(57)【要約】    【課題】  プレーン層を平坦に形成できる多層プリント配線板の製造方法を提供する。    【解決手段】  上層の層間樹脂絶縁層１５０のプレーン導体形成用の凹部１５３ａに凸部１５０ａが形成されている。このため、プレーン導体形成用の凹部１５３ａに銅めっきを充填する際に、該凹部１５３ａの側壁及び底面のみでなく、凸部１５０ａの周囲側壁でも銅が析出する。これにより、プレーン層１５９を平坦に形成することができる。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１樹脂絶縁材上又は第１樹脂絶縁材内に第１導体回路を形成することと、
前記第１樹脂絶縁材及び前記第１導体回路上に第２樹脂絶縁材を形成することと、
前記第２樹脂絶縁材の第１面側に第２導体回路用の第１凹部を形成することと、
前記第２樹脂絶縁材の第１面側に第２凹部と凸部とからなるプレーン導体用のパターンを形成することと、
前記第１凹部及び前記第２凹部に導電材料を充填して、第２導体回路及びプレーン導体を形成することとからなる多層プリント配線板の製造方法。
【請求項２】
前記第２凹部と前記凸部とは同時に形成される請求項１の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項３】
前記凸部は、前記第２樹脂絶縁材の第１面に向かってテーパする側面を有する請求項１の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項４】
前記凸部の上面と前記第２樹脂絶縁材の第１面とは略同一平面上に位置する請求項１の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項５】
前記凸部は千鳥状又は格子状に配置される請求項１の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項６】
前記第１凹部及び前記第２凹部をレーザにより形成する請求項１の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項７】
前記第２凹部の開口面積は前記第１凹部の開口面積よりも大きい請求項１の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項８】
前記導電材料はめっきである請求項１の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項９】
前記第２樹脂絶縁材を貫通する開口部を形成した後、該開口部に前記第１導体回路と前記第２導体回路とを電気的に接続するビア導体を形成する請求項１の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項１０】
前記第１凹部及び前記第２凹部に前記導電材料を充填した後に、前記第２樹脂絶縁材の第１面が露出するように導電材料を除去する請求項１の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項１１】
前記導電材料の除去をエッチングで行う請求項１０の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項１２】
前記導電材料の除去を研磨で行う請求項１０の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項１３】
第１樹脂絶縁材と、該第１樹脂絶縁材上又は第１樹脂絶縁材内に形成された第１導体回路と、前記第１樹脂絶縁材及び前記第１導体回路上に形成され、第２導体回路用の第１凹部及びプレーン導体用のパターンを第１面側に有する第２樹脂絶縁材と、前記第１凹部内に形成されている第２導体回路と、前記パターン内に形成されているプレーン導体と、を備え、
前記パターンは第２凹部と凸部とから形成されており、
前記プレーン導体の表面と前記第２樹脂絶縁材の第１面とは略同一平面上に位置する多層プリント配線板。
【請求項１４】
前記凸部は、前記第２樹脂絶縁材の第１面に向かってテーパする側面を有することを特徴とする請求項１３の多層プリント配線板。
【請求項１５】
前記凸部は、前記第２樹脂絶縁材と一体で形成されていることを特徴とする請求項１３の多層プリント配線板。
【請求項１６】
前記凸部は千鳥状又は格子状に配置されていることを特徴とする請求項１３の多層プリント配線板。
【請求項１７】
第２樹脂絶縁材上、前記第２導体回路上及び前記プレーン導体上にはソルダーレジスト層が形成されており、前記ソルダーレジスト層の内部には前記第２導体回路の一部を露出する開口が形成されていて、前記開口から露出される前記第２導体回路上には半田バンプが形成されていることを特徴とする請求項１３の多層プリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビルドアップ式の多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法に関し、特に、プレーン導体を有する多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣチップ等の電子部品を搭載するパッケージ基板を構成するプリント配線板には、ＩＣチップの高性能化に伴い、ファインピッチな回路構成が要求される。ファインピッチを実現するため、従来のセミアディティブ法による回路成形では無く、特許文献１に示されているようなレーザによる回路形成が提案されている。この回路形成では、図２８（Ａ）に示す層間樹脂絶縁層３５０に対して、図２８（Ｂ）に示すように、レーザで、回路形成用の凹部３５３ｂ、ビア導体形成用の開口３５１、プレーン導体形成用の凹部３５３ａを形成する。