(57)【要約】  輝度および鮮鋭性が高く、かつ保存性が改善された放射線画像が得られるシンチレータパネルを提供する。  本発明のシンチレータパネルは、支持体上に下地層と蛍光体層とをこの順に具備したシンチレータパネルであって、蛍光体層は蛍光体母体化合物と賦活剤とから気相堆積法により形成された蛍光体（柱状）結晶で構成され、かつ下地層は当該蛍光体母体化合物と賦活剤とから形成された結晶で構成され、当該下地層の相対密度が当該蛍光体層の相対密度よりも低く、当該下地層における賦活剤の相対含有量が当該蛍光体層の相対含有量よりも低いことを特徴とする。
2010061727.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に下地層と蛍光体層とをこの順に具備したシンチレータパネルであって、蛍光体層は蛍光体母体化合物と賦活剤とから気相堆積法により形成された蛍光体柱状結晶で構成され、かつ下地層は当該蛍光体母体化合物と賦活剤とから形成された結晶で構成され、当該下地層の相対密度が当該蛍光体層の相対密度よりも低く、当該下地層における賦活剤の相対含有量が当該蛍光体層における相対含有量よりも低いことを特徴とするシンチレータパネル。
【請求項２】
前記下地層の層厚が、下記関係式を満足することを特徴とする請求項１に記載のシンチレータパネル。
関係式：０．０１＜（下地層の層厚／蛍光体層の層厚）＜０．５
【請求項３】
前記下地層が気相堆積法により形成された結晶からなる層であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のシンチレータパネル。
【請求項４】
前記蛍光体母体化合物がヨウ化セシウム（ＣｓＩ）であり、かつ賦活剤がタリウム（Ｔｌ）であることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載のシンチレータパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、感度および鮮鋭性が高く、保存性に優れた放射線画像が得られるシンチレータパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、Ｘ線画像のような放射線画像は医療現場において病状の診断に広く用いられている。特に、増感紙−フィルム系による放射線画像は、長い歴史のなかで高感度化と高画質化が図られた結果、高い信頼性と優れたコストパフォーマンスを併せ持った撮像システムとして、今なお、世界中の医療現場で用いられている。しかしながら、これら画像情報はいわゆるアナログ画像情報であって、近年発展を続けているデジタル画像情報のような、自由な画像処理や瞬時の電送ができない。【０００３】
そして、近年ではコンピューテッドラジオグラフィ（ｃｏｍｐｕｔｅｄ  ｒａｄｉｏｇｒａｐｈｙ：ＣＲ）やフラットパネル型の放射線ディテクタ（ｆｌａｔ  ｐａｎｅｌ  ｄｅｔｅｃｔｏｒ：ＦＰＤ）等に代表されるデジタル方式の放射線画像検出装置が登場している。これらは、デジタルの放射線画像が直接得られ、陰極管や液晶パネル等の画像表示装置に画像を直接表示することが可能なので、必ずしも写真フィルム上への画像形成が必要なものではない。その結果、これらのデジタル方式のＸ線画像検出装置は、銀塩写真方式による画像形成の必要性を低減させ、病院や診療所での診断作業の利便性を大幅に向上させている。【０００４】
Ｘ線画像のデジタル技術の一つとしてコンピューテッド・ラジオグラフィ（ＣＲ）が現在医療現場で受け入れられている。しかしながら、鮮鋭性が十分でなく空間分解能も不十分であり、スクリーン・フィルムシステムの画質レベルには到達していない。そして、更に新たなデジタルＸ線画像技術として、例えば雑誌Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｔｏｄａｙ，１９９７年１１月号２４頁のジョン・ローランズ論文“Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｕｓｈｅｒ  ｉｎ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｘ−ｒａｙ  Ｉｍａｇｉｎｇ”や、雑誌ＳＰＩＥの１９９７年３２巻２頁のエル・イー・アントヌクの論文”Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  ｏｆ  ａＨｉｇｈ  Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ，Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ，Ｆｌａｔ−Ｐａｎｅｌ  Ｉｍａｇｅｒ  ｗｉｔｈ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｆｉｌｌ  Ｆａｃｔｏｒ”等に記載された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた平板Ｘ線検出装置（ＦＰＤ）が開発されている。【０００５】
放射線を可視光に変換するために、放射線により発光する特性を有するＸ線蛍光体で作られたシンチレータが使用されるが、低線量の撮影においてのＳＮ比を向上するためには、発光効率の高いシンチレータを使用することが必要になってくる。一般にシンチレータの発光効率は、蛍光体層の厚さ、蛍光体のＸ線吸収係数によって決まるが、蛍光体層の厚さは厚くすればするほど、蛍光体層内での発光光の散乱が発生し、鮮鋭性は低下する。そのため、画質に必要な鮮鋭性を決めると、層厚が決定する。【０００６】
なかでもヨウ化セシウム（ＣｓＩ）は、Ｘ線から可視光に対する変更率が比較的高く、蒸着によって容易に蛍光体を柱状結晶構造に形成できるため、光ガイド効果により結晶内での発光光の散乱が抑えられ、蛍光体層の厚さを厚くすることが可能である（特許文献１参照）。【０００７】
