(57)【要約】  本発明は、素子内部の局所的な温度上昇を計算するデバイスモデル、プログラムが格納された記録媒体、シミュレーション回路、装置及び方法を提供することを目的とする。本発明にかかるデバイスモデルは、半導体回路シミュレーションに用いられるデバイスモデルであって、少なくとも２つ以上のモデルパラメータを有する。このモデルパラメータは、温度特性を記述する電気モデルと、電気モデルに対応した熱的特性を記述する熱モデルと、を含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つ以上のモデルパラメータを有し、
前記モデルパラメータは、
温度特性を記述する電気モデルと、
前記電気モデルに対応した熱的特性を記述する熱モデルと、を含み、
半導体回路シミュレーションに用いられる、デバイスモデル。
【請求項２】
前記モデルパラメータは、少なくとも１つ以上が前記電気モデルのみで構成されていることを特徴とする請求項１記載のデバイスモデル。
【請求項３】
前記電気モデルは、抵抗素子、容量素子、誘導素子、電流源素子、電圧源素子、の何れかを少なくとも含有することを特徴とする請求項１又は２に記載のデバイスモデル。
【請求項４】
前記熱モデルは、抵抗素子、容量素子、電流源素子、の何れかを少なくとも含有することを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載のデバイスモデル。
【請求項５】
少なくとも２つ以上のモデルパラメータを含有するデバイスモデルと、
熱的特性を記述する複数の熱モデル間の熱交換を記述する熱交換モデルと、を有し、
前記モデルパラメータは、温度特性を記述する電気モデルと前記電気モデルに対応した前記熱モデルとを含むことを特徴とするシミュレーション回路。
【請求項６】
前記熱交換モデルは、並列接続された極性の異なる２つの電流源からなることを特徴とする請求項５記載のシミュレーション回路。
【請求項７】
前記デバイスモデル及び前記熱交換モデルをそれぞれ少なくとも２つ以上有することを特徴とする請求項５又は６に記載のシミュレーション回路。
【請求項８】
少なくとも２つ以上のモデルパラメータを含有し、前記モデルパラメータは温度特性を記述する電気モデルと前記電気モデルに対応した熱的特性を記述する熱モデルとを含むデバイスモデルを生成するデバイスモデル生成手段と、
複数の熱モデル間の熱交換を記述する熱交換モデルを生成する熱交換モデル生成手段と、
前記デバイスモデルと前記熱交換モデルとを配置する配置手段と、
前記デバイスモデルと前記熱交換モデルとを電気的配線で接続する接続手段と、
前記デバイスモデルと前記熱交換モデルと前記電気的配線とを計算してシミュレーション値を算出する算出手段と、を有することを特徴とするシミュレーション装置。
【請求項９】
前記デバイスモデル間の距離を計算する距離計算手段と、
前記距離計算手段により計算された前記デバイスモデル間の距離に基づいて前記熱交換モデルのパラメータを抽出する抽出手段と、を有することを特徴とする請求項８記載のシミュレーション装置。
【請求項１０】
前記熱交換モデルは、並列接続された極性の異なる２つの電流源からなることを特徴とする請求項８又は９に記載のシミュレーション装置。
【請求項１１】
少なくとも２つ以上のモデルパラメータを含有し、前記モデルパラメータは温度特性を記述する電気モデルと前記電気モデルに対応した熱的特性を記述する熱モデルとを含むデバイスモデルを生成するデバイスモデル生成ステップと、
複数の熱モデル間の熱交換を記述する熱交換モデルを生成する熱交換モデル生成ステップと、
前記デバイスモデルと前記熱交換モデルとを配置する配置ステップと、
前記デバイスモデルと前記熱交換モデルとを電気的配線で接続する接続ステップと、
前記デバイスモデルと前記熱交換モデルと前記電気的配線とを計算してシミュレーション値を算出する算出ステップと、を有することを特徴とする半導体回路シミュレーション方法。
【請求項１２】
前記デバイスモデル間の距離を計算する距離計算ステップと、
前記距離計算手段により計算された前記デバイスモデル間の距離に基づいて前記熱交換モデルのパラメータを抽出する抽出ステップと、を有することを特徴とする請求項１１記載の半導体回路シミュレーション方法。
【請求項１３】
前記熱交換モデルは、並列接続された極性の異なる２つの電流源からなることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の半導体回路シミュレーション方法。
【請求項１４】
