(57)【要約】  内部に導電体を含むセラミック体において導電体とセラミック体の間の空隙への水分の浸入をより効果的に防止することが可能なセラミック体の製造方法を提供する。内部電極層（１１）とセラミック積層体（１０）の間の空隙に、酸化物ゾル前駆体を含む超臨界流体を浸入させる。その後、酸化物ゾルをゲル化させ、熱処理することにより、内部電極層１１とセラミック積層体（１０）の間の空隙に酸化物を充填する。
2010073456.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に導電体を含むセラミック体の製造方法であって、
導電体とセラミック体の間の空隙に、酸化物ゾル前駆体を含む超臨界流体を浸入させるステップと、
前記酸化物ゾルをゲル化させ、熱処理することにより、前記導電体と前記セラミック体の間の空隙に酸化物を充填するステップとを備えた、セラミック体の製造方法。
【請求項２】
前記超臨界流体は、超臨界状態の二酸化炭素である、請求項１に記載のセラミック体の製造方法。
【請求項３】
前記セラミック体は、積層された複数のセラミック層と、この複数のセラミック層の間に介在した導電体層とを含むセラミック積層体である、請求項１または請求項２に記載のセラミック体の製造方法。
【請求項４】
前記セラミック積層体において、前記導電体層と前記セラミック層の間の界面が露出している、請求項３に記載のセラミック体の製造方法。
【請求項５】
前記酸化物ゾルをゲル化させることにより得られた酸化物ゲルが、疎水性を有するＳｉＯ２ゲルである、請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載のセラミック体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、一般的にはセラミック体の製造方法に関し、特定的には、例えば、積層セラミックコンデンサ等のチップ型のセラミック電子部品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、セラミック体の一例である積層セラミックコンデンサは、以下のようにして製造される。【０００３】
まず、セラミック原料粉末を含むスラリーを準備する。このスラリーをシートに成形し、セラミックグリーンシートを作製する。セラミックグリーンシートの表面上には、内部電極層の原材料である導電性ペーストを所定のパターンに従って塗布する。この導電性ペーストは、金属粉末、溶剤およびワニスから構成される。【０００４】
次に、導電ペーストが塗布された複数のセラミックグリーンシートを積層し、熱圧着することにより、一体化された生の積層体を作製する。この生の積層体を焼成することにより、セラミック積層体を作製する。このセラミック積層体の内部には、複数の内部電極層が形成されている。内部電極層の一部の端面は、セラミック積層体の外部表面に露出している。【０００５】
次に、内部電極層の一部の端面が露出したセラミック積層体の外表面の上に、外部電極層の原材料である導電性ペーストを塗布した後、焼き付ける。この導電性ペーストは、金属粉末、ガラスフリット、溶剤およびワニスから構成される。これにより、特定の内部電極層に電気的に接続されるように、セラミック積層体の外表面の上に外部電極層が形成される。【０００６】
最後に、はんだ付け性能を高めるために、必要に応じて外部電極層の表面にめっき層を形成する。【０００７】
上記の製造工程において、たとえば、外部電極層の表面にめっき層を形成する場合に、外部電極層に存在する微細な空隙から水分が浸入する。また、セラミック体の一例である積層セラミックコンデンサを高湿環境下で使用した場合にも、外部電極層に存在する微細な空隙から水分が浸入する。このように外部電極層から浸入した水分が、セラミック積層体の内部に存在する内部電極層とセラミック層との間の界面の微細な空隙に水分が到達することにより、絶縁抵抗の低下を引き起こすという問題がある。【０００８】
そこで、たとえば、特開２００１−１０２２４７号公報（以下、特許文献１という）では、上記の問題を解決するためのチップ型電子部品の構成が提案されている。特許文献１で提案されたチップ型電子部品は、矩形状セラミック基体の両端部に厚膜下地導体層、表面めっき層からなる外部端子電極を形成してなるチップ型電子部品において、外部端子電極に、撥水性を有する部材を含浸させている。このようにすることにより、チップ型電子部品を湿度の高い場所に放置した場合も、外部端子電極のポーラス部分に水分が浸入することを抑制している。その結果、水分が表面めっき層、厚膜下地導体層を通って、電子部品素体に到達するのが防止されている。【０００９】
