(57)【要約】  本開示は、細胞に有害な成分により培養液が汚染されることを防止することができるようにする細胞電位検出装置、細胞電位検出装置の製造方法、及び、情報処理システムに関する。細胞電位検出装置は、細胞の電位を検出する電極部を備える細胞電位検出チップと、前記細胞の培養液を貯める貯液部を構成する部材と、前記部材の前記培養液に接する接液面を覆い、前記細胞に無害な膜とを備える。本技術は、例えば、細胞の化学変化によって発生する活動電位発生点の電位を検出するチップをパッケージ化した半導体モジュールに適用できる。
2019069707.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細胞の電位を検出する電極部を備える細胞電位検出チップと、
前記細胞の培養液を貯める貯液部を構成する部材と、
前記部材の前記培養液に接する接液面を覆い、前記細胞に無害な膜と
を備える細胞電位検出装置。
【請求項２】
前記部材は、
前記電極部の周囲を囲み、前記接液面により囲まれている開口部を
備え、
前記貯液部は、
前記接液面と、
前記細胞電位検出チップの前記電極部が配置されている面の前記開口部により露出している露出部と
を含むように構成される
請求項１に記載の細胞電位検出装置。
【請求項３】
前記接液面は、前記接液面の外周部より高い壁により囲まれている
請求項２に記載の細胞電位検出装置。
【請求項４】
前記壁は、前記部材の一部である
請求項３に記載の細胞電位検出装置。
【請求項５】
前記壁は、前記部材の周囲を囲むリングにより構成される
請求項３に記載の細胞電位検出装置。
【請求項６】
前記膜は、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム、エポキシ樹脂、又は、シリコーン樹脂からなる膜を含む
請求項１に記載の細胞電位検出装置。
【請求項７】
前記部材は、樹脂製である
請求項１に記載の細胞電位検出装置。
【請求項８】
前記細胞電位検出チップが実装されている基板を
さらに備え、
前記部材は、前記細胞電位検出チップと前記基板とを電気的に接続する接続部を封止する
請求項１に記載の細胞電位検出装置。
【請求項９】
前記接続部は、
前記細胞電位検出チップにおいて前記電極部の周囲に配置されている第１のパッドと、
前記基板において前記細胞電位検出チップの周囲に配置されている第２のパッドと、
前記第１のパッドと前記第２のパッドを接続するワイヤと
を備える請求項８に記載の細胞電位検出装置。
【請求項１０】
細胞の電位を検出する電極部を有する細胞電位検出チップを備える細胞電位検出装置の前記細胞の培養液を貯める貯液部を構成する部材の前記培養液に接する接液面を、前記細胞に無害な膜により覆う工程を
含む細胞電位検出装置の製造方法。
【請求項１１】
細胞の電位を検出する細胞電位検出部と、
前記細胞の電位の検出信号の処理を行う情報処理部と
を備え、
前記細胞電位検出部は、
前記細胞の電位を検出する電極部を備え、前記検出信号を出力する細胞電位検出チップと、
前記細胞の培養液を貯める貯液部を構成する部材と、
前記部材の前記培養液に接する接液面を覆い、前記細胞に無害な膜と
を備える情報処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示に係る技術（以下、本技術とも称する）は、細胞電位検出装置、細胞電位検出装置の製造方法、及び、情報処理システムに関し、特に、細胞の電位の検出を行う細胞電位検出装置、細胞電位検出装置の製造方法、及び、情報処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ガラスプレートに複数の微小電極及びその引出しパターンが設けられた一体化複合電極を備える一体化細胞設置器において、複数の微小電極の中心部と中心合わせした状態で円筒状のポリスチレン枠をガラスプレートに固定し、ポリスチレン枠内に培養液を満たすことが提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平８−６２２０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の発明では、細胞に有害な成分により培養液が汚染されることへの対策は検討されていない。【０００５】
本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、細胞に有害な成分により培養液が汚染されることを防止できるようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本技術の第１の側面の細胞電位検出装置は、細胞の電位を検出する電極部を備える細胞電位検出チップと、前記細胞の培養液を貯める貯液部を構成する部材と、前記部材の前記培養液に接する接液面を覆い、前記細胞に無害な膜とを備える。【０００７】
本技術の第２の側面の細胞電位検出装置の製造方法は、細胞の電位を検出する電極部を有する細胞電位検出チップを備える細胞電位検出装置の前記細胞の培養液を貯める貯液部を構成する部材の前記培養液に接する接液面を、前記細胞に無害な膜により覆う工程を含む。【０００８】
本技術の第３の側面の情報処理システムは、細胞の電位を検出する細胞電位検出部と、前記細胞の電位の検出信号の処理を行う情報処理部とを備え、前記細胞電位検出部は、前記細胞の電位を検出する電極部を備え、前記検出信号を出力する細胞電位検出チップと、前記細胞の培養液を貯める貯液部を構成する部材と、前記部材の前記培養液に接する接液面を覆い、前記細胞に無害な膜とを備える。【０００９】
本技術の第１の側面又は第３の側面においては、細胞の培養液を貯める貯液部を構成する部材の前記培養液に接する接液面が、前記細胞に無害な膜により覆われる。【００１０】
本技術の第２の側面においては、細胞の電位を検出する電極部を有する細胞電位検出チップを備える細胞電位検出装置の前記細胞の培養液を貯める貯液部を構成する部材の前記培養液に接する接液面が、前記細胞に無害な膜により覆われる。
【発明の効果】
【００１１】
本技術の第１乃至第３の側面によれば、細胞に有害な成分により培養液が汚染されることを防止することができる。【００１２】
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】細胞電位検出チップの構成の概略を示す図である。
【図２】参照電極と読み出し電極との電極配置の例を示す平面図である。
【図３】読み出し電極及び参照電極と差動型増幅器との間の配線構造の例を示す模式図である。
【図４】細胞電位検出装置の第１の実施形態を模式的に示す断面図である。
【図５】細胞電位検出装置の第１の実施形態を模式的に示す平面図である。
【図６】図４の細胞電位検出装置の細胞電位検出チップの端部の拡大図である。
【図７】細胞電位検出装置の第２の実施形態を模式的に示す断面図である。
