(57)【要約】【課題】高透過率及び高屈折率を有する低誘電率膜を形成するインプリント材料の提供。【解決手段】  （Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び（Ｃ）成分を含有し、前記（Ａ）成分及び前記（Ｂ）成分の合計１００質量部に基づいて、５０乃至９５質量部の（Ａ）成分、及び５０乃至５質量部の（Ｂ）成分をそれぞれ含有するインプリント材料。（Ａ）成分：下記式（１）で表されるビスアリールフルオレン骨格を有する化合物（Ｂ）成分：分子内に少なくとも１個の重合性基を有する化合物（Ｃ）成分：光重合開始剤    【化１】2010146983.tif 000010（式中、Ｒはアクリロイル基、メタアクリロイル基又はビニル基を表し、Ａはアルキレン基を表し、ｍ及びｎは互いに独立して０乃至３の整数を表す。）【選択図】なし
2010146983.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び（Ｃ）成分を含有し、前記（Ａ）成分及び前記（Ｂ）成分の合計１００質量部に基づいて、５０乃至９５質量部の（Ａ）成分、及び５０乃至５質量部の（Ｂ）成分をそれぞれ含有するインプリント材料。
（Ａ）成分：下記式（１）で表されるビスアリールフルオレン骨格を有する化合物
（Ｂ）成分：分子内に少なくとも１個の重合性基を有する化合物
（Ｃ）成分：光重合開始剤
【化１】
2010146983.tif 000009
（式中、Ｒはアクリロイル基、メタアクリロイル基又はビニル基を表し、Ａはアルキレン基を表し、ｍ及びｎは互いに独立して０乃至３の整数を表す。）
【請求項２】
更に（Ｄ）成分として溶剤を含有する、請求項１に記載のインプリント材料。
【請求項３】
前記（Ａ）成分及び前記（Ｂ）成分の合計１００質量部に基づいて、７０質量部以上の前記（Ａ）成分を含有する、請求項１に記載のインプリント材料。
【請求項４】
前記（Ｂ）成分は重合性基として、アクリロイルオキシ基、メタアクリロイルオキシ基、ビニル基及びアリル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基を有する化合物であることを特徴とする、請求項１乃至請求項３のうちいずれか一項に記載のインプリント材料。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のうちいずれか一項に記載のインプリント材料から作製され、パターンが転写された膜。
【請求項６】
請求項５に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えた光学部材。
【請求項７】
請求項５に記載のパターンが転写された膜を備えた半導体素子。
【請求項８】
請求項５に記載のパターンが転写された膜を備えた電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント材料及び当該材料から作製され、パターンが転写された膜に関する。より詳しくは、本発明は、高透過率及び高屈折率を有する低誘電率膜を形成するインプリント材料、並びに当該材料から作製され、パターンが転写された膜に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
１９９５年、現プリンストン大学のチョウ教授らがナノインプリントリソグラフィという新たな技術を提唱した（特許文献１）。ナノインプリントリソグラフィは、任意のパターンを有する、モールドを樹脂膜が形成された基材と接触させ、当該樹脂膜を加圧すると共に、熱又は光を外部刺激として用い、目的のパターンを硬化された当該樹脂膜に形成する技術である。このナノインプリントリソグラフィは、従来の半導体デバイス製造における光リソグラフィ等に比べて簡便・安価にナノスケールの加工が可能であるという利点を有する。
したがって、ナノインプリントリソグラフィは、光リソグラフィ技術に代わり、半導体デバイス、オプトデバイス、ディスプレイ、記憶媒体、バイオチップ等の製造への適用が期待されている技術である。このことから、ナノインプリントリソグラフィに用いる光ナノインプリントリソグラフィ用硬化性組成物について様々な報告がなされている（特許文献２、３）。【０００３】
しかし、これまでにナノインプリントリソグラフィに用いる材料（以下、「インプリント材料」という。）として種々の材料が開示されているものの、電界効果トランジスタ等の半導体素子の層間絶縁膜及び／又はゲート絶縁膜等、及び光学部材に好適に或いは有利に使用することができる材料、具体的には低誘電率、高透過率及び高屈折率を有する膜を形成するナノインプリント材料については報告されていない。【０００４】
ところで、光学部材を形成する材料の一つとして、フルオレン骨格を有する化合物を用いたものが従来知られている。例えば、基板上に表面凹凸形状を形成するための、フルオレン骨格を有するモノマー又はオリゴマーを主とする樹脂形成成分と光重合開始剤を含有した、透過率が６０％以上のコーティング材等が報告されている（特許文献４〜６）。しかし、これら従来文献は、インプリント材料としての用途の提供を目的とするものでなく、かつ、ビスアリールフルオレン骨格を有する化合物をインプリント材料として用いることを示唆するものでもない。【０００５】
また、フルオレンジアクリレートをモノマーとして使用し、高屈折率を有する光学的物品を製造するための架橋性、注型用ポリマー組成物も報告されている（特許文献７）。しかし、この文献に報告されたフルオレン構造を持つポリマーは、屈折率、熱安定性、耐摩耗性及び耐衝撃性の点で優れた性質を有するものとするために採用されたものであると説明されており、この文献は当該ポリマーに対して低誘電率という性質を付与することまでは示唆していない。さらに、当該ポリマー組成物は高屈折率を必要とするが、低誘電率までは必要としないところのビデオディスクや眼科用レンズのようなプラスチック光学物品の製造に用いられることを目的として開発されたものであり、この文献では、当該組成物について半導体素子、特にインプリント材料への適用の可能性については何も示唆していない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第５７７２９０５号明細書
【特許文献２】特開２００８−１０５４１４号公報
【特許文献３】特開２００８−２０２０２２号公報
【特許文献４】特開２００１−２９４８００号公報
【特許文献５】特開２００２−１８２０１７号公報
【特許文献６】特開２００３−５３６８号公報
【特許文献７】特開平７−２９３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記の事情に基づいてなされたものであり、その解決しようとする課題は、高透過率及び高屈折率を有する低誘電率膜を形成するインプリント材料を提供することであり、また、当該材料から作製され、パターンが転写された膜を提供することである。