そして、図２８（Ｃ）に示すよう回路形成用の凹部３５３ｂ、ビア導体形成用の開口３５１、プレーン導体形成用の凹部３５３ａに無電解めっき膜３５２、電解めっき膜３５６を析出させ、導体回路３５８、ビア導体３６０、プレーン導体３５９を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３６２９３７５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、レーザによる回路形成では、レーザビームにより形成された配線用の溝（凹部）にめっき充填した際に、配線用の溝の形状に追従する形で表面に窪みができる。特に、図２８（Ｃ）に示すよう、例えば電源用又はグランド用のプレーン導体３５９と信号用の密な配線とが同一の層間樹脂絶縁層３５０の内部に存在する際には、相対的に溝の幅（平面積）が広いプレーン導体３５９の表面に窪みができる（図２９（Ａ）のプレーン導体の断面写真参照）。このように、めっき表面に窪みができた状態でバフ研磨等を用いて研磨を行っても、プレーン導体３５９の表面を層間樹脂絶縁層の表面と同一平面上に形成にすることは極めて困難で、層間樹脂絶縁層の表面に対して、配線（めっき部分）の表面が窪んだ状態になる。【０００５】
図２８（Ｃ）に示すように配線（プレーン導体）に窪みができた場合、その上に形成される層間樹脂絶縁層も追従して、表面が窪んだ状態になる。その結果、上層の配線と下層の配線との距離にばらつきが生じ、層間の絶縁性が低下し易くなる。さらに、特性インピーダンスの整合にも少なからず影響を与える。【０００６】
また、通常プリント配線板は、例えばＩＣチップが発熱してその後常温に戻るようなヒートサイクルにおいて反りが生じ難いように、表面側と裏面側とで銅の体積がほぼ同一になるように設定されている。このため、配線（プレーン導体）に窪みが生じた場合、その体積が設計値よりも小さくなるために、表裏における銅の体積調整にずれが生じる。これにより、ＩＣチップが発熱してその後常温に戻るヒートサイクルを繰り返す内に、プリント配線板に反りが生じる可能性がある。【０００７】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、プレーン導体を平坦に形成できる多層プリント配線板の製造方法、及び、プレーン導体の平坦な多層プリント配線板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、請求項１の多層プリント配線板の製造方法は、
第１樹脂絶縁材上又は第１樹脂絶縁材内に第１導体回路を形成することと、
前記第１樹脂絶縁材及び前記第１導体回路上に第２樹脂絶縁材を形成することと、
前記第２樹脂絶縁材の第１面側に第２導体回路用の第１凹部を形成することと、
前記第２樹脂絶縁材の第１面側に第２の凹部と凸部とからなるプレーン導体用のパターンを形成することと、
前記第１凹部及び前記第２凹部に導電材料を充填して、第２導体回路及びプレーン導体を形成することとからなることを技術的特徴とする。【０００９】
また、請求項１３の多層プリント配線板は、第１樹脂絶縁材と、該第１樹脂絶縁材上又は第１樹脂絶縁材内に形成された第１導体回路と、前記第１樹脂絶縁材及び前記第１導体回路上に形成され、第２導体回路用の第１凹部及びプレーン導体用のパターンを第１面側に有する第２樹脂絶縁材と、前記第１凹部内に形成されている第２導体回路と、前記パターン内に形成されているプレーン導体と、を備え、前記パターンは第２凹部と凸部とから形成されており、前記プレーン導体の表面と前記第２樹脂絶縁材の第１面とが略同一平面上に位置することを技術的特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
請求項１の多層プリント配線板の製造方法では、上層絶縁材のプレーン導体形成用の凹部に凸部が形成されているため、プレーン導体形成用の凹部に導電材料をめっき充填する際に、該凹部の側壁のみでなく、凸部の側壁からも均一に導電材料が析出する。このため、プレーン導体を平坦に形成することができる。【００１１】
請求項１３の多層プリント配線板では、プレーン導体の表面と前記第２樹脂絶縁材の表面（第１面）とは略同一平面上に位置する。これにより、プレーン導体上及び第２樹脂絶縁材上に形成される他の樹脂絶縁材の平坦化が図られる。この場合、他の樹脂絶縁材上に導体回路が形成される際には、上層の導体回路と下層の導体回路との間の絶縁性（層間絶縁性）を効果的に確保することができる。また、プレーン導体も含めた金属部分の体積を設計値通りに制御することができるので、例えばＩＣチップの発熱等に起因するヒートサイクルにおいて多層プリント配線板の反りを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図２】第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図３】第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図４】第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図５】第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図６】第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図７】第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図８】第１実施例に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図９】第１実施例に係る多層プリント配線板にＩＣチップを載置した状態を示す断面図である。
【図１０】図１０（Ａ）は、図６（Ａ）のａ−ａ断面を示す多層プリント配線板の平面図であり、図１０（Ｂ）は、図６（Ｃ）のｃ−ｃ断面を示す多層プリント配線板の平面図である。
【図１１】図１１（Ａ）は、図６（Ａ）中のプレーン導体形成用の凹部の拡大図であり、図１１（Ｂ）は、図６（Ｃ）中のプレーン導体の拡大図である。
【図１２】第１実施例での配線パターン用の凹部を形成するレーザ装置の説明図である。