【図８】図７の細胞電位検出装置の細胞電位検出チップの端部の拡大図である。
【図９】図７の細胞電位検出装置の製造方法を説明するための図である。
【図１０】図７の細胞電位検出装置の製造方法を説明するための図である。
【図１１】細胞電位検出装置の第３の実施形態を模式的に示す断面図である。
【図１２】細胞電位検出装置の第３の実施形態を模式的に示す平面図である。
【図１３】細胞電位検出装置の第４の実施形態を模式的に示す断面図である。
【図１４】図１３の細胞電位検出装置の製造方法を説明するための図である。
【図１５】図１３の細胞電位検出装置の製造方法を説明するための図である。
【図１６】細胞電位検出装置の第５の実施形態を模式的に示す断面図である。
【図１７】細胞電位検出装置の第５の実施形態を模式的に示す平面図である。
【図１８】図１７のＡ−Ａ’部の断面を模式的に示す拡大図である。
【図１９】図１７のＢ−Ｂ’部の断面を模式的に示す拡大図である。
【図２０】図１６の細胞電位検出装置の製造方法を説明するための図である。
【図２１】図１６の細胞電位検出装置の製造方法を説明するための図である。
【図２２】情報処理システムの構成例を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、発明を実施するための形態（以下、「実施形態」と称する）について図面を用いて詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．細胞電位検出チップの構成例
２．第１の実施形態（貯液ユニットを用いた例）
３．第２の実施形態（貯液ユニットにオーバーコートを設けた例）
４．第３の実施形態（リング及び貯液封止樹脂を用いた例）
５．第４の実施形態（貯液封止樹脂にオーバーコートを設けた例）
６．第５の実施形態（貯液封止部を二層構造にした例）
７．第６の実施形態（情報処理システムの例）
８．変形例
９．その他
【００１５】
＜＜１．細胞電位検出チップの構成例＞＞
まず、図１乃至図３を参照して、本技術に適用される細胞電位検出チップの構成例について説明する。
【００１６】
図１は、細胞電位検出チップ１０の概略を示す構成図である。細胞電位検出チップ１０は、ＣＭＯＳ集積回路技術を用いて作成された電極部１１、行選択部１２、列選択部１３、増幅部１４Ａ、増幅部１４Ｂ、Ａ／Ｄ変換部１５Ａ、及び、Ａ／Ｄ変換部１５Ｂを、１つの半導体基板１６に集積したデバイスである。ここでは、増幅部１４Ａ及びＡ／Ｄ変換部１５Ａと、増幅部１４Ｂ及びＡ／Ｄ変換部１５Ｂとを、電極部１１を挟んで両側に配置した構成を採っているが、電極部１１の一方側に配置する構成を採ることも可能である。
【００１７】
電極部１１には、細胞の化学変化によって発生する活動電位発生点の電位を検出する複数の読み出し電極２１がｍ行×ｎ列のアレイ状に配置されている。読み出し電極２１は、例えば、活動電位発生点の大きさと同程度の大きさの電極サイズを有する。この読み出し電極２１のアレイ内に、参照電位を検出する参照電極２２が配置されている。
【００１８】
ここでは、一例として、３行×３列の計９個の読み出し電極２１に対して１つの参照電極２２が配置されている。また、読み出し電極２１の電極サイズが参照電極２２の電極サイズよりも小さい。換言すれば、参照電極２２の電極サイズが読み出し電極２１の電極サイズよりも大きい。参照電極２２が検出する参照電位は、読み出し電極２１が検出する活動電位発生点の電位との差分を取る際の基準となる基準電位である。読み出し電極２１及び参照電極２２の電極構造は、平面的な構造となっている。
【００１９】
ｍ行×ｎ列の読み出し電極２１に対して、行毎に行選択線３１−１乃至行選択線３１−ｍが配線され、列毎に列選択線３２−１乃至列選択線３２−ｎ及び信号読み出し線３３−１乃至信号読み出し線３３−ｎが配線されている。行選択線３１−１乃至行選択線３１−ｍの各一端は、行選択部１２の対応する行の出力端に接続されている。列選択線３２−１乃至列選択線３２−ｎの各一端は、列選択部１３の対応する列の出力端に接続されている。
【００２０】
読み出し電極２１は、スイッチ２３を介して信号読み出し線３３−１乃至信号読み出し線３３−ｎに接続されている。図１では、図面の簡略化のために、スイッチ２３を１つのスイッチとして図示しているが、実際には、スイッチ２３は行選択用及び列選択用の少なくとも２つのスイッチから成る。また、これに対応して、信号読み出し線３３−１乃至信号読み出し線３３−ｎも少なくとも２本の信号読み出し線から成る。
【００２１】
スイッチ２３において、例えば、行選択用のスイッチは、行選択部１２から行選択線３１−１乃至行選択線３１−ｍを介して印加される行選択信号によってオン（閉）駆動され、列選択用のスイッチは、列選択部１３から列選択線３２−１乃至列選択線３２−ｎを介して印加される列選択信号によってオン駆動される。この行選択用及び列選択用の各スイッチがオンすることにより、読み出し電極２１が検出した電位が信号読み出し線３３−１乃至信号読み出し線３３−ｎに出力され、これら信号読み出し線３３−１乃至信号読み出し線３３−ｎによって増幅部１４Ａ及び増幅部１４Ｂへ伝送される。
【００２２】
尚、ここでは、読み出し電極２１の電位読み出し系を主体として説明したが、参照電極２２の電位読み出し系についても、基本的に同様の構成となる。具体的には、行選択部１２、列選択部１３、行選択線３１−１乃至行選択線３１−ｍ、列選択線３２−１乃至列選択線３２−ｎ、及び、信号読み出し線３３−１乃至信号読み出し線３３−ｎから成る電位読み出し系が、読み出し電極２１の電位読み出し用と、参照電極２２の電位読み出し用として２系統設けられることになる。
【００２３】
この２系統の電位読み出し系によって読み出された読み出し電極２１の検出電位及び参照電極２２の検出電位は、増幅部１４Ａ及び増幅部１４Ｂに供給される。増幅部１４Ａ及び増幅部１４Ｂは、複数の読み出し電極２１に対して共通に設けられた複数の差動型増幅器から成り、例えば、参照電極２２を単位として、参照電極２２の検出電位（参照電位）と当該参照電極２２に属する９個の読み出し電極２１の検出電位との差分を取る。この差分は、Ａ／Ｄ変換部１５Ａ及びＡ／Ｄ変換部１５Ｂに供給される。Ａ／Ｄ変換部１５Ａ及びＡ／Ｄ変換部１５Ｂは、増幅部１４Ａ及び増幅部１４Ｂから出力される差分をＡ／Ｄ変換し、読み出し電極２１が検出した電位に対応するデジタル値の検出信号を出力する。
【００２４】
上記の構成の実施例１に係る細胞電位検出チップ１０において、参照電極２２は、読み出し電極２１の近傍、具体的には、読み出し電極２１のアレイ内に配置されている。そして、参照電極２２の大きさは、読み出し電極２１の大きさよりも大きくなっている。参照電極２２としては様々な形状の電極を用いることができる。参照電極２２の電極形状が正方形の例を図２に示す。
【００２５】
