(57)【要約】  紫外線照射により接着性が低下する接合部材を介して紫外線透過性の支持基板と被処理基板とが接合された重合基板に所定の処理を行う基板処理方法であって、前記支持基板側から紫外線を照射する照射工程と、前記被処理基板の前記接合部材とは反対側の面にダイシングテープを貼り付け、ダイシングフレームに固定する固定工程と、前記重合基板から前記支持基板を取外す取外し工程と、前記重合基板から前記接合部材を剥離する剥離工程と、を含み、前記照射工程後に前記固定工程を行い、前記取外し工程後に前記剥離工程を行う。
2019039432.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外線照射により接着性が低下する接合部材を介して紫外線透過性の支持基板と被処理基板とが接合された重合基板に所定の処理を行う基板処理方法であって、
前記支持基板側から紫外線を照射する照射工程と、
前記被処理基板の前記接合部材とは反対側の面にダイシングテープを貼り付け、ダイシングフレームに固定する固定工程と、
前記重合基板から前記支持基板を取外す取外し工程と、
前記重合基板から前記接合部材を剥離する剥離工程と、を含み、
前記照射工程後に前記固定工程を行い、
前記取外し工程後に前記剥離工程を行う。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理方法において、
前記固定工程後に前記取外し工程を行う。
【請求項３】
請求項１に記載の基板処理方法において、
前記取外し工程後に前記固定工程を行う。
【請求項４】
請求項２に記載の基板処理方法において、
前記照射工程前に、前記被処理基板をダイシングするダイシング工程を含む。
【請求項５】
請求項３に記載の基板処理方法において、
前記固定工程後に、前記被処理基板をダイシングするダイシング工程を含む。
【請求項６】
請求項１に記載の基板処理方法において、
前記被処理基板の前記接合部材とは反対側の面を薄化する薄化工程を含む。
【請求項７】
紫外線照射により接着性が低下する接合部材を介して紫外線透過性の支持基板と被処理基板とが接合された重合基板に所定の処理を行う基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、
前記基板処理方法は、
前記支持基板側から紫外線を照射する照射工程と、
前記被処理基板の前記接合部材とは反対側の面にダイシングテープを貼り付け、ダイシングフレームに固定する固定工程と、
前記重合基板から前記支持基板を取外す取外し工程と、
前記重合基板から前記接合部材を剥離する剥離工程と、を含み、
前記照射工程後に前記固定工程を行い、
前記取外し工程後に前記剥離工程を行う。
【請求項８】
紫外線照射により接着性が低下する接合部材を介して紫外線透過性の支持基板と被処理基板とが接合された重合基板に所定の処理を行う基板処理システムであって、
ダイシングテープの貼り付け前に、前記支持基板側から紫外線を照射する照射部と、
前記重合基板から前記支持基板を取外す取外し部と、を備える。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理システムにおいて、
前記取外し部は、前記照射部と同一の装置内に設けられている。
【請求項１０】
請求項８に記載の基板処理システムにおいて、
前記被処理基板の前記接合部材とは反対側の面に前記ダイシングテープを貼り付けダイシングフレームへ固定する固定部と、
前記重合基板から前記接合部材を剥離する剥離部と、を備え、
前記取外し部は、
前記照射部と別々の装置内に設けられ、かつ
前記固定部及び前記剥離部と同一の装置内に設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本願は、２０１７年８月２５日に日本国に出願された特願２０１７−１６１９３６号に基づき、優先権を主張し、その内容をここに援用する。【０００２】
本発明は、紫外線照射により接着性が低下する接合部材を介して紫外線透過性の支持基板と被処理基板とが接合された重合基板に所定の処理を行う基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システムに関する。
【背景技術】
【０００３】
近年、半導体デバイスの製造工程においては、表面に複数の電子回路等のデバイスが形成された半導体ウェハ（以下、ウェハという）に対し、当該ウェハの裏面を研削及び研磨して、ウェハを薄化することが行われている。この研削及び研磨処理の際の割れを抑制すること等を目的として、例えば、図１に示すように、ウェハ補強用の支持基板ＳをウェハＷの表面に接合することが行われている。また、研削及び研削処理後のウェハＷは、当該ウェハＷの損傷を抑制すること等を目的として、ダイシングテープＤが当該ウェハＷの裏面に貼り付けられ、当該ダイシングテープＤを介して、環状のダイシングフレームＦに固定される。また、ダイシングテープＤが貼り付けられたウェハＷは、レーザを用いたダイシングが行われた後、上記ダイシングテープＤが拡張（エキスパンド）されることで、個々のチップに分割される（特許文献１参照）。【０００４】
ところで、ウェハ補強用の支持基板Ｓはエキスパンド処理の前にウェハＷから取外す必要がある。
