(57)【要約】  【課題】  広帯域化が可能で通過帯域の設計の自由度が大きいバンドパスフィルタならびにそれを用いた無線通信モジュールおよび無線通信機器を提供する。  【解決手段】相互に電磁界結合するように横並びに順次配置された一方端が接地されて第１〜３の共振器を構成する第１〜３の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃと、第１の共振電極31ａと対向して電磁界結合する第１の入出力結合電極40ａと、第２の共振電極31ｂと対向して電磁界結合する第２の入出力結合電極40ｂと、第１の共振電極31ａおよび第３の共振電極31ｃを電磁界結合する共振器結合電極43とを備え、第１，２の共振器の共振周波数は互いに等しく且つ第３の共振器の共振周波数と異なり、第１〜３の共振器を用いて通過帯域を構成するバンドパスフィルタである。広帯域化が可能で通過帯域の設計の自由度が大きいバンドパスフィルタである。【選択図】  図２
2010061815.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘電体層が積層されてなる積層体と、
該積層体の上面および下面の少なくとも一方に配置された接地電極と、
前記積層体の同一または異なる層間に、相互に電磁界結合するように積層方向から見て横並びに順次配置された、それぞれ一方端が接地されて第１乃至第３の共振器を構成する帯状の第１乃至第３の共振電極と、
前記積層体の前記第１の共振電極が配置された層間とは異なる層間に、前記第１の共振電極と対向して電磁界結合するように配置された帯状の第１の入出力結合電極と、
前記積層体の前記第２の共振電極が配置された層間とは異なる層間に、前記第２の共振電極と対向して電磁界結合するように配置された帯状の第２の入出力結合電極と、
前記積層体の前記第１の共振電極が配置された層間および前記第３の共振電極が配置された層間とは異なる層間に配置された、前記第１の共振電極および前記第３の共振電極を電磁界結合する共振器結合電極とを備え、
前記第１および第２の共振器の共振周波数は互いに等しく且つ前記第３の共振器の共振周波数と異なる周波数に設定されており、
前記第１乃至第３の共振器を用いて通過帯域を構成することを特徴とするバンドパスフィルタ。
【請求項２】
前記第１乃至第３の共振電極は前記積層体の同一の層間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項３】
前記接地電極は前記積層体の下面に配置されており、
前記第１および第３の共振電極は前記積層体の第１の層間に間隔を開けて横並びに配置されており、
前記第２の共振電極は、前記積層体の前記第１の層間よりも上側に位置する第２の層間に、積層方向から見て前記第１および第３の共振電極の間に位置するように配置されていることを特徴とする請求項１に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項４】
前記第１乃至第３の共振電極は、積層方向から見てそれぞれの接地される側が互い違いになるように配置されており、前記第１の共振電極と前記第３の共振電極とは、前記共振器結合電極を介して主に容量性の電磁界結合をしており、前記第１および第２の共振器の共振周波数は前記第３の共振器の共振周波数よりも高く設定されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のバンドパスフィルタ。
【請求項５】
前記第１乃至第３の共振電極は、積層方向から見てそれぞれの接地される側が互い違いになるように配置されており、前記第１の共振電極と前記第３の共振電極とは、前記共振器結合電極を介して主に誘導性の電磁界結合をしており、前記第１および第２の共振器の共振周波数は前記第３の共振器の共振周波数よりも低く設定されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のバンドパスフィルタ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のバンドパスフィルタを含むＲＦ部と、該ＲＦ部に接続されたベースバンド部とを備えることを特徴とする無線通信モジュール。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のバンドパスフィルタを含むＲＦ部と、該ＲＦ部に接続されたベースバンド部と、前記ＲＦ部に接続されたアンテナとを備えることを特徴とする無線通信機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、広帯域化が可能で通過帯域の設計の自由度が大きいバンドパスフィルタならびにそれを用いた無線通信モジュールおよび無線通信機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
通信機器等の電子装置において、特定の周波数の電気信号のみを通過させるバンドパスフィルタが用いられている。特に、同一の共振周波数を有する２つの共振器が電磁気的に結合された共振系における偶モード共振および奇モード共振を利用して、偶モード共振周波数および奇モード共振周波数を含む通過帯域を形成したバンドパスフィルタが広く用いられている。このようなバンドパスフィルタにおいては、２つの共振器間の電磁気的な結合の強さに応じて偶モード共振周波数と奇モード共振周波数との差が変化し、これによって通過帯域の幅が決定される（例えば、特許文献１を参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平７−30303号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した従来のバンドパスフィルタは、偶モード共振および奇モード共振の２つの共振ピークを利用して通過帯域を形成するため、広帯域化には限界があった。また、同一の共振周波数を有する３つの共振器が電磁気的に結合された共振系における３つの共振モードによる３つの共振ピークを利用して通過帯域を形成したバンドパスフィルタも知られている。このようなバンドパスフィルタは更なる広帯域化が可能であるが、３つの共振ピークの周波数をそれぞれ任意に設定することは困難であり、通過帯域の設計の自由度が小さいものであった。【０００５】
