(57)【要約】  （Ａ）熱硬化性樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）熱可塑性樹脂、及び（Ｄ）磁性フィラー、を含有する樹脂組成物であって、樹脂組成物を熱硬化させた硬化物の２３℃における弾性率が７ＧＰａ以上１８ＧＰａ以下である、樹脂組成物。【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）熱硬化性樹脂、
（Ｂ）硬化剤、
（Ｃ）熱可塑性樹脂、及び
（Ｄ）磁性フィラー、を含有する樹脂組成物であって、
樹脂組成物を熱硬化させた硬化物の２３℃における弾性率が７ＧＰａ以上１８ＧＰａ以下である、樹脂組成物。
【請求項２】
（Ｄ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発分を１００質量％とした場合、７５質量％以上９５質量％未満である、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
（Ｅ）磁性フィラー以外の無機充填材をさらに含有する、請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
【請求項４】
（Ｄ）成分の含有質量をｄ１とし、（Ｅ）成分の含有質量をｅ１とした場合、ｅ１／ｄ１が０．０２以上０．１９以下である、請求項３に記載の樹脂組成物。
【請求項５】
樹脂組成物中の樹脂成分の含有質量をａ１とし、（Ｃ）成分の含有質量をｃ１とした場合、（ｃ１／ａ１）×１００が、３５以上８０以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項６】
（Ａ）成分が、エポキシ樹脂である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項７】
エポキシ樹脂が、ビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂、及び縮合環構造を有するエポキシ樹脂から選ばれる１種以上のエポキシ樹脂である、請求項６に記載の樹脂組成物。
【請求項８】
（Ｂ）成分が、フェノール系硬化剤、及び活性エステル系硬化剤から選ばれる１種以上の硬化剤である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項９】
（Ｃ）成分が、重量平均分子量が３万以上１００万以下の、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチラール樹脂、及びアクリル樹脂から選ばれる１種以上の熱可塑性樹脂である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１０】
樹脂組成物が、マトリックス相と分散相とからなる海島構造を形成し、（Ｄ）成分がマトリックス相側に偏在している、請求項１〜９のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１１】
（Ｄ）成分の平均粒径が、０．０１μｍ以上８μｍ以下であり、かつ、（Ｄ）成分のアスペクト比が２以下である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１２】
（Ｄ）成分が、Ｓｉ、Ａｌ、及びＣｒから選ばれる１種以上の元素を含むＦｅ合金類である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１３】
（Ｅ）成分が、シリカである、請求項３〜１２のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１４】
樹脂組成物を熱硬化させた硬化物の、周波数１００ＭＨｚにおける比透磁率が５以上である、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１５】
樹脂組成物を熱硬化させた硬化物の、周波数１００ＭＨｚにおける磁性損失が０．０５以下である、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１６】
樹脂組成物を熱硬化させた硬化物の、周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率が５以上２０以下であり、周波数１００ＭＨｚにおける比透磁率が５以上２０以下であり、周波数１ＧＨｚにおける比透磁率が４以上１６以下であり、周波数３ＧＨｚ以上における比透磁率が２以上１０以下である、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１７】
インダクタ素子を備える配線板の磁性層形成用である、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１８】
インダクタ素子が機能する周波数が１０〜２００ＭＨｚである、請求項１７に記載の樹脂組成物。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれか１項に記載の樹脂組成物を熱硬化させた硬化物。
【請求項２０】
支持体と、該支持体上に設けられた、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層を含む、接着フィルム。
【請求項２１】
請求項２０に記載の接着フィルムの樹脂組成物層の硬化物である磁性層と、該磁性層に少なくとも一部分が埋め込まれた導電性構造体とを有しており、
前記導電性構造体と、前記磁性層の厚さ方向に延在し、かつ前記導電性構造体に囲まれた前記磁性層のうちの一部分によって構成されるインダクタ素子を含む、インダクタ素子内蔵配線板。
【請求項２２】
インダクタ素子が機能する周波数が１０〜２００ＭＨｚである、請求項２１に記載のインダクタ素子内蔵配線板。
【請求項２３】
請求項２１又は２２に記載のインダクタ素子内蔵配線板を内層基板として使用したプリント配線板。
【請求項２４】
請求項２１又は２２に記載のインダクタ素子内蔵配線板を個片化したチップインダクタ部品。
【請求項２５】
請求項２４に記載のチップインダクタ部品を表面実装したプリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂組成物に関する。さらには、当該樹脂組成物を用いて得られる、接着フィルム、硬化物、インダクタ素子内蔵配線板、チップインダクタ部品、及びプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の小型化、薄型化の要求により、プリント配線板やプリント配線板に搭載されるインダクタ部品（コイル）も、小型化、薄型化の要求が高まっている。チップ部品としてインダクタ部品を搭載した場合、プリント配線板の薄型化に限界が生じる。よって、磁性材料を樹脂組成物層に含有する接着フィルムを用いて、プリント基板に磁性層を形成することで、プリント配線板内層にインダクタを形成することが考えられる（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１８７２６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
インダクタ部品には、電源系と信号系とがあり、信号系では、ギガヘルツ以上の領域での比透磁率（透磁率）が要求される。特許文献１に記載の接着フィルムは、信号系に用いることを前提としており、１ＧＨｚから３ＧＨｚの範囲で比透磁率が良好となる。一方、電源系では、信号系よりも低周波の領域で高い比透磁率が求められており、１０ＭＨｚ未満の周波数で用いられることが一般的であった。よって、従来の樹脂組成物は、１０ＭＨｚ未満、又は１ＧＨｚ以上の周波数に最適化されている。【０００５】
これに対し、本発明者らは、新たに１０ＭＨｚ〜２００ＭＨｚという新たな周波数領域に注目し、この周波数領域で高い比透磁率を実現できれば、電源系の新たなインダクタ部品が得られるとの知見を得た。但し、このような樹脂組成物を用いた接着フィルムをプリント配線板の層間絶縁層部分に磁性層として置き換えて用いるためには、磁性層形成後に反りが発生しにくいこと、難燃性、及びラミネート性等も要求される。【０００６】
本発明の課題は、難燃性に優れ、反り量が抑制され、特に、周波数が１０〜２００ＭＨｚの範囲で比透磁率を向上させることができる硬化物を得ることができ、さらにはラミネート性に優れる樹脂組成物；当該樹脂組成物を用いて得られる、接着フィルム、硬化物、インダクタ素子内蔵配線板、チップインダクタ部品、及びプリント配線板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一般に、磁性フィラーを含有する樹脂組成物は、周波数が１０〜２００ＭＨｚの範囲での比透磁率が低いため、１ＧＨｚから３ＧＨｚの範囲での高周波用途であるか、０〜１０ＭＨｚの範囲での低周波用途に限定されていた。本発明者らが鋭意検討した結果、磁性フィラーを含有する樹脂組成物を熱硬化させた硬化物の２３℃における弾性率が所定の範囲内となるように樹脂組成物中に含まれる各成分を調整すると、樹脂組成物を用いて得られる接着フィルムはラミネート性に優れ、樹脂組成物の硬化物は、難燃性に優れ、反り量が抑制され、特に、周波数が１０〜２００ＭＨｚの範囲で比透磁率を向上させることができることを見出し、本発明を完成させるに至った。【０００８】
すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］  （Ａ）熱硬化性樹脂、
（Ｂ）硬化剤、
（Ｃ）熱可塑性樹脂、及び
（Ｄ）磁性フィラー、を含有する樹脂組成物であって、
樹脂組成物を熱硬化させた硬化物の２３℃における弾性率が７ＧＰａ以上１８ＧＰａ以下である、樹脂組成物。
［２］  （Ｄ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発分を１００質量％とした場合、７５質量％以上９５質量％未満である、［１］に記載の樹脂組成物。
［３］  （Ｅ）磁性フィラー以外の無機充填材をさらに含有する、［１］又は［２］に記載の樹脂組成物。
［４］  （Ｄ）成分の含有質量をｄ１とし、（Ｅ）成分の含有質量をｅ１とした場合、ｅ１／ｄ１が０．０２以上０．１９以下である、［３］に記載の樹脂組成物。
［５］  樹脂組成物中の樹脂成分の含有質量をａ１とし、（Ｃ）成分の含有質量をｃ１とした場合、（ｃ１／ａ１）×１００が、３５以上８０以下である、［１］〜［４］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［６］  （Ａ）成分が、エポキシ樹脂である、［１］〜［５］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［７］  エポキシ樹脂が、ビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂、及び縮合環構造を有するエポキシ樹脂から選ばれる１種以上のエポキシ樹脂である、［６］に記載の樹脂組成物。
［８］  （Ｂ）成分が、フェノール系硬化剤、及び活性エステル系硬化剤から選ばれる１種以上の硬化剤である、［１］〜［７］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［９］  （Ｃ）成分が、重量平均分子量が３万以上１００万以下の、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチラール樹脂、及びアクリル樹脂から選ばれる１種以上の熱可塑性樹脂である、［１］〜［８］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１０］  樹脂組成物が、マトリックス相と分散相とからなる海島構造を形成し、（Ｄ）成分がマトリックス相側に偏在している、［１］〜［９］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１１］  （Ｄ）成分の平均粒径が、０．０１μｍ以上８μｍ以下であり、かつ、（Ｄ）成分のアスペクト比が２以下である、［１］〜［１０］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１２］  （Ｄ）成分が、Ｓｉ、Ａｌ、及びＣｒから選ばれる１種以上の元素を含むＦｅ合金類である、［１］〜［１１］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１３］  （Ｅ）成分が、シリカである、［３］〜［１２］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１４］  樹脂組成物を熱硬化させた硬化物の、周波数１００ＭＨｚにおける比透磁率が５以上である、［１］〜［１３］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１５］  樹脂組成物を熱硬化させた硬化物の、周波数１００ＭＨｚにおける磁性損失が０．０５以下である、［１］〜［１４］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１６］  樹脂組成物を熱硬化させた硬化物の、周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率が５以上２０以下であり、周波数１００ＭＨｚにおける比透磁率が５以上２０以下であり、周波数１ＧＨｚにおける比透磁率が４以上１６以下であり、周波数３ＧＨｚ以上における比透磁率が２以上１０以下である、［１］〜［１５］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１７］  インダクタ素子を備える配線板の磁性層形成用である、［１］〜［１６］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１８］  インダクタ素子が機能する周波数が１０〜２００ＭＨｚである、［１７］に記載の樹脂組成物。
［１９］  ［１］〜［１８］のいずれかに記載の樹脂組成物を熱硬化させた硬化物。
［２０］  支持体と、該支持体上に設けられた、［１］〜［１８］のいずれかに記載の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層を含む、接着フィルム。
［２１］  ［２０］に記載の接着フィルムの樹脂組成物層の硬化物である磁性層と、該磁性層に少なくとも一部分が埋め込まれた導電性構造体とを有しており、
前記導電性構造体と、前記磁性層の厚さ方向に延在し、かつ前記導電性構造体に囲まれた前記磁性層のうちの一部分によって構成されるインダクタ素子を含む、インダクタ素子内蔵配線板。
［２２］  インダクタ素子が機能する周波数が１０〜２００ＭＨｚである、［２１］に記載のインダクタ素子内蔵配線板。
［２３］  ［２１］又は［２２］に記載のインダクタ素子内蔵配線板を内層基板として使用したプリント配線板。
［２４］  ［２１］又は［２２］に記載のインダクタ素子内蔵配線板を個片化したチップインダクタ部品。
［２５］  ［２４］に記載のチップインダクタ部品を表面実装したプリント配線板。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、難燃性に優れ、反り量が抑制され、特に、周波数が１０〜２００ＭＨｚの範囲で比透磁率を向上させることができる硬化物を得ることができ、さらにはラミネート性に優れる樹脂組成物；当該樹脂組成物を用いて得られる、接着フィルム、硬化物、インダクタ素子内蔵配線板、チップインダクタ部品、及びプリント配線板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、一例としての第１実施形態のインダクタ素子内蔵配線板をその厚さ方向の一方からみた模式的な平面図である。
【図２】図２は、一例としてのＩＩ−ＩＩ一点鎖線で示した位置で切断した第１実施形態のインダクタ素子内蔵配線板の切断端面を示す模式的な図である。
【図３】図３は、一例としての第１実施形態のインダクタ素子内蔵配線板のうちの第１配線層の構成を説明するための模式的な平面図である。
