(57)【要約】[課題] 本発明は、蒸留や吸着による有機クロロシランの分離除去の問題点を解消した四塩化珪素の精製方法を提供することを課題とする。[解決手段]（１）四塩化珪素ガスおよび酸素含有ガスからなる混合ガスを、２００〜４５０℃の温度に調整された、活性炭および金属を担持させた活性炭からなる群から選ばれる少なくとも１種を含む触媒層に接触させる工程と、（２）前記接触後の混合ガスを冷却して液体四塩化珪素を分離回収する工程とを含むことを特徴とする四塩化珪素の精製方法。
2010021339.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）四塩化珪素ガスおよび酸素含有ガスからなる混合ガスを、２００〜４５０℃の温度に調整された、活性炭および金属を担持させた活性炭からなる群から選ばれる少なくとも１種を含む触媒層に接触させる工程と、
（２）前記接触後の混合ガスを冷却して液体四塩化珪素を分離回収する工程と
を含むことを特徴とする四塩化珪素の精製方法。
【請求項２】
さらに、（３）前記液体四塩化珪素を蒸留する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の四塩化珪素の精製方法。
【請求項３】
前記金属が、白金、パラジウムおよびロジウムからなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１または２に記載の四塩化珪素の精製方法。
【請求項４】
前記混合ガス中における四塩化珪素ガスと酸素とのモル比（酸素／四塩化珪素ガス）が、０．０００４〜０．２の範囲にあることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の四塩化珪素の精製方法。
【請求項５】
前記酸素含有ガスが、空気または純酸素（酸素濃度１００％）であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の四塩化珪素の精製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は四塩化珪素の精製方法に関する。詳しくは、四塩化珪素に不純物として含まれる微量の炭素含有塩化珪素化合物（有機クロロシラン）を除去するための精製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
多結晶シリコンは、半導体用単結晶シリコンの原料として、また太陽電池用単結晶シリコンの原料として使用される。これら単結晶シリコンには高い電気特性が要求されるため、電気特性に悪影響を及ぼす不純物である炭素の量を極力抑制することが望まれている。【０００３】
多結晶シリコンの製造方法の一つに、金属還元剤を用いた四塩化珪素（ＳｉＣｌ4）の還元による方法がある。前記方法において生成する多結晶シリコン中の炭素の量を削減するためには、四塩化珪素に不純物として含まれる微量の炭素含有塩化珪素化合物（以下、「有機クロロシラン」ともいう。）を減少させることが重要である。このため、蒸留により四塩化珪素から有機クロロシランを分離除去する精製方法が行われてきた。しかしながら、前記方法による有機クロロシランの分離除去は多段の蒸留塔を多数設置する等コストがかかる割に、充分な分離除去は困難である。【０００４】
上記問題を解決するため、蒸留塔の数を減らし、四塩化珪素を吸着剤に接触させて有機クロロシランを分離除去する方法が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。前記吸着剤としては、比表面積の大きいシリカゲル、活性炭、モレキュラーシーブ等が挙げられている。しかしながら、前記吸着剤は使用するに従って有機クロロシランの吸着能力が低下し、吸着剤の入替により廃棄物が発生するという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１４９３５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、蒸留や吸着による有機クロロシランの分離除去の問題点を解消した四塩化珪素の精製方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは上記課題を解決するため鋭意研究し、本発明を完成するに至った。【０００８】
