(57)【要約】  本開示の支持基板は、セラミックスからなり、第１面と、該第１面の反対に位置する第２面とを有する板状体である。そして、第１面は、粗さ曲線から求められる算術平均粗さＲａが０．５μｍ以下であるとともに、粗さ曲線から求められるスキューネスＲｓｋが負である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックスからなり、第１面と、該第１面の反対に位置する第２面とを有する板状体であり、
前記第１面は、粗さ曲線から求められる算術平均粗さＲａが０．５μｍ以下であるとともに、粗さ曲線から求められるスキューネスＲｓｋが負である支持基板。
【請求項２】
前記第１面は、粗さ曲線から求められる突出谷部深さＲｖｋと粗さ曲線から求められる突出山部高さＲｐｋとの第１の比が０．８以下である請求項１に記載の支持基板。
【請求項３】
前記第１の比が０．２以下である請求項２に記載の支持基板。
【請求項４】
前記第１面は、粗さ曲線から求められる算術平均粗さＲａと粗さ曲線から求められる二乗平均平方根粗さＲｑとの第２の比が１．７以下である請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の支持基板。
【請求項５】
前記第２の比が１．４以下である請求項４に記載の支持基板。
【請求項６】
前記第１面は、粗さ曲線から求められるクルトシスＲｋｕが３より大きく１１以下である請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の支持基板。
【請求項７】
前記第１面は、粗さ曲線から求められる最大谷深さＲｖが４．０μｍ以下である請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の支持基板。
【請求項８】
前記第１面は、粗さ曲線から求められる凹凸の平均間隔ＲＳｍと粗さ曲線から求められる山部頂点の平均間隔Ｓとの第３の比が０．４以上０．７以下である請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の支持基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、支持基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ワイヤーボンド、はんだバンプおよびインターポーザを使用しない、新たな半導体パッケージ形式として、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）およびＰＬＰ（Ｐａｎｅｌ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）が提案されている。このＷＬＰおよびＰＬＰの一般的な製造方法は、以下の通りである。まず、支持基板上に接着フィルムを貼り付ける。次に、この接着フィルム上に複数の半導体チップを載せた後に、半導体チップを封止材で封止する。その後、接着フィルムから、半導体チップおよび封止材を剥離させる。そして、半導体チップの再配線を行なった後、ダイシングすることでＷＬＰが製造される。【０００３】
接着フィルムから、半導体チップおよび封止材を剥離させる方法としては、熱、溶剤、レーザ等を利用した方法または機械的に剥離する方法がある。ここで、熱を利用した方法は、溶剤やレーザを利用した方法または機械的に剥離する方法に比べて、簡易な工程で半導体チップおよび封止剤を剥離することが可能であり、設備投資コストを少なくできる。【０００４】
例えば、特許文献１では、熱を利用した方法としては、以下の方法が開示されている。まず、支持体上に接着フィルムとしての感温性粘着剤、感温性粘着剤上に複数の半導体チップを配置する。次に、配置された半導体チップを封止材としてのプラスチックで封止する。次に、この状態から、所定温度以上に加熱することで感温性粘着剤の粘着性能を失わせて、半導体チップおよび封止材を感温性粘着剤から剥離する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００６／０１８３２６９号
【発明の概要】
【０００６】
本開示の支持基板は、セラミックスからなり、第１面と、該第１面の反対に位置する第２面とを有する板状体である。そして、第１面は、粗さ曲線から求められる算術平均粗さＲａが０．５μｍ以下であるとともに、粗さ曲線から求められるスキューネスＲｓｋが負である。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本開示の支持基板を使用したＷＬＰの製造過程における状態を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
