(57)【要約】  この圧電振動子の製造方法は、第１の基板と第２の基板とが、間にキャビティを形成するように重ね合わせられて構成されたパッケージと；第１の基板に、キャビティ内から第１の基板の外縁に引き出されるように形成された引き出し電極と；キャビティ内に封止されると共に、キャビティ内で引き出し電極に電気的に接続された圧電振動片と；パッケージの外表面に形成され、キャビティの外部で引き出し電極に電気的に接続された外部電極と；を備える圧電振動子を製造する方法であって、第１の基板と第２の基板との少なくとも一方に、両基板を接合する接合膜を低融点ガラスで形成する接合膜形成工程と；第１の基板に形成された引き出し電極に圧電振動片を電気的に接続するマウント工程と；接合膜を所定の接合温度に加熱しながら、接合膜を挟み込むように第１の基板と第２の基板とを重ね合わせ、接合膜を介して両基板を接合する接合工程と；を備える。
2010061468.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板とが、間にキャビティを形成するように重ね合わせられて構成されたパッケージと；
前記第１の基板に、前記キャビティ内から前記第１の基板の外縁に引き出されるように形成された引き出し電極と；
前記キャビティ内に封止されると共に、前記キャビティ内で前記引き出し電極に電気的に接続された圧電振動片と；
前記パッケージの外表面に形成され、前記キャビティの外部で前記引き出し電極に電気的に接続された外部電極と；を備える圧電振動子を製造する方法であって、
前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方に、両基板を接合する接合膜を低融点ガラスで形成する接合膜形成工程と；
前記第１の基板に形成された前記引き出し電極に前記圧電振動片を電気的に接続するマウント工程と；
前記接合膜を所定の接合温度に加熱しながら、前記接合膜を挟み込むように前記第１の基板と前記第２の基板とを重ね合わせ、前記接合膜を介して両基板を接合する接合工程と；
を備える圧電振動子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の圧電振動子の製造方法であって、
前記マウント工程の際、前記圧電振動片を前記引き出し電極に金バンプによりバンプ接合する圧電振動子の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の圧電振動子の製造方法であって、
前記接合膜形成工程及び前記マウント工程後に、前記第１の基板及び前記第２の基板を、内部の圧力が制御可能な真空室に投入する投入工程と；
前記接合膜形成工程及び前記マウント工程後に、前記接合膜を加熱する加熱工程と；
前記投入工程後に、前記真空室の内部を減圧する減圧工程と；を更に備え、
前記接合工程を、前記加熱工程及び前記減圧工程後に前記真空室の内部で実施する圧電振動子の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の圧電振動子の製造方法であって、
前記接合温度は、３００℃以上である圧電振動子の製造方法。
【請求項５】
第１の基板と第２の基板とが、間にキャビティを形成するように重ね合わせられて構成されたパッケージと；
前記第１の基板に、前記キャビティ内から前記第１の基板の外縁に引き出されるように形成された引き出し電極と；
前記キャビティ内に封止されると共に、前記キャビティ内で前記引き出し電極に電気的に接続された圧電振動片と；
前記パッケージの外表面に形成され、前記キャビティの外部で前記引き出し電極に電気的に接続された外部電極と；を備える圧電振動子であって、
前記第１の基板と前記第２の基板とが、低融点ガラスからなる接合膜を介して接合されている圧電振動子。
【請求項６】
請求項５に記載の圧電振動子であって、
前記圧電振動片が、前記引き出し電極に金バンプによりバンプ接合されている圧電振動子。
【請求項７】
請求項５に記載の圧電振動子であって、
前記接合膜が、前記第１の基板と前記第２の基板とを接合する際に所定の接合温度に加熱されると共に、前記接合の前に前記接合温度より高温に加熱されて形成されている圧電振動子。
【請求項８】
請求項５から７のいずれか１項に記載の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されている発振器。
【請求項９】
請求項５から７のいずれか１項に記載の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されている電子機器。
【請求項１０】
請求項５から７のいずれか１項に記載の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されている電波時計。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接合された２枚の基板の間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が封止された表面実装型（ＳＭＤ）の圧電振動子の製造方法、並びにこの製造方法によって製造される圧電振動子、この圧電振動子を有する発振器、電子機器及び電波時計に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯情報端末機器には、時刻源や制御信号等のタイミング源、リファレンス信号源等として水晶等を利用した圧電振動子が用いられている。この種の圧電振動子は、様々なものが知られているが、その１つとして、表面実装型の圧電振動子が知られている。この主の圧電振動子として、一般的に圧電振動片が形成された圧電基板を、ベース基板とリッド基板とで上下から挟み込むように接合した３層構造タイプのものが知られている。この場合、圧電振動片は、ベース基板とリッド基板との間に形成されたキャビティ（密閉室）内に収容されている。【０００３】
また、近年では、上述した３層構造タイプのものではなく、２層構造タイプのものも開発されている。このタイプの圧電振動子は、ベース基板とリッド基板とが直接接合されることで２層構造になっており、両基板の間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が収容されている。この２層構造タイプの圧電振動子は、３層構造のものに比べて薄型化を図ることができる等の点において優れており、好適に使用されている。【０００４】
ところで、この２層構造タイプの圧電振動子を製造する際、リッド基板の下面（接合面）に形成された接合膜を利用して、ベース基板とリッド基板とを陽極接合する方法が知られている。具体的には、例えば接合膜を挟み込むように重ね合わせた両基板を陽極接合装置の電極板上にセットし、接合膜と電極板との間に所定の接合電圧を印加する。これにより、接合膜とベース基板との界面に電気化学的な反応を生じさせることが可能となり、その結果、接合膜とベース基板とが互いに強固に密着してベース基板とリッド基板とが陽極接合される。【０００５】