ここで、上述より、本発明の課題は、高透過率、高屈折率及び低誘電率を有する膜を形成するインプリント材料を提供することである。具体的には、透過率については、例えば、９５％以上、好ましくは９８％以上の高い透過率を有する膜を形成する材料の提供を目的とし、屈折率については、例えば、１．５７以上、好ましくは１．６０以上の高い屈折率を有する膜を形成する材料の提供を目的とし、誘電率については、例えば、２．０以上３．２以下、好ましくは３．０以下の低い誘電率を有する膜を形成する材料の提供を目的とする。
とりわけ、本発明の特徴は、透過率、屈折率及び誘電率等の諸特性について全て満足する性能を有する膜を形成するインプリント材料を提供することにある。
また、本明細書では、形成されるパターンサイズがナノメートルオーダーに限らず、例えば、マイクロメートルオーダーである場合を含む光ナノインプリント技術を光インプリントと称する。さらに、本明細書では、“誘電率”とは比誘電率を意味する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記の課題を解決するべく鋭意検討を行った結果、ビスアリールフルオレン骨格を有する化合物の単量体が、それを含む膜に低誘電率という性質を付与することを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、
（Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び（Ｃ）成分を含有し、前記（Ａ）成分及び前記（Ｂ）成分の合計１００質量部に基づいて、５０乃至９５質量部の（Ａ）成分、及び５０乃至５質量部の（Ｂ）成分をそれぞれ含有するインプリント材料。
（Ａ）成分：下記式（１）で表されるビスアリールフルオレン骨格を有する化合物
（Ｂ）成分：分子内に少なくとも１個の重合性基を有する化合物
（Ｃ）成分：光重合開始剤
【化１】
2010146983.tif 000003
（式中、Ｒはアクリロイル基、メタアクリロイル基又はビニル基を表し、Ａはアルキレン基を表し、ｍ及びｎは互いに独立して０乃至３の整数を表す。）
【発明の効果】
【０００９】
本発明では、低誘電率を与えるビスアリールフルオレン骨格を有する化合物がインプリント材料に含有されているため、当該インプリント材料から作製され、パターンが転写された膜は、低誘電率、高透過率及び高屈折率を有する。
本発明のインプリント材料は、光硬化が可能であり、かつその硬化膜は、モールドの離型時にパターンの一部の剥がれが生じないため、所望のパターンが正確に形成された膜が得られる。したがって、良好な光インプリントのパターン形成が可能である。
また、本発明のインプリント材料は、任意の基材上に成膜することができ、インプリント後に形成されるパターンが転写された膜は、光学部材だけでなく、電界効果トランジスタ等の半導体素子の層間絶縁膜及び／又はゲート絶縁膜に好適に用いることができる。
さらに、本発明のインプリント材料は、分子内に少なくとも２個の重合性基を有する化合物の種類を変更することで、硬化速度、動的粘度、膜厚をコントロールすることができる。したがって、本発明のインプリント材料は、製造するデバイス種と露光プロセス及び焼成プロセスの種類に対応した材料の設計が可能であり、プロセスマージンを拡大できるため、光学部材の製造に好適に用いることができる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明は、ビスアリールフルオレン骨格を有する化合物を単量体で用いて、それを含むインプリント材料から形成される膜に低誘電率という性質を付与した点に特徴がある。すなわち、（Ａ）成分のビスアリールフルオレン骨格を有する化合物と、（Ｂ）成分の分子内に少なくとも１個の重合性基を有する化合物と、（Ｃ）成分の光重合開始剤を含有するインプリント材料である。更には、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分に加えて、（Ｄ）成分として溶剤をも含有することのできるインプリント材料である。
以下、各成分について詳細に説明する。
【００１１】
＜（Ａ）成分＞
（Ａ）成分であるビスアリールフルオレン骨格を有する化合物は、下記式（１）で表される。
【００１２】
【化２】
2010146983.tif 000004
（式中、Ｒはアクリロイル基、メタアクリロイル基又はビニル基を表し、Ａはアルキレン基を表し、ｍ及びｎは互いに独立して０乃至３の整数を表す。）
【００１３】
上記アルキレン基は、例えば炭素原子数１乃至３のアルキレン基である。上記ｍ及びｎは、例えば１である。
【００１４】
本発明では、上記ビスアリールフルオレン骨格を有する化合物は、単量体で用いることができ、それを含むインプリント材料から形成される膜に低誘電率という性質を付与することができる。
【００１５】
上記ビスアリールフルオレン骨格を有する化合物は、市販品として入手が可能であり、その具体例としては、オグゾール（登録商標）ＥＡ−０２００、同ＥＡ−０５００、同ＥＡ−１０００、同ＥＡ−Ｆ５００３、同ＥＡ−Ｆ５５０３（以上、大阪ガスケミカル株式会社）等が挙げられる。
【００１６】
上記ビスアリールフルオレン骨格を有する化合物は、単独又は２種以上の組み合わせで使用することができる。
【００１７】
本発明のインプリント材料における（Ａ）成分の含有量は、当該（Ａ）成分及び後述する（Ｂ）成分の合計１００質量部に基づいて、好ましくは５０乃至９５質量部、より好ましくは７０質量部以上である。この割合が過少である場合には、誘電率は増大するため、目的とする物性を得ることが困難となる。
【００１８】
＜（Ｂ）成分＞
（Ｂ）成分の「分子内に少なくとも１個の重合性基を有する化合物」とは、一分子中に重合性基を１個以上有し、かつ該重合性基が分子末端にある化合物のことを表す。そして、当該化合物は単量体であるか、又はオリゴマーであってもよい。また、当該重合性基としては、例えば、アクリロイルオキシ基、メタアクリロイルオキシ基、ビニル基及びアリル基からなる群から選ばれる少なくとも１種類の有機基のことを指す。ここで、アクリロイルオキシ基はアクリロキシ基と、メタアクリロイルオキシ基はメタアクリロキシ基と表現されることがある。また、（Ｂ）成分の化合物における一分子中の当該重合性基の数は、一般的には１個乃至６個であるが、６個を超えても良い。
【００１９】