【図４】図４は、一例としての第２実施形態のインダクタ素子内蔵配線板の製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【図５】図５は、実施例１０の樹脂組成物の断面の拡大写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、各図面は、発明が理解できる程度に、構成要素の形状、大きさおよび配置が概略的に示されているに過ぎない。本発明は以下の記述によって限定されるものではなく、各構成要素は本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。以下の説明に用いる図面において、同様の構成要素については同一の符号を付して示し、重複する説明については省略する場合がある。また、本発明の実施形態にかかる構成は、必ずしも図示例の配置により、製造されたり、使用されたりするとは限らない。
【００１２】
［樹脂組成物］
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）熱硬化性樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）熱可塑性樹脂、及び（Ｄ）磁性フィラー、を含有する樹脂組成物であって、樹脂組成物を熱硬化させた硬化物の２３℃における弾性率が７ＧＰａ以上１８ＧＰａ以下である。
【００１３】
先述したように、従来、磁性フィラーを含有する樹脂組成物は、周波数が１０〜２００ＭＨｚの範囲での比透磁率が低いため、１ＧＨｚから３ＧＨｚの範囲での高周波用途であるか、０〜１０ＭＨｚの範囲での低周波用途に限定されていた。本発明では、熱硬化させた硬化物の２３℃における弾性率が７ＧＰａ以上１８ＧＰａ以下となるように樹脂組成物中に含まれる（Ａ）成分〜（Ｄ）成分の含有量を調整することにより、難燃性に優れ、反り量が抑制され、特に、周波数が１０〜２００ＭＨｚの範囲での比透磁率を向上させることができる硬化物を得ることができ、さらには樹脂組成物を用いて得られる接着フィルムはラミネート性に優れる。
【００１４】
樹脂組成物は、必要に応じて、さらに（Ｅ）磁性フィラー以外の無機充填材、（Ｆ）硬化促進剤、（Ｇ）難燃剤、（Ｈ）有機充填材を含み得る。以下、樹脂組成物に含まれる各成分について詳細に説明する。
【００１５】
＜（Ａ）熱硬化性樹脂＞
樹脂組成物は、（Ａ）熱硬化性樹脂を含有する。（Ａ）成分としては、配線板の絶縁層を形成する際に使用される熱硬化性樹脂を用いることができ、中でもエポキシ樹脂が好ましい。
【００１６】
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；トリスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂；ｔｅｒｔ−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂；ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂等の縮合環構造を有するエポキシ樹脂；グリシジルアミン型エポキシ樹脂；グリシジルエステル型エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂（ビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂）；線状脂肪族エポキシ樹脂；ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂；脂環式エポキシ樹脂；複素環式エポキシ樹脂；スピロ環含有エポキシ樹脂；シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂；トリメチロール型エポキシ樹脂；テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、及び縮合環構造を有するエポキシ樹脂から選択される１種以上であることが好ましく、ビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂、及び縮合環構造を有するエポキシ樹脂から選ばれる１種以上であることがより好ましい。
【００１７】
エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。また、エポキシ樹脂は、芳香族構造を有することが好ましく、２種以上のエポキシ樹脂を用いる場合は少なくとも１種が芳香族構造を有することがより好ましい。エポキシ樹脂の不揮発成分を１００質量％とした場合に、少なくとも５０質量％以上は１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であるのが好ましい。中でも、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で液状のエポキシ樹脂（以下「液状エポキシ樹脂」という。）と、１分子中に３個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で固体状のエポキシ樹脂（以下「固体状エポキシ樹脂」という。）とを含むことが好ましい。エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用することで、優れた可撓性を有する樹脂組成物が得られる。また、樹脂組成物の硬化物の破断強度も向上する。芳香族構造とは、一般に芳香族と定義される化学構造であり、多環芳香族及び芳香族複素環をも含む。
【００１８】
液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂がより好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）、「６３０」、「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）、ナガセケムテックス社製の「ＥＸ−７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）、ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）、「ＰＢ−３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４−グリシジルシクロヘキサン）、三菱化学社製の「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、ＡＤＥＫＡ社製の「ＥＰ−３９８０Ｓ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１９】
固体状エポキシ樹脂としては、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−４７００」、「ＨＰ−４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００ＨＨ」、「ＨＰ−７２００Ｈ」、「ＥＸＡ−７３１１」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ３」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ４」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）、日本化薬社製の「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）、大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ−１００」、「ＣＧ−５００」、三菱化学社製の「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）、「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２０】
エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．１〜１：４の範囲が好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比を斯かる範囲とすることにより、ｉ）接着フィルムの形態で使用する場合に適度な粘着性がもたらされる、ｉｉ）接着フィルムの形態で使用する場合に十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する、並びにｉｉｉ）十分な破断強度を有する硬化物を得ることができる等の効果が得られる。上記ｉ）〜ｉｉｉ）の効果の観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂の量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．３〜１：３．５の範囲であることがより好ましく、１：０．６〜１：３の範囲であることがさらに好ましく、１：０．８〜１：２．５の範囲であることが特に好ましい。
【００２１】
（Ａ）成分の含有量（質量％）は、良好な機械強度、絶縁信頼性を示す磁性層を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは１質量％以上である。エポキシ樹脂の含有量の上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは５質量％以下、さらに好ましくは３質量％以下である。
【００２２】
（Ａ）成分の含有量（体積％）は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００体積％とした場合、好ましくは１質量％以上、より好ましくは３質量％以上、さらに好ましくは５質量％以上である。上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは２５質量％以下、より好ましくは２０質量％以下、さらに好ましくは１５質量％以下である。
【００２３】
エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０〜５０００、より好ましくは５０〜３０００、さらに好ましくは８０〜２０００、さらにより好ましくは１１０〜１０００である。この範囲となることで、硬化物の架橋密度が十分となり表面粗さの小さい磁性層をもたらすことができる。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ  Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。
【００２４】
エポキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは１００〜５０００、より好ましくは２５０〜３０００、さらに好ましくは４００〜１５００である。ここで、エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。
【００２５】
＜（Ｂ）硬化剤＞
樹脂組成物は、（Ｂ）硬化剤を含有する。（Ｂ）成分は、（Ａ）成分を硬化する機能を有する限り特に限定されない。（Ａ）成分がエポキシ樹脂である場合には、硬化剤はエポキシ樹脂硬化剤である。エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、およびシアネートエステル系硬化剤が挙げられる。エポキシ樹脂硬化剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。絶縁性の信頼性及び耐熱性の観点から、硬化剤としては、フェノール系硬化剤及び活性エステル系硬化剤から選ばれる１種以上であることが好ましい。
【００２６】
フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、又はノボラック構造を有するナフトール系硬化剤が好ましい。また、導体層との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。中でも、耐熱性、耐水性、及び導体層との密着性を高度に満足させる観点から、トリアジン骨格含有フェノールノボラック硬化剤が好ましい。
【００２７】
フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、明和化成社製の「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、新日鉄住金化学社製の「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５Ｖ」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ社製の「ＴＤ−２０９０」、「ＬＡ−７０５２」、「ＬＡ−７０５４」、「ＬＡ−１３５６」、「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」、「ＥＸＢ−９５００」、「ＨＰＣ−９５００」、「ＫＡ−１１６０」、「ＫＡ−１１６３」、「ＫＡ−１１６５」、群栄化学社製の「ＧＤＰ−６１１５Ｌ」、「ＧＤＰ−６１１５Ｈ」等が挙げられる。
【００２８】
活性エステル系硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。
【００２９】
具体的には、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が好ましく、中でもナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンチレン−フェニレンからなる２価の構造を表す。
【００３０】
活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、「ＨＰＣ−８０００Ｈ−６５ＴＭ」、「ＥＸＢ−８０００Ｌ−６５ＴＭ」（ＤＩＣ社製）、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「ＥＸＢ９４１６−７０ＢＫ」（ＤＩＣ社製）、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として「ＤＣ８０８」（三菱化学社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として「ＹＬＨ１０２６」（三菱化学社製）、フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤として「ＤＣ８０８」（三菱化学社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「ＹＬＨ１０２６」（三菱化学社製）、「ＹＬＨ１０３０」（三菱化学社製）、「ＹＬＨ１０４８」（三菱化学社製）等が挙げられる。
【００３１】
ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業社製の「Ｐ−ｄ」、「Ｆ−ａ」が挙げられる。
【００３２】
シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４−シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。
【００３３】
エポキシ樹脂と硬化剤との量比は、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［硬化剤の反応基の合計数］の比率で、１：０．２〜１：２の範囲であることが好ましく、１：０．３〜１：１．５の範囲であることがより好ましく、１：０．４〜１：１の範囲であることがさらに好ましい。ここで、硬化剤の反応基とは、活性水酸基、活性エステル基等であり、硬化剤の種類によって異なる。また、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数とは、各エポキシ樹脂の不揮発成分の質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値であり、硬化剤の反応基の合計数とは、各硬化剤の不揮発成分の質量を反応基当量で除した値をすべての硬化剤について合計した値である。エポキシ樹脂と硬化剤との量比をかかる範囲内とすることにより、硬化物としたときの耐熱性がより向上する。
【００３４】
樹脂組成物は、エポキシ樹脂として液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との混合物を、硬化剤としてフェノール系硬化剤、及び活性エステル系硬化剤からなる群から選択される１種以上をそれぞれ含むことが好ましい。
【００３５】
（Ｂ）成分の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは５質量％以下、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは２質量％以下である。また、下限は特に制限はないが０．１質量％以上が好ましい。