熱を利用した方法では、接着フィルムから、半導体チップおよび封止材を剥離させる（以下、剥離工程と記載する）際に、半導体チップおよび封止材とともに接着フィルムが剥離してしまわないように、支持基板には、接着フィルムとの接着強度が高いことが要求されている。
【０００９】
本開示の支持基板は、接着フィルムとの接着強度が高い。以下に、本開示の支持基板について、図１を参照しながら詳細に説明する。
【００１０】
本開示の支持基板１は、図１に示すように、第１面１ａと、第１面１ａの反対に位置する第２面１ｂとを有する板状体である。そして、図１においては、支持基板１の第１面１ａに接着フィルム２が貼り付けられ、接着フィルム２上に複数の半導体チップ３が載置され、この半導体チップ３が封止材４により封止されている例を示している。
【００１１】
また、本開示の支持基板１は、セラミックスからなる。セラミックスは、耐食性および耐熱性に優れるとともに、金属およびガラス等に比べて剛性が高い。よって、このような構成であることで、本開示の支持基板１は、半導体チップ３を封止材４で封止する際に、封止材４の硬化収縮による応力が発生しても、金属またはガラスからなる支持基板に比べて撓みにくい。よって、支持基板１の撓みに伴う半導体チップ３の位置ズレが発生しにくく、歩留まりが高い。
【００１２】
そして、セラミックスとしては、例えば、酸化アルミニウム質セラミックス、窒化珪素質セラミックス、窒化アルミニウム質セラミックス、炭化珪素質セラミックスまたはコージェライト質セラミックス等が挙げられる。特に、セラミックスの中でも、本開示の支持基板１が酸化アルミニウム質セラミックスからなるならば、加工が容易であることで製造コストを抑えることができる。また、本開示の支持基板１が炭化珪素質セラミックスならば、炭化珪素質セラミックスは他のセラミックよりも剛性が高いことから、より撓みにくいものとなり、半導体チップ３を封止材４で封止する際に、封止材４の硬化収縮による応力が発生しても、支持基板１の撓みに伴う半導体チップ３の位置ズレが発生しにくく、歩留まりが向上する。
【００１３】
ここで、例えば、酸化アルミニウム質セラミックスとは、酸化アルミニウムを主成分としたセラミックスである。なお、酸化アルミニウムが主成分とは、セラミックスを構成する全成分１００質量％のうち、酸化アルミニウムを７０質量％以上含有する場合のことをいう。
【００１４】
そして、本開示の支持基板１の材質は、以下の方法により確認することができる。まず、Ｘ線回折装置（ＸＲＤ：例えば、ＢｒｕｋｅｒＡＸ社製のＤ８  ＡＤＶＡＮＣＥ）を用いて支持基板１を測定し、得られた２θ（２θは、回折角度である。）の値をＪＣＰＤＳカードで同定する。次に、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）発光分光分析装置（ＩＣＰ）または蛍光Ｘ線分析装置（ＸＲＦ）を用いて、各成分の定量分析を行なう。そして、ＸＲＤにおいて、酸化アルミニウムの存在が確認され、ＩＣＰまたはＸＲＦで測定したアルミニウム（Ａｌ）の含有量から酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）に換算した含有量が７０質量％以上であれば、酸化アルミニウム質セラミックスである。なお、他のセラミックスについても同様である。
【００１５】
また、本開示の支持基板１における第１面１ａは、粗さ曲線から求められる算術平均粗さＲａが０．５μｍ以下であるとともに、粗さ曲線から求められるスキューネスＲｓｋが負である。このような構成を満足していることで、接着強度を低下させる要因となる、第１面１ａの谷部における空気の残留が少なく、第１面１ａと接着フィルム２との接触面積が多いことから、本開示の支持基板１は、接着フィルム２との接着強度が高い。
【００１６】
なお、算術平均粗さＲａとは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１（２０１３）に規定された値のことを言う。また、スキューネスＲｓｋとは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１（２０１３）に規定されており、粗さ曲線における平均高さを中心線とした際における山部と谷部との比率を示す指標である。
【００１７】
また、本開示の支持基板１における第１面１ａは、粗さ曲線から求められる突出谷部深さＲｖｋと粗さ曲線から求められる突出山部高さＲｐｋとの第１の比（Ｒｐｋ／Ｒｖｋ）が０．８以下であってもよい。
【００１８】
このような構成を満足するならば、第１面１ａにおける突出した谷部の平均深さが深いことから、突出した谷部に入り込んだ接着フィルム２によるアンカー効果が効果的に働き、本開示の支持基板１は、接着フィルム２との接着強度が向上する。
【００１９】