この種の圧電振動子として、下記特許文献１に示す構成が知られている。この圧電振動子は、板状の蓋部材（リッド基板）とベース部材（ベース基板）とが厚さ方向に重ね合わされて構成された密閉容器と、この密閉容器の中に設けられた圧電振動片と、蓋部材の重ね合わせ面（接合面）に設けられるとともに、圧電振動片に接続部を介して電気的に接続され、接続部を蓋部材の重ね合わせ面の縁部へと延在させる引き出し電極と、密閉容器の側面から引き出し電極に電気的に接続された外部電極と、蓋部材の重ね合わせ面とベース部材の重ね合わせ面との間に設けられた金属またはシリコンからなる接合膜と、を備えるものである。そして、この圧電振動子には、蓋部材の重ね合わせ面とベース部材の重ね合わせ面との間のうち、少なくとも引き出し電極と接合膜との間に、絶縁膜が設けられている。
このように構成された圧電振動子によれば、引き出し電極と接合膜とが絶縁膜により電気的に切り離されているため、引き出し電極同士が導通することを防止し、外部電極を介して圧電振動片に印加可能であるとされている。
【特許文献１】特開２００７−８９１１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前記従来の圧電振動子及びその製造方法では、まだ以下の課題が残されている。
始めに、陽極接合に用いる接合膜をフォトリソグラフィにより形成しているが、このフォトリソグラフィの実施に要する装置は高価であるため、陽極接合によって蓋部材とベース部材とを接合するためには費用が掛かるという問題がある。
次いで、引き出し電極と接合膜との間に絶縁膜を設ける必要があり、手間が掛かるという問題がある。その上、確実な陽極接合を行うためには前記絶縁膜の表面が平坦であること好ましいため、絶縁膜を平坦化するためにより一層の手間が掛かるという問題がある。【０００７】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、低コストで且つ容易に製造することができる２層構造タイプの表面実装型の圧電振動子、並びにこの圧電振動子の製造方法を提供することである。また、この圧電振動子を有する発振器、電子機器、電波時計を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、前記課題を解決して係る目的を達成するために以下の手段を提供する。
（１）本発明に係る圧電振動子の製造方法は、第１の基板と第２の基板とが、間にキャビティを形成するように重ね合わせられて構成されたパッケージと；前記第１の基板に、前記キャビティ内から前記第１の基板の外縁に引き出されるように形成された引き出し電極と；前記キャビティ内に封止されると共に、前記キャビティ内で前記引き出し電極に電気的に接続された圧電振動片と；前記パッケージの外表面に形成され、前記キャビティの外部で前記引き出し電極に電気的に接続された外部電極と；を備える圧電振動子を製造する方法であって、前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方に、両基板を接合する接合膜を低融点ガラスで形成する接合膜形成工程と；前記第１の基板に形成された前記引き出し電極に前記圧電振動片を電気的に接続するマウント工程と；前記接合膜を所定の接合温度に加熱しながら、前記接合膜を挟み込むように前記第１の基板と前記第２の基板とを重ね合わせ、前記接合膜を介して両基板を接合する接合工程と；を備える。【０００９】
上記製造方法によれば、接合膜形成工程において、接合膜を低融点ガラスで形成する。このため、接合膜を例えばスクリーン印刷等で形成することが可能となり、接合膜を形成する過程において従来技術で利用していたフォトリソグラフィに要する高価な装置を必要としないので、圧電振動子を低コストで製造することができる。
また、接合工程において、接合膜を接合温度に加熱しながら、接合膜を挟み込むように第１の基板と第２の基板とを重ね合わせることで、接合膜を介して両基板を接合している。つまり、陽極接合によって両基板を接合する場合と異なり、接合膜に電圧を印加せずに両基板を接合するので、接合膜と引き出し電極の間に絶縁膜を設ける必要がない。従って、従来技術のように絶縁膜を形成する場合に比べて、圧電振動子を容易に製造することができる。【００１０】
（２）前記マウント工程の際、前記圧電振動片を前記引き出し電極に金バンプによりバンプ接合しても良い。【００１１】
この場合、圧電振動片と引き出し電極とが金バンプによりバンプ接合されているので、両者間の導通を確実なものとし、高品質な圧電振動子を製造することができる。しかも、従来から圧電振動片のマウントに利用されている導電性接着剤等に比べて、金は融点が高いので、接合工程において接合膜を接合温度に加熱するときであっても、この加熱による影響を受けずに圧電振動片を確実に支持することが可能であり、より一層高品質な圧電振動子を製造することができる。【００１２】
（３）前記接合膜形成工程及び前記マウント工程後に、前記第１の基板及び前記第２の基板を、内部の圧力が制御可能な真空室に投入する投入工程と；前記接合膜形成工程及び前記マウント工程後に、前記接合膜を加熱する加熱工程と；前記投入工程後に、前記真空室の内部を減圧する減圧工程と；を更に備え、前記接合工程を、前記加熱工程及び前記減圧工程後に前記真空室の内部で実施しても良い。【００１３】
通常、低融点ガラス内には有機物や水分等が含まれているため、接合膜を加熱することで、接合膜内の有機物や水分等がアウトガスとして外部に放出される。
この場合、加熱工程において接合膜を接合温度より高温に加熱しているので、接合膜が接合温度に加熱されたときに接合膜から放出されうるアウトガスを、加熱工程において予め放出させることができる。従って、加熱工程後に実施する接合工程において接合膜から放出されるアウトガスをごく微量に抑えることができる。
以上より、接合膜から放出されるアウトガスによりキャビティ内の真空度が低下するのを抑制することが可能となり、圧電振動子の品質を向上させることができる。【００１４】
なお、従来技術のように陽極接合により両基板を接合する場合、陽極接合の過程で接合膜と基板との界面が電気化学的に反応する際に、酸素を主とする反応ガスが生じてしまうため、接合時に放出される反応ガスを接合前に予め放出させておくことは困難である。従って、接合によりキャビティ内の真空度が低下することは避け難く、圧電振動子の品質に影響を与えてしまう。この影響としては例えば、キャビティ内の真空度が低下することで圧電振動子の等価抵抗値が増加して、圧電振動子を作動させるために高電力が必要となり、その結果、圧電振動子のエネルギー効率が低下してしまうこと等が挙げられる。
また、減圧工程を加熱工程後に実施する場合には、仮に投入工程後に加熱工程を実施することで真空室内にアウトガスが放出されていたとしても、このアウトガスを真空室の内部から取り除くことが可能となり、前述の作用効果をより確実に奏することができる。【００１５】
（４）前記接合温度は、３００℃以上であっても良い。【００１６】
この場合、前記接合温度が３００℃以上なので、この製造方法によって製造された圧電振動子を一部品として他の製品に実装する際に、例えばリフロー方式等を採用することによって加熱を伴う場合であっても、アウトガスが生じるのを抑制することができる。これにより、圧電振動子の実装時に、圧電振動子の品質が低下するのを確実に抑制することができる。【００１７】
