(57)【要約】本発明の多層配線基板は、第１の絶縁層と、上記第１の絶縁層に積層された第２の絶縁層と、上記第２の絶縁層と反対側の上記第１の絶縁層の表面に設けられた第１の導体配線層と、上記第１の絶縁層側の上記第２の絶縁層の表面に設けられた第２の導体配線層と、上記第１の導体配線層及び上記第２の導体配線層を接続するように、上記第１の絶縁層を積層方向に貫通して設けられ、金属間化合物を含む層間接続導体と、上記第１の導体配線層と上記層間接続導体との間に設けられ、金属間化合物を含む第１の金属間化合物層と、上記第２の導体配線層と上記層間接続導体との間に設けられ、金属間化合物を含む第２の金属間化合物層と、を備え、上記第１の金属間化合物層に含まれる金属間化合物、及び、上記第２の金属間化合物層に含まれる金属間化合物は、いずれも、上記層間接続導体に含まれる金属間化合物と異なる組成を有し、上記第１の金属間化合物層は、上記第１の導体配線層と上記第１の絶縁層との界面とは上記積層方向において高さの異なる位置に設けられていることを特徴とする。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層に積層された第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層と反対側の前記第１の絶縁層の表面に設けられた第１の導体配線層と、
前記第１の絶縁層側の前記第２の絶縁層の表面に設けられた第２の導体配線層と、
前記第１の導体配線層及び前記第２の導体配線層を接続するように、前記第１の絶縁層を積層方向に貫通して設けられ、金属間化合物を含む層間接続導体と、
前記第１の導体配線層と前記層間接続導体との間に設けられ、金属間化合物を含む第１の金属間化合物層と、
前記第２の導体配線層と前記層間接続導体との間に設けられ、金属間化合物を含む第２の金属間化合物層と、を備え、
前記第１の金属間化合物層に含まれる金属間化合物、及び、前記第２の金属間化合物層に含まれる金属間化合物は、いずれも、前記層間接続導体に含まれる金属間化合物と異なる組成を有し、
前記第１の金属間化合物層は、前記第１の導体配線層と前記第１の絶縁層との界面とは前記積層方向において高さの異なる位置に設けられていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記積層方向から見た平面視において、前記第１の金属間化合物層の外縁の少なくとも一部は、前記第１の金属間化合物層と前記層間接続導体との界面の外縁よりも外側に位置する請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記第１の絶縁層は、前記第１の金属間化合物層及び前記層間接続導体を覆う突起部を有する請求項２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記突起部は、前記第１の導体配線層と前記第１の絶縁層との界面よりも前記第１の導体配線層側において、前記第１の金属間化合物層と前記層間接続導体との界面と接している請求項３に記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記突起部の先端は、前記第１の金属間化合物層に囲まれている請求項３又は４に記載の多層配線基板。
【請求項６】
前記突起部は、前記層間接続導体から前記第１の金属間化合物層に向かって、かつ、前記第１の金属間化合物層の外縁から中心に向かって、斜めに形成される請求項３〜５のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項７】
前記突起部の先端は、少なくとも前記第１の金属間化合物層と前記層間接続導体との界面と接する部分に丸み形状を有する請求項３〜６のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項８】
前記突起部の先端は、全体が丸み形状を有する請求項３〜６のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項９】
前記層間接続導体は、前記第１の金属間化合物層と接続する面積が前記第２の金属間化合物層と接続する面積よりも小さいテーパー形状を有する請求項１〜８のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項１０】
前記テーパー形状は、傾斜角が段階的に異なる請求項９に記載の多層配線基板。
【請求項１１】
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層は、いずれも熱可塑性樹脂からなる請求項１〜１０のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項１２】
前記熱可塑性樹脂は、液晶ポリマーからなる請求項１１に記載の多層配線基板。
【請求項１３】
前記第１の導体配線層及び前記第２の導体配線層は、いずれもＣｕからなる請求項１〜１２のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項１４】
前記層間接続導体に含まれる金属間化合物は、Ｓｎを含む請求項１〜１３のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項１５】
前記第１の金属間化合物層に含まれる金属間化合物、及び、前記第２の金属間化合物層に含まれる金属間化合物は、いずれもＣｕ及びＳｎを含む請求項１〜１４のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項１６】
一方の表面に導体配線層が形成された絶縁シートを準備する工程と、
前記絶縁シートを貫通し、かつ、前記導体配線層の上面の一部が露出するビアホールを形成する工程と、
前記導体配線層の露出部をエッチングする工程と、
第１の金属粉末と、前記第１の金属粉末よりも融点の高い第２の金属粉末とを含有する導電性ペーストを前記ビアホール内に充填する工程と、
前記導電性ペーストが充填された前記絶縁シートを複数枚積層し、熱処理によって一括圧着する工程と、を備えることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項１７】
前記第１の金属粉末は、Ｓｎ又はＳｎ合金からなり、
前記第２の金属粉末は、Ｃｕ−Ｎｉ合金又はＣｕ−Ｍｎ合金からなる請求項１６に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１８】
前記導体配線層は、銅箔を用いて形成される請求項１６又は１７に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１９】
