(57)【要約】  製造時の消費エネルギーを抑えることができ、かつ、真空度の低下を効果的に抑えることができるガラスパネルユニットの製造方法を提案する。第一基板（１０）と第二基板（２０）を、４０７℃以下の第一温度で加熱した封着材（４１０）を介して、接合する。これにより、第一基板（１０）と第二基板（２０）の間に内部空間（５１０）を形成する。内部空間（５１０）には、非金属ゲッター材を含むガス吸着体（４４）が配置されている。活性化工程において、ガス吸着体（４４）を、第一温度よりも高い第二温度に至るように、局所加熱する。
2019004135.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスパネルを含む第一基板と、ガラスパネルを含む第二基板の少なくとも一方に、複数のピラーを、互いに距離をあけて配置するピラー配置工程と、
前記第一基板と前記第二基板の少なくとも一方に、多孔質構造を有する非金属ゲッター材を含んだガス吸着体を配置するガス吸着体配置工程と、
前記第一基板と前記第二基板を、封着材を介して接合させ、前記第一基板と前記第二基板と前記封着材の間に、前記複数のピラーと前記ガス吸着体が位置する内部空間を形成する接合工程と、
前記内部空間を減圧させる減圧工程と、
前記内部空間を減圧状態で封止する封止工程と、
前記ガス吸着体を活性化させる活性化工程と、を備え、
前記接合工程では、４０７℃以下の第一温度で加熱した前記封着材を介して、前記第一基板と前記第二基板を接合させ、
前記活性化工程では、前記内部空間において、前記ガス吸着体が前記第一温度よりも高い第二温度に至るように、前記ガス吸着体を局所加熱する
ガラスパネルユニットの製造方法。
【請求項２】
前記活性化工程では、前記第一基板と前記第二基板の少なくとも一方を通じて前記ガス吸着体に照射する光のエネルギーによって、前記ガス吸着体を局所加熱する
請求項１のガラスパネルユニットの製造方法。
【請求項３】
前記活性化工程では、前記ガス吸着体に照射するレーザー光のエネルギーによって、前記ガス吸着体を局所加熱する
請求項２のガラスパネルユニットの製造方法。
【請求項４】
前記活性化工程では、前記ガス吸着体に照射する赤外線のエネルギーによって、前記ガス吸着体を局所加熱する
請求項２のガラスパネルユニットの製造方法。
【請求項５】
前記ガス吸着体配置工程では、前記ガス吸着体と接触するように金属部材を更に配置し、
前記活性化工程では、通電により加熱した前記金属部材によって、前記ガス吸着体を局所加熱する
請求項１のガラスパネルユニットの製造方法。
【請求項６】
前記活性化工程では、誘導加熱した金属部材によって、前記ガス吸着体を局所加熱する
請求項５のガラスパネルユニットの製造方法。
【請求項７】
前記活性化工程での前記ガス吸着体の局所加熱を、前記減圧工程と並行して行う
請求項１から６のいずれか一項のガラスパネルユニットの製造方法。
【請求項８】
前記非金属ゲッター材は、ゼオライト系、活性炭素又は酸化マグネシウムのゲッター材である
請求項１から７のいずれか一項のガラスパネルユニットの製造方法。
【請求項９】
前記ガス吸着体は、気体分子を吸着することのできる金属表面を有する金属ゲッター材を、更に含む
請求項１から８のいずれか一項のガラスパネルユニットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ガラスパネルユニットの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
断熱性の高いガラスパネルユニットを製造する方法が、従来提案されている。例えば特許文献１に開示される方法では、一対の板ガラスの間に封着材と吸着材を配した状態で、溶融炉において、封着材の溶融温度である４３４℃よりも高い温度（４６５℃）にまで全体を加熱し、溶融した封着材を介して一対の板ガラス同士を接合させる。これにより、一対の板ガラスと封着材の間に内部空間が形成される。【０００３】
次いで、溶融炉の温度を４３４℃よりも低い温度に維持しながら、内部空間からの排気を行い、このときの温度で吸着材を活性化させる。その後に、内部空間を減圧状態のままで封止する。【０００４】
上記した従来の製造方法では、一対の板ガラス同士を接合させるときに、炉内の温度を高温（４６５℃）に維持する必要があるので、製造時の消費エネルギーが大きい。【０００５】
製造時の消費エネルギーを抑えるためには、低融点の封着材を用い、封着時の加熱温度を低く設定することが考えられる。しかし、加熱温度が低いと、糸屑等の有機物が内部空間で燃焼せずに残存しやすくなる。内部空間に糸屑等の有機物が残存していると、有機物が経時変化して発生させるガスによって、真空度が低下する。また、加熱温度が低い場合には、封着材の溶媒が蒸発しきらずに残存し、残存した溶媒がガスを発生させることによって、真空度が低下する。【０００６】
加えて、炉内の加熱温度が低く設定されると、その分だけ吸着材が活性化され難くなり、結果的に真空度が低下しやすくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開第２０１４／１３６１５１号
