(57)【要約】  本開示の一観点に係る極端紫外光センサユニットは、極端紫外光を反射するミラーと、ミラーによって反射された極端紫外光を選択的に透過する波長フィルタと、波長フィルタを透過した極端紫外光を検出する光センサと、波長フィルタと光センサとの間にパージガスを供給するよう配置されたパージガス供給部と、を備える。
2018229838.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
極端紫外光を反射するミラーと、
前記ミラーによって反射された極端紫外光を選択的に透過する波長フィルタと、
前記波長フィルタを透過した前記極端紫外光を検出する光センサと、
前記波長フィルタと前記光センサとの間にパージガスを供給するよう配置されたパージガス供給部と、
を備える極端紫外光センサユニット。
【請求項２】
請求項１に記載の極端紫外光センサユニットであって、
前記波長フィルタと前記光センサとを、所定の距離を離して離間させるスペーサを備え、
前記スペーサによって前記波長フィルタと前記光センサとの間に形成された隙間に、前記パージガス供給部から前記パージガスが供給される極端紫外光センサユニット。
【請求項３】
請求項２に記載の極端紫外光センサユニットであって、
前記スペーサは、前記波長フィルタと前記光センサの隙間を流れる前記パージガスの拡散を抑制し、前記パージガスが一方向に向かって流れるよう前記パージガスの流路の側面を塞ぐ壁部材を含む極端紫外光センサユニット。
【請求項４】
請求項１に記載の極端紫外光センサユニットであって、
前記波長フィルタ及び前記光センサは、炭素を含有する接着剤を用いて、それぞれ保持部材に固定されている極端紫外光センサユニット。
【請求項５】
請求項１に記載の極端紫外光センサユニットであって、
前記ミラーと前記波長フィルタとの間に前記パージガスと同種又は異種の第１のパージガスを供給するよう配置された第１のパージガス供給部と、
前記波長フィルタと前記光センサとの間に前記パージガスである第２のパージガスを供給するよう配置された前記パージガス供給部である第２のパージガス供給部と、
を含む極端紫外光センサユニット。
【請求項６】
請求項５に記載の極端紫外光センサユニットであって、
前記第１のパージガス供給部を通じて前記ミラーと前記波長フィルタとの間に供給される前記第１のパージガスと、前記第２のパージガス供給部を通じて前記波長フィルタと前記光センサとの間に供給される前記第２のパージガスとによる前記波長フィルタの両面の圧力差が３ｋＰａ以下である極端紫外光センサユニット。
【請求項７】
請求項５に記載の極端紫外光センサユニットであって、
前記第１のパージガス供給部と前記第２のパージガス供給部の流路断面の面積比が５：１から１５：１の範囲である極端紫外光センサユニット。
【請求項８】
請求項５に記載の極端紫外光センサユニットであって、
前記第１のパージガス供給部と前記第２のパージガス供給部の流量比が８：１から１２：１の範囲である極端紫外光センサユニット。
【請求項９】
請求項５に記載の極端紫外光センサユニットであって、
前記第１のパージガス供給部及び前記第２のパージガス供給部の少なくとも一方は、ガス流量を調整するための絞りを含む極端紫外光センサユニット。
【請求項１０】
請求項９に記載の極端紫外光センサユニットであって、
前記第１のパージガス供給部及び前記第２のパージガス供給部の少なくとも一方は、前記絞りを交換可能に固定する絞り取付部を含む極端紫外光センサユニット。
【請求項１１】
請求項１に記載の極端紫外光センサユニットであって、
前記パージガス供給部は、前記波長フィルタの表面に向かって直接に前記パージガスを吹き出さない流路構造を含む極端紫外光センサユニット。
【請求項１２】
請求項１に記載の極端紫外光センサユニットであって、
前記パージガス供給部は、前記波長フィルタと前記光センサの隙間に前記パージガスを流出させるガス流出口を含み、
前記ガス流出口は、前記波長フィルタに対して非対面の位置に設けられている極端紫外光センサユニット。
【請求項１３】
請求項１に記載の極端紫外光センサユニットであって、
前記パージガス供給部は、
ガス導入口と、
前記ガス導入口から第１の方向に向かって前記パージガスを導く第１の流路部と、
前記第１の流路部に接続され、前記第１の方向と交差する第２の方向に前記パージガスを導く第２の流路部と、を含み、
前記第２の方向は、前記波長フィルタの表面に平行な方向であり、
前記第１の流路部と前記第２の流路部との接続部にて前記パージガスの流れの向きを屈曲させて、前記第２の流路部を通して前記第２の方向から前記波長フィルタと前記光センサとの間に前記パージガスを供給する極端紫外光センサユニット。
【請求項１４】
請求項１に記載の極端紫外光センサユニットであって、
前記パージガスのガス流路から前記光センサに可視光を含む散乱光が入射するのを抑制する遮蔽構造を備える極端紫外光センサユニット。
【請求項１５】
請求項１に記載の極端紫外光センサユニットであって、
前記波長フィルタと前記光センサの間の空間に連通し、前記波長フィルタと前記光センサの間を通過した前記パージガスを前記波長フィルタの表面と非平行な方向に導く第３の流路部を備える極端紫外光センサユニット。
【請求項１６】
請求項１に記載の極端紫外光センサユニットであって、
前記波長フィルタと前記光センサの間の空間と連通し、前記波長フィルタと前記光センサの間を通過した前記パージガスを、前記光センサから離れた位置のガス出口へと導くパージガス排出流路を備え、
前記パージガス排出流路は、前記波長フィルタと前記光センサの間の空間から前記ガス出口までのガスの流れの経路が非直線の経路となる流路構造を含む極端紫外光センサユニット。
【請求項１７】
請求項１に記載の極端紫外光センサユニットであって、
前記ミラーに入射させる前記極端紫外光を含むプラズマ光及び前記パージガス供給部から供給された前記パージガスを通過させる管部であって、前記プラズマ光の光入射口となる開口部を有し、前記開口部から入射する前記プラズマ光を前記ミラーに向けて通過させるとともに、前記ミラーと前記波長フィルタとの間を流れた前記パージガスを前記開口部から流出させる管部を含む極端紫外光センサユニット。
【請求項１８】
請求項１７に記載の極端紫外光センサユニットであって、
前記ミラー、前記波長フィルタ、及び前記光センサを収容するケースを備え、
前記ケースに前記管部と前記パージガス供給部とが設けられている極端紫外光センサユニット。
【請求項１９】
請求項１８に記載の極端紫外光センサユニットであって、
前記ケースの外側に嵌合するソケットを備え、
前記ソケットは、前記ケースの外壁と前記ソケットの内壁との間にガス経路となる隙間を形成するガス経路形成部と、
前記ガス経路形成部に連通する配管接続部と、
を有し、
前記ケースの外壁と前記ソケットの内壁との間に形成される前記隙間を通じて前記ケースの中に前記パージガスが供給される極端紫外光センサユニット。
【請求項２０】
請求項１に記載の極端紫外光センサユニットと、
レーザ光が内部に導入されるチャンバと、
前記チャンバ内にターゲットを供給するターゲット供給部と、
を備え、
