(57)【要約】  電磁波吸収体（１ａ）は、抵抗層（１０）と、導電層（２０）と、誘電体層（３０）とを備える。導電層（２０）は、抵抗層（１０）のシート抵抗より低いシート抵抗を有する。誘電体層（３０）は、抵抗層（１０）と導電層（２０）との間に配置されている。電磁波吸収体（１ａ）は、第一スリット（１５）を有する。第一スリット（１５）は、抵抗層（１０）において誘電体層（３０）に対し遠位の第一主面（１０ａ）から第一主面（１０ａ）に垂直な方向に誘電体層（３０）に向かって延びているとともに、抵抗層（１０）を複数の第一ブロック（１７）に区分している。第一ブロック（１７）の第一主面（１０ａ）における最小寸法（Ｄ１）は、２ｍｍ以上である。
2019132027.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抵抗層と、
前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層と、
前記抵抗層と前記導電層との間に配置された誘電体層と、を備え、
第一スリット及び第二スリットの少なくとも１つを有し、
前記第一スリットは、前記抵抗層において前記誘電体層に対し遠位の第一主面から前記第一主面に垂直な方向に前記誘電体層に向かって延びているとともに、前記抵抗層を複数の第一ブロックに区分し、
前記第二スリットは、前記導電層において前記誘電体層に対し遠位の第二主面から前記第二主面に垂直な方向に前記誘電体層に向かって延びているとともに、前記導電層を複数の第二ブロックに区分し、
前記第一ブロックの前記第一主面における最小寸法は、２ｍｍ以上であり、
前記第二ブロックの前記第二主面における最小寸法は、１ｍｍ以上である、
電磁波吸収体。
【請求項２】
前記第二スリットを有し、
前記第二主面が水平であるときに、前記第二主面における前記複数の第二ブロックの面積は、前記複数の第二ブロックの前記面積と前記第二スリットの開口面積との和の９０％以上である、請求項１に記載の電磁波吸収体。
【請求項３】
複数の前記第一スリットを有し、
前記複数の前記第一スリットは、前記第一主面において互いに平行な複数の前記第一スリットからなる第一スリット群を含み、
前記第一ブロックの前記第一主面における前記最小寸法は、２０ｍｍ以下である、請求項１又は２に記載の電磁波吸収体。
【請求項４】
前記複数の前記第一スリットは、前記第一主面において互いに平行であり、かつ、前記第一スリット群に含まれる前記複数の前記第一スリットと交わる複数の前記第一スリットからなる第二スリット群をさらに含む、請求項３に記載の電磁波吸収体。
【請求項５】
複数の前記第二スリットを有し、
前記複数の前記第二スリットは、前記第二主面において互いに平行な複数の前記第二スリットからなる第三スリット群を含み、
前記第二ブロックの前記第二主面における前記最小寸法は、２０ｍｍ以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電磁波吸収体。
【請求項６】
前記複数の前記第二スリットは、前記第二主面において互いに平行であり、かつ、前記第三スリット群に含まれる前記複数の前記第二スリットと交わる複数の前記第二スリットからなる第四スリット群をさらに含む、請求項５に記載の電磁波吸収体。
【請求項７】
前記抵抗層は、１２０〜８００Ω／□のシート抵抗を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の電磁波吸収体。
【請求項８】
曲面又はコーナーを有する物品と、
前記曲面に貼り付けられた、又は、前記コーナーを跨いで貼り付けられた、請求項１〜７のいずれか１項に記載の電磁波吸収体と、を備えた、
電磁波吸収体付物品。
【請求項９】
抵抗層を提供し、
前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層を提供し、
前記抵抗層と前記導電層との間に誘電体層を配置し、
第一スリット及び第二スリットの少なくとも１つを形成し、
前記第一スリットは、前記抵抗層において前記誘電体層に対し遠位の第一主面から前記第一主面に垂直な方向に前記誘電体層に向かって延びているとともに、前記抵抗層を複数の第一ブロックに区分し、
前記第二スリットは、前記導電層において前記誘電体層に対し遠位の第二主面から前記第二主面に垂直な方向に前記誘電体層に向かって延びているとともに、前記導電層を複数の第二ブロックに区分し、
前記第一ブロックの前記第一主面における最小寸法は、２ｍｍ以上であり、
前記第二ブロックの前記第二主面における最小寸法は、１ｍｍ以上である、
電磁波吸収体の製造方法。
【請求項１０】
前記抵抗層を連続的に形成し、連続的に形成された前記抵抗層を切り込んで前記第一スリットを形成する、又は、前記第一主面において前記抵抗層を非連続に形成して前記第一スリットを形成する、請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記導電層を連続的に形成し、連続的に形成された前記導電層を切り込んで前記第二スリットを形成する、又は、前記第二主面において前記導電層を非連続に形成して前記第二スリットを形成する、請求項９に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁波吸収体、電磁波吸収体付物品、及び電磁波吸収体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ミリ波（波長が１〜１０ｍｍ程度、周波数が３０〜３００ＧＨｚ）又は準ミリ波の領域の電磁波の情報通信媒体としての利用が進んでいる。例えば、車両において、障害物を検知して自動でブレーキをかけたり、周辺車両の速度や車間距離を測定して自車の速度や車間距離を制御したりする、衝突予防システムにおける利用が進んでいる。このような衝突予防システムが正常に動作するには、誤認防止のため、不要な電磁波をできるだけ受信しないようにすることが重要である。したがって、これらの衝突予防システムには、通常、不要な電磁波を吸収する電磁波吸収体が用いられている。【０００３】
上記電磁波吸収体には、その電磁波吸収の原理により様々なタイプがある。例えば、電磁波反射層(導電層)と、λ／４（λは吸収対象とする電磁波の波長）に相当する厚みを有する誘電体層と、抵抗薄膜層（抵抗層）と、を設けたタイプ（以下「λ／４型」という）の電磁波吸収体は、材料が比較的安価であり、設計が容易であるため、低コストで作製できることが知られている。このようなλ／４型電磁波吸収体として、例えば、特許文献１には、入射角度の広い領域にわたって機能するという優れた特性を発揮する電磁波吸収体が提案されている。【０００４】
