(57)【要約】  本開示の一側面により提供されるテラヘルツ素子は、半導体基板と、第１導電層と、第２導電層と、能動素子と、を備える。前記第１導電層および第２導電層は、前記半導体基板に各々形成され、互いに絶縁されている。前記能動素子は、前記半導体基板に形成され、前記第１導電層および前記第２導電層に導通する。前記第１導電層は、第１方向に沿って延びる第１アンテナ部と、前記半導体基板の厚さ方向視において、前記能動素子に対し第２方向側に位置する第１キャパシタ部と、前記第１キャパシタ部につながる第１導電部と、を含む。前記第２方向は、前記厚さ方向と前記第１方向とに直交している。前記第２導電層は、第２キャパシタ部を含む。前記第２キャパシタ部は、前記第１キャパシタ部に積層され、且つ、前記第１キャパシタ部から絶縁されている。前記半導体基板は、前記第１キャパシタ部および前記第２キャパシタ部から露出した露出部を含む。前記第１導電部は、前記厚さ方向視において、前記露出部を挟んで前記第１アンテナ部から前記第２方向に離間した部位を有する。
2019004204.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板に各々形成され、互いに絶縁された第１導電層および第２導電層と、
前記半導体基板に形成され、前記第１導電層および前記第２導電層に導通する能動素子と、を備え、
前記第１導電層は、第１方向に沿って延びる第１アンテナ部と、前記半導体基板の厚さ方向視において、前記能動素子に対し第２方向側に位置する第１キャパシタ部と、前記第１キャパシタ部につながる第１導電部と、を含み、前記第２方向は、前記厚さ方向と前記第１方向とに直交しており、
前記第２導電層は、第２キャパシタ部を含み、前記第２キャパシタ部は、前記第１キャパシタ部に積層され、且つ、前記第１キャパシタ部から絶縁されており、
前記半導体基板は、前記第１キャパシタ部および前記第２キャパシタ部から露出した露出部を含み、
前記第１導電部は、前記厚さ方向視において、前記露出部を挟んで前記第１アンテナ部から前記第２方向に離間した部位を有する、テラヘルツ素子。
【請求項２】
前記第２導電層は、前記第１方向とは反対の第３方向に沿って延びる第２アンテナ部を含む、請求項１に記載のテラヘルツ素子。
【請求項３】
前記第１導電層は、第１インダクタンス部を含み、前記第１インダクタンス部は、前記第１アンテナ部および前記第１キャパシタ部につながり且つ前記第１アンテナ部から前記第１キャパシタ部まで前記第２方向に沿って延び、
前記第２導電層は、第２インダクタンス部を含み、前記第２インダクタンス部は、前記第２アンテナ部および前記第２キャパシタ部につながり且つ前記第２アンテナ部から前記第２キャパシタ部まで前記第２方向に沿って延びる、請求項２に記載のテラヘルツ素子。
【請求項４】
前記第１キャパシタ部は、前記第１キャパシタ部において前記第１方向側に位置する第１キャパシタ部側面を有し、
前記第１キャパシタ部の前記第１キャパシタ部側面は、前記第１アンテナ部の前記第１方向側の先端よりも前記第３方向側に位置しており、
前記第２キャパシタ部は、前記第２キャパシタ部において前記第１方向側に位置する第１キャパシタ部側面を有し、
前記第２キャパシタ部の前記第１キャパシタ部側面は、前記第１アンテナ部の前記第１方向側の前記先端よりも前記第３方向側に位置している、請求項２または請求項３に記載のテラヘルツ素子。
【請求項５】
前記第１キャパシタ部は、前記第１キャパシタ部において前記第３方向側に位置する第２キャパシタ部側面を有し、
前記第１キャパシタ部の前記第２キャパシタ部側面は、前記第２アンテナ部の前記第３方向側の先端よりも前記第１方向側に位置しており、
前記第２キャパシタ部は、前記第２キャパシタ部において前記第３方向側に位置する第２キャパシタ部側面を有し、
前記第２キャパシタ部の前記第２キャパシタ部側面は、前記第２アンテナ部の前記第３方向側の前記先端よりも前記第１方向側に位置している、請求項４に記載のテラヘルツ素子。
【請求項６】
前記第１キャパシタ部の前記第１方向における寸法は、前記第２キャパシタ部の前記第１方向における寸法とは異なる、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のテラヘルツ素子。
【請求項７】
前記第１導電部は、前記第１アンテナ部から前記第２方向に離間した第１導電部側面を有し、
前記第１導電部側面は、前記第１方向に沿って延びている、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のテラヘルツ素子。
【請求項８】
前記第１導電部は、前記半導体基板に直接接する部位を有する、請求項１ないし請求項７のいずれかに記載のテラヘルツ素子。
【請求項９】
前記第２導電層は、前記第２キャパシタ部につながる第２導電部を含み、
前記第１導電部は、前記第２導電部に前記第１方向に離間している、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載のテラヘルツ素子。
【請求項１０】
前記第１導電部は、第１導電部位と、前記第１導電部位から延び出る第１延出部を含み、
前記第１延出部は、前記第１キャパシタ部につながり、
前記第２導電部は、第２導電部位と、前記第２導電部位から延び出る第２延出部を含み、
前記第２延出部は、前記第２キャパシタ部につながる、請求項１に記載のテラヘルツ素子。
【請求項１１】
前記第２導電層は、前記能動素子を挟んで前記第１導電部とは反対側に配置された第２導電部を含む、請求項３に記載のテラヘルツ素子。
【請求項１２】
前記第１キャパシタ部の全体は、前記第１方向において、前記第１導電部に重なっている、請求項１１に記載のテラヘルツ素子。
【請求項１３】
前記第１導電層は、第３キャパシタ部および第３インダクタンス部を含み、
前記第３キャパシタ部は、前記第１アンテナ部を挟んで前記第１キャパシタ部とは反対側に位置し、
前記第３インダクタンス部は、前記第１アンテナ部および前記第３キャパシタ部につながり且つ前記第３キャパシタ部から前記第１アンテナ部まで前記第２方向に沿って延び、
前記第２導電層は、第４キャパシタ部および第４インダクタンス部を含み、
前記第４キャパシタ部は、前記第２アンテナ部を挟んで前記第２キャパシタ部とは反対側に位置し、
前記第４インダクタンス部は、前記第２アンテナ部および前記第４キャパシタ部につながり且つ前記第４キャパシタ部から前記第２アンテナ部まで前記第２方向に沿って延びている、請求項１１または請求項１２に記載のテラヘルツ素子。
