(57)【要約】  フィルタモジュール（３）は、入出力端子（ｍ１）と入出力端子（ｍ２）とを結ぶ経路上に配置されたフィルタ（１１）と、入出力端子（ｍ３）と入出力端子（ｍ４）とを結ぶ経路上に配置されたフィルタ（１２）と、入出力端子（ｍ１）に接続された配線（Ｌ１）とグランドとの導通および非導通を切り替えるスイッチ（ＳＷ１）と、入出力端子（ｍ３）に接続された配線（Ｌ２）とグランドとの導通および非導通を切り替えるスイッチ（ＳＷ２）と、を備え、スイッチ（ＳＷ１）によって配線（Ｌ１）とグランドとが導通となっているときには、スイッチ（ＳＷ２）によって配線（Ｌ２）とグランドとは非導通となり、スイッチ（ＳＷ２）によって配線（Ｌ２）とグランドとが導通となっているときには、スイッチ（ＳＷ１）によって配線（Ｌ１）とグランドとは非導通となる。
2019131868.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１入出力端子と、
第２入出力端子と、
前記第１入出力端子と前記第２入出力端子とを結ぶ経路上に配置された第１フィルタと、
第３入出力端子と、
第４入出力端子と、
前記第３入出力端子と前記第４入出力端子とを結ぶ経路上に配置された第２フィルタと、
前記第１入出力端子、前記第２入出力端子、前記第１フィルタ、前記第３入出力端子、前記第４入出力端子および前記第２フィルタが設けられた第１基板と、
前記第１入出力端子に接続され、前記第１フィルタを通過する信号が伝搬される第１配線と、
前記第１配線とグランドとの導通および非導通を切り替える第１スイッチと、
前記第３入出力端子に接続され、前記第２フィルタを通過する信号が伝搬される第２配線と、
前記第２配線とグランドとの導通および非導通を切り替える第２スイッチと、を備え、
前記第１スイッチによって前記第１配線とグランドとが導通となっているときには、前記第２スイッチによって前記第２配線とグランドとは非導通となり、
前記第２スイッチによって前記第２配線とグランドとが導通となっているときには、前記第１スイッチによって前記第１配線とグランドとは非導通となる、
フィルタモジュール。
【請求項２】
前記第１スイッチは、ＳＰＳＴ（ｓｉｎｇｌｅ  ｐｏｌｅ  ｓｉｎｇｌｅ  ｔｈｒｏｗ）のスイッチであり、
さらに、前記第１配線と前記第１フィルタを通過する信号の入出力端子との導通および非導通を切り替えるＳＰＳＴのスイッチを備える、
請求項１に記載のフィルタモジュール。
【請求項３】
前記第１スイッチは、ＳＰＤＴ（ｓｉｎｇｌｅ  ｐｏｌｅ  ｄｏｕｂｌｅ  ｔｈｒｏｗ）のスイッチであり、
前記第１スイッチの共通端子に前記第１配線が接続され、
前記第１スイッチの２つの選択端子のうちの一の選択端子に、前記第１フィルタを通過する信号の入出力端子が接続され、他の選択端子にグランドが接続される、
請求項１に記載のフィルタモジュール。
【請求項４】
前記第２スイッチは、ＳＰＳＴのスイッチであり、
さらに、前記第２配線と前記第２フィルタを通過する信号の入出力端子との導通および非導通を切り替えるＳＰＳＴのスイッチを備える、
請求項１〜３のいずれか１項に記載のフィルタモジュール。
【請求項５】
前記第２スイッチは、ＳＰＤＴのスイッチであり、
前記第２スイッチの共通端子に前記第２配線が接続され、
前記第２スイッチの２つの選択端子のうちの一の選択端子に、前記第２フィルタを通過する信号の入出力端子が接続され、他の選択端子にグランドが接続される、
請求項１〜３のいずれか１項に記載のフィルタモジュール。
【請求項６】
前記フィルタモジュールは、さらに、第２基板を備え、
前記第１スイッチおよび前記第２スイッチは、前記第２基板に設けられる、
請求項１〜５のいずれか１項に記載のフィルタモジュール。
【請求項７】
前記第１スイッチおよび前記第２スイッチは、同一のチップに設けられる、
請求項１〜６のいずれか１項に記載のフィルタモジュール。
【請求項８】
前記フィルタモジュールは、さらに、
前記第２入出力端子に接続され、前記第１フィルタを通過する信号が伝搬される第３配線と、
前記第３配線とグランドとの導通および非導通を切り替える第３スイッチと、
前記第４入出力端子に接続され、前記第２フィルタを通過する信号が伝搬される第４配線と、
前記第４配線とグランドとの導通および非導通を切り替える第４スイッチと、を備え、
前記第１スイッチによって前記第１配線とグランドとが導通となっており、かつ、前記第３スイッチによって前記第３配線とグランドとが導通となっているときには、前記第２スイッチによって前記第２配線とグランドとは非導通となり、かつ、前記第４スイッチによって前記第４配線とグランドとは非導通となり、
前記第２スイッチによって前記第２配線とグランドとが導通となっており、かつ、前記第４スイッチによって前記第４配線とグランドとが導通となっているときには、前記第１スイッチによって前記第１配線とグランドとは非導通となり、かつ、前記第３スイッチによって前記第３配線とグランドとは非導通となる、
請求項１〜５のいずれか１項に記載のフィルタモジュール。
【請求項９】
前記第３スイッチは、ＳＰＳＴのスイッチであり、
さらに、前記第３配線と前記第１フィルタを通過する信号の入出力端子との導通および非導通を切り替えるＳＰＳＴのスイッチを備える、
請求項８に記載のフィルタモジュール。
【請求項１０】
前記第３スイッチは、ＳＰＤＴのスイッチであり、
前記第３スイッチの共通端子に前記第３配線が接続され、
前記第３スイッチの２つの選択端子のうちの一の選択端子に、前記第１フィルタを通過する信号の入出力端子が接続され、他の選択端子にグランドが接続される、
請求項８に記載のフィルタモジュール。
【請求項１１】
前記第４スイッチは、ＳＰＳＴのスイッチであり、
さらに、前記第４配線と前記第２フィルタを通過する信号の入出力端子との導通および非導通を切り替えるＳＰＳＴのスイッチを備える、
請求項８〜１０のいずれか１項に記載のフィルタモジュール。
【請求項１２】
前記第４スイッチは、ＳＰＤＴのスイッチであり、
前記第４スイッチの共通端子に前記第４配線が接続され、
前記第４スイッチの２つの選択端子のうちの一の選択端子に、前記第２フィルタを通過する信号の入出力端子が接続され、他の選択端子にグランドが接続される、
請求項８〜１０のいずれか１項に記載のフィルタモジュール。
【請求項１３】
前記フィルタモジュールは、さらに、第２基板を備え、
前記第１スイッチ乃至前記第４スイッチは、前記第２基板に設けられる、
請求項８〜１２のいずれか１項に記載のフィルタモジュール。
【請求項１４】
前記第１スイッチ乃至前記第４スイッチは、同一のチップに設けられる、
請求項８〜１３のいずれか１項に記載のフィルタモジュール。
【請求項１５】
前記フィルタモジュールは、さらに、
前記第１フィルタに接続される第１入力端子、前記第２フィルタに接続される第２入力端子および出力端子を有し、前記第１入力端子に入力される前記第１フィルタを通過する信号および前記第２入力端子に入力される前記第２フィルタを通過する信号の一方を増幅して前記出力端子から出力する増幅回路と、
前記第１入力端子とグランドとの導通および非導通を切り替える第５スイッチと、
前記第２入力端子とグランドとの導通および非導通を切り替える第６スイッチと、を備え、
前記第１スイッチによって前記第１配線とグランドとが導通となっているときには、前記第５スイッチによって前記第１入力端子とグランドとは導通となり、かつ、前記第６スイッチによって前記第２入力端子とグランドとは非導通となり、
前記第２スイッチによって前記第２配線とグランドとが導通となっているときには、前記第５スイッチによって前記第１入力端子とグランドとは非導通となり、かつ、前記第６スイッチによって前記第２入力端子とグランドとは導通となる、
請求項１〜５および８〜１２のいずれか１項に記載のフィルタモジュール。
