(57)【要約】本開示に係る撮像素子は、配線基板上にフリップチップ実装される撮像素子であって、その側面には、撮像素子の底面側が天面側に対して突出するように、突起部が設けられている。そして、本開示に係る撮像装置にあっては、撮像素子の天面が配線基板と対向するように配線基板上にフリップチップ実装されており、配線基板上の撮像素子の外周は封止材によって封止されている。封止材の付着場所が突起部側に促され、これによって、封止材を構成する溶質や溶媒の浸透を軽減することができる。
2019087700.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板上にフリップチップ実装される撮像素子であって、
撮像素子の側面には、撮像素子の底面側が天面側に対して突出するように、突起部が設けられている、
撮像素子。
【請求項２】
撮像素子の天面には光電変換部が設けられている、
請求項１に記載の撮像素子。
【請求項３】
突起部は、撮像素子を構成する半導体基板の一部から成る、
請求項１に記載の撮像素子。
【請求項４】
突起部は、撮像素子を構成する半導体基板とは異なる材料から成る、
請求項１に記載の撮像素子。
【請求項５】
突起部は、樹脂材料から成る、
請求項４に記載の撮像素子。
【請求項６】
樹脂材料は、熱硬化性の樹脂材料から成る、
請求項５に記載の撮像素子。
【請求項７】
突起部の厚さは、撮像素子を構成する半導体基板の厚さの１／２以下である、
請求項１に記載の撮像素子。
【請求項８】
突起部の突出幅は、撮像素子を構成する半導体基板の厚さの１／４以下である、
請求項１に記載の撮像素子。
【請求項９】
配線基板と撮像素子とを備えており、
撮像素子の側面には、撮像素子の底面側が天面側に対して突出するように、突起部が設けられており、
撮像素子は、天面が配線基板と対向するように配線基板上にフリップチップ実装されており、
配線基板上の撮像素子の外周は封止材によって封止されている、
撮像装置。
【請求項１０】
撮像素子の天面には光電変換部が設けられている、
請求項９に記載の撮像装置。
【請求項１１】
光電変換部と対向する配線基板の部分には受光窓が設けられている、
請求項１０に記載の撮像装置。
【請求項１２】
撮像素子の底面が同一面上に配置され且つ撮像素子と撮像素子との間に撮像素子の厚さよりも薄い厚さの樹脂材料層が配置された状態の疑似ウエハを形成する工程、及び、
疑似ウエハに対して、撮像素子と撮像素子との間の幅よりも狭い幅でダイシングを行うことによって個片化を行なう工程、
を有する、
撮像素子の製造方法。
【請求項１３】
樹脂材料層は、熱硬化性の樹脂材料から成る、
請求項１２に記載の撮像素子の製造方法。
【請求項１４】
半導体ウエハに複数の撮像素子を形成する工程、
撮像素子の天面側から、撮像素子と撮像素子との間の半導体ウエハを所定の幅で薄肉化する工程、及び、
薄肉化された半導体ウエハの部分について所定の幅よりも狭い幅でダイシングを行なうことによって個片化を行なう工程、
を有する、
撮像素子の製造方法。
【請求項１５】
所定の幅のダイシングブレードを用いて撮像素子と撮像素子との間を所定の幅で薄肉化し、所定の幅のよりも狭い幅のダイシングブレードを用いて個片化を行なう、
請求項１４に記載の撮像素子の製造方法。
【請求項１６】
エッチング技術を用いて撮像素子と撮像素子との間を所定の幅で薄肉化し、所定の幅のよりも狭い幅のダイシングブレードを用いて個片化を行なう、
請求項１４に記載の撮像素子の製造方法。
【請求項１７】
配線基板上に撮像素子がフリップチップ実装されて成る撮像装置を備えた電子機器であって、
撮像素子の側面には、撮像素子の底面側が天面側に対して突出するように、突起部が設けられており、
撮像素子は、天面が配線基板と対向するように配線基板上にフリップチップ実装されており、
配線基板上の撮像素子の外周は封止材によって封止されている、
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、撮像素子、撮像装置、及び、電子機器、並びに、撮像素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化や薄型化に伴い、撮像素子を含むパッケージについても、小型薄型化や多端子化が要求されている。このため、チップ状の撮像素子（以下、単に、チップと称する場合がある）を、インターポーザー基板などの配線基板に接合するフリップチップ実装方式が提案されている（例えば、特開２０１１−１８７６６号公報参照）。【０００３】
フリップチップ実装方式では、通常、チップと配線基板とが電気的に接合された状態とし、次いで、チップの周辺部に封止材を塗布するといった工程を行なう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１８７６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
撮像素子の光電変換部を配線基板側に対向させた状態でフリップチップ実装を行なう場合、撮像素子の周辺部に封止材が塗布されることによって、封止材を構成する溶質や溶媒が間隙に浸透して光電変換部にまで及び支障を来たすといったことが考えられる。撮像素子の端部から光電変換部までの距離を充分に確保するといったことで上述の問題は回避することができるが、撮像素子や配線基板のサイズの拡大を招くことになり、コストアップの要因となる。【０００６】
従って、本開示の目的は、サイズを拡大することなく、封止材を構成する溶質や溶媒の浸透を軽減することができる撮像素子、係る撮像素子を備えた撮像装置、及び、係る撮像装置を備えた電子機器、並びに、係る撮像装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するための本開示に係る撮像素子は、
配線基板上にフリップチップ実装される撮像素子であって、
撮像素子の側面には、撮像素子の底面側が天面側に対して突出するように、突起部が設けられている、
撮像素子である。【０００８】
上記の目的を達成するための本開示に係る撮像装置は、
配線基板と撮像素子とを備えており、
撮像素子の側面には、撮像素子の底面側が天面側に対して突出するように、突起部が設けられており、
撮像素子は、天面が配線基板と対向するように配線基板上にフリップチップ実装されており、
配線基板上の撮像素子の外周は封止材によって封止されている、
撮像装置である。【０００９】
上記の目的を達成するための本開示に係る撮像素子の製造方法は、
撮像素子の底面が同一面上に配置され且つ撮像素子と撮像素子との間に撮像素子の厚さよりも薄い厚さの樹脂材料層が配置された状態の疑似ウエハを形成する工程、及び、
疑似ウエハに対して、撮像素子と撮像素子との間の幅よりも狭い幅でダイシングを行うことによって個片化を行なう工程、
を有する、
撮像素子の製造方法である。【００１０】
あるいは又、上記の目的を達成するための本開示に係る撮像素子の製造方法は、
半導体ウエハに複数の撮像素子を形成する工程、
撮像素子の天面側から、撮像素子と撮像素子との間の半導体ウエハを所定の幅で薄肉化する工程、及び、
薄肉化された半導体ウエハの部分について所定の幅よりも狭い幅でダイシングを行なうことによって個片化を行なう工程、
を有する、
撮像素子の製造方法である。【００１１】
上記の目的を達成するための本開示に係る電子機器は、
配線基板上に撮像素子がフリップチップ実装されて成る撮像装置を備えた電子機器であって、
撮像素子の側面には、撮像素子の底面側が天面側に対して突出するように、突起部が設けられており、
撮像素子は、天面が配線基板と対向するように配線基板上にフリップチップ実装されており、
配線基板上の撮像素子の外周は封止材によって封止されている、
電子機器である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１Ａ及び図１Ｂは、本開示の第１の実施形態に係る撮像素子を説明するための模式的な斜視図である。図１Ａは、撮像素子を底面側から眺めたときの斜視図を示す。図１Ｂは、撮像素子を天面側から眺めたときの斜視図を示す。
【図２】図２は、参考例の撮像素子を配線基板上にフリップチップ実装する際の工程を説明するための模式的な斜視図である。