【図１３】図１３（Ａ）は第１実施例での凸部の配置の説明図であり、図１３（Ｂ）は、第１実施例の第１改変例に係る凸部の配置の説明図である。
【図１４】第１実施例の第２改変例に係る多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１５】図１５（Ａ）は、図１４（Ａ）のａ−ａ断面を示す多層プリント配線板の平面図であり、図１５（Ｂ）は、図１４（Ｃ）のｃ−ｃ断面を示す多層プリント配線板の平面図である。
【図１６】図１６（Ａ）は、第１実施例の第３改変例に係る多層プリント配線板のプレーン導体の拡大図であり、図１６（Ｂ）は、第１実施例の第４改変例に係る多層プリント配線板のプレーン導体の拡大図である。
【図１７】第１実施例の第５改変例に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図１８】本発明の第２実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１９】本発明の第３実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図２０】本発明の第４実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図２１】第４実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図２２】第４実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図２３】第４実施例に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図２４】図２４（Ａ）は、凸部の径(Post)ｆを横軸に、凸部間の間隔（Space）ｄを縦軸に取ったイメージ図である。図２４（Ｂ）は、試験結果の図表である。
【図２５】プレーン導体の厚みを１０μｍに設定した際の写真である。
【図２６】プレーン導体の厚みを１５μｍに設定した際の写真である。
【図２７】プレーン導体の厚みを２０μｍに設定した際の写真である。
【図２８】従来技術でのプレーン導体の製造方法を示す工程図である。
【図２９】図２９（Ａ）は、従来技術で形成したプレーン導体の写真であり、図２９（Ｂ）は、第１実施例の製造方法で形成したプレーン導体の写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
[第１実施例]
先ず、本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板１０の構成について、図１〜図１０を参照して説明する。図８は、該多層プリント配線板１０の断面図を、図９は、図８に示す多層プリント配線板１０にＩＣチップ９０を取り付け、ドータボード９４へ載置した状態を示している。図１０（Ｂ）は、図８中のｂ−ｂ横断面を示している。図８に示すように、多層プリント配線板１０では、コア基板３０の表面に導体回路３４が形成されている。コア基板３０の表面と裏面とはスルーホール３６を介して接続されている。スルーホール３６は、スルーホールランドを構成する蓋めっき層３６ａと、側壁導体層３６ｂとから成り、側壁導体層３６ｂの内部には樹脂充填材３７が充填されている。樹脂充填剤なしで銅だけで充填してもよい。蓋めっき層（スルーホールランド）３６ａの上にバイアホール６０及び導体回路５８の形成された上面側及び下面側層間樹脂絶縁層５０と、バイアホール１６０、プレーン導体１５９、及び、導体回路１５８Ｕ（半田パッド）の形成された上面側層間樹脂絶縁層１５０と、バイアホール１６０及び導体回路１５８Ｄ（半田パッド）の形成された下面側層間樹脂絶縁層１５０とが配設されている。導体回路１５８Ｕ（半田パッド）は、層間樹脂絶縁層１５０の第１面１５０Ａに開口されている第１凹部１５３ｂの内部に設けられている。そして、導体回路１５８Ｕ（半田パッド）の表面と層間樹脂絶縁層１５０の第１面１５０Ａとは略同一平面上に位置している。この導体回路１５８Ｕ（半田パッド）は、バイアホール１６０を介して下層の導体回路５８に電気的に接続されている。
【００１４】
また、図８に示すように、層間樹脂絶縁層１５０上にはソルダーレジスト層７０が形成されている。ソルダーレジスト層７０の内部には、導体回路１５８Ｕ、１５８Ｄの一部を露出させる開口が形成されている。そして、導体回路１５８Ｕ、１５８Ｄのうち開口から露出した部分が半田パッドとして機能する。この半田パッドは、多層プリント配線板の中央側に位置するＩＣチップの搭載領域Ｅ内に配置されている。半田パッド上には、例えばＮｉ層７２及びＡｕ層７４からなる酸化防止膜が形成されており、この酸化防止膜上に半田バンプ７８Ｕが形成されている。そして、半田バンプ７８Ｕを介して、多層プリント配線板上にＩＣチップ９０が実装されている。
【００１５】
一方、層間樹脂絶縁層１５０のうち、ＩＣチップ搭載領域Ｅの外側には、第２凹部１５３ａと凸部１５０ａとからなるプレーン導体形成用のパターンが形成されている（図８及び図１１（Ａ参照）。第２凹部１５３ａは、層間樹脂絶縁層１５０の第１面に開口している。第２凹部１５３ａの開口面積は、第１凹部１５３ｂの開口面積よりも大きくなっている。凸部１５０ａは、第２凹部の底部を構成する層間樹脂絶縁層１５０の表面から上方（第１面方向）へ向かって形成されている。図８中では凸部１５０ａの断面を示し、図１０（Ｂ）では平面図で凸部１５０ａの上面を示している。そして、図１３（Ａ）中に示すように、凸部１５０ａは、相互の距離ｄが均一になるよう千鳥状に配置されている。なお、ここでいう「距離ｄ」とは、隣り合う凸部の間の距離のうちの最小値を意味する。
【００１６】
層間樹脂絶縁層１５０の第２凹部１５３ａ内にはプレーン導体１５９が形成されている。プレーン導体１５９の表面は層間樹脂絶縁層１５０の表面（第１面）と略同一平面上に位置している。このプレーン導体１５９は電源用又はグランド用の導体として用いてもよく、ダミー導体として用いてもよい。
【００１７】