【請求項１６】
前記フィルタモジュールは、さらに、第２基板を備え、
前記第１スイッチ乃至前記第６スイッチは、前記第２基板に設けられる、
請求項１５に記載のフィルタモジュール。
【請求項１７】
前記増幅回路は、前記第２基板に設けられる、
請求項１６に記載のフィルタモジュール。
【請求項１８】
前記第１スイッチ乃至前記第６スイッチ、および、前記増幅回路は、同一のチップに設けられる、
請求項１５〜１７のいずれか１項に記載のフィルタモジュール。
【請求項１９】
前記第１基板には、さらに、前記第１フィルタおよび前記第２フィルタに接続される少なくとも１つのグランド端子が設けられ、
前記第１入出力端子と前記第３入出力端子とは、前記少なくとも１つのグランド端子のいずれも間に挟まずに隣接しており、
前記第２入出力端子と前記第４入出力端子とは、前記少なくとも１つのグランド端子のいずれも間に挟まずに隣接している、
請求項１〜１８のいずれか１項に記載のフィルタモジュール。
【請求項２０】
前記第１フィルタの通過帯域と、前記第２フィルタの通過帯域とは、互いに異なる帯域である、
請求項１〜１９のいずれか１項に記載のフィルタモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルタモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、マルチバンドに対応した無線端末の開発が進んでおり、複数の周波数帯域に対応するために、設けられるフィルタの数が増加している一方で、無線端末の小型化が求められている。【０００３】
これに対して、例えば、複数のフィルタが１つの基板にまとめて設けられたフィルタモジュールが開示されている（例えば、特許文献１）。これにより、フィルタモジュールが小型化され、ひいては、無線端末の小型化が図られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−０５７３４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来のフィルタモジュールでは、例えば、互いに異なる周波数帯域を通過帯域とする複数のフィルタが同一の基板に配置され、周波数帯域が近いフィルタ同士が隣接して配置される場合がある。この場合、フィルタを通過する信号が互いに干渉し、それぞれのフィルタに接続された配線間のアイソレーションを十分に確保できないおそれがある。その結果、フィルタの減衰特性が劣化し、所望の機能を発揮できなくなってしまうことがある。【０００６】
これに対して、上記同一の基板上にグランド端子を増やすことで減衰特性の劣化を抑制することが考えられるが、その場合、グランド端子を増やす分大型化してしまい、小型化を図ることが難しくなる。【０００７】
そこで、本発明は、小型化を図りつつ、減衰特性の劣化を抑制できるフィルタモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様に係るフィルタモジュールは、第１入出力端子と、第２入出力端子と、前記第１入出力端子と前記第２入出力端子とを結ぶ経路上に配置された第１フィルタと、第３入出力端子と、第４入出力端子と、前記第３入出力端子と前記第４入出力端子とを結ぶ経路上に配置された第２フィルタと、前記第１入出力端子、前記第２入出力端子、前記第１フィルタ、前記第３入出力端子、前記第４入出力端子および前記第２フィルタが設けられた第１基板と、前記第１入出力端子に接続され、前記第１フィルタを通過する信号が伝搬される第１配線と、前記第１配線とグランドとの導通および非導通を切り替える第１スイッチと、前記第３入出力端子に接続され、前記第２フィルタを通過する信号が伝搬される第２配線と、前記第２配線とグランドとの導通および非導通を切り替える第２スイッチと、を備え、前記第１スイッチによって前記第１配線とグランドとが導通となっているときには、前記第２スイッチによって前記第２配線とグランドとは非導通となり、前記第２スイッチによって前記第２配線とグランドとが導通となっているときには、前記第１スイッチによって前記第１配線とグランドとは非導通となる。【０００９】
第１基板に、第１フィルタおよび第２フィルタがまとめて設けられるため、第１フィルタの第１入出力端子と第２フィルタの第３入出力端子とが近接して配置され得る。それに伴い、第１入出力端子に接続される第１配線と第３入出力端子に接続される第２配線とが近接して、配線間のアイソレーションを十分に確保できないおそれがある。【００１０】
これに対して、例えば、第１フィルタの通過帯域と第２フィルタの通過帯域とが異なる場合に、第１フィルタの通過帯域での通信を行い、かつ、第２フィルタの通過帯域での通信を行わない場合には、第２スイッチによって第２配線とグランドとが導通とされる。つまり、第２配線および第２配線に接続された第３入出力端子がグランド電位となる。このため、第１入出力端子および第１配線の近傍にグランド（第３入出力端子および第２配線）が配置されることになり、第１フィルタの減衰特性の劣化を抑制できる。同じように、例えば、第２フィルタの通過帯域での通信を行い、かつ、第１フィルタの通過帯域での通信を行わない場合には、第１スイッチによって第１配線とグランドとが導通とされる。つまり、第１配線および第１配線に接続された第１入出力端子がグランド電位となる。このため、第３入出力端子および第２配線の近傍にグランド（第１入出力端子および第１配線）が配置されることになり、第２フィルタの減衰特性の劣化を抑制できる。また、グランド端子を増やすことなく、各フィルタに接続された高周波信号の入出力端子をグランド端子としても用いることができるため、小型化が可能となる。このように、小型化を図りつつ、減衰特性の劣化を抑制できる。【００１１】
例えば、前記第１スイッチは、ＳＰＳＴ（ｓｉｎｇｌｅ  ｐｏｌｅ  ｓｉｎｇｌｅ  ｔｈｒｏｗ）のスイッチであり、さらに、前記第１配線と前記第１フィルタを通過する信号の入出力端子との導通および非導通を切り替えるＳＰＳＴのスイッチを備えていてもよい。【００１２】
例えば、前記第１スイッチは、ＳＰＤＴ（ｓｉｎｇｌｅ  ｐｏｌｅ  ｄｏｕｂｌｅ  ｔｈｒｏｗ）のスイッチであり、前記第１スイッチの共通端子に前記第１配線が接続され、前記第１スイッチの２つの選択端子のうちの一の選択端子に、前記第１フィルタを通過する信号の入出力端子が接続され、他の選択端子にグランドが接続されていてもよい。【００１３】
例えば、前記第２スイッチは、ＳＰＳＴのスイッチであり、さらに、前記第２配線と前記第２フィルタを通過する信号の入出力端子との導通および非導通を切り替えるＳＰＳＴのスイッチを備えていてもよい。【００１４】
例えば、前記第２スイッチは、ＳＰＤＴのスイッチであり、前記第２スイッチの共通端子に前記第２配線が接続され、前記第２スイッチの２つの選択端子のうちの一の選択端子に、前記第２フィルタを通過する信号の入出力端子が接続され、他の選択端子にグランドが接続されていてもよい。【００１５】
例えば、前記フィルタモジュールは、さらに、第２基板を備え、前記第１スイッチおよび前記第２スイッチは、前記第２基板に設けられていてもよい。また、例えば、前記第１スイッチおよび前記第２スイッチは、同一のチップに設けられていてもよい。【００１６】
また、前記フィルタモジュールは、さらに、前記第２入出力端子に接続され、前記第１フィルタを通過する信号が伝搬される第３配線と、前記第３配線とグランドとの導通および非導通を切り替える第３スイッチと、前記第４入出力端子に接続され、前記第２フィルタを通過する信号が伝搬される第４配線と、前記第４配線とグランドとの導通および非導通を切り替える第４スイッチと、を備え、前記第１スイッチによって前記第１配線とグランドとが導通となっており、かつ、前記第３スイッチによって前記第３配線とグランドとが導通となっているときには、前記第２スイッチによって前記第２配線とグランドとは非導通となり、かつ、前記第４スイッチによって前記第４配線とグランドとは非導通となり、前記第２スイッチによって前記第２配線とグランドとが導通となっており、かつ、前記第４スイッチによって前記第４配線とグランドとが導通となっているときには、前記第１スイッチによって前記第１配線とグランドとは非導通となり、かつ、前記第３スイッチによって前記第３配線とグランドとは非導通となってもよい。【００１７】
