(57)【要約】ＳＡＷ装置１は、弾性波を伝搬させる基板３と、基板３の第１主面３ａ上に配置されたＩＤＴ電極１５と、ＩＤＴ電極１５と電気的に接続され、第１主面３ａに設けられる電極パッド１３とを有する。また、ＳＡＷ装置１は、電極パッド１３上に立てて設けられる柱状の端子（柱部７ｚ）と、柱部７ｚの側面から延びる第３導電層３９と、ＩＤＴ電極１５上に中空の振動空間Ｓを形成するとともに、柱部７ｚの側面及び第３導電層３９を覆うカバー５とを有する。
2010125873.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性波を伝搬させる基板と、
前記基板の主面上に配置された励振電極と、
前記励振電極と電気的に接続され、前記主面に設けられる電極パッドと、
前記電極パッド上に配置される柱状の端子と、
前記端子の側面から延びる導電性の張出部と、
前記基板の主面上に配置されるとともに前記端子の側面及び前記張出部を被覆し、前記励振電極を保護するカバーと、
を有する弾性波装置。
【請求項２】
前記張出部は、前記端子の側面に対し、その全周にわたって接続されている
請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記張出部は、第１配線及び回路素子の少なくとも一方を含む回路構成部を有する
請求項１又は２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記カバーは、前記主面に積層され、前記主面の平面視において前記励振電極を囲む枠部と、前記枠部に積層されて前記枠部の開口を塞ぐ蓋部とを有し、
前記回路構成部は、前記枠部の直上領域のみに設けられている
請求項３に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記主面に設けられ、前記第１配線と電気的に接続されない第２配線をさらに備え、
前記第１配線と前記第２配線とが、絶縁層を介して交差する
請求項３又は４に記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記主面に設けられ、前記第１配線と電気的に接続されない第２配線をさらに備え、
前記第１配線と前記第２配線とが、前記枠部を介して交差する
請求項３又は４に記載の弾性波装置。
【請求項７】
前記張出部は、前記枠部と前記蓋部との間に設けられている
請求項４に記載の弾性波装置。
【請求項８】
前記枠部と前記蓋部とは同一材料により構成されている
請求項４に記載の弾性波装置。
【請求項９】
前記回路構成部は、前記回路素子を含み、
前記回路素子がミアンダ型のインダクタを有する
請求項３〜８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項１０】
前記端子は、前記基板の主面側が該主面とは反対側よりも径が大きいテーパ状に形成されている柱部を有する
請求項１〜９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項１１】
前記端子と前記張出部とは同一材料により構成されている
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項１２】
基板の主面に、励振電極及び当該励振電極に接続された電極パッドを形成する工程と、
前記主面に積層され、前記主面の平面視において前記励振電極を囲む枠状に形成され、前記電極パッドを露出させる第１貫通孔が形成された枠部を形成する工程と、
前記第１貫通孔の内部及び前記枠部の上面に、めっき下地層を形成する工程と、
前記めっき下地層上に、前記めっき下地層を、前記第１貫通孔において露出させるとともに、前記枠部の上面の一部において前記第１貫通孔とつながったパターンで露出させるレジスト層を形成する工程と、
めっき処理により、前記レジスト層から露出した前記めっき下地層上に金属を析出させる工程と、
前記レジスト層と、前記めっき下地層の前記レジスト層に被覆されていた部分とを除去する工程と、
前記枠部に積層されて前記枠部の開口を塞ぐ蓋状に形成され、前記第１貫通孔における析出金属を露出させる第２貫通孔が形成された蓋部を形成する工程と、
前記第２貫通孔に金属を充填する工程と、
を有する弾性波装置の製造方法。
【請求項１３】
基板の主面に、励振電極及び当該励振電極に接続された電極パッドを形成する工程と、
前記主面に積層され、前記主面の平面視において前記励振電極を囲む枠状に形成され、前記電極パッドを露出させる第１貫通孔が形成された枠部を形成する工程と、
前記第１貫通孔の内部及び前記枠部の上面の前記第１貫通孔とつながるパターンの領域に導電性の下地層を形成する工程と、
前記枠部に積層されて前記枠部の開口を塞ぐ蓋状に形成され、前記第１貫通孔を露出させる第２貫通孔が形成された蓋部を形成する工程と、
前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の内部に金属を充填する工程と、
を有する弾性波装置の製造方法。
【請求項１４】
前記張出部を形成する工程では、前記第１貫通孔及び前記所定のパターンの領域を露出させるレジスト層を形成した後に、前記レジスト層の配置位置及び非配置位置に亘って前記下地層を形成し、その後、前記下地層の前記レジスト層上の部分及び前記レジスト層を除去する
請求項１３に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項１５】
基板の主面に、励振電極及び当該励振電極に接続された電極パッドを形成する工程と、
前記主面に積層され、前記主面の平面視において前記励振電極を囲む枠状に形成され、前記電極パッドを露出させる第１貫通孔が形成された枠部を形成する工程と、
前記枠部に積層されて前記枠部の開口を塞ぐ蓋状に形成され、前記第１貫通孔を露出させる第２貫通孔が形成された蓋部を形成する工程と、
前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の内部及び前記蓋部の上面の前記第２貫通孔とつながるパターンの領域にめっき下地層を形成する工程と、
めっき処理により、前記めっき下地層上に金属を析出させて、配線及び回路素子の少なくとも一方を含み、前記枠部の直上領域のみに設けられた回路構成部、並びに、端子を形成する工程と、
を有する弾性波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）装置や圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Ｆｉｌｍ  Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）等の弾性波装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
小型化等を目的とした、いわゆるウェハレベルパッケージの弾性波装置が知られている。【０００３】
ウェハレベルパッケージの弾性波装置として、例えば、特許文献１には、圧電基板の主面上に配置された弾性波素子が、第１封止部に設けられた空洞内に収容されたものが開示されている。
特許文献１の弾性波装置は、圧電基板の主面に設けられた電極パッドを備える。その電極パッド上には、柱状の端子部が形成されており、端子部は、第１封止部を覆う第２封止部の上面から露出している。【０００４】
特許文献１の技術は、第２封止部と端子部との熱膨張差によって端子部と第２封止部との間に剥離が生じると、その剥離によって生じた隙間から浸入した水分が主面まで到達し、端子部と電極パッドの接続部分が腐食するといった短所がある。【０００５】
従って、端子と電極パッドとの接続部分の腐食の発生を抑えることができる弾性波装置及びその製造方法が提供されることが望ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２０８６６５号公報
【発明の概要】
【０００７】
本発明の第１の観点に係る弾性波装置は、弾性波を伝搬させる基板と、前記基板の主面上に配置された励振電極と、前記励振電極と電気的に接続され、前記主面に設けられる電極パッドと、前記電極パッド上に配置される柱状の端子と、前記端子の側面から延びる導電性の張出部と、前記基板の主面上に配置されるとともに前記端子の側面及び前記張出部を被覆し、前記励振電極を保護するカバーと、を有する。
【０００８】
本発明の第２の観点に係る弾性波装置の製造方法は、基板の主面に、励振電極及び当該励振電極に接続された電極パッドを形成する工程と、前記主面に積層され、前記主面の平面視において前記励振電極を囲む枠状に形成され、前記電極パッドを露出させる第１貫通孔が形成された枠部を形成する工程と、前記第１貫通孔の内部及び前記枠部の上面に、めっき下地層を形成する工程と、前記めっき下地層上に、前記めっき下地層を、前記第１貫通孔において露出させるとともに、前記枠部の上面の一部において前記第１貫通孔とつながったパターンで露出させるレジスト層を形成する工程と、めっき処理により、前記レジスト層から露出した前記めっき下地層上に金属を析出させる工程と、前記レジスト層と、前記めっき下地層の前記レジスト層に被覆されていた部分とを除去する工程と、前記枠部に積層されて前記枠部の開口を塞ぐ蓋状に形成され、前記第１貫通孔における析出金属を露出させる第２貫通孔が形成された蓋部を形成する工程と、前記第２貫通孔に金属を充填する工程と、を有する。
