(57)【要約】  容量検出型超音波トランスデューサ（ＣＭＵＴ）において、超音波トランスデューサの下部電極への電気接続を、下部電極の下面から行っても、空洞部の変形や、空洞部を囲む絶縁膜厚さの不均一性や、さらには、メンブレンの表面形状の平坦性の劣化も抑制できる技術を提供する。下部電極３０６と、下部電極の下面から下部電極へ接続する電気接続部３０４と、下部電極を覆うように形成された第１絶縁膜と、第１絶縁膜上に、上面から見て、下部電極と重なるように形成された空洞部３０８と、空洞部３０８を覆うように形成された第２絶縁膜と、第２絶縁膜上に、上面から見て、空洞部３０８と重なるように形成された上部電極３１０とを備えた超音波トランスデューサにおいて、下部電極３０６への電気接続部３０４が空洞部３０８と、上面から見て、重ならない配置とする。
2010100861.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）下部電極と、
（ｂ）前記下部電極の下面から前記下部電極へ接続する電気接続部と、
（ｃ）前記下部電極を覆うように形成された第１絶縁膜と、
（ｄ）前記第１絶縁膜上に、上面から見て、前記下部電極と重なるように形成された空洞部と、
（ｅ）前記空洞部を覆うように形成された第２絶縁膜と、
（ｆ）前記第２絶縁膜上に、上面から見て、前記空洞部と重なるように形成された上部電極とを備えた超音波トランスデューサにおいて、
（ｇ）前記電気接続部が、上面から見て、前記空洞部と重ならない位置に配置されていることを特徴とする超音波トランスデューサ。
【請求項２】
（ａ）複数の下部電極と、
（ｂ）前記複数の下部電極のそれぞれの下面から前記複数の下部電極へ接続する複数の電気接続部と、
（ｃ）前記複数の下部電極を覆うように形成された第１絶縁膜と、
（ｄ）前記第１絶縁膜上に、上面から見て、前記複数の下部電極とそれぞれ重なるように形成された複数の空洞部と、
（ｅ）前記複数の空洞部を覆うように形成された第２絶縁膜と、
（ｆ）前記第２絶縁膜上に、上面から見て、前記複数の空洞部とそれぞれ重なるように形成された複数の上部電極とを備えた超音波トランスデューサにおいて、
（ｇ）前記複数の電気接続部が、上面から見て、前記複数の空洞部とそれぞれ重ならない位置に配置されていることを特徴とする超音波トランスデューサ。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の超音波トランスデューサにおいて、さらに、
（ｈ）半導体基板と、
（ｉ）前記半導体基板上に形成された配線と、
（ｊ）前記配線を覆うように形成された第３絶縁膜とを備え、
（ｋ）前記第３絶縁膜の開口部を通して、前記電気接続部の他端が前記配線と接続されている超音波トランスデューサ。
【請求項４】
請求項３記載の超音波トランスデューサにおいて、さらに、
（ｌ）第２の電気接続部を備え、
（ｍ）前記第３絶縁膜の開口部を通して、前記第２の電気接続部の一端が前記上部電極と接続され、他端が半導体基板上に形成された前記配線と接続されている超音波トランスデューサ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一つに記載の超音波トランスデューサを用いた超音波探触子。
【請求項６】
（ａ）配線を形成する工程と、
（ｂ）前記配線を覆う第１絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記第１絶縁膜を平坦化する工程と、
（ｄ）前記第１絶縁膜に前記配線に達する第１開口部を形成する工程と、
（ｅ）前記第１開口部に導電膜を埋め込み、電気接続部を形成する工程と、
（ｆ）前記電気接続部上に下部電極を形成する工程と、
（ｇ）前記下部電極を覆うように第２絶縁膜を形成する工程と、
（ｈ）前記第１絶縁膜上に、上面から見て、前記下部電極と重なるように、かつ、前記電気接続部と重ならない位置に犠牲層を形成する工程と、
（ｉ）前記犠牲層を覆うように第３絶縁膜を形成する工程と、
（ｊ）前記第３絶縁膜上に、上面からみて、前記犠牲層と重なるように上部電極を形成する工程と、
（ｋ）前記上部電極および前記第３絶縁膜を覆う第４絶縁膜を形成する工程と、
（ｌ）前記第３絶縁膜および前記第４絶縁膜を貫通して前記犠牲層に達する第２開口部を形成する工程と、
（ｍ）前記第２開口部を利用して前記犠牲層を除去することにより空洞部を形成する工程と、
（ｎ）前記第２絶縁膜と前記犠牲層に達する開口部を覆うように第５絶縁膜を形成し、前記空洞部を封止する工程とを備える超音波トランスデューサの製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の超音波トランスデューサの製造方法において、