図９中に示すように、多層プリント配線板１０は、半田バンプ７８Ｄを介してドータボード９４へ接続されている。
【００１８】
引き続き、図８を参照して上述した多層プリント配線板１０の製造方法について図１〜図７を参照して説明する。
（１）厚さ０．２〜０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板３０の両面に５〜２５０μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とする（図１（Ａ））。まず、この銅張積層板をドリル削孔して通孔１６を穿設し（図１（Ｂ））、無電解めっき処理および電解めっき処理を施し、スルーホール３６の側壁導体層３６ｂを形成する（図１（Ｃ））。
【００１９】
（２）スルーホール３６を形成した基板３０を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、スルーホール３６の側壁導体層３６ｂ及び表面に粗化面３６αを形成する（図１（Ｄ））。
【００２０】
（３）次に、平均粒径１０μｍの銅粒子を含む充填剤３７（タツタ電線製の非導電性穴埋め銅ペースト、商品名：ＤＤペースト）を、スルーホール３６内へスクリーン印刷によって充填し、乾燥、硬化させる（図２（Ａ））。これは、スルーホール部分に開口を設けたマスクを載置した基板上に、印刷法にて塗布することによりスルーホールに充填させ、充填後、乾燥、硬化させる。
【００２１】
引き続き、そして、スルーホール３６からはみ出した充填剤３７を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により除去し、さらにこのベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行い、基板３０の表面を平坦化する（図２（Ｂ）参照）。このようにして、スルーホール３６の側壁導体層３６ｂと樹脂充填剤３７とが粗化層３６αを介して強固に密着した基板３０を得る。
【００２２】
（４）前記（３）で平坦化した基板３０表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与し、無電解銅めっきを施すことにより、厚さ０．６μｍの無電解銅めっき膜２３を形成する（図２（Ｃ）参照）。
【００２３】
（５）ついで、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ１５μｍの電解銅めっき膜２４を形成し、導体回路３４となる部分の厚付け、およびスルーホール３６に充填された充填剤３７を覆う蓋めっき層（スルーホールランド）となる部分を形成する（図２（Ｄ））。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸                １８０  ｇ／ｌ
硫酸銅                ８０  ｇ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン製、商品名：カパラシドＧＬ）
１  ｍｌ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度              １Ａ／ｄｍ２  
時間                      ７０分
温度                      室温
【００２４】
（６）導体回路および蓋めっき層となる部分を形成した基板３０の両面に、市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ２  で露光、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍのエッチングレジスト２５を形成する（図２（Ｅ）参照）。蓋めっき層の形状はマスクのパターンを調整することで変更可能である。
【００２５】
（７）そして、エッチングレジスト２５を形成してない部分のめっき膜２３，２４と銅箔３２を、塩化第２銅を主成分とするエッチング液にて溶解除去し、さらに、エッチングレジスト２５を５％ＫＯＨで剥離除去して、独立した導体回路３４、および、充填剤３７を覆う蓋めっき層３６ａを形成する（図３（Ａ）参照）。
【００２６】
（８）次に、導体回路３４および充填剤３７を覆う蓋めっき層３６ａの表面を粗化し、粗化面３４βを形成する（図３（Ｂ））。こうした粗化は、アルカリを使用する黒化処理や適当なエッチング液を使用するエッチング等により行うことができる。エッチング液としては、マイクロエッチング剤「ＣＺシリーズ」（メック株式会社製）等を使用できる。
【００２７】
（９）基板の両面に、基板より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム（味の素社製：商品名；ＡＢＦ−４５ＳＨ）５０γを基板上に載置し、圧力０．４５ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を用いて貼り付けることにより層間樹脂絶縁層５０を形成する（図３（Ｃ））。すなわち、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に、真空度６７Ｐａ、圧力０．４７ＭＰａ、温度８５℃、圧着時間６０秒の条件で本圧着し、その後、１７０℃で４０分間熱硬化させた。
【００２８】
（１０）次に、波長１０．４μｍのＣＯ２ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅３〜３０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０〜５．０ｍｍ、１〜３ショットの条件で層間樹脂絶縁層５０にバイアホール用の開口５１を形成する（図３（Ｄ））。
【００２９】
（１１）バイアホール用開口５１を形成した基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面に存在する粒子を除去することにより、バイアホール用開口５１の内壁を含む層間樹脂絶縁層５０の表面に粗化面（図示せず）を形成する。
