(57)【要約】極端紫外光生成装置は、チャンバと、チャンバの内部に位置するＥＵＶ集光ミラーと、チャンバの内部に位置する水素ガス放出部であって、ＥＵＶ集光ミラーの周辺から内側に向けて水素ガスを放出するように構成された開口部と、冷却媒体を通過させるように構成された第１の冷却媒体流路と、を有する水素ガス放出部と、を備える。
2018179417.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバと、
前記チャンバの内部に位置するＥＵＶ集光ミラーと、
前記チャンバの内部に位置する水素ガス放出部であって、前記ＥＵＶ集光ミラーの周辺から内側に向けて水素ガスを放出するように構成された開口部と、冷却媒体を通過させるように構成された第１の冷却媒体流路と、を有する前記水素ガス放出部と、
を備える極端紫外光生成装置。
【請求項２】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
冷却媒体供給部をさらに備え、
前記ＥＵＶ集光ミラーは、冷却媒体を通過させるように構成された第２の冷却媒体流路を有し、
前記冷却媒体供給部は、前記第１の冷却媒体流路と前記第２の冷却媒体流路とに冷却媒体を供給する共通の冷却媒体供給管を有する、
極端紫外光生成装置。
【請求項３】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
冷却媒体供給部をさらに備え、
前記ＥＵＶ集光ミラーは、冷却媒体を通過させるように構成された第２の冷却媒体流路を有し、
前記冷却媒体供給部は、前記第１の冷却媒体流路と前記第２の冷却媒体流路とに実質的に同じ温度の冷却媒体を供給するように構成された、
極端紫外光生成装置。
【請求項４】
請求項３に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記冷却媒体供給部が前記第１の冷却媒体流路と前記第２の冷却媒体流路とに供給する冷却媒体の温度は、０℃以上、５℃以下である、極端紫外光生成装置。
【請求項５】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記水素ガス放出部を前記ＥＵＶ集光ミラーから独立して前記チャンバの内部に保持するホルダをさらに備える、極端紫外光生成装置。
【請求項６】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記水素ガス放出部と別部材のシールド部材であって、前記ＥＵＶ集光ミラーによって反射された極端紫外光の光路を囲んで位置する前記シールド部材をさらに備え、
前記シールド部材は、冷却媒体を通過させるように構成された第３の冷却媒体流路を有する、
極端紫外光生成装置。
【請求項７】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記水素ガス放出部は、前記ＥＵＶ集光ミラーによって反射された極端紫外光の光路を囲んで位置するシールドと一体に構成された、極端紫外光生成装置。
【請求項８】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記第１の冷却媒体流路は、前記開口部よりも前記ＥＵＶ集光ミラーによって反射された極端紫外光の進行方向側に位置する第１の部分と、前記開口部よりも前記進行方向と反対側に位置する第２の部分と、を含む、極端紫外光生成装置。
【請求項９】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記水素ガス放出部に水素ガスを供給する水素ガス供給部をさらに備える、極端紫外光生成装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記水素ガス放出部は、前記水素ガス供給部から供給される水素ガスを前記開口部まで通過させる水素ガス流路を有し、
前記水素ガス流路は、前記第１の冷却媒体流路と前記ＥＵＶ集光ミラーとの間に位置する、
極端紫外光生成装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記チャンバの内部の所定領域にスズの液滴を供給するターゲット供給部と、
前記所定領域にパルスレーザ光を集光するレーザ光集光ミラーと、
をさらに備える、極端紫外光生成装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記水素ガス放出部の前記開口部は、前記所定領域からの輻射熱が前記開口部の周辺部分に直接入射するように位置している、極端紫外光生成装置。
【請求項１３】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記水素ガス放出部は、前記ＥＵＶ集光ミラーの外周に沿って配置された複数の前記開口部を有し、