（５）また、本発明に係る圧電振動子は、第１の基板と第２の基板とが、間にキャビティを形成するように重ね合わせられて構成されたパッケージと；前記第１の基板に、前記キャビティ内から前記第１の基板の外縁に引き出されるように形成された引き出し電極と；前記キャビティ内に封止されると共に、前記キャビティ内で前記引き出し電極に電気的に接続された圧電振動片と；前記パッケージの外表面に形成され、前記キャビティの外部で前記引き出し電極に電気的に接続された外部電極と；を備える圧電振動子であって、前記第１の基板と前記第２の基板とが、低融点ガラスからなる接合膜を介して接合されている。【００１８】
上記圧電振動子によれば、接合膜が低融点ガラスからなるので、フォトリソグラフィに要する高価な装置を用いずに接合膜を形成することが可能であり、低コストで製造することができる。また、従来技術のように接合膜と引き出し電極の間に絶縁膜を形成する場合に比べて、容易に製造することができる。【００１９】
（６）前記圧電振動片が、前記引き出し電極に金バンプによりバンプ接合されていても良い。【００２０】
この場合、圧電振動片と引き出し電極とが金バンプによりバンプ接合されているので、両者間の導通を確実なものとし、高品質な圧電振動子とすることができる。しかも、従来から圧電振動片のマウントに利用されている導電性接着剤等に比べて、金は融点が高いので、接合膜を加熱するときであっても、この加熱による影響を受けずに圧電振動片を支持することが可能であり、より一層高品質な圧電振動子とすることができる。【００２１】
（７）前記接合膜が、前記第１の基板と前記第２の基板とを接合する際に所定の接合温度に加熱されると共に、前記接合の前に前記接合温度より高温に加熱されて形成されていても良い。【００２２】
この場合、接合膜が第１の基板と第２の基板との接合の前に接合温度より高温に加熱されているので、接合膜が接合温度に加熱されたときに接合膜から放出されうるアウトガスを、予め放出させておくことができる。従って、両基板の接合時に接合膜からアウトガスが放出されることを抑え、キャビティ内の真空度が低下するのを抑制することが可能となり、圧電振動子の品質を向上させることができる。【００２３】
（８）また、本発明に係る発振器は、上記（５）から（７）のいずれか１項に記載の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されている。【００２４】
（９）また、本発明に係る電子機器は、上記（５）から（７）のいずれか１項に記載の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されている。【００２５】
（１０）また、本発明の電波時計は、上記（５）から（７）のいずれか１項に記載の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されている。【００２６】
上記発振器、電波時計及び電子機器によれば、低コストで且つ容易に製造できる圧電振動子を有しているので、低コスト化を図ることができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の圧電振動子の製造方法によれば、圧電振動子を低コストで且つ容易に製造することができる。
また、本発明の圧電振動子によれば、低コストで且つ容易に製造することができる。
また、この圧電振動子を有する発振器、電子機器、電波時計によれば、低コスト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】図１は、本発明に係る圧電振動子の一実施形態を示す外観斜視図である。
【図２】図２は、図１に示す圧電振動子の縦断面図である。
【図３】図３は、図１に示す圧電振動子を構成する圧電振動片の上面図である。
【図４】図４は、図３に示す圧電振動片の下面図である。
【図５】図５は、図３に示す断面矢視Ａ−Ａ図である。
【図６】図６は、図１に示す圧電振動子の内部構成図であって、引き出し電極のみが形成されたリッド基板を下方から見た図である。
【図７】図７は、図１に示す圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を下方から見た図である。
【図８】図８は、図１に示す圧電振動子を製造する製造方法のフローチャートである。
【図９】図９は、本発明に係る圧電振動子の製造方法で利用するベース基板用ウエハの平面図である。
【図１０】図１０は、図８に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、ベース基板用ウエハに凹部及びスルーホールを形成した状態を示す部分拡大図である。
【図１１】図１１は、図８に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、リッド基板用ウエハに引き出し電極及び接合膜を形成した状態を示す部分拡大図である。
【図１２】図１２は、図８に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、真空室内にベース基板用ウエハ及びリッド基板用ウエハを投入した状態を示す図である。
【図１３】図１３は、図８に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、真空室内でベース基板用ウエハ及びリッド基板用ウエハを接合する状態を示す図である。
【図１４】図１４は、本発明に係る発振器の一実施形態を示す構成図である。
【図１５】図１５は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示す構成図である。
【図１６】図１６は、本発明に係る電波時計の一実施形態を示す構成図である。
【符号の説明】
【００２９】
１  圧電振動子
２  リッド基板（第１の基板）
３  ベース基板（第２の基板）
４  パッケージ
５、６  引き出し電極
７  圧電振動片
８、９  外部電極
３５  接合膜
４０  リッド基板用ウエハ（第１の基板）
５０  ベース基板用ウエハ（第２の基板）
１００  発振器
１０１  発振器の集積回路
１１０  携帯情報機器（電子機器）
１１３  電子機器の計時部
１３０  電波時計
１３１  電波時計のフィルタ部
Ｂ  金バンプ
Ｃ  キャビティ
Ｔ  接合温度
Ｖ  真空室
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
（圧電振動子）
以下、本発明に係る圧電振動子の一実施形態を、図面を参照して説明する。図１は、本発明に係る圧電振動子の一実施形態を示す外観斜視図である。図２は、図１に示す圧電振動子の縦断面図である。
図１及び図２に示すように、本実施形態の圧電振動子１は、リッド基板（第１の基板）２とベース基板（第２の基板）３とが、間にキャビティＣを形成するように重ね合わせられて構成されたパッケージ４と、リッド基板２に、キャビティＣ内からリッド基板２の外縁に引き出されるように形成された引き出し電極５、６と、キャビティＣ内に封止されると共に、キャビティＣ内で引き出し電極５、６に電気的に接続された圧電振動片７と、パッケージ４の外表面に形成され、キャビティＣの外部で引き出し電極５、６に電気的に接続された外部電極８、９と、を備えている。【００３１】