【００３６】
＜（Ｃ）熱可塑性樹脂＞
樹脂組成物は、（Ｃ）熱可塑性樹脂を含有する。（Ｃ）成分を含有させることで弾性率を低下させ、反りを低減させることができる。
【００３７】
熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチラール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、及びポリスルホン樹脂等が挙げられ、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチラール樹脂、及びアクリル樹脂から選ばれる１種以上であることが好ましい。熱可塑性樹脂は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
【００３８】
熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、好ましくは３万以上、より好ましくは５万以上、さらに好ましくは１０万以上である。また、好ましくは１００万以下、より好ましくは７５万以下、さらに好ましくは５０万以下である。熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定される。具体的には、熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、測定装置として島津製作所社製「ＬＣ−９Ａ／ＲＩＤ−６Ａ」を、カラムとして昭和電工社製「Ｓｈｏｄｅｘ  Ｋ−８００Ｐ／Ｋ−８０４Ｌ／Ｋ−８０４Ｌ」を、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度を４０℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。
【００３９】
フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビスフェノールＳ骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、およびトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される１種以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱化学社製の「１２５６」及び「４２５０」（いずれもビスフェノールＡ骨格含有フェノキシ樹脂）、「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）、及び「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂）が挙げられ、その他にも、新日鉄住金化学社製の「ＦＸ２８０」及び「ＦＸ２９３」、三菱化学社製の「ＹＬ７５００ＢＨ３０」、「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」、「ＹＸ７５５３」、「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、「ＹＬ７７６９ＢＨ３０」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」及び「ＹＬ７４８２」等が挙げられる。
【００４０】
アクリル樹脂としては、熱膨張率および弾性率をより低下させる観点から、官能基含有アクリル樹脂が好ましく、ガラス転移温度が２５℃以下のエポキシ基含有アクリル樹脂がより好ましい。
【００４１】
官能基含有アクリル樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１００００〜１００００００であり、より好ましくは３００００〜９０００００である。
【００４２】
官能基含有アクリル樹脂の官能基当量は、好ましくは１０００〜５００００であり、より好ましくは２５００〜３００００である。
【００４３】
ガラス転移温度が２５℃以下のエポキシ基含有アクリル樹脂としては、ガラス転移温度が２５℃以下のエポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂が好ましく、その具体例としては、ナガセケムテックス社製「ＳＧ−８０Ｈ」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂（数平均分子量Ｍｎ：３５００００ｇ／ｍｏｌ、エポキシ価０．０７ｅｑ／ｋｇ、ガラス転移温度１１℃））、ナガセケムテックス社製「ＳＧ−Ｐ３」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂（数平均分子量Ｍｎ：８５００００ｇ／ｍｏｌ、エポキシ価０．２１ｅｑ／ｋｇ、ガラス転移温度１２℃））が挙げられる。
【００４４】
ポリビニルアセタール樹脂、ブチラール樹脂の具体例としては、電気化学工業社製の電化ブチラール「４０００−２」、「５０００−Ａ」、「６０００−Ｃ」、「６０００−ＥＰ」、積水化学工業社製のエスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ、「ＫＳ−１」などのＫＳシリーズ、「ＢＬ−１」などのＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ等が挙げられる。
【００４５】
ポリイミド樹脂の具体例としては、新日本理化社製の「リカコートＳＮ２０」及び「リカコートＰＮ２０」が挙げられる。ポリイミド樹脂の具体例としてはまた、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド（特開２００６−３７０８３号公報記載のポリイミド）、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド（特開２００２−１２６６７号公報及び特開２０００−３１９３８６号公報等に記載のポリイミド）等の変性ポリイミドが挙げられる。
【００４６】
ポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡社製の「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」及び「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」が挙げられる。ポリアミドイミド樹脂の具体例としてはまた、日立化成社製の「ＫＳ９１００」、「ＫＳ９３００」（ポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド）等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。
【００４７】
ポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学社製の「ＰＥＳ５００３Ｐ」等が挙げられる。ポリフェニレンエーテル樹脂の具体例としては、三菱ガス化学社製のビニル基を有するオリゴフェニレンエーテル・スチレン樹脂「ＯＰＥ−２Ｓｔ  １２００」等が挙げられる。
【００４８】
ポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベイアドバンストポリマーズ社製のポリスルホン「Ｐ１７００」、「Ｐ３５００」等が挙げられる。
【００４９】
中でも、熱可塑性樹脂としては、重量平均分子量が３万以上１００万以下の、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチラール樹脂、及びアクリル樹脂から選ばれる１種以上であることが好ましい。
【００５０】
（Ｃ）成分の含有量（ｃ１）は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．２質量％以上、さらに好ましくは０．３質量％以上である。また、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは９質量％以下、さらに好ましくは８質量％以下である。（Ｃ）成分の含有量をかかる範囲内とすることにより、樹脂組成物の粘度が適度となり、厚さやバルク性状の均一な樹脂組成物層を形成することができる。
【００５１】
樹脂組成物中の樹脂成分の含有質量をａ１とし、（Ｃ）成分の含有質量をｃ１とした場合、（ｃ１／ａ１）×１００が、好ましくは３５以上となるように（Ｃ）成分の含有量を調整することが好ましく、より好ましくは４５以上、さらに好ましくは５５以上、６５以上、又は７０以上である。上限は、好ましくは８０以下、より好ましくは７８以下、さらに好ましくは７７以下である。（Ｃ）成分の含有量が斯かる範囲内となるように調整することにより、樹脂組成物を熱硬化させた硬化物の２３℃における弾性率が７ＧＰａ以上１８ＧＰａ以下としやすい。その結果、難燃性に優れ、反り量が抑制され、特に、周波数が１０〜２００ＭＨｚの範囲で比透磁率を向上させることができるとともに、通常は磁性損失も低減させることができる硬化物を得られる。さらには樹脂組成物を用いて得られる接着フィルムはラミネート性に優れるようになる。
ここで、「樹脂成分」とは、樹脂組成物を構成する不揮発成分のうち、（Ｄ）成分及び（Ｅ）成分を除いた成分をいう。
【００５２】
＜（Ｄ）磁性フィラー＞
樹脂組成物は、（Ｄ）磁性フィラーを含有する。磁性フィラーの材料は特に限定されず、例えば、純鉄粉末、Ｆｅ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−Ｃｕ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｏ系合金粉末、あるいはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金粉末などのＦｅ合金類、Ｆｅ基アモルファス、Ｃｏ基アモルファスなどのアモルファス合金類、Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｇ−Ｍｎ−Ｓｒ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトなどのスピネル型フェライト類、Ｂａ−Ｚｎ系フェライト、Ｂａ−Ｍｇ系フェライト、Ｂａ−Ｎｉ系フェライト、Ｂａ−Ｃｏ系フェライト、Ｂａ−Ｎｉ−Ｃｏ系フェライトなどの六方晶型フェライト類、Ｙ系フェライトなどのガーネット型フェライト類が挙げられる。中でも、（Ｄ）成分としては、Ｆｅ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系合金粉末等の、Ｓｉ、Ａｌ、及びＣｒから選ばれる１種以上の元素を含むＦｅ合金類が好ましい。
【００５３】
磁性フィラーとしては、市販の磁性フィラーを用いることができる。用いられ得る市販の磁性フィラーの具体例としては、山陽特殊製鋼社製「ＰＳＴ−Ｓ」、エプソンアトミックス社製「ＡＷ２−０８」、「ＡＷ２−０８ＰＦ２０Ｆ」、「ＡＷ２−０８ＰＦ１０Ｆ」、「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、「Ｆｅ−３．５Ｓｉ−４．５ＣｒＰＦ２０Ｆ」、「Ｆｅ−５０ＮｉＰＦ２０Ｆ」、「Ｆｅ−８０Ｎｉ−４ＭｏＰＦ２０Ｆ」、ＪＦＥケミカル社製「ＬＤ−Ｍ」、「ＬＤ−ＭＨ」、「ＫＮＩ−１０６」、「ＫＮＩ−１０６ＧＳＭ」、「ＫＮＩ−１０６ＧＳ」、「ＫＮＩ−１０９」、「ＫＮＩ−１０９ＧＳＭ」、「ＫＮＩ−１０９ＧＳ」、戸田工業社製「ＫＮＳ−４１５」、「ＢＳＦ−５４７」、「ＢＳＦ−０２９」、「ＢＳＮ−１２５」、「ＢＳＮ−７１４」、「ＢＳＮ−８２８」、「Ｓ−１２８１」、「Ｓ−１６４１」、「Ｓ−１６５１」、「Ｓ−１４７０」、「Ｓ−１５１１」、「Ｓ−２４３０」、日本重化学工業社製「ＪＲ０９Ｐ２」、ＣＩＫナノテック社製「Ｎａｎｏｔｅｋ」、キンセイマテック社製「ＪＥＭＫ−Ｓ」、「ＪＥＭＫ−Ｈ」、ＡＬＤＲＩＣＨ社製「Ｙｔｔｒｉｕｍ  ｉｒｏｎ  ｏｘｉｄｅ」等が挙げられる。磁性フィラーは１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
【００５４】
（Ｄ）成分は、球状であることが好ましい。（Ｄ）成分の粉体の長辺の長さを短辺の長さで除した値（アスペクト比）としては、好ましくは２以下、より好ましくは１．５以下、さらに好ましくは１．２以下である。一般に、磁性フィラーは球状ではない扁平な形状であるほうが、比透磁率を向上させやすい。しかし、（Ａ）成分〜（Ｃ）成分を組みあわせて所定の弾性率を実現するには、特に球状の（Ｄ）成分を用いる方が、所望の特性を有する樹脂組成物を容易に得ることができる。
【００５５】
（Ｄ）成分の平均粒径は、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、さらに好ましくは１μｍ以上である。また、好ましくは８μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは４μｍ以下である。（Ｄ）成分の平均粒径は、後述する（Ｅ）成分の平均粒径と同様の方法で測定することができる。
【００５６】
（Ｄ）成分として、平均粒径が０．０１μｍ以上８μｍ以下の磁性フィラーを用いると、周波数が０〜１０ＭＨｚの場合では、平均粒径が２５μｍを超える磁性フィラーを用いた場合の比透磁率よりもやや劣る。しかし、１０ＭＨｚを超えても急速に比透磁率が低下することはなく、０〜２００ＭＨｚの範囲で高い比透磁率を維持することができる。即ち、０〜２００ＭＨｚの広い範囲、特に１０ＭＨｚ〜２００ＭＨｚで高い比透磁率を維持しつつ、通常、磁性損失も低減される。
【００５７】
（Ｄ）成分の含有量（体積％）は、比透磁率及び難燃性を向上させる観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００体積％とした場合、好ましくは１０体積％以上、より好ましくは２０体積％以上、さらに好ましくは３０体積％以上である。また、好ましくは８５体積％以下、より好ましくは７５体積％以下、さらに好ましくは６５体積％以下である。
【００５８】
（Ｄ）成分の含有量（質量％：ｄ１）は、比透磁率及び難燃性を向上させる観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは７５質量％以上、より好ましくは７６質量％以上、さらに好ましくは７７質量％以上である。また、好ましくは９５質量％未満、より好ましくは９４質量％以下、さらに好ましくは９３質量％以下である。
【００５９】
（Ｂ）成分として活性エステル系硬化剤を用いた場合、及び／又は（Ｃ）成分としてアクリル樹脂を用いた場合、（Ａ）成分〜（Ｃ）成分の相溶性が低くなることがある。このため、樹脂組成物は、マトリックス相（海）と分散相（島）とからなる海島構造を形成し、（Ｄ）成分がマトリックス相側に偏在することがある。その結果、樹脂組成物の硬化物全体としての比透磁率が向上する。この場合、マトリックス相は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分の混合成分であり、分散相は（Ｃ）成分であることが好ましい。
【００６０】
（Ａ）成分〜（Ｄ）成分を含有させた樹脂組成物の組成を、熱硬化させた硬化物の２３℃における弾性率が７ＧＰａ以上１８ＧＰａ以下となるように調整することで、周波数が１０ＭＨｚ〜２００ＭＨｚ、特に周波数が１０ＭＨｚ〜１００ＭＨｚであるときの比透磁率を５以上とすることができ、更に通常は周波数が１０ＭＨｚ〜１００ＭＨｚであるときの磁性損失を０．０５以下とすることができる。
【００６１】
＜（Ｅ）磁性フィラー以外の無機充填材＞
一実施形態において、樹脂組成物は、（Ｅ）磁性フィラー以外の無機充填材を含有し得る。（Ｅ）成分を含有することにより、磁性損失を低減させることができるとともに、磁性層の熱膨張を抑制し、信頼性を向上させることができる。
【００６２】
（Ｅ）成分の材料は無機化合物であれば特に限定されないが、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でもシリカが特に好適である。シリカとしては、例えば、無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等が挙げられる。またシリカとしては球状シリカが好ましい。（Ｅ）成分は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６３】