【０００９】
本発明の第３の観点に係る弾性波装置の製造方法は、基板の主面に、励振電極及び当該励振電極に接続された電極パッドを形成する工程と、前記主面に積層され、前記主面の平面視において前記励振電極を囲む枠状に形成され、前記電極パッドを露出させる第１貫通孔が形成された枠部を形成する工程と、前記第１貫通孔の内部及び前記枠部の上面の前記第１貫通孔とつながるパターンの領域に導電性の下地層を形成する工程と、前記枠部に積層されて前記枠部の開口を塞ぐ蓋状に形成され、前記第１貫通孔を露出させる第２貫通孔が形成された蓋部を形成する工程と、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の内部に金属を充填する工程と、を有する。
【００１０】
本発明の第４の観点に係る弾性波装置の製造方法は、基板の主面に、励振電極及び当該励振電極に接続された電極パッドを形成する工程と、前記主面に積層され、前記主面の平面視において前記励振電極を囲む枠状に形成され、前記電極パッドを露出させる第１貫通孔が形成された枠部を形成する工程と、前記枠部に積層されて前記枠部の開口を塞ぐ蓋状に形成され、前記第１貫通孔を露出させる第２貫通孔が形成された蓋部を形成する工程と、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の内部及び前記蓋部の上面の前記第２貫通孔とつながるパターンの領域にめっき下地層を形成する工程と、めっき処理により、前記めっき下地層上に金属を析出させて、配線及び回路素子の少なくとも一方を含み、前記枠部の直上領域のみに設けられた回路構成部、並びに、端子を形成する工程と、を有する。
【００１１】
上記の構成によれば、端子と電極パッドとの接続部分の腐食の発生を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１の実施形態のＳＡＷ装置の外観を示す斜視図である。
【図２】図１のＳＡＷ装置を一部を破断して示す斜視図である。
【図３】図１のＳＡＷ装置の配線構造を示す平面図である。
【図４】図４（ａ）は図３のＩＶａ−ＩＶａ線における断面図であり、図４（ｂ）は図３のＩＶｂ−ＩＶｂ線における断面図であり、図４（ｃ）は図３のＩＶｃ−ＩＶｃ線における断面図である。
【図５】図１のＳＡＷ装置の等価回路図である。
【図６】図６（ａ）〜図６（ｄ）は図１のＳＡＷ装置の製造方法を説明する、図３のＩＶａ−ＩＶａ線における断面図である。
【図７】図７（ａ）〜図７（ｄ）は図６（ｄ）の続きを説明する、図３のＩＶｃ−ＩＶｃ線における断面図である。
【図８】図８（ａ）〜図８（ｃ）は図７（ｄ）の続きを説明する、図３のＩＶａ−ＩＶａ線における断面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態のＳＡＷ装置を示す、図３のＩＶｃ−ＩＶｃ線に対応する断面図である。
【図１０】図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は図９のＳＡＷ装置の製造方法を説明する、図３のＩＶｃ−ＩＶｃ線に対応する断面図である。
【図１１】図１１（ａ）〜図１１（ｄ）は図１０（ｃ）の続きを説明する、図３のＩＶａ−ＩＶａ線に対応する断面図である。
【図１２】本発明の第３の実施形態のＳＡＷ装置を示す、図３のＩＶｃ−ＩＶｃ線に対応する断面図である。
【図１３】図１３（ａ）〜図１３（ｃ）は図１２のＳＡＷ装置の製造方法を説明する、図３のＩＶｃ−ＩＶｃ線に対応する断面図である。
【図１４】本発明の第４の実施形態のＳＡＷ装置の配線構造を示す平面図である。
【図１５】図１４のＸＶ−ＸＶ線における断面図である。
【図１６】図１６（ａ）〜図１６（ｃ）は本発明の変形例に係るＳＡＷ装置を示す等価回路図である。
【図１７】本発明の他の変形例に係るＳＡＷ装置を示す等価回路図である。
【図１８】本発明の第５の実施形態のＳＡＷ装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。また、説明対象の実施形態において、既に説明された実施形態と同一又は類似する構成については同一の符号を付して説明を省略することがある。
【００１４】
＜第１の実施形態＞
（ＳＡＷ装置の構成）
図１は、本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置１の外観斜視図である。
【００１５】
ＳＡＷ装置１は、いわゆるウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）形のＳＡＷ装置により構成されている。ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３に固定されたカバー５と、カバー５から露出する第１端子７Ａ〜第６端子７Ｆ（以下、これらを区別せずに、単に「端子７」ということがある。）と、基板３のカバー５とは反対側に設けられた裏面部９とを有している。
【００１６】
ＳＡＷ装置１は、複数の端子７のいずれかを介して信号の入力がなされる。入力された信号は、ＳＡＷ装置１によりフィルタリングされる。そして、ＳＡＷ装置１は、フィルタリングした信号を複数の端子７のいずれかを介して出力する。ＳＡＷ装置１は、例えば、カバー５側の面を不図示の回路基板等の実装面に対向させて当該実装面に載置された状態で樹脂封止されることにより、端子７を実装面上の端子に接続した状態で実装される。
【００１７】
基板３は、圧電基板により構成されている。具体的には、例えば、基板３は、タンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する直方体状の単結晶基板である。基板３は、第１主面３ａと、その背面側の第２主面３ｂとを有している。基板３の平面形状は適宜に設定されてよいが、例えば矩形である。基板３の大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さは０．２ｍｍ〜０．５ｍｍ、１辺の長さは０．５ｍｍ〜２ｍｍである。
【００１８】
カバー５は、第１主面３ａを覆うように設けられている。カバー５の平面形状は、例えば、基板３の平面形状と同様（本実施形態では矩形）である。カバー５は、例えば、第１主面３ａと概ね同等の広さを有し、第１主面３ａの概ね全面を覆っている。
【００１９】
複数の端子７は、カバー５の上面（基板３とは反対側の面）から露出している。複数の端子７の数は、ＳＡＷ装置１の内部の電子回路の構成に応じて適宜に設定される。本実施形態では、６つの端子７が設けられている場合を例示している。端子７は、適宜な位置に配置されてよいが、例えば、カバー５の外周に沿って配列されている。より具体的には、４つの端子７（７Ａ、７Ｃ、７Ｄ、７Ｆ）は、矩形の４隅に配置されている。さらに、２つの端子７（７Ｂ、７Ｅ）は、カバー５の１辺の中央に配置されている。
【００２０】
裏面部９は、特に図示しないが、例えば、第２主面３ｂの概ね全面を覆う裏面電極と、裏面電極を覆う絶縁性の保護層とを有している。裏面電極により、温度変化等により基板３表面にチャージされた電荷が放電される。保護層により、基板３の損傷が抑制される。なお、以下では、裏面部９は、図示や説明が省略されることがある。
【００２１】
図２は、カバー５の一部を破断して示すＳＡＷ装置１の斜視図である。
【００２２】
第１主面３ａには、ＳＡＷ共振子１１Ａ（図３参照）と、ＳＡＷフィルタ１１Ｂとが設けられている。なお、以下では、ＳＡＷ共振子１１ＡとＳＡＷフィルタ１１Ｂとを区別せずに、これらを「ＳＡＷ素子１１」ということがある。なお、図２において、ＳＡＷフィルタ１１Ｂは、後述する図３よりも模式的に示されている。
【００２３】
また、第１主面３ａには、第１端子７Ａ〜第６端子７Ｆの直下において、第１電極パッド１３Ａ〜第６電極パッド１３Ｆ（図３も参照。以下、単に「電極パッド１３」といい、これらを区別しないことがある。）が設けられている。電極パッド１３は、ＳＡＷ素子１１と接続されている。端子７は、カバー５を貫通するように設けられており、電極パッド１３に接続されることにより、ＳＡＷ素子１１と接続されている。
【００２４】
カバー５は、ＳＡＷ素子１１の周囲に空洞が形成されるように第１主面３ａを覆っている。具体的には、カバー５は、ＳＡＷ共振子１１Ａの周囲に第１振動空間Ｓ１を形成し、ＳＡＷフィルタ１１Ｂの周囲に第２振動空間Ｓ２を形成している。なお、以下では、第１振動空間Ｓ１と第２振動空間Ｓ２とを区別せずに、これらを「振動空間Ｓ」ということがある。
【００２５】
図３は、基板３の第１主面３ａにおける配線構造を示す模式的な平面図である。なお、図３においては、振動空間Ｓの範囲を２点鎖線で示している。
【００２６】
ＳＡＷ共振子１１Ａは、例えば、ＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１５Ａと、ＩＤＴ電極１５Ａの、ＳＡＷの伝搬方向（Ｘ方向）両側に配置された２つの反射器１７Ａとを有している。
【００２７】
ＳＡＷフィルタ１１Ｂは、例えば、縦結合ダブルモードＳＡＷフィルタにより構成されている。すなわち、ＳＡＷフィルタ１１Ｂは、複数（例えば５つ）のＩＤＴ電極１５Ｂと、複数のＩＤＴ電極１５Ｂの、ＳＡＷの伝搬方向（Ｘ方向）両側に配置された２つの反射器１７Ｂとを有している。