【００３０】
（１２）次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いする。
さらに、粗面化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶縁層の表面およびバイアホール用開口の内壁面に触媒核を付着させた。すなわち、上記基板を塩化パラジウム（ＰｂＣｌ2 ）と塩化第一スズ（ＳｎＣｌ2 ）とを含む触媒液中に浸漬し、パラジウム金属を析出させることにより触媒を付与する。
【００３１】
（１３）次に、上村工業社製の無電解銅めっき水溶液（スルカップＰＥＡ）中に、触媒を付与した基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．３〜３．０μｍの無電解銅めっき膜を形成し、バイアホール用開口５１の内壁を含む層間樹脂絶縁層５０の表面に無電解銅めっき膜５２が形成された基板を得た（図４（Ａ））。
〔無電解めっき条件〕
３４℃の液温度で４５分
【００３２】
（１４）無電解銅めっき膜５２が形成された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、１１０ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ２５μｍのめっきレジスト５４を設けた（図４（Ｂ））。
【００３３】
（１５）ついで、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解めっきを施し、めっきレジスト５４非形成部に、厚さ１５μｍの電解銅めっき膜５６を形成する（図４（Ｃ））。
〔電解めっき液〕
硫酸                      ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                    １９．５    ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度                    １  Ａ／ｄｍ2
時間                        ７０  分
温度                        ２２±２  ℃
【００３４】
（１６）さらに、めっきレジスト５４を５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、独立の導体回路５８及びバイアホール６０とする（図５（Ａ））。
【００３５】
（１７）ついで、上記（４）と同様の処理を行い、導体回路５８及びバイアホール６０の表面に粗化面（図示せず）を形成する。下層の導体回路５８の厚みは１５μｍの厚みであった。ただし、下層の導体回路の厚みは、５〜２５μｍの間で形成してもよい。
【００３６】
（１８）上記（９）と同様に、層間樹脂絶縁層５０上に層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム（味の素社製：商品名；ＡＢＦ−４５ＳＨ）を基板上に載置して貼り付けることにより層間樹脂絶縁層１５０を形成する（図５（Ｂ））。
【００３７】
（１９）上記（１０）と同様にＣＯ2 ガスレーザにて、層間樹脂絶縁層１５０にバイアホール用開口１５１を形成する（図５（Ｃ））。
【００３８】
（２０）次いで、０．７５５Ｊ／cm２のエキシマレーザを１９ショット照射し、層間樹脂絶縁層１５０内に導体回路形成用の第１凹部１５３ｂ、及び、第２凹部１５３ａと凸部１５０ａとからなるプレーン導体形成用のパターンを形成する（図６（Ａ））。図６（Ａ）中の楕円で囲んだプレーン導体形成用のパターン（第２凹部１５３ａと凸部１５０ａ）を拡大して図１１（Ａ）に示し、図６（Ａ）の層間樹脂絶縁層１５０の平面図を図１０（Ａ）に示す。プレーン導体形成用の第２凹部１５３ａ内には凸部１５０ａが形成されている。凸部１５０ａは、図１１（Ａ）に示すように上面（第１面）に向かってテーパ状に形成されている。また、凸部１５０ａの上面は、層間樹脂絶縁層１５０の第１面と略同一平面上に位置する。さらに、この凸部１５０ａは、図１０（Ａ）に示すように千鳥状に配置されている。
【００３９】
このエキシマレーザでの加工は、図１２に示すように、エキシマレーザをパターンの描写されたマスク２２を介して投影レンズ２０で集光させ、基板３０へ照射する。ここで、導体回路形成用の凹部１５３ｂ及びプレーン導体形成用のパターン（凹部１５３ａ）の形成は、投影レンズ２０を固定し、マスク２２と基板３０とを相対移動させることにより行う。その後、上記（１１）と同様に、層間樹脂絶縁層１５０の表面に存在する粒子を除去することにより、バイアホール用開口１５１、第１凹部１５３ｂ及び第２凹部１５３ａの内壁を含む層間樹脂絶縁層１５０の表面に粗化面（図示せず）を形成する。なお、この粗化処理は省略されてもよい。
【００４０】
（２１）上記（１２）、（１３）の工程と同様にして層間樹脂絶縁層１５０の表面に厚さ０．３〜３．０μｍの無電解銅めっき膜を１５２を形成し、更に、上記（１５）の工程と同様に厚さ１５μｍの電解銅めっき膜１５６を形成する（図６（Ｂ））。このとき、凸部１５０ａの上面は、層間樹脂絶縁層１５０の第１面と略同一平面上に位置しているため、プレーン導体形成用のパターン（凹部１５３ａ）内に均一に電解銅めっきを充填することが可能となり、その電解銅めっきの表面をほぼ平坦にすることが可能となる。
【００４１】
（２２）次いで、電解銅めっき膜１５６を、層間樹脂絶縁層１５０の上面（第１面）が露出するまでバフ研磨する（図６（Ｃ））。図６（Ｃ）中の楕円で囲んだプレーン導体１５９を拡大して図１１（Ｂ）に示し、図６（Ｃ）の層間樹脂絶縁層１５０の平面図を図１０（Ｂ）に示す。ここでは、バフ研磨を行ったが、この代わりに、ケミカル・メカニカル・ポリッシングすることも、或いは、ライトエッチングで電解銅めっき膜１５６の表層を除去することも可能である。
【００４２】