上記（Ｂ）成分である重合性基を少なくとも１個有する化合物としては、例えば、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレート、ペンタエリスリトールジメタクリレート、テトラメチロールプロパンテトラアクリレート、テトラメチロールプロパンテトラメタクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、テトラメチロールメタンテトラメタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、１，３，５−トリアクリロイルヘキサヒドロ−Ｓ−トリアジン、１，３，５−トリメタクリロイルヘキサヒドロ−Ｓ−トリアジン、トリス（ヒドロキシエチルアクリロイル）イソシアヌレート、トリス（ヒドロキシエチルメタクリロイル）イソシアヌレート、トリアクリロイルホルマール、トリメタクリロイルホルマール、１，６−ヘキサンジオールアクリレート、１，６−ヘキサンジオールメタクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、エタンジオールジアクリレート、エタンジオールジメタクリレート、２−ヒドロキシプロパンジオールジアクリレート、２−ヒドロキシプロパンジオールジメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、イソプロピレングリコールジアクリレート、イソプロピレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、Ｎ，Ｎ’−ビス（アクリロイル）システイン、Ｎ，Ｎ’−ビス（メタクリロイル）システイン、チオジグリコールジアクリレート、チオジグリコールジメタクリレート、ビスフェノールＡジアクリレート、ビスフェノールＡメタクリレート、ビスフェノールＦジアクリレート、ビスフェノールＦメタクリレート、ビスフェノールＳジアクリレート、ビスフェノキシエタノールフルオレンジメタクリレート、ジアリルエーテルビスフェノールＡ、ｏ−ジアリルビスフェノールＡ、マレイン酸ジアリル、トリアリルトリメリテート、ベンジルアクリレート、２−フェノキシエチルアクリレート等が挙げられる。
【００２０】
上記化合物は、市販品として入手が可能であり、その具体例としては、ＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）Ｔ−１４２０、同ＤＰＨＡ、同ＤＰＨＡ−２Ｃ、同Ｄ−３１０、同Ｄ−３３０、同ＤＰＣＡ−２０、同ＤＰＣＡ−３０、同ＤＰＣＡ−６０、同ＤＰＣＡ−１２０、同ＤＮ−００７５、同ＤＮ−２４７５、同Ｒ−５２６、同ＮＰＧＤＡ、同ＰＥＧ４００ＤＡ、同ＭＡＮＤＡ、同Ｒ−１６７、同ＨＸ−２２０、同ＨＸ６２０、同Ｒ−５５１、同Ｒ−７１２、同Ｒ−６０４、同Ｒ−６８４、同ＧＰＯ−３０３、同ＴＭＰＴＡ、同ＴＨＥ−３３０、同ＴＰＡ−３２０、同ＴＰＡ−３３０、同ＰＥＴ−３０、同ＲＰ−１０４０（以上、日本化薬株式会社製）、アロニックス（登録商標）Ｍ−２１０、同Ｍ−２４０、同Ｍ−６２００、同Ｍ−３０９、同Ｍ−４００、同Ｍ−４０２、同Ｍ−４０５、同Ｍ−４５０、同Ｍ−７１００、同Ｍ−８０３０、同Ｍ−８０６０、同Ｍ−１３１０、同Ｍ−１６００、同Ｍ−１９６０、同Ｍ−８１００、同Ｍ−８５３０、同Ｍ−８５６０、同Ｍ−９０５０（以上、東亜合成株式会社製）、ビスコート２９５、同３００、同３６０、同ＧＰＴ、同３ＰＡ、同４００、同２６０、同３１２、同３３５ＨＰ（以上、大阪有機化学工業株式会社製）等を挙げることができる。
【００２１】
上記（Ｂ）成分は、例えば、一分子中に当該重合性基を５個有する化合物と６個有する化合物との混合物であっても良い。したがって、上記化合物は、単独又は２種以上の組み合わせで使用することができる。
【００２２】
（Ｂ）成分は、粘性が高い（Ａ）成分であるビスアリールフルオレン骨格を有する化合物の粘度調節の役割を果たす。
したがって、本発明のインプリント材料における（Ｂ）成分の含有量は、上記（Ａ）成分及び上記（Ｂ）成分の合計１００質量部に基づいて、好ましくは５０乃至５質量部、より好ましくは１０質量部以上である。この割合が過大である場合には、誘電率は増大し、一方、この割合が過少である場合には、ハンドリング性が悪化する。
【００２３】
＜（Ｃ）成分＞
（Ｃ）成分である光重合開始剤としては、例えば、ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシ−ｉｓｏ−ブタレート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ベンゾイルジオキシ）ヘキサン、１，４−ビス［α−（ｔｅｒｔ−ブチルジオキシ）−ｉｓｏ−プロポキシ］ベンゼン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシド、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルジオキシ）ヘキセンヒドロペルオキシド、α−（ｉｓｏ−プロピルフェニル）−ｉｓｏ−プロピルヒドロペルオキシド、２，５−ジメチルヘキサン、ｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシド、１，１−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルジオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、ブチル−４，４−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルジオキシ）バレレート、シクロヘキサノンペルオキシド、２，２’，５，５’−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’，４，４’−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’，４，４’−テトラ（ｔｅｒｔ−アミルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’，４，４’−テトラ（ｔｅｒｔ−ヘキシルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシカルボニル）−４，４’−ジカルボキシベンゾフェノン、ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシベンゾエート、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジペルオキシイソフタレート等の有機過酸化物や、９，１０−アントラキノン、１−クロロアントラキノン、２−クロロアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン等のキノン類や、ベンゾインメチル、ベンゾインエチルエーテル、α−メチルベンゾイン、α−フェニルベンゾイン等のベンゾイン誘導体、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−１−[４−｛４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）ベンジル｝−フェニル]−２−メチル−プロパン−１−オン、フェニルグリオキシリックアシッドメチルエステル、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１、２−ジメチルアミノ−２−（４−メチル−ベンジル）−１−（４−モリフォリン−４−イル−フェニル）−ブタン−１−オン、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド、２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド、１，２−オクタンジオン，１−［４−（フェニルチオ）−，２−（ｏ−ベンゾイルオキシム）］、エタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−，１−（ｏ−アセチルオキシム）等が挙げられるが、光硬化時に使用する光源に吸収をもつものであれば、特に限定されるものではない。