特許文献２に開示の支持基板Ｓの取外し方法では、支持基板Ｓを紫外線透過性とし、支持基板ＳとウェハＷの接合には紫外線を照射することにより接着力が低下する性質を有する接合部材Ｂを用いている。そして、当該取外し方法では、接合部材Ｂを介して支持基板Ｓに接合されダイシングテープＤを介してダイシングフレームＦに固定された状態のウェハＷに対して、支持基板Ｓ側から紫外線を照射することで、接合部材Ｂの接着力を低下させ、支持基板ＳをウェハＷから取外している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】日本国特開２００７−６７２７８号公報
【特許文献２】日本国特開２０１３−２３６０１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、接合部材Ｂもエキスパンド処理の前にウェハＷから剥離する必要があるところ、特許文献２に開示の方法では、以下の問題がある。すなわち、支持基板Ｓ側から接合部材Ｂに紫外線を照射したときに、ダイシングテープＤにおけるウェハＷより外側部分にも照射されてしまい、ダイシングテープＤの被紫外線照射部分の接着力が低下するため、接合部材Ｂを剥離したときに、ウェハＷの周縁部がダイシングテープＤから剥離して欠損してしまう。【０００７】
紫外線照射時にダイシングテープＤにおけるウェハＷより外側部分を覆う特殊な遮光部材を設けることにより、上述の問題を回避することができるが、上記遮光部材を設けると、部品点数の増加により、立ち上げ時やメンテナンス時の部品間の位置合わせ工程が増加し高コストとなる。
特許文献１は、この点に関し、何らの開示も示唆もしていない。【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、被処理基板と紫外線透過性の支持基板とを接合する接合部材を被処理基板から剥離するときに、被処理基板の周縁部が欠損するのを低コストで防ぐことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決する本発明の一態様は、紫外線照射により接着性が低下する接合部材を介して紫外線透過性の支持基板と被処理基板とが接合された重合基板に所定の処理を行う基板処理方法であって、前記支持基板側から紫外線を照射する照射工程と、前記被処理基板の前記接合部材とは反対側の面にダイシングテープを貼り付け、ダイシングフレームに固定する固定工程と、前記重合基板から前記支持基板を取外す取外し工程と、前記重合基板から前記接合部材を剥離する剥離工程と、を含み、前記照射工程後に前記固定工程を行い、前記取外し工程後に前記剥離工程を行う。【００１０】
本発明の一態様の基板処理方法では、紫外線照射後にダイシングテープを貼り付けており、紫外線照射時に紫外線がダイシングテープに照射されない。そのため、ダイシングテープを貼り付けた後であって接合部材を被処理基板から剥離するときに被処理基板の周縁部が欠損するのを防ぐことができる。また、特殊な部材を用いていないため、上記欠損を低コストで防ぐことができる。【００１１】
別な観点による本発明の一態様は、前記基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体である。【００１２】
別な観点による本発明の一態様は、紫外線照射により接着性が低下する接合部材を介して紫外線透過性の支持基板と被処理基板とが接合された重合基板に所定の処理を行う基板処理システムであって、ダイシングテープの貼り付け前に、前記支持基板側から紫外線を照射する照射部と、前記重合基板から前記支持基板を取外す取外し部と、を備える。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の一態様によれば、被処理基板と紫外線透過性の支持基板とを接合する接合部材を被処理基板から剥離するときに、被処理基板の周縁部が欠損するのを低コストで防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】重合ウェハの構成の概略を示す説明図である。
【図２】本発明の第１実施形態にかかる基板処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。
【図３】図２の紫外線照射装置の構成の概略を示す説明図である。
【図４】本発明の第１実施形態の基板処理方法における主な工程時の重合ウェハの様子を示す図である。
【図５】紫外線照射装置の他の構成例の概略を示す説明図である。
【図６】本発明の第２実施形態にかかる基板処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。
【図７】図６の紫外線照射装置の構成の概略を示す説明図である。
【図８】本発明の第２実施形態の基板処理方法における主な工程時の重合ウェハの様子を示す図である。
【図９】本発明の第３実施形態の基板処理方法における主な工程時の重合ウェハの様子を示す図である。
【図１０】他の実施形態にかかる基板処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１６】
（第１実施形態）
先ず、本発明の第１実施形態にかかる基板処理システムの構成について説明する。図２は、第１実施形態にかかる基板処理システム１の構成の概略を模式的に示す平面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００１７】