前記第１の冷却媒体流路は、前記複数の前記開口部を通る前記水素ガス放出部の断面を、複数の箇所で通過するように配置されている、極端紫外光生成装置。
【請求項１４】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記第１の冷却媒体流路を通過する冷却媒体は水である、極端紫外光生成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、極端紫外光生成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系(reduced projection reflection optics)とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にパルスレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、シンクロトロン放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−０６０１３９号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１２／０２２３２５７号明細書
【概要】
【０００５】
本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、チャンバと、チャンバの内部に位置するＥＵＶ集光ミラーと、チャンバの内部に位置する水素ガス放出部であって、ＥＵＶ集光ミラーの周辺から内側に向けて水素ガスを放出するように構成された開口部と、冷却媒体を通過させるように構成された第１の冷却媒体流路と、を有する水素ガス放出部と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
【図２】図２は、本開示の比較例に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図３】図３Ａ及び図３Ｂは、図２に示されるＥＵＶ光生成装置のチャンバ２ａに含まれる構成要素の断面図である。
【図４】図４Ａ及び図４Ｂは、本開示の第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のチャンバ２ａに含まれる構成要素の断面図である。
【図５】図５Ａ及び図５Ｂは、本開示の第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のチャンバ２ａに含まれる構成要素の断面図である。
【図６】図６Ａ及び図６Ｂは、本開示の第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のチャンバ２ａに含まれる構成要素の断面図である。
【実施形態】
【０００７】
＜内容＞
１．極端紫外光生成システムの全体説明
１．１  構成
１．２  動作
２．比較例に係るＥＵＶ光生成装置
２．１  構成
２．２  動作
２．３  課題
３．水素ガス放出部の冷却機構を備えたＥＵＶ光生成装置
３．１  構成
３．２  動作
３．３  作用
４．水素ガス放出部とシールドとを一体化したＥＵＶ光生成装置
４．１  構成
４．２  動作
４．３  作用
５．冷却媒体流路を拡大したＥＵＶ光生成装置
５．１  構成及び動作
５．２  作用
６．その他
【０００８】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【０００９】
１．極端紫外光生成システムの全体説明
１．１  構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられる。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含む。チャンバ２は、密閉可能に構成されている。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられている。ターゲット供給部２６から出力されるターゲット物質の材料は、スズを含む。ターゲット物質の材料は、スズと、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、又はキセノンとの組合せを含むこともできる。
