(57)【要約】  誘導加熱調理器であって、調理容器が載置されるトッププレートと、トッププレートの下方に配置され、調理容器を加熱する加熱コイルと、加熱コイルの下方に配置され、調理容器から放射される赤外線を検出する赤外線センサと、赤外線センサを収容するセンサケースと、センサケースの上面に配置される磁路形成手段と、を備え、磁路形成手段を、加熱コイルから発生し、赤外線センサ上を通る磁束を誘導するものとした。
2018229967.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
調理容器が載置されるトッププレートと、
前記トッププレートの下方に配置され、前記調理容器を加熱する加熱コイルと、
前記加熱コイルの下方に配置され、前記調理容器から放射される赤外線を検出する赤外線センサと、
前記赤外線センサを収容するセンサケースと、
前記センサケースの上面に配置される磁路形成手段と、を備え、
前記磁路形成手段は、前記加熱コイルから発生し、前記赤外線センサ上を通る磁束を誘導するものである誘導加熱調理器。
【請求項２】
前記磁路形成手段は、誘導加熱調理器の駆動周波数帯での比透磁率が空気の比透磁率よりも高い材質で構成される請求項１に記載の誘導加熱調理器。
【請求項３】
前記磁路形成手段は、平板形状である請求項１または２に記載の誘導加熱調理器。
【請求項４】
前記磁路形成手段は、前記加熱コイルと平行に配置される請求項１〜３の何れか一項に記載の誘導加熱調理器。
【請求項５】
前記磁路形成手段は、前記赤外線センサ上を通る前記磁束の向きと平行に配置される請求項１〜４の何れか一項に記載の誘導加熱調理器。
【請求項６】
前記赤外線センサ上を通る前記磁束の向きと平行な前記磁路形成手段の長さが、前記磁束の向きと平行な前記赤外線センサの長さよりも長い請求項１〜５の何れか一項に記載の誘導加熱調理器。
【請求項７】
前記赤外線センサが配置される基板をさらに備え、
前記加熱コイルから発生し前記基板上を通る磁束の向きと平行な前記磁路形成手段の長さが、前記磁束の向きと平行な前記基板の長さよりも長い請求項１〜５の何れか一項に記載の誘導加熱調理器。
【請求項８】
前記磁路形成手段は、平面視で前記赤外線センサよりも大きい面積を有し、前記赤外線センサを覆うように配置され、
前記磁路形成手段には、前記赤外線センサが赤外線を受光するための開口が形成される請求項６に記載の誘導加熱調理器。
【請求項９】
前記磁路形成手段は、平面視で前記基板よりも大きい面積を有し、前記基板を覆うように配置され、
前記磁路形成手段には、前記赤外線センサが赤外線を受光するための開口が形成される請求項７に記載の誘導加熱調理器。
【請求項１０】
前記センサケースの上面には、前記赤外線センサが赤外線を受光するための開口が形成され、
前記磁路形成手段は、前記センサケースの前記開口を挟んで相対して配置される第１磁路形成手段および第２磁路形成手段からなる請求項１〜７の何れか一項に記載の誘導加熱調理器。
【請求項１１】
前記センサケースの上面には、前記磁路形成手段が配置される側に突出するリブが設けられ、
前記磁路形成手段は、前記リブにより位置決めされる請求項１〜１０の何れか一項に記載の誘導加熱調理器。
【請求項１２】
前記センサケースの上面には、前記赤外線センサが赤外線を受光するための開口が形成され、
前記リブは、前記センサケースの前記開口の少なくとも一部に沿って形成されるものである請求項１１に記載の誘導加熱調理器。
【請求項１３】
前記リブは、前記センサケースの上面の外周の少なくとも一部に沿って形成されるものである請求項１１または１２に記載の誘導加熱調理器。
【請求項１４】
前記磁路形成手段は、前記センサケースの側面に沿って配置される側部を有する請求項１または２に記載の誘導加熱調理器。
【請求項１５】
前記センサケースの側面には、前記磁路形成手段の側部を載置する羽部が形成される請求項１４に記載の誘導加熱調理器。
【請求項１６】
前記赤外線センサが配置される基板をさらに備え、
前記磁路形成手段の側部は、前記基板よりも下方に延びる請求項１４または１５に記載の誘導加熱調理器。
【請求項１７】
前記センサケースは、上ケースと下ケースとからなり、
前記磁路形成手段の側部は、前記上ケースと下ケースとで挟み込まれる請求項１４〜１６の何れか一項に記載の誘導加熱調理器。
【請求項１８】
前記磁路形成手段は、前記センサケースの底面の内側に沿って配置される底部を有する請求項１４〜１７の何れか一項に記載の誘導加熱調理器。
【請求項１９】
前記磁路形成手段の上面または底面に配置され、前記磁路形成手段を保護する保護手段をさらに備える請求項１〜１８の何れか一項に記載の誘導加熱調理器。
【請求項２０】
前記保護手段は、導電率の高い非磁性金属または耐熱性の高い樹脂で構成される請求項１９に記載の誘導加熱調理器。
【請求項２１】
前記磁路形成手段は、ソフトフェライト、ハードフェライト、電磁波シールドシートまたは電磁波シールド塗料で構成される請求項１〜２０の何れか一項に記載の誘導加熱調理器。
【請求項２２】
前記磁路形成手段は、前記センサケースの側面と底面の外側に配置される請求項１〜２１の何れか一項に記載の誘導加熱調理器。
【請求項２３】
センサと、
前記センサを収容するセンサケースと、
前記センサケースの上面に配置され、前記センサ上を通る磁束を誘導する磁路形成手段と、を備えるセンサユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、調理容器の温度を求めるセンサを備える誘導加熱調理器およびセンサユニットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、調理物を誘導加熱方式で加熱する誘導加熱調理器が普及している。誘導加熱調理器は、加熱調理器内に配置された加熱コイル等の金属体に電流を流すことで発生する磁束により、加熱コイル上方にトッププレートを介して載置された調理容器本体に渦電流を発生させ、調理容器本体の抵抗により発生するジュール熱で調理容器を発熱させるものである。【０００３】
従来、誘導加熱調理器のトッププレート上に載置された被加熱物である調理容器本体の温度を検出する方法として、接触式の温度センサであるサーミスタを用いたサーミスタ方式と、非接触式の温度センサである赤外線センサを用いた赤外線センサ方式と、が知られている。サーミスタ方式では、サーミスタをトッププレートに接触させてトッププレートを介して調理容器から伝達される温度を検出する。赤外線センサ方式では、加熱コイルの下方に配置した赤外線センサによって、トッププレート上に載置された調理容器から放射される赤外線放射エネルギーを検出し、検出した赤外線エネルギー量から調理容器の温度を算出する。【０００４】
ここで、赤外線センサ方式の場合、加熱コイルから発生する磁束の一部が赤外線センサに入ることで、赤外線センサの出力に高周波ノイズが重畳され、出力が安定しなくなる。これにより、調理容器の温度検知精度が低下し、適温調理または自動調理機能の精度も低下してしまうといった問題がある。この問題を解決するため、赤外線センサの周辺に防磁手段を設けることが提案されている。【０００５】
例えば、特許文献１には、焦電型の非接触温度センサを磁性体からなるケースに収容することが提案されている。特許文献１の構成では、加熱コイルによって発生した交流の磁束が、非接触温度センサの周囲に配置された磁性体に交差することにより、磁性体中に渦電流が流れる。そして、この渦電流によって磁束が発生し、発生した磁束が非接触温度センサに入る磁束を打ち消すことにより、非接触温度センサにおける高周波ノイズの重畳を防ぐことができる。【０００６】
また、特許文献２では、赤外線センサおよび制御基板をアルミからなる防磁部材で覆うことが提案されている。特許文献２のように金属を防磁部材に用いる場合も、特許文献１と同様に、加熱コイルによって発生した交流の磁束が金属に交差し、渦電流が流れる。そして、この渦電流によって赤外線センサに入る磁束を打ち消すことにより、高周波ノイズの重畳を防ぐことができる。【０００７】
さらに、特許文献３では、赤外線センサのケースをフェライト樹脂で構成することが提案されている。フェライトは絶縁物であり、特許文献１および特許文献２のように、磁束との交差により渦電流は発生しない。特許文献３の構成では、フェライトの透磁率を利用して、赤外線センサに入る磁束を誘導することで、赤外線センサへの高周波ノイズの重畳を防ぐものである。また、特許文献３では、フェライト成分を樹脂に混ぜ込ませることで、ケースの成形性および成形精度を向上させることもできる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−１５８３４０号公報
【特許文献２】特開２００５−２６１６２号公報
【特許文献３】特開２０１１−９０３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ここで、特許文献１および特許文献２のように、防磁手段に発生する渦電流を利用する場合、防磁手段と交差する磁束が比較的高周波の場合には渦電流が発生するものの、低周波の場合には渦電流が発生しない。そのため、防磁手段と交差する磁束が比較的低周波の場合には、非接触温度センサのケースに入射する磁束を打ち消す磁束が発生せず、防磁効果が低減する。【００１０】
また、磁性体または金属に発生する磁束は、磁性体または金属の導電率および厚さにより異なる。また、磁束から渦電流を発生させ、渦電流から磁束を発生させることによる、各段階でのエネルギー変換による損失、および渦電流と導体の抵抗によるジュール熱の発生による熱エネルギー損失が発生することにより、入射した磁束を全て打ち消すだけの磁束を発生させることができないことがある。【００１１】