特に、第１面１ａにおける第１の比が０．２以下であるならば、本開示の支持基板１における接着フィルム２との接着強度がより向上する。
【００２０】
なお、突出谷部深さＲｖｋおよび突出山部高さＲｐｋとは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６７１−２（２００２）に規定されており、以下の定義による。まず、粗さ曲線の測定点の４０％を含む負荷曲線の中央部分において、負荷長さ率の差を４０％にして引いた負荷曲線の割線が、最も緩い傾斜となる直線を等価直線とする。次に、この等価直線が負荷長さ率０％と１００％との位置で縦軸と交わる２つの高さ位置の間をコア部とする。そして、粗さ曲線において、コア部の下にある突出した谷部の平均深さが突出谷部深さＲｖｋであり、コア部の上にある突出した山部の平均高さが突出山部高さＲｐｋである。
【００２１】
また、本開示の支持基板１における第１面１ａは、粗さ曲線から求められる算術平均粗さＲａと粗さ曲線から求められる二乗平均平方根粗さＲｑとの第２の比（Ｒｑ／Ｒａ）が１．７以下であってもよい。このような構成を満足するならば、第１面１ａにおいて、突出した谷部が少ないことから、突出した谷部における空気の残留を少なくすることができ、本開示の支持基板１は、接着フィルム２との接着強度が向上する。
【００２２】
特に、第１面１ａにおける第２の比が１．４以下であるならば、本開示の支持基板１における接着フィルム２との接着強度はより向上する。なお、二乗平均平方根粗さＲｑとは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１（２０１３）に規定された値のことを言う。
【００２３】
また、本開示の支持基板１における第１面１ａは、粗さ曲線から求められるクルトシスＲｋｕが３より大きく１１以下であってもよい。このような構成を満足するならば、第１面１ａにおいて、谷部の頂点近傍は適度に尖った形状になることから、第１面１ａに接着フィルム２を貼り付ける際に、谷部の底まで接着フィルム２が入り込みやすいとともに、谷部に入り込んだ接着フィルム２によるアンカー効果がより効果的に働く。よって、本開示の支持基板１は、接着フィルム２との接着強度が向上する。
【００２４】
なお、クルトシスＲｋｕとは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１（２０１３）に規定されている、表面の鋭さの尺度である尖度を表す指標である。
【００２５】
また、本開示の支持基板１における第１面１ａは、粗さ曲線から求められる最大谷深さＲｖが４．０μｍ以下であってもよい。このような構成を満足するならば、第１面１ａに接着フィルム２を貼り付ける際に、接着フィルム２が谷部の底まで接着フィルム２が入り込みやすいことから、本開示の支持基板１は、接着フィルム２との接着強度が向上する。なお、最大谷深さＲｖは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１（２０１３）に規定された値のことであり、粗さ曲線から平均線の方向に基準長さだけ抜き取り、その基準長さにおける谷部の最大深さのことである。
【００２６】
また、本開示の支持基板１における第１面１ａは、粗さ曲線から求められる凹凸の平均間隔ＲＳｍと粗さ曲線から求められる山部頂点の平均間隔Ｓとの第３の比（Ｓ／ＲＳｍ）が０．４以上０．７以下であってもよい。このような構成を満足するならば、第１面１ａに接着フィルム２を貼り付けた際に、谷部に入り込んだ接着フィルム２によるアンカー効果がより効果的に働くとともに、谷部における空気の残留が少なくなる。よって、本開示の支持基板１は、接着フィルム２との接着強度が向上する。
【００２７】
なお、凹凸の平均間隔ＲＳｍとは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１（２０１３）に規定されており、１つの山部およびそれに隣り合う１つの谷部に対応する中心線の長さの和を山部と谷部との間隔とした際、この間隔の平均値を示す指標である。また、山部頂点の平均間隔Ｓとは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１（１９９４）に規定されており、隣り合う山部の頂点同士の間隔の平均値を示す指標である。
【００２８】
また、第１面１ａにおいて、凹凸の平均間隔ＲＳｍは、例えば、２１．２μｍ以上２８．５μｍ以下であればよく、山部頂点の平均間隔Ｓは、例えば、８．５μｍ以上１９．９μｍ以下であればよい。
【００２９】