【００２８】
ＩＤＴ電極１５Ａ又は１５Ｂ（以下、Ａ、Ｂを省略することがある。）は、それぞれ一対の電極から構成されている。この一対の電極は、ＳＡＷの伝搬方向（Ｘ方向）に延びるバスバー１５ａと、バスバー１５ａから上記伝搬方向に直交する方向（Ｙ方向）に伸びる複数の電極指１５ｂとを有し、電極指１５ｂが互いに噛合うように配置されている。なお、図３は模式図であることから、電極指１５ｂは、実際の数よりも少ない数で示されている。ＳＡＷ素子１１は、例えばＡｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって形成されている。
【００２９】
図４（ａ）は図３のＩＶａ−ＩＶａ線における断面図であり、図４（ｂ）は図３のＩＶｂ−ＩＶｂ線における断面図であり、図４（ｃ）は図３のＩＶｃ−ＩＶｃ線における断面図である。
【００３０】
第１主面３ａには、ＳＡＷ素子１１（図４（ｂ））を含む第１導電層１９と、第１導電層１９上に配置される絶縁層２１（図４（ａ））と、絶縁層２１上に配置される第２導電層２３（図４（ａ））とが形成されている。
【００３１】
第１導電層１９は、第１主面３ａ上における回路素子や配線等の構成に関して基本となる層である。第２導電層２３は、異なる電位が付与される配線同士が立体交差せざるを得ない場所において、絶縁層２１を介して第１導電層１９に積層して形成され、配線の一部を構成する層である。
【００３２】
第１導電層１９は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金により形成されており、その厚さは、例えば、１００〜２００ｎｍである。絶縁層２１は、例えば、感光性の樹脂（例えばポリイミド）により形成されており、その厚さは、例えば、１〜２μｍである。第２導電層２３は、例えば、金、ニッケル、クロムにより形成されている。第２導電層２３は、絶縁層２１によって生じる段差により断線しないように、例えば、第１導電層１９よりも厚く形成されており、その厚さは、例えば、１〜２μｍである。
【００３３】
第１導電層１９、絶縁層２１及び第２導電層２３による配線構造は、端子７やＳＡＷ素子１１の位置及び構造に応じて適宜に構成されてよい。図３は、以下のように構成されている配線構造を例示している。
【００３４】
第４端子７Ｄ（図３では第４電極パッド１３Ｄを参照）は、例えば、信号が入力される端子であり、第１導電層１９に含まれる入力側接続線２７によりＳＡＷ共振子１１Ａに接続されている。
【００３５】
ＳＡＷ共振子１１ＡとＳＡＷフィルタ１１Ｂとは、第１導電層１９に含まれる複数の中間接続線２９により互いに接続されている。
【００３６】
第３端子７Ｃ及び第６端子７Ｆ（図３では第３電極パッド１３Ｃ及び第６電極パッド１３Ｆを参照）は、例えば、信号を出力する端子であり、第１導電層１９に含まれる２本の出力側接続線３１によりＳＡＷフィルタ１１Ｂに接続されている。
【００３７】
第１端子７Ａ、第２端子７Ｂ及び第５端子７Ｅ（図３では第１電極パッド１３Ａ及び第２電極パッド１３Ｂ及び第５電極パッド１３Ｅを参照）は、例えば、基準電位が付与される端子である。そして、これらの端子は、互いに接続されるとともに、ＳＡＷフィルタ１１Ｂに接続されている。
【００３８】
具体的には、第１端子７Ａと第２端子７Ｂとは、第１導電層１９に含まれる第１グランド接続線３３ａにより接続されている。第２端子７Ｂと第５端子７Ｅとは、中間接続線２９上に配された第２導電層２３により構成された第２グランド接続線３３ｂにより接続されている。第２グランド接続線３３ｂは、２ヶ所で分岐しており、その分岐部分はＳＡＷフィルタ１１Ｂに接続されている。また、第２端子７Ｂと第５端子７Ｅとは、出力側接続線３１上に配された第２導電層２３により構成された第３グランド接続線３３ｃにより接続されている。第３グランド接続線３３ｃは、３ヶ所で分岐しており、その分岐部分はＳＡＷフィルタ１１Ｂに接続されている。
【００３９】
図４（ａ）から図４（ｃ）に示すように、第１導電層１９、絶縁層２１及び第２導電層２３上には、保護層２５及びカバー５が積層されている。また、カバー５は、保護層２５に積層された枠部３５と、枠部３５に積層された蓋部３７とにより構成されている。
【００４０】
保護層２５は、ＳＡＷ素子１１の酸化防止等に寄与するものである。保護層２５は、例えば、絶縁性を有するとともに、ＳＡＷの伝搬に影響を与えない程度に質量の軽い材料により形成される。例えば、保護層２５は、酸化珪素（ＳｉＯ２など）、窒化珪素、シリコンなどにより形成されている。
【００４１】
保護層２５の厚さは適宜に設定されてよく、例えば、第１導電層１９の厚さの１／１０程度（１０〜２０ｎｍ）でもよい。ただし、本願においては、説明の便宜上、保護層２５を導電層よりも厚く図示している。
【００４２】
枠部３５は、保護層２５を介して第１主面３ａに積層され、第１主面３ａの平面視においてＳＡＷ素子１１を囲むように形成されている。蓋部３７は、枠部３５に積層され、枠部３５の開口を塞いでいる。そして、第１主面３ａ（保護層２５）、枠部３５及び蓋部３７により囲まれた空間により、ＳＡＷ素子１１の振動を可能とする振動空間Ｓが形成されている。
【００４３】
なお、カバー５は、厳密には、基板３の第１主面３ａに直接的には設けられておらず、保護層２５等の上に設けられている。本願では、このように、所定の部材や層などが間接的に基板３の主面に設けられており、直接的には基板３の主面に設けられていない場合も、これら所定の部材や層などが基板３の主面に設けられていると表現することがあるものとする。積層の語についても同様である。
【００４４】
枠部３５は、概ね一定の厚さの層に振動空間Ｓとなる開口が１以上（本実施形態では２つ）形成されることにより構成されている。なお、図３における、基板３（第１主面３ａ）の輪郭を示す実線及び振動空間Ｓの範囲を示す２点鎖線により示される形状は、枠部３５の平面形状と概ね同一である。
【００４５】
本実施形態において、振動空間が２つに分けられているのは、枠部３５による蓋部３７の支持強度を向上させるために、仕切壁３５ｂ（図２）を形成したことによるものである。従って、必要な支持強度が得られるのであれば、ＳＡＷ装置１は、仕切壁３５ｂが省略されて、一の振動空間に２つのＳＡＷ素子１１が配置されていてもよい。
【００４６】
枠部３５及び蓋部３７は、概ね一定の厚さの層により構成されている。枠部３５の厚さ（振動空間Ｓの高さ）は、例えば、数μｍ〜３０μｍである。蓋部３７の厚さは、例えば、数μｍ〜３０μｍである。
【００４７】
枠部３５及び蓋部３７は、例えば、感光性の樹脂により形成されている。感光性の樹脂は、例えば、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合により硬化する、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。
【００４８】
なお、枠部３５及び蓋部３７は、同一の材料により形成されていてもよいし、互いに異なる材料により形成されていてもよい。本願では、説明の便宜上、枠部３５と蓋部３７との境界線を明示しているが、現実の製品においては、枠部３５と蓋部３７とが同一材料により形成され、一体的に形成されていてもよい。なお、この場合においても、振動空間Ｓの天井（蓋部３７の下面）の位置により、枠部３５と蓋部３７との境界は特定可能である。
【００４９】
振動空間Ｓは、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、断面が概ね矩形状に形成され、蓋部３７側の角部が丸みを帯びるように形成されている。換言すれば、振動空間Ｓを構成する内壁３５ａ及び天井３７ａは、アーチ状に形成されている。
【００５０】
図４（ｃ）に示すように、本実施形態のＳＡＷ装置１においては、枠部３５と蓋部３７との間に、第３導電層３９が設けられている。第３導電層３９は、端子７の柱状部分の側面から延びており、カバー５に覆われている。第３導電層３９は、端子７の張出部７ｂの一部であり、インダクタ４１を構成している。具体的には、以下のとおりである。
【００５１】
図４（ａ）及び図４（ｃ）に示すように、端子７は、電極パッド１３に立てて設けられた柱部７ｚと、柱部７ｚから側方へ突出するランド７ａ及び張出部７ｂとを有している。
【００５２】
柱部７ｚは、例えば、概ね円柱状に形成されている。第１主面３ａの平面視における柱部７ｚの大きさは、第１主面３ａの平面視における振動空間Ｓの大きさに比較して小さい。一例として、第１主面３ａの平面視において、振動空間Ｓの大きさ５００μｍ×５００μｍに対して、柱部７ｚの径は１００μｍである。
【００５３】
柱部７ｚは、第１主面３ａ側が第１主面３ａとは反対側よりも拡径するテーパ状に形成されている。ＳＡＷ装置１を回路基板に実装した後などに端子７が引き抜かれることがあるが、柱部７ｚを本実施形態のように第１主面３ａ側が第１主面３ａとは反対側よりも拡径するテーパ状に形成しておくことで、そのような引き抜きの発生を抑えることができる。
【００５４】