【００１０】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられている。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられている。ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過する。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されている。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されている。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されている。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられている。貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過する。
【００１１】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含む。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有し、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されている。
【００１２】
また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含む。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられている。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されている。
【００１３】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含む。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えている。
【００１４】
１．２  動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射する。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射される。
【００１５】
ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力する。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射される。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、放射光２５１に含まれるＥＵＶ光を、他の波長域の光に比べて高い反射率で反射する。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力される。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
【００１６】
ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括する。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理する。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御する。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御する。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
【００１７】
２．比較例に係るＥＵＶ光生成装置
２．１  構成
図２は、本開示の比較例に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図３Ａ及び図３Ｂは、図２に示されるＥＵＶ光生成装置のチャンバ２ａに含まれる構成要素の断面図である。図３Ｂは、図３ＡにＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線で示される部分の断面に相当する。すなわち、図３Ｂは、後述の複数の開口部５４を通る断面に相当する。図３Ａ及び図３Ｂにおいては、図２に示されるチャンバ２ａ、レーザ光集光ミラー２２ａ、水素ガス供給部５０、水素ガス供給管５１等の図示を省略している。
【００１８】
図２に示されるように、チャンバ２ａは、チャンバ保持部材１０によって、重力方向に対して斜めの姿勢に保持されている。チャンバ２ａの外部には、保持部３６と、排気装置５９と、接続部２９ａと、が取り付けられている。さらに、チャンバ２ａの外部には、水素ガス供給部５０と、冷却媒体供給部６０ａ及び冷却媒体供給部６０ｂと、が設けられている。以下の説明において、ＥＵＶ光の出力方向を＋Ｚ方向とする。ターゲット２７の出力方向を＋Ｙ方向とする。＋Ｚ方向と＋Ｙ方向との両方に垂直な方向を＋Ｘ方向とする。
【００１９】
