(57)【要約】  ショートすることなく他の部材と接合することができ、かつ他の部材と接合した際、電気的な導通に優れる構造体、構造体の製造方法、積層体および半導体パッケージを提供する。構造体は、絶縁性基材に設けられ、絶縁性基材の厚み方向に貫通した複数の貫通孔と、複数の貫通孔に充填された導電性物質で構成された導通路と、複数の貫通孔に充填され、絶縁性基材とは異なる絶縁性物質で構成された絶縁性体とを有する。導通路は両端が絶縁性基材の厚み方向の各面から突出した突出部を備え、絶縁性体は両端が絶縁性基材の厚み方向の各面に対して同一面上にあるか、厚み方向の面に対して突出しているか、または厚み方向の面よりも凹んでいる。絶縁性体が突出している場合、絶縁性体の突出長さは導通路の突出部の突出長さの３０％以下であり、絶縁性体が凹んでいる場合、絶縁性体の凹み長さは絶縁性基材の厚み方向の厚さの１０％以下である。
2019039071.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基材と、
前記絶縁性基材に設けられ、前記絶縁性基材の厚み方向に貫通した複数の貫通孔と、
前記複数の前記貫通孔に充填された導電性物質で構成された導通路と、
前記複数の前記貫通孔に充填され、前記絶縁性基材とは異なる絶縁性物質で構成された絶縁性体とを有し、
前記導通路は、両端が前記絶縁性基材の前記厚み方向の各面から突出した突出部を備え、
前記絶縁性体は、両端が前記絶縁性基材の前記厚み方向の前記各面に対して同一面上にあるか、前記厚み方向の面に対して突出しているか、または前記厚み方向の面よりも凹んでおり、
前記絶縁性体が突出している場合、前記絶縁性体の突出長さは前記導通路の前記突出部の突出長さの３０％以下であり、
前記絶縁性体が凹んでいる場合、前記絶縁性体の凹み長さは前記絶縁性基材の前記厚み方向の厚さの１０％以下である構造体。
【請求項２】
前記突出部同士が接触している割合は、前記導通路の総数の１０％以下である請求項１に記載の構造体。
【請求項３】
前記導通路を構成する前記導電性物質は、圧縮荷重を加えた際の弾性域における最大応力が１００ＭＰａ以下である請求項１または２に記載の構造体。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の構造体の製造方法であって、
厚み方向に延在する貫通孔を複数有する絶縁性基材を備える絶縁性構造体を形成する第１の工程と、
前記貫通孔の内部に導電性物質を充填する第２の工程と、
複数の前記貫通孔のうち、前記第２の工程で前記貫通孔が前記導電性物質で満たされなかった貫通孔に絶縁性物質を充填する第３の工程と、
前記絶縁性物質をエッチングする第４の工程とを有する構造体の製造方法。
【請求項５】
前記第４の工程は、前記絶縁性基材と前記絶縁性物質とを同時にエッチングし、前記第２の工程で充填した前記導電性物質を前記絶縁性基材の表面よりも突出させる工程である請求項４に記載の構造体の製造方法。
【請求項６】
前記第４の工程の後に、前記絶縁性基材を、表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の液体に接触させる工程と、
前記液体を乾燥させる工程と、を有する請求項４または５に記載の構造体の製造方法。
【請求項７】
前記第４の工程の後に、前記絶縁性基材を、超臨界流体に浸漬する工程を有する請求項４〜６のいずれか１項に記載の構造体の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の構造体と、
電極を有する配線基板と、を有し、
前記構造体の前記導通路と前記電極とが電気的に接続されている積層体。
【請求項９】
前記構造体と前記配線基板との隙間に絶縁性材料が充填されている請求項８に記載の積層体。
【請求項１０】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の構造体と、
電極を有する配線基板と、を有し、
前記構造体の前記導通路と前記電極とが電気的に接続され、かつ前記構造体と前記配線基板との隙間に絶縁性材料が充填されている積層体、を有する半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁性基材の厚み方向に貫通した複数の貫通孔に充填された導電性物質で構成された導通路と、貫通孔に充填された絶縁性物質で構成された絶縁性体とを有する構造体、構造体の製造方法、積層体および半導体パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁性基材に設けられた複数の貫通孔に金属等の導電性物質が充填されてなる構造体は、近年ナノテクノロジーでも注目されている分野のひとつであり、例えば、異方導電性部材としての用途が期待されている。
異方導電性部材は、半導体素子等の電子部品と回路基板との間に挿入し、加圧するだけで電子部品と回路基板間の電気的接続が得られるため、半導体素子等の電子部品等の電気的接続部材、および機能検査を行う際の検査用コネクタ等として広く使用されている。
特に、半導体素子等の電子部品は、ダウンサイジング化が顕著である。従来のワイヤーボンディングのような配線基板を直接接続する方式、フリップチップボンディング、およびサーモコンプレッションボンディング等では、電子部品の電気的な接続の安定性を十分に保証することができないため、電子接続部材として異方導電性部材が注目されている。【０００３】
特許文献１には、狭ピッチに対応した異方導電性部材として使用可能な、マイクロポア貫通孔を有する絶縁性基材からなる微細構造体が記載されている。特許文献１の微細構造体は、１×１０６〜１×１０１０／ｍｍ２の密度で、孔径１０〜５００ｎｍの貫通孔を有する絶縁性基材からなり、貫通孔の総数の２０％以上の貫通孔内部に金属が充填され、かつ、貫通孔の総数の１〜８０％の貫通孔内部にポリマーが充填されている。【０００４】
特許文献２には、絶縁性基材に設けられた貫通孔の内部に金属および絶縁性物質を充填させた微細構造体が記載されている。特許文献２の微細構造体では、絶縁性基材における、貫通孔の密度が１×１０６〜１×１０１０／ｍｍ２であり、貫通孔の平均開口径が１０〜５０００ｎｍであり、貫通孔の平均深さが１０〜１０００μｍであり、貫通孔の金属のみによる封孔率が８０％以上であり、貫通孔の金属および絶縁性物質による封孔率が９９％以上である。絶縁性物質が、水酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、金属アルコキシド、塩化リチウム、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化タンタル、酸化ニオブおよび酸化ジルコニウムからなる群から選択される少なくとも１種である。【０００５】
特許文献３には、半導体素子等の電子部品の接続部材及び検査用コネクタ等として使用することができる柔軟性を有し、狭いピッチの電極に適合する異方導電性部材が記載されている。
特許文献３の異方導電性部材は、絶縁性基材中に、導電性部材からなる複数の導通路が、互いに絶縁された状態で絶縁性基材を厚み方向に貫通し、かつ、各導通路の少なくとも一端が絶縁性基材の少なくとも一方の面の表面から５μｍ〜１００μｍの長さの突出部を有する。突出部の導通路の直径に対する長さの比が３以上であり、各導通路の他端が突出部を有さない場合は絶縁性基材の他方の面において露出した状態で設けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−３３７５３号公報
【特許文献２】特開２０１２−９１４６号公報
【特許文献３】特開２０１０−１７７１７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１の構造は、上述のように貫通孔内部に金属が充填され、かつ、貫通孔の総数の１〜８０％の貫通孔内部にポリマーが充填されており、ポリマーが絶縁性基材から突出している（特許文献１の図１（Ｂ）参照）。このため、特許文献１の微細構造体を異方導電性部材として用いて接合した場合、絶縁性基材から突出した金属の変形をポリマーが妨げるという問題点がある。結果として、他の部材との物理的な接合不良等が生じることがある。
特許文献２の微細構造体では、貫通孔を絶縁性物質で封孔する際に、絶縁性基材の表面が絶縁性物質で覆われることがある。この状態で、多層配線基板の電子接続部材として使用した場合、多層配線基板と微細構造体との電気的な導通不良および物理的な接合不良等が生じるという問題点がある。
特許文献３の異方導電性部材は、絶縁性基材の少なくとも一方の面の表面から５μｍ〜１００μｍの長さの突出部を有するが、突出部の長さが長い場合、外力等により突出部が倒れた場合、突出部同士が接触してショートしてしまうという問題点がある。【０００８】
本発明の目的は、前述の従来技術に基づく問題点を解消し、ショートすることなく他の部材と接合することができ、かつ他の部材と接合した際、電気的な導通に優れる構造体、構造体の製造方法、積層体および半導体パッケージを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述の目的を達成するために、本発明は、絶縁性基材と、絶縁性基材に設けられ、絶縁性基材の厚み方向に貫通した複数の貫通孔と、複数の貫通孔に充填された導電性物質で構成された導通路と、複数の貫通孔に充填され、絶縁性基材とは異なる絶縁性物質で構成された絶縁性体とを有し、導通路は、両端が絶縁性基材の厚み方向の各面から突出した突出部を備え、絶縁性体は、両端が絶縁性基材の厚み方向の各面に対して同一面上にあるか、厚み方向の面に対して突出しているか、または厚み方向の面よりも凹んでおり、絶縁性体が突出している場合、絶縁性体の突出長さは導通路の突出部の突出長さの３０％以下であり、絶縁性体が凹んでいる場合、絶縁性体の凹み長さは絶縁性基材の厚み方向の厚さの１０％以下である構造体を提供するものである。【００１０】
突出部同士が接触している割合は、導通路の総数の１０％以下であることが好ましい。
導通路を構成する導電性物質は、圧縮荷重を加えた際の弾性域における最大応力が１００ＭＰａ以下であることが好ましい。【００１１】
本発明は、上述の本発明の構造体の製造方法であって、厚み方向に延在する貫通孔を複数有する絶縁性基材を備える絶縁性構造体を形成する第１の工程と、貫通孔の内部に導電性物質を充填する第２の工程と、複数の貫通孔のうち、第２の工程で貫通孔が導電性物質で満たされなかった貫通孔に絶縁性物質を充填する第３の工程と、絶縁性物質をエッチングする第４の工程とを有する構造体の製造方法を提供するものである。
第４の工程は、絶縁性基材と絶縁性物質とを同時にエッチングし、第２の工程で充填した導電性物質を絶縁性基材の表面よりも突出させる工程であることが好ましい。
第４の工程の後に、絶縁性基材を、表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の液体に接触させる工程と、液体を乾燥させる工程とを有することが好ましい。
第４の工程の後に、絶縁性基材を、超臨界流体に浸漬する工程を有することが好ましい。【００１２】
本発明は、上述の本発明の構造体と、電極を有する配線基板とを有し、構造体の導通路と電極とが電気的に接続されている積層体を提供するものである。
構造体と配線基板との隙間に絶縁性材料が充填されていることが好ましい。
また、本発明は、上述の本発明の構造体と、電極を有する配線基板とを有し、構造体の導通路と電極とが電気的に接続され、かつ構造体と配線基板との隙間に絶縁性材料が充填されている積層体を有する半導体パッケージを提供するものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ショートすることなく他の部材と接合することができ、かつ他の部材と接合した際、電気的な導通が優れる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態の構造体の一例を示す模式的断面図である。
【図２】本発明の実施形態の構造体の一例を示す模式的平面図である。
【図３】本発明の実施形態の積層体の一例を示す模式図である。
【図４】本発明の実施形態の積層体の他の例を示す模式図である。
【図５】本発明の実施形態の半導体パッケージの一例を示す模式図である。
【図６】本発明の実施形態の構造体の製造方法の一例の一工程を示す模式図である。
【図７】本発明の実施形態の構造体の製造方法の一例の一工程を示す模式図である。
【図８】本発明の実施形態の構造体の製造方法の一例の一工程を示す模式図である。
【図９】本発明の実施形態の構造体の製造方法の一例の一工程を示す模式図である。
【図１０】本発明の実施形態の構造体の製造方法の一例の一工程を示す模式図である。
【図１１】本発明の実施形態の構造体の製造方法の一例の一工程を示す模式図である。
【図１２】本発明の実施形態の構造体の製造方法の一例の一工程を示す模式図である。
【図１３】本発明の実施形態の構造体の製造方法の一例の一工程を示す模式図である。
【図１４】本発明の実施形態の構造体の製造方法の一例の一工程を示す模式図である。
【図１５】本発明の実施形態の構造体の製造方法の一例の一工程を示す模式図である。
【図１６】本発明の実施形態の構造体の製造方法の一例の一工程を示す模式図である。
【図１７】本発明の実施形態の構造体の製造方法の一例の一工程を示す模式図である。
【図１８】本発明の実施形態の構造体の製造方法の一例の一工程を示す模式図である。
【図１９】本発明の実施形態の構造体の製造方法の一例の一工程を示す模式図である。