しかし、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）のみでは発光効率が低いために、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）とヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）を任意のモル比で混合したものを、蒸着を用いて支持体（基板）上にナトリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｎａ）として堆積、又近年では、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）とヨウ化タリウム（ＴｌＩ）を任意のモル比で混合したしたものを、蒸着を用いて支持体（基板）上にタリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）として堆積したものに、２００〜５００℃の温度で熱処理を行うことで可視変換効率を向上させ、Ｘ線蛍光体として使用している（例えば特許文献２参照）。【０００８】
しかし、賦活剤はヨウ化セシウムと結晶構造が違うため、濃度が高くなると柱状結晶構造が乱れて鮮鋭性が劣化するという問題があった。【０００９】
また、特許文献３には、支持体と蛍光体との間に、蛍光体母体化合物（ＣｓＢｒ）からなり、相対密度が蛍光体層の相対密度よりも低い値を示す下地層をもうけることにより、蛍光体と支持体の接着性が良好で、感度の向上したパネルが開示されている。しかし、当該発明は、感度向上が不十分な上に、耐湿性に関してはむしろ劣化するものであった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開昭６３−２１５９８７号公報
【特許文献２】特公昭５４−３５０６０号公報
【特許文献３】特開２００５−９１２２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、輝度および鮮鋭性が高く、かつ保存性が改善された放射線画像が得られるシンチレータパネルを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。【００１３】
１．支持体上に下地層と蛍光体層とをこの順に具備したシンチレータパネルであって、蛍光体層は蛍光体母体化合物と賦活剤とから気相堆積法により形成された蛍光体柱状結晶で構成され、かつ下地層は当該蛍光体母体化合物と賦活剤とから形成された結晶で構成され、当該下地層の相対密度が当該蛍光体層の相対密度よりも低く、当該下地層における賦活剤の相対含有量が当該蛍光体層における相対含有量よりも低いことを特徴とするシンチレータパネル。【００１４】
２．前記下地層の層厚が、下記関係式を満足することを特徴とする前記第１項に記載のシンチレータパネル。
関係式：０．０１＜（下地層の層厚／蛍光体層の層厚）＜０．５
３．前記下地層が気相堆積法により形成された結晶からなる層であることを特徴とする前記第１項又は第２項に記載のシンチレータパネル。【００１５】
４．前記蛍光体母体化合物がヨウ化セシウム（ＣｓＩ）であり、かつ賦活剤がタリウム（Ｔｌ）であることを特徴とする前記第１項から第３項までのいずれか一項に記載のシンチレータパネル。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の上記手段により、輝度および鮮鋭性が高く、かつ保存性が改善された放射線画像が得られるシンチレータパネルを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】シンチレータパネル製造装置の模式図
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明のシンチレータパネルは、支持体上に下地層と蛍光体層とをこの順に具備したシンチレータパネルであって、蛍光体層は蛍光体母体化合物と賦活剤とから気相堆積法により形成された蛍光体柱状結晶で構成され、かつ下地層は当該蛍光体母体化合物と賦活剤とから形成された結晶で構成され、当該下地層の相対密度が当該蛍光体層の相対密度よりも低く、当該下地層における賦活剤の相対含有量が当該蛍光体層における相対含有量よりも低いことを特徴とする。この特徴は、請求項１から請求項４までの請求項に係る発明に共通する技術的特徴である。
【００１９】
本発明の実施態様としては、前記下地層の層厚が、下記関係式を満足する態様であることが好ましい。
関係式：０．０１＜（下地層の層厚／蛍光体層の層厚）＜０．５
また、当該下地層が気相堆積法により形成された結晶からなる層であることが好ましい。さらに、前記蛍光体母体化合物がヨウ化セシウム（ＣｓＩ）であり、かつ賦活剤がタリウム（Ｔｌ）である態様であることが好ましい。
【００２０】
以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための最良の形態・態様について詳細な説明をする。
【００２１】
なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
【００２２】
（シンチレータパネルの構成）
本発明のシンチレータパネルは、支持体上に下地層と蛍光体層とをこの順に具備したシンチレータパネルであって、当該蛍光体層は蛍光体母体化合物と賦活剤とから気相堆積法により形成された蛍光体柱状結晶で構成され、かつ当該下地層は当該蛍光体母体化合物と賦活剤とから形成された結晶で構成され、当該下地層と蛍光体層の相対密度及び賦活剤の相対含有量が所定の関係にあることを特徴とするが、当該下引層及び蛍光体層の外に、目的に応じて、後述するような各種機能層を設けた構成とすることが好ましい。
【００２３】
以下、典型的例として、主にシンチレータパネルを形成する場合の各種構成層及び構成要素等について説明する。
【００２４】
（蛍光体層と下地層）
本発明に係る蛍光体層（「シンチレータ層」ともいう。）は、従来公知の種々の蛍光体母体化合物、例えば、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）及び臭化セシウム（ＣｓＢｒ）のようなハロゲン化セシウムを主成分として蛍光体層を形成することができるが、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）を母体化合物（主成分）とする蛍光体柱状結晶を含有する蛍光体層であることが好ましい。蛍光体層を形成する材料としては、種々の蛍光体材料が知られているが、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）は、Ｘ線から可視光に対する変更率が比較的高く、蒸着によって容易に蛍光体を柱状結晶構造に形成できるため、光ガイド効果により結晶内での発光光の散乱が抑えられ、蛍光体層の厚さを厚くすることが可能であることから、本発明においては、当該ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）を主成分とすることを特徴とする。
