓ１  一方主面、Ｓ２  他方主面、Ｓ３  側面、Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７，Ｓ８，Ｓ９，Ｓ１０，Ｓ１１，Ｓ１２  面。
【図１】
2019088174.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【手続補正書】
【提出日】令和2年3月25日(2020.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
この場合、第２の樹脂膜６０ｂの他方主面Ｓ２からの剥がれがさらに抑制される。その結果、スパッタリング時の金属微粒子の回り込みが、さらに効果的に防止される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
図１０（Ｂ）は、回路モジュール１００の第８の変形例を説明するための、図３に相当する拡大断面図である。図１０（Ｂ）に示された第８の変形例では、基板１０の他方主面Ｓ２は、環状の凹部Ｄ１を有している。そして、第７の変形例で示された環状の第３の樹脂膜６０ｃは、環状の凹部Ｄ１に入り込んでいる。この場合においても、面Ｓ５の外周と面Ｓ７の内周との間には、第１の間隙Ｃ１が存在している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
また、第８の変形例においては、環状の第２の樹脂膜６０ｂと基板１０の他方主面Ｓ２の内周との間にも環状の凹部が設けられており、この凹部に環状の樹脂膜が入り込んでいる。しかしながら、図１０（Ｃ）の拡大断面図で示された回路モジュール１００の第９の変形例のように、環状の第２の樹脂膜６０ｂは、基板１０の他方主面Ｓ２の内周と接するように配置されてもよい。すなわち、上記の構成は必須のものではない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
図２０に示された変形例では、第２の凸部９１ｂの面Ｓ１２は、第１の凸部９１ａの面Ｓ１１より、第２の樹脂層９０の面Ｓ９からの高さが低くなっている。この場合、導体膜５０の形成後、回路モジュール１００Ｂが粘着層ＡＬが付与された基台ＢＬから剥離される際に、余剰の導体膜５０ｓの、回路モジュール１００Ｂへの付着が抑えられる。
【国際調査報告】
2019088174.tif 000025
2019088174.tif 000026
2019088174.tif 000027