前記ビアホールは、前記導体配線層に向かって径が小さくなるテーパー形状を有する請求項１６〜１８のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板、及び、多層配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
様々な電子機器に使用される多層配線基板として、例えば、特許文献１には、回路部としての配線部と、上記配線部に電気的に接続される接続端子としてのランドと、上記配線部及び上記ランドと電気的に絶縁状態にある金属パターンとにより構成される導体パターンを、熱可塑性樹脂中に多層に積層配置してなる多層基板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１３６３４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載されている多層基板のような多層配線基板においては、一般に、積層された絶縁層間にそれぞれ導体配線層が設けられており、導体配線層同士は、絶縁層の内部に設けられた層間接続導体によって接続されている。【０００５】
層間接続導体は、例えば、絶縁層を貫通するビアホールを形成し、ビアホール内に導電性ペーストを充填することによって形成される。【０００６】
導電性ペーストには、充填性等を確保するために、通常、溶剤が含まれている。導電性ペースト中の溶剤は、充填後に乾燥して除去する必要があるが、乾燥不足等の理由により完全には除去されない場合がある。その場合、層間接続導体に残存した溶剤は、リフロー等の熱処理によって気化膨張するため、層間接続導体から放出されるガスにより、絶縁層と導体配線層との間で剥がれてしまい、それに伴い、層間接続導体の破断が発生するおそれがある。【０００７】
本発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、層間接続導体の破断が発生しにくい多層配線基板を提供することを目的とする。本発明はまた、上記多層配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の多層配線基板は、第１の絶縁層と、上記第１の絶縁層に積層された第２の絶縁層と、上記第２の絶縁層と反対側の上記第１の絶縁層の表面に設けられた第１の導体配線層と、上記第１の絶縁層側の上記第２の絶縁層の表面に設けられた第２の導体配線層と、上記第１の導体配線層及び上記第２の導体配線層を接続するように、上記第１の絶縁層を積層方向に貫通して設けられ、金属間化合物を含む層間接続導体と、上記第１の導体配線層と上記層間接続導体との間に設けられ、金属間化合物を含む第１の金属間化合物層と、上記第２の導体配線層と上記層間接続導体との間に設けられ、金属間化合物を含む第２の金属間化合物層と、を備え、上記第１の金属間化合物層に含まれる金属間化合物、及び、上記第２の金属間化合物層に含まれる金属間化合物は、いずれも、上記層間接続導体に含まれる金属間化合物と異なる組成を有し、上記第１の金属間化合物層は、上記第１の導体配線層と上記第１の絶縁層との界面とは上記積層方向において高さの異なる位置に設けられていることを特徴とする。【０００９】
本発明の多層配線基板では、上記積層方向から見た平面視において、上記第１の金属間化合物層の外縁の少なくとも一部は、上記第１の金属間化合物層と上記層間接続導体との界面の外縁よりも外側に位置することが好ましい。【００１０】
本発明の多層配線基板において、上記第１の絶縁層は、上記第１の金属間化合物層及び上記層間接続導体を覆う突起部を有することが好ましい。【００１１】
本発明の多層配線基板において、上記突起部は、上記第１の導体配線層と上記第１の絶縁層との界面よりも上記第１の導体配線層側において、上記第１の金属間化合物層と上記層間接続導体との界面と接していることが好ましい。【００１２】
本発明の多層配線基板において、上記突起部の先端は、上記第１の金属間化合物層に囲まれていることが好ましい。【００１３】
本発明の多層配線基板において、上記突起部は、上記層間接続導体から上記第１の金属間化合物層に向かって、かつ、上記第１の金属間化合物層の外縁から中心に向かって、斜めに形成されることが好ましい。【００１４】
本発明の多層配線基板において、上記突起部の先端は、少なくとも上記第１の金属間化合物層と上記層間接続導体との界面と接する部分に丸み形状を有することが好ましく、全体が丸み形状を有することがより好ましい。【００１５】
本発明の多層配線基板において、上記層間接続導体は、上記第１の金属間化合物層と接続する面積が上記第２の金属間化合物層と接続する面積よりも小さいテーパー形状を有することが好ましい。【００１６】
本発明の多層配線基板において、上記テーパー形状は、傾斜角が段階的に異なることが好ましい。【００１７】
本発明の多層配線基板において、上記第１の絶縁層及び上記第２の絶縁層は、いずれも熱可塑性樹脂からなることが好ましい。上記熱可塑性樹脂は、液晶ポリマーからなることが好ましい。【００１８】
本発明の多層配線基板において、上記第１の導体配線層及び上記第２の導体配線層は、いずれもＣｕからなることが好ましい。【００１９】
本発明の多層配線基板において、上記層間接続導体に含まれる金属間化合物は、Ｓｎを含むことが好ましい。【００２０】
本発明の多層配線基板において、上記第１の金属間化合物層に含まれる金属間化合物、及び、上記第２の金属間化合物層に含まれる金属間化合物は、いずれもＣｕ及びＳｎを含むことが好ましい。【００２１】
本発明の多層配線基板の製造方法は、一方の表面に導体配線層が形成された絶縁シートを準備する工程と、上記絶縁シートを貫通し、かつ、上記導体配線層の上面の一部が露出するビアホールを形成する工程と、上記導体配線層の露出部をエッチングする工程と、第１の金属粉末と、上記第１の金属粉末よりも融点の高い第２の金属粉末とを含有する導電性ペーストを上記ビアホール内に充填する工程と、上記導電性ペーストが充填された上記絶縁シートを複数枚積層し、熱処理によって一括圧着する工程と、を備えることを特徴とする。【００２２】
本発明の多層配線基板の製造方法において、上記第１の金属粉末は、Ｓｎ又はＳｎ合金からなり、上記第２の金属粉末は、Ｃｕ−Ｎｉ合金又はＣｕ−Ｍｎ合金からなることが好ましい。【００２３】
本発明の多層配線基板の製造方法において、上記導体配線層は、銅箔を用いて形成されることが好ましい。【００２４】
本発明の多層配線基板の製造方法において、上記ビアホールは、上記導体配線層に向かって径が小さくなるテーパー形状を有することが好ましい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、層間接続導体の破断が発生しにくい多層配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１は、本発明の多層配線基板の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の多層配線基板の別の一例を模式的に示す断面図である。