無機充填材の平均粒径は、樹脂組成物の流動性および成形性を良好にし、硬化物としたときの比透磁率及び磁性損失、並びに初期抵抗値を改善するために、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上、さらに好ましくは０．１μｍ以上、０．３μｍ以上である。また、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは２．５μｍ以下、さらに好ましくは１．５μｍ以下、１μｍ以下である。
【００６４】
無機充填材の平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材を超音波によりメチルエチルケトン中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒度分布測定装置としては、堀場製作所社製「ＬＡ−５００」、島津製作所社製「ＳＡＬＤ−２２００」等を使用することができる。
【００６５】
無機充填材は、耐湿性及び分散性を高める観点から、フッ素含有シランカップリング剤、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、アルコキシシラン、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等の１種以上の表面処理剤で処理されていることが好ましい。表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業社製「ＫＢＭ４０３」（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ８０３」（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＥ９０３」（３−アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＳＺ−３１」（ヘキサメチルジシラザン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ１０３」（フェニルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ−４８０３」（長鎖エポキシ型シランカップリング剤）、信越化学工業社製「ＫＢＭ−７１０３」（３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン）等が挙げられる。
【００６６】
表面処理剤による表面処理の程度は、無機充填材の分散性向上の観点から、無機充填材１００質量部に対して、０．２質量部〜５質量部の表面処理剤で表面処理されていることが好ましく、０．２質量部〜３質量部で表面処理されていることが好ましく、０．３質量部〜２質量部で表面処理されていることが好ましい。
【００６７】
表面処理剤による表面処理の程度は、無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量によって評価することができる。無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、無機充填材の分散性向上の観点から、０．０２ｍｇ／ｍ２以上が好ましく、０．１ｍｇ／ｍ２以上がより好ましく、０．２ｍｇ／ｍ２以上が更に好ましい。一方、樹脂ワニスの溶融粘度及びシート形態での溶融粘度の上昇を抑制する観点から、１ｍｇ／ｍ２以下が好ましく、０．８ｍｇ／ｍ２以下がより好ましく、０．５ｍｇ／ｍ２以下が更に好ましい。
【００６８】
無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、表面処理後の無機充填材を溶剤（例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ））により洗浄処理した後に測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のＭＥＫを表面処理剤で表面処理された無機充填材に加えて、２５℃で５分間超音波洗浄する。上澄液を除去し、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、堀場製作所社製「ＥＭＩＡ−３２０Ｖ」等を使用することができる。
【００６９】
樹脂組成物が（Ｅ）成分を含有する場合、（Ｅ）成分の含有量（質量％：ｅ１）は、樹脂組成物を硬化物としたときの絶縁性の信頼性及び難燃性を高める観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは１質量％以上、より好ましくは１．５質量％以上、さらに好ましくは２質量％以上である。また、好ましくは２５質量％以下、より好ましくは２０質量％以下、さらに好ましくは１５質量％以下である。
【００７０】
樹脂組成物が（Ｅ）成分を含有する場合、（Ｅ）成分の含有量（体積％）は、好ましくは１体積％以上、より好ましくは３体積％以上、さらに好ましくは５体積％以上である。また、上限は、好ましくは３０体積％以下、より好ましくは２５体積％以下、さらに好ましくは２０体積％以下である。
【００７１】
樹脂組成物が（Ｅ）成分を含有する場合、樹脂組成物中の、（Ｄ）成分の含有質量をｄ１とし、（Ｅ）成分の含有質量をｅ１とした場合、樹脂組成物を硬化物としたときの周波数が１０〜２００ＭＨｚの範囲での比透磁率及び磁性損失を良好な範囲とするとともに、磁性層の熱膨張を抑制し、信頼性を高める観点から、ｅ１／ｄ１が、好ましくは０．０２以上、より好ましくは０．０２５以上、さらに好ましくは０．０３以上である。また、上限は、好ましくは０．１９以下、さらに好ましくは０．１８５以下、より好ましくは０．１８以下である。
【００７２】
（Ｅ）成分の平均粒径は、（Ｄ）成分の平均粒径よりも小さいことが好ましい。（Ｄ）成分及び（Ｅ）成分の含有量の割合を前記のとおりとし、（Ｅ）成分の平均粒径を（Ｄ）成分の平均粒径よりも小さくすれば、磁性フィラー粒子の周囲を囲むように無機充填材を効果的に配置することができる。これにより、磁性フィラー粒子同士が凝集し互いに接触してしまうことを防止し、磁性フィラー粒子同士を互いに離間させることができるため、配合された磁性フィラーにより比透磁率を高めつつ良好な絶縁性を実現することができる。
【００７３】
＜（Ｆ）硬化促進剤＞
一実施形態において、樹脂組成物は、（Ｆ）硬化促進剤を含有し得る。硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましく、イミダゾール系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７４】
リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４−メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。
【００７５】
アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン等が挙げられ、４−ジメチルアミノピリジン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセンが好ましい。
【００７６】
イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールが好ましい。
【００７７】
イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三菱化学社製の「Ｐ２００−Ｈ５０」等が挙げられる。
【００７８】
グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１−メチルグアニジン、１−エチルグアニジン、１−シクロヘキシルグアニジン、１−フェニルグアニジン、１−（ｏ−トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、１−メチルビグアニド、１−エチルビグアニド、１−ｎ−ブチルビグアニド、１−ｎ−オクタデシルビグアニド、１，１−ジメチルビグアニド、１，１−ジエチルビグアニド、１−シクロヘキシルビグアニド、１−アリルビグアニド、１−フェニルビグアニド、１−（ｏ−トリル）ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エンが好ましい。
【００７９】
金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。
【００８０】
樹脂組成物が硬化促進剤を含有する場合、硬化促進剤の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、０．００１質量％〜１質量％が好ましく、０．００１質量％〜０．１質量％がより好ましく、０．００５質量％〜０．０５質量％がさらに好ましい。
【００８１】
＜（Ｇ）難燃剤＞
一実施形態において、樹脂組成物は、（Ｇ）難燃剤を含有し得る。難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。難燃剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
【００８２】
難燃剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三光社製の「ＨＣＡ−ＨＱ」、大八化学工業社製の「ＰＸ−２００」等が挙げられる。難燃剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
【００８３】
樹脂組成物が難燃剤を含有する場合、難燃剤の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、０．５質量％〜１０質量％の範囲であることが好ましく、１質量％〜９質量％の範囲であることがより好ましく、１．５質量％〜８質量％の範囲であることがさらに好ましい。
【００８４】
＜（Ｈ）有機充填材＞
一実施形態において、樹脂組成物は、（Ｈ）有機充填材を含有し得る。有機充填材の例としては、ゴム粒子が挙げられる。有機充填材であるゴム粒子としては、例えば、後述する有機溶剤に溶解せず、（Ａ）成分〜（Ｃ）成分などとも相溶しないゴム粒子が使用される。このようなゴム粒子は、一般には、ゴム粒子の成分の分子量を有機溶剤、樹脂に溶解しない程度まで大きくし、粒子状とすることで調製される。
【００８５】
有機充填材であるゴム粒子としては、例えば、コアシェル型ゴム粒子、架橋アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、架橋スチレンブタジエンゴム粒子、アクリルゴム粒子などが挙げられる。コアシェル型ゴム粒子は、コア層とシェル層とを有するゴム粒子であり、例えば、外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、内層のコア層がゴム状ポリマーで構成される２層構造、又は外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、中間層がゴム状ポリマーで構成され、内層のコア層がガラス状ポリマーで構成される３層構造のゴム粒子などが挙げられる。ガラス状ポリマー層は、例えば、メチルメタクリレート重合物などで構成され、ゴム状ポリマー層は、例えば、ブチルアクリレート重合物（ブチルゴム）などで構成される。用い得るゴム粒子の例としてはガンツ社製「スタフィロイドＡＣ３８１６Ｎ」が挙げられる。ゴム粒子は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
【００８６】
有機充填材であるゴム粒子の平均粒径は、好ましくは０．００５μｍ〜１μｍの範囲であり、より好ましくは０．２μｍ〜０．６μｍの範囲である。ゴム粒子の平均粒径は、動的光散乱法を用いて測定することができる。例えば、適当な有機溶剤にゴム粒子を超音波などにより均一に分散させ、濃厚系粒径アナライザー（大塚電子社製「ＦＰＡＲ−１０００」）を用いて、ゴム粒子の粒度分布を質量基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。
【００８７】
樹脂組成物が有機充填材を含有する場合、有機充填材の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、０．１〜２０質量％が好ましく、０．２〜１０質量％がより好ましく、０．３〜５質量％、又は０．５〜３質量％がさらに好ましい。
【００８８】
＜（Ｉ）任意の添加剤＞
一実施形態において、樹脂組成物は、さらに必要に応じて、他の添加剤を含んでいてもよく、斯かる他の添加剤としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。
【００８９】
＜樹脂組成物の物性、用途＞
本実施形態の樹脂組成物を熱硬化させた硬化物（例えば１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物）の２３℃における弾性率は７ＧＰａ以上であり、好ましくは７．５ＧＰａ以上、より好ましくは８ＧＰａ以上である。また、上限は１８ＧＰａ以下であり、好ましくは１７ＧＰａ以下、より好ましくは１６ＧＰａ以下である。弾性率を斯かる範囲内とすることにより、難燃性に優れ、反り量が抑制され、特に、周波数が１０〜２００ＭＨｚの範囲で比透磁率を向上させることができるとともに磁性損失を低減させる硬化物を得ることができる。さらには樹脂組成物を用いて得られる接着フィルムはラミネート性に優れるようになる。弾性率は、（Ａ）成分〜（Ｄ）成分を調整することにより斯かる範囲内とすることができる。弾性率は、後述する＜弾性率の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。
【００９０】
樹脂組成物を熱硬化させた硬化物（例えば１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物）は、周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率が高いという特性を示す。周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率は、好ましくは５以上、より好ましくは６以上、さらに好ましくは７以上である。また、好ましくは２０以下、より好ましくは１８以下、さらに好ましくは１５以下である。比透磁率は、後述する＜比透磁率、磁性損失の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。
【００９１】
樹脂組成物を熱硬化させた硬化物（例えば１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物）は、周波数１００ＭＨｚにおける比透磁率が高いという特性を示す。周波数１００ＭＨｚにおける比透磁率は、好ましくは５以上、より好ましくは６以上、さらに好ましくは７以上である。また、好ましくは２０以下、より好ましくは１８以下、さらに好ましくは１５以下である。
【００９２】
樹脂組成物を熱硬化させた硬化物（例えば１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物）は、周波数１ＧＨｚにおける比透磁率は低くてもよい。周波数１ＧＨｚにおける比透磁率は、好ましくは４以上、より好ましくは５以上、さらに好ましくは６以上である。また、好ましくは１６以下、より好ましくは１５以下、さらに好ましくは１４以下である。
【００９３】
樹脂組成物を熱硬化させた硬化物（例えば１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物）は、周波数３ＧＨｚにおける比透磁率は低くてもよい。周波数３ＧＨｚにおける比透磁率は、好ましくは２以上、より好ましくは３以上、さらに好ましくは４以上である。また、好ましくは１０以下、より好ましくは９以下、さらに好ましくは８以下である。
【００９４】
樹脂組成物を熱硬化させた硬化物（例えば１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物）は、周波数１０ＭＨｚにおける磁性損失が低いという特性を示す。周波数１０ＭＨｚにおける磁性損失は、好ましくは０．０５以下、より好ましくは０．０４以下、さらに好ましくは０．０３以下である。下限は特に限定されないが０．０００１以上等とし得る。磁性損失は、後述する＜比透磁率、磁性損失の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。