本発明は以下によって構成される。【０００９】
［１］（１）四塩化珪素ガスおよび酸素含有ガスからなる混合ガスを、２００〜４５０℃の温度に調整された、活性炭および金属を担持させた活性炭からなる群から選ばれる少なくとも１種を含む触媒層に接触させる工程と、（２）前記接触後の混合ガスを冷却して液体四塩化珪素を分離回収する工程とを含むことを特徴とする四塩化珪素の精製方法。【００１０】
［２］さらに、（３）前記液体四塩化珪素を蒸留する工程を含むことを特徴とする前記［１］に記載の四塩化珪素の精製方法。【００１１】
［３］前記金属が、白金、パラジウムおよびロジウムからなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする前記［１］または［２］に記載の四塩化珪素の精製方法。【００１２】
［４］前記混合ガス中における四塩化珪素ガスと酸素とのモル比（酸素／四塩化珪素ガス）が、０．０００４〜０．２の範囲にあることを特徴とする前記［１］〜［３］のいずれかに記載の四塩化珪素の精製方法。【００１３】
［５］前記酸素含有ガスが、空気または純酸素（酸素濃度１００％）であることを特徴とする前記［１］〜［４］のいずれかに記載の四塩化珪素の精製方法。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の四塩化珪素の精製方法は、活性炭および金属を担持させた活性炭からなる群から選ばれる少なくとも１種が、吸着剤として作用すると共に、四塩化珪素に不純物として含まれる有機クロロシランを酸化分解する触媒として作用する触媒反応を利用しているため、吸着作用のみを利用する場合に比べて格段に充填剤の効果が長続きする。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、四塩化珪素の精製装置の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明を実施するための最良の形態について説明する。
【００１７】
本発明の四塩化珪素の精製方法は、（１）四塩化珪素ガスおよび酸素含有ガスからなる混合ガスを、２００〜４５０℃の温度に調整された、活性炭および金属を担持させた活性炭からなる群から選ばれる少なくとも１種を含む触媒層に接触させる接触工程と、（２）前記接触後の混合ガスを冷却して液体四塩化珪素を分離回収する回収工程とを必須工程として含むことを特徴とする。本発明の四塩化珪素の精製方法は、さらに（３）前記液体四塩化珪素を蒸留する蒸留工程、を含んでいてもよい。
【００１８】
本発明の精製方法によれば、有機クロロシラン等の不純物を含む四塩化珪素から、純度の高い精製四塩化珪素を得ることができる。
【００１９】
（１）接触工程
本工程では、四塩化珪素ガスおよび酸素含有ガスからなる混合ガスを、２００〜４５０℃の温度に調整された、活性炭および金属を担持させた活性炭からなる群から選ばれる少なくとも１種を含む触媒層に接触させることにより、四塩化珪素ガスに不純物として含まれる有機クロロシランが酸化分解される。
【００２０】
上記有機クロロシランとしては、たとえばＣＨ3ＳiＣｌ3、(ＣＨ3)2ＳiＣｌ2、(ＣＨ3)3ＳiＣｌ、(ＣＨ3)2ＨＳiＣｌ等が挙げられる。これらは上記の接触処理により、下記式（１）〜（４）に示されるように酸化分解されると推測される。
（１）ＣＨ3ＳiＣｌ3＋２Ｏ2→ＣＯ2＋ＳiＯ2＋３ＨＣｌ
（２）(ＣＨ3)2ＳiＣｌ2＋ＳiＣｌ4＋４Ｏ2→２ＣＯ2＋２ＳiＯ2＋６ＨＣｌ
（３）(ＣＨ3)3ＳiＣｌ＋２ＳiＣｌ4＋６Ｏ2→３ＣＯ2＋３ＳiＯ2＋９ＨＣｌ