図２には、図１との対応関係から、３行×３列の計９個の読み出し電極２１を単位として参照電極２２が配置される例を示している。１つの参照電極２２はその平面内に、行列状配置の９個の読み出し電極２１のそれぞれに対応する位置に９個の開口部２２Ａを有している。そして、参照電極２２は、行列状配置の９個の読み出し電極２１のそれぞれが９個の開口部２２Ａ内に位置するように配置されることになる。換言すれば、読み出し電極２１は、参照電極２２の開口部２２Ａ内に位置するように配置されている。
【００２６】
図２に示すような読み出し電極２１及び参照電極２２の電極配置は、局所的な電位変化を読み出すのに適している。一例として、５μｍ程度の大きさの生体細胞の活動電位（以下、単に電位とも称する）を読み出すために、電極サイズが５μｍ程度の大きさの読み出し電極２１と、その１０倍以上の大きさ、即ち５０μｍ以上の大きさの参照電極２２とを配置する。
【００２７】
このような場合は、活動電位の発生部は局所的な１点と等価となる。５μｍの大きさの読み出し電極２１と５０μｍの大きさの参照電極２２では電位変動が約１０倍になる。そして、読み出し電極２１が検出する電位と参照電極２２が検出する電位との差分を取ることによって、生体細胞の活動電位を測定ができる。
【００２８】
図３に、読み出し電極２１及び参照電極２２と、増幅部１４Ａ及び増幅部１４Ｂの一つの差動型増幅器との間の配線の一例を示す。上述したように、参照電極２２を読み出し電極２１の近傍に、より具体的には読み出し電極２１のアレイ内に配置した構成を採ることで、差動型増幅器２４の位置に対して、読み出し電極２１の位置と参照電極２２の位置とを同等にできる。これにより、読み出し電極２１及び参照電極２２と差動型増幅器２４の２つの入力端とを接続する二つの配線で、配線容量・環境との容量が電気的にほぼ等価となり、これら配線に重畳するノイズを同等にできるため、その差分を取ったときの差動型増幅器２４の出力に含まれるノイズを抑制できる。
【００２９】
＜＜２．第１の実施形態＞＞
次に、図４乃至図６を参照して、本技術の第１の実施形態について説明する。
【００３０】
＜細胞電位検出装置の構成例＞
図４は、本技術の第１の実施形態である細胞電位検出装置１０１を模式的に示す断面図であり、図５は、細胞電位検出装置１０１を模式的に示す平面図である。
【００３１】
細胞電位検出装置１０１は、細胞電位検出チップ１０をパッケージ化した半導体モジュールである。細胞電位検出装置１０１は、細胞電位検出チップ１０、基板１１１、及び、貯液ユニット１１２を備える。
【００３２】
細胞電位検出チップ１０は、基板１１１の所定の面（以下、部品面と称する）の略中央に、ダイボンドペースト１１３を用いて接着されている。
【００３３】
細胞電位検出チップ１０の電極部１１が配置されている面（以下、検出面と称する）には、電極部１１の周囲を囲む溝状のスリットダム１２１が形成されている。スリットダム１２１は、例えば、貯液ユニット１１２の形成時に、貯液ユニット１１２を構成する樹脂が電極部１１に流れ込むのを抑制する。なお、図５では、スリットダム１２１の図示を省略している。
【００３４】
スリットダム１２１の周囲には、複数のパッド１２２が配置されており、電極部１１の周囲が複数のパッド１２２により囲まれている。
【００３５】
基板１１１の部品面には、複数のパッド１３１が、細胞電位検出チップ１０の周囲を囲むように配置されている。細胞電位検出チップ１０のパッド１２２と基板１１１のパッド１３１とは一対一に対応しており、対応するパッド１２２とパッド１３１とが、それぞれワイヤ１１４により接続されている。
【００３６】
基板１１１の部品面と反対側の面（以下、裏面と称する）には、複数の円形の外部端子１３２が格子状に配置されている。また、各外部端子１３２には、腐食しないようにＡｕメッキ処理が施される。各外部端子１３２は、例えば、ソケット１０２の台１５１に設けられている各ピン１５２にそれぞれ接続される。そして、細胞電位検出装置１０１は、ソケット１０２を介して、外部の機器に電気的に接続され、例えば、細胞の電位の検出結果を示す検出信号を外部の機器に出力する。
【００３７】
貯液ユニット１１２は、細胞を配置し、培養するための培養液を貯める機能、及び、細胞電位検出チップ１０と基板１１１が電気的に接続される接続部（以下、電気接続部と称する）を封止し、保護する機能を備える。
【００３８】
具体的には、貯液ユニット１１２の中央には、矩形の開口部１１２Ａが形成されている。開口部１１２Ａは、細胞電位検出チップ１０の検出面のスリットダム１２１の周囲を囲んでおり、開口部１１２Ａにより電極部１１が外部に露出している。
【００３９】
開口部１１２Ａの周囲は、傾斜面１１２Ｂにより囲まれている。傾斜面１１２Ｂの内周は、細胞電位検出チップ１０の検出面に接しており、傾斜面１１２Ｂは、内周から外周に向かって高くなるように傾斜している。傾斜面１１２Ｂの周囲は、傾斜面１１２Ｃにより囲まれている。傾斜面１１２Ｃは、傾斜面１１２Ｂより緩やかに内周から外周に向かって高くなるように傾斜している。傾斜面１１２Ｂ及び傾斜面１１２Ｃにより培養液が接する接液面が構成される。傾斜面１１２Ｃの周囲は、垂直な壁１１２Ｄにより囲まれている。
【００４０】
これにより、細胞電位検出チップ１０の検出面において開口部１１２Ａにより露出し、電極部１１を含む露出部を底面とし、傾斜面１１２Ｂ、傾斜面１１２Ｃ、及び、壁１１２Ｄの内壁により周囲を囲まれた略矩形の皿状の貯液部が形成される。この貯液部内に培養液を貯めることにより、電極部１１に配置されている細胞を培養液に浸し、培養することができる。
【００４１】
なお、貯液ユニット１１２には、細胞にダメージを与えないように、細胞に有害な成分を含まない無害な安定材が用いられる。例えば、エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂が、貯液ユニット１１２に用いられる。
【００４２】
貯液ユニット１１２の側面は、基板１１１の部品面のパッド１３１より外側において、基板１１１の部品面に対して垂直方向に切り立っている。そして、細胞電位検出チップ１０の検出面の電極部１１（露出部）の周囲、及び、基板１１１の部品面の細胞電位検出チップ１０の周囲が、貯液ユニット１１２により封止されている。これにより、細胞電位検出チップ１０の各パッド１２２、基板１１１の各パッド１３１、及び、対応するパッド１２２とパッド１３１をそれぞれ接続するワイヤ１１４からなる電気接続部が、貯液ユニット１１２により封止される。
【００４３】
図６は、図４及び図５の一点鎖線で囲まれる領域Ｒ１内を拡大した図である。
【００４４】
電極部１１の外周と貯液ユニット１１２の内周（開口部１１２Ａの外周）との間の距離Ｄ１は、例えば、１００μｍ以上に設定される。また、貯液ユニット１１２の内周とパッド１３１の電極部１１側の辺との間の距離Ｄ２は、例えば、５０μｍ以上に設定される。