本発明はこのような従来の技術における問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、広帯域化が可能で通過帯域の設計の自由度が大きいバンドパスフィルタならびにそれを用いた無線通信モジュールおよび無線通信機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のバンドパスフィルタは、複数の誘電体層が積層されてなる積層体と、該積層体の上面および下面の少なくとも一方に配置された接地電極と、前記積層体の同一または異なる層間に、相互に電磁界結合するように積層方向から見て横並びに順次配置された、それぞれ一方端が接地されて第１乃至第３の共振器を構成する帯状の第１乃至第３の共振電極と、前記積層体の前記第１の共振電極が配置された層間とは異なる層間に、前記第１の共振電極と対向して電磁界結合するように配置された帯状の第１の入出力結合電極と、前記積層体の前記第２の共振電極が配置された層間とは異なる層間に、前記第２の共振電極と対向して電磁界結合するように配置された帯状の第２の入出力結合電極と、前記積層体の前記第１の共振電極が配置された層間および前記第３の共振電極が配置された層間とは異なる層間に配置された、前記第１の共振電極および前記第３の共振電極を電磁界結合する共振器結合電極とを備え、前記第１および第２の共振器の共振周波数は互いに等しく且つ前記第３の共振器の共振周波数と異なる周波数に設定されており、前記第１乃至第３の共振器を用いて通過帯域を構成することを特徴とするものである。【０００７】
また、本発明のバンドパスフィルタは、上記構成において、前記第１乃至第３の共振電極は前記積層体の同一の層間に配置されているようにしてもよい。【０００８】
さらに、本発明のバンドパスフィルタは、上記構成において、前記接地電極は前記積層体の下面に配置されており、前記第１および第３の共振電極は前記積層体の第１の層間に間隔を開けて横並びに配置されており、前記第２の共振電極は、前記積層体の前記第１の層間よりも上側に位置する第２の層間に、積層方向から見て前記第１および第３の共振電極の間に位置するように配置されているようにしてもよい。【０００９】
またさらに、本発明のバンドパスフィルタは、上記各構成において、前記第１乃至第３の共振電極は、積層方向から見てそれぞれの接地される側が互い違いになるように配置されており、前記第１の共振電極と前記第３の共振電極とは、前記共振器結合電極を介して主に容量性の電磁界結合をしており、前記第１および第２の共振器の共振周波数は前記第３の共振器の共振周波数よりも高く設定されているようにしてもよい。【００１０】
さらにまた、本発明のバンドパスフィルタは、上記各構成において、前記第１乃至第３の共振電極は、積層方向から見てそれぞれの接地される側が互い違いになるように配置されており、前記第１の共振電極と前記第３の共振電極とは、前記共振器結合電極を介して主に誘導性の電磁界結合をしており、前記第１および第２の共振器の共振周波数は前記第３の共振器の共振周波数よりも低く設定されているようにしてもよい。【００１１】
本発明の無線通信モジュールは、上記各構成のいずれかのバンドパスフィルタを含むＲＦ部と、該ＲＦ部に接続されたベースバンド部とを備えることを特徴とするものである。【００１２】
本発明の無線通信機器は、上記各構成のいずれかのバンドパスフィルタを含むＲＦ部と、該ＲＦ部に接続されたベースバンド部と、前記ＲＦ部に接続されたアンテナとを備えることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
上述したような構成を備える本発明のバンドパスフィルタによれば、隣り合う互いに共振周波数が等しい第１および第２の共振器が電磁界結合することにより、偶モードおよび奇モードの２つの共振ピークが生じる。また、第１および第２の共振器と異なる共振周波数に設定された第３の共振器が第２の共振器と直接電磁界結合するとともに共振器結合電極を介して第１の共振器と電磁界結合することにより３つ目の共振ピークが生じる。この３つの共振ピークを用いて通過帯域を形成することができるので、広帯域なバンドパスフィルタを得ることができる。また、３つの共振ピークの周波数を任意に設定することができるので、通過帯域の設計の自由度が大きいバンドパスフィルタを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施の形態の第１の例のバンドパスフィルタを模式的に示す外観斜視図である。
【図２】図１に示すバンドパスフィルタの模式的な分解斜視図である。
【図３】図１に示すバンドパスフィルタの上下面および層間を模式的に示す平面図である。
【図４】図１に示すバンドパスフィルタのＱ−Ｑ’線断面図である。
【図５】本発明の実施の形態の第２の例のバンドパスフィルタを模式的に示す分解斜視図である。
【図６】図５に示すバンドパスフィルタの上下面および層間を模式的に示す平面図である。
【図７】本発明の実施の形態の第３の例のバンドパスフィルタを模式的に示す分解斜視図である。
【図８】図７に示すバンドパスフィルタの上下面および層間を模式的に示す平面図である。
【図９】本発明の実施の形態の第４の例のバンドパスフィルタを模式的に示す外観斜視図である。
【図１０】図９に示すバンドパスフィルタの模式的な分解斜視図である。
【図１１】図９に示すバンドパスフィルタの上下面および層間を模式的に示す平面図である。
【図１２】本発明のバンドパスフィルタの実施の形態の第３の例および第４の例の等価回路図である。
【図１３】本発明の実施の形態の第５の例のバンドパスフィルタを模式的に示す外観斜視図である。
【図１４】図13に示すバンドパスフィルタの模式的な分解斜視図である。
【図１５】図13に示すバンドパスフィルタの上下面および層間を模式的に示す平面図である。
【図１６】本発明の実施の形態の第６の例のバンドパスフィルタを模式的に示す分解斜視図である。
【図１７】図16に示すバンドパスフィルタの上下面および層間を模式的に示す平面図である。
【図１８】本発明の実施の形態の第７の例の無線通信モジュールおよび無線通信機器を模式的に示すブロック図である。
【図１９】本発明の実施の形態の第３の例のバンドパスフィルタの電気特性のシミュレーション結果を示す図である。
【図２０】本発明の実施の形態の第４の例のバンドパスフィルタの電気特性のシミュレーション結果を示す図である。
【図２１】本発明の実施の形態の第６の例のバンドパスフィルタの電気特性のシミュレーション結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明のバンドパスフィルタならびにそれを用いた無線通信モジュールおよび無線通信機器を添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１６】
（実施の形態の第１の例）
図１は本発明の実施の形態の第１の例のバンドパスフィルタを模式的に示す外観斜視図である。図２は図１に示すバンドパスフィルタの模式的な分解斜視図である。図３は図１に示すバンドパスフィルタの上下面および層間を模式的に示す平面図である。図４は図１に示すバンドパスフィルタのＱ−Ｑ’線断面図である。
