(57)【要約】  アンテナ端子２３と、アンテナ端子３４に接続され、アンテナ端子３４からみて互いに分岐しており、通過帯域が互いに異なる第１フィルタ１９Ａと第２フィルタ１９Ｂと、アンテナ端子２３からみて第１フィルタ１９Ａが他のフィルタから分岐して単独になる分岐点３４ｗと、の間に直列に接続されている個別インダクタ５３と、アンテナ端子２３と分岐点３４ｗとの間の位置と基準電位との間に位置して、フィルタ１９に対して共通に並列接続された共通インダクタ５１と、を備える。第１フィルタは、他のフィルタに比べ通過帯域の周波数が高く、自己のフィルタの通過帯域の中心周波数においてアンテナ端子２３から第２フィルタ１９Ｂの側をみたときのサセプタンスが、前記アンテナ端子から第１フィルタ１９Ａの側をみたときのサセプタンスよりも大きい。
2019044659.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナ端子と、
前記アンテナ端子に接続され、前記アンテナ端子からみて互いに分岐しており、通過帯域が互いに異なる２以上のフィルタと、
前記２以上のフィルタのうちの第１フィルタと、前記アンテナ端子からみて前記第１フィルタが前記２以上のフィルタのうち他のフィルタから分岐して単独になる分岐点と、の間に直列に接続されている個別インダクタと、
前記アンテナ端子と前記分岐点との間の位置と基準電位との間に位置して、前記２以上のフィルタに対して共通に並列接続された共通インダクタと、を備え、
前記第１フィルタは、前記２以上のフィルタの他のフィルタに比べ通過帯域の周波数が高く、
前記２以上のフィルタは第２フィルタを含み、
前記第２フィルタの通過帯域の周波数において、前記アンテナ端子の側から前記第２フィルタをみたときのサセプタンスが、前記第１フィルタの通過帯域の周波数において、前記アンテナ端子の側から前記第１フィルタをみたときのサセプタンスよりも大きい、フィルタデバイス。
【請求項２】
前記個別インダクタは、前記共通インダクタよりも小さいインダクタンスを有する、請求項１に記載のフィルタデバイス。
【請求項３】
前記２以上のフィルタのそれぞれは、少なくとも１つの弾性表面波共振子を備えている、請求項１または２に記載のフィルタデバイス。
【請求項４】
前記第１フィルタを構成する弾性表面波共振子のうち、最も前記アンテナ端子の側に位置する弾性表面波共振子の合成容量は、前記第２フィルタを構成する弾性表面波共振子のうち、最も前記アンテナ端子の側に位置する弾性表面波共振子の合成容量よりも大きい、請求項３に記載のフィルタデバイス。
【請求項５】
前記２以上のフィルタは、第３フィルタと第４フィルタとを備える、請求項１乃至４のいずれかに記載のフィルタデバイス。
【請求項６】
前記２以上のフィルタの通過帯域を周波数の順に並べたときに、前記第１フィルタの通過帯域と、これに隣り合う通過帯域との間隔は、その他の隣り合う通過帯域同士のいずれの間隔よりも広い、請求項５に記載のフィルタデバイス。
【請求項７】
前記第１フィルタの通過帯域の周波数において、前記アンテナ端子から前記第３フィルタの側をみたときのサセプタンスが、前記アンテナ端子から前記第１フィルタの側をみたときのサセプタンスよりも大きい、請求項５または６に記載のフィルタデバイス。
【請求項８】
前記第１フィルタは受信フィルタであり、前記第２フィルタおよび前記第３フィルタは送信フィルタである、請求項５乃至７のいずれかに記載のフィルタデバイス。
【請求項９】
前記２以上のフィルタは、第１弾性波フィルタと第２弾性波フィルタとを備え、
第１面とこれと反対側の第２面とを有し、前記アンテナ端子と第１端子と第２端子とグランド端子とを前記第１面に備え、それぞれの端子が前記第２面の側に電気的に導出されている構造体と、
前記構造体の前記第２面の側に位置し、前記アンテナ端子と前記第１端子との間に電気的に接続された、縦結合フィルタを含む第１弾性波フィルタと、
前記構造体の前記第２面の側に位置し、前記アンテナ端子と前記第２端子との間に電気的に接続された第２弾性波フィルタと、を含み、
前記第１弾性波フィルタは、前記グランド端子と電気的に接続される、前記縦結合フィルタの前記アンテナ端子の側の第１グランドポートおよび前記縦結合フィルタの前記第１端子の側の第２グランドポートを備え、
前記第２弾性波フィルタは、前記グランド端子に電気的に接続される第３グランドポートを備え、
前記構造体は、前記第１面と前記第２面との間において、
前記第１グランドポートと前記グランド端子との間に直列に接続された第１インダクタと、
前記第２グランドポートと前記グランド端子との間に直列に接続された第２インダクタと、
前記第１インダクタの前記グランド端子の側および前記第２インダクタの前記グランド端子の側のいずれか一方と前記第３グランドポートとを電気的に接続し、他方とは接続されないグランド配線と、を含む、請求項１乃至８のいずれかに記載のフィルタデバイス。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載のフィルタデバイスと、
前記フィルタデバイスの前記アンテナ端子の側に接続されたアンテナと、
前記フィルタデバイスの前記アンテナ端子の反対側の他方に接続されたＲＦ−ＩＣと、
を有している通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、電気信号をフィルタリングする機能を有するフィルタデバイスおよび通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
互いに通過帯域が異なり、いずれも共通の端子に接続されている複数のフィルタを有しているフィルタデバイスが知られている（例えば特開平０４−１６０１４号公報）。特許文献１では、アンテナ端子に接続された受信フィルタおよび送信フィルタを有するデュプレクサにおいて、送信フィルタ（または受信フィルタ）のアンテナ端子側に整合回路が接続されている。この整合回路は、アンテナ端子と送信フィルタとの間に直列に配置されたキャパシタと、接地電位との間に並列に接続されたインダクタとを含んでいる。
【発明の概要】
【０００３】
上述のようなフィルタデバイスにおいて、各フィルタ間でインピーダンスの調整が行われるフィルタデバイスおよび通信装置が提供されることが望まれる。
【０００４】
本開示の一態様に係るフィルタデバイスは、アンテナ端子と、２以上のフィルタと、個別インダクタと、共通インダクタとを備える。２以上のフィルタは、前記アンテナ端子に接続され、前記アンテナ端子からみて互いに分岐しており、通過帯域が互いに異なる。前記２以上のフィルタは第１フィルタと第２フィルタとを含む。個別インダクタは、第１フィルタと、前記アンテナ端子からみて前記第１フィルタが前記２以上のフィルタのうち他のフィルタから分岐して単独になる分岐点と、の間に直列に接続されている。共通インダクタは、前記アンテナ端子と前記分岐点との間の位置と基準電位との間に位置して、前記２以上のフィルタに対して共通に並列接続されている。そして、前記第１フィルタは、前記２以上のフィルタの他のフィルタに比べ通過帯域の周波数が高い。前記第２フィルタを含み、前記第２フィルタの通過帯域の周波数において、前記アンテナ端子の側から前記第２フィルタをみたときのサセプタンスが、前記第１フィルタの通過帯域の周波数において前記アンテナ端子の側から前記第１フィルタをみたときのサセプタンスよりも大きい。
【０００５】
本開示の一態様に係る通信装置は、アンテナと、前記アンテナにそのアンテナ端子を接続された上記のフィルタデバイスと、前記フィルタデバイスに接続されたＩＣと、を有している。
【０００６】
上記の構成によれば、インピーダンスの調整を好適に行うことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施形態に係る通信装置の構成を示す模式図である。
【図２】図１の通信装置のフィルタデバイスの要部構成を示す模式図である。
【図３】図２のフィルタデバイスの共振子の要部構成を示す模式的な平面図である。
【図４】図２のフィルタデバイスの通過帯域およびインピーダンスを示す図である。