第１基板に、第１フィルタおよび第２フィルタがまとめて設けられるため、第１フィルタの第２入出力端子と第２フィルタの第４入出力端子とについても近接して配置され得る。それに伴い、第２入出力端子に接続された第３配線と第４入出力端子に接続された第４配線とが近接して配線間のアイソレーションを十分に確保できないおそれがある。【００１８】
例えば、第１フィルタの通過帯域での通信を行い、かつ、第２フィルタの通過帯域での通信を行わない場合には、第２スイッチによって第２配線とグランドとが導通とされ、かつ、第４スイッチによって第４配線とグランドとが導通とされる。つまり、第２フィルタの入力端子に接続された配線および出力端子に接続された配線の一方のみではなく、両方がグランドと導通とされる。このため、第１入出力端子、第２入出力端子、第１配線および第３配線の近傍にグランド（第３入出力端子、第４入出力端子、第２配線および第４配線）が配置されることになり、第１フィルタの減衰特性の劣化をより効果的に抑制できる。同じように、例えば、第２フィルタの通過帯域での通信を行い、かつ、第１フィルタの通過帯域での通信を行わない場合には、第１スイッチによって第１配線とグランドとが導通とされ、かつ、第３スイッチによって第３配線とグランドとが導通とされる。つまり、第１フィルタの入力端子に接続された配線および出力端子に接続された配線の一方のみではなく、両方がグランドと導通とされる。このため、第３入出力端子、第４入出力端子、第２配線および第４配線の近傍にグランド（第１入出力端子、第２入出力端子、第１配線および第３配線）が配置されることになり、第２フィルタの減衰特性の劣化をより効果的に抑制できる。【００１９】
例えば、前記第３スイッチは、ＳＰＳＴのスイッチであり、さらに、前記第３配線と前記第１フィルタを通過する信号の入出力端子との導通および非導通を切り替えるＳＰＳＴのスイッチを備えていてもよい。【００２０】
例えば、前記第３スイッチは、ＳＰＤＴのスイッチであり、前記第３スイッチの共通端子に前記第３配線が接続され、前記第３スイッチの２つの選択端子のうちの一の選択端子に、前記第１フィルタを通過する信号の入出力端子が接続され、他の選択端子にグランドが接続されていてもよい。【００２１】
例えば、前記第４スイッチは、ＳＰＳＴのスイッチであり、さらに、前記第４配線と前記第２フィルタを通過する信号の入出力端子との導通および非導通を切り替えるＳＰＳＴのスイッチを備えていてもよい。【００２２】
例えば、前記第４スイッチは、ＳＰＤＴのスイッチであり、前記第４スイッチの共通端子に前記第４配線が接続され、前記第４スイッチの２つの選択端子のうちの一の選択端子に、前記第２フィルタを通過する信号の入出力端子が接続され、他の選択端子にグランドが接続されていてもよい。【００２３】
例えば、前記フィルタモジュールは、さらに、第２基板を備え、前記第１スイッチ乃至前記第４スイッチは、前記第２基板に設けられていてもよい。また、例えば、前記第１スイッチ乃至前記第４スイッチは、同一のチップに設けられていてもよい。【００２４】
また、前記フィルタモジュールは、さらに、前記第１フィルタに接続される第１入力端子、前記第２フィルタに接続される第２入力端子および出力端子を有し、前記第１入力端子に入力される前記第１フィルタを通過する信号および前記第２入力端子に入力される前記第２フィルタを通過する信号の一方を増幅して前記出力端子から出力する増幅回路と、前記第１入力端子とグランドとの導通および非導通を切り替える第５スイッチと、前記第２入力端子とグランドとの導通および非導通を切り替える第６スイッチと、を備え、前記第１スイッチによって前記第１配線とグランドとが導通となっているときには、前記第５スイッチによって前記第１入力端子とグランドとは導通となり、かつ、前記第６スイッチによって前記第２入力端子とグランドとは非導通となり、前記第２スイッチによって前記第２配線とグランドとが導通となっているときには、前記第５スイッチによって前記第１入力端子とグランドとは非導通となり、かつ、前記第６スイッチによって前記第２入力端子とグランドとは導通となってもよい。【００２５】
例えば、第１フィルタの通過帯域での通信を行い、かつ、第２フィルタの通過帯域での通信を行わない場合には、第６スイッチによって増幅回路の第２入力端子とグランドとが導通にされる。また、例えば、第２フィルタの通過帯域での通信を行い、かつ、第１フィルタの通過帯域での通信を行わない場合には、第５スイッチによって増幅回路の第１入力端子とグランドとが導通にされる。つまり、通信に用いられない側の入力端子がグランドと導通にされるため、増幅回路の誤動作を防止できる。【００２６】
例えば、前記フィルタモジュールは、さらに、第２基板を備え、前記第１スイッチ乃至前記第６スイッチは、前記第２基板に設けられていてもよい。また、例えば、前記第１スイッチ乃至前記第６スイッチ、および、前記増幅回路は、同一のチップに設けられていてもよい。【００２７】
また、前記第１基板には、さらに、前記第１フィルタおよび前記第２フィルタに接続される少なくとも１つのグランド端子が設けられ、前記第１入出力端子と前記第３入出力端子とは、前記少なくとも１つのグランド端子のいずれも間に挟まずに隣接しており、前記第２入出力端子と前記第４入出力端子とは、前記少なくとも１つのグランド端子のいずれも間に挟まずに隣接していてもよい。【００２８】
これによれば、それぞれのフィルタに接続された配線間のアイソレーションを確保するために、グランド端子を第１入出力端子と第３入出力端子との間、および、第２入出力端子と第４入出力端子との間に設ける必要がないため、設計の自由度を高めることができる。【００２９】
また、前記第１フィルタの通過帯域と、前記第２フィルタの通過帯域とは、互いに異なる帯域であってもよい。【００３０】
これによれば、互いに異なる周波数帯域でのマルチバンド化が可能となる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明に係るフィルタモジュールによれば、小型化を図りつつ、減衰特性の劣化を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１は、実施の形態１に係るフィルタモジュールの一例を示す構成図である。
【図２】図２は、実施の形態１に係る第１フィルタの一例を示す構成図である。
【図３】図３は、実施の形態１に係る第２フィルタの一例を示す構成図である。
【図４】図４は、実施の形態１に係る第１基板のレイアウトの一例を示す平面図である。
【図５】図５は、実施の形態１に係る第１基板に接続される配線の一例を示す平面図である。
【図６Ａ】図６Ａは、実施の形態１に係る第１フィルタの、各スイッチが第１状態のときと第２状態のときの通過特性を示す図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、図６Ａの丸で囲った部分周辺の拡大図である。
【図７】図７は、実施の形態１に係るフィルタモジュールの他の一例を示す構成図である。
【図８】図８は、実施の形態２に係るフィルタモジュールの一例を示す構成図である。
【図９】図９は、実施の形態２に係るフィルタモジュールの他の一例を示す構成図である。