チャンバ２ａには、保持部３６を介してターゲット供給部２６ａが取り付けられている。チャンバ２ａには貫通孔２０が形成され、保持部３６は、貫通孔２０を覆うようにチャンバ２ａの外側に脱着可能に配置されている。
【００２０】
水素ガス供給部５０は、水素ガスを収容した図示しないボンベと、図示しないマスフローコントローラ又は開閉弁とを含んでもよい。水素ガス供給部５０には、少なくとも１つの水素ガス供給管５１が設けられている。水素ガス供給管５１は、チャンバ２ａの壁面を貫通し、水素ガス放出部５２に接続されている。図３Ａ及び図３Ｂに示されるように、水素ガス放出部５２は、複数の開口部５４と、水素ガス供給管５１から開口部５４まで水素ガスを通過させる水素ガス流路５３と、を有している。複数の開口部５４は、ＥＵＶ集光ミラー２３ａの外周に沿って環状に配置されている。
【００２１】
排気装置５９は、図示しない排気ポンプを含んでいる。排気装置５９は、排気ポンプによりチャンバ２ａの内部のガスを排気する。
【００２２】
チャンバ２ａの内部には、ＥＵＶ集光ミラー２３ａと、レーザ光集光ミラー２２ａと、シールド部材７と、が設けられている。
【００２３】
シールド部材７は、複数の伸縮部材７３（図２参照）によってチャンバ２ａの内部に支持されている。ＥＵＶ集光ミラー２３ａは、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４３によってチャンバ２ａの内部に支持されている。レーザ光集光ミラー２２ａは、ホルダ４２によってチャンバ２ａの内部に支持されている。レーザ光集光ミラー２２ａは、軸外放物面ミラーとして構成されている。軸外放物面ミラーの焦点は、プラズマ生成領域２５に位置している。プラズマ生成領域２５は、本開示における所定領域に相当する。
【００２４】
シールド部材７は、−Ｚ方向側においては径が大きく、＋Ｚ方向側においては径が小さいテーパー筒状の形状を有している。シールド部材７は、ＥＵＶ集光ミラー２３ａによって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２の光路を囲んで位置されている。シールド部材７の−Ｚ方向側の端部はＥＵＶ集光ミラー２３ａの外周部の近傍に位置している。シールド部材７の＋Ｚ方向側の端部はＥＵＶ集光ミラー２３ａによって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２の光路の下流側に位置している。
【００２５】
シールド部材７には、貫通孔７０が形成されている。貫通孔７０は、ターゲット供給部２６ａとプラズマ生成領域２５との間のターゲット２７の軌道に位置している。
シールド部材７には、液体の冷却媒体を通過させる冷却媒体流路７１が形成されている。冷却媒体流路７１は、本開示における第３の冷却媒体流路に相当する。冷却媒体としては例えば水が用いられる。冷却媒体流路７１は、冷却媒体供給管６１ａを介して冷却媒体供給部６０ａに接続されている。さらに、冷却媒体流路７１は、冷却媒体排出管６２ａを介して冷却媒体供給部６０ａに接続されている。
【００２６】
ＥＵＶ集光ミラー２３ａには、液体の冷却媒体を通過させる冷却媒体流路２３ｂが形成されている。冷却媒体流路２３ｂは、本開示における第２の冷却媒体流路に相当する。冷却媒体としては例えば水が用いられる。冷却媒体流路２３ｂは、冷却媒体供給管６１ｂを介して冷却媒体供給部６０ｂに接続されている。さらに、冷却媒体流路２３ｂは、冷却媒体排出管６２ｂを介して冷却媒体供給部６０ｂに接続されている。
【００２７】
２．２  動作
ターゲット供給部２６ａは、ターゲット２７としてスズの液滴を出力する。ターゲット供給部２６ａから出力されたターゲット２７は、チャンバ２ａの貫通孔２０及びシールド部材７の貫通孔７０を通過し、プラズマ生成領域２５に到達する。パルスレーザ光３２は、ウインドウ２１を介してチャンバ２ａ内のレーザ光集光ミラー２２ａに入射する。レーザ光集光ミラー２２ａによって反射されたパルスレーザ光３３は、プラズマ生成領域２５に集光される。パルスレーザ光３３は、ターゲット２７がプラズマ生成領域２５に到達するタイミングでプラズマ生成領域２５に到達する。
【００２８】
ターゲット２７は、パルスレーザ光３３を照射されてプラズマ化する。プラズマからは、放射光２５１が放射される。プラズマからは、スズのデブリも生成される。スズのデブリは、ＥＵＶ集光ミラー２３ａの反射面２３ｃに付着すると、反射面２３ｃの反射率を低下させる場合がある。そこで、水素ガス供給部５０が、水素ガス放出部５２に水素ガスを供給する。水素ガスは、水素ガス放出部５２の開口部５４から放出される。水素ガスは、ＥＵＶ集光ミラー２３ａの周辺から内側に向けて、ＥＵＶ集光ミラー２３ａの反射面２３ｃに沿って流れる。水素ガスは、反射面２３ｃに付着したスズをエッチングする。具体的には、水素が励起された水素ラジカルが金属スズと反応することでスタナンになり、これによりスズが反射面２３ｃからエッチングされる。水素ラジカルは水素ガスがＥＵＶ光などで励起されることで生成される。排気装置５９は、水素ガス放出部５２から放出された水素ガスや、水素とスズとの反応により生成されたスタナンガスを排気する。