【図５】図５（ａ）はフィルタの通過帯域周波数におけるアンテナ端子側からみたときのインピーダンスのスミスチャートを、図５（ｂ）はフィルタの通過帯域外周波数におけるアンテナ端子側からみたときのインピーダンスを反射係数平面において示すスミスチャートである。
【図６】図６（ａ）は、フィルタデバイスのアンテナ端子の側からみたときのインピーダンスのスミスチャートであり、図６（ｂ）は、通過帯域Ｂ１における第１フィルタの透過特性を示す線図であり、図６（ｃ）は、第１フィルタと第３フィルタとのアイソレーション特性を示す線図であり、図６（ｃ）は図６（ｃ）の要部拡大図である。
【図７】フィルタデバイスの変形例を示す要部拡大断面図である。
【図８】図２に示すフィルタデバイスの変形例を示す模式図である。
【図９】図８のフィルタデバイスの構成を示す模式的な断面図である。
【図１０】図８のフィルタデバイスの構成と回路との関係を示す説明図である。
【図１１】図１１（ａ）〜図１１（ｇ）は構造体を各誘電体層の導体パターンを説明するための分解図である。
【図１２】図１２（ａ）〜図１２（ｆ）は、それぞれフィルタデバイスの透過特性およびアイソレーションを示す線図である。
【図１３】図１３（ａ）〜図１３（ｆ）は、それぞれフィルタデバイスの透過特性およびアイソレーションを示す線図である。
【図１４】図１４（ａ）〜図１４（ｆ）は、それぞれ比較例に係るフィルタデバイスの透過特性を示す線図である。
【図１５】図１５（ａ）〜図１５（ｆ）は、それぞれ比較例に係るフィルタデバイスの透過特性を示す線図である。
【図１６】図１６（ａ）〜図１６（ｆ）は、それぞれ比較例に係るフィルタデバイスの透過特性を示す線図である。
【図１７】図１７（ａ）〜図１７（ｆ）は、それぞれ比較例に係るフィルタデバイスの透過特性を示す線図である。
【図１８】縦結合型フィルタの構成を説明する図である。
【図１９】図１９（ａ），図１９（ｂ）はそれぞれフィルタデバイスの変形例を示す要部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して実施形態について説明する。なお、以下の説明においては、「第１フィルタ１９Ａ」および「第２フィルタ１９Ｂ」のように、同一、類似または対応する構成について、異なる大文字のアルファベットを付すことがある。また、この場合において、単に「フィルタ１９」のように、大文字のアルファベットを省略して両者を区別しないことがある。
【０００９】
（通信装置の全体構成）
図１は、実施形態に係る通信装置１の要部構成を示す模式図である。
【００１０】
通信装置１は、例えば、電波を受信もしくは送信して所定の処理を実行する装置として構成されている。通信装置１は、例えば、アンテナ３、フィルタデバイス５、ＲＦ−ＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）７およびＢＢ−ＩＣ（BaseBand Integrated Circuit）９が接続されて構成されている。
【００１１】
アンテナ３は、受信した無線信号（電波）を電気信号に変換する。フィルタデバイス５は、アンテナ３からの電気信号から所定の通過帯域（後述するように複数の通過帯域）の電気信号を取り出して出力する。ＲＦ−ＩＣ７は、例えば、フィルタデバイス５からの電気信号に対して、復調、周波数の引き下げ、及びデジタル化を行う。ＢＢ−ＩＣ９は、例えば、ＲＦ−ＩＣ７からの信号に対して種々の処理を行う。
【００１２】
また、送信する信号を、ＢＢ−ＩＣ９，ＲＦ−ＩＣ７を介してフィルタデバイス５に入力し、所定の通過帯域の電気信号のみ取り出してアンテナ３に出力してもよい。この場合には、ＢＢ−ＩＣ９からの電気信号がＲＦ−ＩＣ７に入力され、フィルタデバイス５に向けて入力された電気信号の変調および周波数の引き上げ（搬送波周波数の高周波信号への変換）がなされる。そして、フィルタデバイス５で送信用の通過帯以外の不要成分を除去し、アンテナ３に向けて出力する。アンテナ３は、送信する電気信号を無線信号に変換する。
【００１３】
通信装置１は、種々の用途に用いられてよく、その用途に応じて、搬送周波数（フィルタデバイス５の通過帯域の周波数）、ベースバンドの周波数およびＢＢ−ＩＣ９の処理内容等が決定されてよい。例えば、通信装置１は、携帯電話やＧＰＳ（Global Positioning System）等のＧＮＳＳ（Global Navigation Satellite System）に用いられるものである。フィルタデバイス５の通過帯域は、例えば、携帯電話に用いる場合には７００ＭＨｚ以上５ＧＨｚ以下程度、ＧＮＳＳに用いる場合にはＧＮＳＳの規格に従って設定されてよく、一例として、１０００ＭＨｚ以上３０００ＭＨｚ以下である。
【００１４】
また、図１は、要部のみを模式的に示すものであり、適宜な位置にローパスフィルタやアイソレータ、増幅器等が追加されてもよい。また、図１に示す例では、ＲＦ−ＩＣ７とＢＢ−ＩＣ９とが別体の場合を例に説明したが、両機能を備える１つのＩＣを用いてもよい。
【００１５】
（フィルタデバイス５の構成）
図２は、フィルタデバイス５の要部構成を示す模式図である。フィルタデバイス５は、例えば、アンテナ３側に接続されるアンテナ端子２３と、これに接続された複数（図示の例では４つ）の第１フィルタ１９Ａ〜第４フィルタ１９Ｄと、フィルタ１９それぞれに接続された入出力ポート２５（２５Ａ〜２５Ｄ）と、を有している。各フィルタ１９は、入力された電気信号から所定の周波数帯（通過帯域）の信号を取り出して出力する。複数のフィルタ１９の通過帯域は互いに異なっている。また、フィルタ１９の各々は送信フィルタ、受信フィルタのいずれであってもよい。
【００１６】
フィルタ１９と入出力ポート２５との間には増幅器（Low Noise Amplifier：ＬＮＡ）等を接続してもよい。また、各々のフィルタ１９の入出力ポート２５は、個別にＲＦ−ＩＣ７に接続されてもよいし、１つに纏められた後にＲＦ−ＩＣ７に接続されてもよい。
【００１７】
複数のフィルタ１９は、アンテナ端子２３から見て互いに分岐している。具体的には、例えば、アンテナ端子２３と複数のフィルタ１９とは配線２４によって接続されており、配線２４は、アンテナ端子２３から複数のフィルタ１９へ延びる過程で分岐している。配線２４のうち、分岐して１つのフィルタ１９のみに対応する部分を分岐配線２４ａ〜２４ｄというものとする。図示の例では、配線２４は、分岐点２４ｗで二つに分岐し、さらにその分岐した２本の配線それぞれは、分岐点２４ｖまたは２４ｘで分岐配線２４ａ〜２４ｄに分岐している。
【００１８】
なお、図示の例とは異なり、例えば、１つの分岐点において、１本の配線から４本の分岐配線２４ａ〜２４ｄに分岐してもよい。
【００１９】
また、フィルタデバイス５は、複数のフィルタ１９に共通に設けられた共通インダクタ５１と、複数のフィルタ１９のうち一部（図示の例では１９Ａ）に対して個別に設けられた個別インダクタ５３とを有している。さらに、フィルタデバイス５は、フィルタ１９、共通インダクタ５１に基準電位を付与することに利用される基準電位部５５を有している。基準電位部５５は、例えば、特に図示しないが、外部（例えばフィルタデバイス５が実装される回路基板）から基準電位が付与される端子および当該端子に接続される配線を含んで構成されている。このことから基準電位部５５を、基準電位端子（グランド端子）５５ということもある。
【００２０】
（フィルタの構成例）
各フィルタ１９は、例えば、いわゆるラダー型共振子フィルタによって構成されていてもよい。ラダー型共振子フィルタは、アンテナ端子２３と入出力ポート２５との間に直列に接続された複数（１つでも可）の直列共振子２７Ｓと、その直列のライン（直列腕）と基準電位部５５とを接続する複数（１つでも可）の並列共振子２７Ｐ（並列腕）とを有している（以下、単に共振子２７といい、両者を区別しないことがある。）。
【００２１】
複数の直列共振子２７Ｓは、基本的に、共振周波数が互いに同等とされるとともに、反共振周波数が互いに同等とされている。複数の並列共振子２７Ｐは、基本的に、共振周波数が互いに同等とされるとともに、反共振周波数が互いに同等とされている。また、直列共振子２７Ｓの共振周波数と並列共振子２７Ｐの反共振周波数とは概ね同等とされている。これにより、並列共振子２７Ｐの共振周波数から直列共振子２７Ｓの反共振周波数までの周波数範囲よりも若干狭い範囲を通過帯域とするフィルタが構成される。
