(57)【要約】  共振子上の絶縁体層又は、絶縁体層上の導電層に印加された電圧が共振子の振動に与える影響を抑制する。  振動部であって、上部電極及び下部電極と、上部電極と下部電極との間に設けられ、上部電極に対向する主面を有し、上部電極及び下部電極の間に電圧が印加されたときに振動部を所定の振動モードで振動させる、圧電膜と、上部電極を挟んで圧電膜の主面と対向して設けられ、振動部における第１領域において露出した、絶縁体からなる保護膜と、保護膜を挟んで圧電膜の前記主面と対向して設けられ、振動部における第１領域と隣接する領域である第２領域において露出した、導電膜と、保護膜に形成され、導電膜を下部電極に電気的に接続させる接続電極と、を有する振動部と、振動部の少なくとも一部を囲むように設けられた保持部と、振動部と保持部とを接続する保持腕とを備え、上部電極は、導電膜と重なり合う領域の面積が導電膜の面積の総和の半分以下となるように、又は導電膜と重なり合う領域を避けて形成された。
2019064663.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動部であって、
上部電極及び下部電極と、
前記上部電極と前記下部電極との間に設けられ、前記上部電極に対向する主面を有し、前記上部電極及び前記下部電極の間に電圧が印加されたときに前記振動部を所定の振動モードで振動させる、圧電膜と、
前記上部電極を挟んで前記圧電膜の前記主面と対向して設けられ、前記振動部における第１領域において露出した、絶縁体からなる保護膜と、
前記保護膜を挟んで前記圧電膜の前記主面と対向して設けられ、前記振動部における第１領域と隣接する領域である第２領域において露出した、導電膜と、
前記保護膜に形成され、前記導電膜を前記下部電極に電気的に接続させる接続電極と、
を有する振動部と、
前記振動部の少なくとも一部を囲むように設けられた保持部と、
前記振動部と前記保持部とを接続する保持腕と
を備え、
前記上部電極は、
前記導電膜と重なり合う領域の面積が前記導電膜の面積の総和の半分以下となるように、又は前記導電膜と重なり合う領域を避けて形成された
共振子。
【請求項２】
前記保護膜は、圧電体からなる、請求項１に記載の共振子。
【請求項３】
前記接続電極は、少なくとも前記保護膜を貫通するビア電極である、
請求項１又は２に記載の共振子。
【請求項４】
前記振動部は、
固定端と開放端とを有し、屈曲振動する振動腕、並びに、前記振動腕の固定端に接続される前端、及び当該前端に対向する後端を有する基部、
を有し、
前記第２領域は、少なくとも前記振動腕の開放端近傍の領域を含む、
請求項１乃至３の何れか一項に記載の共振子。
【請求項５】
前記振動部は、
前記圧電膜が当該圧電膜に印加された電圧に応じて輪郭振動を行い、
前記圧電膜の輪郭振動の節に平行な長辺と、前記圧電膜の輪郭振動の節に直交し、かつ輪郭振動の半波長に相当する短辺とを有する、少なくとも１つの矩形状の振動領域を有し、
前記第２領域は、
少なくとも前記振動領域の角部の領域を含む、
請求項１乃至３の何れか一項に記載の共振子。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の共振子と、
前記共振子を間に挟んで互いに対向して設けられた上蓋及び下蓋と、
外部電極と、
を備える共振装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、共振子及び共振装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器において計時機能を実現するためのデバイスとして、圧電振動子等の共振子が用いられている。電子機器の小型化に伴い、共振子も小型化が要求されており、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術を用いて製造される共振子（以下、「ＭＥＭＳ振動子」ともいう。）が注目されている。【０００３】
ＭＥＭＳ振動子においては、製造ばらつきによって共振周波数にばらつきが生じることがある。そこで、ＭＥＭＳ振動子の製造中や製造後に、追加エッチング等によって周波数を調整することが行われる。【０００４】
例えば、特許文献１には、複数の振動腕を有する振動子において、振動腕の先端側に設けられた粗調用の質量部と、振動腕の基端側に設けられた微調用の質量部とをそれぞれ減少させることにより、共振周波数を調整する構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−０６５２９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の質量部は、絶縁体層と、当該絶縁体層上に形成された導電層とを有している。ＭＥＭＳ振動子において、このような質量部を形成して、イオンビームや焦電体等を用いて共振周波数を調整した場合、絶縁体層が帯電してしまう場合がある。ＭＥＭＳ振動子上の絶縁体層が帯電した状態で、ＭＥＭＳ振動子が振動すると、絶縁体層における電荷によってクーロン力が発生してしまい、共振周波数が変動する等、共振子の振動に影響を及ぼしてしまう。【０００７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、共振子上の絶縁体層又は、絶縁体層上の導電層に印加された電圧が共振子の振動に与える影響を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面に係る共振子は、振動部であって、上部電極及び下部電極と、上部電極と下部電極との間に設けられ、上部電極に対向する主面を有し、上部電極及び下部電極の間に電圧が印加されたときに振動部を所定の振動モードで振動させる、圧電膜と、上部電極を挟んで圧電膜の主面と対向して設けられ、振動部における第１領域において露出した、絶縁体からなる保護膜と、保護膜を挟んで圧電膜の前記主面と対向して設けられ、振動部における第１領域と隣接する領域である第２領域において露出した、導電膜と、保護膜に形成され、導電膜を下部電極に電気的に接続させる接続電極と、を有する振動部と、振動部の少なくとも一部を囲むように設けられた保持部と、振動部と保持部とを接続する保持腕とを備え、上部電極は、導電膜と重なり合う領域の面積が導電膜の面積の総和の半分以下となるように、又は導電膜と重なり合う領域を避けて形成された。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、共振子上の絶縁体層又は、絶縁体層上の導電層に印加された電圧が共振子の振動に与える影響を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る共振装置の外観を概略的に示す斜視図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る共振装置の構造を概略的に示す分解斜視図である。