【請求項１４】
前記第１導電層および前記第２導電層の各々と前記半導体基板との間に介在している絶縁層を更に備える、請求項１に記載のテラヘルツ素子。
【請求項１５】
前記絶縁層の一部は、前記第１キャパシタ部および前記第２キャパシタ部の間に介在している、請求項１４に記載のテラヘルツ素子。
【請求項１６】
支持体と、
前記支持体に配置された、請求項１に記載のテラヘルツ素子と、
前記支持体に配置された絶縁部と、を備え、
前記絶縁部には、前記テラヘルツ素子が収容された開口が形成されており、
前記開口は、第１側面を有し、前記第１側面は、前記支持体の厚さ方向に対し傾斜して
いる、半導体装置。
【請求項１７】
前記開口は、前記テラヘルツ素子を囲む第２側面を有し、前記第２側面は、前記支持体の厚さ方向において、前記第１側面および前記支持体の間に位置し、
前記第２側面は前記支持体の前記厚さ方向に沿って延びている、請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記支持体の前記厚さ方向における、前記第２側面の寸法は、前記支持体の前記厚さ方向における、前記テラヘルツ素子の寸法よりも、大きい、請求項１７に記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記第１側面に配置された金属層を更に備える、請求項１７または請求項１８に記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記テラヘルツ素子と前記支持体とにボンディングされたワイヤを更に備える、請求項１６ないし請求項１９のいずれかに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、テラヘルツ素子と、半導体装置と、に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、トランジスタなどの電子デバイスの微細化が進み、その大きさがナノサイズになってきたため、量子効果と呼ばれる新しい現象が観測されるようになっている。そして、この量子効果を利用した超高速デバイスや新機能デバイスの実現を目指した開発が進められている。そのような環境の中で、特に、テラヘルツ帯と呼ばれる、周波数が０．１ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数領域を利用して大容量通信や情報処理、あるいはイメージングや計測などを行う試みが行われている。この周波数領域は、光と電波の中間の未開拓領域であり、この周波数帯で動作するデバイスが実現されれば、上述したイメージング、大容量通信・情報処理のほか、物性、天文、生物などのさまざまな分野における計測など、多くの用途に利用されることが期待されている。
【発明の概要】
【０００３】
本開示の第１側面によるとテラヘルツ素子が提供される。前記テラヘルツ素子は、半導体基板と、第１導電層と、第２導電層と、能動素子と、を備える。前記第１導電層および第２導電層は、前記半導体基板に各々形成され、互いに絶縁されている。前記能動素子は、前記半導体基板に形成され、前記第１導電層および前記第２導電層に導通する。前記第１導電層は、第１方向に沿って延びる第１アンテナ部と、前記半導体基板の厚さ方向視において、前記能動素子に対し第２方向側に位置する第１キャパシタ部と、前記第１キャパシタ部につながる第１導電部と、を含む。前記第２方向は、前記厚さ方向と前記第１方向とに直交している。前記第２導電層は、第２キャパシタ部を含む。前記第２キャパシタ部は、前記第１キャパシタ部に積層され、且つ、前記第１キャパシタ部から絶縁されている。前記半導体基板は、前記第１キャパシタ部および前記第２キャパシタ部から露出した露出部を含む。前記第１導電部は、前記厚さ方向視において、前記露出部を挟んで前記第１アンテナ部から前記第２方向に離間した部位を有する。
【０００４】
本開示の第２側面によると半導体装置が提供される。前記半導体装置は、支持体と、前記支持体に配置された、上記第１側面により提供されるテラヘルツ素子と、前記支持体に配置された絶縁部と、を備える。前記絶縁部には、前記テラヘルツ素子が収容された開口が形成されている。前記開口は、第１側面を有する。前記第１側面は、前記支持体の厚さ方向に対し傾斜している。
【０００５】
「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに積層されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に積層されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接積層されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに積層されていること」を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１実施形態の半導体装置の斜視図である。
【図２】第１実施形態のテラヘルツ素子の平面図である。
【図３】図２から第１導電部および第１キャパシタ部を省略した図である。
【図４】図２の領域ＩＶの部分拡大図である。
【図５】第１実施形態の能動素子の詳細を示す断面図である。
【図６】図５の部分拡大図である。
【図７】図２のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。
【図８】図２のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図９】図２のＩＸ−ＩＸ線の沿う断面図である。
【図１０】図２のＩＸ−ＩＸ線の沿う他の断面図である。
【図１１】図２のＸＩ−ＸＩ線に沿う断面図である。
【図１２】図２のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う断面図である。
【図１３】図２のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う他の断面図である。
【図１４】図２のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿う断面図である。
【図１５】図２のＸＶ−ＸＶ線に沿う断面図である。
【図１６】図１の半導体装置の断面図である。
【図１７】テラヘルツ素子の変形例を示す平面図である。