【発明の概要】
【０００８】
上記事情に鑑み、本開示は、製造時の消費エネルギーを抑えることができ、かつ、真空度の低下を効果的に抑えることができるガラスパネルユニットの製造方法を提案することを、目的とする。
【０００９】
本開示の一様態に係るガラスパネルユニットの製造方法は、ピラー配置工程、ガス吸着体配置工程、接合工程、減圧工程、封止工程、及び活性化工程を備える。前記ピラー配置工程では、ガラスパネルを含む第一基板と、ガラスパネルを含む前記第二基板の少なくとも一方に、複数のピラーを、互いに距離をあけて配置する。前記ガス吸着体配置工程では、前記第一基板と前記第二基板の少なくとも一方に、多孔質構造を有する非金属ゲッター材を含んだガス吸着体を配置する。前記接合工程では、前記第一基板と前記第二基板を、封着材を介して接合させ、前記第一基板と前記第二基板と前記封着材の間に、前記複数のピラーと前記ガス吸着体が位置する内部空間を形成する。前記減圧工程では、前記内部空間を減圧させる。前記封止工程では、前記内部空間を減圧状態で封止する。前記活性化工程では、前記ガス吸着体を活性化させる。前記接合工程では、４０７℃以下の第一温度で加熱した前記封着材を介して、前記第一基板と前記第二基板を接合させる。前記活性化工程では、前記内部空間において、前記ガス吸着体が前記第一温度よりも高い第二温度に至るように、前記ガス吸着体を局所加熱する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、一実施形態のガラスパネルユニットを示す斜視図である。
【図２】図２は、同上のガラスパネルユニットを示す平面図である。
【図３】図３は、図２のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図４は、同上のガラスパネルユニットを製造する一過程を示す斜視図である。
【図５】図５は、同上のガラスパネルユニットの仕掛品を示す平面図である。
【図６】図６は、図５のＢ−Ｂ線断面図である。
【図７】図７は、同上の仕掛品の内部空間を減圧する様子を一部破断して示す要部側面図である。
【図８】図８は、同上の仕掛品の内部空間を封止する様子を一部破断して示す要部側面図である。
【図９】図９は、同上の内部空間に配されたガス吸着体を活性化させる様子を一部破断して示す要部側面図である。
【図１０】図１０は、変形例１においてガス吸着体を活性化させる様子を一部破断して示す要部側面図である。
【図１１】図１１は、変形例２においてガス吸着体を活性化させる様子を一部破断して示す要部側面図である。
【図１２】図１２は、変形例３の製造過程で得られた仕掛品を示す斜視図である。
【図１３】図１３は、変形例３における炉内の加熱温度の時間変化を示すグラフである。
【図１４】図１４は、変形例３の製造過程で得られたガラス複合体を示す斜視図である。
【図１５】図１５は、同上のガラス複合体を切断する様子を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（一実施形態）
一実施形態のガラスパネルユニットとこれを製造する方法について、添付図面に基づいて説明する。添付図面においては、一実施形態のガラスパネルユニットの各構成を、模式的に示している。
【００１２】
まず、一実施形態のガラスパネルユニットについて、図１から図３に基づいて説明する。
【００１３】
一実施形態のガラスパネルユニットは、第一パネル１、第二パネル２、シール部４１、孔封止材４２、複数のピラー４３、及びガス吸着体４４を備える。
【００１４】
第一パネル１と第二パネル２は、僅かな距離をあけて互いに対向して位置する。第一パネル１と第二パネル２は互いに平行であり、第一パネル１と第二パネル２の間に、シール部４１、複数のピラー４３、及びガス吸着体４４が位置する。
【００１５】
第一パネル１は、ガラスパネル１５と、ガラスパネル１５に接合された低放射膜４５（図３参照）を含む。低放射膜４５は、銀等の低放射性を有する金属を含有する膜であり、放射による伝熱を抑制する機能を有する。第二パネル２は、ガラスパネル２５を含む。
【００１６】
ガラスパネル１５とガラスパネル２５には、ソーダライムガラス、高歪点ガラス、化学強化ガラス、無アルカリガラス、石英ガラス、ネオセラム、物理強化ガラス等の材料で形成された各種パネルが、用いられる。
【００１７】
第一パネル１の第二パネル２に対向する対向面１２の大部分は、低放射膜４５の表面で構成されている。第二パネル２の第一パネル１に対向する対向面２２は、ガラスパネル２５の表面で構成されている。
【００１８】
シール部４１は、例えば低融点のガラスフリットを用いて、枠状に形成されている。シール部４１は、第一パネル１の周縁部と、第二パネル２の周縁部に、それぞれ気密に接合されている。第一パネル１と第二パネル２の互いの周縁部は、シール部４１を介して気密に接合されている。
【００１９】