前記第１開口部に導電膜を埋め込み、電気接続部を形成する工程と、前記電気接続部上に下部電極を形成する工程とを、一つの工程で行うことを特徴とする超音波トランスデューサの製造方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７記載の超音波トランスデューサの製造方法において、
前記配線を形成する工程が、半導体基板上に前記配線を形成するものであることを特徴とする超音波トランスデューサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超音波トランスデューサ、その製造方法、および、それを用いた超音波探触子に関するものである。特に、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）技術により製造した超音波トランスデューサと、その最適な製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
超音波トランスデューサは超音波を送信、受信することにより、人体内の腫瘍などの診断や、構造物の非破壊検査などに用いられている。【０００３】
これまでは、圧電体の振動を利用した超音波トランスデューサが用いられてきたが、近年のＭＥＭＳ技術の進歩により、振動部をシリコン基板上に作製した容量検出型超音波トランスデューサ（ＣＭＵＴ：Capacitive Micromachined Ultrasonic Transducer）が実用化を目指して盛んに開発されている。【０００４】
米国特許第６３２０２３９Ｂ１号明細書（特許文献１）には、単体のＣＭＵＴとアレイ状に配置したＣＭＵＴが開示されている。【０００５】
米国特許第６５７１４４５Ｂ２号明細書（特許文献２）および米国特許第６５６２６５０Ｂ２号明細書（特許文献３）には、シリコン基板上に形成された信号処理回路の上層にＣＭＵＴを形成する技術が開示されている。【０００６】
米国特許第６４３０１０９Ｂ１号明細書（特許文献４）には、シリコン基板上に形成されたＣＭＵＴの下部電極への電気信号供給を、シリコン基板を貫通する孔を設けて行う技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許第６３２０２３９Ｂ１号明細書
【特許文献２】米国特許第６５７１４４５Ｂ２号明細書
【特許文献３】米国特許第６５６２６５０Ｂ２号明細書
【特許文献４】米国特許第６４３０１０９Ｂ１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来の圧電体を用いたトランスデューサと比較して、ＣＭＵＴは、使用できる超音波の周波数帯域が広い、あるいは高感度であるなどの利点がある。また、ＬＳＩ加工技術を用いて作製するので微細加工が可能である。特に、超音波素子をアレイ状に並べて、それぞれの素子を独立に制御を行う場合には、ＣＭＵＴは必須となると考えられる。何故ならば、各素子への配線が必要になり、アレイ内の配線数は膨大な数になることが考えられるが、ＣＭＵＴはＬＳＩ加工技術を用いて作製するので、それらの配線が容易であるからである。さらには超音波送受信部からの信号処理回路の１チップへの混載も、ＣＭＵＴでは可能だからである。【０００９】
図２２を用いてＣＭＵＴの基本的な構造および動作を説明する。図２２は１つのＣＭＵＴセルの断面構造を示している。下部電極１０１の上層に空洞部１０２が形成されており、絶縁膜１０３が空洞部１０２を囲む構造をしている。絶縁膜１０３の上層には上部電極１０４が配置されている。絶縁膜１０３と上部電極１０４がＣＭＵＴ駆動時に振動するメンブレン１０５を構成する。【００１０】
上部電極１０４と下部電極１０１の間に直流電圧と交流電圧を重畳すると、静電気力が上部電極１０４と下部電極１０１の間に働き、メンブレン１０５が印加した交流電圧の周波数で振動することで、超音波を発信する。【００１１】
逆に、受信の場合は、メンブレン１０５の表面に到達した超音波の圧力により、メンブレン１０５が振動する。すると、上部電極１０４と下部電極１０１との間の距離が変化するため、容量の変化として超音波を検出できる。【００１２】
上記動作原理から明らかであるが、上部電極１０４と下部電極１０１の間の静電気力と静電容量を用いて超音波の送信、受信を行っているため、空洞部１０２を含む上部電極１０４と下部電極１０１の間の距離が超音波の送受信特性に大きく影響する。つまり、ＣＭＵＴを所望の送信音圧、受信感度を得るために設計し、製造する場合、上下電極間に挟まれる空洞部１０２と絶縁膜１０３の厚さや、下部電極表面の凹凸、メンブレンの膨らみやへこみも制御する必要がある。特に複数のＣＭＵＴセルを並べて、アレイ状にする場合は、個々のセルのバラツキが超音波特性のバラツキの原因になり、設計した所望の送信音圧、受信感度を得られないこととなる。【００１３】