【図３】上側基板を取り外した本発明の第１実施形態に係る共振子の平面図である。
【図４】図３のＡＡ’線又はａａ’線に沿った断面図である。
【図５】図３のＢＢ’線に沿った断面図である。
【図６】第１実施形態に係る共振子と比較例の共振子とについて、配向方向と電界方向とを模式的に示した図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る共振子の平面図である。
【図８】図７のＣＣ’線に沿った断面図である。
【図９】本発明の第３実施形態に係る共振子の平面図である。
【図１０】図９のＤＤ’線に沿った断面図である。
【図１１】図９のＥＥ’線に沿った断面図である。
【図１２】図５に対応し、第４実施形態における共振子の断面図である。
【図１３】第４実施形態に係る共振子の振動腕の構造を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［第１実施形態］
以下、添付の図面を参照して本発明の第１実施形態について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る共振装置１の外観を概略的に示す斜視図である。また、図２は、本発明の第１実施形態に係る共振装置１の構造を概略的に示す分解斜視図である。
【００１２】
この共振装置１は、共振子１０と、共振子１０を挟んで互いに対向するように設けられた上蓋３０及び下蓋２０と、を備えている。すなわち、共振装置１は、下蓋２０と、共振子１０と、上蓋３０とがこの順で積層されて構成されている。
【００１３】
また、共振子１０と下蓋２０及び上蓋３０とが接合され、これにより、共振子１０が封止され、共振子１０の振動空間が形成される。共振子１０、下蓋２０及び上蓋３０は、それぞれＳｉ基板を用いて形成されている。そして、共振子１０、下蓋２０及び上蓋３０は、Ｓｉ基板同士が互いに接合されて、互いに接合される。共振子１０及び下蓋２０は、ＳＯＩ基板を用いて形成されてもよい。
【００１４】
共振子１０は、ＭＥＭＳ技術を用いて製造されるＭＥＭＳ共振子である。なお、本実施形態においては、共振子１０はシリコン基板を用いて形成されるものを例として説明する。以下、共振装置１の各構成について詳細に説明する。
【００１５】
（１．上蓋３０）
上蓋３０はＸＹ平面に沿って平板状に広がっており、その裏面に例えば平たい直方体形状の凹部３１が形成されている。凹部３１は、側壁３３に囲まれており、共振子１０が振動する空間である振動空間の一部を形成する。
【００１６】
（２．下蓋２０）
下蓋２０は、ＸＹ平面に沿って設けられる矩形平板状の底板２２と、底板２２の周縁部からＺ軸方向（すなわち、下蓋２０と共振子１０との積層方向）に延びる側壁２３とを有する。下蓋２０には、共振子１０と対向する面において、底板２２の表面と側壁２３の内面とによって形成される凹部２１が設けられる。凹部２１は、共振子１０の振動空間の一部を形成する。上述した上蓋３０と下蓋２０とによって、この振動空間は気密に封止され、真空状態が維持される。この振動空間には、例えば不活性ガス等の気体が充填されてもよい。
【００１７】
（３．共振子１０）
図３は、本実施形態に係る、共振子１０の構造を概略的に示す平面図である。図３を用いて本実施形態に係る共振子１０の、各構成について説明する。共振子１０は、振動部１２０と、保持部１４０と、保持腕１１１、１１２と、及びビアＶ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４を備えている。
【００１８】
（ａ）振動部１２０
振動部１２０は、図３の直交座標系におけるＸＹ平面に沿って広がる矩形の輪郭を有している。振動部１２０は、保持部１４０の内側に設けられており、振動部１２０と保持部１４０との間には、所定の間隔で空間が形成されている。図３の例では、振動部１２０は、基部１３０と４本の振動腕１３５Ａ〜１３５Ｄ（まとめて「振動腕１３５」とも呼ぶ。）とを有している。なお、振動腕の数は、４本に限定されず、例えば１本以上の任意の数に設定される。本実施形態において、各振動腕１３５と、基部１３０とは、一体に形成されている。
【００１９】
基部１３０は、平面視において、Ｘ軸方向に長辺１３１ａ、１３１ｂ、Ｙ軸方向に短辺１３１ｃ、１３１ｄを有している。長辺１３１ａは、基部１３０の前端の面１３１Ａ（以下、「前端１３１Ａ」とも呼ぶ。）の一つの辺であり、長辺１３１ｂは基部１３０の後端の面１３１Ｂ（以下、「後端１３１Ｂ」とも呼ぶ。）の一つの辺である。基部１３０において、前端１３１Ａと後端１３１Ｂとは、互いに対向するように設けられている。
【００２０】
基部１３０は、前端１３１Ａにおいて、後述する振動腕１３５に接続され、後端１３１Ｂにおいて、後述する保持腕１１１、１１２に接続されている。なお、基部１３０は、図３の例では平面視において、略長方形の形状を有しているがこれに限定されず、長辺１３１ａの垂直二等分線に沿って規定される仮想平面Ｐに対して略面対称に形成されていればよい。基部１３０は、例えば、長辺１３１ｂが１３１ａより短い台形や、長辺１３１ａを直径とする半円の形状であってもよい。また、長辺１３１ａ、１３１ｂ、短辺１３１ｃ、１３１ｄは直線に限定されず、曲線であってもよい。
【００２１】
基部１３０において、前端１３１Ａから後端１３１Ｂに向かう方向における、前端１３１Ａと後端１３１Ｂとの最長距離である基部長（図３においては短辺１３１ｃ、１３１ｄの長さ）は４０μｍ程度である。また、基部長方向に直交する幅方向であって、基部１３０の側端同士の最長距離である基部幅（図３においては長辺１３１ａ、１３１ｂの長さ）は２８５μｍ程度である。
【００２２】
振動腕１３５は、Ｙ軸方向に延び、それぞれ同一のサイズを有している。振動腕１３５は、それぞれが基部１３０と保持部１４０との間にＹ軸方向に平行に設けられ、一端は、基部１３０の前端１３１Ａと接続されて固定端となっており、他端は開放端となっている。また、振動腕１３５は、それぞれ、Ｘ軸方向に所定の間隔で、並列して設けられている。なお、振動腕１３５は、例えばＸ軸方向の幅が５０μｍ程度、Ｙ軸方向の長さが４２０μｍ程度である。
【００２３】
振動腕１３５はそれぞれ開放端に、錘部Ｇを有している。錘部Ｇは、振動腕１３５の他の部位よりもＸ軸方向の幅が広い。錘部Ｇは、例えば、Ｘ軸方向の幅が７０μｍ程度である。錘部Ｇは、振動腕１３５と同一プロセスによって一体形成される。錘部Ｇが形成されることで、振動腕１３５は、単位長さ当たりの重さが、固定端側よりも開放端側の方が重くなっている。従って、振動腕１３５が開放端側にそれぞれ錘部Ｇを有することで、各振動腕における上下方向の振動の振幅を大きくすることができる。
【００２４】
