(57)【要約】  本発明によれば、先頭スペア領域１０２および中間スペア領域１０３を物理アドレスの昇順に使用することにより欠陥管理情報のサイズを小さくする。最終スペア領域１０４のみを物理アドレスの降順に使用することによりスペア領域の拡張を容易にする。
2010073549.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の記録層を備えた多層情報記録媒体であって、
前記多層情報記録媒体は、
ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、
前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と
を含み、
前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、
前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域は、物理ブロックアドレスの降順に使用され、
前記第ｎスペア領域以外の前記第１スペア領域〜第ｎ−１スペア領域は、物理ブロックアドレスの昇順に使用される、多層情報記録媒体。
【請求項２】
前記多層情報記録媒体は、欠陥管理領域をさらに含み、
前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録される、請求項１に記載の多層情報記録媒体。
【請求項３】
前記多層情報記録媒体は、欠陥リストが記録される欠陥管理領域をさらに含み、
前記欠陥リストは、前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックと前記スペア領域の連続したブロックとの間で交替記録が行われていることを示す連続交替エントリを含む、請求項１に記載の多層情報記録媒体。
【請求項４】
複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置であって、
前記多層情報記録媒体は、
ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、
前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と
を含み、
前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、
前記情報記録装置は、
前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域へ交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有するブロックへ交替記録し、
前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）へ交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有するブロックへ交替記録する、情報記録装置。
【請求項５】
複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に記録する情報記録方法であって、
前記多層情報記録媒体は、
ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、
前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と
を含み、
前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、
前記情報記録方法は、
（ａ）前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから前記複数のスペア領域のうちのどのスペア領域へ交替記録するかを選択するステップと、
（ｂ）前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域である場合には、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有するブロックを選択するステップと、
（ｃ）前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合には、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有するブロックを選択するステップと、
（ｄ）前記ステップ（ｂ）または（ｃ）で選択したブロックへ交替記録するステップと
を含む、情報記録方法。
【請求項６】
複数の記録層を備えた多層情報記録媒体から情報を再生する情報再生装置であって、
前記多層情報記録媒体は、
ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、
前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、
欠陥管理情報を格納するための欠陥管理領域と
を含み、
前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、
前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域は、物理ブロックアドレスの降順に使用され、
前記第ｎスペア領域以外の前記第１スペア領域〜第ｎ−１スペア領域は、物理ブロックアドレスの昇順に使用され、
前記情報再生装置は、
前記欠陥管理領域から前記欠陥管理情報を読み出し、
前記欠陥管理情報に登録されている欠陥ブロックから情報を再生する代わりに、前記欠陥管理情報に登録されている交替先ブロックから情報を再生する、情報再生装置。
【請求項７】
複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置であって、
前記多層情報記録媒体は、
ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、
前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、
欠陥管理領域と
を含み、
前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、
前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録されており、
前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域へ交替記録する場合は、
前記第ｎスペア領域の前記次に使用するブロックへ交替記録し、
前記第ｎスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数減じた値に更新し、
前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）へ交替記録する場合は、
前記第ｉスペア領域の前記次に使用するブロックへ交替記録し、
前記第ｉスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数加えた値に更新する、情報記録装置。
【請求項８】
複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録方法であって、
前記多層情報記録媒体は、
ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、
前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、
欠陥管理領域と
を含み、
前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、
前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録されており、
前記情報記録方法は、
（ａ）前記欠陥管理領域から前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を読み出すステップと、
（ｂ）前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから前記複数のスペア領域のうちのどのスペア領域へ交替記録するかを選択するステップと、
（ｃ）前記ステップ（ｂ）で選択したスペア領域の前記次に使用するブロックへ交替記録するステップと、
（ｄ）前記ステップ（ｂ）で選択したスペア領域が、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域である場合には、前記第ｎスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数減じた値に更新するステップと、
（ｅ）前記ステップ（ｂ）で選択したスペア領域が、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合には、前記第ｉスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数加えた値に更新するステップと、
（ｆ）前記ステップ（ｄ）または（ｅ）で更新した前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記欠陥管理領域に記録するステップと
を含む、情報記録方法。
【請求項９】
請求項７に記載の情報記録装置により情報が記録される複数の記録層を備えた多層情報記録媒体であって、
前記多層情報記録媒体は、
ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、
前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と
を含み、
前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、
前記多層情報記録媒体は、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を記録するための欠陥管理領域をさらに含む、多層情報記録媒体。
【請求項１０】
請求項９に記載の多層情報記録媒体から情報を再生する情報再生装置であって、
前記情報再生装置は、
前記欠陥管理領域から欠陥管理情報を読み出し、
前記欠陥管理情報に登録されている欠陥ブロックから情報を再生する代わりに、前記欠陥管理情報に登録されている交替先ブロックから情報を再生する、情報再生装置。
【請求項１１】
複数の記録層を備えた多層情報記録媒体であって、
前記多層情報記録媒体は、
ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、
前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、
ＤＤＳ領域および複数のＤＦＬ領域を含む欠陥管理領域と
を含み、
前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、
前記ＤＤＳ領域には、前記複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域を示すポインタ情報が記録され、
前記有効なＤＦＬ領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録される、多層情報記録媒体。
【請求項１２】
複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置であって、
前記多層情報記録媒体は、
ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、
前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、
ＤＤＳ領域および複数のＤＦＬ領域を含む欠陥管理領域と
を含み、
前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、
前記情報記録装置は、
前記複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域を示すポインタ情報を前記ＤＤＳ領域に記録し、
前記有効なＤＦＬ領域に、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を記録する、情報記録装置。
【請求項１３】
複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に記録する情報記録方法であって、
前記多層情報記録媒体は、
ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、
前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、
ＤＤＳ領域および複数のＤＦＬ領域を含む欠陥管理領域と
を含み、
前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、
前記情報記録方法は、
前記複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域を示すポインタ情報を前記ＤＤＳ領域に記録するステップと、
前記有効なＤＦＬ領域に、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を記録するステップと
を含む、情報記録方法。
【請求項１４】
複数の記録層を備えた多層情報記録媒体から情報を再生する情報再生装置であって、
前記多層情報記録媒体は、
ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、
前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、
ＤＤＳ領域および複数のＤＦＬ領域を含む欠陥管理領域と
を含み、
前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、
前記ＤＤＳ領域は、前記複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域を示すポインタ情報を含み、
前記有効なＤＦＬ領域は、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を含み、
前記情報再生装置は、
前記ＤＤＳ領域から前記ポインタ情報を再生し、
前記ポインタ情報が示す前記有効なＤＦＬ領域から、前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を再生する、情報再生装置。
【請求項１５】
複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置であって、
前記多層情報記録媒体は、
ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、
前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と
を含み、
前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、
前記情報記録装置は、
前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックから、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域へ交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックに一括して交替記録し、
前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックから、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）へ交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックに一括して交替記録する、情報記録装置。
【請求項１６】
前記多層情報記録媒体は、欠陥管理領域をさらに含み、
前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録されており、
前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の前記連続した欠陥ブロックから、前記第ｎスペア領域へ交替記録する場合は、
前記第ｎスペア領域の前記次に使用するブロックから前記アドレスの降順に連続したブロックを選択し、
前記降順に連続したブロックに対して、前記アドレスの昇順に一括して交替記録し、
前記第ｎスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数減じた値に更新し、
前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の前記連続した欠陥ブロックから、前記第ｉスペア領域へ交替記録する場合は、
前記第ｉスペア領域の前記次に使用するブロックから前記アドレスの昇順に一括して交替記録し、
前記第ｉスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数加えた値に更新する、請求項１５に記載の情報記録装置。
【請求項１７】
複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録方法であって、
前記多層情報記録媒体は、
ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、
前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と
を含み、
前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、
前記情報記録方法は、
（ａ）前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックから、前記複数のスペア領域のうちのどのスペア領域へ交替記録するかを選択するステップと、
（ｂ）前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域である場合には、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックを選択するステップと、
（ｃ）前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合には、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックを選択するステップと、
（ｄ）前記ステップ（ｂ）または（ｃ）で選択した連続したブロックに一括して交替記録するステップと
を含む、情報記録方法。
【請求項１８】
前記多層情報記録媒体は、欠陥管理領域をさらに含み、
前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録されており、
前記情報記録方法は、
（ｅ）前記欠陥管理領域から前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を読み出すステップ、
をさらに含み、
前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が前記第ｎスペア領域である場合には、
前記ステップ（ｂ）は、前記第ｎスペア領域の前記次に使用するブロックから前記アドレスの降順に連続したブロックを選択するステップを含み、
前記ステップ（ｄ）は、前記降順に連続したブロックに対して、前記アドレスの昇順に一括して交替記録するステップを含み、
前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が前記第ｉスペア領域である場合には、
前記ステップ（ｄ）は、前記第ｉスペア領域の前記次に使用するブロックから前記アドレスの昇順に一括して交替記録するステップを含み、
前記情報記録方法は、
（ｆ）前記第ｎスペア領域を用いて交替記録を行った場合には、前記第ｎスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録したブロック数減じた値に更新するステップと、
（ｇ）前記第ｉスペア領域を用いて交替記録を行った場合には、前記第ｉスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録したブロック数加えた値に更新するステップと、
（ｈ）前記ステップ（ｆ）または（ｇ）で更新した前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記欠陥管理領域に記録するステップと
をさらに含む、請求項１７に記載の情報記録方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、欠陥ブロックとスペア領域との間で交替記録を行うことにより、データ記録の信頼性を高めることが可能な情報記録媒体、情報記録装置および情報記録方法に関する。また、そのような情報記録媒体からデータを再生する情報再生装置および情報再生方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＢＤ−ＲＥ（Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ  Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ）やＢＤ−Ｒ（Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ  Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ）のような大容量の書き換え可能型光ディスク、追記型光ディスクが普及してきている。このような光ディスクでは、スペア領域を割り当て、欠陥ブロックのデータをスペア領域に交替記録することによりデータ記録の信頼性を確保することが行われている。【０００３】
図１１は、二層ＢＤ−ＲＥの欠陥管理に関連する領域の論理構造を示す。ＢＤ−ＲＥには、ユーザデータを記録するユーザデータ領域と、ユーザデータ領域の欠陥ブロックを交替記録するためのスペア領域が割り当てられている。交替記録したときのユーザデータ領域内の交替元ブロックとスペア領域内の交替先ブロックの対応関係は、欠陥管理情報として欠陥管理領域ＤＭＡ（Ｄｅｆｅｃｔ  Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ  Ａｒｅａ）に記録される。【０００４】
二層ＢＤ−ＲＥはオポジットトラックパスを採用しており、Ｌ０層では内周から外周に向かって増加するように物理ブロックアドレスが割り当てられ、Ｌ１層では外周から内周に向かって増加するように物理ブロックアドレスが割り当てられている。【０００５】
ディスクの内周側に存在するスペア領域は内周側から使用され、外周側に存在するスペア領域は外周側から使用される。すなわち、Ｌ０層の内周スペア領域とＬ１層の外周スペア領域は物理ブロックアドレスの昇順に使用されるのに対して、Ｌ０層の外周スペア領域とＬ１層の内周スペア領域は物理ブロックアドレスの降順に使用される。本明細書中において、“昇順”とは、物理ブロックアドレスが大きくなる方向に進む順序を意味しており、“降順”とは、物理ブロックアドレスが小さくなる方向に進む順序を意味している。【０００６】
このように内周側と外周側とでスペア領域の使用方向を逆にしているのは、スペア領域の拡張を容易にするためである（例えば、特許文献１参照）。【０００７】
図１２（ａ）は、ユーザデータ領域内の連続するブロックＡ１〜Ａ４からスペア領域内のブロックＢ１〜Ｂ４への交替記録を示し、図１２（ｂ）は、そのような交替記録を行ったときの欠陥管理情報の欠陥リストのエントリを示す。【０００８】
ステータス１が００００でステータス２も００００のエントリはＲＡＤ（Ｒｅ−ａｌｌｏｃａｔｅｄ  Ｄｅｆｅｃｔ）と呼ばれ、欠陥アドレスで示されるブロックが交替アドレスで示されるブロックに交替記録されていることを表す。ＢＤ−ＲＥにおいては、物理ブロックアドレスの降順に使用されるスペア領域があり、交替元のブロックが昇順に連続していても交替先のブロックが物理ブロックアドレスの昇順に連続とはならないことがある。【０００９】
図１３は、二層ＢＤ−Ｒの欠陥管理に関連する領域の論理構造を示す。ＢＤ−Ｒには、ユーザデータを記録するユーザデータ領域と、ユーザデータ領域の欠陥ブロックを交替するためのスペア領域が割り当てられている。交替記録したときのユーザデータ領域内の交替元ブロックとスペア領域内の交替先ブロックの対応関係は、欠陥管理情報として、ディスクをファイナライズするまではＴＤＭＡ（Ｔｅｍｐｏｒａｒｙ  Ｄｅｆｅｃｔ  Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ  Ａｒｅａ）に記録され、ディスクをファイナライズするとＤＭＡに記録される。【００１０】
二層ＢＤ−Ｒは、二層ＢＤ−ＲＥと同様にオポジットトラックパスを採用しており、Ｌ０層では内周から外周に向かって増加するように物理ブロックアドレスが割り当てられ、Ｌ１層では外周から内周に向かって増加するように物理ブロックアドレスが割り当てられている。【００１１】
Ｌ０層に存在するスペア領域は内周側から使用され、Ｌ１層に存在するスペア領域は外周側から使用される。すなわち、いずれのスペア領域も物理ブロックアドレスの昇順に使用される。【００１２】
図１４（ａ）は、ユーザデータ領域内の連続するブロックＡ１〜Ａ４からスペア領域内のブロックＢ１〜Ｂ４への交替記録を示し、図１４（ｂ）は、そのような交替記録を行ったときの欠陥管理情報の欠陥リストのエントリを示す。ステータス１が００００で、ステータス２が０００１および００１０のエントリはＣＲＤ（Ｃｏｎｔｉｇｕｏｕｓ  Ｒｅ−ａｌｌｏｃａｔｅｄ  Ｄｅｆｅｃｔ）と呼ばれる。ステータス２が０００１のＣＲＤは、連続領域が交替されているときの始端ブロックの交替情報を表している。ステータス２が００１０のＣＲＤは、連続領域が交替されているときの終端ブロックの交替情報を表している。【００１３】
このように、ＢＤ−Ｒにおいては、交替元と交替先の双方が連続領域であれば、ＣＲＤエントリを使用することにより欠陥リストのサイズを小さくすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特許第３０９０３１６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
ところで、光ディスクの高密度化および多層化によるさらなる大容量化が進められており、容量の増加に比例してスペア領域の容量も増加する傾向にある。【００１６】
スペア領域が増加すると一般に欠陥管理情報の欠陥リストのサイズも大きくなる。光ディスクを記録あるいは再生するためには、欠陥管理情報を記録装置あるいは再生装置のバッファメモリ内に格納しておく必要があり、欠陥リストのサイズが大きくなるとバッファメモリを圧迫するという課題が発生する。【００１７】
欠陥リストのサイズを小さくするためには、交替元および交替先の双方が連続している場合に、ＢＤ−Ｒで採用されているＣＲＤエントリを使用すればよい。しかし、ＢＤ−ＲＥにおけるスペア領域の使用順序を採用すると、物理ブロックアドレスの降順に使用されるスペア領域が半数もある。この物理ブロックアドレスの降順に使用されるスペア領域では、交替元の領域が昇順に連続していても、交替先の領域が物理ブロックアドレスの昇順に連続しないためにＣＲＤエントリを使用できない。【００１８】
一方、ＢＤ−Ｒにおけるスペア領域の使用順序を採用すると、全てのスペア領域が物理ブロックアドレスの昇順に使用されるため、ＣＲＤエントリが使える可能性が高まるが、スペア領域を拡張することが困難である。【００１９】
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、欠陥管理情報のサイズを小さくするとともに、スペア領域の拡張を容易に行うことが可能な情報記録媒体、情報記録装置および情報記録方法を提供する。また、本発明は、そのような情報記録媒体からデータを再生する情報再生装置および情報再生方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の多層情報記録媒体は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域は、物理ブロックアドレスの降順に使用され、前記第ｎスペア領域以外の前記第１スペア領域〜第ｎ−１スペア領域は、物理ブロックアドレスの昇順に使用される。【００２１】
ある実施形態によれば、前記多層情報記録媒体は、欠陥管理領域をさらに含み、前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録される。【００２２】
ある実施形態によれば、前記多層情報記録媒体は、欠陥リストが記録される欠陥管理領域をさらに含み、前記欠陥リストは、前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックと前記スペア領域の連続したブロックとの間で交替記録が行われていることを示す連続交替エントリを含む。【００２３】
本発明の情報記録装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域へ交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有するブロックへ交替記録し、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）へ交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有するブロックへ交替記録する。【００２４】