そして、支持基板１の第１面１ａにおける、算術平均粗さＲａ、スキューネスＲｓｋ、二乗平均平方根粗さＲｑ、クルトシスＲｋｕ、最大谷深さＲｖおよび凹凸の平均間隔ＲＳｍは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１（２０１３）に準拠して、また、突出谷部深さＲｖｋおよび突出山部高さＲｐｋはＪＩＳ  Ｂ  ０６７１−２（２００２）に準拠して、また、山部頂点の平均間隔ＳはＪＩＳ  Ｂ  ０６０１（１９９４）に準拠して測定することにより求めることができる。なお、測定条件としては、例えば、測定長さを４ｍｍ、カットオフ値を０．８ｍｍとし、触針半径が２μｍの触針を用い、走査速度を１ｍｍ／秒に設定すればよい。そして、支持基板１の第１面１ａにおいて、少なくとも３ヵ所以上測定し、その平均値を求めればよい。
【００３０】
次に、本開示の支持基板１の製造方法の一例について説明する。なお、以下では、支持基板１が酸化アルミニウム質セラミックスからなる場合について説明する。
【００３１】
まず、平均粒径が１μｍ以上２μｍ以下の酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）粉末を準備する。次に、焼結助剤粉末として、酸化珪素（ＳｉＯ2）と、酸化カルシウム（ＣａＯ）および酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の少なくとも１種とを含む粉末を準備する。そして、酸化アルミニウム粉末と焼結助剤粉末とを、各粉末（酸化アルミニウム粉末および焼結助剤粉末）の合計１００質量％のうち、酸化アルミニウム粉末が７０質量％以上となるように、各粉末を秤量し、混合粉末を得る。次に、この混合粉末を、水等の溶媒とともに回転ミルに投入して混合する。次に、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、アクリル樹脂またはブチラール樹脂等のうち少なくとも一種を含むバインダを、混合粉末１００質量％に対して４質量％以上８質量％以下添加する。次に、高純度のアルミナボールを用いて、さらに回転ミルで混合しスラリーを得る。
【００３２】
次に、スプレードライヤを用いて、このスラリーを造粒体にする。そして、この造粒体を使用し、ロールコンパクション法または冷間等方圧加圧法（ＣＩＰ：Cold Isostatic Pressing）によって成形することによって、板状の成形体を得る。ここで、必要に応じて、成形体に切削加工を施しても構わない。また、成形体のサイズは、焼成後の厚み×縦×横が、０．５ｍｍ×２５０ｍｍ×２５０ｍｍ〜６０ｍｍ×７００ｍｍ×７００ｍｍとなるようにしてもよい。
【００３３】
そして、得られた成形体を大気雰囲気で、最高温度を１５００℃以上１７００℃以下、最高温度の保持時間を１５分以上１０時間以下となるように焼成し、焼結体を得る。
【００３４】
次に、得られた焼結体に対し、両面研磨を行なう。ここで、両面研磨の条件としては、番手が＃１００以上＃２０００以下のダイヤモンドからなる砥粒を有する上砥石および下砥石を用い、上砥石に加える圧力を０．０２ｋｇｆ／ｃｍ2以上０．３ｋｇｆ／ｃｍ2以下、下砥石の周速を５０ｍｍ／ｓ以上１８００ｍｍ／ｓ以下とすればよい。そして、この両面研磨を上記条件内で適宜変更して行なうことで、支持基板１の第１面１ａを任意の表面性状とすることができ、本開示の支持基板１を得る。
【００３５】
以下、本開示の実施例を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。
【実施例１】
【００３６】
第１面における、算術平均粗さＲａおよびスキューネスＲｓｋを異ならせた試料を作製し、接着フィルムとの接着強度の評価を行なった。【００３７】
まず、平均粒径が１．６μｍの酸化アルミニウム粉末を準備した。次に、焼結助剤粉末として、酸化珪素と、酸化カルシウムおよび酸化マグネシウムの含有量が、それぞれ質量比で６：１：３である粉末を準備した。そして、酸化アルミニウム粉末と焼結助剤粉末とを、各粉末（酸化アルミニウム粉末および焼結助剤粉末）の合計１００質量％のうち、酸化アルミニウム粉末が９６質量％となるように、各粉末を秤量し、混合粉末を得た。次に、この混合粉末を、水とともに回転ミルに投入して混合した。次に、アクリル樹脂からなるバインダを、混合粉末１００質量％に対して６質量％添加した。次に、高純度のアルミナボールを用いて、さらに回転ミルで混合しスラリーを得た。【００３８】
次に、スプレードライヤを用いて、このスラリーを造粒体にした。そして、この造粒体を使用し、ロールコンパクション法によって板状の成形体を得た。ここで、成形体に切削加工を施し、成形体のサイズが、焼成後の厚み×直径が、１ｍｍ×３００ｍｍとなる円板形状となるようにした。【００３９】
次に、得られた成形体を大気雰囲気で、最高温度を１５５０℃とし、最高温度の保持時間を１時間となるように焼成し、焼結体を得た。【００４０】
そして、焼結体において、第１面となる面の表面性状が表１の値になるように、両面研磨を行なうことで、各試料を得た。【００４１】