本実施形態の振動部１２０では、Ｘ軸方向において、外側に２本の振動腕１３５Ａ、１３５Ｄが配置されており、内側に２本の振動腕１３５Ｂ、１３５Ｃが配置されている。Ｘ軸方向における、振動腕１３５Ｂと１３５Ｃとの間隔Ｗ１は、Ｘ軸方向における、外側の振動腕１３５Ａ（１３５Ｄ）と当該外側の振動腕１３５Ａ（１３５Ｄ）に隣接する内側の振動腕１３５Ｂ（１３５Ｃ）との間の間隔Ｗ２よりも大きく設定される。間隔Ｗ１は例えば３５μ程度、間隔Ｗ２は例えば２５μｍ程度である。間隔Ｗ２は間隔Ｗ１より小さく設定することにより、振動特性が改善される。また、共振装置１を小型化できるように、間隔Ｗ１を間隔Ｗ２よりも小さく設定してもよいし、等間隔にしても良い。
【００２５】
振動部１２０の表面（上蓋３０に対向する面）には、その全面を覆うように保護膜２３５が形成されている。さらに、振動腕１３５Ａ〜１３５Ｄにおける保護膜２３５の表面の一部には、それぞれ、周波数調整膜２３６Ａ〜２３６Ｄ（導電膜の一例である。以下、周波数調整膜２３６Ａ〜２３６Ｄをまとめて「周波数調整膜２３６」とも呼ぶ。）が形成されている。保護膜２３５及び周波数調整膜２３６によって、振動部１２０の共振周波数を調整することができる。尚、必ずしも保護膜２３５は振動部１２０の全面を覆う必要はないが、周波数調整における下地の電極膜（例えば図４の金属層Ｅ２）及び圧電膜（例えば図４の圧電薄膜Ｆ３）へのダメージを保護する上で、振動部１２０の全面の方が望ましい。
【００２６】
周波数調整膜２３６は、振動部１２０における、他の領域よりも振動による平均変位の大きい領域の少なくとも一部において、その表面が露出するように、保護膜２３５上に形成されている。具体的には、周波数調整膜２３６は、振動腕１３５の先端、即ち錘部（第２領域の一例である。）Ｇに形成される。他方、保護膜２３５は、振動腕１３５におけるその他の領域（第１領域の一例である。）において、その表面が露出している。この実施例では、振動腕１３５の先端まで周波数調整膜２３６が形成され、先端部では保護膜２３５は全く露出していないが、保護膜２３５の一部が露出する様に、周波数調整膜２３６を振動腕１３５の先端部には形成されない構成も可能である。なお、振動腕１３５の根本側（基部２３０と接続する側）に第２の周波数調整膜を形成しても良い。この場合、周波数調整に伴う、周波数の温度特性の変化を抑制する事ができる。
【００２７】
（ｂ）保持部１４０
保持部１４０は、ＸＹ平面に沿って矩形の枠状に形成される。保持部１４０は、平面視において、ＸＹ平面に沿って振動部１２０の外側を囲むように設けられる。なお、保持部１４０は、振動部１２０の周囲の少なくとも一部に設けられていればよく、枠状の形状に限定されない。例えば、保持部１４０は、振動部１２０を保持し、また、上蓋３０及び下蓋２０と接合できる程度に、振動部１２０の周囲に設けられていればよい。
【００２８】
本実施形態においては、保持部１４０は一体形成される角柱形状の枠体１４０ａ〜１４０ｄからなる。枠体１４０ａは、図３に示すように、振動腕１３５の開放端に対向して、長手方向がＸ軸に平行に設けられる。枠体１４０ｂは、基部１３０の後端１３１Ｂに対向して、長手方向がＸ軸に平行に設けられる。枠体１４０ｃは、基部１３０の側端（短辺１３１ｃ）及び振動腕１３５Ａに対向して、長手方向がＹ軸に平行に設けられ、その両端で枠体１４０ａ、１４０ｂの一端にそれぞれ接続される。枠体１４０ｄは、基部１３０の側端（短辺１３１ｄ）及び振動腕１３５Ｄに対向して、長手方向がＹ軸に平行に設けられ、その両端で枠体１４０ａ、１４０ｂの他端にそれぞれ接続される。
【００２９】
本実施形態においては、保持部１４０は、保護膜２３５で覆われているとして説明するが、これに限定されず、保護膜２３５は、保持部１４０の表面には形成されていなくてもよい。
【００３０】
（ｃ）保持腕１１１、１１２
保持腕１１１及び保持腕１１２は、保持部１４０の内側に設けられ、基部１３０の後端１３１Ｂと枠体１４０ｃ、１４０ｄとを接続する。図３に示すように、保持腕１１１と保持腕１１２とは、基部１３０のＸ軸方向の中心線に沿ってＹＺ平面に平行に規定される仮想平面Ｐに対して略面対称に形成される。
【００３１】
保持腕１１１は、腕１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄを有している。保持腕１１１は、一端が基部１３０の後端１３１Ｂに接続しており、そこから枠体１４０ｂに向かって延びている。そして、保持腕１１１は、枠体１４０ｃに向かう方向（すなわち、Ｘ軸方向）に屈曲し、さらに枠体１４０ａに向かう方向（すなわち、Ｙ軸方向）に屈曲し、再度枠体１４０ｃに向かう方向（すなわち、Ｘ軸方向）に屈曲して、他端が枠体１４０ｃに接続している。
【００３２】
腕１１１ａは、基部１３０と枠体１４０ｂとの間に、枠体１４０ｃに対向して、長手方向がＹ軸に平行になるように設けられている。腕１１１ａは、一端が、後端１３１Ｂにおいて基部１３０と接続しており、そこから後端１３１Ｂに対して略垂直、すなわち、Ｙ軸方向に延びている。腕１１１ａのＸ軸方向の中心を通る軸は、振動腕１３５Ａの中心線よりも内側に設けられることが望ましく、図３の例では、腕１１１ａは、振動腕１３５Ａと１３５Ｂとの間に設けられている。また腕１１１ａの他端は、その側面において、腕１１１ｂの一端に接続されている。腕１１１ａは、Ｘ軸方向に規定される幅が２０μｍ程度であり、Ｙ軸方向に規定される長さが４０μｍである。
【００３３】
腕１１１ｂは、基部１３０と枠体１４０ｂとの間に、枠体１４０ｂに対向して、長手方向がＸ軸方向に平行になるように設けられている。腕１１１ｂは、一端が、腕１１１ａの他端であって枠体１４０ｃに対向する側の側面に接続し、そこから腕１１１ａに対して略垂直、すなわち、Ｘ軸方向に延びている。また、腕１１１ｂの他端は、腕１１１ｃの一端であって振動部１２０と対向する側の側面に接続している。腕１１１ｂは、例えばＹ軸方向に規定される幅が２０μｍ程度であり、Ｘ軸方向に規定される長さが７５μｍ程度である。
【００３４】
腕１１１ｃは、基部１３０と枠体１４０ｃとの間に、枠体１４０ｃに対向して、長手方向がＹ軸方向に平行になるように設けられている。腕１１１ｃの一端は、その側面において、腕１１１ｂの他端に接続されており、他端は、腕１１１ｄの一端であって、枠体１４０ｃ側の側面に接続されている。腕１１１ｃは、例えばＸ軸方向に規定される幅が２０μｍ程度、Ｙ軸方向に規定される長さが１４０μｍ程度である。
【００３５】
腕１１１ｄは、基部１３０と枠体１４０ｃとの間に、枠体１４０ａに対向して、長手方向がＸ軸方向に平行になるように設けられている。腕１１１ｄの一端は、腕１１１ｃの他端であって枠体１４０ｃと対向する側の側面に接続している。また、腕１１１ｄは、他端が、振動腕１３５Ａと基部１３０との接続箇所付近に対向する位置において、枠体１４０ｃと接続しており、そこから枠体１４０ｃに対して略垂直、すなわち、Ｘ軸方向に延びている。腕１１１ｄは、例えばＹ軸方向に規定される幅が２０μｍ程度、Ｘ軸方向に規定される長さが１０μｍ程度である。
【００３６】
このように、保持腕１１１は、腕１１１ａにおいて基部１３０と接続し、腕１１１ａと腕１１１ｂとの接続箇所、腕１１１ｂと１１１ｃとの接続箇所、及び腕１１１ｃと１１１ｄとの接続箇所で屈曲した後に、保持部１４０へと接続する構成となっている。
