(57)【要約】  厚みが薄くても優れた耐摩耗性を有する潤滑層を形成でき、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適な含フッ素エーテル化合物の提供。式（１）で表される含フッ素エーテル化合物。Ｒ１−Ｒ２−ＣＨ２−Ｒ３−ＣＨ２−Ｒ４−Ｒ５（１）（式（１）中、Ｒ３はパーフルオロポリエーテル鎖である。Ｒ１はＲ２に結合された末端基であり、Ｒ５はＲ４に結合された末端基である。Ｒ１はアルケニル基またはアルキニル基であり、Ｒ５は複素環を含む基である。Ｒ２は下記式（２）で表され、Ｒ４は下記式（３）で表される。式（２）中のａおよび式（３）中のｂはそれぞれ独立に１〜３の整数である。）[化１]2019087548.tif 000029
2019087548.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。
Ｒ１−Ｒ２−ＣＨ２−Ｒ３−ＣＨ２−Ｒ４−Ｒ５      （１）
（式（１）中、Ｒ３はパーフルオロポリエーテル鎖である。Ｒ１はＲ２に結合された末端基であり、Ｒ５はＲ４に結合された末端基である。Ｒ１はアルケニル基またはアルキニル基であり、Ｒ５は複素環を含む基である。Ｒ２は下記式（２）で表され、Ｒ４は下記式（３）で表される。式（２）中のａおよび式（３）中のｂはそれぞれ独立に１〜３の整数である。）
【化１】
2019087548.tif 000028
【請求項２】
前記式（１）におけるＲ１が、炭素原子数２〜８のアルケニル基または炭素原子数３〜８のアルキニル基である請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
【請求項３】
前記式（１）におけるＲ１が、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、プロパギル基から選ばれるいずれかである請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
【請求項４】
前記式（１）におけるＲ５が、チオフェン環を含む基、チアゾール環を含む基、ピラゾール環を含む基から選ばれるいずれかである請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
【請求項５】
前記式（１）におけるＲ３が、下記式（４）〜（６）のいずれかである請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
−ＣＦ２Ｏ−（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ−（ＣＦ２Ｏ）ｎ−ＣＦ２−  （４）
（式（４）中のｍ、ｎは平均重合度を示し、それぞれ０〜３０を表す。但し、ｍまたはｎが０．１以上である。）
−ＣＦ（ＣＦ３）−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）ｙ−ＯＣＦ（ＣＦ３）−  （５）
（式（５）中のｙは平均重合度を示し、０．１〜３０を表す。）
−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚ−ＣＦ２ＣＦ２−  （６）
（式（６）中のｚは平均重合度を示し、０．１〜３０を表す。）
【請求項６】
数平均分子量が５００〜１００００の範囲内にある請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。
【請求項８】
基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層が順次設けられた磁気記録媒体であって、前記潤滑層が、請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項９】
前記潤滑層の平均膜厚が０．５ｎｍ〜２ｎｍである請求項８に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体の潤滑剤用途に好適な含フッ素エーテル化合物、それを含む磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体に関する。
本願は、２０１７年１０月３１日に、日本に出願された特願２０１７−２１０６７８号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録再生装置の記録密度を向上させるために、高記録密度に適した磁気記録媒体の開発が進められている。
従来、磁気記録媒体として、基板上に記録層を形成し、記録層上にカーボン等の保護層を形成したものがある。保護層は、記録層に記録された情報を保護するとともに、磁気ヘッドの摺動性を高める。しかし、記録層上に保護層を設けただけでは、磁気記録媒体の耐久性は十分に得られない。このため、一般に、保護層の表面に潤滑剤を塗布して潤滑層を形成している。【０００３】
磁気記録媒体の潤滑層を形成する際に用いられる潤滑剤としては、例えば、ＣＦ２を含む繰り返し構造を有するフッ素系のポリマーを含有するものが提案されている（例えば、特許文献１〜２参照）。
例えば、特許文献１には、末端に複素環を有するパーフルオロポリエーテル誘導体が開示されている。また、特許文献２には、フルオロアルキル基とアルケニル基とが、極性基を有するアルキレン基で連結されている含フッ素化合物が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−３３２５３号公報
【特許文献２】特許第２８６６６２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
磁気記録再生装置においては、より一層、磁気ヘッドの浮上量を小さくすることが要求されている。このため、磁気記録媒体における潤滑層の厚みを、より薄くすることが求められている。
しかし、一般的に潤滑層の厚みを薄くすると、潤滑層の被覆性が低下して、磁気記録媒体の耐摩耗性が低下する傾向がある。【０００６】
本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、厚みが薄くても優れた耐摩耗性を有する潤滑層を形成でき、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適に用いることができる含フッ素エーテル化合物を提供することを課題とする。
また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を提供することを課題とする。
また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を有する優れた信頼性および耐久性を有する磁気記録媒体を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた。
その結果、パーフルオロポリエーテル鎖と分子の第１末端基との間、パーフルオロポリエーテル鎖と第２末端基との間に、それぞれ、特定構造を有する連結基を配置し、この特定構造を有する連結基がエーテル結合（−Ｏ−）とメチレン基（−ＣＨ２−）と１つの水素原子が水酸基で置換されたメチレン基（−ＣＨ（ＯＨ）−）とを組み合わせた連結基であり、第１末端基がアルケニル基またはアルキニル基であり、第２末端基が複素環を含む基である含フッ素エーテル化合物とすればよいことを見出し、本発明を想到した。
すなわち、本発明は以下の事項に関する。【０００８】
［１］  下記式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。
Ｒ１−Ｒ２−ＣＨ２−Ｒ３−ＣＨ２−Ｒ４−Ｒ５      （１）
（式（１）中、Ｒ３はパーフルオロポリエーテル鎖である。Ｒ１はＲ２に結合された末端基であり、Ｒ５はＲ４に結合された末端基である。Ｒ１はアルケニル基またはアルキニル基であり、Ｒ５は複素環を含む基である。Ｒ２は下記式（２）で表され、Ｒ４は下記式（３）で表される。式（２）中のａおよび式（３）中のｂはそれぞれ独立に１〜３の整数である。）【０００９】
【化１】
2019087548.tif 000003
【００１０】
［２］  前記式（１）におけるＲ１が、炭素原子数２〜８のアルケニル基または炭素原子数３〜８のアルキニル基である［１］に記載の含フッ素エーテル化合物。
［３］  前記式（１）におけるＲ１が、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、プロパギル基から選ばれるいずれかである［１］に記載の含フッ素エーテル化合物。
［４］  前記式（１）におけるＲ５が、チオフェン環を含む基、チアゾール環を含む基、ピラゾール環を含む基から選ばれるいずれかである［１］〜［３］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。【００１１】
［５］  前記式（１）におけるＲ３が、下記式（４）〜（６）のいずれかである［１］〜［４］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
−ＣＦ２Ｏ−（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ−（ＣＦ２Ｏ）ｎ−ＣＦ２−  （４）
（式（４）中のｍ、ｎは平均重合度を示し、それぞれ０〜３０を表す。但し、ｍまたはｎが０．１以上である。）
−ＣＦ（ＣＦ３）−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）ｙ−ＯＣＦ（ＣＦ３）−  （５）