【００２５】
但し、ＣｓＩのみでは発光効率が低いために、各種の賦活剤が添加される。例えば、特公昭５４−３５０６０号公報の如く、ＣｓＩとヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）を任意のモル比で混合したものが挙げられる。また、例えば特開２００１−５９８９９号公報に開示されているようなＣｓＩを蒸着で、タリウム（Ｔｌ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、インジウム（Ｉｎ）、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ナトリウム（Ｎａ）などの賦活物質を含有するＣｓＩが好ましい。本発明においては、特にタリウム（Ｔｌ）が好ましい。
【００２６】
なお、本発明においては、特に、１種類以上のタリウム化合物を含む添加剤とヨウ化セシウムとを原材料とすることが好ましい。すなわち、タリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）は４００ｎｍから７５０ｎｍまでの広い発光波長をもつことから好ましい。
【００２７】
本発明に係る１種類以上のタリウム化合物を含有する添加剤のタリウム化合物としては、種々のタリウム化合物（＋Ｉと＋IIIの酸化数の化合物）を使用することができる。
【００２８】
本発明において、好ましいタリウム化合物は、沃化タリウム（ＴｌＩ）である。
【００２９】
また、本発明に係るタリウム化合物の融点は、４００〜７００℃の範囲内にあることが好ましい。７００℃以内を超えると、柱状結晶内での添加剤が不均一に存在してしまい、発光効率が低下する。なお、本発明での融点とは、常温常圧下における融点である。
【００３０】
本発明に係る蛍光体層において、賦活剤の蛍光体層における相対含有量は０．１〜５モル％が好ましい。下地層における相対含有量は０．０１〜１モル％が好ましく、０．１〜０．７モル％が更に好ましい。なお、賦活剤の相対含有量は、蛍光体母体化合物１モルに対する賦活剤のモル％で示される。特に、下地層には０．０１モル％以上含有することが発光輝度向上および保存性の点で重要である。本発明においては、下地層における賦活剤の相対含有量が蛍光体層における相対含有量よりも低いことが必要であり、蛍光体層における賦活剤の相対含有量に対する下地層における賦活剤の相対含有量の比（（下地層における賦活剤の相対含有量）／（蛍光体層における相対含有量））は、０．１〜０．７であることが好ましい。
【００３１】
なお、蛍光体層（シンチレータ層）の厚さは、１００〜８００μｍであることが好ましく、１２０〜７００μｍであることが、輝度と鮮鋭性の特性をバランスよく得られる点からより好ましい。
【００３２】
本発明に係る蛍光体柱状結晶は、気相堆積法により形成することを要する。気相堆積法としては、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法その他を用いることができるが、本発明では特に蒸着法が好ましい。
【００３３】
本発明は、支持体およびその上に気相堆積法により形成された蛍光体層を有するシンチレータパネルにおいて該蛍光体層が蛍光体母体化合物と賦活剤とからなる蛍光体から構成され、そして該支持体と該蛍光体層との間に、該蛍光体母体化合物と賦活剤からなり、相対密度が該蛍光体層の相対密度よりも低く、かつ賦活剤の相対含有量が該蛍光体層の相対含有量よりも低い値を示す下地層が設けられていることを特徴とするシンチレータパネルである。
【００３４】
また、本発明のシンチレータパネルの製造方法としては、支持体の表面に、賦活剤の相対含有量が該蛍光体層の相対含有量よりも低い値を示す下地層を形成する工程、および該下地層の表面に該蛍光体を気相堆積法により堆積させることにより、下地層よりも相対密度が高い蛍光体層を形成する工程を含む態様の製造方法であることが好ましい。
【００３５】
下地層の存在によって蛍光体層の柱状結晶性が良好になり、発光量が増加して、変換パネルの輝度も向上し、かつ保存性も向上する。
【００３６】
本発明の特徴的な要件である下地層は、賦活剤の相対含有量が該蛍光体層の相対含有量よりも低い値を示す下地層であり、好ましくは相対密度が８０〜９８％の範囲にある。さらに好ましくは、相対密度が８５〜９５％の範囲にある。
【００３７】
本発明においては、下地層の相対密度が蛍光体層の相対密度よりも低いことが必要であり、蛍光体層の相対密度に対する下地層の相対密度の比（（下地層の相対密度）／（蛍光体層の相対密度））は、０．９２〜０．９８であることが好ましい。
【００３８】
なお、本願において、相対密度（％）とは、蛍光体固有の密度（ｇ／ｃｍ３）に対する各層（下地層又は蛍光体層）の実際の密度（ｇ／ｃｍ３）の相対値（百分率）を意味する。
【００３９】
下地層の層厚は、蛍光体層の層厚に対して下記関係式を満足することが望ましい。例えば、蛍光体層の層厚が層厚、５００μｍであるとき、下地層の層厚は５μｍより大きく、２５０μｍより小さいことが望ましい。
関係式：０．０１＜（下地層の層厚／蛍光体層の層厚）＜０．５
本発明においては、下地層も、蛍光体層と同様に気相堆積法により形成することが好ましい。蒸着法等の気相堆積法により形成した場合に、下地層は一般に直径数μｍの球状結晶の凝集体からなるか、あるいは柱状結晶構造を有している。
【００４０】
（反射層）
本発明においては、支持体（基板）上には反射層（「金属反射層」ともいう。）を設けてもよい。当該反射層は、蛍光体（シンチレータ）から発した光を反射して、光の取り出し効率を高めるためのものである。当該反射層は、Ａｌ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｐｔ及びＡｕからなる元素群の中から選ばれるいずれかの元素を含む材料により形成されることが好ましい。
【００４１】
特に、上記の元素からなる金属薄膜、例えば、Ａｇ膜、Ａｌ膜などを用いることが好ましい。また、このような金属薄膜を２層以上形成するようにしても良い。なお、反射層の厚さは、０．００５〜０．３μｍ、より好ましくは０．０１〜０．２μｍであることが、発光光取り出し効率の観点から好ましい。