また、特許文献２には、曲げ剛性が３００ＭＰａ・ｍｍ4以下に設定されている、λ／４型の電磁波吸収体が記載されている。特許文献２に記載の電磁波吸収体によれば、曲げ剛性が３００ＭＰａ・ｍｍ4以下に設定されているので、例えば、電磁波吸収体を曲面に沿わせて取り付けることが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１９８１７９号公報
【特許文献２】特開２０１７−１６３１４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献２に記載の技術によれば、電磁波吸収体を曲面に取り付けやすい。一方、曲面等を有する物品への取り付けやすさを高める工夫は電磁波吸収体の曲げ剛性を３００ＭＰａ・ｍｍ4以下にすることに限られない。【０００７】
そこで、本発明は、曲面等を有する物品に取り付けるのに有利であり、かつ、良好な電磁波吸収性能を発揮するのに有利である、新規な電磁波吸収体を提供する。加えて、本発明は、その電磁波吸収体を備えた物品及びその電磁波吸収体の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示は、
抵抗層と、
前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層と、
前記抵抗層と前記導電層との間に配置された誘電体層と、を備え、
第一スリット及び第二スリットの少なくとも１つを有し、
前記第一スリットは、前記抵抗層において前記誘電体層に対し遠位の第一主面から前記第一主面に垂直な方向に前記誘電体層に向かって延びているとともに、前記抵抗層を複数の第一ブロックに区分し、
前記第二スリットは、前記導電層において前記誘電体層に対し遠位の第二主面から前記第二主面に垂直な方向に前記誘電体層に向かって延びているとともに、前記導電層を複数の第二ブロックに区分し、
前記第一ブロックの前記第一主面における最小寸法は、２ｍｍ以上であり、
前記第二ブロックの前記第二主面における最小寸法は、１ｍｍ以上である、
電磁波吸収体を提供する。【０００９】
また、本発明は、
曲面又はコーナーを有する物品と、
前記曲面に貼り付けられた、又は、前記コーナーを跨いで貼り付けられた、上記の電磁波吸収体と、を備えた、
電磁波吸収体付物品を提供する。【００１０】
さらに、本発明は、
抵抗層を提供し、
前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層を提供し、
前記抵抗層と前記導電層との間に誘電体層を配置し、
第一スリット及び第二スリットの少なくとも１つを形成し、
前記第一スリットは、前記抵抗層において前記誘電体層に対し遠位の第一主面から前記第一主面に垂直な方向に前記誘電体層に向かって延びているとともに、前記抵抗層を複数の第一ブロックに区分し、
前記第二スリットは、前記導電層において前記誘電体層に対し遠位の第二主面から前記第二主面に垂直な方向に前記誘電体層に向かって延びているとともに、前記導電層を複数の第二ブロックに区分し、
前記第一ブロックの前記第一主面における最小寸法は、２ｍｍ以上であり、
前記第二ブロックの前記第二主面における最小寸法は、１ｍｍ以上である、
電磁波吸収体の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
上記の電磁波吸収体は、曲面等を有する物品に取り付けるのに有利であり、かつ、良好な電磁波吸収性能を発揮するのに有利である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本発明に係る電磁波吸収体の一例を示す断面図である。
【図２】図２は、図１に示す電磁波吸収体の平面図である。
【図３】図３は、本発明に係る電磁波吸収体の別の一例を示す断面図である。
【図４】図４は、図３に示す電磁波吸収体の平面図である。
【図５】図５は、本発明に係る電磁波吸収体のさらに別の一例を示す断面図である。
【図６】図６は、本発明に係る電磁波吸収体付物品の一例を示す側面図である。
【図７】図７は、本発明に係る電磁波吸収体付物品の別の一例を示す側面図である。
【図８】図８は、本発明に係る電磁波吸収体付物品のさらに別の一例を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、本発明は、以下の実施形態には限定されない。なお、添付の図面において、ｘ軸、ｙ軸、及びｚ軸は互いに直交しており、ｚ軸は電磁波吸収体の厚み方向に沿って延びている。添付の図面において、ｘ軸正方向は同一の方向であり、ｙ軸正方向は同一の方向であり、ｚ軸正方向は同一の方向である。
【００１４】
図１に示す通り、電磁波吸収体１ａは、抵抗層１０と、導電層２０と、誘電体層３０とを備えている。導電層２０は、抵抗層１０のシート抵抗より低いシート抵抗を有する。誘電体層３０は、抵抗層１０と導電層２０との間に配置されている。電磁波吸収体１ａは、第一スリット１５を有する。第一スリット１５は、抵抗層１０において誘電体層３０に対し遠位の第一主面１０ａから第一主面１０ａに垂直な方向に誘電体層３０に向かって延びているとともに、抵抗層１０を複数の第一ブロック１７に区分している。図２に示す通り、第一ブロック１７の第一主面１０ａにおける最小寸法Ｄ１は、２ｍｍ以上である。
【００１５】
最小寸法Ｄ１は、典型的には、第一主面１０ａを平面視したときに、第一ブロック１７の輪郭をなす平面図形において、頂点間の距離の最小値及び互いに交差しない線同士の最短距離のうち小さい方を意味する。この場合、頂点は、角の頂点を意味する。頂点は、直線同士が交差すること、曲線同士が交差すること、又は直線と曲線とが交差することによって形成されうる。一方、第一主面１０ａを平面視したときに、第一ブロック１７の輪郭をなす平面図形の輪郭が弧等の曲線を含み、かつ、平面図形の頂点の数が２以下である場合、最小寸法Ｄ１は、平面図形の輪郭上の２つの点と、その平面図形の重心とを通る線分の長さが最小となる方向における寸法である。
【００１６】
電磁波吸収体１ａが第一スリット１５を有することにより、第一スリット１５の開口が広がるように電磁波吸収体１ａを曲げることができ、電磁波吸収体１ａが曲がりやすい。また、第一スリット１５において隣り合う第一ブロック１７同士が押し合うように電磁波吸収体１ａを曲げることも可能である。このため、電磁波吸収体１ａは、曲面等を有する物品にも取り付けやすい。
【００１７】
電磁波吸収体１ａは、λ／４型電磁波吸収体である。電磁波吸収体１ａに、吸収対象とする波長（λO）の電磁波が入射すると、抵抗層１０の表面での反射（表面反射）による電磁波と、導電層２０における反射（裏面反射）による電磁波とが干渉するように設計されている。第一スリット１５は、電磁波の表面反射に影響を及ぼすと考えられる。本発明者らは、抵抗層に形成したスリットが電磁波吸収体の電磁波吸収性能に及ぼす影響について日夜検討を重ねた。その結果、スリットにより区分された抵抗層のブロックの最小寸法が２ｍｍ以上であれば、電磁波吸収体が良好な電磁波吸収性能を発揮しやすいことを新たに見出した。本発明者らは、このような新たな知見に基づいて本発明に係る電磁波吸収体を案出した。