【図１０】図１０は、実施の形態３に係るフィルタモジュールの一例を示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する場合がある。また、以下の実施の形態において、「接続される」とは、直接接続される場合だけでなく、他の素子等を介して電気的に接続される場合も含まれる。
【００３４】
（実施の形態１）
［１．フィルタモジュールの構成］
まず、実施の形態１に係るフィルタモジュールの構成について図１を用いて説明する。
【００３５】
図１は、実施の形態１に係るフィルタモジュール１の一例を示す構成図である。
【００３６】
フィルタモジュール１は、マルチバンドに対応したモジュールであり、例えば、２つの周波数帯域に対応している。フィルタモジュール１を用いて、例えば、２つの周波数帯域の信号の時分割通信が行われる。フィルタモジュール１は、入出力端子ｎ１〜ｎ４を備える。例えば、入出力端子ｎ１およびｎ３にはアンテナ素子が接続され、入出力端子ｎ２およびｎ４にはローノイズアンプ等の増幅回路の入力端子が接続される。
【００３７】
フィルタモジュール１は、第２基板１００と、第２基板１００に設けられた第１基板１０、スイッチＳＷ１、ＳＷ１ａ、ＳＷ２、ＳＷ２ａ、ＳＷ３、ＳＷ３ａ、ＳＷ４およびＳＷ４ａ、ならびに、配線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３およびＬ４を備える。
【００３８】
第２基板１００は、上述した部品や第１基板１０等の他の基板が実装される実装基板であり、例えば、プリント基板等である。入出力端子ｎ１〜ｎ４は、例えば、第２基板１００に設けられている。第１基板１０と上記各スイッチとは、第２基板１００に設けられた配線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３およびＬ４によって接続されている。
【００３９】
第１基板１０には、入出力端子ｍ１（第１入出力端子）と、入出力端子ｍ２（第２入出力端子）と、フィルタ１１と、入出力端子ｍ３（第３入出力端子）と、入出力端子ｍ４（第４入出力端子）と、フィルタ１２と、が設けられている。つまり、これらの構成は、第１基板１０にまとめて設けられている。第１基板１０は、例えばプリント基板またはＬＴＣＣ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃｓ）基板等である。なお、図１には図示していないが、第１基板１０には、フィルタ１１および１２に接続される少なくとも１つのグランド端子が設けられる（後述する図４参照）。入出力端子ｍ１〜ｍ４およびグランド端子は、例えば、第１基板１０に設けられたバンプ又は表面電極（パッド）等である。
【００４０】
フィルタ１１は、入出力端子ｍ１と入出力端子ｍ２とを結ぶ経路上に配置された第１フィルタである。例えば、フィルタ１１は、受信フィルタであり、その通過帯域は、ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ  Ｔｅｒｍ  Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）のＢａｎｄ２５Ｒｘ（１９３０−１９９５ＭＨｚ）である。
【００４１】
フィルタ１２は、入出力端子ｍ３と入出力端子ｍ４とを結ぶ経路上に配置された第２フィルタである。例えば、フィルタ１２は、受信フィルタであり、その通過帯域は、ＬＴＥのＢａｎｄ３Ｒｘ（１８０５−１８８０ＭＨｚ）である。
【００４２】
フィルタ１１および１２は、例えば、弾性波フィルタであり、弾性波フィルタを構成する共振子は、例えば、表面波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）を利用した共振子である。なお、境界波を利用した共振子、もしくは、ＦＢＡＲ（Ｆｉｌｍ  Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）等のバルク波（ＢＡＷ：Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）を利用した共振子等であってもよい。ＳＡＷ共振子は、圧電性を有する基板上に形成されたＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極を有しており、急峻度の高い通過特性を有する小型かつ低背のフィルタ回路を実現できる。なお、圧電性を有する基板は、少なくとも表面に圧電性を有する基板である。当該基板は、例えば、表面に圧電薄膜を備え、当該圧電薄膜と音速の異なる膜、および、支持基板などの積層体で構成されていてもよい。また、当該基板は、例えば、高音速支持基板と、高音速支持基板上に形成された圧電薄膜とを含む積層体であってもよいし、高音速支持基板と、高音速支持基板上に形成された低音速膜と、低音速膜上に形成された圧電薄膜とを含む積層体であってもよい。または、支持基板と、支持基板上に形成された高音速膜と、高音速膜上に形成された低音速膜と、低音速膜上に形成された圧電薄膜とを含む積層体であってもよい。なお、当該基板は、基板全体に圧電性を有していてもよい。
【００４３】
配線Ｌ１は、入出力端子ｍ１に接続され、フィルタ１１を通過する信号が伝搬される第１配線である。配線Ｌ１は、入出力端子ｍ１とスイッチＳＷ１とを接続する。また、配線Ｌ１は、入出力端子ｍ１とスイッチＳＷ１ａとを接続する配線でもある。配線Ｌ２は、入出力端子ｍ３に接続され、フィルタ１２を通過する信号が伝搬される第２配線である。配線Ｌ２は、入出力端子ｍ３とスイッチＳＷ２とを接続する。また、配線Ｌ２は、入出力端子ｍ３とスイッチＳＷ２ａとを接続する配線でもある。配線Ｌ３は、入出力端子ｍ２に接続され、フィルタ１１を通過する信号が伝搬される第３配線である。配線Ｌ３は、入出力端子ｍ２とスイッチＳＷ３とを接続する。また、配線Ｌ３は、入出力端子ｍ２とスイッチＳＷ３ａとを接続する配線でもある。配線Ｌ４は、入出力端子ｍ４に接続され、フィルタ１２を通過する信号が伝搬される第４配線である。配線Ｌ４は、入出力端子ｍ４とスイッチＳＷ４とを接続する。また、配線Ｌ４は、入出力端子ｍ４とスイッチＳＷ４ａとを接続する配線でもある。
【００４４】
スイッチＳＷ１は、配線Ｌ１（入出力端子ｍ１）とグランドとの導通および非導通を切り替える第１スイッチである。例えば、スイッチＳＷ１は、ＳＰＳＴのスイッチであり、この場合、フィルタモジュール１は、さらに、配線Ｌ１（入出力端子ｍ１）とフィルタ１１を通過する信号の入出力端子ｎ１との導通および非導通を切り替えるＳＰＳＴのスイッチＳＷ１ａを備える。なお、ＳＰＳＴのスイッチであるスイッチＳＷ１およびＳＷ１ａの代わりにＳＰＤＴのスイッチが設けられてもよい。この場合、第１スイッチは、ＳＰＤＴのスイッチであり、第１スイッチの共通端子に配線Ｌ１（入出力端子ｍ１）が接続され、第１スイッチの２つの選択端子のうちの一の選択端子に入出力端子ｎ１が接続され、他の選択端子にグランドが接続される。また、この場合、当該スイッチの共通端子と入出力端子ｍ１とを接続する配線が第１配線となる。
【００４５】
スイッチＳＷ２は、配線Ｌ２（入出力端子ｍ３）とグランドとの導通および非導通を切り替える第２スイッチである。例えば、スイッチＳＷ２は、ＳＰＳＴのスイッチであり、この場合、フィルタモジュール１は、さらに、配線Ｌ２（入出力端子ｍ３）とフィルタ１２を通過する信号の入出力端子ｎ３との導通および非導通を切り替えるＳＰＳＴのスイッチＳＷ２ａを備える。なお、ＳＰＳＴのスイッチであるスイッチＳＷ２およびＳＷ２ａの代わりにＳＰＤＴのスイッチが設けられてもよい。この場合、第２スイッチは、ＳＰＤＴのスイッチであり、第２スイッチの共通端子に配線Ｌ２（入出力端子ｍ３）が接続され、第２スイッチの２つの選択端子のうちの一の選択端子に入出力端子ｎ３が接続され、他の選択端子にグランドが接続される。また、この場合、当該スイッチの共通端子と入出力端子ｍ３とを接続する配線が第２配線となる。