本実施形態の基板処理システム１では、図１に示すように接合部材としての接合テープＢを介して、被処理基板としての被処理ウェハＷと紫外線透過性の支持基板としてのガラス基板Ｓとが接合された重合ウェハＴを処理する。以下、被処理ウェハＷにおいて、接合テープＢを介してガラス基板Ｓと接合された面を「接合面Ｗｊ」といい、当該接合面Ｗｊと反対側の面を「非接合面Ｗｎ」という。同様に、ガラス基板Ｓにおいて、接合テープＢを介して被処理ウェハＷと接合された面を「接合面Ｓｊ」といい、接合面Ｓｊと反対側の面を「非接合面Ｓｎ」という。なお、以下の説明では、重合ウェハＴからガラス基板Ｓが取り外された状態のものも重合ウェハＴという場合がある。また、本実施形態の基板処理システム１では、後述するように、重合ウェハＴにダイシングテープＤを貼り付け、ダイシングフレームＦに固定するマウント処理が行われる。以下の説明では、ダイシングフレームＦに固定された状態のものも重合ウェハＴという場合がある。
【００１８】
接合テープＢは、紫外線を照射することにより接着性が低下する性質を有するＵＶ（Ultraviolet）剥離型の両面テープであり、市販のものを用いることができる。市販のＵＶ剥離型の両面テープとしては積水化学工業（株）製のＳＥＬＦＡ−ＳＥやＳＥＬＦＡ−ＭＰ等が知られている。なお、以下の説明では、接合部材として接合テープＢを用いた場合について説明するが、紫外線を照射することにより接着性が低下する機能を有するものであれば、例えば接着剤等を用いてもよい。
【００１９】
被処理ウェハＷは、例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体ウェハである。被処理ウェハＷは、接合面Ｗｊに複数の電子回路（デバイス）が形成されており、非接合面Ｗｎは薄化処理されている。
【００２０】
ガラス基板Ｓは、被処理ウェハＷの径と略同じ径、もしくは被処理ウェハＷより大きい径を有し、当該被処理ウェハＷを支持するものであり、紫外線を透過する。なお、以下では、支持基板としてガラス基板を用いた場合について説明するが、紫外線透過性を有するものであれば他の基板を用いてもよい。
【００２１】
ダイシングテープＤは、被処理ウェハＷをダイシングフレームＦに固定するものであり、片面のみに接着性を有し、また、接合テープＢより高いエキスパンド性を有する。このダイシングテープＤは、例えば、ＵＶ剥離型の片面テープであり、市販のものを用いることができる。市販のＵＶ剥離型の片面テープとしては、リンテック（株）製のＤ−１７５等が知られている。
ダイシングフレームＦは、被処理ウェハＷに貼り付けられたダイシングテープＤを固定するものであり、例えば金属製である。
【００２２】
図２に示すように、基板処理システム１は、処理前の重合ウェハＴをカセットＣ内に収納し、複数の重合ウェハＴをカセット単位で外部から基板処理システム１に搬入する搬入ステーション２と、処理後の重合ウェハＴをカセットＣ内に収納し、複数の重合ウェハＴをカセット単位で基板処理システム１から外部に搬出する搬出ステーション３と、被処理ウェハＷに加工処理を行ってダイシングする加工装置４と、重合ウェハＴの受け渡しを行うための受け渡し装置５と、重合ウェハＴに紫外線処理を行う紫外線照射装置６と、前述のマウント処理やガラス基板Ｓを取外す処理等を行う処理装置７と、搬入ステーション２、加工装置４、受け渡し装置５及び処理装置７の間で重合ウェハＴを搬送する搬送ステーション８と、を接続した構成を有している。加工装置４、受け渡し装置５、紫外線照射装置６は、搬送ステーション８のＹ軸方向正側の領域においてＸ軸方向にこの順で並べて配置されている。搬入ステーション２は、搬送ステーション８のＹ軸方向負側の領域において加工装置４と対向するように配置されている。搬出ステーション３と処理装置７は、搬送ステーション８のＸ軸正方向側においてＹ軸方向にこの順で並べて配置されている。
【００２３】
搬入ステーション２には、カセット載置台２０が設けられている。図示の例では、カセット載置台２０には、複数、例えば２つのカセットＣをＸ軸方向に一列に載置自在になっている。
【００２４】
搬出ステーション３も、搬入ステーション２と同様の構成を有している。すなわち、搬出ステーション３にはカセット載置台３０が設けられ、カセット載置台３０には、例えば２つのカセットＣをＸ軸方向に一列に載置自在になっている。
【００２５】
加工装置４では、被処理ウェハＷに対してレーザを用いたダイシング処理が行われる。ダイシング処理を行う加工装置４には公知の装置が用いられる。
【００２６】
受け渡し装置５は、紫外線照射装置６の後述の搬送アーム１２０と搬送ステーション８の後述の搬送アーム８３との間で重合ウェハＴの受け渡しを行うためのものであり、重合ウェハＴが載置される不図示の受け渡しテーブルが設けられている。
【００２７】
紫外線照射装置６では、重合ウェハＴのガラス基板Ｓ側から紫外線を照射する紫外線照射処理が行われる。この紫外線照射装置６の構成は後述する。
【００２８】
処理装置７は、固定部７０と取外し部７１と剥離部７２とが同一の装置内に設けられたものである。
固定部７０では、重合ウェハＴをダイシングテープを介してダイシングフレームに固定するマウント処理が行われる。取外し部７１では、重合ウェハＴからガラス基板Ｓを取外す取外し処理が行われる。剥離部７２では、被処理ウェハＷに貼り付けられた接合テープＢを剥離する剥離処理などが行われる。そして、処理装置７は、各種処理が行われた重合ウェハＴを搬出ステーション３のカセットＣに搬送する。なお、処理装置７で行われるマウント処理や取外し処理、剥離処理にはそれぞれ、公知の装置が用いられる。
【００２９】