【００１８】
第一ブロック１７の第一主面１０ａにおける最小寸法Ｄ１は、望ましくは４ｍｍ以上であり、より望ましくは６ｍｍ以上であり、さらに望ましくは１０ｍｍ以上である。これにより、電磁波吸収体１ａの電磁波吸収性能をより高めることができる。
【００１９】
電磁波吸収体１ａの厚さ方向における、第一スリット１５の深さは特に制限されないが、第一スリット１５は、抵抗層１０の内部に底を有していてもよいし、電磁波吸収体１ａの厚さ方向に抵抗層１０を貫いてもよい。第一主面１０ａに平行な方向において、第一スリット１５の端は、第一主面１０ａの端に位置していてもよいし、第一主面１０ａの端から離れて位置していてもよい。なお、第一スリット１５は、隣り合う第一ブロック１７同士の間に隙間が存在するように形成されていてもよいし、隣り合う第一ブロック１７同士が接触できるように形成されていてもよい。第一主面１０ａに平行な方向において、第一スリット１５は、典型的には直線状に延びている。第一スリット１５は、曲線状に延びていてもよい。
【００２０】
第一主面１０ａが水平であるときに、第一主面１０ａにおける複数の第一ブロック１７の面積は、例えば、複数の第一ブロック１７の面積と第一スリット１５の開口面積との和の９０％以上であり、望ましくは、その和の９７％以上であり、より望ましくは、その和の９９％以上である。これにより、より確実に、電磁波吸収体１ａが良好な電磁波吸収性能を有する。
【００２１】
図２に示す通り、電磁波吸収体１ａは、例えば、複数の第一スリット１５を有する。複数の第一スリット１５は、例えば、第一スリット群１５ａを含む。第一スリット群１５ａは、第一主面１０ａにおいて互いに平行な複数の第一スリット１５からなる。この場合、第一ブロック１７の第一主面１０ａにおける最小寸法Ｄ１は、望ましくは、２０ｍｍ以下である。この場合、電磁波吸収体１ａを大きい曲率の曲面を有する物品に取り付けやすい。
【００２２】
図２に示す通り、電磁波吸収体１ａにおける複数の第一スリット１５は、例えば、第二スリット群１５ｂをさらに含む。第二スリット群１５ｂは、第一主面１０ａにおいて互いに平行であり、かつ、第一スリット群１５ａに含まれる複数の第一スリット１５と交わる複数の第一スリット１５からなる。この場合、電磁波吸収体１ａは、複数の方向に曲げることができるので、複雑な形状を有する物品にも取り付けやすい。
【００２３】
第一主面１０ａを平面視したときに、第一ブロック１７の輪郭をなす平面図形は、三角形、四角形、又はその他の多角形であってもよいし、その輪郭の一部又は全部が曲線状である図形であってもよい。
【００２４】
λ／４型電磁波吸収体においては、下記の式（１）に示す通り、誘電体層３０の厚み（ｔ）及び誘電体層３０の比誘電率（εr）によって吸収対象の電磁波の波長（λO）が決定される。すなわち、誘電体層３０の材料及び厚みを適宜調節することにより、吸収対象の波長の電磁波を設定できる。式（１）においてｓｑｒｔ（εr）は、比誘電率（εr）の平方根を意味する。誘電体層３０の材料及び厚みは、例えば、７６〜７９ＧＨｚの周波数を有する電磁波を効果的に吸収できるように定められている。
λO＝４ｔ×ｓｑｒｔ（εr）      式（１）
【００２５】
JIS（日本工業規格） R 1679：2007に従って測定した、７６．５ＧＨｚの電磁波を電磁波吸収体１ａに垂直入射させたときの反射量の絶対値は、例えば１０ｄＢ以上であり、望ましくは２０ｄＢ以上である。
【００２６】
λ／４型電磁波吸収体の設計において、伝送理論を用いて抵抗層の前面から見込んだインピーダンスが特性インピーダンスと等しくなるように、抵抗層のシート抵抗が定められる。抵抗層に求められるシート抵抗は、λ／４型電磁波吸収体に入射する電磁波の想定される入射角度によって変動しうる。
【００２７】
抵抗層１０は、例えば、１２０〜８００Ω／□のシート抵抗を有する。電磁波吸収体１ａに対する電磁波の入射角度が大きいことが想定されても、抵抗層１０のシート抵抗を１２０〜８００Ω／□の特定のシート抵抗に定めることにより、電磁波吸収体１ａが、例えば７６〜７９ＧＨｚの電磁波に対して所望の吸収性能を示すことができる。
【００２８】
抵抗層１０は、例えば、インジウム、スズ、及び亜鉛からなる群から選ばれた少なくとも一つを主成分とする金属酸化物、導電性高分子、カーボンナノチューブ、金属ナノワイヤー、及びメタルメッシュのいずれかからなる層（以下、「機能層」という）を含む。抵抗層１０におけるシート抵抗の安定性及び抵抗層１０の耐久性の観点から、抵抗層１０の機能層は、望ましくは酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）からなる。この場合、抵抗層１０の機能層を形成する材料は、望ましくは２０〜４０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯであり、より望ましくは２５〜３５重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯである。このような範囲でＳｎＯ2を含有するＩＴＯは、非晶質構造が極めて安定であり、高温多湿の環境においても抵抗層１０のシート抵抗の変動を抑えることができる。抵抗層１０のシート抵抗は、例えば機能層に対して測定された値を意味する。本明細書において、「主成分」とは、その材料の特性に影響を与える成分の意味であり、その成分の含有量は、通常、材料全体の５０重量％以上である。
【００２９】
抵抗層１０の機能層は、例えば１０〜１００ｎｍの厚みを有し、望ましくは２５〜５０ｎｍの厚みを有する。これにより、電磁波吸収体１ａが経時的変化又は環境的変化を受けても抵抗層１０のシート抵抗が安定しやすい。
【００３０】
抵抗層１０は、例えば、機能層を支持する支持体をさらに含んでいてもよい。この場合、抵抗層１０は、例えば、支持体上にスパッタリング又はコーティング（例えば、バーコーティング）等の成膜方法により機能層を形成することによって作製できる。この場合、支持体は、機能層の厚みを高精度に調節できる補助材としての役割も果たす。抵抗層１０の支持体の材料は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）、アクリル樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリオレフィン、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ポリウレタン、ウレタンアクリル樹脂、無軸延伸ポリプロピレン（ＣＰＰ）、又は塩化ビニリデン樹脂である。なかでも、良好な耐熱性と、寸法安定性と、コストとのバランスの観点から、抵抗層１０の支持体の材料は望ましくはＰＥＴ又はＰＩである。場合によっては、抵抗層１０において支持体を省略可能である。