図３は、図１に示す圧電振動子を構成する圧電振動片の上面図である。図４は、図３に示す圧電振動片の下面図である。図５は、図３に示す断面矢視Ａ−Ａ図である。
図３から図５に示すように、圧電振動片７は、水晶やタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。この圧電振動片７は、平行に配置された一対の振動腕部１０、１１と、この一対の振動腕部１０、１１の基端側を一体的に固定する基部１２と、一対の振動腕部１０、１１の外表面上に形成されて一対の振動腕部１０、１１を振動させる第１の励振電極１３と第２の励振電極１４とからなる励振電極１５と、第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４に電気的に接続されたマウント電極１６，１７とを有している。また圧電振動片７は、一対の振動腕部１０、１１の両主面上に、この振動腕部１０、１１の長手方向に沿ってそれぞれ形成された溝部１８を備えている。この溝部１８は、振動腕部１０、１１の基端側から略中間付近まで形成されている。【００３２】
第１の励振電極１３と第２の励振電極１４とからなる励振電極１５は、一対の振動腕部１０、１１を互いに接近又は離間する方向に所定の共振周波数で振動させる電極であり、一対の振動腕部１０、１１の外表面に、それぞれ電気的に切り離された状態でパターニングされている。具体的には、第１の励振電極１３が、一方の振動腕部１０の溝部１８上と他方の振動腕部１１の両側面上とに主に形成され、第２の励振電極１４が、一方の振動腕部１０の両側面上と他方の振動腕部１１の溝部１８上とに主に形成されている。【００３３】
また、第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４は、基部１２の両主面上において、それぞれ引き回し電極１９，２０を介してマウント電極１６，１７に電気的に接続されている。そして圧電振動片７は、このマウント電極１６，１７を介して電圧が印加されるようになっている。なお、上述した励振電極１５、マウント電極１６，１７及び引き回し電極１９，２０は、例えば、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）やチタン（Ｔｉ）等の導電性膜の被膜により形成されたものである。【００３４】
また、一対の振動腕部１０、１１の先端には、自身の振動状態を所定の周波数の範囲内で振動するように質量調整（周波数調整）を行うための重り金属膜（第１質量調整膜）２１が被膜されている。なお、この重り金属膜２１は、周波数を粗く調整する際に使用される粗調膜２１ａと、微小に調整する際に使用される微調膜２１ｂとに分かれている。これら粗調膜２１ａ及び微調膜２１ｂを利用して周波数調整を行うことで、一対の振動腕部１０、１１の周波数をデバイスの公称（目標）周波数の範囲内に収めることができる。【００３５】
このように構成された圧電振動片７は、図２に示すように、リッド基板２の上面にパターニングされた引き出し電極５、６上に形成された２つの金バンプＢ上に、一対のマウント電極１６，１７がそれぞれ接触した状態でバンプ接合されている。これにより、圧電振動片７は、リッド基板２の上面から浮いた状態で支持されると共に、マウント電極１６，１７と引き出し電極５、６とがそれぞれ電気的に接続された状態となっている。【００３６】
図１及び図２に示すように、ベース基板３は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板であり、板状に形成されている。そして、リッド基板２が接合される接合面側には、圧電振動片７が収まる矩形状の凹部３ａが形成されている。この凹部３ａは、図２に示すように、両基板２、３が重ね合わされたときに、圧電振動片７を収容するキャビティＣとなるキャビティ用の凹部である。また、図１及び図２に示すように、ベース基板３の四隅にはそれぞれ、上面視１／４円弧状の切り欠き部３ｂが、このベース基板３の厚さ方向の全域に亘って形成されている。
そして、ベース基板３は、凹部３ａをリッド基板２側に対向させた状態でこのリッド基板２に対して接合されている。【００３７】
図６は、図１に示す圧電振動子の内部構成図であって、引き出し電極のみが形成されたリッド基板を下方から見た図である。
図１、図２及び図６に示すように、リッド基板２は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板であり、ベース基板３に対して重ね合わせ可能な大きさで板状に形成されている。そして、ベース基板３が接合される接合面側には、前記引き出し電極５、６が形成されている。【００３８】
図６に示すように、本実施形態では、引き出し電極５、６は一対形成され、第１の引き出し電極５と第２の引き出し電極６とは電気的に切り離されている。図示の例では、各引き出し電極５、６には、圧電振動片７の一方のマウント電極１６又は他方のマウント電極１７のいずれか一方と電気的に接続される接続部分５ａ、６ａが設けられている。本実施形態では、第１の引き出し電極５の接続部分５ａに圧電振動片７の一方のマウント電極１６が接続され、第２の引き出し電極６の接続部分６ａに圧電振動片７の他方のマウント電極１７が接続されている。両接続部分５ａ、６ａは、リッド基板２の短手幅方向Ｄ１に間隔をあけて、且つキャビティＣ内に収まるように設けられている。【００３９】
また、本実施形態では、第１の引き出し電極５は、その接続部分５ａから、リッド基板２の長手幅方向Ｄ２の一端側の外縁部に引き出され、第２の引き出し電極６は、その接続部分６ａから、リッド基板２の長手幅方向Ｄ２の他端側の外縁部に引き出されている。また、各引き出し電極５、６において長手幅方向Ｄ２の外縁部に位置する外縁部分５ｂ、６ｂは、リッド基板２の外縁部における短手幅方向Ｄ１の全域に亘って形成され、平面視矩形状となっている。また、図示の例では、各外縁部分５ｂ、６ｂの前記長手幅方向Ｄ２の大きさＷは、ベース基板３の切り欠き部３ｂの半径（曲率半径）の大きさよりも大きくなっている。
なお、引き出し電極５、６は、例えばクロムを下層、金を上層とする二層構造の電極膜で構成される。【００４０】
図１及び図２に示すように、本実施形態では、外部電極８、９はベース基板３の外表面に一対形成され、第１の外部電極８と第２の外部電極９とは電気的に切り離されている。図示の例では、各外部電極８、９は、ベース基板３の底面から、ベース基板３の長手幅方向Ｄ２における側面に亘って形成されている。また、第１の外部電極８は、ベース基板３の長手幅方向Ｄ２の一端側に形成された２つの切り欠き部３ｂの内周面を介して、リッド基板２に形成された第１の引き出し電極５に電気的に接続されている。また、第２の外部電極９は、ベース基板３の長手幅方向Ｄ２の他端側に形成された残り２つの切り欠き部３ｂの内周面を介して、リッド基板２に形成された第２の引き出し電極６に電気的に接続されている。【００４１】