複数のピラー４３は、互いに距離をあけて分散配置されている。複数のピラー４３の各々は、第一パネル１と第二パネル２の互いの対向面１２，２２に当たって位置している。
【００２０】
複数のピラー４３は、枠状のシール部４１に囲まれて位置し、第一パネル１と第二パネル２の間の距離を、所定距離に維持するように機能する。複数のピラー４３は、その全部又は一部がポリイミド等の樹脂で形成されていることが好ましい。
【００２１】
一実施形態のガラスパネルユニットでは、第一パネル１と第二パネル２のうち、第一パネル１の側が排気孔５０を有しており、排気孔５０は孔封止材４２によって気密に封止されている。孔封止材４２は、例えばガラスフリットを用いて形成されている。排気孔５０は、ガラスパネルユニットを製造する過程（後述の減圧工程）で、排気作業を行うために用いられる孔であり、第一パネル１を貫通している。
【００２２】
第一パネル１と第二パネル２とシール部４１に囲まれる密閉空間５１は、排気孔５０の封止によって、その全体が気密に封止されている。密閉空間５１は、例えば０．１Ｐａ以下の真空度に至るまで減圧された断熱空間である。
【００２３】
排気孔５０内に配置されたプレート４６は、ガラスパネルユニットを製造する過程（後述の封止工程）で用いられた部材である。排気孔５０には、更にプレート４６を覆うように樹脂が詰められてもよい。
【００２４】
次に、一実施形態のガラスパネルユニットを製造する方法について、説明する。
【００２５】
一実施形態のガラスパネルユニットの製造方法は、ピラー配置工程、ガス吸着体配置工程、接合工程、減圧工程、封止工程、及び活性化工程を含む。
【００２６】
各工程を行う準備段階では、第一基板１０と第二基板２０を準備する（図４等参照）。第一基板１０は、各工程を経た後に、ガラスパネルユニットの第一パネル１を構成する。第二基板２０は、各工程を経た後に、ガラスパネルユニットの第二パネル２を構成する。
【００２７】
第一基板１０は、ガラスパネル１０５と、ガラスパネル１０５に接合された低放射膜４５０を含む（図６参照）。第二基板２０は、ガラスパネル２０５を含む。以下においては、ガラスパネル１０５を第一ガラスパネル１０５と称し、ガラスパネル２０５を第二ガラスパネル２０５と称する。
【００２８】
第一ガラスパネル１０５は、各工程を経た後に、第一パネル１のガラスパネル１５を構成する。低放射膜４５０は、各工程を経た後に、第一パネル１の低放射膜４５を構成する。第二ガラスパネル２０５は、各工程を経た後に、第二パネル２のガラスパネル２５を構成する。
【００２９】
ピラー配置工程においては、図４等に示すように、第二基板２０の一面（上面）に、複数のピラー４３を、互いに距離をあけて配置する。
【００３０】
ガス吸着体配置工程においては、第二基板２０の一面（上面）に、ガス吸着体４４を配置する。具体的には、ゲッター材を含んだペースト状のガス吸着体４４を、ディスペンサー等の塗布装置を用いて、第二基板２０の一面に塗布する。
【００３１】
ガス吸着体４４が含むゲッター材は、多孔質構造を有する非金属ゲッター材であり、一例としてゼオライト系、活性炭素又は酸化マグネシウムのゲッター材である。ゼオライト系のゲッター材は、イオン交換されたゼオライトを含む。イオン交換物質は、例えばＫ、ＮＨ４、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎａ、Ｃａ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｈ、Ｃｕである。
【００３２】
ガス吸着体４４は、多孔質構造を有する非金属ゲッター材を含んでいることから、分子量の大きなガスを有効に吸着することができる。分子量の大きなガスは、例えば、炭化水素系ガス（ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６等）、アンモニアガス（ＮＨ３）である。
【００３３】
ピラー配置工程とガス吸着体配置工程は、いずれが先に行われてもよいし、両工程が並行して行われてもよい。
【００３４】
接合工程では、第一基板１０と第二基板２０を、枠状の封着材４１０を介して接合させる。具体的には、封着材４１０と複数のピラー４３を挟み込んだ状態にセットした第一基板１０と第二基板２０を、炉内において第一温度（例えば３８０℃）で加熱する。第一温度は、封着材４１０の融点（例えば３４０℃）よりも高く、かつコットンの発火点である４０７℃以下となるように設定された温度である。
【００３５】
加熱によりいったん溶融（軟化）した封着材４１０が硬化し、第一基板１０と第二基板２０に接合されることにより、第一基板１０と第二基板２０と封着材４１０の間には、複数のピラー４３とガス吸着体４４の位置する内部空間５１０が、形成される。封着材４１０は、各工程を経た後に、ガラスパネルユニットのシール部４１を構成する。
【００３６】
封着材４１０は、適宜の塗布装置を用いて、第二基板２０（第二ガラスパネル２０５）の一面の外周部に、枠状に配置される（図４参照）。加えて、第二基板２０の一面の所定箇所には、適宜の塗布装置を用いて、一部が切り欠かれた環状（例えばＣ字状）の形態を有するように、堰４７が配置される。封着材４１０と堰４７の材料は、ガラスフリット等の同一の材料であることが好ましい。