【図３】図３は、図２に示す多層配線基板の一部を拡大した断面図である。
【図４】図４は、図２に示す多層配線基板を積層方向から見た平面図である。
【図５】図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ、図５Ｄ、図５Ｅ及び図５Ｆは、図２に示す多層配線基板の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の多層配線基板、及び、多層配線基板の製造方法について説明する。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する本発明の個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
【００２８】
＜多層配線基板＞
図１は、本発明の多層配線基板の一例を模式的に示す断面図である。
図１には全体的な構成が示されていないが、多層配線基板１は、少なくとも、第１の絶縁層１１と、第１の絶縁層１１に積層された第２の絶縁層１２とを備えている。
【００２９】
第２の絶縁層１２と反対側の第１の絶縁層１１の表面には第１の導体配線層２１が設けられており、第１の絶縁層１１側の第２の絶縁層１２の表面には第２の導体配線層２２が設けられている。図１では、第１の導体配線層２１の第１の絶縁層１１側の表面は、第１の絶縁層１１と反対側の表面よりも表面粗さの大きいマット面であり、第２の導体配線層２２の第１の絶縁層１１側の表面は、第１の絶縁層１１と反対側の表面よりも表面粗さの小さいシャイニー面である。
【００３０】
第１の絶縁層１１の内部には、第１の絶縁層１１を積層方向（図１では上下方向）に貫通するように層間接続導体３１が設けられている。層間接続導体３１は、金属間化合物を含んでおり、第１の導体配線層２１及び第２の導体配線層２２を接続している。
【００３１】
第１の導体配線層２１と層間接続導体３１との間には、第１の金属間化合物層４１が設けられており、第２の導体配線層２２と層間接続導体３１との間には、第２の金属間化合物層４２が設けられている。第１の金属間化合物層４１及び第２の金属間化合物層４２は、いずれも金属間化合物を含んでいる。
【００３２】
第１の金属間化合物層４１に含まれる金属間化合物、及び、第２の金属間化合物層４２に含まれる金属間化合物は、いずれも、層間接続導体３１に含まれる金属間化合物と異なる組成を有している。なお、図１では、第１の金属間化合物層４１は、金属間化合物の組成が異なる層４１ａ及び４１ｂからなる２層構造を有しており、第２の金属間化合物層４２は、金属間化合物の組成が異なる層４２ａ及び４２ｂからなる２層構造を有している。
【００３３】
本明細書において、「異なる組成」とは、組成自体が異なる場合、すなわち、金属間化合物に含まれる元素の種類が異なる場合はもちろんのこと、金属間化合物に含まれる元素の種類が同一であったとしても、その比率が異なる場合も含まれる。例えば、Ｃｕ３ＳｎとＣｕ６Ｓｎ５とは、組成は同一であるが組成比が異なるため、「異なる組成」であると言える。
【００３４】
金属間化合物の組成の違いは、金属顕微鏡を用いた断面観察によって簡易的に確認することができる。詳細には、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）等による組成分析と、微小部Ｘ線回折等による結晶構造解析とを行うことによって、金属間化合物の組成を確認することができる。
【００３５】
図１に示す多層配線基板１において、第１の金属間化合物層４１は、第１の導体配線層２１と第１の絶縁層１１との界面とは積層方向において高さの異なる位置に設けられている。図１では、第１の金属間化合物層４１と層間接続導体３１との界面が、第１の導体配線層２１と第１の絶縁層１１との界面（図１中、Ｘ−Ｘで示す面）よりも第１の導体配線層２１側に位置している。
【００３６】
本発明の多層配線基板においては、第１の金属間化合物層が、第１の導体配線層と第１の絶縁層との界面とは積層方向において高さの異なる位置に設けられていることを特徴としている。
【００３７】
後述するように、本発明の多層配線基板においては、導電性ペーストを用いて層間接続導体が形成される。具体的には、導電性ペースト中の金属が反応して金属間化合物が生成し、層間接続導体が形成される。また、層間接続導体と導体配線層との間では、層間接続導体に含まれる金属と導体配線層を形成する金属とが反応するため、層間接続導体に含まれる金属間化合物とは異なる組成の金属間化合物が生成し、金属間化合物層が形成される。
【００３８】
上述したように、導電性ペーストには、通常、溶剤が含まれており、この溶剤は完全には除去されない場合がある。溶剤は、層間接続導体、及び、層間接続導体と導体配線層との界面に含まれ、気化膨張すると、体積増加の過程で絶縁層と導体配線層との界面から剥離が生じる。絶縁層と導体配線層との界面での剥離が層間接続導体に向かって進むと、層間接続導体と導体配線層との界面でも剥離が生じることになる。特に、層間接続導体と導体配線層との間に形成される金属間化合物層は、層間接続導体及び導体配線層と比べて脆いため、破断が起こりやすい。そのため、最も脆い金属間化合物層が導体配線層と絶縁層との界面と同一平面上に位置していると、剥離の応力がかかる位置と最も弱いポイントとが一致するため、剥離の応力が直接伝わってしまう。
【００３９】
これに対し、本発明の多層配線基板においては、第１の金属間化合物層が、第１の導体配線層と第１の絶縁層との界面とは積層方向において高さの異なる位置に設けられているため、応力が分散し、第１の金属間化合物層と層間接続導体との界面に剥離の応力が伝わりにくくなる。その結果、層間接続導体の破断を防止することができる。
【００４０】
本発明の多層配線基板において、第１の金属間化合物層が、第１の導体配線層と第１の絶縁層との界面とは積層方向において高さの異なる位置に設けられている場合、第１の金属間化合物層は、第１の導体配線層と第１の絶縁層との界面をまたいでいない。また、第１の金属間化合物層が、第１の導体配線層と第１の絶縁層との界面とは積層方向において高さの異なる位置に設けられている場合、図１に示すように、第１の金属間化合物層と層間接続導体との界面が、第１の導体配線層と第１の絶縁層との界面よりも第１の導体配線層側に位置することが好ましい。
【００４１】
本発明の多層配線基板において、第２の金属間化合物層は、第２の導体配線層と第１の絶縁層との界面とは積層方向において高さの異なる位置に設けられていてもよいし、高さの異なる位置に設けられていなくてもよい。
例えば、図１に示す多層配線基板１において、第２の金属間化合物層４２は、第２の導体配線層２２と第１の絶縁層１１との界面とは積層方向において高さの異なる位置に設けられていない。図１では、第２の金属間化合物層４２と層間接続導体３１との界面が、第２の導体配線層２２と第１の絶縁層１１との界面と一致している。