搬送ステーション８には、ウェハ搬送領域８０が設けられている。ウェハ搬送領域８０には、Ｘ軸方向に延伸する搬送路８１上を移動自在なウェハ搬送装置８２が設けられている。ウェハ搬送装置８２は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在の搬送アーム８３を有し、この搬送アーム８３により、搬入ステーション２、加工装置４、受け渡し装置５及び処理装置７の間で重合ウェハＴを搬送できる。
【００３０】
以上の基板処理システム１には、制御部９が設けられている。制御部９は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、基板処理システム１における重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、基板処理システム１における後述のウェハ処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部９にインストールされたものであってもよい。
【００３１】
次に、上述した紫外線照射装置６の構成について説明する。図３は、紫外線照射装置６の構成の概略を示す側面図である。
【００３２】
紫外線照射装置６は、ウェハチャック１００と、紫外線照射部１１０と、搬送アーム１２０とを有している。
【００３３】
ウェハチャック１００は、重合ウェハＴを吸着保持等により保持するものであり、紫外線照射装置６における下方の領域に設けられている。
また、紫外線照射装置６における下方の領域には、Ｘ軸方向に沿って図１の受け渡し装置５に隣接する領域から紫外線照射部１１０の下方の領域まで延伸するガイドレール１０１が設けられている。ウェハチャック１００は、ガイドレール１０１上を移動自在に構成され、２つの処理位置Ｐ１、Ｐ２に移動可能になっている。
本実施形態では、第１の処理位置Ｐ１は、紫外線照射部１１０よりＸ軸方向負側の位置であり、第２の処理位置Ｐ２は、紫外線照射部１１０の下方の位置である。
【００３４】
紫外線照射部１１０は、紫外線を照射する紫外線光源１１１を有し、紫外線照射装置６における上方の領域に設けられている。紫外線光源１１１は、不図示の支持部材により支持されており、本例では、下方に紫外線を照射する。
【００３５】
搬送アーム１２０は、重合ウェハＴを搬送するものであり、紫外線照射装置６における鉛直方向略中央の領域に設けられており、旋回及び伸縮自在な多関節のアーム部１２１と、重合ウェハＴを吸着保持する保持部１２２とを有する。搬送アーム１２０は、Ｘ軸方向に延伸するガイドレール１２３上を移動自在に構成され、また、水平方向、鉛直方向及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。この搬送アーム１２０により、受け渡し装置５と、第１の処理位置Ｐ１のウェハチャック１００との間で重合ウェハＴを搬送できる。
【００３６】
次に、以上のように構成された基板処理システム１を用いて行われる本実施形態のウェハ処理について説明する。図４は、かかるウェハ処理の主な工程時の重合ウェハＴの様子を示す図である。
【００３７】
先ず、複数の重合ウェハＴを収納したカセットＣが、搬入ステーション２のカセット載置台２０に載置される。カセットＣには、重合ウェハＴの搬送時にガラス基板Ｓの非接合面Ｓｎが吸着されるようにするため、ガラス基板Ｓの非接合面Ｓｎが上側を向くように重合ウェハＴが収納されている。そして、ウェハ搬送装置８２の搬送アーム８３によりカセットＣ内の重合ウェハＴのガラス基板Ｓの非接合面Ｓｎが吸着保持され、該重合ウェハＴが取り出され、加工装置４に搬送される（ステップＳ１：搬送）。なお、この際、重合ウェハＴの被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎ側からダイシング処理が行われるようにするため、重合ウェハＴは、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎが上側を向くように、加工装置４内の不図示の反転器により反転され、加工装置４内に載置される。
【００３８】
次に、加工装置４によって、重合ウェハＴの被処理ウェハＷに対して、レーザを用いたダイシング処理が行われる（ステップＳ２：ダイシング）。なお、ダイシング処理終了後、重合ウェハＴの搬送時にガラス基板Ｓが吸着されるようにするため、重合ウェハＴは、ガラス基板Ｓの非接合面Ｓｎが上側を向くように、加工装置４内の不図示の反転器により反転され、加工装置４内に載置される。
【００３９】
次に、重合ウェハＴは、ウェハ搬送装置８２の搬送アーム８３によって、重合ウェハＴのガラス基板Ｓの非接合面Ｓｎが吸着保持されて、加工装置４から受け渡し装置５に受け渡され、該受け渡し装置５の不図示の受け渡しテーブルに載置される。そして、受け渡しテーブル上に載置された重合ウェハＴは、ガラス基板Ｓの非接合面Ｓｎが上側を向くように、紫外線照射装置６の搬送アーム１２０によりガラス基板Ｓの非接合面Ｓｎが吸着保持され搬送され、紫外線照射装置６の第１の処理位置Ｐ１のウェハチャック１００に載置される。その後、ウェハチャック１００を第２の処理位置Ｐ２に移動させる。そして、紫外線照射部１１０の紫外線光源１１１によって、重合ウェハＴの上側すなわちガラス基板Ｓ側から紫外線を照射させる（ステップＳ３：照射工程）。
【００４０】