（式（５）中のｙは平均重合度を示し、０．１〜３０を表す。）−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚ−ＣＦ２ＣＦ２−  （６）
（式（６）中のｚは平均重合度を示し、０．１〜３０を表す。）
［６］  数平均分子量が５００〜１００００の範囲内にある［１］〜［５］のいずれかに記載に含フッ素エーテル化合物。【００１２】
［７］  ［１］〜［６］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。
［８］  基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層が順次設けられた磁気記録媒体であって、前記潤滑層が、［１］〜［６］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
［９］  前記潤滑層の平均膜厚が０．５ｎｍ〜２ｎｍである［８］に記載の磁気記録媒体。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の含フッ素エーテル化合物は、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適である。
本発明の磁気記録媒体用潤滑剤は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含むため、厚みが薄くても優れた耐摩耗性が得られる潤滑層を形成できる。
本発明の磁気記録媒体は、優れた耐摩耗性を有する潤滑層が設けられているものであるため、優れた信頼性および耐久性を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示した概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤（以下、「潤滑剤」と略記する場合がある。）および磁気記録媒体について詳細に説明する。なお、本発明は、以下に示す実施形態のみに限定されるものではない。
【００１６】
［含フッ素エーテル化合物］
本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、下記式（１）で表される。
Ｒ１−Ｒ２−ＣＨ２−Ｒ３−ＣＨ２−Ｒ４−Ｒ５      （１）
（式（１）中、Ｒ３はパーフルオロポリエーテル鎖である。Ｒ１はＲ２に結合された末端基であり、Ｒ５はＲ４に結合された末端基である。Ｒ１はアルケニル基またはアルキニル基であり、Ｒ５は複素環を含む基である。Ｒ２は下記式（２）で表され、Ｒ４は下記式（３）で表される。式（２）中のａおよび式（３）中のｂはそれぞれ独立に１〜３の整数である。）
【００１７】
【化２】
2019087548.tif 000004
【００１８】
ここで、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて、磁気記録媒体の保護層上に潤滑層を形成した場合に、厚みが薄くても、優れた耐摩耗性が得られる理由について説明する。
【００１９】
本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、式（１）に示すように、Ｒ３で表されるパーフルオロポリエーテル鎖（以下「ＰＦＰＥ鎖」と略記する場合がある。）を有する。ＰＦＰＥ鎖は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層において、保護層の表面を被覆するとともに、潤滑層に潤滑性を付与して磁気ヘッドと保護層との摩擦力を低減させる。
【００２０】
また、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、両末端基（Ｒ１、Ｒ５）がそれぞれ異なる非対称の化合物である。具体的には、分子の第１末端基（Ｒ１）がアルケニル基またはアルキニル基であり、第２末端基（Ｒ５）が複素環を含む基である。このため、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、両末端にそれぞれ結合された異なる機能を有する末端基（Ｒ１、Ｒ５）の相乗効果によって、両末端に同じ末端基が結合している化合物と比較して、優れた耐摩耗性が得られる。
【００２１】
また、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物中、Ｒ２は上記式（２）で表され、Ｒ４は上記式（３）で表される。
したがって、式（１）に示す含フッ素エーテル化合物は、Ｒ２とＲ４にそれぞれ１以上の水酸基を含む。Ｒ２およびＲ４に含まれる水酸基は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層において、含フッ素エーテル化合物と保護層とを密着させて、耐摩耗性を向上させる。よって、上記の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤では、厚みを薄くしても、優れた耐摩耗性を有する潤滑層を形成できると推定される。
【００２２】
また、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、含フッ素エーテル化合物内の相互作用（例えば水素結合）が小さく、含フッ素エーテル化合物の末端基（Ｒ１、Ｒ５）、およびＲ２とＲ４に含まれる水酸基と、保護層との親和性が高いものとなり、良好な耐摩耗性が得られると推定される。
【００２３】
Ｒ２は二価の連結基であり、上記式（２）で表される。式（２）中のａは１〜３の整数であり、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能等に応じて適宜選択できる。式（２）中のａは１〜２の整数であることが好ましい。式（２）中のａが１以上であると、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層において、含フッ素エーテル化合物と保護層との密着性を向上させることができる。式（２）中のａが３以下であると、含フッ素エーテル化合物の極性が高くなりすぎることがなく、異物（スメア）として磁気ヘッドに付着するピックアップが発生することを防止できる。
【００２４】
Ｒ４は二価の連結基であり、上記式（３）で表される。式（３）中のｂは１〜３の整数であり、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能等に応じて適宜選択できる。式（３）中のｂは１〜２の整数であることが好ましい。式（３）中のｂが１以上であると、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層において、含フッ素エーテル化合物と保護層との密着性を向上させることができる。式（３）中のｂが３以下であると、含フッ素エーテル化合物の極性が高くなりすぎることがなく、異物（スメア）として磁気ヘッドに付着するピックアップが発生することを防止できる。
【００２５】
本実施形態の含フッ素エーテル化合物では、Ｒ２に含まれる水酸基（−ＯＨ）の数とＲ４に含まれる水酸基の数との合計は２以上であり、３以上であることが好ましい。本実施形態では、Ｒ２とＲ４にそれぞれ１以上の水酸基が含まれているので、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層において、含フッ素エーテル化合物と保護層との密着性が良好となる。Ｒ２に含まれる水酸基の数とＲ４に含まれる水酸基の数との合計は、６以下であり、４以下であることが好ましい。Ｒ２に含まれる水酸基の数とＲ４に含まれる水酸基の数との合計が６以下であると、含フッ素エーテル化合物の極性が高くなりすぎることがなく、異物（スメア）として磁気ヘッドに付着するピックアップが発生することを防止できる。
【００２６】
式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ２とＲ４は同じであってもよいし、異なっていても良い。
【００２７】
上記式（１）で表される本実施形態の含フッ素エーテル化合物において、Ｒ１はＲ２に結合された末端基であり、Ｒ５はＲ４に結合された末端基である。Ｒ１とＲ５とは異なる。
Ｒ１はアルケニル基またはアルキニル基であり、Ｒ５は複素環を含む基である。このため、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物では、Ｒ１とＲ５との相乗効果が得られる。例えば、Ｒ１がアルケニル基である場合、アルケニル基のＳＰ２結合と保護層との高い親和性と、複素環を含む基のヘテロ原子と保護層との高い親和性との相乗効果が得られる。その結果、より優れた耐摩耗性を有する潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。
【００２８】
式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ１はアルケニル基またはアルキニル基である。アルケニル基またはアルキニル基は、保護層との親和性が高い。
Ｒ１がアルケニル基である場合、アルケニル基の有する二重結合がＲ２から最も遠い位置に配置されていることが好ましい。また、Ｒ１がアルケニル基である場合、炭素原子数２〜８のアルケニル基であることが好ましく、具体的には、エテニル基、アリル基（プロペニル基）、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基から選ばれるいずれかであることが好ましく、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基から選ばれるいずれかであることがより好ましい。Ｒ１が、炭素原子数２〜８のアルケニル基であると、Ｒ２に含まれる水酸基からＲ１の末端の原子までの距離が適切となり、これを含む潤滑層において保護層との良好な相互作用を示すため好ましい。