【００３７】
保持腕１１２は、腕１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄを有している。保持腕１１２は、一端が基部１３０の後端１３１Ｂに接続しており、そこから枠体１４０ｂに向かって延びている。そして、保持腕１１２は、枠体１４０ｄに向かう方向（すなわち、Ｘ軸方向）に屈曲し、さらに枠体１４０ａに向かう方向（すなわち、Ｙ軸方向）に屈曲して、再度枠体１４０ｄに向かう方向（すなわち、Ｘ軸方向）屈曲し、他端が枠体１４０ｄに接続している。
【００３８】
なお、腕１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄの構成は、それぞれ腕１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄと対称な構成であるため、詳細な説明については省略する。
【００３９】
（ｄ）ビアＶ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４
ビアＶ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４は振動腕１３５における先端部近傍上に形成された金属が充填された孔であり、周波数調整膜２３６Ａ、２３６Ｂ、２３６Ｃ、２３６Ｄと、と、後述する金属層Ｅ１（図４（Ａ）（Ｂ）参照）とを電気的に接続させる。図４においては、二点鎖線は電気的な接続を示しており、点線は、特にビアＶ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４による電気的な接続を示している。
【００４０】
詳細については後述するが、ビアＶ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４は、それぞれ振動腕１３５Ａ、１３５Ｂ、１３５Ｃ、１３５Ｄの先端部における周波数調整膜２３６が露出する領域と、保護膜２３５が露出する領域の境界近傍に形成される。本実施形態では、錘部Ｇの固定端側の端部に形成されている。なお、ビアＶ１〜Ｖ４が形成される位置は図３の位置に限定されず、例えば錘部Ｇの開放端側の領域に形成されてもよい。
【００４１】
（４．積層構造）
図４及び図５を用いて共振子１０の積層構造について説明する。図４（Ａ）は、図３のＡＡ’断面、及び共振子１０の電気的な接続態様を模式的に示す概略図であり、図４（Ｂ）は図３のａａ’断面、及び共振子１０の電気的な接続態様を模式的に示す概略図である。また図５は、図３のＢＢ’断面を模式的に示す概略図であり、周波数調整膜２３６Ｄが金属層Ｅ１と接続される場合を示している。
【００４２】
共振子１０では、保持部１４０、基部１３０、振動腕１３５、保持腕１１１，１１２は、同一プロセスで一体的に形成される。共振子１０では、まず、Ｓｉ（シリコン）基板Ｆ２の上に、金属層Ｅ１（下部電極の一例である。）が積層されている。そして、金属層Ｅ１の上には、金属層Ｅ１を覆うように、圧電薄膜Ｆ３（圧電膜の一例である。）が積層されており、さらに、圧電薄膜Ｆ３の表面（主面の一例である。）には、金属層Ｅ２（上部電極の一例である。）が積層されている。金属層Ｅ２の上には、金属層Ｅ２を覆うように、保護膜２３５が積層されている。振動部１２０上においては、さらに、保護膜２３５上に、周波数調整膜２３６が積層されている。金属層Ｅ２は、金属層Ｅ１や周波数調整膜２３６との短絡による特性が変化を抑制するため、先端まで延在させない様にパターニングする方が望ましい。尚、低抵抗となる縮退シリコン基板を用いる事で、Ｓｉ基板Ｆ２自体が金属層Ｅ１を兼ねる事で、金属層Ｅ１を省略する事も可能である。
【００４３】
Ｓｉ基板Ｆ２は、例えば、厚さ６μｍ程度の縮退したｎ型Ｓｉ半導体から形成されており、ｎ型ドーパントとしてＰ（リン）やＡｓ（ヒ素）、Ｓｂ（アンチモン）などを含むことができる。特に、振動腕１３５とｎ型Ｓｉ半導体から構成されたＳｉ基板Ｆ２の［１００］結晶軸またはこれと等価な結晶軸とのなす回転角は、０度より大きく１５度以下（又は０度以上１５度以下でもよい）、または７５度以上９０度以下の範囲内にあることが好ましい。なお、ここで回転角とは、Ｓｉ基板Ｆ２の［１００］結晶軸またはこれと等価な結晶軸に沿った線分に対して保持腕１１０が伸びる方向の角度をいう。
また、Ｓｉ基板Ｆ２に用いられる縮退Ｓｉの抵抗値は、例えば１．６ｍΩ・ｃｍ未満であり、より好ましくは１．２ｍΩ・ｃｍ以下である。さらにＳｉ基板Ｆ２の下面には酸化ケイ素（例えばＳｉＯ2）層（温度特性補正層）Ｆ２１が形成されている。これにより、温度特性を向上させることが可能になる。
【００４４】
本実施形態において、酸化ケイ素層（温度特性補正層）Ｆ２１とは、当該酸化ケイ素層Ｆ２１をＳｉ基板Ｆ２に形成しない場合と比べて、Ｓｉ基板Ｆ２に温度補正層を形成した時の振動部における周波数の温度係数（すなわち、温度当たりの変化率）を、少なくとも常温近傍において低減する機能を持つ層をいう。振動部１２０が酸化ケイ素層Ｆ２１を有することにより、例えば、Ｓｉ基板Ｆ２と金属層Ｅ１、Ｅ２と圧電薄膜Ｆ３及び酸化ケイ素層（温度補正層）Ｆ２１による積層構造体の共振周波数の、温度に伴う変化を低減することができる。
【００４５】
共振子１０においては、酸化ケイ素層Ｆ２１は、均一の厚みで形成されることが望ましい。なお、均一の厚みとは、酸化ケイ素層Ｆ２１の厚みのばらつきが、厚みの平均値から±２０％以内であることをいう。
【００４６】
なお、酸化ケイ素層Ｆ２１は、Ｓｉ基板Ｆ２の上面に形成されてもよいし、Ｓｉ基板Ｆ２の上面と下面の双方に形成されてもよい。また、保持部１４０においては、Ｓｉ基板Ｆ２の下面に酸化ケイ素層Ｆ２１が形成されなくてもよい。
【００４７】
金属層Ｅ２、Ｅ１は、例えば厚さ０．１〜０．２μｍ程度のＭｏ（モリブデン）やアルミニウム（Ａｌ）等を用いて形成される。金属層Ｅ２、Ｅ１は、エッチング等により、所望の形状に形成される。金属層Ｅ１は、例えば振動部１２０上においては、下部電極またはフロート電極またはグランド電極として機能するように形成される。本実施例ではフロート電極となっている。また、金属層Ｅ１は、保持腕１１１，１１２や保持部１４０上においては、共振子１０の外部に設けられた交流電源に下部電極またはグランド電極を接続するための配線として機能するように形成される。
【００４８】
他方で、金属層Ｅ２は、振動部１２０上においては、上部電極として機能するように形成される。また、金属層Ｅ２は、保持腕１１１、１１２や保持部１４０上においては、共振子１０の外部に設けられた回路に上部電極を接続するための配線として機能するように形成される。
【００４９】
なお、交流電源またはグランド電極から下部配線または上部配線への接続にあたっては、上蓋３０の外面に電極（外部電極の一例である。）を形成して、当該電極が回路と下部配線または上部配線とを接続する構成や、上蓋３０内にビアを形成し、当該ビアの内部に導電性材料を充填して配線を設け、当該配線が交流電源と下部配線または上部配線とを接続する構成が用いられてもよい。