本発明の情報記録方法は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に記録する情報記録方法であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記情報記録方法は、（ａ）前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから前記複数のスペア領域のうちのどのスペア領域へ交替記録するかを選択するステップと、（ｂ）前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域である場合には、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有するブロックを選択するステップと、（ｃ）前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合には、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有するブロックを選択するステップと、（ｄ）前記ステップ（ｂ）または（ｃ）で選択したブロックへ交替記録するステップとを含む。【００２５】
本発明の情報再生装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体から情報を再生する情報再生装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、欠陥管理情報を格納するための欠陥管理領域とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域は、物理ブロックアドレスの降順に使用され、前記第ｎスペア領域以外の前記第１スペア領域〜第ｎ−１スペア領域は、物理ブロックアドレスの昇順に使用され、前記情報再生装置は、前記欠陥管理領域から前記欠陥管理情報を読み出し、前記欠陥管理情報に登録されている欠陥ブロックから情報を再生する代わりに、前記欠陥管理情報に登録されている交替先ブロックから情報を再生する。【００２６】
本発明の情報記録装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、欠陥管理領域とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録されており、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域へ交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域の前記次に使用するブロックへ交替記録し、前記第ｎスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数減じた値に更新し、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）へ交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域の前記次に使用するブロックへ交替記録し、前記第ｉスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数加えた値に更新する。【００２７】
本発明の情報記録方法は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録方法であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、欠陥管理領域とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録されており、前記情報記録方法は、（ａ）前記欠陥管理領域から前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を読み出すステップと、（ｂ）前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから前記複数のスペア領域のうちのどのスペア領域へ交替記録するかを選択するステップと、（ｃ）前記ステップ（ｂ）で選択したスペア領域の前記次に使用するブロックへ交替記録するステップと、（ｄ）前記ステップ（ｂ）で選択したスペア領域が、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域である場合には、前記第ｎスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数減じた値に更新するステップと、（ｅ）前記ステップ（ｂ）で選択したスペア領域が、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合には、前記第ｉスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数加えた値に更新するステップと、（ｆ）前記ステップ（ｄ）または（ｅ）で更新した前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記欠陥管理領域に記録するステップとを含む。【００２８】
本発明の多層情報記録媒体は、前記情報記録装置により情報が記録される複数の記録層を備えた多層情報記録媒体であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記多層情報記録媒体は、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を記録するための欠陥管理領域をさらに含む。【００２９】
本発明の情報再生装置は、前記多層情報記録媒体から情報を再生する情報再生装置であって、前記情報再生装置は、前記欠陥管理領域から欠陥管理情報を読み出し、前記欠陥管理情報に登録されている欠陥ブロックから情報を再生する代わりに、前記欠陥管理情報に登録されている交替先ブロックから情報を再生する。【００３０】
本発明の多層情報記録媒体は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、ＤＤＳ領域および複数のＤＦＬ領域を含む欠陥管理領域とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記ＤＤＳ領域には、前記複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域を示すポインタ情報が記録され、前記有効なＤＦＬ領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録される。【００３１】
本発明の情報記録装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、ＤＤＳ領域および複数のＤＦＬ領域を含む欠陥管理領域とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記情報記録装置は、前記複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域を示すポインタ情報を前記ＤＤＳ領域に記録し、前記有効なＤＦＬ領域に、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を記録する。【００３２】
本発明の情報記録方法は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に記録する情報記録方法であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、ＤＤＳ領域および複数のＤＦＬ領域を含む欠陥管理領域とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記情報記録方法は、前記複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域を示すポインタ情報を前記ＤＤＳ領域に記録するステップと、前記有効なＤＦＬ領域に、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を記録するステップとを含む。【００３３】
本発明の情報再生装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体から情報を再生する情報再生装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、ＤＤＳ領域および複数のＤＦＬ領域を含む欠陥管理領域とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記ＤＤＳ領域は、前記複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域を示すポインタ情報を含み、前記有効なＤＦＬ領域は、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を含み、前記情報再生装置は、前記ＤＤＳ領域から前記ポインタ情報を再生し、前記ポインタ情報が示す前記有効なＤＦＬ領域から、前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を再生する。【００３４】
本発明の情報記録装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックから、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域へ交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックに一括して交替記録し、前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックから、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）へ交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックに一括して交替記録する。【００３５】
ある実施形態によれば、前記多層情報記録媒体は、欠陥管理領域をさらに含み、前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録されており、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の前記連続した欠陥ブロックから、前記第ｎスペア領域へ交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域の前記次に使用するブロックから前記アドレスの降順に連続したブロックを選択し、前記降順に連続したブロックに対して、前記アドレスの昇順に一括して交替記録し、前記第ｎスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数減じた値に更新し、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の前記連続した欠陥ブロックから、前記第ｉスペア領域へ交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域の前記次に使用するブロックから前記アドレスの昇順に一括して交替記録し、前記第ｉスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数加えた値に更新する。【００３６】
本発明の情報記録方法は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録方法であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記情報記録方法は、（ａ）前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックから、前記複数のスペア領域のうちのどのスペア領域へ交替記録するかを選択するステップと、（ｂ）前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域である場合には、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックを選択するステップと、（ｃ）前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合には、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックを選択するステップと、（ｄ）前記ステップ（ｂ）または（ｃ）で選択した連続したブロックに一括して交替記録するステップとを含む。【００３７】
ある実施形態によれば、前記多層情報記録媒体は、欠陥管理領域をさらに含み、前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録されており、前記情報記録方法は、（ｅ）前記欠陥管理領域から前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を読み出すステップ、をさらに含み、前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が前記第ｎスペア領域である場合には、前記ステップ（ｂ）は、前記第ｎスペア領域の前記次に使用するブロックから前記アドレスの降順に連続したブロックを選択するステップを含み、前記ステップ（ｄ）は、前記降順に連続したブロックに対して、前記アドレスの昇順に一括して交替記録するステップを含み、前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が前記第ｉスペア領域である場合には、前記ステップ（ｄ）は、前記第ｉスペア領域の前記次に使用するブロックから前記アドレスの昇順に一括して交替記録するステップを含み、前記情報記録方法は、（ｆ）前記第ｎスペア領域を用いて交替記録を行った場合には、前記第ｎスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録したブロック数減じた値に更新するステップと、（ｇ）前記第ｉスペア領域を用いて交替記録を行った場合には、前記第ｉスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録したブロック数加えた値に更新するステップと、（ｈ）前記ステップ（ｆ）または（ｇ）で更新した前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記欠陥管理領域に記録するステップとをさらに含む。
【発明の効果】
【００３８】
本発明によれば、先頭スペア領域と複数の中間スペア領域を物理ブロックアドレスの昇順に使用し、最終スペア領域を物理ブロックアドレスの降順に使用する。これにより、欠陥管理情報のサイズを小さくするとともに、スペア領域の拡張を容易に行うことができる。【００３９】
また、本発明によれば、複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレス（スペア領域次使用ブロックアドレス）を、ＤＤＳ領域ではなく、ＤＦＬ領域に記録しておく。これにより、スペア領域次使用ブロックアドレスの書換え回数がそのＤＦＬ領域の繰り返し記録可能回数を超えた場合でも、欠陥管理領域内の複数のＤＦＬ領域のうちの別のＤＦＬ領域を新たに使用することで、スペア領域次使用ブロックアドレスの書換え（更新）を引き続き行うことができる。また、ＤＤＳ領域には、複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域を指し示すポインタ情報を記録する。新たなＤＦＬ領域が使用されることとなった場合には、そのポインタ情報の書換え（更新）を行うことで、欠陥管理領域において固定位置に１つしか配置されないＤＤＳ領域での書換え回数を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】（ａ）および（ｂ）は、本発明の実施の形態における情報記録媒体を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態における情報記録媒体の欠陥管理領域を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態における情報記録装置を示す図である。
【図４】（ａ）から（ｈ）は、本発明の実施の形態における交替記録の動作を示す図である。
【図５】（ａ）および（ｂ）は、本発明の実施の形態における交替記録の動作を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態における情報再生装置を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態における交替記録処理を示すフローチャートである。
【図８】本発明の実施の形態における欠陥管理情報の再生処理を示すフローチャートである。
【図９】本発明の実施の形態における交替記録処理を示すフローチャートである。
【図１０】本発明の実施の形態におけるスペア領域の拡張を示す図である。
【図１１】ＢＤ−ＲＥの構成を示す図である。
【図１２】（ａ）および（ｂ）は、ＢＤ−ＲＥにおける交替記録の動作例を示す図である。
【図１３】ＢＤ−Ｒの構成を示す図である。
【図１４】（ａ）および（ｂ）は、ＢＤ−Ｒにおける交替記録の動作例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００４２】
（実施の形態１）
図１（ａ）は、本発明の実施の形態１における情報記録媒体１００を示す図である。情報記録媒体１００は例えば光ディスクであり、複数の記録層Ｌ０、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３を備える。情報記録媒体１００は、ユーザデータ領域１０１、先頭スペア領域１０２、複数の中間スペア領域１０３、最終スペア領域１０４を備える。また、情報記録媒体１００は、ＤＭＡ（欠陥管理領域）１、ＤＭＡ２、ＤＭＡ３、ＤＭＡ４を備え、それらは参照符号１０５、１０６、１０７、１０８で表される。
【００４３】
ユーザデータ領域１０１は、ユーザデータを記録するため領域である。スペア領域１０２、１０３、１０４は、ユーザデータ領域１０１に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための領域であり、その欠陥ブロックの代わりにデータが記録される。スペア領域１０２、１０３、１０４は、第１スペア領域〜第ｎスペア領域とも表される（ｎは４以上の整数）。図１（ａ）に示す例ではｎは８であり、先頭スペア領域１０２は第１スペア領域に対応し、６個の中間スペア領域１０３は第２〜第７スペア領域に対応し、最終スペア領域１０４は第８スペア領域に対応する。最終スペア領域１０４は、複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているスペア領域である。
【００４４】
情報記録媒体１００はセクタ構造を有しており、１セクタまたは数セクタを記録再生の最小単位としている。以下、記録再生の最小単位をブロックと呼び、ブロックに対して記録再生方向に昇順に割り当てられたアドレスを物理ブロックアドレスと呼ぶ。
【００４５】
図１（ａ）の情報記録媒体１００はオポジットトラックパスを採用しており、Ｌ０層およびＬ２層ではディスク内周側から外周側に向かって増加するように物理ブロックアドレスが割り当てられており、Ｌ１層およびＬ３層では外周側から内周側に向かって増加するように物理ブロックアドレスが割り当てられている。
【００４６】
ユーザデータ領域１０１内の欠陥ブロックは、先頭スペア領域１０２、複数の中間スペア領域１０３、最終スペア領域１０４のいずれかのスペア領域内のブロックに交替記録される。このような交替記録は、後述する情報記録装置により行われる。交替記録では、先頭スペア領域１０２と複数の中間スペア領域１０３は物理ブロックアドレスの昇順に使用され、最終スペア領域１０４は物理ブロックアドレスの降順に使用される。すなわち、先頭スペア領域１０２または複数の中間スペア領域１０３に交替する場合は、交替先のスペア領域内で物理ブロックアドレスが最も小さい未使用のブロックに交替記録される。また、最終スペア領域１０４に交替する場合は、最終スペア領域１０４内で物理ブロックアドレスが最も大きい未使用のブロックに交替記録される。
【００４７】
なお、スペア領域内の使用中ブロックが未使用に変換されるなどして、使用中ブロックと未使用ブロックが混在する場合がある。このような場合は、スペア領域内の交替先ブロックの選択として、先頭スペア領域１０２および複数の中間スペア領域１０３においては、物理ブロックアドレスが最大の使用中ブロックの次に物理ブロックアドレスが大きい未使用ブロックを選択してもよい。また、最終スペア領域１０４においては、物理ブロックアドレスが最小の使用中ブロックの次に物理ブロックアドレスが小さい未使用ブロックを選択してもよい。
【００４８】
ユーザデータ領域１０１の欠陥ブロックが先頭スペア領域１０２、複数の中間スペア領域１０３、最終スペア領域１０４に交替記録されていることを示す情報は、欠陥リストとしてＤＭＡ１〜ＤＭＡ４（１０５〜１０８）に記録される。
【００４９】
図２は、情報記録媒体１００が書き換え可能型であった場合の欠陥管理領域ＤＭＡの構成例を示した図である。ＤＭＡは、ディスク定義構造（ＤＤＳ）領域と複数の欠陥リスト（ＤＦＬ）領域を備える。ＤＭＡ１〜ＤＭＡ４（１０５〜１０８）には同じ情報が多重記録される。
【００５０】
ＤＤＳ領域には、複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域の位置を指し示すポインタ情報（有効ＤＦＬ領域情報や位置情報とも称される）が記録されており、そのポインタ情報で位置が指し示されるＤＦＬ領域が有効になる。有効なＤＦＬ領域とは例えば現在使用中のＤＦＬ領域である。このようにＤＤＳ領域と複数のＤＦＬ領域を用いることにより、繰り返し記録回数を向上させることが可能である。例えば、情報記録媒体１００の繰り返し記録可能回数が１０００回であった場合に、４つのＤＦＬ領域を使用すると各ＤＦＬ領域で１０００回の繰り返し記録が可能なので、計４０００回の繰り返し記録が可能となる。
【００５１】
有効なＤＦＬ領域には、複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示すアドレス情報が記録される。次に使用するブロックとは、次に新たな欠陥ブロックが検出された場合に交替記録のために使用されるブロックである。このような次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示すアドレス情報を使用することにより、スペア領域のうちの次に使用可能なブロックの選択を容易にすることが可能になる。先頭スペア領域（第１スペア領域）と中間スペア領域（第２〜第（ｎ−１）スペア領域）における次に使用するブロックの物理ブロックアドレスは、そのスペア領域を消費するたびに増加する。一方、最終スペア領域（第ｎスペア領域）における次に使用するブロックの物理ブロックアドレスは、最終スペア領域を消費するたびに減少する。このような、ＤＤＳ領域へのポインタ情報の記録および更新、有効なＤＦＬ領域への上記アドレス情報の記録および更新は、後述する情報記録装置により行われる。
【００５２】
上記アドレス情報（スペア領域次使用ブロックアドレス）は、スペア領域が使用され、次に使用するブロックの物理ブロックアドレスが変わると、更新される。したがって、スペア領域次使用ブロックアドレスの書換え（更新）は、比較的頻繁に行われる。
【００５３】
ここで、スペア領域次使用ブロックアドレスがＤＤＳ領域に記録される場合を考えると、ＤＤＳ領域での書換えが頻繁に行われることになる。例えば、情報記録媒体１００の繰り返し記録可能回数が１０００回であった場合、ＤＤＳ領域におけるスペア領域次使用ブロックアドレスの書換えは、１０００回しかできないことになる。これは、欠陥管理領域において、ＤＤＳ領域は固定位置に１つしか配置されないため、別の場所に新たにＤＤＳ領域を設けることはできないためである。このため、スペア領域に使用可能な領域がまだ残っていたとしても、ＤＤＳ領域における書換えが繰り返し記録可能回数を超えたためにＤＤＳ領域の劣化が生じ、スペア領域次使用ブロックアドレスの更新ができなくなり、それ以上の交替処理を行えなくなるといった課題を生じる。
【００５４】
しかし、本発明のように、複数のスペア領域の各々の次に使用するブロックの物理ブロックアドレス（スペア領域次使用ブロックアドレス）を、ＤＤＳ領域ではなく、ＤＦＬ領域に記録する構成であれば、上記の課題を解決することができる。
【００５５】
すなわち、ＤＦＬ領域にスペア領域次使用ブロックアドレスを記録することで、もし、ＤＦＬ領域においてスペア領域次使用ブロックアドレスの書換えが繰り返し記録可能回数を超えた場合でも、欠陥管理領域内の複数のＤＦＬ領域のうちの別のＤＦＬ領域を新たに使用することで、スペア領域次使用ブロックアドレスの書換え（更新）をさらに行うことができる。また、ＤＤＳ領域には、複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域を指し示すポインタ情報を記録する。新たなＤＦＬ領域が使用されることとなった場合には、そのポインタ情報の書換え（更新）を行う。このような構成により、欠陥管理領域において固定位置に１つしか配置されないＤＤＳ領域での書換え回数を低減できる。
【００５６】
なお、ＤＤＳ領域は欠陥管理領域において固定位置に１つしか配置されないものであるが、複数の欠陥管理領域がある場合は、ＤＤＳ領域も複数となる場合もあり得る。この場合、複数の欠陥管理領域のそれぞれのＤＤＳ領域には、同一内容の情報が同時に多重記録される。したがって、複数の欠陥管理領域がありＤＤＳ領域も複数ある場合でも、１つのＤＤＳ領域への情報更新回数は、ＤＤＳ領域が１つしかない場合（欠陥管理領域が１つの場合）と同じである。
【００５７】
また、１つのＤＤＳ領域内に同一内容の情報が多重記録される場合もあるが、多重記録している情報は同時に更新されるため、情報更新回数は多重記録していない場合と同じである。
【００５８】
本実施の形態においては、四層の情報記録媒体を説明したが、四層に限らず二層以上の情報記録媒体であれば、本発明は同様に実現可能である。例えば、三層の情報記録媒体でも同様に実現可能である。
【００５９】
図１（ｂ）は、本実施の形態における三層の記録層を有する情報記録媒体１００を示す図である。同様の構成要素には同様の参照符号を付し、詳細な説明の繰り返しは省略する。
【００６０】
図１（ｂ）の情報記録媒体１００はオポジットトラックパスを採用しており、Ｌ０層とＬ２層ではディスク内周側から外周側に向かって増加するように物理ブロックアドレスが割り当てられており、Ｌ１層では外周側から内周側に向かって増加するように物理ブロックアドレスが割り当てられている。
【００６１】
ユーザデータ領域１０１内の欠陥ブロックは、先頭スペア領域１０２、複数の中間スペア領域１０３、最終スペア領域１０４のいずれかのスペア領域内のブロックに交替記録される。このとき、先頭スペア領域１０２と複数の中間スペア領域１０３は物理ブロックアドレスの昇順に使用され、最終スペア領域１０４は物理ブロックアドレスの降順に使用される。すなわち、先頭スペア領域１０２または複数の中間スペア領域１０３に交替記録する場合は、交替先のスペア領域内で物理ブロックアドレスが最も小さい未使用のブロックに交替記録を行う。また、最終スペア領域１０４に交替する場合は、最終スペア領域１０４内で物理ブロックアドレスが最も大きい未使用のブロックに交替記録を行う。
【００６２】
また、オポジットトラックパスに限らずパラレルトラックパスであっても、本発明は同様に実現可能である。
【００６３】
（実施の形態２）
図３は、本発明の実施の形態２における情報記録装置３００を示すブロック図である。
【００６４】
図３において、ディスクモータ３０２は情報記録媒体１００を回転させる。光ヘッド３０３は、情報記録媒体１００の記録層にレーザ光を照射する照射部として機能するとともに、情報記録媒体１００に対してデータの記録および再生を行う記録部および再生部として機能する。サーボ制御部３０４は、ディスクモータ３０２の回転駆動を制御しながら、光ヘッド３０３を目的のトラックに移動させてレーザスポットの追従処理を行う。再生制御部３０５は、光ヘッド３０３により検出した再生信号を復調して再生データを取り出し、バッファ３０７に格納する。記録制御部３０６は、バッファ３０７に格納されている記録用データを変調し、光ヘッド３０３を制御して情報記録媒体１００にデータを記録する。システム制御部３０８は情報記録装置３００全体の制御を行う。
【００６５】
情報記録装置３００が情報記録媒体１００にデータを記録する際に、連続する欠陥ブロックを検出して、先頭スペア領域１０２または複数の中間スペア領域１０３のいずれかのスペア領域に交替処理を行うときの動作を、図４を参照しながら説明する。
【００６６】
ユーザデータ領域１０１内で最初に検出した欠陥ブロックの物理ブロックアドレスがＥ１であり、交替先のスペア領域の未使用ブロックの中で物理ブロックアドレスが最小のブロックがＦ１であったとき、図４（ａ）に示すように、ユーザデータ領域のブロックＥ１をスペア領域のブロックＦ１に交替記録する。そして、図４（ｂ）に示すように、ブロックＥ１がブロックＦ１に交替されていることを示すＲＡＤエントリを生成して欠陥リスト（ＤＦＬ）に登録する。
【００６７】