【００２９】
Ｒ１がアルキニル基である場合、アルキニル基の有する三重結合がＲ２から最も遠い位置に配置されていることが好ましい。また、Ｒ１がアルキニル基である場合、炭素原子数３〜８のアルキニル基であることが好ましく、プロピニル基（ＣＨ３−Ｃ≡Ｃ−）、プロパルギル基（ＨＣ≡ＣＣＨ２−）、ブチニル基、メチルブチニル基、ペンチニル基、メチルペンチニル基、ヘキシニル基、ヘプチニル基、オクチニル基から選ばれるいずれかであることがより好ましく、特にプロパルギル基であることが好ましい。Ｒ１が、炭素原子数３〜８のアルキニル基であると、Ｒ２に含まれる水酸基からＲ１の末端の原子までの距離が適切となり、これを含む潤滑層において保護層との良好な相互作用を示すため好ましい。
Ｒ１が、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、プロパギル基から選ばれるいずれかであると、より優れた耐摩耗性を有する潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。
【００３０】
式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ５は複素環を含む基である。
複素環を含む基としては、例えば、ピロリル基、ピラゾリル基、メチルピラゾリルメチル基、イミダゾリル基、フリル基、フルフリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チエニル基、チエニルエチル基、メチルチアゾールエチル基、チアゾリル基、メチルチアゾリルエチル基、イソチアゾリル基、ピリジル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、ピラジニル基、インドリニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾピラゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、フタラジニル基、シンノリニル基などが挙げられる。
【００３１】
Ｒ５は、チオフェン環を含む基、チアゾール環を含む基、ピラゾール環を含む基から選ばれるいずれかであることが好ましい。チオフェン環を含む基としてはチエニルエチル基が好ましく、チアゾール環を含む基としてはメチルチアゾールエチル基が好ましく、ピラゾール環を含む基としてはメチルピラゾリルメチル基が好ましい。
Ｒ５が、チオフェン環を含む基、チアゾール環を含む基、ピラゾール環を含む基から選ばれるいずれかであると、保護層との親和性が高く、より優れた耐摩耗性を有する潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。
【００３２】
上記の複素環を含む基は、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、カルボキシ基、カルボニル基、アミノ基、シアノ基などの置換基を有していても良い。
【００３３】
上記式（１）で表される本実施形態の含フッ素エーテル化合物において、Ｒ３はパーフルオロポリエーテル鎖（ＰＦＰＥ鎖）である。Ｒ３は、特に限定されるものではなく、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能などに応じて適宜選択できる。ＰＦＰＥ鎖としては、例えば、パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロエチレンオキシド重合体、パーフルオロ−ｎ−プロピレンオキシド重合体、パーフルオロイソプロピレンオキシド重合体、これらの共重合体からなるものなどが挙げられる。
【００３４】
具体的には、式（１）におけるＲ３は、下記式（４）〜（６）のいずれかであることが好ましい。なお、式（４）における繰り返し単位である（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）と（ＣＦ２Ｏ）との配列順序には、特に制限はない。式（４）は、モノマー単位（ＣＦ２−ＣＦ２−Ｏ）と（ＣＦ２−Ｏ）とからなるランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体のいずれを含むものであってもよい。
【００３５】
−ＣＦ２Ｏ−（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ−（ＣＦ２Ｏ）ｎ−ＣＦ２−  （４）
（式（４）中のｍ、ｎは平均重合度を示し、それぞれ０〜３０を表す。但し、ｍまたはｎが０．１以上である。）
−ＣＦ（ＣＦ３）−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）ｙ−ＯＣＦ（ＣＦ３）−  （５）
（式（５）中のｙは平均重合度を示し、０．１〜３０を表す。）
−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚ−ＣＦ２ＣＦ２−  （６）
（式（６）中のｚは平均重合度を示し、０．１〜３０を表す。）
【００３６】
式（５）および式（６）におけるｙ、ｚがそれぞれ０．１〜３０である（式（４）におけるｍ、ｎがそれぞれ０〜３０であってｍまたはｎが０．１以上である）と、良好な耐摩耗性を有する潤滑層が得られる含フッ素エーテル化合物となる。しかし、ｍ、ｎ、ｙ、ｚがそれぞれ３０を超えると、含フッ素エーテル化合物の粘度が高くなり、これを含む潤滑剤が塗布しにくいものとなる場合がある。したがって、ｍ、ｎ、ｙ、ｚは３０以下であることが好ましく、２０以下であることがより好ましい。
【００３７】
式（１）におけるＲ３が、式（４）〜式（６）のいずれかである場合、含フッ素エーテル化合物の合成が容易であるため、好ましい。Ｒ３が式（４）である場合、原料入手が容易であるため、より好ましい。
また、Ｒ３が、式（４）〜式（６）のいずれかである場合、パーフルオロポリエーテル鎖中の炭素原子数に対する酸素原子数（エーテル結合（−Ｏ−）数）の割合が適正である。このため、適度な硬さを有する含フッ素エーテル化合物となる。よって、保護層上に塗布された含フッ素エーテル化合物が、保護層上で凝集しにくく、より一層厚みの薄い潤滑層を十分な被覆率で形成できる。また、Ｒ３が式（４）〜式（６）のいずれかである場合、良好な耐摩耗性を有する潤滑層が得られる含フッ素エーテル化合物となる。
【００３８】
式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、具体的には、下記式（Ａ）〜（Ｉ）で表されるいずれかの化合物であることが好ましい。なお、式（Ａ）〜（Ｈ）中の繰り返し数ｍ、ｎ、および式（Ｉ）中の繰り返し数ｚは、平均値を示す値であるため、必ずしも整数とはならない。
【００３９】
式（Ａ）〜（Ｇ）および（Ｊ）で表される化合物は、Ｒ１がアルケニル基であり、Ｒ２が式（２）でａ＝１または２であり、Ｒ３が式（４）であり、Ｒ４が式（３）でｂ＝１または２であり、Ｒ５が複素環を含む基である。
式（Ｈ）で表される化合物は、Ｒ１がアルキニル基であり、Ｒ２が式（２）でａ＝１であり、Ｒ３が式（４）であり、Ｒ４が式（３）でｂ＝２であり、Ｒ５が複素環を含む基である。
式（Ｉ）で表される化合物は、Ｒ１がアルケニル基であり、Ｒ２が式（２）でａ＝２であり、Ｒ３が式（６）であり、Ｒ４が式（３）でｂ＝２あり、Ｒ５が複素環を含む基である。
【００４０】
【化３】
2019087548.tif 000005
（式（Ａ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１〜３０を表し、ｎは０〜３０を表す。
）
【００４１】
【化４】
2019087548.tif 000006
（式（Ｂ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１〜３０を表し、ｎは０〜３０を表す。
）
【００４２】
【化５】
2019087548.tif 000007
（式（Ｃ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１〜３０を表し、ｎは０〜３０を表す。
）
【００４３】
【化６】
2019087548.tif 000008
（式（Ｄ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１〜３０を表し、ｎは０〜３０を表す。
）
【００４４】
【化７】
2019087548.tif 000009
（式（Ｅ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１〜３０を表し、ｎは０〜３０を表す。
）
【００４５】
【化８】
2019087548.tif 000010
（式（Ｆ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１〜３０を表し、ｎは０〜３０を表す。
）
【００４６】
【化９】
2019087548.tif 000011
（式（Ｇ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１〜３０を表し、ｎは０〜３０を表す。
）
【００４７】
【化１０】
2019087548.tif 000012