前記ターゲット供給部から前記チャンバ内に供給された前記ターゲットに前記レーザ光を照射することにより前記ターゲットをプラズマ化して極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、極端紫外光センサユニット及び極端紫外光生成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、２０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ  Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）式の装置との３種類の装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００８−５０８７２２号公報
【特許文献２】特開２００６−１３５３０７号公報
【特許文献３】特開２００４−１０３７７３号公報
【概要】
【０００５】
本開示の１つの観点に係る極端紫外光センサユニットは、極端紫外光を反射するミラーと、ミラーによって反射された極端紫外光を選択的に透過する波長フィルタと、波長フィルタを透過した極端紫外光を検出する光センサと、波長フィルタと光センサとの間にパージガスを供給するよう配置されたパージガス供給部と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す図である。
【図２】図２はＥＵＶ光センサユニットの構成例を概略的に示す図である。
【図３】図３は実施形態１に係るＥＵＶ光センサユニットの構成を概略的に示す断面図である。
【図４】図４は図３中の４−４線を切断線とする断面図である。
【図５】図５はスペーサの例を示す斜視図である。
【図６】図６はスペーサの三面図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は正面図である。
【図７】図７はセンサ保持部材に固定された第２の光センサの断面図である。
【図８】図８はフィルタ保持部材に固定されたフィルタの断面図である。
【図９】図９は実施形態２に係るＥＵＶ光センサユニットの構成を概略的に示す断面図である。
【図１０】図１０は実施形態３に係るＥＵＶ光センサユニットの要部構成を概略的に示す断面図である。
【図１１】図１１は実施形態４に係るＥＵＶ光センサユニットの構成を概略的に示す断面図である。
【実施形態】
【０００７】
−目次−
１．用語の説明
２．極端紫外光生成システムの全体説明
２．１  構成
２．２  動作
３．課題
４．実施形態１
４．１  構成
４．２  動作
４．３  作用・効果
５．実施形態２
５．１  構成
５．２  動作
５．３  作用・効果
６．実施形態３
６．１  構成
６．２  動作
６．３  作用・効果
７．実施形態４
７．１  構成
７．２  動作
７．３  作用・効果
８．変形例
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。
【０００８】
以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【０００９】
１．用語の説明
「ターゲット」は、チャンバに導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。ターゲットは、プラズマの発生源となる。液状のターゲット物質によって形成されるドロップレットは、ターゲットの一形態である。
【００１０】
「パルスレーザ光」は、複数のパルスを含むレーザ光を意味し得る。
【００１１】
「レーザ光」は、パルスレーザ光に限らずレーザ光一般を意味し得る。
【００１２】
「レーザ光路」は、レーザ光の光路を意味する。
【００１３】
「プラズマ光」は、プラズマ化したターゲットから放射された放射光である。当該放射光にはＥＵＶ光が含まれている。
【００１４】
「ＥＵＶ光」という表記は、「極端紫外光」の略語表記である。
【００１５】
「光学部品」という用語は、光学素子、若しくは光学部材と同義である。
【００１６】
２．極端紫外光生成システムの全体説明
２．１  構成
図１に例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１０の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１１は、少なくとも１つのレーザ装置１２と共に用いられる場合がある。本開示においては、ＥＵＶ光生成装置１１とレーザ装置１２を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１０と称する。
【００１７】
図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１１は、レーザ光伝送装置１４と、レーザ光集光光学系１６と、チャンバ１８と、ＥＵＶ光生成制御装置２０と、ターゲット制御装置２２と、ガス制御装置２４と、を含んで構成される。
【００１８】
レーザ装置１２は、ＭＯＰＡ（Ｍａｓｔｅｒ  Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ  Ｐｏｗｅｒ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）システムであってよい。レーザ装置１２は、図示せぬマスターオシレータと、図示せぬ光アイソレータと、複数台の図示せぬＣＯ２レーザ増幅器とを含んで構成され得る。マスターオシレータが出力するレーザ光の波長は例えば１０．５９μｍであり、所定の繰り返し周波数は例えば１００ｋＨｚである。マスターオシレータには固体レーザを採用することができる。
【００１９】
レーザ光伝送装置１４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学部品と、この光学部品の位置や姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えている。図１に示したレーザ光伝送装置１４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学部品として、第１の高反射ミラー３１と第２の高反射ミラー３２とを含む。
【００２０】
レーザ光集光光学系１６は、集光レンズ３４と集光レンズホルダ３５と三軸ステージ３６とを含んで構成される。三軸ステージ３６は、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の互いに直交する三軸の方向に移動可能なステージである。図１においてチャンバ１８から露光装置１００に向かってＥＵＶ光を導出する方向をＺ軸とする。図１の紙面に垂直な方向をＸ軸とし、紙面に平行な縦方向をＹ軸とする。レーザ光集光光学系１６は、レーザ光伝送装置１４によって伝送されたレーザ光をチャンバ１８内のプラズマ生成領域６４に集光するよう構成されている。
【００２１】
チャンバ１８は密閉可能な容器である。チャンバ１８は、例えば、中空の球形状又は筒形状に形成されてもよい。チャンバ１８は、ＥＵＶ光集光ミラー４０と、プレート４１と、ＥＵＶ光集光ミラーホルダ４２と、第１のウインドウ４４と、第１の覆い４５と、を備えている。また、チャンバ１８は、ターゲット供給部５０と、二軸ステージ５１と、ドロップレット受け５２と、ドロップレット検出装置５４と、ＥＵＶ光センサユニット６０と、ガス供給装置６１と、排気装置６２と、圧力センサ６３と、を備えている。