欠陥ブロックＥ１に続くブロックＥ２も欠陥ブロックであったとき、図４（ｃ）に示すように、ユーザデータ領域のブロックＥ２をスペア領域のブロックＦ１に続くブロックＦ２に交替記録する。そして、図４（ｄ）に示すように、ブロックＥ２がブロックＦ２に交替されていることを示すように欠陥リストを更新する。このとき、ブロックＥ１がブロックＦ１に交替されていることを示すＲＡＤエントリと結合させて、ブロックＥ１〜Ｅ２がブロックＦ１〜Ｆ２に交替されていることを示すＣＲＤエントリにする。なお、この段階ではＣＲＤエントリを使わずに、ブロックＥ２がブロックＦ２に交替されていることを示すＲＡＤエントリを追加して、２つのＲＡＤエントリにしてもよい。なお、ＣＲＤエントリは連続交替エントリとも称される。
【００６８】
欠陥ブロックＥ２に続くブロックＥ３も欠陥ブロックであったとき、図４（ｅ）に示すように、ユーザデータ領域のブロックＥ３をスペア領域のブロックＦ２に続くブロックＦ３に交替記録する。そして、図４（ｆ）に示すように、ブロックＥ３がブロックＦ３に交替されていることを示すように欠陥リストを更新する。このとき、ＣＲＤエントリを使用して、ブロックＥ１〜Ｅ３がブロックＦ１〜Ｆ３に交替されていることを示すようにする。
【００６９】
欠陥ブロックＥ３に続くブロックＥ４も欠陥ブロックであったとき、図４（ｇ）に示すように、ユーザデータ領域のブロックＥ４をスペア領域のブロックＦ３に続くブロックＦ４に交替記録する。そして、図４（ｈ）に示すように、ブロックＥ４がブロックＦ４に交替されていることを示すように欠陥リストを更新する。このとき、ＣＲＤエントリを使用して、ブロックＥ１〜Ｅ４がブロックＦ１〜Ｆ４に交替されていることを示すようにする。
【００７０】
上述したように、ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックから、最終スペア領域以外のスペア領域（第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ））へ交替記録する場合は、第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックに一括して交替記録する。すなわち、欠陥管理領域から読み出した欠陥リストが示す次に使用するブロックからアドレスの昇順に連続したブロックを選択し、それら選択したブロックに一括して交替記録する。
【００７１】
このように、連続する欠陥ブロックを、先頭スペア領域１０２または複数の中間スペア領域１０３のいずれかのスペア領域に交替記録する場合に、交替先のスペア領域を物理ブロックアドレスの昇順に使用するため、欠陥エントリとしてＣＲＤエントリを使用することができ、欠陥リストを短くすることが可能である。
【００７２】
情報記録装置３００が情報記録媒体１００にデータを記録する際に、連続する欠陥ブロックを検出して、最終スペア領域１０４に交替処理を行うときの動作を、図５を参照しながら説明する。
【００７３】
図５（ａ）を参照して、ユーザデータ領域１０１内で最初に検出した欠陥ブロックの物理ブロックアドレスがＧ１であった場合に、直ちに交替処理を行わず、次のブロックが欠陥ブロックであるかを検査する。
【００７４】
次の物理ブロックアドレスＧ２のブロックも欠陥ブロックであった場合は、さらに後続のブロックが欠陥ブロックであるかを検査する。
【００７５】
このように、記録するデータ分のブロックを、正常ブロックが見つかるまで欠陥ブロックであるか検査する。
【００７６】
図５（ａ）に示す例では、ブロックＧ１〜ブロックＧ３までが欠陥ブロックで、ブロックＧ４が正常ブロックと検出されている。最終スペア領域１０４の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているブロックＨ３を検出し、そのブロックＨ３を含む連続した３つのブロックＨ１〜Ｈ３を選択する。そして、連続した欠陥ブロックＧ１〜Ｇ３の記録データを、連続したブロックＨ１〜Ｈ３へ一括して交替記録する。
【００７７】
最終スペア領域１０４は、物理ブロックアドレスの降順に消費するため、まず、ブロックＨ３よりもアドレスが小さいブロックＨ２〜Ｈ１を選択する。すなわち、欠陥管理領域から読み出した欠陥リストが示す次に使用するブロックからアドレスの降順に連続したブロックを選択する。そして交替記録するときは、欠陥ブロックＧ１をブロックＨ１へ交替し、欠陥ブロックＧ２をブロックＨ２へ交替し、欠陥ブロックＧ３をブロックＨ３へ交替する。このように、降順に連続したブロックに対して、アドレスの昇順に一括して交替記録することで、最終スペア領域１０４に対してもＣＲＤエントリを使用することができる。
【００７８】
そして、図５（ｂ）に示すように、ブロックＧ１〜Ｇ３がブロックＨ１〜Ｈ３に交替されていることを示すようにＣＲＤエントリを生成する。
【００７９】
このように、最終スペア領域１０４に交替記録する場合に、欠陥ブロックが連続していれば昇順に一括して交替記録することにより、欠陥エントリとしてＣＲＤエントリを使用することができ、欠陥リストを短くすることが可能である。
【００８０】
但し、情報記録装置３００のバッファ３０７に格納可能な記録データ量を超えるブロックを一括して交替記録することはできないため、先頭スペア領域１０２および中間スペア領域１０３に交替記録する場合と比較して、最終スペア領域１０４に交替記録する場合は、ＣＲＤエントリとしてまとめられるブロック数が制限される。
【００８１】
図６は、情報記録媒体１００からデータを再生する情報再生装置６００を示す図である。
【００８２】
図６において、ディスクモータ６０２は情報記録媒体１００を回転させる。光ヘッド６０３は、情報記録媒体１００の記録層にレーザ光を照射する照射部として機能するとともに、情報記録媒体１００からデータの再生を行う再生部として機能する。サーボ制御部６０４は、ディスクモータ６０２の回転駆動を制御しながら、光ヘッド６０３を目的のトラックに移動させてレーザスポットの追従処理を行う。再生制御部６０５は、光ヘッド６０３により検出した再生信号を復調して再生データを取りだし、バッファ６０６に格納する。システム制御部６０７は情報再生装置６００全体の制御を行う。
【００８３】
情報再生装置６００は、情報記録媒体１００のＤＭＡ１〜ＤＭＡ４（１０５〜１０８）を再生して欠陥管理情報を取得する。そして、欠陥管理情報の欠陥リストに登録されている欠陥ブロックから情報を再生する代わりに、欠陥管理情報の欠陥リストに登録されている交替先ブロックから情報を再生する。
【００８４】
欠陥管理情報に記録されているユーザデータ領域１０１の欠陥ブロックを再生する場合は、欠陥管理情報に記録されている先頭スペア領域１０２、中間スペア領域１０３、最終スペア領域１０４のいずれかの交替先ブロックからデータ再生を行う。このとき、ＣＲＤエントリが使用されていれば、連続したブロックが交替記録されているものとして再生を行う。
【００８５】
図７は、情報記録装置３００がユーザデータ領域１０１への記録中に欠陥ブロックを検出した際の、交替記録処理の一例を示したフローチャートである。以下、図７を参照して、交替記録処理を説明する。
【００８６】
ステップ７０１では、交替先のスペア領域を選択する。スペア領域の選択方法としては、欠陥ブロックと同一の記録層で距離が近い側のスペア領域を選択することができる。もし、欠陥ブロックと同一の記録層で近い側のスペア領域に未使用ブロックが残っていない場合は、欠陥ブロックと同一の記録層で遠い側のスペア領域を選択してもよい。あるいは、欠陥ブロックとは異なる記録層で距離が最も近いスペア領域を選択するようにしてもよい。また、ＣＲＤエントリを使用することができる可能性の高い先頭スペア領域１０２および中間スペア領域１０３を、最終スペア領域１０４よりも優先して選択するようにしてもよい。
【００８７】
ステップ７０２では、ステップ７０１で選択したスペア領域が最終スペア領域１０４であるかを判定する。もし、最終スペア領域１０４ではない、すなわち、先頭スペア領域１０２および中間スペア領域１０３のいずれかのスペア領域である場合はステップ７０３に進み、最終スペア領域１０４である場合はステップ７０４に進む。
【００８８】
ステップ７０３では、ステップ７０１で選択したスペア領域の物理ブロックアドレスが最小の未使用ブロックを、交替先ブロックとして選択する。
【００８９】
ステップ７０４では、ステップ７０１で選択したスペア領域の物理ブロックアドレスが最大の未使用ブロックを、交替先ブロックとして選択する。
【００９０】
ステップ７０５では、欠陥ブロックに記録する予定であった記録データを、ステップ７０４で選択した交替先ブロックに交替記録する。
【００９１】
ステップ７０６では、欠陥ブロックの記録データが交替先ブロックに記録されていることを示すように欠陥管理情報を更新する。このとき、欠陥ブロックの直前のブロックも交替記録されていて、欠陥エントリとしてＣＲＤエントリが使用できる場合は、ＣＲＤエントリを使用する。
【００９２】
ステップ７０７では、ステップ７０６で更新した欠陥管理情報をＤＭＡ１〜ＤＭＡ４（１０５〜１０８）に記録する。
【００９３】
以上のステップのように、欠陥ブロックを検出した際の交替記録が行われる。
【００９４】
なお、欠陥ブロックが連続している場合は、ステップ７０３またはステップ７０４で、連続した未使用ブロックを交替先ブロックとして選択し、ステップ７０５で一括して交替記録することも可能である。
【００９５】
次に、図２に示したような構成の欠陥管理領域ＤＭＡを備えた情報記録媒体１００の交替記録処理の一例を、図８および図９に示すフローチャートを用いて説明する。
【００９６】
図８は、情報記録媒体１００を装置へ装着した時などに実行される欠陥管理情報を読み出す処理の一例を示したフローチャートである。
【００９７】
ステップ８０１では、ＤＭＡのＤＤＳ領域を再生してポインタ情報を取得し、ポインタ情報が示す有効なＤＦＬ領域を特定する。すなわち、ＤＤＳ領域から、有効なＤＦＬ領域の位置情報を再生する。
【００９８】
ステップ８０２では、ステップ８０１で取得した有効なＤＦＬ領域から、欠陥管理情報として、各スペア領域の次に使用するブロックの物理ブロックアドレスと、欠陥リストとを再生する。再生した各スペア領域の次に使用するブロックの物理ブロックアドレスと、欠陥リストとは、バッファ３０７に格納する。
【００９９】
図９は、ユーザデータ領域１０１への記録中に欠陥ブロックを検出した際の、交替記録処理の一例を示したフローチャートである。
【０１００】
ステップ９０１では、交替先のスペア領域を選択する。スペア領域の選択方法は、ステップ７０１と同様にできる。
【０１０１】
ステップ９０２では、選択したスペア領域における次に使用するブロックの物理ブロックアドレスで示されるブロックへ交替記録する。
【０１０２】
ステップ９０３では、ステップ９０１で選択したスペア領域が最終スペア領域１０４であるかを判定する。もし、最終スペア領域１０４ではない、すなわち先頭スペア領域１０２および中間スペア領域１０３のいずれかのスペア領域である場合は、ステップ９０４に進み、最終スペア領域１０４である場合はステップ９０５に進む。
【０１０３】
ステップ９０４では、ステップ９０１で選択したスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示すアドレス情報を更新する。具体的には、スペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示すアドレス情報を、交替記録に使用したブロック数加えた値に更新する。これにより、未使用のブロックのうちの物理ブロックアドレスが最も小さいブロックが示されるように上記アドレス情報が更新される。
【０１０４】
ステップ９０５では、最終スペア領域１０４において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示すアドレス情報を更新する。具体的には、最終スペア領域１０４において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示すアドレス情報を、交替記録に使用したブロック数減じた値に更新する。これにより、未使用のブロックのうちの物理ブロックアドレスが最も大きいブロックが示されるように上記アドレス情報が更新される。
【０１０５】
ステップ９０６では、欠陥ブロックの記録データが交替先ブロックに記録されていることを示すエントリを欠陥リストに追加して欠陥管理情報を更新する。
【０１０６】
ステップ９０７では、ステップ９０４またはステップ９０５で更新されたスペア領域の次に使用するブロックの物理ブロックアドレスと、ステップ９０６で更新された欠陥リストとを、欠陥管理情報としてＤＭＡ１〜ＤＭＡ４（１０５〜１０８）の有効なＤＦＬ領域に記録する。
【０１０７】
以上のステップのように、欠陥ブロックを検出した際の交替記録が行われる。
【０１０８】
なお、連続した欠陥ブロックを先頭スペア領域１０２または中間スペア領域１０３に交替記録する場合は、そのスペア領域における次に使用するブロックから連続したブロックに昇順に交替記録する。また、連続した欠陥ブロックを最終スペア領域１０４に交替記録する場合は、次のように交替記録を行うとよい。連続した欠陥ブロック数がｍ個である場合は、まず、最終スペア領域における次に使用するブロックの物理ブロックアドレスから、ｍ−１個のブロック分のアドレスを減じて得られるアドレスのブロックを選択する。そして、その選択したブロックから連続したブロックに昇順に交替記録する。これにより、アドレス情報が示す次に使用するブロックを含む連続したブロックに、昇順に一括して交替記録することが可能である。
【０１０９】
なお、連続した欠陥ブロックを一括して交替記録する場合に、最終スペア領域１０４を降順に使用してもよいが、この場合は欠陥リストのサイズが大きくなる。
【０１１０】
次に、情報記録装置３００が情報記録媒体１００のスペア領域を拡張する動作を、図１０を参照しながら説明する。
【０１１１】
情報記録媒体１００の最終スペア領域１０４とユーザデータ領域１０１の境界を、図１０に示すように、最終スペア領域１０４のサイズを拡大する方向に移動させる。これは、最終スペア領域１０４とユーザデータ領域１０１の境界の物理ブロックアドレス情報を更新することにより実現してもよいし、最終スペア領域１０４のサイズ情報を更新することにより実現してもよい。
【０１１２】
情報記録媒体１００の最終スペア領域１０４は物理ブロックアドレスの降順に使用するため、ユーザデータ領域１０１から離れている側から消費される。従って、ユーザデータ領域１０１に近い側は未使用のままになっている。このため、図１０に示すように、最終スペア領域１０４とユーザデータ領域１０１の境界を最終スペア領域１０４が拡大する方向に移動させたときに拡張された領域が、拡張前の最終スペア領域１０４の未使用ブロックと連続になる。故に、最終スペア領域１０４とユーザデータ領域１０１の境界情報を更新するだけで容易にスペア領域を拡張できる。
【０１１３】
次に、本発明の多層情報記録媒体の製造方法について説明する。アドレス信号やコントロールデータに応じた、情報信号を記録するためのトラックが設けられたＬ０層、Ｌ１層、Ｌ２層、Ｌ３層をこの順で、ディスク基板上に形成する。これにより、ユーザデータ領域、欠陥管理領域、スペア領域が、図１(ａ)および(ｂ)のいずれかに示す配置となる記録層を製造できる。なお、記録層と記録層の間には、中間層などが形成されてもよい。また記録層の上にカバー層が形成されてもよい。
【０１１４】
以上説明したように、本発明の多層情報記録媒体は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域は、物理ブロックアドレスの降順に使用され、前記第ｎスペア領域以外の前記第１スペア領域〜第ｎ−１スペア領域は、物理ブロックアドレスの昇順に使用される。
【０１１５】
ある実施形態によれば、前記多層情報記録媒体は、欠陥管理領域をさらに含み、前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録される。
【０１１６】
ある実施形態によれば、前記多層情報記録媒体は、欠陥リストが記録される欠陥管理領域をさらに含み、前記欠陥リストは、前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックと前記スペア領域の連続したブロックとの間で交替記録が行われていることを示す連続交替エントリを含む。
【０１１７】
本発明の情報記録装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域へ交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有するブロックへ交替記録し、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）へ交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有するブロックへ交替記録する。
【０１１８】
本発明の情報記録方法は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に記録する情報記録方法であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記情報記録方法は、（ａ）前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから前記複数のスペア領域のうちのどのスペア領域へ交替記録するかを選択するステップと、（ｂ）前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域である場合には、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有するブロックを選択するステップと、（ｃ）前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合には、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有するブロックを選択するステップと、（ｄ）前記ステップ（ｂ）または（ｃ）で選択したブロックへ交替記録するステップとを含む。
【０１１９】
本発明の情報再生装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体から情報を再生する情報再生装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、欠陥管理情報を格納するための欠陥管理領域とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域は、物理ブロックアドレスの降順に使用され、前記第ｎスペア領域以外の前記第１スペア領域〜第ｎ−１スペア領域は、物理ブロックアドレスの昇順に使用され、前記情報再生装置は、前記欠陥管理領域から前記欠陥管理情報を読み出し、前記欠陥管理情報に登録されている欠陥ブロックから情報を再生する代わりに、前記欠陥管理情報に登録されている交替先ブロックから情報を再生する。
【０１２０】
本発明の情報記録装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、欠陥管理領域とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録されており、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域へ交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域の前記次に使用するブロックへ交替記録し、前記第ｎスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数減じた値に更新し、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）へ交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域の前記次に使用するブロックへ交替記録し、前記第ｉスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数加えた値に更新する。
【０１２１】
本発明の情報記録方法は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録方法であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、欠陥管理領域とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録されており、前記情報記録方法は、（ａ）前記欠陥管理領域から前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を読み出すステップと、（ｂ）前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから前記複数のスペア領域のうちのどのスペア領域へ交替記録するかを選択するステップと、（ｃ）前記ステップ（ｂ）で選択したスペア領域の前記次に使用するブロックへ交替記録するステップと、（ｄ）前記ステップ（ｂ）で選択したスペア領域が、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域である場合には、前記第ｎスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数減じた値に更新するステップと、（ｅ）前記ステップ（ｂ）で選択したスペア領域が、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合には、前記第ｉスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数加えた値に更新するステップと、（ｆ）前記ステップ（ｄ）または（ｅ）で更新した前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記欠陥管理領域に記録するステップとを含む。
【０１２２】
本発明の多層情報記録媒体は、前記情報記録装置により情報が記録される複数の記録層を備えた多層情報記録媒体であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記多層情報記録媒体は、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を記録するための欠陥管理領域をさらに含む。
【０１２３】
本発明の情報再生装置は、前記多層情報記録媒体から情報を再生する情報再生装置であって、前記情報再生装置は、前記欠陥管理領域から欠陥管理情報を読み出し、前記欠陥管理情報に登録されている欠陥ブロックから情報を再生する代わりに、前記欠陥管理情報に登録されている交替先ブロックから情報を再生する。
【０１２４】
本発明の多層情報記録媒体は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、ＤＤＳ領域および複数のＤＦＬ領域を含む欠陥管理領域とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記ＤＤＳ領域には、前記複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域を示すポインタ情報が記録され、前記有効なＤＦＬ領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録される。
【０１２５】
本発明の情報記録装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、ＤＤＳ領域および複数のＤＦＬ領域を含む欠陥管理領域とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記情報記録装置は、前記複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域を示すポインタ情報を前記ＤＤＳ領域に記録し、前記有効なＤＦＬ領域に、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を記録する。
【０１２６】
本発明の情報記録方法は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に記録する情報記録方法であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、ＤＤＳ領域および複数のＤＦＬ領域を含む欠陥管理領域とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記情報記録方法は、前記複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域を示すポインタ情報を前記ＤＤＳ領域に記録するステップと、前記有効なＤＦＬ領域に、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を記録するステップとを含む。
【０１２７】
本発明の情報再生装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体から情報を再生する情報再生装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、ＤＤＳ領域および複数のＤＦＬ領域を含む欠陥管理領域とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記ＤＤＳ領域は、前記複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域を示すポインタ情報を含み、前記有効なＤＦＬ領域は、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を含み、前記情報再生装置は、前記ＤＤＳ領域から前記ポインタ情報を再生し、前記ポインタ情報が示す前記有効なＤＦＬ領域から、前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を再生する。
【０１２８】
本発明の情報記録装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックから、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域へ交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックに一括して交替記録し、前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックから、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）へ交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックに一括して交替記録する。
【０１２９】
ある実施形態によれば、前記多層情報記録媒体は、欠陥管理領域をさらに含み、前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録されており、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の前記連続した欠陥ブロックから、前記第ｎスペア領域へ交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域の前記次に使用するブロックから前記アドレスの降順に連続したブロックを選択し、前記降順に連続したブロックに対して、前記アドレスの昇順に一括して交替記録し、前記第ｎスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数減じた値に更新し、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の前記連続した欠陥ブロックから、前記第ｉスペア領域へ交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域の前記次に使用するブロックから前記アドレスの昇順に一括して交替記録し、前記第ｉスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数加えた値に更新する。
【０１３０】
本発明の情報記録方法は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録方法であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記情報記録方法は、（ａ）前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックから、前記複数のスペア領域のうちのどのスペア領域へ交替記録するかを選択するステップと、（ｂ）前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域である場合には、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックを選択するステップと、（ｃ）前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合には、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックを選択するステップと、（ｄ）前記ステップ（ｂ）または（ｃ）で選択した連続したブロックに一括して交替記録するステップとを含む。
【０１３１】