図２３は、ＣＭＵＴをアレイ状に配置した場合の下部電極と上部電極の位置を示した上面図である。図２３（ａ）はＣＭＵＴアレイを短冊状に並べた配置である。上部電極は各短冊で共通であり、下部電極は全ての短冊で共通としたものであり、１次元ＣＭＵＴと呼ばれる。１次元ＣＭＵＴでは、短冊の並び方向（アジマス方向と呼ぶ）で送信、受信の位相を変えることで、アジマス方向でのみ超音波を収束できる。図２３（ｂ）は図２３（ａ）の１次元ＣＭＵＴの下部電極も分割し、上部電極と下部電極が直交した配置となっている。この配置では、アジマス方向だけでなく、アジマス方向と直交した方向（エレベーション方向と呼ぶ）でも超音波を収束できる配置であり、１．５次元ＣＭＵＴと呼ばれる。アジマス方向だけでなく、エレベーション方向にも超音波を収束できるので、１次元ＣＭＵＴと比較して、一層、分解能が良い超音波画像が得られる。図２３（ｃ）は１．５次元ＣＭＵＴのアジマス方向、エレベーション方向の各交点を、独立に制御するための配置であり、２次元ＣＭＵＴと呼ばれる。下部電極は上部電極と重なっているために、図示していない。２次元ＣＭＵＴでは任意方向に超音波を収束することが可能であり、３次元像の高速取得が可能となる。【００１４】
図２３（ａ）（ｂ）の１次元、１．５次元ＣＭＵＴでは、図示した配置から明らかであるが、下部電極、上部電極への電源供給は、個々のアレイの端部から可能であるが、図２３（ｃ）の２次元ＣＭＵＴでは、個々のアレイに独立して接続する必要があるために、アレイの上面あるいは下面から供給しなくてはならない。【００１５】
特許文献１ではシリコン基板を下部電極に用いたＣＭＵＴが開示されており、図２３（ａ）の１次元ＣＭＵＴに相当する。下部電極がアレイ全体で共通なので、下部電極、上部電極への電気接続はアレイ部と重ならない端部で行える。【００１６】
特許文献２、３に開示されたＣＭＵＴでは、シリコン基板上に形成された信号処理回路の上層にＣＭＵＴを形成しており、下部電極への電気接続は下部電極の下面から行う配置となっている。特許文献４に開示されたＣＭＵＴでも、シリコン基板を貫通する孔により、下部電極の下面から電気接続を行うものである。上記、特許文献２、３、４に開示されたＣＭＵＴは２次元ＣＭＵＴを想定するものであるが、上部電極への電気接続は上面から見て、空洞部と重ならないように配置されるが、下部電極への電気接続は、上面から見て、空洞部と重なる配置となっている。【００１７】
図２４に、下部電極への電気接続が上面から見て空洞部と重なる場合のＣＭＵＴ断面図を示す。１０６は下部電極への電気接続部、１０７がＣＭＵＴセルの下層に配置された配線、１０８は絶縁膜である。図２４に示すように、電気接続部形成工程でのへこみが生じてしまい、そのへこみに起因した空洞部の変形や、空洞部を囲む絶縁膜厚さが不均一になり、さらには、メンブレンの表面形状も平坦ではなくなることが考えられる。ＣＭＵＴセルをアレイ状に並べた場合には、これらの要因は個々のセルの超音波送信、受信特性のバラツキを生じ、したがって、設計した所望の送信音圧、受信感度を得られないこととなる。【００１８】
本発明の目的は、ＣＭＵＴにおいて、下部電極への電気接続を行う際に、個々のセル特性のバラツキを抑制する構造と製造方法を提供することである。【００１９】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次の通りである。【００２１】
本発明による超音波トランスデューサは、（ａ）下部電極と、（ｂ）前記下部電極の下面から前記下部電極へ接続する電気接続部と、（ｃ）前記下部電極を覆うように形成された第１絶縁膜と、（ｄ）前記第１絶縁膜上に、上面から見て、前記下部電極と重なるように形成された空洞部と、（ｅ）前記空洞部を覆うように形成された第２絶縁膜と、（ｆ）前記第２絶縁膜上に、上面から見て、前記空洞部と重なるように形成された上部電極とを備えた超音波トランスデューサにおいて、（ｇ）前記電気接続部が上面から見て、前記空洞部と重ならない位置に配置されていることを特徴とするものである。【００２２】
また、本発明による超音波トランスデューサは、（ａ）複数の下部電極と、（ｂ）前記複数の下部電極のそれぞれの下面から前記複数の下部電極へ接続する複数の電気接続部と、（ｃ）前記複数の下部電極を覆うように形成された第１絶縁膜と、（ｄ）前記第１絶縁膜上に、上面から見て、前記複数の下部電極とそれぞれ重なるように形成された複数の空洞部と、（ｅ）前記複数の空洞部を覆うように形成された第２絶縁膜と、（ｆ）前記第２絶縁膜上に、上面から見て、前記複数の空洞部とそれぞれ重なるように形成された複数の上部電極とを備えた超音波トランスデューサにおいて、（ｇ）前記複数の電気接続部が、上面から見て、前記複数の空洞部とそれぞれ重ならない位置に配置されていることを特徴とするものである。【００２３】