【図１８】第２実施形態のテラヘルツ素子の平面図である。
【図１９】第３実施形態のテラヘルツ素子の平面図である。
【図２０】第４実施形態のテラヘルツ素子の平面図である。
【図２１】実施例にかかる半導体装置の斜視図である。
【図２２】実施例にかかる半導体装置の部分断面図である。
【図２３】複数の異なる内径の値についての、周波数に対するテラヘルツ波のアンテナ利得を示すグラフである。
【図２４】複数の異なる寸法の値についての、周波数に対するテラヘルツ波のアンテナ利得を示すグラフである。
【図２５】複数の異なる寸法の値についての、周波数に対するテラヘルツ波のアンテナ利得を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本開示の実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【０００８】
＜第１実施形態＞
図１〜図１７を用いて、本開示の第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態の半導体装置の斜視図である。
【０００９】
同図に示す半導体装置Ａ１は、テラヘルツ発振装置である。半導体装置Ａ１は、テラヘルツ素子Ｂ１と、支持体（配線基板８１を含む）と、絶縁部８５と、ワイヤ８７１，８７２と、を備える。
【００１０】
図２は、第１実施形態のテラヘルツ素子の平面図である。
【００１１】
同図に示すテラヘルツ素子Ｂ１は、テラヘルツ帯の周波数の高周波電磁波を発振する素子である。テラヘルツ素子Ｂ１は、半導体基板１と、第１導電層２と、第２導電層３と、絶縁層４（図７等参照）と、能動素子５と、を備える。
【００１２】
半導体基板１は、半導体よりなり、半絶縁性を有する。半導体基板１を構成する半導体は、たとえば、ＩｎＰである。半導体基板１は、表面１１を有する。表面１１は半導体基板１の厚さ方向Ｚ１の一方を向いている。
【００１３】
半導体基板１は、縁１３１〜１３４を含む。縁１３１および縁１３３は互いに第１方向Ｘ１に離間している。縁１３１および縁１３３はいずれも、第２方向Ｘ２に沿って延びている。第２方向Ｘ２は、第１方向Ｘ１に直交している。縁１３２および縁１３４は互いに第２方向Ｘ２に離間している。縁１３２および縁１３４はいずれも、第１方向Ｘ１に沿って延びている。縁１３１は縁１３２につながり、縁１３２は縁１３３につながり、縁１３３は縁１３４につながり、縁１３４は縁１３１につながっている。
【００１４】
図４は、図２の領域ＩＶの部分拡大図である。図４に示すように、半導体基板１には半導体層９１ａが形成されている。半導体層９１ａは、たとえば、ＧａＩｎＡｓよりなる。
【００１５】
図２、図４に示す能動素子５は、半導体基板１に形成されている。能動素子５は、第１導電層２および第２導電層３に導通している。能動素子５は、半導体層９１ａに形成されている。能動素子５は、第２導電層３と第１導電層２間において共振器を形成する。能動素子５から放射された電磁波は、裏面反射体金属層８８に反射されて、半導体基板１に対して垂直方向（厚さ方向Ｚ１）の面発光放射パターンを有する。
【００１６】
能動素子５としてはＲＴＤが代表的なものである。しかしながら、能動素子５は、ＲＴＤ以外のダイオードやトランジスタでも構成できる。能動素子５としては、例えば、タンネット（ＴＵＮＮＥＴＴ：Ｔｕｎｎｅｌ  Ｔｒａｎｓｉｔ  Ｔｉｍｅ）ダイオード、インパット（ＩＭＰＡＴＴ：Ｉｍｐａｃｔ  Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ  Ａｖａｌａｎｃｈｅ  Ｔｒａｎｓｉｔ  Ｔｉｍｅ）ダイオード、ＧａＡｓ系電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＧａＮ系ＦＥＴ、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ：Ｈｉｇｈ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、あるいは、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ：Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）により構成されていてもよい。
【００１７】
能動素子５を実現するための一例を、図５、図６を用いて説明する。これらの図に示すように、半導体層９１ａが、半導体基板１上に配置されている。半導体層９１ａはたとえば上述のようにＧａＩｎＡｓよりなり、ｎ型不純物が高濃度にドープされている。ＧａＩｎＡｓ層９２ａが、ＧａＩｎＡｓ層９１ａに配置され、ｎ型不純物がドープされている。ＧａＩｎＡｓ層９３ａは、ＧａＩｎＡｓ層９２ａに配置され、不純物がドープされていない。ＡｌＡｓ層９４ａがＧａＩｎＡｓ層９３ａに配置され、ＩｎＧａＡｓ層９５が、ＡｌＡｓ層９４ａに配置され、ＡｌＡｓ層９４ｂがＩｎＧａＡｓ層９５に配置されている。ＡｌＡｓ層９４ａとＩｎＧａＡｓ層９５とＡｌＡｓ層９４ｂはＲＴＤ部を構成する。ＧａＩｎＡｓ層９３ｂは、ＡｌＡｓ層９４ｂに配置され、不純物がドープされていない。ＧａＩｎＡｓ層９２ｂは、ＧａＩｎＡｓ層９３ｂに配置され、ｎ型不純物がドープされている。ＧａＩｎＡｓ層９１ｂがＧａＩｎＡｓ層９２ｂに配置され、ｎ型不純物が高濃度にドープされている。そして、第１導電層２がＧａＩｎＡｓ層９１ｂに配置されている。第２導電層３が、ＧａＩｎＡｓ層９１ａに配置されている。
【００１８】
図示は省略するが、図６とは異なり、ｎ型不純物を高濃度にドープされたＧａＩｎＡｓ層が、ＧａＩｎＡｓ層９１ｂおよび第１導電層２の間に介在していてもよい。これにより、第１導電層２とＧａＩｎＡｓ層９１ｂとのコンタクトが良好になりうる。
【００１９】
図６に示す積層構造の側壁部には、ＳｉＯ２膜、Ｓｉ３Ｎ４膜、ＳｉＯＮ膜、ＨｆＯ２膜、Ａｌ２Ｏ３膜など、若しくはこれらの多層膜からなる絶縁膜を堆積することもできる。
【００２０】
図２等に示すように、第１導電層２および第２導電層３は各々、半導体基板１に各々形成されている。第１導電層２および第２導電層３は互いに絶縁されている。第１導電層２および第２導電層３は各々、金属の積層構造を有する。第１導電層２および第２導電層３の各々の積層構造は、たとえば、Ａｕ、Ｐｄ、およびＴｉが積層された構造である。あるいは、第１導電層２および第２導電層３の各々の積層構造は、たとえば、ＡｕおよびＴｉが積層された構造である。第１導電層２および第２導電層３の各々の厚さは、例えば、約２０〜２０００ｎｍ程度である。第１導電層２および第２導電層３は各々、いずれも真空蒸着法、あるいはスパッタリング法などによって形成されうる。