ある実施形態によれば、前記多層情報記録媒体は、欠陥管理領域をさらに含み、前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録されており、前記情報記録方法は、（ｅ）前記欠陥管理領域から前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を読み出すステップ、をさらに含み、前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が前記第ｎスペア領域である場合には、前記ステップ（ｂ）は、前記第ｎスペア領域の前記次に使用するブロックから前記アドレスの降順に連続したブロックを選択するステップを含み、前記ステップ（ｄ）は、前記降順に連続したブロックに対して、前記アドレスの昇順に一括して交替記録するステップを含み、前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が前記第ｉスペア領域である場合には、前記ステップ（ｄ）は、前記第ｉスペア領域の前記次に使用するブロックから前記アドレスの昇順に一括して交替記録するステップを含み、前記情報記録方法は、（ｆ）前記第ｎスペア領域を用いて交替記録を行った場合には、前記第ｎスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録したブロック数減じた値に更新するステップと、（ｇ）前記第ｉスペア領域を用いて交替記録を行った場合には、前記第ｉスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録したブロック数加えた値に更新するステップと、（ｈ）前記ステップ（ｆ）または（ｇ）で更新した前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記欠陥管理領域に記録するステップとをさらに含む。
【０１３２】
また、本発明の多層情報記録媒体は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを交替記録するための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域）を含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域は物理ブロックアドレスの降順に使用され、前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）は物理ブロックアドレスの昇順に使用される。
【０１３３】
ある実施形態によれば、前記多層情報記録媒体は、さらに欠陥管理領域を含み、前記欠陥管理領域は、欠陥リストを含み、前記欠陥リストは、前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のいずれかのスペア領域の連続したブロックへ交替記録されていることを示す連続交替エントリをもつ。
【０１３４】
ある実施形態によれば、前記多層情報記録媒体は、さらに欠陥管理領域を含み、前記欠陥管理領域は、前記複数のスペア領域の各々に対して次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を含む。
【０１３５】
ある実施形態によれば、前記欠陥管理領域は、ＤＤＳ領域と複数のＤＦＬ領域から構成され、前記ＤＤＳ領域は、前記複数のＤＦＬ領域のうち有効なＤＦＬ領域を指し示すポインタ情報を含み、前記有効なＤＦＬ領域は、前記複数のスペア領域の各々に対して次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を含む。
【０１３６】
ある実施形態によれば、前記多層情報記録媒体は、書き換え可能型である。
【０１３７】
ある実施形態によれば、前記多層情報記録媒体は、オポジットトラックパスである。
【０１３８】
本発明の情報記録装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に記録する情報記録装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを交替記録するための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域）を含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域に交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有するブロックに交替記録し、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）に交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有するブロックに交替記録する。
【０１３９】
本発明の情報記録装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に記録する情報記録装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを交替記録するための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域）を含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域に交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックに一括して交替記録し、前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）に交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックに一括して交替記録する。
【０１４０】
本発明の情報記録装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に対する情報記録装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを交替記録するための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域）と、欠陥管理領域を含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記欠陥管理領域には、少なくとも前記複数のスペア領域の各々に対して次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報が記録されており、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域に交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報で示されるブロックに交替記録して前記第ｎスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を交替記録したブロック数減じた値に更新し、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）に交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報で示されるブロックに交替記録して前記第ｉスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を交替記録したブロック数加えた値に更新する。
【０１４１】
本発明の情報記録装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に対する情報記録装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを交替記録するための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域）と、欠陥管理領域を含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記欠陥管理領域には、少なくとも前記複数のスペア領域の各々に対して次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報が記録されており、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域に交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報で示されるブロックから交替記録するブロック数を減じたブロックから一括して交替記録して前記第ｎスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を交替記録したブロック数減じた値に更新し、前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）に交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報で示されるブロックから一括して交替記録して前記第ｉスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を交替記録したブロック数加えた値に更新する。
【０１４２】
本発明の情報記録装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に対する情報記録装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを交替記録するための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域）と、ＤＤＳ領域と複数のＤＦＬ領域から構成される欠陥管理領域を含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記ＤＤＳ領域には、少なくとも前記複数のＤＦＬ領域のうち有効なＤＦＬ領域を指し示すポインタ情報が記録されており、前記有効なＤＦＬ領域には、少なくとも前記複数のスペア領域の各々に対して次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報が記録されており、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域に交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報で示されるブロックに交替記録して前記第ｎスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を交替記録したブロック数減じた値に更新し、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）に交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報で示されるブロックに交替記録して前記第ｉスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を交替記録したブロック数加えた値に更新する。
【０１４３】
本発明の情報記録装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に対する情報記録装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを交替記録するための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域）と、ＤＤＳ領域と複数のＤＦＬ領域から構成される欠陥管理領域を含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記ＤＤＦ領域には、少なくとも前記複数のＤＦＬ領域のうち有効なＤＦＬ領域を指し示すポインタ情報が記録されており、前記有効なＤＦＬ領域には、少なくとも前記複数のスペア領域の各々に対して次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報が記録されており、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域に交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報で示されるブロックから交替記録するブロック数を減じたブロックから一括して交替記録して前記第ｎスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を交替記録したブロック数減じた値に更新し、前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）に交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報で示されるブロックから一括して交替記録して前記第ｉスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を交替記録したブロック数加えた値に更新する。
【０１４４】
本発明の情報記録方法は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に記録する情報記録方法であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを交替記録するための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域）を含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、（ａ）前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうちどのスペア領域に交替記録するかを選択するステップと、（ｂ）（ａ）で選択したスペア領域が前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域である場合に、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有するブロックを選択するステップと、（ｃ）（ａ）で選択したスペア領域が前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合に、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有するブロックを選択するステップと、（ｄ）（ｂ）または（ｃ）で選択したブロックに交替記録するステップとを含む。
【０１４５】
本発明の情報記録方法は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に対する情報記録方法であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを交替記録するための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域）を含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、（ａ）前記ユーザデータ領域における連続した欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうちどのスペア領域に交替記録するかを選択するステップと、（ｂ）（ａ）で選択したスペア領域が前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域である場合に、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックを選択するステップと、（ｃ）（ａ）で選択したスペア領域が前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合に、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックを選択するステップと、（ｄ）（ｂ）または（ｃ）で選択した連続したブロックに一括して交替記録するステップとを含む。
【０１４６】
本発明の情報記録方法は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に記録する情報記録方法であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを交替記録するための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域）と、欠陥管理領域を含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記欠陥管理領域には、少なくとも前記複数のスペア領域の各々に対して次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報が記録されており、（ａ）前記欠陥管理領域から前記複数のスペア領域の各々に対して次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を読み出すステップと、（ｂ）前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうちどのスペア領域に交替記録するかを選択するステップと、（ｃ）（ｂ）で選択したスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報で示されるブロックに交替記録するステップと、（ｄ）（ｂ）で選択したスペア領域が前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域である場合に、前記第ｎスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を（ｃ）で交替記録したブロック数減じた値に更新するステップと、（ｅ）（ｂ）で選択したスペア領域が前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合に、前記第ｉスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を（ｃ）で交替記録したブロック数加えた値に更新するステップと、（ｆ）（ｄ）または（ｅ）で更新した前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を前記欠陥管理領域に記録するステップとを含む。
【０１４７】
本発明の情報記録方法は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に記録する情報記録方法であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを交替記録するための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域）と、欠陥管理領域を含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記欠陥管理領域には、少なくとも前記複数のスペア領域の各々に対して次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報が記録されており、（ａ）前記欠陥管理領域から前記複数のスペア領域の各々に対して次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を読み出すステップと、（ｂ）前記ユーザデータ領域における連続した欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうちどのスペア領域に交替記録するかを選択するステップと、（ｃ）（ｂ）で選択したスペア領域が前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域である場合に、前記第ｎスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報で示されるブロックから交替記録するブロック数を減じたブロックから連続したブロックに交替記録し、（ｂ）で選択したスペア領域が前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合に、前記第ｉスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報で示されるブロックから連続したブロックに交替記録するステップと、（ｄ）（ｂ）で選択したスペア領域が前記第ｎスペア領域である場合に、前記第ｎスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を（ｃ）で交替記録したブロック数減じた値に更新するステップと、（ｅ）（ｂ）で選択したスペア領域が前記第ｉスペア領域である場合に、前記第ｉスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を（ｃ）で交替記録したブロック数加えた値に更新するステップと、（ｆ）（ｄ）または（ｅ）で更新した前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を前記欠陥管理領域に記録するステップとを含む。
【０１４８】
本発明の情報記録方法は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に記録する情報記録方法であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを交替記録するための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域）と、ＤＤＳ領域と複数のＤＦＬ領域から構成される欠陥管理領域を含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記ＤＤＳ領域には、少なくとも前記複数のＤＦＬ領域のうち有効なＤＦＬ領域を指し示すポインタ情報が記録されており、前記有効なＤＦＬ領域には、少なくとも前記複数のスペア領域の各々に対して次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報が記録されており、（ａ）前記ＤＤＳ領域から前記複数のＤＦＬ領域のうち有効なＤＦＬ領域を指し示すポインタ情報を読み出すステップと、（ｂ）（ａ）で読み出した有効なＤＦＬ領域を指し示すポインタ情報を基に前記有効なＤＦＬ領域から前記複数のスペア領域の各々に対して次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を読み出すステップと、（ｃ）前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうちどのスペア領域に交替記録するかを選択するステップと、（ｄ）（ｃ）で選択したスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報で示されるブロックに交替記録するステップと、（ｅ）（ｃ）で選択したスペア領域が前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域である場合に、前記第ｎスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を（ｄ）で交替記録したブロック数減じた値に更新するステップと、（ｆ）（ｃ）で選択したスペア領域が前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合に、前記第ｉスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を（ｄ）で交替記録したブロック数加えた値に更新するステップと、（ｇ）（ｅ）または（ｆ）で更新した前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を前記有効なＤＦＬ領域に記録するステップとを含む。
【０１４９】
本発明の情報記録方法は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に記録する情報記録方法であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを交替記録するための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域）と、ＤＤＳ領域と複数のＤＦＬ領域から構成される欠陥管理領域を含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記ＤＤＳ領域には、少なくとも前記複数のＤＦＬ領域のうち有効なＤＦＬ領域を指し示すポインタ情報が記録されており、前記有効なＤＦＬ領域には、少なくとも前記複数のスペア領域の各々に対して次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報が記録されており、（ａ）前記ＤＤＳ領域から前記複数のＤＦＬ領域のうち有効なＤＦＬ領域を指し示すポインタ情報を読み出すステップと、（ｂ）（ａ）で読み出した有効なＤＦＬ領域を指し示すポインタ情報を基に前記有効なＤＦＬ領域から前記複数のスペア領域の各々に対して次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を読み出すステップと、（ｃ）前記ユーザデータ領域における連続した欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうちどのスペア領域に交替記録するかを選択するステップと、（ｄ）（ｃ）で選択したスペア領域が前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域である場合に、前記第ｎスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報で示されるブロックから交替記録するブロック数を減じたブロックから連続したブロックに交替記録し、（ｃ）で選択したスペア領域が前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合に、前記第ｉスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報で示されるブロックから連続したブロックに交替記録するステップと、（ｅ）（ｃ）で選択したスペア領域が前記第ｎスペア領域である場合に、前記第ｎスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を（ｄ）で交替記録したブロック数減じた値に更新するステップと、（ｆ）（ｃ）で選択したスペア領域が前記第ｉスペア領域である場合に、前記第ｉスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を（ｄ）で交替記録したブロック数加えた値に更新するステップと、（ｇ）（ｅ）または（ｆ）で更新した前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を前記有効なＤＦＬ領域に記録するステップとを含む。
【０１５０】
以上、本発明の特定の実施の形態について説明されてきたが、当業者にとっては他の多くの変形例、修正、他の利用が本発明に含まれることは明らかである。それゆえ、本発明は、ここでの特定の実施の形態に限定されず、請求項によってのみ限定され得る。
【産業上の利用可能性】
【０１５１】
本発明によれば、ディスク状の情報記録媒体において、先頭スペア領域と中間スペア領域を物理ブロックアドレスの昇順に使用し、最終スペア領域を物理ブロックアドレスの降順に使用する。これにより、欠陥管理情報のサイズを小さくするとともに、スペア領域を容易に拡張することが可能となる。本発明は、例えば、ホストコンピュータの外部記憶装置および当該記憶装置で使用する情報記録媒体に適用できる。本発明は、光ディスクの技術分野において特に有用である。
【符号の説明】
【０１５２】
１００  情報記録媒体
１０１  ユーザデータ領域
１０２  先頭スペア領域
１０３  中間スペア領域
１０４  最終スペア領域
１０５  ＤＭＡ１
１０６  ＤＭＡ２
１０７  ＤＭＡ３
１０８  ＤＭＡ４
３００  情報記録装置
３０２  ディスクモータ
３０３  光ヘッド
３０４  サーボ制御部
３０５  再生制御部
３０６  記録制御部
３０７  バッファ
３０８  システム制御部
６００  情報再生装置
６０２  ディスクモータ
６０３  光ヘッド
６０４  サーボ制御部
６０５  再生制御部
６０６  バッファ
６０７  システム制御部
【図１】
2010073549.tif 000003
【図２】
2010073549.tif 000004
【図３】
2010073549.tif 000005
【図４】
2010073549.tif 000006
【図５】
2010073549.tif 000007
【図６】
2010073549.tif 000008
【図７】
2010073549.tif 000009
【図８】
2010073549.tif 000010
【図９】
2010073549.tif 000011
【図１０】
2010073549.tif 000012
【図１１】
2010073549.tif 000013
【図１２】
2010073549.tif 000014
【図１３】
2010073549.tif 000015
【図１４】
2010073549.tif 000016