【００４５】
このように、貯液ユニット１１２を設けることにより、細胞のサイズに関係なく、培養液を必要な量だけ貯め、細胞を培養することができる。また、貯液ユニット１１２により、細胞電位検出チップ１０と基板１１１の電気接続部を封止し、保護することができる。さらに、貯液ユニット１１２は、培養液を貯める機能と細胞電位検出チップ１０と基板１１１の電気接続部を封止する機能を兼ねるため、部品数を削減し、生産性を向上させることができる。
【００４６】
＜＜３．第２の実施形態＞＞
次に、図７乃至図１０を参照して、本技術の第２の実施形態について説明する。
【００４７】
＜細胞電位検出装置の構成例＞
図７は、本技術の第２の実施形態である細胞電位検出装置２０１を模式的に示す断面図である。なお、図中、図４の細胞電位検出装置１０１と対応する部分には、同じ符号を付してある。
【００４８】
細胞電位検出装置２０１は、細胞電位検出装置１０１と比較して、オーバーコート２１１が形成されている点が異なる。
【００４９】
オーバーコート２１１は、細胞電位検出装置２０１の貯液部に培養液を貯めた場合に、貯液ユニット１１２の培養液が接する面を少なくとも覆う膜である。具体的には、オーバーコート２１１は、貯液ユニット１１２の傾斜面１２１Ｂ、傾斜面１２１Ｃ、及び、壁１２１Ｄの内壁を覆っている。なお、この例では、壁１２１Ｄの上面、開口部１１２Ａの外周とスリットダム１２１の間、並びに、スリットダム１２１の外周から底までの斜面も、オーバーコート２１１により覆われている。
【００５０】
オーバーコート２１１は、細胞にダメージを与えないように、細胞に有害な成分を含まない無害な薄膜により構成される。例えば、オーバーコート２１１には、ＳｉＯ２（酸化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）、Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）、エポキシ樹脂、又は、シリコーン樹脂等からなり、厚さが１０乃至１０００ｎｍ程度の薄膜が用いられる。なお、オーバーコート２１１を複数の薄膜が積層された多層膜としてもよい。また、オーバーコート２１１を１０００ｎｍ以上の膜厚としても問題ない。
【００５１】
図８は、図７の一点鎖線で囲まれる領域Ｒ２内を拡大した図である。
【００５２】
電極部１１の外周とオーバーコート２１１の内周との間の距離Ｄ１１は、例えば、５０μｍ以上に設定される。オーバーコート２１１の内周と貯液ユニット１１２の内周（開口部１１２Ａの外周）との間の距離Ｄ１２は、例えば、５０μｍ以上に設定される。貯液ユニット１１２の内周とパッド１３１の電極部１１側の辺との間の距離Ｄ１３は、例えば、図６の距離Ｄ２と同様に、５０μｍ以上に設定される。
【００５３】
＜細胞電位検出装置の製造方法＞
次に、図９及び図１０を参照して、細胞電位検出装置２０１の製造方法について説明する。なお、図中、説明に必要ない部分の符号の記載が適宜省略されている。また、基板１１１の外部端子１３２の図示が省略されている。
【００５４】
工程Ｐ１の前に、リフトオフ工程により、複数の細胞電位検出チップ１０が形成されている半導体ウエハ（不図示）の各細胞電位検出チップ１０において、電極部１１を覆うようにレジスト２５１が形成される。そして、各細胞電位検出チップ１０が個片化される。
【００５５】
工程Ｐ１において、個片化された細胞電位検出チップ１０が、ダイボンドペースト１１３を用いて、基板１１１の部品面に接着（ダイボンディング）される。
【００５６】
工程Ｐ２において、ワイヤボンディングが行われる。すなわち、細胞電位検出チップ１０の各パッド１２２と基板１１１の各パッド１３１とが、それぞれワイヤ１１４により接続される。このとき、例えば、レジスト２５１への異物の接触が発生しないようにコレットが用いられる。
【００５７】
工程Ｐ３において、貯液ユニット１１２が、射出成型により形成される。例えば、モールド工程と同様の方法により、貯液ユニット１１２を構成する樹脂が金型に流し込まれた後、硬化される。これにより、貯液ユニット１１２が形成され、細胞電位検出チップ１０の検出面の電極部１１の周囲、及び、基板１１１の部品面の細胞電位検出チップ１０の周囲が封止される。このとき、スリットダム１２１により、樹脂が電極部１１に流れ込むことが防止される。
【００５８】
工程Ｐ４において、細胞電位検出装置２０１の表面にオーバーコート２１１が成膜される。オーバーコート２１１の成膜方法には、例えば、蒸着、静電塗布、インクジェット等が用いられる。このとき、レジスト２５１により、電極部１１にオーバーコート２１１が付着することが防止される。なお、貯液ユニット１１２の側面及び基板１１１の部品面にオーバーコート２１１が付着しても構わない。
【００５９】
工程Ｐ５において、ウエット処理によりレジスト２５１が除去される。これにより、電極部１１が外部に露出する。
【００６０】
なお、工程Ｐ１において、集合基板上に複数の細胞電位検出チップ１０を接着し、工程Ｐ５において、各細胞電位検出チップ１０のレジスト２５１を一度に除去した後、各細胞電位検出装置２０１を個片化するようにしてもよい。
【００６１】
以上のようにして、細胞電位検出装置２０１が製造される。
【００６２】
以上のように、細胞電位検出装置２０１では、オーバーコート２１１を設けることにより、細胞に有害な成分を含む部材を貯液ユニット１１２に用いることが可能になる。
【００６３】
また、例えば、オーバーコート２１１に無機材を用いることにより、火炎による細胞電位検出装置２０１の減菌又は殺菌処理が可能になる。
【００６４】
＜＜４．第３の実施形態＞＞
次に、図１１及び図１２を参照して、本技術の第３の実施形態について説明する。
【００６５】
＜細胞電位検出装置の構成例＞
図１１は、本技術の第３の実施形態である細胞電位検出装置３０１を模式的に示す断面図であり、図１２は、細胞電位検出装置３０１を模式的に示す平面図である。なお、図中、図４及び図５の細胞電位検出装置１０１と対応する部分には、同じ符号を付してある。
【００６６】
細胞電位検出装置３０１は、細胞電位検出装置１０１と比較して、貯液ユニット１１２の代わりに、貯液封止部３１１が設けられている点が異なる。
【００６７】
貯液封止部３１１は、細胞電位検出装置１０１の貯液ユニット１１２と同様に、培養液を貯める機能、及び、細胞電位検出チップ１０と基板１１１の電気接続部を封止し、保護する機能を備える。貯液封止部３１１は、リング３２１及び貯液封止樹脂３２２を備える。
【００６８】