ランド７ａは、柱部７ｚの上端の側面から突出しており、蓋部３７の上面に積層されている。ランド７ａは、柱部７ｚを周回する環状に形成されている。ランド７ａの外縁の形状は適宜に設定されてよいが、例えば、円形である。ランド７ａが設けられることにより、端子７の、蓋部３７の上面に露出する部分は、柱部７ｚの第１主面３ａに平行な断面よりも面積が広く形成される。
【００５５】
張出部７ｂは、柱部７ｚの側面から突出し、枠部３５と蓋部３７との間に位置している。張出部７ｂは、柱部７ｚを周回する環状に形成されている。換言すれば、張出部７ｂは柱部７ｚとその側面全周にわたって接続されている。また、張出部７ｂは、板状（層状）に形成されている。張出部７ｂの外縁の形状は適宜に設定されてよいが、例えば、円形である。張出部７ｂの柱部７ｚの側面から張出されている部分の幅は例えば１．０μｍ〜１０μｍである。
【００５６】
図３において点線で示すように、インダクタ４１は、例えば、ミアンダ型のインダクタパターンにより構成されている。インダクタ４１は、第３端子７Ｃ及び第６端子７Ｆ（図３では第３電極パッド１３Ｃ及び第６電極パッド１３Ｆを参照）間、すなわち、ＳＡＷ装置１の２つの出力端子間に設けられている。そして、インダクタ４１は、インピーダンス整合のための整合回路を構成する。なお、インダクタ４１の形状は、ミアンダ型に限らず、渦巻型や直線型、これらの組み合わせなど種々の形状が可能である。
【００５７】
図４（ｃ）の断面図に示すようにインダクタ４１が接続されている第３端子７Ｃと第６端子７Ｆの柱部７ｚは、断面形状がテーパ状になっている。このようにインダクタ４１が接続される柱部７ｚの断面形状がテーパ状となっていることで、インダクタ４１を構成する第３導電層３９と柱部７ｚとの接続部分の面積が増えるため、インダクタ４１と柱部７ｚとの分断が起こりにくくなり、信頼性に優れた弾性波装置とすることができる。さらに好ましくは、柱部７ｚが圧電基板３の主面側に向かうにつれ、径が広がるようなテーパ状とされていることである。柱部７ｚがこのような形状とされていることにより、端子が引き抜かれるような力が加わった場合でも端子の引き抜きが抑制されるため、その端子に接続されているインダクタ４１の形状に変形が起こるのも抑制することができる。
【００５８】
第３導電層３９の厚さは、例えば０．５μｍ〜２．０μｍである。第３導電層３９は、柱部７ｚとは別の材料により形成することもできるし、柱部７ｚと同じ材料により形成することもできる。ただし、第３導電層３９は、柱部７ｚとの接合を強固にするためには柱部７ｚと同一材料により形成されていることが好ましい。
【００５９】
図５は、ＳＡＷ装置１の等価回路図である。なお、図５において、ＳＡＷ共振子１１Ａは、ＩＤＴ電極１５Ａ及び反射器１７Ａを含む全体が一つのブロックにより示されている。また、ＳＡＷフィルタ１１Ｂの反射器１７Ｂは図示を省略されている。
【００６０】
入力端子としての第４端子７Ｄに入力された信号は、ＳＡＷ共振子１１Ａに入力される。なお、この信号は、例えば、不平衡信号である。ＳＡＷ共振子１１Ａは、入力された信号に共振した信号をＳＡＷフィルタ１１Ｂに出力する。ＳＡＷフィルタ１１Ｂは、入力された信号をフィルタリングして出力端子としての第３端子７Ｃ及び第６端子７Ｆに出力する。なお、この信号は、例えば、平衡信号である。インダクタ４１は、ＳＡＷ装置１と、ＳＡＷ装置１と接続される電子回路との間のインピーダンス整合を行う。
【００６１】
以上のＳＡＷ装置１によれば、ＳＡＷ装置１は、弾性波を伝搬させる基板３と、基板３の第１主面３ａ上に配置されたＩＤＴ電極１５と、ＩＤＴ電極１５と電気的に接続され、第１主面３ａに設けられる電極パッド１３とを有する。また、ＳＡＷ装置１は、電極パッド１３上に立てて設けられる柱状の端子（柱部７ｚ）と、柱部７ｚの側面から延びる張出部７ｂと、ＩＤＴ電極１５上に中空の振動空間Ｓを形成するとともに、柱部７ｚの側面及び張出部７ｂを被覆するカバー５とを有する。従って、張出部７ｂにより種々の効果を得ることができる。具体的には、以下のとおりである。
【００６２】
張出部７ｂは、柱部７ｚの側面全周にわたって接続されている。従って、張出部７ｂを含めた端子７全体とカバー５との接着面積が増すためカバー５が端子７から剥離しにくくなる。その上、仮に剥離が生じたとしても、剥離した部分から入りこもうとする水分は、張出部７ｂの部分でその侵入が阻害されるため、水分が端子７の下端まで到達しにくくなる。これにより端子７と電極パッド１３との接合部が腐食することを抑制でき、信頼性の高い弾性波装置を提供できる。
【００６３】
第３導電層３９は、回路構成部（インダクタ４１）を有する。従って、ＳＡＷ装置１を大型化することなく、ＳＡＷ装置１を多機能化することができる。また、インダクタ４１は、カバー５に覆われているから、インダクタ４１の絶縁や保護のために新たな部材を設ける必要がなく、ＳＡＷ装置１の構成が簡素化される。
【００６４】
インダクタ４１（回路構成部）は、枠部３５の直上領域のみに設けられている。
ここで、枠部３５の直上領域は、全体が第１主面３ａに支持されていることから、両端が支持されている振動空間Ｓの直上領域よりも撓み変形が生じにくい。従って、インダクタ４１は、カバー５のうち、歪み変形が生じにくい領域に集中的に設けられていることになる。そして、インダクタ４１は、カバー５の変形に伴う電気特性の変化が抑制される。また、カバー５を平面透視したときに回路構成部がＳＡＷ素子１１と重ならない位置に配置されることにより、ＳＡＷ素子１１とインダクタ４１との間に生じる寄生容量の低減も期待される。
【００６５】
第３導電層３９は、枠部３５と蓋部３７との間に設けられている。換言すれば、第３導電層３９の第１主面３ａからの位置は、振動空間Ｓの天井３７ａの第１主面３ａからの位置と一致する。従って、第３導電層３９を蓋部３７に埋設するような場合に比較して、蓋部３７の構成や製造工程を簡素化できる。すなわち、実施形態のように、先に枠部３５を形成し、その後、枠部３５に蓋部３７を積層する製造工程を利用でき、蓋部を２層の樹脂から構成するような必要がない。
【００６６】
枠部３５と蓋部３７とは同一材料である。従って、枠部３５と蓋部３７とは熱膨張率が同じであり、熱膨張差によるカバー５の歪み変形が抑制される。ひいては、インダクタ４１の変形が抑制され、電気特性が安定する。
【００６７】
（ＳＡＷ装置の製造方法）
図６〜図８は、ＳＡＷ装置１の製造方法を説明する図である。具体的には、図６（ａ）〜図６（ｄ）は、図３のＩＶａ−ＩＶａ線における断面図である。図７（ａ）〜図７（ｄ）は、図３のＩＶｃ−ＩＶｃ線における断面図である。図８（ａ）〜図８（ｄ）は、図３のＩＶａ−ＩＶａ線における断面図である。製造工程は、図６（ａ）から図８（ｄ）まで順に進んでいく。
【００６８】
以下に説明する工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって基板３となる母基板を対象に、薄膜形成やフォトリソグラフィー法などが行われ、その後、ダイシングされることにより、多数個分のＳＡＷ装置１が並行して形成される。ただし、図６〜図８では、１つのＳＡＷ装置１に対応する部分のみを図示する。後述する他の実施形態の製造工程を説明する図も同様である。また、導電層や絶縁層は、プロセスの進行に伴って形状が変化するが、理解の容易化のために変化の前後で共通の符号を用いる。
【００６９】
図６（ａ）に示すように、まず、基板３の第１主面３ａ上には、第１導電層１９、絶縁層２１、第２導電層２３が形成される。
【００７０】
具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の薄膜形成法により、基板３の第１主面３ａ上に第１導電層１９となる金属層が形成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によりパターニングが行われる。これにより、ＳＡＷ素子１１、電極パッド１３、入力側接続線２７、中間接続線２９、出力側接続線３１、及び、第１グランド接続線３３ａ等を含む第１導電層１９が形成される。
【００７１】
次に、絶縁層２１となる薄膜がＣＶＤ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成される。そして、第１導電層１９と第２導電層２３との交差部となる領域を残して、フォトリソグラフィー法によって薄膜の一部が除去される。
【００７２】
その後、第１導電層１９と同様にして、金属層の形成及びパターニングが行われることにより、第２グランド接続線３３ｂ及び第３グランド接続線３３ｃを含む第２導電層２３が形成される。
【００７３】
第２導電層２３が形成されると、図６（ｂ）に示すように、保護層２５が形成される。具体的には、まず、保護層２５となる薄膜がＣＶＤ法または蒸着法等の薄膜形成法により第１主面３ａに形成される。次に、電極パッド１３が露出するように、フォトリソグラフィー法によって薄膜の一部が除去され、保護層２５が形成される。
【００７４】
保護層２５が形成されると、図６（ｃ）に示すように、枠部３５となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂により形成されたフィルムが貼り付けられることにより、又は、保護層２５等と同様の薄膜形成法により形成される。
【００７５】