【００２１】
第１導電層２は、第１アンテナ部２１と、第１インダクタンス部２２と、第１キャパシタ部２３と、第１導電部２５と、を含む。第２導電層３は、第２アンテナ部３１と、第２インダクタンス部３２と、第２キャパシタ部３３と、第２導電部３５と、を含む。
【００２２】
第１アンテナ部２１は、第１方向Ｘ１に沿って延びる。第１インダクタンス部２２は、第１アンテナ部２１および第１キャパシタ部２３につながり且つ第１アンテナ部２１から第１キャパシタ部２３まで第２方向Ｘ２に沿って延びている。第１インダクタンス部２２は、インダクタンスとして機能する。第１インダクタンス部２２の第２方向Ｘ２の長さＬ１（図４参照）は、たとえば、５μｍ〜１００μｍである。第１インダクタンス部２２の幅は、たとえば、１μｍ〜１０μｍである。図４に示すように、厚さ方向Ｚ１視において、第１インダクタンス部２２は半導体層９１ａから離間している。
【００２３】
第２アンテナ部３１は、第３方向Ｘ３に沿って延びる。第３方向Ｘ３は第１方向Ｘ１とは反対の方向である。第２インダクタンス部３２は、第２アンテナ部３１および第２キャパシタ部３３につながり且つ第２アンテナ部３１から第２キャパシタ部３３まで第２方向Ｘ２に沿って延びている。第２インダクタンス部３２は、インダクタンスとして機能する。第２インダクタンス部３２の第２方向Ｘ２の長さＬ２（図４参照）は、たとえば、５μｍ〜１００μｍである。第２インダクタンス部３２の幅は、たとえば、１μｍ〜１０μｍである。
【００２４】
第１インダクタンス部２２の第２方向Ｘ２における長さＬ１、および、第２インダクタンス部３２の第２方向Ｘ２における長さＬ２は、テラヘルツ波の発振周波数に影響しうる。本実施形態では、テラヘルツ波の発振周波数は、３００ＧＨｚである。発振周波数が３００ＧＨｚであることを実現するために、第１インダクタンス部２２の第２方向Ｘ２における長さＬ１、および、第２インダクタンス部３２の第２方向Ｘ２の長さＬ２が１０μｍとなっている。図４に示すように、厚さ方向Ｚ１視において、第２インダクタンス部３２は半導体層９１ａから離間している。
【００２５】
図２、図４等に示すように、第１キャパシタ部２３は、能動素子５に対し第２方向Ｘ２側に位置する。本実施形態では、第１キャパシタ部２３は厚さ方向Ｚ１視において矩形状である。第１キャパシタ部２３は、第１キャパシタ部側面２３１と、第２キャパシタ部側面２３２とを有する。第１キャパシタ部側面２３１は、第１キャパシタ部２３において第１方向Ｘ１側に位置する。第１キャパシタ部側面２３１は、第２方向Ｘ２に沿って延びている。第１キャパシタ部側面２３１は、第１アンテナ部２１の第１方向Ｘ１側の先端２１１よりも第１方向Ｘ１とは反対の第３方向Ｘ３側に位置している。第２キャパシタ部側面２３２は、第１キャパシタ部２３において第３方向Ｘ３側に位置する。第２キャパシタ部側面２３２は、第２方向Ｘ２に沿って延びている。第２キャパシタ部側面２３２は、第２アンテナ部３１の第３方向Ｘ３側の先端３１１よりも第１方向Ｘ１側に位置している。
【００２６】
図３は、図２から第１導電部２５および第１キャパシタ部２３を省略した図である。
【００２７】
第２キャパシタ部３３は、能動素子５に対し第２方向Ｘ２側に位置する。図１５に示すように、第２キャパシタ部３３と半導体基板１との間に、第１キャパシタ部２３が介在している。本実施形態とは異なり、第１キャパシタ部２３と半導体基板１との間に第２キャパシタ部３３が介在していてもよい。第２キャパシタ部３３は、第１キャパシタ部２３に積層され、且つ、絶縁層４を介して第１キャパシタ部２３から絶縁されている。第２キャパシタ部３３と第１キャパシタ部２３とが、キャパシタを構成する。本実施形態では、第２キャパシタ部３３は厚さ方向Ｚ１視において矩形状である。本実施形態では、図１５に示すように、第２キャパシタ部３３の第１方向Ｘ１における寸法Ｗ２は、第１キャパシタ部２３の第１方向Ｘ１における寸法Ｗ１とは異なる。本実施形態では更に、第２キャパシタ部３３の第１方向Ｘ１における寸法Ｗ２は、第１キャパシタ部２３の第１方向Ｘ１における寸法Ｗ１よりも大きい。これにより、第２キャパシタ部３３の形成位置が製造上の誤差により位置ずれしたとしても、より確実に、第２キャパシタ部３３を第１キャパシタ部２３上に形成できる。本実施形態とは異なり、第２キャパシタ部３３の第１方向Ｘ１における寸法Ｗ２は、第１キャパシタ部２３の第１方向Ｘ１における寸法Ｗ１よりも小さくてもよい。
【００２８】
図３に示すように、第２キャパシタ部３３は、第１キャパシタ部側面３３１と、第２キャパシタ部側面３３２とを有する。第１キャパシタ部側面３３１は、第２キャパシタ部３３において第１方向Ｘ１側に位置する。第１キャパシタ部側面３３１は、第２方向Ｘ２に沿って延びている。第１キャパシタ部側面３３１は、第１アンテナ部２１の第１方向Ｘ１側の先端２１１よりも第１方向Ｘ１とは反対の第３方向Ｘ３側に位置している。第２キャパシタ部側面３３２は、第２キャパシタ部３３において第３方向Ｘ３側に位置する。第２キャパシタ部側面３３２は、第２方向Ｘ２に沿って延びている。第２キャパシタ部側面３３２は、第２アンテナ部３１の第３方向Ｘ３側の先端３１１よりも第１方向Ｘ１側に位置している。
【００２９】
図２に示すように、半導体基板１は、露出部１２Ａおよび露出部１２Ｂを含む。露出部１２Ａおよび露出部１２Ｂは各々、第１キャパシタ部２３および第２キャパシタ部３３から露出している部位である。露出部１２Ａは、第１キャパシタ部２３および第２キャパシタ部３３に対し第１方向Ｘ１側に位置している。露出部１２Ｂは、第１キャパシタ部２３および第２キャパシタ部３３に対し第３方向Ｘ３側に位置している。
【００３０】
第１導電部２５は、第１キャパシタ部２３につながっている。本実施形態では、第１導電部２５は矩形状である。本実施形態では、第１導電部２５は、ワイヤ８７１（図１参照）がボンディングされるパッド部である。図１１に示すように、第１導電部２５は、半導体基板１に直接接する部位を有する。当該接する部位は、厚さ方向Ｚ１視において、ワイヤ８７１と第１導電部２５とが接するワイヤボンディング部に重なっている。図２に示すように、第１導電部２５は、厚さ方向Ｚ１視において、露出部１２Ａを挟んで第１アンテナ部２１から第２方向Ｘ２に離間した部位２５９を有する。第１導電部２５は、第１導電部側面２５１を含む。第１導電部側面２５１は、厚さ方向Ｚ１視において、露出部１２Ａを挟んで第１アンテナ部２１から第２方向Ｘ２に離間している。本実施形態では、第１導電部側面２５１は、第１方向Ｘ１に沿って延びる形状である。本実施形態とは異なり、第１導電部側面２５１は、湾曲する形状であってもよい。