リング３２１は、円筒形のガラス製のリングであり、シール樹脂３１２により基板１１１の部品面に接着されている。リング３２１の外壁は、基板１１１のパッド１３１が配置されている領域の外側を囲んでいる。すなわち、全てのパッド１３１が、リング３２１の外壁で囲まれる領域内に配置される。なお、リング３２１の一部が、パッド１３１の一部と重なってもよい。ただし、リング３２１の内壁は、各パッド１３１のワイヤ１１４との接着部より外側に配置される。すなわち、全てのパッド１３１のワイヤ１１４との接着部が、リング３２１の内壁で囲まれる領域内に配置される。なお、ガラス以外の部材をリング３２１に用いることも可能である。
【００６９】
貯液封止樹脂３２２は、細胞電位検出チップ１０の検出面のスリットダム１２１の外周と、リング３２１の内壁の間に充填されている。この貯液封止樹脂３２２により、細胞電位検出チップ１０と基板１１１の電気接続部が封止され、保護される。
【００７０】
また、貯液封止樹脂３２２の中央には、円形の開口部３２２Ａが形成されている。開口部３２２Ａは、スリットダム１２１の外周を囲んでおり、開口部３２２Ａにより電極部１１が外部に露出する。
【００７１】
開口部３２２Ａの周囲は、傾斜面３２２Ｂにより囲まれている。傾斜面３２２Ｂの内周は、細胞電位検出チップ１０の検出面に接している。また、傾斜面１１２Ｂは、表面に凸凹があるものの、内周から外周に向かって徐々に高くなるように傾斜している。傾斜面３２２Ｂの外周は、リング３２１より低くなっている。換言すれば、傾斜面３２２Ｂの外周は、リング３２１により構成される壁により囲まれている。この傾斜面３２２Ｂにより培養液が接する接液面が構成される。
【００７２】
そして、細胞電位検出チップ１０の検出面において開口部３２２Ａにより露出し、電極部１１を含む露出部を底面とし、傾斜面３２２Ｂ及びリング３２１の内壁により周囲を囲まれた略円形の皿状の貯液部が形成される。この貯液部内に培養液を貯めることにより、電極部１１に配置されている細胞を培養液に浸し、培養することができる。
【００７３】
なお、貯液封止樹脂３２２には、図４の細胞電位検出装置１０１の貯液ユニット１１２と同様の部材が用いられる。
【００７４】
＜＜５．第４の実施形態＞＞
次に、図１３乃至図１５を参照して、本技術の第４の実施形態について説明する。
【００７５】
＜細胞電位検出装置の構成例＞
図１３は、本技術の第４の実施形態である細胞電位検出装置４０１を模式的に示す断面図である。なお、図中、図１１の細胞電位検出装置３０１と対応する部分には、同じ符号を付してある。
【００７６】
細胞電位検出装置４０１は、細胞電位検出装置３０１と比較して、オーバーコート４１１が形成されている点が異なる。
【００７７】
オーバーコート４１１は、細胞電位検出装置４０１の貯液部に培養液を貯めた場合に、貯液封止樹脂３２２の培養液が接する面を少なくとも覆う膜である。具体的には、オーバーコート４１１は、貯液封止樹脂３２２の傾斜面３２２Ｂを覆っている。なお、この例では、スリットダム１２１の外周から底までの斜面も、オーバーコート４１１により覆われている。
【００７８】
オーバーコート４１１には、図７の細胞電位検出装置３０１のオーバーコート２１１と同様の膜が用いられる。
【００７９】
このように、オーバーコート４１１を設けることにより、細胞に有害な成分を含む部材を貯液封止樹脂３２２に用いることが可能になる。
【００８０】
＜細胞電位検出装置の製造方法＞
次に、図１４及び図１５を参照して、細胞電位検出装置４０１の製造方法について説明する。なお、図中、説明に必要ない部分の符号の記載が適宜省略されている。また、基板１１１の外部端子１３２の図示が省略されている。
【００８１】
工程Ｐ２１及び工程Ｐ２２は、図９の工程Ｐ１及び工程Ｐ２と同様の工程である。すなわち、基板１１１の部品面に細胞電位検出チップ１０が接着され、細胞電位検出チップ１０の各パッド１２２と基板１１１の各パッド１３１とが、それぞれワイヤ１１４により接続される。
【００８２】
工程Ｐ２３において、リング３２１が、基板１１１に固定される。具体的には、基板１１１の部品面のリング３２１を接着する部分にシール樹脂３１２が塗布される。そして、シール樹脂３１２の上にリング３２１が接着される。次に、キュア処理が行われ、シール樹脂３１２が硬化することにより、リング３２１が基板１１１上に固定される。
【００８３】
工程Ｐ２４において、リング３２１内において、細胞電位検出チップ１０の電極部１１の周囲への樹脂のディスペンス（塗布）、又は、ポッティング（注入）が行われ、貯液封止樹脂３２２が形成される。このとき、スリットダム１２１により、樹脂が電極部１１に流れ込むことが防止される。次に、図１０の工程Ｐ４と同様の処理により、細胞電位検出装置４０１の表面にオーバーコート４１１が成膜される。なお、リング３２１及び基板１１１の部品面にオーバーコート４１１が付着しても構わない。
【００８４】
工程Ｐ２５において、図１０の工程Ｐ５と同様の処理により、レジスト２５１が除去される。
【００８５】
以上のようにして、細胞電位検出装置４０１が製造される。
【００８６】
以上のように、細胞電位検出装置４０１では、オーバーコート４１１を設けることにより、細胞に有害な成分を含む部材を貯液封止樹脂３２２に用いることが可能になる。
【００８７】
また、例えば、オーバーコート４１１に無機材を用いることにより、火炎による細胞電位検出装置４０１の減菌又は殺菌処理が可能になる。
【００８８】
＜＜６．第５の実施形態＞＞
次に、図１６乃至図２１を参照して、本技術の第５の実施の形態について説明する。
【００８９】
通常、細胞の電位の測定前に細胞電位検出装置１０１又は細胞電位検出装置２０１の滅菌又は殺菌処理が行われる。このとき、オートクレーブ（高圧洗浄）処理を用いることにより、滅菌又は殺菌処理を自動化することが可能である。
【００９０】
しかし、細胞電位検出装置１０１又は細胞電位検出装置２０１にオートクレーブ処理を適用すると、基板１１１と貯液ユニット１１２の間の熱膨張係数の差により、貯液ユニット１１２が基板１１１から剥離したり、両者の間に隙間が生じたりすることがある。その結果、貯液ユニット１１２と基板１１１の間から液漏れが発生するおそれがある。
【００９１】
また、細胞電位検出装置３０１又は細胞電位検出装置４０１においても、同様の原因により、貯液封止樹脂３２２が基板１１１から剥離したり、両者の間に隙間が生じたりすることがある。
【００９２】
そのため、細胞電位検出装置１０１乃至細胞電位検出装置４０１においては、オートクレーブ処理の代わりに、例えば、アルコール洗浄、純水洗浄、乾燥処理、紫外線（ＵＶ）滅菌等を用いる必要が生じる場合がある。その結果、人による作業や工程数が増え、生産性が低下する。
【００９３】
この第５の実施の形態は、細胞電位検出装置にオートクレーブ処理を適用することができるようにするものである。
【００９４】
＜細胞電位検出装置の構成例＞
図１６は、本技術の第５の実施形態である細胞電位検出装置５０１を模式的に示す断面図であり、図１７は、細胞電位検出装置５０１を模式的に示す平面図である。なお、図中、図４及び図５の細胞電位検出装置１０１と対応する部分には、同じ符号を付してある。
【００９５】