また、特許文献３で用いられるフェライト樹脂は、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚ程度の高周波に効果のある磁性材料である。これに対し、誘導加熱調理器での駆動周波数帯は、２０ＫＨｚ〜１００ＫＨｚである。そして、誘導加熱調理器での駆動周波数帯におけるフェライト樹脂の比透磁率は、高周波の場合に比べて著しく低くなる。例えば、１０ＫＨｚの場合のフェライト樹脂の比透磁率は１０程度となる。そのため、防磁手段としてフェライト樹脂を用いる場合には、特許文献３のようにセンサケース全体をフェライト樹脂で構成するなど、赤外線センサの周囲に多くのフェライト樹脂を配置する必要があり、製品のコストアップを招いてしまう。【００１２】
さらに、光学部品である赤外線センサを正確な位置に配置するためには、センサケースの正確な成形が必要となる。センサケースの成形精度が低いと、赤外線センサとトッププレートとの距離を安定させることができず、検知精度にも影響を及ぼしてしまう。しかしながら、特許文献３のようにフェライト樹脂を用いる場合、樹脂に金属が混ぜ込まれていることで、センサケースの成形時における金型の耐久性が低下するとともに、成形時の磁界の影響を考慮する必要があるため、センサケース製造時においてもコストアップを招いてしまう。【００１３】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、コストアップを招くことなく、赤外線センサへの磁束の侵入を低減することができる誘導加熱調理器およびセンサユニットを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明に係る加熱調理器は、調理容器が載置されるトッププレートと、トッププレートの下方に配置され、調理容器を加熱する加熱コイルと、加熱コイルの下方に配置され、調理容器から放射される赤外線を検出する赤外線センサと、赤外線センサを収容するセンサケースと、センサケースの上面に配置される磁路形成手段と、を備え、磁路形成手段は、加熱コイルから発生し、赤外線センサ上を通る磁束を誘導するものである。【００１５】
本発明に係るセンサユニットは、センサと、センサを収容するセンサケースと、センサケースの上面に配置され、センサ上を通る磁束を誘導する磁路形成手段と、を備える。
【発明の効果】
【００１６】
本発明における誘導加熱調理器およびセンサユニットによれば、センサケースの上面に配置された磁路形成手段によって赤外線センサ上を通る磁束を誘導することで、コストアップを招くことなく、簡素な構造で赤外線センサへの磁束の侵入を低減できる。これにより、赤外線センサへのノイズの重畳を抑えることができ、赤外線センサにおける温度検知精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施の形態１における誘導加熱調理器の概略斜視図である。
【図２】実施の形態１における誘導加熱調理器の主要部の概略構成図である。
【図３】実施の形態１における誘導加熱調理器の主要部の位置関係を説明する図である。
【図４】実施の形態１における誘導加熱調理器の主要部の位置関係を説明する図である。
【図５】実施の形態１における誘導加熱調理器のトッププレートの分光透過特性を示すグラフである。
【図６】実施の形態１における誘導加熱調理器のトッププレートの分光透過特性と各温度での分光放射輝度曲線との関係を示すグラフである。
【図７】黒体の分光放射輝度曲線を温度毎に示したグラフである。
【図８】実施の形態１における加熱調理動作の流れを示すフローチャートである。
【図９】実施の形態１における非接触式温度センサの斜視図である。
【図１０】実施の形態１における非接触式温度センサの平面図である。
【図１１】実施の形態１における非接触式温度センサを図１０のＡ−Ａ線で切断した縦断面図である。
【図１２】実施の形態１における非接触式温度センサの磁路形成手段とセンサケースとを分離した状態を示す斜視図である。
【図１３】実施の形態１における加熱コイルの磁束と非接触式温度センサとを示す模式図である。
【図１４】実施の形態１における加熱コイルの磁束と非接触式温度センサとを示す模式図である。
【図１５】実施の形態１の磁路形成手段による磁束の誘導を説明する図である。
【図１６】変形例１−１における非接触センサの平面図である。
【図１７】変形例１−１における非接触センサを図１６のＡ−Ａ線で切断した縦断面図である。
【図１８】変形例１−２における非接触センサの平面図である。
【図１９】変形例１−２の磁路形成手段による磁束の誘導を説明する図である。
【図２０】実施の形態２におけるセンサケースの斜視図である。
【図２１】実施の形態２における非接触式温度センサの縦断面図である。
【図２２】変形例２−１におけるセンサケースの斜視図である。
【図２３】変形例２−１における非接触式温度センサの縦断面図である。
【図２４】実施の形態３における非接触式温度センサの斜視図である。
【図２５】実施の形態３における非接触式温度センサの平面図である。
【図２６】実施の形態３における非接触式温度センサを図２５のＢ−Ｂ線で切断した横断面図である。
【図２７】変形例３−１における非接触式温度センサの横断面図である。
【図２８】変形例３−２における非接触式温度センサの斜視図である。
【図２９】変形例３−２における非接触式温度センサの平面図である。
【図３０】変形例３−２における非接触式温度センサを図２９のＢ−Ｂ線で切断した横断面図である。
【図３１】変形例３−３における非接触式温度センサの横断面図である。
【図３２】実施の形態４における非接触式温度センサの縦断面図である。
【図３３】変形例４−１における非接触式温度センサの横断面図である。
【図３４】変形例４−２における非接触式温度センサの横断面図である。
【図３５】変形例４−３における非接触式温度センサの横断面図である。
【図３６】変形例５における非接触式温度センサの横断面図である。
【図３７】変形例６における非接触式温度センサの横断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明における加熱調理器の実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、細かい構造および重複または類似する説明については、適宜簡略化または省略している。
実施の形態１．
（誘導加熱調理器の構成）
まず、誘導加熱調理器１の構成について説明する。図１は、実施の形態１における誘導加熱調理器１の概略斜視図である。図１に示すように、誘導加熱調理器１は、本体２と、本体２の上面に配置されたトッププレート３とを備えている。本体２の前面には、前面操作部２１が設けられている。前面操作部２１には、誘導加熱調理器１の電源をＯＮ／ＯＦＦするための電源スイッチ２２および火力を調節するための複数の操作ダイヤル２３が配置されている。
【００１９】
トッププレート３は、例えば、耐熱性のガラス板と金属の枠体とにより構成される。トッププレート３の上面には、印刷等により加熱領域を示す複数の（本実施の形態では３個の）円形の加熱口３０が設けられている。各加熱口３０には、鍋またはフライパン等の調理容器１００（図２）が載置される。また、加熱口３０の下方には、加熱コイル４が配置される。
【００２０】
トッププレート３の手前側には、加熱口３０の火力を調整するために操作される上面操作部３１が設けられている。上面操作部３１は、火力を調節するために操作される火力操作部３２と、火力の大きさを表す火力表示部３３とを有する。本実施の形態では、各加熱口３０に対応して、複数の火力操作部３２および火力表示部３３が設けられている。火力操作部３２は、例えば静電容量式のタッチセンサで構成される。火力表示部３３は、例えば複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）で構成され、火力の大きさに応じた数の発光ダイオードが点灯される。
【００２１】
また、トッププレート３の手前側中央には、表示部３４が設けられている。表示部３４は、例えばタッチパネルで構成され、誘導加熱調理器１に関する情報が表示されるとともに、調理モードの選択および調理温度の設定等の操作を入力することができる。表示部３４に表示される情報には、誘導加熱調理器１の設定情報、調理モードの選択表示、自動調理の進行状況、調理容器１００の温度および警告情報の表示等が含まれる。
【００２２】
図２は、本実施の形態における誘導加熱調理器１の主要部の概略構成図である。また、図３および図４は、本実施の形態における誘導加熱調理器１の主要部の位置関係を説明する図である。ここで、図３は、誘導加熱調理器１の断面模式図と、加熱コイル４を上面から見た模式図とを含み、対応する各構成要素を破線で繋いでいる。また、図４は、加熱コイル４を裏面から見た模式図である。
【００２３】
図２〜図４に示すように、誘導加熱調理器１の本体２の内部であって、トッププレート３の下方には、加熱コイル４と、加熱コイル４を支持するコイルベース５と、コイルベース５の下面に配置される複数のフェライトコア６と、非接触式温度センサ７と、複数の接触式温度センサ８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄと、温度検出部９と、制御部１０と、インバータ１２と、が設けられる。
【００２４】
図２に示すように、トッププレート３における非接触式温度センサ７の真上には透過部４０が設けられる。透過部４０は、調理容器１００の赤外線がトッププレート３を透過するように、空洞または透過素材とすることが望ましい。しかしながら、透過部４０を空洞または透過素材とすると、トッププレート３の上面から内部の加熱コイル４および配線などが見えてしまう場合があり、意匠上望ましくない。そのため、透過部４０に対してドット状またはストライプ状の塗装を施し、透明な部分の割合を制限してもよい。このようにすることで意匠性と機能性とを担保することができる。