【００４２】
本発明に係る反射層の形成方法は既知のいかなる方法でも構わないが、例えば、上記原材料を使用したスパッタ処理が挙げられる。
【００４３】
（金属保護層）
本発明のシンチレータパネルにおいては、上記反射層の上に金属保護層をもうけてもよい。
【００４４】
金属保護層は、溶剤に溶解した樹脂を塗布、乾燥して形成することが好ましい。ガラス転移点が３０〜１００℃のポリマーであることが蒸着結晶と支持体（基板）との膜付の点で好ましく、具体的には、ポリウレタン樹脂、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、ポリエステル樹脂、セルロース誘導体（ニトロセルロース等）、スチレン−ブタジエン共重合体、各種の合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル系樹脂、尿素ホルムアミド樹脂等が挙げられるが、特にポリエステル樹脂であることが好ましい。
【００４５】
金属保護層の膜厚としては接着性の点で０．１μｍ以上が好ましく、金属保護層表面の平滑性確保の点で３．０μｍ以下が好ましい。より好ましくは金属保護層の厚さが０．２〜２．５μｍの範囲である。
【００４６】
金属保護層作製に用いる溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノールなどの低級アルコール、メチレンクロライド、エチレンクロライドなどの塩素原子含有炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン、トルエン、ベンゼン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、キシレンなどの芳香族化合物、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの低級脂肪酸と低級アルコールとのエステル、ジオキサン、エチレングリコールモノエチルエステル、エチレングリコールモノメチルエステルなどのエーテル、及びそれらの混合物を挙げることができる。
【００４７】
（下引層）
本発明においては、支持体（基板）と下地層の間、又は反射層と下地層の間に膜付の観点から、下引き層を設けても良い。当該下引層は、高分子結合材（バインダー）、分散剤等を含有することが好ましい。なお、下引層の厚さは、０．５〜４μｍが好ましい。以下、下引層の構成要素について説明する。
【００４８】
〈高分子結合材〉
本発明に係る下引層は、溶剤に溶解又は分散した高分子結合材（以下「バインダー」ともいう。）を塗布、乾燥して形成することが好ましい。高分子結合材としては、具体的には、ポリウレタン、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、ポリエステル、セルロース誘導体（ニトロセルロース等）、スチレン−ブタジエン共重合体、各種の合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル系樹脂、尿素ホルムアミド樹脂等が挙げられる。なかでもポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール、ニトロセルロースを使用することが好ましい。
【００４９】
本発明に係る高分子結合材としては、特に蛍光体層との密着の点でポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール、ニトロセルロースなどが好ましい。また、ガラス転移温度（Ｔｇ）が３０〜１００℃のポリマーであることが、蒸着結晶と支持体（基板）との膜付の点で好ましい。この観点からは、特にポリエステル樹脂であることが好ましい。
【００５０】
下引層の調製に用いることができる溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノールなどの低級アルコール、メチレンクロライド、エチレンクロライドなどの塩素原子含有炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン、トルエン、ベンゼン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、キシレンなどの芳香族化合物、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの低級脂肪酸と低級アルコールとのエステル、ジオキサン、エチレングリコールモノエチルエステル、エチレングリコールモノメチルエステルなどのエーテル及びそれらの混合物を挙げることができる。
【００５１】
なお、本発明に係る下引層には、蛍光体（シンチレータ）が発光する光の散乱の防止し、鮮鋭性等を向上させるために顔料や染料を含有させても良い。
【００５２】
（保護層）
本発明に係る保護層は、蛍光体層の保護を主眼とするものである。すなわち、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）は、吸湿性が高く露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して潮解してしまうため、これを防止することを主眼とする。
【００５３】
当該保護層は、種々の材料を用いて形成することができる。例えば、ＣＶＤ法によりポリパラキシリレン膜を形成する。即ち、蛍光体（シンチレータ）及び支持体（基板）の表面全体にポリパラキシリレン膜を形成し、保護層とすることができる。
【００５４】
また、別の態様の保護層として、蛍光体層上に高分子フィルムを設けることもできる。なお、高分子フィルムの材料としては、後述する支持体（基板）材料としての高分子フィルムと同様のフィルムを用いることができる。
【００５５】
上記高分子フィルムの厚さは、空隙部の形成性、蛍光体層の保護性、鮮鋭性、防湿性、作業性等を考慮し、１２μｍ以上、１２０μｍ以下が好ましく、更には２０μｍ以上、８０μｍ以下が好ましい。また、ヘイズ率は、鮮鋭性、放射線画像ムラ、製造安定性及び作業性等を考慮し、３％以上、４０％以下が好ましく、更には３％以上、１０％以下が好ましい。ヘイズ率は、例えば、日本電色工業株式会社ＮＤＨ５０００Ｗにより測定できる。必要とするヘイズ率は、市販されている高分子フィルムから適宜選択し、容易に入手することが可能である。
【００５６】