（４）２(ＣＨ3)2ＨＳiＣｌ＋３ＳiＣｌ4＋９Ｏ2→４ＣＯ2＋５ＳiＯ2＋１４ＨＣｌ
＜触媒層＞
本発明においては、四塩化珪素ガス中に不純物として含まれる有機クロロシランを酸化分解するための触媒として、活性炭および金属を担持させた活性炭からなる群から選ばれる少なくとも１種が用いられる。触媒としては活性炭のみを用いても構わないが、上記酸化分解を促進させるために金属を担持させた活性炭を単独で、または金属を担持しない活性炭とともに用いることができる。
【００２１】
上記活性炭としては、球状白鷺Ｘ７１００Ｈ（日本エンバイロケミカルズ（株）製）、粒状白鷺ＫＬ（日本エンバイロケミカルズ（株）製）、粒状白鷺Ｇ２Ｘ（日本エンバイロケミカルズ（株）製）、フジ活性炭ＡＣＧ−Ｍ（セラケム（株）製）等が挙げられる。これらの中では、球状白鷺Ｘ７１００Ｈ（日本エンバイロケミカルズ（株）製）、粒状白鷺Ｇ２Ｘ（日本エンバイロケミカルズ（株）製）を用いることが好ましい。
【００２２】
上記金属としては、白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、レニウム、イリジウム、金、銀、ニッケル、銅、コバルト、亜鉛、鉄、タングステン等が挙げられる。これらの中では、白金、パラジウムおよびロジウムが好ましい。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００２３】
また、触媒として金属を担持させた活性炭を用いる場合には、活性炭に担持させる金属の量は、触媒層を形成する触媒の全重量１００重量％に対し、０．１〜２重量％が好ましく、０．５〜１．５重量％がより好ましい。活性炭に担持させる金属の量が前記の範囲にあると、四塩化珪素中に不純物として含まれる有機クロロシランが効率的に酸化分解される。
【００２４】
触媒となる活性炭および金属を担持させた活性炭の形状は特に限定されず、たとえば球形粒状、顆粒状、ペレット状、ハニカム状等が挙げられる。
【００２５】
上記触媒層は、２００〜４５０℃、好ましくは２５０〜４００℃に温度に調整される。触媒層の温度が前記範囲にあると、温度が低すぎて有機クロロシランの酸化分解の反応速度が低下することもなく、四塩化珪素ガス中に不純物として含まれる有機クロロシランが効率的に酸化分解されて、二酸化炭素、二酸化珪素、塩化水素ガスとなる（式（１）〜（４）参照）。また、温度が高すぎて触媒層を形成する触媒が発火するおそれもなく、下記式（５）に示される副反応によるものと思われる四塩化炭素の生成も抑制される。
（５）Ｃ＋４ＨＣｌ＋Ｏ2→ＣＣｌ4＋２Ｈ2Ｏ
上記触媒層は、たとえば活性炭や金属を担持させた活性炭をカラムに充填することにより形成することができる。また、流動床型反応装置に充填することにより形成してもよい。また、上記触媒層には、本発明の目的を阻害しない範囲で、水分等が含まれていてもよい。
【００２６】
なお、上記触媒層を形成する活性炭や金属を担持させた活性炭は、これらに含まれる水分と四塩化珪素との反応による二酸化珪素の生成を抑制するため（下記式（６）参照）、上記酸化分解反応に供する前、たとえば触媒層を形成する前に加熱により付着水分を除去することが好ましい。
（６）ＳｉＣｌ4＋２Ｈ2Ｏ→ＳｉＯ2＋４ＨＣｌ
＜混合ガス＞
本発明においては、四塩化珪素ガスおよび酸素含有ガスからなる混合ガスと触媒層とを接触させることにより、上記式（１）〜（４）に示されるように四塩化珪素ガス中に微量に含まれる有機クロロシランが酸化分解される。
【００２７】
上記酸素含有ガスとしては、空気、純酸素（酸素濃度１００％）、オゾン含有ガス等のＯ2および／またはＯ3を含有するガスが挙げられる。これらの中では、空気および純酸素が好ましく、入手の容易さおよびコストの観点から空気が好ましい。なお、上記酸素含有ガスは、予め濾過して異物を取り除き、脱湿して水分量を１２００ｗｐｐｍ以下、好ましくは３００〜１０００ｗｐｐｍの範囲に調節することが好ましい。
【００２８】