【００３１】
本実施形態では、図２に示すように、厚さ方向Ｚ１視において、第１導電部２５は、縁１３１および縁１３２に至っている。図１７に示すように、厚さ方向Ｚ１視において、第１導電部２５は、縁１３１および縁１３２に至っていなくてもよい。この場合、テラヘルツ素子Ｂ１の製造工程において、半導体基板１をダイシングする際に、第１導電部２５を切断することに生じうるバリの発生を抑制できる。
【００３２】
第２導電部３５は、第２キャパシタ部３３につながっている。本実施形態では、第２導電部３５は矩形状である。本実施形態では、第２導電部３５は、ワイヤ８７２がボンディングされるパッド部である。図１２に示すように、第２導電部３５は、半導体基板１に直接接する部位を有する。当該接する部位は、厚さ方向Ｚ１視において、ワイヤ８７２と第２導電部３５とが接するワイヤボンディング部に重なっている。図２に示すように、第２導電部３５は、厚さ方向Ｚ１視において、露出部１２Ｂを挟んで第２アンテナ部３１から第２方向Ｘ２に離間した部位３５９を有する。第２導電部３５は、第２導電部側面３５１を含む。第２導電部側面３５１は、厚さ方向Ｚ１視において、露出部１２Ｂを挟んで第２アンテナ部３１から第２方向Ｘ２に離間している。本実施形態では、第２導電部側面３５１は、第１方向Ｘ１に沿って延びる形状である。本実施形態とは異なり、第２導電部側面３５１は、湾曲する形状であってもよい。
【００３３】
本実施形態では、図２に示すように、厚さ方向Ｚ１視において、第２導電部３５は、縁１３３および縁１３２に至っている。図１７に示すように、厚さ方向Ｚ１視において、第２導電部３５は、縁１３３および縁１３２に至っていなくてもよい。この場合、テラヘルツ素子Ｂ１の製造工程において、半導体基板１をダイシングする際に、第２導電部３５を切断することに生じうるバリの発生を抑制できる。
【００３４】
図８〜図１５に示す絶縁層４は、たとえば、ＳｉＯ2よりなる。あるいは、絶縁層４を構成する材料は、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯＮ、ＨｆＯ2、あるいはＡｌ2Ｏ3であってもよい。絶縁層４の厚さは、たとえば、１０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度である。絶縁層４は、たとえば、ＣＶＤ法、あるいはスパッタリング法によって形成されうる。絶縁層４は、第１導電層２（たとえば、第１アンテナ部２１、第１インダクタンス部２２、および第１導電部２５）と半導体基板１との間、および、第２導電層３（第２アンテナ部３１、第２インダクタンス部３２、および第２導電部３５）と半導体基板１との間に介在している。上述のように、絶縁層４の一部は、第１キャパシタ部２３および第２キャパシタ部３３の間に介在している（図１５参照）。
【００３５】
図１６は、図１の半導体装置Ａ１の断面図である。
【００３６】
図１６に示す配線基板８１は、たとえばガラスエポキシ基板である。配線基板８１には、テラヘルツ素子Ｂ１が配置されている。配線パターン８２は、配線基板８１に形成されている。配線パターン８２は、第１部位８２１および第２部位８２２を含む。第１部位８２１および第２部位８２２は互いに離間している。
【００３７】
絶縁部８５は、配線基板８１に配置されている。絶縁部８５は、たとえば樹脂（たとえばエポキシ樹脂）よりなる。絶縁部８５は、表面８５３を有する。表面８５３は、配線基板８１の厚さ方向（本実施形態では半導体基板１の厚さ方向Ｚ１と一致する）の一方を向いている。絶縁部８５には、テラヘルツ素子Ｂ１が収容された開口８５１が形成されている。開口８５１は、第１側面８５１Ａおよび第２側面８５１Ｂを有する。第１側面８５１Ａは、配線基板８１の厚さ方向Ｚ１に対し傾斜している。第２側面８５１Ｂは、配線基板８１の厚さ方向Ｚ１において、第１側面８５１Ａおよび配線基板８１の間に位置する。第２側面８５１Ｂは配線基板８１の厚さ方向Ｚ１に沿って延びている。配線基板８１の厚さ方向Ｚ１における、第２側面８５１Ｂの寸法は、配線基板８１の厚さ方向Ｚ１における、テラヘルツ素子Ｂ１の寸法よりも、大きい。
【００３８】
図１６に示すように金属層８６は、第１側面８５１Ａに配置されているとよい。同図に示すように、金属層８６は、第２側面８５１Ｂにも配置されていてもよい。金属層８６は、金属がめっきされた層であるとよい。金属層８６は、テラヘルツ波をより効率的に反射する。ワイヤ８７１，８７２は、テラヘルツ素子Ｂ１と配線基板８１（より厳密には配線パターン８２）にボンディングされている。ワイヤ８７１は、テラヘルツ素子Ｂ１の第１導電部２５と、配線パターン８２における第１部位８２１とにボンディングされている。ワイヤ８７２は、テラヘルツ素子Ｂ１の第２導電部３５と、配線パターン８２における第２部位８２２とにボンディングされている。第１側面８５１Ａおよび第２側面８５１Ｂは金属により構成されていてもよい。
【００３９】
本実施形態においては、図２に示すように、半導体基板１は、第１キャパシタ部２３および第２キャパシタ部３３から露出した露出部１２Ａを含む。第１導電部２５は、厚さ方向Ｚ１視において、露出部１２Ａを挟んで第１アンテナ部２１から第２方向Ｘ２に離間した部位２５９を有する。このような構成によると、第１導電層２のうち、能動素子５に近接する領域をより少なくすることができる。これにより、第１導電層２（特に第１導電部２５）が、能動素子５から放射されるテラヘルツ波の偏光特性に悪影響を与える可能性を低減できる。
【００４０】
本実施形態においては、図１１に示すように、第１導電部２５は、半導体基板１に直接接する部位を有する。このような構成によると、第１導電部２５のうちより硬い箇所にワイヤをボンディングすることができる。これにより、ワイヤが第１導電部２５から脱離することを防止できる。図１２に示す第２導電部３５に関しても同様の利点を有する。
【００４１】
本実施形態においては、図１６に示すように、絶縁部８５における開口８５１は、第１側面８５１Ａを有する。第１側面８５１Ａは、配線基板８１の厚さ方向Ｚ１に対し傾斜している。このような構成によると、テラヘルツ素子Ｂ１から出射されたテラヘルツ波が、たとえばテラヘルツ波の検知装置にて反射したとしても、第１側面８５１Ａにて反射して当該テラヘルツ波が検知装置に向かうことを極力防止できる。これにより、テラヘルツ波の反射による干渉影響を低減することができる。これと同時にアンテナ効率も改善することができる。