さらに、本発明による超音波トランスデューサは、（ｈ）半導体基板と、（ｉ）前記半導体基板上に形成された配線と、（ｊ）前記配線を覆うように形成された第３絶縁膜とを備え、（ｋ）前記第３絶縁膜の開口部を通して、前記電気接続部の他端が前記配線と接続されていることを特徴とするものである。【００２４】
さらに、本発明による超音波トランスデューサは、（ｌ）第２の電気接続部を備え、前記第３絶縁膜の開口部を通して、前記第２の電気接続部の一端が前記上部電極と接続され、他端が半導体基板上に形成された前記配線と接続されていることを特徴とするものである。【００２５】
そして、本発明の超音波探触子は、これらの超音波トランスデューサを用いたものである。【００２６】
また、本発明の超音波トランスデューサの製造方法は、（ａ）配線を形成する工程と、（ｂ）前記配線を覆う第１絶縁膜を形成する工程と、（ｃ）前記第１絶縁膜を平坦化する工程と、（ｄ）前記第１絶縁膜に前記配線に達する第１開口部を形成する工程と、（ｅ）前記第１開口部上に導電膜を埋め込み、電気接続部を形成する工程と、（ｆ）前記電気接続部上に下部電極を形成する工程と、（ｇ）前記下部電極を覆うように第２絶縁膜を形成する工程と、（ｈ）前記第１絶縁膜上に、上面から見て、前記下部電極と重なるように、かつ、前記電気接続部と重ならない位置に犠牲層を形成する工程と、（ｉ）前記犠牲層を覆うように第３絶縁膜を形成する工程と、（ｊ）前記第３絶縁膜上に、上面からみて、前記犠牲層と重なるように上部電極を形成する工程と、（ｋ）前記上部電極および前記第３絶縁膜を覆う第４絶縁膜を形成する工程と、（ｌ）前記第３絶縁膜および前記第４絶縁膜を貫通して前記犠牲層に達する第２開口部を形成する工程と、（ｍ）前記第２開口部を利用して前記犠牲層を除去することにより空洞部を形成する工程と、（ｎ）前記第２絶縁膜と前記犠牲層に達する開口部を覆うように第５絶縁膜を形成し、前記空洞部を封止する工程とを備えることを特徴とするものである。【００２７】
なお、本発明には、一つのＣＭＵＴセルにおいて、一つの下部電極に一つの空洞部が重なるものに限らず、一つの下部電極に複数の空洞部が重なるものも含まれるものである。
【発明の効果】
【００２８】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。【００２９】
本発明による超音波トランスデューサは、下部電極への電気接続を行う際に、下部電極の下面から行っても、空洞部と、上面から見て接続部が重ならない配置となるため、空洞部の変形や、空洞部を囲む絶縁膜厚さの不均一性を抑制し、さらには、メンブレンの表面形状の平坦性の劣化も抑制できる。したがって、個々のセルの超音波送信、受信特性のバラツキを抑制できるので、設計した所望の送信音圧、受信感度を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の実施例１における超音波トランスデューサを示した上面図である。
【図２】（ａ）は図１のＡ−Ａ’線で切断した断面図であり、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ’線で切断した断面図である。
【図３】（ａ）は超音波トランスデューサの製造工程を示すもので、図1のＡ−Ａ’線で切断した断面図であり、（ｂ）は超音波トランスデューサの製造工程を示すもので、図1のＢ−Ｂ’線で切断した断面図である。
【図４】（ａ）は図３（ａ）に続く超音波トランスデューサの製造工程を示した断面図であり、（ｂ）は図３（ｂ）に続く超音波トランスデューサの製造工程を示した断面図である。
【図５】（ａ）は図４（ａ）に続く超音波トランスデューサの製造工程を示した断面図であり、（ｂ）は図４（ｂ）に続く超音波トランスデューサの製造工程を示した断面図である。
【図６】（ａ）は図５（ａ）に続く超音波トランスデューサの製造工程を示した断面図であり、（ｂ）は図５（ｂ）に続く超音波トランスデューサの製造工程を示した断面図である。
【図７】（ａ）は図６（ａ）に続く超音波トランスデューサの製造工程を示した断面図であり、（ｂ）は図６（ｂ）に続く超音波トランスデューサの製造工程を示した断面図である。
【図８】（ａ）は図７（ａ）に続く超音波トランスデューサの製造工程を示した断面図であり、（ｂ）は図７（ｂ）に続く超音波トランスデューサの製造工程を示した断面図である。
【図９】（ａ）は図８（ａ）に続く超音波トランスデューサの製造工程を示した断面図であり、（ｂ）は図８（ｂ）に続く超音波トランスデューサの製造工程を示した断面図である。
【図１０】（ａ）は図９（ａ）に続く超音波トランスデューサの製造工程を示した断面図であり、（ｂ）は図９（ｂ）に続く超音波トランスデューサの製造工程を示した断面図である。