【００３７】
封着材４１０と堰４７の配置は、ピラー配置工程の前に行われてもよいし、ピラー配置工程の後に行われてもよいし、ピラー配置工程と並行して行われてもよい。また、封着材４１０と堰４７の配置は、ガス吸着体配置工程の前に行われてもよいし、ガス吸着体配置工程の後に行われてもよいし、ガス吸着体配置工程と並行して行われてもよい。
【００３８】
上記の各工程を経ることで、図５、図６に示す仕掛品８が形成される。仕掛品８は、ガラスパネルユニットを製造する途中の物品である。
【００３９】
この仕掛品８に対して、減圧工程、封止工程、及び活性化工程を更に実行する。
【００４０】
減圧工程と封止工程は、図７、図８に示す装置を用いて実行する。この装置は、減圧機構７１、加熱機構７２、及び押圧機構７３を備える。
【００４１】
減圧機構７１は、仕掛品８に押し当てられる排気ヘッド７５と、排気ヘッド７５に繋がる接続部７５３を備える。減圧機構７１は、仕掛品８に形成された内部空間５１０を、排気孔５０を通じて減圧し、かつ、減圧状態で維持するように構成されている。
【００４２】
加熱機構７２は、仕掛品８に対して排気ヘッド７５とは反対側に配置される（図８参照）。加熱機構７２は、排気孔５０に挿入された孔封止材４２を、非接触で加熱するように構成されている。
【００４３】
加熱機構７２は、照射器７２０を含む。照射器７２０は、排気孔５０に挿入された孔封止材４２に対して、第二基板２０（第二ガラスパネル２０５）を通じて外部から赤外線を照射し、孔封止材４２を加熱するように構成されている。赤外線は、近赤外線であることが好ましい。
【００４４】
押圧機構７３は、排気ヘッド７５に設けられている。押圧機構７３は、減圧機構７１によって内部空間５１０が減圧された状態で、排気孔５０に挿入された孔封止材４２を、第二基板２０に向けて押し込むように構成されている。
【００４５】
減圧工程においては、仕掛品８の排気孔５０に、排気孔５０よりも径の小さな孔封止材４２とプレート４６を挿入する（図７参照）。孔封止材４２は、例えばガラスフリットを用いて形成された固形の封止材である。孔封止材４２は、ブロック状の形状を有するが、上下に貫通した筒状の形状を有してもよい。プレート４６は、孔封止材４２を挟んで第二基板２０とは反対側に配置される。
【００４６】
次いで、排気ヘッド７５を、第一基板１０のうち排気孔５０の開口を囲む部分に、気密に押し当てる。このとき、孔封止材４２とプレート４６は、第二基板２０に向けて弾性的に押し込まれる。
【００４７】
この状態で、排気ヘッド７５内の空気を、接続部７５３を通じて吸引（図７中の白抜き矢印参照）すると、排気孔５０を通じて、内部空間５１０の空気が真空引きされる。
【００４８】
封止工程においては、加熱機構７２と押圧機構７３を用いて、内部空間５１０を減圧状態のままで封止する。
【００４９】
封止工程では、加熱機構７２によって孔封止材４２を加熱して溶融させ、かつ、押圧機構７３がプレート４６を介して及ぼす付勢力によって、孔封止材４２を第二基板２０に向けて押し付ける。孔封止材４２は、内部空間５１０内において堰４７の内周面に当たるまで変形する。堰４７に設けられた切欠き部分は、変形した孔封止材４２によって封止される。
【００５０】
これにより、排気孔５０は孔封止材４２によって封止され、内部空間５１０は、減圧状態のままで気密に封止される。この内部空間５１０が、各工程を経た後に、ガラスパネルユニットの密閉空間５１を構成する。
【００５１】
次に、活性化工程について説明する。
【００５２】
活性化工程においては、仕掛品８の内部空間５１０に配置したガス吸着体４４を、図１０に示す局所加熱機構６によって、第二温度（例えば６００℃）にまで局所加熱する。第二温度は、ガス吸着体４４に含まれるゲッター材の活性化温度よりも高い温度であり、５００℃よりも高い温度であることが好ましく、６００℃よりも高い温度であることが更に好ましい。
【００５３】
第二温度は、接合工程において封着材４１０を溶融させるときの温度（第一温度）よりも高い温度である。ガス吸着体４４に含まれるゲッター材の活性化温度は、第一温度よりも高温である。
【００５４】
言い換えると、ガス吸着体４４に含まれるゲッター材の活性化温度は、第一温度よりも高い温度であり、かつ、第二温度よりも低い温度である。
【００５５】
局所加熱機構６は、レーザー光を出射するように構成された照射器６１を含む。照射器６１は、内部空間５１０に配置されたガス吸着体４４に対して、第二基板２０（第二ガラスパネル２０５）を通じて外部からレーザー光を照射することができる。これにより、ガス吸着体４４が非接触で加熱される。
【００５６】
活性化工程は、減圧工程と並行して行うことが好ましい。つまり、排気ヘッド７５を用いて内部空間５１０を減圧している最中に、ガス吸着体４４を非接触でかつ局所的に加熱し、真空引きされている状態の内部空間５１０にてガス吸着体４４を活性化させることが好ましい。