【００２５】
加熱コイル４は、トッププレート３に設けられた加熱口３０の下方に配置される。加熱コイル４は、例えば銅線またはアルミ線などの導線が巻回してなる円形のコイルであり、高周波電流が供給されることで高周波磁界を発生する。本実施の形態では、加熱コイル４は、第１コイル４ａ、第２コイル４ｂおよび第３コイル４ｃに分割された、三重環状のコイルである。また、第１コイル４ａ、第２コイル４ｂおよび第３コイル４ｃは、電気的に接続され、同一のインバータ１２によって駆動される。なお、加熱コイル４の形状および駆動回路の構成は、これに限定されるものではない。例えば、加熱コイル４の形状は楕円でもよい。また、コイルの構成は、二重環状または四重以上の環状であってもよく、または、複数のコイルが組み合わされて構成されてもよい。また、分割されるコイルは、電気的に接続されていなくてもよく、複数のインバータによってそれぞれ独立して駆動されてもよい。
【００２６】
コイルベース５は、合成樹脂などで構成され、加熱コイル４を収容し支持する概ね円盤状の部材である。図３に示すように、コイルベース５は、概ね円形で加熱コイル４の巻き線の中央に嵌合する中央部５１と、中央部５１と同心上に設けられ加熱コイル４の外周側を囲む外周部５２と、中央部５１と外周部５２とを径方向に繋ぐ梁部５３とを備える。本実施の形態では、８本の梁部５３が放射状に設けられている。
【００２７】
フェライトコア６は、非導電性で高透磁率を有する強磁性材料からなる棒状の部材である。例えば、フェライトコア６は、後述するソフトフェライトで構成される。フェライトコア６を設けることで、加熱コイル４の下方向への漏れ磁束が抑制され、加熱効率の向上および調理容器１００の均熱化を図ることができる。図４に示すように、本実施の形態のフェライトコア６は、各梁部５３の下面において、加熱コイル４の中心付近から半径方向に延びるように、互いに間隔をあけて均等に配置される。
【００２８】
非接触式温度センサ７は、トッププレート３に載置された調理容器１００の底部から放射される赤外線エネルギーを検出するものであり、磁路形成手段２００と、赤外線センサ２１１を含む赤外線センサユニット２１０と、センサケース２２０とからなる。非接触式温度センサ７は、径方向において、赤外線センサ２１１が第１コイル４ａと第２コイル４ｂの間に位置するように配置される。また、非接触式温度センサ７は、周方向において、赤外線センサ２１１が放射状に配置されるフェライトコア６の間（すなわち梁部５３の間）に位置するように配置される。ここで、複数のフェライトコア６のうち、赤外線センサ２１１と隣り合うフェライトコア６をフェライトコア６ａ、６ｂとする。同様に、コイルベース５の梁部５３のうち、赤外線センサ２１１と隣り合う梁部５３を梁部５３ａ、５３ｂとする。非接触式温度センサ７については、後ほど詳述する。
【００２９】
接触式温度センサ８ａ、８ｂ、８ｃおよび８ｄは、それぞれ図示しないセンサ保持部によって、トッププレート３の裏面（すなわち加熱コイル４と対向する面）に接触するように配置される。接触式温度センサ８ａ、８ｂ、８ｃおよび８ｄは、トッププレート３の温度を検出する。図３および図４に示すように、複数の接触式温度センサのうち、接触式温度センサ８ａは、径方向において、第１コイル４ａと第２コイル４ｂの間に配置される。また、接触式温度センサ８ａは、周方向において、赤外線センサ２１１と隣り合うフェライトコア６ａの上方において、赤外線センサ２１１と隣り合う梁部５３ａのトッププレート３側（フェライトコア６ａと反対側）の近傍に配置される。また、接触式温度センサ８ｂおよび８ｃは、径方向において、接触式温度センサ８ａと加熱コイル４の中心との同心円上であって、周方向において、赤外線センサ２１１が配置される領域とは異なる領域に配置される。また、接触式温度センサ８ｄは、径方向において、第２コイル４ｂと第３コイル４ｃとの間であって、周方向において、赤外線センサ２１１が配置される領域とは異なる領域に配置される。
【００３０】
なお、接触式温度センサの数および配置はこれに限定されるものではない。例えば、本実施の形態では、４個の接触式温度センサを備える構成としているが、接触式温度センサの数を３個以下または５個以上としてもよい。また、接触式温度センサ８ａは、赤外線センサ２１１の近傍に配置されればよく、その他の接触式温度センサは、加熱コイル４が最も高温になる箇所の近傍、接触式温度センサ８ａと加熱コイル４の中心との同心円上、などの任意の場所に複数個配置されてもよい。
【００３１】
図２に戻って、温度検出部９は、その機能を実現する回路デバイスなどのハードウェア、またはマイコン等の演算装置とその上で実行されるソフトウェアとで構成される。温度検出部９は、赤外線センサ２１１および接触式温度センサ８ａ、８ｂ、８ｃおよび８ｄからの出力値を受信し、受信した出力値に基づいて調理容器１００の温度を算出する。詳しくは、温度検出部９は、赤外線センサ２１１の出力値を接触式温度センサ８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄの出力値の最大値によって補正して、調理容器１００の最高温度Ｔｃｍａｘを算出する。また、温度検出部９は、赤外線センサ２１１の出力値を、赤外線センサ２１１と隣り合うフェライトコア６ａの上方に配置される接触式温度センサ８ａの出力値で補正して、調理容器１００の調理制御用温度Ｔｃｏｏｋを算出する。
【００３２】
制御部１０は、その機能を実現する回路デバイスなどのハードウェア、またはマイコン等の演算装置とその上で実行されるソフトウェアとで構成される。制御部１０は、前面操作部２１または上面操作部３１による設定内容に基づいて、誘導加熱調理器１の動作を制御する。また、制御部１０は、使用者によって設定された調理温度と、温度検出部９によって算出された調理容器１００の最高温度Ｔｃｍａｘおよび調理制御用温度Ｔｃｏｏｋとに基づいてインバータ１２を制御し、加熱制御を行う。
【００３３】
インバータ１２は、商用電源１１の交流電源を高周波電流に変換して、加熱コイル４へ供給する駆動回路である。なお、誘導加熱調理器１は、図２に示す以外の構成を含んでもよく、例えば、外部機器との通信を行う通信部などを備えてもよい。また、制御部１０が温度検出部９の機能を備える構成としてもよい。
【００３４】
（トッププレートの分光透過特性）
次に、トッププレート３の分光透過特性について説明する。図５は、本実施の形態における誘導加熱調理器１のトッププレート３の分光透過特性を示すグラフである。図５のグラフは、トッププレート３を厚さ約４ｍｍの耐熱性の高い結晶化ガラスで構成した場合の透過率τを一例として示している。また、図６は、本実施の形態における誘導加熱調理器１のトッププレート３の分光透過特性と各温度での分光放射輝度曲線との関係を示すグラフである。図６では、調理容器１００の温度が１５０℃、２００℃、２５０℃である場合の分光放射輝度曲線とトッププレート３の透過率τとを示している。
【００３５】
図５からわかるようにトッププレート３における透過率の高い波長帯域は、０．６μｍ〜２．６μｍであり、その次に透過率の高い波長帯域は３．２μｍ〜４．２μｍである。また、図６からわかるように、調理容器１００の温度が１５０℃、２００℃、２５０℃の分光放射輝度曲線は、２．０μｍ付近から増加している。したがって、透過率τ（％）と分光放射輝度との積で求められる調理容器１００底から赤外線センサ２１１に到達する赤外線エネルギー量の値は、３．２μｍ〜４．２μｍの波長帯域で大きくなる。そのため、調理容器１００の温度を検出するためには、この波長帯域の赤外線を検知する必要がある。この３．２μｍ〜４．２μｍの波長帯域を検出することによって、トッププレート３による減衰の影響を受けにくい調理容器１００の温度が１４０℃以上の温度域を正確に測定することが可能となる。
【００３６】
赤外線センサ２１１は、調理容器１００の底から放射される赤外線エネルギーと、トッププレート３が熱伝導により加熱されることによってトッププレート３の下面から放射される赤外線エネルギーとを検出する。トッププレート３から放射される赤外線エネルギーは、トッププレート３の透過率が低い領域である４．５μｍよりも長い波長帯域において高い割合で放射される。ガラスの放射率εは一般的に０．８４〜０．９程度であり、高い放射率を有している。
【００３７】
図７は、黒体の分光放射輝度曲線を温度毎に示したグラフである。誘導加熱調理器１にて加熱される調理物（調理容器１００）の温度は湯沸しから揚げ物までの概ね２３０℃よりも低い温度帯が使用される。図７によれば、２５０℃までの分光放射輝度は、波長帯域として２０μｍ程度まで検出されている。このため、トッププレート３から放射される赤外線エネルギー量は、赤外線センサ２１１で本来検出したい３．２μｍ〜４．２μｍの波長帯域に対してノイズとして高い影響を与える。
【００３８】
（加熱調理器の制御）
次に、本実施の形態の制御部１０による加熱制御について説明する。図８は、本実施の形態における加熱調理動作の流れを示すフローチャートである。
【００３９】
まず、使用者が電源スイッチ２２を投入すると、制御部１０が起動され、各種データの初期化が行われ（Ｓ１０１）、使用者による加熱開始の指示待ちの状態となる（Ｓ１０２）。そして、使用者によって、表示部３４などを用いて調理温度が設定され、加熱開始が指示されると（Ｓ１０２：ＹＥＳ）、制御部１０によって、加熱コイル４が駆動される（Ｓ１０３）。詳しくは、使用者によって設定された温度に基づいて加熱コイル４を駆動するように、制御部１０によってインバータ１２が制御され、インバータ１２から加熱コイル４に所定の周波数の電力が供給される。