【００１７】
本例のバンドパスフィルタは、図１〜図４に示すように、積層体10と、接地電極21ａ，21ｂと、第１乃至第３の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃと、第１の入出力結合電極40ａと、第２の入出力結合電極40ｂと、共振器結合電極43とを備えている。積層体10は、複数の誘電体層11が積層されてなる。接地電極21ａは、積層体10の下面の全面に配置されている。接地電極21ｂは、積層体10の上面のほぼ全面に配置されている。第１乃至第３の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃは、積層体10の層間Ａに、相互に電磁界結合するように積層方向から見て横並びに順次配置されている。また、第１乃至第３の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃは、それぞれ一方端が接地されて第１乃至第３の共振器を構成する。第１の入出力結合電極40ａは、帯状であり、積層体10の層間Ａよりも上側に位置する層間Ｂに、第１の共振電極31ａと対向して電磁界結合するように配置されている。第２の入出力結合電極40ｂは、帯状であり、積層体10の層間Ｂに、第２の共振電極31ｂと対向して電磁界結合するように配置されている。共振器結合電極43は、積層体10の層間Ａよりも下側に位置する層間Ｃに配置されており、第１の共振電極31ａおよび第３の共振電極31ｃを電磁界結合する。また、積層体10の上面には第１の入出力端子電極60ａが接地電極21ｂと間隔を開けて配置されており、貫通導体50ａを介して第１の入出力結合電極40ａに接続されている。さらに、積層体10の上面には第２の入出力端子電極60ｂが接地電極21ｂと間隔を開けて配置されており、貫通導体50ｂを介して第２の入出力結合電極40ｂに接続されている。そして、積層体10の層間Ａには、第１乃至第３の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃの周囲を囲むように環状接地電極23が配置されている。第１乃至第３の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃは、それぞれ一方端が環状接地電極23に接続されており、それぞれの一方端が互い違いになるように配置されている。
【００１８】
また、本例のバンドパスフィルタにおいて、共振器結合電極43は、その一方端が貫通導体50ｃを介して第３の共振電極31ｃの他方端に接続されており、第３の共振電極31ｃとともに第３の共振器を構成している。また、共振器結合電極43の他方端は、誘電体層11を介して第１の共振電極31ａの他方端と対向しており、第１の共振電極31ａと主に容量性の電磁界結合をしている。また、第１および第２の共振器の共振周波数は互いに等しく且つ第３の共振器の共振周波数よりも高くなるように設定されている。
【００１９】
さらに、本例のバンドパスフィルタは、第１の入出力結合電極40ａにおいて電気信号が入力または出力される第１の入出力点45ａは、前記第１の入出力結合電極40ａにおける第１の共振電極31ａとの対向部の中央よりも第１の共振電極31ａの他方端に近い側にある。また、第２の入出力結合電極40ｂにおいて電気信号が入力または出力される第２の入出力点45ｂは、第２の入出力結合電極40ｂにおける第２の共振電極31ｂとの対向部の中央よりも第２の共振電極31ｂの他方端に近い側にある。
【００２０】
このような構成を備える本例のバンドパスフィルタにおいては、例えば、第１の入出力端子電極60ａおよび貫通導体50ａを介して第１の入出力結合電極40ａの第１の入出力点45ａに外部回路からの電気信号が入力されると、第１の入出力結合電極40ａと電磁界結合する第１の共振電極31ａが励振されるとともに、これと電磁界結合する第２の共振電極31ｂが共振する。また、第１の共振電極31ａが共振すると、共振器結合電極43を介して第１の共振電極31ａと電磁界結合する第３の共振電極31ｃも共振し、そのエネルギーは第３の共振電極31ｃと電磁界結合する第２の共振電極31ｂに伝えられる。この２つのルートで第２の共振電極31ｂに電気信号が伝達され、第２の共振電極31ｂと電磁界結合する第２の入出力結合電極40ｂの第２の入出力点45ｂから貫通導体50ｂおよび第２の入出力端子電極60ｂを介して外部回路に電気信号が出力される。
【００２１】
本例のバンドパスフィルタによれば、隣り合う互いに共振周波数が等しい第１および第２の共振器が電磁界結合することにより、偶モードおよび奇モードの２つの共振ピークが生じる。また、第１および第２の共振器よりも共振周波数が低く設定された第３の共振器が、第２の共振器と直接電磁界結合するとともに共振器結合電極43を介して第１の共振器と電磁界結合し、これにより３つ目の共振ピークが生じる。この３つの共振ピークを用いて通過帯域を形成することができるので、広帯域なバンドパスフィルタを得ることができる。また、３つの共振ピークの周波数を任意に設定することができるので、通過帯域の設計の自由度が大きいバンドパスフィルタを得ることができる。
【００２２】
また、本例のバンドパスフィルタによれば、第１乃至第３の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃの接地される側が互い違いになるように配置されてインターデジタル型に電磁界結合しているので、第１の共振電極31ａと第２の共振電極31ｂとの電磁界結合および第２の共振電極31ｂと第３の共振電極31ｃとの電磁界結合はどちらも主に容量性の電磁界結合になる。また、第１の共振電極31ａと第３の共振電極31ｃとは共振器結合電極43を介して主に容量性の電磁界結合をしている。これにより、第１乃至第３の共振器間の全ての電磁界結合は、主に容量性の電磁界結合となっている。その上で、第１および第２の共振器の共振周波数が第３の共振器の共振周波数よりも高く設定されていることから、第１の共振器から直接第２の共振器へ伝達される電気信号と第１の共振器から第３の共振器を介して第２の共振器へ伝達される信号との間において、３つの共振ピークの間の周波数では位相反転が生じず、３つの共振ピークよりも低周波側の周波数で位相反転が生じるので、３つの共振ピークを含む通過帯域内には減衰極がなく、３つの共振ピークよりも低周波数側の通過帯域外に減衰極を有する優れた通過特性を有するバンドパスフィルタを得ることができる。
【００２３】