【００５０】
圧電薄膜Ｆ３は、印加された電圧を振動に変換する圧電体の薄膜であり、例えば、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）等の窒化物や酸化物を主成分とすることができる。具体的には、圧電薄膜Ｆ３は、ＳｃＡｌＮ（窒化スカンジウムアルミニウム）により形成することができる。ＳｃＡｌＮは、窒化アルミニウムにおけるアルミニウムの一部をスカンジウムに置換したものである。また、圧電薄膜Ｆ３は、例えば、１μｍの厚さを有するが、０．２μｍから２μｍ程度を用いることも可能である。
【００５１】
圧電薄膜Ｆ３は、金属層Ｅ２、Ｅ１によって圧電薄膜Ｆ３に印加される電界に応じて、ＸＹ平面の面内方向すなわちＹ軸方向に伸縮する。この圧電薄膜Ｆ３の伸縮によって、振動腕１３５は、下蓋２０及び上蓋３０の内面に向かってその開放端を変位させ、面外の屈曲振動モードで振動する。なお、本実施形態では、４本腕の面外屈曲振動モードにおいて、内腕２本と外腕２本とが互いに逆方向に屈曲振動する構成となっているが、これに限定されない。例えば、振動腕が１本の構成や、面内屈曲振動モードで振動する構成でもよい。
【００５２】
保護膜２３５は、圧電性の絶縁体の層であり、エッチングによる質量低減の速度が周波数調整膜２３６より遅い材料により形成される。例えば、保護膜２３５は、ＡｌＮやＳｃＡｌＮ等の窒化膜やＺｎＯ2等の酸化膜やＰＺ膜等により形成される。なお、質量低減速度は、エッチング速度（単位時間あたりに除去される厚み）と密度との積により表される。保護膜２３５の厚さは、圧電薄膜Ｆ３の厚さ（Ｃ軸方向）の半分以下で形成され、本実施形態では、例えば０．２μｍ程度である。なお、保護膜２３５のより好ましい厚さは、圧電薄膜Ｆ３の厚さの４分の１程度である。また、圧電薄膜Ｆ３とほぼ同じ配向を持った圧電体保護膜が用いられることが好ましい。
【００５３】
周波数調整膜２３６は、導電体の層であり、エッチングによる質量低減の速度が保護膜２３５より速い材料により形成される。周波数調整膜２３６は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）やタングステン（Ｗ）や金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）等の金属により形成される。
【００５４】
なお、保護膜２３５と周波数調整膜２３６とは、質量低減速度の関係が上述のとおりであれば、エッチング速度の大小関係は任意である。
【００５５】
周波数調整膜２３６は、振動部１２０の略全面に形成された後、エッチング等の加工により所定の領域のみに形成される。
【００５６】
保護膜２３５及び周波数調整膜２３６に対するエッチングは、例えば、保護膜２３５及び周波数調整膜２３６に同時にイオンビーム（例えば、アルゴン（Ａｒ）イオンビーム）を照射することによって行われる。イオンビームは共振子１０よりも広い範囲に照射することが可能である。なお、本実施形態では、イオンビームによりエッチングを行う例を示すが、エッチング方法は、イオンビームによるものに限られない。
【００５７】
また、図５に示すように、周波数調整膜２３６Ｄは、ビアＶ４を介して金属層Ｅ１に接続されている。図５に示すように、周波数調整膜２３６Ｄが金属層Ｅ１と接続される場合には、ビアＶ４は、金属層Ｅ１の表面が露出するように保護膜２３５、及び圧電薄膜Ｆ３の一部を除去した孔に導電体が充填されて形成される。周波数調整膜２３６Ｄは、保護膜２３５の表面において、ビアＶ１を介して金属層Ｅ１に接続される。
【００５８】
さらに金属層Ｅ２は周波数調整膜２３６となるべく重なり合う領域が小さくなるように、その面積が調整されて形成される。例えば、金属層Ｅ２は、周波数調整膜２３６と重なり合う領域が周波数調整膜２３６の面積の半分以下となるように形成されることが好ましい。また例えば、振動腕１３５Ａの延びる方向において、金属層Ｅ２と周波数調整膜２３６との重なり合う領域の長さが金属層Ｅ２の長さの半分以下であってもよい。なお、本実施形態では、周波数調整膜２３６は錘部Ｇに形成され、金属層Ｅ２は振動腕１３５における錘部Ｇ以外の領域に形成されている。
【００５９】
次に図６を参照して金属層Ｅ２と、周波数調整膜２３６との、重なり合う領域を低減させることの効果について説明する。図６（Ａ）は、金属層Ｅ２と、周波数調整膜２３６Ｄとが重なり合うように形成した場合の比較例の共振子１０'における断面図である。また、図６（Ｂ）は図５と同様、本実施形態に係る共振子１０のＢＢ’断面図である。図６（Ａ）（Ｂ）において、破線は圧電薄膜Ｆ３及び圧電性の保護膜２３５の配向方向を示しており、実線は電界方向を示している。
【００６０】
図６（Ａ）に示す比較例の共振子１０'において、金属層Ｅ１と周波数調整膜２３６Ｄとを接続させた場合、金属層Ｅ１，Ｅ２に電圧が印加された際には、保護膜２３５と圧電薄膜Ｆ３とで逆方向の電界が発生することになる。そうすると、保護膜２３５に発生した電界によって、圧電薄膜Ｆ３の振動が阻害されてしまう。
【００６１】
他方で図６（Ｂ）に示すように、本実施形態に係る共振子１０においては、金属層Ｅ２は周波数調整膜２３６となるべく重なり合う領域が小さくなるように、その面積が調整されて形成されている。このため、保護膜２３５に発生した電界によって、圧電薄膜Ｆ３の振動が阻害されることを抑制することができる。特に図６（Ｂ）の例では、金属層Ｅ２と周波数調整膜２３６とは重なり合わないように形成されている。したがって、保護膜２３５には電界が発生しないため、より一層、圧電薄膜Ｆ３の振動が阻害されることを抑制することができる。
【００６２】
具体的には比較例の共振子１０’と本実施形態に係る共振子１０とについて等価直列容量を測定したところ、比較例の共振子１０’が４．９２[ｆＦ]であるのに対し、本実施形態に係る共振子１０は５．１８[ｆＦ]であり、本実施形態に係る共振子１０の方が性能が向上していることが分かった。
【００６３】
（５．共振子の機能）
図４を参照して共振子１０の機能について説明する。本実施形態では、外側の振動腕１３５Ａ、１３５Ｄに印加される電界の位相と、内側の振動腕１３５Ｂ、１３５Ｃに印加される電界の位相とが互いに逆位相になるように設定される。これにより、外側の振動腕１３５Ａ、１３５Ｄと内側の振動腕１３５Ｂ、１３５Ｃとが互いに逆方向に変位する。例えば、外側の振動腕１３５Ａ、１３５Ｄが上蓋３０の内面に向かって開放端を変位すると、内側の振動腕１３５Ｂ、１３５Ｃは下蓋２０の内面に向かって開放端を変位する。
【００６４】
これによって、本実施形態に係る共振子１０では、逆位相の振動時、すなわち、図４に示す振動腕１３５Ａと振動腕１３５Ｂとの間でＹ軸に平行に延びる中心軸ｒ１回りに振動腕１３５Ａと振動腕１３５Ｂとが上下逆方向に振動する。また、振動腕１３５Ｃと振動腕１３５Ｄとの間でＹ軸に平行に延びる中心軸ｒ２回りに振動腕１３５Ｃと振動腕１３５Ｄとが上下逆方向に振動する。これによって、中心軸ｒ１とｒ２とで互いに逆方向の捩れモーメントが生じ、基部１３０で屈曲振動が発生する。