保護フィルムの光透過率は、光電変換効率、蛍光体（シンチレータ）発光波長等を考慮し、５５０ｎｍで７０％以上あることが好ましいが、９９％以上の光透過率のフィルムは工業的に入手が困難であるため実質的に９９％〜７０％が好ましい。
【００５７】
保護フィルムの透湿度は、蛍光体層の保護性、潮解性等を考慮し５０ｇ／ｍ２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）（ＪＩＳ  Ｚ０２０８に準じて測定）以下が好ましく、更には１０ｇ／ｍ２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）（ＪＩＳ  Ｚ０２０８に準じて測定）以下が好ましいが、０．０１ｇ／ｍ２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）以下の透湿度のフィルムは工業的に入手が困難であるため実質的に、０．０１ｇ／ｍ２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）以上、５０ｇ／ｍ２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）（ＪＩＳ  Ｚ０２０８に準じて測定）以下が好ましく、更には０．１ｇ／ｍ２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）以上、１０ｇ／ｍ２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）（ＪＩＳ  Ｚ０２０８に準じて測定）以下が好ましい。
【００５８】
（支持体：基板）
本発明においては、支持体（「基板」ともいう。）としては、石英ガラスシート、アルミニウム、鉄、スズ、クロムなどからなる金属シート、炭素繊維強化シート、高分子フィルムなどが好ましい。
【００５９】
高分子フィルムとしては、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＮ）フィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミド（ＰＩ）フィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム、炭素繊維強化樹脂シート等の高分子フィルム（プラスチックフィルム）を用いることができる。特に、ポリイミド又はポリエチレンナフタレートを含有する高分子フィルムが、ヨウ化セシウムを原材料として気相法にて蛍光体柱状結晶を形成する場合に、好適である。
【００６０】
なお、本発明に係る支持体（基板）としての高分子フィルムは、厚さ５０〜５００μｍであること、更に可とう性を有する高分子フィルムであることが好ましい。
【００６１】
ここで、「可とう性を有する支持体（基板）」とは、１２０℃での弾性率（Ｅ１２０）が１０００〜６０００Ｎ／ｍｍ２である支持体（基板）をいい、かかる支持体（基板）としてポリイミド又はポリエチレンナフタレートを含有する高分子フィルムが好ましい。
【００６２】
なお、「弾性率」とは、引張試験機を用い、ＪＩＳ  Ｃ  ２３１８に準拠したサンプルの標線が示すひずみと、それに対応する応力が直線的な関係を示す領域において、ひずみ量に対する応力の傾きを求めたものである。これがヤング率と呼ばれる値であり、本発明では、かかるヤング率を弾性率と定義する。
【００６３】
本発明に用いられる支持体（基板）は、上記のように１２０℃での弾性率（Ｅ１２０）が１０００〜６０００Ｎ／ｍｍ２であることが好ましい。より好ましくは１２００〜５０００Ｎ／ｍｍ２である。
【００６４】
具体的には、ポリエチレンナフタレート（Ｅ１２０＝４１００Ｎ／ｍｍ２）、ポリエチレンテレフタレート（Ｅ１２０＝１５００Ｎ／ｍｍ２）、ポリブチレンナフタレート（Ｅ１２０＝１６００Ｎ／ｍｍ２）、ポリカーボネート（Ｅ１２０＝１７００Ｎ／ｍｍ２）、シンジオタクチックポリスチレン（Ｅ１２０＝２２００Ｎ／ｍｍ２）、ポリエーテルイミド（Ｅ１２０＝１９００Ｎ／ｍｍ２）、ポリアリレート（Ｅ１２０＝１７００Ｎ／ｍｍ２）、ポリスルホン（Ｅ１２０＝１８００Ｎ／ｍｍ２）、ポリエーテルスルホン（Ｅ１２０＝１７００Ｎ／ｍｍ２）等からなる高分子フィルムが挙げられる。
【００６５】
これらは単独で用いてもよく積層あるいは混合して用いてもよい。中でも、特に好ましい高分子フィルムとしては、上述のように、ポリイミド又はポリエチレンナフタレートを含有する高分子フィルムが好ましい。
【００６６】
なお、シンチレータパネルと平面受光素子面を貼り合せる際に、支持体（基板）の変形や蒸着時の反りなどの影響を受け、フラットパネルディテクタの受光面内で均一な画質特性が得られないという点に関して、当該支持体（基板）を、厚さ５０〜５００μｍの高分子フィルムとすることでシンチレータパネルが平面受光素子面形状に合った形状に変形し、フラットパネルディテクタの受光面全体で均一な鮮鋭性が得られる。
【００６７】
また、支持体は、その表面を平滑な面とするために樹脂層を有していてもよい。樹脂層は、ポリイミド、ポリエチレンフタレート、パラフィン、グラファイトなどの化合物を含有することが好ましく、その膜厚は、約５μｍ〜５０μｍであることが好ましい。この樹脂層は、支持体の表面に設けてもよく、裏面に設けてもよい。
【００６８】
また、支持体の表面に接着層を設ける手段としては、貼合法、塗設法などの手段がある。このうち貼合法は加熱、加圧ローラを用いて行い、加熱条件は約８０〜１５０℃、加圧条件は４．９０×１０〜２．９４×１０２Ｎ／ｃｍ、搬送速度は０．１〜２．０ｍ／ｓが好ましい。
【００６９】
（シンチレータパネルの製造方法）
本発明のシンチレータパネルの製造方法は、真空容器内に蒸発源及び支持体回転機構を有する蒸着装置を用いて、支持体を前記支持体回転機構に設置して、当該支持体を回転しながら蛍光体材料を蒸着する工程を含む気相堆積法により、蛍光体層を形成する態様の製造方法であることが好ましい。
【００７０】
以下、本発明の実施形態について、図１を参照しながら説明する。
【００７１】
〈シンチレータパネルの製造装置〉
図１は、本発明のシンチレータパネルの製造装置１の概略構成図である。図１に示すように、シンチレータパネルの製造装置１は真空容器２を備えており、真空容器２には真空容器２の内部の排気及び大気の導入を行う真空ポンプ３が備えられている。
【００７２】
真空容器２の内部の上面付近には、支持体４を保持する支持体ホルダ５が設けられている。