【図３】図３は、図２に引き続き、参考例の撮像素子を配線基板上にフリップチップ実装する際の工程を説明するための模式的な斜視図である。
【図４】図４は、図３に引き続き、参考例の撮像素子を配線基板上にフリップチップ実装する際の工程を説明するための模式的な斜視図である。
【図５】図５Ａは、フリップチップ実装された撮像素子を備えた撮像装置の模式的な断面図である。図５Ｂは、図５Ａにおいて符号Ａで示す部分の拡大図である。
【図６】図６は、撮像素子を配線基板上にフリップチップ実装する際の工程を説明するための模式的な斜視図である。
【図７】図７Ａは、フリップチップ実装された撮像素子を備えた撮像装置の模式的な断面図である。図７Ｂは、図７Ａにおいて符号Ｂで示す部分の拡大図である。
【図８】図８Ａ及び図８Ｂは、撮像素子の側面部の構成例を説明するための模式的な断面図である。図８Ａは、突起部（側面）１２Ａの部分が側面１２Ｂの部分とは異なる材料で形成されている構造を示す。図８Ｂは、突起部（側面）１２Ａの部分が側面１２Ｂの部分と共通の材料で形成されている構造を示す。
【図９】図９は、突起部の厚さ及び突出幅を説明するための、模式的な拡大図である。
【図１０】図１０Ａ及び図１０Ｂは、本開示の第２の実施形態に係る撮像素子の製造方法を説明するための、模式的な一部断面図である。
【図１１】図１１は、図１０Ｂに示す工程によって得ることができる疑似ウエハを説明するための模式的な斜視図である。
【図１２】図１２Ａ及び図１２Ｂは、図１０Ｂに引き続き、本開示の第２の実施形態に係る撮像素子の製造方法を説明するための、模式的な一部断面図である。
【図１３】図１３Ａ及び図１３Ｂは、図１２Ｂに引き続き、本開示の第２の実施形態に係る撮像素子の製造方法を説明するための、模式的な一部断面図である。
【図１４】図１４Ａ及び図１４Ｂは、図１３Ｂに引き続き、本開示の第２の実施形態に係る撮像素子の製造方法を説明するための、模式的な一部断面図である。
【図１５】図１５は、図１４Ｂに示す工程によって得ることができる疑似ウエハを説明するための模式的な斜視図である。
【図１６】図１６は、図１４Ｂに引き続き、本開示の第２の実施形態に係る撮像素子の製造方法を説明するための、模式的な一部断面図である。
【図１７】図１７Ａ及び図１７Ｂは、図１６に引き続き、本開示の第２の実施形態に係る撮像素子の製造方法を説明するための、模式的な一部断面図である。
【図１８】図１８Ａ及び図１８Ｂは、本開示の第３の実施形態に係る撮像素子の製造方法を説明するための、模式的な一部断面図である。
【図１９】図１９は、図１８Ｂに示す工程によって得ることができる半導体ウエハを説明するための模式的な斜視図である。
【図２０】図２０Ａ及び図２０Ｂは、図１８Ｂに引き続き、本開示の第３の実施形態に係る撮像素子の製造方法を説明するための、模式的な一部断面図である。
【図２１】図２１Ａ及び図２１Ｂは、図２０Ｂに引き続き、本開示の第３の実施形態に係る撮像素子の製造方法を説明するための、模式的な一部断面図である。
【図２２】図２２Ａ及び図２２Ｂは、本開示の第４の実施形態に係る撮像素子の製造方法を説明するための、模式的な一部断面図である。
【図２３】図２３は、車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。
【図２４】図２４は、車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。
【００１３】
以下、図面を参照して、実施形態に基づいて本開示を説明する。本開示は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値や材料は例示である。以下の説明において、同一要素または同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示に係る、撮像素子、撮像装置、及び、電子機器、並びに、撮像素子の製造方法、全般に関する説明
２．第１の実施形態
３．第２の実施形態
４．第３の実施形態
５．第４の実施形態
６．第５の実施形態：応用例
７．その他【００１４】
［本開示に係る、撮像素子、撮像装置、及び、電子機器、並びに、撮像素子の製造方法、全般に関する説明］
本開示に係る撮像素子、本開示に係る撮像装置や電子機器に用いられる撮像素子、及び、本開示に係る撮像素子の製造方法により製造される撮像素子（以下、これらを単に、本開示の撮像素子と呼ぶ場合がある）にあっては、上述したように、撮像素子の側面に、撮像素子の底面側が天面側に対して突出するように、突起部が設けられている。【００１５】
本開示に係る撮像素子において、撮像素子の天面には光電変換部が設けられている構成とすることができる。【００１６】
上述した好ましい構成を含む本開示に係る撮像素子において、突起部は、撮像素子を構成する半導体基板の一部から成る構成とすることができる。【００１７】
あるいは又、突起部は、撮像素子を構成する半導体基板とは異なる材料から成る構成とすることができる。この場合において、突起部は、樹脂材料から成る構成とすることができる。半導体基板との親和性の観点から、樹脂材料は、熱硬化性の樹脂材料（例えば、エポキシ系樹脂またはアクリル系樹脂などから成る熱硬化性の樹脂）から構成とすることが好ましい。【００１８】
上述した各種の好ましい構成を含む本開示に係る撮像素子において、突起部の厚さは、撮像素子を構成する半導体基板の厚さの１／２以下であることが好ましい。また、突起部の突出幅は、撮像素子を構成する半導体基板の厚さの１／４以下であることが好ましい。【００１９】
上述したように、本開示に係る撮像装置は、
配線基板と撮像素子とを備えており、
撮像素子の側面には、撮像素子の底面側が天面側に対して突出するように、突起部が設けられており、
撮像素子は、天面が配線基板と対向するように配線基板上にフリップチップ実装されており、
配線基板上の撮像素子の外周は封止材によって封止されている。【００２０】
本開示に係る撮像装置にあっては、上述したように、撮像素子の天面には光電変換部が設けられている構成とすることができる。この場合において、光電変換部と対向する配線基板の部分には受光窓が設けられている構成とすることができる。受光窓は単なる開口であってもよいし、シールガラスなどが設けられていても良い。【００２１】
本開示に用いられる封止材を構成する材料は、本開示の実施に支障がない限り、特に限定するものではない。例えば、熱硬化性樹脂や、紫外線照射によって硬化する樹脂を用いることができ、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂などを例示することができる。尚、樹脂には、絶縁性のフィラーが含まれていてもよい。【００２２】
上述したように、本開示に係る撮像素子の製造方法は、
撮像素子の底面が同一面上に配置され且つ撮像素子と撮像素子との間に撮像素子の厚さよりも薄い厚さの樹脂材料層が配置された状態の疑似ウエハを形成する工程、及び、
疑似ウエハに対して、撮像素子と撮像素子との間の幅よりも狭い幅でダイシングを行うことによって個片化を行なう工程、
を有する。半導体基板との親和性の観点から、樹脂材料層は、熱硬化性の樹脂（例えば、エポキシ系樹脂またはアクリル系樹脂などから成る熱硬化性の樹脂）から構成とすることが好ましい。【００２３】
あるいは又、本開示に係る撮像素子の製造方法は、
半導体ウエハに複数の撮像素子を形成する工程、
撮像素子の天面側から、撮像素子と撮像素子との間の半導体ウエハを所定の幅で薄肉化する工程、及び、
薄肉化された半導体ウエハの部分について所定の幅よりも狭い幅でダイシングを行なうことによって個片化を行なう工程、
を有する。【００２４】
この場合において、所定の幅のダイシングブレードを用いて撮像素子と撮像素子との間を所定の幅で薄肉化し、所定の幅のよりも狭い幅のダイシングブレードを用いて個片化を行なう構成とすることができる。あるいは又、エッチング技術を用いて撮像素子と撮像素子との間を所定の幅で薄肉化し、所定の幅のよりも狭い幅のダイシングブレードを用いて個片化を行なう構成とすることもできる。【００２５】