【００２２】
なお、直列共振子２７Ｓの数および並列共振子２７Ｐの数は、フィルタ１９毎に適宜に設定されてよい。また、最もアンテナ端子２３側または最も入出力ポート２５側の共振子２７が、直列共振子２７Ｓおよび並列共振子２７Ｐのいずれであるかも、フィルタ１９毎に適宜に設定されてよい。
【００２３】
また、この例では、各フィルタ１９がラダー型共振子フィルタで構成されている例について説明したが、例えば、フィルタ１９は、多重モード型弾性波フィルタであってもよい。なお、本開示において、多重モードはダブルモードを含むものとする。さらに、多重モード型フィルタとラダー型共振子フィルタとを組み合わせて１つの通過帯域を形成するフィルタを用いてもよい。
【００２４】
（共振子の構成）
図３は、共振子２７の要部構成を示す模式的な平面図である。
【００２５】
なお、共振子２７は、いずれの方向が上方または下方とされてもよいが、以下では、便宜的に、Ｄ１軸、Ｄ２軸およびＤ３軸からなる直交座標系を定義するとともに、Ｄ３軸の正側を上方として、上面、下面等の用語を用いることがある。また、平面視という場合、特に断りがない限りは、Ｄ３軸方向に見ることをいう。なお、Ｄ１軸は、後述する圧電基板の上面に沿って伝搬するＳＡＷの伝搬方向に平行になるように定義され、Ｄ２軸は、圧電基板の上面に平行かつＤ１軸に直交するように定義され、Ｄ３軸は、圧電基板の上面に直交するように定義されている。
【００２６】
共振子２７は、例えば、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）を利用するＳＡＷ共振子によって構成されている。より具体的には、共振子２７は、例えば、いわゆる１ポートＳＡＷ共振子によって構成されており、紙面上下方向の両側に図示された２つの配線２９（共振子２７の位置によっては配線２９は図２の配線２４によって構成される。）の一方から電気信号が入力されると所定の周波数において共振を生じ、その共振を生じた信号を２つの配線２９の他方へ出力する。
【００２７】
共振子２７は、例えば、圧電基板３１と、圧電基板３１の上面に設けられたＩＤＴ（InterDigital Transducer）電極３３と、ＩＤＴ電極３３の両側に位置する１対の反射器３５とを含んでいる。
【００２８】
圧電基板３１は、例えば、圧電性を有する単結晶によって構成されている。単結晶は、例えば、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）または水晶（ＳｉＯ２）からなる。圧電基板３１のカット角、平面形状および各種寸法は適宜に設定されてよい。圧電基板３１の下面には、温度変化による共振子２７の特性変化を補償するための第１基板が貼り合わされていてもよい。また、圧電基板３１と第１基板との間に、多層膜が位置してもよいし、ＳｉＯ２等からなる無機膜が位置してもよい。
【００２９】
ＩＤＴ電極３３および反射器３５は、圧電基板３１上に設けられた層状導体によって構成されている。ＩＤＴ電極３３および反射器３５は、例えば、互いに同一の材料および厚さで構成されている。これらを構成する層状導体は、例えば、Ａｌ等の金属である。層状導体は、複数の金属層から構成されていてもよい。層状導体の厚さは、共振子２７に要求される電気特性等に応じて適宜に設定される。一例として、層状導体の厚さは５０ｎｍ〜６００ｎｍである。
【００３０】
ＩＤＴ電極３３は、１対の櫛歯電極３７を含んでいる。なお、視認性を良くするために、一方の櫛歯電極３７にはハッチングを付している。各櫛歯電極３７は、バスバー３９と、バスバー３９から互いに並列に延びる複数の電極指４１と、複数の電極指４１間においてバスバー３９から突出するダミー電極４３とを含んでいる。１対の櫛歯電極３７は、複数の電極指４１が互いに噛み合うように（交差するように）配置されている。
【００３１】
各電極指４１は、例えば、一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に直線状に延びている。一方の櫛歯電極３７の複数の電極指４１と他方の櫛歯電極３７の複数の電極指４１とは、ＳＡＷの伝搬方向において、基本的には交互に配置されている。複数の電極指４１のピッチｐ（例えば互いに隣り合う２本の電極指４１の中心間距離）は、ＩＤＴ電極３３内において基本的に一定である。
【００３２】
なお、電極指４１の本数、長さおよび幅等は、共振子２７に要求される電気特性等に応じて適宜に設定されてよい。なお、図３は模式図であることから、電極指４１の本数は少なく示されている。ＩＤＴ電極３３は、いわゆるアポダイズが施されてもよいし、ダミー電極４３を有さないものであってもよいし、ＩＤＴ電極３３の一部に狭ピッチ部または広ピッチ部を有するものであってもよい。
【００３３】
反射器３５は、例えば、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向に並列に延びる複数のストリップ電極（符号省略）を有する格子状に形成されている。そのピッチは、ＩＤＴ電極３３の電極指４１のピッチと同等である。反射器３５とＩＤＴ電極３３との間隔は、例えば、電極指４１のピッチと同等である。各反射器３５は、例えば、電気的に浮遊状態とされてもよいし、基準電位が付与されてもよい。
【００３４】
なお、特に図示しないが、圧電基板３１の上面は、ＩＤＴ電極３３および反射器３５の上から、ＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４等からなる保護膜によって覆われていてもよい。保護膜は、ＩＤＴ電極３３等の腐食を低減するためのものであってもよいし、温度補償に寄与するものであってもよい。また、保護膜が設けられる場合等において、ＩＤＴ電極３３および反射器３５の上面または下面には、ＳＡＷの反射係数を向上させるために、絶縁体または金属からなる付加膜が設けられてもよい。
【００３５】
ＩＤＴ電極３３によって圧電基板３１の上面に電圧が印加されると圧電基板３１の上面をＤ１軸方向に伝搬するＳＡＷが励振され、ピッチｐを半波長とするＳＡＷの定在波が立つ。この定在波により生じた信号は、ＩＤＴ電極３３によって取り出される。このようにして、共振子２７における共振が利用される。共振子２７の共振周波数は、定在波（ピッチｐを半波長とするＳＡＷ）の周波数と概ね同等となる。反共振周波数は、共振周波数と容量比とによって決定され、容量比は、主として圧電基板３１によって規定され、電極指４１の本数、交差幅または膜厚等によって調整される。
【００３６】
（インダクタの構成例）
共通インダクタ５１は、配線２４と基準電位部５５との間に配置される。言い換えると、共通インダクタ５１は、配線２４に対して並列に接続されている。共通インダクタ５１の配線２４に対する接続位置は、アンテナ端子２３から分岐点２４ｗまでの間である。共通インダクタ５１のインダクタンスは適宜に設定されてよい。
【００３７】
個別インダクタ５３は、第１フィルタ１９Ａを他のフィルタ１９から単独で分岐させる分岐点２４ｖと、第１フィルタ１９Ａとの間（後述の点２４ｐとの間）に接続されている。個別インダクタ５３は、換言すれば、第１フィルタ１９Ａのアンテナ端子２３から見て前段側に直列に接続されている。個別インダクタ５３のインダクタンスは適宜に設定されてよい。
【００３８】
共通インダクタ５１および個別インダクタ５３においてインダクタンスの発現には、チップ素子や、圧電基板３１上の配線や、圧電基板３１上に設けられた樹脂等の絶縁体上に設けられた配線等が用いられる。絶縁体上に設ける例としては、例えば圧電基板３１上に配置され共振子２７を保護する絶縁体のカバーを配置し、このカバーの内部または上部等に配置された配線パターンにより発現する場合を例示できる。このカバーは、圧電基板との間に空間を形成し、内部に共振子２７を収容するものであってもよい。また、圧電基板３１が実装基板に実装される場合には、その実装基板の側に配線により形成してもよい。具体的には、実装基板として多層セラミック基板もしくは多層有機基板を用い、誘電体膜の層間にインダクタンスを発現する導体パターンを配置してもよい。
【００３９】
（フィルタデバイスの通過特性）