【００９５】
樹脂組成物を熱硬化させた硬化物（例えば１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物）は、周波数１００ＭＨｚにおける磁性損失が低いという特性を示す。周波数１００ＭＨｚにおける磁性損失は、好ましくは０．０５以下、より好ましくは０．０４以下、さらに好ましくは０．０３以下である。下限は特に限定されないが０．０００１以上等とし得る。
【００９６】
樹脂組成物は（Ｃ）成分を含有するため、樹脂組成物を熱硬化させた硬化物（例えば１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物）は、反り量が低減されるという特性を示す。反り量は、好ましくは１０ｍｍ以下、より好ましくは９ｍｍ以下、さらに好ましくは８ｍｍ以下である。上限は特に限定されないが、０．１ｍｍ以上等とし得る。反り量は、後述する＜反り量の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。
【００９７】
樹脂組成物を熱硬化させた硬化物（例えば１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物）は、難燃性に優れるという特性を示す。難燃性は、ＵＬ９４垂直難燃試験を５回行い、１０秒間接炎後の燃え残ったサンプルが５個とも存在することが好ましい。難燃性の評価は、後述する＜難燃性の評価＞に記載の方法に従って測定することができる。
【００９８】
本実施形態の樹脂組成物は、磁性層形成時の流動性に優れており、磁性層（硬化物）としたときの配線層の封止性に優れている。また本発明の樹脂組成物を用いて形成された磁性層を形成すれば、周波数が１０ＭＨｚ〜２００ＭＨｚ、特に周波数が１０ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの範囲における比透磁率を向上させ、かつ磁性損失を低減することができる。また、本実施形態の樹脂組成物を熱硬化させて得られる磁性層（硬化物）は、絶縁性にも優れる。
【００９９】
よって、本実施形態の樹脂組成物は、磁性層（複数層の磁性層が積層された磁性体部）の厚さ内にコイルが作り込まれたいわゆるフィルム構造のインダクタ素子を備える配線板の磁性層の材料として好適に用いることができ、特にインダクタ素子が機能する周波数が１０ＭＨｚ〜２００ＭＨｚである場合により好適に用いることができる。
【０１００】
［硬化物］
本発明の硬化物は、本発明の樹脂組成物を熱硬化させて得られる。本発明の硬化物は、１８０℃で９０分間熱硬化させたときの２３℃における弾性率が７ＧＰａ以上１８ＧＰａ以下であり、好ましい範囲は上記したとおりである。
【０１０１】
樹脂組成物の熱硬化条件は特に限定されず、例えば、後述する第１磁性層の形成工程における熱硬化工程の条件を使用してよい。また、熱硬化させる前に熱硬化温度よりも低い温度にて予備加熱してもよい。
【０１０２】
硬化物の厚さは、用途によっても異なるが、インダクタ素子内蔵配線板の磁性層として使用する場合、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは８０μｍ以下、更に好ましくは６０μｍ以下、更により好ましくは４０μｍ以下である。硬化物の厚さの下限は、用途によっても異なるが、インダクタ素子内蔵配線板の磁性層として使用する場合、通常、１０μｍ以上である。
【０１０３】
［接着フィルム］
本発明の接着フィルムは、支持体と、該支持体上に設けられた本発明の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層を含む。
【０１０４】
樹脂組成物層の厚さは特に限定されない。樹脂組成物層は、厚さが０．５μｍ〜８０μｍであることが好ましく、１０μｍ〜６０μｍであることがより好ましい。
【０１０５】
支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。
【０１０６】
支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、ガラス転移温度（Ｔｇ）の高いプラスチック材料を用いることが好適である。ガラス転移温度が１００℃以上であるプラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミドが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。
【０１０７】
支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。
【０１０８】
支持体は、樹脂組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理を施してあってもよい。
【０１０９】
また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック社製の「ＳＫ−１」、「ＡＬ−５」、「ＡＬ−７」、東レ社製の「ルミラーＴ６０」、帝人社製の「ピューレックス」、ユニチカ社製の「ユニピール」等が挙げられる。
【０１１０】
支持体の厚みとしては、特に限定されないが、５μｍ〜７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ〜６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。
【０１１１】
樹脂組成物層に用いられる樹脂組成物は、既に説明した前記成分を適宜混合し、また、必要に応じて混練手段（３本ロール、ボールミル、ビーズミル、サンドミル等）あるいは撹拌手段（スーパーミキサー、プラネタリーミキサー等）により混練又は混合することにより調製することができる。
【０１１２】
樹脂組成物層を有する接着フィルムの製造方法は、特に制限されず、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーターなどを用いて支持体に塗布し、塗布された樹脂ワニスの塗布膜を乾燥させることによって作製することができる。
【０１１３】
有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトンおよびシクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートおよびカルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブおよびブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエンおよびキシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドおよびＮ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。有機溶剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
【０１１４】
乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施してよい。乾燥条件は特に限定されないが、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０質量％〜６０質量％の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、例えば、８０℃〜１５０℃で３分間〜１５分間程度乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。
【０１１５】
接着フィルムにおいて、樹脂組成物層の支持体と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）には、支持体に準じた保護フィルムをさらに積層することができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、１μｍ〜４０μｍである。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを防止することができる。接着フィルムは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。接着フィルムが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。
【０１１６】
本発明の接着フィルムは、樹脂組成物を熱硬化させた硬化物（例えば１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物）の２３℃における弾性率が７ＧＰａ以上１８ＧＰａ以下となるように（Ａ）成分〜（Ｄ）成分の含有量を調整しているので、ラミネート性に優れるという特性を示す。配線板に接着フィルムをラミネートしても、通常、配線板の回路部分にボイドが無く、接着フィルムに由来する樹脂組成物が十分にフローしている。
【０１１７】
［インダクタ素子内蔵配線板及びインダクタ素子内蔵配線板の製造方法］
（第１実施形態）
第１実施形態のインダクタ素子内蔵配線板の構成例について、図１、図２および図３を参照して説明する。図１は、インダクタ素子内蔵配線板をその厚さ方向の一方からみた模式的な平面図である。図２は、ＩＩ−ＩＩ一点鎖線で示した位置で切断したインダクタ素子内蔵配線板の切断端面を示す模式的な図である。図３は、インダクタ素子内蔵配線板のうちの第１配線層の構成を説明するための模式的な平面図である。以下、インダクタ素子内蔵配線板を、単に「配線板」ということがある。
【０１１８】
配線板は、樹脂組成物（樹脂組成物層）の硬化体である磁性層と、この磁性層に少なくとも一部分が埋め込まれた導電性構造体とを有しており、この導電性構造体と、磁性層の厚さ方向に延在し、かつ導電性構造体に囲まれた磁性層のうちの一部分によって構成されるインダクタ素子を含んでいる。
【０１１９】
本実施形態の配線板が備えるインダクタ素子が機能し得る周波数は１０ＭＨｚ〜２００ＭＨｚであることが想定されている。また、本実施形態の配線板が備えるインダクタ素子は電源系が想定されている。
【０１２０】
図１および図２に示されるように、配線板１０は、ビルドアップ磁性層を有するビルドアップ配線板である。配線板１０は、コア基材２０を備えている。コア基材２０は第１主表面２０ａおよび第１主表面２０ａとは反対側の第２主表面２０ｂを有している。コア基材２０は絶縁性の基板である。コア基材２０は、その厚さ内に配線等が作り込まれた内層回路基板であってもよい。
【０１２１】
コア基材２０の材料の例としては、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の絶縁性基材が挙げられる。
【０１２２】
コア基材２０は、第１主表面２０ａに設けられる第１配線層４２と、第２主表面２０ｂに設けられる外部端子２４とを有している。第１配線層４２および第２配線層４４は、複数の配線を含んでいる。図示例ではインダクタ素子のコイル状導電性構造体４０を構成する配線のみが示されている。外部端子２４は図示されていない外部の装置等と電気的に接続するための端子である。外部端子２４は、第２主表面２０ｂに設けられる配線層の一部として構成することができる。
【０１２３】
第１配線層４２、第２配線層４４、外部端子２４、その他の配線を構成し得る導体材料としては、例えば、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズおよびインジウムからなる群から選択される１種以上の金属が挙げられる。第１配線層４２、第２配線層４４、外部端子２４、その他の配線は、単金属により構成されていても合金により構成されていてもよく、合金としては、例えば、上記の群から選択される２種以上の金属の合金（例えば、ニッケルクロム合金、銅ニッケル合金および銅チタン合金）が挙げられる。中でも、汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅、又はニッケルクロム合金、銅ニッケル合金、銅チタン合金を用いることが好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅、又はニッケルクロム合金を用いることがより好ましく、銅を用いることがさらに好ましい。
【０１２４】
第１配線層４２、第２配線層４４、外部端子２４、その他の配線は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。第１配線層４２、第２配線層４４、外部端子２４、その他の配線が複層構造である場合、磁性層と接する層は、クロム、亜鉛若しくはチタンの単金属層、又はニッケルクロム合金の合金層であることが好ましい。
【０１２５】
第１配線層４２、第２配線層４４、外部端子２４、その他の配線の厚さは、所望の多層プリント配線板のデザインによるが、一般に３μｍ〜３５μｍ、好ましくは５μｍ〜３０μｍである。
【０１２６】
コア基材２０が有する第１配線層４２および外部端子２４の厚さは特に限定されない。第１配線層４２および外部端子２４の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは７０μｍ以下であり、より好ましくは６０μｍ以下であり、さらに好ましくは５０μｍ以下、さらにより好ましくは４０μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以下、２０μｍ以下、１５μｍ以下又は１０μｍ以下である。外部端子２４の厚さの下限は特に制限されないが、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上である。
【０１２７】
第１配線層４２および外部端子２４のライン（Ｌ）／スペース（Ｓ）比は特に制限されないが、表面の凹凸を減少させて平滑性に優れる磁性層を得る観点から、通常、９００／９００μｍ以下、好ましくは７００／７００μｍ以下、より好ましくは５００／５００μｍ以下、さらに好ましくは３００／３００μｍ以下、さらにより好ましくは２００／２００μｍ以下である。ライン／スペース比の下限は特に制限されないが、スペースへの樹脂組成物の埋め込みを良好にする観点から、好ましくは１／１μｍ以上である。
【０１２８】
コア基材２０としては、例えば、ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板であるパナソニック社製「Ｒ１５１５Ａ」を用い、銅層をパターニングすることにより配線層とした配線板が挙げられる。
【０１２９】
コア基材２０は第１主表面２０ａから第２主表面２０ｂに至るようにコア基材２０を貫通する複数のスルーホール２２を有している。スルーホール２２にはスルーホール内配線２２ａが設けられている。スルーホール内配線２２ａは、第１配線層４２と外部端子２４とを電気的に接続している。
【０１３０】
図３に示されるように、第１配線層４２はコイル状導電性構造体４０を構成するための渦巻状の配線部と、スルーホール内配線２２ａと電気的に接続される矩形状のランド４２ａとを含んでいる。図示例では渦巻状の配線部は直線状部と直角に屈曲する屈曲部とランド４２ａを迂回する迂回部を含んでいる。図示例では第１配線層４２の渦巻状の配線部は全体の輪郭が略矩形状であって、中心側からその外側に向かうにあたり反時計回りに巻いている形状を有している。
【０１３１】
第１配線層４２が設けられたコア基材２０の第１主表面２０ａ側には第１配線層４２および第１配線層４２から露出する第１主表面２０ａを覆うように第１磁性層３２が設けられている。
【０１３２】
第１磁性層３２は、既に説明した接着フィルムに由来する層であるので、第１配線層４２の封止性に優れている。また第１磁性層３２は、前記接着フィルムを用いて形成されるので、周波数が１０ＭＨｚ〜２００ＭＨｚの範囲における比透磁率が向上しており、さらに、通常は磁性損失が低減されている。
【０１３３】
第１磁性層３２には、第１磁性層３２をその厚さ方向に貫通するビアホール３６が設けられている。
【０１３４】
第１磁性層３２には第２配線層４４が設けられている。第２配線層４４はコイル状導電性構造体４０を構成するための渦巻状の配線部を含んでいる。図示例では渦巻状の配線部は直線状部と直角に屈曲する屈曲部とを含んでいる。図示例では第２配線層４４の渦巻状の配線部は全体の輪郭が略矩形状であって、中心側からその外側に向かうにあたり時計回りに巻いている形状を有している。