そして、本実施形態では、図１及び図２に示すように、ベース基板３とリッド基板２とが、低融点ガラスからなる接合膜３５を介して接合されている。図７は、図１に示す圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を下方から見た図である。
図７に示すように、本実施形態では、接合膜３５はリッド基板２に形成されている。図示の例では、接合膜３５は、ベース基板３に形成された凹部３ａの周囲を囲むようにリッド基板２の周縁に沿って形成されている。
また、本実施形態では、接合膜３５は、ベース基板３とリッド基板２とを接合する際に所定の接合温度Ｔに加熱されると共に、前記接合の前に接合温度Ｔより高温に加熱されて形成されている。この点については、製造方法の説明の際に詳述する。【００４２】
また、リッド基板２の四隅に位置する部分には接合膜３５が形成されていなく、前記部分では引き出し電極５、６が露出している。この引き出し電極５、６が露出している露出部分５ｃ、６ｃは、ベース基板３の切り欠き部３ｂと平面視で同形同大になっており、前記露出部分５ｃ、６ｃに外部電極８、９が連なって形成されることで外部電極８、９と引き出し電極５、６とが電気的に接続されている。
このように引き出し電極５、６、接合膜３５、外部電極８、９を形成することで、接合膜３５によるベース基板３とリッド基板２との接合を確実なものとしつつ、外部電極８、９と引き出し電極５、６との導通を確実に確保することができる。【００４３】
このように構成された圧電振動子１を作動させる場合には、ベース基板３に形成された外部電極８、９に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片７の第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４からなる励振電極１５に電流を流すことができ、一対の振動腕部１０、１１を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部１０、１１の振動を利用して、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源等として利用することができる。【００４４】
（圧電振動子の製造方法）
図８は、図１に示す圧電振動子を製造する製造方法のフローチャートである。図９は、本発明に係る圧電振動子の製造方法で利用するベース基板用ウエハの平面図である。
次に、図８に示すフローチャートを参照して、上述した圧電振動子１を一度に複数製造する製造方法について以下に説明する。なお、本実施形態では、図９に示すように、それぞれ後にリッド基板２及びベース基板３となるリッド基板用ウエハ４０、ベース基板用ウエハ５０を利用して圧電振動子１を製造する。両ウエハ４０、５０の平面視形状は、円板の周縁部の一部が切り落とされた形状となっている。両ウエハ４０、５０とも、例えば、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去して形成することができる。また、本発明に係る圧電振動子の製造方法は、以下に説明するリッド基板用ウエハ４０、ベース基板用ウエハ５０を利用するものに限られず、例えば予め圧電振動子１のベース基板３及びリッド基板２の外形に寸法を合わせたチップ状のものを用い、一度に一つのみ製造するものでも良い。【００４５】
初めに、圧電振動片作製工程を行って図３から図５に示す圧電振動片７を作製する（Ｓ１０）。また、圧電振動片７を作製した後、共振周波数の粗調を行っておく。これは、重り金属膜２１の粗調膜２１ａにレーザ光を照射して一部を蒸発させ、重量を変化させることで行う。なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、マウント後に行う。これについては、後に説明する。【００４６】
図１０は、図８に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、ベース基板用ウエハに凹部及びスルーホールを形成した状態を示す部分拡大図である。なお、図１０に示す点線Ｍは、後に行う切断工程で切断する切断線Ｍを図示している。
次に、図１０に示すように、上記工程と同時或いは前後のタイミングで、ベース基板用ウエハ５０を、接合を行う直前の状態まで作製する第１のウエハ作製工程を行う（Ｓ２０）。まず、前述したように、ソーダ石灰ガラスからベース基板用ウエハ５０を形成する（Ｓ２１）。次いで、ベース基板用ウエハ５０の接合面に、エッチング等により行列方向にキャビティＣ用の凹部３ａを複数形成する凹部形成工程を行う（Ｓ２２）。次いで、各凹部３ａを所定の大きさで取り囲むように、ベース基板用ウエハ５０において各凹部３ａの四隅に対応した位置に、ベース基板用ウエハ５０を厚み方向に貫通するスルーホール３ｃをサンドブラスト等により形成する（Ｓ２３）。つまり、後に切断する前記切断線Ｍの各交点を中心とするスルーホール３ｃを形成する。これは、後にベース基板３の切り欠き部３ｂとなるものである。
この時点で、第１のウエハ作製工程が終了する。【００４７】
図１１は、図８に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、リッド基板用ウエハに引き出し電極及び接合膜を形成した状態を示す部分拡大図である。なお、図１１に示す点線Ｍは、後に行う切断工程で切断する切断線Ｍを図示している。
次に、図１１に示すように、上記工程と同時或いは前後のタイミングで、リッド基板用ウエハ４０を、接合を行う直前の状態まで作製する第２のウエハ作製工程を行う（Ｓ３０）。まず、前述したように、ソーダ石灰ガラスからリッド基板用ウエハ４０を形成する（Ｓ３１）。次いで、リッド基板用ウエハ４０の上面に導電性材料をパターニングして、引き出し電極５、６を形成する引き出し電極形成工程（Ｓ３２）を行う。次いで、リッド基板用ウエハ４０の上面に接合膜３５を低融点ガラスで形成する接合膜形成工程を行う（Ｓ３３）。この際、例えば常温でゲル状の低融点ガラスをリッド基板用ウエハ４０の上面にスクリーン印刷等で印刷した後、焼成して焼き固め、常温まで徐冷することで接合膜３５を形成する。
この時点で、第２のウエハ作製工程が終了する。【００４８】
次に、作製した複数の圧電振動片７を、それぞれ引き出し電極５、６を介してリッド基板用ウエハ４０の上面に接合するマウント工程を行う（Ｓ４０）。この際まず、一対の引き出し電極５、６上にそれぞれ金バンプＢを形成する。そして、圧電振動片７の基部１２を金バンプＢ上に載置した後、金バンプＢを所定温度に加熱しながら圧電振動片７を金バンプＢに押し付ける。これにより、圧電振動片７が金バンプＢに機械的に支持されてリッド基板用ウエハ４０の上面から浮いた状態となり、またマウント電極１６，１７と引き出し電極５、６とが電気的に接続された状態となる。【００４９】
図１２は、図８に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、真空室内にベース基板用ウエハ及びリッド基板用ウエハを投入した状態を示す図である。なお図１２及び後に示す図１３では、図面を見易くするために、ベース基板用ウエハ５０及びリッド基板用ウエハ４０をウエハ状ではなく小片化された状態で示している。