撮像素子の画素（ピクセル）の値として、Ｕ−ＸＧＡ（１６００，１２００）、ＨＤ−ＴＶ（１９２０，１０８０）、Ｑ−ＸＧＡ（２０４８，１５３６）の他、（３８４０，２１６０）、（７６８０，４３２０）等、画像用解像度の幾つかを例示することができるが、これらの値に限定するものではない。【００２６】
また、本開示の撮像装置を備えた電子機器として、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどの撮像システム、撮像機能を備えた携帯電話機、または、撮像機能を備えた他の機器といった各種の電子機器を例示することができる。【００２７】
本明細書における各種の条件は、厳密に成立する場合の他、実質的に成立する場合にも満たされる。設計上あるいは製造上生ずる種々のばらつきの存在は許容される。また、以下の説明で用いる各図面は模式的なものであり、実際の寸法やその割合を示すものではない。【００２８】
［第１の実施形態］
第１の実施形態は、本開示に係る撮像素子、及び、本開示に係る撮像装置に関する。【００２９】
図１Ａ及び図１Ｂは、本開示の第１の実施形態に係る撮像素子を説明するための模式的な斜視図である。図１Ａは、撮像素子を底面側から眺めたときの斜視図を示す。図１Ｂは、撮像素子を天面側から眺めたときの斜視図を示す。【００３０】
尚、図示および説明の都合上、図１Ａ及び図１Ｂにあっては、撮像素子１０に設けられる各種構成要素を誇張して示した。【００３１】
撮像素子１０は、配線基板上にフリップチップ実装される撮像素子である。撮像素子１０の側面には、底面１１側が天面１３側に対して突出するように、突起部が設けられている。より具体的には、撮像素子１０の側面１２は、底面１１側の側面１２Ａと天面１３側の側面１２Ｂから構成されている。そして、側面１２Ｂに対して突出する側面１２Ａの部分が、突起部を構成する。以下、側面１２Ａを突起部１２Ａと表す場合がある。突起部１２Ａは、撮像素子１０の全周に亘って設けられている。【００３２】
撮像素子１０の天面１３には、ハンダバンプ等から成る電極１５や光電変換部１４が設けられている。光電変換部１４は、例えば、フォトダイオード（Photo Diode：ＰＤ）などから成る光電変換素子、光電変換された電荷が転送される浮遊拡散領域（Floating Diffusion region：ＦＤ）、及び、複数のトランジスタなどを組み合わせて成る画素が、二次元マトリクス状に配置されて構成されている。【００３３】
撮像素子１０は、モノクロ画像を撮像する構成であってもよいし、カラー画像を撮像する構成であってもよい。カラー画像を撮像する構成の場合、通常、光電変換部１４の光入射面側に、カラーフィルタが配置される。例えば、Ｂａｙｅｒ配列のカラー画像を撮像する場合、［赤，緑，緑，青］に対応する光電変換素子の群を用いてカラー撮像を行う。【００３４】
ここで、本開示の理解を助けるため、図２ないし図４を参照して、撮像素子の側面が平面である参考例の撮像素子を備えた撮像装置の製造工程を説明する。その後、参考例の課題について、図５を参照して説明する。【００３５】
図２は、参考例の撮像素子を配線基板上にフリップチップ実装する際の工程を説明するための模式的な斜視図である。図３は、図２に引き続き、参考例の撮像素子を配線基板上にフリップチップ実装する際の工程を説明するための模式的な斜視図である。図４は、図３に引き続き、参考例の撮像素子を配線基板上にフリップチップ実装する際の工程を説明するための模式的な斜視図である。【００３６】
参考例の撮像素子９０は、側面９２が突起部を有さない平面であることが相違する他は、図１に示す撮像素子１０と同様の構成である。フリップチップ実装の際、先ず、撮像素子９０は、天面９３が配線基板２０と対向するように配置される（図２を参照）。配線基板２０において、光電変換部１４と対向する部分には、受光窓２１が設けられている。符号２２は、配線基板２０に設けられた電極である。【００３７】
撮像素子９０と配線基板２０とが対向するように配置された状態で、撮像素子９０と配線基板２０とを電気的に接続する。電気的に接続する方法は、フリップチップ接続に用いられている圧接工法、超音波接合工法、リフロー工法などといった周知の工法から適宜選択して使用すればよい。例えば、撮像素子９０の電極１５をハンダバンプから構成し、配線基板２０上に撮像素子９０が載置された状態でリフロー処理を施す。ハンダバンプが溶融することによって、撮像素子９０の電極１５と配線基板２０の電極２２とを電気的に接続することができる（図３を参照）。【００３８】
撮像素子９０と配線基板２０とが電気的に接続された後、撮像素子９０の外周に液状の樹脂材料から成る封止材３０を塗布する（図４を参照）。その後、硬化処理を行なうことによって、参考例の撮像素子９０を備えた撮像装置９００を得ることができる。【００３９】
引き続き、参考例の課題について説明する。図５Ａは、フリップチップ実装された撮像素子を備えた撮像装置の模式的な断面図である。図５Ｂは、図５Ａにおいて符号Ａで示す部分の拡大図である。【００４０】
図５Ｂに示すように、撮像素子９０の外周に液状の封止材３０を塗布する際に、封止材３０を構成する溶質や溶媒が間隙に浸透する。符号３１は浸透した溶質や溶媒を示す。これらが光電変換部１４にまで及ぶと、撮像に際して支障を来たす。撮像素子９０の端部から光電変換部１４までの距離を充分に確保するといったことで上述の問題は回避することができるが、撮像素子や配線基板のサイズの拡大を招く。【００４１】
以上、参考例の課題について説明した。【００４２】
上述したように、第１の実施形態に係る撮像素子１０は、配線基板上にフリップチップ実装される撮像素子である。そして、撮像素子１０の側面には、撮像素子１０の底面側が天面側に対して突出するように、突起部１２Ａが設けられている。配線基板上の撮像素子１０の外周は封止材によって封止されるが、撮像素子１０の周囲に塗布される液状の封止材は、側面の突起部１２Ａに引き寄せられるように流動するので、結果として、封止材を構成する溶質や溶媒が間隙に浸透し難くなる。以下、図６及び図７を参照して詳しく説明する。【００４３】
図６は、撮像素子を配線基板上にフリップチップ実装する際の工程を説明するための模式的な斜視図である。【００４４】
撮像素子１０と配線基板２０とを対向させ、次いで、電気的に接続させる工程は、参考例について図２と図３を参照して説明した工程と同様であるので、説明を省略する。撮像素子１０と配線基板２０とが電気的に接続された後、撮像素子１０の外周に液状の樹脂材料から成る封止材３０を塗布する（図６を参照、尚、図示の都合上、封止材３０の一部を切り欠いた状態を示した）。その後、硬化処理を行なうことによって、撮像素子１０を備えた撮像装置１００を得ることができる。【００４５】
以上説明したように、第２の実施形態に係る撮像装置１００は、
配線基板２０と撮像素子１０とを備えており、
撮像素子１０の側面には、撮像素子１０の底面１１側が天面１３側に対して突出するように、突起部１２Ａが設けられており、
撮像素子１０は、天面１３が配線基板２０と対向するように配線基板２０上にフリップチップ実装されており、
配線基板２０上の撮像素子１０の外周は封止材３０によって封止されている、
撮像装置である。【００４６】
図７Ａは、フリップチップ実装された撮像素子を備えた撮像装置の模式的な断面図である。図７Ｂは、図７Ａにおいて符号Ｂで示す部分の拡大図である。【００４７】
図７Ｂに示すように、撮像素子１０の周囲に塗布される液状の封止材３０は、側面の突起部１２Ａに引き寄せられるように流動するので、結果として、封止材３０を構成する溶質や溶媒が間隙に浸透し難くなる。従って、撮像素子や配線基板のサイズを拡大することなく、封止材３０を構成する溶質や溶媒が光電変換部１４に及ぶ程度を軽減することができる。【００４８】
引き続き、突起部１２Ａを構成する材料について説明する。図８Ａ及び図８Ｂは、撮像素子の側面部の構成例を説明するための模式的な断面図である。【００４９】
図８Ａは、突起部（側面）１２Ａの部分が側面１２Ｂの部分とは異なる材料で形成されている構造を示す。例えば、撮像素子１０を構成する半導体基板の側面に、樹脂材料から成る突起部１２Ａが形成されているといった構成が該当する。このような場合、半導体基板との親和性の観点から、樹脂材料は、エポキシ系樹脂またはアクリル系樹脂から成る構成とすることが好ましい。【００５０】