（２３）次に、多層配線基板の両面に、市販のソルダーレジスト組成物７０を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口７１を形成する（図７（Ａ））。
そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、開口を有し、その厚さが１５〜２５μｍのソルダーレジストパターン層を形成する。
【００４３】
（２４）次に、ソルダーレジスト層７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成する（図７（Ｂ））。ニッケル−金層以外にも、スズ、貴金属層（金、銀、パラジウム、白金など）の単層を形成してもよい。
【００４４】
（２５）この後、基板のＩＣチップを載置する面のソルダーレジスト層７０の開口７１に、スズ−鉛を含有するはんだペーストを印刷し、さらに他方の面のソルダーレジスト層の開口にスズ−アンチモンを含有するはんだペーストを印刷した後、２００℃でリフローすることによりはんだバンプ（はんだ体）を形成し、はんだバンプ７８Ｕ、７８Ｄを有する多層プリント配線板を製造する（図８）。はんだバンプ７８Ｕ、７８Ｄは、半田パッド上に半田ボールを搭載した後に所定温度でリフローすることで形成してもよい。なお、この半田ボールの組成は特に限定されないが、例えばスズ−銀−銅よりなる半田ボールが挙げられる。
【００４５】
次いで、半田バンプ７８Ｕを介してＩＣチップ９０を取り付ける。そして、半田バンプ７８Ｄを介してドータボード９４へ取り付ける（図９）。
【００４６】
第１実施例の多層プリント配線板の製造方法では、層間樹脂絶縁層１５０内に第２凹部１５３ａ及び凸部１５０ａからなるプレーン導体形成用のパターンを形成するため、プレーン導体形成用のパターン内に電解銅めっきを充填する際に、図１１（Ａ）に示す第２凹部１５３ａの側壁１５３ｓ及び底面１５３ｃのみでなく、凸部１５０ａの側面１５０ｓからも電解銅めっきが析出する。このため、図２９（Ｂ）の写真中に表されているように第２凹部１５３ａ内に充填された銅めっきの表面を平坦に形成することができる。この状態で銅めっきを研磨又はエッチングすることで、第２凹部１５３ａに形成されるプレーン導体の表面を平坦化することが可能となる。
【００４７】
第１実施例の多層プリント配線板の製造方法では、凸部１５０ａがテーパ状に形成されているため、めっきの際に図１１（Ａ）中に示す凸部１５０ａの側壁１５０ｓと第２凹部１５３ａを形成する底面１５３ｃとの角部Ｃでボイドが残り難い。このため、第２凹部１５３ａ内に充填された銅めっきの表面を平坦に形成することができる。
【００４８】
第１実施例の多層プリント配線板の製造方法では、凸部１５０ａが千鳥状に配置され、図１３（Ａ）に示すように凸部１５０ａ相互間の距離ｄが均一になる。これにより、凸部１５０ａの側壁からの銅の析出量が等しくなって、プレーン導体を平坦に形成することができる。
【００４９】
第１実施例の多層プリント配線板の製造方法では、導体回路形成用の凹部１５３ｂと、プレーン導体形成用凹部１５３ａとをレーザにより形成する。レーザにより微細な凹部を形成できることで、ファインピッチな導体回路１５８Ｕを形成することが可能になる。
【００５０】
第１実施例の多層プリント配線板では、層間樹脂絶縁層１５０内に第２凹部１５３ａ及び凸部１５０ａからなるプレーン導体形成用のパターンが形成されているため、プレーン導体形成用のパターン内に銅めっきを充填する際に、そのパターンの側壁のみでなく、凸部１５０ａの側壁からも銅めっきが析出する。このため、プレーン導体を平坦に形成することが可能となる。これにより、プレーン導体上及び第２樹脂絶縁材上に形成される他の樹脂絶縁材の平坦化が図られる。この場合、他の樹脂絶縁材上に導体回路が形成される際には、上層の導体回路と下層の導体回路との間の絶縁性（層間絶縁性）を効果的に確保することができる。プレーン導体上及び第２樹脂絶縁材上にソルダーレジスト層が形成される場合には、そのソルダーレジスト層の表面を平坦にすることが可能となる。これによれば、例えば半田パッド上に半田ボールを搭載する際に用いられるボール整列用マスクの表面も平坦になるため、ボール整列用マスク上を半田ボールが移動しやすくなる。その結果、半田ボールの搭載効率も向上し、半田パッド上に１個のボールを高い確率で搭載することが可能になる。さらに、ソルダーレジスト層の表面から突き出る半田バンプの高さも均一になり、ＩＣチップの実装性も向上する。また、プレーン導体の表面に過剰な窪みが形成されることがないため、プレーン導体も含めた金属部分の体積を設計値通りに制御することができる。その結果、ＩＣチップの発熱等に起因したヒートサイクルにおいて多層プリント配線板の反りを効果的に抑制することが可能となる。
【００５１】
[第１実施例の第１改変例]
第１実施例の第１改変例に係る多層プリント配線板の製造方法について、図１３（Ｂ）を参照して説明する。
上述した第１実施例では、凸部１５０ａが千鳥状に配置された。これに対して、第１実施例の第１改変例では、凸部１５０ａがマトリクス状に配置されている。この第１実施例の第１改変例は、凸部１５０ａを形成し易い利点がある。
【００５２】
[第１実施例の第２改変例]
第１実施例の第２改変例に係る多層プリント配線板の製造方法について、図１４及び図１５を参照して説明する。
上述した第１実施例では、プレーン導体形成用の凹部１５３ａ内に千鳥状の凸部１５０ａが形成された。これに対して、第１実施例の第２改変例では、プレーン導体形成用のパターンとして壁状の凸部１５０ｂが形成される。
【００５３】
図１〜図５を参照して上述した第１実施例と同様に層間樹脂絶縁層１５０を形成する。そして、エキシマレーザを照射し、層間樹脂絶縁層１５０上に、導体回路形成用の凹部１５３ｂ、及び、プレーン導体形成用のパターン（凹部１５３ａ、凸部１５０ｂ）を形成する（図１４（Ａ））。図１４（Ａ）の層間樹脂絶縁層１５０の平面図を図１５（Ａ）に示す。図１４（Ａ）は、図１５（Ａ）のａ−ａ断面に相当する。
【００５４】