図４は、フィルタデバイス５の通過帯域および透過特性を示す図である。この図において、横軸は周波数を示しており、縦軸は透過特性（単位：ｄＢ）を示している。
【００４０】
この図では、第１フィルタ１９Ａの通過帯域Ｂ１、第２フィルタ１９Ｂの通過帯域Ｂ２、第３フィルタ１９Ｃの通過帯域Ｂ３および第４フィルタ１９Ｄの通過帯域Ｂ４が示されている。図示の例では、周波数が高い順から、通過帯域Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４となっている。
【００４１】
図４において、フィルタ１９Ａの透過特性を太い実線で示し、フィルタ１９Ｂの透過特性を細い実線で示し、フィルタ１９Ｃの透過特性を破線で示し、フィルタ１９Ｄの透過特性を点線で示している。
【００４２】
図４に示す透過特性は、シミュレーション計算から得られている。図４に示すように、通過特性は、通過帯域において高くなり、通過帯域外において低くなる。その具体的な値は、要求される仕様等に応じて適宜に設定されてよい。
【００４３】
また、図示の例では、相対的に、通過帯域Ｂ２〜Ｂ４は互いに近く、通過帯域Ｂ１は通過帯域Ｂ２〜Ｂ４から比較的離れている。一例として、通過帯域Ｂ２〜Ｂ４は、１７００ＭＨｚ以上２０２０ＭＨｚ以下の範囲に収まっており、通過帯域Ｂ１は、２１００ＭＨｚ以上２２５０ＭＨｚ以下の範囲に収まっている。また、例えば、通過帯域Ｂ１と、通過帯域Ｂ２〜Ｂ４のうち最も通過帯域Ｂ１に近いものとの周波数差は、通過帯域Ｂ２〜Ｂ４のうち隣り合う通過帯域同士の周波数差よりも大きい。ここで、周波数差とは、隣接する通過帯域において、低周波数側の通過帯域の最も高周波数側の周波数と、高周波数側の通過帯域の最も低周波数側の周波数との差分である。また、例えば、通過帯域Ｂ１と、通過帯域Ｂ２〜Ｂ４のうち最も通過帯域Ｂ１に近いものとの周波数差は、通過帯域Ｂ１〜Ｂ４のいずれの帯域幅よりも大きくしてもよい。
【００４４】
（フィルタデバイスのインピーダンス）
各フィルタ１９におけるインピーダンス特性について検討する。複数のフィルタ１９を１つの分岐点２４ｗで接続することから、本来であればアンテナ端子２３に対して整合をとるために各フィルタ１９毎に個別の整合回路等を設ける必要がある。また、分岐点２４ｗとアンテナ端子２３との間にも全体の整合をとるための整合回路を設けることもあった。しかしながら、これらの整合回路を設けると装置の大型化を招くとともに消費電力等も増大しロスが発生する虞があった。
【００４５】
そこで、本開示によれば、各フィルタ１９からアンテナ端子２３の側をみたときのコンダクタンスを分岐点２４ｗの手前で揃え、全フィルタ１９を纏めて共通インダクタ５１で基準点（一般的には５０Ω）に移動させて整合を取るようにする。ここで、分岐点２４ｗの手前でコンダクタンスを揃えるために特定のフィルタ１９に対して個別インダクタ５３を分岐点２４ｗ（２４ｖ）とフィルタ１９（１９Ａ）との間に直列接続している。
【００４６】
図５（ａ），図５（ｂ）に個別インダクタ５３を接続したフィルタ１９（１９Ａ）におけるアンテナ端子２３の側からみたときのインピーダンスの概念図を示す。図５（ａ）は、通過帯域周波数（より具体的には通過帯域の中間周波数）におけるアンテナ端子２３の側からみたときのインピーダンス値を示すスミスチャートである。ここで、「アンテナ端子２３の側から」とは、回路的にみた方向を言うものである。「アンテナ端子２３の側から見たときのフィルタ１９のサセプタンス」は、フィルタ１９がアンテナ端子２３の側の配線に接続される点２４ｐからフィルタ１９をみたときのサセプタンスを示す。
【００４７】
図５（ａ）に示すように、フィルタ１９のインピーダンスが個別インダクタにより等抵抗円をＺ２からＺ１の近傍まで軌跡Ｔ１で移動する。ここで、それぞれのフィルタ１９において自己の通過帯域の中間周波数におけるアンテナ端子２３の側からみたときのサセプタンスを比較したときに、個別インダクタ５３を接続する特定のフィルタ１９は、他のフィルタ１９のうち少なくとも１つに比べサセプタンスが小さい。すなわち、インピーダンス値Ｚ２をとる。このため、個別インダクタ５３が接続されたフィルタ１９のインピーダンス（すなわち、分岐点２４ｖからフィルタ１９Ａ側をみたときのインピーダンス）を、接続前に比べて、他のフィルタ１９のうちサセプタンスの大きいフィルタ１９のインピーダンス値（Ｚ１）に近付けることができる。他のフィルタ１９のうちサセプタンスの大きいフィルタ１９の数は好ましくは２以上である。
【００４８】
なお、以後、「アンテナ端子２３の側から見たときのフィルタ１９のサセプタンス」を単に「フィルタ１９のサセプタンス」と表記することがある。
【００４９】
このように、分岐点２４ｗの手前で各フィルタ１９のインピーダンス値を近付けるように調整した上で、共通インダクタ５１により等コンダクタンス円に沿ってスミスチャートの基準点まで軌跡Ｔ２で移動させることができる。
【００５０】
一方で、図５（ｂ）に示すように、自己の通過帯域以外の周波数帯においては、フィルタ１９Ａのインピーダンス値はＺ２に位置している。Ｚ２がスミスチャートの基準点から離れており反射係数は高い。スミスチャートの外周近傍に位置するＺ２から、個別インダクタ５３によりインピーダンス値Ｚ１近傍へ移動し、共通インダクタ５１により軌跡Ｔ３で移動してもΓ２で示す通り、他のフィルタの通過帯域において高い反射係数を維持することができる。
【００５１】
なお、高い反射係数を維持しているとは言え、個別インダクタ５３を接続したフィルタ１９の反射係数は接続前に比べ若干小さくなる。すなわち、Ｚ２から等抵抗円に沿って移動する段階およびＺ１から等コンダクタンス円に沿って移動する段階で、若干基準点までの距離が小さくなる。ここで、フィルタ１９として図３に示すようなＳＡＷを用いた共振子を用いる場合には、帯域外の高周波数側でロスが大きくなり反射係数が小さくなる傾向がある。このため、最も高周波数側に通過帯域を備えるフィルタに個別インダクタ５３を接続することで、反射係数が小さくなることの影響を低減することができる。
【００５２】
本実施形態では、複数のフィルタ１９それぞれは、圧電基板３１と、圧電基板３１上に位置する励振電極（ＩＤＴ電極３３）とを有している弾性波フィルタを含んでいる。
【００５３】
弾性波フィルタの励振電極は、圧電基板３１に電圧を印加して弾性波を生じさせるように互いに対向する１対の電極（例えば１対の櫛歯電極３７）を含むから、フィルタ１９のインピーダンスは、通過帯域から離れると、容量性となりやすい。従って、図５（ａ），図５（ｂ）を参照して説明した効果が奏されやすくなる。
【００５４】
次に、図６に、図４に示す各通過帯域Ｂ１〜Ｂ４を備えるフィルタ１９について、シミュレーションを行なった結果を示す。シミュレーションの基本条件は以下の通りとした。なお、各フィルタ１９のインピーダンス特性を評価するために、便宜的にアドミッタンスＹ（単位：Ω―１）を採用している。アドミッタンスＹはＹ＝Ｇ＋ｊＢで示される。ここでＧはコンダクタンス、Ｂはサセプタンスを示す。
【００５５】
［基本条件］
第１フィルタ１９Ａ：
受信フィルタ，Ｂ１中心周波数におけるＹ＝０．０１８０＋ｊ０．０４６９
第２フィルタ１９Ｂ：
受信フィルタ，Ｂ２中心周波数におけるＹ＝０．０３００＋ｊ０．０４３０
第３フィルタ１９Ｃ：
送信フィルタ，Ｂ３中心周波数におけるＹ＝０．０１９８＋ｊ０．０５１２
第４フィルタ１９Ｄ：
送信フィルタ，Ｂ４中心周波数におけるＹ＝０．０１５７＋ｊ０．０５５０
共通インダクタ５１：１．７ｎＨ
個別インダクタ５３：０．２ｎＨ
個別インダクタ５３が接続される第１フィルタ１９Ａのサセプタンスは、第３フィルタ１９Ｃ，第４フィルタ１９Ｄのサセプタンスよりも小さくなっている。また、前述の通り、第１フィルタ１９Ａの通過帯域は最も高い周波数となっている。
【００５６】
図６（ａ）に各フィルタ１９をアンテナ端子２３に接続した際のデバイス全体でのアンテナ端子２３の側からみたときのインピーダンス特性をスミスチャートに示す。図中においてフィルタ１９Ａの特性は太い実線で示し、フィルタ１９Ｂの特性は細い実線で示し、フィルタ１９Ｃの特性は破線で示し、フィルタ１９Ｄの特性は点線で示している。全てのフィルタ１９が基準点に収束度よく存在していることを確認した。なお、個別インダクタ５３を接続する前には、基準点から若干ずれた位置に収束しているとともに、収束度も若干劣っていた。