少なくとも２つ以上のモデルパラメータを含有し、前記モデルパラメータは温度特性を記述する電気モデルと前記電気モデルに対応した熱的特性を記述する熱モデルとを含むデバイスモデルを生成する処理と、
複数の熱モデル間の熱交換を記述する熱交換モデルを生成する処理と、
前記デバイスモデルと前記熱交換モデルとを配置する処理と、
前記デバイスモデルと前記熱交換モデルとを電気的配線で接続する処理と、
前記デバイスモデルと前記熱交換モデルと前記電気的配線とを計算してシミュレーション値を算出する処理と、をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラムが格納された記録媒体。
【請求項１５】
前記デバイスモデル間の距離を計算する処理と、
前記デバイスモデル間の距離に基づいて前記熱交換モデルのパラメータを抽出する処理と、をコンピュータに実行させることを特徴とする請求項１４記載のプログラムが格納された記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度上昇を計算するデバイスモデル、プログラムが格納された記録媒体、シミュレーション回路、装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子が急速に小型化したために、半導体回路シミュレーションを行う際には、デバイスモデルを用いて、自己発熱に伴う素子の温度上昇、特に局所的な素子の温度上昇を計算する必要が生じた。【０００３】
例えば、電界効果トランジスタ(以下、ＦＥＴ：Field Effect Transistor)の場合、自己発熱は主にゲートドレイン間のゲート電極端で生じ、ゲート電極端乃至ゲートドレイン間の温度が局所的に上昇する。その結果、ドレイン抵抗の温度が、他のモデルパラメータよりも高くなってしまう。【０００４】
上述したような自己発熱をシミュレーションするデバイスモデルの技術が開示されている（例えば、非特許文献１）。図７は、非特許文献１の技術を示す図である。図７に示すように、非特許文献１のデバイスモデルは、素子の温度変化を考慮した電気特性を記述した電気モデルと素子の熱的特性を記述した熱モデルとを備えている。そのため、自己発熱による素子の温度上昇を考慮した電気的特性を計算することができる。【０００５】
さらに、上記デバイスモデルを用いた半導体回路シミュレーションの技術も開示されている（例えば、特許文献１）。上記技術においては、自己発熱による素子の温度上昇を計算するために、回路を構成する全ての素子のデバイスモデルとして上記デバイスモデルを用いている。また、熱交換が発生する２つの素子間の熱抵抗値を求めて、これら２つの素子に対応する上記デバイスモデルの熱モデル間に、熱抵抗値を挿入している。【０００６】
ここで、熱交換モデルとは、素子間の熱の授受を表現する熱モデルである。このように、上記特許文献１の技術によれば、自己発熱に起因した単体素子の温度上昇だけでなく、素子間での熱量の交換を考慮した、素子の温度上昇を計算することが可能である。【０００７】
また、デバイスモデルと熱交換モデルを備えるシミュレーション回路を用いた半導体回路シミュレーションに関連して、熱雑音という物理現象をモデル化して、ゲート抵抗を用いることにより雑音特性のシミュレーション値を実測値に近づける技術も開示されている（例えば、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−３４６５２７号公報
【特許文献２】特開２００６−２２１３７５号公報
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】"VBIC95, The Vertical Bipolar Inter-Company Model," IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, vol.31, no.10, Oct. 1996
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１記載の技術では、自己発熱が生じた際に、デバイスモデルを構成する全ての電気モデルが一様に温度上昇を引き起こすため、素子内部の局所的な温度上昇を計算することができなかった。そのため、自己発熱を生じる素子特性のシミュレーション精度が悪化してしまうという問題があった。【００１１】