四塩化珪素ガスと酸素含有ガスとの混合ガス中における混合比は、モル比（酸素／四塩化珪素ガス）が０．０００４〜０．２となるように調整することが好ましく、０．００１５〜０．１７となるように調整することがより好ましい。たとえば、酸素含有ガスとして空気を用いる場合にはモル比（空気／四塩化珪素ガス）は０．００２０〜１．０である。
【００２９】
混合ガス中における酸素の割合が上記範囲にあると、効率良く有機クロロシランの酸化分解が進行する。また、混合ガス中における酸素の割合が高過ぎる場合に生じやすい上記式（５）に示されるオキシクロリネーション反応による四塩化炭素の生成も抑制される。また、空気を使用すると接触処理後の混合ガスに四塩化珪素が随伴されて失われることがあるが、このような四塩化珪素の損失も抑制される。なお、本発明において、新規に触媒層として充填された活性炭への触媒活性付与のため、接触処理の初期段階における混合ガス中の酸素の割合は高い方が好ましい。
【００３０】
上記触媒層と混合ガスとの接触処理時間は、好ましくは３〜３０ｓ、より好ましくは５〜２０ｓの範囲にある。接触処理時間が前記範囲にあると、四塩化珪素中に含まれる有機クロロシランが効率的に酸化分解される。なお、接触処理時間は、触媒層容量（ｃｍ3）を混合ガスの通過量（ｃｍ3／ｓ）で除した値である。ここで、接触処理時間における混合ガスの通過量は上述した温度範囲に加熱された触媒層における値である。
【００３１】
（２）回収工程
本工程では、接触工程（１）により得られた接触処理後の混合ガスを、四塩化珪素の沸点（５７℃（１ａｔｍ））以下、好ましくは−１０〜３０℃、より好ましくは−５〜２０℃に冷却し、該混合ガスから四塩化珪素を液体として分離回収する。
【００３２】
なお、四塩化珪素を分離回収後の二酸化炭素、塩化水素等を含んだ混合ガスは、排ガス洗浄塔により水洗され大気中に放出される。
【００３３】
（３）蒸留工程
本工程では、回収工程（２）で得られた液体四塩化珪素を蒸留して、不純物の少ない精製四塩化珪素を得る。前記蒸留は公知の方法および条件で行うことができる。具体的には、回収工程（２）で得られた液体四塩化珪素を蒸留塔に通し、蒸発缶で加熱することで塔頂より四塩化珪素を取り出し、塔底から四塩化炭素その他の不純物を濃縮された状態で取り出すことができる。
【００３４】
〔精製された四塩化珪素〕
上述の回収工程（２）または蒸留工程（３）を経て得られた四塩化珪素は、四塩化珪素に不純物として含まれる微量の有機クロロシランが大幅に低減されているため、半導体用単結晶シリコンの原料として使用可能な、炭素含有量の少ない多結晶シリコンとして用いることができる。
【実施例】
【００３５】
以下、図１を参照しつつ実施例および比較例によって本発明の四塩化珪素の精製方法について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。【００３６】
［実施例１］−触媒活性処理−
活性炭（商品名：球状白鷺Ｘ７１００Ｈ（ｄｒｙ）、日本エンバイロケミカルズ（株）製）を３００℃に加熱し２時間水分の除去を行った後、室温まで冷却した。水分除去された活性炭５３ｇを、内径３０ｍｍ×長さ２００ｍｍの目皿付充填塔１４に充填して触媒層７を形成した。【００３７】
次いで、冷却管１０、温度計９、５００ｍｌの四塩化珪素滴下器１、および上記目皿付充填塔１４を備え付けた四つ口フラスコ４をオイルバス５で１２０℃に加熱すると共に、上記充填塔１４をリボンヒーター８で３５０℃に加熱した。なお、充填塔１４はリボンヒーター８の上から断熱材１５を巻いて放熱を防止した。【００３８】