【００５７】
ここで、第２フィルタ１９Ｂのサセプタンスは第１フィルタ１９Ａのサセプタンスよりも小さい値となっているが、通過帯域の周波数が低いフィルタほど共通インダクタ５１で基準点側へ大きく移動させることができるので、第１フィルタ１９Ａに個別インダクタ５３を接続している。これにより、第２フィルタ１９Ａに個別インダクタを設け、第１フィルタ１９Ａに設けない場合に比べ、デバイス全体でみたときの基準点からのずれは小さくなる。
【００５８】
図６（ｂ）に、第１フィルタ１９Ａの透過特性を示す。図中で、横軸は周波数（単位：ＭＨｚ）を、縦軸は透過特性（単位：ｄＢ）を示し、破線は個別インダクタ５３を備えない場合（以下、リファレンスと呼ぶ）の透過特性を、実線は個別インダクタ５３を備える場合（以下、実施例とよぶ）の透過特性を示す。
【００５９】
図６（ｂ）からも明らかなように、実施例はリファレンスに比べ通過帯域Ｂ１における透過特性が向上していることが確認できる。これは、個別インダクタ５３の挿入により整合がとれたことによるものと推察される。
【００６０】
なお、同様に第１フィルタ１９ＡのＶＳＷＲ，インピーダンスの収束度等を確認したところ、いずれも実施例がリファレンスに比べて特性が向上している様子を確認した。
【００６１】
次に、各フィルタ１９のアイソレーション特性をシミュレーションした。代表して、図６（ｃ）に、第１フィルタ１９Ａと第３フィルタ１９Ｃとのアイソレーションを計算した結果を示す。また、図６（ｄ）に図６（ｃ）の要部拡大図を示す。図中で、横軸は周波数（単位：ＭＨｚ）、縦軸はアイソレーション特性（単位：ｄＢ）を示し、破線はリファレンスのアイソレーション特性を、実線は実施例のアイソレーション特性をそれぞれ示している。
【００６２】
図からも明らかなように、実施例はリファレンスに比べアイソレーションが向上している。具体的には第１フィルタ１９Ａの通過帯域Ｂ１の周波数において０．９ｄＢ向上していることを確認した。なお、第３フィルタ１９Ｃの透過特性を確認したところ、第３フィルタ１９Ｃの減衰極位置等に変化はないため、個別インダクタ５３によりアイソレーション特性が向上したものと推察される。
【００６３】
そして、図示していないが、第１フィルタ１９Ａと第４フィルタ１９Ｄとのアイソレーション特性を確認したところ帯域Ｂ１においてアイソレーション特性が向上していることが分かった。さらに、第１フィルタ１９Ａ以外のアイソレーション特性も向上していることが確認できた。具体的には、第２フィルタ１９Ｂと第３フィルタ１９Ｃとのアイソレーション特性は帯域Ｂ２，Ｂ３の双方において向上しており、第２フィルタ１９Ｂと第４フィルタ１９Ｄとのアイソレーション特性も特に帯域Ｂ２において向上していることが確認できた。
【００６４】
上述のように、特定のフィルタ１９に直列に個別インダクタ５３を接続し、分岐点２４ｗとアンテナ端子２３との間に、全フィルタ１９に対して共通の共通インダクタ５１を並列に接続することで、複数のフィルタ１９が同時に整合をとれる。さらに、個別インダクタ５３により、ＶＳＷＲが向上し整合をとることができるので、個別インダクタ５３が接続されたフィルタ１９に関するロスが低下するとともにアイソレーション特性が向上する。
【００６５】
（個別インダクタを接続するフィルタの変形例）
上述の例では、複数のフィルタ１９のうち通過帯域が最も高い周波数であるフィルタ１９（第１フィルタ１９Ａ）であり、自己の通過帯域の中心周波数におけるサセプタンスが最大ではないフィルタ１９に個別インダクタ５３を接続する例を説明したが、この限りではない。
【００６６】
すなわち、フィルタ１９のサセプタンスのみでなく容量性についても制限があってもよい。具体的には、複数のフィルタ１９のそれぞれにおいて、最もアンテナ端子２３の側に位置する共振子の合成容量が最小であるフィルタ以外のフィルタに個別インダクタ５３を接続してもよい。より好ましくは、最もアンテナ端子２３の側に位置する共振子の合成容量が最大であるフィルタ１９に接続してもよい。このようなフィルタ１９に個別インダクタ５３を接続することで、複数のフィルタ１９間でそれぞれの中心周波数におけるインピーダンス値を近接するように調整することができる。
【００６７】
また、図６に示すシミュレーションの条件と同様に、フィルタ１９の中に送信フィルタと受信フィルタとが混在する場合には、受信フィルタに個別インダクタ５３を設けてもよい。送信フィルタの電力は受信フィルタの電力に比べ大きいため、個別インダクタ５３が送信フィルタからの漏洩信号の混入を低減するからである。さらに、特に送信フィルタとの間でインピーダンスを調整するために、送信フィルタのサセプタンスは個別インダクタ５３を接続するフィルタのサセプタンスに比べて大きいことが望ましい。逆にいうと、複数のフィルタ１９のうち、個別インダクタ５３が接続されたいフィルタよりもサセプタンスの小さいフィルタ１９が存在する場合には、そのフィルタを受信フィルタとしてもよい。
【００６８】
（他の変形例）
（圧電基板の共用）
図２に戻る。この図では、ＩＤＴ電極３３および当該ＩＤＴ電極３３を挟む１対の反射器３５の全体が長方形によって示されている。また、圧電基板３１も模式的に示されている。
【００６９】
各フィルタ１９において、複数の共振子２７は、例えば、共通の圧電基板３１に設けられている。また、複数のフィルタ１９は、例えば、共通の圧電基板３１に設けられている。すなわち、複数のフィルタ１９は、圧電基板３１を共用しつつ、それぞれのＩＤＴ電極３３を有している。アンテナ端子２３および入出力ポート２５は、例えば、圧電基板３１上に設けられている。
【００７０】
なお、圧電基板３１の平面視における、アンテナ端子２３、入出力ポート２５および複数の共振子２７の配置は、適宜に設定されてよい。図２は、あくまで模式図であり、同図のように複数のフィルタ１９が１列に並んでいる必要は無いし、各フィルタ１９において、直列共振子２７Ｓが直線状に並んでいる必要も無いし、各フィルタ１９において複数の並列共振子２７Ｐが複数の直列共振子２７Ｓに対して同一側（紙面下方側）に位置している必要も無い。
【００７１】
（電極膜厚）
図７は、圧電基板３１の上面の一部を示す断面図である。この図では、第１フィルタ１９Ａの一部と、第４フィルタ１９Ｄの一部とを示している。
【００７２】
一般には、同一の圧電基板３１上に形成されるＩＤＴ電極３３および反射器３５の膜厚（以下、電極膜厚）は、複数の共振子２７間で同一である。ただし、図示のように、電極膜厚は、複数のフィルタ１９間で異なっていてもよい。具体的には、例えば、少なくとも１つのフィルタ１９の電極膜厚は、当該フィルタ１９よりも通過帯域の周波数が低い（別の観点ではピッチｐが大きい）他の少なくとも１つのフィルタ１９の電極膜厚よりも薄くされてよい。
【００７３】
本実施形態では、通過帯域が高いものから順に、第１フィルタ１９Ａ、第２フィルタ１９Ｂ、第３フィルタ１９Ｃ、第４フィルタ１９Ｄとなっている。従って、例えば、第１フィルタ１９Ａのピッチｐ１は、第４フィルタ１９Ｄのピッチｐ４よりも小さい。そして、図７では、第１フィルタ１９Ａの電極膜厚ｔ１は、第４フィルタ１９Ｄの電極膜厚ｔ４よりも薄くされている。
【００７４】
その差は、例えば、２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。なお、各周波数帯に最適な電極膜厚は圧電基板材料やカット角により異なるが、例えばタンタル酸リチウム（ＬＴ）基板４２°ＹカットＸ伝搬であれば、概ね波長（ピッチの２倍）の６％〜９％で設定される。このように、通過帯域周波数の差によりピッチが異なり、電極膜厚も適切に設定される。ピッチと電極膜厚とを調整して、最適な組み合わせを設定することで、通過帯域が大きく異なり、本来ＬＴ基板のカット角を異ならせて作製するフィルタを同一基板に作製することができる。また、同一カット角の基板に複数のフィルタを作りこんでも、このように、電極膜厚を２０ｎｍ以上異ならせることで、フィルタ特性を良好に保つことができる。例えば、他のバンドの位相特性が悪化する周波数帯から通過帯域の周波数を若干ずらすことで、反射係数を高め、ロスを低減することができる。