【００５７】
ガス吸着体４４には、多孔質構造を有する非金属ゲッター材（例えばＣｕイオン交換されたゼオライト）が含まれているので、局所加熱により、ガス吸着体４４が吸着していた炭化水素系ガス、アンモニア等の気体分子が脱離する。これにより、ガス吸着体４４が活性化される。ガス吸着体４４から脱離した気体分子は、減圧機構７１によって排気孔５０を通じて吸引される。活性化工程によってガス吸着体４４が十分に活性化された段階で、封止工程を実行する。
【００５８】
活性化工程でのガス吸着体４４の局所加熱を、封止工程の後に行うことも可能である。この場合、減圧状態で封止された内部空間５１０内にレーザー光を照射し、局所加熱によりガス吸着体４４を活性化させる。
【００５９】
以上の製造方法で得られるガラスパネルユニットは、減圧状態で封止された密閉空間５１を有し、密閉空間５１には、十分に活性化されたガス吸着体４４が収容される。そのため、密閉空間５１の真空度の低下が抑えられ、ガラスパネルユニットの全体の断熱性が保たれる。
【００６０】
加えて、ガラスパネルユニットを製造するための工程では、炉内の温度が抑制されることから、製造時の消費エネルギーが抑えられるという利点がある。その反面、ガラスパネルユニットの密閉空間５１に糸屑等の有機物が残存し、炭化水素系のガスが発生しやすくなる。また、炉内の温度が抑制されると、封着材４１０の溶媒が蒸発しきらずに残存し、炭化水素系のガスを発生させやすくなる。加えて、樹脂を含む各ピラー４３からも、炭化水素系のガスやアンモニアガスが発生しやすい。
【００６１】
これに対して、以上の製造方法で得られるガラスパネルユニットでは、局所加熱によって活性化されたゲッター材（ゼオライト、活性炭等）を含むガス吸着体４４によって、ここで発生したガス（炭化水素系のガス、アンモニアガス等）が効果的に吸着される。
【００６２】
（変形例）
以下に例示するように、上述したガラスパネルユニット及びこれの製造方法は、適宜に設計変更が可能である。以下の説明において、上述した構成と同様の構成には同一符号を付し、詳しい説明を省略する。
【００６３】
上述したガラスパネルユニットの製造方法では、ピラー配置工程において、第二基板２０の一面に複数のピラー４３を配置しているが、複数のピラー４３を配置する箇所は、第一基板１０と第二基板２０の少なくとも一方でよい。複数のピラー４３を第一基板１０に配置することも有り得るし、複数のピラー４３を第一基板１０と第二基板２０に分散して配置することも有り得る。
【００６４】
同様に、上述したガラスパネルユニットの製造方法では、ガス吸着体配置工程において、第二基板２０の一面にガス吸着体４４を配置しているが、ガス吸着体４４を配置する箇所は、第一基板１０と第二基板２０の少なくとも一方でよい。第一基板１０にガス吸着体４４を配置することも有り得るし、第一基板１０と第二基板２０の両方にガス吸着体４４を配置することも有り得る。ガス吸着体４４は２個以上でも構わない。
【００６５】
また、上記したガラスパネルユニットの製造方法では、活性化工程において、第二基板２０を通じてガス吸着体４４にレーザー光を照射しているが、レーザー光の照射は、第一基板１０と第二基板２０の少なくとも一方を通じて行えばよい。第一基板１０を通じてレーザー光を照射する場合には、第一基板１０は低放射膜４５０を含まないことが好ましい。
【００６６】
また、上記したガラスパネルユニットの製造方法では、ガス吸着体４４として、多孔質構造を有する非金属ゲッター材を含んだものを用いているが、非金属ゲッター材に加えて金属ゲッター材を含んだものを用いることも好ましい。
【００６７】
金属ゲッター材は、気体分子を化学吸着することのできる金属表面を有するゲッター材であり、例えばＺｒ−Ａｌ、Ｚｒ−Ｖ−Ｆｅ等のジルコニウム系のゲッター材、又はチタン系のゲッター材である。ガス吸着体４４に金属ゲッター材が含まれていると、非金属ゲッター材では吸着しにくい気体分子（Ｈ２０、Ｎ２、Ｏ２、Ｈ２、ＣＯ２等）についても、効率的に吸着することができる。
【００６８】
本開示において、ガス吸着体４４を活性化させることは、非金属ゲッター材を活性化させることを意味する。ガス吸着体４４が金属ゲッター材を更に含む場合には、ガス吸着体４４を活性化させることは、非金属ゲッター材と金属ゲッター材を活性化させることを意味する。
【００６９】
また、上記したガラスパネルユニットの製造方法では、レーザー光のエネルギーによってガス吸着体４４を加熱しているが、赤外線等の他の光のエネルギーを用いてガス吸着体４４を加熱することも可能である。赤外線は、近赤外線であることが好ましい。
【００７０】
この場合、例えば図１０に示す変形例１のように、局所加熱機構６ａは、赤外線を照射することのできる照射器６２を含む。照射器６２は、内部空間５１０に配置されたガス吸着体４４に対して、第二基板２０（第二ガラスパネル２０５）を通じて外部から赤外線を照射し、ガス吸着体４４を非接触で加熱するように構成されている。赤外線の照射は、第一基板１０と第二基板２０の少なくとも一方を通じて行えばよい。
【００７１】