【００２４】
上記化合物は、市販品として入手が可能であり、その具体例としては、ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）６５１、同１８４、同５００、同２９５９、同１２７、同７５４、同９０７、同３６９、同３７９、同３７９ＥＧ、同８１９、同８１９ＤＷ、同１８００、同１８７０、同７８４、同ＯＸＥ０１、同ＯＸＥ０２、同２５０、ＤＡＲＯＣＵＲ（登録商標）１１７３、同ＭＢＦ、同ＴＰＯ、同４２６５（以上、チバ・ジャパン株式会社製）、ＫＡＹＡＣＵＲＥ（登録商標）ＤＥＴＸ、同ＭＢＰ、同ＤＭＢＩ、同ＥＰＡ、同ＯＡ（以上、日本化薬株式会社製）、ＶＩＣＵＲＥ−１０、同５５（以上、ＳＴＡＵＦＦＥＲ  Ｃｏ．  ＬＴＤ製）、ＥＳＡＣＵＲＥ  ＫＩＰ１５０、同ＴＺＴ、同１００１、同ＫＴＯ４６、同ＫＢ１、同ＫＬ２００、同ＫＳ３００、同ＥＢ３、トリアジン−ＰＭＳ、トリアジンＡ、トリアジンＢ（以上、日本シイベルヘグナー株式会社製）、アデカオプトマ−Ｎ−１７１７、同Ｎ−１４１４、同Ｎ−１６０６（株式会社ＡＤＥＫＡ（旧旭電子工業株式会社）製）等が挙げられる。
【００２５】
上記光重合開始剤は、単独又は２種以上の組み合わせで使用することができる。
【００２６】
本発明のインプリント材料における（Ｃ）成分の含有量は、上記（Ａ）成分及び上記（Ｂ）成分の総質量に対して、０．５ｐｈｒ乃至３０ｐｈｒであることが好ましく、１ｐｈｒ乃至２０ｐｈｒであることがより好ましい。この割合が０．１ｐｈｒ以下の場合には、十分な硬化性が得られず、パターニング特性が悪化するからである。ここで、ｐｈｒとは、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の総質量１００ｇに対する、光重合開始剤の質量を表す。
【００２７】
＜（Ｄ）成分＞
本発明においては（Ｄ）成分として溶剤を含有しても良い。
（Ｄ）成分である溶剤は、（Ａ）成分であるビスアリールフルオレン骨格を有する化合物の粘度調節の役割を果たす。
【００２８】
上記溶剤としては、例えば、トルエン、ｐ−キシレン、ｏ−キシレン、スチレン、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコ−ルジメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、１−オクタノール、エチレングリコール、ヘキシレングリコール、ジアセトンアルコール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、プロピレングリコール、ベンジルアルコール、１，３−ブタンジオール、１,４−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、γ−ブチロラクトン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、シクロヘキサノン、２−ヘプタノン、酢酸エチル、酢酸イソプロピルケトン、酢酸ｎ−プロピル、酢酸イソブチル、酢酸ｎ−ブチル、乳酸エチル、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、アリルアルコール、ｎ−プロパノール、２−メチル−２−ブタノール、イソブタノール、ｎ−ブタノール、２−メチル−１−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチルー１−ペンタノール、２−エチルヘキサノール、１−オクタノール、エチレングリコール、ヘキシレングリコール、トリメチレングリコール、１−メトキシ−２−ブタノール、ジアセトンアルコール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフリフリルアルコール、プロピレングリコール、ベンジルアルコール、イソプロピルエーテル、１，４−ジオキサン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、Ｎ−シクロヘキシル−２−ピロリジン等が挙げられ、上記（Ａ）成分の粘度を調節することができるものであれば、特に限定されるものではない。
【００２９】
しかし、ビスアリールフルオレン骨格を有する化合物、分子内に少なくとも２個の重合性基を有する化合物及び光重合開始剤との相溶性の観点から、上記溶剤は、好ましくは、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、ジアセトンアルコール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、エチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコール、メチルセロソルブ、エチレンセロソルブ、ブチルセロソルブ、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、シクロヘキサノン、酢酸メチルエステル、酢酸エチルエステル等である。
【００３０】
上記溶剤は、単独又は２種以上の組み合わせで使用することができる。
【００３１】
本発明のインプリント材料は、本発明の効果を損なわない限りにおいて、必要に応じて、光増感剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、界面活性剤、密着補助剤等を含有することができる。
【００３２】
上記光増感剤としては、例えば、チオキサンテン系、キサンテン系、ケトン系、チオピリリウム塩系、ベーススチリル系、メロシアニン系、３−置換クマリン系、３，４−置換クマリン系、シアニン系、アクリジン系、チアジン系、フェノチアジン系、アントラセン系、コロネン系、ベンズアントラセン系、ペリレン系、ケトクマリン系、フマリン系、ボレート系等が挙げられる。
【００３３】
上記光増感剤は、単独又は２種以上の組み合わせで使用することができる。当該光増感剤を用いることによって、ＵＶ領域の波長を調整することもできる。
【００３４】
上記紫外線吸収剤としては、例えば、ＴＩＮＵＶＩＮ（登録商標）ＰＳ、同９９−２、同１０９、同３２８、同３８４−２、同４００、同４０５、同４６０、同４７７、同４７９、同９００、同９２８、同１１３０、同１１１ＦＤＬ、同１２３、同１４４、同１５２、同２９２、同５１００、同４００−ＤＷ、同４７７−ＤＷ、同９９−ＤＷ、同１２３−ＤＷ、同５０５０、同５０６０、同５１５１（以上、チバ・ジャパン株式会社）等が挙げられる。
【００３５】
上記紫外線吸収剤は、単独又は２種以上の組み合わせで使用することができる。当該紫外線吸収剤を用いることによって、光硬化時に膜の最表面の硬化速度を制御することができ、離型性を向上できる場合がある。
【００３６】
上記酸化防止剤としては、例えば、ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標）１０１０、同１０３５、同１０７６、同１１３５、同１５２０Ｌ（以上、チバ・ジャパン株式会社）等が挙げられる。
【００３７】