【００７５】
このような電極膜厚の差は、例えば、第１フィルタ１９ＡのＩＤＴ電極３３と、第４フィルタ１９ＤのＩＤＴ電極３３とを別個のプロセスで形成したり、第１フィルタ１９ＡのＩＤＴ電極３３と、第４フィルタ１９ＤのＩＤＴ電極３３の下部とを同一のプロセスで形成し、その後に、第４フィルタ１９ＤのＩＤＴ電極３３の上部を形成したりすることにより実現されてよい。膜厚が互いに異なるＩＤＴ電極３３は、例えば、膜厚が異なるだけで、互いに同一の材料によって構成されている。
【００７６】
なお、複数のフィルタ１９の電極膜厚は、通過帯域の周波数が高いものほど電極膜厚が薄くなるように全てのフィルタ１９間で互いに異なっていてもよいし、これらのうち２つまたは３つのフィルタ１９の電極膜厚（通過帯域の周波数が近いもの同士）は互いに同一とされていてもよい。
【００７７】
（変形例：フィルタデバイス５Ａ）
図２では、複数のフィルタ１９が全てラダー型フィルタである場合を例に説明したが、図８に示すように、一部のフィルタ１９は、縦結合フィルタ４５（以下、ＤＭＳフィルタ４５ともいう）やラダー型共振子フィルタやこれらの組み合わせによって構成されていてもよい。
【００７８】
ラダー型共振子フィルタは、第１フィルタ１９Ａの一部、第３フィルタ１９Ｃ，第４フィルタ１９Ｄに適用されている。
【００７９】
ＤＭＳフィルタ４５は、第１フィルタ１９Ａの一部，第２フィルタ１９Ｂに適用されている。具体的には、ＤＭＳフィルタ４５は共振子２７を弾性波の伝搬方向に沿って並べた構成であり、信号が入力された共振子２７に隣り合う共振子２７に信号が伝わり、入力された共振子２７とは異なる共振子２７から信号が出力される（後述の図１８参照）。共振子の数は３以上であれば特に限定されない。そして、各共振子２７はグランド端子５５に電気的に接続されている。具体的には、ＤＭＳフィルタ４５はアンテナ端子２３側に位置するグランドポートＧ１と入出力ポート２５側に位置するグランドポートＧ２を備え、各グランドポートはグランド端子５５に接続されている。
【００８０】
また、各フィルタ１９は、ラダー型共振子フィルタ、ＤＭＳフィルタを構成する共振子以外にも共振子２７Ａを含んでいてもよい。
【００８１】
この場合であっても、共通インダクタ５１，個別インダクタ５３によりインピーダンスの調整が可能となる。
【００８２】
さらに、この例では、第１フィルタ１９Ａと第２フィルタ１９Ｂとの基準電位への配線方法によりフィルタの減衰特性を制御することができる。以下、その構成について説明する。
【００８３】
（グランド配線接続）
ここで、第１フィルタ１９Ａ（第１弾性波フィルタ）と第２フィルタ１９Ｂ（第２弾性波フィルタ）とのグランド端子５５までの接続経路について説明する。
【００８４】
第１フィルタ１９Ａは、アンテナ端子２３の側からラダー型共振子フィルタ、ＤＭＳフィルタ４５が順に接続されて構成されている。そして、ラダー型共振子フィルタはその並列共振子２７Ｐに接続されているグランドポートＧＬを、ＤＭＳフィルタ４５はアンテナ端子２３の側（入力側）に位置するグランドポートＧ１（第１グランドポート）と、入出力ポート（第１端子）２５Ａに接続される側（出力側）に位置するグランドポートＧ２（第２グランドポート）とを、それぞれ備えている。これらのグランドポートＧＬ、Ｇ１，Ｇ２はグランド端子５５に電気的に接続される。なお、第１フィルタ１９Ａにおいては、これらのグランドポートＧＬ、Ｇ１，Ｇ２は互いに独立している。
【００８５】
同様に第２フィルタ１９Ｂもグランド端子５５に電気的に接続されるグランドポートＧ３（第３グランドポート）を備えている。この例では、グランドポートＧ３は、第２フィルタ１９Ｂを構成するＤＭＳフィルタ４５Ａの入力側に位置するグランドポート、または、出力側に位置するグランドポートのいずれかを含んで構成される。より具体的には、グランドポートＧ３は、第２フィルタ１９Ｂを構成する互いに接続されたＤＭＳフィルタ４５ＡとＤＭＳフィルタ４５Ｂとのそれぞれの入力側，出力側のグランドポートＧ３１〜Ｇ３４の少なくとも１つで構成される。なお、この例では、グランドポートＧ３１，Ｇ３２は同電位となっており、グランドポートＧ３３，Ｇ３４は同電位となっている。
【００８６】
ここで、各フィルタ１９からグランド端子５５への接続経路に着目する。第１グランドポートＧ１からグランド端子５５の経路ｇ１の途中には第１インダクタＬ１が直列接続されている。同様に第２グランドポートＧ２からグランド端子５５の経路ｇ２の途中には第２インダクタＬ２が直列接続されている。そして、第１インダクタＬ１のグランド端子５５の側、または第２インダクタＬ２のグランド端子５５の側のいずれかと、第３グランドポートＧ３からグランド端子５５までの経路ｇ３とを電気的に接続するグランド配線５７を設けている。
【００８７】
このようなグランド配線５７により第１フィルタ１９Ａおよび第２フィルタ１９Ｂのインピーダンスを調整可能とする。詳細については後述する。
【００８８】
（フィルタデバイス構成）
フィルタデバイス５Ａの具体的構成について図９〜１１を用いて説明する。図９は、フィルタデバイス５Ａの一実施形態の断面図である。フィルタデバイス５Ａは、構造体１１と、フィルタ１９と、絶縁部材１３とを備える。
【００８９】
構造体１１は複数の誘電体層１２が積層されて構成される。この例では、構造体１１は誘電体層１２ａ〜誘電体層１２ｃの３層を含んでいる。そして、構造体１１の第１面１１ａを構成する誘電体層１２ｃの下面には、各種端子等（２３，２５，５５）を構成する導体パターンが形成されており、第２面１１ｂを構成する誘電体層１２ａの上面には各フィルタ１９のポートに対応する、もしくは、各フィルタ１９を実装するための導体パターンが形成されている。さらに、各誘電体層１２の厚み方向を貫通するビアや、誘電体層１２ｂ，１２ｃの上面に形成された導体パターンにより、構造体１１の第１面１１ａと第２面１１ｂとの間に所望の電気特性を実現する回路を形成することができる。
【００９０】
構造体１１の第２面１１ｂには、フィルタ１９がバンプ１７により実装されている。具体的には、フィルタ１９は基板と基板に形成された共振子２７やポートを構成するための電極群等を備えており、基板の電極群が位置する側の面を第２面１１ｂと間隔を空けて対向するように実装されている。
【００９１】
そして、構造体１１の第２面１１ｂからフィルタ１９を覆うように絶縁部材１３が形成されている。絶縁部材１３は、例えば、エポキシ等の樹脂材料等で構成してもよい。絶縁部材１３により、フィルタ１９を保護するとともに、フィルタ１９と構造体１１との間に空間を維持した状態でフィルタ１９を封止することができる。
【００９２】
次に図１０，１１により構造体１１の構成について詳述する。図１０は、構造体１１の内部に形成される配線等の接続関係を説明するための図であり、図１１は、構造体１１の各誘電体層１２毎の導体パターンを示す分解図である。なお、図１０，１１において、個別インダクタ５３は省略している。
【００９３】
図１０において、フィルタ１９Ａは、アンテナ端子２３に接続されるポートＰ１，第１端子２５Ａに接続されるポートＰ２，グランドポートＧＬ，グランドポートＧ１，グランドポートＧ２を備える。
【００９４】
フィルタ１９Ｂは、アンテナ端子２３に接続されるポートＰ６，入出力ポート２５Ｂ（第２端子２５Ｂ）に接続されるポートＰ７，グランドポートＧ３１〜Ｇ３４を備えている。
【００９５】
図１０に示す通り、第１グランドポートＧ１は第１インダクタＬ１に接続された後、グランド配線５７に接続されてグランド端子５５に電気的に接続されている。第２グランドポートＧ２は、第２インダクタＬ２を介してグランド端子５５に電気的に接続されている。
【００９６】
そして、グランド配線５７には、第２フィルタ１９ＢのグランドポートＧ３（Ｇ３１〜Ｇ３４）も電気的に接続されている。このグランド配線５７はグランド端子５５に電気的に接続される。
【００９７】