また、図１１に示す変形例２のように、ガス吸着体４４と接触するように内部空間５１０に配置した金属部材６３を通電により加熱し、金属部材６３を介してガス吸着体４４を局所加熱することも可能である。
【００７２】
変形例２では、第二基板２０のうち第一基板１０に対向する面の一部に、有底の溝２０１が形成されている。ガス吸着体配置工程では、溝２０１の底面に、シート状の金属部材６３を固定し、この金属部材６３の上に、固形のガス吸着体４４を固定している。金属部材６３とガス吸着体４４を配置する箇所は溝２０１に限定されず、第二基板２０の平坦な面上に、金属部材６３とガス吸着体４４を配置することも可能である。
【００７３】
変形例２の活性化工程では、局所加熱機構６ｂは、コイル状の磁界発生器６４を含む。磁界発生器６４を外部にセットしてこれに交流電力を供給することで、金属部材６３に過電流を生じさせ、金属部材６３を誘導加熱することができる。変形例２の活性化工程では、非接触で加熱した金属部材６３を介して、内部空間５１０においてガス吸着体４４を局所的に加熱することができる。
【００７４】
なお、金属部材６３を通電加熱するための別の手段として、金属部材６３に電気接続された電極を外部に引き出し、該電極を、外部において電源に電気接続させてもよい。この場合も、通電加熱された金属部材６３を介して、ガス吸着体４４を局所加熱することが可能である。
【００７５】
また、図１２から図１５に示す変形例３の方法で、内部空間５１０を封止することも可能である。
【００７６】
変形例３では、第二基板２０に配置される封着材４１０が、枠４１０ａと仕切り４１０ｂ含んでいる。仕切り４１０ｂは枠４１０ａよりも高い融点を有することが好ましいが、仕切り４１０ｂと枠４１０ａの融点が同一でもよい。封着材４１０の材料は、３００℃以下の融点を有する材料であることが好ましい。封着材４１０の材料としては、例えばバナジウム系のシールフリットを用いることが好ましい。仕切り４１０ｂは、枠４１０ａに囲まれる位置で、直線状に形成されている。
【００７７】
変形例３では、接合工程を経て仕掛品８ａが形成される。仕掛品８ａにおいては、第一基板１０と第二基板２０と枠４１０ａの間に、内部空間５１０が形成されている。仕切り４１０ｂは、内部空間５１０に位置する。仕切り４１０ｂは、内部空間５１０を、第一空間５１０ａと第二空間５１０ｂに仕切っている。ただし、仕切り４１０ｂの両端は、枠４１０ａに接触していない。
【００７８】
変形例３では、排気孔５０は、内部空間５１０のうち第二空間５１０ｂの側につながるように、第二基板２０に貫通形成されている。ガス吸着体４４と複数のピラー４３は、内部空間５１０のうち第一空間５１０ａの側に配置されている。
【００７９】
仕掛品８ａの内部空間５１０は、二つの通気路５１０ｃ，５１０ｄを含んでいる。二つの通気路５１０ｃ，５１０ｄの各々は、第一空間５１０ａと第二空間５１０ｂをつないでいる。二つの通気路５１０ｃ，５１０ｄの各々は、仕切り４１０ｂと枠４１０ａとの間に形成された隙間である。
【００８０】
変形例３の接合工程では、加熱によりいったん軟化した後に硬化した枠４１０ａが、第一基板１０と第二基板２０に対して気密に接合する。接合工程では、仕切り４１０ｂはほぼ変形しない。
【００８１】
図１３は、加熱温度（炉内温度）の変化を示すグラフである。接合工程では、第一温度ｔ１での加熱を第一所定時間Ｔ１だけ行う。
【００８２】
第一温度ｔ１は、枠４１０ａの融点よりも高い温度である。第一温度ｔ１は、例えば２７０℃である。第一所定時間Ｔ１は、例えば１５分である。
【００８３】
変形例３の減圧工程では、仕掛品８ａの通気路５１０ｃ，５１０ｄと第二空間５１０ｂと排気孔５０を介して、第一空間５１０ａを真空引きする。ここでの真空引きは、例えば、排気孔５０に接続した排気管８１を介して、真空ポンプによって行う。
【００８４】
減圧工程では、仕掛品８ａを、第一温度ｔ１よりも低い温度ｔ２（図１３参照）で、第二所定時間Ｔ２だけ加熱する。温度ｔ２は、例えば２５０℃である。第二所定時間Ｔ２は、例えば６０分である。
【００８５】
変形例３では、活性化工程を、減圧工程と並行して行う。
【００８６】
活性化工程においては、仕掛品８ａの内部空間５１０（第一空間５１０ａ）に配置したガス吸着体４４を、例えばレーザー光を照射することによって、第二温度（例えば６００℃）にまで局所加熱する。第二温度は、ガス吸着体４４に含まれるゲッター材の活性化温度よりも高い温度であり、５００℃よりも高い温度であることが好ましく、６００℃よりも高い温度であることが更に好ましい。
【００８７】
第二温度は、接合工程において封着材４１０を溶融させるときの第一温度ｔ１よりも十分に高い温度である。第二温度は、減圧工程で仕掛品８ａを加熱する温度ｔ２よりも十分に高い温度であり、また、後述の封止工程で仕掛品８ａを加熱する温度ｔ３よりも十分に高い温度である。
【００８８】
変形例３では、活性化工程を完了した後に、封止工程を行う。封止工程は、減圧工程と並行して行う。
【００８９】