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月6日(2010.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、欠陥ブロックとスペア領域との間で交替記録を行うことにより、データ記録の信頼性を高めることが可能な情報記録媒体、情報記録装置および情報記録方法に関する。また、そのような情報記録媒体からデータを再生する情報再生装置および情報再生方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＢＤ−ＲＥ（Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ  Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ）やＢＤ−Ｒ（Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ  Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ）のような大容量の書き換え可能型光ディスク、追記型光ディスクが普及してきている。このような光ディスクでは、スペア領域を割り当て、欠陥ブロックのデータをスペア領域に交替記録することによりデータ記録の信頼性を確保することが行われている。
【０００３】
図１１は、二層ＢＤ−ＲＥの欠陥管理に関連する領域の論理構造を示す。ＢＤ−ＲＥには、ユーザデータを記録するユーザデータ領域と、ユーザデータ領域の欠陥ブロックを交替記録するためのスペア領域が割り当てられている。交替記録したときのユーザデータ領域内の交替元ブロックとスペア領域内の交替先ブロックの対応関係は、欠陥管理情報として欠陥管理領域ＤＭＡ（Ｄｅｆｅｃｔ  Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ  Ａｒｅａ）に記録される。
【０００４】
二層ＢＤ−ＲＥはオポジットトラックパスを採用しており、Ｌ０層では内周から外周に向かって増加するように物理ブロックアドレスが割り当てられ、Ｌ１層では外周から内周に向かって増加するように物理ブロックアドレスが割り当てられている。
【０００５】
ディスクの内周側に存在するスペア領域は内周側から使用され、外周側に存在するスペア領域は外周側から使用される。すなわち、Ｌ０層の内周スペア領域とＬ１層の外周スペア領域は物理ブロックアドレスの昇順に使用されるのに対して、Ｌ０層の外周スペア領域とＬ１層の内周スペア領域は物理ブロックアドレスの降順に使用される。本明細書中において、“昇順”とは、物理ブロックアドレスが大きくなる方向に進む順序を意味しており、“降順”とは、物理ブロックアドレスが小さくなる方向に進む順序を意味している。
【０００６】
このように内周側と外周側とでスペア領域の使用方向を逆にしているのは、スペア領域の拡張を容易にするためである（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
図１２（ａ）は、ユーザデータ領域内の連続するブロックＡ１〜Ａ４からスペア領域内のブロックＢ１〜Ｂ４への交替記録を示し、図１２（ｂ）は、そのような交替記録を行ったときの欠陥管理情報の欠陥リストのエントリを示す。
【０００８】
ステータス１が００００でステータス２も００００のエントリはＲＡＤ（Ｒｅ−ａｌｌｏｃａｔｅｄ  Ｄｅｆｅｃｔ）と呼ばれ、欠陥アドレスで示されるブロックが交替アドレスで示されるブロックに交替記録されていることを表す。ＢＤ−ＲＥにおいては、物理ブロックアドレスの降順に使用されるスペア領域があり、交替元のブロックが昇順に連続していても交替先のブロックが物理ブロックアドレスの昇順に連続とはならないことがある。
【０００９】
図１３は、二層ＢＤ−Ｒの欠陥管理に関連する領域の論理構造を示す。ＢＤ−Ｒには、ユーザデータを記録するユーザデータ領域と、ユーザデータ領域の欠陥ブロックを交替するためのスペア領域が割り当てられている。交替記録したときのユーザデータ領域内の交替元ブロックとスペア領域内の交替先ブロックの対応関係は、欠陥管理情報として、ディスクをファイナライズするまではＴＤＭＡ（Ｔｅｍｐｏｒａｒｙ  Ｄｅｆｅｃｔ  Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ  Ａｒｅａ）に記録され、ディスクをファイナライズするとＤＭＡに記録される。
【００１０】
二層ＢＤ−Ｒは、二層ＢＤ−ＲＥと同様にオポジットトラックパスを採用しており、Ｌ０層では内周から外周に向かって増加するように物理ブロックアドレスが割り当てられ、Ｌ１層では外周から内周に向かって増加するように物理ブロックアドレスが割り当てられている。
【００１１】
Ｌ０層に存在するスペア領域は内周側から使用され、Ｌ１層に存在するスペア領域は外周側から使用される。すなわち、いずれのスペア領域も物理ブロックアドレスの昇順に使用される。
【００１２】
図１４（ａ）は、ユーザデータ領域内の連続するブロックＡ１〜Ａ４からスペア領域内のブロックＢ１〜Ｂ４への交替記録を示し、図１４（ｂ）は、そのような交替記録を行ったときの欠陥管理情報の欠陥リストのエントリを示す。ステータス１が００００で、ステータス２が０００１および００１０のエントリはＣＲＤ（Ｃｏｎｔｉｇｕｏｕｓ  Ｒｅ−ａｌｌｏｃａｔｅｄ  Ｄｅｆｅｃｔ）と呼ばれる。ステータス２が０００１のＣＲＤは、連続領域が交替されているときの始端ブロックの交替情報を表している。ステータス２が００１０のＣＲＤは、連続領域が交替されているときの終端ブロックの交替情報を表している。
【００１３】
このように、ＢＤ−Ｒにおいては、交替元と交替先の双方が連続領域であれば、ＣＲＤエントリを使用することにより欠陥リストのサイズを小さくすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特許第３０９０３１６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
ところで、光ディスクの高密度化および多層化によるさらなる大容量化が進められており、容量の増加に比例してスペア領域の容量も増加する傾向にある。
【００１６】
スペア領域が増加すると一般に欠陥管理情報の欠陥リストのサイズも大きくなる。光ディスクを記録あるいは再生するためには、欠陥管理情報を記録装置あるいは再生装置のバッファメモリ内に格納しておく必要があり、欠陥リストのサイズが大きくなるとバッファメモリを圧迫するという課題が発生する。
【００１７】
欠陥リストのサイズを小さくするためには、交替元および交替先の双方が連続している場合に、ＢＤ−Ｒで採用されているＣＲＤエントリを使用すればよい。しかし、ＢＤ−ＲＥにおけるスペア領域の使用順序を採用すると、物理ブロックアドレスの降順に使用されるスペア領域が半数もある。この物理ブロックアドレスの降順に使用されるスペア領域では、交替元の領域が昇順に連続していても、交替先の領域が物理ブロックアドレスの昇順に連続しないためにＣＲＤエントリを使用できない。
【００１８】
一方、ＢＤ−Ｒにおけるスペア領域の使用順序を採用すると、全てのスペア領域が物理ブロックアドレスの昇順に使用されるため、ＣＲＤエントリが使える可能性が高まるが、スペア領域を拡張することが困難である。
【００１９】
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、欠陥管理情報のサイズを小さくするとともに、スペア領域の拡張を容易に行うことが可能な情報記録媒体、情報記録装置および情報記録方法を提供する。また、本発明は、そのような情報記録媒体からデータを再生する情報再生装置および情報再生方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の多層情報記録媒体は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域は、物理ブロックアドレスの降順に使用され、前記第ｎスペア領域以外の前記第１スペア領域〜第ｎ−１スペア領域は、物理ブロックアドレスの昇順に使用される。
【００２１】
ある実施形態によれば、前記多層情報記録媒体は、欠陥管理領域をさらに含み、前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録される。
【００２２】
ある実施形態によれば、前記多層情報記録媒体は、欠陥リストが記録される欠陥管理領域をさらに含み、前記欠陥リストは、前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックと前記スペア領域の連続したブロックとの間で交替記録が行われていることを示す連続交替エントリを含む。
【００２３】
本発明の情報記録装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域へ交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有するブロックへ交替記録し、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）へ交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有するブロックへ交替記録する。
【００２４】
本発明の情報記録方法は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に記録する情報記録方法であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記情報記録方法は、（ａ）前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから前記複数のスペア領域のうちのどのスペア領域へ交替記録するかを選択するステップと、（ｂ）前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域である場合には、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有するブロックを選択するステップと、（ｃ）前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合には、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有するブロックを選択するステップと、（ｄ）前記ステップ（ｂ）または（ｃ）で選択したブロックへ交替記録するステップとを含む。
【００２５】
本発明の情報再生装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体から情報を再生する情報再生装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、欠陥管理情報を格納するための欠陥管理領域とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域は、物理ブロックアドレスの降順に使用され、前記第ｎスペア領域以外の前記第１スペア領域〜第ｎ−１スペア領域は、物理ブロックアドレスの昇順に使用され、前記情報再生装置は、前記欠陥管理領域から前記欠陥管理情報を読み出し、前記欠陥管理情報に登録されている欠陥ブロックから情報を再生する代わりに、前記欠陥管理情報に登録されている交替先ブロックから情報を再生する。
【００２６】
本発明の情報記録装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、欠陥管理領域とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録されており、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域へ交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域の前記次に使用するブロックへ交替記録し、前記第ｎスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数減じた値に更新し、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）へ交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域の前記次に使用するブロックへ交替記録し、前記第ｉスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数加えた値に更新する。
【００２７】
本発明の情報記録方法は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録方法であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、欠陥管理領域とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録されており、前記情報記録方法は、（ａ）前記欠陥管理領域から前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を読み出すステップと、（ｂ）前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから前記複数のスペア領域のうちのどのスペア領域へ交替記録するかを選択するステップと、（ｃ）前記ステップ（ｂ）で選択したスペア領域の前記次に使用するブロックへ交替記録するステップと、（ｄ）前記ステップ（ｂ）で選択したスペア領域が、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域である場合には、前記第ｎスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数減じた値に更新するステップと、（ｅ）前記ステップ（ｂ）で選択したスペア領域が、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合には、前記第ｉスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数加えた値に更新するステップと、（ｆ）前記ステップ（ｄ）または（ｅ）で更新した前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記欠陥管理領域に記録するステップとを含む。
【００２８】
本発明の多層情報記録媒体は、前記情報記録装置により情報が記録される複数の記録層を備えた多層情報記録媒体であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記多層情報記録媒体は、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を記録するための欠陥管理領域をさらに含む。
【００２９】
本発明の情報再生装置は、前記多層情報記録媒体から情報を再生する情報再生装置であって、前記情報再生装置は、前記欠陥管理領域から欠陥管理情報を読み出し、前記欠陥管理情報に登録されている欠陥ブロックから情報を再生する代わりに、前記欠陥管理情報に登録されている交替先ブロックから情報を再生する。
【００３０】
本発明の多層情報記録媒体は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、ＤＤＳ領域および複数のＤＦＬ領域を含む欠陥管理領域とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記ＤＤＳ領域には、前記複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域を示すポインタ情報が記録され、前記有効なＤＦＬ領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録される。
【００３１】
本発明の情報記録装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、ＤＤＳ領域および複数のＤＦＬ領域を含む欠陥管理領域とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記情報記録装置は、前記複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域を示すポインタ情報を前記ＤＤＳ領域に記録し、前記有効なＤＦＬ領域に、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を記録する。
【００３２】
本発明の情報記録方法は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に記録する情報記録方法であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、ＤＤＳ領域および複数のＤＦＬ領域を含む欠陥管理領域とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記情報記録方法は、前記複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域を示すポインタ情報を前記ＤＤＳ領域に記録するステップと、前記有効なＤＦＬ領域に、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を記録するステップとを含む。
【００３３】
本発明の情報再生装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体から情報を再生する情報再生装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、ＤＤＳ領域および複数のＤＦＬ領域を含む欠陥管理領域とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記ＤＤＳ領域は、前記複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域を示すポインタ情報を含み、前記有効なＤＦＬ領域は、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を含み、前記情報再生装置は、前記ＤＤＳ領域から前記ポインタ情報を再生し、前記ポインタ情報が示す前記有効なＤＦＬ領域から、前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を再生する。
【００３４】
本発明の情報記録装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックから、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域へ交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックに一括して交替記録し、前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックから、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）へ交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックに一括して交替記録する。
【００３５】
ある実施形態によれば、前記多層情報記録媒体は、欠陥管理領域をさらに含み、前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録されており、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の前記連続した欠陥ブロックから、前記第ｎスペア領域へ交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域の前記次に使用するブロックから前記アドレスの降順に連続したブロックを選択し、前記降順に連続したブロックに対して、前記アドレスの昇順に一括して交替記録し、前記第ｎスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数減じた値に更新し、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の前記連続した欠陥ブロックから、前記第ｉスペア領域へ交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域の前記次に使用するブロックから前記アドレスの昇順に一括して交替記録し、前記第ｉスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数加えた値に更新する。
【００３６】
本発明の情報記録方法は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録方法であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記情報記録方法は、（ａ）前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックから、前記複数のスペア領域のうちのどのスペア領域へ交替記録するかを選択するステップと、（ｂ）前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域である場合には、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックを選択するステップと、（ｃ）前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合には、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックを選択するステップと、（ｄ）前記ステップ（ｂ）または（ｃ）で選択した連続したブロックに一括して交替記録するステップとを含む。
【００３７】
ある実施形態によれば、前記多層情報記録媒体は、欠陥管理領域をさらに含み、前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録されており、前記情報記録方法は、（ｅ）前記欠陥管理領域から前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を読み出すステップ、をさらに含み、前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が前記第ｎスペア領域である場合には、前記ステップ（ｂ）は、前記第ｎスペア領域の前記次に使用するブロックから前記アドレスの降順に連続したブロックを選択するステップを含み、前記ステップ（ｄ）は、前記降順に連続したブロックに対して、前記アドレスの昇順に一括して交替記録するステップを含み、前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が前記第ｉスペア領域である場合には、前記ステップ（ｄ）は、前記第ｉスペア領域の前記次に使用するブロックから前記アドレスの昇順に一括して交替記録するステップを含み、前記情報記録方法は、（ｆ）前記第ｎスペア領域を用いて交替記録を行った場合には、前記第ｎスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録したブロック数減じた値に更新するステップと、（ｇ）前記第ｉスペア領域を用いて交替記録を行った場合には、前記第ｉスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録したブロック数加えた値に更新するステップと、（ｈ）前記ステップ（ｆ）または（ｇ）で更新した前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記欠陥管理領域に記録するステップとをさらに含む。
【発明の効果】
【００３８】
本発明によれば、先頭スペア領域と複数の中間スペア領域を物理ブロックアドレスの昇順に使用し、最終スペア領域を物理ブロックアドレスの降順に使用する。これにより、欠陥管理情報のサイズを小さくするとともに、スペア領域の拡張を容易に行うことができる。
【００３９】
また、本発明によれば、複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレス（スペア領域次使用ブロックアドレス）を、ＤＤＳ領域ではなく、ＤＦＬ領域に記録しておく。これにより、スペア領域次使用ブロックアドレスの書換え回数がそのＤＦＬ領域の繰り返し記録可能回数を超えた場合でも、欠陥管理領域内の複数のＤＦＬ領域のうちの別のＤＦＬ領域を新たに使用することで、スペア領域次使用ブロックアドレスの書換え（更新）を引き続き行うことができる。また、ＤＤＳ領域には、複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域を指し示すポインタ情報を記録する。新たなＤＦＬ領域が使用されることとなった場合には、そのポインタ情報の書換え（更新）を行うことで、欠陥管理領域において固定位置に１つしか配置されないＤＤＳ領域での書換え回数を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】（ａ）および（ｂ）は、本発明の実施の形態における情報記録媒体を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態における情報記録媒体の欠陥管理領域を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態における情報記録装置を示す図である。
【図４】（ａ）から（ｈ）は、本発明の実施の形態における交替記録の動作を示す図である。
【図５】（ａ）および（ｂ）は、本発明の実施の形態における交替記録の動作を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態における情報再生装置を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態における交替記録処理を示すフローチャートである。
【図８】本発明の実施の形態における欠陥管理情報の再生処理を示すフローチャートである。
【図９】本発明の実施の形態における交替記録処理を示すフローチャートである。
【図１０】本発明の実施の形態におけるスペア領域の拡張を示す図である。
【図１１】ＢＤ−ＲＥの構成を示す図である。
【図１２】（ａ）および（ｂ）は、ＢＤ−ＲＥにおける交替記録の動作例を示す図である。
【図１３】ＢＤ−Ｒの構成を示す図である。
【図１４】（ａ）および（ｂ）は、ＢＤ−Ｒにおける交替記録の動作例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００４２】
（実施の形態１）
図１（ａ）は、本発明の実施の形態１における情報記録媒体１００を示す図である。情報記録媒体１００は例えば光ディスクであり、複数の記録層Ｌ０、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３を備える。情報記録媒体１００は、ユーザデータ領域１０１、先頭スペア領域１０２、複数の中間スペア領域１０３、最終スペア領域１０４を備える。また、情報記録媒体１００は、ＤＭＡ（欠陥管理領域）１、ＤＭＡ２、ＤＭＡ３、ＤＭＡ４を備え、それらは参照符号１０５、１０６、１０７、１０８で表される。
【００４３】
ユーザデータ領域１０１は、ユーザデータを記録するため領域である。スペア領域１０２、１０３、１０４は、ユーザデータ領域１０１に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための領域であり、その欠陥ブロックの代わりにデータが記録される。スペア領域１０２、１０３、１０４は、第１スペア領域〜第ｎスペア領域とも表される（ｎは４以上の整数）。図１（ａ）に示す例ではｎは８であり、先頭スペア領域１０２は第１スペア領域に対応し、６個の中間スペア領域１０３は第２〜第７スペア領域に対応し、最終スペア領域１０４は第８スペア領域に対応する。最終スペア領域１０４は、複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているスペア領域である。
【００４４】
情報記録媒体１００はセクタ構造を有しており、１セクタまたは数セクタを記録再生の最小単位としている。以下、記録再生の最小単位をブロックと呼び、ブロックに対して記録再生方向に昇順に割り当てられたアドレスを物理ブロックアドレスと呼ぶ。
【００４５】
図１（ａ）の情報記録媒体１００はオポジットトラックパスを採用しており、Ｌ０層およびＬ２層ではディスク内周側から外周側に向かって増加するように物理ブロックアドレスが割り当てられており、Ｌ１層およびＬ３層では外周側から内周側に向かって増加するように物理ブロックアドレスが割り当てられている。
【００４６】
ユーザデータ領域１０１内の欠陥ブロックは、先頭スペア領域１０２、複数の中間スペア領域１０３、最終スペア領域１０４のいずれかのスペア領域内のブロックに交替記録される。このような交替記録は、後述する情報記録装置により行われる。交替記録では、先頭スペア領域１０２と複数の中間スペア領域１０３は物理ブロックアドレスの昇順に使用され、最終スペア領域１０４は物理ブロックアドレスの降順に使用される。すなわち、先頭スペア領域１０２または複数の中間スペア領域１０３に交替する場合は、交替先のスペア領域内で物理ブロックアドレスが最も小さい未使用のブロックに交替記録される。また、最終スペア領域１０４に交替する場合は、最終スペア領域１０４内で物理ブロックアドレスが最も大きい未使用のブロックに交替記録される。
【００４７】