【００６５】
（６．周波数調整膜の機能）
次に周波数調整膜２３６の機能について説明する。本実施形態に係る共振装置１では、上述のような共振子１０が形成された後、周波数調整膜２３６の膜厚を調整するトリミング工程が行われる。
【００６６】
トリミング工程では、まず共振子１０の共振周波数を測定し、狙い周波数に対する偏差を算出する。次に、算出した周波数偏差に基づき、周波数調整膜２３６の膜厚を調整する。周波数調整膜２３６の膜厚の調整は、例えばアルゴン（Ａｒ）イオンビームを共振装置１の全面に対して照射して、周波数調整膜２３６をエッチングすることによって行うことができる。さらに、周波数調整膜２３６の膜厚が調整されると、共振子１０の洗浄を行い、飛び散った膜を除去することが望ましい。
【００６７】
このようにトリミング工程によって、周波数調整膜２３６の膜厚が調整されることによって、同一ウエハにおいて製造される複数の共振装置１の間で、周波数のばらつきを抑えることができる。
【００６８】
（７．接続態様）
再度図５を用いて本実施形態に係る共振子１０における、周波数調整膜２３６と金属層Ｅ１との接続態様について、周波数調整膜２３６Ｄと金属層Ｅ１との接続態様を例に説明する。
【００６９】
図５に示すように、周波数調整膜２３６Ｄが金属層Ｅ１と接続される場合には、ビアＶ４は、金属層Ｅ１の表面が露出するように保護膜２３５、金属層Ｅ２及び圧電薄膜Ｆ３の一部を除去した孔に導電体が充填されて形成される。周波数調整膜２３６Ｄは、ビアＶ４を介して金属層Ｅ１に接続される。
【００７０】
周波数調整膜２３６Ｄが金属層Ｅ１に電気的に接続されることの効果について説明する。上述のトリミング工程において、イオンビームが共振子１０に照射された場合、保護膜２３５にもイオンビームが照射されてしまうことで、イオンビームの有する電荷によって保護膜２３５が帯電してしまう。また、圧電性の保護膜２３５では、熱の昇降温によって焦電効果が発生するため、保護膜２３５の界面に電荷が析出する。
【００７１】
本実施形態に係る共振子１０では、保護膜２３５上の一部に形成された、導電体から成る周波数調整膜２３６Ｄを、ビアＶ４を介して金属層Ｅ１へと接続させる。これによって、保護膜２３５に帯電された電荷を金属層Ｅ１へと移動させることができる。金属層Ｅ１へ移動させた電荷は、金属層Ｅ１に接続された外部との接続端子を介して、共振装置１の外部へ逃がすことができる。このように本実施形態に係る共振子１０では、振動部１２０上に形成された保護膜２３５に電荷が帯電することを抑制できるため、振動部１２０に帯電した電荷による共振周波数の変動を防止することができる。
【００７２】
なお、ビアＶ１、Ｖ２、Ｖ３の接続態様、及び材質、効果等は、ビアＶ４と同様であるため説明を省略する。
【００７３】
［第２実施形態］
図７及び図８を用いて本発明の第２実施形態にいて説明する。第２実施形態以降では第１実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
【００７４】
図７は、本実施形態に係る、共振子１０Ａの構造の一例を概略的に示す平面図である。以下に、本実施形態に係る共振子１０Ａの詳細構成のうち、第１の実施形態との差異点を中心に説明する。本実施形態に係る共振子１０Ａは、第１の実施形態で説明したビアＶ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４に代えて端子Ｔ１〜Ｔ４を有している。
【００７５】
端子Ｔ１〜Ｔ４は、振動腕１３５Ａ〜１３５Ｄにおける開放端近傍に形成されている。具体的には端子Ｔ１〜Ｔ４は、それぞれ周波数調整膜２３６Ａ〜２３６Ｄ上において、振動腕１３５Ａ〜１３５Ｄの開放端側の端部の少なくとも一部を覆うように形成されている。端子Ｔ１〜Ｔ４は、Ａｌ等の導電体を用いて形成される。
【００７６】
図８は、図７のＣＣ’断面を模式的に示す概略図であり、周波数調整膜２３６Ｄが金属層Ｅ１と接続される場合を示している。図８に示すように、振動腕１３５Ｄにおける開放端側の端面の少なくとも一部は金属膜Ｅ３によって覆われている。本実施形態に係る周波数調整膜２３６Ａ〜２３６Ｄは、端子Ｔ１〜Ｔ４、及び金属膜Ｅ３を介して金属層Ｅ１に接続される。
その他の共振装置１の構成、機能は第１実施形態と同様である。
【００７７】
［第３実施形態］
図９乃至図１１を用いて本発明の第３実施形態について説明する。図９は本実施形態に係る共振子１０Ｂの平面図である。また、図１０、１１は、それぞれ図９のＤＤ’断面及びＥＥ’断面を模式的に示す概略図である。
【００７８】
本実施形態では、共振子１０Ｂは、ＸＹ平面面内において輪郭振動する面内振動子である。本実施形態において、共振子１０Ｂは、第１の実施形態で説明したビアＶ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４、振動部１２０、保持腕１１１、１１２、金属層Ｅ２に代えてビアＶ１０〜Ｖ１３、振動部１２０Ｂ、保持腕１１０、金属層Ｅ２Ａを有している。
【００７９】
（１）振動部１２０Ｂ
振動部１２０Ｂは、図９の直交座標系におけるＸＹ平面に沿って平板状に広がる略直方体の輪郭を有している。また、振動部１２０は、Ｘ軸方向に短辺１２１ａ、１２１ｂを有し、Ｙ軸方向に長辺１２１ｃ、１２１ｄを有している。振動部１２０は、短辺１２１ａ、１２１ｂにおいて、１対の保持腕１１０によって保持部１４０に接続され、保持されている。また、振動部１２０Ｂの全面を覆うように、保護膜２３５が形成されている。さらに、保護膜２３５の表面には、振動部１２０Ｂの四隅（第２領域の一例である。）に４つの周波数調整膜２３６Ｅ〜２３６Ｈが積層されている。
その他の振動部１２０の構成は、第１実施形態と同様である。尚、周波数調整膜は4つに限定されず、例えば２３６Ｆと２３６Ｆが連結し、２３６Ｇと２３６Ｈが連結した２つでも良い。但し、周波数調整膜は振動時の変位の大きな第２領域を含み、第２領域は、振動部１２０Ｂの表面において、第２領域以外の第１領域の面積以下となる事が望ましい。これにより、周波数調整を効率よく実施し、かつ、周波数調整に伴う周波数温度特の変化を抑制する事ができる。
【００８０】
（２）保持腕１１０
１対の保持腕１１０は、Ｙ軸方向に長辺を、Ｘ軸方向に短辺を有する略矩形の形状を有している。
【００８１】
１対の保持腕１１０は、それぞれ一端が振動部１２０における短辺１２１ａ、１２１ｂの中心近傍と接続し、そこからＹ軸方向に沿って略垂直に延びている。また、保持腕１１０の他端は、それぞれ保持部１４０における枠体１４０ａ、１４０ｂの中心近傍と接続している。
その他の保持腕１１０の構成・機能は第１実施形態の保持腕１１１，１１２と同様である。
【００８２】
（３）ビアＶ１０〜Ｖ１３