【００３１】
抵抗層１０が支持体を含む場合、抵抗層１０において、機能層が第一主面１０ａをなしていてもよく、支持体が第一主面１０ａをなしていてもよい。
【００３２】
抵抗層１０が支持体を含む場合、抵抗層１０の支持体は、例えば１０〜１５０μｍの厚みを有し、望ましくは２０〜１００μｍの厚みを有し、より望ましくは３０〜８０μｍの厚みを有する。これにより、抵抗層１０の曲げ剛性が低く、かつ、抵抗層１０の機能層を形成する場合において皺の発生又は変形を抑制できる。
【００３３】
抵抗層１０は、例えば０．０７〜５０００ＭＰａのヤング率を有する。これにより、電磁波吸収体１ａが曲がりやすい。
【００３４】
例えば、電磁波吸収体１ａにおいて電磁波の透過を抑制する観点から、導電層２０のシート抵抗はできるだけ小さいことが望ましい。導電層２０は、例えば１００Ω／□以下のシート抵抗を有し、望ましくは２０Ω／□以下のシート抵抗を有する。
【００３５】
導電層１０は、例えば、金属を含む。これにより、導電層１０が低いシート抵抗を有しやすい。なお、本明細書において、合金は、金属に含まれる。導電層１０に含まれる金属は、例えば、銅、ニッケル、亜鉛、若しくはこれらの合金、アルミニウム、金、又はステンレスである。
【００３６】
導電層２０は、例えば金属箔を含んでいてもよく、導電層２０は単一の金属箔によって形成されていてもよい。この場合、金属箔の厚みは、例えば０．１〜１００μｍであり、望ましくは０．１〜５０μｍである。これにより、電磁波吸収体１ａにおいて電磁波の透過をより確実に抑制できるとともに、曲面等を有する物品に電磁波吸収体１ａを取り付けやすい。金属箔は、例えば、アルミニウム箔、銅箔、金箔、チタン箔、ニッケル箔、マグネシウム箔、アルミニウム合金箔、銅合金箔、金合金箔、チタン合金箔、ニッケル合金箔、マグネシウム合金箔、又はステンレス箔である。なかでも、金属箔としてアルミニウム箔が望ましく使用される。なぜなら、アルミニウム箔は安価に入手でき、電磁波吸収体１ａの製造コストを低減できるからである。
【００３７】
導電層２０は、例えば、表面処理された金属粒子を含む層を備えていてもよい。金属粒子において表面処理される金属は、例えば、銅、ニッケル、亜鉛、又はこれらの合金である。金属粒子において表面処理に供される材料は、銀、金、ニッケル、銅、又はコバルトである。中でも、良好な導電性を有する銀で表面処理することが望ましい。例えば、金属粒子における表面処理剤の質量は金属粒子の全体の質量の５〜３０％であり、望ましくは５〜２０％であり、より望ましくは１０〜２０％である。この場合、例えば、銀で表面処理する場合に、金属粒子の表面が良好な導電性を有するとともに、金属粒子の原料コストを抑制できる。
【００３８】
例えば、金属粒子を含む層において金属粒子同士が接触している。金属粒子を含む層は、バインダーを含み、導電層２０において金属粒子の表面の少なくとも一部がバインダーに接触して、金属粒子がバインダーに分散している。バインダーは、例えば、アクリル樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）、ニトリルゴム、エチレン‐プロピレン‐ジエンゴム、シリコーンゴム、又はポリウレタンである。バインダーは、柔軟性及び伸長性の観点から、望ましくはアクリル樹脂又はポリウレタンである。
【００３９】
金属粒子は、例えば、１〜１００μｍの粒子径を有し、より好ましくは１〜５０μｍの粒子径を有し、さらに好ましくは１〜２０μｍの粒子径を有する。金属粒子が１μｍ以上の粒子径を有することにより、金属粒子の添加量を抑制しつつ金属粒子同士を接触させやすい。加えて、金属粒子が１００μｍ以下の粒子径を有することにより、導電層２０の厚みを低減できるとともに電磁波吸収体１ａが曲げられても金属粒子同士が接触した状態が保たれやすい。金属粒子の粒子径は、例えば、レーザー回折散乱式粒度分布測定法により得られる体積基準の累積分布において５０％に相当するメディアン径（Ｄ５０）である。
【００４０】
導電層２０は、金属箔又は金属粒子を含む層を備える場合、これらの層を支持する支持体をさらに備えていてもよい。支持体は、例えば高分子シートである。支持体の材料は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）、アクリル樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリオレフィン、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ポリウレタン、ウレタンアクリル樹脂、無軸延伸ポリプロピレン（ＣＰＰ）、又は塩化ビニリデン樹脂である。導電層２０が金属箔である場合、金属箔がＰＥＴ等のポリエステルでできたシートに重ねられていることが望ましい。なお、導電層２０が支持体を有する場合、導電層２０のシート抵抗は、金属箔又は金属粒子を含む層に対して測定されたシート抵抗を意味する。
【００４１】
導電層２０が金属箔を含む場合、金属箔の両主面に一対の高分子シートが重ねられていてもよい。これにより、導電層２０が高い耐久性を有する。一対の高分子シートは、例えば支持体として例示した上記の材料でできているが、望ましくはＰＥＴ等のポリエステルでできている。
【００４２】
導電層２０は、例えば４．８〜２００ＧＰａのヤング率を有する。これにより、電磁波吸収体１ａがより確実に曲がりやすい。
【００４３】
誘電体層３０は、例えば、１〜２０の比誘電率を有する高分子シートによって形成されている。誘電体層３０は、望ましくは、２〜２０の比誘電率を有する高分子シートによって形成されている。これにより、電磁波吸収体１ａが所望の電磁波吸収性能を発揮しやすい。誘電体層３０の比誘電率は、例えば、自由空間法によって測定できる。
【００４４】
誘電体層３０の高分子シートの材料は、例えば、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、アクリル樹脂、アクリルウレタン樹脂、ポリオレフィン、ポリプロピレン、ポリエチレン、シリコーン樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリスチレン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、及びエポキシ樹脂等の合成樹脂、又は、ポリイソプレンゴム、ポリスチレン・ブタジエンゴム、ポリブタジエンゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、ブチルゴム、アクリルゴム、エチレンプロピレンゴム、及びシリコーンゴム等の合成ゴムである。これらは単独で又は２種以上を組み合せて誘電体層３０の高分子シートとして使用できる。誘電体層３０の厚みを低減し、電磁波吸収体１ａの厚みを低減する観点から、誘電体層３０の高分子シートの材料として、ポリウレタン、アクリル樹脂、又はアクリルウレタン樹脂が望ましく使用される。また、成型性及び比誘電率の観点から、誘電体層３０の高分子シートの材料として、ＥＶＡも望ましく使用できる。