また、たとえば、特開平２−３０１１１３号公報（以下、特許文献２という）では、上記の問題を解決するための積層セラミック電子部品の構成とその製造方法が提案されている。特許文献２で提案された積層セラミック電子部品は、セラミック積層体内または外部電極内の隙間、ボア、ピンホール等の欠陥を無機酸化物で埋めたものである。また、特許文献２で提案された積層セラミック電子部品の製造方法は、セラミック積層体またはセラミック積層体に外部電極を形成した後、これを金属アルコキシド等の有機金属溶液中に浸漬してセラミック積層体内または外部電極内の隙間、ボア、ピンホール等の欠陥内に有機金属を含浸させた後、加熱することにより有機金属を無機酸化物に分解するものである。このようにすることにより、水分が上記の隙間やボアに浸入することを抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００１−１０２２４７号公報
【特許文献２】特開平２−３０１１１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
特許文献１に記載されたチップ型電子部品の構成では、外部端子電極に撥水性の物質が残留する。このため、後工程でめっき層を形成する場合に、外部端子電極の表面においてめっき析出不良が発生しやすくなり、はんだ付けでチップ型電子部品を基板等に実装する場合に不良が発生する場合がある。【００１２】
また、特許文献１に記載されたチップ型電子部品の構成では、外部端子電極に残留する撥水性物質の量が少なければ、電子部品素体へ水分が浸入するのを抑制する効果が得られず、外部端子電極に残留する撥水性物質の量が多ければ、めっき析出不良が発生する。このため、外部端子電極に、撥水性を有する部材を含浸させるための処理条件を制御することが困難である。【００１３】
一方、特許文献２では、セラミック積層体を金属アルコキシド等の有機金属溶液中に浸漬してセラミック積層体内または外部電極内の隙間等の欠陥内に無機酸化物を埋め込んでいる。しかし、この方法では、ナノレベルの微細な空隙にまで無機酸化物を充填することができないので、水分が空隙に浸入するのを抑制する効果が不十分である。【００１４】
そこで、この発明の目的は、内部に導電体を含むセラミック体において導電体とセラミック体の間の空隙への水分の浸入をより効果的に防止することが可能なセラミック体の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
この発明に従ったセラミック体の製造方法は、内部に導電体を含むセラミック体の製造方法であって、以下のステップを備える。【００１６】
（ａ）導電体とセラミック体の間の空隙に、酸化物ゾル前駆体を含む超臨界流体を浸入させるステップ。【００１７】
（ｂ）酸化物ゾルをゲル化させ、熱処理することにより、導電体とセラミック体の間の空隙に酸化物を充填するステップ。【００１８】
この発明のセラミック体の製造方法において用いられる超臨界流体は、液体のように高い溶解力を有するため、超臨界流体に酸化物ゾル前駆体を溶解させることができる。また、超臨界流体は、気体のように高い拡散係数を有し、浸透性に優れるので、酸化物ゾル前駆体が溶解した超臨界流体を、ナノレベルの微細な空隙にまで浸入させることができる。【００１９】
これにより、導電体とセラミック体の間の空隙に、酸化物ゾル前駆体を含む超臨界流体を浸入させるステップにおいて、酸化物ゾル前駆体が溶解した超臨界流体を、導電体とセラミック体の間に存在するナノレベルの微細な空隙にまで浸入させることができる。そして、酸化物ゾルをゲル化させ、熱処理することにより、導電体とセラミック体の間の空隙に酸化物を充填するステップにおいて、酸化物を、導電体とセラミック体の間に存在するナノレベルの微細な空隙にまで充填させることができる。【００２０】
したがって、内部に導電体を含むセラミック体において導電体とセラミック体の間の空隙への水分の浸入をより効果的に防止することが可能になる。【００２１】
この発明のセラミック体の製造方法において、超臨界流体は、超臨界状態の二酸化炭素であることが好ましい。【００２２】