紫外線照射処理後、ウェハチャック１００を第１の処理位置Ｐ１に戻す。そして、該ウェハチャック１００上に載置された重合ウェハＴは、紫外線照射装置６の搬送アーム１２０によりガラス基板Ｓが吸着保持されて搬送され、受け渡し装置５の受け渡しテーブルに載置される。
【００４１】
次に、重合ウェハＴは、ウェハ搬送装置８２の搬送アーム８３によって、ガラス基板Ｓの非接合面Ｓｎが吸着保持されて、受け渡し装置５から処理装置７に搬送される。
【００４２】
そして、重合ウェハＴは、処理装置７内においてまず、固定部７０によってマウント処理が行われ、被処理ウェハＷの非接合面ＷｎにダイシングテープＤが貼り付けられ、該ダイシングテープＤを介してダイシングフレームＦに固定される（ステップＳ４：固定工程）。なお、マウント処理時に被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎが上側を向き当該非接合面ＷｎにダイシングテープＤが貼り付けられるようにするため、重合ウェハＴは、マウント処理前に、処理装置７の内部において不図示の搬送アームにより反転される。
【００４３】
ダイシングフレームＦに固定された重合ウェハＴは、不図示の搬送アームにより、固定部７０から取外し部７１に受け渡される。そして、上記重合ウェハＴは、取外し部７１によってガラス基板Ｓが取り外される（ステップＳ５：取外し工程）。なお、取外し処理時にガラス基板Ｓが取り外されるようにするため、上記重合ウェハＴは、取外し処理前に、処理装置７の内部において不図示の搬送アームにより反転される。
【００４４】
ガラス基板Ｓが取り外された重合ウェハＴは、不図示の搬送アームにより、取外し部７１から剥離部７２に受け渡される。そして、ガラス基板Ｓが取り外された重合ウェハＴから、剥離部７２によって接合テープＢが剥離される（ステップＳ６：剥離工程）。
【００４５】
その後、すべての処理が施された重合ウェハＴすなわちダイシングフレームＦに固定された被処理ウェハＷは、搬出ステーション３のカセット載置台２０のカセットＣに搬送される。こうして、本実施形態の一連のウェハ処理が終了する。
なお、基板処理システム１から搬出された、ダイシングフレームＦに保持された被処理ウェハＷは、不図示の外部の装置によりエキスパンド処理が行われ、ダイシングテープＤが拡張されることにより、個々のチップに分割される。
【００４６】
本実施形態によれば、紫外線照射処理後にダイシングテープＤを貼り付けており、紫外線照射処理時に紫外線がダイシングテープＤに照射されない。そのため、ダイシングテープＤを貼り付けた後であって接合テープＢを被処理ウェハＷから剥離するときに被処理ウェハＷの周縁部が欠損するのを防ぐことができる。
また、本実施形態によれば、特殊な遮光部材等が不要であるため、低コストで上記欠損を防ぐことができる。
【００４７】
また、固定部７０と取外し部７１と剥離部７２とが一体に設けられているため、本実施形態にかかる基板処理方法のようにマウント処理と剥離処理との間にガラス基板Ｓの取外し処理を行う場合において、重合ウェハＴの搬送時間の増加を防ぐことができ、ウェハ処理に要する時間の長期化を防ぐことができる。
【００４８】
続いて、本実施形態の基板処理システム１における変形例について説明する。
【００４９】
以上の例の紫外線照射装置６には、ウェハチャック１００が下方に設けられて、下方に向けて紫外線を照射する紫外線照射部１１０／紫外線光源１１１が上方に設けられ、搬送アーム１２０が、ガラス基板Ｓの非接合面Ｓｎを保持部１２２で吸着し、該非接合面Ｓｎを上側に向けて重合ウェハＴを保持していた。それに対し、図５の紫外線照射装置６は、ウェハチャック１００が設けられておらず、上方に向けて紫外線を照射する紫外線照射部１１０／紫外線光源１１１が下方に設けられ、搬送アーム１２０が、ガラス基板Ｓの側端面を保持部１２２で把持し、ガラス基板Ｓの非接合面Ｓｎを下側に向けて重合ウェハＴを保持している。なお、本例の搬送アーム１２０では、保持部１２２は、支持部材１２４を介してアーム部１２１に支持されている。
【００５０】
本例の紫外線照射装置６を用いる場合、該紫外線照射装置６に重合ウェハＴを搬入させる際、ガラス基板Ｓの非接合面Ｓｎが下側を向くように、不図示の反転器により重合ウェハＴが反転される。そして、重合ウェハＴは、搬送アーム１２０の保持部１２２におりガラス基板Ｓの側端面が把持され、紫外線照射部１１０の上方の位置に搬送される。次に、紫外線照射部１１０によって、重合ウェハＴの下側すなわちガラス基板Ｓ側から紫外線を照射させる。そして、紫外線処理後、重合ウェハＴは、搬送アーム１２０を用いて受け渡し装置５に戻される。受け渡し装置５に戻す際、ガラス基板Ｓの非接合面Ｓｎが上側を向くように、不図示の反転器により重合ウェハＴが反転される。
【００５１】
なお、本例の紫外線照射装置６を用いる場合、ガラス基板Ｓとして、被処理ウェハＷの径より大きい径を有するものを用い、搬送アーム１２０の保持部１２２が重合ウェハＴのガラス基板Ｓの側端面を容器に把持可能とすることが好ましい。
【００５２】
（第２実施形態）
続いて、本発明の第２実施形態にかかる基板処理システムの構成について説明する。図６は、第２実施形態にかかる基板処理システム１の構成の概略を模式的に示す平面図である。
【００５３】
本実施形態にかかる基板処理システム１は、図６に示すように、第１実施形態にかかるものと同様に、搬入ステーション２と、搬出ステーション３と、加工装置４と、受け渡し装置５と、紫外線照射装置６と、処理装置７と、搬送ステーション８と、を接続した構成を有している。ただし、本実施形態の処理装置７は、固定部７０及び剥離部７２のみを有しており、取外し部７１は有していない。そして、紫外線照射装置６が、取外し部７１と同様の機能を有する取外し部１３０（図７参照）を有している。つまり、本実施形態の紫外線照射装置６は、紫外線照射部１１０と取外し部１３０とが同一の装置内に設けられたものである。