（式（Ｈ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１〜３０を表し、ｎは０〜３０を表す。
）
【００４８】
【化１１】
2019087548.tif 000013
（式（Ｉ）中、ｚは平均重合度を示し、ｚは１〜３０を表す。）
【００４９】
【化１２】
2019087548.tif 000014
（式（Ｊ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１〜３０を表し、ｎは０〜３０を表す。
）
【００５０】
式（１）で表わされる化合物が上記式（Ａ）〜（Ｊ）で表されるいずれかの化合物であると、原料が入手しやすく、厚みが薄くても優れた耐摩耗性が得られる潤滑層を形成できるため好ましい。
【００５１】
本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、数平均分子量（Ｍｎ）が５００〜１００００の範囲内であることが好ましい。数平均分子量が５００以上であると、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤が蒸散しにくいものとなり、潤滑剤が蒸散して磁気ヘッドに移着することを防止できる。含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、１０００以上であることがより好ましい。また、数平均分子量が１００００以下であると、含フッ素エーテル化合物の粘度が適正なものとなり、これを含む潤滑剤を塗布することによって、容易に厚みの薄い潤滑層を形成できる。含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、潤滑剤に適用した場合に扱いやすい粘度となるため、３０００以下であることが好ましい。
【００５２】
含フッ素エーテル化合物の数平均分子量（Ｍｎ）は、ブルカー・バイオスピン社製ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ４００による１Ｈ−ＮＭＲおよび１９Ｆ−ＮＭＲによって測定された値である。ＮＭＲ（核磁気共鳴）の測定において、試料をヘキサフルオロベンゼン、ｄ−アセトン、ｄ−テトラヒドロフランなどの単独または混合溶媒へ希釈し、測定に使用した。１９Ｆ−ＮＭＲケミカルシフトの基準は、ヘキサフルオロベンゼンのピークを−１６４．７ｐｐｍとし、１Ｈ−ＮＭＲケミカルシフトの基準は、アセトンのピークを２．２ｐｐｍとした。
【００５３】
「製造方法」
本実施形態の含フッ素エーテル化合物の製造方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の製造方法を用いて製造できる。本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、例えば、以下に示す製造方法を用いて製造できる。
まず、式（１）におけるＲ３に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の両末端に、それぞれヒドロキシメチル基（−ＣＨ２ＯＨ）が配置されたフッ素系化合物を用意する。
【００５４】
次いで、前記フッ素系化合物の一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基を、式（１）におけるＲ１−Ｒ２−からなる基に置換する（第１反応）。その後、他方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基を、式（１）における−Ｒ４−Ｒ５からなる末端基に置換する（第２反応）。
第１反応および第２反応は、従来公知の方法を用いて行うことができ、式（１）におけるＲ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５の種類などに応じて適宜決定できる。また、第１反応と第２反応のうち、どちらの反応を先に行ってもよい。
以上の方法により、式（１）で表される化合物が得られる。
【００５５】
本実施形態においては、Ｒ２が式（２）で表され、Ｒ４が式（３）で表される含フッ素エーテル化合物を製造するために、エポキシ化合物を用いることが好ましい。このエポキシ化合物は、市販品を購入することもできるが、製造する含フッ素エーテル化合物のＲ１またはＲ５で表される末端基に対応する構造を有するアルコールと、エピクロロヒドリンまたはエピブロモヒドリンとを用いて合成できる。また、不飽和結合を酸化して合成してもよい。
【００５６】
本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、上記式（１）で表される化合物である。したがって、これを含む潤滑剤を用いて保護層上に潤滑層を形成すると、式（１）においてＲ３で表されるＰＦＰＥ鎖によって、保護層の表面が被覆されるとともに、磁気ヘッドと保護層との摩擦力が低減される。また、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて形成した潤滑層では、Ｒ１およびＲ５で表される末端基と、Ｒ２およびＲ４がそれぞれ有する１以上の水酸基との間における分子内相互作用および／または、Ｒ１およびＲ５で表される末端基と保護層との相互作用により、優れた耐摩耗性が得られる。
【００５７】
また、本実施形態の含フッ素エーテル化合物では、ＰＦＰＥ鎖が、ＰＦＰＥ鎖に連結されたＲ２およびＲ４がそれぞれ有する１以上の水酸基と保護層との結合によって、保護層上に密着される。したがって、本実施形態の含フッ素エーテル化合物によれば、潤滑層と保護層とが強固に結合され、優れた耐摩耗性を有する潤滑層が得られる。
【００５８】
［磁気記録媒体用潤滑剤］
本実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む。
本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むことによる特性を損なわない範囲内であれば、潤滑剤の材料として使用されている公知の材料を、必要に応じて混合して用いることができる。
【００５９】
公知の材料の具体例としては、例えば、ＦＯＭＢＬＩＮ（登録商標）  ＺＤＩＡＣ、ＦＯＭＢＬＩＮ  ＺＤＥＡＬ、ＦＯＭＢＬＩＮ  ＡＭ−２００１（以上、Ｓｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）、Ｍｏｒｅｓｃｏ  Ａ２０Ｈ（Ｍｏｒｅｓｃｏ社製）などが挙げられる。本実施形態の潤滑剤と混合して用いる公知の材料は、数平均分子量が１０００〜１００００であることが好ましい。
【００６０】
本実施形態の潤滑剤が、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の他の材料を含む場合、本実施形態の潤滑剤中の式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の含有量が５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましい。
【００６１】
本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むため、厚みを薄くしても、高い被覆率で保護層の表面を被覆でき、保護層との密着性に優れる潤滑層を形成できる。よって、本実施形態の潤滑剤によれば、厚みが薄くても、優れた耐摩耗性を有する潤滑層が得られる。
【００６２】
また、本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むため、保護層に密着（吸着）せずに存在している潤滑剤層中の含フッ素エーテル化合物が、凝集しにくい。よって、含フッ素エーテル化合物が凝集して、異物（スメア）として磁気ヘッドに付着することを防止でき、ピックアップが抑制される。
また、本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むため、式（１）におけるＲ１およびＲ５で表される末端基と、Ｒ２およびＲ４がそれぞれ有する１以上の水酸基との間における分子内相互作用および／または該末端基と保護層との相互作用により、優れた耐摩耗性を有する潤滑層が得られる。
【００６３】
［磁気記録媒体］
本実施形態の磁気記録媒体は、基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられたものである。
本実施形態の磁気記録媒体では、基板と磁性層との間に、必要に応じて１層または２層以上の下地層を設けることができる。また、下地層と基板との間に付着層および／または軟磁性層を設けることもできる。
【００６４】
図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示した概略断面図である。
本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、付着層１２と、軟磁性層１３と、第１下地層１４と、第２下地層１５と、磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられた構造をなしている。
【００６５】
「基板」
基板１１としては、例えば、ＡｌもしくはＡｌ合金などの金属または合金材料からなる基体上に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金からなる膜が形成された非磁性基板等を用いることができる。