【図２０】本発明の実施形態の構造体の製造方法の一例の一工程を示す模式図である。
【図２１】本発明の実施形態の構造体の製造方法の一例の一工程を示す模式図である。
【図２２】本発明の実施形態の構造体の製造方法の一例の一工程を示す模式図である。
【図２３】本発明の実施形態の構造体の製造方法の一例の一工程を示す模式的断面図である。
【図２４】本発明の実施形態の構造体の製造方法の一例の一工程を示す模式的断面図である。
【図２５】本発明の実施形態の構造体の製造方法の一例の一工程を示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の構造体、構造体の製造方法、積層体および半導体パッケージを詳細に説明する。
なお、以下に説明する図は、本発明を説明するための例示的なものであり、以下に示す図に本発明が限定されるものではない。
なお、以下において数値範囲を示す「〜」とは両側に記載された数値を含む。例えば、ε１が数値α１〜数値β１とは、ε１の範囲は数値α１と数値β１を含む範囲であり、数学記号で示せばα１≦ε１≦β１である。
「具体的な数値」等は、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。また、「同一」とは、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
【００１６】
図１は本発明の実施形態の構造体の一例を示す模式的断面図であり、図２は本発明の実施形態の構造体の一例を示す模式的平面図である。
図１に示す構造体１０は、絶縁性基材１２と、絶縁性基材１２に設けられ、絶縁性基材１２の厚み方向Ｄｔに貫通した複数の貫通孔１４と、複数の貫通孔１４に充填された導電性物質で構成された導通路１６と、複数の貫通孔１４に充填され、絶縁性基材１２とは異なる絶縁性物質で構成された絶縁性体１８とを有する。複数の導通路１６は絶縁性基材１２によって互いに電気的に絶縁された状態で存在するものである。また、導通路１６は導電性を有するものであり、電気の導通路として機能し、電気信号を伝達することができる。絶縁性体１８は導電性がなく、電気の導通路として機能せず、電気信号等を伝達できない。
【００１７】
導通路１６は、絶縁性基材１２の厚み方向Ｄｔの表面１２ａから突出した突出部１７ａと、裏面１２ｂから突出した突出部１７ｂとを備える。
絶縁性体１８を構成する、絶縁性基材１２とは異なる絶縁性物質は、絶縁性体１８が絶縁性基材１２で構成されていない。
導通路１６を構成する導電性物質、および絶縁性体１８を構成する絶縁性物質については後に説明する。
【００１８】
構造体１０では、図２に示すように、絶縁性基材１２に、導通路１６と絶縁性体１８とが設けられており、導通路１６と絶縁性体１８とが混在している。導通路１６と絶縁性体１８とはいずれも絶縁性基材１２に設けられた貫通孔１４に形成されるものである。複数の貫通孔１４のうち、導通路１６を構成する導電性物質が満たされなかった貫通孔１４に、絶縁性物質が充填されて絶縁性体１８が形成される。
【００１９】
絶縁性体１８は、両端が絶縁性基材１２の厚み方向Ｄｔの表面１２ａ、または裏面１２ｂの各面に対して同一面上にあるか、厚み方向Ｄｔの面に対して突出しているか、または厚み方向Ｄｔの面よりも凹んでいる。
絶縁性体１８が、絶縁性基材１２の厚み方向Ｄｔの表面１２ａ、または裏面１２ｂの各面に対して同一面上にあるとは、絶縁性体１８の端面１８ｃと絶縁性基材１２の表面１２ａ、または絶縁性基材１２の裏面１２ｂとが一致している状態のことであり、絶縁性体１８の端面１８ｃは絶縁性基材１２の表面１２ａまたは裏面１２ｂから突出していない。
【００２０】
絶縁性体１８は、この絶縁生体１８の突出長さδが同一の面から突出する導通路１６の突出部の突出長さの３０％以下である絶縁突出部、及び／又は、絶縁性体１８の凹み長さ（凹みの深さ）γは絶縁性基材１２の厚み方向Ｄｔの厚さの１０％以下である絶縁凹み部を含みうる。
絶縁性体１８が厚み方向Ｄｔの表面１２ａ、または裏面１２ｂに対して突出している場合、絶縁性体１８の突出長さδは導通路１６の突出部１７ａ、１７ｂの突出長さの３０％以下である。導通路１６の突出部１７ａ、１７ｂの突出長さをＬｄとするとき、突出長さδ≦突出長さＬｄ×０．３である。
突出長さδ≦突出長さＬｄ×０．３であれば、構造体１０を他の部材と接合する際に、導通路１６の変形を、絶縁性体１８が妨げることがない。これにより、構造体１０を、例えば、異方導電性部材として利用した場合、良好な導通性を得ることができ、かつショートの発生をより少なくすることができる。
なお、絶縁性体１８の突出長さδの下限は０超であり、０＜突出長さδ≦突出長さＬｄ×０．３であることがより好ましい。
【００２１】
絶縁性体１８が厚み方向Ｄｔの面に対して凹んでいる場合、絶縁性体１８の凹み長さ（凹みの深さ）γは絶縁性基材１２の厚み方向Ｄｔの厚さの１０％以下である。すなわち、絶縁性基材１２の厚みをｈとするとき、凹み長さγ≦絶縁性基材１２の厚みｈ×０．１である。凹み長さγ≦絶縁性基材１２の厚みｈ×０．１であれば、構造体１０を他の部材と接合する際に、導通路１６の倒れが防止される。これにより、構造体１０を、例えば、異方導電性部材として利用した場合、良好な導通性を得ることができ、かつショートの発生をより少なくすることができる。
なお、絶縁性体１８の凹み長さγの下限は０超であり、０＜凹み長さγ≦絶縁性基材１２の厚みｈ×０．１であることがより好ましい。
【００２２】
構造体１０は、１つの貫通孔１４に導通路１６と絶縁性体１８とが混在することもある。また、１つの貫通孔１４に導通路１６と絶縁性体１８と空隙１９とが混在することもある。いずれの場合も、その貫通孔１４は導電性がない。
【００２３】
構造体１０では、導通路１６と絶縁性体１８とについて上述の関係を満たす構成とすることにより、構造体１０を、例えば、異方導電性部材として利用した場合、良好な導通性を得ることができ、かつショートの発生をより少なくすることができる。
【００２４】
複数の導通路１６は隣接する突出部１７ａ同士及びまたは１７ｂ同士が接触していることがあり、複数の導通路１６のうち、突出部１７ａ同士、または突出部１７ｂ同士が接触している割合は、導通路１６の総数の１０％以下であることが好ましい。
複数の導通路１６のうち、突出部１７ａ同士、または突出部１７ｂ同士が接触している導通路の割合が導通路１６の総数の１０％以下であれば、構造体１０を、例えば、異方導電性部材として利用した場合、ショートの発生をより少なくすることができる。
なお、突出部１７ａ同士、または突出部１７ｂ同士が接触している割合のことを接触率という。接触率は、ＦＥ−ＳＥＭ（Field emission - Scanning Electron Microscope）により表面写真（倍率１０００００倍）を撮影し、導通路１００本について、隣接する導通路同士が接触しているか否かを確認する。下記式を用いて接触率を算出する。
接触率＝（（隣接する導通路と接触している導通路の数）／１００）×１００（％）
【００２５】
なお、導通路１６を構成する導電性物質は、接合の際の変形のしやすさを考慮すると、圧縮荷重を加えた際の弾性域における最大応力が１００ＭＰａ以下であることが好ましい。すなわち、弾性変形最大応力が１００ＭＰａ以下であることが好ましい。なお、弾性域とはフックの法則が支配する荷重範囲である。なお、最大応力とは、圧縮荷重を加える前の状態における断面積で、圧縮荷重を除して得られる応力の最大値である。
【００２６】
上述の構造体１０は、例えば、異方導電性部材として利用することができる。
図３は本発明の実施形態の積層体の一例を示す模式図であり、図４は本発明の実施形態の積層体の他の例を示す模式図である。
図３に示す積層体１１は、構造体１０と、電極２２を有する配線基板２０とを有する。積層体１１では構造体１０の導通路１６と電極２２とが電気的に接続されている。
積層体１１としては、図３に示す構成に限定されるものではなく、図４に示す積層体１１のように構造体１０の導通路１６と電極２２とが電気的に接続され、かつ構造体１０と配線基板２０との隙間２１に絶縁性材料が充填されている構成でもよい。この場合、構造体１０と配線基板２０との隙間２１に充填された絶縁性材料により絶縁層２３が構成される。
絶縁層２３を設けることにより、構造体１０の導通路１６と電極２２との電気的な接続が確実になり、電極２２に対して適正な電気信号等が入力され、Ｓ／Ｎ比（signal-noiseratio）が高くなる。
絶縁層２３を構成する絶縁性材料は、電気的な絶縁性を有するものであれば、特に限定されるものではなく、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）、酸化珪素、ポリイミドまたはエポキシ樹脂で構成される。
配線基板２０は、電極２２を有する構成であれば、特に限定されるものではなく、例えば、多層配線基板等である。
上述の図３および図４に示す積層体１１は、いずれも１つの構造体１０と、２つの配線基板２０とを有する構成であるが、これに限定されるものではなく、例えば、２つの構造体１０を用いて３つの配線基板２０を電気的に接続する構成でもよい。
【００２７】
上述の構造体１０は、図５に示す半導体パッケージ２４に用いることもできる。半導体パッケージ２４は、上述の構造体１０と上述の配線基板２０とを有し、配線基板２０の両面に半導体素子２６が電気的に接続されている。構造体１０と配線基板２０との隙間２１に充填された絶縁性材料により、絶縁層２３が構成されている。
半導体パッケージ２４とは、例えば、１つで完結したものであり、半導体パッケージ２４単体で、回路またはセンサ等の特定の機能を発揮するものである。
【００２８】
半導体パッケージ２４に用いられる半導体素子は、特に限定されず、具体的に以下のものが挙げられる。半導体素子としては、例えば、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）、ＡＳＳＰ（Application Specific Standard Product）等のロジック集積回路が挙げられる。また、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＧＰＵ（Graphics Processing Unit）等のマイクロプロセッサが挙げられる。また、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、ＨＭＣ（Hybrid Memory Cube）、ＭＲＡＭ（Magnetoresistive Random Access Memory）、ＰＣＭ（Phase-Change Memory）、ＲｅＲＡＭ（Resistance Random Access Memory）、ＦｅＲＡＭ（Ferroelectric Random Access Memory）、フラッシュメモリ等のメモリが挙げられる。また、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、パワーデバイス、ＤＣ（Direct Current）−ＤＣ（Direct Current）コンバータ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（Insulated Gate Bipolar Transistor：ＩＧＢＴ）等のアナログ集積回路が挙げられる。また、例えば、加速度センサ、圧力センサ、振動子、ジャイロセンサ等のＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）が挙げられる。また、例えば、ＧＰＳ（Global Positioning System）、ＦＭ（Frequency Modulation）、ＮＦＣ（Nearfieldcommunication）、ＲＦＥＭ（RF Expansion Module）、ＭＭＩＣ（MonolithicMicrowaveIntegratedCircuit）、ＷＬＡＮ（WirelessLocalAreaNetwork）等のワイヤレス素子、ディスクリート素子、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）、ＣＭＯＳイメージセンサー、カメラモジュール、Passiveデバイス、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタ、ＲＦ（Radio Frequency）フィルタ、ＩＰＤ（Integrated Passive Devices）等が挙げられる。
【００２９】
次に、構造体１０の製造方法について説明する。図６〜図２２は本発明の実施形態の構造体の製造方法の一例を工程順に示す模式図である。図２３〜図２５は本発明の実施形態の構造体の製造方法の一例を工程順に示す模式的断面図である。
図６〜図２５において、図１および図２に示す構造体１０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
【００３０】
まず、図６に示すように、例えば、アルミニウム基板３０を用意する。アルミニウム基板３０は、最終的に得られる構造体１０（図１参照）の絶縁性基材１２（図１参照）の厚みｈ（図１参照）、加工する装置等に応じて大きさおよび厚みが適宜決定されるものである。アルミニウム基板３０は、例えば、矩形状の板材である。なお、図１に示すように複数の貫通孔１４を有する絶縁性基材１２を形成することができれば、アルミニウム基板３０に限定されるものではない。