図８Ｂは、突起部（側面）１２Ａの部分が側面１２Ｂの部分と共通の材料で形成されている構造を示す。例えば、突起部１２Ａは、撮像素子１０を構成する半導体基板の一部から成るといった構成が該当する。【００５１】
引き続き、突起部１２Ａの突出幅や厚さについて説明する。図９は、突起部の厚さ及び突出幅を説明するための、模式的な拡大図である。【００５２】
突起部１２Ａの厚さは、撮像素子１０を構成する半導体基板の厚さの１／２以下であることが好ましい。従って、図９において、ＰＴ＜ＷＴ／２といった関係にあることが好ましい。【００５３】
また、突起部１２Ａの突出幅は、撮像素子を構成する半導体基板の厚さの１／４以下であることが好ましい。従って、図９において、ＰＷ＜ＷＴ／４といった関係にあることが好ましい。【００５４】
［第２の実施形態］
第２の実施形態は、撮像素子の製造方法に関する。【００５５】
より詳しくは、第２の実施形態は、
撮像素子の底面が同一面上に配置され且つ撮像素子と撮像素子との間に撮像素子の厚さよりも薄い厚さの樹脂材料層が配置された状態の疑似ウエハを形成する工程、及び、
疑似ウエハに対して、撮像素子と撮像素子との間の幅よりも狭い幅でダイシングを行うことによって個片化を行なう工程、
を有する撮像素子の製造方法に関する。【００５６】
以下、図１０ないし図１７を参照して、本開示の第２の実施形態に係る撮像素子の製造方法を説明する。【００５７】
［工程−２００］（図１０Ａ及び図１０Ｂ、並びに、図１１、参照）
支持基板４０を準備し、その上に、剥離可能な粘着層４１を形成する（図１０Ａ参照）。支持体４０の平面形状は、例えば直径３００ミリメートル程度の円板状である。支持体４０には、金属基板、ガラス基板、半導体基板、セラミックス基板などを用いることができる。【００５８】
次いで、側面が平面である撮像素子１０Ａを準備し、天面側が粘着層４１に対向するように、所定の間隔で配置する（図１０Ｂ参照）。尚、撮像素子１０Ａは、例えば、図８Ａに示す撮像素子１０から突起部１２Ａを省いたといった構成である。【００５９】
図１１は、図１０Ｂに示す工程によって得ることができる疑似ウエハを説明するための模式的な斜視図である。尚、図示の都合上、図１１においては、撮像素子の寸法や配置を誇張して示した。後述する図１５においても同様である。【００６０】
［工程−２１０］（図１２Ａ及び図１２Ｂ、参照）【００６１】
支持基板５０を準備し、その上に、剥離可能な粘着層５１を形成する（図１２Ａ参照）。支持体５０の平面形状は、例えば直径３００ミリメートル程度の円板状である。支持体５０には、金属基板、ガラス基板、半導体基板、セラミックス基板などを用いることができる。【００６２】
次いで、粘着層５１の上に、熱硬化性の樹脂材料から成る樹脂材料層５２を形成する。樹脂材料層を形成する方法は特に限定するものではない。例えば、スピンコート法、スプレーコート法、印刷法などの各種印刷法で塗布することができる。半導体基板との親和性の観点から、樹脂材料層５２は、エポキシ系樹脂またはアクリル系樹脂から成る構成とすることが好ましい。【００６３】
［工程−２２０］（図１３Ａ及び図１３Ｂ、参照）
その後、［工程−２００］によって得られた疑似ウエハ上の表示素子１０Ａを樹脂材料層５２上に搭載する。先ず。支持体４０上の撮像素子１０Ａの底面が樹脂材料層５２と対向するように疑似ウエハを配置し（図１３Ａ参照）、次いで、押圧を加えて表示素子１０Ａを樹脂材料層５２上に搭載する（図１３Ｂ参照）。【００６４】
図１３Ｂに示すように、撮像素子１０Ａと撮像素子１０Ａとの間には樹脂材料層５２が位置する。この状態において樹脂材料層５２の厚さが撮像素子１０Ａより薄くなるように、図１２Ｂにおける樹脂材料層５２の塗布厚さを設定すればよい。
［工程−２３０］（図１４Ａ及び図１４Ｂ、並びに、図１５、参照）【００６５】
次いで、樹脂材料層５２に硬化処理を施す（図１４Ａ参照）。硬化後であることを示すために、樹脂材料層５２には細かいハッチングを付した。その後、粘着層４１を剥離する（図１４Ｂ参照）。図１５は、図１４Ｂに示す工程によって得ることができる疑似ウエハを説明するための模式的な斜視図である。【００６６】
以上の工程によって、撮像素子の底面が同一面上に配置され且つ撮像素子と撮像素子との間に撮像素子の厚さよりも薄い厚さの樹脂材料層が配置された状態の疑似ウエハを形成することができる。【００６７】
［工程−２４０］（図１６、並びに、図１７Ａ及び図１７Ｂ、参照）
その後、図１４Ｂに示す工程によって得ることができる疑似ウエハに対して、撮像素子１０Ａと撮像素子１０Ａとの間の幅よりも狭い幅でダイシングを行う（図１６及び図１７参照）。個片化された撮像素子１０にあっては、側面の底面側に絶縁層５２が突起部として配置されている（図１７Ｂ参照）。【００６８】
以上の工程によって、樹脂材料層からなる突起部が側面に設けられた撮像素子１０を得ることができる。【００６９】
［第３の実施形態］
第３の実施形態も、撮像素子の製造方法に関する。【００７０】
第３の実施形態は、
半導体ウエハに複数の撮像素子を形成する工程、
撮像素子の天面側から、撮像素子と撮像素子との間の半導体ウエハを所定の幅で薄肉化する工程、及び、
薄肉化された半導体ウエハの部分について所定の幅よりも狭い幅でダイシングを行なうことによって個片化を行なう工程、
を有する、
撮像素子の製造方法に関する。【００７１】
そして、第３の実施形態にあっては、所定の幅のダイシングブレードを用いて撮像素子と撮像素子との間を所定の幅で薄肉化し、所定の幅のよりも狭い幅のダイシングブレードを用いて個片化を行なうことを特徴とする。【００７２】
以下、図１８ないし図２１を参照して、本開示の第３の実施形態に係る撮像素子の製造方法を説明する。【００７３】
［工程−３００］（図１８Ａ及び図１８Ｂ、並びに、図１９、参照）
半導体ウエハ６０を準備し（図１８Ａ参照）、所定の間隔を空けて、複数の撮像素子を半導体基板に形成する（図１８Ｂ参照）。撮像素子に対応する部分を符号１０Ｂで示す。図１８は、図１９Ｂに示す工程によって得ることができる半導体ウエハを説明するための模式的な斜視図である。【００７４】
［工程−３１０］（図２０Ａ及び図２０Ｂ、参照）
次いで、半導体ウエハ６０に形成された撮像素子１０Ｂの天面側（光電変換部側）から、撮像素子１０Ｂと撮像素子１０Ｂとの間の半導体ウエハ６０を所定の幅で薄肉化する。より具体的には、所定の幅のダイシングブレードを用いて撮像素子１０Ｂと撮像素子１０Ｂとの間を所定の幅で薄肉化する（図２０Ａ及び図２０Ｂ参照）。【００７５】
［工程−３２０］（図２１Ａ及び図２１Ｂ、参照）
その後、所定の幅のよりも狭い幅のダイシングブレードを用いて個片化を行なう（図２１Ａ及び図２１Ｂ参照）。【００７６】
以上の工程によって、撮像素子を構成する半導体基板の一部からなる突起部が側面に設けられた撮像素子１０を得ることができる。【００７７】
［第４の実施形態］
第４の実施形態も、撮像素子の製造方法に関する。【００７８】
第３の実施形態にあっては、所定の幅のダイシングブレードを用いて撮像素子と撮像素子との間を所定の幅で薄肉化し、所定の幅のよりも狭い幅のダイシングブレードを用いて個片化を行なった。これに対して、第４の実施形態では、エッチング技術を用いて撮像素子と撮像素子との間を所定の幅で薄肉化し、所定の幅のよりも狭い幅のダイシングブレードを用いて個片化を行なう。【００７９】
以下、図２２を参照して、本開示の第４の実施形態に係る撮像素子の製造方法を説明する。【００８０】
［工程−４００］
第３の実施形態において説明した［工程−３００］と同様の工程によって、所定の間隔を空けて、複数の撮像素子を半導体基板に形成する（図１８Ｂ参照）。【００８１】
［工程−４１０］（図２２Ａ及び図２２Ｂ、参照）
次いで、エッチング技術を用いて撮像素子と撮像素子との間を所定の幅で薄肉化を行う。具体的には、薄肉化を行う部分が開口したマスク７０を形成し（図２２Ａ参照）、次いで、ＲＩＥなどのエッチング処理を施し、薄肉化を行う（図２２Ｂ参照）。【００８２】
［工程−４２０］
その後、第３の実施形態において説明した［工程−３２０］と同様の工程によって、個片化を行う。【００８３】