【０１３５】
ビアホール３６内にはビアホール内配線３６ａが設けられている。第２配線層４４の渦巻状の配線部のうちの中心側の一端はビアホール内配線３６ａにより第１配線層４２の渦巻状の配線部のうちの中心側の一端に電気的に接続されている。第２配線層４４の渦巻状の配線部のうちの外周側の他端はビアホール内配線３６ａにより第１配線層４２のランド４２ａに電気的に接続されている。よって第２配線層４４の渦巻状の配線部のうちの外周側の他端はビアホール内配線３６ａ、ランド４２ａ、スルーホール内配線２２ａを経て外部端子２４に電気的に接続されている。
【０１３６】
コイル状導電性構造体４０は、第１配線層４２の一部分である渦巻状の配線部、第２配線層４４の一部分である渦巻状の配線部、第１配線層４２の渦巻状の配線部と第２配線層４４の渦巻状の配線部とを電気的に接続しているビアホール内配線３６ａにより構成されている。
【０１３７】
第２配線層４４が設けられた第１磁性層３２には第２配線層４４および第２配線層４４から露出する第１磁性層３２を覆うように第２磁性層３４が設けられている。
【０１３８】
第２磁性層３４は、第１磁性層３２と同様に既に説明した接着フィルムに由来する層であり、接着フィルムの樹脂組成物層は磁性層形成時の流動性に優れているので、第２配線層４４の封止性に優れている。また第２磁性層３４は、前記接着フィルムを用いて形成されるので、周波数が１０ＭＨｚ〜２００ＭＨｚの範囲における比透磁率が向上しており、さらに通常は磁性損失が低減されている。
【０１３９】
第１磁性層３２および第２磁性層３４は一体的な磁性層としてみることができる磁性部３０を構成している。よってコイル状導電性構造体４０は、磁性部３０に少なくとも一部分が埋め込まれるように設けられている。すなわち、本実施形態の配線板１０において、インダクタ素子はコイル状導電性構造体４０と、磁性部３０の厚さ方向に延在し、かつコイル状導電性構造体４０に囲まれた磁性部３０のうちの一部分である芯部によって構成されている。
【０１４０】
本実施形態では、コイル状導電性構造体４０が、第１配線層４２および第２配線層４４の２層の配線層を含む例を説明したが、３層以上の配線層（および３層以上のビルドアップ磁性層）によりコイル状導電性構造体４０を構成することもできる。この場合には、最上層の配線層と最下層の配線層とに挟まれるように配置される図示しない配線層の渦巻状の配線部は、その一端が最上層側であって直近に配置される配線層の渦巻状の配線部のいずれか一方の端部に電気的接続され、その他端が最下層側であって直近に配置される配線層の渦巻状の配線部のいずれか一方の端部に電気的接続される。
【０１４１】
本実施形態にかかる配線板によれば、磁性層を前記接着フィルムにより形成するので、形成される磁性層の比透磁率、難燃性を高めることができ、反り量を低減することができる。
【０１４２】
以下、第１実施形態にかかるインダクタ素子内蔵配線板の製造方法について図２を参照して説明する。
本実施形態にかかる配線板の製造方法は、第１磁性層および第２磁性層を含む磁性部と、磁性部に少なくとも一部分が埋め込まれたコイル状導電性構造体とを有しており、コイル状導電性構造体と磁性部のうちの一部分とにより構成されるインダクタ素子を含む配線板の製造方法であって、本実施形態にかかる接着フィルム、および第１配線層が設けられたコア基材を用意する工程と、コア基材に接着フィルムの樹脂組成物層をラミネートする工程と、樹脂組成物層を熱硬化して第１磁性層を形成する工程と、第１磁性層にビアホールを形成する工程と、ビアホールが形成された第１磁性層に対して粗化処理する工程と、第１磁性層に第２配線層を形成し、第１配線層と第２配線層とを電気的に接続するビアホール内配線を形成する工程と、第２配線層およびビアホール内配線が形成された第１磁性層にさらに本実施形態にかかる接着フィルムをラミネートし、熱硬化して第２磁性層を形成する工程と、第１配線層の一部分と第２配線層の一部分とビアホール内配線とを含むコイル状導電性構造体、および磁性部の厚さ方向に延在し、かつコイル状導電性構造体に囲まれた磁性部の一部分を含むインダクタ素子を形成する工程とを含む。
【０１４３】
まず、第１主表面２０ａに設けられる第１配線層４２と、第２主表面２０ｂに設けられる外部端子２４と、スルーホール２２と、スルーホール内配線２２ａが設けられているコア基材（内層回路基板）２０および接着フィルムを用意する。
【０１４４】
＜第１磁性層の形成工程＞
次に第１磁性層３２を形成する。まずコア基材の第１配線層４２に接触するように接着フィルムの樹脂組成物層をラミネートするラミネート工程を行う。
【０１４５】
ラミネート工程の条件は特に限定されず、接着フィルムを用いて磁性層（ビルドアップ磁性層）を形成するにあたり使用される条件を採用することができる。例えば、加熱されたステンレス鏡板等の金属板を接着フィルムの支持体側からプレスすることにより行うことができる。この場合、金属板を直接的にプレスするのではなく、コア基材２０の表面の凹凸に接着フィルムが十分に追随するよう、耐熱ゴム等からなる弾性部材を介してプレスを行うことが好ましい。プレス温度は、好ましくは７０℃〜１４０℃の範囲であり、プレス圧力は好ましくは１ｋｇｆ／ｃｍ２〜１１ｋｇｆ／ｃｍ２（０．０９８ＭＰａ〜１．０７９ＭＰａ）の範囲であり、プレス時間は好ましくは５秒間〜３分間の範囲である。
【０１４６】
また、ラミネート工程は、好ましくは２０ｍｍＨｇ（２６．７ｈＰａ）以下の減圧下で実施される。ラミネート工程は、市販されている真空ラミネーターを用いて実施することができる。市販されている真空ラミネーターとしては、例えば、名機製作所社製の真空加圧式ラミネーター、ニッコー・マテリアルズ社製のバキュームアプリケーター等が挙げられる。
【０１４７】
ラミネート工程の終了後、コア基材２０にラミネートされた接着フィルムを、加熱および加圧処理する平滑化工程を実施してもよい。
【０１４８】
平滑化工程は、一般に、常圧（大気圧）下、加熱された金属板又は金属ロールにより、コア基材２０にラミネートされている接着フィルムを加熱および加圧処理することにより実施される。加熱および加圧処理の条件は、上記ラミネート工程の条件と同様の条件を用いることができる。
【０１４９】
ラミネート工程および平滑化工程は、同一の真空ラミネーターを用いて連続的に実施することもできる。
【０１５０】
なお、前記ラミネート工程又は前記平滑化工程の実施後の任意のタイミングで接着フィルムに由来する支持体を剥離する工程を行う。支持体を剥離する工程は、例えば、市販の自動剥離装置により機械的に実施することができる。
【０１５１】
次いで、コア基材２０にラミネートされた樹脂組成物層を熱硬化して磁性層（ビルドアップ磁性層）を形成する熱硬化工程を実施する。
【０１５２】
熱硬化工程の条件は特に限定されず、多層プリント配線板の絶縁層を形成するに際して通常採用される条件を適用することができる。
【０１５３】
熱硬化工程の条件は、樹脂組成物層に用いられる樹脂組成物の組成等により任意好適な条件とすることができる。熱硬化工程の条件は、例えば硬化温度を１２０℃〜２４０℃の範囲（好ましくは１５０℃〜２１０℃の範囲、より好ましくは１７０℃〜１９０℃の範囲）とし、硬化時間を５分間〜９０分間の範囲（好ましくは１０分間〜７５分間、より好ましくは１５分間〜６０分間）とすることができる。
【０１５４】
熱硬化工程を実施する前に、樹脂組成物層を硬化温度よりも低い温度にて予備加熱する工程を実施してもよい。熱硬化工程の実施に先立ち、例えば５０℃以上１２０℃未満（好ましくは６０℃以上１１０℃以下、より好ましくは７０℃以上１００℃以下）の温度にて、樹脂組成物層を５分間以上（好ましくは５分間〜１５０分間、より好ましくは１５分間〜１２０分間）予備加熱してもよい。予備加熱は、大気圧下（常圧下）にて行うことが好ましい。
【０１５５】
以上の工程によりコア基材２０に設けられる第１磁性層３２を形成することができる。また、磁性層が形成されたコア基材２０に対して前記ラミネート工程および前記熱硬化工程並びに後述する配線層の形成工程をさらに１回以上繰り返すことにより、第１磁性層３２に設けられる第２磁性層３４、さらに積層される磁性層を含む磁性部３０を形成することができる。
【０１５６】
また、コア基材２０に第１磁性層３２を形成する工程は、一般の真空ホットプレス機を用いて行うことも可能である。例えば、加熱されたＳＵＳ板等の金属板を用いて支持体側からプレスすることにより行うことができる。プレス条件は、減圧度を通常１×１０−２ＭＰａ以下、好ましくは１×１０−３ＭＰａ以下の減圧下とする。加熱及び加圧は、１段階で行うこともできるが、樹脂のしみだしを制御する観点から２段階以上の工程としてそれぞれプレス条件を変えて行うことが好ましい。例えば、１段階目のプレス条件を、温度を７０℃〜１５０℃とし、圧力を１ｋｇｆ／ｃｍ２〜１５ｋｇｆ／ｃｍ２の範囲とし、２段階目のプレス条件を、温度を１５０℃〜２００℃とし、圧力を１ｋｇｆ／ｃｍ２〜４０ｋｇｆ／ｃｍ２の範囲として行うのが好ましい。各段階の時間は３０分間〜１２０分間として行うのが好ましい。市販されている真空ホットプレス機としては、例えば、名機製作所社製「ＭＮＰＣ−Ｖ−７５０−５−２００」、北川精機社製「ＶＨ１−１６０３」等が挙げられる。
【０１５７】
＜ビアホールの形成工程＞
形成された第１磁性層３２にビアホール３６を形成する。ビアホール３６は、第１配線層４２と第２配線層４４とを電気的に接続するための経路となる。ビアホール３６は第１磁性層３２の特性を考慮して、ドリル、レーザー、プラズマ等を用いる公知の方法により形成することができる。例えば、この時点で保護フィルムが残存している場合には、保護フィルムを介してレーザー光を第１磁性層３２に照射することにより、ビアホール３６を形成することもできる。
【０１５８】
ビアホール３６の形成に用いられ得るレーザー光源としては、例えば、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等が挙げられる。中でも、加工速度、コストの観点から、炭酸ガスレーザーが好ましい。
【０１５９】
ビアホール３６の形成は、市販されているレーザー装置を用いて実施することができる。市販されている炭酸ガスレーザー装置としては、例えば、日立ビアメカニクス社製「ＬＣ−２Ｅ２１Ｂ／１Ｃ」、三菱電機社製「ＭＬ６０５ＧＴＷＩＩ」、松下溶接システム社製の基板穴あけレーザー加工機が挙げられる。
【０１６０】
＜粗化工程＞
次にビアホール３６が形成された第１磁性層３２に対して粗化処理する粗化工程を行う。粗化工程の手順、条件は特に限定されず、多層プリント配線板の製造方法に際して通常使用される公知の手順、条件を採用することができる。粗化工程として、例えば、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、中和液による中和処理をこの順に実施することにより第１磁性層３２を粗化処理することができる。
【０１６１】
粗化工程に用いられ得る膨潤液としては特に限定されないが、アルカリ溶液、界面活性剤溶液等が挙げられ、好ましくはアルカリ溶液である。膨潤液であるアルカリ溶液としては、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液がより好ましい。市販されている膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン社製「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ」、「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＳＢＵ」等が挙げられる。
【０１６２】
膨潤液による膨潤処理は、特に限定されないが、例えば、３０℃〜９０℃の膨潤液に第１磁性層３２が設けられたコア基材２０を１分間〜２０分間浸漬することにより行うことができる。第１磁性層３２を構成する樹脂の膨潤を適度なレベルに抑える観点から、４０℃〜８０℃の膨潤液に第１磁性層３２を５分間〜１５分間浸漬させることが好ましい。
【０１６３】
酸化剤による粗化処理に用いられ得る酸化剤としては、特に限定されないが、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。アルカリ性過マンガン酸溶液等の酸化剤による粗化処理は、６０℃〜８０℃に加熱した酸化剤の溶液に第１磁性層３２を１０分間〜３０分間浸漬させることにより行うことが好ましい。また、アルカリ性過マンガン酸溶液における過マンガン酸塩の濃度は５質量％〜１０質量％とすることが好ましい。市販されている酸化剤としては、例えば、アトテックジャパン社製「コンセントレート・コンパクトＰ」、「ドージングソリューション・セキュリガンスＰ」等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。
【０１６４】
中和処理に用いられ得る中和液としては、酸性の水溶液が好ましく、市販品としては、例えば、アトテックジャパン社製「リダクションソリューション・セキュリガンスＰ」が挙げられる。中和液による中和処理は、酸化剤溶液による粗化処理がなされた処理面を３０℃〜８０℃の中和液に５分間〜３０分間浸漬させることにより行うことができる。作業性等の点から、酸化剤溶液による粗化処理がなされた第１磁性層３２を、４０℃〜７０℃の中和液に５分間〜２０分間浸漬する方法が好ましい。
【０１６５】
上記の通り説明した粗化工程は、第１磁性層３２に形成されたビアホール３６のスミア除去を行うためのいわゆるデスミア工程を兼ねていてもよい。
【０１６６】
また、粗化工程とは別に、ビアホール３６に対してデスミア工程を実施してもよい。なお、このデスミア工程は、湿式のデスミア工程であっても、乾式のデスミア工程であってもよい。
【０１６７】
デスミア工程の具体的な工程は特に限定されず、例えば、多層プリント配線板の絶縁層を形成するに際して通常使用される公知の工程、条件を採用することができる。乾式のデスミア工程の例としてはプラズマ処理等が挙げられ、湿式のデスミア工程の例としては、前記粗化工程と同様の膨潤液による膨潤処理、酸化剤による処理および中和液による処理をこの順に行う方法が挙げられる。
【０１６８】
＜第２配線層の形成＞
次に粗化工程（およびデスミア工程）が行われた第１磁性層３２に第２配線層４４を形成する。
【０１６９】
第２配線層４４は、めっきにより形成することができる。第２配線層４４は、例えば、無電解めっき工程、マスクパターン形成工程、電解めっき工程、フラッシュエッチング工程を含むセミアディティブ法、フルアディティブ法等の従来公知の技術により形成することにより、所望の配線パターンを含む配線層として形成することができる。なお、この第２配線層４４の形成工程により、ビアホール３６内にビアホール内配線３６ａが併せて形成される。
【０１７０】
第１磁性層３２がビルドアップ磁性層であり、第２配線層４４がビルドアップ配線層であるビルドアップ層としてみた場合、本実施形態の配線板においてビルドアップ層がさらに１層以上必要な場合には、前記第１磁性層３２の形成工程から前記第２配線層４４の形成工程までの既に説明した一連の工程をさらに１回以上繰り返して実施すればよい。
【０１７１】
＜第２磁性層の形成＞
次に、第２配線層４４およびビアホール内配線３６ａが形成された第１磁性層３２に第２磁性層３４を形成する。第２磁性層３４は既に説明した接着フィルムのラミネート工程、平滑化工程、熱硬化工程を含む第１磁性層３２の形成工程と同様の材料を用いて同様の工程により形成すればよい。
【０１７２】
以上の工程により、磁性部３０に少なくとも一部分が埋め込まれたコイル状導電性構造体４０を有しており、第１配線層４２の一部分と第２配線層４４の一部分とビアホール内配線３６ａとを含むコイル状導電性構造体４０と磁性部３０の厚さ方向に延在し、かつコイル状導電性構造体４０に囲まれた磁性部３０のうちの一部分とを含むインダクタ素子を含む配線板１０を製造することができる。
【０１７３】
（第２実施形態）
第２実施形態のインダクタ素子内蔵配線板の構成例について、図４（ｈ）を参照して説明する。第１実施形態と同様の構成要素については同一の符号を付して示し、重複する説明を省略する場合がある。
【０１７４】
図４（ｈ）に示すように、配線板１１は、樹脂組成物（樹脂組成物層）の硬化体である磁性層と、この磁性層に少なくとも一部分が埋め込まれた導電性構造体とを有しており、この導電性構造体と、磁性層の厚さ方向に延在し、かつ導電性構造体に囲まれた磁性層のうちの一部分によって構成されるインダクタ素子を含んでいる。配線板１１は、ビルドアップ磁性層を有するビルドアップ配線板である。配線板１１は、コア基材を有さない点で第１実施形態の配線板１０と異なる。