なお、スペア領域内の使用中ブロックが未使用に変換されるなどして、使用中ブロックと未使用ブロックが混在する場合がある。このような場合は、スペア領域内の交替先ブロックの選択として、先頭スペア領域１０２および複数の中間スペア領域１０３においては、物理ブロックアドレスが最大の使用中ブロックの次に物理ブロックアドレスが大きい未使用ブロックを選択してもよい。また、最終スペア領域１０４においては、物理ブロックアドレスが最小の使用中ブロックの次に物理ブロックアドレスが小さい未使用ブロックを選択してもよい。
【００４８】
ユーザデータ領域１０１の欠陥ブロックが先頭スペア領域１０２、複数の中間スペア領域１０３、最終スペア領域１０４に交替記録されていることを示す情報は、欠陥リストとしてＤＭＡ１〜ＤＭＡ４（１０５〜１０８）に記録される。
【００４９】
図２は、情報記録媒体１００が書き換え可能型であった場合の欠陥管理領域ＤＭＡの構成例を示した図である。ＤＭＡは、ディスク定義構造（ＤＤＳ）領域と複数の欠陥リスト（ＤＦＬ）領域を備える。ＤＭＡ１〜ＤＭＡ４（１０５〜１０８）には同じ情報が多重記録される。
【００５０】
ＤＤＳ領域には、複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域の位置を指し示すポインタ情報（有効ＤＦＬ領域情報や位置情報とも称される）が記録されており、そのポインタ情報で位置が指し示されるＤＦＬ領域が有効になる。有効なＤＦＬ領域とは例えば現在使用中のＤＦＬ領域である。このようにＤＤＳ領域と複数のＤＦＬ領域を用いることにより、繰り返し記録回数を向上させることが可能である。例えば、情報記録媒体１００の繰り返し記録可能回数が１０００回であった場合に、４つのＤＦＬ領域を使用すると各ＤＦＬ領域で１０００回の繰り返し記録が可能なので、計４０００回の繰り返し記録が可能となる。
【００５１】
有効なＤＦＬ領域には、複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示すアドレス情報が記録される。次に使用するブロックとは、次に新たな欠陥ブロックが検出された場合に交替記録のために使用されるブロックである。このような次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示すアドレス情報を使用することにより、スペア領域のうちの次に使用可能なブロックの選択を容易にすることが可能になる。先頭スペア領域（第１スペア領域）と中間スペア領域（第２〜第（ｎ−１）スペア領域）における次に使用するブロックの物理ブロックアドレスは、そのスペア領域を消費するたびに増加する。一方、最終スペア領域（第ｎスペア領域）における次に使用するブロックの物理ブロックアドレスは、最終スペア領域を消費するたびに減少する。このような、ＤＤＳ領域へのポインタ情報の記録および更新、有効なＤＦＬ領域への上記アドレス情報の記録および更新は、後述する情報記録装置により行われる。
【００５２】
上記アドレス情報（スペア領域次使用ブロックアドレス）は、スペア領域が使用され、次に使用するブロックの物理ブロックアドレスが変わると、更新される。したがって、スペア領域次使用ブロックアドレスの書換え（更新）は、比較的頻繁に行われる。
【００５３】
ここで、スペア領域次使用ブロックアドレスがＤＤＳ領域に記録される場合を考えると、ＤＤＳ領域での書換えが頻繁に行われることになる。例えば、情報記録媒体１００の繰り返し記録可能回数が１０００回であった場合、ＤＤＳ領域におけるスペア領域次使用ブロックアドレスの書換えは、１０００回しかできないことになる。これは、欠陥管理領域において、ＤＤＳ領域は固定位置に１つしか配置されないため、別の場所に新たにＤＤＳ領域を設けることはできないためである。このため、スペア領域に使用可能な領域がまだ残っていたとしても、ＤＤＳ領域における書換えが繰り返し記録可能回数を超えたためにＤＤＳ領域の劣化が生じ、スペア領域次使用ブロックアドレスの更新ができなくなり、それ以上の交替処理を行えなくなるといった課題を生じる。
【００５４】
しかし、本発明のように、複数のスペア領域の各々の次に使用するブロックの物理ブロックアドレス（スペア領域次使用ブロックアドレス）を、ＤＤＳ領域ではなく、ＤＦＬ領域に記録する構成であれば、上記の課題を解決することができる。
【００５５】
すなわち、ＤＦＬ領域にスペア領域次使用ブロックアドレスを記録することで、もし、ＤＦＬ領域においてスペア領域次使用ブロックアドレスの書換えが繰り返し記録可能回数を超えた場合でも、欠陥管理領域内の複数のＤＦＬ領域のうちの別のＤＦＬ領域を新たに使用することで、スペア領域次使用ブロックアドレスの書換え（更新）をさらに行うことができる。また、ＤＤＳ領域には、複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域を指し示すポインタ情報を記録する。新たなＤＦＬ領域が使用されることとなった場合には、そのポインタ情報の書換え（更新）を行う。このような構成により、欠陥管理領域において固定位置に１つしか配置されないＤＤＳ領域での書換え回数を低減できる。
【００５６】
なお、ＤＤＳ領域は欠陥管理領域において固定位置に１つしか配置されないものであるが、複数の欠陥管理領域がある場合は、ＤＤＳ領域も複数となる場合もあり得る。この場合、複数の欠陥管理領域のそれぞれのＤＤＳ領域には、同一内容の情報が同時に多重記録される。したがって、複数の欠陥管理領域がありＤＤＳ領域も複数ある場合でも、１つのＤＤＳ領域への情報更新回数は、ＤＤＳ領域が１つしかない場合（欠陥管理領域が１つの場合）と同じである。
【００５７】
また、１つのＤＤＳ領域内に同一内容の情報が多重記録される場合もあるが、多重記録している情報は同時に更新されるため、情報更新回数は多重記録していない場合と同じである。
【００５８】
本実施の形態においては、四層の情報記録媒体を説明したが、四層に限らず二層以上の情報記録媒体であれば、本発明は同様に実現可能である。例えば、三層の情報記録媒体でも同様に実現可能である。
【００５９】
図１（ｂ）は、本実施の形態における三層の記録層を有する情報記録媒体１００を示す図である。同様の構成要素には同様の参照符号を付し、詳細な説明の繰り返しは省略する。
【００６０】
図１（ｂ）の情報記録媒体１００はオポジットトラックパスを採用しており、Ｌ０層とＬ２層ではディスク内周側から外周側に向かって増加するように物理ブロックアドレスが割り当てられており、Ｌ１層では外周側から内周側に向かって増加するように物理ブロックアドレスが割り当てられている。
【００６１】
ユーザデータ領域１０１内の欠陥ブロックは、先頭スペア領域１０２、複数の中間スペア領域１０３、最終スペア領域１０４のいずれかのスペア領域内のブロックに交替記録される。このとき、先頭スペア領域１０２と複数の中間スペア領域１０３は物理ブロックアドレスの昇順に使用され、最終スペア領域１０４は物理ブロックアドレスの降順に使用される。すなわち、先頭スペア領域１０２または複数の中間スペア領域１０３に交替記録する場合は、交替先のスペア領域内で物理ブロックアドレスが最も小さい未使用のブロックに交替記録を行う。また、最終スペア領域１０４に交替する場合は、最終スペア領域１０４内で物理ブロックアドレスが最も大きい未使用のブロックに交替記録を行う。
【００６２】
また、オポジットトラックパスに限らずパラレルトラックパスであっても、本発明は同様に実現可能である。
【００６３】
（実施の形態２）
図３は、本発明の実施の形態２における情報記録装置３００を示すブロック図である。
【００６４】
図３において、ディスクモータ３０２は情報記録媒体１００を回転させる。光ヘッド３０３は、情報記録媒体１００の記録層にレーザ光を照射する照射部として機能するとともに、情報記録媒体１００に対してデータの記録および再生を行う記録部および再生部として機能する。サーボ制御部３０４は、ディスクモータ３０２の回転駆動を制御しながら、光ヘッド３０３を目的のトラックに移動させてレーザスポットの追従処理を行う。再生制御部３０５は、光ヘッド３０３により検出した再生信号を復調して再生データを取り出し、バッファ３０７に格納する。記録制御部３０６は、バッファ３０７に格納されている記録用データを変調し、光ヘッド３０３を制御して情報記録媒体１００にデータを記録する。システム制御部３０８は情報記録装置３００全体の制御を行う。
【００６５】
情報記録装置３００が情報記録媒体１００にデータを記録する際に、連続する欠陥ブロックを検出して、先頭スペア領域１０２または複数の中間スペア領域１０３のいずれかのスペア領域に交替処理を行うときの動作を、図４を参照しながら説明する。
【００６６】
ユーザデータ領域１０１内で最初に検出した欠陥ブロックの物理ブロックアドレスがＥ１であり、交替先のスペア領域の未使用ブロックの中で物理ブロックアドレスが最小のブロックがＦ１であったとき、図４（ａ）に示すように、ユーザデータ領域のブロックＥ１をスペア領域のブロックＦ１に交替記録する。そして、図４（ｂ）に示すように、ブロックＥ１がブロックＦ１に交替されていることを示すＲＡＤエントリを生成して欠陥リスト（ＤＦＬ）に登録する。
【００６７】
欠陥ブロックＥ１に続くブロックＥ２も欠陥ブロックであったとき、図４（ｃ）に示すように、ユーザデータ領域のブロックＥ２をスペア領域のブロックＦ１に続くブロックＦ２に交替記録する。そして、図４（ｄ）に示すように、ブロックＥ２がブロックＦ２に交替されていることを示すように欠陥リストを更新する。このとき、ブロックＥ１がブロックＦ１に交替されていることを示すＲＡＤエントリと結合させて、ブロックＥ１〜Ｅ２がブロックＦ１〜Ｆ２に交替されていることを示すＣＲＤエントリにする。なお、この段階ではＣＲＤエントリを使わずに、ブロックＥ２がブロックＦ２に交替されていることを示すＲＡＤエントリを追加して、２つのＲＡＤエントリにしてもよい。なお、ＣＲＤエントリは連続交替エントリとも称される。
【００６８】
欠陥ブロックＥ２に続くブロックＥ３も欠陥ブロックであったとき、図４（ｅ）に示すように、ユーザデータ領域のブロックＥ３をスペア領域のブロックＦ２に続くブロックＦ３に交替記録する。そして、図４（ｆ）に示すように、ブロックＥ３がブロックＦ３に交替されていることを示すように欠陥リストを更新する。このとき、ＣＲＤエントリを使用して、ブロックＥ１〜Ｅ３がブロックＦ１〜Ｆ３に交替されていることを示すようにする。
【００６９】
欠陥ブロックＥ３に続くブロックＥ４も欠陥ブロックであったとき、図４（ｇ）に示すように、ユーザデータ領域のブロックＥ４をスペア領域のブロックＦ３に続くブロックＦ４に交替記録する。そして、図４（ｈ）に示すように、ブロックＥ４がブロックＦ４に交替されていることを示すように欠陥リストを更新する。このとき、ＣＲＤエントリを使用して、ブロックＥ１〜Ｅ４がブロックＦ１〜Ｆ４に交替されていることを示すようにする。
【００７０】
上述したように、ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックから、最終スペア領域以外のスペア領域（第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ））へ交替記録する場合は、第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックに一括して交替記録する。すなわち、欠陥管理領域から読み出した欠陥リストが示す次に使用するブロックからアドレスの昇順に連続したブロックを選択し、それら選択したブロックに一括して交替記録する。
【００７１】
このように、連続する欠陥ブロックを、先頭スペア領域１０２または複数の中間スペア領域１０３のいずれかのスペア領域に交替記録する場合に、交替先のスペア領域を物理ブロックアドレスの昇順に使用するため、欠陥エントリとしてＣＲＤエントリを使用することができ、欠陥リストを短くすることが可能である。
【００７２】
情報記録装置３００が情報記録媒体１００にデータを記録する際に、連続する欠陥ブロックを検出して、最終スペア領域１０４に交替処理を行うときの動作を、図５を参照しながら説明する。
【００７３】
図５（ａ）を参照して、ユーザデータ領域１０１内で最初に検出した欠陥ブロックの物理ブロックアドレスがＧ１であった場合に、直ちに交替処理を行わず、次のブロックが欠陥ブロックであるかを検査する。
【００７４】
次の物理ブロックアドレスＧ２のブロックも欠陥ブロックであった場合は、さらに後続のブロックが欠陥ブロックであるかを検査する。
【００７５】
このように、記録するデータ分のブロックを、正常ブロックが見つかるまで欠陥ブロックであるか検査する。
【００７６】
図５（ａ）に示す例では、ブロックＧ１〜ブロックＧ３までが欠陥ブロックで、ブロックＧ４が正常ブロックと検出されている。最終スペア領域１０４の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているブロックＨ３を検出し、そのブロックＨ３を含む連続した３つのブロックＨ１〜Ｈ３を選択する。そして、連続した欠陥ブロックＧ１〜Ｇ３の記録データを、連続したブロックＨ１〜Ｈ３へ一括して交替記録する。
【００７７】
最終スペア領域１０４は、物理ブロックアドレスの降順に消費するため、まず、ブロックＨ３よりもアドレスが小さいブロックＨ２〜Ｈ１を選択する。すなわち、欠陥管理領域から読み出した欠陥リストが示す次に使用するブロックからアドレスの降順に連続したブロックを選択する。そして交替記録するときは、欠陥ブロックＧ１をブロックＨ１へ交替し、欠陥ブロックＧ２をブロックＨ２へ交替し、欠陥ブロックＧ３をブロックＨ３へ交替する。このように、降順に連続したブロックに対して、アドレスの昇順に一括して交替記録することで、最終スペア領域１０４に対してもＣＲＤエントリを使用することができる。
【００７８】
そして、図５（ｂ）に示すように、ブロックＧ１〜Ｇ３がブロックＨ１〜Ｈ３に交替されていることを示すようにＣＲＤエントリを生成する。
【００７９】
このように、最終スペア領域１０４に交替記録する場合に、欠陥ブロックが連続していれば昇順に一括して交替記録することにより、欠陥エントリとしてＣＲＤエントリを使用することができ、欠陥リストを短くすることが可能である。
【００８０】
但し、情報記録装置３００のバッファ３０７に格納可能な記録データ量を超えるブロックを一括して交替記録することはできないため、先頭スペア領域１０２および中間スペア領域１０３に交替記録する場合と比較して、最終スペア領域１０４に交替記録する場合は、ＣＲＤエントリとしてまとめられるブロック数が制限される。
【００８１】
図６は、情報記録媒体１００からデータを再生する情報再生装置６００を示す図である。
【００８２】
図６において、ディスクモータ６０２は情報記録媒体１００を回転させる。光ヘッド６０３は、情報記録媒体１００の記録層にレーザ光を照射する照射部として機能するとともに、情報記録媒体１００からデータの再生を行う再生部として機能する。サーボ制御部６０４は、ディスクモータ６０２の回転駆動を制御しながら、光ヘッド６０３を目的のトラックに移動させてレーザスポットの追従処理を行う。再生制御部６０５は、光ヘッド６０３により検出した再生信号を復調して再生データを取りだし、バッファ６０６に格納する。システム制御部６０７は情報再生装置６００全体の制御を行う。
【００８３】
情報再生装置６００は、情報記録媒体１００のＤＭＡ１〜ＤＭＡ４（１０５〜１０８）を再生して欠陥管理情報を取得する。そして、欠陥管理情報の欠陥リストに登録されている欠陥ブロックから情報を再生する代わりに、欠陥管理情報の欠陥リストに登録されている交替先ブロックから情報を再生する。
【００８４】
欠陥管理情報に記録されているユーザデータ領域１０１の欠陥ブロックを再生する場合は、欠陥管理情報に記録されている先頭スペア領域１０２、中間スペア領域１０３、最終スペア領域１０４のいずれかの交替先ブロックからデータ再生を行う。このとき、ＣＲＤエントリが使用されていれば、連続したブロックが交替記録されているものとして再生を行う。
【００８５】
図７は、情報記録装置３００がユーザデータ領域１０１への記録中に欠陥ブロックを検出した際の、交替記録処理の一例を示したフローチャートである。以下、図７を参照して、交替記録処理を説明する。
【００８６】
ステップ７０１では、交替先のスペア領域を選択する。スペア領域の選択方法としては、欠陥ブロックと同一の記録層で距離が近い側のスペア領域を選択することができる。もし、欠陥ブロックと同一の記録層で近い側のスペア領域に未使用ブロックが残っていない場合は、欠陥ブロックと同一の記録層で遠い側のスペア領域を選択してもよい。あるいは、欠陥ブロックとは異なる記録層で距離が最も近いスペア領域を選択するようにしてもよい。また、ＣＲＤエントリを使用することができる可能性の高い先頭スペア領域１０２および中間スペア領域１０３を、最終スペア領域１０４よりも優先して選択するようにしてもよい。
【００８７】
ステップ７０２では、ステップ７０１で選択したスペア領域が最終スペア領域１０４であるかを判定する。もし、最終スペア領域１０４ではない、すなわち、先頭スペア領域１０２および中間スペア領域１０３のいずれかのスペア領域である場合はステップ７０３に進み、最終スペア領域１０４である場合はステップ７０４に進む。
【００８８】
ステップ７０３では、ステップ７０１で選択したスペア領域の物理ブロックアドレスが最小の未使用ブロックを、交替先ブロックとして選択する。
【００８９】
ステップ７０４では、ステップ７０１で選択したスペア領域の物理ブロックアドレスが最大の未使用ブロックを、交替先ブロックとして選択する。
【００９０】
ステップ７０５では、欠陥ブロックに記録する予定であった記録データを、ステップ７０４で選択した交替先ブロックに交替記録する。
【００９１】
ステップ７０６では、欠陥ブロックの記録データが交替先ブロックに記録されていることを示すように欠陥管理情報を更新する。このとき、欠陥ブロックの直前のブロックも交替記録されていて、欠陥エントリとしてＣＲＤエントリが使用できる場合は、ＣＲＤエントリを使用する。
【００９２】
ステップ７０７では、ステップ７０６で更新した欠陥管理情報をＤＭＡ１〜ＤＭＡ４（１０５〜１０８）に記録する。
【００９３】
以上のステップのように、欠陥ブロックを検出した際の交替記録が行われる。
【００９４】
なお、欠陥ブロックが連続している場合は、ステップ７０３またはステップ７０４で、連続した未使用ブロックを交替先ブロックとして選択し、ステップ７０５で一括して交替記録することも可能である。
【００９５】
次に、図２に示したような構成の欠陥管理領域ＤＭＡを備えた情報記録媒体１００の交替記録処理の一例を、図８および図９に示すフローチャートを用いて説明する。
【００９６】
図８は、情報記録媒体１００を装置へ装着した時などに実行される欠陥管理情報を読み出す処理の一例を示したフローチャートである。
【００９７】
ステップ８０１では、ＤＭＡのＤＤＳ領域を再生してポインタ情報を取得し、ポインタ情報が示す有効なＤＦＬ領域を特定する。すなわち、ＤＤＳ領域から、有効なＤＦＬ領域の位置情報を再生する。
【００９８】
ステップ８０２では、ステップ８０１で取得した有効なＤＦＬ領域から、欠陥管理情報として、各スペア領域の次に使用するブロックの物理ブロックアドレスと、欠陥リストとを再生する。再生した各スペア領域の次に使用するブロックの物理ブロックアドレスと、欠陥リストとは、バッファ３０７に格納する。
【００９９】
図９は、ユーザデータ領域１０１への記録中に欠陥ブロックを検出した際の、交替記録処理の一例を示したフローチャートである。
【０１００】
ステップ９０１では、交替先のスペア領域を選択する。スペア領域の選択方法は、ステップ７０１と同様にできる。
【０１０１】
ステップ９０２では、選択したスペア領域における次に使用するブロックの物理ブロックアドレスで示されるブロックへ交替記録する。
【０１０２】
ステップ９０３では、ステップ９０１で選択したスペア領域が最終スペア領域１０４であるかを判定する。もし、最終スペア領域１０４ではない、すなわち先頭スペア領域１０２および中間スペア領域１０３のいずれかのスペア領域である場合は、ステップ９０４に進み、最終スペア領域１０４である場合はステップ９０５に進む。
【０１０３】
ステップ９０４では、ステップ９０１で選択したスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示すアドレス情報を更新する。具体的には、スペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示すアドレス情報を、交替記録に使用したブロック数加えた値に更新する。これにより、未使用のブロックのうちの物理ブロックアドレスが最も小さいブロックが示されるように上記アドレス情報が更新される。
【０１０４】
ステップ９０５では、最終スペア領域１０４において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示すアドレス情報を更新する。具体的には、最終スペア領域１０４において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示すアドレス情報を、交替記録に使用したブロック数減じた値に更新する。これにより、未使用のブロックのうちの物理ブロックアドレスが最も大きいブロックが示されるように上記アドレス情報が更新される。
【０１０５】
ステップ９０６では、欠陥ブロックの記録データが交替先ブロックに記録されていることを示すエントリを欠陥リストに追加して欠陥管理情報を更新する。
【０１０６】
ステップ９０７では、ステップ９０４またはステップ９０５で更新されたスペア領域の次に使用するブロックの物理ブロックアドレスと、ステップ９０６で更新された欠陥リストとを、欠陥管理情報としてＤＭＡ１〜ＤＭＡ４（１０５〜１０８）の有効なＤＦＬ領域に記録する。
【０１０７】
以上のステップのように、欠陥ブロックを検出した際の交替記録が行われる。
【０１０８】
なお、連続した欠陥ブロックを先頭スペア領域１０２または中間スペア領域１０３に交替記録する場合は、そのスペア領域における次に使用するブロックから連続したブロックに昇順に交替記録する。また、連続した欠陥ブロックを最終スペア領域１０４に交替記録する場合は、次のように交替記録を行うとよい。連続した欠陥ブロック数がｍ個である場合は、まず、最終スペア領域における次に使用するブロックの物理ブロックアドレスから、ｍ−１個のブロック分のアドレスを減じて得られるアドレスのブロックを選択する。そして、その選択したブロックから連続したブロックに昇順に交替記録する。これにより、アドレス情報が示す次に使用するブロックを含む連続したブロックに、昇順に一括して交替記録することが可能である。
【０１０９】
なお、連続した欠陥ブロックを一括して交替記録する場合に、最終スペア領域１０４を降順に使用してもよいが、この場合は欠陥リストのサイズが大きくなる。
【０１１０】
次に、情報記録装置３００が情報記録媒体１００のスペア領域を拡張する動作を、図１０を参照しながら説明する。
【０１１１】
情報記録媒体１００の最終スペア領域１０４とユーザデータ領域１０１の境界を、図１０に示すように、最終スペア領域１０４のサイズを拡大する方向に移動させる。これは、最終スペア領域１０４とユーザデータ領域１０１の境界の物理ブロックアドレス情報を更新することにより実現してもよいし、最終スペア領域１０４のサイズ情報を更新することにより実現してもよい。
【０１１２】
情報記録媒体１００の最終スペア領域１０４は物理ブロックアドレスの降順に使用するため、ユーザデータ領域１０１から離れている側から消費される。従って、ユーザデータ領域１０１に近い側は未使用のままになっている。このため、図１０に示すように、最終スペア領域１０４とユーザデータ領域１０１の境界を最終スペア領域１０４が拡大する方向に移動させたときに拡張された領域が、拡張前の最終スペア領域１０４の未使用ブロックと連続になる。故に、最終スペア領域１０４とユーザデータ領域１０１の境界情報を更新するだけで容易にスペア領域を拡張できる。
【０１１３】
次に、本発明の多層情報記録媒体の製造方法について説明する。アドレス信号やコントロールデータに応じた、情報信号を記録するためのトラックが設けられたＬ０層、Ｌ１層、Ｌ２層、Ｌ３層をこの順で、ディスク基板上に形成する。これにより、ユーザデータ領域、欠陥管理領域、スペア領域が、図１(ａ)および(ｂ)のいずれかに示す配置となる記録層を製造できる。なお、記録層と記録層の間には、中間層などが形成されてもよい。また記録層の上にカバー層が形成されてもよい。
【０１１４】
以上説明したように、本発明の多層情報記録媒体は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域は、物理ブロックアドレスの降順に使用され、前記第ｎスペア領域以外の前記第１スペア領域〜第ｎ−１スペア領域は、物理ブロックアドレスの昇順に使用される。
【０１１５】
ある実施形態によれば、前記多層情報記録媒体は、欠陥管理領域をさらに含み、前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録される。
【０１１６】
ある実施形態によれば、前記多層情報記録媒体は、欠陥リストが記録される欠陥管理領域をさらに含み、前記欠陥リストは、前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックと前記スペア領域の連続したブロックとの間で交替記録が行われていることを示す連続交替エントリを含む。
【０１１７】
本発明の情報記録装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域へ交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有するブロックへ交替記録し、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）へ交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有するブロックへ交替記録する。
【０１１８】
本発明の情報記録方法は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に記録する情報記録方法であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記情報記録方法は、（ａ）前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから前記複数のスペア領域のうちのどのスペア領域へ交替記録するかを選択するステップと、（ｂ）前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域である場合には、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有するブロックを選択するステップと、（ｃ）前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合には、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有するブロックを選択するステップと、（ｄ）前記ステップ（ｂ）または（ｃ）で選択したブロックへ交替記録するステップとを含む。
【０１１９】
本発明の情報再生装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体から情報を再生する情報再生装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、欠陥管理情報を格納するための欠陥管理領域とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域は、物理ブロックアドレスの降順に使用され、前記第ｎスペア領域以外の前記第１スペア領域〜第ｎ−１スペア領域は、物理ブロックアドレスの昇順に使用され、前記情報再生装置は、前記欠陥管理領域から前記欠陥管理情報を読み出し、前記欠陥管理情報に登録されている欠陥ブロックから情報を再生する代わりに、前記欠陥管理情報に登録されている交替先ブロックから情報を再生する。
【０１２０】
本発明の情報記録装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、欠陥管理領域とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録されており、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域へ交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域の前記次に使用するブロックへ交替記録し、前記第ｎスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数減じた値に更新し、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）へ交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域の前記次に使用するブロックへ交替記録し、前記第ｉスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数加えた値に更新する。
【０１２１】