枠部３５となる薄膜が形成されると、図６（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー法を行う。なお、フォトリソグラフィーは、ポジ型及びネガ型のいずれでもよいが、図６（ｄ）では、ネガ型である場合のフォトマスク４０を例示している。
【００７６】
フォトリソグラフィーが行われると、図７（ａ）に示すように、薄膜の一部が除去され、枠部３５が形成される。これにより、枠部３５の開口（振動空間Ｓとなる部分）が形成される。また、電極パッド１３上に、枠部３５を貫通し、電極パッド１３を露出させる第１貫通孔４２が形成される。
【００７７】
枠部３５が形成されると、図７（ｂ）に示すように、第１めっき下地層４３及び第１レジスト層４５が形成される。
【００７８】
第１めっき下地層４３は、第１主面３ａに設けられた各層の、第１主面３ａ側に露出する表面全体に亘って形成される。すなわち、第１めっき下地層４３は、枠部３５の上面だけでなく、第１貫通孔４２の内部にも形成される。第１めっき下地層４３は、例えば、ＴｉとＣｕとを積層したものからなり、スパッタ法で形成するのが好適な一例である。
【００７９】
第１レジスト層４５は、第１めっき下地層４３上に形成される。第１レジスト層４５は、例えば、スピンコート等の手法で基板に薄膜が形成され、その薄膜がフォトリソグラフィーによりパターニングされることにより形成される。パターニングにより薄膜の一部が除去されることにより、第１めっき下地層４３は、第３導電層３９が形成されるべき領域及び第１貫通孔４２において、第１レジスト層４５から露出する。
【００８０】
第１レジスト層４５が形成されると、図７（ｃ）に示すように、めっき処理により第１めっき下地層４３の露出部分に第１金属４７を析出させ、その後、第１めっき下地層４３の第１レジスト層４５に被覆されていた部分及び第１レジスト層４５を除去する。これにより、第３導電層３９及び端子７の基板３側部分が形成される。
【００８１】
なお、めっき処理は、第１レジスト層４５の表面以下の適宜な高さまで第１金属４７が析出されるように行われる。めっき法は、適宜に選択されてよいが、電気めっき法が好適である。電気めっき法は、金属を析出する高さの自由度が高く、また、第１めっき下地層４３との密着性が良好なためである。
【００８２】
第１レジスト層４５等が除去されると、図７（ｄ）に示すように、蓋部３７となる薄膜が形成され、フォトリソグラフィーが行われる。薄膜は、例えば、感光性樹脂により形成されたフィルムが貼り付けられることにより形成される。薄膜を枠部３５に積層することにより、枠部３５の開口は塞がれ、振動空間Ｓが構成される。フォトリソグラフィーは、ポジ型及びネガ型のいずれでもよいが、図７（ｄ）では、ネガ型である場合のフォトマスク４９を例示している。
【００８３】
フォトリソグラフィーが行われると、図８（ａ）に示すように、薄膜の一部が除去され、蓋部３７が形成される。これにより、電極パッド１３上に、第１貫通孔４２に充填された第１金属４７を露出させる第２貫通孔５１が形成される。
【００８４】
蓋部３７が形成されると、図８（ｂ）に示すように、第２めっき下地層５３及び第２レジスト層５５が形成される。
【００８５】
第２めっき下地層５３は、第１主面３ａに設けられた各層の、第１主面３ａ側に露出する表面全体に亘って形成される。すなわち、第２めっき下地層５３は、蓋部３７の上面だけでなく、第２貫通孔５１の内部にも形成される。また、第２レジスト層５５は、第２貫通孔５１において、第２めっき下地層５３が露出するように形成される。第２めっき下地層５３及び第２レジスト層５５の形成方法は、第１めっき下地層４３及び第１レジスト層４５の形成方法と同様である。
【００８６】
第２レジスト層５５が形成されると、図８（ｃ）に示すように、めっき処理により第２めっき下地層５３の露出部分に第２金属５７を析出させる。これにより、第２貫通孔５１に第２金属５７が充填される。その後、第２めっき下地層５３の第２レジスト層５５に被覆されていた部分及び第２レジスト層５５が除去されることにより、図４等に示したように、第２貫通孔５１に充填された第２金属５７等により、端子７が形成される。
【００８７】
なお、振動空間Ｓがアーチ状（図４（ａ）参照）に形成されたり、第１貫通孔４２及び第２貫通孔５１が第１主面３ａ側が拡径するテーパ状に形成されたりしているのは、ネガ型のフォトリソグラフィーが行われたことによる。すなわち、感光性樹脂の第１主面３ａ側は、感光性樹脂の表面側に比較して、光の拡散により十分に硬化されず、除去されやすいことから、振動空間Ｓ等は、第１主面３ａ側ほど拡径している。
【００８８】
次にＳＡＷ装置１の製造方法について説明する。本実施形態のＳＡＷ装置１の製造方法は、以下の工程を有している。基板３の第１主面３ａに、ＳＡＷ素子１１及びＳＡＷ素子１１に接続された電極パッド１３を形成する工程（図６（ａ））。第１主面３ａに積層され、第１主面３ａの平面視においてＳＡＷ素子１１を囲む枠状に形成され、電極パッド１３を露出させる第１貫通孔４２が形成された枠部３５を形成する工程（図６（ｃ）〜図７（ａ））。第１貫通孔４２の内部及び枠部３５の上面に、第１めっき下地層４３を形成する工程（図７（ｂ））。第１めっき下地層４３上に、第１めっき下地層４３を、第１貫通孔４２において露出させるとともに、枠部３５の上面の一部において第１貫通孔４２とつながるパターンで露出させる第１レジスト層４５を形成する工程（図７（ｂ））。めっき処理により、第１レジスト層４５から露出した第１めっき下地層上に第１金属４７を析出させる工程（図７（ｃ））。第１レジスト層４５と、第１めっき下地層４３の第１レジスト層４５に被覆されていた部分とを除去し、前記所定パターンにおける第１めっき下地層４３及び第１金属４７により第３導電層３９を形成する工程（図７（ｃ））。枠部３５に積層されて枠部３５の開口を塞ぐ蓋状に形成され、第１貫通孔４２における第１金属４７を露出させる第２貫通孔５１が形成された蓋部３７を形成する工程（図７（ｄ）〜図８（ａ））。第２貫通孔５１に第２金属５７を充填し、第１貫通孔４２における第１金属４７及び第２貫通孔５１に充填された第２金属５７により端子７を形成する工程（図８（ｂ）〜図８（ｃ））。
【００８９】
従って、第３導電層３９を形成する工程は、端子（柱部７ｚ）を形成する工程に含まれることになる。すなわち、簡便に第３導電層３９が形成される。なお、端子７は、２回に分けて形成されることから、例えば、金属が貫通孔に充填される深さが浅くなり、端子の形成が容易化される等の効果を奏する。
【００９０】
なお、以上の第１の実施形態において、ＳＡＷ装置１は本発明の第１の観点の弾性波装置の一例であり、ＩＤＴ電極１５は本発明の励振電極の一例であり、インダクタ４１又は第３導電層３９は本発明の張出部の一例であり、インダクタ４１は本発明の回路構成部の一例である。またＳＡＷ装置１の製造方法は本発明の第２の観点の弾性波装置の製造方法の一例である。
【００９１】
＜第２の実施形態＞
図９は、本発明の第２の実施形態のＳＡＷ装置１０１を示す、図３のＩＶｃ−ＩＶｃ線に対応する断面図である。
【００９２】
第２の実施形態のＳＡＷ装置１０１の構成は、第１の実施形態のＳＡＷ装置１０１と概ね同様である。ＳＡＷ装置１０１の斜視図等については、第１の実施形態の図１〜図３を参照されたい。
【００９３】
第１の実施形態において、第３導電層３９は、第１めっき下地層４３と、第１めっき下地層４３上に析出された第１金属４７とにより構成された（図７（ｂ）及び図７（ｃ））。一方、第２の実施形態において、第３導電層１３９は、第１めっき下地層１４３のみにより形成されている。
【００９４】
図１０及び図１１は、ＳＡＷ装置１０１の製造方法を説明する図である。具体的には、図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、図３のＩＶｃ−ＩＶｃ線における断面図に相当する断面図である。図１１（ａ）〜図１１（ｄ）は、図３のＩＶａ−ＩＶａ線における断面図に相当する断面図である。製造工程は、図１０（ａ）から図１１（ｄ）まで順に進んでいく。
【００９５】
ＳＡＷ装置１０１の製造方法においては、まず、第１の実施形態と同様に、図６（ａ）から図７（ａ）までの製造工程が行われる。すなわち、第１の実施形態と同様に、枠部３５の形成までが行われる。
【００９６】
次に、図１０（ａ）に示すように、第１レジスト層１４５及び第１めっき下地層１４３が形成される。ここで、第１の実施形態では、第１めっき下地層４３上に第１レジスト層４５が形成されたのに対し、第２の実施形態では、第１レジスト層１４５上に第１めっき下地層１４３が形成されている。
【００９７】
第１レジスト層１４５の形成方法及びパターンは、枠部３５上に形成される点以外は、第１の実施形態の第１レジスト層４５の形成方法及びパターンと同様である。そして、第１レジスト層１４５からは、枠部３５の上面のうち第３導電層１３９が形成されるべき領域及び第１貫通孔４２が露出する。
【００９８】
第１めっき下地層１４３は、第１の実施形態と同様に、第１主面３ａに設けられた各層の、第１主面３ａ側に露出する表面全体に亘って形成される。ただし、第１めっき下地層１４３は、比較的厚く形成される。例えば、第１めっき下地層１４３は、１．０μｍ〜１０μｍの厚さに形成される。
【００９９】
第１めっき下地層１４３が形成されると、図１０（ｂ）に示すように、第１レジスト層１４５と、第１めっき下地層１４３の第１レジスト層１４５上の部分とが除去される。これにより、第３導電層１３９が形成される。