次に、図７に示すように、アルミニウム基板３０の裏面３０ｂに、例えば、両面粘着剤３２を用いて支持部材３４を取り付ける。支持部材３４は、例えば、アルミニウム基板３０と同じ外形状であり、支持体の役割を果たす。支持部材３４をアルミニウム基板３０に取り付けることにより取扱い性が増す。
【００３１】
支持部材３４は、例えば、シリコン基板が用いられる。支持部材３４としては、シリコン基板以外に、例えば、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＧａＮおよびアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のセラミックス基板、ガラス基板、繊維強化プラスチック基板、ならびに金属基板を用いることができる。繊維強化プラスチック基板には、プリント配線基板であるＦＲ−４（Flame Retardant Type 4）基板等も含まれる。
両面粘着剤３２は、アルミニウム基板３０と支持部材３４とを接着することができれば、その構成は特に限定されるものではなく、例えば、日東電工株式会社製の両面タイプのリバアルファ（登録商標）を用いることができる。
【００３２】
〔アルミニウム基板〕
アルミニウム基板は、特に限定されず、その具体例としては、純アルミニウム板；アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板；低純度のアルミニウム（例えば、リサイクル材料）に高純度アルミニウムを蒸着させた基板；シリコンウエハ、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板；アルミニウムをラミネートした樹脂基板；等が挙げられる。
【００３３】
アルミニウム基板のうち、陽極酸化処理により陽極酸化膜を形成する片側の表面は、アルミニウム純度が、９９．５質量％以上であることが好ましく、９９．９質量％以上であるのがより好ましく、９９．９９質量％以上であるのが更に好ましい。アルミニウム純度が上述の範囲であると、マイクロポア配列の規則性が十分となる。
アルミニウム基板３０は、陽極酸化膜を形成することができれば、特に限定されるものでなく、例えば、ＪＩＳ（Japanese Industrial Standards）  １０５０材が用いられる。
【００３４】
アルミニウム基板３０のうち陽極酸化処理される片側の表面３０ａ（図６および図７参照）は、予め熱処理、脱脂処理および鏡面仕上げ処理が施されていることが好ましい。
ここで、熱処理、脱脂処理および鏡面仕上げ処理については、特開２００８−２７０１５８号公報の＜００４４＞〜＜００５４＞段落に記載された各処理と同様の処理を施すことができる。
陽極酸化処理の前の鏡面仕上げ処理は、例えば、電解研磨であり、電解研磨には、例えば、リン酸を含有する電解研磨液が用いられる。
【００３５】
次に、アルミニウム基板３０の片側の表面３０ａ（図７参照）を陽極酸化処理する。これにより、アルミニウム基板３０の片側の表面３０ａ（図７参照）が陽極酸化されて、図８に示すように、アルミニウム基材３６と、アルミニウム基材３６の表面３６ａに、アルミニウム基材３６の厚み方向Ｄｔに延在するマイクロポア３９を複数有する陽極酸化膜３８を備える絶縁性構造体１３を形成する。この絶縁性構造体１３を形成する工程が、第１の工程に相当する。上述の陽極酸化する工程を陽極酸化処理工程ともいう。マイクロポア３９が、図１に示す貫通孔１４である。
【００３６】
〔陽極酸化処理工程〕
陽極酸化処理は、従来公知の方法を用いることができるが、マイクロポア配列の規則性を高くし、金属充填微細構造体の異方導電性を担保する観点から、自己規則化法または定電圧処理を用いることが好ましい。
ここで、陽極酸化処理の自己規則化法および定電圧処理については、特開２００８−２７０１５８号公報の＜００５６＞〜＜０１０８＞段落および［図３］に記載された各処理と同様の処理を施すことができる。
【００３７】
複数のマイクロポア３９を有する陽極酸化膜３８には、マイクロポア３９の底部にバリア層（図示せず）が存在する。このバリア層を除去するバリア層除去工程を有する。
【００３８】
〔バリア層除去工程〕
陽極酸化処理後に、例えば、アルミニウムよりも水素過電圧の高い金属を含むアルカリ水溶液を用いて、陽極酸化膜３８のバリア層を除去する。バリア層を除去することにより、図９に示すように、マイクロポア３９の底部に、上述のアルミニウムよりも水素過電圧の高い金属からなる金属層４０が形成されることになる。
【００３９】
ここで、水素過電圧（hydrogen overvoltage）とは、水素が発生するのに必要な電圧をいい、例えば、アルミニウム（Ａｌ）の水素過電圧は−１．６６Ｖである（日本化学学会誌，１９８２、（８），ｐ１３０５−１３１３）。なお、アルミニウムの水素過電圧よりも高い金属の例およびその水素過電圧の値を以下に示す。
＜金属および水素（１Ｎ Ｈ2ＳＯ4）過電圧＞
・白金（Ｐｔ）：０．００Ｖ
・金（Ａｕ）：０．０２Ｖ
・銀（Ａｇ）：０．０８Ｖ
・ニッケル（Ｎｉ）：０．２１Ｖ
・銅（Ｃｕ）：０．２３Ｖ
・錫（Ｓｎ）：０．５３Ｖ
・亜鉛（Ｚｎ）：０．７０Ｖ
【００４０】
次に、絶縁性構造体１３に対して、図１０および図２３に示すように、陽極酸化膜３８のマイクロポア３９の内部に導電性物質４１として、例えば、金属を充填する。マイクロポア３９の内部に充填される導電性物質４１は金属に限定されるものではない。なお、マイクロポア３９の内部への金属の充填は、金属充填工程ともいい、例えば、電解めっき処理が用いられるが、導電性物質の一例である金属の充填については後に詳細に説明する。
上述のマイクロポア３９の内部に金属を充填する工程が、第２の工程に相当する。
【００４１】
〔金属充填工程〕
＜充填される金属＞
上述のマイクロポア３９の内部に、導電性物質として充填される金属は、電気抵抗率が１０3Ω・ｃｍ以下の材料であることが好ましく、その具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、および亜鉛（Ｚｎ）が好適に例示される。導電性物質としては、上述の金属以外にインジウムがドープされたスズ酸化物（ＩＴＯ）等が好適に例示される。
なお、導電性物質としては、電気伝導性の観点から、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｎｉが好ましく、Ｃｕ、Ａｕがより好ましく、Ｃｕが更に好ましい。
【００４２】
＜金属充填方法＞
マイクロポアの内部に金属を充填する電解めっき処理方法としては、例えば、電解めっき法または無電解めっき法を用いることができる。
ここで、着色等に用いられる従来公知の電解めっき法では、選択的に孔中に金属を高アスペクトで析出（成長）させることは困難である。これは、析出金属が孔内で消費され一定時間以上電解を行なってもめっきが成長しないためと考えられる。
そのため、電解めっき法により金属を充填する場合は、パルス電解または定電位電解の際に休止時間をもうける必要がある。休止時間は、１０秒以上必要で、３０〜６０秒であることが好ましい。
また、電解液のかくはんを促進するため、超音波を加えることも望ましい。
【００４３】
更に、電解電圧は、通常２０Ｖ以下であって望ましくは１０Ｖ以下であるが、使用する電解液における目的金属の析出電位を予め測定し、その電位＋１Ｖ以内で定電位電解を行なうことが好ましい。なお、定電位電解を行なう際には、サイクリックボルタンメトリを併用できるものが望ましく、Ｓｏｌａｒｔｒｏｎ社、ＢＡＳ株式会社、北斗電工株式会社、ＩＶＩＵＭ社等のポテンショスタット装置を用いることができる。
【００４４】
めっき液は、従来公知のめっき液を用いることができる。
具体的には、銅を析出させる場合には硫酸銅水溶液が一般的に用いられるが、硫酸銅の濃度は、１〜３００ｇ／Ｌであることが好ましく、１００〜２００ｇ／Ｌであるのがより好ましい。また、電解液中に塩酸を添加すると析出を促進することができる。この場合、塩酸濃度は１０〜２０ｇ／Ｌであることが好ましい。
また、金を析出させる場合、テトラクロロ金の硫酸溶液を用い、交流電解でめっきを行なうのが望ましい。
【００４５】
なお、無電解めっき法では、アスペクトの高いマイクロポアからなる孔中に金属を完全に充填には長時間を要するので、電解めっき法により金属を充填するのが望ましい。
【００４６】
図２３に示すように、導電性物質４１は複数のマイクロポア３９に対して部分的に充填される。次に、図１１および図２４に示すように、陽極酸化膜３８のマイクロポア３９の内部に絶縁性物質４２を充填する。このように、複数のマイクロポア３９のうち、導電性物質４１で満たされなかった領域に絶縁性物質４２を充填する工程が、第３の工程に相当する。
なお、図２４に示す状態のままで、導電性物質４１で満たされなかったマイクロポア３９に絶縁性物質４２を充填しないと、絶縁性物質４２が充填されなかった未充填のマイクロポア３９に向かって周囲の導通路１６が倒れ、隣接した導通路１６が接触することがある。
【００４７】
〔絶縁性物質充填工程〕
＜充填される絶縁性物質＞
上述のマイクロポア３９の内部に充填される絶縁性物質としては、例えば、水酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、金属アルコキシド、塩化リチウム、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化タンタル、酸化ニオブおよび酸化ジルコニウムからなる群から選択される少なくとも１種である。
これらのうち、絶縁性に優れる理由から、水酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、金属アルコキシドおよび塩化リチウムが好ましく、上述の絶縁性基材がアルミニウムの陽極酸化皮膜である場合には、酸化アルミニウムとの吸着性が優れる理由から、特に水酸化アルミニウムが好ましい。
ここで、上述の金属アルコキシドとしては、具体的には、例えば、後述する封孔処理（ゾルゲル法）において例示するものが挙げられる。
上述の絶縁性物質以外に、絶縁性物質としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ−４−メチルペンテン、およびエチレン系アイオノマー等のアイオノマー、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、酢酸ビニル樹脂、ＡＢＳ（Acrylonitrile Butadiene Styrene copolymer）樹脂、ポリスチレン樹脂、ＡＳ樹脂（Stylene AcryloNitrille copolymer）、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール、ＥＶＡ（Ethylene Vinylacetate copolymer）樹脂、セルロース系プラスチック、ポリスチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、およびポリアミド系等の熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、ユリアメラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアセタール、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、熱可塑性ポリエステル樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、フッ素樹脂、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、非晶ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、液晶ポリエステル、ポリアミドイミド、ポリイミド、その他のスーパーエンプラ樹脂、ならびにポリマーアロイ等およびそれらの物質の２種以上の組合せを用いることができる。
【００４８】
＜絶縁性物質充填方法＞
更に、上述の金属充填工程の後に、陽極酸化膜において、マイクロポアが導電性物質で満たされなかったマイクロポアに絶縁性物質を充填する絶縁性物質充填工程を実施する。
【００４９】
絶縁性物質充填工程は、塗布処理、浸漬処理、蒸着処理、沸騰水処理、熱水処理、蒸気処理、ケイ酸ソーダ処理、亜硝酸塩処理、酢酸アンモニウム処理等の公知の方法に従って行うことができる。絶縁性物質充填工程は、例えば、特公昭５６−１２５１８号公報、特開平４−４１９４号公報、特開平５−２０２４９６号公報、特開平５−１７９４８２号公報等に記載されている装置および方法で行ってもよい。
【００５０】
沸騰水処理、熱水処理、ケイ酸ソーダ処理等の処理液を、金属が充填されなかったマイクロポア３９の内部まで浸透させ、マイクロポア３９の内部の内壁を構成する物質、例えば、酸化アルミニウム等を、例えば、水酸化アルミニウム等に変質させることにより、貫通孔を封孔することができる。
【００５１】
また、貫通孔を封孔する、他の封孔処理としては、例えば、特開平６−３５１７４号公報の段落＜００１６＞〜＜００３５＞に記載されているようなゾルゲル法による封孔処理等も好適に挙げられる。
ここで、ゾルゲル法とは、一般に金属アルコキシドからなるゾルを加水分解重縮合反応により流動性を失ったゲルとし、このゲルを加熱して酸化物を形成する方法である。