【００４２】
本実施形態においては、図１６に示すように、第２側面８５１Ｂは配線基板８１の厚さ方向Ｚ１に沿って延びている。このような構成によると、テラヘルツ波を第２側面８５１Ｂにて複数回反射させることにより、厚さ方向Ｚ１に向かわせることができる。これにより、より効率的にテラヘルツ波を図１６の上方に向かわせることができる。
【００４３】
本実施形態においては、配線基板８１の厚さ方向Ｚ１における、第２側面８５１Ｂの寸法は、配線基板８１の厚さ方向Ｚ１における、テラヘルツ素子Ｂ１の寸法よりも、大きい。このような構成によると、更に効率的にテラヘルツ波を図１６の上方に向かわせることができる。
【００４４】
＜第２実施形態＞
図１８を用いて、本開示の第２実施形態について説明する。
【００４５】
なお、以下の説明では、上記と同一または類似の構成については上記と同一の符号を付し、説明を適宜省略する。
【００４６】
図１８に示すテラヘルツ素子Ｂ２においては、第１導電部２５は、第１導電部位２５３と、第１導電部位２５３から延び出る第１延出部２５４を含む。第１延出部２５４は、第１キャパシタ部２３につながる。第２導電部３５は、第２導電部位３５３と、第２導電部位３５３から延び出る第２延出部３５４を含む。第２延出部３５４は、第２キャパシタ部３３につながる。テラヘルツ素子Ｂ２のその他の点は、テラヘルツ素子Ｂ１で述べたのと略同様であるから、説明を省略する。本実施形態によっても、第１実施形態で述べたのと同様の利点を享受できる。
【００４７】
＜第３実施形態＞
図１９を用いて、本開示の第３実施形態について説明する。
【００４８】
図１９に示すテラヘルツ素子Ｂ３は、第１導電層２および第２導電層３の形状がテラヘルツ素子Ｂ１におけるものとは異なる。テラヘルツ素子Ｂ３においては、第１導電層２第２導電層３は、能動素子５を挟んで第１導電部２５とは反対側に配置された第２導電部３５を含む。
【００４９】
第１導電層２は、第１アンテナ部２１と、第１インダクタンス部２２と、第１キャパシタ部２３と、第１導電部２５とに加え、第３インダクタンス部２３６と、第３キャパシタ部２３７と、を含む。第２導電層３は、第２アンテナ部３１と、第２インダクタンス部３２と、第２キャパシタ部３３と、第２導電部３５とに加え、第４インダクタンス部３３６と、第４キャパシタ部３３７と、を含む。
【００５０】
第１アンテナ部２１は、第１方向Ｘ１に沿って延びる。第１インダクタンス部２２は、第１アンテナ部２１および第１キャパシタ部２３につながり且つ第１アンテナ部２１から第１キャパシタ部２３まで第２方向Ｘ２に沿って延びている。第３インダクタンス部２３６は、第１アンテナ部２１および第３キャパシタ部２３７につながり且つ第３キャパシタ部２３７から第１アンテナ部２１まで第２方向Ｘ２に沿って延びている。第１インダクタンス部２２および第３インダクタンス部２３６は、インダクタンスとして機能する。
【００５１】
第１インダクタンス部２２および第３インダクタンス部２３６の第２方向Ｘ２の各々の長さは、たとえば、１０μｍ〜２００μｍである。第１インダクタンス部２２および第３インダクタンス部２３６の各々の幅は、たとえば、１μｍ〜１０μｍである。第１実施形態のテラヘルツ素子Ｂ１と同一の発振周波数を得る場合には、本実施形態の第１インダクタンス部２２および第３インダクタンス部２３６の第２方向Ｘ２の各々の長さは、第１実施形態の第１インダクタンス部２２の第２方向Ｘ２の長さの倍であるとよい。
【００５２】
第２アンテナ部３１は、第３方向Ｘ３に沿って延びる。第２インダクタンス部３２は、第２アンテナ部３１および第２キャパシタ部３３につながり且つ第２アンテナ部３１から第２キャパシタ部３３まで第２方向Ｘ２に沿って延びている。第４インダクタンス部３３６は、第２アンテナ部３１および第４キャパシタ部３３７につながり且つ第４キャパシタ部３３７から第２アンテナ部３１まで第２方向Ｘ２に沿って延びている。第２インダクタンス部３２および第４インダクタンス部３３６は、インダクタンスとして機能する。
【００５３】
第２インダクタンス部３２および第４インダクタンス部３３６の第２方向Ｘ２の各々の長さは、たとえば、１０μｍ〜２００μｍである。第２インダクタンス部３２および第４インダクタンス部３３６の各々の幅は、たとえば、１μｍ〜１０μｍである。第１実施形態のテラヘルツ素子Ｂ１と同一の発振周波数を得る場合には、本実施形態の第２インダクタンス部３２および第４インダクタンス部３３６の第２方向Ｘ２の各々の長さは、第１実施形態の第２インダクタンス部３２の第２方向Ｘ２の長さの倍であるとよい。
【００５４】
第１キャパシタ部２３および第２キャパシタ部３３は、第１実施形態の説明を適用できるから、本実施形態では説明を省略する。
【００５５】
半導体基板１は、露出部１２Ａ、露出部１２Ｂ、露出部１２Ｃ、および露出部１２Ｄを含む。露出部１２Ａおよび露出部１２Ｂは、第１実施形態で述べたとおりであるから、本実施形態では説明を省略する。露出部１２Ｃおよび露出部１２Ｄは各々、第３キャパシタ部２３７および第４キャパシタ部３３７から露出している部位である。露出部１２Ｃは、第３キャパシタ部２３７および第４キャパシタ部３３７に対し第１方向Ｘ１側に位置している。露出部１２Ｄは、第３キャパシタ部２３７および第４キャパシタ部３３７に対し第３方向Ｘ３側に位置している。
【００５６】
第１導電部２５は、第１キャパシタ部２３につながっている。第１キャパシタ部２３の全体は、第１方向Ｘ１において、第１導電部２５に重なっている。本実施形態では、第１導電部２５は矩形状である。本実施形態では、第１導電部２５は、ワイヤがボンディングされる導電部位である。第１導電部２５は、厚さ方向Ｚ１視において、露出部１２Ａを挟んで第１アンテナ部２１から第２方向Ｘ２に離間した部位２５９Ａを有する。第１導電部２５は、厚さ方向Ｚ１視において、露出部１２Ｂを挟んで第２アンテナ部３１から第２方向Ｘ２に離間した部位２５９Ｂを有する。
【００５７】