このような効果が得られるメカニズムをさらに詳細に説明する。すなわち、本例のバンドパスフィルタにおいては、第１の共振器を構成する第１の共振電極31ａから第２の共振器を構成する第２の共振電極31ｂへ直接伝達される電気信号と、第１の共振電極31ａから第３の共振器を構成する第３の共振電極31ｃを介して第２の共振電極31ｂへ伝達される信号とが存在する。ここで、第１の共振電極31ａから第２の共振電極31ｂへ直接伝達される電気信号の伝達ルートは、第１の共振器および第２の共振器からなる共振系の偶モード共振および奇モード共振の２つの共振ピークの外側に位置する周波数領域において、第１の共振電極31ａと第２の共振電極31ｂとが主として誘導性の結合をしている場合にはインダクタと等価になり、第１の共振電極31ａと第２の共振電極31ｂとが主として容量性の結合をしている場合にはキャパシタと等価になる。
【００２４】
また、第１の共振電極31ａから第３の共振電極31ｃを介して第２の共振電極31ｂへ伝達される電気信号の伝達ルートは、第１の共振電極31ａと第３の共振電極31ｃとの電磁界結合および第３の共振電極31ｃと第２の共振電極31ｂとの電磁界結合が、どちらも主に誘導性またはどちらも主に容量性の場合には、第２の共振器の共振周波数よりも低周波側でインダクタと等価になり、第２の共振器の共振周波数よりも高周波側でキャパシタと等価になる。また、第１の共振電極31ａから第３の共振電極31ｃを介して第２の共振電極31ｂへ伝達される電気信号の伝達ルートは、第１の共振電極31ａと第３の共振電極31ｃとの電磁界結合および第３の共振電極31ｃと第２の共振電極31ｂとの電磁界結合が、一方が主に誘導性の電磁界結合であり他方が主に容量性の電磁界結合である場合には、第２の共振器の共振周波数よりも低周波側でキャパシタと等価になり、第２の共振器の共振周波数よりも高周波側でインダクタと等価になる。
【００２５】
よって、第１乃至第３の共振器の相互の電磁界結合が主に容量性の電磁界結合であり、第１および第２の共振器の共振周波数が第３の共振器の共振周波数よりも高く設定されていることから、第１の共振器から直接第２の共振器へ伝達される電気信号と第１の共振器から第３の共振器を介して第２の共振器へ伝達される信号との間において、３つの共振ピークの間の周波数では位相反転が生じず、３つの共振ピークよりも低周波側の周波数で位相反転が生じるので、３つの共振ピークを含む通過帯域内には減衰極がなく、３つの共振ピークのよりも低周波側の通過帯域外に減衰極を有する優れた通過特性を有するバンドパスフィルタを得ることができる。
【００２６】
本例のバンドパスフィルタにおいて、誘電体層11の材質としては、例えばエポキシ樹脂等の樹脂や例えば誘電体セラミックス等のセラミックスを用いることができる。例えば、ＢａＴｉＯ３，Ｐｂ４Ｆｅ２Ｎｂ２Ｏ１２，ＴｉＯ２等の誘電体セラミック材料と、Ｂ２Ｏ３，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＺｎＯ等のガラス材料とからなり、800〜1200℃程度の比較的低い温度で焼成が可能なガラス−セラミック材料が好適に用いられる。また、誘電体層11の厚みとしては、例えば0.01〜0.1ｍｍ程度に設定される。
【００２７】
前述した各種の電極および貫通導体の材質としては、例えば、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｔ等のＡｇ合金を主成分とする導電材料やＣｕ系，Ｗ系，Ｍｏ系，Ｐｄ系導電材料等が好適に用いられる。各種の電極の厚みは、例えば0.001〜0.2ｍｍに設定される。
【００２８】
本例のバンドパスフィルタは、例えば次のようにして作製することができる。まず、セラミック原料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して泥漿を作製するとともに、ドクターブレード法によってセラミックグリーンシートを形成する。次に、得られたセラミックグリーンシートにパンチングマシーン等を用いて貫通導体を形成するための貫通孔を形成し、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ａｕ，Ｃｕ等の導体を含む導体ペーストを充填するとともにセラミックグリーンシートの表面に印刷法を用いて前述したのと同様の導体ペーストを塗布して導体ペースト付きセラミックグリーンシートを作製する。次に、これらの導体ペースト付きセラミックグリーンシートを積層し、ホットプレス装置を用いて圧着し、800℃〜1050℃程度のピーク温度で焼成する。
【００２９】
（実施の形態の第２の例）
図５は本発明の実施の形態の第２の例のバンドパスフィルタを模式的に示す分解斜視図である。図６は図５に示すバンドパスフィルタの上下面および層間を模式的に示す平面図である。なお、本例においては前述した第１の例と異なる点のみについて説明し、同様の構成要素については同一の参照符号を用いて重複する説明を省略する。
【００３０】
本例のバンドパスフィルタにおいては、図５および図６に示すように、第１の入出力結合電極40ａが共振器結合電極43と同じく積層体の層間Ｃに配置されている。また、第１の入出力結合電極40ａは、貫通導体50ｄを介して層間Ｃよりも下側に位置する層間Ｄに配置された第１の接続電極46に接続されている。そして、第１の接続電極46は、貫通導体50ｅを介して第１の入出力端子電極60ａに接続されている。
【００３１】
このような構成を備える本例のバンドパスフィルタによれば、第１の入出力結合電極40ａと第２の入出力結合電極40ｂとが、層間Ａを間に挟んで互いに反対側に位置する層間Ｂと層間Ｃとに離れて配置されている。これにより、第１の入出力結合電極40ａと第２の入出力結合電極40ｂとの電磁界結合が強くなりすぎるのを防止することができる。
【００３２】
（実施の形態の第３の例）
図７は本発明の実施の形態の第３の例のバンドパスフィルタを模式的に示す分解斜視図である。図８は図７に示すバンドパスフィルタの上下面および層間を模式的に示す平面図である。なお、本例においては前述した第２の例と異なる点のみについて説明し、同様の構成要素については同一の参照符号を用いて重複する説明を省略する。
【００３３】
本例のバンドパスフィルタは、図７および図８に示すように、環状接地電極23に代えて、第１の共振電極31ａおよび第３の共振電極31ｃの一方端が接続された内層接地電極23ａと、第２の共振電極31ｂの一方端が接続された内層接地電極23ｂとが、それぞれ第１の層間に配置されている。また、第１の入出力結合電極40ａは層間Ｂに配置されており、第２の入出力結合電極40ｂは層間Ｃに配置されている。さらに、第３の容量電極35ｃは、接地電極21ａと誘電体層11を介して対向するように層間Ｄに配置されており、貫通導体50ｆを介して第３の共振電極31ｃの他方端に接続されている。第１の入出力結合電極40ａおよび共振器結合電極43は層間Ｂに配置されている。共振器結合電極43の一方端は貫通導体50ｇを介して第１の共振電極31ａの他方端に接続されており、共振器結合電極43の他方端は誘電体層11を介して第３の共振電極31ｃの他方端と対向して電磁界結合している。第１の接続電極46は層間Ｂよりも上側に位置する層間Ｅに配置されている。第２の容量電極35ｂは、層間Ｅよりも上側に位置する層間Ｆに、誘電体層11を介して接地電極21ｂと対向するように配置されており、貫通導体50ｈを介して第２の共振電極31ｂの他方端に接続されている。