また、基板１１としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂などの非金属材料からなる非磁性基板を用いてもよいし、これらの非金属材料からなる基体上にＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成した非磁性基板を用いてもよい。
【００６６】
「付着層」
付着層１２は、基板１１と、付着層１２上に設けられる軟磁性層１３とを接して配置した場合に生じる、基板１１の腐食の進行を防止する。
付着層１２の材料は、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、ＣｒＴｉ、ＮｉＡｌ、ＡｌＲｕ合金等から適宜選択できる。付着層１２は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【００６７】
「軟磁性層」
軟磁性層１３は、第１軟磁性膜と、Ｒｕ膜からなる中間層と、第２軟磁性膜とが順に積層された構造を有していることが好ましい。すなわち、軟磁性層１３は、２層の軟磁性膜の間にＲｕ膜からなる中間層を挟み込むことによって、中間層の上下の軟磁性膜がアンチ・フェロ・カップリング（ＡＦＣ）結合した構造を有していることが好ましい。
【００６８】
第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の材料としては、ＣｏＺｒＴａ合金、ＣｏＦｅ合金などが挙げられる。
第１軟磁性膜および第２軟磁性膜に使用されるＣｏＦｅ合金には、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの何れかを添加することが好ましい。これにより、第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の非晶質化が促進され、第１下地層（シード層）の配向性を向上させることが可能になるとともに、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となる。
軟磁性層１３は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【００６９】
「第１下地層」
第１下地層１４は、その上に設けられる第２下地層１５および磁性層１６の配向や結晶サイズを制御するための層である。
第１下地層１４としては、例えば、Ｃｒ層、Ｔａ層、Ｒｕ層、あるいはＣｒＭｏ，ＣｏＷ，ＣｒＷ，ＣｒＶ，ＣｒＴｉ合金層などが挙げられる。
第１下地層１４は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【００７０】
「第２下地層」
第２下地層１５は、磁性層１６の配向が良好になるように制御する層である。第２下地層１５は、ＲｕまたはＲｕ合金からなる層であることが好ましい。
第２下地層１５は、１層からなる層であってもよいし、複数層から構成されていてもよい。第２下地層１５が複数層からなる場合、全ての層が同じ材料から構成されていてもよいし、少なくとも一層が異なる材料から構成されていてもよい。
第２下地層１５は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【００７１】
「磁性層」
磁性層１６は、磁化容易軸が基板面に対して垂直または水平方向を向いた磁性膜からなる。磁性層１６は、ＣｏとＰｔを含む層であり、さらにＳＮＲ特性を改善するために、酸化物や、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒ等を含む層であってもよい。
磁性層１６に含有される酸化物としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ２等が挙げられる。
【００７２】
磁性層１６は、１層から構成されていてもよいし、組成の異なる材料からなる複数の磁性層から構成されていてもよい。
例えば、磁性層１６が、下から順に積層された第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなるグラニュラー構造であることが好ましい。第１磁性層に含有される酸化物としては、例えば、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏ等の酸化物を用いることが好ましい。その中でも、特に、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＳｉＯ２等を好適に用いることができる。また、第１磁性層は、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。その中でも、特に、Ｃｒ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３−ＴｉＯ２、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２等を好適に用いることができる。
【００７３】
第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物の他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。
第２磁性層には、第１磁性層と同様の材料を用いることができる。第２磁性層は、グラニュラー構造であることが好ましい。
【００７４】
第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、酸化物を含まない材料からなる非グラニュラー構造であることが好ましい。第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｎの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。
【００７５】
磁性層１６が複数の磁性層で形成されている場合、隣接する磁性層の間には、非磁性層を設けることが好ましい。磁性層１６が、第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層と第２磁性層との間と、第２磁性層と第３磁性層との間に、非磁性層を設けることが好ましい。
【００７６】
磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層は、例えば、Ｒｕ、Ｒｕ合金、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣｒＸ１合金（Ｘ１は、Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｅ，Ｒｕ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｂの中から選ばれる１種または２種以上の元素を表す。）等を好適に用いることができる。
【００７７】
磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層には、酸化物、金属窒化物、または金属炭化物を含んだ合金材料を使用することが好ましい。具体的には、酸化物として、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２等を用いることができる。金属窒化物として、例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴａＮ、ＣｒＮ等を用いることができる。金属炭化物として、例えば、ＴａＣ、ＢＣ、ＳｉＣ等を用いることができる。
非磁性層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【００７８】
磁性層１６は、より高い記録密度を実現するために、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた垂直磁気記録の磁性層であることが好ましい。磁性層１６は、面内磁気記録であってもよい。
磁性層１６は、蒸着法、イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法等、従来の公知のいかなる方法によって形成してもよい、磁性層１６は、通常、スパッタリング法により形成される。
【００７９】
「保護層」
保護層１７は、磁性層１６を保護する。保護層１７は、一層から構成されていてもよいし、複数層から構成されていてもよい。保護層１７の材料としては、炭素、窒素を含む炭素、炭化ケイ素などが挙げられる。
保護層１７としては、炭素系保護層を好ましく用いることができ、特にアモルファス炭素保護層が好ましい。保護層１７が炭素系保護層であると、潤滑層１８中の含フッ素エーテル化合物に含まれる極性基（特に水酸基）との相互作用が一層高まるため、好ましい。
【００８０】
炭素系保護層と潤滑層１８との付着力は、炭素系保護層を水素化炭素および／または窒素化炭素とし、炭素系保護層中の水素含有量および／または窒素含有量を調節することにより制御可能である。炭素系保護層中の水素含有量は、水素前方散乱法（ＨＦＳ）で測定したときに３〜２０原子％であることが好ましい。また、炭素系保護層中の窒素含有量はＸ線光電子分光分析法（ＸＰＳ）で測定したときに、４〜１５原子％であることが好ましい。
【００８１】
炭素系保護層に含まれる水素および／または窒素は、炭素系保護層全体に均一に含有される必要はない。炭素系保護層は、例えば、保護層１７の潤滑層１８側に窒素を含有させ、保護層１７の磁性層１６側に水素を含有させた組成傾斜層とすることが好適である。この場合、磁性層１６および潤滑層１８と、炭素系保護層との付着力が、より一層向上する。