【図１１】（ａ）は図１０（ａ）に続く超音波トランスデューサの製造工程を示した断面図であり、（ｂ）は図１０（ｂ）に続く超音波トランスデューサの製造工程を示した断面図である。
【図１２】（ａ）は図１１（ａ）に続く超音波トランスデューサの製造工程を示した断面図であり、（ｂ）は図１１（ｂ）に続く超音波トランスデューサの製造工程を示した断面図である。
【図１３】（ａ）は図１２（ａ）に続く超音波トランスデューサの製造工程を示した断面図であり、（ｂ）は図１２（ｂ）に続く超音波トランスデューサの製造工程を示した断面図である。
【図１４】（ａ）は図１３（ａ）に続く超音波トランスデューサの製造工程を示した断面図であり、（ｂ）は図１３（ｂ）に続く超音波トランスデューサの製造工程を示した断面図である。
【図１５】本実施例１において、下部電極への電気接続部を形成した後に、下部電極を形成する場合の製造方法を示した断面図である。（ａ）は図１のＡ−Ａ’線で切断した断面図であり、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ’線で切断した断面図である。
【図１６】（ａ）は図１５（ａ）に続く超音波トランスデューサの製造工程を示した断面図であり、（ｂ）は図１５（ｂ）に続く超音波トランスデューサの製造工程を示した断面図である。
【図１７】（ａ）は図１６（ａ）に続く超音波トランスデューサの製造工程を示した断面図であり、（ｂ）は図１６（ｂ）に続く超音波トランスデューサの製造工程を示した断面図である。
【図１８】（ａ）は図１５から図１７で示した下部電極への電気接続部を形成した後に、下部電極を形成する場合の製造方法によって製造した超音波トランスデューサの断面図であり、（ａ）は図１のＡ−Ａ’線で切断した断面図であり、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ’線で切断した断面図である。
【図１９】本発明の実施例１における一つの下部電極に複数の空洞部が重なる配置の超音波トランスデューサを示した上面図である。
【図２０】本発明の実施例２における超音波トランスデューサを示した上面図である。
【図２１】本発明の実施例２における一つの下部電極に複数の空洞部が重なる配置の超音波トランスデューサを示した上面図である。
【図２２】本発明者らが検討した超音波トランスデューサの断面図である。
【図２３】本発明者らが検討した超音波トランスデューサをアレイ状に配置した場合の電極位置を示した上面図である。
【図２４】本発明者らが検討した超音波トランスデューサの下部電極への電気接続と空洞部が、上面から見て重なる配置である場合の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうではないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。なお、平面図であっても理解を容易にするため、ハッチングを付す場合がある。
【００３２】
下記の実施の形態の記載では、超音波トランスデューサの下部電極への電気接続を下部電極の下面から行う場合でも空洞の変形の抑制や、絶縁膜の均一性、メンブレン表面形状の平坦性の劣化を抑制するという目的を、下部電極への電気接続部が、上面から見て、空洞部と重ならない配置にすることで実現している。
【実施例１】
【００３３】
図１は１つのＣＭＵＴセルの上面図である。３０６は下部電極、３０８は空洞部、３１０は上部電極、３１２は空洞部３０８を形成するためのエッチング孔である。すなわち、エッチング孔３１２は、空洞部３０８に接続されている。３０４は下部電極３０６へ下層から電気接続を行う接続部、３０５は上部電極へ下層から電気接続する接続部である。上部電極３１０と下部電極３０６の間に空洞部３０８および下部電極３０６を覆うように絶縁膜が形成されているが、空洞部３０８、下部電極３０６を示すために図示していない。【００３４】
図２（ａ）は図１のＡ−Ａ’断面を示しており、図２（ｂ）は図１のＢ−Ｂ’断面を示している。図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、半導体基板２０１上の絶縁膜２０２の上面に、配線３０１、３０２が形成され、絶縁膜３０３が配線を覆うように形成されている。絶縁膜３０３にはＣＭＵＴの下部電極、上部電極へ電気接続する接続部３０４、３０５が配線３０１、３０２上に形成され、接続部３０４、３０５はそれぞれ下部電極３０６、上部電極３１０と接続している。【００３５】