以上の工程によって、撮像素子を構成する半導体基板の一部からなる突起部が側面に設けられた撮像素子１０を得ることができる。【００８４】
［第５の実施形態：応用例］
本開示に係る技術は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット、建設機械、農業機械（トラクター）などのいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。【００８５】
図２３は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システム７０００の概略的な構成例を示すブロック図である。車両制御システム７０００は、通信ネットワーク７０１０を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図２３に示した例では、車両制御システム７０００は、駆動系制御ユニット７１００、ボディ系制御ユニット７２００、バッテリ制御ユニット７３００、車外情報検出ユニット７４００、車内情報検出ユニット７５００、及び統合制御ユニット７６００を備える。これらの複数の制御ユニットを接続する通信ネットワーク７０１０は、例えば、ＣＡＮ（Controller  Area  Network）、ＬＩＮ（Local  Interconnect  Network）、ＬＡＮ（Local  Area  Network）又はＦｌｅｘＲａｙ（登録商標）等の任意の規格に準拠した車載通信ネットワークであってよい。【００８６】
各制御ユニットは、各種プログラムにしたがって演算処理を行うマイクロコンピュータと、マイクロコンピュータにより実行されるプログラム又は各種演算に用いられるパラメータ等を記憶する記憶部と、各種制御対象の装置を駆動する駆動回路とを備える。各制御ユニットは、通信ネットワーク７０１０を介して他の制御ユニットとの間で通信を行うためのネットワークＩ／Ｆを備えるとともに、車内外の装置又はセンサ等との間で、有線通信又は無線通信により通信を行うための通信Ｉ／Ｆを備える。図２３では、統合制御ユニット７６００の機能構成として、マイクロコンピュータ７６１０、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０、音声画像出力部７６７０、車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０及び記憶部７６９０が図示されている。他の制御ユニットも同様に、マイクロコンピュータ、通信Ｉ／Ｆ及び記憶部等を備える。【００８７】
駆動系制御ユニット７１００は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット７１００は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。駆動系制御ユニット７１００は、ＡＢＳ（Antilock  Brake  System）又はＥＳＣ（Electronic  Stability  Control）等の制御装置としての機能を有してもよい。【００８８】
駆動系制御ユニット７１００には、車両状態検出部７１１０が接続される。車両状態検出部７１１０には、例えば、車体の軸回転運動の角速度を検出するジャイロセンサ、車両の加速度を検出する加速度センサ、あるいは、アクセルペダルの操作量、ブレーキペダルの操作量、ステアリングホイールの操舵角、エンジン回転数又は車輪の回転速度等を検出するためのセンサのうちの少なくとも一つが含まれる。駆動系制御ユニット７１００は、車両状態検出部７１１０から入力される信号を用いて演算処理を行い、内燃機関、駆動用モータ、電動パワーステアリング装置又はブレーキ装置等を制御する。【００８９】
ボディ系制御ユニット７２００は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット７２００は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット７２００には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット７２００は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。【００９０】
バッテリ制御ユニット７３００は、各種プログラムにしたがって駆動用モータの電力供給源である二次電池７３１０を制御する。例えば、バッテリ制御ユニット７３００には、二次電池７３１０を備えたバッテリ装置から、バッテリ温度、バッテリ出力電圧又はバッテリの残存容量等の情報が入力される。バッテリ制御ユニット７３００は、これらの信号を用いて演算処理を行い、二次電池７３１０の温度調節制御又はバッテリ装置に備えられた冷却装置等の制御を行う。【００９１】
車外情報検出ユニット７４００は、車両制御システム７０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット７４００には、撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０のうちの少なくとも一方が接続される。撮像部７４１０には、ＴｏＦ（Time  Of  Flight）カメラ、ステレオカメラ、単眼カメラ、赤外線カメラ及びその他のカメラのうちの少なくとも一つが含まれる。車外情報検出部７４２０には、例えば、現在の天候又は気象を検出するための環境センサ、あるいは、車両制御システム７０００を搭載した車両の周囲の他の車両、障害物又は歩行者等を検出するための周囲情報検出センサのうちの少なくとも一つが含まれる。【００９２】
環境センサは、例えば、雨天を検出する雨滴センサ、霧を検出する霧センサ、日照度合いを検出する日照センサ、及び降雪を検出する雪センサのうちの少なくとも一つであってよい。周囲情報検出センサは、超音波センサ、レーダ装置及びＬＩＤＡＲ（Light  Detection  and  Ranging、Laser  Imaging  Detection  and  Ranging）装置のうちの少なくとも一つであってよい。これらの撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０は、それぞれ独立したセンサないし装置として備えられてもよいし、複数のセンサないし装置が統合された装置として備えられてもよい。【００９３】
ここで、図２４は、撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０の設置位置の例を示す。撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６，７９１８は、例えば、車両７９００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部のうちの少なくとも一つの位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部７９１０及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部７９１８は、主として車両７９００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部７９１２，７９１４は、主として車両７９００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部７９１６は、主として車両７９００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部７９１８は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。【００９４】