次に、図１２に示すように、ベース基板用ウエハ５０及びリッド基板用ウエハ４０を、内部の圧力が制御可能な真空室Ｖに投入する投入工程を行う（Ｓ４５）。
次に、接合膜３５を接合温度Ｔより高温に加熱する加熱工程を行う（Ｓ５０）。ここで、接合温度Ｔとは、後述する接合工程（Ｓ７０）において接合膜３５を加熱する温度であり、本実施形態では接合温度Ｔは３００℃である。つまり、加熱工程においては、接合膜３５を３００℃より高温に一定時間加熱する。なお、接合膜３５を加熱するとは、単に接合膜３５のみを加熱する場合に限られるものではなく、接合膜３５が形成されているリッド基板用ウエハ４０と共に接合膜３５を加熱する場合等も含まれる。【００５０】
また、本実施形態では、真空室Ｖには、対向して設けられると共に互いに接近及び離間が可能とされた図示しない一対のウエハ把持手段が備えられている。そして、ベース基板用ウエハ５０及びリッド基板用ウエハ４０を真空室Ｖに投入する際、図１２に示すように、各ウエハ４０、５０の上面が対向し且つ両ウエハ４０、５０が離間した状態で、各ウエハ把持手段にそれぞれのウエハ４０、５０をセットする。なおこの際、例えば図示しない基準マーク等を指標としてアライメントした状態で各ウエハ４０、５０をウエハ把持手段にセットしても良い。【００５１】
ここで、通常、低融点ガラス内には有機物や水分等が含まれているため、接合膜３５を加熱することで、接合膜３５内の有機物や水分等がアウトガスとして外部に放出される。この加熱工程においては、接合膜３５を接合温度Ｔより高温に加熱しているので、接合膜３５が接合温度Ｔに加熱されたときに接合膜３５から放出されうるアウトガスを予め放出させることができる。
次に、真空室Ｖの内部を減圧する減圧工程を行う（Ｓ６０）。本実施形態では、真空室Ｖには、真空室Ｖ内部の圧力が制御可能な真空ポンプＶ１が設けられており、この真空ポンプＶ１により真空室Ｖの内部を減圧する。これにより、加熱工程において放出されたアウトガスが、真空室Ｖの内部から取り除かれる。【００５２】
図１３は、図８に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、真空室内でベース基板用ウエハ及びリッド基板用ウエハを接合する状態を示す図である。
次に、図１３に示すように、減圧工程後に真空室Ｖの内部で、接合膜３５を介してベース基板用ウエハ５０及びリッド基板用ウエハ４０を接合する接合工程を行う（Ｓ７０）。この際、本実施形態では、接合膜３５を接合温度Ｔである３００℃に加熱しながら、前記ウエハ把持手段を互いに近接させて、接合膜３５を挟み込むようにベース基板用ウエハ５０とリッド基板用ウエハ４０とを重ね合わせることで行う。更に、前記ウエハ把持手段によって、両ウエハ４０、５０を互いに接合膜３５を挟み込むように加圧しながら行う。そして、両ウエハ４０、５０の確実な接合のために、接合膜３５の接合温度Ｔでの加熱及び両ウエハ４０、５０の加圧を一定時間維持する。【００５３】
これにより、両ウエハ４０、５０が接合され、リッド基板用ウエハ４０にマウントされた圧電振動片７を、両ウエハ４０、５０の間に形成されるキャビティＣ内に封止することができ、リッド基板用ウエハ４０とベース基板用ウエハ５０とが接合したウエハ体６０を得ることができる。なお、前記一定時間は、接合温度Ｔ、両ウエハ４０、５０を加圧する力、及び接合膜３５として用いる低融点ガラスの歪点等によって適宜変更させることが可能である。【００５４】
次に、真空室Ｖからウエハ体６０を取り出し、外部電極８、９を複数形成する外部電極形成工程を行う（Ｓ８０）。この際、例えばベース基板用ウエハ５０に金属マスク等によりマスクをして、第１の外部電極８及び第２の外部電極９となる金属膜をスパッタリングや蒸着等によって形成する。この工程により、外部電極８、９から引き出し電極５、６を介してキャビティＣ内に封止された圧電振動片７を作動させることができるようになる。【００５５】
次に、ウエハ体６０を切断線Ｍに沿って切断して小片化する切断工程を行う（Ｓ９０）。この切断工程により、スルーホール３ｃは４分割され、１／４円弧状の切り欠き部３ｂが形成されることになる。この結果、互いに接合されたリッド基板２とベース基板３との間に形成されたキャビティＣ内に圧電振動片７が封止された、図１に示す２層構造式表面実装型の圧電振動子１を一度に複数製造することができる。【００５６】
次に、個々の圧電振動子１の周波数を微調整して所定の範囲内に収める微調工程を行う（Ｓ１００）。即ち、透明体であるガラスからなるリッド基板２及びベース基板３を通して、外部からレーザ光を照射して、一対の振動腕部１０、１１の先端に形成された重り金属膜２１の微調膜２１ｂを蒸発させる。これにより、一対の振動腕部１０、１１の先端側の重量が変化するので、圧電振動子１の周波数を、公称周波数の所定範囲内に収まるように微調整することができる。【００５７】
その後、圧電振動片７の電気特性検査を行う（Ｓ１１０）。即ち、圧電振動片７の共振周波数、共振抵抗値、ドライブレベル特性（共振周波数及び共振抵抗値の励振電力依存性）等を測定してチェックする。また、絶縁抵抗特性等を併せてチェックする。そして、最後に圧電振動子１の外観検査を行って、寸法や品質等を最終的にチェックする。これをもって圧電振動子１の製造が終了する。【００５８】
以上に示したように、本実施形態に係る圧電振動子の製造方法においては、接合膜形成工程において、接合膜３５を低融点ガラスで形成する。このため、接合膜３５を前述のように例えばスクリーン印刷等で形成することが可能となり、接合膜３５を形成する過程において従来技術で利用していたフォトリソグラフィに要する高価な装置を必要としないので、圧電振動子１を低コストで製造することができる。【００５９】
また、接合工程において、接合膜３５を接合温度Ｔに加熱しながら、接合膜３５を挟み込むようにベース基板用ウエハ５０とリッド基板用ウエハ４０とを重ね合わせることで、接合膜３５を介して両ウエハ４０、５０を接合している。つまり、陽極接合によって両ウエハ４０、５０を接合する場合と異なり、接合膜３５に電圧を印加せずに両ウエハ４０、５０を接合するので、接合膜３５と引き出し電極５、６の間に絶縁膜を設ける必要がない。従って、従来技術のように絶縁膜を形成する場合に比べて、圧電振動子１を容易に製造することができる。【００６０】
また、圧電振動片７と引き出し電極５、６とが金バンプＢによりバンプ接合されているので、両者間の導通を確実なものとし、高品質な圧電振動子１を製造することができる。しかも、従来から圧電振動片７のマウントに利用されている導電性接着剤等に比べて、金は融点が高いので、接合工程において接合膜３５を接合温度Ｔに加熱するとき、及び加熱工程において接合膜３５を接合温度Ｔより高温に加熱するときであっても、この加熱による影響を受けずに圧電振動片７を確実に支持することが可能であり、より一層高品質な圧電振動子１を製造することができる。【００６１】