【００７３】
支持体４の表面には、蛍光体層が気相堆積法によって形成される。気相堆積法としては、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法その他を用いることができるが、本発明では特に蒸着法が好ましい。
【００７４】
支持体ホルダ５は、支持体４のうち前記蛍光体層を形成する面が真空容器２の底面に対向し、かつ、真空容器２の底面と平行となるように支持体４を保持する構成となっている。
【００７５】
また、支持体ホルダ５には、支持体４を加熱する加熱ヒータ（図示せず）を備えることが好ましい。この加熱ヒータで支持体４を加熱することによって、支持体４の支持体ホルダ５に対する密着性の強化や、前記蛍光体層の膜質調整を行う。また、支持体４の表面の吸着物を離脱・除去し、支持体４の表面と前記蛍光体との間に不純物層が発生することを防止する。
【００７６】
また、加熱手段として温媒又は熱媒を循環させるための機構（図示せず）を有していてもよい。この手段は蛍光体の蒸着時における支持体４の温度を５０〜１５０℃といった比較的低温に保持して蒸着する場合に適している。
【００７７】
また、加熱手段としてハロゲンランプ（図示せず）を有していてもよい。この手段は蛍光体の蒸着時における支持体４の温度を１５０℃以上といった比較的高温に保持して蒸着する場合に適している。
【００７８】
さらに、支持体ホルダ５には、支持体４を水平方向に回転させる支持体回転機構６が設けられている。支持体回転機構６は、支持体ホルダ５を支持すると共に支持体４を回転させる支持体回転軸７及び真空容器２の外部に配置されて支持体回転軸７の駆動源となるモータ（図示せず）から構成されている。
【００７９】
また、真空容器２の内部の底面付近には、支持体４に垂直な中心線を中心とした円の円周上の互いに向かい合う位置に蒸発源８ａ，８ｂが配置されている。この場合において、支持体４と蒸発源８ａ，８ｂとの間隔は１００〜１５００ｍｍとされるのが好ましく、より好ましくは２００〜１０００ｍｍである。また、支持体４に垂直な中心線と蒸発源８ａ，８ｂとの間隔は１００〜１５００ｍｍとされるのが好ましく、より好ましくは２００〜１０００ｍｍである。
【００８０】
なお、シンチレータパネル製造装置においては三個以上の多数の蒸発源を設けることも可能であり、各々の蒸発源は等間隔に配置してもよく、間隔を変えて配置してもよい。また、支持体４に垂直な中心線を中心とした円の半径は任意に定めることができる。
【００８１】
蒸発源８ａ，８ｂは、前記蛍光体を収容して抵抗加熱法で加熱するため、ヒータを巻いたアルミナ製のるつぼから構成しても良いし、ボートや、高融点金属からなるヒータから構成しても良い。また、前記蛍光体を加熱する方法は、抵抗加熱法以外に電子ビームによる加熱や、高周波誘導による加熱等の方法でも良いが、本発明では比較的簡単な構成で取り扱いが容易、安価、かつ、非常に多くの物質に適用可能である点から直接電流を流し抵抗加熱する方法や、周りのヒーターでるつぼを間接的に抵抗加熱する方法が好ましい。また、蒸発源８ａ，８ｂは分子源エピタキシャル法による分子線源でも良い。
【００８２】
また、蒸発源８ａ，８ｂと支持体４との間には、蒸発源８ａ，８ｂから支持体４に至る空間を遮断するシャッタ９が水平方向に開閉自在に設けられており、このシャッタ９によって、蒸発源８ａ，８ｂにおいて前記蛍光体の表面に付着した目的物以外の物質が蒸着の初期段階で蒸発し、支持体４に付着するのを防ぐことができるようになっている。
【００８３】
〈シンチレータパネルの製造方法〉
次に、上述のシンチレータパネル製造装置１を用いた本発明のシンチレータパネルの製造方法について説明する。
【００８４】
まず、支持体ホルダ５に支持体４を取付ける。また、真空容器２の底面付近において、支持体４に垂直な中心線を中心とした円の円周上に蒸発源８ａ，８ｂを配置する。この場合において、支持体４と蒸発源８ａ，８ｂとの間隔は１００〜１５００ｍｍとされるのが好ましく、より好ましくは２００〜１０００ｍｍである。また、支持体４に垂直な中心線と蒸発源８ａ，８ｂとの間隔は１００〜１５００ｍｍとされるのが好ましく、より好ましくは２００〜１０００ｍｍである。
【００８５】
次いで、真空容器２の内部を真空排気し、１×１０−２〜１０Ｐａ程度の中真空度にする。好ましくは１×１０−２〜１Ｐａの真空度にする。更に好ましくは、装置内を排気して１×１０−５〜１×１０−２Ｐａ程度の高真空度とした後、Ａｒガス、Ｎｅガス、Ｎ２ガスなどの不活性ガスを導入して上記中真空度にする。
【００８６】
その後、支持体回転機構６により支持体ホルダ５を蒸発源８ａ，８ｂに対して回転させ、加熱した蒸発源８ａ，８ｂから前記蛍光体を蒸発させて、支持体４の表面に前記蛍光体を所望の厚さに成長させる。これにより、装置内の水分圧や酸素分圧等を下げることができる。排気装置としては、ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ、ディフュージョンポンプ、メカニカルブースタ等を適宜組み合わせて用いることができる。
【００８７】
なお、支持体４の表面に前記蛍光体を成長させる工程を複数回に分けて行って前記蛍光体層を形成することも可能である。
【００８８】
また、蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて、被蒸着体（支持体４、保護層又は中間層）を冷却あるいは加熱しても良い。
【００８９】
さらに、蒸着終了後、前記蛍光体層を加熱処理しても良い。また、蒸着法においては必要に応じてＯ２、Ｈ２などのガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行っても良い。
【００９０】
形成する前記蛍光体層の膜厚は、シンチレータパネルの使用目的により、また前記蛍光体の種類により異なるが、本発明の効果を得る観点から５０〜２０００μｍであり、好ましくは５０〜１０００μｍであり、さらに好ましくは１００〜８００μｍである。
【００９１】
また、前記蛍光体層が形成される支持体４の温度は、室温（ｒｔ）〜３００℃に設定することが好ましく、さらに好ましくは５０〜２５０℃である。
【００９２】
以上のようにして前記蛍光体層を形成した後、必要に応じて、前記蛍光体層の支持体４とは反対の側の面に、物理的にあるいは化学的に前記蛍光体層を保護するための保護層を設けてもよい。保護層は、保護層用の塗布液を前記蛍光体層の表面に直接塗布して形成してもよく、また、予め別途形成した保護層を前記蛍光体層に接着してもよい。これらの保護層の層厚は０．１μｍ〜２０００μｍが好ましい。