二酸化炭素は、臨界温度３１．１℃、臨界圧力７．３８Ｍｐａであり、この臨界温度以上でかつ臨界圧力以上では超臨界状態になる。このため、二酸化炭素は、比較的温和な条件で超臨界状態にすることができる。また、超臨界状態の二酸化炭素は、毒性もなく、化学的に不活性であるので、高純度なものが安価に入手できるので利用しやすい。さらに、超臨界状態の二酸化炭素は、常温常圧にすることにより、大気中に含まれている状態の二酸化炭素になる。このため、導電体とセラミック体の間の空隙に浸入した超臨界状態の二酸化炭素を常温常圧にして大気中に放出することにより、容易に除去することができる。【００２３】
また、この発明のセラミック体の製造方法において、セラミック体は、積層された複数のセラミック層と、この複数のセラミック層の間に介在した導電体層とを含むセラミック積層体であることが好ましい。【００２４】
この場合、セラミック積層体からなるセラミック電子部品の製造方法に本発明の製造方法を適用することができる。たとえば、本発明の製造方法を適用すると、セラミック積層体を含む電子部品において、外部電極層を形成する前に、酸化物を、導電体とセラミック体の間に存在するナノレベルの微細な空隙にまで充填させることによって、導電体とセラミック体の間の空隙への水分の浸入をより効果的に防止することが可能になる。したがって、外部電極層の表面にめっき析出を阻害する物質が残留することがない。これにより、後工程でめっき層を形成する場合に、外部端子電極の表面においてめっき析出不良が発生することもなく、はんだ付けでチップ型電子部品を基板等に実装する場合に不良が発生することもない。【００２５】
さらに、セラミック積層体において、導電体層とセラミック層の間の界面が露出している場合、本発明の製造方法を適用することによって、導電体とセラミック体の間の空隙への水分の浸入をより効果的に防止することが可能になる。【００２６】
また、この発明のセラミック体の製造方法において、酸化物ゾルをゲル化させることにより得られた酸化物ゲルが、疎水性を有するＳｉＯ２ゲルであることが好ましい。【００２７】
このようにすることにより、充填される酸化物にクラック等の欠陥が生じた場合にも、導電体とセラミック体の間の空隙への水分の浸入を確実に遮断することができる。この場合、導電体とセラミック体の間の空隙に、酸化物ゾル前駆体としてのＳｉアルコキシドを溶解させた超臨界流体を浸入させ、ＳｉＯ２ゾルをゲル化させ、さらに疎水化処理剤を導入することによって、疎水性を有するＳｉＯ２ゲルが導電体とセラミック体の間の空隙に充填される。
【発明の効果】
【００２８】
以上のようにこの発明によれば、内部に導電体を含むセラミック体において導電体とセラミック体の間の空隙への水分の浸入をより効果的に防止することが可能になる。これにより、たとえば、チップ型の積層セラミックコンデンサ等の積層セラミック電子部品の製造方法に本発明を適用することによって、絶縁抵抗の低下を防止することができ、積層セラミック電子部品の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】この発明の一つの実施の形態として、セラミック体の一例である積層セラミックコンデンサの第１の製造工程を示す概略的な断面図である。
【図２】この発明の一つの実施の形態として、セラミック体の一例である積層セラミックコンデンサの第２の製造工程を示す概略的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
まず、本発明のセラミック体の一例である積層セラミックコンデンサについて説明する。図１と図２は一般的な積層セラミックコンデンサの製造工程を示す断面図である。
【００３１】
まず、セラミック原料粉末を含むスラリーを準備する。このスラリーをシートに成形し、セラミックグリーンシートを作製する。セラミックグリーンシートの表面上には、内部電極層の原材料である導電性ペーストを所定のパターンに従って塗布する。この導電性ペーストは、金属粉末、溶剤およびワニスから構成される。
【００３２】
次に、導電ペーストが塗布された複数のセラミックグリーンシートを積層し、熱圧着することにより、一体化された生の積層体を作製する。図１に示すように、この生の積層体を焼成することにより、セラミック体としてのセラミック積層体１０を作製する。このセラミック積層体１０の内部には、内部の導電体として複数の内部電極層１１が形成されている。内部電極層１１の一部の端面は、セラミック積層体１０の外部表面に露出している。
【００３３】