本実施形態では、ビアＶ１０〜Ｖ１３は、それぞれ周波数調整膜２３６Ｅ〜２３６Ｈにおける金属層Ｅ２Ａと重なり合わない領域に形成されている。その他のビアＶ１０〜Ｖ１３の構成は、第１実施形態のビアＶ１〜Ｖ４と同様である。
【００８３】
（４）金属層Ｅ２Ａ、Ｅ１
金属層Ｅ２Ａは、周波数調整膜２３６Ｅ〜２３６Ｈと重なり合う領域がなるべく小さくなるように調整されて形成されている。本実施形態においては、金属層Ｅ２Ａは、周波数調整膜２３６Ｅ〜２３６Ｈと重なり合う面積が、当該周波数調整膜２３６Ｅ〜２３６Ｈの合計の面積の半分以下となるように形成されている。
その他の金属層Ｅ２Ａの構成は、第１実施形態における金属層Ｅ２の構成と同様である。
金属層Ｅ２Ａ及び金属層Ｅ１により、圧電薄膜Ｆ３に電界を印加する事で、面内振動させることができる。本実施例では、金属層Ｅ２Ａと、金属層Ｅ１がそれぞれ、外部の交流電源に接続され、１次の輪郭振動させることができる。
尚、この様な矩形状の輪郭振動共振子を複数連続して、高次モードの共振子を実現する事も可能である。
【００８４】
（５）接続態様
図１１に示すように、ビアＶ１０、Ｖ１１は、金属層Ｅ１の表面が露出するように保護膜２３５、及び圧電薄膜Ｆ３の一部を除去した孔に導電帯が充填されて形成される。周波数調整膜２３６Ｅ、２３６ＦはビアＶ１０、Ｖ１１を介して金属層Ｅ１に接続される。なお、ビアＶ１２、Ｖ１３の接続態様、及び材質等は、ビアＶ１０、Ｖ１１と同様であるため説明を省略する。
その他のビアＶ１０〜Ｖ１３の構成は第１実施形態におけるビアＶ１〜Ｖ４の構成と同様である。
【００８５】
［第４実施形態］
図１２及び図１３を用いて本発明の第４実施形態について説明する。図１２は、第１実施形態における図５に対応し、本実施形態に係る共振子１０Ｃの断面図である。また、図１３は本実施形態に係る振動腕１３５Ｄの、金属層Ｅ２の上面に沿った平面における平面図である（周波数調整膜２３６Ｄはこの平面には存在しないが、説明のため一点鎖線で示している。）。なお、共振子１０Ｃの表面における平面図については第１実施形態（図３）と同様であるため説明を省略する。
【００８６】
図１２に示すように、本実施形態における金属層Ｅ２は、その一部が周波数調整膜２３６Ｄと重なり合う領域を有している。さらに、図１２及び図１３に示すように、ビアＶ４に充填された金属が金属層Ｅ２と接続されないように、ビアＶ４の内壁に沿って保護膜２３５が形成されている。なお、ビアＶ１〜ビアＶ３、振動腕１３５Ａ〜１３５Ｃ、周波数調整膜２３６Ａ〜２３６Ｃの構成はそれぞれビアＶ４、振動腕１３５Ｄ、周波数調整膜２３６Ｄと同様であるため説明を省略する。
その他の共振子１０Ｃの構成は第１実施形態と同様である。
【００８７】
以上、本発明の例示的な実施形態について説明した。本発明の一実施形態に係る共振子１０は、振動部１２０であって、上部電極Ｅ２及び下部電極Ｅ１と、上部電極Ｅ２と下部電極Ｅ１との間に設けられ、上部電極Ｅ２に対向する主面を有し、上部電極Ｅ２及び下部電極Ｅ１の間に電圧が印加されたときに振動部１２０を所定の振動モードで振動させる、圧電膜Ｆ３と、上部電極Ｅ２を挟んで圧電膜Ｆ３の主面と対向して設けられ、振動部１２０における第１領域において露出した、圧電体からなる保護膜２３５と、保護膜２３５を挟んで圧電膜Ｆ３の主面と対向して設けられ、振動部１２０における第１領域と隣接する領域である第２領域において露出した、導電膜２３６と、保護膜２３５に形成され、導電膜２３６を下部電極Ｅ１に電気的に接続させる接続電極Ｖ１〜Ｖ４（Ｅ３）と、を有する振動部１２０と、振動部１２０の少なくとも一部を囲むように設けられた保持部１４０と、振動部１２０と保持部１４０とを接続する保持腕１１１，１１２とを備え、上部電極Ｅ２は、導電膜２３６と重なり合う領域の面積が導電膜２３６の面積の総和の半分以下となるように、又は導電膜２３６と重なり合う領域を避けて形成された。これによって、保護膜２３５に発生した電界によって、圧電薄膜Ｆ３の振動が阻害されることを抑制することができる。
【００８８】
また、圧電体からなる保護膜２３５は、圧電膜Ｆ３と配向方向が同じでることが好ましい。また、接続電極は、少なくとも保護膜２３５を貫通するビア電極であることが好ましい。
【００８９】
また、振動部１２０は、固定端と開放端とを有し、屈曲振動する振動腕１３５、並びに、振動腕１３５の固定端に接続される前端、及び当該前端に対向する後端を有する基部１３０、を有し、第２領域は、振動腕１３５の開放端近傍の領域であることが好ましい。また、振動部１２０は、圧電膜Ｆ３が当該圧電膜Ｆ３に印加された電圧に応じて輪郭振動を行い、圧電膜Ｆ３の輪郭振動の節に平行な長辺と、圧電膜Ｆ３の輪郭振動の節に直交し、かつ輪郭振動の半波長に相当する短辺とを有する、少なくとも１つの矩形状の振動領域を有し、第２領域は、振動領域の角部を含む領域でもよい。
【００９０】
また、本実施形態に係る共振装置１は、上述の共振子１０と、共振子１０を間に挟んで互いに対向して設けられた上蓋３０及び下蓋２０と、外部電極とを備える。本実施形態に係る共振装置１は、振動部１２０上に形成された保護膜２３５に電荷が帯電することを抑制できるため、振動部１２０に帯電した電荷による共振周波数の変動を防止することができる。
【００９１】
以上説明した各実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。例えば、既述の実施形態において、金属層Ｅ２と圧電薄膜Ｆ３とから成る積層体は単層である構成について説明したが、これに限定されない。共振子１０は、金属層Ｅ２と圧電薄膜Ｆ３とから成る積層体は多層であり、最上層（上蓋３０側）の表面に保護膜２３５が形成される構成でもよい。また、各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもなく、これらも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００９２】
１                          共振装置
１０，１０Ａ、１０Ｂ        共振子
３０                        上蓋
２０                        下蓋
１４０                      保持部
１４０ａ〜ｄ                枠体
１１０、１１１、１１２      保持腕
１２０、１２０Ａ、１２０Ｂ  振動部
１３０                      基部
１３５Ａ〜Ｄ                振動腕
Ｆ２                        Ｓｉ基板
Ｆ２１                      酸化ケイ素層（温度特性補正層）
Ｖ１〜Ｖ４、Ｖ１０〜Ｖ１３  ビア
２３５                      保護膜
２３６                      周波数調整膜
【図１】
2019064663.tif 000003
【図２】
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【図３】