【００２２】
チャンバ１８の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられている。その貫通孔は第１のウインドウ４４によって塞がれる。レーザ装置１２から出力されるパルスレーザ光４８が集光レンズ３４を介して第１のウインドウ４４を透過する。
【００２３】
ＥＵＶ光集光ミラー４０は、例えば、回転楕円面形状の反射面を有し、第１の焦点及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ光集光ミラー４０の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成される。ＥＵＶ光集光ミラー４０は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域６４に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ：Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  Ｆｏｃｕｓｉｎｇ  ｐｏｉｎｔ）６６に位置するように配置される。ＥＵＶ光集光ミラー４０の中央部には貫通孔６８が設けられ、貫通孔６８をパルスレーザ光４８が通過する。
【００２４】
プレート４１とＥＵＶ光集光ミラーホルダ４２は、ＥＵＶ光集光ミラー４０を保持する部材である。プレート４１はチャンバ１８に固定される。ＥＵＶ光集光ミラー４０はＥＵＶ光集光ミラーホルダ４２を介してプレート４１に保持される。
【００２５】
第１の覆い４５は、第１のウインドウ４４から貫通孔６８を通ってプラズマ生成領域６４へとパルスレーザ光４８を導く光路を覆うシュラウド（ｓｈｒｏｕｄ）である。第１の覆い４５は、第１のウインドウ４４からプラズマ生成領域６４に向かって先細りする略円錐台形の筒形状に構成されている。
【００２６】
ターゲット供給部５０は、ターゲット物質をチャンバ１８内部に供給するよう構成され、例えば、チャンバ１８の壁を貫通するように取り付けられる。ターゲット供給部５０は二軸ステージ５１を介してチャンバ１８の壁に取り付けられる。二軸ステージ５１はＸ軸及びＺ軸の各方向に移動可能なＸＺ軸ステージである。ターゲット供給部５０は二軸ステージ５１により、ＸＺ平面内の位置を調整することができる。
【００２７】
ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。ターゲット供給部５０は、ターゲット物質により形成されたドロップレット５６をチャンバ１８内部のプラズマ生成領域６４に向けて出力するよう構成される。
【００２８】
ターゲット制御装置２２は、ＥＵＶ光生成制御装置２０、レーザ装置１２、ターゲット供給部５０及びドロップレット検出装置５４の各々と接続されている。ターゲット制御装置２２は、ＥＵＶ光生成制御装置２０の指令に従い、ターゲット供給部５０の動作を制御する。また、ターゲット制御装置２２は、ドロップレット検出装置５４からの検出信号を基にレーザ装置１２のパルスレーザ光４８の出力タイミングを制御する。
【００２９】
ドロップレット検出装置５４は、ドロップレット５６の存在、軌跡、位置、及び速度のうちいずれか又は複数を検出するよう構成される。ドロップレット検出装置５４は、Ｘ方向の軌道の変化を検出できるように配置される。ドロップレット検出装置５４は、光源部７０と受光部７５を含んでいる。
【００３０】
光源部７０は、光源７１と、照明光学系７２と、第２のウインドウ７３と、第２の覆い７４とを含んで構成される。光源７１は、ランプや半導体レーザ等であってもよい。照明光学系７２は、光源７１から出力された光によってドロップレット軌道を照明する集光レンズであってもよい。
【００３１】
受光部７５は、転写光学系７６と、第１の光センサ７７と、第３のウインドウ７８と、第３の覆い７９とを含んで構成される。転写光学系７６は照明されたドロップレット５６の像を第１の光センサ７７の素子上に転写するレンズであってもよい。第１の光センサ７７は、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ−ｃｏｕｐｌｅｄ  ｄｅｖｉｃｅ）等の２次元のイメージセンサであってもよい。
【００３２】
チャンバ１８は、図示しないもう１つのドロップレット検出装置を備えており、図示しないもう１つのドロップレット検出装置によって、ドロップレット５６のＺ方向の軌道のずれを検出する。
【００３３】
ドロップレット受け５２は、ターゲット供給部５０からチャンバ１８内に出力されたドロップレット５６が進行する方向の延長線上に配置される。図１ではドロップレット５６の滴下方向がＹ軸と平行な方向であり、ドロップレット受け５２はターゲット供給部５０に対してＹ方向を向いてターゲット供給部５０と対向する位置に配置される。
【００３４】
また、ＥＵＶ光生成装置１１は、チャンバ１８の内部と露光装置１００の内部とを連通させる接続部８２を含む。接続部８２の内部には、アパーチャ８４が形成された壁８６が設けられる。壁８６は、そのアパーチャ８４がＥＵＶ光集光ミラー４０の第２の焦点位置に位置するように配置される。
【００３５】
露光装置１００は露光装置コントローラ１０２を含んでおり、露光装置コントローラ１０２はＥＵＶ光生成制御装置２０と接続される。
【００３６】
ＥＵＶ光センサユニット６０は、チャンバ１８内で生成されるＥＵＶ光を検出するセンサユニットである。ＥＵＶ光センサユニット６０はＥＵＶ光生成制御装置２０に接続されている。ＥＵＶ光センサユニット６０は、異なる複数の位置からプラズマを観測できるように複数台あってもよい。図１では１つのＥＵＶ光センサユニット６０が示されているがチャンバ１８の周りの複数箇所にＥＵＶ光センサユニット６０が設置される形態が好ましい。
【００３７】
ガス供給装置６１は、配管９０を介して第１の覆い４５、第２の覆い７４、第３の覆い７９、及びＥＵＶ光センサユニット６０の中の空間に接続されている。さらに、ガス供給装置６１は、ＥＵＶ光集光ミラー４０の表面にガスを流すよう構成された配管９１に接続されている。ガス供給装置６１は配管９０、９１にガスを供給するガス供給源である。ガス供給装置６１は例えば、水素ガスを供給する水素ガス供給装置とすることができる。
【００３８】
水素ガスはパージガスの一例である。パージガスは水素ガスに限らず、水素を含むガスであってもよい。パージガスは、ターゲット物質の材料と反応して化合物である気体を生成し得るガスであることが好ましい。パージガスの種類はターゲット物質の材料との関係で選択される。
【００３９】
ガス制御装置２４は、ＥＵＶ光生成制御装置２０、ガス供給装置６１、排気装置６２及び圧力センサ６３の各々と接続される。排気装置６２は、チャンバ１８内の気体をチャンバ１８の外部に排出する。圧力センサ６３はチャンバ１８内の圧力を検出する。圧力センサ６３の検出信号はガス制御装置２４に送られる。ガス制御装置２４は、ＥＵＶ光生成制御装置２０の指令に従い、ガス供給装置６１及び排気装置６２の動作を制御する。
【００４０】