【０１７５】
配線板１１が備えるインダクタ素子が機能し得る周波数は１０ＭＨｚ〜２００ＭＨｚであることが想定されている。また、配線板１１が備えるインダクタ素子は電源系が想定されている。
【０１７６】
配線板１１は、第１配線層４２、第２配線層４４、及び第３配線層４６を含む。第１配線層４２、第２配線層４４、及び第３配線層４６は、通常複数の配線を含んでいる。図示例ではインダクタ素子のコイル状導電性構造体４０を構成する配線のみが示されている。第１配線層４２、第２配線層４４、外部端子２４、及びその他の配線については、第１実施形態における第１配線層４２、第２配線層４４、外部端子２４、及びその他の配線と同様である。
【０１７７】
第３配線層４６を構成し得る導体材料としては、第１実施形態における第１配線層４２を構成し得る導体材料と同様である。また、第３配線層４６の厚さとしては、第１実施形態における第１配線層４２の厚さと同様である。
【０１７８】
第３配線層４６は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。第３配線層４６が複層構造である場合、磁性層と接する層は、クロム、亜鉛若しくはチタンの単金属層、又はニッケルクロム合金の合金層であることが好ましい。
【０１７９】
第１磁性層３２、第２磁性層３４、及び第３磁性層３８は一体的な磁性層としてみることができる磁性部３０を構成している。第１磁性層３２及び第２磁性層３４は、第１実施形態における第１磁性層３２及び第２磁性層３４と同様である。
【０１８０】
第３磁性層３８は、既に説明した接着フィルムに由来する層であり、接着フィルムの樹脂組成物層は磁性層形成時の流動性に優れているので、第２配線層４４の封止性に優れている。また第３磁性層３８は、前記接着フィルムを用いて形成されるので、周波数が１０ＭＨｚ〜２００ＭＨｚの範囲における比透磁率が向上しており、さらに通常は磁性損失が低減されている。
【０１８１】
ビアホール３６内にはビアホール内配線３６ａが設けられている。第１配線層４２、第２配線層４４、及び第３配線層４６はビアホール内配線３６ａ等によりに電気的に接続されている。
【０１８２】
本実施形態では、コイル状導電性構造体４０が、第１配線層４２、第２配線層４４、及び第３配線層４６の３層の配線層を含む例を説明したが、４層以上の配線層（及び４層以上のビルドアップ磁性層）によりコイル状導電性構造体４０を構成することもできる。この場合には、最上層の配線層と最下層の配線層とに挟まれるように配置される図示しない配線層の渦巻状の配線部は、その一端が最上層側であって直近に配置される配線層の渦巻状の配線部のいずれか一方の端部に電気的接続され、その他端が最下層側であって直近に配置される配線層の渦巻状の配線部のいずれか一方の端部に電気的接続される。
【０１８３】
本実施形態にかかる配線板によれば、磁性層を前記接着フィルムにより形成するので、形成される磁性層の比透磁率、難燃性を高めることができ、反り量を低減することができる。
【０１８４】
以下、第２実施形態にかかるインダクタ素子内蔵配線板の製造方法について図４を参照して説明する。第１実施形態と説明が重複する箇所については適宜説明を省略する。
本実施形態に係る配線板の製造方法は、
（１）基材５１と、該基材５１の少なくとも一方の面に設けられたキャリア付金属層５２とを有するキャリア付金属層付き基材５０を準備する工程、
（２）キャリア付金属層付き基材５０に接着フィルムの樹脂組成物層をラミネートし、該樹脂組成物層を熱硬化させ第１磁性層３２を形成する工程、
（３）第１磁性層３２上に第１配線層４２を形成する工程、
（４）第１配線層４２および第１磁性層３２上に接着フィルムの樹脂組成物層をラミネートし、該樹脂組成物層を熱硬化して第２磁性層３４を形成する工程、
（５）第２磁性層３４にビアホール３６を形成し、ビアホール３６が形成された第２磁性層３４に対して粗化処理する工程、
（６）第２磁性層３４上に第２配線層４４を形成する工程、
（７）第２配線層４４および第２磁性層３４上に接着フィルムの樹脂組成物層をラミネートし、該樹脂組成物層を熱硬化して第３磁性層３８を形成する工程、
（８）キャリア付金属層付き基材５０を除去する工程、
（９）第３磁性層３８にビアホール３６を形成し、ビアホール３６が形成された第３磁性層３８に対して粗化処理する工程と、
（１０）第１磁性層３２にビアホール３６を形成し、ビアホール３６が形成された第１磁性層３２に対して粗化処理する工程と、
（１１）第３磁性層３８上に第３配線層４６を形成する工程、及び
（１２）第１磁性層３２上に外部端子２４を形成する工程、を含む。
【０１８５】
工程（９）と工程（１０）とは順序を入れ替えて行ってもよく、同時に行ってもよい。また、工程（１１）と工程（１２）とは、順序を入れ替えて行ってもよく、同時に行ってもよい。
【０１８６】
＜工程（１）＞
工程（１）は、基材５１と、該基材５１の少なくとも一方の面に設けられたキャリア付金属層５２とを有するキャリア付金属層付き基材５０を準備する工程である。図４（ａ）に一例を示すように、通常、キャリア付金属層付き基材５０は、基材５１と、該基材５１の少なくとも一方の面にキャリア付金属層５２が設けられている。キャリア付金属層５２は、後述する工程（８）の作業性を高める観点から、基材５１側から第１金属層５２１、第２金属層５２２の順で備える構成であることが好ましい。
【０１８７】
基材５１の材料としては、第１実施形態におけるコア基材と同様である。キャリア付金属層５２の材料としては、例えば、キャリア付銅箔、その他、剥離可能な支持体付き金属箔等が挙げられる。キャリア付金属層付き基材５０は、市販品を用いることができる。市販品としては、例えば三井金属社製ＭＴ−ＥＸ等が挙げられる。
【０１８８】
＜工程（２）＞
工程（２）は、図４（ｂ）に一例を示すように、キャリア付金属層付き基材５０に接着フィルムの樹脂組成物層をラミネートし、該樹脂組成物層を熱硬化させ第１磁性層３２を形成する工程である。
【０１８９】
工程（２）における第１磁性層３２の形成は、第１実施形態における第１磁性層の形成と同様の方法により形成することができる。
【０１９０】
工程（２）終了後、必要に応じて、形成した第１磁性層上に粗化工程を施してもよい。粗化工程は、第１実施形態における、第１磁性層に対して行う粗化工程と同様の方法により行うことができる。
【０１９１】
＜工程（３）＞
工程（３）は、図４（ｃ）に一例を示すように、第１磁性層３２上に第１配線層４２を形成する工程である。第１配線層４２は、めっきにより形成することができる。第１配線層４２は、第１実施形態における第２配線層４４の形成と同様の方法により形成することができる。また、第１配線層４２は、第１実施形態における第１配線層と同様の導体材料を用いることができる。
【０１９２】
＜工程（４）＞
工程（４）は、図４（ｄ）に一例を示すように、第１配線層４２及び第１磁性層３２上に接着フィルムの樹脂組成物層をラミネートし、該樹脂組成物層を熱硬化して第２磁性層３４を形成する工程である。
【０１９３】
第２磁性層３４は、先述した工程（２）と同様の方法により形成することができる。第２磁性層３４を形成する接着フィルムは、第１磁性層３２を形成する際に使用した接着フィルムと同様のものを用いてもよく、異なる接着フィルムを用いてもよい。
【０１９４】
＜工程（５）＞
工程（５）は、図４（ｅ）に一例を示すように、第２磁性層３４にビアホール３６を形成し、ビアホール３６が形成された第２磁性層３４に対して粗化処理する工程である。ビアホール３６内にはビアホール内配線３６ａが設けられている。ビアホール３６は、第１配線層４２と第２配線層４４とを電気的に接続するための経路となる。
【０１９５】
ビアホール３６の形成は、第１実施形態におけるビアホールの形成工程と同様の方法により形成することができる。また、粗化処理は、第１実施形態における、第１磁性層に対して行う粗化工程と同様の方法により行うことができる。
【０１９６】
＜工程（６）＞
工程（６）は、図４（ｅ）に一例を示すように、第２磁性層３４上に第２配線層４４を形成する工程である。詳細は、第２磁性層３４におけるビアホール３６上に第２配線層４４を形成する。第２配線層４４は、めっきにより形成することができる。第２配線層４４は、第１実施形態における第２配線層４４の形成と同様の方法により形成することができる。また、第２配線層４４は、第１実施形態における第２配線層と同様の導体材料を用いることができる。
【０１９７】
＜工程（７）＞
工程（７）は、図４（ｆ）に一例を示すように、第２配線層４４及び第２磁性層３４上に接着フィルムの樹脂組成物層をラミネートし、該樹脂組成物層を熱硬化して第３磁性層３８を形成する工程である。
【０１９８】
第３磁性層３８は、先述した工程（２）と同様の方法により形成することができる。第３磁性層３８を形成する接着フィルムは、第１磁性層３２及び第２磁性層３４を形成する際に使用した接着フィルムと同様のものを用いてもよく、異なるものを用いてもよい。
【０１９９】
＜工程（８）＞
工程（８）は、図４（ｇ）に一例を示すように、キャリア付金属層付き基材５０を除去する工程である。キャリア付金属層付き基材５０の除去方法は特に限定されない。好適な一実施形態は、第１金属層５２１及び第２金属層５２２の界面で基材５１及び第１金属層５２１を剥離し、第２金属層５２２を例えば塩化銅水溶液などでエッチング除去する。必要に応じて、第３磁性層３８を保護フィルムで保護した状態でキャリア付金属層付き基材５０を剥離してもよい。
【０２００】
＜工程（９）＞
工程（９）は、第３磁性層３８に、図４に図示しないビアホールを形成し、ビアホールが形成された第３磁性層３８に対して粗化処理する工程である。ビアホール内にはビアホール内配線が設けられている。ビアホールは、第２配線層４４と第３配線層４６とを電気的に接続するための経路となる。このビアホールの形成は、第１実施形態におけるビアホールの形成工程と同様の方法により形成することができる。また、粗化処理は、第１実施形態における、第１磁性層に対して行う粗化工程と同様の方法により行うことができる。
【０２０１】
＜工程（１０）＞
工程（１０）は、図４（ｈ）に一例を示すように、第１磁性層３２にビアホール３６を形成し、ビアホール３６が形成された第１磁性層３２に対して粗化処理する工程である。詳細は、第１磁性層３２のキャリア付金属層付き基材５０を除去した側の面側にビアホール３６を形成し、該ビアホール３６上に外部端子２４を形成する。ビアホール３６内にはビアホール内配線３６ａが設けられている。このビアホール３６は、第１配線層４２と外部端子２４とを電気的に接続するための経路となる。このビアホール３６の形成は、第１実施形態におけるビアホールの形成工程と同様の方法により形成することができる。また、粗化処理は、第１実施形態における、第１磁性層に対して行う粗化工程と同様の方法により行うことができる。
【０２０２】
＜工程（１１）＞
工程（１１）は、図４（ｈ）に一例を示すように、第３磁性層３８上に第３配線層４６を形成する工程である。詳細は、第３磁性層３８に形成した、図示しないビアホールの粗化処理を行った後、該ビアホール上に第３配線層４６を形成する。第３配線層４６は、第１実施形態における第２配線層４４と同様の方法により形成することができ、また、第１実施形態における第１及び第２配線層と同様の導体材料を用いることができる。
【０２０３】
＜工程（１２）＞
工程（１２）は、図４（ｈ）に一例を示すように、第１磁性層３２上に外部端子２４を形成する工程である。詳細は、第１磁性層３２に形成したビアホール３６の粗化処理を行った後、該ビアホール３６上に外部端子２４を接続する。
【０２０４】
以上の工程により、基材がなく、且つインダクタ素子を含む配線板を製造することができる。このインダクタ素子は、コイル状導電性構造体４０と磁性部３０の厚さ方向に延在し、且つコイル状導電性構造体４０に囲まれた磁性部３０のうち一部分とを含む。そして、コイル状導電性構造体４０は、第１配線層４２の一部分と第２配線層４４の一部分と第３配線層４６の一部分とビアホール内配線３６ａとを含む。
【０２０５】
第１磁性層３２がビルドアップ磁性層であり、第２配線層４４がビルドアップ配線層であるビルドアップ層としてみた場合、本実施形態の配線板においてビルドアップ層がさらに１層以上必要な場合には、前記第１磁性層３２の形成工程から前記第２配線層４４の形成工程までの既に説明した一連の工程をさらに１回以上繰り返して実施すればよい。
【０２０６】
本発明の接着フィルムを用いれば、周波数が１０ＭＨｚ〜２００ＭＨｚでの比透磁率を向上させることができ、かつ難燃性に優れ、反り量が低減された磁性層を形成することができるので、空芯構造とすることなく磁性層の一部分により構成される芯部を含む、より高性能な低周波帯域用インダクタ素子が作り込まれた配線板を、より簡便な工程で提供することができる。
【０２０７】
本実施形態にかかる配線板は、半導体チップ等の電子部品を搭載するための配線板として用いることができ、かかる配線板を内層基板として使用した（多層）プリント配線板として用いることもできる。また、かかる配線板を個片化したチップインダクタ部品として用いることもでき、該チップインダクタ部品を表面実装したプリント配線板として用いることもできる。
またかかる配線板を用いて、種々の態様の半導体装置を製造することができる。かかる配線板を含む半導体装置は、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラおよびテレビ等）および乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶および航空機等）等に好適に用いることができる。
【実施例】
【０２０８】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、量を表す「部」及び「％」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。【０２０９】
＜実施例１：樹脂組成物１の調製＞
「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品、新日鉄住金化学社製）７質量部、「ＨＰ−４７００」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ＤＩＣ社製）７質量部、「ＹＸ７５５３」（フェノキシ樹脂、不揮発分３０質量％、三菱化学社製）３５質量部、「ＫＳ−１」（ポリビニルアセタール樹脂、積水化学工業社製）３０質量部をＭＥＫ１０質量部、シクロヘキサノン１０質量部、エタノール４０質量部、トルエン４０質量部に撹拌しながら加熱溶解させた。そこへ、「ＬＡ−７０５４」（トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤の不揮発分６０質量％、ＤＩＣ社製）１４質量部、「２Ｅ４ＭＺ」（硬化促進剤、四国化成工業社製）０．１質量部、無機充填材（「ＳＯ−Ｃ２」（シリカ、平均粒子径０．５μｍ、アドマテックス社製）を「ＫＢＭ−５７３」（アミノシラン系カップリング剤、信越化学工業社製）で処理したシリカ）３５質量部、「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」（磁性フィラー、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金（アモルファス）、平均粒径３．０μｍ、エプソンアトミックス社製）８５０質量部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂組成物１を調製した。【０２１０】
＜実施例２：樹脂組成物２の調製＞
「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品、新日鉄住金化学社製）１４質量部、「ＨＰ−４７００」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ＤＩＣ社製）１４質量部、「ＹＸ７５５３」（フェノキシ樹脂、不揮発分３０質量％、三菱化学社製）３５質量部、「ＫＳ−１」（ポリビニルアセタール樹脂、積水化学工業社製）２３質量部をＭＥＫ１０質量部、シクロヘキサノン１０質量部、エタノール３０質量部、トルエン３０質量部に撹拌しながら加熱溶解させた。そこへ、「ＬＡ−７０５４」（トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤、不揮発分６０質量％、ＤＩＣ社製）２８質量部、「２Ｅ４ＭＺ」（硬化促進剤、四国化成工業社製）０．１質量部、無機充填材（「ＳＯ−Ｃ２」（シリカ、平均粒子径０．５μｍ、アドマテックス社製）を「ＫＢＭ−５７３」（アミノシラン系カップリング剤、信越化学工業社製）で処理したシリカ）３５質量部、「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」（磁性フィラー、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金（アモルファス）、平均粒径３．０μｍ、エプソンアトミックス社製）１０１０質量部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂組成物２を調製した。【０２１１】