【００４０】
これにより、加熱コイル４から磁束が発生し、この磁束によって調理容器１００に渦電流が発生して調理容器１００が加熱される。そして、調理容器１００から放射される赤外線が赤外線センサ２１１によって受光され、受光量に応じた出力値Ｔｉｒが温度検出部９に出力される（Ｓ１０４）。
【００４１】
また、調理容器１００が加熱されることよって発生した熱量が、トッププレート３に熱伝導することで、トッププレート３が加熱される。そして、トッププレート３の下方に配置された複数の接触式温度センサ８ａ、８ｂ、８ｃおよび８ｄによって、トッププレート温度Ｔｐａ、Ｔｐｂ、Ｔｐｃ、Ｔｐｄがそれぞれ検出され、温度検出部９に出力される（Ｓ１０５）。
【００４２】
温度検出部９は、接触式温度センサ８ａ、８ｂ、８ｃおよび８ｄによって検出されたトッププレート温度Ｔｐａ、Ｔｐｂ、ＴｐｃおよびＴｐｄから、最も高い温度をＴｐｍａｘとして抽出する。そして、赤外線センサ２１１の出力値ＴｉｒをＴｐｍａｘで補正して、調理容器１００の最高温度Ｔｃｍａｘを算出する。また、温度検出部９は、赤外線センサ２１１の出力値Ｔｉｒを、接触式温度センサ８ａが検出したトッププレート温度Ｔｐａで補正して、調理容器１００の調理制御用温度Ｔｃｏｏｋを算出する（Ｓ１０６）。接触式温度センサ８ａは、赤外線センサ２１１と隣り合うフェライトコア６ａの上方に配置されるものである。赤外線センサ２１１の出力値Ｔｉｒの補正は、例えば、出力値Ｔｉｒに対応する温度からＴｐｍａｘまたはＴｐａを減算することで行われる。
【００４３】
次に、制御部１０によって、温度検出部９が算出した調理容器１００の最高温度Ｔｃｍａｘと、２段階の制限値である第１制限値Ｔｌｉｍ１および第２制限値Ｔｌｉｍ２とが比較される。第１制限値Ｔｌｉｍ１は、第２制限値Ｔｌｉｍ２よりも小さな値である。第１制限値Ｔｌｉｍ１および第２制限値Ｔｌｉｍ２は、調理モードなどに応じ予め設定されるか、または使用者によって任意に設定されてもよい。そして、最高温度Ｔｃｍａｘが第２制限値Ｔｌｉｍ２よりも大きい場合（Ｓ１０７：ＹＥＳ）は、調理容器１００の温度が高くなりすぎたと判断し、制御部１０によって加熱コイル４の駆動が停止される（Ｓ１０８）。また、このとき、表示部３４または図示しない報知部から、加熱を停止した旨を視覚または音声によって使用者に報知してもよい。
【００４４】
一方、最高温度Ｔｃｍａｘが第２制限値Ｔｌｉｍ２以下の場合（Ｓ１０７：ＮＯ）であって、最高温度Ｔｃｍａｘが第１制限値Ｔｌｉｍ１より大きい場合（Ｓ１０９：ＹＥＳ）は、調理容器１００の温度が高温に近づいていると判断される。そのため、この場合は、加熱コイル４への供給電力が低減される（Ｓ１１０）。また、このとき、表示部３４または図示しない報知部から、加熱を低減した旨を視覚または音声によって使用者に報知してもよい。
【００４５】
一方、最高温度Ｔｃｍａｘが第１制限値Ｔｌｉｍ１以下の場合（Ｓ１０９：ＮＯ）は、調理容器１００の温度が適切と判断され、温度検出部９が算出した調理制御用温度Ｔｃｏｏｋと設定された温度に基づいて、調理用の温度制御が行われる（Ｓ１１１）。
【００４６】
調理用の温度制御においては、設定温度になるようにフィードバック制御が行われる。詳しくは、制御部１０によって、調理制御用温度Ｔｃｏｏｋと設定温度とが比較される。そして、調理制御用温度Ｔｃｏｏｋが設定温度より低い場合、加熱コイル４へ電力が供給される。そして、調理制御用温度Ｔｃｏｏｋが設定温度に近づいた場合には、供給電力の周波数を上げて加熱コイル４への供給電力を低減する。また、調理制御用温度Ｔｃｏｏｋが設定温度を超えた場合、制御部１０によって、インバータ１２が停止され、加熱コイル４への電力供給が停止される。以上の動作を加熱調理終了まで繰り返すことで、調理制御用温度Ｔｃｏｏｋを設定温度に維持する。
【００４７】
そして、加熱調理が終了した場合（Ｓ１１２：ＹＥＳ）、制御部１０によってインバータ１２が停止され、加熱コイル４への電力供給が遮断される（Ｓ１０８）。このような制御を行うことで、トッププレート３から放射される赤外線エネルギーによる影響を低減することができる。
【００４８】
（非接触式温度センサ７の構成）
次に、本実施の形態の非接触式温度センサ７について詳述する。図９は、本実施の形態における非接触式温度センサ７の斜視図であり、図１０は、本実施の形態における非接触式温度センサ７の平面図である。また、図１１は、本実施の形態における非接触式温度センサ７を図１０のＡ−Ａ線で切断した縦断面図である。さらに、図１２は、本実施の形態における非接触式温度センサ７の磁路形成手段２００とセンサケース２２０とを分離した状態を示す斜視図である。図９〜図１２に示すように、非接触式温度センサ７は、赤外線センサ２１１を含む赤外線センサユニット２１０と、赤外線センサユニット２１０を収容するセンサケース２２０と、センサケース２２０の上面に配置される磁路形成手段２００と、を備える。非接触式温度センサ７は、上面が加熱コイル４と平行になるように、コイルベース５に取り付けられる。
【００４９】
（磁路形成手段２００）
磁路形成手段２００は、加熱コイル４から発生し、赤外線センサ２１１上を通る磁束を誘導するものである。図１０および図１１に示すように、磁路形成手段２００は、平面視で赤外線センサ２１１よりも大きい面積を有する平板状の部材であり、赤外線センサ２１１を覆うように配置される。なお、磁路形成手段２００は、赤外線センサ２１１上に発生する磁束の向きと平行な辺の長さが、赤外線センサ２１１の磁束の向きと平行な長さよりも長ければよい。また、磁路形成手段２００は、調理容器１００からの赤外線を透過する開口２０１を有する。磁路形成手段２００は、非接触式温度センサ７の最上部に配置され、接着剤、テープまたは粘着性のある緩衝材等によって、センサケース２２０の上面に密着するように固定される。これにより、磁路形成手段２００は、加熱コイル４と平行に配置される。
【００５０】
また、本実施の形態の磁路形成手段２００は、誘導加熱調理器１の駆動周波数帯での比透磁率μｓが空気の比透磁率（μｓ＝１）よりも高い部材で構成される。一例として、磁路形成手段２００は、軟磁性体であるソフトフェライトで構成される。フェライトは、鉄を主成分とする酸化物磁性体であり、化学式はＭＯ−Ｆｅ２Ｏ３で表される。Ｍは、二価の金属イオンＦｅ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｍｇ、ＣｏまたはＣｕ等である。金属イオンＭを変えることで、様々な特性のフェライトが得られる。
【００５１】
フェライトは、磁気的に硬いハードフェライトと磁気的に軟らかいソフトフェライトとに大別される。ハードフェライトは、磁界を強くした場合にも最初は磁束密度があまり変化せず、磁界を非常に強くした場合に急に磁束が流れ磁石化する。また、ハードフェライトは、一旦磁石化されると反対側の磁束をかけても、元に戻りにくい性質を持つ。一方、ソフトフェライトは、磁界を増やすと、すぐに磁束が流れるようになり磁石化されるが、反対側の磁束をかけるとすぐにもとに戻る性質を持つ。
【００５２】
ソフトフェライトには、Ｍｎ−Ｚｎ系およびＮｉ−Ｚｎ系がある。Ｍｎ−Ｚｎ系は、透磁率μおよび磁束密度Ｂが高いが、透磁率が高い分、スネーク効果により使用可能な周波数は１ＭＨｚ以下である。また、導電性を持つために絶縁加工する必要があることから、フィルタとして用いる場合は形状が大きくなる。Ｎｉ−Ｚｎ系は、ほぼ絶縁体であり、高周波に優れていることから、フィルタなどの電子回路中に用いるノイズ対策には、Ｎｉ−Ｚｎ系が用いられることが多い。
【００５３】
本実施の形態における磁路形成手段２００は、フェライトの高い透磁率を利用して、空間に流れている磁束を磁路形成手段２００の中に誘導するものである。磁路形成手段２００として、単に磁性体を用いればよいわけではなく、誘導加熱調理器１の駆動周波数(２０ＫＨｚ〜１００ＫＨｚ)において空気よりも高い比透磁率μｓをもつ磁性体を配置する必要がある。なお、誘導加熱調理器１の駆動周波数帯での比透磁率μｓが高いものであれば、ハードフェライトなどの硬磁性体を用いてもよい。
【００５４】
ここで、比透磁率μｓは、その磁性体の透磁率と真空の透磁率との比であり、真空に対して何倍磁束を通しやすいかを示す指標である。なお、真空の透磁率と空気の透磁率は略等しいため、比透磁率μｓは、空気に対して何倍磁束を通しやすいかを示すとも言える。比透磁率μｓと、磁界の強さＨと、磁束密度Ｂとの関係は、以下で表される。
Ｂ＝μａｂＨ＝μ０μｓＨ
μａｂ＝絶対透磁率［Ｈ／ｍ］
μ０＝真空の透磁率（４π×１０−７[Ｈ／ｍ]）
μｓ＝比透磁率（その磁性体が真空の何倍磁束を通しやすいか）
【００５５】
本実施の形態のように、磁性体をシールドのための磁路形成手段として用いる場合は、比透磁率が重要である。同じ大きさの磁性体の場合、比透磁率が高い程、高い磁束誘導効果を得られる。言い換えると、磁路形成手段２００として、比透磁率が高い磁性体を用いることで、磁路形成手段２００の大きさを小さくし、材料を削減することができる。
【００５６】
また、フェライトの透磁率μは、一定ではなく、周波数、磁界の大きさまたは温度によって変化する。通常、フェライトの温度が上がると透磁率も上昇するが、ある温度に達すると極大値となる。そこからさらに温度が上昇すると、フェライトの透磁率は空気の透磁率μ＝１となる。この磁性体から磁性が消える（空気の透磁率になる）温度をキュリー温度といい、フェライトの種類によって異なる。本実施の形態では、磁路形成手段２００に用いるフェライトのキュリー温度が、加熱コイル４の被膜耐熱温度以上であることが望ましい。例えば、加熱コイル４の被膜がＨ種の被膜であれば、被膜耐熱温度は１８０℃であり、キュリー温度が１８０℃以上のフェライトが磁路形成手段２００に用いられる。