【００４５】
誘電体層３０は、単一の層であってもよいし、複数の層の積層体であってもよい。誘電体層３０が複数の層の積層体である場合、誘電体層３０の比誘電率は、各層の比誘電率を測定し、得られた各層の比誘電率に誘電体層３０全体の厚みに対する各層の厚みの割合を乗じ、これらを加算することにより算出できる。
【００４６】
誘電体層３０は、例えば０．３〜６０００ＭＰａのヤング率を有する。これにより、電磁波吸収体１ａがより確実に曲がりやすい。
【００４７】
電磁波吸収体１ａにおいて、導電層２０はスリットを有しない。このため、吸収対象の電磁波が電磁波吸収体１ａを透過することをより効果的に抑制できる。
【００４８】
電磁波吸収体１ａにおいて、７６．５ＧＨｚの電磁波を垂直入射させたときの透過減衰量は、例えば１０ｄＢ以上であり、望ましくは２０ｄＢ以上であり、より望ましくは３０ｄＢ以上であり、さらに望ましくは４０ｄＢ以上である。電磁波吸収体１ａの透過減衰量は、例えば、キーコム社製の測定装置ＬＡＦ−２６．５Ａを用いて、一直線上に配置された送信アンテナと受信アンテナとの間に電磁波吸収体１ａを配置して自由空間法によって測定できる。
【００４９】
電磁波吸収体１ａは、様々な観点から変更可能である。例えば、電磁波吸収体１ａは、図３及び図４に示す電磁波吸収体１ｂ又は図５に示す電磁波吸収体１ｃのように変更されてもよい。電磁波吸収体１ｂ及び電磁波吸収体１ｃは、特に説明する場合を除き、電磁波吸収体１ａと同様に構成されている。電磁波吸収体１ａの構成要素と同一の又は対応する構成要素には同一の符号を付し詳細な説明を省略する。電磁波吸収体１ａに関する説明は、技術的に矛盾しない限り、電磁波吸収体１ｂ及び電磁波吸収体１ｃにも当てはまる。
【００５０】
図３に示す通り、電磁波吸収体１ｂは、第一スリット１５を有しておらず、第二スリット２５を有している。第二スリット２５は、導電層２０において誘電体層３０に対し遠位の第二主面２０ａから第二主面２０ａに垂直な方向に誘電体層３０に向かって延びているとともに、導電層２０を複数の第二ブロック２７に区分している。図４に示す通り、第二ブロック２７の第二主面２０ａにおける最小寸法Ｄ２は、１ｍｍ以上である。導電層に形成されたスリットは、電磁波の裏面反射に影響を及ぼすと考えられる。本発明者らは、導電層に形成したスリットが電磁波吸収体の電磁波吸収性能に及ぼす影響についても日夜検討を行った。その結果、スリットにより区分された導電層のブロックの最小寸法が１ｍｍ以上であれば、電磁波吸収体が良好な電磁波吸収性能を発揮しやすいことを新たに見出した。本発明者らは、このような新たな知見に基づいて本発明に係る電磁波吸収体を案出した。
【００５１】
最小寸法Ｄ２は、典型的には、第二主面２０ａを平面視したときに、第二ブロック２７の輪郭をなす平面図形において、頂点間の距離の最小値及び互いに交差しない線同士の最短距離のうち小さい方を意味する。この場合、頂点は、角の頂点を意味する。頂点は、直線同士が交差すること、曲線同士が交差すること、又は直線と曲線とが交差することによって形成されうる。一方、第二主面２０ａを平面視したときに、第二ブロック２７の輪郭をなす平面図形の輪郭が弧等の曲線を含み、かつ、平面図形の頂点の数が２以下である場合、最小寸法Ｄ２は、平面図形の輪郭上の２つの点と、その平面図形の重心とを通る線分の長さが最小となる方向における寸法である。
【００５２】
第二ブロック２７の第二主面２０ａにおける最小寸法Ｄ２は、望ましくは２ｍｍ以上であり、より望ましくは６ｍｍ以上であり、さらに望ましくは１０ｍｍ以上である。これにより、より確実に、電磁波吸収体が良好な電磁波吸収性能を発揮しやすい。
【００５３】
電磁波吸収体１ｂの厚さ方向における、第二スリット２５の深さは特に制限されないが、第二スリット２５は、導電層２０の内部に底を有していてもよいし、第二スリット２５は、電磁波吸収体１ｂの厚さ方向に導電層２０を貫いてもよい。第二主面２０ａに平行な方向において、第二スリット２５の端は、第一主面２０ａの端に位置していてもよいし、第二主面２０ａの端から離れて位置していてもよい。なお、第二スリット２５は、隣り合う第二ブロック２７同士の間に隙間が存在するように形成されていてもよいし、隣り合う第二ブロック２７同士が接触できるように形成されていてもよい。第二主面２０ａに平行な方向において、第二スリット２５は、典型的には直線状に延びている。第二スリット２５は、曲線状に延びていてもよい。
【００５４】
第二主面２０ａが水平であるときに、第二主面２０ａにおける複数の第二ブロック２７の面積は、複数の第二ブロック２７の面積と第二スリット２５の開口面積との和の９０％以上である。電磁波吸収体１ｂが第二スリット２５を有していても、第二主面２０ａにおける複数の第二ブロック２７の面積が広いほど、導電層２０において吸収対象の電磁波の裏面反射が起こりやすい。その結果、吸収対象の電磁波が電磁波吸収体１ｂを透過することをより確実に抑制でき、電磁波吸収体１ｂが良好な電磁波吸収性能を有しやすい。第二主面２０ａが水平であるときに、第二主面２０ａにおける複数の第二ブロック２７の面積は、望ましくは、複数の第二ブロック２７の面積と第二スリット２５の開口面積との和の９５％以上であり、より望ましくは、その和の９９％以上である。これにより、より確実に、電磁波吸収体１ｂが良好な電磁波吸収性能を有する。
【００５５】
図４に示す通り、電磁波吸収体１ｂは、例えば、複数の第二スリット２５を有する。複数の第二スリット２５は、例えば、第三スリット群２５ａを有する。第三スリット群２５ａは、第二主面２０ａにおいて互いに平行な複数の第二スリット２５からなる。この場合、第二ブロック２７の第二主面２０ａにおける最小寸法は、望ましくは、２０ｍｍ以下である。この場合、電磁波吸収体１ｂを大きい曲率の曲面を有する物品にも取り付けやすい。
【００５６】
図４に示す通り、電磁波吸収体１ｂにおける複数の第二スリット２５は、例えば、第四スリット群２５ｂをさらに含む。第四スリット群２５ｂは、第二主面２０ａにおいて互いに平行であり、かつ、第三スリット群２５ａに含まれる複数の第二スリット２５と交わる複数の第二スリット２５からなる。この場合、電磁波吸収体１ｂは、複数の方向に曲げることができるので、複雑な形状を有する物品にも取り付けやすい。
【００５７】
第二主面２０ａを平面視したときに、第二ブロック２７の輪郭をなす平面図形は、三角形、四角形、又はその他の多角形であってもよいし、その輪郭の一部又は全部が曲線状である図形であってもよい。