次に、図２に示すように、内部電極層１１の一部の端面が露出したセラミック積層体１０の外表面の上に、外部電極層１２の原材料である導電性ペーストを塗布した後、焼き付ける。この導電性ペーストは、金属粉末、ガラスフリット、溶剤およびワニスから構成される。これにより、特定の内部電極層１１に電気的に接続されるように、セラミック積層体１０の外表面の上に外部電極層１２が形成される。
【００３４】
最後に、はんだ付け性能を高めるために、必要に応じて外部電極層１２の表面に第１と第２のめっき層１３、１４を形成する。
【００３５】
このようにして製造された積層セラミックコンデンサ１は、たとえば、ＢａＴｉＯ３系化合物を含む直方体状のセラミック積層体１０を備えている。セラミック積層体１０は、複数の（図では一例として６つの）積層されたセラミック層１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆと、複数のセラミック層１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆ間の界面に沿って形成された複数の（図では一例として５つの）内部電極層１１とを備えている。内部電極層１１は、セラミック積層体１０の外表面にまで到達するように形成されている。セラミック積層体１０の一方の端面にまで引き出される内部電極層１１と他方の端面にまで引き出される内部電極層１１とが、セラミック積層体１０の内部において、誘電体セラミック層を介して静電容量を取得できるように交互に配置されている。なお、内部電極層１１の導電材料は、コスト低減の点から、ニッケルまたはニッケル合金であることがが好ましい。
【００３６】
前述した静電容量を取り出すために、セラミック積層体１０の外表面上であって、端面上には、内部電極層１１のいずれか特定のものに電気的に接続されるように、外部電極層１２が形成されている。外部電極層１２に含まれる導電材料としては、内部電極層１１の場合と同じ導電材料を用いることができ、さらに、銀、パラジウム、銀−パラジウム合金なども用いることができる。外部電極層１２は、上記の金属または合金の粉末にガラスフリットを添加して得られた導電性ペーストを付与し、焼き付けることによって形成される。なお、上記の説明では外部電極層１２として厚膜外部電極の例を示したが、外部電極層１２は、厚膜外部電極に限定されず、スパッタリングによって形成される薄膜外部電極でもよく、めっきによって形成される電極でもよく、その他の形成方法による電極でもよい。
【００３７】
また、外部電極層１２上には、必要に応じて、ニッケル、銅などからなる第１のめっき層１３が形成され、さらにその上には、半田、錫などからなる第２のめっき層１４が形成される。
【００３８】
本発明のセラミック体の製造方法は、図１と図２に示される積層セラミックコンデンサの製造工程の間に適用される。
【００３９】
まず、この発明のセラミック体の製造方法は、図１に示されるように、導電体としての内部電極層１１と、セラミック体としてのセラミック積層体１０の間の空隙に、酸化物ゾル前駆体を含む超臨界流体、たとえば、超臨界状態の二酸化炭素を浸入させる。この場合、酸化物としては、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２などが用いられ、ＢａＴｉＯ３等の複合酸化物、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２−Ｎａ２Ｏ、ＳｉＯ２−ＣａＯなどのガラスを用いることもできる。具体的には、上記の製造工程は、超臨界流体を保持することが可能な所定の耐熱耐圧容器等の内部で行われる。
【００４０】
次に、酸化物ゾルをゲル化させ、熱処理することにより、内部電極層１１とセラミック積層体１０の間の空隙に酸化物を充填する。
【００４１】
上記で用いられる超臨界流体は、液体のように高い溶解力を有するため、超臨界流体に酸化物ゾル前駆体を溶解させることができる。また、超臨界流体は、気体のように高い拡散係数を有し、浸透性に優れるので、酸化物ゾル前駆体が溶解した超臨界流体を、ナノレベルの微細な空隙にまで浸入させることができる。
【００４２】
これにより、内部電極層１１とセラミック積層体１０の間の空隙に、酸化物ゾル前駆体を含む超臨界流体を浸入させるステップにおいて、酸化物ゾル前駆体が溶解した超臨界流体を、内部電極層１１とセラミック積層体１０の間に存在するナノレベルの微細な空隙にまで浸入させることができる。そして、酸化物ゾルをゲル化させ、熱処理することにより、内部電極層１１とセラミック積層体１０の間の空隙に酸化物を充填するステップにおいて、酸化物を、内部電極層１１とセラミック積層体１０の間に存在するナノレベルの微細な空隙にまで充填させることができる。なお、超臨界流体は、酸化物ゾルをゲル化させた後に除去すればよい。