【００５４】
図７は、図６の紫外線照射装置６の構成の概略を示す側面図である。
図７の紫外線照射装置６における上方の領域には、Ｘ軸方向にこの順で並べて配置されている。
【００５５】
図７の紫外線照射装置６は、搬送アーム１２０を上方に有し、紫外線照射部１１０及び取外し部１３０を下方に有し、紫外線照射部１１０及び取外し部１３０は、Ｘ軸方向にこの順で並べて配置されている。
【００５６】
搬送アーム１２０は、Ｘ軸方向に延伸するガイドレール１２３上を移動自在に構成され、また、水平方向、鉛直方向及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。この搬送アーム１２０により、受け渡し装置５と紫外線照射装置６との間で重合ウェハＴの受け渡しを行うことができ、また、重合ウェハＴを紫外線照射装置６内における２つの処理位置Ｐ１１、Ｐ１２に移動できる。
本実施形態では、第１の処理位置Ｐ１１は、紫外線照射部１１０の上方の位置であり、第２の処理位置Ｐ１２は、取外し部１３０の上方の位置である。
【００５７】
また、本実施形態の紫外線照射部１１０は、紫外線光源１１１から上方に紫外線を照射する。
【００５８】
取外し部１３０は、ガラス基板Ｓを吸着する吸着部１３１を有し、吸着部１３１は駆動部１３２により昇降自在に構成されている。
【００５９】
次に、図６の基板処理システム１を用いて行われるウェハ処理について説明する。図８は、かかるウェハ処理の主な工程時の重合ウェハＴの様子を示す図である。
【００６０】
先ず、複数の重合ウェハＴを収納したカセットＣが、搬入ステーション２のカセット載置台２０に載置される。カセットＣには、重合ウェハＴの搬送時に被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎが吸着されるようにするため、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎが上側を向くように重合ウェハＴが収納されている。次に、ウェハ搬送装置８２の搬送アーム８３によりカセットＣ内の重合ウェハＴの被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎが吸着保持され、該重合ウェハＴが取り出され、加工装置４に搬送される（ステップＳ１１：搬送工程）。なお、加工装置４内では、重合ウェハＴは、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎが上側を向いた状態で、載置され、また、移動される。
【００６１】
そして、加工装置４によって、重合ウェハＴの被処理ウェハＷに対して、レーザを用いたダイシング処理が行われる（ステップＳ１２：ダイシング）。
【００６２】
次に、重合ウェハＴは、ウェハ搬送装置８２の搬送アーム８３によって、重合ウェハＴの被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎが吸着保持されて、加工装置４から受け渡し装置５に受け渡され、該受け渡し装置５の不図示の受け渡しテーブルに載置される。そして、受け渡しテーブル上に載置された重合ウェハＴは、ガラス基板Ｓの非接合面Ｓｎが下側を向くように、紫外線照射装置６の搬送アーム１２０により被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎが吸着保持され、紫外線照射装置６の第１の処理位置Ｐ１１に搬送される。その後、紫外線照射部１１０の紫外線光源１１１によって、重合ウェハＴの下側すなわちガラス基板Ｓ側から紫外線を照射させる（ステップＳ１３：照射工程）。
【００６３】
紫外線照射処理後、重合ウェハＴは、搬送アーム１２０により第２の処理位置Ｐ１２に搬送される。そして、取外し部１３０の吸着部１３１が昇降され、搬送アーム１２０により保持された重合ウェハＴからガラス基板Ｓが取り外される（ステップＳ１４：取外し工程）。その後、ガラス基板Ｓが取り外された重合ウェハＴは、搬送アーム１２０により搬送され、受け渡し装置５の受け渡しテーブルに載置される。
【００６４】
次に、重合ウェハＴは、ウェハ搬送装置８２の搬送アーム８３によって、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎが吸着保持されて、受け渡し装置５から処理装置７に搬送される。
【００６５】
そして、重合ウェハＴは、処理装置７内においてまず、固定部７０によってマウント処理が行われ、被処理ウェハＷの非接合面ＷｎにダイシングテープＤが貼り付けられ、該ダイシングテープＤを介してダイシングフレームＦに固定される（ステップＳ１５：固定工程）。
【００６６】
ダイシングフレームＦに固定された重合ウェハＴは、不図示の搬送アームにより、固定部７０から剥離部７２に受け渡される。そして、ダイシングフレームＦに固定された重合ウェハＴから、剥離部７２によって接合テープＢが剥離される（ステップＳ１６：剥離工程）。なお、剥離時に被処理ウェハＷの接合面Ｗｊが上側を向き接合テープＢが上方から剥離されるようにするため、上記重合ウェハＴは、剥離処理前に、処理装置７の内部において不図示の搬送アームにより反転される。