なお、図２４には、それぞれの撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲ａは、フロントノーズに設けられた撮像部７９１０の撮像範囲を示し、撮像範囲ｂ，ｃは、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部７９１２，７９１４の撮像範囲を示し、撮像範囲ｄは、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部７９１６の撮像範囲を示す。例えば、撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両７９００を上方から見た俯瞰画像が得られる。【００９５】
車両７９００のフロント、リア、サイド、コーナ及び車室内のフロントガラスの上部に設けられる車外情報検出部７９２０，７９２２，７９２４，７９２６，７９２８，７９３０は、例えば超音波センサ又はレーダ装置であってよい。車両７９００のフロントノーズ、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部に設けられる車外情報検出部７９２０，７９２６，７９３０は、例えばＬＩＤＡＲ装置であってよい。これらの車外情報検出部７９２０〜７９３０は、主として先行車両、歩行者又は障害物等の検出に用いられる。【００９６】
図２３に戻って説明を続ける。車外情報検出ユニット７４００は、撮像部７４１０に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像データを受信する。また、車外情報検出ユニット７４００は、接続されている車外情報検出部７４２０から検出情報を受信する。車外情報検出部７４２０が超音波センサ、レーダ装置又はＬＩＤＡＲ装置である場合には、車外情報検出ユニット７４００は、超音波又は電磁波等を発信させるとともに、受信された反射波の情報を受信する。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、降雨、霧又は路面状況等を認識する環境認識処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、車外の物体までの距離を算出してもよい。【００９７】
また、車外情報検出ユニット７４００は、受信した画像データに基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等を認識する画像認識処理又は距離検出処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した画像データに対して歪補正又は位置合わせ等の処理を行うとともに、異なる撮像部７４１０により撮像された画像データを合成して、俯瞰画像又はパノラマ画像を生成してもよい。車外情報検出ユニット７４００は、異なる撮像部７４１０により撮像された画像データを用いて、視点変換処理を行ってもよい。【００９８】
車内情報検出ユニット７５００は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット７５００には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部７５１０が接続される。運転者状態検出部７５１０は、運転者を撮像するカメラ、運転者の生体情報を検出する生体センサ又は車室内の音声を集音するマイク等を含んでもよい。生体センサは、例えば、座面又はステアリングホイール等に設けられ、座席に座った搭乗者又はステアリングホイールを握る運転者の生体情報を検出する。車内情報検出ユニット７５００は、運転者状態検出部７５１０から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。車内情報検出ユニット７５００は、集音された音声信号に対してノイズキャンセリング処理等の処理を行ってもよい。【００９９】
統合制御ユニット７６００は、各種プログラムにしたがって車両制御システム７０００内の動作全般を制御する。統合制御ユニット７６００には、入力部７８００が接続されている。入力部７８００は、例えば、タッチパネル、ボタン、マイクロフォン、スイッチ又はレバー等、搭乗者によって入力操作され得る装置によって実現される。統合制御ユニット７６００には、マイクロフォンにより入力される音声を音声認識することにより得たデータが入力されてもよい。入力部７８００は、例えば、赤外線又はその他の電波を利用したリモートコントロール装置であってもよいし、車両制御システム７０００の操作に対応した携帯電話又はＰＤＡ（Personal  Digital  Assistant）等の外部接続機器であってもよい。入力部７８００は、例えばカメラであってもよく、その場合搭乗者はジェスチャにより情報を入力することができる。あるいは、搭乗者が装着したウェアラブル装置の動きを検出することで得られたデータが入力されてもよい。さらに、入力部７８００は、例えば、上記の入力部７８００を用いて搭乗者等により入力された情報に基づいて入力信号を生成し、統合制御ユニット７６００に出力する入力制御回路などを含んでもよい。搭乗者等は、この入力部７８００を操作することにより、車両制御システム７０００に対して各種のデータを入力したり処理動作を指示したりする。【０１００】
記憶部７６９０は、マイクロコンピュータにより実行される各種プログラムを記憶するＲＯＭ（Read  Only  Memory）、及び各種パラメータ、演算結果又はセンサ値等を記憶するＲＡＭ（Random  Access  Memory）を含んでいてもよい。また、記憶部７６９０は、ＨＤＤ（Hard  Disc  Drive）等の磁気記憶デバイス、半導体記憶デバイス、光記憶デバイス又は光磁気記憶デバイス等によって実現してもよい。【０１０１】
汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、外部環境７７５０に存在する様々な機器との間の通信を仲介する汎用的な通信Ｉ／Ｆである。汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、ＧＳＭ（登録商標）（Global  System  of  Mobile  communications）、ＷｉＭＡＸ（登録商標）、ＬＴＥ（登録商標）（Long  Term  Evolution）若しくはＬＴＥ−Ａ（LTE−Advanced）などのセルラー通信プロトコル、又は無線ＬＡＮ（Ｗｉ−Ｆｉ（登録商標）ともいう）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）などのその他の無線通信プロトコルを実装してよい。汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、例えば、基地局又はアクセスポイントを介して、外部ネットワーク（例えば、インターネット、クラウドネットワーク又は事業者固有のネットワーク）上に存在する機器（例えば、アプリケーションサーバ又は制御サーバ）へ接続してもよい。また、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、例えばＰ２Ｐ（Peer  To  Peer）技術を用いて、車両の近傍に存在する端末（例えば、運転者、歩行者若しくは店舗の端末、又はＭＴＣ（Machine  Type  Communication）端末）と接続してもよい。【０１０２】
専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、車両における使用を目的として策定された通信プロトコルをサポートする通信Ｉ／Ｆである。専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、例えば、下位レイヤのＩＥＥＥ８０２．１１ｐと上位レイヤのＩＥＥＥ１６０９との組合せであるＷＡＶＥ（Wireless  Access  in  Vehicle  Environment）、ＤＳＲＣ（Dedicated  Short  Range  Communications）、又はセルラー通信プロトコルといった標準プロトコルを実装してよい。専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、典型的には、車車間（Vehicle  to  Vehicle）通信、路車間（Vehicle  to  Infrastructure）通信、車両と家との間（Vehicle  to  Home）の通信及び歩車間（Vehicle  to  Pedestrian）通信のうちの１つ以上を含む概念であるＶ２Ｘ通信を遂行する。【０１０３】