ＥＵＶ光生成制御装置２０は、ＥＵＶ光生成システム１０全体の制御を統括するよう構成される。ＥＵＶ光生成制御装置２０は、ＥＵＶ光センサユニット６０の検出結果を処理する。ＥＵＶ光生成制御装置２０は、ドロップレット検出装置５４の検出結果に基づいて、例えば、ドロップレット５６が出力されるタイミングやドロップレット５６の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御装置２０は、例えば、レーザ装置１２の発振タイミング、パルスレーザ光４８の進行方向、パルスレーザ光４８の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよいし、一部の制御機能を省略してもよい。
【００４１】
本開示において、ＥＵＶ光生成制御装置２０、ターゲット制御装置２２、ガス制御装置２４及び露光装置コントローラ１０２等の制御装置は、１台又は複数台のコンピュータのハードウェア及びソフトウェアの組み合わせによって実現することが可能である。ソフトウェアはプログラムと同義である。また、複数の制御装置の機能を一台の制御装置で実現することも可能である。さらに本開示において、ＥＵＶ光生成制御装置２０、ターゲット制御装置２２、ガス制御装置２４及び露光装置コントローラ１０２等は、ローカルエリアネットワークやインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムユニットは、ローカル及びリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。
【００４２】
図２はＥＵＶ光センサユニット６０の一例を示す概略構成図である。ＥＵＶ光センサユニット６０は、ＥＵＶ光を発生させるチャンバ１８の壁を貫通して取り付けられる。図２においてチャンバ１８の壁の右側がチャンバ１８の内側、つまり低圧側であり、チャンバ１８の壁の左側が大気側である。
【００４３】
ＥＵＶ光センサユニット６０は、ＥＵＶ光反射ミラー１２１と、フィルタ１２２と、第２の光センサ１２４とを含んで構成される。ＥＵＶ光反射ミラー１２１は、プラズマから放射される光のうちＥＵＶ光を含む光を選択的に反射する多層反射膜によるミラーである。ＥＵＶ光反射ミラー１２１は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）とを交互に積層してなるＭｏ／Ｓｉ多層膜によるミラーとすることができる。
【００４４】
フィルタ１２２は、ＥＵＶ光反射ミラー１２１によって反射された光のうちＥＵＶ光の波長を選択的に透過する波長フィルタである。フィルタ１２２が透過するＥＵＶ光の波長は、例えば１３．５ｎｍである。フィルタ１２２は例えば、膜厚３００〜６００ｎｍの金属薄膜フィルタである。フィルタ１２２の一例として、ジルコニウム（Ｚｒ）の金属薄膜フィルタを用いることができる。フィルタ１２２の膜厚は、例えば、３５０ｎｍである。
【００４５】
フィルタ１２２は、第２の光センサ１２４の受光面を覆うように配置される。ＥＵＶ光反射ミラー１２１の反射特性とフィルタ１２２の透過特性の組み合わせにより、所望の波長のＥＵＶ光を第２の光センサ１２４に入射させることができる。
【００４６】
第２の光センサ１２４は、フォトダイオード等、入射した光のエネルギを検出するセンサである。第２の光センサ１２４は受光量に応じた電気信号を出力する。第２の光センサ１２４から出力される信号はＥＵＶ光生成制御装置２０に送られる。
【００４７】
ＥＵＶ光センサユニット６０は、ＥＵＶ光反射ミラー１２１と、フィルタ１２２と、第２の光センサ１２４とを収容する中空のケース１３０を備える。ケース１３０は、光学部品収容部１３２と円筒形状部１３４と第１のガス供給部１４０とを有する。
【００４８】
光学部品収容部１３２は、ＥＵＶ光反射ミラー１２１と、フィルタ１２２と、第２の光センサ１２４とが収容される空間である。ＥＵＶ光反射ミラー１２１は図示せぬミラー保持部材に保持される。第２の光センサ１２４は光学部品収容部１３２を画成するケース１３０の壁面の一部に取り付けられる。フィルタ１２２は、フィルタ保持部材１２３に保持され、第２の光センサ１２４の前面に配置される。
【００４９】
円筒形状部１３４は、ＥＵＶ光を含むプラズマ光の光入射口となる開口部１３５を有する。開口部１３５を含む円筒形状部１３４の一部はチャンバ１８の内側に配置される。開口部１３５から入射したプラズマ光は円筒形状部１３４を通過してＥＵＶ光反射ミラー１２１に入射する。
【００５０】
第１のガス供給部１４０は、ＥＵＶ光反射ミラー１２１とフィルタ１２２との間にパージガスを供給するよう配置されたガス供給路である。第１のガス供給部１４０は、第１のガス導入口１４１と、第１のガス流出口１４２とを含む。第１のガス導入口１４１からケース１３０に導入されたパージガスは、第１のガス供給部１４０の第１のガス流出口１４２から噴出し、円筒形状部１３４を通って開口部１３５からチャンバ１８内へと流出する。
【００５１】
図２において、第１のガス供給部１４０及び円筒形状部１３４を通過して開口部１３５から出る矢印はガス流を表している。また、開口部１３５から円筒形状部１３４を通過してＥＵＶ光反射ミラー１２１によって折り返され、フィルタ１２２及び第２の光センサ１２４へと向かう矢印はプラズマ光又はＥＵＶ光の光路を表している。
【００５２】
ケース１３０はフランジ部１４４を含む。ＥＵＶ光センサユニット６０はチャンバ１８の壁に設けられた貫通孔に対して大気側から挿入され、フランジ部１４４を介してチャンバ１８に固定される。すなわち、ケース１３０のフランジ部１４４はチャンバ１８の外側に配置され、ガスケット１４６を介してチャンバ１８の壁に固定される。
【００５３】
チャンバ１８の内側、つまり、低圧側には、ＥＵＶ光センサユニット６０のケース１３０を挿入するソケット２００が配置される。ソケット２００は、ＥＵＶ光センサユニット６０のケース１３０の低圧側を覆うように形成される。
【００５４】
ＥＵＶ光センサユニット６０のケース１３０をチャンバ１８の大気側からソケット２００に挿入してケース１３０をチャンバ１８内においてソケット２００に嵌合させることができる。また、図２に示された嵌合状態からケース１３０を大気側に引き抜き、ソケット２００からケース１３０を離脱させることができる。
【００５５】
ソケット２００は、ＥＵＶ光センサユニット６０のケース１３０が接合した際に、ケース１３０の外壁とソケット２００内壁との間に隙間２０２が形成されるよう構成される。隙間２０２はソケット２００内壁全周に亘って形成されてもよい。チャンバ１８の大気側からＥＵＶ光センサユニット６０のケース１３０を挿入すると、ソケット２００内壁とケース１３０の外壁との隙間２０２が形成され、この隙間２０２がガス経路として機能する。この時、ソケット２００の内壁とケース１３０の外壁は完全に密封された状態でなくても良く、特にシール構造を備えなくともよい。隙間２０２を形成し得るソケット２００の内壁の凹部２０３が「ガス経路形成部」の一形態に相当する。
【００５６】
ソケット２００には配管接続部２０６が設けられる。この配管接続部２０６にガスを供給するための配管２１０が接続される。配管２１０はチャンバ１８の内壁に張り巡らされる。配管接続部２０６に接続された配管２１０の内部と隙間２０２は連通する。チャンバ１８の内壁に張り巡らされた配管２１０は複数のＥＵＶ光センサユニットにガスを供給してもよい。
【００５７】
配管２１０はフィードスルー２１２を介してガス供給装置６１と接続される。チャンバ１８の大気側から真空側の配管２１０にガスを送り込むフィードスルー２１２は一箇所に集約されてよい。