【００４３】
したがって、内部に導電体を含むセラミック体の一例として、積層セラミックコンデンサ１において内部電極層１１とセラミック積層体１０の間の空隙への水分の浸入をより効果的に防止することが可能になる。
【００４４】
なお、内部に導電体を含むセラミック体の例としては、積層セラミックコンデンサに限定されず、積層チップインダクタ、積層圧電素子、多層セラミック基板、積層チップサーミスタなどを挙げることができる。
【００４５】
上述したように、この発明のセラミック体の製造方法において、超臨界流体は、超臨界状態の二酸化炭素であることが好ましい。
【００４６】
二酸化炭素は、臨界温度３１．１℃、臨界圧力７．３８Ｍｐａであり、この臨界温度以上でかつ臨界圧力以上では超臨界状態になる。このため、二酸化炭素は、比較的温和な条件で超臨界状態にすることができる。また、超臨界状態の二酸化炭素は、毒性もなく、化学的に不活性であるので、高純度なものが安価に入手できるので利用しやすい。さらに、超臨界状態の二酸化炭素は、常温常圧にすることにより、大気中に含まれている状態の二酸化炭素になる。このため、内部電極層１１とセラミック積層体１０の間の空隙に浸入した超臨界状態の二酸化炭素を常温常圧にして大気中に放出することにより、容易に除去することができる。
【００４７】
また、この発明のセラミック体の製造方法において、上述したように、セラミック体は、積層された複数のセラミック層１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆと、この複数のセラミック層１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆの間に介在した導電体層としての複数の内部電極層１１を含むセラミック積層体１０であることが好ましい。
【００４８】
この場合、セラミック積層体１０を含むセラミック電子部品、一例として積層セラミックコンデンサ１の製造方法に本発明の製造方法を適用することができる。たとえば、本発明の製造方法を適用すると、セラミック積層体１０を含む電子部品としての積層セラミックコンデンサ１において、外部電極層１２を形成する前に、酸化物を、内部電極層１１とセラミック積層体１０の間に存在するナノレベルの微細な空隙にまで充填させることによって、内部電極層１１とセラミック積層体１０の間の空隙への水分の浸入をより効果的に防止することが可能になる。したがって、外部電極層１２の表面にめっき析出を阻害する物質が残留することがない。これにより、後工程でめっき層として第１と第２のめっき層１３、１４を形成する場合に、外部端子電極の表面においてめっき析出不良が発生することもなく、はんだ付けでチップ型電子部品を基板等に実装する場合に不良が発生することもない。
【００４９】
さらに、図１に示すようにセラミック積層体１０において、導電体層としての内部電極層１１とセラミック層１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆの間の界面が露出している場合、本発明の製造方法を適用することによって、内部電極層１１とセラミック積層体１０の間の空隙への水分の浸入をより効果的に防止することが可能になる。
【００５０】
また、この発明のセラミック体の製造方法において、酸化物ゾルをゲル化させることにより得られた酸化物ゲルが、疎水性を有するＳｉＯ２ゲルであることが好ましい。
【００５１】
このようにすることにより、充填される酸化物にクラック等の欠陥が生じた場合にも、導電体とセラミック体の間の空隙への水分の浸入を確実に遮断することができる。この場合、導電体とセラミック体の間の空隙に、酸化物ゾル前駆体としてのＳｉアルコキシドを溶解させた超臨界流体を浸入させ、ＳｉＯ２ゾルをゲル化させ、さらに疎水化処理剤を導入することによって、疎水性を有するＳｉＯ２ゲルが導電体とセラミック体の間の空隙に充填される。
【００５２】
なお、ＳｉＯ２ゲルに疎水性を付与させる方法として、たとえば、ＳｉＯ２ゲルを充填した後、超臨界状態を保持したままで、疎水化処理剤を導入する方法がある。疎水化処理剤は、ＳｉＯ２ゲルに残留している水酸基と反応する。これにより、疎水性基を導入することができる。
【００５３】