【００２９】
プラズマからは輻射熱も生成される。シールド部材７は、プラズマから放射される熱を吸収する。シールド部材７に吸収された熱は、冷却媒体流路７１を流れる冷却媒体によりチャンバ２ａの外に排出される。これにより、熱によるチャンバ２ａの変形が抑制される。ＥＵＶ集光ミラー２３ａも、冷却媒体流路２３ｂを流れる冷却媒体により冷却される。これにより、熱によるＥＵＶ集光ミラー２３ａの変形が抑制される。
【００３０】
上述のスタナンは、高温の部品の付近では水素とスズとに分離して、部品の表面にスズを析出させることがある。そこで、ＥＵＶ集光ミラー２３ａ及びシールド部材７は、スタナンが水素とスズに分離することを抑制し得る温度範囲にまで冷却される。
【００３１】
２．３  課題
ＥＵＶ集光ミラー２３ａ及びシールド部材７だけでなく、水素ガス放出部５２も加熱され、水素ガス放出部５２の表面にスズが析出することがある。水素ガス放出部５２の表面にスズが析出すると、水素ガスを放出するための開口部５４の形状が変化し、所望のガス流れを達成できないことがあり得る。プラズマ生成領域２５と水素ガス放出部５２の開口部５４との間にプラズマからの輻射熱を遮る部品がなく、プラズマからの輻射熱が水素ガス放出部５２の開口部５４の周辺部分に直接入射する場合には、開口部５４の周辺部分が特に加熱され、スズが析出する可能性がある。
【００３２】
水素ガス放出部５２の表面にスズが析出しないように、水素ガス放出部５２を冷却することが考えられる。水素ガス放出部５２を冷却する方法として、ＥＵＶ集光ミラー２３ａに水素ガス放出部５２を密着させてネジ等で固定することが考えられる。
【００３３】
しかしながら、ＥＵＶ集光ミラー２３ａに水素ガス放出部５２を密着させて固定する方法では、水素ガス放出部５２からＥＵＶ集光ミラー２３ａへの熱伝導が十分ではなく、水素ガス放出部５２を冷却するには不十分な場合がある。また、ＥＵＶ集光ミラー２３ａに水素ガス放出部５２を強く押し付けて固定すると、ＥＵＶ集光ミラー２３ａを変形させる場合がある。ＥＵＶ集光ミラー２３ａが変形すると、ＥＵＶ集光ミラー２３ａによるＥＵＶ光の集光性能に悪影響を及ぼす可能性がある。
【００３４】
以下に説明する実施形態においては、水素ガス放出部５２に冷却機構を設ける。これにより、水素ガス放出部５２が高温になることを抑制し、水素ガス放出部５２の表面にスズが析出することを抑制する。
【００３５】
３．水素ガス放出部の冷却機構を備えたＥＵＶ光生成装置
３．１  構成
図４Ａ及び図４Ｂは、本開示の第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のチャンバ２ａに含まれる構成要素の断面図である。図４Ｂは、図４ＡにＩＶＢ−ＩＶＢ線で示される部分の断面に相当する。すなわち、図４Ｂは、複数の開口部５４を通る断面に相当する。図４Ａ及び図４Ｂにおいては、チャンバ２ａ、レーザ光集光ミラー２２ａ、水素ガス供給部５０、水素ガス供給管５１等の図示を省略している。第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のチャンバ２ａ、レーザ光集光ミラー２２ａ、水素ガス供給部５０等の構成は、図２を参照しながら説明したものと同様である。
【００３６】
第１の実施形態において、水素ガス放出部５２ｃが、ホルダ４４によってチャンバ２ａの内部に支持されている。水素ガス放出部５２ｃの内部には、液体の冷却媒体を通過させる冷却媒体流路５５ｃが形成されている。冷却媒体としては例えば水が用いられる。水素ガス放出部５２ｃの内部に形成された冷却媒体流路５５ｃは、本開示における第１の冷却媒体流路に相当する。冷却媒体流路５５ｃは、水素ガス放出部５２ｃに設けられた水素ガス流路５３よりも外側の位置に形成されている。すなわち、冷却媒体流路５５ｃとＥＵＶ集光ミラー２３ａとの間に、水素ガス流路５３が位置している。冷却媒体流路５５ｃは、図４Ｂに示される複数の開口部５４を通る水素ガス放出部５２ｃの断面を、複数の箇所で通過している。これにより、冷却媒体は、開口部５４の各々に近い位置を流れて、開口部５４の各々の周辺を冷却することができる。上記複数の箇所は、図４Ｂに示される断面において、環状に配置されていることが望ましい。上記複数の箇所は、図４Ｂに示される断面において、ほぼ均等に配置されていることが望ましい。上記複数の箇所は、図４Ｂに示される断面において、複数の開口部５４にそれぞれ対応して配置されていてもよい。
【００３７】