【００４２】
図２は、本発明の多層配線基板の別の一例を模式的に示す断面図である。図３は、図２に示す多層配線基板の一部を拡大した断面図である。
図２に示す多層配線基板２では、図１に示す多層配線基板１と異なり、第１の金属間化合物層４１が層間接続導体３１の外側にも設けられている。しかし、図１に示す多層配線基板１と同様、第１の金属間化合物層４１と層間接続導体３１との界面が、第１の導体配線層２１と第１の絶縁層１１との界面（図２中、Ｘ−Ｘで示す面）よりも第１の導体配線層２１側に位置している。したがって、図２に示す多層配線基板２においても、第１の金属間化合物層４１は、第１の導体配線層２１と第１の絶縁層１１との界面とは積層方向において高さの異なる位置に設けられていると言うことができる。
【００４３】
また、図２に示す多層配線基板２では、図３に示すように、第１の絶縁層１１は、第１の金属間化合物層４１及び層間接続導体３１を覆う突起部５１を有している。
【００４４】
本明細書においては、図２及び図３のように積層方向に沿った断面を見たとき、第１の絶縁層が、積層方向の第１の導体配線層側において第１の金属間化合物層と接する部分、及び、積層方向の第１の導体配線層側において層間接続導体と接する部分を有する場合、「第１の絶縁層は、第１の金属間化合物層及び層間接続導体を覆う突起部を有する」という。特に、第１の絶縁層のうち、第１の金属間化合物層との界面、及び、層間接続導体との界面を含み、かつ、層間接続導体に入り込んでいる部分を「突起部の先端」という。
【００４５】
このように、本発明の多層配線基板において、第１の絶縁層は、第１の金属間化合物層及び層間接続導体を覆う突起部を有することが好ましい。
図３に示すような突起部を第１の絶縁層が有していると、第１の金属間化合物層と層間接続導体との界面を第１の絶縁層で押さえることができるため、第１の金属間化合物層と層間接続導体との界面に応力がさらに伝わりにくくなる。その結果、第１の金属間化合物層と層間接続導体との界面を起点とする層間接続導体の破断をさらに防止することができる。
【００４６】
本発明の多層配線基板において、上記突起部は、図３に示すように、第１の導体配線層と第１の絶縁層との界面よりも第１の導体配線層側において、第１の金属間化合物層と層間接続導体との界面と接していることが好ましい。図３では、突起部５１は、点Ａにおいて、第１の金属間化合物層４１と層間接続導体３１との界面と接している。
この場合、第１の金属間化合物層と層間接続導体との界面が第１の導体配線層と第１の絶縁層との界面からずれるため、第１の絶縁層と第１の導体配線層との間で剥がれる際の応力が第１の金属間化合物層と層間接続導体との界面に伝わりにくくなる。その結果、第１の金属間化合物層と層間接続導体との界面を起点とする層間接続導体の破断を防止することができる。
【００４７】
なお、上記突起部が、第１の導体配線層と第１の絶縁層との界面よりも第１の導体配線層側において、第１の金属間化合物層と層間接続導体との界面と接している場合、図２に示すように、積層方向に沿った１つの断面の２箇所で接していることに加えて、これに直交する断面の２箇所でも接していることが好ましい。
【００４８】
本発明の多層配線基板において、上記突起部は、図３に示すように、層間接続導体から第１の金属間化合物層に向かって、かつ、第１の金属間化合物層の外縁から中心に向かって、斜めに形成されることが好ましい。
突起部が斜めに形成されると、第１の金属間化合物層と層間接続導体との界面を押さえる効果が充分に得られる。
【００４９】
本発明の多層配線基板において、上記突起部の先端は、少なくとも第１の金属間化合物層と層間接続導体との界面と接する部分に丸み形状を有することが好ましく、全体が丸み形状を有することがより好ましい。
突起部の先端が丸み形状を有していると、応力を集中させずに分散させることができる。
【００５０】
図４は、図２に示す多層配線基板を積層方向から見た平面図である。なお、図４は、第１の導体配線層と第１の絶縁層との界面（図２中、Ｘ−Ｘで示す面）よりも第１の導体配線層側の部分を積層方向から見た平面図である。
図４では、第１の金属間化合物層４１の外縁は、第１の金属間化合物層４１と層間接続導体３１との界面の外縁よりも外側に位置している。なお、層間接続導体３１よりも外側に位置する第１の金属間化合物層４１は、第１の絶縁層１１によって覆われている（図３も参照）。
【００５１】
このように、本発明の多層配線基板では、積層方向から見た平面視において、第１の金属間化合物層の外縁の少なくとも一部は、第１の金属間化合物層と層間接続導体との界面の外縁よりも外側に位置することが好ましい。
この場合、第１の金属間化合物層が第１の導体配線層と接続する面積が大きくなるため、第１の金属間化合物層との接合強度を高くすることができる。
【００５２】
なお、積層方向から見た平面視において、第１の金属間化合物層の外縁の少なくとも一部が第１の金属間化合物層と層間接続導体との界面の外縁よりも外側に位置していればよく、第１の金属間化合物層の外縁の全部が第１の金属間化合物層と層間接続導体との界面の外縁よりも外側に位置していなくてもよい。
【００５３】
また、本発明の多層配線基板において、第１の金属間化合物層の外縁の少なくとも一部が第１の金属間化合物層と層間接続導体との界面の外縁よりも外側に位置する場合、第１の絶縁層は上記突起部を有していなくてもよい。
【００５４】
本発明の多層配線基板においては、図３及び図４に示すように、上記突起部の先端は、第１の金属間化合物層に囲まれていることが好ましい。
【００５５】
本明細書においては、図２及び図３のように積層方向に沿った断面を見たとき、積層方向に直交する方向において、第１の絶縁層が、第１の金属間化合物層と層間接続導体との間に設けられている場合、「突起部の先端は、第１の金属間化合物層に囲まれている」という。
【００５６】
なお、突起部の先端が第１の金属間化合物層に囲まれている場合、図２に示すように、積層方向に沿った１つの断面の２箇所で囲まれていることに加えて、これに直交する断面の２箇所でも囲まれていることが好ましい。図４に示すように、突起部の先端の全体が第１の金属間化合物層に囲まれていることが最も好ましい。
【００５７】
本発明の多層配線基板において、層間接続導体は、図１及び図２に示すように、第１の金属間化合物層と接続する面積が第２の金属間化合物層と接続する面積よりも小さいテーパー形状を有することが好ましい。
層間接続導体が上記テーパー形状を有していると、第２の金属間化合物層が第２の導体配線層と接続する面積が大きくなるため、第２の金属間化合物層との接合強度を高くすることができる。
【００５８】
本発明の多層配線基板において、上記テーパー形状は、傾斜角が段階的に異なることが好ましい。この場合、傾斜角は２段階で変化してもよいし、３段階以上で変化してもよい。
【００５９】