下部電極３０６の上層には絶縁膜３０７を介して空洞部３０８が形成されている。空洞部３０８を囲むように絶縁膜３０９を形成し、絶縁膜３０９の上層に上部電極３１０が形成されている。上部電極３１０の上層には絶縁膜３１１と絶縁膜３１３が形成されている。また、絶縁膜３０９および絶縁膜３１１にはこれらの膜を貫通するエッチング孔３１２が形成されている。このエッチング孔３１２は、空洞部３０８を形成するために形成されたものであり、空洞部３０８の形成後、絶縁膜３１３によって埋め込まれている。ＣＭＵＴ駆動時に振動するメンブレンは絶縁膜３０９、３１１、３１３、上部電極３１０で構成される。【００３６】
本実施例１の特徴は、図１および図２（ａ）、（ｂ）に示すように、下部電極３０６への電気接続３０４を、上面から見て、空洞部３０８と重ならない配置とした点にある。このような配置にすることにより、各電極の下面から電気接続を行った場合でも、電気接続部３０４での形状の影響を受けることなく、空洞部３０８を形成でき、同様に、その上層のメンブレンも影響を受けることはない。したがって、空洞部の変形や、空洞部を囲む絶縁膜厚さの不均一性を抑制し、さらには、メンブレンの表面形状の平坦性の劣化も抑制できる。つまり、下部電極３０６への電気接続部３０４を上面から見て、空洞部３０８と重なる配置とした場合は、図２（ａ）に示される接続部３０４上部のへこみが空洞部３０８の形状やメンブレンの形状にも反映され、そのへこみに起因した空洞部の変形や、空洞部を囲む絶縁膜厚さの不均一になり、さらには、メンブレンの表面形状も平坦ではなくなる。このようなＣＭＵＴセルをアレイ状に並べた場合には、これらの要因は個々のセルの超音波送信、受信特性のバラツキを生じ、したがって、設計した所望の送信音圧、受信感度を得られないこととなる。しかし、本実施例１では、下部電極３０６への電気接続部３０４を、上面から見て、空洞部３０８と重ならない配置としたので、下部電極の下面から電気接続を行った場合でも、電気接続部３０４での形状の影響を受けることなく、空洞部３０８とメンブレンを形成でき、各セルの超音波特性のバラツキを抑制できる。【００３７】
次に、図面を用いて本実施例１に記載されたＣＭＵＴの製造方法を説明する。図３〜図１４中の（ａ）は、図１中のＡ−Ａ’断面方向を示しており、図３〜図１４中の（ｂ）は、図１中のＢ−Ｂ’断面方向を示している。【００３８】
まず、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、半導体基板２０１上にプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、４００ｎｍのシリコン酸化膜による絶縁膜２０２を形成する。絶縁膜２０２上に窒化チタン５０ｎｍとアルミニウム合金６００ｎｍと窒化チタン５０ｎｍを積層した配線３０１、３０２を形成し、その後、プラズマＣＶＤ法により、５００ｎｍのシリコン酸化膜による絶縁膜３０３を、配線３０１、３０２を覆うように形成する。絶縁膜３０３はＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法により平坦化を行う。【００３９】
次に、絶縁膜３０３に、配線３０１、３０２に達する開口部７０４、７０５をリソグラフィ技術とドライエッチング技術で形成する（図４（ａ）、（ｂ））。【００４０】
引き続き、ＣＭＵＴの下部電極となる導電膜１００ｎｍをスパッタリング法により形成する。この際に、開口部７０４、７０５も埋め込まれる。リソグラフィ技術とドライエッチング技術により、下部電極３０６および下部電極への電気接続部３０４、上部電極への電気接続部３０５を形成する（図５（ａ）、（ｂ））。下部電極３０６となる導電膜は、通常の半導体プロセスで使用されるタングステン（Ｗ）やチタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）およびそれらの合金や窒化物、シリコン化合物等、導電性があればよい。ＣＭＵＴセルの直近で配線３０１により下部電極に接続されるので、抵抗の低下は小さく抑えることができるので、導電膜は１００ｎｍ程度の厚さで構わない。【００４１】
そして、下部電極３０６上にプラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜による絶縁膜３０７を２００ｎｍ堆積する（図６（ａ）、（ｂ））。【００４２】
次に、シリコン酸化膜による絶縁膜３０７の上面にアモルファスシリコン膜をプラズマＣＶＤ法により１００ｎｍ堆積し、続いて、リソグラフィ技術とドライエッチング技術により、アモルファスシリコン膜を加工することで犠牲層１００８を形成する（図７（ａ）、（ｂ））。この際に、犠牲層のパターンは、上面から見て、下部電極との接続部３０４と重ならない配置とする。この犠牲層は、その後の工程で空洞部となる。【００４３】
続いて、犠牲層１００８、シリコン酸化膜による絶縁膜３０７を覆うように、プラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜による絶縁膜３０９を２００ｎｍ堆積する。（図８（ａ）、（ｂ））。【００４４】