【００５８】
電磁波吸収体１ｂにおいて、７６．５ＧＨｚの電磁波を垂直入射させたときの透過減衰量は、例えば１０ｄＢ以上であり、望ましくは２０ｄＢ以上である。
【００５９】
JIS R 1679：2007に従って測定した、７６．５ＧＨｚの電磁波を電磁波吸収体１ａに垂直入射させたときの反射量の絶対値は、例えば１０ｄＢ以上であり、望ましくは２０ｄＢ以上であり、より望ましくは３０ｄＢ以上である。
【００６０】
図５に示す通り、電磁波吸収体１ｃは、第一スリット１５及び第二スリット２５を有する。電磁波吸収体１ｃにおいて、第一スリット１５は、電磁波吸収体１ａの第一スリット１５と同様に形成できる。加えて、第二スリット２５は、電磁波吸収体１ｂの第二スリット２５と同様に形成できる。
【００６１】
電磁波吸収体１ｃによれば、第一スリット１５の開口が広がるように電磁波吸収体１ｃを曲げることができるし、第二スリット２５の開口が広がるようにも電磁波吸収体１ｃを曲げることができる。このため、電磁波吸収体１ｃは、より複雑な表面を有する物品にも取り付けやすい。
【００６２】
電磁波吸収体１ｃにおいて、７６．５ＧＨｚの電磁波を垂直入射させたときの透過減衰量は、例えば１０ｄＢ以上であり、望ましくは２０ｄＢ以上である。
【００６３】
JIS R 1679：2007に従って測定した、７６．５ＧＨｚの電磁波を電磁波吸収体１ｃに垂直入射させたときの反射量の絶対値は、例えば１０ｄＢ以上であり、望ましくは２０ｄＢ以上である。
【００６４】
電磁波吸収体１ａ、電磁波吸収体１ｂ、及び電磁波吸収体１ｃを用いて電磁波吸収体付物品を製造できる。図６〜８に示す通り、電磁波吸収体付物品は、曲面又はコーナーを有する物品と、曲面に貼り付けられた、又は、コーナーを跨いで貼り付けられた電磁波吸収体とを備える。電磁波吸収体は、典型的には、抵抗層よりも導電層が物品の近くに位置するように貼り付けられる。
【００６５】
図６に示す通り、電磁波吸収体付物品９０ａは、曲面Ｃ１を有する物品７０ａと、電磁波吸収体１ａとを備えている。電磁波吸収体１ａは、例えば、曲面Ｃ１に粘着層５０によって貼り付けられている。この場合、第一スリット１５の開口が広がるように電磁波吸収体１ａが曲面Ｃ１に沿って変形する。
【００６６】
図７に示す通り、電磁波吸収体付物品９０ｂは、曲面Ｃ２を有する物品７０ｂと、電磁波吸収体１ｂとを備えている。電磁波吸収体１ｂは、例えば、曲面Ｃ２に粘着層５０によって貼り付けられている。この場合、第二スリット２５の開口が広がるように電磁波吸収体１ｂが曲面Ｃ２に沿って変形する。
【００６７】
図８に示す通り、電磁波吸収体付物品９０ｃは、コーナーＣ３及びコーナーＣ４を有する物品７０ｃと、電磁波吸収体１ｃとを備えている。電磁波吸収体１ｃは、粘着層５０によって、コーナーＣ３及びコーナーＣ４を跨いで貼り付けられている。この場合、第一スリット１５の開口が広がるようにコーナーＣ３に沿って電磁波吸収体１ｃが変形し、第二スリット２５の開口が広がるようにコーナーＣ４に沿って電磁波吸収体１ｃが変形する。
【００６８】
電磁波吸収体１ａ、電磁波吸収体１ｂ、及び電磁波吸収体１ｃは、例えば、以下の（ｉ）〜（iv）ステップを含む方法によって製造できる。
（ｉ）抵抗層１０を提供する。
（ii）導電層３０を提供する。
（iii）抵抗層１０と導電層２０との間に誘電体層３０を配置する。
（iv）第一スリット１５及び第二スリット２５の少なくとも１つを形成する。
【００６９】
上記（iii）のステップにおいて、抵抗層１０及び誘電体層３０は、例えば、粘着剤によって貼り合わせられてもよい。誘電体層３０が粘着性を有する場合には、抵抗層１０及び誘電体層３０は、粘着剤を介在させずに重ね合わせられてもよい。導電層２０及び誘電体層３０は、例えば、粘着剤によって貼り合わせられてもよい。誘電体層３０が粘着性を有する場合には、導電層２０及び誘電体層３０は、粘着剤を介在させずに重ね合わせられてもよい。
【００７０】
上記の（iv）のステップにおいて、第一スリット１５を形成する場合、例えば、抵抗層１０を連続的に形成し、連続的に形成された抵抗層１０を切り込んで第一スリット１５を形成する。抵抗層１０の切り込みは、例えば、トムソン刃、彫刻刀、及び腐食刃等の刃具を用いてなされてもよいし、レーザー加工機を用いてなされてもよい。抵抗層１０の切り込みは、抵抗層１０と誘電体層３０とを重ね合わせた後になされてもよいし、抵抗層１０と誘電体層３０とを重ね合わせる前になされてもよい。抵抗層１０と誘電体層３０とを重ね合わせた後に抵抗層１０を切り込む場合、誘電体層３０が粘着性を有していることが望ましい。なぜなら、切り込みが誘電体層３０に及んでも誘電体層３０の特性に影響が及びにくいからである。なお、第一主面１０ａにおいて抵抗層１０を非連続に形成して第一スリット１５を形成してもよい。
【００７１】
上記の（iv）のステップにおいて、第二スリット２５を形成する場合、例えば、導電層２０を連続的に形成し、連続的に形成された導電層２０を切り込んで第二スリット２５を形成する。導電層２０の切り込みは、例えば、トムソン刃、彫刻刀、及び腐食刃等の刃具を用いてなされてもよいし、レーザー加工機を用いてなされてもよい。導電層２０の切り込みは、導電層２０と誘電体層３０とを重ね合わせた後になされてもよいし、導電層２０と誘電体層３０とを重ね合わせる前になされてもよい。導電層２０と誘電体層３０とを重ね合わせた後に導電層２０を切り込む場合、誘電体層３０が粘着性を有していることが望ましい。なぜなら、切り込みが誘電体層３０に及んでも誘電体層３０の特性に影響が及びにくいからである。なお、第二主面２０ａにおいて導電層２０を非連続に形成して第二スリット２５を形成してもよい。
【実施例】
【００７２】
以下、実施例により本発明をより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下の実施例に限定されない。【００７３】
＜実施例１＞
ポリエステルからなるフィルム状の支持体（厚み：３８μｍ）に、シート抵抗が３９０Ω／□になるように３０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯを用いて機能層を形成し、実施例１に係る抵抗層を作製した。支持体のヤング率は４７００ＭＰａであった。２５μｍの厚みを有するＰＥＴの層、７μｍのアルミニウムの層、及び９μｍの厚みを有するＰＥＴの層がこの順で積層されているアルミニウム箔付きＰＥＴフィルムを実施例１に係る導電層として準備した。導電層のヤング率は４８８０ＭＰａであった。５６０μｍの厚みにプレス成型したアクリル樹脂を実施例１に係る誘電体層として準備した。実施例１に係る誘電体層の弾性率（ヤング率）は０．４ＭＰａであった。誘電体層の比誘電率は２．５５であった。実施例１に係る導電層の上に実施例１に係る誘電体層を重ねた。さらに、実施例１に係る誘電体層に実施例１に係る抵抗層の支持体によって形成された主面を向けた状態で、実施例１に係る誘電体層に実施例１に係る抵抗層を重ねた。カッターを用いて、２ｍｍ間隔で機能層側から実施例１に係る抵抗層に切り込みを入れ、実施例１に係る抵抗層の全体にわたって図２に示すような互いに直交する直線状の２つのスリット群を形成した。このようにして、実施例１に係る電磁波吸収体を得た。実施例１に係る電磁波吸収体において、直線状の２つのスリット群によって、機能層がなす主面において２ｍｍの最小寸法を有する複数のブロックに抵抗層が区分されていた。【００７４】