（絶縁層）
第１の絶縁層及び第２の絶縁層等の絶縁層は、例えば、電気絶縁性を有する板状又はフィルム状の樹脂シートからなる。樹脂シートを構成する樹脂は、熱可塑性樹脂でも熱硬化性樹脂でもよいが、熱可塑性樹脂であることが好ましい。熱可塑性樹脂からなる樹脂シートを用いると、導体配線層が形成された樹脂シートを複数枚積層し、熱処理によって一括圧着することができる。
【００６０】
熱可塑性樹脂としては、例えば、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂（ＰＥＥＫ）、ポリフェニレンスルフィド樹脂（ＰＰＳ）等が挙げられる。これらの中では、液晶ポリマー（ＬＣＰ）が好ましい。液晶ポリマーは他の熱可塑性樹脂に比べて吸水率が低い。したがって、液晶ポリマーを絶縁層とする多層配線基板では、絶縁層に残存する水分を少なくすることができるため、層間接続導体の破断をさらに防止することができる。
【００６１】
（層間接続導体）
層間接続導体は、金属間化合物を含んでおり、好ましくは、第１の金属と、上記第１の金属よりも融点の高い第２の金属との金属間化合物を含んでいる。このような層間接続導体は、導電性ペーストの焼結体からなることが好ましい。例えば、第１の金属粉末と、上記第１の金属粉末よりも融点の高い第２の金属粉末とを含有する導電性ペーストを用いて、第１の金属と第２の金属とを反応させることによって、上記金属間化合物を含む層間接続導体が形成される。第１の金属粉末と第２の金属粉末とを含有する導電性ペーストについては、＜多層配線基板の製造方法＞で説明する。
【００６２】
層間接続導体に含まれる金属間化合物は、Ｓｎを含むことが好ましく、Ｃｕ、Ｎｉ及びＳｎを含むか、又は、Ｃｕ、Ｍｎ及びＳｎを含むことがより好ましい。
【００６３】
（金属間化合物層）
第１の金属間化合物層及び第２の金属間化合物層は、いずれも金属間化合物を含んでおり、第１の金属間化合物層に含まれる金属間化合物、及び、第２の金属間化合物層に含まれる金属間化合物は、いずれも、層間接続導体に含まれる金属間化合物と異なる組成を有している。第１の金属間化合物層に含まれる金属間化合物は、第２の金属間化合物層に含まれる金属間化合物と同じ組成を有していてもよいし、異なる組成を有していてもよい。このような第１の金属間化合物層及び第２の金属間化合物層は、好ましくは、上記導電性ペースト中の第１の金属が導体配線層を構成する金属と反応することによって形成される。
【００６４】
第１の金属間化合物層に含まれる金属間化合物、及び、第２の金属間化合物層に含まれる金属間化合物は、いずれもＣｕ及びＳｎを含むことが好ましく、Ｎｉ又はＭｎを実質的に含まないことがより好ましい。
【００６５】
第１の金属間化合物層及び第２の金属間化合物層は、それぞれ、１層のみの構造を有していてもよいし、金属間化合物の組成が異なる２層以上の構造を有していてもよい。
【００６６】
（導体配線層）
第１の導体配線層及び第２の導体配線層等の導体配線層としては、公知の配線基板に用いられる導体配線層を使用することができる。導体配線層の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、ステンレス（ＳＵＳ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、及び、これらの合金等を用いることができる。
【００６７】
第１の導体配線層及び第２の導体配線層は、いずれも銅（Ｃｕ）からなることが好ましい。また、第１の導体配線層及び第２の導体配線層は、いずれも導体箔からなることが好ましく、銅箔からなることが特に好ましい。
【００６８】
第１の導体配線層及び第２の導体配線層は、一方の表面にマット面を有し、他方の表面にシャイニー面を有することが好ましい。
【００６９】
＜多層配線基板の製造方法＞
以下、本発明の多層配線基板の製造方法の一実施形態について説明する。
図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ、図５Ｄ、図５Ｅ及び図５Ｆは、図２に示す多層配線基板の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【００７０】
（絶縁シートを準備する工程）
図５Ａに示すように、一方の表面に導体配線層１２１が形成された絶縁シート１１１を準備する。図５Ａ中、絶縁シート１１１は第１の絶縁層１１となるものであり、導体配線層１２１は第１の導体配線層２１となるものである。
【００７１】
導体配線層を形成する方法としては、例えば、絶縁シートの表面に貼り付けられた導体箔をエッチングして配線回路を形成する方法、配線回路の形状に形成された導体箔を絶縁シートに転写する方法、絶縁シートの表面にめっき法によって配線回路を形成する方法等が挙げられる。
【００７２】
絶縁シートとしては、例えば、上述した熱可塑性樹脂等の樹脂を含む絶縁性の樹脂シートを用いることができる。絶縁シートは、好ましくは熱可塑性樹脂からなる樹脂シートであり、より好ましくは液晶ポリマーからなる樹脂シートである。絶縁シートの厚さは、例えば、１０μｍ以上、２０００μｍ以下である。
【００７３】
導体箔の材料としては、例えば、銅、銀、アルミニウム、ステンレス、ニッケル、金、及び、これらの合金等を用いることができ、好ましくは銅である。したがって、導体配線層は、銅箔を用いて形成されることが好ましい。導体箔の厚さは、例えば、３μｍ以上、４０μｍ以下である。
【００７４】
また、導体箔は、樹脂シート等の絶縁シートとの接着性を高めるために、片面に粗化処理が施されていてもよい。粗化された面の表面粗さ（Ｒｚ）は、例えば、１μｍ以上、１５μｍ以下である。
【００７５】
（ビアホールを形成する工程）
図５Ｂに示すように、絶縁シート１１１を貫通し、かつ、導体配線層１２１の上面の一部が露出するビアホール１１１ａを形成する。
【００７６】
例えば、絶縁シートに対して、導体配線層と反対側からレーザー照射を行うことにより、絶縁シートを貫通し、かつ、導体配線層の上面の一部が露出するビアホールを形成する。レーザー加工は、例えば、パルス発振型炭酸ガスレーザー加工装置によって行われる。その後、内部に残留する樹脂を除去するため、例えば酸素プラズマ放電処理、コロナ放電処理等によるデスミア処理を行うことが好ましい。樹脂の除去は、過マンガン酸カリウム処理等によってもよい。
【００７７】
図５Ｂに示すように、絶縁シート１１１のビアホール１１１ａは、導体配線層１２１に向かって径が小さくなるテーパー形状を有することが好ましい。
【００７８】
（導体配線層の露出部をエッチングする工程）
図５Ｃに示すように、導体配線層１２１の露出部１２１ａをエッチングする。これにより、導体配線層１２１の露出部１２１ａは、導体配線層１２１と絶縁シート１１１との界面よりも導体配線層１２１側に位置することになる。
【００７９】
（導電性ペーストを充填する工程）