測位部７６４０は、例えば、ＧＮＳＳ（Global  Navigation  Satellite  System）衛星からのＧＮＳＳ信号（例えば、ＧＰＳ（Global  Positioning  System）衛星からのＧＰＳ信号）を受信して測位を実行し、車両の緯度、経度及び高度を含む位置情報を生成する。なお、測位部７６４０は、無線アクセスポイントとの信号の交換により現在位置を特定してもよく、又は測位機能を有する携帯電話、ＰＨＳ若しくはスマートフォンといった端末から位置情報を取得してもよい。【０１０４】
ビーコン受信部７６５０は、例えば、道路上に設置された無線局等から発信される電波あるいは電磁波を受信し、現在位置、渋滞、通行止め又は所要時間等の情報を取得する。なお、ビーコン受信部７６５０の機能は、上述した専用通信Ｉ／Ｆ７６３０に含まれてもよい。【０１０５】
車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、マイクロコンピュータ７６１０と車内に存在する様々な車内機器７７６０との間の接続を仲介する通信インタフェースである。車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、無線ＬＡＮ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、ＮＦＣ（Near  Field  Communication）又はＷＵＳＢ（Wireless  USB）といった無線通信プロトコルを用いて無線接続を確立してもよい。また、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、図示しない接続端子（及び、必要であればケーブル）を介して、ＵＳＢ（Universal  Serial  Bus）、ＨＤＭＩ（登録商標）（High-Definition  Multimedia  Interface）、又はＭＨＬ（Mobile  High-definition  Link）等の有線接続を確立してもよい。車内機器７７６０は、例えば、搭乗者が有するモバイル機器若しくはウェアラブル機器、又は車両に搬入され若しくは取り付けられる情報機器のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。また、車内機器７７６０は、任意の目的地までの経路探索を行うナビゲーション装置を含んでいてもよい。車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、これらの車内機器７７６０との間で、制御信号又はデータ信号を交換する。【０１０６】
車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０は、マイクロコンピュータ７６１０と通信ネットワーク７０１０との間の通信を仲介するインタフェースである。車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０は、通信ネットワーク７０１０によりサポートされる所定のプロトコルに則して、信号等を送受信する。【０１０７】
統合制御ユニット７６００のマイクロコンピュータ７６１０は、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０及び車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０のうちの少なくとも一つを介して取得される情報に基づき、各種プログラムにしたがって、車両制御システム７０００を制御する。例えば、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット７１００に対して制御指令を出力してもよい。例えば、マイクロコンピュータ７６１０は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Advanced  Driver  Assistance  System）の機能実現を目的とした協調制御を行ってもよい。また、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行ってもよい。【０１０８】
マイクロコンピュータ７６１０は、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０及び車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０のうちの少なくとも一つを介して取得される情報に基づき、車両と周辺の構造物や人物等の物体との間の３次元距離情報を生成し、車両の現在位置の周辺情報を含むローカル地図情報を作成してもよい。また、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される情報に基づき、車両の衝突、歩行者等の近接又は通行止めの道路への進入等の危険を予測し、警告用信号を生成してもよい。警告用信号は、例えば、警告音を発生させたり、警告ランプを点灯させたりするための信号であってよい。【０１０９】
音声画像出力部７６７０は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図２３の例では、出力装置として、オーディオスピーカ７７１０、表示部７７２０及びインストルメントパネル７７３０が例示されている。表示部７７２０は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。表示部７７２０は、ＡＲ（Augmented  Reality）表示機能を有していてもよい。出力装置は、これらの装置以外の、ヘッドホン、搭乗者が装着する眼鏡型ディスプレイ等のウェアラブルデバイス、プロジェクタ又はランプ等の他の装置であってもよい。出力装置が表示装置の場合、表示装置は、マイクロコンピュータ７６１０が行った各種処理により得られた結果又は他の制御ユニットから受信された情報を、テキスト、イメージ、表、グラフ等、様々な形式で視覚的に表示する。また、出力装置が音声出力装置の場合、音声出力装置は、再生された音声データ又は音響データ等からなるオーディオ信号をアナログ信号に変換して聴覚的に出力する。【０１１０】
なお、図２３に示した例において、通信ネットワーク７０１０を介して接続された少なくとも二つの制御ユニットが一つの制御ユニットとして一体化されてもよい。あるいは、個々の制御ユニットが、複数の制御ユニットにより構成されてもよい。さらに、車両制御システム７０００が、図示されていない別の制御ユニットを備えてもよい。また、上記の説明において、いずれかの制御ユニットが担う機能の一部又は全部を、他の制御ユニットに持たせてもよい。つまり、通信ネットワーク７０１０を介して情報の送受信がされるようになっていれば、所定の演算処理が、いずれかの制御ユニットで行われるようになってもよい。同様に、いずれかの制御ユニットに接続されているセンサ又は装置が、他の制御ユニットに接続されるとともに、複数の制御ユニットが、通信ネットワーク７０１０を介して相互に検出情報を送受信してもよい。【０１１１】
本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、例えば、車外情報検出ユニットの撮像部に適用され得る。【０１１２】
［その他］
以上、本開示の実施形態について具体的に説明したが、本開示は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、上述の実施形態において挙げた数値、構造、基板、原料、プロセスなどはあくまでも例に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる数値、構造、基板、原料、プロセスなどを用いてもよい。【０１１３】
尚、本開示の技術は以下のような構成も取ることができる。【０１１４】
［Ａ１］