上述の金属アルコキシドは、特に限定されないが、マイクロポア３９の内部への封孔が容易である観点から、Ａｌ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｂａ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｂ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｂｉ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｃａ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｆｅ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｇａ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｇｅ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｈｆ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｉｎ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｋ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｌａ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｌｉ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｍｇ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｍｏ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｎａ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｎｂ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｐｂ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｐｏ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｐｏ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｐ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｓｂ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｓｉ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｓｎ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｓｒ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｔａ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｔｉ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｖ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｗ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｙ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｚｎ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｚｒ（Ｏ−Ｒ)ｎ等が好適に例示される。なお、上述の例示中、Ｒは、置換基を有してもよい、直鎖状、分枝状もしくは環状の炭化水素基または水素原子を表し、ｎは任意の自然数を示す。
これらのうち、上述の絶縁性基材がアルミニウムの陽極酸化皮膜である場合、酸化アルミニウムとの反応性に優れ、ゾルゲル形成性に優れた、酸化チタン、酸化珪素系の金属アルコキシドが好ましい。
また、ゾルゲルをマイクロポア３９の内部に形成する方法は特に限定されないが、マイクロポア３９の内部への封孔が容易である観点から、ゾル液を塗布して加熱する方法が好ましい。
また、ゾル液の濃度は、０．１〜９０質量％が好ましく、１〜８０質量％がより好ましく、５〜７０質量％が特に好ましい。
また、封孔率を向上させるために、繰り返し重ねて処理してもよい。
【００５２】
更に、他の封孔処理としては、マイクロポア３９に入る大きさの絶縁性粒子を貫通孔の内部に充填させてもよい。このような絶縁性粒子としては、分散性およびサイズの観点からコロイダルシリカが好ましい。
コロイダルシリカは、ゾルゲル法で調製して使用することもでき、市販品を利用することもできる。ゾルゲル法で調製する場合には、WernerStober et al;J.Colloid and Interface Sci., 26,62-69 (1968)、RickeyD.Badley et al;Lang muir 6,792-801 (1990)、色材協会誌，６１［９］ ４８８−４９３ （１９８８） 等を参照できる。
また、コロイダルシリカは、二酸化ケイ素を基本単位とするシリカの水または水溶性溶媒の分散体であり、その粒子径は１〜４００ｎｍであることが好ましく、１〜１００ｎｍであることがより好ましく、５〜５０ｎｍであることが特に好ましい。粒子径が１ｎｍより小さい場合は、塗液の貯蔵安定性が悪く、４００ｎｍより大きい場合は、マイクロポア３９への充填性が悪くなる。
【００５３】
上述の範囲の粒子径のコロイダルシリカは、水性分散液の状態で、酸性、塩基性のいずれであっても用いることができ、混合する水性分散体の安定領域に応じて、適宜選択することができる。
水を分散媒体とする酸性のコロイダルシリカとしては、例えば、日産化学工業株式会社製のスノーテックス（登録商標。以下同様。）−Ｏ、スノーテックス−ＯＬ、株式会社ＡＤＥＫＡ製のアデライト（登録商標。以下同様。）ＡＴ−２０Ｑ、クラリアントジャパン株式会社製クレボゾール（登録商標。以下同様。）２０Ｈ１２、クレボゾール３０ＣＡＬ２５等の市販品を使用することができる。
【００５４】
塩基性のコロイダルシリカとしては、アルカリ金属イオン、アンモニウムイオン、アミンの添加で安定化したシリカがあり、例えば、日産化学工業株式会社製のスノーテックス−２０、スノーテックス−３０、スノーテックス−Ｃ、スノーテックス−Ｃ３０、スノーテックス−ＣＭ４０、スノーテックス−Ｎ、スノーテックス−Ｎ３０、スノーテックス−Ｋ、スノーテックス−ＸＬ、スノーテックス−ＹＬ、スノーテックス−ＺＬ、スノーテックスＰＳ−Ｍ、スノーテックスＰＳ−Ｌ；株式会社ＡＤＥＫＡ製のアデライトＡＴ−２０、アデライトＡＴ−３０、アデライトＡＴ−２０Ｎ、アデライトＡＴ−３０Ｎ、アデライトＡＴ−２０Ａ、アデライトＡＴ−３０Ａ、アデライトＡＴ−４０、アデライトＡＴ−５０；クラリアントジャパン株式会社製のクレボゾール３０Ｒ９、クレボゾール３０Ｒ５０、クレボゾール５０Ｒ５０；デュポン社製のルドックス（登録商標。以下同様。）ＨＳ−４０、ルドックスＨＳ−３０、ルドックスＬＳ、ルドックスＳＭ−３０；等の市販品を使用することができる。
【００５５】
また、水溶性溶剤を分散媒体とするコロイダルシリカとしては、例えば、日産化学工業株式会社製のＭＡ−ＳＴ−Ｍ（粒子径：２０〜２５ｎｍ、メタノール分散タイプ）、ＩＰＡ−ＳＴ（粒子径：１０〜１５ｎｍ、イソプロピルアルコール分散タイプ）、ＥＧ−ＳＴ（粒子径：１０〜１５ｎｍ、エチレングリコール分散タイプ）、ＥＧ−ＳＴ−ＺＬ（粒子径：７０〜１００ｎｍ、エチレングリコール分散タイプ）、ＮＰＣ−ＳＴ（粒子径：１０〜１５ｎｍ、エチレングリコールモノプロピルエーテール分散タイプ）等の市販品を使用することができる。
また、これらコロイダルシリカは、一種または二種類以上組み合わせてもよく、少量成分として、アルミナ、アルミン酸ナトリウム等を含んでいてもよい。
また、コロイダルシリカは、安定剤として、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、およびアンモニア等の無機塩基、またはテトラメチルアンモニウム等の有機塩基を含んでいてもよい。
【００５６】
上述の絶縁性物質充填工程において上述のマイクロポアを封孔する際に絶縁性基材の表面が上述の絶縁性物質で覆われてしまう場合があるが、その場合、上述のマイクロポアの多くを異方導電性部材の導通路として機能させる場合は、上述の絶縁性基材の表面を覆う上述の絶縁性物質を除去するのが好ましい。
ここで、上述の絶縁性基材の表面を覆う上述の絶縁性物質を除去する方法は特に限定されるものではなく、例えば、機械研磨処理の他、化学的機械的研磨処理、酵素プラズマ処理、または水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ性水溶液もしくは硫酸等の酸性水溶液による浸漬処理等により、上述の絶縁性基材の表層部分のみを除去する方法が好適に挙げられる。
【００５７】
次に、図１１に示す陽極酸化膜３８の表面３８ａを研磨し、図１２に示すように、陽極酸化膜３８の膜厚を薄くする。この場合、支持部材３４を支持体として、陽極酸化膜３８の表面３８ａを研磨する。研磨には、例えば、化学的機械的研磨、イオンミリングおよび電解研磨処理等が用いられる。
【００５８】
次に、陽極酸化膜３８の表面３８ａを厚み方向Ｄｔに一部除去し、図１３および図２５に示すように、上述の充填した金属を陽極酸化膜３８の表面３８ａよりも突出させる。すなわち、導通路１６を陽極酸化膜３８の表面３８ａから突出させる。この場合、陽極酸化膜３８が除去される際に、陽極酸化膜３８と絶縁性物質４２とは、例えば、エッチングにより同時に除去されることが好ましい。陽極酸化膜３８と絶縁性物質４２を、例えば、エッチングにより除去する工程が、第４の工程に相当する。
また、上述のマイクロポア３９に充填した金属を陽極酸化膜３８の表面３８ａよりも突出させる工程も、第４の工程に相当する。上述の突出させる工程のことをトリミング工程という。
【００５９】
〔トリミング工程〕
トリミング工程の前に、陽極酸化膜３８を特定の形状に成形する工程を有していてもよい。この場合、例えば、トムソン刃を用いて陽極酸化膜３８が特定の形状に成形される。
トリミング工程におけるエッチングは、陽極酸化膜３８を除去し、かつ導通路を構成する金属を溶解しない条件であれば特に限定されず、例えば、酸水溶液を用いる場合は、硫酸、リン酸、硝酸、塩酸等の無機酸またはこれらの混合物の水溶液を用いることが好ましい。中でも、クロム酸を含有しない水溶液が安全性に優れる点で好ましい。酸水溶液の濃度は１質量％〜１０質量％であることが好ましい。酸水溶液の温度は、２５℃〜６０℃であることが好ましい。
一方、アルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液の濃度は０．１質量％〜５質量％であることが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、２０℃〜５０℃であることが好ましい。
具体的には、例えば、５０ｇ／Ｌ、４０℃のリン酸水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化ナトリウム水溶液または０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化カリウム水溶液が好適に用いられる。
酸水溶液またはアルカリ水溶液への浸漬時間は、８分〜１２０分であることが好ましく、１０分〜９０分であることがより好ましく、１５分〜６０分であることが更に好ましい。ここで、浸漬時間は、短時間の浸漬処理（トリミング処理）を繰り返した場合には、各浸漬時間の合計をいう。なお、各浸漬処理の間には、洗浄処理を施してもよい。
【００６０】
また、金属を陽極酸化膜３８の表面３８ａより突出させる長さは、構造体１０を異方導電性部材として用いた際に、配線基板等の被接着物との圧着性が良好となる理由から、金属を陽極酸化膜３８の表面３８ａよりも１０ｎｍ〜１０００ｎｍ突出させることが好ましく、５０ｎｍ〜５００ｎｍ突出させることがより好ましい。すなわち、突出部１７ａの突出長さは１０ｎｍ〜１０００ｎｍが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００６１】
トリミング工程において、導通路の突出部の高さを厳密に制御する場合は、陽極酸化膜３８への金属充填および絶縁性物質充填の後に絶縁性基材と導通路の端部とを同一平面状になるように加工した後、絶縁性基材を選択的に除去することが好ましい。
ここで、同一平面状に加工する方法としては、例えば、物理的研磨（例えば、遊離砥粒研磨、バックグラインド、サーフェスプレーナー等）、電気化学的研磨、これらを組み合わせた研磨等が挙げられる。
【００６２】
また、上述の陽極酸化膜３８への金属充填および絶縁性物質充填の後、またはトリミング工程の後に、金属充填および絶縁性物質充填に伴い発生したマイクロポア内の歪を軽減する目的で、陽極酸化膜に加熱処理を施すことができる。
加熱処理は、金属の酸化を抑制する観点から還元性雰囲気で施すことが好ましく、具体的には、酸素濃度が２０Ｐａ以下で行うことが好ましく、真空下で行うことがより好ましい。ここで、真空とは、大気よりも気体密度または気圧の低い空間の状態をいう。