冷却媒体供給部６０は、冷却媒体供給管６１と、冷却媒体排出管６２と、温度調節器６３と、を含んでいる。温度調節器６３は、冷却媒体供給管６１及び冷却媒体排出管６２に接続されている。冷却媒体供給管６１又は冷却媒体排出管６２に、図示しないポンプが設けられている。
【００３８】
冷却媒体供給管６１は、例えば３本の供給管６１ｃ、６１ｄ、６１ｅに枝分かれしている。供給管６１ｃは冷却媒体流路７１に接続され、供給管６１ｄは冷却媒体流路２３ｂに接続され、さらに供給管６１ｅは冷却媒体流路５５ｃに接続されている。
【００３９】
冷却媒体排出管６２は、例えば３本の排出管６２ｃ、６２ｄ、６２ｅに枝分かれしている。排出管６２ｃは冷却媒体流路７１に接続され、排出管６２ｄは冷却媒体流路２３ｂに接続され、さらに排出管６２ｅは冷却媒体流路５５ｃに接続されている。
【００４０】
供給管６１ｃ、６１ｄ、６１ｅの各々には図示しないバルブ又は流量調節器が設けられてもよい。あるいは、排出管６２ｃ、６２ｄ、６２ｅの各々に図示しないバルブ又は流量調節器が設けられてもよい。
【００４１】
供給管６１ｅ及び排出管６２ｅは１本ずつ図示したが、図４Ｂに示されるように水素ガス放出部５２ｃが複数設けられている場合には、供給管６１ｅ及び排出管６２ｅはそれぞれ複数設けられてもよい。
【００４２】
３．２  動作
冷却媒体供給部６０の温度調節器６３は、共通の冷却媒体供給管６１を介して、冷却媒体流路７１、冷却媒体流路２３ｂ、及び冷却媒体流路５５ｃに冷却媒体を供給する。従って、温度調節器６３は、冷却媒体流路７１、冷却媒体流路２３ｂ、及び冷却媒体流路５５ｃに、実質的に同じ温度の冷却媒体を供給する。冷却媒体の温度は、例えば、０℃以上、５℃以下とされる。これにより、シールド部材７と、ＥＵＶ集光ミラー２３ａと、水素ガス放出部５２ｃとは、スタナンが水素とスズに分離することを抑制し得る温度範囲にまで冷却される。
他の点については上述の比較例と同様である。
【００４３】
３．３  作用
第１の実施形態によれば、水素ガス放出部５２ｃを冷却媒体で冷却するので、水素ガス放出部５２ｃの表面にスズが析出することが抑制される。これにより、水素ガス放出部５２ｃの開口部５４の形状が変化することが抑制され、水素ガスの流れが変化することが抑制される。
【００４４】
また、第１の実施形態によれば、水素ガス放出部５２ｃをＥＵＶ集光ミラー２３ａから独立してホルダ４４で支持している。これにより、水素ガス放出部５２ｃをＥＵＶ集光ミラー２３ａに押し付けることなく保持することができ、ＥＵＶ集光ミラー２３ａが変形することが抑制される。
【００４５】
また、第１の実施形態によれば、冷却媒体流路５５ｃとＥＵＶ集光ミラー２３ａとの間に水素ガス流路５３が位置している。これにより、ＥＵＶ集光ミラー２３ａと開口部５４との距離が近くなるように水素ガス放出部５２ｃを配置することができる。従って、ＥＵＶ集光ミラー２３ａの反射面２３ｃに沿った水素ガスの流れを最適化することができる。
【００４６】
４．水素ガス放出部とシールドとを一体化したＥＵＶ光生成装置
４．１  構成
図５Ａ及び図５Ｂは、本開示の第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のチャンバ２ａに含まれる構成要素の断面図である。図５Ｂは、図５ＡにＶＢ−ＶＢ線で示される部分の断面に相当する。すなわち、図５Ｂは、複数の開口部５４を通る断面に相当する。図５Ａ及び図５Ｂにおいては、チャンバ２ａ、レーザ光集光ミラー２２ａ、水素ガス供給部５０、水素ガス供給管５１等の図示を省略している。第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のチャンバ２ａ、レーザ光集光ミラー２２ａ、水素ガス供給部５０等の構成は、図２を参照しながら説明したものと同様である。
【００４７】
第２の実施形態において、水素ガス放出部５２ｄは、シールドを兼ねている。すなわち、水素ガス放出部５２ｄは、第１の実施形態における水素ガス放出部５２ｃに相当する部分と、第１の実施形態におけるシールド部材７に相当する部分とが一体化された１つの部材として構成されている。この点で、第２の実施形態は、水素ガス放出部５２ｃとシールド部材７とが別部材である第１の実施形態と異なる。第２の実施形態において、水素ガス放出部５２ｄは、伸縮部材７３（図２参照）によってチャンバ２ａの内部に支持される。水素ガス放出部５２ｄの内部には、冷却媒体流路５５ｄが形成されている。冷却媒体流路５５ｄは、本開示における第１の冷却媒体流路に相当する。
【００４８】
冷却媒体供給部６０は、冷却媒体供給管６１と、冷却媒体排出管６２と、温度調節器６３と、を含んでいる。温度調節器６３は、冷却媒体供給管６１及び冷却媒体排出管６２に接続されている。冷却媒体供給管６１又は冷却媒体排出管６２に、図示しないポンプが設けられている。
【００４９】