【００９３】
また、保護層は蒸着法、スパッタリング法などにより、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３などの無機物質を積層して形成してもよい。
【００９４】
本発明においては、保護層の外に、上記の各種機能層を設けることが好ましい。
【００９５】
以上のシンチレータパネルの製造装置１又は製造方法によれば、複数の蒸発源８ａ，８ｂを設けることによって蒸発源８ａ，８ｂの蒸気流が重なり合う部分が整流化され、支持体４の表面に蒸着する前記蛍光体の結晶性を均一にすることができる。このとき、多数の蒸発源を設けるほど多くの箇所で蒸気流が整流化されるため、より広範囲において前記蛍光体の結晶性を均一にすることができる。また、蒸発源８ａ，８ｂを支持体４に垂直な中心線を中心とした円の円周上に配置することによって、蒸気流の整流化によって結晶性が均一になるという作用を、支持体４の表面において等方的に得ることができる。
【００９６】
また、支持体回転機構６によって支持体４を回転しながら前記蛍光体の蒸着を行うことによって、支持体４の表面に均一に前記蛍光体を蒸着させることができる。
【００９７】
以上述べたように本発明に係るシンチレータパネル製造装置１又は製造方法によれば、支持体４の表面において、前記蛍光体の結晶性が均一となるように前記蛍光体層を成長させることによって、前記蛍光体層の感度ムラを低下させ、本発明のシンチレータパネルを用いた放射線画像変換パネルから得られる放射線画像の鮮鋭性を向上させることができる。
【００９８】
また、支持体４に蒸着する前記蛍光体の入射角を所定の範囲に制限して輝尽性蛍光体の入射角のばらつきを防ぐことによって、蛍光体の結晶性をより均一にして、放射線画像変換パネルから得られる放射線画像の鮮鋭性を向上させることができる。
【００９９】
なお、以上は支持体ホルダ５が支持体回転機構６を備える場合について説明したが、本発明は必ずしもこれに限らず、支持体ホルダ５が支持体４を保持して静止した状態で蒸着を行う場合や、支持体４を蒸発源８ａ，８ｂに対して水平方向に移動させることによって蒸発源８ａ，８ｂからの前記蛍光体を蒸着させる場合などにおいても適用可能である。
【０１００】
（放射線画像変換パネル）
本発明のシンチレータパネルを用いて放射線画像変換パネルとする場合は、本発明の放射線画像変換パネル（「放射線画像検出器」、「放射線フラットパネルディテクタ」ともいう。）は、第１の基板上に反射層等の機能層を介して気相堆積法により蛍光体層を設けてなるシンチレータパネルに、第２の基板上にフォトセンサとＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）又はＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅｓ）からなる画素を２次元状に配置した光電変換素子部（「平面受光素子」）を設けてなる光電変換パネルを接着あるいは密着させることで放射線画像変換パネルとしてもよいし、基板上にフォトセンサとＴＦＴ又はＣＣＤからなる画素を２次元状に配置した光電変換素子部を形成した後、直接あるいは反射層、保護層等の機能層を介して気相堆積法により蛍光体層を設けることで放射線画像変換パネルとしても良い。
【０１０１】
すなわち、本発明の放射線画像変換パネルは、基本的構成として、蛍光体層と２次元状に複数の受光画素が配置された受光素子（以下「平面受光素子」という。）を備えた態様の放射線画像変換パネルであることを要する。これにより、平面受光素子面が蛍光体層からの発光を電荷に変換することで画像をデジタルデータ化することが可能となる。
【０１０２】
なお、本発明に係る平面受光素子の蛍光体層に対向する最表面の表面平均粗さ（Ｒａ）は、０．００１〜０．５μｍであることが好ましい。このため、ガラス表面に受光素子を形成後、表面にポリエステルやアクリルと言った有機樹脂膜を形成し、フォトエッチング法により表面粗さを制御することにより当該要件を満たすように調整することが好ましい。平面受光素子の表面平均粗さ（Ｒａ）は０．００１〜０．１μｍであることが好ましく、０．００１〜０．０５μｍであることがより好ましい。
【０１０３】
放射線画像変換パネルは、シンチレータパネルが、平面受光素子に弾力部材（例えば、スポンジ、バネ等）により押しつけられ密着している態様であることが好ましい。また、シンチレータパネルが、当該シンチレータパネルと前記平面受光素子との間隙の気体の減圧により、当該平面受光素子に密着し、かつ周辺を密着シール部材でシールされている態様であることも好ましい。当該密着シール部材が、紫外線硬化型樹脂であることが好ましい。
【０１０４】
更に、当該シンチレータパネルがシンチレータ層を有し、かつ当該シンチレータ層が平面受光素子に直接的に密着している態様であることも好ましい。
【０１０５】
紫外線硬化型樹脂としては特に制限はなく、従来から使用されているものの中から、適宜選択して用いることができる。この紫外線硬化型樹脂は、光重合性プレポリマー、または光重合性モノマー、光重合開始剤や光増感剤を含有するものである。
【０１０６】
前記光重合性プレポリマーとしては、例えばポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系、ウレタンアクリレート系、ポリオールアクリレート系等が挙げられる。これらの光重合性プレポリマーは１種用いても良いし、２種以上を組み合わせて用いても良い。また，光重合性モノマーとしては、例えばポリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ヘキサンジオール（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【０１０７】
本発明においては、プレポリマーとしてウレタンアクリレート系、モノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等を用いることが好ましい。
【０１０８】