＜実施例２＞
抵抗層へ切り込みを入れる間隔を４ｍｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例２に係る電磁波吸収体を作製した。実施例２に係る電磁波吸収体において、直線状の２つのスリット群によって、抵抗層の機能層がなす主面において４ｍｍの最小寸法を有する複数のブロックに抵抗層が区分されていた。【００７５】
＜実施例３＞
抵抗層へ切り込みを入れる間隔を６ｍｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例３に係る電磁波吸収体を作製した。実施例３に係る電磁波吸収体において、直線状の２つのスリット群によって、抵抗層の機能層がなす主面において６ｍｍの最小寸法を有する複数のブロックに抵抗層が区分されていた。【００７６】
＜実施例４＞
抵抗層へ切り込みを入れる間隔を１０ｍｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例４に係る電磁波吸収体を作製した。実施例４に係る電磁波吸収体において、直線状の２つのスリット群によって、抵抗層の機能層がなす主面において１０ｍｍの最小寸法を有する複数のブロックに抵抗層が区分されていた。【００７７】
＜実施例５＞
抵抗層への切り込みを入れる間隔を２０ｍｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例５に係る電磁波吸収体を作製した。実施例５に係る電磁波吸収体において、直線状の２つのスリット群によって、機能層がなす主面において２０ｍｍの最小寸法を有する複数のブロックに抵抗層が区分されていた。【００７８】
＜実施例６＞
下記の点以外は、実施例１と同様にして、実施例６に係る電磁波吸収体を作製した。抵抗層の作製において、２３μｍの厚みを有するポリエステルからなるフィルム状の支持体を用いた。抵抗層への切り込みを入れる間隔を２０ｍｍに調整した。実施例６に係る電磁波吸収体において、直線状の２つのスリット群によって、機能層がなす主面において２０ｍｍの最小寸法を有する複数のブロックに抵抗層が区分されていた。【００７９】
＜実施例７＞
抵抗層の支持体を、５０μｍの厚みを有するポリエステルからなるフィルム状の支持体に変更し、かつ、抵抗層への切り込みを入れる間隔を４ｍｍに調整した以外は、実施例１と同様にして、実施例７に係る電磁波吸収体を得た。実施例７に係る電磁波吸収体において、直線状の２つのスリット群によって、機能層がなす主面において４ｍｍの最小寸法を有する複数のブロックに抵抗層が区分されていた。【００８０】
＜実施例８＞
下記の点以外は、実施例１と同様にして、実施例８に係る電磁波吸収体を作製した。抵抗層の作製において、１２５μｍの厚みを有するポリエステルからなるフィルム状の支持体を用いた。抵抗層への切り込みを入れる間隔を２０ｍｍに調整した。実施例８に係る電磁波吸収体において、直線状の２つのスリット群によって、機能層がなす主面において２０ｍｍの最小寸法を有する複数のブロックに抵抗層が区分されていた。【００８１】
＜実施例９＞
１００μｍの厚みを有するアルミニウム箔を実施例９に係る導電層として準備した。実施例９に係る導電層のヤング率は、６９０００ＭＰａであった。実施例１に係る導電層の代わりに実施例９に係る導電層を用い、抵抗層への切り込みを入れる間隔を６ｍｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例９に係る電磁波吸収体を作製した。実施例９に係る電磁波吸収体において、直線状の２つのスリット群によって、機能層がなす主面において６ｍｍの最小寸法を有する複数のブロックに抵抗層が区分されていた。【００８２】
＜実施例１０＞
抵抗層への切り込みを入れる間隔を２０ｍｍに変更した以外は、実施例９と同様にして、実施例９に係る電磁波吸収体を作製した。実施例９に係る電磁波吸収体において、直線状の２つのスリット群によって、機能層がなす主面において２０ｍｍの最小寸法を有する複数のブロックに抵抗層が区分されていた。【００８３】
＜実施例１１＞
ポリエステルからなるフィルム状の支持体（厚み：３８μｍ）に、シート抵抗が３９０Ω／□になるように３０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯを用いて機能層を形成し、実施例１１に係る抵抗層を作製した。支持体のヤング率は４７００ＭＰａであった。２５μｍの厚みを有するＰＥＴの層、７μｍのアルミニウムの層、及び９μｍの厚みを有するＰＥＴの層がこの順で積層されているアルミニウム箔付きＰＥＴフィルムを実施例１１に係る導電層として準備した。導電層のヤング率は４８８０ＭＰａであった。５６０μｍの厚みにプレス成型したアクリル樹脂を実施例１１に係る誘電体層として準備した。実施例１１に係る誘電体層の弾性率（ヤング率）は０．４ＭＰａであった。誘電体層の比誘電率は２．５５であった。実施例１１に係る導電層の上に実施例１１に係る誘電体層を重ねた。さらに、実施例１１に係る誘電体層に実施例１１に係る抵抗層の支持体によって形成された主面を向けた状態で、実施例１１に係る誘電体層に実施例１１に係る抵抗層を重ねた。実施例１１に係る導電層の誘電体層から遠いＰＥＴの層の側からカッターを用いて、１ｍｍ間隔で実施例１１に係る導電層に切り込みを入れ、実施例１１に係る導電層の全体にわたって図４に示すような互いに直交する直線状の２つのスリット群を形成した。このようにして、実施例１１に係る電磁波吸収体を得た。実施例１１に係る電磁波吸収体において、直線状の２つのスリット群によって、誘電体層から遠いＰＥＴの層がなす主面において１ｍｍの最小寸法を有する複数のブロックに導電層が区分されていた。【００８４】
＜実施例１２＞
導電層への切り込みを入れる間隔を２ｍｍに変更した以外は、実施例１１と同様にして、実施例１２に係る電磁波吸収体を作製した。実施例１２に係る電磁波吸収体において、直線状の２つのスリット群によって、誘電体層から遠いＰＥＴの層がなす主面において２ｍｍの最小寸法を有する複数のブロックに導電層が区分されていた。【００８５】
＜実施例１３＞