上記酸化防止剤は、単独又は２種以上の組み合わせで使用することができる。当該酸化防止剤を用いることで、酸化によって膜が黄色に変色することを防止することができる。
【００３８】
上記界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンアセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレインエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニエルフェノールエーテル類のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、商品名エフトップ（登録商標）ＥＦ３０１、Ｅｆ３０３、ＥＦ３５２（三菱マテリアル電子化成株式会社（旧株式会社ジェムコ製））、商品名メガファック（登録商標）Ｆ１７１、Ｆ１７３、Ｒ−０８、Ｒ−３０（ＤＩＣ株式会社製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム株式会社製）、商品名アサヒガード（登録商標）ＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６（旭硝子株式会社製）等のフッ素系界面活性剤、及びオルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業株式会社製）、ＢＹＫ−３０２、ＢＹＫ−３０７、ＢＹＫ−３２２、ＢＹＫ−３２３、ＢＹＫ−３３０、ＢＹＫ−３３３、ＢＹＫ−３７０、ＢＹＫ−３７５、ＢＹＫ−３７８（ビックケミー・ジャパン株式会社製）等を挙げることができる。
【００３９】
上記界面活性剤は、単独又は２種以上の組み合わせで使用することができる。界面活性剤が使用される場合、その割合は、上記（Ａ）成分及び上記（Ｂ）成分の総質量に対して、好ましくは０．０１ｐｈｒ乃至１０ｐｈｒ、より好ましくは０．０１ｐｈｒ乃至５ｐｈｒである。
【００４０】
上記密着補助剤としては、例えば、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。当該密着補助剤を用いることによって、基材との密着性が向上する。当該密着補助剤の含有量は、上記（Ａ）成分及び上記（Ｂ）成分の総質量に対して、好ましくは５ｐｈｒ乃至５０ｐｈｒ、より好ましくは１０ｐｈｒ乃至５０ｐｈｒである。
【００４１】
本発明のインプリント材料の調製方法は、特に限定されないが、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分が均一に混合した状態であれば良い。また、（Ａ）成分乃至（Ｄ）成分を混合する際の順序は、均一な溶液が得られるなら問題なく、特に限定されない。当該調製方法としては、例えば、（Ａ）成分に（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分を所定の割合で混合する方法等が挙げられる。また、これに更に（Ｄ）成分を混合し、均一な溶液とする方法等も挙げられる。さらに、この調製方法の適当な段階において、必要に応じて、その他の添加剤を更に添加して混合する方法が挙げられる。
【００４２】
また、（Ｄ）成分である溶剤を用いる場合には、光照射前の被膜及び光照射後の被膜の少なくとも一方に対し、溶剤を蒸発させる目的で、焼成しても良い。焼成機器としては、特に限定されるものではなく、例えば、ホットプレート、オーブン、ファーネスを用いて、適切な雰囲気下、すなわち大気、窒素等の不活性ガス、真空中等で焼成することができるものであればよい。焼成温度は、溶剤を蒸発させる目的では、特に限定されないが、例えば、４０乃至２００℃で行うことができる。
【００４３】
本発明のインプリント材料は、基材に塗布し光硬化し、その後必要に応じて、加熱することで所望の被膜を得ることができる。塗布方法としては、公知又は周知の方法、例えば、スピンコート法、ディップ法、フローコート法、インクジェット法、スプレー法、バーコート法、グラビアコート法、スリットコート法、ロールコート法、転写印刷法、刷毛塗り、ブレードコート法、エアーナイフコート法等を挙げることができる。
【００４４】
本発明のインプリント材料を塗布するための基材としては、例えば、シリコン、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が成膜されたガラス（以下、「ＩＴＯ基板」と略す）、シリコンナイトライド（ＳｉＮ）が成膜されたガラス、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）が成膜されたガラス、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、プラスチック、ガラス、石英、セラミックス等からなる基材を挙げることができる。また、可撓性を有するフレキシブル基材を用いることも可能である。
【００４５】
本発明のインプリント材料を硬化させる光源としては、特に限定されないが、例えば、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、ＫｒＦエキシマーレーザー、ＡｒＦエキシマーレーザー、Ｆ2エキシマーレーザー、電子線（ＥＢ）、極端紫外線（ＥＵＶ）等を挙げることができる。また、波長は、一般的には、４３６ｎｍのＧ線、４０５ｎｍのＨ線、３６５ｎｍのＩ線、又はＧＨＩ混合線を用いることができる。さらに、露光量は、好ましくは、３０乃至２０００ｍＪ／ｃｍ2、より好ましくは３０乃至１０００ｍＪ／ｃｍ2である。
【００４６】
光インプリントを行う装置は、目的のパターンが得られれば、特に限定されないが、例えば、東芝機械株式会社のＳＴ５０、Ｏｂｄｕｃａｔ製のＳｉｎｄｒｅ（登録商標）６０、明昌機構株式会社製のＮＭ−０８０１ＨＢ等の市販されている装置を用いることができる。
【００４７】
本発明で用いる光インプリント用に使用するモールド材としては、例えば、石英、シリコン、ニッケル、カルボニルシラン、グラッシーカーボン等を挙げることができるが、目的のパターンが得られるなら、特に限定されない。また、モールドは、離型性を高めるために、その表面にフッ素系化合物等の薄膜を形成する離型処理を行っても良い。離型処理に用いる離型剤としては、例えば、ダイキン工業株式会社製のオプツール（登録商標）ＨＤ等が挙げられるが、目的のパターンが得られるなら、特に限定されない。
【００４８】
光インプリントのパターンは、目的の電子デバイスに適合したパターンを選択すればよく、パターンサイズもこれに準ずる。パターンサイズは、例えば、ナノメートルオーダー及びマイクロメートルオーダーである。
【実施例】
【００４９】
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を更に詳しく説明するが、本発明は、これら実施例に限定されるものでない。【００５０】
[被膜形成用塗布液の調製]
＜実施例１＞