次に、得られた各試料について、接触型の表面粗さ計を用い、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１（２０１３）に準拠して、第１面における、算術平均粗さＲａおよびスキューネスＲｓｋの測定を行なった。ここで、測定条件としては、測定長さを４ｍｍ、カットオフ値を０．８ｍｍとし、触針半径が２μｍの触針を用い、走査速度を１ｍｍ／秒に設定した。そして、第１面において３ヵ所測定し、その平均値を求めた。【００４２】
次に、以下の方法で、各試料の接着フィルムとの接着強度の評価を行なった。【００４３】
まず、接着フィルムとして、アクリル系ポリマーを主成分とした粘着剤と、２００℃で膨張する熱膨張性ビーズからなる発泡剤とを混合し形成した熱膨張性粘着剤シートを準備した。次に、各試料の第１面に、この熱膨張性粘着剤シートを貼り付けた。次に、各試料を冷熱衝撃試験装置内へ入れ、温度を室温（２５℃）から１７０℃まで昇温した後、１０分間保持し、その後、室温まで降温するというサイクルを１サイクルとし、このサイクルを繰り返した。そして、１００サイクル毎に各試料を取り出し、接着フィルムが支持基板の第１面から剥離しているか否かを確認した。そして、接着フィルムが剥離するまでに必要としたサイクル数（以下、必要サイクル数と記載する）が多かった試料から順に各試料に順位を付けた。ここで、最も必要サイクル数が多かった試料を１位とし、最も必要サイクル数が少なかった試料を最下位とした。ここで、必要サイクル数が多い程、接着フィルムとの接着強度が高いことを示している。【００４４】
結果を表１に示す。【００４５】
【表１】
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【００４６】
表１に示すように、試料Ｎｏ．１、６に比べて試料Ｎｏ．２〜５の順位は高かった。この結果から、第１面において、算術平均粗さＲａが０．５μｍ以下であるとともに、スキューネスＲｓｋが負であることで、接着フィルムとの接着強度が高いものとなることがわかった。
【実施例２】
【００４７】
次に、第１面における、突出谷部深さＲｖｋおよび突出山部高さＲｐｋを異ならせた試料を作製し、接着フィルムとの接着強度の評価を行なった。【００４８】
なお、各試料の作製方法としては、第１面の表面性状が表２の値になるように、両面研磨を行なったこと以外は実施例１の試料Ｎо．３の作製方法と同様とした。なお、試料Ｎｏ．７は、実施例１の試料Ｎｏ．３と同じである。【００４９】
次に、得られた各試料について、第１面における、突出谷部深さＲｖｋおよび突出山部高さＲｐｋの測定を行なった。なお、測定条件としては、ＪＩＳ  Ｂ  ０６７１−２（２００２）に基づき実施例１と同様とした。【００５０】
また、各試料の接着フィルムとの接着強度を、実施例１と同じ方法で評価した。【００５１】
結果を表２に示す。なお、表２における順位付けは、表２に示す試料のみを比較して付けている。【００５２】
【表２】
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【００５３】
表２に示すように、試料Ｎｏ．７に比べて試料Ｎｏ．８〜１２の順位が高いことから、第１面において、突出谷部深さＲｖｋと突出山部高さＲｐｋとの第１の比が０．８以下であることで、接着フィルムとの接着強度が向上することがわかった。【００５４】
また、試料Ｎｏ．８〜１２の中でも、試料Ｎｏ．１１、１２の順位が高いことから、第１の比が０．２以下であることで、接着フィルムとの接着強度がさらに向上することがわかった。
【実施例３】
【００５５】
次に、第１面における、算術平均粗さＲａおよび二乗平均平方根粗さＲｑを異ならせた試料を作製し、接着フィルムとの接着強度の評価を行なった。【００５６】
なお、各試料の作製方法としては、第１面の表面性状が表３の値になるように、両面研磨を行なったこと以外は実施例２の試料Ｎо．９の作製方法と同様とした。なお、試料Ｎｏ．１３は、実施例２の試料Ｎｏ．９と同じである。【００５７】
次に、得られた各試料について、第１面における、算術平均粗さＲａおよび二乗平均平方根粗さＲｑの測定を行なった。なお、測定条件としては、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１（２０１３）に基づき実施例１と同様とした。【００５８】
また、各試料の接着フィルムとの接着強度を、実施例１と同じ方法で評価した。【００５９】
結果を表３に示す。なお、表３における順位付けは、表３に示す試料のみを比較して付けている。【００６０】
【表３】
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【００６１】