図８は、実測データと上記特許文献１のデバイスモデルを用いて計算を行った小信号特性を示す図である。図８に示すように、実測データとデバイスモデルとの結果は異なる。ここで、自己発熱が高くなると、ゲートドレイン間の温度が局所的に増加し、ドレイン抵抗のみが高くなる。よって、この領域でデバイスモデルを作成した場合、自己発熱が小さい領域ではドレイン抵抗の増加が生じなくなる。そのため、デバイスモデルを構成するソース抵抗を実際より小さくしなければならないので、小信号特性の実測データとデバイスモデルの結果が乖離するようになってしまう。【００１２】
また、特許文献１記載の技術では、熱交換モデルを抵抗体で記述しているため、熱は一方向にしか伝わることができない。その結果、ある素子の内部において局所的な温度上昇が生じた場合に、回路内の素子間での熱交換を考慮したシミュレーション方法として十分でないという問題があった。【００１３】
一方、特許文献２記載の技術で用いるモデルは、熱雑音という物理現象をモデル化するため、熱雑音を発生する抵抗と、この熱雑音を発生する抵抗とは依存関係のない熱雑音を発生しない抵抗と、で構成されている。そのため、上記特許文献２の技術は、熱という物理現象をモデル化し、精度を悪化させずに素子内部の局所的な温度上昇を計算するということには適さないという問題があった。【００１４】
本発明は、このような実情を鑑みてなされたものであり、素子内部の局所的な温度上昇を計算するデバイスモデル、プログラムが格納された記録媒体、シミュレーション回路、装置及び方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明のデバイスモデルは、半導体回路シミュレーションに用いられるデバイスモデルであって、少なくとも２つ以上のモデルパラメータを有し、モデルパラメータは、温度特性を記述する電気モデルと電気モデルに対応した熱的特性を記述する熱モデルとを含むことを特徴とする。【００１６】
本発明のシミュレーション回路は、少なくとも２つ以上のモデルパラメータを含有するデバイスモデルと、熱的特性を記述する複数の熱モデル間の熱交換を記述する熱交換モデルと、を有し、モデルパラメータは、温度特性を記述する電気モデルと電気モデルに対応した熱モデルとを含むことを特徴とする。【００１７】
本発明のシミュレーション装置は、少なくとも２つ以上のモデルパラメータを含有し、モデルパラメータは温度特性を記述する電気モデルと電気モデルに対応した熱的特性を記述する熱モデルとを含むデバイスモデルを生成するデバイスモデル生成手段と、複数の熱モデル間の熱交換を記述する熱交換モデルを生成する熱交換モデル生成手段と、デバイスモデルと熱交換モデルとを配置する配置手段と、デバイスモデルと熱交換モデルとを電気的配線で接続する接続手段と、デバイスモデルと熱交換モデルと電気的配線とを計算してシミュレーション値を算出する算出手段と、を有することを特徴とする。【００１８】
本発明の半導体回路シミュレーション方法は、少なくとも２つ以上のモデルパラメータを含有し、モデルパラメータは温度特性を記述する電気モデルと電気モデルに対応した熱的特性を記述する熱モデルとを含むデバイスモデルを生成するデバイスモデル生成ステップと、複数の熱モデル間の熱交換を記述する熱交換モデルを生成する熱交換モデル生成ステップと、デバイスモデルと熱交換モデルとを配置する配置ステップと、デバイスモデルと熱交換モデルとを電気的配線で接続する接続ステップと、デバイスモデルと熱交換モデルと電気的配線とを計算してシミュレーション値を算出する算出ステップと、を有することを特徴とする。【００１９】
本発明の記録媒体に格納されたプログラムは、少なくとも２つ以上のモデルパラメータを含有し、モデルパラメータは温度特性を記述する電気モデルと電気モデルに対応した熱的特性を記述する熱モデルとを含むデバイスモデルを生成する処理と、複数の熱モデル間の熱交換を記述する熱交換モデルを生成する処理と、デバイスモデルと熱交換モデルとを配置する処理と、デバイスモデルと熱交換モデルとを電気的配線で接続する処理と、デバイスモデルと熱交換モデルと電気的配線とを計算してシミュレーション値を算出する処理と、をコンピュータに実行させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、素子内部の局所的な温度上昇を計算することが可能になり、自己発熱を生じる素子特性のシミュレーション精度を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本実施形態に係る半導体回路シミュレーションに用いるデバイスモデル例を示す図である。