【００５７】
また、磁路形成手段２００の材質はソフトフェライトに限定されるものではなく、誘導加熱調理器１の駆動周波数帯での比透磁率μｓが空気の比透磁率（μｓ＝１）より高い材質であればよい。
【００５８】
(赤外線センサユニット２１０)
図１１に示すように、赤外線センサユニット２１０は、赤外線センサ２１１と、赤外線センサ２１１が実装される基板２１２とを備える。赤外線センサ２１１は、被加熱物から放射される赤外線を検出し、電圧として出力する。赤外線センサ２１１としては、赤外線領域に対して広い波長に感度を有する、例えばサーモパイルセンサなどが用いられる。図１１に示すように、本実施の形態の赤外線センサ２１１は、凸形状の集光レンズ２１３と、集光レンズ２１３の下方に配置される円筒形状の封入部材２１４と、を基板２１２上でパッケージ化したものである。封入部材２１４の内部には、図示しないサーモパイルチップおよび自己温度検出サーミスタが封入される。
【００５９】
本実施の形態のように、赤外線センサ２１１の集光レンズ２１３を凸形状とすることで、赤外線センサ２１１の視野範囲を絞り、外乱光の影響を抑制することができる。また、集光レンズ２１３の基材としては、シリコンが用いられる。シリコンは、赤外線領域において透過率が約５０〜６０％と波長依存性が小さく、また、赤外線領域での光の透過以外は反射率が大きく熱吸収率が小さいため、温度上昇しにくい。また、シリコンの熱拡散性が高いことから、集光レンズ２１３が赤外線を吸収して温度上昇したとしても、熱拡散することで、赤外線量の検知に影響を与えにくい。そのため、集光レンズ２１３の基材としてシリコンを用いることで、赤外線センサ２１１がトッププレート３の近傍に設けられるような使用環境においても、集光レンズ２１３の温度上昇による赤外線の検知への影響が生じにくい。なお、集光レンズ２１３の基材は、シリコンに限定されず、同様の透過特性および熱拡散性を有する材料であればよい。
【００６０】
また、赤外線センサ２１１の具体的構成は図１１に例示したものに限定されない。例えば、赤外線センサ２１１として、フォトダイオード式による赤外線センサを用いてもよい。また、封入部材２１４の形状は円筒形状でなくてもよい。
【００６１】
基板２１２には、赤外線センサ２１１と、増幅器および増幅器を制御する各種電子部品２１５とが実装される。赤外線センサ２１１は、磁路形成手段２００の開口２０１の直下に受光部が位置するように、基板２１２に配置される。赤外線センサ２１１から出力された電圧は、増幅器によって増幅され、温度検出部９に送信される。そして、温度検出部９によって被加熱物の温度情報が得られ、制御部１０に出力されて、加熱制御などに用いられる。
【００６２】
（センサケース２２０）
センサケース２２０は、加熱コイル４の近傍を流れる冷却風が赤外線センサユニット２１０に直接当たらないように、赤外線センサユニット２１０の周囲を覆うケースである。本実施の形態のセンサケース２２０は、平面視が長方形の直方体形状を有する。センサケース２２０は、例えば耐熱性能の高いポリブチレンテレフタレート樹脂（ＰＢＴ）、またはポリフェニレンサルファイド樹脂（ＰＰＳ）等の樹脂で構成される。
【００６３】
図１１および図１２に示すように、センサケース２２０は、上ケース２３０と、下ケース２４０とからなる。下ケース２４０の内部に赤外線センサユニット２１０配置し、上ケース２３０を被せることで、赤外線センサユニット２１０がセンサケース２２０内に収容される。このとき、赤外線センサユニット２１０は、赤外線センサ２１１の周囲の雰囲気温度が一様となるように、センサケース２２０の内部において、センサケース２２０の側壁から所定の距離を保った状態で収容される。
【００６４】
上ケース２３０は、平面視で長方形の上面と、上面の四辺から下方に延びる側面と、からなり、底部が開放された形状を有する。また、図１１および図１２に示すように、上ケース２３０の上面には、赤外線センサ２１１が赤外線を受光するための開口２３１が形成される。赤外線センサユニット２１０がセンサケース２２０内に収納された状態において、赤外線センサ２１１は、上ケース２３０の開口２３１および磁路形成手段２００の開口２０１を介して赤外線を検出する。なお、上ケース２３０の開口２３１および磁路形成手段２００の開口２０１は、矩形に限定されるものではなく、円形または多角形であってもよい。
【００６５】
下ケース２４０は、平面視で長方形の底面と、底面の四辺から上方に延びる側面と、からなり、上部が開放された形状を有する。図１１に示すように、下ケース２４０の底面の内側には、赤外線センサユニット２１０の基板２１２を載置する支持部２４１が下ケース２４０の底面から上方に突出して形成される。本実施の形態では、基板２１２の底面の四辺に沿って４つの支持部２４１が設けられる。
【００６６】
基板２１２を支持部２４１によって支持することで、基板２１２と下ケース２４０の底面との間に隙間が設けられる。これにより、基板２１２の冷却性を確保することができる。なお、本実施の形態における下ケース２４０は４つの支持部２４１を有する構成としたが、これに限定されるものではない。支持部２４１は、基板２１２が動かないように支持できればよく、例えば、支持部２４１を基板２１２の底面の四隅に配置してもよいし、３つ以下または５つ以上の支持部２４１を分散配置してもよい。
【００６７】
上ケース２３０の側面の下端部と、下ケース２４０の外周部には、上ケース２３０を下ケース２４０に被せたときに相対する位置に、係合突起（図示せず）が設けられている。上ケース２３０を下ケース２４０に被せたときに、この係合突起が係合することで、上ケース２３０と下ケース２４０とを位置決めすることができる。
【００６８】
また、上ケース２３０の短辺側の側面には、外側に突出する取付片２３２ａおよび取付片２３２ｂがそれぞれ形成される。また、取付片２３２ａおよび２３２ｂには、挿通孔２３３ａおよび２３３ｂがそれぞれ形成される。同様に、下ケース２４０の短辺側の側面には、外側に突出する取付片２４２ａおよび取付片２４２ｂがそれぞれ形成される。また、取付片２４２ａおよび２４２ｂには、挿通孔２４３ａおよび挿通孔２４３ｂがそれぞれ形成される。
【００６９】
取付片２３２ａと取付片２４２ａ、および取付片２３２ｂと取付片２４２ｂは、上ケース２３０と下ケース２４０とが係合された状態において、平面視で重なるよう配置される。そして、挿通孔２３３ａおよび２４３ａならびに挿通孔２３３ｂおよび２４３ｂにネジを挿通させて、コイルベース５の裏側（加熱コイル４側の反対側）にネジ止めすることで、センサケース２２０がコイルベース５に取り付けられる。このとき、センサケース２２０は、トッププレート３と赤外線センサ２１１との間の距離を一定に保たった状態で、コイルベース５に固定される。
【００７０】
次に、非接触式温度センサ７における防磁効果について説明する。
誘導加熱調理器１のノイズ発生源は、非接触式温度センサ７の上方に配置される加熱コイル４である。図１３および図１４は、本実施の形態における加熱コイル４の磁束と非接触式温度センサ７とを示す模式図である。図１３および図１４に示すように、加熱コイル４の周囲には、加熱コイル４に流れる電流に直交する方向に磁束３００が発生する。また、加熱コイル４から離れるほど、磁束は少なく、弱くなる。図１４に示すように、非接触式温度センサ７の上面が最も加熱コイル４に近く、磁束の影響が大きい。そのため、本実施の形態のように、非接触式温度センサ７の上面に磁路形成手段２００を配置することで、赤外線センサ２１１に対して高い防磁効果を得ることができる。
【００７１】
図１５は、本実施の形態の磁路形成手段２００による磁束の誘導を説明する図である。図１５に示すように、本実施の形態の磁路形成手段２００は、上ケース２３０の開口２３１を囲むように配置される。上ケース２３０の開口２３１の下方には、赤外線センサ２１１が配置される。また、磁路形成手段２００は、加熱コイル４から発生する磁束であって、赤外線センサ２１１上を通る磁束の向きと平行に配置される。これにより、磁路形成手段２００によって、赤外線センサ２１１に入る加熱コイル４からの漏れ磁束が優先して誘導される。その結果、赤外線センサ２１１の上部を通る磁束は、図１５に示すように、赤外線センサ２１１の上方を避けて、磁路形成手段２００を通る。これにより、赤外線センサ２１１への磁束の侵入を低減することができる。
【００７２】
以上のように、本実施の形態では、加熱コイル４からの漏れ磁束を、センサケース２２０の上面に配置された磁路形成手段２００によって、赤外線センサ２１１の上方で誘導して通すことができる。これにより、赤外線センサ２１１に磁束が入ることを抑制し、赤外線センサ２１１への高周波ノイズの重畳を低減することができる。その結果、赤外線センサ２１１による温度検知精度を向上させることができ、適温調理および自動調理の精度も向上させることができる。
【００７３】
また、磁路形成手段２００を平板形状とすることで、成形性が向上し、製造コストを削減することができる。また、平板形状の磁路形成手段２００を上ケース２３０の上面に部分的に配置することで、簡素な構造で防磁効果を得られるとともに、作業工数および材料費を低減し、製品のコストアップを防ぐことができる。さらに、磁路形成手段２００が破損した場合でも、破損部材の落下または機体内部への飛散を防止することができる。
【００７４】
なお、本実施の形態は上記構成に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、磁路形成手段２００の形状は、上記に限定されるものではなく、磁束の方向、強さに応じて、任意に変更できる。本実施の形態のさらなる変形例１−１および変形例１−２について以下に説明する。