【００３４】
本例のバンドパスフィルタにおいては、第１の共振電極31ａ，共振器結合電極43および両者を接続する貫通導体50ｇによって第１の共振器が構成されており、第２の共振電極31ｂ，第２の容量電極35ｂおよび両者を接続する貫通導体50ｈによって第２の共振器が構成されており、第３の共振電極31ｃ，第３の容量電極35ｃおよび両者を接続する貫通導体50ｆによって第３の共振器が構成されている。
【００３５】
このような構成を備える本例のバンドパスフィルタによれば、第２の容量電極35ｂと接地電極21ｂとの間に生じる静電容量によって、第２の共振電極31ｂの長さを短縮することができる。また、第３の容量電極35ｃと接地電極21ａとの間に生じる静電容量によって、第３の共振電極31ｃの長さを短縮することができる。さらに、共振器結合電極43によって第１の共振電極31ａの長さを短縮することができる。これにより、小型のバンドパスフィルタを得ることができる。
【００３６】
（実施の形態の第４の例）
図９は本発明の実施の形態の第４の例のバンドパスフィルタを模式的に示す外観斜視図である。図10は図９に示すバンドパスフィルタの模式的な分解斜視図である。図11は図９に示すバンドパスフィルタの上下面および層間を模式的に示す平面図である。なお、本例においては前述した第３の例と異なる点のみについて説明し、同様の構成要素については同一の参照符号を用いて重複する説明を省略する。
【００３７】
本例のバンドパスフィルタは、図９〜図11に示すように、積層体の上面に配置された接地電極21ｂの上にさらに誘電体層11が配置されるとともに、積層体の下面に配置された接地電極21ａの下にさらに誘電体層11が配置されており、これら全体で新たな積層体10を構成している。また、第１の入出力端子電極60ａおよび第２の入出力端子電極60ｂは、積層体10の対向する２側面に分かれて配置されている。そして、内層接地電極23ａ，23ｂおよび接地電極21に接続された接地端子電極60ｃは、積層体10の他の対向する２側面に配置されている。
【００３８】
また、本例のバンドパスフィルタにおいては、第２の入出力結合電極40ｂは、層間Ｂに配置されており、その一方端が積層体10の側面において第２の入出力端子電極60ｂに接続されている。よって、第２の入出力点45ｂは、第２の入出力結合電極40ｂと第２の入出力端子電極60ｂとの接続点である。第１の入出力結合電極40ａ，共振器結合電極43および第３の接続電極36ｂが層間Ｃに配置されている。また、第１の接続電極46は層間Ｄに配置されており、その一方端が貫通導体50ｄを介して第１の入出力結合電極40ａの第１の入出力点45ａに接続されているとともに、他方端が積層体10の側面において第１の入出力端子電極60ａに直接接続されている。また、接地端子電極60ｃに接続された内層接地電極22ｃが、層間Ｆに配置された第３の容量電極35ｃに対向するように層間Ｅに配置されている。また、第３の容量電極35ｃは、層間Ｆよりも上側に位置する層間Ｇに配置された接地電極21ｂと誘電体層11を介して対向しているとともに、貫通導体50ｆを介して第３の共振電極31ｃの他方端に接続されている。一方、層間Ｄよりも下側に位置する層間Ｈには第２の接続電極36ａが配置されている。層間Ｈよりも下側に位置する層間Ｊには、層間Ｊよりも下側に位置する層間Ｋに配置された第１の容量電極35ａと対向するように配置された内層接地電極22ａと、層間Ｋに配置された第２の容量電極35ｂと対向するように配置された内層接地電極22ｂとが配置されている。層間Ｊに配置された２つの内層接地電極22ａ，22ｂは、どちらも接地端子電極60ｃに接続されている。第１の容量電極35ａは層間Ｋよりも下側に位置する層間Ｌに配置された接地電極21ａと誘電体層11を介して対向しており、貫通導体50ｋを介して第２の接続電極36ａに接続されている。また第２の接続電極36ａは貫通導体50ｍを介して共振器結合電極43に接続されている。共振器結合電極43は第３の共振電極31ｃの他方端と誘電体層11を介して対向するとともに、貫通導体50ｇを介して第１の共振電極31ａの他方端に接続されている。第２の容量電極35ｂは層間Ｌに配置された接地電極21と誘電体層11を介して対向しており、貫通導体50ｎを介して第３の接続電極36ｂに接続されている。また、第３の接続電極36ｂは貫通導体50ｐを介して第２の共振電極31ｂの他方端に接続されている。
【００３９】
本例のバンドパスフィルタにおいては、第１の共振電極31ａ，共振器結合電極43，第２の接続電極36ａ，第１の容量電極35ａと、これらを接続する貫通導体50ｇ，50ｍ，50ｋとによって第１の共振器が構成されている。また、第２の共振電極31ｂ，第２の接続電極36ｂ，第２の容量電極35ｂと、これらを接続する貫通導体50ｐ，50ｎとによって第２の共振器が構成されている。さらに、第３の共振電極31ｃ，第３の容量電極35ｃと、両者を接続する貫通導体50ｆとによって第３の共振器が構成されている。
【００４０】
このような構成を備える本例のバンドパスフィルタによれば、第１乃至第３の容量電極35ａ，35ｂ，35ｃと、これらに対向する接地電極21ａ，21ｂおよび内層接地電極22ａ，22ｂ，22ｃとの間の静電容量が、第１乃至第３の共振器にそれぞれ加算されるので、第１乃至第３の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃの長さをさらに短縮することができる。これにより、さらに小型のバンドパスフィルタを得ることができる。
【００４１】