光重合開始剤としては、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、α−アミロキシムエステル、テトラメチルチュウラムモノサルファイド、チオキサントン類等が挙げられる。また、光増感剤としてｎ−ブチルアミン、トリエチルアミン、ポリ−ｎ−ブチルホスフィン等を混合して用いることができる。
【実施例】
【０１０９】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の実施態様はこれに限定されるものではない。【０１１０】
図１に示す製造装置を使用して以下の方法によりシンチレータパネルを得ると伴に、それを用いた放射線画像変換パネルを作製し、性能を評価した。【０１１１】
［比較例１］
（シンチレータパネルパネルの作製）
ポリイミド樹脂シートからなる支持体の片面に蛍光体原料１（ＣｓＩ：０．０１モルＴｌＩ）、及び蛍光体原料２（ＣｓＩ：０．０１モルＴｌＩ）を蒸着させて蛍光体層を形成した。すなわち、まず、支持体回転機構を備えた支持体ホルダに支持体を設置した。次に、上記蛍光体原料を蒸着材料として蒸発源るつぼに充填し、それぞれ１個（合計２個）の蒸発源るつぼを真空容器の内部の底面付近であって、支持体に垂直な中心線（回転軸）を中心とした円の円周上に配置した。このとき、支持体と蒸発源との間隔を４００ｍｍに調節すると共に、支持体に垂直な中心線（回転軸）と蒸発源との間隔を４００ｍｍに調節した。続いて真空容器の内部を一旦排気して１×１０−３Ｐａとした後、Ａｒガスを導入して１×１０−２Ｐａに真空度を調整した後、１０ｒｐｍの速度で支持体を回転させながら支持体の温度を３０℃に保持した。次いで、抵抗加熱によりるつぼ内を所定の温度に上昇させて支持体を回転させた状態で蛍光体原料１を蒸着開始し、蛍光体層の膜厚が１０μｍとなったところで蒸着を終了させた。次いで、真空度を０．１Ｐａに調整し、支持体（基板）温度を２００℃まで上昇させた後、次いで蛍光体原料２を蒸着し、蛍光体層の膜厚が４５０μｍとなったところで蒸着を終了させた。次いで、乾燥空気内で蛍光体層を保護層袋に入れ、蛍光体層が密封された構造のシンチレータパネルを得た。なお、蛍光体層、下地層における相対密度、賦活剤の相対含有量は表１に記載の値であった。【０１１２】
［比較例２］
比較例１のうち、Ａｒガスを導入して１×１０−２Ｐａに真空度を調整した際の真空度を０．１Ｐａに変更した以外は比較例１と同様にして、表１に記載のシンチレータパネルを得た。なお、蛍光体層、下地層における相対密度、賦活剤の相対含有量は表１に記載の値であった。【０１１３】
［比較例３］
比較例２のうち、蛍光体原料１をＣｓＩのみにして、シンチレータパネルを得た。なお、蛍光体層、下地層における相対密度、賦活剤の相対含有量は表１に記載の値であった。【０１１４】
［実施例１］
比較例２のうち、蛍光体原料１を（ＣｓＩ：０．００１モルＴｌＩ）にして、シンチレータパネルを得た。なお、蛍光体層、下地層における相対密度、賦活剤の相対含有量は表１に記載の値であった。【０１１５】
［実施例２］
実施例１のうち、蛍光体原料１を（ＣｓＩ：０．００５モルＴｌＩ）にして、シンチレータパネルを得た。なお、蛍光体層、下地層における相対密度、賦活剤の相対含有量は表１に記載の値であった。【０１１６】
［実施例３］
実施例１のうち、蛍光体原料１を（ＣｓＩ：０．００７モルＴｌＩ）にして、シンチレータパネルを得た。なお、蛍光体層、下地層における相対密度、賦活剤の相対含有量は表１に記載の値であった。【０１１７】
［実施例４］
実施例２のうち下地層厚を２０μにして、シンチレータパネルを得た。なお、蛍光体層、下地層における相対密度、賦活剤の相対含有量は表１に記載の値であった。【０１１８】
［実施例５］
実施例２のうち下地層厚を２０μｍにして、蛍光体層の膜厚を１８０μｍとなったところで蒸着を終了させたこと以外は実施例２と同様にしてシンチレータパネルを得た。なお、蛍光体層、下地層における相対密度、賦活剤の相対含有量は表１に記載の値であった。
［実施例６］
実施例２のうち蒸着時の真空度を０．１Ｐａから０．１５Ｐａに変更した以外は実施例２と同様にして、シンチレータパネルを得た。なお、蛍光体層、下地層における相対密度、賦活剤の相対含有量は表１に記載の値であった。【０１１９】
［評価］
以上のようにして得られたシンチレータパネルを放射線画像変換パネルＰａｘＳｃａｎ２５２０（Ｖａｒｉａｎ社製ＦＰＤ）にセットし下記のような評価を行った。【０１２０】
＜輝度＞
電圧８０ｋＶｐのＸ線を試料の裏面（シンチレータ層が形成されていない面）から照射し、画像データをシンチレータパネルを配置したＦＰＤで検出し、画像の平均シグナル値を発光輝度とした。そして、比較例１−１の放射線画像変換パネルの輝度を１００とした、相対値で表示した。この値が高いほど輝度が高く優れていることを示す。【０１２１】
＜鮮鋭性＞
（鮮鋭性の評価）
鉛製のＭＴＦチャートを通して管電圧８０ｋＶｐのＸ線をＦＰＤの放射線入射面側に照射し、画像データを検出しハードディスクに記録した。その後、ハードディスク上の記録をコンピュータで分析して、当該ハードディスクに記録されたＸ線像の変調伝達関数ＭＴＦ（空間周波数１サイクル／ｍｍにおけるＭＴＦ値）を鮮鋭性の指標とした。そして、比較例１−１の放射線変換パネルのＭＴＦを１００とした、相対値で表示した。この値が高いほど鮮鋭性に優れていることを示す。ＭＴＦはＭｏｄｕｌａｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｆｕｎｃｔｉｏｎの略号を示す。【０１２２】
（耐湿性の評価）
得られた蛍光体パネルを７０℃／９０％の環境に３日間放置し、放置後の劣化幅を放置前の値を１００とした相対値で表示した。【０１２３】
【表１】
2010061727.tif 000003
【０１２４】
表１に示した結果から明らかなように、本発明のシンチレータパネル（実施例１〜４）はいずれも、輝度およびＭＴＦ、保存後のＭＴＦ劣化が良化している。【０１２５】
一方、下地層の相対密度が蛍光体層より高かったり、下地層はＣｓＩのみであったり、蛍光体層と同じＴｌ濃度であった場合（比較例１〜３）は、輝度、ＭＴＦ、保存後ＭＴＦが悪かった。
【符号の説明】
【０１２６】
１  シンチレータパネルの製造装置
２  真空容器
３  真空ポンプ
４  支持体
５  支持体ホルダ
６  支持体回転機構
７  支持体回転軸
８  蒸発源
９  シャッタ
【図１】
2010061727.tif 000004
【国際調査報告】
2010061727.tif 000005
2010061727.tif 000006