図５Ｄに示すように、第１の金属粉末と、第１の金属粉末よりも融点の高い第２の金属粉末とを含有する導電性ペースト１３１をビアホール１１１ａ内に充填する。
【００８０】
導電性ペーストを充填する方法としては、例えば、スクリーン印刷法、真空充填法等が挙げられる。
【００８１】
導電性ペーストに含有される第１の金属粉末は、Ｓｎ又はＳｎ合金からなり、第２の金属粉末は、Ｃｕ−Ｎｉ合金又はＣｕ−Ｍｎ合金からなることが好ましい。このような導電性ペーストとしては、例えば、特許第５１４６６２７号公報に記載された導電性ペースト等を用いることができる。以下、第１の金属粉末に含まれる金属成分を第１の金属、第２の金属粉末に含まれる金属成分を第２の金属ともいう。
【００８２】
Ｓｎ又はＳｎ合金としては、例えば、Ｓｎ単体、又は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｐｄ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｅ及びＰからなる群より選ばれる少なくとも１種とＳｎとを含む合金等が挙げられる。Ｓｎ合金は、Ｓｎを７０重量％以上含有することが好ましく、８５重量％以上含有することがより好ましい。
【００８３】
Ｃｕ−Ｎｉ合金中のＮｉの比率は、１０重量％以上１５重量％以下であることが好ましい。また、Ｃｕ−Ｍｎ合金中のＭｎの比率は、１０重量％以上１５重量％以下であることが好ましい。これにより、所望の金属間化合物を生成するのに必要十分なＮｉ又はＭｎを供給することができる。Ｃｕ−Ｎｉ合金中のＮｉの比率及びＣｕ−Ｍｎ合金中のＭｎの比率が１０重量％未満である場合、Ｓｎが全て金属間化合物とならずに残留しやすくなる。また、Ｃｕ−Ｎｉ合金中のＮｉの比率及びＣｕ−Ｍｎ合金中のＭｎの比率が１５重量％を超える場合も、Ｓｎが全て金属間化合物とならずに残留しやすくなる。
【００８４】
なお、Ｃｕ−Ｎｉ合金又はＣｕ−Ｍｎ合金は、Ｍｎ及びＮｉを同時に含んでいてもよく、また、Ｐ等の第３成分を含んでいてもよい。
【００８５】
第１の金属粉末及び第２の金属粉末の算術平均粒径は、それぞれ３μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。これらの金属粉末の平均粒径が小さすぎると、製造コストが高くなる。また、金属粉末の酸化が進み、反応を阻害しやすくなる。一方、これらの金属粉末の平均粒径が大きすぎると、導電性ペーストをビアホールに充填しにくくなる。
【００８６】
導電性ペースト中の金属成分に占める第２の金属の割合は、３０重量％以上であることが好ましい。すなわち、導電性ペースト中の金属成分に占める第１の金属の割合は、７０重量％以下であることが好ましい。この場合、Ｓｎ等の第１の金属の残留割合がより低減され、金属間化合物の割合を増加させることができる。
【００８７】
導電性ペースト中に占める金属成分の比率は、８５重量％以上９５重量％以下であることが好ましい。金属成分が９５重量％を超えると、充填性に優れた低粘度の導電性ペーストを得ることが困難になる。一方、金属成分が８５重量％未満であると、フラックス成分が残存しやすくなる。
【００８８】
導電性ペーストは、フラックス成分を含むことが好ましい。フラックス成分としては、導電性ペーストの材料に用いられる種々公知のフラックス成分を用いることができ、樹脂を含む。樹脂以外の成分としては、例えば、ビヒクル、溶剤、チキソ剤、活性剤等が挙げられる。
【００８９】
上記樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂又はその変性樹脂、及び、アクリル樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の熱硬化性樹脂、又は、ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリメタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂及びセルロース系樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種の熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。
【００９０】
上記ビヒクルとしては、例えば、ロジン及びそれを変性した変性ロジン等の誘導体からなるロジン系樹脂、合成樹脂、又は、これらの混合体等が挙げられる。上記ロジン及びそれを変性した変性ロジン等の誘導体からなるロジン系樹脂としては、例えば、ガムロジン、トールロジン、ウッドロジン、重合ロジン、水素添加ロジン、ホルミル化ロジン、ロジンエステル、ロジン変性マレイン酸樹脂、ロジン変性フェノール樹脂、ロジン変性アルキド樹脂、その他各種ロジン誘導体等が挙げられる。上記ロジン及びそれを変性した変性ロジン等の誘導体からなる合成樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、テルペン樹脂等が挙げられる。
【００９１】
上記溶剤としては、アルコール、ケトン、エステル、エーテル、芳香族系、炭化水素類等が知られており、具体的な例としては、ベンジルアルコール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、ジエチレングリコール、エチレングリコール、グリセリン、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、酢酸エチル、酢酸ブチル、安息香酸ブチル、アジピン酸ジエチル、ドデカン、テトラデセン、α−ターピネオール、テルピネオール、２−メチル−２，４−ペンタンジオール、２−エチルヘキサンジオール、トルエン、キシレン、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジイソブチルアジペート、へキシレングリコール、シクロヘキサンジメタノール、２−ターピニルオキシエタノール、２−ジヒドロターピニルオキシエタノール、それらを混合したもの等が挙げられる。好ましくは、テルピネオール、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルである。
【００９２】
上記チキソ剤の具体的な例としては、硬化ヒマシ油、カルナバワックス、アミド類、ヒドロキシ脂肪酸類、ジベンジリデンソルビトール、ビス（ｐ−メチルベンジリデン）ソルビトール類、蜜蝋、ステアリン酸アミド、ヒドロキシステアリン酸エチレンビスアミド等が挙げられる。また、これらに必要に応じてカプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘニン酸のような脂肪酸、１，２−ヒドロキシステアリン酸のようなヒドロキシ脂肪酸、酸化防止剤、界面活性剤、アミン類等を添加したものもチキソ剤として用いることができる。