また、加熱処理は、矯正の目的で、陽極酸化膜を加圧しながら行うことが好ましい。
【００６３】
トリミング工程は、プロセスの簡便さ、製造時間の短縮化の観点から絶縁性基材と絶縁性物質とを同時にエッチングすることが好ましい。
トリミング工程の後、絶縁性基材を洗浄する洗浄工程を有することが好ましい。
【００６４】
［絶縁充填部の突出高さを制御する工程］
上述の絶縁性物質充填工程と後述の洗浄工程の間には、更に、絶縁充填部の突出高さを制御する工程を有していてもよい。絶縁充填部の突出高さを制御する工程としては、例えば、絶縁性物質４２を溶解する液体に陽極酸化膜３８を一定時間浸漬させる工程が挙げられる。
【００６５】
［洗浄工程］
洗浄工程は、トリミング工程後に絶縁性基材を液体に浸漬させる等して接触させた後、液体を乾燥する工程である。
洗浄工程は、例えば、表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の液体に接触させる工程と、液体を乾燥させる工程とを含む。洗浄工程に、表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の液体を用いることにより、洗浄の際に導通路の突出部に作用する毛細管力を低減することができる。これにより、隣接する導通路の突出部同士の接触を抑制することができ、接触率を低減することができる。
表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の液体とは、例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、１−ヘキサノール、２−ヘキサノン、３−ヘキサノン、トルエン、ヘキサン、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール（ＩＰＡ）、アセトン、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピレングリコール１−モノメチルエーテル２−アセタート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、シクロヘキサン等である。また、表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の化合物と表面張力が３０ｍＮ／ｍより大きな化合物とを混合して作製した、表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の液体でもよい。
【００６６】
また、洗浄工程としては、絶縁性基材を超臨界流体に浸漬する工程を有してもよい。なお、絶縁性基材を超臨界流体に浸漬する工程は、上述の表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の液体に接触させる工程の前または後に実施してもよい。超臨界流体に浸漬する工程としては、超臨界流体ではない状態の液体に浸漬した状態で、液体を温度および圧力等を変えて超臨界状態にして、超臨界流体としてもよい。
なお、超臨界流体を用いた場合も、表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の液体を用いることと同様に、導通路の突出部同士の接触を抑制することができ、接触率を低減することができる。
超臨界流体は、特に限定されるものではなく、例えば、二酸化炭素（ＣＯ２）、メタン、エタン、プロパン、エチレン、プロピレン、メタノール、エタノール、アセトン、または水の超臨界流体が用いられる。
【００６７】
図１３に示すように充填した金属が陽極酸化膜３８の表面３８ａよりも突出しているため、突出した金属、すなわち、導通路１６の突出部１７ａを保護することが好ましい。このため、図１４に示すように導通路１６の突出部１７ａが埋設する樹脂層４４を、陽極酸化膜３８の表面３８ａに形成することが好ましい。
樹脂層４４により、導通路１６の突出部１７ａが保護され、陽極酸化膜３８の搬送性をより向上させることができ、より取扱いが容易になる。
樹脂層４４は、例えば、従来公知の表面保護テープ貼付装置およびラミネーターを用いて形成することができる。
【００６８】
〔樹脂層形成工程〕
樹脂層４４を構成する樹脂材料としては、具体的には、例えば、エチレン系共重合体、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、及びセルロース系樹脂等を挙げることができるが、搬送性の観点と、異方導電性部材として使用しやすくする観点から、上述の樹脂層は、剥離可能な粘着層付きフィルムであることが好ましく、加熱処理または紫外線露光処理により粘着性が弱くなり、剥離可能となる粘着層付きフィルムであるのがより好ましい。
【００６９】
上述の粘着層付きフィルムは特に限定されず、熱剥離型の樹脂層、および紫外線（ultraviolet：ＵＶ）剥離型の樹脂層等が挙げられる。
ここで、熱剥離型の樹脂層は、常温では粘着力があり、加熱するだけで容易に剥離可能なもので、主に発泡性のマイクロカプセル等を用いたものが多い。
また、粘着層を構成する粘着剤としては、具体的には、例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、ウレタン系粘着剤、スチレン−ジエンブロック共重合体系粘着剤等が挙げられる。
また、ＵＶ（ultraviolet）剥離型の樹脂層は、ＵＶ硬化型の接着層を有するもので硬化により粘着力が失われて剥離可能になるというものである。
【００７０】
ＵＶ硬化型の接着層としては、ベースポリマーに、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に導入したポリマー等が挙げられる。炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするもことが好ましい。
更に、アクリル系ポリマーは、架橋させるため、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。
炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは単独で使用することができるが、ＵＶ硬化性のモノマーまたはオリゴマーを配合することもできる。
ＵＶ硬化型の接着層は、ＵＶ照射により硬化させるために光重合開始剤を併用することが好ましい。光重合開始剤としては、ベンゾインエーテル系化合物；ケタール系化合物；芳香族スルホニルクロリド系化合物；光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン系化合物；チオキサントン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。
【００７１】
熱剥離型の樹脂層の市販品としては、例えば、ＷＳ５１３０Ｃ０２、ＷＳ５１３０Ｃ１０等のインテリマー〔登録商標〕テープ（ニッタ株式会社製）；ソマタック〔登録商標〕ＴＥシリーズ（ソマール株式会社製）；Ｎｏ．３１９８、Ｎｏ．３１９８ＬＳ、Ｎｏ．３１９８Ｍ、Ｎｏ．３１９８ＭＳ、Ｎｏ．３１９８Ｈ、Ｎｏ．３１９５、Ｎｏ．３１９６、Ｎｏ．３１９５Ｍ、Ｎｏ．３１９５ＭＳ、Ｎｏ．３１９５Ｈ、Ｎｏ．３１９５ＨＳ、Ｎｏ．３１９５Ｖ、Ｎｏ．３１９５ＶＳ、Ｎｏ．３１９Ｙ−４Ｌ、Ｎｏ．３１９Ｙ−４ＬＳ、Ｎｏ．３１９Ｙ−４Ｍ、Ｎｏ．３１９Ｙ−４ＭＳ、Ｎｏ．３１９Ｙ−４Ｈ、Ｎｏ．３１９Ｙ−４ＨＳ、Ｎｏ．３１９Ｙ−４ＬＳＣ、Ｎｏ．３１９３５ＭＳ、Ｎｏ．３１９３５ＨＳ、Ｎｏ．３１９３Ｍ、Ｎｏ．３１９３ＭＳ等のリバアルファ〔登録商標〕シリーズ（日東電工株式会社製）；等が挙げられる。
【００７２】
ＵＶ剥離型の樹脂層の市販品としては、例えば、ＥＬＰ ＤＵ−３００、ＥＬＰ ＤＵ−２３８５ＫＳ、ＥＬＰ ＤＵ−２１８７Ｇ、ＥＬＰ ＮＢＤ−３１９０Ｋ、ＥＬＰ ＵＥ−２０９１Ｊ等のエレップホルダー〔登録商標〕（日東電工株式会社製）；Ａｄｗｉｌｌ Ｄ−２１０、Ａｄｗｉｌｌ Ｄ−２０３、Ａｄｗｉｌｌ Ｄ−２０２、Ａｄｗｉｌｌ Ｄ−１７５、Ａｄｗｉｌｌ Ｄ−６７５（いずれもリンテック株式会社製）；スミライト〔登録商標〕ＦＬＳのＮ８０００シリーズ（住友ベークライト株式会社製）；ＵＣ３５３ＥＰ−１１０（古河電気工業株式会社製）；等のダイシングテープを利用することができる。その他、ＵＶ剥離型の樹脂層の市販品としては、例えば、ＥＬＰ ＲＦ−７２３２ＤＢ、ＥＬＰ ＵＢ−５１３３Ｄ（いずれも日東電工株式会社製）；ＳＰ−５７５Ｂ−１５０、ＳＰ−５４１Ｂ−２０５、ＳＰ−５３７Ｔ−１６０、ＳＰ−５３７Ｔ−２３０（いずれも古河電気工業株式会社製）；等のバックグラインドテープを利用することができる。
上述の粘着層付きフィルムは、公知の表面保護テープ貼付装置およびラミネーターを用いて貼り付けることができる。
【００７３】
樹脂層４４の形成方法としては、上述の方法以外に、例えば、後述の酸化防止材料、高分子材料、溶媒（例えば、メチルエチルケトン等）等を含有する樹脂組成物を陽極酸化膜３８の表面および裏面ならびに導通路の突出部に塗布し、乾燥させ、必要に応じて焼成する方法等が挙げられる。
樹脂組成物の塗布方法は特に限定されず、例えば、スピンコート法、グラビアコート法、リバースコート法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、エアナイフコート法、スクリーンコート法、バーコート法、カーテンコート法等、従来公知のコーティング方法が使用できる。
また、塗布後の乾燥方法は特に限定されず、例えば、大気下において０℃〜１００℃の温度で、数秒〜数十分間、保持する処理、減圧下において０℃〜８０℃の温度で、十数分〜数時間、保持する処理等が挙げられる。
また、乾燥後の焼成方法は、使用する高分子材料により異なるため特に限定されないが、ポリイミド樹脂を用いる場合には、例えば、１６０℃〜２４０℃の温度で２分間〜６０分間加熱する処理等が挙げられ、エポキシ樹脂を用いる場合には、例えば、３０℃〜８０℃の温度で２分間〜６０分間加熱する処理等が挙げられる。
【００７４】
次に、図１５に示すように両面粘着剤４６を樹脂層４４に貼り付ける。両面粘着剤４６は、上述の両面粘着剤３２と同じ構成であるため、その詳細な説明は省略する。
そして、支持部材４８を両面粘着剤４６に貼り付ける。支持部材４８は、支持部材３４と同じ構成であるため、その詳細な説明は省略する。支持部材４８は支持体の役割を果たすものであり、支持部材４８を取り付けることにより取扱い性が増す。支持部材４８は陽極酸化膜３８と同じ外形状である。
【００７５】
次に、両面粘着剤３２を、例えば、予め定められた温度に加熱することにより、両面粘着剤３２の接着力を弱めて、図１６に示すようにアルミニウム基材３６から支持部材３４を取り除く。
【００７６】
次に、図１７に示すように、アルミニウム基材３６を、例えば、溶解して取り除き、陽極酸化膜３８の裏面３８ｂを露出させる。アルミニウム基材３６の溶解は、陽極酸化膜３８を溶解しにくく、アルミニウムを溶解しやすい処理液を用いることが好ましい。
なお、陽極酸化膜３８を破損等することなく、アルミニウム基材３６を取り除くことができれば、溶解に限定されるものではない。アルミニウム基材３６を取り除くことを基板除去工程という。
【００７７】
〔基板除去工程〕
アルミニウム基材３６を溶解する処理液は、アルミニウムに対する溶解速度が、１μｍ／分以上であることが好ましく、３μｍ／分以上であるのがより好ましく、５μｍ／分以上であるのが更に好ましい。同様に、陽極酸化膜に対する溶解速度が、０．１ｎｍ／分以下となることが好ましく、０．０５ｎｍ／分以下となるのがより好ましく、０．０１ｎｍ／分以下となるのが更に好ましい。
【００７８】
具体的には、アルミよりもイオン化傾向の低い金属化合物を少なくとも１種含み、かつ、ｐＨ（水素イオン指数）が４以下または８以上となる処理液であることが好ましく、そのｐＨが３以下または９以上であるのがより好ましく、２以下または１０以上であるのが更に好ましい。
このような処理液としては、酸またはアルカリ水溶液をベースとし、例えば、マンガン、亜鉛、クロム、鉄、カドミウム、コバルト、ニッケル、スズ、鉛、アンチモン、ビスマス、銅、水銀、銀、パラジウム、白金、金の化合物（例えば、塩化白金酸）、これらのフッ化物、これらの塩化物等を配合したものであることが好ましい。
中でも、酸水溶液ベースが好ましく、塩化物をブレンドすることが好ましい。
特に、塩酸水溶液に塩化水銀をブレンドした処理液（塩酸／塩化水銀）、塩酸水溶液に塩化銅をブレンドした処理液（塩酸／塩化銅）が、処理ラチチュードの観点から好ましい。
なお、このような処理液の組成は特に限定されず、例えば、臭素／メタノール混合物、臭素／エタノール混合物、王水等を用いることができる。
【００７９】
また、このような処理液の酸またはアルカリ濃度は、０．０１〜１０ｍｏｌ／Ｌが好ましく、０．０５〜５ｍｏｌ／Ｌがより好ましい。
更に、このような処理液を用いた処理温度は、−１０℃〜８０℃が好ましく、０℃〜６０℃が好ましい。
【００８０】
また、上述のアルミニウム基材３６の溶解は、上述の金属充填工程後のアルミニウム基材３６を上述の処理液に接触させることにより行う。接触させる方法は、特に限定されず、例えば、浸漬法、スプレー法が挙げられる。中でも、浸漬法が好ましい。このときの接触時間としては、１０秒〜５時間が好ましく、１分〜３時間がより好ましい。
【００８１】