また、接合工程を、減圧工程後に真空室Ｖの内部で実施し、つまり加熱工程後に実施している。従って、接合工程において接合膜３５から放出されるアウトガスをごく微量に抑えることができるため、接合膜３５から放出されるアウトガスによりキャビティＣ内の真空度が低下するのを抑制することが可能となり、圧電振動子１の品質を一層向上させることができる。【００６２】
また、接合工程における接合温度Ｔが３００℃以上なので、この製造方法によって製造された圧電振動子１を一部品として他の製品に実装する際に、例えばリフロー方式等を採用することによって加熱を伴う場合であっても、アウトガスが生じるのを抑制することができる。これにより、圧電振動子１の実装時に、圧電振動子１の品質が低下するのを確実に抑制することができる。【００６３】
（発振器）
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図１４を参照しながら説明する。図１４は、圧電振動子１を備えた発振器の構成を示す図である。【００６４】
本実施形態の発振器１００は、図１４に示すように、圧電振動子１を、集積回路１０１に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器１００は、コンデンサ等の電子部品１０２が実装された基板１０３を備えている。基板１０３には、発振器用の上記集積回路１０１が実装されており、この集積回路１０１の近傍に、圧電振動子１が実装されている。これら電子部品１０２、集積回路１０１及び圧電振動子１は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。【００６５】
このように構成された発振器１００において、圧電振動子１に電圧を印加すると、この圧電振動子１内の圧電振動片７が振動し、この振動が、圧電振動片７が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路１０１に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路１０１によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子１が発振子として機能する。
また、集積回路１０１の構成を、例えば、ＲＴＣ（リアルタイムクロック）モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。【００６６】
上述したように、本実施形態の発振器１００によれば低コスト化された圧電振動子１を備えているので、発振器１００自体も低コスト化されている。【００６７】
（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図１５を参照して説明する。なお、電子機器として、上述した圧電振動子１を有する携帯情報機器を例にして説明する。始めに本実施形態の携帯情報機器１１０は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。【００６８】
次に、本実施形態の携帯情報機器１１０の構成について説明する。この携帯情報機器（電子機器）１１０は、図１５に示すように、圧電振動子１と、電力を供給するための電源部１１１とを備えている。電源部１１１は、例えば、リチウム二次電池からなっている。この電源部１１１には、各種制御を行う制御部１１２と、時刻等のカウントを行う計時部１１３と、外部との通信を行う通信部１１４と、各種情報を表示する表示部１１５と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部１１６とが並列に接続されている。そして、電源部１１１によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。【００６９】
制御部１１２は、各機能部を制御して音声データの送信及び受信、現在時刻の計測や表示等、システム全体の動作制御を行う。また、制御部１１２は、予めプログラムが書き込まれたＲＯＭと、このＲＯＭに書き込まれたプログラムを読み出して実行するＣＰＵと、このＣＰＵのワークエリアとして使用されるＲＡＭ等とを備えている。【００７０】
計時部１１３は、発振回路、レジスタ回路、カウンタ回路及びインターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子１とを備えている。圧電振動子１に電圧を印加すると圧電振動片７が振動し、この振動が圧電振動片７の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部１１２と信号の送受信が行われ、表示部１１５に、現在時刻や現在日付或いはカレンダー情報等が表示される。【００７１】
通信部１１４は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９、増幅部１２０、音声入出力部１２１、電話番号入力部１２２、着信音発生部１２３及び呼制御メモリ部１２４を備えている。
無線部１１７は、音声データ等の各種データを、アンテナ１２５を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部１１８は、無線部１１７又は増幅部１２０から入力された音声信号を符号化及び複号化する。増幅部１２０は、音声処理部１１８又は音声入出力部１２１から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部１２１は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。【００７２】
また、着信音発生部１２３は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部１１９は、着信時に限って、音声処理部１１８に接続されている増幅部１２０を着信音発生部１２３に切り替えることによって、着信音発生部１２３において生成された着信音が増幅部１２０を介して音声入出力部１２１に出力される。
なお、呼制御メモリ部１２４は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部１２２は、例えば、０から９の番号キー及びその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。【００７３】
電圧検出部１１６は、電源部１１１によって制御部１１２等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部１１２に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部１１４を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、３Ｖ程度となる。電圧検出部１１６から電圧降下の通知を受けた制御部１１２は、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９及び着信音発生部１２３の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部１１７の動作停止は、必須となる。更に、表示部１１５に、通信部１１４が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。【００７４】