導電層への切り込みを入れる間隔を６ｍｍに変更した以外は、実施例１１と同様にして、実施例１３に係る電磁波吸収体を作製した。実施例１３に係る電磁波吸収体において、直線状の２つのスリット群によって、誘電体層から遠いＰＥＴの層がなす主面において６ｍｍの最小寸法を有する複数のブロックに導電層が区分されていた。【００８６】
＜実施例１４＞
導電層への切り込みを入れる間隔を１０ｍｍに変更した以外は、実施例１１と同様にして、実施例１４に係る電磁波吸収体を作製した。実施例１４に係る電磁波吸収体において、直線状の２つのスリット群によって、誘電体層から遠いＰＥＴの層がなす主面において１０ｍｍの最小寸法を有する複数のブロックに導電層が区分されていた。【００８７】
＜実施例１５＞
導電層への切り込みを入れる間隔を２０ｍｍに変更した以外は、実施例１１と同様にして、実施例１５に係る電磁波吸収体を作製した。実施例１５に係る電磁波吸収体において、直線状の２つのスリット群によって、導電層の主面において２０ｍｍの最小寸法を有する複数のブロックに導電層が区分されていた。【００８８】
＜実施例１６＞
抵抗層の支持体を、５０μｍの厚みを有するポリエステルからなるフィルム状の支持体に変更し、かつ、導電層への切り込みを入れる間隔を２ｍｍに調整した以外は、実施例１１と同様にして、実施例１６に係る電磁波吸収体を得た。実施例１６に係る電磁波吸収体において、直線状の２つのスリット群によって、導電層の主面において２ｍｍの最小寸法を有する複数のブロックに導電層が区分されていた。【００８９】
＜実施例１７＞
１００μｍの厚みを有するアルミニウム箔を実施例１７に係る導電層として準備した。実施例１７に係る導電層のヤング率は、６９０００ＭＰａであった。実施例１１に係る導電層の代わりに実施例１７に係る導電層を用い、かつ、導電層への切り込みを入れる間隔を２ｍｍに調整した以外は、実施例１１と同様にして、実施例１７に係る電磁波吸収体を得た。実施例１７に係る電磁波吸収体において、直線状の２つのスリット群によって、導電層の主面において２ｍｍの最小寸法を有する複数のブロックに導電層が区分されていた。【００９０】
＜実施例１８＞
導電層への切り込みを入れる間隔を２０ｍｍに変更した以外は、実施例１７と同様にして、実施例１８に係る電磁波吸収体を作製した。実施例１８に係る電磁波吸収体において、直線状の２つのスリット群によって、導電層の主面において２０ｍｍの最小寸法を有する複数のブロックに導電層が区分されていた。【００９１】
＜比較例１＞
抵抗層に切り込みを入れることを省略した以外は、実施例１と同様にして、比較例１に係る電磁波吸収体を作製した。【００９２】
＜比較例２＞
抵抗層へ切り込みを入れる間隔を１ｍｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、比較例２に係る電磁波吸収体を作製した。比較例１に係る電磁波吸収体において、直線状の２つのスリット群によって、抵抗層の機能層がなす主面において１ｍｍの最小寸法を有する複数のブロックに抵抗層が区分されていた。【００９３】
＜比較例３＞
導電層への切り込みを入れる間隔を０．５ｍｍに変更した以外は、実施例１１と同様にして、比較例３に係る電磁波吸収体を作製した。比較例３に係る電磁波吸収体において、直線状の２つのスリット群によって、導電層の主面において０．５ｍｍの最小寸法を有する複数のブロックに導電層が区分されていた。【００９４】
（電磁波吸収性能の評価）
キーコム社製の測定装置ＬＡＦ−２６．５Ａを用いて、JIS R 1679：2007に従って、各実施例に係る電磁波吸収体並びに各比較例に係る電磁波吸収体に７６．５ＧＨｚの電磁波を垂直入射させたときの反射量を測定した。結果を表１に示す。加えて、キーコム社製の測定装置ＬＡＦ−２６．５Ａを用いて、各実施例に係る電磁波吸収体並びに各比較例に係る電磁波吸収体に、７６．５ＧＨｚの電磁波を垂直入射させたときの透過減衰量を測定した。透過減衰量の測定は、一直線上に配置された送信アンテナと受信アンテナとの間に電磁波吸収体を配置して自由空間法によって行った。結果を表１に示す。表１に示す通り、各実施例に係る電磁波吸収体において、吸収量の絶対値が１０ｄＢ以上であり、かつ、透過減衰量が１０ｄＢ以上であった。一方、比較例２に係る電磁波吸収体では、吸収量の絶対値が１０ｄＢを下回っており、比較例３に係る電磁波吸収体では、透過減衰量が１０ｄＢを下回っていた。【００９５】
（曲げ性の評価）
５０ｍｍの外径及び１００ｍｍの長さを有する金属製の円柱Ａ並びに１００ｍｍの外径及び１００ｍｍの長さを有する金属製の円柱Ｂを準備した。各実施例及び各比較例に係る電磁波吸収体を円柱Ａ又は円柱Ｂを跨ぐように円柱の側面に沿って配置して電磁波吸収体の一端を固定し、電磁波吸収体の他端に５Ｎの力を加えた。電磁波吸収体の円柱Ａ又は円柱Ｂの軸線に平行な方向における長さは、１００ｍｍであった。このとき、電磁波吸収体が円柱Ａ又は円柱Ｂに密着しているか否かを確認した。電磁波吸収体が円柱Ａに密着していた場合を「ａ」と評価した。電磁波吸収体が円柱Ａには密着しなかったものの円柱Ｂには密着していた場合を「ｂ」と評価した。電磁波吸収体が円柱Ａにも円柱Ｂにも密着しなかった場合を「ｃ」と評価した。結果を表１に示す。表１に示す通り、各実施例に係る電磁波吸収体は、少なくとも円柱Ｂには密着し、良好な曲げ性を有していた。一方、比較例１に係る電磁波吸収体は円柱Ａにも円柱Ｂにも密着できず、良好な曲げ性を有するとは言い難かった。【００９６】
【表１】
2019132027.tif 000003
【符号の説明】
【００９７】
１ａ、１ｂ、１ｃ  電磁波吸収体
１０              抵抗層
１０ａ            第一主面
１５              第一スリット
１５ａ            第一スリット群
１５ｂ            第二スリット群
１７              第一ブロック
２０              導電層
２０ａ            第二主面
２５              第二スリット
２５ａ            第三スリット群
２５ｂ            第四スリット群
２７              第二ブロック
３０              誘電体層
【図１】
2019132027.tif 000004
【図２】
2019132027.tif 000005
【図３】
2019132027.tif 000006
【図４】
2019132027.tif 000007
【図５】
2019132027.tif 000008
【図６】
2019132027.tif 000009
【図７】
2019132027.tif 000010
【図８】
2019132027.tif 000011
【国際調査報告】
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