第１実施例と同様にして層間樹脂絶縁層１５０に無電解銅めっき膜を１５２、電解銅めっき膜１５６を形成する（図１４（Ｂ））。
【００５５】
そして、第１実施例と同様に電解銅めっき膜１５６を、層間樹脂絶縁層１５０の上面が露出するまでバフ研磨する（図１４（Ｃ））。図１４（Ｃ）の層間樹脂絶縁層１５０の平面図を図１５（Ｂ）に示す。図１４（Ｃ）は、図１５（Ｂ）のｃ−ｃ断面に相当する。
【００５６】
第１実施例の第２改変例に係る多層プリント配線板の製造方法では、層間樹脂絶縁層１５０内に第２凹部１５３ａ及び凸部１５０ａからなるプレーン導体形成用のパターンを設けているため、第２凹部１５３ａに銅めっきを充填する際に、該凹部１５３ａの側壁のみでなく、凸部１５０ｂの側壁からも銅めっきが析出する。このため、プレーン導体１５９を平坦に形成することが容易となる。
【００５７】
[第１実施例の第３改変例]
第１実施例の第３改変例に係る多層プリント配線板の製造方法について、図１６（Ａ）を参照して説明する。
第１実施例では、凸部１５０ａの上面がプレーン導体１５９の表面から露出するように形成された。これに対して、第１実施例の第３改変例では、凸部１５０ａの頂部がプレーン導体１５９の表面から露出しないように、プレーン導体形成用の第２凹部１５３ａの深さｈ１よりも凸部１５０ａの高さｈ２が低く形成されている。第１実施例の第３改変例では、第１実施例と比較して、プレーン導体形成用のパターンにおける凸部１５０ａの体積が低減される。その結果、プレーン導体１５９の体積を大きくでき、電源強化などの電気特性の観点で好ましい。
【００５８】
[第１実施例の第４改変例]
第１実施例の第４改変例に係る多層プリント配線板の製造方法について、図１６（Ｂ）を参照して説明する。
第１実施例の第３改変例では、円柱状の凸部１５０ａが形成された。これに対して、第１実施例の第４改変例では、円錐状の凸部１５０ｃが形成されている。
【００５９】
[第１実施例の第５改変例]
第１実施例の第５改変例に係る多層プリント配線板の製造方法について、図１７を参照して説明する。
第１実施例においては、半田バンプ７８Ｄが形成されている導体回路１５８Ｄを、レーザで設けられた凹部内に形成した。第５改変例では、この導体回路１５８Ｄをセミアディティブ法で形成してもよい。この場合、図１７に示すように、導体回路１５８Ｄは層間絶縁層１５０の表面上に形成される。
【００６０】
[第２実施例]
引き続き、本発明の第２実施例に係る多層プリント配線板の製造方法について図１８を参照して説明する。
第１実施例では、レーザにより層間絶縁層に導体回路形成用凹部及びプレーン導体形成用の凹部を形成した。これに対して、第２実施例では、露光・現像により導体回路形成用凹部及びプレーン導体形成用凹部を形成する。
図１〜図５（Ｂ）を参照して上述した第１実施例と同様に層間樹脂絶縁層１５０を形成する。この層間樹脂絶縁層１５０は、感光性樹脂からなる（図１８（Ａ））。導体回路及びプレーン導体のパターンが形成されたマスクを層間樹脂絶縁層１５０上に載置して露光した後に現像を行い、導体回路形成用凹部１５３ｂ、プレーン導体形成用凹部１５３ａ及びビア形成用の開口１５１を一括で行う（図１８（Ｂ））。以降の工程は、第１実施例と同様であるため説明を省略する。
【００６１】
[第３実施例]
引き続き、本発明の第３実施例に係る多層プリント配線板の製造方法について図１９を参照して説明する。
第１実施例では、レーザにより層間絶縁層に導体回路形成用凹部及びプレーン導体形成用凹部を形成した。これに対して、第３実施例では、成形型を用いて導体回路形成用凹部及びプレーン導体形成用凹部を形成する（インプリント法）。
図１〜図５（Ｂ）を参照して上述した第１実施例と同様に層間樹脂絶縁層１５０を形成する。そして、導体回路及びプレーン導体及びビアを形成するためのパターンが成形された成形型２１０を所定位置に位置決めする（図１９（Ａ））。成形型２１０を層間樹脂絶縁層１５０に押し当てる（図１９（Ｂ））。その後、成形型２１０を抜くことで、層間樹脂絶縁層１５０に導体回路形成用凹部１５３ｂ、プレーン導体形成用凹部１５３ａ及びビア形成用の開口１５１を成形する（図１９（Ｃ））。以降の工程は、第１実施例と同様であるため説明を省略する。
【００６２】
[第４実施例]
引き続き、本発明の第４実施例に係る多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法について図２０〜図２３を参照して説明する。
第１実施例では、コア基板上に層間樹脂絶縁層をビルドアップ積層した。これに対して、第４実施例では、コア基板の無い、いわゆるコアレスのビルドアップ多層プリント配線板として構成される。
【００６３】
図２３は、第４実施例に係る多層プリント配線板の断面図を示している。
多層プリント配線板１０は、バイアホール６０及び導体回路５８の形成された下層層間樹脂絶縁層５０と、バイアホール１６０、プレーン導体１５９、及び、導体回路１５８の形成された上層層間樹脂絶縁層１５０とを備える。第１実施例と同様にプレーン導体１５９には、層間樹脂絶縁層１５０を構成する樹脂からなる凸部１５０ａが配置されている。上層層間樹脂絶縁層１５０の上層にソルダーレジスト層７０が形成され、ソルダーレジスト層７０の開口部７１から露出している導体回路１５８Ｕ上にバンプ７８Ｕが形成されている。下層層間樹脂絶縁層５０の下層にソルダーレジスト層７０が形成され、該ソルダーレジスト層７０の開口部７１から露出している導体回路３４上にバンプ７８Ｄが形成されている。
【００６４】
引き続き、図２３を参照して上述した多層プリント配線板１０の製造方法について図２０〜図２３を参照して説明する。
（１）ガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる支持基板３０の上面に導体回路３４を形成する（図２０（Ａ））。
【００６５】
（２）第１実施例の上記（９）工程と同様にコア基板３０の上面に層間樹脂絶縁層５０を形成する（図２０（Ｂ））。
【００６６】