疎水化処理剤としては、シラノール基に対して反応する官能基と疎水基を有するもので、（ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルジシロキサン、トリメチルメトキシシラン）等の有機シラン化合物、（フルオロオクチルエチルトリメトキシシラン、フルオロオクチルエチルトリクロロシラン、フルオロオクチルエチルメチルジメトキシシラン）等のフルオロアルキルシラン化合物が挙げられる。
【実施例】
【００５４】
図１に示すようにニッケルからなる内部電極層１１が交互に両端面に露出した、積層セラミックコンデンサ１用の焼成後のセラミック積層体１０（大きさ１．０ｍｍ×０．５ｍｍ×０．５ｍｍ）を１００個作製した。これらのセラミック積層体１０と、シリカ（ＳｉＯ２）ゾルの前駆体としてのテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）とエタノールと水とを質量比率で１：１：１．２５で混合したものとを、内容積が５ｍｌの耐熱耐圧容器内に入れた。そして、二酸化炭素ガスを耐熱耐圧容器中に導入し、耐熱耐圧容器内の温度と圧力を高めて二酸化炭素を超臨界状態にし、耐熱耐圧容器内の温度を８０℃、圧力を２５ＭＰａにして１２０分間保持した。このようにして超臨界状態の二酸化炭素中にシリカゾルの前駆体を溶解させた後、シリカゾルをゲル化させた。【００５５】
その後、耐熱耐圧容器内を常温常圧に戻すことにより蒸発した二酸化炭素を耐熱耐圧容器外へ排出させて除去した。二酸化炭素が除去された耐熱耐圧容器からセラミック積層体１０を取り出した。取り出されたセラミック積層体１０を、オーブン内で温度を４０℃にして２４時間保持することにより、乾燥させた。これにより、シリカゲルから水分が除去された。【００５６】
次に、図２に示すように、内部電極層１１の一部の端面が露出したセラミック積層体１０の外表面の上に、外部電極層１２の原材料である導電性ペーストとして銅（Ｃｕ）ペーストをディップ法により塗布した後、温度８００℃で焼き付けた。この導電性ペーストは、金属粉末、ガラスフリット、溶剤およびワニスから構成される。これにより、特定の内部電極層１１に電気的に接続されるように、セラミック積層体１０の外表面の上に外部電極層１２が形成された。このとき、シリカゲルが無機酸化物としてのシリカ（ＳｉＯ２）になった。【００５７】
最後に、はんだ付け性能を高めるために、電界めっき法により、外部電極層１２の表面に、第１のめっき層１３としてニッケル（Ｎｉ）めっき層、第２のめっき層１４としてスズ（Ｓｎ）めっき層を順次形成した。このようにして、積層セラミックコンデンサ１を作製した。【００５８】
なお、上記の実施例では、シリカゾルは、外部電極層１２を形成するための焼き付け工程にて、熱処理されることにより、無機酸化物としてのシリカ（ＳｉＯ２）になるので、追加の熱処理工程は不要である。【００５９】
得られた積層セラミックコンデンサ１の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したところ、内部電極層１１とセラミック積層体１０との間の空隙、すなわち、内部電極層１１とセラミック層１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆとの間の界面に存在する微細な空隙がシリカで充填されていることを確認した。【００６０】
これにより、積層セラミックコンデンサ１の耐湿負荷試験において寿命特性が向上することが予期される。【００６１】
今回開示された実施の形態や実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考慮されるべきである。本発明の範囲は以上の実施の形態や実施例ではなく、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての修正や変形を含むものであることが意図される。
【符号の説明】
【００６２】
１：積層セラミックコンデンサ、１０：セラミック積層体、１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ：セラミック層、１１：内部電極層、１２：外部電極層、１３：第１のめっき層、１４：第２のめっき層。
【図１】
2010073456.tif 000003
【図２】
2010073456.tif 000004
【国際調査報告】
2010073456.tif 000005
2010073456.tif 000006