配線基板上にフリップチップ実装される撮像素子であって、
撮像素子の側面には、撮像素子の底面側が天面側に対して突出するように、突起部が設けられている、
撮像素子。
［Ａ２］
撮像素子の天面には光電変換部が設けられている、
上記［Ａ１］に記載の撮像素子。
［Ａ３］
突起部は、撮像素子を構成する半導体基板の一部から成る、
上記［Ａ１］または［Ａ２］に記載の撮像素子。
［Ａ４］
突起部は、撮像素子を構成する半導体基板とは異なる材料から成る、
上記［Ａ１］または［Ａ２］に記載の撮像素子。
［Ａ５］
突起部は、樹脂材料から成る、
上記［Ａ４］に記載の撮像素子。
［Ａ６］
樹脂材料は、熱硬化性の樹脂材料から成る、
上記［Ａ５］に記載の撮像素子。
［Ａ７］
突起部の厚さは、撮像素子を構成する半導体基板の厚さの１／２以下である、
上記［Ａ１］ないし［Ａ６］のいずれかに記載の撮像素子。
［Ａ８］
突起部の突出幅は、撮像素子を構成する半導体基板の厚さの１／４以下である、
上記［Ａ１］ないし［Ａ７］のいずれかに記載の撮像素子。【０１１５】
［Ｂ１］
配線基板と撮像素子とを備えており、
撮像素子の側面には、撮像素子の底面側が天面側に対して突出するように、突起部が設けられており、
撮像素子は、天面が配線基板と対向するように配線基板上にフリップチップ実装されており、
配線基板上の撮像素子の外周は封止材によって封止されている、
撮像装置。
［Ｂ２］
撮像素子の天面には光電変換部が設けられている、
上記［Ｂ１］に記載の撮像装置。
［Ｂ３］
光電変換部と対向する配線基板の部分には受光窓が設けられている、
上記［Ｂ１］または［Ｂ２］に記載の撮像装置。
［Ｂ４］
突起部は、撮像素子を構成する半導体基板の一部から成る、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ３］のいずれかに記載の撮像装置。
［Ｂ５］
突起部は、撮像素子を構成する半導体基板とは異なる材料から成る、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ４］のいずれかに記載の撮像装置。
［Ｂ６］
突起部は、樹脂材料から成る、
上記［Ｂ５］に記載の撮像装置。
［Ｂ７］
樹脂材料は、熱硬化性の樹脂材料から成る、
上記［Ｂ６］に記載の撮像装置。
［Ｂ８］
突起部の厚さは、撮像素子を構成する半導体基板の厚さの１／２以下である、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ７］のいずれかに記載の撮像装置。
［Ｂ９］
突起部の突出幅は、撮像素子を構成する半導体基板の厚さの１／４以下である、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ８］のいずれかに記載の撮像装置。【０１１６】
［Ｃ１］
撮像素子の底面が同一面上に配置され且つ撮像素子と撮像素子との間に撮像素子の厚さよりも薄い厚さの樹脂材料層が配置された状態の疑似ウエハを形成する工程、及び、
疑似ウエハに対して、撮像素子と撮像素子との間の幅よりも狭い幅でダイシングを行うことによって個片化を行なう工程、
を有する、
撮像素子の製造方法。
［Ｃ２］
樹脂材料層は、熱硬化性の樹脂材料から成る、
上記［Ｃ１］に記載の撮像素子の製造方法。【０１１７】
［Ｄ１］
半導体ウエハに複数の撮像素子を形成する工程、
撮像素子の天面側から、撮像素子と撮像素子との間の半導体ウエハを所定の幅で薄肉化する工程、及び、
薄肉化された半導体ウエハの部分について所定の幅よりも狭い幅でダイシングを行なうことによって個片化を行なう工程、
を有する、
撮像素子の製造方法。
［Ｄ２］
所定の幅のダイシングブレードを用いて撮像素子と撮像素子との間を所定の幅で薄肉化し、所定の幅のよりも狭い幅のダイシングブレードを用いて個片化を行なう、
上記［Ｄ１］に記載の撮像素子の製造方法。
［Ｄ３］
エッチング技術を用いて撮像素子と撮像素子との間を所定の幅で薄肉化し、所定の幅のよりも狭い幅のダイシングブレードを用いて個片化を行なう、
上記［Ｄ１］に記載の撮像素子の製造方法。【０１１８】
［Ｅ１］
配線基板上に撮像素子がフリップチップ実装されて成る撮像装置を備えた電子機器であって、
撮像素子の側面には、撮像素子の底面側が天面側に対して突出するように、突起部が設けられており、
撮像素子は、天面が配線基板と対向するように配線基板上にフリップチップ実装されており、
配線基板上の撮像素子の外周は封止材によって封止されている、
電子機器。
［Ｅ２］
撮像素子の天面には光電変換部が設けられている、
上記［Ｅ１］に記載の電子機器。
［Ｅ３］
光電変換部と対向する配線基板の部分には受光窓が設けられている、
上記［Ｅ１］または［Ｅ２］に記載の電子機器。
［Ｅ４］
突起部は、撮像素子を構成する半導体基板の一部から成る、
上記［Ｅ１］ないし［Ｅ３］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｅ５］
突起部は、撮像素子を構成する半導体基板とは異なる材料から成る、
上記［Ｅ１］ないし［Ｅ４］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｅ６］
突起部は、樹脂材料から成る、
上記［Ｅ５］に記載の電子機器。
［Ｅ７］
樹脂材料は、熱硬化性の樹脂材料から成る、
上記［Ｅ６］に記載の電子機器。
［Ｅ８］
突起部の厚さは、撮像素子を構成する半導体基板の厚さの１／２以下である、
上記［Ｅ１］ないし［Ｅ７］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｅ９］
突起部の突出幅は、撮像素子を構成する半導体基板の厚さの１／４以下である、
上記［Ｅ１］ないし［Ｅ８］のいずれかに記載の電子機器。
【符号の説明】
【０１１９】
１０，１０Ａ，９０・・・撮像素子、１０Ｂ・・・撮像素子の形成領域、１１・・・撮像素子の底面、１２，９２・・・撮像素子の側面、１２Ａ・・・底面側の側面（突起部）、１２Ｂ・・・天面側の側面、１３・・・撮像素子の天面、１４・・・光電変換部、１４・・・撮像素子の電極（ハンダバンプ）、２０・・・配線基板、２１・・・受光窓、２２・・・配線基板の電極、３０・・・封止材、４０・・・支持基板、４１・・・粘着層（剥離層）、５０・・・支持基板、５１・・・粘着層（剥離層）、５２・・・樹脂材料層、６０・・・半導体ウエハ（半導体基板）、７０・・・マスク、１００，９００・・・撮像装置、ＤＧ・・・ダイシングブレード
【図１】
2019087700.tif 000003
【図２】
2019087700.tif 000004
【図３】
2019087700.tif 000005
【図４】
2019087700.tif 000006
【図５】
2019087700.tif 000007
【図６】
2019087700.tif 000008
【図７】
2019087700.tif 000009
【図８】
2019087700.tif 000010
【図９】
2019087700.tif 000011
【図１０】
2019087700.tif 000012
【図１１】
2019087700.tif 000013
【図１２】
2019087700.tif 000014
【図１３】
2019087700.tif 000015
【図１４】
2019087700.tif 000016
【図１５】
2019087700.tif 000017
【図１６】
2019087700.tif 000018
【図１７】
2019087700.tif 000019
【図１８】
2019087700.tif 000020
【図１９】
2019087700.tif 000021
【図２０】
2019087700.tif 000022
【図２１】
2019087700.tif 000023
【図２２】
2019087700.tif 000024
【図２３】
2019087700.tif 000025
【図２４】
2019087700.tif 000026
【国際調査報告】
2019087700.tif 000027
2019087700.tif 000028
2019087700.tif 000029
2019087700.tif 000030