次に図１１を用いて誘電体層１２に形成された各導体パターン，ビアの接続関係について説明する。図１１（ａ）は誘電体層１２ａの上面，図１１（ｂ）は誘電体層１２ａの厚みの途中を，図１１（ｃ）は誘電体層１２ｂの上面，図１１（ｄ）は誘電体層１２ｂの厚みの途中を、図１１（ｅ）は誘電体層１２ｃの上面,図１１（ｆ）は誘電体層１２ｃの厚みの途中を、図１１（ｇ）は誘電体層１２ｃの下面をそれぞれ示している。また、図１１（ａ）において、フィルタ１９Ａが配置される領域を細い実線で、フィルタ１９Ｂが配置される領域を点線で、フィルタ１９Ｃが配置される領域を破線で、フィルタ１９Ｄが配置される領域を一点鎖線で、それぞれ示している。
【００９８】
まず、各フィルタ１９のアンテナ側のポートが接続される導体パターン１１１（図１１（ａ））は、ビア１２１（図１１（ｂ）），導体パターン１３１（図１１（ｃ）），ビア１４１（図１１（ｄ））、導体パターン１５１（図１１（ｅ））、ビア１６１（図１１（ｆ））を介してアンテナ端子２３（図１１（ｇ））に接続されている。なお、このアンテナラインから１３１Ｌ，１４１Ｌ、１５１Ｌ、１６１Ｌを介して一部がグランド端子５５に接続されている。
【００９９】
同様に各フィルタ１９の入出力ポート２５側のポートが接続される導体パターン１１２は、ビア１２２，導体パターン１３２，ビア１４２、導体パターン１５２、ビア１６２を介して第１〜第４入出力ポート２５Ａ〜２５Ｄに接続されている。
【０１００】
次に、第１フィルタ１９Ａの第１グランドポートＧ１が接続される導体パターン１１３は、ビア１２３，導体パターン１３３（第１インダクタＬ１），ビア１４３、グランド配線５７、ビア１６３を介してグランド端子５５に接続されている。
【０１０１】
第１フィルタ１９Ａの第２グランドポートＧ２に接続される導体パターン１１４は、ビア１２４，導体パターン１３４，ビア１４４、配線パターン１５４（第２インダクタＬ２）、ビア１６４を介してグランド端子５５に接続されている。
【０１０２】
第２フィルタ１９Ｂの第３グランドポートＧ３１，Ｇ３２に接続される導体パターン１１５は、ビア１２５，導体パターン１３５，ビア１４５、グランド配線５７、ビア１６５を介してグランド端子５５に接続されている。
【０１０３】
第２フィルタ１９Ｂの第３グランドポートＧ３３，Ｇ３４に接続される導体パターン１１６は、ビア１２６，導体パターン１３６，ビア１４６、グランド配線５７、ビア１６６を介してグランド端子５５に接続されている。
【０１０４】
このような導体パターンおよびビアを用いることで図１０に示す接続関係を実現している。
【０１０５】
（インピーダンス特性の調整）
図１０，１１に示すフィルタデバイス５Ａについて、第１フィルタ１９Ａと第２フィルタ１９Ｂとの透過特性をシミュレーションした。具体的には、最適化設計を行なった基準モデルとこの基準モデルから第１インダクタＬ１のインダクタンスを大きくした変形例１と、基準モデルから第２インダクタＬ２のインダクタンスを大きくした変形例２とについてシミュレーションを行なった。その結果を、図１２（ａ）〜図１２（ｆ），図１３（ａ）〜図１３（ｆ）に示す。図１２（ａ），図１２（ｂ），図１３（ａ），図１３（ｂ）は、横軸に周波数（単位：ＭＨｚ）を、縦軸に透過特性（単位：ｄＢ）を示している。図１２（ｃ）〜図１２（ｆ），図１３（ｃ）〜図１３（ｆ）は、横軸に周波数（単位：ＭＨｚ）を、縦軸にアイソレーション特性（単位：ｄＢ）をそれぞれ示している。そして、基準モデルの特性を実線で、変形例１の特性を破線で、変形例２の特性を点線で示している。
【０１０６】
具体的には、図１２（ａ）は第１フィルタ１９Ａの通過特性を示し、図１２（ｂ）は図１２（ａ）の部分拡大図である。図１２（ｃ）は、第１フィルタ１９Ａの第３フィルタ１９Ｃとのアイソレーション特性を示す線図であり、図１２（ｄ）はその部分拡大図である。図１２（ｅ）は、第１フィルタ１９Ａの第４フィルタ１９Ｄとのアイソレーション特性を示す線図であり、図１２（ｆ）はその部分拡大図である。
【０１０７】
また、図１３（ａ）は、第２フィルタ１９Ｂの透過特性を示し、図１３（ｂ）はその部分拡大図である。図１３（ｃ）は、第２フィルタ１９Ｂの第３フィルタ１９Ｃとのアイソレーション特性を示す線図であり、図１３（ｆ）はその部分拡大図である。図１３（ｅ）は、第２フィルタ１９Ｂの第４フィルタ１９Ｄとのアイソレーション特性を示す線図であり、図１３（ｆ）はその部分拡大図である。
【０１０８】
図中に、基準モデルに対する変形例１の特性変化の傾向を実線矢印で、変形例２の特性変化の傾向を点線矢印でそれぞれ示している。図からも明らかなように、第１フィルタ１９Ａの通過特性は、基準モデルに対して、第１インダクタＬ１，第２インダクタＬ２のいずれの長さを（インダクタンスの大きさを）長く変更しても、透過特性およびアイソレーション特性は同じ傾向で変化することが確認された。すなわち、どちらのインダクタＬを大きくしても、減衰極の動く方向は同じであり（図１２（ｂ）参照、低周波数側に減衰極移動）、アイソレーションが向上するか悪化するかの傾向も同じであった（図１２（ｄ），図６（ｆ）参照）。
【０１０９】
一方で、第２フィルタ１９Ｂの通過特性やアイソレーション特性は、基準モデルに対して、第1インダクタＬ１の長さを（インダクタンスの大きさを）大きくしたときと，第２インダクタＬ２の長さを（インダクタンスの大きさを）大きくしたときとで、特性変化の傾向が異なる。すなわち、どちらのインダクタＬを大きくするかで、減衰極の動く方向は異なり（図１３（ｂ）参照）、アイソレーションが向上するか悪化するかの傾向も異なった（図１３（ｄ），図１３（ｆ）参照）。
【０１１０】
このことから、第１フィルタ１９Ａと第２フィルタ１９Ｂとの減衰極の位置，特定周波数帯域における減衰レベルを、インダクタＬ１，Ｌ２の長さを調整することで、独立して調整することができる。
【０１１１】
たとえば、第１フィルタ１９Ａの減衰極の位置、特定周波数帯域におけるアイソレーションレベルをなるべく変えずに、第２フィルタ１９Ｂの減衰極の位置を低周波数側に動かし、特定周波数帯域におけるアイソレーションレベルを調整したい場合には、第１インダクタＬ１のインダクタンスを大きくし、第２インダクタＬ２のインダクタンスを小さくすることで調整可能である。なお、同様の調整は、第２フィルタ１９Ｂの第３グランドポートＧ３とグランド端子５５との間にインダクタを挿入することでも可能であるが、第２フィルタ１９Ｂの減衰特性が悪化するため好ましくない。これに対して、本開示の構成によれば、第２フィルタ１９Ｂの減衰特性は維持することができる。
【０１１２】
このような特性は、例えば、第１フィルタ１９ＡのグランドポートＧＬからグランド端子５５への経路をグランド配線５７から分離した場合も、第２フィルタ１９ＢのグランドポートＧ３１，３２またはグランドポート３２，３３のいずれかがグランド配線５７に電気的に接続されない場合も同様に確認された。
【０１１３】
また、第１インダクタＬ１に替えて第２インダクタＬ２をグランド配線５７に電気的に接続した場合にも同様の特性を発現したが、特性変化の傾向が図１３（ｂ），図１３（ｄ），図１３（ｆ）に示すものとは逆の傾向となっていた。具体的には、第１インダクタＬ１をグランド配線５７に接続したときには、例えば、図１３（ｆ）の周波数帯に着目すると、第１インダクタＬ１を長くするとアイソレーションが向上していたのに対して、第２インダクタＬ２を接続したときには、第１インダクタＬ１を長くするとアイソレーションが向上するようになっていた。
【０１１４】
このように、所望の特性に合わせて、グランド配線５７に接続するインダクタを第１インダクタＬ１および第２インダクタＬ２から選択することにより、さらに特性制御の精度及び自由度を高めることができる。
【０１１５】
なお、比較例１として、第１インダクタＬ１，第２インダクタＬ２共にグランド配線５７に接続した場合について透過特性をシミュレーションした。同様に、比較例２として、グランド配線５７を設けずに第１〜第３グランドポートＧ１〜Ｇ３を個別にグランド端子５５に接続した場合について透過特性およびアイソレーション特性をシミュレーションした。図１４，図１５に、比較例１の透過特性の図１２，図１３に相当する図を、図１６，図１７に、比較例２の透過特性の図１２，図１３に相当する図をそれぞれ示す。
【０１１６】
図からも明らかなように、比較例１，２においては、フィルタ１９Ａ，１９Ｂのいずれにおいても、第１インダクタＬ１を長くしたときの特性変化の傾向と第２インダクタＬ２を長くしたときの特性変化の傾向が同じであり、個別に特性を調整することはできないことを確認した。