即ち、電圧検出部１１６と制御部１１２とによって、通信部１１４の動作を禁止し、その旨を表示部１１５に表示することができる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部１１５の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×（バツ）印を付けるようにしても良い。
なお、通信部１１４の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部１２６を備えることで、通信部１１４の機能をより確実に停止することができる。【００７５】
上述したように、本実施形態の携帯情報機器１１０によれば、低コスト化された圧電振動子１を備えているので、携帯情報機器１１０自体も低コスト化されている。【００７６】
（電波時計）
次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図１６を参照して説明する。図１６は、上述した圧電振動子１を有する電波時計の構成を示す図である。
本実施形態の電波時計１３０は、図１６に示すように、フィルタ部１３１に電気的に接続された圧電振動子１を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県（４０ｋＨｚ）と佐賀県（６０ｋＨｚ）とに、標準の電波を送信する送信所（送信局）があり、それぞれ標準電波を送信している。４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、上述した２つの送信所で日本国内を全て網羅している。【００７７】
図１６を参照して、電波時計１３０の機能的構成について説明する。
アンテナ１３２は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの搬送波にＡＭ変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ１３３によって増幅され、複数の圧電振動子１を有するフィルタ部１３１によって濾波、同調される。
本実施形態における圧電振動子１は、上記搬送周波数と同一の４０ｋＨｚ及び６０ｋＨｚの共振周波数を有する圧電振動子部１３４、１３５をそれぞれ備えている。【００７８】
更に、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路１３６により検波復調される。続いて、波形整形回路１３７を介してタイムコードが取り出され、ＣＰＵ１３８でカウントされる。ＣＰＵ１３８では、現在の年、積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、ＲＴＣ１３９に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚであるから、圧電振動子部１３４、１３５は、上述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。
なお、上述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは７７．５ＫＨｚの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計１３０を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子１を必要とする。【００７９】
上述したように、本実施形態の電波時計１３０によれば、低コスト化された圧電振動子１を備えているので、電波時計１３０自体も低コスト化されている。【００８０】
なお、本発明の技術的範囲は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では、圧電振動片７の一例として振動腕部１０、１１の両面に溝部１８が形成された溝付きの圧電振動片７を例に挙げて説明したが、溝部１８がないタイプの圧電振動片でも構わない。但し、溝部１８を形成することで、一対の励振電極１５に所定の電圧を印加させたときに、一対の励振電極１５間における電界効率を上げることができるので、振動損失をより抑えて振動特性をさらに向上することができる。つまり、ＣＩ値（Crystal Impedance）をさらに低くすることができ、圧電振動片７のさらなる高性能化を図ることができる。この点において、溝部１８を形成する方が好ましい。【００８１】
また、上記実施形態では、音叉型の圧電振動片７を例に挙げて説明したが、音叉型に限られるものではない。例えば、厚み滑り振動片としても構わない。
また、上記実施形態では、ベース基板３に凹部３ａを設けることでキャビティＣを形成したが、これに限られず、例えばリッド基板２に凹部を設けることでキャビティＣを形成しても良く、両基板２、３に凹部を設けてキャビティＣを形成しても良い。【００８２】
また、上記実施形態では、リッド基板２に圧電振動片７がマウントされ、ベース基板３に外部電極８、９が形成されるものとしたが、これに限られず、圧電振動片７がマウントされた基板と外部電極８、９が形成された基板とが同一であっても良い。
また、上記実施形態では、リッド基板２に接合膜３５が形成されるものとしたが、これに限られず、ベース基板３に接合膜を形成しても良く、両基板２、３に接合膜を形成しても良い。【００８３】
また、上記実施形態では、圧電振動片７を引き出し電極５、６に金バンプＢによって接合するものとしたが、金バンプＢによるものに限られない。
また、上記実施形態では、接合工程において、接合温度Ｔを３００℃としたが、これに限られない。但し、接合温度Ｔは３００℃以上であることが好ましい。また、接合温度Ｔは、圧電振動片７として水晶を用いる場合には、高くとも水晶の圧電性に係る転移点である相転移温度より低いことが好ましい。【００８４】
また、上記実施形態では、マウント工程（Ｓ４０）、投入工程（Ｓ４５）、加熱工程（Ｓ５０）、減圧工程（Ｓ６０）の順で圧電振動子１を製造するものとしたが、これに限られるものではない。投入工程（Ｓ４５）及び加熱工程（Ｓ５０）は、マウント工程（Ｓ４０）後に実施されれば良く、また、減圧工程（Ｓ６０）は、投入工程（Ｓ４５）後に実施されれば良い。例えば、マウント工程（Ｓ４０）、加熱工程（Ｓ５０）、投入工程（Ｓ４５）、減圧工程（Ｓ６０）の順で圧電振動子を製造しても良く、マウント工程（Ｓ４０）、投入工程（Ｓ４５）、減圧工程（Ｓ６０）、加熱工程（Ｓ５０）の順で圧電振動子を製造しても良い。
更にまた、投入工程（Ｓ４５）、加熱工程（Ｓ５０）及び減圧工程（Ｓ６０）は実施しなくても構わない。【００８５】
その他、本発明の趣旨に逸脱しない範囲で、前記実施形態における構成要素を周知の構成要素に置き換えることは適宜可能であり、また、前記した変形例を適宜組み合わせてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【国際調査報告】
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