【０１００】
その後、図１０（ｃ）に示すように、蓋部３７となる薄膜が形成され、フォトリソグラフィーが行われる。当該工程は、第１の実施形態の図７（ｄ）と同様の工程である。
【０１０１】
フォトリソグラフィーが行われると、図１１（ａ）に示すように、薄膜の一部が除去され、蓋部３７が形成される。これにより、電極パッド１３上に、第１貫通孔４２を露出させる第２貫通孔５１が形成される。
【０１０２】
蓋部３７が形成されると、図１１（ｂ）に示すように、第２めっき下地層１５３及び第２レジスト層１５５が形成される。
【０１０３】
第２めっき下地層１５３は、第１主面３ａに設けられた各層の、第１主面３ａ側に露出する表面全体に亘って形成される。すなわち、第２めっき下地層１５３は、蓋部３７の上面だけでなく、第１貫通孔４２及び第２貫通孔５１の内部にも形成される。また、第２レジスト層１５５は、第１貫通孔４２及び第２貫通孔５１において、第２めっき下地層１５３が露出するように形成されている。
【０１０４】
第２レジスト層１５５が形成されると、図１１（ｃ）に示すように、めっき処理により第２めっき下地層１５３の露出部分に金属１５７を析出させる。これにより、第１貫通孔４２及び第２貫通孔５１に金属１５７が充填される。
【０１０５】
その後、図１１（ｄ）に示すように、第２めっき下地層１５３の第２レジスト層１５５に被覆されていた部分及び第２レジスト層１５５が除去されることにより、第１貫通孔４２及び第２貫通孔５１に充填された金属１５７等により、端子１０７（Ａ〜Ｆの付加符号については第１の実施形態と同様である。）が形成される。
【０１０６】
以上の第２の実施形態のＳＡＷ装置１０１によれば、第１の実施形態と同様に、柱部７ｚの側面から延びる第３導電層１３９が設けられていることから、第１の実施形態と同様の効果が奏される。
【０１０７】
また、第２の実施形態のＳＡＷ装置１０１の製造方法は、以下の工程を有している。基板３の第１主面３ａに、ＳＡＷ素子１１及びＳＡＷ素子１１に接続された電極パッド１３を形成する工程（図６（ａ））。第１主面３ａに積層され、第１主面３ａの平面視においてＳＡＷ素子１１を囲む枠状に形成され、電極パッド１３を露出させる第１貫通孔４２が形成された枠部３５を形成する工程（図６（ｃ）〜図７（ａ））。第１貫通孔４２の内部及び枠部３５の上面の第１貫通孔４２とつながるパターンの領域に導電性の第１めっき下地層１４３を形成し、所定のパターンの領域における第１めっき下地層１４３により第３導電層３９を形成する工程（図１０（ａ）〜図１０（ｂ））。枠部３５に積層されて枠部３５の開口を塞ぐ蓋状に形成され、第１貫通孔４２を露出させる第２貫通孔５１が形成された蓋部３７を形成する工程（図１０（ｃ）〜図１１（ａ））。第１貫通孔４２及び第２貫通孔５１の内部に金属１５７を充填して端子１０７を形成する工程。
【０１０８】
従って、第１の実施形態と同様に、端子１０７を形成するための工程に第３導電層１３９の形成が含まれており、簡便に第３導電層１３９が形成される。なお、第１めっき下地層１４３は、例えば、電極パッド１３の強度の補強、電極パッド１３と端子１０７を構成する導電体（第２めっき下地層１５３）との接着性の向上等に寄与し得る。また、第１めっき下地層１４３は、本実施形態のように、めっき処理により金属１５７を析出する場合には、第２めっき下地層１５３とともに、電解めっきのために電圧が印加される下地層として機能し得る。
【０１０９】
さらに、第２の実施形態の製造方法は、第１の実施形態における第１金属４７の析出に相当する工程がないことから、第１の実施形態よりも簡便にＳＡＷ装置が形成される。
【０１１０】
また、第３導電層１３９を形成する工程では、第１貫通孔４２及び所定のパターンの領域を露出させる第１レジスト層１４５を形成した後に、第１レジスト層１４５の配置位置及び非配置位置に亘って第１めっき下地層１４３を形成する。その後、第１めっき下地層１４３の第１レジスト層１４５上の部分及び第１レジスト層１４５を除去する。従って、第１の実施形態のように、めっき下地層上にレジスト層が形成される場合に比較して、これらの層の除去が容易である。例えば、振動空間Ｓ内において第１主面３ａに設けられている導電層（ＳＡＷ素子１１等）と、導電層上の層（第２の実施形態では第１レジスト層１４５）との選択比を大きくすることが容易である。
【０１１１】
なお、第２の実施形態において、ＳＡＷ装置１０１は本発明の第１の観点の弾性波装置の一例であり、第１めっき下地層１４３は本発明の下地層の一例であり、ＳＡＷ装置１０１の製造方法は本発明の第３の観点の弾性波装置の製造方法の一例である。
【０１１２】
＜第３の実施形態＞
図１２は、本発明の第３の実施形態のＳＡＷ装置２０１を示す、図３のＩＶｃ−ＩＶｃ線に対応する断面図である。
【０１１３】
第１の実施形態において、インダクタ４１は、枠部３５と蓋部３７との間に形成された。一方、第３の実施形態において、インダクタ４１は、蓋部３７の上に形成されている。また、インダクタ４１は、ランド２０７ａと同一の導電層（第３導電層２３９）に含まれている。なお、それ以外の構成については、第３の実施形態と第１の実施形態とは概ね同様であり、図１〜図３を参照されたい。
【０１１４】
図１３は、ＳＡＷ装置２０１の製造方法を説明する、図３のＩＶｃ−ＩＶｃ線における断面図に相当する断面図である。
【０１１５】
ＳＡＷ装置２０１の製造方法においては、まず、第１の実施形態と同様に、図６（ａ）から図７（ａ）までの製造工程が行われる。すなわち、第１の実施形態と同様に、枠部３５の形成までが行われる。
【０１１６】
次に、図１３（ａ）に示すように、蓋部３７となる薄膜が形成され、フォトリソグラフィーが行われる。当該工程は、第１の実施形態の図７（ｄ）と同様の工程である。
【０１１７】
フォトリソグラフィーが行われると、図１３（ｂ）に示すように、薄膜の一部が除去され、蓋部３７が形成される。これにより、電極パッド１３上に、第１貫通孔４２を露出させる第２貫通孔５１が形成される。
【０１１８】
図１３（ｂ）に示すように、蓋部３７が形成されると、めっき下地層２５３及びレジスト層２５５が形成される。
【０１１９】
めっき下地層２５３は、第１主面３ａ上に形成された各層の、第１主面３ａ側に露出する表面全体に亘って形成される。すなわち、めっき下地層２５３は、蓋部３７の上面だけでなく、第１貫通孔４２及び第２貫通孔５１の内部にも形成される。
【０１２０】
レジスト層２５５は、第１貫通孔４２及び第２貫通孔５１において、また、インダクタ４１が形成される領域において、めっき下地層２５３が露出するように形成される。
【０１２１】
レジスト層２５５が形成されると、図１３（ｃ）に示すように、めっき処理によりめっき下地層２５３の露出部分に金属２５７を析出させる。そして、レジスト層２５５及びめっき下地層２５３のレジスト層２５５に覆われた部分を除去する。これにより、図１２に示すように、端子２０７（Ａ〜Ｆの付加符号については第１の実施形態と同様である。）及びインダクタ４１が形成される。
【０１２２】
なお、この後、ＳＡＷ装置２０１は、インダクタ４１を覆うソルダレジストが設けられるなど、インダクタ４１を絶縁する部材が設けられてもよい。
【０１２３】
以上の第３の実施形態のＳＡＷ装置２０１によれば、第１の実施形態と同様に、インダクタ４１が枠部３５の直上領域のみに設けられている等していることから、第１の実施形態と同様の効果が奏される。すなわち、ＳＡＷ装置２０１を大型化することなく、ＳＡＷ装置１を多機能化することができる。また、インダクタ４１がカバー５のうち、歪み変形が生じにくい領域に集中的に設けられているため、インダクタ４１の形状が変形しにくくなる。これによりカバー５の変形に伴う電気特性の変化が抑制される。さらに、カバー５を平面透視したときに回路構成部がＳＡＷ素子１１と重ならない位置に配置されることにより、ＳＡＷ素子１１とインダクタ４１との間に生じる寄生容量の低減も期待される。
【０１２４】
第３の実施形態のＳＡＷ装置２０１の製造方法は、以下の工程を有する。基板３の第１主面３ａに、ＳＡＷ素子１１及びＳＡＷ素子１１に接続された電極パッド１３を形成する工程（図６（ａ））。第１主面３ａに積層され、第１主面３ａの平面視においてＳＡＷ素子１１を囲む枠状に形成され、電極パッド１３を露出させる第１貫通孔４２が形成された枠部３５を形成する工程（図６（ｃ）〜図７（ａ））。枠部３５に積層されて枠部３５の開口を塞ぐ蓋状に形成され、第１貫通孔４２を露出させる第２貫通孔５１が形成された蓋部３７を形成する工程（図１３（ａ））。第１貫通孔４２及び第２貫通孔５１の内部及び蓋部３７の上面の第２貫通孔５１とつながるパターンの領域にめっき下地層２５３を形成する工程（図１３（ｂ））。めっき処理により、めっき下地層２５３上に金属を析出させて、枠部３５の直上領域のみに設けられた回路構成部（インダクタ４１）、並びに、端子２０７を形成する工程（図１３（ｃ））。
【０１２５】
従って、第１及び第２の実施形態と同様に、端子２０７を形成するための工程にインダクタ４１の形成が含まれており、簡便にインダクタ４１が形成される。さらに、ＳＡＷ装置１の形成後に、トリミングなどによりインダクタ４１の調整を行うことも可能である。
【０１２６】