本発明の情報記録方法は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録方法であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、欠陥管理領域とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録されており、前記情報記録方法は、（ａ）前記欠陥管理領域から前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を読み出すステップと、（ｂ）前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから前記複数のスペア領域のうちのどのスペア領域へ交替記録するかを選択するステップと、（ｃ）前記ステップ（ｂ）で選択したスペア領域の前記次に使用するブロックへ交替記録するステップと、（ｄ）前記ステップ（ｂ）で選択したスペア領域が、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域である場合には、前記第ｎスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数減じた値に更新するステップと、（ｅ）前記ステップ（ｂ）で選択したスペア領域が、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合には、前記第ｉスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数加えた値に更新するステップと、（ｆ）前記ステップ（ｄ）または（ｅ）で更新した前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記欠陥管理領域に記録するステップとを含む。
【０１２２】
本発明の多層情報記録媒体は、前記情報記録装置により情報が記録される複数の記録層を備えた多層情報記録媒体であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記多層情報記録媒体は、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を記録するための欠陥管理領域をさらに含む。
【０１２３】
本発明の情報再生装置は、前記多層情報記録媒体から情報を再生する情報再生装置であって、前記情報再生装置は、前記欠陥管理領域から欠陥管理情報を読み出し、前記欠陥管理情報に登録されている欠陥ブロックから情報を再生する代わりに、前記欠陥管理情報に登録されている交替先ブロックから情報を再生する。
【０１２４】
本発明の多層情報記録媒体は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、ＤＤＳ領域および複数のＤＦＬ領域を含む欠陥管理領域とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記ＤＤＳ領域には、前記複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域を示すポインタ情報が記録され、前記有効なＤＦＬ領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録される。
【０１２５】
本発明の情報記録装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、ＤＤＳ領域および複数のＤＦＬ領域を含む欠陥管理領域とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記情報記録装置は、前記複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域を示すポインタ情報を前記ＤＤＳ領域に記録し、前記有効なＤＦＬ領域に、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を記録する。
【０１２６】
本発明の情報記録方法は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に記録する情報記録方法であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、ＤＤＳ領域および複数のＤＦＬ領域を含む欠陥管理領域とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記情報記録方法は、前記複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域を示すポインタ情報を前記ＤＤＳ領域に記録するステップと、前記有効なＤＦＬ領域に、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を記録するステップとを含む。
【０１２７】
本発明の情報再生装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体から情報を再生する情報再生装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、ＤＤＳ領域および複数のＤＦＬ領域を含む欠陥管理領域とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記ＤＤＳ領域は、前記複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域を示すポインタ情報を含み、前記有効なＤＦＬ領域は、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を含み、前記情報再生装置は、前記ＤＤＳ領域から前記ポインタ情報を再生し、前記ポインタ情報が示す前記有効なＤＦＬ領域から、前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を再生する。
【０１２８】
本発明の情報記録装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックから、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域へ交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックに一括して交替記録し、前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックから、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）へ交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックに一括して交替記録する。
【０１２９】
ある実施形態によれば、前記多層情報記録媒体は、欠陥管理領域をさらに含み、前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録されており、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の前記連続した欠陥ブロックから、前記第ｎスペア領域へ交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域の前記次に使用するブロックから前記アドレスの降順に連続したブロックを選択し、前記降順に連続したブロックに対して、前記アドレスの昇順に一括して交替記録し、前記第ｎスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数減じた値に更新し、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の前記連続した欠陥ブロックから、前記第ｉスペア領域へ交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域の前記次に使用するブロックから前記アドレスの昇順に一括して交替記録し、前記第ｉスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数加えた値に更新する。
【０１３０】
本発明の情報記録方法は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録方法であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））とを含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記情報記録方法は、（ａ）前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックから、前記複数のスペア領域のうちのどのスペア領域へ交替記録するかを選択するステップと、（ｂ）前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域である場合には、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックを選択するステップと、（ｃ）前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合には、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックを選択するステップと、（ｄ）前記ステップ（ｂ）または（ｃ）で選択した連続したブロックに一括して交替記録するステップとを含む。
【０１３１】
ある実施形態によれば、前記多層情報記録媒体は、欠陥管理領域をさらに含み、前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録されており、前記情報記録方法は、（ｅ）前記欠陥管理領域から前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を読み出すステップ、をさらに含み、前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が前記第ｎスペア領域である場合には、前記ステップ（ｂ）は、前記第ｎスペア領域の前記次に使用するブロックから前記アドレスの降順に連続したブロックを選択するステップを含み、前記ステップ（ｄ）は、前記降順に連続したブロックに対して、前記アドレスの昇順に一括して交替記録するステップを含み、前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が前記第ｉスペア領域である場合には、前記ステップ（ｄ）は、前記第ｉスペア領域の前記次に使用するブロックから前記アドレスの昇順に一括して交替記録するステップを含み、前記情報記録方法は、（ｆ）前記第ｎスペア領域を用いて交替記録を行った場合には、前記第ｎスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録したブロック数減じた値に更新するステップと、（ｇ）前記第ｉスペア領域を用いて交替記録を行った場合には、前記第ｉスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録したブロック数加えた値に更新するステップと、（ｈ）前記ステップ（ｆ）または（ｇ）で更新した前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記欠陥管理領域に記録するステップとをさらに含む。
【０１３２】
また、本発明の多層情報記録媒体は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを交替記録するための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域）を含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域は物理ブロックアドレスの降順に使用され、前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）は物理ブロックアドレスの昇順に使用される。
【０１３３】
ある実施形態によれば、前記多層情報記録媒体は、さらに欠陥管理領域を含み、前記欠陥管理領域は、欠陥リストを含み、前記欠陥リストは、前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のいずれかのスペア領域の連続したブロックへ交替記録されていることを示す連続交替エントリをもつ。
【０１３４】
ある実施形態によれば、前記多層情報記録媒体は、さらに欠陥管理領域を含み、前記欠陥管理領域は、前記複数のスペア領域の各々に対して次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を含む。
【０１３５】
ある実施形態によれば、前記欠陥管理領域は、ＤＤＳ領域と複数のＤＦＬ領域から構成され、前記ＤＤＳ領域は、前記複数のＤＦＬ領域のうち有効なＤＦＬ領域を指し示すポインタ情報を含み、前記有効なＤＦＬ領域は、前記複数のスペア領域の各々に対して次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を含む。
【０１３６】
ある実施形態によれば、前記多層情報記録媒体は、書き換え可能型である。
【０１３７】
ある実施形態によれば、前記多層情報記録媒体は、オポジットトラックパスである。
【０１３８】
本発明の情報記録装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に記録する情報記録装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを交替記録するための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域）を含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域に交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有するブロックに交替記録し、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）に交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有するブロックに交替記録する。
【０１３９】
本発明の情報記録装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に記録する情報記録装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを交替記録するための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域）を含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域に交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックに一括して交替記録し、前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）に交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックに一括して交替記録する。
【０１４０】
本発明の情報記録装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に対する情報記録装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを交替記録するための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域）と、欠陥管理領域を含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記欠陥管理領域には、少なくとも前記複数のスペア領域の各々に対して次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報が記録されており、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域に交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報で示されるブロックに交替記録して前記第ｎスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を交替記録したブロック数減じた値に更新し、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）に交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報で示されるブロックに交替記録して前記第ｉスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を交替記録したブロック数加えた値に更新する。
【０１４１】
本発明の情報記録装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に対する情報記録装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを交替記録するための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域）と、欠陥管理領域を含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記欠陥管理領域には、少なくとも前記複数のスペア領域の各々に対して次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報が記録されており、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域に交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報で示されるブロックから交替記録するブロック数を減じたブロックから一括して交替記録して前記第ｎスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を交替記録したブロック数減じた値に更新し、前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）に交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報で示されるブロックから一括して交替記録して前記第ｉスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を交替記録したブロック数加えた値に更新する。
【０１４２】
本発明の情報記録装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に対する情報記録装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを交替記録するための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域）と、ＤＤＳ領域と複数のＤＦＬ領域から構成される欠陥管理領域を含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記ＤＤＳ領域には、少なくとも前記複数のＤＦＬ領域のうち有効なＤＦＬ領域を指し示すポインタ情報が記録されており、前記有効なＤＦＬ領域には、少なくとも前記複数のスペア領域の各々に対して次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報が記録されており、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域に交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報で示されるブロックに交替記録して前記第ｎスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を交替記録したブロック数減じた値に更新し、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）に交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報で示されるブロックに交替記録して前記第ｉスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を交替記録したブロック数加えた値に更新する。
【０１４３】
本発明の情報記録装置は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に対する情報記録装置であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを交替記録するための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域）と、ＤＤＳ領域と複数のＤＦＬ領域から構成される欠陥管理領域を含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記ＤＤＦ領域には、少なくとも前記複数のＤＦＬ領域のうち有効なＤＦＬ領域を指し示すポインタ情報が記録されており、前記有効なＤＦＬ領域には、少なくとも前記複数のスペア領域の各々に対して次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報が記録されており、前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域に交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報で示されるブロックから交替記録するブロック数を減じたブロックから一括して交替記録して前記第ｎスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を交替記録したブロック数減じた値に更新し、前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）に交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報で示されるブロックから一括して交替記録して前記第ｉスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を交替記録したブロック数加えた値に更新する。
【０１４４】
本発明の情報記録方法は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に記録する情報記録方法であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを交替記録するための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域）を含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、（ａ）前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうちどのスペア領域に交替記録するかを選択するステップと、（ｂ）（ａ）で選択したスペア領域が前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域である場合に、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有するブロックを選択するステップと、（ｃ）（ａ）で選択したスペア領域が前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合に、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有するブロックを選択するステップと、（ｄ）（ｂ）または（ｃ）で選択したブロックに交替記録するステップとを含む。
【０１４５】
本発明の情報記録方法は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に対する情報記録方法であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを交替記録するための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域）を含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、（ａ）前記ユーザデータ領域における連続した欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうちどのスペア領域に交替記録するかを選択するステップと、（ｂ）（ａ）で選択したスペア領域が前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域である場合に、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックを選択するステップと、（ｃ）（ａ）で選択したスペア領域が前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合に、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックを選択するステップと、（ｄ）（ｂ）または（ｃ）で選択した連続したブロックに一括して交替記録するステップとを含む。
【０１４６】
本発明の情報記録方法は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に記録する情報記録方法であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを交替記録するための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域）と、欠陥管理領域を含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記欠陥管理領域には、少なくとも前記複数のスペア領域の各々に対して次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報が記録されており、（ａ）前記欠陥管理領域から前記複数のスペア領域の各々に対して次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を読み出すステップと、（ｂ）前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうちどのスペア領域に交替記録するかを選択するステップと、（ｃ）（ｂ）で選択したスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報で示されるブロックに交替記録するステップと、（ｄ）（ｂ）で選択したスペア領域が前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域である場合に、前記第ｎスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を（ｃ）で交替記録したブロック数減じた値に更新するステップと、（ｅ）（ｂ）で選択したスペア領域が前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合に、前記第ｉスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を（ｃ）で交替記録したブロック数加えた値に更新するステップと、（ｆ）（ｄ）または（ｅ）で更新した前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を前記欠陥管理領域に記録するステップとを含む。
【０１４７】
本発明の情報記録方法は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に記録する情報記録方法であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを交替記録するための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域）と、欠陥管理領域を含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記欠陥管理領域には、少なくとも前記複数のスペア領域の各々に対して次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報が記録されており、（ａ）前記欠陥管理領域から前記複数のスペア領域の各々に対して次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を読み出すステップと、（ｂ）前記ユーザデータ領域における連続した欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうちどのスペア領域に交替記録するかを選択するステップと、（ｃ）（ｂ）で選択したスペア領域が前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域である場合に、前記第ｎスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報で示されるブロックから交替記録するブロック数を減じたブロックから連続したブロックに交替記録し、（ｂ）で選択したスペア領域が前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合に、前記第ｉスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報で示されるブロックから連続したブロックに交替記録するステップと、（ｄ）（ｂ）で選択したスペア領域が前記第ｎスペア領域である場合に、前記第ｎスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を（ｃ）で交替記録したブロック数減じた値に更新するステップと、（ｅ）（ｂ）で選択したスペア領域が前記第ｉスペア領域である場合に、前記第ｉスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を（ｃ）で交替記録したブロック数加えた値に更新するステップと、（ｆ）（ｄ）または（ｅ）で更新した前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を前記欠陥管理領域に記録するステップとを含む。