【図２】本実施形態に係る半導体回路シミュレーションに用いるデバイスモデル例を示す図である。
【図３】本実施形態に係る半導体回路シミュレーションに用いるデバイスモデル例を示す図である。
【図４】本実施形態に係る半導体回路シミュレーションに用いられる熱交換モデルの例を示す図である。
【図５】本実施形態に係る半導体回路シミュレーション処理の流れの例を示すフローチャートである。
【図６】本実施形態に係る半導体回路シミュレーション処理の流れの例を示すフローチャートである。
【図７】非特許文献１を説明するための図である。
【図８】実測データと特許文献１のデバイスモデルを用いて計算を行った小信号特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下に本発明の実施形態の例について、図面を用いて詳細に説明する。
【００２３】
（実施形態１）
本実施形態に係る半導体回路シミュレーションのためのデバイスモデルは、２個以上の温度依存性を有する電気モデルME1〜MEnと、同素子の各々の電気モデルME1〜MEnに対応した熱的特性を表わす熱モデルMQ1〜MQnとを兼ね備える。電気モデルME1〜MEnは、抵抗素子、容量素子、誘導素子、電流源素子、電圧源素子のいずれかで構成される。熱モデルMQ1〜MQnは、抵抗素子、容量素子、電流源素子で構成される。つまり、本実施形態に係るデバイスモデルを構成するモデルパラメータは、熱的特性を記述した熱モデル及び温度特性を記述した電気モデルの両者を含んでいる。しかしながら、モデルパラメータのうち少なくとも１つは、電気モデルのみから構成されることが好ましい。
【００２４】
図１は、本実施形態に係る半導体回路シミュレーションに用いるデバイスモデル例を示す図である。図１に示すように、このデバイスモデルは、６個の電気モデルME1〜ME6と、それぞれの電気モデルに対応する６個の熱モデルMQ1〜MQ6を有する。尚、図１に示すデバイスモデルを構成する電気モデルME1〜MEnからなる等価回路は、ＦＥＴのπ型等価回路を示す例であって、他の等価回路でもよい。また、図１に示すデバイスモデルを構成する熱モデルMQ1〜MQnからなる等価回路は、一例であって、抵抗素子、容量素子、電流源素子で構成された他の等価回路でもよい。このように、シミュレーション回路は、電気モデルと熱モデルを兼ね備えたデバイスモデルを有している。
【００２５】
電気モデルME1〜MEnの電気的特性は、熱モデルMQ1〜MQnの熱的特性の動的な変化に対応して変化する。
【００２６】
電気モデルME1〜MEnの温度T1〜Tnは、下記の式で定義する。ここでTaは環境温度、Rnは熱モデルMQnを構成する抵抗素子の抵抗値、jは虚数単位、Cnは熱モデルMQnを構成する容量素子の容量値、Qnは熱モデルMQnを構成する電流源の電流値である。
【００２７】
Tn = Ta + Qn × ( Rn / ( 1 + j × ω × Cn × Rn)) ・・・式（１）
ω = 2 × π × 周波数・・・式（２）
【００２８】
上記式（１）の右辺が、自己発熱により増加した温度を表す。
【００２９】
尚、本実施形態におけるi番目とm番目の熱モデルは、同一であっても構わない。また、本実施形態における熱モデルの数は、図２で示すように、２個以上、n個以下でもよい。
【００３０】
以上のことから、本実施形態により、デバイスモデルを構成する個々のモデルパラメーは、電気モデルと熱モデルの両者を備える。そのため、例えば電気モデルME1の温度T1のみを高くすることが可能になり、素子内部の局所的な温度上昇を計算することが可能となる。これにより、自己発熱を生じる素子特性のシミュレーション精度を向上させることが可能となる。
【００３１】
さらに、デバイスモデルを構成する個々のモデルパラメータが電気モデルと熱モデルの両者を備えるため、局所的な温度上昇が生じた場合の回路内の素子間での熱交換を考慮したシミュレーションの精度を向上させることも可能となる。
【００３２】
（実施形態２）
図３は、本実施形態に係る半導体回路シミュレーション方法に用いるデバイスモデル例を示す図である。本実施形態では、デバイスモデルを２個以上備える場合の半導体回路シミュレーションの例について、図３を用いて説明する。本実施形態では、上記実施形態１で述べたデバイスモデルを２個備える場合を例に挙げて説明するが、３個以上でもよい。
【００３３】