なお、第３の実施形態において、ＳＡＷ装置２０１は本発明の第１の観点の弾性波装置の一例であり、ＳＡＷ装置２０１の製造方法は本発明の第４の観点の弾性波装置の製造方法の一例である。
【０１２７】
＜第４の実施形態＞
図１４は、本発明の第４の実施形態に係るＳＡＷ装置３０１の平面図である。また、図１５は、図１４のＸＶ−ＸＶ線における断面図である。なお、図１４において、第１主面３ａ上に設けられる第１導電層１９は実線で、枠部３５上に設けられる第３導電層３３９は点線で示されている。
【０１２８】
第１の実施形態では、第１導電層１９、絶縁層２１及び第２導電層２３により、互いに異なる電位が付与される配線の立体交差が実現された。第４の実施形態では、第１導電層１９、枠部３５及び第３導電層３３９により立体配線が実現されている。具体的には、以下のとおりである。
【０１２９】
なお、ＳＡＷ装置３０１の立体配線以外の構成については、第１の実施形態のＳＡＷ装置１の構成と概ね同様である。インダクタ４１は、第４の実施形態においても設けられてよいが、図１４では、インダクタ４１が設けられていない場合を例示している。
【０１３０】
基準電位に接続される複数の端子７を相互に接続する配線は、枠部３５と蓋部３７との間に設けられた第３導電層３３９により構成されている。すなわち、第１端子７Ａと第２端子７Ｂとを接続する第１グランド接続線３３３ａ、第２端子７Ｂと第５端子７Ｅとを接続する第２グランド接続線３３３ｂ及び第３グランド接続線３３３ｃは、第３導電層３３９により構成されている。
【０１３１】
第１グランド接続線３３３ａ、第２グランド接続線３３３ｂ及び第３グランド接続線３３３ｃの平面配置は、第１の実施形態の第１グランド接続線３３ａ、第２グランド接続線３３ｂ及び第３グランド接続線３３ｃ（図３）と同様である。なお、第２グランド接続線３３３ｂ及び第３グランド接続線３３３ｃと、ＳＡＷ素子１１との接続は、枠部３５を貫通するビア導体３３４を介してなされる。
【０１３２】
そして、図１５に示すように、第２グランド接続線３３３ｂと第１導電層１９に含まれる中間接続線２９とは枠部３５を介して立体交差している。同様に、第３グランド接続線３３３ｃと出力側接続線３１は、枠部３５を介して立体交差している。
【０１３３】
ＳＡＷ装置３０１の製造方法は、第１の実施形態のＳＡＷ装置１の製造方法と概ね同様である。ただし、第１の実施形態における絶縁層２１及び第２導電層２３の形成（図６（ａ））は行われない。また、第３導電層３３９の形成（図７（ｂ）〜図７（ｃ））においては、インダクタ４１は形成されず、代わりに、第１グランド接続線３３３ａ、第２グランド接続線３３３ｂ及び第３グランド接続線３３３ｃが形成される。ビア導体３３４は、例えば、端子７の第１主面３ａ側部分と同様に形成される。換言すれば、ビア導体３３４は、第３導電層３３９の形成と同時に形成される。
【０１３４】
以上の第４の実施形態のＳＡＷ装置３０１によれば、第１の実施形態と同様に、端子と接続される第３導電層３３９が設けられていること、あるいは、第１グランド接続線３３３ａ等を含む回路構成部が枠部３５の直上領域のみに設けられていることから、第１の実施形態と同様の効果が奏される。
【０１３５】
また、ＳＡＷ装置３０１は、第１主面３ａに設けられた中間接続線２９と、枠部３５と蓋部３７との間の回路構成部に含まれ、中間接続線２９の電位とは異なる電位が付与され、第１主面３ａの平面視において中間接続線２９に交差する第２グランド接続線３３３ｂとを有する。従って、カバー５を利用して立体配線が実現され、カバー５の有効利用が図られる。その結果、例えば、配線の自由度を向上させたり、絶縁層２１や第２導電層２３を省略して簡素化したりすることができる。
【０１３６】
なお、第４の実施形態において、ＳＡＷ装置３０１は本発明の第１の観点の弾性波装置の一例であり、中間接続線２９又は出力側接続線３１は本発明の第２配線の一例であり、第２グランド接続線３３３ｂ又は第３グランド接続線３３３ｃは本発明の第１配線の一例である。
【０１３７】
＜第５の実施形態＞
図１８は、第５の実施形態のＳＡＷ装置８０１を示す断面図である。
【０１３８】
ＳＡＷ装置８０１の端子８０７は、柱部８０７ｚの立つ方向において、複数の張出部８０７ｂ（第３導電層８３９）を有している。張出部８０７ｂの柱部８０７ｚの立つ方向における数は、例えば２つである。一方の張出部８０７ｂは、第１の実施形態と同様に、カバー８０５の枠部３５と蓋部８３７との間に位置している。他方の張出部８０７ｂは、蓋部８３７に埋設されている。
【０１３９】
このようなＳＡＷ装置８０１は、例えば、蓋部構成層３８Ａ及び３８Ｂを積層して蓋部８３７を形成することにより実現される。すなわち、第１又は第２の実施形態の製造方法において、第３導電層の形成及び第３導電層の上に積層される樹脂層の形成を１回分多くすればよい。
【０１４０】
なお、第５の実施形態において、ＳＡＷ装置８０１は本発明の第１の観点の弾性波装置の一例である。
【０１４１】
本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
【０１４２】
弾性波装置は、ＳＡＷ装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよい。弾性波装置において、保護層（２５）、絶縁層（２１）、第２導電層（２３）は省略されてもよいし、逆に、他の適宜な層が形成されてもよい。蓋部の上、又は、蓋部の中において、振動空間と重なる範囲に亘って、カバーの補強を目的とし、端子と接続されない金属層が設けられてもよい。
【０１４３】
カバーに設けられる回路構成部は、インダクタ及び基準電位に接続される配線に限定されない。他の回路素子であってもよいし、信号を伝達する配線であってもよい。図１６（ａ）〜図１６（ｃ）及び図１７は、カバーに設けられる回路構成部の他の例を示す等価回路図である。なお、これらの等価回路図においては、反射器等の図示は適宜に省略されている。
【０１４４】
図１６（ａ）は、回路構成部としてキャパシタ４６１が設けられたＳＡＷ装置４０１の等価回路図である。ＳＡＷ装置４０１は、例えば、第１の実施形態と同様に、平衡出力のＳＡＷフィルタ１１Ｂを有している。キャパシタ４６１は、ＳＡＷフィルタ１１Ｂの２つの出力端子の一方（第３端子７Ｃ）に接続されており、２つの出力端子におけるバランス度を調整する。
【０１４５】
図１６（ｂ）は、回路構成部として図１６（ａ）とは異なる機能を発揮するキャパシタ５６３が設けられたＳＡＷ装置５０１の等価回路図である。ＳＡＷ装置５０１は、例えば、３つのＩＤＴ電極１５Ｂを有する縦結合ダブルモード型のＳＡＷフィルタ５１１Ｂを有している。ＳＡＷフィルタ５１１Ｂは、不平衡入力且つ不平衡出力のフィルタにより構成されており、キャパシタ５６３は、ＳＡＷフィルタ５１１Ｂの入力側と出力側とに接続されている。キャパシタ５６３は、ＳＡＷフィルタ５１１Ｂにおける通過帯域の外側における信号の減衰の急峻性を向上させる。
【０１４６】
図１６（ｃ）は、回路構成部として第１の実施形態とは異なる機能を発揮するインダクタ６６５が設けられたＳＡＷ装置６０１の等価回路図である。ＳＡＷ装置６０１は、例えば、３つのＩＤＴ電極１５Ｂを有するラダー型のＳＡＷフィルタ６１１Ｂを有している。また、ＳＡＷフィルタ６１１Ｂ間に接続された２つのＳＡＷ共振子１１Ａ（並列腕共振子）を有している。インダクタ６６５は、ＳＡＷ共振子１１Ａとグランドとの間に設けられ、ＳＡＷフィルタ６１１Ｂの広帯域化や高減衰に寄与する。
【０１４７】
図１７は、回路構成部として第１の実施形態とは異なる機能を発揮するインダクタ７７３が設けられたＳＡＷ装置７０１の等価回路図である。ＳＡＷ装置７０１は、デュプレクサとして構成されており、送信用フィルタ７６７と、受信用フィルタ７６９と、これらのフィルタに共用されるアンテナ用端子７７１とを有している。送信用フィルタ７６７は、例えば、図１６（ｃ）のＳＡＷ装置６０１と同様に、ラダー型のＳＡＷフィルタにより構成されている。受信用フィルタ７６９は、例えば、第１の実施形態のＳＡＷ装置１と同様に、ダブルモード型のＳＡＷフィルタにより構成されている。インダクタ７７３は、アンテナ用端子７７１に接続されており、インピーダンス整合を行う。
【０１４８】
第１の観点の弾性波装置、すなわち、端子の側面から延びる張出部がカバーに覆われている弾性波装置においては、張出部は、振動空間の直上領域まで延在していてもよい。また、張出部は、枠部と蓋部との間においてカバーに覆われるものに限定されず、蓋部の中に埋設されるものであってもよい。
また第１の観点の弾性波装置においては、カバーに振動空間を設けずに、励振電極をカバーで被覆するようにしてもよい。この場合、弾性波として弾性境界波が利用される。
【０１４９】
また回路構成部が枠部の直上領域のみに設けられる弾性波装置においては、回路構成部は、カバーに覆われるものに限定されず、蓋部の上に設けられるものであってもよい。また、カバーに覆われる回路構成部は、枠部と蓋部との間に設けられるものに限定されず、蓋部に埋設されるものであってもよい。
【０１５０】
第２の観点の弾性波装置の製造方法（第１の実施形態参照）、すなわち、張出部の形成工程と第１貫通孔（４２）への金属の充填工程とが共通化される製造方法においては、第２貫通孔（５１）への金属の充填は、めっき処理によるものに限定されない。例えば、金属ペーストが充填されることにより、第２貫通孔に金属が充填されてもよい。この場合であっても、枠部と蓋部との間の張出部の形成は、第１貫通孔への金属の充填（端子の形成）と同時に行われる。