表３に示すように、試料Ｎｏ．１３に比べて試料Ｎｏ．１４〜１６の順位が高いことから、第１面において、算術平均粗さＲａと二乗平均平方根粗さＲｑとの第２の比が１．７以下であることで、接着フィルムとの接着強度が向上することがわかった。【００６２】
また、試料Ｎｏ．１４〜１６の中でも、試料Ｎｏ．１５、１６の順位が高いことから、第２の比が１．４以下であることで、接着フィルムとの接着強度がさらに向上することがわかった。
【実施例４】
【００６３】
次に、第１面における、クルトシスＲｋｕを異ならせた試料を作製し、接着フィルムとの接着強度の評価を行なった。【００６４】
なお、各試料の作製方法としては、第１面の表面性状が表４の値になるように、両面研磨を行なったこと以外は実施例３の試料Ｎо．１６の作製方法と同様とした。なお、試料Ｎｏ．１７は、実施例３の試料Ｎｏ．１６と同じである。【００６５】
次に、得られた各試料について、第１面における、クルトシスＲｋｕの測定を行なった。なお、測定条件としては、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１（２０１３）に基づき実施例１と同様とした。【００６６】
また、各試料の接着フィルムとの接着強度を、実施例１と同じ方法で評価した。【００６７】
結果を表４に示す。なお、表４における順位付けは、表４に示す試料のみを比較して付けている。【００６８】
【表４】
2018221379.tif 000006
【００６９】
表４に示すように、試料Ｎｏ．１７、２１に比べて試料Ｎｏ．１８〜２０の順位が高いことから、第１面において、クルトシスＲｋｕが３より大きく１１以下であることで、接着フィルムとの接着強度が向上することがわかった。
【実施例５】
【００７０】
次に、第１面における、最大谷深さＲｖを異ならせた試料を作製し、接着フィルムとの接着強度の評価を行なった。【００７１】
なお、各試料の作製方法としては、第１面の表面性状が表５の値になるように、両面研磨を行なったこと以外は実施例４の試料Ｎо．１９の作製方法と同様とした。なお、試料Ｎｏ．２２は、実施例４の試料Ｎｏ．１９と同じである。【００７２】
次に、得られた各試料について、第１面における、最大谷深さＲｖの測定を行なった。なお、測定条件としては、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１（２０１３）に基づき実施例１と同様とした。【００７３】
また、各試料の接着フィルムとの接着強度を、実施例１と同じ方法で評価した。【００７４】
結果を表５に示す。なお、表５における順位付けは、表５に示す試料のみを比較して付けている。【００７５】
【表５】
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【００７６】
表５に示すように、試料Ｎｏ．２２に比べて試料Ｎｏ．２３、２４の順位が高いことから、第１面において、最大谷深さＲｖが４．０μｍ以下であることで、接着フィルムとの接着強度が向上することがわかった。
【実施例６】
【００７７】
次に、第１面における、山部頂点の平均間隔Ｓおよび凹凸の平均間隔ＲＳｍを異ならせた試料を作製し、接着フィルムとの接着強度の評価を行なった。【００７８】
なお、各試料の作製方法としては、第１面の表面性状が表６の値になるように、両面研磨を行なったこと以外は実施例５の試料Ｎо．２４の作製方法と同様とした。なお、試料Ｎｏ．２５は、実施例５の試料Ｎｏ．２４と同じである。【００７９】
次に、得られた各試料について、第１面における、山部頂点の平均間隔Ｓおよび凹凸の平均間隔ＲＳｍの測定を行なった。なお、測定条件としては、山部頂点の平均間隔ＳはＪＩＳ  Ｂ  ０６０１（１９４４）に基づき、凹凸の平均間隔ＲＳｍはＪＩＳ  Ｂ  ０６０１（２０１３）に基づき、実施例１と同様とした。【００８０】
また、各試料の接着フィルムとの接着強度を、実施例１と同じ方法で評価した。【００８１】
結果を表６に示す。なお、表６における順位付けは、表６に示す試料のみを比較して付けている。【００８２】
【表６】
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【００８３】
表６に示すように、試料Ｎｏ．２５、２９に比べて試料Ｎｏ．２６〜２８の順位が高いことから、第１面において、凹凸の平均間隔ＲＳｍと山部頂点の平均間隔Ｓとの第３の比が０．４以上０．７以下であることで、接着フィルムとの接着強度が向上することがわかった。
【符号の説明】
【００８４】
１：支持基板
１ａ：第１面
１ｂ：第２面
２：接着フィルム
３：半導体チップ
４：封止材
【図１】
2018221379.tif 000009
【国際調査報告】
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