封止工程では、内部空間５１０を減圧している最中に、仕切り４１０ｂを加熱により溶融させ、ここで変形した仕切り４１０ｂによって通気路５１０ｃ，５１０ｄを塞ぐ。封止工程が完了した段階で、内部空間５１０に通気路５１０ｃ，５１０ｄは存在しない（図１４参照）。
【００９０】
封止工程が完了した段階で、第一空間５１０ａと第二空間５１０ｂは、変形した仕切り４１０ｂによって、気密に分離されている。本開示において「内部空間を封止する」とは、変形例３のように、内部空間５１０の一部（第一空間５１０ａ）だけを封止する場合を含む。
【００９１】
図１３に示すように、封止工程では、仕掛品８ａを、温度ｔ３で第三所定時間Ｔ３だけ加熱する。温度ｔ３は、第一温度ｔ１と温度ｔ２よりも高く、かつ、仕切り４１０ｂの融点よりも高い温度である。温度ｔ３は、例えば３００℃である。第三所定時間Ｔ３は、例えば３０分である。
【００９２】
変形例３では、上述した各工程を経ることで、図１４に示すガラス複合体８００を得る。このガラス複合体８００から、第二空間５１０ｂと排気孔５０を有する部分８０５を除去することで、減圧状態の第一空間５１０ａを有するガラスパネルユニットが得られる。
【００９３】
図１５に示すように、部分８０５を除去する工程（除去工程）では、仕切り４１０ｂが位置する部分でガラス複合体８００を切断する。第二空間５１０ｂが位置する部分でガラス複合体８００を切断することも可能である。
【００９４】
変形例３では、炉内においてガス吸着体４４を活性化させているが、活性化のタイミングはこれに限定されない。
【００９５】
例えば、炉内での接合工程、減圧工程、及び封止工程を経てガラス複合体８００を形成した後に、炉外においてガス吸着体４４を局所加熱することで、ガス吸着体４４を活性化させてもよい。
【００９６】
また、炉内での減圧工程と並行してガス吸着体４４をある程度だけ活性化させ、ガラス複合体８００を形成した後に、炉外において、ガス吸着体４４を更に活性化させてもよい。この場合、炉内の加熱温度によってガス吸着体４４をある程度活性化させた後に、炉外において、ガス吸着体４４を局所加熱する。
【００９７】
ガス吸着体４４が、非金属ゲッター材に加えて金属ゲッター材を含む場合には、炉内でのガス吸着体４４の局所加熱によって、非金属ゲッター材と金属ゲッター材の両方を活性化させることも可能であるし、炉外でのガス吸着体４４の局所加熱によって、非金属ゲッター材と金属ゲッター材の両方を活性化させることも可能である。また、炉内の加熱温度によって非金属ゲッター材をある程度だけ活性化させ、ガラス複合体８００を形成した後に、炉外においてガス吸着体４４を局所加熱してもよい。この場合、炉外での局所加熱により非金属ゲッター材を更に活性化させることができ、かつ、金属ゲッター材を活性化させることができる。
【００９８】
ガス吸着体４４が、非金属ゲッター材と金属ゲッター材を含む場合には、ガス吸着体４４に含まれる金属ゲッター材を誘導加熱することで、ガス吸着体４４を局所加熱することも可能である。
【００９９】
（態様）
上述した実施形態及びこれの各変形例から理解されるように、第１の態様のガラスパネルユニットの製造方法は、ピラー配置工程、ガス吸着体配置工程、接合工程、減圧工程、封止工程、及び活性化工程を備える。
【０１００】
ピラー配置工程では、ガラスパネル（１０５）を含む第一基板（１０）と、ガラスパネル（２０５）を含む第二基板（２０）の少なくとも一方に、複数のピラー（４３）を、互いに距離をあけて配置する。ガス吸着体配置工程では、第一基板（１０）と第二基板（２０）の少なくとも一方に、ガス吸着体（４４）を配置する。ガス吸着体（４４）は、多孔質構造を有する非金属ゲッター材を含んでいる。接合工程では、第一基板（１０）と第二基板（２０）を、封着材（４１０）を介して接合させ、第一基板（１０）と第二基板（２０）と封着材（４１０）の間に、複数のピラー（４３）とガス吸着体（４４）が位置する内部空間（５１０）を形成する。減圧工程では、内部空間（５１０）を減圧させる。封止工程では、内部空間（５１０）を減圧状態で封止する。活性化工程では、ガス吸着体（４４）を活性化させる。接合工程では、４０７℃以下の第一温度で加熱した封着材（４１０）を介して、第一基板（１０）と第二基板（２０）を接合させる。活性化工程では、内部空間（５１０）において、ガス吸着体（４４）が第一温度よりも高い第二温度に至るように、ガス吸着体（４４）を局所加熱する。
【０１０１】
第１の態様のガラスパネルユニットの製造方法によれば、封止工程での加熱温度が抑制されるために、製造時の消費エネルギーが抑えられる。内部空間（５０１）においては、残存した糸屑等の有機物から炭化水素系のガスが発生しやすく、封着材（４１０）からも炭化水素系のガスが発生しやすいが、ここで発生したガスは、局所加熱で活性化された非金属ゲッター材を含むガス吸着体４４によって、効果的に吸着される。そのため、第１の態様のガラスパネルユニットの製造方法によれば、製造時の消費エネルギーが抑えられ、かつ、内部空間（５１０）の真空度の低下が効果的に抑えられる。
【０１０２】