【００９３】
上記活性剤としては、例えば、アミンのハロゲン化水素酸塩、有機ハロゲン化合物、有機酸、有機アミン、多価アルコール等が挙げられる。
【００９４】
上記アミンのハロゲン化水素酸塩としては、例えば、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩、ジフェニルグアニジン塩酸塩、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、エチルアミン塩酸塩、エチルアミン臭化水素酸塩、ジエチルアニリン臭化水素酸塩、ジエチルアニリン塩酸塩、トリエタノールアミン臭化水素酸塩、モノエタノールアミン臭化水素酸塩等が挙げられる。
【００９５】
上記有機ハロゲン化合物としては、例えば、塩化パラフィン、テトラブロモエタン、ジブロモプロパノール、２，３−ジブロモ−１，４−ブタンジオール、２，３−ジブロモ−２−ブテン−１，４−ジオール、トリス（２，３−ジブロモプロピル）イソシアヌレート等が挙げられる。
【００９６】
上記有機酸としては、例えば、マロン酸、フマル酸、グリコール酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、フェニルコハク酸、マレイン酸、サルチル酸、アントラニル酸、グルタル酸、スベリン酸、アジピン酸、セバシン酸、ステアリン酸、アビエチン酸、安息香酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、ドデカン酸等が挙げられる。
【００９７】
上記有機アミンとしては、例えば、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリブチルアミン、アニリン、ジエチルアニリン等が挙げられる。
【００９８】
上記多価アルコールとしては、例えば、エリスリトール、ピロガロール、リビトール等が挙げられる。
【００９９】
（絶縁シートを積層し、一括圧着する工程）
このようにして導電性ペーストが充填された絶縁シートを複数枚積層する。図５Ｅでは、導電性ペースト１３１が充填された絶縁シート１１１を含む３枚の絶縁シートを積層している。図５Ｅ中、絶縁シート１１２は第２の絶縁層１２となるものであり、導体配線層１２２は第２の導体配線層２２となるものである。
【０１００】
積層後、熱処理によって一括圧着する。これにより、絶縁シートは絶縁層となる。特に、絶縁シートの材料として熱可塑性樹脂を用いた場合、一括圧着によって、絶縁層同士を接着させることができる。
【０１０１】
さらに、熱処理によって、導電性ペーストに含有される第１の金属（例えばＳｎ又はＳｎ合金等）と第２の金属（例えばＣｕ−Ｎｉ合金又はＣｕ−Ｍｎ合金等）とが反応して金属間化合物が生成し、層間接続導体が形成される。具体的には、導電性ペーストの温度が第１の金属の融点以上に達すると、第１の金属が溶融し、さらに加熱が続くと、第１の金属と第２の金属とが反応して金属間化合物が生成する。
【０１０２】
また、導体配線層と層間接続導体とが接する部分においては、導体配線層を形成する金属（例えばＣｕ等）と層間接続導体に含まれる第１の金属（例えばＳｎ又はＳｎ合金等）とが反応して金属間化合物が生成し、第１の金属間化合物層及び第２の金属間化合物層がそれぞれ形成される。
【０１０３】
ここで、第１の金属間化合物層側では、上述のように導体配線層の露出部がエッチングされていたため、第１の金属間化合物層は、第１の導体配線層と第１の絶縁層との界面とは積層方向において高さの異なる位置に設けられることになる。一方、第２の金属間化合物層は、第２の導体配線層と第１の絶縁層との界面をまたぐか、又は、第２の導体配線層と第１の絶縁層との界面に接するように設けられることになる。
【０１０４】
また、導体配線層を形成する金属と層間接続導体に含まれる第１の金属とが反応する際、第１の金属は溶融した状態で拡散していくため、第１の金属間化合物層の外縁は、第１の金属間化合物層と層間接続導体との界面の外縁よりも外側に位置することになる。さらに、絶縁シートの材料として熱可塑性樹脂を用いた場合には、軟化した熱可塑性樹脂が圧着時に第１の金属間化合物層側に入り込んでいくため、絶縁層に突起部が形成されることになる。
【０１０５】
その結果、図５Ｆに示すように、図２に示す多層配線基板２が得られる。
【０１０６】
熱処理の温度は、少なくとも一定時間、第１の金属の融点よりも高い温度に達することが好ましい。熱処理の温度が第１の金属の融点よりも高い温度に達しない場合には、第１の金属が溶融状態とならず、金属間化合物を生成することができない。例えば、第１の金属粉末がＳｎ又はＳｎ合金からなる場合、熱処理の温度は、少なくとも一定時間、２３０℃以上に達することが好ましい。また、熱処理の最高温度は、３５０℃以下であることが好ましい。熱処理の最高温度が３５０℃を超えると、絶縁シートを構成する液晶ポリマー（ＬＣＰ）等の樹脂が流れ出してしまうおそれがある。
【０１０７】
なお、図１に示す多層配線基板１を製造する場合には、熱処理時の温度、圧力等を調整することによって、第１の金属間化合物層の外縁が第１の金属間化合物層と層間接続導体との界面の外縁よりも外側に位置しないように第１の金属間化合物層を形成したり、突起部を有しないように第１の絶縁層を形成したりすることができる。
【０１０８】
本発明の多層配線基板、及び、多層配線基板の製造方法は、上記実施形態に限定されるものではなく、多層配線基板の構成、製造条件等に関し、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【０１０９】
例えば、図１に示す多層配線基板１及び図２に示す多層配線基板２において、第１の金属間化合物層４１と層間接続導体３１との界面は、第１の導体配線層２１と第１の絶縁層１１との界面よりも第１の導体配線層２１側に位置しているが、本発明の多層配線基板において、第１の金属間化合物層と第１の導体配線層との界面は、第１の導体配線層と第１の絶縁層との界面よりも第１の絶縁層側に位置していてもよい。このような場合も、第１の金属間化合物層は、第１の導体配線層と第１の絶縁層との界面とは積層方向において高さの異なる位置に設けられていると言うことができる。
【０１１０】
図１に示す多層配線基板１及び図２に示す多層配線基板２では、第２の金属間化合物層４２と層間接続導体３１との界面が第２の導体配線層２２と第１の絶縁層１１との界面と一致しているが、本発明の多層配線基板において、第２の金属間化合物層は、第２の導体配線層と第１の絶縁層との界面をまたいでもよい。また、本発明の多層配線基板において、第２の金属間化合物層は、第２の導体配線層と第１の絶縁層との界面とは積層方向において高さの異なる位置に設けられていてもよい。
【０１１１】