【００６７】
その後、すべての処理が施された重合ウェハＴすなわちダイシングフレームＦに固定された被処理ウェハＷは、搬出ステーション３のカセット載置台２０のカセットＣに搬送される。こうして、本実施形態の一連のウェハ処理が終了する。
【００６８】
本実施形態においても、紫外線照射処理後にダイシングテープＤを貼り付けているため、ダイシングテープＤを貼り付けた後であって接合テープＢを被処理ウェハＷから剥離するときに被処理ウェハＷの周縁部が欠損するのを低コストで防ぐことができる。
【００６９】
また、本実施形態では、重合ウェハＴの被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎを吸着保持しているため、重合ウェハＴの反転の回数を削減することができる。ただし、第１実施形態では、ガラス基板Ｓの取外しを処理装置７で行っているため、紫外線照射装置６での処理後の重合ウェハＴを受け渡し装置５の受け渡しテーブルに載置したときに該テーブルが汚れたり、ガラス基板Ｓの取外し後の重合ウェハＴを処理装置７へ搬送中に被処理ウェハＷが割れる可能性をより小さくしたりすることができる。
【００７０】
（第３実施形態）
続いて、本発明の第３実施形態にかかるウェハ処理について、図６の基板処理システム１を用いた例で説明する。図９は、本実施形態のウェハ処理の主な工程時における重合ウェハＴの様子を示す図である。
【００７１】
先ず、複数の重合ウェハＴを収納したカセットＣが、搬入ステーション２のカセット載置台２０に載置される。カセットＣには、重合ウェハＴの搬送時に被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎが吸着されるようにするため、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎが上側を向くように重合ウェハＴが収納されている。次に、ウェハ搬送装置８２の搬送アーム８３によりカセットＣ内の重合ウェハＴの被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎが吸着保持され、該重合ウェハＴが取り出され搬送され、受け渡し装置５の受け渡しテーブルに載置される（ステップＳ２１：搬送工程）。
【００７２】
そして、受け渡しテーブル上に載置された重合ウェハＴは、ガラス基板Ｓの非接合面Ｓｎが下側を向くように、紫外線照射装置６の搬送アーム１２０により被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎが吸着保持され、紫外線照射装置６の第１の処理位置Ｐ１１に搬送される。その後、紫外線照射部１１０の紫外線光源１１１によって、重合ウェハＴの下側すなわちガラス基板Ｓ側から紫外線を照射させる（ステップＳ２２：照射工程）。
【００７３】
紫外線照射処理後、重合ウェハＴは、搬送アーム１２０により第２の処理位置Ｐ１２に搬送される。そして、取外し部１３０の吸着部１３１が昇降され、搬送アーム１２０により保持された重合ウェハＴからガラス基板Ｓが取り外される（ステップＳ２３：取外し工程）。その後、ガラス基板Ｓが取り外された重合ウェハＴは、搬送アーム１２０により搬送され、受け渡し装置５の受け渡しテーブルに載置される。
【００７４】
次に、重合ウェハＴは、ウェハ搬送装置８２の搬送アーム８３によって、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎが吸着保持されて、受け渡し装置５から処理装置７に搬送される。
【００７５】
そして、重合ウェハＴは、処理装置７内において、固定部７０によってマウント処理が行われ、被処理ウェハＷの非接合面ＷｎにダイシングテープＤが貼り付けられ、該ダイシングテープＤを介してダイシングフレームＦに固定される（ステップＳ２４：固定工程）。なお、本実施形態では、次工程のレーザを用いたダイシングが可能なように、ダイシングテープＤには、レーザを透過する材料が用いられる。
【００７６】
ダイシングフレームＦに固定された重合ウェハＴは、処理装置７内の不図示の搬送アーム等を介して、ウェハ搬送装置８２の搬送アーム８３に受け渡される。そして、ダイシングフレームＦに固定された重合ウェハＴは、搬送アーム８３により、ダイシングフレームＦ及びダイシングテープＤの被処理ウェハＷと反対側の面が吸着保持された状態で、加工装置４に搬送される。なお、加工装置４内では、ダイシングフレームＦに固定された重合ウェハＴは、ダイシングテープＤの被処理ウェハＷと反対側の面が上側を向いた状態で、載置され、また、移動される。加工装置４への搬送後、該加工装置４によって、重合ウェハＴの被処理ウェハＷに対して、レーザを用いたダイシング処理がダイシングテープＤ越しに行われる（ステップＳ２５：ダイシング工程）。
【００７７】
次に、ダイシングフレームＦに固定された重合ウェハＴは、ウェハ搬送装置８２の搬送アーム８３によって、ダイシングテープＤの被処理ウェハＷと反対側の面が吸着保持されて、加工装置４から処理装置７に搬送される。
【００７８】
そして、処理装置７の剥離部７２によって、ダイシングフレームＦに固定された重合ウェハＴから、接合テープＢが剥離される（ステップＳ２６：剥離工程）。なお、剥離時に被処理ウェハＷの接合面Ｗｊが上側を向き接合テープＢが上方から剥離されるようにするため、上記重合ウェハＴは、剥離処理前に、処理装置７の内部において不図示の搬送アームにより反転される。
【００７９】