第２の態様のガラスパネルユニットの製造方法は、第１の態様のガラスパネルユニットの製造方法において、以下の構成を更に備える。第２の態様のガラスパネルユニットの製造方法において、活性化工程では、第一基板（１０）と第二基板（２０）の少なくとも一方を通じてガス吸着体（４４）に照射する光のエネルギーによって、ガス吸着体（４４）を局所加熱する。
【０１０３】
第２の態様のガラスパネルユニットの製造方法によれば、内部空間（５１０）に配置されるガス吸着体（４４）が、非接触で局所加熱される。
【０１０４】
第３の態様のガラスパネルユニットの製造方法は、第２の態様のガラスパネルユニットの製造方法において、以下の構成を更に備える。第３の態様のガラスパネルユニットの製造方法において、活性化工程では、ガス吸着体（４４）に照射するレーザー光のエネルギーによって、ガス吸着体（４４）を局所加熱する。
【０１０５】
第３の態様のガラスパネルユニットの製造方法によれば、内部空間（５１０）に配置されるガス吸着体（４４）が、レーザー光によって非接触で局所加熱される。
【０１０６】
第４の態様のガラスパネルユニットの製造方法は、第２の態様のガラスパネルユニットの製造方法において、以下の構成を更に備える。第４の態様のガラスパネルユニットの製造方法において、活性化工程では、ガス吸着体（４４）に照射する赤外線のエネルギーによって、ガス吸着体（４４）を局所加熱する。
【０１０７】
第４の態様のガラスパネルユニットの製造方法によれば、内部空間（５１０）に配置されるガス吸着体（４４）が、赤外線によって非接触で局所加熱される。
【０１０８】
第５の態様のガラスパネルユニットの製造方法は、第１の態様のガラスパネルユニットの製造方法において、以下の構成を更に備える。第５の態様のガラスパネルユニットの製造方法において、ガス吸着体配置工程では、ガス吸着体（４４）と接触するように金属部材（６３）を更に配置し、活性化工程では、通電により加熱した金属部材（６３）によって、ガス吸着体（４４）を局所加熱する。
【０１０９】
第５の態様のガラスパネルユニットの製造方法によれば、内部空間（５１０）に配置されるガス吸着体（４４）が、金属部材（６３）を介して効率的に局所加熱される。
【０１１０】
第６の態様のガラスパネルユニットの製造方法は、第５の態様のガラスパネルユニットの製造方法において、以下の構成を更に備える。第６の態様のガラスパネルユニットの製造方法において、活性化工程では、誘導加熱した金属部材（６３）によって、ガス吸着体（４４）を局所加熱する。
【０１１１】
第６の態様のガラスパネルユニットの製造方法によれば、非接触で加熱した金属部材（６３）を介して、内部空間（５１０）においてガス吸着体（４４）を局所的に加熱することができる。
【０１１２】
第７の態様のガラスパネルユニットの製造方法は、第１から第６のいずれか一つの態様のガラスパネルユニットの製造方法において、以下の構成を更に備える。第７の態様のガラスパネルユニットの製造方法においては、活性化工程でのガス吸着体（４４）の局所加熱を、減圧工程と並行して行う。
【０１１３】
第７の態様のガラスパネルユニットの製造方法によれば、活性化工程においてガス吸着体（４４）から放出されたガスは、減圧工程において内部空間（５１０）から排出されるので、内部空間（５１０）の真空度が保たれやすい。
【０１１４】
第８の態様のガラスパネルユニットの製造方法は、第１から第７のいずれか一つの態様のガラスパネルユニットの製造方法において、以下の構成を更に備える。第８の態様のガラスパネルユニットの製造方法において、非金属ゲッター材は、ゼオライト系、活性炭素又は酸化マグネシウムのゲッター材である。
【０１１５】
第８の態様のガラスパネルユニットの製造方法によれば、ガス吸着体（４４）によって、炭化水素系ガス、アンモニアガスを有効に吸着することができる。
【０１１６】
第９の態様のガラスパネルユニットの製造方法は、第１から第８のいずれか一つの態様のガラスパネルユニットの製造方法において、以下の構成を更に備える。第９の態様のガラスパネルユニットの製造方法において、ガス吸着体（４４）は、気体分子を吸着することのできる金属表面を有する金属ゲッター材を、更に含む。
【０１１７】
第９の態様のガラスパネルユニットの製造方法によれば、非金属ゲッター材では吸着しにくい気体分子についても、有効に吸着することができる。
【符号の説明】
【０１１８】
１０  第一基板
１０５  （第一）ガラスパネル
２０  第二基板
２０５  （第二）ガラスパネル
４１０  封着材
４３  ピラー
４４  ガス吸着体
５１０  内部空間
６３  金属部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【国際調査報告】
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2019004135.tif 000019
2019004135.tif 000020
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