次に、図１８に示すように、陽極酸化膜３８の裏面３８ｂ側から、マイクロポア３９（図２４参照）に絶縁性物質を充填する。絶縁性物質を充填する工程は、上述の絶縁性物質充填工程と同じ工程であるため、その詳細な説明は省略する。
【００８２】
次に、図１９に示すように、陽極酸化膜３８の裏面３８ｂを研磨する。陽極酸化膜３８の裏面３８ｂの研磨は、上述の図１２に示す陽極酸化膜３８の表面３８ａの研磨と同じであるため、その詳細な説明は省略する。この場合でも、陽極酸化膜３８の裏面３８ｂを研磨する際、構造体内部に充填した絶縁性物質は研磨していない。
次に、図２０に示すように、陽極酸化膜３８の裏面３８ｂを厚み方向Ｄｔに一部除去し、上述の充填した金属を陽極酸化膜３８の裏面３８ｂよりも突出させる。すなわち、導通路１６を陽極酸化膜３８の裏面３８ｂから突出させる。陽極酸化膜３８の裏面３８ｂから導通路１６が突出した部分が突出部１７ｂである。
上述の充填した金属を陽極酸化膜３８の裏面３８ｂよりも突出させる工程は、上述のトリミング工程と同じであるため、その詳細な説明は省略する。
【００８３】
次に、図２１に示すように、陽極酸化膜３８の裏面３８ｂの導通路１６の突出部１７ｂが埋設する樹脂層４５を、陽極酸化膜３８の裏面３８ｂに形成する。樹脂層４５は、導通路１６の突出部１７ｂを保護するものである。これにより、支持部材４８が取り付けられた状態の構造体１０が形成される。
なお、樹脂層４５の形成方法は、上述の樹脂層４４の樹脂層形成工程と同じであるため、その詳細な説明は省略する。
次に、樹脂層４５に保護層４９を形成する。保護層４９は、構造体１０を、支持部材４８の反対側から保護するものである。
なお、上述のいずれの製造方法においても、上述した各工程を枚葉で行うことが可能である。
【００８４】
保護層４９は、構造体表面を傷等から保護するために用いるものであるため、易剥離テープが好ましい。保護層４９として、例えば、粘着層付きフィルムを用いてもよい。
粘着層付きフィルムとして、例えば、ポリエチレン樹脂フィルム表面に粘着剤層が形成されているサニテクト（ＳＵＮＹＴＥＣＴ）〔登録商標〕（株式会社サンエー化研製）、ポリエチレンテレフタレート樹脂フィルム表面に粘着剤層が形成されているＥ−ＭＡＳＫ〔登録商標〕（日東電工株式会社製）、ポリエチレンテレフタレート樹脂フィルム表面に粘着剤層が形成されているマスタック〔登録商標〕（藤森工業株式会社製）等のシリーズ名で販売されている市販品を用いることができる。
また、粘着層付きフィルムを貼り付ける方法は特に限定されず、従来公知の表面保護テープ貼付装置およびラミネーターを用いて貼り付けることができる。
【００８５】
以下、構造体１０の構成についてより具体的に説明する。
〔絶縁性基材〕
絶縁性基材は、無機材料からなり、従来公知の異方導電性フィルム等を構成する絶縁性基材と同程度の電気抵抗率（１０14Ω・ｃｍ程度）を有するものであれば特に限定されない。
なお、「無機材料からなり」とは、後述する樹脂層を構成する高分子材料と区別するための規定であり、無機材料のみから構成された絶縁性基材に限定する規定ではなく、無機材料を主成分（５０質量％以上）とする規定である。
【００８６】
絶縁性基材としては、例えば、金属酸化物基材、金属窒化物基材、ガラス基材、シリコンカーバイド、シリコンナイトライド等のセラミックス基材、ダイヤモンドライクカーボン等のカーボン基材、ポリイミド基材、これらの複合材料等が挙げられる。絶縁性基材としては、これ以外に、例えば、貫通路を有する有機素材上に、セラミックス材料またはカーボン材料を５０質量％以上含む無機材料で成膜したものであってもよい。
【００８７】
絶縁性基材は、上述のようにマイクロポア３９（図８参照）が貫通孔１４（図１参照）として形成される。貫通孔１４を形成しやすいという理由から、金属酸化物基材であることが好ましく、バルブ金属の陽極酸化膜であることがより好ましい。
ここで、バルブ金属としては、具体的には、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモン等が挙げられる。これらのうち、寸法安定性がよく、比較的安価であることからアルミニウムの陽極酸化膜であることが好ましい。
【００８８】
絶縁性基材１２の厚みｈは、１〜１０００μｍの範囲内であるのが好ましく、５〜５００μｍの範囲内であるのがより好ましく、１０〜３００μｍの範囲内であるのが更に好ましい。絶縁性基材の厚みがこの範囲であると、絶縁性基材の取り扱い性が良好となる。
絶縁性基材１２の厚みｈは、絶縁性基材１２を、厚み方向Ｄｔに対して集束イオンビーム（Focused Ion Beam：ＦＩＢ）で切削加工し、その断面を電解放出形走査型電子顕微鏡により２０万倍の倍率で観察し、絶縁性基材１２の輪郭形状を取得し、厚みｈに相当する領域について１０点測定した平均値のことである。
【００８９】
絶縁性基材における各貫通孔の間隔は、５ｎｍ〜８００ｎｍであることが好ましく、１０ｎｍ〜２００ｎｍであることがより好ましく、５０ｎｍ〜１４０ｎｍであることがさらに好ましい。絶縁性基材における各貫通孔の間隔がこの範囲であると、絶縁性基材が絶縁性の隔壁として十分に機能する。貫通孔の間隔は、導通路の間隔と同じである。
ここで、貫通孔の間隔、すなわち、導通路の間隔とは、隣接する導通路間の幅ｗ（図１参照）をいい、異方導電性部材の断面を電界放出形走査型電子顕微鏡により２０万倍の倍率で観察し、隣接する導通路間の幅を１０点で測定した平均値をいう。
【００９０】
〔導通路〕
複数の導通路１６は、陽極酸化膜３８の厚み方向に貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられている。導通路１６は、金属等の導電性物質で構成され、絶縁性基材１２の表面１２ａから突出した突出部１７ａと、裏面１２ｂから突出した突出部１７ｂを有する。図２１に示すように、突出部１７ａは樹脂層４４に、突出部１７ｂは樹脂層４５に埋設されている構成でもよい。
上述のように複数の絶縁性体１８は導電性がない。絶縁性体１８は、両端が絶縁性基材１２の厚み方向Ｄｔの表面１２ａ、または裏面１２ｂの各面に対して同一面上にあるか、厚み方向Ｄｔの面に対して突出しているか、または厚み方向Ｄｔの面よりも凹んでいる。絶縁性体が突出している場合、突出長さδ≦突出長さＬｄ×０．３である。絶縁性体が凹んでいる場合、凹み長さγ≦絶縁性体の厚みｈ×０．１である。
＜導電性物質＞
導通路を構成する導電性物質は、上述の金属充填工程において、例示された充填される金属を用いることができる。
＜絶縁性物質＞
絶縁性体を構成する絶縁性物質は、上述の絶縁性物質充填工程において、例示された充填される絶縁性物質を用いることができる。
【００９１】
＜突出部＞
構造体１０を異方導電性部材として利用した場合に、異方導電性部材と電極とを圧着等の手法により電気的接続、または物理的に接合する際、導通路１６の突出部が潰れた場合の面方向の絶縁性を十分に確保できる理由から、導通路１６の突出部のアスペクト比（突出部の高さ／突出部の直径）が０．５以上５０未満であることが好ましく、０．８〜２０であることがより好ましく、１〜１０であることが更に好ましい。
【００９２】
また、接続対象の半導体チップまたは半導体ウエハの表面形状に追従する観点から、導通路１６の突出部の高さは、２０ｎｍ以上であることが好ましく、より好ましくは１００ｎｍ〜７０００ｎｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜１０００ｎｍであり、更により好ましくは１００ｎｍ〜３００ｎｍである。
導通路１６の突出部の高さは、異方導電性部材の断面を電解放出形走査型電子顕微鏡により２万倍の倍率で観察し、導通路１６の突出部の高さを１０点で測定した平均値をいう。
導通路１６の突出部の直径は、異方導電性部材の断面を電解放出形走査型電子顕微鏡により観察し、導通路１６の突出部の直径を１０点で測定した平均値をいう。
【００９３】
＜他の形状＞
導通路１６および絶縁性体は柱状であり、導通路の直径ｄ（図２参照）は、突出部の直径と同様、５ｎｍ超１０μｍ以下であることが好ましく、２０ｎｍ〜１０００ｎｍであることがより好ましい。導通路の直径ｄは貫通孔１４の内径に相当する。
【００９４】
上述のように導通路１６は絶縁性基材１２によって互いに電気的に絶縁された状態で存在するものであるが、その密度は、２万個／ｍｍ2以上であることが好ましく、２００万個／ｍｍ2以上であることがより好ましく、１０００万個／ｍｍ2以上であることが更に好ましく、５０００万個／ｍｍ2以上であることが特に好ましく、１億個／ｍｍ2以上であることが最も好ましい。
更に、隣接する各導通路１６の中心間距離ｐ（図２参照）は、２０ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましく、４０ｎｍ〜２００ｎｍであることがより好ましく、５０ｎｍ〜１４０ｎｍであることが更に好ましい。
【００９５】
〔樹脂層〕
上述のように、樹脂層は、絶縁性基材の表面と裏面に設けられ、上述のように導通路の突出部を埋設するものである。すなわち、樹脂層は絶縁性基材から突出した導通路の端部を被覆し、突出部を保護する。
樹脂層は、上述の樹脂層形成工程により形成されるものである。樹脂層は、例えば、５０℃〜２００℃の温度範囲で流動性を示し、２００℃以上で硬化するものであることが好ましい。
樹脂層は、上述の樹脂層形成工程により形成されるものであるが、以下に示す、樹脂剤の組成を用いることもできる。以下、樹脂層の組成について説明する。樹脂層は、高分子材料を含有するものである。樹脂層は酸化防止材料を含有してもよい。
【００９６】
＜高分子材料＞
樹脂層に含まれる高分子材料としては特に限定されないが、半導体チップまたは半導体ウエハと異方導電性部材との隙間を効率よく埋めることができ、半導体チップまたは半導体ウエハとの密着性がより高くなる理由から、熱硬化性樹脂であることが好ましい。
熱硬化性樹脂としては、具体的には、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ビスマレイミド樹脂、メラミン樹脂、イソシアネート系樹脂等が挙げられる。
なかでも、絶縁信頼性がより向上し、耐薬品性に優れる理由から、ポリイミド樹脂および／またはエポキシ樹脂を用いるのが好ましい。
【００９７】
＜酸化防止材料＞
樹脂層に含まれる酸化防止材料としては、具体的には、例えば、１，２，３，４−テトラゾール、５−アミノ−１，２，３，４−テトラゾール、５−メチル−１，２，３，４−テトラゾール、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−５−コハク酸、１，２，３−トリアゾール、４−アミノ−１，２，３−トリアゾール、４，５−ジアミノ−１，２，３−トリアゾール、４−カルボキシ−１Ｈ−１，２，３−トリアゾール、４，５−ジカルボキシ−１Ｈ−１，２，３−トリアゾール、１Ｈ−１，２，３−トリアゾール−４−酢酸、４−カルボキシ−５−カルボキシメチル−１Ｈ−１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール、３，５−ジアミノ−１，２，４−トリアゾール、３−カルボキシ−１，２，４−トリアゾール、３，５−ジカルボキシ−１，２，４−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール−３−酢酸、１Ｈ−ベンゾトリアゾール、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸、ベンゾフロキサン、２，１，３−ベンゾチアゾール、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、カテコール、ｏ−アミノフェノール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、メラミン、およびこれらの誘導体が挙げられる。
これらのうち、ベンゾトリアゾールおよびその誘導体が好ましい。
ベンゾトリアゾール誘導体としては、ベンゾトリアゾールのベンゼン環に、ヒドロキシル基、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基等）、アミノ基、ニトロ基、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ブチル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等）等を有する置換ベンゾトリアゾールが挙げられる。また、ナフタレントリアゾール、ナフタレンビストリアゾール、と同様に置換された置換ナフタレントリアゾール、置換ナフタレンビストリアゾール等も挙げることができる。
【００９８】
また、樹脂層に含まれる酸化防止材料の他の例としては、一般的な酸化防止剤である、高級脂肪酸、高級脂肪酸銅、フェノール化合物、アルカノールアミン、ハイドロキノン類、銅キレート剤、有機アミン、有機アンモニウム塩等が挙げられる。
【００９９】
樹脂層に含まれる酸化防止材料の含有量は特に限定されないが、防食効果の観点から、樹脂層の全質量に対して０．０００１質量％以上が好ましく、０．００１質量％以上がより好ましい。また、本接合プロセスにおいて適切な電気抵抗を得る理由から、５．０質量％以下が好ましく、２．５質量％以下がより好ましい。
【０１００】
＜マイグレーション防止材料＞
樹脂層は、樹脂層に含有し得る金属イオン、ハロゲンイオン、ならびに半導体チップおよび半導体ウエハに由来する金属イオンをトラップすることによって絶縁信頼性がより向上する理由から、マイグレーション防止材料を含有しているのが好ましい。