第２導電部３５は、第４キャパシタ部３３７につながっている。第４キャパシタ部３３７の全体は、第１方向Ｘ１において、第２導電部３５に重なっている。本実施形態では、第２導電部３５は矩形状である。本実施形態では、第２導電部３５は、ワイヤがボンディングされる導電部位である。第２導電部３５は、厚さ方向Ｚ１視において、露出部１２Ｃを挟んで第１アンテナ部２１から第２方向Ｘ２とは反対方向である第４方向Ｘ４に離間した部位３５９Ａを有する。第２導電部３５は、厚さ方向Ｚ１視において、露出部１２Ｂを挟んで第２アンテナ部３１から第４方向Ｘ４に離間した部位３５９Ｂを有する。
【００５８】
このような構成によっても、第１実施形態で述べたのと同様の利点を享受できる。
【００５９】
＜第４実施形態＞
図２０を用いて、本開示の第４実施形態について説明する。
【００６０】
同図に示すテラヘルツ素子Ｂ４では、第１導電層２が部位２９を有し、第２導電層３が部位３９を有する。本実施形態では、部位２９および部位３９は、互いに絶縁されつつ、互いに積層されていてもよい。このような構成によっても、第１実施形態で述べたのと同様の利点を享受できる。
【００６１】
＜実施例＞
図２１〜図２５を用いて、本開示の第１実施形態の実施例を述べる。ここでは、第１実施形態の実施例を説明するが、第１実施形態以外の実施形態（第２、第３、第４実施形態）にも本実施例を適用しうる。
【００６２】
図２１、図２２に示すように、平面視における半導体装置Ａ１の一辺の寸法を寸法Ｌ１１、他の一辺の寸法を寸法Ｌ１２としており、開口８５１の内径を内径Ｄ１としている。図２２に示すように、開口８５１の第１側面８５１Ａの方向Ｚ１における寸法を、寸法Ｌ２２とし、開口８５１の第２側面８５１Ｂの方向Ｚ１における寸法を、寸法Ｌ２１としている。図２１、図２２は、それぞれ、図１、図１６に寸法の記載や内径の記載を追加したものである。
【００６３】
図２３は、互いに異なる内径Ｄ１の値についての、周波数に対する半導体装置Ａ１からのテラヘルツ波のアンテナ利得（Ｇａｉｎ）を示す。図２３においては、内径Ｄ１が、１．８ｍｍ、２．０ｍｍ、および２．２ｍｍの場合の計算結果を示している。なお、寸法Ｌ１１、Ｌ１２はそれぞれ３．４ｍｍとし、寸法Ｌ２１を０．９ｍｍとし、寸法Ｌ２２を１．０ｍｍとしている。開口８５１の第１側面８５１は、方向Ｚ１に対し２０度傾斜している。半導体装置Ａ１のアンテナ利得は、たとえば、７ｄＢや８ｄＢ以上であると好ましい。図２３に示す例では、内径Ｄ１が１．８ｍｍ、２．０ｍｍ、および２．２ｍｍのいずれの値であっても、半導体装置Ａ１は、たとえば７ｄＢ以上のアンテナ利得を示している。たとえば、テラヘルツ素子の周波数が３００〜３３０ＧＨｚの範囲内で、好ましい結果を示している。ただし、テラヘルツ素子の周波数が当該範囲外のものを用いてもよい。図２３によると、たとえば、内径Ｄ１が１．８ｍｍである場合の結果を考慮して、内径Ｄ１をたとえば１．７〜１．９ｍｍとしてもよい。図２３によると、たとえば、内径Ｄ１が２．０ｍｍである場合の結果を考慮して、内径Ｄ１をたとえば１．９〜２．１ｍｍとしてもよい。図２３によると、たとえば、内径Ｄ１が２．２ｍｍである場合の結果を考慮して、内径Ｄ１をたとえば２．１〜２．３ｍｍとしてもよい。また、内径Ｄ１を１．７〜２．３ｍｍとしてもよい。
【００６４】
図２４は、互いに異なる寸法Ｌ２１の値についての、周波数に対する半導体装置Ａ１からのテラヘルツ波のアンテナ利得（Ｇａｉｎ）を示す。図２４においては、寸法Ｌ２１が、０．３ｍｍ、０．６ｍｍ、および０．９ｍｍの場合の計算結果を示している。図２４に示す例では、寸法Ｌ２１を比較的大きくすることにより、半導体装置Ａ１の特性を向上させている。なお、寸法Ｌ１１、Ｌ１２はそれぞれ３．４ｍｍとし、内径Ｄ１を２．２ｍｍとし、寸法Ｌ２２を１．０ｍｍとしている。開口８５１の第１側面８５１は、方向Ｚ１に対し２０度傾斜している。半導体装置Ａ１のアンテナ利得は、たとえば、７ｄＢや８ｄＢ以上であると好ましい。図２４に示す例では、寸法Ｌ２１が０．３ｍｍ、０．６ｍｍ、および０．９ｍｍのいずれの値であっても、半導体装置Ａ１は、たとえば７ｄＢ以上のアンテナ利得を示している。たとえば、テラヘルツ素子の周波数が３００〜３３０ＧＨｚの範囲内で、好ましい結果を示している。ただし、テラヘルツ素子の周波数が当該範囲外のものを用いてもよい。図２４によると、たとえば、寸法Ｌ２１が０．３ｍｍである場合の結果を考慮して、寸法Ｌ２１をたとえば０．２〜０．４ｍｍとしてもよい。図２４によると、たとえば、寸法Ｌ２１が０．６ｍｍである場合の結果を考慮して、寸法Ｌ２１をたとえば０．５〜０．７ｍｍとしてもよい。図２４によると、たとえば、寸法Ｌ２１が０．９ｍｍである場合の結果を考慮して、寸法Ｌ２１をたとえば０．８〜１．０ｍｍとしてもよい。また、寸法Ｌ２１を０．２〜１．０ｍｍとしてもよい。
【００６５】
図２５は、互いに異なる寸法Ｌ２２の値についての、周波数に対する半導体装置Ａ１からのテラヘルツ波のアンテナ利得（Ｇａｉｎ）を示す。図２５においては、寸法Ｌ２２が、０．７ｍｍ、１．０ｍｍ、および１．３ｍｍの場合の計算結果を示している。図２５に示す例では、寸法Ｌ２２を比較的大きくすることにより、半導体装置Ａ１の特性を向上させている。なお、寸法Ｌ１１、Ｌ１２はそれぞれ３．４ｍｍとし、内径Ｄ１を２．２ｍｍとし、寸法Ｌ２１を０．９ｍｍとしている。開口８５１の第１側面８５１は、方向Ｚ１に対し２０度傾斜している。半導体装置Ａ１のアンテナ利得は、たとえば、７ｄＢや８ｄＢ以上であると好ましい。図２５に示す例では、寸法Ｌ２２が０．７ｍｍ、１．０ｍｍ、および１．３ｍｍのいずれの値であっても、半導体装置Ａ１は、たとえば７ｄＢ以上のアンテナ利得を示している。たとえば、テラヘルツ素子の周波数が３００〜３３０ＧＨｚの範囲内で、好ましい結果を示している。ただし、テラヘルツ素子の周波数が当該範囲外のものを用いてもよい。図２５によると、たとえば、寸法Ｌ２２が０．７ｍｍである場合の結果を考慮して、寸法Ｌ２２をたとえば０．６〜０．８ｍｍとしてもよい。図２５によると、たとえば、寸法Ｌ２２が１．０ｍｍである場合の結果を考慮して、寸法Ｌ２２をたとえば０．９〜１．１ｍｍとしてもよい。図２５によると、たとえば、寸法Ｌ２２が１．３ｍｍである場合の結果を考慮して、寸法Ｌ２２をたとえば１．２〜１．４ｍｍとしてもよい。また、寸法Ｌ２２を０．６〜１．４ｍｍとしてもよい。
【００６６】
本開示は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【００６７】
上記実施形態は、以下の付記を含む。
［付記１］
半導体基板と、
前記半導体基板に各々形成され、互いに絶縁された第１導電層および第２導電層と、
前記半導体基板に形成され、前記第１導電層および前記第２導電層に導通する能動素子と、を備え、