オグソール（登録商標）ＥＡ−０２００（大阪ガスケミカル株式会社製）（以下、「オグソール」と略す）  １０ｇにＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ネオペンチルグリコールジアクリレート（日本化薬株式会社製）（以下、「ＮＰＧＤＡ」と略す）を２．５ｇ（オグソール１００質量部に対して２５質量部）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）ＯＸＥ０１（チバ・ジャパン株式会社製）（以下、「ＯＸＥ０１」と略す）を０．６２ｇ(オグソール及びＮＰＧＤＡの総質量に対して５ｐｈｒ)を加え、インプリント材料ＰＮＩ−１を調製した。【００５１】
＜実施例２＞
実施例１のＮＰＧＤＡをペンタエリスリトールトリアクリレート（アルドリッチ社製）(以下、「ＰＴＡ」と略す)に変更した以外は同様にインプリント材料ＰＮＩ−２を調製した。【００５２】
＜実施例３＞
実施例１で得られたＰＮＩ−１にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（以下、「ＰＧＭＥＡ」と略す）を１３．１ｇ加えてインプリント材料ＰＮＩ−３を調製した。【００５３】
＜実施例４＞
実施例２で得られたＰＮＩ−２にＰＧＭＥＡを１３．１ｇ加えてインプリント材料ＰＮＩ−４を調製した。【００５４】
＜比較例１＞
ＮＰＧＤＡ  １０ｇにＯＸＥ０１  ０．５ｇ(ＮＰＧＤＡに対して５ｐｈｒ)を加えてインプリント材料ＰＮＩ−aを調製した。【００５５】
＜比較例２＞
比較例１のＮＰＧＤＡをＰＴＡに変更した以外は同様にインプリント材料ＰＮＩ−ｂを調製した。【００５６】
＜比較例３＞
実施例１のオグソールをＰＴＡに変更した以外は同様にインプリント材料ＰＮＩ−ｃを調製した。【００５７】
＜比較例４＞
比較例１で得られたＰＮＩ−ａにＰＧＥＭＡを１０．５ｇ加えてインプリント材料ＰＮＩ−ｄを調製した。【００５８】
＜比較例５＞
比較例２で得られたＰＮＩ−ｂにＰＧＥＭＡを１０．５ｇ加えてインプリント材料ＰＮＩ−eを調製した。【００５９】
＜比較例６＞
比較例３で得られたＰＮＩ−ｃにＰＧＥＭＡを１０．５ｇ加えてインプリント材料ＰＮＩ−ｆを調製した。【００６０】
[光インプリント用被膜の作製]
実施例１で得たＰＮＩ−１を石英基板上にスピンコートし、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−１Ｆ）を得た。【００６１】
実施例２で得たＰＮＩ−２を石英基板上にスピンコートし、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−２Ｆ）を得た。【００６２】
実施例３で得たＰＮＩ−３を石英基板上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで１分間仮焼成を行い、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−３Ｆ）を得た。【００６３】
実施例４で得たＰＮＩ−４を石英基板上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで１分間仮焼成を行い、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−４Ｆ）を得た。【００６４】
比較例１で得たＰＮＩ−ａを石英基板上にスピンコートし、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−aＦ）を得た。【００６５】
比較例２で得たＰＮＩ−ｂを石英基板上にスピンコートし、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−ｂＦ）を得た。【００６６】
比較例３で得たＰＮＩ−ｃを石英基板上にスピンコートし、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−ｃＦ）を得た。【００６７】
比較例４で得たＰＮＩ−ｄを石英基板上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで１分間仮焼成を行い、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−ｄＦ）を得た。【００６８】
比較例５で得たＰＮＩ−ｅを石英基板上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで１分間仮焼成を行い、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−eＦ）を得た。【００６９】
比較例６で得たＰＮＩ−ｆを石英基板上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで１分間仮焼成を行い、光インプリント用被膜（ＰＮＩ−ｆＦ）を得た。【００７０】
[光インプリント]
ナノインプリント装置は、ＮＭ−０８０１ＨＢ（明昌機構株式会社製）を使用した。
実施例１乃至実施例４並びに比較例１乃至比較例６で得られた各光インプリント用被膜をパターニング試験した。用いたモールドはシリコン製であり、パターンは１２０ｎｍのラインアンドスペースとした。モールドは事前にオプツール（登録商標）ＨＤ（ダイキン工業株式会社製）に浸漬し、温度が９０℃、湿度が９０ＲＨ％の高温高湿装置を用いて２時間処理し、純水でリンス後、エアーで乾燥させたものを使用した。【００７１】
実施例１で得たＰＮＩ−１から作製されたＰＮＩ−１Ｆにシリコンモールドを接着させた状態で、光インプリント装置に設置した。光インプリントは、常時２３℃の条件で、ａ）１０秒間かけて１０００Ｎまで加圧、ｂ）高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ2の露光、ｃ）１０秒間かけて除圧、ｄ）モールドと基板を分離して離型、というシーケンスで行った。光インプリントの結果を表１に示す。【００７２】
実施例２で得たＰＮＩ−２から作製されたＰＮＩ−２Ｆを用いた以外は上記と同様に光インプリントを行った。光インプリントの結果を表１に示す。【００７３】
実施例３で得たＰＮＩ−３から作製されたＰＮＩ−３Ｆを用いた以外は上記と同様に光インプリントを行った。光インプリントの結果を表１に示す。【００７４】
実施例４で得たＰＮＩ−４から作製されたＰＮＩ−４Ｆを用いた以外は上記と同様に光インプリントを行った。光インプリントの結果を表１に示す。【００７５】
比較例１で得たＰＮＩ−aから作製されたＰＮＩ−aＦを用いた以外は上記と同様に光インプリントを行った。光インプリントの結果を表１に示す。【００７６】
比較例２で得たＰＮＩ−ｂから作製されたＰＮＩ−ｂＦを用いた以外は上記と同様に光インプリントを行った。光インプリントの結果を表１に示す。【００７７】
比較例３で得たＰＮＩ−ｃから作製されたＰＮＩ−ｃＦを用いた以外は上記と同様に光インプリントを行った。光インプリントの結果を表１に示す。【００７８】
比較例４で得たＰＮＩ−ｄから作製されたＰＮＩ−ｄＦを用いた以外は上記と同様に光インプリントを行った。光インプリントの結果を表１に示す。【００７９】
比較例５で得たＰＮＩ−eから作製されたＰＮＩ−eＦを用いた以外は上記と同様に光インプリントを行った。光インプリントの結果を表１に示す。【００８０】