次いで、水分の混入を防止するため窒素Ｂを導入しつつ、上記四つ口フラスコ４内に、四塩化珪素滴下器１より室温（２３℃）下で、表１に記載された濃度の不純物（有機クロロシラン化合物）を含む四塩化珪素（以下、「精製処理前の四塩化珪素」ともいう。）を２ｍｌ／ｍｉｎの速度で滴下した。また、前記精製処理前の四塩化珪素の滴下と共に、モレキュラーシーブス充填層およびシリカゲル充填層を通して露点−１８℃（水分量１０００ｗｐｐｍ）まで脱湿された空気Ａ（以下、「脱湿空気Ａ」ともいう。）を１．９Ｌ／ｈの速度（２３℃）で上記四つ口フラスコ４内に供給した。なお露点の測定は、いすゞ露点測定器型式ＩＳＵＺＵ−１Ａ（（株）いすゞ製作所製）を使用し測定した。このようにして得られた混合ガス中の四塩化珪素と脱湿空気Ａとの混合モル比（四塩化珪素と酸素とのモル比）を表１に示す。【００３９】
上記四塩化珪素ガスと脱湿空気Ａとの混合ガスは、充填塔１４中の触媒層７を通過して活性炭と接触処理された後、充填塔１４出口で冷却管１０によって１０℃に冷却され、該混合ガスから液体四塩化珪素が５００ｍＬナスフラスコ１２内に分離回収された。【００４０】
上記液体四塩化珪素はガスクロマトグラフ質量分析計（ＧＣ−ＭＳ）で分析され、不純物である各有機クロロシラン（メチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン）含有量が０．０１ｗｐｐｍ未満（検出下限界未満）の四塩化珪素であることが確認された。結果を表１に示した。また、ガスクロマトグラフ質量分析計（ＧＣ−ＭＳ）による分析条件を表２に示した。【００４１】
［実施例２］
実施例１の触媒活性処理を実施した後、充填塔１４をリボンヒーター８で３５０℃に加熱し、四塩化珪素滴下器１より室温下で精製処理前の四塩化珪素３００ｍｌを２ｍｌ／ｍｉｎの速度で滴下すると共に、脱湿空気Ａを０．４Ｌ／ｈの速度（２３℃）で四つ口フラスコ４内に供給したこと以外は実施例１と同じ条件で接触処理を実施した。【００４２】
さらに接触処理後の四塩化珪素は、副生した四塩化炭素を分離するために図示せぬ理論段数１０段の蒸留装置によって留出温度５℃で蒸留された。【００４３】
上記蒸留により得られた四塩化珪素はガスクロマトグラフ質量分析計（ＧＣ−ＭＳ）で分析され、蒸留前に１１ｗｐｐｍであった四塩化炭素含有量は０．０１ｗｐｐｍ未満（検出限界未満）となった。また、不純物である各有機クロロシラン含有量が０．０１ｗｐｐｍ未満（検出下限界未満）の四塩化珪素であることが確認された。結果を表１に示した。【００４４】
［実施例３］
実施例２の接触処理を実施した後、さらに精製処理前の四塩化珪素３００ｍｌを用いて実施例２と同じ条件で接触処理を実施した。接触処理後得られた四塩化珪素（蒸留なし）をガスクロマトグラフ質量分析計（ＧＣ−ＭＳ）で分析したところ、不純物である各有機クロロシラン含有量は０．０１ｗｐｐｍ未満（検出下限界未満）であった。接触処理後の結果を表１に示した。【００４５】
［実施例４］
実施例１と同じ条件で触媒活性処理を実施した後、充填塔１４をリボンヒーター８で４００℃に加熱し接触処理したこと以外は、実施例２と同じ条件で接触処理を実施した。接触処理後得られた四塩化珪素（蒸留なし）をガスクロマトグラフ質量分析計（ＧＣ−ＭＳ）で分析したところ、不純物である各有機クロロシラン含有量は０．０１ｗｐｐｍ未満（検出下限界未満）であった。接触処理後の結果を表１に示した。【００４６】
［実施例５］
実施例１と同じ条件で触媒活性処理を実施した後、充填塔１４をリボンヒーター８で３００℃に加熱し接触処理したこと以外は、実施例２と同じ条件で接触処理を実施した。接触処理後得られた四塩化珪素（蒸留なし）をガスクロマトグラフ質量分析計（ＧＣ−ＭＳ）で分析したところ、不純物である各有機クロロシラン含有量は０．０１ｗｐｐｍ未満（検出下限界未満）であった。接触処理後の結果を表１に示した。【００４７】
［実施例６］
実施例１と同じ条件で触媒活性処理を実施した後、充填塔１４をリボンヒーター８で２５０℃に加熱し接触処理したこと以外は、実施例２と同じ条件で接触処理を実施した。接触処理後得られた四塩化珪素（蒸留なし）をガスクロマトグラフ質量分析計（ＧＣ−ＭＳ）で分析したところ、不純物である各有機クロロシラン含有量は０．０１ｗｐｐｍ未満（検出下限界未満）であった。接触処理後の結果を表１に示した。【００４８】
［実施例７］