【０１０１】
マイグレーション防止材料としては、例えば、イオン交換体、具体的には、陽イオン交換体と陰イオン交換体との混合物、または、陽イオン交換体のみを使用することができる。
ここで、陽イオン交換体および陰イオン交換体は、それぞれ、例えば、後述する無機イオン交換体および有機イオン交換体の中から適宜選択することができる。
【０１０２】
（無機イオン交換体）
無機イオン交換体としては、例えば、含水酸化ジルコニウムに代表される金属の含水酸化物が挙げられる。
金属の種類としては、例えば、ジルコニウムのほか、鉄、アルミニウム、錫、チタン、アンチモン、マグネシウム、ベリリウム、インジウム、クロム、ビスマス等が知られている。
これらの中でジルコニウム系のものは、陽イオンのＣｕ2+、Ａｌ3+について交換能を有している。また、鉄系のものについても、Ａｇ+、Ｃｕ2+について交換能を有している。
同様に、錫系、チタン系、アンチモン系のものは、陽イオン交換体である。
一方、ビスマス系のものは、陰イオンのＣｌ-について交換能を有している。
また、ジルコニウム系のものは条件に製造条件によっては陰イオンの交換能を示す。アルミニウム系、錫系のものも同様である。
これら以外の無機イオン交換体としては、リン酸ジルコニウムに代表される多価金属の酸性塩、モリブドリン酸アンモニウムに代表されるヘテロポリ酸塩、不溶性フェロシアン化物等の合成物が知られている。
これらの無機イオン交換体の一部は既に市販されており、例えば、東亜合成株式会社の商品名イグゼ「ＩＸＥ」における各種のグレードが知られている。
なお、合成品のほか、天然物のゼオライト、またはモンモリロン石のような無機イオン交換体の粉末も使用可能である。
【０１０３】
（有機イオン交換体）
有機イオン交換体には、陽イオン交換体としてスルホン酸基を有する架橋ポリスチレンが挙げられ、そのほかカルボン酸基、ホスホン酸基またはホスフィン酸基を有するものも挙げられる。
また、陰イオン交換体として四級アンモニウム基、四級ホスホニウム基または三級スルホニウム基を有する架橋ポリスチレンが挙げられる。
【０１０４】
これらの無機イオン交換体および有機イオン交換体は、捕捉したい陽イオン、陰イオンの種類、そのイオンについての交換容量を考慮して適宜選択すればよい。勿論、無機イオン交換体と有機イオン交換体とを混合して使用してもよいことはいうまでもない。
電子素子の製造工程では加熱するプロセスを含むため、無機イオン交換体が好ましい。
【０１０５】
また、マイグレーション防止材料と上述した高分子材料との混合比は、例えば、機械的強度の観点から、マイグレーション防止材料を１０質量％以下とすることが好ましく、マイグレーション防止材料を５質量％以下とすることがより好ましく、さらにマイグレーション防止材料を２．５質量％以下とすることがさらに好ましい。また、半導体チップまたは半導体ウエハと異方導電性部材とを接合した際のマイグレーションを抑制する観点から、マイグレーション防止材料を０．０１質量％以上とすることが好ましい。
【０１０６】
＜無機充填剤＞
樹脂層は、無機充填剤を含有しているのが好ましい。
無機充填剤としては特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができ、例えば、カオリン、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、酸化ケイ素粉、微粉状酸化ケイ素、気相法シリカ、無定形シリカ、結晶性シリカ、溶融シリカ、球状シリカ、タルク、クレー、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、マイカ、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素等が挙げられる。
【０１０７】
導通路間に無機充填剤が入ることを防ぎ、導通信頼性がより向上する理由から、無機充填剤の平均粒子径が、各導通路の間隔よりも大きいことが好ましい。
無機充填剤の平均粒子径は、３０ｎｍ〜１０μｍであることが好ましく、８０ｎｍ〜１μｍであることがより好ましい。
ここで、平均粒子径は、レーザー回折散乱式粒子径測定装置(日機装（株）製マイクロトラックＭＴ３３００)で測定される、一次粒子径を平均粒子径とする。
【０１０８】
＜硬化剤＞
樹脂層は、硬化剤を含有していてもよい。
硬化剤を含有する場合、接続対象の半導体チップまたは半導体ウエハの表面形状との接合不良を抑制する観点から、常温で固体の硬化剤を用いず、常温で液体の硬化剤を含有しているのがより好ましい。
ここで、「常温で固体」とは、２５℃で固体であることをいい、例えば、融点が２５℃より高い温度である物質をいう。
【０１０９】
硬化剤としては、具体的には、例えば、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホンのような芳香族アミン、脂肪族アミン、４−メチルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、ジシアンジアミド、テトラメチルグアニジン、チオ尿素付加アミン、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物等のカルボン酸無水物、カルボン酸ヒドラジド、カルボン酸アミド、ポリフェノール化合物、ノボラック樹脂、ポリメルカプタン等が挙げられ、これらの硬化剤から、２５℃で液体のものを適宜選択して用いることができる。なお、硬化剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【０１１０】
樹脂層には、その特性を損なわない範囲内で、広く一般に半導体パッケージの樹脂絶縁膜に添加されている分散剤、緩衝剤、粘度調整剤等の種々の添加剤を含有させてもよい。
【０１１１】
＜形状＞
導通路を保護する理由から、樹脂層の厚みは、導通路の突出部の高さより大きく、１μｍ〜５μｍであることが好ましい。
【０１１２】
本発明は、基本的に以上のように構成されるものである。以上、本発明の構造体、構造体の製造方法、積層体および半導体パッケージについて詳細に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良または変更をしてもよいのはもちろんである。
【実施例】
【０１１３】
以下に実施例を挙げて本発明について更に具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、使用量、物質量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
本実施例では、実施例１〜実施例６の構造体および比較例１〜比較例３の構造体を作製した。実施例１〜実施例６および比較例１〜比較例３の構造体について、ショートと、導通抵抗について評価した。ショートと導通抵抗の評価結果を下記表１に示す。
以下、ショートと導通抵抗について説明する。ショートと導通抵抗の評価には、以下に示すＴＥＧチップ（Test Element Group chip）を用いた。【０１１４】
〔評価〕
＜ＴＥＧチップ＞
Ｃｕパッドを有するＴＥＧチップ（Test Element Group chip）とインターポーザーを用意した。これらの内部には、導通抵抗を測定するデイジーチェインパターンと絶縁抵抗を測定する櫛歯パターンを含む。これらの、絶縁層はＳｉＮである。ＴＥＧチップは、チップサイズが８ｍｍ四方であり、チップ面積に対する電極面積（銅ポスト）の比率が２５％のチップを用意した。ＴＥＧチップが半導体チップに相当する。インターポーザーは周囲に取出し配線を含むためチップサイズは１０ｍｍ四方のものを用意した。
次いで、ＴＥＧチップ、作製した構造体およびインターポーザーをこの順で積層するように、チップボンダー（ＤＢ２５０、澁谷工業株式会社製）を用いて温度２７０℃、１０分の条件で接合した。この際ＴＥＧチップとインターポーザーのＣｕパッドの位置がズレないよう予めチップの角に形成したアライメントマークにより位置を合わせて接合した。【０１１５】
次に、ショートの評価について説明する。
＜ショートの評価＞
インターポーザーの櫛歯パターン部分の引出し配線パッドに抵抗測定用の信号線を半田で接合し常温、大気中で導通評価を行った。
抵抗値の結果に基づき、以下に示す評価基準にて評価した。評価結果を下記表１のショートの欄に示す。
「Ａ」：抵抗値が設計抵抗の０．１倍以上
「Ｂ」：抵抗値が設計抵抗の０．０１倍以上０．１倍未満
「Ｃ」：抵抗値が設計抵抗の０．００１倍以上０．０１倍未満
「Ｄ」：抵抗値が設計抵抗の０．００１倍未満【０１１６】
次に、導通抵抗の評価について説明する。
＜導通抵抗の評価＞
インターポーザーのデイジーチェインパターン部分の引出し配線パッドに抵抗測定用の信号線を半田で接合し常温、大気中で導通評価を行った。
抵抗値の結果に基づき、以下に示す評価基準にて評価した。評価結果を下記表１の導通抵抗の欄に示す。
「Ａ」：抵抗値が設計抵抗の１０倍未満
「Ｂ」：抵抗値が設計抵抗の１０倍以上１００倍未満
「Ｃ」：抵抗値が設計抵抗の１００倍以上１０００倍未満
「Ｄ」：抵抗値が設計抵抗の１０００倍以上【０１１７】
次に、構造体の突出長さおよび接触率について説明する。
＜突出長さ＞
裏面側のトリミング工程後の導電性物質の突出長さを導通路の突出長さとした。また、絶縁性物質の突出長さを絶縁性体の突出長さとした。導通路の突出長さおよび絶縁性物質の突出長さを下記表１に示す。
導通路の突出長さおよび絶縁性物質の突出長さは、裏面側のトリミング工程後、構造体の表面、裏面両面部分の厚さ方向に対してＦＩＢ（Focused Ion Beam）で切削加工し、その断面をＦＥ−ＳＥＭ（Field emission - Scanning Electron Microscope）により写真（倍率５００００倍）を撮影し、表面、および裏面それぞれ１０点測定し平均値を求め、平均値を導通路の突出長さおよび絶縁性物質の突出長さとした。なお、下記表１中のマイナスの数値は、絶縁性物質が凹んでいることを示す。【０１１８】
＜接触率＞
接触率は、ＦＥ−ＳＥＭにより構造体の表面写真（倍率１０００００倍）を撮影し、導通路１００本について、隣接する導通路同士が接触しているか否かを確認した。接触率は、下記式を用いて算出した。
接触率＝（（隣接する導通路と接触している導通路の数）／１００）×１００（％）【０１１９】
以下、実施例１〜実施例６および比較例１〜比較例３について説明する。
（実施例１）【０１２０】
［構造体］
＜アルミニウム基板の作製＞
Ｓｉ：０．０６質量％、Ｆｅ：０．３０質量％、Ｃｕ：０．００５質量％、Ｍｎ：０．００１質量％、Ｍｇ：０．００１質量％、Ｚｎ：０．００１質量％、Ｔｉ：０．０３質量％を含有し、残部はＡｌと不可避不純物であるアルミニウム合金を用いて溶湯を調製し、溶湯処理およびろ過を行った上で、厚さ５００ｍｍ、幅１２００ｍｍの鋳塊をＤＣ（Direct Chill）鋳造法で作製した。
次いで、表面を平均１０ｍｍの厚さで面削機により削り取った後、５５０℃で、約５時間均熱保持し、温度４００℃に下がったところで、熱間圧延機を用いて厚さ２．７ｍｍの圧延板とした。
さらに、連続焼鈍機を用いて熱処理を５００℃で行った後、冷間圧延で、厚さ１．０ｍｍに仕上げ、ＪＩＳ（Japanese Industrial Standards）  １０５０材のアルミニウム基板を得た。
アルミニウム基板を、直径２００ｍｍ（８インチ）のウエハ状に形成した後、以下に示す各処理を施した。【０１２１】
＜電解研磨処理＞
上述のアルミニウム基板に対して、以下の組成の電解研磨液を用いて、電圧２５Ｖ、液温度６５℃、液流速３．０ｍ／分の条件で電解研磨処理を施した。
陰極はカーボン電極とし、電源は、ＧＰ０１１０−３０Ｒ（株式会社高砂製作所社製）を用いた。また、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２−１０ＰＣＷ（アズワン株式会社製）を用いて計測した。
（電解研磨液組成）
・８５質量％リン酸（和光純薬社製試薬）    ６６０ｍＬ
・純水    １６０ｍＬ
・硫酸    １５０ｍＬ
・エチレングリコール    ３０ｍＬ【０１２２】
＜陽極酸化処理工程＞
次いで、電解研磨処理後のアルミニウム基板に、特開２００７−２０４８０２号公報に記載の手順にしたがって自己規則化法による陽極酸化処理を施した。
電解研磨処理後のアルミニウム基板に、０．５０ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１６℃、液流速３．０ｍ／分の条件で、５時間のプレ陽極酸化処理を施した。
その後、プレ陽極酸化処理後のアルミニウム基板を、０．２ｍｏｌ／Ｌ無水クロム酸、０．６ｍｏｌ／Ｌリン酸の混合水溶液（液温：５０℃）に１２時間浸漬させる脱膜処理を施した。
その後、０．５０ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１６℃、液流速３．０ｍ／分の条件の条件で、３時間４５分の再陽極酸化処理を施し、膜厚３０μｍの陽極酸化膜を得た。
なお、プレ陽極酸化処理および再陽極酸化処理は、いずれも陰極はステンレス電極とし、電源はＧＰ０１１０−３０Ｒ（株式会社高砂製作所製）を用いた。また、冷却装置にはＮｅｏＣｏｏｌ ＢＤ３６（ヤマト科学株式会社製）、かくはん加温装置にはペアスターラー ＰＳ−１００（ＥＹＥＬＡ東京理化器械株式会社製）を用いた。さらに、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２−１０ＰＣＷ（アズワン株式会社製）を用いて計測した。【０１２３】