【００８２】
保護層１７の膜厚は、１ｎｍ〜７ｎｍとするのがよい。保護層１７の膜厚が１ｎｍ以上であると、保護層１７としての性能が充分に得られる。保護層１７の膜厚が７ｎｍ以下であると、保護層１７の薄膜化の観点から好ましい。
【００８３】
保護層１７の成膜方法としては、炭素を含むターゲット材を用いるスパッタ法や、エチレンやトルエン等の炭化水素原料を用いるＣＶＤ（化学蒸着法）法、ＩＢＤ（イオンビーム蒸着）法等を用いることができる。
保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜することができる。特に、保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、プラズマＣＶＤ法により、アモルファス炭素保護層を成膜することが好ましい。プラズマＣＶＤ法により成膜したアモルファス炭素保護層は、表面が均一で、粗さが小さいものとなる。
【００８４】
「潤滑層」
潤滑層１８は、磁気記録媒体１０の汚染を防止する。また、潤滑層１８は、磁気記録媒体１０上を摺動する磁気記録再生装置の磁気ヘッドの摩擦力を低減させて、磁気記録媒体１０の耐久性を向上させる。
潤滑層１８は、図１に示すように、保護層１７上に接して形成されている。潤滑層１８は、上述の含フッ素エーテル化合物を含む。
【００８５】
潤滑層１８は、潤滑層１８の下に配置されている保護層１７が、炭素系保護層である場合、特に、保護層１７と高い結合力で結合される。その結果、潤滑層１８の厚みが薄くても、高い被覆率で保護層１７の表面が被覆された磁気記録媒体１０が得られやすくなり、磁気記録媒体１０の表面の汚染を効果的に防止できる。
【００８６】
潤滑層１８の平均膜厚は、０．５ｎｍ（５Å）〜２ｎｍ（２０Å）であることが好ましく、０．５ｎｍ（５Å）〜１ｎｍ（１０Å）であることがより好ましい。潤滑層１８の平均膜厚が０．５ｎｍ以上であると、潤滑層１８がアイランド状または網目状とならずに均一の膜厚で形成される。このため、潤滑層１８によって、保護層１７の表面を高い被覆率で被覆できる。また、潤滑層１８の平均膜厚を２ｎｍ以下にすることで、潤滑層１８を充分に薄膜化でき、磁気ヘッドの浮上量を十分小さくできる。
【００８７】
保護層１７の表面が潤滑層１８によって十分に高い被覆率で被覆されていない場合、磁気記録媒体１０の表面に吸着した環境物質が、潤滑層１８の隙間を通り抜けて、潤滑層１８の下に侵入する。潤滑層１８の下層に侵入した環境物質は、保護層１７と吸着、結合し汚染物質を生成する。そして、磁気記録再生の際に、この汚染物質（凝集成分）がスメアとして磁気ヘッドに付着（転写）して、磁気ヘッドを破損したり、磁気記録再生装置の磁気記録再生特性を低下させたりする。
【００８８】
汚染物質を生成させる環境物質としては、例えば、シロキサン化合物（環状シロキサン、直鎖シロキサン）、イオン性化合物、オクタコサン等の比較的分子量の高い炭化水素、フタル酸ジオクチル等の可塑剤等が挙げられる。イオン性不純物に含まれる金属イオンとしては、例えば、ナトリウムイオン、カリウムイオン等を挙げることができる。イオン性不純物に含まれる無機イオンとしては、例えば、塩素イオン、臭素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、アンモニウムイオン等を挙げることができる。イオン性不純物に含まれる有機物イオンとしては、例えば、シュウ酸イオン、蟻酸イオン等を挙げることができる。
【００８９】
「潤滑層の形成方法」
潤滑層１８を形成する方法としては、例えば、基板１１上に保護層１７までの各層が形成された製造途中の磁気記録媒体を用意し、保護層１７上に潤滑層形成用溶液を塗布し、乾燥させる方法が挙げられる。
【００９０】
潤滑層形成用溶液は、上述の実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤を必要に応じて、溶媒に分散溶解させ、塗布方法に適した粘度および濃度とすることにより得られる。
潤滑層形成用溶液に用いられる溶媒としては、例えば、バートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）等のフッ素系溶媒等が挙げられる。
【００９１】
潤滑層形成用溶液の塗布方法は、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、スプレイ法、ペーパーコート法、ディップ法等が挙げられる。
ディップ法を用いる場合、例えば、以下に示す方法を用いることができる。まず、ディップコート装置の浸漬槽に入れられた潤滑層形成用溶液中に、保護層１７までの各層が形成された基板１１を浸漬する。次いで、浸漬槽から基板１１を所定の速度で引き上げる。
このことにより、潤滑層形成用溶液を基板１１の保護層１７上の表面に塗布する。
ディップ法を用いることで、潤滑層形成用溶液を保護層１７の表面に均一に塗布することができ、保護層１７上に均一な膜厚で潤滑層１８を形成できる。
【００９２】
本実施形態においては、潤滑層１８を形成した基板１１に熱処理を施すことが好ましい。熱処理を施すことにより、潤滑層１８と保護層１７との密着性が向上し、潤滑層１８と保護層１７との付着力が向上する。
熱処理温度は１００〜１８０℃とすることが好ましい。熱処理温度が１００℃以上であると、潤滑層１８と保護層１７との密着性を向上させる効果が十分に得られる。また、熱処理温度を１８０℃以下にすることで、潤滑層１８の熱分解を防止できる。熱処理時間は１０〜１２０分とすることが好ましい。
【００９３】
本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、少なくとも磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられたものである。本実施形態の磁気記録媒体１０では、保護層１７上に接して上述の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層１８が形成されている。この潤滑層１８は、厚みが薄くても、高い被覆率で保護層１７の表面を被覆している。
よって、本実施形態の磁気記録媒体１０では、イオン性不純物などの汚染物質を生成させる環境物質が、潤滑層１８の隙間から侵入することが防止されている。したがって、本実施形態の磁気記録媒体１０は、表面上に存在する汚染物質が少ないものである。また、本実施形態の磁気記録媒体１０における潤滑層１８は、異物（スメア）を生じさせにくく、ピックアップを抑制できる。また、本実施形態の磁気記録媒体１０における潤滑層１８は、優れた耐摩耗性を有する。このため、本実施形態の磁気記録媒体１０は、優れた信頼性および耐久性を有する。
【実施例】
【００９４】
以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実施例のみに限定されない。【００９５】
「潤滑剤の製造」
（実施例１）
以下に示す方法により、上記式（Ａ）で示される化合物を製造した。
窒素ガス雰囲気下で１００ｍＬナスフラスコに、ＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｑ（ＣＦ２Ｏ）ｒＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（式中のｑは４．５であり、ｒは４．５である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）２０．０ｇと、アリルグリシジルエーテル１．１４ｇ（分子量１１４．１４、１０ｍｍｏｌ）と、ｔ−ブタノール（ｔ−ＢｕＯＨ）２０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にさらにカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（ｔ−ＢｕＯＫ）を０．６７４ｇ（分子量１１２．２１、６ｍｍｏｌ）加え、７０℃で８時間撹拌して反応させた。【００９６】
得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水３０ｍＬが入った分液漏斗へ移し、酢酸エチル８０ｍＬで２回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体として下記式（７）で示される化合物８．９１ｇ（分子量１１１４、８ｍｍｏｌ）を得た。【００９７】
【化１３】
2019087548.tif 000015
（式（７）中、ｍは４．５であり、ｎは４．５である。）【００９８】
窒素ガス雰囲気下で１００ｍＬナスフラスコに、上記で得られた中間体である式（７）で示される化合物５．５７ｇ（分子量１１１４、５．０ｍｍｏｌ）と、下記式（８）で示される化合物１．１０ｇ（分子量１８４．２６、６．０ｍｍｏｌ）と、ｔ−ＢｕＯＨ５０ｍＬを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にｔ−ＢｕＯＫを０．１６８ｇ（分子量１１２．２１、１．５０ｍｍｏｌ）加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。式（８）で表される化合物は、チオフェンエタノールとエピブロモヒドリンから合成した。【００９９】
【化１４】
2019087548.tif 000016
【０１００】