【００５８】
ＥＵＶ光センサユニット６０のケース１３０外壁の隙間２０２に面する部分には第１のガス導入口１４１が形成される。第１のガス導入口１４１から第１のガス流出口１４２へと繋がる第１のガス供給部１４０は、ケース１３０内に導入したガスがＥＵＶ光反射ミラー１２１に向けて吹き付けられるように形成される。また、第１のガス供給部１４０は、フィルタ１２２に直接ガスを吹き付けないよう構成される。
【００５９】
すなわち、第１のガス流出口１４２はＥＵＶ光反射ミラー１２１に向かって開口しており、第１のガス流出口１４２から流出するガスはＥＵＶ光反射ミラー１２１に吹き付けられる。つまり、パージガスがＥＵＶ光反射ミラー１２１に直接吹きつけられる位置に第１のガス流出口１４２が設けられる。第１のガス流出口１４２はフィルタ１２２に対して直接ガスを吹き付けないように、フィルタ１２２に対して非対面の位置に設けられる。フィルタ１２２は、既述のように非常に薄いため、吹き付けるガスによる変形や破損を抑制するためである。
【００６０】
２．２  動作
図１及び図２を参照して、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１０の動作を説明する。ＥＵＶ光生成システム１０がＥＵＶ光を出力する場合、露光装置１００の露光装置コントローラ１０２からＥＵＶ光生成制御装置２０にＥＵＶ光出力指令が送られる。
【００６１】
ＥＵＶ光生成制御装置２０は、ガス制御装置２４に制御信号を送信する。ガス制御装置２４は、圧力センサ６３の検出値に基づいて、チャンバ１８内の圧力が所定の範囲内となるように、ガス供給装置６１と排気装置６２とを制御する。
【００６２】
チャンバ１８内の圧力の所定の範囲とは、例えば、数〜数百Ｐａの間の値である。ガス供給装置６１から送り出された水素ガスは、配管９０を通じて第１の覆い４５、第２の覆い７４及び第３の覆い７９の各々の覆いの中、並びにＥＵＶ光センサユニット６０の中に供給される。また、ガス供給装置６１から送り出された水素ガスは、配管９１を通じてＥＵＶ光集光ミラー４０の反射面に供給される。
【００６３】
第１の覆い４５の中に供給された水素ガスは、第１の覆い４５の開口部４５Ａから噴出する。第２の覆い７４の中に供給された水素ガスは、第２の覆い７４の開口部７４Ａから噴出する。第３の覆い７９の中に供給された水素ガスは、第３の覆い４５の開口部７９Ａから噴出する。ＥＵＶ光センサユニット６０の中に供給された水素ガスはＥＵＶ光センサユニット６０の開口部１３５から噴出する。
【００６４】
ガス制御装置２４は、チャンバ１８の内圧が所定の範囲内の圧力となったら、ＥＵＶ光生成制御装置２０に信号を送信する。ＥＵＶ光生成制御装置２０は、ガス制御装置２４から送られてくる信号を受信後、ターゲット制御装置２２にドロップレット出力を指示するドロップレット出力指示信号を送信する。
【００６５】
ターゲット制御装置２２は、ドロップレット出力指示信号を受信すると、ターゲット供給部５０にドロップレット出力信号を送信してドロップレット５６を出力させる。ドロップレット５６は溶融したスズ（Ｓｎ）の液滴であってもよい。
【００６６】
ターゲット供給部５０から出力したドロップレット５６の軌道はドロップレット検出装置５４によって検出される。ドロップレット検出装置５４による検出された検出信号はターゲット制御装置２２に送られる。
【００６７】
ターゲット制御装置２２は、ドロップレット検出装置５４から得られる検出信号を基に、ドロップレット５６の軌道が所望の軌道となるように、二軸ステージ５１にフィードバック信号を送信してもよい。
【００６８】
ターゲット制御装置２２は、ドロップレット５６の軌道が安定したら、ドロップレット５６の出力信号に同期して、所定時間遅延したトリガ信号をレーザ装置１２に出力する。この遅延時間は、ドロップレット５６がプラズマ生成領域６４に到達した時にレーザ光がドロップレット５６に照射されるように、設定しておく。
【００６９】
レーザ装置１２はトリガ信号に同期してレーザ光を出力する。レーザ装置１２から出力されるレーザ光のパワーは、数ｋＷ〜数十ｋＷに達する。レーザ装置１２から出力されたレーザ光はレーザ光伝送装置１４を介してレーザ光集光光学系１６の集光レンズ３４に入射する。集光レンズ３４に入射したレーザ光は集光レンズ３４によって集光され、第１のウインドウ４４を通過してチャンバ１８に入力される。集光レンズ３４によって集光され、チャンバ１８に入射したレーザ光は、プラズマ生成領域６４に到達したドロップレット５６に照射される。
【００７０】
ドロップレット５６には、パルスレーザ光４８に含まれる少なくとも１つのパルスが照射される。パルスレーザ光が照射されたドロップレット５６はプラズマ化し、そのプラズマから放射光１０６が放射される。放射光１０６に含まれるＥＵＶ光１０８は、ＥＵＶ光集光ミラー４０によって選択的に反射される。ＥＵＶ光集光ミラー４０によって反射されたＥＵＶ光１０８は、中間集光点６６で集光され、露光装置１００に出力される。なお、１つのドロップレット５６に、パルスレーザ光４８に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
【００７１】
ドロップレット受け５２は、レーザ光が照射されずにプラズマ生成領域６４を通過したドロップレット５６や、レーザ光の照射によっても拡散しなかったドロップレットの一部分を回収する。
【００７２】
ドロップレット５６にレーザ光が照射されると、プラズマが生成し得る。この生成したプラズマのエネルギをＥＵＶ光センサユニット６０で計測して、生成したプラズマ光に含まれるＥＵＶ光のエネルギを計測してもよい。
【００７３】
プラズマ光である放射光１０６の一部は、開口部１３５からＥＵＶ光センサユニット６０に進入し、円筒形状部１３４を通過してＥＵＶ光反射ミラー１２１に入射する。ＥＵＶ光反射ミラー１２１は放射光１０６に含まれるＥＵＶ光をフィルタ１２２に向けて反射する。フィルタ１２２に入射した光のうちＥＵＶ波長領域の光のみがフィルタ１２２を透過する。フィルタ１２２を透過したＥＵＶ光は、第２の光センサ１２４の受光面に達する。第２の光センサ１２４のフォトダイオードは、受光したＥＵＶ光のエネルギに対応する信号を出力する。第２の光センサ１２４から出力される信号に基づきＥＵＶ光のエネルギを検出することができる。
【００７４】
ＥＵＶ光センサユニット６０を複数配置する場合は、各ＥＵＶ光センサユニットの検出位置と各検出エネルギからプラズマの位置が計算できる。
【００７５】
ドロップレット５６が溶融したＳｎ液滴の場合、プラズマ生成に伴って、Ｓｎデブリが生成し、チャンバ１８中に拡散し得る。この場合、ＳｎデブリはＳｎ微粒子を指す。拡散したＳｎデブリは、第１の覆い４５の開口部４５Ａ、第２の覆い７４の開口部７４Ａ、第３の覆い７９の開口部、及びＥＵＶ光センサユニット６０の開口部１３５に到達し得る。
【００７６】
第１の覆い４５の開口部４５Ａ、第２の覆い７４の開口部７４Ａ、第３の覆い７９の開口部７９Ａ、及びＥＵＶ光センサユニット６０の開口部１３５の各開口部からは、水素ガスが噴出している。このため、Ｓｎデブリが第１のウインドウ４４、第２のウインドウ７３及び第３のウインドウ７８並びにＥＵＶ光センサユニット６０内のＥＵＶ光反射ミラー１２１に到達するのを抑制し得る。
【００７７】