実施の形態の第３および第４の例のバンドパスフィルタの等価回路を図12に示す。01，02は入出力端子を示し、30ａ，30ｂ，30ｃはそれぞれ第１の共振器，第２の共振器，第３の共振器を示す。３つの共振器間は、第１乃至第３の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ同士の直接または共振器結合電極43を介した電磁気的な結合によるキャパシタＣ12，Ｃ13，Ｃ23によって全て容量結合されている。また、第１の入出力結合電極40ａと第２の入出力結合電極40ｂとの電磁気的な結合によってキャパシタＣ60が形成され、第１の入出力結合電極40ａおよび第２の入出力結合電極40ｂと第３の共振電極31ｃとの電磁気的な結合によってキャパシタＣ40，Ｃ50が形成される。このような構成により、バンドパスフィルタの通過特性において、通過帯域よりも低周波側に３つの減衰極を形成することができる。なお、Ｃ35，Ｃ36およびＣ37は、第１の容量電極35ａ，第２の容量電極35ｂおよび第３の容量電極35ｃによって形成される、第１の共振電極31ａ，第２の共振電極31ｂおよび第３の共振電極31ｃとアース電位との間にそれぞれ形成される静電容量である。
（実施の形態の第５の例）
図13は、本発明の実施の形態の第５の例のバンドパスフィルタを模式的に示す外観斜視図である。図14は、図13に示すバンドパスフィルタの模式的な分解斜視図である。図15は、図13に示すバンドパスフィルタの上下面および層間を模式的に示す平面図である。
【００４２】
本例のバンドパスフィルタは、図13〜図15に示すように、積層体10と、第１の入出力端子電極60ａと、第２の入出力端子電極60ｂと、接地端子電極60ｃと、接地電極21ａと、内部接地電極25と、第１乃至第３の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃと、共振器結合電極43と、帯状の第１の入出力結合電極40ａと、第２の入出力結合電極40ｂとを備えている。
【００４３】
積層体10は、複数の誘電体層11が積層されてなる。接地端子電極60ｃは、積層体10の対向する一組の側面の全面に渡って配置されており、接地電位に接続される。第１の入出力端子電極60ａおよび第２の入出力端子電極60ｂは、積層体10の他の対向する一組の側面に接地端子電極60ｃと間隔を開けて配置されている。なお、第１の入出力端子電極60ａ，第２の入出力端子電極60ｂおよび接地端子電極60ｃは、積層体10の上下面に若干回り込むように形成されている。接地電極21ａは、積層体10の下面のほぼ全体に渡って配置されており、接地端子電極60ｃに接続されている。第１および第３の共振電極31ａ，31ｃは、帯状であり、積層体10の第１の層間に間隔を開けて横並びに配置されている。第１および第３の共振電極31ａ，31ｃの一方端はそれぞれ接地端子電極60ｃに接続されており、接地されて第１および第３の共振器を構成する。第２の共振電極31ｂは、帯状であり、積層体10の第１の層間よりも上側に位置する第２の層間に、第１および第３の共振電極31ａ，31ｃに電磁界結合するように、積層方向（上）から見て第１および第３の共振電極31ａ，31ｃの間に位置するように配置されている。すなわち、第１乃至第３の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃは、相互に電磁界結合するように、積層方向から見て横並びに順次配置されている。第２の共振電極31ｂの一方端は、同じく積層体10の第２の層間に配置された内部接地電極25を介して接地端子電極60ｃに接続されており、接地されて第２の共振器を構成する。共振器結合電極43は、帯状であり、積層体10の第１および第２の層間の間に位置する第３の層間に配置されている。共振器結合電極43は、一方端部が貫通導体50ｔを介して第３の共振電極31ｃの他方端部に接続されているとともに、他方端部が誘電体層11を介して第１の共振電極31ａの他方端部と対向して電磁界結合するように配置されており、第１および第３の共振電極31ａ，31ｃを電磁界結合する。このように、第１の共振電極31ａと第３の共振電極31ｃとは、共振器結合電極43を介して主に容量性の電磁界結合をしている。第１の入出力結合電極40ａは、帯状であり、積層体10の第１の層間より下側に位置する第４の層間に、誘電体層11を介して第１の共振電極31ａと対向して電磁界結合するように配置されている。第１の入出力結合電極40ａの一方端は第１の入出力端子電極60ａに接続されている。第２の入出力結合電極40ｂは、帯状であり、積層体10の第２の層間よりも上側に位置する第５の層間に、誘電体層11を介して第２の共振電極31ｂと対向して電磁界結合するように配置されている。第２の入出力結合電極40ｂの一方端は、第２の入出力端子電極60ｂに接続されている。
【００４４】
また、本例のバンドパスフィルタにおいては、第３の共振電極31ｃ，共振器結合電極43および両者を接続する貫通導体50ｔによって第３の共振器が構成されており、第２の共振電極31ｂおよび内部接地電極25によって第２の共振器が構成されており、第１の共振電極31ａによって第１の共振器が構成されている。また、第１および第２の共振器の共振周波数は互いに等しく且つ第３の共振器の共振周波数よりも高い周波数であり、第１乃至第３の共振器を用いて通過帯域を構成するように設定されている。
【００４５】
このような構成を備える本例のバンドパスフィルタによれば、３つの共振ピークを用いて通過帯域を形成することができるので、前述した実施形態の第１〜第４の例のバンドパスフィルタと同様に、広帯域で通過帯域の設計の自由度が大きいバンドパスフィルタを得ることができる。
【００４６】
また、本例のバンドパスフィルタによれば、第１乃至第３の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃの接地される側が互い違いになるように配置されてインターデジタル型に電磁界結合しており、第１の共振電極31ａと第３の共振電極31ｃとは共振器結合電極43を介して主に容量性の結合をしているので、第１乃至第３の共振器間の結合は全て主に容量性の結合となっている。その上で、第１および第２の共振器の共振周波数が第３の共振器の共振周波数よりも高く設定されている。これにより、第１の共振器から直接第２の共振器へ伝達される電気信号と、第１の共振器から第３の共振器を介して第２の共振器へ伝達される信号との間において、３つの共振ピークの間の周波数では位相反転が生じず、３つの共振ピークよりも低周波側の周波数で位相反転が生じる。よって、３つの共振ピークを含む通過帯域内には減衰極がなく、通過帯域よりも低周波側に減衰極を有する優れた通過特性を有するバンドパスフィルタを得ることができる。
【００４７】