【００７５】
変形例１−１．
図１６は、変形例１−１における非接触式温度センサ７Ａの平面図であり、図１７は、変形例１−１における非接触式温度センサ７Ａを図１６のＡ−Ａ線で切断した縦断面図である。なお、図１６および図１７において、図１０および図１１に示す構成要素と同じ構成要素については、同じ符号を付す。
【００７６】
図１６および図１７に示すように、本変形例の非接触式温度センサ７Ａにおける磁路形成手段２００Ａは、平面視で赤外線センサユニット２１０の基板２１２よりも大きい面積を有し、基板２１２を覆うように配置される。なお、磁路形成手段２００Ａは、基板２１２上を通る磁束の向きと平行な辺の長さが、基板２１２の磁束の向きと平行な長さよりも長ければよい。また、磁路形成手段２００Ａには、赤外線センサ２１１が赤外線を受光するための開口２０１が設けられる。また、磁路形成手段２００Ａは、実施の形態１の磁路形成手段２００と同じ材質により構成される。
【００７７】
本変形例のような構成とすることで、赤外線センサ２１１だけでなく、基板２１２への磁束の侵入を低減できる。これにより、基板２１２に配置される各電子部品２１５および配線への高周波ノイズを低減することができ、温度検知精度をさらに向上させることができる。
【００７８】
変形例１−２．
図１８は、変形例１−２における非接触式温度センサ７Ｂの平面図であり、図１９は、変形例１−２の磁路形成手段による磁束の誘導を説明する図である。なお、図１８および図１９において、図１０に示す構成要素と同じ構成要素については、同じ符号を付す。
【００７９】
図１８および図１９に示すように、本変形例の非接触式温度センサ７Ｂは、上ケース２３０の上面において、開口２３１を挟んで相対する第１磁路形成手段２００Ｂａおよび第２磁路形成手段２００Ｂｂを備える。第１磁路形成手段２００Ｂａおよび第２磁路形成手段２００Ｂｂは、それぞれ矩形の平板形状を有し、非接触式温度センサ７Ｂ上に発生する磁束の向きと平行に配置される。また、第１磁路形成手段２００Ｂａおよび第２磁路形成手段２００Ｂｂは実施の形態１の磁路形成手段２００と同じ材質により構成される。
【００８０】
図１９に示すように、本変形例の第１磁路形成手段２００Ｂａおよび第２磁路形成手段２００Ｂｂは、上ケース２３０の開口２３１に向かって侵入する磁束を、開口２３１よりも手前で誘導する。これにより、開口２３１の角部近傍での磁束の集中を避けることができ、磁束をスムーズに誘導できる。
【００８１】
誘導加熱調理器１においては、ノイズ発生源である加熱コイル４に電流の流れる方向は固定されている。そのため、加熱コイル４から発生する磁束の方向も固定されており、磁束が強い場所を想定することができる。そこで、磁束が強い場所において、磁束が流れやすい方向に第１磁路形成手段２００Ｂａおよび第２磁路形成手段２００Ｂｂを配置することで、磁束を効率良くスムーズに誘導できる。
【００８２】
以上のように、本変形例によれば、磁路形成手段を効果的に配置することができ、ノイズの低減効果を損なうことなく磁路形成手段を小型化することができる。これにより、製品のコストを削減できる。
【００８３】
実施の形態２．
次に、本発明の実施の形態２について説明する。実施の形態２の非接触式温度センサ７Ｃは、センサケース２２０Ｃの形状において、実施の形態１と相違する。誘導加熱調理器１のその他の構成および制御については、実施の形態１と同様である。
【００８４】
図２０は、本実施の形態におけるセンサケース２２０Ｃの斜視図であり、図２１は、本実施の形態における非接触式温度センサ７Ｃの縦断面図である。また、図２０および図２１において、図９および図１１に示す構成要素と同じ構成要素については、同じ符号を付す。
【００８５】
図２０に示すように、本実施の形態のセンサケース２２０Ｃの上ケース２３０Ｃの上面には、加熱コイル４側（すなわち上側）に突出するリブ２３４が形成される。リブ２３４は、開口２３１の外周の全周に沿って形成される。そして、図２１に示すように、本実施の形態の磁路形成手段２００は、上ケース２３０Ｃのリブ２３４に嵌め込まれて配置される。
【００８６】
以上のように、本実施の形態によれば、磁路形成手段２００の位置が上ケース２３０Ｃのリブ２３４によって規制される。これにより、磁路形成手段２００の位置決めが容易となり、非接触式温度センサ７Ｃの製造時の負荷が軽減される。
【００８７】
なお、本実施の形態は上記構成に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、リブ２３４は、上ケース２３０Ｃの開口２３１の外周の全周に設けられるものに限定されず、開口２３１を挟んで相対する二辺のみにリブ２３４を設けてもよい。さらに、開口２３１が円形の場合は、開口２３１の中心から同一角度の３か所にリブ２３４を設けてもよい。なお、磁路形成手段２００を位置決めするためのリブの形状および数は、上記に限定されるものではなく、任意に選択できる。本実施の形態のさらなる変形例２−１について、以下に説明する。
【００８８】
変形例２−１．
図２２は、変形例２−１におけるセンサケース２２０Ｄの斜視図であり、図２３は、変形例２−１における非接触式温度センサ７Ｄの縦断面図である。また、図２２および図２３において、図９および図１１に示す構成要素と同じ構成要素については、同じ符号を付す。
【００８９】
図２２に示すように、本実施の形態のセンサケース２２０Ｃの上ケース２３０Ｄの上面には、外周に沿って加熱コイル４側（すなわち上側）に突出するリブ２３５が形成される。そして、図２３に示すように、磁路形成手段２００Ｄは、上ケース２３０Ｄのリブ２３５内に嵌め込まれて配置される。
【００９０】
以上のように、本変形例によっても、磁路形成手段２００Ｄの位置が上ケース２３０Ｄのリブ２３５によって規制される。これにより、磁路形成手段２００Ｄの位置決めが容易となり、非接触式温度センサ７Ｄの製造時の負荷が軽減される。なお、本変形例においても、リブ２３５を上ケース２３０Ｄの外周の全周に設けるものに限定されず、角部または各辺に複数個所配置する等、任意に選択できる。
【００９１】
実施の形態３．
次に、本発明の実施の形態３について説明する。実施の形態３の非接触式温度センサ７Ｅは、磁路形成手段の形状において、実施の形態１と相違する。誘導加熱調理器１のその他の構成および制御については、実施の形態１と同様である。
【００９２】
図２４は、本実施の形態における非接触式温度センサ７Ｅの斜視図であり、図２５は、本実施の形態における非接触式温度センサ７Ｅの平面図である。また、図２６は、本実施の形態における非接触式温度センサ７Ｅを図２５のＢ−Ｂ線で切断した横断面図である。図２４〜２６において、図９〜図１１に示す構成要素と同じ構成要素については、同じ符号を付す。
【００９３】
図２４〜２６に示すように、本実施の形態の磁路形成手段２００Ｅは、長辺側から屈曲して下方に延びる側部２０２ａおよび側部２０２ｂを有する。側部２０２ａおよび２０２ｂは、上ケース２３０Ｅの長辺側の側面に沿って、上ケース２３０Ｅの上面から下方に延びる。磁路形成手段２００Ｅは、実施の形態１の磁路形成手段２００と同じ材質により構成される。
【００９４】
また、上ケース２３０Ｅの長辺側の側面には、外側に突出する羽部２３６ａおよび羽部２３６ｂがそれぞれ形成される。磁路形成手段２００Ｅの側部２０２ａおよび２０２ｂは、上ケース２３０Ｅの羽部２３６ａおよび２３６ｂにそれぞれ載置される。
【００９５】
以上のように、本実施の形態によれば、磁路形成手段２００Ｅの側部２０２ａおよび２０２ｂによって、上ケース２３０Ｅの上面で誘導できなかった側面への磁束を誘導でき、赤外線センサ２１１へのノイズの重畳をさらに低減することができる。また、磁路形成手段２００Ｅの側部２０２ａおよび２０２ｂにより、上ケース２３０Ｅに対する磁路形成手段２００Ｅの位置が規制される。これにより、磁路形成手段２００Ｅの位置決めが容易となり、非接触式温度センサ７Ｅの製造時の負荷が軽減される。
【００９６】
さらに、上ケース２３０Ｅに磁路形成手段２００Ｅの側部２０２ａおよび２０２ｂをそれぞれ受ける羽部２３６ａおよび２３６ｂを設けることで、磁路形成手段２００Ｅが破損した場合の破損部品の落下を抑制することができる。なお、羽部２３６ａおよび２３６ｂは必須の構成ではなく、省略してもよい。
【００９７】
なお、本実施の形態は上記構成に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、上記では磁路形成手段２００Ｅの長辺側を屈曲させて側部２０２ａおよび２０２ｂを設ける構成としたが、短辺側を屈曲させて側部２０２ａおよび２０２ｂを設けてもよい。または、長辺側および短辺側の４辺をそれぞれ屈曲させて４つの側部を設けてもよい。また、磁路形成手段２００Ｅの片側のみを屈曲させ、磁路形成手段２００Ｅを横断面視でＬ字型に構成してもよい。
【００９８】
また、磁路形成手段２００Ｅの側部の形状および位置は、上記に限定されるものではなく、磁束の方向と強さに応じて任意に選択できる。本実施の形態のさらなる変形例３−１、変形例３−２および変形例３−３について、以下に説明する。
【００９９】
変形例３−１．
図２７は、変形例３−１における非接触式温度センサ７Ｆの横断面図である。また、図２７において、図２６に示す構成要素と同じ構成要素については、同じ符号を付す。
【０１００】
図２７に示すように、本変形例の磁路形成手段２００Ｆにおける側部２０２ａおよび２０２ｂは、赤外線センサユニット２１０の基板２１２よりも下方に延びるよう形成される。また、本変形例の上ケース２３０Ｆの側面も基板２１２の下方まで延びるよう形成され、側面の端部には、磁路形成手段２００Ｆの側部２０２ａおよび２０２ｂが載置される羽部２３６ａおよび２３６ｂが形成される。