冷却媒体供給管６１は、例えば２本の供給管６１ｃ及び６１ｄに枝分かれしている。供給管６１ｃは冷却媒体流路５５ｄに接続され、供給管６１ｄは冷却媒体流路２３ｂに接続されている。
【００５０】
供給管６１ｃ、６１ｄの各々には図示しないバルブ又は流量調節器が設けられてもよい。あるいは、排出管６２ｃ、６２ｄの各々に図示しないバルブ又は流量調節器が設けられてもよい。
【００５１】
冷却媒体排出管６２は、例えば２本の排出管６２ｃ及び６２ｄに枝分かれしている。排出管６２ｃは冷却媒体流路５５ｄに接続され、排出管６２ｄは冷却媒体流路２３ｂに接続されている。
【００５２】
４．２  動作
温度調節器６３は、共通の冷却媒体供給管６１を介して、冷却媒体流路５５ｄ及び冷却媒体流路２３ｂに冷却媒体を供給する。従って、温度調節器６３は、冷却媒体流路５５ｄ及び冷却媒体流路２３ｂに、実質的に同じ温度の冷却媒体を供給する。これにより、水素ガス放出部５２ｄと、ＥＵＶ集光ミラー２３ａとは、スタナンが水素とスズに分離することを抑制し得る温度範囲にまで冷却される。
他の点については上述の比較例と同様である。
【００５３】
４．３  作用
第２の実施形態によれば、水素ガス放出部５２ｄを冷却媒体で冷却するので、水素ガス放出部５２ｄの表面にスズが析出することが抑制される。これにより、水素ガス放出部５２ｄの開口部５４の形状が変化することが抑制され、水素ガスの流れが変化することが抑制される。
【００５４】
また、第２の実施形態によれば、シールドを兼ねた水素ガス放出部５２ｄを伸縮部材７３で支持している。これにより、ＥＵＶ集光ミラー２３ａをＥＵＶ集光ミラー２３ａに押し付けることなく保持することができ、ＥＵＶ集光ミラー２３ａが変形することが抑制される。
【００５５】
また、第１の実施形態においてはシールド部材７が別部材の水素ガス放出部５２ｃを囲むように配置されているのに対し、第２の実施形態においては水素ガス放出部５２ｄがシールドを兼ねて一体化されている。このため、第２の実施形態において、シールドを兼ねた水素ガス放出部５２ｄの外径寸法は、第１の実施形態におけるシールド部材７の外形寸法よりも小さくすることができる。
【００５６】
５．冷却媒体流路を拡大したＥＵＶ光生成装置
５．１  構成及び動作
図６Ａ及び図６Ｂは、本開示の第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のチャンバ２ａに含まれる構成要素の断面図である。図６Ｂは、図６ＡにＶＩＢ−ＶＩＢ線で示される部分の断面に相当する。すなわち、図６Ｂは、複数の開口部５４を通る断面に相当する。図６Ａ及び図６Ｂにおいては、チャンバ２ａ、レーザ光集光ミラー２２ａ、水素ガス供給部５０、水素ガス供給管５１等の図示を省略している。第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のチャンバ２ａ、レーザ光集光ミラー２２ａ、水素ガス供給部５０等の構成は、図２を参照しながら説明したものと同様である。
【００５７】
第３の実施形態において、シールドを兼ねた水素ガス放出部５２ｅの内部には、冷却媒体流路５５ｅが形成されている。冷却媒体流路５５ｅは、本開示における第１の冷却媒体流路に相当する。冷却媒体流路５５ｅは、図６Ｂに示される複数の開口部５４を通る水素ガス放出部５２ｅの断面を、複数の箇所で通過している。冷却媒体流路５５ｅは、第１の部分５６ｅと第２の部分５７ｅとを含む。第１の部分５６ｅは、水素ガス放出部５２ｅの開口部５４よりも＋Ｚ方向側に位置し、第２の部分５７ｅは、水素ガス放出部５２ｅの開口部５４よりも−Ｚ方向側に位置する。
【００５８】
５．２  作用
第３の実施形態によれば、第１の部分５６ｅが開口部５４よりも＋Ｚ方向側に位置し、第２の部分５７ｅが開口部５４よりも−Ｚ方向側に位置する。これにより、水素ガス放出部５２ｅの開口部５４の周辺が＋Ｚ方向側と−Ｚ方向側との両方から効率よく冷却され、開口部５４の周辺にスズが析出することが抑制される。
【００５９】
また、第３の実施形態においては、冷却媒体流路５５ｅは水素ガス放出部５２ｅの内側表面５８ｅ寄りに形成されている。冷却媒体流路５５ｅと内側表面５８ｅとの距離を短くすることにより、水素ガス放出部５２ｅの内側表面５８ｅの温度を低減しやすくすることができる。また、水素ガス放出部５２ｅの内側に形成された開口部５４の周辺の温度を低減しやすくすることができる。
他の点については、第２の実施形態と同様である。
【００６０】
６．その他
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【００６１】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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