細胞電位検出装置５０１は、細胞電位検出装置１０１と比較して、貯液ユニット１１２の代わりに、貯液封止部５１１が設けられている点が異なる。
【００９６】
貯液封止部５１１は、細胞電位検出装置１０１の貯液ユニット１１２と同様に、培養液を貯める機能、及び、細胞電位検出チップ１０と基板１１１の電気接続部を封止し、保護する機能を備える。貯液封止部５１１は、封止接着部５２１及び貯液部材５２２を備え、封止接着部５２１と貯液部材５２２が２層に積層されている。
【００９７】
封止接着部５２１は、細胞電位検出チップ１０と基板１１１の電気接続部を封止し、保護する機能、及び、貯液部材５２２を接着し、固定させる機能を主に備える。
【００９８】
封止接着部５２１は、略角筒型の形状を有しており、細胞電位検出チップ１０の検出面の電極部１１の周囲、及び、基板１１１の部品面の細胞電位検出チップ１０の周囲を封止している。これにより、細胞電位検出チップ１０の各パッド１２２、基板１１１の各パッド１３１、及び、対応するパッド１２２とパッド１３１をそれぞれ接続するワイヤ１１４からなる電気接続部が、封止接着部５２１により封止される。
【００９９】
具体的には、封止接着部５２１の角筒部５２１Ａは、基板１１１の部品面の細胞電位検出チップ１０の周囲を覆っている。角筒部５２１Ａの上端には、内周から内側に突出した突起部５２１Ｂが形成されている。突起部５２１Ｂは、細胞電位検出チップ１０の検出面のスリットダム１２１の周囲を覆っている。突起部５２１Ｂの内周には、上端より下端がせり出した傾斜面５２１Ｃが形成されている。傾斜面５２１Ｃの内側に、略矩形の開口部５２１Ｄが形成されている。開口部５２１Ｄは、スリットダム１２１の周囲を囲んでおり、開口部５２１Ｄにより、電極部１１が外部に露出する。角筒部５２１Ａの下端には、外周から外側に突出したフランジ５２１Ｅが形成されている。フランジ５２１Ｅの外周は、基板１１１の各パッド１３１、及び、貯液部材５２２の外周より外側まで広がっている。封止接着部５２１の上端は、ワイヤ１１４の上端より高くなっており、細胞電位検出チップ１０の各パッド１２２、基板１１１の各パッド１３１、及び、各ワイヤ１１４が、封止接着部５２１により覆われている。
【０１００】
貯液部材５２２は、封止接着部５２１の上に接着されることにより、細胞電位検出装置５０１に固定されている。
【０１０１】
貯液部材５２２の中央には、開口部５２２Ａが形成されている。開口部５２２Ａは、封止接着部５２１の開口部５２１Ｄより少し大きい略矩形の形状を有しており、開口部５２１Ｄを囲んでいる。ただし、図１７に示されるように、開口部５２２Ａは、四隅付近において略円弧上に外側に広がっており、開口部５２１Ｄとの間隔が他の部分と比較して広がっている。
【０１０２】
開口部５２２Ａの周囲には、略垂直な面５２２Ｂが形成されている。面５２２Ｂの周囲には、内周から外周に向かって次第に高くなるように傾斜する傾斜面５２２Ｃが形成されている。面５２２Ｂと傾斜面５２２Ｃにより培養液が接する接液面が構成される。
【０１０３】
傾斜面５２２Ｃの周囲は、上下方向に延びる壁５２２Ｄにより囲まれている。壁５２２Ｄは、上から見て四隅が丸みを帯びた矩形の形状を有している。壁５２２Ｄの上端は、傾斜面５２２Ｃの外周部より高くなっている。壁５２２Ｄの内壁は、封止接着部５２１の角筒部５２１Ａの側面と接しており、壁５２２Ｄの下端は、封止接着部５２１のフランジ５２１Ｅの上面と接している。
【０１０４】
そして、細胞電位検出チップ１０の検出面において開口部５２１Ｄにより露出し、電極部１１を含む露出部を底面とし、傾斜面５２１Ｃ、面５２２Ｂ、傾斜面５２２Ｃ、及び、壁５２２Ｄの内壁により周囲を囲まれた略矩形の皿状の貯液部が形成される。この貯液部内に培養液を貯めることにより、電極部１１に配置されている細胞を培養液に浸し、培養することができる。
【０１０５】
図１８は、図１７の電極部１１の辺の中央付近のＡ−Ａ’部の断面を模式的に示す拡大図である。図１９は、図１７の電極部１１の角付近のＢ−Ｂ’部の断面を模式的に示す拡大図である。
【０１０６】
図１７を参照して上述したように、貯液部材５２２の開口部５２２Ａは、四隅付近において略円弧上に外側に広がり、封止接着部５２１の開口部Ａとの間隔が広くなっている。これに合わせて、封止接着部５２１の傾斜面５２１Ｃは、Ｂ−Ｂ’部において、Ａ−Ａ’部より傾きが緩やかになり、長くなっている。すなわち、開口部５２２Ａが四隅付近において略円弧上に外側に広がることにより、封止接着部５２１の開口部５２１Ｄの四隅付近において、傾斜面５２１Ｃの面積、すなわち、封止接着部５２１が外部に露出する面積が広くなっている。
【０１０７】
これは、封止接着部５２１の内端を成形しやすくするためのものである。具体的には、貯液部材５２２を封止接着部５２１に接着したとき、封止接着部５２１の開口部５２１Ｄの四隅付近において気泡が発生しやすくなる。
【０１０８】
これに対して、貯液部材５２２の開口部５２２Ａを四隅付近において略円弧上に外側に広げることにより、貯液部材５２２を封止接着部５２１に接着したとき、封止接着部５２１の開口部５２１Ｄの四隅付近における気泡の発生が抑制される。また、封止接着部５２１の開口部５２１Ｄの四隅付近において傾斜面５２１Ｃが広く外部に露出されるため、傾斜面５２１Ｃの気泡の発生の検出が容易になる。さらに、例えば、樹脂を注入する等により、傾斜面５２１Ｃの気泡を容易に除去することができる。これにより、封止接着部５２１の気密性が向上し、細胞電位検出チップ１０と基板１１１の電気接続部の保護がより強固になる。また、生産上、樹脂注入量がばらついた場合には、電極部１１の四隅が樹脂汚染されやすくなるが、略円弧上に外側に広げることで樹脂汚染に対して設計マージンを有することができる。
【０１０９】
なお、Ａ−Ａ’部における電極部１１の外周と傾斜面５２１Ｃの内周（開口部５２１Ｄの外周）との間の距離をＤ２１ａとし、Ｂ−Ｂ’部における電極部１１の外周と傾斜面５２１Ｃの内周との間の距離をＤ２１ｂとすると、距離Ｄ２１ａと距離Ｄ２１ｂは略等しくなる。例えば、距離２１ａ及び距離Ｄ２１ｂは、封止接着部５２１を構成する樹脂が電極部１１に流れ込まないように、１００μｍ以上に設定される。
【０１１０】
また、Ａ−Ａ’部における傾斜面５２１Ｃの幅（傾斜面５２１Ｃの内周と外周との間の距離）をＤ２２ａとし、Ｂ−Ｂ’部における傾斜面５２１Ｃの幅をＤ２２ｂとすると、幅Ｄ２２ｂは幅Ｄ２２ａ以上になる。例えば、幅Ｄ２２ａは１００μｍから５００μｍの範囲内に設定され、幅Ｄ２２ｂは５００μｍ以上に設定される。
【０１１１】
さらに、封止接着部５２１の上端とワイヤ１１４の上端との間の距離をＤ２３とすると、例えば、距離Ｄ２３は２００μｍ以上に設定される。
【０１１２】
なお、図１９の例では、Ｂ−Ｂ’部において、傾斜面５２１Ｃの上端及び面５２２Ｂの下端が、細胞電位検出チップ１０の外周より内側に配置されているが、細胞電位検出チップ１０の外周より外側に配置してもよい。