反応が終了した液を室温に戻し、水５０ｍＬが入った分液漏斗へ移し、酢酸エチル１００ｍＬで２回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、化合物（Ａ）を３．８８ｇ（分子量１２９５、３．０ｍｍｏｌ）得た。式（Ａ）中、ｍは４．５、ｎは４，５である。【０１０１】
得られた化合物（Ａ）の１Ｈ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ａ）；１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ３ＣＯＣＤ３）；
δ［ｐｐｍ］３．１（２Ｈ）、３．５〜４．２（１８Ｈ）、５．１〜５．３（２Ｈ）、５．９（１Ｈ）、６．８〜７．０（２Ｈ）、７．２（１Ｈ）【０１０２】
（実施例２）
以下に示す方法により、上記式（Ｂ）で示される化合物を製造した。
窒素ガス雰囲気下で１００ｍＬナスフラスコに、ＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｑ（ＣＦ２Ｏ）ｒＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（式中のｑは４．５であり、ｒは４．５である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）２０．０ｇと、下記式（９）で表される化合物２．７２ｇ（分子量２７２．３４、１０ｍｍｏｌ）と、ｔ−ＢｕＯＨ２０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にさらにｔ−ＢｕＯＫを０．６７４ｇ（分子量１１２．２１、６ｍｍｏｌ）加え、７０℃で８時間撹拌して反応させた。式（９）で表される化合物は、ジヒドロピランを用いて、グリセロールα、α‘−ジアリルエーテルを保護した化合物を、酸化させて合成した。【０１０３】
【化１５】
2019087548.tif 000017
【０１０４】
得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水３０ｍＬが入った分液漏斗へ移し、酢酸エチル８０ｍＬで２回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、中間体として下記式（１０）で示される化合物１０．１５ｇ（分子量１２６９、８ｍｍｏｌ）を得た。【０１０５】
【化１６】
2019087548.tif 000018
（式（１０）中、ｍは４．５であり、ｎは４．５である。）【０１０６】
窒素ガス雰囲気下で１００ｍＬナスフラスコに、上記で得られた中間体である式（１０）で示される化合物６．３６ｇ（分子量１２６９、５．０ｍｍｏｌ）と、下記式（８）で示される化合物１．１０ｇ（分子量１８４．２６、６．０ｍｍｏｌ）と、ｔ−ＢｕＯＨ５０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にｔ−ＢｕＯＫを０．１６８ｇ（分子量１１２．２１、１．５０ｍｍｏｌ）加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。【０１０７】
反応液を室温に戻し、１０％の塩化水素・メタノール溶液２０ｇを加え、室温で４時間撹拌した。反応液を８％重曹水７０ｍＬが入った分液漏斗に少しずつ移し、酢酸エチル２００ｍＬで２回抽出した。有機層を水および５％重曹水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、化合物（Ｂ）を４．１１ｇ（分子量１３６９、３．０ｍｍｏｌ）得た。式（Ｂ）中、ｍは４．５、ｎは４，５である。【０１０８】
得られた化合物（Ｂ）の１Ｈ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｂ）；１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ３ＣＯＣＤ３）；
δ［ｐｐｍ］３．１（２Ｈ）、３．５〜４．２（２３Ｈ）、５．１〜５．３（２Ｈ）、５．９（１Ｈ）、６．８〜７．０（２Ｈ）、７．２（１Ｈ）【０１０９】
（実施例３）
窒素ガス雰囲気下で１００ｍＬナスフラスコに、式（７）で示される化合物６．３５ｇ（分子量１２６９、５．０ｍｍｏｌ）と、下記式（１１）で示される化合物１．８１ｇ（分子量３０２．３９、６．０ｍｍｏｌ）と、ｔ−ＢｕＯＨ５０ｍＬを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にｔ−ＢｕＯＫを０．１６８ｇ（分子量１１２．２１、１．５０ｍｍｏｌ）加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。【０１１０】
式（１１）で表される化合物は、以下に示す方法により合成した。上記式（８）で示される化合物を加水分解し、得られた化合物の１級水酸基をｔ−ブチルジメチルシリル基で保護した。その後、２級水酸基をメトキシメチル基で保護し、得られた化合物からｔ−ブチルジメチルシリル基を除去した。生成した１級水酸基に、エピブロモヒドリンを反応させて合成した。【０１１１】
【化１７】
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【０１１２】
反応液を室温に戻し、水５０ｍＬが入った分液漏斗へ移し、酢酸エチル１００ｍＬで２回抽出し、有機層を濃縮した。これに１０％の塩化水素・メタノール溶液２０ｇを加え、室温で１時間撹拌した。反応液を８％重曹水７０ｍＬが入った分液漏斗に少しずつ移し、酢酸エチル２００ｍＬで２回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、化合物（Ｃ）を４．１１ｇ（分子量１３６９、３．０ｍｍｏｌ）得た。式（Ｃ）中、ｍは４．５、ｎは４，５である。【０１１３】
得られた化合物（Ｃ）の１Ｈ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｃ）；１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ３ＣＯＣＤ３）；
δ［ｐｐｍ］３．１（２Ｈ）、３．５〜４．２（２３Ｈ）、５．１〜５．３（２Ｈ）、５．９（１Ｈ）、６．８〜７．０（２Ｈ）、７．２（１Ｈ）【０１１４】
（実施例４）
式（８）で示される化合物の代わりに、式（１１）で示される化合物を１．８１ｇ（分子量３０２．３９、６．０ｍｍｏｌ）用いたこと以外は、実施例２と同様な操作を行い、化合物（Ｄ）を４．３３ｇ（分子量１４４３、３ｍｍｏｌ）得た。式（Ｄ）中、ｍは４．５、ｎは４，５である。【０１１５】
得られた化合物（Ｄ）の１Ｈ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｄ）；１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ３ＣＯＣＤ３）：
δ［ｐｐｍ］３．１（２Ｈ）、３．５〜４．２（２８Ｈ）、５．１〜５．３（２Ｈ）、５．９（１Ｈ）、６．８〜７．０（２Ｈ）、７．２（１Ｈ）【０１１６】
（実施例５）
式（８）で示される化合物の代わりに、式（１２）で示される化合物１．２０ｇ（分子量１９９．２７、６ｍｍｏｌ）を用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｅ）を３．９３ｇ（分子量１３１０、３．０ｍｍｏｌ）得た。式（１２）で表される化合物は、メチルチアゾールエタノールとエピブロモヒドリンから合成した。式（Ｅ）中、ｍは４．５、ｎは４，５である。【０１１７】
【化１８】
2019087548.tif 000020
【０１１８】
得られた化合物（Ｅ）の１Ｈ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｅ）；１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ３ＣＯＣＤ３）； 
δ［ｐｐｍ］２．３５（３Ｈ）、３．１（２Ｈ）、３．５〜４．２（１８Ｈ）、５．１〜５．３（２Ｈ）、５．９（１Ｈ）、８．５（１Ｈ）【０１１９】
（実施例６）
アリルグリシジルエーテルの代わりに、式（１３）で示される化合物１．２８ｇ（分子量１２８．１７、１０ｍｍｏｌ）を用いたこと以外は、実施例３と同様な操作を行い、化合物（Ｆ）を４．１５ｇ（分子量１３８３、３．０ｍｍｏｌ）得た。式（１３）で表される化合物は、３−ブテン−１−オールとエピブロモヒドリンから合成した。式（Ｆ）中、ｍは４．５、ｎは４，５である。【０１２０】
【化１９】
2019087548.tif 000021
【０１２１】
得られた化合物（Ｆ）の１Ｈ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｆ）；１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ３ＣＯＣＤ３）；
δ［ｐｐｍ］２．２〜２．４（２Ｈ）、３．１（２Ｈ）、３．５〜４．３（２３Ｈ）、５．１〜５．３（２Ｈ）、５．９（１Ｈ）、６．８〜７．０（２Ｈ）、７．２（１Ｈ）【０１２２】
（実施例７）
アリルグリシジルエーテルの代わりに、下記式（１４）で示される化合物を１．４２ｇ（分子量１４２．２０、１０ｍｍｏｌ）用いたこと以外は、実施例３と同様な操作を行い、化合物（Ｇ）を４．１９ｇ（分子量１３９７、３ｍｍｏｌ）得た。式（１４）で表される化合物は、４−ペンテン−１−オールとエピブロモヒドリンから合成した。式（Ｇ）中、ｍは４．５、ｎは４，５である。【０１２３】
【化２０】
2019087548.tif 000022
【０１２４】