比較例６で得たＰＮＩ−ｆから作製されたＰＮＩ−ｆＦを用いた以外は上記と同様に光インプリントを行った。光インプリントの結果を表１に示す。【００８１】
【表１】
2010146983.tif 000005
【００８２】
表１において、「光硬化」とは露光後に膜が硬化したかどうかの評価をいい、“○”は硬化した、“×”は硬化しなかった、を示す。「剥がれ」とは、離型時にパターンの一部がモールドに付着する等により剥がれたかどうかの評価をいい、“○”は剥がれなかった、“×”は剥がれがみられた、を示す。「形状」とは、離型後の膜にモールドのパターンが良好に転写されたかどうかの評価をいい、○は良好に転写された、×は良好に転写されなかった、を示す。【００８３】
表１の結果から、実施例１乃至４は、良好な光インプリントにおけるパターン形成が可能であった。一方、比較例１乃至６は、露光により膜が硬化したが、いずれも離型時にパターンの一部が剥がれ、離型後の膜にモールドのパターンが良好に転写されなかった。【００８４】
以上の結果から、良好な光インプリントが可能な低誘電率膜を形成するインプリント材料の構成は、（Ａ）成分：上記式（１）で表されるビスアリールフルオレン骨格を有する化合物、（Ｂ）成分：分子内に少なくとも重合性基を２個有する化合物、及び（Ｃ）成分：光重合開始剤、が必須であることが明らかとなった。さらに、（Ｄ）成分：溶剤を含有しても良いことが明らかとなった。【００８５】
[誘電率の測定]
誘電率測定は、真空簡易プローバＭＪ−１０（（株）メジャージグ製）及びＡＧ−４３１１Ｂ  ＬＣＲメータ（安藤電機（株）製）を使用し、周波数１００ｋＨｚで測定を行った。【００８６】
実施例１で得たＰＮＩ−１をＩＴＯ基板上にスピンコートし、その上に石英基板を被せて常時２３℃の条件で、ａ）１０秒間かけて１０００Ｎまで加圧、ｂ）高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ2の露光、ｃ）１０秒間かけて除圧、ｄ）石英基板とＩＴＯ基板を分離して離型、というシーケンスでＩＴＯ基板上に光硬化膜を作製し、膜の一部を削り取りＩＴＯを剥き出しにした。そして剥き出しになったＩＴＯ上および硬化膜上へそれぞれアルミニウムを直径１ｍｍ、厚さ０．１μｍとなるように蒸着を行い、プローブを接触させて誘電率測定を行った。結果を表２に示す。【００８７】
実施例２で得たＰＮＩ−２を使用した以外は上記と同様に誘電率測定を行った。結果を表２に示す。【００８８】
実施例３で得たＰＮＩ−３をＩＴＯ基板上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで1分間仮焼成を行い、その上に石英基板を被せて常時２３℃の条件で、ａ）１０秒間かけて１０００Ｎまで加圧、ｂ）高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ2の露光、ｃ）１０秒間かけて除圧、ｄ）石英基板とＩＴＯ基板を分離して離型、というシーケンスでＩＴＯ基板上に光硬化膜を作製し、２００℃のホットプレートで1分間焼成を行った。膜の一部を削り取りＩＴＯを剥き出しにした。そして剥き出しになったＩＴＯ上および硬化膜上へそれぞれアルミニウムを直径１ｍｍ、厚さ０．１μｍとなるように蒸着を行い、プローブを接触させて誘電率測定を行った。結果を表２に示す。【００８９】
実施例４で得たＰＮＩ−４をＰＮＩ−３の代わりに使用した以外は上記と同様に誘電率測定を行った。結果を表２に示す。【００９０】
比較例１で得たＰＮＩ−aをＩＴＯ基板上にスピンコートし、その上に石英基板を被せて常時２３℃の条件で、ａ）１０秒間かけて１０００Ｎまで加圧、ｂ）高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ2の露光、ｃ）１０秒間かけて除圧、ｄ）石英基板とＩＴＯ基板を分離して離型、というシーケンスでＩＴＯ基板上に光硬化膜を作製し、膜の一部を削り取りＩＴＯを剥き出しにした。そして剥き出しになったＩＴＯ上および硬化膜上へそれぞれアルミニウムを直径１ｍｍ、厚さ０．１μｍとなるように蒸着を行い、プローブを接触させて誘電率測定を行った。結果を表２に示す。【００９１】
比較例２で得たＰＮＩ−ｂを使用した以外は上記と同様に誘電率測定を行った。結果を表２に示す。【００９２】
比較例３で得たＰＮＩ−ｃを使用した以外は上記と同様に誘電率測定を行った。結果を表２に示す。【００９３】
比較例４で得たＰＮＩ−ｄをＩＴＯ基板上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで1分間仮焼成を行い、その上に石英基板を被せて常時２３℃の条件で、ａ）１０秒間かけて１０００Ｎまで加圧、ｂ）高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ2の露光、ｃ）１０秒間かけて除圧、ｄ）石英基板とＩＴＯ基板を分離して離型、というシーケンスでＩＴＯ基板上に光硬化膜を作製し、２００℃のホットプレートで1分間焼成を行った。膜の一部を削り取りＩＴＯを剥き出しにした。そして剥き出しになったＩＴＯ上および硬化膜上へそれぞれアルミニウムを直径１ｍｍ、厚さ０．１μｍとなるように蒸着を行い、プローブを接触させて誘電率測定を行った。結果を表２に示す。【００９４】
比較例５で得たＰＮＩ−eをＰＮＩ−ｄの代わりに使用した以外は上記と同様に誘電率測定を行った。結果を表２に示す。【００９５】
比較例６で得たＰＮＩ−ｆをＰＮＩ−ｄの代わりに使用した以外は上記の同様に誘電率測定を行った。結果を表２に示す。【００９６】
【表２】
2010146983.tif 000006
【００９７】
表２の結果から、実施例１乃至４は、低誘電率を有する被膜の形成が可能であった。一方、比較例１乃至６は、実施例１乃至４に比べて、誘電率が高い結果となった。
以上の結果から、本発明のインプリント材料により得られる膜は、３．０以下の低誘電率を有するものとなる。【００９８】
[透過率の測定]
透過率測定は、ＵＶ−２５５０  ＵＶ−ＶＩＳＩＢＬＥ  ＳＰＥＣＴＲＯＰＨＯＴＯＭＥＴＥＲ（株式会社島津製作所製）を使用し、波長４００ｎｍにおけるサンプル膜厚１μｍでの透過率を算出した。【００９９】
実施例１で得たＰＮＩ−１を石英基板上にスピンコートし、その上に別の石英基板を被せて常時２３℃の条件で、ａ）１０秒間かけて１０００Ｎまで加圧、ｂ）高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ2の露光、ｃ）１０秒間かけて除圧、ｄ）被せた石英基板を下側の石英基板より分離して離型、というシーケンスで石英基板上に光硬化膜を作製し、透過率測定を行った。結果を表３に示す。【０１００】
実施例２で得たＰＮＩ−２を使用した以外は上記と同様に石英基板上に光硬化膜を作製し、透過率測定を行った。結果を表３に示す。【０１０１】
実施例３で得たＰＮＩ−３を石英基板上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで１分間仮焼成を行った。その後、別の石英基板を被せて常時２３℃の条件でａ）１０秒間かけて１０００Ｎまで加圧、ｂ）高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ2の露光、ｃ）１０秒間かけて除圧、ｄ）被せた石英基板を下側の石英基板より分離して離型、というシーケンスで石英基板上に光硬化膜を作製して２００℃のホットプレート上で焼成を行った後、透過率測定を行った。結果を表３に示す。【０１０２】