ＥＵＶ光集光ミラー４０の表面に供給されたガスが水素を含む場合、ＥＵＶ光集光ミラー４０に堆積したＳｎデブリと水素が反応してスタナンガス（ＳｎＨ４）を生成する。スタナンガスは排気装置６２によってチャンバ１８外に排気される。
【００７８】
同様に、第１のウインドウ４４、第２のウインドウ７３及び第３のウインドウ７８の周囲に水素を含むガスが供給されることにより、第１のウインドウ４４、第２のウインドウ７３及び第３のウインドウ７８へのＳｎデブリの堆積が抑制される。
【００７９】
少なくともＥＵＶ光の生成中、ＥＵＶ光センサユニット６０内における第１のガス供給部１４０の第１のガス流出口１４２から水素ガスを噴出させ、ＥＵＶ光反射ミラー１２１に水素ガスを吹き付ける。すなわち、ＥＵＶ光反射ミラー１２１とフィルタ１２２の間の空間に対し、ＥＵＶ光反射ミラー１２１の反射光路側からパージガスを供給する。
【００８０】
ＥＵＶ光反射ミラー１２１によって反射されたＥＵＶ光がフィルタ１２２に向かって進行する光路がＥＵＶ光反射ミラー１２１の反射光路である。開口部１３５から円筒形状部１３４を通過してＥＵＶ光反射ミラー１２１ミラーに入射するプラズマ光の光路がＥＵＶ光反射ミラー１２１の入射光路である。ＥＵＶ光反射ミラー１２１へのプラズマ光の入射光路を第１の光路とする。ＥＵＶ光反射ミラー１２１からフィルタ１２２に向かうＥＵＶ光の反射光路を第２の光路とする。第１のガス供給部１４０の第１のガス流出口１４２は、第１の光路と第２の光路のうち、第２の光路に近い位置に設けられている。
【００８１】
すなわち、第１のガス供給部１４０のガス供給通路の軸は、第２の光路と交差しており、第１のガス流出口１４２から吹き出されたガスは、第２の光路と交差してから第１の光路の方へと流れる。第１のガス供給部１４０は、第１の光路と第２の光路のうち、第２の光路の方からＥＵＶ光反射ミラー１２１とフィルタ１２２の間にパージガスを供給する。
【００８２】
第１のガス流出口１４２から噴出した水素ガスは、ＥＵＶ光反射ミラー１２１とフィルタ１２２の間を流れ、円筒形状部１３４を通過して開口部１３５からチャンバ１８内へと流出する。
【００８３】
ＥＵＶ光反射ミラー１２１は「極端紫外光を反射するミラー」の一形態に相当する。第２の光センサ１２４は「波長フィルタを透過した極端紫外光を検出する光センサ」の一形態に相当する。円筒形状部１３４は「管部」の一形態に相当する。
【００８４】
３.課題
図２に示したＥＵＶ光センサユニット６０は、ケース１３０の内部にガスを供給し、円筒形状部１３４を経由して開口部１３５からガスを噴出させることにより、ＳｎデブリがＥＵＶ光反射ミラー１２１に到達するのを抑制することができる。
【００８５】
円筒形状部１３４の内径が小さく、円筒形状部１３４の長さＬが長ければ長いほど、Ｓｎデブリが進入してきた場合に、水素とＳｎが反応する可能性が高くなり、より確実にＳｎデブリをスタナンガス化することができる。その一方で、次のような課題がある。
【００８６】
［課題１］ＥＵＶ光センサユニット６０は、チャンバ１８に搭載するために大きさの制限を受け、省スペースな設計でなければならない。また、ＥＵＶ光はビーム径が拡がりながら伝搬しており、第２の光センサ１２４におけるフォトダイオード有効範囲内にＥＵＶ光を収めるため、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４との間の隙間が狭くなっている。
【００８７】
［課題２］フィルタ１２２と第２の光センサ１２４と間の隙間が狭く、第１のガス供給部１４０を通じてＥＵＶ光センサユニット６０内に供給したガスが、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４と間の隙間に流れることは殆ど無い。
【００８８】
［課題３］フィルタ１２２や第２の光センサ１２４には、炭素を含む接着剤が使用されている。大気中の残留炭素又はフィルタ１２２や第２の光センサ１２４に使用された接着剤から揮発した炭素がＥＵＶ照射中にフィルタ１２２及び第２の光センサ１２４間のＥＵＶ照射領域内に堆積し得る。このフィルタ１２２及び／又は第２の光センサ１２４の表面に堆積した炭素の影響によって第２の光センサ１２４の検出感度が低下し、エネルギ計測に支障をきたす。
【００８９】
［課題４］課題３に示した炭素の堆積を抑制するために、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の付近にガスをパージする場合、フィルタ１２２の両面での圧力差があるとフィルタ１２２が損傷し、エネルギ計測に支障をきたす。
【００９０】
４．実施形態１
４．１  構成
図３は実施形態１に係るＥＵＶ光センサユニットの構成を概略的に示す断面図である。図３に示す実施形態１に関して図２で説明した構成との相違点を説明する。図２で説明したＥＵＶ光センサユニット６０に代えて、図３に示すＥＵＶ光センサユニット１６０を用いることができる。図４は図３中の４−４線を切断線とする断面図である。
【００９１】
実施形態１に係るＥＵＶ光センサユニット１６０は、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間にパージガスを供給するよう配置された第２のガス供給部２４０を備える。第２のガス供給部２４０は、第２のガス導入口２４１と第２のガス流出口２４２とを含むガス供給路である。ケース１３０は、第２のガス供給部２４０である流路構造部を備える。
【００９２】
第２のガス導入口２４１は、ケース１３０外壁の隙間２０２に面する部分に形成される。第２のガス流出口２４２は、ＥＵＶ光反射ミラー１２１とフィルタ１２２との間に向かってパージガスを吹き出すガス流出口である。第２のガス導入口２４１から第２のガス流出口２４２へと繋がる第２のガス供給部２４０は、ケース１３０内に導入したガスをフィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間の隙間へと導くよう形成される。
【００９３】
第２のガス導入口２４１からケース１３０に導入されたガスは、第２のガス供給部２４０の第２のガス流出口２４２から噴出し、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間の隙間を通って開口部１３５からチャンバ１８内へと流出する。フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間に形成される隙間の空間２５０は、パージガスが流れるガス流路となる。
【００９４】
第１のガス供給部１４０と第２のガス供給部２４０は共に、ソケット２００とケース１３０外壁との隙間２０２に連通しており、隙間２０２を通じて第１のガス供給部１４０と第２のガス供給部２４０の各々にガスが流れる。第１のガス供給部１４０の流量と、第２のガス供給部２４０の流量の比率は、それぞれのガス流路のコンダクタンスを調整することにより所望の比率を実現できる。
【００９５】
第１のガス供給部１４０は、例えば、流路断面積が一定である管を用いて構成することができる。同様に、第２のガス供給部２４０は、流路断面積が一定である管を用いて構成することができる。この場合、第１のガス供給部１４０と第２のガス供給部２４０の流路断面の面積比は、例えば、５：１から１５：１の範囲でもよい。
【００９６】