さらに、本例のバンドパスフィルタにおいては、積層体10の下面に接地電極21ａが配置されており、積層体10の、積層方向（上）から見て第１乃至第３の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃが横並びに配列された方向の両端に位置する２つの側面およびそれに隣接する上下面の一部にかけて接地端子電極60ｃが配置されている。また、第１および第３の共振電極31ａ，31ｃが配置された第１の層間よりも上側に位置する第２の層間に、上から見て第１および第３の共振電極31ａ，31ｃの間に位置するように第２の共振電極31ｂが配置されている。このような構成を備える本例のバンドパスフィルタによれば、限られたサイズの積層体10の中で、接地電極21ａおよび接地端子電極60ｃと第１乃至第３の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃとの間隔を最大限に大きくすることができることから、第１乃至第３の共振器のＱ値を最大限に大きくすることができるので、小型で低損失なバンドパスフィルタを得ることができる。
【００４８】
（実施の形態の第６の例）
図16は本発明の実施の形態の第６の例のバンドパスフィルタを模式的に示す分解斜視図である。図17は図16に示すバンドパスフィルタの上下面および層間を模式的に示す平面図である。なお、本例においては前述した第５の例と異なる点のみについて説明し、同様の構成要素については同一の参照符号を用いて重複する説明を省略する。
【００４９】
本例のバンドパスフィルタは、図16および図17に示すように、積層体10の第４の層間よびも下側に位置する第６の層間に接地電極21ａに対向するように配置された、第１の容量電極35ａ，第２の容量電極35ｂおよび第３の容量電極35ｃを備えている。第１の容量電極35ａは貫通導体50ｕを介して第１の共振電極31ａの他方端側に接続されている。第２の容量電極35ｂは貫通導体50ｗを介して第２の共振電極31ｂの他方端側に接続されている。第３の容量電極35ｃは貫通導体50ｘを介して第３の共振電極31ｃの他方端側に接続されている。
【００５０】
このような構成を備える本例のバンドパスフィルタによれば、第１の容量電極35ａ，第２の容量電極35ｂおよび第３の容量電極35ｃと接地電極21ａとの間に静電容量が生じるので、第１の共振電極31ａ，第３の共振電極31ｃおよび第２の共振電極31の長さを短く設定することができる。これにより、小型のバンドパスフィルタを得ることができる。なお、本例のバンドパスフィルタにおいては、第１の共振電極31ａ，第１の容量電極35ａおよび両者を接続する貫通導体50ｕによって第１の共振器が構成されている。また、第２の共振電極31ｂ，第３の容量電極35ｃおよび両者を接続する貫通導体50と内部接地電極25とによって第２の共振器が構成されている。そして、第３の共振電極31ｃ，第３の容量電極35ｃ，共振器結合電極43およびこれらを接続する貫通導体50ｔ，50ｘによって第３の共振器が構成されている。
【００５１】
（実施の形態の第７の例）
図18は本発明の実施の形態の第７の例の無線通信モジュール80および無線通信機器85を示すブロック図である。
【００５２】
本例の無線通信モジュール80は、例えば、ベースバンド信号が処理されるベースバンド部81と、ベースバンド部81に接続されてベースバンド信号の変調後および復調前のＲＦ信号が処理されるＲＦ部82とを備えている。ＲＦ部82には前述したバンドパスフィルタ821が含まれており、ベースバンド信号が変調されてなるＲＦ信号または受信したＲＦ信号における通信帯域以外の信号をバンドパスフィルタ821によって減衰させている。具体的な構成としては、ベースバンド部81にはベースバンドＩＣ  811が配置され、ＲＦ部82にはバンドパスフィルタ821とベースバンド部81との間にＲＦ  ＩＣ  822が配置されている。なお、これらの回路間には別の回路が介在していてもよい。そして、無線通信モジュール80のバンドパスフィルタ821にアンテナ84を接続することによってＲＦ信号の送受信がなされる本例の無線通信機器85が構成されている。
【００５３】
このような構成を有する本例の無線通信モジュール80および無線通信機器85によれば、広帯域化が可能で通過帯域外に減衰極を有する本発明のバンドパスフィルタ821を通信信号の濾波に用いることにより、通信帯域の全体に渡って通信信号の損失を小さくできるとともに、ノイズを少なくすることができる。よって、受信感度が向上するとともに、通信信号の増幅度を小さくできるため増幅回路における消費電力が少なくなる。よって、受信感度が高く消費電力が少ない高性能な無線通信モジュール80および無線通信機器85を得ることができる。
【００５４】
（変形例）
本発明は前述した実施の形態の第１〜第７の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更，改良が可能である。
【００５５】
例えば、前述した実施の形態の第１〜第６の例においては、第１乃至第３の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃの接地される側が互い違いになるように配置されて、隣り合う共振電極同士が主に容量性の電磁界結合をし、第１の共振電極31ａと第３の共振電極31ｃとが共振器結合電極43を介して主に容量性の電磁界結合をするとともに、第１および第２の共振器の共振周波数が第３の共振器の共振周波数よりも高く設定される例を示した。しかしながら、これに限定されるものではない。例えば、第１乃至第３の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃの接地される側が互い違いになるように配置されて、隣り合う共振電極同士が主に容量性の電磁界結合をし、第１の共振電極31ａと第３の共振電極31ｃとが共振器結合電極43を介して主に誘導性の電磁界結合をするとともに、第１および第２の共振器の共振周波数が第３の共振器の共振周波数よりも低く設定されるようにしても構わない。
【００５６】
この場合には、第１の共振器から直接第２の共振器へ伝達される電気信号と第１の共振器から第３の共振器を介して第２の共振器へ伝達される信号との間において、３つの共振ピークの間の周波数では位相反転が生じず、３つの共振ピークよりも高周波側の周波数で位相反転が生じるので、３つの共振ピークを含む通過帯域内には減衰極がなく、通過帯域よりも高周波側に減衰極を有する優れた通過特性を有するバンドパスフィルタを得ることができる。
【００５７】
なお、共振器結合電極43を介して、第１の共振電極31ａと第３の共振電極31ｃとが主に誘導性の電磁界結合をするためには、例えば、共振器結合電極43の両端を接地するとともに、共振器結合電極43の一方端側と第１の共振電極31ａの一方端側とが対向して電磁界結合し、且つ共振器結合電極43の他方端側と第３の共振電極31ｃの一方端側とが対向して電磁界結合するようにすればよい。
【００５８】
また、前述した実施の形態の第１〜第６の例においては、第１の入出力端子電極60ａ，第２の入出力端子電極60ｂを備えた例を示した。しかしながら、モジュール基板の中の一領域にバンドパスフィルタが形成される場合等では、これらは必ずしも必要ではない。接地端子電極60ｃも同様である。