次に、絶縁膜３０７と３０９に、リソグラフィ技術とドライエッチング技術により、上部電極のための電気接続部３０５に達する開口部１２０１を形成する（図９（ａ）、（ｂ））。【００４５】
次に、ＣＭＵＴの上部電極３１０を形成するため、スパッタリング法により窒化チタン膜とアルミニウム合金膜と窒化チタン膜の積層膜をそれぞれ５０ｎｍ、３００ｎｍ、５０ｎｍ堆積する。そして、リソグラフィ技術とドライエッチング技術により、上部電極３１０を形成する。このときに、絶縁膜３０７と３０９に形成した開口部１２０１も同時に埋め込まれて、上部電極３１０と配線３０２が電気接続部３０５を介して接続される（図１０（ａ）、（ｂ））。【００４６】
次にプラズマＣＶＤ法により、シリコン窒化膜による絶縁膜３１１をシリコン酸化膜３０９および上部電極３１０を覆うように３００ｎｍ堆積する（図１１(ａ)、（ｂ））。【００４７】
続いて、シリコン窒化膜による絶縁膜３１１およびシリコン酸化膜による絶縁膜３０９に、リソグラフィ技術とドライエッチング技術を使用して犠牲層１００８に到達するエッチング孔３１２を形成する（図１２(ａ)、（ｂ））。【００４８】
その後、開口部３１２を介して、犠牲層１００８をフッ化キセノンガス（ＸｅＦ２）によりエッチングすることにより空洞部３０８を形成する（図１３（ａ）、（ｂ））。【００４９】
次に、開口部３１２を埋め込むために、プラズマＣＶＤ法によりシリコン窒化膜による絶縁膜３１３を約８００ｎｍ堆積する（図１４(ａ)、（ｂ））。【００５０】
このようにして、本実施例１におけるＣＭＵＴを形成することができる。【００５１】
上記の製造方法では、下部電極を形成する際に、下部電極の材料となる導電膜を下層配線上に形成した開口部７０４に同時に埋め込み、下部電極への電気接続部３０４を形成したが、下部電極への電気接続部を形成した後に、下部電極を形成することも可能である。その場合の製造方法を図１５から図１７に示す。図４（ａ）、（ｂ）の後に導電膜１８０１をスパッタリング法で堆積する。このときの膜厚は図４（ａ）に示した開口部７０４、７０５が埋め込める膜厚を堆積する（図１５（ａ）、（ｂ））。その後、ＣＭＰ法により絶縁膜３０３の上面が露出するまで絶縁膜３０３上の堆積した導電膜１８０１の研磨を行う。この際に、下部電極への電気接続部となる３０４と上部電極への電気接続部となる３０５は絶縁膜３０３中に残るが、ＣＭＰプロセスでのリセスにより、接続部３０４、３０５の上面は絶縁膜３０３の上面より若干へこんだ構造となる（図１６（ａ）、（ｂ））。次に下部電極となる導電膜をスパッタリング法により１００ｎｍし、リソグラフィ技術、ドライエッチング技術により、下部電極３０６を形成する（図１７（ａ）、（ｂ））。その後の工程は、図６以降と同様である。【００５２】
本方法で製造したＣＭＵＴの断面図を図１８に示す。【００５３】
本製造方法では図４に示した絶縁膜３０３に形成した開口部７０４、７０５に、まず導電膜１８０１を埋め込んで、その後、下部電極を形成する。開口部７０４、７０５の開口径が大きい場合、図４、図５に示した工程では、開口部７０４、７０５を下部電極となる１００ｎｍの導電膜で埋め込めないことが生じる可能性がある。その場合、開口部７０４、７０５に堆積した導電膜は開口部の底面での断線が生じて、下部電極、上部電極との電気接続不良の原因となる。また、開口部７０４、７０５を埋め込める膜厚の導電膜を堆積した場合、下部電極も厚くなり、下部電極による大きな段差を生じてしまい、下部電極の段差を上部電極が乗り越える位置での絶縁耐圧が低下する。【００５４】
一方、図１５から図１７で示した工程では、開口部７０４、７０５を埋め込むことが可能な膜厚の導電膜１８０１を堆積し、その後、ＣＭＰ法により、絶縁膜３０３上の余分な導電膜１８０１と除去するので、下部電極形成工程での導電膜を１００ｎｍ程度と薄くすることが可能である。【００５５】
以上では、図１に示すように、一つの下部電極に一つの空洞部が重なるＣＭＵＴセルを示したが、図１９に示すように、一つの下部電極に複数の空洞部が重なる場合でも同様である。すなわち、図１９では、１３個の空洞部３０８が、下部電極３０６と重なる配置となっている。個々の上部電極３１０は１３個の空洞部３０８とそれぞれ重なる配置となっており、配線１９０１により束ねられて、電気接続部３０５に接続されている。本形態でも、図１と同様に、下部電極３０６への電気接続３０４を、上面から見て、空洞部３０８と重ならない配置となっており、各電極の下面から電気接続を行った場合でも、電気接続部３０４での形状の影響を受けることなく、空洞部３０８を形成でき、同様に、その上層のメンブレンも影響を受けることはない。したがって、空洞部の変形や、空洞部を囲む絶縁膜厚さの不均一性を抑制し、さらには、メンブレンの表面形状の平坦性の劣化も抑制できる。【００５６】