図３に示すように、本実施形態に係るシミュレーション回路は、上記実施形態１で述べたデバイスモデルと同様のデバイスモデル1m、2mからなり、1mの熱モデルは３個、2mの熱モデルは２個で構成している。1mの各々の熱モデルMQ1、MQ2、MQ6と、2mの各々の熱モデルNQ1、NQ2の間には、熱交換モデルI_MQ1NQ1、I_MQ2NQ1、I_MQ6NQ1、I_MQ1NQ2、I_MQ6NQ2、を備える。
【００３４】
本実施形態では、デバイスモデル1mの熱モデルの個数を３個、デバイスモデル2mの熱モデルの個数を２個の場合を例に挙げて説明している。しかし、熱モデルの個数は２個以上であればよく、個数を限定することはしない。
【００３５】
図４は、本実施形態に係る半導体シミュレーションに用いられる熱交換モデルの例を示す図である。図４に示すように、本実施形態で用いる熱交換モデル例は、極性の異なる２つの電流源を有している。このように、熱交換モデルとして、極性の異なる２つの電流源を用いることで、熱の授受を表現することが可能となる。
【００３６】
本実施形態により、素子内部の局所的な温度上昇を計算することができ、自己発熱を生じる素子特性のシミュレーション精度を向上させることが可能となる。また、熱交換モデルとして、並列接続された極性の異なる２つの電流源を用いることで、熱の授受を表現することが可能となり、熱交換を考慮したシミュレーションの精度を向上させることが可能となる。
【００３７】
図５は、上記実施形態２における半導体回路シミュレーション処理の流れの例を示すフローチャートである。次に、上記実施形態２の場合を例に挙げて、半導体回路シミュレーション処理の流れの例について、図５を用いて説明する。
【００３８】
まず、半導体回路シミュレーションを行う半導体シミュレーション装置であるコンピュータに、上述した複数のデバイスモデルを生成して配置する（ステップＳ５１）。上記ステップＳ５１で配置されたデバイスモデル間に熱交換モデル生成して配置する（ステップＳ５２）。
【００３９】
上記複数のデバイスモデル間を電気的配線で接続し（ステップＳ５３）、複数のデバイスモデル、熱交換モデル、電気的配線、を計算して（ステップＳ５４）、シミュレーション値を算出する。
【００４０】
次に、本実施形態の他の半導体シミュレーション処理例について説明する。図６は、上記実施形態２における半導体回路シミュレーション処理の流れの例を示すフローチャートである。上記実施形態２の場合を例に挙げて、他の半導体回路シミュレーション処理の流れの例について、図６を用いて説明する。
【００４１】
まず、半導体回路シミュレーションを行う半導体シミュレーション装置であるコンピュータに、上述した複数のデバイスモデルを生成して配置（ステップＳ６１）する。そして、コンピュータ上で複数のデバイスモデル間の距離を計算し（ステップＳ６２）、計算した距離の結果に基づいて、熱交換モデルのパラメータを抽出する（ステップＳ６３）。
【００４２】
上記複数のデバイスモデル間を電気的配線で接続し（ステップＳ６４）、複数のデバイスモデル、熱交換モデル、電気的配線、を計算して（ステップＳ６５）、シミュレーション値を算出する。
【００４３】
尚、本実施形態では、デバイスモデルを複数備える半導体回路シミュレーションの処理の流れを例に挙げて説明したが、これに限定されるものではなく、デバイスモデルは１つであっても構わない。
【００４４】
上述の実施の形態では、本発明をデバイスモデルとして説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。本発明は、図５及び図６の処理を、ＣＰＵ（Central Processing Unit）にコンピュータプログラムを実行させることにより実現することも可能である。この場合、コンピュータプログラムは、記録媒体に記録して提供することも可能であり、また、インターネットその他の通信媒体を介して伝送することにより提供することも可能である。また、記憶媒体には、例えば、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、ＲＯＭカートリッジ、バッテリバックアップ付きＲＡＭメモリカートリッジ、フラッシュメモリカートリッジ、不揮発性ＲＡＭカートリッジ等が含まれる。また、通信媒体には、電話回線等の有線通信媒体、マイクロ波回線等の無線通信媒体等が含まれる。
【００４５】
以上好適な実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上述したデバイスモデル、シミュレーション回路、シミュレーション装置、半導体回路シミュレーション方法、プログラム及び記録媒体に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であるということは言うまでもない。