【０１０１】
このように、本変形例によれば、センサケース２２０の側面から基板２１２に入るノイズを低減することができ、温度検知精度をさらに向上させることができる。
【０１０２】
変形例３−２．
図２８は、変形例３−２における非接触式温度センサ７Ｇの斜視図であり、図２９は、変形例３−２における非接触式温度センサ７Ｇの平面図である。また、図３０は、変形例３−２における非接触式温度センサ７Ｇを図２９のＢ−Ｂ線で切断した横断面図である。図２８〜３０において、図２４〜図２７に示す構成要素と同じ構成要素については、同じ符号を付す。
【０１０３】
図２８〜３０に示すように、本変形例の磁路形成手段２００Ｆは、変形例３−１と同様の構成を有し、赤外線センサユニット２１０の基板２１２よりも下方に延びる側部２０２ａおよび２０２ｂを有する。また、本変形例の下ケース２４０Ｇは、平面視で短辺側が上ケース２３０よりも大きく形成され、磁路形成手段２００Ｆの側部２０２ａおよび２０２ｂは、下ケース２４０の内部に収容される。すなわち、本変形例では、上ケース２３０の側面と下ケース２４０Ｇの側面とで磁路形成手段２００Ｇの側部２０２ａおよび２０２ｂを挟み込む構成となっている。
【０１０４】
以上のように、本変形例によれば、センサケース２２０の側面から基板２１２に入るノイズを低減できるとともに、磁路形成手段２００Ｆを安定して配置できる。
【０１０５】
変形例３−３．
図３１は、変形例３−３における非接触式温度センサ７Ｈの横断面図である。図３１において、図３０に示す構成要素と同じ構成要素については、同じ符号を付す。
【０１０６】
図３１に示すように、本変形例の非接触式温度センサ７Ｈの磁路形成手段２００Ｈは、側部２０２ａおよび２０２ｂに加え、底部２０３を備える。そして、磁路形成手段２００Ｈの底部２０３は、下ケース２４０Ｇ内において、赤外線センサユニット２１０の基板２１２の下方に配置される。
【０１０７】
以上のように、本変形例によれば、センサケースの側面および底面から基板２１２に侵入するノイズを低減できるとともに、磁路形成手段２００Ｈを安定して配置できる。
【０１０８】
実施の形態４．
次に、本発明の実施の形態４について説明する。実施の形態４の非接触式温度センサ７Ｊは、磁路形成手段を保護するための保護手段２６０をさらに備える点において実施の形態１と相違する。誘導加熱調理器１のその他の構成および制御については、実施の形態１と同様である。
【０１０９】
図３２は、本実施の形態における非接触式温度センサ７Ｊの縦断面図である。図３２において、図１１に示す構成要素と同じ構成要素については、同じ符号を付す。
【０１１０】
図３２に示すように、本実施の形態の非接触式温度センサ７Ｊは、磁路形成手段２００の上面に保護手段２６０を備える。保護手段２６０は、平面視で磁路形成手段２００よりも大きい面積を有する平板状の部材であり、磁路形成手段２００を覆うように配置される。また、保護手段２６０は、赤外線センサ２１１が赤外線を受光するための開口２６１を有する。
【０１１１】
本実施の形態の保護手段２６０は、導電率の高い金属部材で構成される。金属部材としては、例えば、板状のアルミニウム、銅、ステンレスまたは鉄などを採用することができるが、耐磁気性能を考慮し、非磁性金属であるアルミニウムまたは銅を使用することが望ましい。
【０１１２】
以上のように、本実施の形態によれば、保護手段２６０によって磁路形成手段２００を保護することで、磁路形成手段２００が破損した場合でも、破損部材の飛散を防止できる。また、保護手段２６０を導電率の高い金属部材とすることで、金属の渦電流により発生する磁束により、赤外線センサ２１１に侵入する上面からの磁束をさらに低減できる。さらに、金属部材である保護手段２６０の表面は反射率が高いため、トッププレート３からの輻射熱を反射させ、赤外線センサ２１１への輻射熱の影響も抑制できる。
【０１１３】
なお、本実施の形態は上記構成に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、保護手段２６０を金属部材ではなく、樹脂で構成してもよい。また、保護手段２６０は平板以外の形状であってもよい。例えばメッシュまたはパンチング構造とすることで、放熱しやすくできる。本実施の形態のさらなる変形例４−１、変形例４−２および変形例４−３について、以下に説明する。
【０１１４】
変形例４−１．
図３３は、変形例４−１における非接触式温度センサ７Ｋの横断面図である。図３３において、図３２に示す構成要素と同じ構成要素については、同じ符号を付す。
【０１１５】
図３３に示すように、本変形例の磁路形成手段２００Ｋは、上ケース２３０Ｋの上面から下方に延びる側部２０２ａおよび２０２ｂを有し、上ケース２３０Ｋの上面および側面に配置される。上ケース２３０Ｋの側面には、側部２０２ａおよび２０２ｂが載置される羽部２３６ａおよび２３６ｂが形成される。本変形例では、上ケース２３０Ｋは、下ケース２４０Ｋの内部に配置され、上ケース２３０Ｋの側面と下ケース２４０Ｋの側面とで、磁路形成手段２００Ｋの側部２０２ａおよび２０２ｂが挟み込まれる。
【０１１６】
下ケース２４０Ｋの側面は、磁路形成手段２００Ｋの上面まで延び、端部には外側に突出する取付部２４５ａおよび取付部２４５ｂが形成される。そして、本変形例の保護手段２６０Ｋは、下ケース２４０Ｋとともにネジ２７０によりコイルベース５に取り付けられる。
【０１１７】
本変形例においても、保護手段２６０Ｋによって磁路形成手段２００Ｋを保護することで、磁路形成手段２００が破損した場合でも、破損部材の飛散を防止できる。
【０１１８】
変形例４−２．
図３４は、変形例４−２における非接触式温度センサ７Ｌの横断面図である。図３４において、図３３に示す構成要素と同じ構成要素については、同じ符号を付す。図３４に示すように、本変形例の磁路形成手段２００Ｌは、平板形状を有し、上ケース２３０Ｌの上面に配置される。上ケース２３０Ｌの上面には、外周の少なくとも一部に沿って、リブ２３７が形成される。リブ２３７は、磁路形成手段２００Ｌの厚みよりも厚く形成され、これにより保護手段２６０Ｌと磁路形成手段２００Ｌとの間に隙間３０１が形成される。
【０１１９】
下ケース２４０Ｌの側面の端部には、外側に突出する取付部２４５ａおよび２４５ｂが形成される。そして、本変形例の保護手段２６０Ｌは、スペーサ２８０を介して、下ケース２４０Ｌとともにネジ２７０によりコイルベース５に取り付けられる。
【０１２０】
本変形例のように、保護手段２６０Ｋと磁路形成手段２００との間に隙間３０１を設けることで、振動に対する磁路形成手段２００Ｌの耐久性が向上する。
【０１２１】
変形例４−３．
図３５は、変形例４−３における非接触式温度センサ７Ｍの横断面図である。また、図３５において、図３３に示す構成要素と同じ構成要素については、同じ符号を付す。
【０１２２】
図３５に示すように、本変形例の非接触式温度センサ７Ｍは、上ケース２３０Ｍの外側を覆う上側磁路形成手段２００Ｍａと、下ケース２４０Ｍの外側を覆う下側磁路形成手段２００Ｍｂとを備える。上側磁路形成手段２００Ｍａは、上ケース２３０Ｍの上面および側面に配置され、下側磁路形成手段２００Ｍｂは、下ケース２４０Ｍの側面および底面の外側に配置される。
【０１２３】
また、本変形例の非接触式温度センサ７Ｍは、さらに上側磁路形成手段２００Ｍａを保護する上側保護手段２６０Ｍａと、下側磁路形成手段２００Ｍｂを保護する下側保護手段２６０Ｍｂと、を備える。下側保護手段２６０Ｍｂは、内部に上側磁路形成手段２００Ｍａ、下側磁路形成手段２００Ｍｂおよびセンサケース２２０Ｍを収容する。また、下側保護手段２６０Ｍｂの側面には、取付部２６１ａおよび取付部２６１ｂが形成される。そして、上側保護手段２６０Ｍａは、下側保護手段２６０Ｍｂとともにネジ２７０によりコイルベース５に取り付けられる。
【０１２４】
本変形例では、上側磁路形成手段２００Ｍａおよび下側磁路形成手段２００Ｍｂをセンサケース２２０Ｍの外側に配置することで、センサケース２２０Ｍを簡素化できる。また、上側磁路形成手段２００Ｍａまたは下側磁路形成手段２００Ｍｂの一方をグランドに接続することで、赤外線センサ２１１のノイズをさらに低減することができる。なお、上側磁路形成手段２００Ｍａおよび下側磁路形成手段２００Ｍｂの配置は、図３５に限定されるものではなく、磁束の侵入が多い箇所に効果的に配置されてもよい。
【０１２５】
以上、本発明の実施の形態および変形例について図面を参照して説明したが、本発明の具体的な構成はこれに限られるものでなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で変更可能である。例えば、磁路形成手段として、電磁波シールドシートまたは電磁波シールド塗料などを用いてよい。電磁波シールドシートは、シリコンその他のゴムでできたシートの中にセンダストまたはフェライトといった磁性材料の粉末を練り込んだものであり、使用される磁性材料により、効果のある周波数が異なる。シールドの原理としては、金属と同じであり、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの広い周波数範囲に有効である。ただし、電磁波シールドシートおよび電磁波シールド塗料も、誘導加熱調理器１の駆動周波数帯における比透磁率が高いものであれば、磁路形成手段としても効果が得られる。
【０１２６】