【００４６】
スイッチＳＷ３は、配線Ｌ３（入出力端子ｍ２）とグランドとの導通および非導通を切り替える第３スイッチである。例えば、スイッチＳＷ３は、ＳＰＳＴのスイッチであり、この場合、フィルタモジュール１は、さらに、配線Ｌ３（入出力端子ｍ２）とフィルタ１１を通過する信号の入出力端子ｎ２との導通および非導通を切り替えるＳＰＳＴのスイッチＳＷ３ａを備える。なお、ＳＰＳＴのスイッチであるスイッチＳＷ３およびＳＷ３ａの代わりにＳＰＤＴのスイッチが設けられてもよい。この場合、第３スイッチは、ＳＰＤＴのスイッチであり、第３スイッチの共通端子に配線Ｌ３（入出力端子ｍ２）が接続され、第３スイッチの２つの選択端子のうちの一の選択端子に入出力端子ｎ２が接続され、他の選択端子にグランドが接続される。また、この場合、当該スイッチの共通端子と入出力端子ｍ２とを接続する配線が第３配線となる。
【００４７】
スイッチＳＷ４は、配線Ｌ４（入出力端子ｍ４）とグランドとの導通および非導通を切り替える第４スイッチである。例えば、スイッチＳＷ４は、ＳＰＳＴのスイッチであり、この場合、フィルタモジュール１は、さらに、配線Ｌ４（入出力端子ｍ４）とフィルタ１２を通過する信号の入出力端子ｎ４との導通および非導通を切り替えるＳＰＳＴのスイッチＳＷ４ａを備える。なお、ＳＰＳＴのスイッチであるスイッチＳＷ４およびＳＷ４ａの代わりにＳＰＤＴのスイッチが設けられてもよい。この場合、第４スイッチは、ＳＰＤＴのスイッチであり、第４スイッチの共通端子に配線Ｌ４（入出力端子ｍ４）が接続され、第４スイッチの２つの選択端子のうちの一の選択端子に入出力端子ｎ４が接続され、他の選択端子にグランドが接続される。また、この場合、当該スイッチの共通端子と入出力端子ｍ４とを接続する配線が第４配線となる。
【００４８】
これらのスイッチは、例えば、ＧａＡｓ若しくはＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）からなるＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）スイッチ、又は、ダイオードスイッチ等である。
【００４９】
また、これらのスイッチは、例えば、外部（例えばＲＦ信号処理回路）からの制御信号に基づいて、ＳＰＳＴのスイッチの場合には、導通状態および非導通状態が切り替えられ、ＳＰＤＴのスイッチの場合には、共通端子と複数の選択端子のいずれかとの接続が切り替えられる。また、これらのスイッチは、例えば、１つのＲＦ信号処理回路からの制御信号に基づいて、同期して制御される。
【００５０】
具体的には、スイッチＳＷ１によって配線Ｌ１（入出力端子ｍ１）とグランドとが導通となっており、かつ、スイッチＳＷ３によって配線Ｌ３（入出力端子ｍ２）とグランドとが導通となっているときには、スイッチＳＷ２によって配線Ｌ２（入出力端子ｍ３）とグランドとは非導通となり、かつ、スイッチＳＷ４によって配線Ｌ４（入出力端子ｍ４）とグランドとは非導通となる。このとき、スイッチＳＷ１ａによって配線Ｌ１（入出力端子ｍ１）と入出力端子ｎ１とが非導通となり、スイッチＳＷ３ａによって配線Ｌ３（入出力端子ｍ２）と入出力端子ｎ２とが非導通となり、スイッチＳＷ２ａによって配線Ｌ２（入出力端子ｍ３）と入出力端子ｎ３とが導通となり、スイッチＳＷ４ａによって配線Ｌ４（入出力端子ｍ４）と入出力端子ｎ４とが導通となる。
【００５１】
また、スイッチＳＷ２によって配線Ｌ２（入出力端子ｍ３）とグランドとが導通となっており、かつ、スイッチＳＷ４によって配線Ｌ４（入出力端子ｍ４）とグランドとが導通となっているときには、スイッチＳＷ１によって配線Ｌ１（入出力端子ｍ１）とグランドとは非導通となり、かつ、スイッチＳＷ３によって配線Ｌ３（入出力端子ｍ２）とグランドとは非導通となる。このとき、スイッチＳＷ２ａによって配線Ｌ２（入出力端子ｍ３）と入出力端子ｎ３とが非導通となり、スイッチＳＷ４ａによって配線Ｌ４（入出力端子ｍ４）と入出力端子ｎ４とが非導通となり、スイッチＳＷ１ａによって配線Ｌ１（入出力端子ｍ１）と入出力端子ｎ１とが導通となり、スイッチＳＷ３ａによって配線Ｌ３（入出力端子ｍ２）と入出力端子ｎ２とが導通となる。
【００５２】
つまり、フィルタ１１の通過帯域に対応する周波数帯域（例えばＢａｎｄ２５Ｒｘ）での通信が行われる際には、配線Ｌ１およびＬ３、ならびに、配線Ｌ１およびＬ３に接続された入出力端子ｍ１およびｍ２はグランドと非導通とされ、配線Ｌ２およびＬ４、ならびに、配線Ｌ２およびＬ４に接続された入出力端子ｍ３およびｍ４はグランドと導通とされる。また、フィルタ１２の通過帯域に対応する周波数帯域（例えばＢａｎｄ３Ｒｘ）での通信が行われる際には、配線Ｌ２およびＬ４、ならびに、配線Ｌ２およびＬ４に接続された入出力端子ｍ３およびｍ４はグランドと非導通とされ、配線Ｌ１およびＬ３、ならびに、配線Ｌ１およびＬ３に接続された入出力端子ｍ１およびｍ２はグランドと導通とされる。
【００５３】
なお、これらのスイッチは、第２基板１００の内部に設けられていてもよいし、第２基板１００上に設けられていてもよい。また、フィルタモジュール１は、第２基板１００を備えていなくてもよく、スイッチＳＷ１、ＳＷ１ａ、ＳＷ２、ＳＷ２ａ、ＳＷ３、ＳＷ３ａ、ＳＷ４およびＳＷ４ａ、ならびに、配線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３およびＬ４がそれぞれ別体に設けられていてもよい。
【００５４】
［２．第１フィルタおよび第２フィルタの構成］
次に、フィルタ１１および１２の具体的な構成について、図２および図３を用いて説明する。
【００５５】
図２は、実施の形態１に係るフィルタ１１（第１フィルタ）の一例を示す構成図である。図２には、フィルタ１１の他に入出力端子ｍ１およびｍ２も示している。
【００５６】
フィルタ１１は、入出力端子ｍ１と入出力端子ｍ２とを結ぶ経路上に配置された直列腕共振子Ｓ１１〜Ｓ１３およびダブルモード型ＳＡＷフィルタＤＭＳ１、ならびに、各々が、当該経路上に設けられた互いに異なる接続ノードとグランドとの間に配置された並列腕共振子Ｐ１１およびＰ１２を有する。接続ノードとは、素子と素子、または、素子と端子の間の接続点である。並列腕共振子Ｐ１１は、直列腕共振子Ｓ１１およびダブルモード型ＳＡＷフィルタＤＭＳ１の間の接続ノードとグランドとの間に接続され、並列腕共振子Ｐ１２は、直列腕共振子Ｓ１２および直列腕共振子Ｓ１３の間の接続ノードとグランドとの間に接続される。当該構成により、フィルタ１１の通過帯域（例えばＢａｎｄ２５Ｒｘ）は形成される。
【００５７】
図３は、実施の形態１に係るフィルタ１２（第２フィルタ）の一例を示す構成図である。図３には、フィルタ１２の他に入出力端子ｍ３およびｍ４も示している。
【００５８】
フィルタ１２は、入出力端子ｍ３と入出力端子ｍ４とを結ぶ経路上に配置された直列腕共振子Ｓ２１〜Ｓ２３およびダブルモード型ＳＡＷフィルタＤＭＳ２、ならびに、各々が、当該経路上に設けられた互いに異なる接続ノードとグランドとの間に配置された並列腕共振子Ｐ２１およびＰ２２を有する。並列腕共振子Ｐ２１は、直列腕共振子Ｓ２１および直列腕共振子Ｓ２２の間の接続ノードとグランドとの間に接続され、並列腕共振子Ｐ２２は、ダブルモード型ＳＡＷフィルタＤＭＳ２および直列腕共振子Ｓ２３の間の接続ノードとグランドとの間に接続される。当該構成により、フィルタ１２の通過帯域（例えばＢａｎｄ３Ｒｘ）は形成される。
【００５９】
なお、フィルタ１１および１２を構成する共振子の数やダブルモード型ＳＡＷフィルタの有無等は一例であり、ここで説明したものに限らない。
【００６０】
［３．第１基板のレイアウトおよび第１基板に接続される配線の配線例］
次に、第１基板１０のレイアウトおよび第１基板１０に接続される配線の配線例について、図４および図５を用いて説明する。