2019064663.tif 000005
【図４】
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【図５】
2019064663.tif 000007
【図６】
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【図７】
2019064663.tif 000009
【図８】
2019064663.tif 000010
【図９】
2019064663.tif 000011
【図１０】
2019064663.tif 000012
【図１１】
2019064663.tif 000013
【図１２】
2019064663.tif 000014
【図１３】
2019064663.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月11日(2020.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
（ｄ）ビアＶ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４
ビアＶ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４は振動腕１３５における先端部近傍上に形成された金属が充填された孔であり、周波数調整膜２３６Ａ、２３６Ｂ、２３６Ｃ、２３６Ｄと、と、後述する金属層Ｅ１（図４参照）とを電気的に接続させる。図４においては、二点鎖線は電気的な接続を示しており、図３においては、点線は、特にビアＶ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４による電気的な接続を示している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
（４．積層構造）
図４及び図５を用いて共振子１０の積層構造について説明する。図４は図３のａａ'断面、及び共振子１０の電気的な接続態様を模式的に示す概略図である。また図５は、図３のＢＢ'断面を模式的に示す概略図であり、周波数調整膜２３６Ｄが金属層Ｅ１と接続される場合を示している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
共振子１０では、保持部１４０、基部１３０、振動腕１３５、保持腕１１１，１１２は、同一プロセスで一体的に形成される。共振子１０では、まず、Ｓｉ（シリコン）基板Ｆ２の上に、金属層Ｅ１（下部電極の一例である。）が積層されている。そして、金属層Ｅ１の上には、金属層Ｅ１を覆うように、圧電薄膜Ｆ３（圧電膜の一例である。）が積層されており、さらに、圧電薄膜Ｆ３の表面（主面の一例である。）には、金属層Ｅ２（上部電極の一例である。）が積層されている。金属層Ｅ２の上には、金属層Ｅ２を覆うように、保護膜２３５が積層されている。振動部１２０上においては、さらに、保護膜２３５上に、周波数調整膜２３６が積層されている。金属層Ｅ２は、金属層Ｅ１や周波数調整膜２３６との短絡による特性が変化を抑制するため、振動腕１３５の先端まで延在させない様にパターニングする方が望ましい。尚、低抵抗となる縮退シリコン基板を用いる事で、Ｓｉ基板Ｆ２自体が金属層Ｅ１を兼ねる事で、金属層Ｅ１を省略する事も可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
また、図５に示すように、周波数調整膜２３６Ｄは、ビアＶ４を介して金属層Ｅ１に接続されている。図５に示すように、周波数調整膜２３６Ｄが金属層Ｅ１と接続される場合には、ビアＶ４は、金属層Ｅ１の表面が露出するように保護膜２３５、及び圧電薄膜Ｆ３の一部を除去した孔に導電体が充填されて形成される。周波数調整膜２３６Ｄは、保護膜２３５の表面において、ビアＶ４を介して金属層Ｅ１に接続される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
（１）振動部１２０Ｂ
振動部１２０Ｂは、図９の直交座標系におけるＸＹ平面に沿って平板状に広がる略直方体の輪郭を有している。また、振動部１２０Ｂは、Ｘ軸方向に短辺１２１ａ、１２１ｂを有し、Ｙ軸方向に長辺１２１ｃ、１２１ｄを有している。振動部１２０Ｂは、短辺１２１ａ、１２１ｂにおいて、１対の保持腕１１０によって保持部１４０に接続され、保持されている。また、振動部１２０Ｂの全面を覆うように、保護膜２３５が形成されている。さらに、保護膜２３５の表面には、振動部１２０Ｂの四隅（第２領域の一例である。）に４つの周波数調整膜２３６Ｅ〜２３６Ｈが積層されている。
その他の振動部１２０Ｂの構成は、第１実施形態の振動部１２０と同様である。尚、周波数調整膜は4つに限定されず、例えば２３６Ｅと２３６Ｆが連結し、２３６Ｇと２３６Ｈが連結した２つでも良い。但し、周波数調整膜は振動時の変位の大きな第２領域を含み、第２領域は、振動部１２０Ｂの表面において、第２領域以外の第１領域の面積以下となる事が望ましい。これにより、周波数調整を効率よく実施し、かつ、周波数調整に伴う周波数温度特性の変化を抑制する事ができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
以上、本発明の例示的な実施形態について説明した。本発明の一実施形態に係る共振子１０は、振動部１２０であって、上部電極Ｅ２及び下部電極Ｅ１と、上部電極Ｅ２と下部電極Ｅ１との間に設けられ、上部電極Ｅ２に対向する主面を有し、上部電極Ｅ２及び下部電極Ｅ１の間に電圧が印加されたときに振動部１２０を所定の振動モードで振動させる、圧電膜Ｆ３と、上部電極Ｅ２を挟んで圧電膜Ｆ３の主面と対向して設けられ、振動部１２０における第１領域において露出した、絶縁体からなる保護膜２３５と、保護膜２３５を挟んで圧電膜Ｆ３の主面と対向して設けられ、振動部１２０における第１領域と隣接する領域である第２領域において露出した、導電膜２３６と、保護膜２３５に形成され、導電膜２３６を下部電極Ｅ１に電気的に接続させる接続電極Ｖ１〜Ｖ４（Ｅ３）と、を有する振動部１２０と、振動部１２０の少なくとも一部を囲むように設けられた保持部１４０と、振動部１２０と保持部１４０とを接続する保持腕１１１，１１２とを備え、上部電極Ｅ２は、導電膜２３６と重なり合う領域の面積が導電膜２３６の面積の総和の半分以下となるように、又は導電膜２３６と重なり合う領域を避けて形成された。これによって、保護膜２３５に発生した電界によって、圧電薄膜Ｆ３の振動が阻害されることを抑制することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
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【国際調査報告】
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