その後、すべての処理が施された重合ウェハＴすなわちダイシングフレームＦに固定された被処理ウェハＷは、搬出ステーション３のカセット載置台２０のカセットＣに搬送される。こうして、本実施形態の一連のウェハ処理が終了する。
【００８０】
本実施形態においても、紫外線照射処理後にダイシングテープＤを貼り付けているため、ダイシングテープＤを貼り付けた後であって接合テープＢを被処理ウェハＷから剥離するときに被処理ウェハＷの周縁部が欠損するのを低コストで防ぐことができる。
【００８１】
（第１実施形態の変形例）
第１実施形態では、例えばウェハ搬送領域８０の上部に紫外線照射部１１０を設け、ウェハ搬送領域８０を搬送中の重合ウェハＴに紫外線を照射するようにしてもよい。なお、この場合は、受け渡し装置５及び紫外線照射装置６を省略してもよい。
【００８２】
（第１及び第２実施形態の変形例）
第１及び第２実施形態では、レーザを用いたダイシング処理に代えて、ブレードを用いたダイシング処理等、他のダイシング処理を行うようにしてもよい。
【００８３】
（第２及び第３実施形態の変形例）
上述の第２及び第３実施形態では、紫外線照射装置６において、ガラス基板Ｓの非接合面Ｓｎが下側に向くように重合ウェハＴを保持し、重合ウェハＴに下側から紫外線を照射して、下側からガラス基板Ｓを取外していた。これに代えて、第２及び第３実施形態において、ガラス基板Ｓの非接合面Ｓｎが上側を向くように、図３のものと同様のウェハチャック上に重合ウェハＴを載置し、該重合ウェハＴに上側から紫外線を照射して、上側からガラス基板Ｓを取外すようにしてもよい。
このように構成することにより必要となる重合ウェハＴの反転は、ウェハ搬送装置８２の搬送アーム８３や紫外線照射装置６の搬送アーム１２０、不図示の反転器等により行われる。
【００８４】
（第２及び第３実施形態の変形例）
第２及び第３実施形態では、例えば搬送アーム８３の下方に紫外線照射部１１０を設け、搬送アーム８３による重合ウェハＴの搬送中に、重合ウェハＴに紫外線を照射し、重合ウェハＴからガラス基板Ｓを取り外すようにしてもよい。なお、この場合は、紫外線照射装置６の紫外線照射部１１０を省略してもよく、また、受け渡し装置５と紫外線照射装置６を省略し、取外し部１３０を任意の位置に設けてもよい。
【００８５】
（第１〜第３実施形態の変形例）
以上の各実施形態のウェハ処理に用いられる基板処理システム１には加工装置４が設けられていたが、該加工装置４を省略して、各実施形態のウェハ処理では、ダイシング処理がされた重合ウェハＴが搬入されるようにし、ダイシング工程を省略するようにしてもよい。
【００８６】
また、以上の各実施形態では、重合ウェハＴの被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎは薄化処理されているものとした。これに代えて、図１０に示すように、基板処理システム１に薄化処理を行う薄化装置１０を設け、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎが薄化処理されていない重合ウェハＴを搬入するようにし、各実施形態のウェハ処理では、薄化装置１０によって重合ウェハＴの被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎを薄化処理する薄化工程を行うようにしてもよい。
なお、薄化装置１０では、被処理ウェハＷの非接合面Ｗｎを研削する研削処理及び研削後の上記非接合面Ｗｎを研磨する研磨処理が行われる。また、薄化装置１０において、上記非接合面Ｗｎを洗浄する洗浄処理が行われるようにしてもよい。ただし、上記洗浄処理は、薄化装置１０とは異なる装置で行うようにしてもよい。
【００８７】
なお、以上の説明において、反転器を用いて行った反転は、搬送アームを用いて行ってもよい。同様に、上述の説明において、搬送アームを用いて行った反転は、反転器を用いて行ってもよい。
【００８８】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００８９】
１  基板処理システム
２  搬入ステーション
３  搬出ステーション
４  加工装置
５  受け渡し装置
６  紫外線照射装置
７  処理装置
８  搬送ステーション
９  制御部
１０  薄化装置
３３  搬送アーム
７０  固定部
７１  取外し部
７２  剥離部
１１０  紫外線照射部
１１１  紫外線光源
１３０  取外し部
Ｂ  接合部材（接合テープ）
Ｄ  ダイシングテープ
Ｆ  ダイシングフレーム
Ｓ  支持基板（ガラス基板）
Ｔ  重合ウェハ
Ｗ  ウェハ（被処理ウェハ）
【図１】
2019039432.tif 000003
【図２】
2019039432.tif 000004
【図３】
2019039432.tif 000005
【図４】
2019039432.tif 000006
【図５】
2019039432.tif 000007
【図６】
2019039432.tif 000008
【図７】
2019039432.tif 000009
【図８】
2019039432.tif 000010
【図９】
2019039432.tif 000011
【図１０】
2019039432.tif 000012
【国際調査報告】
2019039432.tif 000013
2019039432.tif 000014
2019039432.tif 000015
2019039432.tif 000016