なお、図１、図１９において、ＣＭＵＴの空洞部３０８は、上面から見て、６角形の形状をしているが、形状はこれに限らず、任意の形状であってよい。【００５７】
本実施例１として示したＣＭＵＴを構成する材料は、その組み合わせの一つを示したものであり、上部電極、下部電極の材料として他の導電性を持つ材料にしてもよい。犠牲層の材料も、犠牲層の周りを囲む絶縁膜とのエッチング選択性が確保することができればよい。したがって、アモルファスシリコン膜の他に、ＳＯＧ膜（Ｓｐｉｎ−ｏｎ−Ｇｌａｓｓ）あるいはアルミニウムやタングステン、モリブデン、クロムなどの金属膜などであってもよい。上記の膜の場合もＳＯＧ膜ならば、フッ化水素酸を使えば、犠牲層を取り囲む絶縁膜とエッチング選択性が確保できる。
【実施例２】
【００５８】
図２０は図１で示したＣＭＵＴセルをアレイ状に配置した超音波トランスデューサの上面図である。３０６は下部電極、３０８は空洞部、３１０は上部電極、３１２は空洞部３０８を形成するためのエッチング孔である。すなわち、エッチング孔３１２は、空洞部３０８に接続されている。３０４は下部電極３０６へ下層から電気接続を行う接続部、３０５は上部電極へ下層から電気接続する接続部である。２００１はアレイが配置されている半導体基板である。アレイを構成する個々のＣＭＵＴセルの断面構造は図２で示したものと同様である。【００５９】
図２１は図１９で示したＣＭＵＴセルをアレイ状に配置した超音波トランスデューサの上面図である。３０６は下部電極、３０８は空洞部、３１０は上部電極、３１２は空洞部３０８を形成するためのエッチング孔である。すなわち、エッチング孔３１２は、空洞部３０８に接続されている。３０４は下部電極３０６へ下層から電気接続を行う接続部である。１９０１は１つのＣＭＵＴセルを構成する空洞部に対応した上部電極３１０の間を結ぶ配線であり、３０５は配線１９０１へ下層から電気接続する接続部である。２００１はアレイ配置されている半導体基板である。アレイを構成する個々のＣＭＵＴセルの断面構造は図２で示したものと同様である。【００６０】
本実施例２では、ＣＭＵＴセルをアレイ状に配置したものであるが、その特徴は、実施例１と同様に、各ＣＭＵＴセルの下部電極３０６への電気接続３０４を、上面から見て、空洞部３０８と重ならない配置とした点にある。このような配置にすることにより、各電極の下面から電気接続を行った場合でも、電気接続部３０４での形状の影響を受けることなく、空洞部３０８を形成でき、同様に、その上層のメンブレンも影響を受けることはない。したがって、空洞部の変形や、空洞部を囲む絶縁膜厚さの不均一性を抑制し、さらには、メンブレンの表面形状の平坦性の劣化も抑制できる。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明の超音波トランスデューサは、超音波診断装置や超音波探傷装置などのトランスデューサとして幅広く利用することができる。
【符号の説明】
【００６２】
１０１  下部電極
１０２  空洞部
１０３  絶縁膜
１０４  上部電極
１０５  メンブレン
１０６  下部電極への電気接続部
１０７  ＣＭＵＴセルの下層に配置された配線
１０８  絶縁膜
２０１  半導体基板
２０２  絶縁膜
３０１  ＣＭＵＴセルの下層に配置された配線
３０２  ＣＭＵＴセルの下層に配置された配線
３０３  絶縁膜
３０４  下部電極への電気接続部
３０５  上部電極への電気接続部
３０６  下部電極
３０７  絶縁膜
３０８  空洞部
３０９  絶縁膜
３１０  上部電極
３１１  絶縁膜
３１２  エッチング孔
３１３  絶縁膜
７０４  開口部
７０５  開口部
１００８  犠牲層
１２０１  開口部
１８０１  導電膜
１９０１  配線
２００１  半導体基板。
【図１】
2010100861.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2010100861.tif 000007
【図６】
2010100861.tif 000008
【図７】
2010100861.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2010100861.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【国際調査報告】
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2010100861.tif 000028
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