【０１４８】
本発明の情報記録方法は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に記録する情報記録方法であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを交替記録するための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域）と、ＤＤＳ領域と複数のＤＦＬ領域から構成される欠陥管理領域を含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記ＤＤＳ領域には、少なくとも前記複数のＤＦＬ領域のうち有効なＤＦＬ領域を指し示すポインタ情報が記録されており、前記有効なＤＦＬ領域には、少なくとも前記複数のスペア領域の各々に対して次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報が記録されており、（ａ）前記ＤＤＳ領域から前記複数のＤＦＬ領域のうち有効なＤＦＬ領域を指し示すポインタ情報を読み出すステップと、（ｂ）（ａ）で読み出した有効なＤＦＬ領域を指し示すポインタ情報を基に前記有効なＤＦＬ領域から前記複数のスペア領域の各々に対して次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を読み出すステップと、（ｃ）前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうちどのスペア領域に交替記録するかを選択するステップと、（ｄ）（ｃ）で選択したスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報で示されるブロックに交替記録するステップと、（ｅ）（ｃ）で選択したスペア領域が前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域である場合に、前記第ｎスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を（ｄ）で交替記録したブロック数減じた値に更新するステップと、（ｆ）（ｃ）で選択したスペア領域が前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合に、前記第ｉスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を（ｄ）で交替記録したブロック数加えた値に更新するステップと、（ｇ）（ｅ）または（ｆ）で更新した前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を前記有効なＤＦＬ領域に記録するステップとを含む。
【０１４９】
本発明の情報記録方法は、複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に記録する情報記録方法であって、前記多層情報記録媒体は、ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、前記ユーザデータ領域における欠陥ブロックを交替記録するための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域）と、ＤＤＳ領域と複数のＤＦＬ領域から構成される欠陥管理領域を含み、前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、前記ＤＤＳ領域には、少なくとも前記複数のＤＦＬ領域のうち有効なＤＦＬ領域を指し示すポインタ情報が記録されており、前記有効なＤＦＬ領域には、少なくとも前記複数のスペア領域の各々に対して次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報が記録されており、（ａ）前記ＤＤＳ領域から前記複数のＤＦＬ領域のうち有効なＤＦＬ領域を指し示すポインタ情報を読み出すステップと、（ｂ）（ａ）で読み出した有効なＤＦＬ領域を指し示すポインタ情報を基に前記有効なＤＦＬ領域から前記複数のスペア領域の各々に対して次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を読み出すステップと、（ｃ）前記ユーザデータ領域における連続した欠陥ブロックを前記複数のスペア領域のうちどのスペア領域に交替記録するかを選択するステップと、（ｄ）（ｃ）で選択したスペア領域が前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域である場合に、前記第ｎスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報で示されるブロックから交替記録するブロック数を減じたブロックから連続したブロックに交替記録し、（ｃ）で選択したスペア領域が前記複数のスペア領域のうち最大の物理ブロックアドレスが割り当てられているスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合に、前記第ｉスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報で示されるブロックから連続したブロックに交替記録するステップと、（ｅ）（ｃ）で選択したスペア領域が前記第ｎスペア領域である場合に、前記第ｎスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を（ｄ）で交替記録したブロック数減じた値に更新するステップと、（ｆ）（ｃ）で選択したスペア領域が前記第ｉスペア領域である場合に、前記第ｉスペア領域に対する前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を（ｄ）で交替記録したブロック数加えた値に更新するステップと、（ｇ）（ｅ）または（ｆ）で更新した前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレス情報を前記有効なＤＦＬ領域に記録するステップとを含む。
【０１５０】
以上、本発明の特定の実施の形態について説明されてきたが、当業者にとっては他の多くの変形例、修正、他の利用が本発明に含まれることは明らかである。それゆえ、本発明は、ここでの特定の実施の形態に限定されず、請求項によってのみ限定され得る。
【産業上の利用可能性】
【０１５１】
本発明によれば、ディスク状の情報記録媒体において、先頭スペア領域と中間スペア領域を物理ブロックアドレスの昇順に使用し、最終スペア領域を物理ブロックアドレスの降順に使用する。これにより、欠陥管理情報のサイズを小さくするとともに、スペア領域を容易に拡張することが可能となる。本発明は、例えば、ホストコンピュータの外部記憶装置および当該記憶装置で使用する情報記録媒体に適用できる。本発明は、光ディスクの技術分野において特に有用である。
【符号の説明】
【０１５２】
１００  情報記録媒体
１０１  ユーザデータ領域
１０２  先頭スペア領域
１０３  中間スペア領域
１０４  最終スペア領域
１０５  ＤＭＡ１
１０６  ＤＭＡ２
１０７  ＤＭＡ３
１０８  ＤＭＡ４
３００  情報記録装置
３０２  ディスクモータ
３０３  光ヘッド
３０４  サーボ制御部
３０５  再生制御部
３０６  記録制御部
３０７  バッファ
３０８  システム制御部
６００  情報再生装置
６０２  ディスクモータ
６０３  光ヘッド
６０４  サーボ制御部
６０５  再生制御部
６０６  バッファ
６０７  システム制御部
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の記録層を備えた多層情報記録媒体であって、
前記多層情報記録媒体は、
ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、
前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と
を含み、
前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、
前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域は、物理ブロックアドレスの降順に使用され、
前記第ｎスペア領域以外の前記第１スペア領域〜第ｎ−１スペア領域は、物理ブロックアドレスの昇順に使用される、多層情報記録媒体。
【請求項２】
前記多層情報記録媒体は、欠陥管理領域をさらに含み、
前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録される、請求項１に記載の多層情報記録媒体。
【請求項３】
前記多層情報記録媒体は、欠陥リストが記録される欠陥管理領域をさらに含み、
前記欠陥リストは、前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックと前記スペア領域の連続したブロックとの間で交替記録が行われていることを示す連続交替エントリを含む、請求項１に記載の多層情報記録媒体。
【請求項４】
複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置であって、
前記多層情報記録媒体は、
ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、
前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と
を含み、
前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、
前記情報記録装置は、
前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域へ交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有するブロックへ交替記録し、
前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）へ交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有するブロックへ交替記録する、情報記録装置。
【請求項５】
複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に記録する情報記録方法であって、
前記多層情報記録媒体は、
ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、
前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と
を含み、
前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、
前記情報記録方法は、
（ａ）前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから前記複数のスペア領域のうちのどのスペア領域へ交替記録するかを選択するステップと、
（ｂ）前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域である場合には、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有するブロックを選択するステップと、
（ｃ）前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合には、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有するブロックを選択するステップと、
（ｄ）前記ステップ（ｂ）または（ｃ）で選択したブロックへ交替記録するステップと
を含む、情報記録方法。
【請求項６】
複数の記録層を備えた多層情報記録媒体から情報を再生する情報再生装置であって、
前記多層情報記録媒体は、
ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、
前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、
欠陥管理情報を格納するための欠陥管理領域と
を含み、
前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、
前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域は、物理ブロックアドレスの降順に使用され、
前記第ｎスペア領域以外の前記第１スペア領域〜第ｎ−１スペア領域は、物理ブロックアドレスの昇順に使用され、
前記情報再生装置は、
前記欠陥管理領域から前記欠陥管理情報を読み出し、
前記欠陥管理情報に登録されている欠陥ブロックから情報を再生する代わりに、前記欠陥管理情報に登録されている交替先ブロックから情報を再生する、情報再生装置。
【請求項７】
複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置であって、
前記多層情報記録媒体は、
ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、
前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、
欠陥管理領域と
を含み、
前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、
前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録されており、
前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域へ交替記録する場合は、
前記第ｎスペア領域の前記次に使用するブロックへ交替記録し、
前記第ｎスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数減じた値に更新し、
前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）へ交替記録する場合は、
前記第ｉスペア領域の前記次に使用するブロックへ交替記録し、
前記第ｉスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数加えた値に更新する、情報記録装置。
【請求項８】
複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録方法であって、
前記多層情報記録媒体は、
ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、
前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、
欠陥管理領域と
を含み、
前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、
前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録されており、
前記情報記録方法は、
（ａ）前記欠陥管理領域から前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を読み出すステップと、
（ｂ）前記ユーザデータ領域の欠陥ブロックから前記複数のスペア領域のうちのどのスペア領域へ交替記録するかを選択するステップと、
（ｃ）前記ステップ（ｂ）で選択したスペア領域の前記次に使用するブロックへ交替記録するステップと、
（ｄ）前記ステップ（ｂ）で選択したスペア領域が、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域である場合には、前記第ｎスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数減じた値に更新するステップと、
（ｅ）前記ステップ（ｂ）で選択したスペア領域が、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合には、前記第ｉスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数加えた値に更新するステップと、
（ｆ）前記ステップ（ｄ）または（ｅ）で更新した前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記欠陥管理領域に記録するステップと
を含む、情報記録方法。
【請求項９】
請求項７に記載の情報記録装置により情報が記録される複数の記録層を備えた多層情報記録媒体であって、
前記多層情報記録媒体は、
ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、
前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と
を含み、
前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、
前記多層情報記録媒体は、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を記録するための欠陥管理領域をさらに含む、多層情報記録媒体。
【請求項１０】
請求項９に記載の多層情報記録媒体から情報を再生する情報再生装置であって、
前記情報再生装置は、
前記欠陥管理領域から欠陥管理情報を読み出し、
前記欠陥管理情報に登録されている欠陥ブロックから情報を再生する代わりに、前記欠陥管理情報に登録されている交替先ブロックから情報を再生する、情報再生装置。
【請求項１１】
複数の記録層を備えた多層情報記録媒体であって、
前記多層情報記録媒体は、
ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、
前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、
ＤＤＳ領域および複数のＤＦＬ領域を含む欠陥管理領域と
を含み、
前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、
前記ＤＤＳ領域には、前記複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域を示すポインタ情報が記録され、
前記有効なＤＦＬ領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録される、多層情報記録媒体。
【請求項１２】
複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置であって、
前記多層情報記録媒体は、
ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、
前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、
ＤＤＳ領域および複数のＤＦＬ領域を含む欠陥管理領域と
を含み、
前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、
前記情報記録装置は、
前記複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域を示すポインタ情報を前記ＤＤＳ領域に記録し、
前記有効なＤＦＬ領域に、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を記録する、情報記録装置。
【請求項１３】
複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に記録する情報記録方法であって、
前記多層情報記録媒体は、
ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、
前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、
ＤＤＳ領域および複数のＤＦＬ領域を含む欠陥管理領域と
を含み、
前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、
前記情報記録方法は、
前記複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域を示すポインタ情報を前記ＤＤＳ領域に記録するステップと、
前記有効なＤＦＬ領域に、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を記録するステップと
を含む、情報記録方法。
【請求項１４】
複数の記録層を備えた多層情報記録媒体から情報を再生する情報再生装置であって、
前記多層情報記録媒体は、
ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、
前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と、
ＤＤＳ領域および複数のＤＦＬ領域を含む欠陥管理領域と
を含み、
前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、
前記ＤＤＳ領域は、前記複数のＤＦＬ領域のうちの有効なＤＦＬ領域を示すポインタ情報を含み、
前記有効なＤＦＬ領域は、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を含み、
前記情報再生装置は、
前記ＤＤＳ領域から前記ポインタ情報を再生し、
前記ポインタ情報が示す前記有効なＤＦＬ領域から、前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を再生する、情報再生装置。
【請求項１５】
複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置であって、
前記多層情報記録媒体は、
ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、
前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と
を含み、
前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、
前記情報記録装置は、
前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックから、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている前記第ｎスペア領域へ交替記録する場合は、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックに一括して交替記録し、
前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックから、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）へ交替記録する場合は、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックに一括して交替記録する、情報記録装置。
【請求項１６】
前記多層情報記録媒体は、欠陥管理領域をさらに含み、
前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録されており、
前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の前記連続した欠陥ブロックから、前記第ｎスペア領域へ交替記録する場合は、
前記第ｎスペア領域の前記次に使用するブロックから前記アドレスの降順に連続したブロックを選択し、
前記降順に連続したブロックに対して、前記アドレスの昇順に一括して交替記録し、
前記第ｎスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数減じた値に更新し、
前記情報記録装置は、前記ユーザデータ領域の前記連続した欠陥ブロックから、前記第ｉスペア領域へ交替記録する場合は、
前記第ｉスペア領域の前記次に使用するブロックから前記アドレスの昇順に一括して交替記録し、
前記第ｉスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録に使用したブロック数加えた値に更新する、請求項１５に記載の情報記録装置。
【請求項１７】
複数の記録層を備えた多層情報記録媒体に情報を記録する情報記録方法であって、
前記多層情報記録媒体は、
ユーザデータを記録するためのユーザデータ領域と、
前記ユーザデータ領域に欠陥ブロックがある場合に交替記録を行うための複数のスペア領域（第１スペア領域〜第ｎスペア領域（ｎは４以上の整数））と
を含み、
前記多層情報記録媒体の記録再生単位である各ブロックには物理ブロックアドレスが割り当てられており、
前記情報記録方法は、
（ａ）前記ユーザデータ領域の連続した欠陥ブロックから、前記複数のスペア領域のうちのどのスペア領域へ交替記録するかを選択するステップと、
（ｂ）前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が、前記複数のスペア領域のうちの最大の物理ブロックアドレスが割り当てられている第ｎスペア領域である場合には、前記第ｎスペア領域の未使用ブロックの中で最大の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックを選択するステップと、
（ｃ）前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が、前記第ｎスペア領域以外の第ｉスペア領域（１≦ｉ＜ｎ）である場合には、前記第ｉスペア領域の未使用ブロックの中で最小の物理ブロックアドレスを有する連続したブロックを選択するステップと、
（ｄ）前記ステップ（ｂ）または（ｃ）で選択した連続したブロックに一括して交替記録するステップと
を含む、情報記録方法。
【請求項１８】
前記多層情報記録媒体は、欠陥管理領域をさらに含み、
前記欠陥管理領域には、前記複数のスペア領域の各々において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報が記録されており、
前記情報記録方法は、
（ｅ）前記欠陥管理領域から前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を読み出すステップ、
をさらに含み、
前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が前記第ｎスペア領域である場合には、
前記ステップ（ｂ）は、前記第ｎスペア領域の前記次に使用するブロックから前記アドレスの降順に連続したブロックを選択するステップを含み、
前記ステップ（ｄ）は、前記降順に連続したブロックに対して、前記アドレスの昇順に一括して交替記録するステップを含み、
前記ステップ（ａ）で選択したスペア領域が前記第ｉスペア領域である場合には、
前記ステップ（ｄ）は、前記第ｉスペア領域の前記次に使用するブロックから前記アドレスの昇順に一括して交替記録するステップを含み、
前記情報記録方法は、
（ｆ）前記第ｎスペア領域を用いて交替記録を行った場合には、前記第ｎスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録したブロック数減じた値に更新するステップと、
（ｇ）前記第ｉスペア領域を用いて交替記録を行った場合には、前記第ｉスペア領域において次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記交替記録したブロック数加えた値に更新するステップと、
（ｈ）前記ステップ（ｆ）または（ｇ）で更新した前記次に使用するブロックの物理ブロックアドレスを示す情報を、前記欠陥管理領域に記録するステップと
をさらに含む、請求項１７に記載の情報記録方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2010073549.tif 000017
【図２】
2010073549.tif 000018
【図３】
2010073549.tif 000019
【図４】
2010073549.tif 000020
【図５】
2010073549.tif 000021
【図６】
2010073549.tif 000022
【図７】
2010073549.tif 000023
【図８】
2010073549.tif 000024
【図９】
2010073549.tif 000025
【図１０】
2010073549.tif 000026
【図１１】
2010073549.tif 000027
【図１２】
2010073549.tif 000028
【図１３】
2010073549.tif 000029
【図１４】
2010073549.tif 000030
【国際調査報告】
2010073549.tif 000031
2010073549.tif 000032
2010073549.tif 000033
2010073549.tif 000034
2010073549.tif 000035
2010073549.tif 000036
2010073549.tif 000037
2010073549.tif 000038