図４に示すように、第２のガス供給部２４０からフィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間に供給されたガスが拡散せず一方向に流れるように、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間の空間２５０によって構成されるガス流路の側面２５１は、壁部材２５２によって塞がれている。この壁部材２５２は、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４とを、所定の距離を離して離間させるスペーサの一部であってよい。
【００９７】
図５はスペーサの例を示す斜視図である。図６は図５に示したスペーサ２６０の三面図である。図６の（ａ）は平面図、図６の（ｂ）は側面図、図６の（ｃ）は正面図である。スペーサ２６０は、第２の光センサ１２４のセンサ保持部材２７０と接する第１のプレート２６２と、フィルタ保持部材１２３と接する第２のプレート２６４及び第３のプレート２６５がＵ字状に組み合わされた構造を有する。
【００９８】
第１のプレート２６２には、ＥＵＶ光を通過させる貫通穴２６３が形成されている。第２の光センサ１２４はセンサ保持部材２７０に固定されている。第２の光センサ１２４を保持したセンサ保持部材２７０は、第１のプレート２６２の貫通穴２６３と第２の光センサ１２４の位置を一致させた状態で第１のプレート２６２に当接する。
【００９９】
第２のプレート２６４及び第３のプレート２６５は、図３で説明した壁部材２５２に相当する。フィルタ１２２と第２の光センサ１２４は、スペーサ２６０によって所定の距離だけ離れた状態で配置される。スペーサ２６０を用いることにより、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の受光面の距離を所望の距離に設計することができる。例えば、図２に示した例では、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の受光面の距離が１．５ｍｍであるのに対し、図３に示す実施形態１では、その距離が４．０ｍｍに構成される。
【０１００】
図６の（ｃ）に示した第２のプレート２６４と第３のプレート２６５を側壁面とする空間２６６は、パージガスが流れる空間２５０となる。
【０１０１】
図７はセンサ保持部材２７０に保持された第２の光センサ１２４の断面図である。第２の光センサ１２４は、センサ保持部材２７０に固定されている。センサ保持部材２７０は、第２の光センサ１２４の背面及び側面を覆う枠体である。第２の光センサ１２４は接着剤２７２を用いてセンサ保持部材２７０に固定されている。接着剤２７２は、炭素を含有する。接着剤２７２は、第２の光センサ１２４の背面とセンサ保持部材２７０の間に用いられる。第２の光センサ１２４の背面には、信号線１２４Ａが接続されている。信号線１２４Ａは、センサ保持部材２７０に形成された貫通穴を通して引き出されており、図示せぬ電気回路と接続される。センサ保持部材２７０は、第２の光センサ１２４を保持する保持部材の一例である。
【０１０２】
図８はフィルタ保持部材１２３に固定されたフィルタ１２２の断面図である。フィルタ保持部材１２３は、保持枠１２３Ａと押さえ部材１２３Ｂとを含む。フィルタ１２２は、接着剤２７４と押さえ部材１２３Ｂとを用いて保持枠１２３Ａに固定される。
【０１０３】
接着剤２７４は、炭素を含有する。接着剤２７４は、図７に示した接着剤２７２と同種の接着剤であってもよいし、異なる種類の接着剤であってもよい。接着剤２７４は、フィルタ１２２と押さえ部材１２３Ｂの間に用いられる。フィルタ１２２は、保持枠１２３Ａと押さえ部材１２３Ｂとの間に挟まれた状態でフィルタ保持部材１２３に固定される。
【０１０４】
４．２  動作
少なくともＥＵＶ光の生成中、ＥＵＶ光センサユニット６０内の第２のガス供給部２４０の第２のガス流出口２４２から水素ガスを噴出させ、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間にパージガスを供給する。パージガスは、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間の空間２５０を流れる。
【０１０５】
このパージガスの流れによって、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間に存在する炭素が除去される。
【０１０６】
第２のガス供給部２４０の流路断面積及び流路長さを適切に設定することで、フィルタ１２２の両面での圧力差が生じにくいようにすることができる。フィルタ１２２の両面の圧力差は３ｋＰａ以下であることが好ましい。第１のガス供給部１４０と第２のガス供給部２４０の流量比は８：１から１２：１の範囲であることが好ましい。
【０１０７】
ＥＵＶ光センサユニット１６０は、「極端紫外光センサユニット」の一例である。第１のガス供給部１４０は、「第１のパージガス供給部」の一例である。第１のガス供給部１４０から供給されるパージガスは「第１のパージガス」の一例である。第２のガス供給部２４０は、「パージガス供給部」及び「第２のパージガス供給部」の一例である。第２のガス供給部２４０から供給されるパージガスは「第２のパージガス」の一例である。ＥＵＶ光センサユニット１６０を備えたＥＵＶ光生成装置１１は「極端紫外光生成装置」の一例である。
【０１０８】
４．３  作用・効果
実施形態１によれば、フィルタ１２２及び第２の光センサ１２４への炭素の付着による透過率の低下や感度低下を抑制することができる。
【０１０９】
５．実施形態２
５．１  構成
図９は実施形態２に係るＥＵＶ光センサユニットの構成を概略的に示す断面図である。図９に示す実施形態２に関して図３で説明した実施形態１の構成との相違点を説明する。
【０１１０】
実施形態２に係るＥＵＶ光センサユニット１６０の第２のガス供給部２４０は、フィルタ１２２の表面に向かって直接にパージガスを吹き出さない流路構造となっている。図９に示すように、第２のガス供給部２４０は、フィルタ１２２に対して非対面の位置に設けられている。
【０１１１】
また、実施形態２に係るＥＵＶ光センサユニット１６０は、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間の空間２５０を通過したガスを、フィルタ１２２の表面と非平行な方向に導く第３の流路部２８０を備える。本例における第３の流路部２８０は、図９の横方向に沿ってガスを導く流路構造を有する。第３の流路部２８０は、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間の空間２５０と連通し、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間を通過したパージガスをガス出口２８２へと導くパージガス排出流路として機能する。第３の流路部２８０のガス出口２８２は、第２の光センサ１２４から離れた位置に設けられている。ガス出口２８２は、図９の下方向に向かって開口している。第３の流路部２８０は、ガス出口２８２を介して円筒形状部１３４と繋がっている。
【０１１２】