【００６１】
まず、第１基板１０のレイアウトについて、図４を用いて説明する。
【００６２】
図４は、実施の形態１に係る第１基板１０のレイアウトの一例を示す平面図である。なお、図４において、端子と部品とを接続する配線および部品と部品とを接続する配線にハッチングを付している。具体的には、グランドに接続されるグランドラインには左上から右下へ延びる平行線によるハッチングを付し、高周波信号が通過する信号ラインには右上から左下へ延びる平行線によるハッチングを付している。また、図４上では、ダブルモード型ＳＡＷフィルタＤＭＳ１およびＤＭＳ２の周辺において上記信号ラインと上記グランドラインとが接触して導通しているように見えるが、例えば、互いに導通しないように、一方の配線（ここでは信号ライン）の下に他方の配線（ここではグランドライン）が設けられている。
【００６３】
図４に示されるように、第１基板１０には、フィルタ１１および１２、ならびに、入出力端子ｍ１〜ｍ４がまとめて設けられている。また、第１基板１０には、フィルタ１１およびフィルタ１２に接続される少なくとも１つのグランド端子が設けられる。例えば、第１基板１０には、フィルタ１１（具体的には、並列腕共振子Ｐ１１およびＰ１２ならびにダブルモード型ＳＡＷフィルタＤＭＳ１）に接続されるグランド端子ｇ１と、フィルタ１２（具体的には、並列腕共振子Ｐ２１およびＰ２２ならびにダブルモード型ＳＡＷフィルタＤＭＳ２）に接続されるグランド端子ｇ２とが設けられる。
【００６４】
第１基板１０のサイズをなるべく小型化するために、フィルタ１１および１２の構成部品や、これらに接続される入出力端子ｍ１〜ｍ４、ならびに、グランド端子ｇ１およびｇ２は密集して配置される。したがって、フィルタ１１に接続される入出力端子ｍ１（ここでは例えば入力端子）と、フィルタ１２に接続される入出力端子ｍ３（ここでは例えば入力端子）とが近接して配置される。また、フィルタ１１に接続される入出力端子ｍ２（ここでは例えば出力端子）と、フィルタ１２に接続される入出力端子ｍ４（ここでは例えば出力端子）とが近接して配置される。例えば、入出力端子ｍ１と入出力端子ｍ３とは、少なくとも１つのグランド端子のいずれも間に挟まずに隣接しており、入出力端子ｍ２と入出力端子ｍ４とは、少なくとも１つのグランド端子のいずれも間に挟まずに隣接している。
【００６５】
次に、第１基板１０に接続される配線の配線例について、図５を用いて説明する。
【００６６】
図５は、実施の形態１に係る第１基板１０に接続される配線の一例を示す平面図である。なお、図５では、第１基板１０に設けられた部品および配線の図示を省略し、第１基板１０については端子のみを図示している。
【００６７】
図５に示されるように、第１基板１０において入出力端子ｍ１と入出力端子ｍ３とが近接して配置されているため、これらに接続される配線Ｌ１およびＬ２も、近接して配置される。同じように、第１基板１０において入出力端子ｍ２と入出力端子ｍ４とが近接して配置されているため、これらに接続される配線Ｌ３およびＬ４も、近接して配置される。これにより、配線Ｌ１およびＬ２間、ならびに、配線Ｌ３およびＬ４間のアイソレーションを十分に確保できないおそれがある。
【００６８】
［４．フィルタ特性］
次に、フィルタ１１の通過帯域に対応する周波数帯域（例えばＢａｎｄ２５Ｒｘ）での通信が行われ、フィルタ１２の通過帯域に対応する周波数帯域（例えばＢａｎｄ３Ｒｘ）での通信が行われないときのフィルタ１１の通過特性について、図６Ａおよび図６Ｂを用いて説明する。
【００６９】
図６Ａは、実施の形態１に係るフィルタ１１（第１フィルタ）の、各スイッチが第１状態のときと第２状態のときの通過特性を示す図である。図６Ｂは、図６Ａの丸で囲った部分周辺の拡大図である。
【００７０】
なお、第１状態とは、スイッチＳＷ１ａおよびＳＷ３ａが導通状態となり、かつ、スイッチＳＷ１およびＳＷ３が非導通状態となり、かつ、スイッチＳＷ２ａおよびＳＷ４ａが非導通状態となり、かつ、スイッチＳＷ２およびＳＷ４が導通状態となっている状態であり、第２状態とは、第１状態に対してスイッチＳＷ２およびＳＷ４が非導通状態となっている状態である。
【００７１】
フィルタ１１の通過帯域での通信が行われ、フィルタ１２の通過帯域での通信が行われない場合には、第１状態および第２状態では、ともに、スイッチＳＷ１ａおよびＳＷ３ａは導通状態、スイッチＳＷ１およびＳＷ３は非導通状態、スイッチＳＷ２ａおよびＳＷ４ａは非導通状態となっている。第１状態では、さらに、スイッチＳＷ２およびＳＷ４が導通状態となり、配線Ｌ２およびＬ４（入出力端子ｍ３およびｍ４）がグランドと導通となっている。第２状態では、さらに、スイッチＳＷ２およびＳＷ４が非導通状態となり、配線Ｌ２およびＬ４（入出力端子ｍ３およびｍ４）がグランドと非導通となっている。本発明では、各スイッチを第１状態としているが、まず第２状態となっているときに発生する問題について説明する。
【００７２】
第２状態では、フィルタ１２に関する端子および配線は、グランドから浮いた状態となる。このとき、配線Ｌ１およびＬ２は近接して配置されているため、配線Ｌ１を通過して入出力端子ｍ１に入力される高周波信号の一部が配線Ｌ２に漏れてしまうことがある。また、配線Ｌ３およびＬ４は近接して配置されているため、フィルタ１２を通過した当該漏れ信号の一部が配線Ｌ３へ戻ってしまうことがある。
【００７３】
上述したように、フィルタ１２は、Ｂａｎｄ３Ｒｘ（１８０５−１８８０ＭＨｚ）を通過帯域とし、Ｂａｎｄ３Ｒｘは、フィルタ１１の通過帯域であるＢａｎｄ２５Ｒｘ（１９３０−１９９５ＭＨｚ）の低域側の減衰帯域に位置する。つまり、配線Ｌ１を通過して入出力端子ｍ１に入力される高周波信号は、フィルタ１１によってＢａｎｄ３Ｒｘの成分を減衰させることはできる。しかし、当該高周波信号の一部が配線Ｌ２に漏れると、当該漏れ信号に含まれるＢａｎｄ３Ｒｘの成分は、Ｂａｎｄ３Ｒｘを通過帯域とするフィルタ１２を通過してしまう。そして、フィルタ１２を通過したＢａｎｄ３Ｒｘの成分を含む漏れ信号が配線Ｌ４から配線Ｌ３へ戻ってしまうと、結果的に、フィルタ１１は、Ｂａｎｄ３Ｒｘの成分を一部減衰できなかったことになり、減衰特性が劣化してしまう。よって、図６Ａおよび図６Ｂに示されるように、Ｂａｎｄ３Ｒｘ（１８０５−１８８０ＭＨｚ）周辺において、第２状態では、後述する第１状態よりも減衰特性が劣化している。
【００７４】
そこで、本発明では、各スイッチを第１状態とし、フィルタ１２に関する端子および配線をグランドと接続する。
【００７５】
第１状態では、入出力端子ｍ３およびｍ４、ならびに、配線Ｌ２およびＬ４は、グランドと接続された状態となる。このため、配線Ｌ１を通過して入出力端子ｍ１に入力される高周波信号の一部が配線Ｌ２に漏れたとしても、配線Ｌ２および入出力端子ｍ３はグランドに接続されているため、当該漏れ信号はグランドへと流れる。また、配線Ｌ４および入出力端子ｍ４はグランドに接続されているため、当該漏れ信号が配線Ｌ４から配線Ｌ３へ戻りにくくなっている。よって、図６Ａおよび図６Ｂに示されるように、Ｂａｎｄ３Ｒｘ（１８０５−１８８０ＭＨｚ）周辺において、第１状態では、第２状態よりも減衰特性の劣化が抑制されている。
【００７６】
なお、フィルタ１２の通過帯域に対応する周波数帯域（例えばＢａｎｄ３Ｒｘ）での通信が行われ、フィルタ１１の通過帯域に対応する周波数帯域（例えばＢａｎｄ２５Ｒｘ）での通信が行われないときのフィルタ１２の通過特性については、上記説明と同様の傾向となる。詳細な説明は省略するが、フィルタ１２の通過帯域であるＢａｎｄ３Ｒｘ（１８０５−１８８０ＭＨｚ）の高域側に位置するＢａｎｄ２５Ｒｘ（１９３０−１９９５ＭＨｚ）周辺において、フィルタ１２の減衰特性の劣化を抑制できる。
【００７７】