【０１１７】
以上から、第１フィルタ１９Ａの第１グランドポートもしくは第２グランドポートのいずれかを、第２フィルタ１９Ｂの第３グランドポートと電気的に接続することで、第１フィルタの第１グランドポートおよび第２グランドポートに接続されたインダクタの大きさを調整すると、２つのフィルタ１９Ａ，１９Ｂの減衰極，アイソレーション特性を個別に制御することができる。これにより、インピーダンス特性の制御しやすいフィルタデバイス５を提供することができる。
【０１１８】
（ＤＭＳフィルタの構成）
図１８は、ＤＭＳフィルタ４５の要部構成を示す模式的な平面図である。
【０１１９】
ＤＭＳフィルタ４５は、例えば、ＳＡＷを利用するＳＡＷ共振子によって構成されている。より具体的には、共振子２７は、例えば、圧電基板３１と、圧電基板３１の上面に設けられたＩＤＴ電極３３とを含んでいる。
【０１２０】
ここで、縦結合型フィルタ２９は、複数の共振子２７がＳＡＷの伝搬方向に沿って並んでいる。具体的には、複数（この例では３個）のＩＤＴ電極３３がＳＡＷの伝搬方向において、複数配列されている。
【０１２１】
ＩＤＴ電極３３は、１対の櫛歯電極３７を含んでいる。そして、ＳＡＷの伝搬方向において複数配列されているＩＤＴ電極３３のうち、ポートＰ１に接続されたＩＤＴ電極３３に信号が入力され、隣り合うＩＤＴ電極３３に伝搬して他のＩＤＴ電極３３からポートＰ２に信号が出力される。ここで、信号が入力されるポートＰ１が接続された一方の櫛歯電極３７ａと噛み合う他方の櫛歯電極３７ｂは、入出力ポート２５側のグランドポートＧ２に接続される。信号が出力されるポートＰ２が接続された櫛歯電極３７ａと噛み合う櫛歯電極３７ｂはアンテナ端子２３側のグランドポートＧ１に接続される。
【０１２２】
なお、上述の例では、共振子２７を弾性表面波共振子とした場合について説明したがこの限りではない。例えば、圧電薄膜共振子（ＦＢＡＲ）や、弾性境界波共振子等を用いることもできる。
【０１２３】
（変形例３：構造体）
上述の例では、構造体１１は、複数の誘電体層１２が積層された平板の積層基板を用いた場合について例示したが、その限りではない。
【０１２４】
例えば、図１９（ａ）に示すように、構造体１１は第２面１１ｂの側に凹部を有し、その凹部内にフィルタ１９が配置されていてもよい。さらに、凹部の開口を塞ぐキャップ１１ｘを備え、フィルタ１９を封止してもよい。
【０１２５】
また、図１９（ｂ）に示すように、第１フィルタ１９Ａと第２フィルタ１９Ｂとで圧電基板３１を共有し、圧電基板３１の上面に配置されたキャップ状の構造体１１を設けてもよい。その場合には、例えば、圧電基板３１の上面側から、構造体１１を貫通するか、構造体の側面をつたって構造体１１の第１面１１ａの側まで、電気的に導出させればよい。なお、このようなキャップ状の構造体１１を用いる場合には、キャップ状の構造体１１の内部に第１・第２インダクタＬ１，Ｌ２やグランド配線５７等を配置してもよい。
【０１２６】
（変形例４：フィルタ）
フィルタの個数および第１フィルタを除くフィルタの構成について特に限定されないが、上述の例では、第１フィルタ１９Ａおよび第２フィルタ１９Ｂは縦結合型フィルタを備え、第３フィルタ１９Ｃ，第４フィルタ１９Ｄはラダー型フィルタのみで構成してもよい。ここで、ラダー型フィルタを構成する共振子に比べ、縦結合型フィルタを構成する共振子の方が１つの共振子の容量値が小さい。このことから、第１フィルタ１９Ａおよび第２フィルタ１９Ｂの間では、第１，第２インダクタＬ１，Ｌ２の影響が大きくなり、各フィルタの減衰極等を個別に制御できる。一方で、その他のフィルタ１９Ｃ，１９Ｄは共振子の容量が大きいので、第１，第２インダクタＬ１，Ｌ２の影響が小さくなる。この結果、３以上のフィルタが共通に接続されている場合であっても、２つのフィルタのみの特性を個別に制御することができる。
【０１２７】
なお、上述の理由により、第２フィルタ１９ＢはＤＭＳフィルタを備えていてもよいが、この限りではない。例えば、ラダー型共振子フィルタを用いてもよい。
【０１２８】
また、第１フィルタ１９Ａは、第２フィルタ１９Ｂに比べて通過帯域を高くしてもよい。この場合には、高い通過帯域を有するフィルタの側にインダクタを設けることで、インダクタの挿入により高周波数側のインピーダンスが変化しても他のフィルタへの影響を低減することができるからである。
【０１２９】
なお、グランド配線５７を用いて減衰極の位置を調整する２つのフィルタ１９において、個別インダクタ５３がどちらのフィルタ１９に接続される場合にも、どちらのフィルタ１９に接続されない場合も、同様にインピーダンス調整が可能であることを確認している。
【０１３０】
本開示に係る技術は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
【０１３１】
例えば、フィルタを構成する共振子は、ＩＤＴ電極を励振電極とするものに限定されず、圧電薄膜共振子であってもよい。弾性波は、ＳＡＷに限定されず、例えば、バルク波または弾性境界波（ただしＳＡＷの一種と捉えられてよい。）であってもよい。
【０１３２】
また、フィルタデバイスに含まれるフィルタの数は２以上であれば４つに限定されず、例えば２つのテュプレクサ、６つのヘキサプレクサ等であってもよい。
【０１３３】
さらに、図２に示す例では、各フィルタで圧電基板を共用した場合について説明したが、その限りではない。各フィルタ毎に個別のチップを用いてもよいし、一部のフィルタで基板を共有し、その他のフィルタで個別に設けてもよい。
【０１３４】
さらに、前述の通り、個別インダクタによる効果とグランド配線による効果とは独立しているため、下記の概念を抽出できる。
【０１３５】
[概念１]
第１面とこれと反対側の第２面とを有し、アンテナ端子と第１端子と第２端子とグランド端子とを前記第１面に備え、それぞれの端子が前記第２面の側に電気的に導出されている構造体と、
前記構造体の前記第２面の側に位置し、前記アンテナ端子と前記第１端子との間に電気的に接続された、縦結合フィルタを含む第１フィルタと、
前記構造体の前記第２面の側に位置し、前記アンテナ端子と前記第２端子との間に電気的に接続された第２フィルタと、を含み、
前記第１フィルタは、前記グランド端子と電気的に接続される、前記縦結合フィルタの前記アンテナ端子側の第１グランドポートおよび前記縦結合フィルタの前記第１端子側の第２グランドポートを備え、
前記第２フィルタは、前記グランド端子に電気的に接続される第３グランドポートを備え、
前記構造体は、前記第１面と前記第２面との間において、
前記第１グランドポートと前記グランド端子との間に直列に接続された第１インダクタと、
前記第２グランドポートと前記グランド端子との間に直列に接続された第２インダクタと、
前記第１インダクタの前記グランド端子側および前記第２インダクタの前記グランド端子側のいずれか一方と前記第３グランドポートとを電気的に接続し、他方とは接続されないグランド配線と、を含む、フィルタデバイス。
[概念２]
前記第２フィルタは、第２縦結合フィルタを含む、概念１に記載のフィルタデバイス。
[概念３] 
前記第１フィルタは前記縦結合フィルタよりも前記アンテナ端子の側に直列接続されたラダー型フィルタを備える、概念１または２に記載のフィルタデバイス。
[概念４] 
前記第１フィルタの通過帯域は前記第２フィルタの通過帯域に比べて高周波側に位置する、概念１乃至３のいずれかに記載のフィルタデバイス。
[概念５]
前記構造体は、複数の誘電体層を積層した積層基板であり、前記グランド配線は、前記複数の誘電体層の層間に位置する導体パターンで構成される、概念１乃至４いずれかに記載のフィルタデバイス。
【符号の説明】
【０１３６】
１…通信装置、５…フィルタデバイス、１９Ａ…第１フィルタ、２３…アンテナ端子、２４ｗ，２４ｖ，２４ｘ…分岐点、５１…共通インダクタ、５３…個別インダクタ、Ｂ１〜Ｂ４…通過帯域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【国際調査報告】
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