【００４６】
なお、この出願は、２００８年１１月２０日に出願された日本出願特願２００８−２９７２２６を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明は、素子の自己発熱による温度上昇を伴う半導体回路のシミュレーションに適用することができる。特に、素子の温度が局所的に上昇する半導体回路のシミュレーションに適用することができる。
【符号の説明】
【００４８】
1m、2m  デバイスモデル
ME1〜MEn    デバイスモデル1mを構成する電気モデル
MQ1〜MQn    電気モデルME1〜MEnに対応したデバイスモデルを構成する熱モデル
NE1〜NEn    デバイスモデル2mを構成する電気モデル
NQ1〜NQn    電気モデルNE1〜NEnに対応したデバイスモデルを構成する熱モデル
I_MQ1NQ1    熱モデルMQ1と熱モデルNQ1の熱交換を記述する熱交換モデル
I_MQ2NQ1    熱モデルMQ2と熱モデルNQ1の熱交換を記述する熱交換モデル
I_MQ6NQ1    熱モデルMQ6と熱モデルNQ1の熱交換を記述する熱交換モデル
I_MQ1NQ2    熱モデルMQ1と熱モデルNQ2の熱交換を記述する熱交換モデル
I_MQ2NQ2    熱モデルMQ2と熱モデルNQ2の熱交換を記述する熱交換モデル
I_MQ6NQ2    熱モデルMQ6と熱モデルNQ2の熱交換を記述する熱交換モデル
【図１】
2010058507.tif 000003
【図２】
2010058507.tif 000004
【図３】
2010058507.tif 000005
【図４】
2010058507.tif 000006
【図５】
2010058507.tif 000007
【図６】
2010058507.tif 000008
【図７】
2010058507.tif 000009
【図８】
2010058507.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月20日(2011.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
少なくとも２つ以上のモデルパラメータを含有し、前記モデルパラメータは温度特性を記述する電気モデルと前記電気モデルに対応した熱的特性を記述する熱モデルとを含むデバイスモデルを生成し、
複数の熱モデル間の熱交換を記述する熱交換モデルを生成し、
前記デバイスモデルと前記熱交換モデルとを配置し、
前記デバイスモデルと前記熱交換モデルとを電気的配線で接続し、
前記デバイスモデルと前記熱交換モデルと前記電気的配線とを計算してシミュレーション値を算出することを特徴とする半導体回路シミュレーション方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記デバイスモデル間の距離を計算し、
計算された前記デバイスモデル間の距離に基づいて前記熱交換モデルのパラメータを抽出することを特徴とする請求項１１記載の半導体回路シミュレーション方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
少なくとも２つ以上のモデルパラメータを含有し、前記モデルパラメータは温度特性を記述する電気モデルと前記電気モデルに対応した熱的特性を記述する熱モデルとを含むデバイスモデルを生成する処理と、
複数の熱モデル間の熱交換を記述する熱交換モデルを生成する処理と、
前記デバイスモデルと前記熱交換モデルとを配置する処理と、
前記デバイスモデルと前記熱交換モデルとを電気的配線で接続する処理と、
前記デバイスモデルと前記熱交換モデルと前記電気的配線とを計算してシミュレーション値を算出する処理と、をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
前記デバイスモデル間の距離を計算する処理と、
前記デバイスモデル間の距離に基づいて前記熱交換モデルのパラメータを抽出する処理と、をコンピュータに実行させることを特徴とする請求項１４記載のプログラム。
【国際調査報告】
2010058507.tif 000011
2010058507.tif 000012
2010058507.tif 000013
2010058507.tif 000014
2010058507.tif 000015
2010058507.tif 000016
2010058507.tif 000017