＜バリア層除去工程＞
次いで、上述の陽極酸化処理と同様の処理液および処理条件で、電圧を４０Ｖから０Ｖまで連続的に電圧降下速度０．２Ｖ／ｓｅｃで降下させながら電解処理（電解除去処理）を施した。
その後、５質量％リン酸に３０℃、３０分間浸漬させるエッチング処理（エッチング除去処理）を施し、陽極酸化膜のマイクロポアの底部にあるバリア層を除去し、マイクロポアを介してアルミニウムを露出させた。【０１２４】
ここで、バリア層除去工程後の陽極酸化膜に存在するマイクロポアの平均開口径は６０ｎｍであった。なお、平均開口径は、ＦＥ−ＳＥＭ（Field emission - Scanning Electron Microscope）により表面写真（倍率５００００倍）を撮影し、５０点測定した平均値として算出した。
また、バリア層除去工程後の陽極酸化膜の平均厚みは１０μｍであった。すなわち、絶縁性基材の厚みは１０μｍであった。なお、平均厚みは、陽極酸化膜を厚さ方向に対してＦＩＢ（Focused Ion Beam）で切削加工し、その断面をＦＥ−ＳＥＭにより表面写真（倍率５００００倍）を撮影し、１０点測定した平均値として算出した。
また、陽極酸化膜に存在するマイクロポアの密度は、約１億個／ｍｍ2であった。なお、マイクロポアの密度は、特開２００８−２７０１５８号公報の＜０１６８＞および＜０１６９＞段落に記載された方法で測定し、算出した。
また、陽極酸化膜に存在するマイクロポアの規則化度は、９２％であった。なお、規則化度は、ＦＥ−ＳＥＭにより写真（倍率２００００倍）を撮影し、特開２００８−２７０１５８号公報の＜００２４＞〜＜００２７＞段落に記載された方法で測定し、算出した。【０１２５】
＜金属充填工程＞
次いで、アルミニウム基板を陰極にし、白金を正極にして電解めっき処理を施した。
具体的には、以下に示す組成の銅めっき液を使用し、定電流電解を施すことにより、マイクロポアの内部に銅が充填された構造体を作製した。
ここで、定電流電解は、株式会社山本鍍金試験器社製のめっき装置を用い、北斗電工株式会社製の電源（ＨＺ−３０００）を用い、めっき液中でサイクリックボルタンメトリを行って析出電位を確認した後に、以下に示す条件で処理を施した。
（銅めっき液組成および条件）
・硫酸銅 １００ｇ／Ｌ
・硫酸 ５０ｇ／Ｌ
・塩酸 １５ｇ／Ｌ
・温度 ２５℃
・電流密度 １０Ａ／ｄｍ2【０１２６】
＜絶縁性物質充填工程＞
＜半硬化エポキシ樹脂＞
以下に示す成分を以下に示す割合でメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解して、固形分濃度が１５質量％となる樹脂層塗布液を調製した。
この塗布液を、絶縁性基材の表面に塗布し、乾燥させて成膜した。【０１２７】
＜塗布液組成＞
・エラストマー：アクリル酸ブチルーアクリロニトリルを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（商品名：ＳＧ−２８ＧＭ、長瀬ケムテックス株式会社製） ５質量部
・エポキシ樹脂１：ｊＥＲ（登録商標）８２８（三菱化学株式会社製） ３３質量部
・エポキシ樹脂２：ｊＥＲ（登録商標）１００４（三菱化学株式会社製） １１質量部
・フェノール樹脂：ミレックスＸＬＣ−４Ｌ（三井化学株式会社製） ４４質量部
・有機酸：ｏ−アニス酸（オルトアニス酸、東京化成工業株式会社製） ０．５質量部
・酸化防止材料Ａ：ベンゾトリアゾール：０．０１質量％（粘着層の固形分に対する量）
・マイグレーション防止材料Ａ：商品名イグゼ「ＩＸＥ―１００」（メジアン径１μｍ、陽イオン交換、耐熱温度５５０℃、東亜合成株式会社） ２．５質量％
・硬化剤（液体）：１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール（２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ、四国化成工業株式会社製） ０．５質量％
その後、樹脂層を８０℃に加熱し、半硬化（Ｂステージ）状態のエポキシ樹脂を構造体内部への充填と表面への形成を行った。下記表１では、半硬化（Ｂステージ）状態のエポキシ樹脂を半硬化エポキシ樹脂と表記した。【０１２８】
＜研磨工程＞
次いで、金属が充填された構造体の表面に、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理を施し表面に形成した全ての絶縁性物質と金属が充填された構造体の５μｍ分を研磨することにより、表面を平滑化した。
ＣＭＰスラリーとしては、株式会社フジミインコーポレイテッド社製のＰＮＡＮＥＲＬＩＴＥ−７０００を用いた。【０１２９】
マイクロポアに金属を充填した後の陽極酸化膜の表面をＦＥ−ＳＥＭで観察し、１０００個のマイクロポアにおける金属による封孔の有無を観察して封孔率（封孔マイクロポアの個数／１０００個）を算出したところ、８０％であった。
また、マイクロポアに金属を充填した後の陽極酸化膜を厚さ方向に対してＦＩＢで切削加工し、その断面をＦＥ−ＳＥＭにより表面写真（倍率５００００倍）を撮影し、マイクロポアの内部を確認したところ、封孔されたマイクロポアにおいては、その内部が金属で完全に充填されていることが分かった。【０１３０】
＜トリミング工程＞
構造体を、水酸化カリウム水溶液（濃度：０．１ｍｏｌ／Ｌ、液温度：２０℃）に浸漬させ、導通路の突出部の突出長さが１０００ｎｍ（下記表１参照）になるように浸漬時間を調整してアルミニウムの陽極酸化膜の表面および絶縁性物質を選択的に溶解した。
＜絶縁性物質の一部を除去する工程（絶縁充填部の突出高さを制御する工程）＞
構造体をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に浸漬させ絶縁性物質の突出長さまたは凹み長さが表１に記載の所望の値となるように浸漬時間を調整して絶縁性物質を選択的に溶解した。表１中の「絶縁性物質の突出長さ」の欄において、突出長さを正の値で表し、凹み長さを負の値で表している。つまり、実施例５は突出長さが３００ｎｍであり、比較例１は突出長さが１０００ｎｍであり、実施例４は凹み長さが１０００ｎｍである。実施例１〜３、６〜７、及び比較例２は、絶縁性物質が陽極酸化膜と同一面上にある。
＜洗浄工程＞
トリミング工程後に純水で水洗した後、下記表１の「洗浄工程の後半工程」の欄に記載の流体に浸漬し、乾燥して、導通路である銅の円柱を突出させた。
＜基板除去工程＞
次いで、２０質量％塩化水銀水溶液（昇汞）に２０℃、３時間浸漬させることによりアルミニウム基板を溶解して除去し、陽極酸化膜の裏面を露出させた。
＜絶縁性物質充填工程＞
陽極酸化膜の裏面に絶縁性物質を充填した。陽極酸化膜の裏面への絶縁性物質の充填は、上述の半硬化（Ｂステージ）状態のエポキシ樹脂を、構造体内部への充填と表面への形成と同様の方法で行った。【０１３１】
＜研磨工程＞
次いで、アルミニウム基板が除去された側の面、すなわち、陽極酸化膜の裏面に、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理を施し、裏面に形成した絶縁性物質全てと金属が充填された構造体の５μｍ分を研磨することにより、裏面を平滑化した。
ＣＭＰスラリーとしては、株式会社フジミインコーポレイテッド社製のＰＮＡＮＥＲＬＩＴＥ−７０００を用いた。
＜トリミング工程＞
陽極酸化膜の裏面側について、陽極酸化膜の表面と同様の方法でトリミング工程を実施した。
＜洗浄工程＞
陽極酸化膜の裏面側について、陽極酸化膜の表面と同様の方法で洗浄工程を実施した。【０１３２】
（実施例２）
洗浄工程において、純水洗浄後に浸漬する流体をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）から純水に変更した以外は、実施例１の方法と同様の方法で実施例２の構造体を作製した。
（実施例３）
充填した導電性物質をＣｕからＮｉに変更した以外は、実施例１の方法と同様の方法で実施例３の構造体を作製した。
Ｎｉ充填方法は以下に示す組成のニッケルめっき液を使用し、定電流電解を施すことにより、マイクロポアの内部にニッケルを充填した。
＜ニッケルめっき液組成＞
・硫酸ニッケル    ３００ｇ／Ｌ
・塩化ニッケル    ６０ｇ／Ｌ
・ホウ酸    ４０ｇ／Ｌ
・温度    ５０℃
・電流密度    ５Ａ／ｄｍ2【０１３３】
（実施例４）
充填した絶縁性物質を半硬化（Ｂステージ）状態のエポキシ樹脂から水酸化アルミに変更した以外は、実施例１の方法と同様の方法で実施例４の構造体を作製した。
水酸化アルミの充填方法は、構造体を１００℃の純水に１時間浸漬した。
（実施例５）
充填した絶縁性物質を半硬化（Ｂステージ）状態のエポキシ樹脂から二酸化ケイ素粒子に変更した以外は、実施例１の方法と同様の方法で実施例５の構造体を作製した。
二酸化ケイ素粒子の充填方法は、構造体を２５℃の以下に示す処理液Ｂに１時間浸漬処理を施した。
（処理液Ｂ）
・２０ｎｍ径コロイダルシリカ（日産化学工業株式会社製ＭＡ−ＳＴ−Ｍ）０．０１ｇ
・エタノール１００．００ｇ【０１３４】
（実施例６）
トリミング工程および洗浄工程を、下記に示す工程に変更した以外は、実施例１の方法と同様の方法で実施例６の構造体を作製した。
トリミング工程：導通路の突出部の長さが、７０００ｎｍ（下記表１参照）になるように処理時間を実施例１よりも長時間に調整した。
洗浄工程：洗浄工程で純水洗浄後に浸漬する流体を二酸化炭素の超臨界流体に変更した。【０１３５】
（実施例７）
トリミング工程を、下記に示す工程に変更した以外は、実施例１の方法と同様の方法で実施例７の構造体を作製した。
トリミング工程：導通路の突出部の突出長さが、３００ｎｍ（下記表１参照）になるように処理時間を実施例１に比して短時間に調整した。【０１３６】
（比較例１）
表面および裏面の絶縁性物質充填工程を以下に示すポリマー充填処理工程に変更した以外は、実施例１の方法と同様の方法で比較例１の構造体を作製した。なお、下記表１では、比較例１の絶縁性物質の欄に「ポリマー」と記した。
＜ポリマー充填処理工程＞
次に、上述の金属充填処理した陽極酸化膜を、以下に示す浸漬液中に浸漬し、１４０℃で１分間乾燥させた。次いで、波長８５０ｎｍの赤外光を照射し、マイクロポア内の中の成分を硬化させた。
・ラジカル重合性モノマー（以下一般式Ｃ）  ０．４１２０ｇ
・光熱変換剤（以下一般式Ｄ）      ０．０２５９ｇ
・ラジカル発生剤（以下一般式Ｅ）      ０．０９７５ｇ
・１−メトキシ−２−プロパノール      ３．５８００ｇ
・メタノール      １．６９００ｇ【０１３７】
【化１】
2019039071.tif 000003
【０１３８】
（比較例２）
トリミング工程を実施しなかったこと以外は、実施例４の方法と同様の方法で比較例２の構造体を作製した。
（比較例３）
絶縁性物質充填工程を実施しなかったこと以外は、実施例６の方法と同様の方法で比較例３の構造体を作製した。【０１３９】
【表１】
2019039071.tif 000004
【０１４０】
表１に示すように、実施例１〜実施例７は、比較例１〜比較例３に比して、ショートの結果および導通抵抗の結果が優れていた。これにより、ショートすることなく他の部材と接合することができ、かつ他の部材と接合した際、電気的な導通が優れることは明らかである。
比較例１は、導通路と絶縁性物質の突出長さが同じであった。比較例２は、導通路および絶縁性物質がいずれも突出していなかった。比較例３は、絶縁性物質が充填されておらず、かつ導通路が長い。【０１４１】
また、実施例１と実施例３を比べると、充填する導電性物質は最大応力が１００ＭＰａ以下の方が、導通抵抗の結果が優れるため好ましい。
実施例１と実施例２とを比べると、接触率は１０％以下の方が、ショートの結果が優れるため好ましい。
実施例１と実施例４とを比べると、絶縁性体が突出していない場合、凹み長さが小さい方が、ショートの結果が優れるため好ましい。
実施例５と比較例１を比べると、絶縁性体が突出している場合、絶縁性体の突出している長さが突出部の長さの３０％以下であれば、導通抵抗の結果が優れる。
実施例２と実施例６とを比べると、表面張力が小さい液体を用いた方が、接触率を小さくでき、かつショートの結果が優れるため好ましい。
実施例１と実施例７とを比べると、導通路の突出している長さが長い方が、接触率が大きくても、導通抵抗の結果が優れるため好ましい。
【符号の説明】
【０１４２】
１０  構造体
１１  積層体
１２  絶縁性基材
１２ａ  表面
１２ｂ  裏面
１３  絶縁性構造体
１４  貫通孔
１６  導通路
１７ａ、１７ｂ  突出部
１８  絶縁性体
１８ｃ  端面
１９  空隙
２０  配線基板
２１  隙間
２２  電極
２３  絶縁層
２４  半導体パッケージ
２６  半導体素子
３０  アルミニウム基板
３０ａ  表面
３０ｂ  裏面
３２、４６  両面粘着剤
３４  支持部材
３６  アルミニウム基材
３６ａ、３８ａ  表面
３８  陽極酸化膜
３８ｂ  裏面
３９  マイクロポア
４０  金属層
４１  導電性物質
４２  絶縁性物質
４４、４５  樹脂層
４８  支持部材
４９  保護層
Ｄｔ  厚み方向
ｈ  厚み
Ｌｄ、δ  突出長さ
ｐ  中心間距離
γ  凹み長さ
【図１】
2019039071.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【国際調査報告】
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