＜実施例３：樹脂組成物３の調製＞
実施例１において、ＫＳ−１（ポリビニルアセタール樹脂、積水化学工業社製）３０質量部を、ＳＧ−Ｐ３（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂、ナガセケムテックス社製、数平均分子量Ｍｎ：８５００００ｇ／ｍｏｌ、エポキシ価０．２１ｅｑ／ｋｇ、ガラス転移温度１２℃、不揮発分１５質量％）２００質量部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物３を調製した。【０２１２】
＜実施例４：樹脂組成物４の調製＞
実施例１において、ＫＳ−１（ポリビニルアセタール樹脂、積水化学工業社製）３０質量部を、ＢＬ−１（ブチラール樹脂、積水化学工業社製）２３質量部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物４を調製した。【０２１３】
＜実施例５：樹脂組成物５の調製＞
実施例１において、ＹＸ７５５３（フェノキシ樹脂、不揮発分３０質量％、三菱化学社製）の量を、３５質量部から１３５質量部に変え、ＫＳ−１（ポリビニルアセタール樹脂、積水化学工業社製）を添加しなかった。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物５を調製した。【０２１４】
＜実施例６：樹脂組成物６の調製＞
実施例１において、ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ（エプソンアトミックス社製）の量を、８５０質量部から１５００質量部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物６を調製した。【０２１５】
＜実施例７：樹脂組成物７の調製＞
実施例１において、ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ（エプソンアトミックス社製）の量を、８５０質量部から５００質量部に変え、ＳＯ−Ｃ２（アドマテックス社製）の量を、３５質量部から５２．５質量部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物７を調製した。【０２１６】
＜実施例８：樹脂組成物８の調製＞
実施例１において、ＳＯ−Ｃ２（アドマテックス社製）の量を、３５質量部から１５０質量部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物８を調製した。【０２１７】
＜実施例９：樹脂組成物９の調製＞
実施例１において、ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ（エプソンアトミックス社製）の量を、８５０質量部から６００質量部に変え、ＳＯ−Ｃ２（アドマテックス社製）を含有させなかった。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物９を調製した。【０２１８】
＜実施例１０：樹脂組成物１０の調製＞
実施例３において、ＬＡ−７０５４（フェノール系硬化剤、不揮発分６０質量％、ＤＩＣ社製）の量を１４質量部から７質量部に変え、ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ（活性エステル硬化剤、不揮発分６５質量％、ＤＩＣ社製）７部を含有させた。以上の事項以外は実施例３と同様にして樹脂組成物１０を調製した。
調製した樹脂組成物１０の表面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて測定した。樹脂組成物１０の表面の拡大写真を図５に示した。【０２１９】
＜比較例１：樹脂組成物１１の調製＞
実施例１において、ＫＳ−１（ポリビニルアセタール樹脂、積水化学工業社製）の量を３０質量部から１００質量部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物１１を調製した。【０２２０】
＜比較例２：樹脂組成物１２の調製＞
実施例１において、ＫＳ−１（ポリビニルアセタール樹脂、積水化学工業社製）３０質量部を含有しなかった。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物１２を調製した。【０２２１】
＜比較例３：樹脂組成物１３の調製＞
実施例１において、ＫＳ−１（ポリビニルアセタール樹脂、積水化学工業社製）の量を３０質量部から５質量部に変え、ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ（エプソンアトミックス社製）の量を、８５０質量部から１８００質量部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物１３を調製した。【０２２２】
＜比較例４：樹脂組成物１４の調製＞
実施例１において、ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ（エプソンアトミックス社製）の量を、８５０質量部から２５０質量部に変え、ＳＯ−Ｃ２（アドマテックス社製）の量を、３５質量部から５２．５質量部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物１４を調製した。【０２２３】
＜比較例５：樹脂組成物１５の調製＞
実施例９において、ＫＳ−１（ポリビニルアセタール樹脂、積水化学工業社製）３０質量部を、ＳＧ−Ｐ３（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂、ナガセケムテックス社製、数平均分子量Ｍｎ：８５００００ｇ／ｍｏｌ、エポキシ価０．２１ｅｑ／ｋｇ、ガラス転移温度１２℃、不揮発分１５質量％）５０質量部に変え、ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ（エプソンアトミックス社製）の量を、６００質量部から１５０質量部に変えた。以上の事項以外は実施例９と同様にして樹脂組成物１５を調製した。【０２２４】
＜比較例６：樹脂組成物１６の調製＞
実施例１において、ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ（エプソンアトミックス社製）８５０質量部を、ＨＱ（カルボニル鉄、ＢＡＳＦ社製）５００質量部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物１６を調製した。【０２２５】
＜ラミネート性の評価＞
支持体として、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」という。）フィルム（厚さ３８μｍ）を用意した。各実施例及び各比較例で作製した樹脂組成物をＰＥＴフィルム上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが５０μｍとなるよう、ダイコーターにて均一に塗布し、７０℃から１２０℃（平均１００℃）で７分間、樹脂組成物層中の残留溶媒量が約０．４質量％となるように乾燥し、接着フィルムを得た。【０２２６】
接着フィルムそれぞれを名機製作所社製のバッチ式真空加圧ラミネーター「ＭＶＬＰ−５００」を用いて、配線板の両面にラミネートした。ラミネートは３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とし、その後１００℃、押圧力を０．７４ＭＰａとして３０秒間プレスすることにより行った。評価は、下記の評価基準に従って、得られた積層構造体の外観を検査することによって行った。結果を下記表に示す。
評価基準
○：配線板の回路部分にボイドが無く、接着フィルムに由来する樹脂組成物が十分にフローしている。
×：配線板の回路部分にボイドが発生しており、接着フィルムに由来する樹脂組成物のラミネート時の流動性が不足している。【０２２７】
＜比透磁率、磁性損失の測定＞
支持体として、フッ素樹脂系離型剤（ＥＴＦＥ）処理を施したＰＥＴフィルム（三菱樹脂社製「フルオロージュＲＬ５０ＫＳＥ」）を用意した。各実施例及び各比較例で作製した樹脂組成物を上記ＰＥＴフィルム上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが５０μｍとなるよう、ダイコーターにて均一に塗布し、７０℃から１２０℃（平均１００℃）で７分間、樹脂組成物層中の残留溶媒量が約０．４質量％となるように乾燥し、接着フィルムを得た。得られた接着フィルムを１８０℃で９０分間加熱することにより樹脂組成物層を熱硬化し、支持体を剥離することによりシート状の硬化体を得た。得られた硬化体を、幅５ｍｍ、長さ１８ｍｍの試験片に切断し、評価サンプルとした。この評価サンプルを、アジレントテクノロジーズ（Ａｇｉｌｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ）社製「ＨＰ８３６２Ｂ」（商品名）を用いて、３ターンコイル法にて測定周波数を１０ＭＨｚから１００ＭＨｚの範囲とし、室温２３℃にて比透磁率（μ’）および磁性損失（μ’’）を測定した。また、短絡ストリップライン法にて測定周波数を１００ＭＨｚから１０ＧＨｚの範囲とし、室温２３℃にて比透磁率（μ’）および磁性損失（μ’’）を測定した。測定周波数が１０ＭＨｚ、１００ＭＨｚ、１ＧＨｚ及び３ＧＨｚである場合の比透磁率、測定周波数が１０ＭＨｚ及び１００ＭＨｚである場合の磁性損失を下記表に示す。【０２２８】
＜弾性率の測定＞
支持体として、フッ素樹脂系離型剤（ＥＴＦＥ）処理を施したＰＥＴフィルム（三菱樹脂社製「フルオロージュＲＬ５０ＫＳＥ」）を用意した。各実施例及び各比較例で作製した樹脂組成物を上記ＰＥＴフィルム上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが５０μｍとなるよう、ダイコーターにて均一に塗布し、７０℃から１２０℃（平均１００℃）で７分間、樹脂組成物層中の残留溶媒量が約０．４質量％となるように乾燥し、接着フィルムを得た。得られた接着フィルムを１８０℃で９０分間加熱することにより樹脂組成物層を熱硬化し、支持体を剥離することによりシート状の硬化体を得た。得られた硬化体を、日本工業規格（ＪＩＳ  Ｋ７１２７）に準拠し、テンシロン万能試験機（エー・アンド・デイ社製）を用いて引っ張り試験し、引っ張り弾性率を測定した。【０２２９】
＜反り量の測定＞
支持体として、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」という。）フィルム（厚さ３８μｍ）を用意した。各実施例及び各比較例で作製した樹脂組成物をＰＥＴフィルム上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが５０μｍとなるよう、ダイコーターにて均一に塗布し、７０℃から１２０℃（平均１００℃）で７分間、樹脂組成物層中の残留溶媒量が約０．４質量％となるように乾燥し、接着フィルムを得た。得られた接着フィルムを１００ｍｍ角に打ち抜き、支持体を剥離し、樹脂組成物層を８枚重ねた状態で、１００ｍｍ角２００μｍのガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板であるパナソニック社製「Ｒ１５１５Ａ」の片面に、名機製作所社製のバッチ式真空加圧ラミネーター「ＭＶＬＰ−５００」を用いてラミネートした。ラミネートは３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とし、その後１００℃、押圧力を０．７４ＭＰａとして３０秒間プレスすることで行った。ついで、１８０℃３０分間熱硬化し、積層構造体を得た。積層構造体を水平な台の上に置き、台から積層構造体端部まで距離を反り量とし、評価は、下記の評価基準に従って行った。
評価基準
○：反り量が７ｍｍ以上、２０ｍｍ未満
×：反り量が２０ｍｍ以上、もしくは６ｍｍ以下【０２３０】
＜難燃性の評価＞
支持体として、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」という。）フィルム（厚さ３８μｍ）を用意した。各実施例及び各比較例で作製した樹脂組成物をＰＥＴフィルム上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが５０μｍとなるよう、ダイコーターにて均一に塗布し、７０℃から１２０℃（平均１００℃）で７分間、樹脂組成物層中の残留溶媒量が約０．４質量％となるように乾燥し、接着フィルムを得た。得られた接着フィルムを、基板厚み０．２ｍｍの銅張積層板（日立化成社製「６７９−ＦＧ」）の銅箔をエッチング除去した基材の両面に、バッチ式真空加圧ラミネーターＭＶＬＰ−５００（名機社製）を用いて、積層板の両面にラミネートした。ラミネートは、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とし、その後３０秒間、１００℃、圧力０．７４ＭＰａでプレスすることにより行った。支持体のＰＥＴフィルムを剥離後、接着フィルムを上記したラミネート条件で樹脂組成物層の両面にラミネートした。その後、ＰＥＴフィルムを剥離し１８０℃で９０分熱硬化させ、難燃試験用サンプルを得た。幅１２．７ｍｍ、長さ１２７ｍｍに切り出し、切り出した面を研磨機（Ｓｔｒｕｅｒｓ製、ＲｏｔｏＰｏｌ−２２）で研磨した。以上５個のサンプルを一組とし、ＵＬ９４垂直難燃試験に従って、難燃試験を実施した。１０秒間接炎後の燃え残りサンプルが５個ともある場合を「○」とし、１０秒間接炎後の燃え残りサンプルがない場合は「×」とした。【０２３１】
【表１】
2018194099.tif 000002
【０２３２】
【表２】
2018194099.tif 000003
【０２３３】
実施例１〜１０は、ラミネート性、磁性損失、比透磁率、弾性率、反り量、反り試験、及び難燃性に優れていることがわかる。実施例１〜１０は、１０ＭＨｚ〜２００ＭＨｚの比透磁率が著しく向上しており、かつ磁性損失が低減されていることがわかる。
実施例１０の樹脂組成物は、図５に示すように、マトリックス相と分散相とからなる海島構造を形成し、（Ｄ）成分がマトリックス相側に偏在していることがわかる。（Ｄ）成分がマトリックス相側に偏在していることにより、実施例１０の樹脂組成物の硬化物は比透磁率が向上していると考えられる。【０２３４】
一方、弾性率が７ＧＰａ未満である比較例１、比較例４〜６、弾性率が１８ＧＰａを超える比較例２〜３は、ラミネート性、１０ＭＨｚ〜２００ＭＨｚの比透磁率、磁性損失、弾性率、反り量、反り試験、及び難燃性のいずれかが実施例１〜１０よりも悪く、樹脂組成物として使用できるものではなかった。なお、比較例１、比較例３は反り量が大きく、測定限界を超えたことから反り量を測定することができなった。また、難燃性も評価することができなかった。【０２３５】
各実施例において、（Ｅ）〜（Ｆ）成分を含有しない場合であっても、程度に差はあるものの上記実施例と同様の結果に帰着することを確認している。
【符号の説明】
【０２３６】
１０  配線板
２０  コア基材（内層回路基板）
２０ａ  第１主表面
２０ｂ  第２主表面
２２  スルーホール
２２ａ  スルーホール内配線
２４  外部端子
３０  磁性部
３２  第１磁性層
３４  第２磁性層
３６  ビアホール
３６ａ  ビアホール内配線
３８  第３磁性層
４０  コイル状導電性構造体
４２  第１配線層
４２ａ  ランド
４４  第２配線層
４６  第３配線層
５０  キャリア付金属層付き基材
５１  基材
５２  キャリア付金属層
５２１  第１金属層
５２２  第２金属層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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