図１に示す多層配線基板１及び図２に示す多層配線基板２では、第１の導体配線層２１側の第１の絶縁層１１にさらに絶縁層が積層されているが、本発明の多層配線基板においては、第１の導体配線層側の第１の絶縁層に絶縁層が積層されていなくてもよい。
【符号の説明】
【０１１２】
１，２          多層配線基板
１１            第１の絶縁層
１２            第２の絶縁層
２１            第１の導体配線層
２２            第２の導体配線層
３１            層間接続導体
４１            第１の金属間化合物層
４２            第２の金属間化合物層
５１            突起部
１１１，１１２  絶縁シート
１１１ａ        ビアホール
１２１，１２２  導体配線層
１２１ａ        導体配線層の露出部
１３１          導電性ペースト
【図１】
2019003729.tif 000003
【図２】
2019003729.tif 000004
【図３】
2019003729.tif 000005
【図４】
2019003729.tif 000006
【図５】
2019003729.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月24日(2019.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層に積層された第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層と反対側の前記第１の絶縁層の表面に設けられた第１の導体配線層と、
前記第１の絶縁層側の前記第２の絶縁層の表面に設けられた第２の導体配線層と、
前記第１の導体配線層及び前記第２の導体配線層を接続するように、前記第１の絶縁層を積層方向に貫通して設けられ、金属間化合物を含む層間接続導体と、
前記第１の導体配線層と前記層間接続導体との間に設けられ、金属間化合物を含む第１の金属間化合物層と、
前記第２の導体配線層と前記層間接続導体との間に設けられ、金属間化合物を含む第２の金属間化合物層と、を備え、
前記第１の金属間化合物層に含まれる金属間化合物、及び、前記第２の金属間化合物層に含まれる金属間化合物は、いずれも、前記層間接続導体に含まれる金属間化合物と異なる組成を有し、
前記第１の金属間化合物層は、前記第１の導体配線層と前記第１の絶縁層との界面とは前記積層方向において高さの異なる位置に設けられ、
前記積層方向から見た平面視において、前記第１の金属間化合物層の外縁の少なくとも一部は、前記第１の金属間化合物層と前記層間接続導体との界面の外縁よりも外側に位置し、
前記第１の絶縁層は、前記第１の金属間化合物層及び前記層間接続導体を覆う突起部を有し、
前記突起部は、前記第１の導体配線層と前記第１の絶縁層との界面よりも前記第１の導体配線層側において、前記第１の金属間化合物層と前記層間接続導体との界面と接していることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記突起部の先端は、前記第１の金属間化合物層に囲まれている請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記突起部は、前記層間接続導体から前記第１の金属間化合物層に向かって、かつ、前記第１の金属間化合物層の外縁から中心に向かって、斜めに形成される請求項１又は２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記突起部の先端は、少なくとも前記第１の金属間化合物層と前記層間接続導体との界面と接する部分に丸み形状を有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記突起部の先端は、全体が丸み形状を有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項６】
前記層間接続導体は、前記第１の金属間化合物層と接続する面積が前記第２の金属間化合物層と接続する面積よりも小さいテーパー形状を有する請求項１〜５のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項７】
前記テーパー形状は、傾斜角が段階的に異なる請求項６に記載の多層配線基板。
【請求項８】
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層は、いずれも熱可塑性樹脂からなる請求項１〜７のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項９】
前記熱可塑性樹脂は、液晶ポリマーからなる請求項８に記載の多層配線基板。
【請求項１０】
前記第１の導体配線層及び前記第２の導体配線層は、いずれもＣｕからなる請求項１〜９のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項１１】
前記層間接続導体に含まれる金属間化合物は、Ｓｎを含む請求項１〜１０のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項１２】
前記第１の金属間化合物層に含まれる金属間化合物、及び、前記第２の金属間化合物層に含まれる金属間化合物は、いずれもＣｕ及びＳｎを含む請求項１〜１１のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項１３】
一方の表面に導体配線層が形成された絶縁シートを準備する工程と、
前記絶縁シートを貫通し、かつ、前記導体配線層の上面の一部が露出するビアホールを形成する工程と、
前記導体配線層の露出部をエッチングする工程と、
第１の金属粉末と、前記第１の金属粉末よりも融点の高い第２の金属粉末とを含有する導電性ペーストを前記ビアホール内に充填する工程と、
前記導電性ペーストが充填された前記絶縁シートを複数枚積層し、熱処理によって一括圧着する工程と、を備えることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の金属粉末は、Ｓｎ又はＳｎ合金からなり、
前記第２の金属粉末は、Ｃｕ−Ｎｉ合金又はＣｕ−Ｍｎ合金からなる請求項１３に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１５】
前記導体配線層は、銅箔を用いて形成される請求項１３又は１４に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１６】
前記ビアホールは、前記導体配線層に向かって径が小さくなるテーパー形状を有する請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
【国際調査報告】
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