【０１１３】
ここで、封止接着部５２１と貯液部材５２２の部材の組合せの例について説明する。
【０１１４】
例えば、熱変形温度がオートクレーブ処理を行う温度（以下、オートクレーブ温度と称する）以下の部材を貯液部材５２２に用いた場合、オートクレーブ処理により貯液部材５２２が変形するおそれがある。これに対して、硬化後の弾性率が貯液部材５２２より低い部材を封止接着部５２１に用いることにより、貯液部材５２２の変形が封止接着部５２１により緩衝される。その結果、オートクレーブ処理により貯液部材５２２が変形しても、貯液部材５２２が封止接着部５２１から剥離したり、両者の間に隙間が生じたりすることが防止され、培養液が貯液部から漏れることが防止される。
【０１１５】
例えば、オートクレーブ処理は、１２１℃、１００％ＲＨ（Relative Humidity）、かつ、２気圧の環境下で行われる。この場合、封止接着部５２１には、例えば、硬化後の弾性率が１ＭＰａ以下であり、熱変形温度がオートクレーブ温度（１２１℃）より高く、接着性（接着成分）を有し、かつ、細胞に有害な成分を含まない無害な部材が用いられる。例えば、硬化後の弾性率が約０．０１５ＭＰａのシリコーン樹脂等が用いられる。
【０１１６】
これに対して、貯液部材５２２には、熱変形温度がオートクレーブ温度（１２１℃）以下、かつ、細胞に有害な成分を含まない無害な部材を用いることができる。例えば、ポリエチレン（熱変形温度  約６０〜８０℃）、ポリプロピレン（熱変形温度  約９５〜１００℃）、又は、テフロン（登録商標）（熱変形温度  約１２１℃）等を用いることができる。もちろん、熱変形温度がオートクレーブ温度より高いノリル樹脂（熱変形温度  約１９１℃）等を貯液部材５２２に用いることも可能である。
【０１１７】
また、例えば、熱変形温度がオートクレーブ温度より高い部材を貯液部材５２２に用いることにより、オートクレーブ処理による貯液部材５２２の変形を防止することができる。例えば、ノリル樹脂（熱変形温度  約１９１℃）を貯液部材５２２に用いることにより、オートクレーブ処理による貯液部材５２２の変形を抑制することができる。その結果、封止接着部５２１の弾性率に関わらず、貯液部材５２２が封止接着部５２１から剥離したり、両者の間に隙間が生じたりすることが防止され、培養液が貯液部から漏れることが防止される。
【０１１８】
なお、ほとんどの生物は１００℃の煮沸で死滅するため、オートクレーブ温度を１００℃に設定する場合も想定される。この場合、熱変形温度が１００℃より高く、かつ、細胞に有害な成分を含まない無害な部材を貯液部材５２２に用いることが可能になる。例えば、上述したノリル樹脂に加えて、テフロン（登録商標）（熱変形温度  約１２１℃）等を用いることが可能になる。
【０１１９】
なお、熱変形温度がオートクレーブ温度より高い部材を貯液部材５２２に用いる場合、封止接着部５２１の硬化後の弾性率を考慮する必要はない。従って、硬化後の弾性率に関わらず、熱変形温度がオートクレーブ温度より高く、接着性を有し、かつ、細胞に有害な成分を含まない無害な部材を、封止接着部５２１に用いることが可能になる。例えば、上述したシリコーン樹脂に加えて、硬化後の弾性率が約１７３４ＭＰａのエポキシ樹脂等を用いることが可能になる。
【０１２０】
＜細胞電位検出装置の製造方法＞
次に、図２０及び図２１を参照して、細胞電位検出装置５０１の製造方法について説明する。なお、図中、説明に必要ない部分の符号の記載が適宜省略されている。また、基板１１１の外部端子１３２の図示が省略されている。
【０１２１】
工程Ｐ４１及び工程Ｐ４２は、図９の工程Ｐ１及び工程Ｐ２と比較して、レジスト２５１を形成する工程が省略されている点を除いて同様の工程である。すなわち、基板１１１の部品面に細胞電位検出チップ１０が接着され、細胞電位検出チップ１０の各パッド１２２と基板１１１の各パッド１３１とが、それぞれワイヤ１１４により接続される。
【０１２２】
工程Ｐ４３において、封止接着部５２１を構成する樹脂がディスペンス又はポッティングされる。これにより、細胞電位検出チップ１０と基板１１１の電気接続部が、封止接着部５２１により封止される。
【０１２３】
工程Ｐ４４において、貯液部材５２２が、封止接着部５２１の上にマウントされる。すなわち、貯液部材５２２が封止接着部５２１の上に接着される。このとき、貯液部材５２２には、射出成型等により事前に製作された成型品を用いることができる。
【０１２４】
なお、このとき、封止接着部５２１を構成する樹脂の一部を、貯液部材５２２側に設けるようにしてもよい。
【０１２５】
工程Ｐ４５において、熱硬化、紫外線硬化等により、封止接着部５２１及び貯液部材５２２が硬化される。これにより、封止接着部５２１及び貯液部材５２２が基板１１１に固定される。
【０１２６】
以上のようにして、細胞電位検出装置５０１が製造される。
【０１２７】
ここで、細胞電位検出装置５０１では、封止接着部５２１をディスペンス及びポッティングし、成型品である貯液部材５２２を封止接着部５２１にマウントし、封止接着部５２１及び貯液部材５２２を硬化するだけで、貯液封止部５１１が形成される。従って、射出成型により貯液ユニット１１２を形成する必要のある細胞電位検出装置１０１及び細胞電位検出装置２０１や、リング３２１を接着し、リング３２１内に貯液封止樹脂３２２をディスペンス又はポッティングする必要のある細胞電位検出装置３０１及び細胞電位検出装置４０１と比較して、生産性が向上する。
【０１２８】
＜＜７．第６の実施形態＞＞
次に、図２２を参照して、本技術の第７の実施形態について説明する。
【０１２９】
図２２は、本技術の第７の実施形態である情報処理システム６０１の構成例を示すブロック図である。
【０１３０】
情報処理システム６０１は、顕微鏡６１１、情報処理部６１２、表示部６１３、及び、記憶部６１４を備える。
【０１３１】
顕微鏡６１１は、細胞電位検出部６２１を備える。細胞電位検出部６２１には、例えば、上述した細胞電位検出装置１０１乃至細胞電位検出装置５０１ｂのいずれかを用いることができる。例えば、顕微鏡６１１は、観察対象となる細胞の撮影を行い、得られた観察画像を情報処理部６１２に供給する。また、細胞電位検出部６２１は、観察対象となる細胞の活動電位の検出を行い、検出結果を示す検出信号を情報処理部６１２に供給する。
【０１３２】
情報処理部６１２は、例えば、コンピュータ、又は、プロセッサ等を備える。情報処理部６１２は、例えば、観察画像及び検出信号に対して各種の処理を行い、細胞の観察結果を示すデータを生成し、表示部６１３に表示させたり、記憶部６１４に記憶させたりする。
【０１３３】
表示部６１３は、例えば、各種のディスプレイを備える。
【０１３４】
記憶部６１４は、例えば、各種のメモリを備える。
【０１３５】