第３の流路部２８０によって構成されるパージガス排出流路は、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間の空間２５０からガス出口２８２までのガスの流れの経路が非直線の経路となる流路構造を含んでいる。
【０１１３】
この非直線の経路を構成する流路構造を含む第３の流路部２８０は、第２の光センサ１２４に可視光を含む散乱光が入射するのを抑制する遮蔽構造としても機能する。すなわち、第３の流路部２８０の流路壁２８４は、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間の空間２５０への散乱光の進入を抑制する遮蔽部材として機能する。また、非直線の経路を構成する流路構造は、ガス出口２８２から進入した散乱光が第２の光センサ１２４の受光面に到達し難い構造である。
【０１１４】
５．２  動作
第２のガス導入口２４１から導入されたガスは、第２のガス供給部２４０を通って第２のガス流出口２４２から噴出される。第２のガス流出口２４２から流れ出たガスは、フィルタ保持部材１２３又はフィルタ保持部材１２３に連結された流路構造部材の壁に当たって流れの向きを変え、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間へと流れる。
【０１１５】
フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間を流れたガスは、第３の流路部２８０を通って、ガス出口２８２から排出される。
【０１１６】
５．３  作用・効果
実施形態２によれば、第１実施形態と同様の作用及び効果が得られる。また、実施形態２によれば、第２のガス供給部２４０がフィルタ１２２に向けて直接パージガスを吹き出さない流路構造を有しているため、フィルタ１２２の破損を抑制することができる。また、実施形態２によれば、パージガスの流路を通じて第２の光センサ１２４に散乱光が入射し難い構造を備えており、より正確なエネルギ計測が可能である。
【０１１７】
６．実施形態３
６．１  構成
図１０は実施形態３に係るＥＵＶ光センサユニットの要部構成を概略的に示す断面図である。図１０は、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間にパージガスを流すための流路構造部分を示している。図１０に示す実施形態３に関して図９で説明した実施形態２の構成との相違点を説明する。図１０において、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間を流れるパージガスの流れを矢印によって示した。
【０１１８】
実施形態３における第２のガス供給部２４０は、第１の流路部２４０Ａと第２の流路部２４０Ｂを含んで構成される。第１の流路部２４０Ａは、第２のガス導入口２４１から図１０の下方向に向かってガスを導くガス供給路である。第１の流路部２４０Ａを通るガス流の方向を第１の方向という。第２の流路部２４０Ｂは、第１の流路部２４０Ａに接続され、図１０の右斜め下方向に向かってガスを導くガス供給路である。第２の流路部２４０Ｂを通るガス流の方向を第２の方向という。第２の方向は、第１の方向と交差する方向であり、フィルタ１２２の表面に平行な方向である。
【０１１９】
第２のガス供給部２４０は、第１の流路部２４０Ａと第２の流路部２４０Ｂの接続部においてガスの流れの向きが屈曲するよう構成される。第２の流路部２４０Ｂは、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４との間の空間２５０に接続されている。第２の流路部２４０Ｂと空間２５０との接続部が第２のガス流出口２４２に相当する。第２のガス流出口２４２は、フィルタ１２２に対して非対面の位置に設けられている。第２のガス流出口２４２から流れ出るパージガスは、第２の方向に沿って流れる。
【０１２０】
６．２  動作
第２のガス導入口２４１から導入されたガスは、第１の流路部２４０Ａと第２の流路部２４０Ｂの接続部において、第２の流路部２４０Ｂの流路壁に当たって流れの向きを変え、第２の流路部２４０Ｂへと流れる。第２の流路部２４０Ｂを通過したガスは、第２のガス流出口２４２からフィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間の空間２５０に流れる。
【０１２１】
６．３  作用・効果
第３実施形態によれば、第２実施形態と同様の効果が得られる。
【０１２２】
７．実施形態４
７．１  構成
図１１は実施形態４に係るＥＵＶ光センサユニットの構成を概略的に示す断面図である。図１１に示す実施形態４に関して図３で説明した実施形態１の構成との相違点を説明する。
【０１２３】
実施形態４に係るＥＵＶ光センサユニット１６０は、第１のガス供給部１４０に第１の絞り３０１を備える。また、ＥＵＶ光センサユニット１６０は、第２のガス供給部２４０に第２の絞り３０２を備える。図１１の例では、第１のガス供給部１４０と第２のガス供給部２４０の両方に絞りを設けたが、第１のガス供給部１４０と第２のガス供給部２４０のいずれか一方に絞りを設ける形態としてもよい。
【０１２４】
第１の絞り３０１は、第１の絞り押さえ３１１によって、第１のガス供給部１４０の流路に交換可能に固定される。第２の絞り３０２は、第２の絞り押さえ３２２によって、第２のガス供給部２４０の流路に交換可能に固定される。第１のガス供給部１４０は、第１の絞り３０１を取り付けるための支持面を含む第１の絞り取付部３１５を備える。
【０１２５】
第２のガス供給部２４０は、第２の絞り３０２を取り付けるための支持面を含む第２の絞り取付部３２５を備える。
【０１２６】
７．２  動作
第１の絞り３０１によって第１のガス供給部１４０を流れるガスの流量が調整される。第２の絞り３０２によって第２のガス供給部２４０を流れるガスの流量が調整される。複数種の絞りを組み合わせて各流路のガス流量を調整することができる。第１の絞り３０１と第２の絞り３０２は「絞り」の一例である。
【０１２７】
７．３  作用・効果
実施形態４によれば、実施形態１と同様の効果が得られる。また、実施形態４によれば、装置のアップグレード等によりチャンバ内圧やガス供給装置６１の供給圧が変更されても、適切なパージ条件に調整できる。
【０１２８】
８．変形例
上述の実施形態では、ソケット２００を利用して、第１のガス供給部１４０と第２のガス供給部２４０に同種のガス（水素ガス）を導入する例を説明したが、第１のガス供給部１４０にガスを導入する経路と、第２のガス供給部２４０にガスを導入する経路とをそれぞれ独立に設ける形態としてもよい。
【０１２９】
また、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間に供給するパージガスの種類は、ＥＵＶ光反射ミラー１２１とフィルタ１２２の間に供給するパージガスの種類と異なる種類であってもよい。例えば、第２のガス供給部２４０から供給するパージガスは、水素ガスに限らず、不活性ガスであってもよい。
【０１３０】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【０１３１】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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