【００５９】
さらに、前述した実施の形態の第１〜第６の例においては、バンドパスフィルタが１つの積層体10の中に構成された例を示したが、厚み方向に積層された複数の積層体にまたがってバンドパスフィルタが構成されるようにしてもかまわない。
【００６０】
またさらに、前述した実施の形態の第１〜第４の例においては、第１〜第３の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃが積層体10の同一の層間Ａに配置された例を示し、前述した実施の形態の第５および第６の例においては、第１および第３の共振電極31ａ，31ｃは積層体10の第１の層間に配置され、第２の共振電極31ｂは第１の層間よりも上側に位置する第２の層間に配置された例を示した。しかしながら、これらに限定されるものではなく、第１〜第３の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃは、積層体の同一または異なる層間に、相互に電磁界結合するように、積層方向から見て横並びに順次配置されていれば良い。例えば、第１および第２の共振電極31ａ，31ｂが積層体10の同一の層間に配置され、第３の共振電極31ｃが異なる層間に配置されるようにしても構わない。また、第１〜第３の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃが、それぞれ異なる層間に配置されるようにしても構わない。
【実施例】
【００６１】
次に、本発明のバンドパスフィルタの具体例について説明する。【００６２】
図７および図８に示した実施の形態の第３の例のバンドパスフィルタ、図９〜図11に示した実施の形態の第４の例のバンドパスフィルタならびに図16および図17に示した本発明の実施の形態の第６の例のバンドパスフィルタの電気特性を、有限要素法を用いたシミュレーションによって算出した。【００６３】
なお、実施の形態の第３の例のバンドパスフィルタのシミュレーションにおいては、第１乃至第３の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃは、それぞれ幅が0.25ｍｍで長さが1.5ｍｍの矩形状とした。第２の容量電極35ｂは一辺が0.3ｍｍの正方形状とし、第３の容量電極35ｃは幅が0.4ｍｍで長さが0.5ｍｍの矩形状とした。共振器結合電極43は幅が0.1ｍｍで長さが1.4ｍｍの矩形状とした。バンドパスフィルタ全体は幅が2.0ｍｍで長さが3.0ｍｍで高さが1.0ｍｍの直方体状とし、誘電体層11の比誘電率は18.7とした。【００６４】
また、実施の形態の第４の例のバンドパスフィルタのシミュレーションにおいては、第１の共振電極31ａは幅が0.35ｍｍで長さが1.9ｍｍの矩形状とした。第２の共振電極31ｂは幅が0.35ｍｍで長さが2.1ｍｍの矩形状とした。第３の共振電極31ｃは幅が0.35ｍｍで長さが2.2ｍｍの矩形状とした。第１の容量電極35ａは幅が0.3ｍｍで長さが0.88ｍｍの矩形状とした。第２の容量電極35ｂは幅が0.33ｍｍで長さが1.1ｍｍの矩形状とした。第３の容量電極35ｃは一辺が0.69ｍｍの正方形状とした。第１の入出力結合電極40ａは幅が0.3ｍｍで長さが1.4ｍｍの矩形状とした。第２の入出力結合電極40ｂは幅が0.14ｍｍで長さが2.1ｍｍの矩形状とした。バンドパスフィルタ全体は幅が2.0ｍｍで長さが2.5ｍｍで高さが0.9ｍｍの直方体状とし、誘電体層11の比誘電率は18.7とした。【００６５】
さらに、実施の形態の第６の例のバンドパスフィルタのシミュレーションにおいては、第１の共振電極31ａは、幅が0.31ｍｍで長さが約2.4ｍｍである、屈曲部を有する帯状とした。第３の共振電極31ｃは、幅が0.31ｍｍで長さが約２ｍｍである、屈曲部を有する帯状とした。第２の共振電極31ｂは幅が0.21ｍｍで長さが２ｍｍの帯状とした。共振器結合電極43は幅が0.25ｍｍで長さが1.28ｍｍの帯状とした。第１の入出力結合電極40ａは、幅が0.15ｍｍで長さが約２ｍｍである、屈曲部を有する帯状とした。第２の入出力結合電極40ｂは幅が0.15ｍｍで長さが２ｍｍの帯状とした。第１の容量電極35ａは幅が0.6ｍｍで長さが0.8ｍｍの矩形状とした。第２の容量電極35ｂは幅が0.6ｍｍで長さが1.05ｍｍの矩形状とした。第３の容量電極35ｃは幅が0.35ｍｍで長さが１ｍｍの矩形状とした。積層体10は幅が1.6ｍｍで長さが2.5ｍｍで厚みが0.9ｍｍの直方体状とした。誘電体層11の比誘電率は18.7とした。【００６６】
図19，図20，図21はシミュレーション結果を示すグラフであり、横軸は周波数，縦軸は減衰量を表しており、バンドパスフィルタの通過特性（Ｓ21）および反射特性（Ｓ11）を示している。図19は実施の形態の第３の例のバンドパスフィルタの特性を示し、図20は実施の形態の第４の例のバンドパスフィルタの特性を示し、図21は実施の形態の第６の例のバンドパスフィルタの特性を示す。【００６７】
図19および図20に示すグラフによれば、どちらも広くて平坦な通過帯域を備えるとともに、通過帯域よりも低周波側に３つの減衰極が形成されて通過帯域よりも低周波側における減衰量が充分に確保された優れた通過特性が得られていることがわかる。なお、通過帯域に最も近い周波数にある減衰極は、第１〜第３の共振器が全て容量結合し、第１および第２の共振器の共振周波数が等しく且つ第３の共振器の共振周波数よりも高く設定されていることにより生じる減衰極であり、それよりも低周波側の２つの減衰極は、図12に示す等価回路における、Ｃ40，Ｃ50，Ｃ60が付加されていることによって生じる減衰極である。また、図21に示すグラフによれば、2.3ＧＨｚ〜３ＧＨｚ程度に渡る非常に広く平坦な通過帯域を有するとともに、通過帯域の低周波側近傍に減衰極が形成されて、通過帯域の低周波側近傍の減衰量が充分に確保された優れた通過特性が得られていることがわかる。これらの結果により、本発明の有効性が確認できた。
【符号の説明】
【００６８】
10：積層体
11：誘電体層
21ａ，21ｂ：接地電極
31ａ：第１の共振電極
31ｂ：第２の共振電極
31ｃ：第３の共振電極
40ａ：第１の入出力結合電極
40ｂ：第２の入出力結合電極
43：共振器結合電極
80：無線通信モジュール
81：ベースバンド部
82：ＲＦ部
84：アンテナ
85：無線通信機器
821：バンドパスフィルタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【国際調査報告】
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