また、図４に示されるように、第１基板１０には、最低限必要なグランド端子ｇ１およびｇ２以外にグランド端子が設けられてはいないが、減衰特性の劣化の抑制が可能となっている。これは、入出力端子ｍ１〜ｍ４をグランド端子としても用いることができ、実質的にグランド端子が増えることになるためである。つまり、グランド端子を増やす必要がないため、大型化することなく減衰特性の劣化の抑制が可能となっている。
【００７８】
また、グランド端子を入出力端子ｍ１およびｍ３間、ならびに、入出力端子ｍ２およびｍ４間に配置することで、アイソレーションを高めること（つまり減衰特性の劣化の抑制）が可能だが、本発明では、図４に示されるように、このような配置にすることなく減衰特性の劣化の抑制が可能となっている。同じように、配線Ｌ１およびＬ２間、ならびに、配線Ｌ３およびＬ４間のアイソレーションが悪くなるような状態（例えば、配線間にグランドを挟まずに、配線同士が並行したり、クロスしたりする状態）であっても、減衰特性の劣化の抑制が可能となっている。これは、上述したように、通信に用いられない側のフィルタに関する端子および配線をグランドとして用いることでアイソレーションを高めることができるためである。したがって、これとは別に、アイソレーションを高めるための設計をする必要がなく、設計の自由度を高めることができる。
【００７９】
［５．変形例］
なお、スイッチＳＷ１乃至スイッチＳＷ４は、同一のチップに設けられていてもよい。
【００８０】
図７は、実施の形態１に係るフィルタモジュール１の他の一例を示す構成図である。図７に示されるように、スイッチＳＷ１、ＳＷ１ａ、ＳＷ２、ＳＷ２ａ、ＳＷ３、ＳＷ３ａ、ＳＷ４およびＳＷ４ａは、同一のチップ２０に設けられていてもよい。そして、チップ２０が第２基板１００に実装されていてもよい。
【００８１】
［６．まとめ］
以上説明したように、例えば、フィルタ１１の通過帯域とフィルタ１２の通過帯域とが異なる場合に、フィルタ１１の通過帯域での通信を行い、かつ、フィルタ１２の通過帯域での通信を行わない場合には、スイッチＳＷ２によって配線Ｌ２とグランドとが導通とされ、かつ、スイッチＳＷ４によって配線Ｌ４とグランドとが導通とされる。つまり、フィルタ１２の入力端子に接続された配線および出力端子に接続された配線の一方のみではなく、両方がグランドと導通とされる。このため、入出力端子ｍ１、入出力端子ｍ２、配線Ｌ１および配線Ｌ３の近傍にグランド（入出力端子ｍ３、入出力端子ｍ４、配線Ｌ２および配線Ｌ４）が配置されることになり、フィルタ１１の減衰特性の劣化を抑制できる。同じように、例えば、フィルタ１２の通過帯域での通信を行い、かつ、フィルタ１１の通過帯域での通信を行わない場合には、スイッチＳＷ１によって配線Ｌ１とグランドとが導通とされ、かつ、スイッチＳＷ３によって配線Ｌ３とグランドとが導通とされる。つまり、フィルタ１１の入力端子に接続された配線および出力端子に接続された配線の一方のみではなく、両方がグランドと導通とされる。このため、入出力端子ｍ３、入出力端子ｍ４、配線Ｌ２および配線Ｌ４の近傍にグランド（入出力端子ｍ１、入出力端子ｍ２、配線Ｌ１および配線Ｌ３）が配置されることになり、フィルタ１２の減衰特性の劣化を抑制できる。また、グランド端子を増やすことなく、各フィルタに接続された高周波信号の入出力端子をグランド端子としても用いることができるため、小型化が可能となる。このように、小型化を図りつつ、減衰特性の劣化を抑制できる。
【００８２】
（実施の形態２）
次に、実施の形態２に係るフィルタモジュールについて図８を用いて説明する。
【００８３】
図８は、実施の形態２に係るフィルタモジュール２の一例を示す構成図である。
【００８４】
実施の形態２に係るフィルタモジュール２では、入出力端子ｎ２およびｎ４にスイッチＳＷ５およびＳＷ６、ならびに、増幅回路３０が接続されている点が、実施の形態１におけるフィルタモジュール１と異なる。その他の点は、実施の形態１におけるフィルタモジュール１と同じであるため説明を省略する。
【００８５】
増幅回路３０は、フィルタ１１に接続される入力端子ｉ１（第１入力端子）、フィルタ１２に接続される入力端子ｉ２（第２入力端子）、および出力端子ｏ１を有する。具体的には、入力端子ｉ１は、入出力端子ｍ２と入力端子ｉ１とを結ぶ経路上の接続ノードとグランドとの間に設けられたスイッチＳＷ５、および当該経路上に設けられたスイッチＳＷ３ａを介してフィルタ１１に接続される。また、入力端子ｉ２は、入出力端子ｍ４と入力端子ｉ２とを結ぶ経路上の接続ノードとグランドとの間に設けられたスイッチＳＷ６、および、当該経路上に設けられたスイッチＳＷ４ａを介してフィルタ１２に接続される。増幅回路３０は、入力端子ｉ１に入力されるフィルタ１１を通過する信号および入力端子ｉ２に入力されるフィルタ１２を通過する信号の一方を増幅して出力端子ｏ１から出力する、例えばローノイズアンプである。出力端子ｏ１には、例えば、ＲＦ信号処理回路等が接続される。
【００８６】
スイッチＳＷ５は、入力端子ｉ１とグランドとの導通および非導通を切り替える第５スイッチである。なお、スイッチＳＷ５は、入力端子ｉ１に直接接続されていてもよいし、配線を介して接続されていてもよい。スイッチＳＷ５が配線を介して入力端子ｉ１に接続されている場合には、スイッチＳＷ５は、当該配線とグランドとの導通および非導通を切り替えることで、入力端子ｉ１とグランドとの導通および非導通を切り替える。スイッチＳＷ６は、入力端子ｉ２とグランドとの導通および非導通を切り替える第６スイッチである。なお、スイッチＳＷ６は、入力端子ｉ２に直接接続されていてもよいし、配線を介して接続されていてもよい。スイッチＳＷ６が配線を介して入力端子ｉ２に接続されている場合には、スイッチＳＷ６は、当該配線とグランドとの導通および非導通を切り替えることで、入力端子ｉ２とグランドとの導通および非導通を切り替える。スイッチＳＷ５およびＳＷ６は、例えば、ＧａＡｓ若しくはＣＭＯＳからなるＦＥＴスイッチ、又は、ダイオードスイッチ等である。また、スイッチＳＷ５およびＳＷ６は、例えば、外部（例えばＲＦ信号処理回路）からの制御信号に基づいて導通状態および非導通状態が切り替えられる。また、スイッチＳＷ５およびＳＷ６は、上述したスイッチＳＷ１、ＳＷ１ａ、ＳＷ２、ＳＷ２ａ、ＳＷ３、ＳＷ３ａ、ＳＷ４およびＳＷ４ａとともに、例えば、１つのＲＦ信号処理回路からの制御信号に基づいて、同期して制御される。
【００８７】
具体的には、スイッチＳＷ１によって配線Ｌ１（入出力端子ｍ１）とグランドとが導通となっているときには、スイッチＳＷ５によって入力端子ｉ１とグランドとは導通となり、かつ、スイッチＳＷ６によって入力端子ｉ２とグランドとは非導通となる。なお、スイッチＳＷ１によって配線Ｌ１（入出力端子ｍ１）とグランドとが導通となっているときには、スイッチＳＷ３、ＳＷ２ａおよびＳＷ４ａも導通となり、スイッチＳＷ１ａ、ＳＷ３ａ、ＳＷ２およびＳＷ４は非導通となる。
【００８８】
また、スイッチＳＷ２によって配線Ｌ２（入出力端子ｍ３）とグランドとが導通となっているときには、スイッチＳＷ５によって入力端子ｉ１とグランドとは非導通となり、スイッチＳＷ６によって入力端子ｉ２とグランドとは導通となる。なお、スイッチＳＷ２によって配線Ｌ２（入出力端子ｍ３）とグランドとが導通となっているときには、スイッチＳＷ４、ＳＷ１ａおよびＳＷ３ａも導通となり、スイッチＳＷ２ａ、ＳＷ４ａ、ＳＷ１およびＳＷ３は非導通となる。
【００８９】
つまり、フィルタ１１の通過帯域に対応する周波数帯域での通信が行われる際には、フィルタ１１を通過する高周波信号が入力される入力端子ｉ１はグランドと非導通とされ、通信が行われず高周波信号が入力されない入力端子ｉ２はグランドと導通とされる。また、フィルタ１２の通過帯域に対応する周波数帯域での通信が行われる際には、フィルタ１２を通過する高周波信号が入力される入力端子ｉ２はグランドと非導通とされ、通信が行われず高周波信号が入力されない入力端子ｉ１はグランドと導通とされる。