前記第１導電層は、第１方向に沿って延びる第１アンテナ部と、前記半導体基板の厚さ方向視において、前記能動素子に対し第２方向側に位置する第１キャパシタ部と、前記第１キャパシタ部につながる第１導電部と、を含み、前記第２方向は、前記厚さ方向と前記第１方向とに直交しており、
前記第２導電層は、第２キャパシタ部を含み、前記第２キャパシタ部は、前記第１キャパシタ部に積層され、且つ、前記第１キャパシタ部から絶縁されており、
前記半導体基板は、前記第１キャパシタ部および前記第２キャパシタ部から露出した露出部を含み、
前記第１導電部は、前記厚さ方向視において、前記露出部を挟んで前記第１アンテナ部から前記第２方向に離間した部位を有する、テラヘルツ素子。
［付記２］
前記第２導電層は、前記第１方向とは反対の第３方向に沿って延びる第２アンテナ部を含む、付記１に記載のテラヘルツ素子。
［付記３］
前記第１導電層は、第１インダクタンス部を含み、前記第１インダクタンス部は、前記第１アンテナ部および前記第１キャパシタ部につながり且つ前記第１アンテナ部から前記第１キャパシタ部まで前記第２方向に沿って延び、
前記第２導電層は、第２インダクタンス部を含み、前記第２インダクタンス部は、前記第２アンテナ部および前記第２キャパシタ部につながり且つ前記第２アンテナ部から前記第２キャパシタ部まで前記第２方向に沿って延びる、付記２に記載のテラヘルツ素子。
［付記４］
前記第１キャパシタ部は、前記第１キャパシタ部において前記第１方向側に位置する第１キャパシタ部側面を有し、
前記第１キャパシタ部の前記第１キャパシタ部側面は、前記第１アンテナ部の前記第１方向側の先端よりも前記第３方向側に位置しており、
前記第２キャパシタ部は、前記第２キャパシタ部において前記第１方向側に位置する第１キャパシタ部側面を有し、
前記第２キャパシタ部の前記第１キャパシタ部側面は、前記第１アンテナ部の前記第１方向側の前記先端よりも前記第３方向側に位置している、付記２または付記３に記載のテラヘルツ素子。
［付記５］
前記第１キャパシタ部は、前記第１キャパシタ部において前記第３方向側に位置する第２キャパシタ部側面を有し、
前記第１キャパシタ部の前記第２キャパシタ部側面は、前記第２アンテナ部の前記第３方向側の先端よりも前記第１方向側に位置しており、
前記第２キャパシタ部は、前記第２キャパシタ部において前記第３方向側に位置する第２キャパシタ部側面を有し、
前記第２キャパシタ部の前記第２キャパシタ部側面は、前記第２アンテナ部の前記第３方向側の前記先端よりも前記第１方向側に位置している、付記４に記載のテラヘルツ素子。
［付記６］
前記第１キャパシタ部の前記第１方向における寸法は、前記第２キャパシタ部の前記第２方向における寸法とは異なる、付記１ないし付記５のいずれかに記載のテラヘルツ素子。
［付記７］
前記第１導電部は、前記第１アンテナ部から前記第２方向に離間した第１導電部側面を有し、
前記第１導電部側面は、前記第１方向に沿って延びている、付記１ないし付記６のいずれかに記載のテラヘルツ素子。
［付記８］
前記第１導電部は、前記半導体基板に直接接する部位を有する、付記１ないし付記７のいずれかに記載のテラヘルツ素子。
［付記９］
前記第２導電層は、前記第２キャパシタ部につながる第２導電部を含み、
前記第１導電部は、前記第２導電部に前記第１方向に離間している、付記１ないし付記８のいずれかに記載のテラヘルツ素子。
［付記１０］
前記第１導電部は、第１導電部位と、前記第１導電部位から延び出る第１延出部を含み、
前記第１延出部は、前記第１キャパシタ部につながり、
前記第２導電部は、第２導電部位と、前記第２導電部位から延び出る第２延出部を含み、
前記第２延出部は、前記第２キャパシタ部につながる、付記１に記載のテラヘルツ素子。
［付記１１］
前記第２導電層は、前記能動素子を挟んで前記第１導電部とは反対側に配置された第２導電部を含む、付記３に記載のテラヘルツ素子。
［付記１２］
前記第１キャパシタ部の全体は、前記第１方向において、前記第１導電部に重なっている、付記１１に記載のテラヘルツ素子。
［付記１３］
前記第１導電層は、第３キャパシタ部および第３インダクタンス部を含み、
前記第３キャパシタ部は、前記第１アンテナ部を挟んで前記第１キャパシタ部とは反対側に位置し、
前記第３インダクタンス部は、前記第１アンテナ部および前記第３キャパシタ部につながり且つ前記第３キャパシタ部から前記第１アンテナ部まで前記第２方向に沿って延び、
前記第２導電層は、第４キャパシタ部および第４インダクタンス部を含み、
前記第４キャパシタ部は、前記第２アンテナ部を挟んで前記第２キャパシタ部とは反対側に位置し、
前記第４インダクタンス部は、前記第２アンテナ部および前記第４キャパシタ部につながり且つ前記第４キャパシタ部から前記第２アンテナ部まで前記第２方向に沿って延びている、付記１１または付記１２に記載のテラヘルツ素子。
［付記１４］
前記第１導電層および前記第２導電層の各々と前記半導体基板との間に介在している絶縁層を更に備える、付記１に記載のテラヘルツ素子。
［付記１５］
前記絶縁層の一部は、前記第１キャパシタ部および前記第２キャパシタ部の間に介在している、付記１４に記載のテラヘルツ素子。
［付記１６］
支持体と、
前記支持体に配置された、付記１に記載のテラヘルツ素子と、
前記支持体に配置された絶縁部と、を備え、
前記絶縁部には、前記テラヘルツ素子が収容された開口が形成されており、
前記開口は、第１側面を有し、前記第１側面は、前記支持体の厚さ方向に対し傾斜している、半導体装置。
［付記１７］
前記開口は、前記テラヘルツ素子を囲む第２側面を有し、前記第２側面は、前記支持体の厚さ方向において、前記第１側面および前記支持体の間に位置し、
前記第２側面は前記支持体の前記厚さ方向に沿って延びている、付記１６に記載の半導体装置。
［付記１８］
前記支持体の前記厚さ方向における、前記第２側面の寸法は、前記支持体の前記厚さ方向における、前記テラヘルツ素子の寸法よりも、大きい、付記１７に記載の半導体装置。
［付記１９］
前記第１側面に配置された金属層を更に備える、付記１７または付記１８に記載の半導体装置。
［付記２０］
前記テラヘルツ素子と前記支持体とにボンディングされたワイヤを更に備える、付記１６ないし付記１９のいずれかに記載の半導体装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【国際調査報告】
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