（３）第１実施例の（１０）〜（１６）工程と同様に層間樹脂絶縁層５０上に導体回路５８及びバイアホール６０を形成する（図２０（Ｃ））。
【００６７】
（４）ついで、上記（２）と同様の処理を行い、下層層間樹脂絶縁層５０上に上層層間樹脂絶縁層１５０を形成する（図２０（Ｄ））。
【００６８】
（５）第１実施例の（１０）工程と同様にＣＯ2 ガスレーザにて、層間樹脂絶縁層１５０にバイアホール用開口１５１を形成し、更に、第１実施例（２０）工程と同様にエキシマレーザで、層間樹脂絶縁層１５０上に、導体回路形成用の凹部１５３ｂ、及び、プレーン導体形成用のパターン（凹部１５３ａ、凸部１５０ａ）を形成する（図２１（Ａ））。
【００６９】
（６）第１実施例の（２１）、工程と同様に無電解銅めっき膜を１５２を形成し、更に、第１実施例（１５）の工程と同様に電解銅めっき膜１５６を形成し、上記（２２）工程と同様に電解銅めっき膜１５６を、層間樹脂絶縁層１５０の上面（第１面）が露出するまでバフ研磨する（図２１（Ｂ））。
【００７０】
（７）そして、導体回路３４及び層間樹脂絶縁層５０から支持基板３０を剥離する（図２１（Ｃ）。
【００７１】
（８）次に、多層配線基板の両面に、開口７１を備えるソルダーレジスト層７０を形成する（図２２（Ａ））。
【００７２】
（９）ソルダーレジスト層７０を形成した基板を無電解ニッケルめっき液に浸漬して、開口部７１にニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板を無電解金めっき液に浸漬して、ニッケルめっき層７２上に、金めっき層７４を形成する（図２２（Ｂ））。
【００７３】
（２５）この後、上面のソルダーレジスト層７０の開口７１に、スズ−鉛を含有するはんだペーストを印刷し、下面のソルダーレジスト層の開口にスズ−アンチモンを含有するはんだペーストを印刷した後、リフローすることにより、はんだバンプ７８Ｕ、７８Ｄを有する多層プリント配線板を製造する（図２３）。
【００７４】
引き続き、図１３（Ａ）に示す凸部の径ｆ及び凸部間の間隔ｄと、プレーン導体用の第２凹部に所定の厚みの銅めっきを充填したときに形成される銅めっき表面の凹みの深さとの関係について試験を行った結果について説明する。なお、ここでは深さが約７μｍの第２凹部を形成した。
図２４（Ａ）は、凸部(Post)の径ｆ（１０、２０、３０、５０μｍ）を横軸に、凸部間の間隔（Space）ｄ（１０、２０、３０、５０μｍ）を縦軸に取ったイメージ図である。図２４（Ｂ）は、試験結果のグラフである。縦軸側に凸部間の間隔（Space）及び凸部の径(Post)を取り、横軸側に、厚みが１０μｍ、１５μｍ、２０μｍの銅めっきを充填した際の窪みの平均値（Mean）及びバラツキ（Stdev.）の測定値が挙げられている。
【００７５】
図２５は、第２凹部に充填される銅めっきの厚みを１０μｍに設定した際の写真であり、図２６は、同様の銅めっきの厚みを１５μｍに設定した際の写真であり、図２７は、同様の銅めっきの厚みを２０μｍに設定した際の写真である。
【００７６】
第２凹部に充填される銅めっきの厚みが１０μｍである図２５で、図２５（Ａ）は、凸部間の間隔ｄ：１０μｍ、凸部の径ｆ：１０μｍに設定した場合の写真であり、図２５（Ｂ）は、凸部間の間隔ｄ：２０μｍ、凸部の径ｆ：２０μｍに設定した場合の写真であり、図２５（Ｃ）は、凸部間の間隔ｄ：３０μｍ、凸部の径ｆ：３０μｍに設定した場合の写真であり、図２５（Ｄ）は、凸部間の間隔ｄ：５０μｍ、凸部の径ｆ：５０μｍに設定した場合の写真である。銅めっきの厚みを１０μｍに設定した際には、図２５（Ａ）中に表されているように凸部間の間隔ｄ：１０μｍ、凸部の径ｆ：１０μｍに設定することで、銅めっきの表面をほぼ平坦にすることが可能となる。
【００７７】
第２凹部に充填される銅めっきの厚みが１５μｍである図２６で、図２６（Ａ）は、凸部間の間隔ｄ：１０μｍ、凸部の径ｆ：１０μｍに設定した場合の写真であり、図２６（Ｂ）は、凸部間の間隔ｄ：２０μｍ、凸部の径ｆ：２０μｍに設定した場合の写真であり、図２６（Ｃ）は、凸部間の間隔ｄ：３０μｍ、凸部の径ｆ：３０μｍに設定した場合の写真であり、図２６（Ｄ）は、凸部間の間隔ｄ：５０μｍ、凸部の径ｆ：５０μｍに設定した場合の写真である。銅めっきの厚みを１５μｍに設定した際には、図２６（Ａ）中に表されているように凸部間の間隔ｄ：１０μｍ、凸部の径ｆ：１０μｍ、図２６（Ｂ）中に表されているように凸部間の間隔ｄ：２０μｍ、凸部の径ｆ：２０μｍに設定することで、銅めっきの表面をほぼ平坦にすることが可能となる。
【００７８】
第２凹部に充填される銅めっきの厚み２０μｍの図２７で、図２７（Ａ）は、凸部間の間隔ｄ：１０μｍ、凸部の径ｆ：１０μｍに設定した場合の写真であり、図２７（Ｂ）は、凸部間の間隔ｄ：２０μｍ、凸部の径ｆ：２０μｍに設定した場合の写真であり、図２７（Ｃ）は、凸部間の間隔ｄ：３０μｍ、凸部の径ｆ：３０μｍに設定した場合の写真であり、図２７（Ｄ）は、凸部間の間隔ｄ：５０μｍ、凸部の径ｆ：５０μｍに設定した場合の写真である。銅めっきの厚みを２０μｍに設定した際には、図２７（Ａ）中に表されているように凸部間の間隔ｄ：１０μｍ、凸部の径ｆ：１０μｍ、図２７（Ｂ）中に表されているように凸部間の間隔ｄ：２０μｍ、凸部の径ｆ：２０μｍ、図２７（Ｃ）中に表されているように凸部間の間隔ｄ：３０μｍ、凸部の径ｆ：３０μｍに設定することで、銅めっきの表面をほぼ平坦にすることが可能となる。
【符号の説明】
【００７９】
３０  基板
３６  スルーホール
５０  層間樹脂絶縁層
５８  導体回路
６０  バイアホール
７０  ソルダーレジスト層
１５０  層間樹脂絶縁層
１５０ａ  凸部
１５１  開口
１５３ａ  プレーン導体形成用の凹部
１５３ｂ  導体回路形成用の凹部
１５８Ｕ、１５８Ｄ  導体回路
１６０  バイアホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【国際調査報告】
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