【０１５１】
第３の観点の弾性波装置の製造方法（第２の実施形態参照）、すなわち、張出部の形成工程と端子の下地層（１４３）の形成工程とが共通化される製造方法においては、下地層は、めっきのための下地層に限定されない。例えば、下地層は、電極パッド（１３）の強度を補強したり、電極パッドの接着性を向上させたりする目的で設けられ、第１貫通孔（４２）及び第２貫通孔（５１）には、金属ペーストが充填されてもよい。
【０１５２】
また、第３の観点の弾性波装置の製造方法では、第１の実施形態と同様に、第１貫通孔（４２）への金属の充填と、第２貫通孔（５１）への金属の充填とが別個に行われてもよい。また、このとき、第１の実施形態と同様に、下地層（１５３）上にレジスト層（１５５）が設けられ、めっき処理が行われることにより、第１貫通孔に金属が充填されてもよい。
【０１５３】
第４の観点の弾性波装置の製造方法（第３の実施形態参照）、すなわち、蓋部の上面に回路構成部を形成する製造方法においては、第１の実施形態と同様に、第１貫通孔（４２）への金属の充填と、第２貫通孔（５１）への金属の充填とが別個に行われてもよい。
【０１５４】
端子の形状は、テーパ状のものに限定されない。適宜な形状により、端子が立つ方向の少なくとも一部において、主面側が主面とは反対側よりも拡径する端子が実現されてよい。また、端子は、主面とは反対側が主面側よりも拡径してもよい。
【符号の説明】
【０１５５】
１…ＳＡＷ装置（弾性波装置）、３…基板、３ａ…第１主面（主面）、５…カバー、７…端子、７ａ…柱部（端子）、７ｂ…張出部、１１Ａ…ＳＡＷ共振子（ＳＡＷ素子）、１１Ｂ…ＳＡＷフィルタ（ＳＡＷ素子）、１５…ＩＤＴ電極（励振電極）、３５…枠部、３７…蓋部、３９…第３導電層（張出部）、４１…インダクタ（回路構成部）。
【図１】
2010125873.tif 000003
【図２】
2010125873.tif 000004
【図３】
2010125873.tif 000005
【図４】
2010125873.tif 000006
【図５】
2010125873.tif 000007
【図６】
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【図７】
2010125873.tif 000009
【図８】
2010125873.tif 000010
【図９】
2010125873.tif 000011
【図１０】
2010125873.tif 000012
【図１１】
2010125873.tif 000013
【図１２】
2010125873.tif 000014
【図１３】
2010125873.tif 000015
【図１４】
2010125873.tif 000016
【図１５】
2010125873.tif 000017
【図１６】
2010125873.tif 000018
【図１７】
2010125873.tif 000019
【図１８】
2010125873.tif 000020
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月27日(2011.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性波を伝搬させる基板と、
前記基板の主面上に配置された励振電極と、
前記励振電極と電気的に接続され、前記主面に設けられる電極パッドと、
前記電極パッド上に配置される柱状の端子と、
前記端子の側面から延びる導電性の張出部と、
前記基板の主面上に配置されるとともに前記端子の側面及び前記張出部を被覆し、前記励振電極を保護するカバーと、
を有する弾性波装置。
【請求項２】
前記張出部は、前記端子の側面に対し、その全周にわたって接続されている
請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記張出部は、第１配線及び回路素子の少なくとも一方を含む回路構成部を有する
請求項１又は２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記カバーは、前記主面に積層され、前記主面の平面視において前記励振電極を囲む枠部と、前記枠部に積層されて前記枠部の開口を塞ぐ蓋部とを有し、
前記回路構成部は、前記枠部の直上領域のみに設けられている
請求項３に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記主面に設けられ、前記第１配線と電気的に接続されない第２配線をさらに備え、
前記第１配線と前記第２配線とが、絶縁層を介して交差する
請求項３又は４に記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記主面に設けられ、前記第１配線と電気的に接続されない第２配線をさらに備え、
前記第１配線と前記第２配線とが、前記枠部を介して交差する
請求項４に記載の弾性波装置。
【請求項７】
前記張出部は、前記枠部と前記蓋部との間に設けられている
請求項４に記載の弾性波装置。
【請求項８】
前記枠部と前記蓋部とは同一材料により構成されている
請求項４に記載の弾性波装置。
【請求項９】
前記回路構成部は、前記回路素子を含み、
前記回路素子がミアンダ型のインダクタを有する
請求項３〜８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項１０】
前記端子は、前記基板の主面側が該主面とは反対側よりも径が大きいテーパ状に形成されている柱部を有する
請求項１〜９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項１１】
前記端子と前記張出部とは同一材料により構成されている
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項１２】
基板の主面に、励振電極及び当該励振電極に接続された電極パッドを形成する工程と、
前記主面に積層され、前記主面の平面視において前記励振電極を囲む枠状に形成され、前記電極パッドを露出させる第１貫通孔が形成された枠部を形成する工程と、
前記第１貫通孔の内部及び前記枠部の上面に、めっき下地層を形成する工程と、
前記めっき下地層上に、前記めっき下地層を、前記第１貫通孔において露出させるとともに、前記枠部の上面の一部において前記第１貫通孔とつながったパターンで露出させるレジスト層を形成する工程と、
めっき処理により、前記レジスト層から露出した前記めっき下地層上に金属を析出させる工程と、
前記レジスト層と、前記めっき下地層の前記レジスト層に被覆されていた部分とを除去する工程と、
前記枠部に積層されて前記枠部の開口を塞ぐ蓋状に形成され、前記第１貫通孔における析出金属を露出させる第２貫通孔が形成された蓋部を形成する工程と、
前記第２貫通孔に金属を充填する工程と、
を有する弾性波装置の製造方法。
【請求項１３】
基板の主面に、励振電極及び当該励振電極に接続された電極パッドを形成する工程と、
前記主面に積層され、前記主面の平面視において前記励振電極を囲む枠状に形成され、前記電極パッドを露出させる第１貫通孔が形成された枠部を形成する工程と、
前記第１貫通孔の内部及び前記枠部の上面の前記第１貫通孔とつながるパターンの領域に導電性の下地層を形成する工程と、
前記枠部に積層されて前記枠部の開口を塞ぐ蓋状に形成され、前記第１貫通孔を露出させる第２貫通孔が形成された蓋部を形成する工程と、
前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の内部に金属を充填する工程と、
を有する弾性波装置の製造方法。
【請求項１４】
前記下地層を形成する工程では、前記第１貫通孔及び前記パターンの領域を露出させるレジスト層を形成した後に、前記レジスト層の配置位置及び非配置位置に亘って前記下地層を形成し、その後、前記下地層の前記レジスト層上の部分及び前記レジスト層を除去する
請求項１３に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項１５】
基板の主面に、励振電極及び当該励振電極に接続された電極パッドを形成する工程と、
前記主面に積層され、前記主面の平面視において前記励振電極を囲む枠状に形成され、前記電極パッドを露出させる第１貫通孔が形成された枠部を形成する工程と、
前記枠部に積層されて前記枠部の開口を塞ぐ蓋状に形成され、前記第１貫通孔を露出させる第２貫通孔が形成された蓋部を形成する工程と、
前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の内部及び前記蓋部の上面の前記第２貫通孔とつながるパターンの領域にめっき下地層を形成する工程と、
めっき処理により、前記めっき下地層上に金属を析出させて、配線及び回路素子の少なくとも一方を含み、前記枠部の直上領域のみに設けられた回路構成部、並びに、端子を形成する工程と、
を有する弾性波装置の製造方法。
【国際調査報告】
2010125873.tif 000021
2010125873.tif 000022
2010125873.tif 000023
2010125873.tif 000024