得られた化合物（Ｇ）の１Ｈ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｇ）；１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ３ＣＯＣＤ３）；
δ［ｐｐｍ］１．６〜１．８（２Ｈ）、２．２−２．４（２Ｈ）、３．１（２Ｈ）、３．５〜４．３（２３Ｈ）、５．１〜５．３（２Ｈ）、５．９（１Ｈ）、６．８〜７．０（２Ｈ）、７．２（１Ｈ）【０１２５】
（実施例８）
アリルグリシジルエーテルの代わりに、グリシジルプロパルギルエーテルを１．１２ｇ（分子量１１２．１３、１０ｍｍｏｌ）用いたこと以外は、実施例３と同様な操作を行い、化合物（Ｈ）を４．１０ｇ（分子量１３６７、３．０ｍｍｏｌ）得た。式（Ｈ）中、ｍは４．５、ｎは４，５である。【０１２６】
得られた化合物（Ｈ）の１Ｈ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｈ）；１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ３ＣＯＣＤ３）；
δ［ｐｐｍ］２．５（１Ｈ）、３．１（２Ｈ）、３．５〜４．２（２３Ｈ）、６．８〜７．０（２Ｈ）、７．２（１Ｈ）【０１２７】
（実施例９）
ＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｑ（ＣＦ２Ｏ）ｒＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（式中のｑは４．５であり、ｒは４．５である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）の代わりに、ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｓＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（式中のｓは４．５である。）で示される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）を２０ｇ用いたこと以外は、実施例４と同様な操作を行い、化合物（Ｉ）を４．４１ｇ（分子量１４７１、３．０ｍｍｏｌ）得た。式（Ｉ）中、ｚは４．５である。【０１２８】
得られた化合物（Ｉ）の１Ｈ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｉ）；１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ３ＣＯＣＤ３）； 
δ［ｐｐｍ］３．１（２Ｈ）、３．５〜４．２（２８Ｈ）、５．１〜５．３（２Ｈ）、５．９（１Ｈ）、６．８〜７．０（２Ｈ）、７．２（１Ｈ）【０１２９】
（実施例１０）
式（１２）で示される化合物の代わりに、式（１５）で示される化合物１．０１ｇ（分子量１６８．１９、６ｍｍｏｌ）を用いたこと以外は、実施例５と同様な操作を行い、化合物（Ｊ）を３．８４ｇ（分子量１２７９、３．０ｍｍｏｌ）得た。式（１５）で表される化合物は、１−メチルピラゾール−５−メタノールとエピブロモヒドリンから合成した。式（Ｊ）中、ｍは４．５、ｎは４，５である。【０１３０】
【化２１】
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【０１３１】
得られた化合物（Ｊ）の１Ｈ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｊ）；１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ３ＣＯＣＤ３）；
δ［ｐｐｍ］３．５〜４．３（２１Ｈ）、５．１〜５．３（２Ｈ）、５．９（１Ｈ）、６．２（１Ｈ）、７．３（１Ｈ）【０１３２】
「比較例１」
下記式（Ｘ）で表される化合物を特許文献１に記載の方法で合成した。【０１３３】
【化２２】
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（式（Ｘ）中、ｍは４．５であり、ｎは４．５である。）【０１３４】
「比較例２」
下記式（Ｙ）で表される化合物を特許文献２に記載の方法で合成した。【０１３５】
【化２３】
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【０１３６】
このようにして得られた実施例１〜１０の化合物を、式（１）に当てはめたときのＲ１〜Ｒ５の構造を表１に示す。また、実施例１〜１０の化合物の数平均分子量（Ｍｎ）を、上述した１Ｈ−ＮＭＲおよび１９Ｆ−ＮＭＲの測定により求めた。その結果を表１に示す。【０１３７】
【表１】
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【０１３８】
次に、以下に示す方法により、実施例１〜１０および比較例１〜２で得られた化合物を用いて潤滑層形成用溶液を調製した。そして、得られた潤滑層形成用溶液を用いて、以下に示す方法により、磁気記録媒体の潤滑層を形成し、実施例１〜１０および比較例１〜２の磁気記録媒体を得た。【０１３９】
「潤滑層形成用溶液」
実施例１〜１０および比較例１〜２で得られた化合物を、それぞれフッ素系溶媒であるバートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）に溶解し、保護層上に塗布した時の膜厚が９Å〜１０Åになるようにバートレルで希釈し、潤滑層形成用溶液とした。【０１４０】
「磁気記録媒体」
直径６５ｍｍの基板上に、付着層と軟磁性層と第１下地層と第２下地層と磁性層と保護層とを順次設けた磁気記録媒体を用意した。保護層は、炭素からなるものとした。
保護層までの各層の形成された磁気記録媒体の保護層上に、実施例１〜１０および比較例１〜２の潤滑層形成用溶液を、それぞれディップ法により塗布した。なお、ディップ法は、浸漬速度１０ｍｍ／ｓｅｃ、浸漬時間３０ｓｅｃ、引き上げ速度１．２ｍｍ／ｓｅｃの条件で行った。
その後、潤滑層形成用溶液を塗布した磁気記録媒体を、１２０℃の恒温槽に入れ、１０分間加熱して潤滑層形成用溶液中の溶媒を除去することにより、保護層上に潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。【０１４１】
このようにして得られた実施例１〜１０および比較例１〜２の磁気記録媒体の有する潤滑層の膜厚を、ＦＴ−ＩＲ（商品名：Ｎｉｃｏｌｅｔ  ｉＳ５０、Ｔｈｅｒｍｏ  Ｆｉｓｈｅｒ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて測定した。その結果を表２に示す。【０１４２】
次に、実施例１〜１０および比較例１〜２の磁気記録媒体に対して、以下に示す耐摩耗性試験を行なった。
（耐摩耗性試験）
ピンオンディスク型摩擦摩耗試験機を用い、接触子としての直径２ｍｍのアルミナの球を、荷重４０ｇｆ、摺動速度０．２５ｍ／ｓｅｃで、磁気記録媒体の潤滑層上で摺動させ、潤滑層の表面の摩擦係数を測定した。そして、潤滑層の表面の摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間を測定した。摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間は、各磁気記録媒体の潤滑層について４回ずつ測定し、その平均値（時間）を潤滑剤塗膜の耐摩耗性の指標とした。【０１４３】
実施例１〜１０の化合物および比較例１〜２の化合物を用いた磁気記録媒体の結果を表２に示す。摩擦係数増大時間の評価は、以下のとおりとした。
◎：６５０ｓｅｃ以上
○：５５０ｓｅｃ以上、６５０ｓｅｃ未満
△：４５０ｓｅｃ以上、５５０ｓｅｃ未満
×：４５０ｓｅｃ未満【０１４４】
なお、摩擦係数が急激に増大するまでの時間は、以下に示す理由により、潤滑層の耐摩耗性の指標として用いることができる。磁気記録媒体の潤滑層は、磁気記録媒体を使用することにより摩耗が進行し、摩耗により潤滑層が無くなると、接触子と保護層とが直接接触して、摩擦係数が急激に増大するためである。本摩擦係数が急激に増大するまでの時間は、フリクション試験とも相関があると考えられる。【０１４５】
【表２】
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【０１４６】
表２に示すように、実施例１〜１０の磁気記録媒体は、比較例１〜２の磁気記録媒体と比較して、摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間が長く、耐摩耗性が良好であった。
これは、実施例１〜１０の磁気記録媒体では、潤滑層を形成している式（１）で表される化合物中のＲ１がアルケニル基またはアルキニル基であって、Ｒ５が複素環を含む基であることにより達成できたと推定される。
【産業上の利用可能性】
【０１４７】
本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を用いることにより、厚みが薄くても、優れた耐摩耗性を実現できる潤滑層を形成できる。
【符号の説明】
【０１４８】
１０・・・磁気記録媒体、１１・・・基板、１２・・・付着層、１３・・・軟磁性層、１４・・・第１下地層、１５・・・第２下地層、１６・・・磁性層、１７・・・保護層、１８・・・潤滑層。
【図１】
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【国際調査報告】
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