なお、情報処理部６１２の処理は、ハードウェアにより実行することもできるし、ソフトウエアにより実行することもできる。一連の処理をソフトウエアにより実行する場合には、そのソフトウエアを構成するプログラムが、情報処理部６１２が備えるコンピュータ等にインストールされる。ここで、コンピュータには、専用のハードウェアに組み込まれているコンピュータや、各種のプログラムをインストールすることで、各種の機能を実行することが可能な、例えば汎用のパーソナルコンピュータなどが含まれる。
【０１３６】
なお、コンピュータが実行するプログラムは、時系列に処理が行われるプログラムであっても良いし、並列に、あるいは呼び出しが行われたとき等の必要なタイミングで処理が行われるプログラムであっても良い。
【０１３７】
また、コンピュータが実行するプログラムは、例えば、パッケージメディア等としてのリムーバブルメディア（例えば、記憶部６１４）に記録して提供することができる。また、プログラムは、ローカルエリアネットワーク、インターネット、デジタル衛星放送といった、有線または無線の伝送媒体を介して提供することができる。
【０１３８】
＜＜８．変形例＞＞
以下、上述した本技術の実施形態の変形例について説明する。
【０１３９】
例えば、細胞電位検出装置１０１又は細胞電位検出装置２０１の貯液ユニット１１２に、熱変形温度がオートクレーブ温度より高い部材を用いるようにしてもよい。これにより、オートクレーブ処理により、貯液ユニット１１２が基板１１１から剥離したり、両者の間に隙間が生じたりすることが防止され、培養液が貯液部から漏れることが防止される。
【０１４０】
また、例えば、細胞電位検出装置３０１又は細胞電位検出装置４０１の貯液封止樹脂３２２に、熱変形温度がオートクレーブ温度より高い部材を用いるようにしてもよい。これにより、オートクレーブ処理により、貯液封止樹脂３２２が基板１１１から剥離したり、両者の間に隙間が生じたりすることが防止され、培養液が貯液部から漏れることが防止される。
【０１４１】
＜＜９．その他＞＞
本明細書において、システムとは、複数の構成要素（装置、モジュール（部品）等）の集合を意味し、すべての構成要素が同一筐体中にあるか否かは問わない。したがって、別個の筐体に収納され、ネットワークを介して接続されている複数の装置、及び、１つの筐体の中に複数のモジュールが収納されている１つの装置は、いずれも、システムである。
【０１４２】
また、本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【０１４３】
例えば、本技術は、１つの機能をネットワークを介して複数の装置で分担、共同して処理するクラウドコンピューティングの構成をとることができる。
【０１４４】
＜構成の組み合わせ例＞
本技術は、以下のような構成をとることもできる。
【０１４５】
（１）
細胞の電位を検出する電極部を備える細胞電位検出チップと、
前記細胞の培養液を貯める貯液部を構成する部材と、
前記部材の前記培養液に接する接液面を覆い、前記細胞に無害な膜と
を備える細胞電位検出装置。
（２）
前記部材は、
前記電極部の周囲を囲み、前記接液面により囲まれている開口部を
備え、
前記貯液部は、
前記接液面と、
前記細胞電位検出チップの前記電極部が配置されている面の前記開口部により露出している露出部と
を含むように構成される
前記（１）に記載の細胞電位検出装置。
（３）
前記接液面は、前記接液面の外周部より高い壁により囲まれている
前記（２）に記載の細胞電位検出装置。
（４）
前記壁は、前記部材の一部である
前記（３）に記載の細胞電位検出装置。
（５）
前記壁は、前記部材の周囲を囲むリングにより構成される
前記（３）に記載の細胞電位検出装置。
（６）
前記膜は、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム、エポキシ樹脂、又は、シリコーン樹脂からなる膜を含む
前記（１）乃至（５）のいずれかに記載の細胞電位検出装置。
（７）
前記部材は、樹脂製である
前記（１）乃至（６）のいずれかに記載の細胞電位検出装置。
（８）
前記細胞電位検出チップが実装されている基板を
さらに備え、
前記部材は、前記細胞電位検出チップと前記基板とを電気的に接続する接続部を封止する
前記（１）乃至（７）のいずれかに記載の細胞電位検出装置。
（９）
前記接続部は、
前記細胞電位検出チップにおいて前記電極部の周囲に配置されている第１のパッドと、
前記基板において前記細胞電位検出チップの周囲に配置されている第２のパッドと、
前記第１のパッドと前記第２のパッドを接続するワイヤと
を備える前記（８）に記載の細胞電位検出装置。
（１０）
細胞の電位を検出する電極部を有する細胞電位検出チップを備える細胞電位検出装置の前記細胞の培養液を貯める貯液部を構成する部材の前記培養液に接する接液面を、前記細胞に無害な膜により覆う工程を
含む細胞電位検出装置の製造方法。
（１１）
細胞の電位を検出する細胞電位検出部と、
前記細胞の電位の検出信号の処理を行う情報処理部と
を備え、
前記細胞電位検出部は、
前記細胞の電位を検出する電極部を備え、前記検出信号を出力する細胞電位検出チップと、
前記細胞の培養液を貯める貯液部を構成する部材と、
前記部材の前記培養液に接する接液面を覆い、前記細胞に無害な膜と
を備える情報処理システム。
【０１４６】
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、他の効果があってもよい。
【符号の説明】
【０１４７】
１０  細胞電位検出チップ，  １１  電極部，  １０１  細胞電位検出装置，  １１１  基板，  １１２  貯液ユニット，  １１２Ａ  開口部，  １１２Ｂ  傾斜面，  １１２Ｃ  傾斜面，  １１２Ｄ  壁，  １１４  ワイヤ，  １２２  パッド，  １３１  パッド，  ２０１  細胞電位検出チップ，  ２１１  オーバーコート，  ３０１  細胞電位検出装置，  ３１１  貯液封止部，  ３２１  リング，  ３２２  貯液封止樹脂，  ３２２Ａ  開口部，  ３２２Ｂ  傾斜面，  ４０１  細胞電位検出装置，  ４１１  オーバーコート，  ５０１，５０１ａ，５０１ｂ  細胞電位検出装置，  ５１１  貯液封止部,  ５２１  封止接着部,  ５２１Ｃ  傾斜面，  ５２１Ｄ  開口部，  ５２２  貯液部材，  ５２２Ａ  開口部，  ５２２Ｂ  面，  ５２２Ｃ  傾斜面，  ５２２Ｄ  壁，  ６０１  情報処理システム，  ６１１  顕微鏡，  ６１２  情報処理部，  ６１３  表示部，  ６２１  細胞電位検出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【国際調査報告】
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