【００９０】
なお、フィルタモジュール２は、第２基板１００を備えていなくてもよく、スイッチＳＷ１、ＳＷ１ａ、ＳＷ２、ＳＷ２ａ、ＳＷ３、ＳＷ３ａ、ＳＷ４、ＳＷ４ａ、ＳＷ５およびＳＷ６、増幅回路３０、ならびに、配線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３およびＬ４がそれぞれ別体に設けられていてもよい。
【００９１】
また、スイッチＳＷ１乃至スイッチＳＷ６、および、増幅回路３０は、同一のチップに設けられていてもよい。
【００９２】
図９は、実施の形態２に係るフィルタモジュール２の他の一例を示す構成図である。図９に示されるように、スイッチＳＷ１、ＳＷ１ａ、ＳＷ２、ＳＷ２ａ、ＳＷ３、ＳＷ３ａ、ＳＷ４、ＳＷ４ａ、ＳＷ５、ＳＷ６および増幅回路３０は、同一のチップ２０ａに設けられていてもよい。そして、チップ２０ａが第２基板１００に実装されていてもよい。
【００９３】
以上説明したように、例えば、フィルタ１１の通過帯域に対応する周波数帯域での通信が行われる際に、スイッチＳＷ６が非導通状態となっている場合において、非導通状態となっているスイッチＳＷ４ａから信号が漏れて入力端子ｉ２に入力されると、増幅回路３０は、入力端子ｉ１に入力された信号のみを増幅すべきところを、入力端子ｉ２に入力された信号によって誤動作をしてしまうおそれがある。そこで、スイッチＳＷ６が導通状態とされて、入力端子ｉ２がグランドに接続されることで、入力端子ｉ２に信号が入力されなくなり、増幅回路３０の誤動作を防止できる。このように、増幅回路３０の通信に用いられない側の入力端子がグランドと導通にされるため、増幅回路３０の誤動作を防止できる。
【００９４】
（実施の形態３）
次に、実施の形態３に係るフィルタモジュールについて図１０を用いて説明する。
【００９５】
図１０は、実施の形態３に係るフィルタモジュール３の一例を示す構成図である。
【００９６】
実施の形態３に係るフィルタモジュール３では、入出力端子ｍ２およびｍ４にスイッチＳＷ３およびＳＷ４等が接続されていない点が、実施の形態１におけるフィルタモジュール１と異なる。その他の点は、実施の形態１におけるフィルタモジュール１と同じであるため説明を省略する。
【００９７】
実施の形態１では、フィルタ１１および１２のうちの、通信に用いられないフィルタの入力端子および出力端子の両方がグランドと導通とされたが、一方のみがグランドと導通とされてもよい。したがって、図１０に示されるフィルタモジュール３のように、入出力端子ｍ２にスイッチＳＷ３およびＳＷ３ａが接続されていなくてもよく、また、入出力端子ｍ４にスイッチＳＷ４およびＳＷ４ａが接続されていなくてもよい。
【００９８】
なお、フィルタモジュール３は、第２基板１００を備えていなくてもよく、スイッチＳＷ１、ＳＷ１ａ、ＳＷ２およびＳＷ２ａ、ならびに、配線Ｌ１およびＬ２がそれぞれ別体に設けられていてもよい。
【００９９】
また、図示は省略するが、スイッチＳＷ１およびＳＷ２は、同一のチップに設けられていてもよい。
【０１００】
以上説明したように、フィルタ１１の通過帯域での通信を行い、かつ、フィルタ１２の通過帯域での通信を行わない場合には、スイッチＳＷ２によって配線Ｌ２（入出力端子ｍ３）とグランドとが導通とされる。つまり、配線Ｌ２および配線Ｌ２に接続された入出力端子ｍ３がグランド電位となる。このため、入出力端子ｍ１および配線Ｌ１の近傍にグランド（入出力端子ｍ３および配線Ｌ２）が配置されることになり、フィルタ１１の減衰特性の劣化を抑制できる。同じように、例えば、フィルタ１２の通過帯域での通信を行い、かつ、フィルタ１１の通過帯域での通信を行わない場合には、スイッチＳＷ１によって配線Ｌ１（入出力端子ｍ１）とグランドとが導通とされる。つまり、配線Ｌ１および配線Ｌ１に接続された入出力端子ｍ１がグランド電位となる。このため、入出力端子ｍ３および配線Ｌ２の近傍にグランド（入出力端子ｍ１および配線Ｌ１）が配置されることになり、フィルタ１２の減衰特性の劣化を抑制できる。また、グランド端子を増やすことなく、各フィルタに接続された高周波信号の入出力端子をグランド端子としても用いることができるため、小型化が可能となる。このように、小型化を図りつつ、減衰特性の劣化を抑制できる。
【０１０１】
（その他の実施の形態）
以上、本発明に係るフィルタモジュールについて、実施の形態を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係るフィルタモジュールを内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
【０１０２】
例えば、上記実施の形態では、フィルタモジュールは、２つのフィルタ１１および１２を備えていたが、３つ以上備えていてもよい。
【０１０３】
また、例えば、上記実施の形態では、入出力端子ｍ１と入出力端子ｍ３とは、少なくとも１つのグランド端子のいずれも間に挟まずに隣接しており、入出力端子ｍ２と入出力端子ｍ４とは、少なくとも１つのグランド端子のいずれも間に挟まずに隣接していたが、これに限らない。例えば、入出力端子ｍ１と入出力端子ｍ３とは、少なくとも１つのグランド端子のいずれかを間に挟んで隣接していてもよく、入出力端子ｍ２と入出力端子ｍ４とは、少なくとも１つのグランド端子のいずれかを間に挟んで隣接していてもよい。
【０１０４】
また、例えば、上記実施の形態では、フィルタ１１の通過帯域は、Ｂａｎｄ２５Ｒｘ（１９３０−１９９５ＭＨｚ）であり、フィルタ１２の通過帯域は、Ｂａｎｄ３Ｒｘ（１８０５−１８８０ＭＨｚ）であったが、これに限らず、その他の周波数帯域であってもよい。また、これらの通過帯域は同じであってもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１０５】
本発明は、マルチバンドシステムに適用できるフィルタモジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
【符号の説明】
【０１０６】
１、２、３    フィルタモジュール
１０    第１基板
１１    フィルタ（第１フィルタ）
１２    フィルタ（第２フィルタ）
２０、２０ａ    チップ
３０    増幅回路
１００    第２基板
ＤＭＳ１、ＤＭＳ２    ダブルモード型ＳＡＷフィルタ
Ｌ１    配線（第１配線）
Ｌ２    配線（第２配線）
Ｌ３    配線（第３配線）
Ｌ４    配線（第４配線）
Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１３、Ｓ２１、Ｓ２２、Ｓ２３    直列腕共振子
ＳＷ１    スイッチ（第１スイッチ）
ＳＷ２    スイッチ（第２スイッチ）
ＳＷ３    スイッチ（第３スイッチ）
ＳＷ４    スイッチ（第４スイッチ）
ＳＷ５    スイッチ（第５スイッチ）
ＳＷ６    スイッチ（第６スイッチ）
ＳＷ１ａ、ＳＷ２ａ、ＳＷ３ａ、ＳＷ４ａ    スイッチ
Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ２１、Ｐ２２    並列腕共振子
ｇ１、ｇ２    グランド端子
ｉ１    入力端子（第１入力端子）
ｉ２    入力端子（第２入力端子）
ｍ１    入出力端子（第１入出力端子）
ｍ２    入出力端子（第２入出力端子）
ｍ３    入出力端子（第３入出力端子）
ｍ４    入出力端子（第４入出力端子）
ｎ１〜ｎ４    入出力端子
ｏ１    出力端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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