実施例４で得たＰＮＩ−４をＰＮＩ−３の代わりに使用した以外は上記と同様に石英基板上に光硬化膜を作製し、透過率測定を行った。結果を表３に示す。【０１０３】
比較例１で得たＰＮＩ−aを石英基板上にスピンコートし、その上に別の石英基板を被せて常時２３℃の条件で、ａ）１０秒間かけて１０００Ｎまで加圧、ｂ）高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ2の露光、ｃ）１０秒間かけて除圧、ｄ）被せた石英基板を下側の石英基板より分離して離型、というシーケンスで石英基板上に光硬化膜を作製し、透過率測定を行った。結果を表３に示す。【０１０４】
比較例２で得たＰＮＩ−ｂを使用した以外は上記と同様に石英基板上に光硬化膜を作製し、透過率測定を行った。結果を表３に示す。【０１０５】
比較例３で得たＰＮＩ−ｃを使用した以外は上記と同様に石英基板上に光硬化膜を作製し、透過率測定を行った。結果を表３に示す。【０１０６】
比較例４で得たＰＮＩ−ｄを石英基板上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで１分間仮焼成を行った。その後、別の石英基板を被せて常時２３℃の条件でａ）１０秒間かけて１０００Ｎまで加圧、ｂ）高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ2の露光、ｃ）１０秒間かけて除圧、ｄ）被せた石英基板を下側の石英基板より分離して離型、というシーケンスで石英基板上に光硬化膜を作製して２００℃のホットプレート上で焼成を行った後、透過率測定を行った。結果を表３に示す。【０１０７】
比較例５で得たＰＮＩ−eをＰＮＩ−ｄの代わりに使用した以外は上記と同様に石英基板上に光硬化膜を作製し、透過率測定を行った。結果を表３に示す。【０１０８】
比較例６で得たＰＮＩ−ｆをＰＮＩ−ｄの代わりに使用した以外は上記と同様に石英基板上に光硬化膜を作製し、透過率測定を行った。結果を表３に示す。【０１０９】
【表３】
2010146983.tif 000007
【０１１０】
表３の結果から、実施例１乃至４及び比較例１乃至６のいずれについても高透過率を達成した。【０１１１】
[屈折率の測定]
屈折率測定は、ｎ＆ｋ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  １５１２ＲＴ（ｎ＆ｋ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ,  Ｉｎｃ製）を使用し、波長６３３ｎｍの屈折率を測定した。【０１１２】
実施例１で得たＰＮＩ−１をシリコンウエハ上にスピンコートし、その上に石英基板を被せて常時２３℃の条件で、ａ）１０秒間かけて１０００Ｎまで加圧、ｂ）高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ2の露光、ｃ）１０秒間かけて除圧、ｄ）石英基板とシリコンウエハを分離して離型、というシーケンスでシリコンウエハ上に光硬化膜を作製し、屈折率測定を行った。結果を表４に示す。【０１１３】
実施例２で得たＰＮＩ−２を使用した以外は上記と同様にシリコンウエハ上に光硬化膜を作製し、屈折率測定を行った。結果を表４に示す。【０１１４】
実施例３で得たＰＮＩ−３をシリコンウエハ上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで１分間仮焼成を行った。その後、その上に石英基板を被せて常時２３℃の条件でａ）１０秒間かけて１０００Ｎまで加圧、ｂ）高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ2の露光、ｃ）１０秒間かけて除圧、ｄ）石英基板とシリコンウエハを分離して離型、というシーケンスでシリコンウエハ上に光硬化膜を作製して２００℃のホットプレート上で焼成を行った後、屈折率測定を行った。結果を表４に示す。【０１１５】
実施例４で得たＰＮＩ−４をＰＮＩ−３の代わりに使用した以外は上記と同様にシリコンウエハ上に光硬化膜を作製し、屈折率測定を行った。結果を表４に示す。【０１１６】
比較例１で得たＰＮＩ−aをシリコンウエハ上にスピンコートし、その上に石英基板を被せて常時２３℃の条件で、ａ）１０秒間かけて１０００Ｎまで加圧、ｂ）高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ2の露光、ｃ）１０秒間かけて除圧、ｄ）石英基板とシリコンウエハを分離して離型、というシーケンスでシリコンウエハ上に光硬化膜を作製し、屈折率測定を行った。結果を表４に示す。【０１１７】
比較例２で得たＰＮＩ−ｂを使用した以外は上記と同様にシリコンウエハ上に光硬化膜を作製し、屈折率測定を行った。結果を表４に示す。【０１１８】
比較例３で得たＰＮＩ−ｃを使用した以外は上記と同様にシリコンウエハ上に光硬化膜を作製し、屈折率測定を行った。結果を表４に示す。【０１１９】
比較例４で得たＰＮＩ−ｄをシリコンウエハ上にスピンコートし、１００℃のホットプレートで１分間仮焼成を行った。その後、その上に石英基板を被せて常時２３℃の条件でａ）１０秒間かけて１０００Ｎまで加圧、ｂ）高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ2の露光、ｃ）１０秒間かけて除圧、ｄ）石英基板とシリコンウエハを分離して離型、というシーケンスでシリコンウエハ上に光硬化膜を作製して２００℃のホットプレート上で焼成を行った後、屈折率測定を行った。結果を表４に示す。【０１２０】
比較例５で得たＰＮＩ−eをＰＮＩ−ｄの代わりに使用した以外は上記と同様にシリコンウエハ上に光硬化膜を作製し、屈折率測定を行った。結果を表４に示す。【０１２１】
比較例６で得たＰＮＩ−ｆをＰＮＩ−ｄの代わりに使用した以外は上記と同様にシリコンウエハ上に光硬化膜を作製し、屈折率測定を行った。結果を表４に示す。【０１２２】
【表４】
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【０１２３】
表４の結果から、実施例１乃至４は、高屈折率を有する膜の形成が可能であった。一方、比較例１乃至６は、実施例１乃至４に比べて、屈折率が劣る結果となった。
以上の結果から、本発明のインプリント材料により得られる膜は、１．６を超える高屈折率を有するものとなる。【０１２４】
以上の結果から、本発明のインプリント材料から得られる膜は、光インプリント性が良好であり、かつ低誘電率、高屈折率、及び高透過率を有する。
【産業上の利用可能性】
【０１２５】
本発明のインプリント材料により得られる膜は、電界効果トランジスタ等の半導体素子の層間絶縁膜及び／又はゲート絶縁膜等、電子デバイス及び光学部材に好適に用いることができる。
【国際調査報告】
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