実施例１と同じ条件で触媒活性処理を実施した後、充填塔１４をリボンヒーター８で２００℃に加熱し接触処理したこと以外は、実施例２と同じ条件で接触処理を実施した。接触処理後得られた四塩化珪素（蒸留なし）をガスクロマトグラフ質量分析計（ＧＣ−ＭＳ）で分析したところ、不純物である各有機クロロシラン含有量は０．０１ｗｐｐｍ未満（検出下限界未満）であった。接触処理後の結果を表１に示した。【００４９】
［実施例８］
活性炭にかえて白金を０．５重量％担持させた活性炭（商品名：０．５％Ｐｔカーボンペレット  エヌ・イーケムキャット（株）製）４４ｇを充填塔１４に充填したこと以外は、実施例１と同じ条件で触媒活性処理を実施した後、実施例２と同じ条件で接触処理を実施した。接触処理後得られた四塩化珪素（蒸留なし）をガスクロマトグラフ質量分析計（ＧＣ−ＭＳ）で分析したところ、不純物である各有機クロロシラン含有量は０．０１ｗｐｐｍ未満（検出下限界未満）であった。接触処理後の結果を表１に示した。【００５０】
［比較例１］
活性炭に代えてガラスラシヒリング（サイズ：内径２．５ｍｍ×外径５．０ｍｍ×５．０ｍｍ、石英製）９２ｇを充填塔１４に充填したこと以外は、実施例２と同じ条件で接触処理を実施した。接触処理後得られた四塩化珪素（蒸留なし）をガスクロマトグラフ質量分析計（ＧＣ−ＭＳ）で分析したところ、不純物である各有機クロロシラン含有量の低減は認められなかった。結果を表１に示した。【００５１】
［比較例２］
実施例１と同じ条件で触媒活性処理を実施した後、充填塔１４をリボンヒーター８で１５０℃に加熱し接触処理したこと以外は、実施例２と同じ条件で接触処理を実施した。接触処理後得られた四塩化珪素（蒸留なし）をガスクロマトグラフ質量分析計（ＧＣ−ＭＳ）で分析したところ、不純物である各有機クロロシラン含有量の低減は認められなかった。結果を表１に示した。【００５２】
［比較例３］
実施例１と同じ条件で触媒活性処理を実施した後、脱湿空気Ａを供給しないこと以外は、実施例２と同じ条件で接触処理を実施した。接触処理後得られた四塩化珪素（蒸留なし）をガスクロマトグラフ質量分析計（ＧＣ−ＭＳ）で分析したところ、不純物である各有機クロロシラン含有量の低減は認められなかった。結果を表１に示した。【００５３】
［比較例４］
内径２０ｍｍ×長さ２００ｍｍの充填塔１４に活性炭（商品名：球状白鷺Ｘ７１００Ｈ（ｄｒｙ）日本エンバイロケミカルズ（株）製）５３ｇを充填し、充填塔１４の塔頂部から、２７℃の精製処理前の四塩化珪素３００ｍｌを５ｍｌ／ｍｉｎの速度で滴下し、充填塔１４の塔底部から吸着処理された四塩化珪素を回収した。回収された四塩化珪素はガスクロマトグラフ質量分析計（ＧＣ−ＭＳ）で分析された。分析の結果、不純物である各有機クロロシラン含有量の低減は認められなかった。結果を表１に示した。【００５４】
精製処理前の四塩化珪素、ならびに実施例および比較例で精製処理された後の四塩化珪素に不純物として含まれる各有機クロロシラン含有量を表１に示した。【００５５】
【表１】
2010021339.tif 000003
【００５６】
【表２】
2010021339.tif 000004
【産業上の利用可能性】
【００５７】
四塩化珪素に不純物として含まれる微量の有機クロロシランを低コストで減少させることにより、半導体用単結晶シリコンの原料として使用可能な、炭素含有量の少ない多結晶シリコンが安価で得られる。
【符号の説明】
【００５８】
１：四塩化珪素滴下器
２：ニードルバルブ
３：滴下カウンター
４：３Ｌ四つ口フラスコ
５：オイルバス
６：温度計（熱電対）
７：触媒層
８：リボンヒーター
９：温度計（熱電対）
１０：ブライン冷却管
１１：ウィットマー
１２：５００ｍＬナスフラスコ
１３：シールポット
１４：充填塔
１５：断熱材
Ａ：脱湿空気
Ｂ：窒素
【図１】
2010021339.tif 000005
【国際調査報告】
2010021339.tif 000006
2010021339.tif 000007
2010021339.tif 000008