また、上記実施の形態のセンサケースを、外乱光の影響を受けるフォトダイオード式の赤外線センサ、発振子が高温となる超音波距離センサ、ドップラー式距離センサ、磁気式距離センサ、または光（レーザー）式センサのセンサケースとして採用してもよい。これにより、各センサにおいて磁界の影響を低減することができる。また、センサケース２２０の一部をコイルベース５と一体で形成してもよい。
【０１２７】
さらに、上記実施の形態の構成は、適宜組み合わせることができる。例えば、実施の形態２および３に記載される非接触式温度センサにおいて、実施の形態４に記載される磁路形成手段を保護する保護手段を備えてもよい。また、その他の変形例５および６について、以下に説明する。
【０１２８】
変形例５．
図３６は、変形例５における非接触式温度センサ７Ｎの横断面図である。また、図３６において、図１１に示す構成要素と同じ構成要素については、同じ符号を付す。図３６に示すように、磁路形成手段２００Ｎをセンサケース２２０Ｎの内部に配置してもよい。これにより、外力による磁路形成手段２００Ｎの破損が低減される。
【０１２９】
変形例６．
図３７は、変形例６における非接触式温度センサ７Ｐの横断面図である。また、図３７において、図１１に示す構成要素と同じ構成要素については、同じ符号を付す。図３７に示すように、赤外線センサ２１１をセンサケース２２０Ｐの開口２３１から上方に突出するよう配置してもよい。この場合、磁路形成手段２００Ｐの厚みは、赤外線センサ２１１の突出厚みよりも厚く形成する。このような構成とすることで、赤外線センサ２１１とトッププレート３との距離を短縮することができ、赤外線センサ２１１の感度が向上する。
【符号の説明】
【０１３０】
１  誘導加熱調理器、２  本体、３  トッププレート、４  加熱コイル、４ａ  第１コイル、４ｂ  第２コイル、４ｃ  第３コイル、５  コイルベース、６、６ａ、６ｂ  フェライトコア、７、７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄ、７Ｅ、７Ｆ、７Ｇ、７Ｈ、７Ｊ、７Ｋ、７Ｌ、７Ｍ、７Ｎ、７Ｐ  非接触式温度センサ、８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ  接触式温度センサ、９  温度検出部、１０  制御部、１１  商用電源、１２  インバータ、２１  前面操作部、２２  電源スイッチ、２３  操作ダイヤル、３０  加熱口、３１  上面操作部、３２  火力操作部、３３  火力表示部、３４  表示部、４０  透過部、５１  中央部、５２  外周部、５３、５３ａ、５３ｂ  梁部、１００  調理容器、２００、２００Ａ、２００Ｄ、２００Ｅ、２００Ｆ、２００Ｇ、２００Ｈ、２００Ｋ、２００Ｌ、２００Ｎ、２００Ｐ  磁路形成手段、２００Ｂａ  第１磁路形成手段、２００Ｂｂ  第２磁路形成手段、２００Ｍａ  上側磁路形成手段、２００Ｍｂ  下側磁路形成手段、２０１  開口、２０２ａ、２０２ｂ  側部、２０３  底部、２１０  赤外線センサユニット、２１１  赤外線センサ、２１２  基板、２１３  集光レンズ、２１４  封入部材、２１５  電子部品、２２０、２２０Ｃ、２２０Ｄ、２２０Ｍ、２２０Ｎ、２２０Ｐ  センサケース、２３０、２３０Ｃ、２３０Ｄ、２３０Ｅ、２３０Ｆ、２３０Ｋ、２３０Ｌ、２３０Ｍ  上ケース、２３１  開口、２３２ａ、２３２ｂ、２４２ａ、２４２ｂ  取付片、２３３ａ、２３３ｂ、２４３ａ、２４３ｂ  挿通孔、２３４、２３５、２３７  リブ、２３６ａ、２３６ｂ  羽部、２４０、２４０Ｇ、２４０Ｋ、２４０Ｌ、２４０Ｍ  下ケース、２４１  支持部、２４５ａ、２４５ｂ  取付部、２６０、２６０Ｋ、２６０Ｌ  保護手段、２６０Ｍａ  上側保護手段、２６０Ｍｂ  下側保護手段、２６１  開口、２６１ａ、２６１ｂ  取付部、２７０  ネジ、２８０  スペーサ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【手続補正書】
【提出日】令和1年9月4日(2019.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明に係る誘導加熱調理器は、調理容器が載置されるトッププレートと、トッププレートの下方に配置され、調理容器を加熱する加熱コイルと、加熱コイルの下方に配置され、調理容器から放射される赤外線を検出する赤外線センサと、上ケースと下ケースとからなり、赤外線センサを収容するセンサケースと、センサケースの上面に配置される磁路形成手段と、を備える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明に係るセンサユニットは、センサと、上ケースと下ケースとからなり、センサを収容するセンサケースと、センサケースの上面に配置される磁路形成手段と、を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
調理容器が載置されるトッププレートと、
前記トッププレートの下方に配置され、前記調理容器を加熱する加熱コイルと、
前記加熱コイルの下方に配置され、前記調理容器から放射される赤外線を検出する赤外線センサと、
上ケースと下ケースとからなり、前記赤外線センサを収容するセンサケースと、
前記センサケースの上面に配置される磁路形成手段と、を備える誘導加熱調理器。
【請求項２】
前記磁路形成手段は、誘導加熱調理器の駆動周波数帯での比透磁率が空気の比透磁率よりも高い材質で構成される請求項１に記載の誘導加熱調理器。
【請求項３】
前記磁路形成手段は、平板形状である請求項１または２に記載の誘導加熱調理器。
【請求項４】
前記磁路形成手段は、前記加熱コイルと平行に配置される請求項１〜３の何れか一項に記載の誘導加熱調理器。
【請求項５】
前記磁路形成手段は、前記赤外線センサ上を通る前記磁束の向きと平行に配置される請求項１〜４の何れか一項に記載の誘導加熱調理器。
【請求項６】
前記赤外線センサ上を通る前記磁束の向きと平行な前記磁路形成手段の長さが、前記磁束の向きと平行な前記赤外線センサの長さよりも長い請求項１〜５の何れか一項に記載の誘導加熱調理器。
【請求項７】
前記赤外線センサが配置される基板をさらに備え、
前記加熱コイルから発生し前記基板上を通る磁束の向きと平行な前記磁路形成手段の長さが、前記磁束の向きと平行な前記基板の長さよりも長い請求項１〜５の何れか一項に記載の誘導加熱調理器。
【請求項８】
前記磁路形成手段は、平面視で前記赤外線センサよりも大きい面積を有し、前記赤外線センサを覆うように配置され、
前記磁路形成手段には、前記赤外線センサが赤外線を受光するための開口が形成される請求項６に記載の誘導加熱調理器。
【請求項９】
前記磁路形成手段は、平面視で前記基板よりも大きい面積を有し、前記基板を覆うように配置され、
前記磁路形成手段には、前記赤外線センサが赤外線を受光するための開口が形成される請求項７に記載の誘導加熱調理器。
【請求項１０】
前記センサケースの上面には、前記赤外線センサが赤外線を受光するための開口が形成され、
前記磁路形成手段は、前記センサケースの前記開口を挟んで相対して配置される第１磁路形成手段および第２磁路形成手段からなる請求項１〜７の何れか一項に記載の誘導加熱調理器。
【請求項１１】
前記センサケースの上面には、前記磁路形成手段が配置される側に突出するリブが設けられ、
前記磁路形成手段は、前記リブにより位置決めされる請求項１〜１０の何れか一項に記載の誘導加熱調理器。
【請求項１２】
前記センサケースの上面には、前記赤外線センサが赤外線を受光するための開口が形成され、
前記リブは、前記センサケースの前記開口の少なくとも一部に沿って形成されるものである請求項１１に記載の誘導加熱調理器。
【請求項１３】
前記リブは、前記センサケースの上面の外周の少なくとも一部に沿って形成されるものである請求項１１または１２に記載の誘導加熱調理器。
【請求項１４】
前記磁路形成手段は、前記センサケースの側面に沿って配置される側部を有する請求項１または２に記載の誘導加熱調理器。
【請求項１５】
前記センサケースの側面には、前記磁路形成手段の側部を載置する羽部が形成される請求項１４に記載の誘導加熱調理器。
【請求項１６】
前記赤外線センサが配置される基板をさらに備え、
前記磁路形成手段の側部は、前記基板よりも下方に延びる請求項１４または１５に記載の誘導加熱調理器。
【請求項１７】
前記磁路形成手段の側部は、前記上ケースと前記下ケースとで挟み込まれる請求項１４〜１６の何れか一項に記載の誘導加熱調理器。
【請求項１８】
前記磁路形成手段は、前記センサケースの底面の内側に沿って配置される底部を有する請求項１４〜１７の何れか一項に記載の誘導加熱調理器。
【請求項１９】
前記磁路形成手段の上面または底面に配置され、前記磁路形成手段を保護する保護手段をさらに備える請求項１〜１８の何れか一項に記載の誘導加熱調理器。
【請求項２０】
前記保護手段は、導電率の高い非磁性金属または耐熱性の高い樹脂で構成される請求項１９に記載の誘導加熱調理器。
【請求項２１】
前記磁路形成手段は、ソフトフェライト、ハードフェライト、電磁波シールドシートまたは電磁波シールド塗料で構成される請求項１〜２０の何れか一項に記載の誘導加熱調理器。
【請求項２２】
前記磁路形成手段は、前記センサケースの側面と底面の外側に配置される請求項１〜２１の何れか一項に記載の誘導加熱調理器。
【請求項２３】
前記磁路形成手段は、前記加熱コイルから発生し、前記赤外線センサ上を通る磁束を誘導するものである請求項１〜２２の何れか一項に記載の誘導加熱調理器。
【請求項２４】
センサと、
上ケースと下ケースとからなり、前記センサを収容するセンサケースと、
前記センサケースの上面に配置される磁路形成手段と、を備えるセンサユニット。
【国際調査報告】
2018229967.tif 000040
2018229967.tif 000041